다양한 공정 조건으로 SiNx와 SiO2 박막을 형성하고 이에 대한 패시베이션 특성에 대한 연구를 수행하였다. Plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD)을 이용하여 증착된 SiNx 박막의 경우, 증착 두께가 증가함에 따라 페시베이션 특성이 향상되는 것을 관찰하였다. 이는 PECVD 증착 공정 중 유입되는 수소 원자들이 실리콘 표면에 존재하는Dangling bond와 결합하여 소수 캐리어의 재결합 현상을 효과적으로 감소시켰기 때문이다. 건식 산화법으로 형성된 SiO2박막은 습식 산화법으로 형성된 것 보다 치밀한 계면 구조를 가짐으로 인하여 약 20배 이상 우수한 패시베이션 특성을 나타내었다. 건식 산화 공정 온도가 증가함에 따라 패시베이션 특성이 열화되는 현상이 발생하였고, Capacitance-voltage(C-V)및 Conductance-voltage(G-V) 분석을 통하여 SiO2/실리콘 계면에 존재하는 계면 결함 밀도 증가에 의해 나타나는 현상임을알 수 있었다.
다양한 공정 조건으로 SiNx 및 SiO2 박막을 형성하고 이에 대한 패시베이션 특징에 대한 연구를 실행했다.