3차원 칩 적층 접합에 사용하기 위한 Cu-Cu 금속 저온 접합 공정을 위하여 접합 온도 및 플라즈마 표면 전처리에 따른 열 압착 접합을 수행하였다. 4점굽힘시험과 CCD 카메라를 이용하여 Cu 접합부의 정량적인 계면접착에너지를 평가하였다. 접합 온도 250℃, 300℃, 350℃에서 각각 1.38 ± 1.06(상한값), 7.91 ± 0.27(하한값), 10.36 ± 1.01(하한값) J/m² 으로 접합온도 300℃ 이상에서 계면접착에너지 5 J/m² 이상의 값을 얻었다. 접합 온도 300℃ 이하 낮은 온도에서 접합하기 위해 Cu-Cu 열 압착 접합 전 Ar+H₂ 플라즈마로 200℃에서 2분간 표면 전처리 후 250℃ 조건에서 열 압착 접합할 경우 계면접착에너지 값이 6.59 ± 0.03(하한값) J/m²로 표면 전 처리하지 않은 시험편에 비해 접합 특성이 크게 증가하였다.
3차원 칩 적층 접합에 사용하기 위한 Cu-Cu 금속 저온 접합 공정을 위하여 접합 온도 및 플라즈마 표면 전처리에 따른 열 압착 접합을 수행했다.