본 연구에서는 InGaZnO 산화물 반도체를 제조하기 위한 출발물질 중 하나인 Ga2O3 분말을 착체중합법을 이용하여 합성하였다. 함께 사용되는 다른 출발 물질인 In2O3와 ZnO 분말 입자가 수십 nm 크기로 제조되는 반면 Ga2O3 분말입자는 아직까지 수 μm 크기의 입자가 사용되기 때문에 입도의 균일성을 확보하기 위해 착체중합법의 공정을 최적화하여Ga2O3 나노 분말을 합성하고 그 물성을 분석하였다. Ga2O3나노 분말 합성의 출발물질로 ethylene glycol, citric acid,Ga(NO3)3를 사용하였으며 500~800oC에서 Ga2O3 나노 입자을 합성하였다. TG-DTA 분석을 통해 전구체에서 유기물이 소실되는 온도를 확인하였고, XRD 분석을 통해 Ga(NO3)3 농도 및 열처리 온도에 따른 Ga2O3 나노 입자의 결정성을 확인하였다. SEM 분석을 이용하여 Ga2O3 나노 입자의 미세 구조 및 입도 분포를 확인하였다.
이 연구에서는 InGaZnO 산화물 반도체를 제조하기 위한 출발물질 중 하나인 Ga2O3 분말을 착체중합법을 이용하여 합성하였다.