본 연구에서는 다공성 흑연 캡슐에 Vanadium carbide(VC) 분말을 채워 성장시킨 방법과 SiC 분말과 VC 분말을혼합하여 다공성 흑연판을 그 위에 덮은 후 성장시키는 방법으로 진행하였으며, 성장된 결정들은 여러 분석방법을 사용하여 각각의 특성들을 관찰하였다. 반절연 SiC 성장은 6H-SiC 종자 결정을 사용하여 PVT(Physical Vapor Transport)법으로 성장을 진행하였다. 반절연으로 성장된 SiC 결정은 XRD를 이용하여 6H-SiC인 것을 확인하였으며, SIMS 분석결과 바나듐도핑 농도가 바나듐 용해의 한계값 보다 높을 경우 석출물이 발생되며, 결정 품질 저하의 원인이 됨을 확인할 수 있었다.
다공성 흑연 캡슐에 Vanadium carbide 분말을 채워서 SiC 분말과 VC 분말을혼합하여 다공성 흑연판을 덮은 후 성장시키며, 성장된 결정들은 여러 분석방법으로 특성을 관찰하였다.
반절연 SiC 성장은  PVT법으로 성장을 진행하였다.
반절연으로 성장된 SiC 결정은 6H-SiC인 것을 확인하였으며 바나듐도핑 농도가 바나듐 용해의 한계값 보다 높을 경우 석출물이 발생되며, 결정 품질 저하 원인이 된다.