कई नए-नए प्रकार के "नॉन-वोलाटाइल" रैम विकासाधीन है जो विद्युत आपूर्ति के बंद हो जाने पर भी डाटा को सुरक्षित रखेंगे. चुंबकीय सुरंग प्रभाव का उपयोग करके कार्बन नैनोट्यूब और दृष्टिकोण युक्त प्रौद्योगिकियों का प्रयोग हुआ। पहली पीढी के एमरैम (MRAM) में, 128 किबीबाइट (KiB) (128 × 2 बाइट) वाले एक चुंबकीय रैम (एमरैम (MRAM)) चिप को 2003 की गर्मियों में 0.18 μm प्रौद्योगिकी के साथ निर्मित किया गया। जून 2004 में, इनफाइनियन टेक्नोलॉजीज़ [Infineon Technologies] ने फिर 0.18 μm प्रौद्योगिकी पर आधारित एक 16 मेबिबाइट (MiB) (16 × 2 बाइट) प्रोटोटाइप का उद्घाटन किया। वर्तमान में दो दूसरी पीढ़ी की प्रौद्योगिकियां विकासाधीन है: थर्मल असिस्टेड स्विचिंग (टीएएस (TAS)) जिसे क्रोकस टेक्नोलॉजी [Crocus Technology] द्वारा विकसित किया जा रहा है और स्पिन टॉर्क़ ट्रांसफ़र (एसटीटी (STT)) जिस पर क्रोकस [Crocus], हाइनिक्स [Hynix], आईबीएम (IBM) और कई अन्य कंपनियां काम कर रही हैं। नैन्टेरो [Nantero] ने सन् 2004 में एक क्रियाशील कार्बन नैनोट्यूब मेमोरी प्रोटोटाइप 10 (गीगीबाइट (GiB)) (10 × 2 बाइट) सारिणी का निर्माण किया। चाहे इनमें से कुछ प्रौद्योगिकियां अंत में या तो डीरैम (DRAM), एसरैम (SRAM) से या फ्लैश-मेमोरी प्रौद्योगिकी से बाज़ार का एक महत्वपूर्ण भाग प्राप्त करेंगे या नहीं, जो भी हो, द्रष्टव्य रहता है।

सन् 2006 के बाद से, "ठोस अवस्था वाले ड्राइव" (फ़्लैश मेमोरी पर आधारित) उपलब्ध हो गए हैं जिनकी क्षमता 64 गीगाबाइट से अधिक और कार्य-निष्पादन पारंपरिक डिस्कों से कहीं अधिक है। इस विकास ने पारंपरिक यादृच्छिक अभिगम मेमोरी और "डिस्क" के बीच की परिभाषा को धुंधला करना शुरू कर दिया है और खास तौर पर इनके कार्य-निष्पादन के अंतर को कम कर दिया है।
प्लास्टिक चुम्बकों के क्षेत्र में भी सक्रिय अनुसंधान हुआ है जो प्रकाश पर आधारित चुंबकीय विपरीतता में फेर-बदल करते हैं।
कुछ प्रकार के यादृच्छिक अभिगम मेमोरी जैसे "इकोरैम (EcoRAM)" को खास तौर पर सर्वर फार्मों के लिए डिजाइन किया गया है जहां बिजली की कम खपत, गति से अधिक महत्वपूर्ण है।
"रैम" शब्द के अन्य उपयोग
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