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[ 발명의 명칭 ] 히팅 요소 및 공정 히터 HEATING ELEMENT AND PROCESS HEATER [ 기술분야 ] 본 발명은 가스들을 높은 온도들로 가열하기 위한 히팅 요소에 관한 것이며, 상기 히팅 요소는 뜨거운 또는 가열되어야 하는 가스의 관류를 위해 정돈된 적어도 하나의 관 (tube, 1) 과 상기 관 안의 전기적 히팅 와이어 (heating wire) 를 가지며, 상기 히팅 요소는 상기 히팅 와이어를 지나가며 흐르는 가스에 열을 전달하기 위해 설계된다.마찬가지로, 본 발명은 또한 가스 공급부와 가스 배출부를 갖는 하우징 (housing) 과, 히팅 요소를 수용하기 위한, 가스 공급부와 가스 배출부 사이의 히팅 공간과, 적어도 하나의 히팅 요소를 위한 전기적 연결부들을 갖는 공정 히터에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 상응하는 히팅 요소들이 오래전부터 공지되어 있다. 그들은, 이미 언급한 바와 같이, 가스가 관류해야 하는 적어도 하나의 관으로 구성되고, 상기 관은 상기 관류를 목적으로 양측이 개방되고, 이때 상기 관 안에 히팅 와이어가 배치되어 있고, 가스는 상기 히팅 와이어를 지나가며 흐르고, 상기 히팅 와이어와의 직접적인 접촉을 통해 가열된다.통례적으로, 히팅 와이어들로서는 코일 모양으로 감아 올려진 미세한 와이어들이 사용되고, 상기 와이어들의 횡단면은 관 횡단면보다 훨씬 작고, 전류가 상기 와이어들을 관류하고, 이를 통해 상기 와이어들은 가열된다. 상기 히팅 와이어를 통해 열로 전환된 전기적 에너지는 물론 사용하도록 되어 있는 전압, 및 상응하는 히팅 와이어들의 저항에 의존하고, 이때 원하는 저항값들을 발생시키기 위해 코일형 와이어 (coiled wire) 의 길이를 상응하여 맞출 수 있고 또는 다수의 상응하는 히팅 와이어들을 평행으로 또는 직렬로 접속할 수 있다. 상기 히팅 와이어를 따라서 흐르는 가스에 전달되는 열에너지는 이때 물론 상기 히팅 와이어가 도달하는 최대 온도, 흐름 속도에 의존하고, 열교환을 위해 사용하도록 되어 있는 표면, 및 상기 히팅 요소 안의 정확한 흐름비율들에도 의존한다. 이러한 유형의 공정 히터들을 이용한 연속 운전시 실무에서 통례적으로 달성할 수 있는 최대 가스 온도들은 700℃ 의 자릿수에 있다.약 900℃ 까지의 보다 높은 가스 온도들의 발생을 허용하는 히팅 요소들 또는 공정 히터들도 가끔 제공되긴 하나, 하지만 그들은 단지 매우 짧은 사용기간 (service life) 을 갖는다. 많은 공정들을 위해 필요한 가스 흐름율에 있어서, 상기 히팅 와이어 자체는 필연적으로 항상 어느 정도 명백히 가스 온도를 넘는 온도를 가지며, 이때 이미 상기 히팅 와이어 안의 또는 그의 횡단면 안의 가장 작은 이질성들 또는 불리한 국부적 흐름조건들과 소용돌이만으로도 상기 히팅 와이어의 몇몇의 섹션들이 나머지 부분보다 강하게 가열되는 것을 초래할 수 있고, 그러면 이는 상기 히팅 와이어들의 파괴 및 고장을 초래한다. 상기 히팅 와이어는 전형적으로 작은 량으로 알루미늄을 포함하기 때문에, 산소와의 접촉은 우선 상기 와이어 둘레에 보호하는 산화알루미늄층의 형성을 초래한다. 하지만, 알루미늄 부분의 소모 후, 철 및 크롬과 같은 다른 합금 구성요소들이 산소와 반응하고, 이는 일반적으로 상기 히팅 와이어의 수명의 끝을 의미한다. 상기 가열되어야 하는 또는 뜨거운 공정가스와 상기 히팅 와이어의 재료와의 그 밖의 화학적 반응들은 상기 히팅 와이어들의 고장 또는 파괴를 더욱 가속화할 수 있다. 화학적 변화로 인한 상기 히팅 와이어의 재료 안의 또는 횡단면 안의 작은 불규칙성은 빨리 상기 히팅 와이어의 국부적 과열 및 파괴를 초래한다. 매우 얇은 코일형 히팅 와이어들의 안정성은 특히 높은 온도들에서 비교적 작기 때문에, 히팅 코일들은 수직 관 안에서 쉽게 푹 쓰러질 수 있고, 이를 통해 단락이 발생하고, 상기 단락은 마찬가지로 이러한 코일 와이어들의 수명을 감소시킨다. 과열, 무엇보다도 국부적 과열에 의한 이러한 고장은 히팅 와이어들의 횡단면 또는 지름이 작으면 작을수록 더 쉽게 발생한다. 하지만, 다른 한편으로는 히팅 와이어들의 큰 표면 대 부피 비율은 지나가며 흐르는 가스에의 상기 히팅 와이어 안에 발생된 열에너지의 효과적인 전달을 위해 유리하다고 여겨지고, 따라서, 900℃ 또는 그를 넘는 범위에서의 가스 온도들을 달성하고자 할 경우 지금까지는 이러한 히팅 요소들의 짧은 사용기간을 감수했다.하지만, 900℃ 또는 그를 넘는 가스 온도들을 발생시키는 공정 히터들과 히팅 요소들은 상기 언급된 이유들로 인해 통례적으로 단지 적은 시간들의 사용기간을 갖는다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 이러한 배경하에 본 발명의 목적은 극단적으로 큰 에너지량을 가스에 전달할 수 있도록, 그리고 그럼에도 불구하고, 1000℃ 까지의 가스 온도들의 발생시 일반적으로 종래의 히팅 코일들의 수명의 적어도 10배에 달하는 비교적 긴 사용기간을 갖도록, 1000℃ 까지의 또는 그를 넘는 가스 온도들의 발생을 허용하는 공정 히터 및 상응하는 히팅 요소를 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 이 목적은 히팅 와이어가 관축 (tube axis) 을 따라서 연장되는 히팅 로드 (heating rod) 로서 형성되고, 관의 내벽에 대한 상기 히팅 와이어의 최대 내측 간격이 상기 히팅 로드의 둘레의 적어도 80% 에 걸쳐 그리고/또는 관과 히팅 로드의 겹침 길이의 적어도 80% 에 걸쳐 10 mm 의 값을 넘지 않음으로써 달성된다.다른 말로 하자면, 상기 히팅 와이어는 그의 재료 횡단면이 상기 관의 재료 횡단면보다 본질적으로 작은 코일형 와이어가 아니라, 오히려 그의 편에서 상응하는 세로축을 정의할 수 있는 로드이고, 상기 세로축은 본질적으로 상기 관의 축을 따라서 또는 상기 축에 대해 평행으로 연장되고, 이때 히팅 로드와 관벽 사이에 비교적 작은, 내측 간격만 남아 있을 정도로 상기 관을 채우고, 상기 내측 간격은, 그가 한점 한점, 즉 관과 히팅 로드의 겹침 길이의 20% 보다 적게 또는 상기 히팅 로드의 둘레의 20% 보다 적게 차지하는 영역들에서는 보다 클 수 있을지라도, 최대 10 mm 이고, 바람직하게는 훨씬 더 작다. 그러므로, 개념 “히팅 와이어”는 본 설명에 있어서 비교적 얇은 코일형 와이어들을 위해서 뿐만 아니라 본 발명의 히팅 로드들을 위한 상위 개념으로 사용되고, 이때 서로 다른 두께가 일차적 구별 기준이 아니다.구체적인 실시형태로서, 상기 히팅 로드와 상기 관의 내벽 사이의 최대 내측 간격은 0.02 내지 5 mm 범위에 있는 히팅 요소를 가질 수 있다.히팅 로드와 관 사이의 최대 내측 간격은 많은 실제적 경우들에서 1 과 2 mm 사이에 있고, 약간 그를 초과하거나 또는 그에 미달하여 아래로 0.02 mm 의 최소값들까지이다. 훨씬 더 큰 지름들에서는 에너지 전달의 효율이 상기 히팅 로드의 비교적 큰 부피/표면 비율 때문에 상당히 감소하고, 이는 보다 큰 관 길이와 히팅 로드 길이를 통해 부분적으로만 보상될 수 있기 때문에 상기 히팅 로드의 최대 지름이 10 mm 를 넘는 일은 드물다. 하지만, 원칙적으로는, 그럼에도 불구하고, 선호되지 않을지라도 보다 큰 지름들을 갖는 히팅 로드들의 사용이 가능하다. 본 발명의 의미에서의 히팅 로드들을 위한, 실무에서 분명히 유리한 지름 범위는 0.5 mm 와 5 mm 사이에 있다.개념 “관”은 본 발명의 의미에서 넓게 해석되어야 하고, 결국, 가열되어야 하는 가스의 관류를 허용하는 유입 개구부와 배출 개구부를 갖는 중공 공간 (hollow space) 만을 정의한다. 이때, 간단한 수단들을 가지고 히팅 로드와 관벽 사이의 가능한 한 변함없는 틈, 특히 변함없는 환형 틈 (annular gap) 을 발생시키기 위해 횡단면조차 상기 관의 길이를 넘어서 변함없을 (이가 물론 선호될지라도) 필요는 없다. 상기 히팅 로드의 센터링 (centering) 을 가능하게 하기 위해 그리고 균일한 열전달을 보장하기 위해, 상기 환형 틈은, 둘레에 걸쳐 분배되어 상기 히팅 로드 표면에 또는 상기 관의 내면에 배치되는 융기부들을 통해 중단된다.예컨대 견고한 블록 (block) 안의 관통 보어들도 관들로 간주되고, 이때 이러한 블록은 다수의 평행하는 보어들을 구비할 수 있다.본 발명에 따른 히팅 로드들은 종래의 히터들의 상응하는 관들 안의 코일형 와이어들과 비교하여 비교적 두껍기 때문에, 그들은 열을 내부에서 보다 잘 전달하고, 분배할 수 있고, 이는 국부적 과열을 저지하는 것을 돕고, 그들은 이미 이러한 이유로, 높은 열적부하에 있어서 또는 1000℃ 를 넘는 높은 히팅 로드 온도들에 있어서 훨씬 더 긴 수명 또는 사용기간을 가지며, 또는 금속성 전기적 히팅 요소들을 가지고 1000℃ 를 넘게 가스들의 가열을 비로소 가능하게 한다.히팅 로드와 관 사이의 상기 최대 내측 간격 대신에 대안적인 조건은 상기 관의 비어 있는 내부 횡단면에 대한 상기 히팅 로드의 횡단면적의 최소 비율을 통해 표현될 수 있다. 이에 따르면, 상기 히팅 로드는, 적어도 그가 상기 관의 내부에서 연장되는 한, 상기 비어 있는 관 횡단면의 적어도 30%, 더욱 바람직하게는 적어도 50% 에 달하는 횡단면적을 가져야 한다. 긍정적인 결과들을 갖고 테스트되었던 구체적인 실시형태들에 있어서, 이 횡단면 비율은 약 80% 에 있고, 이때 상기 최대 내측 간격은 0.2 내지 0.5 mm 에 달했고, 히팅 로드와 관벽 사이의 상응하여 균일한 환형 틈은 약 0.1 내지 0.25 mm 에 달했다.일반적으로 말해서, 상기 히팅 로드의 횡단면과 상기 관의 내부 횡단면 사이의 바람직한 치수 비율은 목적에 맞게 0.2 내지 약 0.95 의 범위에 있다. 0.2 의 횡단면 비율은 예컨대 대략 0.2 mm 의 매우 얇은 히팅 로드 지름과 0.45 mm 의 관 지름에 있어서 발생한다. 0.9 의 횡단면 비율은 예컨대 5 mm 내부지름을 갖는 관 안의 약 4.75 mm 의 히팅 로드 지름에 있어서 발생하고, 이때 상기 히팅 로드 지름이 상기에서 제시된 그리고 하기에서 제시되는 범위들 내에 있는 동안은, 횡단면 비율과 관련하여 측정 단위 또는 절대 치수는 중요하지 않다. 0.5 와 5 mm 사이의 히팅 로드들의 절대적 지름들을 갖는 약 0.5 와 0.9 사이의 지름 비율에 상응하여, 횡단면 비율들의 바람직한 범위는 0.3 과 0.8 사이에 있다.동시에, 로드 모양의, 상기 관축을 따라서 연장되는 히팅 로드와 상기 관의 내벽 사이의 환형 틈을 통한 가스의 본질적으로 층상인 (laminar) 흐름에 있어서 히팅 로드와 관통하여 흐르는 가스 사이의 열전달이 놀랍게도 효과적이라는 것이 밝혀졌고, 따라서 이러한 히팅 요소를 가지고 간단히 1200℃ 까지의 또는 게다가 그를 넘는 공정가스 온도들을 달성할 수 있고, 반면 이 공정 히터의 그리고 특히 히팅 로드들의 수명은 900℃ 또는 그를 넘는 가스 온도들의 발생을 위해 설계된 종래의 공정 히터들의 또는 히팅 와이어들의 수명의 몇배에 달한다. 이때, 상기 히팅 로드의 둘레를 따른 상기 환형 틈이 당연히 변함없는 폭을 가져야 하는 것이 아니라, 0 (접촉) 과 최대값 (원형 횡단면에 있어서, 즉 균일한 틈폭의 두 배) 사이에서 변화할 수 있다.절대적인 관 지름과 히팅 로드 지름은 넓은 범위들에 있어서 변화할 수 있고, 예컨대 1 mm 과 20 mm 또는 그를 넘는, 예컨대 60 mm 의 관의 내부지름 사이에서 변화할 수 있고, 또 한편으로는 그 밖의 치수들에 의존하여, 예컨대 관과 히팅 로드의 길이, 상기 환형 틈의 원하는 폭, 가스 흐름율, 상기 히팅 로드의 전기적 저항 및 사용하도록 되어 있는 전압에 의존하여 변화할 수 있다.상기 히팅 로드는 작은 관 지름에 있어서 물론 상응하여 보다 작은 지름을 가지며, 상기 지름은 극단적인 경우 0.5 mm 또는 그 미만, 예컨대 0.2 mm 에 달할 수 있다. 그는 이로써 종래의 코일 와이어들 또는 히팅 필라멘트들에 비해 여전히 훨씬 더 두껍고, 무엇보다도 나선 모양으로 감기는 것이 아니라 상기 관축에 대해 평행으로 또는 상기 관축을 따라서 연장된다. 즉, 선행기술에 따른 “히팅 와이어”와 본 발명에 따른 “히팅 로드”사이의 차이는 일차적으로 서로 다른 두께에 있는 것이 아니라 (서로 다른 두께에만 있는 것이 아니라), 오히려 정의된 (defined) 세로방향 연장, 및, 실제적으로 실행할 수 있는 한, 정확히 상기 관의 축을 따라서 연장하는 상기 히팅 로드의 비교적 안정된 형태에 있고, 따라서 상기 관의 내부에서의 그의 길이는 정확히 상기 관의 길이에 상응하고, 이로써 상기 히팅 로드는 상기 관 안의 인위적으로 연장된 길을 따라서 연장되지 않는다. 그럼에도 불구하고, 본 발명에 따른 히팅 요소의 상기 히팅 로드는 일반적으로, 동일한 관 횡단면을 갖는 종래의 히팅 요소들에 있어서의 그리고 히팅 출력에 있어서 모두 비교 가능한, 선행기술에 따른 히팅 요소에 있어서의 히팅 와이어들보다 두껍다.이상적으로는, 상기 히팅 로드는 가능한 한 정확히 상기 관의 중앙에 배치되고, 이때 상기 히팅 로드의 외부 횡단면은 상기 관의 내부 횡단면의 형태와 본질적으로 일치하고, 이는 결과적으로 상기 히팅 로드와 상기 관의 내벽 사이의 환형 틈이 본질적으로 변함없는 폭을 갖는 것을 초래한다. 하지만 어쩌면 상기 관의 내면 및/또는 상기 히팅 로드의 외면은 구조화될 수도 있고, 즉 예컨대 상기 로드의 그리고 상기 관의 세로방향을 따라서 연장되는 리브 구조 (rib structure) 또는 가는 홈 구조를 가질 수 있고, 상기 리브 구조 또는 가는 홈 구조는 작은 꼬임 각도를 가질 수 있다. 이러한 표면적 구조들은 주어져 있는 환형 틈 폭에 있어서 층상 흐름의 영역을 경우에 따라서는 보다 큰 가스 흐름율을 향하여 확장할 수 있다.상기 환형 틈의 구체적인 폭은 항상 원하는 가스 흐름율에 있어서의 최대 열에너지 전달과 압력손실 간의 타협을 나타낸다. 즉, 상기 환형 틈이 좁으면 좁을수록 상기 히팅 로드로부터 상기 히팅 로드와 상기 관 사이에서 흐르는 가스에의 열전달은 보다 효과적이고, 하지만 이때 좁은 틈은 가스 흐름을 제한하고 그리고/또는 유입부와 배출부 사이의 큰 압력차이를 요구한다.이 이외에, 상기 환형 틈의 의미 있는 폭은 상기 관의 길이에도 의존하고, 상기 히팅 로드 안에 구현된 전기적 히팅 출력에도 의존한다.구체적인 실시형태에서 상기 환형 틈의 평균 폭은 약 0.1 mm 에 달하고, 다른 예에서는 0.2 mm 에 달하고, 하지만 이때 상기 히팅 로드를 실제로 동심적으로 관 안에 배치하는 것이 항상 이루어지는 것은 아니고, 따라서 상기 환형 틈 폭은 적어도 몇몇의 축방향 위치들에서는 둘레방향으로 영 (zero) 과 상기 평균 환형 틈 폭의 2배 사이에서 변화할 수 있다.다른 구체적인 실시형태에서, 상기 내측 간격 또는 상기 환형 틈의 폭은 0.05 내지 1 mm 의 범위에 있을 수 있다.그렇기 때문에 일 실시형태에서 몇몇의 위치들에서 둘레를 따라서 그리고/또는 길이에 걸쳐 분배되어 스페이서들 (spacers) 이 제공되고, 상기 스페이서들은 상기 히팅 로드를 상기 관 안에 센터링한다. 상기 스페이서들은 상기 히팅 로드와 또는 상기 관과 일체로 형성될 수 있고, 특히, 상기 히팅 로드와 상기 관 사이의 가스 흐름을 가능한 한 적게 방해하도록 형성된다. 상기 스페이서들은 바람직하게는 내열 세라믹으로 구성되고, 이상적으로는 관 지오메트리 (tube geometry) 를 통하여 실현된다.이상적으로는, 히팅 로드와 관은 서로 동축적으로 배치되고, 즉 그들의 축들은 서로 같다.이때, 상기 히팅 로드와 상기 관은 원형 횡단면을 가질 필요는 전혀 없고, 그들은 예컨대 바람직하게는 등변 다각형의 횡단면도 가질 수 있고, 예컨대 원통형 히팅 로드를 수용하는 6각형 또는 8각형 횡단면 또는 외부윤곽을 갖는 관일 수도 있다. 특히 관들의 정방형 또는 6각형 외부윤곽은 관 다발의 매우 콤팩트한 배열, 및 이를 통해 결과로서 생기는 상기 관들 사이의 최소 바이패스 흐름을 가능하게 한다.본 발명의 실시형태에서, 다수의 평행하는 관들은 하나의 관 다발로 통합되고, 상기 히팅 로드, 보다 정확히 말하면 상기 관 다발의 개별적인 관들의 히팅 로드들은 꼬불꼬불한 모양으로 (meander-shaped) 상기 관들을 관통하여 안내된 히팅 와이어의 형태를 가지며, 상기 히팅 와이어는 한 관의 단부에서 도입되고, 이 관의 배출측으로부터 이웃한 관을 통해 다시 돌려 보내진다 등등. 이때, 히팅 로드로서의 개별적인 히팅 와이어가 관통 안내되는 관들의 개수는 바람직하게는 짝수이고, 따라서 상기 히팅 로드는 다수의 관들을 통해 이리 저리로 연장되는 와이어의 형태로 유입 단부와 동일한 측에서 그에 대해 평행으로 나가고, 이로써 상기 관 다발의 일 단부에서 상응하는 전기적 연결 접촉부들과 연결될 수 있다. 관 다발이 관들로 이루어진 다수의 그룹으로 구성될 수 있고, 상기 관들이 각각 하나의 유일한 관련 히팅 와이어에 의해 관통되는 것이 당연하다. 상기 관 다발이 전기적 접속부하를 요구할 경우, 델타 또는 스타 결선에 있어서의 접촉을 가능하게 하는 다수의 전기적 구역들로의 분할은 적합하다고 입증되었다.목적에 맞게, 이러한 관들의 빽빽한 다발은 하나의 공통의 하우징 안에 배치되고, 이때 하우징벽과, 개별적인 관들로 이루어진 빽빽한 꾸러미의 외면 사이에는 추가적으로 절연재료가 배치된다.상기 절연재료는 바람직하게는 고온에 강한 세라믹 재료이고, 상기 세라믹 재료는 형태 안정적인 관들을 제조하기 위한 충분한 안정성을 갖는다. 하나의 다발로 통합된 다수의 평행하는 관들 사이에는, 출원인에 의해 상표 표시 “화이브로탈 (Fibrothal)”하에 판매되는 고온에 강한 세라믹 절연재료가 배치될 수 있다.서로 나란히 배치되는 대신에, 본 발명에 따른 히팅 요소들 중 다수와, 히팅 요소들로 이루어진 상응하는 다발들은 축방향으로 잇달아 배치될 수도 있다.상기 관들은 절연시키는 그리고 고온에 강한 세라믹으로 구성되어야 하고, 이를 위해 특히 산화알루미늄 (Al2O3) 이 고려된다.상기 히팅 로드는 바람직하게는 철-크롬-알루미늄 합금 또는 니켈-크롬-철 합금으로 구성된다. 경우에 따라서는, 특히 보다 두꺼운 히팅 로드는 그의 편에서 평행하는, 경우에 따라서는 서로 꼬인 개별 로드들 또는 와이어들의 다발로 구성될 수 있고, 이때 이러한 실시형태에서 위에서 정의된 상기 내측 간격은 상기 관의 내벽에 대한 상기 로드들 또는 와이어들로 이루어진 상기 다발의 포락선 (envelope) 의 내측 간격을 통해 정의된다.상기 히팅 로드는 0.2 내지 50 mm 의 범위에서의 지름, 바람직하게는 0.5 와 10 mm 사이의 지름을 가질 수 있다.본 발명의 그 밖의 장점들, 특징들 및 적용 가능성들은 바람직한 실시형태의 그리고 그에 속하는 도면들의 하기의 설명을 근거로 분명해진다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1 은 관통 안내된 히팅 로드들을 갖는 관 다발로 구성되는 히팅 요소의 정면측 평면도,도 2 는 도 1 에 따른 히팅 요소의 측면도,도 3 은 본 발명에 따른 히팅 요소, 가스 및 전류를 위한 연결부들을 갖는 하우징, 및 절연을 구비한 완전한 공정 히터의 세로방향 축을 따른 단면을 갖는 단면도,도 4 는 도 3 에 따른 공정 히터를 왼쪽에서 바라본 정면도,도 5 는 도 1 및 도 2 에 따른 히팅 요소를 통한 단면,도 6 은 도 5 의 절단선의 위치를 갖는 공정 히터를 또 한 번 도식적으로 나타낸다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1 에서는 6각형 배열에 있어서 빽빽한 관 (1) 꾸러미를 알아볼 수 있고, 상기 관들을 관통하여 히팅 로드들 (2) 이 안내된다. 관들 (1) 은 산화알루미늄 세라믹으로 구성되고, 약 1.7 mm 의 안지름과 약 2.7 내지 2.8 mm 의 바깥지름을 가지며, 이로부터 약 0.5 내지 0.55 mm 의 관들 (1) 의 벽두께가 발생한다. 상기 히팅 로드들은 여기서 약 1.5 mm 의 지름을 갖는 연속적인 히팅 와이어를 통해 형성되고, 상기 히팅 와이어는 교대하면서 각각 반대 방향에 있어서 이 관 다발의 다수의 관들을 관통하여 안내되고, 이때 2a 로 표시된 히팅 로드는 관 (1a) 안으로의 상기 히팅 와이어의 도입측을 표시하고, 상기 히팅 와이어는 그 후 관 (1b) 을 통해 다시 돌려 보내지고, 관 (1c) 안으로 다시 도입되고, 이러한 방식으로, 결국 히팅 로드 (2z) 형태의 상기 와이어의 단부가 관 (1z) 을 통해 다시 나올 때까지 다수의 관들을 통해 그리고 본질적으로 그들의 축에 대해 평행으로 관통 안내된다.상기 관들 중 몇몇은 빈 관들 (3) 이고, 상기 빈 관들은 예컨대 열전 소자들 또는 그 밖의 온도계들을 수용하는 데에 쓰이고, 반면 중앙 관은 예컨대 센터링 (centering, 4) 을 구비할 수 있고, 상기 센터링의 도움으로, 상기 관 다발과 상기 관통 안내된 히팅 와이어로 구성된 히팅 요소 (10) 는 공정 히터의 하우징 안에 센터링될 수 있다.도 2 는 도 1 에 따른 관들의 상기 다발 또는 상기 6각형 꾸러미의 측면도이다.관들 (1) 의 길이 (l) 는 예컨대 150 과 500 mm 사이에 달하고, 반면 여기에 제시된 관들 (1) 과 히팅 로드들 (2) 의 치수들에 있어서 전체 히팅 요소 (10) 의 길이 (돌출하는 연결 단부들 (2a 와 2z) 없이) 는 약 4 내지 5 mm 만큼 더 크다.도 3 은 관 모양의 하우징 (6), 가스 공급관 (7), 배출관 (8) 을 갖는 가스 배출 노즐 (9), 및 고정 플랜지 (13) 를 갖는 완전한 공정 히터 (100) 를 나타내고, 상기 고정 플랜지는 그의 편에서 전류 공급 플랜지 (14) 에 설치된다.가스 공급관 (7) 은 원통형 중공 공간 (18) 안으로 통하고, 상기 중공 공간을 통해 2개의 평행하는 전류 연결관들 (16) 도 연장되고, 상기 전류 연결관들 중 하나만 도 3 의 측면도에서 알아볼 수 있다. 상기 전류 연결관들은 전기적 연결 플랜지 (14) 에서의 전기적 연결 접촉부들과 와이어 단부들 (2a 및 2z) 과의 연결을 위한 통과부를 형성한다. 예컨대 도 1 및 도 2 에 따른 관 다발로 구성되는 히팅 요소 (10) 는 관 모양의 하우징 (6) 의 중앙에 수용되고, 이때 관 모양의 하우징 (6) 의 내벽과 히팅 요소 (10) 사이에는 고온에 강한 세라믹 절연재료 (17) 가 배치되고, 상기 절연재료는 전형적으로 히팅 요소 (10) 를 마주 보고 있는 측들로부터 둘러싸는 하프셸들 (half-shells, 17a, 17b) (도 5 참조) 로 구성되고, 상기 하프셸들의 내부 윤곽은 히팅 요소 (10) 의 외부 윤곽에 맞춰진다.대안적으로, 상기 하프셸들은 함께 하나의 간단한 원통형 관을 형성할 수도 있고, 그러면 이때 히팅 요소 (10) 사이의 남아 있는 중간공간들은 느슨한 섬유복합 형태로 존재하는 절연재료로 채워지고, 상기 절연재료는 그 밖에는 관들 (1, 3) 사이의 중간공간들도 채운다.상기 관 중간공간들을 채우는 것에 대한 대안으로서, 히팅 요소 (10) 의 가스 유입측은 상응하는, 구멍이 뚫린, 원형의 커버 디스크를 구비할 수 있고, 상기 커버 디스크의 지름은 히팅 요소 (10) 의 상기 관 다발의 최대 바깥지름에 상응하고, 상기 커버 디스크는 상기 관들의 또는 관 개구부들의 위치에서만 보어들을 구비하고, 이로써, 상기 히팅 와이어가 상기 관을 관통하여 안내되기 전에 상기 관 꾸러미의 전체 정면을 상기 보어들을 제외하고 덮는다. 이러한 커버 디스크는 하우징과 히팅 요소 (10) 사이의 하프셸들 (17a, 17b) 을 위해서도 사용되는 그리고 출원인에 의해 상표 이름 “화이브로탈 (Fibrothal)”하에 판매되는, 동일한 세라믹 절연재료로 구성될 수 있다. 상기 히팅 와이어 또는 히팅 로드들 (2) 의 단부들 (2a 및 2z) 은 절연시키는 연결관들 (16) 을 통해 외부 전기적 연결부들 (12) 과 연결되고, 상기 전기적 연결부들은 클램핑링 나사결합 (11) 을 통하여 공급 플랜지 (14) 에 설치된다.공정 히터의 여기에 도시된 변형은 약 1.5 mm 의 히팅 로드 지름 또는 히팅 와이어 지름에 있어서 3.5 kW 의 히팅 출력을 위해 설계되고, 이때 내측 안 관지름은 약 1.7 과 2.2 mm 사이에 있을 수 있고, 상기 히팅 와이어 또는 상기 히팅 로드들은 철-크롬-알루미늄 합금으로 구성된다. 적합한 히팅 와이어들은 출원인에 의해 무엇보다도 상표 표시 “니크로탈 (NICROTHAL)”하에 판매된다. 상응하는 공정 히터들을 임의로 치수화할 수 있는 것이 당연하고, 따라서 출력 범위는 몇 와트 또는 몇 100 와트와 100 또는 그를 넘는 킬로와트 사이에 달할 수 있다.가열되어야 하는 가스는 연결부 (7) 를 통해 공급되고, 그 밖에 전류 연결부의 절연시키는 두 관들 (16) 이 통과하는, 본질적으로 원통형인 앞 공간 (18) 에 도달하고, 관들 (1) 과 히팅 와이어들 (2) 사이의 개방된 환형 틈들 (5) 안으로 그리고 상기 관들을 관통하여 흐르는데, 왜냐하면 그 후 노즐 (9) 과 배출관 (8) 을 통하여 상기 공정 히터 밖으로 나가기 위해서이다.다수의 히팅 요소들 또는 공정 히터들을 축방향으로도 잇달아 접속시킬 수 있는 것이 당연하다.도 4 는 결국 왼쪽에서 바라본 도 3 에 따른 공정 히터의 정면도이고, 이때 배출 단부 (8) 를 갖는 노즐 (9) 을 또다시 알아볼 수 있고, 또한 하우징 (6), 가스 공급관 (7) 및 연결 플랜지 (13) 를 알아볼 수 있다. [ 부호의 설명 ] 1 : 관2 : 히팅 로드, 히팅 와이어2a, 2z : 히팅 와이어 또는 히팅 로드의 단부들3 : 빈 관4 : 센터링5 : 환형 틈6 : 하우징7 : 가스 공급관8 : 배출관9 : 노즐10 : 히팅 요소11 : 클램핑링 나사결합12 : 전기적 연결부들13 : 고정 플랜지14 : 공급 플랜지16 : 전류 연결관들/결합관들17a, 17b : 하프셸들18 : 앞 공간	본 발명은 가스들을 높은 온도들로 가열하기 위한 히팅 요소에 관한 것이며, 상기 히팅 요소는 가열되어야 하는 가스의 관류를 위해 정돈된 관 (1) 과 상기 관 안의 전기적 히팅 와이어를 가지며, 상기 히팅 요소는 상기 히팅 와이어를 지나가며 흐르는 가스에 열을 전달하기 위해 설계된다. 1000℃ 까지의 또는 그를 넘는 가스 온도들의 발생을 허용하는, 그리고 그럼에도 불구하고, 1000℃ 까지의 가스 온도들의 발생시 일반적으로 종래의 히팅 코일들의 수명의 10배에 달하는 비교적 긴 사용기간을 갖는 공정 히터 및 상응하는 히팅 요소를 제공하기 위해, 본 발명에 따르면 상기 히팅 와이어는 관축을 따라서 연장되는 히팅 로드 (2) 로서 형성되고, 상기 관의 내벽에 대한 상기 히팅 와이어의 최대 내측 간격은 둘레의 적어도 80% 에 걸쳐 그리고/또는 관과 히팅 로드의 겹침 길이의 적어도 80% 에 걸쳐 10 mm 의 값을 넘지 않는 것이 제안된다.
[ 발명의 명칭 ] 액티브 매트릭스 유기 일렉트로루미네센스 디스플레이의 터치구조Touch structure of AMOLED display screen [ 기술분야 ] 본 발명은 디스플레이 패널과 터치 기술분야에 관한 것으로 더욱 상세하게는 하이브리드(hybrid) 터치구조인 액티브 매트릭스 유기 일렉트로루미네센스 디스플레이(AMOLED)의 터치구조에 관한것이다. [ 배경기술 ] 터치 구조는 이미 중소형 패널의 필수 구성으로서 시장성이 대단하다. 패놀 제조업체는 상품의 부가가치를 높이기 위해 터치기술을 자신의 손에 넣어두고 인서트형 터치기술을 개발하고 있는데 이는 주로 인셀(in-cell) 과 온셀(on-cell)를 포함하는데 인셀기술은 터치 패널 기능을 액정 화소 중에 인서트시키는 방법이고, 온셀기술은 터치 패널 기능을 컬러 필터 기판과 편광판 사이에 인서트하는 방법이다. 액티브 매트릭스 유기 일렉트로루미네센스 디스플레이(AMOLED)는 박막 패키지가 있음으로 하여 온셀기술을 적용하기가 어려우며, 박막 패키지 위에 통상의 터치 구조를 복수차 포토리소그래핑해야 하므로 박막 패키지하의 OLED 장치에 대한 영향이 아주 현저하다. OLED 장치와 액정 표시 장치는 크게 다르므로, 인셀기술은 OLED 장치에서 실현하기 힘들다. 그러므로, 플렉서블 표시가 호환가능한 액티브 매트릭스 유기 일렉트로루미네센스 디스플레이(AMOLED)의 터치 방식을 제공하여 박막 패키지에 영향 주는 것을 감소시킴이 필요하다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 종래기술의 문제점을 해결하고 다수의 포토리소그래핑의 박막 패키지에 대한 영향을 저감시키고 공정 난이도를 저감시키기 위하여 본 발명은 액티브 매트릭스 유기 일렉트로루미네센스 디스플레이를 제공한다. [ 과제의 해결 수단 ] 구체적인 기술방안은 아래와 같다.디스플레이 기판(100)에 설치되는 액티브 매트릭스 유기 일렉트로루미네센스 디스플레이의 터치 구조에 있어서,상기 터치 구조는 상호 유도되는 발광 구조(10)와 수광 구조(20)를 가지며, 상기 발광 구조(10)는 제1 피복 박막(104), 제1 패터닝 전극(105), 및 제2 피복 박막(106)을 더 포함하고, 상기 제1 피복 박막(104)은 디스플레이 기판(101)상에 위치하는 유기 일렉트로루미네센스 장치(103)에 형성되고, 상기 제1 패터닝 전극(105)은 상기 제1 피복박막(104)에 형성되고, 상기 제1 패터닝 전극(105)에는 제2피복박막(106)이 형성되며, 상기 수광 구조(20)는 플렉서블 고분자박(箔)(109)을 더 포함하고, 상기 플렉서블 고분자박(109)에는 제2 패터닝 전극(108)이 성형되고, 상기 제2 피복박막(106)은 상기 플렉서블 고분자박(109)과 접착되며, 상기 제1 패터닝 전극(105)과 상기 제2 패터닝 전극(108)은 대향하여 설치되는 것을 특징으로 한다.상기 발광구조(1)중의 제1 패터닝 전극(105)과 상기 수광 구조(20)중의 제2패터닝 전극(108)는 모두 띠 형상 패턴이며, 상기 제1 패터닝 전극(105)과 제2 패터닝 전극(108)은 위치가 중첩되는 상보 패턴을 이루는 것을 특징으로 할 수있다.또한, 상기 제1 패터닝 전극(105) 중의 띠 형상 패턴과 상기 제2 패터닝 전극(108) 중의 띠 형상 패턴은 서로 수직되게 설치된 것을 특징으로 할 수 있다.상기 제1피복 박막(104)는 다층 박막으로 구성되고, 그중에는 적어도 한 층의 무기 박막을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.더욱 바람직하게는, 상기 제1 피복박막(104)는 한층 또는 다층 유기 박막을 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.상기 제1 패터닝 전극(105)와 제2 패터닝 전극(108)의 막 두께는 5~1000nm인 것을 특징으로 할 수 있다.상기 제1 피복박막과 제2 피복박막의 두께는 50~5000nm인 것을 특징으로 할 수 있다.상기 디스플레이 기판(101)은 유리 기판 또는 플렉서블 고분자 기판인 것을 특징으로 할 수있다. [ 발명의 효과 ] 본 발명이 가져오는 유익한 효과는 아래와 같다.(1) 본 발명은 제1 피복 박막과 플렉서블 고분자 박 위에 각각 제1 패터닝 전극과 제2 패터닝 전극을 형성함으로써 원가가 낮은 나노 은 또는 그래핀으로 제조되므로, 원가를 더욱 낮출 수 있고 동시에 플레서블 터치를 호환 가능케 한다.(2) 본 발명의 수광 구조에 따라 유연한 폴리머 채팅 보에 형성하고, 그 재료는 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리 에테르 설폰, 폴리이미드, 폴리 파라자일렌 등이 될 수 있으며 여기에 한하지 않는다. 폴리머 박 위에 용량식 터치 센서의 제2 패터닝 전극을 형성하고, 제2 패터닝 전극의 재료 형성방식 및 선택 범위는 제1 패터닝 전극과 같으며, 제2 패터닝 전극은 직접 플렉서블 폴리머 박 위에 형성되고 장치 위에 형성되는 것이 아니기에 제조 공정 난이도는 크게 떨어진다. [ 도면의 간단한 설명 ] 더욱 명확히 본 발명 실시예 중의 기술방안을 설명하기 위해 다음 실시 예 설명 중 필요한 도면에 대해 간단히 소개하기로 한다. 명확히 해야 할 점은, 아래의 설명 중 도면은 단지 본 발명의 여러 실시 예이며, 당업자에게 있어서 창조적 노력을 들이지 않는 전제하에 이들의 도면에 따라 다른 도면을 얻을 수 있다.도 1은 본 발명 기술의 액티브 매트릭스 유기 일렉트로루미네센스 디스플레이 터치구성 단면도이다;도 2는 본 발명의 하나의 실시 예에 따른 AMOLED 터치 구성 단면도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명의 목적 청구항과 장점을 더욱 알게 해 다음 그림을 결합하는 것을 본 발명실시 예에 더욱 상세히 묘사한다.도1에 도시한 바와 같이, 디스플레이 기판(100)에 설치되는 액티브 매트릭스 유기 일렉트로루미네센스 디스플레이의 터치 구조에 있어서, 상기 터치 구조는 상호 유도되는 발광 구조(10)와 수광 구조(20)를 가지며, 상기 발광 구조(10)는 제1 피복 박막(104), 제1 패터닝 전극(105), 및 제2 피복 박막(106)을 더 포함하고, 상기 제1 피복 박막(104)은 디스플레이 기판(101)상에 위치하는 유기 일렉트로루미네센스 장치(103)에 형성되고, 상기 제1 패터닝 전극(105)은 상기 제1 피복박막(104)에 형성되고, 상기 제1 패터닝 전극(105)에는 제2 피복박막(106)이 형성되며, 상기 수광 구조(20)는 플렉서블 고분자박(箔)(109)을 더 포함하고, 상기 플렉서블 고분자박(109)에는 제2 패터닝 전극(108)이 성형되고, 상기 제2 피복박막(106)은 상기 플렉서블 고분자박(109)과 접착제 (107) 접착되며, 상기 제1 패터닝 전극(105)과 상기 제2 패터닝 전극(108)은 대향하여 설치되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 일렉트로루미네센스 디스플레이의 터치구조이다.구체적으로, 상기 터치 구조체의 제조는 다음 공정을 참조하여 설명한다. (1) 터치 구조 발광 구조 10을 제조A. 표시 기판 (101)을 선택하고, 디스플레이 기판 (101)은 종래의 글래스 기판이 될 수 있고, 가요성 중합체일 수도있다.B. 디스플레이기판 (101)에는 박막 트랜지스터(TFT)를 형성 어레이(102)를 형성하는데 이 기술은 당업자에게 공지된 산업의 기술이다. 이 기술은 저온 폴리 실리콘 기술(LTPS), 인듐 갈륨 및 산화 아연 (IGZO) 또는 유기 박막 트랜지스터(OTFT) 일 수있는데 각 화소를 발광 제어한다.C. 박막 트랜지스터 (TFT) 어레이 (102)에서 유기 전계 발광 소자 (OLED) (103)을 형성한다.　 박막 트랜지스터 (TFT) 어레이 (102) 및 유기 전계 발광 소자 (OLED)(103)는 통상적으로 필드 방법을 사용하는 배향 될 수 있고, 이에 한정되지 않는다D. 유기 전계 발광 소자(OLED)(103)에, 하나 이상의 제1 피복 박막 (104)을 형성하여 물 중 산소 격리 역할을 하고, 제1 피복 박막 (104)은 적어도 하나의 층 무기 박막을 포함하고 그 재료는, 알루미나, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 티타늄 산화물, 지르코늄 산화물, 비정질 탄소, 산화 마그네슘 중의 하나 이상의 혼합물일 수 있으나 여기에 제한되지 않으며, 형성 방식은 원자층 증착, 스퍼터링 촬영, 화학 증착법 등이 될 수 있지만, 이에 한정되지 않으며,　상기 제1 피복 박막(104)는 하나 이상의 유기 박막 재료가 있을 수 있으며, 그 재료는 폴리 아크릴레이트, 폴리 우레아, 폴리이미드, 파릴렌 등이 될 수 있으나 여기에 한정되지 않고 형성 방법 유기 화학 기상 증착, 잉크젯 프린팅, 플래시 증발, 유기 기상 증착법, 스핀 코팅을 포함할 수 있되 여기에 한하지 않는다.E. 밀봉 박막 (104) 상에 용량성 터치 센서의 제1 패터닝 전극(105)를 형성하고, 그 재료는 투명 도전막 재료일 수 있지만, 인듐 주석 산화물, 알루미늄 도핑 된 아연 산화물, 불소가 도핑된 아연, 은 나노 와이어, 탄소 나노 튜브, 그라핀 중의 하나 이상일 수 있으나 여기에 한정되지 않으며, 패터닝 방식은 포토 리소그래피, 잉크젯 인쇄, 메탈 마스크, 스크린 인쇄 등일 수 있으나 이에 한정되지 않으며, 막 두께는 재료에 따라 5-1000nm 사이일 수 있다.F. 제2 피복 박막 (106)이 제1 전극 패턴 (105)에 형성되며, 그 재료 및 형성 방법은 제1 피복 박막 (104)과 같으며, 제1 피복 박막 제2 피복 박막의 두께는 50-5000nm이며 이에 의해 터치 구조 중의 발광 구조(10)를 제조한다. (2) 상기 터치 구조 수용 구조를 제조 20109는 가요 성 중합체 박막이며 그 재료는 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리 에테르 술폰, 폴리이미드, 파릴렌이 될 수 있지만, 이에 한정되지 않으며 가요성 중합체 박막 (109) 위에 용량성 터치 센서의 제2 패터닝 전극(108)를 형성하며, 바람직하게는, 제2 패터닝 전극 (108) 중의 띠 형상 패턴은 제1 전극 (105) 중의 띠 형상 패턴과 서로 수직 설치되며, 그 재료와 형성방식 및 선택범위는 제1 패터닝 전극(105)와 같으며, 플렉서블 고분자 박(109) 위에 직접적으로 형성되고 장치 위에 직접 형성되지 않기 때문에 공정의 어려움을 크게 줄일 수 있다마지막으로, 접착제(107)로 발광구조(10)중의 제2 피복 박막(106)의 일면과 수광 구조(20) 중의 제2 패터닝 전극 (108)의 일면을 접착시켜 제2 패터닝 전극(108) 및 제1 패터닝 전극(105)의 위치를 중첩시켜 터치 센서인 상보형 패턴이 될 수 있다.실시예 1도 2에 도시한 바와 같이, 표시 기판 (101)은 가요성 중합체 기판이고, 상기 재료는 폴리이미드이다.　 가요성 중합체 기판 상에 저온 폴리실리콘 박막 트랜지스터 어레이를 형성하는 유기 전계 발광 소자 (103)는 상부 전극에 대응하여 배열이 형성된다.　포장 필름 (104)의 처음 두 쌍의 플라즈마 강화 화학 기상 증착에 의해 실리콘 질화물이 잉크젯 인쇄 폴리아크릴레이트에 의해 수득 상기 실리콘 질화막과 교대로 형성된 아크릴레이트 조성물 프린트 - 자외선 경화 공정이 형성된다.　 스트립의 형태의 제1 피복 박막(104) 상에 형성된 터치 센서의 제1 전극 패턴(105)은 금속 마스크를 사용하여 25nm의 두께로 마그네트론 스퍼터링에 의해 제조된 산화 인듐 주석, 인 패턴을 형성한다.　상기 제1 전극(105), 상에 형성된 플라즈마 강화 화학 기상 증착에 의해 실리콘 질화물을 얻기 위해 상기 제2 피복 박막 (106)에 폴리 아크릴레이트의 두 쌍의 다른 조성물에 의해 형성되는 실리콘 질화막을 캡슐화 패터닝 잉크젯 인쇄 - 형성 자외선 경화 방법으로 형성하며.　디스플레이 즉 발광 구조 (10)의 제1 부분 위에 형성한다.　유연한 폴리머 포일의 표시, 즉, 가요성 중합체 박막(109) 및 폴리 (에틸렌 테레 프탈레이트) 인 플렉시블 폴리머 포일 (109)로 이루어지는 제2 패터닝 전극 (108)에 의해 수광 구조(20)를 수광하는 두 번째 부분, 온칩 인듐 주석 산화물을 30㎚의 두께로 리소그래피 용 그래픽 방식으로 이루어지는 제2 패터닝 전극 (108)을 형성하기 위해 마그네트론 스퍼터링 법에 플렉서블 고분자 박(109)에 형성한다.　마지막으로, 접착제(107)로 발광구조(10)중의 제2 피복 박막(106)의 일면과 수광 구조(20) 중의 제1 패터닝 전극 (108)의 일면을 접착시켜 제2 패터닝 전극(108) 및 제1 패터닝 전극(105)의 위치를 대향시켜 접착제(107)로 발광구조(10)과 수광 구조(20)를 붙인다.본 발명의 위의 실시예의 번호는 설명을 위한 것이지 좋고 나쁨을 가리기 위한 것이 아니다.위의 내용은 본 발명의 실시예들을 설명하기 위한 것일 뿐 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니며 무릇 본 발명의 사상 및 본 발명의 원리 내에서의 수정, 동등한 치환 및 개선은 본 발명의 범위 내에 속하게 된다. [ 부호의 설명 ] 10: 발광구조; 101: 디스플레이 패널 기판; 102: 박막 트랜지스터 어레이; 103: 유기 전계 발광 장치; 104: 제1 구현 필름; 105: 제1 패턴 전극; 106: 제2 피복 박막; 107: 접착제; 108: 제2 패터닝 전극; 109: 고분자 박; 20: 수광 구조	본 발명은 액티브 매트릭스 유기 일렉트로루미네센스 디스플레이의 터치 구조를 공개하였다. 이 터치 구조는 디스플레이 기판에 설치되고, 상호 유도되는 발광 구조와 수광 구조를 가지며, 발광 구조는 제1 피복 박막, 제1 패터닝 전극, 및 제2 피복 박막을 더 포함하고, 제1 피복 박막은 디스플레이 기판상에 위치하는 유기 일렉트로루미네센스 장치에 형성되고, 제1 패터닝 전극은 제1 피복박막에 형성되고, 제1 패터닝 전극에는 제2피복박막이 형성되며, 수광 구조는 플렉서블 고분자박(箔)을 더 포함하고, 플렉서블 고분자박에는 제2 패터닝 전극이 성형되고, 제2 피복박막은 플렉서블 고분자박과 접착되며, 제1 패터닝 전극과 제2 패터닝 전극은 대향하여 설치되어, 본 발명은 상호 유도되는 발광 구조와 수광 구조를 설치함으로써 공정수를 훨씬 줄이고, 원가를 낮추며, 플렉스블 터치가 호환가능하게 한다.
[ 발명의 명칭 ] 부호화 방법, 복호 방법, 부호화 장치, 복호 장치, 프로그램 및 기록 매체ENCODING METHOD, DECODING METHOD, ENCODER, DECODER, PROGRAM AND RECORDING MEDIUM [ 기술분야 ] 본 발명은 음향 신호의 부호화 기술 및 이 부호화 기술에 의해 얻어진 부호열의 복호 기술에 관한 것이다. 보다 상세하게는 음향 신호를 주파수 영역으로 변환하여 얻어진 주파수 영역의 샘플열의 부호화와 그 복호에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 저비트(예를 들면 10kbit/s~20kbit/s정도)의 음성 신호나 음향 신호의 부호화 방법으로서 DFT(이산 푸리에 변환)이나 MDCT(변형 이산 코사인 변환) 등의 직교 변환 계수에 대한 적응 부호화가 알려져 있다. 예를 들면 표준규격기술인 AMR-WB+(Extended Adaptive Multi-Rate Wideband)는 TCX(transform coded excitation:변환 부호화 여진) 부호화 모드를 가지고, 이 중에서는 DFT 계수를 8샘플마다 정규화하여 벡터 양자화하고 있다.또, TwinVQ(Transform domain Weighted Interleave Vector Quantization)에서는, MDCT 계수 전체를 고정의 규칙으로 재배열한 후의 샘플의 모임이 벡터로서 부호화된다. 이 때, 예를 들면, MDCT 계수로부터 시간 영역의 피치 주기마다의 큰 성분을 추출하고, 시간 영역의 피치 주기에 대응하는 정보를 부호화하고, 또한 시간 영역의 피치 주기마다의 큰 성분을 제외한 나머지의 MDCT 계수열을 재배열하여, 재배열 후의 MDCT 계수열을 소정 샘플수마다 벡터 양자화함으로써 부호화하는 방법 등이 채용되는 경우도 있다. TwinVQ에 관한 문헌으로서 비특허문헌 1, 2를 예시할 수 있다.또, 등간격으로 샘플을 추출하여 부호화하는 기술로서 예를 들면 특허문헌 1을 예시할 수 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 공개특허공보 2009-156971호 [ 비특허문헌 ] T. Moriya, N. Iwakami, A. Jin, K. Ikeda, and S. Miki, "A Design of Transform Coder for Both Speech and Audio Signals at 1bit/sample," Proc. ICASSP'97, pp. 1371-1374, 1997.J. Herre, E. Allamanche, K. Brandenburg, M. Dietz, B. Teichmann, B. Grill, A. Jin, T. Moriya, N. Iwakami, T. Norimatsu, M. Tsushima, T. Ishikawa, "The integrated Filterbank Based Scalable MPEG-4 Audio Coder," 105th Convention Audio Engineering Society, 4810, 1998. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] AMR-WB+를 비롯하여, TCX에 기초하는 부호화에서는 주기성에 기초하는 주파수 영역의 샘플열의 진폭의 불균일은 고려되어 있지 않고, 진폭의 불균일이 큰 샘플열을 합쳐서 부호화하면 부호화 효율이 저하되어버린다. 부호화 효율을 향상시키기 위해서는, 주파수 영역의 샘플열의 피치 주기에 기초하여, 진폭의 불균일이 작은 샘플군마다 상이한 기준에 따라 부호화를 행하는 것이 유효하다.그러나, 주파수 영역의 샘플열의 피치 주기를 효율적으로 결정하여 부호화하는 방법은 알려져 있지 않다.본 발명은 이러한 기술적 배경을 감안하여, 부호화시에 주파수 영역의 샘플열의 피치 주기를 효율적으로 결정하여 부호화하고, 복호시에 주파수 영역의 샘플열의 피치 주기를 특정하는 것이 가능한 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 부호화 기술에 의하면, 소정의 시간 구간의 음향 신호의 시간 영역 피치 주기 부호에 시간 영역의 피치 주기 L이 대응하고, 시간 영역의 피치 주기 L에 대응하는 주파수 영역의 샘플 간격을 환산 간격 T1으로서 얻고, 환산 간격 T1 및 환산 간격 T1의 정수배의 값 U×T1을 포함하는 후보값 중에서 주파수 영역 피치 주기 T를 결정하고, 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1의 몇배인지를 나타내는 주파수 영역 피치 주기 부호를 얻는다. 주파수 영역 피치 주기 부호는 복호측에서 주파수 영역 피치 주기 T를 특정할 수 있도록 출력된다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 의하면, 환산 간격의 정수배로부터 주파수 영역 피치 주기 T를 탐색하기 때문에, 주파수 영역 피치 주기 T의 탐색에 필요한 연산 처리량이 적다. 또한, 주파수 영역 피치 주기 T를 특정하는 정보로서 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격의 몇배인지를 나타내는 정보를 사용하므로, 주파수 영역 피치 주기 부호의 부호량을 억제할 수 있다. 이것에 의해, 부호화시에 주파수 영역의 샘플열의 피치 주기를 효율적으로 결정하여 부호화하고, 복호시에 주파수 영역의 샘플열의 피치 주기를 특정할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 실시형태의 부호화 장치의 블록도.도 2는 실시형태의 복호 장치의 블록도.도 3은 시간 영역에서의 기본 주기와 시간 영역의 피치 주기와 샘플점과의 관계를 나타낸 도면.도 4는 주파수 영역에서의 이상 환산 간격과 그 m배의 간격과 주파수와의 관계를 나타낸 도면.도 5는 주파수 영역 피치 주기/(변환 프레임 길이2/시간 영역의 피치 주기)의 빈도를 나타낸 도면.도 6은 샘플열에 포함되는 샘플의 재배열의 일례를 설명하기 위한 개념도.도 7은 샘플열에 포함되는 샘플의 재배열의 일례를 설명하기 위한 개념도.도 8은 실시형태의 부호화 장치의 블록도.도 9는 실시형태의 복호 장치의 블록도.도 10은 실시형태의 부호화 장치의 블록도.도 11은 실시형태의 복호 장치의 블록도.도 12는 실시형태의 가변 길이 부호장을 예시한 도면.도 13은 실시형태의 가변 길이 부호장을 예시한 도면.도 14는 실시형태의 부호화 장치의 블록도.도 15는 실시형태의 복호 장치의 블록도.도 16은 실시형태의 주파수 영역 피치 주기 분석 장치의 블록도. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태를 설명한다. 또한, 중복되는 구성 요소에는 동일한 참조 부호를 붙이고 중복 설명을 생략한다.[제1 실시형태]「부호화 장치(11)」도 1을 참조하여 부호화 장치(11)가 행하는 부호화 처리를 설명한다. 부호화 장치(11)의 각 부는 소정의 시간 구간인 프레임 단위에, 이하의 동작을 한다. 이하의 설명에서는 프레임의 샘플수가 Nt이며, 1프레임분의 디지털 음향 신호가 디지털 음향 신호열 x(1),...,x(Nt)인 것으로 하고 있다.「장기 예측 분석부(111)」(개요)장기 예측 분석부(111)는 소정의 시간 구간인 프레임 단위에, 입력된 디지털 음향 신호열 x(1),...,x(Nt)에 대응하는 시간 영역의 피치 주기 L을 얻어(스텝 S111-1), 당해 시간 영역의 피치 주기 L에 대응하는 피치 이득 gp을 산출하고(스텝 S111-2), 당해 피치 이득 gp에 기초하여 장기 예측을 실행할지 여부를 나타내는 장기 예측 선택 정보를 구하여 출력하고(스텝 S111-3), 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우에는, 적어도 시간 영역의 피치 주기 L과, 시간 영역의 피치 주기 L을 특정하는 시간 영역 피치 주기 부호 CL을 추가로 출력한다(스텝 S111-4).(스텝 S111-1:시간 영역의 피치 주기 L)장기 예측 분석부(111)는 예를 들면 미리 정한 시간 영역의 피치 주기의 후보 τ 중에서, 식(A1)에 의해 얻어지는 값이 최대가 되는 후보 τ를 디지털 음향 신호열 x(1),...,x(Nt)에 대응하는 시간 영역의 피치 주기 L로서 선택한다.후보 τ 및 시간 영역의 피치 주기 L은 정수만을 사용하여 표현되는 경우(정수 정밀도)뿐만아니라, 정수와 소수값(분수값)을 사용하여 표현되는 경우(소수 정밀도)도 있다. 소수 정밀도의 후보 τ에 대한 식(A1)의 값을 구하는 경우에는, 복수의 디지털 음향 신호 샘플에 가중 평균 조작을 행하는 보간 필터를 사용하여 x(t-τ)를 구한다.(스텝 S111-2:피치 이득 gp)장기 예측 분석부(111)는 예를 들면 디지털 음향 신호와 시간 영역의 피치 주기 L에 기초하여, 식(A2)에 의해 피치 이득 gp을 산출한다.(스텝 S111-3:장기 예측 선택 정보)장기 예측 분석부(111)는 피치 이득 gp이 미리 정한 값 이상인 경우에는 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 장기 예측 선택 정보를 얻어 출력하고, 피치 이득 gp이 상기한 미리 정한 값 미만인 경우에는 장기 예측을 실행하지 않는 것을 나타내는 장기 예측 선택 정보를 얻어 출력한다.(스텝 S111-4:장기 예측을 실행하는 경우)장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우에는, 장기 예측 분석부(111)는 이하를 행한다.장기 예측 분석부(111)에는 미리 정한 시간 영역의 피치 주기의 후보 τ에 당해 후보와 일의(一意)로 대응하는 인덱스가 할당된 것이 격납되어 있다. 장기 예측 분석부(111)는 시간 영역의 피치 주기 L로서 선택된 후보 τ를 특정하는 인덱스를, 시간 영역의 피치 주기 L을 특정하는 시간 영역 피치 주기 부호 CL로서 선택한다.그리고, 장기 예측 분석부(111)는 상기한 장기 예측 선택 정보에 더하여, 시간 영역의 피치 주기 L과, 시간 영역 피치 주기 부호 CL를 출력한다.또, 장기 예측 분석부(111)가 양자화 종료 피치 이득 gp^ 및 피치 이득 부호 Cgp도 출력하는 경우에는, 장기 예측 분석부(111)에는 미리 정한 피치 이득의 후보에 당해 후보와 일의로 대응하는 인덱스가 할당된 것이 격납되어 있다. 장기 예측 분석부(111)는 피치 이득의 후보 중 피치 이득 gp과 가장 가까운 것을 특정하는 인덱스를, 양자화 종료 피치 이득 gp^을 특정하는 피치 이득 부호 Cgp로서 선택한다.그리고, 장기 예측 분석부(111)는 상기한 장기 예측 선택 정보와, 시간 영역의 피치 주기 L과, 시간 영역 피치 주기 부호 CL에 더하여, 양자화 종료 피치 이득 gp^과, 피치 이득 부호 Cgp를 출력한다.「장기 예측 잔차 생성부(112)」장기 예측 분석부(111)가 출력한 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우에는, 장기 예측 잔차 생성부(112)는 소정의 시간 구간인 프레임 단위에, 입력된 디지털 음향 신호열로부터 장기 예측된 신호를 제외한 장기 예측 잔차 신호열을 생성하여 출력한다. 예를 들면, 입력된 디지털 음향 신호열 x(1),...,x(Nt)과 시간 영역의 피치 주기 L과 양자화 종료 피치 이득 gp^에 기초하여, 식(A3)에 의해 장기 예측 잔차 신호열 xp(1),...,xp(Nt)을 산출함으로써 생성한다. 장기 예측 분석부(111)가 양자화 종료 피치 이득 gp^을 출력하지 않는 경우에는, gp^로서 예를 들면 0.5 등의 미리 정한 값을 사용한다.xp(t)=x(t)-gp^x(t-L) (A3)「주파수 영역 변환부(113a)」우선, 주파수 영역 변환부(113a)가 프레임 단위로, 장기 예측 분석부(111)가 출력한 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우에는 입력된 장기 예측 잔차 신호열 xp(1),...,xp(Nt)을, 장기 예측 분석부(111)가 출력한 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하지 않는 것을 나타내는 경우에는 입력된 디지털 음향 신호열 x(1),...,x(Nt)을, 주파수 영역의 N점(N을 「변환 프레임 길이」라고 부른다)의 MDCT 계수열 X(1),...,X(N)로 변환한다(스텝 S113a). 주파수 영역 변환부(113a)는 시간 영역에서 2N점의 장기 예측 잔차 신호열 또는 디지털 음향 신호열에 윈도우잉한 후의 신호열의 MDCT 변환을 행하고, 주파수 영역에서 N점의 계수를 얻는다. 또한, 기호 는 승산을 나타낸다. 주파수 영역 변환부(113a)는 시간 영역에서의 윈도우를 N점씩 어긋나게 함으로써 프레임을 갱신한다. 이 때, 이웃하는 프레임의 샘플은 N점씩 중복된다. 장기 예측 분석의 대상 샘플과 MDCT 변환에서의 윈도우의 대상 샘플은 독립이며, 지연이나 중첩의 정도로 윈도우의 형태를 설정할 수 있다. 예를 들면 장기 예측 분석의 대상 샘플로서 중첩이 없는 샘플 부분으로부터 Nt점을 취출하면 된다. 또 중첩이 있는 샘플에 대해서도 장기 예측 분석을 행하는 경우에는, 중첩 처리와 장기 예측의 차분과 합성의 처리의 적응 순서 등을 설정하여, 부호화 장치와 복호 장치에서 큰 오차를 발생시키지 않도록 할 필요가 있다.「가중 포락 정규화부(113b)」가중 포락 정규화부(113b)가 프레임 단위의 디지털 음향 신호열에 대한 선형 예측 분석에 의해 구해진 선형 예측 계수를 사용하여 추정된 디지털 음향 신호열의 파워 스펙트럼 포락 계수열에 의해, 입력된 MDCT 계수열의 각 계수를 정규화하고, 가중 정규화 MDCT 계수열을 출력한다(스텝 S113b). 여기서는 청각적으로 왜곡이 작아지는 것 같은 양자화의 실현을 위해서, 가중 포락 정규화부(113b)는 파워 스펙트럼 포락을 약하게 한 가중 파워 스펙트럼 포락 계수열을 사용하여, 프레임 단위로 MDCT 계수열의 각 계수를 정규화한다. 이 결과, 가중 정규화 MDCT 계수열은 입력된 MDCT 계수열 정도의 큰 진폭의 경사나 진폭의 요철을 가지지 않지만, 음성 음향 디지털 신호의 파워 스펙트럼 포락 계수열과 유사한 대소관계를 가지는 것, 즉, 낮은 주파수에 대응하는 계수측의 영역에 다소 큰 진폭을 가지고, 시간 영역의 피치 주기에 기인하는 미세 구조를 가지는 것이 된다.[가중 포락 정규화 처리의 구체예]N점의 MDCT 계수열의 각 계수 X(1),…,X(N)에 대응하는 파워 스펙트럼 포락 계수열의 각 계수 W(1),…,W(N)는 선형 예측 계수를 주파수 영역으로 변환하여 얻을 수 있다. 예를 들면, 전극형 모델인 p차 자기 회귀 과정에 의해, 시각에 대응하는 샘플점 t의 디지털 음향 신호 x(t)는 p시점(p는 정의 정수)까지 거슬러 올라간 과거의 자기 자신의 값 x(t-1),…,x(t-p)과 예측 잔차 e(t)와 선형 예측 계수 α1,…,αp에 의해 식(1)으로 표시된다. 이 때, 파워 스펙트럼 포락 계수열의 각 계수 W(n)[1≤n≤N]는 식(2)으로 표시된다. exp(·)는 네이피어 수를 밑으로 하는 지수 함수, j는 허수 단위, σ2는 예측 잔차 에너지이다.선형 예측 계수는 장기 예측 분석부(111)에 입력된 것과 동일한 디지털 음향 신호열을 가중 포락 정규화부(113b)에 의해 선형 예측 분석하여 얻어진 것이어도 되고, 부호화 장치(11) 내에 있는 도시하지 않는 다른 수단에 의해 음성 음향 디지털 신호를 선형 예측 분석하여 얻어진 것이어도 된다. 이러한 경우에는 가중 포락 정규화부(113b)가 선형 예측 계수를 사용하여 파워 스펙트럼 포락 계수열의 각 계수 W(1),…,W(N)를 구한다. 또, 부호화 장치(11) 내에 있는 다른 수단(파워 스펙트럼 포락 계수열 계산부)에 의해 파워 스펙트럼 포락 계수열의 각 계수 W(1),…,W(N)가 이미 얻어져 있는 경우에는, 가중 포락 정규화부(113b)는 이 파워 스펙트럼 포락 계수열의 각 계수 W(1),…,W(N)를 사용할 수 있다. 또한, 후술하는 복호 장치(12)에서도 부호화 장치(11)에서 얻어진 값과 동일한 값을 얻을 필요가 있기 때문에, 양자화된 선형 예측 계수 및/또는 파워 스펙트럼 포락 계수열이 이용된다. 이후의 설명에 있어서, 특별히 한정이 없는 한, 「선형 예측 계수」 내지 「파워 스펙트럼 포락 계수열」은 양자화된 선형 예측 계수 내지 파워 스펙트럼 포락 계수열을 의미한다. 또, 선형 예측 계수는 예를 들면 종래적인 부호화 기술에 의해 부호화되고, 그것에 의해 얻어지는 예측 계수 부호가 복호측에 전송된다. 종래적인 부호화 기술은 예를 들면 선형 예측 계수 그 자체에 대응하는 부호를 예측 계수 부호로 하는 부호화 기술, 선형 예측 계수를 LSP 파라미터로 변환하여 LSP 파라미터에 대응하는 부호를 예측 계수 부호로 하는 부호화 기술, 선형 예측 계수를 PARCOR 계수로 변환하여 PARCOR 계수에 대응하는 부호를 예측 계수 부호로 하는 부호화 기술 등이다. 부호화 장치(11) 내에 있는 다른 수단에 의해 파워 스펙트럼 포락 계수열이 얻어지는 구성인 경우는, 부호화 장치(11) 내에 있는 다른 수단에 있어서 선형 예측 계수가 종래적인 부호화 기술에 의해 부호화되어 예측 계수 부호가 복호측에 전송된다.여기서는, 가중 포락 정규화 처리의 구체예로서 2개의 예를 나타냈지만, 본 발명에서는 이들 예에 한정되는 것은 아니다.003c#예 1003e#가중 포락 정규화부(113b)는 MDCT 계수열의 각 계수 X(1),…,X(N)를 당해 각 계수에 대응하는 파워 스펙트럼 포락 계수열의 각 계수의 보정값 Wγ(1),…,Wγ(N)로 제산(除算)함으로써, 가중 정규화 MDCT 계수열의 각 계수 X(1)/Wγ(1),…,X(N)/Wγ(N)를 얻는 처리를 행한다. 보정값 Wγ(n)[1≤n≤N]은 식(3)으로 부여된다. 단, γ는 1 이하의 정의 상수이며, 파워 스펙트럼 계수를 약하게 한 상수이다.003c#예 2003e#가중 포락 정규화부(113b)는 MDCT 계수열의 각 계수 X(1),…,X(N)를 당해 각 계수에 대응하는 파워 스펙트럼 포락 계수열의 각 계수의 β승(0003c#β003c#1)의 값 W(1)β,…,W(N)β으로 제산함으로써, 가중 정규화 MDCT 계수열의 각 계수 X(1)/W(1)β,…,X(N)/W(N)β를 얻는 처리를 행한다.이 결과, 프레임 단위의 가중 정규화 MDCT 계수열이 얻어지지만, 가중 정규화 MDCT 계수열은 입력된 MDCT 계수열 정도의 큰 진폭의 경사나 진폭의 요철을 가지지 않지만, 입력된 MDCT 계수열의 파워 스펙트럼 포락과 유사한 대소관계를 가지는 것, 즉, 낮은 주파수에 대응하는 계수측의 영역에 다소 큰 진폭을 가지고, 시간 영역의 피치 주기에 기인하는 미세 구조를 가지는 것이 된다.또한, 가중 포락 정규화 처리에 대응하는 역처리, 즉, 가중 정규화 MDCT 계수열로부터 MDCT 계수열을 복원하는 처리가 복호측에서 행해지기 때문에, 파워 스펙트럼 포락 계수열로부터 가중 파워 스펙트럼 포락 계수열을 산출하는 방법을 부호화측과 복호측에서 공통의 설정으로 해 두는 것이 필요하다.「정규화 이득 계산부(113c)」다음에, 정규화 이득 계산부(113c)가 가중 정규화 MDCT 계수열을 입력으로 하고, 프레임마다 가중 정규화 MDCT 계수열의 각 계수를 주어진 총 비트수로 양자화할 수 있도록, 전 주파수에 걸친 진폭값의 합 또는 에너지값을 사용하여 양자화 스텝 폭을 결정하고, 이 양자화 스텝 폭이 되도록 가중 정규화 MDCT 계수열의 각 계수를 나눗셈하는 계수(이하, 이득이라고 한다.)를 구한다(스텝 S113c). 이 이득을 나타내는 정보는 이득 정보로서 복호측에 전송된다. 정규화 이득 계산부(113c)는 프레임마다 입력된 가중 정규화 MDCT 계수열의 각 계수를 이 이득으로 정규화(제산)하여 출력한다.「양자화부(113d)」다음에, 양자화부(113d)가 프레임마다 이득으로 정규화된 가중 정규화 MDCT 계수열의 각 계수를 스텝 S113c의 처리에서 결정된 양자화 스텝 폭으로 양자화하고, 얻어진 양자화 MDCT 계수열을 「주파수 영역의 샘플열」로서 출력한다(스텝 S113d).스텝 S113d의 처리에서 얻어진 프레임 단위의 양자화 MDCT 계수열(주파수 영역의 샘플열)은 주파수 영역 피치 주기 분석부(115) 및 재배열 처리부(116a)의 입력이 된다.「주기 환산부(114)」주기 환산부(114)는 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우에는, 입력된 시간 영역의 피치 주기 L과 주파수 영역의 샘플점수 N에 기초하여, 식(A4)에 의해 환산 간격 T1을 구하여 출력한다. 식(A4)의 「INT()」는 () 내의 수치의 소수점 이하를 잘라버린 것을 나타낸다.T1=INT(N2/L) (A4)또한 이론적인 환산 주기는 N2/L-1/2이지만, 환산 간격 T1을 정수값으로 하는 경우에는 이것을 반올림하기 위해서 1/2을 더하여 잘라버린다. 또는, N2/L-1/2을 미리 정한 소수점 자리수 이하를 반올림하여 환산 간격 T1으로 해도 된다. 예를 들면, N2/L-1/2이 2진 5자리의 소수부를 가지는 의사 부동 소수점 형식으로 유지하고, 정수값으로서의 피치 주기를 반올림으로 구하는 경우는, 25(N2/L-1/2+1/2)을 잘라버린 값을 환산 간격 T1으로 하고, T1을 정수배로 한 결과를 1/25=1/32배하여 부동 소수점수로 되돌린 값을 후보로 하여, 주파수 영역의 피치 주기를 결정해도 된다.주기 환산부(114)는 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하지 않는 것을 나타내는 경우에는 아무 것도 하지 않는다. 단, 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 경우와 동일한 처리를 행해도 문제는 없다. 즉, 주기 환산부(114)에는 장기 예측 선택 정보가 입력되지 않고, 입력된 시간 영역의 피치 주기 L과 주파수 영역의 샘플점수 N이 입력되어, 환산 간격 T1을 구하여 출력하는 구성이어도 된다.「주파수 영역 피치 주기 분석부(115)」주파수 영역 피치 주기 분석부(115)는 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우에는, 입력된 환산 간격 T1 및 환산 간격 T1의 정수배의 값 U×T1을 후보값으로 하여, 주파수 영역 피치 주기 T를 결정하고, 주파수 영역 피치 주기 T와 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1의 몇배인지를 나타내는 주파수 영역 피치 주기 부호를 출력한다. 단, U는 미리 정한 제1 범위의 정수이다. 예를 들면 U는 0을 제외하는 정수이며, 예를 들면 U≥2이다. 예를 들면, 미리 정한 제1 범위의 정수가 2 이상 8 이하인 경우는, 환산 간격 T1, 환산 간격 T1의 2배~8배의 2T1, 3T1, 4T1, 5T1, 6T1, 7T1, 8T1의 합계 8개의 값이 주파수 영역 피치 주기의 후보값이며, 이들 후보값 중에서 주파수 영역 피치 주기 T가 선택된다. 이 경우는 주파수 영역 피치 주기 부호는 적어도 3비트의 1 이상 8 이하의 정수 각각과 일대일로 대응하는 부호이다.주파수 영역 피치 주기 분석부(115)는 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하지 않는 것을 나타내는 경우에는, 미리 정한 제2 범위의 정수값을 후보값으로 하여 주파수 영역 피치 주기 T를 결정하고, 주파수 영역 피치 주기 T와 주파수 영역 피치 주기 T를 나타내는 주파수 영역 피치 주기 부호를 출력한다. 예를 들면, 미리 정한 제2 범위의 정수값이 5 이상 36 이하인 경우는, 5, 6,…,36의 합계 25개의 값이 주파수 영역 피치 주기의 후보값이며, 이들 후보값 중에서 주파수 영역 피치 주기 T가 선택된다. 이 경우는 주파수 영역 피치 주기 부호는 적어도 5비트의 0 이상 31 이하의 정수 각각과 일대일로 대응하는 부호이다.주파수 영역 피치 주기 분석부(115)는 예를 들면 미리 정한 재배열 규칙에 따라 선택되는 샘플군으로의 에너지의 집중도를 나타내는 지표값이 최대가 되는 후보를 주파수 영역 피치 주기 T로서 결정한다. 에너지의 집중도를 나타내는 지표값은 에너지의 총합, 절대값합 등이다. 즉, 에너지의 집중도를 나타내는 지표값이 에너지의 총합인 경우는, 미리 정한 재배열 규칙에 따라 선택되는 샘플군에 포함되는 전 샘플의 에너지의 총합이 최대가 되는 후보값을 주파수 영역 피치 주기 T로서 결정한다. 또, 에너지의 집중도를 나타내는 지표값이 절대값합인 경우는, 미리 정한 재배열 규칙에 따라 선택되는 샘플군에 포함되는 전 샘플의 값의 절대값합이 최대가 되는 후보값을 주파수 영역 피치 주기 T로서 결정한다. 「미리 정한 재배열 규칙에 따라 선택되는 샘플군」에 대해서는, 재배열 처리부(116a)의 란에서 상세하게 설명한다.또는, 주파수 영역 피치 주기 분석부(115)는 예를 들면 미리 정한 재배열 규칙에 따라 재배열한 샘플열을 실제로 부호화하여 부호량이 최소가 되는 후보값을 주파수 영역 피치 주기 T로 결정한다. 「미리 정한 재배열 규칙에 따라 재배열한 샘플열」에 대해서는, 재배열 처리부(116a)의 란에서 상세하게 설명한다.또는, 주파수 영역 피치 주기 분석부(115)는 예를 들면 미리 정한 재배열 규칙에 따라 선택되는 샘플군으로의 에너지의 집중도를 나타내는 지표값이 최대로부터 상기 소정 개수의 후보값을 선택하고, 선택된 후보값 중에서 미리 정한 재배열 규칙에 따라 재배열한 샘플열을 실제로 부호화하여 부호량이 최소가 되는 후보값을 주파수 영역 피치 주기 T로 결정한다.주파수 영역 피치 주기 분석부(115)가 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우에는, 환산 간격 T1 및 환산 간격 T1 정수배의 값 U×T1을 후보값으로 하여, 주파수 영역 피치 주기 T를 결정하는 것의 의미를 이하에 설명한다.시간 영역에서 2N점의 장기 예측 잔차 신호열에 윈도우잉을 한 후의 신호열을 xp'(1),...,xp'(2N)로 하면, 이 신호열 xp'(1),...,xp'(2N)의 MDCT 변환에 의해 얻어지는 MDCT 계수열 X(1),...,X(N)은 예를 들면 이하와 같이 된다.단, ρ는 (1/N)1/2 등의 계수이며, k는 주파수에 대응하는 인덱스 k=1,...,N이다. 즉 각 MDCT 계수열 X(k)은 예를 들면 이하의 2N차원의 정규 직교 기저 벡터 B(k)와 신호열 벡터 (xp'(1),...,xp'(2N))의 내적이다.이상적으로는 신호열 xp'(1),...,xp'(2N)은 시간 영역에서 기본 주기 Pf(디지털 음향 신호열 x(1),...,x(Nt)의 기본 주기)의 주기성을 가지기 때문에, 상기한 각 내적으로 이루어지는 열, 즉 각 MDCT 계수 X(k)의 에너지나 절대값은 주파수 방향의 간격 2N/Pf(이하 「이상 환산 간격」이라고 한다)의 주기에서 극대가 된다(단, 신호열 xp'(1),...,xp'(2N)이 정현파인 것 같은 특별한 경우를 제외한다). 따라서 이상적으로는 스텝 S111-1에서 선택되는 시간 영역의 피치 주기 L이 기본 주기 Pf이며, Pf=L로 한 이상 환산 간격 2N/Pf가 주파수 영역 피치 주기 T이다.그러나, x(1),...,x(Nt) 및 X(1),...,X(N)은 각각 이산값이다. 시간 영역에서의 x(1),...,x(Nt)의 인접 샘플 간격의 정수배가 기본 주기 Pf라고는 한정되지 않고, 또한, 주파수 영역에서의 X(1),...,X(N)의 인접 샘플 간격의 정수배가 이상 환산 간격 2N/Pf라고도 한정되지 않는다. 따라서, 스텝 S111-1에서 선택되는 시간 영역의 피치 주기 L이 기본 주기 Pf 또는 그 근방의 후보 τ가 아니고, 기본 주기 Pf의 정수배 또는 그 근방의 후보 τ인 경우도 있다. 시간 영역의 피치 주기 L이 기본 주기의 정수배 nPf였을 경우, 시간 영역의 피치 주기 L을 주파수 영역으로 환산한 간격 T1'은 이상 환산 간격의 정수분의 1배, 즉 (2N/Pf)/n이 된다. 결과적으로 이상 환산 간격 2N/Pf를 주파수 영역 피치 주기 T로 하여 샘플군을 선택할 수 없고, 간격 T1'=2N/L의 정수배를 주파수 영역 피치 주기 T로 하여 샘플군을 선택함으로써, 선택된 샘플군으로의 에너지의 집중도를 나타내는 지표값을 크게 할 수 있는 경우도 있다. 이하, 구체예를 사용하여 이들을 설명한다.상기 서술한 바와 같이, 스텝 S111-1에서 선택되는 시간 영역의 피치 주기 L은 식(A1)에 의해 얻어지는 값을 최대로 하는 후보 τ이다. 일반적으로 식(A1)의 x(t)x(t-τ)가 최대가 되는 것은, 디지털 음향 신호열 x(1),...,x(Nt)의 기본 주기 Pf 또는 그 정수배, 즉 nPf(단, n은 정의 정수)의 어느 하나에 가장 가까운 후보 τ가 선택된 경우이다. 즉, nPf의 어느 하나에 가장 가까운 후보 τ가 시간 영역의 피치 주기 L이 되는 경향이 높다. 여기서, 기본 주기 Pf가 디지털 음향 신호열 x(1),...,x(Nt)의 샘플링 주기(인접 샘플 간격)의 정수배이면, 기본 주기 Pf 또는 그것에 가장 가까운 후보 τ가 식(A1)에 의해 얻어지는 값을 최대로 하고, 시간 영역의 피치 주기 L이 되는 경향이 높다. 한편, 기본 주기 Pf가 샘플링 주기의 정수배가 아닌 경우에는, 기본 주기 Pf 이외의 nPf 또는 그것에 가장 가까운 후보 τ가 식(A1)에 의해 얻어지는 값을 최대로 하고, 시간 영역의 피치 주기 L이 되는 경우가 많다. 예를 들면 도 3의 예에서는, 기본 주기 Pf가 샘플링 주기의 정수배가 아니고, 2Pf가 시간 영역의 피치 주기 L로서 선택되어 있다. 시간 영역 피치 주기의 후보 τ 중, 샘플링 주기의 정수배가 되는 후보가 복수 있었던 경우, 후보의 값이 작은 쪽이 식(A1)의 값이 커지므로, 시간 영역 피치 주기 L로서 선택되기 쉬운 경향이 있다. 예를 들면, 2Pf와 4Pf가 샘플링 주기의 정수배가 되는 경우, 2Pf 쪽이 식(A1)의 값이 커지므로, 시간 영역 피치 주기 L로서 선택되기 쉽다. 즉, 상기 서술한 n은 값이 작은 것일수록 사용될 가능성이 높은 경향이 있다고 할 수 있다.즉, 스텝 S111-1에서 선택되는 시간 영역의 피치 주기 L은 L≒nPf와 근사할 수 있다. 따라서, 시간 영역의 피치 주기 L을 주파수 영역으로 환산한 간격 T1'=2N/L은 이하와 같이 근사할 수 있다.T1'=2N/L≒2N/nPf=(2N/Pf)/n (A41)즉, 간격 T1'는 이상 환산 간격 (2N/Pf)의 1/n배로 근사할 수 있다. 이러한 경우, 간격 T1' 그 자체가 아니라, 간격의 정수배 nT1'가 이상 환산 간격 2N/Pf에 대응한다.또한, 주파수 영역에 있어서의 샘플링 간격의 정수배는 이상 환산 간격 2N/Pf에 대응하고 있다고는 할 수 없다. 예를 들면, 도 4의 예에서는, 이상 환산 간격 2N/Pf가 MDCT 계수열 X(1),...,X(N)의 인접 샘플 간격의 정수배로 되어 있지 않기 때문에, 이상 환산 간격 2N/Pf를 주파수 영역 피치 주기 T로 하여 샘플군을 선택할 수 없다. 그러나, 주파수 영역의 피치 주기에 기초하여 선택되는 샘플군으로의 에너지의 집중도를 크게 할 목적에서는, 이상 환산 간격 2N/Pf 그 자체를 주파수 영역의 피치 주기로서 선택할 수 없어도, 이상 환산 간격 2N/Pf의 m배(단, m은 정의 정수)를 주파수 영역 피치 주기 T=m2N/Pf로 하여 샘플군을 선택함으로써, 선택된 샘플군으로의 에너지의 집중도를 나타내는 지표값을 크게 할 수 있다. 즉, 선택되는 샘플군으로의 에너지의 집중도를 크게 할 목적에서는, 주파수 영역 피치 주기 T와 환산 간격 T1'의 관계는, 식(A41)을 사용하여 이하와 같이 기재할 수 있다.T=m(2N/Pf)≒mnT1' (A42)또한, 식(A42)은 식(A4)의 환산 간격 T1을 사용하여 이하와 같이 근사할 수 있다.T≒mnINT(T1')=mnINT(2N/L)=mnT1 (A43)즉, 주파수 영역의 피치 주기 T는 환산 간격 T1의 정수배로 근사할 수 있다. 바꾸어 말하면, 환산 간격 T1의 정수배의 값 쪽이, 그 이외의 값보다 샘플군으로의 에너지의 집중도를 나타내는 지표값을 크게 하는 것 같은 주파수 영역의 피치 주기 T일 가능성이 높다. 즉, 환산 간격 T1 및 환산 간격 T1의 정수배와 그 근방의 값을 후보값으로 하여, 주파수 영역 피치 주기 T를 결정함으로써, 샘플군으로의 에너지의 집중도를 나타내는 지표값을 크게 할 수 있다.상기 서술한 바와 같이, n은 값이 작은 것일수록 사용될 가능성이 높은 경향이 있고, m은 정의 정수이므로, 주파수 영역에 있어서는 주파수 영역 피치 주기 T의 환산 간격 T1에 대한 승수 mn이 작은 것일수록 주파수 영역 피치 주기 T로서 결정되기 쉬운 경향이 있다고 할 수 있다. 즉, 환산 간격 T1의 정수배의 배수값이 작을수록 주파수 영역 피치 주기 T로서 결정되기 쉬운 경향이 있다고 할 수 있다.도 5에, 주파수 영역 피치 주기/(변환 프레임 길이2/시간 영역의 피치 주기)(T/(2N/L)=T/T1)을 횡축으로 하고, 그 빈도를 종축으로 한 그래프를 예시한다. 도 5는 샘플군으로의 에너지의 집중도를 나타내는 지표값을 크게 하는 것 같은 주파수 영역 피치 주기와 시간 영역 피치 주기의 관계를 나타내는 것이다. 도 5로부터, 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1의 정수배(특히 1배, 2배, 3배, 4배) 또는 그 근방의 값이 되는 빈도가 높고, 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1의 정수배가 되지 않는 경우의 빈도가 낮은 것을 알 수 있다. 즉, 도 5는 샘플군으로의 에너지의 집중도를 크게 하는 것 같은 주파수 영역 피치 주기 T는 환산 간격 T1의 정수배 혹은 그 근방의 값이 될 확률이 매우 높은 것을 나타내고 있다. 또, 주파수 영역 피치 주기 T의 환산 간격 T1에 대한 승수 mn이 작은 것일수록, 주파수 영역 피치 주기 T로서 결정되기 쉬운 경향이 있는 것도 알 수 있다. 따라서, 환산 간격 T1의 정수배 및 그 근방의 값을 후보값으로 하여 주파수 영역 피치 주기를 탐색함으로써, 샘플군으로의 에너지의 집중도를 크게 하는 것 같은 값을 주파수 영역 피치 주기로서 얻을 수 있다.「주파수 영역 피치 주기 고려 부호화부(116)」주파수 영역 피치 주기 고려 부호화부(116)는 재배열 처리부(116a)와 부호화부(116b)를 구비하고, 주파수 영역 피치 주기 T에 기초하는 부호화 방법으로, 입력된 주파수 영역의 샘플열을 부호화하고, 그것에 의해 얻어진 부호열을 출력한다.「재배열 처리부(116a)」재배열 처리부(116a)는 (1) 주파수 영역의 샘플열의 모든 샘플을 포함하고, 또한 (2) 주파수 영역의 샘플열 중 주파수 영역 피치 주기 분석부(115)가 결정한 주파수 영역 피치 주기 T에 대응하는 샘플을 포함하는 하나 또는 연속하는 복수의 샘플 및 주파수 영역 샘플열 중 주파수 영역 피치 주기 T의 정수배에 대응하는 샘플을 포함하는 하나 또는 연속하는 복수의 샘플의 전부 또는 일부의 샘플이 모이도록 샘플열에 포함되는 적어도 일부의 샘플을 재배열한 것을 재배열 후의 샘플열로서 출력한다. 즉, 주파수 영역 피치 주기 T에 대응하는 샘플을 포함하는 하나 또는 연속하는 복수의 샘플 및 당해 주파수 영역 피치 주기 T의 정수배에 대응하는 샘플을 포함하는 하나 또는 연속하는 복수의 샘플이 모이도록, 입력된 샘플열에 포함되는 적어도 일부의 샘플이 재배열된다.그리고, 주파수 영역 피치 주기 T에 대응하는 샘플을 포함하는 하나 또는 연속하는 복수의 샘플 및 당해 주파수 영역 피치 주기 T의 정수배에 대응하는 샘플을 포함하는 하나 또는 연속하는 복수의 샘플은 저주파측에 하나로 합쳐지도록 모아진다.구체예로서, 재배열 처리부(116a)는 입력된 샘플열로부터, 주파수 영역 피치 주기 T의 정수배에 대응하는 샘플 F(nT)의 전후의 샘플 F(nT-1), F(nT+1)를 포함한 3개의 샘플 F(nT-1), F(nT), F(nT+1)을 선택한다. 이 선택된 샘플에 의한 군이 주파수 영역 피치 주기 분석부(115)에 있어서의 「미리 정한 재배열 규칙에 따라 선택되는 샘플군」이다. F(j)는 주파수에 대응하는 샘플 인덱스를 나타내는 번호 j에 대응하는 샘플이다. n은 1 내지 nT+1이 미리 설정한 대상 샘플의 상한 N을 넘지 않는 범위의 각 정수로 한다. 주파수에 대응하는 샘플 인덱스를 나타내는 번호 j의 최대값을 jmax로 한다. n에 따라 선택된 샘플의 모임을 샘플군이라고 호칭한다. 상한 N은 jmax와 일치시켜도 되지만, 음성이나 악음 등의 음향 신호에서는 고역에 있어서의 샘플의 지표는 일반적으로 충분히 작은 것이 많으므로, 후술하는 부호화 효율의 향상을 위해서 큰 지표를 가지는 샘플을 저주파측에 모은다는 관점에서, N은 jmax보다 작은 값이어도 된다. 예를 들면, N은 jmax의 절반정도의 값이어도 된다. 상한 N에 기초하여 정해지는 n의 최대값을 nmax로 하면, 입력된 샘플열에 포함되는 샘플 중, 최저의 주파수로부터 제1 소정의 주파수 nmaxT+1까지의 각 주파수에 대응하는 샘플이 재배열의 대상이 된다. 또한, 기호 는 승산을 나타낸다.재배열 처리부(116a)는 선택된 샘플 F(j)을 원래의 번호 j의 대소관계를 유지한 채로 샘플열의 선두부터 순서대로 배치하여 샘플열 A를 생성한다. 예를 들면, n이 1 내지 5까지의 각 정수를 나타내는 경우, 재배열 처리부(116a)는 제1 샘플군 F(T-1), F(T), F(T+1), 제2 샘플군 F(2T-1), F(2T), F(2T+1), 제3 샘플군 F(3T-1), F(3T), F(3T+1), 제4 샘플군 F(4T-1), F(4T), F(4T+1), 제5 샘플군 F(5T-1), F(5T), F(5T+1)를 샘플열의 선두부터 배열한다. 즉, 15개의 샘플 F(T-1), F(T), F(T+1), F(2T-1), F(2T), F(2T+1), F(3T-1), F(3T), F(3T+1), F(4T-1), F(4T), F(4T+1), F(5T-1), F(5T), F(5T+1)이 이 순번으로 샘플열의 선두부터 배열되고, 이들 15개의 샘플이 샘플열 A를 구성한다.또한, 재배열 처리부(116a)는 선택되지 않은 샘플 F(j)를, 원래의 번호의 대소관계를 유지한 채 샘플열 A의 최후로부터 순서대로 배치한다. 선택되지 않은 샘플 F(j)는 샘플열 A를 구성하는 샘플군의 사이에 위치하는 샘플이며, 이러한 연속한 하나로 합쳐진 샘플을 샘플 세트라고 호칭한다. 즉, 상기 서술한 예이면, 제1 샘플 세트 F(1),…,F(T-2), 제2 샘플 세트 F(T+2),…,F(2T-2), 제3 샘플 세트 F(2T+2),…,F(3T-2), 제4 샘플 세트 F(3T+2),…,F(4T-2), 제5 샘플 세트 F(4T+2),…,F(5T-2), 제6 샘플 세트 F(5T+2),…F(jmax)가 샘플열 A의 최후로부터 순서대로 배열되고, 이들의 샘플이 샘플열 B를 구성한다.요컨대, 이 예이면, 입력된 샘플열 F(j)(1≤j≤jmax)은 F(T-1), F(T), F(T+1), F(2T-1), F(2T), F(2T+1), F(3T-1), F(3T), F(3T+1), F(4T-1), F(4T), F(4T+1), F(5T-1), F(5T), F(5T+1), F(1),…,F(T-2), F(T+2),…,F(2T-2), F(2T+2),…,F(3T-2), F(3T+2),…,F(4T-2), F(4T+2),…,F(5T-2), F(5T+2),…F(jmax)로 재배열되게 된다(도 6 참조). 이 재배열 후의 샘플열이 주파수 영역 피치 주기 분석부(115)에 있어서의 「미리 정한 재배열 규칙에 따라 재배열한 샘플열」이다.또한, 저주파수 대역에서는 주파수 영역 피치 주기 T에 대응하는 샘플이나 그 정수배의 샘플 이외의 샘플이라도, 각 샘플은 진폭이나 파워가 큰 값을 가지는 경우가 많다. 그래서, 최저의 주파수로부터 소정의 주파수 f까지의 각 주파수에 대응하는 샘플의 재배열을 행하지 않도록 해도 된다. 예를 들면, 소정의 주파수 f를 nT+α로 하면, 재배열 전의 샘플 F(1),…,F(nT+α)을 재배열하지 않고, 재배열 전의 F(nT+α+1) 이후의 샘플을 재배열의 대상으로 한다. α는 0 이상 또한 T보다 어느 정도 작은 정수(예를 들면 T/2를 넘지 않는 정수)로 미리 설정되어 있다. 여기서 n은 2 이상의 정수여도 된다. 또는 재배열 전의 최저 주파수에 대응하는 샘플로부터 연속하는 P개의 샘플 F(1),…,F(P)을 재배열하지 않도록 하고, 재배열 전의 F(P+1) 이후의 샘플을 재배열의 대상으로 해도 된다. 이 경우, 소정의 주파수 f는 P이다. 재배열의 대상이 되는 샘플의 모임에 대한 재배열의 기준은 상기 서술한 바와 같다. 또한, 제1 소정의 주파수가 설정되어 있는 경우, 소정의 주파수 f(제2 소정의 주파수)는 제1 소정의 주파수보다 작다.예를 들면, 재배열 전의 샘플 F(1),…,F(T+1)을 재배열하지 않고, 재배열 전의 F(T+2) 이후의 샘플을 재배열의 대상으로 하는 경우, 상기 서술한 재배열의 기준에 따르면, 입력된 샘플열 F(j)(1≤j≤jmax)는 F(1),…,F(T+1), F(2T-1), F(2T), F(2T+1), F(3T-1), F(3T), F(3T+1), F(4T-1), F(4T), F(4T+1), F(5T-1), F(5T), F(5T+1), F(T+2),…,F(2T-2), F(2T+2),…,F(3T-2), F(3T+2),…,F(4T-2), F(4T+2),…,F(5T-2), F(5T+2),…F(jmax)로 재배열되게 된다(도 7 참조).재배열의 대상이 되는 번호 j의 최대값을 결정짓는 상한 N 또는 제1 소정의 주파수를 모든 프레임에 공통의 값으로 하지 않고, 프레임마다 상이한 상한 N 또는 제1 소정의 주파수를 설정해도 된다. 이 경우, 프레임마다 상한 N 또는 제1 소정의 주파수를 지정하는 정보를 복호측에 보내면 된다. 또, 재배열의 대상이 되는 번호 j의 최대값을 지정하는 것이 아니라, 재배열하는 샘플군의 개수를 지정해도 되고, 이 경우, 샘플군의 개수를 프레임마다 설정하고, 샘플군의 개수를 지정하는 정보를 복호측에 보내도 된다. 물론, 재배열하는 샘플군의 개수를 모든 프레임에 공통으로 해도 된다. 또, 제2 소정의 주파수 f에 대해서도, 모든 프레임에 공통의 값으로 하지 않고, 프레임마다 상이한 제2 소정의 주파수 f를 설정해도 된다. 이 경우, 프레임마다 제2 소정의 주파수를 지정하는 정보를 복호측에 보내면 된다.이와 같이 재배열된 후의 샘플열은 주파수를 횡축으로 하고, 샘플의 지표를 종축으로 한 경우에, 샘플의 지표의 포락선이 주파수의 증대에 따라 하강 경향을 나타내게 된다. 이 이유로서 주파수 영역의 샘플열은 음향 신호, 특히 음성 신호나 악음 신호의 특징으로서, 일반적으로 고주파 성분이 적다는 사실을 들 수 있다. 바꾸어 말하면, 재배열 처리부(116a)는 샘플의 지표의 포락선이 주파수의 증대에 따라 하강 경향을 나타내도록 입력된 샘플열에 포함되는 적어도 일부의 샘플을 재배열한다고 해도 된다. 또한, 도 6 및 도 7에서는, 샘플의 재배열에 의해 저역측으로, 보다 큰 진폭을 가지는 샘플이 치우치는 것을 알기 쉽게 도시하기 위해서, 주파수 영역의 샘플열에 포함되는 모든 샘플이 정의 값인 경우의 예를 도시하고 있다. 실제로는 주파수 영역의 샘플열에 포함되는 각 샘플은 정 또는 부 또는 제로의 값인 경우도 많지만, 이러한 경우에도 상기 서술한 재배열 처리 또는 후술하는 재배열 처리를 실행하면 된다.또한, 이 실시형태에서는 저역측에, 주파수 영역 피치 주기 T에 대응하는 샘플을 포함하는 하나 또는 연속하는 복수의 샘플 및 주파수 영역 피치 주기 T의 정수배에 대응하는 샘플을 포함하는 하나 또는 연속하는 복수의 샘플을 모으는 재배열을 행했지만, 반대로 고역측에, 주파수 영역 피치 주기 T에 대응하는 샘플을 포함하는 하나 또는 연속하는 복수의 샘플 및 주파수 영역 피치 주기 T의 정수배에 대응하는 샘플을 포함하는 하나 또는 연속하는 복수의 샘플을 모으는 재배열을 행해도 된다. 이 경우, 샘플열 A에서는 샘플군이 역순으로 배열되고, 샘플열 B에서는 샘플 세트가 역순으로 배열되며, 저역측에 샘플열 B가 배치되고 샘플 B의 뒤에 샘플열 A가 배치된다. 즉, 상기 서술한 예이면, 저역측으로부터 제6 샘플 세트 F(5T+2),…F(jmax), 제5 샘플 세트 F(4T+2),…,F(5T-2), 제4 샘플 세트 F(3T+2),…,F(4T-2), 제3 샘플 세트 F(2T+2),…,F(3T-2), 제2 샘플 세트 F(T+2),…,F(2T-2), 제1 샘플 세트 F(1),…,F(T-2), 제5 샘플군 F(5T-1), F(5T), F(5T+1), 제4 샘플군 F(4T-1), F(4T), F(4T+1), 제3 샘플군 F(3T-1), F(3T), F(3T+1), 제2 샘플군 F(2T-1), F(2T), F(2T+1), 제1 샘플군 F(T-1), F(T), F(T+1)의 순번으로 샘플이 배열된다.이와 같이 재배열된 후의 샘플열은 주파수를 횡축으로 하고, 샘플의 지표를 종축으로 한 경우에, 샘플의 지표의 포락선이 주파수의 증대에 따라 증대 경향을 나타내게 된다. 바꾸어 말하면, 재배열 처리부(116a)는 샘플의 지표의 포락선이 주파수의 증대에 따라 증대 경향을 나타내도록 입력된 샘플열에 포함되는 적어도 일부의 샘플을 재배열한다고 해도 된다.주파수 영역 피치 주기 T는 정수가 아니고 소수인 경우도 있다. 이 경우, 예를 들면, R(nT)을 nT를 반올림한 값으로 하여, F(R(nT-1)), F(R(nT)), F(R(nT+1))이 선택되게 된다.또한, 주파수 영역 피치 주기 분석부(115)가 실제의 부호량이 최소가 되는 후보값을 주파수 영역 피치 주기 T로서 결정하는 처리를 행하는 경우는, 주파수 영역 피치 주기 분석부(115)에 있어서 재배열 후의 샘플열이 생성되어 있으므로, 주파수 영역 피치 주기 고려 부호화부(116)가 재배열 처리부(116a)를 구비하지 않아도 된다.[모으는 샘플의 개수]또, 이 실시형태에서는 각 샘플군에 포함되는 샘플의 개수가 주파수 영역 피치 주기 T 내지 그 정수배에 대응하는 샘플(이하, 중심 샘플이라고 한다)과 그 전후 1샘플의 합계 3 샘플이라는 고정된 개수의 예를 나타냈다. 그러나, 샘플군에 포함되는 샘플의 개수나 샘플 인덱스를 가변으로 하는 경우에는, 재배열 처리부(116a)는 샘플군에 포함되는 샘플의 개수와 샘플 인덱스의 조합이 상이한 복수의 선택지 중에서 선택된 하나를 나타내는 정보를 보조 정보(제1 보조 정보)로서 출력한다.예를 들면, 선택지로서,(1) 중심 샘플만, F(nT)(2) 중심 샘플과 그 전후 1샘플의 합계 3 샘플, F(nT-1), F(nT), F(nT+1)(3) 중심 샘플과 그 전 2샘플의 합계 3 샘플, F(nT-2), F(nT-1), F(nT)(4) 중심 샘플과 그 전 3샘플의 합계 4 샘플, F(nT-3), F(nT-2), F(nT-1), F(nT)(5) 중심 샘플과 그 후 2샘플의 합계 3 샘플, F(nT), F(nT+1), F(nT+2)(6) 중심 샘플과 그 후 3샘플의 합계 4 샘플, F(nT), F(nT+1), F(nT+2), F(nT+3)가 설정되어 있는 경우에, (4)가 선택되면, 이 (4)가 선택된 것을 나타내는 정보를 제1 보조 정보로 한다. 이 예이면, 선택된 선택지를 나타내는 정보로서 3비트가 있으면 충분하다.또한, 이러한 선택지 중에서 어느 것을 선택하면 좋을지 결정하는 방법으로서, 재배열 처리부(116a)에서는 각 선택지에 대응하는 재배열을 실시하고, 후술하는 부호화부(116b)에서 각 선택지에 대응하는 부호열의 부호량을 얻어, 가장 부호량이 작은 선택지를 선택한다는 방법을 채용하면 된다. 이 경우는 제1 보조 정보는 재배열 처리부(116a)로부터가 아니라 부호화부(116b)로부터 출력된다. 이 방법은 n을 선택 가능한 경우에도 타당하다.「부호화부(116b)」다음에, 부호화부(116b)가 재배열 처리부(116a)가 출력한 샘플열을 부호화하고, 얻어진 부호열을 출력한다(스텝 S116b). 예를 들면, 부호화부(116b)는 재배열 처리부(116a)가 출력한 샘플열에 포함되는 샘플의 진폭의 치우침에 따라 가변 길이 부호화의 방법을 전환하여 부호화한다. 즉, 재배열 처리부(116a)에 의해 프레임 내에서, 저역측(또는 고역측)에 진폭이 큰 샘플이 모이고 있으므로, 부호화부(116b)는 그 치우침에 적합한 방법에 의한 가변 길이 부호화를 행한다. 재배열 처리부(116a)가 출력한 샘플열과 같이, 국소적인 영역마다 동등하거나 동일한 정도의 진폭을 가지는 샘플이 모이고 있으면, 예를 들면 영역마다 상이한 라이스 파라미터로 라이스 부호화함으로써 평균 부호량을 삭감할 수 있다. 이하, 프레임 내에서 저역측(프레임의 선두에 가까운 측)에 진폭이 큰 샘플이 모이고 있는 경우를 예로 들어 설명한다.[부호화의 구체예]구체예로서, 부호화부(116b)는 큰 진폭을 가지는 샘플이 모이고 있는 영역에서는 샘플마다 라이스 부호화(골롬-라이스 부호화라고도 한다)를 적용한다. 이 영역 이외의 영역에서는 부호화부(116b)는 복수의 샘플을 합친 샘플의 집합에 대한 부호화에도 적합한 엔트로피 부호화(하프만 부호화나 산술 부호화 등)를 적용한다. 라이스 부호화의 적용에 관하여, 라이스 부호화의 적용 영역과 라이스 파라미터가 고정되어 있어도 되고, 또는 라이스 부호화의 적용 영역과 라이스 파라미터의 조합이 상이한 복수의 선택지 중에서 하나 선택할 수 있는 구성이어도 된다. 이러한 복수의 선택지로부터 하나를 선택할 때, 라이스 부호화의 선택 정보로서, 예를 들면 하기와 같은 가변 길이 부호(기호 ””로 둘러싸인 바이너리값)를 사용할 수 있고, 부호화부(116b)는 선택 정보도 출력한다.”1”:라이스 부호화를 적용하지 않는다”01”:라이스 부호화를 선두부터 1/32의 영역에 라이스 파라미터를 1로서 적용한다.”001”:라이스 부호화를 선두부터 1/32의 영역에 라이스 파라미터를 2로서 적용한다.”0001”:라이스 부호화를 선두부터 1/16의 영역에 라이스 파라미터를 1로서 적용한다.”00001”:라이스 부호화를 선두부터 1/16의 영역에 라이스 파라미터를 2로서 적용한다.”00000”:라이스 부호화를 선두부터 1/32의 영역에 라이스 파라미터를 3으로서 적용한다.또한, 이러한 선택지 중에서 어느 것을 선택하면 되는지를 결정하는 방법으로서, 부호화 처리로 얻어지는 각 라이스 부호화에 대응하는 부호열의 부호량을 비교하고, 가장 부호량이 작은 선택지를 선택한다는 방법을 채용하면 된다.또, 재배열 후의 샘플열에 0의 진폭을 가지는 샘플이 길게 계속되는 영역이 나타나면, 0의 진폭을 가지는 샘플의 연속수를 예를 들면 런 랭스 부호화함으로써 평균 부호량을 삭감할 수 있다. 이러한 경우, 부호화부(116b)는 (1) 큰 진폭을 가지는 샘플이 모이고 있는 영역에서는 샘플마다 라이스 부호화를 적용하고, (2) 이 영역 이외의 영역에서는, (a) 0의 진폭을 가지는 샘플이 연속하는 영역에서는, 0의 진폭을 가지는 샘플의 연속수를 나타내는 부호를 출력하는 부호화를 행하고, (b) 나머지 영역에서는, 복수의 샘플을 합친 샘플의 집합에 대한 부호화에도 적합한 엔트로피 부호화(하프만 부호화나 산술 부호화 등)를 적용한다. 이러한 경우에도, 상기 서술한 바와 같은 라이스 부호화의 선택을 행해도 된다. 또, 이러한 경우, 어느 영역에 런 랭스 부호화가 적용되었는지를 나타내는 정보도 복호측에 전송될 필요가 있고, 예를 들면 이 정보는 상기 선택 정보에 포함된다. 또한, 엔트로피 부호화에 속하는 복수의 부호화 방법을 선택지로서 준비하고 있는 경우에는, 어느 부호화를 선택했는지를 특정하기 위한 정보도 복호측에 전송될 필요가 있고, 예를 들면 이 정보는 상기 선택 정보에 포함된다.또한, 샘플열에 포함되는 샘플의 재배열에 의한 이점이 없는 경우도 생각된다. 이러한 경우에는 재배열 전의 샘플열을 부호화해야 한다. 그래서, 재배열 처리부(116a)로부터는 재배열 전의 샘플열(재배열을 행하고 있지 않은 샘플열)도 출력하고, 부호화부(116b)는 재배열 전의 샘플열과 재배열 후의 샘플열을 각각 가변 길이 부호화하고, 재배열 전의 샘플열을 가변 길이 부호화하여 얻어지는 부호열의 부호량과, 재배열 후의 샘플열을 영역마다 가변 길이 부호화를 전환하여 부호화하여 얻어지는 부호열의 부호량을 비교하고, 재배열 전의 샘플열의 부호량이 최소인 경우에는, 재배열 전의 샘플열을 가변 길이 부호화하여 얻어진 부호열을 출력한다. 이 경우, 부호화부(116b)는 부호열에 대응하는 샘플열이 샘플의 재배열을 행한 샘플열인지 여부를 나타내는 보조 정보(제2 보조 정보)도 출력한다. 이 제2 보조 정보로서 1비트를 사용하면 충분하다. 또한, 제2 보조 정보가 부호열에 대응하는 샘플열이 샘플의 재배열을 행하고 있지 않는 샘플열을 특정하는 것인 경우는, 제1 보조 정보는 출력되지 않아도 된다.또, 미리 예측 이득 또는 그 추정값이 어떤 정해진 역치보다 큰 경우에만 샘플열의 재배열을 적용하는 것으로 정해 둘 수도 있다. 이것은 예측 이득이 클 때에는 성대 진동이나 악기의 진동이 강하고, 주기성도 높은 경우가 많다는 음성이나 악음의 성질을 이용하는 것이다. 예측 이득은 원음의 에너지를 예측 잔차의 에너지로 나눈 것이다. 선형 예측 계수나 PARCOR 계수를 파라미터로서 사용하는 부호화에 있어서는, 양자화 종료의 파라미터를 부호화 장치와 복호 장치에서 공통으로 사용할 수 있다. 그래서, 예를 들면, 부호화부(116b)는 부호화 장치(11) 내의 도시하지 않는 별도의 수단에서 의해 구한 i차의 양자화 종료 PARCOR 계수 k(i)를 사용하여, (1-k(i)k(i))을 차수마다 승산한 것의 역수로 표시되는 예측 이득의 추정값을 계산하고, 계산된 추정값이 어떤 정해진 역치보다 큰 경우는 재배열 후의 샘플열을 가변 길이 부호화하여 얻어진 부호열을 출력하고, 그렇지 않은 경우는 재배열 전의 샘플열을 가변 길이 부호화하여 얻어진 부호열을 출력한다. 이 경우는, 부호열에 대응하는 샘플열이 재배열을 행한 샘플열인지 여부를 나타내는 제2 보조 정보를 출력할 필요는 없다. 즉, 예측이 불가능한 잡음적 음성이나 무음시에는 효과가 작을 가능성이 높으므로 재배열을 하지 않는다고 정해 두는 쪽이 제2 보조 정보나 계산의 낭비가 적다.또한, 재배열 처리부(116a)에 있어서, 예측 이득 또는 예측 이득의 추정값의 계산을 행하고, 예측 이득 또는 예측 이득의 추정값이 어떤 정해진 역치보다 큰 경우는 샘플열에 대한 재배열을 행하여 재배열 후의 샘플열을 부호화부(116b)에 출력하고, 그렇지 않은 경우는 샘플열에 대한 재배열을 행하지 않고 재배열 처리부(116a)에 입력된 샘플열 그 자체를 부호화부(116b)에 출력하고, 부호화부(116b)에서는 재배열 처리부(116a)로부터 출력된 샘플열을 가변 길이 부호화하는 구성으로 해도 된다.또한, 이 구성의 경우에는, 역치를 부호화측과 복호측에서 공통의 값으로서 미리 설정해 두는 것으로 한다.또한, 여기서 예시한 라이스 부호화, 산술 부호화, 런 랭스 부호화는 모두 주지이므로 그 상세한 설명을 생략한다. 또, 양자화 종료 PARCOR 계수는 선형 예측 계수나 LSP 파라미터로부터 변환 가능한 계수이므로, 부호화 장치(11) 내의 도시하지 않는 별도의 수단에 의해 양자화 종료 PARCOR 계수를 구하는 대신에, 부호화 장치(11) 내의 도시하지 않는 별도의 수단에 의해 우선 양자화 종료의 선형 예측 계수나 양자화 종료의 LSP 파라미터를 구하고, 다음에, 구한 파라미터로부터 양자화 종료 PARCOR 계수를 구하고, 또한, 예측 이득의 추정값을 구해도 된다. 요컨대, 예측 이득의 추정값은 선형 예측 계수에 대응하는 양자화 종료의 계수에 기초하여 구해지게 된다.상기 서술한 부호화 처리에서는, 재배열 처리부(116a)가 출력한 샘플열에 포함되는 샘플의 진폭의 치우침에 따라 가변 길이 부호화 방법을 전환하여 부호화하는 예를 설명했지만, 이러한 부호화 처리에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 하나 또는 복수의 샘플을 1심볼(부호화 단위)로 하고, 그 하나 또는 복수의 심볼에 의한 계열(이하, 심볼 계열이라고 부른다)의 직전의 심볼 계열에 의존하여 할당 부호를 적응적으로 제어하는 부호화 처리를 채용할 수도 있다. 이러한 부호화 처리로서, 예를 들면 JPEG2000에도 채용되어 있는 적응형 산술 부호를 예시할 수 있다. 적응형 산술 부호화에서는 모델링 처리와 산술 부호화가 행해진다. 모델링 처리에서는 직전의 심볼 계열로부터 산술 부호화를 위한 심볼 계열의 빈도표이 선택된다. 그리고, 선택된 심볼 계열의 출현 확률에 따라 폐구간 반직선[0,1]을 구분하고, 구분된 구간 내의 위치를 나타내는 2진 소수값에 그 심볼 계열에 대한 부호를 할당하는 산술 부호화가 행해진다. 본 발명의 실시형태에 있어서는, 모델링 처리로서, 재배열 후의 주파수 영역의 샘플열(상기 서술한 예에서는 양자화 MDCT 계수열)을 저역으로부터 순차적으로 심볼로 나누고, 산술 부호화를 위한 빈도표를 선택하고, 또한 산술 부호화로서 선택된 심볼 계열의 출현 확률에 따라 폐구간 반직선[0,1]을 구분하고, 구분된 구간 내의 위치를 나타내는 2진 소수값에 그 심볼 계열에 대한 부호를 할당한다. 상기 서술한 바와 같이, 재배열 처리에 의해, 이미 샘플열이 샘플의 크기를 반영하는 지표(예를 들면 진폭의 절대값)가 동등하거나 동일한 정도의 샘플이 모이도록 재배열되어 있는 점에서, 샘플열 내에서의 인접하는 샘플간에서의 샘플의 크기를 반영하는 지표의 변동이 작아져, 심볼의 빈도표의 정밀도가 높아지고, 심볼에 대한 산술 부호화에 의해 얻어지는 부호의 총부호량을 억제할 수 있다.「복호 장치」도 2를 참조하여 복호 장치(12)가 행하는 복호 처리를 설명한다.복호 장치(12)에는 적어도 상기 장기 예측 선택 정보와, 상기 이득 정보와, 상기 주파수 영역 피치 주기 부호와, 상기 부호열이 입력된다. 또, 상기 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우에는, 적어도 시간 영역 피치 주기 부호 CL이 입력된다. 시간 영역 피치 주기 부호 CL에 더하여 피치 이득 부호 Cgp도 입력되는 경우도 있다. 또한, 부호화 장치(11)로부터 선택 정보나 제1 보조 정보나 제2 보조 정보가 출력된 경우에는 이 선택 정보, 제1 보조 정보, 또는 제2 보조 정보도 복호 장치(12)에 입력된다.「주파수 영역 피치 주기 고려 복호부(123)」주파수 영역 피치 주기 고려 복호부(123)는 복호부(123a)와 회복부(123b)를 구비하고, 주파수 영역 피치 주기 T에 기초하는 복호 방법으로서, 입력된 부호열을 복호하여 원래의 샘플의 배열을 얻어 출력한다.「복호부(123a)」복호부(123a)가 프레임마다 입력된 부호열을 복호하여 주파수 영역의 샘플열을 출력한다(스텝 S123a).복호 장치(12)에 제2 보조 정보가 입력된 경우에는, 제2 보조 정보가 부호열에 대응하는 샘플열이 샘플의 재배열을 행한 샘플열인 것을 나타내는지 여부에 의해, 복호부(123a)가 얻은 주파수 영역의 샘플열의 출력처가 상이하다. 제2 보조 정보가 부호열에 대응하는 샘플열이 재배열을 행한 샘플열인 것을 나타내는 경우에는, 복호부(123a)가 얻은 주파수 영역의 샘플열은 회복부(123b)에 대하여 출력된다. 제2 보조 정보가 부호열에 대응하는 샘플열이 재배열을 행하고 있지 않은 샘플열인 것을 나타내는 경우에는, 복호부(123a)가 얻은 주파수 영역의 샘플열은 이득 승산부(124a)에 대하여 출력된다.또, 부호화 장치(11)로 미리 예측 이득 또는 그 추정값과 역치의 비교 결과에 의해 샘플의 재배열을 행하는지 여부의 전환을 행한 경우에는, 복호 장치(12)에서도 마찬가지의 전환을 행한다. 즉, 복호부(123a)는 복호 장치(12) 내의 도시하지 않는 별도의 수단에 의해 구한 i차의 양자화 종료 PARCOR 계수 k(i)를 사용하여, (1-k(i)k(i))를 차수마다 승산한 것의 역수로 표시되는 예측 이득의 추정값을 계산한다. 그리고, 복호부(123a)는 계산된 추정값이 어떠한 정해진 역치보다 큰 경우는, 복호부(123a)가 얻은 주파수 영역의 샘플열을 회복부(123b)에 대하여 출력한다. 그렇지 않은 경우는, 복호부(123a)는 복호부(123a)가 얻은 주파수 영역의 샘플열을 재배열 전의 샘플열을 이득 승산부(124a)에 대하여 출력한다.또한, 복호 장치(12) 내의 도시하지 않는 별도의 수단에 의해 양자화 종료 PARCOR 계수를 구하는 방법으로서는, PARCOR 계수에 대응하는 부호를 복호하여 양자화 종료 PARCOR 계수를 얻는 방법, LSP 파라미터에 대응하는 부호를 복호하여 양자화 종료 LSP 파라미터를 얻어, 얻어진 양자화 종료 LSP 파라미터를 변환하여 양자화 종료 PARCOR 계수를 얻는 방법 등 주지의 방법을 채용하면 된다. 요컨대 이들 방법은 모두 선형 예측 계수에 대응하는 부호로부터 선형 예측 계수에 대응하는 양자화 종료의 계수를 얻는 방법이다. 즉, 예측 이득의 추정값은 선형 예측 계수에 대응하는 부호를 복호하여 얻어진 선형 예측 계수에 대응하는 양자화 종료의 계수에 기초하는 것이다.복호 장치(12)에 부호화 장치(11)로부터 선택 정보가 입력된 경우에는, 복호부(123a)는 입력된 부호열에 대하여 선택 정보에 따른 복호 방법으로 복호 처리를 실행한다. 당연한 것이지만, 부호열을 얻기 위해서 실행된 부호화 방법에 대응하는 복호 방법이 실행된다. 복호부(123a)에 의한 복호 처리의 상세는 부호화 장치(11)의 부호화부(116b)에 의한 부호화 처리의 상세에 대응하므로, 당해 부호화 처리의 설명을 여기에 원용하고, 실행된 부호화에 대응하는 복호가 복호부(123a)가 행하는 복호 처리인 것을 명기하고, 이것으로써 복호 처리의 상세한 설명으로 한다. 또한, 선택 정보가 입력된 경우에는, 어떠한 부호화 방법이 실행되었는지는 당해 선택 정보에 의해 특정된다. 선택 정보에 예를 들면 라이스 부호화의 적용 영역과 라이스 파라미터를 특정하는 정보와, 런 랭스 부호화의 적용 영역을 나타내는 정보와, 엔트로피 부호화의 종류를 특정하는 정보가 포함되어 있는 경우에는, 이들 부호화 방법에 따른 복호 방법이 입력된 부호열이 대응하는 영역에 적용된다. 라이스 부호화에 대응하는 복호 처리, 엔트로피 부호화에 대응하는 복호 처리, 런 랭스 부호화에 대응하는 복호 처리는 모두 주지이므로 설명을 생략한다.「장기 예측 정보 복호부(121)」장기 예측 정보 복호부(121)는 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우에는, 입력된 시간 영역 피치 주기 부호 CL을 복호하여 시간 영역의 피치 주기 L을 얻어 출력한다. 피치 이득 부호 Cgp도 입력된 경우에는, 또한 피치 이득 부호 Cgp를 복호하여 양자화 종료 피치 이득 gp^을 얻어 출력한다.「주기 환산부(122)」주기 환산부(122)는 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우에는, 입력된 주파수 영역 피치 주기 부호를 복호하여 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1의 몇배인지를 나타내는 정수값을 얻고, 시간 영역의 피치 주기 L과 주파수 영역의 샘플점수 N에 기초하여 식(A4)에 의해 환산 간격 T1을 얻고, 환산 간격 T1에 정수값을 승산함으로써 주파수 영역 피치 주기 T를 얻어 출력한다.주기 환산부(122)는 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하지 않는 것을 나타내는 경우에는, 입력된 주파수 영역 피치 주기 부호를 복호하여 주파수 영역 피치 주기 T를 얻어 출력한다.「회복부(123b)」다음에, 회복부(123b)가 프레임마다 주기 환산부(122)가 얻은 주파수 영역 피치 주기 T에 따라, 또는 복호 장치(12)에 보조 정보가 입력된 경우에는 주기 환산부(122)가 얻은 주파수 영역 피치 주기 T와 입력된 보조 정보에 따라, 복호부(123a)가 출력한 주파수 영역의 샘플열로부터 원래의 샘플의 배열을 얻어 출력한다(스텝 S123b). 여기서 「원래의 샘플의 배열」은 부호화 장치(11)의 주파수 영역 샘플열 생성부(113)로부터 출력된 「주파수 영역의 샘플열」에 상당한다. 상기 서술한 바와 같이, 부호화 장치(11)의 재배열 처리부(116a)에 의한 재배열 방법이나 재배열 방법에 대응하는 재배열의 선택지는 다양하게 있지만, 재배열이 실행된 경우에는 실행된 재배열은 하나이며, 그 재배열은 주파수 영역 피치 주기 T와 보조 정보에 의해 특정할 수 있다.회복부(123b)에 의한 회복 처리의 상세는 부호화 장치(11)의 재배열 처리부(116a)에 의한 재배열 처리의 상세에 대응하므로, 당해 재배열 처리의 설명을 여기에 원용하고, 그 재배열 처리의 역순의 처리(반대의 재배열)가 회복부(123b)가 행하는 회복 처리인 것을 명기하고, 이것으로써 회복 처리의 상세한 설명으로 한다. 또한, 이해의 도움을 위해, 상기 서술한 재배열 처리의 구체예에 대응하는 회복 처리의 일례를 설명한다.예를 들면, 재배열 처리부(116b)가 샘플군을 저역측에 모아 F(T-1), F(T), F(T+1), F(2T-1), F(2T), F(2T+1), F(3T-1), F(3T), F(3T+1), F(4T-1), F(4T), F(4T+1), F(5T-1), F(5T), F(5T+1), F(1),…,F(T-2), F(T+2),…,F(2T-2), F(2T+2),…,F(3T-2), F(3T+2),…,F(4T-2), F(4T+2),…,F(5T-2), F(5T+2),…F(jmax)를 출력한 상기 서술한 예이면, 회복부(123b)에는 복호부(123a)가 출력한 주파수 영역의 샘플열 F(T-1), F(T), F(T+1), F(2T-1), F(2T), F(2T+1), F(3T-1), F(3T), F(3T+1), F(4T-1), F(4T), F(4T+1), F(5T-1), F(5T), F(5T+1), F(1),…,F(T-2), F(T+2),…,F(2T-2), F(2T+2),…,F(3T-2), F(3T+2),…,F(4T-2), F(4T+2),…,F(5T-2), F(5T+2),…F(jmax)가 입력된다. 회복부(123b)는 주파수 영역 피지 주기 T와 보조 정보에 기초하여, 입력된 샘플열 F(T-1), F(T), F(T+1), F(2T-1), F(2T), F(2T+1), F(3T-1), F(3T), F(3T+1), F(4T-1), F(4T), F(4T+1), F(5T-1), F(5T), F(5T+1), F(1),…,F(T-2), F(T+2),…,F(2T-2), F(2T+2),…,F(3T-2), F(3T+2),…,F(4T-2), F(4T+2),…,F(5T-2), F(5T+2),…F(jmax)를 원래의 샘플의 배열 F(j)(1≤j≤jmax）로 되돌린다.「이득 승산부(124a)」다음에, 이득 승산부(124a)가 프레임마다 복호부(123a) 또는 회복부(123b)가 출력한 샘플열의 각 계수에, 상기 이득 정보로 특정되는 이득을 곱하여, 「정규화된 가중 정규화 MDCT 계수열」을 얻어 출력한다(스텝 S124a).「가중 포락 역정규화부(124b)」다음에, 가중 포락 역정규화부(124b)가 프레임마다 이득 승산부(124a)가 출력한 「정규화된 가중 정규화 MDCT 계수열」의 각 계수에, 상기 서술한 바와 같이 전송된 파워 스펙트럼 포락 계수열로부터 얻어지는 보정 계수를 적용함으로써 「MDCT 계수열」을 얻어 출력한다(스텝 S124b). 부호화 장치(11)에서 실행된 가중 포락 정규화 처리의 예에 대응시켜 구체예를 설명하면, 가중 포락 역정규화부(124b)는 이득 승산부(124a)가 출력한 「정규화된 가중 정규화 MDCT 계수열」의 각 계수에, 당해 각 계수에 대응하는 파워 스펙트럼 포락 계수열의 각 계수의 β승(0003c#β003c#1)의 값 W(1)β ,…,W(N)β를 승산함으로써, MDCT 계수열의 각 계수 X(1),…,X(N)를 얻는다.「시간 영역 변환부(124c)」다음에, 시간 영역 변환부(124c)가 프레임마다 가중 포락 역정규화부(124b)가 출력한 「MDCT 계수열」을 시간 영역으로 변환하여 프레임 단위의 신호열(시간 영역의 신호열)을 얻어 출력한다(스텝 S124c). 장기 예측 정보 복호부(121)가 출력한 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우에는, 시간 영역 변환부(124c)가 얻은 신호열은 장기 예측 잔차 신호열 xp(1),...,xp(Nt)로서 장기 예측 합성부(125)에 입력된다. 장기 예측 정보 복호부(121)가 출력한 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하지 않는 것을 나타내는 경우에는, 시간 영역 변환부(124c)가 얻은 신호열은 디지털 음향 신호열 x(1),...,x(Nt)로서 복호 장치(12)로부터 출력된다.「장기 예측 합성부(125)」장기 예측 합성부(125)는 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우에는, 시간 영역 변환부(124c)가 얻은 장기 예측 잔차 신호열 xp(1),...,xp(Nt)과, 장기 예측 정보 복호부(121)이 출력한 시간 영역의 피치 주기 L과 양자화 종료 피치 이득 gp^과, 장기 예측 합성부(125)가 생성한 과거의 디지털 음향 신호에 기초하여, 식(A5)에 의해, 디지털 음향 신호열 x(1),...,x(Nt)를 얻는다. 장기 예측 정보 복호부(121)가 양자화 종료 피치 이득 gp^을 출력하지 않는 경우, 즉, 복호 장치(12)에 피치 이득 부호 Cgp가 입력되지 않은 경우에는, gp^로서 예를 들면 0.5 등의 미리 정한 값을 사용한다. 이 경우의 gp^의 값은 부호화 장치(11)와 복호 장치(12)에서 동일한 값을 사용할 수 있도록, 장기 예측 정보 복호부(121) 내에 미리 기억시켜 둔다.x(t)=xp(t)+gp^x(t-L) (A5)그리고, 장기 예측 합성부(125)가 얻은 신호열은 디지털 음향 신호열 x(1),...,x(Nt)로서 복호 장치(12)로부터 출력된다.장기 예측 합성부(125)는 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하지 않는 것을 나타내는 경우에는, 아무 것도 하지 않는다.실시형태로부터 명확한 바와 같이, 예를 들면 주파수 영역 피치 주기 T가 명료한 경우에는, 주파수 영역 피치 주기 T에 따라 샘플열을 재배열한 것을 부호화함으로써, 효율이 높은 부호화를 할 수 있다(즉 평균 부호 길이를 작게 할 수 있다). 또, 샘플열의 재배열에 의해 국소 영역마다 동등하거나 동일한 정도의 지표를 가지는 샘플이 집중되므로, 가변 길이 부호화의 효율화 뿐만아니라, 양자화 왜곡의 경감이나 부호량의 삭감이 가능하게 되어 있다.[제1 실시형태의 변형예]제1 실시형태의 부호화 장치(11)에서는 환산 간격 T1 및 환산 간격 T1의 정수배의 값 U×T1을 후보값으로 하여 주파수 영역 피치 주기 T를 결정했지만, 환산 간격 T1의 정수배의 값 U×T1 이외의 배수값도 후보값으로 하여 주파수 영역 피치 주기 T를 결정해도 된다. 이하, 제1 실시형태와 상이한 점에 대해서 설명한다.[부호화 장치(11')]본 변형예의 부호화 장치(11')가 제1 실시형태의 부호화 장치(11)와 상이한 것은 주파수 영역 피치 주기 분석부(115) 대신에 주파수 영역 피치 주기 분석부(115')를 구비한다는 점이다. 본 변형예에서는, 주파수 영역 피치 주기 분석부(115')가 환산 간격 T1 및 환산 간격 T1의 정수배의 값 U×T1 및 환산 간격 T1의 정수배 U×T1 이외의 미리 정한 배수의 값을 후보값으로 하여, 주파수 영역 피치 주기 T를 결정하여 출력한다. 주파수 영역 피치 주기 분석부(115')는 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하지 않는 것을 나타내는 경우에는, 제1 실시형태와 마찬가지로, 미리 정한 제2 범위의 정수값을 후보값으로 하여 주파수 영역 피치 주기 T를 결정하여 출력한다.「주파수 영역 피치 주기 분석부(115')」주파수 영역 피치 주기 분석부(115')는 환산 간격 T1 및 환산 간격 T1의 정수배의 값 U×T1 및 환산 간격 T1의 정수배 U×T1 이외의 미리 정한 배수의 값을 후보값으로 하여, 주파수 영역 피치 주기 T를 결정하고(환산 간격 T1 및 환산 간격 T1의 정수배의 값 U×T1을 포함하는 후보값 중에서 주파수 영역 피치 주기 T를 결정하고), 주파수 영역 피치 주기 T와 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1의 몇배인지를 나타내는 주파수 영역 피치 주기 부호를 출력한다.예를 들면, 미리 정한 제1 범위의 정수가 2 이상 9 이하인 경우는, 환산 간격 T1, 그 정수배의 값 2T1, 3T1, 4T1, 5T1, 6T1, 7T1, 8T1, 9T1, 환산 간격 T1의 정수배 이외의 미리 정한 배수의 값인 1.9375T1, 2.0625T1, 2.125T1, 2.1875T1, 2.25T1, 2.9375T1, 3.0625T1의 합계 16개의 값이 주파수 영역 피치 주기의 후보값이며, 이들 후보값 중에서 주파수 영역 피치 주기 T가 선택된다. 이 경우는 주파수 영역 피치 주기 부호는 16개의 후보값 각각과 일대일로 대응하는 적어도 4비트의 부호이다.또한, 「미리 정한 제1 범위의 정수」는 어떠한 정수 이상 어떠한 정수 이하의 모든 정수를 반드시 포함할 필요는 없다. 예를 들면, 2 이상 9 이하이며, 또한, 5를 제외하는 정수를 미리 정한 제1 범위의 정수로 해도 된다. 이 경우에는 예를 들면 환산 간격 T1, 그 정수배의 값 2T1, 3T1, 4T1, 6T1, 7T1, 8T1, 9T1, 환산 간격 T1의 정수배 이외의 미리 정한 배수의 값인 1.3750T1, 1.53125T1, 2.03125T1, 2.0625T1, 2.09375T1, 2.1250T1, 8.5000T1, 14.5000T1의 합계 16개의 값이 주파수 영역 피치 주기의 후보값이며, 이들 후보값 중에서 주파수 영역 피치 주기 T가 선택된다. 이 경우는 주파수 영역 피치 주기 부호는 16개의 후보값 각각과 일대일로 대응하는 적어도 4비트의 부호이다.주파수 영역 피치 주기 분석부(115')는 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하지 않는 것을 나타내는 경우에는, 제1 실시형태와 마찬가지로, 미리 정한 제2 범위의 정수값을 후보값으로 하여 주파수 영역 피치 주기 T를 결정한다.[복호 장치(12')]본 변형예의 복호 장치(12')가 제1 실시형태의 복호 장치(12)와 상이한 것은, 주기 환산부(122) 대신에 주기 환산부(122')를 구비한다는 점이다.「주기 환산부(122')」주기 환산부(122')는 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우에는, 주파수 영역 피치 주기 부호를 복호하여 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1의 몇배인지를 나타내는 값(배수값)을 얻고, 시간 영역의 피치 주기 L과 주파수 영역의 샘플점수 N에 기초하여 식(A4)에 의해 환산 간격 T1을 얻고, 환산 간격 T1에 몇배인지를 나타내는 값을 승산함으로써 주파수 영역 피치 주기 T를 얻어 출력한다.주기 환산부(122')는 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하지 않는 것을 나타내는 경우에는, 주파수 영역 피치 주기 부호를 복호하여 주파수 영역 피치 주기 T를 얻어 출력한다.[제1 실시형태의 변형예 2]제1 실시예의 변형예 1에서는, 환산 간격 T1의 정수배의 값 U×T1 이외의 배수값도 후보값으로 하여 주파수 영역 피치 주기 T를 결정했다. 이 때, 정수배의 값 U×T1 쪽이 그 이외의 값보다 주파수 영역 피치 주기 T가 될 가능성이 높다는 특성이 있는 것을 반영하고, 제1 실시형태의 변형예 2에서는, 주파수 영역 피치 주기 부호의 길이를 가변 길이 부호장에 의해 결정한다.또, 주파수 영역 피치 주기 분석부(115'')에 있어서, 주파수 영역 피치 주기 부호의 길이도 고려하여, 피치 주기 T를 결정한다.이하, 제1 실시형태의 변형예 1과 상이한 점에 대해서 설명한다. 본 변형예의 부호화 장치(11'')가 제1 실시형태의 부호화 장치(11)와 상이한 것은, 주파수 영역 피치 주기 분석부(115) 대신에 주파수 영역 피치 주기 분석부(115'')를 구비한다는 점이다.「주파수 영역 피치 주기 분석부(115'')」주파수 영역 피치 주기 분석부(115'')는 환산 간격 T1 및 환산 간격 T1의 정수배의 값 U×T1 및 환산 간격 T1의 정수배 U×T1 이외의 미리 정한 배수의 값을 후보값으로 하여, 주파수 영역 피치 주기 T를 결정하고(환산 간격 T1 및 환산 간격 T1의 정수배의 값 U×T1을 포함하는 후보값 중에서 주파수 영역 피치 주기 T를 결정하고), 주파수 영역 피치 주기 T와 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1의 몇배인지를 나타내는 주파수 영역 피치 주기 부호를 출력한다.여기서, 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1의 몇배인지를 나타내는 주파수 영역 피치 주기 부호는 환산 간격 T1의 정수배의 값 V×T1에 대응하는 부호의 부호 길이가, 그 이외의 후보에 대응하는 부호의 부호 길이보다 짧아지는 것 같은 가변 길이 부호장을 사용하여 주파수 영역 피치 주기 부호를 결정한다. 단, V는 정수이다. 예를 들면 V는 0을 제외하는 정수이며, 예를 들면 V는 정의 정수이다. 예를 들면 V∈1, U이다.예를 들면, 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1 그 자체인 경우의 가변 길이 부호의 부호 길이 및 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1의 정수배 U×T1인 경우의 가변 길이 부호의 부호 길이가, 그 이외의 경우의 가변 길이 부호의 부호 길이보다 짧은 가변 길이 부호장(예 1)을 사용하여, 주파수 영역 피치 주기 부호를 결정해도 된다. 또한, 「가변 길이 부호」는 빈도가 높은 사상에 대하여 빈도가 낮은 사상에 대한 부호보다 짧은 부호를 할당하여 평균 부호 길이를 짧게 하는 부호를 의미한다. 이러한 주파수 영역 피치 주기 부호는 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1 그 자체인 경우, 환산 간격 T1의 정수배인 경우의 부호 길이 쪽이, 그 이외의 경우의 부호 길이보다 짧다. 이러한 가변 길이 부호장의 예를 도 12에 나타낸다. 환산 간격 T1의 정수배는 그 이외보다 주파수 영역 피치 주기로서 결정되는 빈도가 높은 성질이 있으므로, 이러한 가변 길이 부호장을 사용하여 주파수 영역 피치 주기 부호를 결정함으로써, 평균 부호 길이를 짧게 할 수 있다.또, 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1 그 자체인 경우의 가변 길이 부호의 부호 길이, 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1의 정수배 U×T1인 경우의 가변 길이 부호의 부호 길이, 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1의 근방인 경우의 가변 길이 부호의 부호 길이 및 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1의 정수배 U×T1의 근방인 경우의 가변 길이 부호의 부호 길이가, 모두 그 이외의 경우의 가변 길이 부호의 부호 길이보다 짧은 가변 길이 부호장(예 2)을 사용하여, 주파수 영역 피치 주기 부호를 결정해도 된다. 이 경우의 주파수 영역 피치 주기 부호는 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1 그 자체인 경우, 환산 간격 T1의 정수배인 경우, 환산 간격 T1의 근방인 경우, 환산 간격 T1의 정수배의 근방인 경우의 부호 길이 쪽이, 그 이외의 경우의 부호 길이보다 짧다. 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1 그자체인 경우, 환산 간격 T1의 정수배인 경우, 환산 간격 T1의 근방인 경우, 환산 간격 T1의 정수배의 근방인 경우는 그 이외의 경우보다 주파수 영역 피치 주기로서 선택되는 빈도가 높아지는 성질이 있으므로, 그들에 대응하는 부호 길이를 그 이외의 경우의 부호 길이보다 짧게 함으로써 평균 부호 길이를 짧게 할 수 있다.또, 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1 그 자체인 경우의 가변 길이 부호의 부호 길이 쪽이, 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1의 정수배 U×T1인 경우의 가변 길이 부호의 부호 길이보다 짧은 가변 길이 부호장(예 3)을 사용하여, 주파수 영역 피치 주기 부호를 결정해도 된다. 이 경우의 주파수 영역 피치 주기 부호는 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1 그자체인 경우의 부호 길이 쪽이, 환산 간격 T1의 근방인 경우의 부호 길이보다 짧다.또, 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1의 정수배 U×T1인 경우의 가변 길이 부호의 부호 길이 쪽이, 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1의 정수배 U×T1의 근방인 경우의 가변 길이 부호의 부호 길이보다 짧은 가변 길이 부호장(예 4)을 사용해도 된다. 이 경우의 제1 주파수 영역 피치 주기 부호는, 제1 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1의 정수배인 경우의 부호 길이 쪽이, 환산 간격 T1의 정수배의 근방인 경우의 부호 길이보다 짧다.또, 상기 서술한 바와 같이, 과거의 프레임의 정보를 사용할 수 없는 경우 또는 사용하지 않는 경우, 주파수 영역 피치 주기 T의 환산 간격 T1에 대한 승수 mn이 작은 것일수록, 주파수 영역 피치 주기 T로서 결정되기 쉬운 경향이 있다. 이 점을 반영하여, 도 13과 같이, 적어도 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1의 정수배의 값 V×T1인 경우의 가변 길이 부호의 부호 길이가, 당해 정수값 V의 크기에 대하여 단조비감소의 관계가 되도록 가변 길이 부호가 할당된 가변 길이 부호장(예 5)을 사용하여 주파수 영역 피치 주기 부호를 결정해도 된다. 이 경우, 적어도 상기 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1의 정수배의 값 V×T1인 경우의 주파수 영역 피치 주기 부호의 부호 길이는 정수 V의 크기에 대하여 단조비감소의 관계가 된다.또, 상기 서술한 예 1, 3의 특징을 겸비한 가변 길이 부호장(예 6)을 사용해도 되고, 예 2, 3의 특징을 겸비한 가변 길이 부호장(예 7)을 사용해도 되며, 예 2, 4의 특징을 겸비한 가변 길이 부호장(예 8)을 사용해도 되고, 예 2, 3, 4의 특징을 겸비한 가변 길이 부호장(예 9)을 사용해도 되고, 예 1~9 중 어느 하나와 예 5의 특징을 겸비한 가변 길이 부호장(예 10)을 사용해도 된다.주파수 영역 피치 주기 분석부(115'')는 미리 정한 재배열 규칙에 따라 선택되는 샘플군으로의 에너지의 집중도를 나타내는 지표값과 환산 간격 T1과의 관계를 나타내는 부호의 길이를 고려하여 주파수 영역 피치 주기 T를 결정한다. 예를 들면 집중도의 지표가 동일하면, 환산 간격 T1과의 관계를 나타내는 부호의 길이가 짧은 쪽을 선택한다. 또는 c를 적절하게 미리 설정한 상수(가중치)로 하여변형한 집중도 지표=집중도의 지표-c(환산 간격 T1과의 관계를 나타내는 부호의 길이)로 하고, 변형한 집중도 지표가 최대가 되는 주파수 영역 피치 주기 T를 결정한다.[제2 실시형태][부호화 장치(21)]본 실시형태의 부호화 장치(21)가 제1 실시형태의 부호화 장치(11)와 상이한 것은, 주파수 영역 피치 주기 분석부(115) 대신에 주파수 영역 피치 주기 분석부(215)를 구비한다는 점이다. 본 실시형태에서는, 주파수 영역 피치 주기 분석부(215)가 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우에는, 환산 간격 T1 및 환산 간격 T1의 정수배의 값 U×T1 중에서 중간 후보값을 결정하고, 중간 후보값 및 중간 후보값의 근방의 미리 정한 제3 범위의 값 중에서 주파수 영역 피치 주기 T를 결정하여 출력한다. 주파수 영역 피치 주기 분석부(215)는 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하지 않는 것을 나타내는 경우에는, 제1 실시형태와 마찬가지로, 미리 정한 제2 범위의 정수값을 후보값으로 하여 주파수 영역 피치 주기 T를 결정하여 출력한다. 이하, 제1 실시형태와 상이한 점에 대해서 설명한다.「주파수 영역 피치 주기 분석부(215)」주파수 영역 피치 주기 분석부(215)는 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우에는, 우선, 환산 간격 T1 및 환산 간격 T1의 정수배의 값 U×T1을 후보값으로 하여, 중간 후보값을 결정한다. 다음에 주파수 영역 피치 주기 분석부(215)는 중간 후보값 및 중간 후보값의 근방의 미리 정한 제3 범위의 값을 후보값으로 하여, 주파수 영역 피치 주기 T를 결정하고 주파수 영역 피치 주기 T를 출력한다. 또한, 주파수 영역 피치 주기 분석부(215)는 중간 후보값이 환산 간격 T1의 몇배인지를 나타내는 정보와, 주파수 영역 피치 주기 T와 중간 후보값의 차를 나타내는 정보를 주파수 영역 피치 주기 부호로서 출력한다.예를 들면, 미리 정한 제1 범위의 정수가 2 이상 8 이하인 경우는, 환산 간격 T1, 환산 간격 T1의 2배~8배의 2T1, 3T1, 4T1, 5T1, 6T1, 7T1, 8T1의 합계 8개의 값이 중간 후보값의 후보이며, 이들 후보 중에서 중간 후보값 Tcand가 선택된다. 이 경우는 중간 후보값이 환산 간격 T1의 몇배인지를 나타내는 정보는 적어도 3비트의 1 이상 8 이하의 정수 각각과 일대일로 대응하는 부호이다.또, 예를 들면 미리 정한 제3 범위가 -3 이상 4 이하의 정수인 경우는, Tcand-3, Tcand-2, Tcand-1, Tcand, Tcand+1, Tcand+2, Tcand+3, Tcand+4의 합계 8개의 값이 주파수 영역 피치 주기 T의 후보이며, 이들 후보 중에서 주파수 영역 피치 주기 T가 선택된다. 이 경우는, 주파수 영역 피치 주기 T와 중간 후보값의 차를 나타내는 정보는 적어도 3비트의 -3 이상 4 이하의 정수 각각과 일대일로 대응하는 부호이다.또한, 미리 정한 제3 범위의 값은 정수값이어도 되고 소수값이어도 된다. 또, 제1 실시형태의 변형예와 마찬가지로, 환산 간격 T1 및 환산 간격 T1의 정수배의 값 U×T1에 더하여, 환산 간격 T1의 정수배의 값 U×T1 이외의 배수값도 후보값으로 하여, 중간 후보값을 결정해도 된다. 즉, 환산 간격 T1 및 환산 간격 T1의 정수배의 값 U×T1을 포함하는 후보값 중에서 중간 후보값을 결정해도 된다.[복호 장치(22)]본 실시형태의 복호 장치(22)가 제1 실시형태의 복호 장치(12)와 상이한 것은 주기 환산부(122) 대신에 주기 환산부(222)를 구비한다는 점이다. 본 실시형태에서는 주기 환산부(222)가 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우에는, 주파수 영역 피치 주기 부호를 복호하여, 중간 후보값이 환산 간격 T1의 몇배인지의 정수값과, 주파수 영역 피치 주기 T와 중간 후보값의 차의 값을 얻고, 환산 간격 T1에 정수값을 승산하여 얻어지는 값에 상기한 차의 값을 가산한 것을 주파수 영역 피치 주기 T로서 얻어 출력한다. 주기 환산부(222)는 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하지 않는 것을 나타내는 경우에는, 주파수 영역 피치 주기 부호를 복호하여 주파수 영역 피치 주기 T를 얻어 출력한다.[제3 실시형태][부호화 장치(31)]본 실시형태의 부호화 장치(31)가 제1 실시형태, 제1 실시형태의 변형예 및 제2 실시형태의 부호화 장치(11, 11', 21)와 상이한 것은 주파수 영역 피치 주기 분석부(115, 115', 215) 대신에 주파수 영역 피치 주기 분석부(315)를 구비한다는 점이다. 본 실시형태에서는, 주파수 영역 피치 주기 분석부(315)는 「장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우」 대신에 「양자화 종료 피치 이득 gp^이 미리 정한 값 이상인 경우」, 「장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하지 않는 것을 나타내는 경우」 대신에 「양자화 종료 피치 이득 gp^이 미리 정한 값보다 작은 경우」로 하여 처리를 행한다. 그 이외는 제1 실시형태 및 제2 실시형태와 마찬가지이다. 또한, 본 실시형태는 제1 실시형태 중, 부호화 장치(31)가 양자화 종료 피치 이득 gp^ 및 피치 이득 부호 Cgp를 얻는 구성이 전제가 된다.[복호 장치(32)]본 실시형태의 복호 장치(32)가 제1 실시형태 및 제2 실시형태의 복호 장치(12, 12', 22)와 상이한 것은 주기 환산부(122, 122', 222) 대신에 주기 환산부(322)를 구비한다는 점이다. 본 실시형태에서는 주기 환산부(322)는 「장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우」 대신에 「양자화 종료 피치 이득 gp^이 미리 정한 값 이상인 경우」, 「장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하지 않는 것을 나타내는 경우」 대신에 「양자화 종료 피치 이득 gp^이 미리 정한 값보다 작은 경우」로 하여 처리를 행한다. 그 이외는 제1 실시형태 및 제2 실시형태와 마찬가지이다. 또한, 본 실시형태는 제1 실시형태 중, 복호 장치(32)에 피치 이득 부호 Cgp가 입력되어 양자화 종료 피치 이득 gp^를 얻는 구성이 전제가 된다.[제4 실시형태][부호화 장치(41)]본 실시형태의 부호화 장치(41)가 제1 실시형태, 제1 실시형태의 변형예 및 제2 실시형태의 부호화 장치(11, 11', 21)와 상이한 것은 장기 예측 분석부(111), 장기 예측 잔차 생성부(112), 주파수 영역 변환부(113a), 주기 환산부(114), 주파수 영역 피치 주기 분석부(115, 115', 215)의 각각 대신에, 장기 예측 분석부(411), 장기 예측 잔차 생성부(412), 주파수 영역 변환부(413a), 주기 환산부(414), 주파수 영역 피치 주기 분석부(415)를 구비한다는 점이다.본 실시형태의 장기 예측 분석부(411)에서는, 피치 이득 gp의 값에 상관없이 장기 예측을 실행한다. 보다 구체적으로는 장기 예측 분석부(411)는 피치 이득 gp의 값에 상관없이, 장기 예측 분석부(111)의 「장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우」의 처리를 행한다. 따라서, 장기 예측 분석부(411)가 피치 이득 gp이 미리 정한 값 이상인지 여부에 의한 장기 예측의 실행의 유무의 판단을 행할 필요는 없고, 장기 예측 선택 정보를 출력할 필요도 없다.이후, 장기 예측 잔차 생성부(412), 주파수 영역 변환부(413a), 주기 환산부(414), 주파수 영역 피치 주기 분석부(415)의 각각은 장기 예측 잔차 생성부(112), 주파수 영역 변환부(113a), 주기 환산부(114), 주파수 영역 피치 주기 분석부(115, 115', 215)의 「장기 예측 분석부(111)가 출력한 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우」에 대응하는 처리를 실시한다.[복호 장치(42)]본 실시형태의 복호 장치(42)가 제1 실시형태 및 제2 실시형태의 복호 장치(12, 12', 22)와 상이한 것은 복호부(123a), 장기 예측 정보 복호부(121), 주기 환산부(122, 122', 222), 시간 영역 변환부(124c), 장기 예측 합성부(125)의 각각에 대신하여, 복호부(423a), 장기 예측 정보 복호부(421), 주기 환산부(422), 시간 영역 변환부(424c), 장기 예측 합성부(425)를 구비한다는 점이다. 본 실시형태는 장기 예측 선택 정보나 양자화 종료 피치 이득 gp^의 값에 상관없이 장기 예측 합성을 행한다. 따라서, 본 실시형태의 복호 장치(42)에는 장기 예측 선택 정보는 입력될 필요는 없다.본 실시형태의 복호부(423a), 장기 예측 정보 복호부(421), 주기 환산부(422), 시간 영역 변환부(424c), 장기 예측 합성부(425)의 각각은, 복호부(123a), 장기 예측 정보 복호부(121), 주기 환산부(122, 122', 222), 시간 영역 변환부(124c), 장기 예측 합성부(125)의 「장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우」에 대응하는 처리를 실시한다.[기타]상기한 각 실시형태의 부호화 장치(11, 11', 21, 31, 41)에서는, 주파수 영역 변환부(113a, 413a)와 가중 포락 정규화부(113b)와 정규화 이득 계산부(113c)와 양자화부(113d)를 구비하여, 양자화부(113d)에서 얻어진 프레임 단위의 양자화 MDCT 계수열을 주파수 영역 피치 주기 분석부(115, 115', 215, 315, 415)의 입력으로 했다. 그러나, 부호화 장치(11, 11', 21, 31, 41)가 주파수 영역 변환부(113a, 413a)와 가중 포락 정규화부(113b)와 정규화 이득 계산부(113c)와 양자화부(113d) 이외의 처리부를 구비하거나, 일부의 처리부를 생략한 처리를 행해도 된다. 즉, 부호화 장치(11, 11', 21, 31, 41)는 일례로서 주파수 영역 변환부(113a, 413a)와 가중 포락 정규화부(113b)와 정규화 이득 계산부(113c)와 양자화부(113d)에 의해 구성되는 주파수 영역 샘플열 생성부(113)를 구비하고 있게 된다. 부호화 장치(11, 11', 21, 31, 41)가 구비하는 주파수 영역 샘플열 생성부(113)는 장기 예측을 실행하는 경우에는 상기 장기 예측 잔차 신호에 유래하는 주파수 영역의 샘플열을 얻는 처리를 행하고, 장기 예측을 실행하지 않는 경우에는 상기 음향 신호에 유래하는 주파수 영역의 샘플열을 얻는 처리를 행한다. 주파수 영역 샘플열 생성부(113)가 얻은 샘플열은 주파수 영역 피치 주기 분석부(115, 115', 215, 315, 415)에 입력된다.복호 장치(12, 12', 22, 32, 42)에 대해서도 마찬가지이며, 복호 장치(12, 12', 22, 32, 42)는, 일례로서 이득 승산부(124a)와 가중 포락 역정규화부(124b)와 시간 영역 변환부(124c, 424c)에 의해 구성되는 시간 영역 신호열 생성부(124)를 구비하고 있게 된다. 복호 장치(12, 12', 22, 32, 42)가 구비하는 시간 영역 신호열 생성부(124)는 복호부(123a, 423a) 또는 회복부(123b)로부터 입력된 주파수 영역의 샘플열에 유래하는 시간 영역의 신호열을 얻는 처리를 행한다. 장기 예측 정보 복호부(121, 421)가 출력한 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우에는, 시간 영역 신호열 생성부(124)가 얻은 신호열은 장기 예측 잔차 신호열 xp(1),...,xp(Nt)로서 장기 예측 합성부(125, 425)에 입력된다. 장기 예측 정보 복호부(121, 421)가 출력한 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하지 않는 것을 나타내는 경우에는, 시간 영역 신호열 생성부(124)가 얻은 신호열은 디지털 음향 신호열 x(1),...,x(Nt)로서 복호 장치(12, 12', 22, 32, 42)로부터 출력된다.[제5 실시형태][부호화 장치(51)]도 8에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 부호화 장치(51)가 제1 실시형태, 제1 실시형태의 변형예, 제2 실시형태, 제3 실시형태 및 제4 실시형태의 부호화 장치(11, 11', 21, 31, 41)와 상이한 것은 부호화 장치(51)가 주파수 영역 피치 주기 고려 부호화부(116)를 포함하지 않는다는 점이다. 이 경우는 부호화 장치(51)는 주파수 영역 피치 주기를 특정하기 위한 부호를 얻는 부호화 장치로서 기능한다. 부호화 장치(51)로부터 출력된 주파수 영역의 샘플열도 부호화하는 경우는, 부호화 장치(51)로부터 출력된 주파수 영역의 샘플열은, 예를 들면, 부호화 장치(51)의 외부의 주파수 영역 피치 주기 고려 부호화부(116)에 입력되어 부호화되지만, 그 밖의 부호화 수단을 사용하여 부호화해도 된다. 그 밖에는 제1 실시형태, 제1 실시형태의 변형예, 제2 실시형태, 제3 실시형태 및 제4 실시형태의 부호화 장치(11, 11', 21, 31, 41)와 동일하다.[복호 장치(52)]도 9에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 복호 장치(52)가 제1 실시형태, 제1 실시형태의 변형예, 제2 실시형태, 제3 실시형태 및 제4 실시형태의 복호 장치(12, 12', 22, 32, 42)와 상이한 것은 복호 장치(52)가 주파수 영역 피치 주기 고려 복호부(123), 시간 영역 신호열 생성부(124) 및 장기 예측 합성부(125)를 포함하지 않는다는 점이다. 이 경우는 복호 장치(52)는 부호열에 포함되는 적어도 주파수 영역 피치 주기 부호와 시간 영역 피치 주기 부호로부터, 적어도 장기 예측 주파수 영역 피치 주기 T와 시간 영역의 피치 주기 L을 얻는 복호 장치로서 기능한다. 예를 들면, 복호 장치(52)로부터 출력된 시간 영역의 피치 주기 L 및 양자화 종료 피치 이득 gp^은 장기 예측 합성부(125)의 입력이 된다. 또, 예를 들면, 부호열, 복호 장치(52)로부터 출력된 주파수 영역 피치 주기 T(및 보조 정보가 입력된 경우에는 보조 정보)는 주파수 영역 피치 주기 고려 복호부(123)의 입력이 된다. 그 밖에는 제1 실시형태, 제1 실시형태의 변형예, 제2 실시형태, 제3 실시형태 및 제4 실시형태의 복호 장치(12, 12', 22, 32, 42)와 동일하다.[제6 실시형태]도 10 및 도 11에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 부호화 장치(61) 및 복호 장치(62)가 제1 실시형태, 제1 실시형태의 변형예, 제2 실시형태, 제3 실시형태 및 제4 실시형태와 상이한 것은 주파수 영역 피치 주기 고려 부호화부(116) 대신에 주파수 영역 피치 주기 고려 부호화부(616)가 구성되고, 주파수 영역 피치 주기 고려 복호부(123) 대신에 주파수 영역 피치 주기 고려 복호부(623)가 구성된다는 점이다. 주파수 영역의 샘플열은 주파수 영역 피치 주기 고려 부호화부(616)의 입력이 된다. 부호열, 주파수 영역 피치 주기 T 및 보조 정보는 주파수 영역 피치 주기 고려 복호부(623)의 입력이 된다. 이하에서는 주파수 영역 피치 주기 고려 부호화부(616) 및 주파수 영역 피치 주기 고려 복호부(623)만을 설명한다.「주파수 영역 피치 주기 고려 부호화부(616)」주파수 영역 피치 주기 고려 부호화부(616)는 부호화부(616b)를 구비하고, 주파수 영역 피치 주기 T에 기초하는 부호화 방법으로, 입력된 주파수 영역의 샘플열을 부호화하고, 그것에 의해 얻어진 부호열을 출력한다.「부호화부(616b)」부호화부(616b)는 주파수 영역의 샘플열 중 주파수 영역 피치 주기 T에 대응하는 샘플을 포함하는 하나 또는 연속하는 복수의 샘플 및 주파수 영역의 샘플열 중 주파수 영역 피치 주기 T의 정수배에 대응하는 샘플을 포함하는 하나 또는 연속하는 복수의 샘플의 전부 또는 일부의 샘플에 의한 샘플군 G1과, 주파수 영역의 샘플열 중 샘플군 G1에 포함되지 않는 샘플에 의한 샘플군 G2를 상이한 기준에 따라(구별하여) 부호화하고, 그것에 의해 얻어진 부호열을 출력한다.[샘플군 G1, G2의 구체예]「주파수 영역의 샘플열 중 주파수 영역 피치 주기 T에 대응하는 샘플을 포함하는 하나 또는 연속하는 복수의 샘플 및 주파수 영역의 샘플열 중 주파수 영역 피치 주기 T의 정수배에 대응하는 샘플을 포함하는 하나 또는 연속하는 복수의 샘플의 전부 또는 일부의 샘플」의 구체예는 제1 실시형태와 동일하며, 이러한 샘플에 의한 군이 샘플군 G1이다. 제1 실시형태에서 설명한 바와 같이, 이러한 샘플군 G1의 설정 방법에는 다양한 선택지가 있다. 예를 들면, 부호화부(616b)에 입력된 샘플열 중, 주파수 영역 피치 주기 T의 정수배에 대응하는 샘플 F(nT)의 전후의 샘플 F(nT-1), F(nT+1)을 포함한 3개의 샘플 F(nT-1), F(nT), F(nT+1)에 의한 샘플군의 집합이 샘플군 G1의 예이다. 예를 들면, n이 1 내지 5까지의 각 정수를 나타내는 경우, 제1 샘플군 F(T-1), F(T), F(T+1), 제2 샘플군 F(2T-1), F(2T), F(2T+1), 제3 샘플군 F(3T-1), F(3T), F(3T+1), 제4 샘플군 F(4T-1), F(4T), F(4T+1), 제5 샘플군 F(5T-1), F(5T), F(5T+1)로 이루어지는 군이 샘플군 G1이다.부호화부(616b)에 입력된 샘플열 중 샘플군 G1에 포함되지 않는 샘플로 이루어지는 군이 샘플군 G2이다. 예를 들면, n이 1 내지 5까지의 각 정수를 나타내는 경우, 제1 샘플 세트 F(1),…,F(T-2), 제2 샘플 세트 F(T+2),…,F(2T-2), 제3 샘플 세트 F(2T+2),…,F(3T-2), 제4 샘플 세트 F(3T+2),…,F(4T-2), 제5 샘플 세트 F(4T+2),…,F(5T-2), 제6 샘플 세트 F(5T+2),…F(jmax)로 이루어지는 군이 샘플군 G2의 예이다.그 밖에 제1 실시형태에서 예시한 바와 같이, 주파수 영역 피치 주기 T가 소수인 경우, 예를 들면, F(R(nT-1)), F(R(nT)), F(R(nT+1))에 의한 샘플군의 집합이 샘플군 G1이어도 된다. 단, R(nT)은 nT를 반올림한 값이다. 또, 샘플군 G1을 구성하는 각 샘플군에 포함되는 샘플의 개수나 샘플 인덱스를 가변으로 해도 되고, 샘플군 G1을 구성하는 각 샘플군에 포함되는 샘플의 개수와 샘플 인덱스의 조합이 상이한 복수의 선택지 중에서 선택된 하나를 나타내는 정보가 보조 정보(제1 보조 정보)로서 출력되어도 된다.[상이한 기준에 따른 부호화의 예]부호화부(616b)는 샘플군 G1, G2에 포함되는 샘플의 재배열을 행하지 않고, 샘플군 G1과 샘플군 G2를 서로 상이한 기준에 따라 부호화하고, 그것에 의해 얻어진 부호열을 출력한다.샘플군 G1에 포함되는 샘플은 샘플군 G2에 포함되는 샘플보다 평균적으로 진폭이 크다. 이 때, 예를 들면, 샘플군 G1에 포함되는 샘플의 진폭의 크기 또는 그 추정값에 대응하는 기준에 따라 샘플군 G1에 포함되는 샘플을 가변 길이 부호화하고, 샘플군 G2에 포함되는 샘플의 진폭의 크기 또는 그 추정값에 대응하는 기준에 따라 샘플군 G2에 포함되는 샘플을 가변 길이 부호화한다. 이러한 구성으로 함으로써, 샘플열에 포함되는 모든 샘플을 동일한 기준에 따라 가변 길이 부호화하는 경우보다 샘플의 진폭의 추정 정밀도를 높일 수 있으므로, 가변 길이 부호의 평균 부호량을 적게 할 수 있다. 즉, 샘플군 G1과 샘플군 G2를 서로 상이한 기준에 따라 부호화하면, 재배열 조작 없이도 샘플열의 부호량을 적게 하는 효과가 얻어진다. 진폭의 크기의 예는 진폭의 절대값, 진폭의 에너지 등이다.[라이스 부호화의 예]가변 길이 부호화로서 1샘플마다의 라이스 부호화를 사용하는 예를 설명한다.이 경우, 부호화부(616b)는 샘플군 G1에 포함되는 샘플의 진폭의 크기 또는 그 추정값에 대응하는 라이스 파라미터를 사용하여 샘플군 G1에 포함되는 샘플을 1샘플마다 라이스 부호화한다. 또 부호화부(616b)는 샘플군 G2에 포함되는 샘플의 진폭의 크기 또는 그 추정값에 대응하는 라이스 파라미터를 사용하여 샘플군 G2에 포함되는 샘플을 1샘플마다 라이스 부호화한다. 부호화부(616b)는 라이스 부호화에 의해 얻어진 부호열과, 라이스 파라미터를 특정하기 위한 보조 정보를 출력한다.예를 들면, 부호화부(616b)는 각 프레임에서 샘플군 G1에 포함되는 샘플의 진폭의 크기의 평균으로부터, 당해 프레임에서의 샘플군 G1의 라이스 파라미터를 구한다. 예를 들면, 부호화부(616b)는 각 프레임에서 샘플군 G2에 포함되는 샘플의 진폭의 크기의 평균으로부터, 당해 프레임에서의 샘플군 G2의 라이스 파라미터를 구한다. 라이스 파라미터는 0 이상의 정수이다. 부호화부(616b)는 각 프레임에서, 샘플군 G1의 라이스 파라미터를 사용하여 샘플군 G1에 포함되는 샘플을 라이스 부호화하고, 샘플군 G2의 라이스 파라미터를 사용하여 샘플군 G2에 포함되는 샘플을 라이스 부호화한다. 이것에 의해 평균 부호량을 삭감할 수 있다. 이하에 이 것을 상세하게 설명한다.우선, 샘플군 G1에 포함되는 샘플을 1샘플마다 라이스 부호화하는 경우를 예로 든다.샘플군 G1에 포함되는 샘플 X(k)를 1샘플마다 라이스 부호화하여 얻어지는 부호는 샘플군 G1의 라이스 파라미터 s에 대응하는 값으로 샘플 X(k)을 제산하여 얻어지는 몫 q(k)을 알파 부호화한 prefix(k)와, 그 나머지를 특정하는 sub(k)를 포함한다. 즉, 이 예에서의 샘플 X(k)에 대응하는 부호는 prefix(k)와 sub(k)를 포함한다. 또한, 라이스 부호화 대상이 되는 샘플 X(k)는 정수 표현된 것이다.이하에 q(k) 및 sub(k)의 산출 방법을 예시한다.라이스 파라미터 s003e#0의 경우, 이하와 같이 몫 q(k)이 생성된다. 단, floor(χ)는 χ 이하의 최대의 정수이다.q(k)=floor(X(k)/2s-1)(for X(k)≥0)…(B1)q(k)=floor(-X(k)-1)/2s-1(for X(k)003c#0)…(B2)라이스 파라미터 s=0인 경우, 이하와 같이 몫 q(k)이 생성된다.q(k)=2X(k)(for X(k)≥0)…(B3)q(k)=-2X(k)-1(for X(k)003c#0)…(B4)라이스 파라미터 s003e#0인 경우, 이하와 같이 sub(k)이 생성된다.sub(k)=X(k)-2s-1q(k)+2s-1(for X(k)≥0)…(B5)sub(k)=(-X(k)-1)-2s-1q(k)(for X(k)003c#0)…(B6)라이스 파라미터 s=0인 경우, sub(k)은 null이다(sub(k)=null).식(B1)~(B4)을 공통화하여 몫 q(k)을 표현하면 이하와 같이 된다. 단, \|·\|는 ·의 절대값을 나타낸다.q(k)=floor(2\|X(k)\|-z)/2s(z=0 or 1 or 2)…(B7)라이스 부호화의 경우, prefix(k)는 몫 q(k)을 알파 부호화한 부호이며, 그 부호량은 식(B7)을 사용하여 이하와 같이 표현할 수 있다.floor(2\|X(k)\|-z)/2s+1…(B8)라이스 부호화의 경우, 식(B5) (B6)의 나머지를 특정하는 sub(k)는 s비트로 표현된다. 따라서, 샘플군 G1이 포함되는 샘플 X(k)에 대응하는 부호(prefix(k) 및 sub(k))의 총부호량 C(s, X(k), G1)은 이하와 같이 된다.여기서 floor(2\|X(k)\|-z)/2s=(2\|X(k)\|-z)/2s와 근사하면, 식(B9)은 이하와 같이 근사할 수 있다. 단, \|G1\|은 1프레임에서의 샘플군 G1에 포함되는 샘플 X(k)의 개수를 나타낸다.식(B10)의 s에 대한 편미분 결과를 0로 하는 s를 s'로 표현한다.s'=log2ln2(2D/\|G1\|-z)…(B11)D/\|G1\|이 z보다 충분히 크면, 식(B11)은 이하와 같이 근사할 수 있다.s'=log2ln2(2·D/\|G1\|)…(B12)식(B12)에서 얻어지는 s'는 정수화되어 있지 않기 때문에, s'를 정수에 양자화한 값을 라이스 파라미터 s로 한다. 이 라이스 파라미터 s는 샘플군 G1에 포함되는 샘플의 진폭의 크기의 평균 D/\|G1\|에 대응하고(식(B12) 참조), 샘플군 G1에 포함되는 샘플 X(k)에 대응하는 부호의 총부호량을 최소화한다.이상은 샘플군 G2에 포함되는 샘플을 라이스 부호화하는 경우에 대해서도 마찬가지이다. 따라서, 각 프레임에서, 샘플군 G1에 포함되는 샘플의 진폭의 크기의 평균으로부터 샘플군 G1을 위한 라이스 파라미터를 구하고, 샘플군 G2에 포함되는 샘플의 진폭의 크기의 평균으로부터 샘플군 G2를 위한 라이스 파라미터를 구하고, 샘플군 G1과 샘플군 G2를 구별하여 라이스 부호화를 행함으로써, 총부호량을 최소화할 수 있다.또한, 근사된 식(B10)에 의한 총부호량 C(s, X(k), G1)의 평가는 샘플 X(k)의 진폭의 크기의 변동이 작을수록 적절한 것이 된다. 그 때문에, 특히 샘플군 G1에 포함되는 샘플의 진폭의 크기가 대략 균등하며, 또한, 샘플군 G2에 포함되는 샘플의 진폭의 크기가 대략 균등한 경우에, 보다 큰 부호량 삭감 효과가 얻어진다.[라이스 파라미터를 특정하기 위한 보조 정보의 예 1]샘플군 G1에 대응하는 라이스 파라미터와 샘플군 G2에 대응하는 라이스 파라미터를 구별하여 취급하는 경우, 복호측에서는 샘플군 G1에 대응하는 라이스 파라미터를 특정하기 위한 보조 정보(제3 보조 정보)와, 샘플군 G2에 대응하는 라이스 파라미터를 특정하기 위한 보조 정보(제4 보조 정보)가 필요하게 된다. 그 때문에, 부호화부(616b)는 샘플열을 1샘플마다 라이스 부호화하여 얻어진 부호로 이루어지는 부호열에 더해, 제3 보조 정보 및 제4 보조 정보를 출력해도 된다.[라이스 파라미터를 특정하기 위한 보조 정보의 예 2]음향 신호가 부호화 대상인 경우, 샘플군 G1에 포함되는 샘플의 진폭의 크기의 평균은 샘플군 G2에 포함되는 샘플의 진폭의 크기의 평균보다 크고, 샘플군 G1에 대응하는 라이스 파라미터가 샘플군 G2에 대응하는 라이스 파라미터보다 크다. 이 점을 이용하여 라이스 파라미터를 특정하기 위한 보조 정보의 부호량을 삭감할 수도 있다.예를 들면, 샘플군 G1에 대응하는 라이스 파라미터가 샘플군 G2에 대응하는 라이스 파라미터보다 고정적으로 고정값(예를 들면 1)만큼 크다고 정한다. 즉, 고정적으로 「샘플군 G1에 대응하는 라이스 파라미터=샘플군 G2에 대응하는 라이스 파라미터+고정값」의 관계를 만족한다고 한다. 이 경우, 부호화부(616b)는 부호열에 더해, 제3 보조 정보 또는 제4 보조 정보의 어느 한쪽만을 출력하면 된다.[라이스 파라미터를 특정하기 위한 보조 정보의 예 3]단독으로 샘플군 G1에 대응하는 라이스 파라미터를 특정할 수 있는 정보를 제5 보조 정보로 하고, 샘플군 G1에 대응하는 라이스 파라미터와 샘플군 G2에 대응하는 라이스 파라미터의 차분을 특정할 수 있는 정보를 제6 보조 정보로 해도 된다. 반대로, 단독으로 샘플군 G2에 대응하는 라이스 파라미터를 특정할 수 있는 정보를 제6 보조 정보로 하고, 샘플군 G1에 대응하는 라이스 파라미터와 샘플군 G2에 대응하는 라이스 파라미터의 차분을 특정할 수 있는 정보를 제5 보조 정보로 해도 된다. 또한, 샘플군 G1에 대응하는 라이스 파라미터가 샘플군 G2에 대응하는 라이스 파라미터보다 큰 것을 알고 있기 때문에, 샘플군 G1에 대응하는 라이스 파라미터와 샘플군 G2에 대응하는 라이스 파라미터의 대소관계를 나타내는 보조 정보(정부(正負)를 나타내는 정보 등)는 불필요하다.[라이스 파라미터를 특정하기 위한 보조 정보의 예 4]프레임 전체에 할당되는 부호 비트수가 정해져 있는 경우에는, 스텝 S113c에서 구해지는 이득의 값도 상당히 제약되고, 샘플의 진폭이 취할 수 있는 범위도 크게 제약된다. 이 경우, 프레임 전체에 할당되는 부호 비트수로부터 샘플의 진폭의 크기의 평균을 어느 정도의 정밀도로 추정할 수 있다. 부호화부(616b)는 당해 샘플의 진폭의 크기의 평균의 추정값으로부터 추정되는 라이스 파라미터를 사용하여 라이스 부호화를 행해도 된다.예를 들면, 부호화부(616b)는 당해 추정되는 라이스 파라미터에 제1 차분값(예를 들면 1)을 더한 것을 샘플군 G1에 대응하는 라이스 파라미터로서 사용하고, 당해 추정되는 라이스 파라미터를 샘플군 G2에 대응하는 라이스 파라미터로서 사용해도 된다. 또는, 부호화부(616b)는 당해 추정되는 라이스 파라미터를 샘플군 G1에 대응하는 라이스 파라미터로서 사용하고, 당해 추정되는 라이스 파라미터로부터 제2 차분값(예를 들면 1)을 감한 것을 샘플군 G2에 대응하는 라이스 파라미터로서 사용해도 된다.이들 경우의 부호화부(616b)는 예를 들면 부호열에 더해, 제1 차분값을 특정하기 위한 보조 정보(제7 보조 정보) 또는 제2 차분값을 특정하기 위한 보조 정보(제8 보조 정보)를 출력하면 된다.[라이스 파라미터를 특정하기 위한 보조 정보의 예 5]샘플군 G1에 포함되는 샘플의 진폭의 크기가 균등하지 않은 경우나, 샘플군 G2에 포함되는 샘플의 진폭의 크기가 균등하지 않은 경우에도, 샘플열 X(1),...,X(N)의 진폭의 포락 정보에 의존하여, 부호량 삭감 효과가 보다 큰 라이스 파라미터를 추정할 수도 있다. 예를 들면, 샘플의 진폭의 크기가 고역일수록 큰 경우에는, 샘플군 G1에 포함되는 샘플 중 고역측의 샘플에 대응하는 라이스 파라미터를 고정적으로 증가시키고, 샘플군 G2에 포함되는 샘플 중 고역측의 샘플에 대응하는 라이스 파라미터를 고정적으로 증가시킴으로써, 부호량을 보다 삭감할 수 있다. 이하에 구체예를 나타낸다.단, s1 및 s2는 [라이스 파라미터를 특정하기 위한 보조 정보의 예 1~4]에서 예시한 샘플군 G1 및 G2에 각각 대응하는 라이스 파라미터이다. const.1 내지 const.10은 미리 정해진 정의 정수이다. 이 예의 경우, 부호화부(616b)는 부호열 및 라이스 파라미터의 예 2, 3에서 예시한 보조 정보에 더해, 포락 정보를 특정하는 보조 정보(제9 보조 정보)를 출력하면 된다. 포락 정보가 복호측에 이미 알려진 경우에는, 부호화부(616b)는 제9 보조 정보를 출력하지 않아도 된다.「주파수 영역 피치 주기 고려 복호부(623)」주파수 영역 피치 주기 고려 복호부(623)는 복호부(623a)를 구비하고, 주파수 영역 피치 주기 T에 기초하는 복호 방법으로 부호열을 복호하여 주파수 영역의 샘플열을 얻어 출력한다.「복호부(623a)」복호부(623a)는 주파수 영역의 샘플열을, 주파수 영역의 샘플열 중 주파수 영역 피치 주기 T에 대응하는 샘플을 포함하는 하나 또는 연속하는 복수의 샘플 및 주파수 영역의 샘플열 중 주파수 영역 피치 주기 T의 정수배에 대응하는 샘플을 포함하는 하나 또는 연속하는 복수의 샘플의 전부 또는 일부의 샘플에 의한 샘플군 G1과, 주파수 영역의 샘플열 중 샘플군 G1에 포함되지 않는 샘플에 의한 샘플군 G2를 상이한 기준에 따른(구별된) 복호 처리에 의해 부호열을 복호함으로써 얻어 출력한다.[부호군 C1, C2와 샘플군 G1, G2의 구체예]복호부(623a)는 입력된 주파수 영역 피치 주기 T에 의해(제1 보조 정보가 입력되는 경우에는 주파수 영역 피치 주기 T와 제1 보조 정보에 의해), 프레임마다, 입력된 부호열에 포함되는 부호군 C1 및 C2 및 각각의 부호군이 대응하는 샘플군 G1 및 G2에 포함되는 샘플 번호를 특정하고, 부호군 C1 및 C2를 복호하여 얻어지는 샘플값군을 각 부호가 대응하는 샘플 번호에 할당함으로써 샘플군 G1 및 G2를 얻음으로써 주파수 영역의 샘플열을 얻는다. 부호군 C1은 부호열 중 샘플군 G1에 포함되는 샘플에 대응하는 부호로 이루어지고, 부호군 C2는 부호열 중 샘플군 G2에 포함되는 샘플에 대응하는 부호로 이루어진다. 복호부(623a)에서의 부호군 C1 및 C2의 특정 방법은 부호화부(616b)에서의 샘플군 G1 및 G2의 설정 방법에 대응하고, 예를 들면, 상기 서술한 샘플군 G1 및 G2의 설정 방법에서의 「샘플」을 「부호」로, 「F(j)」를 「C(j)」로, 「샘플군 G1」을 「부호군 C1」로, 「샘플군 G2」를 「부호군 C2」로 치환한 것이다. 단, C(j)는 샘플 F(j)에 대응하는 부호이다.예를 들면, 부호화부(616b)에 입력된 샘플열 중, 주파수 영역 피치 주기 T의 정수배에 대응하는 샘플 F(nT)의 전후의 샘플 F(nT-1), F(nT+1)을 포함한 3개의 샘플 F(nT-1), F(nT), F(nT+1)에 의한 군이 샘플군 G1으로 되어 있는 경우, 복호부(623a)는 입력된 부호열 C(1),…,C(jmax) 중, 주파수 영역 피치 주기 T의 정수배에 대응하는 샘플 번호 nT의 전후의 샘플 번호 nT-1, nT+1을 포함한 3개의 샘플 번호에 대응하는 부호 C(nT-1), C(nT), C(nT+1)에 의한 군을 부호군 C1으로 하고, 부호군 C1에 포함되지 않는 부호로 이루어지는 군을 부호군 C2로 하고, 부호군 C1에 포함되는 부호 C(nT-1), C(nT), C(nT+1)을 각각 복호하여 샘플 번호 nT-1의 샘플 F(nT-1), 샘플 번호 nT의 샘플 F(nT), 샘플 번호 nT+1의 샘플 F(nT+1)를 얻고, 부호군 C2에 포함되는 부호를 복호하여 샘플 번호 nT-1, nT, nT+1 이외의 샘플 번호의 샘플을 얻는다. 예를 들면, n이 1 내지 5까지의 각 정수를 나타내는 경우, 제1 부호군 C(T-1), C(T), C(T+1), 제2 부호군 C(2T-1), C(2T), C(2T+1), 제3 부호군 C(3T-1), C(3T), C(3T+1), 제4 부호군 C(4T-1), C(4T), C(4T+1), 제5 부호군 C(5T-1), C(5T), C(5T+1)로 이루어지는 군이 부호군 C1이며, 제1 부호 세트 C(1),…,C(T-2), 제2 부호 세트 C(T+2),…,C(2T-2), 제3 부호 세트 C(2T+2),…,C(3T-2), 제4 부호 세트 C(3T+2),…,C(4T-2), 제5 부호 세트 C(4T+2),…,C(5T-2), 제6 부호 세트 C(5T+2), …C(jmax)로 이루어지는 군이 부호군 C2이며, 이들 부호군과 부호 세트를 각각 복호하여, 제1 샘플군 F(T-1), F(T), F(T+1), 제2 샘플군 F(2T-1), F(2T), F(2T+1), 제3 샘플군 F(3T-1), F(3T), F(3T+1), 제4 샘플군 F(4T-1), F(4T), F(4T+1), 제5 샘플군 F(5T-1), F(5T), F(5T+1), 제1 샘플 세트 F(1),…,F(T-2), 제2 샘플 세트 F(T+2),…,F(2T-2), 제3 샘플 세트 F(2T+2),…,F(3T-2), 제4 샘플 세트 F(3T+2),…,F(4T-2), 제5 샘플 세트 F(4T+2),…,F(5T-2), 제6 샘플 세트 F(5T+2),…F(jmax)를 얻음으로써, 주파수 영역의 샘플열을 얻는다.[상이한 기준에 따른 복호의 예]복호부(623a)는 부호군 C1과 부호군 C2를 서로 상이한 기준에 따라 복호하고, 그것에 의해 주파수 영역의 샘플열을 얻어 출력한다. 예를 들면, 복호부(623a)는 부호군 C1에 대응하는 샘플군 G1에 포함되는 샘플의 진폭의 크기 또는 그 추정값에 대응하는 기준에 따라 부호군 C1에 포함되는 부호를 복호하고, 부호군 C2에 대응하는 샘플군 G2에 포함되는 샘플의 진폭의 크기 또는 그 추정값에 대응하는 기준에 따라 부호군 C2에 포함되는 부호를 복호한다.[라이스 부호화의 예]1샘플마다의 라이스 부호화에 의해 부호열이 얻어지고 있는 경우를 예시한다.이 경우, 복호부(623a)는 프레임마다, 입력된 보조 정보(제1~9 보조 정보의 적어도 일부)로부터 특정되는 샘플군 G1에 대응하는 라이스 파라미터를 부호군 C1에 대응하는 라이스 파라미터로 하고, 샘플군 G2에 대응하는 라이스 파라미터를 부호군 C2에 대응하는 라이스 파라미터로 한다. 이하에 상기 서술한 [라이스 파라미터를 특정하기 위한 보조 정보의 예 1~5]에 대응하는 라이스 파라미터의 특정 방법을 예시한다.[라이스 파라미터를 특정하기 위한 보조 정보의 예 1의 경우]예를 들면, 제3 보조 정보 및 제4 보조 정보가 입력된 복호부(623a)는 제3 보조 정보로부터 샘플군 G1에 대응하는 라이스 파라미터를 특정하고, 그것을 부호군 C1에 대응하는 라이스 파라미터로 하고, 제4 보조 정보로부터 샘플군 G2에 대응하는 라이스 파라미터를 특정하고, 그것을 부호군 C2에 대응하는 라이스 파라미터로 한다.[라이스 파라미터를 특정하기 위한 보조 정보의 예 2의 경우]예를 들면, 부호열 이외에 제4 보조 정보만이 입력된 복호부(623a)는 제4 보조 정보로부터 부호군 C2에 대응하는 라이스 파라미터를 특정하고, 부호군 C2에 대응하는 라이스 파라미터에 고정값(예를 들면 1)을 더한 것을 부호군 C1에 대응하는 라이스 파라미터로 한다. 또는, 부호열 이외에 제3 보조 정보만이 입력된 복호부(623a)는 제3 보조 정보로부터 부호군 C1에 대응하는 라이스 파라미터를 특정하고, 부호군 C1에 대응하는 라이스 파라미터로부터 고정값(예를 들면 1)을 감한 것을 부호군 C2에 대응하는 라이스 파라미터로 한다.[라이스 파라미터를 특정하기 위한 보조 정보의 예 3의 경우]예를 들면, 라이스 파라미터를 특정하는 제5 보조 정보 및 차분을 특정하는 제6 보조 정보가 입력된 복호부(623a)는 제5 보조 정보로부터 샘플군 G1에 대응하는 라이스 파라미터를 특정하고, 그것을 부호군 C1에 대응하는 라이스 파라미터로 한다. 또한, 부호군 C1에 대응하는 라이스 파라미터로부터, 제6 보조 정보로부터 특정한 차분을 감한 값을 부호군 C2에 대응하는 라이스 파라미터로 한다.예를 들면, 차분을 특정하는 제5 보조 정보 및 라이스 파라미터를 특정하는 제6 보조 정보가 입력된 복호부(623a)는 제6 보조 정보로부터 샘플군 G1에 대응하는 라이스 파라미터를 특정하고, 그것을 부호군 C1에 대응하는 라이스 파라미터로 한다. 또한, 부호군 C2에 대응하는 라이스 파라미터에 제5 보조 정보로부터 특정한 차분을 가산한 값을 부호군 C1에 대응하는 라이스 파라미터로 한다.[라이스 파라미터를 특정하기 위한 보조 정보의 예 4의 경우]예를 들면, 제7 보조 정보가 입력된 복호부(623a)는 프레임 전체에 할당되는 부호 비트수로부터 추정되는 라이스 파라미터를 부호군 C2에 대응하는 라이스 파라미터로 하고, 이것에 제7 보조 정보로부터 특정되는 제1 차분값을 가산한 것을 부호군 C1에 대응하는 라이스 파라미터로 한다.예를 들면, 제8 보조 정보가 입력된 복호부(623a)는 프레임 전체에 할당되는 부호 비트수로부터 추정되는 라이스 파라미터를 부호군 C1에 대응하는 라이스 파라미터로 하고, 이것으로부터 제8 보조 정보로부터 특정되는 제2 차분값을 감한 것을 부호군 C2에 대응하는 라이스 파라미터로 한다.[라이스 파라미터를 특정하기 위한 보조 정보의 예 5의 경우]예를 들면, 상기 서술한 라이스 파라미터를 특정하기 위한 보조 정보에 더해, 또한 제9 보조 정보가 입력된 복호부(623a)는 보조 정보 3~8의 적어도 일부를 사용하여 s1 및 s2를 특정하고, 제9 보조 정보에 기초하여 s1 및 s2를 상기 서술한 [표 1]과 같이 조정함으로써, 부호군 C1 및 C2에 각각 대응하는 라이스 파라미터를 얻는다.제9 보조 정보가 입력되지 않는 경우에도, 포락 정보가 이미 알려져 있고, 부호화부(616b)가 s1 및 s2를 상기 서술한 [표 1]과 같이 조정함으로써 샘플군 G1 및 G2에 각각 대응하는 라이스 파라미터를 얻고 있는 경우에는, 복호부(623a)는 s1 및 s2를 상기 서술한 [표 1]과 같이 조정함으로써, 부호군 C1 및 C2에 각각 대응하는 라이스 파라미터를 얻는다.상기 서술한 바와 같이 라이스 파라미터를 얻은 복호부(623a)는 프레임마다, 부호군 C1에 대응하는 라이스 파라미터를 사용하여 부호군 C1에 포함되는 부호를 복호하고, 부호군 C2에 대응하는 라이스 파라미터를 사용하여 부호군 C2에 포함되는 부호를 복호하고, 그것에 의해 원래의 샘플의 배열을 얻어 출력한다. 또한, 라이스 부호화에 대응하는 복호 처리는 주지이므로 설명을 생략한다.[제7 실시형태]제6 실시형태에서는, 부호화 장치(61)의 내부에 주파수 영역 피치 주기 고려 부호화부(616)가 구성되고, 복호 장치(62)의 내부에 주파수 영역 피치 주기 고려 복호부(623)가 구성되는 예를 나타냈다. 그러나, 부호화 장치(61)에 주파수 영역 피치 주기 고려 부호화부(616)를 포함하지 않는 구성으로 하고, 복호 장치(62)에 주파수 영역 피치 주기 고려 복호부(623)를 포함하지 않는 구성으로 해도 된다. 이것은 제1 실시형태, 제1 실시형태의 변형예, 제2 실시형태, 제3 실시형태, 제4 실시형태에 대한 제5 실시형태와 동일한 구성의 차이이므로, 상세한 설명은 생략한다.[제8 실시형태][부호화 장치(81)]도 14에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 부호화 장치(81)가 제5 실시형태의 부호화 장치(51)와 상이한 것은 부호화 장치(81)가 장기 예측 분석부(111)와 장기 예측 잔차 생성부(112)와 주파수 영역 샘플열 생성부(113)를 포함하지 않는다는 점이다. 이 경우는 부호화 장치(81)는 부호화 장치(81)의 외부로부터 시간 영역의 피치 주기 L과 시간 영역 피치 주기 부호 CL과 주파수 영역 샘플열이 입력되고, 주파수 영역 샘플열에 대한 주파수 영역 피치 주기를 특정하기 위한 부호를 얻는 부호화 장치로서 기능한다.부호화 장치(81)에 입력되는 시간 영역의 피치 주기 L과 시간 영역 피치 주기 부호 CL은, 예를 들면, 장기 예측 분석부(111)에서 계산되지만, 그 밖의 시간 영역 피치 주기 산출 수단을 사용하여 산출해도 된다.또, 부호화 장치(81)에 입력되는 주파수 영역 샘플열은 입력 디지털 음향 신호열을 주파수 영역의 N점으로 변환한 샘플열에 대응하는 샘플열이며, 예를 들면, 부호화 장치(81)의 외부의 주파수 영역 샘플열 생성부(113)에 있어서 계산되는 양자화 MDCT 계수열이어도 되고, 다른 주파수 영역 샘플열 생성 수단을 사용하여 생성된 주파수 영역 샘플열이어도 된다.부호화 장치(81)의 주기 환산부(814)에는 시간 영역의 피치 주기 L과 주파수 영역의 샘플점수 N이 입력되고, 환산 간격 T1을 구하여 출력한다. 환산 간격 T1을 구하는 처리는 주기 환산부(114)와 동일하다. 또한, 시간 영역의 피치 주기 L 대신에, 시간 영역의 피치 주기 L에 대응하는 시간 영역 피치 주기 부호 CL이 입력되어도 되고, 이 경우는 입력된 시간 영역 피치 주기 부호 CL에 대응하는 시간 영역 피치 주기 L을 구하고, 시간 영역 피치 주기 L로부터 환산 간격 T1을 구하여 출력한다.주파수 영역 피치 주기 분석부(815)에는 환산 간격 T1과 주파수 영역 샘플열이 입력된다. 주파수 영역 피치 주기 분석부(815)는 환산 간격 T1과 환산 간격 T1의 정수배의 값 U×T1(단, U는 미리 정한 제1 범위의 정수)을 포함하는 후보값으로부터, 주파수 영역 피치 주기를 결정하고, 주파수 영역 피치 주기를 특정하기 위한 부호를 얻어 출력한다. 주파수 영역 피치 주기를 결정하는 처리 및 주파수 영역 피치 주기를 특정하기 위한 부호를 얻는 처리는 주파수 영역 피치 주기 분석부(115, 115', 215, 315, 415)의 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우의 처리와 동일하다.또, 주기 환산부(814)와 주파수 영역 피치 주기 분석부(815)는 주기 환산부(114, 414)와 주파수 영역 피치 주기 분석부(115, 115', 215, 315, 415)와 마찬가지로, 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하는 것을 나타내는 경우와 장기 예측 선택 정보가 장기 예측을 실행하지 않는 것을 나타내는 경우에서 상이한 처리를 행하는 구성으로 해도 된다. 이 경우는 부호화 장치(81)의 외부의 장기 예측 분석부(111)에 있어서, 장기 예측 선택 정보도 부호화 장치(81)에 입력된다.[복호 장치(82)]도 15에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 복호 장치(82)가 제5 실시형태의 복호 장치(52)와 상이한 것은 복호 장치(82)가 장기 예측 정보 복호부(121)를 포함하지 않는다는 점이다. 이 경우는 복호 장치(82)는 복호 장치(82)의 외부의 장기 예측 정보 복호부(121)에 의해 얻은 시간 영역 피치 주기 L과, 입력되는 부호열에 포함되는 적어도 주파수 영역 피치 주기 부호와 시간 영역 피치 주기 부호로부터, 적어도 주파수 영역 피치 주기 T를 얻는 복호 장치로서 기능한다. 예를 들면, 부호열, 부호화 장치(81)로부터 출력된 주파수 영역 피치 주기 T(및 보조 정보가 입력된 경우에는 보조 정보)는 주파수 영역 피치 주기 고려 복호부(123)의 입력이 된다. 그 밖에는 제5 실시형태의 복호 장치(52)와 동일하다.[제9 실시형태][주파수 영역 피치 주기 분석 장치(91)]또, 제5 실시형태, 제7 실시형태, 제8 실시형태에서는, 부호화 장치(51, 81)에서 구한 주파수 영역 피치 주기 T를, 외부의 주파수 영역 피치 주기 고려 부호화부(116, 616)에서 주파수 영역의 샘플열의 부호화에 사용하는 것을 전제로 하여, 주파수 영역 피치 주기 T에 대응하는 주파수 영역 피치 주기 부호를 출력하고 있었다. 그러나, 주파수 영역 피치 주기 T를 부호화 이외의 목적으로 사용하는 것도 가능하며, 그 경우, 주파수 영역 피치 주기 T에 대응하는 주파수 영역 피치 주기 부호를 출력하지 않아도 된다. 부호화 이외의 목적으로서는 예를 들면 음성이나 악음의 분석, 복수의 음성이나 악음의 분리, 음성이나 악음의 인식 등이 생각된다.도 16에 나타내는 바와 같이, 제9 실시형태의 주파수 영역 피치 주기 분석 장치(91)가 제5 실시형태, 제7 실시형태, 제8 실시형태의 부호화 장치(51, 81)와 상이한 점은 주파수 영역 피치 주기 T에 대응하는 주파수 영역 피치 주기 부호를 출력하지 않는다는 점이다. 이 경우, 주파수 영역 피치 주기 분석 장치(91)는 외부로부터 입력된 시간 영역의 피치 주기 L로부터, 주파수 영역 샘플열에 대한 주파수 영역 피치 주기를 결정하는 주파수 영역 피치 주기 분석 장치로서 기능한다.제9 실시형태의 주기 환산부(914)에는 시간 영역의 피치 주기 L과 주파수 영역의 샘플점수 N이 입력되고, 환산 간격 T1을 구하여 출력한다. 환산 간격 T1을 구하는 처리는 주기 환산부(114)와 동일하다.주파수 영역 피치 주기 분석부(915)에는 환산 간격 T1과 주파수 영역 샘플열이 입력되고, 환산 간격 T1과 환산 간격 T1의 정수배의 값 U×T1(단, U는 미리 정한 제1 범위의 정수)을 포함하는 후보값으로부터, 주파수 영역 피치 주기를 결정하고, 결정한 주파수 영역 피치 주기를 출력한다.[기타]또한, 제1 실시형태, 제1 실시형태의 변형예, 제2 실시형태, 제3 실시형태, 제4 실시형태에서는, 주파수 영역 피치 주기 고려 부호화부로서 재배열 처리부(116a)와 부호화부(116b)에 의한 구성을 설명하고, 제6 실시형태에서는, 주파수 영역 피치 주기 고려 부호화부로서 부호화부(616b)에 의한 구성을 설명했지만, 어느 주파수 영역 피치 주기 고려 부호화부도 「주파수 영역 피치 주기 T에 기초하는 부호화 방법으로, 입력된 주파수 영역의 샘플열을 부호화하고, 그것에 의해 얻어진 부호열을 출력한다.」는 것이며, 보다 상세하게는 「주파수 영역의 샘플열 중 주파수 영역 피치 주기 T에 대응하는 샘플을 포함하는 하나 또는 연속하는 복수의 샘플 및 주파수 영역의 샘플열 중 주파수 영역 피치 주기 T의 정수배에 대응하는 샘플을 포함하는 하나 또는 연속하는 복수의 샘플의 전부 또는 일부의 샘플에 의한 샘플군(G1)과, 주파수 영역의 샘플열 중 샘플군 G1에 포함되지 않는 샘플에 의한 샘플군을 상이한 기준에 따라(구별하여) 부호화하고, 그것에 의해 얻어진 부호열을 출력한다.」는 것이다.복호 장치에 대해서도 마찬가지이며, 제1 실시형태, 제1 실시형태의 변형예, 제2 실시형태, 제3 실시형태, 제4 실시형태의 주파수 영역 피치 주기 고려 복호부와, 제6 실시형태의 주파수 영역 피치 주기 고려 복호부는 「주파수 영역 피치 주기 T에 기초하는 복호 방법으로, 입력된 부호열을 복호하여 주파수 영역의 샘플열을 출력한다.」는 것이며, 보다 상세하게는 「입력된 부호열로부터, 주파수 영역의 샘플열 중 주파수 영역 피치 주기 T에 대응하는 샘플을 포함하는 하나 또는 연속하는 복수의 샘플 및 주파수 영역의 샘플열 중 주파수 영역 피치 주기 T의 정수배에 대응하는 샘플을 포함하는 하나 또는 연속하는 복수의 샘플의 전부 또는 일부의 샘플에 의한 샘플군과, 주파수 영역의 샘플열 중 샘플군 G1에 포함되지 않는 샘플에 의한 샘플군을 상이한 기준에 따라(구별하여) 복호하여 주파수 영역의 샘플열을 얻어 출력한다.」는 것이다.003c#부호화 장치/복호 장치의 하드웨어 구성예003e#상기 서술한 실시형태에 따른 부호화 장치/복호 장치는 키보드 등이 접속 가능한 입력부, 액정 디스플레이 등이 접속 가능한 출력부, CPU(Central Processing Unit) 〔캐시 메모리 등을 구비하고 있어도 된다.〕, 메모리인 RAM(Random Access Memory)이나 ROM(Read Only Memory), 하드디스크인 외부 기억 장치 및 이들의 입력부, 출력부, CPU, RAM, ROM, 외부 기억 장치간의 데이터의 주고받음이 가능하도록 접속되는 버스 등을 구비하고 있다. 또 필요에 따라 부호화 장치/복호 장치에, CD-ROM 등의 기억 매체를 읽고 쓸 수 있는 장치(드라이브) 등을 설치해도 된다.부호화 장치/복호 장치의 외부 기억 장치에는 부호화/복호를 실행하기 위한 프로그램 및 이 프로그램의 처리에 있어서 필요하게 되는 데이터 등이 기억되어 있다〔외부 기억 장치에 한정되지 않고, 예를 들면 프로그램을 판독 전용 기억 장치인 ROM에 기억시켜 두거나 해도 된다.〕. 또, 이들 프로그램의 처리에 의해 얻어지는 데이터 등은 RAM이나 외부 기억 장치 등에 적시에 기억된다. 이하, 데이터나 그 격납 영역의 어드레스 등을 기억하는 기억 장치를 간단히 「기억부」라고 부르기로 한다.부호화 장치의 기억부에는 음성 음향 신호에 유래하는 주파수 영역의 샘플열의 재배열을 행하기 위한 프로그램, 재배열에서 얻어진 샘플열의 부호화를 위한 프로그램 등이 기억되어 있다.복호 장치의 기억부에는 입력된 부호열을 복호하기 위한 프로그램, 복호로 얻어진 샘플열을 부호화 장치로 재배열이 행해지기 전의 샘플열로 회복하기 위한 프로그램 등이 기억되어 있다.부호화 장치에서는 기억부에 기억된 각 프로그램과 이 각 프로그램의 처리에 필요한 데이터가 필요에 따라 RAM에 읽혀, CPU에서 해석 실행·처리된다. 이 결과, CPU가 소정의 기능(재배열 처리부, 부호화부 등)을 실현함으로써 부호화가 실현된다.복호 장치에서는 기억부에 기억된 각 프로그램과 이 각 프로그램의 처리에 필요한 데이터가 필요에 따라 RAM에 읽혀, CPU에서 해석 실행·처리된다. 이 결과, CPU가 소정의 기능(복호부, 회복부 등)을 실현함으로써 복호가 실현된다.003c#보기003e#본 발명은 상기 서술한 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 적당히 변경이 가능하다. 또, 상기 실시형태에 있어서 설명한 처리는 기재의 순서에 따라 시계열로 실행될 뿐만 아니라, 처리를 실행하는 장치의 처리 능력 또는 필요에 따라 병렬적으로 또는 개별로 실행되는 것으로 해도 된다. 예를 들면, 상기 서술한 복호 처리에 있어서, 장기 예측 정보 복호부(121)에 의한 처리와 복호부(123a, 523a)에 의한 처리는 병렬로 실행할 수 있다.또, 상기 실시형태에 있어서 설명한 하드웨어 엔티티(부호화 장치/복호 장치)에 있어서의 처리 기능을 컴퓨터에 의해 실현하는 경우, 하드웨어 엔티티가 가져야 할 기능의 처리 내용은 프로그램에 의해 기술된다. 그리고, 이 프로그램을 컴퓨터로 실행함으로써, 상기 하드웨어 엔티티에 있어서의 처리 기능이 컴퓨터 상에서 실현된다.이 처리 내용을 기술한 프로그램은 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체에 기록해 둘 수 있다. 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체의 예는 비일시적인(non-transitory) 기록 매체이다. 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체로서는 예를 들면 자기 기록 장치, 광디스크, 광자기 기록 매체, 반도체 메모리 등 어떠한 것이어도 된다. 구체적으로는, 예를 들면, 자기 기록 장치로서 하드디스크 장치, 플렉서블 디스크, 자기 테이프 등을, 광디스크로서 DVD(Digital Versatile Disc), DVD-RAM(Random Access Memory), CD-ROM(Compact Disc Read Only Memory), CD-R (Recordable)/RW(ReWritable) 등을, 광자기 기록 매체로서 MO(Magneto-Optical disc) 등을 반도체 메모리로서 EEP-ROM(Electronically Erasable and Programmable-Read Only Memory) 등을 사용할 수 있다.또, 이 프로그램의 유통은 예를 들면 그 프로그램을 기록한 DVD, CD-ROM 등의 가반형 기록매체를 판매, 양도, 대여하거나 함으로써 행한다. 또한, 이 프로그램을 서버 컴퓨터 기억 장치에 격납해 두고, 네트워크를 통하여 서버 컴퓨터로부터 다른 컴퓨터에 그 프로그램을 전송함으로써, 이 프로그램을 유통시키는 구성으로 해도 된다.이러한 프로그램을 실행하는 컴퓨터는, 예를 들면, 우선, 가반형 기록 매체에 기록된 프로그램 혹은 서버 컴퓨터로부터 전송된 프로그램을, 일단 자기의 기억 장치에 격납한다. 그리고, 처리의 실행시, 이 컴퓨터는 자기의 기록 매체에 격납된 프로그램을 판독하고, 판독한 프로그램에 따른 처리를 실행한다. 또, 이 프로그램의 다른 실행 형태로서, 컴퓨터가 가반형 기록 매체로부터 직접 프로그램을 판독하고, 그 프로그램에 따른 처리를 실행하는 것으로 해도 되고, 또한, 이 컴퓨터에 서버 컴퓨터로부터 프로그램이 전송될 때마다, 차례로 수취한 프로그램에 따른 처리를 실행하는 것으로 해도 된다. 또, 서버 컴퓨터로부터, 이 컴퓨터로의 프로그램의 전송은 행하지 않고, 그 실행 지시와 결과 취득만에 의해 처리 기능을 실현하는 소위 ASP(Application Service Provider)형의 서비스에 의해, 상기 서술한 처리를 실행하는 구성으로 해도 된다. 또한, 본 형태에 있어서의 프로그램에는 전자 계산기에 의한 처리의 용도에 제공하는 정보로서 프로그램에 준하는 것(컴퓨터에 대한 직접의 지령은 아니지만 컴퓨터의 처리를 규정하는 성질을 가지는 데이터 등)을 포함하는 것으로 한다.또, 이 형태에서는 컴퓨터상에서 소정의 프로그램을 실행시킴으로써 하드웨어 엔티티를 구성하는 것으로 했지만, 이들 처리 내용의 적어도 일부를 하드웨어적으로 실현하는 것으로 해도 된다. [ 부호의 설명 ] 11, 21, 31, 41, 51, 61, 81 : 부호화 장치 12, 22, 32, 42, 52, 62, 82 : 복호 장치91 : 주파수 영역 피치 주기 분석 장치111, 411 : 장기 예측 분석부 112, 412 : 장기 예측 잔차 생성부113 : 주파수 영역 샘플열 생성부 113a, 413a : 주파수 영역 변환부113b : 가중 포락 정규화부 113c : 정규화 이득 계산부113d : 양자화부 114, 414, 914 : 주기 환산부115, 215, 315, 415, 915 : 주파수 영역 피치 주기 분석부 116, 616 :주파수 영역 피치 주기 고려 부호화부 116a : 재배열 처리부116b, 616b : 부호화부121, 421 : 장기 예측 정보 복호부122, 222, 422 : 주기 환산부 123, 623 : 주파수 영역 피치 주기 고려 복호부123a, 623a : 복호부123b : 회복부124 : 시간 영역 신호열 생성부 124a : 이득 승산부124b : 가중 포락 역정규화부124c : 시간 영역 변환부 125, 425 : 장기 예측 합성부	소정의 시간 구간의 음향 신호의 시간 영역 피치 주기 부호에 시간 영역의 피치 주기 L이 대응하고, 시간 영역의 피치 주기 L에 대응하는 주파수 영역의 샘플 간격을 환산 간격 T1으로서 얻고, 환산 간격 T1 및 환산 간격 T1의 정수배의 값 U×T1을 포함하는 후보값 중에서 주파수 영역 피치 주기 T를 결정하고, 주파수 영역 피치 주기 T가 환산 간격 T1의 몇배인지를 나타내는 주파수 영역 피치 주기 부호를 얻는다. 주파수 영역 피치 주기 부호는 복호측에서 주파수 영역 피치 주기 T를 특정할 수 있도록 출력된다.
