수평 전기로에서 BaIn2S4 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy) 방법으로 BaIn2S4 단결정 박막을 반절연성GaAs(100) 기판에 성장시켰다. BaIn2S4 단결정 박막의 성장 조건은 증발원의 온도 620oC, 기판의 온도 420oC였고 성장 속도는 0.5 μm/hr였다. 이때 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 128 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을알 수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293 K에서각각 6.13 × 1017 cm?3, 222 cm2/v · s였다. BaIn2S4/SI(Semi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를293 K에서 10 K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap Eg(T)는 Varshni공식에 따라 계산한 결과 Eg(T) = 3.0581 eV ? (3.9511 × 10?3 eV/K)T2/(T + 536 K)이었으며 광전류 스펙트럼으로부터 Hamilton matrix(Hopfield quasicubic mode) 법으로 계산한 결과 crystal field splitting energy Δcr값이 182.7 meV이며 spin-orbit energy Δso값은 42.6 meV임을 확인하였다. 10 K일 때 광전류 봉우리들은 n = 1, 24일때 A1-, B1-와 C24-exciton 봉우리임을 알았다.
수평 전기로에서 BaIn2S4 다결정을 합성해 HWE(Hot Wall Epitaxy) 방법으로 BaIn2S4 단결정 박막을 반절연성GaAs(100) 기판에 성장시켰다. 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 128 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을알 수 있었다.