(2) JP 2017-66264 A 2017.4.6 【特許請求の範囲】  アミノ酸と、  無機アルカリ化合物と、  キレート剤と、  砥粒と、 を含む、研磨⽤組成物。  請求項１に記載の研磨⽤組成物において、  前記アミノ酸は、塩基性荷電アミノ酸である、研磨⽤組成物。  請求項２に記載の研磨⽤組成物において、  前記塩基性荷電アミノ酸は、Ｌ−アルギニン、Ｌ−リシン塩酸塩、またはＬ−ヒスチジ ンである、研磨⽤組成物。  請求項１〜請求項３のいずれか⼀項に記載の研磨⽤組成物において、  前記無機アルカリ化合物は、２種類配合されている、研磨⽤組成物。  請求項４に記載の研磨⽤組成物において、  前記２種類の無機アルカリ化合物は、⽔酸化カリウム及び炭酸カリウムである、研磨⽤ 組成物。  請求項１〜請求項５のいずれか⼀項に記載の研磨⽤組成物において、  さらに、⽔溶性⾼分⼦を含む、研磨⽤組成物。 【発明の詳細な説明】 【技術分野】  本発明は、半導体ウェーハの研磨処理に⽤いる研磨⽤組成物に関する。 【背景技術】  半導体シリコンウェーハを研磨する⼯程においては、研磨⽤組成物が⽤いられている。 研磨⽤組成物に求められる特性として、研磨速度や、研磨後のウェーハの表⾯特性等が挙 げられる。  特許⽂献１には、⽔、研磨材、ならびに添加剤として、アルカリ⾦属の炭酸塩、アルカ リ⾦属の炭酸⽔素塩、第四級アンモニウム化合物、過酸化物、およびペルオキソ酸化合物 からなる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含んだ研磨⽤組成物が開⽰されてい る。そして、特許⽂献１の研磨⽤組成物によれば、抵抗率が０．１Ω・ｃｍ以下である低 抵抗シリコンウェーハの研磨加⼯において、凹凸のない極めて平滑な研磨表⾯を形成する ことができ、研磨速度が⼤きく、循環使⽤した場合でも研磨速度の低下が⼩さいと記載さ れている。 【先⾏技術⽂献】 【特許⽂献】 【特許⽂献１】特開２００１−３０３６号公報 【発明の概要】 【発明が解決しようとする課題】  ⼀般に、ウェーハの研磨速度を向上させるために、研磨⽤組成物にアミン化合物を配合 することが⾏われている。しかしながら、アミン化合物の配合量が過剰になると、ウェー 【０００５】 【０００４】 【０００３】 【０００２】 【０００１】 【請求項６】 【請求項５】 【請求項４】 【請求項３】 【請求項１】 【請求項２】