எதிரிலுள்ள படமானது, இரண்டு மின்னழுத்த மூலங்களுடன் இணைக்கப்பட்டுள்ள ஒரு PNP டிரான்சிஸ்டரின் திட்ட விளக்கமாகும். டிரான்சிஸ்டர் E இலிருந்து C க்கு போதிய அளவு மின்னோட்டத்தைக் கடத்தும்படி செய்ய (1 mA என்ற அளவுகளில்), formula_18 மதிப்பானது குறைந்தபட்ச மதிப்பை விட அதிகமாக இருக்க வேண்டும், அது சில நேரங்களில் உள்-முறிவு (கட்-இன்) மின்னழுத்தம் எனப்படுகிறது. வழக்கமாக சிலிக்கான் BJTகளுக்கு அறை வெப்பநிலையில் உள்-முறிவு மின்னழுத்தம் சுமார் 600 mV என உள்ளது, ஆனால் டிரான்சிஸ்டரின் வகை மற்றும் அதன் மின் சார்பைப் பொறுத்து வேறுபடலாம். செலுத்தப்பட்ட இந்த மின்னழுத்தத்தால் மேல் பகுதி P-N சந்தி 'இயக்க நிலைக்கு' மாறி உமிழ்ப்பானிலிருந்து அடிவாய்க்கு துளைகள் செல்கின்றன. செயல் பயன்முறையில் அடிவாய் மற்றும் சேகரிப்பான் (formula_19 இனால் உருவாவது) ஆகியவற்றுக்கிடையே உள்ள மின் புலமானது இந்தத் துளைகளில் பெரும்பாலானவை சேகரிப்பானின் கீழ் P-N சந்தியைக் கடக்கவைக்கின்றன. இதனால் formula_9என்ற சேகரிப்பான் மின்னோட்டம் உருவாகிறது. மீதமுள்ள துளைகள் அடிவாயிலுள்ள பெரும்பான்மை கேரியர்களான எலக்ட்ரான்களுடன் மீண்டும் சேர்கின்றன. இதனால் அடிவாய் இணைப்பிலிருந்து மின்னோட்டம் உருவாகி formula_10என்ற அடிவாய் மின்னோட்டம் கிடைக்கிறது. படத்தில் காண்பிக்கப்பட்டது போல உமிழ்ப்பான் மின்னோட்டம் formula_11 ஆனது மொத்த டிரான்சிஸ்டர் மின்னோட்டமாகும். அது பிற மின் முனை மின்னோட்டங்களின் கூடுதலாகும் (அதாவது, formula_12).

படத்தில் மின்னோட்டத்தைக் குறிக்கும் அம்புகள் மரபு மின்னோட்டத்தின் திசையைக் குறிக்கின்றன – துளைகளின் பாய்வு திசையானது அம்புகளின் திசையே ஆகும். ஏனெனில் துளைகள் நேர் மின்சுமை கொண்டுள்ளன. செயல் பயன்முறையில் சேகரிப்பான் மின்னோட்டத்திற்கும் அடிவாய் மின்னோட்டத்திற்குமுள்ள விகிதமானது DC மின்னோட்ட ஈட்டம் என அழைக்கப்படுகிறது. இந்த ஈட்டமானது வழக்கமாக 100 அல்லது அதிகமாக உள்ளது. ஆனால் உயர் மின்சுற்று டிசைன்கள் துல்லியமான மதிப்பைச் சார்ந்திருப்பதில்லை. DC சமிக்ஞைகளுக்கான இந்த ஈட்டத்தின் மதிப்பு formula_13 என்றும் AC சமிக்ஞைகளுக்கான மதிப்பு formula_14 என்றும் வழங்கப்படுகின்றன. இருப்பினும் குறிப்பிட்ட அதிர்வெண் வரம்பு இல்லாதபட்சத்தில் formula_15 குறியீடு பயன்படுத்தப்படுகிறது.

உமிழ்ப்பான் மின்னோட்டம் formula_18 உடன் அடுக்குத்தொடர் ரீதியாக தொடர்புடையது என்பது கருத்தில் கொள்ளத்தக்கதாகும். அறை வெப்பநிலையில் formula_18 மதிப்பு 60 mV அதிகரிக்கும் போது உமிழ்ப்பான் மின்னோட்டமானது 10 என்ற காரணியளவு அதிகரிக்கிறது. ஏனெனில் அடிவாய் மின்னோட்டமானது தோராயமாக சேகரிப்பான் மற்றும் உமிழ்ப்பான் மின்னோட்டங்களுக்கு நேர்த்தகவிலுள்ளதாகும். அவை ஒரே விதமாக மாறுகின்றன.

கட்டமைப்பு
கோட்பாடும் மாதிரியாக்கலும்
செயல்பாட்டுப் பகுதிகள்
மின்சுற்றுகளில் செயல்-பயன்முறை PNP டிரான்சிஸ்டர்கள்