본 논문에서는 Floating기술을 이용한 GCNMOS 기반의 ESD(Electrostatic Discharge)보호회로를 제안한다. 제안된 보호회로의 특성 분석을 위해서 시놉시스사의 TCAD 시뮬레이션을 이용하였으며 기존의 GGNMOS, GCNMOS와 비교 분석하였다. 제안된 보호회로는 Gate coupling과 Body floating기술을 적용하였으며 기존 ESD보호회로인 GGNMOS, GCNMOS와 비교하여 더 낮은 4.86V의 트리거 전압 및 1.47ns의 짧은 턴-온 타임 특성을 갖는다.
Floating기술을 이용한 GCNMOS 기반의 ESD보호회로를 제안한다. 제안된 보호회로는 Gate coupling과 Body floating기술을 적용하여 기존 ESD보호회로인 GGNMOS, GCNMOS와 비교해 더 낮은 4.86V의 트리거 전압 및 1.47ns의 짧은 턴-온 타임 특성을 갖는다.