[ 발명의 명칭 ] 사운드 스테이지 강화를 위한 장치 및 방법APPARATUS AND METHOD FOR SOUND STAGE ENHANCEMENT [ 기술분야 ] 본 출원은 2013년 12월 13일에 출원된 미국 가 특허 출원 일련 번호 61/916,009 및 2014년 4월 22일에 출원된 미국 가 특허 출원 일련 번호 61/982,778에 대한 우선권을 주장하고, 상기 특허 출원의 내용들은 인용에 의해 본원에 포함된다.본 발명은 일반적으로 디지털 오디오 신호들의 프로세싱에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 사운드 스테이지 강화(sound stage enhancement)를 위한 기술들에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 사운드 스테이지는 스테레오 장면의 좌측 제한과 우측 제한 사이에서 감지된 거리이다. 스테레오 이미지는 사운드 스테이지를 점유하기 위하여 나타나는 팬텀 이미지(phantom image)들을 포함한다. 우수한 스테레오 이미지는 자연스러운 청취 환경을 전달하기 위하여 요구된다. 편평하고 좁은 스테레오 이미지는 모든 사운드가 하나의 방향으로부터 나오는 것으로 인지되게 하고 그러므로 사운드가 모노포닉(monophonic)을 나타낸다.고객 전자 디바이스들(예컨대, 데스크 톱 컴퓨터들, 랩톱 컴퓨터, 테블릿들, 착용가능 컴퓨터들, 게임 콘솔들, 텔레비전들 등)은 공통적으로 스피커들을 포함한다. 바람직하지 않게, 공간 제한들은 빈약한 사운드 스테이지 성능을 초래한다. 머리 전달 함수(HRTF: Head-Related Transfer Function)를 사용하여 이 문제를 처리하기 위한 시도들이 있어왔다. HRTF들은 가상 서라운드 사운드 스피커들을 생성하기 위하여 사용된다. 바람직하지 않게, HRTF들은 하나의 개인의 귀들 및 신체 형상에 기초한다. 그러므로, 임의의 다른 귀는 품질 저하된 사운드 로컬리제이션(localization)으로 공간 왜곡을 경험할 수 있다.따라서, 합성되거나 측정된 HRTF들에 따르지 않고 고객 디바이스들에서 강화된 사운드 스테이지 성능을 얻는 것이 바람직할 것이다. [ 발명의 개요 ] 프로세서에 의해 실행 가능한 명령들을 가지는 비-일시적 컴퓨터 판독가능한 저장 매체는 디지털 오디오 입력 신호의 우측 채널과 좌측 채널 내에서 센터(center) 컴포넌트, 사이드 컴포넌트 및 앰비언트(ambient) 컴포넌트를 식별한다. 공간 비율은 센터 컴포넌트 및 사이드 컴포넌트로부터 결정된다. 디지털 오디오 입력 신호는 프리-프로세싱(pre-process)된 신호를 형성하기 위한 공간 비율에 기초하여 조절된다. 반복 혼선 소거(recursive crosstalk cancellation) 프로세싱은 혼성 소거 신호를 형성하기 위하여 프리-프로세싱 신호에 대해 수행된다. 혼선 소거 신호의 센터 컴포넌트는 디지털 오디오 출력을 생성하기 위하여 포스트-프로세싱(post-processing) 동작에서 재정렬된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 발명은 첨부 도면들과 함께 취해진 다음 상세한 설명과 관련하여 보다 완전히 인식된다.도 1은 본 발명의 실시예에 따라 구성된 고객 전자 디바이스를 예시한다.도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 신호 프로세싱을 예시한다.도 3은 본 발명의 실시예에 따라 구성된 사운드 강화 모듈을 예시한다.도 4는 사운드 강화 모듈의 프리-프로세싱 스테이지와 연관된 프로세싱 동작들을 예시한다.도 5는 사운드 강화 모듈의 포스트-프로세싱 스테이지와 연관된 프로세싱 동작들을 예시한다.동일한 참조 번호들은 도면들 중 몇몇 도면들에 걸쳐 대응하는 부분들을 지칭한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1은 본 발명의 실시예에 따라 구성된 디지털 고객 전자 디바이스(100)를 예시한다. 디바이스(100)는 버스(114)를 통하여 연결된 중앙 프로세싱 유닛(110) 및 입력/출력 디바이스들(112) 같은 표준 컴포넌트들을 포함한다. 입력/출력 디바이스들(112)은 키보드, 마우스, 터치 디스플레이, 스피커들 등을 포함할 수 있다. 네트워크 인터페이스 회로(116)는 또한 네트워크(도시되지 않음)에 연결성을 제공하기 위하여 버스(114)에 연결된다. 네트워크는 유선 및 무선 네트워크들의 임의의 결합일 수 있다.메모리(120)는 또한 버스(114)에 연결된다. 메모리(120)는 오디오 소스 신호들을 포함하는 하나 또는 그 초과의 오디오 소스 파일들(122)을 포함한다. 메모리(120)는 또한 하기 논의된 바와 같이, 본 발명의 동작들을 구현하기 위하여 중앙 프로세싱 유닛(110)에 의해 실행되는 명령들을 포함하는 사운드 강화 모듈(124)을 저장한다. 사운드 강화 모듈(124)은 또한 네트워크 인터페이스 회로(116)를 통해 수신된 스트리밍 오디오 신호를 프로세싱할 수 있다.도 2는, 사운드 강화 모듈(124)이 오디오 소스 파일들(122)(예컨대, 스테레오 소스 파일들)을 수신할 수 있다는 것을 예시한다. 사운드 강화 모듈(124)은 강화된 오디오 출력(126)(예컨대, 강한 센터 스테이지 및 사이드 컴포넌트들을 가지는 강화된 스테레오 사운드)을 생성하기 위하여 오디오 소스 파일들을 프로세싱한다.도 3은 사운드 강화 모듈(124)의 실시예를 예시한다. 이 경우, 입력은 좌측(Left)(L) 및 우측(Right)(R) 스테레오 채널들이다. 프리-프로세싱 스테이지(300)는 공간 단서(spatial cue)들을 분석하고 계산된 공간 비율에 기초하여 입력을 조절한다. 다음 스테이지(302)는 하기 논의되는 바와 같이, 반복 혼선 소거를 수행한다. 최종적으로, 포스트 프로세싱 스테이지(304)는 하기 논의되는 바와 같이, 센터 스테이지 프로세싱, 등화 및 레벨 제어를 수행한다.도 4는 프리-프로세싱 스테이지(300)와 연관된 프로세싱 동작들을 예시한다. 프리-프로세싱 스테이지에서, 입력 사운드는 분석되고 다중-스케일(multi-scale) 피처(feature)들의 세트는, 청취자가 재생된 사운드의 정보를 명확하게 인지 및 디코딩하도록, 센터럴 청각 시스템에 정보 프로세싱 스테이지들을 피팅(fit)하도록 다시 부가된다. 일 실시예에서, 공간 단서들은 합산 신호(402), 차이 신호(404) 및 스펙트럼 정보(406)의 형태로 분석된다(400). 도 3에 예시된 바와 같이, 합산 및 차이는 좌측 및 우측 입력들로부터 계산된다. 2개의 채널들의 합산은 좌측 및 우측 채널들에서 상관된 컴포넌트, 또는 중간 신호를 표현한다. 합산 신호(306)는 팬텀 센터에서 종종 영화의 대화, 또는 음악의 목소리를 나타내는 신호를 드러낸다. 2개의 채널들(308)의 차이는 하드-패닝(hard-pan)된 사운드, 또는 사이드 신호이다. 차이 신호는 2개의 스피커들 중 단지 하나에 또는 하나 쪽으로만 나타나는 신호를 결정한다. 차이 신호는 종종 사이드들을 나타내는 컴포넌트에 의한 특정 사운드 효과이다. 스펙트럼은 스펙트럼 정보를 위하여 분석된다. 이것은, 센터 및 하드-패닝된 사운드가 오디오 파일 또는 스트림을 적절히 설명할 수 없기 때문에 행해진다. 예컨대, 군중 사운드는 매우 랜덤하고; 이는 센터 및 사이드에서, 또는 사이드 단독에 있을 수 있다. 스펙트럼을 분석함으로써, 합/차이 단계들에 의해 태깅(tag)된 특정 신호가 메인 컴포넌트인지(예컨대, 대화, 특정 사운드 효과) 또는 보다 앰비언스 사운드인지를 결정할 수 있다. 주파수 도메인에서, 앰비언스 사운드는 넓은 대역 사운드로서 나타나는 반면, 사운드 효과들 또는 대화들은 엔벨로프(envelope) 스펙트럼들로서 나타난다.다음 프로세싱 동작은 센터 및 앰비언스 정보(408)로부터 공간 비율을 결정하는 것이다. "공간 비율"(r)은 센터 이미지와 앰비언스 사운드 사이의 에너지 분포를 나타내기 위하여 추정된다. 스테레오 입력들은 먼저 혼합 블록(310)으로 전송되는 반면, 좌측 채널은 하기에 의해 계산되고여기서 LT 및 HT는 허용 가능한 공간 비율에 대한 낮은 임계치 및 높은 임계치이다. 양쪽 α 및 β는 r에 기초하는 스칼라(scalar) 조절 팩터들이다. 더 구체적으로 말하면, α 및 β는 r로부터 픽싱된 선형 변환을 통해 계산되고, 따라서 모든 항들은 서로 관련된다. G는 결과적 채널의 진폭이 그 입력과 동일하다는 것을 보장하는 포지티브 이득 팩터이다. 우측 채널에 대해 계산들은 동일하다.공간 비율은 3개의 분석 블록들(합산/차이/스펙트럼 정보)에 의해 태깅된 센터 및/또는 사이드 컴포넌트의 양을 표현하기 위하여 계산된다. 이는 경로(314)에서 도시된 바와 같이, 다음 프리-프로세싱 단계(혼합 블록(312))에서 및 또한 포스트-프로세싱 스테이지에서의 혼합에 사용된다. LT 및 HT는 자신의 상이한 성질들을 최적화하기 위하여 음악, 필름들, 또는 게임들 같은 개별 콘텐츠에 기초하여 최적화될 수 있는 미리 설정된 인지 파라미터들이다. 임계치는 콘텐츠 타입에 기초하여 조절된다. 일반적으로, 0.1과 0.3 사이의 임의의 임계 값은 합리적이다. 시스템들은 태깅된 피처들에 기초하여 콘텐츠 타입을 추측한다. 예컨대, 영화는 강한 센터, 무거운 앰비언스, 및 동적 사운드 효과들을 가진다. 대조하여, 음악은 약간의 앰비언스 태그들을 가지며 상이한 사운드 소스들 사이에서 스펙트럼-시간 콘텐츠이 거의 중첩하지 않는다.인지 파라미터는 사운드 같은 감각 경험에 기초한다. 개시된 인지 기반 기술은 복구된 로컬리제이션 단서들을 픽업(pick up)하기 위하여 디코더로서 동작할 인간 뇌에 따른다. 인지 임계치는 인간 뇌/청각 시스템에 의해 프로세싱되는 정보만을 고려한다. 로컬리제이션 단서들은, 인간 청각 시스템이 오디오 신호를 효과적으로 인식 및 디코딩할 수 있도록 스테레오 디지털 오디오 신호로부터 복구된다. 따라서, 인지적 연속 사운드 스케이프(scape)는 가상 스피커를 생성함이 없이 재구성될 수 있다. 개시된 기술들은 인지 공간에서 사운드를 재구성한다. 즉, 개시된 기술들은 무의식적 인식 프로세스가 인간 청각 시스템에서 디코딩할 정보를 제시한다.도 4의 다음 프로세싱 동작은 로컬리제이션-중요 정보(즉, 뇌가 사운드를 로컬화하는 것에 따른 정보)를 얻기 위하여 공간 비율(410)에 기초하여 입력 신호를 조절하는 것이다. 앰비언스 사운드는 조절되어 시간에 걸쳐 코히어런트(coherent)하고 메인 대상들(대화, 사운드 효과)과 일관성 있게 동작한다. 앰비언스 사운드는 또한 인식 센트럴이 환경을 이해하기 위하여 중요하다. 그 다음, 입력 신호의 상이한 부분들은 공간 비율, 자신의 태그들의 수 및 콘텐츠 타입에 따라 조절된다. 명확한 센터 이미지를 가지기 위하여, 일 실시예는 센터 최저치를 -10.5 dB의 앰비언스 비율로 설정한다.혼합 블록(312)은 계산된 공간 비율 및 선택된 인지 임계치들의 비교에 기초하여 센터 이미지 및 앰비언스 사운드를 밸런싱(balance)한다. 임계치들은 센터 사운드 또는 사이드 사운드에 대해 강조를 지정함으로써 선택될 수 있다. 간단한 그래픽 사용자 인터페이스는 사용자가 센터 사운드와 사이드 사운드 사이의 밸런스를 선택하게 하기 위해 사용될 수 있다. 간단한 그래픽 사용자 인터페이스는 또한, 사용자가 볼륨 레벨을 선택하게 하기 위하여 사용될 수 있다.이것을 행함으로써, 종래 기술 반복 혼선 소거와 연관된 밸런스 문제가 해결된다. 이것은 효과적 자동-밸런싱 프로세스이다. 게다가, 이것은 또한, 서라운드 컴포넌트들이 청취자들에 의해 명확하게 들릴 수 있는 것을 보장한다.분석 블록들로부터의 공간 비율 및 정보에 기초하여, 본래의 신호가 재혼합된다. 가능한 프로세싱은, 팬텀 센터(center)가 센터에 앵커(anchor) 링 되도록 팬텀 센터의 에너지를 부스팅(boosting)하는 것을 포함한다. 대안적으로, 또는 부가하여, 사이드에서 특정 사운드 효과들은 반복 혼선 소거 동안 효과적으로 확장되도록 강조된다. 대안적으로, 또는 부가적으로, 앰비언트 사운드 또는 백그라운드(background) 사운드는 센터 이미지에 영향을 주지 않고 음파 필드를 통해 확산된다. 앰비언트 사운드의 양은 또한 연속적인 실감 앰비언스를 유지하기 위하여 시간에 걸쳐 조절될 수 있다.도 3으로 돌아가서, 프리-프로세싱(300) 후, 반복적 혼선 소거(302)가 수행된다. 혼선은, 사운드가 각각의 스피커로부터 맞은편 귀에 도달할 때 발생한다. 원하지 않는 스펙트럼 컬러레이션(coloration)은, 본래 신호와 혼선 신호 사이의 보강 간섭과 상쇄 간섭으로 인해 발생된다. 게다가, 공간 왜곡을 유발하는 충돌하는 공간적 단서들이 생성된다. 결과로서, 로컬리제이션은 실패하고 스테레오 이미지는 라우스피커들의 포지션까지 실패한다. 이 문제에 대한 해결책은 혼선 소거 프로세싱이고, 상기 프로세싱은 청취자의 고막에서 혼선 신호를 음향적으로 소거하기 위하여 혼선 소거 벡터를 반대편 스피커에 부가하는 것을 수반한다. 종래의 접근법은 혼선 소거를 위해 HRTF를 사용하는 것이다. 본원에 사용된 간략화된 접근법은 단지 소거 신호를 다시 반대편 스피커에 부가한다. 특히, 인버팅(314), 감쇠(316) 및 지연(318) 스테이지들은 높은 차수 반복 혼선 소거기를 형성하기 위하여 사용된다. 좌측 및 우측 채널은 하기에 의해 계산될 수 있고,좌측(n) = 좌측(n) - AL * 우측(n-DL) 우측(n) = 우측(n) - AR * 좌측(n-DR) 여기서 감쇠를 나타내는 A는 포지티브 스칼라 팩터이고, D는 지연 팩터이고 n은 시간 도메인에서 주어진 샘플의 인덱스이다. "일 실시예에서", 파라미터들은 하드웨어의 물리적 구성을 매칭하기 위하여 최적화될 수 있다. 예컨대, 비대칭 스피커들 또는 밸런싱되지 않은 사운드 강도를 가지는 고객 전자 디바이스에 대해, 팩터들은 2개의 채널들 사이에서 상이할 수 있다. 감쇠 및 지연 시간은 임의의 타입의 고객 전자 디바이스 스피커 구성에 피팅하도록 구성될 수 있다.반복 혼선 소거(302) 후, 포스트-프로세싱(304)이 수행된다. 도 5는 센터 앵커(anchor)(122), 등화(124) 및 레벨 제어(126)를 유지하는 형태의 포스트-프로세싱 동작들을 예시한다. 센터 앵커(122)를 유지하는 것에 관하여, 출력은, 이것이 센터 콘텐츠가 이해 가능하게 만드는 중요한 피처이기 때문에, 청취자들에 대해 충분히 강한 센터 스테이지를 유지하기 위하여 다시 조절된다. 사람들은 강한 센터 이미지에 사용된다. 예컨대, 2개의 스피커들이 동일한 레벨의 동일한 신호를 플레이하면, 팬텀 센터는 중앙 라인 상의 청취자에 의해 3 dB까지 부스팅되는 것으로 인지될 것이다. 그러므로, 2개의 스피커들 사이에 더 이상 간섭이 없다면, 더 이상 음향 합산이 발생하지 않을 것이고, 센터에 3 dB 부스트도 없을 것이다. 다른 한편, 반복적 혼선 소거 후, 스테레오 스트림의 깊이 및 방 앰비언스는 감추어지고 그러므로 복구되었음에 틀림 없다. 그런 피처로 인해, 오디오 콘텐츠는 잠재적으로 그 거리에서 훨씬 멀리에 있는 것으로 나타난다. 센터로부터 인공 잔향 또는 심지어 작은 팬(pan)의 사용은 사이드로 센터 이미지 드리프트(drift)를 만든다. 이들 이유들 때문에, 혼합 블록(320)은, 센터 신호들을 다시 부가할 필요가 있는지를 결정한다. 좌측 채널은 하기에 의해 계산될 수 있고,여기서 r은 이전에 계산된 공간 비율이고 T는 인지 임계치이다. 임계치의 값은 콘텐츠 타입에 따른다. 예컨대, 영화는 대화를 위한 강한 센터 이미지를 요구하지만, 게임은 그렇지 않다. 일 실시예에서, 임계치는 0.05 내지 0.95에서 가변된다. r은, Mid 신호가 플레이되는 오디오(예컨대, 메인 대화)에서 중요한 역할을 할 때 T보다 크다. r과 T의 비교가 또한 프리-프로세싱 상태(408)에서 계산된 본래 공간 비율을 고려하는 것이 주의된다. α는 r에 관한 포지티브 스칼라 팩터이다. C는, 출력 프로세싱 신호가 본래 입력 신호와 동일한 라우드니스(loudness)인 것을 보장하기 위한 다른 이득 팩터이다. 동일한 프로세스는 또한 우측 채널에 적용된다. 다시, 이 프로세스는, 사이드 컴포넌트들에서 와이드닝 효과(widening effect)를 유지하면서, 종래 기술 지침들보다 더 안정된 센터 이미지를 만든다. 출력 신호의 스테이지 폭은 수동으로 조절될 수 있다. 이전에 논의된 센터 및 사이드 그래픽 사용자 인터페이스는 이런 취향을 설정하기 위하여 사용될 수 있다. 예컨대, 100% 폭(100% 사이드 사운드에 대한 선호도)은, 사운드가 귀 뒤쪽 또는 우측 나타날 수 있도록 전체 효과/폭을 표현한다.혼합 블록(320) 다음, 등화(322)는 청취자의 머리 및 전자 디바이스의 사이즈에 관하여 비-이상적 지연 및 감쇠 팩터들을 사용함으로써 생성된 고주파수 대역들의 가청 컬러레이션을 제거하기 위해 적용된다. 마지막으로, 이득 제어 블록(324)은, 모든 각각의 신호가 적당한 진폭 범위 내에 있고 본래 입력 신호와 동일한 라우드니스를 가지는 것을 보장하게 한다. 사용자 특정 볼륨 선호도는 또한 이 포인트에서 적용될 수 있다.다른 포스트-프로세싱 단계들은 압축 및 피크 제한을 포함할 수 있다. 상기 단계들은 라우드스피커들의 동적 범위를 보존하고 원하지 않는 컬러레이션 없이 사운드 품질을 유지하기 위하여 사용된다.당업자들은, 본 발명의 기술들이 소스 파일들, 스트리밍된 콘텐츠 등에 대한 저비용 실시간 계산 프로세스를 제공하는 것을 인식할 것이다. 기술들은 또한 디지털 오디오 신호들에 삽입될 수 있다(즉, 따라서 디코더는 요구되지 않음). 본 발명의 기술들은 사운드 바아들, 스테레오 라우드피커들, 및 차 오디오 시스템들에 적용 가능하다.본 발명의 실시예는 다양한 컴퓨터-구현 동작들을 수행하기 위하여 컴퓨터 코드를 가지는 비-일시적 컴퓨터 판독가능한 저장 매체를 가진 컴퓨터 저장 물건에 관한 것이다. 매체들 및 컴퓨터 코드는 본 발명의 목적들을 위하여 구체적으로 설계 및 구성된 것들일 수 있거나, 컴퓨터 소프트웨어 분야들의 당업자들에게 잘 알려지고 이용 가능한 종류를 가질 수 있다. 컴퓨터-판독가능 매체들의 예들은 프로그램 코드를 저장 및 실행하도록 구체적으로 구성된 자기 매체들, 광학 매체들, 자기-광학 매체들 및 하드웨어 디바이스들, 이를테면 주문형 집적 회로("ASIC")들, 프로그램 가능 논리 디바이스("PLD")들 및 ROM 및 RAM 디바이스들(그러나 이들로 제한되지 않음)을 포함한다. 컴퓨터 코드의 예들은 컴파일러에 의해 생성되는 바와 같은 머신 코드, 및 인터프리터(interpreter)를 사용하여 컴퓨터에 의해 실행되는 고급 코드를 포함하는 파일들을 포함한다. 예컨대, 본 발명의 실시예는 JAVA��, C++, 또는 다른 프로그래밍 언어 및 개발 툴들을 사용하여 구현될 수 있다. 본 발명의 다른 실시예는 머신-실행가능 소프트웨어 명령들 대신, 또는 결합하여 하드웨어에 내장된 회로로 구현될 수 있다.설명의 목적들을 위한 상기 설명은 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위하여 특정 전문용어를 사용하였다. 그러나, 특정 상세들이 본 발명의 실시하기 위하여 요구되지 않는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 특정 실시예들의 상기 설명들은 예시 및 설명의 목적들을 위하여 제시된다. 상기 설명들은 개시된 정확한 형태들로 본 발명을 총망라하거나 제한하도록 의도되지 않고; 명확히, 많은 수정들 및 변형들은 상기 지침들의 측면에서 가능하다. 실시예들은 본 발명의 원리들 및 이의 실제 애플리케이션들을 가장 잘 설명하기 위하여 선택되었고 설명되었고, 이에 의해 상기 실시예들은 다른 당업자들이 고려된 특정 용도에 적합한 바와 같은 다양한 수정들을 가진 다양한 실시예들 및 본 발명을 가장 잘 활용하게 한다. 다음 청구항들 및 이의 등가물들이 본 발명의 범위를 정의하는 것이 의도된다.	프로세서에 의해 실행 가능한 명령들을 가진 비-일시적 컴퓨터 판독가능한 저장 매체는 디지털 오디오 입력 신호의 우측 및 좌측 채널들 내의 센터 컴포넌트, 사이드 컴포넌트 및 주위 컴포넌트를 식별한다. 공간 비율은 센터 컴포넌트와 사이드 컴포넌트로부터 결정된다. 디지털 오디오 입력 신호는 프리-프로세싱된 신호를 형성하기 위하여 공간 비율에 기초하여 조절된다. 반복 혼선 소거 프로세싱은 소거된 혼선을 형성하기 위하여 프리-프로세싱된 신호에 대해 수행된다. 혼선 소거 신호의 센터 컴포넌트는 최종 디지털 오디오 출력을 생성하도록 재정렬된다.
[ 발명의 명칭 ] 높은 실리카-대-알루미나 비를 가진 NaY 분자체의 제조방법 및 그의 생성물METHOD FOR PREPARING NAY MOLECULAR SIEVE OF HIGH SILICA-ALUMINA RATIO AND PRODUCT THEREOF [ 기술분야 ] 본 발명은 고-실리콘 NaY 분자체의 합성 분야, 구체적으로 주형제로서 단쇄 알킬이미다졸륨 이온성 액체를 사용하여 고 결정화도 및 고 실리카-대-알루미나 비를 가지는 NaY 분자체를 합성하는 것에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 분자체(molecular sieve)는 고도의 규칙적인 다공성 케이지 구조를 가지는 수화된 다공성의 결정질 알루미노실리케이트이다. NaY 분자체는 FAU 위상 구조를 가지는 분자체의 일종으로서, β 케이지가 다이아몬드 구조에 따라 배열됨으로써 형성된 울트라-케이지 구조를 가지는 분자체이다. FAU 형 제올라이트는 알루미늄 함량이 서로 다른, 즉, 실리카-대-알루미나 비 (SiO2/Al2O3)가 다른 X 형 및 Y 형을 포함한다. 일반적으로, X 형 제올라이트는 대략 2.2-3.0의 실리카-대-알루미나 비를 가지는데 반해, Y 형 제올라이트는 3-5의 실리카-대-알루미나 비를 가진다.Y 형 제올라이트는 촉매, 및 흡착 및 분리제로서 사용되는 주요 종류 중 하나이며, 1960년 대부터 개발되어 오고 있는 신흥 정유 기술인 석유 접촉 분해 산업 공정에 적용된다. 접촉 분해 촉매의 주요 활성 성분으로서, Y 분자체의 실리카-대-알루미나 비는 접촉 분해 성능, 생성물의 분포, 및 촉매의 안정성에 중요한 역할을 한다. 실리카-대-알루미나 비가 높은 Y 분자체는 높은 촉매 활성 및 우수한 안정성의 이점이 있으며, 전체 접촉 분해 산업의 양상을 크게 개선하였다. 현재, 산업적으로 사용되는 USY 형 제올라이트는 Y 제올라이트의 생 분말을 화학적 탈알루미늄화 및 물리적 탈알루미늄화와 같은 처리에 적용하여 얻은 상대적으로 높은 실리카-대-알루미나 비를 가지는 Y 제올라이트이다. 그러나, 이러한 후처리 탈알루미늄화 방법은 많은 에너지를 소비하고, 실제 적용하는데 복잡하다.일반적으로, NaY 분자체는 열수 조건하에 지향제를 사용하는 방법에 의해 제조된다. 구체적으로, Y 형 분자체 종정을 먼저 고-알칼리성 환경하에 제조한다; 이어 이 종정을 NaY 합성을 위한 혼합 겔 시스템에 첨가한다. 이 방법으로 얻은 Y 분자체는 전형적으로 약 5.5의 실리카-대-알루미나 비를 가진다. 고 실리콘 Y 형 제올라이트 (SiO2/Al2O3＞6)를 열수적으로 합성하기 위한 직접 방법은 복잡한 후처리 절차를 피할 수 있고, 인력 및 물적 자원을 크게 절약할 수 있으며, 환경 오염을 줄일 수 있다. 그리고, 완전한 결정 구조 및 균일한 화학적 분포 때문에 더 나은 촉매 효과를 갖는다. 따라서, 고 실리콘 Y 형 제올라이트를 합성하기 위한 직접 방법을 탐색하는 것이 큰 의미가 있다.1982년에, 미국 특허 제4333859호는 종정과 함께 더 큰 이온 반경을 가지는 Cs+를 사용하는 조건하에 수득된 것으로, 실리카-대-알루미나 비가 6 보다 큰 CSZ-3으로 지정된 FAU 다형체를 개시하였다. 생성물은 하기 조성을 가진다: 0.8-0.95Na2O:0.02-0.20Cs2O:Al2O3:5.0-7.0SiO2:2-10H2O. 1987년에, 미국 특허 제4714601호는 70 내지 120 ℃에서 비스(2-하이드록시에틸)디메틸 암모늄 이온 또는 더 큰 크기의 다른 알킬 사급 암모늄 염을 주형제로서 사용하여 열수 결정화에 의해 제조된 것으로, 실리카-대-알루미나 비가 6 보다 큰 ECR-4로 지정된 FAU 다형체를 개시하였다. 이 물질의 초기 겔 혼합물은 실리카 대 알루미나의 몰비가 4-20이고, 물 대 알루미나의 몰비가 100-400이었다.1990년에, 에프. 델프레이토(F. Delprato) (Zeolites, 10 (1990) 546-552)는 처음으로 크라운 에테르를 사용하여 실리카-대-알루미나 비가 6-10인 Y 형 제올라이트를 직접 열수적으로 합성하였으며, 유기 주형제의 존재하에 고 실리콘 Y 형 제올라이트를 직접 열수적으로 합성할 수 있음을 입증하였다. 이후에, 몇몇 기사 및 특허에 이에 대한 보고가 있었다 (Zeolites, 13 (1993) 122-127; US 5273945; Zeolites, 15 (1995) 90-96). 크라운 에테르가 주형제로서 뛰어난 성능을 가지고 있다 하더라도, 이는 고가이고 고독성으로 인해 실제 생산에는 적합하지 않다.1990년에, 미국 특허 제4931267호는 테트라프로필- 및/또는 테트라부틸 암모늄 하이드록사이드를 주형제로 사용하여 얻은 것으로, 실리카-대-알루미나 비가 6 보다 큰 ECR-32로 지정된 FAU 다형체를 개시하였다. 이 물질의 제조를 위한 반응 혼합물은 실리카 대 알루미나의 몰비가 9-36이고, 물 대 알루미나의 몰비가 120-500이었다. 1993년에, 에프. 델프레이토 (Zeolites, 13 (1993) 122-127)는 또한 폴리에틸렌 옥사이드 (PEO)를 주형제로 사용하여 실리카-대-알루미나 비가 약 7인 고 실리콘 Y 분자체를 합성하였는데, 여기서는 분자량 2000-8000의 PEO가 잘 결정화된 Y 분자체를 얻는데 유리하다. 이 시스템의 겔 조성비는 10SiO2:1Al2O3:2.4Na2O:xPEO:140H2O (SiO2/PEO의 중량비 = 3)이었고, 고 실리콘 Y 분자체는 100 ℃에서 8일 동안 열수 결정화에 의해 얻을 수 있었다.1998년에, 비. 데 위테(B. De Witte)는 이노시톨을 주형제로 사용하여 실리카-대-알루미나 비가 6.2-6.6인 고 실리콘 Y 분자체를 합성하였다 (Microporous and Mesoporous Materials, 23 (1998) 11-22). 이 시스템의 겔 조성비는 10SiO2:1Al2O3:2.7Na2O:0.5 이노시톨:140H2O이고, 고 실리콘 Y 분자체는 110 ℃에서 8일 동안 열수 결정화에 의해 얻을 수 있었다.1998년에, 미국 특허 제5718593호는 테트라에틸 암모늄 하이드록사이드, 테트라프로필 암모늄 하이드록사이드, 또는 테트라부틸 암모늄 하이드록사이드를 주형제로 사용하고 시스템에 소량의 물을 사용하여 Y 분자체를 직접 형성할 수 있고 결정화할 수 있음을 개시하였다.CN1736867A호는 1-세틸-3-메틸 이미다졸륨 브로마이드 또는 1-세틸-3-메틸 피리디늄 브로마이드의 장쇄 알킬 이온성 액체를 주형제로 사용하여 메소다공성 Y 분자체의 제조를 개시하였다. 여기에서는 촉매 활성에 미치는 메소다공성 구조를 가지는 Y 분자체의 효과에 초점을 두었으며, 그의 실리카-대-알루미나 비가 템플레이트 없이 종래 방법으로 합성된 Y 분자체의 것에 비해 증가 혹은 감소하였는지에 관한 내용은 제기되지 않았다.고 실리콘 Y 분자체를 합성하기 위해 기존에 사용된 주형제는 주로 사급 암모늄 염, 환형 또는 쇄형 알콜, 에테르 등이다. 열수 조건하에 주형제 또는 구조 지향제로서 휘발성이 낮은 단쇄 알킬이미다졸륨 이온성 액체를 사용하여 실리카-대-알루미나 비가 6 이상이고 고 결정화도를 가지는 NaY 분자체가 합성된 적은 없다. [ 발명의 개요 ] [ 과제의 해결 수단 ] 상기의 관점에서, Y 분자체의 실리카-대-알루미나 비는 그의 촉매 활성에 결정적인 효과를 가지며, 본 발명의 발명자들은 주형제로서 적합한 단쇄 알킬 이온성 액체를 선택함으로써, 결정화도가 높은 NaY 분자체를 얻을 수 있고 분자체 골격이 6 이상의 실리카-대-알루미나 비를 가지는 것을 실험적으로 발견하였다. 본 발명은 이러한 발견에 기초하여 완성되었다.이를 위해, 본 발명은a) 초기 겔 혼합물을 수득하기 위해 탈이온수, 실리콘 공급원, 알루미늄 공급원, 알칼리 공급원, 및 주형제로서 ILs를 혼합하는 단계; b) 균질한 겔 혼합물을 수득하기 위해 단계 a)에서 수득한 초기 겔 혼합물을 50 ℃ 이하의 온도에서 유지하고, 1 내지 100 시간동안 교반 및 숙성시키는 단계; c) 단계 b)에서 수득한 균질한 겔 혼합물을 고압 합성 케틀에 공급한 다음, 케틀을 밀봉하고, 온도를 70 내지 130 ℃로 증가시킨 후, 자생 압력하에서 3 내지 30 일동안 결정화를 수행하는 단계; 및d) 실리카-대-알루미나 비가 높은 NaY 분자체를 수득하기 위해 결정화 완료 후, 고체 생성물을 분리하여, 탈이온수로 중성이 될 때까지 세척하고, 건조하는 단계를 포함하는 방법을 특징으로 하는 실리카-대-알루미나 비가 높은 NaY 분자체의 제조방법을 제공하며, 여기서 상기 수득한 NaY 분자체는 6 이상의 실리카-대-알루미나 비를 갖고, ILs는 단쇄 알킬이미다졸륨 이온성 액체(short-chain alkylimidazolium ionic liquid)이며, 여기서 단쇄 알킬이미다졸륨 이온성 액체는 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 브로마이드, 1-알릴-3-메틸이미다졸륨 브로마이드, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 브로마이드, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 클로라이드, 1-알릴-3-메틸이미다졸륨 클로라이드 및 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 클로라이드 중 어느 하나 또는 2 이상의 혼합물이다.바람직한 일 구체예에서, 단계 a)에서 수득한 초기 겔 혼합물은 하기 몰비를 가지며:SiO2/Al2O3 = 6-20; Na2O/Al2O3 = 1-8; H2O/Al2O3 = 100-400; 및 ILs/Al2O3 = 0.1-6, 여기서 실리콘 공급원은 SiO2에 기초하고, 알루미늄 공급원은 Al2O3에 기초하며, 알칼리 공급원은 Na2O에 기초한다.바람직한 일 구체예에서, 단계 a)에 사용된 실리콘 공급원은 실리카졸, 활성화 실리카 및 오르토실리케이트 중 어느 하나 또는 2 이상의 혼합물이고; 알루미늄 공급원은 알루민산나트륨, 활성화 알루미나 및 알루미늄 알콕사이드 중 어느 하나 또는 2 이상의 혼합물이고; 알칼리 공급원은 수산화나트륨이다. 바람직한 일 구체예에서, 단계 b)에서 숙성 온도는 10 내지 50 ℃이고, 숙성 시간은 8 내지 72 시간이다.바람직한 일 구체예에서, 단계 c)에서 결정화 온도는 80 내지 110 ℃이고, 결정화 시간은 8-24 일이다. 바람직한 일 구체예에서, 단계 c)에서 결정화 공정은 정적 또는 동적 상태로 수행된다.본 발명은 또한 상술된 방법에 의해 제조된 높은 실리카-대-알루미나 비를 가진 분자체를 제공하며, 여기서 NaY 분자체는 6 이상의 실리카-대-알루미나 비를 가지는 것을 특징으로 한다. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 유익한 효과는 주형제로서 특정 단쇄 알킬이미다졸륨 이온성 액체를 사용하여 6 이상의 실리카-대-알루미나 비를 가지는 NaY 분자체를 수득하는 것을 포함하지만, 이에 국한되지 않는다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명의 실시예 1에 따라 합성된 생성물의 XRD 패턴이다.도 2는 본 발명의 실시예 1에 따라 합성된 생성물의 주사전자현미경 (SEM) 이미지이다.도 3은 본 발명의 실시예 1에 따라 합성된 생성물의 실리콘 핵자기공명 (29Si-NMR) 스펙트럼이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명에서, 실리카-대-알루미나 비가 높은 순수한 상의 NaY 분자체는 주형제 또는 구조 지향제로서 단쇄 알킬이미다졸륨 이온성 액체를 사용하고, 탈이온수에서 적절한 실리콘 공급원, 적절한 알루미늄 공급원 및 적절한 알칼리 공급원을 혼합하여 열수 조건하에 합성되었다.바람직한 일 구체예에서, 본 발명의 실리카-대-알루미나 비가 높은 (실리카-대-알루미나 비 = 6 이상) NaY 분자체의 제조방법은 하기 단계들을 포함한다:a) 초기 겔 혼합물을 수득하기 위해 탈이온수, 실리콘 공급원, 알루미늄 공급원, 알칼리 공급원 및 주형제를 특정 비로 혼합하는 단계.바람직하게, 초기 겔 혼합물은 하기 몰비를 가진다: SiO2/Al2O3 = 6-20; Na2O/Al2O3 = 1-8; H2O/Al2O3 = 100-400; 및ILs/Al2O3 = 0.1-6,여기서, ILs는 단쇄 알킬이미다졸륨 이온성 액체이고, 실리콘 공급원은 SiO2에 기초하며, 알루미늄 공급원은 Al2O3에 기초하고, 알칼리 공급원은 Na2O에 기초한다.b) 균질한 겔 혼합물을 수득하기 위해 단계 a)에서 수득한 초기 겔 혼합물을 50 ℃ 이하의 조건하에 유지하고, 1 내지 100 시간동안 교반 및 숙성시키는 단계; c) 단계 b)에서 수득한 균질한 겔 혼합물을 고압 합성 케틀에 공급한 다음, 케틀을 밀봉하고, 온도를 70 내지 130 ℃로 증가시킨 후, 자생 압력하에서 3 내지 30 일동안 결정화를 수행하는 단계; 및d) 고 실리콘 NaY 분자체를 수득하기 위해 결정화 완료 후, 고체 생성물을 분리하여, 탈이온수로 중성이 될 때까지 세척하고, 건조하는 단계.단계 a)에 사용된 단쇄 알킬이미다졸륨 이온성 액체는 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 브로마이드 ([Emim]Br), 1-알릴-3-메틸이미다졸륨 브로마이드 ([Amim]Br), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 브로마이드 ([Bmim]Br), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 클로라이드 ([Emim]Cl), 1-알릴-3-메틸이미다졸륨 클로라이드 ([Amim]Cl) 및 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 클로라이드 ([Bmim]Cl) 중 어느 하나 또는 2 이상의 혼합물이다.바람직하게, 단계 a)에 사용된 실리콘 공급원은 실리카졸, 활성화 실리카 및 오르토실리케이트 중 어느 하나 또는 2 이상의 혼합물이고; 알루미늄 공급원은 알루민산나트륨, 활성화 알루미나 또는 알루미늄 알콕사이드 중 어느 하나 또는 2 이상의 혼합물이며; 알칼리 공급원은 수산화나트륨이다.바람직하게, 단계 a)의 초기 겔 혼합물에서, SiO2/Al2O3는 10-18이다. 바람직하게, 단계 a)의 초기 겔 혼합물에서, Na2O/Al2O3는 2-6이다. 바람직하게, 단계 a)의 초기 겔 혼합물에서, H2O/Al2O3는 180-300이다. 바람직하게, 단계 a)의 초기 겔 혼합물에서, ILs/Al2O3는 0.5-5이다. 바람직하게, 단계 b)에서 숙성 온도는 10 내지 50 ℃이고, 숙성 시간은 8 내지 72 시간이다.바람직하게, 단계 c)에서 결정화 온도는 80 내지 110 ℃이고, 결정화 시간은 8-24 일이다. 바람직하게, 단계 c)에서 결정화 공정은 정적 또는 동적 상태로 수행된다. 본 발명에서, 생성물의 X-선 분말 회절 상 분석 (XRD)은 네덜란드에 소재한 PANalytical Corporation 회사 제품인 X'Pert PRO X-선 회절계에서 Cu 타겟, Kα 방사선 소스 (λ=0.15418 nm), 40 KV의 전압 및 40 mA의 전류를 사용하여 수행되었다. 생성물의 상대 결정화도는 결정면 111, 331, 533의 XRD 피크 강도의 합계에 기반하여 계산된다. 100%인 실시예 1 샘플의 결정화도와 비교하여, 다른 샘플의 상대 결정도를 얻는다. 본 발명에서, Hitach제 SU8020 주사전자현미경이 생성물의 SEM 형태 분석에 사용된다.본 발명에서, 생성물의 실리카-대-알루미나 비는 Philips Corporation 회사 제품인 Magix 2424 X-선 형광 분석기 (XRF)를 사용하여 측정된다.본 발명에서, 미국 소재 Varian Corporation 회사 제품인 Infinity plus 400WB 고체 핵자기공명 스펙트럼 분석기가 BBO MAS 프로브 및 9.4T의 작동 자계 강도와 함께 생성물의 실리콘 핵자기공명 (29Si MAS NMR) 분석에 사용되었다. 생성물의 실리카-대-알루미나 비는 또한 29Si MAS NMR 결과로부터 계산될 수 있으며, 식은 다음과 같다: NMR SiO2/Al2O3 = 8 * (SQ0 + SQ1 + SQ2 + SQ3 + SQ4)/(SQ1 + 2SQ2 + 3SQ3 + 4SQ4)상기 식에서, Qi는 실리콘-산소 사면체 (SiO4) 주위 알루미늄 원자수의 차이 (i=0, 1, 2, 3, 4)를 나타내며, SQi는 실리콘 핵자기공명 스펙트럼 상에서 Qi의 대응 피크 면적을 나타낸다.본 발명이 이하 실시예로 상세히 기술될 것이지만, 본 발명이 이들 실시예에만 한정되는 것은 아니다.실시예 1각 원료 물질의 종류 및 몰량, 결정화 온도 및 결정화 시간, 결정형, 상대 결정화도 및 XRF 및 NMR에 의해 결정된 실리카-대-알루미나 비 (SiO2/Al2O3)를 하기 표 1에 나타내었다. 실시예 1에서, 제제화 공정은 다음과 같다: 1.94 g의 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 브로마이드 ([Emim]Br) 및 1.19 g의 수산화나트륨을 23 g의 탈이온수에 용해시키고, 여기에 2 g의 알루민산나트륨 (Al2O3의 질량에 의한 퍼센트 함량은 52%임)을 첨가한 후, 맑은 액체가 얻어질 때까지 교반하였다; 이어 24.48 g의 실리카졸 (SiO2의 질량에 의한 퍼센트 함량은 30.45%임)을 추가하여 초기 겔 혼합물을 얻었다. 이 초기 겔 혼합물을 실온에서 24 시간동안 교반하여 균질한 겔 혼합물을 얻었다; 이 균질한 겔 혼합물을 스테인레스 고압 합성 케틀로 옮겼다. 이 때, 합성 시스템내 각 성분의 몰비는 1.0[Emim]Br:12SiO2:1Al2O3:3.2Na2O:220H2O이다. 고압 합성 케틀을 밀봉하여 110 ℃의 일정 온도까지 온도를 증가시킨 오븐에 넣은 다음, 정적 결정화를 자생 압력하에 14 일동안 수행하였다. 결정화 완료 후, 고체 생성물을 원심분리에 의해 분리하여 탈이온수로 중성이 될 때까지 세척한 후, 100 ℃에서 공기 건조하여 생 분말을 얻었다. 이 생 분말 샘플을 XRD 분석하고, 그의 결과를 도 1 및 표 2에 나타내었다; 이 샘플의 주사전자현미경 (SEM) 이미지는 도 2에 도시되었고; 이 샘플의 실리콘 핵자기공명 (29Si MAS NMR) 스펙트럼은 도 3에 도시되었다. 한편, 생성물의 실리카-대-알루미나 비를 XRF 및 실리콘 핵자기공명 스펙트럼에 의해 각각 계산하였다. 상술된 분석 결과를 요약하면, 합성된 생성물은 실리카-대-알루미나 비가 6 이상인 NaY 분자체임을 보여주었고 판명되었다.실시예 2-24사용된 물질의 종류 및 양과 반응 조건뿐만 아니라 분석 결과를 하기 표 1에 나타내었으며, 합성 및 분석 과정은 실시예 1의 것과 동일하였다.합성한 샘플을 XRD 분석하였고, 그의 데이터 결과는 표 2에서의 것과 유사하였다. 즉, 피크의 위치와 형상은 동일하였고, 상대 피크 강도는 합성 조건의 변화에 따라 ±20%의 범위내에서 변동되었다. 이는 합성 생성물이 NaY 분자체 구조의 특성을 가짐을 입증하였다. 이들 샘플에 대한 기타 분석 결과는 하기 표 1에 나타나 있다. 비교 실시예 사용된 물질의 종류 및 양과 반응 조건뿐만 아니라 분석 결과를 하기 표 1에 나타내었으며, 주형제로서 0.1 몰의 트리에틸아민을 사용한 것만을 제외하고 합성 및 분석 과정은 실시예 1의 것과 동일하였다. 수득한 샘플을 XRD 분석하였고, 그의 데이터는 합성된 생성물이 NaY 분자체의 구조적 특성을 가짐을 입증하였다. 이들 샘플에 대한 기타 분석 결과는 하기 표 1에 나타나 있다.실시예 1 샘플의 XRD 결과번호2Θd(Å)100×I/I016.204114.24645100210.14098.7228920.15311.89757.43878.47415.66925.655640.16518.70694.7435315.78620.38834.3559614.41722.82533.89613.26823.67693.7578736.24925.00923.560620.441025.81183.45172.891127.07793.2931117.441227.79433.209831.111329.67233.010823.781430.78432.904558.71531.43362.8460217.041632.49372.755555.671733.12052.704821.831834.12862.62726.51934.71952.583833.642035.70762.514560.892137.21972.41580.792237.94452.371313.642339.39582.287230.342440.61072.221571.612541.45552.178232.562641.96932.152751.412742.81212.11230.672843.28762.09022.432944.10742.053231.933045.84381.979420.443147.23531.924311.463247.83341.901631.633349.48741.841881상기 표 1 및 표 2의 결과로부터, 본 발명의 방법에 의해 합성된 NaY 분자체는, 실시예 1 내지 24의 각 분자체 샘플의 실리카-대-알루미나 비가 XRF 방법에 의해 결정된 생성물의 실리카-대-알루미나 비 또는 실리콘 핵자기공명 스펙트럼 데이터에 의해 결정된 생성물 골격의 실리카-대-알루미나 비로서 비교 실시예에서 수득한 분자체 샘플의 실리카-대-알루미나 비보다 현저히 높음을 알 수 있다. 한편으로, 주형제로서 통상적인 아민을 사용한 경우, 생성된 샘플의 실리카-대-알루미나 비는 상대적으로 낮았으며, 6에 도달하기 어려웠고, 결정화도는 상대적으로 낮은 것으로 나타났고; 다른 한편으로, 주형제로서 단쇄 알킬이미다졸륨 이온성 액체를 사용한 경우, 형성된 생성물의 실리카-대-알루미나 비는 6 이상, 또는 심지어 더 높았으며, 결정화도는 높은 것으로 나타났다. 이러한 고 결정화도 및 실리카-대-알루미나 비가 높은 NaY 분자체의 사용은 활성, 안정성 등의 면에서 접촉 분해를 상당히 향상시킬 수 있다.본 발명이 상기에 상세히 기술되었지만, 본 발명이 본원에 기재된 특정 구체예로만 국한되는 것은 아니다. 당업자라면 다른 변경 및 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 이루어질 수 있음을 이해할 것이다. 본 발명의 범위는 하기 청구범위에 의해 한정된다.	본 발명은 실리카-대-알루미나 비가 높은 NaY 분자체의 제조방법에 관한 것으로, 여기서 초기 겔 혼합물을 수득하기 위해 탈이온수, 실리콘 공급원, 알루미늄 공급원, 알칼리 공급원, 및 주형제로서 ILs를 혼합되고; 초기 겔 혼합물을 적당한 온도에서 유지하고 숙성한 후, 결정화를 위해 고압 합성 케틀로 공급되며; 실리카-대-알루미나 비가 높은 NaY 분자체를 수득하기 위해 고체 생성물을 분리하고 건조되며, 여기서 ILs는 단쇄 알킬이미다졸륨 이온성 액체이다. 본 발명의 방법에 사용된 주형제는 휘발성이 낮고, 생성된 고 실리콘 Y 분자체는 고 결정화도 및 6 이상의 실리카-대-알루미나 비를 가진다.
[ 발명의 명칭 ] 저전력 메모리 동작들을 수행하기 위한 시스템 및 방법SYSTEM AND METHOD TO PERFORM LOW POWER MEMORY OPERATIONS [ 기술분야 ] 관련 출원들에 대한 상호-참조[0001] 본 출원은 2013년 12월 14일자로 출원된 공동 소유의 미국 정규 특허 출원 번호 제14/106,730호로부터의 우선권을 주장하며, 상기 특허 출원의 내용들은 그 전체가 인용에 의해 본원에 명백하게 포함된다.[0002] 본 개시 내용은 일반적으로 저전력 메모리 동작들을 수행하기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] [0003] 기술의 진보들은 더 소형이고 더 강력한 컴퓨팅 디바이스들을 창출해왔다. 예를 들어, 소형이고, 경량이며, 사용자들이 휴대하기 쉬운 휴대용 무선 전화들, PDA(personal digital assistant)들, 및 페이징 디바이스들과 같은 무선 컴퓨팅 디바이스들을 포함하는 다양한 휴대용 개인 컴퓨팅 디바이스들이 현재 존재한다. 더 구체적으로, 셀룰러 전화들 및 IP(Internet protocol) 전화들과 같은 휴대용 무선 전화들은 무선 네트워크들을 통해 음성 및 데이터 패킷들을 통신할 수 있다. 추가로, 많은 이러한 무선 전화들은 그에 포함되는 다른 타입들의 디바이스들을 포함한다. 예를 들어, 무선 전화는 또한, 디지털 스틸 카메라, 디지털 비디오 카메라, 디지털 리코더 및 오디오 파일 플레이어를 포함할 수 있다. 또한, 이러한 무선 전화들은 인터넷에 액세스하는데 사용될 수 있는, 웹 브라우저 애플리케이션과 같은 소프트웨어 애플리케이션들을 포함하는 실행가능한 명령들을 프로세싱할 수 있다. 이로써, 이 무선 전화들은 현저한 컴퓨팅 능력들을 포함할 수 있다.[0004] 무선 전화들과 같은 전자 디바이스들은 MTJ(magnetic tunnel junction) 스토리지 엘리먼트들을 포함할 수 있다. MTJ(magnetic tunnel junction) 스토리지 엘리먼트에서, 기록 동작은 판독 동작보다 더 많은 에너지를 사용할 수 있다. 예를 들어, 45 나노미터(nm) MTJ에서의 단일-비트 기록 동작은 100 나노초(ns) 동안 25 마이크로암페어(uA) 펄스를 사용할 수 있다. 45 nm MTJ에서의 단일-비트 판독 동작은 l ns 동안 l0 uA 펄스 미만을 사용할 수 있다. 따라서, 단일-비트 기록 동작은 단일-비트 판독 동작에서 사용되는 에너지의 250배 초과의 에너지를 사용할 수 있다.[0005] 하나의 에너지-절약 접근법은 값을 스토리지 위치에 기록하기 위해 (예를 들어, 단지 기록 임계치 전압 초과의) 낮은 기록 전압을 사용하여 기록 동작을 초기에 수행하는 것을 포함한다. 판독 동작은 스토리지 위치로부터 저장된 값을 판독하도록 수행될 수 있다. 기록 값이 저장된 값과 매칭하지 않는다면, 또 다른 기록 동작은 상승된 기록 전압을 사용하여 수행될 수 있다. 이 접근법을 사용하는 것은 초기 저전압 기록 동작이 성공적인 경우 메모리 동작을 수행하는 에너지 소비를 감소시킬 수 있다. 그러나, 초기 저전압 기록 동작이 성공적이지 않으며 추가적인 상승된 기록 동작이 수행되는 경우, 메모리 동작과 연관된 사이클 레이턴시가 발생한다. 사이클 레이턴시는 명령 파이프라인에서의 갭(또는 버블)을 초래할 수 있어서, 성능 비효율성들을 야기한다. [ 발명의 개요 ] [0006] 저전력 메모리 동작들을 수행하는 시스템들 및 방법들이 개시된다. 본 개시 내용에 따라, MTJ 스토리지 엘리먼트의 메모리 동작은 MTJ 스토리지 엘리먼트로부터 저장된 값을 판독하는 것, 저장된 값을 MTJ 스토리지 엘리먼트에 기록될 기록 값과 비교하는 것, 및 비교에 기초하여 MTJ 스토리지 엘리먼트에 기록 값을 선택적으로 기록하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기록 동작은 단지, 저장된 값이 변경될 것인 경우 수행될 수 있다. 이 접근법을 사용하는 것은 저장된 값을 변경하지 않을 기록 동작들을 수행하기 위해 에너지를 소비하는 것을 회피함으로써 에너지 소비를 감소시킬 수 있다. 추가로, 많아야 하나의 기록 동작이 수행되기 때문에, 설명되는 접근법은 명령 실행 파이프라인에서의 갭들의 초래를 회피할 수 있다.[0007] 특정 실시예에서, 방법은, 단일 메모리 클럭 사이클 동안, MTJ(magnetic tunnel junction) 스토리지 엘리먼트에 저장된 제 1 값을 판독하고, 제 1 값을 MTJ 스토리지 엘리먼트에 저장될 제 2 값과 비교하고, 그리고 비교에 기초하여 제 2 값을 MTJ 스토리지 엘리먼트에 선택적으로 기록함으로써, MTJ 스토리지 엘리먼트에서의 메모리 동작을 수행하는 단계를 포함한다.[0008] 또 다른 특정 실시예에서, 장치는, MTJ(magnetic tunnel junction) 스토리지 엘리먼트에 커플링된 회로를 포함한다. 회로는, 단일 메모리 클럭 사이클 동안, MTJ 스토리지 엘리먼트에 저장된 제 1 값을 수신하고, MTJ 스토리지 엘리먼트에 기록될 제 2 값을 수신하고, 제 1 값을 제 2 값과 비교하고, 그리고 비교에 기초하여 MTJ 스토리지 엘리먼트에의 제 2 값의 기록 동작을 선택적으로 인에이블하도록 구성된다.[0009] 또 다른 특정 실시예에서, 장치는, 제 1 MTJ 스토리지 엘리먼트를 포함하는 MTJ(magnetic tunnel junction) 스토리지 엘리먼트들의 어레이, 멀티플렉서(MUX), MTJ 스토리지 엘리먼트들의 어레이에 그리고 MUX에 커플링된 회로, 및 기록 펄스 생성기를 포함한다. 회로는, 제 1 MTJ 스토리지 엘리먼트에 저장된 제 1 값을 수신하고, 제 1 MTJ 스토리지 엘리먼트에 기록될 제 2 값을 MUX로부터 수신하고, 제 1 값을 제 2 값과 비교하고, 그리고 비교에 기초하여 기록 인에이블 신호를 기록 펄스 생성기에 선택적으로 송신하도록 구성된다.[0010] 개시되는 실시예들 중 적어도 하나에 의해 제공되는 하나의 특정 이점은 메모리 동작을 수행하는 에너지 소비가 감소될 수 있다는 것이다. 본 개시 내용의 다른 양상들, 이점들 및 특징들은, 다음의 섹션들: 도면의 간단한 설명, 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 및 청구범위를 포함하는 전체 출원의 검토 후 명백해질 것이다. [ 도면의 간단한 설명 ] [0011] 도 1은 저전력 메모리 동작들을 수행하도록 동작가능한 시스템의 특정 실시예를 예시하기 위한 도면이다.[0012] 도 2는 저전력 메모리 동작에 대응하는 신호 트레이스들을 예시하기 위한 타이밍도이다.[0013] 도 3은 저전력 메모리 동작을 수행하는 방법의 특정 실시예를 예시하기 위한 흐름도이다.[0014] 도 4는 저전력 메모리 동작을 수행하도록 동작가능한 컴포넌트들을 포함하는 디바이스의 블록도이다.[0015] 도 5는 도 1의 시스템을 포함하는 전자 디바이스들을 제조하기 위한 제조 프로세스의 특정 예시적 실시예의 데이터 흐름도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] [0016] 도 1을 참조하면, 저전력 메모리 기록 동작들을 수행하는 시스템의 특정 예시적 실시예가 개시되며, 전반적으로 100으로 표기된다. 시스템(100)은 MTJ 스토리지 엘리먼트들의 어레이(108)를 포함한다. 예를 들어, 시스템(100)은 MRAM(magnetoresistive random-access memory) 디바이스를 포함할 수 있다. MRAM 디바이스는 MTJ 스토리지 엘리먼트들의 어레이(108)를 포함할 수 있다. 각각의 MTJ 스토리지 엘리먼트(예를 들어, 예시적 MTJ 스토리지 엘리먼트(130))는 로직 상태(예를 들어, 로직 0 또는 로직 1)를 저장하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 전류는 MTJ 스토리지 엘리먼트(130)의 고정 자기 층에 대해 MTJ 스토리지 엘리먼트(130)의 자유 자기 층의 자기 모멘트의 배향을 정렬하는데 사용될 수 있다. 자유 자기 층이 고정 자기 층과 동일한 배향을 갖는 경우, MTJ 스토리지 엘리먼트(130)는 평행 상태에 있을 수 있으며, 제 1 저항 값을 가질 수 있다. 제 1 저항 값은 특정 로직 상태(예를 들어, 로직 0)를 표현할 수 있다. 자유 자기 층이 고정 자기 층과 상이한 배향을 갖는 경우, MTJ 스토리지 엘리먼트(130)는 역-평행 상태에 있을 수 있으며, 제 2 저항 값을 가질 수 있다. 제 2 저항 값은 또 다른 특정 로직 상태(예를 들어, 로직 1)를 표현할 수 있다. MTJ 스토리지 엘리먼트(130)가 판독되는 경우, 제 1 저항 값은 특정 로직 상태를 표시하는 제 1 전류 값(또는 제 1 전압 값)에 대응할 수 있으며, 제 2 저항 값은 다른 로직 상태를 표시하는 제 2 전류 값(또는 제 2 전압 값)에 대응할 수 있다.[0017] MTJ 스토리지 엘리먼트들의 어레이(108)는 MTJ 스토리지 엘리먼트들의 복수의 열들 및 MTJ 스토리지 엘리먼트들의 복수의 행들을 포함할 수 있다. 예를 들어, MTJ 스토리지 엘리먼트(130)는 MTJ 스토리지 엘리먼트들의 제 1 열 및 MTJ 스토리지 엘리먼트들의 제 1 행에 포함될 수 있다. MTJ 스토리지 엘리먼트들의 어레이(108)의 각각의 열은 특정 비트 라인에 대응할 수 있다(예를 들어, 특정 비트 라인을 사용하여 액세스될 수 있음). 예를 들어, MTJ 스토리지 엘리먼트(130)를 포함하는, 제 1 열의 각각의 MTJ 스토리지 엘리먼트는 비트 라인(112)에 커플링될 수 있다. MTJ 스토리지 엘리먼트들의 어레이(108)의 각각의 행은 특정 워드 라인에 대응할 수 있다. 예를 들어, 각각의 MTJ 스토리지 엘리먼트(130)를 포함하는, 제 1 행의 MTJ 스토리지 엘리먼트는 워드 라인(110)에 커플링될 수 있다. 스토리지 엘리먼트들의 어레이(108)의 각각의 MTJ 스토리지 엘리먼트(예를 들어, MTJ 스토리지 엘리먼트(130))는 또한, 도시되는 바와 같이, 소스 라인(114)에 커플링될 수 있다.[0018] 각각의 비트 라인(예를 들어, 비트 라인(112))은 회로(예를 들어, 감지 AMP(amplifier) 및 비교기(102))에 커플링될 수 있다. 특정 실시예에서, 감지 증폭기 및 비교기(102)는 또한, 멀티플렉서(MUX)(104)에 커플링될 수 있다. MUX(104)는 제 1 입력 및 제 2 입력을 가질 수 있다. MUX(104)는 제어 신호(도시되지 않음)에 기초하여 제 1 입력 또는 제 2 입력을 감지 AMP 및 비교기(102)에 선택적으로 제공하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, MUX(104)는 제어 신호가 기록 동작을 표시하는 경우 제 1 입력을 감지 AMP 및 비교기(102)에 제공할 수 있으며, 제어 신호가 판독 동작을 표시하는 경우 제 2 입력을 감지 AMP 및 비교기(102)에 제공할 수 있다. 예시하기 위해, MUX(104)는 제어 신호가 판독 동작을 표시하는 경우 기준 값(REF)(132)을 감지 AMP 및 비교기(102)에 제공할 수 있다. REF(132)는 특정 로직 값(예를 들어, 로직 1)으로 고려되는 최저 저항 값을 표현하는 기준 전압(또는 기준 전류)에 대응할 수 있다. 감지 AMP 및 비교기(102)는 기록 펄스 생성기(106)에 커플링될 수 있다. 기록 펄스 생성기(106)는 소스 라인(114)에 커플링될 수 있다. [0019] 동작 동안, 제 1 값(120)은 초기에 MTJ 스토리지 엘리먼트(130)에 저장될 수 있다. 예를 들어, MTJ 스토리지 엘리먼트(130)는 특정 로직 상태(예를 들어, 로직 0 또는 로직 1)에 대응하는 특정 저항을 가질 수 있다. 시스템(100)에 커플링된 메모리 제어기는 (예를 들어, 프로세서로부터) 기록 요청을 수신할 수 있다. 기록 요청은 특정화된 메모리 위치(예를 들어, MTJ 스토리지 엘리먼트(130))에 기록될 제 2 값(122)을 포함할 수 있다. 기록 요청에 대한 응답으로, 메모리 제어기는 비트 라인(112) 및 워드 라인(110)을 선택함으로써 MTJ 스토리지 엘리먼트(130)에서의 판독 동작을 개시할 수 있어서, 제 1 전류가 비트 라인(112)과 소스 라인(114) 사이에서 흐르게 한다. 제 1 전류는 MTJ 스토리지 엘리먼트(130)를 통과할 수 있다. 제 1 전류는 (예를 들어, 10 마이크로암페어(uA) 미만의) 제 1 전류 크기를 가질 수 있으며, 제 1 시간 기간(예를 들어, 1 나노초(ns)) 동안 인가될 수 있다. MTJ 스토리지 엘리먼트(130)의 로직 상태(예를 들어, 제 1 값(120))는 MTJ 스토리지 엘리먼트(130)의 특정 저항에 기초하여 결정될 수 있다. 감지 증폭기 및 비교기(102)는 비트 라인(112)으로부터 제 1 값(120)을 수신할 수 있다. 예를 들어, 감지 AMP 및 비교기(102)는 MTJ 스토리지 엘리먼트(130)를 통과하는 제 1 전류를 수신할 수 있다. 특정 실시예에서, 제 1 전류는 제 1 전압으로 변환될 수 있다. 이 실시예에서, 감지 AMP 및 비교기(102)는 제 1 전압을 수신할 수 있다.[0020] 메모리 제어기는 또한, 제 2 값(122)을 감지 AMP 및 비교기(102)에 제공할 수 있다. 예를 들어, 메모리 제어기는 제 2 값(122)을 MUX(104)의 제 1 입력에 그리고 기록 동작을 표시하는 제어 신호를 MUX(104)에 제공할 수 있다. MUX(104)는 제어 신호가 기록 동작을 표시한다는 결정에 대한 응답으로 제 2 값(122)을 감지 AMP 및 비교기(102)에 송신할 수 있다. 예를 들어, MUX(104)는 제 2 값(122)에 대응하는 제 2 전류(또는 제 2 전압)를 감지 AMP 및 비교기(102)에 송신할 수 있다.[0021] 감지 AMP 및 비교기(102)는 제 1 값(120) 및 제 2 값(122)을 비교할 수 있다. 감지 AMP 및 비교기(102)는 비교에 기초하여 MTJ 스토리지 엘리먼트(130)에의 제 2 값(122)의 기록을 선택적으로 인에이블할 수 있다. 예를 들어, 감지 AMP 및 비교기(102)는 (예를 들어, 로직 0에 대응하는) 제 1 값(120) 및 (예를 들어, 로직 1에 대응하는) 제 2 값(122)이 매칭하지 않는다는 결정에 대한 응답으로 기록 인에이블 신호(126)를 생성할 수 있다. 이러한 경우, 감지 AMP 및 비교기(102)는 기록 인에이블 신호(126)를 기록 펄스 생성기(106)에 송신할 수 있다. 기록 인에이블 신호(126)의 수신에 대한 응답으로, 기록 펄스 생성기(106)는 기록 펄스(124)를 소스 라인(114)에 송신한다. 기록 펄스(124)에 대한 응답으로, 제 2 값(122)은 MTJ 스토리지 엘리먼트(130)에 기록된다. 예를 들어, 소스 라인(114) 및 비트 라인(112)이 세팅될 수 있어서, 제 2 전류가, MTJ 스토리지 엘리먼트(130)의 자유 자기 층의 자기 모멘트의 배향을 반전함으로써 MTJ 스토리지 엘리먼트(130)에 저장된 로직 값을 토글링(예를 들어, "플립")하게 한다. 특정 실시예에서, 비트 라인(112)을 파워 서플라이에 연결시키는 소스 라인(114)을 접지시키는 것, 및 비트 라인(112)과 소스 라인(114) 사이의 제 2 전류를 생성하는 것은 워드 라인(110)이 활성화되는 경우 MTJ 스토리지 엘리먼트(130)에 로직 0을 저장할 수 있다. 이 실시예에서, 비트 라인(112)을 접지시키는 것, 소스 라인(114)을 파워 서플라이에 연결시키는 것, 및 비트 라인(112)과 소스 라인(114) 사이의 제 2 전류를 생성하는 것은 워드 라인(110)이 활성화되는 경우 MTJ 스토리지 엘리먼트(130)에 로직 1을 저장할 수 있다. 제 2 전류는 제 2 전류 크기(예를 들어, 25 uA)를 가질 수 있으며, 제 2 시간 기간(예를 들어, 100 ns) 동안 인가될 수 있다.[0022] 감지 AMP 및 비교기(102)는 제 1 값(120) 및 제 2 값(122)이 매칭한다는 결정에 대한 응답으로 제 2 값(122)이 MTJ 스토리지 엘리먼트(130)에 기록되게 하는 것을 억제할 수 있다. 예를 들어, 감지 AMP 및 비교기(102)는 제 1 값(120) 및 제 2 값(122) 둘다가 로직 0 또는 로직 1에 대응한다는 결정에 대한 응답으로 기록 인에이블 신호(126)를 생성하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 감지 AMP 및 비교기(102)는 기록 동작이 MTJ 스토리지 엘리먼트에 저장된 값을 변경하지 않을 상황들에서 기록 전류의 생성을 회피할 수 있다.[0023] 특정 실시예에서, 메모리 제어기에 의해 개시되는 메모리 동작은 단일 메모리 클럭 사이클 내에서 수행될 수 있다. 예를 들어, 단일 메모리 클럭 사이클 내에서, 감지 AMP 및 비교기(102)는 제 1 값(120)을 수신하고, 제 1 값(120)을 제 2 값(122)과 비교하고, MTJ 스토리지 엘리먼트(130)에 제 2 값(122)을 선택적으로 기록할 수 있다.[0024] 특정 실시예에서, 감지 AMP 및 비교기(102)는 별개의 감지 AMP 및 비교기를 포함할 수 있다. 이 실시예에서, 감지 AMP는 비트 라인(112)으로부터 제 1 값(120)을 수신할 수 있으며, REF(132)를 수신할 수 있다. 감지 AMP는 제 1 값(120)을 증폭시키고, 증폭된 제 1 값(120)을 비교기에 제공할 수 있다. 비교기는 또한, 제 2 값(122)을 수신할 수 있다. 예를 들어, 메모리 제어기는 제 2 값(122)을 비교기에 제공할 수 있다. 비교기는 제 1 값(120) 및 제 2 값(122)을 비교할 수 있으며, 비교에 기초하여 기록 인에이블 신호(126)를 선택적으로 생성할 수 있다. 예를 들어, 비교기는 제 1 값(120) 및 제 2 값(122)에 대한 XOR(exclusive-or) 연산을 수행할 수 있으며, 여기서, XOR 연산의 결과는 기록 인에이블 신호(126)에 대응한다.[0025] 특정 실시예에서, 제 1 복수의 값들(예를 들어, "01010100")은 MTJ 스토리지 엘리먼트들의 어레이(108)의 특정 메모리 위치(예를 들어, 특정 워드)에 저장될 수 있다. 프로세서로부터의 기록 요청은 제 2 복수의 값들(예를 들어, "10010100")이 특정 워드에 기록될 것임을 표시할 수 있다. MTJ 스토리지 엘리먼트(130)는 특정 워드의 특정 비트(예를 들어, 제 2 비트)에 대응할 수 있다. 기록 요청에 대한 응답으로, 메모리 제어기는 특정 워드에서의 메모리 동작을 개시할 수 있다. 예를 들어, 메모리 제어기는 워드 라인(110), 및 특정 워드와 연관된 복수의 MTJ 스토리지 엘리먼트들에 대응하는 복수의 비트 라인들(비트 라인(112)을 포함함)을 선택할 수 있다. 감지 AMP 및 비교기(102)는 특정 워드에 저장된 제 1 복수의 값들(예를 들어, "01010100")을 판독할 수 있다. 예를 들어, 감지 AMP 및 비교기(102)는 제 1 값(120)을 포함하는 제 1 복수의 값들을 복수의 비트 라인들로부터 수신할 수 있다.[0026] 감지 AMP 및 비교기(102)는 제 1 복수의 값들을 제 2 복수의 값들과 비교할 수 있으며, 비교에 기초하여 대응하는 MTJ 스토리지 엘리먼트에 제 2 복수의 값들 중 하나 또는 그 초과의 제 2 복수의 값들을 선택적으로 기록할 수 있다. 예를 들어, 감지 AMP 및 비교기(102)는, 제 1 비트(예를 들어, 0) 및 제 2 비트(예를 들어, 1)에 대응하는 MTJ 스토리지 엘리먼트들에 저장된 로직 값들이 제 1 비트(예를 들어, 1) 및 제 2 비트(예를 들어, 0)에 저장될 로직 값들과 매칭하지 않는다고 결정할 수 있다. 결정에 대한 응답으로, 감지 AMP 및 비교기(102)는 제 1 비트 및 제 2 비트에의 기록을 인에이블할 수 있으며, 나머지 비트들에의 기록을 디스에이블할 수 있다. 예를 들어, 감지 AMP 및 비교기(102)는 기록 인에이블 신호(126)를 제 1 비트 및 제 2 비트에 대응하는 기록 펄스 생성기(예를 들어, 기록 펄스 생성기(106))에 송신할 수 있으며, 기록 인에이블 신호(126)를 나머지 비트들에 대응하는 기록 펄스 생성기들에 송신하는 것을 억제할 수 있다. 특정 실시예에서, 감지 AMP 및 비교기(102)는, 단일 메모리 클럭 사이클 내에서, 제 1 복수의 값들을 수신하고, 제 2 복수의 값들을 수신하고, 제 1 복수의 값들을 제 2 복수의 값들과 비교하고, 그리고 제 2 복수의 값들 중 하나 또는 그 초과의 제 2 복수의 값들의 기록 동작을 선택적으로 인에이블할 수 있다.[0027] MTJ 스토리지 엘리먼트에의 기록은 MTJ 스토리지 엘리먼트로부터의 판독보다 더 에너지 집약적일 수 있다. MTJ 스토리지 엘리먼트에 저장된 값이 MTJ 스토리지 엘리먼트에 기록될 값과 매칭하는 경우 MTJ 스토리지 엘리먼트에 기록하는 것을 억제하는 것은 메모리에의 기록 동작들과 연관된 에너지 소비를 감소시킨다. 추가로, 단일 메모리 클럭 사이클 내에서 메모리 동작을 수행하는 것은 단일 메모리 클럭 사이클보다 더 오래 걸리는 메모리 동작으로부터 발생하는 명령 파이프라인에서의 갭을 방지할 수 있다.[0028] 도 2를 참조하면, 저전력 메모리 동작에 대응하는 신호 트레이스들을 예시하기 위한 타이밍도가 개시되며, 전반적으로 200으로 표기된다. 특정 실시예에서, 타이밍도는 도 1의 시스템(100)에서의 메모리 동작에 대응할 수 있다.[0029] 타이밍도(200)는 클럭 신호(CLK)(202)를 포함한다. CLK(202)의 하나의 사이클은 메모리 클럭 사이클(예를 들어, 제 1 메모리 클럭 사이클(204) 또는 제 2 메모리 클럭 사이클(224))에 대응한다. 타이밍도(200)는 또한, 판독 신호(206) 및 기록 신호(208)를 포함한다.[0030] 동작 동안, 메모리 제어기는 도 1을 참조하여 추가로 설명되는 바와 같이, MTJ 스토리지 엘리먼트(예를 들어, MTJ 스토리지 엘리먼트(130))의 판독 동작을 개시할 수 있다. 예를 들어, 메모리 제어기는 제 1 전류가 비트 라인(112)과 소스 라인(114) 사이에 흐르게 하도록 판독 신호(206)를 어서트할 수 있다. 특정 실시예에서, 메모리 제어기는 프로세서로부터의 기록 요청에 대한 응답으로 판독 신호(206)를 생성할 수 있다.[0031] 예를 들어, 제 1 메모리 클럭 사이클(204) 동안, 판독 신호(206)는 제 1 판독 듀레이션(216) 동안 어서트될 수 있다. 도 2에 예시되는 바와 같이, 제 1 판독 듀레이션(216)은 메모리 클럭 사이클(204)의 전반기(first half) 미만에 대응할 수 있다. 감지 AMP 및 비교기(102)는 제 1 판독 듀레이션(216)의 끝에서 또는 제 1 판독 듀레이션(216)의 거의 끝에서 제 1 값(120)을 수신할 수 있다. 감지 AMP 및 비교기(102)는, 도 1을 참조하여 추가로 설명되는 바와 같이, 제 1 값(120) 및 제 2 값(122)을 비교할 수 있으며, 기록 인에이블 신호(126)를 선택적으로 생성할 수 있다. 예를 들어, 감지 AMP 및 비교기(102)는 제 1 값(120) 및 제 2 값(122)이 매칭하지 않는다는 결정에 대한 응답으로 기록 인에이블 신호(126)를 활성화할 수 있다. 기록 인에이블 신호(126)에 대한 응답으로, 기록 펄스 생성기(106)는 제 2 전류가 비트 라인(112)과 소스 라인(114) 사이에 흐르게 하도록 기록 펄스(124)를 생성할 수 있다. 특정 실시예에서, 기록 신호(208)는 기록 펄스(124)에 대응할 수 있다. 기록 신호(208)는 기록 듀레이션(218) 동안 활성화될 수 있다. 도 2에 예시되는 바와 같이, 기록 듀레이션(218)은 제 1 판독 듀레이션(216)보다 더 길 수 있지만, 제 1 판독 듀레이션(216) 및 기록 듀레이션(218) 둘다는 단일 제 1 메모리 클럭 사이클(204) 동안 발생할 수 있다.[0032] 또 다른 예로서, 제 2 메모리 클럭 사이클(224) 동안, 메모리 제어기는 MTJ 스토리지 엘리먼트(예를 들어, MTJ 스토리지 엘리먼트(130))에 대한 프로세서로부터의 또 다른 기록 요청에 대한 응답으로 판독 신호(206)를 리어서트할 수 있다. 이전 기록 요청이 단일 제 1 메모리 클럭 사이클(204) 내에서 프로세싱되며, 명령 실행 파이프라인에서의 갭을 초래하지 않기 때문에, 판독 신호(206)는 제 1 메모리 클럭 사이클(204) 이후의 다음 메모리 클럭 사이클(예를 들어, 제 2 메모리 클럭 사이클(224)) 동안 어서트될 수 있다. 판독 신호(206)는 제 2 판독 듀레이션(220) 동안 어서트될 수 있다. 감지 AMP 및 비교기(102)는 MTJ 스토리지 엘리먼트(130)에 의해 저장된 값이 MTJ 스토리지 엘리먼트(130)에 기록될 또 다른 값과 매칭한다고 결정할 수 있다. 결정에 대한 응답으로, 감지 AMP 및 비교기(102)는 제 2 메모리 클럭 사이클(224) 동안 기록 신호(208)를 활성화하지 않을 수 있다.[0033] 단일 메모리 클럭 사이클 내에서 메모리 동작을 수행하는 것은 단일 메모리 클럭 사이클보다 더 오래 걸리는 메모리 동작으로부터 발생하는 명령 파이프라인에서의 갭을 방지할 수 있다.[0034] 도 3은 저전력 메모리 동작을 수행하는 방법(300)의 특정 실시예를 예시하기 위한 흐름도이다. 예시적 실시예에서, 방법(300)은 도 1의 시스템(100)에 의해 수행될 수 있다.[0035] 방법(300)은 302에서, MTJ(magnetic tunnel junction) 스토리지 엘리먼트에 저장된 제 1 값을 판독하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 도 1의 감지 AMP 및 비교기(102)는, 도 1을 참조하여 추가로 설명되는 바와 같이, MTJ 스토리지 엘리먼트(130)에 저장된 제 1 값(120)을 판독할 수 있다.[0036] 방법(300)은 또한, 304에서, 제 1 값을 MTJ 스토리지 엘리먼트에 저장될 제 2 값과 비교하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 감지 AMP 및 비교기(102)는, 도 1을 참조하여 추가로 설명되는 바와 같이, 제 1 값(120)을 제 2 값(122)과 비교할 수 있다.[0037] 방법(300)은 306에서, 비교에 기초하여 MTJ 스토리지 엘리먼트에 제 2 값을 선택적으로 기록하는 단계를 더 포함한다. 단일 메모리 클럭 사이클 동안, 제 1 값이 판독되고, 제 1 값 및 제 2 값이 비교되며, 제 2 값이 선택적으로 기록된다. 예를 들어, 감지 AMP 및 비교기(102)는 도 1을 참조하여 추가로 설명되는 바와 같이, 비교에 기초하여 MTJ 스토리지 엘리먼트(130)에 제 2 값(122)을 선택적으로 기록할 수 있다. 예시하기 위해, 감지 AMP 및 비교기(102)는 제 1 값(120)이 제 2 값(122)과 매칭하지 않는다는 결정에 대한 응답으로 MTJ 스토리지 엘리먼트(130)에 제 2 값(122)을 기록하도록 기록 인에이블 신호(126)를 생성할 수 있다. 감지 AMP 및 비교기(102)는 제 1 값(120) 및 제 2 값(122)이 매칭한다는 결정에 대한 응답으로 기록 인에이블 신호(126)를 생성하는 것을 억제할 수 있다. 감지 AMP 및 비교기(102)는, 도 1-2를 참조하여 추가로 설명되는 바와 같이, 단일 메모리 클럭 사이클 내에서 제 1 값(120)을 판독하고, 제 1 값(120) 및 제 2 값(122)을 비교하고, 그리고 제 2 값(122)을 선택적으로 기록할 수 있다.[0038] 방법(300)은 MTJ 스토리지 엘리먼트에 저장된 값이 MTJ 스토리지 엘리먼트에 기록될 값과 매칭하는 경우 MTJ 스토리지 엘리먼트에 기록하는 것을 억제할 수 있으며, 그에 의해, 메모리에의 기록 동작들과 연관된 에너지 소비를 감소시킬 수 있다. 추가로, 단일 메모리 클럭 사이클 동안 메모리 동작을 수행하는 것은 명령 파이프라인에서의 갭의 초래를 방지할 수 있다.[0039] 도 3의 방법(300)은 CPU(central processing unit), FPGA(field-programmable gate array) 디바이스, ASIC(application-specific integrated circuit), 제어기, 또 다른 하드웨어 디바이스, 펌웨어 디바이스 또는 이들의 임의의 결합과 같은 프로세싱 유닛에 의해 개시될 수 있다.[0040] 도 4를 참조하면, 디바이스의 블록도가 개시되며, 전반적으로 400으로 표기된다. 디바이스(400)(예를 들어, 무선 디바이스)는 메모리(432)에 커플링된, DSP(digital signal processor) 또는 CPU(central processing unit)와 같은 프로세서(410)를 포함한다. 메모리(432)는 도 1의 MTJ 스토리지 엘리먼트들의 어레이(108)를 포함할 수 있다. 디바이스(400)는 또한, 프로세서(410) 및 디스플레이(428)에 커플링된 디스플레이 제어기(426)를 포함한다. CODEC(coder/decoder)(434)은 또한, 프로세서(410)에 커플링될 수 있다. 스피커(436) 및 마이크로폰(438)은 CODEC(434)에 커플링될 수 있다. [0041] 도 4는 추가로, 무선 제어기(440)가 프로세서(410) 및 안테나(442)에 커플링될 수 있음을 표시한다. 디바이스(400)는 도 1의 MUX(104), 기록 펄스 생성기(106), 감지 AMP 및 비교기(102) 또는 이들의 결합을 포함할 수 있다. 디바이스(400)는 메모리 제어기(480)를 포함할 수 있다. 메모리 제어기(480)는 실행가능한 명령들(456)을 포함하는 유형의 비-일시적 프로세서 판독가능한 스토리지 매체일 수 있다. 명령들(456)은 동작들, 함수들 및/또는 방법들 중 하나 또는 그 초과의 것들의 성능을 수행 또는 개시하기 위해 메모리 제어기(480) 내의 프로세서와 같은 프로세서에 의해 실행될 수 있다. 특정 실시예에서, 메모리 제어기(480)는 도 1에 대해 설명되는 메모리 제어기에 대응할 수 있다.[0042] 특정 실시예에서, 프로세서(410), 디스플레이 제어기(426), 메모리(432), CODEC(434), 메모리 제어기(480), MUX(104), 기록 펄스 생성기(106), 감지 AMP 및 비교기(102) 및 무선 제어기(440)는 시스템-인-패키지 또는 시스템-온-칩 디바이스(422)에 포함된다. 특정 실시예에서, 입력 디바이스(430) 및 파워 서플라이(444)는 시스템-온-칩 디바이스(422)에 커플링된다. 더욱이, 특정 실시예에서, 도 4에서 예시되는 바와 같이, 디스플레이(428), 입력 디바이스(430), 스피커(436), 마이크로폰(438), 안테나(442) 및 파워 서플라이(444)는 시스템-온-칩 디바이스(422)의 외부에 있다. 그러나, 디스플레이(428), 입력 디바이스(430), 스피커(436), 마이크로폰(438), 안테나(442) 및 파워 서플라이(444) 각각은 인터페이스 또는 제어기와 같은 시스템-온-칩 디바이스(422)의 컴포넌트에 커플링될 수 있다.[0043] 설명되는 실시예와 함께, 장치는 제 1 데이터 엘리먼트를 포함하는 복수의 데이터 엘리먼트들을 저장하기 위한 제 1 수단을 포함한다. 예를 들어, 저장하기 위한 제 1 수단은 도 1 또는 도 4의 MTJ 스토리지 엘리먼트들의 어레이(108), 복수의 데이터 엘리먼트들을 저장하도록 구성되는 하나 또는 그 초과의 다른 디바이스들 또는 회로들, 또는 이들의 임의의 결합을 포함할 수 있다.[0044] 장치는 또한, 제 1 데이터 엘리먼트에 저장된 제 1 값을 수신하기 위한 제 1 수단을 포함한다. 예를 들어, 수신하기 위한 제 1 수단은 도 1 또는 도 4의 감지 AMP 및 비교기(102), 제 1 값을 수신하도록 구성되는 하나 또는 그 초과의 다른 디바이스들 또는 회로들, 또는 이들의 임의의 결합을 포함할 수 있다.[0045] 장치는 제 1 데이터 엘리먼트에 기록될 제 2 값을 멀티플렉서(MUX)로부터 수신하기 위한 제 2 수단을 더 포함한다. 예를 들어, 수신하기 위한 제 2 수단은 도 1 또는 도 4의 감지 AMP 및 비교기(102), 제 2 값을 수신하도록 구성되는 하나 또는 그 초과의 다른 디바이스들 또는 회로들, 또는 이들의 임의의 결합을 포함할 수 있다.[0046] 장치는 또한, 제 1 값을 제 2 값과 비교하기 위한 수단을 포함한다. 예를 들어, 비교하기 위한 수단은 도 1 또는 도 4의 감지 AMP 및 비교기(102), 비교하도록 구성되는 하나 또는 그 초과의 다른 디바이스들 또는 회로들, 또는 이들의 임의의 결합을 포함할 수 있다.[0047] 장치는 비교하기 위한 수단으로부터의 결과에 기초하여 기록 인에이블 신호를 기록 펄스를 생성하기 위한 수단에 선택적으로 송신하기 위한 수단을 더 포함한다. 기록 펄스는 제 1 데이터 엘리먼트에의 제 2 값의 기록을 인에이블한다. 예를 들어, 선택적으로 송신하기 위한 수단은 도 1 또는 도 4의 감지 AMP 및 비교기(102), 기록 인에이블 신호를 선택적으로 송신하도록 구성되는 하나 또는 그 초과의 다른 디바이스들 또는 회로들, 또는 이들의 임의의 결합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 선택적으로 송신하기 위한 수단은 비교하기 위한 수단으로부터의 결과에 대한 응답으로 제 1 값이 제 2 값과 매칭함을 표시하는 기록 인에이블 신호를 송신하는 것을 억제할 수 있다. 또 다른 예로서, 선택적으로 송신하기 위한 수단은 비교하기 위한 수단으로부터의 결과에 대한 응답으로 제 1 값이 제 2 값과 매칭하지 않음을 표시하는 기록 인에이블 신호를 송신할 수 있다.[0048] 위에서 개시된 디바이스들 및 기능들은 컴퓨터 판독가능한 매체들 상에 저장되는 컴퓨터 파일들(예를 들어, RTL, GDSII, GERBER 등)로 설계 및 구성될 수 있다. 일부 또는 모든 이러한 파일들은 이러한 파일들에 기초하여 디바이스들을 제조하기 위한 제조 핸들러들에 제공될 수 있다. 결과적 제품들은, 그 다음, 다이들로 커팅되고 칩들로 패키징되는 웨이퍼들을 포함한다. 그 다음, 칩들은 모바일 폰, 통신 디바이스, 셋탑 박스, 뮤직 플레이어, 비디오 플레이어, 엔터테인먼트 유닛, 네비게이션 디바이스, PDA(personal digital assistant), 고정 위치 데이터 유닛 또는 컴퓨터를 포함하는 (그러나 이들에 제한되는 것은 아님) 디바이스들에서 이용된다. 도 5는 전자 디바이스 제조 프로세스(500)의 특정한 예시적 실시예를 도시한다.[0049] 물리적 디바이스 정보(502)는 제조 프로세스(500)에서, 이를테면, 리서치 컴퓨터(506)에서 수신된다. 물리적 디바이스 정보(502)는, 시스템(100)(또는 이의 임의의 컴포넌트들, 이를테면, 도 1의 MUX(104), 기록 펄스 생성기(106), 감지 AMP 및 비교기(102), MTJ 스토리지 엘리먼트들의 어레이(108) 또는 이들의 임의의 결합)과 같은 반도체 디바이스의 적어도 하나의 물리적 속성을 나타내는 설계 정보를 포함할 수 있다. 예를 들어, 물리적 디바이스 정보(502)는 물리적 파라미터들, 물질 특성들 및 리서치 컴퓨터(506)에 커플링된 사용자 인터페이스(504)를 통해 입력(enter)되는 구조 정보를 포함할 수 있다. 리서치 컴퓨터(506)는 메모리(510)와 같은 컴퓨터 판독가능한 매체에 커플링된, 하나 또는 그 초과의 프로세싱 코어들과 같은 프로세서(508)를 포함한다. 메모리(510)는, 프로세서(508)로 하여금, 파일 포맷을 따르고 라이브러리 파일(512)을 생성하기 위해 물리적 디바이스 정보(502)를 변환하게 하도록 실행가능한 컴퓨터 판독가능한 명령들을 저장할 수 있다.[0050] 특정 실시예에서, 라이브러리 파일(512)은 변환된 설계 정보를 포함하는 적어도 하나의 데이터 파일을 포함한다. 예를 들어, 라이브러리 파일(512)은, EDA(electronic design automation) 툴(520)에 사용하기 위해 제공되는, 시스템(100)(또는 이의 임의의 컴포넌트들, 이를테면, 도 1의 MUX(104), 기록 펄스 생성기(106), 감지 AMP 및 비교기(102), MTJ 스토리지 엘리먼트들의 어레이(108) 또는 이들의 임의의 결합)을 포함하는 디바이스를 포함하는 반도체 디바이스들의 라이브러리를 포함할 수 있다.[0051] 라이브러리 파일(512)은, 메모리(518)에 커플링된, 하나 또는 그 초과의 프로세싱 코어들과 같은 프로세서(516)를 포함하는 설계 컴퓨터(514)에서 EDA 툴(520)과 함께 사용될 수 있다. EDA 툴(520)은, 설계 컴퓨터(514)의 사용자가 라이브러리 파일(512)의 시스템(100)(또는 이의 임의의 컴포넌트들, 이를테면, 도 1의 MUX(104), 기록 펄스 생성기(106), 감지 AMP 및 비교기(102), MTJ 스토리지 엘리먼트들의 어레이(108) 또는 이들의 임의의 결합)을 포함하는 회로를 설계하는 것을 가능하게 하기 위해 메모리(518)에 프로세서 실행가능한 명령들로서 저장될 수 있다. 예를 들어, 설계 컴퓨터(514)의 사용자는 설계 컴퓨터(514)에 커플링된 사용자 인터페이스(524)를 통해 회로 설계 정보(522)를 입력할 수 있다. 회로 설계 정보(522)는, 시스템(100)(또는 이의 임의의 컴포넌트들, 이를테면, 도 1의 MUX(104), 기록 펄스 생성기(106), 감지 AMP 및 비교기(102), MTJ 스토리지 엘리먼트들의 어레이(108) 또는 이들의 임의의 결합)과 같은 반도체 디바이스의 적어도 하나의 물리적 속성을 나타내는 설계 정보를 포함할 수 있다. 예시하기 위해, 회로 설계 속성은 특정 회로들의 식별 및 회로 설계에서의 다른 엘리먼트들에 대한 관계들, 포지셔닝 정보, 피처 크기 정보, 상호연결 정보, 또는 반도체 디바이스의 물리적 특성을 나타내는 다른 정보를 포함할 수 있다.[0052] 설계 컴퓨터(514)는, 회로 설계 정보(522)를 포함하는 설계 정보를 파일 포맷을 따르게 변환하도록 구성될 수 있다. 예시하기 위해, 파일 형식은, GDSII(Graphic Data System) 파일 포맷과 같이, 평면의 기하학적 형상들, 텍스트 라벨들, 및 회로 레이아웃에 대한 다른 정보를 계층적 포맷으로 나타내는 데이터베이스 바이너리 파일 포맷을 포함할 수 있다. 설계 컴퓨터(514)는, 다른 회로들 또는 정보와 더불어, 시스템(100)(또는 이의 임의의 컴포넌트들, 이를테면, 도 1의 MUX(104), 기록 펄스 생성기(106), 감지 AMP 및 비교기(102), MTJ 스토리지 엘리먼트들의 어레이(108) 또는 이들의 임의의 결합)을 설명하는 정보를 포함하는, GDSII 파일(526)과 같은 변환된 설계 정보를 포함하는 데이터 파일을 생성하도록 구성될 수 있다. 예시하기 위해, 데이터 파일은, 시스템(100)(또는 이의 임의의 컴포넌트들, 이를테면, 도 1의 MUX(104), 기록 펄스 생성기(106), 감지 AMP 및 비교기(102), MTJ 스토리지 엘리먼트들의 어레이(108) 또는 이들의 임의의 결합)을 포함하고, 또한, SOC(system-on-chip) 내에 추가 전자 회로들 및 컴포넌트들을 포함하는 SOC에 대응하는 정보를 포함할 수 있다.[0053] GDSII 파일(526)은, GDSII 파일(526)에서의 변환된 정보에 따라, 시스템(100)(또는 이의 임의의 컴포넌트들, 이를테면, 도 1의 MUX(104), 기록 펄스 생성기(106), 감지 AMP 및 비교기(102), MTJ 스토리지 엘리먼트들의 어레이(108) 또는 이들의 임의의 결합)을 제조하기 위한 제조 프로세스(528)에서 수신될 수 있다. 예를 들어, 디바이스 제조 프로세스는 대표적 마스크(532)로서 예시되는, 포토리소그래피 프로세싱에 사용될 마스크들과 같은 하나 또는 그 초과의 마스크들을 생성하기 위해 GDSII 파일(526)을 마스크 제조자(530)에게 제공하는 것을 포함할 수 있다. 마스크(532)는, 테스트되고 대표적 다이(536)와 같은 다이들로 분리될 수 있는 하나 또는 그 초과의 웨이퍼들(534)을 생성하기 위해 제조 프로세스 동안 사용될 수 있다. 다이(536)는 시스템(100)(또는 이의 임의의 컴포넌트들, 이를테면, 도 1의 MUX(104), 기록 펄스 생성기(106), 감지 AMP 및 비교기(102), MTJ 스토리지 엘리먼트들의 어레이(108) 또는 이들의 임의의 결합)을 포함하는 디바이스를 포함하는 회로를 포함한다.[0054] 다이(536)는, 다이(536)가 대표적 패키지(540)로 통합되는 패키징 프로세스(538)에 제공될 수 있다. 예를 들어, 패키지(540)는 SiP(system-in-package) 배열과 같은 단일 다이(536) 또는 다수의 다이들을 포함할 수 있다. 패키지(540)는 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council) 표준들과 같은 하나 또는 그 초과의 표준들 또는 규격들을 따르도록 구성될 수 있다.[0055] 패키지(540)에 관한 정보는, 이를테면, 컴퓨터(546)에 저장된 컴포넌트 라이브러리를 통해, 다양한 제품 설계자들에게 분배될 수 있다. 컴퓨터(546)는 메모리(550)에 커플링된, 하나 또는 그 초과의 프로세싱 코어들과 같은 프로세서(548)를 포함할 수 있다. PCB(printed circuit board) 툴은, 사용자 인터페이스(544)를 통해 컴퓨터(546)의 사용자로부터 수신된 PCB 설계 정보(542)를 프로세싱하기 위해, 메모리(550)에 프로세서 실행가능한 명령들로서 저장될 수 있다. PCB 설계 정보(542)는 회로 기판 상의 패키징된 반도체 디바이스의 물리적 포지셔닝 정보를 포함할 수 있고, 패키징된 반도체 디바이스는, 시스템(100)(또는 이의 임의의 컴포넌트들, 이를테면, 도 1의 MUX(104), 기록 펄스 생성기(106), 감지 AMP 및 비교기(102), MTJ 스토리지 엘리먼트들의 어레이(108) 또는 이들의 임의의 결합)을 포함하는 패키지(540)에 대응한다.[0056] 컴퓨터(546)는, 회로 기판 상의 패키징된 반도체 디바이스의 물리적 포지셔닝 정보뿐만 아니라, 트레이스들 및 비아들과 같은 전기적 연결들의 레이아웃을 포함하는 데이터를 갖는 GERBER 파일(552)과 같은 데이터 파일을 생성하기 위해 PCB 설계 정보(542)를 변환하도록 구성될 수 있으며, 여기서, 패키징된 반도체 디바이스는, 시스템(100)(또는 이의 임의의 컴포넌트들, 이를테면, 도 1의 MUX(104), 기록 펄스 생성기(106), 감지 AMP 및 비교기(102), MTJ 스토리지 엘리먼트들의 어레이(108) 또는 이들의 임의의 결합)을 포함하는 패키지(540)에 대응한다. 다른 실시예들에서, 변환된 PCB 설계 정보에 의해 생성된 데이터 파일은 GERBER 포맷 외의 포맷을 가질 수 있다.[0057] GERBER 파일(552)은 기판 어셈블리 프로세스(554)에서 수신되며, GERBER 파일(552) 내에 저장되는 설계 정보에 따라 제조된, 대표적 PCB(556)와 같은 PCB들을 생성하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, GERBER 파일(552)은 PCB 생산 프로세스의 다양한 단계들을 수행하기 위해 하나 또는 그 초과의 기계들에 업로드될 수 있다. PCB(556)는 대표적 PCA(printed circuit assembly)(558)를 형성하기 위해 패키지(540)를 포함하는 전자 컴포넌트들로 채워질 수 있다.[0058] PCA(558)는 제품 제조 프로세스(560)에서 수신되고, 제 1 대표적 전자 디바이스(562) 및 제 2 대표적 전자 디바이스(564)와 같은 하나 또는 그 초과의 전자 디바이스들로 통합될 수 있다. 예시적인 비-제한적 예로서, 제 1 대표적 전자 디바이스(562), 제 2 대표적 전자 디바이스(564) 또는 둘다는, 시스템(100)(또는 이의 임의의 컴포넌트들, 이를테면, 도 1의 MUX(104), 기록 펄스 생성기(106), 감지 AMP 및 비교기(102), MTJ 스토리지 엘리먼트들의 어레이(108) 또는 이들의 임의의 결합)이 통합되는, 모바일 폰, 셋탑 박스, 뮤직 플레이어, 비디오 플레이어, 엔터테인먼트 유닛, 네비게이션 디바이스, 통신 디바이스, PDA(personal digital assistant), 고정 위치 데이터 유닛 및 컴퓨터의 그룹으로부터 선택될 수 있다. 또 다른 예시적인 비-제한적 예로서, 전자 디바이스들(562 및 564) 중 하나 또는 그 초과의 전자 디바이스들은, 모바일 폰들, 핸드헬드 PCS(personal communication systems) 유닛들, 개인용 데이터 보조기들과 같은 휴대용 데이터 유닛들, GPS(global positioning system) 인에이블 디바이스들, 네비게이션 디바이스들, 검침기(meter reading equipment)와 같은 고정 위치 데이터 유닛들 또는 데이터 또는 컴퓨터 명령들을 저장 또는 리트리브하는 임의의 다른 디바이스, 또는 이들의 임의의 결합과 같은 원격 유닛들일 수 있다. 도 5는 본 개시 내용의 교시 내용들에 따른 원격 유닛들을 예시하지만, 본 개시 내용은 이러한 예시되는 유닛들에 제한되는 것은 아니다. 본 개시 내용의 실시예들은 메모리 및 온-칩 회로를 포함하는 활성 집적 회로를 포함하는 임의의 디바이스에서 적합하게 사용될 수 있다.[0059] 시스템(100)(또는 이의 임의의 컴포넌트들, 이를테면, 도 1의 MUX(104), 기록 펄스 생성기(106), 감지 AMP 및 비교기(102), MTJ 스토리지 엘리먼트들의 어레이(108) 또는 이들의 임의의 결합)을 포함하는 디바이스는 예시적 프로세스(500)에서 설명되는 바와 같이, 제조, 프로세싱 및 전자 디바이스로 통합될 수 있다. 도 1-4에 대해 개시되는 실시예들의 하나 또는 그 초과의 양상들은, 다양한 프로세싱 스테이지들에, 이를테면, 라이브러리 파일(512), GDSII 파일(526) 및 GERBER 파일(552) 내에 포함될 뿐만 아니라, 리서치 컴퓨터(506)의 메모리(510), 설계 컴퓨터(514)의 메모리(518), 컴퓨터(546)의 메모리(550), 다양한 스테이지들에서, 이를테면, 기판 어셈블리 프로세스(554)에서 사용되는 하나 또는 그 초과의 다른 컴퓨터들 또는 프로세서들(도시되지 않음)의 메모리에 저장될 수 있으며, 또한, 하나 또는 그 초과의 다른 물리적 실시예들, 이를테면, 마스크(532), 다이(536), 패키지(540), PCA(558), 프로토타입 회로들 또는 디바이스들(도시되지 않음)과 같은 다른 제품들, 또는 이들의 임의의 결합에 통합될 수 있다. 물리적 디바이스 설계로부터 최종 제품으로의 다양한 대표적 생산 스테이지들이 도시되지만, 다른 실시예들에서, 더 적은 스테이지들이 사용될 수 있거나 또는 추가 스테이지들이 포함될 수 있다. 유사하게, 프로세스(500)는 프로세스(500)의 다양한 스테이지들을 수행하는 단일 엔티티에 의해 또는 하나 또는 그 초과의 엔티티들에 의해 수행될 수 있다.[0060] 당업자들은, 본원에서 개시되는 실시예들과 관련하여 설명되는 다양한 예시적 논리 블록들, 구성들, 모듈들, 회로들 및 알고리즘 단계들이 전자 하드웨어, 프로세서에 의해 실행되는 컴퓨터 소프트웨어, 또는 이 둘의 결합들로서 구현될 수 있다는 것을 추가로 인식할 것이다. 다양한 예시적 컴포넌트들, 블록들, 구성들, 모듈들, 회로들 및 단계들이 일반적으로 이들의 기능적 관점에서 위에서 설명되었다. 이러한 기능이 하드웨어로 구현되는지, 또는 프로세서 실행가능한 명령들로 구현되는지는 전체 시스템 상에 부과되는 설계 제약들 및 특정 애플리케이션에 의존한다. 당업자들은 설명되는 기능을 각각의 특정 애플리케이션에 대해 다양한 방식들로 구현할 수 있지만, 이러한 구현 결정들이 본 개시 내용의 범위를 벗어나게 하는 것으로 해석되어서는 안 된다.[0061] 본원에서 개시되는 실시예들과 관련하여 설명되는 알고리즘 또는 방법의 단계들은 직접 하드웨어로, 프로세서에 의해 실행되는 소프트웨어 모듈로, 또는 이 둘의 결합으로 구현될 수 있다. 소프트웨어 모듈은 RAM(random access memory), 플래시 메모리, ROM(read-only memory), PROM(programmable read-only memory), EPROM(erasable programmable read-only memory), EEPROM(electrically erasable programmable read-only memory), 레지스터들, 하드 디스크, 탈착식(removable) 디스크, CD-ROM(compact disc read-only memory), 또는 당해 기술 분야에 공지된 임의의 다른 형태의 비-일시적 저장 매체에 상주할 수 있다. 예시적 저장 매체는, 프로세서가 저장 매체로부터 정보를 판독하고 저장 매체에 정보를 기록할 수 있도록 프로세서에 커플링된다. 대안적으로, 저장 매체는 프로세서에 통합될 수 있다. 프로세서 및 저장 매체는 ASIC(application-specific integrated circuit)에 상주할 수 있다. ASIC는 컴퓨팅 디바이스 또는 사용자 단말에 상주할 수 있다. 대안적으로, 프로세서 및 저장 매체는 컴퓨팅 디바이스 또는 사용자 단말에서 개별 컴포넌트들로서 상주할 수 있다.[0062] 개시되는 실시예들의 이전의 설명은 당업자가 개시되는 실시예들을 실시하거나 또는 사용하는 것이 가능하도록 제공된다. 이러한 실시예들에 대한 다양한 수정들은 당업자들에게 쉽게 명백할 것이고, 본원에서 정의된 원리들은 본 개시 내용의 범위를 벗어나지 않고 다른 실시예들에 적용될 수 있다. 따라서, 본 개시 내용은 본원에서 도시되는 실시예들에 제한되는 것으로 의도된 것이 아니라, 다음의 청구항들에 의해 정의되는 원리들 및 신규한 특징들과 일치하는 가능한 가장 넓은 범위를 따를 것이다.	방법은, 단일 메모리 클럭 사이클 동안, MTJ(magnetic tunnel junction) 스토리지 엘리먼트에 저장된 제 1 값을 판독하고, 제 1 값을 MTJ 스토리지 엘리먼트에 저장될 제 2 값과 비교하고, 그리고 비교에 기초하여 제 2 값을 MTJ 스토리지 엘리먼트에 선택적으로 기록함으로써, MTJ 스토리지 엘리먼트에서의 메모리 동작을 수행하는 단계를 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 공단량체 함량에 대한 다중모드 폴리프로필렌MULTIMODAL POLYPROPYLENE WITH RESPECT TO COMONOMER CONTENT [ 기술분야 ] 본 발명은 다중모드 공단량체 분포를 갖는 신규한 프로필렌 공중합체, 그의 제조와 마찬가지로 성형 물품에서의 그의 용도에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 프로필렌 공중합체들이 다수의 응용분야들에서 사용될 수 있다. 예를 들어 프로필렌 공중합체들은 충격 저항과 광학적 특성이 중요한 역할을 하는 식품 포장 영역에서 사용된다. 추가로 최근 이러한 물품들의 제조가 높은 출력 속도로 달성될 수 있다. 그러나, 높은 출력 속도는 상당히 낮은 분자량을 요구하며 이것은 기계적 및/또는 광학적 특성에 부정적인 영향을 미칠 수 있다. 또한 광학적 특성이 중요한 문제인 시장에서 제품들이 원치 않는 부산물에 의해 발생되는 황변화(yellowishness)를 겪을 수 있다. 또한 식품 포장 시장에서 고도의 원치 않는 냄새는 수용되지 않는다. 전형적으로 중합체들의 제조에서 사용되는 과산화물이 이러한 원치 않는 냄새의 원인이다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 따라서 본 발명의 목적은 성형 물품들을 생산하기 위해 매우 바람직한 기계적 특성들 및 추가로 매우 선호되는 가공 특성들을 갖는 성형 응용(moilding application)을 위한, 특히 식품 포장을 위한 중합체 재료를 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 결론은 이러한 목적이 높은 용융흐름지수를 갖는 프로필렌 공중합체에 의해 해결될 수 있다는 것이며, 여기에서 상기 프로필렌 공중합체는 조핵제를 포함하고 다중모드 공단량체 분포를 가진다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 따라서 본 발명은 특히 프로필렌 공중합체에 관련되며, 이러한 프로필렌 공중합체는(a) 3.7 내지 7.3 몰%의 범위 내의 공단량체 함량, 및(b) 적어도 10g/10분의 ISO 1133에 따라 측정된 용융흐름지수 MFR2(230℃)를 가지며,여기에서 상기 프로필렌 공중합체는(i) 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1),(ii) 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2),(iii) 조핵제; 및(iv) 조핵제와 상이한 선택적인 추가의 첨가제를 포함하거나, 바람직하게는 이로 구성되며,여기에서 추가로(c) 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)이 1.5 내지 3.0 몰%의 범위 내의 공단량체 함량을 가지며,(d) 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)의 공단량체 함량[몰%]이 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)의 공단량체 함량[몰%] 보다 더 높고/높거나 프로필렌 공중합체의 총 공단량체 함량[몰%]이 상기 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)의 공단량체 함량[몰%]보다 더 높다.따라서, 본 발명의 폴리프로필렌 공중합체는 공단량체 분포에 대해 다중모드(이중모드를 포함)이다. 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1) 및 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2) 각각의 공단량체 함량이 측정될 수 있거나 또는 다른 분획이 측정될 수 있고, 다른 분획이 실시예 부분에서의 하기 "A. 측정 방법" 중의 "계산"에서 주어진 것과 같은 식을 사용하여 산출될 수 있다.본 발명에 따른 프로필렌 공중합체는 프로필렌 랜덤 공중합체이며, 이 프로필렌 랜덤 공중합체는 공단량체 유닛이 중합체 쇄(polymeric chain) 중에 랜덤하게(무작위로) 분포되는, 프로필렌 단량체 유닛과 프로필렌과는 상이한 공단량체 유닛의 공중합체를 의미한다. 프로필렌 공중합체, 즉 프로필렌 랜덤 공중합체는, 바람직하게는 프로필렌 공중합체, 즉 프로필렌 랜덤 공중합체의 총량의 적어도 70 중량%, 보다 바람직하게는 적어도 80 중량%, 여전히 보다 바람직하게는 적어도 85 중량% 및 가장 바람직하게는 적어도 90 중량%의 양으로 자일렌 내에서 불용성인 분획, 소위 냉자일렌 불용(XCU) 분획을 포함한다. 상당히 높은 양의 냉자일렌 불용(XCU) 분획은 본 발명에 따른 프로필렌 공중합체가 헤테로상(heterophasic)(탄성중합체상이 분산되어 있는 폴리프로필렌 매트릭스)이 아니며 단상(monophasic)임을 나타낸다.바람직하게는 본 발명에 따른 프로필렌 공중합체가 핵형성된다. 바람직하게는 핵형성이 중합체성 조핵제를 사용함으로써 달성된다. 여전히 보다 바람직하게는 중합체성 조핵제가 α-조핵제이고, 보다 바람직하게는 중합체성 α-조핵제, 예컨대 비닐시클로알칸 중합체 및/또는 비닐알칸 중합체이다.가장 바람직하게는 프로필렌 공중합체의 최종 용융흐름지수가 프로필렌 공중합체의 중합 공정 동안 조정된다. 따라서 반응기-제조 프로필렌 공중합체가 위에서 또는 아래에서 또는 청구항에서 정의된 바와 같은 용융흐름지수를 가진다. "반응기-제조 프로필렌 공중합체"는 본 명세서에서 프로필렌 공중합체의 용융흐름지수가 사후-처리에 의해 의도적으로 수정되지 않았음을 나타낸다. 따라서, 바람직한 구체예에서, 본 발명에 따른 프로필렌 공중합체가 비-열분해된 것(비-비스브로큰: non-visbroken)이고, 특히 과산화물을 사용하여 열분해된 것이 아니다. 따라서, 용융흐름지수가 과산화물의 사용에 의해 프로필렌 공중합체의 체인 길이를 단축함으로써 증가되지 않는다. 따라서 프로필렌 공중합체가 어떠한 과산화물 및/또는 그의 분해 산물을 함유하지 않는 것이 바람직하다.놀랍게도 용융흐름지수, 공단량체 분포에 대한 복합성(multimodality) 및 조핵제의 존재의 조합이 성형 물품으로 프로필렌 공중합체를 가공하기 위해 매우 바람직한 가공 특성들, 즉 성형 공정 내의 성형 물품들의 순환 시간을 크게 향상시키는 우수한 유동성 특성 및 매우 높은 결정화 온도와 같은 특성들을 갖는 프로필렌 공중합체를 제공한다는 점을 발견하였다. 또한 기계적인 특성들이 성형 물품에 매우 적합하며, 즉 충격 강도가 매우 유리하고 강성이 성형 응용분야에 바람직한 수준으로 유지된다. 따라서 조핵제 뿐 아니라 다중모드 공단량체 분포를 갖는 프로필렌 공중합체를 사용하는 것은 기계적 특성들과 관련하여 매우 우수한 균형을 제공한다. 또한 감각적 및 미학적 특성들이 매우 우수하다.아래에서 본 발명이 더욱 자세하게 정의된다.본 발명에 따른 프로필렌 공중합체가 프로필렌 외에 또한 공단량체도 포함한다. 바람직하게는 프로필렌 공중합체가 프로필렌 외에 에틸렌 및/또는 C4 내지 C12 α-올레핀을 포함한다. 따라서 본 발명에 따른 "프로필렌 공중합체"라는 용어는 (a) 프로필렌 및(b) 에틸렌 및/또는 C4 내지 C12 α-올레핀, 바람직하게는 에틸렌으로부터 유도가능한 유닛을 포함하거나, 바람직하게는 이로 구성되는 폴리프로필렌으로 이해된다.따라서 본 발명에 따른 프로필렌 공중합체는 프로필렌과 공중합가능한 단량체, 예를 들어, 에틸렌 및/또는 C4 내지 C12 α-올레핀, 특히 에틸렌 및/또는 C4 내지 C8 α-올레핀, 예컨대 1-부텐 및/또는 1-헥센과 같은 공단량체를 포함한다. 바람직하게는 본 발명에 따른 프로필렌 공중합체는 에틸렌, 1-부텐 및 1-헥센으로 구성된 군으로부터의 프로필렌과 공중합가능한 단량체를 포함하거나, 특히 이로 구성된다. 보다 구체적으로는 본 발명의 프로필렌 공중합체가 - 프로필렌 외에 - 에틸렌 및/또는 1-부텐으로부터 유도가능한 유닛을 포함한다. 일 바람직한 구체예에서, 본 발명에 따른 프로필렌 공중합체가 오직 프로필렌 및 에틸렌으로부터만 유도가능한 유닛을 포함한다.부가적으로 프로필렌 공중합체가 바람직하게는 매우 특정한 범위 이내로 공단량체 함량을 갖는다는 것이 이해된다. 따라서, 프로필렌 공중합체의 공단량체 함량, 바람직하게는 에틸렌 함량이 3.7 내지 7.3 몰% 범위 이내, 바람직하게는 4.0 내지 7.3 몰% 범위 이내, 보다 바람직하게는 4.4 내지 7.3 몰% 범위 이내, 여전히 보다 바람직하게는 4.5 내지 7.0 몰% 범위 이내, 또한 더욱 바람직하게는 4.7 내지 6.8 몰% 범위 이내일 것이 요구된다.위에서 언급된 바와 같이, 본 발명에 따른 프로필렌 공중합체는 예컨대 서로 다른 에틸렌 양과 같이 서로 다른 공단량체 양을 함유하는 두 개의 프로필렌 공중합체 분획들(R-PP1) 및 (R-PP2)의 존재로 인해 공단량체 함량, 예컨대 에틸렌 함량에 대해 다중모드, 바람직하게는 이중모드이다. 또한 더욱 바람직하게는 프로필렌 공중합체가 공단량체 함량의 관점에서 이중모드이며, 즉 프로필렌 공중합체가 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1) 및 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2) 만을 포함한다.따라서 프로필렌 공중합체의 총 공단량체 함량, 예컨대 에틸렌 함량이 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)의 공단량체 함량, 예컨대 에틸렌 함량과 상이한 것이 바람직하다. 또한 더욱 바람직하게는 프로필렌 공중합체의 [몰%] 단위의 총 공단량체 함량, 예컨대 총 에틸렌 함량이 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)의 [몰%] 단위의 공단량체 함량, 예컨대 에틸렌 함량보다 더 높다.일 바람직한 구체예에서, 프로필렌 공중합체가 부등식(I)을 충족시키고, 보다 바람직하게는 부등식(Ia), 여전히 보다 바람직하게는 부등식(Ib), 또한 더욱 바람직하게는 부등식(Ic)을 충족하며여기에서 C(PP1)은 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)의 [몰%] 단위의 공단량체 함량, 바람직하게는 에틸렌 함량이고,C(PP)는 총 프로필렌 공중합체의 [몰%] 단위의 공단량체 함량, 바람직하게는 에틸렌 함량이다.다른 바람직한 구체예에서, 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)의 [몰%] 단위의 공단량체 함량, 예컨대 총 에틸렌 함량이 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)의 [몰%] 단위의 공단량체 함량, 예컨대 에틸렌 함량보다 더 높다. 따라서 프로필렌 공중합체가 부등식(Ⅱ), 보다 바람직하게는 부등식(Ⅱa), 여전히 보다 바람직하게는 부등식(Ⅱb), 또한 더욱 바람직하게는 부등식(Ⅱc)을 충족시키는 것이 바람직하며,여기에서 C(PP1)은 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)의 [몰%] 단위의 공단량체 함량, 바람직하게는 에틸렌 함량이고,C(PP2)는 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)의 [몰%] 단위의 공단량체 함량, 바람직하게는 에틸렌 함량이다.따라서 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)이 1.5 내지 3.0 몰%의 범위 내, 보다 바람직하게는 1.6 내지 2.7 몰%의 범위 내, 여전히 보다 바람직하게는 1.8 내지 2.5 몰%의 범위 내, 예컨대 1.9 내지 2.4 몰%의 범위 내의 공단량체 함량, 예컨대 에틸렌 함량을 가진다.다른 한편으로 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)이 바람직하게는 4.0 내지 15.0 몰%의 범위 내, 보다 바람직하게는 5.0 내지 12.0 몰%의 범위 내, 또한 더욱 바람직하게는 7.0 내지 10.5 몰%의 범위 내의 공단량체 함량, 예컨대 에틸렌 함량을 가진다.프로필렌과 공중합가능한 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1) 및 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)의 공단량체들은, 각각, 에틸렌 및/또는 C4 내지 C12 α-올레핀, 특히 에틸렌 및/또는 C4 내지 C8 α-올레핀, 예를 들어 1-부텐 및/또는 1-헥센이다. 바람직하게는 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1) 및 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)이 각각 에틸렌, 1-부텐 및 1-헥센으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 프로필렌과 공중합가능한 단량체들을 포함하거나 특히 이러한 단량체로 이루어진다. 보다 구체적으로 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1) 및 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)은 각각 - 프로필렌 외에 - 에틸렌 및/또는 1-부텐으로부터 유도가능한 유닛을 포함한다. 바람직한 구체예에서 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1) 및 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)은 동일한 공단량체, 즉 오직 에틸렌만을 포함한다.제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1) 및 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)의 용융흐름지수는 상이할 수 있거나 거의 동일할 수 있다. 따라서 일 바람직한 구체예에 따르면 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1) 및 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)의 용융흐름지수 MFR2(230℃)가 5g/10분 이하로 상이하고, 보다 바람직하게는 3g/10분 이하로 상이하고, 또한 더욱 바람직하게는 2g/10분 이하로 상이하다. 가장 바람직하게는 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)의 용융흐름지수 MFR2(230℃)가 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)의 용융흐름지수 MFR2(230℃)와 동일하다.따라서, 프로필렌 공중합체가 10 내지 100g/10분의 범위 내, 또한 더욱 바람직하게는 30 내지 100g/10분의 범위 내, 여전히 보다 바람직하게는 40 내지 90g/10분의 범위 내, 또한 보다 바람직하게는 50 내지 85g/10분의 범위 내, 예컨대 58 내지 80g/10분의 범위 내의 용융흐름지수 MFR2(230℃)를 가진다. 바람직하게는 이 단락에서 주어진 범위들이 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)에 대해서도 마찬가지로 적용가능하다.바람직하게는 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)과 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2) 사이의 중량비가 40/60 내지 54/46의 범위 내, 보다 바람직하게는 42/58 내지 52/48의 범위 내, 예컨대 43/57 내지 50/50의 범위 내에 있다.프로필렌 공중합체는 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1) 및 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)을 함께 자신의 총량의 적어도 80 중량%, 보다 바람직하게는 적어도 90 중량%, 또한 더욱 바람직하게는 적어도 95 중량%만큼 포함한다. 특히 바람직한 일 구체예에서 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1) 및 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)은 프로필렌 공중합체 내의 유일한 중합체 성분들이다.잘 알려진 바와 같이, 프로필렌 공중합체는 프리폴리머 분획(prepolymer fraction)을 추가로 포함할 수 있다. 프리폴리머 분획의 존재의 경우에서, 상기 분획은 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1) 또는 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)의 양(중량%)에 대해, 바람직하게는 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)의 양에 대해 산출된다. 프리폴리머 분획은 프로필렌 동종중합체 또는 공중합체일 수 있으며, 후자가 바람직하다.보다 바람직하게는 프로필렌 공중합체가 (i) 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1) 및 (ii) 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)으로 구성되며, 중합체 성분들로서 선택적인 프리폴리머 분획(바람직하게는 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)의 일부임), (iii) 조핵제 및 선택적인 그리고 바람직한 (iv) 위 또는 아래에서 또는 청구항에서 정의되는 바와 같이 조핵제와 상이한 추가의 첨가제로 구성된다.또한 프로필렌 공중합체는 바람직하게는 148℃ 초과의 용융 온도, 보다 바람직하게는 148.0 내지 160.0℃의 범위 내, 여전히 보다 바람직하게는 150.0 내지 158.0℃의 범위 내, 에컨대 151.0 내지 156.0℃의 범위 내의 용융 온도를 가진다.또한 프로필렌 공중합체가 119.0℃ 초과의 결정화 온도, 보다 바람직하게는 119.0 내지 130.0℃의 범위 내, 또한 더욱 바람직하게는 120.0 내지 128.0℃의 범위 내, 예컨대 121.0 내지 127.0℃의 범위 내의 결정화 온도를 가진다.자일렌 가용 함량(xylene soluble content)은 상당히 넓은 범위 내에 있을 수 있다. 따라서 프로필렌 공중합체가 4.0 내지 15 중량% 이하의 범위 내, 보다 바람직하게는 4.0 내지 12 중량%의 범위 내, 또한 보다 바람직하게는 6 내지 10 중량%의 범위 내의 냉자일렌 가용 분획(XCS)을 가진다.본 발명에 따른 프로필렌 공중합체의 추가의 바람직한 일 특징은 이것이 열분해된 것이 아니라는 것이다. 열분해(visbraking) 동안, 출발 제품의 더 높은 몰질량 쇄(molar mass chains)가 더 낮은 몰질량 분자들보다 통계적으로 더 자주 분해되며, 평균 분자량의 전반적인 감소 및 용융흐름지수의 증가를 발생시킨다. 보통 높은 용융흐름지수를 가진 중합체는 낮은 용융흐름지수를 가진 중합체를 열분해함으로써 수득된다. 이러한 열분해는 전형적으로 예컨대 열분해제로서 과산화물을 사용하는 것에 의하는 것과 같이 임의의 알려진 방식으로 수행된다. 전형적인 열분해제는 2,5-디메틸-2,5-비스(3차 부틸-퍼옥시)헥산(DHBP)(예를 들어 상품명 Luperox 101 및 Trigonox 101 하에서 판매됨), 2,5-디메틸-2,5-비스(3차 부틸-퍼옥시)헥신-3(DYBP)(예를 들어 상품명 Luperox 130 및 Trigonox 145 하에서 판매됨), 디큐밀-퍼옥사이드(DCUP)(예를 들어 상품명 Luperox DC 및 Perkadox BC 하에서 판매됨), 디-3차 부틸-퍼옥사이드(DTBP)(예를 들어 상품명 Trigonox B 및 Luperox Di 하에서 판매됨), 3차 부틸-큐밀-퍼옥사이드(BCUP)(예를 들어 상품명 Trigonox T 및 Luperox 801 하에서 판매됨) 및 비스(3차 부틸퍼옥시-이소프로필)벤젠(DIPP)(예를 들어 상품명 Perkadox 14S 및 Luperox DC 하에서 판매됨)이다. 따라서 프로필렌 공중합체가 과산화물로, 특히 이 단락에서 나열된 바와 같이 과산화물로 처리되지 않은 것이 바람직하다. 따라서 바람직한 구체예에서 본 발명에 따른 프로필렌 공중합체는 어떠한 과산화물 및/또는 그의 분해 산물을 함유하지 않는다.(α)-조핵제에 추가로, 본 발명에서 정의된 바와 같은 프로필렌 공중합체가 바람직하게는 5.0 중량%에 이르는 첨가제, 예컨대 항산화제, 산 스캐빈저(acid scavanger), UV 안정화제와 마찬가지로 슬립제(slip agent) 및 블로킹방지제(antiblocking agent)와 같은 가공 보조제를 포함할 수 있거나 바람직하게는 포함한다. 바람직하게는 ((α)-조핵제 외의) 첨가제 함량이 3.0 중량% 미만, 예컨대 1.0 중량% 미만이다.프로필렌 조성물은 바람직하게는 α-조핵제를 포함한다. 보다 바람직하게는 본 프로필렌 공중합체에는 β-조핵제가 없다. 만약 존재한다면, α-조핵제는 바람직하게 다음으로 이루어지는 군으로부터 선택된다:(ⅰ) 모노카르복실산염 및 폴리카르복실산염, 예컨대 소듐벤조에이트 또는 알루미늄 3차-부틸벤조에이트(aluminum tert-butylbenzoate) 및(ⅱ) 디벤질리덴소르비톨(예컨대, 1,3:2,4 디벤질리덴소르비톨) 및 메틸디벤질리덴소르비톨(methyldibenzylidenesorbitol), 에틸디벤질리덴소르비톨(ethyldibenzylidenesorbitol) 또는 디메틸디벤질리덴소르비톨(예컨대, 1,3:2,4 디(메틸벤질리덴)소르비톨)과 같은 C1-C8-알킬-치환 디벤질리덴소르비톨 유도체, 또는 1,2,3-트리디옥시-4,6:5,7-비스-O-[(4-프로필페닐)메틸렌]-노니톨과 같은 치환된 노니톨-유도체 및(ⅲ) 인산의 디에스테르의 염, 예컨대 소듐 2,2'-메틸렌비스(4,6-디-3차-부틸페닐)포스페이트 또는 알루미늄-하이드록시-비스[2,2'-메틸렌-비스(4,6-디-3차-부틸페닐)포스페이트] 및(ⅳ) 비닐시클로알칸 중합체 및 비닐알칸 중합체(이하에서 더욱 상세하게 논의됨) 및(ⅴ) 이들의 혼합물.이러한 첨가제들은 일반적으로 상용적으로 수득가능하며, 예로서 "Plastic Additives Handbook", 5th edition, 2001 of Hans Zweifel에 기술되었다.위에서 언급된 바와 같이 조핵제는 바람직하게는 중합체성 조핵제이고, 보다 바람직하게는 α-조핵제이며, 예컨대 중합체성 α-조핵제이다.프로필렌 공중합체의 (α)-조핵제 함량은 바람직하게는 5.0 중량%에 이른다. 바람직한 구체예에서, 프로필렌 공중합체는 3000ppm 이하, 보다 바람직하게는 1 내지 2000ppm의 (α)-조핵제를 함유하고, 특히 디벤질리덴소르비톨(예컨대, 1,3:2,4 디벤질리덴 소르비톨), 디벤질리덴소르비톨 유도체, 바람직하게는 디메틸디벤질리덴소르비톨(1,3:2,4 디(메틸벤질리덴)소르비톨), 또는 1,2,3-트리디옥시-4,6:5,7-비스-O-[(4-프로필페닐)메틸렌]-노니톨과 같은 치환된 노니톨-유도체, 비닐시클로알칸 중합체, 비닐알칸 중합체 및 이들의 혼합물들로 구성된 군으로부터 선택된다.바람직한 구체예에서, 프로필렌 공중합체는 바람직한 α-조핵제로서 비닐시클로알칸, 예컨대 비닐시클로헥산(VCH), 중합체 및/또는 비닐알칸 중합체를 함유한다. 이러한 구체예에서 바람직하게는 프로필렌 공중합체가 비닐시클로알칸, 예컨대 비닐시클로헥산(VCH), 중합체 및/또는 비닐알칸 중합체, 바람직하게는 비닐시클로헥산(VCH)을 함유한다.조핵제는 마스터배치로서 도입될 수 있다. 이와 다르게, 즉 본 발명에서 정의된 바와 같은 α-조핵제가 아래에서 기술되는 바와 같이 BNT-기술에 의해서도 도입될 수 있다.조핵제는 예를 들어 프로필렌 공중합체의 중합 공정 동안 프로필렌 공중합체에 도입될 수 있거나 또는 예를 들어 캐리어 중합체와 함께 마스터배치(MB)의 형태로 프로필렌 공중합체에 포함될 수 있다.마스터배치(MB)를 포함하는 구체예의 경우에 마스터배치(MB)는 위 또는 아래에서 정의된 바와 같이 바람직하게는 중합체성 조핵제이고, 보다 바람직하게는 α-조핵제이고, 가장 바람직하게는 비닐시클로알칸, 예로서 비닐시클로헥산(VCH), 중합체 및/또는 비닐알칸 중합체, 바람직하게는 비닐시클로헥산(VCH) 중합체인 조핵제를, 마스터배치(MB)의 중량(100 중량%)의 500ppm 이하의 양으로, 보다 바람직하게는 1 내지 200ppm, 그리고 여전히 보다 바람직하게는 5 내지 100ppm의 양만큼 함유한다. 이러한 구체예에서, 보다 바람직하게는, 상기 마스터배치(MB)가 프로필렌 공중합체의 총량의 10.0 중량% 이하, 보다 바람직하게는 5.0 중량% 이하, 그리고 가장 바람직하게는 3.5 중량% 이하의 양으로 존재하며, 바람직한 마스터배치의 양은 1.5 내지 3.5 중량%이다. 가장 바람직하게는 마스터배치(MB)가 아래에서 기술되는 바와 같은 BNT-기술에 따라 핵형성된 프로필렌의 동종중합체 또는 공중합체, 바람직하게는 동종중합체를 포함하거나, 바람직하게는 이로 구성된다.조핵제가 프로필렌 공중합체의 중합 공정 중에 프로필렌 공중합체에 도입되는 것이 바람직하다. 조핵제는 바람직하게는 먼저 위에서 정의된 비닐 화합물, 바람직하게는 비닐시클로알칸을 위 또는 아래에서 정의된 바와 같은 고체 촉매 성분, 바람직하게는 고체 지글러 나타 촉매 성분, 공촉매 및 선택적인 외부 공여체를 포함하는 고체 촉매 시스템의 존재 중에서 중합하고, 계속해서 수득된 비닐 화합물의 중합체, 바람직하게는 비닐시클로헥산(VCH) 중합체 및 촉매 시스템의 반응 혼합물을 프로필렌 공중합체를 생산하는 데 사용하는 것에 의하여 프로필렌 공중합체에 도입된다. 상기 프로필렌 공중합체의 중합 동안 프로필렌 공중합체로의 중합체성 조핵제의 포함은 아래에서 기술되는 바와 같은 BNT-기술로 지칭된다.상기 수득된 반응 혼합물은 아래에서 변성된 촉매 시스템으로 상호교환가능하게 지칭된다.바람직하게는 비닐시클로알칸이 BNT 기술에 의해 프로필렌 공중합체로 도입되는 비닐시클로헥산(VCH)이다.보다 바람직하게는 이러한 바람직한 구체예에서, 프로필렌 공중합체 내의 비닐시클로헥산(VCH)과 같은 비닐시클로알칸, 중합체 및/또는 비닐알칸 중합체, 보다 바람직하게는 비닐시클로헥산(VCH) 중합체의 양이 500ppm 이하, 보다 바람직하게는 1 내지 200ppm, 가장 바람직하게는 5 내지 100ppm이다.BNT-기술과 관련하여 국제 특허출원 WO 99/24478, WO 99/24479 및 특히 WO 00/68315를 참조한다. 이러한 기술에 따르면 촉매 시스템, 바람직하게는 지글러-나타 전구촉매가 특히 특별한 지글러-나타 전구촉매를 포함하는 촉매 시스템, 외부 공여체 및 공촉매의 존재 하에서 비닐 화합물을 중합함으로써 변성될 수 있고, 이러한 비닐 화합물은 다음의 식을 가지며:여기에서 R3 및 R4는 함께 5- 또는 6-원(6-membered)의 포화, 불포화 또는 방향족 고리를 형성하거나 독립적으로 1 내지 4개의 탄소 원자를 포함하는 알킬기를 나타내며, 변성된 촉매는 본 발명에 따른 프로필렌 공중합체의 제조를 위해 사용된다. 중합된 비닐 화합물은 α-조핵제로서 작용한다. 촉매의 변성 단계에서 고체 촉매 성분에 대한 비닐 화합물의 중량비는 바람직하게는 5(5:1) 이하, 바람직하게는 3(3:1) 이하, 가장 바람직하게는 0.5(1:2) 내지 2(2:1)이다. 가장 바람직하게는 비닐 화합물 비닐시클로헥산(VCH)이다.본 발명에 따른 프로필렌 공중합체는 바람직하게는 지글러-나타 촉매의 존재 하에서 연속적인 중합 공정에서 생산되고, 가장 바람직하게는 아래에서 정의되는 바와 같은 촉매(시스템)의 존재하에서 생산된다."연속 중합 공정(sequential polymerization process)"이라는 용어는 프로필렌 공중합체가 일렬로 연결된 적어도 두 개의 반응기들, 바람직하게는 두 개의 반응기들 내에서 생산됨을 나타낸다. 따라서 이 공정은 적어도 제1 반응기(R1) 및 제2 반응기(R2)를 포함한다. "중합 반응기(polymerization reactor)"라는 용어는 주요 중합이 발생함을 나타낼 수 있다. 따라서, 2개의 중합 반응기들로 구성된 공정의 경우에서, 이러한 정의는 전체 공정이 예를 들어 사전-중합 반응기 내의 사전-중합 단계를 포함하는 옵션을 배제하지 않는다. "-으로 구성된(consist of)"이라는 표현은 오직 주요 중합 반응기들을 고려한 닫힌 표현이다.제1 반응기(R1)는 바람직하게는 슬러리 반응기(slurry reactor)(SR)이며 임의의 연속적인 또는 단순한 배치 탱크형 반응기(stirred batch tank reactor) 또는 벌크 또는 슬러리로 동작하는 루프 반응기일 수 있다. 벌크라는 표현은 적어도 60%(w/w)의 단량체를 포함하는 반응 매체에서의 중합을 의미한다. 본 발명에 따르면 슬러리 반응기(SR)는 바람직하게는 (벌크) 루프 반응기(LR)이다.제2 반응기(R2)는 바람직하게는 기상(gas phase) 반응기(GPR)이다. 이러한 기상 반응기(GPR)는 기계적 혼합 또는 유동상 반응기(fluidized bed reactor)일 수 있다. 예를 들어 기상 반응기(GPR)가 적어도 0.2m/초의 기체 속도를 갖는 기계적으로 동요되는 유동상 반응기일 수 있다. 따라서 기상 반응기가 선택적으로 기계적 교반기를 갖는 유동상 타입 반응기이다.따라서 바람직한 실시예에서 제1 반응기(R1)가 예로서 루프 반응기(LR)와 같은 슬러리 반응기(slurry reactor)(SR)인 반면, 제2 반응기(R2)는 바람직하게는 기상 반응기(GPR)이다. 따라서 본 공정에 있어서 두 개의 중합 반응기, 즉 루프 반응기(LR)와 같은 슬러리 반응기(SR) 및 기상 반응기(GPR)가 직렬로 연결된다. 만약 필요하다면 슬러리 반응기(SR)에 앞서 사전-중합 반응기가 배치된다.바람직하게는 제1 반응기(R1) 내에서 프로필렌 공중합체의 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)이 생산되는 반면, 제2 반응기(R2) 내에서 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)이 생산된다.바람직한 다단계 공정은 예로서 EP 0887 379, WO 92/12182, WO 2004/000899, WO 2004/111095, WO 99/24478, WO 99/24479 또는 WO 00/68315에서와 같은 특허 문서 내에 기술된 덴마크 소재의 Borealis A/S(BORSTAR�� technology로 알려짐)에 의해 개발된 것과 같은 "루프-기상" 공정이다.추가의 적절한 슬러리-기상 공정은 예를 들어 논문 Galli and Vecello, Prog. Polym. Sci. 26(2001) 1287-1336의 도 20에 기술된 Basell의 Spheripol�� 공정이다.바람직하게는, 프로필렌 공중합체를 생산하기 위한 본 공정에서, 위에서 정의된 바와 같이 제1 반응기(R1), 즉 단계(a)의 루프 반응기(LR)와 같은 슬러리 반응기(SR)에 대한 조건이 다음과 같을 수 있다:- 온도가 40℃ 내지 110℃, 바람직하게는 60℃ 내지 100℃, 예컨대 68℃ 내지 95℃의 범위 내에 있고,- 압력이 20bar 내지 80bar, 바람직하게는 40bar 내지 70bar의 범위 내에 있으며,- 수소가 그 자체로 알려진 방식으로 몰질량을 제어하기 위해 추가될 수 있다.후속하여, (바람직하게는 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)을 함유하는) 단계(a)로부터의 반응 혼합물이 제2 반응기(R2), 즉 기상 반응기(GPR)로 전달되고, 그에 따라 조건들이 바람직하게는 다음과 같다:- 온도는 50℃ 내지 130℃, 바람직하게는 60℃ 내지 100℃의 범위 내에 있고,- 압력이 5 bar 내지 50bar, 바람직하게는 15 bar 내지 35 bar의 범위 내에 있으며,- 그 자체가 알려진 방식으로 몰질량을 제어하기 위해 수소가 첨가될 수 있다.체류 시간은 두 개의 반응 구역들에서 달라질 수 있다.프로필렌 공중합체를 생산하기 위한 공정의 일 구체예에서 제1 반응기(R1), 즉 루프 반응기(LR)와 같은 슬러리 반응기(SR) 내의 체류 시간은 0.2 내지 4시간, 예컨대 0.3 내지 1.5 시간의 범위 내에 있고 기상 반응기(GPR) 내의 체류 시간은 일반적으로 0.2 내지 6.0 시간, 예컨대 0.5 내지 4.0 시간일 것이다.만약 원한다면, 중합이 제1 반응기(R1), 즉 루프 반응기(LR)와 같은 슬러리 반응기(SR) 내의 초임계 조건, 및/또는 기상 반응기(GPR) 내의 응축 모드 하에서 알려진 방식으로 구현될 수 있다.사전중합 반응은 전형적으로 0 내지 50℃의 온도에서 수행되고, 바람직하게는 10 내지 45℃, 보다 바람직하게는 15 내지 40℃의 온도에서 수행된다.따라서 본 발명에 따른 프로필렌 공중합체가 (a) 제1 반응기(R1) 내에서 프로필렌 및 프로필렌과 상이한 적어도 하나의 α-올레핀을 중합하여 그에 따라 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)을 수득하고,(b) 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)을 제2 반응기(R2)로 전달하고,(c) 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)의 존재 하에서, 제2 반응기(R2) 내에서 프로필렌 및 프로필렌과 상이한 적어도 하나의 α-올레핀을 중합하여 그에 따라 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)을 수득하며, 여기에서 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1) 및 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)의 혼합물이 프로필렌 공중합체를 형성하는 단계를 포함하는 연속 중합 공정에 의해 수득된다.보다 바람직하게는 프로필렌 공중합체가 (Ⅰ) 마그네슘 할로겐화물, 티타늄 할로겐화물 및 내부 전자 공여체를 포함하는 고체 촉매 성분; 및(Ⅱ) 알루미늄 알킬 및 선택적으로는 외부 전자 공여체를 포함하는 공촉매, 및(Ⅲ) 선택적인 조핵제의 존재 하에서, 바람직하게는 위 또는 아래에서 정의되는 바와 같은 조핵제의 존재 하에서;그리고 (a) 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)을 생산하기 위해 60 내지 80℃의 온도 및 3000 내지 6500kPa의 압력에서 프로필렌, 수소 및 이러한 공단량체의 스트림을 제1 반응기(R1) 내에 도입함으로써 제1 반응기(R1) 내에서 프로필렌, 예컨대 에틸렌을 제외한 C2 내지 C8 α-올레핀으로부터 선택된 공단량체와 함께 프로필렌을 연속으로 중합하고;(b) 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)을 포함하는 스트림을 제1 반응기(R1)로부터 빼내어 이러한 스트림을 제2 반응기(R2) 내에 전달하고;(c) 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)을 생산하기 위해 70 내지 90℃의 온도 및 1000 내지 3000kPa의 압력에서 프로필렌, 공단량체 및 선택적으로 수소의 스트림을 제2 반응기(R2) 내에 도입함으로써 제2 반응기(R2) 내에서 프로필렌, 예컨대 에틸렌을 제외한 C2 내지 C8 α-올레핀으로부터 선택된 공단량체와 함께 프로필렌을 연속으로 중합하며, 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)과 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)이 함께 프로필렌 공중합체를 형성하고;(d) 프로필렌 공중합체를 포함하는 스트림을 제2 반응기(R2)로부터 연속적으로 빼내어 선택적으로 이러한 프로필렌 공중합체를 첨가제들과 혼합하는 단계를 포함하는 연속 중합 공정에서 수득된다.특히 본 발명에 따른 공정이 다음의 공정 단계들을 포함하는 것이 바람직하다:고체 촉매 시스템을 포함하는 반응 혼합물인 변성된 촉매 시스템 및 바람직하게는 비닐 화합물의 생산된 중합체를 수득하기 위해 고체 촉매 성분을 포함하는 촉매 시스템의 존재 하에서 위에서 정의된 것과 같은 비닐 화합물, 바람직하게는 비닐시클로헥산(VCH)을 중합하며, 여기에서 고체 촉매 성분에 대한 비닐 화합물의 중합체의 중량비(g)는 5(5:1) 이하, 바람직하게는 3(3:1) 이하, 가장 바람직하게는 0.5(1:2) 내지 2(2:1)이며, 수득된 변성된 촉매 시스템이 프로필렌 공중합체를 생산하기 위한 공정의 중합 단계(a)로 공급된다.사용된 촉매는 바람직하게는 지글러-나타 촉매 시스템이고 또한 더욱 바람직하게는 아래에서 더욱 자세하게 정의되는 바와 같은 변성된 지글러 나타 촉매 시스템이다.이러한 지글러-나타 촉매 시스템은 전형적으로 고체 촉매 성분, 바람직하게는 고체 전이금속 성분 및 공촉매를 포함하며, 선택적으로 외부 공여체를 포함한다. 고체 촉매 성분은 가장 바람직하게는 마그네슘 할로겐화물, 티타늄 할로겐화물 및 내부 전자 공여체를 포함한다. 이러한 촉매들은 당업계에서 잘 알려져 있다. 이러한 고체 촉매 성분들의 실시예가 특히 WO 87/07620, WO 92/21705, WO 93/11165, WO 93/11166, WO 93/19100, WO 97/36939, WO 98/12234, WO 99/33842에 개시되었다.적절한 전자 공여체들은 특히 프탈레이트, 시트라콘산염 및 호박산염과 같은 카르복실산의 에스테르이다. 또한 산소- 또는 질소- 함유 실리콘 화합물이 사용될 수 있다. 적절한 화합물의 실시예들이 WO 91/19659, WO 92/19653, WO 92/19658, US 4,347,160, US 4,382,019, US 4,435,550, US 4,465,782, US 4,473,660, US 4,530,912 및 US 4,560,671에 나타내어졌다.또한, 이러한 고체 촉매 화합물은 바람직하게는 에테르, 케톤, 아민, 알코올, 페놀, 포스핀 및 실란, 예를 들어 중심 원자로서 실리콘을 갖는, Si-OCOR, Si-OR, 또는 Si-NR2 결합을 함유하는 유기실란 화합물을 포함하지만 이것으로 제한되지 않는 잘 알려진 외부 전자 공여체를 갖는 조합에서 사용되고, R은 1 내지 20개의 탄소 원자를 가진 알킬, 알케닐, 아릴, 아릴알킬 또는 시클로알킬이며; 프로필렌 공중합체를 중합하기 위해 당업계에서 알려진 바와 같이 바람직하게는 알루미늄 알킬 화합물을 포함하는 잘 알려진 공촉매이다.프로필렌 공중합체의 중합 공정 동안 조핵제가 프로필렌 공중합체에 도입될 때, 프로필렌 공중합체 내에 존재하는 조핵제의 양이 프로필렌 공중합체 및 조핵제, 바람직학는 모든 첨가제들을 포함하는 프로필렌 공중합체의 총 중량의 바람직하게는 500ppm 이하, 보다 바람직하게는 0.025 내지 200ppm, 여전히 보다 바람직하게는 1 내지 100ppm이며, 가장 바람직하게는 5 내지 100ppm이다.본 발명은 또한 물품들, 바람직하게는 사출 성형 물품들 및 취입 성형 물품들과 같은 성형 물품들, 예컨대 압출 또는 사출 취입 성형 물품들에 관련된다.바람직하게는, 특히 이전 단락에서 정의된 바와 같은 물품이 물품의 총 양의 적어도 50중량%, 예컨대 50 내지 99.9 중량%, 보다 바람직하게는 적어도 60 중량%, 에컨대 60 내지 99 중량%, 여전히 보다 바람직하게는 적어도 80 중량%, 예컨대 80 내지 99 중량%, 또한 더욱 바람직하게는 적어도 90 중량%, 예컨대 90 내지 99 중량%의 프로필렌 공중합체로 구성된다.아래에서 본 발명이 실시예들에 의해 추가로 설명된다.실시예A. 측정 방법아래의 용어들에 대한 정의 및 계산 방법들은 달리 정의되지 않는 한 아래의 예시들뿐 아니라 전술된 본 발명의 일반적인 설명에 대해서 적용된다.NMR 분광학에 의한 공중합체 미세구조의 정량정량 핵자기공명(NMR) 분광학이 중합체들의 공단량체 함량을 정량하도록 사용되었다.정량 13C1H NMR 스펙트럼이 각각 1H 및 13C에 대해 400.15 및 100.62MHz에서 동작하는 Broker Advance Ⅲ 400 NMR 분광기를 이용하여 용액-상태에서 기록되었다. 모든 스펙트럼이 모든 공기역학에 대해 질소 기체를 이용하여 125℃에서 13C 최적화된 10mm 연장된 온도 프로브헤드를 이용하여 기록되었다. G. Singh, A. Kothari, V. Gupta, Polymer Testing 2009, 28(5), 475에 기술된 바와 같이 대략 200mg의 재료가 크로뮴-(Ⅲ)-아세틸아세토네이트(Cr(acac)3)와 함께 3ml의 1,2-테트라클로로에탄-d2(TCE-d2) 내에서 용해되어 용매 내의 이완제의 65mM 용액을 발생시킨다. 균질 용액을 보장하기 위해서, 가열 블록 내에서의 초기 샘플 제조 후에, NMR 튜브가 적어도 1시간 동안 회전 오븐 내에서 추가로 가열되었다. 자석 내로 삽입함에 따라, 튜브가 10Hz로 회전하였다. 이러한 셋업은 주로 높은 분해능을 위해 선택되었으며 정확한 에틸렌 함량 정량을 위해 정량적으로 요구된다. Z. Zhou, R. Kuemmerle, X. Qiu, D. Redwine, R. Cong, A. Taha, D. Baugh, B. Winniford, G. Mag, Reson. 187 (2007) 225 및 V. Busico, P. Carbonniere, R. Cipullo, C. Pellecchia, J. Severn, G. Talarico, Macromol. Rapid Commun. 2007, 28, 1128에서 기술된 바와 같은 최적화된 팁 각도, 1 s 리사이클 지연 및 바이-레벨 WALTZ16 디커플링 방안을 이용하여 NOE 없이 표준 단일-펄스 여기(excitation)가 사용되었다. 총 6144(6k) 전이가 스펙트럼마다 수득되었다. 정량 13C1H NMR 스펙트럼이 가공되고 적분되었으며 관련된 양적 특성들이 적분으로부터 결정되었다. 모든 화학 이동(chemical shift)이 용매의 화학 이동을 이용하여 30.00ppm에서 에틸렌 블록(EEE)의 중심 메틸렌 그룹에 간접 참조되었다. 이러한 접근법은 이러한 구조적 단위체가 존재하지 않았을 때조차도 상당한 참조를 허용하였다.(L. Resconi, L. Cavallo, A. Fait, F. Piemontesi, Chem.Rev.2000, 100(4), 1253, Cheng, H. N., Macromolecules 1984, 17 1950 및 W-J. Wang and S. Zhu, Macromolecules 2000, 33 1157에서 기술된 바와 같이) 2,1 에리트로 영역 결함에 상응하는 특징 신호가 관찰되었을 때, 결정된 특성들에 대한 영역 결함의 영향에 대한 보정이 요구되었다. 다른 타입의 영역 결함에 상응하는 특지 신호들은 관찰되지 않았다.(Cheng, H. N., Macromolecules 1984, 17 1950에서 기술된 바와 같이) 에틸렌의 융합에 상응하는 특징 신호들이 관찰되었으며 공단량체 부분이 중합체 내의 모든 단량체에 대한 중합체 내의 에틸렌 부분으로서 산출되었다.공단량체 부분은 13C1H NMR 스펙트럼 내의 전체 스펙트럼 영역에 걸친 다수의 신호들의 적분을 통해서 W-J. Wang and S. Zhu, Macromolecules 2000, 33 1157의 방법을 이용하여 정량되었다. 이러한 방법은 필요시에 영역-결함의 존재를 설명하기 위한 강력한 본성 및 능력에 대해 선택되었다. 적분 영역은 접하는 공단량체 내용물들의 전체 범위에 걸친 적용가능성을 증가시키도록 미세하게 조정되었다.몰백분율 공단량체 융합은 몰분율로부터 산출되었다.중량 백분율 공단량체 융합은 몰분율로부터 산출되었다.제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1) 또는 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)의 공단량체 함량, 이 응용에서는 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)의 공단량체 함량의 계산: (I)여기에서 w(PP1)는 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)의 중량 분율[중량%]이고,w(PP2)는 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)의 중량 분율[중량%]이고,C(PP1)는 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)의 공단량체 함량[중량%]이고,C(PP)는 프로필렌 공중합체(R-PP)의 공단량체 함량[중량%]이고,C(PP2)는 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)의 산출된 공단량체 함량[중량%]이다.MFR2(230℃)이 ISO 1133(230℃, 2.16kg)에 따라 측정된다.제1 또는 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)/(R-PP1)의 용융흐름지수 MFR2(230℃), 여기에서는 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)의 용융흐름지수 MFR2(230℃)의 계산:(Ⅲ)여기에서 w(PP1)는 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)의 중량 분율[중량%]이고,w(PP2)는 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)의 중량 분율[중량%]이고,MFR(PP1)는 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)의 용융흐름지수 MFR2(230℃)[g/10분]이고,MFR(PP)는 프로필렌 공중합체(R-PP)의 용융흐름지수 MFR2(230℃)[g/10분]이고,MFR(PP2)는 제2 프로필렌 공중합체 분획(R-PP2)의 산출된 용융흐름지수 MFR2(230℃)[g/10분]이다.실온에서의 자일렌 가용 분획(XCS)(XS, 중량%): 자일렌 내에서 용해가능한 중합체의 양은 ISO 16152; first edition; 2005-07-01에 따라 25℃에서 결정된다. 잔류하는 부분이 냉자일렌 불용(XCU) 분획이다.DSC 분석, 용융 온도인(Tm) 및 융해열(Hf), 결정화 온도(Tc) 및 결정화 열(Hc): 5 내지 7mg 샘플들에 대해 Q200 시차주사 열량측정법(DSC)으로 측정된다. DSC는 -30 내지 +225℃의 온도 범위 내의 10℃/분의 주사 속도를 이용하여 가열/냉각/가열 사이클 내에서 ISO 11357/part 3/method C2에 따라 구동된다. 결정화 온도 및 결정화 열(Hc)이 냉각 단계로부터 결정되는 반면, 용융 온도 및 융해열(Hf)이 제2 가열 단계로부터 결정된다.샤르피 충격 테스트: 샤르피 노치 충격 강도(NIS)가 ISO 1873-2:2007에 따라 제조된 80×10×4㎣의 사출-성형된 바 테스트 시편을 사용하여 0℃ 및 +23℃에서 ISO 179 1eA에 따라 측정되었다.헤이즈가 230℃의 용융 온도를 사용하여 EN ISO 1873-2에 따라 사출 성형된 60×60×2㎣ 플라크에 대해 ASTM D 1003-07에 따라 결정되었다.인장 시험: 인장탄성률이 EN ISO 1873-2에 따라 생산된, ISO 527-2(1B)에 따라 180℃ 또는 200℃에서 성형된 사출 성형 시편을 이용하여 ISO 527-1(1mm/분의 크로스 헤드 속도)에 따라 23℃에서 측정되었다(개 10 골격 형태(dog 10 bone shape), 4mm 두께).황변지수(YI: Yellowness Index)는 투명 또는 흰색으로부터 황색을 향해 테스트 샘플의 색상이 변화하는 것을 기술하는 분광측색(spectrophotometric) 데이터로부터 산출된 숫자이다. 이러한 테스트는 가장 흔하게는 실제 또는 모의(simulation)된 외부 노출에 의해 발생된 재료의 색상 변화를 평가하도록 사용된다. 분광측색 장비는 ASTM E313에 따라 황변지수 E 313를 계산하는 ColorTools 소프트웨어를 갖는 Spectraflash SF600이다. 샘플 홀더 상에서 파이프 샘플이 테스트된다. 샘플로서 2mm 압출 성형 샘플 또는 펠릿이 사용되었다.황변지수는 다음과 같이 등급이 매겨진다: 등급 1 등급 2 등급 3 등급 4ASTM E313에 따른 YI 003c#(-0.9) (-0.9)-1.5 1.5-6.5 003e#6.5나선 흐름:나선형 몰드 및 600, 1000 또는 1400bar의 압력을 갖는 Engel ES330/65 cc90 사출 성형 장치를 사용하여 나선형 테스트가 수행되었다.나선 지름: 35mm최대 피스톤 이동: 150㎤비 사출 압력(spec. injection pressure): 600, 1000, 또는 1400 bar도구 형태: 타원형 형태; Axxicon에 의해 제공됨; 두께 2mm, 너비: 5mm사전-챔버 및 다이 내의 온도: 230℃구역 2/구역 3/구역 4/구역5 내의 온도: 230℃/230℃/225℃/200℃사출 사이클: 유지(holding)를 포함하는 사출 시간: 10초냉각 시간: 15초사출 압력: 테스팅 재료의 사전결정된 길이에 따름체류(dwell) 압력 = 사출 압력나선 속도: 30 rpm시스템 압력:10 bar계량 경로(metering path): 나선이 체류 압력의 끝에서 자신의 최종 위치 이전 20mm에서 중단시키도록 선택되어야 함.도구 온도: 40℃나선 흐름 길이는 사출 동작 직후에 결정될 수 있다.B. 실시예들본 발명 실시예 IE1:중합에서 사용된 촉매는 (EP 591 224에 기술된 바와 같이) 1.9 중량%의 Ti-함량을 가진 Borealis로부터의 지글러-나타 촉매이다. 중합 이전에, 촉매가 EP 1 028 984 및 EP 1 183 307에 기술된 바와 같이 비닐-시클로-헥산(VCH)을 이용하여 사전중합되었다. 촉매에 대한 VCH의 비율인 1:1이 제조에서 사용되었으며, 따라서 IE1 내의 최종 폴리-VCH 함량은 100ppm 미만이다.제1 단계에서 아래에서 기술된 촉매가 프로필렌 및 소량의 수소(2.5g/h) 및 에틸렌(330g/h)과 함께 사전중합 반응기 내로 공급되었다. 공촉매로서 트리에틸알루미늄 및 공여체로서 디시클로펜틸디메톡시실란이 사용되었다. 공여체에 대한 알루미늄 비율은 7.5몰/몰이었으며 티타늄에 대한 알루미늄 비율은 300몰/몰이었다. 반응기가 30℃의 온도 및 55barg의 압력에서 동작되었다. 사전중합 단계로부터의 슬러리가 70℃ 온도 및 55 barg 압력에서 동작된 루프 반응기로 직접 공급되었다. 프로필렌, 에틸렌 및 수소가 루프 반응기에 추가로 더하졌다. 프로필렌에 대한 수소의 몰 비율은 16.9mol/kmol이며 프로필렌에 대한 에틸렌의 비율은 3.7mol/kmol이었다. 루프 내의 생산 속도는 30kg/h로 유지되었으며, MFR, 에틸렌 함량 및 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)의 XCS가 표 1로부터 얻어질 수 있다.루프 반응기로부터의 슬러리가 직접 공급 라인을 통해서, 즉 반응기들 사이에서 단량체 플래싱(monomer flashing) 없이 기상 반응기로 도입되었다. 기상 반응기는 85℃ 온도 및 16 barg의 프로필렌 부분 압력에서 운전되었다. 추가적인 수소가 228 mol/kmol의 프로필렌에 대한 수소의 몰 비율로 공급되었다. 기상 반응기 내에서의 프로필렌에 대한 에틸렌 몰 비율은 50.1mol/kmol이었다. 기상 반응기 내의 생산 속도는 35kg/h이었으며, 따라서 반응기 후의 총 중합체 생산 속도는 65kg/h이었다. 생산 분할(기상 반응기 내에서 제조된 생산물의 %)이 55%였다. MFR, 에틸렌 함량 및 최종 프로필렌 공중합체의 XCS가 표 1로부터 얻어질 수 있다.펠릿화(pelletization) 단계에서 중합체 분말이 기본 안정화제, 예로서 통상의 양의 Ca-스테아레이트, Irganox 1010 및 Irgafos 168과 혼합되었다. 정전기방지제 Grinsted PS426 및 청징제 DMDBS 또한 제형 중에서 사용되었다. 펠릿화는 220℃의 용융 온도에서 W0026#P ZSK 70(Coperion) 트윈-스크류 압출기를 이용하여 수행되었다. 압출기 처리량은 200kg/h였다.비교예 CE1:제1 단계에서 3.4 중량%의 Ti-함량을 갖는 Borealis 소유의 촉매가 프로필렌 및 소량의 수소(2.5g/h) 및 에틸렌(360g/h)과 함께 사전중합 반응기로 공급되었다. 공촉매로서 트리에틸알루미늄 및 공여체로서 디시클로펜틸디메톡시실란이 사용되었다. 공여체에 대한 알루미늄 비율이 7.5mol/mol이며 티타늄에 대한 알루미늄 비율이 300mol/mol이었다. 반응기는 30℃의 온도 및 55barg의 압력에서 운전되었다.사전중합 단계로부터의 슬러리가 70℃ 온도 및 55 barg 압력에서 동작된 루프 반응기로 직접 공급되었다. 프로필렌, 에틸렌 및 수소가 루프 반응기에 추가로 더하졌다. 프로필렌에 대한 수소의 몰 비율은 6.1mol/kmol이며 프로필렌에 대한 에틸렌의 비율은 7.2mol/kmol이었다. 루프 내의 생산 속도는 30kg/h이었다. MFR, 에틸렌 함량 및 제1 프로필렌 공중합체 분획(R-PP1)의 XCS가 표 1로부터 얻어질 수 있다.루프 반응기로부터의 슬러리가 직접 공급 라인을 통해서, 즉 반응기들 사이에서 단량체 플래싱 없이 기상 반응기로 도입되었다. 기상 반응기는 85℃ 온도 및 21 barg의 프로필렌 부분 압력에서 운전되었다. 추가적인 에틸렌 및 수소가 다음의 몰 비율을 갖고 공급되었다: 프로필렌에 대한 수소의 몰 비율 45 mol/kmol의 및 프로필렌에 대한 에틸렌 몰 비율은 21mol/kmol이었다. 기상 반응기 내의 생산 속도는 35kg/h이었으며, 따라서 반응기 후의 총 중합체 생산 속도는 65kg/h이었다. 생산 분할(기상 반응기 내에서 제조된 생산물의 %)이 55%였다. MFR, 에틸렌 함량 및 최종 프로필렌 공중합체의 XCS가 표 1로부터 얻어질 수 있다.펠릿화 단계에서 중합체 분말이 기본 안정화제, 예로서 통상의 양의 Ca-스테아레이트, Irganox 1010 및 Irgafos 168과 혼합되었다. 또한 정전기방지제 Grinsted PS426 및 청징제 DMDBS 또한 제형 중에서 사용되었으며, 70g/10분의 최종 MFR에 도달하기 위해 과산화물이 사용되었다. 펠릿화는 220℃의 용융 온도에서 W0026#P ZSK 70(Coperion) 트윈-스크류 압출기를 이용하여 수행되었다. 압출기 처리량은 200kg/h였다.[표 1]본 발명의 예시적인 IE 및 유사한 예시인 CE1 * CE1에 대한 MFR2(230℃)이 과산화물을 이용한 열분해에 의해 도달되었다.** A. 측정 방법 하에서 정의된 바와 같이 산출되었다.[표 2]본 발명의 예시적인 IE 및 유사한 예시인 CE1의 특성들	서로 다른 공단량체 함량을 갖는 두 개의 프로필렌 공중합체 분획들을 포함하는 높은 용융흐름지수를 갖는 다중모드 폴리프로필렌.
[ 발명의 명칭 ] 포장재료 재활용 및 토양 안정화처리를 위한 폼드 유황 아스팔트 Foamed Sulfur Asphalts for Pavement Recycling and Soil Stabilization [ 기술분야 ] 본 발명의 분야는 폼드 유황 아스팔트 (foamed sulfur asphalts), 폼드 유황 아스팔트 안정처리 토양 (stabilized soils), 및 형성 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 아스팔트-코팅 골재 (아스팔트 시멘트), 고온 아스팔트 혼합물, 및 폼드 아스팔트를 포함하는, 아스팔트를 함유하는 물질의 제조 및 가공 동안, 약 150℃ (약 300℉) 이상의 작동 온도는 작업자 및 장비에 대해 문제를 유발할 수 있다. 원소 황 및 자연적으로 존재하는 이종유기 화합물을 포함하는, 아스팔트에 존재하는 유황 및 황화합물은, 통상적으로 약 150℃ 이상의 온도에서 공기 및 아스팔트 내의 다른 구성분과 반응하기 시작한다. 유황은, 사람에게 독성이 있는, 황화수소 (H2S) 가스를 형성하는데, 약 151℃ (약 305℉)에서 시작한다. 아스팔트를 포함하는, 탄화수소 환경에서 유리 유황 (Free sulfur)은, 존재하는 탄화수소에서 수소를 제거하고, 황화수소를 형성한다. 산소 존재하에서 고온으로 유황의 가열은, 사람에게 유해하고 공기 오염원인, 이산화황을 형성한다. 유황은 풍부하고 저렴한 물질이다. 원소 황은 비-스위트 천연가스 (non-sweet natural gas) 및 석유 공정의 부산물이다. "유리" 유황의 공급원은 석유 정제설비 및 가스 스위팅 공장 (gas sweetening plants)을 포함한다. 천연가스 및 석유로부터 추출된 상당량의 유황 때문에, 많은 유황 생산자는 원소 황을 폐기물로 생각한다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 안전하고 효율적인 방식으로 원소 황을 처리할 수 있는 원소 황에 대한 상업적인 사용을 발견하는 것이 바람직하다. 상업적인 생산물로 유황의 혼입은 많은 사람들이 잠재적인 "폐" 생산물로 생각하는 것을 실용 가치를 갖는 생산물로 변형시킬 수 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 폼드 유황 아스팔트 안정처리 토양을 제조하는 방법은 발포 혼합장치에 아스팔트 바인더, 원소 황, 발포 공기 (foaming air), 및 발포수 (foaming water)를 도입하는 단계를 포함한다. 상기 발포수는 발포 공기보다 더 큰 압력을 갖는다. 상기 방법은 폼드 유황 아스팔트가 형성되도록 상기 발포 혼합장치를 작동하는 단계를 포함한다. 상기 폼드 유황 아스팔트는 약 6초 이상의 발포 반감기 (foam half-life)를 갖고, 8 이상의 발포 팽창비를 갖는다. 상기 발포 혼합장치는 약 150℃ 이하의 온도에서 작동한다. 상기 방법은 골재 혼합장치에 폼드 유황 아스팔트, 함수비를 갖는 골재, 및 포틀랜드 시멘트를 도입하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 폼드 유황 아스팔트 안정처리 토양이 형성되도록 상기 골재 혼합장치를 작동하는 단계를 포함한다. 폼드 유황 아스팔트 안정처리 토양은 폼드 유황 아스팔트, 기-건 골재 (air-dried aggregate), 보습수 (moisturizing water), 및 포틀랜드 시멘트를 포함한다. 상기 폼드 유황 아스팔트는 약 6초 이상의 발포 반감기를 갖고, 8 이상의 발포 팽창비를 갖는다. 폼드 유황 아스팔트를 제조하는 방법은 발포 혼합장치에 아스팔트 바인더, 원소 황, 발포 공기, 및 발포수를 도입하는 단계를 포함한다. 상기 발포수는 발포 공기보다 더 큰 압력을 갖는다. 상기 방법은 폼드 유황 아스팔트가 형성되도록 상기 발포 혼합장치를 작동하는 단계를 포함한다. 상기 폼드 유황 아스팔트는 약 6초 이상의 발포 반감기를 갖고, 8 이상의 발포 팽창비를 갖는다. 상기 발포 혼합장치는 약 150℃ 이하의 온도에서 작동한다. 폼드 유황 아스팔트는 아스팔트 바인더, 원소 황, 발포 공기, 및 발포수를 포함한다. 상기 폼드 유황 아스팔트는 약 6초 이상의 발포 반감기를 갖고, 8 이상의 발포 팽창비를 갖는다. 상기 폼드 유황 아스팔트는 또한 폼드 유황 아스팔트에 원소 황 및 아스팔트의 조합된 양의 약 10중량% 내지 약 50 중량%의 범위에서 원소 황의 양을 갖는다. 상기 폼드 유황 아스팔트 (FSA) 및 상기 폼드 유황 아스팔트 안정처리 토양 (FSASS)은 탄화수소 생산의 부산물인, 원소 황을 소비하기 위한 새로운 방안이다. 유리 유황 (free sulfur)의 사용은 또한 필러 (filler)로서 작용하여 아스팔트 공급을 확장시키도록 작용한다. 원소 유황은 또한 폼드 아스팔트 안정처리 토양 조성물의 특성을 놀라울 정도로 향상시키는 것을 확인하였다. 상기 폼드 아스팔트 조성물에 유황의 첨가는 생산된 FSASS의 사용 기간을 증가시킨다. 상기 폼드 아스팔트 조성물에 유황의 첨가는 또한 상기 폼드 아스팔트 생산의 제조 온도를 낮춰서 에너지를 절약하면서, 황화수소 또는 황 산화물과 같은 유해하거나 또는 독성의 유황 가스를 생산하지 않는다. 상기 폼드 유황 아스팔트 및 폼드 유황 아스팔트 안정처리 토양은 토양 안정화 및 포장재료 재활용을 위해 보통 폼드 아스팔트에 대한 대안으로 건설업에서 널리 활용될 수 있다. 상기 FSASS는 상온 재활용 기술 (cold recycling techniques)을 사용하여 만들어질 수 있다. 도로 골재 베이스 (roads aggregate base), 서브베이스 (subbases) 및 재생 아스팔트 (즉, 이전에 적용된) 포장 혼합물은 폼드 유황 아스팔트 안정처리 토양을 형성하기 위한 유용한 골재이다. 상기 FSA는 또한, FSASS를 형성하기 위한, 모래, 이회토 (marl), 및 사브카 토양 (sabkha soils)을 포함하는, 다양한 토양 타입을 안정화시키는데 유용하다. 이 적용의 목적을 위하여, "토양" 및 "골재"는 상호교환 가능한 용어이다. 안정처리 토양의 몇 가지 일반 물리적인 특징은 보통 폼드 아스팔트에 비하여 FSA로 안정처리된 경우 비슷하거나 또는 우수하다. 상기 폼드 유황 아스팔트의 사용은 몇 가지 이점을 제공한다. FSA는 150℃에서 생산될 수 있는 반면, 보통 폼드 아스팔트는 발포 팽창 및 반감기 요건을 충족하는 동안 180℃ 미만의 온도에서 생산될 수 없다는 것을 확인하였다. 이것은 (낮은 온도에서 공정 장비를 운전하는) 에너지 절감을 제공할 뿐만 아니라 첨가된 유황뿐만 아니라 역청 (Bitumen)에 자연적으로 존재하는 유황으로부터 황화수소 및 황 산화물의 방출을 방지한다. 상기 폼드 유황 아스팔트 안정처리 토양 생산물은 전통적인 폼드 아스팔트 안정처리 토양보다 우수한 몇 가지 바람직한 특성을 갖는다. "폐" 유황에 대해 유용한 저장소로서 작용하는 것 외에, 유황의 함유물은 놀랍게도 어떤 폼드 유황 아스팔트/토양 조합에서 유용한 물리적 특성을 부여한다. 영구 변형 (permanent deformation)에서 감소는 이회토 토양 및 사브카 토양과 FSA의 조합 모두에서 일어난다. 이들 결과에 기초하여, 사구 (dune sand)는 또한 사브카 또는 이회토 토양 및 폼드 유황 아스팔트와 혼합될 수 있어, 사막 환경에서 골재의 타입 및 활용도를 도로 및 부지 건설에 대해 확장시키는, 이의 소성변형 저항성 (rutting resistance)을 개선시키는 것으로 믿어진다. 또한, 놀랍게도, 내구성 ("안정성 상실")은, 이들의 폼드 보통 아스팔트 안정처리 토양 등가물들 이상으로 FSASS 모두에 대해 개선된다. 부가적으로, 폼드 유황 아스팔트로 안정처리된 토양은 놀랍게도 종래의 폼드 아스팔트로 처리된 동일한 토양과 비교하여 더 높은 소성변형 저항성을 갖는다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 발명의 이들 및 다른 특색들, 관점들, 및 장점들은 바람직한 구체 예의 하기 상세한 설명, 첨부된 청구항, 및 수반되는 도면들을 참조하여 더욱 이해된다. 도 1은 실시 예 및 비교 예의 폼드 아스팔트 안정처리 토양을 형성하는데 사용된 미처리 사구에 대한 입도 곡선 (gradation curve)을 나타내는 그래프이다; 도 2는 실시 예 및 비교 예의 폼드 아스팔트 안정처리 토양을 형성하는데 사용된 Al-아지지아 사브카 (Aziziyah sabkha) 토양에 대한 입경 분포 곡선을 나타내는 그래프이다; 도 3은 실시 예 및 비교 예의 폼드 아스팔트 안정처리 토양을 형성하는데 사용된 사브카 토양의 건조 밀도 및 캘리포니아 지지력비 (California Bearing Ratio) (CBR)에 대한 함수비의 영향을 나타내는 그래프이다; 도 4는 실시 예 및 비교 예의 폼드 아스팔트 안정처리 토양을 형성하는데 사용된 이회토 토양에 대한 입경 분포 곡선를 나타내는 그래프이다; 도 5는 실시 예 및 비교 예의 폼드 아스팔트 안정처리 토양을 형성하는데 사용된 이회토 토양의 건조 밀도에 대한 함수비의 영향을 나타내는 그래프이다; 및 도 6은 실시 예의 폼드 유황 아스팔트 안정처리 토양을 형성하는데 사용된 30/70 중량 퍼센트의 유황 아스팔트 바인더에 대한 150℃에서 반감기 및 팽창비를 나타내는 그래프이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 상기 발명의 내용, 도면의 간단한 설명 및 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 및 첨부된 청구항을 포함하는 본 명세서는, 본 발명의 (공정 또는 방법 단계들을 포함하는) 특정 특색과 관련된다. 기술분야의 당업자들은 본 발명이 본 명세서에 기재된 모든 가능한 조합 및 특정 특색의 사용을 포함하는 것으로 이해한다. 기술분야의 당업자들은 본 발명이 본 명세서에 주어진 구체 예의 설명에 의해 제한되지 않는 것으로 이해한다. 본 발명의 주제는 오직 본 명세서 및 첨부된 청구항의 사상을 제외하고는 제한되지 않는다. 기술분야의 당업자들은 또한 특정 구체 예를 묘사하기 위해 사용된 용어가 본 발명의 범주 또는 범위를 제한하지 않는 것으로 이해한다. 본 명세서 및 첨부된 청구항의 해석에서, 모든 용어는 각 용어의 맥락에 일치하는 가장 넓은 가능한 방식으로 해석되어야 한다. 본 명세서 및 첨부된 청구항에 사용된 모든 기술적 및 과학적 용어는, 별도의 언급이 없다면, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자에 의해 통상 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 본 명세서 및 첨부된 청구항에 사용된 바와 같은, 용어의 단수 및 복수는, 별도의 언급이 없다면, 특별한 구별 없이 사용된다. 동사 "포함하는" 및 이의 활용 형태는 비-배타적인 방식으로 요소, 성분 또는 단계들을 의미하는 것으로 해석되어야 한다. 언급된 요소, 성분 또는 단계들이 제공될 수 있거나, 활용될 수 있거나 또는 특별히 언급되지 않는 다른 요소, 성분 또는 단계들과 조합될 수 있다. 값의 범위가 본 명세서 또는 첨부된 청구항에 제공된 경우, 그 간격이 상한 및 하한뿐만 아니라 상한 및 하한 사이의 값을 포괄하는 것으로 이해된다. 본 발명은 제공된 어떤 특정 배제에 대한 간격 대상의 더 작은 범위를 포괄하고 결합한다. 기준이 둘 이상의 한정된 단계들을 포함하는 방법에 대해 본 명세서 또는 첨부된 청구항에서 만들어진 경우, 상기 한전된 단계들은, 그 맥락이 그 가능성을 배제하는 경우를 제외하고는, 어떤 순서 또는 동시에 수행된다. 특허 또는 공보가 본 개시에 언급된 경우, 문헌은 그 전체적인 내용이 본 개시에서 만들어진 선언을 반박하지 않을 정도로 참조로서 혼입된다. 폼드 유황 아스팔트상기 폼드 유황 아스팔트는 아스팔트 바인더를 포함한다. 유용한 역청 (Bitumen) 또는 아스팔트는 석유 유분 (예를 들어, 감압 테일 (vacuum tails)); 석탄, 타르 샌드 또는 오일 쉐일 공정; 또는 자연적으로 발생하는 공급원 (예를 들어, 트린대드 레이크 (Trinidad Lakes))로부터 기원할 수 있다. 순 아스팔트 (neat asphalt) (즉, 유리 유황 또는 다른 첨가제가 첨가되지 않음)는 단일 물질 또는 몇 가지 기본 아스팔트의 블렌드일 수 있다. 모든 타입의 아스팔트 바인더는, "공용성 등급 (Performance Grade)" 아스팔트를 포함하여, 폼드 유황 아스팔트를 만드는데 유용하지만; 유화 및 컷백 아스팔트 (cutback asphalt)는 이들이 발포될 수 없기 때문에 사용될 수 없다. "공용성 등급" 아스팔트 바인더는 AASHTO Performance Graded Asphalt Binder Specification M 320의 공용성 등급 표 ("표 1")에 기재된 특성에 기초한다. 상기 폼드 유황 아스팔트의 구체 예는 공용성 등급 64-10 (PG 64-10) 아스팔트 바인더를 포함한다. 상기 폼드 유황 아스팔트는 원소 황을 포함한다. 원소 황 또는 "유리" 유황은 단일 황 원자뿐만 아니라 복합체에서 유황을 포함하고, α-유황 (사방정계 유황 (orthorhombic sulfur)), β-유황 (단사정계 유황 (monoclinic sulfur)) 및 "카테나 (catena)" 유황을 포함하는, 다른 유황 원자에 공유 결합된다. 유황 원자의 사슬 또는 고리는 몇몇 유황 원자로부터 수백의 공유 결합된 유황 원자의 범위일 수 있다. 원소 황의 모든 동소체 (allotropes)는 유황-연장 조성물에 사용하는데 적합하다. 탄소, 수소, 또는 이종유기 화합물을 포함하는, 다른 원자 종 (atomic species)과 같은, 비-유황 원자와 공유 결합된 유황은, "유리" 또는 원소 황으로 고려되지 않는다. 동소체의 광범위한 다양성 때문에, 원소 황은 많은 다른 고체 및 액체 형태에서 확인되고, 가열 및 압력을 포함하는, 이의 환경에 대한 변형에 기초하여 형태들 사이에서 변화될 수 있다. 유리 유황의 분자 구조에 의존하여, 유황의 용융점은 약 115℃ 내지 약 140℃에서 변화한다. 통상적으로, 그러나, 이것은 펠렛 또는 분말 고체 형태 또는 용융 액체 형태로 취급된다. 상기 폼드 유황 아스팔트는 8 이상의 발포 팽창비를 갖는다. 상기 발포 팽창비는 발포 혼합장치로부터 방출된 폼드 아스팔트의 부피와 비교하여 폼드 아스팔트의 확장된 부피의 비이다. 상기 폼드 유황 아스팔트는 약 6초 이상의 발포 반감기를 갖는다. 폼 반감기는 피크 팽창의 시점과 폼드 아스팔트가 이의 피크 팽창 부피의 반으로 붕괴되는 시점 사이에 기간으로 결정된다. 폼드 유황 아스팔트의 형성상기 폼드 유황 아스팔트를 제조하는 방법은 발포 혼합장치에 유리 유황 및 아스팔트 바인더를 도입하는 단계를 포함한다. 상기 유리 유황 및 아스팔트 바인더의 도입은 개별적일 수 있거나 또는 조합된 물질로서, 즉, 유황 아스팔트 바인더일 수 있다. 상기 방법의 구체 예는 유황 아스팔트 바인더로서 발포 혼합장치에 유리 유황 및 아스팔트 바인더를 도입하는 단계를 포함한다. 상기 원소 황의 양은 원소 황 및 아스팔트 바인더의 조합된 양의 약 10중량% 내지 약 50중량%의 범위이다. 상기 방법의 구체 예는 도입된 유황 아스팔트 바인더가 유황 아스팔트 바인더의 약 30중량%의 유리 유황 및 약 70중량%의 순 아스팔트 바인더를 포함하는 것을 포함한다. 상기 유황 아스팔트 바인더는 현장에서 블렌드될 수 있거나 또는 미리 형성될 수 있다. 상기 방법의 구체 예는, 유황 아스팔트 바인더가 형성되도록 예비-혼합장치에 유리 유황 및 아스팔트 바인더를 도입하는 단계, 및 그 다음 개별적으로-도입된 아스팔트 바인더 및 원소 황 대신에 발포 혼합장치에 상기 유황 아스팔트 바인더를 도입하는 단계를 포함한다. 예비-폼드 유황 아스팔트 바인더의 일부로서 또는 개별적으로 - 발포 혼합장치로 상기 유리 유황의 도입 방법과 무관하게, 이러한 유리 유황 도입 방법들의 구체 예는 용융 액체로 유리 유황을 도입하는 단계를 포함한다. 용융 유황은 저-전단 환경에서 순 아스팔트와 혼합될 수 있어, 유황 아스팔트 바인더를 형성하고, 그 다음 발포 혼합장치로 도입되거나, 또는 발포 혼합장치에 직접적으로 도입된다. 예를 들어, 상온 재활용 작동을 위해, 순 아스팔트 및 유리 유황은 모두 용융되는 온도에서 개별 용기에 유지된다. 상기 용융 유리 유황 및 용융 순 아스팔트는 바인더 혼합장치에 서로 도입되어, 유황 아스팔트 바인더가 발포 혼합장치에 도입되기 바로 전에, 유황 아스팔트 바인더를 형성한다. 이러한 유리 유황 도입 방법의 구체 예는 고체로 유리 유황을 도입하는 단계를 포함한다. 분말 또는 펠렛으로서, 고체 원소 황은, 통상 고 전단하에서, 용융 순 아스팔트에 도입되고, 블렌드되어, 상기 유황을 아스팔트에 완전하게 혼입시킨다. 상기 아스팔트는 유황의 용융 온도에서, 아래에서, 또는 위에서 유지될 수 있지만, 더 높은 온도가 혼입을 돕는 것으로 알려져 있다. 상기 폼드 유황 아스팔트의 제조 방법은 발포 혼합장치에 발포수를 도입하는 단계를 포함한다. 상기 방법의 구체 예는 폼드 유황 아스팔트가 약 2.3중량% 내지 약 4.7중량%의 범위에서 수분 함량을 갖도록 발포수를 도입하는 단계를 포함한다. 폼드 유황 아스팔트의 구체 예는 폼드 유황 아스팔트가 약 2.3중량% 내지 약 4.7중량%의 범위에서 수분 함량을 갖는 것을 포함한다. 아스팔드에 도입된 수분의 비율의 변경은 생산된 폼드 아스팔트 조성물의 팽창 비 및 반감기를 조절한다. 도입된 발포수의 양은 변화되고, 팽창비 및 반감기는, 도 6에 나타낸 바와 같이, 30/70 wt.% 유황 아스팔트 바인더를 사용하여 150℃에서 몇 가지 폼드 유황 아스팔트 함수비 값에서 결정된다. 상기 폼드 유황 아스팔트에 대한 수분 함량은 8배의 최소 팽창비 및 6초의 최소 반감기를 제공하도록 선택된다. 도 6에 따르면, 30/70 wt.%의 폼드 유황 아스팔트 바인더는 약 2.3 중량% 내지 약 4.7 중량%의 범위에서 수분 함량으로 팽창 계수 (expansion factor) 및 반감기 요건을 충족시킨다. 상기 발포 혼합장치는 약 140℃ 내지 약 150℃ 범위의 온도에서 작동한다. 가압되고, 및 독성/유독성 가스 방출을 위한, 발포 공기의 존재하에서, 유황 및 아스팔트의 조합으로부터 인화성 가스 (예를 들어, 황화수소)의 잠재적 방출에 기인하여, 150℃ 이상의 온도에서 발포 혼합장치를 작동하는 것을 권하지 않는다. 폼드 유황 아스팔트 안정처리 토양의 형성상기 폼드 유황 아스팔트 안정처리 토양의 제조 방법은 골재 혼합장치에, 함수비를 갖는, 골재를 도입하는 단계를 포함한다. 상기 폼드 유황 아스팔트 안정처리 토양을 제조하는 방법의 구체 예에서, 상기 골재는 소정의 수분과 예비-혼합될 수 있다. 하나의 구체 예에서, 수분의 양은 예비-혼합 후에 골재의 함수비가 대략 골재의 다짐 (compaction)을 위한 최적 함수비인 정도가 적합할 것이다. 또 다른 구체 예에서, 상기 방법은 상기 조합이 대략 골재의 다짐을 위한 최적 함수비인 함수비를 갖는 골재를 형성하도록 상기 골재에 보습수를 도입하는 단계를 포함한다. 또 다른 구체 예에서, 상기 방법은, 보습수 및 도입 골재의 조합이 약 0.5(WOMC) + 1의 함수비를 갖는 골재를 형성하도록 보습수를 도입하는 단계를 포함하며, 여기서 WOMC는 중량 퍼센트로 도입 골재에 대해 결정된 최적 최대 함수비이다. 이러한 구체 예에 대하여, 기-건 골재로서 상기 골재의 중량 퍼센트로 도입 골재의 함수비는 대략 기-건 골재의 함수비로부터 대략 상기 골재의 다짐을 위한 최적 함수비 미만의 범위이다. 상기 폼드 유황 아스팔트는 발포 혼합장치를 통과하고, 130℃를 초과하지 않는 온도에서 상기 골재에 도입된다. 상기 폼드 유황 아스팔트 안정처리 토양을 제조하는 방법의 구체 예는 기-건 기준 (air-dried basis)에 대해 상기 골재의 중량의 약 0.1 wt.% 내지 약 2 wt.%의 범위에서 포틀랜드 시멘트의 양을 도입하는 단계를 포함한다. 포틀랜드 시멘트는 토양 및 모래와 같은 미세 골재에 소정의 접착성을 부가한다.실시 예 특정 구체 예의 실시 예는 폼드 유황 아스팔트 및 폼드 유황 아스팔트 안정처리 토양을 사용하는 것에 대하여 더 많은 이해를 가능하게 한다. 본 실시 예들은 본 발명의 범주를 제한 또는 정의하는 것은 아니다. 동부 사우디아라비아로부터 세 개의 주된 토양 타입은 두 개의 다른 타입의 폼드 아스팔트 조성물 - 폼드 유황 아스팔트 (실시 예) 및 폼드 아스팔트 (비교 예) -과 결합하여 사용되어, 폼드 아스팔트에 유황 첨가의 영향에 대해 비교 물리적 시험을 위한 일련의 실험적인 안정처리 토양 샘플을 형성한다. 혼합장치 혼합 장치는 실시 예 및 비교 예의 폼드 아스팔트 조성물 모두를 형성한다. 폼드 아스팔트의 전체-규모 생산과 근접하게 모의 실험하는데, 혼합 장치 (Wirtgen Group; Germany)를 갖는 실험실 규모의 폼드 아스팔트 설비 WLB 10은 본 실험에 사용된다. 혼합장치를 갖는 WLB 10은 아스팔트 바인더를 가열 및 유지시키기 위해 온도 조절되는 절연 가마 (insulated kettle)를 포함한다. 상기 혼합 장치는 또한 폼드 아스팔트 조성물을 형성하기 위해 아스팔트 바인더, 물 및 공기를 서로 도입하기 위한 조정된 분배 시스템 (calibrated distribution system)을 포함한다. 상기 혼합 장치는 폼드 아스팔트 조성물을 형성하기 위해 미리 결정된 부피의 아스팔트 바인더, 물, 및 공기를 발포 혼합장치에 주입한다. 팽창 챔버인, 상기 발포 혼합장치는 온도-조절된다. 상기 폼드 아스팔트 조성물은 밀폐 시스템에서 형성된다. 잠재적으로 유해하거나 또는 독성 유황 가스의 방출로부터 매연은 혼합 장치의 작동자에 또는 환경에 방출되지 않는다. 실험을 위하여, WLB 10의 공기 흐름 게이지는 약 5 bars의 도입 기압 및 대기 온도에 대해 조정된다. 상기 도입 기압은 약 5 bars 내지 약 9 bars의 범위일 수 있다. 실험을 위하여, 물 흐름 게이지는 약 6 bars의 도입 수압 (water introduction pressure) 및 대기 온도에 대해 조정된다. 발포수 도입 압력은 공기 침범 (air intrusion)을 피하기 위해 발포 공기 압력보다 적어도 1 bar 더 높은 압력에서 유지된다. 음용수 (Potable water)는 도입수로 사용될 수 있다. 상기 아스팔트 바인더 유속은 아스팔트 바인더의 도입 온도를 조절하여 유지된다. 상기 폼드 아스팔트 조성물은 폼드 아스팔트 노즐을 통해 발포 혼합장치로부터 방출된다. 고정된 양의 폼드 아스팔트 조성물은 실험실 골재 혼합 용기에서 골재의 샘플로 직접적으로 방출된다. 실험실 혼합장치는 상기 폼드 아스팔트 조성물 및 골재의 조합을 교반하여, 시험을 위한 상기 폼드 유황 아스팔트 안정처리 토양을 형성한다. 토양 타입비교 안정처리 토양 샘플을 형성하는데 사용된 동부 사우디아라비아로부터 세 개의 주된 토양 타입은 사구, 사브카 토양 및 이회토 토양이다. 상기 골재 샘플의 모두는 도입 전에 기-건된다. 사구모래는 사우디아라비아뿐만 아니라 세계의 많은 나라에서 광범위하게 이용 가능하고 저렴한 공급원이다. 유효한 용도의 모래는, 만약 적절하게 안정화된다면, 도로 건축용으로 만들어질 수 있다. 미처리 사구의 샘플에 대한 입도 곡선은 도 1에 나타낸다. 수집되고, 미처리된 사구의 특징은 표준 골재 및 토양 시험에 의해 결정되고, 표 1에 요약된다. 사구에 대한 최적 함수비는 약 0%이다. 미처리된 사구에 대한 몇 가지 표준 골재 및 토양 시험 결과.특성표준 시험값모래 당량ASTM D 241979%벌크 비중 (미세 입자)ASTM C 1282.593겉보기 비중 (미세 입자)ASTM C 1282.661수분 흡수 (미세 입자) ASTM C 1280.9%소성 지수 AASHTO T-88비-소성사브카 토양사브카 토양은 Al-아지지아 사브카 저지대로부터 수집된다. 원 토양은 지하수면 (ground water table) 위의 모든 층을 포함하지만 표면 지각 (surface crust)을 배제한다. 공기 건조를 위해, 상기 토양은 실험실 밖의 플라스틱 시트 상에 펼쳐 놓는다. 플라스틱 해머는 최종 토양이 ASTM 체 No. 4를 통해 통과되도록 어떤 결정 및 덩어리 (lumps)를 파괴하는데 사용된다. 스크린된 토양은 혼합되고, 혼합 및 시험까지 플라스틱 드럼에 보존된다. 상기 사브카 토양의 입경 분포 곡선은 도 2에 나타낸다. 두 가지 타입의 습식 체 분석은 사브카 토양을 특징화하기 위해 수행된다. 하나의 시험은 증류수를 사용하고, 다른 하나는 "사브카 염수 (brine)", 또는 토양이 회수되는 동일한 채취장에 존재하는 염수를 사용한다. 도 2에서 두 개의 곡선을 생산하는, 시험 모두는 사브카 토양의 모래 조성물을 나타낸다. 이들 결과에 기초하여, 상기 사브카 토양은 통합된 토양 분류 시스템 (USCS)에 따른 "SP" 및 AASHTO 분류에 따른 "A-3"로 분류될 수 있다. 상기 사브카 토양의 시험은 몰드에서 토양의 수분 함량 및 건조 밀도 값 사이에 관계를 결정하기 위해 변형된 프록터 다짐 시험 (Proctor compaction test) (ASTM D 1557)을 사용한다. 상기 사브카 토양은 또한 캘리포니아 지지력비 (CBR) (ASTM D 1883)에 대해 시험된다. 상기 CBR 시험 결과는 함수비에 변화에 따른 물질의 강도 거동의 관계를 결정하기 위해 프록터 다짐 시험 결과에 대해 중첩된다. 결과는 도 3에 나타낸다. 건조 밀도의 최대 값의 약 95%에 상응하는, 최적 젖지 않은 CBR 값에서 함수비 (MC)는 사브카 토양의 건조 중량에 기초하여 약 11.5%이다. 이회토 토양도 4는 수집된 이회토 토양에 대한 입경 분포 곡선을 제공한다. 상기 토양 입경은 1.0 인치 미만이다. 상기 토양 크기의 절반은 No. 200호 체를 통해 통과한다. 도 5는, 최적 함수비가 이회토 토양의 건조 질량에 기초하여 약 11.8%인 것을 나타내는, 변형 프록터 다짐 곡선을 나타낸다. 상기 토양은 78의 건조 CBR 및 8의 젖은 CBR을 갖는다. 표 2에 제공된 결과는 모래의 양이 적은 것을 나타낸다. 이회토 토양에 대한 몇 가지 표준 골재 및 토양 시험 결과.시험 설명표준시험 결과체 분석 (등급)ASTM D 422도 4최대 건조 밀도 (MDD)ASTM D 15571910 kg/㎥최적 함수비 (OMC)ASTM D 155711.8%액성 한계 (LL)ASTM D 431828소성 지수 (PI)ASTM D 431810최대 건조 밀도의 95%에서 젖지 않은 CBRASTM C 188378최대 건조 밀도의 95%에서 젖은 CBR ASTM C 18838모래 당량ASTM D 241911%토양 함수비보습수는, 실시 예 또는 비교 예의 폼드 아스팔트와 각 토양을 혼합하기 전에, 그렇지 안다면, 다짐에 대한 이의 최적 함수비 (OMC)에 가까운 토양 샘플의 함수비를 제공하기 위해 기-건 토양 샘플에 도입된다. 기-건 토양 샘플에 도입된 보습수의 양은 골재에서 이의 타입 및 함수비의 정도에 의존한다. 이 실험에 대하여, 도입되는 보습수의 양은 하기 수학식 1을 사용하여 결정된다: [수학식 1]Wadded = 1+ (0.5 WOMC - Wair-dry)여기서 Wadded는 (기-건 토양의 중량 퍼센트로) 보습수를 도입시켜 기-건 골재에 첨가될 함수비이고, WOMC는 (중량 퍼센트로) 토양 샘플의 결정된 최적 함수비이며, 및 Wair-dry는 물 첨가 전에 (중량 퍼센트로) 기-건 토양 샘플의 결정된 함수비이다. 예를 들어, 전술된 바와 같이, 사구에 대한 WOMC은 약 0%이고, 및 기-건 사구는 약 0%의 함수비를 갖는다; 따라서, 폼드 아스팔트을 수신하고 그 다음 압축을 위한 사구에 도입된 보습수의 양은 사구가 기-건 토양 중량의 약 1 wt.%의 함수비를 가질 정도이다. 상기 물 첨가는 실시 예 및 비교 예의 폼드 아스팔트 조성물과 현 습윤 골재를 조합하기 바로 전에 일어난다. 포틀랜드 시멘트상기 토양 샘플에 보습수를 도입에 부가하여, 기-건 토양 중량 가치의 약 2%의 포틀랜드 시멘트는 도입되고, 토양 샘플과 블렌드된다. 포틀랜드 시멘트는 경화 및 강도 성장을 향상시키기 위해 첨가된다. 상기 포틀랜드 시멘트의 도입은 실시 예 또는 비교 예의 폼드 아스팔트가 토양 샘플에 도입되기 전에 일어난다. 보통 아스팔트 바인더 (Regular asphalt binder)비교 예의 폼드 아스팔트를 형성하는데 사용된 평범한 (plain), 순 또는 순수한 (unadulterated) 아스팔트는 WLB 10의 절연 가마에 도입되고, 발포를 위해 활용될 때까지 약 180℃의 온도에서 가열 및 교반된다. 이 실험을 위한, 보통 아스팔트는 공용성 등급 64-10 (PG 64-10) 아스팔트 바인더이다. 온도는 평범한 폼드 아스팔트가 적어도 약 8의 팽창비 계수 또는 적어도 약 6초의 최소 발포 반감기, 또는 모두의 최소 특성을 만족시키는 것이 불안정하고 불가능하기 때문에, 순수한 아스팔트에 대한 180℃ 미만에서 유지되지 않는다. 유황 아스팔트 바인더상기 유황 아스팔트 바인더는 아스팔트 유황 바인더의 총 중량의 약 30 wt.% 유리 유황 및 약 70 wt.%의 평범한 아스팔트 (PG 64-10)를 균일할 때까지 혼합하여 생산된다. 예비-블렌드된 30/70 wt.%의 (어떤 다른 변형 첨가제가 없는) 유황 아스팔트는 실험용 유황 아스팔트 바인더로서 사용된다. 예비-블렌드된 30/70 wt.% 유황 아스팔트 바인더는 145℃의 오븐에서 형성되고, 용융 상태에서 함께 블렌드된다. 상기 용융 유황 아스팔트 바인더는 WLB 10의 절연 가마로 도입되고, 약 150℃의 온도로 가열되고, 발포를 위해 활용될 때까지 교반된다. 발포수발포수는 폼드 유황 아스팔트가 유황 아스팔트 바인더의 약 3.45 중량%의 수분 함량을 갖도록 유황 아스팔트 바인더에 도입된다. 발포 안정처리 토양 실시 예 및 비교 예상온 혼합을 위한 마샬 혼합 디자인은 실시 예 또는 비교 예의 폼드 아스팔트 안정처리 토양 혼합물을 디자인하는데 사용된다. 총 6개의 안정처리 토양 혼합 샘플 - 각 다른 양을 갖는 실시 예 또는 비교 예의 폼드 아스팔트 -은 표 3에 보고된, 각 토양 샘플 타입으로 만들어진다. 소정의 유황 아스팔트 바인더, 발포수 및 발포 공기는 혼합장치 내로 서로 도입되고, 상기 혼합장치는 폼드 유황 아스팔트의 실시 예가 혼합장치에서 형성되도록 작동된다. 유황 아스팔트 바인더의 3.45 중량%의 함수비에서, 상기 폼드 유황 아스팔트에 대한 발포 팽창비는 방출된 부피 유황 아스팔트의 약 8.8 배이고, 발포 반감기는 약 9.1초이다. 소정의 보통 아스팔트, 발포수, 및 발포 공기는 혼합장치 내로 서로 도입되고, 상기 혼합장치는 폼드 아스팔트의 비교 예가 혼합장치에서 형성되도록 작동된다. 상기 혼합장치 내부의 온도는 약 150℃로 유지된다. 실시 예 및 비교 예의 폼드 아스팔트는 폼드 아스팔트 노즐을 통해 혼합장치로부터 생산된다. 실시 예 및 비교 예의 폼드 아스팔트는, 잠재적인 독성 또는 유해한 유황 화합물의 방출을 방지하는, 약 130℃ 미만의 온도를 갖는다. 순수한 및 유황 폼드 아스팔트 안정처리 토양 모두에 대한 토양 샘플을 만들기 위해, 소정의 보습수는 수학식 1을 사용하여 만들어진 결정을 만족시키도록 기-건 토양 샘플에 도입된다. 부가적으로, 상기 기-건 골재의 중량의 약 2%의 포틀랜드 시멘트는 또한 도입되고, 약 30초 동안 블렌드된다. 상기 혼합 장치는 각 토양 샘플이 제조되기 전에 단위 시간당 실시 예 또는 비교 예의 폼드 아스팔트의 고정된 양을 방출하기 위해 조정된다. 특정 부피의 상기 폼드 아스팔트는 토양 샘플이 호바트 (Hobart) 실험실 혼합장치에서 교반되면서 토양의 샘플 상으로 직접 방출된다. 상기 토양 샘플에 도입된 실시 예 또는 비교 예의 폼드 아스팔트의 양은 폼드 아스팔트 첨가 전 및 후의 혼합 용기 함량의 차이를 측량하여 확인된다. 실시 예 또는 비교 예의 폼드 아스팔트 및 토양 샘플의 조합의 혼합은 약 30초 내지 약 1분의 범위 동안 일어난다. 안정 처리 토양의 실시 예 및 비교 예의 물리적 시험(폼드 유황 아스팔트를 포함하는) 안정처리 토양 실시 예 및 (평범한 폼드 아스팔트를 포함하는) 비교 예는 각 안정처리 토양 샘플에 면 (face)에 대하여 표준 마샬 해머의 75 블로우 (blows)를 적용시켜 만들어진다. 각 안정처리 토양 샘플은 경화되고, 수행될 시험을 위해 만약 필요하다면, 시험 전에 물에 젖어진다. 각 안정 처리 토양 샘플에 대해 수행된 시험은, Marshall Stability and Marshall Stability Loss (또는 Durability) (ASTM D 1559); Indirect Tensile Strength and Optimum Foamed Bitumen Content (ASTM D 4867 및 AASHTO T-245); Resilient Modulus (ASTM D 4123); 및 소성변형 (rutting) (영구 변형 (permanent deformation))을 포함한다. 최적 바인더 함량은 젖은 강도가 가장 높은 곳에서의 바인더 함량이다. 내구성은 유사한 마샬 안정성 샘플, 및 동일한 시험 절차지만, 실온에서 24시간 동안 물에 젖은 후의 샘플을 사용하여 결정된다. 결과는 안정처리 토양의 실시 예 및 비교 예 모두에 대해 표 3에 제공된다. 간접 인장 강도간접 인장 강도 (ITS) 시험은 균열 성장에 대한 혼합 저항성을 결정하는 것을 돕는다. 상기 ITS 시험은 4-인치 직경 곱하기 2½-인치 높이 (101.6-mm 직경 곱하기 63.5-mm 높이)의 원통형 표본에 대해 수행된다. 상기 시험 표본은 마샬 다짐 방법을 따라 준비된다. 상기 표본이 파괴가 결과하기 전에 유지되는 곳이 최대 하중이다. 시험은 25℃에서 수행된다. 상기 ITS 시험의 젖은 샘플 버전 (실온에서 24시간 동안 물에 젖은 샘플)은 각 안정처리 토양의 실시 예에 대한 최적 바인더 함량의 결정을 위한 주요 지표이다. 회복 탄성계수 (Resilient Modulus) 회복탄성 계수 시험은 포장 구조의 기계론적인 디자인 접근법에 대한 중요 변수이다. 이것은 동적 응력 및 상응하는 최종 변형의 관점에서 포장재료 반응 (pavement response)의 측정이다. HMA의 회복탄성 계수는 직경 펄스 하중 (diametral pulse loads)을 적용시켜 수행된다. 상기 하중은 2½-인치 높이 곱하기 4-인치 직경 (63.5-mm 높이 곱하기 101.6-mm 직경)의 원통형 표본의 수직 직경의 평면에 적용된다. 시험 표본은 마샬 다짐 방법에 따라 준비된다. 상기 표본의 최종 수평적 변형은 측정되고, 회복 탄성계수를 계산하는데 사용된다. 상기 시험은 25℃에서 수행된다. 소성변형 시험 (영구 변형)안정처리 토양의 실시 예 및 비교 예는 30℃에서 아스팔트 포장재료 분석기를 사용하여 소성변형 저항성에 대해 평가되고, 상기 분석기는 디스크-형상의 안정처리 토양 샘플의 평평한 면을 전후로 가로지르는 가중 휠 (weighted wheel)을 반복적으로 추적하는 다중-휠 장치 (multi-wheeled rig)이다. 상기 휠 하중은 100 lbf로 설정되고, 휠 압력은 100 psi로 설정된다. 선회 다짐기 (gyratory compactor)는 디스크의 평평한 면을 따라 마샬 다짐 샘플과 동일한 밀도로 6-인치 둥근 안정처리 토양 샘플을 다짐한다. 상기 휠 장치는 각 안정처리 토양 휠의 직경에서 가로지른다. 시험 전에, 상기 안정처리 토양의 실시 예 및 비교 예는 4시간 동안 시험 온도에서 조절된다. 안정화된 사구, 이회토 및 사브카 토양들에 대한 시험 결과.토양 타입시험아스팔트 타입폼드 유황 아스팔트폼드 아스팔트사구최적 바인더 함량 (총%)87마샬 안정도 (kN)7.86.8내구성 (%)7975회복 탄성계수 (MPa)9501024ITS (kPa)858130℃에서 소성변형 (mm)1212이회토최적 바인더 함량 (총%)77마샬 안정도 (kN)3027.7내구성 (%)7263회복 탄성계수 (MPa)34504100ITS (kPa)640　532.930℃에서 소성변형 (mm)1.272.6사브카최적 바인더 함량 (총%)78마샬 안정도 (kN)2020내구성 (%)5148회복 탄성계수 (MPa)18502170ITS (kPa))310425.830℃에서 소성변형 (mm)1.84상기 폼드 유황 아스팔트의 사용은 폼드 순 아스팔트의 사용과 비교하여 50%를 초과하는 정도로 이회토 및 사브카 토양 샘플의 감소된 소성변형을 갖는 것으로 나타난다. 이론에 제한되는 것을 원하지는 않지만, 사구의 소성변형 저항성은 모래와 다른 타입의 골재를 혼합시켜 증가될 수 있는 것으로 믿어진다. 이회토 폼드 유황 아스팔트 안정처리 토양은 나타낸 여섯 개 중 가장 바람직한 안정처리 토양 조성물인 것으로 보여진다. 이 조성물에 대하여, 마샬 안정성은 6.672 kN (30) 초과이고, 간접 인장 강도는 200 kPa (640) 초과이며, 70% (72) 초과의 내구성을 갖는다. 이것은 아스팔트 콘크리트에 대한 몇 가지 최소 일용 요건을 만족시킨다.	폼드 유황 아스팔트 안정처리 토양의 제조방법 및 폼드 유황 아스팔트는 제공된다. 상기 폼드 유황 아스팔트 안정처리 토양은 폼드 유황 아스팔트, 기-건 골재, 보습수, 및 포틀랜드 시멘트를 포함한다. 상기 폼드 유황 아스팔트는 아스팔트 바인더, 원소 황, 발포 공기, 및 발포수를 포함한다. 상기 폼드 유황 아스팔트는 6초 이상의 발포 반감기 및 8 이상의 발포 팽창비를 갖는다. 상기 폼드 유황 아스팔트는 또한 상기 폼드 유황 아스팔트에서 원소 황 및 아스팔트 바인더의 조합된 양의 10% 내지 50중량% 범위에서 원소 황의 양을 갖는다.
