두께 2.5~10 μm인 n형 Bi2Te3와 p형 Sb2Te3 레그 8쌍으로 구성되어 있는 in-plane형 열전박막소자를 전기도금법으로 Si submounts에 형성하고, LED 칩의 구동에 의해 발생하는 겉보기 온도차 ΔT와 레그 두께에 따른 발전특성을분석하였다. LED 방출열에 의해 인가된 ΔT가 7.4K일 때 각기 두께 2.5 μm, 5 μm 및 10 μm의 p-n 레그들로 구성된 열전박막소자는 6.1 mV, 7.4 mV 및 11.8 mV의 open circuit 전압을 나타내었으며, 6.6 nW, 12.8 nW 및 41.9 nW의 최대 출력전력을 나타내었다. 
두께 2.5~10 μm인 n형 Bi2Te3와 p형 Sb2Te3 레그 8쌍으로 구성되어 있는 in-plane형 열전박막소자를 전기도금법으로 Si submounts에 형성하고, LED 칩의 구동에 의해 발생하는 겉보기 온도차 ΔT와 레그 두께에 따른 발전특성을분석하였다. LED 방출열에 의해 인가된 ΔT가 7.4K일 때 각기 두께 2.5 μm, 5 μm 및 10 μm의 p-n 레그들로 구성된 열전박막소자는 6.1 mV, 7.4 mV 및 11.8 mV의 open circuit 전압을 나타내었으며, 6.6 nW, 12.8 nW 및 41.9 nW의 최대 출력전력을 나타내었다. 