에스램반도체 국제카르텔에 대한 건
『에스램반도체 국제카르텔에 무혐의 결정』<br>1. 반도체의 종류·특성 <table><tbody><tr><td colspan='3'>메모리 반도체</td></tr><tr><td colspan='2'>종류</td><td>특성</td></tr><tr><td rowspan='3'>휘발성 메모리 </td><td>DRAM</td><td>전원이 공급되고 있는 동안이라도 일정 기간내에 주기적으로 정보를 다시 넣지 않으면 기억된 데이터가 없어지는 메모리로 범용, EDO, Synchronous의 순으로 발전</td></tr><tr><td>고속 DRAM </td><td>DDR(Double Date Rate) DRAM, RAMBUS DRAM 등 기존 DRAM의 단점인 컴퓨터 프로세서와의 정보처리속도 차이를 극복하기 위해 등장 </td></tr><tr><td>SRAM</td><td>전원이 공급되는 동안은 항상 기억된 내용이 그대로 남아 있는 메모리</td></tr><tr><td rowspan='4'>비휘발성메모리</td><td>MASK ROM</td><td>제조공정시에 고객이 원하는 정보를 저장함으로써 전자사전, OA기기의 문자정보 저장 등에 이용</td></tr><tr><td>EPROM</td><td>자외선을 이용, 정보를 지우거나 기억할 수 있는 메모리(Erasable & Programmable ROM)</td></tr><tr><td>EEPROM</td><td>EPROM보다 발전된 개념으로 전기적으로 정보를 기억 및 저장할 수 있는 메모리로 전원이 꺼져도 정보를 유지할 수 있는 ROM의 특징과 단일 5V 전원으로 입출력할 수 있는 RAM의 특징을 다 가지고 있음 (Electronically Erasable & Programmable ROM)</td></tr><tr><td>플래시메모리 </td><td>EEPROM의 집적도 한계를 극복하기 위하여 일괄소거방식의 1TR-1Cell 구조 채용, 전력소모가 적고 고속 프로그래밍이 가능하여 자동응답기나 전자수첩 등 메모리를 자주 변경해야 하는 제품에 주로 채용됨 </td></tr><tr><td colspan='3'>비메모리 반도체 </td></tr><tr><td colspan='2'> 종류</td><td>특성</td></tr><tr><td rowspan='3'>IC<br>(집적 회로) </td><td>Micro-Component</td><td>마이크로 컴퓨터를 구성하기 위한 핵심부품으로 MPU(Micro Processor Unit), MCU(Micro Conroller Unit), MPR(Micro Peripheral), DSP(Digital Signal Processor)등을 총칭하는 것임</td></tr><tr><td>Logic/ ASIC </td><td>고객의 주문에 의하여 설계된 특정회로를 반도체 IC로 응용설계하여 주문자에게 독점 공급하는 User 전용 규격의 주문형 IC로 Gate Array, Standard Cell 및 Custom이 있음 </td></tr><tr><td>Analog IC </td><td>제반신호의 처리를 연속적인 신호변환에 의해 인식하는 IC로 Audio/Video IC, 통신용 IC, 신호변환용 IC 등이 있음 </td></tr><tr><td>개별 소자 </td><td> </td><td>IC에 반대되는 개념으로 TR, Diode, 저항기, 콘덴서 등 개별품목으로서의 단일기능만을 가지고 있는 개별소자를 총칭</td></tr></tbody></table>
무엇이 휘발성메모리로서 전원이 제공하는 동안 언제나 기억된 내용이 그대로 남아 있을까