나노결정질 다이아몬드 박막 증착을 위한 전처리 공정으로 SF6/O2 유도결합 플라즈마를 이용하여 Si 기판 표면을 texturing하였다. SF6/O2 플라즈마 texturing은 2~16 범위의 매우 넓은 정규화된 표면 조도 선택성을 제공할 수 있음을 확인하였다. Texturing된 Si 기판 표면의 나노 다이아몬드 입자 seeding 이후 기존 기계적 연마 전처리에 비해 현저히 향상된~6.5 × 1010cm?2의 높은 핵형성 밀도를 확보하였다.
나노결정질 다이아몬드 박막 증착을 위한 전처리 공정으로 SF6/O2 유도결합 플라즈마를 이용해 Si 기판 표면을 texturing했다.