Cu2O는 초저가 태양전지의 흡수층으로 적용될 수 있는 물질 중 하나로 direct band gap(Eg= ~2.1 eV)을 갖고있으며 최대 650 nm 파장의 빛을 흡수 할 수 있는 높은 흡수율을 가지고 있다. 또한 무독성, 풍부한 매장량으로 낮은 비용 등의 여러 장점을 가지며 간단하고 저렴한 방법으로 대량으로 제작이 가능하다. 본 연구에서 Au가 증착된 SiO2/Si 기판 위에 전착법을 통해 Cu2O 박막을 제작하였다. 우리는 용액의 pH와 작업전극에 인가되는 전위, 용액의 온도와 같은 공정조건을 바꾸어주었고 최종적으로 XRD와 SEM 사진 분석을 통해 박막의 특성을 확인하였다. 
Cu2O는 초저가 태양전지의 흡수층으로 적용될 수 있는 물질 중 하나로, 무독성과 풍부한 매장량으로 간단하고 저렴한 방법으로 대량으로 제작이 가능하다.  Au가 증착된 SiO2/Si 기판 위에 전착법을 통해 Cu2O 박막을 제작하였을 때,  pH와 작업전극에 인가되는 전위, 용액의 온도와 같은 공정조건을 바꾸어주었고, XRD와 SEM 사진 분석을 통해 박막의 특성을 확인할 수 있다.