등록특허 10-0613317 본 발명이 특정 바람직한 실시예를 참조하여 설명되었지만, 당업자는 첨부된 청구항에서 청구된 바와 같이 본 발명의 범위 및 취지를 벗어나지 않으면서 다수의 수정 및 향상이 이루어질 수 있다는 것을 이해할 것이다. 집적 회로에서 메모리 어레이의 메모리 셀에 데이터를 기입하는 방법으로서, 상기 메모리 셀은 그것에 연결된 워드라인(wordline) 및 트루 비트라인(true bitline)에 의하여 액세스되는 데이터를 저장 하고, 상기 메모리 셀은 상기 트루 비트라인에 의하여 감지 증폭기(sense amplifier)에 연결되며, 상기 감지 증폭기는 상기 트루 비트라인과 기준 비트라인(reference bitline)간의 작은 전압 신호를 상기 트루 비트라인 및 상기 기준 비트라인 중의 하나 상의 소정의 하이 전압(high voltage)과 상기 트루 비트라인 및 상기 기준 비트라인 중의 다른 하나 상의 소정의 로우 전압(low voltage)인 최대 스윙(full swing) 신호로 차동화하고(differentiate), 상기 작은 전압 신호는 상기 최대 스윙 신 호 보다 훨씬 더 작은 신호를 가지고, 상기 방법은, 작은 전압 신호가 상기 트루 비트라인 및 상기 기준 비트라인에 나타나도록, 상기 워드라인을 활성화하는 단계; 상기 작은 전압 신호를 차동화하기 위하여 상기 감지 증폭기를 설정하기 전에, 그리고 기입 입력에 응답하여, 상기 트루 비 트라인 및 상기 기준 비트라인 중의 하나만을 그라운드하는 단계; 및 그 후 상기 감지 증폭기를 설정하는 단계 - 상기 트루 비트라인 및 상기 기준 비트라인 중의 어느 것이 그라운드되는지에 따라 결정된 값을 가지는 데이터가 상기 메모리 셀에 기입됨 - 를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. 제1항에 있어서, 상기 워드라인을 활성화하는 단계 후에, 그리고 판독 입력(read input)에 응답하여, 상기 트루 비트라인 및 상기 기준 비트라인을 고립시키는 단계와, 그 후 상기 감지 증폭기를 설정하는 단계를 더 포함하여, 저장된 데이터가 상 기 메모리 셀로부터 판독되는 것을 특징으로 하는 방법. 제1항에 있어서, 상기 트루 비트라인 및 상기 기준 비트라인을 각각 제1 및 제2 비트스위치(bitswitch)에 의하여 트루 팬 노드(true fan node) 및 상보성 팬 노드(complement fan node)에 연결하는 단계를 더 포함하며, 상기 제1 및 상기 제2 비트스위치가 도전하는 동안 상기 트루 비트라인 및 상기 기준 비트라인 중의 상기 하나가, 상기 트 루 팬 노드 및 상기 상보성 팬 노드 중의 대응하는 하나가 그라운드될 때, 그라운드되는 것을 특징으로 하는 방법. 제3항에 있어서, 상기 워드라인을 활성화하는 단계 전에, 상기 트루 팬 노드 및 상기 상보성 팬 노드를 그라운드로 프리챠 지(precharge)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법. - 7 - 청구항 4. 청구항 3. 청구항 2. 청구항 1. (57) 청구의 범위