본 연구에서는 고품질의 합성다이아몬드를 얻고자 합성다이아몬드 표면에 잔류하는 그래핀, DLC 등의 흑연계 준안정상을 효과적으로 제거하는 세정공정을 위해 왕수와 황산 외에 K2S2O8, P2O5, KMnO4의 산화제가 들어간 습식세정공정, PⅡ를 제안하였다. 이 공정은 기존의 산처리를 이용한 세정공정(PⅠ) 뿐만 아니라 신세정공정(PⅠ+PⅡ)을 함께 사용하여 7GPa-1500℃-5minutes의 조건 하에서 합성된 200um의 다이아몬드 표면에 잔류하는 흑연과 불순물 등을 제거하기 위해 진행되었다. 이를 육안분석, 광학현미경, 마이크로라만, TGA-DTA를 통하여 확인하였다. 육안분석과 광학현미경 분석 결과 새로운 습식세정공정(PⅠ+PⅡ) 진행 후 합성다이아몬드의 채색이 밝은 노란색으로 개선되었다. 또한 마이크로라만 분석을 통해 1330cm-1의 다이아몬드 고유 피크 외에 1440cm-1의 흑연계 준안정상인 DLC피크가 사라지는 것을 확인하여 정량적으로 잔류불순물의 양이 줄어든 것을 확인하였다. TGA-DTA 결과, 처리 전(PⅠ only) 흑연계 준안정상이 먼저 분해되어 770.91℃부터 열분해가 시작되었으나 신세정공정(PⅠ+PⅡ)으로 처리 후 순수한 합성다이아몬드는 892.18℃부터 시작되어 흑연계 준안정상이 효과적으로 제거된 것을 확인하였다. 이러한 신세정공정은 합성다이아몬드의 잔류불순물제거를 통해 품질향상을 기대할 수 있었다.
본고에서는 고품질의 합성다이아몬드를 얻고자 합성다이아몬드 표면에 잔류하는 그래핀, DLC 등의 흑연계 준안정상을 효과적으로 제거하는 세정공정을 위해 왕수와 황산 외에 K2S2O8, P2O5, KMnO4의 산화제가 들어간 습식세정공정, PⅡ를 제안하였다.