고분자 유기발광다이오드 (PLED)는 빠른 응답속도, 저 전압 구동 그리고 대형 휨성 디스플레이의 제작 용이성 등의 장점으로 차세대 디스플레이 소자로서 실용화가 기대되고 있다. 일반적으로 PLED 소자 제작 시 투명 기판의 표면 특성이 발광소자의 전기, 광학적 특성에 영향을 미치게 된다. 본 연구에서는 ITO/Glass 기판위에 정공주입층으로 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)) Al 4083, 정공수송층으로 PVK(N-vinylcabozole), 그리고 발광층으로 PFO-poss(poly(9,9-dioctylfluorene)) 유기물을 사용하여 스핀코팅법에 의해 ITO/PEDOT:PSS/PVK/PFO-poss/LiF/Al 구조를 갖는 PLED 소자를 제작하였다. 이때 ITO 투명전극의 O2 플라즈마 처리가 PLED 소자의 전기·광학적 특성에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. ITO 투명전극의 O2 플라즈마 처리시 RF 강도를 증가함에 따라 ITO 전극의 표면 거칠기는 개선되었고 면 저항은 다소 증가하는 경향을 나타내었다. 40 mtorr 산소 압력에서 40 watt의 RF 강도로 30초간 플라즈마 처리한 ITO/Glass 기판위에 형성한 PLED 소자에서 0.86 lm/watt의 가장 큰 외부발광효율과 250 cd/m2의 최대 휘도를 나타내었다. 제작된 PLED 소자의 CIE색좌표는 X = 0.13~0.18, Y = 0.10~0.16 범위로 분포하여 청색발광을 보여주었다.
이 연구에서는 ITO/Glass 기판위에 정공주입층으로 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly) Al 4083, 정공수송층으로 PVK, 그리고 발광층으로 PFO-poss(poly(9,9-dioctylfluorene)) 유기물을 사용해 스핀코팅법에 의해 ITO/PEDOT:PSS/PVK/PFO-poss/LiF/Al 구조를 갖는 PLED 소자를 제작했다.