नैनोट्यूब आधारित ट्रांजिस्टर बनाए गए हैं जो घरेलु तापमान पर काम करते हैं और जो एक एकल इलेक्ट्रॉन के प्रयोग से डिजिटल परिवर्तन करने में सक्षम हैं। नैनोट्यूब की प्राप्ति में एक प्रमुख बाधा है, बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिए तकनीक का अभाव. हालांकि, 2001 में IBM शोधकर्ताओं ने बड़ी तादाद में नैनोट्यूब ट्रांजिस्टरों के निर्माण के तरीके का प्रदर्शन किया, बहुत कुछ सिलिकॉन ट्रांजिस्टर की तरह. उनकी प्रक्रिया "रचनात्मक विध्वंस" कहलाती है जिसमें वेफर पर दोषपूर्ण नैनोट्यूब का स्वत: विनाश भी शामिल है।

IBM प्रक्रिया को आगे विकसित किया गया और दस बीलियन सही ढंग से संरेखित नैनोट्यूब जंक्शनों वाले एकल चिप वेफर्स बनाए गए। इसके अलावा, यह भी दर्शाया गया कि गलत तरीके से संरेखित नैनोट्यूब को, मानक फोटोलिथोग्राफी उपकरण का उपयोग करते हुए स्वतः हटाया जा सकता है।

पहला नैनोट्यूब इंटिग्रेटेड मेमोरी सर्किट 2004 में बनाया गया था। नैनोट्यूब की चालकता का विनियमन प्रमुख चुनौतियों में से एक रहा है। सतह के सूक्ष्म लक्षणों के आधार पर एक नैनोट्यूब एक सादे परिचालक के रूप में या एक अर्धपरिचालक के रूप में कार्य कर सकता है। गैर अर्धपरिचालक ट्यूब को हटाने के लिए एक पूर्ण स्वचालित विधि विकसित की गई है।

कार्बन नैनोट्यूब ट्रांजिस्टर बनाने का एक और तरीका है उनके यादृच्छिक नेटवर्क का इस्तेमाल करना। ऐसा करके एक व्यक्ति उनकी सारी विद्युत् भिन्नताओं का औसतिकरण करता है और वह वेफर स्तर पर बड़े पैमाने में उपकरणों का उत्पादन कर सकता है। इस तरीके को सबसे पहले नैनोमिक्स इंक. द्वारा पेटेंट करवाया गया। (मूल आवेदन की तिथि जून 2002) यह सबसे पहले अमेरिकी नौसेना अनुसंधान प्रयोगशाला द्वारा शैक्षणिक साहित्य में 2003 में स्वतंत्र शोध कार्य के माध्यम से प्रकाशित हुआ। इस विधि ने नैनोमिक्स को एक लचीले और पारदर्शी सबस्ट्रेट पर पहला ट्रांजिस्टर बनाने में भी सक्षम किया।

कार्बन नैनोट्यूब के बड़े ढांचे को इलेक्ट्रॉनिक सर्किट के तापीय प्रबंधन के लिए इस्तेमाल किया जा सकता है। लगभग 1 mm मोटी एक कार्बन नैनोट्यूब परत का उपयोग एक विशेष सामग्री के रूप में शीतलक बनाने के लिए किया गया, इस सामग्री का घनत्व बहुत कम है, इसी तरह की तांबे की संरचना से ~ 20 गुना कम वजन, जबकि दोनों सामग्रीयों के लिए शीतलक विशेषताएं समान हैं।

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