CMOS तर्क NMOS तर्क परिपथों की तुलना में कम बिजली नष्ट करता है क्योंकि CMOS केवल स्विचन करते समय ही बिजली लेता है ("गतिज विद्युत"). किसी आधुनिक 90 नैनोमीटर प्रक्रिया में, एक विशिष्ट ASIC पर आउटपुट का स्विचन 120 पिकोसेकंड्स ले सकता है और ऐसा प्रत्येक दस नैनोसेकंड्स पर होगा. जब भी आउटपुट निम्न हो, तो NMOS तर्क विद्युत नष्ट करता है ("स्थैतिज विद्युत"), क्योंकि भार प्रतिरोधी तथा n-प्रकार के नेटवर्क के द्वारा V से V तक एक धारा-पथ होता है।

जब भी CMOS परिपथों का स्विचन किया जाता है, तो वे विभिन्न भार धारिताओं (अधिकांशतः गेट और तार धारिता, परंतु निष्कासन और कुछ स्रोत धारिताएं भी) को आवेशित करके विद्युत नष्ट करते हैं। वेष्टित आवेश वोल्टेज परिवर्तन और धारिता का गुणनफल होता है। प्रयुक्त धारा को प्राप्त करने के लिये भार धारिताओं पर स्विचन आवृत्ति से गुणा करें और किसी CMOS उपकरण द्वारा नष्ट की गई अभिलक्षणिक स्विचन विद्युत को प्राप्त करने के लिये पुनः वोल्टेज से गुणा करें: formula_1

1990 के दशक में चिप पर तार अधिक संकरे हो जाने और लंबे तार अधिक प्रतिरोधक बन जाने के कारण विद्युत खपत का एक अतिरिक्त रूप लक्षणीय बन गया. उन प्रतिरोधक तारों के अंत पर स्थित CMOS गेट्स धीमे इनपुट रूपांतरण देखते हैं। इन रूपांतरणों के बीच में, NMOS और PMOS दोनों नेटवर्क आंशिक रूप से सुचालक होते हैं और धारा सीधे V से V तक प्रवाहित होती है। इस प्रकार प्रयोग की गई विद्युत को "लोहदंड (Crowbar)" विद्युत कहा जाता है। अशक्त रूप से चालित लंबे पतले तारों से बचाने वाली सतर्कतापूर्ण रचना ने इस प्रभाव को सुधार दिया है और लौह्दंड विद्युत लगभग सदैव ही स्विचन विद्युत से बहुत कम होती है।

NMOS और PMOS दोनों ट्रांज़िस्टर्स में एक गेट-स्त्रोत सीमारेखा वोल्टेज (threshold voltage) होता है, जिसके नीचे उपकरण से प्रवाहित धारा (जिसे "उप-सीमारेखा [subthreshold]" धारा कहते हैं) बहुत अधिक घट जाती है। ऐतिहासिक रूप से, CMOS डिज़ाइन उनके सीमारेखा वोल्टेज से बहुत अधिक आपूर्ति वोल्टेज (V, 5V रहा होगा और NMOS तथा PMOS दोनों के लिये V, 700mVh रहा होगा) पर कार्य करते थे। लगभग शून्य सीमारेखा वोल्टेज वाला एक विशेष प्रकार का CMOS ट्रांज़िस्टर मूल (Native) ट्रांज़िस्टर है।

रचना की गति बढ़ाने के लिये उत्पादक उन निर्माणों की ओर चले गए हैं, जिनकी वोल्टेज सीमारेखाएं कम होती हैं; लेकिन इसके कारण 200 mV के V वाले एक आधुनिक NMOS ट्रांज़िस्टर में लक्षणीय उप-सीमारेखा रिसाव (subthreshold leakage) धारा होती है। ऐसी रचनाएं (उदा. डेस्कटॉप प्रोसेसर्स), जिनमें परिपथों की एक बड़ी मात्रा शामिल होती है, यदि वे सक्रिय स्विचन न कर रहीं हों, तब भी वे इस रिसाव धारा के कारण बिजली की खपत करती हैं। रिसाव विद्युत ऐसी रचनाओं द्वारा प्रयुक्त कुल विद्युत का एक बड़ा भाग होती है। आगे प्रौद्योगिकी की उन्नतियों, जो अधिक पतले गेट पारद्युतिकों का प्रयोग करती हैं, में अत्यधिक पतले गेट पारद्युतिक से होकर धारा की सुरंग बनाने (tunneling) के कारण एक अतिरिक्त रिसाव घटक होता है। सिलिकॉन डाइ आक्साइड, जो कि पारंपरिक गेट पारद्युतिक है, के स्थान पर उच्च-k पारद्युतिकों का प्रयोग समान उपकरण प्रदर्शन, लेकिन एक मोटे गेट उष्मावरोधी के साथ, की अनुमति देता है और इस प्रकार इस धारा से बचाता है। नए पदार्थ और तंत्र रचना का प्रयोग करके रिसाव विद्युत में कमी CMOS के प्रवर्धन को शक्ति प्रदान करने के लिये महत्वपूर्ण है। रिसाव और कमी की विधियों का एक अच्छा अवलोकन पुस्तक, Leakage in Nanometer CMOS Technologies ISBN 0-387-25737-3 में वर्णित किया गया है।

विद्युत: स्विचन और रिसाव
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