본 연구에서는 웨이퍼 레벨 적층 과정에서 발생하는 웨이퍼 오정렬(misalignment) 현상과 웨이퍼 휘어짐(warpage)과의 관계에 대해서 조사하였다. 0.5 μm 두께의 구리 박막 증착을 통해 최대 45 μm의 휨 크기(bow height)를 갖는 웨이퍼를 제작하였으며, 이 휘어진 웨이퍼와 일반 웨이퍼를 본딩하였을 때 6~15 μm 정도의 정렬 오차가 발생하였다. 이는 약 5 μm의 웨이퍼 확장(expansion)과 약 10 μm의 미끄러짐(slip)의 복합 거동으로 설명할 수 있으며, 웨이퍼 휘어짐의 경우 확장 오정렬보다 본딩 과정에서의 미끄러짐 오정렬에 주로 기여하는 것으로 보인다.
이 연구에서는 웨이퍼 레벨 적층 과정에서 발생하는 웨이퍼 오정렬 현상과 웨이퍼 휘어짐과의 관계에 대해서 조사했다.