에어로졸 증착법에 의해 실리콘 기판위에 10~20 μm의 두께를 가진 PZT 후막을 제조한 후 700 o C에서 어닐링처리하였다. PZT 분말에 의해 제조된 막은 임피던스 분석기(impedance analyzer)와 쇼여-타워 서킷(Sawyer-Tower circuit)으로 분석하였다. PZT 분말은 통상적인 고상반응법 및 솔-젤 법으로 준비되었다. 고상반응법으로 만들어진 분말을 사용한10 μm 두께 PZT 막의 잔류분극, 항전계 및 유전상수는 각각 20 μC/cm 2 , 30 kV/cm 그리고 1320이었다. 한편 솔-젤 법으로제조된 분말을 사용한 경우의 유전상수는 635로 비교적 낮은 값을 나타낸다. 이는 어닐링시 생기는 발생하는 유기물에 의한 기공의 존재 때문이다.
에어로졸 증착법에 의해 실리콘 기판위에 10~20 μm의 두께를 가진 PZT 후막을 제조한 후 700 o C에서 어닐링처리했다.