HEMT代表什么？
由于电子迁移率高于所有半导体材料的空穴迁移率，给定的双极n-p-n晶体管往往比等效的p-n-p晶体管更快。GaAs是三种半导体中电子迁移率最高的。正是由于这个原因，砷化镓被用于高频应用。高电子迁移率晶体管（HEMT）是一种较新的场效应晶体管，它具有铝镓砷化物（AlGaAs）-砷化镓（GaAs）的异质结构（不同半导体材料之间的连接），其电子迁移率是GaAs金属势垒结的两倍。由于其高速和低噪声，hemt被用于频率在12ghz左右的卫星接收机。基于氮化镓和氮化铝镓的HEMTs（AlGaN/GaN HEMTs）提供了更高的电子迁移率，目前正被开发用于各种应用。
高电子迁移率晶体管