수평 전기로에서 MgGa2Se4 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy)방법으로 MgGa2Se4 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100)기판에 성장시켰다. MgGa2Se4단결정 박막의 성장 조건은 증발원의 온도 610oC, 기판의 온도 400oC였고 성장 속도는 0.5 μm/hr였다. 이때 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 212 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. MgGa2Se4/SI(Semi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를 293 K에서 10 K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap Eg(T)는 varshni공식에 따라 계산한 결과 Eg(T) = 2.34 eV ? (8.81 × 10?4eV/K)T2/(T + 251 K)이었으며 광전류 스펙트럼으로부터 Hamilton matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과crystal field splitting energy Δcr값이 190.6 meV이며 spin-orbit energy Δso값은 118.8 meV임을 확인하였다. 10 K일 때 광전류봉우리들은 n = 1, 27일때 A1-, B1-와 C27-exciton 봉우리임을 알았다.
수평 전기로에서 MgGa2Se4 다결정을 합성해 HWE방법으로 MgGa2Se4 단결정 박막을 반절연성 GaAs기판에 성장시켰다.