28 나노 FD-SOI 공정기반 eMRAM 제품 6일 출하 삼성전자가 28 나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory, 내장형 MRAM) 솔루션 제품을 6일 출하했다고 밝혔다. 삼성전자 파운드리 생산라인 전경. FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄일 수 있는 공정이며 MRAM은 비휘발성(전원을 꺼도 데이터가 유지됨)이면서도 DRAM 수준으로 속도가 빠른 특성을 갖춘 메모리 반도체다. 이 두 기술이 합쳐져 전력을 적게 소모하면서 속도도 매우 빠르고 소형화가 쉬우면서도 가격까지 저렴한 차세대 내장 메모리가 만들어졌다. 삼성전자 파운드리 사업부는 SoC(System on Chip)에 이 제품을 결합해 파운드리 분야 기술 리더십을 강화했다. 내장형(embedded) 메모리는 IoT 기기 등 소형 전자 제품에 사용되는 MCU(Micro Controller Unit)나 SoC 같은 시스템 반도체에서 정보 저장 역할을 하는 메모리 모듈이다. 주로 Flash를 기반으로 한 eFlash(embedded Flash Memory)가 사용된다. 하지만 eFlash는 데이터를 기록할 때 먼저 저장돼있던 기존 데이터를 삭제하는 과정을 거치기 때문에 속도와 전력 효율 측면에서 단점이 있었다. 삼성전자의 ‘28 나노 FD-SOI eMRAM’ 솔루션은 데이터 기록 시 삭제 과정이 필요 없고 기존 eFlash보다 1000배 빠른 쓰기 속도를 구현한다. 한편 삼성전자는 6일 기흥캠퍼스에서 ‘28 나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM’ 양산 제품의 첫 출하를 기념하는 행사를 열었다. 정옥재 기자 littleprince@kookje.co.kr .
삼성전자가 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌우는 FD-SOI 공정으로 전력 소모를 줄이고 비휘발성 고체 메모리인 MRAM를 사용하여 속도도 빠른 내장 메모리를 6일 출회했다.


