PVT법으로 성장된 AlN 단결정의 표면 특성 및 결정성을 신뢰성 있게 평가하기 위해 KOH/H2O2 혼합액을 이용한 화학적 습식 에칭을 통하여 AlN 단결정의 결함을 분석하였고, 고온 어닐링 공정을 통해 단결정의 결정성 변화를 관찰하였다. 300 o C 이상의 고온에서 강 염기성의 etchant를 사용하는 기존 에칭 방법에서는 재료의 결정성에 따라 쉽게 over etching이 일어난다. Over etching이 일어날 경우 면적당 정확한 에치 핏의 개수를 알 수 없기 때문에 전위 밀도의 신뢰성이매우 떨어진다. 따라서 이러한 단점을 보완하기 위해 KOH 수용액에 H2O2를 산화제로 사용하여 100 o C 이하의 저온에서 에칭을 성공하였으며, 주사전자현미경(SEM, scanning electron microscope)을 통해 에치 핏을 관찰하여 최적 에칭 조건 및 전위 밀도를 확인할 수 있었다. 또한, 성장된 AlN 단결정에 고온 어닐링 공정을 적용한 후, DC-XRD(double crystal X-ray diffraction)를 이용하여 결정성을 평가한 결과, 고온 어닐링 공정 후 FWHM(full with at half maximum) 값이 급격히 감소되는 것을 확인하였으며 이에 대한 메커니즘을 분석하였다.
PVT법으로 성장된 AlN 단결정의 표면 특성과 결정성을 신뢰성 있게 평가하기 위하여 KOH/H2O2 혼합액을 이용한 화학적 습식 에칭을 통해 AlN 단결정의 결함을 분석하였으며, 고온 어닐링 공정을 통해 단결정의 결정성 변화를 관찰했다.