Ce 3+ 이온을 도핑한 (CexLu1 ? x)3MgAl3SiO12 형광체 샘플을 고상합성법으로 합성하였다. 열처리 온도를 1250부터1550 o C 온도영역에서 조절하면서 5 h 동안 소성하였으며, 소성된 샘플들의 XRD와 PL 특성을 조사하여 가장 최적의 열처리 온도를 구하고자 하였다. 또한 Ce 3+ 이온의 도핑농도를 2.0에서 10.0 mol%로 변화시키면서 Ce 3+ 이온의 도핑농도와 광학적 특성과의 관계를 고찰하였다. Ce 3+ 이온의 도핑농도에 따른 형광체들의 PL 강도, 피크위치, 반치폭을 계산하여 실제적인 LED 패키징에 가장 적절한 Ce 도핑 농도를 구하고자 하였다. 또한 최적의 소성온도와 Ce 도핑농도 조건에서 합성한 형광체 샘플의 입도와 입형을 분석하였다.
Ce 3+ 이온을 도핑한 (CexLu1 ? x)3MgAl3SiO12 형광체 샘플을 고상합성법으로 합성했다.