[ 발명의 명칭 ] 플랩 밸브 장치 및 플랩 밸브 장치를 구비한 기액 분리 장치FLAP VALVE DEVICE AND GAS-LIQUID SEPARATING DEVICE COMPRISING FLAP VALVE DEVICE [ 기술분야 ] 본 발명은 플랩 밸브 장치 및 플랩 밸브 장치를 구비한 기액 분리 장치에 관한 것이며, 예를 들어 자동차의 연료 탱크로부터 캐니스터(canister)로 흐르는 연료 증기 중의 액체를 제거하기 위한 기액 분리 장치에 적용되는 것이다. [ 배경기술 ] 자동차의 연료 탱크는, 내압의 상승을 억제하기 위해서, 연료 증기를 연료 탱크 외부로 배출하기 위한 연료 증기 통로와, 연료 증기 통로에 마련되고, 연료 증기를 흡착하는 캐니스터를 갖고 있다. 캐니스터에 흡착된 연료는, 흡기계의 흡입 부압에 의해서 캐니스터로부터 방출되고, 흡기계를 통과하여 연소실로 흐른다. 이와 같이 하여, 연료 증기를 외부로 방출하는 일 없이, 연료 탱크의 내압 상승이 억제되고 있다.이러한 연료 탱크에서는, 연료 증기 통로의 일단이 연료 탱크의 상부로 개구 되고, 이 개구가 플로트 밸브에 의해서 개폐되는 구성이 공지되어 있다. 플로트 밸브는, 연료 탱크 내의 액위(液位)를 따라서 오르내리고, 액위가 소정값 이상이 되면 연료 증기 통로를 폐쇄하여, 연료 탱크 내의 액체의 연료가 연료 증기 통로로 유입되지 않게 한다. 그렇지만, 급격한 액위 상승시나 연료에 기포가 발생한 경우에는, 액체의 연료가 연료 증기 통로에 진입하는 경우가 있다. 이러한 연료 증기 통로에 진입한 액체의 연료를 제거하고, 캐니스터에 액체의 연료가 도달하지 않도록 하기 위해서, 연료 증기 통로의 도중에 기액 분리 장치를 마련한 것이 있다(예를 들면, 특허문헌 1).특허문헌 1에 따른 기액 분리 장치는 연료 증기로부터 분리한 액체의 연료를 연료 탱크와 급유구를 접속하는 필러 파이프로 배출한다. 기액 분리 장치는 상하로 연장되고, 하단이 필러 파이프 내로 돌입하는 주관(主管)을 갖고 있다. 주관은 상단이 폐쇄되고, 하단이 개구되어 있다. 주관의 내부는 축선 방향으로 연장되는 격벽에 의해 제 1 통로 및 제 2 통로로 분할되어 있다. 제 1 통로의 상단부에는 연료 증기 통로의 연료 탱크측이 접속되며, 제 2 통로의 상단부는 연료 증기 통로의 캐니스터측에 접속된다. 또한, 기액 분리 장치는, 필러 파이프 내로 회동 가능하게 장착되고, 주관의 하단의 개구를 개폐하는 상시 개방형의 플랩 밸브 장치를 갖고 있다. 플랩 밸브 장치의 플랩은, 통상시에는 개방 위치에 있으며, 급유시에는 필러 파이프에 삽입되는 급유 노즐에 가압되었을 때에, 폐쇄 위치로 이동하여 주관의 개구를 폐쇄한다. 플랩은, 주관의 개구를 폐쇄한 상태에서, 격벽과의 사이에 간극을 갖도록 형성되어 있다.이러한 기액 분리 장치에서는, 연료 증기 통로를 흐르는 연료 증기는, 주관의 제 1 통로를 위에서 아래로 통과하고, 필러 파이프 내를 경유하고, 제 2 통로를 아래에서 위로 통과하여 캐니스터로 흐른다. 연료 증기 통로 내에 진입한 액체의 연료는, 중력에 의해서 제 1 통로로부터 필러 파이프로 흐르고, 캐니스터에 도달하지 않는다. 연료의 급유시에는, 급유 노즐이 플랩을 폐쇄 방향으로 가압하여 주관의 개구가 폐쇄되고, 필러 파이프 내를 흐르는 액체의 연료는 주관 내에 진입하지 않는다. 주관의 개구가 폐쇄된 상태에서는, 연료 증기는 격벽과 플랩의 간극을 통과하여 제 2 통로, 캐니스터로 흐르고, 액체의 연료는 주관의 하단, 즉 플랩 상에 포집된다. 급유 노즐이 급유구로부터 뽑혀서 플랩이 개방되면, 플랩 상에 포집된 액체의 연료는 필러 파이프 내로 흐른다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 독일 특허 출원 공개 제 102008061264 호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 이상과 같은 장치에 적용되는 상시 개방형의 플랩 밸브 장치에서는, 본체 및 플랩의 각각에 힌지 베어링을 형성하고, 본체 및 플랩의 힌지 베어링에 금속제의 샤프트로 이루어지는 힌지축을 관통 삽입하고, 힌지축의 양단부를 코킹하는 것에 의해 빠짐 방지를 실행하는 구성이 널리 채용되고 있다. 이러한 경우, 힌지축의 코킹 작업을 위해서, 전용 공구가 필요하게 되는 동시에, 코킹부가 적절한 길이, 폭이 되도록 정밀도 양호하게 작업을 실행하지 않으면 안되어, 조립 작업성이 나쁘다는 문제가 있다. 또한, 힌지축의 양단부에 코킹 자리를 확보해야만 하여, 힌지축이 각 힌지 베어링으로부터 돌출되어 볼품이 없다는 문제가 있다. 또한, 코킹 자리를 확보하면 힌지축이 길어지기 때문에, 기액 분리 장치를 필러 파이프에 형성된 장착 구멍에 삽입하는 구조로 한 경우에, 긴 힌지축을 통과할 수 있도록 장착 구멍을 크게 형성할 필요가 있다. 또한, 플랩을 통상시에 있어서 개방 위치에 배치하기 위해, 비틀림 코일 스프링을 본체와 플랩 사이에 개재하는 경우가 있다. 이러한 경우에는, 비틀림 코일 스프링은 본체 및 플랩의 외면측에 마련되기 때문에, 비틀림 코일 스프링의 양단부를 본체 및 플랩의 외면에 고정할 필요가 있다. 이 때, 비틀림 코일 스프링의 양단부를 본체 및 플랩의 외면에 안정성이 양호하게 확실히 고정시키려고 하면, 고정 구조가 복잡해지는 동시에, 비틀림 코일 스프링의 조립 작업성이 저하된다는 문제가 있다.본 발명은, 이상의 배경을 감안하여, 플랩 밸브 장치 및 플랩 밸브 장치를 구비한 기액 분리 장치에 있어서, 플랩 밸브 장치의 소형화를 도모하는 동시에, 조립 작업을 용이하게 하는 것을 과제로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 개구(4)를 갖는 본체(5)와, 상기 개구를 개폐하는 플랩(6)과, 상기 본체와 상기 플랩 사이에 마련되고, 상기 플랩을 개방 방향으로 부세하는 비틀림 코일 스프링(7)을 갖는 상시 개방형의 플랩 밸브 장치(2)로서, 상기 본체에 마련된 본체측 베어링(21)과, 상기 플랩에 마련된 플랩측 베어링(25)과, 상기 본체측 베어링, 상기 플랩측 베어링, 및 상기 비틀림 코일 스프링의 코일부(7A)를 모두 관통하고, 상기 플랩의 회동축이 되는 힌지 축부(27A), 및 상기 힌지 축부의 일단으로부터 상기 플랩의 외면부(6B)로 연장되는 연장부(27B)를 갖는 결합 부재(27)와, 상기 본체에 마련되고, 상기 비틀림 코일 스프링의 일단을 고정하는 스프링 고정부(43)와, 상기 비틀림 코일 스프링의 타단이 상기 연장부에 고정되고, 상기 연장부가 상기 플랩의 상기 외면부에 고정되는 것을 특징으로 한다.이러한 구성에 의하면, 본체, 플랩, 결합 부재, 비틀림 코일 스프링, 및 받이 부재의 조립은 고정 구조에 의해서 실행되어, 공구 등을 사용한 코킹을 필요로 하지 않는다. 그 때문에, 조립 작업이 용이하다. 결합 부재의 연장부는, 플랩의 외면부에 고정되며, 힌지 축부의 축선 방향에 있어서 플랩에 대하여 고정되기 때문에, 힌지 축부가 본체측 베어링 및 플랩측 베어링에 대하여 빠짐 방지된다. 그 때문에, 힌지 축부의 단부에, 코킹부 등의 빠짐 방지 구조를 마련할 필요가 없어진다. 비틀림 코일 스프링의 타단이 플랩의 외면부에 고정되는 연장부에 고정되기 때문에, 비틀림 코일 스프링의 타단을 플랩의 외면부에 고정하는 구조가 불필요하게 된다.상기의 발명에 있어서, 상기 플랩의 상기 외면부에 고정되고, 상기 플랩을 폐쇄 방향으로 회동시키는 하중을 받는 받이 부재(33)를 추가로 갖고, 상기 받이 부재는 상기 연장부를 상기 플랩의 상기 외면부에 고정하면 좋다.이러한 구성에 의하면, 플랩의 외면부에 고정되는 받이 부재를 이용하여 연장부를 고정하기 때문에, 연장부를 플랩의 소정의 위치에 배치한 후에, 받이 부재를 플랩에 고정함으로써 연장부를 플랩에 고정할 수 있다. 그 때문에, 연장부를 플랩에 대하여 고정하는 작업이 용이하게 된다.상기의 발명에 있어서, 상기 플랩의 상기 외면부에 마련되어 상기 연장부를 고정하고, 상기 힌지 축부의 축선 방향으로의 상기 연장부의 상기 플랩에 대한 상대 이동을 규제하는 한편, 상기 힌지 축부를 중심으로 한 상기 연장부의 상기 플랩에 대한 상대 회동을 허용하는 제 1 고정부(37)를 추가로 갖고, 상기 받이 부재가, 상기 플랩에 고정된 상태에서, 상기 힌지 축부를 중심으로 한 회동 방향에 있어서 상기 연장부를 고정하고, 상기 연장부가 상기 힌지 축부를 중심으로 한 회동 방향에 있어서 상기 비틀림 코일 스프링의 상기 타단을 고정하면 좋다.이러한 구성에 의하면, 연장부가 제 1 고정부에 고정되는 것에 의해, 결합 부재는 힌지 축부의 축선 방향으로 이동할 수 없게 되어, 힌지 축부의 본체측 베어링부 및 플랩측 베어링부로부터의 빠짐이 저지된다. 또한, 연장부는, 받이 부재에 고정되며, 힌지 축부를 중심으로 한 회동 방향에 있어서 플랩에 대하여 고정되기 때문에, 제 1 고정부로부터 이탈할 수 없게 된다. 받이 부재가 플랩에 고정되어 있지 않은 상태에서는, 연장부는 힌지 축부를 중심으로 회동하는 것에 의해, 용이하게 제 1 고정부로 이동할 수 있어서, 연장부의 제 1 고정부로의 배치가 용이하다. 연장부는, 받이 부재가 플랩에 고정되어 있지 않은 경우에는 플랩에 대하여 회동 가능하며, 떨어질 수 있다. 그 때문에, 연장부와 비틀림 코일 스프링의 타단을 서로 고정 가능한 위치에 용이하게 배치할 수 있다.상기의 발명에 있어서, 상기 플랩의 외면부에는, 관통 구멍(31)이 형성되며, 상기 받이 부재는, 상기 관통 구멍을 관통하고, 상기 관통 구멍으로부터 돌출된 선단부(33A)에 있어서, 상기 연장부를 고정하고, 상기 선단부에 상기 관통 구멍의 가장자리부에 고정되는 고정 클로(33F)를 가지면 좋다.이러한 구성에 의하면, 받이 부재를 관통 구멍에 삽입한다는 간단한 조작으로, 받이 부재의 플랩으로의 장착과, 받이 부재에 의한 연장부의 고정이 실행된다.상기의 발명에 있어서, 상기 플랩의 상기 외면부에는, 상기 비틀림 코일 스프링의 상기 타단을 고정하고, 상기 힌지 축부의 축선 방향으로의 상기 비틀림 코일 스프링의 상기 타단의 상기 플랩에 대한 상대 이동을 규제하는 한편, 상기 힌지 축부를 중심으로 한 상기 비틀림 코일 스프링의 상기 타단의 상기 플랩에 대한 상대 회동을 허용하는 제 2 고정부(41)가 마련되어 있으면 좋다.이러한 구성에 의하면, 비틀림 코일 스프링의 타단이 제 2 고정부에 고정되는 것에 의해, 힌지 축부의 축선 방향에 있어서 비틀림 코일 스프링의 타단의 위치가 정해지기 때문에, 연장부에 의한 비틀림 코일 스프링의 타단의 고정 구조가 안정된다. 또한, 제 2 고정부는 비틀림 코일 스프링의 타단의 플랩에 대한 상대 회동을 허용하기 때문에, 비틀림 코일 스프링의 타단의 제 2 고정부로의 배치가 용이하다.상기의 발명에 있어서, 상기 플랩은 폐쇄 위치에 있어서 상기 플랩과 상기 본체 사이를 시일하는 시일 부재(24)를 가지면 좋다.이러한 구성에 의하면, 플랩이 폐쇄 위치에 있을 때에, 시일 부재에 의해서 플랩과 본체 사이가 시일되고, 개구가 확실히 폐쇄된다.본 발명의 다른 측면은, 상기 플랩 밸브 장치를 구비한 기액 분리 장치(1)에 있어서, 상기 플랩 밸브 장치는 분리된 액체의 배출구를 이루면 좋다.이러한 구성에 의하면, 기액 분리 장치를 간소하게 하여, 조립 작업을 용이하게 할 수 있다.상기의 발명에 있어서, 상기 본체는, 상하로 연장되고, 상단이 폐쇄되며, 하단이 상기 개구를 형성하는 관이며, 상기 본체의 내부는 격벽(11)에 의해서 각각 상하로 연장되는 제 1 통로(12) 및 제 2 통로(13)로 분할되고, 상기 제 1 통로의 상단부에는 유체가 유입되는 입구부(15)가 형성되며, 상기 제 2 통로의 상단부에는 유체가 배출되는 출구부(16)가 형성되며, 상기 플랩은 상기 본체의 하단에 마련되고, 상기 개구를 개폐하며, 상기 본체의 하단은 차량의 연료 탱크(51)와 급유구(52)를 접속하는 필러 파이프(53) 내에 돌입하며, 상기 입구부는 상기 연료 탱크와 캐니스터(55)를 접속하는 연료 증기 통로(54)의 상기 연료 탱크측에 접속되며, 상기 출구부는 상기 연료 증기 통로의 상기 캐니스터측에 접속되어 있다.이러한 구성에 의하면, 연료 탱크로부터 캐니스터로 연료 증기를 흘리는 통로에 있어서, 진입한 액체의 연료를 필러 파이프로 되돌리는 기액 분리 장치를 간소한 구성으로 할 수 있다. [ 발명의 효과 ] 이상의 구성에 의하면, 플랩 밸브 장치 및 플랩 밸브 장치를 구비한 기액 분리 장치에 있어서, 플랩 밸브 장치의 소형화를 도모하는 동시에, 조립 작업을 용이하게 할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 실시형태에 따른 플랩 밸브 장치를 구비한 기액 분리 장치의 사시도,도 2는 기액 분리 장치의 횡단면도,도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 단면도,도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ 단면도로서, 플랩이 폐쇄된 상태를 도시하는 도면,도 5는 플랩 밸브 장치의 측면도,도 6은 기액 분리 장치를 구비한 자동차의 연료계를 도시하는 모식도,도 7은 기액 분리 장치의 동작을 도시하는 연료계의 단면도,도 8은 기액 분리 장치의 동작을 도시하는 연료계의 단면도. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 플랩 밸브 장치 및 플랩 밸브 장치를 구비한 기액 분리 장치에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 따른 기액 분리 장치는 자동차의 연료 탱크와 캐니스터를 접속하는 연료 증기 통로에 마련되고, 분리한 액체를 필러 파이프로 되돌리는 것이다.도 1 내지 도 3에 도시하는 바와 같이, 기액 분리 장치(1)는, 플랩 밸브 장치(2)를 구비하고 있다. 플랩 밸브 장치(2)는, 개구(4)를 갖는 본체(5)와, 개구(4)를 개폐하는 플랩(6)과, 본체(5)와 플랩(6) 사이에 마련되고, 플랩(6)을 개방 방향으로 부세하는 비틀림 코일 스프링(7)을 갖고 있다.본체(5)는 상하로 연장되는 통형으로 형성되며, 그 상단은 폐쇄되고, 하단이 개구(4)로 되어 있다. 본체(5)는 그 내부에 축선 방향을 따라서 연장되는 격벽(11)을 갖는다. 본체(5)의 내부는, 격벽(11)에 의해서 둘레 방향으로 2분할되며, 각각 상하로 연장되는 제 1 통로(12) 및 제 2 통로(13)를 형성하고 있다. 격벽(11)의 하단은 본체(5)의 하단보다 상방에 위치하며, 제 1 통로(12)와 제 2 통로(13)의 하단끼리는 서로 연통되어 있다. 본체(5)의 하단으로부터 소정의 거리를 둔 위치에는, 본체(5)의 직경 방향으로 관통하고, 본체(5)의 내부와 외부를 연통하는 연통 구멍(14)이 형성되어 있다.본체(5)의 상단부에 있어서의 측부에는, 각각 입구관(15) 및 출구관(16)이 돌출되어 있다. 입구관(15) 및 출구관(16)의 기단은, 본체(5)의 외주부에 있어서 180°의 간격을 두고 배치되어 있다. 입구관(15) 및 출구관(16)은, 각각 본체(5)의 외주부로부터 각각 접선 방향으로, 또한 서로 상반되는 방향으로 연장되어 있다. 입구관(15)의 내부는 제 1 통로(12)의 상단부에 연통되며, 출구관(16)의 내부는 제 2 통로(13)의 상단부에 연통되어 있다. 입구관(15) 및 출구관(16)은 선단이 기단에 대하여 하방으로 배치되도록 경사져 있다. 입구관(15) 및 출구관(16)의 선단은 개구(4)로 되어 있다.본체(5)의 길이 방향에 있어서의 중간부에는, 직경 방향 외측으로 돌출된 원형의 플랜지(17)가 형성되어 있다. 플랜지(17)의 외주연에는, 하방을 향하여 돌출된 가장자리벽(18)이 형성되어 있다. 가장자리벽(18)은 플랜지(17)의 외주연을 따라서 환상으로 형성되어 있다.본체(5), 입구관(15), 출구관(16), 및 플랜지(17)는 수지에 의해서 일체로 성형되어 있다. 본체(5), 입구관(15), 출구관(16), 및 플랜지(17)는 2색 성형으로 형성되며, 본체(5), 입구관(15), 출구관(16) 및 플랜지(17)의 외면측은 외층으로 형성되며, 본 내면측은 내층으로 형성되어 있다. 외층은, 내층보다 강성이 높은 재료로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 HDPE로 형성된다. 내층은, 시일층으로 기능하는 층이며, 가솔린의 투과성이 낮은 재료로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 PA 6(나일론 6)과 HDPE를 혼합한 수지로 형성된다. 플랜지(17)의 가장자리벽(18)에 있어서의 하방을 향하는 단부면은 외층으로 형성되어 있다.도 1 내지 도 5에 도시하는 바와 같이, 본체(5)의 하단에 있어서의 외측부에는, 한쌍의 본체측 베어링(21)이 마련되어 있다. 한쌍의 본체측 베어링(21)은, 본체(5)의 접선 방향으로 서로 거리를 두고 배치되어 있다. 각 본체측 베어링(21)에는, 본체(5)의 접선 방향으로 연장되며, 서로 동축이 되는 베어링 구멍이 형성되어 있다. 각 베어링 구멍은 각각 관통 구멍이다. 이하의 설명에서는, 각 베어링 구멍의 축선은, 설명의 편의상, 좌우 방향으로 연장되어 있는 것으로 한다.도 1, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 본체(5)의 하단에는, 개구(4)를 개폐하기 위한 플랩(6)이 회동 가능하게 장착되어 있다. 플랩(6)은, 원판 형상의 덮개로서, POM 등의 수지로 형성되어 있다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 플랩(6)은, 내면부(6A)가 외면부(6B)에 대하여 직경 방향으로 작게 형성되어 있으며, 가장자리부가 높이가 다르게 형성되어 있다. 외면부(6B)의 외경은 본체(5)의 개구(4)의 내경보다 크게 형성되며, 내경부의 외경은 본체(5)의 하단 개구의 내경보다 크게 형성되어 있다. 이에 의해, 플랩(6)은, 내면부(6A)가 개구(4) 내로 돌입 가능하며, 외면부(6B)가 개구(4) 내로 돌입 불가능하게 되어 있다. 내면부(6A)의 외주부에 있어서 외면부(6B)와의 경계에는, 둘레 방향으로 연장되는 환상의 고정 홈(23)이 형성되어 있다. 고정 홈(23)에는, 환상의 시일 부재(24)가 끼워진다. 이에 의해, 플랩(6)은 폐쇄 위치에 있어서, 외면부(6B)가 시일 부재(24)를 거쳐서 개구(4)의 가장자리부에 접촉한다.도 1 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 플랩(6)의 외면부(6B)의 외주연부에는, 한쌍의 플랩측 베어링(25)이 마련되어 있다. 한쌍의 플랩측 베어링(25)은, 플랩(6)의 외주연에 있어서 대략 접선 방향으로 서로 거리를 두고 배치되어 있다. 각 플랩측 베어링(25)에는, 플랩(6)의 외주연에 있어서의 대략 접선 방향으로 연장되고, 서로 동축이 되는 베어링 구멍이 형성되어 있다. 각 베어링 구멍은 각각 관통 구멍이다.플랩(6)은, 플랩측 베어링(25)에 있어서 본체(5)의 본체측 베어링(21)에 결합 부재(27)를 거쳐서 회동 가능하게 장착된다. 결합 부재(27)는, 축 형상으로 연장되는 힌지 축부(27A)와, 힌지 축부(27A)의 일단으로부터 연장되는 연장부(27B)를 갖고 있다. 본 실시형태에서는, 결합 부재(27)는 단면 원형의 금속봉을 굴곡시키는 것에 의해 형성되어 있다. 힌지 축부(27A)는 직선 형상으로 연장되어 있다. 연장부(27B)는, 힌지 축부(27A)의 일단으로부터 굴곡되어 힌지 축부(27A)에 대하여 대략 직교하는 방향으로 연장되는 기단부(27C)와, 기단부(27C)의 힌지 축부(27A)측의 단부와 상반되는 단부로부터 굴곡되어 힌지 축부(27A)와 평행하게 연장되는 중간부(27D)와, 중간부(27D)의 기단부(27C)측의 단부와 상반되는 단부로부터 굴곡되어 힌지 축부(27A)와 대략 직교하는 방향으로 연장되는 선단부(27E)를 갖는다.플랩(6)은, 한쌍의 플랩측 베어링(25)의 사이에 한쌍의 본체측 베어링(21)이 배치되도록, 본체(5)에 대하여 배치된다. 각 플랩측 베어링(25)의 베어링 구멍 및 각 본체측 베어링(21)의 베어링 구멍이 동축으로 배치된 상태에서, 결합 부재(27)의 힌지 축부(27A)가 플랩측 베어링(25)의 한쪽, 본체측 베어링(21)의 한쪽, 본체측 베어링(21)의 다른쪽, 플랩측 베어링(25)의 다른쪽을 순차적으로 관통하는 것에 의해, 플랩(6)은 결합 부재(27)를 거쳐서 본체(5)에 회동 가능하게 장착된다. 이 상태에서는, 각 플랩측 베어링(25) 및 각 본체측 베어링(21)의 베어링 구멍의 축선, 및 힌지 축부(27A)의 축선이 좌우 방향으로 연장된다.결합 부재(27)는, 힌지 축부(27A)가 각 플랩측 베어링(25) 및 각 본체측 베어링(21)에 삽입된 상태에서, 본체(5) 및 플랩(6)에 대하여, 힌지 축부(27A)를 중심으로 회동 가능하게 되어 있다. 결합 부재(27)가 힌지 축부(27A)를 중심으로 하여 회동하는 것에 의해, 연장부(27B)는 플랩(6)의 외면부(6B)를 따르는 위치에 배치된다.도 1, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 플랩(6)의 외면부(6B)에 있어서의 중앙부에는, 단면이 반원형인 살제거 구멍(29)이 형성되어 있다. 플랩(6)의 외면부(6B)에 있어서, 살제거 구멍(29)을 사이에 두고, 한쌍의 플랩측 베어링(25)과 상반되는 측의 부분에는, 대략 직방체 형상의 지지대(30)가 돌출되어 있다. 지지대(30)의 살제거 구멍(29)측에 배치된 제 1 측벽(30A)은, 한쌍의 플랩측 베어링(25)측을 향하고, 힌지 축부(27A)와 대략 평행하게 연장되어 있다. 지지대(30)의 제 1 측벽(30A)과 상반되는 측부에는, 제 2 측벽(30B)이 형성되어 있다. 지지대(30)에는, 제 1 측벽(30A)으로부터 제 2 측벽(30B)으로, 힌지 축부(27A)와 대략 직교하는 방향으로 관통하는 슬롯(31)이 형성되어 있다. 슬롯(31)의 횡단면은 좌우 방향으로 긴 편평한 장방형으로 형성되어 있다. 슬롯(31)에는, 후술하는 받이 부재(33)가 삽입된다. 지지대(30)의 돌출 단부면에는, 슬롯(31)에 연통하는 슬릿(34)이 형성되어 있다. 슬릿(34)은 힌지 축부(27A)와 직교하는 방향으로 연장되고, 단부가 제 1 측벽(30A)부로 개구되어 있다.지지대(30)의 좌우 방향에 있어서의 양측부에는, 제 1 측벽(30A) 및 제 2 측벽(30B)과 직교하도록, 제 3 측벽(30C) 및 제 4 측벽(30D)이 형성되어 있다. 제 3 측벽(30C)은, 좌우 방향에 있어서, 힌지 축부(27A)의 선단측에 대응하는 측(도 5에 있어서 지면 우측)에 배치되어 있다. 플랩(6)의 외면부(6B)에 있어서, 제 3 측벽(30C)과 좌우 방향에 있어서 소정의 거리를 둔 부분에는 제 1 볼록부(36)가 돌출되어 있다. 제 1 볼록부(36)는 힌지 축부(27A)와 직교하는 방향으로 연장되어 있다. 제 3 측벽(30C)과 제 1 볼록부(36)는 협동하여 힌지 축부(27A)와 직교하는 방향으로 연장되는 홈형의 제 1 고정부(37)를 형성한다.플랩(6)의 외면부(6B)에는, 제 2 볼록부(38) 및 제 3 볼록부(39)가 형성되어 있다. 제 2 볼록부(38)는, L자 형상을 이루며, 플랩(6)의 외면부(6B)의 살제거 구멍(29)보다 플랩측 베어링(25)측에 있어서, 일단이 힌지 축부(27A)와 평행하게 연장되고, 타단이 지지대(30)측으로 연장되며, 살제거 구멍(29)의 내부에 진입하고 있다. 제 2 볼록부(38)의 지지대(30)측의 단부는 제 1 측벽(30A)과 소정의 거리를 두고 배치되어 있다. 제 3 볼록부(39)는 좌우 방향에 있어서 제 2 볼록부(38)의 우측의 단부와 소정 거리를 두고 배치되어 있다. 이에 의해, 제 3 볼록부(39)와 제 2 볼록부(38)는 협동하여 힌지 축부(27A)와 직교하는 방향으로 연장되는 홈형의 제 2 고정부(41)를 형성한다. 제 2 볼록부(38)의 제 3 볼록부(39)와 대향하는 단부는 제 3 볼록부(39)측으로 진행할수록 높이가 낮아지도록 경사면으로 형성되어 있다.결합 부재(27)는, 연장부(27B)가 플랩(6)의 외면부(6B)를 따라서 배치된 상태에 있어서, 중간부(27D)가 제 2 볼록부(38)와 지지대(30)의 사이를 통과하는 동시에 제 1 측벽(30A)을 따르도록 배치된다. 또한, 선단부(27E)가 제 1 고정부(37) 내에 배치된다. 선단부(27E)가 제 1 고정부(37) 내에 배치되는 것에 의해, 선단부(27E)는 제 3 측벽(30C) 및 제 1 볼록부(36)에 의해서 좌우 방향으로의 이동이 규제된다. 선단부(27E)가 제 1 고정부(37)에 고정되는 것에 의해, 결합 부재(27)는 좌우 방향, 즉 힌지 축부(27A)의 축선 방향으로 이동이 규제되며, 힌지 축부(27A)는 본체측 베어링(21) 및 플랩측 베어링(25)에 삽입된 상태로 유지된다.받이 부재(33)는 플랩(6)을 회동시키는 외부 하중이 입력되는 부재이다. 받이 부재(33)는 금속제의 띠 형상의 판 스프링을 굴곡하는 것에 의해 형성되어 있다. 받이 부재(33)는, 길이 방향에 있어서, 일단에 슬롯(31)에 삽입되는 삽입 단부(33A)를 갖고, 중간부(27D)에 헤어핀 형상으로 굴곡된 굴곡부(33B)를 갖고, 타단에 입력 하중을 받는 수압부(33C)를 갖고 있다.삽입 단부(33A)는 슬롯(31)을 제 2 측벽(30B)측으로부터 제 1 측벽(30A)측으로 관통한다. 삽입 단부(33A)는 제 2 측벽(30B)에 접촉하는 숄더부(33D)를 갖고 있다. 숄더부(33D)는 받이 부재(33)를 크랭크 형상으로 굴곡하는 것에 의해 형성되어 있다. 숄더부(33D)가 제 2 측벽(30B)에 접촉하는 것에 의해, 삽입 단부(33A)의 슬롯(31)으로의 삽입 길이가 정해진다.삽입 단부(33A)는 선단부에 만곡부(33E)를 갖고, 만곡부(33E)는 슬롯(31)의 제 1 측벽(30A)측의 개구단으로부터 외측으로 돌출되어 있다. 만곡부(33E)는, 휘는 것에 의해 슬롯(31)을 통과하고, 통과한 후에 원래 형상으로 복원된다. 이에 의해, 삽입 단부(33A)가 슬롯(31)으로부터 빠짐 방지되어 있다. 만곡부(33E)에는, ㄷ자형의 슬릿에 의해서 잘려 올라간 탄성 클로(33F)가 형성되어 있다. 탄성 클로(33F)의 돌출단은, 제 1 측벽(30A)측을 향하여 있으며, 탄성 클로(33F)의 돌출단이 제 1 측벽(30A)에 부딪치는 것에 의해 삽입 단부(33A)의 슬롯(31)에 대한 빠짐 방지가 한층 확실히 이루어진다.삽입 단부(33A)의 선단과 상반되는 측은 플랩(6)의 직경 방향 외측으로 연장되어 있다. 수압부(33C)는, 굴곡부(33B)를 거쳐서 삽입 단부(33A)에 연속하며, 플랩(6)의 직경 방향 외측으로부터 직경 방향 내측으로 연장된다. 수압부(33C)는 플랩(6)의 중앙측으로 진행함에 따라서 플랩(6)의 외면부(6B)와의 거리가 커지도록, 경사져 연장되어 있다.받이 부재(33)가 플랩(6)에 장착되고, 삽입 단부(33A)가 제 1 측벽(30A)으로부터 돌출되는 것에 의해, 삽입 단부(33A)는 결합 부재(27)의 중간부(27D)의 상방을 넘도록 배치된다. 삽입 단부(33A)가 중간부(27D)를 고정하는 것에 의해, 결합 부재(27)의 힌지 축부(27A)를 중심으로 한 회동이 규제되며, 선단부(27E)는 제 1 고정부(37)에 고정된 상태로 유지된다. 즉, 받이 부재(33)를 플랩(6)에 장착하는 것에 의해, 결합 부재(27)의 플랩(6)으로부터의 탈락이 저지되며, 플랩(6)은 본체(5)에 안정성이 양호하게 지지된다.비틀림 코일 스프링(7)은, 코일부(7A)와, 코일부(7A)의 양단에 마련되고, 코일부(7A)의 접선 방향으로 연장되는 제 1 단부(7B) 및 제 2 단부(7C)를 갖고 있다. 코일부(7A)는, 한쌍의 본체측 베어링(21)의 사이에 배치되며, 그 내부에 힌지 축부(27A)가 관통 삽입된다. 이에 의해, 코일부(7A)는 힌지 축부(27A)에 회동 가능하게 지지된다. 본체(5)에 있어서의 한쌍의 본체측 베어링(21)의 사이에는, 비틀림 코일 스프링(7)의 제 1 단부(7B)를 고정하기 위한 스프링 고정부(43)가 마련되어 있다. 스프링 고정부(43)는 본체(5)의 길이 방향으로 연장되는 구멍이며, 하단이 개구되어 있다. 비틀림 코일 스프링(7)의 제 1 단부(7B)는, 스프링 고정부(43)에 유격 끼워맞춰지고, 구멍벽에 접촉하는 것에 의해, 스프링 고정부(43)에 고정된다.비틀림 코일 스프링(7)의 제 2 단부(7C)는, 결합 부재(27)의 중간부(27D)와 플랩(6) 사이를 통과하며, 슬롯(31) 내로 연장되어 있다. 비틀림 코일 스프링(7)은 본체(5)에 대하여 플랩(6)을 개방 방향으로 부세하는 것이며, 제 2 단부(7C)는 중간부(27D)의 플랩(6)측을 향하는 부분에 접촉하여, 고정된다.각 본체측 베어링(21)부에는, 스토퍼(45)가 하방을 향하여 돌출되어 있다. 플랩(6)의 외면부(6B)에는, 각 스토퍼(45)가 부딪치는 받침 시트(receiving seat)(46)가 형성되어 있다. 각 스토퍼(45)가 각 받침 시트(46)에 부딪치는 것에 의해, 본체(5)에 대한 플랩(6)의 개방 위치(최대 개방 위치)가 정해진다.이상과 같이 구성한 기액 분리 장치(1)는, 이하에 나타내는 순서에 따라서 조립된다. 최초에, 각 플랩측 베어링(25)의 사이에 각 본체측 베어링(21)이 배치되고, 각 베어링 구멍이 동축이 되도록, 본체(5)에 대하여 플랩(6)을 배치한다. 다음에, 비틀림 코일 스프링(7)을 본체(5)에 대하여 배치한다. 이 때, 비틀림 코일 스프링(7)의 제 1 단부(7B)를 스프링 고정부(43)에 삽입하여 고정하는 동시에, 코일부(7A)를 각 본체측 베어링(21)의 사이에 배치하고, 코일부(7A)의 축선을 각 베어링(21, 25)의 축선과 일치시킨다. 다음에, 결합 부재(27)의 힌지 축부(27A)를, 서로 동축으로 배치된 각 플랩측 베어링(25), 각 본체측 베어링(21) 및 비틀림 코일 스프링(7)의 코일부(7A)에 관통 삽입한다. 이에 의해, 힌지 축부(27A)를 거쳐서, 본체(5), 플랩(6), 비틀림 코일 스프링(7)이 가조립된다.다음에, 결합 부재(27)의 중간부(27D)와 플랩(6)의 사이에 비틀림 코일 스프링(7)의 제 2 단부(7C)를 배치한다. 이러한 제 2 단부(7C)의 배치는, 힌지 축부(27A)를 플랩측 베어링(25) 등에 삽입할 때에 동시에, 혹은 힌지 축부(27A)의 삽입이 완료된 후에 실행한다. 비틀림 코일 스프링(7)은, 코일부(7A)에 있어서 용이하게 휠 수 있기 때문에, 힌지 축부(27A)의 삽입 후에 있어서도 제 2 단부(7C)의 배치는 용이하게 실행할 수 있다.다음에, 비틀림 코일 스프링(7)의 부세력에 저항하면서, 힌지 축부(27A)를 중심으로 하여 결합 부재(27)를 플랩(6)의 외면부(6B)에 접촉할 때까지 회동시킨다. 이에 의해, 결합 부재(27)의 선단부(27E)가 제 1 고정부(37) 내에 배치되는 동시에, 중간부(27D)가 제 1 측벽(30A)의 근방에 배치된다. 이 때, 결합 부재(27)와 함께 이동하는 비틀림 코일 스프링(7)의 제 2 단부(7C)는, 슬릿(34)을 통과하여 슬롯(31) 내에 진입하는 동시에, 제 2 고정부(41) 내에 배치된다. 제 2 단부(7C)가 제 2 고정부(41) 내에 진입할 때에는, 제 2 단부(7C)는 제 2 볼록부(38)의 경사면에 가이드되어, 제 2 고정부(41)의 소정의 위치에 배치된다. 제 2 단부(7C)가 제 2 고정부(41)에 배치되는 것에 의해, 비틀림 코일 스프링(7)의 좌우 방향에 있어서의 위치가 정해진다.다음에, 받이 부재(33)의 삽입 단부(33A)를 슬롯(31)에 삽입한다. 삽입 단부(33A)가 슬롯(31)을 통과할 때에는, 만곡부(33E) 및 탄성 클로(33F)는 슬롯(31)의 구멍벽에 가압되어 휘어지고, 삽입 단부(33A)는 슬롯(31)을 통과한다. 삽입 단부(33A)의 선단이 슬롯(31)을 통과하여 돌출되면, 만곡부(33E)가 복원되는 것에 의해, 삽입 단부(33A)가 슬롯(31)에 대하여 빠짐 방지가 이루어진다. 또한, 탄성 클로(33F)가 복원되는 것에 의해, 그 돌출단이 제 1 측벽(30A)에 접촉하여, 받이 부재(33)의 슬롯(31)에 대한 빠짐 방지가 이루어진다.삽입 단부(33A)가 슬롯(31)으로부터 돌출되는 것에 의해, 결합 부재(27)는 중간부(27D)에 있어서 삽입 단부(33A)에 고정되며, 힌지 축부(27A)를 중심으로 한 결합 부재(27)의 회동이 규제된다. 힌지 축부(27A)를 중심으로 한 결합 부재(27)의 회동이 규제되면, 선단부(27E)는 제 1 고정부(37)에 고정된 상태로 유지되며, 결합 부재(27)의 좌우 방향에 있어서의 이동이 규제된다. 이에 의해, 힌지 축부(27A)의 각 본체측 베어링(21), 플랩측 베어링(25) 및 비틀림 코일 스프링(7)의 코일부(7A)로부터의 빠짐이 규제된다. 이와 같이, 플랩 밸브 장치(2)의 조립은, 공구 등을 필요로 하지 않아 간단한 순서로 실행된다.도 6 내지 도 8을 참조하여, 기액 분리 장치(1)를 자동차에 마련할 때의 구성에 대하여 설명한다. 도 6에 도시하는 바와 같이, 자동차의 연료계(50)는, 연료 탱크(51)와, 연료 탱크(51)와 급유구(52)를 접속하는 필러 파이프(53)와, 연료 증기를 연료 탱크(51) 외부로 배출하기 위한 연료 증기 통로(54)와, 연료 증기 통로(54)에 마련되고, 연료 증기를 흡착하는 캐니스터(55)를 갖고 있다. 캐니스터(55)에 흡착된 연료는 미도시의 흡기계의 흡입 부압에 의해서 캐니스터(55)로부터 방출되며, 흡기계를 통과하여 내연기관의 연소실로 흐른다.연료 증기 통로(54)의 일단은, 연료 탱크(51)의 상부로 개구되고, 이러한 개구에는 플로트 밸브(57)가 마련되어 있다. 플로트 밸브(57)는 연료 탱크(51) 내의 액위에 따라서 오르내리고, 액위가 소정값 이상이 되면 연료 증기 통로(54)를 폐쇄한다. 이에 의해, 급유 등에 의해서 연료 탱크(51) 내의 연료의 액위가 상승한 경우에는, 플로트 밸브(57)에 의해서 연료 증기 통로(54)가 폐쇄되고, 액체 연료의 연료 증기 통로(54)로의 유입이 억제된다. 또한, 플로트 밸브(57)가 폐쇄된 후에 급유를 계속하면, 필러 파이프(53) 내에서의 연료의 액위가 상승하여, 급유 장치의 급유 노즐(58)(급유 건)에 접촉한다. 이에 의해, 급유 장치는 연료 탱크(51)의 충만 상태를 검출하고, 급유 노즐(58)로부터의 연료의 공급을 정지한다.도 7에 도시하는 바와 같이, 필러 파이프(53)의 급유구(52) 부근의 내부에는 급유구(52)를 구성하는 내통(61)이 삽입되어 있다. 내통(61)의 외단부(61A)는 내단부(61B)에 비해 외경 및 내경이 크게 형성되어 있으며, 외단부(61A)의 외주면은 필러 파이프(53)의 내주면에 접촉되어 있다. 내통(61)의 내단부(61B)와 외단부(61A)의 경계부는, 내단측으로부터 외단측으로 진행함에 따라서 직경이 커지는 테이퍼 형상으로 형성되어 있다. 내통(61)의 내측단에는, 내통(61)의 내측단을 개폐하는 플랩 밸브(63)가 회동 가능하게 장착되어 있다. 플랩 밸브(63)는, 도시하지 않는 스프링에 의해서 폐쇄 방향으로 부세되어 있다. 급유 노즐(58)이 급유구(52)에 삽입되고, 급유 노즐(58)의 선단이 플랩 밸브(63)를 가압했을 때에, 플랩 밸브(63)는 개방된다.필러 파이프(53)에 있어서, 플랩 밸브(63)보다 안쪽(연료 탱크(51)측)의 부분의 상부에는, 상하로 관통하는 장착 구멍(65)이 형성되어 있다. 장착 구멍(65)의 주위는, 필러 파이프(53)의 외측(상방)으로 돌출되며, 보스(66)를 형성하고 있다. 장착 구멍(65)에는, 기액 분리 장치(1)가 장착된다. 기액 분리 장치(1)의 플랜지(17)의 가장자리벽(18)의 단부면은, 보스(66)의 단부면에 접촉하며, 진동 용착에 의해서 서로 접합되어 있다. 기액 분리 장치(1)의 본체(5)의 하단 및 플랩(6)은 필러 파이프(53) 내에 돌입하고 있다. 개방 위치에 있는 플랩(6)이 필러 파이프(53)의 외단측을 향하도록, 플랩(6)이 플랩 밸브(63)와 대향하도록, 기액 분리 장치(1)는 필러 파이프(53)에 배치된다.기액 분리 장치(1)의 입구관(15)은 연료 증기 통로(54)의 연료 탱크(51)측에 접속되며, 출구관(16)은 연료 증기 통로(54)의 캐니스터(55)측에 접속된다.이상과 같이 구성한 기액 분리 장치(1)에서는, 연료 탱크(51) 내의 액위가 급격하게 상승한 경우나 연료 탱크(51) 내에서 연료의 거품이 발생한 경우 등에 있어서, 액체의 연료가 플로트 밸브(57)를 통과하여 연료 증기 통로(54)에 진입한 경우에, 진입한 액체의 연료를 필러 파이프(53)로 배출할 수 있다. 연료 증기 통로(54) 내를 흐르는 연료 증기 및 액체의 연료는 기액 분리 장치(1)로 흐른다. 도 7에 도시하는 바와 같이 플랩(6)이 개방되어 있는 경우에는, 연료 증기는 제 1 통로(12)를 위에서 아래로 흐른 후, 제 2 통로(13)에 직접, 혹은 필러 파이프(53)의 내부를 통과하여 제 2 통로(13)로 흐르고, 제 2 통로(13)를 아래에서 위로 흘러서 출구관(16)을 통과하고, 캐니스터(55)로 흐른다. 한편, 액체의 연료는, 중력에 의해서 제 1 통로(12)를 위에서 아래로 흐르고, 낙하하여 필러 파이프(53) 내로 흐른다. 필러 파이프(53)를 흐른 액체의 연료는 연료 탱크(51)를 흘러 회수된다. 이와 같이 하여, 연료 증기 통로(54) 내의 연료는 기체와 액체로 분리된다. 기액 분리 장치(1)의 플랩 밸브 장치(2)는 분리한 액체를 외부로 배출하는 배출구로서 기능한다.도 8에 도시하는 바와 같이, 급유구(52)에 급유 노즐(58)이 삽입되고, 플랩 밸브(63)가 개방되면, 플랩(6)은 받이 부재(33)에서 플랩(6)에 가압되고, 비틀림 코일 스프링(7)의 부세력에 저항하여 폐쇄 위치에 배치된다. 받이 부재(33)가 탄성 변형 가능하기 때문에, 플랩 밸브(63)가 소정의 개방 위치 이상으로 개방되면, 플랩(6)은 폐쇄 위치에 유지된다. 즉, 플랩 밸브(63)는, 플랩(6)이 폐쇄 위치에 도달할 때의 개방 위치 이상으로 개방될 수 있다. 또한, 받이 부재(33)가 탄성 변형하는 것에 의해, 플랩(6)은 폐쇄 방향으로 부세되며, 시일 부재(24)를 거쳐서 본체(5)의 하단에 접촉한다. 급유 노즐(58)이 삽입되었을 때에, 플랩(6)이 폐쇄되는 것에 의해, 급유 노즐(58)로부터 필러 파이프(53) 내에 공급되는 액체의 연료가 기액 분리 장치(1) 내에 진입되는 것이 방지된다.플랩(6)이 폐쇄 위치에 있을 때에, 플랩(6)의 내면부(6A)와 격벽(11)의 하단 사이에는 간극이 형성된다. 그 때문에, 플랩(6)이 폐쇄 위치에 있어도 제 1 통로(12)와 제 2 통로(13)는 하단에서 서로 연통되어 있다. 연료 증기 통로(54) 내를 흐르는 연료 증기 및 액체의 연료는 모두 제 1 통로(12)를 위에서 아래로 흐른다. 그 후, 연료 증기는, 제 2 통로(13)를 아래에서 위로 흘러서 출구관(16)을 통과하고, 캐니스터(55)로 흐른다. 한편, 액체의 연료는, 중력에 의해서, 제 2 통로(13)를 아래에서 위로 흐르지 못하고, 본체(5)의 하단, 즉 플랩(6)의 내면부(6A)의 상방에 포집된다. 포집되는 액체의 연료가 소정량 이상이 되면, 액체의 연료는 연통 구멍(14)을 통과하여 필러 파이프(53) 내로 배출된다. 이에 의해, 제 1 통로(12) 및 제 2 통로(13)의 연통 상태는 항상 유지된다. 또한, 연통 구멍(14)은, 플랩(6)이 폐쇄 위치에 있을 때에, 본체(5)의 제 1 통로(12) 및 제 2 통로(13)와, 필러 파이프(53)의 내부를 연통한다. 이에 의해, 연료 증기 통로(54)로부터 제 1 통로(12) 및 제 2 통로(13)로 유입되는 연료 증기의 일부는, 연통 구멍(14)을 통과하여 필러 파이프 내로 유입되고, 다시 연료 탱크(51)로 되돌아올 수 있다.급유구(52)로부터 급유 노즐(58)이 인발되고, 플랩 밸브(63)가 폐쇄 위치로 회동하면, 플랩(6)은 비틀림 코일 스프링(7)의 부세력을 받아 개방 위치로 회동하고, 플랩(6)의 내면부(6A)의 상방에 포집된 액체의 연료는 필러 파이프(53) 내로 배출된다.이상과 같이 구성한 플랩 밸브 장치(2), 및 플랩 밸브 장치(2)를 구비한 기액 분리 장치(1)의 효과에 대하여 설명한다. 본 실시형태에 따른 플랩 밸브 장치(2) 및 기액 분리 장치(1)에서는, 본체(5), 플랩(6), 결합 부재(27), 비틀림 코일 스프링(7), 및 받이 부재(33)의 조립이 고정 구조에 의해서 실행되고, 공구 등을 사용한 코킹을 필요로 하지 않는다. 또한, 플랩(6)의 외면부(6B)에 고정되는 받이 부재(33)를 이용하여 연장부(27B)를 고정하기 때문에, 연장부(27B)를 플랩(6)의 소정의 위치에 배치한 후에, 받이 부재(33)를 플랩(6)에 고정하는 것에 의해 연장부(27B)를 플랩(6)에 고정할 수 있어서, 연장부(27B)를 플랩(6)에 대하여 고정하는 작업이 용이하게 된다.또한, 받이 부재(33)가 플랩(6)에 고정되어 있지 않은 상태에서는, 연장부(27B)는 힌지 축부(27A)를 중심으로 하여 회동하는 것에 의해, 용이하게 제 1 고정부(37)로 이동할 수 있어, 연장부(27B)의 제 1 고정부(37)로의 배치가 용이하다.이상으로 구체적인 실시형태의 설명을 마치지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 일 없이 폭 넓게 변형 실시할 수 있다. 예를 들면, 본 실시형태에서는, 제 1 고정부(37)는 제 3 측벽(30C)과 제 1 볼록부(36)를 포함하고 홈형으로 형성되어 있지만, 다른 실시형태에서는 제 1 볼록부(36)를 생략하고, 제 3 측벽(30C)만으로 제 1 고정부(37)를 구성하도록 해도 좋다. 즉, 제 1 고정부(37)는, 결합 부재(27)의 좌우 양측으로의 이동을 규제하는 것이 필수가 아니며, 힌지 축부(27A)의 각 베어링으로부터 빠져나가는 방향을 적어도 규제하면 좋다. [ 부호의 설명 ] 1 : 기액 분리 장치 2 : 플랩 밸브 장치4 : 개구단 5 : 본체6 : 플랩 6A : 내면부6B : 외면부 7 : 비틀림 코일 스프링7A : 코일부 7B : 제 1 단부7C : 제 2 단부 11 : 격벽12 : 제 1 통로 13 : 제 2 통로15 : 입구관(입구부) 16 : 출구관(출구부)21 : 본체측 베어링 23 : 고정 홈24 : 시일 부재 25 : 플랩측 베어링27 : 결합 부재 27A : 힌지 축부27B : 연장부 27C : 기단부27D : 중간부 27E : 선단부30 : 지지대 31 : 슬롯(관통 구멍)33 : 받이 부재 33A : 삽입 단부33B : 굴곡부 33C : 수압부33D : 숄더부 33E : 만곡부33F : 탄성 클로(고정 클로) 36 : 제 1 볼록부37 : 제 1 고정부 38 : 제 2 볼록부39 : 제 3 볼록부 41 : 제 2 고정부43 : 스프링 고정부 50 : 연료계51 : 연료 탱크 52 : 급유구53 : 필러 파이프 54 : 연료 증기 통로55 : 캐니스터 57 : 플로트 밸브58 : 급유 노즐	플랩 밸브 장치 및 플랩 밸브 장치를 구비한 기액 분리 장치에 있어서, 플랩 밸브 장치의 소형화를 도모하는 동시에 조립 작업을 용이하게 하는 것을 과제로 한다. 개구(4)를 갖는 본체(5)와, 개구를 개폐하는 플랩(6)과, 본체와 플랩 사이에 마련되고, 플랩을 개방 방향으로 부세하는 비틀림 코일 스프링(7)을 갖는 상시 개방형의 플랩 밸브 장치(2)로서, 본체에 마련된 본체측 베어링(21)과, 플랩에 마련된 플랩측 베어링(25)과, 본체측 베어링, 플랩측 베어링, 및 비틀림 코일 스프링의 코일부(7A)를 모두 관통하고, 플랩의 회동축이 되는 힌지 축부(27A), 및 힌지 축부의 일단으로부터 플랩의 외면부(6B)로 연장되는 연장부(27B)를 갖는 결합 부재(27)와, 본체에 마련되고, 비틀림 코일 스프링의 일단을 고정하는 스프링 고정부(43)를 갖고, 비틀림 코일 스프링의 타단이 연장부에 고정되고, 연장부가 플랩의 외면부에 고정되도록 했다.
[ 발명의 명칭 ] 암과 관련된 질환의 치료에 유용한 6,7-디알콕시 퀴나졸린 유도체6,7-DIALKOXY QUINAZOLINE DERIVATIVES USEFUL FOR TREATMENT OF CANCER RELATED DISORDERS [ 기술분야 ] 본 발명은 6,7-디알콕시 퀴나졸린 유도체 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염에 관한 것으로, 항암 활성을 나타내어, 인간에 대한 치료 방법으로 유용하다. 본 발명은 또한 상기 퀴나졸린 유도체 및 이를 포함하는 약학 조성물의 제조 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 건선 및 암과 같은 세포 증식 질환에 대한, 과거의 대부분의 치료 방식들은 DNA 합성을 저해하는 화합물을 활용하는 것이었다. 그러한 화합물들은 세포에 대하여 독성이 있으며, 분화하는 종양세포를 신속히 구분하는 선택도를 나타내는 경우에만 유용한 효과를 거둘 수 있다. 최근에는, DNA 일부가 종양유전자로 형질전환되어 세포가 암에 걸릴 수 있으며, 즉 활성화 상태의 유전자가 악성 암세포의 형성을 유도한다는 것이 발견되었다 (Bradshas, Mutagenesis, 1986, 1:19). 몇몇 종양유전자는 티로신 키나아제 효소를 인코딩하며, 특정 성장인자 수용체들 역시 티로신 키나아제 효소에 해당된다 (Larsen et al., Ann. Reports in Med. Chem. 1989, Chapt. 13).수용체 티로신 키아나제는 세포 복제를 개시하는 생화학적 신호의 전달에 중요하다. 이들은 상피성장인자(epidermal growth factor)과 같은 성장인자에 대한 세포외 결합영역, 및 단백질 내 포스포릴레이트 티로신 아미노산에 대한 키나아제로서 기능하는 세포내 부위를 포함하며, 이를 통해 세포 생장에 영향을 준다. 또한, 그러한 키나아제들은 유방암과 같은 공통적인 인간 암 (Saimbury et al., Brit, J. Cancer, 1988, 58;458), 결장, 직장 및 위암과 같은 위장암 (Bolen et al., Oncogene Res., 1987,1:149)에 종종 존재하는 것으로 알려져 있다. 티로신 키나아제 활성 (TK 활성; Tyrosine Kinase activity)는 일반세포 보다는 악성세포에서 보다 자주 관측된다 (Hunter, Cell, 1987, 50:823).보다 최근에는, TK 활성을 갖는 상피세포 성장인자 수용체(EGFR; Epidermal Growth Factor Receptor)가 뇌, 폐 평편상피세포, 방광, 위, 가슴, 머리와 목, 식도, 갑상선 등과 같은 많은 인간 암에서 과발현되는 것으로 보고된 바 있다(W.J. Gullick, Brit. Med. Bull. 1991, 47;87). 상피세포 성장인자 수용체(EGFR; Epidermal Growth Factor Receptor), 수용체 티로신 키아나제(RTK; Receptor Tyrosine Kinase) 그룹의 멤버로 Erb1/HER1, Erb/HER2, Erb/HER3 및 Erb/HER4의 네 개의 수용체들을 포함한다.EGFR-TK 활성을 저해하는 주요 기작은 소합성 분자를 이용하는 것이다(Arteaga CL, Exp. Cell Res., 2003, 284:122-130). 제피티닙(IressaTM, Astra Zeneca), 엘로티닙(OSI-774, TarcevaTM), PD-183805, PKI-166, EKB-569, PD-168393, CGP-59362와 같은 특정 퀴나졸린 유도체들은, 여러 형태의 암에 대한 적용가능한 치료 옵션으로 광범위하게 조사되었다(Baselga et al., Oncology 2002, 63:6-16, Cohen RB., Clin. Colorectal Cancer, 2003, 2:246-251). 유럽 특허출원들, 즉 EP 0566226, EP 0602851 A1, EP 0635507 A1, EP 0635498 A1, EO 0520722 A1은, TK 저해 특성으로 인해 항암 특성을 갖는 특정 퀴나졸린 유도체들을 개시한다.미국특허 US 5475001, US 5457105, US 5616582, US 5770599, US 5747498, US 6900221 등은 퀴나졸린 핵의 4-번 위치에 치환된 아닐리노 모이어티(moiety) 및 6- 과 7-번 위치의 다양한 기능화된 알킬 그룹 등과 같은 구조적 형상을 갖는 퀴나졸린 유도체들에 대하여 다룬다.구체적으로 US 5457105, US 5616582는 N-(3-클로로-4-플루오로페닐)-7-메톡시-6-[3-(4-모르폴리닐)프로폭시]-4-퀴나졸린아민 (제피티닙)에 대하여, 그리고 US 5747498 및 US 690221는 N-(3-에티닐페닐)-6,7-비스(2-메톡시에톡시)-4-퀴나졸린아민 (엘로티닙)에 대해서 다룬다. WO 2005/070909, WO 2007/060691 A2 및 WO 06/090413은 이러한 두가지의 알려진 항암제들에 대한 다양한 합성 또는 다형태(polymorphic form)에 대하여 다룬다. [ 발명의 개요 ] [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 엘로티닙 HCl과 NRC 2694를 처리한 A549의 웨스턴 블롯 분석의 결과로, 농도 의존적으로 EGFR 수준이 감소되는 것으로 관찰되었다.도 2는 엘로티닙 HCl과 NRC 2694를 처리한 H1299 세포의 매트리겔 인베이젼 분석 결과로, 용량 의존적으로 인베이젼이 감소되는 것으로 관찰되었다.도 3은 A549 인간 폐 종양을 이식한 누드 마우스에서 엘로티닙 HCl과 NRC 2694의 경구 및 복강내 주사 투여에 의해 유도된 종양 크기의 감소를 나타낸 것이다.도 4는 경구 또는 복강내 주사 경로로 다양한 농도의 엘로티닙 HCl과 NRC 2694를 처리한 A549 루시페라아제 발현 세포들을 포함하는 누드 마우스로부터 수거한 폐이다.도 5는 엘로티닙 HCl과 NRC 2694를 처리한 후 폐를 포함한 누드 마우스 종양의 H0026#E 염색된 부위를 나타낸 것이다.도 6은 경구 및 복강내 주사 경로를 통해 다양한 농도의 엘로티닙 HCl을 처리한 A549 루세페라아제 발현 세포들이 이식된 누드 마우스이다.도 7은 경구 및 복강내 주사 경로를 통해 다양한 농도의 NRC 2694를 처리한 A549 루세페라아제 발현 세포들이 이식된 누드 마우스이다.도 8은 인비트로(in vitro)에서 HER-1,2,3,4 및 VEGFR과 같은 다른 수용체들에 관련된 NCR NCEs의 효과에 대한 연구로서, A549 세포에 NRC 2694를 처리한 후에 Erb1, ErbB2, ErbB3 및 ErbB4의 수준이 감소된 것으로 관찰되었다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 상기 퀴나졸린계의 화합물들이 제공하는 무한한 가능성의 관점에서, 본 발명자들은 신규한 구조적 형상을 갖는 다수의 신규 화합물들의 합성 및 스크리닝에 착수하였다. 그 결과 놀랍게도, 4번 위치에 3-에티닐 아닐리노 그룹을 갖고 구체적으로는 6 및 7번 위치에 치환된 알콕시 그룹을 갖는 퀴나졸린은, 다른 알려진 퀴나졸린계 약물들과 비교하여, 더욱 강화된 그리고 현저한 항증식성 특성을 갖는다는 것을 발견하였다. 또한, 놀랍게도 본 발명에 따른 화합물들은 독성이 현저히 낮고, 이러한 안전성 프로파일(profile)은 치료 분야에서 대단히 유리하게 작용한다. 본 발명에서 설명된 신규 화합물들은 아래의 구조를 갖는 화학식 I과 같이 나타낼 수 있고, 아직까지 합성된 바 없으며, 치료분야에서의 유용성 및 안전성 프로파일이 밝혀지지 않았다. [화학식 I]상기 식에서, R1은 , 또는 이고,R2는 OCH3 또는 OC2H5임.R1이 이고 R2가 OCH3인 경우에, 상기 화학식 I의 화합물은 NRC-2694이다.NRC-2694의 모노 HCl 염(mono HCl salt)은 NRC-2694A이다. NRC-2694의 디HCl 염(diHCl salt)은 NRC-2694B이다. 본 발명에 따른 신규 화합물 특히 NRC-2694는 예상하지 못한 우수한 항암/항증식성 특성을 가지며, 구체적으로는 아래에 기술된 바와 같이 이러한 등급의 주요 제제와 비교하여 추가적인 치료상의 유용성을 제공한다. 1) 낮은 억제 농도(Lower inhibitory concentration): MTT 증식 분석법에서 억제농도(IC50)가 40-90 ng/ml (100-200 nm) 범위의 수치를 나타내며, 반면 엘로티닙 HCl은 836 ng/ml (1945 nm)의 값을 갖는다. 이는 웨스턴 블롯 분석(western blot analysis) 및 매트리겔 인베이젼 분석(matrigel invasion assay)에 의해 확인된다. 2) 완전한 종양 퇴행(Complete tumor regression): 완전한 종양 퇴행(complete tumor regression)은, 10 mg/kg 용량으로 A549 인간 폐 종양 세포를 이식한 누드 마우스에서 화합물의 경구 투여에 의해 관찰된다. 비교 연구에서, 심지어 100 mg/kg 용량에서도, 엘로티닙 HCl은 완전한 종양 퇴행(complete tumor regression)을 유도하지 못하였다. A549를 이식한 마우스의 폐 조직에 대한 외관 시험 및 루시페라아제 발현 실험에서 동일한 관찰 결과를 확인하였다.3) 약리 효과(Drug effectiveness): 유효량 평가는 본 발명에 따른 대표적 화합물, 즉 NRC-2694에 대해 6.3 mg/kg의 수치(ED50)를 나타내는 반면, 이에 대해 엘로티닙 HCl에 의해 얻어진 수치는 22 mg/kg이다.NRC-2694는 100% 치료 효과(curative effect)가 관찰되는데 반해, 엘로티닙 HCl의 경우에는 단지 50-60%이다. 4) 부가적인 고유의 특징들(Additional unique indications): 본 발명의 일실시예에 따른 화합물인 NRC-2694는 ErbB2, ErbB3, ErbB4 및 VEGFR 수용체의 발현 수준을 저하시키는 것과 같은 추가적인 특징들을 나타낸다. 이러한 특별하고도 매우 유망하며, 놀라운 결과는 전적으로 예상하지 못한 것이고, 엘로티닙 HCl에서 보여지지 않았다.5) 안전성 프로파일(Safety profile): 본 발명에 따른 NRC-2694와 같은 화합물의 안전성 프로파일은 꽤 유망하고 예상외로 광범위하며 매우 유용하다. 이에 따라, NRC-2694는 500 mg/kg의 최대내성용량(MTD; Maximum Tolerated Dose)을 가지며, 이에 대해 엘로티닙 HCl은 2000 mg/kg이다.NRC-2694에 의해 제공되는 광범위한 적정사용농도(therapeutic window)는 2000 mg/kg의 LD0 값에 의해 설명되며, 이에 대해 엘로티닙 HCl은 500 mg/kg의 값을 가진다. LD50 값은 NRC-2694에 대해서는 정확하지 않지만, 엘로티닙 HCl은 805 mg/kg의 값으로 측정된다.이하의 실시예들은 본 발명에 따른 화합물들을 제조하기 위한 과정 및 우수한 생물학적 효율을 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범주 또는 목적이 그들만으로 제한되는 것은 아니다.[반응식 1]실시예-1N-(3-에티닐페닐)-7-메톡시-6-[3-(4-모르폴리닐)프로폭시]-4-퀴나졸린아민 (I, NRC-2694)의 제조i) 4-클로로-6-[3-(4-모르폴리닐)프로폭시]-4-퀴나졸린 (IIIa)의 제조기계적 교반기, 환류 응축기, 균압 투입 깔대기(pressure equalizing addition funnel), 및 온도계 소켓이 구비된, 세척 및 건조된 5-리터 4구 둥근 바닥 플라스크에 클로로포름 (3000 ml), 디메틸 포름아미드 (30 ml)를 충진한 후, PCT 출원공개공보 WO 2005/070909A1의 실시예 1에 개시된 방법에 의해 얻은, 7-메톡시-6-(3-모르폴리노 프로폭시)-3,4-디하이드로-퀴나졸린-4-온 (IIa) (150g)을 첨가하였다. 옥사릴 클로라이드(oxalyl chloride) (120 g)를 천천히 첨가하고, 반응물을 환류 온도(reflux temperature)로 가열한 후 약 5 시간 동안 환류 온도를 유지하였다. 반응은 HPLC 테스트에 의해 완료되었음을 확인하였다. 용매 클로로포름과 초과 옥사릴 클로라이드는 저압 진공(mild vacuum)을 적용하여 증류하였다. 반응물을 약 40℃로 냉각한 후, 클로로포름 (300 ml)를 첨가하고, 다시 저압 진공을 적용하여 용매를 증류 제거하였다. 반응 혼합물을 상온으로 냉각하고 아세토니트릴 (3000 ml)를 첨가하고 10-15 분 동안 저어준 다음 질소 기압하에서 유지하여 다음 공정을 진행하였다. ii) N-(3-에티닐페닐)-7-메톡시-6-[3-(4-모르폴리닐)프로폭시]-4-퀴나졸린아민 (I, NRC-2694)의 제조상기 단계-(i)에 따른 아세토니트릴에 클로로 화합물을 함유하는, 기계적 교반기, 환류 응축기 및 온도계 소켓이 구비된, 5-리터 4구 둥근 바닥 플라스크에; 3-에티닐 아닐린 (69 g)을 약 10-15 분 동안 천천히 첨가하고, 반응물을 환류 온도로 가열한 후 환류 온도에서 약 4 시간 동안 유지하였다. 반응은 HPLC 테스트에 의해 완료되었음을 확인하였다. 그런 다음, 반응물을 약 25-35℃로 냉각하고 여과한 후, 여과후 남은 덩어리 물질(cake)을 아세토니트릴 (500 ml)로 세척하고 건조하였다.상기 건조된 조 화합물(crude compound)는 또 다른 5-리터 둥근 바닥 플라스크에 담고 물 (2500 ml)을 채우고, 60-65℃까지 천천히 온도를 상승시킨 후, 희석된 수산화나트륨 용액을 이용하여 반응물의 pH를 10-12로 조절하였다. 분리된 고체 생성물을 여과하고 물로 세척한 후 70-75℃에서 건조하여 황백색(off-white) 고체인 N-(3-에티닐페닐)-6-(3-모르필린 프로폭시)-7-메톡시-4-퀴나졸아민 173.0 g을 얻었다.iii) 톨루엔으로부터 N-(3-에티닐페닐)-7-메톡시-6-[3-(4-모르폴리닐)프로폭시]-4-퀴나졸린아민 제조의 재결정화 기계적 교반기, 환류 응축기 및 온도계 소켓이 구비된 5-리터 4구 둥근 바닥 플라스크에 톨루엔 (3750 ml)을 충진하고, 상기 실시예 (1)에서 설명된 공정에 의해 얻어진 N-(3-에티닐페닐)-6-(3-모르폴리노 프로폭시)-7-메톡시-4-퀴나졸린아민 (50 g)을 첨가하였다. 반응 혼합물을 90-95℃로 가열하여 고체 성분을 완전히 용해시켰다. 그런 다음, 카본처리 후 여과하였다. 여과액은 25-35℃로 냉각하고 약 1 시간 동안 유지한 후, 여과 및 건조하여 백색 결정형 고체로서 N-(3-에티닐페닐)-7-메톡시-6-[3-(4-모르폴리닐)프로폭시]-4-퀴나졸린아민 40.15 g을 얻었다.mp: 185-187℃순도: 99.72% (HPLC)IR(KBr)(cm-1): 3280.9, 2954.6, 2810.3, 1620.1, 1604.2, 1572.1, 1527.7, 1505.2, 1484, 1430.5, 1388.2, 1247.5, 1211.2, 1140.3, 1110.4, 1010.3, 953.4, 859.6, 784.2 Cm-11HNMR(300MHZ; DMSO-d6): 9.57 (s, 1H); 8.48 (s, 1H); 7.99 (s, 1H); 7.86 to 7.92 (d, 2H); 7.34 to 7.44 (t, 1H) 7.18 to 7.21 (s, 2H); 4.15 to 4.21 (t, 4H); 3.92 (s, 3H) 3.5 to 3.6 (t, 4H); 2.4 to 2.52 (m, 5H); 1.95 to 2.01 (m, 2H).Mass : 419.4 (M + 1)실시예-2아세토니트릴로부터 N-(3-에티닐페닐)-7-메톡시-6-[3-(4-모르폴리닐)프로폭시]-4-퀴나졸린아민의 재결정화기계적 교반기, 환류 응축기 및 온도계 소켓이 구비된 2-리터 3구 둥근 바닥 플라스크에 아세토니트릴 (1000 ml)을 충진한 후, 상기 실시예-(1)에서 설명된 방법에 따라 얻어진 N-(3-에티닐페닐)-7-메톡시-6-[3-(4-모르폴리닐)프로폭시]-4-퀴나졸린아민 (25 g)을 첨가하였다. 반응물을 65-70℃로 천천히 가열하여, 고체 물질을 완전히 용해시키고 카본처리 후 여과하였다. 여과액은 또다른 둥근 바닥 플라스크로 옮긴 후, 10-15℃로 천천히 냉각시키고, 그 온도에서 30 분간 유지하였다. 반응물은 여과하고, 여과후 남은 덩어리 물질(cake)을 냉각된 아세토니트릴로 세척하고 건조시켜 백색 결정형 고체로서 N-(3-에티닐페닐)-7-메톡시-6-[3-(4-모르폴리닐)프로폭시]-4-퀴나졸린아민 20.50 g을 얻었다.mp: 186-187℃순도: 99.68% (HPLC)실시예-3에틸 아세테이트로부터 N-(3-에티닐페닐)-7-메톡시-6-[3-(4-모르폴리닐)프로폭시]-4-퀴나졸린아민의 재결정화기계적 교반기, 환류 응축기 및 온도계 소켓이 구비된 3-리터 3구 둥근 바닥 플라스크에 에틸 아세테이트 (2000 ml)을 충진한 후, 상기 실시예-(1)에서 설명된 방법에 따라 얻어진 N-(3-에티닐페닐)-7-메톡시-6-[3-(4-모르폴리닐)프로폭시]-4-퀴나졸린아민 (25 g)을 첨가하였다. 반응물을 65-70℃로 천천히 가열하여, 고체 물질을 완전히 용해시키고 카본처리 후 여과하였다. 여과액은 또 다른 둥근 바닥 플라스크로 옮긴 후 10-15℃로 천천히 냉각시키고, 그 온도에서 30 분간 유지하였다. 결정형 물질을 여과하고, 여과후 남은 덩어리 물질(cake)을 냉각된 에틸아세테이트로 세척하고 건조시켜 백색 결정형 고체로서 N-(3-에티닐페닐)-6-(3-모르폴리노 프로폭시)-7-메톡시-4-퀴나졸린아민 20.95 g을 얻었다.mp: 185-187℃순도: 99.7% (HPLC)실시예-4N-(3-에티닐페닐)-7-메톡시-6-[3-(4-모르폴리닐)프로폭시]-4-퀴나졸린아민 모노 하이드로클로라이드 (NRC-2694A)의 제조기계적 교반기, 환류 응축기, 온도계 소켓 등이 구비된 500 ml 3구 둥근 바닥 플라스크에 이소프로필 알코올 (250 ml)을 충진한 후, 상기 실시예-1에 따른 방법으로 얻어진 N-(3-에티닐페닐)-7-메톡시-6-[3-(4-모르폴리닐)프로폭시]-4-퀴나졸린아민 (5 g)을 첨가하였다. 반응물의 온도를 65-70℃로 상승시켜, 모든 고체상 물질을 용해시키고 카본처리 후 여과하였다. 여과액은 약 55 내지 60℃로 냉각시키고, 모노 하이드로클로라이드 염이 분리될 때까지, 이소프로필 알코올 용액에 용해된 1몰당량의 HCl-가스를 가하였다. 반응물은 약 2 시간 동안 환류 온도에서 유지한 다음, 상온으로 냉각하고 여과 및 건조시켜 백색 결정형 물질인 N-(3-에티닐페닐)-6-(3-모르폴리노 프로폭시)-7-메톡시-4-퀴나졸린아민 모노 하이드로클로라이드 5.1 g을 얻었다.순도: 99.8% (HPLC)HCl 함량(chemical): 8.19%(이론값: 8.10%)IR(KBr)(cm-1) 3407, 3305, 3259.5, 2934, 2619, 1625.9, 1593.8, 1579.9, 1530.8, 1512, 1476.9, 1392.2, 1356.8, 1282.1, 1242.1, 1207.9, 1141.3, 1100.8, 1076.1, 1042.1, 1026.5, 1011.5, 957.7, 941.5, 922.1, 857.3, 852, 838.1, 796, 782.4.실시예-5N-(3-에티닐페닐)-7-메톡시-6-[3-(4-모르폴리닐)프로폭시]-4-퀴나졸린아민 디 하이드로클로라이드 (NRC-2694B)의 제조기계적 교반기, 환류 응축기 및 온도계 소켓이 구비된 500 ml 3구 둥근 바닥 플라스크에 이소프로필 알코올 (250 ml)을 충진한 후, 상기 실시예-1에 따른 방법으로 얻어진 N-(3-에티닐페닐)-7-메톡시-6-[3-(4-모르폴리닐)프로폭시]-4-퀴나졸린아민 (5 g)을 첨가하였다. 반응물의 온도를 65-70℃로 상승시켜, 모든 고체상 물질을 용해시켰다. 카본처리 후 여과하였다. 여과액은 약 55 내지 60℃로 냉각시키고, 디하이드로클로라이드 염이 분리될 때까지, 이소프로필 알코올 용액에 용해된 2몰당량의 HCl-가스를 가하였다. 반응물은 약 2 시간 동안 환류 온도에서 유지한 다음, 상온으로 냉각하고 여과 및 건조시켜 백색 결정형 물질인 N-(3-에티닐페닐)-7-메톡시-6-[3-(4-모르폴리닐)프로폭시]-4-퀴나졸린아민 디 하이드로클로라이드 5.5 g을 얻었다.순도: 99.78% (HPLC)HCl 함량(chemical): 14.9%(이론값: 14.83%)IR(KBr)(cm-1): 3406.8, 3194.1, 2942.7, 2681.9, 2623.6, 1633.7, 1566.2, 1528.6, 1512.5, 1438.6, 1359.6, 1282.3, 1218.3, 1157.1, 1132.7, 1105.9, 1075.6, 1001.9, 942.1, 875.3, 816.1,787.2실시예-6최대내성용량(MTD; Maximum Tolerated Dose) 및 급성 독성(acute toxicity) 평가 (표 1 및 2):MTD에 대한 초기 연구는 수컷 및 암컷 스위스 알비노 마우스 (중량 20-25 gm)를 대상으로 실시되었다.상기 연구는 OECD 가이드라인 룰 420(OECD guidelines rule 420) 기준하에서 이루어졌으며, 상기 연구는 생물학적 주기에 영향 받지 않도록 오전 9시에서 오후 5시 사이에 실시되었으며, 화합물 엘로티닙과 NRC-2694는 2% 검 아카시아에 현탁하여 5, 50, 300 및 2000 mg/kg (po) 용량으로 경구 투여하였다. 중간 투여량은 사망여부에 따라 조절하였다. 동물 개체들에 대하여, 약물투여 후 6 시간까지 매시간별로 전체적인 행동 변화를 관찰하였다. 나아가 72 시간까지 사망 여부를 관찰하였다. 생존한 개체들은 g.i.t.를 통한 약물의 흡수를 확인하기 위해서 부검하였다.엘로티닙과 NRC-2694의 급성 독성은 수컷 및 암컷 마우스에 대해 실시하였다. 500, 750, 1000 및 2000 mg/kg 용량으로 경구 투여하였다. 각 5 마리씩 그룹을 나누었다. 화합물 투여후 14 일 동안 사망여부를 관찰하였다. 생존한 개체들은 g.i.t.를 통한 약물의 흡수를 확인하기 위해서 부검하였다.LD50은 리치필드 0026# 윌콕슨(Litchfield and Wilcoxon)을 이용하여 측정하였다 (J. Pharmacol.Exp. Ther.1949, 96: 99-113).독성 연구의 결과는 표-1 및 2에 정리하였다. 엘로티닙 HCl의 최대내성용량(MTD)은 500 mg/kg (po)인데 반해, NRC-2694는 2000 mg/kg (po)으로 나타났다. 유사하게, LD0는 엘로티닙 HCl이 500 mg/kg (po)이고 NRC-2694는 2000 mg/kg인 것으로 나타났다. 결과적으로, 엘로티닙 HCl과 비교하여 NRC-2694는 예측범위를 벗어나고 놀라울 정도로 낮은 독성과 안전성 프로파일이 인정되었다.엘로티닙. HCl과 NRC-2694의 비교(mtd) - 초기 인용 연구(마우스)화합물MTD mg/kg (po)엘로티닙 HCl500NRC 26942000마우스에 대한 급성 LD50 연구 (일회투여량 7 일 관찰)화합물LD0 mg/kg (po)LD50 mg/kg (po)엘로티닙 HCl500805NRC 26942000-LD0 : 7 일 경과 시점에서 사망은 관찰되지 않음.실시예-7인비트로(in vitro) 및 인비보(in vivo) 평가 연구 및 치료 효능(therapeutic efficacy) 평가샘플: 엘로티닙은 대조군 비교 약물로 사용하였으며, 본 발명에 따른 신규 화합물의 생물학적 활성은 양성 대조군으로서 상기 약물과 비교 테스트하였다.i) MTT 증식분석(MTT proliferation assay):MTT [3-(4,5-디메틸티아졸-2-일)-2,5-디페닐테트라졸륨 브로마이드] 분석은, 1983년 모스만(Mosmann)에 의해 처음 설명되었으며, 생균의 미토콘드리아 탈수소효소(mitochondrial dehydrogenase enzyme)가 페일 옐로우 MTT의 테트라졸륨 고리를 분해하여 대체로 세포막에 불침투성인 다크 블루 포마잔 결정(formazan crystal)을 형성하고, 그 결과 건강한 세포 내에 축적되도록 하는 활성에 근거한 것이다. 계면활성제(detergent) 첨가에 의한 세포의 가용화는 결정을 유리시키고, 용해될 수 있도록 한다. 생존 세포의 수는 생성된 포마잔 생성물의 수준에 직접 비례한다. 상기 색상은 간단한 비색분석(colorimetric assay)을 사용하여 정량화할 수 있다. 이러한 분석은 0-1000 ng/ml 농도의 엘로티닙과 테스트 화합물들을 이용하여 A549와 H1299 세포 내에서 이루어졌다. 상기 프로토콜은 ATCC와 제조 지침(Catalog No.: 30-1010K)에 근거하였다.MTT 증식분석으로부터, 본 발명에 따른 화합물의 저해 농도 (IC50)는 40-90 ng/ml (100-200 nm) 범위에서 달리 나타나는 것으로 측정되었으나, 양성 대조군으로 사용한 ‘엘로티닙 하이드로클로라이드’는 836 ng/ml (1945 nm)의 높은 값을 갖는 것으로 나타났다. 결과적으로, 본 발명에 따른 신규 화합물들은 엘로티닙 하이드로클로라이드에 비해서 10 배 이상 효능이 강한 것으로 확인된다.ii) 웨스턴 블롯 분석(Western blot analysis): (도-1)MTT 증식분석을 통해 측정된 이상적인 약물 농도는, 적절한 배지에서 72 시간 동안 1x106 H1299 또는 A549 세포를 처리하는데 사용되었고, 세포 용해물은 환원 조건의 10% SDS PAGE 겔 상에서 추출 및 분별하였다. 상기 겔은 처리된 나일론 멤브레인 (Biorad) 상으로 블롯하여 EGFR, PI3K 및 AKT에 대해 면역프로브화하였다.용량 의존적 방법에서 EGFR 발현에 현저한 변화가 관찰되었다. 80 ng (190 nm) 농도에서 NRC-2694는, 800 ng (1860 nm) 농도의 엘로티닙과 비견될 정도의 EGFR 발현 억제를 야기하였다. 따라서, NRC-2694의 10 배 수준의 효능이 이를 통해 입증된다. iii) 매트리겔 인베이젼 분석(Matrigel invasion assay): (도-2)NRC 화합물의 다양한 농도에서(MTT 분석에 의해 결정된) H1299 및 A549 세포의 인비트로 침습성(invasiveness)은, 개량된 보이든 챔버 분석법(Boyden chamber assay)을 이용하여 측정하였다. 세포는 48 시간 동안 이러한 화합물들로 처리하였다. 1x106 세포를 0.2% BSA으로 보충한 비혈청 배지(serum-free medium) 600 ul에 현탁하고, 매트리겔 (0.7 mg/ml)로 코팅된 트랜스웰 챔버(Corning Costar Fisher Scientific cat #07-200-158, Pittsburgh PA)의 위쪽에 위치시켰다. 챔버의 아래쪽은 혈청 배지 200 ul로 채우고 세포는 24 시간 동안 옮겨두었다. 인큐베이션 이후, 세포를 고정시키고 Hema-3로 염색하여, 앞서 설명된 방법 (Mohanam et al. 1993)으로 정량하였다. 이동된 세포는 퍼센트 이베이젼(percent invasion)으로 정량하였다. 화합물 NRC-2694는 농도 의존적 방법에서 인베이젼이 현저히 감소하는 것으로 나타났다.iv) 누드 마우스에서 폐 종양에 대한 피하 인비보 측정: (도-3)누드 마우스는 오른쪽 뒷다리 측면에 2x106 A549 세포를 이식하였다. 마우스에 양성 대조군으로 사용된 엘로티닙 HCl을 포함하여 테스트 화합물들을 경구 또는 복강내 주사(ip)하고, 종양(003e#2 mm)을 관찰하였다. 엘로티닙 HCl의 일회 투여량은 100 mg/kg을 기본 용량으로 하였다.종양 크기를 측정하였으며, 10 mg/kg 용량으로 NRC-2694를 처리한 마우스에서 종양의 완전한 퇴행(complete regression of tumour)이 관찰되었다. 그러나, 비록 100 mg/kg 투여량 수준에서 엘로티닙 HCl을 유사하게 처리한 대조군에서는 여전히 종양이 존재하였다. 따라서, 본 발명에 따른 화합물(NRC-2694)이 10 배 우수한 효능을 갖는다는 것을 확인하였다.v) 처치후 누드 마우스로부터 수거한 폐 조직에 대한 평가: (도-4)경구/복강내 주사 경로로 다양한 농도의 엘로티닙 HCl과 NRC-2694로 처리한 A549 루시페라아제 발현 세포를 이식한 누드 마우스로부터 수거한 폐에 대해서, 잔여 종양을 측정하였다.NRC-2694로 처리한 그룹에서는 종양의 완전한 퇴행(complete regression of tumours)이 관찰되었으나, 반면 엘로티닙 HCl로 처리한 그룹에서는 여전히 종양이 존재하였고, 따라서 본 발명에 따른 화합물의 기대하지 못한 놀랍도록 우수한 효능이 확인되었다.vi) 폐 조직 내 종양의 가시화에 의한 검사: (도-5)A549 세포를 폐 내에 주입하여 누드 마우스에 이식하였다. 상기 마우스는 2.5 및 20 mg/kg 투여량으로 엘로티닙 HCl과 NRC 2694를 경구/복강내 주사 경로로 처리하였다. 매일 약물을 처리하여 30 일이 경과한 시점에서, 마우스를 희생시켜 폐를 수거하였다. 폐 조직은 10% 버퍼된 포름알데히드 내에 고정하고, 파라핀을 채운 다음 절개하였다. 절개부는 고체 부분을 시각화 또는 종양을 분산시키기 위해 정해진 프로토콜에 따라 H0026#E 염색하였다. NRC 2694를 처리한 그룹은 모든 투여 수준에서 엘로티닙 HCl을 처리한 경우보다 훨씬 우수하며, 따라서 NRC 2694의 뛰어난 효능이 확인되었다.vii) A549 루시페라아제 발현 세포를 이식한 누드 마우스: (도 6 및 7)경구/복강내 주사 경로로 다양한 농도의 엘로티닙 HCl 및 NRC 2694를 처리한 A549 루시페라아제 발현 세포를 이식한 누드 마우스에 대해 종양을 관찰하였고, 관찰된 그림은 도 6 및 7에 나타내었다. NRC 2694를 처리한 그룹이 엘로티닙 HCl을 처리한 그룹에 비해 훨씬 더 양호한 것으로 관찰되었다. 경구 및 복강내 주사 경로 모두에서, NRC 2694로 처리하여 42 일이 경과한 시점에서는 더 이상 종양이 관찰되지 않았으나, 엘로티닙 HCl을 처리한 그룹에서는 여전히 잔여 종양이 존재하였다. viii) 누드 마우스에 대한 인비보(in vivo) 연구를 통한 치유 효과:본 연구에서 사용된 동물의 수에 대한 치료된 동물의 수의 비율로 치유 효과를 정리하여 표-3에 나타내었다.폐 종양에 대한 NRC-2694 및 엘로티닙 HCl의 치유 효과약물농도 mg/kg치유 비율엘로티닙 IP(복강내 주사)2.5510201/52/52/53/5엘로티닙 oral(경구 투여)2.5510202/50/51/52/5NRC 2694 IP2.5510201/51/53/55/5(100%)NRC 2694 oral2.5510201/52/53/53/5상기 비율은 NRC 2694의 경우에는 100%에 가깝지만 엘로티닙 HCl의 경우에는 40-60% 사이인 것으로 보인다. ix) ED50의 평가:ED50 값은 폐 절개부 및 종양 퇴행 연구를 기초로 평가하였다. 경구 투여시, NRC 2694에 대해서는 6.3 mg/kg의 값으로 산출되었고, 반면 엘로티닙 HCl에 대해 얻어진 수치는 22 mg/kg이었다. 따라서, 본 발명에 따른 화합물의 우수한 효능이 확인되었다.x) 인비트로(in vitro)에서 HER-1, HER-2, HER-3, HER-4 및 VEGFR과 같은 다른 수용체들에 대한 연구(도-8):EGFR 군(Erb/HER)의 다양한 다른 수용체들에 대한 NRC 2694의 효과를 측정하기 위해서, 인간 폐 종양 세포 A549에 다양한 농도의 NRC 2694를 처리하였고, 비교 실험을 위해서 엘로티닙 HCl도 처리하였다. Erb-1, Erb-2, Erb-3, Erb-4 및 VEGFR의 수준을 웨스턴 블롯 분석에 의해 측정하였다.NRC 2694는 Erb B2, Erb B3, Erb B4 및 VEGFR 수준을 효과적으로 저하시키는 것으로 관찰되었으나, 엘로티닙 HCl에 대해서는 그러한 징후는 보이지 않았다. 앞서 언급된 수용체들의 발현 수준에서 추가적인 저해 징후는, 본 발명의 주요 부분, 즉 NRC 2694의 예측범위를 벗어난 그리고 놀라운 특성을 명백히 나타내는 것이다.xi) 결론:본 발명에 따른 화합물의 예측범위를 넘어선, 놀라운 그리고 우수한 항-종양 특성들과 추가적인 치료 가능성은, 앞서 언급된 엘로티닙 HCl과의 비교 실험을 통해, 확인된다.실시예-8다음은 예시적인 설명을 위해, 화합물 NRC-2694 또는 그의 약학적으로 허용가능한 염을 함유하는 약학적 용례를 나타낸 것으로, 인간에 대한 예방 목적의 치료를 위한 것이다.정제(tablet)mg/tablet화합물 NRC-269450락토오스 무수물(USP)156미정질 셀룰로오스(Avicel pH102)15소듐 라우릴 설페이트5소듐 스타치 글리코라이트10포비돈 K-303하이드록시 프로필 셀룰로오스 (LH-11)10마그네슘 스테아레이트1	퀴나졸린계의 화합물들이 제공하는 무한한 가능성의 관점에서, 본 발명자들은 신규한 구조적 형상을 갖는 다수의 신규화합물들에 대한 합성 및 스크리닝을 착수하였다. 그 결과 놀랍게도, 4번 위치에 3-에티닐 아닐리노 그룹을 갖고 구체적으로는 6 및 7번 위치에 치환된 알콕시 그룹을 갖는 퀴나졸린은, 다른 알려진 퀴나졸린계 약물들과 비교하여, 더욱 강화된 그리고 특이적 항증식성 특성을 갖는다는 것을 발견하였다. 또한, 놀랍게도 본 발명에 따른 화합물들은 독성이 현저히 낮고, 이러한 안전성 프로파일은 치료 분야에서 대단히 유리하게 작용한다. 본 발명에서 설명된 신규 화합물들은 일반적 구조식 (I)과 같이 나타낼 수 있고, 아직까지 합성된 바 없으며, 치료분야에서의 유용성 및 안전성 프로파일이 밝혀지지 않았다. (A) 구조일 때, 화합물 I는 NRC-2694이다.
[ 발명의 명칭 ] 오브젝트 형성물들을 인코딩하기 위한 시스템들, 방법들, 및 장치SYSTEMS, METHODS, AND APPARATUS FOR ENCODING OBJECT FORMATIONS [ 기술분야 ] 관련 출원들에 대한 상호 참조본 출원은 2013년 12월 20일자로 출원된 공동 소유된 미국 가특허출원 제61/919,627호, 2014년 8월 12일자로 출원된 미국 가특허출원 제62/036,502호, 2014년 10월 14일자로 출원된 미국 가특허출원 제62/063,498호, 및 2014년 12월 18일자로 출원된 미국 정규특허출원 제14/575,986호로부터의 우선권을 주장하고, 이들 내용들은 본 명세서에 참조로 그 전체가 명백히 포함된다.분야본 개시물은 일반적으로 이미지 및 비디오 메타데이터에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 기술의 진보는 보다 소형이고 더 강력한 컴퓨팅 디바이스들을 발생시켰다. 예를 들어, 소형이고, 경량이며, 사용자들에 의해 쉽게 운반되는 휴대용 무선 전화기들, 개인 휴대 정보 단말기 (PDA) 들, 및 페이징 디바이스들과 같은, 무선 컴퓨팅 디바이스들을 포함하는, 다양한 휴대용 퍼스널 컴퓨팅 디바이스들이 현재 존재한다. 더 구체적으로는, 셀룰러 전화기들 및 인터넷 프로토콜 (IP) 전화기들과 같은 휴대용 무선 전화기들은 무선 네트워크들을 통해 보이스 및 데이터 패킷들을 통신할 수 있다. 게다가, 많은 이러한 무선 전화기들은 내부에 포함되는 다른 타입들의 디바이스들을 포함한다. 예를 들어, 무선 전화기는 또한 디지털 스틸 카메라, 디지털 비디오 카메라, 디지털 레코더, 및 오디오 파일 플레이어를 포함할 수 있다. 또한, 이러한 무선 전화기들은 인터넷에 액세스하는데 이용될 수 있는 웹 브라우저 애플리케이션과 같은 소프트웨어 애플리케이션들을 포함하여, 실행가능한 명령들을 프로세싱할 수 있다. 이와 같이, 이들 무선 전화기들은 상당한 컴퓨팅 능력들을 포함할 수 있다. [ 발명의 개요 ] [ 과제의 해결 수단 ] 특정 실시형태에서, 방법은, 모바일 디바이스에서, 특정 프레임에서 제 1 오브젝트의 제 1 로케이션 및 특정 프레임에서 제 2 오브젝트의 로케이션을 추적하는 단계를 포함한다. 방법은 또한 제 1 위치와 연관된 제 1 좌표 데이터 및 제 2 위치와 연관된 제 2 좌표 데이터를 발생시키는 단계를 포함한다. 방법은 코드북을 이용해 제 1 좌표 데이터 및 제 2 좌표 데이터를 인코딩하여 제 1 인코딩된 위치 데이터 및 제 2 인코딩된 위치 데이터를 발생시키는 단계를 더 포함한다. 방법은 또한 제 1 인코딩된 위치 데이터 및 제 2 인코딩된 위치 데이터를 저장하여 제 1 로케이션 및 제 2 로케이션에 대응하는 파라미터들에 기초해 특정 프레임의 취출을 가능하게 하는 단계를 포함한다.다른 특정 실시형태에서, 모바일 디바이스는 메모리, 및 메모리에 연결된 프로세서를 포함한다. 프로세서는, 모바일 디바이스에서, 특정 프레임에서 제 1 오브젝트의 제 1 로케이션 및 특정 프레임에서 제 2 오브젝트의 로케이션을 추적하도록 구성된다. 프로세서는 또한 제 1 위치와 연관된 제 1 좌표 데이터 및 제 2 위치와 연관된 제 2 좌표 데이터를 발생시키도록 구성된다. 프로세서는 코드북을 이용해 제 1 좌표 데이터 및 제 2 좌표 데이터를 인코딩하여 제 1 인코딩된 위치 데이터 및 제 2 인코딩된 위치 데이터를 발생시키도록 더 구성된다. 프로세서는 또한 제 1 인코딩된 위치 데이터 및 제 2 인코딩된 위치 데이터를 저장하여 제 1 로케이션 및 제 2 로케이션에 대응하는 파라미터들에 기초해 특정 프레임의 취출을 가능하게 하도록 더 구성된다.다른 특정 실시형태에서, 모바일 디바이스는, 특정 프레임에서 제 1 오브젝트의 제 1 로케이션 및 특정 프레임에서 제 2 오브젝트의 로케이션을 추적하는 수단을 포함한다. 모바일 디바이스는 또한 제 1 위치와 연관된 제 1 좌표 데이터 및 제 2 위치와 연관된 제 2 좌표 데이터를 발생시키는 수단을 포함한다. 모바일 디바이스는 코드북을 이용해 제 1 좌표 데이터 및 제 2 좌표 데이터를 인코딩하여 제 1 인코딩된 위치 데이터 및 제 2 인코딩된 위치 데이터를 발생시키는 수단을 더 포함한다. 모바일 디바이스는 또한 제 1 인코딩된 위치 데이터 및 제 2 인코딩된 위치 데이터를 저장하여 제 1 로케이션 및 제 2 로케이션에 대응하는 파라미터들에 기초해 특정 프레임의 취출을 가능하게 하는 수단을 포함한다.다른 특정 실시형태에서, 비일시적 컴퓨터-판독가능 매체는, 프로세서에 의해 실행되는 경우, 프로세서로 하여금, 모바일 디바이스에서, 특정 프레임에서 제 1 오브젝트의 제 1 로케이션 및 특정 프레임에서 제 2 오브젝트의 로케이션을 추적하게 하는 명령들을 포함한다. 명령들은 또한, 프로세서로 하여금, 제 1 위치와 연관된 제 1 좌표 데이터 및 제 2 위치와 연관된 제 2 좌표 데이터를 발생시키게 하도록 실행가능하다. 명령들은, 프로세서로 하여금, 코드북을 이용해 제 1 좌표 데이터 및 제 2 좌표 데이터를 인코딩하여 제 1 인코딩된 위치 데이터 및 제 2 인코딩된 위치 데이터를 발생시키게 하도록 더 실행가능하다. 명령들은 또한, 프로세서로 하여금, 제 1 인코딩된 위치 데이터 및 제 2 인코딩된 위치 데이터를 저장하여 제 1 로케이션 및 제 2 로케이션에 대응하는 파라미터들에 기초해 특정 프레임의 취출을 가능하게 하도록 실행가능하다.일반적 구성에 따라 메타데이터를 발생시키는 방법은 복수의 오브젝트들을 선택하기 위해 적어도 하나의 디지털 이미지를 이용하는 단계를 포함하고, 여기서 적어도 하나의 디지털 이미지는 오브젝트들을 물리적 공간에 관하여 나타낸다. 이 방법은 또한, 적어도 하나의 프로세서에 의해 및 로케이션 공간에서의 선택된 오브젝트들의 포지션들을 나타내는 정보에 기초하여, 선택된 오브젝트들의 복수의 후보 기하학적 배열들 중에서 하나의 후보 기하학적 배열을 식별하는 메타데이터를 생성하는 단계를 포함한다. 명령들을 실행하는 머신으로 하여금 이러한 방법을 수행하게 하는 명령들을 갖는 컴퓨터 판독가능 저장 매체들 (예를 들어, 비-일시적 매체들) 이 또한 개시된다.일반적 구성에 따라 메타데이터를 발생시키기 위한 장치는 복수의 오브젝트들을 선택하기 위해 적어도 하나의 디지털 이미지를 이용하는 수단을 포함하고, 여기서 적어도 하나의 디지털 이미지는 오브젝트들을 물리적 공간에 관하여 나타낸다. 이 장치는 또한, 로케이션 공간에서의 선택된 오브젝트들의 포지션들을 나타내는 정보에 기초하여, 선택된 오브젝트들의 복수의 후보 기하학적 배열들 중에서 하나의 후보 기하학적 배열을 식별하는 메타데이터를 생성하는 수단을 포함한다.다른 일반적 구성에 따라 메타데이터를 발생시키기 위한 장치는 복수의 오브젝트들을 선택하기 위해 적어도 하나의 디지털 이미지를 이용하도록 구성된 판별기를 포함하고, 여기서 적어도 하나의 디지털 이미지는 복수의 오브젝트들을 물리적 공간에 관하여 나타낸다. 방법은 또한, 로케이션 공간에서의 선택된 오브젝트들의 포지션들을 나타내는 정보에 기초하여, 선택된 오브젝트들의 복수의 후보 기하학적 배열들 중에서 하나의 후보 기하학적 배열을 식별하는 메타데이터를 생성하도록 구성된 선택기를 포함한다.개시된 실시형태들 중 적어도 하나에 의해 제공된 하나의 특정 이점은 모바일 디바이스들 상에서의 이미지 추적 및 프레임 취출을 이용한 개선된 사용자 경험이다. 본 개시물의 다른 양태들, 이점들 및 피처들 (features) 은 다음 섹션들: 도면의 간단한 설명, 상세한 설명, 및 청구항들을 포함하는 전체 출원의 검토 후에 명백해질 것이다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1 은 전자 디바이스를 나타내는 블록 다이어그램이다.도 2a 는 오브젝트 및 검출 모듈의 특정 예시적 실시형태를 나타내는 블록 다이어그램이다.도 2b 는 도 2 의 오브젝트 및 검출 모듈 내의 컴포넌트들을 구현하는 프로세서의 특정 예시적 실시형태를 나타내는 블록 다이어그램이다.도 3 은 모션-기반 추적 및 오브젝트 검출을 수행하기 위한 방법의 특정 예시적 실시형태의 플로우차트이다.도 4 는 모션-기반 추적을 수행하기 위한 방법의 특정 예시적 실시형태의 플로우차트이다.도 5 는 순방향-역방향 에러 (forward-backward error) 에 기초하여 모션-기반 추적에서 추적 에러를 추정하기 위한 방법의 특정 예시적 실시형태의 플로우차트이다.도 6 은 오브젝트 검출을 수행하기 위한 방법의 특정 예시적 실시형태의 플로우차트이다.도 7 은 상이한 윈도우 사이즈들을 갖는 이미지 윈도우의 특정 예시적 실시형태이다.도 8 은 오브젝트 추적 및 검출 모듈의 특정 예시적 실시형태를 나타내는 블록 다이어그램이다.도 9 는 평활화 모듈 (smoothing module) 의 특정 예시적 실시형태를 나타내는 블록 다이어그램이다.도 10 은 모션 추적에서 지터 (jitter) 를 평활화하기 위한 방법의 특정 예시적 실시형태의 플로우차트이다.도 11a 는 일반적 구성에 따라 메타데이터를 발생시키는 방법 (M100) 의 플로우차트를 도시한다.도 11b 는 방법 (M100) 의 구현 (M110) 의 플로우차트를 도시한다.도 11c 는 방법 (M100) 의 구현 (M120) 의 플로우차트를 도시한다.도 11d 는 방법들 (M110 및 M120) 의 구현 (M130) 의 플로우차트를 도시한다.도 12 는 3 개의 오브젝트들을 선택하기 위한 사용자 액션들의 시퀀스의 예를 도시한다.도 13 은 3 개의 오브젝트들을 선택하기 위한 사용자 액션들의 시퀀스의 다른 예를 도시한다.도 14 는 오브젝트들의 프레임들 및 향상된 디스플레이 내의 오브젝트들의 예들을 도시한다.도 15a 내지 도 15c 는 선택 포인트를 조작하기 위해 배향-감응 디바이스를 이용하는 예들을 도시한다.도 16 은 실제 거리들과 비교하여 오브젝트들의 이미지들 간의 거리들 사이의 불일치 (discrepancy) 의 예를 도시한다.도 17a 는 대응하는 결정된 포지션을 획득하기 위해 오브젝트의 하부 바운딩 라인으로 오브젝트의 질량 중심을 프로젝팅하는 예를 도시한다.도 17b 는 그라운드 평면에서의 결정된 포지션에 대한 링크된 포인트의 프로젝션의 예를 도시한다.도 18a 및 도 18b 는 그라운드 평면에서의 거리들과 픽셀 좌표 공간에서의 거리들 사이의 관련성을 도시한다.도19a 는 농구 코트의 상부도를 도시하고, 도 19b 내지 도 19d 는 그 코트의 로케이션 공간의 불균일한 분할의 여러 예들을 도시한다.도 20 은 오브젝트 추적을 이용하는 비디오 프로세싱을 나타내는 다른 특정 실시형태이다.도 21 은 클러스터링에 기초하여 프레임들을 취출하는데 이용되는 모바일 디바이스의 스크린의 특정 실시형태들을 나타낸다.도 22 는 오브젝트 추적을 이용하는 비디오 프로세싱 방법의 특정 예시적 실시형태의 다른 플로우차트이다.도 23 은 오브젝트 추적을 이용하는 비디오 프로세싱 방법들의 특정 예시적 실시형태들의 플로우차트들을 나타낸다.도 24 는 직교 좌표들을 이용하여 오브젝트 로케이션에 대한 메타데이터를 인코딩하는 특정 실시형태를 나타낸다.도 25 는 극 좌표들을 이용하여 오브젝트 로케이션에 대한 메타데이터를 인코딩하는 특정 실시형태를 나타낸다.도 26 은 메타데이터를 인코딩하기 위한 방법의 특정 예시적 실시형태의 플로우차트이다.도 27 은 오브젝트 추적을 이용하는 비디오 프로세싱 방법의 특정 예시적 실시형태의 다른 플로우차트이다.도 28 은 오브젝트 추적을 이용하는 비디오 프로세싱을 나타내는 다른 특정 실시형태이다.도 29 는 오브젝트 추적을 이용하는 비디오 프로세싱 방법의 특정 예시적 실시형태의 다른 플로우차트이다.도 30a 는 일반적 구성에 따른 장치 (A100) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 30b 는 장치 (A100) 의 구현 (A110) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 30c 는 장치 (A100) 의 구현 (A120) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 30d 는 장치 (A110 및 A120) 의 구현 (A130) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 31 은 비디오 프로세싱 기법들을 수행하도록 동작가능한 컴포넌트들을 포함하는 무선 디바이스의 블록 다이어그램이다.도 32a 는 일반적 구성에 따른 장치 (MF100) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 32b 는 장치 (MF100) 의 구현 (MF110) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 32c 는 장치 (MF100) 의 구현 (MF120) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 32d 는 장치 (MF110 및 MF120) 의 구현 (MF130) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 33a 는 템플릿들의 세트의 예를 도시하고, 도 33b 는 템플릿에 대한 수정의 예들을 도시한다.도 34a 는 선택된 오브젝트들의 상이한 형성들의 예들을 도시한다.도 34b 는 불균일한 맵핑들의 예들을 도시한다.도 34c 는 선택된 오브젝트들의 균일한 형성들을 도시한다.도 35 는 판정 메트릭들의 세트의 예를 도시한다.도 36 은 판정 메트릭들의 세트의 다른 예를 도시한다.도 37a 는 방법 (M200) 의 구현 (M200) 의 플로우차트를 도시한다.도 37b 내지 도 37d 는 방법들 (M110, M120, 및 M130) 각각의 구현들 (M210, M220, 및 M230) 의 플로우차트들을 도시한다.도 38a 는 일반적 구성에 따라 메타데이터를 발생시키기 위한 장치 (A100) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 38b 는 장치 (A100) 의 구현 (A110) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 38c 는 장치 (A100) 의 구현 (A120) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 38d 는 장치 (A110 및 A120) 의 구현 (A130) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 38e 는 장치 (A100) 의 구현 (A200) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 38f, 도 38g, 및 도 39a 는 장치 (A110, A120, 및 130) 각각의 구현들 (A210, A220, 및 A230) 의 블록 다이어그램들을 도시한다.도 39b 는 장치 (A100) 의 구현 (A300) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 39c 및 도 39d 는 장치 (A200 및 A230) 의 구현들 (A310 및 A330) 의 블록 다이어그램들을 도시한다.도 40a 는 일반적 구성에 따라 메타데이터를 발생시키기 위한 장치 (MF100) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 40b 는 장치 (MF100) 의 구현 (MF110) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 40c 는 장치 (MF100) 의 구현 (MF120) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 40e 는 장치 (MF100) 의 구현 (MF200) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 40f, 도 40g, 및 도 41a 는 장치 (MF110, MF120, 및 MF130) 각각의 구현들 (MF210, MF220, 및 MF230) 의 블록 다이어그램들을 도시한다.도 41b 는 장치 (MF100) 의 구현 (MF400) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 41c 는 장치 (MF100) 의 구현 (MF300) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 41d 및 도 41e 는 장치 (MF200 및 MF230) 의 구현들 (MF310 및 MF330) 의 블록 다이어그램들을 도시한다.도 42 는 오브젝트 추적을 이용하는 비디오 프로세싱을 나타내는 특정 실시형태를 도시한다.도 43 은 오브젝트 로케이션에 대한 메타데이터를 인코딩하는 특정 실시형태를 도시한다.도 44 는 비디오 프로세싱 방법의 특정 실시형태를 예시하는 플로우차트를 도시한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 무선 전화기 또는 다른 모바일 디바이스는 카메라로 비디오 스트림들을 캡처하거나 및/또는 다른 디바이스로부터 및/또는 네트워크를 통해 비디오 스트림들을 수신할 수도 있다. 비디오 스트림들 내의 오브젝트들을 추적하기 위한 새로운 및/또는 개선된 피처들 (features) 을 원할 수도 있다.문맥상으로 명백히 제한되지 않는 한, 용어 "신호" 는 와이어, 버스, 또는 다른 송신 매체에 대해 표현되는 메모리 로케이션 (또는 메모리 로케이션들의 세트) 의 상태를 포함하는, 그의 통상의 의미들 중 임의의 의미를 나타내기 위해 본 명세서에서 사용된다. 문맥상으로 명백히 제한되지 않는 한, 용어 "발생시키는" 은 컴퓨팅하는 또는 그렇지 않으면 생성하는 과 같은, 그의 통상의 의미들 중 임의의 의미를 나타내기 위해 본 명세서에서 사용된다. 문맥상으로 명백히 제한되지 않는 한, 용어 "계산하는" 은 복수의 값들로부터 컴퓨팅하는, 평가하는, 추정하는, 및/또는 선택하는 과 같은, 그의 통상의 의미들 중 임의의 의미를 나타내기 위해 본 명세서에서 사용된다. 문맥상으로 명백히 제한되지 않는 한, 용어 "획득하는" 은 계산하는, 유도하는, (예를 들어, 외부 디바이스로부터) 수신하는, 및/또는 (예를 들어, 저장 엘리먼트들의 어레이로부터) 취출하는 과 같은, 그의 통상의 의미들 중 임의의 의미를 나타내기 위해 사용된다. 문맥상으로 명백히 제한되지 않는 한, 용어 "선택하는" 은 2 개 이상의 것들의 세트 중 적어도 하나, 그리고 그 전부보다는 더 적은 것을 식별하는, 나타내는, 적용하는, 및/또는 사용하는 과 같은, 그의 통상의 의미들 중 임의의 의미를 나타내기 위해 사용된다. 용어 "포함하는" 이 본 설명 및 청구항들에 사용되는 경우, 이것은 다른 엘리먼트들 또는 동작들을 배제시키지 않는다. ("A 가 B 에 기초한다" 에서처럼) 용어 "에 기초" 한다는 것은 (i) "로부터 유도된" 다는 것 (예를 들어, "B 가 A 의 프리커서 (precursor) 이다"), (ii) "적어도 ~ 에 기초" 한다는 것 (예를 들어, "A 는 적어도 B 에 기초한다") 그리고, 특정 문맥에서 적절하다면, (iii) "와 동일" 하다는 것 (예를 들어, "A 는 B 와 동일하다") 의 경우들을 포함하는, 그의 통상의 의미들 중 임의의 의미를 나타내기 위해 사용된다. 이와 유사하게, 용어 "에 응답하여" 는 "적어도 ~ 에 응답하여" 를 포함하는, 그의 통상의 의미들 중 임의의 의미를 나타내기 위해 사용된다.달리 나타내지 않는 한, 특정 피처를 갖는 장치의 동작의 임의의 개시는 또한 유사한 피처를 갖는 방법을 개시하도록 명백히 의도되고 (그의 역도 같음), 특정 구성에 따른 장치의 동작의 임의의 개시는 또한 유사한 구성에 따른 방법을 개시하도록 명백히 의도된다 (그의 역도 같음). 용어 "구성 (configuration)" 은 그의 특정 문맥상으로 나타낸 바와 같이 방법, 장치, 및/또는 시스템과 관련하여 사용될 수도 있다. 특정 문맥상으로 달리 나타내지 않는 한, 용어들 "방법", "프로세스", "프로시저", 및 "기법" 은 일반적으로 그리고 상호교환가능하게 사용된다. 특정 문맥상으로 달리 나타내지 않는 한, 용어들 "장치" 및 "디바이스" 는 또한 일반적으로 그리고 상호교환가능하게 사용된다. 용어들 "엘리먼트" 및 "모듈" 은 통상적으로 보다 큰 구성의 일 부분을 나타내기 위해 사용된다. 문맥상으로 명백히 제한되지 않는 한, 용어 "시스템" 은 "공통된 목적에 기여하기 위해 상호작용하는 엘리먼트들의 그룹" 을 포함하는, 그의 통상의 의미들 중 임의의 의미를 나타내기 위해 본 명세서에서 사용된다.달리 나타내지 않는 한, 용어 "시리즈" 는 2 개 이상의 아이템들의 시퀀스를 나타내기 위해 사용된다. 초기에 정관사에 의해 도입되지 않는 한, 청구항 엘리먼트를 수정하기 위해 사용된 서수 용어 (예를 들어, "제 1", "제 2", "제 3" 등) 는 그것만으로는 다른 것에 대한 청구항 엘리먼트의 임의의 우선순위 또는 순서를 나타내지 않으며, 오히려 청구항 엘리먼트를 동일한 명칭을 갖는 (그러나 서수 용어의 사용을 위한) 다른 청구항 엘리먼트로부터 단지 구별할 뿐이다. 문맥상으로 명백히 제한되지 않는 한, 용어들 "복수" 및 "세트" 각각은 하나보다 더 큰 정수의 양을 나타내기 위해 본 명세서에서 사용된다.도 1 을 참조하면, 전자 디바이스 (102) 를 예시하는 블록 다이어그램이 도시된다. 전자 디바이스 (102) 는 또한 무선 통신 디바이스, 모바일 디바이스, 이동국, 가입자국, 클라이언트, 클라이언트 스테이션, 사용자 장비 (UE), 원격 스테이션, 액세스 단말기, 모바일 단말기, 단말기, 사용자 단말기, 가입자 유닛 등으로 지칭될 수도 있다. 전자 디바이스들의 예들로는 랩톱 또는 데스크톱 컴퓨터들, 셀룰러 폰들, 스마트 폰들, 무선 모뎀들, 전자 판독기들 (e-readers), 태블릿 디바이스들, 게이밍 시스템들 등을 포함한다. 이들 디바이스들 중 일부는 하나 이상의 산업 표준들에 따라 동작할 수도 있다.스마트폰 또는 태블릿 컴퓨터와 같은 전자 디바이스 (102) 는 카메라를 포함할 수도 있다. 카메라는 이미지 센서 (114) 및 광학 시스템 (118) (예를 들어, 렌즈들) 을 포함할 수도 있어서 광학 시스템 (118) 의 시야 (field of view) 내에 로케이팅되는 오브젝트들의 이미지들을 이미지 센서 (114) 상으로 포커싱한다. 전자 디바이스 (102) 는 또한 카메라 소프트웨어 애플리케이션 및 디스플레이 스크린을 포함할 수도 있다. 카메라 애플리케이션이 작동하고 있을 때, 광학 시스템 (118) 의 시야 내에 로케이팅되는 오브젝트들의 이미지들은 이미지 센서 (114) 에 의해 레코딩될 수도 있다. 이미지 센서 (114) 에 의해 레코딩되고 있는 이미지들은 디스플레이 스크린 상에 디스플레이될 수도 있다. 이들 이미지들은 비교적 높은 프레임 레이트에서 신속히 연속적으로 디스플레이될 수도 있어서, 임의의 주어진 시간의 순간에, 광학 시스템 (118) 의 시야 내에 로케이팅되는 오브젝트들은 디스플레이 스크린 상에 디스플레이된다. 실시형태들이 캡처된 프레임들 (예를 들어, 비디오 프레임들) 의 관점에서 설명되지만, 본 명세서에서 논의되는 기법들은 임의의 디지털 이미지에 대해 이용될 수도 있다. 그에 따라, 용어들 "프레임" 및 "디지털 이미지" 는 본 명세서에서 상호교환가능하게 사용될 수도 있다.카메라 애플리케이션의 사용자 인터페이스 (120) 는 디스플레이 스크린 상에 디스플레이되고 있는 하나 이상의 오브젝트들이 추적되는 것을 허용할 수도 있다. 전자 디바이스 (102) 의 사용자는 추적되어야 하는 오브젝트(들) 를 선택하도록 허용될 수도 있다. 게다가, 선택된 오브젝트(들) 는 오브젝트를 추후에 검출하기 위한 레퍼런스 (reference) 로서 이용될 수도 있다.하나의 구성에서, 디스플레이는, 예를 들어, 손가락, 스타일러스 또는 다른 툴에 의한, 물리적 터치로부터 입력을 수신하는 터치스크린 (116) 이다. 터치스크린 (116) 은 추적될 타깃 오브젝트를 정의하는 터치 입력을 수신할 수도 있다. 예를 들어, 전자 디바이스 (102) 가 관심있는 동물을 포함하는 자연의 장면을 캡처하고 있는 경우, 사용자는, 필요하다면, 동물이 추적되거나, 또는 검출되는 것의 요망을 나타내는 바운딩 박스 (bounding box) 를 동물 주위로 드로잉 (drawing) 할 수도 있다. 타깃 오브젝트들은 임의의 적합한 방법으로 선택될 수도 있다. 예를 들어, 추적되거나, 검출되거나, 또는 이 양쪽 모두가 행해져야 하는 타깃 오브젝트를 선택하기 위해 얼굴 인식, 보행자 인식 등이 이용될 수도 있다. 하나의 구성에서, 다수의 오브젝트들이 추적될 수도 있다. 사용자 인터페이스 (120) 는 사용자로 하여금 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (104) 과 상호작용하게 하여, 예를 들어, 하나 이상의 타깃 오브젝트들을 선택 (즉, 정의) 할 수도 있다. 터치스크린 (116) 은 뷰파인더 (131) 를 포함할 수도 있다. 뷰파인더 (131) 는 비디오 스트림 또는 라이브 피드 (live feed) 를 디스플레이하는 터치스크린 (116) 의 부분을 지칭할 수도 있다. 예를 들어, 뷰파인더 (131) 는 전자 디바이스 (102) 상의 카메라에 의해 획득된 뷰를 디스플레이할 수도 있다.전자 디바이스 (102) 는 선택된 오브젝트를 추적하거나 및/또는 비디오 프레임에서 오브젝트를 검출하기 위한 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (104) 을 포함할 수도 있다. 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (104) 은 하나 이상의 오브젝트들을 추적하기 위한 모션 추적기 (106) 를 포함할 수도 있다. 모션 추적기 (106) 는 프레임 간에서 이미지 (예를 들어, 비디오 프레임) 상의 포인트들의 모션을 추적하여 이전 비디오 프레임과 현재 비디오 프레임 사이의 타깃 오브젝트의 로케이션 및/또는 로케이션의 변화를 추정하기 위해 모션-기반일 수도 있다.오브젝트 추적 및 검출 모듈은 또한 비디오 프레임에서 오브젝트를 검출하기 위한 오브젝트 검출기 (108) 를 포함할 수도 있다. 오브젝트 검출기 (108) 는, 현재 비디오 프레임의 전부 또는 일 부분을, (예를 들어, 비디오 프레임들의 시퀀스에서) 캡처된 이전 비디오 프레임 (112) 의 선택된 오브젝트 또는 부분과 비교하는 것에 의해 오브젝트를 검출하기 위해, 모션-기반 모델보다는 오히려, 오브젝트 모델을 이용할 수도 있다. 오브젝트 검출기 (108) 는 비디오 프레임 내의 다수의 오브젝트들을 검출하기 위해 이용될 수도 있다.오브젝트 추적 및 검출 모듈 (104) 은 또한 메모리 버퍼 (110) 를 포함할 수도 있다. 메모리 버퍼 (110) 는 하나 이상의 캡처된 프레임들, 및 캡처된 비디오 프레임들과 연관된 데이터를 저장할 수도 있다. 하나의 예에서, 메모리 버퍼 (110) 는 캡처된 이전 비디오 프레임 (112) 을 저장할 수도 있다. 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (104) 은 모션-기반 추적 및/또는 오브젝트 검출을 수행함에 있어서 캡처된 이전 비디오 프레임 (112) 에 관해 메모리 버퍼 (110) 로부터 제공된 데이터를 이용할 수도 있다. 모션-기반 추적 및 오브젝트 검출에 맞춰서 타깃 오브젝트를 더 정확히 추적 및/또는 검출하기 위해 메모리 버퍼 (110) 로부터의 피드백을 통해 모션 추적기 (106) 또는 오브젝트 검출기 (108) 에 데이터가 제공될 수도 있다. 예를 들어, 메모리 버퍼 (110) 는 모션 추적기 (106) 및 오브젝트 검출기 (108) 에 로케이션 및 윈도우 사이즈 데이터를 제공하여, 오브젝트를 추적 또는 검출할 때 오브젝트의 로케이션 및 사이즈를 더 정확히 집어내기 위해 이용될 수도 있는 하나 이상의 파라미터들을 모션 추적기 (106) 및 오브젝트 검출기 (108) 에 제공할 수도 있다.위에 명시된 바와 같이, 전자 디바이스 (102) 는 모션-기반 추적을 수행할 수도 있다. 모션-기반 추적은 다양한 방법들을 이용하여 수행될 수도 있다. 하나의 예에서, 모션 추적기 (106) 가 바운딩 박스 βt 및 이미지들 It, It+1 (예를 들어, 비디오 프레임들) 의 쌍을 수용하고 바운딩 박스 βt+1 를 출력하는 메디안 플로우 방법 (median flow method) 에 의해 추적이 수행된다. 바운딩 박스 βt 내의 직사각형 그리드 상에서 포인트들의 세트가 초기화될 수도 있고, 이 포인트들이 추적되어 It 와 It+1 사이의 스파스 (sparse) 모션 플로우를 발생시킬 수도 있다. 포인트 예측의 품질이 추정될 수도 있고 각각의 포인트에는 에러가 할당된다. 최악의 예측들 중 일 부분 (예를 들어, 50%) 이 필터링될 수도 있지만 나머지 예측들은 전체 바운딩 박스의 변위를 추정하는데 이용된다. 모션 추적기 (106) 는 전자 디바이스 (102) 에 의해 캡처된 각각의 비디오 프레임 상에서 모션-기반 추적을 수행할 수도 있다. 유사한 방법으로, 하나 이상의 그래디언트들 (gradients) (예를 들어, x 및 y 그래디언트들) 을 계산하고 프레임들의 쌍 사이의 차이를 이용하여 시간 그래디언트를 계산하고 다수의 그래디언트 값들을 이용하여 현재 비디오 프레임 내의 타깃 오브젝트를 정확히 추적하는 것에 의해 모션-기반 추적이 수행될 수도 있다. 모션-기반 추적에 관한 추가의 상세들이 아래에 제공된다.모션-기반 추적을 수행할 때, 모션 추적기 (106) 는 모션-추적 방법의 계산된 또는 추정된 정확도에 기초하여 추적 신뢰도 값을 결정할 수도 있다. 일부 구성들에서, 추적 신뢰도 값은, 타깃 오브젝트가 현재 비디오 프레임 또는 그 비디오 프레임의 정의된 윈도우 내에 있을 가능성 또는 확률에 대응하는, 0 과 1 사이의 실수일 수도 있다. 추적 신뢰도 값은 추적 임계치와 비교될 수도 있다. 추적 신뢰도 값이 추적 임계치보다 더 큰 경우, 타깃 오브젝트가 현재 비디오 프레임 내에서 발견될 가능성이 높을 수도 있다. 대안적으로, 추적 신뢰도 값이 추적 임계치 이하인 경우, 타깃 오브젝트가 현재 비디오 프레임 내에서 발견될지 여부의 가능성이 낮거나 또는 불확실할 수도 있다. 추적 신뢰도 값을 결정하기 위한 다양한 방법들이 이용될 수도 있다. 하나의 구성에서, 이전에 캡처된 비디오 프레임들로부터 이전에 저장된 이미지 패치들과 현재 비디오 프레임에서의 추적된 윈도우 (예를 들어, 추적 패치 윈도우) 사이의 정규화된 상호 상관 (normalized cross correlation; NCC) 을 계산하는 것에 의해 추적 신뢰도 값이 결정된다. 추적 신뢰도 값을 계산하는 것에 관한 추가의 상세들이 아래에 제공된다.전자 디바이스 (102) 는 또한 오브젝트 검출을 수행할 수도 있다. 오브젝트 검출은 다양한 방법들을 이용하여 수행될 수도 있다. 하나의 구성에서, 타깃 오브젝트가 현재 비디오 프레임에서 발견되는지 또는 현재 비디오 프레임의 특정 윈도우 또는 윈도우들의 서브세트 내에서 발견되는지 여부를 결정하기 위해 비디오 프레임 내의 윈도우들의 다수의 서브세트들의 콘텐츠가 뷰잉되는 슬라이딩 윈도우 방법을 이용하여 오브젝트 검출이 수행된다. 모든 가능한 윈도우 로케이션들 및 사이즈들의 서브세트 또는 그 전부는 비디오 프레임에서 검색될 수도 있다. 예를 들어, 각각의 윈도우는 데이터의 픽셀들에 대응할 수도 있고, 오브젝트 검출기 (108) 는 타깃 오브젝트가 특정 윈도우 또는 서브-윈도우 내에 있다는 신뢰도 레벨 (예를 들어, 2진 표시자 (binary indicator)) 을 결정하기 위해 데이터의 픽셀들을 이용하여 하나 이상의 연산들을 수행할 수도 있다. 하나 이상의 윈도우들과 연관된 신뢰도 레벨에 기초하여, 검출기 신뢰도 값이 현재 비디오 프레임에 대해 획득될 수도 있다. 게다가, 오브젝트 검출의 정확도 또는 효율을 증가시키기 위한 부가적인 기법들이 이용될 수도 있다. 이들 기법들 중 일부가 아래에 설명된다.일부 구성들에서, 모션 추적기 (106) 및 오브젝트 검출기 (108) 는 병행하기보다는 오히려 순차적으로 동작할 수도 있다. 예를 들어, 전자 디바이스 (102) 는 선택된 오브젝트 (예를 들어, 타깃 오브젝트) 의 모션-기반 추적을 수행하고, 추적된 파라미터에 기초하여 선택된 오브젝트의 오브젝트 검출을 순차적으로 수행할 수도 있다. 하나의 구성에서, 전자 디바이스 (102) 는 현재 비디오 프레임 상에서 모션-기반 추적을 수행할 수도 있다. 전자 디바이스 (102) 는 그 후에, 추적된 파라미터에 기초하여 현재 프레임 상에서 오브젝트 검출을 수행할 수도 있다. 하나의 구성에서, 추적된 파라미터는 신뢰도 값과 임계치 사이의 비교에 기초할 수도 있다. 예를 들어, 추적 신뢰도 값이 추적 임계치를 하회하는 경우, 전자 디바이스 (102) 는 오브젝트 검출을 수행할 수도 있다. 대안적으로, 추적 신뢰도 값이 추적 임계치를 상회하는 경우, 전자 디바이스 (102) 는 현재 비디오 프레임에 대한 오브젝트 검출을 스킵하고, 현재 비디오 프레임의 모션 추적 결과들에 기초하여 다음 비디오 프레임 상에서 모션-기반 추적을 계속 수행할 수도 있다. 다시 말해, 모션-기반 추적이 매우 좋지 않을 때에만, 예를 들어, 추적 신뢰도 값이 추적 임계치를 하회할 때에만, 오브젝트 검출이 수행될 수도 있다. 오브젝트 검출이 수행될지 여부 및/또는 수행되는 방법을 고려할 때 다른 추적된 파라미터들이 이용될 수도 있다. 추적된 파라미터들의 예들로는 타깃 오브젝트의 구역, 윈도우 로케이션, 윈도우 사이즈, 스케일 레벨, 타깃 사이즈, 추적 및/또는 검출 신뢰도 값 또는 타깃 오브젝트의 효율적인 추적 및/또는 검출을 용이하게 하는데 이용될 수도 있는 다른 파라미터들을 포함할 수도 있다.추적된 파라미터에 기초하여 모션-기반 추적 및 오브젝트 검출을 순차적으로 수행하는 것은, 전자 디바이스 (102) 가 대규모의 연산들을 수행하는 일 없이 비디오 프레임 내에서 타깃 오브젝트를 추적 및/또는 검출하는 것을 가능하게 할 수도 있다. 구체적으로, 모션-기반 추적이 오브젝트 검출보다 덜 연산 집약적일 수도 있기 때문에, 전자 디바이스 (102) 는 현재 비디오 프레임 내에서 타깃 오브젝트를 정확히 추적하기 위해 모션-기반 추적이 이용될 수도 있는 경우 오브젝트 검출을 수행하는 것을 스킵할 수도 있다. 예를 들어, 추적 신뢰도 값이 특정 타깃 임계치를 초과한다고 전자 디바이스 (102) 가 결정하는 경우, 전자 디바이스 (102) 는 현재 비디오 프레임 내의 타깃 오브젝트의 로케이션 또는 존재를 정확히 결정하기 위해 현재 비디오 프레임 상에서 오브젝트 검출이 필요하지 않다고 결정할 수도 있다. 게다가, 많은 경우들에서 오브젝트 검출이 이로울 수도 있기 때문에, 전자 디바이스 (102) 는 추적 임계치 값과의 비교에 기초하여 모션-기반 추적이 부적절한 경우들에서 타깃 오브젝트를 더 정확히 검출하거나 또는 오브젝트 검출을 수행하기 위해 오브젝트 검출이 이용될 수도 있는 경우들을 결정할 수도 있다.일부 구성들에서, 현재 비디오 프레임 상에서 오브젝트 검출을 스킵하는 것보다는 오히려, 오브젝트 검출을 수행하는 프로세스를 좁히거나 또는 그 프로세스에 맞추기 위해 모션-기반 추적의 결과들 및/또는 메모리 버퍼 (110) 에 의해 제공된 부가적인 정보가 이용될 수도 있다. 예를 들어, 타깃 오브젝트가 모션-기반 추적 방법을 이용하여 정확히 추적될 수 없는 경우, 전자 디바이스 (102) 는 모션-기반 추적을 통해 제공된 파라미터들이 없는 것보다 더 적은 연산력 (computational power) 을 이용하여 오브젝트를 더 정확히 검출하기 위해 오브젝트 검출 동안 이용될 수도 있는 타깃 오브젝트와 연관된 로케이션, 윈도우 스케일 또는 다른 추적된 파라미터에 관한 정보를 여전히 추정 또는 획득할 수도 있다. 그에 따라, 모션-기반 추적이 추적 임계치를 초과하는 추적 신뢰도 값을 제공하지 않는 경우들에서조차도, 오브젝트 검출을 후속하여 수행할 때 모션-기반 추적의 결과들이 이용될 수도 있다.전자 디바이스 (102) 상의 뷰파인더 (131) 는 제 1 추적 영역 (133) 및 제 2 추적 영역 (135) 을 포함할 수도 있다. 터치스크린 (116) 을 이용하여 사용자에 의해 제 1 추적 영역 (133) 과 제 2 추적 영역 (135) 양쪽이 특정될 수도 있다. 예를 들어, 사용자는 터치스크린 (116) 상의 포커스 링 (focus ring) 을 제 1 추적 영역 (133) 과 제 2 추적 영역 (135) 의 원하는 로케이션들로 드래그할 수도 있다. 요구되지 않았지만, 추적 영역들 중 하나는 고정될 수도 있다. 예를 들어, 제 1 추적 영역 (133) 은 오브젝트 (예를 들어, 걷고 있는 사람) 를 추적할 수도 있고 제 2 추적 영역 (135) 은 고정된 나무를 커버할 수도 있다. 하나의 구성에서, 제 2 추적 영역 (135) 은 전자 디바이스 (102) 상의 전체 터치스크린 (116) 을 커버할 수도 있다.전자 디바이스 (102) 는 비디오 프로세싱 모듈 (137) 을 포함할 수도 있다. 비디오 프로세싱 모듈 (137) 은 오버랩 (143) 을 포함할 수도 있다. 오버랩 (143) 은 제 1 추적 영역 (133) 과 제 2 추적 영역 (135) 사이의 오버랩의 양을 반영할 수도 있다. 예를 들어, 제 1 추적 영역 (133) 과 제 2 추적 영역 (135) 이 서로 전혀 오버랩되지 않는 경우, 오버랩 (143) 은 0% 일 수도 있다. 이와 마찬가지로, 제 1 추적 영역 (133) 이 제 2 추적 영역 (135) 과 완전히 오버랩되는 경우 (또는, 어떤 추적 영역이 더 큰지에 따라, 제 2 추적 영역 (135) 이 제 1 추적 영역 (133) 과 완전히 오버랩되는 경우), 오버랩 (143) 은 100% 일 수도 있다. 비디오 프로세싱 모듈 (137) 은 임계치 (145) 를 포함할 수도 있다. 도 13 에 대해 설명되는 바와 같이, 오버랩 (143) 은 임계치 (145) 와 비교되어 비디오 프로세싱이 수행되어야 하는지 여부를 결정할 수도 있다.비디오 프로세싱 모듈 (137) 은 또한 스크린 파티션 (147) 펑션 (function) 을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 도 11, 도 13, 도 15, 및 도 21 에 대해 설명되는 바와 같이, 스크린 파티션 (147) 은 뷰파인더 (132) 를 다수의 윈도우들로 파티셔닝하여 제 1 추적 영역 (133) 및 제 2 추적 영역 (135) 과 연관된 개개의 비디오 스트림들을 디스플레이할 수도 있다. 비디오 프로세싱 모듈 (137) 은 또한 지오메트리 (geometry) 추적 (149) 펑션을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 도 17 및 도 18 에 대해 설명되는 바와 같이, 지오메트리 추적 (149) 펑션은 제 1 추적 영역 (133) 과 제 2 추적 영역 (135) 사이의 지오메트리를 추적할 수도 있다. 지오메트리는 뷰파인더 (131) 상에 디스플레이될 수도 있다. 비디오 프로세싱 모듈 (137) 은 또한 클러스터 형성 (151) 펑션을 포함할 수도 있다. 클러스터 형성 (151) 펑션은 지오메트리와 연관된 적어도 하나의 파라미터 (예를 들어, 질량 중심) 에 기초하여 클러스터들을 발생시킬 수도 있다. 예를 들어, 도 17 및 도 18 에 대해 설명되는 바와 같이, 각각의 클러스터는 제 1 추적 영역 (133) 과 제 2 추적 영역 (135) 사이에서 실질적으로 유사한 지오메트리를 갖는 비디오 프레임들을 포함할 수도 있다.도 2a 를 참조하면, 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204) 을 예시하는 블록 다이어그램이 도시된다. 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204) 은 전자 또는 무선 디바이스 내에서 구현될 수도 있다. 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204) 은 광학 플로우 모듈 (226) 및 추적 신뢰도 값 (228) 을 갖는 모션 추적기 (206) 를 포함할 수도 있다. 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204) 은 또한 스캐너 로케이터 (230), 스캐너 스케일러 (236), 분류기 (238) 및 검출 신뢰도 값 (240) 을 갖는 오브젝트 검출기 (208) 를 포함할 수도 있다. 메모리 버퍼 (210) 는 모션 추적기 (206) 및 오브젝트 검출기 (208) 에 제공될 수도 있는 캡처된 이전 비디오 프레임 (212) 과 연관된 데이터를 저장할 수도 있다. 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204), 모션 추적기 (206), 오브젝트 검출기 (208) 및 메모리 버퍼 (210) 는 도 1 과 관련되어 상술된 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (104), 모션 추적기 (106), 오브젝트 검출기 (108) 및 메모리 버퍼 (110) 의 구성들일 수도 있다.모션 추적기 (206) 는 현재 비디오 프레임 (N) (224) 상에서 모션-기반 추적을 수행하는데 이용될 수도 있다. 예를 들어, 이전 비디오 프레임 (N-1) (222) 및 현재 비디오 프레임 (N) (224) 은 (예를 들어, 전자 디바이스 (102) 에 의해) 수신될 수도 있다. 이전 비디오 프레임 (N-1) (222) 은 비디오 프레임들의 시퀀스에서 현재 비디오 프레임 (N) (224) 에 바로 선행할 수도 있다. 부가적인 비디오 프레임들이 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204) 에 의해 획득되고 프로세싱될 수도 있다. 이전 비디오 프레임 (N-1) (222) 이 모션 추적기 (206) 에 제공될 수도 있다. 게다가, 메모리 버퍼 (210) 는, 본 명세서에서 캡처된 이전 비디오 프레임 (212) 이라고 지칭되는, 이전 비디오 프레임 (N-1) (222) 과 연관된 데이터를 저장할 수도 있다. 일부 구성들에서, 메모리 버퍼 (210) 는 전자 디바이스 (102) 로부터 (예를 들어, 카메라로부터) 직접적으로 이전 비디오 프레임 (N-1) (222) 에 관한 정보를 획득할 수도 있다. 메모리 버퍼 (210) 는 또한 이전 비디오 프레임 (N-1) (222) 에서 오브젝트가 추적 및/또는 검출된 장소를 특정할 수도 있는 이전 비디오 프레임 (N-1) (222) 에 관한 추적 결과들을 퓨전 모듈 (260) 로부터 획득할 수도 있다. 이전 비디오 프레임 (N-1) (222) 또는 다른 이전에 캡처된 비디오 프레임들에 관한 이러한 정보는 메모리 버퍼 (210) 에 저장될 수도 있다.모션 추적기 (206) 는 비디오 프레임들의 시퀀스에서 현재 비디오 프레임 (N) (224) 을 후속하여 수신할 수도 있다. 모션 추적기 (206) 는 (예를 들어, 메모리 버퍼 (210) 로부터 제공된 정보를 이용하여) 현재 비디오 프레임 (N) (224) 을 이전 비디오 프레임 (N-1) (222) 과 비교할 수도 있다. 모션 추적기 (206) 는 광학 플로우 모듈 (226) 을 이용하여 현재 비디오 프레임 (N) (224) 상에서 오브젝트의 모션을 추적할 수도 있다. 광학 플로우 모듈 (226) 은 현재 비디오 프레임 (N) (224) 상에서 오브젝트의 모션-기반 추적을 수행하기 위한 하드웨어 및/또는 소프트웨어를 포함할 수도 있다. 이전 비디오 프레임 (N-1) (222) 과 현재 비디오 프레임 (N) (224) 을 비교하는 것에 의해, 모션 추적기 (206) 는 타깃 오브젝트가 현재 비디오 프레임 (N) (224) 에 있을 가능성과 연관된 추적 신뢰도 값 (228) 을 결정할 수도 있다. 하나의 예에서, 추적 신뢰도 값 (228) 은 타깃 오브젝트가 현재 비디오 프레임 (N) (224) 또는 현재 비디오 프레임 (N) (224) 내의 윈도우 내에 있다는 확실성의 퍼센티지에 기초한 실수 (예를 들어, 0 과 1 사이) 이다.오브젝트 검출기 (208) 는 현재 비디오 프레임 (N) (224) 상에서 오브젝트를 검출하는데 이용될 수도 있다. 예를 들어, 오브젝트 검출기 (208) 는 비디오 프레임들의 시퀀스에서 현재 비디오 프레임 (N) (224) 을 수신할 수도 있다. 오브젝트 검출기 (208) 는 추적된 파라미터에 기초하여 현재 비디오 프레임 (N) (224) 상에서 오브젝트 검출을 수행할 수도 있다. 추적된 파라미터는 타깃 오브젝트가 정확히 추적되고 있을 가능성에 대응하는 추적 신뢰도 값 (228) 을 포함할 수도 있다. 더 구체적으로는, 추적된 파라미터는 추적 신뢰도 값 (228) 과 추적 임계치 (250) 의 비교를 포함할 수도 있다. 추적된 파라미터는 또한 메모리 버퍼 (210) 로부터 제공된 정보를 포함할 수도 있다. 오브젝트를 검출할 때 이용될 수도 있는 추적된 파라미터들의 일부 예들로는 구역, 윈도우 로케이션, 윈도우 사이즈, 또는 오브젝트 검출을 수행할 때 파라미터로서 오브젝트 검출기 (208) 에 의해 이용될 수도 있는 다른 정보를 포함한다.오브젝트 검출기 (208) 는 스캐너 로케이터 (230) 를 포함할 수도 있다. 스캐너 로케이터 (230) 는 윈도우 로케이션 선택기 (232) 및 랜더마이저 (randomizer; 234) 를 포함할 수도 있다. 윈도우 로케이션 선택기 (232) 는 비디오 프레임 내의 다수의 윈도우들을 선택할 수도 있다. 예를 들어, 비디오 프레임은 다수의 윈도우들을 포함할 수도 있는데, 이 윈도우들 각각은 연관된 로케이션 및 사이즈를 갖는다. 하나의 구성에서, 각각의 비디오 프레임은 다수 (예를 들어, 대략 10,000) 개의 오버래핑 윈도우들로 분할되고, 이 윈도우들 각각은 비디오 프레임에서의 총 픽셀들의 프랙션 (fraction) 을 포함한다. 대안적으로, 임의의 적합한 개수의 윈도우들이 존재할 수도 있고 이들은 오버랩되지 않을 수도 있다. 스캐너 로케이터 (230) 내의 윈도우 로케이션 선택기 (232) 는 타깃 오브젝트를 식별하려고 시도하는 윈도우의 로케이션을 선택할 수도 있다. 랜더마이저 (234) 는 오브젝트를 검출하기 위한 가변 사이즈들 및 로케이션들의 윈도우들을 랜덤하게 선택할 수도 있다. 일부 구성들에서, 랜더마이저 (234) 는 비디오 프레임 내의 윈도우들을 랜덤하게 선택한다. 대안적으로, 랜더마이저 (234) 는 하나 이상의 팩터들 (factors) 에 기초하여 윈도우들을 더 정밀하게 선택할 수도 있다. 예를 들어, 랜더마이저 (234) 는 오브젝트가 로케이팅될 가능성이 가장 많은 장소의 구역, 사이즈 또는 일반적 로케이션에 기초하여 윈도우들의 선택을 제한할 수도 있다. 이 정보는 메모리 버퍼 (210) 를 통해 획득될 수도 있고, 또는 모션-기반 추적을 통해 획득될 수도 있는데, 이 모션-기반 추적은 전적으로 의존되기에는 충분히 정확하지 않지만, 오브젝트 검출을 수행할 때 도움이 되는 정보를 제공할 수도 있다. 그에 따라, 랜더마이저 (234) 가 검색하기 위해 다수의 윈도우들을 랜덤하게 선택할 수도 있지만, 오브젝트 검출기 (208) 에 제공된 정보에 기초하여, 윈도우들의 선택이 좁혀질 수도 있고, 그에 따라 완전히 랜덤하지 않을 수도 있다.오브젝트 검출기 (208) 는 또한 특정 사이즈의 윈도우를 드로잉 또는 선택하기 위해 이용될 수도 있는 스캐너 스케일러 (236) 를 포함할 수도 있다. 이미지가 특정 윈도우 내에 있는지 여부를 검출하기 위해 오브젝트를 검출하거나 또는 윈도우들의 선택을 오리지널 이미지와 비교할 때 윈도우들의 사이즈를 좁히기 위해 스캐너 로케이터 (230) 에 의해 윈도우 사이즈가 이용될 수도 있다. 스캐너 스케일러 (236) 는 오브젝트를 정의할 때 초기에는 특정 사이즈들 또는 스케일 레벨들의 하나 이상의 윈도우들을 선택할 수도 있고 또는, 대안적으로, 메모리 버퍼 (210) 로부터 제공된 정보에 기초하여 특정 사이즈들 또는 스케일 레벨들의 하나 이상의 윈도우들을 드로잉할 수도 있다.분류기 (238) 는 타깃 오브젝트 중 일부 또는 전부가 특정 윈도우에서 발견되는지 여부를 결정하는데 이용될 수도 있다. 일부 구성들에서, 분류기 (238) 는 타깃 오브젝트가 특정 윈도우 또는 서브-윈도우 내에서 검출되는지 여부를 나타내기 위해 각각의 윈도우에 대한 2진 값을 생성할 수도 있다. 이러한 분류 (예를 들어, 2진 분류) 는 오브젝트 검출기 (208) 에 의해 검색된 각각의 윈도우에 대해 수행될 수도 있다. 구체적으로, 분류기 (238) 는 오브젝트가 검출되는 각각의 윈도우에 대해서는 2진수 1 을, 그리고 오브젝트가 검출되지 않는 각각의 윈도우에 대해서는 2진수 0 을 발생시킬 수도 있다. 1들 및 0들의 개수 또는 조합에 기초하여, 오브젝트 검출기 (208) 는 타깃 오브젝트가 현재 비디오 프레임 (N) (224) 내에 존재할 가능성을 나타내는 검출 신뢰도 값 (240) 을 결정할 수도 있다. 일부 구성들에서, 검출 신뢰도 값 (240) 은, 오브젝트가 정확히 검출되었을 퍼센티지 또는 확률을 나타내는, 0 과 1 사이의 실수이다.오브젝트 검출기 (208) 는, 구역, 타깃 사이즈, 윈도우 사이즈, 스케일 레벨, 윈도우 로케이션 및 하나 이상의 신뢰도 값들을 포함하는, 다양한 추적된 파라미터들에 따라 오브젝트 검출을 수행할 수도 있다. 일단 비디오 프레임의 윈도우들 또는 윈도우들의 서브세트가 검색되고 오브젝트 검출기 (208) 가 검색된 윈도우 각각에 대해 2진 값을 획득한다면, 오브젝트 검출기 (208) 는 가장 높은 신뢰도를 갖는 현재 비디오 프레임 상의 로케이션 또는 구역뿐만 아니라 윈도우 사이즈를 결정할 수도 있다. 이 로케이션 및 윈도우 사이즈는 후속 추적 및 검출에 이용되어 타깃 오브젝트를 더 정확히 추적 및/또는 검출할 수도 있다.타깃 오브젝트를 검출함에 있어서 다양한 기법들이 오브젝트 검출기 (208) 에 의해 이용될 수도 있다. 하나의 구성에서, 타깃 오브젝트를 검출하는 것은, 모든 가능한 윈도우 로케이션에서 그리고 모든 가능한 윈도우 사이즈에서 윈도우들에 대한 2진 분류를 수행하는 것을 포함할 수도 있다. 그러나, 모든 가능한 윈도우를 검색하는 것은 리소스 집약적이다. 따라서, 다른 구성에서, 오브젝트 검출기는 비디오 프레임에서의 모든 가능한 윈도우들보다는 오히려, 윈도우 로케이션들 및 사이즈들의 서브세트를 검색할 수도 있다. 예를 들어, 오브젝트 검출기 (208) 는 모든 가능한 윈도우들의 1% 를 검색할 수도 있다. 그 후에, 검출이 성공적이지 못한 경우 (예를 들어, 검출 신뢰도 값 (240) 이 검출 임계치 (252) 미만인 경우), 후속하는 캡처된 프레임에서 보다 높은 퍼센티지, 예를 들어, 2% 의 윈도우 로케이션들이 검색될 수도 있다. 검색된 윈도우 로케이션들의 퍼센티지에 있어서의 스텝 (step) 은 균일하거나, 불균일하거나, 느리거나 또는 빠를 수도 있다, 즉, 연속 프레임들은 1%, 2%, 3%, 4% 또는 1%, 2%, 4%, 8% 를 가질 수도 있다. 하나의 구성에서, 높은 검출 신뢰도 값에 응답하여, 즉, 타깃 오브젝트가 다음 비디오 프레임이라는 것을 보장하기 위해, 검색된 프레임들의 퍼센티지가 매우 높게 설정될 수도 있다 (예를 들어, 80%, 90%, 100%). 예를 들어, 검출 및 추적 임계치 값 (256) 을 초과한 검출 및 추적 신뢰도 값에 응답하여, 검색된 프레임들의 퍼센티지는 적어도 80% 로 점프할 수도 있다. 대안적으로, 퍼센티지는 60%, 70%, 90% 등으로 점프할 수도 있다. 부가적으로, 검출 및 추적 임계치 값에 대한 임의의 적합한 값, 예를 들어, 0.6, 0.65, 0.7, 0.75, 0.8, 0.85 등이 이용될 수도 있다. 더욱이, 랜더마이저 (234) (난수 발생기) 에 기초하여, 검색된 윈도우들의 퍼센티지가 랜덤하게 결정될 수도 있다, 예를 들어, 1% 와 15% 사이의 윈도우들의 랜덤한 퍼센티지가 캡처된 프레임에서 검색될 수도 있다. 윈도우 로케이션들 모두의 서브세트를 검색하는 것에 의해, 오브젝트 검출은 전자 디바이스 (102) 에서 보다 적은 리소스들을 이용할 수도 있다.본 명세서에서 설명되는 기법들은 각각의 로케이션에 대한 윈도우 사이즈들의 서브세트를 검색할 수도 있다. 각각의 윈도우 사이즈는 본 명세서에서 스케일 레벨이라고 지칭될 수도 있고, 각각의 스케일 레벨은 특정 윈도우 사이즈에 대응한다. 예를 들어, 20 개의 가능한 스케일 레벨들이 존재할 수도 있다. 모든 20 개의 스케일 레벨들을 검색하는 것보다는 오히려, 스케일 레벨들 또는 윈도우 사이즈들의 서브세트가 각각의 윈도우 로케이션에서 검색될 수도 있다.본 명세서에서 설명되는 기법들은 또한 검색된 윈도우 로케이션들 및 사이즈들에 맞추기 위해 메모리 버퍼 (210) 로부터의 피드백을 이용할 수도 있다. 다시 말해, 타깃 오브젝트가 성공적으로 검출 및/또는 추적되었던 마지막으로 캡처된 비디오 프레임의 로케이션 및 사이즈는 현재 비디오 프레임 (N) (224) 을 검색하기 위한 시작 포인트로서 이용될 수도 있다. 예를 들어, 최근 비디오 프레임에서 타깃 오브젝트가 검출되고 추적된 경우 (즉, 최근에 캡처된 비디오 프레임에 대한 검출 및 추적 신뢰도 값 (256) 이 검출 및 추적 임계치를 상회하는 경우), 스캐너 로케이터는 최근 프레임과 연관된 로케이션 및 사이즈에서 현재 캡처된 프레임을 검색하는 것을 시작할 수도 있다. 예를 들어, 타깃 오브젝트가 광학 시스템의 시야 밖으로 이동하거나 또는 멀리 떨어져 사라지는 경우, 타깃 오브젝트가 광학 시스템의 시야를 떠났거나 또는 멀리 떨어져 사라졌을 때와 동일한 사이즈에서 타깃 오브젝트가 다시 나타날 가능성이 더 많을 수도 있다. 따라서, 오브젝트 검출을 수행할 때 후속 비디오 프레임들에서 타깃 오브젝트를 검출하기 위해 사이즈 또는 사이즈들의 범위가 예측될 수도 있다.캡처된 비디오 프레임 (N) (224) 에서 검색된 윈도우 로케이션들 및 윈도우 사이즈들의 검색 범위는, 최근 비디오 프레임 (예를 들어, 이전 비디오 프레임 (N-1) (222)) 에서의 타깃 오브젝트와 연관된 윈도우 로케이션 및 윈도우 사이즈와 유사한 것들로 제한될 수도 있다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 용어 "검색 범위" 는 비디오 프레임에서 타깃 오브젝트를 검출 및/또는 추적할 때 활용될 수도 있는 후보 윈도우 로케이션들 또는 후보 윈도우 사이즈들 (또는 이들 양쪽) 의 세트를 지칭한다. 예를 들어, 검색된 윈도우 로케이션들의 서브세트는 타깃 오브젝트가 최근 비디오 프레임에서 발견되었던 장소에 기초하여 현재 비디오 프레임 (N) (224) 의 일 부분, 예를 들어, 현재 비디오 프레임 (N) (224) 의 4분면들 또는 절반들 중 하나 내에서부터 선택될 수도 있다. 다시 말해, 검색 공간은 타깃 오브젝트가 마지막으로 추적 또는 검출되었던 장소 인근으로 제한될 수도 있다. 이와 유사하게, 각각의 윈도우 로케이션에 대해 검색된 프레임들의 사이즈들은 타깃화된 오브젝트가 최근 비디오 프레임에서 발견되었던 윈도우의 사이즈에 기초하여 제한될 수도 있다. 예를 들어, 오브젝트가 8 의 스케일 레벨을 갖는 윈도우를 이용하여 최근 프레임에서 검출된 경우, 스캐너 스케일러 (236) 는 8 플러스 또는 마이너스 3, 즉, 스케일 레벨들 5 내지 11 의 현재 비디오 프레임 (N) (224) 에 대한 윈도우 스케일 레벨들만을 단지 선택할 수도 있다. 이것은 낮은 확률 검색을 더욱 없애고 오브젝트 검출의 효율을 증가시킬 수도 있다. 대안적으로, 최근 (현재가 아님) 비디오 프레임이 타깃 오브젝트를 검출하지 못한 경우 (즉, 최근 비디오 프레임에 대한 검출 및 추적 신뢰도 값 (256) 이 검출 및 추적 임계치를 하회하는 경우), 오브젝트 검출기 (208) 는 검색되는 검색 공간 (윈도우 로케이션들) 을 확장시킬 수도 있다, 예를 들어, 보다 넓은 범위의 이미지 또는 전체 이미지가 검색 대상이 될 수도 있다.오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204) 은 단일 윈도우를 형성하기 위해 다수의 윈도우들을 병합시키기 위한 퓨전 모듈 (260) 을 포함할 수도 있다. 초기에는 2 개의 신뢰도 값들이 존재한다: 오브젝트 검출기 (208) 로부터의 검출 신뢰도 값 (240) 및 모션 추적기 (206) 로부터의 추적 신뢰도 값 (225). 퓨전 모듈 (260) 은 2 개의 신뢰도 값들을 검출 및 추적 신뢰도 값 (256) 으로 조합할 수도 있다 (예를 들어, 더 큰 신뢰도 값을 고를 수도 있다). 검출 및 추적 신뢰도 값 (256) 은 타깃 오브젝트가 비디오 프레임 상에서 식별되었는지 여부를 나타낼 수도 있다. 하나의 구성에서, 검출 및 추적 신뢰도 값 (256) 은 0 과 1 사이의 실수일 수도 있는데, 여기서 0 은 타깃 오브젝트가 특정 비디오 프레임에서 식별되었다는 가장 낮은 가능한 신뢰도를 나타내고 1 은 타깃 오브젝트가 특정 비디오 프레임에서 식별되었다는 가장 높은 가능한 신뢰도를 나타낸다. 다시 말해, 검출 및 추적 신뢰도 값 (256) 은 타깃 오브젝트가 발견되었을 가능성의 전체 표시로서 기능할 수도 있다. 게다가, 검출 및 추적 신뢰도 값 (256) 은 다음 비디오 프레임에서 검색하기 위한 윈도우들의 윈도우 로케이션, 윈도우 사이즈 또는 퍼센티지를 결정하기 위해 이용되는 파라미터일 수도 있다. 퓨전 모듈 (260) 은 현재 비디오 프레임 (N) (224) 에 관한 정보를 메모리 버퍼 (210) 에 제공하는데 이용될 수도 있다. 하나의 예에서, 퓨전 모듈 (260) 은 추적된 윈도우 (242) (예를 들어, 윈도우 로케이션 (244), 윈도우 사이즈 (246) 등) 및 검출 및 추적 신뢰도 값 (256) 에 관한 정보를 메모리 버퍼 (210) 에 제공할 수도 있다. 퓨전 모듈 (260) 은 모션 추적기 (206) 및 오브젝트 검출기 (208) 로부터의 추적 결과들 (예를 들어, 바운딩 박스들) 을 이용하여 조합된 추적 결과 (예를 들어, 바운딩 박스) 를 형성하고 검출 및 추적 신뢰도 값 (256) 을 계산할 수도 있다.메모리 버퍼 (210) 는 이전 비디오 프레임 (N-1) (222), 현재 비디오 프레임 (N) (224) 또는 다른 캡처된 비디오 프레임들과 연관된 하나 이상의 값들을 저장할 수도 있다. 하나의 구성에서, 메모리 버퍼 (210) 는 이전 비디오 프레임 (N-1) (222) 에 대응하는 정보를 포함할 수도 있는 캡처된 이전 비디오 프레임 (212) 을 저장한다. 캡처된 이전 비디오 프레임 (212) 은 각각의 윈도우 (242) 에 대한 로케이션 (244), 윈도우 사이즈 (246) 및 (예를 들어, 분류기 (238) 로부터의) 2진 판정 (248) 을 포함하는, 하나 이상의 윈도우들 (242) 에 관한 정보를 포함할 수도 있다. 캡처된 이전 비디오 프레임 (212) 은 또한 추적 임계치 (250), 검출 임계치 (252) 및 검출 및 추적 임계치 (254) 를 포함할 수도 있다. 추적 임계치 (250) 는 추적 신뢰도 레벨이 추적 임계치 (250) 보다 더 큰지 여부를 결정하기 위해 (258) 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204) 상의 회로부 (예를 들어, 신뢰도 레벨 비교기) 또는 모션 추적기 (206) 에 제공될 수도 있다. 검출 임계치 (252) 는 검출 신뢰도 값 (240) 이 검출 임계치 (252) 보다 더 큰지 여부를 결정하기 위해 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204) 상의 다른 회로부 또는 오브젝트 검출기 (208) 에 제공될 수도 있다. 검출 및 추적 임계치 (254) 는 추적 임계치 (250) 및 검출 임계치 (252) 에 기초하여 조합된 값일 수도 있다. 검출 및 추적 임계치 (254) 는 검출 및 추적 신뢰도 값 (256) 과 비교되어 모션-기반 추적 및 오브젝트 검출을 위한 조합된 신뢰도 값을 결정할 수도 있다. 임계치들 각각은 타깃 오브젝트가 비디오 프레임 내에 로케이팅될 가능성에 기초할 수도 있다. 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204) 은 특정 검출 및 추적 신뢰도 값 (256) 이 획득될 때까지 현재 비디오 프레임 (N) (224) 상에서 모션-기반 추적 및/또는 검출을 수행할 수도 있다. 게다가, 모션-기반 추적 및 오브젝트 검출은 다수의 비디오 프레임들의 시퀀스에서 각각의 비디오 프레임 상에서 수행될 수도 있다.모션-기반 추적 및 오브젝트 검출을 수행하는 것은, 추적된 파라미터에 기초하여 모션-기반 추적 다음에 오브젝트 검출을 순차적으로 수행하는 것을 포함할 수도 있다. 특히, 본 시스템들 및 방법들은 2-단계 추적 및 검출 접근법을 구현할 수도 있다. 모션-기반 추적이 이용되는 오브젝트 검출로서 실제 오브젝트 식별보다는 오히려, 장면의 상대 모션에 기초하기 때문에, 모션-기반 추적이 오브젝트 검출을 수행하는 것보다 전자 디바이스에서 덜 리소스 집약적일 수도 있다. 이에 따라, 오브젝트 검출기 (208) 대신에 모션 추적기 (206) 를 이용하는 것이 더 효율적일 수도 있는데, 여기서 타깃 오브젝트는 오브젝트 검출을 또한 수행하는 일 없이 정확히 추적될 수도 있다.그에 따라, 오브젝트 검출기 (208) 와 병행하여 모션 추적기 (206) 를 이용하기보다는 오히려, 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204) 은 단지 모션 추적기 (206) 가 불충분한 경우 오브젝트 검출기 (208) 를 이용한다, 즉, 모션 추적 및 오브젝트 검출 (조금이나마 수행된다면) 은 병행하는 것 대신에 순차적으로 수행된다. 추적이 수행되는 각각의 비디오 프레임에 대해, 모션 추적기 (206) 는 추적 신뢰도 값 (228) 을 생성할 수도 있는데, 이 추적 신뢰도 값은, 타깃 오브젝트가 현재 비디오 프레임 (N) (224) 에 있을 가능성을 나타내는, 0 과 1 사이의 실수일 수도 있다.2-단계 추적 및 검출 접근법의 하나의 구성에서, 모션 추적기 (206) 는 우선 현재 비디오 프레임 (N) (224) 상에서 모션-기반 추적을 수행할 수도 있다. 모션 추적기 (206) 는 모션-기반 추적 프로세스에 기초하여 추적 신뢰도 값 (228) 을 결정할 수도 있다. 메모리 버퍼 (210) 에 의해 제공된 추적 임계치 (250) 및 추적 신뢰도 값 (228) 을 이용하여, 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204) 내의 회로부 (예를 들어, 신뢰도 레벨 비교기) 는 추적 신뢰도 값 (228) 이 추적 임계치 (250) 를 초과하는지 여부를 결정할 수도 있다 (258). 추적 신뢰도 값 (228) 이 추적 임계치 (250) 보다 더 큰 경우, 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204) 은 오브젝트 검출을 수행하는 것을 스킵하고 추적 결과를 퓨전 모듈 (260) 에 제공하여 출력 (262) 을 생성할 수도 있다. 출력 (262) 은 타깃 오브젝트가 현재 비디오 프레임 (N) (224) 내에 있다는 표시를 포함할 수도 있다. 게다가, 출력 (262) 은 타깃 오브젝트에 관한 부가적인 정보를 포함할 수도 있다.추적 신뢰도 값 (228) 이 추적 임계치 (250) 를 초과하지 않는 경우, 오브젝트 검출기 (208) 는 현재 비디오 프레임 (N) (224) 상에서 오브젝트 검출을 후속하여 수행할 수도 있다. 오브젝트 검출은 현재 비디오 프레임 (N) (224) 내의 윈도우들 전부 또는 그의 서브세트 상에서 수행될 수도 있다. 오브젝트 검출기 (208) 는 또한 메모리 버퍼 (210) 로부터 제공된 정보 및/또는 모션-기반 추적의 결과들에 기초하여 윈도우들, 윈도우 사이즈들 또는 다른 검출 기준들의 서브세트를 선택할 수도 있다. 오브젝트 검출기 (208) 에 제공된 하나 이상의 추적된 파라미터들에 기초하여 더 또는 덜 강건한 (robust) 프로세스를 이용하여 오브젝트 검출이 수행될 수도 있다. 오브젝트 검출기 (208) 는 검출 신뢰도 값 (240) 을 결정하고 그 검출 신뢰도 값 (240) 을 검출 임계치 (252) 와 비교할 수도 있다. 검출 신뢰도 값 (240) 이 검출 임계치 (252) 를 상회하는 경우, 오브젝트 검출기 (208) 는 검출 결과를 퓨전 모듈 (260) 에 제공하여 출력 (262) 을 생성할 수도 있다. 출력 (262) 은 타깃 오브젝트가 현재 비디오 프레임 (N) (224) 내에 있다는 표시를 포함하거나 및/또는 검출된 오브젝트에 관한 부가적인 정보를 포함할 수도 있다.대안적으로, 검출 신뢰도 값 (240) 이 검출 임계치 (252) 이하인 경우, 오브젝트 검출기 (208) 는 현재 비디오 프레임 (N) (224) 내의 더 많은 개수의 윈도우들을 검색하는 것과 같은, 더 강건한 방법을 이용하여 오브젝트 검출을 다시 수행할 수도 있다. 오브젝트 검출기 (208) 는 만족스러운 검출 신뢰도 값 (240) 이 획득될 때까지 오브젝트 검출의 프로세스를 반복할 수도 있다. 일단 만족스러운 검출 신뢰도 값 (240) 이 획득되어 현재 비디오 프레임 내의 타깃 오브젝트가 식별된다면, 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204) 은 다음 비디오 프레임 상에서 추적 및 검출을 수행하는데 이용될 수도 있다.도 2b 를 참조하면, 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204) 내의 컴포넌트들을 구현하는 프로세서 (264) 의 특정 예시적 실시형태가 도시된다. 도 2a 에 도시된 바와 같이, 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204) 은 프로세서 (264) 에 의해 구현될 수도 있다. 상이한 컴포넌트들을 구현하기 위해 상이한 프로세서들이 이용될 수도 있다 (예를 들어, 하나의 프로세서는 모션 추적기 (206) 를 구현할 수도 있고, 다른 프로세서는 오브젝트 검출기 (208) 를 구현하는데 이용될 수도 있으며 또 다른 프로세서는 메모리 버퍼 (210) 를 구현하는데 이용될 수도 있다).도 3 을 참조하면, 모션-기반 추적 및 오브젝트 검출을 수행하기 위한 방법 (300) 의 특정 예시적 실시형태의 플로우차트가 도시된다. 방법 (300) 은 전자 디바이스 (102), 예를 들어, 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (104) 에 의해 구현될 수도 있다. 전자 디바이스 (102) 는 이전 비디오 프레임 (N-1) (222) 과 현재 비디오 프레임 (N) (224) 을 비교하는 것에 의해 현재 비디오 프레임 (N) (224) 에 대한 모션-기반 추적을 수행할 수도 있다 (302). 오브젝트를 추적하는 것은 이미지들의 쌍들 사이의 포인트들을 추적하는 것에 의해 메디안 플로우 방법을 이용하여 수행될 수도 있다. 모션-기반 추적의 다른 방법들이 또한 이용될 수도 있다. 부가적으로, 모션-기반 추적은 메모리 버퍼 (110) 를 통해 제공된 캡처된 이전 비디오 프레임 (112) 에 관한 정보를 이용하여 현재 비디오 프레임 (N) (224) 에 대해 수행될 수도 있다.전자 디바이스 (102) 는 추적 신뢰도 값 (228) 을 결정할 수도 있다 (304). 추적 신뢰도 값 (228) 은 타깃 오브젝트가 정확히 추적되었을 가능성 또는 확실성을 나타낼 수도 있다. 전자 디바이스 (102) 는 추적 신뢰도 값 (228) 이 추적 임계치 (250) 보다 더 큰지 여부를 결정할 수도 있다 (306). 추적 신뢰도 값 (228) 이 추적 임계치 (250) 보다 더 큰 경우, 전자 디바이스 (102) 는 다음 비디오 프레임에 대해 모션-기반 추적을 수행할 수도 있다 (308). 게다가, 전자 디바이스 (102) 는 모션-기반 추적의 결과에 기초하여 현재 비디오 프레임 (N) (224) 상에서 오브젝트 검출을 수행하는 것을 스킵할 수도 있다. 다시 말해, 모션 추적이 매우 좋지 않을 때에만, 즉, 추적 신뢰도 값 (228) 이 추적 임계치 (250) 보다 더 크지 않은 경우, 오브젝트 검출이 현재 비디오 프레임 (N) (224) 에 대해 수행될 수도 있다. 그러나, 추적 신뢰도 값 (228) 이 추적 임계치 (250) 보다 더 크지 않은 경우, 전자 디바이스 (102) 는 현재 비디오 프레임 (N) (224) 에 대해 오브젝트 검출을 수행할 수도 있다 (310). 전자 디바이스 (102) 는 모션-기반 추적에 순차적으로 오브젝트 검출을 수행할 수도 있다. 일부 구성들에서, 오브젝트 검출은 가변 강건성으로 다수회 수행되어 보다 높은 검출 신뢰도 값 (240) 을 획득할 수도 있다.도 4 를 참조하면, 모션-기반 추적을 수행하기 위한 방법 (400) 의 특정 예시적 실시형태의 플로우차트가 도시된다. 방법 (400) 은 전자 디바이스 (102), 예를 들어, 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (104) 에 의해 구현될 수도 있다. 전자 디바이스 (102) 는 바운딩 박스를 이용하여 타깃 오브젝트를 식별할 수도 있다 (402). 오브젝트를 식별하는 것 (402) 은 관심있는 오브젝트가 선택되는 터치스크린 (116) 또는 다른 입력 방법을 이용하여 수동으로 수행될 수도 있다. 다수의 오브젝트들이 유사한 방법으로 식별될 수도 있다. 게다가, 추적될 오브젝트를 식별하기 위해 다른 입력 방법들이 이용될 수도 있다. 하나의 예에서, 바운딩 박스를 타깃 오브젝트 주위로 수동으로 드로잉하는 것에 의해 오브젝트가 식별된다.전자 디바이스 (102) 는 바운딩 박스 내의 그리드 상의 포인트들을 초기화할 수도 있다 (404). 그리드 상의 포인트들은 바운딩 박스 전반에 걸쳐 균일하게 이격될 수도 있다. 게다가, 포인트들은 2 개의 이미지들 (예를 들어, 이전 비디오 프레임 (N-1) (222) 과 현재 비디오 프레임 (N) (224)) 사이의 그리드 상에서 추적될 수도 있다 (406). 하나의 예에서, 포인트들은 이미지들 사이에서 스파스 모션 플로우를 발생시키는 루카스-카나데 (Lucas-Kanade) 추적기에 의해 추적된다. 전자 디바이스 (102) 는 2 개의 이미지들 (예를 들어, 이전 비디오 프레임 (N-1) (222) 과 현재 비디오 프레임 (N) (224)) 사이의 추적 에러를 추정할 수도 있다 (408). 추적 에러를 추정하는 것 (408) 은 추적된 포인트들의 각각의 포인트에 에러 값을 할당하는 것을 포함할 수도 있다. 게다가, 추적 에러를 추정하는 것 (408) 은, 예를 들어, 순방향-역방향 에러 (forward-backward error), 정규화된 상호 상관 (NCC) 및 차분 제곱합 (sum-of-square differences) 을 포함하는, 다양한 방법들을 이용하여 수행될 수도 있다. 추적 신뢰도 값 (228) 을 획득하기 위해 그리고 궁극적으로 타깃 오브젝트가 현재 비디오 프레임 (N) (224) 에 있을 가능성을 결정하는 것을 위해 추정된 추적 에러가 이용될 수도 있다. 하나의 구성에서, 추적 신뢰도 값 (228) 은 이전 비디오 프레임 (N-1) (222) 과 현재 비디오 프레임 (N) (224) 에서의 추적된 윈도우 사이의 정규화된 상호 상관 (NCC) 을 계산하는 것에 의해 획득될 수도 있다. 추적 에러는 또한, 도 5 와 관련하여 아래에 더 상세히 설명되는 순방향-역방향 에러 추정을 포함하는, 부가적인 기법들을 이용하여 추정될 수도 있다. 게다가, 전자 디바이스 (102) 는 바깥쪽 (outlying) 포인트 예측들을 필터링할 수도 있다 (410). 예를 들어, 전자 디바이스는 최악의 예측들의 50% 를 필터링할 수도 있다. 나머지 예측들은 바운딩 박스의 변위를 추정하는데 이용될 수도 있다.전자 디바이스 (102) 는 바운딩 박스를 업데이트할 수도 있다 (412). 바운딩 박스를 업데이트하는 것 (412) 은 업데이트된 바운딩 박스가 다음 비디오 프레임에 대한 새로운 바운딩 박스가 되도록 수행될 수도 있다. 모션-기반 추적 프로세스는 그 후에 다음 비디오 프레임에 대해 반복될 수도 있거나 또는, 추적 신뢰도 값 (228) 이 추적 임계치 (250) 이하인 경우에는, 모션-기반 추적 프로세스는 타깃 오브젝트가 정확히 추적될 수도 있을 때까지 다음 비디오 프레임에 대해 중단될 수도 있다. 일부 구성들에서, 현재 비디오 프레임 (N) (224) 에 대한 모션-기반 추적이 만족스러운 결과를 제공하지 못한 경우, 전자 디바이스 (102) 는 현재 비디오 프레임 (N) (224) 상에서 오브젝트 검출을 수행하여 타깃 오브젝트를 로케이팅함에 있어서 보다 높은 레벨의 신뢰도를 획득할 수도 있다. 일부 구성들에서, 모션-기반 추적이 만족스러운 결과들을 생성할 수 없는 경우 (예를 들어, 타깃 오브젝트가 비디오 프레임의 범위 밖으로 이동할 때), 타깃 오브젝트가 검출될 때까지 오브젝트 검출이 임의의 후속 비디오 프레임들 상에서 수행될 수도 있다.도 5 를 참조하면, 순방향-역방향 에러에 기초하여 모션-기반 추적에서 추적 에러를 추정하기 위한 방법 (500) 의 특정 예시적 실시형태의 플로우차트가 도시된다. 방법 (500) 은 전자 디바이스 (102) (예를 들어, 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (104)) 에 의해 구현될 수도 있다. 일부 구성들에서, 전자 디바이스 (102) 는 추적된 윈도우들 사이의 정규화된 상호 상관 (NCC) 을 계산할 수도 있다. 정규화된 상호 상관 (NCC) 은 추적 신뢰도 값 (228) 을 결정하는데 이용될 수도 있다. 전자 디바이스 (102) 는 또한 정규화된 상호 상관 (NCC) 과 상보적인 다양한 추적 에러 추정 기법들 (예를 들어, 순방향-역방향 에러, 차분 제곱합) 을 이용할 수도 있다. 순방향-역방향 에러 추정을 이용하는 예에서, 전자 디바이스 (102) 는 이전 비디오 프레임 (N-1) (222) 과 현재 비디오 프레임 (N) (224) 사이의 순방향 추적을 수행하여 순방향 궤적을 결정할 수도 있다 (502). 순방향 추적은 k 개의 단계들에 대해 순방향인 이미지를 추적하는 것을 포함할 수도 있다. 결과적인 순방향 궤적은 () 와 동일할 수도 있는데, 여기서 xt 는 시간에 있어서의 포인트 로케이션이고 k 는 이미지들의 시퀀스의 길이를 나타낸다. 전자 디바이스 (102) 는 현재 비디오 프레임 (N) (224) 과 이전 비디오 프레임 (N-1) (222) 사이의 역방향 추적을 수행하여 역방향 궤적을 결정할 수도 있다 (504). 결과적인 역방향 궤적은 () 와 동일할 수도 있는데, 여기서 이다.전자 디바이스 (102) 는 순방향 궤적과 역방향 궤적 사이의 순방향-역방향 에러를 결정할 수도 있다 (506). 순방향-역방향 에러는 순방향 궤적과 역방향 궤적 사이의 거리로서 정의될 수도 있다. 게다가, 다양한 거리들이 궤적 비교를 위해 정의될 수도 있다. 하나의 구성에서, 순방향-역방향 에러를 결정할 때 확인 (validation) 궤적의 초기 포인트와 종단 포인트 사이의 유클리디안 (Euclidean) 거리가 이용될 수도 있다. 하나의 구성에서, 순방향-역방향 에러는 추적 에러로서 이용될 수도 있고, 이 추적 에러는 추적 신뢰도 값 (228) 을 결정하는데 이용될 수도 있다.도 6 을 참조하면, 오브젝트 검출을 수행하기 위한 방법 (600) 의 특정 예시적 실시형태의 플로우차트가 도시된다. 방법 (600) 은 전자 디바이스 (102) (예를 들어, 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (104)) 에 의해 구현될 수도 있다. 전자 디바이스 (102) 는 현재 비디오 프레임 (N) (224) 에서의 윈도우 로케이션들 및 사이즈들의 서브세트를 검색하는 것에 의해 현재 비디오 프레임 (N) (224) 상에서 오브젝트 검출 및 모션-기반 추적을 수행할 수도 있다 (602).전자 디바이스 (102) 는 검출 및 추적 신뢰도 값 (256) 을 결정할 수도 있다 (604). 검출 및 추적 신뢰도 값 (256) 은 타깃 오브젝트가 현재 비디오 프레임 (N) (224) 에서 발견되는지 또는 특정 윈도우 내에서 발견되는지 여부의 신뢰도의 레벨을 제공할 수도 있다. 전자 디바이스 (102) 는 또한 검출 및 신뢰도 값 (256) 이 검출 및 추적 임계치 (254) 보다 더 큰지 여부를 결정할 수도 있다 (606). 검출 및 신뢰도 값 (256) 이 검출 및 추적 임계치 (254) 보다 더 큰 경우, 전자 디바이스 (102) 는 다음 비디오 프레임에서의 윈도우들 및 사이즈들의 서브세트 (예를 들어, 동일한 서브세트) 를 이용하여 다음 비디오 프레임 상에서 오브젝트 검출을 수행할 수도 있다 (608). 대안적으로, 검출 및 신뢰도 값 (256) 이 검출 및 추적 임계치 (254) 보다 더 작은 경우, 전자 디바이스 (102) 는 다음 비디오 프레임에서의 윈도우 로케이션들 및 사이즈들의 보다 큰 서브세트를 이용하여 다음 비디오 프레임 상에서 오브젝트 검출을 수행할 수도 있다 (610). 일부 구성들에서, 신뢰도 값 (256) 이 검출 및 추적 임계치 (254) 보다 더 작은 경우, 전자 디바이스 (102) 는 다음 비디오 프레임의 모든 윈도우들 및/또는 전체 검색 공간을 이용하여 다음 비디오 프레임 상에서 오브젝트 검출을 수행할 수도 있다 (610).도 7 을 참조하면, 상이한 윈도우 사이즈들 (766) 을 갖는 이미지 윈도우 (700) 의 특정 실시형태가 도시된다. 구체적으로, 도 7 은 10 개의 가능한 윈도우 사이즈들 (766a 내지 766j) 의 세트를 예시한다. 각각의 윈도우 사이즈 (766) 는 스케일 레벨 (예를 들어, 1 내지 10) 에 대응할 수도 있다. 본 명세서에서 직사각형으로서 도시되었지만, 검색되는 윈도우들은 임의의 형상, 예를 들어, 정사각형, 직사각형, 원형, 타원형, 사용자-정의된 것 등일 수도 있다. 더욱이, 임의의 개수의 윈도우 사이즈들 (766) 또는 스케일 레벨들, 예를 들어, 5, 15, 20, 30 등이 이용가능할 수도 있다.검색 범위는 특정 로케이션에 대해 이용된 윈도우 사이즈들의 서브세트에 의해 표시될 수도 있다, 예를 들어, 현재 비디오 프레임 (N) (224) 에서 검색되는 윈도우 사이즈들은 최근 프레임에서의 타깃 오브젝트와 연관된 윈도우 로케이션 및 윈도우 사이즈와 유사한 것들로 제한될 수도 있다. 예를 들어, 피드백 없이, 오브젝트 검출기 (208) 는 각각의 선택된 윈도우 로케이션에 대해 10 개의 윈도우 사이즈들 (766a 내지 766j) 모두를 검색할 수도 있다. 그러나, 오브젝트가 제 5 윈도우 사이즈 (766e) 를 갖는 윈도우를 이용하여 최근 (현재가 아님) 비디오 프레임에서 검출된 경우, 스캐너 스케일러 (236) 는 5 플러스 또는 마이너스 3, 즉, 윈도우 사이즈들 2 내지 8 의 현재 캡처된 프레임에 대한 윈도우 사이즈들만을 단지 선택할 수도 있다. 다시 말해, 제 1 윈도우 사이즈 (766a), 제 9 윈도우 사이즈 (766i) 및 제 10 윈도우 사이즈 (766j) 를 갖는 윈도우들은 최근 또는 이전 비디오 프레임 (N-1) (222) 으로부터의 피드백에 기초하여 검색되지 않을 수도 있다. 이것은 낮은 확률 검색을 더욱 없애고 오브젝트 검출의 효율을 증가시킬 수도 있다. 다시 말해, 최근 비디오 프레임으로부터의 피드백을 이용하면 수행된 연산들을 감소시키는 것을 도울 수도 있다. 대안적으로, 최근 비디오 프레임이 타깃 오브젝트를 검출하지 못한 경우 (즉, 최근 캡처된 프레임에 대한 검출 및 추적 신뢰도 값 (256) 이 검출 및 추적 임계치 (254) 보다 작은 경우), 오브젝트 검출기 (208) 는 사이즈 레벨들의 서브세트를 이용함으로써 검색 범위를 제한하지 않을 수도 있다.도 8 을 참조하면, 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (804) 의 특정 예시적 실시형태가 도시된다. 도 8 에 예시된 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (804) 은 도 2 에 예시된 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204) 과 유사한 모듈들을 포함하고 유사한 기능성을 수행할 수도 있다. 구체적으로, 도 8 에 예시된 오브젝트 검출기 (808), 모션 추적기 (806), 스캐너 로케이터 (830), 윈도우 로케이션 선택기 (832), 랜더마이저 (834), 스캐너 스케일러 (836), 분류기 (838), 퓨전 모듈 (860), 메모리 버퍼 (810), 캡처된 이전 비디오 프레임 (812), 윈도우 (842), 로케이션 (844), 사이즈 (846), 2진 판정 (848), 추적 임계치 (850), 검출 임계치 (852), 검출 및 추적 임계치 (854), 검출 신뢰도 값 (840), 추적 신뢰도 값 (828) 및 검출 및 추적 신뢰도 값 (856) 은 도 2 에 예시된 오브젝트 검출기 (208), 모션 추적기 (206), 스캐너 로케이터 (230), 윈도우 로케이션 선택기 (232), 랜더마이저 (234), 스캐너 스케일러 (236), 분류기 (238), 퓨전 모듈 (260), 메모리 버퍼 (210), 캡처된 이전 비디오 프레임 (212), 윈도우 (242), 로케이션 (244), 사이즈 (246), 2진 판정 (248), 추적 임계치 (250), 검출 임계치 (252), 검출 및 추적 임계치 (254), 검출 신뢰도 값 (240), 추적 신뢰도 값 (228) 및 검출 및 추적 신뢰도 값 (256) 에 대응하고 이들과 유사한 기능성을 가질 수도 있다.오브젝트 추적 및 검출 모듈 (804) 은 타깃 모션 및 추적 에러로 인한 지터링 영향 (jittering effect) 을 감소시키는데 이용되는 평활화 모듈 (smoothing module; 861) 을 포함할 수도 있다. 다시 말해, 평활화 모듈 (861) 은 추적 결과들을 평활화하여, 검색 윈도우가 로케이션 (x, y) (844) 과 사이즈 (폭, 높이) (846) 양쪽에서 보다 평활화된 궤적을 갖게 한다. 평활화 모듈 (861) 은 단순한 이동 평균 (moving average; MA) 필터들 또는 자기 회귀 (auto regression; AR) 필터들일 수 있다. 로케이션 (844) 및 사이즈 (846) 에 대한 평활화 정도는 상이할 수 있다. 칼만 (Kalman) 필터와 같은 예측 필터들이 또한 로케이션 (844) 평활화에 적합할 수도 있다. 그에 따라, 평활화 모듈 (861) 은 입력으로서 비평활화된 로케이션 (863) 및 비평활화된 사이즈 (865) 를 수신하고 평활화된 로케이션 (867) 및 평활화된 사이즈 (869) 를 출력할 수도 있다.도 9 를 참조하면, 평활화 모듈 (961) 의 특정 예시적 실시형태가 도시된다. 평활화 모듈 (961) 은 타깃 모션 및 추적 에러로 인한 지터링 영향을 감소시키는데 이용될 수도 있어서, 즉, 추적 결과들 (바운딩 박스) 이 로케이션(x, y) 과 사이즈(폭, 높이) 양쪽에서 보다 평활화된 궤적을 갖도록 한다. 하나의 구성에서, 로케이션 평활화 필터 (971) 및 사이즈 평활화 필터 (973) 는 입력으로서 비평활화된 로케이션 (963) 및 비평활화된 사이즈 (965) 를 수신하고 평활화된 로케이션 (967) 및 평활화된 사이즈 (969) 를 출력하기 위한 자기 회귀 (AR) 모델을 이용하여 구현된다.자기 회귀 (AR) 모델에서, X 는 평활화될 변수, 로케이션 또는 사이즈 중 어느 하나인 것으로 가정한다. 더욱이, X' 는 오브젝트 추적기에 의한 X 의 출력이라고 하자. 이 구성에서, 시간 t 에서 X 의 평활화 필터링, Xt 는 식 (1) 에 따라 설명될 수 있다:여기서 X't 는 시간 t 에서의 X 의 추적기 출력이고, Xt-1 은 시간 t-1 에서의 X 의 평활화된 결과이며, W (0003c#=W003c#=1) 는 평활화 효과를 제어하는 평활화 가중치이다. 예를 들어, X't 는 현재 비디오 프레임 (N) (224) 에 대해 선택된 윈도우 로케이션 또는 윈도우 사이즈일 수도 있고, Xt-1 은 이전 비디오 프레임 (N-1) (222) 에 대해 이용된 윈도우 로케이션 또는 윈도우 사이즈일 수도 있다.상이한 평활화 가중치 W 는 로케이션 평활화 필터 (971) 및 사이즈 평활화 필터 (973) 에 대해 이용될 수 있다. 예를 들어, 하나의 구현에서, Wlocation = 0.8 이고 Wsize= 0.4 이어서, 윈도우 로케이션에 대해서는 평활화 효과가 더 작지만 윈도우 사이즈에 대해서는 평활화 효과가 더 강하다. 평활화 가중치들의 이러한 선택은 더 적은 추적 딜레이와 더 적은 지터링 양쪽을 생성할 것이다.평활화 가중치의 선택은 또한 검출 및 추적 신뢰도 값 (856) 이 소정 임계치 (예를 들어, 검출 및 추적 임계치 (854)) 를 하회할 때 감소될 수도 있다. 이것은 잠재적인 추적 또는 검출 에러들이 높을 때 보다 강한 필터링을 유발할 수도 있다. 예를 들어, 낮은 추적 신뢰도 (예를 들어, 검출 및 추적 신뢰도 값 (856) 이 검출 및 추적 임계치 (854) 를 하회함) 에 응답하여, 로케이션 및 사이즈에 대한 평활화 가중치들은 Wlocation = 0.65 및 Wsize= 0.2 로 각각 설정될 수도 있다. 다시 말해, 가중치들 중 하나 또는 양쪽이 감소될 수도 있는데, 이는 윈도우 로케이션 및 사이즈 선택이 현재 비디오 프레임의 것들보다 이전 비디오 프레임들의 윈도우 로케이션들 및 사이즈들에 더 많이 의지하게 할 수도 있다.가중시키는 것은 검출 및 추적 신뢰도 값 (856) 보다는 오히려 추적 신뢰도 값 (828) 또는 검출 신뢰도 값 (840) 에 기초할 수도 있다. 예를 들어, 평활화 가중치들 Wlocation 및 Wsize 는 추적 신뢰도 값 (828) 이 추적 임계치 (850) 를 하회하는 것에 응답하여 감소될 수도 있다, 즉, 열악한 모션 추적에 응답하여 보다 강한 필터링이 이용될 수도 있다. 대안적으로, 평활화 가중치들은 검출 신뢰도 값 (840) 이 검출 임계치 (852) 를 하회하는 것에 응답하여 감소될 수도 있다, 즉, 열악한 오브젝트 검출에 응답하여 보다 강한 필터링이 이용될 수도 있다.다른 구성에서, 칼만 필터링이 이용되어 윈도우 로케이션을 평활화할 수도 있다. 이러한 구성에서, 필터링은 식 (2) 내지 식 (7) 에 따라 정의될 수도 있다:여기서 xk-1 은 시간 k-1 에서의 이전 상태이고, xk 는 xk = [x, y, , ] 에 의해 정의된 현재 상태이며, 여기서 (x,y) 는 바운딩 박스 중심 로케이션이고, (, ) 는 각각의 방향에서의 속도이다. 더욱이, 상태 천이 모델 Fk 및 관측 모델 H 는 식 (4) 및 식 (5) 에 의해 각각 정의될 수도 있다:여기서 Δt 는 튜닝가능 파라미터이다. 부가적으로, wk 는 식 (6) 에 따라 공분산 Q 에 의한 제로 평균 다변수 정규 분포로부터 드로잉되는 것으로 가정되는 프로세스 노이즈이다 (즉, wk ~ N(0, Q)):여기서 σ1 은 튜닝가능 파라미터이다. 이와 유사하게, vk 는 식 (7) 에 따라 공분산 R 에 의한 제로 평균 가우스 화이트 노이즈인 것으로 가정되는 관측 노이즈이다 (즉, vk ~ N(0, R)):여기서 σ2 은 튜닝가능 파라미터이다.도 10 을 참조하면, 모션 추적 결과들에서의 지터를 평활화하기 위한 방법 (1000) 의 특정 예시적 실시형태의 플로우차트가 도시된다. 방법 (1000) 은 전자 디바이스 (102), 예를 들어, 전자 디바이스 (102) 에서의 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (804) 에 의해 수행될 수도 있다. 전자 디바이스 (102) 는 현재 비디오 프레임 (224) 과 연관된 하나 이상의 윈도우 로케이션들 및 하나 이상의 윈도우 사이즈들, 예를 들어, 비평활화된 로케이션 (863) 및 비평활화된 사이즈 (865) 를 결정할 수도 있다 (1002). 전자 디바이스 (102) 는 또한 하나 이상의 윈도우 로케이션들 및 하나 이상의 윈도우 사이즈들을 필터링하여 하나 이상의 평활화된 윈도우 로케이션들 (867) 및 하나 이상의 평활화된 윈도우 사이즈들 (869) 을 생성할 수도 있다 (1004). 예를 들어, 이것은 이동 평균 필터, 자기 회귀 필터 또는 칼만 필터를 이용하는 것을 포함할 수도 있다. 하나의 구성에서, 낮은 추적 신뢰도 (예를 들어, 검출 및 추적 신뢰도 값 (856) 이 검출 및 추적 임계치 (854) 를 하회함) 에 응답하여, 로케이션 및 사이즈에 대한 평활화 가중치들이 감소될 수도 있다. 대안적으로, 평활화 가중치들은 검출 신뢰도 값 (840) 또는 추적 신뢰도 값 (828) 에 기초하여 감소될 수도 있다. 전자 디바이스는 또한 하나 이상의 평활화된 윈도우 로케이션들 (867) 및 하나 이상의 평활화된 사이즈들 (869) 에 의해 정의된 하나 이상의 윈도우들을 이용하여 현재 비디오 프레임 (224) 내에서 타깃 오브젝트를 검출할 수도 있다 (1006).장면이 이미징된다는 맥락에서, 용어 "오브젝트" 는 장면 내의 물리적 오브젝트를 지칭한다. 비디오 스트림의 맥락에서, 용어 "오브젝트" 는 오브젝트의, 비디오 스트림 내의, 표현 (예를 들어, 비디오 스트림의 프레임들에서의 오브젝트의 이미지들) 을 지칭한다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이 용어 "모바일 디바이스" 는 다음의 폼 팩터들 중 임의의 것에 있어서의 디바이스들을 포함한다: 홀더블들 (holdables) (예를 들어, 스마트폰들), 드라이버블들 (drivables) (예를 들어, 운반체들 또는 로봇들), 웨어러블들 (wearables) (예를 들어, 의류 또는 액세서리들), 및 플라이어블들 (flyables) (예를 들어, 드론들). 모바일 디바이스는 하나 이상의 스크린들 (예를 들어, 터치스크린) 및/또는 하나 이상의 이미지-캡처링 디바이스들 (예를 들어, 카메라) 을 포함할 수도 있다.디지털 이미지 (예를 들어, 비디오 스트림의 프레임) 는 하나 이상의 오브젝트들을 포함할 수도 있는 장면을 나타낸다. 통상 오브젝트들은 물리적 및 유형의 오브젝트들 (예를 들어, 사람들) 이다. 도 12 에서, 예를 들어, 장면에서의 오브젝트들은 3 명의 사람들, 별, 및 나무를 포함한다.하나 이상의 디지털 이미지들 (예를 들어, 비디오 스트림의 프레임들) 로부터, 하나 이상의 이미지들 내에서 시간의 경과에 따른 선택된 오브젝트들의 로케이션들을 표현하는 정보를 갖는 연관된 스트림 또는 파일을 생성하는 것이 바람직할 수도 있다. 하나의 예에서, 이러한 정보는 관심 포인트의 절대적 로케이션 (예를 들어, 선택된 오브젝트들의 질량 중심) 을 포함하는데, 이는 시간의 경과에 따라 변화할 수도 있다. 다른 예에서, 이러한 정보는 관심 포인트의 로케이션에 대한 선택된 오브젝트의 로케이션들 (예를 들어, 선택된 오브젝트들의 질량 중심) 을 포함하는데, 이는 시간의 경과에 따라 변화할 수도 있다. 관심 포인트의 로케이션 (예를 들어, 선택된 오브젝트의, 또는 다수의 오브젝트들의 질량 중심의 로케이션) 은 메타데이터 (예를 들어, 하나 이상의 각각의 로케이션 코드북들로의, 하나 이상의 인덱스들, 이를 테면 코드워드들) 로서 인코딩될 수도 있다.도 11a 는 태스크들 (T100 및 T300) 을 포함하는 제 1 구성에 따라 메타데이터를 발생시키는 방법 (M100) 의 플로우차트를 도시한다. 태스크 T100 은 복수의 오브젝트들을 선택하기 위해 적어도 하나의 디지털 이미지를 이용하며, 여기서 비디오 스트림은 오브젝트들을 물리적 공간에 관하여 나타낸다. 로케이션 공간에서의 선택된 오브젝트의 포지션들을 나타내는 정보에 기초하여, 태스크 T300 은 선택된 오브젝트들의 복수의 후보 기하학적 배열들 중에서 하나의 후보 기하학적 배열을 식별하는 메타데이터를 생성한다. 태스크들 (T100 및 T300) 은 예를 들어, 도 1 의 전자 디바이스 (102), 도 2b 의 프로세서 (264) 에 의해 구현되는 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204), 프로세서에 의해 구현되는 도 8 의 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (804), 프로세서에 의해 구현되는 도 9 의 평활화 모듈 (961), 또는 이들의 임의의 조합에 의해 수행될 수도 있다.태스크 T100 은 복수의 오브젝트들을 선택하기 위해 적어도 하나의 디지털 이미지를 이용하며, 여기서 적어도 하나의 디지털 이미지는 오브젝트들을 물리적 공간에 관하여 나타낸다. 선택은 사용자에 의한 직접적인 액션에 응답하여 수행될 수도 있다. 이러한 경우, 스크린은 사용자에게 적어도 하나의 디지털 이미지를 디스플레이하는데 이용될 수도 있고, 사용자는 디스플레이에서 보이는 오브젝트들 중에서 특정의 원하는 오브젝트들을 선택하기 위한 표시를 입력할 수도 있다. 도 11b 는 적어도 하나의 디지털 이미지를 디스플레이하는 태스크 T50 을 포함하는 방법 (M100) 의 구현 (M110) 의 플로우차트를 도시한다. 디스플레이가 터치스크린 상에서 수행되는 경우, 사용자는 원하는 오브젝트 내에서 포인트를 선택하기 위해 스크린을 터치하는 것에 의해 선택을 나타낼 수도 있다.적어도 하나의 디지털 이미지는 비디오 스트림의 하나 이상의 프레임들일 수도 있다. 비디오 스트림은 프레임들의 시리즈를 설명하고, 여기서 각각의 프레임은 픽셀 좌표 공간에서의 이미지를 표현한다. 비디오 스트림은 통상 스트림으로부터 프레임들을 복구하는데 이용될 수도 있는 다른 정보 (예를 들어, 각각의 프레임에 대한 대응하는 프레임 시작 코드 또는 패킷 및 프레임 종단 코드 또는 패킷) 를 포함한다. 비디오 스트림은 또한, 특정 프레임과 연관될 수도 있는 임베딩된 데이터 (예를 들어, 메타데이터) 를 포함할 수도 있다. 비디오 스트림은 (가시 및/또는 다른 파장들에 민감할 수도 있는) 카메라 또는 다른 이미징 디바이스에 의해 생성되거나, 다른 디바이스로부터 스트리밍되거나, 또는 (예를 들어, 자기 또는 광학 매체 상에 저장된 정보로부터) 디코더에 의해 생성될 수도 있고, 압축된 또는 비압축된 형태로 있을 수도 있다. 비디오 스트림은 구조화된 광 이미저 또는 다른 심도 카메라 (예를 들어, 마이크로소프트 키넥트 (Microsoft Kinect)) 에 의해 캡처된 이미지들에 기초하여 비디오 스트림과 같은 심도 정보를 포함할 수도 있다. 이러한 비디오 스트림은, 예를 들어, 각각의 픽셀의 심도 값을 대응하는 컬러에 맵핑시키는 것에 의해 터치스크린 상에 디스플레이될 수도 있다. 비디오 스트림은 라이브 (live) 이거나, 딜레이되거나, 또는 (예를 들어, 미리 레코딩된) 스토리지로부터 취출될 수도 있다.비디오 스트림은 디지털 이미지들 ("프레임들") 의 시간 시퀀스이다. 하나의 예에서, 이미지들의 시퀀스는 특정 프레임 레이트에서 (예를 들어, 동일한 프레임 레이트에서의 제시를 위해) 캡처된다. 비디오 스트림은 각각의 프레임의 시작과 종단을 나타내는 정보를 포함할 수도 있다. 하나의 예에서, 비디오 스트림은 각각의 프레임의 제 1 픽셀 전의 프레임 시작 코드 및 각각의 프레임의 마지막 픽셀 후의 프레임 종단 코드를 포함한다. 다른 예에서, 비디오 스트림은 비디오 스트림의 프레임들의 픽셀 정보를 반송하는 하나 이상의 데이터 신호들, 및 비디오 스트림의 각각의 프레임의 시작과 종단을 나타내는 하나 이상의 동기화 신호들을 포함한다. 1 차 비디오 스트림의 특정 포맷에 따라, 1 차 비디오 스트림은 부가적인 정보 (예를 들어, 헤더들, 메타데이터) 를 포함할 수도 있다. 1 차 비디오 스트림이 프레임 시작과 종단 코드들 사이에 프레임 데이터 이외의 데이터 (즉, 픽셀 값들) 를 포함하는 것도 또한 가능하다. 이러한 다른 데이터는, 예를 들어, 센서 구성 상세들 및/또는 이미지 통계 값들을 포함할 수도 있다.비디오 스트림의 파싱은 (예를 들어, 프레임 시작과 종단 정보를 이용하여) 비디오 스트림의 프레임들을 추출하는 것 및 프로세싱을 위해 이들을 이용가능하게 만드는 것을 포함한다. 예를 들어, 파싱은 각각의 프레임을, 버퍼와 같은, 대응하는 특정된 로케이션에 저장하는 것을 포함할 수도 있다. 도 11c 는 적어도 하나의 디지털 이미지를 생성하기 위해 비디오 스트림을 파싱하는 태스크 T30 을 포함하는 방법 (M100) 의 구현 (M120) 의 플로우차트를 도시한다. 대안적으로, 비디오 스트림의 하나 이상의 프레임들이 임의의 시간에 (예를 들어, 메모리에서의 버퍼에서) 방법 (M100) 에 이용가능하게 되도록, 다른 프로세스가 (예를 들어, 디스플레이를 위해) 비디오 스트림을 파싱하도록 실행할 수도 있다. 도 11d 는 방법들 (M110 및 M120) 의 구현 (M130) 의 플로우차트를 도시한다.이러한 버퍼 (예를 들어, 메모리 버퍼 (110)) 는 통상적으로 한 번에 적어도 하나의 풀 (full) 프레임을 저장하는 것이 가능하다. 1 차 비디오 스트림의 파싱은 다수의 프레임 버퍼들 간에서 교호하도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 하나의 이러한 프레임 버퍼는 프로세싱을 위해 풀 프레임을 저장할 수도 있는 한편, 시퀀스에서 후속하는 프레임은 추출되어 다른 프레임 버퍼에 저장된다. 대안적으로, 태스크 T30 또는 파싱 프로세스는 파싱된 프레임들을 원형 버퍼에 저장하도록 구성될 수도 있어서, 새로운 프레임들이 추출됨에 따라 버퍼가 업데이트된다 (그리고 구 (old) 프레임들이 오버라이팅된다).1 차 비디오 스트림의 파싱은 1 차 비디오 스트림을 하나 이상의 연관된 오디오 스트림들 및/또는 메타데이터 스트림들과 분리시키기 위한 디멀티플렉싱 동작을 포함할 수도 있다. 대안적으로, 이러한 동작은 파싱 프로세스 또는 태스크 T30 의 상류에서 수행될 수도 있다 (예를 들어, 1 차 비디오 스트림은 디멀티플렉서에 의해 제공될 수도 있다).도 12 는 3 개의 오브젝트들을 선택하기 위한 사용자 액션들의 시퀀스의 예를 도시한다. 패널 A 는 디바이스의 터치스크린 상에서 디스플레이된 장면을 도시한다. 디바이스는 선택 모드를 개시하기 위해 사용자에 의해 조작될 수도 있다. 예를 들어, 터치스크린은 사용자가 적절한 아이콘을 터치할 때 선택 모드에 진입하도록 구성될 수도 있다. 패널 A 는 프레임의 상부 우측 코너에서의 선택 툴 아이콘의 예를 도시한다. 패널 B 에서, 사용자는 선택 모드를 개시하기 위해 선택 툴 아이콘을 터치한다. 패널 C 에서, 툴 아이콘은 터치 액션에 응답하여 하이라이팅되어 디바이스가 선택 모드에 있음을 나타내고, 사용자는 제 1 오브젝트를 터치하여 그것을 선택한다. 패널 D 에서, 제 1 오브젝트는 터치 액션에 응답하여 하이라이팅되어 (예를 들어, 도시된 바와 같이 실루엣팅되거나 (silhouetted), 또는 아웃라이닝되어 (outlined)) 오브젝트가 선택됨을 나타내고, 사용자는 제 2 오브젝트를 터치하여 그것을 선택한다. 패널 E 에서, 제 2 오브젝트는 터치 액션에 응답하여 하이라이팅되어 오브젝트가 선택됨을 나타내고, 사용자는 제 3 오브젝트를 터치하여 그것을 선택한다. 패널 F 에서, 제 3 오브젝트는 터치 액션에 응답하여 하이라이팅되어 오브젝트가 선택됨을 나타내고, 사용자는 선택 툴 아이콘을 다시 터치하여 선택 모드를 종료한다. 디바이스는 사용자가 선택 모드에서 선택된 오브젝트를 다시 터치하는 경우 그 선택된 오브젝트를 선택해제하도록 구성될 수도 있다.도 13 은 3 개의 오브젝트들을 선택하기 위한 사용자 액션들의 시퀀스의 다른 예를 도시한다. 이 경우, 디바이스는 도 12 에 도시된 것과는 상이하게 선택 모드에서 동작한다. 패널 A 에서, 사용자는 선택 모드를 개시하기 위해 선택 툴 아이콘을 터치한다. 패널 B 에서, 툴 아이콘은 터치 액션에 응답하여 하이라이팅되어 디바이스가 선택 모드에 있음을 나타내고, 사용자는 제 1 오브젝트를 터치하여 그것을 선택한다. 패널 C 에서, 제 1 오브젝트는 터치 액션에 응답하여 하이라이팅되어 오브젝트가 선택됨을 나타내고, 그 선택에 응답하여, 선택 모드가 종료되고 하이라이팅이 툴 아이콘으로부터 제거된다. 사용자가 선택 툴 아이콘을 다시 터치하여 선택 모드를 개시하고, 패널 D 에서, 툴 아이콘은 터치 액션에 응답하여 하이라이팅되어 디바이스가 선택 모드에 있음을 나타내고, 사용자는 제 2 오브젝트를 터치하여 그것을 선택한다. 패널 E 에서, 제 2 오브젝트는 터치 액션에 응답하여 하이라이팅되어 오브젝트가 선택됨을 나타내고, 그 선택에 응답하여, 선택 모드가 종료되고 하이라이팅이 툴 아이콘으로부터 제거된다. 사용자가 선택 툴 아이콘을 다시 터치하여 선택 모드를 개시하고, 패널 F 에서, 툴 아이콘은 터치 액션에 응답하여 하이라이팅되어 디바이스가 선택 모드에 있음을 나타내고, 사용자는 제 3 오브젝트를 터치하여 그것을 선택한다.다른 예에서, 터치스크린은 2-액션 선택에 응답하여 선택 모드에 진입하도록 구성될 수도 있다: 제 1 액션은 메뉴 모드를 선택하고 (예를 들어, 사용자는 스크린의 지정된 영역을 터치하여 메뉴를 디스플레이함) 제 2 액션은 메뉴로부터 선택 모드를 선택한다. 추가 예에서, 터치스크린은 선택 툴 아이콘을 터치 및 홀딩하고, 아이콘을 스크린 상의 원하는 포인트로 드래그하고, 그 후에 아이콘을 릴리스하여 포인트를 선택하는 것에 의해 사용자가 오브젝트를 선택하도록 구성될 수도 있다. 대안적으로, 사용자는 원하는 오브젝트의 적어도 일 부분을 포함하는 이미지의 영역 (예를 들어, 바운딩 박스 또는 타원 또는 라쏘 (lasso)) 을 선택하는 것에 의해 선택을 나타내도록 터치스크린을 조작할 수도 있다. 이러한 경우, 사용자는 원하는 오브젝트들을 개별적으로 및/또는 그룹으로서 선택할 수도 있다.사용자로 하여금 선택 모드 동안 디스플레이되는 시야를 조작하게 하는 (예를 들어, 핀치 (pinch) 액션을 수행하여 시야를 넓히고, 줌 액션을 수행하여 시야를 좁히는) 것이 바람직할 수도 있다. 터치스크린의 조작 외에도, 직접적인 사용자 선택을 위한 다른 가능한 양상들은 하나 이상의 버튼들 또는 다른 스위치들을 작동시키는 것 및/또는 제스처 인식을 포함한다. 이러한 사용자에 의한 직접적인 액션에 대한 대안으로서, 태스크 T100 은 적어도 하나의 디지털 이미지 (예를 들어, 비디오 스트림의 하나 이상의 프레임들) 로부터의 정보에 하나 이상의 미리 결정된 기준들을 적용하는 것에 의해 선택을 자동적으로 수행할 수도 있다. 이러한 기준들은, 예를 들어, 선수의 등 번호 (jersey number) 의 인식, 얼굴 인식, 및/또는 (예를 들어, 체육 행사에서 공과 같은, 빨리 이동하는 오브젝트를 식별하기 위한) 속도 검출을 포함할 수도 있다.방법 (M100) 은, 오브젝트를, 태스크 T100 에서의 그의 선택에 응답하여 추적하도록 구현될 수도 있다. 예를 들어, 이하 설명되는 포지션-결정 태스크 T200 은 (예를 들어, 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204) 및/또는 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (804) 에 대하여 상술한 바와 같이) 비디오 스트림 내에서 하나 이상의 선택된 오브젝트들을 또한 추적하도록 구현될 수도 있다. 대안적으로, 오브젝트 추적은 태스크 T100 에 앞서 시작될 수도 있다. 이러한 경우, 태스크 T100 은 추적된 오브젝트들의 세트 중에서의 선택을 위해 구현될 수도 있다. 예를 들어, 사용자는 추적된 오브젝트들의 디스플레이 중에서 선택할 수도 있다. (예를 들어, 태스크 T200 에 의한) 이러한 오브젝트 추적을 위해 이용될 수도 있는 알고리즘들의 예들로는 루카스-카나데 방법 (그리고 카나데-루카스-토마시 (Kanade-Lucas-Tomasi) 추적기와 같은 변형들) 및 평균-시프트 (mean-shift) 추적을 포함한다. 오브젝트의 추적은 1 차 비디오 스트림의 프레임의 잔여분 (rest) 으로부터 오브젝트를 세그먼트화하는 것을 포함할 수도 있지만, 오브젝트 추적은 또한 이러한 세그먼트화의 부존재시에 수행될 수도 있다.디지털 이미지 (예를 들어, 비디오 스트림의 프레임) 의 잔여분으로부터의 오브젝트의 세그먼트화는 프레임의 잔여분에 대한 오브젝트의 향상된 디스플레이 (예를 들어, 실루엣팅 또는 아웃라이닝) 를 지원하기 위해 이용될 수도 있다. 태스크 T100 에서의 오브젝트의 선택에 응답하여 (예를 들어, 디스플레이 태스크 T50 에 의해) 세그먼트화가 수행될 수도 있다. 이러한 세그먼트화는 오브젝트의 선택을 확인함으로써 사용자에게 시각적 피드백을 제공하기 위해 이용될 수도 있다. 세그먼트화는 또한 선택이 시작되기 전에 수행될 수도 있다. 이러한 경우, 태스크 T100 에서의 선택은 이미 세그먼트화된 오브젝트들의 세트 (예를 들어, 세그먼트화된 오브젝트들이 향상된 디스플레이) 중에서 행해질 수도 있다.도 14 의 좌측 패널들은 오브젝트들을 포함하는 장면들을 나타내는 비디오 스트림들로부터의 프레임들의 2 개의 예들을 도시한다. 오브젝트의 향상된 디스플레이는 태스크 T100 에서의 선택 전에 또는 이러한 선택에 응답하여 (예를 들어, 디스플레이 태스크 T50 에 의해) 수행될 수도 있다. 향상된 디스플레이의 하나의 예는, 배경과 대비되는 컬러 (예를 들어, 도 14 의 중심 패널들에 도시된 바와 같이, 블랙 또는 옐로우) 로 디스플레이될 수도 있는, 오브젝트의 실루엣이다. 이 대비되는 컬러는 모든 오브젝트들에 대해 동일할 수도 있고 또는 (예를 들어, 각각의 오브젝트의 로컬 배경과 대비되기 위해) 오브젝트들 간에 상이할 수도 있다. (대비되는 컬러로 마찬가지로 행해질 수도 있는) 향상된 디스플레이의 다른 예들로는 오브젝트의 아웃라이닝 그리고 오브젝트에, 그 내부에, 또는 그 주위에 그래픽 엘리먼트 (예를 들어, 오브젝트의 정점 또는 중심에서의 삼각형, 도 14 의 우측 패널들에 도시된 오브젝트 주위의 타원 등) 를 디스플레이하는 것을 포함한다.사용자에 의한 오브젝트들의 직접적인 선택을 위한 맥락으로서 비디오 스트림의 디스플레이를 이용하는 것은 느리게 이동하는 오브젝트들에 대해 적절할 수도 있다. 그러나, 원하는 오브젝트들 중 임의의 오브젝트가 디스플레이 내에서 빨리 이동하고 있는 경우, 이러한 배열은 사용자에게 불만스러울 수도 있다. 이러한 빠른 이동의 경우들에서는, 사용자에 의한 오브젝트들의 직접적인 선택을 위한 맥락으로서 비디오 스트림의 단일 프레임을 그 대신에 디스플레이하는 것이 바람직할 수도 있다. 상술된 바와 같이, 프레임에서의 오브젝트들이 세그먼트화되고 향상되는 디스플레이로부터 선택이 행해질 수도 있다. 스트림-디스플레이 선택과 프레임-디스플레이 선택 양쪽이 지원되는 경우, 이들 디스플레이 모드들 중에서의 선택이 사용자에 의해 및/또는 자동적으로 수행될 수도 있다. 자동적인 선택의 경우, 예를 들어, 광학 플로우, 모션 벡터들, 프레임들 간의 픽셀 차이들 등과 같은 척도를 이용하여 스트림에서의 모션의 정도가 정량화될 수도 있다. 이러한 경우, 프레임-디스플레이 모드는 척도의 값이 임계치를 상회할 때 선택될 수도 있고, 스트림-디스플레이 모드는 척도의 값이 임계치를 하회할 때 선택될 수도 있다.로케이션 공간에서의 선택된 오브젝트들의 포지션들을 나타내는 정보에 기초하여, 태스크 T300 은 선택된 오브젝트들의 복수의 후보 기하학적 배열들 중에서 하나의 후보 기하학적 배열을 식별하는 메타데이터를 생성한다. 로케이션 공간은 디지털 이미지 (예를 들어, 비디오 스트림의 프레임) 의 (x,y) 데카르트 좌표 공간과 같은, (예를 들어, 비디오 스트림의) 적어도 하나의 디지털 이미지의 픽셀 좌표 공간일 수도 있다. 디지털 이미지 (예를 들어, 비디오 프레임) 의 픽셀 좌표 공간의 원점은 통상 이미지의 상부 좌측 또는 하부 좌측 코너로서 지정된다. 선택된 오브젝트의 포지션은 예를 들어, 사용자가 스크린을 터치하여 오브젝트를 선택한 로케이션일 수도 있다. 대안적으로, 선택된 오브젝트들의 포지션들은 본 명세서에서 설명한 바와 같이 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204 또는 804) 과 같은 오브젝트 추적기에 의해 제공될 수도 있다.기하학적 배열은 선택된 오브젝트들의 공간에서의 배열이다. 예를 들어, 기하학적 배열은 (예를 들어, 다각형의 정점들로서) 선택된 오브젝트들의 포지션들에 의해 설명되는 형상일 수도 있다. 태스크 T300 은 오브젝트 포지션들에 하나 이상의 메트릭들을 적용하는 것에 의해 후보 기하학적 배열들 중 적절한 하나의 후보 기하학적 배열을 식별하도록 구현될 수도 있다. 이러한 경우에, 태스크 T300 은 메트릭 값들에 따라 후보를 선택하기 위해 판정 트리를 이용할 수도 있다. 하나의 예에서, (예를 들어, 이미 분류된) 기하학적 배열들의 훈련 세트는 판정 트리를 발생시키기 위해 이용된다. 생성된 메타데이터는 또한 다음 중에서 임의의 것과 같은 부가적인 정보를 포함할 수도 있다: 후보에 적용될 스케일 팩터 및/또는 애스펙트 팩터, 후보에 대한 배향 방향, 및 후보가 축 둘레로 플립핑될지 여부를 나타내는 미러 플래그.태스크 T300 은 복수의 후보 기하학적 배열들 중에서 어느 것이 선택된 오브젝트들의 포지션들에 의해 설명된 형상에 가장 유사한지를 결정하도록 구현될 수도 있다. 선택된 오브젝트들 모두가 고유한 경우, 태스크 T300 에 의해 이용될 수도 있는 유사성의 하나의 척도는 각각의 선택된 오브젝트에 대한, 오브젝트의 관측된 포지션과 (예를 들어, 배향 및 스케일링을 보상한 후) 후보 기하학적 배열에서의 대응하는 포지션 사이의 거리들의 합이다. 도 35 는 태스크 T300 이 3 개의 포지션들 (A, B, C) 에 의해 설명된 형상을 "등거리", "근거리-근거리-원거리 (near-near-far)" 및 "근거리-원거리-원거리 (near-far-far)" 로 라벨링된 3 개의 후보 기하학적 배열들의 세트의 하나에 매칭시키도록 구현될 수도 있는 다른 예를 도시한다.이 예에서, 포인트들 (즉, AB, BC, 및 AC) 사이의 3 개의 거리들은 그들 중에서의 최소, 중간, 및 최대를 결정하기 위해 크기에 의해 계산 및 소팅된다. 최소 거리는 최대 거리의 2/3 인 값과 비교된다. 최소 거리가 더 크면, 태스크 T300 은 도 35 의 상부 좌측에 박스로 나타낸 바와 같이, 후보 "등거리" 를 선택한다. 최소 거리가 더 작으면, 중간 거리는 최소와 최대 거리들의 합의 절반인 값과 비교된다. 중간 거리가 더 크면, 태스크 T300 은 도 35 의 하부에 박스로 나타낸 바와 같이 후보 "근거리-원거리-원거리" 를 선택한다. 중간 거리가 더 작으면, 태스크 T300 은 도 35 의 상부 우측에 박스로 나타낸 바와 같이, 후보 "근거리-근거리-원거리" 를 선택한다.도 35 는 원한다면 인접한 후보들 중 어느 하나에 태스크 T300 에 의해 할당될 수도 있는, 판정 경계들에 있는 3 개의 경우들을 도시한다. 이 경우에, 적절한 후보를 식별하는 메타데이터는 3 개의 가능한 값들 중 하나를 갖는 파라미터일 수도 있으며, 이들 각각은 3 개의 후보 기하학적 배열들 중 대응하는 하나의 후보 기하학적 배열을 나타낸다. 메타데이터는 또한, (예를 들어, 회전으로서) 후보에 적용될 배향을 나타낼 수도 있다. 하나의 예에서, 배향은 최소 거리에 반대인 포인트를 통하여 기하학적 배열의 중심으로부터 라인의 방향으로서 나타내진다. 다른 예에서, 배향은 선택된 오브젝트들의 특정 오브젝트에 대응하는 포인트를 통하여 기하학적 배열의 중심으로부터 라인의 방향으로서 나타내진다.도 37a 는 로케이션 공간에서 선택된 오브젝트들의 포지션들을 나타내는 정보를 획득하는 태스크 T200 을 포함하는 방법 (M200) 의 구현 (M200) 의 플로우차트를 도시한다. 태스크 T200 은 태스크 T100 에서의 선택에 응답하여 실행하도록 구현될 수도 있다. 로케이션 공간은 디지털 이미지 (예를 들어, 비디오 스트림의 프레임) 의 (x,y) 데카르트 좌표 공간과 같은, (예를 들어, 비디오 스트림의) 적어도 하나의 디지털 이미지의 픽셀 좌표 공간일 수도 있다. 디지털 이미지 (예를 들어, 비디오 프레임) 의 픽셀 좌표 공간의 원점은 통상 이미지의 상부 좌측 또는 하부 좌측 코너로서 지정된다. 도 37b 내지 도 37d 는 태스크 T200 을 포함하는 방법들 (M110, M120, 및 M130) 각각의 구현들 (M210, M220, 및 M230) 의 플로우차트들을 도시한다.디스플레이의 픽셀 좌표 공간은 로케이션 공간과 동일할 수도 있고, 또는 로케이션 공간은 디스플레이의 픽셀 좌표 공간을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 디스플레이의 프레임은 (예를 들어, 시야를 좁히는 줌 액션에 응답하여) 비디오 스트림의 대응하는 프레임의 일 부분만을 포함할 수도 있다. 대안적으로, 디스플레이의 픽셀 좌표 공간은 로케이션 공간을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 비디오 스트림은 디스플레이의 프레임보다 더 작은 디스플레이의 윈도우에 디스플레이될 수도 있으며, 여기서 다른 콘텐츠가 디스플레이의 다른 윈도우에 디스플레이된다.태스크 T200 은 선택된 오브젝트의 포지션을 픽셀 좌표 공간에서의 선택된 오브젝트의 이미지의 포지션으로서 결정하도록 구현될 수도 있다. 예를 들어, 결정된 포지션은 오브젝트의 질량 중심일 수도 있다. 질량 중심은 일정한 밀도가 가정되면 중심과 동일하지만, 밀도의 차이들은 또한 예를 들어 컬러 및/또는 투명도의 차이들로 나타내질 수도 있다. 결정된 포지션의 다른 예들은 오브젝트의 상부 또는 하부 픽셀, 오브젝트의 질량 중심의 오브젝트이 상부 또는 하부에의 수직 프로젝션, 또는 오브젝트의 특정 피처의 포지션을 포함한다. 도 17a 는 대응하는 결정된 포지션 (DP10) 을 획득하기 위해 오브젝트의 하부 바운딩 라인으로 오브젝트의 질량 중심 (C10) 을 프로젝팅하는 예를 도시한다.대안적으로 또는 부가적으로, 태스크 T200 은 다수의 오브젝트들의 형성의 레퍼런스 포지션을 결정하도록 구현될 수도 있다. 예를 들어, 태스크 T200 은 선택된 오브젝트들의 형성의 포지션으로서 레퍼런스 포지션을 계산하도록 구현될 수도 있다. 이러한 경우에, 결정된 레퍼런스 포지션은 형성의 질량 중심 (여기서 상이한 오브젝트들은 동일하거나 상이한 밀도들을 갖는다), 오브젝트들 간의 상부 또는 하부 픽셀, 그 형성의 질량 중심의 그 형성의 상부 또는 하부에의 수직 프로젝션, 또는 오브젝트들 중 특정 하나의 오브젝트의 포지션일 수도 있다. 이러한 경우에, 태스크 T200 은 (예를 들어, 레퍼런스 포지션을 원점으로서 이용하기 위해) 레퍼런스 포지션에 대한 포지션들로서 선택된 오브젝트들의 포지션들을 결정할 수도 있다.선택된 오브젝트들은 그들이 공통된 오브젝트의 부분들이 아니도록 서로 물리적으로 분리될 수도 있다. 예를 들어, 오브젝트들 중 적어도 하나는 다른 오브젝트들에 독립적으로 이동하는 것이 가능할 수도 있다. 특정 예에서, 오브젝트들 중 하나 이상은 상이한 사람들, 동물들, 및/또는 운반체들이다.비디오 스트림 또는 디스플레이의 픽셀 좌표 공간은 2 차원 또는 3 차원일 수도 있다. 3 차원 디스플레이들의 예들은 스테레오스코픽 (예를 들어, 좌측/우측) 및 볼륨메트릭 (volumetric) 디스플레이들을 포함한다. 이러한 로케이션 공간에서의 오브젝트의 사용자 선택은 예를 들어, 글로브, 제스처 (예를 들어, 배향-감응 디바이스를 틸팅하는 것), 또는 압력-감응 터치스크린을 이용하여 3 개의 차원들에서 선택 포인트를 조작하는 것을 포함할 수도 있다.대안적으로, 로케이션 공간은 물리적 공간 (예를 들어, 장면 공간) 일 수도 있다. 하나의 이러한 예에서, 결정된 레퍼런스 포지션은 구조화된 광 이미저 또는 다른 심도 카메라 (예를 들어, 마이크로소프트 키넥트) 로부터의 비디오 스트림과 같은, 심도 정보를 포함하는 비디오 스트림을 이용하여 선택된 적어도 하나의 포인트에 기초한다. 