전기도금법으로 Cu 머쉬룸 범프를 형성하고 Sn 기판 패드에 플립칩 본딩하여 Cu 머쉬룸 범프 접속부를 형성하였으며, 이의 접속저항을 Sn planar 범프 접속부와 비교하였다. 19.1~95.2 MPa 범위의 본딩응력으로 형성한 Cu 머쉬룸 범프 접속부는 15 mΩ/bump의 평균 접속저항을 나타내었다. Cu 머쉬룸 범프 접속부는 Sn planar 범프 접속부에 비해 더 우수한 접속저항 특성을 나타내었다. 캡 표면에 1~w4 μm 두께의 Sn 코팅층을 전기도금한 Cu 머쉬룸 범프 접속부의 접속저항은 Sn 코팅층의 두께에 무관하였으나, 캡 표면의 Sn 코팅층을 리플로우 처리한 Cu 머쉬룸 범프 접속부에서는 접속저항이 Sn 코팅층의 두께와 리플로우 시간에 크게 의존하였다.
전기도금법으로 Cu 머쉬룸 범프를 형성하고 Sn기판 패드에 플립칩 본딩해 Cu 머쉬룸 범프 접속부를 형성하였고, 이의 접속저항을 Sn planar 범프 접속부와 비교했다.