인하대학교는 최근 산업통상자원부와 과학기술정보통신부 주관으로 열린 ‘나노 코리아 2019(NANO KOREA 2019)’에서 신소재공학과 반도체나노소자연구실 김남훈(25)대학원생이 희생층 식각 공정을 이용한 멤브레인 게이트 박막 트랜지스터 제작 기술을 인정받아 베스트 포스터로 선정됐다고 8일 밝혔다. <사진> 그는 이 연구로 포스트 부문 은상도 수상했다. 김남훈 원생이 발표한 논문 ‘희생층 식각 공정을 이용한 멤브레인 게이트 박막 트랜지스터 제작(Fabrication of membrane-gate field-effect transistor using a sacrificial layer release process for versatile sensor platform)’은 기존과는 다른 방법으로 ‘멤브레인 게이트 박막 트랜지스터’를 제작한 내용을 담고 있다. 멤브레인 게이트 박막 트랜지스터는 절연층 내 진공 갭 구조를 형성해 막이 위아래로 움직이도록 한다. 이는 정전용량의 차이를 전기적 신호로 변환하거나 증폭하고 센서의 민감도를 높인다. 이번 연구는 기존 웨이퍼 본딩 기기를 이용하는 방식으로는 어려웠던 저온 공정을 용이하게 해 3차원 단일 집적 구조(M3D)를 적용한 3차원 구조에서 고민감도 초저전력의 센서 소자 제작을 가능하게 한다. 최유탁 기자 cyt@kihoilbo.co.kr 기호일보, KIHOILBO
인하대학교 반도체나노소자연구실 김남훈 대학원생은 고민감도 초저전력의 센서 소자 제작을 가능하게 하는 '희생층 식각 공정을 이용한 멤브레인 게이트 박막 트랜지스터 제작' 기술을 인정받아 '나노 코리아' 베스트 포스터에 선정되었다.