유리기판에 n형 Bi-Te 열전박막과 p형 Sb-Te 열전박막을 진공증착하여 in-plane 열전센서를 형성한 후, 열전센서의 감지특성을 분석하였다. 열전센서를 구성하는데 사용한 n형 Bi-Te 증착박막은 -165 μV/K의 Seebeck 계수와80×10-4 W/K2-m의 출력인자를 나타내었으며, p형 Sb-Te 증착박막은 142 μV/K의 Seebeck 계수와 51.7×10-4 W/K2-m의출력인자를 나타내었다. 이와 같은 n형 Bi-Te 및 p형 Sb-Te 박막 15쌍으로 구성된 열전센서는 2.8 mV/K의 감지도를 나타내었다.
유리기판에 n형 Bi-Te 열전박막과 p형 Sb-Te 열전박막을 진공증착해 in-plane 열전센서를 형성 후, 열전센서의 감지특성을 분석하였다.