19  EP 2 000 008 B1 20  introducing an inert gas into the isolation zone; and generating a first pressure differential between the isolation zone and the first precursor zone and a second pressure differential between the isolation zone and the second precursor zone, the pressure differentials sufficient to inhibit mi- gration of the first and second precursor gases out of the respective first and second precursor zones and mixing of thefirst and secondprecur- sor gases within one of the zones, thereby in- hibiting reactions withinthezonesbetweennon- adsorbed amounts of the first and second pre- cursor gases. einen ersten Vorläuferbereich (14, 114, 314), in den ein erstes Vorläufergas eingeleitet wird, wenn das System in Gebrauch ist; einen zweiten Vorläuferbereich (16, 116, 316), in den ein zweites Vorläufergas, das sich von dem ersten Vorläufergas unterscheidet, einge- leitet wird, wenn das System in Gebrauch ist; einen Isolierungsbereich(20,120,320), der zwi- schen den ersten und zweiten Vorläuferbereich eingefügt ist und in den ein Inertgas eingeleitet wird, wenn das System in Gebrauch ist, wobei der Isolierungsbereich eine Reihe strömungs- beschränkender Durchgangswege (54, 56, 154, 156, 354, 356) aufweist, die sich in den ersten und zweiten Vorläuferbereich öffnen und dazu angeordnet sind, eine Reihe von Wegen vorzu- sehen, entlangdenen ein flexiblesSubstrat(12, 112, 312) eingezogen ist, so dass es sich zwi- schen dem ersten Vorläuferbereich und dem zweiten Vorläuferbereich mehrere Male und je- des Maldurchden Isolierungsbereich rückwärts und vorwärts bewegt; und einen  Substrattransportmechanismus  (60, 360), mit: mehreren ersten Wendeführungen (64, 164,364),dieentlangdeserstenVorläufer- bereichs beabstandet sind, wobei zumin- desteinigeder erstenWendeführungen da- zuausgelegt sind, dasSubstratwährend ei- ner Änderung der Bewegungsrichtung des Substrats in Richtung des zweiten Vorläu- ferbereichs zu stützen, und exhausting a flow of the first precursor gas from the first precursor zone; and trapping at least a portion of the exhausted first precursor gas. mehreren zweiten Wendeführungen (66, 166, 366), die entlang des zweiten Vorläu- 19. The method of any one of claims 12 to 18, further comprising heating at least one of the first and sec- ond precursor zones. 20. The method of any one of claims 12 to 19, further comprising heating the substrate. 21. The method of any one of claims 12 to 20, further comprising introducing a radical into at least one of the precursor zones. 22. The method of any one of claims 12 to 21, in which the first precursor zone, the second precursor zone, and the isolation zone operate at approximately at- mospheric pressures. 1. System (10, 110, 310) zum Abscheiden einer dün- nen Schicht auf einem flexiblen Substrat (12, 112, 312), umfassend: 13. The method of claim 12, further comprising guiding the substrate through a third precursor zone ( 190) into which a third precursor gas different from the second precursor gas is introduced. 14. The method of any one of claims 12 or 13, in which generating the pressure differentials includes inject- ing the inert gas into the passageways. 15. The method of any one of claims 12 to 14, in which the guiding of the substrate back and forth between the first and second precursor zones includes con- tinuously advancing the substrate along a serpentine transport path. 16. The method of any one of claims 12 to 15, further comprising adjusting a length of at least some of the transits through the first precursor zone. 17. The method of any one of claims 12 to 16, further comprising: 18. The methodofclaim 17,furthercomprising recycling thetrapped first precursor gas intothefirst precursor zone. Patentansprüche 11 isolation zone (20, 120, 320) that is interposed between the first and second precursor zones, so that the substrate transits through the first and second precursor zones multiple times, a monolayer of the first precursor gas adsorbs to the surface of the substrate during transit of the substrate through the first precursor zone, and during a subsequent transit of the substrat e through the second precursor zone the second precursor gasreactswith the adsorbed first pre- cursor atthesurface ofthesubstrate,tothereby deposit a thin film on the substrate;