Quando il LED blu con struttura a doppio etero ( DH) InGaN a giunzione p-n è stato sviluppato dal nostro gruppo di ricerca nel 1992, la luminosità era cento volte maggiore di quella dei tradizionali LED MIS GaN a semiconduttore isolante metallico fino ad allora venduti in Giappone.
Quando il LED blu con struttura a doppio etero ( DH) InGaN a giunzione p-n è stato sviluppato dal nostro gruppo di ricerca nel 1992, la luminosità era cento volte maggiore di quella dei tradizionali LED MIS GaN a semiconduttore isolante metallico fino ad allora venduti in Giappone. In quel momento ho capito che sarebbe stata una grande invenzione.