EEPROM occupies more die area than flash memory for the same capacity, because each cell usually needs a read, a write, and an erase transistor, while flash memory erase circuits are shared by large blocks of cells (often 512×8).
EEPROM zauzima više prostora od flash memorije za isti kapacitet zbog toga što svaka ćelija obično treba tranzistor za čitanje,pisanje i brisanje, dok u flash memoriji kola koja se brišu su podeljena velikim blokovima ćelija (obično 512×8).