이러한 비디오 스트림은 예를 들어, 각각의 픽셀의 심도 값을 대응하는 컬러에 맵핑시키는 것에 의해 터치스크린 상에 디스플레이될 수도 있다. 결정된 레퍼런스 포지션은 물리적 공간에서의 각각의 선택된 오브젝트의 이미지의 포지션에 기초할 수도 있고, 또는 상기 예 (예를 들어, 질량 중심) 에서처럼, 선택된 오브젝트들의 형성의 포지션일 수도 있다. 이러한 로케이션 공간에서의 오브젝트의 사용자 선택은 예를 들어, 글로브, 제스처 (예를 들어, 배향-감응 디바이스를 틸팅하는 것), 또는 압력-감응 터치스크린을 이용하여 3 개의 차원들에서 선택 포인트를 조작하는 것을 포함할 수도 있다.도 15a 내지 도 15c 는 디스플레이된 장면의 심도 차원에서 선택 포인트를 조작하기 위해 배향-감응 디바이스를 이용하는 예들을 도시한다. 이러한 배향-감응 디바이스는 예를 들어, 중력 축 (예를 들어, 지구의 중심과 디바이스를 통과한 축) 에 대한 디바이스의 배향을 나타내는 하나 이상의 배향 센서들을 갖는 모바일 디바이스일 수도 있다. 이러한 하나 이상의 배향 센서들은 예를 들어, 하나 이상의 관성 센서들 (예를 들어, 자이로스코프들 및/또는 가속도계들), 및/또는 하나 이상의 자계 센서들 (예를 들어, 자력계들) 을 포함할 수도 있다.도 15a 내지 도 15c 각각에서, 좌측 패널은 배향-감응 디바이스의 스크린 상의 동일한 디지털 이미지의 디스플레이를 나타내고, 우측 패널은 중력 축 (g) 에 대한 디바이스의 대응하는 배향 (디스플레이의 수직 라인을 통과하여 단면으로 도시됨, 이는 굵게 나타내짐) 을 나타낸다. 이들 도면들 각각에 디스플레이된 바와 같은 장면은 전경의 (즉, 캡처링 디바이스에 가장 가까운) 오브젝트, 중간 그라운드의 오브젝트, 및 배경의 (즉, 캡처링 디바이스로부터 가장 먼) 오브젝트를 포함한다. 이들 예들 각각에서, 틸트의 정도는 디스플레이의 좌측에 슬라이더로 나타내진다. 디바이스가 도 15a 에 도시한 바와 같이 그라운드에 수직일 때, 틸트의 정도는 낮고 전경 오브젝트가 (좌측 패널에 하이라이팅으로 나타낸 바와 같이) 선택된다. 디바이스가 도 15c 에 도시한 바와 같이 그라운드에 수평인 경우, 틸트의 정도는 높고 배경 오브젝트가 (좌측 패널에 하이라이팅으로 나타낸 바와 같이) 선택된다. 도 15b 에 도시한 바와 같이, 디바이스가 이들 배향들 사이에서 그라운드에 대해 45 도 각도로 있는 경우, 틸트의 정도는 중간에 있고, 중간 그라운드의 오브젝트가 (좌측 패널에 하이라이팅으로 나타낸 바와 같이) 선택된다.다른 예에서, 물리적 공간에서의 오브젝트의 포지션은 오브젝트 내 또는 상의 하나 이상의 포지션 센서들 (예를 들어, GPS 센서들) 로부터의 정보에 의해 나타내질 수도 있다. 예를 들어, 오브젝트는 하나 이상의 이러한 센서들을 포함할 수도 있고 (예를 들어, 공) 또는 하나 이상의 이러한 센서들을 착용하고 있을 수도 있다 (예를 들어, 사람 또는 동물). 디스플레이의 픽셀 좌표 공간에서의 사용자-선택된 포지션의 물리적 공간에서의 오브젝트의 센싱된 포지션에의 링킹은 오브젝트 피처들의 인식 (예를 들어, 컬러, 등 번호) 및/또는 터치스크린 디바이스에서의 포지션 및/또는 배향 센서들을 이용하여 수행될 수도 있다.부가적으로 또는 대안적으로, 물리적 공간에서의 오브젝트의 포지션은 픽셀 좌표 공간에서의 오브젝트의 이미지의 포지션으로부터 프로젝팅될 수도 있다. 디스플레이 평면에서의 오브젝트 이미지들의 포지션들 사이의 공간 관계는 물리적 공간에서의 대응하는 오브젝트들의 포지션들 사이의 공간 관계에 제대로 상관되지 않을 수도 있다. 이러한 불일치는 디스플레이 평면 (예를 들어, 비디오 스트림의 캡처 동안 초점 평면) 이 그라운드 평면에 수직인 경우 가장 높을 수도 있다.도 16 은 장면 공간에서의 실제 오브젝트들 간의 거리들과 비교하여 2-D 픽셀 좌표 공간에서의 오브젝트들의 이미지들 간의 거리들 사이의 불일치의 예를 도시한다. 상부 패널 A 는 디지털 이미지 (예를 들어, 비디오 스트림의 프레임) 를 도시하고, 하부 패널 A 는 나타낸 바와 같은 장면의 좌측에서의 3 명의 사람들의 중심들 사이의 거리들을 도시한다. 이들 거리들은 가장 왼쪽의 사람이 나머지 2 명의 사람들이 서로로부터 있는 것보다 그 나머지 2 명의 사람들 각각으로부터 더 멀리 있다는 것을 나타낸다. 상부 패널 B 는 동일한 장면을 바로 위에서 본 것으로서 도시하고, 하부 패널 B 는 중간 사람이 나머지 2 명이 서로로부터 있는 것보다 실제로는 그 나머지 2 명으로부터 훨씬 더 멀리 떨어져 있다는 것을 도시하여서, 하부 패널 A 에 나타낸 거리 관계가 장면 공간에서의 실제 거리 관계에 대하여 부정확하다.물리적 공간은 장면 공간에서의 그라운드 평면과 같은 2 차원 공간일 수도 있다. 하나의 이러한 예에서, 로케이션 공간은 장면 공간에서의 그라운드 평면이고, 픽셀 좌표 공간에서의 포인트는 그라운드 평면에서의 대응하는 포인트에 프로젝팅된다. 그라운드 평면은 예를 들어, 도 16 의 패널 C 에 도시한 바와 같은 농구 코트와 같은 육상 경기장일 수도 있다. 상이한 시야들을 갖고 및/또는 상이한 뷰포인트들로부터 캡처되는 동일하거나 유사한 공간에서의 유사한 이벤트들의 비디오 스트림들 간에 오브젝트 포지션들의 일관성을 지원하기 위해 이러한 로케이션 공간을 이용하는 것이 바람직할 수도 있다.디지털 이미지의 픽셀 좌표 공간에서의 포인트를 그라운드 평면에서의 대응하는 포인트에 연관시키는 것은 (예를 들어, 하나 이상의 센서들 및/또는 심도 카메라로부터의 데이터에 의해 나타낸 바와 같이) 장면 공간에서의 링크된 포인트를 그라운드 평면으로 하향으로 프로젝팅하는 것 (또는 적절하다면, 링크된 포인트를 그라운드 평면으로 상향으로 프로젝팅하는 것) 에 의해 수행될 수도 있다. 도 17b 는 링크된 포인트 (LP10) (이는 상기 논의한 바와 같이 오브젝트 상의 GPS 센서 및/또는 다른 포지션 센서에 의해 나타내질 수도 있다) 의 그라운드 평면에서의 결정된 포지션 (DP20) 에의 이러한 프로젝션의 예를 도시한다.대안적으로, 디지털 이미지의 픽셀 좌표 공간에서의 포인트를 그라운드 평면에서의 대응하는 포인트에 연관시키는 것은 (그라운드 평면에 직교하는 평면에서 캡처링 디바이스의 초점축을 통과하는 단면들을 도시하는) 도 18a 및 도 18b 에 도시한 바와 같이 픽셀 좌표 공간으로부터 그라운드 평면으로 포인트를 프로젝팅하는 것에 의해 수행될 수도 있다. 이러한 프로젝션은 그라운드 평면에 대한 캡처링 디바이스의 배향각 (a) 이 (예를 들어, 상술한 바와 같이 하나 이상의 배향 센서들로부터) 알려져 있다면 바로 수행될 수도 있다. 대안적으로, 배향각 (a) 은 비디오 프레임에서의 기점 정보, 이를 테면 그라운드 평면 기점들 (예를 들어, 육상 경기장의 경계 라인들), 수평선 (예를 들어, 광의 차이로 나타내짐), 오브젝트들을 바운딩하는 수평 피처들 (예를 들어, 공연 무대의 전방 및 후방을 나타내는 라인들), 또는 적어도 수평 피처를 바운딩하는 후방으로부터 추론될 수도 있다. 도 18b 에 도시한 바와 같이, 그라운드 평면에서의 거리들 (r 및 s) 사이의 비율은 배향각 (a) 에 의해, 초점 평면에서의 대응하는 거리들 (p 및 q) 사이의 비율에 관련된다. 시야각 (b) 이 알려져 있고, 초점 평면에서의 거리들 (p 및 q) 사이의 비율이 디스플레이 공간에 이미징된 바와 같이 (즉, 디스플레이의 픽셀 좌표 공간에서의 수직 라인을 따라, 서로에 대해 그 거리들이 보여지는 바와 같이) 대응하는 거리들과 동일한 것으로 가정될 수도 있다.하나의 이러한 예에서, 태스크 T200 은 (예를 들어, 상술한 바와 같이) 디스플레이 평면을 그라운드 평면에 맵핑시키기 위해 이미지 기점 정보 및/또는 캡처링 디바이스의 배향을 이용하도록 구현된다. 이 구현에서, 태스크 T200 은 (예를 들어, 도 17a 에 도시한 바와 같이) 디스플레이 평면에서의 하향의 오브젝트의 질량 중심을 오브젝트의 하부에 프로젝팅하는 것에 의해 디스플레이 평면에서 각각의 선택된 오브젝트의 포지션을 결정하고, 이 디스플레이 포지션을 그라운드 평면에서의 대응하는 포지션에 맵핑시키는 것에 의해 로케이션 공간에서 오브젝트 포지션을 결정한다. 이 경우에, 태스크 T200 은 상술된 예들 중 임의의 예에 따라, 결정된 레퍼런스 포지션을 그라운드 평면에서의 오브젝트 포지션들의 평균으로서, 또는 그라운드 평면에서의 오브젝트 포지션들의 형성의 포지션으로서 계산하도록 구현될 수도 있다.태스크 T300 은 메타데이터를 적어도 하나의 디지털 이미지와 (예를 들어, 비디오 스트림과) 연관시키도록 구현될 수도 있다. 이러한 메타데이터는 또한, 선택된 오브젝트들의 라벨들 (예를 들어, 사람의 이름), 선택된 오브젝트들 간의 기하학적 배열의 식별물 (identification) 등과 같이, 추적된 오브젝트들에 관한 다른 정보를 포함할 수도 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 메타데이터는 디바이스의 다른 엘리먼트들로부터 및/또는 수신한 바와 같이 적어도 하나의 이미지 또는 비디오 스트림에서의 메타데이터로부터 획득될 수도 있는 정보 (예를 들어, 카메라 설정들, 카메라 배향, 센서 특성들, 캡처의 로케이션 및/또는 시간) 를 포함할 수도 있다.태스크 T300 의 이러한 구현은 XML (eXtensible Markup Language), KLV (Key-Length-Value), .srt (SubRip file format), 및 .vtt (Web Video Text Track format) 중에서 임의의 것과 같은 원하는 포맷으로 메타데이터를 인코딩할 수도 있다. 일부 포맷들에서, 메타데이터의 적어도 일부가 디지털 이미지 또는 비디오 스트림 내에 (예를 들어, 임베딩된 데이터에 대해 예비되는 프레임 데이터의 일 부분 내에) 포함될 수도 있다. 대안적으로, 태스크 T300 은 비디오 스트림과 동기화되는 메타데이터 스트림으로서 또는 별개의 파일로서 메타데이터를 패키징하도록 구현될 수도 있다.비디오 스트림 상에 태스크 T300 의 반복된 인스턴스들 (예를 들어, 태스크들 (T200 및 T300) 의 반복된 인스턴스들) 을 포함하기 위해 방법 (M100) 을 구현하는 것이 바람직할 수도 있다: 예를 들어, 비디오 스트림의 각각의 프레임에 대해, 또는 각각의 제 n 프레임에 대해 (여기서 n 은 1 보다 더 큰 정수이다), 또는 특정된 이벤트 (예를 들어, 선택된 오브젝트가 이동했다는 추적 태스크에 의한 검출) 시. 이러한 경우에, 메타데이터 파일 또는 스트림 내의 메타데이터의 아이템들은 이러한 아이템과 비디오 스트림의 대응하는 프레임 사이의 원하는 연관성을 나타내기 위해 타임스탬핑될 (timestamped) 수도 있다. 이러한 경우에, 태스크 T300 은 또한, 비디오 및 메타데이터 스트림들 (가능하게는 하나 이상의 오디오 스트림들을 물론 가짐) 을 멀티플렉싱하는 것을 포함할 수도 있다.메타데이터를 포함하는 스트림이 송신 및/또는 저장될 경우에, 다른 정보 및/또는 포맷팅은 특정 스트림 포맷을 준수하도록 수행될 수도 있다 (예를 들어, 메타데이터 및/또는 스트림은 헤더-플러스-페이로드 (header-plus-payload) 포맷으로 패킷화될 수도 있다). 태스크 T300 은 메타데이터를 포함하는 스트림을 컴프레서 또는 다른 인코더에 제공하도록 구현될 수도 있는데, 이 다른 인코더는 스트림을 인코딩하도록 구성될 수도 있다. 이러한 스트림을 저장하는데 이용될 수도 있는 저장 파일 포맷들의 예들로는 다음의 비디오 컨테이너 포맷들 중 임의의 것을 포함한다: AVI, WMV, MOV, MKV, MPG, 및 MP4.일부 애플리케이션들에서, 선택된 오브젝트들의 기하학적 배열은 로케이션 공간에서의 다수의 선택된 오브젝트들의 분포일 수도 있다 (예를 들어, 공공 장소에서의 많은 사람들 무리, 많은 그룹의 동물들, 많은 그룹의 에어본 또는 워터본 운반체들 또는 다른 오브젝트들). 태스크 T300 은 각 개개의 오브젝트에 대한 포지션을 나타내는 메타데이터를 생성할 필요가 없을 수도 있고, 정확한 총 개수의 선택된 오브젝트들이 또한 불필요할 수도 있다.이러한 경우에, 태스크 T300 은 복수의 후보 기하학적 배열들 중에서 어느 것이 로케이션 공간에서의 선택된 오브젝트들의 분포에 가장 유사한지를 결정하도록 구현될 수도 있다. 예를 들어, (예를 들어, 군중에서의 화자의 포지션과 같은) 레퍼런스 포지션에 대한 선택된 오브젝트들의 주어진 (예를 들어, 관측된) 분포에 가장 밀접하게 근사하는 후보를 결정하기 위해 태스크 T300 을 구현하는 것이 바람직할 수도 있다.도 36 은 태스크 T300 이 도면의 우측에 10 개의 후보들의 각각의 중심에 점으로 나타내는, 레퍼런스 포지션 (예를 들어, 관심 오브젝트 또는 "1 차" 오브젝트의 포지션) 에 대하여 배열되는 다수의 오브젝트들의 분포를 매칭시키도록 구현될 수도 있는 하나의 예를 도시한다. 이 경우에, 원형 로케이션 공간은 도면의 좌측의 도형들에 도시한 바와 같이 16 개의 구역들로 분할되고, 각각의 구역에서의 오브젝트들의 개수가 결정된다. 로케이션 공간은 원형일 필요는 없다 (예를 들어, 정사각형, 직사각형, 타원 등일 수도 있다).도 36 의 좌측의 4 개의 큰 도형들은 이 선택을 위한 판정 메트릭들로서 이용될 수도 있는 4 개의 점유 메트릭들의 세트의 하나의 예를 예시한다: (A) 내측 구역들에서의 오브젝트들의 개수와 외측 구역들에서의 오브젝트들의 개수 사이의 비율, (B) 가장 밀집된 절반의 오브젝트들의 개수와 나머지 절반의 오브젝트들의 개수 사이의 비율 (대안적으로는, 가장 밀집된 절반의 오브젝트들의 개수와 오브젝트들의 총 개수 사이의 비율), (C) 가장 밀집된 4분면의 오브젝트들의 개수와 반대편 4분면의 오브젝트들의 개수 사이의 비율, 및 (D) 가장 밀집된 대향하는 4분면들의 오브젝트들의 개수와 나머지 2 개의 4분면들의 오브젝트들의 개수 사이의 비율 (대안적으로는, 가장 밀집된 대향하는 4분면들의 오브젝트들의 개수와 오브젝트들의 총 개수 사이의 비율).선택된 오브젝트들의 개수가 큰 경우라도, 로케이션 공간에서의 오브젝트들의 특정 분포에 대한 이들 4 개의 메트릭들의 값들은 매우 낮은 연산 복잡도로 계산될 수도 있다. 판정 트리는 그 후, 예를 들어, 주어진 분포에 대한 이들 메트릭들의 값들에 따라 도 36 의 우측의 10 개의 후보 기하학적 배열들 중에서 선택하는데 이용될 수도 있다. 이러한 경우에, 태스크 T300 은 선택된 후보를 식별하고 선택된 오브젝트들의 총 개수를 나타내는 메타데이터를 생성하도록 구현될 수도 있다. 메타데이터의 사이즈를 훨씬 더 감소시키기 위해, 태스크 T300 은 (예를 들어, 총 개수를 특정된 양자화 팩터로 나누고 그 결과를 가장 가까운 정수로 라운딩함으로써) 선택된 오브젝트들의 총 개수의 근사값을 나타내는 메타데이터를 생성하도록 구현될 수도 있다.상기 4 개의 점유 메트릭들에 대한 대안으로서, 태스크 T300 은 (A) 오브젝트들의 총 개수의 표시 (가능하게는 상술한 바와 같이 근사값) 및 (B) 대응하는 구역이 점유되는지 여부를 각각이 비트의 상태가 나타내는 16-비트 수로서 분포를 인코딩하는 메타데이터를 생성하도록 구현될 수도 있다. 이러한 경우에, 인코더는 이웃하는 구역이 다른 점유된 구역들보다 헐씬 더 많이 점유된다면 비어있는 구역의 점유도를 나타내는 것이 바람직할 수도 있다. 다른 대안물들은 분포의 배향의 축을 계산하는 것 (예를 들어, 두번째 오더 순간) 을 포함할 수도 있다.메타데이터에 태스크 T300 에 의해 포함될 수도 있는 다른 특성들은 시간에 걸친 각 개개의 오브젝트의 이동 (브라운 운동) 의 정도와 구역들 사이의 경계들의 가변성의 표시를 포함한다. 메타데이터는 분포의 부가적인 양태들을 나타내기 위해 (예를 들어, 오브젝트들의 그룹 내의 상이한 로케이션에서의 활동의 상이한 정도들의 표시를 인코딩하기 위해) 오버래핑 형상들 (예를 들어, 가능하게는 후보들의 상이한 세트로부터 선택된, 각각의 분포에 대한 하나보다 더 많은 후보) 을 포함할 수도 있다.도 36 의 우측에 도시된 10 개의 후보들의 예의 세트에서, 1 차 오브젝트를 향하여 집중된 3 개의 형상들은 주변에 포지셔닝된 아웃라이어 오브젝트들의 존재를 암시한다 (다르게는, 이러한 집중이 없는 형상이 선택되었을 것이다). 대응하는 디코더는 주변 내에 총 개수의 오브젝트들의 작은 부분을 분포하는 것에 의해 이러한 아웃라이어들을 표현하도록 구성될 수도 있다. 대안적으로, 인코더는 스케일링할 때 이러한 아웃라이어들을 무시하도록 구성될 수도 있다.태스크 T300 은 또한, 도 33a, 도 33b, 도 34a 내지 도 34c 에 대하여 이하 설명한 바와 같은 기하학적 배열들 중에서 선택하는 부가적인 예들 및 형성들, 형성 데이터, 및 형성 코드북들의 연관된 논의 중 임의의 것을 수행하도록 구현될 수도 있다. 본 명세서에서 설명한 바와 같은 방법 (M100) 의 구현들은 선택된 오브젝트들 중에서의 특정 기하학적 배열에 대한 매치를 나타내는 것으로서 인덱싱된 프레임들이 메타데이터를 검색하는 것에 의한 취출을 위해 쉽게 식별되는 것을 허용하기 위해 (예를 들어, 비디오 스트림의 캡처 동안) 메타데이터를 제공하는데 이용되어, 그에 의해 전체 비디오 스트림을 검토할 필요성을 회피할 수도 있다.도 20 을 참조하면, 오브젝트 추적을 이용하는 비디오 프로세싱을 나타내는 특정 실시형태가 도시된다. 도 20 에 나타내진 실시형태에 대하여 설명된 비디오 프로세싱 기법들은 도 1 의 전자 디바이스 (102), 도 2b 의 프로세서 (264) 에 의해 구현되는 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204), 프로세서에 의해 구현되는 도 8 의 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (804), 프로세서에 의해 구현되는 도 9 의 평활화 모듈 (961), 또는 이들의 임의의 조합에 의해 수행될 수도 있다.도 20 은 제 1 시간 인스턴스에서 캡처되는 장면을 나타내는 디지털 이미지 (1700) 를 도시한다. 예를 들어, 이미지 (1700) 는 모바일 디바이스의 스크린 상에 디스플레이될 비디오 스트림에 대응할 수도 있다. 모바일 디바이스는 (예를 들어, 모바일 디바이스의 카메라로) 스트림을 캡처하거나 또는 다른 디바이스로부터 스트림을 수신하도록 구성될 수도 있다. 프레임 (1700) 에 나타낸 장면은 제 1 오브젝트 (1702), 제 2 오브젝트 (1704), 제 3 오브젝트 (1706), 및 별을 포함한다. 예시된 실시형태에서, 제 1 오브젝트 (1702) 는 제 1 사람에 대응할 수도 있고, 제 2 오브젝트 (1704) 는 나무에 대응할 수도 있으며, 제 3 오브젝트 (1706) 는 제 2 사람에 대응할 수도 있다. 다른 실시형태에서, 제 1 오브젝트 (1702) 와 제 3 오브젝트 (1706) 중 적어도 하나는 모바일 디바이스를 통해 제어되는 로봇에 대응할 수도 있다.도 20 은 또한 모바일 디바이스의 스크린 상의 이미지 (1700) 의 디스플레이 (1710) 를 도시한다. 모바일 디바이스의 스크린 (예를 들어, 터치스크린) 은 뷰파인더에 대응할 수도 있다. 디스플레이 (1710) 는 사용자가 (예를 들어, 태스크 T200 에 의한) 추적을 위해 오브젝트들을 선택하는 것을 가능하게 하는 사용자 선택 메커니즘 (1711) 을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 사용자는 스크린 상에서 사용자 선택 메커니즘 (1711) 을 터치하고 제 1 오브젝트 (1702) 주위로 제 1 포커스 링 (1712) 을 드래그하여 제 1 오브젝트 (1702) 의 추적을 선택 및 가능하게 할 수도 있다. 이러한 제 1 포커스 링 (1712) 의 배치에 응답하여, 모바일 디바이스는 추적하기 위한 제 1 오브젝트 (1702) 를 프레임 (1700) 에서 선택할 수도 있다. 유사한 방식으로, 사용자는 또한 스크린 상에서 사용자 선택 메커니즘 (1711) 을 터치하고 제 2 오브젝트 (1704) 및 제 3 오브젝트 (1706) 주위로 제 2 포커스 링 (1714) 및 제 3 포커스 링 (1716) 을 드래그하여, 제 2 오브젝트 (1704) 및 제 3 오브젝트 (1706) 각각의 추적을 선택 및 가능하게 할 수도 있다. 이러한 제 2 포커스 링 (1714) 및 제 3 포커스 링 (1716) 의 배치에 응답하여, 모바일 디바이스는 추적하기 위한 제 2 오브젝트 (1704) 및 제 3 오브젝트 (1706) 를 각각 선택할 수도 있다.도 20 은 또한 (예를 들어, 제 1 시간 인스턴스에 후속하는) 제 2 시간 인스턴스에서 캡처되는 장면을 나타내는 이미지 (1720) 를 도시한다. 이미지 (1720) 에서, 각각의 오브젝트 (1702 내지 1706) 의 포지션은 제 1 시간 인스턴스에서의 장면을 나타내는 이미지 (1700) 에서의 대응하는 포지션들에 대해 변화되었다. 예를 들어, 이미지 (1720) 에서 제 1 오브젝트 (1702) 및 제 3 오브젝트 (1706) 가 이동하였다. 제 2 오브젝트 (1704) (예를 들어, 나무) 가 고정된 오브젝트이지만, 제 2 오브젝트 (1704) 는 이동한 것으로 보여질 수도 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스 (또는 다른 캡처링 디바이스) 의 포지션이 이동할 수도 있고, 이는, 차례로, 제 2 오브젝트 (1704) 가 이동하였다는 착각을 일으킬 수도 있다.모바일 디바이스는 선택된 오브젝트들 (1702 내지 1706) 중에서의 하나 이상의 공간 관계들 (또한 "지오메트리" 라고도 불림) 을 모니터링할 수도 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스는 제 1 오브젝트 (1702) 와 제 2 오브젝트 (1704) 사이의 제 1 거리, 제 2 오브젝트 (1704) 와 제 3 오브젝트 (1706) 사이의 제 2 거리, 및 제 3 오브젝트 (1706) 와 제 1 오브젝트 (1702) 사이의 제 3 거리를 추적하고 측정할 수도 있다. 특정 실시형태에서, (예를 들어, 태스크 T200 에 의해) 각각의 선택된 오브젝트 (1702 내지 1706) 사이의 지오메트리를 추적하는 것은 트리거 이벤트시에 개시할 수도 있다. 비제한적 예로서, 각각의 선택된 오브젝트 (1702 내지 1706) 사이의 지오메트리를 추적하는 것은 제 1 오브젝트 (1702) 가 제 2 오브젝트 (1704) 를 교차할 때에 개시할 수도 있다. 다른 실시형태들에서, 각각의 선택된 오브젝트 (1702 내지 1706) 사이의 지오메트리를 추적하는 것은 사용자 입력시에 개시할 수도 있다. 비제한적 예로서, 각각의 선택된 오브젝트 (1702 내지 1706) 사이의 지오메트리를 추적하는 것은 오브젝트들 (1702 내지 1706) 중 2 개 이상의 오브젝트들의 사용자 선택시에 개시할 수도 있다. 다른 예로서, 각각의 선택된 오브젝트 (1702 내지 1706) 사이의 지오메트리를 추적하는 것은 사용자가 추적 모드를 개시하도록 선택할 때에 개시할 수도 있다.도 20 은 또한 (예를 들어, 디스플레이 태스크 T50 에 의한) 모바일 디바이스의 스크린 상의 이미지 (1720) 의 디스플레이 (1730) 를 도시한다. 모바일 디바이스는 디스플레이 (1730) 상에 지오메트리의 표시를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제 1 오브젝트 (1702) 와 제 2 오브젝트 (1704) 사이의 제 1 거리의 제 1 표시 (L12) 가 디스플레이 (1730) 에 포함될 수도 있다. 제 1 거리는 이미지 (1720) 에서의 제 1 오브젝트 (1702) 의 로케이션 및 이미지 (1720) 에서의 제 2 오브젝트 (1704) 의 로케이션에 기초하여 결정될 수도 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스는 오브젝트 (1702) 의 로케이션 및 제 2 오브젝트 (1704) 의 로케이션을 추적하여 제 1 표시 (L12) 를 발생시킬 수도 있다. 제 2 오브젝트 (1704) 와 제 3 오브젝트 (1706) 사이의 제 2 거리의 제 2 표시 (L23) 가 또한 디스플레이 (1730) 에 포함될 수도 있다. 제 2 거리는 이미지 (1720) 에서의 제 2 오브젝트 (1704) 의 로케이션 및 이미지 (1720) 에서의 제 3 오브젝트 (1706) 의 로케이션에 기초하여 결정될 수도 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스는 제 2 오브젝트 (1704) 의 로케이션 및 제 3 오브젝트 (1706) 의 로케이션을 추적하여 제 2 표시 (L23) 를 발생시킬 수도 있다. 제 1 오브젝트 (1702) 와 제 3 오브젝트 (1706) 사이의 제 3 거리의 제 3 표시 (L13) 가 또한 디스플레이 (1730) 에 포함될 수도 있다. 제 3 거리는 프레임 (1720) 에서의 제 1 오브젝트 (1702) 의 로케이션 및 프레임 (1720) 에서의 제 3 오브젝트 (1706) 의 로케이션에 기초하여 결정될 수도 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스는 제 1 오브젝트 (1702) 의 로케이션 및 제 2 오브젝트 (1704) 의 로케이션을 추적하여 제 3 표시 (L13) 를 발생시킬 수도 있다.모바일 디바이스는 또한 오브젝트들 (1702 내지 1706) 의 합성 지오메트리 (예를 들어, 선택된 오브젝트들의 기하학적 배열) 를 추적할 수도 있다. 예를 들어, 예시된 실시형태에서, 오브젝트들 (1702 내지 1706) 의 기하학적 배열은 각각의 표시 (L12, L23, L13) 에 의해 형성된 삼각형으로서 특성화될 수도 있다. 각각의 오브젝트 사이의 지오메트리의 적어도 하나의 파라미터, 또는 합성 지오메트리의 적어도 하나의 파라미터는 이미지들 (예를 들어, 하나 이상의 비디오 스트림들의 프레임들) 을 클러스터링하는데 이용될 수도 있다. 비제한적 예로서, 특정 이미지들은 2 개의 특정 오브젝트들 (1702 내지 1706) 사이의 거리 (예를 들어, 제 1 거리, 제 2 거리, 및/또는 제 3 거리) 에 기초하여 클러스터링될 수도 있다. 다른 비제한적 예로서, 특정 이미지들은 다수의 오브젝트들 (1702 내지 1706) 의 질량 중심 (CM2) 에 기초하여 클러스터링될 수도 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스는 각각의 이미지에 대한 각각의 표시 (L12, L23, L13) 에 의해 형성된 삼각형의 질량 중심 (CM2) 을 결정할 수도 있다. 특정 실시형태에서, 질량 중심 (CM2) 은 계산되고, 인덱싱되며, 스크린 (1730) 상에 디스플레이될 수도 있다. 다른 실시형태에서, 질량 중심 (CM2) 은 단지 계산되고 인덱싱될 수도 있다. 실질적으로 유사한 질량 중심을 갖는 프레임들은 함께 클러스터링되고 메모리 내에 인덱싱될 수도 있다. 이러한 추적 동안, 디스플레이의 중심이 질량 중심과 일치하도록 디스플레이 병진 동작을 제어하는 것이 바람직할 수도 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 선택된 오브젝트들 모두가 디스플레이 내에 가시적으로 남아있도록 카메라의 광학 및/또는 디지털 줌 동작을 제어하는 것이 바람직할 수도 있다.특정 실시형태에서, 모바일 디바이스는 각각의 오브젝트 (1702 내지 1706) 사이의 지오메트리 및/또는 각각의 프레임에 대한 합성 지오메트리를 추적할 수도 있다 (예를 들어, 프레임-바이-프레임 (frame-by-frame) 기반으로 지오메트리들을 추적할 수도 있다). 다른 실시형태들에서, 모바일 디바이스는 각각의 오브젝트 (1702 내지 1706) 사이의 지오메트리 및/또는 합성 지오메트리를 비연속 간격들에서 추적할 수도 있다 (예를 들어, 비연속 프레임들에서 지오메트리들을 추적할 수도 있다). 비-연속 프레임들에서 지오메트리들을 추적하는 것은 모바일 디바이스에서 소비되는 전력량을 감소 (예를 들어, 배터리 수명을 연장) 시키고, 지오메트리들과 연관된 인덱싱 정보 및/또는 클러스터링 정보에 대해 이용되는 메모리의 양을 감소시킬 수도 있다.예를 들어, 특정 실시형태에서, 모바일 디바이스는 매 프레임마다 각각의 오브젝트 (1702 내지 1706) (예를 들어, 3 개의 오브젝트들) 를 추적할 수도 있다. 추적 동안, 각각의 오브젝트 (1702 내지 1706) 는 오브젝트 (1702 내지 1706) 의 사이즈 및 오브젝트 (1702 내지 1706) 의 포지션과 연관된 적어도 3 개의 값들로 표현될 수도 있다. 예를 들어, 하나의 값은 오브젝트 (1702 내지 1706) 의 x-좌표에 대응할 수도 있고, 하나의 값은 오브젝트 (1702 내지 1706) 의 y-좌표에 대응할 수도 있으며, 다른 값은 오브젝트 (1702 내지 1706) 의 사이즈 (예를 들어, 바운딩 박스) 에 대응할 수도 있다. 각각의 값은 32-비트 (예를 들어, 4 바이트) 수에 대응할 수도 있다. 따라서, 데이터의 적어도 288 비트들 (3 개의 오브젝트들 * 3 개의 값들/오브젝트 * 32-비트들/값) 이 추적 동안 각각의 프레임에 대해 메모리 내로 수집되고 로깅될 수도 있다. 한 시간 (예를 들어, 3600 초) 동안 프레임-바이-프레임 기반으로 3 개의 오브젝트들 (1702 내지 1706) 을 추적하고 인덱싱하기 위해, 모바일 디바이스가 초 당 30 개의 프레임들을 캡처한다고 가정하면, 데이터의 적어도 3,888,000 바이트들이 메모리 내로 수집되고 로깅된다.그러나, 비-연속 프레임들에서 지오메트리들을 추적하는 것은 메모리 요건들을 완화시킬 수도 있다. 비제한적 예로서, 한 시간 동안 15 개의 프레임들의 매 간격마다 각각의 오브젝트 (1702 내지 1706) 를 추적하고 인덱싱하는 것은 메모리 공간의 93.33% 절약을 가져올 수도 있다. 비-연속 프레임들에서 지오메트리들을 추적하는 것은 오브젝트들 (1702 내지 1706) 과 연관된 비교적 작은 양의 이동이 존재하는 시나리오들에서 특이 이로울 수도 있다. 모바일 디바이스는 사용자 입력 (예를 들어, 사용자 선호도) 에 기초하여 프레임들을 추적하고 인덱싱하는 빈도를 결정할 수도 있거나 및/또는, 예를 들어, 하나 이상의 선택된 오브젝트들 각각의 포지션에서의 시간이 지남에 따른 변화의 정도 및/또는 사용자 표시에 기초하여 빈도를 다르게 할 수도 있다.각각의 오브젝트 (1702 내지 1706) 는 또한 스크린 (1730) 상의 오브젝트 (1702 내지 1706) 의 로케이션에 대응하는 개개의 질량 중심을 가질 수도 있다. 예를 들어, 제 1 오브젝트 (1702) 는 제 1 오브젝트 (1702) 의 로케이션에 질량 중심 (C01) 을 가질 수도 있고, 제 2 오브젝트 (1704) 는 제 2 오브젝트 (1704) 의 로케이션에 질량 중심 (C02) 을 가질 수도 있다는 것 등이다. 각각의 오브젝트 (1702 내지 1706) 에 대한 질량 중심은 또한 모바일 디바이스가 추적하는 기하학적 파라미터일 수도 있다.도 20 은 또한 (예를 들어, 제 2 시간 인스턴스에 후속하는) 제 3 시간 인스턴스에서 캡처되는 장면을 나타내는 이미지 (1740) 를 도시한다. 이미지 (1740) 에서, 각각의 오브젝트 (1702 내지 1706) 의 포지션은 제 2 시간 인스턴스에서의 이미지 (1720) 에 나타낸 대응하는 포지션들에 대해 변화되었다.도 20 은 또한 (예를 들어, 디스플레이 태스크 T50 에 의한) 모바일 디바이스의 스크린 상의 이미지 (1740) 의 디스플레이 (1750) 를 도시한다. 모바일 디바이스는 디스플레이 (1750) 에서의 지오메트리의 표시를 디스플레이할 수도 있다. 예를 들어, 제 1 오브젝트 (1702) 와 제 2 오브젝트 (1704) 사이의 제 1 거리의 제 1 표시 (L12) 는 디스플레이 (1750) 에 포함될 수도 있고, 제 2 오브젝트 (1704) 와 제 3 오브젝트 (1706) 사이의 제 2 거리의 제 2 표시 (L23) 는 디스플레이 (1750) 에 포함될 수도 있으며, 제 1 오브젝트 (1702) 와 제 3 오브젝트 (1706) 사이의 제 3 거리의 제 3 표시 (L13) 는 디스플레이 (1750) 에 포함될 수도 있다. 부가적으로, 모바일 디바이스는 또한 오브젝트들 (1702 내지 1706) 의 합성 지오메트리를 추적할 수도 있다. 예를 들어, 예시된 실시형태에서, 오브젝트들 (1702 내지 1706) 의 합성 지오메트리는 각각의 표시 (L12, L23, L13) 에 의해 형성된 삼각형에 대응할 수도 있다.다른 실시형태에서, 모바일 디바이스는 각각의 오브젝트 (1702 내지 1706) 의 이동을 추적하고, 시간이 지남에 따라 각각의 오브젝트 (1702 내지 1706) 의 이동을 디스플레이하는 플롯들의 시퀀스를 발생시킬 수도 있다. 모바일 디바이스는 매 프레임마다 각각의 오브젝트 (1702 내지 1706) 에 대한 플롯을 발생시킬 수도 있고, 또는 비-연속 프레임들에서 각각의 오브젝트 (1702 내지 1706) 에 대한 플롯을 발생시켜서, 상술된 바와 같이, 메모리 요건들을 완화시키고 전력 절약들을 개선시킬 수도 있다.현재 디스플레이 상에서 가시적이지 않은 (예를 들어, 비디오 스트림에 의해 캡처된 장면 내에 현재 있지 않은) 오브젝트들에 대한 하나 이상의 선택된 오브젝트들의 공간 관계를 추적하도록 디바이스를 구성하는 것이 (예를 들어, 태스크 T200 을 구현하는 것이) 또한 가능하다. 예를 들어, 현재 스크린 밖에 있는 고정된 (레퍼런스) 오브젝트들에 대한 이동하는 오브젝트들의 공간 관계들이 추적될 수도 있다. 특정 예에서, 디바이스는 선택된 선수가 20 피트의 골 (goal) 또는 바스켓 (basket) 내에 있거나, 및/또는, 골/바스켓이 현재 스크린 안에 있지 않은 경우에도, 골/바스켓을 향해 이동하고 있을 때마다 나타내도록 구성될 수도 있다. 이러한 경우, 디바이스는 현재 디스플레이된 장면보다 더 큰 맵을 생성하도록 구성될 수도 있다. (예를 들어, GPS 센서와 같은 로케이션 센서에 의해 나타낸 바와 같이) 카메라의 로케이션이 알려진 경우에 대해, 현재 뷰가 그 더 큰 장면 맵에 얼마나 관련되는지를 결정하기 위해 카메라의 하나 이상의 배향 센서들이 이용될 수도 있다. 이러한 하나 이상의 배향 센서들은 중력 축 (예를 들어, 지구의 중심과 디바이스를 통과한 축) 에 대한 카메라의 배향을 나타내기 위해, 하나 이상의 관성 센서들 (예를 들어, 자이로스코프들 및/또는 가속도계들), 및/또는 하나 이상의 자계 센서들 (예를 들어, 자력계들) 을 포함할 수도 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 스포츠 필드 또는 코트 상의 마킹들, 또는 공연 무대의 장면 고정물들 (scene fixtures) 과 같은, 고정된 레퍼런스 오브젝트들의 가시적 피처들이 기점들 (fiducials) 로서 이용될 수도 있다. 이러한 맵핑은 또한 이동하고 있는 카메라에 대해 행해질 수도 있지만, 레퍼런스 오브젝트의 외관은 그것이 뷰잉되게 되는 각도가 변화함에 따라 변화할 수도 있다.도 20 에 나타낸 실시형태는 모바일 디바이스가 이미지들 (1700, 1720, 1740) 에서 오브젝트들 (1702 내지 1706) 의 지오메트리들을 추적하는 것, 그리고 도 21 에 대해 후술되는 바와 같이, 실질적으로 유사한 지오메트리들을 갖는 취출을 위한 프레임들을 클러스터링하는 것을 가능하게 할 수도 있다. 모바일 디바이스는 단일 카메라를 이용하여 또는 다수의 카메라들을 이용하여 도 20 에 대해 설명되는 기법들을 수행할 수도 있다.본 명세서에서 설명되는 바와 같이 메타데이터를 발생시키기 위한 용도들 및 적용들은 다음 중 임의의 것을 포함할 수도 있다: 스포츠 이벤트들 (예를 들어, 축구, 농구, 풋볼, 하키), 소셜 이벤트들 (예를 들어, 웨딩, 파티, 댄싱), 예술 공연들 (예를 들어, 연극, 학교 연극, 콘서트, 이중주), 및 보안 또는 감시 모니터링. 모바일 디바이스는 또한, 예를 들어, 조이스틱, 제스처-인식 카메라 시스템, 또는 사용자 커맨드들을 검출하기 위한 터치 및/또는 배향 센서들 (예를 들어, 상술된 하나 이상의 배향 센서들) 이 구비된 글로브의 이용에 의해 사용자 선택이 수행되는 헤드-마운티드 (head-mounted) 디스플레이일 수도 있다. 비디오 스트림은 라이브일 수도 있고 (예를 들어, 디바이스에 의해 캡처되거나 또는 다른 캡처링 디바이스로부터, 예를 들어, 블루투스와 같은 단거리 연결을 통해, 또는 인터넷에 대한 Wi-Fi 연결과 같은 네트워크를 통해 스트리밍될 수도 있고) 또는 (다시, 디바이스에 의해 또는 다른 디바이스에 의해) 레코딩될 수도 있다.스트림 내의 선택된 오브젝트들의 상대 로케이션들 및/또는 그 선택된 오브젝트들 중에서의 공간 관계들에 따라 비디오 스트림의 프레임들을 분류하는 것이 바람직할 수도 있다. 도 21 을 참조하면, 클러스터링에 기초하여 프레임들을 취출하는데 이용되는 모바일 디바이스의 디스플레이 (1800) 의 특정 실시형태가 도시된다. 디스플레이 (1800) 는 수평 축과 수직 축을 갖는 그래프를 포함할 수도 있다. 수평 축은 모바일 디바이스에 의해 캡처되는 상이한 비디오 파일들에 대응할 수도 있다. 예를 들어, 예시된 실시형태에서, 모바일 디바이스는 제 1 비디오 파일 및 제 2 비디오 파일을 캡처하였다. 수직 축은 비디오 파일들의 시간 인덱스들에 대응할 수도 있다.각각의 비디오 파일은 비디오 파일에서 선택된 오브젝트들의 지오메트리와 연관된 적어도 하나의 파라미터에 기초하는 클러스터들을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 비디오 파일들에서의 각각의 클러스터는 선택된 오브젝트들 사이에서 실질적으로 유사한 지오메트리를 갖는 프레임들의 그룹을 포함할 수도 있다. 도 21 에 나타낸 클러스터들은 오브젝트들 사이의 질량 중심에 기초할 수도 있다; 그러나, 다른 실시형태들에서, 클러스터들은 하나 이상의 상이한 파라미터들 (예를 들어, 형상, 거리, 공간 특성들, 컬러 스킴들 등) 에 기초할 수도 있다. 파라미터들은 사용자에 의해 선택될 수도 있다.제 1 비디오의 시작에서 제 1 비디오의 대략 10:00 마크까지의 프레임들은 제 1 클러스터 (예를 들어, 클러스터 1) 로 그룹화될 수도 있다. 제 1 클러스터는 선택된 오브젝트들 사이의 스크린 (1800) 상의 질량 중심이 대략 150 에서의 x-좌표 및 대략 250 에서의 y-좌표를 갖는 프레임들에 대응할 수도 있다. 도 20 의 제 2 프레임을 참조하면, 선택된 오브젝트들 (1702 내지 1706) 의 질량 중심 (CM2) (예를 들어, 삼각형의 질량 중심 (CM2)) 은 스크린 (1730) 상의 대략 150 에서의 x-좌표 및 스크린 (1730) 상의 대략 250 에서의 y-좌표를 가질 수도 있다. 따라서, 제 2 프레임 (및 오브젝트들 (1702 내지 1706) 사이에서 실질적으로 유사한 질량 중심을 갖는 다른 프레임들) 은 도 21 의 제 1 클러스터에 배치될 수도 있다. 따라서, 사용자가 제 1 클러스터를 선택하는 경우, 모바일 디바이스는 대응하는 비디오 스트림들 (예를 들어, 비디오의 부분들) 을 디스플레이할 수도 있는데 여기서 선택된 오브젝트들 (1702 내지 1706) 은 도 20 의 제 2 프레임과 실질적으로 유사한 구성을 갖는다.제 1 비디오의 대략 10:00 마크로부터 제 1 비디오의 대략 20:00 마크까지의 프레임들은 제 2 클러스터 (예를 들어, 클러스터 2) 로 그룹화될 수도 있다. 제 2 클러스터는 선택된 오브젝트들 사이의 스크린 (1800) 상의 질량 중심이 대략 100 에서의 x-좌표 및 대략 250 에서의 y-좌표를 갖는 프레임들에 대응할 수도 있다. 도 20 의 제 3 프레임을 참조하면, 선택된 오브젝트들 (1702 내지 1706) 의 질량 중심 (CM3) 은 스크린 (1750) 상의 대략 100 에서의 x-좌표 및 스크린 (1750) 상의 대략 250 에서의 y-좌표를 가질 수도 있다. 따라서, 제 3 프레임 (및 오브젝트들 (1702 내지 1706) 사이에서 실질적으로 유사한 질량 중심을 갖는 다른 프레임들) 은 도 21 의 제 2 클러스터에 배치될 수도 있다. 따라서, 사용자가 제 2 클러스터를 선택하는 경우, 모바일 디바이스는 대응하는 비디오 스트림들 (예를 들어, 비디오의 부분들) 을 디스플레이할 수도 있는데 여기서 선택된 오브젝트들 (1702 내지 1706) 은 도 21 의 제 3 프레임과 실질적으로 유사한 구성을 갖는다.부가적인 클러스터들 (예를 들어, 제 3 클러스터) 은 상이한 질량 중심들 (예를 들어, 175 에서의 x-좌표 및 325 에서의 y-좌표) 을 갖는 프레임들에 대응할 수도 있다. 사용자는 비디오의 특정 부분들과 연관된 구성 (예를 들어, 질량 중심) 을 갖는 클러스터들을 선택하는 것에 의해 비디오의 특정 부분들을 취출 (예를 들어, 로케이팅) 할 수도 있다. 따라서, 선택된 오브젝트들 (1702 내지 1706) 의 기하학적 파라미터들 (예를 들어, 각각의 및/또는 모든 선택된 오브젝트들의 질량 중심, 거리) 에 기초하는 클러스터들로 프레임들을 인덱싱하는 것에 의해, 모바일 디바이스의 사용자는 비디오를 통해 내비게이팅 (예를 들어, 플레이, 빨리 감기 (fast-forward), 되감기 등) 해야 하는 일 없이 비디오의 원하는 부분들을 쉽게 로케이팅할 수도 있다. 클러스터들로 프레임들을 인덱싱하는 것은 또한 어떤 구성 (예를 들어, 지오메트리) 이 최다 빈도로, 최소 빈도로 등으로 발생했는지를 뷰잉하는 것을 사용자에게 허용할 수도 있다. 이러한 기하학적 파라미터들의 이러한 인덱싱 및/또는 값들은 상술된 바와 같이 태스크 T300 에 의해 생성된 메타데이터 중에 포함될 수도 있다.도 21 은 또한 비디오 스트림의 프레임들의 클러스터들과 연관된 구역들의 디스플레이 (1802) 를 포함한다. 예를 들어, 클러스터들의 디스플레이 (1802) 는 도 20 의 장면의 비디오 스트림에 대응할 수도 있다. 디스플레이 (1802) 는 10 개의 구역들 (C1 내지 C10) 을 포함한다. 예시된 실시형태에서, 구역들 (C1 내지 C10) 은 특정 프레임들에서의 오브젝트들 (1702 내지 1706) 의 질량 중심에 기초한다. 다른 실시형태들에서, 구역들 (C1 내지 C10) 은 다른 기하학적 파라미터들 (예를 들어, 오브젝트들 (1702 내지 1706) 각각의 질량 중심, 형상들, 거리들, 공간 특성들, 컬러 스킴들 등) 에 기초할 수도 있다. 특정 실시형태에서, 각각의 구역 (C1 내지 C10) 은 동일한 사이즈를 가질 수도 있다 (예를 들어, 각각의 구역 (C1 내지 C10) 은 "보로노이 셀 (Voronoi Cell)" 일 수도 있다).각각의 구역 (C1 내지 C10) 은 특정 클러스터와 연관된 질량 중심에 대응하는 x-좌표 및 y-좌표를 포함할 수도 있다. 비제한적 예로서, 제 1 구역 (C1) 에 대응하는 질량 중심은 75 의 x-좌표 및 580 의 y-좌표를 가질 수도 있다. 부가적으로, 제 2 구역 (C2) 에 대응하는 질량 중심은 215 의 x-좌표 및 580 의 y-좌표를 가질 수도 있다. 도 20 의 장면의 비디오 스트림에서의 프레임들은 오브젝트들 (1702 내지 1706) 의 질량 중심에 의해 인덱싱될 수도 있다. 각각의 프레임은 질량 중심에 기초하여 구역들 (C1 내지 C10) 중 하나에 대응하는 클러스터에 배치될 수도 있다. 예를 들어, 제 1 구역 (C1) 의 질량 중심과 가장 가까운 질량 중심을 갖는 프레임은 대응하는 제 1 클러스터 내에 배치될 수도 있다. 이러한 클러스터링 정보는 태스크 T300 에 의해 생성되고 메타데이터로서 (예를 들어, 본 명세서에서 설명되는 바와 같이 비디오 스트림과 동기화되는 메타데이터 스트림에서) 대응하는 프레임들과 연관될 수도 있다. 이러한 경우, 특정 클러스터 내에서 인덱싱되는 프레임들이 메타데이터를 검색함으로써 취출을 위해 쉽게 식별되고, 그에 의해 전체 비디오 스트림을 검토할 필요성을 피하게 할 수도 있다.모바일 디바이스는 특정 클러스터의 사용자 선택에 응답하여 특정 지오메트리 (예를 들어, 질량 중심) 를 갖는 비디오 프레임들을 디스플레이할 수도 있다. 예를 들어, 사용자가 제 1 구역 (C1) 을 선택 (예를 들어, 터치) 하는 경우, 모바일 디바이스는 오브젝트들 (1702 내지 1706) 의 질량 중심이 제 1 (C1) 구역 내에 있는 비디오 프레임들의 클러스터를 디스플레이할 수도 있다. 특정 실시형태에서, 사용자는 제 1 구역 (C1) 에서 스크린을 터치하고, 임계치 (예를 들어, 3 초) 를 초과하는 시간의 주기 동안 제 1 구역 (C1) 을 홀딩할 수도 있다. 3 초 동안 제 1 구역을 홀딩한 후에, 제 1 구역 (C1) 은 디스플레이 (1802) 상에서 확대될 수도 있다. 예를 들어, 디스플레이 (1802) 는 1804 에서 도시된 바와 같이 제 1 구역 (C1) 을 나타낼 수도 있다. 이 모드에서, 제 1 구역 (1804) 은 특정 프레임들의 질량 중심 (CM1023-1026) 에 기초하여 특정 프레임들 (예를 들어, 프레임 (1023) 내지 프레임 (1026)) 을 예시할 수도 있다. 특정 실시형태에서, 사용자는 특정 프레임 (예를 들어, 프레임 (1024)) 을 선택할 수도 있고, 모바일 디바이스는 프레임 (1024) 에서 비디오 스트림의 재생을 개시할 수도 있다.도 22 를 참조하면, 오브젝트 추적을 이용하는 비디오 프로세싱 방법 (1900) 의 특정 실시형태를 예시하는 플로우차트가 도시된다. 예시적 실시형태에서, 방법 (1900) 은 도 1 의 전자 디바이스 (102), 도 2b 의 프로세서 (264) 에 의해 구현되는 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204), 프로세서에 의해 구현되는 도 8 의 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (804), 프로세서에 의해 구현되는 도 9 의 평활화 모듈 (961), 또는 이들의 임의의 조합을 이용하여 수행될 수도 있다.방법 (1900) 은, 1902 에서, 모바일 디바이스에서, 장면에서의 다수의 오브젝트들의 선택을 받는 단계를 포함한다. 예를 들어, 도 20 을 참조하면, 사용자는 스크린 (1710) 상에서 사용자 선택 메커니즘 (1711) 을 터치하고 제 1 오브젝트 (1702) 주위로 제 1 포커스 링 (1712) 을, 제 2 오브젝트 (1704) 주위로 제 2 포커스 링 (1714) 을, 그리고 제 3 오브젝트 (1706) 주위로 제 3 포커스 링 (1716) 을 드래그하여, 제 1, 제 2, 및 제 3 오브젝트들 (1702 내지 1706) 각각의 추적을 가능하게 할 수도 있다. 디스플레이된 장면 (1700) 은 모바일 디바이스의 스크린 상에서 캡처되고 디스플레이되는 비디오 스트림에 대응할 수도 있다. 모바일 디바이스는 (예를 들어, 모바일 디바이스의 카메라로) 스트림을 캡처하거나 또는 다른 디바이스로부터 스트림을 수신하도록 구성될 수도 있다.1904 에서, 각각의 오브젝트 사이의 지오메트리가 추적될 수도 있다. 예를 들어, 도 20 을 참조하면, 모바일 디바이스는 각각의 선택된 오브젝트 (1702 내지 1706) 사이의 지오메트리를 추적할 수도 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스는 제 1 오브젝트 (1702) 와 제 2 오브젝트 (1704) 사이의 제 1 거리, 제 2 오브젝트 (1704) 와 제 3 오브젝트 (1706) 사이의 제 2 거리, 및 제 3 오브젝트 (1706) 와 제 1 오브젝트 (1702) 사이의 제 3 거리를 추적하고 측정할 수도 있다.1906 에서, 지오메트리의 표시가 스크린 상에 디스플레이될 수도 있다. 예를 들어, 도 20 을 참조하면, 제 1 오브젝트 (1702) 와 제 2 오브젝트 (1704) 사이의 제 1 거리의 제 1 표시 (L12) 가 디스플레이 (1730) 에 포함될 수도 있다. 제 1 거리는 이미지 (1720) 에서의 제 1 오브젝트 (1702) 의 로케이션 및 이미지 (1720) 에서의 제 2 오브젝트 (1704) 의 로케이션에 기초하여 결정될 수도 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스는 제 1 오브젝트 (1702) 의 로케이션 및 제 2 오브젝트 (1704) 의 로케이션을 추적하여 제 1 표시 (L12) 를 발생시킬 수도 있다. 제 2 오브젝트 (1704) 와 제 3 오브젝트 (1706) 사이의 제 2 거리의 제 2 표시 (L23) 가 또한 디스플레이 (1730) 에 포함될 수도 있다. 제 2 거리는 이미지 (1720) 에서의 제 2 오브젝트 (1704) 의 로케이션 및 이미지 (1720) 에서의 제 3 오브젝트 (1706) 의 로케이션에 기초하여 결정될 수도 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스는 제 2 오브젝트 (1704) 의 로케이션 및 제 3 오브젝트 (1706) 의 로케이션을 추적하여 제 2 표시 (L23) 를 발생시킬 수도 있다. 제 1 오브젝트 (1702) 와 제 3 오브젝트 (1706) 사이의 제 3 거리의 제 3 표시 (L13) 가 또한 디스플레이 (1730) 에 포함될 수도 있다. 제 3 거리는 이미지 (1720) 에서의 제 1 오브젝트 (1702) 의 로케이션 및 이미지 (1720) 에서의 제 3 오브젝트 (1706) 의 로케이션에 기초하여 결정될 수도 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스는 제 1 오브젝트 (1702) 의 로케이션 및 제 2 오브젝트 (1704) 의 로케이션을 추적하여 제 3 표시 (L13) 를 발생시킬 수도 있다.도 22 의 방법 (1900) 은 모바일 디바이스가 이미지들 (1700, 1720, 1740) 에서 오브젝트들 (1702 내지 1706) 의 지오메트리들을 추적하는 것, 그리고 실질적으로 유사한 지오메트리들을 갖는 취출을 위한 프레임들을 클러스터링하는 것을 가능하게 할 수도 있다. 모바일 디바이스는 단일 카메라를 이용하여 또는 다수의 카메라들을 이용하여 방법 (1900) 을 수행할 수도 있다. 추가 예에서, 이 방법은 하나 이상의 오브젝트들 중에서의 특정된 공간 관계가 (예를 들어, 태스크 T200 에 의해) 검출될 때, 예컨대, 선택된 제 1 오브젝트와 선택된 제 2 오브젝트 사이의 거리가 특정된 임계 거리보다 더 작아질 (대안적으로, 더 커질) 때 경보 조건을 나타내는 단계를 포함할 수도 있다.도 23 을 참조하면, 오브젝트 추적을 이용하는 비디오 프로세싱 방법들 (2000, 2010) 의 특정 실시형태들을 예시하는 플로우차트가 도시된다. 예시적 실시형태에서, 방법들 (2000, 2010) 은 도 1 의 전자 디바이스 (102), 도 2b 의 프로세서 (264) 에 의해 구현되는 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204), 프로세서에 의해 구현되는 도 8 의 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (804), 프로세서에 의해 구현되는 도 9 의 평활화 모듈 (961), 또는 이들의 임의의 조합을 이용하여 수행될 수도 있다.방법 (2000) 은, 2002 에서, 모바일 디바이스에서, 장면에서의 다수의 오브젝트들의 선택을 받는 단계를 포함한다. 예를 들어, 도 20 을 참조하면, 사용자는 스크린 (1710) 상에서 사용자 선택 메커니즘 (1711) 을 터치하고 제 1 오브젝트 (1702) 주위로 제 1 포커스 링 (1712) 을, 제 2 오브젝트 (1704) 주위로 제 2 포커스 링 (1714) 을, 그리고 제 3 오브젝트 (1706) 주위로 제 3 포커스 링 (1716) 을 드래그하여, 제 1, 제 2, 및 제 3 오브젝트들 (1702 내지 1706) 각각의 추적을 가능하게 할 수도 있다. 디스플레이된 장면 (1700) 은 모바일 디바이스의 스크린 상에서 캡처되고 디스플레이되는 비디오 스트림에 대응할 수도 있다. 모바일 디바이스는 (예를 들어, 모바일 디바이스의 카메라로) 스트림을 캡처하거나 또는 다른 디바이스로부터 스트림을 수신하도록 구성될 수도 있다.2004 에서, 각각의 오브젝트 사이의 지오메트리가 추적될 수도 있다. 예를 들어, 도 20 을 참조하면, 모바일 디바이스는 각각의 선택된 오브젝트 (1702 내지 1706) 사이의 지오메트리를 추적할 수도 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스는 제 1 오브젝트 (1702) 와 제 2 오브젝트 (1704) 사이의 제 1 거리, 제 2 오브젝트 (1704) 와 제 3 오브젝트 (1706) 사이의 제 2 거리, 및 제 3 오브젝트 (1706) 와 제 1 오브젝트 (1702) 사이의 제 3 거리를 추적하고 측정할 수도 있다. 부가적으로, 모바일 디바이스는 또한 오브젝트들 (1702 내지 1706) 의 합성 지오메트리를 추적할 수도 있다. 예를 들어, 예시된 실시형태에서, 오브젝트들 (1702 내지 1706) 의 합성 지오메트리는 3 개의 표시들 (L12, L23, L13) 에 의해 형성될 수도 있는 삼각형에 대응할 수도 있다.2006 에서, 비디오 스트림의 프레임들이 지오메트리와 연관된 적어도 하나의 파라미터에 기초하여 클러스터링될 수도 있다. 예를 들어, 도 21 을 참조하면, 비디오 파일들에서의 각각의 클러스터는 선택된 오브젝트들 (1706 내지 1708) 사이에 실질적으로 유사한 지오메트리를 갖는 프레임들의 그룹을 포함할 수도 있다. 도 21 에 나타낸 클러스터들은 오브젝트들 (1706 내지 1708) 사이의 질량 중심 (CM2, CM3) (예를 들어, 삼각형의 질량 중심) 에 기초할 수도 있다.특정 실시형태에서, 방법 (2000) 은 오브젝트들이 특정 지오메트리에 있을 때 프레임들을 취출하는 단계를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 도 21 을 참조하면, 모바일 디바이스는 프레임들에서의 오브젝트들 (1702 내지 1706) 의 질량 중심 (CM2, CM3) 에 기초하여 프레임들을 인덱싱할 수도 있다. 특정 질량 중심 (예를 들어, 특정 지오메트리) 을 갖는 프레임들은 특정 질량 중심과 연관된 클러스를 선택하는 것에 의해 쉽게 달성될 수도 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스는 오브젝트들 (1702 내지 1706) 이 도 21 의 스크린 (1800) 상에서 제 1 클러스터 (예를 들어, 클러스터 1) 를 선택하는 것에 의해 도 20 의 제 2 프레임에서 오브젝트들 (1702 내지 1706) 과 실질적으로 유사한 지오메트리를 가질 때 프레임들을 취출할 수도 있다. 예를 들어, 사용자가 제 1 클러스터를 선택하는 것에 응답하여, 모바일 디바이스는 오브젝트들 (1702 내지 1706) 의 질량 중심이 대략 150 에서의 x-좌표 및 대략 250 에서의 y-좌표를 프레임들을 취출할 수도 있다.방법 (2010) 은, 2012 에서, 모바일 디바이스에서, 비디오 스트림에서 선택된 오브젝트들의 특정 지오메트리의 표시를 수신하는 단계를 포함할 수도 있다. 비제한적 예로서, 도 21 을 참조하면, 모바일 디바이스는 오브젝트들 (1702 내지 1704) 의 질량 중심이 제 1 구역 (C1) 의 질량 중심에 가장 가까운 비디오 스트림들을 디스플레이하기 위해 표시 (예를 들어, 사용자가 디스플레이 (1802) 에 도시된 제 1 구역 (C1) 에서 스크린을 터치함) 를 수신할 수도 있다.2014 에서, 비디오 스트림의 프레임들은 특정 지오메트리에 기초하여 취출될 수도 있다. 예를 들어, 도 21 을 참조하면, 모바일 디바이스는 오브젝트들 (1702 내지 1704) 의 질량 중심이 제 1 구역 (C1) 에 대응하는 영역에 있는 도 20 의 장면에서의 비디오 스트림의 프레임들을 취출할 수도 있다.2016 에서, 취출된 프레임들은 모바일 디바이스의 스크린 상에 디스플레이될 수도 있다. 예를 들어, 도 21 을 참조하면, 모바일 디바이스는 오브젝트들 (1702 내지 1704) 의 질량 중심이 제 1 구역 (C1) 에 대응하는 영역에 있는 비디오 스트림의 프레임들을 디스플레이 (예를 들어, 플레이) 할 수도 있다. 특정 실시형태에서, 모바일 디바이스는 순차적인 순서로 비디오 스트림들을 플레이할 수도 있다.도 23 의 방법들 (2000, 2010) 은 사용자가 비디오의 특정 부분들과 연관된 구성 (예를 들어, 질량 중심) 을 갖는 클러스터들을 선택하는 것에 의해 비디오의 특정 부분들을 취출 (예를 들어, 로케이팅) 하는 것을 가능하게 할 수도 있다. 따라서, 선택된 오브젝트들 (1702 내지 1706) 의 기하학적 파라미터들에 기초하는 클러스터들로 프레임들을 인덱싱하는 것 (예를 들어, 본 명세서에서 설명한 바와 같이 태스크 T300 에 의해 메타데이터를 생성하는 것) 에 의해, 모바일 디바이스의 사용자는 비디오를 통해 내비게이팅 (예를 들어, 플레이, 빨리 감기, 되감기 등) 해야 하는 일 없이 비디오의 원하는 부분들을 쉽게 로케이팅할 수도 있다.태스크 T300 은 또한 결정된 레퍼런스 포지션에 기초하여, 로케이션 공간을 분할하는 복수의 별개의 구역들 중에서 하나를 식별하는 메타데이터를 생성하도록 구현될 수도 있고, 복수의 별개의 구역들은 동일하지 않은 사이즈의 구역들을 포함한다. 상술한 바와 같이, 로케이션 공간은 적어도 하나의 디지털 이미지의 픽셀 좌표 공간 (예를 들어, 비디오 스트림의 적어도 하나의 프레임의 픽셀 좌표 공간) 또는 2 개 이상의 차원들에서, 물리적 공간 (예를 들어, 장면 공간의 그라운드 평면) 일 수도 있고, 개개의 프레임에서 표현된 공간을 넘어 연장할 수도 있다. 이러한 메타데이터는 예를 들어, 레퍼런스 포지션을 포함하는 로케이션 공간의 구역을 나타내는 (예를 들어, 하나 이상의 양자화 코드북들로의) 하나 이상의 인덱스들로서 구현될 수도 있다.분할 스킴은 로케이션 공간을 불균일하게 분할하도록 (예를 들어, 동일하지 않은 사이즈 및/또는 형상의 구역들을 포함하도록) 구성될 수도 있다. 예를 들어, 관측된 데이터 포인트들 (예를 들어, 오브젝트 포지션들) 의 세트는 각각의 별개의 구역이 m 개의 관측된 데이터 포인트들을 포함하도록 로케이션 공간을 분할하는 분할 스킴 (예를 들어, 발생 빈도에 따른 분할) 을 생성하는데 이용될 수도 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 분할 스킴은 높은 관심있는 공간의 영역들이 낮은 관심있는 영역들보다 더 많은 별개의 구역들로 분할되도록 로케이션 공간을 분할하도록 구성될 수도 있다.분할 스킴에 의해 나타내진 다양한 구역들은 로케이션 공간의 각각의 영역들과 연관된 상이한 관심 정도들에 따라 집중될 수도 있다. 도 19b 내지 도 19d 는 (예를 들어, 도 19a 에 나타낸 바와 같이) 농구 코트에 적용되는 바와 같이 로케이션 공간의 불균일한 분할의 여러 예들을 도시한다. 이러한 분할 스킴은 (예를 들어, 도 19b 및 도 19d 에서와 같이) 코트 공간의 특정 바스켓에 가까운 더 작은 구역들로의 또는 (예를 들어, 도 19c 에서와 같이) 어느 하나의 바스켓에 가까운 더 작은 영역들로의 분할을 인코딩할 수도 있다. 방법 (M100) 이 디지털 이미지 또는 비디오 스트림의 캡처 동안 수행될 수도 있도록, 선험적으로 (예를 들어, 스트림이 캡처되기 전에) 로케이션 공간의 관심-기반 불균일한 분할을 나타내는 것이 가능할 수도 있다.유사한 방식으로, 분할 스킴에 의해 나타내진 다양한 구역들은 로케이션 공간의 각각의 영역들 내의 맵핑된 데이터 포인트 (예를 들어, 오브젝트의 포지션 또는 다수의 오브젝트들의 질량 중심) 의 발생 빈도의 차이들에 따라 집중될 수도 있다. 이러한 경우에, 로케이션 공간의 불균일한 분할은 귀납적으로 (예를 들어, 캡처된 스트림에 대한 훈련의 결과로서) 획득될 수도 있다. 분할은 각각의 별개의 구역에서 동일한 수의 관측들이 발견되도록 구현될 수도 있다.하나의 예에서, 분할 스킴은 로케이션 공간에서의 오브젝트 포지션들 (예를 들어, 관측된 오브젝트 포지션들) 의 k 개의 클러스터들로의 k-평균 클러스터링을 수행하는 것에 의해 획득된다. 예를 들어, 분할 스킴은 비디오 스트림의 복수의 프레임들에서 관측된 바와 같은 오브젝트 포지션들 (예를 들어, 선택된 오브젝트들 중 하나 이상의 포지션들) 의 k 개의 클러스터들로의 k-평균 클러스터링을 수행하는 것에 의해 획득될 수도 있다. 이러한 클러스터링은 로케이션 공간을 보로노이 셀들로 파티셔닝하고, 여기서 결과의 k 평균은 셀들의 발생기들 (예를 들어, 중심들) 이고, 이러한 방식으로 (예를 들어, 클러스터링을 이용하여) 획득된 분할 스킴은 양자화 코드북이라고 또한 불릴 수도 있다. 클러스터는 다른 클러스터와는 상이한 수의 관측된 오브젝트를 가질 수도 있다. 초기 조건들 (즉, 초기 k 평균) 을 획득하기 위하여, 이러한 분할-스킴-발생 태스크는 관측된 포지션들에 대해 계층적 클러스터링 방법 (예를 들어, 분할 또는 응집 클러스터링) 을 수행하도록 구현될 수도 있다. 불균일한 분할을 획득하는데 이용될 수도 있는 유사성의 척도의 하나의 예는 로케이션 공간에서의 관측된 오브젝트 포지션들 사이의 유클리디안 거리이다.분할-스킴-발생 태스크에 의해 (예를 들어, 아웃라이어들의 존재 시에) 이용될 수도 있는 k-평균 클러스터링에 대한 하나의 대안은 k-중앙객체 클러스터링이다. 다른 대안은 분포 모드들을 상이한 구역들로 분리하는데 이용될 수도 있는 평균-시프트 클러스터링이다. 태스크 T300 은 상이한 길이들일 수도 있고 및/또는 상이한 사이즈의 구역들에 대응할 수도 있는 다수의 분할 스킴들 (예를 들어, 다수의 코드북들) 중에서 선택하는 단계를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 태스크 T300 은 나타낸 구역에 대응하는 복수의 이러한 제 2-레벨 스킴들 중에서, 제 1 레벨의 분할 스킴이 복수의 별개의 구역들 중 하나를 나타내고 또한 제 2 레벨의 분할 스킴을 나타내도록 분할 스킴들의 계층을 이용할 수도 있다. 이러한 계층은 서로 상이하게 복수의 별개의 구역들 중 하나를 서브분할하는데 이용될 수도 있다. 하나의 이러한 예에서, 제 1 코드북은 태스크 T300 이 결정된 포지션에 대한 하나보다 더 많은 코드북을 포함한 메타데이터를 생성할 수도 있도록, 제 1 코드북이 관측된 포지션들의 분포에서 상이한 모드들에 대응하는 상이한 양자화 구역들을 인덱싱하고, 제 2 코드북들은 이들 모달 구역들 중 하나 이상의 각각을 서브-구역들로 분할하는데 이용된다.태스크 T300 은 예를 들어, 중심이 결정된 레퍼런스 포지션에 가장 가까운 구역을 선택하는 것에 의해 로케이션 공간의 대응하는 구역에 결정된 레퍼런스 포지션을 맵핑시키도록 구현될 수도 있다. 인덱스 선택을 위해 이용된 유사성의 척도 (예를 들어, 로케이션 공간에서의 유클리디안 거리) 는 파티셔닝을 위해 이용된 유사성의 척도와 동일하거나 또는 상이할 수도 있다. 분할 스킴이 양자화 코드북에 의해 설명되는 경우에 대해, 이러한 맵핑은 코드북 (예를 들어, 선택된 구역을 나타내는 코드워드) 로 인덱스를 선택하는 것을 포함할 수도 있다.도 24 를 참조하면, 직교 좌표들을 이용하여 오브젝트 포지션에 대한 메타데이터를 발생시키기 위한 방법 (M100) 의 특정 애플리케이션이 도시된다. 도 24 의 실시형태는 프레임-바이-프레임 기반으로 다수의 오브젝트들의 결정된 포지션들을 인코딩하는데 이용될 수도 있는 코드북 (2102) 을 예시한다. 결정된 포지션들은 로케이션 공간 (2106) 에서의 각각의 오브젝트의 포지션들을 나타낼 수도 있다. 코드북 (2102) 은 동일하지 않은 사이즈의 구역들을 포함하여, 로케이션 공간의 별개의 구역들로의 분할 (2108) 에서의 대응하는 구역들 (예를 들어, 2142, 2144, 2146) 에 로케이션 공간 (2106) 에서의 포지션들 (예를 들어, 2132, 2134, 2136) 을 맵핑한다.코드북 (2102) 은 다수의 프레임들 또는 다른 이미지들 (2104) 에 대한 메타데이터를 생성하는데 이용될 수도 있다. 이러한 메타데이터는 비디오 스트림에 통합될 수도 있고 및/또는 별도로 스트리밍되고 및/또는 별개의 파일에 저장될 수도 있다. 결정된 포지션들은 프레임에서의 오브젝트들에 대한 직교 좌표 데이터 (예를 들어, x-좌표 및 y-좌표) 를 포함할 수도 있다. 특정 실시형태에서, 결정된 포지션들은 프레임에서의 오브젝트들에 대한 3 차원 좌표 데이터 (예를 들어, 3 차원 데카르트 좌표 시스템의 z-좌표) 를 또한 포함할 수도 있다. 예시된 실시형태에서, 코드북 (2102) 은 10,000 개의 프레임들 (또는 다른 이미지들) 에 걸쳐 3 개의 오브젝트들에 대한 결정된 포지션들을 클러스터링하는 것에 의해 발생될 수도 있다. 이들 결정된 포지션들은 또한, 메타데이터로서 대응하는 프레임들과 연관되었을 수도 있다. 특정 실시형태에서, 제 1 프레임은 도 20 의 제 1 이미지 (예를 들어, 디스플레이 (1710)) 에 대응할 수도 있고, 제 2 프레임은 도 20 의 제 2 이미지 (예를 들어, 디스플레이 (1730)) 에 대응할 수도 있고, 제 3 프레임은 도 20 의 제 3 이미지 (예를 들어, 디스플레이 (1750)) 에 대응할 수도 있다. 이 예에서 10,000 개의 프레임들에 대한 결정된 포지션들은 코드북 (2102) 을 획득하는데 이용되지만, 다른 실시형태들에서, 코드북 (2102) 은 더 적은 (또는 부가적인) 프레임들에 대한 결정된 포지션들에 기초할 수도 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 코드북은 상술된 바와 같이 (예를 들어, 도 19b 내지 도 19d 에 도시한 바와 같이) 관심-기반 분할 스킴, 또는 관측된 결정된 포지션들의 세트를 클러스터링하는 것에 의해 획득되지 않은 다른 분할 스킴에 기초할 수도 있다. 부가적으로, 결정된 포지션들은 더 적은 (또는 부가적인) 오브젝트들에 대한 포지션 정보를 포함할 수도 있다. 도 24 의 다음의 설명은 제 3 이미지에 대응하는 결정된 포지션들에 기초한다. 그러한, 유사한 기법들이 다른 결정된 포지션들에 적용가능할 수도 있다.제 3 이미지에서의 결정된 포지션들은 제 1 직교 좌표 데이터 (2132), 제 2 직교 좌표 데이터 (2134), 및 제 3 직교 좌표 데이터 (2136) 를 포함할 수도 있다. 제 1 직교 좌표 데이터 (2132) 는 도 20 의 제 3 이미지에서의 제 1 오브젝트 (1702) 의 x-좌표 포지션 및 제 3 이미지에서의 제 1 오브젝트 (1702) 의 y-좌표 포지션을 포함할 수도 있다. 제 2 직교 좌표 데이터 (2134) 는 제 3 이미지에서의 제 2 오브젝트 (1704) 의 x-좌표 포지션 및 제 3 이미지에서의 제 2 오브젝트 (1704) 의 y-좌표 포지션을 포함할 수도 있다. 제 3 직교 좌표 데이터 (2136) 는 제 3 이미지에서의 제 3 오브젝트 (1706) 의 x-좌표 포지션 및 제 3 이미지에서의 제 3 오브젝트 (1706) 의 y-좌표 포지션을 포함할 수도 있다.다른 특정 실시형태에서, 직교 좌표 데이터 (2132 내지 2136) 에서의 각각의 오브젝트 (1702 내지 1706) 의 x-좌표들 및 y-좌표들은 제 3 이미지에서의 오브젝트들 (1702 내지 1706) 의 질량 중심 (CM3) 에 상대적일 수도 있다. 예를 들어, 질량 중심 (CM3) 은 원점으로서 지정될 수도 있고, 각각의 오브젝트 (1702 내지 1706) 의 로케이션 (예를 들어, x-좌표들 및 y-좌표들) 은 원점에 상대적일 수도 있다. 이러한 경우에, 이러한 도 19a 에 도시한 바와 같은 농구 코트 또는 다른 스포츠 필드의 예에서, 도 19b 내지 도 19d 에 도시한 것과 같은 불균일한 분할 스킴에 따라 선택된 오브젝트들 (예를 들어, 플레이어들) 의 이러한 질량 중심의 로케이션을 양자화하는 것이 바람직할 수도 있다.다른 특정 실시형태에서, 특정 오브젝트는 원점으로서 지정될 수도 있고, 다른 오브젝트들의 로케이션들 (예를 들어, x-좌표들 및 y-좌표들) 은 원점에 상대적일 수도 있다. 특정 오브젝트 ("1 차 관심 오브젝트" 라고도 불림) 는 다음 예들 중 임의의 예를 포함할 수도 있다: 공 (예를 들어, 스포츠 이벤트의 비디오에서), 선택된 상대방 (예를 들어, 스포츠 이벤트에서), 범죄 피해자 (예를 들어, 감시 비디오에서), 신부 (예를 들어, 웨딩 비디오에서). 1 차 관심 오브젝트는 시간의 경과에 따라 이동할 수도 있고 (예를 들어, 사람), 또는 공간에서 고정된 로케이션을 갖는 오브젝트 (예를 들어, 스포츠 비디오에서 네트, 바스켓, 또는 다른 골) 일 수도 있다. 비제한적 예에서, 제 1 오브젝트 (1702) 는 원점으로서 지정될 수도 있고, 제 2 오브젝트 (1704) 및 제 3 오브젝트 (1706) 의 로케이션들은 원점에 상대적일 수도 있다.프로세서는 동일하지 않은 사이즈의 구역들을 포함하여, 로케이션 공간의 별개의 구역들로의 분할 (2108) 에 따라 메타데이터를 생성하기 위해 직교 좌표 데이터 (2132 내지 2136) 를 인코딩하기 위해 코드북 (2102) 을 이용할 수도 있다. 예시하기 위해, 프로세서는 제 1 직교 좌표 데이터 (2132) 를 제 1 인코딩된 로케이션 데이터 (2142) 로 인코딩 (예를 들어, 양자화) 할 수도 있다. 예를 들어, 프로세서는 제 1 직교 좌표 데이터 (2132) 를 대응하는 값 (예를 들어, 코드북 (2102) 의 코드워드) 에 맵핑시키고 제 1 직교 좌표 데이터 (2132) 를 값 (예를 들어, 제 1 인코딩된 로케이션 데이터 (2142)) 으로서 인코딩할 수도 있다. 부가적으로, 프로세서는 제 2 직교 좌표 데이터 (2134) 를 제 2 인코딩된 로케이션 데이터 (2144) 로 인코딩할 수도 있다. 예를 들어, 프로세서는 코드북 (2102) 을 이용하여 제 2 직교 좌표 데이터 (2134) 를 대응하는 값에 맵핑시키고 제 2 직교 좌표 데이터 (2134) 를 값 (예를 들어, 제 2 인코딩된 로케이션 데이터 (2144)) 으로서 인코딩할 수도 있다. 유사한 방식으로, 프로세서는 제 3 직교 좌표 데이터 (2136) 를 제 3 인코딩된 로케이션 데이터 (2146) 로 인코딩할 수도 있다. 예를 들어, 프로세서는 코드북 (2102) 을 이용하여 제 3 직교 좌표 데이터 (2136) 를 대응하는 값에 맵핑시키고 제 3 직교 좌표 데이터 (2136) 를 값 (예를 들어, 제 3 인코딩된 로케이션 데이터 (2146)) 으로서 인코딩할 수도 있다.제 1 인코딩된 로케이션 데이터 (2142) 에 기초하여, 도 20 의 제 3 이미지에서의 제 1 오브젝트 (1702) (예를 들어, 오브젝트 1) 의 포지션은 생성된 메타데이터에서 그리드 (2108) 에서의 대응하는 로케이션 (예를 들어, 나타낸 구역의 중심) 으로서 표현될 수도 있다. 제 2 인코딩된 로케이션 데이터 (2144) 에 기초하여, 제 3 이미지에서의 제 2 오브젝트 (1704) (예를 들어, 오브젝트 2) 의 로케이션은 생성된 메타데이터에서 그리드 (2108) 에서의 대응하는 로케이션으로서 표현될 수도 있다. 제 3 인코딩된 로케이션 데이터 (2146) 에 기초하여, 제 3 이미지에서의 제 3 오브젝트 (1706) (예를 들어, 오브젝트 3) 의 로케이션은 생성된 메타데이터에서 그리드 (2108) 에서의 대응하는 로케이션으로서 표현될 수도 있다.상기 언급한 바와 같이, 결정된 포지션은 다수의 선택된 오브젝트들의 기하학적 배열 또는 "형성 (formation)" 의 레퍼런스 포지션일 수도 있다. 하나 이상의 로케이션 (또는 "레퍼런스") 코드북들을 이용하는 것에 더하여 또는 그에 대한 대안으로, 태스크 T300 은 레퍼런스 포지션 (예를 들어, 오브젝트들의 질량 중심의 로케이션) 에 상대적인 공간에서의 선택된 오브젝트들 (예를 들어, 그들의 기하학적 배열, 또는 이 배열을 설명하는 형상) 의 형성을 인코딩하는 하나 이상의 형성 (또는 "상대적인") 코드북들을 이용하도록 구현될 수도 있다. 3 개의 선택된 오브젝트들의 비제한적 예에서, 레퍼런스 포지션으로서, 2-D 공간에서 선택된 오브젝트들의 질량 중심의 로케이션을 저장하고 레퍼런스 포지션에 상대적으로, 총 8 개의 자유도들에 대해, 2-D 공간에서 각각의 선택된 오브젝트의 로케이션을 나타내는 메타데이터를 생성하는 것이 바람직할 수도 있다. 이들 값들은 단일 코드워드로서 (예를 들어, 8-D 공간에서) 양자화될 수도 있다. 대안적으로, 이들 값들은 상술된 하나 이상의 로케이션 코드북들을 이용하여 레퍼런스 포지션으로서 (예를 들어, 2-D 공간에서), 그리고 하나 이상의 형성 코드북들 (즉, 후보 기하학적 배열들의 인덱싱된 세트들) 을 이용하여 오브젝트 형성으로서 (예를 들어, 6-D 공간에서) 별도로 양자화될 수도 있다.대안적으로, 형성 또는 상대적 코드북으로의 인덱스는 템플릿들 (즉, 후보 기하학적 배열들) 의 세트의 하나를 식별할 수도 있다. 이러한 경우에, 나타내진 템플릿에 대한 수정 (예를 들어, 스케일링, 회전 또는 다른 배향, 애스펙트비 등) 이 별도로 양자화될 수도 있다. 도 33a 는 3 개의 템플릿들의 예를 도시하고, 도 33b 는 도 33a 의 가장 왼쪽의 템플릿에 대한 수정들의 3 개의 예들을 도시한다.형성 코드북은 예를 들어, 가능한 형성들 중에서의 발생 빈도의 차이들; 가능항 형성들 중에서의 관심 레벨의 차이들 (예를 들어, 결정된 형성에 대한 유사성); 가능한 형성의 특정 미리 결정된 이벤트 (예를 들어, 스코어링 이벤트) 또는 패턴 (예를 들어, 풋볼 팀의 특정 시작 형성) 에 대한 상이한 연관성의 정도들; 공간 레퍼런스로부터의 가장 먼 선택된 오브젝트의 거리; 선택된 오브젝트들의 선택된 서브세트의 서로로부터의 거리; 및/또는 선택된 오브젝트들 중 임의의 2 개 사이의 최대 거리에 따라 불균일하게 형성 공간 (즉, 모든 가능한 형성들의 공간의 일부 부분) 을 분할하도록 구성될 수도 있다.코드워드들 (예를 들어, 인코딩된 로케이션 데이터 (2142 내지 2146)) 은 고정-폭 코드워드들 또는 가변-폭 코드워드들일 수도 있다. 특정 실시형태에서, 프로세서는 오브젝트의 로케이션에 기초하여 (예를 들어, 오브젝트가 "고밀도 영역" 에 있는지 또는 "저밀도 영역" 에 있는지 여부에 기초하여) 가변-폭 코드워드들을 이용할 수도 있다. 고밀도 영역들은 오브젝트들 (1702 내지 1706) 중 적어도 하나에 의해 빈번하게 점유되는 도 20 의 이미지들의 영역들에 대응할 수도 있다. 메타데이터에서의 비트들의 수를 감소시키기 위해, 로케이션 공간 (2106) 에서의 고밀도 영역들에 대응하는 코드워드들은 저밀도 영역들에 대응하는 코드워드들보다 더 적은 비트들 (즉, 더 짧은 코드워드) 을 가질 수도 있다 (즉, 덜 빈번하게 점유된 그리드 로케이션들은 더 긴 코드워드들을 갖는다). 대안적으로, 또는 또한, 불균일한 분할 스킴 (2108) 은 고밀도 구역들에서 더 많은 서브-구역들 (즉, 더 높은 해상도를 제공하기 위해 더 많은 별개의 코드워드들) 및 저밀도 구역들에서 더 적은 서브-구역들 (즉, 더 낮은 해상도를 제공하는, 더 적은 별개의 코드워드들) 을 갖는 계층적 스킴일 수도 있다.오브젝트가 고밀도 영역에 있으면, 오브젝트에 대한 코드워드는 오브젝트의 보다 "정밀한" 로케이션을 발생시키기 위해 상대적으로 작은 구역을 표현할 수도 있다. 예를 들어, 증가된 수의 코드워드들은 프레임-바이-프레임 기반으로 보다 정확한 추적을 획득하기 위해 고밀도 영역들에서 오브젝트들 (1702 내지 1706) 의 로케이션을 추적하는데 이용될 수도 있다. 오브젝트가 저밀도 영역에 있으면, 오브젝트에 대한 코드워드는 상대적으로 큰 구역을 표현할 수도 있다. 특정 실시형태에서, 고밀도 영역들 및 저밀도 영역들은 이력 데이터의 분석 (예를 들어, 스크린의 어느 영역들이 오브젝트들에 의해 빈번하게 점유되는 이력을 갖는지를 분석) 에 기초하여 결정될 수도 있다. 다른 특정 실시형태에서, 고밀도 영역들 및 저밀도 영역들은 미리 결정될 수도 있다.형성 코드북으로의 코드워드는 n 개의 선택된 오브젝트들의 n 개의 포지션들에 대한 고유한 맵핑들 간을 구별할 수도 있다 (예를 들어, 각각의 이러한 맵핑에 대한 고유한 코드워드를 포함할 수도 있다). 예를 들어, 도 34a 는 고유한 코드워드로서 각각 인코딩될 수도 있는 (즉, 상이한 각각의 후보 기하학적 배열들에 의해 표현될 수도 있는) 3 개의 선택된 오브젝트들의 4 개의 상이한 형성들의 예들을 도시한다. 이들 예들에서, 선택된 오브젝트의 각각의 포지션은 그 오브젝트를 고유하게 식별하는 아이콘 (예를 들어, 원, 정사각형, 또는 삼각형) 에 의해 나타내진다. 대안적으로, 형성 코드북으로의 코드워드는 여러 상이한 고유한 맵핑들을 인코딩할 수도 있다. 예를 들어, 도 34b 는 도 34a 의 형성들에 대응하는 불균일한 맵핑들의 예들을 도시하고, 여기서 임의의 선택된 오브젝트의 로케이션은 x 로 나타내진다. 이 경우에, 도 34c 는 단일 불균일한 맵핑 (즉, 도 34b 의 가장 왼쪽에 도시되는 후보 기하학적 배열) 으로 나타내질 수도 있는 선택된 오브젝트들의 6 개의 고유한 형성들을 도시한다.코드북 (2102) 은 고정 코드북 또는 적응적 코드북일 수도 있다. 적응적 코드북은 오브젝트 로케이션들을 대표하는 이력 데이터에 기초하여 코드워드들의 길이를 조정할 수도 있다 (예를 들어, 가변-폭 코드워드들을 발생시킬 수도 있다). 예를 들어, 적응적 코드북은 스크린의 빈번하게 점유된 영역에서의 오브젝트들에 대해 더 짧은 코드워드들을 발생시킬 수도 있고 이력 데이터에 기초하여 스크린의 덜 빈번하게 점유된 영역에서의 오브젝트들에 대해 더 긴 코드워드들을 발생시킬 수도 있다. 그에 반해서, 고정 코드워드는 이력 데이터에 기초하여 변화하지 않을 수도 있고, 고정-폭 코드워드들 또는 가변-폭 코드워드들을 이용할 수도 있다.각각의 레퍼런스 포지션들에 대한 가능한 형성들 중에서 관심 레벨들 또는 발생 빈도들의 차이들을 활용하는 다수의 형성 코드북들을 이용하여 형성 데이터를 인코딩하는 것이 바람직할 수도 있다. 예를 들어, 가변 사이즈의 형성 코드북들의 세트 중의 하나는 레퍼런스 포지션의 코드워드에 의존하여 (예를 들어, 레퍼런스 포지션이 센터 코트에 있을 때의 더 작은 코드북 대 레퍼런스 포지션이 골 부근에 있을 때의 더 큰 코드북) 선택될 수도 있다.도 24 의 실시형태는 사용자가 코드북 (2102) 을 이용하여 태스크 T300 에 의해 생성된 메타데이터에 기초하여, 비디오의 특정 부분들과 같은 특정 이미지들을 취출 (예를 들어, 로케이팅) 하는 것을 가능하게 할 수도 있다. 예를 들어, 로케이션 공간 (2106) 은 사용자가 상이한 오브젝트들에 대해 상이한 로케이션들 (예를 들어, 파라미터들) 을 선택하는 것을 가능하게 하는 사용자-상호작용 그리드로서 스크린 상에 디스플레이될 수도 있다. 그 선택에 기초하여, 모바일 디바이스의 사용자는 비디오를 통해 내비게이팅 (예를 들어, 플레이, 빨리 감기 (fast-forward), 되감기 등) 해야 하는 일 없이 유사한 오브젝트 로케이션 구성들을 갖는 비디오의 원하는 부분들 (예를 들어, 프레임들) 을 쉽게 로케이팅할 수도 있다. 예를 들어, 방법 (M100) 은 분할 스킴에서 구역들 중 하나를 특정하는 요청을 검색하기 위해 생성된 메타데이터를 비교하는 결과에 기초하여 (예를 들어, 스토리지로부터) 하나 이상의 이미지들을 취출하는 태스크를 포함하도록 구현될 수도 있다. 특정 실시형태에서, 로케이션 공간 (2106) 의 이러한 디스플레이는 도 21 의 클러스터들의 스크린 (1802) 과 실질적으로 유사한 방식으로 이용될 수도 있다. 부가적으로, 생성된 메타데이터 (2142 내지 2146) 는 인코더로부터 디코더에 압축 및 송신될 수도 있다. 디코더로의 메타데이터 (2142 내지 2146) 의 압축 및 송신은 디코더가 비교적 낮은 양의 데이터 (예를 들어, 양자화된 값들) 를 이용하여 추적된 오브젝트들의 포지션을 결정하는 것을 가능하게 할 수도 있다. 예를 들어, 디코더는 코드북 (2102) 에서의 양자화된 값들에 기초하여 오브젝트들 (1702 내지 1706) 과 연관된 비디오를 디코딩하기 위해 렌더링 동작들을 수행할 수도 있다.하나의 예에서, 취출된 프레임들은 풋볼 게임 또는 다른 스포츠 이벤트에서, 특정 플레이 또는 플레이들의 세트, 또는 특정 시작 형성 동안만 발생하는 선택된 플레이어들 간의 선택된 형성을 포함한다. 다른 예에서, 취출된 프레임들은 랩 트랙 상에 근접하여 특정 레이싱 카들 간에 선택된 형성을 포함한다. 이러한 선택적 취출에 의해 구동된 비디오 분석은 또한 특정 형성의 발생과의 이벤트 (이는 이전에 미식별될 수도 있음) 의 상관을 검출하는데 이용될 수도 있다. 예를 들어, 잠재적인 애플리케이션들은 어셈블리 (예를 들어, 입법 심의회, 가두데모, 침목회모임 회칙) 내에서 사람들을 추적하는 것, 및 (예를 들어, 의사 결정자들, 말썽꾼들, 촉진자들을 식별하기 위해) 특정된 이벤트들과 선택된 사람들의 근접성을 상관시키는 것을 포함한다. 본 명세서에서 설명한 바와 같은 방법 (M100) 의 구현들은 또한 감금된 (예를 들어, 실험실 또는 동물원의) 또는 야생의 동물들 간의 소셜 상호작용의 분석에 적용될 수도 있다.도 25 를 참조하면, 극 좌표들을 이용하여 오브젝트 포지션에 대한 메타데이터를 발생시키기 위한 방법 (M100) 의 다른 특정 적용이 도시된다. 도 25 의 실시형태는 프레임-바이-프레임 기반으로 다수의 오브젝트들의 결정된 포지션들을 인코딩하는데 이용될 수도 있는 코드북 (2202) 을 예시한다. 결정된 포지션들은 극성 로케이션 공간 (2206) 에 각각의 오브젝트의 포지션들을 나타낼 수도 있다. 코드북 (2202) 은 로케이션 공간 (2206) 에서의 포지션들 (예를 들어, 2232, 2234, 2236) 을 동일하지 않은 사이즈의 구역들을 포함한, 별개의 구역들로의 로케이션 공간 (2206) 의 분할 (2208) 에서의 대응하는 구역들 (예를 들어, 2242, 2244, 2246) 에 맵핑한다.코드북 (2202) 은 다수의 프레임들 또는 다른 이미지들 (2204) 에 대한 메타데이터를 생성하는데 이용될 수도 있다. 이러한 메타데이터는 비디오 스트림에 통합될 수도 있고 및/또는 별도로 스트리밍되고 및/또는 별개의 파일에 저장될 수도 있다. 결정된 포지션들은 프레임에서의 오브젝트들에 대한 극 좌표 데이터를 포함할 수도 있다. 특정 실시형태에서, 결정된 포지션들은 또한 프레임에서의 오브젝트들에 대한 구형 또는 원통형 좌표 데이터 (예를 들어, 3D 좌표 데이터) 를 포함할 수도 있다. 예시된 실시형태에서, 코드북 (2102) 은 10,000 개의 프레임들 (또는 다른 이미지들) 에 걸쳐 3 개의 오브젝트들의 결정된 포지션들을 클러스터링하는 것에 의해 발생될 수도 있다. 이들 결정된 포지션들은 또한 메타데이터로서 대응하는 프레임들과 연관되었을 수도 있다. 특정 실시형태에서, 제 1 프레임은 도 20 의 제 1 이미지 (예를 들어, 디스플레이 (1710)) 에 대응할 수도 있고, 제 2 프레임은 도 20 의 제 2 이미지 (예를 들어, 디스플레이 (1730)) 에 대응할 수도 있고, 제 3 프레임은 도 20 의 제 3 이미지 (예를 들어, 디스플레이 (1750)) 에 대응할 수도 있다. 이 예에서, 10,000 개의 프레임들에 대한 결정된 포지션들은 코드북 (2202) 을 획득하는데 이용되지만, 다른 실시형태들에서, 코드북 (2202) 은 더 적은 (또는 부가적인) 프레임들에 대한 결정된 포지션들에 기초할 수도 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 코드북은 상술한 바와 같은 (예를 들어, 도 19b 내지 도 19d 에 도시한 바와 같은) 관심-기반 분할 스킴, 또는 관측된 결정된 포지션들의 세트를 클러스터링하는 것에 의해 획득되지 않는 다른 분할 스킴에 기초할 수도 있다. 부가적으로, 결정된 포지션들은 더 적은 (또는 부가적인) 오브젝트들에 대한 포지션 정보를 포함할 수도 있다. 도 25 의 다음의 설명은 제 3 이미지에 대응하는 결정된 포지션들에 기초한다. 그러나, 유사한 기법들이 다른 결정된 포지션들에 적용가능할 수도 있다.제 3 이미지에서의 결정된 포지션들은 극성 (polar) 배향 데이터 (2230), 제 1 극 좌표 데이터 (2232), 제 2 극 좌표 데이터 (2234), 및 제 3 극 좌표 데이터 (2236) 를 포함할 수도 있다. 극성 배향 데이터 (2230) 는 질량 중심 (CM3) 의 포지션 (예를 들어, 도 20 의 제 3 이미지에서의 질량 중심 (CM3) 의 x-좌표 (Cx) 및 제 3 이미지에서의 질량 중심 (cM3) 의 y-좌표 (Cy)) 을 나타낼 수도 있다. 극성 배향 데이터 (2230) 는 또한 중심으로서 질량 중심 (CM3) 을 갖는 원의 반경 (R) 을 나타낼 수도 있다. 스케일 팩터로서 구현될 수도 있는 반경 (R) 은 각각의 추적된 오브젝트를 포괄할 정도로 충분히 클 수도 있다. 예시적 예는 극성 로케이션 공간 (2206) 에 대하여 나타내진다. 하나의 예에서, 태스크 T300 은 로케이션 공간 (2206) (예를 들어, 도 24 에 도시한 바와 같은 직교 좌표 공간) 과는 상이할 수도 있는, 배향 포지션이 나타내는 대응하는 로케이션 공간을 분할하는, 동일하지 않은 사이즈의 구역들을 포함하는, 복수의 구역들 중 하나를 나타내는 메타데이터로서 배향 포지션 (예를 들어, 질량 중심의 포지션) 을 인코딩하도록 구현된다.제 1 극 좌표 데이터 (2232) 는 제 1 오브젝트 (1702) (오브젝트 1) 의 제 1 극 좌표들을 나타낼 수도 있다. 제 1 극 좌표들은 질량 중심 (CM3) 으로부터의 제 1 오브젝트 (1702) 의 제 1 거리 (a) 및 0도 레퍼런스로부터 측정된 제 1 오브젝트 (1702) 의 제 1 각도 (θa) (예를 들어, 수평으로부터의 각도 변위) 를 포함할 수도 있다. 제 2 극 좌표 데이터 (2234) 는 제 2 오브젝트 (1704) (오브젝트 2) 의 제 2 극 좌표들을 나타낼 수도 있다. 제 2 극 좌표들은 질량 중심 (CM3) 으로부터의 제 2 오브젝트 (1704) 의 제 2 거리 (b) 및 수평으로부터 측정된 제 2 오브젝트 (1704) 의 제 2 각도 (θb) 를 포함할 수도 있다. 제 3 극 좌표 데이터 (2236) 는 제 3 오브젝트 (1706) (오브젝트 3) 의 제 3 극 좌표들을 나타낼 수도 있다. 제 3 극 좌표들은 질량 중심 (CM3) 으로부터의 제 3 오브젝트 (1706) 의 제 3 거리 (c) 및 수평으로부터 측정된 제 1 오브젝트 (1702) 의 제 3 각도 (θc) 를 포함할 수도 있다.특정 실시형태에서, 극성 배향 데이터 (2230) 의 반경 (R) 은 질량 중심 (CM3) 으로부터 더 멀리 떨어져 있는 오브젝트의 거리에 기초하여 정규화될 수도 있다. 예를 들어, 반경 (R) 은 제 1 거리 (a) 가 제 2 거리 (b) 및 제 3 거리 (c) 보다 더 크면 제 1 거리 (a) 와 동일할 수도 있다.프로세서는 동일하지 않은 사이즈의 구역들을 포함한 구역들로의 로케이션 공간의 분할 (2108) 에 따라 메타데이터를 생성하기 위해 극 좌표 데이터 (2232 내지 2236) 를 인코딩하도록 코드북 (2202) 을 이용할 수도 있다. 예시하기 위해, 프로세서는 제 1 극 좌표 데이터 (2232) 를 제 1 인코딩된 로케이션 데이터 (2242) 로 인코딩 (예를 들어, 양자화) 할 수도 있다. 예를 들어, 프로세서는 (극성 배향 데이터 (2230) 에 기초하는) 제 1 극 좌표 데이터 (2232) 를 대응하는 값 (예를 들어, 코드북 (2202) 의 코드워드) 에 맵핑시키고 제 1 극 좌표 데이터 (2232) 를 값 (예를 들어, 제 1 인코딩된 로케이션 데이터 (2242)) 으로서 인코딩할 수도 있다. 부가적으로, 프로세서는 제 2 극 좌표 데이터 (2234) 를 제 2 인코딩된 로케이션 데이터 (2244) 로 인코딩할 수도 있다. 예를 들어, 프로세서는 (예를 들어, 극성 배향 데이터 (2230) 에 기초하는) 제 2 극 좌표 데이터 (2234) 를 코드북 (2202) 을 이용하여 대응하는 값에 맵핑시키고 제 2 극 좌표 데이터 (2234) 를 값 (예를 들어, 제 2 인코딩된 로케이션 데이터 (2244)) 으로서 인코딩할 수도 있다. 유사한 방식으로, 프로세서는 제 3 극 좌표 데이터 (2236) 를 제 3 인코딩된 로케이션 데이터 (2246) 로 인코딩할 수도 있다. 예를 들어, 프로세서는 제 3 극 좌표 데이터 (2236) 를 코드북 (2202) 을 이용하여 대응하는 값에 맵핑시키고 제 3 극 좌표 데이터 (2236) 를 값 (예를 들어, 제 3 인코딩된 로케이션 데이터 (2246)) 으로서 인코딩할 수도 있다.제 1 인코딩된 로케이션 데이터 (2242) 에 기초하여, 도 20 의 제 3 이미지에서의 제 1 오브젝트 (1702) (예를 들어, 오브젝트 1) 의 포지션은 생성된 메타데이터에서 극성 그리드 (2208) 에서의 대응하는 로케이션 (예를 들어, 나타내진 구역의 중심) 으로서 표현될 수도 있다. 제 2 인코딩된 로케이션 데이터 (2244) 에 기초하여, 제 3 이미지에서의 제 2 오브젝트 (1704) (예를 들어, 오브젝트 2) 의 로케이션은 생성된 메타데이터에서 극성 그리드 (2208) 에서의 대응하는 로케이션으로서 표현될 수도 있다. 제 3 인코딩된 로케이션 데이터 (2246) 에 기초하여, 제 3 이미지에서의 제 3 오브젝트 (1706) (예를 들어, 오브젝트 3) 의 로케이션은 생성된 메타데이터에서 극성 그리드 (2208) 에서의 대응하는 로케이션으로서 표현될 수도 있다. 예를 들어, 극성 그리드 (2208) 는 그리드 원점으로부터의 방사상 거리의 범위들에 기초하여 (예를 들어, 질량 중심 (CM3) 으로부터의 방사상 거리의 범위들에 기초하여) 그리고 0도 레퍼런스로부터의 각도 변위의 범위들에 기초하여 동일하지 않은 사이즈의 구역들을 포함한 구역들로 분할될 수도 있다.도 25 의 실시형태는 사용자가 코드북 (2202) 을 이용하여 태스크 T300 에 의해 생성된 메타데이터에 기초하여 특정 이미지들 (예를 들어, 비디오의 프레임들) 을 취출 (예를 들어, 로케이팅) 하는 것을 가능하게 할 수도 있다. 예를 들어, 극성 로케이션 공간 (2206) 은 사용자가 상이한 오브젝트들에 대해 상이한 로케이션들 (예를 들어, 파라미터들) 을 선택하는 것을 가능하게 하는 사용자-상호작용 그리드로서 스크린 상에 디스플레이될 수도 있다. 그 선택에 기초하여, 모바일 디바이스의 사용자는 비디오를 통해 내비게이팅 (예를 들어, 플레이, 빨리 감기 (fast-forward), 되감기 등) 해야 하는 일 없이 유사한 오브젝션 로케이션 구성들을 갖는 비디오의 원하는 부분들 (예를 들어, 프레임들) 을 쉽게 로케이팅할 수도 있다. 예를 들어, 방법 (M100) 은 분할 스킴에서 구역들 중 하나를 특정하는 검색 요청과 생성된 메타데이터를 비교하는 결과에 기초하여 (예를 들어, 스토리지로부터) 하나 이상의 이미지들을 취출하는 태스크를 포함하도록 구현될 수도 있다. 특정 실시형태에서, 이러한 극성 로케이션 공간 (2206) 의 디스플레이는 도 21 의 클러스터들의 스크린 (1802) 과 실질적으로 유사한 방식으로 이용될 수도 있다. 부가적으로, 생성된 메타데이터 (2242 내지 2246) 는 인코더로부터 디코더에 압축 및 송신될 수도 있다. 생성된 메타데이터 (2242 내지 2246) 의 디코더에의 압축 및 송신은 디코더가 상대적으로 낮은 양의 데이터 (예를 들어, 양자화된 값들) 를 이용하여 추적된 오브젝트들의 포지션을 결정하는 것을 가능하게 할 수도 있다. 예를 들어, 디코더는 코드북 (2202) 에서의 양자화된 값들에 기초하여 오브젝트들 (1702 내지 1706) 과 연관된 비디오를 디코딩하기 위해 렌더링 동작들을 수행할 수도 있다.코드워드들 (예를 들어, 인코딩된 로케이션 데이터 (2242 내지 2246)) 은 고정-폭 코드워드들 또는 가변-폭 코드워드들일 수도 있다. 특정 실시형태에서, 프로세서는 오브젝트의 로케이션에 기초하여 (예를 들어, 오브젝트가 "고밀도 영역" 에 있는지 또는 "저밀도 영역" 에 있는지 여부에 기초하여) 가변-폭 코드워드들을 이용할 수도 있다. 고밀도 영역들은 오브젝트들 (1702 내지 1706) 중 적어도 하나에 의해 빈번하게 점유되는 도 20 의 이미지들의 영역들에 대응할 수도 있다. 메타데이터에서의 비트들의 수를 감소시키기 위해, 극성 로케이션 공간 (2206) 에서의 고밀도 영역들에 대응하는 코드워드들은 저밀도 영역들에 대응하는 코드워드들보다 더 적은 비트들 (즉, 더 짧은 코드워드) 을 가질 수도 있다 (즉, 덜 빈번하게 점유된 그리드 로케이션들은 더 긴 코드워드들을 갖는다). 대안적으로, 또는 또한, 불균일한 분할 스킴 (2208) 은 고밀도 영역들에서 더 많은 서브-구역들 (즉, 더 높은 해상도를 제공하기 위해 더 많은 별개의 코드워드들) 을 갖고 저밀도 구역들에서 더 적은 서브-구역들 (즉, 더 낮은 해상도를 제공하는 더 적은 별개의 코드워드들) 을 갖는 계층적 스킴일 수도 있다.오브젝트가 고밀도 영역에 있으면, 오브젝트에 대한 코드워드는 오브젝트의 보다 "정밀한" 로케이션을 발생시키기 위해 상대적으로 작은 구역을 표현할 수도 있다. 예를 들어, 증가된 수의 코드워드들은 프레임-바이-프레임 기반으로 보다 정확한 추적을 획득하기 위해 고밀도 영역들에서 오브젝트들 (1702 내지 1706) 의 로케이션을 추적하는데 이용될 수도 있다. 오브젝트가 저밀도 영역에 있으면, 오브젝트에 대한 코드워드는 상대적으로 큰 구역을 표현할 수도 있다. 특정 실시형태에서, 고밀도 영역들 및 저밀도 영역들은 이력 데이터의 분석 (예를 들어, 스크린의 어느 영역들이 오브젝트들에 의해 빈번하게 점유되는 이력을 갖는지를 분석하는 것) 에 기초하여 결정될 수도 있다. 다른 특정 실시형태에서, 고밀도 영역들 및 저밀도 영역들은 미리 결정될 수도 있다.코드북 (2202) 은 고정 코드북 또는 적응적 코드북일 수도 있다. 적응적 코드북은 오브젝트 로케이션들을 대표하는 이력 데이터에 기초하여 코드워드들의 길이를 조정할 수도 있다 (예를 들어, 가변-폭 코드워드들을 발생시킬 수도 있다). 예를 들어, 적응적 코드북은 스크린의 빈번하게 점유된 영역에서의 오브젝트들에 대해 더 짧은 코드워드들을 발생시킬 수도 있고 이력 데이터에 기초하여 스크린의 덜 빈번하게 점유된 영역에서의 오브젝트들에 대해 더 긴 코드워드들을 발생시킬 수도 있다. 그에 반해서, 고정 코드북은 이력 데이터에 기초하여 변화하지 않을 수도 있고, 고정-폭 코드워드들 또는 가변-폭 코드워드들을 이용할 수도 있다.도 26 을 참조하면, 오브젝트 추적을 이용하는 비디오 프로세싱 방법 (2300) 의 특정 실시형태를 예시하는 플로우차트가 도시된다. 예시적 실시형태에서, 방법 (2300) 은 도 1 의 전자 디바이스 (102), 도 2b 의 프로세서 (264) 에 의해 구현되는 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204), 프로세서에 의해 구현되는 도 8 의 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (804), 프로세서에 의해 구현되는 도 9 의 평활화 모듈 (961), 또는 이들의 임의의 조합을 이용하여 수행될 수도 있다.방법 (2300) 은 2302 에서, 모바일 디바이스에서, 특정 프레임에서의 제 1 오브젝트의 제 1 로케이션 및 특정 프레임에서의 제 2 오브젝트의 제 2 로케이션을 추적하는 단계를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 도 20 을 참조하면, 제 1 오브젝트 (1702) 의 제 1 로케이션은 제 3 프레임에서 추적될 수도 있고 제 2 오브젝트 (1704) 의 제 2 로케이션은 제 3 프레임에서 추적될 수도 있다. 부가적으로, 제 3 오브젝트 (1706) 의 제 3 로케이션은 제 3 프레임에서 추적될 수도 있다.2304 에서, 제 1 로케이션과 연관된 제 1 좌표 데이터가 발생될 수도 있고 제 2 로케이션과 연관된 제 2 좌표 데이터가 발생될 수도 있다. 예를 들어, 도 24 를 참조하면, 프로세서는 제 3 프레임에서의 제 1 오브젝트 (1702) 의 포지션과 연관된 제 1 직교 좌표 데이터 (2132) 및 제 3 프레임에서의 제 2 오브젝트 (1704) 의 포지션과 연관된 제 2 직교 좌표 데이터 (2134) 를 발생시킬 수도 있다. 부가적으로, 프로세서는 제 3 프레임에서의 제 3 오브젝트 (1706) 의 포지션과 연관된 제 3 직교 좌표 데이터 (2136) 를 발생시킬 수도 있다.다른 예로서, 도 25 를 참조하면, 프로세서는 제 3 프레임에서의 제 1 오브젝트 (1702) 의 포지션과 연관된 제 1 극 좌표 데이터 (2232) 및 제 3 프레임에서의 제 2 오브젝트 (1704) 의 포지션과 연관된 제 2 극 좌표 데이터 (2234) 를 발생시킬 수도 있다. 부가적으로, 프로세서는 제 3 프레임에서의 제 3 오브젝트 (1706) 의 포지션과 연관된 제 3 극 좌표 데이터 (2236) 를 발생시킬 수도 있다.2306 에서, 제 1 좌표 데이터 및 제 2 좌표 데이터가 제 1 인코딩된 로케이션 데이터 및 제 2 인코딩된 로케이션 데이터를 생성하기 위해 코드북을 이용하여 인코딩될 수도 있다. 예를 들어, 도 24 를 참조하면, 프로세서는 제 1 인코딩된 로케이션 데이터 (2142) (코드북 (2102) 의 코드워드) 를 발생시키기 위해 제 1 직교 좌표 데이터 (2132) 를 인코딩하도록 코드북 (2102) 을 이용할 수도 있고, 프로세서는 제 2 인코딩된 로케이션 데이터 (2144) 를 발생시키기 위해 제 2 직교 좌표 데이터 (2134) 를 인코딩하도록 코드북 (2102) 을 이용할 수도 있다. 부가적으로, 프로세서는 제 3 인코딩된 로케이션 데이터 (2146) 를 발생시키기 위해 제 3 직교 좌표 데이터 (2132) 를 인코딩하도록 코드북 (2102) 을 이용할 수도 있다.다른 예로서, 도 25 를 참조하면, 프로세서는 제 1 인코딩된 로케이션 데이터 (2242) (예를 들어, 코드북 (2202) 의 코드워드) 로서 메타데이터를 생성하기 위해 제 1 극 좌표 데이터 (2232) 를 인코딩하도록 코드북 (2202) 을 이용할 수도 있고, 프로세서는 제 2 인코딩된 로케이션 데이터 (2244) 로서 메타데이터를 생성하기 위해 제 2 극 좌표 데이터 (2234) 를 인코딩하도록 코드북 (2202) 을 이용할 수도 있다. 부가적으로, 프로세서는 제 3 인코딩된 로케이션 데이터 (2246) 로서 메타데이터를 생성하기 위해 제 3 극 좌표 데이터 (2232) 를 인코딩하도록 코드북 (2202) 을 이용할 수도 있다.2308 에서, 메타데이터 (예를 들어, 제 1 인코딩된 로케이션 데이터 및 제 2 인코딩된 로케이션 데이터) 는 입력 파라미터들에 기초하여 특정 프레임의 취출을 가능하게 하도록 저장될 수도 있다. 예를 들어, 도 24 를 참조하면, 프로세서는 메모리에 제 1 인코딩된 로케이션 데이터 (2142) 및 제 2 인코딩된 로케이션 데이터 (2144) 를 저장할 수도 있다. 모바일 디바이스의 사용자는 파라미터들 (예를 들어, 제 1 오브젝트 (1702) 및 제 2 오브젝트 (1704) 의 원하는 로케이션) 을 입력할 수도 있다. 입력 파라미터들에 기초하여, 모바일 디바이스는 제 1 로케이션 및 제 2 로케이션에 대응하는 입력 파라미터들에 응답하여 재생을 위한 제 3 프레임을 취출할 수도 있다.다른 예로서, 도 25 를 참조하면, 프로세서는 메모리에 제 1 인코딩된 로케이션 데이터 (2242) 및 제 2 인코딩된 로케이션 데이터 (2244) 를 저장할 수도 있다. 모바일 디바이스의 사용자는 파라미터들 (예를 들어, 제 1 오브젝트 (1702) 및 제 2 오브젝트 (1704) 의 원하는 로케이션) 을 입력할 수도 있다. 입력 파라미터들에 기초하여, 모바일 디바이스는 제 1 로케이션 및 제 2 로케이션에 대응하는 입력 파라미터들에 응답하여 재생을 위한 제 3 프레임을 취출할 수도 있다.특정 실시형태에서, 방법 (2300) 은 또한 복수의 프레임들에 걸친 장면의 제 1 영역의 제 1 밀도를 추적하는 단계를 포함할 수도 있다. 제 1 밀도는 제 1 오브젝트 (1702) 또는 제 2 오브젝트 (1704) 가 제 1 영역에 있는 횟수에 기초할 수도 있다. 방법 (2300) 은 또한 복수의 프레임들에 걸친 장면의 제 2 영역의 제 2 밀도를 추적하는 단계를 포함할 수도 있다. 제 2 밀도는 제 1 오브젝트 (1702) 또는 제 2 오브젝트 (1704) 가 제 2 영역에 있는 횟수에 기초할 수도 있다. 방법 (2300) 은 제 1 밀도와 제 2 밀도를 비교하는 단계 및 제 1 밀도가 제 2 밀도보다 더 크면 제 1 영역에 코드북 (2102) 에서의 제 1 양의 메타데이터를 할당하고 제 2 영역에 코드북 (2102) 에서의 제 2 양의 메타데이터를 할당하는 단계를 더 포함할 수도 있다. 제 1 양의 메타데이터는 제 2 양의 메타데이터보다 더 클 수도 있다. 예를 들어, 코드북 (2102) 에서의 더 큰 수의 코드워드들이 제 1 영역 (예를 들어, 더 높은 해상도 영역) 에 대응할 수도 있고 더 작은 수의 코드워드들은 제 2 영역 (예를 들어, 더 낮은 해상도 영역) 에 대응할 수도 있어 덜 밀집한 영역들에 대한 코드워드들의 수를 감소시킬 수도 있다.도 26 의 방법 (2300) 은 사용자가 코드북 (2102) 을 이용하여 인코딩된 비디오의 특정 부분들 (프레임들) 을 취출 (예를 들어, 로케이팅) 하는 것을 가능하게 할 수도 있다. 예를 들어, 그리드 (2106) 는 사용자가 상이한 오브젝트들에 대해 상이한 로케이션들 (예를 들어, 파라미터들) 을 선택하는 것을 가능하게 하는 스크린 상에 디스플레이된 사용자-상호작용 그리드일 수도 있다. 그 선택에 기초하여, 모바일 디바이스의 사용자는 비디오를 통해 내비게이팅 (예를 들어, 플레이, 빨리 감기 (fast-forward), 되감기 등) 해야 하는 일 없이 유사한 오브젝션 로케이션 구성들을 갖는 비디오의 원하는 부분들을 쉽게 로케이팅할 수도 있다.도 27 을 참조하면, 오브젝트 추적을 이용하는 비디오 프로세싱 방법 (2600) 의 특정 실시형태를 예시하는 플로우차트가 도시된다. 예시적 실시형태에서, 방법 (2600) 은 로봇을 이용하여 수행될 수도 있다.방법 (2600) 은, 2602 에서, 로봇에서, 다수의 오브젝트들 사이의 지오메트리를 추적하는 단계를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 사용자는 추적될 특정 오브젝트들을 로봇에게 통신할 수도 있다. 특정 실시형태에서, 로봇은 디스플레이 인터페이스를 포함할 수도 있고, 사용자는 디스플레이 인터페이스와의 상호작용들을 통해 로봇에게 통신할 수도 있다. 다른 예로서, 로봇은 환경 팩터들에 기초하여 어떤 오브젝트들이 추적되어야 하는지를 독립적으로 결정할 수도 있다. 예를 들어, 로봇은 모션을 검출하기 위한 센서를 포함할 수도 있다. 검출된 모션에 기초하여, 로봇은 모션과 연관된 오브젝트들을 추적하도록 선택할 수도 있다.2604 에서, 프로세싱 기능이 지오메트리에 기초하여 수행될 수도 있다. 예를 들어, 로봇은 지오메트리에 기초하여 오브젝트들 사이의 관계들을 결정할 수도 있다. 다른 예로서, 로봇은 오브젝트들의 지오메트리에 기초하여 설정 (예를 들어, 장면) 을 결정할 수도 있다.도 28 을 참조하면, 오브젝트 추적을 이용하는 비디오 프로세싱을 나타내는 특정 실시형태가 도시된다. 도 28 에 나타내진 실시형태에 대하여 설명된 비디오 프로세싱 기법들은 도 1 의 전자 디바이스 (102), 도 2b 의 프로세서 (264) 에 의해 구현되는 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204), 프로세서에 의해 구현되는 도 8 의 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (804), 프로세서에 의해 구현되는 도 9 의 평활화 모듈 (961), 또는 이들의 임의의 조합에 의해 수행될 수도 있다.도 28 은 제 1 시간 인스턴스에서 캡처되는 장면을 나타내는 이미지 (2700) 를 도시한다. 예를 들어, 이미지 (2700) 는 모바일 디바이스의 스크린 상에 디스플레이될 비디오 스트림의 프레임에 대응할 수도 있다. 모바일 디바이스는 (예를 들어, 모바일 디바이스의 카메라로) 스트림을 캡처하거나 또는 다른 디바이스로부터 스트림을 수신하도록 구성될 수도 있다. 프레임 (2400) 에 나타낸 장면은 제 1 오브젝트 (2702), 제 2 오브젝트 (2704), 제 3 오브젝트 (2706), 별, 및 나무를 포함한다. 예시된 실시형태에서, 제 1 오브젝트 (2702) 는 제 1 사람에 대응할 수도 있고, 제 2 오브젝트 (2704) 는 제 2 사람에 대응할 수도 있으며, 제 3 오브젝트 (2706) 는 제 3 사람에 대응할 수도 있다. 다른 실시형태에서, 오브젝트들 (2702 내지 2706) 중 적어도 하나는 모바일 디바이스를 통해 제어되는 로봇에 대응할 수도 있다.도 28 은 또한 모바일 디바이스의 스크린 상의 프레임 (2700) 의 디스플레이 (2710) 를 도시한다. 모바일 디바이스의 스크린 (예를 들어, 터치스크린) 은 뷰파인더에 대응할 수도 있다. 디스플레이 (2710) 는 사용자가 (예를 들어, 태스크 T200 에 의한) 추적을 위해 오브젝트들을 선택하는 것을 가능하게 하는 사용자 선택 메커니즘 (2711) 을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 사용자는 스크린 (2710) 상에서 사용자 선택 메커니즘 (2711) 을 터치하고 제 1 오브젝트 (2702) 주위로 제 1 포커스 링 (2712) 을 드래그하여 제 1 오브젝트 (2702) 의 추적을 가능하게 할 수도 있다. 이러한 제 1 포커스 링 (2712) 의 배치에 응답하여, 모바일 디바이스는 추적하기 위한 제 1 오브젝트 (2702) 를 선택할 수도 있다. 유사한 방식으로, 사용자는 또한 스크린 상에서 사용자 선택 메커니즘 (2711) 을 터치하고 제 2 오브젝트 (2704) 및 제 3 오브젝트 (2706) 주위로 제 2 포커스 링 (2714) 및 제 3 포커스 링 (2716) 을 드래그하여, 제 2 오브젝트 (2704) 및 제 3 오브젝트 (2706) 각각의 추적을 가능하게 할 수도 있다. 이러한 제 2 포커스 링 (2714) 및 제 3 포커스 링 (2716) 의 배치에 응답하여, 모바일 디바이스는 추적하기 위한 제 2 오브젝트 (2704) 및 제 3 오브젝트 (2706) 를 각각 선택할 수도 있다.도 28 은 또한 제 2 시간 인스턴스에서 캡처되는 장면을 나타내는 이미지 (예를 들어, 프레임) (2720) 를 도시한다. 이미지 (2720) 에서, 각각의 오브젝트 (2702 내지 2706) 의 포지션은 제 1 시간 인스턴스에서의 장면을 나타내는 이미지 (2700) 에서 나타내진 대응하는 포지션들에 대해 변화되었다. 예를 들어, 제 1 오브젝트 (2702) 는 별에 더 가깝게 이동하였고, 제 2 오브젝트 (2704) 는 나무에 더 가깝게 이동하였고, 제 3 오브젝트 (2706) 는 이미지의 하부에 더 가깝게 이동하였다.도 24 는 또한, 모바일 디바이스의 스크린 상의 이미지 (2720) 의 디스플레이 (2730) 를 도시한다. 디스플레이 (2730) 는 제 1 윈도우 (2732), 제 2 윈도우 (2734), 제 3 윈도우 (2736), 및 제 4 윈도우 (2738) 로 (예를 들어, 디스플레이 태스크 T50 에 의해) 파티셔닝될 수도 있다. 사용자 선택 메커니즘 (2711) 으로 3 개의 오브젝트들 (2702 내지 2706) 을 선택하는 것에 응답하여, 예를 들어, 모바일 디바이스는 스크린 (2730) 을 3 개의 대응하는 윈도우들 (2732 내지 2736) 및 제 4 윈도우 (2738) 로 파티셔닝할 수도 있다.제 1 윈도우 (2732) 는 제 1 오브젝트 (2702) 를 포함하는 이미지 (2720) 의 제 1 부분을 디스플레이할 수도 있다. 이미지 (2720) 의 제 1 부분은 이미지 (2720) 에서의 제 1 오브젝트 (2702) 의 로케이션에 기초하여 결정될 수도 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스는 제 1 오브젝트 (2702) 의 로케이션을 추적할 수도 있고 제 1 오브젝트 (2702) 의 로케이션 상에 포커싱된 비디오 스트림이 제 1 윈도우 (2732) 에 디스플레이될 수도 있다. 제 2 윈도우 (2734) 는 제 2 오브젝트 (2704) 를 포함하는 이미지 (2720) 의 제 2 부분을 디스플레이할 수도 있다. 이미지 (2720) 의 제 2 부분은 이미지 (2720) 에서의 제 2 오브젝트 (2704) 의 로케이션에 기초하여 결정될 수도 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스는 제 2 오브젝트 (2704) 의 로케이션을 추적할 수도 있고 제 2 오브젝트 (2704) 의 로케이션 상에 포커싱된 비디오 스트림이 제 2 윈도우 (2734) 에 디스플레이될 수도 있다. 제 3 윈도우 (2736) 는 제 3 오브젝트 (2706) 를 포함하는 이미지 (2720) 의 제 3 부분을 디스플레이할 수도 있다. 이미지 (2720) 의 제 3 부분은 이미지 (2720) 에서의 제 3 오브젝트 (2706) 의 로케이션에 기초하여 결정될 수도 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스는 제 3 오브젝트 (2704) 의 로케이션을 추적할 수도 있고 제 3 오브젝트 (2706) 의 로케이션 상에 포커싱된 비디오 스트림이 제 3 윈도우 (2736) 에 디스플레이될 수도 있다.제 4 윈도우 (2738) 는 각각의 오브젝트 (2702 내지 2706) 사이의 지오메트리 (예를 들어, 질량 중심 (CM2)) 의 표시를 디스플레이할 수도 있다. 예를 들어, 제 4 윈도우 (2738) 는 이미지 (2720) 에서의 영역들에 대응하는 다수의 섹션들 (그레이스케일 라인들로서 표현됨) 을 포함하는 그리드를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 그리드의 하부 좌측 섹션은 이미지 (2720) 의 하부 좌측 섹션에 대응할 수도 있다. 도 21 및 도 22 에 대하여 설명한 바와 유사한 방식으로, 모바일 디바이스는 이미지 (2720) 의 오브젝트들의 질량 중심 (CM2) 을 결정할 수도 있다. 질량 중심 (CM2) 은 그리드의 대응하는 섹션에 디스플레이될 수도 있다.도 28 은 또한 (예를 들어, 제 2 시간 인스턴스에 후속하는) 제 3 시간 인스턴스에서 캡처되는 장면을 나타내는 이미지 (2740) 를 도시한다. 이미지 (2740) 에서, 각각의 오브젝트 (2702 내지 2706) 의 포지션은 제 2 시간 인스턴스에서의 장면을 나타내는 이미지 (2720) 에서의 대응하는 포지션들에 대해 변화되었다. 예를 들어, 제 1 오브젝트 (2702) 는 나무에 더 가깝게 이동하였고, 제 2 오브젝트 (2704) 는 장면 (2740) 의 하부에 더 가깝게 이동하였으며, 제 3 오브젝트 (2706) 는 별에 더 가깝게 이동하였다.도 28 은 또한 모바일 디바이스에 의해 발생되는 윈도우들 (2732 내지 2736) 을 이용하는 모바일 디바이스의 스크린 상의 이미지 (2740) 의 디스플레이 (2750) 를 도시한다. 예를 들어, 제 1 윈도우 (2732) 는 제 1 오브젝트 (2702) 를 포함하는 이미지 (2740) 의 제 1 부분을 디스플레이하고, 제 2 윈도우 (2734) 는 제 2 오브젝트 (2704) 를 포함하는 이미지 (2740) 의 제 2 부분을 디스플레이하며, 제 3 윈도우 (2736) 는 제 3 오브젝트 (2706) 를 포함하는 이미지 (2740) 의 제 3 부분을 디스플레이한다.제 4 윈도우 (2738) 는 제 3 시간 인스턴스에서의 이미지 (2740) 를 반영하도록 표시 (예를 들어, 질량 중심 (CM2)) 를 업데이트할 수도 있다. 모바일 디바이스는, 프레임-바이-프레임 기반으로, 또는 비-연속 시간 간격들에서, 지오메트리를 추적하고, 업데이트된 지오메트리의 표시를 제 4 윈도우 (2738) 에 디스플레이할 수도 있다. 예를 들어, 제 3 프레임에서, 제 4 윈도우 (2738) 는 제 3 시간 인스턴스에서 이미지 (2740) 에서의 오브젝트들 (2702 내지 2706) 의 질량 중심 (CM3) 을 디스플레이할 수도 있다. 제 4 윈도우 (2738) 는 또한 제 2 프레임과 제 3 프레임 사이의 (예를 들어, 태스크 T200 에 의해 나타낸 바와 같은) 오브젝트들의 질량 중심을 추적하는 경로 (예를 들어, 점선들) 를 디스플레이할 수도 있다.도 28 에 나타낸 실시형태는 모바일 디바이스가 프레임들 (2700, 2720, 2740) 에서 오브젝트들 (2702 내지 2706) 을 추적하는 것을 가능하게 할 수도 있고, 별개의 윈도우들 (2732 내지 2736) 에서 오브젝트들 (2702 내지 2706) 에 대응하는 개별화된 (예를 들어, 포커싱된) 비디오 스트림들을 디스플레이할 수도 있다. 실시형태는 또한 사용자가 제 4 윈도우 (2738) 에서 오브젝트들 (2702 내지 2706) 의 지오메트리를 뷰잉하는 것을 가능하게 한다. 모바일 디바이스는 단일 카메라를 이용하여 또는 다수의 카메라들을 이용하여 도 28 에 대해 설명되는 기법들을 수행할 수도 있다.도 29 를 참조하면, 오브젝트 추적을 이용하는 비디오 프로세싱 방법 (2800) 의 특정 실시형태를 예시하는 플로우차트가 도시된다. 예시적 실시형태에서, 방법 (2800) 은 도 1 의 전자 디바이스 (102), 도 2b 의 프로세서 (264) 에 의해 구현되는 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204), 프로세서에 의해 구현되는 도 8 의 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (804), 프로세서에 의해 구현되는 도 9 의 평활화 모듈 (961), 또는 이들의 임의의 조합을 이용하여 수행될 수도 있다.방법 (2800) 은, 2802 에서, 모바일 디바이스에서, 장면에서의 제 1 오브젝트, 장면에서의 제 2 오브젝트, 및 장면에서의 제 3 오브젝트의 선택을 받는 단계를 포함한다. 예를 들어, 도 28 을 참조하면, 사용자는 스크린 (2710) 상에서 사용자 선택 메커니즘 (2711) 을 터치하고 제 1 오브젝트 (2702) 주위로 제 1 포커스 링 (2712) 을, 제 2 오브젝트 (2704) 주위로 제 2 포커스 링 (2714) 을, 그리고 제 3 오브젝트 (2706) 주위로 제 3 포커스 링 (2716) 을 드래그하여, 제 1, 제 2, 및 제 3 오브젝트들 (2702 내지 2706) 각각의 추적을 가능하게 할 수도 있다. 디스플레이된 장면은 모바일 디바이스의 스크린 상에서 캡처되고 디스플레이되는 비디오 스트림에 대응할 수도 있다.2804 에서, 디스플레이는 제 1 윈도우, 제 2 윈도우, 제 3 윈도우, 및 제 4 윈도우로 파티셔닝될 수도 있다. 예를 들어, 도 28 을 참조하면, 디스플레이 (2730) 는 제 1 윈도우 (2732), 제 2 윈도우 (2734), 제 3 윈도우 (2736), 및 제 4 윈도우로 파티셔닝될 수도 있다.2806 에서, 제 1 오브젝트를 포함하는 디스플레이된 장면의 제 1 부분은 제 1 윈도우에 디스플레이될 수도 있다. 예를 들어, 도 28 을 참조하면, 제 1 윈도우 (2732) 는 제 1 오브젝트 (2702) 를 포함하는 이미지 (2720) 의 제 1 부분을 디스플레이할 수도 있다. 이미지 (2720) 의 제 1 부분은 이미지 (2720) 에서의 제 1 오브젝트 (2702) 의 로케이션에 기초하여 결정될 수도 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스는 제 1 오브젝트 (2702) 의 로케이션을 추적할 수도 있고, 제 1 오브젝트 (2702) 의 로케이션 상에 포커싱된 비디오 스트림이 제 1 윈도우 (2732) 에 디스플레이될 수도 있다.2808 에서, 제 2 오브젝트를 포함하는 디스플레이된 장면의 제 2 부분은 제 2 윈도우에 디스플레이될 수도 있다. 예를 들어, 도 28 을 참조하면, 제 2 윈도우 (2734) 는 제 2 오브젝트 (2704) 를 포함하는 이미지 (2720) 의 제 2 부분을 디스플레이할 수도 있다. 이미지 (2720) 의 제 2 부분은 이미지 (2720) 에서의 제 2 오브젝트 (2704) 의 로케이션에 기초하여 결정될 수도 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스는 제 2 오브젝트 (2704) 의 로케이션을 추적할 수도 있고, 제 2 오브젝트 (2704) 의 로케이션 상에 포커싱된 비디오 스트림이 제 2 윈도우 (2734) 에 디스플레이될 수도 있다.2810 에서, 제 3 오브젝트를 포함하는 디스플레이된 장면의 제 3 부분은 제 3 윈도우에 디스플레이될 수도 있다. 예를 들어, 도 28 을 참조하면, 제 3 윈도우 (2736) 는 제 3 오브젝트 (2706) 를 포함하는 이미지 (2720) 의 제 3 부분을 디스플레이할 수도 있다. 이미지 (2720) 의 제 3 부분은 이미지 (2720) 에서의 제 3 오브젝트 (2706) 의 로케이션에 기초하여 결정될 수도 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스는 제 3 오브젝트 (2706) 의 로케이션을 추적할 수도 있고, 제 3 오브젝트 (2706) 의 로케이션 상에 포커싱된 비디오 스트림이 제 3 윈도우 (2736) 에 디스플레이될 수도 있다.2812 에서, 각각의 오브젝트 사이의 지오메트리의 표시가 제 4 윈도우에 디스플레이될 수도 있다. 예를 들어, 도 28 을 참조하면, 제 4 윈도우 (2738) 는 각각의 오브젝트 (2702 내지 2706) 사이의 질량 중심 (CM2) 을 디스플레이할 수도 있다. 제 4 윈도우 (2738) 는 제 3 시간 인스턴스에서의 장면을 반영하도록 질량 중심 (CM2) 을 업데이트할 수도 있다. 예를 들어, 제 3 프레임에서, 제 4 윈도우 (2738) 는 제 3 시간 인스턴스에서 이미지 (2740) 에서의 오브젝트들 (2702 내지 2706) 의 질량 중심 (CM3) 을 디스플레이할 수도 있다. 제 4 윈도우 (2738) 는 또한 제 2 프레임과 제 3 프레임 사이의 오브젝트들의 질량 중심을 추적하는 경로 (예를 들어, 점선들) 를 디스플레이할 수도 있다.도 29 의 방법 (2800) 은 모바일 디바이스가 장면 (2700, 2720, 2740) 에서 오브젝트들 (2702 내지 2706) 을 추적하고, 별개의 윈도우들 (2732 내지 2736) 에서 오브젝트들 (2702 내지 2706) 에 대응하는 개별화된 (예를 들어, 포커싱된) 비디오 스트림들을 디스플레이하는 것을 가능하게 할 수도 있다. 방법 (2800) 은 또한 사용자가 제 4 윈도우 (2738) 에서 오브젝트들 (2702 내지 2706) 의 지오메트리를 뷰잉하는 것을 가능하게 한다. 모바일 디바이스는 단일 카메라를 이용하여 또는 다수의 카메라들을 이용하여 방법 (2800) 을 수행할 수도 있다.도 42 를 참조하면, 오브젝트 추적을 이용하는 비디오 프로세싱을 나타내는 특정 실시형태가 도시된다. 도 42 에 나타내진 실시형태에 대하여 설명된 비디오 프로세싱 기법들은 도 1 의 전자 디바이스 (102), 도 2b 의 프로세서 (264) 에 의해 구현되는 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204), 프로세서에 의해 구현되는 도 8 의 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (804), 프로세서에 의해 구현되는 도 9 의 평활화 모듈 (961), 또는 이들의 임의의 조합에 의해 수행될 수도 있다.도 42 는 제 1 시간 인스턴스에서의 장면을 나타내는 디지털 이미지 (1100) 를 도시한다. 예를 들어, 이미지 (1100) 는 모바일 디바이스의 스크린 상에서 캡처되고 디스플레이되는 비디오 스트림에 대응할 수도 있다. 모바일 디바이스는 스트림을 (예를 들어, 모바일 디바이스의 카메라로) 캡처하거나 또는 다른 디바이스로부터 그 스트림을 수신하도록 구성될 수도 있다. 이미지 (1100) 에서 나타내진 장면은 제 1 관심 영역 (ROI) (1102), 제 2 ROI (1104), 및 제 3 ROI (1106) 를 포함할 수도 있다. 각각의 ROI (1102 내지 1106) 는 (예를 들어, 도 1 내지 도 10, 오브젝트 추적 및 검출 모듈들 (204 및 804), 및/또는 태스크 T200 을 참조하여) 본 명세서에서 설명된 기법들에 따라 추적되는 하나 이상의 오브젝트들을 포함하는 장면 내의 구역들에 대응할 수도 있다.예시하기 위해, 제 1 ROI (1102) 는 제 1 그룹의 추적된 오브젝트들 (예를 들어, 제 1 추적된 오브젝트 (1110) 및 제 3 추적된 오브젝트 (1114)) 을 포함할 수도 있다. 부가적으로, 제 2 ROI (1104) 는 제 2 그룹의 추적된 오브젝트들 (예를 들어, 제 4 추적된 오브젝트 (1120), 제 5 추적된 오브젝트 (1122), 및 제 6 추적된 오브젝트 (1124)) 을 포함할 수도 있고, 제 3 ROI (1106) 는 제 3 그룹의 추적된 오브젝트들 (예를 들어, 제 7 추적된 오브젝트 (1130), 제 8 추적된 오브젝트 (1132), 및 제 9 추적된 오브젝트 (1134)) 을 포함할 수도 있다. 제 2 추적된 오브젝트 (1112) 는 ROI들 (1102 내지 1104) 외부에 로케이팅될 수도 있다.메타데이터는 장면 (1100) 에서 각각의 추적된 오브젝트 (1110 내지 1114, 1120 내지 1124, 1130 내지 1134) 의 로케이션을 식별하기 위해 (예를 들어, 태스크 T300 에 의해) 발생될 수도 있다. 특정 실시형태에서, 메타데이터는 직교 좌표 데이터에 대응한다. 예를 들어, 제 1 메타데이터는 제 1 추적된 오브젝트 (1110) 의 로케이션 (예를 들어, x-좌표 로케이션 및 y-좌표 로케이션) 을 식별하도록 발생될 수도 있고, 제 2 메타데이터는 제 2 추적된 오브젝트 (1112) 의 로케이션을 식별하도록 발생될 수도 있으며 등등이다. 다른 실시형태들에서, 메타데이터는 극 좌표 데이터, 구형 좌표 데이터, 원통형 좌표 데이터, 또는 3 차원 데카르트 좌표 데이터에 대응할 수도 있다.각각의 ROI (1102 내지 1106) 는 ROI (1102 내지 1106) 에서의 추적된 오브젝트들의 질량 중심에 의해 정의될 수도 있다. 예를 들어, 제 1 ROI (1102) 는 제 1 추적된 오브젝트 (1110) 와 제 3 추적된 오브젝트 (1114) 사이의 제 1 질량 중심 (CM1) 에 의해 정의될 수도 있다. 제 2 ROI (1104) 는 제 4 추적된 오브젝트 (1120), 제 4 추적된 오브젝트 (1122), 및 제 6 추적된 오브젝트 (1124) 사이의 제 2 질량 중심 (CM2) 에 의해 정의될 수도 있다. 제 3 ROI (1106) 는 제 7 추적된 오브젝트 (1130), 제 8 추적된 오브젝트 (1132), 및 제 9 추적된 오브젝트 (1134) 사이의 제 3 질량 중심 (CM3) 에 의해 정의될 수도 있다.도 43 에 대하여 더 상세히 설명한 바와 같이, 코드북은 장면 (1100) 에서의 각각의 추적된 오브젝트 (1110 내지 1114, 1120 내지 1124, 1130 내지 1134) 의 로케이션에 대한 메타데이터를 인코딩하는데 이용될 수도 있다. ROI들 (1102 내지 1106) 중 하나 내측에 로케이팅되는 추적된 오브젝트들에 대한 메타데이터는 ROI들 (1102 내지 1106) 외측에 로케이팅된 추적된 오브젝트들 (예를 들어, 제 2 추적된 오브젝트 (1112)) 에 대한 메타데이터보다 더 높은 비트 레이트로 인코딩될 수도 있다. ROI들 (1102 내지 1106) 중 하나 내측에 로케이팅되는 추적된 오브젝트들에 대한 메타데이터를 더 높은 비트 레이트로 인코딩하는 것은 ROI들 (1102 내지 1106) 에서의 추적된 오브젝트들의 로케이션들이 다른 추적된 오브젝트들의 로케이션보다 더 높은 레벨의 정확도로 인코딩되는 것을 가능하게 할 수도 있다.도 43 을 참조하면, 오브젝트 로케이션에 대한 메타데이터를 인코딩하는 특정 실시형태가 도시된다. 도 43 의 실시형태는 프레임-바이-프레임 기반으로 다수의 오브젝트들의 로케이션에 대한 메타데이터를 인코딩하는데 이용될 수도 있는 코드북 (1202) 을 예시한다. 메타데이터는 각각의 오브젝트의 로케이션들을 그리드에 나타내는데 이용될 수도 있다.코드북 (1202) 은 다수의 프레임들 (1204) 에 대한 메타데이터를 인코딩하는데 이용될 수도 있다. 메타데이터는 프레임에서의 오브젝트들에 대한 직교 좌표 데이터 (예를 들어, x-좌표 및 y-좌표), 프레임에서의 오브젝트에 대한 극 좌표들, 프레임에서의 오브젝트들에 대한 구형 좌표들, 프레임에서의 오브젝트들에 대한 원통형 좌표들, 또는 프레임에서의 오브젝트들에 대한 3 차원 데카르트 좌표들을 포함할 수도 있다. 예시된 실시형태에서, 코드북 (1202) 은 10,000 개의 프레임들에 걸친 3 개의 오브젝트들에 대한 메타데이터를 인코딩할 수도 있다. 특정 실시형태에서, 제 3 프레임은 도 43 의 제 1 프레임 (예를 들어, 장면 (1100)) 에 대응할 수도 있다. 10,000 개의 프레임들에 대한 메타데이터는 코드북 (1202) 에서 나타내지지만, 다른 실시형태들에서, 코드북 (1202) 은 더 적은 (또는 부가적인) 프레임들에 대한 메타데이터를 인코딩할 수도 있다. 부가적으로, 메타데이터는 더 적은 (또는 부가적인) 오브젝트들에 대한 로케이션 정보를 포함할 수도 있다. 도 43 의 다음의 설명은 제 3 프레임에 대응하는 메타데이터에 기초한다. 그러나, 유사한 기법들이 다른 메타데이터에 적용가능할 수도 있다.제 3 프레임에서의 메타데이터는 제 1 좌표 데이터 (1232), 제 2 좌표 데이터 (1234), 제 3 좌표 데이터 (1236), 제 4 좌표 데이터 (1237), ..., 및 제 9 좌표 데이터 (1238) 를 포함할 수도 있다. 제 1 좌표 데이터 (1232) 는 도 42 의 이미지 (1100) 에서의 제 1 추적된 오브젝트 (1110) 의 좌표 포지션을 포함할 수도 있고, 제 2 좌표 데이터 (1234) 는 이미지 (1100) 에서의 제 2 추적된 오브젝트 (1112) 의 좌표 포지션을 포함할 수도 있고, 제 3 좌표 데이터 (1236) 는 이미지 (1100) 에서의 제 3 추적된 오브젝트 (1114) 의 좌표 포지션을 포함할 수도 있고, 제 4 좌표 데이터 (1237) 는 이미지 (1100) 에서의 제 4 추적된 오브젝트 (1120) 의 좌표 포지션을 포함할 수도 있으며, 등등이다.프로세서는 좌표 데이터 (1232 내지 1236) 를 인코딩하기 위해 코드북 (1202) 을 이용할 수도 있다. 예시하기 위해, 프로세서는 제 1 비트 레이트 (예를 들어, 상대적으로 높은 비트 레이트) 를 이용하여 제 1 좌표 데이터 (1232) 를 제 1 인코딩된 로케이션 데이터 (1242) 로 인코딩 (예를 들어, 양자화) 할 수도 있다. 예를 들어, 프로세서는 제 1 좌표 데이터 (1232) 를 대응하는 값 (예를 들어, 코드북 (1202) 의 코드워드) 에 맵핑할 수도 있고 제 1 좌표 데이터 (1232) 를 값 (예를 들어, 제 1 인코딩된 로케이션 데이터 (1242)) 으로서 인코딩할 수도 있다. 프로세서는 제 1 추적된 오브젝트 (1110) 가 ROI (예를 들어, 도 42 의 제 1 ROI (1102)) 내측에 있기 때문에 제 1 비트 레이트를 이용할 수도 있다.부가적으로, 프로세서는 제 1 비트 레이트보다 더 낮은 제 2 비트 레이트를 이용하여 제 2 좌표 데이터 (1234) 를 제 2 인코딩된 로케이션 데이터 (1244) 로 인코딩할 수도 있다. 예를 들어, 프로세서는 제 2 좌표 데이터 (1234) 를 코드북 (1202) 을 이용하여 대응하는 값에 맵핑할 수도 있고 제 2 좌표 데이터 (1234) 를 값 (예를 들어, 제 2 인코딩된 로케이션 데이터 (1244)) 으로서 인코딩할 수도 있다. 프로세서는 제 2 추적된 오브젝트 (1112) 가 도 42 의 ROI들 (1102 내지 1106) 의 각각의 외측에 있기 때문에 제 2 비트 레이트를 이용할 수도 있다.프로세서는 제 2 비트 레이트보다 더 큰 제 3 비트 레이트를 이용하여 제 3 좌표 데이터 (1236) 를 제 3 인코딩된 로케이션 데이터 (1246) 로 인코딩할 수도 있다. 예를 들어, 프로세서는 코드북 (1202) 을 이용하여 제 3 좌표 데이터 (1236) 를 대응하는 값에 맵핑시키고 제 3 직교 좌표 데이터 (1236) 를 값 (예를 들어, 제 3 인코딩된 로케이션 데이터 (1246)) 으로서 인코딩할 수도 있다. 프로세서는 제 3 추적된 오브젝트 (1114) 가 ROI (예를 들어, 도 42 의 제 1 ROI (1102)) 내측에 있기 때문에 제 3 비트 레이트를 이용할 수도 있다. 특정 실시형태에서, 제 3 비트 레이트는 제 1 비트 레이트와 동일하거나 실질적으로 동일할 수도 있다.프로세서는 제 2 비트 레이트보다 더 큰 제 4 비트 레이트를 이용하여 제 4 좌표 데이터 (1237) 를 제 4 인코딩된 로케이션 데이터 (1247) 로 인코딩할 수도 있다. 예를 들어, 프로세서는 코드북 (1202) 을 이용하여 제 4 좌표 데이터 (1237) 를 대응하는 값에 맵핑시킬 수도 있고 제 4 좌표 데이터 (1237) 를 값 (예를 들어, 제 4 인코딩된 로케이션 데이터 (1247)) 으로서 인코딩할 수도 있다. 프로세서는 제 4 추적된 오브젝트 (1120) 가 ROI (예를 들어, 도 42 의 제 2 ROI (1104)) 내측에 있기 때문에 제 4 비트 레이트를 이용할 수도 있다. 특정 실시형태에서, 제 4 비트 레이트는 제 1 비트 레이트와 실질적으로 동일할 수도 있다.프로세서는 제 2 비트 레이트보다 더 큰 제 9 비트 레이트를 이용하여 제 9 좌표 데이터 (1238) 를 제 9 인코딩된 로케이션 데이터 (1248) 로 인코딩할 수도 있다. 예를 들어, 프로세서는 코드북 (1202) 을 이용하여 제 9 좌표 데이터 (1238) 를 대응하는 값에 맵핑시킬 수도 있고 제 9 좌표 데이터 (1238) 를 값 (예를 들어, 제 9 인코딩된 로케이션 데이터 (1248)) 으로서 인코딩할 수도 있다. 프로세서는 제 9 추적된 오브젝트 (1134) 가 ROI (예를 들어, 도 42 의 제 3 ROI (1106)) 내측에 있기 때문에 제 9 비트 레이트를 이용할 수도 있다. 특정 실시형태에서, 제 9 비트 레이트는 제 1 비트 레이트와 실질적으로 동일할 수도 있다.유사한 인코딩 기법들은 도 42 의 다른 추적된 오브젝트들의 좌표 데이터에 대해 수행될 수도 있다. ROI들 (1102 내지 1106) 중 하나 내측에 로케이팅되는 추적된 오브젝트들에 대한 메타데이터 (예를 들어, 좌표 데이터) 는 ROI들 (1102 내지 1106) 외측에 로케이팅되는 추적된 오브젝트들 (예를 들어, 제 2 추적된 오브젝트 (1112)) 에 대한 메타데이터보다 더 높은 비트 레이트로 인코딩될 수도 있다. 더 높은 비트 레이트로 ROI들 (1102 내지 1106) 중 하나 내측에 로케이팅되는 추적된 오브젝트들에 대한 메타데이터를 인코딩하는 것은 추적된 오브젝트들의 로케이션들이 상대적으로 높은 레벨의 정밀도로 인코딩되는 것을 가능하게 할 수도 있다.도 43 의 실시형태는 사용자가 코드북 (1202) 을 이용하여 인코딩된 데이터에 기초하여 비디오의 특정 부분들을 취출 (예를 들어, 로케이팅) 하는 것을 가능하게 할 수도 있다. 예를 들어, 로케이션 공간은 사용자가 상이한 오브젝트들에 대해 상이한 로케이션들 (예를 들어, 파라미터들) 을 선택하는 것을 가능하게 하는 사용자-상호작용 그리드로서 스크린 상에 디스플레이될 수도 있다. 그 선택에 기초하여, 모바일 디바이스의 사용자는 비디오를 통해 내비게이팅 (예를 들어, 플레이, 빨리 감기 (fast-forward), 되감기 등) 해야 하는 일 없이 유사한 오브젝트 로케이션 구성들을 갖는 비디오의 원하는 부분들 (예를 들어, 프레임들) 을 쉽게 로케이팅할 수도 있다. 부가적으로, 인코딩된 로케이션 데이터 (1242 내지 1248) 는 인코더로부터 디코더에 압축 및 송신될 수도 있다. 인코딩된 로케이션 데이터 (1242 내지 1248) 의 디코더에의 압축 및 송신은 디코더가 상대적으로 낮은 양의 데이터 (예를 들어, 양자화된 값들) 를 이용하여 추적된 오브젝트들의 포지션을 결정하는 것을 가능하게 할 수도 있다.도 44 를 참조하면, 오브젝트 추적을 이용하는 비디오 프로세싱 방법 (1300) 의 특정 실시형태를 예시하는 플로우차트가 도시된다. 예시적 실시형태에서, 방법 (1300) 은 도 1 의 전자 디바이스 (102), 도 2b 의 프로세서 (264) 에 의해 구현되는 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (204), 프로세서에 의해 구현되는 도 8 의 오브젝트 추적 및 검출 모듈 (804), 프로세서에 의해 구현되는 도 9 의 평활화 모듈 (961), 도 43 의 코드북 (1202), 또는 이들의 임의의 조합을 이용하여 수행될 수도 있다.방법 (1300) 은 1302 에서, 모바일 디바이스에서, 특정 프레임의 관심 구역에 로케이팅된 제 1 오브젝트의 제 1 로케이션을 (예를 들어, 태스크 T200 에 의해) 추적하는 단계를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 도 42 를 참조하면, 제 1 추적된 오브젝트 (1110) 의 제 1 로케이션이 추적될 수도 있다. 1304 에서, 특정 프레임의 관심 구역에 로케이팅되지 않은 제 2 오브젝트의 제 2 로케이션이 추적될 수도 있다. 예를 들어, 도 42 를 참조하면, 제 2 추적된 오브젝트 (1112) 의 제 2 로케이션이 추적될 수도 있다.1306 에서, 제 1 로케이션과 연관된 제 1 좌표 데이터 및 제 2 로케이션과 연관된 제 2 좌표 데이터가 발생될 수도 있다. 예를 들어, 도 43 을 참조하면, 프로세서는 장면 (1100) 에서의 제 1 추적된 오브젝트 (1110) 의 포지션과 연관된 제 1 좌표 데이터 (1232) 및 장면 (1100) 에서의 제 2 추적된 오브젝트 (1112) 의 포지션과 연관된 제 2 좌표 데이터 (1234) 를 발생시킬 수도 있다.1308 에서, 제 1 좌표 데이터 및 제 2 좌표 데이터는 제 1 인코딩된 로케이션 데이터 및 제 2 인코딩된 로케이션 데이터를 발생시키기 위해 코드북을 이용하여 (예를 들어 태스크 T300 에 의해) 인코딩될 수도 있다. 예를 들어, 도 43 을 참조하면, 프로세서는 제 1 인코딩된 로케이션 데이터 (1242) (예를 들어, 코드북 (1202) 의 코드워드) 를 발생시키기 위해 제 1 좌표 데이터 (1232) 를 인코딩하도록 코드북 (1202) 을 이용할 수도 있고, 프로세서는 제 2 인코딩된 로케이션 데이터 (1244) 를 발생시키기 위해 제 2 좌표 데이터 (1234) 를 인코딩하도록 코드북 (1202) 을 이용할 수도 있다. 제 1 좌표 데이터 (1232) 는 제 1 비트 레이트 (예를 들어, 높은 비트 레이트) 로 인코딩될 수도 있고 제 2 좌표 데이터 (1234) 는 제 2 비트 레이트 (예를 들어, 낮은 비트 레이트) 로 인코딩될 수도 있다. 프로세서는 제 1 추적된 오브젝트 (1110) 가 ROI (예를 들어, 도 42 의 제 1 ROI (1102)) 내측에 있기 때문에 제 1 좌표 데이터 (1232) 를 인코딩하도록 제 1 비트 레이트를 이용할 수도 있다. 프로세서는 제 2 추적된 오브젝트 (1112) 가 도 42 의 ROI들 (1102 내지 1106) 의 각각의 외측에 있기 때문에 제 2 좌표 데이터 (1234) 를 인코딩하도록 제 2 비트 레이트를 이용할 수도 있다.1310 에서, 제 1 인코딩된 로케이션 데이터 및 제 2 인코딩된 로케이션 데이터는 입력 파라미터들에 기초하여 특정 프레임의 취출을 가능하게 하도록 저장될 수도 있다. 예를 들어, 도 43 을 참조하면, 프로세서는 메모리에 제 1 인코딩된 로케이션 데이터 (1242) 및 제 2 인코딩된 로케이션 데이터 (1244) 를 저장할 수도 있다. 모바일 디바이스의 사용자는 파라미터들 (예를 들어, 제 1 추적된 오브젝트 (1110) 및 제 2 추적된 오브젝트 (1112) 의 원하는 로케이션) 을 입력할 수도 있다. 입력 파라미터들에 기초하여, 모바일 디바이스는 제 1 로케이션 및 제 2 로케이션에 대응하는 입력 파라미터들에 응답하여 재생을 위한 제 3 프레임을 취출할 수도 있다.특정 실시형태에서, 방법 (1300) 은 특정 프레임의 관심 구역에 로케이팅된 제 3 오브젝트의 제 3 로케이션을 추적하는 단계를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제 3 추적된 오브젝트 (1114) 의 제 3 로케이션이 추적될 수도 있다. 제 3 로케이션과 연관된 제 3 좌표 데이터가 발생될 수도 있다. 제 3 좌표 데이터는 제 3 인코딩된 로케이션 데이터를 발생시키기 위해 코드북을 이용하여 인코딩될 수도 있다. 제 3 좌표 데이터는 제 2 비트 레이트보다 더 큰 제 3 비트 레이트를 이용하여 인코딩될 수도 있다. 제 3 인코딩된 로케이션 데이터는 입력 파라미터들에 기초하여 특정 프레임의 취출을 가능하게 하도록 저장될 수도 있다.특정 실시형태에서, 방법 (1300) 은 특정 프레임의 제 2 관심 구역에 로케이팅된 제 4 오브젝트의 제 4 로케이션을 추적하는 단계를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제 4 추적된 오브젝트 (1120) 의 제 4 로케이션이 추적될 수도 있다. 제 4 로케이션과 연관된 제 4 좌표 데이터가 발생될 수도 있다. 제 4 좌표 데이터는 제 4 인코딩된 로케이션 데이터를 발생시키기 위해 코드북을 이용하여 인코딩될 수도 있다. 제 4 좌표 데이터는 제 2 비트 레이트보다 더 큰 제 4 비트 레이트를 이용하여 인코딩될 수도 있다. 제 4 인코딩된 로케이션 데이터는 입력 파라미터들에 기초하여 특정 프레임의 취출을 가능하게 하도록 저장될 수도 있다.도 44 의 방법 (1300) 은 사용자가 코드북 (1202) 을 이용하여 인코딩된 비디오의 특정 부분들 (프레임들) 을 취출 (예를 들어, 로케이팅) 하는 것을 가능하게 할 수도 있다. 부가적으로, 방법 (1300) 은 ROI 내측의 추적된 오브젝트들에 대한 메타데이터가 ROI 외측의 오브젝트들보다 더 높은 비트 레이트로 인코딩되는 것을 가능하게 할 수도 있다. ROI 내측에 로케이팅된 추적된 오브젝트들에 대한 메타데이터를 더 높은 비트 레이트로 인코딩하는 것은 ROI들에서의 추적된 오브젝트들의 로케이션들이 다른 추적된 오브젝트들의 로케이션보다 더 높은 레벨의 정확도로 인코딩되는 것을 가능하게 할 수도 있다.도 38a 는 일반적 구성에 따라 메타데이터를 발생시키기 위한 장치 (A100) 의 블록 다이어그램을 도시한다. 장치 (A100) 는 복수의 오브젝트들을 선택하기 위해 적어도 하나의 디지털 이미지를 이용하도록 구성된 판별기 (100) 를 포함하고, 여기서 적어도 하나의 디지털 이미지는 (예를 들어, 태스크 T100 에 관하여 본 명세서에서 설명된 바와 같이) 오브젝트를 물리적 공간에 관하여 나타낸다. 장치 (A100) 는 또한, 로케이션 공간에서의 선택된 오브젝트들의 포지션들을 나타내는 정보에 기초하여, (예를 들어, 태스크 T300 에 관하여 본 명세서에서 설명한 바와 같이) 선택된 오브젝트들의 복수의 후보 기하학적 배열들 중에서 하나를 식별하는 메타데이터를 생성하도록 구성된 선택기 (300) 를 포함한다.도 38b 는 장치 (A100) 의 구현 (A110) 의 블록 다이어그램을 도시한다. 장치 (A110) 는 (예를 들어, 디스플레이 태스크 T50 에 관하여 본 명세서에서 설명한 바와 같이) 적어도 하나의 디지털 이미지를 디스플레이하도록 구성된 디스플레이 모듈 (50) 을 포함한다.도 38c 는 장치 (A100) 의 구현 (A120) 의 블록 다이어그램을 도시한다. 장치 (A120) 는 (예를 들어, 파싱 태스크 T30 에 관하여 본 명세서에서 설명한 바와 같이) 적어도 하나의 디지털 이미지를 생성하기 위해 비디오 스트림을 파싱하도록 구성된 인터페이스 (30) 를 포함한다. 도 38d 는 장치 (A110 및 A120) 의 구현 (A130) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 38e 는 장치 (A100) 의 구현 (A200) 의 블록 다이어그램을 도시한다. 장치 (A200) 는 (예를 들어, 태스크 T200 에 관하여 본 명세서에서 설명한 바와 같이) 로케이션 공간에서의 복수의 오브젝트들에 대한 레퍼런스 포지션을 결정하도록 구성된 오브젝트 추적기 (200) 를 포함한다. 오브젝트 추적기 (200) 는 또한, 비디오 스트림 내에서, (예를 들어, 태스크 T200 에 관하여 본 명세서에서 설명한 바와 같이) 상기 복수의 오브젝트들을 추적하도록 구성될 수도 있다. 도 38f, 도 38g, 및 도 39a 는 오브젝트 추적기 (200) 의 인스턴스들을 포함하는 장치 (A110, A120, 및 A130) 각각의 구현들 (A210, A220, 및 A230) 의 블록 다이어그램들을 도시한다.도 39b 는 장치 (A100) 의 구현 (A300) 의 블록 다이어그램을 도시한다. 장치 (A200) 는 (예를 들어, 태스크 T300 에 관하여 본 명세서에서 설명한 바와 같이) 선택기 (300) 에 의해 생성된 메타데이터를 비디오 스트림의 대응하는 프레임들과 연관시키도록 구성된 비디오 스트림 에디터 (400) 를 포함한다. 도 39c 및 도 39d 는 비디오 스트림 에디터 (400) 의 인스턴스들을 포함하는 장치 (A200 및 A230) 각각의 구현들 (A310 및 A330) 의 블록 다이어그램들을 도시한다.본 명세서에서 설명한 바와 같은 장치 (A100) 의 구현들 중 임의의 구현은 다음의 폼 팩터들 중 임의의 것에 있어서의 디바이스와 같은 모바일 디바이스 내에서 구현될 수도 있다: 홀더블들 (holdables) (예를 들어, 스마트폰들), 드라이버블들 (drivables) (예를 들어, 운반체들 또는 로봇들), 웨어러블들 (wearables) (예를 들어, 의류 또는 액세서리들), 및 플라이어블들 (flyables) (예를 들어, 드론들). 모바일 디바이스는 적어도 하나의 디지털 이미지를 디스플레이하도록 구성된 하나 이상의 스크린들 (예를 들어, 터치스크린) 및/또는 적어도 하나의 디지털 이미지 (예를 들어, 비디오 스트림) 를 캡처하도록 구성된 하나 이상의 이미징 유닛들 (예를 들어, 카메라 또는 다른 이미지-캡처링 디바이스) 을 포함할 수도 있다.도 31 을 참조하면, 상술된 비디오 프로세싱 기법들을 수행하도록 동작가능한 컴포넌트들을 포함하는 무선 디바이스 (2900) 의 블록 다이어그램이 도시된다. 디바이스 (2900) 는 메모리 (2932) 에 커플링된, 디지털 신호 프로세서 (DSP) 와 같은 프로세서 (2910) 를 포함한다. 디바이스 (2600) 는 본 명세서에서 설명된 장치 (A100) 의 구현들 중 임의의 구현의 엘리먼트들을 포함하도록 구현될 수도 있는 모바일 디바이스의 하나의 예이다.도 31 은 또한, 프로세서 (2910) 및 디스플레이 (2928) 에 커플링되는 디스플레이 제어기 (2926) 를 도시한다. 특정 실시형태에서, 디스플레이는 상술된 뷰파인더 또는 스크린들에 대응할 수도 있다. 메모리 (2932) 는 실행가능한 명령들 (2956) 을 포함하는 유형의 비일시적 프로세서 판독가능 저장 매체일 수도 있다. 명령들 (2956) 은 프로세서 (2910) 와 같은 프로세서에 의해 실행될 수도 있다. 디스플레이 제어기 (2926) 또는 프로세서 (2910) 와 같은 프로세서는 도 3 의 방법 (300), 도 4 의 방법 (400), 도 5 의 방법 (500), 도 6 의 방법 (600), 도 10 의 방법 (1000), 도 12 의 방법 (1200), 도 14 의 방법 (1400), 도 16 의 방법 (1600), 도 19 의 방법 (1900), 도 20 의 방법 (2000, 2010), 도 23 의 방법 (2300), 도 25 의 방법 (2500), 도 26 의 방법 (2600), 도 28 의 방법 (2800), 방법 (M100), 방법 (M110), 방법 (M120), 방법 (M130), 또는 이들의 임의의 조합 중 적어도 일 부분을 수행하도록 명령들 (2956) 을 실행할 수도 있다.코더/디코더 (코덱 (CODEC)) (2934) 는 또한 프로세서 (2910) 에 커플링될 수 있다. 스피커 (2936) 및 마이크로폰 (2938) 은 코덱 (2934) 에 커플링될 수 있다. 도 31 은 또한, 무선 제어기 (2940) 가 프로세서 (2910) 및 안테나 (2942) 에 커플링될 수 있다는 것을 나타낸다. 특정 실시형태에서, 무선 주파수 (RF) 인터페이스 (2980) 는 무선 제어기 (2940) 와 안테나 (2942) 사이에 배치된다.특정 실시형태에서, 프로세서 (2910), 디스플레이 제어기 (2926), 메모리 (2932), 코덱 (2934), 및 무선 제어기 (2940) 는 시스템-인-패키지 또는 시스템-온-칩 디바이스 (2922) 에 포함된다. 특정 실시형태에서, 입력 디바이스 (2930) (예를 들어, 상술된 바와 같이 장면들을 캡처하는데 이용되는 카메라) 및 파워 서플라이 (2944) 는 시스템-온-칩 디바이스 (2922) 에 커플링된다. 더욱이, 특정 실시형태에서, 도 31 에 예시된 바와 같이, 디스플레이 (2928), 입력 디바이스 (2930), 스피커 (2936), 마이크로폰 (2938), 안테나 (2942), 파워 서플라이 (2944), 및 RF 인터페이스 (2980) 는 시스템-온-칩 디바이스 (2922) 의 외부에 있다. 예를 들어, RF 인터페이스 (2980) 은 별개의 칩일 수도 있다. 그러나, 디스플레이 (2928), 입력 디바이스 (2930), 스피커 (2936), 마이크로폰 (2938), 안테나 (2942), 파워 서플라이 (2944), 및 RF 인터페이스 (2980) 각각은, 인터페이스 또는 제어기와 같은, 시스템-온-칩 디바이스 (2922) 의 컴포넌트에 커플링될 수 있다.도 40a 는 일반적 구성에 따라 메타데이터를 발생시키기 위한 장치 (MF100) 의 블록 다이어그램을 도시한다. 장치 (MF100) 는 복수의 오브젝트들을 선택하기 위해 적어도 하나의 디지털 이미지를 이용하는 수단 (F100) 을 포함하고, 여기서 적어도 하나의 디지털 이미지는 (예를 들어, 태스크 T100 에 관하여 본 명세서에서 설명한 바와 같이) 물리적 공간에 관하여 오브젝트들을 나타낸다. 장치 (MF100) 는 또한, 로케이션 공간에서의 선택된 오브젝트들의 포지션들을 나타내는 정보에 기초하여, (예를 들어, 태스크 T300 에 관하여 본 명세서에서 설명한 바와 같이) 선택된 오브젝트들의 복수의 후보 기하학적 배열들 중에서 하나를 식별하는 메타데이터를 생성하는 수단 (F300) 을 포함한다.도 40b 는 장치 (MF100) 의 구현 (MF110) 의 블록 다이어그램을 도시한다. 장치 (MF110) 는 (예를 들어, 디스플레이 태스크 T50 에 관하여 본 명세서에서 설명한 바와 같이) 적어도 하나의 디지털 이미지를 디스플레이하는 수단 (F50) 을 포함한다.도 40c 는 장치 (MF100) 의 구현 (MF120) 의 블록 다이어그램을 도시한다. 장치 (MF120) 는 (예를 들어, 파싱 태스크 T30 에 관하여 본 명세서에서 설명한 바와 같이) 적어도 하나의 디지털 이미지를 생성하기 위해 비디오 스트림을 파싱하는 수단 (F30) 을 포함한다. 도 40d 는 장치 (MF110 및 MF120) 의 구현 (MF130) 의 블록 다이어그램을 도시한다.도 40e 는 장치 (MF100) 의 구현 (MF200) 의 블록 다이어그램을 도시한다. 장치 (MF200) 는 (예를 들어, 태스크 T200 에 관하여 본 명세서에서 설명한 바와 같이) 로케이션 공간에서 복수의 오브젝트들에 대한 레퍼런스 포지션을 결정하는 수단 (F200) 을 포함한다. 도 41b 는 (예를 들어, 태스크 T200 에 관하여 본 명세서에서 설명한 바와 같이) 비디오 스트림 내에서, 상기 복수의 오브젝트들을 추적하는 수단 (F210) 을 포함하는 장치 (MF100) 의 구현 (MF400) 의 블록 다이어그램을 도시한다. 도 40f, 도 40g, 및 도 41a 는 수단 (F200) 의 인스턴스들을 포함하는, 장치 (MF110, MF120, 및 MF130) 각각의 구현들 (MF210, MF220, 및 MF230) 의 블록 다이어그램들을 도시한다. 이러한 장치는 또한, 수단 (F200) 에 부가하여 또는 대안적으로 수단 (F210) 을 포함하도록 구현될 수도 있다.도 41c 는 장치 (MF100) 의 구현 (MF300) 의 블록 다이어그램을 도시한다. 장치 (MF200) 는 (예를 들어, 태스크 T300 에 관하여 본 명세서에서 설명한 바와 같이) 비디오 스트림의 대응하는 프레임들과 수단 (F300) 에 의해 생성된 메타데이터를 연관시키는 수단 (F400) 을 포함한다. 도 41d 및 도 41e 는 수단 (F400) 의 인스턴스들을 포함하는, 장치 (MF200 및 MF230) 각각의 구현들 (MF310 및 MF330) 의 블록 다이어그램들을 도시한다.당업자들은, 본 명세서에 개시된 실시형태들과 관련되어 설명된 다양한 예시적인 논리 블록들, 구성들, 모듈들, 회로들, 및 알고리즘 단계들은 전자 하드웨어, 프로세서에 의해 실행되는 컴퓨터 소프트웨어, 또는 이들 양쪽의 조합들로서 구현될 수도 있다는 것을 추가로 인식할 것이다. 예를 들어, 본 명세서에 개시된 장치 (예를 들어, 장치 (MF100, MF110, MF120, MF130, MF200, MF210, MF220, MF230, MF300, MF310, MF330, MF400, A100, A110, A120, A130, A200, A210, A220, A230, A300, A310, 및 A330) 중 임의의 장치) 의 다양한 구현들의 하나 이상의 엘리먼트들은 마이크로프로세서들, 임베딩된 프로세서들, IP 코어들, 디지털 신호 프로세서들, FPGA들 (field-programmable gate arrays), ASSP들 (application-specific standard products), 및 ASIC들 (application-specific integrated circuits) 과 같은 로직 엘리먼트들 (예를 들어, 프로세서 (2610)) 의 하나 이상의 고정된 또는 프로그램가능 어레이들 상에서 실행하도록 배열된 명령들의 하나 이상의 세트들로서 전체적으로 또는 부분적으로 구현될 수도 있다. 다양한 예시적인 컴포넌트들, 블록들, 구성들, 모듈들, 회로들, 및 단계들은 이들의 기능성의 관점에서 일반적으로 상술되었다. 이러한 기능성이 하드웨어로서 또는 프로세서 실행가능 명령들로서 구현되는지 여부는 전체 시스템에 부과되는 설계 제약들 및 특정 애플리케이션에 의존한다. 당업자들은 각각의 특정 애플리케이션에 대한 다양한 방법들로 설명된 기능성을 구현할 수도 있지만, 이러한 구현 판정들은 본 개시물의 범위로부터의 벗어남을 야기시키는 것으로 해석되어서는 안된다.본 명세서에 개시된 실시형태들과 관련되어 설명된 방법 또는 알고리즘의 단계들은 직접 하드웨어로, 프로세서에 의해 실행되는 소프트웨어 모듈로, 또는 이들 둘의 조합으로 구현될 수도 있다. 소프트웨어 모듈은 랜덤 액세스 메모리 (RAM), 플래시 메모리, 판독-전용 메모리 (ROM), 프로그램가능 판독-전용 메모리 (PROM), 소거가능 프로그램가능 판독-전용 메모리 (EPROM), 전기적 소거가능 프로그램가능 판독-전용 메모리 (EEPROM), 레지스터들, 하드 디스크, 착탈식 디스크, 콤팩트 디스크 판독-전용 메모리 (CD-ROM), 또는 당업계에 공지된 임의의 다른 형태의 비일시적 저장 매체에 상주할 수도 있다. 예시적인 저장 매체는, 프로세서가 저장 매체로부터 정보를 판독할 수 있고 정보를 저장 매체에 기입할 수 있도록 프로세서에 커플링된다. 대안적으로, 저장 매체는 프로세서와 일체적일 수도 있다. 프로세서 및 저장 매체는 주문형 집적 회로 (ASIC) 에 상주할 수도 있다. ASIC 는 컴퓨팅 디바이스 또는 사용자 단말기에 상주할 수도 있다. 대안으로, 프로세서 및 저장 매체는 컴퓨팅 디바이스 또는 사용자 단말기에 개별 컴포넌트들로서 상주할 수도 있다.개시된 실시형태들의 이전 설명은 당업자가 개시된 실시형태들을 제조하거나 이용하는 것을 가능하게 하도록 제공된다. 이들 실시형태들에 대한 다양한 수정들은 당업자들에게 쉽게 명백할 것이며, 본 명세서에 정의된 원리들은 본 개시물의 범위로부터 벗어남이 없이 다른 실시형태들에 적용될 수도 있다. 따라서, 본 개시물은 본 명세서에 도시된 실시형태들로 제한되도록 의도된 것이 아니라, 다음의 청구항들에 의해 정의된 원리들 및 신규한 피처들과 일치하는 가능한 가장 넓은 범위를 따르도록 하기 위한 것이다.	메타데이터를 발생시키는 방법은 복수의 오브젝트들을 선택하기 위해 적어도 하나의 디지털 이미지를 이용하는 단계를 포함하고, 여기서 적어도 하나의 디지털 이미지는 복수의 오브젝트들을 물리적 공간에 관하여 나타낸다. 이 방법은 또한, 적어도 하나의 프로세서에 의해 및 로케이션 공간에서의 선택된 오브젝트들의 포지션들을 나타내는 정보에 기초하여, 선택된 오브젝트들의 복수의 후보 기하학적 배열들 중에서 하나의 후보 기하학적 배열을 식별하는 메타데이터를 생성하는 단계를 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 경화 후 유연성이 우수한 경화성 수지, (메트)아크릴화 경화성 수지 및 액정 밀봉제 조성물CURABLE RESIN HAVING EXCELLENT POST-CURING FLEXIBILITY, METHACRYLATED CURABLE RESIN, AND LIQUID CRYSTAL SEALING AGENT COMPOSITION [ 기술분야 ] 본 발명은 경화 후에도 우수한 유연성을 발현하는 액정 밀봉제에 적합한 경화성 수지 및 (메트)아크릴화 경화성 수지 및 이들 경화성 수지를 포함하는 액정 밀봉제 조성물에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 액정 패널 등의 액정 표시 장치의 제조에 있어서, 예를 들어 액정 패널을 구성하는 2매의 기판 중 어느 하나의 기판의 외주에 액정 밀봉제를 도포하고, 어느 하나의 기판 위에 소정량의 액정을 적하하고, 2매의 기판을 진공 하에서 접합한 후에 대기압 내로 되돌림으로써 액정을 기판끼리의 사이에 충전하여, 액정 밀봉제를 경화시키는 액정 적하 공법이 보급되어 있다.액정 적하 공법에서는, 고속 경화의 관점에서, 에폭시아크릴레이트계 화합물을 주제로 하는 라디칼 중합 반응성 화합물이 액정 밀봉제로서 널리 사용되고 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본특허공개 제2007-297470호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 액정 적하 공법에서는, 2매의 기판 중 어느 하나에 밀봉제를 프레임 형상으로 도포해서 프레임 시일을 형성하고, 어느 하나의 기판에 액정을 적하하고, 진공 하에서 양 기판을 접합하여, UV 조사해서 액정 밀봉제를 광경화시킨 후에, 액정의 NI점(Nematic Isotropic point) 이상의 온도에서 열 양생하여, 액정 밀봉제를 열경화함과 동시에 액정을 배향시킨다.TV와 같은 대형 패널의 경우에는, 패널이 크기 때문에, 액정 적하 개소로부터 프레임 시일까지 일정 이상의 거리가 있어, 액정을 적하해서 패널을 접합하고 나서 UV 조사할 때까지 액정과 미경화 상태의 액정 밀봉제가 접촉하지 않거나, 또는 접촉 시간이 짧아, 주로 액정 밀봉제는 광경화하고 나서 액정과 접촉하였다.한편, 최근 스마트폰이나 태블릿형 단말기 등의 보급에 의해 수요가 증대하고 있는 소형 액정 패널에서는, 액정 적하 개소로부터 프레임 시일까지의 거리가 짧기 때문에, 접합하고 나서 UV 조사할 때까지, 액정 밀봉제가 미경화의 상태에서 액정과 접촉하거나, 또는 접촉 시간이 길다. 그 때문에 종래보다도 액정 밀봉제의 미경화 상태에서의 액정 오염성이 문제가 된다.종래의 에폭시/아크릴계 화합물을 포함하는 에폭시 화합물을 주제로 하는 라디칼 중합 반응성의 액정 밀봉제는 이러한 문제 해결의 요청에 충분히 부응하고 있다고 말하기는 어렵다.또한, 최근 전자 페이퍼 등 안전하고 경량이면서 또한 자유롭게 절곡이 가능한 플렉시블 액정 디스플레이의 시장 전개가 기대되고 있다. 상기 플렉시블 액정 디스플레이는 종래의 강직한 유리 기판을 대신해서 플라스틱 필름 등과 같은 유연한 기판을 사용해서 제조된다.액정 밀봉제에 대해서도, 종래의 것은 비교적 강직한 경화물을 형성하기 때문에 유리와 같은 형상 변화가 적은 기판의 접착에는 적합하지만, 필름 등의 유연한 기판을 포함하는 플렉시블 디스플레이에 있어서는, 종래 제품에서는 굴곡이나 기판의 수축에 의한 형상 변화에 의해 파괴나 박리가 발생하기 때문에 당해 용도에 충분히 적합하다고 말하기는 어렵다.이러한 관점에서, 특히 플렉시블 액정 디스플레이에 적합한 밀봉제로서 경화 후에도 충분한 유연성을 갖는 액정 밀봉제가 요구된다.이상에 비추어, 본 발명의 과제는 플렉시블 액정 디스플레이를 굴곡시킨 경우에도 문제없이 접착 상태를 유지할 수 있는 유연성을 갖는 경화물을 형성하고, 또한 액정 오염성이 낮아 액정 배향성에 영향을 주기 어려운 경화성 수지 및 당해 경화성 수지를 포함하는 액정 밀봉제 조성물을 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명은 이하의 형태를 포함한다.(1) 하기 식 (1)로 표시되는 경화성 수지: [식 중, m은 1 내지 7의 범위의 수이고, R1은 각각 서로 독립적으로 수소 원자, 글리시딜기 또는 메틸글리시딜기이고, R2는 각각 서로 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기이고, A환은 각각 서로 독립적으로 탄소 원자수 및 헤테로 원자수의 합계가 5 이상이며, 1개 이상인 방향환, 또는 헤테로 방향환을 포함하는 기이고, X는 서로 독립적으로, 수소 원자, 수산기, 글리시딜옥시기, 또는 메틸글리시딜옥시기이고, Y는 하기 식 (1a): (식 중, Y1은 각각 서로 독립적으로 탄소 원자수 2 내지 5의 알킬렌기이고, n은 1 내지 250의 범위의 수이다), 하기 식 (1b): (식 중, Y2는 각각 서로 독립적으로 직접 결합 또는 탄소수 1 혹은 2의 알킬렌기이고, R3은 각각 서로 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기이고, p와 q는 각각 서로 독립적으로 0 이상의 수이고, 또한 그들의 합계는 1 내지 200의 범위의 수이다), 또는 상기 식 (1b) 중의 불포화 결합의 일부 또는 전부를 수소화한 구조의 기이고, 상기 R1 및 X에 있어서, 글리시딜기 또는 메틸글리시딜기인 R1과, 글리시딜옥시기 또는 메틸글리시딜옥시기인 X의 합계의 개수의 평균 x는 1 이상이다].(2) 상기 식 (1)에 있어서, A환에 포함되는 탄소 원자수가 4 내지 40이고, 산소 원자수가 0 내지 5이고, 질소 원자수가 0 내지 5이고, 황 원자수가 0 내지 5이며, A환에 포함되는 환구조의 수가 1 내지 5인, (1)에 기재된 경화성 수지.(3) (1) 또는 (2)에 기재된 경화성 수지의 에폭시기, 수산기 및 불포화 결합의 적어도 일부와 (메트)아크릴산 및/또는 (메트)아크릴산 무수물을 반응시켜서 얻어지는 (메트)아크릴화 경화성 수지.(4) (1) 또는 (2)에 기재된 경화성 수지 및/또는 (3)에 기재된 (메트)아크릴화 경화성 수지를 포함하는, 액정 밀봉제 조성물.(5) 상기 액정 밀봉제 조성물에 있어서의, 경화성 수지 및/또는 (메트)아크릴화 경화성 수지의 함유량이 5 내지 95중량%인, (4)에 기재된 액정 밀봉제 조성물.(6) 상기 액정 밀봉제 조성물이 에틸렌성 불포화기 및/또는 에폭시기를 갖는 화합물 H(단, 상기 경화성 수지 및 (메트)아크릴화 경화성 수지를 제외한다)를 더 포함하는, (4) 또는 (5)에 기재된 액정 밀봉제 조성물. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 따르면, 플렉시블 액정 디스플레이를 굴곡시킨 경우에도 문제없이 접착 상태를 유지할 수 있는 유연성을 갖는 경화물을 형성하고, 또한 액정 오염성이 낮아 액정 배향성에 영향을 주기 어려운 경화성 수지 및 당해 경화성 수지를 포함하는 액정 밀봉제 조성물이 제공된다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명을 상세하게 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서 (메트)아크릴이란, 메타크릴 및/또는 아크릴을 의미하고, (메트)아크릴레이트란, 메타크릴레이트 및/또는 아크릴레이트를 의미한다.[본 발명의 경화성 수지]본 발명의 경화성 수지는, 하기 식 (1)로 표시된다.본 발명의 경화성 수지는 m의 첨자가 붙은 괄호로 묶인 블록의 에테르 부위나 소정의 기 Y를 포함하는 유연 부위를 가지고 있어, 본 발명의 경화성 수지를 경화시켜서 얻어지는 경화물은 당해 유연 부위가 유연성이나 고무 탄성을 발휘하는 것으로 생각되어 유연성이 우수하다. 식 (1)로 표시되는 바와 같이 본 발명의 경화성 수지는 유연한 고분자 구조를 가지고 있어, 이에 의해 본 발명의 경화성 수지의 경화물의 가교 밀도가 적절하게 저하되어 있는 것도, 상기 유연성의 발휘에 기여하고 있는 것으로 생각된다.또한, 상기 유연 부위를 가짐과 함께, 본 발명의 경화성 수지는 A환이라고 하는 방향환 함유 구조를 가지고, 이러한 소정의 구조를 갖는 본 발명의 경화성 수지는 액정 오염성이 낮다.(m에 대해서)식 (1) 중, m은 1 내지 7의 범위의 수이고, 본 발명의 경화성 수지의 점도나 핸들링성의 관점에서, 1 내지 5의 범위의 수인 것이 바람직하고, 1 내지 3의 범위의 수인 것이 보다 바람직하다. 본 발명의 경화성 수지는, 예를 들어 후술하는 제조 방법에 의해 제조하는 것이 가능하며, 그 경우, m의 수의 다른 복수 종류의 화합물의 혼합물이 되는 경우가 있다.(X에 대해서)식 (1) 중, X는 각각 서로 독립적으로 수소 원자, 수산기, 글리시딜옥시기, 또는 메틸글리시딜옥시기이다. X가 수산기, 글리시딜옥시기 또는 메틸글리시딜옥시기인 경우에는, 후술하는 바와 같이 당해 부분은 가교 반응을 일으킬 수 있고, 또한, 당해 부분에 (메트)아크릴기를 도입할 수도 있다.저액정 오염성의 관점에서는, 이러한 X로서는 수산기 및 글리시딜옥시기가 바람직하다.(R1에 대해서)상기 식 (1)에 있어서, R1은 각각 서로 독립적으로 수소 원자, 글리시딜기 또는 메틸글리시딜기이다. 후술하는 바와 같이, R1을 포함하는 기는 가교 반응을 일으킬 수 있고, 또한, 당해 부분에 (메트)아크릴기를 도입할 수도 있다. 또한, m이 2 이상의 수인 경우에는, m의 첨자가 붙여진 괄호로 묶인 개개의 블록에 있어서의 R1끼리도 또한 독립적이며, 서로 동일할 수 있고 다를 수 있다.저액정 오염성의 관점에서는, 이러한 R1로서는 수소 원자 및 글리시딜기가 바람직하다. 그리고, 상기 식 (1)로 표시되는 본 발명의 경화성 수지에 있어서, 글리시딜기 또는 메틸글리시딜기인 R1 및 글리시딜옥시기 또는 메틸글리시딜옥시기인 X(즉 에폭시기를 갖는 R1 및 X)의 합계의 개수의 평균 x는 1 이상이고, 바람직하게는 2 이상이다. 이와 같이 경화성 수지가 일정 이상의 수의 가교성기를 갖고, 또한 상기 유연 부위를 가짐으로써, 액정 밀봉제에 요구되는 경화성·접착성을 확보하면서, 경화물의 우수한 유연성(이하, 「경화 후 유연성」이라고도 한다)도 달성할 수 있다.상기 x는 후술하는 본 발명의 경화성 수지를 포함하는 액정 밀봉제 조성물의, 예를 들어 점도가 영향을 미치는 도포성 등의 작업성과, 예를 들어 가교 밀도가 영향을 미치는 경화 후의 강도 등의 물리적 특성의 관점에서, 상기한 바와 같이 바람직하게는 2 이상이고, 보다 바람직하게는 2 내지 16이고, 더욱 바람직하게는 2 내지 8이다.또한 x에 관해서는, 고속 액체 크로마토그래피(HPLC) 및 액체 크로마토그래프 질량 분석(LC-MS)이나, 겔 여과/침투 크로마토그래피(GPC/GFC)에 의해 경화성 수지의 평균 분자량 및 분자량 분포를 측정하고, 경화성 수지의 에폭시 당량을 더 측정함으로써 그 측정 결과로부터 상기 식 (1)에 있어서의 x를 산출할 수 있다.(R2에 대해서)상기 식 (1)에 있어서, R2는 각각 서로 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기이고, 본 발명의 경화성 수지의 저액정 오염성이 관점에서 바람직하게는 수소 원자다. 또한, m이 2 이상의 수인 경우에는, m의 첨자가 붙여진 괄호로 묶인 개개의 블록에 있어서의 R2끼리도 또한 독립적이며, 서로 동일할 수 있고 다를 수 있다.(A환에 대해서)상기 식 (1)에 있어서, A환은 각각 서로 독립적으로 탄소 원자수 및 헤테로 원자수의 합계가 5 이상이고, 또한 1개 이상인 방향환, 또는 헤테로 방향환을 포함하는 기이다. 탄소 원자수 및 헤테로 원자수의 합계가 5 이상이라는 것은, A환 전체를 보았을 때, 환을 구성하는 탄소 원자 및 헤테로 원자, 환 구성 원자에 탄소 원자나 헤테로 원자를 갖는 기가 결합하고 있는 것이면, 그들의 기를 포함해서 전체의 탄소 원자 및 헤테로 원자수의 합계가 5 이상이라고 하는 것이다.A환에 대해서는, 본 발명의 경화성 수지 및 후술하는 액정 밀봉제 조성물의 점도, 핸들링성의 관점에서, 거기에 포함되는 탄소 원자수가 4 내지 40이고, 산소 원자수가 0 내지 5이고, 질소 원자수가 0 내지 5이고, 황 원자수가 0 내지 5이고, 또한 A환에 포함되는 환구조의 수가 1 내지 5인 것이 바람직하다.A환 내에 포함되는 환구조(방향환 및 헤테로 방향환)는, 1종 단독이어도 되고 2종 이상으로 복수 존재해도 되고, 상기 환구조는 단환 구조여도 되고 축합환 구조여도 된다. 또한, 이들 환구조는 직접 결합 또는 연결기를 개재시켜 결합해서 복수 존재해도 된다.이 연결기의 예로서, 탄소수 1 내지 4의 알킬렌기, 탄소수 2 내지 4의 알킬리덴기, 에테르기, 에스테르기, 케토기, 술피드기, 술포닐기 등을 들 수 있다. 또한, 상기 식 (1)에 있어서, A환에 결합하는 산소 원자 및 X와 A환은 이 연결기를 개재시켜 결합해도 된다.또한, 이들 환구조는 각각 독립적으로 치환기를 갖고 있어도 된다. 이러한 치환기의 예로서는, 알킬기, 알콕시기, 아실기, 포르밀기, 카르복실기, 에스테르기, 시아노기, 니트로기, 술포기, 아미드기, 수산기, 머캅토기, 실릴기 등을 들 수 있다.A환에 포함되는 환구조의 예로서는, 벤젠환, 나프탈렌환, 플루오렌환, 안트라센환, 푸란환, 피롤환, 티오펜환, 이미다졸환, 옥사졸환, 티아졸환, 피리딘환, 티아진 환, 및 이들의 환에 상기 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다.또한, m이 2 이상의 수인 경우에는, m의 첨자가 붙여진 괄호로 묶인 개개의 블록에 있어서의 A환끼리도 또한 독립적이며, 서로 동일할 수 있고 다를 수 있다.(Y에 대해서)이어서, 상기 식 (1)에 있어서 Y는, 하기 식 (1a), (1b) 또는 당해 식 (1b) 중의 불포화 결합의 일부 또는 전부를 수소화한 구조의 기이다. 또한, m이 2 이상의 수인 경우에는, m의 첨자가 붙여진 괄호로 묶인 개개의 블록에 있어서의 Y끼리도 또한 독립적이며, 서로 동일할 수 있고 다를 수 있다.식 (1a)에 있어서, Y1은 각각 서로 독립적으로 탄소 원자수 2 내지 5의 알킬렌기이고, n은 1 내지 250의 범위의 수이다. 상기 알킬렌기의 예로서는, 에틸렌기, 프로필렌기, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기 및 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 본 발명의 경화성 수지의 경화 후 유연성 및 액정 오염성의 관점에서는, Y1은 바람직하게는 에틸렌기 또는 테트라메틸렌기이고, 상기 유연성 및 본 발명의 경화성 수지의 핸들링성의 관점에서는, n은 바람직하게는 5 내지 70의 범위의 수이고, 더욱 바람직하게는 10 내지 50의 범위의 수이다.또한, n이 2 이상의 수인 경우에는, n의 첨자가 붙여진 괄호로 묶인 개개의 반복 단위에 있어서의 Y1끼리도 또한 독립적이며, 서로 동일할 수 있고 다를 수 있다.또한 식 (1b)에 있어서, Y2는 각각 서로 독립적으로 직접 결합 또는 탄소수 1 혹은 2의 알킬렌기이고, R3은 각각 서로 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기이고, p와 q는 각각 서로 독립적으로 0 이상의 수이고, 또한 그들의 합계는 1 내지 200의 범위의 수이다. 또한, p나 q가 2 이상인 경우는, 이들 첨자가 붙여진 괄호로 묶인 반복 단위가 복수 존재하지만, 그들 개개의 반복 단위에 있어서의 R3끼리도 또한 독립적이며, 서로 동일할 수 있고 다를 수 있다. 또한, 이들의 반복 단위는 상기 p나 q의 범위이면 랜덤하게 결합할 수 있다.p와 q의 합계의 수는, 본 발명의 경화성 수지의 핸들링성 및 경화 후 유연성의 관점에서, 바람직하게는 5 내지 70의 범위의 수이고, 더욱 바람직하게는 10 내지 50의 범위의 수이다.(m, n, p, q에 대해서)이상 설명한 식 (1)에 관한 소정의 블록(반복 단위)의 수를 나타내는 m은 후술하는 본 발명의 경화성 수지의 합성 원료의 투입량이나 당해 수지(또는 후술하는 (메트)아크릴화 경화성 수지)의 GPC 측정 결과로부터 개산할 수 있다. n 및p, q의 합계값은 경화성 수지(또는 후술하는 (메트)아크릴화 경화성 수지)의 GPC 측정 결과로부터 개산 가능하고, 또한 이들은 경화성 수지의 합성 원료의 GPC 측정 결과로부터도 개산할 수 있다. 또한, p, q 각각의 값에 대해서는 IR 등에 의해 분석 가능하다.003c#경화성 수지의 특성003e#이상 설명한 본 발명의 경화성 수지의 점도는 통상 1000 내지 2000000m㎩·s이다. 후술하는 바와 같이 본 발명의 경화성 수지는 액정 밀봉제 용도에 적합하지만, 당해 용도로 사용하는 경우에는, 액정 밀봉제에 적당한 점성을 확보한다는 관점에서, 경화성 수지의 점도는 바람직하게는 3000 내지 2000000m㎩·s이다. 또한, 본 명세서에 있어서 점도는 25℃에 있어서, E형 점도계를 사용하여 측정된 수치이다.경화성 수지의 점도는 예를 들어 식 (1)에 있어서의 m 등을 바꾸는 것 및/또는 경화성 수지 중의 수산기(예를 들어 R1이 수소 원자인 경우)의 존재비를 변경하는 것 등에 의해 조정할 수 있다.또한, 경화성 수지를 액정 밀봉제로 사용하는 경우, 접착성과 유연성을 양립시킨다는 관점에서, 그 에폭시 당량은 바람직하게는 400 내지 10000g/eq이고, 보다 바람직하게는 500 내지 5000g/eq이다. 또한, 경화성 수지의 에폭시 당량은 경화성 수지의 평균 분자량과 상기 식 (1)에 있어서의 m의 첨자가 붙은 괄호로 묶인 블록(반복 단위)당의 에폭시기(예를 들어 글리시딜기인 R1)의 수로 조정할 수 있다.또한 본 발명의 경화성 수지는 NI점 변화가 작다. 상기 NI점이란, 액정이 네마틱상으로부터 이소트로픽상(등방상)으로 상전이할 때의 온도이다(상전이 온도는 시차 열분석 장치를 사용해서 흡열 피크 톱으로부터 측정할 수 있다). 액정의 NI점은 액정의 각 성분의 혼합 조성에 의해 결정되며, 각 배합으로 고유의 값이 된다. 액정 오염성이 높은 원료 혹은 밀봉제가 액정과 혼합되면, NI점이 크게 변화하고, 반대로 원료 혹은 밀봉제의 액정 오염성이 낮은 경우, NI점의 변화는 작다.구체적으로는, 본 발명의 경화성 수지는 NI점 변화가 통상 -5℃ 내지 +5℃의 범위이고, 바람직하게는 -3℃ 내지 +3℃의 범위이다. 또한, NI점 변화의 측정 방법의 상세는, 후술하는 실시예에서 설명한다.[(메트)아크릴화 경화성 수지]본 발명의 경화성 수지는 (메트)아크릴산 및/또는 (메트)아크릴산 무수물을 반응시켜서 (메트)아크릴화 경화성 수지로 할 수 있다. (메트)아크릴기의 올레핀 부위는 가교 반응을 일으킬 수 있고, 상기 (메트)아크릴화 경화성 수지에 있어서도 액정 밀봉제에 요구되는 접착성을 담보하면서 우수한 유연성을 달성할 수 있다.본 발명의 경화성 수지에의 (메트)아크릴기의 도입은, 보다 구체적으로는 상기 경화성 수지의 에폭시기(예를 들어 R1이 글리시딜기인 경우), 수산기 및 불포화 결합(예를 들어 Y가 식 (1b)의 기인 경우)의 적어도 일부에 대하여 일어난다. 또한, (메트)아크릴기의 부가 등에 의해 에폭시기가 개환하면 수산기가 발생하지만, 이 수산기에 대하여 (메트)아크릴기의 도입이 더 일어나도 된다.또한 (메트)아크릴기의 도입은, 본 발명의 경화성 수지에 (메트)아크릴산계 화합물, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 또한 그들의 무수물, 에스테르 화합물, 또는 산 할로겐화물 등을 반응시킴으로써 행할 수 있다.003c#(메트)아크릴화 경화성 수지의 특성003e#본 발명의 (메트)아크릴화 경화성 수지는 본 발명의 경화성 수지와 마찬가지로 액정 밀봉제에 사용하는 것에 바람직한 특성을 나타낸다.즉 본 발명의 (메트)아크릴화 경화성 수지의 점도는 통상 1000 내지 2000000m㎩·s이고, 액정 밀봉제에 적당한 점성을 확보한다는 관점에서, 바람직하게는 3000 내지 2000000m㎩·s이다.또한 본 발명의 (메트)아크릴화 경화성 수지는 NI점 변화가 작고, 그 NI점 변화는 통상 -5℃ 내지 +5℃의 범위이고, 바람직하게는 -3℃ 내지 +3℃의 범위이다.[경화성 수지의 제조 방법]이어서, 본 발명의 경화성 수지의 제조 방법에 대해서 설명한다.상기 경화성 수지의 제조 방법은 하기 식 (2) 또는 (3)으로 표시되는 화합물 E와, 하기 식 (4)로 표시되는 화합물 F를 반응시키는 공정을 포함한다.식 (2) 및 (3)에 있어서, Y1, n, Y2, R3, p 및 q는 상기에서 정의한 바와 같으며, R4는 각각 서로 독립적으로, 수소 원자, 글리시딜기 또는 메틸글리시딜기이다. 또한 식 (3)에 있어서, p 또는 q의 첨자가 붙은 괄호로 묶인 반복 단위에 있어서의 불포화 결합의 일부 또는 전부는 수소화되어 있어도 된다.또한, 식 (4)에 있어서, X 및 A환은 상기에서 정의한 바와 같으며, R5는 수소 원자, 글리시딜기 또는 메틸글리시딜기이다.예를 들어 화합물 E의 분자 말단에 존재하는 -OR4가 글리시딜옥시기 또는 메틸글리시딜옥시기인 경우에는, 화합물 F에 있어서의 -OR5 또는 X의 적어도 어느 한쪽은 수산기이고, 이들 글리시딜기 또는 메틸글리시딜기와 수산기 사이의 개환 반응에 의해, 화합물 E의 말단에 화합물 F가 연결된다. 그리고 필요에 따라서, 얻어진 화합물(후술하는 합성 중간체 G, 이것이 분자 내에 1개 이상의 에폭시기를 갖고 있는 경우, 이것은 본 발명의 경화성 수지이다)에 있어서의 유리된 수산기(예를 들어 개환 반응에 의해 새롭게 발생한 수산기)의 적어도 일부를 후술하는 바와 같이 글리시딜에테르화함으로써, x가 1 이상이 되도록 조정하여, 식 (1)에 있어서의 m이 1인 경우의 본 발명의 경화성 수지가 얻어진다.또한 화합물 F에 있어서, -OR5 및 X가 수산기 등의 에폭시기를 개환할 수 있는 기인 경우에는, 이 -OR5 및 X의 어느 쪽도 화합물 E의 글리시딜옥시기 또는 메틸글리시딜옥시기와 반응할 수 있다. 그렇게 해서 얻어진 화합물에 있어서, 필요에 따라 유리된 수산기를 후술하는 바와 같이 글리시딜에테르화함으로써, 식 (1)에 있어서의 m이 2 이상의 본 발명의 경화성 수지를 얻을 수 있다. 또한, m은 화합물 E 및 F의 투입량에 따라 조절할 수 있고, -OR5 및 X가 모두 에폭시기를 개환할 수 있는 기인 경우에도, 투입량의 조정에 의해 m이 1인 본 발명 경화성 수지를 얻을 수 있다.또한, 화합물 E 및 F는 각각 1종 단독으로 사용할 수 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.식 (2) 또는 (3)으로 표시되는 화합물 E의 분자량은 바람직하게는 500 내지 10000이다. 또한, 본 명세서에 있어서 분자량은 GPC에서 측정한 표준 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량이다.화합물 E 및 F는 시판되어 있거나 또는 시판된 화합물로부터 공지된 방법에 따라서 용이하게 제조할 수 있다. 예를 들어, R4가 수소 원자이고 Y1이 에틸렌기인 식 (2)의 화합물 E는, 폴리에틸렌글리콜로서 여러가지 반복 단위수 (n)를 갖는 것이 입수 가능하며, 원하는 범위의 n을 갖는 화합물을 적절히 선택하면 된다. 또한 n은 폴리에틸렌글리콜의 GPC 측정 결과로부터 개산할 수도 있다.또한, 폴리에틸렌글리콜은 에피클로로히드린 등의 글리시딜기 또는 메틸글리시딜기를 도입 가능한 화합물(이하, 「에폭시화 화합물」이라고도 한다)과 반응시킴으로써, 폴리에틸렌글리콜의 말단에 글리시딜기 등을 도입할 수 있고, 이것은 즉 R4를 수소 원자로부터 글리시딜기 등으로 용이하게 변환할 수 있는 것이다. 이것은 이하에 설명하는, R4 또는 R5가 수소 원자인 화합물 E 및 F의 다른 예에 대해서도 적용된다.또한, R4가 수소 원자이고, Y1이 프로필렌기인 식 (2)의 화합물 E는, 폴리프로필렌에테르글리콜로서 여러가지 반복 단위수 (n)을 갖는 것이 입수 가능하다. 예를 들어, EXCENOL420, EXCENOL720, EXCENOL1020, EXCENOL2020(이상, 아사히글래스사 제조) 등을 들 수 있다.또한, R4가 수소 원자이고, Y1이 트리메틸렌기인 식 (2)의 화합물 E는, 예를 들어 일본특허공표 제2013-515144호 공보에 기재된 방법에 준하여, 여러가지 반복 단위수 (n)을 갖는 폴리트리메틸렌에테르글리콜로서 제조 가능하다.또한, R4가 수소 원자이고, Y1이 테트라메틸렌기인 식 (2)의 화합물 E는, 폴리테트라메틸렌에테르글리콜로서 여러가지 반복 단위수 (n)을 갖는 것이 입수 가능하다. 예를 들어, PTMG650, PTMG850, PTMG1000, PTMG1300, PTMG1500, PTMG1800, PTMG2000(이상, 미쯔비시가가꾸사 제조) 등을 들 수 있다.또한, R3이 수소 원자이고, R4가 수소 원자인 식 (3)의 화합물 E는, 말단 수산기 도입 폴리부타디엔으로서 여러가지 반복 단위수 (p, q)를 갖는 것이 입수 가능하다. 예를 들어, NISSO PB G-1000, G-2000(이상, 닛본소다사 제조), Poly bd R-45HT(이데미쯔고산사 제조) 등을 들 수 있다.또한, R3이 수소 원자이고, R4가 수소 원자이고, p 또는 q의 첨자가 붙은 괄호로 묶인 반복 단위에 있어서의 불포화 결합의 일부 또는 전부가 수소화되어 있는 식 (3)의 화합물 E는, 말단 수산기 도입 폴리부타디엔의 수소화물로서 여러가지 반복 단위수 (p, q)를 갖는 것이 입수 가능하다. 예를 들어, NISSO-PB GI-1000, GI-2000(이상, 닛본소다사 제조) 등을 들 수 있다.또한, R3이 메틸기이고, R4가 수소 원자인 식 (3)의 화합물 E는, 말단 수산기 도입 폴리이소프렌으로서 여러가지 반복 단위수 (p, q)를 갖는 것이 입수 가능하다. 예를 들어, Poly ip(이데미쯔고산사 제조) 등을 들 수 있다.또한, R3이 메틸기이고, R4가 수소 원자이고, p 또는 q의 첨자가 붙은 괄호로 묶인 반복 단위에 있어서의 불포화 결합의 일부 또는 전부가 수소화되어 있는 식 (3)의 화합물 E는, 말단 수산기 도입 폴리이소프렌의 수소화물로서 여러가지 반복 단위수 (p, q)를 갖는 것이 입수 가능하다. 예를 들어, EPOL(이데미쯔고산사 제조) 등을 들 수 있다.또한, R5가 수소 원자이고, X가 수산기이고, A환이 규정된 원자수 및 환구조수를 만족하는 화합물 F로서는, 레조르시놀, 2-(4-히드록시페닐)에탄올, 비스페놀 A, 비스페놀 M, 비스페놀 P, 1,6-나프탈렌디올, 2-에틸-9,10-안트라센디올, 3,4-티오펜디올, 9,9-비스(4-히드록시-3-메틸페닐)플루오렌 등을 들 수 있다.또한, R5가 수소 원자이고, X가 수소 원자이고, A환이 규정된 원자수 및 환구조수를 만족하는 화합물 F로서는, 페놀, 4-α-쿠밀페놀, 4-메톡시페놀, 4-히드록시퀴놀린 등을 들 수 있다.화합물 E에 있어서의 R4 및 화합물 F에 있어서의 R5는, 각각, 얻어지는 경화성 수지의 경화 후 유연성 및 저액정 오염성의 관점에서, R4 및 R5의 한쪽이 수소 원자이고, 다른 쪽이 글리시딜기인 것이 바람직하다.화합물 E와 화합물 F는, 본 발명의 경화성 수지를 생성하도록, 예를 들어 화합물 E와 화합물 F를 알칼리의 존재 하에서 반응시킨 후, 필요에 따라서, 얻어진 합성 중간체 G를 적당한 촉매의 존재 하에서 적당한 에폭시화 화합물과 반응시킨다. 상술한 반응은 경화성 수지에 있어서의 m이 1 내지 7, 바람직하게는 1 내지 5, 더욱 바람직하게는 1 내지 3의 범위의 수가 되도록 투입량을 조정한다. 상기 화합물은 1종 단독으로 사용할 수 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.m의 수에 대해서는, 후술하는 실시예의 경우, 합성 중간체 G를 합성할 때에 이하와 같이 해서 제어할 수 있다. 예를 들어, 합성예 1에 있어서 화합물 E-1에 있어서의 에폭시기와 비스페놀 A(화합물 F에 상당)의 당량비가 1.0: 2.5가 되어 있지만, 이 비를 1.0: 2.0이나 1.0: 1.5로 하면, m의 수는 증대한다. 반대로 1.0: 10이나 1.0: 100, 1.0: 1000 등으로 한 경우에도, 1 미만은 되지 않는다.또한, 반응성의 관점에서, 화합물 E에 있어서의 R4 및 화합물 F에 있어서의 R5의 한쪽이 수소 원자이고, 다른 쪽이 글리시딜기 또는 메틸글리시딜기인 것이 바람직하다.상기 알칼리로서는, 반응의 신속한 진행과 합성의 비용의 관점에서, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물, 탄산나트륨, 탄산칼륨 등의 알칼리 금속 탄산염, 염화테트라메틸암모늄, 염화메틸트리옥틸암모늄, 염화메틸트리데실암모늄, 염화벤질트리메틸암모늄 등의 4급 암모늄염이 바람직하고, 수산화나트륨 또는 4급 암모늄염이 보다 바람직하다. 이들 알칼리는 수용액으로서 사용하는 것이 바람직하지만, 경우에 따라서는 분말 또는 고형의 알칼리를 물과 동시에 혹은 따로따로 첨가할 수도 있다. 또한, 이들 알칼리는 1종 단독으로 사용할 수 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.알칼리의 사용량은, 반응의 신속한 진행과 합성의 비용의 관점에서, R4가 수소 원자이고, R5가 글리시딜기인 경우, 알칼리는 수산기의 당량 이상이면 좋고, R4가 글리시딜기 또는 메틸글리시딜기이고, R5가 수소 원자인 경우, 촉매량이어도 좋고, 화합물 F의 수산기의 0.0001 내지 0.1당량이다.에폭시화 화합물의 사용량은, 바람직하게는 원료 화합물에 포함되는 수산기에 대하여 0.05 내지 20당량, 보다 바람직하게는 0.05 내지 15당량이다. 이 사용량은, 목적의 경화성 수지에 있어서의 에폭시기의 평균의 개수 x에 의해 조정되지만, 수산기에 대하여 대과잉량을 사용하더라도, x는 원료 화합물의 수산기 평균 개수를 상회하는 일은 없다.촉매로서는 반응 시간, 비용, 반응 활성의 관점에서, 트리메틸아민, 트리옥틸아민, 트리데실아민 등의 제3급 아민, 염화테트라메틸암모늄, 염화메틸트리옥틸암모늄, 염화메틸트리데실암모늄, 염화벤질트리메틸암모늄 등의 4급 암모늄염이 바람직하고, 4급 암모늄염이 보다 바람직하다. 이들은 1종 단독으로 사용할 수 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.촉매의 사용량은, 부반응을 억제하면서 반응 속도를 적절하게 확보한다는 관점에서, 원료 화합물에 포함되는 수산기에 대하여, 바람직하게는 0.0001 내지 0.5당량, 보다 바람직하게는 0.01 내지 0.1당량이다.상술한 알칼리와의 반응은, 바람직하게는 50 내지 250℃, 보다 바람직하게는 70 내지 200℃, 더욱 바람직하게는 100 내지 170℃에서 행해지고, 상술한 에폭시화 화합물과의 반응은, 바람직하게는 25 내지 100℃, 보다 바람직하게는 30 내지 80℃, 더욱 바람직하게는 40 내지 60℃에서 행해진다. 반응 시에 있어서는 탄화수소, 에테르 또는 케톤과 같은 반응에 불활성인 용매를 사용할 수도 있지만, 에폭시화 화합물을 과잉으로 사용한 경우에는 당해 화합물이 용매로서도 기능하기 때문에, 이들 용매는 필수는 아니다.반응 종료 후의 경화성 수지의 정제는 통상의 방법에 의해 행할 수 있고, 예를 들어 과잉의 에폭시화 화합물을 증류 제거하고, 필요에 따라 탄화수소 등의 비수용성 용매를 첨가한 후, 수세해서 생성하는 식염 및 촉매를 제거함으로써 목적의 본 발명 경화성 수지를 얻을 수 있다.본 발명의 경화성 수지의 제조 방법은, 화합물 E 및 화합물 F로서 범용의 원료를 사용할 수 있다는 관점에서, 화합물 E에 있어서의 R4가 글리시딜기인 화합물 E1(화합물 E의 디글리시딜에테르화물; 예를 들어, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르)이며, 화합물 F에 있어서의 R5가 수소 원자인 화합물 F1(예를 들어, 비스페놀 A)인 경우, 상기 화합물 E1과 상기 화합물 F1을 반응시켜서, 상기 화합물 E1과 상기 화합물 F1의 합성 중간체 G를 얻는 공정 1과, 합성 중간체 G의 수산기를 에폭시화하고, 상기 합성 중간체 G의 수산기의 일부 또는 모두가 에폭시화된 경화성 수지를 얻는 공정 2를 포함하는 것이 바람직하다.003c#(메트)아크릴화 경화성 수지의 제조 방법003e#또한, 경화성 수지를 염기성 촉매 존재 하에 (메트)아크릴산계 화합물과 반응시키는 공정 3을 거쳐서, 에폭시기, 수산기 및 불포화 결합의 적어도 일부에 (메트)아크릴기가 도입된 본 발명의 (메트)아크릴화 경화성 수지를 얻을 수 있다.염기성 촉매로서, 에폭시 수지와 (메트)아크릴산의 반응에 사용되는 공지된 염기성 촉매를 사용할 수 있다. 또한 염기성 촉매를 중합체에 담지시킨, 중합체 담지 염기성 촉매를 사용할 수도 있다. 염기성 촉매로서는 3가의 유기 인화합물, 그의 염, 아민 화합물 및 그의 염이 바람직하다. 이들 염기성 촉매는 1종 단독으로 사용할 수 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 염기성 촉매의 염기성 원자는 인 및/또는 질소이다.3가의 유기 인화합물로서는, 트리에틸포스핀, 트리-n-프로필포스핀, 트리-n-부틸포스핀과 같은 알킬포스핀류 및 그의 염, 트리페닐포스핀, 트리-m-톨릴포스핀, 트리스(2,6-디메톡시페닐)포스핀 등의 아릴포스핀류 및 그의 염, 트리페닐포스파이트, 트리에틸포스파이트, 트리스(노닐페닐)포스파이트 등의 아인산트리에스테르류 및 그의 염 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 트리페닐포스핀이 바람직하다.3가의 유기 인화합물염으로서는, 트리페닐포스핀·에틸브로마이드, 트리페닐포스핀·부틸브로마이드, 트리페닐포스핀· 옥틸브로마이드, 트리페닐포스핀·데실브로마이드, 트리페닐포스핀·이소부틸브로마이드, 트리페닐포스핀·프로필클로라이드, 트리페닐포스핀·펜틸클로라이드, 트리페닐포스핀·헥실브로마이드 등을 들 수 있다.아민 화합물로서는, 디에탄올아민 등의 제2급 아민, 트리에탄올아민, 디메틸벤질아민, 트리스디메틸아미노메틸페놀, 트리스에틸아미노메틸페놀 등의 제3급 아민, 1,5,7-트리아자비시클로[4.4.0]데카-5-엔(TBD), 7-메틸-1,5,7-트리아자비시클로[4.4.0]데카-5-엔(Me-TBD), 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데카-7-엔(DBU), 6-디부틸아미노-1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데카-7-엔, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]논-5-엔(DBN), 1,1,3,3-테트라메틸구아니딘 등의 강염기성 아민을 들 수 있다. 그 중에서도, 1,5,7-트리아자비시클로[4.4.0]데카-5-엔(TBD)이 바람직하다.아민 화합물의 염으로서는, 염화벤질트리메틸암모늄, 염화벤질트리에틸암모늄, 및 상기 강염기성 아민의 염 등을 들 수 있다.염기성 촉매를 담지시키는 중합체로서는, 특별히 한정되지 않고 폴리스티렌을 디비닐벤젠으로 가교시킨 중합체나 아크릴 수지를 디비닐벤젠으로 가교시킨 중합체 등이 사용된다. 이들 중합체는, 공정 1 또는 공정 1 및 2를 포함하는 제조 방법에 의해 얻어지는 경화성 수지와 (메트)아크릴산계 화합물의 반응에 사용되는 용매(예를 들어 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 톨루엔 등) 및 원료, 생성물에 불용이다. 또한, 이들 중합체는 1종 단독으로 사용할 수 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.중합체 담지 염기성 촉매는, 염기성 촉매를 불용성 중합체에 화학 결합시키거나, 염기성 촉매를 단량체에 도입한 후, 단량체를 중합하고, 그 후, 디비닐벤젠 등의 가교 단량체로 3차원적으로 가교함으로써 제조할 수 있고, 이러한 가교에 의해 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 톨루엔 등의 용매에 불용이나 중합체 담지 염기성 촉매가 된다.중합체 담지 염기성 촉매로서, 구체적으로는, 디페닐포스피노폴리스티렌, 1,5,7-트리아자비시클로[4.4.0]데카-5-엔폴리스티렌, N,N-(디이소프로필)아미노메틸폴리스티렌, N-(메틸폴리스티렌)-4-(메틸아미노)피리딘 등을 들 수 있다. 이들 중합체 담지 염기성 촉매는, 1종 단독으로 사용할 수 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.중합체 담지 염기성 촉매로서는, 시판되는 것을 사용해도 된다. 시판되는 중합체 담지 염기성 촉매로서는, 예를 들어 PS-PPh3(디페닐포스피노폴리스티렌, 바이오타지사 제조), PS-TBD(1,5,7-트리아자비시클로[4.4.0]데카-5-엔폴리스티렌, 바이오타지사 제조) 등을 들 수 있다.본 발명의 (메트)아크릴화 경화성 수지의 제조 방법에 있어서, 공정 1 또는 공정 1 및 2를 포함하는 제조 방법에 의해 얻어지는 경화성 수지와 (메트)아크릴산계 화합물의 반응 공정에서의 온도는, 바람직하게는 60 내지 120℃, 보다 바람직하게는 80 내지 120℃, 또한 바람직하게는 90 내지 110℃이다.촉매 존재 하에서, 공정 1 또는 공정 1 및 2를 포함하는 제조 방법에 의해 얻어지는 경화성 수지와 (메트)아크릴산계 화합물을 반응시키는 경우, 겔화를 방지하기 위해서 반응계 내 및 반응계 상의 기상의 산소 농도를 적정하게 유지할 필요가 있다. 예를 들어, 적극적으로 반응계 내에 공기를 불어 넣는 경우에는, 촉매의 산화를 야기하여, 활성의 저하를 초래할 경우가 있어서 주의가 필요하다.공정 1 또는 공정 1 및 2를 포함하는 제조 방법에 의해 얻어지는 경화성 수지와 (메트)아크릴산계 화합물의 반응에 대해서는, 이 반응에 의해 얻어지는 (메트)아크릴화 경화성 수지가 자외선 등의 활성 에너지선에 의해 경화하는 점에서, 자외선을 차광하는 용기 내에서 반응을 행하는 것이 바람직하다. 또한, 공정 1 또는 공정 1 및 2를 포함하는 제조 방법에 의해 얻어지는 경화성 수지와 (메트)아크릴산계 화합물의 반응은, 기상 중합을 방지하기 위해서, 경화성 수지에 대하여 양용매성을 나타내는 환류 용제 존재 하에서 행해도 되지만, 이 경우는, 반응 종료 후에 용매를 제거할 필요가 있다. 이로 인해, 상기 반응은 무용제로 행하는 것이 바람직하다. 환류 용제로서는, 아세톤, 메틸에틸케톤, 톨루엔 등을 들 수 있다.[액정 밀봉제 조성물]본 발명의 경화성 수지 및 (메트)아크릴화 경화성 수지(이하, 이들을 모두 「본 발명의 경화성 수지 등」이라고도 한다)는 상기에서 설명한 여러가지 특성을 가지며, 액정 밀봉제로서 사용하기에 적합한 점도, 저액정 오염성 및 우수한 경화 후 유연성을 갖는다.그로 인해, 본 발명의 경화성 수지 등을 사용한 액정 밀봉제 조성물은, 핸들링성이 우수하고, 액정 적하 공법으로, 미경화의 상태에서 액정과 접촉한 경우에도, 액정의 배향성에 영향을 주기 어렵기 때문에 액정의 배향성을 저해하기 어렵고, 그리고 플렉시블 액정 디스플레이와 같은 플렉시블 디바이스에 있어서 사용되는 경우에는, 경화한 액정 밀봉제를 끼우는 플렉시블 기판을 굴곡시켜도, 그 우수한 유연성이나 응력 완화 효과에 의해, 액정 시일 부분의 깨짐이나, 기판으로부터의 박리 등이 발생하기 어렵다.