Atomic layer deposition(ALD)을 이용하여 Al2O3 박막을 형성하고 이에 대한 패시베이션 특성에 대한 연구를 수행하였다. ALD로 증착된 Al2O3 박막은 400oC 5분간 후속 열처리 공정 후에도 Al2O3 - 실리콘 계면 반응 없이 비정질 상태를 유지할 만큼 구조적으로 안정한 특성을 나타내었다. 후속 열처리 후 Al2O3 박막의 패시베이션 특성이 향상되었으며, 이는 field effective 패시베이션과 화학적 패시베이션 효과가 동시에 상승에 기인하는 것으로 판단된다. Al2O3 박막의 음고정전하를 정량적으로 평가하기 위해서 후속 열처리 공정을 거친 Al2O3 박막을 이용하여 metal-oxide-semiconductor(MOS) 소자를 제작하고 capacitance-voltage(C-V) 분석을 수행하였다. C-V 결과로부터 추출된 flatband voltage(VFB)와 equivalent oxidethickness(EOT)의 관계식을 통하여 Al2O3 박막의 고정음전하는 2.5 × 1012cm?2로 계산되었으며, 이는 본 연구에서 제시된Al2O3 박막 공정이 N-type 실리콘 태양전지의 패시베이션 공정에 응용 가능하다는 것을 의미한다.
Atomic layer deposition(ALD)을 활용해 Al2O3 박막을 형성하고 이에 대한 패시베이션 특성에 관한 연구를 수행했다.