단결정 성장을 위한 MgGa2Se4 다결정은 수평 전기로에서 합성하였으며, 결정구조는 rhombohedral이고 격자상수a0는 3.953 A, c0는 38.890 A였다. MgGa2Se4 단결정박막은 HWE(Hot Wall Epitaxy) 방법으로 반절연성 GaAs(100)기판에 성장시켰다. 단결정박막의 성장 조건은 증발원의 온도 610oC, 기판의 온도 400oC에서 진행되었으며 성장 속도는 0.5 μm/h였다. 단결정박막의 결정성은 이중 결정 x-선 회절곡선의 반폭치와 X-선 회절무늬의 ω-2θ로부터 구하여 최적 성장 조건을 알수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293 K에서 각각 6.21 × 1018/cm3, 248 cm2/v·s였다. MgGa2Se4/SI(Semi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수 스펙트럼을 10 K에서293 K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 구한 에너지 갭 Eg(T)는 varshni 공식 Eg(T) = Eg(0) = (αT2/T + β)을 잘 만족함을 알 수 있었다. 여기서 Eg(0) = 2.34 eV, α = 8.81 × 10?4 eV/K, β = 251K였다.
단결정박막의 결정성은 이중 결정 x-선 회절곡선의 반폭치와 X-선 회절무늬의 ω-2θ로부터 구해 최적 성장 조건을 알수 있었다.