전자 제품의 경박 단소화 및 고집적화가 이루어 지면서 반도체 칩뿐만 아니라 유기 기판도 고집적화가 요구되고 있다. 본 연구는 인쇄회로기판의 미세 피치 회로에 대한 고온고습 전압인가 시험을 실시하여 불량 메커니즘을 연구하였다. 130oC/85%RH/3.3V와 135oC/90%RH/3.3V 시험조건에서 고온고습 전압시험(Biased HAST)의 가속 계수는 2.079로 계산되었다. 불량 메커니즘 분석을 위하여 집속이온빔(FIB) 분석이 이용되었다. (+)전극에서는 콜로이드 형태의 CuxO와 Cu(OH)2가 형성되었으며, (?)전극에서는 수지형태의 Cu가 관찰되었다. 이를 통해 Cu2+ 이온과 전자(e?)가 결합한 수지상 Cu에 의해 절연파괴가 일어난다는 것을 확인하였다.
본고는 인쇄회로기판의 미세 피치 회로에 대한 고온고습 전압인가 시험을 실시하여 불량 메커니즘을 연구했다.