단결정 ingot 성장기술 중 하나인 traveling heater method(THM) 기술을 이용하여 n형 열전소재인 Bi2Te3-Bi2Se3 고용체화합물을 성장하였다. 고용체 화합물내 CdCl2와 SbI3을 첨가하여 dopant의 영향을 확인하였고 각각의 dopant의 최적의 첨가량[CdCl2 0.1 wt%(Z: 2.73 × 10?3 /K), SbI3 0.05 wt%(Z: 2.29 × 10?3 /K)]을 확인하였다. THM 기술을 통해 성장된 ingot 의 각 부위별 열전특성을 확인해 본 결과 주요 인자들의 표준편차가 낮은 매우 균질화된 특성을 보였다. 또한 Bi2Te3-Bi2Se3 고용체화합물의 비등방성 지수와 dopant와의 관계를 확인하기 위하여 90(Bi2Te3)10(Bi2Se3) 조성의 고용체화합물에 donor dopant로서 CdCl2(0.05~0.1 wt%)을 첨가하여 dopant의 증가에 따른 비등방성 지수의 변화를 확인해본 결과 dopant가 증가함에 따라 비등방성 지수가 변하는 것을 확인하였고 이러한 비등방성 지수의 변화가 실제 열전성능에 크게 영향을 미치는것을 확인하였다.
단결정 ingot 성장기술 중 하나인 traveling heater method(THM) 기술을 이용해 n형 열전소재인 Bi2Te3-Bi2Se3 고용체화합물을 성장했다.