전기화학적 에칭을 이용한 다공성 실리콘 이중층 형성은 초박형 태양전지 제작에서 PS layer transfer 기술을적용하기 위한 선행 공정이다. 다공성 실리콘 층의 다공도는 전류밀도와 에칭용액 내 불산의 농도를 조절하여 제어할 수있다. 전기화학적 에칭을 이용한 다공성 실리콘 형성을 위하여 비저항 0.01-0.02 Ω·cm의 p-type (100)의 실리콘 웨이퍼를사용하였으며, 에칭용액의 조성은 HF (40%) : C_(2)H_(5)OH (99 %) : H_(2)O = 1 : 1 : 2 (volume)으로 고정하였다. PS layer transfer 기술에 사용되는 다공성 실리콘 이중층을 형성하기 위해서 에칭 도중 전류밀도를 낮은 전류밀도 조건에서 높은전류밀도 조건으로 변환하여 low porosity layer 하부에 high porosity layer를 형성할 수 있다.
다공성 실리콘 층의 다공도는 전류밀도와 에칭용액 내 불산의 농도를 조절해 제어할 수있다.