초기 RF 유도가열을 위해 Ti 금속링을 사용하여 스컬법에 의해 루틸 단결정을 성장시켰다. 성장시킨 단결정은 Ø5.5×1.0 mm의 wafer로 가공하였으며, 1300oC에서 15시간까지 대기중에서 열처리 하여 l = 200~25000 nm의 범위에서 투 광도를 비교하였다.
초기 RF 유도가열을 위해 Ti 금속링을 사용해 스컬법에 의해 루틸 단결정을 성장시켰다.