소형 고체상 전극에 단일 조성 실온 경화형(one-component room temperature vulcanizing type) 실리콘러버 730(730 RTV)을 지지체로 도입하여 가소제가 필요 없는 탄산이온선택성 전극막을 개발하였다. 본 연구에서 최적화된 탄산이온선택성 전극막의 조성은 85.75 wt%의 730 RTV, 11.08 wt%의 trifluoroacetyl-p-decylbenzene(TFADB), 3.17 wt%의 tridodecyl-methylammonium chloride(TDMACl)로 제조 되었고, 우수한 전기화학적 특성(감응기울기(26.3 mV/dec.), 선택성(logKTCO2,Clpot = ?4.00, logKTCO2,Salpot = 1.69), 검출한계(4.0×10?4 M))을 보였으며, 이와 같은 조성의 막을 도입한 평면형 고체상 센서는 60일 이상 초기특성을 유지하였다.
이 연구에서 최적화된 탄산이온선택성 전극막의 조성은 85.75 wt%의 730 RTV, 11.08 wt%의 trifluoroacetyl-p-decylbenzene, 3.17 wt%의 tridodecyl-methylammonium chloride로 제조 되었고, 우수한 전기화학적 특성(감응기울기(26.3 mV/dec.), 선택성(logKTCO2,Clpot = ?4.00, logKTCO2,Salpot = 1.69), 검출한계(4.0×10?4 M))을 보였고, 이같은 조성의 막을 도입한 평면형 고체상 센서는 60일 이상 초기특성을 유지했다.