본 연구에서는 Ga 2 O 3 박막의 구조적 특성과 Ti/Au 전극을 증착하여 제작된 metal-semiconductor-metal (MSM) photodetector 소자의 광학적, 전기적 특성에 대해 연구하였다. 유기 금속 화학 증착법(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)을 이용해 서로 다른 온도에서 Ga 2 O 3 박막을 성장하였다. 성장온도에 따라 Ga 2 O 3 의 결정상이 ε-상에서β-상으로 변화하는 것을 확인할 수 있었다. X-선 회절 분석(X-ray diffraction, XRD) 결과로 ε-Ga 2 O 3 의 결정구조를 확인하였 고, 주사 전자 현미경(scanning electron microscopy, SEM) 이미지로 결정구조의 형성 메커니즘에 대해 논의하였다. 음극선 발광(Cathode luminescence, CL) 측정으로 Ga 2 O 3 의 발광성 천이에 관여하는 에너지 준위의 형성 원인에 대해 논의하였다. 제작된 MSM photodetector 소자의 외부 광에 대한 전류-전압 특성과 시간 의존성 on/off 광 응답 특성을 통해 ε-Ga 2 O 3 로 제작한 photodetector는 가시광보다 266 nm UV 파장 영역에서 훨씬 뛰어난 광전류 특성을 보이는 것을 확인하였다.
본 연구에서는 Ga 2 O 3 박막의 구조적 특징과 Ti/Au 전극을 증착해 제작된 metal-semiconductor-metal (MSM) photodetector 소자의 광학적, 전기적 특징에 대하여 연구하였으며, 유기 금속 화학 증착법을 적용하여 서로 다른 온도에서 Ga 2 O 3 박막을 성장하였다.