यह उदाहरण एक NAND तर्क उपकरण को उस भौतिक प्रदर्शन के रूप में दर्शाता है, जैसा कि इसे उत्पादित किया जाएगा. भौतिक अभिन्यास परिप्रेक्ष्य, परतों के एक समूह का "विहंगम-दृष्टिकोण (Bird's eye view)" है। परिपथ एक P-प्रकार के अधःस्तर पर निर्मित किया गया है। पॉलीसिलिकॉन, विसरण (diffusion) और n-well को "बुनियादी परतें (Basic Layers)" कहा जाता है और इन्हें वास्तव में P-प्रकार के अधःस्तर के खन्दकों (trenches) में प्रविष्ट किया जाता है। ये संपर्क आधार परतों और धातु की पहली परत (metal1) के बीच एक रोधक परत को भेदकर संयोजन बनाते हैं।

NAND के इनपुट (हरे रंग में प्रदर्शित) पॉलीसिलिकॉन हैं। CMOS ट्रंज़िस्टर्स (उपकरण) पॉलीसिलिकॉन और विसरण के प्रतिच्छेदन द्वारा बनते हैं: N उपकरण के लिये N विसरण; P उपकरण के लिये P विसरण (चित्र में क्रमशः गेरुएं और पीले रंगों में प्रदर्शित). आउटपुट ("out") धातु (हरिनील [cyan] रंग में प्रदर्शित) में जुड़ा होता है। धातु और पॉलीसिलिकॉन या विसरण के बीच संयोजन संपर्कों के माध्यम से बनाए जाते हैं (काले वर्गों द्वारा प्रदर्शित). भौतिक अभिन्यास का उदाहरण पिछले उदाहरण में दिये गये NAND तर्क परिपथ से मेल खाता है।

N उपकरण का उत्पादन एक P-प्रकार के अधःस्तर पर किया जाता है। P-उपकरण का उत्पादन एक N-प्रकार के कूप (n-well) में किया जाता है। लैच-अप (Latchup) को रोकने के लिये एक P-प्रकार का अधःस्तर "टैप (tap)" V से जोड़ा जाता है और एक N-प्रकार का n-well टैप V से जोड़ा जाता है।

विद्युत: स्विचन और रिसाव
द्विविधता
उदाहरण: भौतिक अभिन्यास में NAND गेट
संघटन