습식공정으로 thermal via용 SI 관통 via를 형성하기 위해 TMAH 용액의 농도와 온도에 따른 Si 기판의 이방성습식식각 거동을 분석하였다. TMAH 용액의 온도를 80oC로 유지한 경우, 5 wt%, 10 wt% 및 25 wt% 농도의 TMAH 용액은각기 0.76 μm/min, 0.75 μm/min 및 0.30 μm/min의 Si 식각속도를 나타내었다. 10 wt% TMAH 용액의 온도를 20oC와 50oC 로 유지시에는 각기 0.07 μm/min와 0.23 μm/min으로 식각속도가 저하하였다. Si 기판의 양면에 동일한 형태의 식각 패턴을형성하여 80oC의 10 wt% TMAH 용액에 장입하고 5시간 식각하여 깊이 500 μm의 관통 via hole을 형성하였다.
습식공정으로 thermal via용 SI 관통 via를 형성하기 위해 TMAH 용액의 농도와 온도에 따른 Si 기판의 이방성습식식각 거동을 분석했다.