수소 분위기 열처리 및 수소 플라즈마 처리의 두 가지 수소화 표면개질을통해 나노다이아몬드 seed 입자의 분산 향상 및 평탄한 초미세 나노결정질 다이아몬드 박막증착을 위한 핵형성 밀도 향상을 확보하였다. 수소화 처리 이후 나노다이아몬드 입자 표면의 탄소-산소 및 산소-수소 결합기가 탄소-수소 결합기로 전환되는 화학적 표면개질이 진행되었고Zeta 전위가 증가하였다. 분산도 향상에 따라 나노다이아몬드 응집체 크기가 현저하게 감소하였고 핵형성 밀도는 크게 증가하였다. 600oC, 수소분위기에서 열처리 이후 나노다이아몬드 평균 입자 크기가 3.5 ?m에서 34.5 nm로 크게 감소하였고,seeding 된 Si 기판 표면에서 ~3.9 × 1011nuclei/cm2의 매우 높은 핵형성 밀도를 확보하였다.
본고는 수소 분위기 열처리와 수소 플라즈마 처리를 통해 나노다이아몬드 seed 입자의 분산 향상 및 평탄한 초미세 나노결정질 다이아몬드 박막증착을 위한 핵형성 밀도 향상을 연구해본다.