トンネル磁気抵抗効果
トンネル磁気抵抗効果（とんねるじきていこうこうか・英: Tunnel Magneto Resistance Effect）とは、磁気トンネル接合(MTJ)素子において絶縁体を挟んでいる二層の強磁性体の磁化の向きによって電気抵抗が変化する現象であり、TMR効果とも呼ばれる。
一般的には、二層の強磁性体の磁化が同じ方向を向いている場合（平行状態）に抵抗は低く、お互いに反対の方向を向いている場合（反平行状態）には抵抗が高い。
スピン注入磁化反転方式
スピン偏極して参照層から流れる伝導電子と記録層の磁化の間の角運動量の授受に因って、記録層の磁化にトルクが作用して生じる磁化反転を利用する。なお、これはスピン注入磁化反転と呼ばれる。
これは、TMR素子の接合面積が小さくなると必要な電流を小さくできるスケーラブルな方式であるので、MRAMのような微細化を必要とする場合に適している。