ده‌ها سال بعد، پیشرفت در فناوری چند گیت امکان مقیاس‌بندی دستگاه‌های ترانزیستور اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌رسانا (MOSFET) به سطح نانو با طول گیت کمتر از 20 نانومتر، از جمله FinFET (ترانزیستور اثر میدان باله)، یک MOSFET سه‌بعدی، غیر صفحه‌ای و دو گیت، را فراهم کرد.