什么样的二极管被用来帮助发现近红外光发射？
1961年9月，在德克萨斯州达拉斯的德州仪器公司工作时，詹姆斯比亚德和加里皮特曼发现了他们在砷化镓衬底上建造的隧道二极管的近红外（900纳米）光发射。到1961年10月，他们已经证明了GaAs p-n结发光体和电隔离半导体光电探测器之间有效的光发射和信号耦合。1962年8月8日，Biard和Pittman根据他们的发现提出了一项名为“半导体辐射二极管”的专利，该专利描述了一种锌扩散p-n结LED，其具有间隔的阴极触点，以允许在正向偏压下有效地发射红外光。美国专利局根据麻省理工学院的G.E.实验室、RCA研究实验室、IBM研究实验室、贝尔实验室和林肯实验室提交的材料之前的工程笔记本确定了他们工作的优先顺序后，向两位发明人颁发了GaAs红外（IR）发光二极管的专利（美国专利US3293513），这是第一个实用的LED。在申请专利后，德州仪器公司（TI）立即开始了一个生产红外二极管的项目。1962年10月，TI发布了第一款LED商业产品（SNX-100），它采用了纯GaAs晶体来发射890nm的光输出。1963年10月，TI宣布推出第一款商用半球形LED，SNX-110。
隧道