본 연구에서는 텅스텐 금속박막을 200oC에서부터 600oC의 온도 구간에서 전열처리 (Preannealing)한 후에, 빛의 조사 유무에 따라 양극산화를 진행하여 생성된 텅스텐 산화물의 표면과두께에 대해 관찰하였다. 결과적으로 6시간의 동일한 반응시간 동안, 400oC에서 전열처리 한 후에 빛의 조사 없이 양극산화하였을 때, 1.83 μm 두께의 텅스텐 산화물을 제조할 수 있는 것을 발견하였다. 더욱이 전열처리를 하게 되면 더 두꺼운 산화물을 제조할 수 있으나, 빛을 조사하게 되면 전열처리에 의해 생성된 산화물을 결정화시켜 오히려 산화물 성장에 방해가 되었다. 이러한 차이점에 대해 결정구조 및 메커니즘에 근거하여 설명하였다.
이 연구에서는 텅스텐 금속박막을 200oC에서부터 600oC의 온도 구간에서 전열처리 한 후에, 빛의 조사 유무에 따라 양극산화를 진행해 생성된 텅스텐 산화물의 표면과두께에 관해 관찰했다.