Speziell entwickeltes Gerät, um eine Rauheit der aktiven Oberfläche eines bearbeiteten Wafers mit einem 2σ-Wert von maximal 2 µm (Mittigkeitsabweichung (Gesamt-Messuhrausschlag)) zu erzielen;
специально спроектированные установки для получения шероховатости активной поверхности обработанной подложки с двухсигмовым значением в 2 микрометра или менее с общим показанием индикатора (ОПИ);