자외선 LED용 기판소재로 응용가능한 AlN(질화알루미늄) 단결정을 물리기상이동법(Physical Vapor TransportMethod)으로 성장하기 위해 성장 거동을 조사하였다. 다결정의 종자결정을 사용하였으며, 직경은 3인치급이었고, 120시간동안 성장공정을 수행하여 길이 약 4 mm의 다결정상을 얻었다. 본 연구에서는 성장 조건과 대형의 도가니를 사용하였을경우의 성장 거동에 대하여 고찰하여 보고자 하였다.
자외선 LED용 기판소재로 응용가능한 AlN 단결정을 물리기상이동법으로 성장하기 위해 성장 거동을 조사하였다.
다결정의 종자결정을 사용하였으며, 직경은 3인치급이었고, 120시간동안 성장공정을 수행하여 길이 약 4 mm의 다결정상을 얻었다.
성장 조건과 대형의 도가니를 사용하였을경우의 성장 거동에 대하여 고찰하여 보고자 하였다.