JFET和IGFET有何不同？
FET分为两大类：结场效应晶体管（JFET）和绝缘栅场效应晶体管（IGFET）。IGFET通常被称为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它从金属层（栅极）、氧化物（绝缘层）和半导体层反射其原始结构。与IGFET不同，JFET栅极形成一个p-n二极管，其通道位于源极和漏极之间。在功能上，这使得n沟道JFET成为真空管三极管的固态等效物，真空管三极管同样在栅极和阴极之间形成一个二极管。另外，两个器件都在耗尽模式下工作，它们都具有高输入阻抗，并且它们都在输入电压的控制下传导电流。
JFET栅极形成一个p-n二极管，