अधिक जटिल तार्किक कार्यों, जैसे AND तथा OR गेट्स को शामिल करने वाले कार्य, के लिये तर्क को प्रदर्शित करने हेतु गेट्स के बीच पथ में परिवर्तन करने की आवश्यकता होती है। जब किसी पथ में क्रमिक (series) रूप से लगे दो ट्रांज़िस्टर्स शामिल होते हैं, तो दोनों ट्रांज़िस्टर्स में अपने संबंधित आपूर्ति वोल्टेज के प्रति निम्न प्रतिरोध होना चाहिये, जो एक AND का निर्माण करता है। जब किसी पथ में समानांतर (parallel) रूप से लगे दो ट्रांज़िस्टर्स शामिल होते हैं, तो आपूर्ति वोल्टेज को आउटपुट से जोड़ने के लिये दोनों में से किसी एक में या दोनों ट्रांज़िस्टर्स में निम्न वोल्टेज होना चाहिये, जो एक OR का निर्माण करता है।

CMOS तर्क में एक NAND गेट का परिपथ चित्र दाहिनी ओर प्रदर्शित किया गया है। यदि A और B दोनों के इनपुट उच्च हैं, तो दोनों NMOS ट्रांज़िस्टर्स (चित्र के निचले अर्ध-भाग में) संचालित (conduct) होंगे, दोनों में से कोई भी PMOS ट्रांज़िस्टर्स संचालित नहीं होगा और आउटपुट व V (धरातल) के बीच एक सुचालक (conductive) पथ स्थापित होगा, जिससे आउटपुट निम्न हो जाएगा. यदि A अथवा B में से कोई इनपुट निम्न है, तो एक NMOS ट्रांज़िस्टर संचालित नहीं होगा, एक PMOS ट्रांज़िस्टर होगा और आउटपुट तथा V (वोल्टेज स्त्रोत) के बीच एक सुचालक पथ स्थापित होगा, जिससे आउटपुट उच्च हो जाएगा.

NMOS की तुलना में CMOS का एक लाभ यह है कि निम्न-से-उच्च (low-to-high) और उच्च-से-निम्न (high-to-low), "दोनों" आउटपुट रूपांतरण तीव्र होते हैं क्योंकि NMOS तर्क के भार रजिस्टर्स के विपरीत चालू (Switch on) किये जाने पर पुल-अप (pull-up) ट्रांज़िस्टर्स के बीच प्रतिरोध निम्न होता है। इसके अतिरिक्त, निम्न तथा उच्च पटरियों के बीच आउटपुट संकेत पूर्ण वोल्टेज पर झूलता है। यह शक्तिशाली, अधिक निकट रूप से सममित प्रतिक्रिया CMOS को अधिक शोर प्रतिरोधी भी बनाती है। 

एक CMOS परिपथ में विलंब की गणना करने की विधि के लिये तार्किक प्रयास देखें.

तर्क
तापमान सीमा
द्विविधता
आउटपुट इनपुट का प्रतिलोम है