The first generation Nantero NRAM technology was based on a three-terminal semiconductor device where a third terminal is used to switch the memory cell between memory states.
Esimese põlvkonna Nantero NRAM tehnoloogia põhineb kolme terminaliga pooljuhtseadmel, kus kolmandat terminali kasutatakse selleks, et vahetada mälu lahtrit mälu liikide vahel.