Borate 완충용액에서 Ni의 부동화 피막의 생성과정(growth kinetics)과 부동화 피막의 전기적 성질을 변전위법, 대 시 간 전류법 그리고 단일 주파수 또는 다중 주파수 전기화학적 임피던스 측정법으로 조사하였다. 이때 생성되는 산화피막은 Mott-Schottky 식이 적용되는 p-형 반도체 성질을 보였으며, 낮은 전극전위에서 생성되는 Ni의 부동화 피막 Ni(OH)2는 전극 전위가 증가하면서 NiO, NiO(OH)로 변화되는 것을 알 수 있었다.
낮은 전극전위에서 생기는 Ni의 부동화 피막 Ni2는 전극 전위가 증가하며 NiO, NiO로 변화되는 것을 알 수 있었다.