높은 광흡수 계수를(1 × 105cm?1) 가지는 CIGS는 Ga의 비율에 따라서 밴드갭을 조절할 수 있다는 장점을 지니고있다. CIGS의 밴드갭은 Ga의 비율에 따라 CuInSe2(Eg: 1.0 eV)에서 CuGaSe2(Eg: 1.68 eV)까지의 범위에 존재하며, 태양전지에서 이상적인 fill factor 모양을 가지도록 Ga의 비율을 높게 조성한다. CIGS 흡수층을 제작하는 방법에는 co-evaporator 방식이가장 널리 사용되며 연구되고 있다. 이에 본 연구에서는 수평 형태의 hydride vapor transport (HVT)법을 고안하여 CIGS 나노구조 및 에피성장을 시도하였다. HVT법은 N2 분위기에서 원료부의 CIGS 혼합물을 HCl과 반응시켜 염화물 기체상태로 변환후 growth zone까지 이동하여 성장을 하는 방식이다. 성장기판은 c-Al2O3 기판과 u-GaN을 사용하였다. 성장 후 field emission scanning electron microscopy(FE-SEM)과 energy dispersive spectrometer(EDS)를 이용하여 관찰하였다.
본 연구에서는 수평 형태의 hydride vapor transport (HVT)법을 고안하여 CIGS 나노구조 및 에피성장을 시도하였다.