SiO2 산화막이 제거되지 않은 Si(100) 기판 위에 실온에서 5 nm Ta과 5 nm MgO 기저층을 증착하고, 그 위에 RF 스퍼터링기법으로 실온에서 약 35 nm 두께의 Fe3O4 박막을 적층하였다. 진공 후열처리에 따라 향상된 Fe3O4 박막의 결정성과 그에 따른자기적 특성의 변화 양상을 관찰하였다. 500 oC에서 1시간 동안 후열처리한 시료에 대해, 실온에서 강자성 특성을 보았을 뿐만 아니라, Fe3O4 박막의 고유한 특성으로 알려진 Verwey 상전이 현상 또한 관찰되었다. 후열처리에 의해 MgO 박막 위에 적층된 Fe3O4에 미치는 Ta 기저층의 영향에 대해 Ta이 삽입되지 않은 경우와 비교하여 논의할 것이다.
SiO2 산화막이 제거되지 않은 Si 기판 위에 실온에서 5 nm Ta과 5 nm MgO 기저층을 증착하고, 그 위에 RF 스퍼터링기법으로 실온에서 약 35 nm 두께의 Fe3O4 박막을 적층했다.