플라즈마 조성, ICP source power, rf chuck power 등의 공정변수가 GaN epitaxy층의 식각특성에 미치는 영향을조사하였다. GaFx 화합물 보다 더 높은 휘발성을 가지는 GaClx 식각 생성물 형성이 가능한 Cl2/Ar 플라즈마가 SF6/Ar 플라즈마보다 더 높은 식각속도를 나타내었다. 또한, Cl2/Ar 플라즈마에서 Ar 비중이 증가함에 따라 물리적 식각 기구 활성화로인해 식각 이방성이 향상됨을 확인하였다. 두 가지 플라즈마 조성 모두에서 ICP source power와 rf chuck power가 증가함에따라 식각속도가 지속적으로 증가함을 확인하였고, 13Cl2/2Ar, 750W ICP power, 400 W rf chuck power, 10 mTorr 조건에서최고 251.9 nm/min의 식각속도를 확보하였다.
플라즈마 조성, ICP source power, rf chuck power 등의 공정변수가 GaN epitaxy층의 식각특성에 미치는 영향을 조사했다.