본 연구에서는 halide vapor phase epitaxy 성장법을 이용하여 원뿔 형태의 패턴이 주기적으로 형성된 patterned sapphire substrate(PSS) 위에 α-Ga 2 O 3 를 성장하고 그 특성에 변화에 대해 분석하였다. PSS의 패턴의 유무에 따른 영향을 알 아보기 위해 c-plane 사파이어 기판과 원뿔의 크기가 다른 두 개의 PSS 위에 α-Ga 2 O 3 를 성장하여 비교 분석하였다. 또한PSS 위에 성장된 α-Ga 2 O 3 의 성장과정을 알아보기 위해 점차 성장 시간을 증가해가며 관찰하였고 성장 온도를 470-550 o C까 지 변화해가며 성장하였다. 이를 통해 원뿔 형태의 패턴이 형성된 PSS 위에서의 최적 성장 조건과 그 성장 mechanism에 대해 분석이 가능하였고 그 결과로 성장과정에서 발생하는 수평 성장에 의해 α-Ga 2 O 3 의 비대칭면인 (10-14) 반치폭 값을크게 감소시킬 수 있었다.
halide vapor phase epitaxy 성장법을 이용하여 원뿔 형태의 패턴이 형성된 PSS 위에서의 최적 성장 조건 및 그 성장 mechanism에 대하여 분석하였다.