구체적으로는, 본 발명의 액정 밀봉제 조성물의 점도는, 통상 1000 내지 2000000m㎩·s이고, 바람직하게는 10000 내지 1000000m㎩·s이다. 또한, 액정 밀봉제 조성물의 점도는, 본 발명의 경화성 수지 등의 구조나, 이하에 설명하는, 액정 밀봉제 조성물의 함유 성분으로 할 수 있는 성분이나, 용제의 첨가에 의해 조절이 가능하다.이러한, 본 발명의 경화성 수지 등을 포함하는 본 발명의 액정 밀봉제 조성물은, 그것을 경화시킨 액정 밀봉제 경화물의 저장 탄성률이, 유연성의 관점에서, 통상 실온(25℃)에서 1.0×103 내지 3.0×109㎩이고, 바람직하게는 1.0×103 내지 1.0×109㎩이다. 또한, 저장 탄성률의 측정 방법은, 후술하는 실시예의 항에서 상세하게 설명한다.또한, 본 발명의 액정 밀봉제 조성물을 경화시켜서 얻어진 액정 밀봉제 경화물의 유리 전이 온도(Tg)는, 유연성의 관점에서, 통상 80℃ 이하, 바람직하게는 40℃ 이하, 보다 바람직하게는 30℃ 이하, 더욱 바람직하게는 실온(25℃) 이하이고, 특히 바람직하게는 -80 내지 25℃이다.본 발명의 액정 밀봉제 조성물은 본 발명의 경화성 수지 등을 포함하지만, 상기 액정 밀봉제 조성물에 있어서의 경화성 수지 등의 함유량은, 통상 5 내지 95중량%이고, 유연성, 접착성 및 액정 배향성에의 영향의 관점에서, 바람직하게는 10 내지 95중량%이다.또한, 본 발명의 액정 밀봉제 조성물은, 당해 용도에 요구되는 각종 특성에 따라, 이하에 설명하는 각종 성분을, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 더 포함하고 있어도 된다.003c#화합물 H003e#본 발명의 액정 밀봉제 조성물은, 본 발명의 경화성 수지 등 외에 경화 성분을 포함하고 있어도 되고, 예를 들어 액정 밀봉제의 주제로서 사용되는 종래의 에틸렌성 불포화기 및/또는 에폭시기를 갖는 화합물 H(예를 들어, 비스페놀 A형 에폭시 수지의 에폭시기 일부를 (메트)아크릴레이트화한 올리고머)와 함께 본 발명의 경화성 수지 등을 배합한 액정 밀봉제 조성물은, 화합물 H만인 경우에 비해 액정 밀봉제 경화물의 유연성이 크게 향상된다. 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물 H로서는, (메트)아크릴레이트 화합물, 지방족 아크릴아미드 화합물, 지환식 아크릴아미드 화합물, 방향족을 포함하는 아크릴아미드 화합물이나 N-치환 아크릴아미드계 화합물을 들 수 있다.상기 (메트)아크릴레이트 화합물로서는, 파라쿠밀페녹시에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 에톡시화페닐(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트로 대표되는 지방족 (메트)아크릴레이트, 방향환 함유 (메트)아크릴레이트를 들 수 있다.또한, 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물 H로서는, 1관능성, 2관능성, 3관능성 또는 다관능성 라디칼 중합성 불포화 화합물도 들 수 있다.상기 1관능성 라디칼 중합성 불포화 화합물로서는, 액정 밀봉제 조성물의 점도, 가요성의 확보의 관점에서, 히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 시클로헥실옥시에틸(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 이소미리스틸(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, tert-부틸(메트)아크릴레이트 및 디에틸렌글리콜모노에틸에테르(메트)아크릴레이트로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물이 바람직하고, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메트)아크릴레이트 및 시클로헥실(메트)아크릴레이트로 이루어지는 군이 선택되는 1종 이상의 화합물이 보다 바람직하다.상기 2관능성 라디칼 중합성 불포화 화합물로서는, 액정 밀봉제 조성물의 점도, 가요성의 확보의 관점에서, 트리시클로데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트, 디메틸올디시클로펜탄디(메트)아크릴레이트, EO 변성 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, EO 변성 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, PO 변성 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르디(메트)아크릴레이트(예를 들어, ARONIX M-6100, 도아고세사 제조), 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트(예를 들어, 4G, 신나까무라가가꾸고교사 제조) 및 실리콘디(메트)아크릴레이트(예를 들어, EBECRYL 350, 다이 셀·올넥스사 제조)로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물이 바람직하고, 디메틸올디시클로펜탄디(메트)아크릴레이트 및/또는 EO 혹은 PO 변성 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다. 그 중에서도, 수산기를 갖지 않고 비스페놀 A 골격을 갖는 (메트)아크릴레이트가 바람직하고, 그러한 (메트)아크릴레이트로서, 교에이샤가가꾸(주)에서, 라이트 아크릴레이트 BP-4EAL(비스페놀 A의 EO 부가물 디아크릴레이트), BP-4PA(비스페놀 A의 PO 부가물 디아크릴레이트) 등이 시판되고 있다.상기 3관능성 또는 다관능성 라디칼 중합성 불포화 화합물로서는, 액정 밀봉제 조성물의 점도, 가요성의 확보의 관점에서, EO 변성 글리세롤트리(메트)아크릴레이트(3관능), PO 변성 글리세롤트리(메트)아크릴레이트(3관능), 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트(3관능), 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트(6관능) 및 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트(4관능)로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물이 바람직하고, EO 변성 글리세롤트리(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.이어서, 에폭시기를 갖는 화합물 H로서는, 바람직하게는 비스페놀 A형 에폭시 화합물, 비스페놀 F형 에폭시 화합물, 비스페놀 AD형 에폭시 화합물, 페놀노볼락형 에폭시 화합물, 크레졸노볼락형 에폭시 화합물, 나프탈렌형 에폭시 화합물, 레조르시놀형 에폭시 화합물, 이들 수소 첨가 화합물 및 지환형 에폭시 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 화합물이고, 보다 바람직하게는, 비스페놀 A형 에폭시 화합물, 비스페놀 F형 에폭시 화합물, 나프탈렌형 에폭시 화합물 및 레조르시놀형 에폭시 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 화합물이고, 더욱 바람직하게는, 비스페놀 A형 에폭시 화합물이다.비스페놀 A형 에폭시 화합물의 구체적인 예로서, DIC사 제조 EPICLON850S, 860, 1055, EXA-850CRP 등이 있다.수소화 비스페놀 A형 에폭시 화합물의 구체적인 예로서, ADEKA사 제조 KRM-2408, JER사 제조의 YX-8034 등이 있다.비스페놀 F형 에폭시 화합물의 구체적인 예로서, DIC사 제조 EPICLON830S 등이 있다.나프탈렌형 에폭시 화합물의 구체적인 예로서, DIC사 제조 EPICLON HP-4032D, HP-7200H 등이 있다.페놀노볼락형 에폭시 화합물의 구체적인 예로서, DIC사 제조 EPICLON N-740, N-770 등이 있다.크레졸노볼락형 에폭시 화합물의 구체적인 예로서, DIC사 제조 EPICLON N-660, N-670 등이 있다.레조르시놀형 에폭시 화합물의 구체적인 예로서, 나가세 켐텍스사 제조 데나콜 EX-201 등이 있다.지환형 에폭시 화합물의 구체적인 예로서, 3,4-에폭시시클로헥세닐메틸-3',4'-에폭시시클로헥센카르복실레이트(다이셀사 제조 셀록사이드 2021P), 1,2:8,9-디에폭시리모넨(다이셀사 제조 셀록사이드 3000), 1,2-에폭시-4-비닐시클로헥산(다이셀사 제조 셀록사이드 2000), 2,2-비스(히드록시메틸)-1-부탄올의 1,2-에폭시-4-(2-옥시라닐)시클로헥산 부가물(다이셀사 제조 EHPE3150) 등이 있다.에틸렌성 불포화기 및 에폭시기를 갖는 화합물 H로서는, 에폭시기 함유 화합물을 (메트)아크릴산계 화합물과 반응시켜서 얻어지는 부분 (메트)아크릴레이트 변성 에폭시 화합물을 들 수 있고, 당해 화합물로서, 비스페놀 A형 에폭시 수지와 (메트)아크릴산을 반응시켜서 얻어지는 부분 (메트)아크릴화 에폭시 화합물이 바람직하다.상기 비스페놀 A형 에폭시 수지와 (메트)아크릴산을 반응시켜서 얻어지는 부분 (메트)아크릴화 에폭시 화합물은, 예를 들어 다음과 같이 해서 얻어진다.먼저 비스페놀 A형 에폭시 수지와 (메트)아크릴산을 염기성 촉매, 바람직하게는 3가의 유기 인산화합물 및/또는 아민 화합물의 존재 하에서 반응시킨다. 이 때의 반응비는 에폭시기 1당량에 대하여 (메트)아크릴산 10 내지 90당량%의 비율로 한다. 계속해서, 이 반응 생성물을 여과, 원심 분리 및/또는 수세 등의 처리에 의해 염기성 촉매를 제거해서 정제한다. 상기 염기성 촉매로서, 에폭시 수지와 (메트)아크릴산의 반응에 사용되는 공지된 염기성 촉매를 사용할 수 있다. 또한 염기성 촉매를 중합체에 담지시킨, 중합체 담지 염기성 촉매를 사용할 수도 있다.이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 액정 밀봉제 조성물에는 각종 화합물 H를 함유시킬 수 있지만, 본 발명의 경화성 수지 등에 에틸렌성 불포화기가 포함되어 있지 않은 경우에는, 상기 화합물 H로서, 라디칼 중합성 화합물인 상술한 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물이 바람직하다.또한, 이상 설명한 화합물 H는, 1종 단독으로 사용할 수 있고 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.003c#광중합 개시제003e#본 발명의 액정 밀봉제 조성물은, 본 발명의 경화성 수지 등, 그리고 함유하는 경우에는 화합물 H를 광중합시킬 때의 라디칼 발생원으로서 광중합 개시제를 함유할 수 있다. 광중합 개시제는 특별히 한정되지 않고 공지된 화합물을 사용할 수 있고, 1종 단독으로 사용할 수 있고, 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.상기 광중합 개시제로서, 벤조인류, 아세토페논류, 벤조페논류, 티오크산톤류, α-아실옥심에스테르류, 페닐글리옥실레이트류, 벤질류, 아조계 화합물, 디페닐술피드계 화합물, 아실포스핀옥시드계 화합물, 벤조인에테르류 및 안트라퀴논류 등을 들 수 있고, 바람직하게는 액정에의 용해성이 낮고, 또한, 그 자신으로 광조사 시에 분해물이 가스화하지 않는 반응성기를 갖는 것이다.003c#광증감제003e#본 발명의 액정 밀봉제 조성물은 통상 광경화시키지만, 그 때의 광에의 감도를 높이기 위해서 광증감제를 함유해도 된다. 상기 광증감제로서는 종래 공지된 각종 화합물을 특별히 제한없이 사용할 수 있고, 광증감제는 1종 단독으로 사용할 수 있고 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.상기 광증감제로서는, 경화성의 관점에서, 예를 들어 카르보닐화합물, 유기 황화합물, 과황화물, 산화 환원계 화합물, 아조 및 디아조 화합물, 할로겐 화합물, 광환원성 색소 등을 들 수 있다.광증감제로서, 구체적으로는, N-메틸아크리돈, N-부틸아크리돈과 같은 아크리돈 유도체; 그 외, α,α-디에톡시아세토페논, 벤질, 플루오레논, 크산톤, 우라닐화합물 등을 들 수 있고, 또한 상기 광중합 개시제의 예로서 든 것에도, 광증감제로서 기능하는 것이 있다.003c#경화제003e#본 발명의 액정 밀봉제 조성물의 접착성을 높이는 관점에서, 상기 액정 밀봉제 조성물에 경화제를 함유시켜도 된다. 상기 경화제는 특별히 한정되지 않고 공지된 화합물을 사용할 수 있다.상기 경화제로서는, 접착성의 관점에서, 아민계 경화제, 예를 들어 유기산 디히드라지드 화합물, 이미다졸 및 그의 유도체, 디시안디아미드, 방향족아민, 에폭시 변성 폴리아민, 폴리아미노 우레아 등이 바람직하다. 이들 경화제는, 1종 단독으로 사용할 수 있고, 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.003c#경화촉진제003e#본 발명의 액정 밀봉제 조성물은 경화 성분(본 발명의 경화성 수지 등이나, 상기에서 설명한 화합물 H 등)의 경화 반응을 촉진한다는 관점에서 경화촉진제를 함유할 수 있고, 경화촉진제는 1종 단독으로 사용할 수 있고, 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.그 바람직한 예로서는, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸 및 2-에틸-4-메틸이미다졸 등의 이미다졸류, 2-(디메틸아미노메틸)페놀 및 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데카-7-엔(DBU) 등의 제3급 아민류; 트리페닐포스핀 등의 포스핀류; 옥틸산 주석 등의 금속 화합물 등을 들 수 있다.003c#필러003e#본 발명의 액정 밀봉제 조성물은, 점도 제어, 접착 신뢰성, 선팽창성의 억제의 관점에서, 필러를 함유할 수 있다. 상기 필러로서는, 무기 필러 및 유기 필러를 사용할 수 있고, 이들은 1종 단독으로 사용할 수 있고, 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.상기 무기 필러로서, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 황산바륨, 황산마그네슘, 규산알루미늄, 산화티타늄, 알루미나, 산화아연, 이산화규소, 카올린, 탈크, 유리비즈, 세리사이트 활성 백토, 벤토나이트, 질화알루미늄 및 질화규소 등을 들 수 있다.상기 유기 필러로서, 폴리메타크릴산메틸, 폴리스티렌, 이들을 구성하는 단량체와 다른 단량체를 공중합시켜서 얻어지는 공중합체, 폴리에스테르 미립자, 폴리우레탄 미립자, 고무 미립자, 및 높은 유리 전이 온도를 갖는 공중합체를 포함하는 쉘과 낮은 유리 전이 온도를 갖는 공중합체의 코어로 구성되는 코어 셸 타입 입자 등을 들 수 있다. 코어 셸 타입 입자로서는, 간쯔가세이사 제조 제피악 시리즈(F351 등) 등을 들 수 있다.비반응 성분인 필러를 배합함으로써, 액정 밀봉제로부터의 아웃 가스를 저감한다는 관점에서, 필러를 구성하는 입자의 평균 입자 직경은 통상 0.1 내지 3㎛이고, 보다 바람직하게는 0.5 내지 3㎛이다. 또한, 필러의 평균 입자 직경은 HORIBA사 제조 레이저 회절/산란식 입자 직경 분포 측정 장치(예를 들어, HORIBA사 제조 ㎩rtica LA-950V2)에 의해 측정된다.003c#실란커플링제003e#본 발명의 액정 밀봉제 조성물은, 본 발명의 효과를 발휘하는 범위 내에서, 실란커플링제를 포함할 수 있다. 실란커플링제는 1종 단독으로 사용할 수 있고, 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.본 발명의 액정 밀봉제 조성물을 경화시켜 이루어지는 액정 밀봉제 경화물의 접착성 및 유연성을 양립시킨다는 관점에서, 실란커플링제로서는 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라프로폭시실란, 테트라이소프로폭시실란, 테트라부톡시 실란, 디메톡시디에톡시실란, 디메톡시디이소프로폭시실란, 디에톡시디이소프로폭시실란, 디에톡시디부톡시실란 등의 테트라알콕시실란류; 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리이소프로폭시실란, 에틸트리에톡시실란, 에틸트리부톡시실란, 시클로헥실트리에톡시실란, 페닐트리이소프로폭시실란, 비닐트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 등의 트리알콕시실란류; 및 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디에틸디에톡시실란, 디에틸디부톡시실란, 페닐에틸디에톡시실란 등의 디알콕시실란류로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 실란커플링제가 바람직하고,이들 중에서도, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리이소프로폭시실란, 에틸트리에톡시실란, 에틸트리부톡시실란, 시클로헥실트리에톡시실란, 페닐트리이소프로폭시실란, 비닐트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 및 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 트리알콕시실란계 실란커플링제가 보다 바람직하고,3-글리시독시프로필트리메톡시실란이 더욱 바람직하다.실시예이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예 및 비교예에서 사용한 화합물은 이하와 같이 제조했다.[비교 합성예 1] 부분 메타크릴화 비스페놀 A형 에폭시 수지비스페놀 A형 에폭시 수지(EXA850CRP, DIC가부시끼가이샤 제조) 340.0g, 메타크릴산(도꾜가세이사 제조) 90.4g, 트리페닐포스핀(도꾜가세이사 제조) 0.5g 및 BHT(디부틸히드록시톨루엔) 100㎎을 혼합하여 100℃에서 6시간 교반했다. 담황색 투명 점조물의 부분 메타크릴화 비스페놀 A형 에폭시 수지를 418.0g 얻었다.[합성예 1] 메타크릴화 경화성 수지 1(1) 폴리에틸렌글리콜 #1000(LION사 제조)을 2000.0g(4.0당량/수산기), 에피클로로히드린 2220.0g(6.0당량), 벤질트리메틸암모늄클로라이드 74.3g(0.10당량)을 기계 교반기, 온도계, 온도 조절기, 응축기, 딘스타크·트랩 및 적하 깔때기를 부착한 5리터의 삼구 둥근 바닥 플라스크에 넣었다.계속해서, 혼합물을 50토르(torr)의 고진공 하에서 교반하면서 약 50 내지 60℃로 가열해서 에피클로로히드린을 세차게 환류시켰다. 600.0g의 48% NaOH 수용액을 2시간에 걸쳐 혼합물에 천천히 첨가했다. 공비물이 생성되는 대로, 물/에피클로로히드린 혼합물 중, 에피클로로히드린을 반응계로 되돌리면서 교반을 계속했다.첨가 종료 후, 3시간에 걸쳐 교반을 계속했다. 계속해서, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 클로로포름 3L를 첨가하여 3L의 물로 6회 세정했다. 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 제거하여, 백색 납상 고체의 화합물 E-1을 1150.0g 얻었다.(2) 화합물 E-1(950.0g(1.7당량/에폭시기)) 및 비스페놀 A(988.0g(2.5당량))을 가지형 플라스크에 넣고, 액온이 150℃가 되도록 가열 교반했다. 4% NaOH 수용액 2.9g을 첨가하여, 150℃에서 6시간 교반했다.액온이 60℃ 이하가 될 때까지 냉각하고, 클로로포름 2L를 첨가하여, 1% NaOH 수용액 2L로 6회 세정하고, 물 2L로 6회 세정했다.얻어진 유기상에 황산마그네슘을 첨가하여, 건조 후, 여과 등으로 고형분을 여과 분별하여, 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 증류 제거하여, 담황색 투명 점조물로서 합성 중간체인 반응물 G-1을 997.0g 얻었다.(3) 반응물 G-1(997.0g), 에피클로로히드린(1423.0g) 및 벤질트리메틸암모늄클로라이드(47.5g)를 기계 교반기, 온도계, 온도 조절기, 응축기, 딘스타크·트랩 및 적하 깔때기를 부착한 5리터의 삼구 둥근 바닥 플라스크에 넣었다.계속해서, 혼합물을 50토르(torr)의 고진공 하에서 교반하면서 약 50 내지 60℃로 가열해서 에피클로로히드린을 세차게 환류시켰다. 384.0g의 48% NaOH 수용액을 2시간에 걸쳐 혼합물에 천천히 첨가했다. 공비물이 생성되는 대로, 물/에피클로로히드린 혼합물 중, 에피클로로히드린을 반응계로 되돌리면서 교반을 계속했다. 첨가 종료 후, 3시간에 걸쳐 교반을 계속했다.계속해서, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 클로로포름 2L를 첨가하여 2L의 물로 6회 세정했다. 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 제거하여, 담황색 점조물의 수지 1을 982.0g 얻었다.(4) 수지 1을 100.0g, 메타크릴산 8.6g, 트리페닐포스핀 0.5g 및 BHT 20㎎을 혼합하여 100℃에서 5시간 교반했다. 담황색 점조물의 메타크릴화 경화성 수지 1을 107.0g 얻었다.[합성예 2] 메타크릴화 경화성 수지 2(1) 폴리테트라메틸렌에테르글리콜(PTMG) 1000(미쯔비시가가꾸사 제조)을 500.0g(1.0당량/수산기), 에피클로로히드린 555.0g(6.0당량), 벤질트리메틸암모늄클로라이드 18.6g(0.10당량)을 기계 교반기, 온도계, 온도 조절기, 응축기, 딘스타크·트랩 및 적하 깔때기를 부착한 2리터의 삼구 둥근 바닥 플라스크에 넣었다.계속해서, 혼합물을 50토르(torr)의 고진공 하에서 교반하면서 약 50 내지 60℃로 가열해서 에피클로로히드린을 세차게 환류시켰다. 150.0g의 48% NaOH 수용액을 2시간에 걸쳐 혼합물에 천천히 첨가했다. 공비물이 생성되는 대로, 물/에피클로로히드린 혼합물 중, 에피클로로히드린을 반응계로 되돌리면서 교반을 계속했다. 첨가 종료 후, 3시간에 걸쳐 교반을 계속했다.계속해서, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 클로로포름 1L를 첨가하여 1L의 물로 4회 세정했다. 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 제거하여, 백색 납상 고체의 화합물 E-2를 459.0g 얻었다.(2) 화합물 E-2(132.0g(0.20당량/에폭시기)) 및 비스페놀 A(114.0g(2.5당량))를 가지형 플라스크에 넣고, 액온이 150℃가 되도록 가열 교반했다. 4% NaOH 수용액 0.3g을 첨가하여, 150℃에서 6시간 교반했다. 액온이 60℃ 이하가 될 때까지 냉각하고, 클로로포름 500mL를 첨가하여, 1% NaOH 수용액 1L로 3회 세정하고, 물 1L로 3회 세정했다.얻어진 유기상에 황산마그네슘을 첨가하여, 건조 후, 여과 등으로 고형분을 여과 분별하여, 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 증류 제거하여, 담황색 투명 점조물로서 합성 중간체인 반응물 G-2를 140.0g 얻었다.(3) 반응물 G-2(140.0g), 에피클로로히드린(195.0g) 및 벤질트리메틸암모늄클로라이드(6.5g)를 기계 교반기, 온도계, 온도 조절기, 응축기, 딘스타크·트랩 및 적하 깔때기를 부착한 1리터의 삼구 둥근 바닥 플라스크에 넣었다.계속해서, 혼합물을 50토르(torr)의 고진공 하에서 교반하면서 약 50 내지 60℃로 가열해서 에피클로로히드린을 세차게 환류시켰다. 53.0g의 48% NaOH 수용액을 2시간에 걸쳐 혼합물에 천천히 첨가했다. 공비물이 생성되는 대로, 물/에피클로로히드린 혼합물 중, 에피클로로히드린을 반응계로 되돌리면서 교반을 계속했다. 첨가 종료 후, 3시간에 걸쳐 교반을 계속했다. 계속해서, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 클로로포름 500mL를 첨가하여 500mL의 물로 4회 세정했다. 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 제거하여, 담황색 점조물의 수지 2를 129.0g 얻었다.(4) 수지 2를 48.6g, 메타크릴산 4.3g, 트리페닐포스핀 0.3g 및 BHT 10㎎을 혼합하여 100℃에서 6시간 교반했다. 담황색 점조물의 메타크릴화 경화성 수지 2를 50.6g 얻었다.[합성예 3] 메타크릴화 경화성 수지 3(1) NISSO-PB G-1000(닛본소다사 제조)을 350.0g(0.50당량/수산기), 에피클로로히드린 370.0g(8.0당량), 벤질트리메틸암모늄클로라이드 9.3g(0.10당량)을 기계 교반기, 온도계, 온도 조절기, 응축기, 딘스타크·트랩 및 적하 깔때기를 부착한 2리터의 삼구 둥근 바닥 플라스크에 넣었다.계속해서, 혼합물을 50토르(torr)의 고진공 하에서 교반하면서 약 50 내지 60℃로 가열해서 에피클로로히드린을 세차게 환류시켰다. 75.0g의 48% NaOH 수용액을 2시간에 걸쳐 혼합물에 천천히 첨가했다. 공비물이 생성되는 대로, 물/에피클로로히드린 혼합물 중, 에피클로로히드린을 반응계로 되돌리면서 교반을 계속했다. 첨가 종료 후, 3시간에 걸쳐 교반을 계속했다.계속해서, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 클로로포름 500mL를 첨가하여 500mL의 물로 6회 세정했다. 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 제거하여, 투명 점조물의 화합물 E-3을 298.0g 얻었다.(2) 화합물 E-3(96.5g(0.10당량/에폭시기)), 비스페놀 A(68.5g(3.0당량)), 벤질트리메틸암모늄클로라이드 0.9g(0.050당량) 및 메틸이소부틸케톤 100.0g을 가지형 플라스크에 넣고, 액온이 120℃가 되도록 가열 환류하면서 20시간 교반했다. 액온이 60℃ 이하가 될 때까지 냉각하고, 클로로포름 300mL를 첨가하여, 1% NaOH 수용액 300mL로 5회 세정하고, 물 300mL로 5회 세정했다.얻어진 유기상에 황산마그네슘을 첨가하여, 건조 후, 여과 등으로 고형분을 여과 분별하여, 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 증류 제거하여, 담황색 투명 점조물로서 합성 중간체인 반응물 G-3을 75.5g 얻었다.(3) 반응물 G-3(75.5g), 에피클로로히드린(112.5g) 및 벤질트리메틸암모늄클로라이드(2.8g)를 기계 교반기, 온도계, 온도 조절기, 응축기, 딘스타크·트랩 및 적하 깔때기를 부착한 500밀리리터의 삼구 둥근 바닥 플라스크에 넣었다.계속해서, 혼합물을 50토르(torr)의 고진공 하에서 교반하면서 약 50 내지 60℃로 가열해서 에피클로로히드린을 세차게 환류시켰다. 23.0g의 48% NaOH 수용액을 2시간에 걸쳐 혼합물에 천천히 첨가했다. 공비물이 생성되는 대로, 물/에피클로로히드린 혼합물 중, 에피클로로히드린을 반응계로 되돌리면서 교반을 계속했다. 첨가 종료 후, 3시간에 걸쳐 교반을 계속했다.계속해서, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 클로로포름 300mL를 첨가하여 300mL의 물로 6회 세정했다. 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 제거하여, 담황색 점조물의 수지 3을 54.4g 얻었다.(4) 수지 3을 50.0g, 메타크릴산 3.3g, 트리페닐포스핀 0.2g 및 BHT 10㎎을 혼합하여 100℃에서 5시간 교반했다. 담황색 점조물의 메타크릴화 경화성 수지 3을 47.0g 얻었다.[합성예 4] 메타크릴화 경화성 수지 4(1) NISSO-PB GI-1000(닛본소다사 제조)을 300.0g(0.40당량/수산기), 에피클로로히드린 296.0g(8.0당량), 벤질트리메틸암모늄클로라이드 7.4g(0.10당량)을 기계 교반기, 온도계, 온도 조절기, 응축기, 딘스타크·트랩 및 적하 깔때기를 부착한 2리터의 삼구 둥근 바닥 플라스크에 넣었다.계속해서, 혼합물을 50토르(torr)의 고진공 하에서 교반하면서 약 50 내지 60℃로 가열해서 에피클로로히드린을 세차게 환류시켰다. 60.0g의 48% NaOH 수용액을 2시간에 걸쳐 혼합물에 천천히 첨가했다. 공비물이 생성되는 대로, 물/에피클로로히드린 혼합물 중, 에피클로로히드린을 반응계로 되돌리면서 교반을 계속했다. 첨가 종료 후, 3시간에 걸쳐 교반을 계속했다.계속해서, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 클로로포름 500mL를 첨가하여 500mL의 물로 6회 세정했다. 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 제거하여, 투명 점조물의 화합물 E-4을 264.0g 얻었다.(2) 화합물 E-4(80.0g(0.060당량/에폭시기)), 비스페놀 A(57.1g(4.0당량)), 벤질트리메틸암모늄클로라이드 0.9g(0.080당량) 및 메틸이소부틸케톤 100.0g을 가지형 플라스크에 넣고, 액온이 120℃가 되도록 가열 환류하면서 20시간 교반했다. 액온이 60℃ 이하가 될 때까지 냉각하고, 클로로포름 300mL를 첨가하여, 1% NaOH 수용액 300mL로 5회 세정하고, 물 300mL로 5회 세정했다.얻어진 유기상에 황산마그네슘을 첨가하여, 건조 후, 여과 등으로 고형분을 여과 분별하여, 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 증류 제거하여, 담황색 점조물로서 합성 중간체인 반응물 G-4을 80.0g 얻었다.(3) 반응물 G-4(80.0g), 에피클로로히드린(88.8g) 및 벤질트리메틸암모늄클로라이드(3.0g)를 기계 교반기, 온도계, 온도 조절기, 응축기, 딘스타크·트랩 및 적하 깔때기를 부착한 500밀리리터의 삼구 둥근 바닥 플라스크에 넣었다.계속해서, 혼합물을 50토르(torr)의 고진공 하에서 교반하면서 약 50 내지 60℃로 가열해서 에피클로로히드린을 세차게 환류시켰다. 24.0g의 48% NaOH 수용액을 2시간에 걸쳐 혼합물에 천천히 첨가했다. 공비물이 생성되는 대로, 물/에피클로로히드린 혼합물 중, 에피클로로히드린을 반응계로 되돌리면서 교반을 계속했다. 첨가 종료 후, 3시간에 걸쳐 교반을 계속했다.계속해서, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 클로로포름 300mL를 첨가하여 300mL의 물로 6회 세정했다. 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 제거하여, 담황색 점조물의 수지 4를 56.0g 얻었다.(4) 수지 4를 50.0g, 메타크릴산 3.0g, 트리페닐포스핀 0.2g 및 BHT 10㎎을 혼합하여 100℃에서 12시간 교반했다. 담황색 점조물의 메타크릴화 경화성 수지 4를 47.0g 얻었다.[합성예 5] 메타크릴화 경화성 수지 5(1) 화합물 E-2(96.0g(0.15당량/에폭시기)), 4-α-쿠밀페놀(30.0g(1.0당량)), 벤질트리메틸암모늄클로라이드 1.4g(0.050당량)을 가지형 플라스크에 넣고, 액온이 120℃가 되도록 가열 환류하면서 30시간 교반했다. 액온이 60℃ 이하가 될 때까지 냉각하여, 담황색 점조물로서 합성 중간체인 반응물 G-5를 125.0g 얻었다.(2) 반응물 G-5(125.0g), 에피클로로히드린(150.0g) 및 벤질트리메틸암모늄클로라이드(2.8g)를 기계 교반기, 온도계, 온도 조절기, 응축기, 딘스타크·트랩 및 적하 깔때기를 부착한 500밀리리터의 삼구 둥근 바닥 플라스크에 넣었다.계속해서, 혼합물을 50토르(torr)의 고진공 하에서 교반하면서 약 50 내지 60℃로 가열해서 에피클로로히드린을 세차게 환류시켰다. 30.0g의 48% NaOH 수용액을 2시간에 걸쳐 혼합물에 천천히 첨가했다. 공비물이 생성되는 대로, 물/에피클로로히드린 혼합물 중, 에피클로로히드린을 반응계로 되돌리면서 교반을 계속했다. 첨가 종료 후, 3시간에 걸쳐 교반을 계속했다.계속해서, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 클로로포름 500mL를 첨가하여 500mL의 물로 6회 세정했다. 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 제거하여, 담황색 점조물의 수지 5를 130.0g 얻었다.(3) 수지 5를 63.5g, 메타크릴산 4.3g, 트리페닐포스핀 0.1g 및 BHT 13㎎을 혼합하여 100℃에서 6시간 교반했다. 담황색 점조물의 메타크릴화 경화성 수지 5를 66.0g 얻었다.[합성예 6] 메타크릴화 경화성 수지 6(1) 화합물 E-2(64.0g(0.10당량/에폭시기)) 및 레조르시놀(27.5g(2.5당량))을 가지형 플라스크에 넣고, 액온이 120℃가 되도록 가열 교반했다. 4% NaOH 수용액 0.2g을 첨가하여, 120℃에서 24시간 교반했다. 액온이 60℃ 이하가 될 때까지 냉각하고, 클로로포름 300mL를 첨가하여, 물 300mL로 4회 세정했다.얻어진 유기상에 황산마그네슘을 첨가하여, 건조 후, 여과 등으로 고형분을 여과 분별하여, 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 증류 제거하여, 담황색 투명 점조물로서 합성 중간체인 반응물 G-6을 60.5g 얻었다.(2) 반응물 G-6(60.5g), 에피클로로히드린(102.0g) 및 벤질트리메틸암모늄클로라이드(3.4g)를 기계 교반기, 온도계, 온도 조절기, 응축기, 딘스타크·트랩 및 적하 깔때기를 부착한 500밀리리터의 삼구 둥근 바닥 플라스크에 넣었다.계속해서, 혼합물을 50토르(torr)의 고진공 하에서 교반하면서 약 50 내지 60℃로 가열해서 에피클로로히드린을 세차게 환류시켰다. 28.0g의 48% NaOH 수용액을 2시간에 걸쳐 혼합물에 천천히 첨가했다. 공비물이 생성되는 대로, 물/에피클로로히드린 혼합물 중, 에피클로로히드린을 반응계로 되돌리면서 교반을 계속했다. 첨가 종료 후, 3시간에 걸쳐 교반을 계속했다. 계속해서, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 클로로포름 300mL를 첨가하여 300mL의 물로 6회 세정했다. 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 제거하여, 담황색 점조물의 수지 6을 48.0g 얻었다.(3) 수지 6을 44.6g, 메타크릴산 4.3g, 트리페닐포스핀 0.1g 및 BHT 10㎎을 혼합하여 100℃에서 14시간 교반했다. 담황색 점조물의 메타크릴화 경화성 수지 6을 42.8g 얻었다.[합성예 7] 메타크릴화 경화성 수지 7(1) 화합물 E-2(53.0g(0.080당량/에폭시기)) 및 2-(4-히드록시페닐)에탄올 (11.1g(1.0당량))을 가지형 플라스크에 넣고, 액온이 120℃가 되도록 가열 교반했다. 벤질트리메틸암모늄클로라이드(3.0g(0.20당량))를 첨가하여, 120℃에서 24시간 교반했다. 액온이 60℃ 이하가 될 때까지 냉각하고, 클로로포름 300mL를 첨가하여, 1% NaOH 수용액 300mL로 1회 세정하고, 물 300mL로 5회 세정했다.얻어진 유기상에 황산마그네슘을 첨가하여, 건조 후, 여과 등으로 고형분을 여과 분별하여, 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 증류 제거하여, 담황색 투명 점조물로서 합성 중간체인 반응물 G-7을 59.0g 얻었다.(2) 반응물 G-7(59.0g), 에피클로로히드린(93.3g) 및 벤질트리메틸암모늄클로라이드(3.1g)를 기계 교반기, 온도계, 온도 조절기, 응축기, 딘스타크·트랩 및 적하 깔때기를 부착한 500밀리리터의 삼구 둥근 바닥 플라스크에 넣었다.계속해서, 혼합물을 50토르(torr)의 고진공 하에서 교반하면서 약 50 내지 60℃로 가열해서 에피클로로히드린을 세차게 환류시켰다. 25.2g의 48% NaOH 수용액을 2시간에 걸쳐 혼합물에 천천히 첨가했다. 공비물이 생성되는 대로, 물/에피클로로히드린 혼합물 중, 에피클로로히드린을 반응계로 되돌리면서 교반을 계속했다. 첨가 종료 후, 3시간에 걸쳐 교반을 계속했다. 계속해서, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 클로로포름 300mL를 첨가하여 300mL의 물로 6회 세정했다. 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 제거하여, 담황색 점조물의 수지 7을 50.5g 얻었다.(3) 수지 7을 47.3g, 메타크릴산 5.2g, 트리페닐포스핀 0.1g 및 BHT 10㎎을 혼합하여 100℃에서 7시간 교반했다. 담황색 점조물의 메타크릴화 경화성 수지 7을 51.0g 얻었다.[합성예 8] 메타크릴화 경화성 수지 8(1) 화합물 E-2(94.0g(0.15당량/에폭시기)) 및 페놀(21.2g(1.5당량))을 가지형 플라스크에 넣고, 액온이 120℃가 되도록 가열 교반했다. 벤질트리메틸암모늄클로라이드(2.8g(0.10당량))를 첨가하여, 120℃에서 24시간 교반했다. 액온이 60℃ 이하가 될 때까지 냉각하고, 메틸이소부틸케톤 300mL를 첨가하여, 1% NaOH 수용액 300mL로 2회 세정하고, 물 300mL로 4회 세정했다.얻어진 유기상에 황산마그네슘을 첨가하여, 건조 후, 여과 등으로 고형분을 여과 분별하여, 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 증류 제거하여, 담황색 투명 점조물로서 합성 중간체인 반응물 G-8을 90.0g 얻었다.(2) 반응물 G-8(90.0g), 에피클로로히드린(130.0g) 및 벤질트리메틸암모늄클로라이드(2.6g)를 기계 교반기, 온도계, 온도 조절기, 응축기, 딘스타크·트랩 및 적하 깔때기를 부착한 500밀리리터의 삼구 둥근 바닥 플라스크에 넣었다.계속해서, 혼합물을 50토르(torr)의 고진공 하에서 교반하면서 약 50 내지 60℃로 가열해서 에피클로로히드린을 세차게 환류시켰다. 21.0g의 48% NaOH 수용액을 2시간에 걸쳐 혼합물에 천천히 첨가했다. 공비물이 생성되는 대로, 물/에피클로로히드린 혼합물 중, 에피클로로히드린을 반응계로 되돌리면서 교반을 계속했다. 첨가 종료 후, 3시간에 걸쳐 교반을 계속했다. 계속해서, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 클로로포름 300mL를 첨가하여 300mL의 물로 6회 세정했다. 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 제거하여, 담황색 점조물의 수지 8을 80g 얻었다.(3) 수지 8을 57.6g, 메타크릴산 3.5g, 트리페닐포스핀 0.1g 및 BHT 10㎎을 혼합하여 100℃에서 13시간 교반했다. 담황색 점조물의 메타크릴화 경화성 수지 8을 59.2g 얻었다.[합성예 9] 메타크릴화 경화성 수지 9(1) 화합물 E-2(63.0g(0.10당량/에폭시기)) 및 9,9-비스(4-히드록시-3-메틸페닐)플루오렌(95.0g(2.5당량)), 1-부탄올(80.0g)을 가지형 플라스크에 넣고, 120℃에서 가열 환류했다. 벤질트리메틸암모늄클로라이드(0.9g(0.050당량))를 첨가하여, 120℃에서 20시간 교반했다. 액온이 60℃ 이하가 될 때까지 냉각하고, 클로로포름 300mL를 첨가하여, 1% NaOH 수용액 300mL로 14회 세정하고, 물 300mL로 5회 세정했다.얻어진 유기상에 황산마그네슘을 첨가하여, 건조 후, 여과 등으로 고형분을 여과 분별하여, 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 증류 제거하여, 담황색 투명 점조물로서 합성 중간체인 반응물 G-9를 56.0g 얻었다.(2) 반응물 G-9(56.0g), 에피클로로히드린(111.0g) 및 벤질트리메틸암모늄클로라이드(2.2g)를 기계 교반기, 온도계, 온도 조절기, 응축기, 딘스타크·트랩 및 적하 깔때기를 부착한 500밀리리터의 삼구 둥근 바닥 플라스크에 넣었다.계속해서, 혼합물을 50토르(torr)의 고진공 하에서 교반하면서 약 50 내지 60℃로 가열해서 에피클로로히드린을 세차게 환류시켰다. 18.0g의 48% NaOH 수용액을 2시간에 걸쳐 혼합물에 천천히 첨가했다. 공비물이 생성되는 대로, 물/에피클로로히드린 혼합물 중, 에피클로로히드린을 반응계로 되돌리면서 교반을 계속했다. 첨가 종료 후, 3시간에 걸쳐 교반을 계속했다. 계속해서, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 클로로포름 300mL를 첨가하여 300mL의 물로 6회 세정했다. 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 제거하여, 담황색 점조물의 수지 9를 54.0g 얻었다.(3) 수지 9를 51.0g, 메타크릴산 4.3g, 트리페닐포스핀 0.1g 및 BHT 10㎎을 혼합하여 100℃에서 9시간 교반했다. 담황색 점조물의 메타크릴화 경화성 수지 9를 49.8g 얻었다.[합성예 10] 메타크릴화 경화성 수지 10(1) PEG-2000(도호가가꾸고교사 제조)을 1000.0g(1.0당량/수산기), 에피클로로히드린 925.0g(10당량), 벤질트리메틸암모늄클로라이드 18.6g(0.10당량)을 기계 교반기, 온도계, 온도 조절기, 응축기, 딘스타크·트랩 및 적하 깔때기를 부착한 5리터의 삼구 둥근 바닥 플라스크에 넣었다.계속해서, 혼합물을 50토르(torr)의 고진공 하에서 교반하면서 약 50 내지 60℃로 가열해서 에피클로로히드린을 세차게 환류시켰다. 150.0g의 48% NaOH 수용액을 2시간에 걸쳐 혼합물에 천천히 첨가했다. 공비물이 생성되는 대로, 물/에피클로로히드린 혼합물 중, 에피클로로히드린을 반응계로 되돌리면서 교반을 계속했다. 첨가 종료 후, 3시간에 걸쳐 교반을 계속했다. 계속해서, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 클로로포름 1L를 첨가하여 1L의 물로 3회 세정했다. 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 제거하여, 백색 납상 고체의 화합물 E-5를 760.0g 얻었다.(2) 화합물 E-5(220.0g(0.20당량/에폭시기)) 및 비스페놀 A(31.0g(1.4당량))를 가지형 플라스크에 넣고, 액온이 110℃가 되도록 가열 교반했다. 벤질트리메틸암모늄클로라이드 1.9g을 첨가하여, 110℃에서 20시간 교반했다.액온이 60℃ 이하가 될 때까지 냉각하고, 클로로포름 300mL를 첨가하여, 1% NaOH 수용액 300mL로 3회 세정하고, 물 300mL로 6회 세정했다.얻어진 유기상에 황산마그네슘을 첨가하여, 건조 후, 여과 등으로 고형분을 여과 분별하여, 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 증류 제거하여, 담황색 투명 점조물로서 합성 중간체인 반응물 G-10을 110.0g 얻었다.(3) 반응물 G-10(108.0g), 에피클로로히드린(175.0g) 및 벤질트리메틸암모늄클로라이드(2.3g)를 기계 교반기, 온도계, 온도 조절기, 응축기, 딘스타크·트랩 및 적하 깔때기를 부착한 1리터의 삼구 둥근 바닥 플라스크에 넣었다.계속해서, 혼합물을 50토르(torr)의 고진공 하에서 교반하면서 약 50 내지 60℃로 가열해서 에피클로로히드린을 세차게 환류시켰다. 19.0g의 48% NaOH 수용액을 2시간에 걸쳐 혼합물에 천천히 첨가했다. 공비물이 생성되는 대로, 물/에피클로로히드린 혼합물 중, 에피클로로히드린을 반응계로 되돌리면서 교반을 계속했다. 첨가 종료 후, 3시간에 걸쳐 교반을 계속했다.계속해서, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 클로로포름 300mL를 첨가하여 300mL의 물로 6회 세정했다. 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 제거하여, 백색 납상 고체의 수지 10을 92.0g 얻었다.(4) 수지 10을 21.7g, 메타크릴산 1.1g, 벤질트리메틸암모늄클로라이드 0.1g, 톨루엔 50.0g 및 BHT 15㎎을 혼합하여 100℃에서 7시간 교반했다. 계속해서, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 클로로포름 100mL를 첨가하여 100mL의 물로 3회 세정했다. 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 제거하여, 백색 납상 고체의 메타크릴화 경화성 수지 10을 17.0g 얻었다.[합성예 11] 메타크릴화 경화성 수지 11(1) 폴리테트라메틸렌에테르글리콜(PTMG) 2000(미쯔비시가가꾸사 제조)을 500.0g(0.50당량/수산기), 에피클로로히드린 463.0g(10당량), 벤질트리메틸암모늄클로라이드 9.3g(0.10당량)을 기계 교반기, 온도계, 온도 조절기, 응축기, 딘스타크·트랩 및 적하 깔때기를 부착한 2리터의 삼구 둥근 바닥 플라스크에 넣었다.계속해서, 혼합물을 50토르(torr)의 고진공 하에서 교반하면서 약 50 내지 60℃로 가열해서 에피클로로히드린을 세차게 환류시켰다. 75.0g의 48% NaOH 수용액을 2시간에 걸쳐 혼합물에 천천히 첨가했다. 공비물이 생성되는 대로, 물/에피클로로히드린 혼합물 중, 에피클로로히드린을 반응계로 되돌리면서 교반을 계속했다.첨가 종료 후, 3시간에 걸쳐 교반을 계속했다. 계속해서, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 클로로포름 1L를 첨가하여 1L의 물로 3회 세정했다. 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 제거하여, 백색 납상 고체의 화합물 E-6을 450.0g 얻었다.(2) 화합물 E-6(127.0g(0.10당량/에폭시기)) 및 비스페놀 A(15.0g(1.4당량))를 가지형 플라스크에 넣고, 액온이 110℃가 되도록 가열 교반했다. 벤질트리메틸암모늄클로라이드 0.9g을 첨가하여, 110℃에서 20시간 교반했다. 액온이 60℃ 이하가 될 때까지 냉각하고, 클로로포름 300mL를 첨가하여, 1% NaOH 수용액 300mL로 3회 세정하고, 물 300mL로 6회 세정했다.얻어진 유기상에 황산마그네슘을 첨가하여, 건조 후, 여과 등으로 고형분을 여과 분별하여, 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 증류 제거하여, 담황색 투명 점조물로서 합성 중간체인 반응물 G-11을 120.0g 얻었다.(3) 반응물 G-11(117.0g), 에피클로로히드린(125.0g) 및 벤질트리메틸암모늄클로라이드(2.5g)를 기계 교반기, 온도계, 온도 조절기, 응축기, 딘스타크·트랩 및 적하 깔때기를 부착한 1리터의 삼구 둥근 바닥 플라스크에 넣었다.계속해서, 혼합물을 50토르(torr)의 고진공 하에서 교반하면서 약 50 내지 60℃로 가열해서 에피클로로히드린을 세차게 환류시켰다. 20.0g의 48% NaOH 수용액을 2시간에 걸쳐 혼합물에 천천히 첨가했다. 공비물이 생성되는 대로, 물/에피클로로히드린 혼합물 중, 에피클로로히드린을 반응계로 되돌리면서 교반을 계속하였다. 첨가 종료 후, 3시간에 걸쳐 교반을 계속했다.계속해서, 반응 혼합물을 실온으로 냉각하여 클로로포름 300mL를 첨가하여 300mL의 물로 6회 세정했다. 얻어진 유기상의 용매를 감압 증류 제거에 의해 제거해 담황색 점조물의 수지 11을 92.0g 얻었다.(4) 수지 11을 55.0g, 메타크릴산 2.6g, 트리페닐포스핀 0.1g 및 BHT 10㎎을 혼합하여 100℃에서 7시간 교반했다. 담황색 점조물의 메타크릴화 경화성 수지 11을 54.0g 얻었다.[광중합 개시제의 제조]실시예 및 비교예에서 사용한 광중합 개시제는, 이하와 같이 해서 제조했다.003c#광중합 개시제 1의 제조003e#데나콜 EX-830(PEG400의 디글리시딜에테르 나가세 켐텍스사 제조) 26.8g(0.10당량/에폭시기), 4-디메틸아미노벤조산 16.5g(1.0당량), 벤질트리메틸암모늄클로라이드 3.7g(0.20당량), MIBK(메틸이소부틸케톤) 25.0g을 플라스크에 넣고, 110℃, 24시간 교반했다. 반응 혼합물을 실온으로 냉각하고, 클로로포름 50g에 용해시켜, 물 100ml에 6회 세정했다. 유기상의 용매를 감압 증류 제거하여, 광중합 개시제 1을 35.3g 얻었다.003c#광중합 개시제 2의 제조003e#데나콜 EX-830(PEG400의 디글리시딜에테르 나가세 켐텍스사 제조) 26.8g(0.10당량/에폭시기), 2-히드록시-9H-티옥산텐-9-온 22.8g(1.0당량), 벤질트리메틸암모늄클로라이드 3.7g(0.20당량), MIBK 40.0g을 플라스크에 넣고, 110℃, 72시간 교반했다. 반응 혼합물을 실온으로 냉각하고, 클로로포름 50g에 용해시켜, 물 100ml에 6회 세정했다. 유기상의 용매를 감압 증류 제거하여, 광중합 개시제 2를 36.2g 얻었다.[실시예 1 내지 11 및 비교예 1]합성예 및 비교 합성예에서 제조한 부분 메타크릴화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 메타크릴화 경화성 수지 1 내지 11의 각각과, 광중합 개시제 1 및 2와, 경화제인 EH-5030S(ADEKA 제조(폴리아민계 화합물))를, 하기의 표 1에 나타내는 배합량 (중량부)으로 혼합 후, 3롤 밀(이노우에세이사꾸쇼 제조 C-43/4×10)을 사용해서 충분히 혼련해서 실시예 1 내지 11 및 비교예 1의 액정 밀봉제 조성물을 얻었다.합성예 및 비교 합성예에서 제조한 각 화합물, 그리고 이들 각각의 액정 밀봉제 조성물에 대해서, 이하의 시험에 의한 평가를 행하였다.[시험 조건]부분 메타크릴화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 메타크릴화 경화성 수지 1 내지 9 및 11에 대해서, 에폭시 당량, 점도 및 NI점 변화를 측정하고,메타크릴화 경화성 수지 10에 대해서, 에폭시 당량 및 NI점 변화를 측정하고,광중합 개시제 1 및 2에 대해서, 점도 및 NI점 변화를 측정하고,경화제(EH-5030S)에 대해서, NI점 변화를 측정하고,실시예 1 내지 11 및 비교예 1에서 제조한 액정 밀봉제 조성물의 경화물 Tg 및 각종 온도에 있어서의 저장 탄성률을 측정하였다.(1) 에폭시 당량 측정JISK7236: 2001 기재의 조건으로 측정하였다.(2) 점도 측정E형 점도계(도끼산교사 제조 RE105U)를 사용하여, 25℃에서 측정하였다.이하와 같이 로터 및 회전수를 선택했다.부분 메타크릴화 비스페놀 A형 에폭시 수지: 3°×R7.7로터, 회전수 10rpm메타크릴화 경화성 수지 1: 3°×R7.7로터, 회전수 15rpm메타크릴화 경화성 수지 2: 3°×R7.7로터, 회전수 15rpm메타크릴화 경화성 수지 3: 3°×R7.7로터, 회전수 0.5rpm메타크릴화 경화성 수지 4: 3°×R7.7로터, 회전수 0.2rpm메타크릴화 경화성 수지 5: 1°34'×R24로터, 회전수 2.0rpm메타크릴화 경화성 수지 6: 3°×R14로터, 회전수 5.0rpm메타크릴화 경화성 수지 7: 1°34'×R24로터, 회전수 5.0rpm메타크릴화 경화성 수지 8: 1°34'×R24로터, 회전수 2.0rpm메타크릴화 경화성 수지 9: 3°×R7.7로터, 회전수 2.0rpm메타크릴화 경화성 수지 11: 3°×R7.7로터, 회전수 15rpm(3) NI점 변화 측정부분 메타크릴화 비스페놀 A형 에폭시 수지, 메타크릴화 경화성 수지 1 내지 11, 광중합 개시제 1 및 2, 경화제(EH-5030S)의 각각을 앰플병에 0.1g 넣고, 액정(MLC-11900-080, 머크사 제조) 1g을 더 첨가했다. 이 병을 120℃ 오븐에 1시간 투입하고, 그 후 실온에서 정치해서 실온(25℃)으로 되돌리고 나서 액정 부분을 꺼내서 0.2㎛ 필터에 의해 여과하여, 평가용 액정 샘플로 하였다.NI점의 측정은, 시차 주사형 열량계(DSC, 퍼킨엘머사 제조, PYRIS6)를 사용해서, 평가용 액정 샘플 10㎎을 알루미늄 샘플 팬에 봉입하고, 승온 속도 5℃/분의 조건에서 행하였다. 또한, 상기 액정 10㎎을 알루미늄 샘플 팬에 봉입하고, 승온 속도 5℃/분의 조건에서 측정을 행한 결과를 블랭크로 하였다.블랭크의 흡열 피크 톱(상전이 온도) TB와, 평가용 액정의 흡열 피크 톱(상전이 온도) TE의 차 TE-TB를 NI점 변화라 하였다. 액정 밀봉제의 함유 성분의 액정에의 용출을 억제하여, 액정의 배향을 안정적으로 확보해서, 표시 특성을 향상시킨다는 관점에서, NI점 변화의 절댓값은 작을수록 바람직하다.(4) Tg 측정실시예 1 내지 11 및 비교예 1에서 제조한 액정 밀봉제 조성물에 대해서, 길이 5㎝, 폭 5㎜, 두께 0.5㎜의 틀에 주형하고, 자외선(UV 조사 장치: UVX-01224S1, 우시오덴끼사 제조, 100㎽/㎠/365㎚로 30초)을 적산광량 3000mJ/㎠로 조사해서 경화시키고, 그 후, 120℃의 열풍 오븐에서 1시간 열경화를 행하여, 경화물 시험편을 제작하였다.얻어진 경화물 시험편을 동적 점탄성 측정 장치(DMA, 세이코인스트루먼츠사 제조, DMS6100)에서, 변형 모드를 인장으로 해서, 주파수 1.0㎐로, -50℃ 내지 100℃의 범위에서 2℃/분으로 승온시키면서 측정을 행하였다. 얻어진 결과의 손실 정접 tanδ에 있어서의 피크 톱 온도를 Tg라 하였다.(5) 저장 탄성률 측정실시예 1 내지 11 및 비교예 1에서 제조한 액정 밀봉제 조성물에 대해서, Tg와 마찬가지 조건에서 경화물 시험편의 제작 및 동적 점탄성 측정 장치(DMA, 세이코인스트루먼츠사 제조, DMS6100)에 의한 측정을 행하였다. 얻어진 결과에 있어서 각 온도에서의 저장 탄성률의 값을 추출하였다.이상의 평가의 결과를, 실시예 1 내지 11 및 비교예 1의 액정 밀봉제 조성물의 배합 조성과 함께, 하기 표 1에 나타낸다.	본 발명은, 플렉시블 액정 디스플레이를 굴곡시킨 경우에도 문제없이 접착 상태를 유지할 수 있는 유연성을 갖는 경화물을 형성하고, 또한 액정 오염성이 낮아 액정 배향성에 영향을 주기 어려운 경화성 수지 및 당해 경화성 수지를 포함하는 액정 밀봉제 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, 하기 식 (1)로 표시되는 경화성 수지이다: (식 중, X, R1, R2, Y, A환은 소정의 기이고, m은, 1 내지 7의 범위의 수이다)
[ 발명의 명칭 ] 네트워크 전개들에서의 크리덴셜들의 프로비저닝을 위한 방법들 및 장치METHODS AND APPARATUS FOR PROVISIONING OF CREDENTIALS IN NETWORK DEPLOYMENTS [ 기술분야 ] 우선권 주장본 특허 출원은 그 양수인에게 양도되고 이것에 의해 참조로 본원에 명시적으로 포함된, 2014 년 10 월 30 일자로 출원된 "METHODS AND APPARATUS FOR PROVISIONING OF CREDENTIALS IN NETWORK DEPLOYMENTS (네트워크 전개들에서의 크리덴셜들의 프로비저닝을 위한 방법들 및 장치)" 라는 명칭의 미국 정규 출원 제 14/528,848 호와, 2013 년 12 월 16 일자로 출원된 "METHODS AND APPARATUS FOR PROVISIONING OF CREDENTIALS IN NETWORK DEPLOYMENTS" 라는 명칭의 미국 가출원 제 61/916,580 호에 대한 우선권을 주장한다.본 개시물은 일반적으로 통신 시스템들, 및 더욱 상세하게는 무선 통신 시스템들에서의 프로비저닝 (provisioning) 에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 무선 통신 시스템들은 전화, 비디오, 데이터, 메시징, 및 브로드캐스트들과 같은 다양한 통신 서비스들을 제공하기 위하여 폭넓게 전개되어 있다. 전형적인 무선 통신 시스템들은 이용가능한 시스템 자원들 (예컨대, 대역폭, 송신 전력) 을 공유함으로써 다수의 사용자들과의 통신을 지원할 수 있는 다중-액세스 (multiple-access) 기술들을 채용할 수도 있다. 이러한 다중-액세스 기술들의 예들은 코드 분할 다중 액세스 (code division multiple access; CDMA) 시스템들, 시간 분할 다중 액세스 (time division multiple access; TDMA) 시스템들, 주파수 분할 다중 액세스 (frequency division multiple access; FDMA) 시스템들, 직교 주파수 분할 다중 액세스 (orthogonal frequency division multiple access; OFDMA) 시스템들, 단일-캐리어 주파수 분할 다중 액세스 (single-carrier frequency division multiple access; SC-FDMA) 시스템들, 및 시간 분할 동기식 코드 분할 다중 액세스 (time division synchronous code division multiple access; TD-SCDMA) 시스템들을 포함한다.이 다중 액세스 기술들은, 상이한 무선 디바이스들이 도시, 국가, 지역, 및 심지어 글로벌 레벨로 통신하는 것을 가능하게 하는 공통 프로토콜을 제공하기 위하여 다양한 통신 표준들에서 채택되었다. 최근 등장한 통신 표준의 예는 롱텀 에볼루션 (Long Term Evolution; LTE) 이다. LTE 는 3 세대 파트너십 프로젝트 (Third Generation Partnership Project; 3GPP) 에 의해 반포된 유니버셜 이동 통신 시스템 (Universal Mobile Telecommunications System; UMTS) 이동 표준에 대한 개량들의 세트이다. 그것은 스펙트럼 효율을 개선시킴으로써 이동 광대역 인터넷 액세스를 더 양호하게 지원하고, 비용들을 저하시키고, 서비스들을 개선시키고, 새로운 스펙트럼을 이용하고, 다운링크 (DL) 상의 OFDMA, 업링크 (UL) 상의 SC-FDMA, 및 다중-입력 다중-출력 (multiple-input multiple-output; MIMO) 안테나 기술을 이용하여 다른 개방형 표준들과 더 양호하게 통합하도록 설계된다. 그러나, 이동 광대역 액세스를 위한 수요가 계속 증가함에 따라, LTE 기술에서의 추가의 개선들을 위한 필요성이 존재한다. 바람직하게는, 이 개선들은 다른 멀티-액세스 기술들과, 이 기술들을 채용하는 통신 표준들에 적용가능해야 한다.일부의 무선 통신 네트워크들에서, 사용자 장비 (UE) 는 특정 네트워크 (예컨대, 경합 기반 라디오 주파수 대역 또는 스펙트럼에서 동작하는 네트워크) 에 대한 액세스를 요구할 수도 있다. 그러나, UE 는 이러한 대역 상에서 네트워크에 액세스하기 위하여 적당한 크리덴셜 (credential) 들 또는 인가 (authorization) 를 가지지 않을 수도 있다. 이에 따라, 네트워크 전개들에서의 적절한 크리덴셜 또는 인가의 프로비저닝에서의 개선들이 희망된다. [ 발명의 개요 ] [ 과제의 해결 수단 ] 다음은 이러한 양태들의 기본적인 이해를 제공하기 위하여 하나 이상의 양태들의 간략화된 요약을 제시한다. 이 요약은 모든 구상된 양태들의 철저한 개요는 아니고, 모든 양태들의 핵심적인 또는 중요한 엘리먼트들을 식별하지도 않고, 임의의 또는 모든 양태들의 범위를 묘사하지도 않도록 의도된 것도 아니다. 그 유일한 목적은 더 이후에 제시되는 더욱 상세한 설명에 대한 서두로서, 하나 이상의 양태들의 일부의 개념들을 간략화된 형태로 제시하기 위한 것이다.개시물의 양태에서, 무선 통신 방법은, 사용자 장비 (user equipment; UE) 로부터 수신된 프로비저닝 요청 메시지가 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터 (security credential parameter) 들을 획득하기 위한 요청을 포함하는 것으로 결정하는 단계; UE 가 요청에 기초하여 UE 를 위한 네트워크에 대한 한정된 액세스를 승인하기 위한 하나 이상의 일반적인 인증 절차들을 연기하는 것을 허용하는 단계; 프로비저닝 요청 메시지를 등록 엔티티로 송신하는 단계; 및 등록 엔티티가 프로비저닝 절차를 확립하기 위한 요청을 수락하는 것에 응답하여 프로비저닝 수락 메시지를 수신하는 단계로서, 등록 엔티티는 프로비저닝 절차를 확립하기 위한 요청을 수락하는 것으로 결정하는, 상기 프로비저닝 수락 메시지를 수신하는 단계를 포함한다.추가의 양태에서, 컴퓨터 실행가능 코드를 저장하는 컴퓨터-판독가능 매체는, 사용자 장비 (UE) 로부터 수신된 프로비저닝 요청 메시지가 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 획득하기 위한 요청을 포함하는 것으로 결정하기 위한 코드; UE 가 요청에 기초하여 UE 를 위한 네트워크에 대한 한정된 액세스를 승인하기 위한 하나 이상의 일반적인 인증 절차들을 연기하는 것을 허용하기 위한 코드; 프로비저닝 요청 메시지를 등록 엔티티로 송신하기 위한 코드; 및 등록 엔티티가 프로비저닝 절차를 확립하기 위한 요청을 수락하는 것에 응답하여 프로비저닝 수락 메시지를 수신하기 위한 코드로서, 등록 엔티티는 프로비저닝 절차를 확립하기 위한 요청을 수락하는 것으로 결정하는, 상기 프로비저닝 수락 메시지를 수신하기 위한 코드를 포함한다.또 다른 양태에서, 무선 통신을 위한 장치는, 사용자 장비 (UE) 로부터 수신된 프로비저닝 요청 메시지가 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 획득하기 위한 요청을 포함하는 것으로 결정하기 위한 수단; UE 가 요청에 기초하여 UE 를 위한 네트워크에 대한 한정된 액세스를 승인하기 위한 하나 이상의 일반적인 인증 절차들을 연기하는 것을 허용하기 위한 수단; 프로비저닝 요청 메시지를 등록 엔티티로 송신하기 위한 수단; 및 등록 엔티티가 프로비저닝 절차를 확립하기 위한 요청을 수락하는 것에 응답하여 프로비저닝 수락 메시지를 수신하기 위한 수단으로서, 등록 엔티티는 프로비저닝 절차를 확립하기 위한 요청을 수락하는 것으로 결정하는, 상기 프로비저닝 수락 메시지를 수신하기 위한 수단을 포함한다.추가의 양태에서, 무선 통신을 위한 장치는, 사용자 장비 (UE) 로부터 수신된 프로비저닝 요청 메시지가 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 획득하기 위한 요청을 포함하는 것으로 결정하도록 구성된 협상 컴포넌트; UE 가 요청에 기초하여 UE 를 위한 네트워크에 대한 한정된 액세스를 승인하기 위한 하나 이상의 일반적인 인증 절차들을 연기하는 것을 허용하게 하도록 구성된 인증 컴포넌트; 및 프로비저닝 요청 메시지를 등록 엔티티로 송신하도록 구성된 통신 컴포넌트로서, 통신 컴포넌트는 등록 엔티티가 프로비저닝 절차를 확립하기 위한 요청을 수락하는 것에 응답하여 프로비저닝 수락 메시지를 수신하도록 추가로 구성되고, 등록 엔티티는 프로비저닝 절차를 확립하기 위한 요청을 수락하는 것으로 결정하는, 상기 통신 컴포넌트를 포함한다.개시물의 또 다른 양태에서, 무선 통신 방법은, 사용자 장비 (UE) 로부터 프로비저닝 요청 메시지를 수신하는 단계; 프로비저닝 요청 메시지가 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 획득하기 위한 프로비저닝 절차를 확립하기 위한 요청을 포함하는 것으로 결정하는 단계; 및 프로비저닝 요청이 네트워크에 액세스하기 위하여 UE 의 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 프로비저닝하기 위한 것으로 결정하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여, UE 와 비인증된 세션을 확립하는 단계로서, 비인증된 세션은 UE 의 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 프로비저닝하기 위한 비-액세스 스트라텀 (non-access stratum; NAS) 시그널링을 통한 확장가능 인증 프로토콜 (Extensible Authentication Protocol; EAP) 을 포함하는, 상기 UE 와 비인증된 세션을 확립하는 단계를 포함한다.추가의 양태에서, 컴퓨터 실행가능 코드를 저장하는 컴퓨터-판독가능 매체는, 사용자 장비 (UE) 로부터 프로비저닝 요청 메시지를 수신하기 위한 코드; 프로비저닝 요청 메시지가 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 획득하기 위한 프로비저닝 절차를 확립하기 위한 요청을 포함하는 것으로 결정하기 위한 코드; 및 프로비저닝 요청이 네트워크에 액세스하기 위하여 UE 의 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 프로비저닝하기 위한 것으로 결정하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여, UE 와 비인증된 세션을 확립하기 위한 코드로서, 비인증된 세션은 UE 의 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 프로비저닝하기 위한 비-액세스 스트라텀 (NAS) 시그널링을 통한 확장가능 인증 프로토콜 (EAP) 세션을 포함하는, 상기 UE 와 비인증된 세션을 확립하기 위한 코드를 포함한다.또 다른 양태에서, 무선 통신을 위한 장치는, 사용자 장비 (UE) 로부터 프로비저닝 요청 메시지를 수신하기 위한 수단; 프로비저닝 요청 메시지가 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 획득하기 위한 프로비저닝 절차를 확립하기 위한 요청을 포함하는 것으로 결정하기 위한 수단; 및 프로비저닝 요청이 네트워크에 액세스하기 위하여 UE 의 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 프로비저닝하기 위한 것으로 결정하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여, UE 와 비인증된 세션을 확립하기 위한 수단으로서, 비인증된 세션은 UE 의 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 프로비저닝하기 위한 비-액세스 스트라텀 (NAS) 시그널링을 통한 확장가능 인증 프로토콜 (EAP) 세션을 포함하는, 상기 UE 와 비인증된 세션을 확립하기 위한 수단을 포함한다.또한, 양태에서, 무선 통신을 위한 장치는, 사용자 장비 (UE) 로부터 프로비저닝 요청 메시지를 수신하도록 구성된 통신 컴포넌트; 프로비저닝 요청 메시지가 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 획득하기 위한 프로비저닝 절차를 확립하기 위한 요청을 포함하는 것으로 결정하도록 구성된 협상 컴포넌트; 및 프로비저닝 요청이 네트워크에 액세스하기 위하여 UE 의 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 프로비저닝하기 위한 것으로 결정하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여, UE 와 비인증된 세션을 확립하도록 구성된 인증 컴포넌트로서, 비인증된 세션은 UE 의 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 프로비저닝하기 위한 비-액세스 스트라텀 (NAS) 시그널링을 통한 확장가능 인증 프로토콜 (EAP) 세션을 포함하는, 상기 인증 컴포넌트를 포함한다.또한, 개시물의 양태에서, 무선 통신 방법은, 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하는 단계로서, 비인증된 세션은 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 획득하기 위한 프로비저닝 절차를 수행하기 위하여 네트워크에 일시적인 액세스를 제공하는, 상기 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하는 단계; 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하는 것에 응답하여 네트워크의 제 2 네트워크 엔티티와 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들을 협상하는 단계; 및 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들에 적어도 부분적으로 기초하여 프로비저닝 절차를 수행하는 단계를 포함한다.또 다른 양태에서, 컴퓨터 실행가능 코드를 저장하는 컴퓨터-판독가능 매체는, 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하기 위한 코드로서, 비인증된 세션은 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 획득하기 위한 프로비저닝 절차를 수행하기 위하여 네트워크에 일시적인 액세스를 제공하는, 상기 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하기 위한 코드; 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하는 것에 응답하여 네트워크의 제 2 네트워크 엔티티와 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들을 협상하기 위한 코드; 및 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들에 적어도 부분적으로 기초하여 프로비저닝 절차를 수행하기 위한 코드를 포함한다.추가의 양태에서, 무선 통신을 위한 장치는, 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하기 위한 수단으로서, 비인증된 세션은 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 획득하기 위한 프로비저닝 절차를 수행하기 위하여 네트워크에 일시적인 액세스를 제공하는, 상기 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하기 위한 수단; 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하는 것에 응답하여 네트워크의 제 2 네트워크 엔티티와 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들을 협상하기 위한 수단; 및 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들에 적어도 부분적으로 기초하여 프로비저닝 절차를 수행하기 위한 수단을 포함한다.또한, 양태에서, 무선 통신을 위한 장치는, 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하도록 구성된 비인증된 컴포넌트로서, 비인증된 세션은 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 획득하기 위한 프로비저닝 절차를 수행하기 위하여 네트워크에 일시적인 액세스를 제공하는, 상기 비인증된 컴포넌트; 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하는 것에 응답하여 네트워크의 제 2 네트워크 엔티티와 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들을 협상하도록 구성된 협상 컴포넌트; 및 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들에 적어도 부분적으로 기초하여 프로비저닝 절차를 수행하도록 구성된 절차 컴포넌트를 포함한다.추가적으로, 개시물의 양태에서, 무선 통신 방법은, 제 1 네트워크의 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하는 단계로서, 비인증된 세션은 제 1 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 획득하기 위한 프로비저닝 절차를 수행하기 위하여 제 1 네트워크에 일시적인 액세스를 제공하는, 상기 제 1 네트워크의 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하는 단계; 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하는 것에 응답하여 제 1 네트워크의 제 2 네트워크 엔티티와 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들을 협상하는 단계; 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들을 협상하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 제 2 네트워크 엔티티로부터 하나 이상의 오프라인 프로비저닝 파라미터들을 수신하는 단계; 하나 이상의 오프라인 프로비저닝 파라미터들을 수신하는 것에 응답하여 제 1 네트워크 엔티티와의 비인증된 세션을 해제하는 단계; 및 제 2 네트워크의 제 3 네트워크 엔티티와의 오프라인 프로비저닝을 수행하는 단계로서, 오프라인 프로비저닝은 제 1 네트워크에 보안 액세스를 제공하기 위한 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 수신하는 것을 포함하고, 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들은 제 1 네트워크에 무제한 액세스를 제공하는, 상기 제 2 네트워크의 제 3 네트워크 엔티티와의 오프라인 프로비저닝을 수행하는 단계를 포함한다.또 다른 양태에서, 컴퓨터 실행가능 코드를 저장하는 컴퓨터-판독가능 매체는, 제 1 네트워크의 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하기 위한 코드로서, 비인증된 세션은 제 1 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 획득하기 위한 프로비저닝 절차를 수행하기 위하여 제 1 네트워크에 일시적인 액세스를 제공하는, 상기 제 1 네트워크의 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하기 위한 코드; 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하는 것에 응답하여 제 1 네트워크의 제 2 네트워크 엔티티와 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들을 협상하기 위한 코드; 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들을 협상하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 제 2 네트워크 엔티티로부터 하나 이상의 오프라인 프로비저닝 파라미터들을 수신하기 위한 코드; 하나 이상의 오프라인 프로비저닝 파라미터들을 수신하는 것에 응답하여 제 1 네트워크 엔티티와의 비인증된 세션을 해제하기 위한 코드; 및 제 2 네트워크의 제 3 네트워크 엔티티와의 오프라인 프로비저닝을 수행하기 위한 코드로서, 오프라인 프로비저닝은 제 1 네트워크에 보안 액세스를 제공하기 위한 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 수신하는 것을 포함하고, 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들은 제 1 네트워크에 무제한 액세스를 제공하는, 상기 제 2 네트워크의 제 3 네트워크 엔티티와의 오프라인 프로비저닝을 수행하기 위한 코드를 포함한다.추가의 양태에서, 무선 통신을 위한 장치는, 제 1 네트워크의 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하기 위한 수단으로서, 비인증된 세션은 제 1 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 획득하기 위한 프로비저닝 절차를 수행하기 위하여 제 1 네트워크에 일시적인 액세스를 제공하는, 상기 제 1 네트워크의 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하기 위한 수단; 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하는 것에 응답하여 제 1 네트워크의 제 2 네트워크 엔티티와 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들을 협상하기 위한 수단; 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들을 협상하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 제 2 네트워크 엔티티로부터 하나 이상의 오프라인 프로비저닝 파라미터들을 수신하기 위한 수단; 하나 이상의 오프라인 프로비저닝 파라미터들을 수신하는 것에 응답하여 제 1 네트워크 엔티티와의 비인증된 세션을 해제하기 위한 수단; 및 제 2 네트워크의 제 3 네트워크 엔티티와의 오프라인 프로비저닝을 수행하기 위한 수단으로서, 오프라인 프로비저닝은 제 1 네트워크에 보안 액세스를 제공하기 위한 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 수신하는 것을 포함하고, 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들은 제 1 네트워크에 무제한 액세스를 제공하는, 상기 제 2 네트워크의 제 3 네트워크 엔티티와의 오프라인 프로비저닝을 수행하기 위한 수단을 포함한다.추가적인 양태에서, 무선 통신을 위한 장치는, 제 1 네트워크의 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하도록 구성된 인증 컴포넌트로서, 비인증된 세션은 제 1 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 획득하기 위한 프로비저닝 절차를 수행하기 위하여 제 1 네트워크에 일시적인 액세스를 제공하는, 상기 인증 컴포넌트; 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하는 것에 응답하여 제 1 네트워크의 제 2 네트워크 엔티티와 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들을 협상하도록 구성된 협상 컴포넌트; 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들을 협상하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 제 2 네트워크 엔티티로부터 하나 이상의 오프라인 프로비저닝 파라미터들을 수신하도록 구성된 통신 컴포넌트로서, 인증 컴포넌트는 하나 이상의 오프라인 프로비저닝 파라미터들을 수신하는 것에 응답하여 제 1 네트워크 엔티티와의 비인증된 세션을 해제하도록 추가로 구성되는, 상기 통신 컴포넌트; 및 제 2 네트워크의 제 3 네트워크 엔티티와의 오프라인 프로비저닝을 수행하도록 구성된 절차 컴포넌트로서, 오프라인 프로비저닝은 제 1 네트워크에 보안 액세스를 제공하기 위한 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 수신하는 것을 포함하고, 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들은 제 1 네트워크에 무제한 액세스를 제공하는, 상기 제 2 네트워크의 제 3 네트워크 엔티티와의 오프라인 프로비저닝을 수행하도록 구성된 절차 컴포넌트를 포함한다.상기한 그리고 관련된 목적들의 달성을 위하여, 하나 이상의 양태들은 이후에 완전히 설명되고 청구항들에서 특히 지적된 특징들을 포함한다. 다음의 설명 및 부속된 도면들은 하나 이상의 양태들의 어떤 예시적인 특징들을 상세하게 기재한다. 그러나, 이 특징들은 다양한 양태들의 원리들이 채용될 수도 있는 단지 몇몇 다양한 방법들을 표시하고, 이 설명은 이러한 모든 양태들 및 그 등가물들을 포함하도록 의도된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 개시물의 더욱 완전한 이해를 용이하게 하기 위하여, 유사한 엘리먼트들이 유사한 번호들로 참조되고, 점선들은 임의적인 컴포넌트들 또는 액션 (action) 들을 표시할 수도 있는 첨부한 도면들에 대해 지금부터 참조가 행해진다. 이 도면들은 본 개시물을 한정하는 것으로 해석되어야 하는 것이 아니라, 단지 예시적인 것으로 의도된다.도 1 은 본 개시물의 양태에 따라 네트워크 아키텍처의 예를 예시하는 도면이고;도 2 는 본 개시물의 양태에 따라 액세스 네트워크의 예를 예시하는 도면이고;도 3 은 본 개시물의 양태에 따라 LTE 에서의 DL 프레임 구조의 예를 예시하는 도면이고;도 4 는 본 개시물의 양태에 따라 LTE 에서의 UL 프레임 구조의 예를 예시하는 도면이고;도 5 는 본 개시물의 양태에 따라 사용자 및 제어 평면들을 위한 라디오 프로토콜 아키텍처의 예를 예시하는 도면이고;도 6 은 본 개시물의 양태에 따라 액세스 네트워크에서의 진화형 노드 B 및 사용자 장비의 예를 예시하는 도면이고;도 7 은 프로비저닝 절차를 수행할 수도 있는 UE 및 네트워크 엔티티의 양태를 포함하는 통신 네트워크의 개략도이고;도 8 은 본 개시물의 양태, 예컨대, 도 7 에 따른 프로비저닝 절차의 양태의 플로우차트이고;도 9 는 본 개시물의 양태, 예컨대, 도 7 에 따른 프로비저닝 절차의 양태의 플로우차트이고;도 10 은 본 개시물의 양태, 예컨대, 도 7 에 따른 프로비저닝 절차의 양태의 플로우차트이고;도 11 은 본 개시물의 양태, 예컨대, 도 7 에 따른 프로비저닝 절차의 양태의 플로우차트이고; 그리고도 12 는 본 개시물의 양태에 따라 프로세싱 시스템을 채용하는 장치를 위한 하드웨어 구현의 예를 예시하는 도면이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 첨부된 도면들과 함께 이하에서 기재된 상세한 설명은 다양한 구성들의 설명으로서 의도되고, 본원에서 설명된 개념들이 실시될 수도 있는 유일한 구성들을 나타내도록 의도된 것이 아니다. 상세한 설명은 다양한 개념들의 철저한 이해를 제공하는 목적을 위한 특정 세부사항들을 포함한다. 그러나, 이 개념들은 이 특정 세부사항들 없이 실시될 수도 있는 것이 당해 분야의 당업자들에게 명백할 것이다. 일부의 사례들에서는, 이러한 개념들을 모호하게 하는 것을 회피하기 위하여, 널리 공지된 컴포넌트들이 블록도 형태로 도시되어 있다. 양태에서, 본원에서 이용된 바와 같은 용어 "컴포넌트" 는 시스템을 구성하는 부분들 중의 하나일 수도 있고, 하드웨어 또는 소프트웨어일 수도 있고, 다른 컴포넌트들로 분할될 수도 있다.통신 시스템들의 몇몇 양태들은 다양한 장치 및 방법들을 참조하여 지금부터 제시될 것이다. 이 장치 및 방법들은 다음의 상세한 설명에서 설명될 것이고, 다양한 블록들, 모듈들, 컴포넌트들, 회로들, 단계들, 프로세스들, 알고리즘들 등 (집합적으로 "엘리먼트 (element) 들" 로서 지칭됨) 에 의해 첨부한 도면들에서 예시될 것이다. 이 엘리먼트들은 전자 하드웨어, 컴퓨터 소프트웨어, 또는 그 임의의 조합을 이용하여 구현될 수도 있다. 이러한 엘리먼트들이 하드웨어 또는 소프트웨어로 구현되는지 여부는 특정한 애플리케이션과, 전체적인 시스템에 부과된 설계 제약들에 종속된다.예로서, 엘리먼트, 또는 엘리먼트의 임의의 일부분, 또는 엘리먼트들의 임의의 조합은 하나 이상의 프로세서들을 포함하는 "프로세싱 시스템" 으로 구현될 수도 있다. 프로세서들의 예들은 마이크로프로세서들, 마이크로제어기들, 디지털 신호 프로세서 (digital signal processor; DSP) 들, 필드 프로그래밍가능 게이트 어레이 (field programmable gate array; FPGA) 들, 프로그래밍가능 로직 디바이스 (programmable logic device; PLD) 들, 상태 머신 (state machine) 들, 게이티드 로직 (gated logic), 개별 하드웨어 회로들, 및 이 개시물의 전반에 걸쳐 설명된 다양한 기능성을 수행하도록 구성된 다른 적당한 하드웨어를 포함한다. 프로세싱 시스템에서의 하나 이상의 프로세서들은 소프트웨어를 실행할 수도 있다. 소프트웨어는 소프트웨어, 펌웨어 (firmware), 미들웨어 (middleware), 마이크로코드 (microcode), 하드웨어 기술 언어 (hardware description language), 또는 이와 다른 것으로서 지칭되든지 간에, 명령 (instruction) 들, 명령 세트 (instruction set) 들, 코드 (code), 코드 세그먼트 (code segment) 들, 프로그램 코드 (program code), 프로그램 (program) 들, 서브프로그램 (subprogram) 들, 소프트웨어 모듈 (software module) 들, 애플리케이션 (application) 들, 소프트웨어 애플리케이션 (software applicatioin) 들, 소프트웨어 패키지 (software package) 들, 루틴 (routine) 들, 서브루틴 (subroutine) 들, 오브젝트 (object) 들, 익스큐터블 (executable) 들, 실행 스레드 (thread of execution) 들, 프로시저 (procedure) 들, 함수들 등을 의미하는 것으로 광범위하게 해석될 것이다.따라서, 하나 이상의 예시적인 실시형태들에서는, 설명된 기능들이 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어, 또는 그 임의의 조합으로 구현될 수도 있다. 소프트웨어로 구현될 경우, 기능들은 컴퓨터-판독가능 매체 상에서 하나 이상의 명령들 또는 코드로서 저장되거나 인코딩될 수도 있다. 컴퓨터-판독가능 매체들은 컴퓨터 저장 매체들을 포함한다. 저장 매체들은 컴퓨터에 의해 액세스될 수 있는 임의의 이용가능한 매체들일 수도 있다. 한정이 아닌 예로서, 이러한 컴퓨터-판독가능 매체들은 RAM, ROM, EEPROM, CD-ROM 또는 다른 광학 디스크 저장, 자기 디스크 저장, 또는 다른 자기 저장 디바이스들, 또는 명령들 또는 데이터 구조들의 형태로 희망하는 프로그램 코드를 반송하거나 저장하기 위해 이용될 수 있으며 컴퓨터에 의해 액세스될 수 있는 임의의 다른 매체를 포함할 수 있다. 본원에서 이용된 바와 같은 디스크 (disk) 및 디스크 (disc) 는 컴팩트 디스크 (compact disc; CD), 레이저 디스크 (laser disc), 광학 디스크 (optical disc), 디지털 다기능 디스크 (digital versatile disc; DVD), 및 플로피 디스크 (floppy disk) 를 포함하고, 여기서, 디스크 (disk) 들은 보통 데이터를 자기적으로 재생하는 반면, 디스크 (disc) 들은 데이터를 레이저로 광학적으로 재생한다. 상기의 조합들은 또한, 컴퓨터-판독가능 매체들의 범위 내에 포함되어야 한다.본 양태들은 일반적으로, 무선 통신 시스템들에서 프로비저닝 절차를 수행하는 것에 관한 것이다. 구체적으로, 일부의 무선 통신 시스템들에서, 네트워크 엔티티들은 특정 네트워크 (예컨대, 경합 기반 주파수 대역을 이용하는 네트워크) 상에서 커버리지 (coverage) 를 제공할 수도 있다. 따라서, UE 는 특정 네트워크에 대한 액세스를 요구할 수도 있다. 그러나, UE 는 네트워크에 액세스하기 위하여 적당한 크리덴셜들 또는 인가를 가지지 않을 수도 있다. 이와 같이, UE 는 희망하는 네트워크에 액세스하는 것이 방지될 수도 있다.이와 같이, 본 발명들 및 장치는 네트워크 (예컨대, 경합 기반 라디오 주파수 대역에서의 롱텀 에볼루션 (LTE) 어드밴스드 네트워크와 같이, 경합 기반 주파수 대역을 이용하는 네트워크) 에 대한 액세스를 제공하기 위하여, UE 가 임의의 유효한 보안 크리덴셜들을 가지지 않더라도 UE 를 프로비저닝할 수도 있다. 따라서, 일부의 양태들에서, 본 방법들 및 장치는 UE 가 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 획득하기 위하여 하나 이상의 네트워크 엔티티들과의 프로비저닝 절차를 수행하는 것을 가능하게 하기 위하여, 현재의 솔루션들에 비해 효율적인 솔루션을 제공할 수도 있다.도 1 은 LTE 네트워크 아키텍처 (100) 를 예시하는 도면이다. LTE 네트워크 아키텍처 (100) 는 진화형 패킷 시스템 (Evolved Packet System; EPS) (100) 으로서 지칭될 수도 있다. EPS (100) 는 희망하는 네트워크로 UE 를 프로비저닝하도록 구성된 UE 프로비저닝 컴포넌트 (720; 도 7) 를 포함할 수도 있는 하나 이상의 사용자 장비 (UE; 102) 를 포함할 수도 있다. 추가적으로, EPS (100) 는 진화형 UMTS 지상 라디오 액세스 네트워크 (Evolved UMTS Terrestrial Radio Access Network; E-UTRAN) (104), 진화형 패킷 코어 (Evolved Packet Core; EPC) (110), 홈 가입자 서버 (Home Subscriber Server; HSS) (120), 및 운영자의 IP 서비스들 (122) 을 포함할 수도 있다. EPS 는 다른 액세스 네트워크들과 상호접속할 수 있지만, 간략화를 위하여, 그 엔티티들/인터페이스들은 도시되어 있지 않다. 도시된 바와 같이, EPS 는 패킷-교환 서비스들을 제공하지만, 그러나, 당해 분야의 당업자들이 용이하게 인식하는 바와 같이, 이 개시물의 전반에 걸쳐 제시된 다양한 개념들은 회선-교환 서비스들을 제공하는 네트워크들로 확장될 수도 있다.E-UTRAN 은 진화형 노드 B (eNB; 106) 및 다른 eNB 들 (108) 을 포함한다. eNB (106) 는 UE (102) 를 향한 사용자 및 제어 평면들 프로토콜 종단 (protocol termination) 들을 제공한다. eNB (106) 는 백홀 (backhaul) (예컨대, X2 인터페이스) 을 통해 다른 eNB 들 (108) 에 접속될 수도 있다. eNB (106) 는 또한, 기지국, 기지 트랜시버 국 (base transceiver station), 라디오 기지국, 라디오 트랜시버, 트랜시버 기능, 기본 서비스 세트 (basic service set; BSS), 확장 서비스 세트 (extended service set; ESS), 또는 기타의 적당한 용어로서 지칭될 수도 있다. eNB (106) 는 UE (102) 를 위한 EPC (110) 에 대한 액세스 포인트를 제공한다. UE 들 (102) 의 예들은 셀룰러 전화, 스마트 폰, 세션 개시 프로토콜 (session initiation protocol; SIP) 전화, 랩톱, 개인 정보 단말 (personal digital assistant; PDA), 위성 라디오, 글로벌 위치확인 시스템 (global positioning system), 멀티미디어 디바이스, 비디오 디바이스, 디지털 오디오 플레이어 (예컨대, MP3 플레이어), 카메라, 게임 콘솔, 또는 임의의 다른 유사한 기능 디바이스를 포함한다. UE (102) 는 또한, 당해 분야의 당업자들에 의해, 이동국 (mobile station), 가입자국 (subscriber station), 이동 유닛, 가입자 유닛, 무선 유닛, 원격 유닛, 이동 디바이스, 무선 디바이스, 무선 통신 디바이스, 원격 디바이스, 이동 가입자국, 액세스 단말, 이동 단말, 무선 단말, 원격 단말, 핸드셋 (handset), 사용자 에이전트 (user agent), 이동 클라이언트 (mobile client), 클라이언트, 또는 일부의 다른 적당한 용어로서 지칭될 수도 있다.eNB (106) 는 S1 인터페이스에 의해 EPC (110) 에 접속된다. EPC (110) 는 희망하는 네트워크로 UE 를 프로비저닝하도록 구성된 MME 프로비저닝 컴포넌트 (750); 도 7) 를 포함할 수도 있는 이동성 관리 엔티티 (Mobility Management Entity; MME) (112) 를 포함한다. 추가적으로, EPC (110) 는 다른 MME 들 (114), 서빙 게이트웨이 (116), 및 패킷 데이터 네트워크 (Packet Data Network; PDN) 게이트웨이 (118) 를 포함할 수도 있다. MME (112) 는, UE (102) 와 EPC (110) 사이의 시그널링을 프로세싱하는 제어 노드이다. 일반적으로, MME (112) 는 베어러 및 접속 관리를 제공한다. 모든 사용자 IP 패킷들은, 그 자체가 PDN 게이트웨이 (118) 에 접속되는 서빙 게이트웨이 (116) 를 통해 전송된다. PDN 게이트웨이 (118) 는 UE IP 어드레스 할당뿐만 아니라 다른 기능들도 제공한다. PDN 게이트웨이 (118) 는 운영자의 IP 서비스들 (122) 에 접속된다. 운영자의 IP 서비스들 (122) 은 인터넷 (Internet), 인트라넷 (Intranet), IP 멀티미디어 서브시스템 (IP Multimedia Subsystem; IMS), 및 PS 스트리밍 서비스 (PS Streaming Service; PSS) 를 포함할 수도 있다.추가적으로, EPS (100) 는 EPC (110) 에 접속된 레지스트라 (Registrar; 124) 를 포함할 수도 있다. 레지스트라 (124) 는 특정한 네트워크 (예컨대, EPC (110)) 에 대한 액세스를 제어하기 위하여, 하나 이상의 UE 들 (예컨대, UE (102)) 에 대한 프로비저닝 절차들을 수행하도록 구성될 수도 있다. 레지스트라 (124) 는 EPC (110) 에 대해 내부적 또는 외부적일 수도 있고, 서빙 게이트웨이 (116) 및/또는 PDN 게이트웨이 (118) 와 접속하도록 구성될 수도 있다. 또한, 레지스트라 (124) 는 MME (112) 및/또는 다른 MME 들 (114) 에 접속될 수도 있다.UE (102) 는 제 1 대역 또는 스펙트럼과, 제 2 대역 또는 스펙트럼 중의 하나 또는 양자를 이용하여 E-UTRAN (104) 과 통신하도록 구성될 수도 있다. 일부의 사례들에서, 제 2 대역은 경합 기반 라디오 주파수 대역을 포함할 수도 있다. 일부의 양태들에서, 제 1 대역은 허가된 스펙트럼 (licensed spectrum) 내의 대역에 대응할 수도 있고, 제 2 대역은 비허가된 스펙트럼 (unlicensed spectrum) 내의 대역에 대응할 수도 있다.도 2 는 본원에서 설명된 바와 같이, 하나 이상의 UE 들 (206) 이 UE 프로비저닝 컴포넌트 (720; 도 7) 를 각각 포함할 수도 있는 LTE 네트워크 아키텍처에서의 액세스 네트워크 (200) 의 예를 예시하는 도면이다. 이 예에서, 액세스 네트워크 (200) 는 다수의 셀룰러 영역들 (셀들) (202) 로 분할된다. 하나 이상의 더 낮은 전력 등급의 eNB 들 (208) 은 셀들 (202) 중의 하나 이상과 중첩하는 셀룰러 영역들 (210) 을 가질 수도 있다. 더 낮은 전력 등급의 eNB (208) 는 펨토 셀 (femto cell) (예컨대, 홈 eNB (home eNB; HeNB)), 피코 셀 (pico cell), 마이크로 셀 (micro cell), 또는 원격 라디오 헤드 (remote radio head; RRH) 일 수도 있다. 매크로 eNB 들 (204) 은 개개의 셀 (202) 에 각각 배정되고, 셀들 (202) 에서의 모든 UE 들 (206) 을 위한 EPC (110) 에 대하여 (그리고, 본원에서 설명된 바와 같이, MME 프로비저닝 컴포넌트 (750; 도 7) 를 포함할 수도 있는 도 1 의 MME (112) 와 같은 MME 들에 대하여) 액세스 포인트를 제공하도록 구성된다. 액세스 네트워크 (200) 의 이 예에서는 중앙집중식 제어기 (centralized controller) 가 없지만, 중앙집중식 제어기는 대안적인 구성들에서 이용될 수도 있다. eNB 들 (204) 은 라디오 베어러 제어 (radio bearer control), 진입 제어 (admission control), 이동성 제어, 스케줄링 (scheduling), 보안, 및 서빙 게이트웨이에 대한 접속성을 포함하는 모든 라디오 관련 기능들을 담당한다.액세스 네트워크 (200) 에 의해 채용된 변조 및 다중 액세스 방식은 전개되는 특정한 통신 표준에 따라 변동될 수도 있다. LTE 애플리케이션들에서는, 주파수 분할 듀플렉싱 (frequency division duplexing; FDD) 및 시간 분할 듀플렉싱 (time division duplexing; TDD) 의 양자를 지원하기 위하여, OFDM 이 DL 상에서 이용되고 SC-FDMA 가 UL 상에서 이용된다. 당해 분야의 당업자들은 뒤따르는 상세한 설명으로부터, 본원에서 제시된 다양한 개념들이 LTE 애플리케이션들에 대해 양호하게 적합하다는 것을 용이하게 인식할 것이다. 그러나, 이 개념들은 다른 변조 및 다중 액세스 기법들을 채용하는 다른 통신 표준들로 용이하게 확장될 수도 있다. 예로서, 이 개념들은 진화-데이터 최적화 (Evolution-Data Optimized; EV-DO) 또는 울트라 이동 광대역 (Ultra Mobile Broadband; UMB) 으로 확장될 수도 있다. EV-DO 및 UMB 는 CDMA2000 계열의 표준들의 일부로서 3 세대 파트너십 프로젝트 2 (3rd Generation Partnership Project 2; 3GPP2) 에 의해 반포된 무선 인터페이스 표준들이고, 광대역 인터넷 액세스를 이동국들에 제공하기 위하여 CDMA 를 채용한다. 이 개념들은 또한, 광대역-CDMA (Wideband-CDMA; W-CDMA) 및 CDMA 의 다른 변종들, 예컨대, TD-SCDMA; TDMA 를 채용하는 이동 통신을 위한 글로벌 시스템 (Global System for Mobile Communications; GSM); 및 OFDMA 를 채용하는 진화형 UTRA (Evolved UTRA; E-UTRA), IEEE 802.11 (Wi-Fi), IEEE 802.16 (WiMAX), IEEE 802.20, 및 플래시-OFDM (Flash-OFDM) 으로 확장될 수도 있다. UTRA, E-UTRA, UMTS, LTE, 및 GSM 은 3GPP 기구로부터의 문서들에서 설명되어 있다. CDMA2000 및 UMB 는 3GPP2 기구로부터의 문서들에서 설명되어 있다. 실제적인 무선 통신 표준 및 채용된 다중 액세스 기술은 특정 애플리케이션과, 시스템에 부과된 전체적인 설계 제약들에 종속될 것이다.eNB 들 (204) 은 MIMO 기술을 지원하는 다수의 안테나들을 가질 수도 있다. MIMO 기술의 이용은 eNB 들 (204) 이 공간적 멀티플렉싱 (spatial multiplexing), 빔포밍 (beamforming), 및 송신 다이버시티 (transmit diversity) 를 지원하기 위하여 공간적 도메인을 활용하는 것을 가능하게 한다. 공간적 멀티플렉싱은 동일한 주파수 상에서 데이터의 상이한 스트림들을 동시에 송신하기 위하여 이용될 수도 있다. 데이터 스트림들은 데이터 레이트를 증가시키기 위하여 단일 UE (206) 로 송신될 수도 있거나, 전체적인 시스템 용량을 증가시키기 위하여 다수의 UE 들 (206) 로 송신될 수도 있다. 이것은 각각의 데이터 스트림을 공간적으로 프리코딩 (precoding) (즉, 진폭 및 위상의 스케일링 (scaling) 을 적용) 함으로써, 그 다음으로, DL 상에서 다수의 송신 안테나들을 통해 각각의 공간적으로 프리코딩된 스트림을 송신함으로써 달성된다. 공간적으로 프리코딩된 데이터 스트림들은 상이한 공간적 시그니처 (spatial signature) 들과 함께 UE(들) (206) 에 도달하고, 이것은 UE (들) (206) 의 각각이 그 UE (206) 에 대해 예정된 하나 이상의 데이터 스트림들을 복원하는 것을 가능하게 한다. UL 상에서, 각각의 UE (206) 는 공간적으로 프리코딩된 데이터 스트림을 송신하고, 이것은 eNB (204) 가 각각의 공간적으로 프리코딩된 데이터 스트림의 소스를 식별하는 것을 가능하게 한다.공간적 멀티플렉싱은 채널 조건들이 양호할 때에 일반적으로 이용된다. 채널 조건들이 덜 호의적일 때에는, 하나 이상의 방향들로 송신 에너지를 포커싱 (focusing) 하기 위하여 빔포밍이 이용될 수도 있다. 이것은 다수의 안테나들을 통한 송신을 위하여 데이터를 공간적으로 프리코딩함으로써 달성될 수도 있다. 셀의 에지 (edge) 들에서 양호한 커버리지를 달성하기 위하여, 단일 스트림 빔포밍 송신은 송신 다이버시티와 조합하여 이용될 수도 있다.뒤따르는 상세한 설명에서는, DL 상에서 OFDM 을 지원하는 MIMO 시스템을 참조하여 액세스 네트워크의 다양한 양태들이 설명될 것이다. OFDM 은 OFDM 심볼 내의 다수의 서브캐리어 (subcarrier) 들 상에서 데이터를 변조하는 확산-스펙트럼 (spread-spectrum) 기법이다. 서브캐리어들은 정확한 주파수들로 이격되어 있다. 이격은 수신기가 서브캐리어들로부터 데이터를 복원하는 것을 가능하게 하는 "직교성 (orthogonality)" 을 제공한다. 시간 도메인에서는, 인터-OFDM-심볼 간섭 (inter-OFDM-symbol interference) 을 방지하기 위하여 보호 간격 (예컨대, 사이클릭 프리픽스 (cyclic prefix)) 이 각각의 OFDM 심볼에 추가될 수도 있다. UL 은 높은 피크-대-평균 전력 비율 (peak-to-average power ratio; PAPR) 을 보상하기 위하여 DFT-확산 OFDM 신호의 형태로 SC-FDMA 를 이용할 수도 있다.도 3 은, 본원에서 설명된 바와 같이, UE 프로비저닝 컴포넌트 (720; 도 7) 를 포함하는 UE (702; 도 7) 와 같은 UE 에 의해 수신될 수도 있고; 본원에서 설명된 바와 같이, MME 프로비저닝 컴포넌트 (750; 도 7) 를 포함할 수도 있는 MME (112) 와 같은 MME 에 의해 송신될 수도 있는, LTE 에서의 DL 프레임 구조의 예를 예시하는 도면 (300) 이다. 프레임 (10 ms) 은 10 개의 동등한 크기의 서브-프레임들로 분할될 수도 있다. 각각의 서브-프레임은 2 개의 연속적인 시간 슬롯들을 포함할 수도 있다. 자원 그리드는, 각각의 시간 슬롯이 자원 블록을 포함하는 2 개의 시간 슬롯들을 나타내기 위하여 이용될 수도 있다. 자원 그리드는 다수의 자원 엘리먼트들로 분할된다. LTE 에서, 자원 블록은 주파수 도메인에서의 12 개의 연속적인 서브캐리어들과, 그리고 각각의 OFDM 심볼에서의 정상 사이클릭 프리픽스에 대하여, 시간 도메인에서의 7 개의 연속적인 OFDM 심볼들, 또는 84 개의 자원 엘리먼트들을 포함한다. 확장된 사이클릭 프리픽스에 대하여, 자원 블록은 시간 도메인에서의 6 개의 연속적인 OFDM 심볼들을 포함하고, 72 개의 자원 엘리먼트들을 가진다. R (302, 304) 로서 표시된 바와 같은 자원 엘리먼트들의 일부는 DL 기준 신호들 (DL reference signals; DL-RS) 을 포함한다. DL-RS 는 셀-특정 RS (Cell-specific RS; CRS) (또한, 때때로 공통 RS 로 칭해짐) (302) 및 UE-특정 RS (UE-specific RS; UE-RS) (304) 를 포함한다. UE-RS (304) 는, 대응하는 물리적 DL 공유 채널 (physical DL shared channel; PDSCH) 이 맵핑되는 자원 블록들 상에서만 송신된다. 각각의 자원 엘리먼트에 의해 반송된 비트들의 수는 변조 방식에 종속된다. 이에 따라, UE 가 수신하는 자원 블록들이 더 많고 변조 방식이 더 높을수록, UE 에 대한 데이터 레이트가 더 높다.도 4 는, 본원에서 설명된 바와 같이, UE 프로비저닝 컴포넌트 (720; 도 7) 를 포함하는 UE (702; 도 7) 와 같은 UE 에 의해 송신될 수도 있고; 본원에서 설명된 바와 같이, MME 프로비저닝 컴포넌트 (750; 도 7) 를 포함할 수도 있는 MME (112) 와 같은 MME 에 의해 수신될 수도 있는, LTE 에서의 UL 프레임 구조의 예를 예시하는 도면 (400) 이다. UL 에 대한 이용가능한 자원 블록들은 데이터 섹션 및 제어 섹션으로 파티셔닝될 수도 있다. 제어 섹션은 시스템 대역폭의 2 개의 에지들에서 형성될 수도 있고, 구성가능한 크기를 가질 수도 있다. 제어 섹션에서의 자원 블록들은 제어 정보의 송신을 위하여 UE 들에 배정될 수도 있다. 데이터 섹션은 제어 섹션에서 포함되지 않은 모든 자원 블록들을 포함할 수도 있다. UL 프레임 구조는 데이터 섹션이 인접 서브캐리어들을 포함하는 것으로 귀착되고, 이것은 단일 UE 에 데이터 섹션에서 인접 서브캐리어들의 전부가 배정되는 것을 허용할 수도 있다.UE 프로비저닝 컴포넌트 (720) 를 포함하는 UE (702; 도 7) 와 같은 UE 에는 제어 정보를 eNB 로 송신하기 위하여, 제어 섹션에서 자원 블록들 (410a, 410b) 이 배정될 수도 있다. UE 에는 또한, 데이터를 eNB 로 송신하기 위하여, 데이터 섹션에서 자원 블록들 (420a, 420) 이 배정될 수도 있다. UE 는 제어 섹션에서의 배정된 자원 블록들 상의 물리적 UL 제어 채널 (physical UL control channel; PUCCH) 에서 제어 정보를 송신할 수도 있다. UE 는 데이터 섹션에서의 배정된 자원 블록들 상의 물리적 UL 공유 채널 (physical UL shared channel; PUSCH) 에서 데이터만, 또는 데이터 및 제어 정보의 양자를 송신할 수도 있다. UL 송신은 서브프레임의 양자의 슬롯들에 걸쳐 이어질 수도 있고, 주파수에 걸쳐 도약 (hop) 할 수도 있다.자원 블록들의 세트는 초기 시스템 액세스를 수행하고 물리적 랜덤 액세스 채널 (physical random access channel; PRACH) (430) 에서 UL 동기화를 달성하기 위하여 이용될 수도 있다. PRACH (430) 는 랜덤 시퀀스를 반송하고, 임의의 UL 데이터/시그널링을 반송하지 않을 수 있다. 각각의 랜덤 액세스 프리앰블 (random access preamble) 은 6 개의 연속적인 자원 블록들에 대응하는 대역폭을 점유한다. 시작 주파수는 네트워크에 의해 특정된다. 즉, 랜덤 액세스 프리앰블의 송신은 어떤 시간 및 주파수 자원들로 제한된다. PRACH 에 대한 주파수 도약은 없다. PRACH 시도 (attempt) 는 단일 서브프레임 (1 ms) 에서, 또는 적은 인접 서브프레임들의 시퀀스 (sequence) 에서 반송되고, UE 는 프레임 (10 ms) 당 단일 PRACH 시도만을 행할 수 있다.도 5 는 LTE 에서의 사용자 및 제어 평면들을 위한 라디오 프로토콜 아키텍터의 예를 예시하는 도면 (500) 이다. 라디오 프로토콜 아키텍처는 UE 프로비저닝 컴포넌트 (720) 를 포함하는 UE (702; 도 7) 와 같은 UE 에 의해 이용될 수도 있고, eNB 는 3 개의 계층들과 함께 도시되어 있다: 계층 1, 계층 2, 및 계층 3. 계층 1 (L1 계층) 은 최하위 계층이고, 다양한 물리적 계층 신호 프로세싱 기능들을 구현한다. L1 계층은 본원에서 물리적 계층 (506) 으로서 지칭될 것이다. 계층 2 (L2 계층) (508) 는 물리적 계층 (506) 위에 있고, 물리적 계층 (506) 상에서 UE 와 eNB 사이의 링크를 담당한다.사용자 평면에서, L2 계층 (508) 은, 네트워크 측 상에서 eNB 에서 종단되는, 매체 액세스 제어 (media access control; MAC) 서브계층 (510), 라디오 링크 제어 (radio link control; RLC) 서브계층 (512), 및 패킷 데이터 컨버전스 프로토콜 (packet data convergence protocol; PDCP) (514) 서브계층을 포함한다. 도시되어 있지 않지만, UE 는, 네트워크 측 상에서 PDN 게이트웨이 (118) 에서 종단되는 네트워크 계층 (예컨대, IP 계층) 과, 접속의 타단에서 종단되는 애플리케이션 계층 (예컨대, 원단 (far end) UE, 서버 등) 을 포함하는, L2 계층 (508) 위의 몇몇 상위 계층 (upper layer) 들을 가질 수도 있다.PDCP 서브계층 (514) 은 상이한 라디오 베어러들과 논리적 채널들 사이의 멀티플렉싱을 제공한다. PDCP 서브계층 (514) 은 또한, 라디오 송신 오버헤드 (radio transmission overhead) 를 감소시키기 위한 상위 계층 데이터 패킷들에 대한 헤더 압축, 데이터 패킷들을 암호화하는 것에 의한 보안, 및 eNB 들 사이의 UE 들에 대한 핸드오버 지원을 제공한다. RLC 서브계층 (512) 은 상부 계층 데이터 패킷들의 세그먼테이션 (segmentation) 및 리어셈블리, 손실된 데이터 패킷들의 재송신, 및 하이브리드 자동 반복 요청 (hybrid automatic repeat request; HARQ) 으로 인한 순서외 (out-of-order) 수신을 보상하기 위한 데이터 패킷들의 재순서화를 제공한다. MAC 서브계층 (510) 은 논리적 및 전송 채널들 사이의 멀티플렉싱을 제공한다. MAC 서브계층 (510) 은 또한, UE 들 사이의 하나의 셀에서 다양한 라디오 자원들 (예컨대, 자원 블록들) 을 할당하는 것을 담당한다. MAC 서브계층 (510) 은 또한, HARQ 동작들을 담당한다.제어 평면에서, UE 및 eNB 를 위한 라디오 프로토콜 아키텍처는, 제어 평면을 위한 헤더 압축 기능이 없다는 것을 제외하고는, 물리적 계층 (506) 및 L2 계층 (508) 에 대해 실질적으로 동일하다. 제어 평면은 또한, 계층 3 (L3 계층) 에서의 라디오 자원 제어 (radio resource control; RRC) 서브계층 (516) 을 포함한다. RRC 서브계층 (516) 은 라디오 자원들 (즉, 라디오 베어러들) 을 획득하는 것과, eNB 와 UE 사이의 RRC 시그널링을 이용하여 하위 계층 (lower layer) 들을 구성하는 것을 담당한다.도 6 은 액세스 네트워크에서 UE (650) 와 통신하는 eNB (610) 의 블록도이다. UE (650) 는 본원에서 설명된 바와 같이, 도 7 의 UE 프로비저닝 컴포넌트 (720) 를 포함하는 UE (702) 와 동일하거나 유사할 수도 있다. DL 에서는, 코어 네트워크로부터의 상위 계층 패킷들이 제어기/프로세서 (675) 에 제공된다. 제어기/프로세서 (675) 는 L2 계층의 기능성을 구현한다. DL 에서, 제어기/프로세서 (675) 는 헤더 압축, 암호화 (ciphering), 패킷 세그먼테이션 (packet segmentation) 및 재순서화 (reordering), 논리적 및 전송 채널들 사이의 멀티플렉싱, 및 다양한 우선순위 메트릭 (metric) 들에 기초한 UE (650) 에 대한 라디오 자원 할당들을 제공한다. 제어기/프로세서 (675) 는 또한, HARQ 동작들, 손실된 패킷들의 재송신, 및 UE (650) 로의 시그널링을 담당한다.송신 (TX) 프로세서 (616) 는 L1 계층 (즉, 물리적 계층) 에 대한 다양한 신호 프로세싱 기능들을 구현한다. 신호 프로세싱 기능들은 UE (650) 에서의 순방향 에러 정정 (forward error correction; FEC) 을 용이하게 하기 위한 코딩 및 인터리빙 (interleaving) 과, 다양한 변조 방식들 (예컨대, 2진 위상-시프트 키잉 (binary phase-shift keying; BPSK), 직교 위상-시프트 키잉 (quadrature phase-shift keying; QPSK), M-위상-시프트 키잉 (M-phase-shift keying; M-PSK), M-직교 진폭 변조 (M-quadrature amplitude modulation; M-QAM)) 에 기초한 신호 성상도 (signal constellation) 들로의 맵핑을 포함한다. 다음으로, 코딩되고 변조된 심볼들은 병렬 스트림들로 분할된다. 다음으로, 각각의 스트림은 OFDM 서브캐리어에 맵핑되고, 시간 및/또는 주파수 도메인에서 기준 신호 (예컨대, 파일럿) 와 멀티플렉싱되고, 다음으로, 시간 도메인 OFDM 심볼 스트림을 반송하는 물리적 채널을 생성하기 위하여 고속 푸리에 역변환 (inverse Fast Fourier Transform; IFFT) 을 이용하여 함께 합성된다. OFDM 스트림은 다수의 공간적 스트림들을 생성하기 위하여 공간적으로 프리코딩된다. 채널 추정기 (674) 로부터의 채널 추정치들은 코딩 및 변조 방식을 결정하기 위하여 뿐만 아니라, 공간적 프로세싱을 위하여 이용될 수도 있다. 채널 추정치는 UE (650) 에 의해 송신된 기준 신호 및/또는 채널 조건 피드백으로부터 유도될 수도 있다. 다음으로, 각각의 공간적 스트림은 별도의 송신기 (618TX) 를 통해 상이한 안테나 (620) 에 제공된다. 각각의 송신기 (618TX) 는 송신을 위하여 개개의 공간적 스트림으로 RF 캐리어를 변조한다.UE (650) 에서는, 각각의 수신기 (654RX) 가 그 개개의 안테나 (652) 를 통해 신호를 수신한다. 각각의 수신기 (654RX) 는 RF 캐리어 상으로 변조된 정보를 복원하고, 정보를 수신 (RX) 프로세서 (656) 에 제공한다. RX 프로세서 (656) 는 L1 계층의 다양한 신호 프로세싱 기능들을 구현한다. RX 프로세서 (656) 는 UE (650) 에 대해 예정된 임의의 공간적 스트림들을 복원하기 위하여 정보에 대한 공간적 프로세싱을 수행한다. 다수의 공간적 스트림들이 UE (650) 에 대해 예정될 경우, 이들은 RX 프로세서 (656) 에 의해 단일의 OFDM 심볼 스트림으로 합성될 수도 있다. 다음으로, RX 프로세서 (656) 는 고속 푸리에 변환 (Fast Fourier Transform; FFT) 을 이용하여 OFDM 심볼 스트림을 시간 도메인으로부터 주파수 도메인으로 변환한다. 주파수 도메인 신호는 OFDM 신호의 각각의 서브캐리어에 대한 별도의 OFDM 심볼 스트림을 포함한다. 각각의 서브캐리어 상의 심볼들 및 기준 신호는 eNB (610) 에 의해 송신된 가장 가능성 있는 신호 성상도 포인트들을 결정함으로써 복원되고 복조된다. 이 연판정 (soft decision) 들은 채널 추정기 (658) 에 의해 연산된 채널 추정치들에 기초할 수도 있다. 다음으로, 연판정들은 물리적 채널 상에서 eNB (610) 에 의해 원래 송신되었던 데이터 및 제어 신호들을 복원하기 위하여 디코딩되고 디인터리빙 (deinterleaving) 된다. 다음으로, 데이터 및 제어 신호들은 제어기/프로세서 (659) 에 제공된다.제어기/프로세서 (659) 는 L2 계층을 구현한다. 제어기/프로세서는 프로그램 코드들 및 데이터를 저장하는 메모리 (660) 와 연관될 수 있다. 메모리 (660) 는 컴퓨터-판독가능 매체로서 지칭될 수도 있다. UL 에서, 제어기/프로세서 (659) 는 전송 및 논리적 채널들 사이의 디멀티플렉싱 (demultiplexing), 패킷 리어셈블리 (packet reassembly), 복호화 (deciphering), 헤더 압축해제 (header decompression), 코어 네트워크로부터의 상위 계층 패킷들을 복원하기 위한 제어 신호 프로세싱을 제공한다. 다음으로, 상위 계층 패킷들은 L2 계층 위의 모든 프로토콜 계층들을 나타내는 데이터 싱크 (data sink; 662) 에 제공된다. 다양한 제어 신호들은 또한, L3 프로세싱을 위하여 데이터 싱크 (662) 에 제공될 수도 있다. 제어기/프로세서 (659) 는 또한, HARQ 동작들을 지원하기 위하여 수신확인 (acknowledgement; ACK) 및/또는 부정적 수신확인 (negative acknowledgement; NACK) 프로토콜을 이용한 에러 검출을 담당한다.UL 에서, 데이터 소스 (data source; 667) 는 상위 계층 패킷들을 제어기/프로세서 (659) 에 제공하기 위하여 이용된다. 데이터 소스 (667) 는 L2 계층 위의 모든 프로토콜 계층들을 나타낸다. eNB (610) 에 의한 DL 송신과 관련하여 설명된 기능성과 유사하게, 제어기/프로세서 (659) 는 eNB (610) 에 의한 라디오 자원 할당들에 기초하여 헤더 압축, 암호화, 패킷 세그먼테이션 및 재순서화, 및 논리적 및 전송 채널들 사이의 멀티플렉싱을 제공함으로써 사용자 평면 및 제어 평면에 대한 L2 계층을 구현한다. 제어기/프로세서 (659) 는 또한, HARQ 동작들, 손실된 패킷들의 재송신, 및 eNB (610) 로의 시그널링을 담당한다.eNB (610) 에 의해 송신된 기준 신호 또는 피드백으로부터 채널 추정기 (658) 에 의해 유도된 채널 추정치들은 적절한 코딩 및 변조 방식들을 선택하고 공간적 프로세싱을 용이하게 하기 위하여 TX 프로세서 (668) 에 의해 이용될 수도 있다. TX 프로세서 (668) 에 의해 생성된 공간적 스트림들은 별도의 송신기들 (654TX) 을 통해 상이한 안테나 (652) 에 제공된다. 각각의 송신기 (654TX) 는 송신을 위하여 개개의 공간적 스트림으로 RF 캐리어를 변조한다.UL 송신은 UE (650) 에서의 수신기 기능과 관련하여 설명된 것과 유사한 방식으로 eNB (610) 에서 프로세싱된다. 각각의 수신기 (618RX) 는 그 개개의 안테나 (620) 를 통해 신호를 수신한다. 각각의 수신기 (618RX) 는 RF 캐리어 상으로 변조된 정보를 복원하고, 정보를 RX 프로세서 (670) 에 제공한다. RX 프로세서 (670) 는 L1 계층을 구현할 수도 있다.제어기/프로세서 (675) 는 L2 계층을 구현한다. 제어기/프로세서 (675) 는 프로그램 코드들 및 데이터를 저장하는 메모리 (676) 와 연관될 수 있다. 메모리 (676) 는 컴퓨터-판독가능 매체로서 지칭될 수도 있다. UL 에서, 제어기/프로세서 (675) 는 전송 및 논리적 채널들 사이의 디멀티플렉싱, 패킷 리어셈블리, 복호화, 헤더 압축해제, UE (650) 로부터의 상위 계층 패킷들을 복원하기 위한 제어 신호 프로세싱을 제공한다. 제어기/프로세서 (675) 로부터의 상위 계층 패킷들은 코어 네트워크에 제공될 수도 있다. 제어기/프로세서 (675) 는 또한, HARQ 동작들을 지원하기 위하여 ACK 및/또는 NACK 프로토콜을 이용한 에러 검출을 담당한다.도 7 을 참조하면, 양태에서, 무선 통신 시스템 (700) 은 적어도 제 1 네트워크 엔티티 (704) 및 제 2 네트워크 엔티티 (706) 의 통신 커버리지에서 적어도 하나의 UE (702) 를 포함한다. UE (702) 는 제 1 네트워크 엔티티 (704) 를 통해 제 1 네트워크 (708) 와 통신할 수도 있다. UE (702) 는 제 2 네트워크 엔티티 (706) 를 통해 제 2 네트워크 (710) 및 MME (112) 와 통신할 수도 있다. 일부의 양태들에서, UE (702) 를 포함하는 다수의 UE 들은 제 1 네트워크 엔티티 (704) 및 제 2 네트워크 엔티티 (706) 를 포함하는 하나 이상의 네트워크 엔티티들과의 통신 커버리지 내에 있을 수도 있다. 예를 들어, UE (702) 는 허가된 스펙트럼 상의 하나 이상의 통신 채널들 (712) 상에서, 또는 하나 이상의 통신 채널들 (712) 을 이용하여 제 1 네트워크 엔티티 (704) 와 통신할 수도 있다. 또한, 예를 들어, UE (702) 는 경합 기반 라디오 주파수 대역 상의 하나 이상의 통신 채널들 (714) 상에서, 또는 하나 이상의 통신 채널들 (714) 을 이용하여 제 2 네트워크 엔티티 (706) 와 통신할 수도 있다.UE (702) 는 제 1 네트워크 엔티티 (704) 및 제 2 네트워크 엔티티 (706) 의 하나 또는 양자에서 포함되거나 전개된 하나 이상의 셀들과 통신할 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 즉, UE (702) 는 제 1 네트워크 엔티티 (704) 에서의 하나의 셀로부터 제 1 네트워크 엔티티 (704) 에서의 또 다른 셀까지 선택하거나 재선택할 수도 있다. 다른 양태들에서, 제 1 네트워크 엔티티 (704) 는 대안적으로, UE (702) 가 RRC 접속된 상태를 유지하는 제 1 셀로서 지칭될 수도 있다. 추가적으로, UE (702) 는 제 1 네트워크 엔티티 (704) 및/또는 제 2 네트워크 엔티티 (706) 로 무선 통신을 송신할 수도 있고, 및/또는 제 1 네트워크 엔티티 (704) 및/또는 제 2 네트워크 엔티티 (706) 로부터 무선 통신을 수신할 수도 있다. 예를 들어, 이러한 무선 정보는 경합 기반 라디오 주파수 대역을 이용하는 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 에 대한 UE (702) 의 프로비저닝에 관련된 정보를 포함할 수도 있지만, 이것으로 한정되지 않는다.일부의 양태들에서, UE (702) 는 또한, 당해 분야의 당업자들에 의해 (뿐만아니라 본원에서 상호 교환가능하게) 이동국, 가입자국, 이동 유닛, 가입자 유닛, 무선 유닛, 원격 유닛, 이동 디바이스, 무선 디바이스, 무선 통신 디바이스, 원격 디바이스, 이동 가입자국, 액세스 단말, 이동 단말, 무선 단말, 원격 단말, 핸드셋, 단말, 사용자 에이전트 (user agent), 이동 클라이언트 (mobile client), 클라이언트, 무선 송신/수신 유닛, 또는 기타 적당한 용어로서 지칭될 수도 있다.추가적으로, 제 1 네트워크 엔티티 (704) 및 제 2 네트워크 엔티티 (706) 는 매크로셀, 피코셀, 펨토셀, 액세스 포인트, 중계기, 노드 B, 이동 노드 B, (예컨대, UE (702) 와 피어-투-피어 (peer-to-peer) 또는 애드-혹 (ad-hoc) 모드에서 통신하는) UE, 또는 UE (12) 에서 무선 네트워크 액세스를 제공하기 위하여 UE (702) 와 통신할 수 있는 실질적으로 임의의 타입의 컴포넌트일 수도 있다.본 양태들에 따르면, UE (702) 는 UE (702) 가 임의의 유효한 보안 크리덴셜들을 가지지 않는 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 를 액세스하기 위하여 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 로 UE (702) 를 프로비저닝하도록 구성될 수도 있는 UE 프로비저닝 컴포넌트 (720) 를 포함할 수도 있다. 예를 들어, UE (702) 가 초기에 유효한 보안 크리덴셜들을 가지지 않을 수도 있는 네트워크는 경합 기반 라디오 주파수 대역에서의 롱텀 에볼루션 (LTE) 어드밴스드 네트워크와 같이, 경합 기반 주파수 대역을 이용하는 네트워크를 포함할 수도 있지만, 이것으로 한정되지는 않는다. 예를 들어, UE 프로비저닝 컴포넌트 (720) 는 네트워크 엔티티 (예컨대, 제 2 네트워크 엔티티 (706)) 와 비인증된 세션 (764) 을 확립할 수도 있고, 비인증된 세션 (764) 은 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 를 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 획득하기 위한 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하기 위하여 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 에 일시적인 액세스를 제공하고; 네트워크 엔티티 (예컨대, 제 2 네트워크 엔티티 (706)) 와 비인증된 세션 (764) 을 확립하는 것에 응답하여, 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 의 또 다른 네트워크 엔티티 (예컨대, MME (112)) 와 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) 을 협상할 수도 있고; 그리고 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) 에 적어도 부분적으로 기초하여 프로비저닝 절차 (776) 를 수행할 수도 있다.또한, UE 프로비저닝 컴포넌트 (720) 는 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 의 네트워크 엔티티 (예컨대, 제 2 네트워크 엔티티 (706)) 와 비인증된 세션 (764) 을 확립할 수도 있고, 비인증된 세션 (764) 은 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 를 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 획득하기 위한 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하기 위하여 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 에 일시적인 액세스를 제공하고; 네트워크 엔티티 (예컨대, 제 2 네트워크 엔티티 (706)) 와 비인증된 세션 (764) 을 확립하는 것에 응답하여 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 의 또 다른 네트워크 엔티티 (예컨대, MME (112)) 와 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) 을 협상할 수도 있고; 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) 을 협상하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 제 2 네트워크 엔티티 (예컨대, MME (112)) 로부터 하나 이상의 오프라인 프로비저닝 파라미터들 (780) 을 수신할 수도 있고; 하나 이상의 오프라인 프로비저닝 파라미터들 (780) 을 수신하는 것에 응답하여 네트워크 엔티티 (예컨대, 제 2 네트워크 엔티티 (706)) 와의 비인증된 세션 (764) 을 해제할 수도 있고; 그리고 상이한 네트워크 (예컨대, 제 1 네트워크 (708)) 의 상이한 네트워크 엔티티 (예컨대, 제 1 네트워크 엔티티 (704)) 와의 오프라인 프로비저닝을 수행할 수도 있고; 오프라인 프로비저닝은 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710) 에 보안 액세스를 제공하기 위한 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 수신하는 것을 포함하고, 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 은 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 에 무제한 액세스를 제공한다.양태에서, UE 프로비저닝 컴포넌트는, 프로비저닝을 위해 이용가능한 하나 이상의 네트워크들을 탐색하도록 구성될 수도 있는 탐색 컴포넌트 (722) 를 포함할 수도 있다. 탐색 절차는 UE (예컨대, UE (702)) 에 의해, 또는 네트워크 (예컨대, 도 1 의 레지스트라 (124)) 에 의해 개시될 수도 있다. 예를 들어, UE 개시된 탐색 동안, 탐색 컴포넌트 (722) 는 하나 이상의 네트워크들 (예컨대, 제 1 네트워크 (708) 및 제 2 네트워크 (710)) 을 스캔 (scan) 하도록 구성될 수도 있다. 일부의 사례들에서, 탐색 컴포넌트 (722) 는 경합 기반 라디오 주파수 대역 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 또는 허가된 라디오 주파수 대역 (예컨대, 제 1 네트워크 (708)) 의 어느 하나를 이용하여 네트워크들을 스캔할 수도 있다. 또한, 탐색 컴포넌트 (722) 는 하나 이상의 네트워크들 중의 적어도 하나 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 가 프로비저닝을 위해 이용가능한 것으로 결정한다. 일단 하나 이상의 네트워크들 중의 하나 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 가 이용가능한 것으로 결정되면, 탐색 컴포넌트 (722) 는 하나 이상의 네트워크들 중의 하나를 선택할 수도 있다. 하나 이상의 네트워크들 중의 하나 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 는 사용자 입력에 기초하거나 애플리케이션을 통해 선택될 수도 있다. 이와 같이, 일단 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 가 선택되면, 프로비저닝 절차 (776) 타입 (provisioning procedure type; PPT) 및 하나 이상의 PPT 파라미터들은 선택된 하나 이상의 네트워크들 중의 하나를 위해 제공된다.또한, 네트워크 (예컨대, 도 1 의 레지스트라 (124)) 개시된 탐색 동안, 탐색 컴포넌트 (722) 는 하나 이상의 브로드캐스트 메시지들을 수신하도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 탐색 컴포넌트 (722) 는 통신 채널들 (712 및/또는 714) 을 통해 하나 이상의 브로드캐스트 메시지들을 수신할 수도 있다. 브로드캐스트 메시지들은 하나 이상의 네트워크들를 위한 프로비저닝 절차 (776) 타입 (PPT) 및 하나 이상의 PPT 파라미터들을 포함할 수도 있다. 추가적으로, 브로드캐스트 메시지들은 통신 채널들 (712 및/또는 714) 을 통해 시스템 정보 블록 (System Information Block; SIB) 메시지들로서 송신될 수도 있다. 그 결과, 탐색 컴포넌트는 하나 이상의 네트워크들 중의 하나를 선택할 수도 있다. 하나 이상의 네트워크들 중의 하나 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 는 사용자 입력에 기초하거나 애플리케이션을 통해 선택될 수도 있다. 탐색 절차를 수행하는 것의 결과로서, UE (702) 는 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하기 위하여 요구된 PPT 및 PPT 파라미터들을 획득한다.추가적인 양태들에서, UE 프로비저닝 컴포넌트 (720) 는 선택된 제 2 네트워크 (710) 의 제 2 네트워크 엔티티 (706) 와 비인증된 세션 (764) 을 확립하도록 구성될 수도 있는 인증 컴포넌트 (724) 를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 인증 컴포넌트 (724) 는 UE (702) 가 비인증된 세션 (764) 을 확립하는 동안에 표시하는 탐색 절차 동안에 획득된 PPT 및 PPT 파라미터들에 적어도 부분적으로 기초하여 비인증된 세션 (764) 을 확립하도록 구성될 수도 있다. 일부의 양태들에서, 비인증된 세션 (764) 은 UE (702) 와 제 2 네트워크 엔티티 (706) 사이의 라디오 자원 제어 (Radio Resource Control; RRC) 접속일 수도 있다. 또한, 비인증된 세션 (764) 은 제 2 네트워크 (710) 를 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 획득하기 위한 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하기 위하여 제 2 네트워크 (710) 에 일시적인 액세스를 제공한다. 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하는 것에 응답하여, 인증 컴포넌트 (724) 는 선택된 제 2 네트워크 (710) 의 제 2 네트워크 엔티티 (706) 와의 비인증된 세션 (764) 을 해제할 수도 있다.UE 프로비저닝 컴포넌트 (720) 는 제 2 네트워크 엔티티 (706) 와 비인증된 세션 (764) 을 확립하는 것에 응답하여, 제 2 네트워크 (710) 의 MME (112) 와 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) (예컨대, PPT 및 PPT 파라미터들) 을 협상하도록 구성될 수도 있는 협상 컴포넌트 (726) 를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) 을 협상하는 것은 협상 컴포넌트 (726) 가 프로비저닝 요청 메시지 (770) 를 통신 채널 (114) 을 통해 MME (112) 로 송신하는 것을 포함할 수도 있다. 프로비저닝 요청 메시지 (770) 는 제 2 네트워크 (710) 를 위한 프로비저닝 절차 (776) 를 확립하기 위한 요청을 포함할 수도 있다. 이와 같이, 협상 컴포넌트 (726) 는 MME (112) 가 프로비저닝 요청을 수락하는 것에 응답하여 프로비저닝 수락 메시지 (774) 를 수신한다. 프로비저닝 수락 메시지 (774) 를 수신한 결과, 협상 컴포넌트 (726) 는 MME (112) 와 연결 (attach) 할 수도 있고, 프로비저닝 절차 (776) 만을 수행하는 목적들을 위하여 하나 이상의 게이트웨이들 (예컨대, 서빙 게이트웨이 (116) 및/또는 PDN 게이트웨이 (118)) 에 대한 제한된 액세스를 가질 수도 있다 (예컨대, UE (702) 는 제 2 네트워크 (710) 를 통한 인터넷에 대한 액세스를 가지지 않을 수도 있음).일부의 양태들에서, 협상 컴포넌트 (726) 는 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) 을 협상하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여, MME (112) 로부터 하나 이상의 오프라인 프로비저닝 파라미터들 (780) 을 수신하도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 네트워크 (예컨대, MME (112)) 는 오프라인 프로비저닝이 요구되는 것으로 결정할 수도 있고, 따라서, 하나 이상의 오프라인 프로비저닝 파라미터들 (780) 을 협상 컴포넌트 (726) 로 송신할 수도 있다. 어떤 사례들에서, 하나 이상의 오프라인 프로비저닝 파라미터들 (780) 은 브로드캐스팅된 정보를 통해, 또는 제 2 네트워크 엔티티 (706) 와 비인증된 세션 (764) 을 확립함으로써 수신될 수도 있고, 유니캐스트 시그널링 (unicast signaling) 을 통해 MME (112) 로부터 수신될 수도 있다.또한, 프로비저닝 요청 메시지 (770) 는 특정 국제 이동 가입자 식별번호 (international mobile subscriber identity; IMSI) 및/또는 액세스 포인트 명칭 (access point name; APN) 을 포함할 수도 있다. 프로비저닝 요청 메시지 (770) 는 또한 연결 요청 (attach request) 을 포함할 수도 있고, 연결 요청은 비-액세스 스트라텀 (NAS) 계층 상에서 수신된다. 추가적으로, 패킷 데이터 네트워크 (PDN) 접속 요청 메시지는 프로비저닝 요청 메시지 (770) 와 함께 송신될 수도 있다. 협상 컴포넌트 (726) 는 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하기 위하여 레지스트라 (124; 도 1) 와 어떻게 접속할 것인지에 관한 추가적인 접속 정보를 수신할 수도 있다. 추가적인 접속 정보는 레지스트라 (124; 도 1) 의 인터넷 프로토콜 (internet protocol; IP) 어드레스를 포함할 수도 있다. 또한, 협상 컴포넌트 (726) 는 추가적인 접속 정보가 수신되지 않을 경우에 레지스트라 (124; 도 1) 의 IP 어드레스를 검색하기 위하여 서버 룩업 (look up) 을 수행할 수도 있다.또 다른 양태에서, UE 프로비저닝 컴포넌트 (720) 는, 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) (예컨대, PPT 및 PPT 파라미터들) 에 적어도 부분적으로 기초하여 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하도록 구성될 수도 있는 절차 컴포넌트 (728) 를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 절차 컴포넌트 (728) 는 인라인 (inline) 프로비저닝 및 오프라인 프로비저닝을 포함하는 다수의 프로비저닝 절차들 (776) 을 수행하도록 구성될 수도 있다. 인라인 프로비저닝은 데이터 평면 또는 제어 평면의 어느 하나 상에서 수행될 수도 있다.데이터 평면 상에서의 인라인 프로비저닝 동안, 절차 컴포넌트 (728) 는 하이퍼텍스트 전송 프로토콜 보안 (Hypertext Transfer Protocol Secure; HTTPS) 세션을 확립하는 것을 통해 레지스트라 (124; 도 1) 와 접속하도록 구성될 수도 있다. 임의적인 양태에서, UE (702) 및/또는 절차 컴포넌트 (728) 는 사용자와 상호작용할 수도 있다. 예를 들어, 사용자는 제 2 네트워크 (710) 의 기간들 및 조건들을 수락하고, 신용 카드 정보를 기입하고 지불을 수락하고, 접속성 옵션들을 선택하고, 및/또는 패스 코드 (pass code) 를 제공하도록 요구될 수도 있다. 추가의 양태에서, 절차 컴포넌트 (728) 는 예컨대, 프로비저닝 절차 (776) 의 일부로서 메시지들을 송신하고 응답을 수신함으로써, 레지스트라 (124; 도 1) 와 상호작용할 수도 있다. 그 결과, 절차 컴포넌트 (728) 는 임의의 네트워크 제한들 없이 네트워크에 연결하기 위해 이용하기 위하여, 레지스트라 (124; 도 1) 로부터 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 수신할 수도 있다.또한, 제어 평면 상에서의 인라인 프로비저닝 동안, 절차 컴포넌트 (728) 는 MME (112) 와의 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 절차 컴포넌트 (728) 는 확장가능 인증 프로토콜 (EAP) 세션, WiFi 보호된 설정 (WiFi Protected Setup; WPS), 또는 WiFi 보호된 액세스 (WiFi Protected Access; WPA) 를 통해 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하도록 구성될 수도 있다. 이와 같이, 절차 컴포넌트 (728) 는 MME (112) 로부터 수신된 하나 이상의 요청 메시지들에 대응하는 하나 이상의 응답 메시지들을 송신할 수도 있다. 하나 이상의 응답 및 요청 메시지들은 하나 이상의 일반 비-액세스 스트라텀 전송 (generic non-access stratum transport; GNT) EAP 메시지들을 포함할 수도 있다. 프로비저닝 절차 (776) 를 수행한 결과, 절차 컴포넌트 (728) 는 MME (112) 로부터 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 수신할 수도 있다. 절차 컴포넌트 (728) 는 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 저장할 수도 있다.추가적으로, 오프라인 프로비저닝 동안, 절차 컴포넌트 (728) 는 네트워크 (710) 를 위하여 UE (702) 를 프로비저닝하기 위한 제 1 네트워크 엔티티 (704) 를 통해 제 1 네트워크 (708) 와의 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 절차 컴포넌트 (728) 는 협상 컴포넌트 (726) 가 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) 을 협상하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 MME (112) 로부터 하나 이상의 오프라인 프로비저닝 파라미터들 (780) 을 수신하는 것에 응답하여, 제 1 네트워크 (708) 에서 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하도록 구성될 수도 있다. 그 결과, 절차 컴포넌트 (728) 는 무제한 액세스를 위하여 제 2 네트워크 (710) 와의 연결 동안에 이용할 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 수신할 수도 있다. 또한, 절차 컴포넌트 (728) 가 오프라인 프로비저닝 절차 (778) 를 수행하기 전에, 인증 컴포넌트 (724) 는 제 2 네트워크 엔티티 (706) 와의 비인증된 세션 (764) 을 해제할 수도 있다.양태에서, UE 프로비저닝 컴포넌트 (720) 는, 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 에 적어도 부분적으로 기초하여 MME (112) 와 연결하도록 구성될 수도 있는 연결 컴포넌트 (730) 를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 일단 절차 컴포넌트 (728) 가 오프라인 프로비저닝 절차 (778) 동안에 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 수신하면, 연결 컴포넌트 (730) 는 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 이용하여 MME (112) 와 연결할 수도 있다. 그 결과, MME (112) 는 네트워크에 무제한 액세스를 제공한다.UE 프로비저닝 컴포넌트 (720) 는, 업링크 및 다운링크 통신을 허용하거나, 또는 이와 다르게 가능하게 하도록 구성될 수도 있는 통신 컴포넌트 (732) 를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 통신 컴포넌트 (732) 는 UE 프로비저닝 컴포넌트 (720) 및/또는 그 하나 이상의 컴포넌트들 (예컨대, 컴포넌트들 (722, 724, 726, 728, 및 730)) 로 그리고 이들로부터 메시지들을 통신하도록 구성될 수도 있다.본 양태들에 따르면, MME (112) 는, 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 를 위한 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 에 대하여 UE 를 프로비저닝하도록 구성될 수도 있는 MME 프로비저닝 컴포넌트 (750) 를 포함할 수도 있다. 예를 들어, UE 프로비저닝 컴포넌트 (720) 는 UE (예컨대, UE (702)) 로부터 수신된 프로비저닝 요청 메시지 (770) 가 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 를 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 획득하기 위한 요청을 포함하는 것으로 결정할 수도 있고; 프로비저닝 요청이 그 요청을 포함하는 것으로 결정하는 것에 응답하여 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 의 하나 이상의 보안 크리덴셜 세팅들을 억제할 수도 있고; 그리고 요청을 수락할 수도 있고, 요청을 수락하는 것은 패킷 데이터 컨텍스트 (packet data context) 를 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 획득하는 것으로 제한하는 것을 포함한다.또한, MME 프로비저닝 컴포넌트 (750) 는 UE (예컨대, UE (702)) 로부터 프로비저닝 요청 메시지 (770) 를 수신할 수도 있고; 프로비저닝 요청 메시지 (770) 가 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 를 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 획득하기 위한 프로비저닝 절차 (776) 를 확립하기 위한 요청을 포함하는 것으로 결정할 수도 있고; 그리고 프로비저닝 요청이 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 를 액세스하기 위하여 UE (예컨대, UE (702)) 의 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 프로비저닝하기 위한 것으로 결정하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 UE (예컨대, UE (702)) 와 비인증된 세션 (764) 을 확립할 수도 있고, 비인증된 세션 (764) 은 UE (예컨대, UE (702)) 의 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 프로비저닝하기 위한 EAP 세션을 포함한다.양태에서, MME 프로비저닝 컴포넌트 (750) 는, 프로비저닝을 요구하는 하나 이상의 UE 들 (예컨대, UE (702)) 을 탐색하기 위하여 메시지들을 제 2 네트워크 엔티티 (706) 에 브로드캐스팅하도록 구성될 수도 있는 탐색 컴포넌트 (752) 를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 탐색 컴포넌트 (752) 는 레지스트라 (124; 도 1) 로부터 프로비저닝 절차 (776) 타입 (PPT) 및 하나 이상의 PPT 파라미터들을 수신하도록 구성될 수도 있다. 이와 같이, 탐색 컴포넌트 (752) 는 브로드캐스트 메시지를 하나 이상의 네트워크 엔티티들 (예컨대, 제 2 네트워크 엔티티 (706)) 로 송신하도록 구성될 수도 있다. 일부의 사례들에서, 브로드캐스트 메시지는 PPT 및 하나 이상의 PPT 파라미터들을 포함한다. 또한, 브로드캐스트 메시지들은 시스템 정보 블록 (System Information Block; SIB) 메시지들로서 제 2 네트워크 엔티티 (706) 로 송신될 수도 있고, 이것은 하나 이상의 UE 들 (예컨대, UE (702)) 에 의해 수신될 수도 있다. 네트워크 (예컨대, 도 1 의 레지스트라 (124)) 개시된 탐색의 결과, 하나 이상의 UE 들 (예컨대, UE (702)) 은 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하기 위해 요구된 PPT 및 하나 이상의 PPT 파라미터들을 획득할 수도 있다.또 다른 양태에서, MME 프로비저닝 컴포넌트 (750) 는, 비인증된 세션 (764) 이 통신 채널 (714) 을 통해 하나 이상의 UE 들 (예컨대, UE (702)) 과 제 2 네트워크 엔티티 (706) 사이에서 확립되는지 여부를 결정하도록 구성될 수도 있는 인증 컴포넌트 (754) 를 포함할 수도 있다. 일부의 양태들에서, 비인증된 세션 (764) 은 UE (702) 와 제 2 네트워크 엔티티 (706) 사이의 라디오 자원 제어 (Radio Resource Control; RRC) 접속일 수도 있다. 또한, 비인증된 세션 (764) 은 제 2 네트워크 (710) 를 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 획득하기 위한 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하기 위하여, 제 2 네트워크 (710) 로부터 UE (702) 로 일시적인 액세스를 제공한다. 프로비저닝 절차 (776) 가 완료하는 것에 응답하여, 인증 컴포넌트 (754) 는 비인증된 세션 (764) 을 해제하기 위하여 접속 해제 메시지를 제 2 네트워크 엔티티 (706) 로 송신할 수도 있다.MME 프로비저닝 컴포넌트 (750) 는, 하나 이상의 UE 들 (예컨대, UE (702)) 과 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) 을 협상하도록 구성될 수도 있는 협상 컴포넌트 (756) 를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 협상 컴포넌트 (756) 는, 하나 이상의 UE 들 (예컨대, UE (702)) 로부터 수신된 프로비저닝 요청 메시지 (770) 가 경합 기반 라디오 주파수 대역을 이용하는 제 2 네트워크 (710) (예컨대, 경합 기반 라디오 주파수 대역에서의 롱텀 에볼루션 (LTE) 어드밴스드 네트워크) 를 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 획득하기 위한 요청을 포함하는 것으로 결정하도록 구성될 수도 있다. 프로비저닝 요청 메시지 (770) 는 제 2 네트워크 (710) 를 위한 프로비저닝 절차 (776) 를 확립하기 위한 요청을 포함할 수도 있다. 또한, 프로비저닝 요청 메시지 (770) 는 특정 IMSI 및 APN 을 포함할 수도 있다. 프로비저닝 요청 메시지 (770) 는 또한 연결 요청을 포함할 수도 있고, 연결 요청은 NAS 계층 상에서 수신된다.일부의 양태들에서, 협상 컴포넌트 (756) 는 제어 평면 상에서의 인라인 프로비저닝 동안에 프로비저닝 요청 메시지 (770) 를 레지스트라 (124; 도 1) 로 송신할 수도 있다. 이와 같이, 레지스트라 (124; 도 1) 는 프로비저닝 절차 (776) 를 확립하기 위하여 UE (702) 의 요청을 수락할 것인지 여부를 결정한다. 협상 컴포넌트 (756) 는 레지스트라 (124; 도 1) 가 프로비저닝 절차 (776) 를 확립하기 위한 요청을 수락하는 것에 응답하여 프로비저닝 수락 메시지 (774) 를 수신한다. 그 결과, 협상 컴포넌트 (756) 는 프로비저닝 절차 (776) 를 확립하기 위한 요청이 수락되었음을 표시하는 프로비저닝 수락 메시지 (774) 를 UE (702) 로 포워딩 (forwarding) 하도록 구성될 수도 있다.또 다른 양태에서, 협상 컴포넌트 (756) 는 데이터 평면 상에서의 인라인 프로비저닝 동안에 패킷 데이터 컨텍스트를 확립 (예컨대, 제한된 세션을 생성) 하기 위하여 세션 요청 메시지를 게이트웨이 (예컨대, 서빙 게이트웨이 (116) 및/또는 PDN 게이트웨이 (118)) 로 송신할 수도 있다. 예를 들어, 협상 컴포넌트 (756) 는 프로비저닝 요청 메시지 (770) 와 함께 수신된 특정 IMSI 및 APN 과 함께, PPT 및 PPT 파라미터들에 적어도 부분적으로 기초하여, 프로비저닝 요청 메시지 (770) 가 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 획득하기 위한 요청을 포함하는지 여부를 결정하도록 구성될 수도 있다. 일단 협상 컴포넌트 (756) 가 프로비저닝 요청 메시지 (770) 가 그 요청을 포함하는 것으로 결정하면, 협상 컴포넌트 (756) 는 제 2 네트워크 (710) 의 하나 이상의 보안 크리덴셜 세팅들을 억제할 수도 있다. 하나 이상의 보안 크리덴셜들 세팅들을 억제하는 것은, UE (702) 가 보안 크리덴셜들 또는 식별번호 (identity) 로 프로비저닝되지 않았더라도, 제 2 네트워크 (710) 에 대한 UE (702) 한정된 액세스를 허용할 수도 있다.또한, 협상 컴포넌트 (756) 는 프로비저닝 요청 메시지 (770) 에 적어도 부분적으로 기초하여 (예컨대, 프로비저닝 요청 메시지 (770) 와 함께 수신된 APN 과 유사하거나 동일한) APN 을 UE 에 배정할 수도 있다. APN 은 확립된 패킷 데이터 컨텍스트 동안의 UE 를 위한 제한된 네트워크 액세스를 표시한다. 추가적으로, 제한된 네트워크 액세스의 표시는 배정된 APN 을 표시함으로써 암시된다. 또한, 협상 컴포넌트 (756) 는 프로비저닝 요청 메시지 (770) 및 APN 에 적어도 부분적으로 기초하여 게이트웨이 (예컨대, 서빙 게이트웨이 (116) 및/또는 PDN 게이트웨이 (118)) 를 선택하도록 구성될 수도 있다.그 결과, 협상 컴포넌트 (756) 는 패킷 데이터 컨텍스트를 확립 (예컨대, 제한된 세션을 생성) 하기 위하여 세션 요청 메시지를 게이트웨이 (예컨대, 서빙 게이트웨이 (116) 및/또는 PDN 게이트웨이 (118)) 로 송신하도록 구성될 수도 있다. 이와 같이, UE (702) 는 패킷 데이터 컨텍스트 동안에 제 2 네트워크 (710) 에 대한 전체 액세스를 가지지 않을 수도 있다 (예컨대, UE (702) 는 제 2 네트워크 (710) 를 통한 인터넷에 대한 액세스를 가지지 않을 수도 있음). 일단 프로비저닝 절차 (776) 를 확립하기 위한 요청이 수락되었으면, 협상 컴포넌트 (756) 는 그렇게 표시하는 프로비저닝 수락 메시지 (774) 를 UE (702) 로 송신하도록 구성될 수도 있다. 추가적으로, 프로비저닝 수락 메시지 (774) 는 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하기 위하여 레지스트라 (124; 도 1) 와 어떻게 접속할 것인지에 관한 추가적인 접속 정보를 포함할 수도 있다. 추가적인 접속 정보는 레지스트라 (124; 도 1) 의 IP 어드레스를 포함할 수도 있다.일부의 양태들에서, MME 프로비저닝 컴포넌트 (750) 는, 제어 평면 상에서의 인라인 프로비저닝 동안의 제 2 네트워크 (710) 에 대한 무제한 액세스를 위한 하나 이상의 UE 들 (예컨대, 702) 의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 결정하기 위하여 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하도록 구성될 수도 있는 절차 컴포넌트 (758) 를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 절차 컴포넌트 (758) 는 프로비저닝 요청이 네트워크에 액세스하기 위하여 UE 의 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 프로비저닝하기 위한 것인 것으로 결정하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 UE 와 비인증된 세션 (764) 을 확립하도록 구성될 수도 있다. 일부의 사례들에서, 절차 컴포넌트 (758) 는 프로비저닝 수락 메시지 (774) 를 UE (702) 로 송신하는 것에 응답하여 비인증된 세션 (764) 을 확립한다.일부의 사례들에서, 비인증된 세션 (764) 은 UE 의 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 프로비저닝하기 위한 EAP 세션을 포함한다. 또한, 절차 컴포넌트 (758) 는 EAP 세션을 확립하기 위한 EAP-오버 로컬 영역 네트워크 (EAP-over local access network; EAPOL) 시작 요청을 포함하는 제 1 일반 비-액세스 스트라텀 전송 (GNT) 메시지를 수신하도록 구성될 수도 있다. 이에 응답하여, 절차 컴포넌트 (758) 는 UE 의 하나 이상의 식별번호 파라미터들에 대한 요청을 포함하는 제 2 GNT 메시지를 송신하도록 구성될 수도 있다. 그 후에, 절차 컴포넌트 (758) 는 제 2 GNT 메시지를 송신하는 것에 응답하여 하나 이상의 식별번호 파라미터들을 포함하는 제 3 GNT 메시지를 수신하도록 구성될 수도 있다. 다음으로, 절차 컴포넌트 (758) 는 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 획득하기 위한 프로비저닝 절차 (776) 를 시작하기 위한 표시를 포함하는 제 4 GNT 메시지를 송신하도록 구성될 수도 있다.그 결과, 일단 제 4 GNT 메시지가 UE (702) 에 의해 수신되면, 프로비저닝 절차 (776) 가 시작할 수도 있다. 어떤 사례들에서, 프로비저닝 절차 (776) 는 EAP, WiFi 보호된 설정 (WPS), 및 WiFi 보호된 액세스 (WPA) 또는 WPA 2 중의 적어도 하나를 이용하여 수행될 수도 있다. 이와 같이, 절차 컴포넌트 (758) 는 하나 이상의 이벤트 메시지들 (예컨대, GNT EAP 메시지들) 을 레지스트라 (124; 도 1) 로 송신하도록 구성될 수도 있다. 또한, 절차 컴포넌트 (758) 는 레지스트라 (124; 도 1) 로부터 하나 이상의 대응하는 응답 메시지들 (예컨대, GNT EAP 메시지들) 을 수신하도록 구성될 수도 있다. 절차 컴포넌트 (758) 는 UE (702) 가 프로비저닝 절차 (776) 를 완료하는 것에 응답하여, 레지스트라 (124; 도 1) 로부터 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 수신하도록 구성될 수도 있다. 그 결과, 절차 컴포넌트 (758) 는 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 저장하고 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 UE (702) 로 송신하도록 구성될 수도 있다. 프로비저닝 절차 (776) 가 완료하는 것에 응답하여, 인증 컴포넌트 (754) 는 비인증된 세션 (764) 을 해제하기 위하여 접속 해제 메시지를 제 2 네트워크 엔티티 (706) 로 송신할 수도 있다.추가적인 양태에서, MME 프로비저닝 컴포넌트 (750) 는, 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 에 적어도 부분적으로 기초하여 UE (702) 에 연결하도록 구성될 수도 있는 연결 컴포넌트 (760) 를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 일단 비인증된 세션 (764) 이 인증 컴포넌트 (754) 에 의해 해제되면, 연결 컴포넌트 (760) 는 UE (702) 가 제 2 네트워크 (710) 에 대한 무제한 액세스를 가지도록, 새롭게 취득된 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 이용하여 UE (702) 에 연결하도록 구성될 수도 있다.또한, MME 프로비저닝 컴포넌트 (750) 는, 업링크 및 다운링크 통신을 허용하거나, 또는 이와 다르게 가능하게 하도록 구성될 수도 있는 통신 컴포넌트 (762) 를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 통신 컴포넌트 (762) 는 MME 프로비저닝 컴포넌트 (750) 및/또는 그 하나 이상의 컴포넌트들 (예컨대, 컴포넌트들 (752, 754, 756, 758, 및 750)) 로 그리고 이들로부터 메시지들을 통신하도록 구성될 수도 있다.도 8 내지 도 11 을 참조하면, 방법들은 설명의 간략화의 목적들을 위하여 일련의 행위 (act) 들로서 도시되고 설명되어 있다. 그러나, 일부의 행위들은 하나 이상의 양태들에 따라, 본원에서 도시되고 설명된 것과는 상이한 순서들로 및/또는 다른 행위들과 동시에 발생할 수도 있으므로, 방법들 (및 그것에 관련된 추가의 방법들) 은 행위들의 순서에 의해 한정되지 않는다는 것을 이해하고 인식해야 한다. 예를 들어, 방법들은 상태 도면에서와 같이, 일련의 상호관련된 상태들 또는 이벤트들로서 대안적으로 표현될 수도 있다는 것을 인식해야 한다. 또한, 모든 예시된 행위들은 본원에서 설명된 하나 이상의 특징들에 따라 방법을 구현하도록 요구되는 것은 아닐 수도 있다.도 8 을 참조하면, 임의적인 양태에서, MME (112; 도 7) 와 같은 MME 는 데이터 평면 상에서의 네트워크 (예컨대, 네트워크 (710)) 에 대한 액세스로 UE (예컨대, UE (702)) 의 인라인 프로비저닝을 수행하기 위한 방법 (800) 의 하나의 양태를 수행할 수도 있다.블록 (802) 에서, 방법 (800) 은 UE 로부터 수신된 프로비저닝 요청 메시지가 경합 기반 라디오 주파수 대역을 이용하는 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 획득하기 위한 요청을 포함하는 것으로 결정하는 것을 포함한다. 예를 들어, 본원에서 설명된 바와 같이, MME 프로비저닝 컴포넌트 (750; 도 7) 는 UE (예컨대, UE (702)) 로부터 수신된 프로비저닝 요청 메시지 (770) 가 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 를 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 획득하기 위한 요청을 포함하는 것으로 결정하기 위하여 협상 컴포넌트 (756) 를 실행할 수도 있다. 일부의 사례들에서, 프로비저닝 요청 메시지 (770) 를 송신하기 전에, UE (702) 는 프로비저닝 절차 (776), PPT, 및 PPT 파라미터들에 대한 요청을 표시하는 라디오 자원 제어 (RRC) 접속을 확립할 수도 있다. 어떤 사례들에서, 프로비저닝 요청 메시지 (770) 는 프로비저닝 절차 (776), PPT, 및 PPT 파라미터들에 대한 요청을 포함할 수도 있다. 프로비저닝 요청 메시지 (770) 는 (예컨대, NAS 메시지로서) 일반 비-액세스 스트라텀 (NAS) 전송을 이용하여 송신될 수도 있다.또한, 블록 (804) 에서, 방법 (800) 은 UE 가 요청에 기초하여 UE 를 위한 네트워크에 대한 한정된 액세스를 승인하기 위한 하나 이상의 일반적인 인증 절차들을 연기하는 것을 허용하는 것을 포함한다. 예를 들어, 본원에서 설명된 바와 같이, MME 프로비저닝 컴포넌트 (750; 도 7) 는 UE (702) 가 요청 (예컨대, 제 2 네트워크 (710) 를 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 획득하기 위한 요청) 에 기초하여 UE (702) 를 위한 제 2 네트워크 (710) 에 대한 한정된 액세스를 승인하기 위한 하나 이상의 일반적인 인증 절차들을 연기하는 것을 허용하기 위하여 인증 컴포넌트 (754) 를 실행할 수도 있다.블록 (806) 에서, 방법 (800) 은 프로비저닝 요청 메시지를 등록 엔티티로 송신하는 것을 포함한다. 예를 들어, 본원에서 설명된 바와 같이, MME 프로비저닝 컴포넌트 (750; 도 7) 는 프로비저닝 요청 메시지 (770) 를 등록 엔티티 (예컨대, 도 1 의 레지스트라 (124)) 로 송신하기 위하여 통신 컴포넌트 (762) 를 실행할 수도 있다. 일부의 사례들에서, 정확한 등록 엔티티는 프로비저닝 요청 메시지 (770) 의 일부로서 제공된 PPT 에 기초하여 선택된다.블록 (808) 에서, 방법 (800) 은 등록 엔티티가 프로비저닝 절차를 확립하기 위한 요청을 수락하는 것에 응답하여 프로비저닝 수락 메시지를 수신하는 것을 포함한다. 예를 들어, 본원에서 설명된 바와 같이, MME 프로비저닝 컴포넌트 (750; 도 7) 는 등록 엔티티 (예컨대, 도 1 의 레지스트라 (124)) 가 프로비저닝 절차 (776) 를 확립하기 위한 요청을 수락하는 것에 응답하여 프로비저닝 수락 메시지 (774) 를 수신하기 위하여 통신 컴포넌트 (762) 를 실행할 수도 있다. 일부의 사례들에서, 등록 엔티티는 프로비저닝 절차 (776) 를 확립하기 위한 요청을 수락하는 것으로 결정한다. 어떤 사례들에서, 등록 엔티티는 PPT 및 PPT 파라미터들에 기초하여 프로비저닝 절차 (776) 를 확립하기 위한 요청을 수락하는 것으로 결정한다.추가적인 양태들에서, MME 프로비저닝 컴포넌트 (750; 도 7) 는 프로비저닝 수락 메시지 (774) 를 UE (702) 및/또는 UE 프로비저닝 컴포넌트 (720) 로 포워딩하기 위하여 통신 컴포넌트 (762) 를 실행할 수도 있다. 일부의 사례들에서, 프로비저닝 수락 메시지는 (774) 는 (예컨대, NAS 메시지로서) 일반 NAS 전송을 이용하여 NAS 상에서 전송될 수도 있다. 또한, UE (702) 및/또는 MME (112) 는 PDN 접속이 요구되는지 여부를 결정할 수도 있고, 그러할 경우, PDN 접속성 절차는 UE (702) 와 게이트웨이 (예컨대, 도 1 의 서빙 게이트웨이 (116) 및/또는 PDN 게이트웨이 (118)) 사이의 접속을 확립하도록 수행된다. 그 후에, 프로비저닝 절차 (776) 는 UE (702) 와 등록 엔티티 (예컨대, 도 1 의 레지스트라 (124)) 사이에서 수행될 수도 있다. 일단 완료되었다면, RRC 접속이 해제되고, UE (702) 는 프로비저닝 절차 (776) 동안에 획득된 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 이용하여 MME (112) 및/또는 연결 컴포넌트 (760) 와 연결 절차를 개시하기 위하여 연결 컴포넌트 (730) 를 실행할 수도 있다.도 9 를 참조하면, 추가적인 및/또는 동작 양태에서, MME (112; 도 7) 와 같은 MME 는 제어 평면 상에서의 네트워크 (예컨대, 네트워크 (710)) 에 대한 액세스로 UE (예컨대, UE (702)) 의 인라인 프로비저닝을 수행하기 위한 방법 (900) 의 하나의 양태를 수행할 수도 있다.양태에서는, 블록 (902) 에서, 방법 (900) 이 사용자 장비 (UE) 로부터 프로비저닝 요청 메시지를 수신하는 것을 포함한다. 예를 들어, 본원에서 설명된 바와 같이, MME 프로비저닝 컴포넌트 (750; 도 7) 는 UE (예컨대, UE (702)) 로부터 프로비저닝 요청 메시지 (770) 를 수신하기 위하여 협상 컴포넌트 (756) 를 실행할 수도 있다. 일부의 사례들에서, 프로비저닝 요청 메시지 (770) 는 MME (112) 로부터 등록 엔티티 (예컨대, 도 1 의 레지스트라 (124)) 로 포워딩될 수도 있다. 일부의 사례들에서, 프로비저닝 요청 메시지는 (770) 는 (예컨대, NAS 메시지로서) 일반 NAS 전송을 이용하여 NAS 상에서 전송될 수도 있다.블록 (904) 에서, 방법 (900) 은 프로비저닝 요청 메시지가 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 획득하기 위한 프로비저닝 절차를 확립하기 위한 요청을 포함하는 것으로 결정하는 것을 포함한다. 예를 들어, 본원에서 설명된 바와 같이, MME 프로비저닝 컴포넌트 (750; 도 7) 는, 프로비저닝 요청 메시지 (770) 가 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 를 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 획득하기 위한 프로비저닝 절차 (776) 를 확립하기 위한 요청을 포함하는 것으로 결정하기 위하여 협상 컴포넌트 (756) 를 실행할 수도 있다. 일부의 사례들에서, 요청은 경합 기반 라디오 주파수 대역을 이용하는 네트워크에 액세스하기 위한 요청일 수도 있다.또한, 블록 (906) 에서, 방법 (900) 은 프로비저닝 요청이 네트워크에 액세스하기 위하여 UE 의 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 프로비저닝하기 위한 것으로 결정하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 UE 와 비인증된 세션을 확립하는 것을 포함한다. 예를 들어, 본원에서 설명된 바와 같이, MME 프로비저닝 컴포넌트 (750; 도 7) 는 프로비저닝 요청이 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 를 액세스하기 위하여 UE (예컨대, UE (702)) 의 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 프로비저닝하기 위한 것인 것으로 결정하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여, UE 와 비인증된 세션 (764) 을 확립하기 위하여 절차 컴포넌트 (758) 를 실행할 수도 있다. 양태에서, 비인증된 세션 (764) 은 UE 의 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 프로비저닝하기 위한 NAS 시그널링을 통한 EAP 세션을 포함한다. 어떤 사례들에서, MME (112) 는, EAP 세션을 확립하기 위한 EAP-오버 로컬 액세스 네트워크 (EAPOL) 시작 요청을 포함하는 제 1 일반 비-액세스 스트라텀 전송 (GNT) 메시지를 수신하고; UE (702) 의 하나 이상의 식별번호 파라미터들에 대한 요청을 포함하는 제 2 GNT 메시지를 송신하고; 제 2 GNT 메시지를 송신하는 것에 응답하여 하나 이상의 식별번호 파라미터들을 포함하는 제 3 GNT 메시지를 수신하고; 그리고 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 획득하기 위한 프로비저닝 절차 (776) 를 시작하기 위한 표시를 포함하는 제 4 GNT 메시지를 송신하기 위하여, UE (702) 와 통신하도록 절차 컴포넌트 (758) 를 실행할 수도 있다. 그 결과, MME (112) 는 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하기 위하여 절차 컴포넌트 (758) 를 실행할 수도 있고, 프로비저닝 절차 (776) 는 EAP, WiFi 보호된 설정 (WPS), 및 WiFi 보호된 액세스 (WPA) 중의 적어도 하나를 이용하여 수행된다. 또한, MME (112) 는, 하나 이상의 이벤트 메시지들을 등록 엔티티 (예컨대, 도 1 의 레지스트라 (124)) 로 송신하고; 그리고 등록 엔티티로부터 하나 이상의 대응하는 응답 메시지들을 수신하기 위하여 통신 컴포넌트 (762) 를 실행할 수도 있다. 프로비저닝 절차 (776) 의 결과로서, MME (112) 는 UE (702) 가 프로비저닝 절차 (776) 를 완료하는 것에 응답하여 등록 엔티티로부터 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 수신하기 위하여 통신 컴포넌트 (762) 를 실행할 수도 있다. MME (112) 및/또는 협상 컴포넌트 (756) 는 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 저장할 수도 있고; 그리고 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 UE (702) 로 송신할 수도 있다. 이와 같이, MME (112) 는 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 에 적어도 부분적으로 기초하여 UE (702) 에 연결하기 위하여 연결 컴포넌트 (760) 를 실행할 수도 있고, UE (702) 는 하나 이상의 네트워크 제한들 없이 네트워크 (예컨대, 네트워크 (710)) 에 연결된다. 도 10 에서는, 추가적인 및/또는 대안적인 동작 양태에서, UE (702; 도 7) 와 같은 UE 는 네트워크 (예컨대, 네트워크 (710)) 를 액세스하기 위하여 인라인 프로비저닝을 수행하기 위한 방법 (1000) 의 하나의 양태를 수행할 수도 있다.양태에서는, 블록 (1002) 에서, 방법 (1000) 이 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하는 것을 포함한다. 예를 들어, 본원에서 설명된 바와 같이, UE 프로비저닝 컴포넌트 (720; 도 7) 는 제 1 네트워크 엔티티 (예컨대, 제 1 네트워크 엔티티 (704)) 와 비인증된 세션 (764) 을 확립하기 위하여 인증 컴포넌트 (724) 를 실행할 수도 있다. 양태에서, 비인증된 세션 (764) 은 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 를 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 획득하기 위한 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하기 위하여 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 에 일시적인 액세스를 제공한다.블록 (1004) 에서, 방법 (1000) 은 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하는 것에 응답하여 네트워크의 제 2 네트워크 엔티티와 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들을 협상하는 것을 포함한다. 예를 들어, 본원에서 설명된 바와 같이, UE 프로비저닝 컴포넌트 (720; 도 7) 는 제 1 네트워크 엔티티 (예컨대, 제 1 네트워크 엔티티 (704)) 와 비인증된 세션 (764) 을 확립하는 것에 응답하여, 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 의 제 2 네트워크 엔티티 (예컨대, MME (112)) 와 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) 을 협상하기 위하여 협상 컴포넌트 (726) 를 실행할 수도 있다. 일부의 사례들에서, 프로비저닝 파라미터들 (768) 은 PPT 및 PPT 파라미터들을 포함할 수도 있다.일부의 양태들에서, 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) 을 협상하는 것은 협상 컴포넌트 (726) 가 프로비저닝 요청을 제 2 네트워크 엔티티 (예컨대, MME (112)) 로 송신하는 것을 포함하고, 프로비저닝 요청은 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 를 위한 프로비저닝 절차 (776) 를 확립하기 위한 요청을 포함한다. 추가적으로, 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) 을 협상하는 것은 제 2 네트워크 엔티티 (예컨대, MME (112)) 가 프로비저닝 요청을 수락하는 것에 응답하여, 협상 컴포넌트 (726) 가 프로비저닝 수락 메시지 (774) 를 수신하는 것을 포함한다.또한, 블록 (1006) 에서, 방법 (1000) 은 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들에 적어도 부분적으로 기초하여 프로비저닝 절차를 수행하는 것을 포함한다. 예를 들어, 본원에서 설명된 바와 같이, UE 프로비저닝 컴포넌트 (720; 도 7) 는 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) 에 적어도 부분적으로 기초하여 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하기 위하여 절차 컴포넌트 (728) 를 실행할 수도 있다.블록 (1008) 에서, 방법 (1000) 은 프로비저닝 절차를 수행하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 수신하는 것을 임의적으로 포함할 수도 있다. 예를 들어, 본원에서 설명된 바와 같이, UE 프로비저닝 컴포넌트 (720; 도 7) 는 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 수신하기 위하여 절차 컴포넌트 (728) 및/또는 통신 컴포넌트 (732) 를 실행할 수도 있다.블록 (1010) 에서, 방법 (1000) 은 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들에 적어도 부분적으로 기초하여 네트워크 엔티티와 연결하는 것을 임의적으로 포함할 수도 있다. 예를 들어, 본원에서 설명된 바와 같이, UE 프로비저닝 컴포넌트 (720; 도 7) 는 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 에 적어도 부분적으로 기초하여 제 2 네트워크 엔티티 (예컨대, MME (112)) 와 연결하기 위하여 연결 컴포넌트 (730) 를 실행할 수도 있다. 이와 같이, 제 2 네트워크 엔티티 (예컨대, MME (112)) 는 네트워크 (예컨대, 네트워크 (710)) 에 무제한 액세스를 제공한다.도 11 을 참조하면, 추가적인 및/또는 대안적인 동작 양태에서, UE (702; 도 7) 와 같은 UE 는 상이한 네트워크 (예컨대, 네트워크 (708)) 를 통해 프로비저닝함으로써 네트워크 (예컨대, 네트워크 (710)) 를 액세스하기 위하여 오프라인 프로비저닝을 수행하기 위한 방법 (1100) 의 하나의 양태를 수행할 수도 있다.양태에서는, 블록 (1102) 에서, 방법 (1100) 이 제 1 네트워크의 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하는 것을 포함한다. 예를 들어, 본원에서 설명된 바와 같이, UE 프로비저닝 컴포넌트 (720; 도 7) 는 제 1 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 의 제 1 네트워크 엔티티 (예컨대, 제 2 네트워크 엔티티 (706)) 와 비인증된 세션 (764) 을 확립하기 위하여 인증 컴포넌트 (724) 를 실행할 수도 있다. 일부의 양태들에서, 비인증된 세션 (764) 은 제 1 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 를 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 획득하기 위한 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하기 위하여 제 1 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 에 일시적인 액세스를 제공한다.블록 (1104) 에서, 방법 (1100) 은 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션을 확립하는 것에 응답하여 제 1 네트워크의 제 2 네트워크 엔티티와 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들을 협상하는 것을 포함한다. 예를 들어, 본원에서 설명된 바와 같이, UE 프로비저닝 컴포넌트 (720; 도 7) 는 제 1 네트워크 엔티티 (예컨대, 제 2 네트워크 엔티티 (706)) 와 비인증된 세션 (764) 을 확립하는 것에 응답하여, 제 1 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 의 제 2 네트워크 엔티티 (예컨대, MME (112)) 와 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) 을 협상하기 위하여 협상 컴포넌트 (726) 를 실행할 수도 있다.일부의 양태들에서, 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) 을 협상하는 것은 협상 컴포넌트 (726) 가 프로비저닝 요청 메시지 (770) 를 제 2 네트워크 엔티티 (예컨대, MME (112)) 로 송신하는 것을 포함하고, 프로비저닝 요청은 제 1 네트워크 (예컨대, 제 2 네트워크 (710)) 를 위한 프로비저닝 절차 (776) 를 확립하기 위한 요청을 포함한다. 추가적으로, 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) 을 협상하는 것은 제 2 네트워크 엔티티 (예컨대, MME (112)) 가 프로비저닝 요청을 수락하는 것에 응답하여, 협상 컴포넌트 (726) 가 프로비저닝 수락 메시지 (774) 를 수신하는 것을 포함한다.또한, 블록 (1106) 에서, 방법 (1100) 은 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들을 협상하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 제 2 네트워크 엔티티로부터 하나 이상의 오프라인 프로비저닝 파라미터들을 수신하는 것을 포함한다. 예를 들어, 본원에서 설명된 바와 같이, UE 프로비저닝 컴포넌트 (720; 도 7) 는 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) 을 협상하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 제 2 네트워크 엔티티 (예컨대, MME (112)) 로부터 하나 이상의 오프라인 프로비저닝 파라미터들 (780) 을 수신하기 위하여 협상 컴포넌트 (726) 을 실행할 수도 있다.블록 (1108) 에서, 방법 (1100) 은 하나 이상의 오프라인 프로비저닝 파라미터들을 수신하는 것에 응답하여 제 1 네트워크 엔티티와의 비인증된 세션을 해제하는 것을 포함한다. 예를 들어, 본원에서 설명된 바와 같이, UE 프로비저닝 컴포넌트 (720; 도 7) 는 하나 이상의 오프라인 프로비저닝 파라미터들 (780) 을 수신하는 것에 응답하여 제 1 네트워크 엔티티 (예컨대, 제 2 네트워크 엔티티 (706)) 와의 비인증된 세션 (764) 을 해제하기 위하여 비인증된 컴포넌트 (724) 를 실행할 수도 있다.일부의 양태들에서는, 블록 (1110) 에서, 방법 (1100) 이 제 2 네트워크의 제 3 네트워크 엔티티와의 오프라인 프로비저닝을 수행하는 것을 포함한다. 예를 들어, 본원에서 설명된 바와 같이, UE 프로비저닝 컴포넌트 (720; 도 7) 는 제 2 네트워크 (예컨대, 제 1 네트워크 (708)) 의 제 3 네트워크 엔티티 (예컨대, 네트워크 엔티티 (704)) 와의 오프라인 프로비저닝을 수행하기 위하여 절차 컴포넌트 (728) 를 실행할 수도 있다.도 12 는 프로세싱 시스템 (1216) 을 채용하는 장치 (1202/1202') 를 위한 하드웨어 구현의 예를 예시하는 도면 (1200) 이다. 프로세싱 시스템 (1216) 은 버스 (1224) 에 의해 일반적으로 표현된 버스 아키텍처로 구현될 수도 있다. 버스 (1224) 는 프로세싱 시스템 (1216) 의 특정 애플리케이션 및 전체적인 설계 제약들에 따라 임의의 수의 상호접속하는 버스들 및 브릿지들을 포함할 수도 있다. 버스 (1224) 는 프로세서 (1203), 모듈들 (1204, 1206, 1208, 1210, 1212, 1214), 및 컴퓨터-판독가능 매체 (1222) 에 의해 표현된 하나 이상의 프로세서들 및/또는 하드웨어 모듈들을 포함하는 다양한 회로들을 함께 연결한다. 버스 (1224) 는 또한, 당해 분야에서 잘 알려져 있고, 그러므로, 더 이상 설명되지 않을 타이밍 소스들, 주변기기들, 전압 레귤레이터들, 및 전력 관리 회로들과 같은 다양한 다른 회로들을 연결할 수도 있다.프로세싱 시스템 (1216) 은 트랜시버 (1209) 에 결합될 수도 있다. 트랜시버 (1209) 는 하나 이상의 안테나들 (1220) 에 결합된다. 트랜시버 (1209) 는 송신 매체 상에서 다양한 다른 장치와 통신하기 위한 수단을 제공한다. 프로세싱 시스템 (1216) 은 컴퓨터-판독가능 매체 (1222) 에 결합된 프로세서 (1203) 를 포함한다. 프로세서 (1203) 는 컴퓨터-판독가능 매체 (1222) 상에 저장된 소프트웨어의 실행을 포함하는 일반적인 프로세싱을 담당한다. 소프트웨어는 프로세서 (1203) 에 의해 실행될 때, 프로세싱 시스템 (1216) 으로 하여금 임의의 특정한 장치에 대해 위에서 설명된 다양한 기능들을 수행하게 한다. 컴퓨터-판독가능 매체 (1222) 는 또한, 소프트웨어를 실행할 때에 프로세서 (1203) 에 의해 조작되는 데이터를 저장하기 위하여 이용될 수도 있다. 프로세싱 시스템은 모듈들 (1204, 1206, 1208, 1210, 1212, 1214) 중의 적어도 하나를 더 포함한다. 모듈들은 프로세서 (1203) 에서 실행되는 소프트웨어 모듈들일 수도 있거나, 컴퓨터-판독가능 매체 (1222) 에서 상주/저장될 수도 있거나, 프로세서 (1203) 에 결합된 하나 이상의 하드웨어 모듈들일 수도 있거나, 또는 그 일부의 조합일 수도 있다. (발명이 eNB 에서 존재할 경우에 포함) 프로세싱 시스템 (1216) 은 eNB (610) 의 컴포넌트일 수도 있고, 메모리 (676) 및/또는, TX 프로세서 (616), RX 프로세서 (670), 및 제어기/프로세서 (675) 중의 적어도 하나를 포함할 수도 있다. (발명이 UE 에서 존재할 경우에 포함) 프로세싱 시스템 (1216) 은 UE (650) 의 컴포넌트일 수도 있고, 메모리 (660) 및/또는, TX 프로세서 (668), RX 프로세서 (656), 및 제어기/프로세서 (659) 중의 적어도 하나를 포함할 수도 있다.하나의 구성에서, 무선 통신을 위한 장치 (1202') 는, 사용자 장비 (UE) 로부터 수신된 프로비저닝 요청 메시지 (770) 가 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 획득하기 위한 요청을 포함하는 것으로 결정하기 위한 수단; UE 가 요청에 기초하여 UE 를 위한 네트워크에 대한 한정된 액세스를 승인하기 위한 하나 이상의 일반적인 인증 절차들을 연기하는 것을 허용하기 위한 수단; 프로비저닝 요청 메시지 (770) 를 등록 엔티티로 송신하기 위한 수단; 및 등록 엔티티가 프로비저닝 절차 (776) 를 확립하기 위한 요청을 수락하는 것에 응답하여 프로비저닝 수락 메시지 (774) 를 수신하기 위한 수단을 포함한다. 또한, 무선 통신을 위한 장치 (1202') 는, 사용자 장비 (UE) 로부터 프로비저닝 요청 메시지 (770) 를 수신하기 위한 수단; 프로비저닝 요청 메시지 (770) 가 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 획득하기 위한 프로비저닝 절차 (776) 를 확립하기 위한 요청을 포함하는 것으로 결정하기 위한 수단; 및 프로비저닝 요청이 네트워크에 액세스하기 위하여 UE 의 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 프로비저닝하기 위한 것으로 결정하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여, UE 와 비인증된 세션 (764) 을 확립하기 위한 수단으로서, 비인증된 세션 (764) 은 UE 의 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 프로비저닝하기 위한 NAS 시그널링을 통한 확장가능 인증 프로토콜 (EAP) 세션을 포함하는, 상기 UE 와 비인증된 세션 (764) 을 확립하기 위한 수단을 포함한다. 상기 언급된 수단은 상기 언급된 수단에 의해 열거된 기능들을 수행하도록 구성된 장치 (1202') 의 상기 언급된 모듈들 및/또는 장치 (1202') 의 프로세싱 시스템 (1216) 중의 하나 이상일 수도 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 프로세싱 시스템 (1216) 은 TX 프로세서 (616), RX 프로세서 (670), 및 제어기/프로세서 (675) 를 포함할 수도 있다. 이와 같이, 하나의 구성에서, 상기 언급된 수단은 상기 언급된 수단에 의해 열거된 기능들을 수행하도록 구성된 TX 프로세서 (616), RX 프로세서 (670), 및 제어기/프로세서 (675) 일 수도 있다.하나의 구성에서, 무선 통신을 위한 장치 (1202) 는, 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션 (764) 을 확립하기 위한 수단으로서, 비인증된 세션 (764) 은 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 획득하기 위한 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하기 위하여 네트워크에 일시적인 액세스를 제공하는, 상기 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션 (764) 을 확립하기 위한 수단; 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션 (764) 을 확립하는 것에 응답하여 네트워크의 제 2 네트워크 엔티티와 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) 을 협상하기 위한 수단; 및 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) 에 적어도 부분적으로 기초하여 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하기 위한 수단을 포함한다. 또한, 무선 통신을 위한 장치 (1202) 는, 제 1 네트워크의 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션 (764) 을 확립하기 위한 수단으로서, 비인증된 세션 (764) 은 제 1 네트워크에 액세스하기 위하여 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 획득하기 위한 프로비저닝 절차 (776) 를 수행하기 위하여 제 1 네트워크에 일시적인 액세스를 제공하는, 상기 제 1 네트워크의 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션 (764) 을 확립하기 위한 수단; 제 1 네트워크 엔티티와 비인증된 세션 (764) 을 확립하는 것에 응답하여 제 1 네트워크의 제 2 네트워크 엔티티와 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) 을 협상하기 위한 수단; 하나 이상의 프로비저닝 파라미터들 (768) 을 협상하는 것에 적어도 부분적으로 기초하여 제 2 네트워크 엔티티로부터 하나 이상의 오프라인 프로비저닝 파라미터들 (780) 을 수신하기 위한 수단; 하나 이상의 오프라인 프로비저닝 파라미터들 (780) 을 수신하는 것에 응답하여 제 1 네트워크 엔티티와의 비인증된 세션 (764) 을 해제하기 위한 수단; 및 제 2 네트워크의 제 3 네트워크 엔티티와의 오프라인 프로비저닝을 수행하기 위한 수단으로서, 오프라인 프로비저닝은 제 1 네트워크에 보안 액세스를 제공하기 위한 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 을 수신하는 것을 포함하고, 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들 (772) 은 제 1 네트워크에 무제한 액세스를 제공하는, 상기 제 2 네트워크의 제 3 네트워크 엔티티와의 오프라인 프로비저닝을 수행하기 위한 수단을 포함한다. 상기 언급된 수단은 상기 언급된 수단에 의해 열거된 기능들을 수행하도록 구성된 장치 (1202) 의 상기 언급된 모듈들 및/또는 장치 (1202) 의 프로세싱 시스템 (1216) 중의 하나 이상일 수도 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 프로세싱 시스템 (1216) 은 TX 프로세서 (668), RX 프로세서 (656), 및 제어기/프로세서 (659) 를 포함할 수도 있다. 이와 같이, 하나의 구성에서, 상기 언급된 수단은 상기 언급된 수단에 의해 열거된 기능들을 수행하도록 구성된 TX 프로세서 (668), RX 프로세서 (656), 및 제어기/프로세서 (659) 일 수도 있다.개시된 프로세스들에서의 단계들의 특정 순서 또는 계층구조는 예시적인 접근법들의 예시라는 것이 이해된다. 설계 선호도들에 기초하여, 프로세스들에서의 단계들의 특정 순서 또는 계층구조는 재배열될 수도 있다는 것이 이해된다. 또한, 일부의 단계들은 조합되거나 생략될 수도 있다. 첨부한 방법 청구항들은 샘플 순서에서 다양한 단계들의 엘리먼트들을 제시하고, 제시된 특정 순서 또는 계층구조로 한정되도록 의도된 것은 아니다.이전의 설명은 당해 분야의 임의의 당업자가 본원에서 설명된 다양한 양태들을 실시하는 것을 가능하게 하도록 제공된다. 이 양태들에 대한 다양한 수정들은 당해 분야의 당업자들에게 용이하게 명백할 것이고, 본원에서 정의된 일반적인 원리들은 다른 양태들에 적용될 수도 있다. 이에 따라, 청구항들은 본원에서 도시된 양태들로 한정되도록 의도된 것이 아니라, 문언적 청구항들과 일치하는 전체 범위를 따르도록 한 것이고, 단수인 엘리먼트에 대한 참조는 그렇게 특별히 기재되지 않으면 "하나 그리고 오직 하나" 를 의미하도록 의도된 것이 아니라, 오히려 "하나 이상" 을 의미하도록 의도된 것이다. 이와 다르게 구체적으로 기재되지 않으면, 용어 "일부" 는 하나 이상을 지칭한다. 당해 분야의 당업자들에게 알려져 있거나 추후의 알려지게 되는 이 개시물의 전반에 걸쳐 설명된 다양한 양태들의 엘리먼트들에 대한 모든 구조적 그리고 기능적 등가물들은 참조를 위해 본원에 분명하게 편입되고, 청구항들에 의해 망라되도록 의도된다. 또한, 본원에서 개시된 어떤 것도 이러한 개시물이 청구항들에서 명시적으로 열거되는지 여부에 관계없이 공중에게 헌정되도록 의도된 것은 아니다. 청구항 엘리먼트는 엘리먼트가 어구 "~ 위한 수단" 을 이용하여 분명하게 열거되지 않으면 기능식 (means plus function) 으로서 해석되지 않아야 한다.	네트워크 전개들을 위한 크리덴셜들의 프로비저닝이 제공되는 무선 통신을 위한 방법, 장치, 및 컴퓨터 프로그램 제품. 이와 같이, 방법, 장치, 및 컴퓨터 프로그램 제품은 네트워크 (예컨대, 경합 기반 라디오 주파수 대역에서의 롱텀 에볼루션 (LTE) 어드밴스드 네트워크와 같이, 경합 기반 주파수 대역을 이용하는 네트워크) 에 대한 액세스를 제공하기 위하여, UE 가 임의의 유효한 보안 크리덴셜들을 가지지 않더라도 사용자 장비 (UE) 를 프로비저닝할 수도 있다. 따라서, 일부의 양태들에서, 본 방법, 장치, 및 컴퓨터 프로그램 제품은 UE 가 하나 이상의 보안 크리덴셜 파라미터들을 획득하기 위하여 하나 이상의 네트워크 엔티티들과 프로비저닝 절차를 수행하는 것을 가능하게 할 수도 있다.
