수소화기상증착에피탁시로 성장된 GaN 단결정의 표면 특성을 정밀하게 측정하기 위해, 용융 KOH/NaOH 습식화학에칭법을 적용하였다. KOH/NaOH 습식화학에칭법에 에칭속도는 기존의 황산, 인산과 같은 etchant에 비해 느린데, 이는 불용성 코팅층의 형성에 의한 것이다. 따라서 이 방법으로 etch pits density를 더 효율적으로 평가할 수 있었다. 성장된GaN 단결정을 XRD(X-Ray Diffraction), XRC(X-ray rocking curve)로 결정성을 분석하였으며, 에칭 특성과 표면 형상은 주자전자현미경을 이용하여 관찰하였다. 에칭 실험 결과 격자결함들이 독립적으로 잘 분리되어 있고 그들의 형태가 명확하게나타나는 최적 에칭 조건은 410oC, 25분이었다. 이 조건에서 얻은 결함밀도 값은 2.45 × 106cm?2이었으며, 이는 상업적으로이용 가능 한 정도의 재료임을 확인할 수 있었다.
에칭 실험 결과 격자결함들이 독립적으로 잘 분리된 그들의 형태가 명확하게 나타난 최적 에칭 조건은 410oC, 25분이다. 이 조건은 결함밀도 값은 2.45 × 106cm?2이다.