AlN 결정은 직경 1인치 크기의 기판이 개발되었고 계속 품질의 향상을 위해 연구되고 있다. 한편 2인치급 기판은 UV LED 칩 제조와 원가 감소를 위해 개발이 필요한 실정이다. 본 연구에서는 PVT 법으로 2인치의 AlN 결정을 SiC 기판상에 성장된 AlN 박막을 종자로 사용하여 성장의 가능성을 보고자 하였다. 10 μm 두께의 AlN 박막 결정을 종자결정으로사용하여 두께 7 mm의 AlN 결정을 성장하였다. 성장된 결정은 금속현미경과 실체현미경, DCXRD를 사용하여 분석하였다.

AlN 결정은 직경 1 인치 크기의 프로토콜이 개발 계속 품질의 향상을 위해 연구되고 있다.
PVT 법으로 2 인치의 AlN 결정을 SiC 기판 상에 성장 된 AlN 박막을 종자로 사용하여 성장의 가능성을보고자한다.
10 μm 두께의 AlN 박막 결정을 종자 결정으로 사용하여 7 mm의 AlN 결정을 성장시켰다.