[ 발명의 명칭 ] 반도체 장치SEMICONDUCTOR DEVICE [ 기술분야 ] (관련 출원의 상호 참조) 본 출원은 2013년 12월 17일에 출원된 일본 특허출원 특원 2013-260292 의 관련 출원이고, 이 일본 특허출원에 기초하는 우선권을 주장하는 것으로서, 이 일본 특허출원에 기재된 모든 내용을, 본 명세서를 구성하는 것으로 하여 원용한다.본 명세서가 개시하는 기술은 반도체 장치에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 일본 공개특허공보 2011-216825호 (이하, 특허문헌 1 이라고 한다) 에는, 다이오드 영역과 IGBT 영역을 갖는 반도체 장치가 개시되어 있다. 이 반도체 장치의 드리프트 영역에는 라이프 타임 제어 영역이 형성되어 있다. 라이프 타임 제어 영역은 주위보다 결정 결함 농도가 높은 영역으로서, 드리프트 영역 내의 캐리어의 재결합을 촉진한다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 특허문헌 1 의 반도체 장치에서는, 애노드 영역과 보디 영역 사이에 저농도의 n 형 영역이나, 깊은 p 형 영역을 형성함으로써, 이들 영역을 분리하고 있다. 이 구조에서는, 애노드 영역과 보디 영역 사이의 간격을 넓게 하지 않으면, 2 개의 영역을 적절히 분리하지 못하여, 반도체 장치의 사이즈가 커진다는 문제가 발생된다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 명세서가 개시하는 반도체 장치는, 반도체 기판과, 반도체 기판의 상면에 형성되어 있는 상부 전극과, 반도체 기판의 하면에 형성되어 있는 하부 전극을 갖는다. 반도체 기판의 상면에 노출되는 범위에, 애노드 영역과 상부 IGBT 구조가 형성되어 있다. 애노드 영역은 상부 전극에 접속되어 있는 p 형 영역이다. 상부 IGBT 구조는, 상부 전극에 접속되어 있는 n 형의 에미터 영역과, 에미터 영역과 접하고 있고, 상부 전극에 접속되어 있는 p 형의 보디 영역을 갖고 있다. 반도체 기판의 상면에, 애노드 영역과 상부 IGBT 구조의 경계를 따라서 연장되는 트렌치가 형성되어 있고, 트렌치 내에 게이트 절연막과 게이트 전극이 배치되어 있다. 반도체 기판의 하면에 노출되는 범위에, 캐소드 영역과 컬렉터 영역이 형성되어 있다. 캐소드 영역은 하부 전극에 접속되어 있는 n 형 영역으로서, 애노드 영역의 하측 영역의 적어도 일부에 형성되어 있다. 컬렉터 영역은 하부 전극에 접속되어 있는 p 형 영역으로서, 상부 IGBT 구조의 하측 영역의 적어도 일부에 형성되어 있고, 캐소드 영역에 접하고 있다. 애노드 영역과 상부 IGBT 구조를 갖는 상면측 구조와, 캐소드 영역과 컬렉터 영역을 갖는 하면측 구조 사이에 n 형의 드리프트 영역이 형성되어 있다. 주위보다 결정 결함 농도가 높은 결정 결함 영역이, 컬렉터 영역의 상측의 드리프트 영역 내의 일부에 형성되도록, 캐소드 영역의 상측 드리프트 영역 내와 컬렉터 영역의 상측의 드리프트 영역 내에 걸쳐서 연장되어 있다. 반도체 기판의 두께를 x ㎛ 로 하고, 캐소드 영역의 상측의 드리프트 영역으로부터 컬렉터 영역의 상측의 드리프트 영역으로 돌출되어 있는 부분의 결정 결함 영역의 폭을 y ㎛ 로 했을 경우, y ≥ 0.007x2 － 1.09x ＋ 126 의 관계가 만족된다.이 반도체 장치에서는, 게이트 전극과 게이트 절연막을 갖는 트렌치 게이트 구조에 의해서, 애노드 영역과 상부 IGBT 구조가 분리되어 있다. 이로써, 특허문헌 1 보다 분리 부분의 폭을 작게 할 수 있다. 또, 이와 같이 트렌치 게이트 구조에 의한 분리 구조를 채용하면, 애노드 영역과 상부 IGBT 구조가 근접하기 때문에, 게이트 전위에 의해서 다이오드의 특성에 차가 발생되는 경우가 있다. 이에 대해서, 이하에 설명한다.트렌치 게이트 구조에 인접하는 위치에서는, 애노드 영역과 드리프트 영역에 의해서 pn 접합이 형성되어 있고, 보디 영역과 드리프트 영역에 의해서도 pn 접합이 형성되어 있다. 이하, 이들 pn 접합을 경계 근방의 pn 접합이라고 한다. 게이트 전위가 낮고, 보디 영역에 채널이 형성되어 있지 않은 상태에서는, 상부 전극이 플러스 전위로 되었을 때, 주요한 다이오드와 함께 경계 근방의 pn 접합이 온된다. 이 때문에, 다이오드의 순전압은 낮아진다. 이에 비해서, 게이트 전위가 높고, 보디 영역에 채널이 형성되어 있는 상태에서는, 경계 근방의 pn 접합에 있어서, 드리프트 영역의 전위가 상부 전극의 전위에 가까워진다. 이 때문에, 경계 근방의 pn 접합이 온되지 않고, 다이오드의 순전압이 높아진다. 이와 같이, 게이트 전위에 의해서 다이오드의 순전압이 변화된다.그러나, 본 명세서가 개시하는 상기 서술한 반도체 장치에서는, 이 문제가 발생되는 것이 억제되어 있다. 즉, 본 명세서가 개시하는 반도체 장치에서는, 주위보다 결정 결함 농도가 높은 결정 결함 영역이, 캐소드 영역의 상측 드리프트 영역 내와 컬렉터 영역의 상측의 드리프트 영역 내에 걸쳐서 연장되어 있다. 즉, 경계 근방의 pn 접합이 온되었을 때의 전류 경로에, 결정 결함 영역이 형성되어 있다. 결정 결함 영역은 캐리어의 재결합을 촉진한다. 이 때문에, 경계 근방의 pn 접합에 전류가 잘 흐르지 않는다. 이와 같이, 이 반도체 장치에서는, 경계 근방의 pn 접합에 전류가 잘 흐르지 않게 되어 있기 때문에, 경계 근방의 pn 접합이 온되는지의 여부에 의해서, 다이오드의 순전압이 영향을 잘 받지 않는다. 따라서, 이 반도체 장치에서는, 다이오드의 순전압이 안정되어 있다. 또, 이 반도체 장치에서는, 반도체 기판의 두께 x ㎛ 와 컬렉터 영역의 상측의 드리프트 영역으로 돌출되어 있는 부분의 결정 결함 영역의 폭 y ㎛ 가, y ≥ 0.007x2 － 1.09x ＋ 126 의 관계를 만족한다. 이와 같은 구성에 의하면, 컬렉터 영역의 상측의 드리프트 영역의 횡방향 전체에 결정 결함 영역을 형성한 경우와 동일한 정도의 효과 (다이오드의 순전압을 잘 변동시키지 않는 효과) 를 얻을 수 있다. 또, 컬렉터 영역의 상측의 드리프트 영역의 일부에만 결정 결함 영역이 형성되어 있기 때문에, 결정 결함에 의한 IGBT 의 온 전압의 상승 등도 그다지 발생되지 않는다. 이 때문에, IGBT 의 온 전압의 상승을 억제하면서, 다이오드의 순전압을 안정시킬 수 있다.결정 결함 영역은, 애노드 영역의 하측의 드리프트 영역의 횡방향 전체에 형성되어 있어도 된다. 또한, 「애노드 영역의 하측의 드리프트 영역의 횡방향 전체」란, 반도체 기판의 횡방향 (반도체 기판의 상면에 평행한 방향) 에 있어서의 전체를 의미한다. 따라서, 반도체 기판의 두께 방향에 있어서는, 결정 결함 영역이 형성되어 있는 범위가 부분적이어도 된다.애노드 영역은 캐소드 영역보다 상부 IGBT 구조측으로 돌출되어 있어도 된다. 또, 결정 결함 영역은 캐소드 영역의 상측 드리프트 영역 내로부터 상부 IGBT 구조의 하측의 드리프트 영역 내에 걸쳐서 연장되어 있어도 된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1 은 실시예 1 의 반도체 장치 (10) 의 종단면도.도 2 는 돌출량 y 와 변동량 ΔVF 의 관계를 나타내는 그래프.도 3 은 변동량 ΔVF 가 1 이 될 때의 반도체 기판 (12) 의 두께 x 와 돌출량 y 의 관계를 나타내는 그래프.도 4 는 실시예 2 의 반도체 장치 (200) 의 종단면도.도 5 는 실시예 3 의 반도체 장치 (300) 의 종단면도. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 실시예 1 도 1 에 나타내는 실시예의 반도체 장치 (10) 는, 반도체 기판 (12) 과 상부 전극 (14) 과, 하부 전극 (16) 을 갖고 있다. 반도체 기판 (12) 은 실리콘제의 기판이다. 상부 전극 (14) 은 반도체 기판 (12) 의 상면에 형성되어 있다. 하부 전극 (16) 은 반도체 기판 (12) 의 하면에 형성되어 있다.반도체 기판 (12) 은, 종형 (縱型) 의 IGBT 가 형성되어 있는 IGBT 영역 (20) 과, 종형의 다이오드가 형성되어 있는 다이오드 영역 (40) 을 갖고 있다.IGBT 영역 (20) 내의 반도체 기판 (12) 내에는, 에미터 영역 (22), 보디 영역 (24), 드리프트 영역 (26), 버퍼 영역 (28) 및 컬렉터 영역 (30) 이 형성되어 있다.에미터 영역 (22) 은 n 형 영역으로서, 반도체 기판 (12) 의 상면에 노출되는 범위에 형성되어 있다. 에미터 영역 (22) 은 상부 전극 (14) 에 대해서 오믹 접속되어 있다.보디 영역 (24) 은 p 형 영역으로서, 반도체 기판 (12) 의 상면에 노출되는 범위에 형성되어 있다. 보디 영역 (24) 은 에미터 영역 (22) 의 측방으로부터 에미터 영역 (22) 의 하측까지 연장되어 있다. 보디 영역 (24) 은 보디 콘택트 영역 (24a) 과, 저농도 보디 영역 (24b) 을 갖고 있다. 보디 콘택트 영역 (24a) 은 높은 p 형 불순물 농도를 갖고 있다. 보디 콘택트 영역 (24a) 은 반도체 기판 (12) 의 상면에 노출되는 범위에 형성되어 있고, 상부 전극 (14) 에 대해서 오믹 접속되어 있다. 저농도 보디 영역 (24b) 은 보디 콘택트 영역 (24a) 보다 낮은 p 형 불순물 농도를 갖고 있다. 저농도 보디 영역 (24b) 은 에미터 영역 (22) 과 보디 콘택트 영역 (24a) 의 하측에 형성되어 있다.드리프트 영역 (26) 은 n 형 영역으로서, 보디 영역 (24) 의 하측에 형성되어 있다. 드리프트 영역 (26) 은 보디 영역 (24) 에 의해서, 에미터 영역 (22) 으로부터 분리되어 있다. 드리프트 영역 (26) 의 n 형 불순물 농도는 낮다. 드리프트 영역 (26) 의 n 형 불순물 농도는 1 × 1014 atoms/㎤ 미만인 것이 바람직하다.버퍼 영역 (28) 은 n 형 영역으로서, 드리프트 영역 (26) 의 하측에 형성되어 있다. 버퍼 영역 (28) 의 n 형 불순물 농도는 드리프트 영역 (26) 보다 높다.컬렉터 영역 (30) 은 p 형 영역으로서, 버퍼 영역 (28) 의 하측에 형성되어 있다. 컬렉터 영역 (30) 은 반도체 기판 (12) 의 하면에 노출되는 범위에 형성되어 있다. 컬렉터 영역 (30) 은 하부 전극 (16) 에 대해서 오믹 접속되어 있다. 컬렉터 영역 (30) 은 드리프트 영역 (26) 및 버퍼 영역 (28) 에 의해서, 보디 영역 (24) 으로부터 분리되어 있다.IGBT 영역 (20) 내의 반도체 기판 (12) 의 상면에는, 복수의 트렌치가 형성되어 있다. 각 트렌치는 에미터 영역 (22) 에 인접하는 위치에 형성되어 있다. 각 트렌치는 드리프트 영역 (26) 에 이르는 깊이까지 연장되어 있다.IGBT 영역 (20) 내의 각 트렌치의 내면은 게이트 절연막 (32) 에 의해서 덮여 있다. 또, 각 트렌치 내에는 게이트 전극 (34) 이 배치되어 있다. 각 게이트 전극 (34) 은 게이트 절연막 (32) 에 의해서 반도체 기판 (12) 으로부터 절연되어 있다. 각 게이트 전극 (34) 은 게이트 절연막 (32) 을 개재하여, 에미터 영역 (22), 저농도 보디 영역 (24b) 및 드리프트 영역 (26) 과 대향하고 있다. 각 게이트 전극 (34) 의 상부에는 절연막 (36) 이 형성되어 있다. 각 게이트 전극 (34) 은 절연막 (36) 에 의해서 상부 전극 (14) 으로부터 절연되어 있다.또한, 상기 서술한 트렌치 중의 하나는, IGBT 영역 (20) 과 다이오드 영역 (40) 의 경계 (80) 를 따라서 연장되어 있다. 즉, 경계 (80) 를 따라서, 게이트 전극 (34) 과 게이트 절연막 (32) 을 갖는 트렌치 게이트 구조가 형성되어 있다. 이 트렌치 게이트 구조에 의해서, IGBT 영역 (20) (즉, 에미터 영역 (22) 과 보디 영역 (24)) 은 다이오드 영역 (40) (즉, 애노드 영역 (42)) 으로부터 분리되어 있다.다이오드 영역 (40) 내의 반도체 기판 (12) 내에는, 애노드 영역 (42), 드리프트 영역 (26), 버퍼 영역 (28) 및 캐소드 영역 (44) 이 형성되어 있다.애노드 영역 (42) 은 반도체 기판 (12) 의 상면에 노출되는 범위에 형성되어 있다. 애노드 영역 (42) 은 애노드 콘택트 영역 (42a) 과 저농도 애노드 영역 (42b) 을 갖고 있다. 애노드 콘택트 영역 (42a) 은 높은 p 형 불순물 농도를 갖고 있다. 애노드 콘택트 영역 (42a) 은 반도체 기판 (12) 의 상면에 노출되는 범위에 형성되어 있고, 상부 전극 (14) 에 대해서 오믹 접속되어 있다. 저농도 애노드 영역 (42b) 은 애노드 콘택트 영역 (42a) 보다 낮은 p 형 불순물 농도를 갖고 있다. 저농도 애노드 영역 (42b) 은 애노드 콘택트 영역 (42a) 의 측방 및 하측에 형성되어 있다. 또한, 영역 42a, 42b 는 p 형 불순물 농도가 대략 동등한 공통 영역이어도 된다. 또, 영역 42a 와 영역 24a 는 하나의 p 형 불순물 주입 공정에 의해서 형성되는 실질적으로 동 농도의 영역이어도 된다.애노드 영역 (42) 의 하측에는, 상기 서술한 드리프트 영역 (26) 이 형성되어 있다. 즉, 드리프트 영역 (26) 은 IGBT 영역 (20) 내에서 다이오드 영역 (40) 내까지 연속적으로 연장되어 있다.다이오드 영역 (40) 내의 드리프트 영역 (26) 의 하측에는, 상기 서술한 버퍼 영역 (28) 이 형성되어 있다. 즉, 버퍼 영역 (28) 은 IGBT 영역 (20) 내에서 다이오드 영역 (40) 내까지 연속적으로 연장되어 있다.캐소드 영역 (44) 은 n 형 영역으로서, 다이오드 영역 (40) 내의 버퍼 영역 (28) 의 하측에 형성되어 있다. 캐소드 영역 (44) 은 반도체 기판 (12) 의 하면에 노출되는 범위에 형성되어 있다. 캐소드 영역 (44) 은 버퍼 영역 (28) 보다 높은 n 형 불순물 농도를 갖고 있다. 캐소드 영역 (44) 의 n 형 불순물 농도는 1 × 1014 atoms/㎤ 이상인 것이 바람직하다. 캐소드 영역 (44) 은 하부 전극 (16) 에 대해서 오믹 접속되어 있다.IGBT 영역 (20) 내의 반도체 기판 (12) 의 상면에는, 복수의 트렌치가 형성되어 있다. 각 트렌치는 드리프트 영역 (26) 에 이르는 깊이까지 연장되어 있다.다이오드 영역 (40) 내의 각 트렌치의 내면은, 절연막 (46) 에 의해서 덮여 있다. 또, 각 트렌치 내에는 제어 전극 (48) 이 배치되어 있다. 각 제어 전극 (48) 은 절연막 (46) 에 의해서 반도체 기판 (12) 으로부터 절연되어 있다. 각 제어 전극 (48) 은, 절연막 (46) 을 개재하여, 애노드 영역 (42) 및 드리프트 영역 (26) 에 대향하고 있다. 각 제어 전극 (48) 의 상부에는 절연막 (50) 이 형성되어 있다. 각 제어 전극 (48) 은 절연막 (50) 에 의해서 상부 전극 (14) 으로부터 절연되어 있다.드리프트 영역 (26) 내에는 결정 결함 영역 (52) 이 형성되어 있다. 결정 결함 영역 (52) 은 그 외측의 드리프트 영역 (26) 에 비해서 결정 결함 농도가 높다. 결정 결함 영역 (52) 내의 결정 결함은, 반도체 기판 (12) 에 대해서 헬륨 이온 등의 하전 입자를 주입함으로써 형성된 것이다. 이와 같이 형성된 결정 결함은 캐리어의 재결합 중심으로서 작용한다. 이 때문에, 결정 결함 영역 (52) 내에서는, 결정 결함 영역 (52) 의 외측의 드리프트 영역 (26) 내에 비해서 캐리어 라이프 타임이 짧다. 결정 결함 영역 (52) 은 드리프트 영역 (26) 중 상면측의 범위에 주로 형성되어 있다. 또한, 다른 실시예에 있어서는, 결정 결함 영역이, 드리프트 영역 (26) 내의 별도의 깊이로 형성되어 있어도 된다. 또, 결정 결함 영역이 드리프트 영역 (26) 의 깊이 방향 전역에 형성되어 있어도 된다. 단, 결정 결함 영역은, 드리프트 영역 (26) 중 적어도 상면측 (애노드 영역 (42) 및 보디 영역 (24) 에 가까운 쪽) 의 범위에 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또, 반도체 기판 (12) 의 횡방향 (반도체 기판 (12) 의 상면에 평행한 방향) 에 있어서는, 결정 결함 영역 (52) 은 다이오드 영역 (40) 의 전역에 형성되어 있다. 또, 결정 결함 영역 (52) 의 일부는, 다이오드 영역 (40) 으로부터 IGBT 영역 (20) 으로 돌출되어 있다. 즉, 결정 결함 영역 (52) 은 다이오드 영역 (40) 내와 IGBT 영역 (20) 내에 걸쳐서 연장되어 있다. IGBT 영역 (20) 내에서는, 결정 결함 영역 (52) 은 다이오드 영역 (40) 에 가까운 범위에만 형성되어 있다.도 1 의 반도체 장치 (10) 는, 이하와 같이 하여 제조할 수 있다. 먼저, 드리프트 영역 (26) 과 대략 동등한 n 형 불순물 농도를 갖는 n 형의 반도체 기판을 준비한다. 먼저, 반도체 기판의 상면측에, 반도체 장치 (10) 의 상면측의 구조 (에미터 영역 (22), 보디 영역 (24), 애노드 영역 (42), 트렌치 게이트 구조, 상부 전극 (14) 등) 를 형성한다. 다음으로, 반도체 기판의 하면을 연마하여 반도체 기판을 얇게 한다. 다음으로, 반도체 기판의 하면 전체에 n 형 불순물 및 p 형 불순물을 주입하여, 버퍼 영역 (28) 과 컬렉터 영역 (30) 을 형성한다. 이 단계에서는, 다이오드 영역 (40) 내에도 컬렉터 영역 (30) 이 형성된다 (단, 다른 예에 있어서는, 컬렉터 영역 (30) 을 IGBT 영역 (20) 내에만 형성해도 된다). 다음으로, 다이오드 영역 (40) 내의 반도체 기판의 하면에 n 형 불순물을 주입함으로써, 캐소드 영역 (44) 를 형성한다. 다음으로, Al, Si 또는 레지스트 등의 마스크를 사용하여 범위를 선택하면서 반도체 기판의 하면에 헬륨 이온을 주입함으로써, 결정 결함 영역 (52) 을 형성한다 (또한, 다른 예에서는, 반도체 기판의 상면측으로부터 헬륨 이온을 주입하여 결정 결함 영역 (52) 을 형성해도 된다). 다음으로, 반도체 기판의 하면에 하부 전극 (16) 을 형성한다. 이로써, 도 1 의 반도체 장치 (10) 가 제조된다. 또한, 결정 결함 영역 (52) 의 형성은, 반도체 기판 (12) 의 하면을 연마하기 전에 행해도 된다.IGBT 영역 (20) 내의 IGBT 는, 일반적인 IGBT 와 동일하게 동작한다. 또한, 실시예 1 의 반도체 장치 (10) 에서는, IGBT 영역 (20) 내의 드리프트 영역 (26) 내에 결정 결함 영역 (52) 이 형성되어 있다. 일반적으로, IGBT 의 드리프트 영역에 결정 결함이 형성되어 있으면, IGBT 의 온 전압의 상승, 게이트 임계값의 저하 및 리크 전류의 증가 등의 문제가 발생된다. 그러나, 실시예 1 에서는, IGBT 영역 (20) 내의 결정 결함 영역 (52) 은, IGBT 영역 (20) 과 다이오드 영역 (40) 의 경계 (80) 근방에 부분적으로 형성되어 있을 뿐이기 때문에, 결정 결함 영역 (52) 에 의한 IGBT 의 특성에 미치는 영향은 매우 한정적이다. 따라서, 실시예 1 의 반도체 장치 (10) 에서는, 상기 문제를 억제할 수 있다.상부 전극 (14) 과 하부 전극 (16) 사이에 상부 전극 (14) 이 플러스로 되는 전압을 인가하면, 다이오드 영역 (40) 내의 다이오드가 온된다. 즉, 애노드 영역 (42) 에서 드리프트 영역 (26) 과 버퍼 영역 (28) 을 경유하여 캐소드 영역 (44) 으로 전류가 흐른다. 또, IGBT 영역 (20) 내에는, 보디 영역 (24) 과 드리프트 영역 (26) 의 경계의 pn 접합에 의해서, 기생 다이오드가 형성되어 있다. 다이오드 영역 (40) 내의 다이오드가 온되어 있는 상태에 있어서는, 기생 다이오드도 온된다. 따라서, 도 1 의 화살표 62 로 나타내는 바와 같이, IGBT 영역 (20) 과 다이오드 영역 (40) 의 경계 (80) 근방으로 전류가 흐른다. 단, 다이오드 영역 (40) 내의 다이오드가 온되어 있는 상태여도, 게이트 전위가 게이트 임계값 이상일 경우에는 기생 다이오드는 온되지 않는다. 즉, 게이트 전위가 게이트 임계값 이상일 경우에는 보디 영역 (24) 에 채널이 형성되어, 보디 영역 (24) 의 하단 근방의 드리프트 영역 (26) 의 전위가 상부 전극 (14) 과 대략 동등해진다. 그러면, 기생 다이오드를 구성하는 pn 접합에 인가되는 전압이 낮아지기 때문에, 기생 다이오드가 온되지 않고, 화살표 62 로 나타내는 전류는 흐르지 않는다. 이상에서 설명한 바와 같이, 화살표 62 로 나타내는 전류가 흐르는지의 여부는, 게이트 전위에 따라서 변화된다. 따라서, 다이오드의 순전압이 게이트 전위에 따라서 변화되어 버린다. 그러나, 실시예 1 의 반도체 장치 (10) 에서는, 화살표 62 로 나타내는 전류가 결정 결함 영역 (52) 을 통과한다. 결정 결함 영역 (52) 에 있어서의 라이프 타임은 짧기 때문에, 화살표 62 로 나타내는 전류는 작다. 이와 같이, 화살표 62 로 나타내는 전류가 작기 때문에, 이 전류의 유무에 의한 다이오드의 순전압에 대한 영향은 작다. 따라서, 실시예 1 의 반도체 장치 (10) 에서는, 다이오드의 순전압이 게이트 전위에 의해서 잘 변화되지 않는다.도 2 의 그래프는, 결정 결함 영역 (52) 의 돌출량 y (㎛) 와, 순전압의 변동량 ΔVF 의 관계를 나타낸다. 돌출량 y 는 도 1 의 참조 부호 y 에 의해서 나타나는 거리이고, 결정 결함 영역 (52) 이 캐소드 영역 (44) 과 컬렉터 영역 (30) 의 경계 (82) 로부터 컬렉터 영역 (30) 측으로 돌출되어 있는 거리를 의미한다. 변동량 ΔVF 는, 게이트 전위가 게이트 임계값 이상인 경우의 다이오드의 순전압 VFp 와, 게이트 온 전위가 게이트 임계값 미만인 경우의 다이오드의 순전압 VF0 의 차를 의미한다. 또한, 변동량 ΔVF 는 IGBT 영역 (20) 내의 드리프트 영역 (26) 의 횡방향 전체에 결정 결함 영역 (52) 을 형성한 경우 (즉, 돌출량 y 를 최대로 했을 경우) 를 1 로 규격화하여 나타내고 있다. 따라서, 변동량 ΔVF 가 1 인 것은, IGBT 영역 (20) 내의 드리프트 영역 (26) 의 횡방향 전체에 결정 결함 영역 (52) 을 형성한 경우와 동등한 효과 (화살표 62 로 나타내는 전류를 억제하는 효과) 가 얻어지는 것을 의미한다. 또, 도 2 의 실험은 두께 x (㎛) 가 상이한 복수의 반도체 기판을 사용하여 행하였다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 돌출량 y 가 커질수록, 변동량 ΔVF 가 1 에 가까워진다. 이것은, 돌출량 y 가 커질수록, 도 1 의 화살표 62 로 나타내는 전류가 억제되기 때문이다. 또, 돌출량 y 가 어느 정도 커지면, 그 이상 돌출량 y 를 크게 해도, 변동량 ΔVF 는 1 부근의 값으로 유지된다. 이것은, 도 1 의 화살표 62 로 나타내는 전류는, IGBT 영역 (20) 과 다이오드 영역 (40) 의 경계 (80) 근방으로 흐르기 때문에, 돌출량 y 를 필요 이상으로 크게 해도, 화살표 62 로 나타내는 전류의 억제 효과는 변동되지 않는 것을 의미한다.도 3 은, 도 2 의 그래프를 기초로, 변동량 ΔVF 가 대략 1 이 될 때의 돌출량 y 와 반도체 기판 (12) 의 두께 x 의 관계를 나타내고 있다. 도 3 에 나타내는 그래프 보다 돌출량 y 가 큰 경우에는, 변동량 ΔVF 가 대략 1 이 된다. 도 3 으로부터, 돌출량 y 와 반도체 기판 (12) 의 두께 x 가, y ≥ 0.007x2 － 1.09x ＋ 126 의 관계를 만족할 경우, 변동량 ΔVF 가 대략 1 이 되는 것을 알 수 있다. 실시예 1 의 반도체 장치 (10) 에서는, 돌출량 y 가 이 관계를 만족하기 때문에 변동량 ΔVF 가 최소화되어 있다.이와 같이, 실시예 1 의 반도체 장치 (10) 에서는, y ≥ 0.007x2 － 1.09x ＋ 126 의 관계가 만족되기 때문에, IGBT 영역 (20) 의 드리프트 영역 (26) 내의 일부에만 결정 결함 영역 (52) 이 형성되어 있음에도 불구하고, 변동량 ΔVF 가 최소화되어 있다. 또, 결정 결함 영역 (52) 이 IGBT 영역 (20) 내의 드리프트 영역 (26) 내의 일부에만 형성되어 있기 때문에, IGBT 의 온 전압의 상승, 게이트 임계값의 저하 및 리크 전류의 증가가 억제된다. 이와 같이, 실시예 1 의 구조에 의하면, IGBT 의 높은 특성을 유지하면서, 변동량 ΔVF 를 최소화할 수 있다. 또, 실시예 1 의 반도체 장치 (10) 에서는, 트렌치 게이트 구조에 의해서 IGBT 영역 (20) 과 다이오드 영역 (40) 을 분리할 수 있어 반도체 장치 (10) 의 소형화가 실현되어 있다.실시예 2 도 4 에 나타내는 실시예 2 의 반도체 장치 (200) 는, 실시예 1 의 반도체 장치 (10) 와 동일한 상면측의 구조를 갖고 있다. 실시예 2 의 설명에서는, 반도체 기판 (12) 의 상면측의 구조에 의해서, IGBT 영역 (20) 과 다이오드 영역 (40) 을 구별한다. 즉, 반도체 기판 (12) 중에서, 에미터 영역 (22) 과 보디 영역 (24) 이 형성되어 있는 영역을 IGBT 영역 (20) 이라고 부르고, 애노드 영역 (42) 이 형성되어 있는 영역을 다이오드 영역 (40) 이라고 부른다. 실시예 2 의 반도체 장치 (200) 에서는, 컬렉터 영역 (30) 과 캐소드 영역 (44) 의 경계 (82) 가, IGBT 영역 (20) 과 다이오드 영역 (40) 의 경계 (80) 보다 다이오드 영역 (40) 측에 위치하고 있다. 바꾸어 말하면, 애노드 영역 (42) 이 캐소드 영역 (44) 보다 IGBT 영역 (20) 측으로 돌출되어 있다. 또, 실시예 2 의 반도체 장치 (200) 에서는, 결정 결함 영역 (52) 의 IGBT 영역 (20) 측의 단부 (52a) 의 위치가, IGBT 영역 (20) 과 다이오드 영역 (40) 의 경계 (80) 의 위치와 대략 일치하고 있다. 즉, 결정 결함 영역 (52) 이 IGBT 영역 (20) 측으로 돌출되어 있지 않다.실시예 2 의 반도체 장치 (200) 에 있어서, 게이트 전위가 게이트 임계값 전위 미만인 상태에서 다이오드가 온되면, 경계 (80) 근방에 있어서 도 4 의 화살표 64, 66 으로 나타내는 바와 같이 전류가 흐른다. 즉, IGBT 영역 (20) 에 인접하는 애노드 영역 (42) 의 바로 아래에는, 캐소드 영역 (44) 이 형성되어 있지 않다. 이 때문에, 이 애노드 영역 (42) 으로부터 화살표 64 로 나타내는 바와 같이 전류가 흐른다. 또, 경계 (80) 근방의 보디 영역 (24) 은, 기생 다이오드로서 동작하기 때문에, 화살표 66 으로 나타내는 바와 같이 전류가 흐른다. 게이트 전위가 게이트 임계값 전위 이상으로 되어 보디 영역 (24) 에 채널이 형성되면, 보디 영역 (24) 의 하단 근방의 드리프트 영역 (26) 의 전위가 상승한다. 이 때문에, 기생 다이오드가 오프되어, 화살표 66 으로 나타내는 전류는 흐르지 않게 된다. 또, 이 경우, IGBT 영역 (20) 과 다이오드 영역 (40) 의 경계 (80) 근방에서는, 애노드 영역 (42) 의 하단 근방의 드리프트 영역 (26) 의 전위도 상승한다. 이 때문에, 화살표 64 로 나타내는 전류도 흐르지 않게 된다. 따라서, 실시예 2 의 반도체 장치 (200) 에서도, 게이트 전위에 따라서, 다이오드의 순전압이 변동된다. 이 때문에, 변동량 ΔVF 를 저감할 필요가 있다.도 4 에 나타내는 바와 같이, 화살표 64, 66 으로 나타내는 전류는, 결정 결함 영역 (52) 을 통과한다. 이 때문에, 이와 같은 전류를 억제할 수 있다. 실시예 2 의 반도체 장치 (200) 에 있어서, 캐소드 영역 (44) 과 컬렉터 영역 (30) 의 경계 (82) 로부터 컬렉터 영역 (30) 측으로의 결정 결함 영역 (52) 의 돌출량 y (도 4 참조) 와 변동량 ΔVF 의 관계를 조사하면, 도 2, 3 과 동일한 관계가 얻어진다. 따라서, 실시예 2 의 반도체 장치 (200) 에서도, y ≥ 0.007x2 － 1.09x ＋ 126 의 관계가 만족됨으로써, IGBT 의 높은 특성을 유지하면서, 변동량 ΔVF 를 최소화할 수 있다.실시예 3 도 5 에 나타내는 실시예 3 의 반도체 장치 (300) 는, 실시예 2 의 반도체 장치 (200) 와 동일한 상면측의 구조를 갖고 있다. 따라서, 실시예 3 의 설명에서는, 실시예 2 와 동일하게, 상면측의 구조에 의해서 IGBT 영역 (20) 과 다이오드 영역 (40) 을 구별한다. 실시예 3 의 반도체 장치 (300) 에서는, 컬렉터 영역 (30) 과 캐소드 영역 (44) 의 경계 (82) 가, 실시예 2 의 반도체 장치보다 더욱 다이오드 영역 (40) 측에 위치하고 있다. 또, 실시예 3 의 반도체 장치 (300) 에서는, 결정 결함 영역 (52) 의 IGBT 영역 (20) 측의 단부 (52a) 의 위치가, IGBT 영역 (20) 과 다이오드 영역 (40) 의 경계 (80) 보다 다이오드 영역 (40) 측에 위치하고 있다.실시예 3 의 반도체 장치 (300) 에 있어서, 게이트 전위가 게이트 임계값 전위 미만인 상태에서 다이오드가 온되면, 경계 (80) 근방에 있어서 도 5 의 화살표 68 로 나타내는 바와 같이 전류가 흐른다. 게이트 전위가 게이트 임계값 전위 이상으로 되어 보디 영역 (24) 에 채널이 형성되면, 보디 영역 (24) 의 하단 근방의 드리프트 영역 (26) 의 전위가 상승하고, 경계 (80) 근방의 애노드 영역 (42) 의 근방에서도 드리프트 영역 (26) 의 전위가 상승한다. 이 때문에, 화살표 68로 나타내는 전류는 흐르지 않게 된다. 따라서, 실시예 3 의 반도체 장치 (300) 에서도, 게이트 전위에 따라서 다이오드의 순전압이 변동된다. 이 때문에, 변동량 ΔVF 를 저감할 필요가 있다.도 5 에 나타내는 바와 같이, 화살표 68 로 나타내는 전류는, 결정 결함 영역 (52) 을 통과한다. 이 때문에, 이와 같은 전류를 억제할 수 있다. 실시예 3 의 반도체 장치 (300) 에 있어서, 캐소드 영역 (44) 과 컬렉터 영역 (30) 의 경계 (82) 로부터 컬렉터 영역 (30) 측으로의 결정 결함 영역 (52) 의 돌출량 y (도 5 참조) 와 변동량 ΔVF 의 관계를 조사하면, 도 2, 3 과 동일한 관계가 얻어진다. 따라서, 실시예 3 의 반도체 장치 (300) 에서도, y ≥ 0.007x2 － 1.09x ＋ 126 의 관계가 만족됨으로써, IGBT 의 높은 특성을 유지하면서, 변동량 ΔVF 를 최소화할 수 있다. 또한, 도 3 으로부터 분명한 바와 같이, 두께 x 가 80 ㎛ 미만인 경우에는, 돌출량 y 를 83 ㎛ 이상으로 해도 된다.또한, y ≥ 0.007x2 － 1.09x ＋ 126 의 관계가 만족되어 있으면, 반도체 장치의 상면측의 구조 (IGBT 영역 (20) 과 다이오드 영역 (40) 의 경계 (80) 의 위치) 와, 반도체 장치의 하면측의 구조 (컬렉터 영역 (30) 과, 캐소드 영역 (44) 의 경계 (82) 의 위치) 와, 결정 결함 영역 (52) 의 위치 관계는 어떠한 위치 관계여도 된다. 예를 들어, 도 4 또는 5 에 있어서, 결정 결함 영역 (52) 이 다이오드 영역 (40) 으로부터 IGBT 영역 (20) 으로 돌출되어 있어도 된다.y 가 상기 관계를 만족하는 경우에 있어서, 반도체 기판 (12) 의 두께 x 는 165 ≥ x ≥ 60 을 만족하는 것이 바람직하다.또, 돌출량 y 는 y ≥ 120 인 것이 특히 바람직하다. 도 2 로부터 분명한 바와 같이, 이와 같은 구성에 의하면, 반도체 기판 (12) 의 두께 x 가 165 ≥ x ≥ 60 의 범위 내이면, 변동량 ΔVF 를 최소화할 수 있다.또, 예를 들어, 도 1 과 같이, 결정 결함 영역 (52) 을 IGBT 영역 (20) 으로 돌출시키는 경우에는, IGBT 영역 (20) 으로 돌출되는 결정 결함 영역 (52) 의 폭은, IGBT 영역 (20) 의 폭의 90 ％ 이하인 것이 바람직하다. 이와 같은 구성에 의하면, 결정 결함 영역 (52) 에 의한 IGBT 에 대한 특성의 영향을 거의 발생시키지 않고 변동량 ΔVF 를 최소화할 수 있다.이상, 본 발명의 구체예를 상세하게 설명했지만, 이것들은 예시에 지나지 않고, 특허청구범위를 한정하는 것은 아니다. 특허청구범위에 기재된 기술에는, 이상에 예시한 구체예를 여러 가지로 변형, 변경한 것이 포함된다.본 명세서 또는 도면에 설명한 기술 요소는, 단독으로 혹은 각종 조합에 의해서 기술적 유용성을 발휘하는 것이고, 출원시의 청구항에 기재된 조합에 한정되는 것은 아니다. 또, 본 명세서 또는 도면에 예시한 기술은, 복수의 목적을 동시에 달성하는 것이고, 그 중의 하나의 목적을 달성하는 것 자체로 기술적 유용성을 갖는 것이다. [ 부호의 설명 ] 10 : 반도체 장치12 : 반도체 기판14 : 상부 전극16 : 하부 전극20 : IGBT 영역22 : 에미터 영역24 : 보디 영역24a : 보디 콘택트 영역24b : 저농도 보디 영역26 : 드리프트 영역28 : 버퍼 영역30 : 컬렉터 영역32 : 게이트 절연막34 : 게이트 전극40 : 다이오드 영역42 : 애노드 영역42a : 애노드 콘택트 영역42b : 저농도 애노드 영역44 : 캐소드 영역46 : 절연막48 : 제어 전극52 : 결정 결함 영역	소형이며, 또한, 게이트 전위에 의해서 다이오드의 순전압이 잘 변화되지 않는 반도체 장치를 제공한다. 반도체 기판의 상면에 노출되는 범위에, 애노드 영역과 상부 IGBT 구조 (에미터 영역과 보디 영역) 가 형성되어 있고, 애노드 영역과 상부 IGBT 구조의 경계를 따라서 트렌치와 게이트 절연막과 게이트 전극이 연장되어 있고, 상기 반도체 기판의 하면에 노출되는 범위에, 캐소드 영역과 컬렉터 영역이 형성되어 있고, 상면측 구조와 하면측 구조 사이에 드리프트 영역이 형성되어 있고, 결정 결함 영역이 캐소드 영역의 상측 드리프트 영역 내와 컬렉터 영역의 상측의 드리프트 영역 내에 걸쳐서 연장되어 있고, 반도체 기판의 두께를 x ㎛ 로 하고, 컬렉터 영역의 상측으로 돌출되어 있는 부분의 결정 결함 영역의 폭을 y ㎛ 로 했을 경우, y ≥ 0.007x2 － 1.09x ＋ 126 의 관계가 만족되는 반도체 장치.
[ 발명의 명칭 ] 무선 통신 시스템에서 간섭 신호를 제거하는 방법 및 장치METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING INTERFERENCE SIGNAL IN WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM [ 기술분야 ] 본 발명은 무선 통신 시스템에 대한 것으로, 보다 구체적으로는 무선 통신 시스템에서 간섭을 제거하고 신호를 수신하는 방법 및 이를 지원하는 장치에 대한 것이다. [ 배경기술 ] 다중 입출력(MIMO: Multi-Input Multi-Output) 기술은 한 개의 송신 안테나와 한 개의 수신 안테나를 사용했던 것에서 탈피하여 다중 송신 안테나와 다중 수신 안테나를 사용하여 데이터의 송수신 효율을 향상시키는 기술이다. 단일 안테나를 사용하면 수신측은 데이터를 단일 안테나 경로(path)를 통해 수신하지만, 다중 안테나를 사용하면 수신단은 여러 경로를 통해 데이터를 수신한다. 따라서, 데이터 전송 속도와 전송량을 향상시킬 수 있고, 커버리지(coverage)를 증대시킬 수 있다.단일-셀 (Single-cell) MIMO 동작은 하나의 셀에서 하나의 단말이 하향링크 신호를 수신하는 단일 사용자-MIMO (Single User-MIMO; SU-MIMO) 방식과 두 개 이상의 단말이 한 셀에서 하향링크 신호를 수신하는 다중 사용자-MIMO (Multi User-MIMO; MU-MIMO) 방식으로 나눌 수 있다.채널 추정(channel estimation)은 페이딩(fading)에 의하여 생기는 신호의 왜곡을 보상함으로써 수신된 신호를 복원하는 과정을 말한다. 여기서 페이딩이란 무선 통신 시스템 환경에서 다중경로(multi path)-시간지연(time delay)으로 인하여 신호의 강도가 급격히 변동되는 현상을 말한다. 채널추정을 위하여는 송신기와 수신기가 모두 알고 있는 참조신호(reference signal)가 필요하다. 또한, 참조 신호는 간단히 RS(Reference Signal) 또는 적용되는 표준에 따라 파일럿(Pilot)으로 지칭될 수도 있다.하향링크 참조신호(downlink reference signal)는 PDSCH(Physical Downlink Shared CHannel), PCFICH(Physical Control Format Indicator CHannel), PHICH(Physical Hybrid Indicator CHannel), PDCCH(Physical Downlink Control CHannel) 등의 코히어런트(coherent) 복조를 위한 파일럿 신호이다. 하향링크 참조신호는 셀 내의 모든 단말이 공유하는 공용 참조신호(Common Reference Signal; CRS)와 특정 단말만을 위한 전용 참조신호(Dedicated Reference Signal; DRS)가 있다. 4 전송 안테나를 지원하는 기존의 통신 시스템 (예를 들어, LTE release(릴리즈) 8 또는 9 표준에 따른 시스템)에 비하여 확장된 안테나 구성을 갖는 시스템 (예를 들어, 8 전송 안테나를 지원하는 LTE-A 표준에 따른 시스템)에서는, 효율적인 참조신호의 운용과 발전된 전송 방식을 지원하기 위하여 DRS 기반의 데이터 복조를 고려하고 있다. 즉, 확장된 안테나를 통한 데이터 전송을 지원하기 위하여 2 이상의 레이어에 대한 DRS 를 정의할 수 있다. DRS 는 데이터와 동일한 프리코더에 의하여 프리코딩되므로 별도의 프리코딩 정보 없이 수신측에서 데이터를 복조하기 위한 채널 정보를 용이하게 추정할 수 있다.한편, 하향링크 수신측에서는 DRS 를 통해서 확장된 안테나 구성에 대하여 프리코딩된 채널 정보를 획득할 수 있는 반면, 프리코딩되지 않은 채널 정보를 획득하기 위하여 DRS 이외의 별도의 참조신호가 요구된다. 이에 따라, LTE-A 표준에 따른 시스템에서는 수신측에서 채널 상태 정보(Channel State Information; CSI)를 획득하기 위한 참조신호, 즉 CSI-RS 를 정의할 수 있다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 상술한 바와 같은 논의를 바탕으로 이하에서는 무선 통신 시스템에서 간섭을 제거하고 신호를 수신하는 방법 및 장치를 제안하고자 한다.본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 상기 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 무선 통신 시스템에서 단말이 네트워크 협력 간섭 제거(network assisted interference cancellation)를 이용하여 신호를 수신하는 방법에 있어서, CRS (Common Reference Signal)의 EPRE(transmit energy per resource element)에 대한 PDSCH (Physical Downlink Control Channel) 의 EPRE 의 비인 PA 정보를 수신하는 단계 - 여기서 상기 PA 정보는 변조 차수에 따라 구분되는 제 1 PA 정보 및 제 2 PA 정보를 각각 포함함; 및 상기 신호의 변조차수에 대응하는 상기 제 1 PA 정보 또는 제 2 PA 정보를 이용하여 인접 셀의 간섭을 제거하고 신호를 수신하는 단계를 포함할 수 있다.상기 제 1 PA 정보는 QPSK 를 제외한 적어도 하나의 변조 차수에 대한 PA 값을 포함하고, 상기 제 2 PA 정보는 상기 QPSK 를 위한 변조 차수에 대한 PA 값을 포함할 수 있다.상기 인접 셀의 변조차수를 위한 제 3 PA 정보를 수신하는 단계를 더 포함할 수 있다.상기 제 3 PA 정보는 상기 QPSK, 16QAM (Quadrature Amplitude Modulation) 및 64QAM 을 위한 PA 값의 서브셋을 포함할 수 있다.상기 QPSK 외의 변조 차수는 16QAM, 64QAM 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.상기 PA 정보는 RRC (Radio Resource Control) 시그널링을 이용하여 수신될 수 있다.본 발명의 다른 실시예에 따른 무선 통신 시스템에서 네트워크 협력 간섭 제거(network assisted interference cancellation)를 이용하여 신호를 수신하는 단말에 있어서, RF(Radio Frequency) 유닛; 및 프로세서를 포함하고, 상기 프로세서는, CRS(Common Reference Signal)의 EPRE(transmit energy per resource element)에 대한 PDSCH (Physical Downlink Control Channel) 의 EPRE 의 비인 PA 정보를 수신하고, 상기 PA 정보는 변조 차수에 따라 구분되는 제 1 PA 정보 및 제 2 PA 정보를 각각 포함하고, 상기 신호의 변조차수에 대응하는 상기 제 1 PA 정보 또는 제 2 PA 정보를 이용하여 인접 셀의 간섭을 제거하고 신호를 수신하도록 구성될 수 있다.상기 제 1 PA 정보는 QPSK 를 제외한 적어도 하나의 변조 차수에 대한 PA 값을 포함하고, 상기 제 2 PA 정보는 상기 QPSK 를 위한 변조 차수에 대한 PA 값을 포함할 수 있다.상기 프로세서는 인접 셀의 변조차수를 위한 제 3 PA 정보를 수신하도록 구성될 수 있다.상기 제 3 PA 정보는 상기 QPSK, 16QAM (Quadrature Amplitude Modulation) 및 64QAM 을 위한 PA 값의 서브셋을 포함할 수 있다.상기 QPSK 를 제외한 적어도 하나의 변조 차수는 16QAM, 64QAM 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.상기 PA 정보는 RRC (Radio Resource Control) 시그널링을 이용하여 수신될 수 있다.본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. [ 발명의 효과 ] . [ 도면의 간단한 설명 ] 본 발명에 관한 이해를 돕기 위해 상세한 설명의 일부로 포함되는, 첨부 도면은 본 발명에 대한 실시예를 제공하고, 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 설명한다.도 1 은 하향링크 무선 프레임의 구조를 나타내는 도면이다.도 2 는 하나의 하향링크 슬롯에 대한 자원 그리드(resource grid)의 일례를 나타낸 예시도이다.도 3 은 하향링크 서브프레임의 구조를 나타내는 도면이다.도 4 는 상향링크 서브프레임의 구조를 나타내는 도면이다.도 5 는 다중안테나를 갖는 무선 통신 시스템의 구성도이다.도 6 은 기존의 CRS 및 DRS 의 패턴을 나타내는 도면이다.도 7 은 DM RS 패턴의 일례를 나타내는 도면이다.도 8 은 CSI-RS 패턴의 예시들을 나타내는 도면이다.도 9 는 CSI-RS 가 주기적으로 전송되는 방식의 일례를 설명하기 위한 도면이다.도 10 은 CSI-RS 가 비주기적으로 전송되는 방식의 일례를 설명하기 위한 도면이다.도 11 은 2 개의 CSI-RS 설정(configuration)이 사용되는 예를 설명하기 위한 도면이다.도 12 는 하향 링크 시스템의 일반적인 간섭 환경을 도시한다.도 13 은 본 발명의 일 실시예에 따른 흐름도를 나타내는 도면이다.도 14 는 본 발명의 일 실시예에 적용될 수 있는 기지국 및 단말의 구성을 도시한 도면이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하의 실시예들은 본 발명의 구성요소들과 특징들을 소정 형태로 결합한 것들이다. 각 구성요소 또는 특징은 별도의 명시적 언급이 없는 한 선택적인 것으로 고려될 수 있다. 각 구성요소 또는 특징은 다른 구성요소나 특징과 결합되지 않은 형태로 실시될 수 있다. 또한, 일부 구성요소들 및/또는 특징들을 결합하여 본 발명의 실시예를 구성할 수도 있다. 본 발명의 실시예들에서 설명되는 동작들의 순서는 변경될 수 있다. 어느 실시예의 일부 구성이나 특징은 다른 실시예에 포함될 수 있고, 또는 다른 실시예의 대응하는 구성 또는 특징과 교체될 수 있다.본 명세서에서 본 발명의 실시예들을 기지국과 단말 간의 데이터 송신 및 수신의 관계를 중심으로 설명한다. 여기서, 기지국은 단말과 직접적으로 통신을 수행하는 네트워크의 종단 노드(terminal node)로서의 의미를 갖는다. 본 문서에서 기지국에 의해 수행되는 것으로 설명된 특정 동작은 경우에 따라서는 기지국의 상위 노드(upper node)에 의해 수행될 수도 있다.즉, 기지국을 포함하는 다수의 네트워크 노드들(network nodes)로 이루어지는 네트워크에서 단말과의 통신을 위해 수행되는 다양한 동작들은 기지국 또는 기지국 이외의 다른 네트워크 노드들에 의해 수행될 수 있음은 자명하다. '기지국(BS: Base Station)'은 고정국(fixed station), Node B, eNode B(eNB), 액세스 포인트(AP: Access Point) 등의 용어에 의해 대체될 수 있다. 중계기는 Relay Node(RN), Relay Station(RS) 등의 용어에 의해 대체될 수 있다. 또한, '단말(Terminal)'은 UE(User Equipment), MS(Mobile Station), MSS(Mobile Subscriber Station), SS(Subscriber Station) 등의 용어로 대체될 수 있다.이하의 설명에서 사용되는 특정 용어들은 본 발명의 이해를 돕기 위해서 제공된 것이며, 이러한 특정 용어의 사용은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 다른 형태로 변경될 수 있다.몇몇 경우, 본 발명의 개념이 모호해지는 것을 피하기 위하여 공지의 구조 및 장치는 생략되거나, 각 구조 및 장치의 핵심기능을 중심으로 한 블록도 형식으로 도시될 수 있다. 또한, 본 명세서 전체에서 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하여 설명한다.본 발명의 실시예들은 무선 접속 시스템들인 IEEE 802 시스템, 3GPP 시스템, 3GPP LTE 및 LTE-A(LTE-Advanced)시스템 및 3GPP2 시스템 중 적어도 하나에 개시된 표준 문서들에 의해 뒷받침될 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예들 중 본 발명의 기술적 사상을 명확히 드러내기 위해 설명하지 않은 단계들 또는 부분들은 상기 문서들에 의해 뒷받침될 수 있다. 또한, 본 문서에서 개시하고 있는 모든 용어들은 상기 표준 문서에 의해 설명될 수 있다.이하의 기술은 CDMA(Code Division Multiple Access), FDMA(Frequency Division Multiple Access), TDMA(Time Division Multiple Access), OFDMA(Orthogonal Frequency Division Multiple Access), SC-FDMA(Single Carrier Frequency Division Multiple Access) 등과 같은 다양한 무선 접속 시스템에 사용될 수 있다. CDMA 는 UTRA(Universal Terrestrial Radio Access)나 CDMA2000 과 같은 무선 기술(radio technology)로 구현될 수 있다. TDMA 는 GSM(Global System for Mobile communications)/GPRS(General Packet Radio Service)/EDGE(Enhanced Data Rates for GSM Evolution)와 같은 무선 기술로 구현될 수 있다. OFDMA 는 IEEE 802.11 (Wi-Fi), IEEE 802.16 (WiMAX), IEEE 802-20, E-UTRA(Evolved UTRA) 등과 같은 무선 기술로 구현될 수 있다. UTRA 는 UMTS(Universal Mobile Telecommunications System)의 일부이다. 3GPP(3rd Generation Partnership Project) LTE(long term evolution)는 E-UTRA를 사용하는 E-UMTS(Evolved UMTS)의 일부로써, 하향링크에서 OFDMA 를 채용하고 상향 링크에서 SC-FDMA 를 채용한다. LTE-A(Advanced)는 3GPP LTE 의 진화이다. WiMAX 는 IEEE 802.16e 규격(WirelessMAN-OFDMA Reference System) 및 발전된 IEEE 802.16m 규격(WirelessMAN-OFDMA Advanced system)에 의하여 설명될 수 있다. 명확성을 위하여 이하에서는 3GPP LTE 및 LTE-A 표준을 위주로 설명하지만 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다.도 1 을 참조하여 하향링크 무선 프레임의 구조에 대하여 설명한다.셀룰라 OFDM 무선 패킷 통신 시스템에서, 상/하향링크 데이터 패킷 전송은 서브프레임 (Subframe) 단위로 이루어지며, 한 서브프레임은 다수의 OFDM 심볼을 포함하는 일정 시간 구간으로 정의된다. 3GPP LTE 표준에서는 FDD(Frequency Division Duplex)에 적용 가능한 타입 1 무선 프레임(radio frame) 구조와 TDD(Time Division Duplex)에 적용 가능한 타입 2 의 무선 프레임 구조를 지원한다.도 1 은 타입 1 무선 프레임의 구조를 나타내는 도면이다. 하향링크 무선 프레임(radio frame)은 10 개의 서브프레임(subframe)으로 구성되고, 하나의 서브프레임은 시간 영역(time domain)에서 2 개의 슬롯(slot)으로 구성된다. 하나의 서브프레임이 전송되는 데 걸리는 시간을 TTI(transmission time interval)이라 하고, 예를 들어 하나의 서브프레임의 길이는 1ms 이고, 하나의 슬롯의 길이는 0.5ms 일 수 있다. 하나의 슬롯은 시간 영역에서 복수의 OFDM 심볼을 포함하고, 주파수 영역에서 다수의 자원블록(Resource Block; RB)을 포함한다. 3GPP LTE 시스템에서는 하향링크에서 OFDMA 를 사용하므로, OFDM 심볼이 하나의 심볼 구간을 나타낸다. OFDM 심볼은 또한 SC-FDMA 심볼 또는 심볼 구간으로 칭하여질 수도 있다. 자원 블록(Resource Block; RB)은 자원 할당 단위이고, 하나의 슬롯에서 복수개의 연속적인 부반송파(subcarrier)를 포함할 수 있다.하나의 슬롯에 포함되는 OFDM 심볼의 수는 CP(Cyclic Prefix)의 구성(configuration)에 따라 달라질 수 있다. CP 에는 확장된 CP(extended CP)와 일반 CP(normal CP)가 있다. 예를 들어, OFDM 심볼이 일반 CP 에 의해 구성된 경우, 하나의 슬롯에 포함되는 OFDM 심볼의 수는 7개일 수 있다. OFDM 심볼이 확장된 CP 에 의해 구성된 경우, 한 OFDM 심볼의 길이가 늘어나므로, 한 슬롯에 포함되는 OFDM 심볼의 수는 일반 CP 인 경우보다 적다. 확장된 CP 의 경우에, 예를 들어, 하나의 슬롯에 포함되는 OFDM 심볼의 수는 6 개일 수 있다. 단말이 빠른 속도로 이동하는 등의 경우와 같이 채널상태가 불안정한 경우, 심볼간 간섭을 더욱 줄이기 위해 확장된 CP 가 사용될 수 있다.일반 CP 가 사용되는 경우 하나의 슬롯은 7 개의 OFDM 심볼을 포함하므로, 하나의 서브프레임은 14 개의 OFDM 심볼을 포함한다. 이때, 각 서브프레임의 처음 2 개 또는 3 개의 OFDM 심볼은 PDCCH(physical downlink control channel)에 할당되고, 나머지 OFDM 심볼은 PDSCH(physical downlink shared channel)에 할당될 수 있다.무선 프레임의 구조는 예시에 불과하고, 무선 프레임에 포함되는 서브프레임의 수 또는 서브프레임에 포함되는 슬롯의 수, 슬롯에 포함되는 심볼의 수는 다양하게 변경될 수 있다.도 2 는 하나의 하향링크 슬롯에 대한 자원 그리드(resource grid)의 일례를 나타낸 예시도이다. 이는 OFDM 심볼이 일반 CP 로 구성된 경우이다. 도 2 를 참조하면, 하향링크 슬롯은 시간 영역에서 복수의 OFDM 심볼을 포함하고, 주파수 영역에서 다수의 자원블록을 포함한다. 여기서, 하나의 하향링크 슬롯은 7 OFDM 심볼을 포함하고, 하나의 자원블록은 12 부반송파를 포함하는 것을 예시적으로 기술하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 자원 그리드 상의 각 요소(element)를 자원요소(RE)라 한다. 예를 들어, 자원 요소 a(k,l)은 k 번째 부반송파와 l 번째 OFDM 심볼에 위치한 자원 요소가 된다. 일반 CP 의 경우에, 하나의 자원블록은 12×7 자원요소를 포함한다 (확장된 CP 의 경우에는 12×6 자원요소를 포함한다). 각 부반송파의 간격은 15kHz 이므로, 하나의 자원블록은 주파수영역에서 약 180kHz을 포함한다. NDL 은 하향링크 슬롯에 포함되는 자원블록의 수이다. NDL 의 값은 기지국의 스케줄링에 의해 설정되는 하향링크 전송 대역폭(bandwidth)에 따라 결정될 수 있다.도 3 은 하향링크 서브프레임의 구조를 나타내는 도면이다. 하나의 서브프레임 내에서 첫 번째 슬롯의 앞 부분의 최대 3 개의 OFDM 심볼은 제어 채널이 할당되는 제어 영역에 해당한다. 나머지 OFDM 심볼들은 물리하향링크공유채널(Physical Downlink Shared Chancel; PDSCH)이 할당되는 데이터 영역에 해당한다. 전송의 기본 단위는 하나의 서브프레임이 된다. 즉, 2 개의 슬롯에 걸쳐 PDCCH 및 PDSCH 가 할당된다. 3GPP LTE 시스템에서 사용되는 하향링크 제어 채널들에는, 예를 들어, 물리제어포맷지시자채널(Physical Control Format Indicator Channel; PCFICH), 물리하향링크제어채널(Physical Downlink Control Channel; PDCCH), 물리 HARQ 지시자채널(Physical Hybrid automatic repeat request Indicator Channel; PHICH) 등이 있다. PCFICH 는 서브프레임의 첫 번째 OFDM 심볼에서 전송되고 서브프레임 내의 제어 채널 전송에 사용되는 OFDM 심볼의 개수에 대한 정보를 포함한다. PHICH 는 상향링크 전송의 응답으로서 HARQ ACK/NACK 신호를 포함한다. PDCCH 를 통하여 전송되는 제어 정보를 하향링크제어정보(Downlink Control Information; DCI)라 한다. DCI 는 상향링크 또는 하향링크 스케줄링 정보를 포함하거나 임의의 단말 그룹에 대한 상향링크 전송 전력 제어 명령을 포함한다. PDCCH 는 하향링크공유채널(DL-SCH)의 자원 할당 및 전송 포맷, 상향링크공유채널(UL-SCH)의 자원 할당 정보, 페이징채널(PCH)의 페이징 정보, DL-SCH 상의 시스템 정보, PDSCH 상으로 전송되는 임의접속응답(Random Access Response)과 같은 상위계층 제어 메시지의 자원 할당, 임의의 단말 그룹 내의 개별 단말에 대한 전송 전력 제어 명령의 세트, 전송 전력 제어 정보, VoIP(Voice over IP)의 활성화 등을 포함할 수 있다. 복수의 PDCCH 가 제어 영역 내에서 전송될 수 있다. 단말은 복수의 PDCCH 를 모니터링할 수 있다. PDCCH 는 하나 이상의 연속하는 제어채널요소(Control Channel Element; CCE)의 조합으로 전송된다. CCE 는 무선 채널의 상태에 기초한 코딩 레이트로 PDCCH 를 제공하기 위해 사용되는 논리 할당 단위이다. CCE 는 복수개의 자원 요소 그룹에 대응한다. PDCCH 의 포맷과 이용가능한 비트 수는 CCE 의 개수와 CCE 에 의해 제공되는 코딩 레이트 간의 상관관계에 따라서 결정된다. 기지국은 단말에게 전송되는 DCI 에 따라서 PDCCH 포맷을 결정하고, 제어 정보에 순환잉여검사(Cyclic Redundancy Check; CRC)를 부가한다. CRC 는 PDCCH 의 소유자 또는 용도에 따라 무선 네트워크 임시 식별자(Radio Network Temporary Identifier; RNTI)라 하는 식별자로 마스킹된다. PDCCH 가 특정 단말에 대한 것이면, 단말의 cell-RNTI(C-RNTI) 식별자가 CRC 에 마스킹될 수 있다. 또는, PDCCH 가 페이징 메시지에 대한 것이면, 페이징 지시자 식별자(Paging Indicator Identifier; P-RNTI)가 CRC 에 마스킹될 수 있다. PDCCH 가 시스템 정보(보다 구체적으로, 시스템 정보 블록(SIB))에 대한 것이면, 시스템 정보 식별자 및 시스템 정보 RNTI(SI-RNTI)가 CRC 에 마스킹될 수 있다. 단말의 임의 접속 프리앰블의 전송에 대한 응답인 임의접속응답을 나타내기 위해, 임의접속-RNTI(RA-RNTI)가 CRC 에 마스킹될 수 있다.도 4 는 상향링크 서브프레임의 구조를 나타내는 도면이다. 상향링크 서브프레임은 주파수 영역에서 제어 영역과 데이터 영역으로 분할될 수 있다. 제어 영역에는 상향링크 제어 정보를 포함하는 물리상향링크제어채널(Physical Uplink Control Channel; PUCCH)이 할당된다. 데이터 영역에는 사용자 데이터를 포함하는 물리상향링크공유채널(Physical uplink shared channel; PUSCH)이 할당된다. 단일 반송파 특성을 유지하기 위해서, 하나의 단말은 PUCCH 와 PUSCH 를 동시에 전송하지 않는다. 하나의 단말에 대한 PUCCH 는 서브프레임에서 자원블록 쌍(RB pair)에 할당된다. 자원블록 쌍에 속하는 자원블록들은 2 슬롯에 대하여 상이한 부반송파를 차지한다. 이를 PUCCH 에 할당되는 자원블록 쌍이 슬롯 경계에서 주파수-호핑(frequency-hopped) 된다고 한다.다중안테나(MIMO) 시스템의 모델링MIMO((Multiple Input Multiple Output) 시스템은 다중 송신 안테나와 다중 수신 안테나를 사용하여 데이터의 송수신 효율을 향상시키는 시스템이다. MIMO 기술은 전체 메시지를 수신하기 위해 단일 안테나 경로에 의존하지 않고, 복수개의 안테나를 통해 수신되는 복수개의 데이터 조각들을 조합하여 전체 데이터를 수신할 수 있다.MIMO 기술에는 공간 다이버시티(Spatial diversity) 기법과 공간 다중화(Spatial multiplexing) 기법 등이 있다. 공간 다이버시티 기법은 다이버시티 이득(gain)을 통해 전송 신뢰도(reliability)를 높이거나 셀 반경을 넓힐 수 있어, 고속으로 이동하는 단말에 대한 데이터 전송에 적합하다. 공간 다중화 기법은 서로 다른 데이터를 동시에 전송함으로써 시스템의 대역폭을 증가시키지 않고 데이터 전송률을 증가시킬 수 있다.도 5 는 다중안테나를 갖는 무선 통신 시스템의 구성도이다. 도 5(a)에 도시된 바와 같이 송신 안테나의 수를 NT 개로, 수신 안테나의 수를 NR 개로 늘리면, 송신기나 수신기에서만 다수의 안테나를 사용하게 되는 경우와 달리 안테나 수에 비례하여 이론적인 채널 전송 용량이 증가한다. 따라서, 전송 레이트를 향상시키고 주파수 효율을 획기적으로 향상시킬 수 있다. 채널 전송 용량이 증가함에 따라, 전송 레이트는 이론적으로 단일 안테나 이용시의 최대 전송 레이트(Ro)에 레이트 증가율(Ri)이 곱해진 만큼 증가할 수 있다.예를 들어, 4 개의 송신 안테나와 4 개의 수신 안테나를 이용하는 MIMO 통신 시스템에서는 단일 안테나 시스템에 비해 이론상 4 배의 전송 레이트를 획득할 수 있다. 다중안테나 시스템의 이론적 용량 증가가 90 년대 중반에 증명된 이후 이를 실질적인 데이터 전송률 향상으로 이끌어 내기 위한 다양한 기술들이 현재까지 활발히 연구되고 있다. 또한, 몇몇 기술들은 이미 3 세대 이동 통신과 차세대 무선랜 등의 다양한 무선 통신의 표준에 반영되고 있다.현재까지의 다중안테나 관련 연구 동향을 살펴보면 다양한 채널 환경 및 다중접속 환경에서의 다중안테나 통신 용량 계산 등과 관련된 정보 이론 측면 연구, 다중안테나 시스템의 무선 채널 측정 및 모형 도출 연구, 전송 신뢰도 향상 및 전송률 향상을 위한 시공간 신호 처리 기술 연구 등 다양한 관점에서 활발히 연구가 진행되고 있다.다중안테나 시스템에서의 통신 방법을 수학적 모델링을 이용하여 보다 구체적으로 설명한다. 상기 시스템에는 NT 개의 송신 안테나와 NR 개의 수신 안테나가 존재한다고 가정한다.송신 신호를 살펴보면, NT 개의 송신 안테나가 있는 경우 전송 가능한 최대 정보는 NT 개이다. 전송 정보는 다음과 같이 표현될 수 있다.각각의 전송 정보 는 전송 전력이 다를 수 있다. 각각의 전송 전력을 라고 하면, 전송 전력이 조정된 전송 정보는 다음과 같이 표현될 수 있다.또한, 는 전송 전력의 대각행렬 P를 이용해 다음과 같이 표현될 수 있다.전송전력이 조정된 정보 벡터(information vector) 에 가중치 행렬 W가 적용되어 실제 전송되는 NT 개의 송신신호 가 구성되는 경우를 고려해보자. 가중치 행렬 W는 전송 정보를 전송 채널 상황 등에 따라 각 안테나에 적절히 분배해 주는 역할을 한다. 는 벡터 X를 이용하여 다음과 같이 표현될 수 있다.여기에서, Wij는 i 번째 송신 안테나와 j 번째 정보간의 가중치를 의미한다. W는 프리코딩 행렬이라고도 불린다.한편, 송신신호 x 는 2 가지 경우(예를 들어, 공간 다이버시티 및 공간 다중화)에 따라 다른 방법으로 고려될 수 있다. 공간 다중화의 경우, 상이한 신호가 다중화되고 다중화된 신호가 수신측으로 전송되어, 정보 벡터(들)의 요소(element)가 상이한 값을 가진다. 한편, 공간 다이버시티의 경우에는, 동일한 신호가 복수개의 채널 경로를 통하여 반복적으로 전송되어, 정보 벡터(들)의 요소가 동일한 값을 가진다. 물론, 공간 다중화 및 공간 다이버시티 기법의 조합 역시 고려할 수 있다. 즉, 동일한 신호가 예를 들어 3 개의 전송 안테나를 통해 공간 다이버시티 기법에 따라 전송되고, 나머지 신호들은 공간 다중화되어 수신측으로 전송될 수도 있다.NR 개의 수신 안테나가 있는 경우 각 안테나의 수신신호 은 벡터로 다음과 같이 표현될 수 있다.다중안테나 무선 통신 시스템에서 채널을 모델링하는 경우, 채널은 송수신 안테나 인덱스에 따라 구분될 수 있다. 송신 안테나 j 로부터 수신 안테나 i 를 거치는 채널을 hij로 표시하기로 한다. hij에서, 인덱스의 순서가 수신 안테나 인덱스가 먼저, 송신 안테나의 인덱스가 나중임에 유의한다.도 5(b)에 NT 개의 송신 안테나에서 수신 안테나 i 로의 채널을 도시하였다. 상기 채널을 묶어서 벡터 및 행렬 형태로 표시할 수 있다. 도 5(b)에서, 총 NT 개의 송신 안테나로부터 수신 안테나 i 로 도착하는 채널은 다음과 같이 나타낼 수 있다.따라서, NT 개의 송신 안테나로부터 NR 개의 수신 안테나로 도착하는 모든 채널은 다음과 같이 표현될 수 있다.실제 채널에는 채널 행렬 H를 거친 후에 백색잡음(AWGN; Additive White Gaussian Noise)이 더해진다. NR 개의 수신 안테나 각각에 더해지는 백색잡음 은 다음과 같이 표현될 수 있다.상술한 수식 모델링을 통해 수신신호는 다음과 같이 표현될 수 있다.채널 상태를 나타내는 채널 행렬 H의 행과 열의 수는 송수신 안테나의 수에 의해 결정된다. 채널 행렬 H에서 행의 수는 수신 안테나의 수 NR 과 같고, 열의 수는 송신 안테나의 수 NT 와 같다. 즉, 채널 행렬 H는 행렬이 NR×NT 된다.행렬의 랭크(rank)는 서로 독립인(independent) 행 또는 열의 개수 중에서 최소 개수로 정의된다. 따라서, 행렬의 랭크는 행 또는 열의 개수 보다 클 수 없다. 채널 행렬 H의 랭크(rank(H))는 다음과 같이 제한된다.MIMO 전송에 있어서 '랭크(Rank)' 는 독립적으로 신호를 전송할 수 있는 경로의 수를 나타내며, '레이어(layer)의 개수' 는 각 경로를 통해 전송되는 신호 스트림의 개수를 나타낸다. 일반적으로 송신단은 신호 전송에 이용되는 랭크 수에 대응하는 개수의 레이어를 전송하기 때문에 특별한 언급이 없는 한 랭크는 레이어 개수와 동일한 의미를 가진다.참조 신호 (Reference Signal; RS)무선 통신 시스템에서 패킷을 전송할 때, 전송되는 패킷은 무선 채널을 통해서 전송되기 때문에 전송과정에서 신호의 왜곡이 발생할 수 있다. 왜곡된 신호를 수신측에서 올바로 수신하기 위해서는 채널 정보를 이용하여 수신 신호에서 왜곡을 보정하여야 한다. 채널 정보를 알아내기 위해서, 송신측과 수신측에서 모두 알고 있는 신호를 전송하여, 상기 신호가 채널을 통해 수신될 때의 왜곡 정도를 가지고 채널 정보를 알아내는 방법을 주로 사용한다. 상기 신호를 파일럿 신호 (Pilot Signal) 또는 참조 신호 (Reference Signal)라고 한다.다중안테나를 사용하여 데이터를 송수신하는 경우에는 각 송신 안테나와 수신 안테나 사이의 채널 상황을 알아야 올바른 신호를 수신할 수 있다. 따라서, 각 송신 안테나 별로 별도의 참조 신호가 존재하여야 한다.이동 통신 시스템에서 참조신호(RS)는 그 목적에 따라 크게 두 가지로 구분될 수 있다. 하나는 채널 정보 획득을 위해 사용되는 RS 이고, 다른 하나는 데이터 복조를 위해 사용되는 RS 이다. 전자는 단말이 하향 링크 채널 정보를 획득하도록 하기 위한 RS 이므로 광대역으로 전송되어야 하고, 특정 서브프레임에서 하향링크 데이터를 수신하지 않는 단말이라도 해당 RS 를 수신하고 측정할 수 있어야 한다. 이러한 RS 는 핸드 오버 등을 위한 측정 등을 위해서도 사용된다. 후자는 기지국이 하향링크를 보낼 때 해당 자원에 함께 보내는 RS 로서, 단말은 해당 RS 를 수신함으로써 채널 추정을 할 수 있고, 따라서 데이터를 복조할 수 있게 된다. 이러한 RS 는 데이터가 전송되는 영역에 전송되어야 한다.기존의 3GPP LTE(예를 들어, 3GPP LTE 릴리즈-8) 시스템에서는 유니캐스트(unicast) 서비스를 위해서 2 가지 종류의 하향링크 RS 를 정의한다. 그 중 하나는 공용 참조신호(Common RS; CRS)이고, 다른 하나는 전용 참조신호(Dedicated RS; DRS)이다. CRS 는 채널 상태에 대한 정보 획득 및 핸드오버 등을 위한 측정 등을 위해서 사용되고, 셀-특정(cell-specific) RS 라고 칭할 수도 있다. DRS 는 데이터 복조를 위해 사용되고, 단말-특정(UE-specific) RS 라고 칭할 수도 있다. 기존의 3GPP LTE 시스템에서 DRS 는 데이터 복조용으로만 사용되며 CRS 는 채널 정보 획득 및 데이터 복조의 두 가지 목적으로 다 사용될 수 있다.CRS 는 셀-특정으로 전송되는 RS 이며, 광대역(wideband)에 대해서 매 서브프레임마다 전송된다. CRS 는 기지국의 전송 안테나 개수에 따라서 최대 4 개의 안테나 포트에 대해서 전송될 수 있다. 예를 들어 기지국의 송신 안테나의 개수가 두 개일 경우, 0 번과 1 번 안테나 포트에 대한 CRS 가 전송되고, 네 개인 경우 0~3 번 안테나 포트에 대한 CRS 가 각각 전송된다.도 6 은 기지국이 4 개의 전송 안테나를 지원하는 시스템에서 하나의 자원블록 (일반 CP 의 경우, 시간 상으로 14 개의 OFDM 심볼 × 주파수 상으로 12 부반송파) 상에서 CRS 및 DRS 의 패턴을 나타내는 도면이다. 도 6 에서 'R0', 'R1', 'R2' 및 'R3' 로 표시된 자원 요소(RE)는, 각각 안테나 포트 인덱스 0, 1, 2 및 3 에 대한 CRS 의 위치를 나타낸다. 한편, 도 6 에서 'D'로 표시된 자원 요소는 LTE 시스템에서 정의되는 DRS 의 위치를 나타낸다.LTE 시스템의 진화 발전된 형태의 LTE-A 시스템에서는, 하향링크에서 최대 8 개의 송신 안테나를 지원할 수 있다. 따라서, 최대 8 개 송신 안테나에 대한 RS 역시 지원되어야 한다. LTE 시스템에서의 하향링크 RS는 최대 4 개의 안테나 포트에 대해서만 정의되어 있으므로, LTE-A 시스템에서 기지국이 4 개 이상 최대 8 개의 하향 링크 송신 안테나를 가질 경우 이들 안테나 포트들에 대한 RS 가 추가적으로 정의되어야 한다. 최대 8 개의 송신 안테나 포트에 대한 RS 로서, 채널 측정을 위한 RS 와 데이터 복조를 위한 RS 두 가지가 모두 고려되어야 한다.LTE-A 시스템을 설계함에 있어서 중요한 고려 사항 중 하나는 역방향 호환성(backward compatibility)이다. 역방향 호환성이란, 기존의 LTE 단말이 LTE-A 시스템에서도 올바르게 동작하도록 지원하는 것을 의미한다. RS 전송 관점에서 보았을 때, LTE 표준에서 정의되어 있는 CRS 가 전 대역으로 매 서브프레임마다 전송되는 시간-주파수 영역에 최대 8 개의 송신 안테나 포트에 대한 RS 를 추가하는 경우, RS 오버헤드가 지나치게 커지게 된다. 따라서, 최대 8 안테나 포트에 대한 RS 를 새롭게 설계함에 있어서 RS 오버헤드를 줄이는 것이 고려되어야 한다.LTE-A 시스템에서 새롭게 도입되는 RS 는 크게 2 가지로 분류할 수 있다. 그 중 하나는 전송 랭크, 변조및코딩기법(Modulation and Coding Scheme; MCS), 프리코딩행렬인덱스(프리코딩 Matrix Index; PMI) 등의 선택을 위한 채널 측정 목적의 RS 인 채널상태정보-참조신호(Channel State Information RS; CSI-RS)이고, 다른 하나는 최대 8 개의 전송 안테나를 통해 전송되는 데이터를 복조하기 위한 목적의 RS 인 복조-참조신호(DeModulation RS; DM RS)이다.채널 측정 목적의 CSI-RS 는, 기존의 LTE 시스템에서의 CRS 가 채널 측정, 핸드오버 등의 측정 등의 목적과 동시에 데이터 복조를 위해 사용되는 것과 달리, 채널 측정 위주의 목적을 위해서 설계되는 특징이 있다. 물론 CSI-RS 역시 핸드오버 등의 측정 등의 목적으로도 사용될 수도 있다. CSI-RS 가 채널 상태에 대한 정보를 얻는 목적으로만 전송되므로, 기존의 LTE 시스템에서의 CRS 와 달리, 매 서브프레임마다 전송되지 않아도 된다. 따라서, CSI-RS 의 오버헤드를 줄이기 위하여 CSI-RS 는 시간 축 상에서 간헐적으로(예를 들어, 주기적으로) 전송되도록 설계될 수 있다.만약 어떤 하향링크 서브프레임 상에서 데이터가 전송되는 경우에는, 데이터 전송이 스케줄링된 단말에게 전용으로(dedicated) DM RS 가 전송된다. 특정 단말 전용의 DM RS 는, 해당 단말이 스케줄링된 자원영역, 즉 해당 단말에 대한 데이터가 전송되는 시간-주파수 영역에서만 전송되도록 설계될 수 있다.도 7 은 LTE-A 시스템에서 정의되는 DM RS 패턴의 일례를 나타내는 도면이다. 도 7 에서는 하향링크 데이터가 전송되는 하나의 자원블록(일반 CP 의 경우, 시간 상으로 14 개의 OFDM 심볼 × 주파수 상으로 12 부반송파) 상에서 DM RS 가 전송되는 자원요소의 위치를 나타낸다. DMRS 는 LTE-A 시스템에서 추가적으로 정의되는 4 개의 안테나 포트(안테나 포트 인덱스 7, 8, 9 및 10)에 대하여 전송될 수 있다. 서로 다른 안테나 포트에 대한 DM RS 는 상이한 주파수 자원(부반송파) 및/또는 상이한 시간 자원(OFDM 심볼)에 위치하는 것으로 구분될 수 있다(즉, FDM 및/또는 TDM 방식으로 다중화될 수 있다). 또한, 동일한 시간-주파수 자원 상에 위치하는 서로 다른 안테나 포트에 대한 DM RS 들은 서로 직교 코드(orthogonal code)에 의해서 구분될 수 있다(즉, CDM 방식으로 다중화될 수 있다). 도 7 의 예시에서 DM RS CDM 그룹 1 로 표시된 자원요소(RE) 들에는 안테나 포트 7 및 8 에 대한 DM RS 들이 위치할 수 있고, 이들은 직교 코드에 의해 다중화될 수 있다. 마찬가지로, 도 7 의 예시에서 DM RS 그룹 2 로 표시된 자원요소들에는 안테나 포트 9 및 10 에 대한 DM RS 들이 위치할 수 있고, 이들은 직교 코드에 의해 다중화될 수 있다.도 8 은 LTE-A 시스템에서 정의되는 CSI-RS 패턴의 예시들을 나타내는 도면이다. 도 8 에서는 하향링크 데이터가 전송되는 하나의 자원블록(일반 CP 의 경우, 시간 상으로 14 개의 OFDM 심볼 × 주파수 상으로 12 부반송파) 상에서 CSI-RS 가 전송되는 자원요소의 위치를 나타낸다. 어떤 하향링크 서브프레임에서 도 8(a) 내지 8(e) 중 하나의 CSI-RS 패턴이 이용될 수 있다. CSI-RS 는 LTE-A 시스템에서 추가적으로 정의되는 8 개의 안테나 포트(안테나 포트 인덱스 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21 및 22) 에 대하여 전송될 수 있다. 서로 다른 안테나 포트에 대한 CSI-RS 는 상이한 주파수 자원(부반송파) 및/또는 상이한 시간 자원(OFDM 심볼)에 위치하는 것으로 구분될 수 있다(즉, FDM 및/또는 TDM 방식으로 다중화될 수 있다). 또한, 동일한 시간-주파수 자원 상에 위치하는 서로 다른 안테나 포트에 대한 CSI-RS 들은 서로 직교 코드(orthogonal code)에 의해서 구분될 수 있다(즉, CDM 방식으로 다중화될 수 있다). 도 8(a) 의 예시에서 CSI-RS CDM 그룹 1 로 표시된 자원요소(RE) 들에는 안테나 포트 15 및 16 에 대한 CSI-RS 들이 위치할 수 있고, 이들은 직교 코드에 의해 다중화될 수 있다. 도 8(a) 의 예시에서 CSI-RS CDM 그룹 2 로 표시된 자원요소들에는 안테나 포트 17 및 18 에 대한 CSI-RS 들이 위치할 수 있고, 이들은 직교 코드에 의해 다중화 될 수 있다. 도 8(a) 의 예시에서 CSI-RS CDM 그룹 3 으로 표시된 자원요소들에는 안테나 포트 19 및 20 에 대한 CSI-RS 들이 위치할 수 있고, 이들은 직교 코드에 의해 다중화될 수 있다. 도 8(a) 의 예시에서 CSI-RS CDM 그룹 4 로 표시된 자원요소들에는 안테나 포트 21 및 22 에 대한 CSI-RS 들이 위치할 수 있고, 이들은 직교 코드에 의해 다중화될 수 있다. 도 8(a)를 기준으로 설명한 동일한 원리가 도 8(b) 내지 8(e)에 적용될 수 있다.도 6 내지 8 의 RS 패턴들은 단지 예시적인 것이며, 본 발명의 다양한 실시예들을 적용함에 있어서 특정 RS 패턴에 한정되는 것이 아니다. 즉, 도 6 내지 8 과 다른 RS 패턴이 정의 및 사용되는 경우에도 본 발명의 다양한 실시예들은 동일하게 적용될 수 있다.CSI-RS 설정(configuration)단말에게 설정된 복수 개의 CSI-RS 와 복수 개의 IMR 중에서, 신호 측정을 위한 하나의 CSI-RS 자원과, 간섭 measure 를 위한 하나의 Interference measurement resource (IMR)을 연관하여(association) 하나의 CSI 프로세스가 정의될 수 있다. 단말은 서로 다른 CSI 프로세스로부터 유도된 CSI 정보는 독립적인 주기 와 서브프레임 오프셋(subframe offset)을 가지고 네트워크(예를 들어, 기지국)로 피드백 된다.즉, 각각의 CSI 프로세스는 독립적인 CSI 피드백 설정을 갖는다. 이러한 CSI-RS resource 와 IMR resource association 정보 및 CSI 피드백 설정등은 CSI 프로세스 별로 RRC 등의 상위 계층 시그널링을 통해 기지국이 단말에게 알려줄 수 있다. 예를 들어, 단말은 표 1 과 같은 세 개의 CSI 프로세스를 설정(설정)받는다고 가정한다.표 1 에서 CSI-RS 0 와 CSI-RS 1 은 각각 단말의 serving 셀인 셀 1 으로부터 수신하는 CSI-RS 와 협력에 참여하는 이웃 셀인 셀 2 로부터 수신하는 CSI-RS 를 나타낸다. 만약 표 1 의 각각의 CSI 프로세스에 대하여 설정된 IMR 에 대하여 표 2 와 같이 설정되었다고 가정한다면,IMR 0 에서 셀 1 은 muting 을 셀 2 는 데이터 송신을 수행하며, 단말은 IMR 0 로부터 셀 1 을 제외한 다른 셀들로부터의 간섭을 측정하도록 설정된다. 마찬가지로, IMR 1 에서 셀 2 는 muting을 셀 1 는 데이터 송신을 수행하며, 단말은 IMR 1 로부터 셀 2 을 제외한 다른 셀들로부터의 간섭을 측정하도록 설정된다. 또한, IMR 2 에서 셀 1 과 셀 2 모두 muting 을 수행하며, 단말은 IMR 2 로부터 셀 1 과 셀 2 을 제외한 다른 셀들로부터의 간섭을 측정하도록 설정된다.따라서, 표 1 및 표 2 에서 나타낸 바와 같이, CSI 프로세스 0 의 CSI 정보는 셀 1 으로부터 데이터를 수신하는 경우 최적 RI, PMI, CQI 정보를 나타낸다. CSI 프로세스 1 의 CSI 정보는 셀 2 으로부터 데이터를 수신하는 경우 최적 RI, PMI, CQI 정보를 나타낸다. CSI 프로세스 2 의 CSI 정보는 셀 1 으로부터 데이터를 수신하고, 셀 2 로부터 간섭을 전혀 받지 않는 경우 최적 RI, PMI, CQI 정보를 나타낸다.하나의 단말에게 설정(설정)된 복수의 CSI 프로세스는 서로 종속적인 값을 공유하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 셀 1 과 셀 2 의 JT(joint transmission)의 경우, 셀 1 의 채널을 시그널 파트(signal part)로 간주하는 CSI 프로세스 1 과 셀 2 의 채널을 시그널 파트(signal part)로 간주하는 CSI 프로세스 2 가 한 단말에게 설정(설정)되었을 경우 CSI 프로세스 1 과 CSI 프로세스 2 의 랭크(rank) 및 선택된 서브밴드 인덱스가 같아야 JT 스케줄링이 용이하다.CSI-RS 가 전송되는 주기나 패턴은 기지국이 설정(configuration) 할 수 있다. CSI-RS 를 측정하기 위해서 단말은 반드시 자신이 속한 셀의 각각의 CSI-RS 안테나 포트에 대한 CSI-RS 설정(configuration)을 알고 있어야 한다. CSI-RS 설정에는, CSI-RS 가 전송되는 하향링크 서브프레임 인덱스, 전송 서브프레임 내에서 CSI-RS 자원요소(RE)의 시간-주파수 위치(예를 들어, 도 8(a) 내지 8(e)와 같은 CSI-RS 패턴), 그리고 CSI-RS 시퀀스(CSI-RS 용도로 사용되는 시퀀스로서, 슬롯 번호, 셀 ID, CP 길이 등에 기초하여 소정의 규칙에 따라 유사-랜덤(pseudo-random)하게 생성됨) 등이 포함될 수 있다. 즉, 임의의(given) 기지국에서 복수개의 CSI-RS 설정(configuration)이 사용될 수 있고, 기지국은 복수개의 CSI-RS 설정 중에서 셀 내의 단말(들)에 대해 사용될 CSI-RS 설정을 알려줄 수 있다.또한, 각각의 안테나 포트에 대한 CSI-RS 는 구별될 필요가 있으므로, 각각의 안테나 포트에 대한 CSI-RS 가 전송되는 자원은 서로 직교(orthogonal)해야 한다. 도 8 과 관련하여 설명한 바와 같이, 각각의 안테나 포트에 대한 CSI-RS 들은 직교하는 주파수 자원, 직교하는 시간 자원 및/또는 직교하는 코드 자원을 이용하여 FDM, TDM 및/또는 CDM 방식으로 다중화될 수 있다.CSI-RS 에 관한 정보(CSI-RS 설정(configuration))를 기지국이 셀 내의 단말들에게 알려줄 때, 먼저 각 안테나 포트에 대한 CSI-RS 가 매핑되는 시간-주파수에 대한 정보를 알려줘야 한다. 구체적으로, 시간에 대한 정보에는, CSI-RS 가 전송되는 서브프레임 번호들, CSI-RS 가 전송되는 주기, CSI-RS 가 전송되는 서브프레임 오프셋, 특정 안테나의 CSI-RS 자원요소(RE)가 전송되는 OFDM 심볼 번호 등이 포함될 수 있다. 주파수에 대한 정보에는 특정 안테나의 CSI-RS 자원요소(RE)가 전송되는 주파수 간격(spacing), 주파수 축에서의 RE 의 오프셋 또는 쉬프트 값 등이 포함될 수 있다.도 9 는 CSI-RS 가 주기적으로 전송되는 방식의 일례를 설명하기 위한 도면이다. CSI-RS 는 한 서브프레임의 정수 배의 주기(예를 들어, 5 서브프레임 주기, 10 서브프레임 주기, 20 서브프레임 주기, 40 서브프레임 주기 또는 80 서브프레임 주기)를 가지고 주기적으로 전송될 수 있다.도 9 에서는 하나의 무선 프레임이 10 개의 서브프레임(서브프레임 번호 0 내지 9)로 구성되는 것을 도시한다. 도 9 에서는, 예를 들어, 기지국의 CSI-RS 의 전송 주기가 10ms (즉, 10 서브프레임) 이고, CSI-RS 전송 오프셋(Offset)은 3 인 경우를 도시한다. 여러 셀들의 CSI-RS 가 시간 상에서 고르게 분포할 수 있도록 상기 오프셋 값은 기지국마다 각각 다른 값을 가질 수 있다. 10ms 의 주기로 CSI-RS 가 전송되는 경우, 오프셋 값은 0~9 중 하나를 가질 수 있다. 이와 유사하게, 예를 들어 5ms 의 주기로 CSI-RS 가 전송되는 경우 오프셋 값은 0~4 중 하나의 값을 가질 수 있고, 20ms 의 주기로 CSI-RS 가 전송되는 경우 오프셋 값은 0~19 중 하나의 값을 가질 수 있고, 40ms 의 주기로 CSI-RS 가 전송되는 경우 오프셋 값은 0~39 중 하나의 값을 가질 수 있으며, 80ms 의 주기로 CSI-RS 가 전송되는 경우 오프셋 값은 0~79 중 하나의 값을 가질 수 있다. 이 오프셋 값은, 소정의 주기로 CSI-RS 를 전송하는 기지국이 CSI-RS 전송을 시작하는 서브프레임의 값을 나타낸다. 기지국이 CSI-RS 의 전송 주기와 오프셋 값을 알려주면, 단말은 그 값을 이용하여 해당 서브프레임 위치에서 기지국의 CSI-RS 를 수신할 수 있다. 단말은 수신한 CSI-RS 를 통해 채널을 측정하고 그 결과로서 CQI, PMI 및/또는 RI(Rank Indicator) 와 같은 정보를 기지국에게 보고할 수 있다. 본 문서에서 CQI, PMI 및 RI 를 구별하여 설명하는 경우를 제외하고, 이들을 통칭하여 CQI (또는 CSI) 라 칭할 수 있다. 또한, CSI-RS 전송 주기 및 오프셋은 CSI-RS 설정(configuration) 별로 별도로 지정될 수 있다.도 10 은 CSI-RS 가 비주기적으로 전송되는 방식의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 도 10 에서는 하나의 무선 프레임이 10 개의 서브프레임(서브프레임 번호 0 내지 9)으로 구성되는 것을 도시한다. 도 10 에서와 같이 CSI-RS 가 전송되는 서브프레임은 특정 패턴으로 나타날 수 있다. 예를 들어, CSI-RS 전송 패턴이 10 서브프레임 단위로 구성될 수 있고, 각각의 서브프레임에서 CSI-RS 전송 여부를 1 비트 지시자로 지정할 수 있다. 도 10 의 예시에서는 10 개의 서브프레임(서브프레임 인덱스 0 내지 9) 내의 서브프레임 인덱스 3 및 4 에서 전송되는 CSI-RS 패턴을 도시하고 있다. 이러한 지시자는 상위 계층 시그널링을 통해 단말에게 제공될 수 있다.CSI-RS 전송에 대한 설정(configuration)은 전술한 바와 같이 다양하게 구성될 수 있으며, 단말이 올바르게 CSI-RS 를 수신하여 채널 측정을 수행하도록 하기 위해서는, 기지국이 CSI-RS 설정을 단말에게 알려줄 필요가 있다. CSI-RS 설정을 단말에게 알려주는 본 발명의 실시예들에 대해서 이하에서 설명한다.CSI-RS 설정을 알려주는 방식일반적으로 기지국이 단말에게 CSI-RS 설정(configuration)을 알려주는 방식으로 다음 두 가지 방식이 고려될 수 있다.첫 번째 방식은, 동적 브로드캐스트 채널(Dynamic Broadcast Channel; DBCH) 시그널링을 이용하여 CSI-RS 설정(configuration)에 관한 정보를 기지국이 단말들에게 브로드캐스팅하는 방식이다.기존의 LTE 시스템에서 시스템 정보에 대한 내용을 기지국이 단말들에게 알려줄 때 보통 BCH(Broadcasting Channel)를 통해서 해당 정보를 전송할 수 있다. 만약 단말에게 알려줄 시스템 정보에 대한 내용이 많아서 BCH 만으로는 다 전송할 수 없는 경우에는, 기지국은 일반 하향링크 데이터와 같은 방식으로 시스템 정보를 전송하되, 해당 데이터의 PDCCH CRC 를 특정 단말 식별자(예를 들어, C-RNTI)가 아닌 시스템 정보 식별자(SI-RNTI)를 이용하여 마스킹하여 시스템 정보를 전송할 수 있다. 이 경우에, 실제 시스템 정보는 일반 유니캐스트 데이터와 같이 PDSCH 영역 상에서 전송된다. 이에 따라, 셀 안의 모든 단말들은 SI-RNTI 를 이용하여 PDCCH 를 디코딩 한 후, 해당 PDCCH 가 가리키는 PDSCH 를 디코딩하여 시스템 정보를 획득할 수 있다. 이와 같은 방식의 브로드캐스팅 방식을 일반적인 브로드캐스팅 방식인 PBCH(Physical BCH)와 구분하여 DBCH(Dynamic BCH) 라고 칭할 수 있다.한편, 기존의 LTE 시스템에서 브로드캐스팅되는 시스템 정보는 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 그 중 하나는 PBCH 를 통해 전송되는 MIB(Master Information Block)이고, 다른 하나는 PDSCH 영역 상에서 일반 유니캐스트 데이터와 다중화되어 전송되는 SIB(System Information Block)이다. 기존의 LTE 시스템에서 SIB 타입 1 내지 SIB 타입 8 (SIB1 내지 SIB8) 으로서 전송되는 정보들을 정의하고 있으므로, 기존의 SIB 타입에 정의되지 않는 새로운 시스템 정보인 CSI-RS 설정(configuration)에 대한 정보를 위해서 새로운 SIB 타입을 정의할 수 있다. 예를 들어, SIB9 또는 SIB10 을 정의하고 이를 통해서 CSI-RS 설정(configuration)에 대한 정보를 기지국이 DBCH 방식으로 셀 내 단말들에게 알려줄 수 있다.두 번째 방식은 RRC(Radio Resource Control) 시그널링을 이용하여 CSI-RS 설정(configuration)에 관한 정보를 기지국이 각각의 단말에게 알려주는 방식이다. 즉, 전용(dedicated) RRC 시그널링을 사용하여 CSI-RS 설정에 대한 정보가 셀 내의 단말들 각각에게 제공될 수 있다. 예를 들어, 단말이 초기 액세스 또는 핸드오버를 통해서 기지국과 연결(connection)을 확립(establish)하는 과정에서, 기지국이 해당 단말에게 RRC 시그널링을 통해 CSI-RS 설정(configuration)을 알려 주도록 할 수 있다. 또는 기지국이 단말에게 CSI-RS 측정에 기반한 채널 상태 피드백을 요구하는 RRC 시그널링 메시지를 전송할 때에, 해당 RRC 시그널링 메시지를 통해 CSI-RS 설정(configuration)을 해당 단말에게 알려 주도록 할 수도 있다.CSI-RS 설정의 지시(indication)임의의 기지국에서 다수의 CSI-RS 설정(configuration)이 이용될 수 있고, 기지국은 각각의 CSI-RS 설정에 따른 CSI-RS 를 미리 결정된 서브프레임 상에서 단말에게 전송할 수 있다. 이 경우, 기지국은 단말에게 다수의 CSI-RS 설정(configuration)을 알려주며, 그 중에서 CQI(Channel Quality Information) 또는 CSI(Channel State Information) 피드백을 위한 채널 상태 측정에 사용될 CSI-RS 가 무엇인지를 단말에게 알려줄 수 있다.이와 같이 기지국이 단말에서 사용될 CSI-RS 설정(configuration) 및 채널 측정에 이용될 CSI-RS 를 지시(indication)하는 것에 대한 실시예를 이하에서 설명한다.도 11 은 2 개의 CSI-RS 설정(configuration)이 사용되는 예를 설명하기 위한 도면이다. 도 11 에서는 하나의 무선 프레임이 10 개의 서브프레임(서브프레임 번호 0 내지 9)으로 구성되는 것을 도시한다. 도 11 에서 제 1 CSI-RS 설정(configuration), 즉, CSI-RS1 은 CSI-RS 의 전송 주기가 10ms 이고, CSI-RS 전송 오프셋이 3 이다. 도 11 에서 제 2 CSI-RS 설정(configuration), 즉, CSI-RS2 는 CSI-RS 의 전송 주기가 10ms 이고, CSI-RS 전송 오프셋이 4 이다. 기지국은 단말에게 두 개의 CSI-RS 설정(configuration)에 대한 정보를 알려주며, 그 중에서 어떤 CSI-RS 설정(configuration)을 CQI(또는 CSI) 피드백을 위해 사용할지를 알려줄 수 있다.단말은 특정 CSI-RS 설정(configuration)에 대한 CQI 피드백을 기지국으로부터 요청 받으면, 해당 CSI-RS 설정(configuration)에 속하는 CSI-RS 만을 이용하여 채널 상태 측정을 수행할 수 있다. 구체적으로, 채널 상태는 CSI-RS 수신 품질과 잡음/간섭의 양과 상관계수의 함수로 결정되는데, CSI-RS 수신 품질 측정은 해당 CSI-RS 설정(configuration)에 속하는 CSI-RS 만을 이용하여 수행되고, 잡음/간섭의 양과 상관계수(예를 들어, 간섭의 방향을 나타내는 간섭 공분산 행렬(Interference Covariance Matrix) 등)를 측정하기 위해서는 해당 CSI-RS 전송 서브프레임에서 또는 지정된 서브프레임들에서 측정이 수행될 수 있다. 예를 들어, 도 11 의 실시예에서 단말이 제 1 CSI-RS 설정(CSI-RS1) 에 대한 피드백을 기지국으로부터 요청 받았을 경우에, 단말은 하나의 무선 프레임의 4 번째 서브프레임(서브프레임 인덱스 3)에서 전송되는 CSI-RS 를 이용하여 수신 품질 측정을 수행하며, 잡음/간섭의 양과 상관계수 측정을 위해서는 별도로 홀수 번째 서브프레임을 사용하도록 지정 받을 수 있다. 또는, CSI-RS 수신 품질 측정과 잡음/간섭의 양과 상관계수 측정을 특정 단일 서브프레임(예를 들어, 서브프레임 인덱스 3)에 한정하여 측정하도록 지정할 수도 있다.예를 들어, CSI-RS 를 이용하여 측정된 수신 신호 품질은 신호-대-간섭및잡음비(Signal-to-Interference plus Noise Ratio; SINR)로서 간략하게 S/(I+N) (여기서 S 는 수신신호의 강도, I 는 간섭의 양, N 은 노이즈의 양)으로 표현될 수 있다. S 는 해당 단말에게 전송되는 신호를 포함하는 서브프레임에서 CSI-RS 를 포함하는 서브프레임에서 CSI-RS 를 통해서 측정될 수 있다. I 및 N 은 주변 셀로부터의 간섭의 양, 주변 셀로부터의 신호의 방향 등에 따라 변화하므로, S 를 측정하는 서브프레임 또는 별도로 지정되는 서브프레임에서 전송되는 CRS 등을 통해서 측정할 수 있다.여기서, 잡음/간섭의 양과 상관계수의 측정은, 해당 서브프레임내의 CRS 또는 CSI-RS 가 전송되는 자원요소(Resource Element, RE)에서 이루어질 수도 있고, 또는 잡음/간섭의 측정을 용이하게 하기 위하여 설정된 널 자원요소(Null RE)를 통해 이루어 질 수도 있다. CRS 또는 CSI-RS RE 에서 잡음/간섭을 측정하기 위하여, 단말은 먼저 CRS 또는 CSI-RS 를 복구(recover)한 뒤, 그 결과를 수신신호에서 빼서(subtract) 잡음과 간섭 신호만 남겨서, 이로부터 잡음/간섭의 통계치를 얻을 수 있다. Null RE 는 해당 기지국이 어떠한 신호도 전송하지 않고 비워둔(즉, 전송 전력이 0 (zero) 인) RE 를 의미하고, 해당 기지국을 제의한 다른 기지국으로부터의 신호 측정을 용이하게 하여준다. 잡음/간섭의 양과 상관계수의 측정을 위하여 CRS RE, CSI-RS RE 및 Null RE를 모두 사용 할 수도 있으나, 기지국은 그 중에서 어떤 RE들을 사용하여 잡음/간섭을 측정할지에 대해서 단말기에게 지정해줄 수도 있다. 이는, 단말이 측정을 수행하는 RE 위치에 전송되는 이웃 셀의 신호가 데이터 신호인지 제어 신호인지 등에 따라 해당 단말이 측정할 RE 를 적절하게 지정하는 것이 필요하기 때문이며, 해당 RE 위치에서 전송되는 이웃 셀의 신호가 무엇인지는 셀간 동기가 맞는지 여부 그리고 CRS 설정(configuration)과 CSI-RS 설정(configuration) 등에 따라 달라지므로 기지국에서 이를 파악하여 단말에게 측정을 수행할 RE 를 지정해줄 수 있다. 즉, 기지국은 CRS RE, CSI-RS RE 및 Null RE 중에서 전부 또는 일부를 사용하여 잡음/간섭을 측정하도록 단말기에 지정해 줄 수 있다.예를 들어, 기지국은 복수개의 CSI-RS 설정(configuration)을 사용할 수 있고, 기지국은 단말기에 하나 이상의 CSI-RS 설정(configuration)을 알려주면서 그 중에서 CQI 피드백에 이용될 CSI-RS 설정(configuration) 및 Null RE 위치에 대해서 알려줄 수 있다. 단말기가 CQI 피드백에 이용할 CSI-RS 설정(configuration)은, 0 의 전송 전력으로 전송되는 Null RE 와 구별하는 측면에서 표현하자면, 0 이 아닌(non-zero) 전송 전력으로 전송되는 CSI-RS 설정(configuration)이라고 할 수 있다. 예를 들어, 기지국은 단말이 채널측정을 수행할 하나의 CSI-RS 설정(configuration)을 알려주고, 단말은 상기 하나의 CSI-RS 설정(configuration)에서 CSI-RS 가 0 이 아닌(non-zero) 전송 전력으로 전송되는 것으로 가정(assume)할 수 있다. 이에 추가적으로, 기지국은 0 의 전송 전력으로 전송되는 CSI-RS 설정(configuration)에 대해서(즉, Null RE 위치에 대해서) 알려주고, 단말은 해당 CSI-RS 설정(configuration)의 자원요소(RE) 위치에 대해 0 의 전송 전력임을 가정(assume)할 수 있다. 달리 표현하자면, 기지국은 0 이 아닌 전송 전력의 하나의 CSI-RS 설정(configuration)을 단말에게 알려주면서, 0 의 전송 전력의 CSI-RS 설정(configuration)이 존재하는 경우에는 해당 Null RE 위치를 단말에게 알려줄 수 있다.위와 같은 CSI-RS 설정(configuration)의 지시 방안에 대한 변형예로서, 기지국은 단말기에 다수의 CSI-RS 설정(configuration)을 알려주고, 그 중에서 CQI 피드백에 이용될 전부 또는 일부의 CSI-RS 설정(configuration)에 대해서 알려줄 수 있다. 이에 따라, 다수의 CSI-RS 설정(configuration)에 대한 CQI 피드백을 요청 받은 단말은, 각각의 CSI-RS 설정(configuration)에 해당하는 CSI-RS 를 이용하여 CQI 를 측정하고, 측정된 다수의 CQI 정보들을 함께 기지국으로 전송할 수 있다.또는, 단말이 다수의 CSI-RS 설정(configuration) 각각에 대한 CQI 를 기지국으로 전송할 수 있도록, 기지국은 단말의 CQI 전송에 필요한 상향링크 자원을 각각의 CSI-RS 설정(configuration) 별로 미리 지정할 수 있고, 이러한 상향링크 자원 지정에 대한 정보는 RRC 시그널링을 통하여 미리 단말에게 제공될 수 있다.또는, 기지국은 단말로 하여금 다수의 CSI-RS 설정(configuration) 각각에 대한 CQI 를 기지국으로 전송하도록 동적으로 트리거링(trigger) 할 수 있다. CQI 전송의 동적인 트리거링은 PDCCH 를 통해서 수행될 수 있다. 어떤 CSI-RS 설정(configuration)에 대한 CQI 측정을 수행할지가 PDCCH 를 통해 단말에게 알려질 수 있다. 이러한 PDCCH 를 수신하는 단말은 해당 PDCCH 에서 지정된 CSI-RS 설정(configuration) 에 대한 CQI 측정 결과를 기지국으로 피드백할 수 있다.다수의 CSI-RS 설정(configuration)의 각각에 해당하는 CSI-RS 의 전송 시점은 다른 서브프레임에서 전송되도록 지정될 수도 있고, 또는 동일한 서브프레임에서 전송되도록 지정될 수도 있다. 동일 서브프레임에서 서로 다른 CSI-RS 설정(configuration)에 따른 CSI-RS 의 전송이 지정되는 경우, 이들을 서로 구별하는 것이 필요하다. 서로 다른 CSI-RS 설정(configuration)에 따른 CSI-RS 들을 구별하기 위해서, CSI-RS 전송의 시간 자원, 주파수 자원 및 코드 자원 중 하나 이상을 다르게 적용할 수 있다. 예를 들어, 해당 서브프레임에서 CSI-RS 의 전송 RE 위치가 CSI-RS 설정(configuration) 별로 다르게 (예를 들어, 하나의 CSI-RS 설정에 따른 CSI-RS 는 도 8(a) 의 RE 위치에서 전송되고, 다른 하나의 CSI-RS 설정에 따른 CSI-RS 는 동일한 서브프레임에서 도 8(b)의 RE 위치에서 전송되도록) 지정할 수 있다(시간 및 주파수 자원을 이용한 구분). 또는, 서로 다른 CSI-RS 설정(configuration)에 따른 CSI-RS 들이 동일한 RE 위치에서 전송되는 경우에, 서로 다른 CSI-RS 설정(configuration)에서 CSI-RS 스크램블링 코드를 상이하게 사용함으로써 서로 구분되게 할 수도 있다(코드 자원을 이용한 구분).의사 코-로케이티드(quasi co-located; QC)단말은 복수의 전송 포인트(transmission point; TP)들, 예컨대, TP1 및 TP2로부터 데이터를 수신할 수 있으며, 이에 따라 단말은 상기 복수의 TP 들에 대한 채널상태정보를 전송할 수 있다. 이 경우, RS들도 상기 복수의 TP들로부터 상기 단말로 전송될 수 있다. 이러한 경우에 있어서, 서로 다른 TP 들의 서로 다른 RS 포트들로부터 채널 추정을 위한 특성들을 서로 공유할 수 있다면, 상기 단말의 수신 프로세싱의 부하와 복잡도를 낮출 수 있을 것이다. 아울러, 동일한 TP 의 서로 다른 RS 포트들로부터의 채널 추정을 위한 특성을 RS 포트들 간에 공유할 수 있다면, 상기 단말의 수신 프로세싱의 부하와 복잡도를 낮출 수 있을 것이다. 이에, LTE-A 시스템은 RS 포트들 간의 채널 추정을 위한 특성들을 공유하는 방안을 제안하고 있다.이러한 RS 포트들 간의 채널 추정을 위해, LTE-A 시스템은 "의사 코-로케이티드(quasi co-located; QCL)"이라는 개념을 도입했다. 예를 들면, 하나의 안테나 포트를 통해 심볼이 전달되는 무선 채널의 광범위 특성(large-scale property)이 다른 하나의 안테나 포트를 통해 심볼이 전달되는 무선 채널로부터 암시(infer)될 수 있다면, 상기 두 개의 안테나 포트들은 의사 코-로케이티드된다고 말할 수 있다. 여기서, 상기 광범위 특성은 지연 확산(delay spread), 도플러 확산(Doppler spread), 도플러 쉬프트(Doppler shift), 평균 이득(average gain) 및 평균 지연(average delay) 중 하나 이상을 포함한다. 앞으로, 상기 의사 코-로케이티드를 간단히 QCL 이라고 칭하도록 한다.즉, 두 개의 안테나 포트들이 QCL 되었다 함은, 하나의 안테나 포트로부터의 무선 채널의 광범위 특성이 나머지 하나의 안테나 포트로부터의 무선 채널의 광범위 특성과 같음을 의미한다. 서로 다른 두 종류의 RS 가 전송되는 안테나 포트들이 QCL 되면, 한 종류의 안테나 포트로부터의 무선 채널의 광범위 특성을 다른 한 종류의 안테나 포트로부터의 무선 채널의 광범위 특성으로 대체할 수 있을 것이다.상기 QCL 의 개념에 따라, 단말은 비-QCL 안테나 포트들에 대해서는 해당 안테나 포트들로부터의 무선 채널 간에 동일한 상기 광범위 특성을 가정할 수 없다. 즉, 이 경우 단말은 타이밍 획득 및 트랙킹(tracking), 주파수 오프셋 추정 및 보상, 지연 추정 및 도플러 추정 등에 대하여 각각의 설정된 비-QCL 안테나 포트 별로 독립적인 프로세싱을 수행하여야 한다.QCL 을 가정할 수 있는 안테나 포트들간에 대해서, 단말은 다음과 같은 동작을 수행할 수 있다는 장점이 있다. 먼저, 단말은 어떤 하나의 안테나 포트로부터의 무선 채널에 대한 지연 확산, 도플러 스펙트럼, 도플러 확산 추정 결과를 다른 안테나 포트로부터의 무선 채널에 대한 채널 추정 시 이용할 수 있다. 다음으로, 주파수 쉬프트 및 수신된 타이밍에 대하여, 단말은 어떤 하나의 안테나 포트에 대한 시간 및 주파수 동기화 수행한 후, 동일한 동기화를 다른 안테나 포트의 복조에 적용할 수 있다. 다음으로, 평균 수신 전력에 대하여, 단말은 둘 이상의 안테나 포트들에 대하여 RSRP(Reference Signal Received Power) 측정을 평균할 수 있다.단말이 제어 채널(PDCCH 또는 ePDCCH)를 통해 DMRS-기반 하향링크-관련 DCI 포맷을 수신하면, 단말은 DMRS 시퀀스를 통해 해당 PDSCH 에 대한 채널 추정을 수행한 후 데이터 복조를 수행한다. 예를 들어, 단말이 하향링크 스케줄링 그랜트(grant)로부터 받은 DMRS 포트의 구성(configuration)이 CRS 포트와의 QCL 가정(assumption)을 할 수 있다면, 단말은 해당 DMRS 포트를 통한 채널 추정시 CRS 포트로부터 추정한 무선 채널의 광범위 특성의 추정치를 그대로 적용할 수 있다. 왜냐하면, CRS 는 매 서브프레임 그리고 전체 대역에 걸쳐 상대적으로 높은 밀도(density)로 브로드캐스팅되는 참조신호이기 때문에, 일반적으로 상기 광범위 특성에 관한 추정치는 CRS 로부터 보다 안정적으로 획득이 가능하기 때문이다. 반면에, DMRS 는 특정 스케줄링된 RB 에 대해서는 단말-특정하게 전송되며, 또한 PRG 단위로 기지국이 송신에 사용한 프리코딩 행렬이 변할 수 있기 때문에 단말에게 수신되는 유효 채널은 PRG 단위로 달라질 수 있다. 따라서 넓은 대역에 걸쳐 DMRS 를 무선 채널의 광범위 특성 추정용으로 사용 시에 성능 열화가 발생할 수 있다. CSI-RS 도 비교적 그 전송 주기가 길고 낮은 밀도를 가지므로, CSI-RS 도 마찬가지로 상기 무선 채널의 광범위 특성 추정용으로 사용할 경우 성능 열화가 발생할 수 있다.즉, 안테나 포트들 간의 QCL 가정을, 각종 하향링크 참조 신호의 수신, 채널 추정, 채널 상태 보고 등에 활용할 수 있다.간섭 제거 방법도 12 는 하향 링크 시스템의 일반적인 간섭 환경을 도시한다.설명의 편의를 위하여, TP A 가 관할하는 cell 을 cell A 라하고 TP A 와 통신하는 사용자를 UE a 라 칭한다. 마찬가지로 인접 TP B 에 대해서도 cell B 와 UE b 가 존재한다. cell A 와 cell B 는 같은 무선 자원을 사용하므로 UE b 는 셀 경계에 위치한 사용자로서 cell A 로부터 간섭을 받는다. 이하에서 cell A 를 간섭 셀, TP A 를 간섭 TP, cell B 를 서빙 셀, TP B 를 서빙 TP, UE b 는 NAICS UE 로 칭한다. NAICS UE 는 간섭 셀로부터 오는 간섭 신호를 제거 하여 데이터 수신율을 높일 수 있다.NAICS UE 가 간섭을 효과적으로 제거하기 위해서는 간섭 신호에 대한 다양한 정보(IP, interference parameter)를 알고 있어야 한다. 예를 들면, TM(transmission mode)으로부터 독립적인 NAICS 환경에서는, CFI, MBSFN configuration, RI, CRS AP, Cell ID, Modulation Order, MCS, RNTI, TM 의 정보가 필요하다. 만약, CRS TM 의 NAICS 환경이라면, PMI, Data to RS EPRE, PA, PB, System bandwidth, PDSCH allocation 의 정보가 필요하다. 또한, DM-RS TM 의 NAICS 환경이라면, PDSCH bandwidth for DM-RS, Data to RS EPRE, PB, DMRS APs, nSCID, CSI-RS presence and their pattern, Virtual cell ID 의 정보가 필요하다.NAICS UE 는 상술한 간섭 신호에 정보를 서빙 TP 또는 간섭 TP 를 통해 수신하거나, BD (Blind detection)을 통해 찾아내어, 간섭 신호를 제거한다. 하지만 요구되는 모든 IP (Interference parameters)를 수신하기에는 시그널링 오버헤드가 커지고, 복잡도가 증가할 수 있다. 또한 일부 IP 에 대해서 BD 을 수행하는 경우 부정확한 값을 검출(detection)하여 간섭 신호가 제대로 제거되지 않을 수 있다.이에 대한 해결책으로 일부 IP 에 대해서 네트워크 협력(Network coordination)을 통해 사전에 값을 제한할 수 있다. 즉, UE 는 제한된(restricted) set 내에서만 IP 에 대한 값을 BD 할 수 있다.하지만 상기와 같이 제한된 set 을 이용할 경우 해당 IP 에 대해 간섭 셀에서 스케줄링 할 수 있는 값들도 제한을 받게 되므로 간섭 셀의 스케줄링 자유도가 감소하는 단점이 있다. 제한된 set 을 작게 설정하는 것이 BD 정확도 개선과 복잡도 감소에 도움이 되지만 그만큼 간섭 셀의 스케줄링 자유도는 떨어지는 트레이드오프(tradeoff)가 존재한다.본 발명의 실시예에 따르면 상기 tradeoff 를 효과적으로 해결 하기 위해서 특정 IP A 에 대해 복수의 제한된 set(multiple restricted set)을 설정하고, UE 는 해당 IP A 와 다른 IP B 에 대해 joint BD 를 수행하는 동안 BD 복잡도를 고려하여 B 의 값에 따라 조건부로 A 의 제한된 set 을 선택할 수 있다.구체적으로 다음의 IP 에 대해 본 발명의 실시예를 적용할 수 있다.(1) 간섭 데이터(interference data)의 PA (parameter for the ratio of PDSCH EPRE to cell-specific RS EPRE)(2) 간섭 데이터(interference data)의 PMI(3) 간섭 PDSCH 존재 여부(4) nSCID제 1 실시예본 발명의 제 1 실시예는 간섭 데이터의 PA 에 대한 것이다.PA 는 데이터(PDSCH)와 CRS 간 전력비(power ratio) 값을 결정하는 인자로 UE 가 데이터 수신 전력을 예측하는 데 사용된다.NAICS UE 는 간섭 셀의 PDSCH 를 효과적으로 제거하기 위해 PA 값이 무엇인지 BD 를 통해 검출하는데, 이때 PA 값은 간섭 변조 차수(modulation order) 및 간섭 PMI 와 함께 joint BD 를 통해 검출될 수 있다.예를 들면, 간섭 변조 차수가 QPSK, 16QAM, 64QAM 중 하나이고 간섭 PMI 가 0,1,2,…,15 중 하나이며 PA 값이 8 가지 값 중 하나 일 때, UE 는 수신 신호를 기준으로 (4+16+64)168 개의 조합에 대해 확률이 가장 큰 한가지 조합을 검출하게 된다. 이 수식에서도 알 수 있듯이, 변조 차수에 따라서 PMI 와 PA 를 joint 하게 검출하는데 필요한 계산 복잡도가 급격히 높아질 수 있다.따라서, 효과적인 제한된 set 설정을 위해 복잡도가 작은 QPSK 에서는 제한된 set 의 원소 개수를 늘리고, 복잡도가 높은 64QAM 에서는 원소 개수를 줄이는 다중 집합(multiple set) 설정이 바람직하다.이를 위해 기지국은 UE 에게 PA 의 제한된 set 을 알려 주고, UE 는 joint BD 되는 변조 차수에 따라 각각 다른 PA 집합(set)을 이용할 수 있다.예를 들어, 전체 PA 집합 -6,-4.77,-3,-1.77,0,1,2,3 내에서 제 1 PA subset -3,-1,0,3, 제 2 PA subset -1,0, 제 3 PA subset 0을 UE 에게 알려 준다. UE 는 joint BD 수행 시 가정한 간섭 변조 차수가 QPSK, 16QAM, 64QAM 인 경우 각각 제 1 PA subset, 제 2 PA subset, 제 3 PA subset 을 이용하여 joint BD 를 수행한다.아래에서는, NAICS 를 위하여 종래와 다른 QPSK 신호 처리 방법을 구체적으로 살펴본다.QPSK 신호는 복조(demodulation) 시 신호 전력에 대한 고려 없이 위상(phase) 정보만으로 복조 하게 된다. 기존에는 기지국이 PA 값을 적용하지 않고 임의의 data to CRS 전력비(power ratio)로 QPSK 신호를 전송하였다. 하지만 NAICS UE 가 간섭 셀의 변조 차수를 검출(detection)하기 위해서는 간섭 셀이 전송하는 QPSK 에 대해서도 data to CRS 전력비를 알아야 한다. 따라서, 간섭 셀의 QPSK 신호에 대해서 도 PA 값이 적용되어야 한다.따라서, NAICS 를 위하여 QPSK 신호에 적용될 PA 값을 다음과 같이 설정할 수 있다.첫 번째로 기존 PA 값 -6,-4.77,-3,-1.77,0,1,2,3 을 그대로 사용하는 방법이 있다.두 번째로 기존 값에 추가적으로 다른 값들 더하여 PA 범위(range)를 확장(extension)하는 방법을 적용할 수 있다. 예를 들면, QPSK 를 위한 PA 집합은 -6,-4.77,-3,-1.77,0,1,2,3,6로 설정될 수 있다.이렇게 QPSK 를 위해 PA 범위가 확장된 경우, NAICS UE 는 간섭 기지국의 PA subset 을 하나만 수신 받고, 그 subset 에는 기존 PA 값 8 가지 중 일부와 QPSK 용으로 새롭게 정의된 PA 값 중 일부가 함께 존재하도록 설정할 수 있다.예를 들어, subset 크기(size)가 4 이고 UE 는 -6, -3,0,6를 간섭 기지국으로부터 수신한다. UE 는 이 subset 을 해석할 때, 64QAM, 16QAM 에 대해서는 subset 을 -6,-3,0으로 해석하고, QPSK 에 대해서는 subset 을 -6,-3,0,6으로 해석하여 BD 를 수행하는 것이 바람직하다.즉, PA 의 subset 이 하나만 수신되었지만 UE 는 64QAM, 16QAM의 PA subset 은 기존 PA 범위인 -6,-4.77,-3,-1.77,0,1,2,3 안에 존재하는 값들로 가정/해석하고, QPSK 의 PA subset 은 수신된 subset 그대로 가정/해석한다.정리하면, QPSK 용 PA 값에 새로운 값이 정의되고, NAICS UE 에게 간섭 변조 차수에 관계없이 하나의 PA subset 이 내려오는 경우, NAICS UE 는 다음과 같이 가정한다.먼저, 간섭 셀이 16QAM, 64QAM 을 사용한 경우 RRC 설정된 PA subset 에서 기존 PA 값에 해당하는 값에서만 하나를 선택하여 적용한다. 간섭 셀이 QPSK 을 사용한 경우 새로운 값을 포함하여 RRC 설정된 PA subset 중 한 값을 적용한다.이러한 PA subset 은 하나의 간섭 셀에 대한 정보이다. 따라서, UE 에게 여러 간섭 셀에 대한 NA 정보가 시그널링(signaling)되는 경우, 각 간섭 셀 별로 subset 이 독립적으로 내려오고, 각 간섭 셀 별로 상기 방식을 적용할 수 있다.도 13 은 본 발명의 제 1 실시예의 일례를 나타내는 흐름도이다.도 13 을 참조하면, 단말은 CRS (Common Reference Signal)의 EPRE(transmit energy per resource element)에 대한 PDSCH (Physical Downlink Control Channel) 의 EPRE 의 비인 PA 정보를 수신한다(S131).여기서 PA 정보는 변조 차수에 따라 구분되는 제 1 PA 정보 및 제 2 PA 정보를 각각 포함할 수 있으며, 제 1 PA 정보는 QPSK 를 제외한 적어도 하나의 변조 차수에 대한 PA 값을 포함하고, 제 2 PA 정보는 QPSK 를 위한 변조 차수에 대한 PA 값을 포함하는 것이 바람직하다.다음으로, 신호의 변조차수에 대응하는 제 1 PA 정보 또는 제 2 PA 정보를 이용하여 인접 셀의 간섭을 제거하고 신호를 수신한다(S133).제 2 실시예본 발명의 제 2 실시예는 간섭 데이터의 PMI 에 대한 것이다.PMI 역시 PA 와 마찬가지로 joint BD 되는 임의의 IP 에 대해 조건부로 제한된(restricted) set 을 적용할 수 있다.예를 들어, 전체 16 개 PMI 에서 제 1 PA subset 0,1,2,…,15, 제 2 PA subset 0,1,2,…,15, 제 3 PA subset 0,4,8,12을 UE 에게 알려 주면, UE 는 joint BD 수행 시 가정한 간섭 변조 차수가 QPSK, 16QAM, 64QAM 인 경우 각각 제 1 PA subset, 제 2 PA subset, 제 3 PA subset 을 이용하여 joint BD 를 수행한다.한편, PMI 와 마찬가지로 RI 값 역시 변조 차수 별로 다른 subset 을 설정하여 BD 복잡도를 감소시킬 수 있다.제 3 실시예본 발명의 제 3 실시예는 간섭 PDSCH 존재 여부에 대한 것이다.간섭 셀이 전송하는 PDSCH 가 DMRS 기반(based) 전송모드(Transmission Mode) (e.g. TM8, TM9, and TM 10) 로 전송되는 경우, NAICS UE 는 DMRS RE 에서 DMRS 에너지(energy) 검출을 통해 간섭 PDSCH 존재 여부를 비교적 쉽게 검출 할 수 있다.하지만 CRS 기반 TM 방식으로 간섭 PDSCH 가 전송되는 경우 CRS 는 PDSCH 전송 여부와 무관하게 항상 전송되므로 CRS 에너지 검출을 통해서 간섭 PDSCH 존재 여부를 검출하기 어렵다.따라서 CRS 기반 TM 방식으로 간섭 PDSCH 가 전송되는 경우, 기지국이 UE 에게 간섭 PDSCH 존재 유무를 알려 주는 것이 바람직하다.이를 위한 첫번째 방법으로, 기지국은 CRS 기반의 간섭 PDSCH 가 DMRS 기반 간섭과 선택적으로 존재하는 자원 영역 A 와 CRS 기반 간섭 PDSCH 가 존재하지 않는 자원 영역 B 를 구분하여 설정하고, UE 에게 알려 줄 수 있다. 이에 따라, 자원영역 A 에서 DMRS 기반 간섭의 존재 유무 판단을 통해 CRS 기반 간섭 PDSCH 의 존재 유무도 알 수 있다.예를 들면, DMRS 기반 간섭 PDSCH 의 존재 유무를 파악할 때, UE 는 상기 설정 받은 자원 영역(자원 영역 A 및 자원 영역 B)과 무관하게 각 RB 별로 DMRS 에너지 검출을 통해 파악한다.반면, CRS 기반 간섭 PDSCH 의 존재 유무를 파악할 때, UE 는 CRS 기반 간섭 PDSCH 가 존재하지 않는 자원 영역 B 를 제외하고 CRS 기반의 간섭 PDSCH 가 존재 가능한 자원 영역 A 에서만 DMRS 기반 간섭의 존재를 판단한다. UE 는 자원영역 A 영역에서 DMRS 기반 간섭이 존재하지 않으면 CRS 기반 간섭이 존재한다고 가정한다. 자원영역 B 는 CRS 기반 간섭 PDSCH 가 존재하지 않도록 설정되었으므로 CRS 기간 간섭 PDSCH 의 존재 유무를 판단할 필요가 없다.간섭 기지국은 DMRS 기반 TM 으로 데이터를 전송하는 경우 제한없이 임의의 주파수 영역에 대해 스케줄링을 수행할 수 있다. 반면, CRS 기반 TM 으로 데이터를 전송하는 경우 자원 영역 A 에 한하여 스케줄링을 수행해야 한다.상기 방식을 통해 간섭 TM 에 따라 간섭 PDSCH 존재 여부를 파악하는 자원 영역을 다르게 설정하는 것이 가능하다.두번째 방법으로, 기지국은 간섭 셀이 CRS 기반 TM 으로 데이터를 전송하는 자원 영역을 지정하여 UE 에게 알려 줄 수 있다.UE 는 해당 영역에서 간섭 셀이 항상 CRS 기반 TM 으로 데이터를 전송한다고 가정하고 NAICS 를 수행한다. 나머지 영역에서 UE 는 CRS 기반 TM, DMRS 기반 TM, 또는 muting 등의 모든 가능성을 열어 두고 BD 를 수행한다. 이 때, 간섭 셀은 해당 자원 영역에서 항상 CRS 기반 TM 으로 신호를 전송해야 하고, 나머지 영역에 대해서는 자유롭게 스케줄링 할 수 있다.제 4 실시예본 발명의 제 4 실시예는 nSCID 에 대한 것이다.간섭 기지국이 TM10 방식으로 데이터를 전송하는 경우, NAICS UE 는 해당 DMRS 의 가상(virtual) cell ID 및 nSCID 를 검출하여 간섭 채널을 추정해야 한다. 이때, 간섭 기지국이 사용할 수 있는 가상 cell ID set 과 nSCID set 에 제한을 가하고, 각각에 대한 제한된 set 을 UE 에게 전송할 수 있다.하지만 상기 동작을 통해 nSCID 를 0 또는 1 로 제한하는 경우 MU-MIMO 및 DPS(Dynamic point selection)를 수행하는 데 제약이 가해 질 수 있다.이를 해결하기 위해서 가상 cell ID set 과 nSCID set 에 대해 joint 제한(restriction)을 설정할 수 있다.예를 들어, set 제한이 없을 때 간섭 기지국이 사용할 수 있는 가상 cell ID 는 100, 101, 102 이고 nSCID 는 0,1이라 가정한다. 이 경우, joint 제한된 set 으로 (100,0), (101,0), (101,1)을 설정할 수 있다. 이 경우 간섭 기지국은 가상 cell ID 100 에 대해 nSCID 0 만을 사용하고, 101 에 대해서는 nSCID 0,1 을 모두 사용할 수 있고, 가상 cell ID 102 는 사용할 수 없다.간섭 셀은 가상 cell ID 101 에 대해 여전히 nSCID 0 또는 1 을 설정할 수 있으므로 가상 cell ID 101 을 사용해서 MU-MIMO 및 DPS(Dynamic point selection)동작을 제약 없이 수행할 수 있다.제 5 실시예상기 실시예들에서는 특정 IP A 에 대해 복수의 제한된 set 을 설정하고 UE 가 해당 IP A 와 또 다른 IP B 에 대해 joint BD 를 수행 시 BD 복잡도를 감안하여 B 의 값에 따라 조건부로 A 의 제한된 set 을 선택하였다.이와 유사하게 간섭 셀의 CRS port 수에 따라 조건부로 특정 IP 에 대한 제한된 set 을 적용할 수 있다.CRS port 가 2 개인 경우와 비교하여, CRS port 가 4 개인 경우는 PMI 의 개수가 rank 당 16 개로 증가함에 따라 NAICS UE 의 BD 복잡도가 증가한다. 따라서 CRS port 개수에 따라 제한된 set 을 적용할 IP 가 달라져야 할 필요가 있다.예를 들어 PA, PMI, RI, 변조 차수 중 PA 만을 제한된 set 으로 설정하여 UE 에게 알려 주었을 때, CRS port 개수가 2 개인 경우 모든 IP 에 대해 BD 가 가능(feasible)하다. 하지만, CRS port 가 4 개인 경우 BD 가 불가능(infeasible)할 수 있다.따라서 CRS port 가 4 개인 경우 PA 외에 추가적으로 더 많은 IP 에 대해 (예를 들어 변조 차수, RI 등) 제한된 set 을 설정하여 UE 에게 알려 주는 것이 바람직하다.한편, 상술한 본 발명의 실시예들은 인터 셀(inter-cell) 상황의 NAICS 를 가정하고 설명하였지만, 본 발명의 특징들은 MU-MIMO 상황의 NAICS 에도 동일하게 적용될 수 있다. 즉, 상술한 본 발명의 실시예들에서 단말은 인접 셀의 다른 단말에게 전송되는 데이터 신호로부터 간섭을 받고 있으며, 단말이 그 간섭을 적절히 제거하기 위한 효율적인 방법을 설명하였다. 하지만 본 발명의 특징들은 MU-MIMO 되는 동일 셀의 다른 단말로 전송되는 데이터 신호로부터 간섭을 받았을 때, 단말이 그 간섭을 적절히 제거하는 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.도 14 는 본 발명에 일 실시예에 적용될 수 있는 기지국 및 단말을 예시한다.무선 통신 시스템에 릴레이가 포함되는 경우, 백홀 링크에서 통신은 기지국과 릴레이 사이에 이뤄지고 억세스 링크에서 통신은 릴레이와 단말 사이에 이뤄진다. 따라서, 도면에 예시된 기지국 또는 단말은 상황에 맞춰 릴레이로 대체될 수 있다.도 14 를 참조하면, 무선 통신 시스템은 기지국(1410) 및 단말(1420)을 포함한다. 기지국(1410)은 프로세서(1413), 메모리(1414) 및 무선 주파수(Radio Frequency, RF) 유닛(1411, 1412)을 포함한다. 프로세서(1413)는 본 발명에서 제안한 절차 및/또는 방법들을 구현하도록 구성될 수 있다. 메모리(1414)는 프로세서(1413)와 연결되고 프로세서(1413)의 동작과 관련한 다양한 정보를 저장한다. RF 유닛(1416)은 프로세서(1413)와 연결되고 무선 신호를 송신 및/또는 수신한다. 단말(1420)은 프로세서(1423), 메모리(1424) 및 RF 유닛(1421, 1422)을 포함한다. 프로세서(1423)는 본 발명에서 제안한 절차 및/또는 방법들을 구현하도록 구성될 수 있다. 메모리(1424)는 프로세서(1423)와 연결되고 프로세서(1423)의 동작과 관련한 다양한 정보를 저장한다. RF 유닛(1421, 1422)은 프로세서(1423)와 연결되고 무선 신호를 송신 및/또는 수신한다. 기지국(1410) 및/또는 단말(1420)은 단일 안테나 또는 다중 안테나를 가질 수 있다.이상에서 설명된 실시예들은 본 발명의 구성요소들과 특징들이 소정 형태로 결합된 것들이다. 각 구성요소 또는 특징은 별도의 명시적 언급이 없는 한 선택적인 것으로 고려되어야 한다. 각 구성요소 또는 특징은 다른 구성요소나 특징과 결합되지 않은 형태로 실시될 수 있다. 또한, 일부 구성요소들 및/또는 특징들을 결합하여 본 발명의 실시예를 구성하는 것도 가능하다. 본 발명의 실시예들에서 설명되는 동작들의 순서는 변경될 수 있다. 어느 실시예의 일부 구성이나 특징은 다른 실시예에 포함될 수 있고, 또는 다른 실시예의 대응하는 구성 또는 특징과 교체될 수 있다. 특허청구범위에서 명시적인 인용 관계가 있지 않은 청구항들을 결합하여 실시예를 구성하거나 출원 후의 보정에 의해 새로운 청구항으로 포함시킬 수 있음은 자명하다.본 문서에서 기지국에 의해 수행된다고 설명된 특정 동작은 경우에 따라서는 그 상위 노드(upper node)에 의해 수행될 수 있다. 즉, 기지국을 포함하는 복수의 네트워크 노드들(network nodes)로 이루어지는 네트워크에서 단말과의 통신을 위해 수행되는 다양한 동작들은 기지국 또는 기지국 이외의 다른 네트워크 노드들에 의해 수행될 수 있음은 자명하다. 기지국은 고정국(fixed station), Node B, eNodeB(eNB), 억세스 포인트(access point) 등의 용어에 의해 대체될 수 있다.본 발명에 따른 실시예는 다양한 수단, 예를 들어, 하드웨어, 펌웨어(firmware), 소프트웨어 또는 그것들의 결합 등에 의해 구현될 수 있다. 하드웨어에 의한 구현의 경우, 본 발명의 일 실시예는 하나 또는 그 이상의 ASICs(application specific integrated circuits), DSPs(digital 신호 processors), DSPDs(digital 신호 processing devices), PLDs(programmab1e logic devices), FPGAs(field programmable gate arrays), 프로세서, 콘트롤러, 마이크로 콘트롤러, 마이크로 프로세서 등에 의해 구현될 수 있다.펌웨어나 소프트웨어에 의한 구현의 경우, 본 발명의 일 실시예는 이상에서 설명된 기능 또는 동작들을 수행하는 모듈, 절차, 함수 등의 형태로 구현될 수 있다. 소프트웨어 코드는 메모리 유닛에 저장되어 프로세서에 의해 구동될 수 있다.상기 메모리 유닛은 상기 프로세서 내부 또는 외부에 위치하여, 이미 공지된 다양한 수단에 의해 상기 프로세서와 데이터를 주고 받을 수 있다.상술한 바와 같이 개시된 본 발명의 바람직한 실시예들에 대한 상세한 설명은 당업자가 본 발명을 구현하고 실시할 수 있도록 제공되었다. 상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 본 발명의 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, 당업자는 상술한 실시예들에 기재된 각 구성을 서로 조합하는 방식으로 이용할 수 있다. 따라서, 본 발명은 여기에 나타난 실시형태들에 제한되려는 것이 아니라, 여기서 개시된 원리들 및 신규한 특징들과 일치하는 최광의 범위를 부여하려는 것이다.본 발명은 본 발명의 정신 및 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구체화될 수 있다. 따라서, 상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니 되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다. 본 발명은 여기에 나타난 실시형태들에 제한되려는 것이 아니라, 여기서 개시된 원리들 및 신규한 특징들과 일치하는 최광의 범위를 부여하려는 것이다. 또한, 특허청구범위에서 명시적인 인용 관계가 있지 않은 청구항들을 결합하여 실시예를 구성하거나 출원 후의 보정에 의해 새로운 청구항으로 포함할 수 있다. [ 산업상 이용가능성 ] 본 발명은 단말, 릴레이, 기지국 등과 같은 무선 통신 장치에 사용될 수 있다.	본 발명은 무선 통신 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 무선 통신 시스템에서 단말이 네트워크 협력 간섭 제거(network assisted interference cancellation)를 이용하여 신호를 수신하는 방법에 있어서, CRS(Common Reference Signal)의 EPRE(transmit energy per resource element)에 대한 PDSCH (Physical Downlink Control Channel) 의 EPRE의 비인 PA 정보를 수신하는 단계 - 여기서 상기 PA 정보는 변조 차수에 따라 구분되는 제1 PA 정보 및 제2 PA 정보를 각각 포함함; 및 상기 신호의 변조차수에 대응하는 상기 제1 PA 정보 또는 제2 PA 정보를 이용하여 인접 셀의 간섭을 제거하고 신호를 수신하는 단계를 포함할 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 건축 재료를 위한 코팅 조성물 및 피복 건축 재료 기재COATING COMPOSITIONS FOR BUILDING MATERIALS AND COATED BUILDING MATERIAL SUBSTRATES [ 기술분야 ] 본원은 건축 재료를 위한 코팅물에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본원에 기술된 소정의 실시태양들은 상대 습도 (RH) 함수로서 가변 수증기 투과율 값을 가지는 피복 기재를 효과적으로 제공하는 코팅물에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 건축 재료는 바람직한 물성을 제공하기 위하여 이에 부착되는 필름 또는 대면 재료를 포함한다. 필름 또는 대면 재료는 전형적으로 석유 제품을 포함하고, 따라서 재료 제조 및/또는 사용 중에 실질적으로 휘발성 유기화합물 (VOC)이 방출된다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 현재 입수 가능한 제품은 낮은 상대 습도에서 바람직한 수증기 투과율을 유지하지 못한다. 더욱이, 현재 코팅 배합물은 다공성 기재, 예컨대 다공성 부직물과 함께 사용되지 못한다. 다양한 상이한 기재, 예를들면, 다공성 기재 및 특히 다공성 부직물 기재에서 사용될 수 있고, 특히 낮은 상대 습도에서 바람직한 수증기 투과율을 제공할 수 있는 새로운 코팅 조성물을 제공할 혁신적인 해결책이 필요하다. [ 과제의 해결 수단 ] 당업자는 본 발명의 이점을 고려할 때, 더욱 보기 좋은 도면들을 제공하기 위하여 도면 중 소정의 치수 또는 형상은 확대, 변형 또는 달리 비정상적 또는 비-비례적 방식으로 도시된다는 것을 인정할 것이다. 치수 또는 값이 하기 설명에 특정되지만, 치수 또는 값은 단지 예시적 목적으로 제공되는 것이다. 정면, 배면, 평면 및 저면 참고도가 설명 목적으로 비-제한적으로 제공된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 소정의 실시태양들은 첨부 도면을 참조하여 설명된다:도 1은 본 발명의 일 실시태양에 의한 피복 기재를 도시한 것이다. 도 2는 피복 기재를 도시한 것이고 코팅물은 본 발명의 일 실시태양에 의한 기재에 특정 깊이로 침투한다. 도 3은 실시예 3의 점도 측정값의 그래프이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 일반적으로, 본 발명은 건축 재료 기재를 위한 코팅 조성물 및 경화될 때 습도에 따라 선택적으로 수증기를 지연 (retard)시키는 피복 기재에 관한 것이다. 이들 개념은 상기 설명에서 더욱 잘 이해된다. 코팅 조성물은 일반적으로 소수성 성분 및 친수성 성분을 포함하다. 소정의 실시태양들에서, 소수성 성분은 수불용성 고분자를 포함한다. 특정 실시태양들에서, 수불용성 고분자는 코팅 조성물에 수성 분산액으로 제공되어 수불용성 고분자는 수중에 분산된다. 매우 특정한 실시태양들에서, 소수성 성분은 라텍스를 포함한다. 예를들면, 라텍스는 스티렌 부타디엔, 스티렌 아크릴, 아크릴, 비닐 아세테이트 에틸렌, 염화비닐리덴, 폴리에틸렌, 왁스, 폴리염화비닐, 폴리비닐 부티랄, 폴리프로필렌, 부타디엔 또는 이들 조합의 라텍스를 포함한다. 더욱 특정한 실시태양들에서, 소수성 성분은 스티렌 부타디엔 라텍스를 포함한다.소정의 실시태양들에서, 소수성 성분은 % 카르복실화로 기술될 수 있다. % 카르복실화는 고분자 골격에서 카르복실산 단량체의 중량%를 의미한다. 따라서, 특정 실시태양들에서, 소수성 성분의 % 카르복실화는 실질적으로 0%, 적어도 약 0.1%, 적어도 약 0.5%, 또는 적어도 약 1%이다. 추가 실시태양들에서, 소수성 성분의 % 카르복실화는 약 20% 이하, 약 15% 이하, 약 10% 이하, 약 5% 이하, 또는 약 3% 이하이다. 더욱이, 소수성 성분의 % 카르복실화는 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 범위, 예컨대 0% 내지 20%, 0.1% 내지 15%, 0.5% 내지 10%, 또는 1% 내지 8%이다. 매우 특정한 실시태양들에서, 소수성 성분의 % 카르복실화는 약 0%이고 이 경우, 소수성 성분은 고분자 골격에서 카르복실산 단량체가 실질적으로 부재이다. 상기 % 카르복실화의 특정 이점은 친수성 성분과 조합하여 상대 습도에 따른 우수한 투과율을 달성한다는 것이다. 이론에 구속되지 않고, 높은 수준의 카르복실화에서 라텍스는 중간 상대 습도에서 너무 높은 수증기 투과율을 가지는 경향이 있다고 판단된다. 소정의 실시태양들에서, 소수성 성분은 유리전이온도 (Tg)로 기술될 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 소수성 성분의 유리전이온도 (Tg)는 시차주사 열량측정법 또는 동적 역학적 거동분석에 따라 측정된다. 따라서, 소정의 실시태양들에서, 소수성 성분의 유리전이온도 (Tg)는 적어도 약 -50 ℃, 적어도 약 -40 ℃, 또는 적어도 약 -30 ℃이다. 추가 실시태양들에서, 소수성 성분의 유리전이온도 (Tg)는 약 35 ℃ 이하, 약 25 ℃ 이하, 약 25 ℃ 이하 또는 약 15 ℃ 이하이다. 더욱이, 소수성 성분의 유리전이온도는 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 범위, 예컨대 -30 내지 25 ℃, -30 내지 15 ℃, 또는 -30 내지 0 ℃일 수 있다. 소정의 실시태양들에서, 소수성 성분은 장벽층의 소수성 ＆ 친수성 성분들의 총 건량 기준으로 조성물 또는 장벽층에 적어도 약 15 wt.%, 적어도 약 25wt.%, 적어도 약 35 wt%, 또는 적어도 약 45 wt.%로 존재한다. 추가 실시태양들에서, 소수성 성분은 장벽층의 소수성 ＆ 친수성 성분들의 총 건량 기준으로 조성물 또는 장벽층에 약 99 wt% 이하, 약 98 wt% 이하, 또는 약 97 wt.% 이하로 존재한다. 더욱이, 소수성 성분은 장벽층의 소수성 ＆ 친수성 성분들의 총 건량 기준으로 조성물 또는 장벽층에서 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 범위, 예컨대 15 wt.% 내지 99 wt.%, 25 wt.% 내지 98 wt.%, 또는 35 wt.% 내지 97 wt.%로 존재한다. 전기된 바와 같이, 소정의 실시태양들에서, 소수성 성분에 더하여, 조성물은 친수성 성분을 포함한다. 친수성 성분은 습기를 흡착하고 높은 상대 습도에서 조성물의 투과율을 높인다.특정 실시태양들에서, 친수성 성분은 가교 결합이 부재하고 수용성인 고분자를 포함한다. 소정의 실시태양들에서, 친수성 성분은 폴리비닐알코올 (PVOH), 폴리(비닐 피롤리돈), 전분, 셀룰로오스, 폴리아크릴산의 염, 폴리아크릴산, 고도의 카르복실화 라텍스, 아민, 폴리에틸렌 옥사이드, 비닐 에테르, 고도의 가수분해화 고분자 (예를들면, 가수분해화 말레산무수물), 다당류 또는 이들 조합을 포함한다. 매우 특정한 실시태양들에서, 친수성 성분은 폴리비닐알코올 (PVOH) 또는 폴리아크릴산 나트륨을 포함한다.특정 실시태양들에서, 조성물은 하나 이상의 친수성 성분을 포함한다. 예를들면, 이하 상세히 논의되는 바와 같이, 조성물은 상기 친수성 성분 선택, 예컨대 PVOH 대치 또는 추가하여 친수성 충전제를 포함한다. 특정 실시태양들에서, 친수성 충전제는 무기 친수성 충전제, 예컨대 카올린 (Kaolin) 일 수 있다. 소정의 실시태양들에서, 친수성 성분은 % 흡수율로 기술될 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같이, % 흡수율은 본 분야에서 잘 이해되는 바와 같이 중량 측정으로 결정된다. % 흡수율은 투과율 대 상대 습도 관계를 증가시키지만, 너무 많으면 친수성 성분은 용해되고 필름을 불안정화시킨다. 소정의 실시태양들에서, 100% 상대 습도 및 23 ℃에서 측정될 때 친수성 성분에서 고분자의 % 흡수율은 적어도 약 0.5%, 적어도 약 2%, 적어도 약 5%, 또는 적어도 약 7%이다. 추가 실시태양들에서, 100% 상대 습도 및 23 ℃에서 측정될 때 친수성 성분에서 고분자의 % 흡수율은 약 20% 이하, 약 15% 이하, 또는 약 10% 이하이다. 더욱이, 친수성 성분의 % 흡수율은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 범위, 예컨대 약 0.5% 내지 약 20%, 또는 약 7% 내지 약 10%이다. 소정의 실시태양들에서, 친수성 성분은 분자량으로 기술될 수 있다. 고온에서 용해만 되는 높은 분자량 재료를 사용함으로써, 저온에서 친수성 성분의 용해를 피할 수 있다. 소정의 실시태양들에서, 친수성 성분의 중량 평균 분자량은 적어도 약 50000이다. 추가 실시태양들에서, 친수성 성분의 분자량은 약 300000 이하이다. 더욱이, 친수성 성분의 분자량은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 범위, 예컨대 50000 내지 300000이다. 소정의 실시태양들에서, 친수성 성분은 소수성 ＆ 친수성 성분의 총 건량 기준으로 조성물 또는 장벽층에서 적어도 약 0.1 wt.%, 적어도 약 0.5 wt.%, 또는 적어도 약 1 wt.% 존재한다. 추가 실시태양들에서, 친수성 성분은 소수성 ＆ 친수성 성분의 총 건량 기준으로 조성물 또는 장벽층에서 약 40 wt.% 이하, 약 30 wt.% 이하, 약 25 wt.% 이하, 약 20 wt.% 이하, 약 15 wt.% 이하, 약 10 wt.% 이하, 또는 약 8 wt.% 이하로 존재한다. 더욱이, 친수성 성분은 소수성 ＆ 친수성 성분의 총 건량 기준으로 조성물 또는 장벽층에서 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 범위, 예컨대 0.1 wt.% 내지 35 wt.%, 또는 1 wt.% 내지 15 wt.% 존재한다. 소정의 실시태양들에서, 조성물은 선택적으로 바람직한 첨가제 성분, 예컨대 무기 충전제, 점도 개질제, 안료, 염료, UV 흡수제, 슬립 첨가제, 계면활성제, 살생제, 소포제, 탈기제, 또는 이들 조합을 더욱 포함한다. 특정 실시태양들에서, 조성물은 충전제를 포함한다. 매우 특정한 실시태양들에서, 조성물의 충전제 함량은 약 충전제의 임계적 안료 체적 농도 이하이다. 예를들면, 충전제의 임계적 안료 체적 농도는 그 이상에서는 결합제가 안료 입자들 사이 공극을 완전히 채우지 못하는 농도이다. 예를들면, 이것은 안료의 오일 흡착으로 측정된다. CPVC는 20-68 체적 %로 가변되지만, 값은 통상 약 50-55%이다. 소정의 실시태양들에서, 충전제는 점토, 몬모릴로나이트, 탄산칼슘, 황산바륨, 벤토나이트, 백운모, 일라이트, 쿠크아이트, 카올로나이트, 녹니석 또는 기타 충전제 재료를 포함한다. 충전제는 무기 재료, 유기 재료 또는 이들 조합을 포함한다. 특정 충전제는 카올린 점토, CaCO3, CaSO4, BaSO4, 실리카, 활석, 카본블랙, 규조토, 알루미나, 티타니아, 또는 이들 조합을 포함한다. 일부 바람직한 실시태양들에서, 판상 형태를 가지는 충전제 예컨대 카올린 점토는 투과율 대 상대 습도 관계식 기울기를 증가시킬 수 있다. 이는 필름의 만곡성 (tortuosity) 증가로 인한 것이고 코팅물은 더욱 얇게 적용될 수 있고 뛰어난 성능을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 충전제는 경화된 코팅물에 보강성을 제공하고, 경화된 코팅물에 난연성을 제공하고, 경화된 조성물의 물성을 개선하고 (예를들면, 충전제 부재의 경화된 조성물의 CLTE와 비교하여 선열팽창계수 (CLTE)의 감소), 또는 기타 바람직한 특징부를 제공할 수 있고, 예를들면, 조성물의 전체 점도를 증가시켜 기재 상에 더욱 균일한 코팅이 가능하다. 예시적 상업적으로 입수되는 충전제는, 제한되지는 않지만, Bentolite��, Cloisite��, Nanofil��, Nanothix��, 및 Permont�� 충전제를 포함하고 Southern Clay Products, Inc. 에서 입수될 수 있다소정의 실시태양들에서, 충전제는 조성물 또는 장벽층의 총 건량 기준으로 조성물 중에 0 wt% 내지 85 wt%로 존재한다. 소정의 실시예들에서, 분산액은 하나 이상의 살생제를 포함한다. 살생제는 코팅물 및/또는 기재 표면 상에서 효과적으로 유기체 성장을 지연하거나 억제한다. 일부 실시태양들에서, 살생제는 살진균제, 예를들면, 곰팡이 방지제로서 효과적이고, 기재 표면 상에 곰팡이 또는 기타 진균의 성장을 억제한다. 다른 실시태양들에서, 살생제는 기재 표면 상에 세균, 이끼, 조류 또는 기타 유기체의 성장을 억제하는데 효과적이다. 존재한다면, 살생제는 생물 유기체의 성장을 지연 또는 억제하는데 유효 함량으로 존재한다.일부 실시태양들에서, 분산액은 내오염성 (stain-resistance) 첨가제를 포함한다. 일부 실시예들에서, 내오염성 첨가제는 물질이 코팅물에 흡착되는 것을 감소 또는 억제시키고 일반적으로 물 및 기체가 아닌 물질에 의한 침투로부터 코팅물을 밀폐하는데 조력한다. 예를들면, 내오염성 첨가제는 내유성 또는 발유성을 제공하여 비-극성 종들이 코팅물에 포획되는 것이 억제된다. 내오염성 첨가제는 또한 열, 자외선 또는 기타 에너지 형태에 노출될 때 코팅물의 퇴색을 방지한다. 예시적 내오염성 첨가제는, 예를들면, 3M (예를들면, SRC-220, PM-5000, PM-1680, PM-4800) 및 AkzoNobel (예를들면, Elotex�� 내오염성 첨가제)에서 상업적으로 입수된다.조성물을 전체적으로 기술하면, 조성물은 친수성 성분에 대한 소수성 성분의 wt.% 특정 비율을 가질 수 있다. 예를들면, 소정의 실시태양들에서, 소수성 성분 대 친수성 성분의 체적 % 비율은 적어도 약 3:1, 적어도 약 10:1, 또는 적어도 약 30:1이다. 추가 실시태양들에서, 소수성 성분 대 친수성 성분의 체적 % 비율은 약 200:1 이하, 또는 약 100:1 이하이다. 더욱이, 소수성 성분 대 친수성 성분의 체적 % 비율은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 범위, 예컨대 약 2:1 내지 약 200:1일 수 있다. 또한 조성물은 바람직한 점도를 가질 수 있다. 예를들면, 특정 실시태양들에서, 조성물의 점도는 전단속도 1 s-1 및 21 ℃에서 적어도 약 1000 cps이다. 추가 실시태양들에서, 조성물의 점도는 전단속도 1 s-1 및 21 ℃에서 약 1000 cps 이하이다. 더욱이, 조성물의 점도는 전단속도 1 s-1 및 21 ℃에서 적어도 약 5000 cps 및 전단속도 1 s-1 및 21 ℃에서 약 1000 cps 이하이다. 또한 조성물은 경화 후 특성으로 기술될 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 경화된 조성물은 장벽층이라 칭한다. 특정 실시태양들에서, 장벽층은 특정 코트 중량을 가진다. 예를들면, 장벽층의 코트 중량은 적어도 약 10 gsm, 적어도 약 20 gsm, 또는 적어도 약 40 gsm 이다. 추가 실시태양들에서, 장벽층의 코트 중량은 약 120 gsm 이하이다. 더욱이, 장벽층의 코트 중량은 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 범위, 예컨대 약 10 gsm 내지 약 120 gsm, 또는 약 40 gsm 내지 약 100 gsm이다. 조성물은 도포되어 경화되고 상대 습도에 따른 가변 수증기 투과성을 가진다. 본원에서 논의된 바와 같이, 수증기 투과성은 ASTM E96에 의거하여 21 ℃ 및 선택된 평균 상대 습도 (RH) 값에서 측정된다. 수증기 투과성은 재료를 통과할 수 있는 수증기 함량의 측정치이다. 경화된 조성물 특성을 논의할 때 사용되는, 수증기 투과성은 조성물을 점-결합 (point-bond) 폴리프로필렌 부직물 기재에 코팅 중량 75 gsm으로 코팅하고, 조성물을 경화함으로써 측정한다. 이러한 방식으로, 가변 수증기 투과성은 특정 기재에 표준화되어 비교 및 평가된다. 이어 수증기 투과성은 ASTM E96에 따라 21 ℃ 및 상이한 상대 습도에서 측정된다. 따라서, 소정의 실시태양들에서, 조성물은 기재에 도포하고 경화한 후 상대 습도에 따라 가변 수증기 투과성을 가지도록 구성된다. 특정 실시태양들에서, 조성물은 낮은, 중간, 및 높은 상대 습도에서 바람직한 수증기 투과성을 보인다. 예를들면, 소정의 실시태양들에서, 25% 평균 RH에서 조성물의 수증기 투과율 (perm rating)은 1 perm 이하이다. 추가 실시태양들에서, 45% 평균 RH에서 조성물의 수증기 투과율은 5 perms 이하, 또는 2.5 perms 이하이다. 특정 실시태양들에서, 45% 평균 RH에서 조성물의 수증기 투과율은 2.5 perms 이하이다. 추가 실시태양들에서, 75% 평균 RH에서 조성물의 수증기 투과율은 6 perms 내지 12 perms이다. 추가 실시태양들에서, 95% 평균 RH에서 조성물의 수증기 투과율은 적어도 약 12 perms, 적어도 약 15 perms, 또는 적어도 약 20 perms이다. 특정 실시태양들에서, 95 % 평균 RH에서 조성물의 수증기 투과율은 적어도 약 20 perms이다. 코팅 조성물은 상이한 상대 습도에서 제공되는 다양한 수증기 투과성 값의 조합을 더욱 가질 수 있다. 예를들면, 특정 실시태양들에서, 25% 평균 RH에서 조성물의 수증기 투과율은 약 1 perm 이하이고; 95% 평균 RH에서 수증기 투과율은 적어도 약 20 perms이다. 추가 실시태양들에서, 25% 평균 RH에서 조성물의 수증기 투과율은 약 1 perm 이하이고; 95% 평균 RH에서 수증기 투과율은 적어도 약 20 perms이고; 및 45% 평균 RH에서 수증기 투과율은 5 perms 이하, 또는 2.5 perms 이하이다. 또 다른 실시태양들에서, 25% 평균 RH에서 조성물의 수증기 투과율은 약 1 perm 이하이고; 95% 평균 RH에서 수증기 투과율은 적어도 약 20 perms이고; 45% 평균 RH에서 수증기 투과율은 5 perms 이하, 또는 2.5 perms 이하이고; 및 75% 평균 RH에서 수증기 투과율은 6 perms 내지 12 perms이다. 상이한 상대 습도에서 상기 인용된 수증기 투과율의 조합은 예시적 조합이고, 및 조성물에서 상기 인용된 모든 수증기 투과율의 가능한 조합이 본 발명의 범위에 있다는 것을 이해하여야 한다. 또한 코팅물이 상이한 RH 값에서 상기 수증기 투과율을 보일 때, 습도 증가에 따른 투과율 변화는, 본원에 기재된 바와 같이, 투과율 대 상대 습도의 로그 도표에서 선형 또는 비-선형일 수 있다는 것을 이해하여야 한다.본 발명의 또 다른 양태는 피복 기재에 관한 것이다. 예를들면, 상기 조성물은 기재 상에 코팅되고 경화된다. 본 발명의 소정의 실시태양들의 특정 이점은 비교적 다공성 기재와 연관하여 상기 조성물을 사용할 수 있다는 것이다. 예를들면, 본원에 기술된 조성물의 소정의 실시태양들의 특성은 다공성 기재 내부 공극 공간을 완전히 채울 수 있고, 따라서 수증기 지연을 위한 유효 코팅물을 제공하는 것이다. 습도에 따라 잠재적으로 가변 수증기 투과성을 제공할 수 있는 다른 조성물은 기재를 "통해 흐르고" 코팅 유체의 낮은 점도로 인해 불연속적이고 효과가 없는 코팅물을 만들기 때문에 비교적 다공성 기재와 함께 사용될 수 없을 것이다. 본 발명자들은 놀랍게도 유효한 점도 및 가변 수증기 투과성과의 상승적 조합으로 비교적 다공성 기재에 사용될 수 있다는 것을 알았다. 그러나, 조성물은 또한 자체적으로 특히 뛰어난 수증기 투과 가변성을 가지므로 소정의 실시태양들은 비교적 다공성 기재에 제한되지 않는다는 것을 이해하여야 한다.소정의 실시예들에서, 건축 기재, 예를들면, 유리섬유 단열재 배면용 크라프트 용지, 방사 결합 (spun bond) 또는 점 결합 부직포, 배향성 스트랜드 보드에서 경화된 코팅물 또는 가정용 랩에서 코팅물 또는 건축물 외피, 예컨대 석고 밀폐에 사용되는 기타 재료를 제공하기 위하여 본원에 기술된 수성 분산액이 사용된다. 도 1을 참고하면, 물품 (100)은 기재 (110) 및 이의 상부에 배치되는 코팅물 (120)을 포함하도록 도시된다. 기재 (110) 및 코팅물 (120)의 정확한 두께는 변하지만, 대부분의 경우 기재 (110) 두께는 실질적으로 코팅물 (120) 두께보다 더욱 크다. 코팅물 (120) 두께는 기재 (110) 평면 방향으로 실질적으로 동일하게 도시되지만, 이러한 균일성이 필수적인 것은 아니다. 특히, 코팅물 (120) 두께가 본원에 기술된 가변 수증기 투과율 값을 제공하기에 유효하다면, 두께는 기재 (110) 모든 영역에서 균일할 필요는 없다.소정의 실시태양들에서, 기재 (110)는 건축 산업에서 통상 사용되는 임의의 적합한 기재일 수 이다. 예를들면, 건축물은 전형적으로 벽, 마루 및/또는 천정 공간에서 일부 형태의 단열재를 가진다. 이러한 단열재는 때로 유리섬유 단열재로서 증기 지연체를 포함하여 습기가 단열 공간 내로 진입하는 것을 방지한다. 통상의 증기 지연체는 아스팔트로 피복된 크라프트 용지이다. 크라프트 용지 자체는 높은 습기 투과율을 가진다. 아스팔트 코팅물 및/또는 접착제와 함께 사용될 때, 크라프트 용지는 적합한 증기 지연체로 기능할 수 있다. 벽 공간 내에서 습기 감소로 건축 재료 붕괴 및 벽 공간 내부에서 열전도율 감소를 방지하여, 에너지 비용을 절약에 더욱 조력할 수 있다. 일부 예시들에서, 기재 (110)는 크라프트 용지일 수 있고 이것은 접착제 또는 기타 적합한 부착 수단을 이용하여 더욱 대형의 건축 기재, 예를들면, 유리섬유 단열재에 적용된다. 정확한 크라프트 용지 중량은 변하고, 예시적 중량은, 제한되지는 않지만, 일천 평방 피트 당 약 25 파운드 내지 약 75 파운드, 예를들면 약 39 파운드를 포함한다. 일부 실시예들에서 기재 (110)는 섬유이다. 일부 실시예들에서 섬유는 직물 또는 부직물이다. 다른 예시들에서, 코팅물은 건축 구조물의 내장 표면 마감에 통상 사용되는 건식벽 또는 기타 재료에 도포된다. 예를들면, 석고 보드는 코팅물로 피복되어 가변 수분 투과율을 가지는 석고 벽판을 제공한다. 유사하게, 외장 또는 내장 벽 또는 천정 마감에 사용되는 목재 패널, 목판, 합판, 섬유판 또는 기타 재료는 본원에 기술된 코팅물로 코팅되어 가변 수증기 투과율을 제공한다. 코팅물로 피복 가능한 추가적인 건축 기재는 본 발명의 이점을 고려하여 당업자에 의해 용이하게 선택될 수 있다.매우 특정한 실시태양들에서, 기재는 대면 크라프트 용지, 스크림 (scrim), 고분자 시트, 석고 벽판, 또는 이들 조합을 포함한다. 추가 특정 실시태양들에서, 기재는 합성 기재로 기술될 수 있다. 또한, 기재는 다공성일 수 있고 또는 세공 구조를 가질 수 있어, 코팅 조성물 또는 장벽층은 이하 상세히 논의되는 바와 같이 기재의 세공 구조 내부에 배치될 수 있다. 매우 특정한 실시태양들에서, 기재는 본원에 기술된 바와 같이 세공 구조를 가지는 섬유, 예컨대 합성 섬유를 포함한다.소정의 실시태양들에서, 코팅물 (120)은 기재 (110) 상에 롤링, 분무, 롤 코팅 또는 수성 분산액 층을 기재에 배치할 수 있는 기타 수단으로 배치된다. 바람직하다면, 추가적인 코팅 층들이 경화된 코팅층에 추가되어 코팅물 층들의 두께를 형성한다. 특정 실시태양들에서, 기재는 대면 크라프트 용지를 포함한다.소정의 실시태양들에서, 기재는 섬유 기재일 수 있다. 예를들면, 섬유 기재는 직물 및/또는 부직물 재료를 포함한다. 특정 실시태양들에서, 기재는 부직물 재료를 포함한다. 특정 부직물 재료는 방사 결합 또는 점 결합 섬유들을 포함한다.소정의 실시예들에서, 본원에 제공되는 코팅물은 예비-피복 건축 기재를 제공하거나 또는 건축 기재의 현장 코팅이 가능하도록 사용된다. 예를들면, 크라프트 용지를 가지는 유리섬유 단열재 배트 (batt)는 하나 이상의 성분으로 예비-피복되고 이어 추가적인 현장 성분으로 코팅되어 최종 작용 코팅물을 제공한다. 다른 예시들에서, 코팅물은 생산 지점에서 생산되어 설치자는 코팅물을 제공할 어떠한 것도 필요하지 않다. 또 다른 예시들에서, 기재에 코팅물을 제공하기 위해 설치 후 설치자는 코팅물을 기재에 분무한다. 일부 예시들에서, 기재는 다공성 기재, 예컨대 부직물 기재일 수 있다.소정의 실시태양들에서, 피복 기재는 소정의 바람직한 특성들을 가진다. 특정 실시태양들에서, 기재 및 장벽층의 통합 두께는 적어도 약 25 미크론, 적어도 약 50 미크론, 또는 적어도 약 100 미크론이다. 추가 실시태양들에서, 기재 및 장벽층의 통합 두께는 약 1000 미크론 이하, 약 800 미크론 이하, 또는 약 750 미크론 이하이다. 더욱이, 기재 및 장벽층의 통합 두께는 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이의 범위, 예컨대 25 um 내지 1000 um이다.소정의 실시태양들에서, 특히 도 2를 참고하면, 비교적 다공성 기재 (110)에 조성물이 피복되고 경화될 때, 장벽층 (120)은 기재 내부로 바람직한 깊이 PD 만큼 침투하고, 특정 실시태양들에서, 전체 기재를 통과하여 흐르지 않는다. 예를들면, 소정의 실시태양들에서, 기재 두께 ST는 PD 보다 커서 기재의 일 주요 표면은 실질적으로 장벽층이 부재이다. 또한, 장벽층은 도 3에서 표기된 바와 같이 장벽층의 최외곽 표면에서 장벽층이 기재 내부로 침투한 거리까지로 측정되는 두께 BLT 를 가진다.따라서, 특정 실시태양들에서, 장벽층은 기재 내부로 기재 두께의 적어도 약 1%, 적어도 약 5%, 또는 적어도 약 10% 침투할 수 있다. 추가 실시태양들에서, 장벽층은 기재 내부로 기재 두께의 95% 이하, 90% 이하, 또는 85% 이하로 침투할 수 있다. 또한, 특정 실시태양들에서, 장벽층은 기재 내부로 장벽층 두께의 적어도 약 1%, 적어도 약 5%, 또는 적어도 약 10% 침투할 수 있다. 추가 실시태양들에서, 장벽층은 기재 내부로 장벽층 두께의 95% 이하, 90% 이하, 또는 85% 이하로 침투할 수 있다. 다른 실시태양들에서, 기재는 완전히 포화되어 조성물의 연속 층이 기재의 양주요 표면들에 배치된다. 예를들면, PD 는 ST와 같거나 크다. 또한, 장벽층은 기재의 양 주요 표면 상부에서 바람직한 두께를 가질 수 있다. 본 발명의 실시태양들은 상대 습도에 따라 변하는 매우 유익한 가변 수증기 투과성을 보인다. 조성물과 관련하여 상기된 바와 유사하게, 기재 및 조성물을 포함하는 피복 물품은 낮은, 중간, 및 높은 상대 습도에서 바람직한 수증기 투과성을 보인다. 본원에서 사용되는 바와 같이 수증기 투과성은 ASTM E96에 의거하여 21 ℃에서 측정된다.따라서, 소정의 실시태양들에서, 피복 물품의 수증기 투과율은25% 평균 RH에서 약 2 perms 이하, 또는 1 perm 이하이다. 특정 실시태양들에서, 피복 물품의 수증기 투과율은25% RH에서 약 1 perm 이하이다. 추가 실시태양들에서, 피복 물품의 수증기 투과율은 95% 평균 RH에서 적어도 약 12 perms, 적어도 약 15 perms, 또는 적어도 약 20 perms이다. 특정 실시태양들에서, 피복 물품의 수증기 투과율은95 % 평균 RH에서 적어도 약 20 perms이다. 추가 실시태양들에서, 피복 물품의 수증기 투과율은45% 평균 RH에서 5 perms 이하, 또는 2.5 perms 이하이다. 특정 실시태양들에서, 피복 물품의 수증기 투과율은45% 평균 RH에서 2.5 perms 이하이다. 추가 실시태양들에서, 피복 물품의 수증기 투과율은75% 평균 RH에서 6 perms 내지 12 perms이다. 또한 피복 물품은 상이한 상대 습도에서 상기 제공되는 다양한 수증기 투과성 값 조합을 가진다. 예를들면, 특정 실시태양들에서, 피복 물품의 수증기 투과율은25% 평균 RH에서 약 1 perm 이하이고; 수증기 투과율은95% 평균 RH에서 적어도 약 20 perms이다. 추가 실시태양들에서, 피복 물품의 수증기 투과율은25% 평균 RH에서 약 1 perm 이하; 수증기 투과율은 45% 평균 RH에서 5 perms 이하, 또는 2.5 perms 이하; 및 수증기 투과율은95% 평균 RH에서 적어도 약 20 perms이다. 또 다른 실시태양들에서, 피복 물품의 수증기 투과율은25% 평균 RH에서 약 1 perm 이하; 수증기 투과율은45% 평균 RH에서 5 perms 이하, 또는 2.5 perms 이하; 수증기 투과율은 75% 평균 RH에서 6 perms 내지 12 perms이고; 수증기 투과율은95% 평균 RH에서 적어도 약 20 perms이다. 상이한 상대 습도에서 상기 인용된 수증기 투과율의 조합은 예시적 조합이고, 피복 물품에서 상기 인용된 모든 수증기 투과율의 가능한 조합이 본 발명의 범위에 있다는 것을 이해하여야 한다.또한 코팅물이 상이한 RH 값에서 상기 수증기 투과율을 보일 때, 습도 증가에 따른 투과율 변화는, 본원에 기재된 바와 같이, 투과율 대 상대 습도의 로그 함수에서 선형 또는 비-선형일 수 있다는 것을 이해하여야 한다.물품의 또 다른 파라미터는 유익한 네일 인열 저항 (nail tear resistance)을 달성하는 것이다. 네일 인열 저항은 구멍이 형성된 후 찢어지는 것을 방지하는 물품 성능 측정치이다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 네일 인열 저항은 EIN 12310-1에 의거하여 측정된다. 따라서, 피복 물품의 네일 인열 저항은 적어도 약 1 N/5cm, 적어도 약 5 N/5cm, 또는 적어도 약 10 N/5cm이다. 물품의 또 다른 파라미터는 인장 강도이다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 인장 강도는 EIN 12311-2에 따라 측정된다. 따라서, 소정의 실시태양들에서, 피복 물품의 인장 강도는 적어도 약 10 N/5cm, 적어도 약 25 N/5cm, 또는 적어도 약 40 N/5 cm이다. 또한, 소정의 실시태양들에서, 피복 물품의 UV 노화 인장 강도는 적어도 약 10 N/5cm, 적어도 약 25 N/5cm, 또는 적어도 약 40 N/5 cm이다. 본원에서 사용되는 바와 같이, UV 노화 인장 강도는 180 시간 0.8 W/m2에서 UV 노화 후 측정된다물품 특성을 기술하는 또 다른 파라미터는 테이프 접착력이다. 테이프 접착력은 접착 테이프에 부착 및 떨어지는 피복 물품 성능 측정치이다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 테이프 접착력은 EIN 12317-2에 의거 측정된다. 따라서, 피복 물품의 테이프 접착력은 적어도 약 15 N/5cm, 적어도 약 20 N/5cm, 또는 적어도 약 25 N/5cm이다. 본원에 기술된 기술의 양호한 이해를 돕기 위하여 소정의 특정 실시예들이 이하 설명된다.항목 1. 경화될 때 습도에 따라 선택적으로 수증기를 지연시키는 코팅 조성물로서:소수성 성분; 및 친수성 성분; 을 포함하고,ASTM E96에 의거하여 21 ℃에서 시험되고 크라프트 용지 상에 조성물을 코팅 및 경화하여 시험할 때 경화된 후 조성물은 25% 평균 RH에서 약 1 perm 이하 및95% 평균 상대 습도에서 약 15 perms 이상의 가변 수증기 투과율을 효과적으로 제공하는, 코팅 조성물.항목 2. 습도에 따라 선택적으로 수증기를 지연시키는 물품으로서:건축 재료 기재; 및 건축 재료 기재 상에 배치되고, 소수성 성분; 및 친수성 성분을 포함하는 장벽층; 을 포함하고,ASTM E96에 의거하여 21 ℃에서 시험될 때 물품은 25% 평균 RH에서 약 1 perm 이하 및 95% 평균 상대 습도에서 약 15 perms 이상의 수증기 투과율을 가지는, 물품.항목 3. 습도에 따라 선택적으로 수증기를 지연시키는 물품으로서:세공 구조를 가지는 섬유를 포함하는 건축 재료 기재; 및 건축 재료 기재 상에 배치되는 장벽층; 을 포함하고,ASTM E96에 의거하여 21 ℃에서 시험될 때 물품은 25% 평균 RH에서 약 1 perm 이하 및 95% 평균 상대 습도에서 약 15 perms 이상의 수증기 투과율을 가지고; 적어도 약 10%의 장벽층이 섬유의 세공 구조 내부에 매립되는, 물품.항목 4. 습도에 따라 선택적으로 수증기를 지연시키는 물품으로서:세공 구조를 가지는 부직포를 포함하는 건축 재료 기재; 및 장벽층; 을 포함하고,ASTM E96에 의거하여 21 ℃에서 시험될 때 물품은 25% 평균 RH에서 약 1 perm 이하 및 95% 평균 상대 습도에서 약 15 perms 이상의 수증기 투과율을 가지고; 적어도 약 10%의 장벽층이 부직포 기재의 세공 구조 내부에 매립되는, 물품.항목 5. 습도에 따라 선택적으로 수증기를 지연시키는 물품 형성 방법으로서:코팅 조성물을 제공하는 단계;기재를 제공하는 단계; 기재에 조성물을 인가하는 단계; 및 조성물을 건조하여 기재 상에 장벽층을 형성하는 단계; 를 포함하고,ASTM E96에 의거하여 21 ℃에서 시험될 때 물품은 25% 평균 RH에서 약 1 perm 이하 및 95% 평균 상대 습도에서 약 15 perms 이상의 수증기 투과율을 가지는, 방법.항목 6. 습도에 따라 선택적으로 수증기를 지연시키는 물품 형성 방법으로서:수계 코팅 조성물을 제공하는 단계;건축 재료 기재를 제공하는 단계; 건축 재료 기재에 조성물을 인가하는 단계; 및 조성물을 건조하여 건축 재료 기재 상에 장벽층을 형성하는 단계; 를 포함하고,ASTM E96에 의거하여 21 ℃에서 시험될 때 물품은 25% 평균 RH에서 약 1 perm 이하 및 95% 평균 상대 습도에서 약 15 perms 이상의 수증기 투과율을 가지는, 방법.항목 7. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 소수성 성분은 수불용성 고분자를 포함하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 8. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 소수성 성분은 수중에 분산되는 수불용성 고분자를 포함하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 9. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 소수성 성분은 라텍스를 포함하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 10. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 소수성 성분은 스티렌 부타디엔, 스티렌 아크릴, 아크릴, 비닐 아세테이트 에틸렌, 염화비닐리덴, 폴리에틸렌, 왁스, 폴리염화비닐, 폴리비닐 부티랄, 폴리프로필렌, 부타디엔 또는 이들 조합의 라텍스를 포함하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 11. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 소수성 성분은 스티렌 부타디엔 라텍스를 포함하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 12. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 소수성 성분의 % 카르복실화는 약 15% 이하, 약 10% 이하, 약 5% 이하, 또는 약 3% 이하인, 조성물, 물품 또는 방법.항목 13. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 소수성 성분의 유리전이온도 (Tg)는 약 35 ℃ 이하, 약 25 ℃ 이하 또는 약 15 ℃ 이하인, 조성물, 물품 또는 방법.항목 14. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 소수성 성분의 유리전이온도 (Tg)는 -30 내지 35 ℃, -30 내지 25 ℃, 또는 -30 내지 15 ℃인, 조성물, 물품 또는 방법.항목 15. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 소수성 성분은 소수성 ＆ 친수성 성분의 총 건량 기준으로 조성물 또는 장벽층에 적어도 약 15 wt.%, 적어도 약 25wt.%, 적어도 약 35 wt%, 또는 적어도 약 45 wt.%로 존재하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 16. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 소수성 성분은 장벽층의 소수성 ＆ 친수성 성분들의 총 건량 기준으로 조성물 또는 장벽층에 약 99 wt% 이하, 약 98 wt.% 이하, 또는 약 97 wt.% 이하로 존재하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 17. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 소수성 성분은 장벽층의 소수성 ＆ 친수성 성분들의 총 건량 기준으로 조성물 또는 장벽층에 15 wt.% 내지 99 wt.%, 25 wt.% 내지 98 wt.%, 또는 35 wt.% 내지 97 wt.%로 존재하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 18. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 친수성 성분은 가교 결합 부재의 수용성 고분자를 포함하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 19. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 친수성 성분은 폴리비닐알코올 (PVOH), 폴리(비닐 피롤리돈), 전분, 셀룰로오스, 폴리아크릴산의 염, 폴리아크릴산, 고도의 카르복실화 라텍스, 아민, 폴리에틸렌 옥사이드, 비닐 에테르, 고도의 가수분해화 고분자 (예를들면, 가수분해화 말레산무수물), 다당류 또는 이들 조합을 포함하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 20. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 친수성 성분은 폴리비닐알코올 (PVOH) 또는 폴리아크릴산 나트륨을 포함하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 21. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 친수성 성분은 친수성 충전제를 포함하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 22. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 친수성 성분은 무기 친수성 충전제를 포함하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 23. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 친수성 성분은 가교 결합 부재의 수용성 고분자 및 무기 친수성 충전제를 포함하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 24. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 친수성 성분은 100% 상대 습도 및 23 ℃에서 중량 측정에 따라 측정될 때 적어도 약 1%, 적어도 약 3%, 적어도 약 5%, 또는 적어도 약 7%의 % 흡수율을 가지는 고분자를 포함하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 25. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 친수성 성분은 적어도 약 50000의 분자량을 가지는 고분자를 포함하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 26. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 친수성 성분은 약 300000 이하의 분자량을 가지는 고분자를 포함하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 27. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 친수성 성분은 50000 내지 300000의 분자량을 가지는 고분자를 포함하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 28. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 친수성 성분은 소수성 ＆ 친수성 성분의 총 건량 기준으로 조성물 또는 장벽층에 적어도 약 0.1 wt.%, 적어도 약 0.5 wt.%, 또는 적어도 약 1 wt.%로 존재하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 29. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 친수성 성분은 소수성 ＆ 친수성 성분의 총 건량 기준으로 조성물 또는 장벽층에 약 40 wt.% 이하, 약 30 wt.% 이하, 약 25 wt.% 이하, 약 20 wt.% 이하, 약 15 wt.% 이하, 약 10 wt.% 이하, 또는 약 8 wt.% 이하로 존재하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 30. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 친수성 성분은 소수성 ＆ 친수성 성분의 총 건량 기준으로 조성물 또는 장벽층에 0.1 wt.% 내지 35 wt.%, 또는 1 wt.% 내지 15 wt.%로 존재하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 31. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 조성물 또는 장벽층은 충전제를 더욱 포함하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 32. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 조성물 또는 장벽층은 충전제를 더욱 포함하고, 조성물 또는 장벽층에서 충전제 함량은 충전제의 약 임계적 안료 체적 농도 이하인, 조성물, 물품 또는 방법.항목 33. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 조성물 또는 장벽층은 충전제를 더욱 포함하고, 조성물 또는 장벽층에서 충전제 함량은 조성물 또는 장벽층의 총 건량 기준으로 0 wt% 내지 85 wt%인, 조성물, 물품 또는 방법.항목 34. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 조성물 또는 장벽층은 충전제를 더욱 포함하고, 충전제는 점토, CaCO3, CaSO4, BaSO4, 실리카, 활석, 카본블랙, 규조토, 알루미나, 티타니아, 또는 이들 조합을 포함하는, 조성물, 물품 또는 방법.항목 35. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 소수성 성분 대 친수성 성분의 체적 % 비율은 적어도 약 2:1 및 이하 약 200:1인, 조성물 또는 방법.항목 36. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 기재는 건축 재료를 포함하는, 물품 또는 방법.항목 37. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 기재는 대면 크라프트 용지, 스크림, 고분자 시트, 또는 이들 조합을 포함하는, 물품 또는 방법.항목 38. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 기재는 섬유 건축 재료를 포함하는, 물품 또는 방법.항목 39. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 기재는 부직물 재료를 포함하는, 물품 또는 방법.항목 40. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 기재는 직물 재료를 포함하는, 물품 또는 방법.항목 41. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 기재는 방사 결합 또는 점 결합 섬유를 포함하는 부직물 재료를 포함하는, 물품 또는 방법.항목 42. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 장벽층의 코트 중량은 적어도 약 20 gsm인, 물품 또는 방법.항목 43. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 장벽층의 점도는 전단속도 1 s-1; 21℃에서 적어도 약 500 cps이고, 장벽층의 점도는 장벽층의 경화 전에 결정되는, 물품 또는 방법.항목 44. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 장벽층의 점도는 전단속도 1 s-1에서 적어도 약 5000 cps 이고 점도는 전단속도 1000 s-1 및 21 ℃에서 1000 cps 미만이고, 장벽층의 점도는 장벽층의 경화 전에 결정되는, 물품 또는 방법.항목 45. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 기재 및 장벽층의 통합 두께는 50 um 내지 1000 um인, 물품 또는 방법.항목 46. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 장벽층은 부직물 기재 내부로 장벽층 두께의 적어도 약 5%로 침투하는, 조성물.항목 47. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 조성물은 부직물 기재 내부로 기재 두께의 90% 이하로 침투하는, 조성물. 항목 48. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 장벽층은 기재 내부로 기재 두께의 적어도 약 5%로 침투하는, 물품 또는 방법.항목 49. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 물품의 수증기 투과율은 ASTM E96에 의거 21 ℃에서 시험될 때 45% 평균 RH에서 약 2.5 perms 이하인, 물품 또는 방법.항목 50. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 물품의 수증기 투과율은 ASTM E96에 의거 21 ℃에서 시험될 때75% 평균 RH에서 6 내지 12 perms인, 물품 또는 방법.항목 51. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 물품의 네일 인열 저항은 EIN 12310-1에 의거하여 시험될 때 적어도 약 10 N/5cm 인, 물품 또는 방법.항목 52. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 물품의 네일 인열 저항은 EIN 12310-1 EIN 12311-2에 의거하여 시험될 때 적어도 약 30 N/5cm 인, 물품 또는 방법.항목 53. 선행 항목들 중 어느 하나의 항목에 있어서, 물품의 테이프 접착력은 EIN 12317-2에 의거하여 시험될 때 적어도 약 25 N/5cm 인, 물품 또는 방법.포괄적인 설명 또는 실시예들에서 상기되는 모든 작용들이 요구되지는 않으며, 특정한 작용의 일부는 요구되지 않을 수 있으며, 하나 이상의 다른 작용이 기술된 것들에 추가하여 실행될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 게다가, 작용들이 나열되는 순서가 반드시 이들이 실행되는 순서일 필요는 없다.장점들, 다른 이점들, 및 문제점들에 대한 해결방안이 특정한 실시태양들과 관련하여 상기되었다. 그러나, 장점들, 이점들, 문제들에 대한 해결방안, 및 임의의 장점, 이점, 또는 해결방안을 발생하게 하거나 더 현저하게 할 수 있는 임의의 특징(들)이 청구항들의 일부 또는 전부의 중요하거나, 요구되거나, 또는 필수적인 특징으로 해석되지 말아야 한다.및 본원에 개시된 실시태양들은 다양한 실시태양들 구조에 대한 포괄적인 이해를 돕기 위할 목적으로 제공된다. 명세서 및 설명들은 본원에 기재된 구조 또는 방법들을 이용하는 모든 요소들 및 장치 및 시스템의 특징부들에 대한 전적이고 종합적인 설명으로 기능하지 않을 수 있다. 개별 실시태양들은 단일 실시태양의 조합으로도 제공되고, 반대로, 간결성을 위하여 단일 실시태양에 기재된 다양한 특징부들은, 개별적 또는 임의의 부조합으로도 제공될 수 있다. 또한, 범위 값들에 대한 언급은 범위에 속하는 각각 및 모든 값들을 포함한다. 본 명세서를 읽은 후 당업자들에게 많은 기타 실시태양들이 명백할 수 있다. 기타 실시태양들이 적용될 수 있고 본 발명에서 유래될 수 있고, 따라서 구조적 치환, 논리적 치환, 또는 다른 변형은 본 발명의 범위를 일탈하지 않고 가능하다. 따라서, 본 발명은 제한적이 아닌 단지 예시적으로 간주된다.실시예들실시예 1 - 투과율샘플들을 제조하고 ASTM E96에 의거하여 21 ℃ 및 상대 습도 25% RH, 45% RH, 75% RH, 및 95% RH에서 수증기 투과율을 시험하였다. 수증기 투과율 시험 샘플들은 공압식 코웰스 블레이드 (cowles blade), 또는 균질화기, 또는 수동으로 5 분 동안 실온에서 성분들을 혼합하여 제조하였다. 코팅물을 권취 와이어 로드(wound wire rod) (메이어 로드) 또는 슬롯 다이 압출 공정으로 대략 75 미크론 두께로 도포하였다. 소수성 및 친수성 성분에 대한 wt.% 값은 고체막에서 소수성 및 친수성 성분의 총 중량 기준이다. 충전제에 대한 wt.% 값은 코팅 조성물의 총 중량 기준이다. 성분A - Styron DL-226을 Styron에서 입수하였다 - 이것은 스티렌-부타디엔 라텍스로서 낮은 카르복실화를 가지고 유리전이온도는 -14 ℃이다.B - Styron DL-490을 Styron에서 입수하였다 - 이것은 고도의 카르복실화 스티렌 부타디엔 라텍스이고 유리전이온도는 9 ℃이다. C - PVOH Selvol 9-325를 Sekisui에서 입수하였다 - 이것은 높은 분자량을 가지고98.4 % 가수분해화된 8.5 % 고형분의 예비-용해된 PVOH이다. D - PAA Acumer 1510을 Dow에서 입수하였다 - 이것은 25% 고형분의 폴리아크릴산이다. E - 카올린 점토를 Sigma Aldrich에서 얻었다.NW -Hanes에서 상표명 Elite로 입수되는 부직물 기재.SD - 슬롯 다이 코팅 공정MR - 메이어 로드 코팅 공정표 1: 샘플 제제 및 투과율 값소수성친수성충전제기재공정투과율샘플ABCDE25%45%75%95%1964NWSD23.45.32955NWSD1.3311.725.13946NWSD1.23.316.8434955NWSD0.815.655.8152.35955NWMR12.712.531.66955NWMR11.73.14794633NWMR0.390.767.227894633크라프트MR0.51.1626994640NWMR0.321.58.2341094647NWMR0.281.59.1381194655NWMR0.21.59.64112100크라프트MR0215015613100크라프트MR0.8237414214100크라프트MR1.43.792015100크라프트MR0.9164011616나일론 2 밀 BB-0.82.411.937.1상기된 바와 같이, 여러 피복 기재는 비교 나일론 2 밀 (mil) 필름 (샘플 16)과 동등하거나, 심지어 나일론 2 밀 필름보다 양호한 바람직한 투과율 값을 보인다. 특히, 샘플 9는 샘플 16과 거의 동일하게 수행하되, 25% 습도에서 더욱 폐쇄되고 95% 습도에서 더욱 개방되며, 이들 양자는 바람직하고 나일론 2 밀 필름보다 개선된 것이다. 본 발명 소정의 실시태양들의 특정 이점 즉 특정 성분 비율에 대한 예시로서, 표에서 샘플들 1, 2, 및 3의 투과율 프로파일을 비교하면, 친수성 성분을 증가하면 기울기는 크게 증가한다는 것이 명백하다.본 발명 소정의 실시태양들의 특정 이점 즉 선택된 특정 재료에 대한 예시로서, 표에서 샘플들 2 및 4의 투과율 프로파일을 비교하면, 소수성 재료 선택이 투과율 프로파일에 유의한 영향을 주는 것이라는 것은 명백하다. 본 발명 소정의 실시태양들의 특정 이점 즉 선택된 특정 재료에 대한 예시로서, , 표에서 샘플들 5 및 6의 투과율 프로파일을 비교하면, 친수성 성분 C는 친수성 성분 D보다 투과율 프로파일에 더욱 효과적이라는 것은 명백하다. 본 발명 소정의 실시태양들의 특정 이점 즉 충전제 선택에 대한 예시로서, , 표에서 샘플들 3, 7, 9, 10, 및 11의 투과율 프로파일을 비교하면, 카올린 충전제를 포함시키면 낮은 습도에서 장벽 특성을 상당히 증가시키고 높은 습도에서 증기 투과율을 증가시킨다는 것은 명백하다. 본 발명 소정의 실시태양들의 특정 이점에 대한 예시로서, 표에서 샘플 16의 투과율 프로파일과 개별 성분 (즉 샘플들 12, 13, 14, 및 15)의 것을 비교하면, 어떠한 성분도 개별적으로 나일론 성능과 일치되는 것이 없다는 것은 명백하다. 본 발명 소정의 실시태양들의 특정 이점에 대한 예시로서, 표에서 샘플 9의 투과율 프로파일과 개별 성분 (샘플들 12 및 14)의 것을 비교하면, 어떠한 성분도 개별적으로 샘플 9 성능과 일치되는 것이 없다는 것은 명백하다. 따라서, 샘플 9는 개별적으로 개별 성분과 비교하면 투과율 프로파일에서 상승적 개선을 보인다. 이러한 상승작용은 전혀 예기치 못한 것이었다. 본 발명 소정의 실시태양들의 특정 이점에 대한 예시로서, 샘플 15의 투과율 프로파일로부터 고도의 카르복실화 라텍스는 실질적으로 투과율의 RH에 대한 강한 의존도를 보이기에 충분한 친수성인 것이 명백하다; 그러나, 45% 습도에서 이러한 재료의 투과율 값은 너무 높아 샘플 16의 성능을 달성할 수 없다. 본 발명 소정의 실시태양들의 특정 이점 즉 코팅물 견뢰성에 대한 예시로서, 표에서 샘플들 2 및 8의 투과율 프로파일을 비교하면, 기재가 코팅물보다 더욱 증기에 개방된다면 기재 선택은 성능에 미미한 영향을 준다는 것이 명백하다.본 발명 소정의 실시태양들의 특정 이점 즉 코팅물 견뢰성에 대한 예시로서, 표에서 샘플들 2 및 6의 투과율 프로파일을 비교하면, 코팅 공정은 성능에 거의 영향을 주지 않는다는 것은 명백하다. 실시예 2: 기계적 데이터다음 샘플들을 다음과 같이 제조하였다:샘플 2A: 이들 두 성분의 총 중량 기준으로 94 wt.% 의 Styron DL-226 및 6 wt.% 의 PVOH-325. 샘플은 조성물 총 중량 기준으로 33 wt.% 의 카올린 충전제를 더욱 포함한다. 이것을 Hanes Elite 100 섬유에 기계 방향으로 피복하였다.샘플 2B: 이들 두 성분의 총 중량 기준으로 94 wt.% 의 Styron DL-226 및 6 wt.% 의 PVOH-325. 샘플은 조성물 총 중량 기준으로 33 wt.% 의 카올린 충전제를 더욱 포함한다. 이것을 Hanes Elite 200 섬유에 기계 직교 방향으로 피복하였다.샘플 2C는 비교 실시예이고 Saint-Gobain Corporation에서 입수되고 그대로 사용되는 50 미크론 두께의 Vario KM 필름을 포함한다.이어 샘플들에 대하여 초기 인장 강도, 180 시간 동안 0.8 W/m2에서 UV 노화 후 인장 강도, 및 상기 시험 방법에 따른 네일 저항성을 시험하고, 다음 결과들을 입수하였다:표 2: 기계적 성능2A2B2C인장 (N/5cm)98197197인장 UV 노화 (N/5cm)658864네일 저항성 (N/5cm)316115실시예 3: 점도 측정3종의 샘플들을 다음과 같이 제조하고 경화 전 본원에 기술된 방법에 따라 점도를 측정하였다:샘플 3A: 이들 두 성분의 총 중량 기준으로 95 wt.% 의 Styron DL-226 및 5 wt.% 의 PVOH-325 함유. 샘플 3B: 이들 두 성분의 총 중량 기준으로 94 wt.% 의 Styron DL-226 및 6 wt.% 의 PVOH-325 함유. 샘플은 조성물 총 중량 기준으로 33 wt.% 의 카올린 충전제를 더욱 포함한다. 샘플 3C는 비교 샘플이고 100 wt.% 의 DL 226을 함유한다. 샘플 3D는 비교 샘플이고 100 wt.% 의 Selvol 9-325를 함유한다. 결과들을 s-1 단위로 측정된 상이한 전단속도에서 측정된 점도 (Pa*s) 그래프를 보이는 도 3에 도시한다. 도시된 바와 같이, 샘플들 3A 및 샘플 3B의 점도는 비교 샘플들 3C 및 3D보다 크게 높아졌다.	본 발명의 실시태양들은 코팅 조성물, 피복 물품, 및 방법에 관한 것이고 피복 물품은 특정한 투과율 프로파일, 예를들면, ASTM E96에 따라 21 ℃에서 시험될 때 25% 평균 RH에서 가변 수증기 투과율은 약 1 perm 이하 및 95% 평균 상대 습도에서 약 15 perms 이상을 보인다.
