비극성 a-GaN의 성장 시 기판의 경사각은 GaN epi의 품질을 결정하는 중요한 변수로서 양질의 a-GaN 성장을위해서는 R-면 기판의 경사각이 정밀하게 제어된 기판이 요구된다. 본 연구에서는 R-면 기판의 경사각 α와 β의 목표값이각각 0, ?0.1, ?0.15, ?0.2, ?0.4, ?0.6o와 ?0.1, 0, 0.1o인 절단기판을 제조하였다. 절단기판의 경사각을 x-ray를 이용하여 측정하고 통계적인 분석을 통해 기판의 경사각 제어공정에 대한 신뢰성을 평가하였으며, R-면 기판의 경사각의 공차는 ± 0.03o 의 값을 가졌다. R-면 기판은 상대적으로 큰 이방성에 의해 c-면 기판에 비해 휨(BOW)과 두께편차(TTV)가 상대적으로 큰분포를 갖는 것으로 나타났다. AFM을 이용하여 기판 표면을 관찰한 결과, 측정된 R-면기판의 step 높이는 0.2~0.4 nm로 거의 일정한 값을 가졌으며 step 너비는 경사각 α가 증가함에 따라 156 nm에서 26 nm로 감소하였으며 이와같은 R-면 기판의step 구조의 변화는 epi 성장에 큰 영향을 미치는 것으로 판단된다.
이 연구에서는 R-면 기판의 경사각 α와 β의 목표값이각각 0, ?0.1, ?0.15, ?0.2, ?0.4, ?0.6o와 ?0.1, 0, 0.1o인 절단기판을 제조했다.