본 연구에서는 다결정 실리콘 태양전지 응용을 위한 다결정 실리콘 씨앗층의 제조와 그의 특성에 관한 연구를수행하였다. 다결정 실리콘 씨앗층은 glass/Al/Al2O3/a-Si 구조를 이용하여 aluminum-induced layer exchange(ALILE) 공정으로 제조하였으며, 자연산화막부터 50 nm까지 다양한 크기로 Al2O3 막두께를 변화시켜 알루미늄 유도 결정화 공정에서 산화막의 두께가 결정화 특성 및 결정결함, 결정크기에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 연구결과, ALILE 공정으로 생성된 다결정 실리콘막의 결함은 Al2O3 막의 두께가 증가할수록 함께 증가한 반면, 결정화 정도와 결정입자의 크기는 Al2O3막의두께가 증가할수록 감소하였다. 본 실험에서는 16 nm 두께 이하의 얇은 Al2O3 막의 구조에서 평균 약 10 μm 크기의 subgrain 결정립을 얻었으며, 결정성은 <111> 방향의 우선 배향성 특성을 보였다.
이 연구에서는 다결정 실리콘 태양전지 응용을 위한 다결정 실리콘 씨앗층의 제조와 그의 특성에 관한 연구를 수행하였다.