तमाम पदार्थों की तरह, क्रिस्टलीयग्राफिक दोष की मौजूदगी पदार्थ के गुणों को प्रभावित करता है। दोष, परमाणु रिक्तियों के रूप में हो सकते हैं। ऐसे दोषों का उच्च स्तर, तनन-सामर्थ्य को 85% तक कम कर सकता है। कार्बन नैनोट्यूब दोष का एक दूसरा रूप स्टोन वेल्स दोष है, जो बांड के पुनर्निर्माण के द्वारा एक पंचकोण और सप्तकोण जोड़ी बनाता है। CNTs की बहुत छोटी संरचना के कारण, ट्यूब का तनन-सामर्थ्य एक चेन के समान उसके सबसे कमजोर वर्ग पर निर्भर रहता है, जहां सबसे कमजोर कड़ी की मज़बूती चेन की अधिकतम शक्ति बन जाती है।

क्रिस्टलीयग्राफिक दोष, ट्यूब के विद्युत गुण को भी प्रभावित करते हैं। एक आम परिणाम है - ट्यूब की दोषपूर्ण क्षेत्र के माध्यम से न्यून चालकता. आर्मचेयर-प्रकार के ट्यूब में एक दोष (जो बिजली के चालाक हैं) आसपास के क्षेत्र को अर्ध-परिचालक बना सकते हैं और एकल मोनोएटोमिक रिक्तियां चुंबकीय गुण को प्रेरित करती हैं।

क्रिस्टलीयग्राफिक दोष, ट्यूब के तापीय गुणों को अत्यधिक प्रभावित करते हैं। इस तरह के दोष, फोनन प्रकीर्णन को प्रेरित करते हैं, जो बदले में फोनन की विश्रांति दर को बढ़ाता है। यह मीन फ्री पाथ को कम कर देता है और नैनोट्यूब संरचनाओं की तापीय चालकता को कम कर देता है। फोनन ट्रांसपोर्ट सिमुलेशन से संकेत मिलता है कि स्थानापन्न सम्बन्धी दोष जैसे की नाइट्रोजन या बोरान, उच्च फ्रीक्वेंसी ऑप्टिकल फोनन के प्रकीर्णन को मुख्य रूप से प्रेरित करेंगे। हालांकि, बड़े पैमाने दोष जैसे स्टोन वेल्स दोष, विस्तृत श्रृंखला की आवृत्तियों पर फोनन प्रकीर्णन को प्रेरित करता है जिसके परिणामस्वरूप तापीय चालकता में काफी कमी हो जाती है।

दोष
मौजूदा अनुप्रयोग
टोरस
अन्य अनुप्रयोग