[ 발명의 명칭 ] 근거리 통신 시스템, 방법 및 단말기NEAR-FIELD COMMUNICATION SYSTEM AND METHOD, AND TERMINAL [ 기술분야 ] 본 발명은 컴퓨터 기술분야에 관한 것이고 더욱 상세하게는 근거리 통신 시스템, 방법 및 단말기에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 단말기 사이에서 정전용량방식 터치 스크린 사이가 서로 커플링(coupling)하는 방식을 취하여 근거리 통신을 진행할 때, 기존의 정전용량방식 터치 스크린의 터치 인식의 기초상에서 주종(主從) 송수신 모드를 추가하는 것을 통하여 신호의 인터랙션(Interaction)을 구현한다.현재 상술한 근거리 통신은 터치 스크린의 전기장 신호를 이용하여 커플링하는 방식을 취한다. 통신 과정에서 많은 분산 파라미터의 영향을 받기 때문에 이러한 분산 파라미터를 채용하면 전기장 신호의 커플링 효과가 떨어지기 쉽고 심지어 완전히 상쇄될 수 있다. 따라서 단말기의 터치 스크린과 터치 스크린 사이의 통신이 실패하게 된다. 단말기의 터치 스크린과 터치 스크린이 아주 가깝게 접근한 상황이라도 단말기 사이의 통신이 성공하지 못하는 문제가 여전히 존재하게 된다. 통상적으로 이런 단말기 사이의 통신이 성공하지 못할 때의 단말기 위치 또는 단말기 사이의 각도를 통신 사각 지대 또는 통신 맹점이라고 칭한다. [ 발명의 개요 ] 종래 기술에는, 단말기 사이의 통신에 이상(異常)이 생기면 사용자는 통상적으로 단지 단말기 사이의 위치를 변화시키는 것을 통하여 단말기 사이의 통신을 다시 확립하려고 시도한다. 하지만 이런 방식은 단말기 사이가 통신할 때 외부 요소의 제한을 받을 뿐만 아니라 단말기 사이의 통신 성공율이 아주 낮고 효율이 떨어지는 문제가 존재한다. 또한 사용자의 조작 부담을 많이 증가시키고 사용자의 체험성에 영향을 준다.본 발명의 목적은 적어도 상기 기술 문제 중의 하나를 해결하는 것이다.이를 위하여, 본 발명의 첫번째 목적은 스크린 신호에 커플링이 차한 상황이 나타나는 현상을 모면함으로써 사용자가 제2 단말기를 임의의 각도에서 사용하여도 제1 단말기와 정상적으로 통신할 수 있게 하여 통신할 때의 성공율 및 효율을 향상시키는 동시에 사용자의 별도 조작을 감소시키고 사용자 체험성을 향상시키는 근거리 통신 시스템을 제공하는 것이다.본 발명의 두번째 목적은 단말기를 제공하는 것이다.본 발명의 세번째 목적은 근거리 통신 방법을 제공하는 것이다.상기 목적을 구현하기 위하여, 본 발명의 제1 양태에 따른 근거리 통신 시스템은 제1 단말기 및 제2 단말기를 포함하고, 상기 제2 단말기는 상기 제1 단말기와 상기 제2 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스(coupling capacitance)가 미리 설정한 값보다 작다고 검출되면 상기 제2 단말기의 구동 채널 및/또는 센싱 채널의 연결 관계를 조절하여 상기 제2 단말기와 상기 제1 단말기 사이의 상기 커플링 캐패시턴스를 조절하고, 상기 제1 단말기와 상기 제2 단말기 사이의 상기 커플링 캐패시턴스가 상기 미리 설정한 값보다 크거나 또는 같다고 검출되면 상기 제2 단말기와 상기 제1 단말기 사이의 통신을 확립하도록 구성된다.본 발명 실시예에 따른 근거리 통신 시스템은 제1 단말기와 제2 단말기 사이에 통신하는 과정에서 제2 단말기가 제2 단말기와 제1 단말기 사이의 통신 신호의 품질이 좋지 않다는 것을 발견하면 제2 단말기의 구동 채널 및/또는 센싱 채널의 전기적 연결 관계를 스위칭하는 것을 통하여 제2 단말기 및 제1 단말기 사이의 통신이 성공하지 못하면 소프트웨어로 송수신 채널을 스위칭하는 방식을 통하여 통신 신호에 커플링이 차한 상황이 나타나는 현상을 모면하고 사용자가 제2 단말기를 임의의 각도에서 사용하더라도 모두 제1 단말기와 정상적으로 통신할 수 있도록 하여 통신할 때의 성공율 및 효율을 향상시키는 동시에 사용자의 별도 조작을 감소시키고 사용자 체험성을 향상시킨다.상기 목적을 구현하기 위하여, 본 발명의 제2 양태에 따른 단말기는 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 작은지 여부를 검출하도록 구성되는 제1 검출 모듈과,상기 단말기와 상기 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 상기 미리 설정한 값보다 작다고 검출되면 상기 단말기의 구동 채널 및/또는 센싱 채널의 연결 관계를 조절하여 상기 단말기와 상기 기타 단말기 사이의 상기 커플링 캐패시턴스를 조절하도록 구성되는 조절 모듈과, 상기 단말기와 상기 기타 단말기 사이의 상기 커플링 캐패시턴스가 상기 미리 설정한 값보다 크거나 또는 같으면 상기 단말기와 상기 기타 단말기 사이의 통신 확립을 진행하도록 구성되는 확립 모듈을 포함한다.본 발명 실시예에 따른 단말기는 기타 단말기와 단말기 사이에 통신하는 과정에서 단말기가 단말기와 기타 단말기 사이의 통신 신호 품질이 좋지 않다는 것을 발견하면 단말기의 구동 채널 및/또는 센싱 채널의 전기적 연결 관계를 스위칭하는 것을 통하여 단말기와 기타 단말기 사이의 통신이 성공하지 못하면 소프트웨어로 송수신 채널을 스위칭하는 방식을 통하여 통신 신호에 커플링이 차한 상황이 나타나는 현상을 모면하고 사용자가 단말기를 임의의 각도에서 사용하더라도 모두 기타 단말기와 정상적으로 통신할 수 있게 하여 통신할 때의 성공율 및 효율을 향상시키는 동시에 사용자의 별도 조작을 감소시키고 사용자의 체험성을 향상시킨다.상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제3양태에 따른 근거리 통신 방법은 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 작다고 검출되면 상기 단말기의 구동 채널 및/또는 디스플레이 채널의 연결 관계를 조절하여 상기 단말기와 상기 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스를 조절하는 단계와,상기 단말기와 상기 기타 단말기 사이의 상기 커플링 캐패시턴스가 상기 미리 설정한 값보다 크거나 또는 같다고 검출되면 상기 단말기와 상기 기타 단말기 사이의 통신을 확립하는 단계를 포함한다.본 발명 실시예에 따른 근거리 통신 방법은 기타 단말기 및 단말기 사이에 통신하는 과정에서 단말기가 단말기 및 기타 단말기 사이의 통신 신호 품질이 좋지 않다는 것을 발견하면 단말기의 구동 채널 및/또는 센싱 채널의 전기적 연결 관계를 스위칭하는 것을 통하여 단말기와 기타 단말기 사이의 통신이 성공하지 못하면 소프트웨어로 송수신 채널을 스위칭하는 방식을 통하여 통신 신호에 커플링이 차한 상황이 나타나는 현상을 모면하여 사용자가 단말기를 임의의 각도로 사용하더라도 기타 단말기와 정상적으로 통신할 수 있게 하여 통신할 때의 성공율 및 효율을 향상시키는 동시에 사용자의 별도 조작을 감소시키고 사용자 체험성을 향상시킨다.본 발명이 첨부한 양태 및 장점은 하기의 서술에서 일부가 설명되고 일부는 하기의 서술에서 더욱 명백하게 설명되고 또는 본 발명의 실천을 통하여 이해될 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 발명이 상술한 것 및/또는 첨부된 양태 및 장점은 하기에서 도면을 커플링하여 실시예에 대한 서술 중에서 더욱 명백해지고 이해가 용이해지게 된다.도1은 종래 기술의 단말기 사이의 통신을 나타내는 설명도이다.도2는 종래 기술의 단말기에 있어서 터치 스크린 및 터치 매니저 구성을 나타내는 설명도이다.도3은 종래 기술의 단말기에 있어서 터치 스크린 및 스위치 유닛의 구조를 나타내는 설명도이다.도4는 종래 기술의 단말기 사이 통신의 등가적 모델을 나타내는 설명도이다.도5는 종래 기술의 단말기 사이 통신의 등가적 모델의 회로를 나타내는 도이다.도6은 본 발명의 일 실시예에 따른 근거리 통신 시스템의 구성을 나타내는 설명도이다.도7은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 단말기의 센싱 채널 스위칭을 나타내는 설명도이다.도8은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 단말기의 구동 채널 스위칭을 나타내는 설명도이다.도9는 본 발명의 일 실시예에 따른 단말기 구성을 나타내는 설명도이다.도10은 본 발명의 일 구체적인 실시예에 따른 단말기 구성을 나타내는 설명도이다.도11은 본 발명의 일 실시예에 따른 근거리 통신 방법을 나타내는 흐름도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 하기에 본 발명의 실시예에 대해 상세하게 설명한다. 상기 실시예의 사례는 도면에 기재되고 도면 중의 동일 또는 유사한 부호는 동일 또는 유사한 소자 또는 동일 또는 유사한 기능을 구비한 소자를 표시한다. 하기에 도면을 참조하면서 서술하는 실시예는 사례적이고 본 발명을 해석하기 위한 것뿐이지 본 발명을 한정하려는 것이 아님이 이해되어야 한다. 반대로, 본 발명의 실시예는 특허청구범위 내에 속하는 정신 및 내용 범위 내에서 진행한 모든 변화, 수정 및 균등물을 포함한다.본 발명의 서술에 있에서 이해해 둬야 할 것은, “첫째”, “둘째” 등 용어는 설명을 위해 사용될 뿐 상대적인 중요성을 지시 또는 암시한다고 이해해서는 안된다. 본 발명의 서술에 있에서 설명하고자 하는 것은, 별도로 명확하게 규정 및 한정하지 않는 한 “서로 연결” 및 “연결” 등 용어는 광범위하게 이해해야 한다. 예를 들면 고정적인 연결일 수 있고 또는 분해할 수 있는 연결일 수도 있으며 또한 일체적인 연결일 수도 있으며, 기계적 연결 또는 전기적 연결일 수 있고, 직접적인 연결일 수도 있으며, 중간 매질을 통한 간접적인 연결일 수도 있다. 본 분야의 통상적인 지식을 가진 자라면 구체적인 상황에 따라 상기 용어의 본 발명 중에서의 의미를 이해해야 한다. 또한, 본 발명의 서술에서 별도의 설명이 없으면 “복수개”의 의미는 두개 또는 그 이상을 의미한다.흐름도 또는 여기서 기타 방식으로 설명한 임의의 과정 또는 방법에 대한 설명은 특정된 로직 기능 또는 과정의 단계를 구현하는 1개 이상의 명령을 실행 가능한 코드 모듈, 단락 또는 일부를 포함하고, 본 발명의 바람직한 실시양태의 범위는 별도의 구현을 포함하며 개시된 또는 검토된 순서에 따르지 않아도 된다. 언급된 기능에 따라 기본적으로 동시 또는 반대 순서에 따라 기능을 실행할 수 있다. 이에 대해 본 발명의 실시예가 속하는 기술 분야의 통상의 지식은 가진자라면 이해되어야 한다.하기에 도면을 참조하면서 본 발명 실시예에 따른 근거리 통신 시스템, 방법 및 단말기를 설명한다.도1은 종래 기술의 단말기 사이 통신을 나타내는 설명도이다. 도1에 도시한 바와 같이, 단말기 사이에 근거리 통신을 진행할 때, 단말기 사이는 서로 접근되지만 통상적으로 일정한 협각(夾角)이 존재한다. 협각이 어느 복수개 특정된 위치에 있을 때, 단말기의 터치 스크린과 터치 스크린 사이의 신호 커플링이 매우 차하여 단말기 사이의 통신이 실패할 수 있다. 이런 통신이 이상(異常)한 상황이 생기면 사용자는 단지 단말기 사이의 위치를 바꾸어 통신 확립을 다시 진해해야 한다. 따라서 이런 방식은 사용자의 부담을 크게 증가시키고 사용자의 체험성에 영향을 준다.예를 들면, 도2는 종래 기술의 단말기에 있어서 터치 스크린 및 터치 매니저의 구조를 나타내는 설명도이다. 도2에 도시한 바와 같이, 단말기(10’)는 터치 스크린(11’) 및 터치 매니저(12’)를 포함한다. 여기서, 터치 스크린(11’)은 통상적으로 정전용량방식 터치 스크린이고 단말기(10’)의 입력 기기이며 터치 스크린 사이의 근거리 통신에 있어서 데이터를 수신하거나 송신하는 작용을 한다. 터치 매니저(12’)는 터치 스크린(11’)을 관리하는 관리 모듈이고 주요하게 사용자의 터치 조작에 대하여 센싱하고 분석하는 처리를 함과 아울러 단말기의 프로세서에 사용자 터치 조작의 위치 좌표를 보고한다. 터치 스크린(11’)은 두 채널을 포함한다. 하나는 구동 신호의 채널(Y1~Yn)이고, 다른 하나는 센싱 신호의 채널(X1~Xm)이다. 구동 채널 및 센싱 채널에는 모두 약간의 배선이 포함된다. 응당 이해해 둬야 할 것은, 구동 채널이 X1~Xm이고 센싱 채널이 Y1~Yn일 수 있다.터치 스크린(11’)의 구동 채널 및 센싱 채널은 사용자 터치 조작에 의해 생성된 터치 신호를 터치 매니저(12’)에 송신한다. 터치 매니저(12’)의 내부에는 또한 스위치 유닛(121’), 수신 유닛(122’) 및 구동 유닛(123’)이 포함된다. 여기서, 스위치 유닛(121’)은 터치 스크린(11’)의 구동 채널 및 센싱 채널에 대해 관리하도록 구성되고, 터치 스크린(11’)의 각각의 채널은 모두 스위치 유닛(121’)을 통하여 특정된 회로 모듈에 연결된다. 수신 유닛(122)은 터치 스크린(11’)의 신호를 수신한 다음 스위치 유닛(121’)의 컨트롤을 통하여 데이터화 된 신호를 데이터 처리 및 마이크로 프로세서 유닛에 전송하여 처리하도록 구성된다. 구동 유닛(124’)은 자극(excitation)을 위한 아날로그 신호를 생성하도록 구성된다. 구동 유닛(124’)은 일정한 구동 능력을 구비하고 신호는 스위치 유닛(121’)의 채널에 대한 스위칭을 거치면 자극 신호(excitation signal)을 특정된 구동 채널에 전송하는 것을 구현할 수 있다.더 나아가서 도3은 종래 기술의 단말기에 있어서 터치 스크린(11’) 및 스위치 유닛(121’)의 구성을 나타내는 설명도이다. 도3에 도시한 바와 같이, 스위치 유닛(121’)은 스위치 및 버퍼 매트릭스로 구성된다. 터치 스크린 (11’)에서 입력 또는 출력하는 신호는 모두 각자의 스위치 회로를 경과하고, 각각의 스위치 회로는 모두 전원의 양극, 시스템 접지(GND), 입력 버퍼단 또는 출력 버퍼단에 연결될 수 있다. 따라서 터치 스크린(11’)의 모든 채널은 실제 수요에 따라 관련되는 전기적 특성이 배치될 수 있다.따라서 단말기 사이에 근거리 통신을 진행할 때, 예를 들면 도4에 도시한 바와 같이, 두 휴대폰(P1 및 P2) 중의 P1휴대폰은 신호 송신단이고 P2휴대폰은 신호 수신단이다. P1 휴대폰의 시스템 접지(GND)는 G1이고 P2휴대폰의 시스텀 접지(GND)는 G2이며, P1휴대폰 및 P2휴대폰이 근거리 통신을 진행할 때, P1휴대폰의 터치 스크린과 P2휴대폰의 터치 스크린 사이의 커플링 캐패시턴스가 Ctp이고, P1휴대폰의 터치 스크린과 P2휴대폰의 시스템 접지(G2)의 커플링 캐패시턴스는 Cg2이며, P2휴대폰의 터치 스크린과 P1휴대폰의 시스템 접지(G1)의 커플링 캐패시턴스는 Cg1이고, P1휴대폰과 P2휴대폰의 시스템 접지(G1) 및 접지(G2) 사이의 커플링 캐패시턴스는 Csys이다. 따라서 도5에 도시된 회로도를 더 취득할 수 있다. 여기서, P1휴대폰은 신호 송신단이고 교류 신호원으로 대체할 수 있으며 P2휴대폰은 신호 수신단이고 저항 부하로 대체할 수 있다.실제 응용에 있어서, 물리적인 측면에서 달성하고자 하는 목적은 P2양단의 전압(VP2)을 될수록 크게 하는 것이다. P2양단의 전압(VP2)이 너무 작으면 P2휴대폰이 수신된 신호가 좋지 않게 되어 P1휴대폰과 P2휴대폰 사이의 통신 확립에 성공할 수 없게 된다. 분석을 간단하게 하기 위하여 P2휴대폰의 저항 부하의 저항 값을 무시하면 하기와 같이 유도될 수 있다.더 나아가서, 만약이면을 취득할 수 있다. 다시 말하자며, 여러가지 상황을 조합하면 , 즉 P2휴대폰의 커플링 신호가 0이 될 수 있다. 이런 상황은 P1휴대폰과 P2휴대폰 사이의 고정 위치의 물리적 모델 상에서는 모면할 수 없다.하지만 본 발명 실시예는 P2휴대폰의 시스템에서 소프트웨어로 구동 채널 및/또는 센싱 채널의 연결 방식을 스위칭함으로써 P1휴대폰의 터치 스크린과 P2휴대폰의 터치 스크린 사이의 커플링 캐패시턴스(Ctp)를 변경시킬 수 있다. Ctp를 변경시킴으로써 P1휴대폰의 터치 스크린과 P2휴대폰의 시스템 접지(G2)의 커플링 캐패시턴스(Cg2) 및 P2휴대폰의 터치 스크린과 P1휴대폰의 시스템 접지(G1)의 커플링 캐패시턴스(Cg1)도 따라서 변경된다. 따라서 인 상황의 발생, 즉 P2휴대폰의 커플링 신호가 0이 되는 상황을 모면할 수 있다.도6은 본 발명 일 실시예에 따른 근거리 통신 시스템의 구성를 나타내는 설명도이다. 도6에 도시한 바와 같이, 근거리 통신 시스템은 제1 단말기(10) 및 제2 단말기(20)를 포함한다.구체적으로, 제2 단말기(20)는 제1 단말기(10)와 제2 단말기(20) 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 작다고 검출되면 제2 단말기(20)의 구동 채널 및/또는 센싱 채널의 연결 관계를 조절하여 제2 단말기(20)와 제1 단말기(10)사이의 커플링 캐패시턴스를 조절하고, 또한 제1 단말기(10)와 제2 단말기(20) 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 크거나 또는 같다고 검출되면 제2 단말기(20)와 제1 단말기(10) 사이의 통신을 확립한다.본 발명 실시예에서, 제1 단말기(10) 및 제2 단말기(20)는 휴대폰, 노트북, 태블릿PC, 포켓PC, POS기기 등 중의 어느 한가지일 수 있지만 이에 한정하지 않으며, 제1 단말기(10)는 통신의 발기단이고 제2 단말기(20)는 통신의 수행단일 수 있다. 다시 말하자면 제1 단말기(10)는 통신의 발기자이고, 제2 단말기(20)는 통신의 수행자일 수 있다. 구체적으로 제1 단말기(10) 및 제2 단말기(20)가 모두 휴대폰이고 제1 단말기(10) 및 제2 단말기(20)가 모두 터치 스크린을 구비한 것을 예로 들어 본 발명 실시예의 근거리 통신 시스템을 설명한다. 제2 단말기(20)는 제1 단말기(10)에 접근한 후, 제2 단말기(20)는 근거리 통신의 통신 모드에 진행하고, 그 다음 제2 단말기(20)는 자체의 설치, 예를 들면 자체 스크린의 구동 채널 및 센싱 채널을 선택하고, 상기 스크린의 구동 채널 및 센싱 채널에 서로 연결된 스위치 유닛을 스위칭하고, 상기 스크린에 서로 연결된 수신 유닛을 설치하는 등 초기화를 진행한다. 여기서, 상기 스크린은 터치 스크린이고, 바람직하게는 정전용량방식 터치 스크린이다.다음, 제2 단말기(20)는 제1 단말기(10)와 제2 단말기(20) 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값 보다 작은지 여부를 검출한다. 구체적으로, 제2 단말기(20)가 통신 모드에 진입한 후, 이때 제2 단말기(20)는 수신 상태에 처해 있고, 제2 단말기(20)는 통신 모드에서 제2 단말기(20)가 그의 스크린을 통하여 센싱하는 제1 단말기(10)가 송신한 통신 신호를 실시간으로 모니터링할 수 있다. 여기서, 제2 단말기(20)는 제2 단말기(20)의 예를 들면 스크린의 일부 구동 채널 및 센싱 채널을 통하여 제1 단말기(10)가 송신한 통신 신호를 수신하거나 또는 제1 단말기(10)를 향하여 통신 신호를 송신할 수 있다. 다시 말하자면, 제2 단말기(20)가 전체 스크린을 통해 통신 신호를 수신/송신하도록 설정될 수 있고, 또는 제2 단말기(20)가 일부 스크린을 통하여 통신 신호를 수신/송신하도록 설정될 수 있다. 따라서, 제2 단말기(20)의 신호 대 잡음비를 향상시키고 제2 단말기(20)가 소비하는 전기량을 절약할 수 있다. 즉, 제2 단말기(20)는 미리 설정한 창구 시간 내에 제1 단말기(10)와 제2 단말기(20)사이 커플링 캐패시턴스의 크기가 미리 설정한 값보다 작은지 여부를 실시간으로 검출할 수 있다.다음, 제2 단말기(20)는 미리 설정한 창구 시간 내에 제1 단말기(10)와 제2 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 작다고 판단하고 또한 제1 단말기(10)와 제2 단말기(20) 사이의 통신 신호가 유효 신호라고 판단하면 제2 단말기(20)는 제2 단말기(20)의 구동 채널 및/또는 센싱 채널의 연결 관계를 조절하여 제2 단말기(20)와 제1 단말기(10) 사이의 커플링 캐패시턴스를 조절한다. 즉, 제2 단말기(20)가 미리 설정한 창구 시간 내에 통신 신호를 수신하지 못하면 또는 수신된 통신 신호가 비교적 약하면 즉, 제1 단말기(10)와 제2 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 비교적 작거나 또는 0이면, 제2 단말기(20)의 구동 채널 및 센싱 채널에 대한 스위칭을 진행하여 제2 단말기(20)의 다른 한가지로 분포된 전기 특성을 구현할 수 있다. 응당 이해해 둬야 할 것은, 제2 단말기(20)가 미리 설정한 창구 시간 내에 제1 단말기(10)와 제2 단말기(20) 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 크거나 또는 같다고 판단하면 제2 단말기(20)와 제1 단말기(10) 사이의 통신 확립을 진행할 수 있다.본 발명 실시예에서, 제2 단말기(20)가 미리 설정한 창구 시간 내에 제1 단말기(10)와 제2 단말기(20) 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 작다고 판단한 후, 제2 단말기(20)는 또한 제2 단말기(20)가 통신 모드에 진입한 후 제1 단말기(10)와의 통신 확립을 요구하는데 소요되는 시간이 미리 설정한 역치보다 큰지 여부를 검출하고, 또한 통신 확립에 소요되는 시간이 미리 설정한 역치보다 크면 통신 모드에서 로그아웃한다. 다시 말하자면, 제2 단말기(20)가 통신 흐름을 확립하는데 소요되는 총 시간이 미리 설정한 역치를 초과하면 제2 단말기(20)는 제1 단말기(10)와의 통신을 직접 종료한다.본 발명 실시예에서, 제2 단말기(20)는 제2 단말기(20)의 구동 채널 및/또는 센싱 채널의 연결 관계를 조절할 때, 제2 단말기(20)는 제2 단말기(20)의 예를 들면 스크린 또는 통신 모듈 등의 적어도 1개 구동 채널 및/또는 센싱 채널을 미리 설정한 포인트로 스위칭할 수 있다. 여기서, 미리 설정한 포인트는 전원 양극, 시스템 접지(GND), 입력 버퍼단 또는 출력 버퍼단 등일 수 있고, 또는 서스팬드(suspend ) 즉, 구동 채널 및/또는 센싱 채널이 서스팬드 상태에 처해 있을 수 있다. 예를 들면 도7에 도시한 바와 같이, Y1~Yn이 제2 단말기(20) 스크린의 구동 채널이고 , X1~Xm이 제2 단말기(20) 스크린의 센싱 채널이면, 이때 스크린의 센싱 채널 X1 및 X2 를 시스템 접지(GND)에 연결할 수 있다. 다음, 제2 단말기(20)는 제1 단말기(10)와 제2 단말기(20) 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 작은지 여부를 다시 검출하고, 제1 단말기(10)와 제2 단말기(20) 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 크거나 또는 같다고 검출되면 제1 단말기(10)와 제2 단말기(20)사이의 통신을 확립한다. 제1 단말기(10)와 제2 단말기(20) 사이의 커플링 캐패시턴스가 여전히 미리 설정한 값보다 작다고 검출되면 제2 단말기(20)의 구동 채널 또는 센싱 채널을 미리 설정한 포인트로 계속하여 스위칭할 수 있다. 예를 들면, 도8에 도시한 바와 같이, 이때 스크린의 구동 채널(Yn)을 시스템 접지(GND)에 연결할 수 있다. 다음, 제2 단말기(20)는 제2 단말기(20)가 검출한 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 크거나 또는 같을 때까지 커플링 캐패시턴스를 검출하는 흐름을 계속하여 반복한다.응당 이해해 둬야 할 것은, 제2 단말기(20)는 제2 단말기(20)의 구동 채널 또는 센싱 채널을 임의로 스위칭할 수 있다. 스위칭 방식은 임의로 선택할 수 있다. 다시 말하자면, 제2 단말기(20)의 어느 구동 채널 및/또는 센싱 채널을 스위칭하고, 또한 이런 채널을 스위칭하여 어느 미리 설정한 포인트에 연결하는지는 모두 제2 단말기(20)가 임의로 선택한 것일 수 있다. 채널을 스위칭한 후, 제1 단말기(10) 및 제2 단말기(20) 사이의 커플링 캐패시턴스가 여전히 미리 설정한 값보다 작으면 제2 단말기(20)가 수신한 통신 신호가 여전히 좋지 않다는 것을 설명하고 채널을 스위칭하는 동작이 크지 않아서 초래된 것일 수 있다. 이때 제2 단말기(20)는 일부 구동 채널 및/또는 센싱 채널을 더 스위칭할 수 있다. 구동 채널 또는 센싱 채널의 스위칭은 임의로 조합하는 방식으로 진행할 수 있으며 모두 본 발명의 보호 범위 내에 속한다. 장황한 설명을 모면하기 위하여 채널을 스위칭하는 조합 방식은 여기서 더 이상 설명하지 않는다.또한, 응당 이해해 둬야 할 것은, 본 분야의 통상의 지식을 가진 자는 상술한 방식에 대하여 기타 동등한 대체 및 변경을 진행할 수 있다. 예를 들면 제1 단말기(10)가 휴대폰이고 제2 단말기(20)가 근거리 통신 모듈을 구비한 노트북 또는 정전용량방식 터치 패널을 구비한 노트북 등이면, 제2 단말기(20)는 상기 방식을 통하여 제1 단말기(10)와 제2 단말기(20) 사이의 커플링 캐패시턴스를 검출할 수 있고, 또한 제2 단말기(20)의 근거리 통신 모듈 또는 터치 패널의 구동 채널 또는 센싱 채널을 스위칭하는 것을 통하여 제1 단말기(10)와 제2 단말기(20) 사이의 커플링 캐패시턴스를 증가하는 것을 구현할 수 있다. 이런 방식도 모두 본 발명의 보호 범위 내에 포함되어야 한다.다음, 제2 단말기(20)가 제1 단말기(10)와 제2 단말기(20) 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 크거나 또는 같다고 검출되고, 또한 제2 단말기(20)가 자체가 수신한 통신 신호가 제1 단말기(10)가 송신한 신호라고 판단한 후, 제2 단말기(20)는 수신 모드에서 송신 모드로 진입하고 응답 신호를 제1 단말기(10)에 송신한다. 제2 단말기(20)와 제1 단말기(10)는 통신 연결을 확립하고 관련되는 통신을 처리하고 나서 제2 단말기(20)는 제1 단말기(10)와의 통신을 종료한다. 즉 제2 단말기(20)는 통신 모드에서 로그아웃한다.응당 이해해 둬야 할 것은, 제2 단말기(20)는 제2 단말기(20) 의 구동 채널/센싱 채널을 스위칭한 후, 제2 단말기(20) 및 제1 단말기(10) 사이의 통신 확립을 진행하고 나서 즉, 두 단말기가 상호 통신하는 과정에서 제2 단말기(20)는 통신 신호를 수신/송신할 때 시종일관하게 스위칭 후의 채널의 배치 모드를 유지한다. 따라서 제2 단말기(20)와 제1 단말기(10) 사이의 회로 특성이 시종일관하게 일치하도록 보장하고, 제2 단말기(20)와 제1 단말기(10) 사이 정상적인 통신을 보장한다.또한, 상기 실시예 중의 케이스 외에, 제2 단말기(20)는 통신 발기단이고, 제1 단말기(10)는 통신 수행단일 수 있다. 즉 제2 단말기(20)는 통신의 발기자이고 제1 단말기(10)는 통신의 수행자일 수 있다. 이때 제2 단말기(20)는 제1 단말기(10)에 접근한 후, 제2 단말기(20)는 기타 작동 상태에서 통신 상태로 전환된다. 즉 제2 단말기(20)는 통신 모드에 진입한 후 송신 상태에 처한다. 다음 제2 단말기(20)는 자체의 설정을 초기화하고, 그 후 제2 단말기(20)가 송신 상태에 처하면 제1 단말기(10)가 제1 단말기(10)와 제2 단말기(20) 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 작은지 여부를 검출한다. 제2 단말기(20)는 신호를 송신한 후 자체 상태를 스위칭하고 송신 상태에서 수신 상태에 진입한다. 이때 제2 단말기(20)는 제1 단말기(10)와 제2 단말기(20) 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 작은지 여부를 검출하기 시작하고 또한 제1 단말기(10)와 제2 단말기(20) 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 작다고 검출되면 제2 단말기(20) 의 구동 채널 및/또는 센싱 채널의 연결 관계를 조절하여 제2 단말기(20)와 제1 단말기(10) 사이의 커플링 캐패시턴스를 조절한다. 응당 이해해 둬야 할 것은, 제2 단말기(20)가 커플링 캐패시턴스를 검출하는 방식 및 커플링 캐패시턴스를 조절하는 방식은 상기에서 사용한 방법과 같기 때문에 여기서 반복하여 설명하지 않는다.본 발명 실시예의 근거리 통신 시스템은 제1 단말기와 제2 단말기 사이에 통신하는 과정에서 제2 단말기가 제2 단말기와 제1 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 비교적 작은 것을 발견하면 제2 단말기의 구동 채널 및/또는 센싱 채널의 전기적 연결 관계를 스위칭하는 것을 통하여 제2 단말기와 제1 단말기 사이에 통신이 성공하지 못할 때 소프트웨어로 송수신 채널을 스위칭하는 방식을 통하여 통신 신호에 커플링이 차한 상황이 나타나는 현상을 모면하여 사용자가 제2 단말기를 임의의 각도에서 사용하더라도 제1 단말기와 정상적으로 통신할 수 있게 하고 통신할 때의 성공율 및 효율을 향상시키는 동시에 사용자의 별도 조작을 감소시키고 사용자의 체험성을 향상시킨다.상기 실시예을 구현하기 위하여 본 발명은 단말기 더 제공한다.도9는 본 발명 일 실시예에 따른 단말기의 구성을 나타내는 설명도이다. 도9에 도시한 바와 같이, 단말기는 제1 검출 모듈(210), 조절 모듈(220) 및 확립 모듈(230)을 포함한다.구체적으로, 제1 검출 모듈(210)은 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 작은지 여부를 검출하도록 구성된다.본 발명 실시예에서, 단말기 및 기타 단말기는 휴대폰, 노트북, 태블릿 PC, 포켓PC, POS기기 등 중의 어느 한가지일 수 있지만 이에 한정하지 않으며 또한 기타 단말기가 통신 발기단이고 단말기가 통신 수행단일 수 있다. 바꾸어 말하면 기타 단말기가 통신 발기자이고 단말기가 통신 수행자일 수 있다. 구체적으로, 기타 단말기 및 단말기가 모두 휴대폰이고, 기타 단말기 및 단말기가 모두 터치 스크린을 구비하는 것을 예로 들어 본 발명 실시예의 단말기를 설명한다.단말기기 기타 단말기에 접근한 후, 단말기는 근거리 통신의 통신 모드에 진입하고 다음 단말기는 예를 들면 자체 스크린의 구동 채널 및 센싱 채널을 선택하고, 상기 스크린의 구동 채널 및 센싱 채널에 서로 연결된 스위치 유닛을 스위칭하고, 상기 스크린에 서로 연결된 수신 유닛을 설정하는 등 자체의 설정을 초기화한다. 여기서, 상기 스크린은 터치 스크린이고 바람직하게는 정전용량방식 터치 스크린이다. 제1 검출 모듈(210)이 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 작은지 여부를 검출한다. 구체적으로, 단말기가 통신 모드에 진입한 후, 이때 단말기가 수신 상태에 처해 있고 제1 검출 모듈(210)은 통신 모드에서 단말기가 스크린을 통하여 센싱한 기타 단말기가 송신한 통신 신호를 실시간으로 모니터링한다. 여기서, 제1 검출 모듈(210)은 단말기의 예를 들면 스크린의 일부 구동 채널 및 센싱 채널을 통하여 기타 단말기가 송신한 통신 신호를 수신하거나 또는 기타 단말기에 통신 신호를 송신한다. 바꾸어 말하자면, 제1 검출 모듈(210)은 단말기가 전체 스크린을 통하여 통신 신호를 수신/송신하도록 설정될 수 있다. 또는 제1 검출 모듈(210)은 단말기가 일부 스크린을 통하여 통신 신호를 수신/송신하도록 설정될 수 있다. 따라서 단말기의 신호 대 잡음비를 향상시킬 수 있고 단말기가 소모하는 전기량을 절약할 수 있다. 다시 말하자면, 제1 검출 모듈(210)은 미리 설정한 창구 시간 내에 기타 단말기와 제2 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스의 크기가 미리 설정한 값보다 작은지 여부를 실시간으로 검출할 수 있다.조절 모듈(220)은 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 작다고 검출하면 단말기의 구동 채널 및/또는 센싱 채널의 연결 관계를 조절하여 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스를 조절하도록 구성된다.다음, 제1 검출 모듈(210)은 미리 설정한 창구 시간 내에 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 작다고 판단하고 또한 단말기와 기타 단말기 사이의 통신 신호가 유효 신호라고 판단하면 조절 모듈(220)은 단말기의 구동 채널 및/또는 센싱 채널의 연결 관계를 조절하여 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스를 조절한다. 다시 말하자면, 단말기가 미리 설정한 창구 시간 내에 통신 신호를 수신하지 못하면 또는 수신된 통신 신호가 비교적 약하면 즉, 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 비교적 작거나 또는 0이면 단말기의 구동 채널 및 센싱 채널에 대해 스위칭하여 단말기의 다른 한가지로 분포된 전기적 특성을 구현한다. 응당 이해해 둬야 할 것은, 제1 검출 모듈(210)이 미리 설정한 창구 시간 내에 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 크거나 또는 같다고 판단하면 확립 모듈(230)은 단말기와 기타 단말기 사이의 통신을 확립할 수 있다.본 발명 실시예에서, 조절 모듈(220)은 단말기의 구동 채널 및/또는 센싱 채널의 연결 관계를 조절할 때, 단말기 중의 예를 들면 스크린 또는 통신 모듈 등의 적어도 1개 구동 채널 및/또는 센싱 채널을 미리 설정한 포인트로 스위칭할 수 있다. 여기서, 미리 설정한 포인트는 전원 양극, 시스템 접지(GND), 입력 버퍼단 또는 출력 버퍼단 등일 수 있고, 또는 서스팬드(suspend ) 즉, 구동 채널 및/또는 센싱 채널이 서스팬드 상태에 처해 있을 수 있다. 예를 들면 도7에 도시한 바와 같이, Y1~Yn이 단말기 스크린의 구동 채널이고 , X1~Xm이 단말기 스크린의 센싱 채널이면, 이때 스크린의 센싱 채널 X1 및 X2 를 시스템 접지(GND)에 연결할 수 있다. 다음, 제1 검출 모듈(210)이 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 작은지 여부를 다시 검출하고, 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 크거나 또는 같다고 검출되면 확립 모듈(230)이 단말기와 기타 단말기 사이의 통신을 확립한다. 제1 검출 모듈(210)이 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 여전히 미리 설정한 값보다 작다고 검출하면 조절 모듈(220)은 단말기의 구동 채널 또는 센싱 채널을 미리 설정한 포인트로 계속하여 스위칭할 수 있다. 예를 들면, 도8에 도시한 바와 같이, 이때 스크린의 구동 채널(Yn)을 시스템 접지(GND)에 연결할 수 있다. 다음, 제1 검출 모듈(210)은 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 크거나 또는 같을 때 까지 커플링 캐패시턴스를 검출하는 흐름을 계속하여 반복한다. 응당 이해해 둬야 할 것은, 조절 모듈(220)은 단말기의 구동 채널 또는 센싱 채널을 임의로 스위칭할 수 있다. 스위칭 방식은 임의로 선택할 수 있다. 다시 말하자면, 조절 모듈(220)이 단말기의 어느 구동 채널 및/또는 센싱 채널을 스위칭하고, 또한 이런 채널을 스위칭하여 어느 미리 설정한 포인트에 연결하는지는 모두 조절 모듈(220)이 임의로 선택할 수 있다. 채널을 스위칭한 후, 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 여전히 미리 설정한 값보다 작으면 단말기가 수신한 통신 신호가 여전히 좋지 않다는 것을 설명하고 채널을 스위칭하는 동작이 크지 않아서 초래된 것일 수 있다. 이때 조절 모듈(220)은 일부 구동 채널 및/또는 센싱 채널을 더 스위칭할 수 있다. 구동 채널 또는 센싱 채널의 스위칭은 임의의 조합하는 방식으로 진행할 수 있으며 모두 본 발명의 보호 범위 내에 속한다. 장황한 설명을 모면하기 위하여 채널을 스위칭하는 조합 방식은 여기서 더 이상 설명하지 않는다.또한, 응당 이해해 둬야 할 것은, 본 분야의 통상의 지식을 가진 자는 상술한 방식에 대하여 기타 동등한 대체 및 변경을 진행할 수 있다. 예를 들면 기타 단말기가 휴대폰이고 단말기가 근거리 통신 모듈을 구비한 노트북 또는 정전용량방식 터치 패널를 구비한 노트북 등이면, 제1 검출 모듈(210)은 상기 방식을 통하여 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스를 검출할 수 있고, 또한 조절 모듈(220)을 통하여 기타 단말기의 근거리 통신 모듈 또는 터치 패널의 구동 채널 또는 센싱 채널을 스위칭하여 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스를 증가하는 것을 구현할 수 있다. 이런 방식도 모두 본 발명의 보호 범위 내에 포함되어야 한다.확립 모듈(230)은 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 크거나 또는 같을 때 단말기와 기타 단말기 사이의 통신을 확립하도록 구성된다.구체적으로, 제1 검출 모듈(210)은 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 설정값보다 크거나 또는 같다고 검출되고 또한 단말기가 수신한 통신 신호가 기타 단말기가 발기한 신호라고 판단한 후 단말기는 수신 모드에서 송신 모드로 진입하고 응답 신호를 기타 단말기에 송신한다. 확립 모듈(230)은 단말기와 기타 단말기의 통신 연결을 확립하고 관련되는 통신을 처리한 후 기타 단말기와의 통신을 종료한다. 즉 단말기는 통신 모드에서 로그아웃한다.응당 이해해 둬야 할 것은, 조절 모듈(220)이 단말기의 구동 채널/센싱 채널을 스위칭한 후, 확립 모듈(230)이 단말기와 기타 단말기의 통신을 확립하고 나서 즉, 두 단말기가 서로 통신하는 과정에서 조절 모듈(220)은 통신 신호를 수신/송신할 때 시종일관하게 단말기가 스위칭한 후의 채널의 배치 모드를 유지한다. 따라서 단말기와 기타 단말기 사이의 회로 특성이 시종일관하게 일치하도록 보장하고, 단말기와 단말기 사이의 정상적인 통신을 보장한다. 또한, 상기 실시예 중의 케이스 외에 단말기는 통신 발기단이고, 기타 단말기는 통신의 수행단일 수 있다. 즉 단말기는 통신 발기자이고 기타 단말기는 통신 수행자일 수 있다. 이때 단말기가 기타 단말기에 접근한 후, 단말기는 기타 작동 상태에서 통신 상태로 전환된다. 즉 단말기는 통신 모드에 진입한 후 송신 상태에 처한다. 다음 단말기는 자체의 설정을 초기화하고, 그 후 단말기가 송신 상태에 처하면 기타 단말기가 기타 단말기와 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 설정값보다 작은지 여부를 검출한다. 단말기는 신호를 송신한 후 자체 상태를 스위칭하고 송신 상태에서 수신 상태에 진입한다. 이때 단말기는 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 설정값보다 작은지 여부를 검출하고 또한 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 설정값보다 작다고 검출되면 단말기의 구동 채널 및/또는 센싱 채널의 연결 관계를 조절하여 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스를 조절한다. 응당 이해해 둬야 할 것은, 단말기가 커플링 캐패시턴스를 검출하는 방식 및 커플링 캐패시턴스를 조절하는 방식은 상기에서 사용한 방법과 같기 때문에 여기서 반복하여 설명하지 않는다.본 발명 실시예의 단말기는 단말기와 기타 단말기 사이에 통신하는 과정에서 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 비교적 작다는 것을 발견하면 단말기의 구동 채널 및/또는 센싱 채널의 전기적 연결 관계를 스위칭하여 단말기와 기타 단말기 사이에 통신이 성공하지 못할 때 소프트웨어로 송수신 채널을 스위칭하는 방식을 통하여 통신 신호에 커플링이 차한 상황이 나타나는 현상을 모면하여 사용자가 단말기를 임의의 각도에서 사용하더라도 기타 단말기와 정상적으로 통신할 수 있게 하고 통신할 때의 성공율 및 효율을 향상시키는 동시에 사용자의 별도 조작을 감소시키고 사용자의 체험성을 향상시킨다.도10은 본 발명 일 구체적인 실시예에 따른 단말기의 구성을 나타내는 설명도이다. 도10에 도시한 바와 같이, 단말기는 제1 검출 모듈(210), 조절 모듈(220), 확립 모듈(230), 제2 검출 모듈(240) 및 컨트롤 모듈(250)을 포함한다.구체적으로, 제2 검출 모듈(240)은 단말기와 기타 단말기 사이에 통신을 확립하는데 소요되는 시간이 미리 설정한 역치보다 큰지 여부를 검출하도록 구성된다.컨트롤 모듈(250)은 단말기와 기타 단말기가 통신을 확립하는데 소요되는 시간이 미리 설정한 역치보다 클 때 단말기를 컨트롤하여 통신 모드에서 로그아웃하도록 구성된다.구체적으로, 제1 검출 모듈(210)은 미리 설정한 창구 시간 내에 단말기와 기타 단말기 사이의설정값보다 작다고 판단한 후, 제2 검출 모듈(240)은 단말기가 통신 모드에 진입한 후 기타 단말기와 통신 확립을 요구하는데 소요되는 시간이 미리 설정한 역치보다 큰지 여부를 더 검출할 수 있고, 또한 제2 검출 모듈(240)은 통신 확립에 소요되는 시간이 미리 설정한 역치보다 크다고 검출되면 컨트롤 모듈(250)은 단말기를 컨트롤하여 통신 모드에서 로그아웃하게 한다. 바꾸어 말하자면, 단말기가 통신 흐름을 확립하는데 소요되는 총 시간이 미리 설정한 역치를 초과하였다고 판단하면 단말기는 기타 단말기와의 통신을 직접 종료할 수 있다.본 발명 실시예의 단말기는 단말기와 기타 단말기 사이에 연결을 확립하는데 소요되는 시간이 미리 설정한 역치를 초과하는지 여부를 검출하고 또한 미리 설정한 역치를 초과하면 통신 모드에서 로그아웃한다. 따라서 단말기의 전기량을 더 절약할 수 있다.상기 실시예를 구현하기 위하여, 본 발명은 근거리 통신 방법을 더 제공한다.하기에 본 발명 제2 양태 실시예의 단말기에 커플링하여 본 발명 실시예의 근거리 통신 방법을 설명한다. 구체적으로 본 발명 제2 양태 실시예의 단말기의 내용을 참고할 수 있다.도11은 본 발명 일 실시예에 따른 근거리 통신 방법을 나타내는 흐름도이다. 도11에 도시한 바와 같이, 근거리 통신 방법은 하기와 같은 단계를 포함한다.S101단계: 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 작다고 검출되면 단말기의 구동 채널 및/또는 디스플레이 채널의 연결 관계를 조절하여 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스를 조절한다.본 발명 실시예에서, 단말기가 기타 단말기에 접근하면 단말기는 통신 모드에 진입하고 통신 모드에서 기타 단말기와 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 작은지 여부를 검출한다.본 발명 실시예에서, 단말기의 일부 구동 채널 및 센싱 채널은 기타 단말기가 송신한 신호를 수신하거나 또는 기타 단말기에 신호를 송신한다.본 발명 실시예에서, 단말기와 기타 단말기가 통신 확립을 진행하는데 소요되는 시간이 미리 설정한 역치보다 큰지 여부를 검출하고 단말기와 기타 단말기가 통신 확립을 진행하는데 소요되는 시간이 미리 설정한 역치보다 크면 단말기를 컨트롤하여 통신 모드에서 로그아웃한다.본 발명 실시예에서, 단말기의 적어도 1개 구동 채널 및/또는 센싱 채널을 미리 설정한 포인트로 스위칭한다. 여기서, 미리 설정한 포인트는 전원 양극, 시스템 접지, 입력 버퍼단 또는 출력 버퍼단이다.S102단계: 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 크거나 또는 같다고 검출되면 단말기와 기타 단말기 사이의 통신을 확립한다.본 발명 실시예의 근거리 통신 방법은 단말기와 기타 단말기 사이에 통신하는 과정에서 단말기가 단말기와 기타 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 비교적 작다는 것을 발견하면 단말기의 구동 채널 및/또는 센싱 채널의 전기적 연결 관계를 스위칭하는 것을 통하여 단말기와 기타 단말기 사이에 통신이 성공하지 못하면 소프트웨어로 송수신 채널을 스위칭하는 방식을 통하여 통신 신호에 커플링이 차한 상황이 나타나는 현상을 모면하여 사용자가 단말기를 임의의 각도에서 사용하더라도 기타 단말기와 모두 정상적으로 통신할 수 있도록 하게 함으로써 통신 성공율 및 효율을 향상시키는 동시에 사용자의 별도 조작을 감소시키고 사용자 체험성을 향상시킨다.응당 이해해 둬야 할 것은, 본 발명의 각각의 부분은 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어(Firmware) 또는 이 들의 조합으로 구현될 수 있다. 상기 실시양태에서 복수개 단계 또는 방법은 메모리에 저장된 적합한 명령으로 시스템을 수행하는 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현될 수 있다. 예를 들면, 하드웨어로 구현하려면 다른 실시양태와 같이, 본 분야의 공지된 기술 예로 들면 데이터 신호에 대해 로직 기능을 구현하는 로직 게이트 회로를 구비한 분산 로직 회로, 적합하게 조합된 로직 게이트 회로를 구비한 전용 직접 회로, PGA, FPGA등 중의 임의의 한 항 또는 이들의 조합으로 구현될 수 있다. 본 발명의 설명에 있어서 “1개 실시예”, “일부 실시예”, “사례”, “구체적인 사례” 또는 “일부 사례” 등 용어는 상기 실시예 또는 사례 설명의 구체적인 특징, 구성, 재료 또는 특징의 커플링이 본 발명의 적어도 1개 실시예 또는 사례에 포함된다는 것을 설명하기 위해서 사용된 것이다. 본 명세서에서, 상기 용어의 사례적 서술은 반드시 같은 실시예 또는 사례를 가리키는 것이 아니다. 서술된 구체적인 특징, 구성, 재료 또는 특징은 임의의 1개 또는 복수개 실시예 또는 사례에서 적합한 양태로 커플링될 수 있다.본 발명의 실시예을 개시하고 설명하였지만 본 분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 원리 및 취지를 벗어나지 않는 상황에서 이런 실시예에 대해 여러가지 변경, 수정, 대체 및 변형을 실시할 수 있음이 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 특허청구범위 및 동등물에 의해 한정된다.	본 발명은 근거리 통신 시스템, 방법 및 단말기를 제공한다. 상기 시스템은 제1 단말기 및 제2 단말기를 포함하고, 상기 제2 단말기는 상기 제1 단말기와 상기 제2 단말기 사이의 커플링 캐패시턴스가 미리 설정한 값보다 작다고 검출되면 상기 제2 단말기의 구동 채널 및/또는 센싱 채널의 연결 관계를 조절하여 상기 제2 단말기와 상기 제1 단말기 사이의 상기 커플링 캐패시턴스를 조절하고, 상기 제1 단말기와 상기 제2 단말기 사이의 상기 커플링 캐패시턴스가 상기 미리 설정한 값보다 크거나 또는 같다고 검출되면 상기 제2 단말기와 상기 제1 단말기 사이의 통신을 확립하도록 구성된다. 본 발명 실시예의 근거리 통신 시스템에 따르면 신호에 커플링이 차한 상황이 나타나는 현상을 모면하고 사용자가 제2 단말기를 임의의 각도에서 사용할 때 모두 제1 단말기와 정상적으로 통신할 수 있게 함으로써 통신할 때의 성공율 및 효율을 향상시키는 동시에 사용자의 별도 조작을 감소시키고 사용자의 체험성을 향상시킨다.
[ 발명의 명칭 ] 정현파 생성 장치 및 방법DEVICE AND METHOD FOR GENERATING SINE WAVE [ 기술분야 ] 본 발명은 디지털 회로 기술 분야에 관한 것이고, 더욱 상세하게는 정현파 생성 장치 및 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 현재, 디지털 회로가 정현파를 생성하는 방법은 예를 들면 MATLAB（Matrix Laboratory）또는 기타 소프트웨어 툴을 이용하여 정현파를 생성하는 여러가지가 있다. 하지만 현재는 정현파 데이터 정보를 모두 검색 테이블에 저장하고, MATLAB 또는 기타 소프트웨어 툴이 정현파를 생성할 때 수요에 따라 검색 테이블 중의 데이터를 직접 출력하며 검색 테이블 외의 정현파 데이터 정보를 생성하지 못하는 문제가 존재한다. 따라서, 현재의 방식에는 모두 일정한 제한성이 있고, 일부 방법은 특정된 주파수의 정현파만 생성하거나 또는 일부 방법은 서로 다른 주파수의 정현파를 생성할 때 아주 큰 회로 면적을 수요하고 정현파의 주파수가 정확하지 않고 드리프트 현상이 존재한다. 따라서, 디지털 회로가 정현파를 생성하는 회로 소비전력이 높고 원가가 높은 현상을 초래할 뿐만 아니라 생성된 정현파가 시간 영역 및 주파수 영역에서의 효과가 모두 좋지 않다. [ 발명의 개요 ] 본 발명의 목적은 적어도 일정한 정도에서 관련 기술의 기술 문제 중의 하나를 해결하는 것이다.이를 위하여, 본 발명의 첫번째 목적은 면적이 더욱 작은 디지털 회로를 이용하여 주파수가 더욱 풍부하고 정확한 정현파를 생성하는 정현파 생성 장치를 제출하는 것이다.본 발명의 두번째 목적은 정현파 생성 방법을 제출하는 것이다.상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제1양태에 따르면 정현파 생성 장치가 제공되며, 상기 방법은,정현파 배치 정보를 취득하고, 상기 정현파 배치 정보에 의하여 상기 정현파의 주소 정보를 생성하는 위상 누산 모듈과,특히, 상기 정현파의 주소 정보는 정수 주소 정보 및 소수 주소 정보를 포함하고,상기 정수 주소 정보에 의하여 상기 정현파의 제1 데이터 정보 및 제2 데이터 정보를 검색하는 검색 모듈과,상기 소수 주소 정보의 비트 폭 크기에 의하여 상기 정현파의 제1 데이터 정보 및 상기 제2 데이터 정보 사이에 보간을 하고 상기 소수 주소 정보에 다라 상기 정현파의 보간 원시 데이터 정보를 취득하는 보간 모듈과,상기 소수 주소 정보의 비트 폭 크기 및 의사 랜덤 시퀀스 출력치에 다라 상기 정현파의 보간 원시 데이터를 절단 처리하여 상기 정현파의 최종 보간 데이터 정보를 취득하는 랜덤 컷오프 모듈과,상기 정현파의 최종 보간 데이터 정보에 의하여 상기 정현파의 영상 정보를 생성하는 정현파 생성 모듈을 포함한다.본 발명 실시예의 정현파 생성 장치는 보간의 방법을 통하여 검색 테이블 중의 두개 데이터 정보에 의하여 세번째 데이터 정보를 추산하고, 따라서 검색 테이블의 용량을 확장한 것에 해당하고, 이에 따라 디지털 회로의 회로 면적을 축소하는 목적에 도달한다.랜덤 절단의 방법을 통하여, 보간 원시 데이터를 플로어 처리를 진행하고, 그 다음에 생성된 랜덤 단일 비트 데이터와 원시 데이터의 정수 부분을 상가하고, 이로부터 정현파가 임의의 주파수 포인트에서의 변이를 모면할 수 있다. 구체적으로는, 본 발명 실시예의 정현파 생성 장치는 면적이 더욱 작은 디지털 회로를 이용하면 주파수가 더욱 풍부하고 정확한 정현파를 생성할 수 있고, 각각 관련 기술 및 본 발명이 생성한 정현파 데이터 정보를 통하고 MATLAB시뮬레이션을 통과한 후 도4 및 도5에서 도시한 바와 같이, 본 발명 실시예의 정현파 생성 장치가 생성한 정현파가 시간 영역 및 주파수 영역에서 더욱 좋은 효과가 있다는 것을 뚜렷하게 관찰할 수 있다. 시간 영역으로 볼때, 본 발명 실시예의 정현파 생성 장치가 생성한 정현파는 더욱 부드럽고 규칙적이고, 주파수 영역으로 볼때 본 발명 실시예의 정현파 생성 장치가 생성한 정현파 고조파 에너지가 더욱 작아진다.상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명 제2양태에 따르면 정현파 생성 방법이 제공되며, 상기 방법은,정현파 배치 정보를 취득하고, 상기 정현파 배치 정보에 의하여 상기 정현파의 주소 정보를 생성하는 단계와, 특히 상기 정현파의 주소 정보는 정수 주소 정보 및 소수 주소 정보를 포함하고, 상기 정수 주소 정보에 의하여 상기 정현파의 제1 데이터 정보 및 제2 데이터 정보를 검색하는 단계와,상기 소수 주소 정보의 비트 폭 크기에 의하여 상기 정현파의 제1 데이터 정보 및 상기 제2 데이터 정보 사이에 보간을 하고, 상기 소수 주소 정보 에 따라 상기 정현파의 보간 원시 데이터 정보를 취득하는 단계와,상기 소수 주소 정보의 비트 폭크기 및 의사 랜덤 시퀀스 출력치에 따라 상기 정현파의 보간 원시 데이터를 절단 처리하여 상기 정현파의 최종 보간 데이터 정보를 취득하는 단계,또는,상기 정현파의 최종 보간 데이터 정보에 의하여 상기 정현파의 영상 정보를 생성하는 단계를 포함한다.본 발명 실시예의 정현파 생성 방법은 보간의 방식을 채택하는 것을 통하여 검색 테이블 중의 두개 데이터 정보에 의하여 세번째 데이터 정보를 추산하고, 따라서, 검색 테이블의 용량을 확장한 것에 해당하고, 이에 따라 디지털 회로의 회로 면적을 축소하는 목적에 달성한다. 랜덤 절단의 방법을 통하여 보간 원시 데이터를 플로어 처리하고, 그 다음에 생성된 랜덤 단일 비트 데이터 및 원시 데이터의 정수 부분을 상가하고, 이로부터 정현파가 임의의 주파수 포인트에서의 변이를 모면할 수 있다.구체적으로, 본 발명 실시예의 정현파 생성 방법은 면적이 더욱 작은 디지털 회로를 이용하여, 주파수가 더욱 풍부하고 정확한 정현파를 생성할 수 있고, 각각 관련 기술 및 본 발명이 생성한 정현파 데이터 정보를 통하여 MATLAB시뮬레이션을 통과한 후, 도4 및 도5에서 도시한 바와 같이 본 발명 실시예의 정현파 생성 방법에 따라 생성된 정현파가 시간 영역 및 주파수 영역에서 더욱 좋은 효과가 있다는 것을 더욱 뚜렷하게 관찰할 수 있다. 시간 영역으로 볼때, 본 발명 실시예의 정현파 생성 장치가 생성한 정현파는 더욱 부드럽고 규칙적이고, 주파수 영역으로 볼때 본 발명 실시예의 정현파 생성 장치가 생성한 정현파 고조파 에너지가 더욱 작아진다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도1은 본 발명 일 실시예에 따른 정현파 생성 장치의 구성을 나타내는 설명도이다.도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 랜덤 컷오프 모듈(400)의 구성을 나타내는 설명도이다.도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 의사 랜덤 시퀀스 발생기의 구성을 나타내는 설명도이다.도4는 관련 기술 및 본 발명의 실시예에 따른 정현파 생성 장치가 모의 생성한 정현파의 정현파 시간 영역 파형의 대비 설명도이다.도5는 관련 기술 및 본 발명의 실시예에 따른 정현파 생성 장치가 모의 생성한 정현파의 정현파 주파수 스펙트럼 대비 설명도이다.도6은 본 발명의 일 실시예에 따른 정현파 생성 방법을 나타내는 흐름도이다.도7은 본 발명의 일 구체적인 실시예에 따른 정현파 생성 방법을 나타내는 흐름도이다.도8은 본 발명의 다른 일 구체적인 실시예에 따른 정현파 생성 방법을 나타내는 흐름도이다.도9는 본 발명의 또 다른 구체적인 실시예에 따른 정현파 생성 방법을 나타내는 흐름도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 하기에 본 발명의 실시예에 대해 상세하게 설명한다. 상기 실시예의 사례는 도면에 기재되고 도면 중의 동일 또는 유사한 부호는 동일 또는 유사한 소자 또는 동일 또는 유사한 기능을 구비한 소자를 표시한다. 하기에 도면을 참조하면서 서술하는 실시예는 사례적이고 본 발명을 해석하기 위한 것 뿐이지 본 발명을 한정하려는 것이 아님이 이해되어야 한다.본 발명의 서술에 있에서 이해해 둬야 할 것은, “첫째”, “둘째” 등 용어는 설명을 위해 사용될 뿐 상대적인 중요성을 지시 또는 암시한다고 이해해서는 안된다. 본 발명의 서술에 있에서 설명하고자 하는 것은, 별도로 명확하게 규정 및 한정하지 않는 한 “서로 연결” 및 “연결” 등 용어는 광범위하게 이해해야 한다. 예를 들면 고정적인 연결일 수 있고 또는 분해할 수 있는 연결일 수도 있으며 또한 일체적인 연결일 수도 있으며, 기계적 연결 또는 전기적 연결일 수 있고, 직접적인 연결일 수도 있으며, 중간 매질을 통한 간접적인 연결일 수도 있다. 본 분야의 통상적인 지식을 가진 자라면 구체적인 상황에 따라 상기 용어의 본 발명 중에서의 의미를 이해해야 한다. 또한, 본 발명의 서술에서 별도의 설명이 없으면 “복수개”의 의미는 두개 또는 그 이상을 의미한다.흐름도 또는 여기서 기타 방식으로 설명한 임의의 과정 또는 방법에 대한 설명은 특정된 로직 기능 또는 과정의 단계를 구현하는 1개 이상의 명령을 실행 가능한 코드 모듈, 단락 또는 일부를 포함하고, 본 발명의 바람직한 실시양태의 범위는 별도의 구현을 포함하며 개시된 또는 검토된 순서에 따르지 않아도 된다. 언급된 기능에 따라 기본적으로 동시 또는 반대 순서에 따라 기능을 실행할 수 있다. 이에 대해 본 발명의 실시예가 속하는 기술 분야의 통상의 지식은 가진자라면 이해되어야 한다.현재, 디지털 회로에 의해 정현파를 생성하는 방법은 여러가지가 있지만 대부분의 방법은 모두 일정한 제한성이 존재하여 디지털 회로가 정현파를 생성하는 회로 소비전력이 높고 또한 원가도 높을 뿐만 아니라 생성된 정현파는 시간 영역 및 주파수 영역에서의 효과가 좋지 않다. 만약 보간 및 랜덤 컷오프 방법을 이용하면 면적이 비교적 작은 디지털 회로를 이용하여 주파수가 더욱 풍부하고 정확한 정현파를 생성하는 것을 구현할 수 있다. 따라서, 디지털 회로의 회로 소비전력을 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라 주파수가 더욱 풍부하고 정확한 정현파를 이용하여 자체의 응용 범위를 확대할 수 있다. 이를 위해 본 발명은 정현파 생성 장치를 제공한다. 도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 정현파 생성 장치의 구성을 나타내는 설명도이다. 도1에 도시한 바와 같이, 정현파 생성 장치는 위상 누산 모듈(100), 검색 모듈(200), 보간 모듈(300), 랜덤 컷오프 모듈(400), 정현파 생성 모듈(500) 및 플로어 모듈(600)을 포함한다. 여기서, 위상 누산 모듈(100)은 저장 유닛(110) 및 계수(計數) 유닛(120)을 포함하고, 랜덤 컷오프 모듈(400)은 의사 랜덤 시퀀스 생성 유닛(410)을 포함한다.구체적으로, 위상 누산 모듈(100)은 정현파 배치 정보를 취득하고, 정현파의 재치 정보에 의하여 정현파의 주소 정보를 생성하도록 구성된다. 여기서, 정현파의 주소 정보는 정수(整數) 주소 정보 및 소수(小數) 주소 정보를 포함한다.본 발명의 실시예에서, 위상 누산 모듈(100)은 저장 유닛(110)을 포함하고, 저장 유닛(110)은 정현파 배치 정보를 저장하도록 구성된다. 구체적으로, 위상 누산 모듈(100)은 정현파 배치 모듈을 통하여 사용자가 입력한 정현파 배치 정보를 수신할 수 있다. 여기서, 정현파 배치 정보는 정현파의 초기 위상 및 주파수를 포함한다. 다시 말하자면, 정현파 배치 모듈은 위상 누산 모듈(100) 및 사용자 사이의 인터페이스 모듈이고, 정현파 배치 모듈이 수신한 초기 위상 및 주파수는 사용자 입력의 변화에 따라 변화된다. 위상 누산 모듈(100)은 정현파 배치 정보를 취득한 후, 사용자가 입력한 정현파의 초기 위상 및 주파수를 저장 유닛(110)에 저장할 수 있다.본 발명의 실시예에서, 위상 누산 모듈(100)은 계수 유닛(120)을 더 포함할 수 있다. 계수 유닛(120)은 클록 펄스에 따라 위상 누산 모듈(100)을 위해 누산(累算)을 진행하도록 구성된다. 구체적으로, 계수 유닛(120)의 초기값은 정현파의 초기 위상일 수 있고, 계수의 보폭은 정현파의 주파수일 수 있다. 계수 유닛(120)의 비트 폭(bit width)는 정수(整數) 부분 및 소수(小數) 부분을 포함할 수 있고, 정수 부분의 비트 폭는 계수 유닛(120)의 비트 폭의 하이 비트(high bit)에 위치하고, 소수 부분의 비트 폭는 계수 유닛(120)의 비트 폭의 로우 비트(low bit)에 위치한다.더 나아가, 위상 누산 모듈(100)은 계수 유닛(120)을 통하여 외부 클록 펄스의 작용 하에서 누산을 진행하고, 각각의 클록 펄스 계수 유닛(120)은 모두 1개 새로운 데이터 정보를 생성하고, 상기 데이터 정보가 바로 정현파의 주소 정보이다. 여기서, 외부 클록 펄스는 사용자가 자체 수요에 따라 설정한 것일 수 있다. 다시 말하자면, 위상 누산 모듈(100)이 입력한 신호가 정현파 배치 정보(정현파의 초기 위상 및 주파수)이고, 출력한 신호가 정현파의 주소 정보이다. 여기서, 주소 정보가 정수(整數)가 아니면 정수 주소 정보 및 소수 주소 정보 두개 부분으로 구성된다.검색 모듈(200)은 정수 주소 정보에 의하여 정현파의 제1 데이터 정보 및 제2 데이터 정보를 검색하도록 구성된다.본 발명의 실시예에서, 정현파 생성 장치는 플로어 모듈(600)을 더 포함한다. 플로어 모듈(600)은 정현파의 주소 정보에 대해 플로어(Floor) 처리를 수행하여 정현파의 정수 주소 정보를 취득하도록 구성된다. 구체적으로, 위상 누산 모듈(100)이 취득한 정현파의 주소 정보가 정수 주소 정보 및 소수 주소 정보를 포함하기 때문에 플로어 모듈(600)을 통하여 위상 누산 모듈(100)이 취득한 정현파의 주소 정보에 대하여 플로어 처리를 수행한다. 즉, 주소 정보의 정수 부분만 보류하고 주소 정보의 소수 부분은 포기한다. 다시 말하자면, 플로어 모듈(600)이 입력한 정보는 정현파의 주소 정보이고, 출력한 정보는 주소 정보의 정수 부분이다. 예를 들면, 정현파의 주소 정보는 8비트(bit) 정수 부분 및 3비트(bit) 소수 부분을 포함하고, 플로어 모듈(600)은 정현파의 주소 정보에 대하여 플로어 처리를 수행한 후 8비트 정수 부분을 출력한다.구체적으로, 검색 모듈(200)은 위상 누산 모듈(100)이 취득한 정현파의 주소 정보 중의 정수 주소 정보를 통하여 검색 테이블에서 대응되는 정현파의 데이터 정보를 검색할 수 있다. 다시 말하자면, 검색 모듈(200)이 입력한 신호는 정수 주소 정보이고, 출력한 신호는 정현파의 제1 데이터 정보 및 제2 데이터 정보이다. 여기서, 검색 테이블에는 샘플링을 통해 취득한 정현파의 1개 주기의 데이터 정보를 저장할 수 있다. 상기 데이터 정보는 회로에 고정시킬 수 있고 또는 사용자가 동적으로 배치할 수 있다. 또한, 검색 테이블에서 각각의 정현파의 주소 정보는 모두 1개 데이터 정보에 대응되고, 검색 모듈(200)은 정현파의 주소 정보의 정수 주소 정보만 수신한다. 따라서, 위상 누산 모듈(100)이 출력한 정현파의 주소 정보가 소수 부분을 포함하면 먼저 플로어 모듈(600)이 정현파의 주소 정보에 대해 플로어 처리를 수행하여 취득한 정수 주소 정보를 검색 모듈(200)에 출력한다. 그리고 검색 모듈(200)은 입력한 정수 주소 정보에 의하여 검색 테이블에서 검색을 하고, 상기 정수 주소 정보에 대응되는 제1 데이터 정보를 출력하고, 동시에 검색 테이블에서 상기 제1 데이터 정보에 인접한 다음 데이터 정보 즉 제2 데이터 정보를 출력한다. 더 나아가, 검색 모듈(200)이 정수 주소 정보에 의하여 출력한 데이터 정보는 제1 데이터 정보이고, 제2 데이터 정보는 보간을 위하여 출력한 별도의 데이터 정보이다.본 발명의 실시예에서, 검색 모듈(200)에 제1 검색 테이블 및 제2 검색 테이블를 저장한다. 여기서, 검색 모듈(200)은 RAM 또는 ROM을 더 포함하고, 제1 검색 테이블 및 제2 검색 테이블은 RAM또는 ROM에 저장된다. 제1 검색 테이블은 정수 주소 정보 중의 홀수 주소 정보/짝수 주소 정보에 대응되는 정현파 데이터 정보 중의 1개를 저장하고 제2 검색 테이블은 정수 주소 정보 중의 홀수 주소 정보/짝수 주소 정보에 대응되는 정현파 데이터 정보 중의 다른 1개를 저장한다. 구체적으로, 검색 테이블의 심도(深度)는 위상 누산 모듈(100)이 출력한 정현파의 주소 정보 중의 정수 주소 정보의 비트 폭와 서로 관련된다. 예를 들면, 정수 주소 정보의 비트 폭가 8비트이면 검색 테이블의 심도는 28=256이다. 응당 이해해 둬야 할 것은, 검색 테이블의 비트 폭는 고정된 제한이 없고, 검색 테이블의 비트 폭가 클수록 검색 테이블의 정밀도가 더욱 높다. 일반적으로, 검색 테이블의 비트 폭는 검색 테이블에서 샘플링을 통하여 취득한 정현파의 1개 주기의 데이터 정보의 비트 폭와 같다.또한, 상대적으로, 검색 테이블의 비트 폭가 클수록 검색 테이블의 면적이 더욱 크다. 따라서, 검색 모듈(200)은 검색 테이블를 심도 및 비트 폭가 동일한 두개 서브 검색 테이블 즉, 제1 검색 테이블 및 제2 검색 테이블로 나눈다. 예를 들면, 검색 테이블의 심도가 256이면 제1 검색 테이블 및 제2 검색 테이블의 심도는 각각 256/2=128이다. 제1 검색 테이블 및 제2 검색 테이블에 정현파의 1개 주기의 데이터 정보를 교차적으로 저장한다. 예를 들면, 제1 검색 테이블에는 홀수 정수 주소에 대응되는 정현파의 데이터 정보를 저장하고, 제2 검색 테이블에는 짝수 정수 주소에 대응되는 정현파의 데이터 정보를 저장한다. 또는, 제1 검색 테이블에는 짝수 정수 주소에 대응되는 정현파의 데이터 정보를 저장하고, 제2 검색 테이블에는 홀수 정수 주소에 대응되는 정현파의 데이터 정보를 저장한다.본 발명의 실시예에서, 검색 모듈(200)은 또한 정수 주소 정보에 의하여 제1 검색 테이블/제2 검색 테이블에서 검색하여 정수 주소 정보에 대응되는 제1 데이터 정보를 취득하고, 아울러 정수 주소 정보와 인접한 다음 정수 주소 정보에 의하여 제2 검색 테이블/제1 검색 테이블에서 검색하여 다음 정수 주소 정보에 대응되는 제2 데이터 정보를 취득한다. 따라서, 검색 모듈(200)은 플로어 모듈(600)이 출력한 정수 주소 정보를 수신한 후, 검색 모듈(200)은 두개 데이터 정보를 동시에 출력할 수 있고, 또한 상기 두개 데이터 정보는 정현파의 샘플 데이터 중에서 서로 인접한다.보간 모듈(300)은 소수 주소 정보의 비트 폭 크기에 의하여 정현파의 제1 데이터 정보 및 제2 데이터 정보 사이에 보간을 실시하고, 또한 상기 소수 주소 정보에 의하여 정현파의 보간 원시 데이터 정보를 취득하도록 구성된다. 구체적으로, 보간 모듈(300)은 제1 데이터 정보, 제2 데이터 정보 및 소수 주소 정보에 의하여 제1 데이터 정보 및 제2 데이터 정보 사이의 복수개 보간 데이터 정보를 계산한 다음, 보간 모듈(300)은 소수 주소 정보에 의하여 제1 데이터 정보, 제2 데이터 정보 및 복수개 보간 데이터 정보에서 1개 수요되는 데이터 정보믈 선택하여 정현파의 보간 원시 데이터 정보로 간주한다. 예를 들면, 제1 데이터 정보가 Vm이고，제2 데이터 정보가 Vp이고，정현파의 주소 정보 중의 소수 주소 정보가 fa이고, 제1 데이터 정보 및 제2 데이터 정보의 차(差)가 Vd이면 여기서 Vd=Vp-Vm이다. 소수 주소 정보fa의 비트 폭가 3비트이면，보간 모듈(300)은 23=8가지 가능한 정보 원시 데이터를 계산해 낼 수 있다. 즉，제1 데이터 정보Vm 및 제2 데이터 정보Vp 사이에 7개 보간 포인트를 삽입할 수 있다. 상기7개 보간 포인트는 제1 데이터 정보Vm와 제2 데이터 정보Vp사이에 골고루 분포되고，상기7개 보간 포인트의 값은 각각 Vm+Vd/8, Vm+2Vd/8, Vm+3Vd/8, Vm+4Vd/8, Vm+5Vd/8, Vm+6Vd/8, Vm+7Vd/8이다. 그리고，소수 주소 정보fa의 값에 의하여 제1 데이터 정보Vm 및 삽입된 7개 포인트 사이에서 1개 값을 선택한다. 구체적인 대응 관계는 표1에 표시한 바와 같다. 여기서, 부호 “≪”는 왼쪽 시프팅 조작을 표시한다. 예를 들면, 소수 주소 정보fa가 “001”인 경우, 검색 모듈(200)이 제1 데이터 정보Vm 및 제2 데이터 정보Vp사이의 첫번째 보간 포인트를 선택한 것에 해당하고, 상기 보간 포인트의 값은Vm+Vd/8 즉, (8Vm+Vd)/8이다. 다시 말하자면, (Vm≪3+Vd)/8이다. 여기서, (Vm≪3+Vd)가 보간 원시 데이터 정보이다.응당 이해해 둬야 할 것은, 계수 유닛(120)의 비트 폭에서 정수 부분의 비트 폭는 검색 테이블의 심도에 의하여 결정되고, 검색 테이블의 심도가 클수록 정수 부분의 비트 폭가 더욱 크다. 계수 유닛(120)의 비트 폭에서 소수 부분의 비트 폭는 보간의 정밀도에 의하여 결정되고, 보간의 정밀도가 높을 수록 소수 부분의 비트 폭는 더욱 크다. 예를 들면, 검색 테이블의 심도가 256이면 계수 유닛(120)의 비트 폭에서 정수 부분의 비트 폭는 8비트이다. 보간 모듈(300)이 보간할 때, 매 두개 포인트(즉 제1 데이터 정보 및 제2 데이터 정보)사이에 7개 포인트를 삽입할 필요가 있다면 계수 유닛(120)의 비트 폭에서 소수 부분의 비트 폭는 3비트여야 한다. 따라서, 계수 유닛(120)의 비트 폭는 8+3=11비트여야 한다. 여기서, 하이 비트의 8비트는 정수 부분이고, 로우 비트의 3비트는 소수 부분이다.랜덤 컷오프 모듈(400)은 소수 주소 정보의 비트 폭 크기 및 의사 랜덤 시퀀스 출력치에 의하여 정현파의 보간 원시 데이터에 대해 컷오프 처리를 진행하여 정현파의 최종 보간 데이터 정보를 취득하도록 구성된다. 구체적으로, 랜덤 컷오프 모듈(400)은 보간 원시 데이터를 8로 제한다. 더 나아가, 디지털 회로에서는 직접 보간 원시 데이터를 오른쪽으로 3비트 시프트(shift)함으로써 8로 제하는 조작을 구현한다. 하지만, 모든 보간 원시 데이터가 반드시 8로 제하여 떨어지는 것이 아니기 때문에 본 발명의 실시예에서, 랜덤 컷오프 모듈(400)은 랜덤 컷오프 방법을 채용하여 보간 원시 데이터를 8로 제한 후의 데이터에 대해 플로어 처리를 진행한다. 도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 랜덤 컷오프 모듈(400)의 구성을 나타내는 설명도이다. 도2에 도시한 바와 같이, 랜덤 컷오프 모듈(400)의 내부 구성에 있엇서, Bit[2]는 보간 원시 데이터의 제3 비트 즉, 포기되는 최고 비트를 대표하고，r은 의사 랜덤 시퀀스 출력치이고, 상기 의사 랜덤 시퀀스 출력치의 비트 폭는 1 비트이다. 보간 원시 데이터가v라고 하면 최종 보간 데이터 정보는v≫3+r이다. 여기서，부호“≫”는 오른쪽 시프팅 조작을 표시하고, “v≫3”은 보간 원시 데이터 v를 오른쪽으로 3비트 시프트하는 것을 표시하며 보간 원시 데이터를 8로 제하는 것에 해당하다.본 발명의 실시예에서, 랜덤 컷오프 모듈(400)은 의사 랜덤 시퀀스 생성 유닛(410)을 포함하고, 의사 랜덤 시퀀스 생성 유닛(410)은 미리 설정된 비트 폭에 따라 의사 랜덤 시퀀스 출력치를 출력하도록 구성된다. 더 나아가, 의사 랜덤 시퀀스 생성 유닛(410)은 예를 들면 의사 랜덤 시퀀스 발생기(pseudorandom sequence generator)이고, 의사 랜덤 시퀀스 출력치r은 의사 랜덤 시퀀스 발생기를 통하여 출력되며, 상기 의사 랜덤 시퀀스 발생기는 Bit[2]에 의하여 내부 운산을 거쳐 의사 랜덤 시퀀스 출력치r를 출력한다. 도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 의사 랜덤 시퀀스 생성 유닛(410)의 구성을 나타내는 설명도이다. 도3에 도시한 바와 같이, 의사 랜덤 시퀀스 생성 유닛(410)의 내부 회로 구성에서, 의사 랜덤 시퀀스 발생기의 비트 폭는 8비트이고, 그의 초기화 값은Bit[2]와 서로 연관되며 구체적으로 응용 장면에 따라 서로 다른 값으로 설정할 수 있다. 부호“≪”는 왼쪽 시프팅 조작을 대표하고, 랜덤 시퀀스 발생기가 1개 의사 랜덤 시퀀스 출력치r를 생성한 후, 전체 의사 랜덤 시퀀스 발생기는 왼쪽으로 1비트 시프트하고, 최저 비트는 3비트가 높은“OR”운산 결과로 보충한다.정현파 생성 모듈(500)은 정현파의 최종 보간 데이터 정보에 의하여 정현파의 이미지 정보를 생성하도록 구성된다.본 발명 실시예의 정현파 생성 장치는 보간 방법을 채택하여 검색 테이블 중의 두개 데이터 정보에 의하여 세번째 데이터 정보를 추산한다. 이는 검색 테이블의 용량을 확대한 것에 해당하다. 따라서, 디지털 회로의 회로 면적을 축소하는 목적을 달성한다. 또한 랜덤 컷오프 방법을 통하여 보간 원시 데이터에 대해 플로어 처리한 다음 생성된 랜덤 단일 비트 데이터와 원시 데이터의 정수 부분을 상가한다. 이로하여 정현파가 어느 주파수 포이트에서의 변형를 모면할 수 있다. 구체적으로, 본 발명 실시예의 정현파 생성 장치는 면적이 더욱 작은 디지털 회로를 이용하여 주파수가 더욱 풍부하고 정확한 정현파를 생성할 수 있다. 관련 기술 및 본 발명이 생성한 정현파 데이터 정보 각각에 대하여 MATLAB 시뮬레이션을 이용하여 도4 및 도5에 도시한 바와 같이, 본 발명 실시예의 정현파 생성 장치가 생성한 정현파가 시간 영역 및 주파수 영역에서 더욱 좋은 효과가 있다는 것을 현저하게 관찰할 수 있다. 시간 영역으로 볼 때, 본 발명 실시예의 정현파 생성 장치가 생성한 정현파는 더욱 평활하고 규칙적이며, 주파수 영역으로 볼 때 본 발명 실시예의 정현파 생성 장치가 생성한 정현파 고조파 에너지가 더욱 작다.상기 실시예를 구현하기 위하여, 본 발명은 정현파 생성 방법을 더 제공한다. 도6은 본 발명의 일 실시예에 따른 정현파 생성 과정을 나타내는 흐름도이다. 도7은 본 발명의 일 구체적인 실시예에 따른 정현파 생성 방법을 나타내는 흐름도이다.도6 및 도7에 도시한 바와 같이, 정현파 생성 방법은 하기와 같은 단계를 포함한다.S11단계: 정현파 배치 정보를 취득하고, 정현파 배치 정보에 의하여 정현파의 주소 정보를 생성하되 정현파의 주소 정보는 정수 주소 정보 및 소수 주소 정보를 포함한다.S12단계: 정수 주소 정보에 의하여 정현파의 제1 데이터 정보 및 제2 데이터 정보를 검색하는를 포함한다.구체적으로, 취득한 정현파의 주소 정보 중의 정수 주소 정보를 통하여, 검색 테이블에서 대응되는 정현파의 데이터 정보를 검색한다. 여기서, 검색 테이블에는 샘플링을 통하여 취득한 정현파의 1개 주기의 데이터 정보가 저장될 수 있다. 상기 데이터 정보는 회로에 고정될 수 있고, 또는 사용자가 동적으로 배치할 수 있다. 또한, 정현파의 주소 정보가 소수 부분을 포함하면 먼저, 정수 주소 정보를 취득해야 하고, 그 다음 정수 주소 정보에 의하여 검색 테이블에서 검색을 진행하고 상기 정수 주소 정보에 대응되는 제1 데이터 정보를 출력함과 동시에 검색 테이블에서 상기 제1 데이터 정보와 인접한 다음 데이터 정보 즉, 제2 데이터 정보를 출력한다. 더 나아가, 정수 주소 정보에 의하여 출력한 데이터 정보는 반드시 제1 데이터 정보여야 하고, 제2 데이터 정보는 보간을 위하여 출력한 별도의 데이터 정보이다.본 발명의 실시예에서, 구체적으로, S12단계는 하기와 같은 단계를 포함한다. S121단계:제1 검색 테이블 및 제2 검색 테이블를 취득한다.구체적으로, 제1 검색 테이블 및 제2 검색 테이블은 RAM 또는 ROM에 저장된다. 제1 검색 테이블은 정수 주소 정보 중의 홀수 주소 정보/짝수 주소 정보에 대응되는 정현파의 데이터 정보 중의 1개를 저장하고, 제2 검색 테이블은 정수 주소 정보 중의 홀수 주소 정보/짝수 주소 정보에 대응되는 정현파의 데이터 정보 중의 다른 1개를 저장한다. 더욱 구체적으로, 검색 테이블의 심도는 정현파의 주소 정보 중의 정수 주소 정보의 비트 폭에 관련된다. 예를 들면, 정수 주소 정보의 비트 폭가 8비트이면 검색 테이블의 심도는 28=256이다. 응당 이해해 둬야 할 것은, 검색 테이블의 비트 폭는 고정적인 제한이 없으며, 검색 테이블의 비트 폭가 클수록 검색 테이블의 정확도는 더욱 높다. 일반적으로, 검색 테이블의 비트 폭는 검색 테이블에서 샘플링을 통하여 취득한 정현파의 1개 주기의 데이터 정보의 비트 폭와 같다.또한, 상대적으로, 검색 테이블의 비트 폭가 클수록 검색 테이블의 면적이 더욱 크다. 따라서, 검색 테이블를 심도 및 비트 폭가 동일한 두개 서브 검색 테이블 즉, 제1 검색 테이블 및 제2 검색 테이블로 나눈다. 예를 들면, 검색 테이블의 심도가 256이면 제1 검색 테이블 및 제2 검색 테이블의 심도는 각각 256/2=128이다. 제1 검색 테이블 및 제2 검색 테이블에 정현파의 1개 주기의 데이터 정보를 교차하여 저장한다. 예를 들면, 제1 검색 테이블에는 홀수 정수 주소에 대응되는 정현파의 데이터 정보를 저장하고, 제2 검색 테이블은 짝수 정수 주소에 대응되는 정현파의 데이터 정보를 저장한다. 또는 제1 검색 테이블은 짝수 정수 주소에 대응되는 정현파의 데이터 정보를 저장하고, 제2 검색 테이블은 홀수 정수 주소에 대응되는 정현파의 데이터 정보를 저장한다.S122단계: 정수 주소 정보에 의하여 제1 검색 테이블/제2 검색 테이블 중에서 검색하여 정수 주소 정보에 대응되는 제1 데이터 정보를 취득하고, 정수 주소 정보와 인접한 다음 정수 주소 정보에 의하여 제2 검색 테이블/제1 검색 테이블에서 검색하여 다음 정수 주소 정보에 대응되는 제2 데이터 정보를 취득한다.S13단계: 소수 주소 정보의 비트 폭 크기에 의하여 정현파의 제1 데이터 정보 및 제2 데이터 정보 사이에서 보간을 실시하고, 소수 주소 정보에 의하여 정현파의 보간 원시 데이터 정보를 취득한다.구체적으로，제1 데이터 정보, 제2 데이터 정보 및 소수 주소 정보에 의하여 제1 데이터 정보와 제2 데이터 정보 사이의 복수개 보간 데이터 정보를 계산하고, 그 다음 보간 모듈(300)은 소수 주소 정보에 의하여 제1 데이터 정보, 제2 데이터 정보 및 복수개 보간 데이터 정보에서 1개 수요되는 데이터 정보를 선택하여 정현파의 보간 원시 데이터 정보로 간주한다. 예를 들면, 제1 데이터 정보가 Vm이고，제2 데이터 정보가 Vp이고，정현파의 주소 정보 중의 소수 주소 정보가 fa이고, 제1 데이터 정보 및 제2 데이터 정보의 차(差)가 Vd이면 여기서 Vd=Vp-Vm이다. 소수 주소 정보fa의 비트 폭가 3비트이면，23=8가지 가능한 정보 원시 데이터를 계산해 낼 수 있다. 즉，제1 데이터 정보Vm 및 제2 데이터 정보Vp 사이에 7개 보간 포인트를 삽입할 수 있다. 상기 7개 보간 포인트는 제1 데이터 정보Vm와 제2 데이터 정보Vp사이에 골고루 분포되고，상기 7개 보간 포인트의 값은 각각 Vm+Vd/8, Vm+2Vd/8, Vm+3Vd/8, Vm+4Vd/8, Vm+5Vd/8, Vm+6Vd/8, Vm+7Vd/8이다. 그리고，소수 주소 정보fa의 값에 의하여 제1 데이터 정보Vm 및 삽입된 7개 포인트 사이에서 1개 값을 선택한다. 구체적인 대응 관계는 표2에 표시한 바와 같다.여기서, 부호 “≪”는 왼쪽 시프팅 조작을 표시한다. 예를 들면, 소수 주소 정보fa가 “001”인 경우, 제1 데이터 정보Vm 및 제2 데이터 정보Vp사이의 첫번째 보간 포인트를 선택한 것에 해당하고, 상기 보간 포인트의 값은Vm+Vd/8 즉, (8Vm+Vd)/8이다. 다시 말하자면, (Vm≪3+Vd)/8이다. 여기서, (Vm≪3+Vd)가 보간 원시 데이터 정보이다. S14단계: 소수 주소 정보의 비트 폭크기 및 의사 랜덤 시퀀스 출력치에 의하여 정현파의 보간 원시 데이터를 컷오프하여 정현파의 최종 보간 데이터 정보를 취득한다.구체적으로, 보간 원시 데이터를 8로 제한다. 더 나아가, 디지털 회로에서 직접 보간 원시 데이터를 오른쪽으로 3비트 시프트(shift)함으로써 8로 제하는 조작을 구현한다. 하지만, 모든 보간 원시 데이터가 반드시 8로 제하여 떨어지는 것이 아니기 때문에 본 발명의 실시예에서 랜덤 컷오프 방법을 채용하여 보간 원시 데이터를 8로 제한 후의 데이터에 대해 플로어 처리를 진행한다. S15단계: 정현파의 최종 보간 데이터 정보에 의하여 정현파의 이미지 정보를 생성한다.본 발명 실시예의 정현파 생성 방법은 보간의 방식을 통하여 검색 테이블 중의 두개 데이터 정보에 의하여 세번째 데이터 정보를 추산한다. 이는 검색 테이블의 용량을 확대한 것에 해당하다. 따라서, 디지털 회로의 회로 면적을 축소하는 목적을 달성한다. 또한 랜덤 컷오프 방법을 통하여 보간 원시 데이터에 대해 플로어 처리한 다음 생성된 랜덤 단일 비트 데이터와 원시 데이터의 정수 부분을 상가한다. 이로하여 정현파가 어느 주파수 포이트에서의 변형를 모면할 수 있다. 구체적으로, 본 발명 실시예의 정현파 생성 방법은 면적이 더욱 작은 디지털 회로를 이용하여 주파수가 더욱 풍부하고 정확한 정현파를 생성할 수 있다. 관련 기술 및 본 발명이 생성한 정현파 데이터 정보 각각에 대하여 MATLAB 시뮬레이션을 이용하여 도4 및 도5에 도시한 바와 같이, 본 발명 실시예의 정현파 생성 장치가 생성한 정현파가 시간 영역 및 주파수 영역에서 더욱 좋은 효과가 있다는 것을 현저하게 관찰할 수 있다. 시간 영역으로 볼 때, 본 발명 실시예의 정현파 생성 장치가 생성한 정현파는 더욱 평활하고 규칙적이며, 주파수 영역으로 볼 때 본 발명 실시예의 정현파 생성 장치가 생성한 정현파 고조파 에너지가 더욱 작다.도8은 본 발명의 일 구체적인 실시예에 따른 정현파 생성 방법을 나타내는 흐름도이다.도8에 도시한 바와 같이, 정현파 생성 방법은 하기와 같은 단계를 포함한다.S21단계: 정현파 배치 정보를 취득하고 정현파 배치 정보에 의하여 정현파의 주소 정보를 생성하되 정현파의 주소 정보는 정수 주소 정보 및 소수 주소 정보를 포함한다.S22단계: 정현파의 주소 정보에 대하여 플로어 처리하여 정현파의 정수 주소 정보를 취득한다.구체적으로, 정현파를 취득하는 주소 정보는 정수 주소 정보 및 소수 주소 정보를 포함하기 때문에 취득한 정현파의 주소 정보에 대하여 플로어 처리를 진행한다. 즉, 주소 정보의 정수 부분만 보류하고, 주소 정보의 소수 부분을 포기한다. 예를 들면, 정현파의 주소 정보는 8비트 정수 부분 및 3비트 소수 부분을 포함하면 정현파의 주소 정보에 대하여 플로어 처리를 진행한 후 8비트 정수 부분을 출력한다.S23단계: 정수 주소 정보에 의하여 정현파의 제1 데이터 정보 및 제2 데이터 정보를 검색한다.S24단계: 소수 주소 정보의 비트 폭 크기에 의하여 정현파의 제1 데이터 정보 및 제2 데이터 정보 사이에서 보간을 실시하고 소수 주소 정보에 의하여 정현파의 보간 원시 데이터 정보를 취득한다.S25단계: 미리 설정된 비트 폭에 의하여 의사 랜덤 시퀀스 출력치를 출력한다.구체적으로, 의사 랜덤 시퀀스 출력치는 의사 랜덤 시퀀스 발생기를 통하여 출력하고, 상기 의사 랜덤 시퀀스 발생기는 Bit[2]에 의하여 내부 운산을 거쳐 의사 랜덤 시퀀스 출력치를 출력한다. 도3에 도시한 바와 같이, 의사 랜덤 시퀀스 발생기의 비트 폭는 8비트이고, 그의 초기화 값은 Bit[2]와 서로 연관되며 구체적으로 응용 장면에 따라 서로 다른 값으로 설정할 수 있다. 부호 “≪”는 왼쪽 시프팅 조작을 대표하고, 랜덤 시퀀스 발생기가 1개 의사 랜덤 시퀀스 출력치r를 생성한 후, 전체 의사 랜덤 시퀀스 발생기는 왼쪽으로 1비트 시프트하고, 최저 비트는 3비트가 높은 "OR"운산 결과로 보충한다.S26단계: 소수 주소 정보의 비트 폭크기 및 의사 랜덤 시퀀스 출력치에 의하여 정현파의 보간 원시 데이터를 컷오프하여 정현파의 최종 보간 데이터 정보를 취득한다.S27단계: 정현파의 최종 보간 데이터 정보에 의하여 정현파의 이미지 정보를 생성한다.본 발명 실시예의 정현파 생성 방법은 단지 정현파의 주소 정보 중의 주소 정보에 의하여 정현파의 제1 데이터 정보 및 제2 데이터 정보를 검색하기 때문에 정현파의 주소 정보에 대하여 플로어 처리를 진행하여 정현파의 정수 주소 정보를 취득할 수 있다.도9는 본 발명의 다른 일 구체적인 실시예에 따른 정현파 생성 방법을 나타내는 흐름도이다.도9에 도시한 바와 같이, 정현파 생성 방법은 하기와 같은 단계를 포함할 수 있다.S31단계: 정현파 배치 정보를 취득한다.S32단계: 정현파 배치 정보를 저장한다.구체적으로, 사용자가 입력한 정현파 배치 정보를 수신한다. 여기서, 정현파 배치 정보는 정현파의 초기 위상 및 주파수를 포함한다. 수신한 초기 위상 및 주파수는 모두 사용자가 입력한 변화에 따라 변화된다. 정현파 배치 정보를 취득한 후, 사용자가 입력한 정현파의 초기 위상 및 주파수를 저장한다.S33단계: 정현파 배치 정보에 의하여 정현파의 주소 정보를 생성하되 정현파의 주소 정보는 정수 주소 정보 및 소수 주소 정보를 포함한다.본 발명의 실시예에서, 클록 펄스에 의하여 누산한다. 더 나아가, 외부의 클록 펄스의 작용 하에서 누산하고, 각각의 클록 펄수는 모두 1개 새로운 데이터 정보를 생성한다. 상기 데이터 정보가 바로 정현파의 주소 정보이다. 여기서, 외부의 클록 펄스는 사용자가 자체 수요에 따라 설정한 것일 수 있다.S34단계: 정현파의 주소 정보에 대하여 플로어 처리를 진행하여 정현파의 정수 주소 정보를 취득한다.S35단계: 정수 주소 정보에 의하여 정현파의 제1 데이터 정보 및 제2 데이터 정보를 검색한다.S36단계: 소수 주소 정보의 비트 폭 크기에 의하여 정현파의 제1 데이터 정보 및 제2 데이터 정보 사이에서 보간을 진해하고 소수 주소 정보에 의하여 정현파의 보간 원시 데이터 정보를 취득한다.S37단계: 미리 설정된비트 폭에 의하여 의사 랜덤 시퀀스 출력치를 출력한다.S38단계: 소수 주소 정보의 비트 폭 크기 및 의사 랜덤 시퀀스 출력치에 의하여 정현파의 보간 원시 데이터를 컷오프하여 정현파의 최종 보간 데이터 정보를 취득한다.S39단계: 정현파의 최종 보간 데이터 정보에 의하여 정현파의 이미지 정보를 생성한다.본 발명 실시예의 정현파 생성 방법은 정현파의 초기 위상 및 주파수를 저장하는 것을 통하여 정현파의 초기 위상 및 주파수에 의하여 클록 펄스를 생성한다.응당 이해해 둬야 할 것은, 본 발명의 각각의 부분은 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어(Firmware) 또는 이 들의 조합으로 구현될 수 있다. 상기 실시양태에서 복수개 단계 또는 방법은 메모리에 저장된 적합한 명령으로 시스템을 수행하는 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현될 수 있다. 예를 들면, 하드웨어로 구현하려면 다른 실시양태와 같이, 본 분야의 공지된 기술 예로 들면 데이터 신호에 대해 로직 기능을 구현하는 로직 게이트 회로를 구비한 분산 로직 회로, 적합하게 조합된 로직 게이트 회로를 구비한 전용 직접 회로, PGA, FPGA등 중의 임의의 한 항 또는 이들의 조합으로 구현될 수 있다. 본 발명의 설명에 있어서 “1개 실시예”, “일부 실시예”, “사례”, “구체적인 사례” 또는 “일부 사례” 등 용어는 상기 실시예 또는 사례 설명의 구체적인 특징, 구성, 재료 또는 특징의 결합이 본 발명의 적어도 1개 실시예 또는 사례에 포함된다는 것을 설명하기 위해서 사용된 것이다. 본 명세서에서, 상기 용어의 사례적 서술은 반드시 같은 실시예 또는 사례를 가리키는 것이 아니다. 서술된 구체적인 특징, 구성, 재료 또는 특징은 임의의 1개 또는 복수개 실시예 또는 사례에서 적합한 양태로 결합될 수 있다. 또한 서로 모순되지 않는 상황 하에서 본 분야의 통상의 지식을 가진 자가 본 명세서에서 서술한 서로 다른 실시예 또는 사례 및 서로 다른 실시예 또는 사례의 특징을 결합 또는 조합할 수 있다.상기에서 본 발명의 실시예을 개시하고 설명하였지만 상기 실시예는 사례성적이고 본 발명에 대하여 한정하는 것이 아니며 본 분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 범위 내에서 상기 실시예에 대해 변경, 수정, 대체 및 변형을 실시할 수 있음이 이해되어야 한다.	본 발명은 정현파 발생 장치 및 방법을 제공한다. 상기 장치는, 정현파 배치 정보를 취득하고 상기 정현파 배치 정보에 의하여 상기 정현파의 주소 정보를 생성하되 상기 정현파의 주소 정보는 정수(整數) 주소 정보 및 소수(小數) 주소 정보를 포함하는 위상 누산 모듈과, 상기 정수 주소 정보에 의하여 상기 정현파의 제1 데이터 정보 및 제2 데이터 정보를 검색하는 검색 모듈과, 상기 소수 주소 정보의 비트 폭(bit width) 크기에 의하여 상기 정현파의 제1 데이터 정보 및 상기 제2 데이터 정보 사이에 보간을 실시하고 상기 소수 주소 정보에 의하여 상기 정현파의 보간 원시 데이터 정보를 취득하는 보간 모듈과, 상기 소수 주소 정보의 비트 폭 크기 및 의사 랜덤 시퀀스 출력치에 의하여 상기 정현파의 보간 원시 데이터에 대하여 컷오프 처리하여 상기 정현파의 최종 보간 데이터 정보를 취득하는 랜덤 컷오프 모듈과, 상기 정현파의 최종 보간 데이터 정보에 의하여 상기 정현파의 이미지 정보를 생성하는 정현파 생성 모듈을 포함한다. 본 발명 실시예의 장치는 면적이 더욱 작은 디지털 회로를 이용하여 주파수가 더욱 풍부하고 정확한 정현파를 생성할 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 광 대 태양열 이득 비율이 개선된 광학 필름OPTICAL FILM EXHIBITING IMPROVED LIGHT TO SOLAR GAIN HEAT RATIO [ 기술분야 ] 본 개시는 복합 필름, 더욱 상세하게는, 적외선 반사 및 광학적 투명 복합 필름에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 적외선 스펙트럼의 복사를 반사하면서도 가시광선 스펙트럼의 복사를 투과시키는 복합체는, 예를들면, 건물 또는 차량의 창문 코팅재로서 중요하게 적용된다. 이러한 복합 필름에 있어서, 가시광선 투과율은 높아야 하고, 반사율 및 흡수율은 낮아야 한다. 미국에서 예를들면, 자동차 창문의 가시광선 투과율은 적어도 70%이어야 한다. 그러나 적외선에 대하여, 창문은 높은 반사율을 가지고 따라서 적외선 투과율 및 흡수율은 낮아야 한다. 이상적으로 반사율은 태양광에 의한 가열을 방지하기 위하여 근 적외선 스펙트럼 (780 nm - 2500 nm)에서 높아야 하고 동절기에 열을 차 실내에 유지하기 위하여 원 적외선 (8 μm - 50 μm)에서 높아야 한다. 후자의 특징을 "낮은-방사율"로도 칭한다. 이러한 조합적 특징들은 온대 기후에서 아주 중요하다.적외선 반사를 위하여 복합 필름에서 은 박층들을 사용하는 것이 알려져 있다; 그러나, 은 층들은 안정성, 내구성이 낮고 습기에 약하고 및 내수성이 불량하다. 또한, 은 박층 단점을 보완하고자 복합체에 더해지는 추가 층들은 일반적으로 다른 특성 예컨대 가시광선 투과율, 탁도, 및 황변화에 부정적인 영향을 미친다.미국특허번호 7,709,095는 적외선 반사 적층 구조체를 기술하고, 은 함유 층은 금 금속층 및 산화티탄 유전체층과 접촉된다. 층들은 스퍼터링 기술로 적층된다. 산화티탄 유전체층 사용에 있어서 단점은 회전 세라믹 타겟을 이용한 스퍼터링 기술에서 증착률 (deposition rate)이 제한된다는 것이다. 예를들면, 광학 필름에서 이용되는 산화티탄 층을 적층하는 스퍼터에 있어서 전형적인 증착률은 단일 회전 세라믹 타겟에서 약 1.5 nm.m².min-1.kW-1 이다. 증착률은 타겟 길이 및 인가 전력과는 무관하다는 것을 이해하여야 한다. 필름 생산 공정에서, 산화티탄 증착률로 전체 복합체 생산 속도는 상당히 서행된다.산화티탄을 기타 재료로 대체하여 생산 속도를 개선하기 위한 시도가 있었다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 그러나, 복합 필름의 광학 및 일사 특성 중 하나 또는 모두 예컨대 투명도 및 반사율에 악영향을 주지 않고 생산 속도를 개선하는 방법은 없었다. 또한, 복합 필름의 광학 및 일사 특성을 개선하는 것도 필요하다. 그러나, 일사 특성, 예컨대 TSER을 개선하고자 하는 시도는 광학 성능, 예컨대 가시광선 투과율 (VLT)을 저해하고 그 역도 성립한다. [ 과제의 해결 수단 ] 따라서, 새로운 재료 및 성능을 훼손하지 않고 심지어 광학 필름 성능을 개선하면서 유전체층의 증착률을 증가시키는 방법 개발에 대한 필요성이 존재한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 실시태양들이 실시예로서 설명되고 첨부 도면에 제한되지 않는다.도 1은 본 발명의 소정의 실시태양들에 의한 복합 필름을 도시한 것이다.도 2는 본 발명의 소정의 실시태양들에 의한 복합 필름을 도시한 것이다.도 3은 본 발명의 소정의 실시태양들에 의한 복합 필름을 도시한 것이다.도 4는 본 발명의 소정의 실시태양들에 의한 복합 필름을 도시한 것이다.도 5는 본 발명의 소정의 실시태양들에 의한 복합 필름을 도시한 것이다.도 6은 본 발명의 소정의 실시태양들에 의한 복합 필름을 도시한 것이다.도 7은 본 발명의 소정의 실시태양들에 의한 복합 필름을 도시한 것이다.도 8은 본 발명의 소정의 실시태양들에 의한 복합 필름을 도시한 것이다.도 9는 본 발명의 소정의 실시태양들에 의한 복합 필름을 도시한 것이다.도 10은 본 발명의 소정의 실시태양들에 의한 복합 필름을 도시한 것이다.당업자들은 도면들에서 요소들이 단순하고 간결하게 도시되며 반드시 척도에 따라 도시된 것이 아니라는 것을 이해할 것이다. 예를들면 도면들에서 일부 요소들의 치수는 본 발명 실시태양들에 대한 이해를 돕기 위하여 다른 요소들보다 과장될 수 있다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도면들과 함께 하기 상세한 설명은 본원의 교시의 이해를 위하여 제공된다. 하기 논의는 본 발명의 특정 구현예들 및 실시태양들에 집중될 것이다. 이러한 논의는 본 교시를 설명하기 위한 것이고 본 발명의 범위 또는 적용 가능성을 제한하는 것으로 해석되어서는 아니된다. 그러나, 다른 실시태양들이 본원에 개시된 교시들을 바탕으로 적용될 수 있다.본원에서 사용되는 용어 "구성한다(comprises)", "구성하는(comprising)", "포함한다(includes)", "포함하는(including)", "가진다(has)", 가지는(having)" 또는 이들의 임의의 다른 변형은 비배타적인 포함을 커버하기 위한 것이다. 예를들면, 특징부들의 목록을 포함하는 방법, 물품, 또는 장치는 반드시 이러한 특징부들에만 한정될 필요는 없으며 명시적으로 열거되지 않거나 이와 같은 방법, 물품, 또는 장치에 고유한 다른 특징부들을 포함할 수 있다. 게다가, 명시적으로 반대로 기술되지 않는다면, "또는"은 포괄적인 의미의 "또는"을 가리키며 배타적인 의미의 "또는"을 가리키지 않는다. 예를들면, 조건 A 또는 B는 다음 중의 어느 하나에 의해 만족된다: A가 참이고 (또는 존재하고) B는 거짓이며 (또는 존재하지 않으며), A가 거짓이고 (또는 존재하지 않고) B는 참이며 (또는 존재하며), A와 B 모두가 참 (또는 존재한다)이다.또한, "하나의 (a)" 또는 "하나의 (an)"은 여기에서 설명되는 요소들과 구성요소들을 설명하는데 사용된다. 이는 단지 편의성을 위해 그리고 본 발명의 범위의 일반적인 의미를 부여하기 위해 행해진다. 이 설명은 하나 또는 적어도 하나를 포함하는 것으로 읽혀져야 하며, 다르게 의미한다는 것이 명백하지 않다면 단수는 또한 복수를 포함한다. 예를들면, 단일 사항이 본원에 기재되면, 하나 이상의 사항이 단일 사항을 대신하여 적용될 수 있다. 유사하게, 하나 이상의 사항이 본원에서 기재되면, 단일 사항이 하나 이상의 사항을 대신할 수 있는 것이다.달리 정의되지 않는 한, 본원에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어들은 본 발명이 속하는 분야의 통상의 기술자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 재료, 방법 및 실시예들은 예시적인 것일 뿐이고 제한적이지 않다. 본원에 기재되지 않는 한, 특정 재료 및 공정과 관련된 많은 상세 사항들은 통상적이고 광학 필름 분야의 교과서 및 기타 자료들에서 발견될 수 있다.본 개시는, 예를들면, 일사 특성, 광학 특성, 및 생산 속도에서 상승적 개선을 보이는 개선된 IR-반사 복합 필름에 관한 것이다. 예를들면, 소정의 실시태양들은 TSER 및 VLT의 조합적 상승 효과를 보인다. 또한, 복합체는 광학 및 일사 성능을 훼손하지 않고 심지어 개선하면서도 개선된 증착률을 보인다. 본 발명을 설명하지만 범위를 제한하지 않는 하기 실시태양들을 참조하면 개념이 더욱 잘 이해될 것이다.도 1은 소정의 실시태양들에 의한 복합 필름 (10)의 단면도를 도시한 것이다. 복합 필름 (10)은 기재층 (20), 하나 이상의 금속계 층들 (30, 32, 34, 36); 하나 이상의 은계 (based) 층들 (40, 42); 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층들 (25, 26, 27); 및 반대 기재층 (22)을 포함한다. 도 1에 도시된 복합 필름 (10)은 예시적 실시태양이라는 것을 이해하여야 한다. 도시된 모든 층들이 필요하지 않고, 도시된 것보다 임의 개수의 추가 층들, 또는 적은 층들이 본 개시의 범위에 속하는 것이다. 기재층 (20) 및/또는 반대 기재층 (22)은 임의 개수의 상이한 재료로 구성된다. 소정의 실시태양들에서, 기재층 (20) 및/또는 반대 기재층 (22)은 투명 층일 수 있다. 기재층 (20) 및/또는 반대 기재층 (22)은 또한 유연할 수 있다. 적합한 투명 재료는 폴리카르보네이트, 폴리아크릴레이트, 폴리에스테르, 예컨대, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 트리아세틸 셀룰로오스 (TCA 또는 TAC), 폴리우레탄, 불소고분자, 유리, 또는 이들의 조합을 포함한다. 특정 실시태양들에서, 기재층 (20) 및/또는 반대 기재층 (22)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET)를 함유한다. 기재 두께는 선택 재료 및 적용 분야에 따라 달라진다. 소정의 실시태양들에서, 기재층 (20) 및/또는 반대 기재층 (22)의 두께는 적어도 약 0.1 마이크로미터, 적어도 약 1 마이크로미터, 또는 적어도 약 10 마이크로미터이다. 추가 실시태양들에서, 기재층 (20) 및/또는 반대 기재층 (22)의 두께는 약 1000 마이크로미터 이하, 약 500 마이크로미터 이하, 약 100 마이크로미터 이하, 또는 약 50 마이크로미터 이하이다. 또한, 기재층 (20) 및/또는 반대 기재층 (22)의 두께는 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 범위, 예컨대, 약 0.1 마이크로미터 내지 약 1000 마이크로미터, 약 1 마이크로미터 내지 약 100 마이크로미터, 또는 약 10 마이크로미터 내지 약 50 마이크로미터일 수 있다. 다른 실시태양들에서, 단단한 기재, 예컨대 유리가 포함될 때, 기재층 (20)는 더욱 두꺼운 두께, 예컨대 1 밀리미터 내지 50 밀리미터, 또는 1 밀리미터 내지 20 밀리미터, 또는 1 내지 10 밀리미터를 가질 수 있다. 매우 특정한 실시태양들에서, 기재층 (20) 두께는 반대 기재 (22) 두께보다 더욱 두꺼울 수 있다. 예를들면, 매우 특정한 실시태양들에서 반대 기재 (22) 두께에 대한 기재층 (20) 두께의 비율은 적어도 1, 적어도 1.5, 적어도 1.75, 또는 적어도 2일 수 있다. 복합 필름이 단단한 표면, 예컨대 창문에 적용될 때, 기재층 (20)은 필름으로 덮히는 표면에 인접하게 배치된다. 예를들면, 창문 (미도시)에 부착될 때, 기재층 (20)은 은계 층보다 창문에 더욱 인접한다. 또한, 더욱 하기되는 바와 같이, 점착층이 기재층 (20)에 인접하게 배치되어 복합체로 덮히는 창문 또는 기타 표면과 접촉된다. 따라서, 상기 복합 필름은 독립적으로, 예를들면, 건축 부재 또는 자동차 부재에서 투명 패널 예컨대 창문에 부착된다.상기와 같이, 복합체는 하나 이상의 금속계 층들 (30, 32, 34, 36)을 함유한다. 금속계 박층은 은 함유 층들의 안정성 및 내구성을 증가시키고 계면에서 은계 층들 및 금속산화물계 층(들)의 상호 혼합을 회피한다. 소정의 실시태양들에서, 단 하나의 금속계 층이 존재한다. 다른 실시태양들에서, 복합체는 다수의 금속계 층들을 함유한다. 일반적으로, 금속계 층들은 은계 층 주면 중 하나 또는 양자에 직접 인접하게 배치된다. 따라서, 하나를 초과하는 은계 층이 존재할 때, 금속계 층은 임의의 은계 층의 모든 가능한 주면에 배치될 수 있다. 다시 도 1을 참조하면, 본 개시의 특정 실시태양들에서, 복합체는 제1 은계 층 (40)의 반대 주면들에 직접 접촉하는 제1 금속계 층 (30) 및 제2 금속계 층 (32)을 포함한다. 도 1에 더욱 도시된 바와 같이, 복합체는 또한 제2 은계 층 (42)의 반대 주면들에 직접 접촉하는 제3 금속계 층 (34) 및 제4 금속계 층 (36)을 포함한다. 본원에 기재된 임의의 하나 이상의 금속계 층들은 실질적으로 금속으로 이루어진다. 본원에서 사용되는, 구문 “실질적으로 금속으로 이루어진”이란 적어도 95 wt.%의 금속을 언급하는 것이다. 또한, 특정 실시태양들에서, 본원에 기재된 임의의 하나 이상의 금속계 층들은 실질적으로 순수한 금속 또는 다른 실시태양들에서, 금속 합금을 포함한다. 본원에서 사용되는, “실질적으로 순수한 금속”이란 금속으로 잠재적 불순물 함량이 약 5 wt.% 미만을 언급하는 것이다. 다른 실시태양들에서, 임의의 하나 이상의 금속계 층들은 예컨대 금속계 층 총 중량 기준으로 주 금속 함량이 적어도 약 70 wt.% 및 부 금속 함량이 약 30 중량% 미만을 가지는 금속 합금을 함유한다.본원에 기재된 임의의 하나 이상의 금속계 층들은 금, 티타늄, 알루미늄, 백금, 팔라듐, 구리, 인듐, 아연 또는 이들의 조합에서 선택되는 금속을 포함한다. 특정 실시태양에서 은계 층에 인접하는 적어도 하나, 하나를 초과, 또는 모든 금속계 층들은 실질적으로 금으로 이루어진다.상기 임의의 하나 이상의 금속계 층들은 금속계 층들이 실질적으로 투명하고 은계 층을 충분히 보호할 수 있는 두께를 가질 수 있다. 예를들면, 상기 임의의 하나 이상의 금속계 층들의 두께는 적어도 약 0.1 나노미터, 또는 적어도 약 0.3 나노미터이다. 또한, 상기 임의의 하나 이상의 금속계 층들의 두께는 약 50 나노미터 이하, 약 5 나노미터 이하, 약 2 나노미터 이하, 또는 약 1.5 나노미터 이하이다. 또한, 상기 임의의 하나 이상의 금속계 층들의 두께는 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 범위, 예컨대, 약 0.1 나노미터 내지 약 5 나노미터, 또는 약 0.3 나노미터 내지 약 1.5 나노미터이다. 상기 임의의 하나 이상의 금속계 층들은 동일한 두께 또는 상이한 두께를 가질 수 있다. 특정 실시태양들에서, 하나 이상의 금속층들 각각은 실질적으로 동일한 두께를 가진다. 본원에서 사용되는, “실질적으로 동일한 두께”란 두 비교 두께들의 평균이20% 이내인 두께를 의미한다.임의의 하나 이상의 금속계 층(들)은 진공증착 기술, 예를들면, 스퍼터링 또는 증발 (evaporation)으로 형성된다. 본 발명에 의한 복합체는 하나 이상의 은계 층들 (40, 42)을 가진다. 은계 층은 복합체에 적외선 반사 성능을 제공한다. 특정 실시태양들에서, 예를들면, 도 1에 도시된 바와 같이 복합체는 제1 은계 층 (40)을 가진다. 도시된 바와 같이, 제1 은계 층 (40)은 하나 이상의 금속계 층들, 예컨대 제1 금속계 층 (30) 및 제2 금속계 층 (50)과 직접 접촉된다. 또한, 소정의 실시태양들에서, 복합체는 추가 은계 층들, 예컨대 제2 은계 층 (42)을 포함한다. 존재할 때, 각각의 추가 은계 층은 추가 은계 층의 주면과 직접 접촉하는 금속계 층을 가진다. 예를들면, 도 1에 도시된 바와 같이, 제2 은계 층 (42)은 제3 금속계 층 (34) 및 제4 금속계 층 (36)과 직접 접촉한다. 또한, 제2 은계 층 (42)은 제1 은계 층 (40)보다 기재에서 더욱 멀다. 상기 임의의 하나 이상의 은계 층들은 은을 함유하고, 특정 실시태양들에서 실질적으로 은으로 이루어진다. 본원에서 사용되는, 구문 “실질적으로 은으로 이루어진”이란 적어도 약 95% 은을 함유하는 은계 층을 언급하는 것이다. 다른 실시태양들에서, 하나 이상의 은계 층은 또 다른 금속, 예컨대, 금, 백금, 팔라듐, 구리, 알루미늄, 인듐, 아연, 또는 이들의 조합을 약 30 wt. % 이하, 약 20 wt. % 이하, 또는 약 10 wt. % 이하로 가질 수 있다.임의의 하나 이상의 은계 층(들)의 두께는 적어도 약 0.1 나노미터, 적어도 약 0.5 나노미터, 또는 적어도 약 1 나노미터이다. 또한, 임의의 하나 이상의 은계 층 (40)의 두께는 약 100 나노미터 이하, 약 50 나노미터 이하, 약 25 나노미터 이하, 또는 약 20 나노미터 이하이다. 또한, 임의의 하나 이상의 은계 층 (40)의 두께는 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 범위, 예컨대 약 0.5 나노미터 내지 약 25 나노미터, 또는 약 1 나노미터 내지 약 20 나노미터이다. 특정 실시태양들에서, 제2 은계 층 (42)의 두께는 제1 은계 층 (40)보다 더 두껍다. 예를들면, 제1 은계 층 (40) 두께에 대한 제2 은계 층 (42) 두께의 비율은 적어도 약 1, 적어도 약 1.5, 적어도 약 2, 또는 적어도 약 3이다. 특정 실시태양들에서, 복합 필름 (10)은 3개 이하의 은계 층들, 2개 이하의 은계 층들, 또는 1개 이하의 은계 층을 가진다. 매우 특정한 실시태양들에서, 복합 필름 (10)은 2개 이하의 은계 층들을 가진다. 2개 이하의 은계 층들로 본원에 기재된 특성을 달성하는 것은 본 개시의 소정의 실시태양들의 특정 이점이다. 은계 층(들)은 진공증착 기술, 예를들면, 스퍼터링 또는 증발로 형성된다. 특정 실시태양들에서, 은계 층(들)은 마그네트론 스퍼터링 기술로 형성된다.본 발명의 다양한 실시태양들에 따르면, 복합체는 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층들 (25, 26, 27)을 더욱 포함한다. 금속산화물계 복합체 층은 은계 층 반대측 금속계 층의 주면 및/또는 기재 또는 반대 기재층의 주면에 인접하거나 직접 접촉하도록 배치된다. 상기 임의의 하나 이상의 금속산화물 복합체 기반의 층(들)은 산화알루미늄, 산화티탄, 산화니오븀, BiO2, PbO, 산화아연, AZO, MgZnO, MgO, MoO3, 또는 이들의 조합을 포함하는 다양한 금속산화물의 적어도 하나, 적어도 둘, 또는 적어도 3개의 분리되고 차별되는 층들을 가진다. 상기 나열된 다양한 금속산화물은 또한 굴절률로 기술될 수 있다. 예를들면, 주로 루타일 상으로 구성되는 산화티탄의 굴절률은 510 nm에서 약 2.41이고, BiO2 의 굴절률은 550 나노미터에서 약 2.45이고, PbO의 굴절률은 550 나노미터에서 약 2.55이고, Nb2O5 의 굴절률은 550 나노미터에서 약 2.4이고, ZnO의 굴절률은550 나노미터에서 약 2.0이다. 따라서, 매우 특정한 실시태양들에서, 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층(들)에서 층으로 사용되는 적어도 하나의 금속산화물은 높은 굴절률을 가진다. 예를들면, 적어도 하나의 금속산화물의 굴절률은 510 나노미터 또는 550 나노미터에서 적어도 약 2.3, 적어도 약 2.4, 적어도 약 2.5이다. 또한, 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층(들)에서 층으로 사용되는 적어도 하나의 금속산화물은 낮은 굴절률을 가질 수 있다. 예를들면, 적어도 하나의 금속산화물의 굴절률은 약 2.4 이하, 약 2.3 미만, 예컨대 약 2.2 미만, 약 2.1 미만, 또는 약 2.0 미만이다. 또한, 금속산화물계 복합체 층의 적어도 하나의 층은 높은 굴절률 재료를 가지고, 적어도 하나의 층은 낮은 굴절률 재료를 가진다. 예를들면, 금속산화물계 복합체 층은 굴절률이 적어도 2.4인 금속산화물, 및 굴절률이 2.4 미만인 금속산화물인 적어도 하나의 층을 가진다. 상기 다양한 금속산화물은 또한 하나의 회전 세라믹 타겟으로 이들 증착률로 기술될 수 있다. 예를들면, 산화티탄의 증착률은 1.5 nm.m².min-1.kW-1, 산화니오븀의 증착률은 3 nm.m².min-1.kW-1, 및 AZO의 증착률은 7 nm.m².min-1.kW-1이다. 따라서, 매우 특정한 실시태양들에서, 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층(들)에서 층으로 사용되는 적어도 하나의 금속산화물은 높은 증착률을 가진다. 예를들면, 소정의 실시태양들에서, 적어도 하나의 금속산화물의 증착률은 적어도 1 nm.m².min-1.kW-1 , 적어도 1.5 nm.m².min-1.kW-1 , 적어도 2 nm.m².min-1.kW-1 , 적어도 3 nm.m².min-1.kW-1 , 적어도 4 nm.m².min-1.kW-1 , 적어도 5 nm.m².min-1.kW-1 , 적어도 6 nm.m².min-1.kW-1 , 또는 적어도 7 nm.m².min-1.kW-1이다. 또한, 적어도 하나의 금속산화물의 증착률은 50 nm.m².min-1.kW-1 이하, 또는 25 nm.m².min-1.kW-1 이하, 8 nm.m².min-1.kW-1 이하, 4 nm.m².min-1.kW-1 이하, 또는 2 nm.m².min-1.kW-1이하이다. 또한, 적어도 하나의 금속산화물의 증착률은 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 범위, 예컨대 1 nm.m².min-1.kW-1 내지 50 nm.m².min-1.kW-1, 또는 1.5 nm.m².min-1.kW-1 내지 25 nm.m².min-1.kW-1이다. 매우 특정한 실시태양들에서, 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층(들)에서 층으로 사용되는 적어도 2개의 금속산화물은 상이한 증착률을 가질 수 있다. 예를들면, 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층(들)에서 층으로 사용되는 금속산화물 중 하나의 증착률은 적어도 약 3 nm.m².min-1.kW-1이고, 동일한 금속산화물계 복합체 층에서 층으로 사용되는 또 다른 금속산화물의 증착률은 3 nm.m².min-1.kW-1 이하일 수 있다. 금속산화물계 복합체 층에서 사용되는 임의의 둘 또는 3개의 상이한 금속산화물은 임의의 조합으로 상기된 임의의 증착률을 가질 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 본 개시의 소정의 실시태양들의 특정 이점은 높은 증착률을 가지는 금속산화물을 사용하는 것이다. 전통적으로, 예를들면, 불량 광학 특성, IR 특성, 및 기타 등으로 인하여 이러한 금속산화물 층들은 사용되지 않았다. 그러나, 본 발명자들은 놀랍게도 중요한 광학 및 IR 특성을 훼손하지 않고 높은 증착률을 가지는 금속산화물을 사용할 수 있다는 것을 알았다.이제 도 2를 참조하면, 소정의 실시태양들에서, 금속산화물계 복합체 층은 금속계 층 및/또는 은계 층 품질을 개선하기 위한 층 (101, 103)을 가진다. 예를들면, 층 (101, 103)은 산화물 재료 예컨대 금속산화물 재료를 포함한다. 특정 실시태양들에서, 금속산화물 재료는 산화아연, 예를들면 AZO 또는 MgZnO를 포함한다. 매우 특정한 실시태양들에서, 산화아연은 AZO이다. 다른 실시태양들에서, 층 (101, 103)은 산화물 재료 예컨대 MgO 또는 MoO3을 포함한다.본 개시의 소정의 실시태양들의 특정 이점은 특정 금속산화물계 층들, 예컨대 금속산화물 복합체 기반의 층 (25, 26)에서 층 (101, 103)은 금속계 층의 균일성을 개선시키고 따라서 바로 적층된 금속계 층의 광학 특성 및 적층체 전체의 광학 특성을 개선시키는 것이다. 이론에 구속되지 않고, 금속계 층에서 균일성 개선은 적어도 부분적으로 헤테로에피택시 효과에 기인한다. 예를들면, 소정의 실시태양들에서, (금속산화물 복합체 기반의 층 내에서) 금속산화물계 층의 결정 구조가 인접하고, 연속 적층된, 금속계 층의 결정 구조와 일치하거나 긴밀하게 일치할 때 복합체 성능이 개선된다. 재료의 결정 구조 (주어진 유형의 결정 내에서 원자 배열)는 단위격자라고도 칭하는 가장 간단한 반복 단위로 기술될 수 있고, 이는 격자 파라미터라고 칭하는 단위-격자-변 (edge) 길이 a, b, 및 c 를 가진다. 결정 구조 일치 정도를 정량화하기 위하여, 제1 층 (a1) 및 제2 층 (a2) 격자 파라미터들 a 이 다음 식을 만족하면 제1 층의 결정 구조는 제2 층의 결정 구조와 긴밀하게 일치한다:([sqrt(2)/2]a2)/a1 = x,식 중 x는 0.65 이상이다. 본원에 기재된 특정 실시태양들에서, 예컨대 금속산화물계 층 및 금속층 및/또는 은 층 사이에서, x는 0.70 이상, 0.75 이상, 0.80 이상, 0.82 이상, 0.84 이상, 또는 0.86 이상이다. 더욱 특정된 실시태양들에서, x는 1.5 이하, 1.4 이하, 1.3 이하, 1.2 이하, 1.1 이하, 또는 1.0 이하이다. 또한, x 값은 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이 범위, 예컨대 0.75 내지 1.4, 0.84 내지 1.2, 또는 0.86 내지 1.0일 수 있다. 예를들면, 금의 결정 구조는 면심입방구조 (fcc)이고 격자 파라미터 a 는 0.408 nm이다. 금 결정 구조는 입방이므로, 단 하나의 격자 파라미터를 가진다. 주위 조건들에서, ZnO는 주로 우르자이트 (wurtzite) 형태로 결정화된다. 우르자이트 형태인 ZnO에 대한 격자 파라미터는 a = 0.325 nm 및 c = 0.520 nm이다. 이러한 형태가 소위 (002) 배향으로 배향되면, 표면은 금 결정이 소위 (111) 배향으로 배향될 때의 금과 유사한 원자 길이를 가진다. 즉, ([sqrt(2)/2] x aAu) ~ aZnO 는 0.29 nm ~0.33 nm에 해당된다. Al 원자가 망에 삽입되어 있지만 AZO (=ZnO:Al)의 효과는 유사하다. 한편, Au이 상이한 금속산화물계 층, 예컨대 TiOx에 적층될 때, 결정 구조들 사이 불일치가 높기 때문에 헤테로에피택시 효과는 유효하지 않다. 예를들면, TiOx 가 열처리 없이 마그네트론 스퍼터링으로 증착되면, 재료는 비정질 (이 경우 특정 순서가 없다) 또는 루타일 결정 구조일 수 있다. 루타일 결정 구조는 체심정방 단위격자로 a = b = 0.458 nm 및 c = 0.295 nm를 가진다. 소정의 실시태양들에서, 이러한 구조로부터, TiOx 는 배향과 무관하게 Au 단위격자의 결정 구조와 긴밀하게 일치하는 결정 구조를 가지지 않는다. 따라서, 매우 특정한 실시태양들에서, 금속계 층에 직접 인접하는 금속산화물 층은 실질적으로 산화티탄이 부재하다. 매우 특정한 실시태양들에서, 금속계 층에 직접 인접하는 금속산화물계 층은 AZO이다. 추가로 매우 특정한 실시태양들에서, 금속산화물계 층에 인접한 금속계 층은 금일 수 있다.상기와 같이 금속계 층에 직접 인접한 금속산화물계 층이 사용되면, 금속계 층 이후에 직접 적층되는 은계 층 또한 개선된다는 것을 이해하여야 한다. 따라서, 상기와 동일한 정도의 격자 파라미터 일치가 금속산화물계 층 및 은계 층 사이에 존재할 수 있고, 이때 금속계 층은 금속산화물계 층 및 은계 층 사이에 배치된다. 재차 도 2를 참조하면, 소정의 실시태양들에서, 복합 필름 (10)은 적어도 하나의 또는 적어도 2개의 금속산화물계 복합체 층들 (25, 26)을 가지고 각각은 금속계 층 및/또는 은계 층 품질을 개선할 수 있는 층 (101, 103)을 가진다. 층 (101, 103)은 금속계 층 (30, 34)에 직접 인접하고 접촉하도록 금속산화물계 복합체 층 (25, 26) 내에 배치된다. 금속산화물계 복합체 층 (25, 26) 내에서, (층 (101, 103) 외에) 다른 금속산화물 층(들) (102, 104)은, 예를들면, 산화알루미늄, 산화티탄, 산화니오븀, BiO2, PbO, 또는 이들의 조합을 포함한다. 매우 특정한 실시태양들에서, 금속산화물계 복합체 층 (25, 26)은 층 (101, 103) 외에도 산화티탄 기반의 층 (102, 104)을 포함한다. 다른 특정한 실시태양들에서, 금속산화물계 복합체 층 (25, 26)은 층 (101, 103) 외에도 산화니오븀 기반의 층 (102, 104)을 포함하고, 더욱 상세하게 하기된다. 금속산화물계 복합체 층 (25, 26)에서 금속계 층 및/또는 은계 층의 품질을 개선하기 위하여 층 (101, 103)이 존재할 때, 층 (101, 103)은 얇은 두께를 가진다. 예를들면 층 (101, 103)의 두께는 50 나노미터 이하, 40 나노미터 이하, 30 나노미터 이하, 20 나노미터 이하, 10 나노미터 이하, 또는 7 나노미터 이하이다. 또한, 층 (101, 103) 두께는 적어도 1 나노미터, 적어도 2 나노미터, 또는 적어도 3 나노미터이다. 또한, 층 (101, 103) 두께는 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 범위, 예컨대 1 내지 20 나노미터, 또는 2 내지 10 나노미터이다. 또한, 소정의 실시태양들에서, 금속산화물계 복합체 층 (25, 26)에 층 (101, 103)이 존재하면, 층 (101, 103) 두께는 금속산화물계 복합체 층 (25, 26)의 나머지의 두께보다 얇다. 예를들면, 층 (101, 103)이 금속산화물계 복합체 층 (25, 26)에 존재하면, 금속산화물계 복합체 층 (102, 104)의 나머지 두께에 대한 층 (101, 103) 두께의 비율은 1, 미만 예컨대 0.8 이하, 0.7 이하, 0.6 이하, 0.5 이하, 0.3 이하, 0.2 이하, 또는 약 0.15 이하이다. 또한, 층 (101, 103)이 금속산화물계 복합체 층 (25, 26)에 존재하면, 금속산화물계 복합체 층 (102, 104)의 나머지 두께에 대한 층 (101, 103) 두께의 비율은 적어도 0.01, 적어도 0.05, 또는 적어도 0.075이다. 본 개시의 소정의 실시태양들의 또 다른 특정 이점은 금속계 층 및/또는 은계 층의 품질 개선을 위한 층 (101, 103) 및 산화니오븀 층의 조합을 가지는 금속산화물 복합체 기반의 층 (25, 26, 27)이다. 본원에서 더욱 상세히 논의되는 바와 같이, 부분적으로 산화니오븀의 더욱 낮은 굴절률로 인하여 산화니오븀을 이용하는 것은 산화티탄보다 바람직하지 않다. 그러나, 본 발명자들은 놀랍게도 높은 증착률을 가지는 층, 예컨대 산화니오븀과 조합하여 층 (101, 103)을 이용함으로써, 복합 필름 (10)은 상당하고 상승적인 광학 및 일사 특성 개선을 보이고, 또한 하기 실시예들에서 더욱 상세히 설명되는 바와 같이 생산 속도 또는 라인 속도에서 상당한 개선이 구현된다는 것을 알았다. 이제 도 3을 참조하면, 본 개시의 소정의 실시태양들의 또 다른 특정 이점은 산화티탄계 층 (110, 111, 112) 및 산화니오븀계 층 (113, 114, 115, 116)의 조합을 가지는 금속산화물 복합체 기반의 층 (25, 26, 27)이다. 본원에서 더욱 상세히 논의되는 바와 같이, 부분적으로 산화니오븀의 더욱 낮은 굴절률로 인하여 산화니오븀을 이용하는 것은 산화티탄보다 바람직하지 않다. 그러나, 본 발명자들은 놀랍게도 산화티탄 층과 산화니오븀 층을 조합하여 이용함으로써, 복합 필름 (10)은 상당하고 상승적인 광학 및 일사 특성 개선을 보이고, 또한 생산 속도 또는 라인 속도에서 상당한 개선이 구현된다는 것을 알았다. 이론에 구속되지 않고, 특히 기재층에 직접 인접하고 접촉하는 산화티탄 층을 구비함으로써 양호한 굴절률 일치 및 따라서 개선된 광학 특성을 제공하고, 산화니오븀계 층을 이용하여도 산화티탄계 층들 부가에 의해 실현되는 개선을 크게 방해하지 않는다고 판단된다.산화티탄계 층 (110, 111, 112) 및 산화니오븀계 층 (113, 114, 115, 116)을 포함하는 금속산화물계 복합체 층 (25, 26, 27)이 결합되는 이러한 실시태양들에서, 금속산화물계 복합체 층 (25, 26, 27)에서 산화티탄계 층 (110, 111, 112)의 두께는 산화니오븀계 층 (113, 114, 115, 116) 두께보다 얇다. 예를들면, 산화티탄계 층 (110, 111, 112) 두께에 대한 산화니오븀계 층 (113, 114, 115, 116) 두께의 비율은 1보다 크고, 예컨대 1.5 이상, 2 이상, 또는 2.5 이상이다. 추가 실시태양들에서, 산화티탄계 층 (110, 111, 112) 두께에 대한 산화니오븀계 층 (113, 114, 115, 116) 두께의 비율은 10 이하, 6 이하, 또는 5 이하이다. 또한, 산화티탄계 층 (110, 111, 112) 두께에 대한 산화니오븀계 층 (113, 114, 115, 116) 두께의 비율은 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 범위, 예컨대 1.5 내지 10 또는 2.5 내지 5이다. 더욱 특정한 실시태양들에서, 산화티탄계 층 및 산화니오븀계 층을 포함하는 금속산화물계 복합체 층에서, 산화티탄계 층의 두께는 적어도 1 나노미터, 적어도 2 나노미터, 또는 적어도 3 나노미터이다. 다른 실시태양들에서, 산화티탄계 층의 두께는 30 나노미터 이하, 20 나노미터 이하, 또는 10 나노미터 이하이다. 또한, 산화티탄계 층의 두께는 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위, 예컨대 1 내지 50 나노미터, 또는 3 내지 20 나노미터이다. 또한, 산화티탄계 층 및 산화니오븀계 층을 포함하는 금속산화물계 복합체 층에서, 산화니오븀 층의 두께는 적어도 1 나노미터, 적어도 5 나노미터, 적어도 10 나노미터, 또는 적어도 15 나노미터이다. 추가 실시태양들에서, 산화니오븀계 층의 두께는 70 나노미터 이하, 60 나노미터 이하, 50 나노미터 이하, 또는 40 나노미터 이하이다. 또한, 산화티탄계 층의 두께는 상기 임의의 최소값 및 최대값 사이 범위, 예컨대 5 내지 60 나노미터, 또는 10 내지 50 나노미터이다. 전체로는, 상기된 임의의 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층(들) (25, 26, 27)의 두께는 적어도 약 1 나노미터, 적어도 약 2 나노미터, 또는 적어도 약 5 나노미터이다. 또한, 상기된 임의의 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층(들) (25, 26, 27)의 두께는 약 100 나노미터 이하, 약 80 나노미터 이하, 또는 약 70 나노미터 이하이다. 또한, 상기된 임의의 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층(들) (25, 26, 27)의 두께는 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 범위, 예컨대, 약 1 나노미터 내지 약 100 나노미터, 또는 약 2 나노미터 내지 약 60 나노미터이다.특정 실시태양들에서, 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층들 (25, 26, 27)은 다양한 두께를 가질 수 있다. 예를들면, 하나의 특정 실시태양에서, 다른 금속산화물계 복합체 층들보다 기재층 (20)에 더욱 가까이 배치되는 제1 금속산화물계 복합체 층 (25)의 두께는 임의의 다른 금속산화물계 복합체 층, 예컨대 제2 금속산화물계 복합체 층 (26) 또는 제3 금속산화물계 복합체 층 (27)보다 얇을 수 있다. 소정의 실시태양들에서, 제1 금속산화물계 층 (25) 두께에 대한 제2 금속산화물계 층 (26) 또는 제3 금속산화물계 층 (27) 두께의 비율은 적어도 1, 적어도 1.5, 적어도 2, 적어도 2.5, 적어도 3, 적어도 4, 적어도 5, 또는 적어도 6이다. 추가 실시태양들에서, 복합 필름 (10)은 산화티탄계 층 (111)보다 산화니오븀계 층들 (114, 115)을 더욱 많이 포함하는 적어도 하나의 금속산화물계 복합체 층 (26)을 함유한다. 더욱 특정한 실시태양들 및 도 3에 도시된 바와 같이, 산화티탄 층 (110, 112)은 기재층 (20) 및/또는 반대 기재층 (존재한다면) (22)에 직접 인접하게 배치된다. 다른 실시태양들에서, 산화니오븀 층은 기재층 및/또는 반대 기재층 (존재한다면)에 직접 인접하게 배치될 수 있다. 더욱 특정된 실시태양들에서, 산화니오븀 층 (113, 114, 115, 116)은 하나 이상의 금속계 층들 (30, 32, 34, 36)에 직접 인접하게 배치될 수 있다. 다른 실시태양들에서, 산화티탄 층은 하나 이상의 금속계 층들에 직접 인접하게 배치될 수 있다.본원에 논의된 하나 이상의 개별 금속산화물계 층(들) 및 결과적으로 금속산화물계 복합체 층(들)은 진공증착 기술, 예를들면, 스퍼터링 또는 증발, 또는 원자층 증착 기술로 형성된다. 예를들면, 금속산화물계 층(들)은 회전가능한 세라믹 금속산화물 타겟을 이용한 DC 마그네트론 스퍼터링으로 획득된다. 이들 타겟은 DC 마그네트론 스퍼터링 공정에서 캐소드로 사용되기에 충분한 전도도를 가진다. 전체적으로 기재층 및 최외곽 층, 예컨대 반대 기재를 포함하고 이들 사이에 배치되는 모든 층들을 포함하는 복합체 (10)의 총 두께는 적어도 약 25 마이크로미터, 적어도 약 50 마이크로미터, 적어도 약 60 마이크로미터, 또는 적어도 약 70 마이크로미터이다. 또한, 전체 복합체 (10)의 총 두께는 약 300 마이크로미터 이하, 약 200 마이크로미터 이하, 약 100 마이크로미터 이하, 또는 약 85 마이크로미터 이하이다. 또한, 전체 복합체의 총 두께는 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 범위, 예컨대 약 25 마이크로미터 내지 약 300 마이크로미터, 또는 약 50 마이크로미터 내지 약 100 마이크로미터이다. 이제 복합 필름의 특정 이점이 성능 측면에서 설명될 것이다. 파라미터는 가시광선 투과율, 총 태양에너지 차단율 (rejection), 광 대 일사 (solar) 이득 비율, 가시광선 반사율, 내마모율 (abrasion resistance rating), 및 라인 속도를 포함한다. 가시광선 투과율은 복합체를 투과하는 가시광선 스펙트럼 (380 내지 780 나노미터)의 백분율을 의미한다. 가시광선 투과율은 ISO 9050에 따라 측정된다. 본 개시의 특정 이점은 특히 본원에 기재된 다른 파라미터들과 조합하여 본원에 기재되고 이하 실시예들에서 설명되는 가시광선 투과율 값들을 획득하는 것이다. 본 발명의 실시태양들에서, 복합체의 가시광선 투과율은 적어도 약 60%, 적어도 약 65%, 또는 적어도 약 70%이다. 또한, 복합체의 가시광선 투과율은 100% 이하, 95% 이하, 또는 90% 이하이다. 또한, 복합체의 가시광선 투과율은 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 범위, 예컨대 약 60% 내지 약 100%, 또는 약 70% 내지 약 100%이다. 총 태양에너지 차단율은 창유리에 의해 차단된 총 에너지 측도이고 이는 태양 직접 반사율 및 외향 2차 열전달 차단 인자의 합으로, 후자는 복합체에 의해 흡수되는 입사 태양 복사 부분의 대류 및 장파 IR-복사에 의한 열전달의 결과이다. 총 태양에너지 차단율은 표준 ISO 9050에 의거하여 측정된다. 본 개시의 특정 이점은 특히 본원에 기재된 다른 파라미터와 조합하여 본원에 기재되고 이하 실시예에서 설명되는 총 태양에너지 차단율 값들을 획득할 수 있다는 것이다. 본 개시의 특정 실시태양들에서, 복합체의 총 태양에너지 차단율은 적어도 약 50%, 적어도 약 52%, 적어도 약 55%, 또는 적어도 약 59%이다. 또한, 복합체의 총 태양에너지 차단율은 약 90% 이하, 약 80% 이하, 또는 약 70% 이하이다. 또한, 복합체의 총 태양에너지 차단율은 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 범위, 예컨대 약 50% 내지 약 90%, 또는 약 59% 내지 약 90%이다. 광 대 태양열 이득 비율은 일광 투과 동시에 열 획득 차단에 있어서 상이한 복합체 타입의 상대 효율에 대한 측도이다. 비율이 높을수록, 추가 열량 없이 실내는 더욱 밝아진다. 광 대 태양열 이득 비율은 다음 식으로 결정된다:LSHGR = (VLT)/(1-TSER)식 중 VLT는 상기에서 결정되는 가시광선 투과율이다. 본 개시의 특정 이점은 특히 본원에 기재된 다른 파라미터와 조합하여 본원에 기재되고 이하 실시예에서 설명되는 광 대 태양열 이득 비율 값들을 획득할 수 있다는 것이다. 본 개시의 특정 실시태양들에서, 복합체의 광 대 일사 이득 비율은 적어도 약 1.5, 적어도 약 1.60, 적어도 약 1.70, 또는 적어도 약 1.80이다. 또한, 복합체의 광 대 일사 이득 비율은 1.95 이하, 1.92 이하, 또는 1.90 이하이다. 또한, 복합체의 광 대 태양열 이득 비율은 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 범위, 예컨대 약 1.60 내지 약 1.95, 또는 1.80 내지 약 1.90이다.가시광선 반사율은 필름에 의한 총 가시광선 반사광 측도이다. 가시광선 반사율은 ISO 9050에 의거하여 측정된다. 본 개시의 특정 이점은 특히 본원에 기재된 다른 파라미터와 조합하여 본원에 기재되고 이하 실시예에서 설명되는 가시광선 반사율 값들을 획득할 수 있다는 것이다. 본 개시의 특정 실시태양들에서, 복합체의 가시광선 반사율은 적어도 약 0.5%, 적어도 약 1%, 또는 적어도 약 2%이다. 또한, 복합체의 가시광선 반사율은 약 12% 이하, 약 10% 이하, 약 8% 이하, 또는 약 6% 이하이다. 또한, 복합체의 가시광선 반사율은 상기 임의의 최대값 및 최소값 사이의 범위, 예컨대 약 0.5% 내지 약 12% 또는 약 2% 내지 약 6%이다. 본 발명은 본 분야의 기술 상태로부터 진보된 것이다. 예를들면, 상기 IR-반사 필름 복합 필름은 TSER 및 VLT의 조합에 따른 상승적 개선 및 따라서 광 대 태양열 이득 비율 (LSHGR)이라고도 알려진 선택도 개선을 보인다. 본 개시의 소정의 실시태양들에서, 본 발명자들은 놀랍게도 금속산화물 층 예컨대 산화아연계 층과 조합하여 산화니오븀계 유전체층을 결합함으로써, 필름 복합체는 놀랍게도 TSER 및 VLT에 있어서 상승적 증가를 보였다. 실제로 산화티탄 유전체가 높은 VLT를 제공하기 위하여 사용되었으나, 산화티탄 사용은 증착률로 인하여 한계가 있고 따라서 제조 비용이 더욱 높아진다. 또한, 산화니오븀 단독으로 이용하면 TSER을 개선시키지만, 산화티탄에 비하여 VLT이 감소된다. 이론에 구속되지 않고, 은 층 아래에 산화아연 층을 형성하면 양호한 은 층 결정화가 유도되고, 결과적으로 VLT가 개선된다고 판단된다. 산화니오븀 층 및 산화아연 층의 조합으로 상승적으로 개선된 TSER 및 개선된 또는 유지된 VLT를 실현하여 종래 달성될 수 있는 것보다 상당히 개선된 선택성을 보인다. 또한, 복합 필름 형성을 위한 전체 라인 속도는 높은 증착률 재료, 예컨대 산화니오븀을 사용하여, 복합 필름의 광학 및 일사 특성을 훼손함이 없이 개선될 수 있다는 것을 알았다. 실시예들샘플 A는 도 4에 개략적으로 도시된 필름 적층체를 포함한다. 본 필름 적층체는 상업적으로 상표명 SOLMOX로서 LX70로 SolarGard Corporation에서 입수된다. 샘플 B는 도 5에 개략적으로 도시된 동일한 필름 적층체이되, 샘플 A의 필름 적층체와는 산화티탄 층들이 산화니오븀 층들로 대체된 것이 다르다. 샘플 C는 도 6에 개략적으로 도시된 동일한 필름 적층체이되, 샘플 A의 필름 적층체와는 산화티탄 층들이 AZO 층들로 대체된 것이 다르다. 샘플 D는 도 7에 개략적으로 도시된 동일한 필름 적층체이되, 샘플 A의 필름 적층체와는 이산화티탄 층들이 산화니오븀 층 및 AZO 층을 포함하는 금속산화물계 복합체 층으로 대체된 것이 다르다. 샘플 E는 도 8에 개략적으로 도시된 동일한 필름 적층체이되, 샘플 A의 필름 적층체와는 이산화티탄 층들이 산화티탄 층 및 AZO 층을 포함하는 금속산화물계 복합체 층으로 대체된 것이 다르다.샘플 F는 도 9에 개략적으로 도시된 필름 적층체이되, 샘플 A의 필름 적층체와는 이산화티탄 층들은 산화티탄 층 및 산화니오븀 층을 포함하는 금속산화물계 복합체 층으로 대체된 것이 다르다. 샘플 G는 도 10에 개략적으로 도시된 필름 적층체이되, 샘플 F의 필름 적층체와는 산화티탄 층 및 산화니오븀 층들 순서가 바뀐 것이 다르다. 각각의 필름에 대하여, 산화물 재료에 대한 세라믹 회전 타겟으로 층들은 롤-투-롤 (R2R) 마그네트론 증착으로 적층된다. TiOx 및 Nb2Ox 투명도 조정을 위하여 소량의 산소가 필요하다.샘플에 대하여 태양 필름과 관련된 특성을 시험하고, 결과를 표 1에 제시한다. 특성샘플 A샘플 B샘플 C샘플 D샘플 E 샘플 F 샘플 G 가시광선 투과율 (VLT)72%70%64.5%72%74%72%72%총 태양에너지 차단율 (TSER)55%55%63.0%56%56%55%55%광 대 태양열 이득 비율1.601.551.741.631.681.601.60가시광선 반사율119.412.69.411.410.510.4많은 상이한 양태들 및 실시태양들이 가능하다. 일부 양태들 및 실시태양들이 하기된다. 본 명세서를 읽은 후, 당업자들은 이들 양태들 및 실시태양들은 단지 예시적인 것이고 본 발명의 범위를 제한하는 것이 아니라는 것을 이해할 것이다. 실시태양들은 임의의 하나 이상의 하기 항목들에 의한다. 항목 1. 복합 필름으로서, 금속계 층의 균일성 개선을 위한 산화니오븀 층 및 금속산화물 층을 가지는 금속산화물계 복합체 층을 포함하고, 복합 필름은 은계 층을 포함하고, 복합 필름의 가시광선 투과율은 적어도 65%인, 복합 필름.항목 2. 복합 필름으로서, 금속산화물계 복합체 층을 포함하고, 금속산화물계 복합체 층은 상이한 금속산화물의 적어도 2개의 차별 층들을 포함하는, 복합 필름.항목 3. 복합 필름으로서, 고분자를 포함하는 투명 기재층;하나 이상의 금속계 층들; 하나 이상의 은계 층들;하나 이상의 금속산화물계 복합체 층들을 포함하고, 상기 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층들은 상이한 금속산화물의 적어도 2개의 차별 층들을 가지고; 상기 복합 필름의 가시광선 투과율은 적어도 65%인, 복합 필름.항목 4. 복합 필름으로서, 2개 이하의 은계 층들을 가지고, 총 태양에너지 차단율 (TSER)은 55% 이상이고, 가시광선 투과율 (VLT)은 적어도 70%인, 복합 필름.항목 5. 복합 필름으로서, 2개 이하의 은계 층들을 가지고, 광 대 태양열 이득 비율은 적어도 1.6인, 복합 필름.항목 6. 복합 필름으로서, 단일 회전 세라믹 타겟에서1.5 nm.m².min-1.kW-1 이상의 스퍼터링 증착률을 가지는 금속산화물계 층을 포함하고, 복합 필름의 광 대 태양열 이득 비율은 적어도 1.6인, 복합 필름.항목 7. 복합 필름으로서, 기재층; 적어도 제1 금속산화물계 층 및 제2 금속산화물계 층을 포함하는 금속산화물계 복합체 층 제2 금속산화물계 층에 인접한 금속계 층; 및 금속계 층에 인접한 은계 층을 포함하고, 제2 금속산화물계 층은 격자 파라미터 a1인 금속산화물을 포함하고; 금속계 층은 격자 파라미터 a2인 금속을 포함하고, 또는 은계 층은 격자 파라미터 a2인 은계 화합물을 포함하고; a1 및a2 는 다음 식을 만족하는, 복합 필름.([sqrt(2)/2]a2)/a1 = x,식 중 x는 0.65 이상의 값을 나타낸다.항목 8. 복합 필름 형성 방법으로서, 고분자를 포함하는 투명 기재층 제공 단계;스퍼터링에 의한 하나 이상의 금속산화물계 층들 형성 단계;하나 이상의 금속계 층들 형성 단계;하나 이상의 은계 층들 형성 단계; 를 포함하고,스퍼터링에 의한 하나 이상의 금속산화물계 층들 형성 단계의 증착률은 단일 회전 세라믹 타겟에서 1.5 nm.m².min-1.kW-1 이상인, 방법.항목 9. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 투명 기재층 고분자를 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 10. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 투명 기재층은 폴리카르보네이트, 폴리아크릴레이트, 폴리에스테르, 트리아세틸 셀룰로오스 (TCA 또는 TAC), 폴리우레탄, 또는 이들의 조합을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 11. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 투명 기재층은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET)를 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 12. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 투명 기재층의 두께는 적어도 약 0.1 마이크로미터, 적어도 약 1 마이크로미터, 또는 적어도 약 10 마이크로미터이고; 두께는 약 1000 마이크로미터 이하, 약 500 마이크로미터 이하, 약 100 마이크로미터 이하, 또는 약 50 마이크로미터 이하이고; 또는 두께 범위는 약 0.1 마이크로미터 내지 약 1000 마이크로미터 또는 약 10 마이크로미터 내지 약 50 마이크로미터인, 복합체 또는 방법.항목 13. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 투명 반대 기재를 더욱 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 14. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체의 최외곽 층으로서 반대 기재를 더욱 포함하고 따라서 적어도 하나 이상의 은계 층들, 하나 이상의 금속산화물계 층들, 및 하나 이상의 은계 층들은 기재층 및 반대 기재층 사이에 개재되는, 복합체 또는 방법.항목 15. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 투명 반대 기재층은 폴리카르보네이트, 폴리아크릴레이트, 폴리에스테르, 트리아세틸 셀룰로오스 (TCA 또는 TAC), 폴리우레탄, 또는 이들의 조합을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 16. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 투명 반대 기재층은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET)를 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 17. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 투명 기재층의 두께는 적어도 약 0.1 마이크로미터, 적어도 약 1 마이크로미터, 또는 적어도 약 10 마이크로미터이고; 두께는 약 1000 마이크로미터 이하, 약 500 마이크로미터 이하, 약 100 마이크로미터 이하, 또는 약 50 마이크로미터 이하이고; 또는 두께 범위는 약 0.1 마이크로미터 내지 약 1000 마이크로미터 또는 약 10 마이크로미터 내지 약 50 마이크로미터인, 복합체 또는 방법.항목 18. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체는 하나 이상의 금속계 층들을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 19. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체는 제1 금속계 층 및 제2 금속계 층을 포함하고, 제1 금속계 층 및 제2 금속계 층은 하나 이상의 은계 층 중 하나와 직접 접촉하는, 복합체 또는 방법.항목 20. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체는 제1 은계 층, 제2 은계 층, 제3 금속계 층 및 제4 금속계 층을 포함하고, 제3 금속계 층 및 제4 금속계 층은 제2 은계 층과 직접 접촉하는, 복합체 또는 방법.항목 21. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 금속계 층들은 실질적으로 금속으로 이루어지는, 복합체 또는 방법.항목 22. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 금속계 층들은 실질적으로 순수한 금속 또는 금속 합금을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 23. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 금속계 층들은 금, 티타늄, 알루미늄, 백금, 팔라듐, 구리, 인듐, 아연 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 24. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 금속계 층들의 두께는 적어도 약 0.1 나노미터이고; 금속을 포함하는 층의 두께는 약 50 나노미터 이하, 약 5 나노미터 이하, 약 2 나노미터 이하, 또는 약 1 나노미터 이하이고; 또는 금속을 포함한 층의 두께 범위는 약 0.1 나노미터 내지 약 50 나노미터 또는 약 0.1 나노미터 내지 약 2 나노미터인, 복합체 또는 방법.항목 25. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체는 하나 이상의 은계 층들을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 26. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 은계 층들은 제1 은계 층, 및 제2 은계 층을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 27. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 은계 층들은 제1 은계 층, 및 제2 은계 층으로 이루어지는, 복합체 또는 방법.항목 28. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 은계 층들은 2개의 분리되고 차별되는 은계 층들로 이루어지는, 복합체 또는 방법.항목 29. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 은계 층들은 실질적으로 은으로 이루어지는, 복합체 또는 방법.항목 30. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 은계 층들의 두께는 적어도 약 0.5 나노미터, 또는 적어도 약 1 나노미터이고; 두께는 약 100 나노미터 이하, 약 50 나노미터 이하, 약 25 나노미터 이하, 또는 약 20 나노미터 이하이고; 또는 두께 범위는 약 0.5 나노미터 내지 약 100 나노미터 또는 약 1 나노미터 내지 약 20 나노미터인, 복합체 또는 방법.항목 31. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 은계 층들 모두의 조합적 두께는 적어도 약 0.1 나노미터, 적어도 약 1 나노미터, 또는 적어도 약 2 나노미터이고; 두께는 약 200 나노미터 이하, 약 100 나노미터 이하, 약 50 나노미터 이하, 또는 약 40 나노미터 이하, 약 30 나노미터 이하, 또는 약 25 나노미터 이하이고; 또는 두께 범위는 약 0.1 나노미터 내지 약 100 나노미터 또는 약 2 나노미터 내지 약 25 나노미터인, 복합체 또는 방법.항목 32. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체는 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층들을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 33. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 금속산화물계 복합체 층은 상이한 금속산화물의 적어도 2개의 차별 층들을 포함하는, 복합 필름 또는 방법.항목 34. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 금속산화물계 복합체 층은 상이한 금속산화물의 적어도 3개의 차별 층들을 포함하는, 복합 필름 또는 방법.항목 35. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층들 중 적어도 하나는 금속계 층을 직접 접촉하는, 복합체 또는 방법.항목 36. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층들 중 적어도 하나는 기재층을 직접 접촉하는, 복합체 또는 방법.항목 37. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체는 제1 금속산화물계 복합체 층 및 제2 금속산화물계 복합체 층을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 38. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체는 제1 금속산화물계 복합체 층, 제2 금속산화물계 복합체 층, 및 제3 금속산화물계 복합체 층을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 39. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층들은 산화알루미늄, 산화티탄, BiO2, PbO, 산화니오븀, 산화아연, 산화망간, 산화몰리브덴, 또는 이들의 조합을 포함하는 금속산화물계 층을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 40. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층들은 산화니오븀을 포함하는 금속산화물 층을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 41. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층들은 산화아연을 포함하는 금속산화물 층을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 42. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체는 AZO를 포함하는 하나 이상의 산화아연계 층들을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 43. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층들은 산화니오븀을 포함하는 금속산화물 층 및 동일한 금속산화물계 복합체 층에서 산화아연을 포함하는 금속산화물 층을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 44. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층들은 산화티탄을 포함하는 금속산화물 층 및 동일한 금속산화물계 복합체 층에서 산화아연을 포함하는 금속산화물 층을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 45. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층들은 산화니오븀을 포함하는 금속산화물 층 및 동일한 금속산화물계 복합체 층에서 산화티탄을 포함하는 금속산화물 층을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 46. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층들은 산화니오븀을 포함하는 금속산화물 층 및 동일한 금속산화물계 복합체 층에서 산화티탄을 포함하는 금속산화물 층을 포함하고, 산화티탄 층 두께는 동일한 금속산화물계 복합체 층에서 산화니오븀 층 두께보다 얇은, 복합체 또는 방법.항목 47. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층들은 산화아연을 포함하는 금속산화물 층 및 동일한 금속산화물계 복합체 층에서 산화티탄 또는 산화니오븀을 포함하는 금속산화물 층을 포함하고, 산화아연 층 두께는 동일한 금속산화물계 복합체 층에서 산화니오븀 또는 산화티탄 층 두께보다 얇은, 복합체 또는 방법.항목 48. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 금속산화물계 복합체 층들의 두께는 적어도 약 0.5 나노미터, 적어도 약 1 나노미터, 적어도 약 2 나노미터, 또는 적어도 약 20 나노미터이고; 두께는 약 100 나노미터 이하, 약 50 나노미터 이하, 약 20 나노미터 이하, 또는 약 10 나노미터 이하이고; 또는 두께 범위는 약 0.5 나노미터 내지 약 100 나노미터, 약 2-50 나노미터, 또는 약 20-100 나노미터인, 복합체 또는 방법.항목 49. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체는 모든 은계 층에 대한 산화아연계 층을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 50. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체는 2개 이하의 산화아연계 층들을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 51. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체는 금속계 층에 인접하게 배치되는 하나 이상의 산화아연계 층들을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 52. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체는 기재층에 인접하게 배치되는 산화티탄계 층을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 53. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체는 금속계 층에 인접하게 배치되는 산화티탄계 층을 포함하는, 복합체 또는 방법.항목 54. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체는 하나 이상의 산화아연계 층들을 포함하고 이의 두께는 적어도 0.1 nm, 적어도 0.5 nm, 또는 적어도 1 nm이고; 두께는 100 nm 이하, 50 nm 이하, 20 nm 이하, 또는 10 nm 이하이고; 또는 두께 범위는 0.1 nm 내지 100 nm, 0.5 nm 내지 50 nm, 또는 1 nm 내지 10 nm인, 복합체 또는 방법.항목 55. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체의 가시광선 투과율은 적어도 약 60%, 적어도 약 65%, 또는 적어도 약 70%인, 복합체 또는 방법.항목 56. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체의 가시광선 투과율은 100% 이하, 95% 이하, 또는 90% 이하인, 복합체 또는 방법.항목 57. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체의 총 태양에너지 차단율은 적어도 50%, 적어도 약 52%, 적어도 약 55%, 약 55% 이상, 적어도 약 56%, 적어도 약 57%, 적어도 약 58%, 적어도 약 59%, 또는 적어도 약 60%인, 복합체 또는 방법.항목 58. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체의 총 태양에너지 차단율은 90% 이하, 80% 이하, 또는 70% 이하인, 복합체 또는 방법.항목 59. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체의 광 대 일사 이득 비율은 적어도 약 1.60, 이상 약 1.60, 적어도 약 1.61, 적어도 약 1.62, 적어도 약 1.63, 적어도 약 1.64, 적어도 약 1.65, 적어도 약 1.66, 적어도 약 1.67, 적어도 약 1.68, 적어도 약 1.69, 또는 적어도 약 1.70인, 복합체 또는 방법.항목 60. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체의 광 대 일사 이득 비율은 1.95 이하, 1.92 이하, 또는 1.90 이하인, 복합체 또는 방법.항목 61. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체의 가시광선 반사율은 적어도 0.5%, 적어도 1%, 또는 적어도 2%인, 복합체 또는 방법.항목 62. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체의 가시광선 반사율은 12% 이하, 10% 이하, 8% 이하, 또는 6% 이하인, 복합체 또는 방법.항목 63. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체는 적어도 제1 금속산화물계 층 및 제2 금속산화물계 층을 포함하는 금속산화물계 복합체 층을 포함하고, 복합체는 제2 금속산화물계 층에 인접하는 금속 층을 더욱 포함하고, 제2 금속산화물계 층은 격자 파라미터 a1인 금속산화물을 포함하고; 금속계 층은 격자 파라미터 a2인 금속을 포함하고, 또는 은계 층은 격자 파라미터 a2인 은계 화합물을 포함하고; a1 및a2 는 다음 식을 만족하는, 복합체 또는 방법.([sqrt(2)/2]a2)/a1 = x,식 중 x는 0.70 이상, 0.75 이상, 0.80 이상, 0.82 이상, 0.84 이상, 또는 0.86 이상의 값을 나타낸다.항목 64. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체는 적어도 제1 금속산화물계 층 및 제2 금속산화물계 층을 포함하는 금속산화물계 복합체 층을 포함하고, 복합체는 제2 금속산화물계 층에 인접하는 금속 층을 더욱 포함하고, 제2 금속산화물계 층은 격자 파라미터 a1인 금속산화물을 포함하고; 금속계 층은 격자 파라미터 a2인 금속을 포함하고, 또는 은계 층은 격자 파라미터 a2인 은계 화합물을 포함하고; a1 및a2 는 다음 식을 만족하는, 복합체 또는 방법. ([sqrt(2)/2]a2)/a1 = x,식 중 x는 1.5 이하, 1.4 이하, 1.3 이하, 1.2 이하, 1.1 이하, 또는 1.0 이하의 값을 나타낸다.항목 65. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체는 적어도 제1 금속산화물계 층 및 제2 금속산화물계 층을 포함하는 금속산화물계 복합체 층을 포함하고, 복합체는 제2 금속산화물계 층에 인접하는 금속 층을 더욱 포함하고, 제2 금속산화물계 층은 격자 파라미터 a1인 금속산화물을 포함하고; 금속계 층은 격자 파라미터 a2인 금속을 포함하고, 또는 은계 층은 격자 파라미터 a2인 은계 화합물을 포함하고; a1 및a2 는 다음 식을 만족하는, 복합체 또는 방법. ([sqrt(2)/2]*a2)/a1 = x,식 중 x는 0.75 내지 1.4, 0.84 내지 1.2, 또는 0.86 내지 1.0을 나타낸다.항목 66. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체는 적어도 제1 금속산화물계 층 및 제2 금속산화물계 층을 포함하는 금속산화물계 복합체 층을 포함하고, 복합체는 제2 금속산화물계 층에 인접한 금속층을 더욱 포함하고, 제2 금속산화물계 층은 실질적으로 산화티탄이 부재인, 복합체 또는 방법.항목 67. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 금속계 층들, 하나 이상의 은계 층들, 및/또는 하나 이상의 금속산화물계 층들 형성 단계는 스퍼터링 공정을 포함하는, 방법.항목 68. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 금속산화물계 층들 형성 단계는 스퍼터링 공정을 포함하고, 적어도 하나의 금속산화물계 층은 단일 회전 세라믹 타겟에서 증착률 1.5 nm.m².min-1.kW-1 이상으로 형성되는, 방법.항목 69. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 금속산화물계 층들 형성 단계는 스퍼터링 공정을 포함하고, 적어도 하나의 금속산화물계 층은 단일 회전 세라믹 타겟에서 증착률 3 nm.m².min-1.kW-1 이상으로 형성되는, 방법.항목 70. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 하나 이상의 금속산화물계 층들 형성 단계는 스퍼터링 공정을 포함하고, 적어도 하나의 금속산화물계 층은 단일 회전 세라믹 타겟에서 증착률 1.5 nm.m².min-1.kW-1 내지 10 nm.m².min-1.kW-1으로 형성되는, 방법.항목 71. 선행 항목들 중 어느 하나에 있어서, 복합체는 독립적이고, 복합체는 투명 재료에 부착되는, 복합체 또는 방법.항목 72. 투명 패널 및 투명 패널에 부착되는 선행 항목들 중 어느 하나에 의한 복합체를 포함하는, 창문. 항목 73. 투명 패널 및 투명 패널에 부착되는 선행 항목들 중 어느 하나에 의한 복합체를 포함하는 건축 부재 또는 자동차 부재.포괄적인 설명 또는 실시예들에서 상기되는 모든 작용들이 요구되지는 않으며, 특정한 작용의 일부는 요구되지 않을 수 있으며, 하나 이상의 다른 작용이 기술된 것들에 추가하여 실행될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 게다가, 작용들이 나열되는 순서가 반드시 이들이 실행되는 순서일 필요는 없다.장점들, 다른 이점들, 및 문제점들에 대한 해결방안이 특정한 실시태양들과 관련하여 상기되었다. 그러나, 장점들, 이점들, 문제들에 대한 해결방안, 및 임의의 장점, 이점, 또는 해결방안을 발생하게 하거나 더 현저하게 할 수 있는 임의의 특징(들)이 청구항들의 일부 또는 전부의 중요하거나, 요구되거나, 또는 필수적인 특징으로 해석되지 말아야 한다.명세서 및 본원에 기재된 실시태양들 설명은 다양한 실시태양들의 구조에 대한 포괄적 이해를 제공할 의도이다. 명세서 및 설명들은 본원에 기재된 구조 또는 방법들을 이용하는 모든 요소들 및 장치 및 시스템의 특징부들에 대한 전적이고 종합적인 설명으로 기능하지 않을 수 있다. 개별 실시태양들은 단일 실시태양의 조합으로도 제공되고, 반대로, 간결성을 위하여 단일 실시태양에 기재된 다양한 특징부들은, 개별적 또는 임의의 부조합으로도 제공될 수 있다. 또한, 범위 값들에 대한 언급은 범위에 속하는 각각 및 모든 값들을 포함한다. 본 명세서를 읽은 후 당업자들에게 많은 기타 실시태양들이 명백할 수 있다. 기타 실시태양들이 적용될 수 있고 본 발명에서 유래될 수 있고, 따라서 구조적 치환, 논리적 치환, 또는 다른 변형은 본 발명의 범위를 일탈하지 않고 가능하다. 따라서, 본 발명은 제한적이 아닌 단지 예시적으로 간주된다.	본 개시는 금속산화물계 복합체 층을 가지고 복합체 전체의 광학 특성, 일사 특성, 및 생산 속도를 상승적으로 개선시키는 광학적 투명 및 IR 반사 필름에 관한 것이다.
