当从InGaN/GaN系统中产生的led比没有的led效率更高？
到了20世纪90年代末，蓝色led开始广泛应用。它们有一个活跃的区域，由一个或多个InGaN量子阱组成，夹在较厚的GaN层之间，称为包层。通过改变InGaN量子阱中In/Ga的相对含量，理论上可以改变从紫罗兰色到琥珀色的光发射。不同Al/Ga含量的Al GaN（AlGaN）可用于制备紫外光led的包层和量子阱层，但这些器件还没有达到InGaN/GaN蓝/绿器件的效率和技术成熟度。如果在这种情况下使用非合金GaN来形成活性量子阱层，器件将发射近紫外光，峰值波长集中在365纳米左右。用InGaN/GaN系统制造的绿色led比用非氮化物材料系统制造的绿色led效率和亮度要高得多，但实际设备的效率仍然太低，不适合高亮度应用
绿色