teneur en oxygŁne de l’interface entre la troisiŁme couche C3 et la quatriŁme couche C4 en appliquant un champ Ølectrique àla quatriŁme couche C4. En variante, la variation de la propriØtØsous l’effet de la tension ou du courant peut rØsulter d’unphØnomŁne de crØation de filaments conducteurs par diffusion ionique ou atomique. AprŁs application d’unfort champ Ølectrique sur la quatriŁme couche C4, des migrations d’ionsou d’atomespeuvent se produire. Dans un tel cas, les migrations se propagent sous la forme de filaments (et non sous forme d’un front de diffusion). Selon la valeur de l’amplitude du champ Ølectrique appliquØ, les filaments gØnŁrent un pont plus ou moins conducteur entre la troisiŁme couche C3 et la quatriŁme couche C4. Il en rØsulteune modification locale de la charge d’espaceàl’interface entre la troisiŁme couche C3 et la quatriŁme couche C4 qui modifie, en moyenne, l’anisotropiemagnØtique d’interface de la troisiŁme couche C3. Selon un autre mode de rØalisation, la variation de la propriØtØsous l’effet de la tension ou du courant rØsulte d’unemodification de la configuration de la polarisation Ølectrique. En variante, la variation de la propriØtØsous l’effet de la tension ou du courant est gØnØrØepar une modification de la configuration de la maille atomique. Selon encore un autre mode de rØalisation, la variation de la propriØtØsous l’effet de la tension ou du courant rØsulted’un phØnomŁne de modification de la cristallinitØ. Dans ce cas, l’application d’un champ Ølectrique crØØun courant apte àfaire fondre le matØriau vers une phase amorphe (dØsordrede la maille atomique) ou au contraire le faire revenir à une configuration cristalline (ordre de la maille atomique). Ceci entraînedes contraintes mØcaniques sur la troisiŁme couche C3 qui peuvent changer àla fois l’amplitudede l’aimantation et l’anisotropie magnØtique d’interface. En rØsumØ,le quatriŁme matØriau MAT4 prØsente une propriØtØcontrôlablepar l’application d’une tension Ølectriqueou d’un courant Ølectriquesur la quatriŁme couche C4. La variation de la propriØtØsous l’effet de la tension ou du courant peut rØsulterd’au moins un phØnomŁne parmi la migration de lacunes d’oxygŁne,la crØation de filaments conducteurs par diffusion ionique ou atomique, la modification de la configuration de la polarisation Ølectrique, la modification de la configuration de la maille atomique et la modification de la cristallinitØ. Un exemple de tel quatriŁme matØriau MAT4 est un oxyde isolant. Le TiO$_{x}$, le TaO$_{x}$ le AIOx et le HfO$_{x}$ sont des exemples d’oxyde isolant. Selon un autre exemple, le quatriŁme matØriau MAT4 est un matØriau ferroØlectrique et piØzoØlectrique.