정진욱 기자 경기도가 초고속 통신에 사용되는 시스템반도체 소재 국산화를 추진한다. 도는 한국나노기술원과 함께 ‘시스템반도체 국산화 연구지원사업’을 추진하기 위해 2022년까지 총 30억 원의 예산을 투입할 계획이라고 24일 밝혔다. 이번 사업을 통해 도는 초고속 통신에 사용되는 인듐갈륨비소(InGaAs) 에피웨이퍼와 이를 이용한 초고속 통신소자(HEMT)를 개발할 계획이다. 인듐갈륨비소 에피웨이퍼는 갈륨비소, 실리콘웨이퍼 등 물질의 표면에 별도 화합물 반도체층을 성장시킨 것으로, 현재 사용되는 실리콘웨이퍼보다 다양한 기능과 성능을 구현할 수 있는 시스템반도체 소재다. 5G, 사물인터넷(IoT), 자율차 등 4차 산업혁명 실현을 위한 핵심 부품을 제작하는 데 사용되는 소재인 만큼 수요가 갈수록 증가할 것으로 예상되고 있지만 높은 개발비용과 연구인력, 인프라 등이 요구돼 중소기업 차원의 개발이 어려워 미국·일본 등 해외 수입에 의존하고 있는 실정이다. 도는 향후 3년간 개발비 지원을 통해 한국나노기술원이 인듐갈륨비소 에피웨이퍼 및 초고속 통신소자 기술을 개발하도록 한 뒤 도내 중소기업과 대학, 연구소 등에 해당 기술을 제공, 시스템반도체 소재 독립 및 중소기업 매출 증대를 도모할 방침이다. 최병길 도 과학기술과장은 "해외 수입에 의존하고 있는 인듐갈륨비소 에피웨이퍼와 초고속 통신소자를 국산화하게 될 경우 시스템반도체 소재 독립을 도모할 수 있는 것은 물론 중소기업 매출도 크게 증가할 것으로 기대한다"고 말했다. 정진욱 기자 panic82@kihoilbo.co.kr
경기도가 초고속 통신에 사용되는 시스템반도체 소재 국산화를 추진하기 위해 2022년까지 총 30억 원의 예산을 투입하고 초고속 통신에 사용되는 인듐갈륨비소(InGaAs) 에피웨이퍼와 이를 이용한 초고속 통신소자(HEMT)를 개발할 계획이라고 24일 알렸다.