유기전계 발광소자에서 tris(8-quinolinolato)aluminum(III); Alq3는 전자 수송층으로 자주 사용된다. Alq3 위에 작은 일함수를 지닌 바륨 혹은 큰 일함수를 지닌 금이 각각 진공 증착되었다. 이때 형성된 Alq3/Ba과 Alq3/Au의 계면에서의 전자 천이 거동을 가까운 끝머리 엑스선 흡수 미세구조(near edge x-ray absorption fine structure NEXAFS) 분광법을 사용하여 조사하였다. 각각의 계면에 있어서 비점유 궤도의 에너지 준위를 π*(LUMO, LUMO+1, LUMO+2, LUMO+3)와 σ*로써 할당했고 이들 피크의 상대적인 세기가 조사되었다. Alq3 분자를 구성하는 산소 원자에 있어서 K 끝머리부터 LUMO+2 준위로의 천이에 대한 상대적인 피크의 세기는 낮은 일함수를 가진 바륨(2.7 eV)의 도포량이 Alq3 층 위에서 연속적으로 증가됨에 따라 크게 증가됐다. 반면에 높은 일함수를 지닌 금(5.1 eV)의 도포량이 Alq3 층 위에 증가될 때 LUMO+2 천이로의 상대적인 피크의 세기는 감소했다. 이것은 비점유 궤도를 구성하는 산소 원자에 있어서 입사광에 의한 전자 천이가 금속의 일함수에 크게 의존함을 의미한다. 한편, Alq3을 구성하는 탄소 원자에 있어서 K 끝머리로부터 π*로의 천이의 경우에, 바륨의 도포 량이 Alq3 위에 증가됨에 따라 π1*(LUMO와 LUMO+1)로는 조금씩 감소되고 π2*(LUMO+2와 LUMO+3)로는 다소 증가된다. 이러한 π1*로부터 π2*로의 에너지 준위의 상승은 바륨으로부터 Alq3로 제공된 전자가 전자 천이과정에 기여함을 의미한다. 위와 같은 관측과 같이 각 계면에서의 NEXAFS 스펙트럼의 분석은 순수한 유기재료의 광에 의한 전자 천이의 과정을 이해하는 기초자료로써 중요하다.
유기전계 발광소자에서 tris(8-quinolinolato)aluminum; Alq3는 전자 수송층으로 자주 사용된다. 이때 형성된 Alq3/Ba과 Alq3/Au의 계면에서의 전자 천이 거동을 가까운 끝머리 엑스선 흡수 미세구조 분광법을 사용해 조사했다.