궁극적으로 테라헤르츠 카메라의 목표는 광학 카메라 수준의 성능을 갖는 것일 것이다. 그런데, 마이크로 볼로미터를 활용한 테라헤르츠 이미징 기술은 픽셀 크기의 한계로 고해상도 이미징에 어려움이 있다. 또한, 검출기의 반응속도가 느리고 주변의 열에너지에 의한 노이즈 영향이 크다는 단점이 있다. 이런 한계점을 극복하는 방법의 하나로써 최근에 상용 CCD(Charge-Coupled Device)를 사용한 테라헤르츠 이미징에 대한 연구 결과가 발표되었다. 일반적으로 실리콘의 밴드갭 에너지는 1.12eV로 수 meV의 에너지를 갖는 테라헤르츠파 검출에 사용될 수 없다. 그러나 고강도 테라헤르츠파와 실리콘 사이의 비선형 현상을 이용하여 5~13THz 영역의 테라헤르츠파를 픽셀 수 1,360×1,240개, 픽셀 크기 4.65μm인 CCD 상에 이미징하였다. CCD를 사용했을 때, 상용화된 마이크로 볼로미터 카메라와 비교하여, 테라헤르츠파의 발산, 크기, 초점 평면 등이 좀 더 명확하게 구분되는 것이 확인되었다.
테라헤르츠 카메라의 한계점을 극복하는 방법으로써 상용 CCD를 사용한 테라헤르츠 이미징에 대한 연구 결과가 최근 발표되었다. 그 결과 테라헤르츠파의 발산, 크기, 초점 평면 등이 좀 더 명확하게 구분되는 것이 확인되었다.