등록특허 10-0613317 심사관 : 장호근 (54) 비트라인을 고정된 전위로 유지하여 메모리에 고속 기입을하는 시스템 및 방법 요약 대표도 감지 증폭기(51)가 설정될 때, 트루 비트라인(BT0) 및 기준 비트라인(BC0) 중 하나만을 고정된 전위, 예를 들어 그라운드 로 유지함으로써 메모리 사이클 내에서 고속 기입을 하는 방법 및 시스템이 개시된다. 감지 증폭기(51)는, 메모리 셀에 데 이터를 기입하기 위하여 트루 비트라인(BT0)과 기준 비트라인(BC0)간의 작은 전압 차이를 소정의 하이 및 로우 전압 레 벨르 증폭한다. 이러한 방법으로, 기입은 메모리의 인접 비트라인 상의 데이터를 손상시키는 위험 없이 판독과 대략 동일 한 시간으로 완료될 수 있다. 비트라인은, 감지 증폭기(51)에서 국지적인 프리챠지 장치를 사용하는 대신에, 비트스위치 (T1)를 통하는 도전 경로에서 고정 전위로 프리챠지된다. 기입하기 위하여 비트스위치(T1) 및 기입 경로 트랜지스터(T3) 는 트루 비트라인(BT0) 및 기준 비트라인(BC0) 중의 하나에 고정된 전위를 적용한다. 현재 기입되고 있지 않은 그러한 다 른 메모리 셀 상의 비트스위치(T1)는 감지 증폭기를 설정할 때 그 메모리 셀에 연결된 비트라인을 고립시켜서, 기입되고 있지 않은 그러한 메모리 셀의 저장된 내용이 선택된 메모리 셀이 기입되는 때에 리프레시(다시 기입)된다. 도 4a - 1 - (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 2006년08월21일 (11) 등록번호 10-0613317 (24) 등록일자 2006년08월09일 (65) 공개번호 10-2004-0008197 (43) 공개일자 2004년01월28일 (87) 국제공개번호 WO 2003/003376 국제공개일자 2003년01월09일 (51) 。Int. Cl. G 1 C1 1/4 0 1(2006.01) (21) 출원번호 10-2003-7015468 (22) 출원일자 2003년11월27일 번역문 제출일자 2003년11월27일 (86) 국제출원번호 PCT/US2001/047677 국제출원일자 2001년12월10일 (30) 우선권주장 09/896,746 2001년06월29일 미국(US) (73) 특허권자 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 미국 10504 뉴욕주 아몬크 뉴오차드 로드 (72) 발명자 바쓰,존,이.,주니어 미국05495버몬트주윌리스톤오크힐로드4718 (74) 대리인 주성민 장수길 필로,하롤드 미국05489버몬트주언더힐포커힐로드298