MESFET
<s>Metalni poluprovodni tranzistor sa efektom polja (en. metal–semiconductor field-effect transistor, skraćeno MESFET) je podvrsta spojnih JFET tranzistora gde se umesto običnog PN spoja na  mestu gejta (G)  nalazi Šotki dioda.</s>

<s>Konstrukcija 
MESFET tranzistori se izrađuju kompleksnim poluprovodničkim tehnologijama.</s><s>Materijali od kojih mogu da se izrađuju su GaAs, InP, SiC s tim da je najčešće korišćen materijal GaAs.</s><s>Ovi tranzistori su mnogo brži  ali i mnogo skuplji od silicijumskih JFET ili MOSFET tranzistora a povećana cena dolazi usled tehnologije neophodnosti eliminisanja nečistoća.</s><s>MESFET tranzistori se koriste za frekvencije do 45MHz  i obično su u upotrebi u mikrotalasima za potrebe komunikacionih uređaja i radara.</s><s>Prvi MESFET je napravljen 1966 godine i nakon godinu dana su predstavljene njegove karakteristike na vrlo viskim frekvencijama</s>

<s>Funkcionalnost 
MESFET je u suštini spojni JFET tranzistor.</s><s>Razlika između MOSFET i MESFET tranzistora je u tome što MESFET tranzistor nema dodat izolator ispod gejta nego metal sa poluprovodnikom generiše Šotki diodu.</s><s>U tranzistorskom modu rada ova dioda je inverzno polarisana za razliku od pozitivno polarisanog Gejta kod MOSFET tranzistora.</s>

<s>Pri dizajnu uređaja sa MESFET-ovima treba strogo voditi računa o ograničenjima koja nastaju usled negativne polarizacije gejta (G) i nikad se ne sme dozvoliti da naponi polarizacije izađu iz određenih granica.</s><s>Ukoliko su svi ovi uslovi ispoštovani uređaji sa ovim tipom tranzistora vrlo lepo rade.</s><s>Najkritičniji deo dizajna je izbor dimenzija gejta koji će omogućiti rad u željenom frekventnom opsegu.</s><s>Generalno, uži gejt daje bolje mogućnosti upravljanja kanalom na izabranoj frekvenciji.</s><s>Razmak između sorsa (S) i drejna (D) kao u bočne dimenzije Gejta su takođe bitni za neke manje kritične parametre tranzistora.</s>

<s>Strujni kapacitet MESFET tranzistora je poboljšan jer je gejt bočno produžen  ali je i ograničen zbog pomeranja faze duž gejta zbog efekta propagacije.</s><s>Kao posledica ovog efekta dobija se da kod većine proizvedenih MESFET-ova gejt ima oblik pečurke u poprečnom preseku.</s>

<s>Korišćenje 
Brojne mogućnosti proizvodnje MESFET tranzistora dale su mogućnost izrade trantistora za različite sisteme.</s><s>Neke od glavnih oblasti korišćenja MESFET tranzistora su vojne komunikacije kao niskošumni pretpojačavači mikrotalasnih prijemnika, vojni i civilni radarski sistemi, komercijalna optoelektronika, satelitske komunikacije u delu izlaznih pojačavača u mikrotalasnim linkovima  kao i u oscilatorima.</s>

<s>Reference</s>

<s>Spoljašnje veze 
http://www.hdodig.com/lectures/elementi_i_sklopovi/pred18.pdf</s>

<s>Tranzistori</s>

