본 연구에서는 InGaZnO 반도체를 제조하기 위하여 출발물질로 사용되는 Ga2O3분말을 침전법을 이용하여 합성하였다. 침전법의 공정 변수인 출발물질로 사용된 Ga(NO3)3의 농도와 aging 시간 및 온도를 제어하여 Ga2O3 분말을 합성하고 그 물성을 분석하였다. TG-DSC 분석을 통하여 Ga(OH)3의 산화온도 및 Ga2O3의 상전이 온도를 확인하였고, XRD 분석을 통해 Ga2O3의 결정구조와 결정성의 변화를 확인하였다. 또한 SEM 관찰을 통해 Ga2O3분말의 미세 구조와 평균 입도 및입도 분포를 분석하였다.
이 연구에서는 InGaZnO 반도체를 제조하기 위하여 출발물질로 사용되는 Ga2O3분말을 침전법을 이용하여 합성하였다.