Le mode d e rØalisation M 8 est plus aisØ àrØaliser que les modes d e rØalisation M 6 et M7. Lorsqu’il n’ya pas u n accŁs individuel à chaque rØsonateur 164, il est possible nØanmoins d e renverser sØlectivement l’aimantation d’un rØsonateur 164 spØcifique e n rajoutant à l’impulsion qui gØnŁre le transfert d e spin o u l’effet Hall d e spin u n courant radiofrØquence àla frØquence d e rØsonance $^{>i}$,m d u rØsonateur 164. Dans le cas illustrØ, le rØseau d e neurones 10 0 est u n rØseau d e neurones capable d’apprentissage par une variation quasi-continue d e la valeur d e ses poids. Le mode d e rØalisation M 9 est dØcrit par diffØrence avec le mode d e rØalisation M 1. Le mode d e rØalisation M 9 est notamment illustrØ àla figure 29. Selon l’exemple illustrØ, l’ØlØment d’ajustement 18 8 est une quatriŁme couche C4. La quatriŁme couche C 4 fait partie d e l’empilement 166 d’une synapse 1 12. E n variante, la quatriŁme couche C 4 est placØe à proximitØ d e la troisiŁme couche C 3 d e l’ØlØment d’ajustement 188, àune distance telle que la quatriŁme couche C 4 ait une influence sur l’aimantation d e la troisiŁme couche C 3 d e la synapse 1 12 . La quatriŁme couche C 4 est rØalisØe e n u n quatriŁme matØriau MAT4 prØsentant une propriØtØ contrôlable par l’application d’une tension Ølectrique o u d’un courant Ølectrique sur la quatriŁme couche C4. Pour la suite, il est supposØ que la propriØtØ dØpend d e la tension Ølectrique appliquØe sur la quatriŁme couche C4. La propriØtØ est, par exemple, une propriØtØ ferroØlectrique o u une propriØtØ magnØtique o u une propriØtØ mØcanique o u une propriØtØ structurelle. La variation d e la propriØtØ sous l’effetd e la tension o u d u courant peut rØsulter d’un phØnomŁne d e migration d e lacunes d’oxygŁne. Dans u n tel cas, la quatriŁme couche C 4 prØsente u n certain degrØ d’oxydation impliquant la prØsence d’ions oxygŁne. L’application d’unchamp Ølectrique provoque le dØplacement d’ions oxygŁne d u fait d e leur charge. C e dØplacement est une migration. L’effet d e migration est d’autant plus fort àl’interface entre la troisiŁme couche C 3 et la quatriŁme couche C 4 o ø le champ Ølectrique est augmentØ d u fait d e la brisure d e symØtrie. Comme l’anisotropie magnØtique dite d’interface est trŁs dØpendante d e l’oxygŁne à l’interface, il devient possible d e faire varier l’anisotropie magnØtique, et donc la frØquence d e rØsonance d e la troisiŁme couche C 3 e n modifiant la TROISIEME CAS D E L’EXEMPLE 1 : RESEAU CAPABLE D’APPRENTISSAGE NEUVIEME MODE D E REALISATION (M9)