[ 발명의 명칭 ] 조류인플루엔자 바이러스 miRNA 및 이의 식별, 검출과 응용Avian influenza virus miRNA, and appraisal, detection, and application thereof [ 기술분야 ] 본 발명은 생물학 분야와 의학 분야에 관한 것이고, 더 구체적으로, 조류인플루엔자 바이러스 miRNA 및 이의 식별, 검출과 응용에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 인플루엔자 바이러스 입자는 두 가지 유형의 표면당단백질에 피복되고, 그중 한 가지 유형은 식물혈구응집소(즉 H)이고, 다른 한 가지 유형은 뉴라미니다아제(즉 N)이며, H는 또 15 개의 아류형(subtype)으로 구분되고, N는 9 개의 아류형으로 구분된다.인류의 모든 인플루엔자 바이러스는 모두 조류인플루엔자를 이르킬 수 있지만, 모든 조류인플루엔자 바이러스가 모두 인류 인플루엔자를 이르킬 수 있는 것은 아니고, 조류인플루엔자 바이러스에서, H5, H7, H9는 사람에게 전염될 수 있으며, 그 중에서 H5는 고병원성이고, H5N1은 조류인플루엔자 바이러스의 아류형이다. H5N1는 보건부 신규전염병예방치료법에 규정 보고에서의 법정전염병인 바, 인류감염 고병원성 조류인플루엔자로도 불리운다. 조류인플루엔자는 그 병원성에 따라 고병원성과 저병원성으로 구분될 수 있다. H5N1은 고병원성 조류인플루엔자 바이러스이다.1997년, H5N1 바이러스는 처음으로 중국 홍콩의 3세 어린이의 인플루엔자 사망 병례 표본에서 분리 식별해 냈다. 2012년까지, 대다수의 인류 감염병례는 모두 새들에서 직접 유래된 것이고, 개별적인 병례만 감염된 사람에서 유래된으로 해석되지만, 일반적으로, H5N1 바이러스는 아직 사람과 사람 사이에서 지속적인 전파체인을 구축하지 못한다. 조류인플루엔자 중환자는 일반적으로 모두 H5N1 아류형 바이러스에 의해 감염된 것이다. 환자는 급성적으로 발병하고, 초기 현상은 일반 인플루엔자와 유사하다. 주로 열이 나고, 체온은 대부분 39 이상을 유지하며, 발열 기간은 1~7일이고, 일반적으로 3~4일이며, 콧물, 코 막힘, 기침, 목통증, 두통, 근육통과 온몸이 불편한 현상이 발생할 수 있다. 일부분 환자는 구역질, 복통, 설사, 수용성 변 등 소화기 증상이 발생할 수 있다. 중환자 병세는 신속하게 발전하여, 폐렴, 급성 호흡 곤란 증후군, 폐 출혈, 흉수, 범 혈구 감소증, 신부전, 패혈증, 쇼크 등 각종 합병증이 발생할 수 있다. 백혈구 총수는 일반적으로 낮거나 또는 감소된다. 대부분 중환자는 백혈구 총수 및 림프구가 감소되는 현상이 있고, 혈소판이 감소되는 현상도 있다.H5N1 아류형 조류인플루엔자 바이러스는 현재 발견한 조류인플루엔자 바이러스에서 감염성이 가장 강하고, 치사율이 가장 높으며, 가장 널리 유행되는 바이러스로서, 상기 바이러스는 이미 세계의 많은 국가에서 유행되고 있다.현재, 상기 병에 대하여 아직 효율적이고 특이한 치료방법이 없고, 백신을 접종하는 것이 현재 비교적 효과적인 예방 조치와 중요한 일환이다. 따라서, 안전하고 효율적이며 저렴한 신규 백신을 연구 개발하는 것이 현재 조류인플루엔자 예방작업의 핫이슈 중의 하나이고, 백신에 대한 연구 개발은 이미 대량의 연구 결과를 얻었다. 하지만, 바이러스의 변이 속도가 빠라고 변이 종류가 많기에, 기존의 백신 연구 개발 속도는 바이러스 변종을 효과적으로 저항하는 것을 보증할 수 없고, 따라서, H5N1 감염 과정에 대한 깊은 연구 및 신규 치료 방법의 개발은 더욱 긴박하다.마이크로 리보핵산의 영문 이름은 microRNA이고, 이의 약자는 miRNA이며, 이는 길이가 약 19 내지 23 개의 뉴클레오타이드(nucleotide)의 비코딩 단일 가닥 작은 리보핵산 분자이고, 이들은 진화 방면에서 고도로 보수적이며, 생물세포에 널리 존재한다. 마이크로 리보핵산은 타겟 mRNA의 3'단 비번역 서열을 식별하고, 이와 불완전하게 상보됨으로써, 타겟 mRNA의 번역을 억제한다. 이의 서열, 구조, 존재비(abundance)와 발현 방식의 다양성에 의하여 마이크로 리보핵산은 메신저(messenger) RNA의 유력한 조절인자로 되고, 유전자 발현 조절 분야에서 상상을 초월하는 중요한 작용을 한다.마이크로 리보핵산은 동물의 많은 정상적인 생리 활동과 밀접한 관계가 있는 바, 생물 개체 발육, 조직 분화, 세포 사멸 및 에너지대사 등 생명활동의 여러가지 방면에 관련된다. 동시에, 마이크로 리보핵산은 많은 질환의 발생 및 발전과도 불가분하게 관련되고, 어떤 종류의 질환이 발생할 경우, 반드시 일부분의 마이크로 리보핵산의 발현량은 증가되고, 일부분은 감소된다.이미 관련 연구에서는, 바이러스 또는 미생물이 숙주세포를 감염한 후, 특이성의 miRNA를 코딩하고, 특이성 miRNA는 숙주 면역 관련 mRNA에 작용하며, 숙주의 사이토카인(cytokine) 시스템을 조절하여, 숙주의 면역 조절에 영향을 주는 것을 밝였다.상기 내용을 종합해 보면, 조류인플루엔자를 더 효과적으로 예방과 치료하기 위하여, 본 기술분야에서는 조류인플루엔자를 검출 및 치료하기 위한 관련 시약과 방법을 개발하는 것이 절박히 필요하다. [ 발명의 개요 ] 본 발명의 목적은 조류인플루엔자를 효과적으로 검출 및 치료할 수 있는 관련 시약과 방법을 제공하는 것이다.본 발명의 제1 양태에서, (i), SEQ ID NO:1, 2 또는 3으로 표시되는 서열을 갖는 miRNA; 또는 (ii), 길이가 20~26nt이고, SEQ ID NO.: 4로 표시되는 핵심 서열을 갖는 miRNA; 또는 (iii), (i) 또는 (ii) 중의 상기 miRNA의 뉴클레오타이드(nucleotide) 서열과 상보적인 miRNA로부터 선택되는 분리된 miRNA(microRNA)를 제공한다.다른 바람직한 예에서, 상기 상보적이라는 것은 기본적으로 상보적인 것(비상보적인 염기=3개, 바람직하게는 =3개, 더 바람직하게는 =1개)와 완전히 상보적인 것을 포함한다. 또 다른 바람직한 예에서, 상기 miRNA는 조류인플루엔자 바이러스에서 유래된다.또 다른 바람직한 예에서, 상기 miRNA는 조류인플루엔자 바이러스 H5N1에서 유래된다. 또 다른 바람직한 예에서, 상기 miRNA는 사람 또는 사람이 아닌 포유동물의 혈액, 체액 또는 조직샘플로부터 분리된다.또 다른 바람직한 예에서, 상기 혈액은 혈장 및/또는 혈청이다.또 다른 바람직한 예에서, 상기 사람이 아닌 포유동물은 마우스, 래트, 토끼, 돼지, 소, 양 등이다.또 다른 바람직한 예에서, 상기 miRNA는 사람으로부터 분리된다.본 발명의 제2 양태에서, 동물 세포 내에서 절단되어 본 발명의 제1 양태에 따른 miRNA로 발현될 수 있는 분리되거나 또는 인위적으로 구축되는 전구체 miRNA를 제공한다.다른 바람직한 예에서, 상기 동물 세포는 인간 세포를 포함한다.본 발명의 제3양태에서, 동물 세포에 의하여, 인간 세포 내에서 절단되어 본 발명의 제1 양태에 따른 miRNA로 발현될 수 있는 전구체 miRNA로 전사될 수 있는 분리된 폴리뉴클레오타이드(polynucleotide)를 제공한다.다른 바람직한 예에서, 상기 폴리뉴클레오타이드는 하기의 식 I로 표시되는 구조를 구비한다.식 I: Seq정방향-X-Seq역방향식 I에서, Seq정방향는 동물 세포에서 상기 miRNA로 발현될 수 있는 뉴클레오타이드 서열이고, Seq역방향는 Seq정방향와 기본적으로 상보적이거나 또는 완전히 상보적인 뉴클레오타이드 서열이며, X는 Seq정방향와 Seq역방향 사이에 위치한 스페이서 서열(spacer sequences)이고, 상기 스페이서 서열과 Seq정방향 및 Seq역방향는 비상보적이며, 식 I로 표시되는 구조는 인간 세포에 전이된 후, 하기의 식 II로 표시되는 이차구조(secondary structure)를 형성한다.식 II: 식 II에서, Seq정방향, Seq역방향와 X의 정의는 상기와 같고, \|\|는 Seq정방향와 Seq역방향 사이에 형성되는 상보적 염기 페어링(pairing) 관계를 표시한다.본 발명의 제4 양태에서, 본 발명의 제1 양태에 따른 miRNA 또는 제2 양태에 따른 폴리뉴클레오타이드를 함유하는 담체를 제공한다.본 발명의 제5 양태에서, (a), 조류인플루엔자를 검출하는 시약, 검출 칩 또는 키트(kit)를 제조하거나; 또는 (b), 폴리(C) 결합 단백질 2(PCBP2, poly(C) binding protein 2)의 발현 또는 활성을 제어하는 조절제를 제조하거나; 또는 (c), 사이토카인 발현을 제어하는 시약을 제조하기 위한 본 발명의 제1 양태에 따른 miRNA의 용도를 제공한다.다른 바람직한 예에서, 상기 PCBP2의 발현 또는 활성을 제어하는 조절제는 PCBP2의 발현 또는 활성을 감소하는 억제제이다.또 다른 바람직한 예에서, 상기 사이토카인은 TNF-α, IFN-β, IL-6, IL-1β 또는 이들의 조합을 포함한다.본 발명의 제6 양태에서, 고상 담체; 및 본 발명의 제1항에 따른 miRNA를 특이적으로 포획하고, 상기 고상 담체에 순차적으로 고정되는 올리고뉴클레오타이드 프로브(oligonucleotide probe)를 포함하는 핵산 칩(Nucleic Acid Chip)(예를 들면, miRNA 칩)을 제공한다.본 발명의 제7 양태에서, 조류인플루엔자를 검출하는 키트를 제조하기 위한 본 발명의 제6 양태에 따른 핵산 칩의 용도를 제공한다.본 발명의 제8양태에서, 제7 양태에 따른 핵산 칩 또는 본 발명의 제1 양태에 따른 miRNA를 함유하는 키트를 제공한다.본 발명의 제9 양태에서, 본 발명의 제1 양태에 따른 miRNA를 특이적으로 억제 또는 차단하는 억제제를 제공한다.다른 바람직한 예에서, 상기 억제제는 miRNA 해면(sponge), miRNA 서열과 상보적인 안티센스 핵산(antisense nucleic acid), 소분자 화합물이다. 또 다른 바람직한 예에서, 상기 억제제는 (i) 또는 (ii) 중의 상기 miRNA의 뉴클레오타이드 서열과 상보적인 핵산(예를 들어, RNA, DNA 또는 유사체 등)이다.본 발명의 제10 양태에서, (a), 조류인플루엔자를 치료하는 약물; (b), 조류인플루엔자 증상을 완화시키는 약물; (c), 숙주동물 중의 조류인플루엔자 바이러스 수량을 감소하는 약물; (d), 조류인플루엔자 사망률을 감소하는 약물; 및 (e), 과도한 면역을 감소하는 약물을 제조하기 위한, 본 발명의 제9 양태에 따른 miRNA의억제제의 용도를 제공한다.본 발명의 제11 양태에서, 약학적으로 허용 가능한 담체와 본 발명의 제1항에 따른 miRNA를 특이적으로 억제 또는 차단하는 억제제를 포함하는 약물 조성물를 제공한다.다른 바람직한 예에서, 상기 miRNA의 억제제는 해면, miRNA 서열과 상보적인 안티센스 핵산이다.본 발명의 제12 양태에서, 실험군과 대조군을 제공하고, 상기 실험군에서 후보물질을 실험군의 세포 또는 동물에 투여하여, 투여된 후의 상기 실험군 중의 miR-HA-3p의 발현 수준을 측정하며, 상기 대조군에 실험군과 동일한 조건을 사용하지만, 후보물질을 대조군의 세포 또는 동물에 투여하지 않는 단계(a); 및 실험군의 miR-HA-3p와 대조군의 miR-HA-3p의 발현 수준을 비교하는 단계(b)를 포함하고, 실험군의 miR-HA-3p의 발현 수준이 대조군의 miR-HA-3p의 발현 수준보다 현저히 낮을 경우, 상기 후보물질이 조류인플루엔자를 치료하는 후보약물임을 의미하는 조류인플루엔자를 치료하는 후보약물의 선별방법을 제공한다.다른 바람직한 예에서, 상기 miR-HA-3p의 서열은 SEQ ID NO.: 1~3로 표시된다.또 다른 바람직한 예에서, 상기 동물은 마우스를 포함하고, 상기 세포는 체외에서 배양되는 세포를 포함한다.본 발명의 제13 양태에서, PCBP2의 발현 또는 활성을 감소하는 조절제 또는 약물 조성물을 제조하기 위한 miR-HA-3p의 용도를 제공한다.다른 바람직한 예에서, 상기 miR-HA-3p의 서열은 SEQ ID NO.: 1~3로 표시된다.본 발명의 범위 내에서, 본 발명의 상기 각 기술특징과 후술되는(예를 들면, 실시예) 구체적인 설명의 각 기술특징은 모두 서로 조합되어, 새롭거나 또는 바람직한 과제의 해결수단을 구성할 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 편폭의 제한으로 일일이 다시 설명하지 않는다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 조류인플루엔자 H5N1이 숙주세포를 감염한 후, 특수한 소분자 miR-HA-3p를 방출하는 것을 나타낸다.도 2는 miR-HA-3p가 타겟 유전자 PCBP2에 대한 억제작용을 나타낸다.도 3은 H5N1 야생형과 변이주에 감염된 대식세포에서, miR-HA-3p가 사이토카인의 분비에 대한 영향을 나타낸다.도 4는 miR-HA-3p 억제제를 사용하여 처리한 후의 PCBP2의 발현상황을 나타낸다.도 5는 H5N1 또는 H5N1 변이주에 감염된 대식세포가 상이한 처리조건하에서 TNF-α, IFN-β, IL-1β 또는 IL-6 mRNA의 발현 수준을 나타낸다.도 6은 마우스 모델에서 miR-HA-3p가 H5N1 감염과 정적 상관되는 것을 나타낸다.도 7은 상이한 처리조건하에서 4일 후의 마우스 폐부의 PCBP2 단백질 수준을 나타낸다.도 8은 조직 병리학 방법으로 여러 군의 마우스의 폐부 조직을 실험한 연구결과를 나타낸다. 각 도면에서, 'Mut'는 돌연변이를 표시하고, 'control'는 대조를 표시하며, 'Marker'는 분자량 기준을 표시하고, 'Mock'는 공백 대조를 표시한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명자는 광범위하고 철저한 실험을 거친 후, 체내 병원체(감염 미생물, 기생 미생물, 공생 미생물 등, 예를 들어, 바이러스, 세균, 원시 세균, 클라미디아(chlamydia), 원생생물)는 비코딩 RNA(non-coding RNA, ncRNA)을 방출하고, miRNA를 포함하는데, 이러한 특정된 ncRNA는 체내 병원체의 바이오마커(biomarkers)로 사용할 수 있으며, 체내 병원체의 검출과 치료에 효과적으로 사용되어, 미생물 감염성 질환의 진단과 치료를 효과적으로 개선할 수 있는 것을 최초로 예기치 않게 발견하였다. 이러한 기초 상에서 본 발명을 완성하였다.구체적으로, 본 발명자는 조류인플루엔자 동물 샘플을 검출하는 microRNA 발현 프로파일(expression profile) 수준을 통하여, 처음으로 miR-HA-3p인 특이성의 microRNA를 선별해 냈다. 실험에 의하면, miR-HA-3p는 microRNA 마커로서, 조류인플루엔자 바이러스와 조류인플루엔자를 매우 효과적으로 검출할 수 있는 것을 증명한다. 이 밖에, miR-HA-3p를 억제하는 기능을 통하여, 효과적으로 조류인플루엔자 증상을 완화시키거나 또는 조류인플루엔자를 치료할 수 있다. 본 발명에서 처음으로 제시하는 microRNA에 기반하여, 시약과 치료 시약 및 상응한 키트로 개발하여, 조류인플루엔자(예를 들어, H5N1)의 검출과 치료에 적용할 수 있다.실험에 의하면, H5N1은 숙주세포를 감염한 후, 특수한 소분자 물질 miR-HA-3p를 방출하여 숙주 체내 순환에 진입하고, 또한 miR-HA-3p의 발현량과 바이러스의 감염 수준은 정적 상관인 것을 확인하였다. 본 발명은 miR-HA-3p의 타겟 유전자가 PCBP2이고, miR-HA-3p는 PCBP2 mRNA에 대한 작용을 통하여 PCBP2 단백질 발현을 감소하기 때문에, MAV로 매개한 항 바이러스 과정의 증가를 초래함으로써, H5N1 감염 과정에서 과도한 면역 응답(immuno response) 또는 사이토카인 폭풍(cytokine storm)을 이르킨다는 것을 더 발견하였다. 본 발명은 인류 대식세포 모델 및 마우스 모델을 구축하여, miR-HA-3p를 차단한 후, 숙주의 염증 반응을 완화시키고, 마우스의 생존율을 향상시킬 수 있는 것을 증명하였다.본 발명은 miR-HA-3p 특이성의 자극제와 억제제를 구축하여, miR-HA-3p 발현 수준을 조절하는 목적을 달성함으로써, H5N1 바이러스에 의한 각종 면역 반응 및 조직학적 병변을 완화 및 치료할 수 있다. 이러한 처료법은 특이성이 강하고, 효율이 높으며, 부작용이 작고, 원가가 낮으며, 또한 이러한 방법은 인류가 H5N1 바이러스 및 그 변종을 저항하는데에 새로운 사로를 제공한다.용어본 명세서에서 사용한 바와 같이, 용어 '본 발명의 miRNA', '조류인플루엔자 H5N1 특이성 miRNA'는 서로 교체하여 사용할 수 있는 것으로, miR-HA-3p-1, miR-HA-3p-2, miR-HA-3p-3 및 그 핵심 서열(SEQ ID NO.: 4)을 갖는 유사한 miRNA를 포함하는 miR-HA-3p를 의미한다. 본 명세서에서 사용한 바와 같이, 용어 '억제제', '길항제'와 '차단제'는 서로 교체하여 사용할 수 있고, 이들의 함의는 동일하다.본 명세서에서 사용한 바와 같이, 용어 'miR-HA-3p 차단제', '본 발명의 차단제', '본 발명의 억제제'는 miR-HA-3p 기능을 억제 또는 차단하는 물질을 의미하는 바, 예를 들면, 안티센스 서열 또는 핵산 해면 등이다. 이러한 억제제는 miR-HA-3p와 PCBP2의 mRNA의 결합을 억제할 수 있고, 또는 miR-HA-3p이 타겟 유전자 PCBP2 발현을 감소할 수 있다.본 명세서에서 사용한 바와 같이, 용어 'Agomir'는 miRNA 자극제를 의미한다. Agomir는 microRNA 성숙체 서열에 따라 설계될 수 있고, 특수 마킹을 거쳐 화확 수식되는 이중 가닥 작은 RNA 분자는 내생성(endogeneity) 성숙체 miRNA 서열을 시뮬레이션하는데에 사용된다. 일반적으로, agomir는 타겟 miRNA 성숙체 서열과 일치한 한 가닥의 서열 및 miRNA 성숙체 서열과 상보적인 한 가닥의 서열을 포함한다. 특이성의 microRNA agomir는 대응되는 microRNA를 발현하는 세포 내에 도입될 수 있고, microRNA 작용을 시뮬레이션하거나, 또는 miRNA 결합 부위가 구축되어 있는 듀얼 루시페라제(dual-luciferase) 리포터 시스템과 결합하여, miRNA과 타겟 유전자 사이의 제어관계를 검증한다.본 명세서에서 사용한 바와 같이, 용어 'Antagomir'는 miRNA 차단제를 의미한다. Antagomir는 microRNA 성숙체 서열에 따라 설계될 수 있고, 특수 마킹을 거쳐 화확 수식되는 단일 가닥 작은 RNA는 전문적으로 내생성 microRNA를 억제하는 효율적인 차단제이다. Agomir와 antagomir는 제공되는 짧은 RNA의 서열에 따라 통상적인 방법으로 설계 및 합성된다.본 명세서에서 사용한 바와 같이, 용어 'Ago2'는 argonaute RISC catalytic component 2를 의미한다. 이는 RISCs 복합체를 구성하는 주요 성분이고, 간섭성 짧은 RNA-매개의 유전자 침묵(short-interfering-RNA-mediated gene silencing)에 참여한다.본 발명에서 SEQ ID NO: 1~4는 조류인플루엔자 바이러스에 관한 것으로 더욱 구체적으로 조류인플루엔자 바이러스 H5N1(Avian influenza virus H5N1)에 관한 것이다. miRNA 및 이의 전구체 본 발명은 신규 조류인플루엔자 바이러스에서 유래되는 miRNA를 제공한다. 본 명세서에서 사용한 바와 같이, 상기 'miRNA'는 일종의 RNA 분자를 의미하고, miRNA 전구체를 형성할 수 있는 전사물을 가공하여 형성한다. 성숙한 miRNA는 일반적으로 18~26 개의 뉴클레오타이드 (nt)(특히 약 19~22nt)를 구비하고, 기타 수량의 뉴클레오타이드를 구비하는 miRNA 분자일 수도 있다. miRNA는 통상적으로 노던법(Northern blot)에 의하여 검출될 수 있다. 본 명세서에서 사용한 바와 같이, '분리됨’은 물질이 이의 오리지널 환경으로부터 분리되는(만약 자연적인 물질이면, 오리지널 환경은 자연환경임) 것을 의미한다. 생체 세포 내의 자연적인 상태에서의 폴리뉴클레오타이드와 폴리펩티드(polypeptide) 등은 분리 및 정제되지 않았지만, 동일한 폴리뉴클레오타이드 또는 폴리펩티드 등은 자연적인 상태에서 동존하는 기타 물질로부터 이격되면, 분리 정제된 것이다.miRNA는 전구체 miRNA(Precursor miRNA, Pre-miRNA) 로부터 가공되어 얻는 것이고, 상기 전구체 miRNA는 안정한 줄기 루프(머리핀) 구조로 폴딩될 수 있으며, 상기 줄기 루프 구조의 길이는 일반적으로 50~100bp 사이에 있다. 상기 전구체는 안정한 줄기 루프 구조로 폴딩될 수 있고, 줄기 루프 구조의 줄기부 양측에는 기본적으로 상보적인 두 개의 서열을 포함한다. 상기 전구체 miRNA는 자연적이거나 또는 인위적으로 합성될 수 있다.전구체 miRNA는 절단되어, 암호화 유전자의 mRNA의 적어도 일부분의 서열과 상보적일 수 있는 miRNA를 생성할 수 있다. 본 명세서에서 사용한 바와 같이, '기본적으로 상보적임’은 뉴클레오타이드의 서열은 충분히 상보적이고, 예측 가능한 방식으로 상호작용을 발생할 수 있는 것을 의미하며, 예를 들어, 이차구조(줄기 루프 구조와 같음)를 형성하는 것이다. 일반적으로, 두 개의 '기본적으로 상보적’의 뉴클레오타이드 서열의 상호 사이에는 적어도 70%의 뉴클레오타이드가 상보적이고, 바람직하게는, 적어도 80%의 뉴클레오타이드가 상보적이며, 더 바람직하게는, 적어도 90%의 뉴클레오타이드가 상보적이고, 가장 바람직하게는, 98%, 99% 또는 100%와 같이 적어도 95%의 뉴클레오타이드가 상보적인 것이다. 일반적으로, 두 개의 충분히 상보적인 분자 사이에는 최대 40 개의 비매칭되는 뉴클레오타이드가 존재할 수 있고, 바람직하게는, 최대 30 개의 비매칭되는 뉴클레오타이드가 존재하며, 더 바람직하게는, 최대 20 개의 비매칭되는 뉴클레오타이드가 존재하고, 가장 바람직하게는, 1개, 2개, 3개, 4개, 5개, 8 개의 비매칭되는 뉴클레오타이드와 같이 최대 10 개의 비매칭되는 뉴클레오타이드가 존재한다.본 명세서에서 사용한 바와 같이, '줄기 루프’ 구조는 '머리핀’ 구조로도 불리우는 것으로, 뉴클레오타이드 분자를 의미하며, 이는 이중 가닥 영역(줄기부)을 형성할 수 있는 바, 상기 이중 가닥 영역은 상기 뉴클레오타이드 분자의 두 개의 영역(동일한 분자에 위치함)으로 형성되고, 두 개의 영역은 이중 가닥 부분의 양측에 각각 배열되며; 상기 '줄기 루프’ 구조는 비상보적인 뉴클레오타이드 분자, 즉, 단일 가닥 영역을 포함하는 적어도 하나의 '루프’ 구조를 더 포함한다. 가령 상기 뉴클레오타이드 분자의 두 개의 영역이 완전히 상보적이 아니더라도 상기 뉴클레오타이드의 이중 가닥 부분은 이중 가닥 상태를 유지할 수 있다. 예를 들면, 삽입, 결실, 치환 등은 하나의 소영역의 비상보적 또는 상기 소영역 자체의 비상보적 또는 상기 소영역 자체가 줄기 루프 구조를 형성하거나 또는 기타 형식의 이차구조를 초래할 수 있다. 그러나, 상기 두 개의 영역은 여전히 기본적으로 상보적이며, 예측 가능한 방식에서 상호작용을 발생하고, 줄기 루프 구조의 이중 가닥 영역을 형성할 수 있다. 줄기 루프 구조는 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자들이 익숙한 것이고, 일반적으로 일차 구조를 구비하는 하나의 뉴클레오타이드 서열의 핵산을 획득한 후, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자들은 상기 핵산이 줄기 루프 구조를 형성할 수 있는지의 여부를 확정할 수 있다.본 발명에서 설명한 miRNA는 SEQ ID NO: 1~3으로 표시되는 서열 또는 SEQ ID NO.:4로 표시되는 핵심 서열을 갖는다. miRNA의 안정성 또는 기타 성질을 향상시키기 위하여, 상기 miRNA의 적어도 하나의 일단에 'TT' 등과 같은 적어도 하나의 보호성 염기를 추가할 수도 있다. 안티센스 올리고뉴클레오티드 본 발명에서 제시한 miRNA 서열에 따르면, 체내에서 상응한 miRNA의 발현을 감소할 수 있는 안티센스 올리고뉴클레오티드를 설계해 낼 수 있다. 본 명세서에서 사용한 바와 같이, '안티센스 올리고뉴클레오티드(antisense-oligonucleotides, AS-Ons 또는 ASO)'는 '안티센스 뉴클레오타이드'로도 불리우고, 길이가 약 18~26nt(특히 약 19~22nt)의 DNA 분자 또는 RNA 분자 또는 그 유사체를 의미한다.본 발명에서, 상기 '안티센스 올리고뉴클레오티드'는 잠금 핵산 또는 핵산 체인 백본(chain backbone) 수식기술 등을 기반으로 하는 수단을 사용하여 획득하는 수식을 거친 안티센스 뉴클레오타이드 등을 더 포함하고, 상기 수식은 안티센스 올리고뉴클레오티드의 활성을 거의 개변시키지 않으며, 더 바람직하게는, 상기 수식은 안티센스 올리고뉴클레오티드의 안정성, 활성 또는 치료효과를 향상시킬 수 있다. 잠금 핵산(locked nucleic acid, LNA)은 일반적으로 하나의 메틸렌 브릿지(methylene bridged)를 통하여 리보오스(ribose)의 2' 산소 원자와 4' 탄소 원자를 연결시키는 수식기술을 의미한다. LNA는 miRNA의 혈청 반감기를 연장하고, 타겟에 대한 친화성을 향상시키며, 오프 타겟 작용의 범위와 수준을 감소시킬 수 있다. 핵산 체인 백본의 수식기술을 기반으로 제시되는 안티센스 약물은 가용성, 뉴클레아제 분해를 저항하는 등 방면에서 크게 개선되고, 대량 합성에 용이하다. 올리고뉴클레오티드의 백본 수식 방법에는 티오법을 포함하는 다양한 방법이 존재하는 바, 예를 들어, 디옥시뉴클레오티드 체인을 티오디옥시뉴클레오티드 체인으로 티오수식하는 것이다. 상기 방법은 DNA 백본의 인산결합의 산소 원자를 유황 원자로 교체하여, 안티뉴클레아제 분해를 저항할 수 있다. 상기 안티센스 올리고뉴클레오티드의 대부분 또는 전부 활성을 유지할 수 있는 어떠한 수식도 모두 본 발명에 포함된 것으로 이해해야 된다.본 발명의 바람직한 양태로서, 안티센스 올리고뉴클레오티드에 대하여 잠금 핵산 수식을 진행하고, 더 바람직하게는 티오 수식을 진행한다.본 발명에서 설명한 안티센스 올리고뉴클레오티드는 동물(예를 들면, 조류인플루엔자 환자) 체내에 전이된 후, 이들은 관련되는 miRNA의 발현을 현저히 감소할 수 있다. 폴리뉴클레오타이드 구축물본 발명에서 제시한 miRNA 서열에 따르면, 도입된 후 상응한 mRNA의 발현에 영향을 줄 수 있는 miRNA로 가공되는 폴리뉴클레오타이드 구축물을 설계해 낼 수 있는 바, 다시 말하면, 상기 폴리뉴클레오타이드 구축물은 체내에서 상응한 miRNA의 량을 증가할 수 있다. 따라서, 본 발명은 인간 세포에 의하여 전구체 miRNA로 전사될 수 있는 분리된 폴리뉴클레오타이드(구축물)을 제공하고, 상기 전구체 miRNA는 인간 세포에 의하여 절단되고 상기 miRNA로 발현될 수 있다.본 발명의 바람직한 양태로서, 상기 폴리뉴클레오타이드 구축물은 하기의 식 I로 표시되는 구조를 함유한다.식 I: Seq정방향-X-Seq역방향식 I에서, Seq정방향은 동물 세포에서 상기 miRNA로 발현될 수 있는 뉴클레오타이드 서열이고, Seq역방향은 Seq정방향와 기본적으로 상보적인 뉴클레오타이드 서열 또는 세포에서 상기 miRNA로 발현될 수 있는 뉴클레오타이드 서열이며, Seq정방향은 Seq정방향과 기본적으로 상보적인 뉴클레오타이드 서열이고, X는 Seq정방향와 Seq역방향 사이에 위치한 스페이서 서열이며, 또한 상기 스페이서 서열과 Seq정방향 및 Seq역방향은 서로 비상보적이며, 식 I로 표시되는 구조는 동물 세포에 전이된 후, 하기의 식 II로 표시되는 이차구조를 형성한다.식 II: 식 II에서, Seq정방향, Seq역방향와 X의 정의는 상기와 같고, \|\|는 Seq정방향와 Seq역방향 사이에 형성되는 상보적 염기 페어링 관계를 표시한다.일반적으로, 상기 폴리뉴클레오타이드 구축물은 발현 담체에 위치한다. 따라서, 본 발명은 담체를 더 포함하는 바, 이는 상기 miRNA 또는 상기 폴리뉴클레오타이드 구축물을 함유한다. 상기 발현 담체는 일반적으로 프로모터(promoter), 복제기점(origin of replication) 및/또는 표지 유전자(marker gene) 등을 함유한다. 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자들이 숙지하는 방법은 본 발명에서 수요한 발현 담체를 구축할 수 있다. 이러한 방법은 체외 DNA 재조합 기술, DNA 합성 기술,체내 재조합 기술 등을 포함한다. 상기 발현 담체는 바람직하게 하나 또는 여러개의 선택적 표지 유전자를 포함하여, 전환된 숙주세포를 선택하는 표현형 형질을 제공하도록 할 수 있는 바, 예를 들어, 카나마이신(kalamycin), 젠타마이신(gentamycine), 히그로마이신(Hygromycin), 암피실린(Ampicillin) 내성이다. 검출시약, 검출 칩과 검출키트본 발명은 본 발명의 검출시약 또는 검출칩을 포함하는, 조류인플루엔자 바이러스 또는 조류인플루엔자를 검출하기 위한 키트를 더 제공한다. 상기 키트는 본 발명의 조류인플루엔자 특이성 miRNA 의 발현 프로파일의 검출에 사용될 수 있거나, 또는 조류인플루엔자 바이러스 또는 조류인플루엔자의 검출에 사용될 수 있고, 바람직하게는, 상기 키트는, RNA 샘플을 마킹하기 위한 마커; 및 마커와 서로 대응되는 기질을 더 포함한다.이 밖에, 상기 키트는 RNA의 추출, 중합효소 연쇄 반응 (PCR, polymerase chain reaction), 혼성화, 발색 등에 수요되는 각종 시약을 더 포함할 수 있고, 추출액, 증폭액, 혼성화액, 효소, 대조액, 발색액, 세액, 항체 등을 포함하지만 이에 한정되지 않는다.이 밖에, 상기 키트에는 사용 설명서 및/또는 칩 이미지 분석 소프트웨어를 더 포함할 수 있다. 칩일반적으로, microRNA발현 프로파일칩은 몇 백개, 몇 천개 또는 더 많은 프로브를 포함하고, 다양한 microRNA를 포함하며, 동질 이중 가닥이 상보적인 원리를 이용하여 샘플에 함유된 각종 microRNA의 함량을 검출한다. 따라서, 동일한 시기에 테스트 샘플 중의 microRNA의 전사 수준을 검출할 수 있다. 본 발명에서 설명한 miRNA 서열을 이용하면, 상응한 miRNA칩을 더 제조할 수 있어, 이의 발현 프로파일 및 miRNAs의 조절 방식을 연구할 수 있다.다른 양태에서, 본 발명은 조류인플루엔자 바이러스 또는 조류인플루엔자를 검출할 수 있는, miRNA 발현 프로파일을 분석하기 위한 칩을 더 제공한다. 본 발명에서 설명한 miRNA칩은 고상 담체 및 상기 고상 담체에 순차적으로 고정되는 올리고뉴클레오타이드 프로브를 포함하고, 상기 올리고뉴클레오타이드 프로브는 SEQ ID NO: 1~4로 표시되는 서열에 대한 핵산 서열을 포함한다.구체적으로, 본 발명에서 제시한 miRNA에 따르면, 고상 담체에 고정되고, '올리고뉴클레오티드 어레이(array)’를 형성하는 적합한 프로브를 설계할 수 있다. 상기 '올리고뉴클레오티드 어레이’는 어드레싱(addressing)(즉, 차별적이고 액세스 가능한 주소를 트징으로 하는 위치) 가능한 어레이를 구비하고, 매 하나의 어드레싱 가능한 위치에는 모두 이와 관련되는 하나의 특징적 올리고뉴클레오티드를 함유되는 것을 의미한다. 수요에 따라, 올리고뉴클레오티드 어레이를 여러 개의 서브 어레이로 나눌 수 있다.상기 고상 담체로는 유전자칩 분야의 각종 흔히 사용하는 재료를 사용할 수 있고, 예를 들면, 나일론 필름, 활성기(예를 들면, 알데하이드기, 아미노기 등) 수식을 거친 유리칩 또는 실리콘칩, 수식을 거치지 않은 유리칩, 플라스틱칩 등 일 수 있지만 이에 한정되지 않는다.본 기술분야의 공지된 바이오칩의 통상적인 제조 방법을 사용하여 상기 miRNA칩을 제조할 수 있다. 예를 들면, 만일 고상 담체로서 사용한 것이 수식 유리칩 또는 실리콘칩이고 프로브의 5'단에는 아미노기 수식의 축dT번들이 함유되면, 올리고뉴클레오타이드 프로브를 용액으로 조제할 수 있고, 그 다음 마이크로배열기(Microarrayer)를 사용하여 이를 수식 유리칩 또는 실리콘칩에 배열하고, 기설정한 서열 또는 어레이로 배열한 후, 하룻밤 방치하여 고정시키면 본 발명의 miRNA칩을 얻을 수 있다.본 발명에서 설명한 RNA과 miRNA칩 사이의 고상 혼성화는 본 기술분야의 전형적인 방법에 의하여 진행되고, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자들은 경험에 의하여 버퍼, 프로브와 샘플 농도, 전혼성화 온도, 혼성화 온도 및 시간 등과 관련되는 가장 적합한 조건을 쉽게 확정할 수 있다. 또는 003c#분자클론실험지침서003e#에서 제시한 내용을 참조할 수도 있다.그 다음, 마킹 신호가 miRNA칩에 위치한 위치, 강도 등 정보에 의하여 데스트 정보를 획득한다. 증폭산물을 형광단(fluorophore)으로 마킹하면, 형광 검출기기(예를 들면, 레이저 공초점 스캐너Scanarray 3000 등)를 직접 사용하여 테스트 정보를 얻을 수도 있다.약물 조성물본 발명은 약학적으로 허용 가능한 담체 또는 유효량의 본 발명의 miRNA(예를 들면, miR-HA-3p)의 억제제, 차단제 또는 길항제를 포함하는 약물 조성물을 더 제공한다.본 명세서에서 사용한 바와 같이, 용어 '유효량' 또는 '유효조제량'은 사람 및/또는 동물에 대하여 기능 또는 활성을 발생할 수 있고 사람 및/또는 동물에게 허용되는 양을 의미한다. 본 명세서에서 사용한 바와 같이, '약학적으로 허용 가능한 '의 성분은 사람 및/또는 동물(예를 들면, 포유동물과 가금류)에 적용되고 과도한 부작용(예를 들면, 독성, 자극과 변태적 반응)이 없는 것인 바, 즉, 합리적인 효익/위험성을 구비하는 물질이다. 용어 '약학적으로 허용 가능한 담체'는, 각종 부형제와 희석제를 포함하고 치료제 투여에 사용되는 담체를 의미한다.본 발명의 약물 조성물은 안전 유효량의 본 발명의 활성 성분 및 약학적으로 허용 가능한 담체를 함유한다. 이러한 종류의 담체는 염수, 버퍼, 글루코오스(glucose), 물, 글리세린(glycerin), 에틸알코올(ethyl alcohol) 및 이들의 조합을 포함한다(이에 한정되지 않음), 일반적으로, 약물 제제는 응당 투여 방식과 서로 매칭되어야 하고, 본 발명의 약물 조성물의 제제는 주사제, 경구 제제(정제, 캡슐, 드링크제), 경피제, 지연제이다. 예를 들면, 생리염수 또는 글루코오스와 기타 보조제를 함유하는 수용액으로 통상적인 방법를 통하여 제조한다. 상기 약물 조성물은 무균 조건에서 제조해야 한다.본 발명에서 제시한 활성 성분의 유효량은 투여의 방식과 치료될 질환의 엄중한 정도 등에 따라 변화될 수 있다. 바람직한 유효량의 선택은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자들에 의하여 각종 요소에 따라 확정될 수 있다(예를 들면, 임상 실험을 통함), 상기 요소는, 생체 이용률, 대사, 반감기 등과 같은 상기 활성 성분의 약물동태학 파라미터, 또는 환자의 치료하고자 하는 질환의 엄중한 정도, 환자의 체중, 환자의 면역 상황, 투여의 경로 등을 포함하지만 이에 한정되지 않는다. 일반적으로, 본 발명의 활성 성분을 매일 약 0.00001mg~50mg/kg 동물체중(바람직하게는 0.0001mg~10mg/kg 동물 체중)의 조제량으로 투여하면, 만족스러운 효과를 얻을 수 있다. 예를 들면, 치료 상황의 절박한 요구에 의하여, 매일 여러 번으로 나눈 조제량을 투여하거나, 또는 조제량을 비례에 따라 감소할 수 있다.본 발명에서 제시한 약학적으로 허용 가능한 담체는 물, 염수, 리포좀, 지질, 단백질, 단백질-항체 복합체, 펩티드 물질, 섬유소, 나노겔 또는 이들의 조합을 포함한다(이에 한정되지는 않음). 담체의 선택은 응당 투여 방식과 서로 매칭되어야 하고, 이러한 내용은 모두 본 발명이 속하는 기술분야의 통삭의 지식을 가진 자들이 숙지하는 것이다.본 발명은, 조류인플루엔자를 치료하고, 조류인플루엔자 증상을 완화시키며, 숙주동물 중의 조류인플루엔자 바이러스 수량을 감소하고, 조류인플루엔자 사망률을 감소하며, 과도한 면역 등을 감소하기 위한 약물을 제조하는데 있어어의 상기 약물 조성물의 용도를 더 제공한다.본 발명의 주요한 우점은 하기와 같다.(a), 본 발명은 한 가지 종류의 조류인플루엔자 H5N1 바이러스의 특이성 microRNA를 제공하는 바, 즉 miR-HA-3p이다. (b), 본 발명의 miRNA는 조류인플루엔자 바이러스 또는 조류인플루엔자를 검출하는 마커로 사용될 수 있고, 조류인플루엔자 바이러스 또는 조류인플루엔자를 매우 효과적으로 검출할 수 있다. (c) 본 발명의 miRNA는 조류인플루엔자를 치료하는 타겟으로도 사용될 수 있고, 본 발명의 miRNA에 대한 억제제(또는 차단제)를 사용하여, H5N1 바이러스에 의한 질환을 표적화(targeting) 치료할 수 있다. 이하 구체적인 실시예를 결합하여 본 발명을 더 설명한다. 이해해야 할 것은, 이러한 실시예는 단지 본 발명을 설명하기 위한 것일 뿐 본 발명의 범위를 한정하기 위함은 아니다. 하기의 실시예에서 구체적인 조건을 밝히지 않은 실험방법은 일반적으로 통상적인 조건에 따르는 바, 예를 들면, Sambrook 등, 분자클론: 실험실 수첩(New York: Cold Spring Harbor Laboratory Press, 1989)에 제시한 조건에 따르거나 제조사에서 건의한 조건에 따라 실행한 것이다. 달리 명시하지 않으면, 백분비와 분수는 중량백분비와 중량분수이다.실시예 1. H5N1 코딩 miRNAs의 선별 및 검출우선, 컴퓨터를 이용하여 모델링하고, H5N1가 코딩한 miR를 선별한다. 실시정량 중합효소 연쇄 반응(PCR, polymerase chain reaction)를 이용하여, H5N1에 감염된 여러 가지 세포에서 선별해 낸 miRs의 발현 수준을 검출하고, RNA 블로팅(blotting)을 이용하여 miR-HA-3p의 발현 수준을 더 검증한다.1.1 실험방법1), 컴퓨터 모델링 소프트웨어를 이용하고, 구조와 유사성에 따라, 미지의 miRNAs 전구체과 공지된 miRNAs전구체를 비교하는 방법을 이용하여, H5N1 인플루엔자 바이러스의 4 가지 아류형(H1N1, H3N2, H5N1과 H9N2)을 상기와 같은 비교 대조를 진행하여, H5N1에 의하여 코딩되는 18 개의 후보의 특수한 miRNAs 전구체를 획득하여 상응한 miRNAs를 예측해 낸다. H5N1 감염 세포에 예측되는 miRNAs를 함유하는지의 여부를 검출하도록, 18 개의 후보 miRNAs에 대하여 실시정량 PCR를 진행하고, 사용되는 RNA 샘플은 H5N1 감염된 HEK293A, HEK293T, A549와 MDCK 세포로부터 추출된다. miRNA 발현량 검출은 U6을 참조 유전자로 한다.2), 선별해 낸 발현량이 현저하게 변화된 miR-HA-3p인 miRNA에 대하여, 실시정량 PCR법을 이용하여 이가 H5N1 중감염기 및 회복기에 있을 때의 환자 혈청에서의 발현 수준을 각각 측정한다.3), RNA 블로팅을 이용하여 타겟 miRNAs가 H5N1 감염 세포에서의 발현량을 다시 검출한다.4), RNA 블로팅을 이용하여 miR-HA-3p는 특정된 H5N1 인플루엔자 바이러스에만 존재하는 것이 아닌 것을 증명하고, 본 발명자는 H5N1 감염된 A549 세포의 작은 RNA 세그먼트(＜200nt)를 추출하여, 이러한 세그먼트와 miR-HA-3p 상응 프로브를 혼성화시킨다.1.2 실험결과구체적인 결과는 도 1을 참조1), 도 1A는 예측한 H5N1의 miRNA 전구체 줄기 루프 구조의 차등 구조를 나타낸다. 예측은 Mfold를 통하여 진행하고, 예측해 낸 성숙 miRNA의 5'단과 3'단을 각각 빨간색과 파란색으로 마킹한다. 도 1A의 결과에 의하면, 3 개의 예측해 낸 전구체에서, 한 가닥은 HA에 의하여 세그먼트 코딩되고, 나머지 두 가닥은 PA에 의하여 세그먼트 코딩된다. 매개 후보의 miRNA는 모두 특이적이고 안정한 머리핀 구조로 폴딩될 수 있다.도 1B는 18 가지의 후보 miRNA가 H5N1 바이러스가 4가지 세포를 감염한 후의 발현 수준을 나타내고, 도 1B에 의하면, miR-HA-3p와 miR-PA1-3p인 두 가지 miRNA는 감염 24시간 후의 세포에서 안정하게 검출될 수 있고, 기타 16가지 miRNA의 발현량은 비교적 낮은 것을 알 수 있다.여기서, miR-HA-3p는 하기의 세 가지 구체적인 서열을 구비한다.miR-HA-3p-1： AGGACUAUUUGGAGCUAUAGCA (SEQ ID NO.: 1)miR-HA-3p-2： GGACUAUUUGGAGCUAUAGCAG (SEQ ID NO.: 2)miR-HA-3p-3： GAGGACUAUUUGGAGCUAUAGC (SEQ ID NO.: 3)상기 세 가지 miRNA의 핵심 서열은 GGACUAUUUGGAGCUAUAGC(SEQ ID NO.: 4)이다.도 1C는 바이러스 감염 후의 상이한 시점의 miR-HA-3p와 miR-PA1-3p의 발현 수준 측정 결과를 나타내고, 도 1C는, miR-HA-3p와 miR-PA1-3p인 두 가지 miRNA가 H5N1 감염된 A549 세포에서 상이한 시점의 발현량이 감염 과정에서 점차 증가되며, miR-HA-3p의 발현량이 감염 후의 매 하나의 시점에서 모두 miR-PA1-3p의 발현량보다 높은 것을 나타낸다.2), 도 1D는 회복기의 환자 혈청 중의 miR-HA-3p의 절대치를 나타내고, 도 1D는, 중감염기(acute)에 처한 환자 혈청 중의 miR-HA-3p의 발현량이 매우 높지만, 바이러스 감염이 감소된 후, miR-HA-3p는 거의 검출되지 않는 것을 설명한다.3), 도 1E는, RNA 블로팅으로 A549 세포를 복합 감염한 24시간 후의 miR-HA-3p와 miR-PA1-3p의 발현 수준을 분석하고, 가장 왼쪽은 marker임을 나타낸다. 도 1E는, ~80-nt miR-HA-3p 전구체 miRNA와 22-nt 성숙한 miR-HA-3p가 H5N1 감염된 A549 세포로부터 신속하게 검출될 수 있는 것을 설명한다. ~100-nt 전구체 miR-PA1-3p RNA 도 검출될 수 있지만, 성숙한 miR-PA1-3p는 검출될 수 없다. RNA 블로팅 결과와 실시정량 PCR 결과는 일치하다.4), 도 1F는, RNA 블로팅으로 두 가지 균주가 A549 세포를 감염한 후의 miR-HA-3p의 발현 수준을 각각 측정한 것을 나타낸다. 도 1F의 결과에 의하면, 두 가지 H5N1 IAV가 균주 감염 숙주를 분리한 후 모두 miR-HA-3p를 생성할 수 있는 것을 설명한다.상기 여러 군의 실험 결과에 의하면, H5N1가 숙주세포를 감염한 후, 특수한 소분자 miR-HA-3p를 방출하여 숙주 체내 순환에 진입하고, 또한 miR-HA-3p의 발현량과 바이러스의 감염 수준은 정적 상관인 것을 증명한다.실시예 2. miR-HA-3p 타겟 부위의 예측 및 검증본 실시예에서, miR-HA-3p의 타겟 부위에 대하여 예측과 검증을 진행한다. 마우스와 인류의 PCBP2 변이주를 구축하고, 루시페라아제(luciferase) 활성을 검출하여 PCBP2와 miR-HA-3p량의 관계를 검출하며, Wertern blotting을 통하여 타겟 유전자와 상응한 단백질의 발현량과 miR-HA-3p량의 관계를 검출한다.2.1 실험방법1), 검퓨터 모델링 방법으로 miR-HA-3p 타겟 부위를 예측한다.2), miR-HA-3p가 PCBP2의 발현을 조절하는지의 여부를 검출하기 위하여, 마우스와 인류의 PCBP2 변이주를 각각 구축한 다음, agomir-HA-3p(miR-HA-3p 자극제)와 agomir-HA-3p(M)(돌연변이한 miR-HA-3p 자극제)를 사용하여 PCBP2 야생형과 변이주를 각각 처리한다. 루시페라아제 활성을 검출하여 PCBP2와 miR-HA-3p량의 관계를 검출한다. Wertern blotting를 통하여 타겟 유전자와 상응한 단백질의 발현량과 miR-HA-3p량의 관계를 검출한다.3), PCBP2 단백질 발현량의 감소가 miR-HA-3p에 의하여 초래되는 것을 확정하기 위하여, Wertern blotting를 통하여 miR-HA-3p를 함유하는 A549 세포 중의 PCBP2 단백질의 함량을 검출한다. 대조군으로서, PCBP2 유전자를 침묵시킬 수 있는 RNAi 시스템을 구축한다.4), miR-HA-3p를 획득하기 위하여, PCBP2를 타겟 부위의 직접증거로 하고, 본 발명자는 RNA 결합 단백질의 면역 침전 실험을 더 진행하여 PCBP2 mRNA과 Ago2의 복합체를 검출하며, 상기 복합체는 RNA가 유도하는 침묵 복합체이고, miR-16을 대주군으로 사용한다.2.2 실험결과구체적인 결과는 도 2를 참조1), 도 2A는, miR-HA-3p와 인류 및 마우스의 PCBP2 mRNA 3'단 결합 부위를 나타내고, 도 2A는 예측을 거친 후, PCBP2 mRNA는 miR-HA-3p의 하나의 잠재적인 타겟 부위임을 발견하는 것을 설명한다.2), 도 2B는, 야생형과 변이형 인류 PCBP2유전자 감염된 HEK293T 세포가 각각 agomir, agomir-HA-3p, agomir-HA-3p(M) 처리를 거친 후의 루시페라아제 활성을 나타낸다. 도 2B는 인류 모델에서 agomir-HA-3p가 야생형 PCBP2의 발현량을 현저하게 감소할 수 있지만 agomir-HA-3p(M)는 상기 작용이 없다는 것을 설명한다.도 2C는, 야생형과 변이형 마우스 PCBP2 유전자 감염된 HEK293T 세포가 각각 agomir, agomir-HA-3p, agomir-HA-3p(M) 처리를 거친 후의 루시페라아제 활성을 나타낸다. 도 2C는 마우스 모델에서 agomir-HA-3p가 야생형 PCBP2의 발현량을 현저하게 감소할 수 있지만, agomir-HA-3p(M)는 상기 작용이 없다는 것을 설명한다.3), 도 2D는, agomir, agomir-HA-3p, agomir-HA-3p(M) 처리를 거친 A549 세포의 PCBP2 단백질 수준의 Wertern blotting 분석 결과를 나타낸다. 도 2D의 결과에 의하면, A549 세포가 agomir-HA-3p를 감염한 후, PCBP2의 발현이 현저하게 억제되지만, agomir-HA-3p(M)를 감염한 세포 PCBP2의 발현은 현저한 변화가 없다는 것을 설명한다.도 2E는, agomir, agomir-HA-3p, agomir-HA-3p(M)로 A549 세포를 처리한 후의 PCBP2 mRNA의 발현 수준이다.4), 도 2F가 표시한 것은, agomir, agomir-HA-3p, agomir-HA-3p(M)로 A549 세포를 처리한 후, 면역 침점 반응을 거쳐 얻은 PCBP2 mRNA의 실시정량 PCR 측정 결과를 나타내고, 대조 결과는 agomir로 A549 세포를 처리한 후, IgG를 통하여 면역 침전을 진행하여 얻은 결과이다. 도 2F의 결과에 의하면, agomir-HA-3p를 감염한 A549 세포에 있어서, miR-HA-3p가 과량 발현될 경우, PCBP2 mRNA과 Ago2 복합체는 20배 가까게 농축되는 바, 이는 miR-HA-3p와 PCBP2 mRNA가 RNA 유도한 침묵 복합체에서 반응하여, PCBP2 단백질의 전사와 수준을 조절한 것을 설명한다. 예측과 서로 일치한 것은, agomir-HA-3p를 제거한 실험군에는 PCBP2 mRNA과 Ago2 복합체의 농축이 발생하지 않은 것이다.상기 결과에 의하면, miR-HA-3p는 PCBP2 mRNA의 3'단에 직접 적용될 수 있는 바, 이는 miR-HA-3p가 억제 번역 방면에서 작용을 발휘한다는 것을 설명한다. PCBP2는 핵단백질E족에 속하고, MAV로 매개한 항 바이러스 작용과 관련된다. H5N1은 PCBP2를 침묵시켜 MAV로 매개한 항 바이러스 과정을 강화할 수 있음으로써, H5N1 감염 과정에서 과도한 면역 응답 또는 세포소 폭풍을 초래할 수 잇다.실시예 3. 대식세포 모델을 이용하여 miR-HA-3p가 H5N1 감염 과정에서 사이토카인의 분비를 조절하는 것을 증명miR-HA-3p가 사이토카인에 대한 영향을 검증하기 위하여, 본 실시예에서, 인류 대식세포를 체외 모델로 하여 하기와 같은 설험을 진행한다.3.1 실험방법1), agomir, agomir-HA-3p와 agomir-HA-3p(M)로 분화된 대식세포를 각각 처리하고, 감염 24시간 후, 실시정량 PCR법을 통하여 세포 내의 miR-HA-3p 수준을 검출한다.2), 바이러스 감염 과정에서 miR-HA-3p가 타겟 단백질 발현량에 대한 영향을 검출하기 위하여, 본 발명자는 역방향 유전자학을 이용하여 H5N1 바이러스 변이주를 구축하였다. 변이주의 체외에서의 복제 효과를 검출하기 위하여, 본 발명자는 야생형과 변이주 두 가지 바이러스로 대식세포에 대하여 복합 감염을 진행하였다. 48시간 후에 바이러스 적정 실험을 진행하여 바이러스치(효능)를 검출한다.3), 야생형 H5N1과 변이주 H5N1이 대식세포를 감염한 후 세포내 miR-HA-3p의 발현 수준을 검출한다.4), 바이러스에 감염되기 전, 본 발명자는 antagomir-HA-3p(mir-HA-3p 차단제)와 antagomir(mir 차단제)로 대식세포를 각각 처리한다. 그 다음, 바이러스 감염 24시간, 48시간 후의 몇개의 처리군의 PCBP2 발현 수준을 검출한다.5), 감염 후의 몇개 특정 시점에서 각각의 처리군 중의 TNF-α, IL-6 및 기타 사이토카인, 예를 들면, IFN-β, IL-1β의 전사 수준을 검출한다.6), 감염 후의 몇개 특정 시점에서 각각의 처리군의 대식세포 배양물 상청액 중의 TNF-α, IFN-β과 IL-6의 함량을 검출한다.3.2 실험결과구체적인 결과는 도 3, 도 4, 도 5를 참조하길 바란다.1), 도 4A는, agomir-HA-3p 돌연변이 서열과 H5N1 변이주 돌연변이 위치의 원리 모식도이다.도 4B는, 전기천공 24시간 후의 agomir, agomir-HA-3p 또는 agomir-HA-3p(M) 처리군 대식세포에서 miR-HA-3p의 발현 수준을 나타낸다. 도 4B의 결과에 의하면, 감염 24시간 후의 agomir-HA-3p 처리군의 miR-HA-3p 함량이 현저히 상승되고, agomir 또는 agomir-HA-3p(M) 처리군의 세포내 miR-HA-3p 수준이 안정을 유지하는 것을 설명한다.도 4C는, 전기천공 48시간 후의 agomir, agomir-HA-3p 또는 agomir-HA-3p(M) 처리군의 대식세포의 PCBP2 단백질 수준을 나타낸다. 도 4C에 의하면, PCBP2 단백질의 발현량에 있어서, agomir-HA-3p 처리군이 agomir 또는 agomir-HA-3p(M) 처리군보다 현저히 낮을 것을 알 수 있다.도 4D는, 전기천공 48시간 후의 agomir, agomir-HA-3p 또는 agomir-HA-3p(M) 처리군의 대식세포의 PCBP2 mRNA 발현 수준을 나타낸다. 도 4D의 결과는, 3개의 처리군의 PCBP2 mRNA 수준이 모두 현저한 변화가 없다는 것을 설명한다.2), 도 4E는, H5N1(야생형) 또는 H5N1 변이주를 감염한 대식세포가 감염 48시간 후의 효능이다. 결과는 야생형 H5N1은 변이주 H5N1의 효능과 큰 차이가 없는 것을 설명한다.3), 도 3A는, H5N1과 변이주 감염된 대식세포가 감염된 후의 상이한 시점에서의 miR-HA-3p의 발현 수준을 나타낸다. 도 3A의 결과에 의하면, 야생형 H5N1 바이러스 감염된 대식세포가 24시간 후의 miR-HA-3p 발현 수준이 상대적으로 비교적 높고, 변이주 감염된 대식세포 중의 miR-HA-3p가 기본적으로 변하지 않는다는 것을 설명한다.4), 도 3B는, 우선 antagomir 또는 antagomir-HA-3p 처리를 거치고, 그 다음 H5N1 감염된 대식세포가 감염 후의 상이한 시점의 PCBP2 단백질 수준의 분석 결과를 나타낸다. 도 3B로부터, 바이러스 감염 후 24시간과 48시간 후의 antagomir-HA-3p 처리군의 PCBP2 단백질 수준이 antagomir 처리군보다 현저히 높다는 것을 알 수 있다.도 3C는, TCID50법으로 H5N1을 감염한 세포가 감염 후의 상이한 시점의 바이러스치를 측정한 것을 나타낸다.5), 도 3D-F는, 상이한 처리군에서, 각각 H5N1 또는 H5N1 변이주를 처리한 후, 세포 상청액 중의 TNF-α, IFN-β과 IL 6의 수준을 나타낸다. 도 3D-F에 의하면, antagomir-HA-3p 처리군의 사이토카인 농도는 antagomir처리군보다 낮다는 것을 알 수 있다. 실제적으로, antagomir-HA-3p 처리군의 대식세포 배양물 상청액 중의 TNF-α, IFN-β과 IL-6의 함량은 변이주 감염 대식세포 조직과 상응한 사이토카인 함량과 같다.6), 도 5는, H5N1 또는 H5N1 변이주를 감염한 대식세포가 상이한 처리 조건하에서 TNF-α, IFN-β, IL-1β 또는 IL-6 mRNA의 발현 수준을 나타낸다. 도 5의 결과에 의하면, antagomir-HA-3p 처리군의 TNF-α의 전사 수준이 감소되고, antagomir-HA-3p 처리군이 감염 24시간 후, IL-6 mRNA가 대식세포 중의 함량은 antagomir 처리군의 60% 정도인 것을 설명한다. 기타 사이토카인, 예를 들면 IFN-β, IL-1β에도 유사한 현상이 검출되었다.이상의 실험결과에 의하면, 일반적인 인플루엔자 환자와 비교해 보면, H5N1 바이러스에 감염된 환자 혈청 중의 시토카인 및 염증 케모카인의 수준이 비교적 높다. 본 실험은, H5N1 바이러스가 생성한 miR-HA-3p가 감염 과정에서 RIG-I 신호 시스템에 대하여 조절 작용이 있어, 사이토카인의 생성을 촉진하는 것을 검증하였다. PCBP2가 RIG-I 신호 시스템에서 중요한 조절 작용을 이르키므로, miR-HA-3p는 PCBP2에 작용함으로써 기능을 발휘한다. 실시예 4. 마우스 모델을 이용하여 miR-HA-3p과 H5N1 감염 수준이 정적 상관인 것을 증명본 실시예에서, 구축한 마우스 모델을 응용하여 miR-HA-3p가 체내에서 H5N1 감염에 의한 사이토카인에 대한 비정상적인 조절에 있어서의 작용을 검출한다. 실시정량 PCR법, 조직학 검출법, ELISA 및 바이러스치 적정 방법을 주요하게 응용하고, 방법은 하기와 같다.4.1 실험방법1), 자성 BALB/c 마우스에 치사약량의 H5N1(야생형)과 H5N1 변이주를 각각 비강 접종한 후, 그 체중, 치사율, 바이러스 복제 상황과 사이토카인 중합체를 검출한다. 바이러스 감염 8시간 후, H5N1과 H5N1 변이주를 접종한 두 군의 마우스를 매 군 2개 그룹으로 나누어 5일간 연속 miR-HA-3p 차단제와 miR차단제를 각각 주사한다. 2), 매개 처리군의 마우스 폐 호모게네이트(homogenate)의 바이러스치를 더 측정한다. 실험군은 총 7군이고, 6 개의 처리군은 H5N1, H5N1(MUT), H5N1 + control antagomir, H5N1(MUT) +control antagomir, H5N1 + antagomir-HA-3p, H5N1(MUT) + antagomir-HA-3p이고, 대조군은 PBS 처리군이다.3), 7 개의 실험군 마우스에 대하여 조직학 검사를 진행한다.4), 바이러스 감염 과정에서 생성되는 사이토카인이 miR-HA-3p과 관련되는지의 여부를 확정하기 위하여, 감염 후의 여러 개의 시점에서 7 개의 실험군에 대하여 TNF-α, IFN-β, IL-1β과 IL-6인 네 가지 사이토카인의 농도를 측정한다.4.2 실험결과실험방법1에 대한 구체적인 결과는 도 6을 참조도 6(A, B)은, H5N1 또는 변이주를 접종한 마우스가 상이한 조건에서의 사망률을 나타낸다. 도 6(C, D)은, H5N1 또는 변이주를 접종한 마우스가 사이한 처리 조건에서의 체중 손실 수준을 나타낸다.도 6(E-H)은, ELISA로 측정하고 H5N1 또는 변이주를 접종한 마우스가 상이한 처리 조건에서의 폐부 네 가지 사이토카인 (TNF-α (E), IFN-β (F), IL-1β (G) 및 IL-6 (H))의 수준을 나타낸다.구체적인 결과는 다음과 같다.1), 도 6A는 접종 7일 후의 H5N1 처리군의 마우스 사망률이 100%인 것을 나타내고, 도 6C는 H5N1 처리군의 마우스는 20% 이상의 체중 손실이 발생한 것을 나타낸다. (H5N1+control antagomir) 처리군의 마우스 사망률과 체중 손실은 H5N1 처리군과 비슷하지만, (H5N1+ antagomir-HA-3p) 처리군의 마우스가 7일 후에 비록 일정한 체중 손실이 발생하였지만, 사망률은 단지 10% 정도이다. 도 6A과 도 6C는, H5N1(MUT) 처리군의 마우스는 H5N1 처리군의 마우스보다 생존 시간이 비교적 길고, 체중 손실 속도가 늦은 것을 나타낸다. 도 6B는, H5N1(MUT) 처리군의 마우스에 mir-HA-3p 자극제를 계속 주사한 후, 생존율이 현저히 감소된 것을 나타내고, 도 6D는, H5N1(MUT) 처리군의 마우스에 mir-HA-3p 자극제를 계속 주사한 후 체중 감소 속도가 빠르게 되는 것을 나타내며, 예기한 것과 동일한 것은, 도 6B에서 나타낸 바와 같이, H5N1(MUT) 처리군의 마우스에 miR 자극제를 계속 주사한 후 생존율과 체중이 모두 현저한 현화가 없는 것이다. 2), 도 6E-H는 H5N1 처리군의 네 가지 사이토카인의 농도가 모두 변이주 처리군 및 (mir-HA-3p 차단제+H5N1)처리군보다 높다는 것을 설명한다. 이는 앞선 대식세포 모델 중의 사이토카인 검출 결과와 일치하다.3), 도 7은, 상이한 처리 조건하에서 4일 후의 마우스의 폐부 PCBP2 단백질 수준을 나타낸다. 도 7의 결과에 의하면, 4일 후의 H5N1 처리군의 마우스의 폐부의 PCBP2 단백질 함량은 (H5N1+miR-HA-3p차단제) 처리군과 H5N1(MUT) 처리군보다 현저히 낮다는 것을 설명한다.4), 도 8은, 조직 병리학 방법으로 여러 군을 실험한 마우스의 폐부 조직 연구 결과를 나타낸다. 도 8의 검출 결과에 의하면, miR-HA-3p를 차단하면, 마우스 폐부 염증 손상을 완화시킬 수 있다는 것을 설명한다. H5N1 처리군의 마우스는 엄중한 기관지 상피 세포 괴사가 있는 동시에 염증 반응이 나타난다. 반대로, (mir-HA-3p차단제+H5N1) 처리군과 H5N1(MUT) 처리군의 마우스가 감염 4일 후의 염증 반응은 수준이 알맞다.이상의 실험결과에 의하면, mir-HA-3p 차단제를 응용하여 miR-HA-3p와 타겟 mRNA의 결합을 차단하면, H5N1 감염 마우스의 사망률을 감소할 수 있고, 감염 마우스의 체중 감소 속도를 완화시킬 수 있다는 것을 설명한다. 이러한 결론은 H5N1(MUT) 처리군에서도 증명된다.결론본 발명의 실험결과는, H5N1이 숙주 세포를 감염한 후, 특수한 소분자 물질 miR-HA-3p를 방출하여 숙주 체내 순환에 진입하고, 또한 miR-HA-3p의 발현량과 바이러스의 감염 수준은 정적 상관인 것을 증면한다.이 밖에, miR-HA-3p의 타겟 유전자가 PCBP2이고, miR-HA-3p는 PCBP2 mRNA에 대한 작용을 통하여 PCBP2 단백질 발현을 감소하여, MAV로 매개한 항 바이러스 과정의 증가를 초래함으로써, H5N1 감염 과정에서 과도한 면역 응답 또는 사이토카인 폭풍을 일으킨다.miR-HA-3p를 차단하면, miR-HA-3p 발현 수준을 조절하는 목적을 달성할 수 있는 바, 이로써 H5N1 바이러스에 의한 각종 면역 반응 및 조직학 병변을 완화 및 치료할 수 있으며, 기존의 H5N1 연구 기초상에서 새로운 과학과 기술 돌파를 완성하여, H5N1의 이론 연구가 새로운 높이에 도달하였다. 본 발명에서, 창조적으로 microRNA 치료법을 H5N1의 치료에 인입하고, 일련의 독창적인 실험 방법, 예를 들어, microRNA 예측 및 식별, 대식세포 실험, 마우스 모델 실험 등을 통하여, H5N1 특이성 miRNA의 존재를 증명하였으며, 이러한 치료법은 특이성이 강하고, 효율이 높으며, 부작용이 작고, 원가가 낮으며, 방법 방면에서의 창신은 본 발명이 응용되는데 있어서 전망이 매우 넓다.상기 기초상에서, 본 발명은 이러한 특이성 miRNA 전구체가 다중 균주 H5N1 바이러스 분리주에 존재하는 것을 더 증명하는 바, 이는 H5N1 바이러스 변종에도 이러한 miRNA가 안정하게 존재하는 것을 설명하며, 기존의 백신은 H5N1을 예방하는 목적만 달성하지만, H5N1 바이러스 변이가 빨라, 백신 연구 속도가 따라갈 수 없다. 본 발명에서, miR-HA-3p 차단제를 이용하여 H5N1바이러스에 인한 질환을 표적화 치료하는 방법은 새로운 방법이고, 인류가 H5N1 바이러스 및 그 변이주를 저항하는 방면에서 새로운 사로, 새로운 방법을 제공한다.실시예 5. 조류인플루엔자 바이러스 또는 조류인플루엔자 miRNA의 응용본 발명에 따른 miRNA의 용도는, (a), 조류인플루엔자를 검출하는 시약, 검출 칩 또는 키트를 제조하거나; 또는 (b), PCBP2의 발현 또는 활성을 제어하는 조절제를 제조하거나; 또는 (c), 사이토카인 발현을 제어하는 시약을 제조하기 위한 것이다. 여기서, 조류인플루엔자 바이러스 또는 조류인플루엔자를 검출하는 핵산 칩은, 고상 담체; 및 상기 고상 담체에 순차적으로 고정되고, 본 발명에 따른 miRNA를 특이적으로 포획하는 올리고뉴클레오타이드 프로브를 포함한다.본 발명의 상기 조류인플루엔자 바이러스 또는 조류인플루엔자를 검출하는 핵산 칩은 혈청에서 안정적으로 변화하는 miRNA 프로브를 높은 처리율적으로 선별할 수 있고, 동시에 혈청 중의 miRNA의 전체 변화를 통하여 질환을 예측 및 진단할 수 있다. 우리는 우선 시퀀싱하는 방법 또는 정량 PCR 방법을 통하여 혈청에 하나 이상의 카피된 miRNA이 있다는 것을 확정한 다음, 이러한 miRNA의 역방향 상보적 프로브를 합성시킨 다음, 이러한 프로브를 칩마이크로배열기 SmartArrayTM로 75'25mm이며 화학적 수식을 거친 검경판(object plate)에 배열한다. 칩에 배열된 샘플은 내부 표준인 U6, tRNA, 인위적으로 제조되는 30개의 염기 길이의 외부 표준, 양성 대조 Hex 등을 더 포함한다. 전체 도트(dot) 어레이는 4 개의 서브 에레이로 구분되고, 매 하나의 서브 어레이는 23개의 행, 21개의 열을 구비하고, 도트 간격은 185㎛이며, 도트의 직경은 약 130㎛이고, 매 하나의 프로브는 3번 반복된다.칩 조작 프로세스는 하기와 같다. (1), 혈청/혈장 중의 전체 RNA를 추출하고, 포름알데히드 변성겔 전기 영동으로 전체 RNA의 질량을 검출한다. (2), miRNA의 분리: 50~100㎍의 전체 RNA를 추출하여 Ambion's miRNA Isolation Kit(Cat #. 1560)으로 miRNA를 분리한다. (3), miRNA 샘플의 형광 마킹: T4 RNA 연결 효소(ligase) 마킹 방법을 이용하여 형광 마킹한 다음, 다시 무수 에틸에탄올로 침전시키고, 건조 후 칩 혼성화에 사용한다. (4), 혼성화와 세척: RNA를 16㎕의 혼성화액(15%의 포름아미드, 0.2%의 SDS, 3XSSC, 50XDenhardt's solution)에 용해시키고, 42℃에서 하룻밤 혼성화시킨다. 혼성화가 완료된 후, 우선 42℃ 좌우에서 0.2%의 SDS, 2XSSC의 액체에서 4분 동안 세척한 다음, 실온에서 0.2XSSC 용체에서 4분 동안 세척하고, 유리칩을 건조시키면 스캔에 바로 사용할 수 있다. (5), 칩 스캔: LuxScan 10K/A 듀얼 레이저 스캐너로 칩을 스캔한다. (6), 데어터 추출 및 분석: LuxScan3. 0 이미지 분석 소프트웨어를 사용하여 칩 이미지를 분석하고, 이미지 신호를 디지털 신호로 전화시키며, 마지막으로 SAM로 선별한 차등 발현 유전자를 분석한다.정량 PCR 기술과 바이오칩 칩 기술로 이중 검증한, 조류인플루엔자 바이러스 감염 및 정상적인 생리 상태에서 차등 발현 수준이 큰 한 가지 종류의 혈청/혈장 miRNA 프로브, 예를 들면 miR-HA-3p을 바이오칩 제조에 적용하고, 방법은 상기와 같다. 상기 칩과 기존의 칩을 비교하면, 제조 공정과 조작 흐름에는 큰 개선이 없지만, 상기 칩은 프로브 라이브러리를 간소화하였고, 이로써, 칩의 제조 원가와 생산 시간을 크게 감소하여, 제조에 용이하다. 동시에 칩의 표적성과 실용성도 향상시켰다. 상기 칩을 실천에 투입하면, 단지 환자의 혈청/혈장만 필요하고, 기타 어떠한 조직 없이도 질환을 초기 발견할 수 있어, 진단과 치료의 지도에 도움을 준다. 이밖에, 본 발명에서 설명한 핵산 칩의 용도는, 조류인플루엔자 바이러스 또는 조류인플루엔자를 검출하는 키트를 제조하는 데에 사용된다. 조류인플루엔자 바이러스 또는 조류인플루엔자를 검출하는 키트는 본 발명에서 설명한 핵산 칩 또는 본 발명에서 설명한 miRNA를 함유한다. 조류인플루엔자 바이러스 감염의 진단, 치료 평가 및 약물활성 성분의 선별, 효능 평가에 사용되는 miRNA 키트의 제조 공정과 조작 프로세서는 정량과 반정량 PCR 기술과 바이오칩 기술에 기반한다.우선, 시퀀싱하는 방법 또는 PCR 방법을 통하여 정상적인 혈청/혈장에 하나 이상의 카피된 miRNA이 있다는 것을 확정한다. 그 다음, 정량 PCR 기술과 바이오칩 기술을 통하여 질환 및 정상적인 생리 상태에서 발현량과 차등 수준이 큰 miR-HA-3p와 같은 한 가지 종류의 혈청/혈장 miRNA를 선별하여, 조류인플루엔자 바이러스 감염의 발생 여부를 예측 및 병변 수준을 진단하는 지표로 사용한다. 마지막으로, 대응되는 혈청/혈장 miRNA의 수량을 선별해 냄으로써, 이것은, 칩 프로브 라이브러리의 기초상에서 만들어진 최적화된 간소화된 것이다. 상기 키트는혈 청/혈장 miRNA 프라이머, Taq 효소, dNTP 등 시약을 포함한다. 상기 키트의 가치는, 혈청/혈장만 필요하고 기타 조직 샘플이 필요하지 않고, 가장 간소화된 프로브 라이브러리를 통하여 miRNA의 변화 추세를 검출하며, 다시 상기 변화 추세를 통하여 조류인플루엔자 바이러스 감염이 발생되는 가능성을 예측 또는 조류인플루엔자 바이러스 감염의 병리적 단계를 진단하는 것이다. 따라서, 상기 키트를 실전에 추입하면, 초기에 조류인플루엔자 바이러스 감염을 발견하는 가능성을 향상시킬 수 있어 진단과 치료의 지도에 도움을 준다. 본 발명에서 언급한 모든 문헌은 모두 본 출원에 참고로 인용되고, 매 한편의 문헌이 참고로 단독으로 인용되는 것과 같다. 이 밖에, 본 발명의 상기 설명 내용을 열독한 후, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명에 대하여 여러가지 변경 또는 보정을 진행할 수 있고, 이러한 등가 형식은 모두 본 출원에 첨부된 특허청구범위에서 한정된 범위에 속하는 것으로 이해해야 된다.	본 발명은 조류인플루엔자 바이러스 miRNA 및 이의 식별, 검출과 응용에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 조류인플루엔자 동물 샘플을 검출하는 microRNA 발현 프로파일(expression profile) 수준을 통하여, 이들로부터 miR-HA-3p인 특이성의 microRNA를 선별해 내고, 상기 miR-HA-3p는 microRNA 마커로서, 조류인플루엔자 바이러스와 조류인플루엔자를 검출할 수 있으며, miR-HA-3p를 억제하는 기능을 통하여, 조류인플루엔자 증상을 완화시키거나 또는 조류인플루엔자를 치료할 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 폴리우레탄 우레아-함유 조성물 및 광학 물품 및 이의 제조 방법POLYURETHANE UREA-CONTAINING COMPOSITIONS AND OPTICAL ARTICLES AND METHODS FOR PREPARING THEM [ 기술분야 ] 본 발명은 경화된 비-탄성중합체성 폴리우레탄 우레아-함유 조성물 및 이로부터 제조된 광학 물품 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.관련 출원의 상호 참조본원은, 2012년 12원 13일자로 출원된 미국 가출원 제 61/736,716 호를 우선권으로 주장하며, 상기 가출원 전체를 본원에 참고로 인용한다. [ 배경기술 ] 폴리우레탄-함유 물질, 예컨대 폴리우레탄-우레아는, 이의 탁월한 특성(예컨대, 낮은 복굴절률, 탄성 및 화학적 및 충격 저항성)으로 인해 광학 물품의 제조에 유용한 중합체로서 개발되었다. 이는 렌즈, 판유리(glazing) 등의 주형 캐스팅에 사용되었다. 이러한 중합체에서 우레아 결합은 특히, 탁월한 열적 및 기계적 특성(예컨대, 경도 및 강성도)의 원인이 된다. 방향족 폴리아민이 이러한 우레아-작용성 중합체의 제조에 사용되었다. 그러나, 비용 문제가 대안적 출발 물질의 탐색 및 개발을 촉발하고 있다. 지방족 폴리아민은 이소시아네이트와 고도로 반응성인 경향이 있어서, 가공을 매우 어렵게 만든다. 새로운 반응 방법론은, 탁월한 특성을 갖는 제품을 제공하면서 용이하게 입수가능하고 비싸지 않은 물질을 제공하도록 하는 것이 필요하다.뛰어난 특성을 나타내는 폴리우레탄-함유 광학 물품을 제조하기 위한 비용 효과적이고 간단한 방법을 제공하는 것이 바람직할 것이다. [ 발명의 개요 ] 본 발명에 따라, 투명한 비-탄성중합체성 광학 물품을 제조하기 위한 조성물이 제공된다. 상기 조성물은, (1) 하나 이상의 상이한 폴리이소시아네이트를 포함하는 폴리이소시아네이트 성분; 및 (2)(a) 임의적으로, 500 초과의 수 평균 분자량을 갖는 폴리올 하나 이상; 및(b)(i) 폴리올 및/또는 폴리티올 하나 이상 및 (ii) 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하고 500 미만의 수 평균 분자량을 갖는 화합물 하나 이상을 포함하는, 이소시아네이트와 반응성인 성분; 및 임의적으로, (3) 우레탄화 촉매를 포함한다.또한, 본 발명의 별도의 실시양태에서, 투명한 비-탄성중합체성 광학 물품을 제조하기 위한 별도의 조성물이 제공되며, 상기 조성물은, (1) 하나 이상의 상이한 폴리이소시아네이트를 포함하는 폴리이소시아네이트 성분; 및 (2)(a) 임의적으로, 500 초과의 수 평균 분자량을 갖는 폴리올 하나 이상;(b)(i) 폴리올 및/또는 폴리티올 하나 이상 및 (ii) 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하고 500 미만의 수 평균 분자량을 갖는 화합물 하나 이상; 및(c) 아민 및 하이드록실 작용기를 둘 다 포함하는 지방족 화합물(이때, 이소시아네이트 작용기에 대한 아민 작용 기의 당량 비가 1 이상임) 하나 이상 및 다이이소시아네이트를 포함하고 실질적으로 우레탄화 촉매가 없는 반응 혼합물의 우레아-함유 다이올 반응 생성물 을 포함하는, 이소시아네이트와 반응성인 성분; 및 임의적으로, (3) 우레탄화 촉매를 포함한다.또한, 투명한 비-탄성중합체성 광학 물품의 제조 방법이 제공되며, 상기 방법은,(1)(a) 하나 이상의 상이한 폴리이소시아네이트를 포함하는 폴리이소시아네이트 성분; 및 (b) 폴리올 및/또는 폴리티올 하나 이상, 및 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 화합물 하나 이상을 포함하는 활성 수소 성분을 배합하여, 본질적으로 우레탄화 촉매가 없는 반응 혼합물을 형성하는 단계로서, 상기 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 화합물이 구조식 H2N-L-OH를 갖되, 여기서 L은, 헤테로원자를 포함할 수 있는 선형 또는 분지형 알킬, 아릴, 아르알킬, 또는 알크아릴 쇄인, 단계; (2) 상기 폴리올 및/또는 폴리티올, 및 임의적으로, 상기 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 화합물과의 혼합물로, 하이드록실 작용 기를 갖는 폴리우레아 예비중합체를 포함하는 중간체 생성물을 형성하기에 충분한 온도 및 시간으로, 상기 폴리이소시아네이트 성분을 상기 활성 수소 성분 중의 아민 작용 기와 반응시키는 단계; (3) 상기 단계 (2)에서 형성된 중간체 생성물을 추가의 폴리이소시아네이트, 및 임의적으로, 우레탄화 촉매와 혼합하여 제 2 반응 혼합물을 형성하는 단계; (4) 상기 단계 (3)에서 형성된 상기 제 2 반응 혼합물을, 열경화된 중합물(thermoset polymerizate)을 형성하기에 충분한 온도 및 시간으로, 목적하는 형태의 주형에 도입하는 단계; 및 (5) 상기 중합물을 상기 주형으로부터 이형시켜, 투명한 광학 물품을 수득하는 단계를 포함한다.또한, 본 발명의 별도의 실시양태에서, 투명한 비-탄성중합체성 광학 물품을 제조하는 "단일 배취" 또는 "단일 반응용기(one pot)" 방법이 제공되며, 상기 방법은,(1)(a) 하나 이상의 상이한 폴리이소시아네이트를 포함하는 폴리이소시아네이트 성분; 및 (b)(b1) 하나 이상의 폴리올을 포함하고 본질적으로 아미노 기가 없는 제 1 성분; 및 (b2) 폴리올 및/또는 폴리티올 하나 이상, 및 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 화합물 하나 이상을 포함하는 제 2 성분을 포함하는 활성 수소 성분을 배합하여 반응 혼합물을 형성하는 단계로서, 상기 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 화합물이 구조식 H2N-L-OH를 갖되, 여기서 L은, 헤테로원자를 포함할 수 있는 선형 또는 분지형 알킬, 아릴, 아르알킬, 또는 알크아릴 쇄이고, 상기 폴리올들 중 적어도 하나는 60 내지 450의 수 평균 분자량을 갖는, 단계;(2) 상기 반응 혼합물을, 열경화된 중합물을 형성하기에 충분한 온도 및 시간으로, 목적하는 형태의 주형에 도입하는 단계; 및 (3) 상기 중합물을 상기 주형으로부터 이형시켜 투명한 광학 물품을 수득하는 단계를 포함한다.본 발명의 추가의 실시양태에서, 경화된 비-탄성중합체성 폴리우레탄-함유 광학 물품의 제조 방법이 제공된다. 상기 방법은,(1)(a) 하나 이상의 상이한 폴리이소시아네이트를 포함하는 폴리이소시아네이트 성분; 및 (b) 폴리올 및/또는 폴리티올 하나 이상, 및 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 화합물 하나 이상을 포함하는 활성 수소 성분 을 배합하여, 본질적으로 우레탄화 촉매가 없는 반응 혼합물을 형성하는 단계로서, 상기 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 화합물이 이소시아네이트 작용 기 대비 아민 기와 관련하여 화학량론적 과량으로 존재하고, 구조식 H2N-L-OH를 갖되, 여기서 L은, 헤테로원자를 함유할 수 있는 선형 또는 분지형 알킬, 아릴, 아르알킬, 또는 알크아릴 쇄인, 단계; (2) 상기 폴리이소시아네이트 성분을, 본질적으로 모든 이소시아네이트 작용 기를 소모하기에 충분한 온도 및 시간으로, 상기 활성 수소 성분 중의 아민 작용 기의 적어도 일부와 반응시켜, 상기 폴리올, 및 상기 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 화합물과의 혼합물로, 하이드록실 작용 기를 갖는 폴리우레아 예비중합체를 포함하는 중간체 생성물을 형성하는 단계; (3) 상기 단계 (2)에서 형성된 중간체 생성물을 추가의 폴리이소시아네이트 및 우레탄화 촉매와 혼합하여 제 2 반응 혼합물을 형성하는 단계; (4) 상기 단계 (3)에서 형성된 제 2 반응 혼합물을, 열경화된 중합물을 형성하기에 충분한 온도 및 시간으로, 목적하는 형태의 주형에 도입하는 단계; 및 (5) 상기 중합물을 상기 주형으로부터 이형시켜, 투명한 광학 물품을 수득하는 단계를 포함한다.본 발명의 추가의 실시양태에서, 경화된 비-탄성중합체성 폴리우레탄-함유 광학 물품의 제조 방법이 제공된다. 상기 방법은,(1)(a) 하나 이상의 상이한 폴리이소시아네이트를 포함하는 폴리이소시아네이트 성분, 및 (b) 하나 이상의 폴리올을 배합하여 반응 혼합물을 형성하는 단계로서, 상기 폴리이소시아네이트 성분이 하이드록실 작용 기 대비 화학량론적 과량으로 존재하는, 단계; (2) 상기 성분들을, 본질적으로 모든 하이드록실 작용 기를 소모하기에 충분한 온도 및 시간으로 반응시켜, 과량의 폴리이소시아네이트와의 혼합물로, 이소시아네이트 작용기를 갖는 폴리우레탄 예비중합체를 포함하는 중간체 생성물을 형성하는 단계; (3) 상기 단계 (2)에서 형성된 중간체 생성물을, 임의적으로, 폴리올 및/또는 폴리티올 하나 이상, 및 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 화합물 하나 이상을 포함하는 활성 수소 성분과 혼합하여 제 2 반응 혼합물을 형성하는 단계로서, 이때 상기 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 화합물이 구조식 H2N-L-OH를 갖되, 여기서 L은, 헤테로원자를 포함할 수 있는 선형 또는 분지형 알킬, 아릴, 아르알킬, 또는 알크아릴 쇄인, 단계; (4) 상기 단계 (3)에서 형성된 제 2 반응 혼합물을, 열경화된 중합물을 형성하기에 충분한 온도 및 시간으로, 목적하는 형태의 주형에 주입을 통해 도입하는 단계; 및 (5) 상기 중합물을 상기 주형으로부터 이형시켜, 투명한 광학 물품을 수득하는 단계를 포함한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 명세서 및 첨부된 특허청구범위에서 사용되는 "단수"는, 명백하고 분명히 하나의 지시 대상으로 제한되지 않은 한, 복수의 지시 대상을 포함한다.본 발명의 목적을 위해, 달리 지시되지 않는 한, 명세서 및 특허청구범위에서 사용되는 성분, 반응 조건 등의 양을 나타내는 모든 숫자는 모든 경우에 "약"이라는 용어로 수식되는 것으로 이해되어야 한다. 따라서, 달리 지시되지 않은 한, 하기 명세서 및 첨부된 특허청구범위에서 개시되는 수치 파라미터는 본 발명에 의해 수득되어야 하는 목적하는 특성에 따라 변할 수 있는 근사치이다. 적어도, 및 특허청구범위의 범주에 균등론의 적용을 제한하지 않으려는 시도로서, 각각의 수치 파라미터는 적어도 보고된 유효 숫자의 수를 고려하고 통상의 반올림 기법을 적용함으로써 해석되어야만 한다.본원의 모든 수치 범위는 인용된 수치 범위 이내의 모든 수치 값 및 모든 수치 값들의 범위를 포함한다. 본 발명의 다양한 실시양태들의 넓은 범위를 나타내는 수치 범위 및 파라미터가 근사치임에도 불구하고, 특정 실시예에서 나타낸 수치들은 가능한 한 정확하게 개시된다. 그러나, 어떤 수치든 본래 그 각각의 시험 측정치에서 발견되는 표준 편차로부터 필연적으로 비롯되는 특정 오차를 포함한다.본원에 제시되는 본 발명의 다양한 실시양태 및 실시예는 각각 본 발명의 범주에 대해 비-제한적인 것으로 이해되어야 한다.하기 명세서 및 특허청구범위에서 사용되는 경우, 하기 단어는 제시된 의미를 가진다."아크릴" 및 "아크릴레이트"라는 용어는 상호교환적으로 사용되며(이렇게 하는 것이, 의도된 의미를 변경하지 않는 한), 달리 명시적으로 제시되지 않는 한, 아크릴산, 무수물, 이의 유도체, 예를 들면 이의 C1-C5 알킬 에스터, 저급 알킬-치환된 아크릴산, 예컨대 C1-C5 치환된 아크릴산, 예컨대 메타크릴산, 에타크릴산 등, 및 이의 C1-C5 알킬 에스터를 포함한다. "(메트)아크릴" 또는 "(메트)아크릴레이트"라는 용어는, 제시된 물질(예컨대, (메트)아크릴레이트 단량체)의 아크릴/아크릴레이트 및 메타크릴/메타크릴레이트 형태를 모두 포괄하는 것으로 의도된다.경화된 또는 경화가능한 조성물, 예를 들면, 몇몇 구체적인 기술내용의 "경화된 조성물"과 관련하여 사용되는 "경화", "경화된" 또는 이와 유사한 용어는, 경화가능한 조성물을 형성하는 중합가능하고/하거나 가교결합가능한 성분의 적어도 일부가 적어도 부분적으로 중합되고/되거나 가교결합됨을 의미한다. 예를 들면, 경화가능한 필름-형성 조성물과 관련하여 사용되는 "경화가능한"이라는 용어는, 제시된 조성물이, 비제한적으로, 열, 촉매, 전자빔, 화학적 자유-라디칼 개시, 및/또는 예를 들어 자외선 광 또는 다른 화학 복사선에 대한 노출에 의한 광개시를 포함하는 수단에 의해 중합가능하거나 또는 가교결합가능함을 의미한다. 본 발명의 문맥에서, "경화된" 조성물은, 중합가능하거나 가교결합가능한 성분의 유용성에 따라 계속 추가로 경화가능할 수 있다."열경화성"이란, 비가역적으로 경화되거나 가교결합되는 중합체를 의미한다. 열경화성 중합체는, 경화 후 고화되면, 열가소성 중합체와 대조적으로, 재가열되고 용융되어 액체 형태로 되돌아갈 수 없다."비-탄성중합체성"이라는 용어는, 전형적인 탄성중합체 거동을 나타내지 않는(즉, 이의 본래 길이의 2배 이상까지 용이하게 가역적으로 변형되거나 연신되지 않는) 물질을 지칭한다.예를 들어, 중합체성 물질, 예컨대, "광학 품질의 수지" 또는 "광학 품질의 유기 중합체성 물질"과 관련하여 사용되는 "광학 품질"이라는 용어는, 제시된 물질(예컨대, 중합체성 물질, 수지 또는 수지 조성물)이, 이의 적합한 광학 특성으로 인해, 광학 제품(예컨대, 안과용 렌즈)으로서 사용될 수 있거나 또는 광학 제품과 조합으로 사용될 수 있는 기재, 층, 필름 또는 코팅이거나 또는 이들을 형성함을 의미한다.예를 들어, 기재, 코팅, 필름, 및/또는 물질과 관련하여 사용되는 "투명한"이라는 용어는, 제시된 기재, 코팅, 필름 및/또는 물질이, 인식가능한 산란 없이도, 그 너머에 있는 물체를 완전히 알아볼 수 있도록 하는 광 투과 특성을 가짐을 의미한다. 본원에서, 투명한 물품은 80% 이상의 광 투과율을 나타낸다.본 발명의 조성물은 투명한 비-탄성중합체성 광학 물품의 제조에 적합하며, 상기 조성물은, (1) 하나 이상의 상이한 폴리이소시아네이트를 포함하는 폴리이소시아네이트 성분; 및 (2)(a) 임의적으로, 500 초과의 수 평균 분자량을 갖는 폴리올 하나 이상;(b)(i) 폴리올 및/또는 폴리티올 하나 이상 및 (ii) 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하고 500 미만의 수 평균 분자량을 갖는 화합물 하나 이상을 포함하는 이소시아네이트와 반응성인 성분; 및 임의적으로, (3) 우레탄화 촉매를 포함한다. 성분 (2)(a) 및 (2)(b)가 각각 성분 (2)의 수지 고형분의 총 중량을 기준으로 20 내지 80 중량%의 양으로 존재할 수 있음에 주목한다.또한, 본 발명의 별도의 실시양태에서, 투명한 비-탄성중합체성 광학 물품의 제조를 위한 별도의 조성물이 제공되며, 상기 조성물은, (1) 하나 이상의 상이한 폴리이소시아네이트를 포함하는 폴리이소시아네이트 성분; 및 (2)(a) 임의적으로, 500 초과의 수 평균 분자량을 갖는 폴리올 하나 이상;(b)(i) 폴리올 및/또는 폴리티올 하나 이상, 및 임의적으로, (ii) 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하고 500 미만의 수 평균 분자량을 갖는 화합물 하나 이상; 및(c) 아민 및 하이드록실 작용기를 둘 다 포함하는 지방족 화합물(이때, 이소시아네이트 작용기에 대한 아민 작용 기의 당량 비가 1 이상임) 하나 이상 및 다이이소시아네이트를 포함하고 실질적으로 우레탄화 촉매가 없는 반응 혼합물의 우레아-함유 다이올 반응 생성물을 포함하는, 이소시아네이트와 반응성인 성분; 및 임의적으로, (3) 우레탄화 촉매를 포함한다. 성분 (2)(a) 및 (2)(b)가 각각 성분 (2)의 수지 고형분의 총 중량을 기준으로 20 내지 80 중량%의 양으로 존재할 수 있음에 주목한다.상기 조성물의 각각의 성분들은 본 발명의 방법에 대해 하기에 자세히 기술되는 바와 같은 것들로부터 선택될 수 있다.본 발명에 따라, 경화된 비-탄성중합체성 폴리우레탄-함유 광학 물품이 제공된다. 본 발명의 방법에 의해 제조되는 광학 물품은, 예를 들어 카메라 렌즈, 안과용 물품, 예를 들면 플라노(plano)(광출력 없음) 및 시력 교정(처방) 렌즈(완제품 및 반제품), 예컨대 다초점 렌즈(이중 초점, 삼중 초점 및 누진(progressive) 렌즈); 및 시각 기구, 예컨대 콘택트 렌즈 및 안구내 렌즈, 태양 렌즈, 패션 렌즈, 스포츠 마스크, 안면 가리개 및 고글을 포함한다. 상기 광학 물품은 또한, 판유리, 예컨대 건축용 윈도우; 투명품, 예컨대 디스플레이 스크린; 자동차 또는 항공기 바람막이; 및 차량용 측창으로부터 선택될 수 있다.본 발명의 제 1 단계에서는, 본질적으로 우레탄화 촉매가 없는 반응 혼합물이 형성된다. 상기 반응 혼합물은, (a) 폴리아이소시아네이트 성분 및 (b) 활성 수소 성분을 배합함으로써 형성된다. 상기 폴리이소시아네이트 성분은 하나 이상의 상이한 폴리이소시아네이트를 포함한다. 상기 제 1 성분에 유용한 폴리이소시아네이트는 종류가 많고, 매우 다양하다. 이의 비제한적 예는, 지방족 폴리이소시아네이트, 이소시아네이토 기들 중 하나 이상이 지환족 고리에 직접 연결된 지환족 폴리이소시아네이트, 이소시아네이토 기들 중 하나 이상이 지환족 고리에 직접 연결되지 않은 지환형 폴리이소시아네이트, 이소시아네이토 기들 중 하나 이상이 지환족 고리에 직접 연결되지 않은 지환족 폴리이소시아네이트, 이소시아네이토 기들 중 하나 이상이 방향족 고리에 직접 연결된 방향족 폴리이소시아네이트, 이소시아네이토 기들 중 하나 이상이 방향족 고리에 직접 연결되지 않은 방향족 폴리이소시아네이트, 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 방향족 폴리이소시아네이트가 사용되는 경우, 일반적으로 폴리우레탄-함유 중합체에 색상(예컨대, 황색)을 유발하지 않는 물질을 선택하도록 주의해야 한다.폴리이소시아네이트는, 비제한적으로 지방족 또는 지환족 다이이소시아네이트, 방향족 다이이소시아네이트, 이들의 환형 이량체 및 환형 삼량체, 및 혼합물을 포함할 수 있다. 적합한 폴리이소시아네이트의 비제한적인 예는, 데스모두르(Desmodur) N 3300(헥사메틸렌 다이이소시아네이트 삼량체, 베이어(Bayer)로부터 시판됨); 데스모두르 N 3400(60% 헥사메틸렌 다이이소시아네이트 이량체 및 40% 헥사메틸렌 다이이소시아네이트 삼량체)를 포함할 수 있다. 비제한적 실시양태에서, 폴리이소시아네이트는 다이사이클로헥실메탄 다이이소시아네이트 및 이의 이량체성 혼합물을 포함할 수 있다. 본원 명세서 및 특허청구범위에서 "이성질체성 혼합물"이라는 용어는, 폴리이소시아네이트의 시스-시스, 트랜스-트랜스, 및/또는 시스-트랜스 이성질체 혼합물을 지칭한다. 본 발명에 사용하기 위한 이성질체성 혼합물의 비제한적인 예는, 이후로 "PICM"(파라이소시아네이토 사이클로헥실메탄), PICM의 시스-트랜스 이성질체, PICM의 시스-시스 이성질체 및 이들의 혼합물로 지칭되는 이성질체를 포함할 수 있다.본 발명에 사용하기에 적합한 이성질체는, 비제한적으로 다이사이클로헥실메탄 다이이소시아네이트로도 공지된 4,4'-메틸렌비스(사이클로헥실 이소시아네이트)의 하기 3가지 이성질체를 포함한다:PICM은 당분야에 널리 공지된 절차, 예컨대 미국 특허 제 2,644,007 호, 제 2,680,127 호 및 제 2,980,703 호에 개시된 절차로 4,4'-메틸렌비스(사이클로헥실 아민)(PACM)을 포스젠화시킴으로써 제조될 수 있으며, 이들 특허를 본원에 참고로 인용한다. PACM 이성질체 혼합물은, 포스젠화시, 실온에서 액상, 부분적 액상 또는 고상의 PICM을 생성할 수 있다. 다르게는, PACM 이성질체 혼합물은, 메틸렌다이아닐린을 수소화시킴으로써 및/또는 PACM 이성질체 혼합물을 물 및 알코올(예컨대, 메탄올 및 에탄올)의 존재 하에 분별 결정화시킴으로써 수득할 수 있다. 사용될 수 있는 추가의 지방족 및 지환족 다이이소시아네이트는 헥사메틸렌 다이이소시아네이트, 다이사이클로헥실메탄 다이이소시아네이트, 다이페닐메탄-4,4'-다이이소시아네이트, 3-이소시아네이토-메틸-3,5,5-트라이메틸 사이클로헥실-이소시아네이트("IPDI")(아르코 케미칼(Arco Chemical)로부터 시판됨), m-자일릴렌 다이이소시아네이트("MXDI") 및 메타-테트라메틸자일릴렌 다이이소시아네이트 (1,3-비스(1-이소시아네이토-1-메틸에틸)-벤젠)(사이텍 인더스트리즈 인코포레이티드(Cytec Industries Inc.)로부터 상표명 TMXD(등록상표) (메타) 지방족 이소시아네이트 하에 시판됨)을 포함할 수 있다.본 명세서 및 특허청구범위에서 사용되는 바와 같은 "지방족 및 지환족 다이이소시아네이트"라는 용어는, 직쇄로 연결되거나 환형화되고 2개의 디이소시아네이트 반응성 말단기를 갖는 6 내지 100개의 탄소 원자를 지칭한다. 본 발명의 비제한적 실시태양에서, 본 발명에서 사용되는 지방족 및 지환족 디이소시아네이트는 IPDI 및 구조식 R-(NC0)2(이때, R은 지방족 기 또는 지환족 기를 나타냄)의 화합물을 포함할 수 있다.본 발명의 특정 실시양태에서, 상기 폴리이소시아네이트 성분은 이소포론 다이이소시아네이트, 다이사이클로헥실메탄 다이이소시아네이트, 헥사메틸렌 다이이소시아네이트, 다이페닐메탄-4,4'-다이이소시아네이트, 메타-테타라메틸자일릴 다이이소시아네이트, (1,3-비스(1-이소시아네이토-1-메틸에틸)-벤젠) 및/또는 메타-자일릴렌 다이이소시아네이트를 포함한다.상기 반응 혼합물을 형성하는데 사용되는 활성 수소 성분(b)은 폴리올 및/또는 폴리티올 하나 이상, 및 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 화합물(즉, 아미노 알코올) 하나 이상을 포함한다. 특정 실시양태에서, 상기 반응 혼합물을 형성하는데 사용되는 활성 수소 성분(b)은 2종 이상의 폴리올 및 하나 이상의 아미노 알코올을 포함한다.본 발명의 특정 실시양태에서, 상기 반응 혼합물은, 아미노 및 방향족 작용기를 둘 다 포함하는 화합물이 본질적으로 없으며, 이때 아미노 기는 방향족 고리에 직접 연결된다. 상기 반응 혼합물은 또한 본질적으로 폴리아민이 없을 수 있다. 전형적으로, 상기 아미노 알코올은 지방족이다.적합한 폴리올은, 비제한적으로 폴리에터 폴리올, 폴리에스터 폴리올, 폴리카프로락톤 폴리올, 폴리카보네이트 폴리올 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 단량체성 폴리올, 예컨대 부탄다이올, 1,6-헥산다이올, 비스페놀 A 등; 또는 다른 고차 폴리올, 예컨대 트라이메틸올프로판, 펜타에리트리톨 등; 및 하기 열거되는 임의의 저분자량 다이올 또는 글리콜이 또한 적합하다. 상기 활성 수소 성분에서 폴리올들 중 적어도 하나는 방향족 작용기를 포함할 수 있다. 방향족 폴리올의 사용은, 제조되는 광학 물품의 굴절률(RI)을 증가시키는 것으로 생각된다. 그러나, 폴리올들 중 적어도 하나가 방향족 고리-함유 폴리올인 경우, 폴리올 중의 하이드록실 기는 방향족 고리에 직접 결합되지 않는 것(즉, 방향족 폴리올이 페놀성이 아닌 것)이 바람직하다.폴리에터 폴리올의 예는, 하기 구조식을 갖는 것을 포함하는 폴리알킬렌 에터 폴리올이다:상기 식들에서,치환기 R1은 수소 또는 1 내지 5개의 탄소 원자를 포함하는 저급 알킬이고(혼합된 치환기 포함),n은 전형적으로 2 내지 6이고, m은 8 내지 100 이상이다.폴리(옥시테트라메틸렌) 글리콜, 폴리(옥시테트라에틸렌) 글리콜, 폴리(옥시-1,2-프로필렌) 글리콜, 및 폴리(옥시-1,2-부틸렌) 글리콜이 포함된다. 알킬렌 옥사이드의 비제한적인 예는 에틸렌 옥사이드, 프로필렌 옥사이드, 부틸렌 옥사이드, 아밀렌 옥사이드, 아르알킬렌 옥사이드, 예컨대 비제한적으로 스타이렌 옥사이드, 에틸렌 옥사이드와 프로필렌 옥사이드의 혼합물을 포함할 수 있다. 다른 비제한적인 실시양태에서, 폴리옥시알킬렌 폴리올은, 랜덤 또는 단계식 옥식알킬렌화를 사용하여 알킬렌 옥사이드의 혼합물로 제조할 수 있다.다양한 폴리올(예를 들면, 다이올, 예컨대 에틸렌 글리콜, 1,6-헥산다이올, 비스페놀 A 등; 또는 다른 고차 폴리올, 예컨대 트라이메틸올프로판, 펜타에리트리톨 등)의 옥시알킬화로부터 형성된 폴리에터 폴리올도 유용하다. 제시된 바와 같이 이용될 수 있는 고차 작용기의 폴리올은, 예를 들어 수크로스 또는 소르비톨과 같은 화합물의 옥시알킬화에 의해 제조할 수 있다. 하나의 통상적으로 이용되는 옥시알킬화 방법은 산성 또는 염기성 촉매의 존재 하의 폴리올과 알킬렌 옥사이드(예컨대, 프로필렌 또는 에틸렌 옥사이드)의 반응이다. 특정 폴리에터는, 이. 아이. 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 인코포레이티드(E. I. DuPont De Nemours and Company, Inc.)로부터 시판되는 테라탄(TERATHANE) 및 테라콜(TERACOL)이라는 명칭 하에 시판되는 것, 및 그레이트 레이크스 케미칼 코포레이션(Great Lakes Chemical Corp.)의 자회사인 큐 오 케미칼스 인코포레이티드(Q O Chemicals, Inc.)로부터 시판되는 폴리메그(POLYMEG)를 포함한다.본 발명에 사용하기 위한 폴리에터 글리콜은 비제한적으로 폴리테트라메틸렌 에터 글리콜을 포함할 수 있다.폴리에터-함유 폴리올은, 에틸렌 옥사이드-프로필렌 옥사이드 및/또는 에틸렌 옥사이드-부틸렌 옥사이드의 블록을 포함하는 블록 공중합체를 포함할 수 있다. 바스프(BASF)에서 시판되는 플루로닉(Pluronic) R, 플루로닉 L62D, 테트로닉(Tetronic) R 및 테트로닉을 본 발명에서 폴리에터-함유 폴리올 물질로서 사용할 수 있다.적합한 폴리에스터 글리콜은, 비제한적으로 4 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 하나 이상의 다이카복실산(예컨대, 아디프산, 석신산 또는 세바스산)과, 2 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 하나 이상의 저분자량 글리콜 또는 다이올(예컨대, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 다이에틸렌 글리콜, 1,4-부탄다이올, 네오펜틸 글리콜, 1,6-헥산다이올 및 1,10-데칸다이올)의 에스터화 생성물을 포함할 수 있다. 비제한적인 실시양태에서, 폴리에스터 글리콜은 아디프산과 2 내지 10개의 탄소 원로부터의 다이올의 에스터화 생성물일 수 있다.본 발명에 사용하기에 적합한 폴리카프로락톤 글리콜은 E-카프로락톤과 상기 열거된 하나 이상의 저분자량 글리콜의 반응 생성물을 포함할 수 있다. 폴리카프로락톤은, 2작용성 활성 수소 화합물(예컨대, 물) 또는 상기 열거된 하나 이상의 저분자량 글리콜의 존재 하에 카프로락톤을 축합시킴으로써 제조할 수 있다. 폴리카프로락톤 글리콜의 특정 예는 솔베이 코포레이션(Solvay Corp.)으로부터의 카파(CAPA, 등록상표) 2047 및 카파(등록상표) 2077로서 시판되는 폴리카프로락톤 폴리에스터다이올을 포함한다.폴리카보네이트 폴리올은 당분야에 공지되어 있으며, 예를 들어 라베카프(Ravecarb, 상표명) 107(에니켐 에스.피.에이(Enichem S.p.A.))로서 시판된다. 비제한적인 실시양태에서, 폴리카보네이트 폴리올은, 유기 글리콜(예컨대, 다이올) 및 다이알킬 카보네이트(예컨대, 미국 특허 제 4,160,853 호에 기술된 것)을 반응시킴으로써 제조할 수 있다. 비제한적인 실시양태에서, 폴리올은 다양한 중합도를 갖는 폴리헥사메틸 카보네이트를 포함할 수 있다. 상기 글리콜 물질은 저분자량 폴리올(예컨대, 500 미만의 분자량을 갖는 폴리올) 및 이의 상용성 혼합물을 포함할 수 있다. 본원에서 "상용성"이라는 용어는, 단일 상을 형성하도록 글리콜들이 서로 상호 가용성임을 의미한다. 이러한 폴리올의 비제한적인 예는 저분자량 다이올 및 트라이올을 포함할 수 있다. 사용되는 경우, 트라이올의 양은, 폴리우레탄에서 고도의 가교결합을 방지하도록 선택된다. 고도의 가교결합은, 적당한 온도 및 압력에 의해 형성될 수 없는 경화가능한 폴리우레탄을 제공할 수 있다. 유기 글리콜은 전형적을 2 내지 16개, 또는 2 내지 6개, 또는 2 내지 10개의 탄소 원자를 포함한다. 이러한 글리콜 및 다른 폴리올의 비제한적인 예는 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 다이에틸렌 글리콜, 트라이에틸렌 글리콜, 테트라에틸렌 글리콜, 다이프로필렌 글리콜, 트라이프로필렌 글리콜, 1,2-, 1,3- 및 1,4-부탄다이올, 2,2,4-트라이메틸-1,3-펜탄다이올, 2-메틸-1,3-펜탄다이올, 1,3-, 2,4- 및 1,5-펜탄다이올, 2,5- 및 1,6-헥산다이올, 2,4-헵탄다이올, 2-에틸-1,3-헥산다이올, 2,2-다이메틸-1,3-프로판다이올, 1,8-옥탄다이올, 1,9-노난다이올, 1,10-데칸다이올, 1,4-사이클로헥산다이올, 1,4-사이클로헥산다이메탄올, 1,2-비스(하이드록시에틸)-사이클로헥산, 글리세린, 테트라메틸올메탄, 예컨대 비제한적으로 펜타에리트리톨, 트라이메틸올에탄 및 트라이메틸올프로판, 및 이들의 이성질체를 포함할 수 있다. 폴리올은, 예를 들어 60 이상, 또는 90 이상, 또는 200 이상의 중량 평균 분자량을 가질 수 있다. 추가적으로, 폴리올은 10,000 미만, 7000 미만, 또는 5000 미만, 또는 2000 미만의 중량 평균 분자량을 가질 수 있다.본 발명에 사용하기 위한 폴리올은, 하나 이상의 저분자량 다이카복실산(예컨대, 아디프산)으로부터 생성된 테레에스터를 포함할 수 있다.본 발명에 사용하기 위한 폴리에스터 글리콜 및 폴리카프로락톤 글리콜은, 예를 들어 문헌[D. M. Young, F. Hostettler et al., "Polyesters from Lactone," Union Carbide F-40, p.147]에 기술된 바와 같은 공지된 에스터화 또는 트랜스에스터화 절차를 사용하여 제조할 수 있다.폴리에스터 글리콜은 또한, 1,6-헥산다이올과 아드프산; 1,10-데칸다이올과 아디프산; 또는 1,10-데칸다이올과 카프로락톤의 반응으로부터 제조할 수 있다.티올-함유 물질이 상기 활성 수소 성분 중에 존재할 수 있으며, 고 굴절률 폴리우레탄-함유 필름(즉, 비교적 높은 굴절률을 갖는 필름)을 제조하기 위한 황-함유 이소시아네이트-작용성 폴리우레탄과 같은 예비중합체를 제조하는데 사용될 수 있다. 이러한 실시양태에서, 제 1 성분으로서 사용되는 폴리우레탄 예비중합체는, 폴리우레탄 예비중합체를 제조하는데 사용되는 폴리티올 및/또는 폴리티올 올리고머에 함유된 다이설파이드 연결부로 인해 다이설파이드 연결부를 포함할 수 있음에 주목한다.상기 티올-함유 물질은 2개 이상의 티올 작용 기를 가질 수 있으며, 다이티올 또는 다이티올과 2개 이상의 티올 작용 기를 갖는 화합물(고차 폴리티올)의 혼합물을 포함할 수 있다. 이러한 혼합물은 다이티올들의 혼합물 및/또는 더 고차 폴리티올들의 혼합물을 포함할 수 있다. 티올 작용 기는 전형적으로 말단 기이지만, 적은 비율(즉, 모든 기의 50% 미만)은 쇄를 따라 부속될 수 있다. 화합물 (a)는 적은 비율의 다른 활성 수소 작용기(즉, 티올이 아닌 것), 예를 들어 하이드록실 작용기를 추가적으로 포함할 수 있다. 상기 티올-함유 물질은 선형 또는 분지형일 수 있으며, 환형, 알킬, 아릴, 아르알킬 또는 알크아릴 기를 포함할 수 있다.상기 티올-함유 물질은, 실질적으로 선형 올리고머성 폴리티올을 생성하도록 선택될 수 있다. 따라서, 상기 물질은 다이티올과 2개 초과의 티올 작용 기를 갖는 화합물의 혼합물을 포함하며, 2개 초과의 티올 작용 기를 갖는 화합물은 혼합물의 10 중량% 이하의 양으로 존재할 수 있다.적합한 다이티올은 선형 또는 분지형 지방족, 지환족, 방향족, 헤테로환형, 중합체성, 올리고머성 다이티올 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 다이티올은 다양한 연결부, 예컨대 비제한적으로 에터 연결부(-O-), 설파이드 연결부(-S-), 폴리설파이드 연결부(-Sx-, 이때 x는 2 이상, 또는 2 내지 4임) 및 이러한 연결부들의 조합을 포함할 수 있다.본 발명에 사용하기에 적합한 다이티올의 비제한적인 예는, 비제한적으로 2,5-다이머캅토메틸-1,4-다이티안, 다이머캅토다이에틸설파이드(DMDS), 에탄다이티올, 3,6-다이옥사-1,8-옥탄다이티올, 에틸렌 글리콜 다이(2-머캅토아세테이트), 에틸렌 글리콜 다이(3-머캅토프로피오네이트), 폴리(에틸렌 글리콜) 다이 (2-머캅토아세테이트), 폴리(에틸렌 글리콜) 다이(3-머캅토프로피오네이트), 벤젠다이티올, 4-3급-부틸-1,2-벤젠다이티올, 4,4'-티오다이벤젠티올 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.다이티올은 다이설파이드 연결부를 갖는 다이티올 올리고머, 예컨대 하기 화학식 I로 나타내어지는 물질을 포함할 수 있다: (I)상기 식에서, n은 1 내지 21의 정수를 나타낼 수 있다.화학식 I로 나타내어지는 다이티올 올리고머는, 예를 들어 당분야에 공지된 바와 같이 염기성 촉매의 존재 하에 2,5-다이머캅토메틸-1,4-다이티안과 황의 반응에 의해 제조할 수 있다.폴리티올 주의 SH 기의 성질은, 산화성 커플링이 용이하게 일어나서 다이설파이드 연결부의 형성을 유도할 수 있도록 하는 것이다. 다양한 산화제가 이러한 산화성 커플링을 유도할 수 있다. 몇몇 경우, 공기 중의 산소가 폴리티올의 저장 동안 이러한 산화성 커플링을 유도할 수 있다. 티올 기의 산화성 커플링에 대한 가능한 메커니즘은 티일 라디칼이 형성되고, 이어서 이러한 티일 라디칼의 커플링에 의해 다이설파이드 연결부가 형성되는 것으로 생각된다. 또한, 다이설파이드 연결부의 형성은, 티일 라디칼의 형성을 유도할 수 있는 조건(예컨대, 비제한적으로 자유 라디칼 개시를 포함하는 조건) 하에 일어날 수 있는 것으로 생각된다. 폴리티올은 저장 동안 형성되는 다이설파이드 연결부를 함유하는 화학종을 포함할 수 있다.상기 제 1 성분의 폴리우레탄 물질의 제조에서 물질 (ii)에 사용되는 폴리티올은 또한, 폴리티올의 합성 동안 형성되는 다이설파이드 연결부를 함유하는 화학종을 포함할 수 있다.특정 실시양태에서, 본 발명에 사용하기 위한 다이티올은, 하기 화학식 II 내지 V로 나타내어지는 하나 이상의 다이티올을 포함할 수 있다:.1,3-다이티올란(예컨대, 화학식 II 및 III) 또는 1,3-다이티안(예컨대, 화학식 IV 및 V)을 포함하는 설파이드-함유 다이티올은, 미국 특허 제 7,009,032 B2 호에 기술된 바와 같이, 비대칭-다이클로로아세톤을 다이머캅탄과 반응시키고, 이어서 반응 생성물을 다이머캅토알킬설파이드, 다이머캅탄 또는 이들의 혼합물과 반응시킴으로써 제조할 수 있다. 비대칭-다이클로로아세톤과의 반응에 사용하기에 적합한 다이머캅탄의 비제한적인 예는, 비제한적으로 하기 화학식 VI으로 나타내어지는 물질을 포함할 수 있다: (VI)상기 식에서, Y는 CH2 또는 (CH2-S-CH2)를 나타낼 수 있고,n은 0 내지 5의 정수일 수 있다.본 발명의 비대칭-다이클로로아세톤과 반응하기 위한 다이머캅탄은, 예를 들어 에탄다이티올, 프로판다이티올 및 이들의 혼합물로부터 선택될 수 있다.상기 반응을 수행하기에 적합한 비대칭-다이클로로아세톤 및 다이머캅탄의 양은 변할 수 있다. 예를 들어, 비대칭-다이클로로아세톤 및 다이머캅탄은, 다이클로로아세톤 : 다이머캅탄의 몰 비가 1:1 내지 1:10일 수 있도록 하는 양으로 상기 반응 혼합물 중에 존재할 수 있다.비대칭-다이클로로아세톤과 다이머캅탄의 반응에 적합한 온도는 변할 수 있으며, 흔히 0 내지 100℃ 범위이다.비대칭-다이클로로아세톤과 다이머캅탄의 반응 생성물과의 반응에 사용하기에 적합한 다이머캅탄의 비제한적인 예는, 비제한적으로 상기 화학식 VI으로 나타내어지는 물질, 방향족 다이머캅탄, 사이클로알킬 다이머캅탄, 헤테로환형 다이머캅탄, 분지형 다이머캅탄 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.비대칭-다이클로로아세톤과 다이머캅탄의 반응 생성물과의 반응에 사용하기에 적합한 다이머캅토알킬설파이드의 비제한적인 예는, 하기 화학식 VII로 나타내어지는 물질을 포함한다: (VII)상기 식에서, X는 O, S 또는 Se를 나타낼 수 있고,n은 0 내지 10의 정수일 수 있고,m은 0 내지 10의 정수일 수 있고,p는 1 내지 10의 정수일 수 있고,q는 0 내지 3의 정수일 수 있되, 단, (m + n)은 1 내지 20의 정수이다.본 발명에 사용하기에 적합한 다이머캅토알킬설파이드의 비제한적인 예는 분지형 다이머캅토알킬설파이드를 포함할 수 있다.비대칭-다이클로로아세톤과 다이머캅탄의 반응 생성물과 반응하기에 적합한 다이머캅탄, 다이머캅토알킬설파이드 또는 이들의 혼합물의 양은 변할 수 있다. 전형적으로, 다이머캅탄, 다이머캅토알킬설파이드 또는 이들의 혼합물은, 반응 생성물 : 다이머캅탄, 다이머캅토알킬설파이드 또는 이들의 혼합물의 당량 비가 1:1.01 내지 1:2가 될 수 있도록 하는 양으로 존재할 수 있다. 또한, 이러한 반응을 수행하기에 적합한 온도는 0 내지 100℃ 범위 내에서 변할 수 있다.비대칭-다이클로로아세톤과 다이머캅탄의 반응은 산 촉매의 존재 하에 수행될 수 있다. 이러한 산 촉매는 당분야에 공지된 각종 다양한 것들, 예컨대 비제한적으로 루이스 산 및 브뢴스테드 산으로부터 선택될 수 있다. 적합한 산 촉매의 비제한적인 예는, 문헌[Ullmann's Encyclopedia of Industrial Chemistry, 5th Edition, 1992, Volume A21, pp. 673 to 674]에 기술된 것을 포함한다. 산 촉매는 흔히 붕소 트라이플루오라이드 에터레이트, 수소 클로라이드, 톨루엔설폰산 및 이들의 혼합물로부터 선택된다. 산 촉매의 양은 반응 혼합물의 0.01 내지 10 중량%로 다를 수 있다.다르게는, 비대칭-다이클로로아세톤과 다이머캅탄의 반응 생성물은 염기의 존재 하에 다이머캅토알킬설파이드, 다이머캅탄 또는 이들의 혼합물과 반응할 수 있다. 이러한 염기는 당분야에 공지된 각종 다양한 것들, 예컨대 비제한적으로 루이스 염기 및 브뢴스테드 염기로부터 선택될 수 있다. 적합한 염기의 비제한적인 예는 문헌[Ullmann's Encyclopedia of Industrial Chemistry, 5th Edition, 1992, Volume A21, pp. 673 to 674]에 기술된 것을 포함할 수 있다. 이러한 염기는 흔히 수산화 나트륨이다. 염기의 양은 변할 수 있다. 전형적으로, 염기 : 첫번째 반응의 반응 생성물의 적합한 당량 비는 1:1 내지 10:1일 수 있다.비대칭-다이클로로아세톤과 다이머캅탄의 반응은 용매의 존재 하에 수행될 수 있다. 이러한 용매는, 비제한적으로 유기 용매로부터 선택될 수 있다. 적합한 용매의 비제한적인 예는, 비제한적으로 클로로폼, 다이클로로메탄, 1,2-다이클로로에탄, 다이에틸 에터, 벤젠, 톨루엔, 아세트산 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.또다른 실시양태에서, 비대칭-다이클로로아세톤과 다이머캅탄의 반응 생성물은 용매의 존재 또는 부재 하에 다이머캅토알킬설파이드, 다이머캅탄 또는 이들의 혼합물과 반응할 수 있으며, 이때 용매는, 비제한적으로 유기 용매로부터 선택될 수 있다. 적합한 유기 용매의 비제한적인 예는 알코올, 예컨대 비제한적으로 메탄올, 에탄올 및 프로판올; 방향족 탄화수소 용매, 예컨대 비제한적으로 벤젠, 톨루엔, 자일렌; 케톤, 예컨대 비제한적으로 메틸 에틸 케톤; 물; 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.비대칭-다이클로로아세톤과 다이머캅탄의 반응은 탈수화제의 존재 하에 수행될 수 있다. 탈수화제는 당분야에 공지된 각종 다양한 것들로부터 선택될 수 있다. 상기 반응에 사용하기에 적합한 탈수화제는, 비제한적으로 마그네슘 설페이트를 포함할 수 있다. 탈수화제의 양은 탈수화 반응의 화학량론에 따라 폭넓게 다를 수 있다.상기 제 1 성분의 폴리우레탄 물질의 제조에서 물질 (ii)에 사용하기 위한 폴리티올은, 2-메틸-2-다이클로로메틸-1,3-다이티올란과 다이머캅토다이에틸설파이드를 반응시켜 화학식 III의 다이머캅토-1,3-다이티올란 유도체를 수득함으로써 제조할 수 있다. 다르게는, 2-메틸-2-다이클로로메틸-1,3-다이티올란을 1,2-에탄다이티올과 반응시켜, 화학식 II의 다이머캅토-1,3-다이티올란 유도체를 수득할 수 있다. 2-메틸-2-다이클로로메틸-1,3-다이티안을 다이머캅토다이에틸설파이드와 반응시켜, 화학식 V의 다이머캅토-1,3-다이티안 유도체를 수득할 수 있다. 또한, 2-메틸-2-다이클로로메틸-1,3-다이티안을 1,2-에탄다이티올과 반응시켜 화학식 IV의 다이머캅토-1,3-다이타안 유도체를 수득할 수 있다.상기 물질 (ii)로서 사용하기에 적합한 다이티올의 다른 비제한적인 예는, 하기와 같이 다이클로로 유도체를 다이머캅토알킬설파이드와 반응시켜 제조된 하나 이상의 다이티올 올리고머를 포함할 수 있다:상기 식에서, R은 CH3, CH3CO, C1 내지 C10 알킬, 사이클로알킬, 아릴 알킬 또는 알킬-CO를 나타낼 수 있고,Y는 C1 내지 C10 알킬, 사이클로알킬, C6 내지 C14 아릴, (CH2)p(S)m(CH2)q, (CH2)p(Se)m(CH2)q, 또는 (CH2)p(Te)m(CH2)q를 나타낼 수 있고, 이때 m은 1 내지 5의 정수일 수 있고, p 및 q는 각각 1 내지 10의 정수일 수 있고, n은 1 내지 20의 정수일 수 있고, x는 0 내지 10의 정수일 수 있다.다이클로로 유도체와 다이머캅토알킬설파이드의 반응은 염기의 존재 하에 수행될 수 있다. 적합한 염기는 상기 개시된 것들에 더하여, 당업자에게 공지된 임의 것들을 포함한다.다이클로로 유도체와 다이머캅토알킬 설파이드의 반응은 상 전달 촉매의 존재 하에 수행될 수 있다. 본 발명에 사용하기에 적합한 상 전달 촉매는 공지되어 있으며, 다를 수 있다. 이의 비제한적인 예는, 비제한적으로 테트라알킬암모늄 염 및 테트라알킬포스포늄 염을 포함할 수 있다. 이러한 반응은 흔히 상 전달 촉매로서의 테트라부틸포스포늄 브로마이드의 존재 하에 수행된다. 상 전달 촉매의 양은 다이머캅토설파이드 반응물 대비 0 내지 50 당량%, 또는 0 내지 10 당량%, 또는 0 내지 5 당량%로 폭넓게 다를 수 있다.물질 (ii)에 사용하기 위한 폴리티올은 하이드록실 작용기를 추가로 포함할 수 있다. 하이드록실 및 복수개의(하나보다 많은) 티올 기를 갖는 적합한 물질의 비제한적인 예는, 비제한적으로 글리세린 비스(2-머캅토아세테이트), 글리세린 비스(3-머캅토프로피오네이트), 1,3-다이머캅토-2-프로판올, 2,3-다이머캅토-1-프로판올, 트라이메틸올프로판 비스(2-머캅토아세테이트), 트라이메틸올프로판 비스(3-머캅토프로피오네이트), 펜타에리트리톨 비스(2-머캅토아세테이트), 펜타에리트리톨 트리스(2-머캅토아세테이트), 펜타에리트리톨 비스(3-머캅토프로피오네이트), 펜타에리트리톨 트리스(3-머캅토프로피오네이트), 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.상기 개시된 다이티올에 더하여, 적합한 다이티올의 특정 예는 1,2-에탄다이티올, 1,2-프로판다이티올, 1,3-프로판다이티올, 1,3-부탄다이티올, 1,4-부탄다이티올, 2,3-부탄다이티올, 1,3-펜탄다이티올, 1,5-펜탄다이티올, 1,6-헥산다이티올, 1,3-다이머캅토-3-메틸부탄, 다이펜텐다이머캅탄, 에틸사이클로헥실다이티올(ECHDT), 다이머캅토다이에틸설파이드(DMDS), 메틸-치환된 다이머캅토다이에틸설파이드, 다이메틸-치환된 다이머캅토다이에틸설파이드, 3,6-다이옥사-1,8-옥탄다이티올, 1,5-머캅토-3-옥사펜탄, 2,5-다이머캅토메틸-1,4-다이티안(DMMD), 에틸렌 글리콜 다이(2-머캅토아세테이트), 에틸렌 글리콜 다이(3-머캅토프로피오네이트) 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.상기 물질 (ii)에 사용하기에 적합한 3작용성 또는 더 고차 작용성 폴리티올은 당분야에 공지된 각종 다양한 것들로부터 선택될 수 있다. 이의 비제한적인 예는 펜타에리트리톨 테트라키스(2-머캅토아세테이트), 펜타에리트리톨 테트라키스(3-머캅토프로피오네이트), 트라이메틸올프로판 트리스(2-머캅토아세테이트), 트라이메틸올프로판 트리스(3-머캅토프로피오네이트), 및/또는 티오글리세롤 비스(2-머캅토아세테이트)를 포함할 수 있다.예를 들어, 폴리티올은 하기 화학식 II로 나타내어지는 물질로부터 선택될 수 있다:상기 식에서,R1 및 R2는 각각 독립적으로 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌, 환형 알킬렌, 페닐렌 및 C1-C9 알킬-치환된 페닐렌으로부터 선택될 수 있다. 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌의 비제한적인 예는 메틸렌, 에틸렌, 1,3-프로필렌, 1,2-프로필렌, 1,4-부틸렌, 1,2-부틸렌, 펜틸렌, 헥실렌, 헵틸렌, 옥틸렌, 노닐렌, 데실렌, 운데실렌, 옥타데실렌 및 아이코실렌을 포함할 수 있다. 환형 알킬렌의 비제한적인 예는 사이클로펜틸렌, 사이클로헥실렌, 사이클로헵틸렌, 사이클로옥틸렌 및 이들의 알킬-치환된 유도체를 포함할 수 있다. 2가 연결 기 R1 및 R2는 메틸렌, 에틸렌, 페닐렌 및 알킬-치환된 페닐렌, 예컨대 메틸-, 에틸-, 프로필-, 이소프로필- 및 노닐-치환된 페닐렌으로부터 선택될 수 있다.특정 실시양태에서, 폴리티올은, (1) 임의의 전술된 다이티올 및 (2) 2개 이상의 이중 결합을 갖는 화합물(예컨대, 다이엔) 또는 삼중 결합을 갖는 화합물(예컨대, 프로파길 알코올)을 함께 반응시킴으로써 제조할 수 있다.상기 2개 이상의 이중 결합을 갖는 화합물(2)은, 비-환형 다이엔, 예컨대 직쇄 및/또는 분지쇄 지방족 비-환형 다이엔, 비-방향족 고리-함유 다이엔, 예컨대 비-방향족 고리-함유 다이엔(이때 이중 결합은 고리 내에 함유할 수 있거나, 고리 내에 함유하지 않거나, 이들의 임의의 조합일 수 있고, 비-방향족 고리-함유 다이엔은 비-방향족 일환형 기 또는 비-방향족 다환형 기 또는 이들의 조합을 포함할 수 있음); 방향족 고리-함유 다이엔; 또는 헤테로환형 고리-함유 다이엔; 또는 이러한 비-환형 및/또는 환형 기의 임의의 조합을 포함하는 다이엔으로부터 선택될 수 있다. 다이엔은 임의적으로 티오에터, 다이설파이드, 폴리설파이드, 설폰, 에스터, 티오에스터, 카보네이트, 티오카보네이트, 우레탄 또는 티오우레탄 연결부 또는 할로겐 치환기 또는 이들의 조합을 포함할 수 있되, 단, 다이엔은, 폴리티올의 SH 기와 반응할 수 있고 C-S 공유 결합을 형성할 수 있는 이중 결합을 포함한다. 흔히, 상기 2개 이상의 이중 결합을 갖는 화합물(2)은, 서로 상이한 다이엔들의 혼합물을 포함한다.상기 2개 이상의 이중 결합을 갖는 화합물(2)은, 비환형 비-공액결합된 다이엔, 아크릴계 폴리비닐 에터, 알릴-(메트)아크릴레이트, 비닐 (메트)아크릴레이트, 다이올의 다이(메트)아크릴레이트 에스터, 다이티올의 다이(메트)아크릴레이트 에스터, 폴리(알킬렌글리콜) 다이올의 다이(메트)아크릴레이트 에스터, 일환형 비-방향족 다이엔, 다환형 비-방향족 다이엔, 방향족 고리-함유 다이엔, 방향족 고리 다이카복실산의 다이알릴 에스터, 방향족 고리 다이카복실산의 다이비닐 에스터, 및/또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 비환형 비-공액결합된 다이엔의 비제한적인 예는 하기 구조식으로 나타내어지는 것들을 포함할 수 있다:상기 식에서,R은 C1 내지 C30 선형 또는 분지형 2가 포화된 알킬렌 라디칼, 또는 C2 내지 C30 2가 유기 라디칼(예컨대 비제한적으로, 에터, 티오에터, 에스터, 티오에스터, 케톤, 폴리설파이드, 설폰 및 이들의 조합과 같은 기 포함)을 나타낼 수 있다. 비환형 비-공액결합된 다이엔은 1,5-헥사다이엔, 1,6-헵탄다이엔, 1,7-옥타다이엔 및 이들의 혼합물로부터 선택될 수 있다.적합한 아크릴계 폴리비닐 에터의 비제한적인 예는 하기 구조식으로 나타내어지는 것을 포함할 수 있다:상기 식에서, R2는 C2 내지 C6 n-알킬렌, C3 내지 C5 분지형 알킬렌 기, 또는 -[(CH2-)p-O-]q-(-CH2-)r-일 수 있고,m은 0 내지 10의 유리수, 흔히 2일 수 있고,p는 2 내지 6의 정수일 수 있고,q는 1 내지 5의 정수일 수 있고,r은 2 내지 10의 정수일 수 있다.사용하기에 적합한 폴리비닐 에터 단량체의 비제한적인 예는 다이비닐 에터 단량체, 예컨대 에틸렌 글리콜 다이비닐 에터, 다이에틸렌 글리콜 다이비닐 에터, 트라이에틸렌 글리콜 다이비닐 에터 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.다이올의 다이(메트)아크릴레이트 에스터는 에탄다이올 다이(메트)아크릴레이트, 1,3-프로판다이올 다이메타크릴레이트, 1,2-프로판다이올 다이(메트)아크릴레이트, 1,4-다이부탄다이올 다이(메트)아크릴레이트, 1,3-부탄다이올 다이(메트)아크릴레이트, 1,2-부탄다이올 다이(메트)아크릴레이트 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.선형 다이올의 다이(메트)아크릴레이트 에스터는, 예를 들어 1,2-에탄다이티올의 다이(메트)아크릴레이트(이의 올리고머 포함), 다이머캅토다이에틸 설파이드의 다이(메트)아크릴레이트(즉, 2,2'-티오에탄다이티올 다이(메트)아크릴레이트)(이의 올리고머 포함), 3,6-다이옥사-1,8-옥탄다이티올의 다이(메트)아크릴레이트(이의 올리고머 포함), 2-머캅토에틸 에터의 다이(메트)아크릴레이트(이의 올리고머 포함), 4,4'-티오다이벤젠티올의 다이(메트)아크릴레이트 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.적합한 다이엔의 다른 비제한적인 예는 일환형 지방족 다이엔, 예컨대 하기 구조식으로 나타내어지는 것을 포함할 수 있다:[상기 식에서, X 및 Y는 각각 독립적으로 C1-10 2가 포화된 알킬렌 라디칼; 또는 탄소 및 수소 원자에 더하여, 황, 산소 및 규소로부터 선택되는 하나 이상의 요소를 포함하는 C1-5 2가 포화된 알킬렌 라디칼을 나타낼 수 있고, R1은 H 또는 C1-C10 알킬을 나타낼 수 있음][상기 식에서,X 및 R1은 상기 정의된 바와 같고,R2는 C2-C10 알켄일을 나타낼 수 있음].일환형 지방족 다이엔은 1,4-사이클로헥산다이엔, 4-비닐-1-사이클로헥센, 다이펜텐 및 터피넨을 포함할 수 있다.다환형 지방족 다이엔의 비제한적인 예는 5-비닐-2-노보넨, 2,5-노보나다이엔, 다이사이클로펜타다이엔 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.방향족 고리-함유 다이엔의 비제한적인 예는 하기 구조식으로 나타내어지는 것을 포함할 수 있다:상기 식에서, R4는 수소 또는 메틸을 나타낼 수 있다.방향족 고리-함유 다이엔은 단량체, 예컨대 다이이소프로펜일 벤젠, 다이비닐 벤젠 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.방향족 고리 다이카복실산의 다이알릴 에스터의 예는, 비제한적으로 하기 구조식으로 나타내어지는 것을 포함할 수 있다:상기 식에서,m 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수일 수 있다.방향족 고리 다이카복실산의 다이알릴 에스터는 o-다이알릴 프탈레이트, m-다이알릴 프탈레이트, p-다이알릴 프탈레이트 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.흔히, 상기 2개 이상의 이중 결합을 갖는 화합물(2)은 5-비닐-2-노보넨, 에틸렌 글리콜 다이비닐 에터, 다이에틸렌 글리콜 다이비닐 에터, 트라이에틸렌 글리콜 다이비닐 에터, 부탄 다이올 다이비닐 에터, 비닐사이클로헥센, 4-비닐-1-사이클로헥센, 다이펜텐, 터피넨, 다이사이클로펜타다이엔, 사이클로도데카다이엔, 사이클로옥타다이엔, 2-사이클로펜텐-1-일-에터, 2,5-노보나다이엔, 다이비닐벤젠, 예컨대 1,3-다이비닐 벤젠, 1,2-다이비닐 벤젠, 1,4-다이비닐 벤젠; 다이이소프로펜일벤젠, 예컨대 1,3-다이이소프로펜일벤젠, 1,2-다이이소프로펜일벤젠, 1,4-다이이소프로펜일벤젠; 알릴 (메트)아크릴레이트, 에탄다이올 다이(메트)아크릴레이트, 1,3-프로판다이올 다이(메트)아크릴레이트, 1,2-프로판다이올 다이(메트)아크릴레이트, 1,3-부탄다이올 다이(메트)아크릴레이트, 1,2-부탄다이올 다이(메트)아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 다이에틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 다이머캅토다이에틸설파이드 다이(메트)아크릴레이트, 1,2-에탄다이티올 다이(메트)아크릴레이트, 및/또는 이들의 혼합물을 포함한다.적합한 다이(메트)아크릴레이트 단량체의 다른 비제한적인 예는 에틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 1,3-부틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄다이올 다이(메트)아크릴레이트, 2,3-다이메틸-1,3-프로판다이올 다이(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산다이올 다이(메트)아크릴레이트, 프로필렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 다이프로필렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 트라이프로필렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 테트라프로필렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 에톡실화된 헥산다이올 다이(메트)아크릴레이트, 프로폭실화된 헥산다이올 다이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 알콕실화된 네오펜틸 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 헥실렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 다이에틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 티오다이에닐렌글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 트라이에틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 알콕실화된 헥산다이올 다이(메트)아크릴레이트, 알콕실화된 네오펜틸 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 펜탄다이올 다이(메트)아크릴레이트, 사이클로헥산 다이메탄올 다이(메트)아크릴레이트 및 에톡실화된 비스페놀 A 다이(메트)아크릴레이트를 포함할 수 있다.상기 제 1 성분의 폴리우레탄 물질의 제조에서 물질 (ii)로 사용하기에 적합한 폴리티올은, 폴리이소시아네이트(i)와 반응하는 경우, 20 N/mm2 이상, 또는 흔 50 N/mm2 이상, 또는 더욱 흔히 70 내지 200 N/mm2의 마텐스(Martens) 경도를 갖는 중합물을 생성할 수 있다. 이러한 중합물은 전형적으로 이의 강성으로 인해 탄성중합체성이 아니며, 즉, 이는 실질적으로 비가역적으로 변형가능하지(연신가능하지) 않으며, 전형적으로 고무 및 다른 탄성중합체성 중합체의 특성을 나타내지 않는다.상기 활성 수소 성분(b)은, 하나 이상의 아미노 알코올(아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 화합물)을 추가로 포함한다. 상기 아미노 알코올은 구조식 H2N-L-OH를 가지며, 여기서 L은, 헤테로원자를 포함할 수 있는 선형 또는 분지형 알킬, 아릴, 아르알킬 또는 알크아릴이다. 특정 실시양태에서, 상기 아미노 알코올은 구조식 H2N-CH2-L'-CH2-OH를 가지며, 여기서 L'은, 헤테로원자를 포함할 수 있는 선형 또는 분지형 알킬, 아릴, 아르알킬 또는 알크아릴이다.이러한 물질은 흔히 하기 구조식을 가진다:상기 식에서, R은 H 또는 C1 내지 C4 알킬 기이고,n은 1 내지 10의 정수이다.전술된 바와 같이, 상기 아미노 알코올은 흔히 지방족이다. 지방족 물질은 최종 제품에 더 우수한 가요성을 제공하여, 더 우수한 내충격성을 제공한다. 지방족 물질을 사용하여 본 발명의 방법에 따라 제조된 광학 제품은 또한, 방향족 물질로 제조된 제품에 비해 더 우수한 광 안정성 및 더 적은 황변을 나타낸다. 방향족 출발 물질, 예컨대 방향족 아민은 또한 비교적 짧은 저장 수명을 갖고, 산화 및 황화되기 쉬운 것으로 공지되어 있다.지방족 물질을 사용하는 것은 다소 비직관적이며, 그 이유는, 지방족 폴리아민이 이소시아네이트와 너무 빨리 반응해서, 폴리우레아의 형성(흔히, 매우 짧은 겔화 시간을 가짐)을 제어할 수 없기 때문이다. 그러나, 본 발명에서와 같이, 상기 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 지방족 화합물을 사용하면, 지방족 폴리아민과 이소시아네이트의 반응에 비해 이소시아네이트와의 반응을 늦춘다. 동시에, 상기 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 지방족 화합물을 사용하면, 최종 생성물에서 제조후 렌즈 가공을 가능하게 하는 바람직한 물리적 특성(예컨대, 열적 안정성 및 경도)을 제공한다. 이는, 중합물 중에 존재하는 우레아 연결부로 인한 것으로 생각된다. 우레아 연결부는 또한 최종 생성물에 비-탄성중합체성을 제공한다.상기 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 화합물은 전형적으로 60 내지 450의 수 평균 분자량을 가진다. 더 높은 분자량을 갖는 물질은 불투명함에 기여할 수 있다. 흔히, 상기 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 물질은 에탄올아민, 다이에탄올아민, 아미노-2-프로판올, 2-아미노-1-메틸-1-프로판올, 2-아미노-1-부탄올 및/또는 2-(2-아미노에톡시)에탄올(다이에틸렌 글리콜아민, 또는 DGA)을 포함한다. 전형적으로, 상기 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 물질은 상기 성분 (b)의 수지 고형분의 총 중량을 기준으로 5 내지 70 중량%, 흔히 10 내지 70 중량%, 더욱 흔히 15 내지 50 중량%의 양으로 상기 활성 수소 성분 (b) 중에 존재한다. 전형적으로, 상기 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 물질은 상기 반응 혼합물의 수지 고형분의 총 중량을 기준으로 5 내지 25 중량%의 양으로 상기 반응 혼합물 중에 존재한다.전술된 바와 같이, 본 발명의 특정 실시양태에서, 상기 반응 혼합물은 본질적으로 폴리아민이 없다. 특히, 상기 활성 수소 성분(b)는 흔히 본질적으로 2,4-다이아미노-3,5-다이에틸-톨루엔, 2,6-다이아미노-3,5-다이에틸-톨루엔 및 이들의 혼합물(집합적으로, "다이에틸톨루엔다이아민" 또는 "DETDA")이 없다.상기 반응 혼합물은, 특히 광학 필름을 제조하는데 사용되는 경우, 용매를 추가로 포함할 수 있다. 적합한 용매는 당업자에게 공지된 임의의 유기 용매를 포함할 수 있되, 단, 이는 이소시아네이트 작용 기와 반응성이 아니다. 그 예는 케톤, 푸란, 방향족 용매 및 염소화된 용매이다. 적합한 용매는, 비제한적으로 아세톤, 아밀 프로피오네이트, 아니솔, 벤젠, 부틸 아세테이트, 사이클로헥산, 에틸렌 글리콜의 다이알킬 에터, 예컨대, 다이에틸렌 글리콜 다이메틸 에터 및 이의 유도체(셀로솔브(CELLOSOLVE, 등록상표) 공업 용매), 다이에틸렌 글리콜 다이벤조에이트, 다이메틸 설폭사이드, 다이메틸 폼아마이드, 다이메톡시벤젠, 에틸 아세테이트, 메틸 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸 프로피오네이트, 프로필렌 카보네이트, 테트라하이드로푸란, 톨루엔, 자일렌, 2-메톡시에틸 에터, 3-프로필렌 글리콜 메틸 에터, 메틸렌 클로라이드, 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 상기 용매는 상기 제 1 성분의 총 중량을 기준으로 0 내지 95 중량%, 또는 20 내지 95 중량%, 또는 20 내지 80 중량%, 또는 40 내지 60 중량%의 양으로 상기 제 1 성분 중에 존재할 수 있다. 전형적으로, 상기 용매는, 상기 제 1 성분의 점도가 작업가능한 점도로, 예를 들면 10 내지 100 cp로, 예컨대 15 내지 20 cp로 감소되도록 하는 양으로 존재한다.본 발명의 방법의 단계 (2)에서는, 이소시아네이트 작용 기를, 중간체 생성물을 형성하기에 충분한 온도 및 시간으로, 상기 반응 혼합물 중의 아민 작용 기와 반응시킨다. 상기 중간체 생성물은 하이드록실 작용 기를 갖는 폴리우레아 작용성 예비중합체를 포함한다. 상기 중간체 생성물은 폴리올 및/또는 폴리티올, 및 임의적으로, 상기 활성 수소 성분 (b)로부터의 과량의 아미노 알코올의 혼합물이다. 전술된 중간체 생성물이 제조된 후, 이는 단계 (3)에서 추가의 이소시아네이트 및 임의적으로 촉매와 혼합되어, 제 2 반응 혼합물을 형성한다. 이러한 혼합은 우레탄 혼합 기계 내에서 수행될 수 있다. 폴리이소시아네이트는 전술된 임의의 것일 수 있으며, 상기 폴리이소시아네이트 성분(a)에 사용된 것과 동일하거나 상이할 수 있다. 적합한 촉매는 당분야에 공지된 것으로부터 선택될 수 있다. 적합한 촉매의 비제한적인 예는 루이스 염기, 루이스 산, 및 문헌[Ullmann's Encyclopedia of Industrial Chemistry, 5th Edition, 1992, Volume A21, pp. 673 to 674]에 기술된 바와 같은 삽입 촉매의 군으로부터 선택될 수 있다. 상기 촉매는 유기 산의 제 1 주석 염, 예컨대 비제한적으로 제 1 주석 옥토에이트, 다이부틸 주석 다이라우레이트, 다이부틸 주석 다이아세테이트, 다이부틸 주석 머캅타이드, 다이부틸 주석 다이말레이트, 다이메틸 주석 다이아세테이트, 다이부틸 주석 다이클로라이드, 1,4-다이아자바이사이클로[2.2.2]옥탄 및 이들의 혼합물일 수 있다. 다르게는, 상기 촉매는 아연 옥토에이트, 비스무트 또는 제 2 철 아세틸아세토네이트일 수 있다.적합한 촉매의 다른 비제한적인 예는 주석 화합물, 예컨대 다이부틸 주석 옥사이드, 포스핀, 3급 암모늄 염; 및 3급 아민, 예컨대 비제한적으로, 트라이에틸아민, 트라이이소프로필아민, 다이메틸 사이클로헥실아민, N,N-다이메틸벤질아민 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 이러한 적합한 3급 아민은 미국 특허 제 5,693,738 호의 칼럼 10, 6 내지 38행에 개시되어 있으며, 상기 특허의 개시내용을 본원에 참고로 인용한다.사용되는 경우, 상기 촉매의 수준은 다를 수 있으며, 다양한 인자(예컨대, 사용되는 반응성 화합물의 유형 및 양뿐만 아니라 반응 조건, 반응 속도 및 목적하는 반응 정도)에 의존적일 수 있다. 전형적으로, 유기주석 촉매는 300 ppm 미만, 흔히 250 ppm 미만의 양으로 상기 성분 (B) 중에 존재할 수 있으며, 3급 아민 촉매는 상기 제 2 반응 혼합물의 총 중량을 기준으로 1000 ppm 미만, 일반적으로 800 ppm 미만, 흔히 약 720 ppm의 양으로 존재한다.상기 제 2 반응 혼합물은, 예를 들어 통상적인 용매 캐스팅 공정에서 지지체 기재 상으로 분배됨으로써 즉시 필름으로 형성될 수 있다. 적합한 필름-형성 기술은, 편평 필름-형성 다이를 통해 압출한 후 캐스팅 롤 상에 필름을 캐스팅함으로써 필름을 형성함; "블로운(blown) 필름" 기술(여기서는, 필름-형성 조성물을 원형 다이를 통해 가압하고, 배출되는 원형 필름 프로파일을 압축 공기에 의해 팽창시킴)에 의해 필름을 형성함; 필름-형성 조성물을 빌렛(billet) 또는 다른 고체 형태로 캐스팅하고, 후속적으로, 형성된 빌렛으로부터 필름을 스카이빙하는 것뿐만 아니라, 당분야에 공지된 다른 기술도 포함한다. 이러한 기술 중에, 필름 제조에 통상적으로 사용되는 방법은 필름 캐스팅 기술 및 블로운 필름 기술에 의한 필름 제조를 포함한다.다른 통상적으로 사용되는 첨가제가 상기 제 1 및/또는 제 2 반응 혼합물 중에 포함될 수 있음을 추가로 언급해야 한다. 이러한 첨가제는, 비제한적으로 광 안정화제, 열 안정화제, 산화방지제, 자외선 광 흡수제, 이형제, 예컨대 스테판 캄파니(Stepan Company)로부터 입수가능한 젤렉(ZELEC, 등록상표) UN, 정적(static) (비-광색성) 염료, 안료 및 유연화 첨가제를 포함할 수 있다.상부에 상기 반응 혼합물이 캐스팅되는 지지체 기재는 평활한 표면을 가지며, 예를 들어 유리, 스테인레스 강뿐만 아니라 중합체성 기재, 예컨대 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드 또는 실리콘을 포함할 수 있되, 단, 상기 기재를 제조하는 물질은 후속 경화 온도에 견딜 수 있어야 한다.상기 반응 혼합물은 지지체 기재 상에 분배되어 실질적으로 균일한 두께를 형성하고, 경화 후 0.5 내지 20 mil(12.7 내지 508 마이크론), 또는 1 내지 10 mil(25.4 내지 254 마이크론), 또는 2 내지 4 mil(50.8 내지 101.6 마이크론)의 건조 필름 두께를 제공한다.상기 반응 혼합물을 상기 기재에 적용한 후, 온화한 가열에 의해 또는 공기-건조 기간에 의해(전형적으로 약 1 내지 20분 동안 주위 조건에 노출시키는 것 포함) 필름으로부터 용매를 제거함으로써, 적어도 부분적 필름이 상기 기재의 표면 상에 형성된다. 이어서, 상기 기재 상의 필름을 경화된 필름을 수득하기에 충분한 온도 및 시간으로 가열한다. 경화 작업에서, 용매를 제거하고, 상기 반응 혼합물 중의 반응성 작용 기를 함께 반응시킨다. 예를 들어, 폴리우레탄-우레아 필름의 제조시, 가열 또는 경화 작업은 100℃ 내지 210℃ 범위의 온도에서 10 내지 100분의 기간 동안 수행될 수 있다. 이러한 온도 범위에서, 1500 이하의 수 평균 분자량을 갖는 제 1 성분으로서 폴리우레탄 물질을 포함하는 반응 혼합물은 40 내지 70분 이내에 경화될 수 있다. 대안적 실시양태에서, 경화는 주위 온도(예컨대, 25℃) 내지 100℃ 범위의 저온에서 100분 내지 5일의 더 긴 시간 동안 수행될 수 있다. 경화 온도 및 유지(dwell) 시간은 반응물의 성질(예컨대, 반응성 기의 유형, 임의의 촉매의 존재 등)에 의존성일 수 있다.본 발명의 방법에 따라 제조된 경화된 비-탄성중합체성 폴리우레탄-함유 필름은, 예를 들어 다층 광학 물품(예컨대, 액정 디스플레이(LCD))에 사용하기 위한 편광 광학 소자 중의 하나 이상의 보호 및/또는 지지체 필름 층으로서 사용될 수 있다.다르게는, 상기 제 2 반응 혼합물을 열경화된 중합물을 형성하기 위한 온도 및 시간으로 임의의 목적하는 형태의 주형에 도입할 수 있다. 상기 제 2 반응 혼합물은 전형적으로 발열 반응을 겪으며, 혼합 후, 이는 일반적으로 주형에 도입된다. 상기 반응 혼합물이 주형에 도입될 때의 온도는 일반적으로 130℃ 이하, 흔히 120℃ 이하이다. 상기 반응 혼합물을, 상기 반응 혼합물을 본질적으로 경화시켜 성형된 광학 물품을 형성하기에 충분한 온도 및 시간으로 주형 내에 유지한다. 상기 주형은 최종 생성물에 적합한 임의의 형태를 가질 수 있다. 이는 전형적으로 렌즈 주형, 흔히 안과 렌즈용 주형이다. 이어서, 성형된 물품을 주형으로부터 이형시킬 수 있다.광학 물품이 렌즈인 본 발명의 실시양태에서, 임의적으로 탈기될 수 있는 상기 제 2 반응 혼합물은, 일반적으로 주입에 의해 주형에 도입될 수 있으며, 상기 주형은 당분야에 공지된 다양한 통상적인 기술을 사용하여(즉, 열 경화 사이클을 사용하여) 가열될 수 있다. 열 경화 사이클은 반응물의 반응성 및 몰 비 및 촉매(들)의 존재에 따라 변할 수 있다. 특정 실시양태에서, 열 경화 사이클은, 상기 혼합물을 실온 내지 200℃의 온도로 0.5시간 내지 120시간의 기간에 걸쳐, 또는 80내지 150℃의 온도로 5시간 내지 72시간 동안 가열함을 포함할 수 있다. 본 발명의 방법에 의해 제조된 광학 물품은 높은 수율, 높은 투명도(80% 이상의 광 투과율), 매우 낮은 헤이즈, 적은 흐름 선, 및 적은 함유물을 나타낸다. 더욱이, 본 발명의 방법에 의해 제조된 광학 물품은 1.52 이상, 예컨대 1.53 이상의 굴절률을 나타낸다.본 발명은 또한 "단일 배취" 또는 "단일 반응용기(one-pot)" 기술을 사용하여 투명한 비-탄성중합체성 광학 물품을 제조하는 방법을 제공한다. 상기 방법은,(1)(a) 하나 이상의 상이한 폴리이소시아네이트를 포함하는 폴리이소시아네이트 성분; 및 (b)(b1) 하나 이상의 폴리올을 포함하고 본질적으로 아미노 기가 없는 제 1 성분; 및 (b2) 폴리올 및/또는 폴리티올 하나 이상, 및 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 화합물 하나 이상을 포함하는 제 2 성분을 포함하는 활성 수소 성분을 배합하여 반응 혼합물을 형성하는 단계로서, 상기 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 화합물이 구조식 H2N-L-OH를 갖되, 여기서 L은, 헤테로원자를 포함할 수 있는 선형 또는 분지형 알킬, 아릴, 아르알킬, 또는 알크아릴 쇄이고, 상기 폴리올들 중 적어도 하나는 60 내지 450의 수 평균 분자량을 갖는, 단계;(2) 상기 반응 혼합물을, 열경화된 중합물을 형성하기에 충분한 온도 및 시간으로, 목적하는 형태의 주형에 도입하는 단계; 및 (3) 상기 중합물을 상기 주형으로부터 이형시켜 투명한 광학 물품을 수득하는 단계를 포함한다.폴리이소시아네이트는 전술된 임의의 것들일 수 있다. 폴리이소시아네이트 성분은 전형적으로 이소포론 다이이소시아네이트, 다이사이클로헥실메탄 다이이소시아네이트, 헥사메틸렌 다이이소시아네이트, 다이페닐메탄-4,4'-다이이소시아네이트, 메타-테트라메틸자일렌 다이이소시아네이트 (1,3-비스(1-이소시아네이토-1-메틸에틸)-벤젠) 및/또는 메타-자일릴렌 다이이소시아네이트를 포함한다.본 발명의 특정 실시양태에서, 특히 상기 활성 수소 성분(b)에서 상기 반응 혼합물은 본질적으로 폴리아민이 없으며, 아미노 및 방향족 작용기를 둘 다 포함하는 화합물이 본질적으로 없다(이때, 아미노 기는 방향족 고리에 직접 부착됨).활성 수소 성분(b)에서, 상기 제 1 성분(b1) 중의 폴리올은 전술된 임의의 것일 수 있되, 단, 상기 제 1 성분(b1) 중의 폴리올의 40 중량% 미만, 흔히 35 중량% 미만, 더욱 흔히 30 중량%는 500 초과의 수 평균 분자량을 가진다.상기 제 2 성분(b2)은, 전술된 임의의 것들일 수 있는 하나 이상의 폴리올 및/또는 폴리티올을 포함한다. 상기 제 2 성분(b2)은 전술된 바와 같은 아미노 알코올을 추가로 포함하며, 이는 흔히 60 내지 450의 수 평균 분자량을 가진다. 아미노 알코올은 일반적으로 에탄올아민 또는 DGA를 포함한다.상기 활성 수소 성분(b)는 전술된 바와 같은 티올 작용성 화합물을 추가로 포함할 수 있다.본 발명의 단계 (2)에서, 상기 반응 혼합물은, 예를 들어 전술된 바와 같은 캐스팅 공정을 사용하여 지지체 기재 상으로 분배됨으로써 즉시 필름으로 형성될 수 있다. 다르게는, 상기 반응 혼합물은, 우레탄 혼합 기계 내에서 혼합되고, 전술된 반응물 주입 성형 단계에 의해, 열경화된 중합물을 형성하기 위한 온도 및 시간으로 임의의 목적하는 형태의 주형에 도입될 수 있다.이어서, 상기 물품은 상기 단계 (3)에서 주형 또는 지지체 기재로부터 이형될 수 있다. 본 발명의 방법에 의해 제조된 광학 물품은 높은 수율, 높은 투명도, 매우 낮은 헤이즈, 적은 흐름 선, 적은 함유물 및 1.52 이상의 굴절률을 나타낸다.본 발명의 추가의 실시양태에서, 경화된 비-탄성중합체성 폴리우레탄-함유 광학 물품의 제조 방법이 제공된다. 상기 방법은,(1)(a) 하나 이상의 상이한 폴리이소시아네이트를 포함하는 폴리이소시아네이트 성분; 및 (b) 폴리올 및/또는 폴리티올 하나 이상, 및 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 화합물 하나 이상을 포함하는 활성 수소 성분을 배합하여, 본질적으로 우레탄화 촉매가 없는 반응 혼합물을 형성하는 단계로서, 상기 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 화합물이 구조식 H2N-L-OH를 갖되, 여기서 L은, 헤테로원자를 포함할 수 있는 선형 또는 분지형 알킬, 아릴, 아르알킬, 또는 알크아릴 쇄인, 단계; (2) 상기 폴리올 및/또는 폴리티올, 및 임의적으로, 상기 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 화합물과의 혼합물로, 하이드록실 작용 기를 갖는 폴리우레아 예비중합체를 포함하는 중간체 생성물을 형성하고 본질적으로 모든 이소시아네이트 작용 기를 소모하기에 충분한 온도 및 시간으로, 상기 폴리이소시아네이트 성분을 상기 활성 수소 성분 중의 아민 작용 기와 반응시키는 단계; (3) 상기 단계 (2)에서 형성된 중간체 생성물을 추가의 폴리이소시아네이트, 및 임의적으로, 우레탄화 촉매와 혼합하여 제 2 반응 혼합물을 형성하는 단계; (4) 상기 단계 (3)에서 형성된 상기 제 2 반응 혼합물을, 열경화된 중합물을 형성하기에 충분한 온도 및 시간으로, 목적하는 형태의 주형에 도입하는 단계; 및 (5) 상기 중합물을 상기 주형으로부터 이형시켜, 투명한 광학 물품을 수득하는 단계를 포함한다.상기 방법의 단계 (2)에서는, 아민 당량의 1 내지 99%, 예컨대 10 내지 90%, 또는 예컨대 20% 이상 90% 이하, 또는 20% 이상 80% 이하, 또는 20% 이상 70% 이하가 소모될 때까지, 상기 폴리이소시아네이트 성분의 이소시아네이트 기를 아민 작용 기와 반응시킨다. 상기 방법의 단계 (2)에서, 상기 반응은 본질적으로 모든 이소시아네이트 작용 기를 소모하기에 충분한 시간 동안 계속된다. 폴리올 및/또는 폴리티올, 및 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 화합물과 조합된, 하이드록실 작용기를 갖는 폴리우레아 예비중합체를 포함하는 중간체 생성물이 상기 단계 (2)에서 형성된다.본 발명의 추가의 실시양태에서, 경화된 비-탄성중합체성 폴리우레아-함유 광학 물품의 제조 방법이 제공된다. 상기 방법은,(1)(a) 하나 이상의 상이한 폴리이소시아네이트를 포함하는 폴리이소시아네이트 성분, 및 (b) 하나 이상의 폴리올을 배합하여 반응 혼합물을 형성하는 단계로서, 상기 폴리이소시아네이트 성분이 하이드록실 작용 기 대비 화학량론적 과량으로 존재하는, 단계; (2) 상기 성분들을, 본질적으로 모든 하이드록실 작용 기를 소모하기에 충분한 온도 및 시간으로 반응시켜, 과량의 폴리이소시아네이트와의 혼합물로, 이소시아네이트 작용기를 갖는 폴리우레탄 예비중합체를 포함하는 중간체 생성물을 형성하는 단계; (3) 상기 단계 (2)에서 형성된 중간체 생성물을, 임의적으로, 폴리올 및/또는 폴리티올 하나 이상, 및 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 화합물 하나 이상을 포함하는 활성 수소 성분과 혼합하여 제 2 반응 혼합물을 형성하는 단계로서, 이때 상기 아민 및 하이드록실 작용 기를 둘 다 포함하는 화합물이 구조식 H2N-L-OH를 갖되, 여기서 L은, 헤테로원자를 포함할 수 있는 선형 또는 분지형 알킬, 아릴, 아르알킬, 또는 알크아릴 쇄인, 단계; (4) 상기 단계 (3)에서 형성된 제 2 반응 혼합물을, 열경화된 중합물을 형성하기에 충분한 온도 및 시간으로, 목적하는 형태의 주형에 주입을 통해 도입하는 단계; 및 (5) 상기 중합물을 상기 주형으로부터 이형시켜, 투명한 광학 물품을 수득하는 단계를 포함한다.상기 다양한 성분 및 공정 단계는 전술된 임의의 것들을 포함할 수 있다.실시예하기 실시예는 본 발명에 따른 광학 물품의 형성을 기술하는 것이다. 상기 광학 물품은 물리적 특성을 특징으로 한다. 하기 실시예에서, 피셔(Fisher) 미소경도("FMH") 값은 ISO 14577에 따라, 피셔 테크놀로지스(Fisher Technologies)로부터 입수가능한 H100C 미소 경도 측정 시스템을 사용하여 결정하였다. ABBE(e) 값 및 굴절률(RI(e))은 메트리콘 코포레이션(Metricon Corporation)으로부터 입수가능한 메트리콘 모델 2010 프리즘 커플러, 박막 두께/굴절률 측정 시스템을 사용하여 결정하였다. 유리 전이 온도(Tg)는 시차 주사 열량계, 또는 각각의 실시예에 제시된 바와 같은 동역학적 분석에 의해 측정하였다.하기 실시예에서 사용되는 물질을 다음과 같이 요약한다:실시예 1 내지 37은 광학 물품의 제조를 예시하며, 여기서 모든 물질을 함께 혼합하고, 캐스팅하였다. 적용시, 성분 A의 구성요소들을 하기 표 1에 기술되는 비로 함께 혼합하였다. 이 혼합물을 실온에서 진공 하에 4시간 동안 탈기시켰다. 별도의 용기에서, 성분 B의 구성요소들을 배합하고, 하기 표 1에 기술되는 비로 혼합하고, 이어서 진공 하에 실온에서 4시간 동안 탈기시켰다. 이어서, 조성물을 캐스팅하기 위해, 약 80℃로 가열하면서, 하기 표 2에 개시되는 비에 따라 성분 A 및 성분 B를 진공 하에 함께 혼합하였다. 균질한 외관에 도달했을 때, 생성 혼합물을, 130℃로 예열된 15 cm×15 cm×0.3 cm 치수의 유리 주형에 투입하였다. 이 물질을 130℃에서 18시간 동안 오븐 내에서 경화시켰다. 생성 물질은 투명하고 무색이었으며, 하기 표 2에 열거된 특성을 나타내었다.[표 1][표 2]실시예 36 내지 68은, 아미노 알코올 및 폴리올과 이소시아네이트의 반응에 의해 캐스팅 이전에 형성된 우레아-함유 다이올을 포함하는 광학 물품의 제조를 예시하는 것이다.캐스팅 이전에, 우레아-함유 폴리올 혼합물을 성분 B로서 합성하였다. 각각의 성분 B의 경우, 하기 절차가 뒤따랐다: 교반기 및 온도계를 장착한 반응기에 성분 B의 아미노 알코올 및 폴리올 구성요소를 하기 표 3에 기술되는 양에 따라 투입하였다. 이러한 아미노 알코올과 폴리올의 혼합물을 교반하여, 균질 용액을 수득하였다. 이 용액에, 성분 (B)의 이소포론 다이소시아네이트(I1) 구성요소를 교반 하에 60℃ 미만의 반응 온도를 유지하기에 충분한 속도로 적가하였다. 첨가 이후, 반응 온도를 55 내지 80℃로 유지하고, IR에 의해 이소시아네이트가 검출되지 않을 때까지 계속 교반하여, 투명한 점성 액체를 수득하였다.실시예 38 내지 68의 물질을 하기 절차로 캐스팅하여, 광학 물품을 형성하였다: 소정 양의 성분 B(우레아-함유 폴리올)를 60 내지 80℃에서 감압 하에 4시간 동안 교반하였다. 별도의 용기에서, 성분 A(4,4'-메틸렌비스(사이클로헥실 이소시아네이트), "I2")를 탈기될 때까지 감압 하에 유지하였다. 이어서, 성분 A를 하기 표 4에 제시된 캐스팅 비로 성분 B에 가하고, 생성 혼합물을 감압 하에 연속적으로 교반하였다. 투명함에 도달하였을 때, 이 혼합물을 0.125 인치의 공동(cavity) 두께를 갖는 2성분 유리 주형에 부었다. 이 주형을 예열된 오븐 안에 넣고, 하기 표 4에 따라 경화 사이클로 처리하였다. 이형시, 투명한 경질의 중합체가 수득되었으며, 이는 하기 표 4에 열거되는 특성을 나타내었다.[표 3][표 4]1 경화 사이클 1: 50℃에서 130℃까지 2시간에 걸쳐 구배, 이어서 8시간 동안 유지,2 경화 사이클 2: 70℃에서 130℃까지 8시간에 걸쳐 구배, 이어서 16시간 동안 유지,3 퍼킨 엘머 피리스 다이아몬드(Perkin Elmer Pyris Diamond) 동역학적 분석기를 사용하여 DMA로 측정된 Tg,4 티에이 인스트루먼츠(TA Instruments) Q200 시차 주사 열량계를 사용하여 DSC로 측정된 Tg.본 발명의 특정 실시양태가 예시의 목적으로 전술되었지만, 첨부된 특허청구범위에 정의된 바와 같은 본 발명으로부터 벗어나지 않고 본 발명의 세부사항에 대한 수많은 변형이 수행될 수 있음이 당업자에게 자명할 것이다.	투명한 비-탄성중합체성 광학 물품을 제조하기 위한 조성물이 제공되며, 상기 조성물은, (1) 하나 이상의 상이한 폴리이소시아네이트를 포함하는 폴리이소시아네이트 성분; 및 (2)(a) 임의적으로, 500 초과의 수 평균 분자량을 갖는 폴리올 하나 이상; (b)(i) 폴리올 및/또는 폴리티올 하나 이상 및 (ii) 아민 및 하이드록실 작용기를 둘 다 포함하고 500 미만의 수 평균 분자량을 갖는 화합물 하나 이상을 포함하는, 이소시아네이트와 반응성인 성분; 및 임의적으로, (3) 우레탄화 촉매 를 포함한다. 또한, 경화된 비-탄성중합체성 폴리우레탄-함유 광학 물품을 제조하는 다단계 및 단일 반응용기 방법이 제공된다.
[ 발명의 명칭 ] 5-하이드록시-1H-이미다졸-4-카복사마이드의 유효 투여량 또는 감수성의 예측 방법 및 예측 장치, 잔토신 1인산의 양의 측정 방법 그리고 골수 이형성 증후군의 처치제 및 처치 방법5-HYDROXY-1H-IMIDAZOLE-4-CARBOXAMIDE EFFECTIVE-DOSE/SENSITIVITY PREDICTION METHOD AND PREDICTION DEVICE, XANTHOSINE-MONOPHOSPHATE-AMOUNT MEASUREMENT METHOD, AND MYELODYSPLASTIC-SYNDROME TREATMENT AGENT AND TREATMENT METHOD [ 기술분야 ] 본 발명은, 골수 이형성 증후군 환자에 대한 5-하이드록시-1H-이미다졸-4-카복사마이드 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량의 예측 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 골수 이형성 증후군 환자가, 5-하이드록시-1H-이미다졸-4-카복사마이드 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 예측하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 혈액에 포함되는 잔토신 1인산의 양의 측정 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 골수 이형성 증후군 환자에 대한 5-하이드록시-1H-이미다졸-4-카복사마이드의 유효 투여량을 예측하기 위한 장치, 및 골수 이형성 증후군 환자가, 5-하이드록시-1H-이미다졸-4-카복사마이드 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 예측하기 위한 장치에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 5-하이드록시-1H-이미다졸-4-카복사마이드 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여 감수성이라고 예측된 골수 이형성 증후군 환자의 처치에 이용하기 위한 처치제 및 처치 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 5-하이드록시-1H-이미다졸-4-카복사마이드(이하, "화합물 A"라고도 칭함) 혹은 그 염 또는 그 수화물은, 골수 이형성 증후군(MDS)에 유용한 것이 알려져 있다(비특허문헌 1). 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물은, 생체 내에서 아데닌포스포리보실트랜스페라제(APRT)에 의하여 변환되어 리보실모노포스페이트(RMP)가 되고, 이노신-5'-모노포스페이트데하이드로제나제(IMPDH)를 저해한다. IMPDH는, 이노신모노포스페이트(IMP)로부터 잔토신 1인산(XMP)을 생성하는 효소이다.IMPDH 저해제로서는, 마이코페놀산 및 마이코페놀산 모페틸 등의 면역 억제제가 알려져 있다. 이들 면역 억제제에 대해서는, 혈액으로부터 얻은 림프구 등을 포함하는 분획인 말초혈 단핵구(PBMC)의 세포파쇄액에 생체 외(in vitro)에서 IMP를 첨가하여 IMPDH에 의한 효소 반응을 행하게 하고, XMP의 양을 측정함으로써, IMPDH 저해제에 의한 저해의 정도를 평가하는 방법이 보고되어 있다(비특허문헌 2).뉴클레오타이드의 분석에 대해서는, 친수성 상호 작용 크로마토그래피-매스스펙트로메트리(HILIC-MS) 및 수성 순상 크로마토그래피-매스스펙트로메트리를 이용하는 방법이 보고되어 있다(비특허문헌 3). 또, XMP의 분석에 대해서는, 이온 페어 시약을 이용한 역상 크로마토그래피 및 이온 교환 크로마토그래피에 의한 방법이 보고되어 있다.IMPDH에 의하여 생성된 XMP는 또한 생체 내의 효소 반응에 의하여, 구아노신 1인산(GMP), 구아노신 2인산(GDP), 구아노신 3인산(GTP)으로 변환되어 핵산 합성의 재료가 된다(비특허문헌 4). [ 선행기술문헌 ] [ 비특허문헌 ] 비특허문헌 1: 암과 화학요법, 1989년, 제16권, 제1호, 제123~130 페이지비특허문헌 2: Analytical Chemistry, 2012년, 제84권, 제216~223 페이지비특허문헌 3: Analytical Chemistry, 2012년, 제84권, 제1994~2001 페이지비특허문헌 4: 스트라이어 생화학(제7판), 2013년, 제689~693 페이지 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] MDS는, 혈구 형태의 이형성과 혈구 감소가 확인되는 질환이며, 치료약에 의한 치료 효과는 주로 혈액학적 관해·개선에 의하여 평가된다. 그러나, 치료약의 효과가 발현하기까지 시간을 필요로 하기 때문에, 단시간에 치료약의 작용을 모니터하는 것은 어렵다. 비특허문헌 2에 기재된 방법은, PBMC의 분획에 번잡한 조작과 시간을 필요로 한다. 또, 이 방법은, 비내재성의 IMP를 첨가하여 평가하는 방법이며, 생체 내에서의 IMPDH 저해의 정도를 정확하게 반영하고 있는 것은 아니다.뉴클레오타이드의 분석에 대해서는, 몇 가지 시도가 이루어지고 있다. 그러나, 뉴클레오타이드는 친수성 저분자이기 때문에, 분석에 통상 이용되는 역상 크로마토그래피에서의 유지가 어렵다. 또, 인산기를 갖기 때문에, 분리 분석 시에 흡착 현상 및/또는 테일링이 일어나기 쉽다. 이로 인하여 내재성 뉴클레오타이드의 정량은 어렵다. 또, 뉴클레오타이드의 대사물에는 질량 및 구조가 근사한 것이 다수 존재한다. 이들은, 액체 크로마토그래피(LC) 상에서의 거동 및 유지시간이 근사한 경우가 많기 때문에, 액체 크로마토그래피-매스스펙트로메트리(LC-MS)로 구별하여 정량하는 것은 어렵다. XMP의 분석에 대해서는, 비특허문헌 2의 보고가 있는데, 이 방법은, XMP가 풍부한 시료를 대상으로 하고 있고, 미량인 내재성의 XMP를 분석한 것은 아니다.본 발명은, 간편한 조작으로, 단시간에, MDS 환자에 대한 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량을 예측하는 방법을 제공하는 것을 해결해야 할 과제로 했다.본 발명은 또한, 간편한 조작으로, 단시간에, MDS 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 예측하는 방법을 제공하는 것을 해결해야 할 과제로 했다.본 발명은 또한, 혈액에 포함되는 미량의 XMP의 양을 정확하게 측정하는 방법을 제공하는 것을 해결해야 할 과제로 했다.본 발명은 또한, 간편한 조작으로, 단시간에, MDS 환자에 대한 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량을 예측하기 위한 장치 및 MDS 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 예측하기 위한 장치를 제공하는 것을 해결해야 할 과제로 했다.본 발명은 또한, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성이라고 예측된 MDS 환자의 처치에 이용하기 위한, 처치제 및 처치 방법을 제공하는 것을 해결해야 할 과제로 했다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토한 결과, MDS 환자에 대한 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량, 및 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대한 MDS 환자의 감수성을, 혈액에 포함되는 XMP의 양의 변동을 측정함으로써 예측할 수 있는 것을 발견했다. 또한 본 발명자들은, MS법에 있어서의 측정 조건을 설정함으로써, 혈액에 포함되는 미량의 XMP의 양을 정확하게 측정할 수 있는 것을 발견했다. 본 발명은, 이와 같은 발견에 근거하여 완성한 것이다.즉, 본 발명에 의하면, 이하의 발명이 제공된다.[1] MDS 환자에 대한 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량을 예측하는 방법으로서,(a) (i) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여하기 전의 환자로부터 채취한 혈액에 포함되는 XMP의 양과, (ii) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여한 후의 환자로부터 채취한 혈액에 포함되는 XMP의 양, 또는 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여하기 전의 환자로부터 채취한 혈액에 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 접촉시켜 얻어진 혈액에 포함되는 XMP의 양을 측정하는 공정과,(b) (a) 공정에서 얻어지는 XMP의 양으로부터 XMP의 변동률을 구하는 공정과,(c) (b) 공정에서 얻어지는 XMP의 변동률로부터 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량을 예측하는 공정을 포함하는 방법.[2] 혈액이 말초혈인, [1]에 따른 방법.[3] XMP의 양을 측정하는 공정이, 혈액 중에 포함되는 협잡물과 XMP를 구별하여 측정할 수 있는 조건하에서 행하는 공정인, [1] 또는 [2]에 따른 방법.[4] XMP의 양을 측정하는 공정이, 매스스펙트로메트리(MS)법에 의하여 측정하는 공정인, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 따른 방법.[5] XMP의 양을 측정하는 공정이,(a1) MS법에 의하여, 상이한 2개의 측정 조건에서 혈액에 포함되는 XMP를 측정하는 공정과,(a2) (a1) 공정에서 얻어지는 상이한 2개의 측정 조건에서의 혈액에 포함되는 XMP의 이온 강도비를 구하는 공정과,(a3) (a2) 공정에서 얻어지는 혈액에 포함되는 XMP의 이온 강도비가 소정의 범위 내에 있는 것을 확인하는 공정을 포함하는 공정인, [4]에 따른 방법.[6] (a1) 공정이, LC-MS법에 의하여, 상이한 2개의 측정 조건에서 혈액에 포함되는 XMP를 측정하는 공정인, [5]에 따른 방법.[7] 액체 크로마토그래피(LC)에 이용하는 이동상의 pH값이 7~11인, [6]에 따른 방법.[8] LC에 이용하는 이동상의 염 농도가 5~300mmol/L인, [6] 또는 [7]에 따른 방법.[9] LC에 이용하는 이동상이, 중탄산 암모늄 수용액을 포함하는 이동상인, [6] 내지 [8] 중 어느 하나에 따른 방법.[10] LC가 친수성 상호 작용 크로마토그래피(HILIC)인, [6] 내지 [9] 중 어느 하나에 따른 방법.[11] 상이한 2개의 측정 조건이, MS법에 있어서의 검출 이온 및/또는 이온화 조건이 상이한 2개의 측정 조건인, [5] 내지 [10] 중 어느 하나에 따른 방법.[12] (c) 공정이,(c1) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 투여 후의 시간 또는 접촉의 시간과 (b) 공정에서 얻어지는 XMP의 변동률의 관계를 함수로 나타내는 공정과,(c2) (c1) 공정에서 얻어지는 함수로부터 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량을 예측하는 공정을 포함하는 공정인, [1] 내지 [11] 중 어느 하나에 따른 방법.[13] (c2) 공정이, XMP의 변동률이 소정의 처치 기간에 있어서 소정의 변동률 이상이 되는 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 투여량이, 유효 투여량이라고 예측하는 공정을 포함하는 공정인, [12]에 따른 방법.[14] (c2) 공정이, XMP의 변동률이 소정의 처치 기간 중의 소정의 비율 이상의 기간에 있어서 소정의 변동률 이상이 되는 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 투여량이, 유효 투여량이라고 예측하는 공정을 포함하는 공정인, [12]에 따른 방법.[15] MDS 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 예측하는 방법으로서,(a) (i) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여하기 전의 환자로부터 채취한 혈액에 포함되는 XMP의 양과, (ii) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여한 후의 환자로부터 채취한 혈액에 포함되는 XMP의 양, 또는 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여하기 전의 환자로부터 채취한 혈액에 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 접촉시켜 얻어진 혈액에 포함되는 XMP의 양을 측정하는 공정과,(b) (a) 공정에서 얻어지는 XMP의 양으로부터 XMP의 변동률을 구하는 공정과,(c) (b) 공정에서 얻어지는 XMP의 변동률로부터, 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 예측하는 공정을 포함하는 방법.[16] 혈액이 말초혈인, [15]에 따른 방법.[17] XMP의 양을 측정하는 공정이, 혈액 중에 포함되는 협잡물과 XMP를 구별하여 측정할 수 있는 조건하에서 행하는 공정인, [15] 또는 [16]에 따른 방법.[18] XMP의 양을 측정하는 공정이, MS법에 의하여 측정하는 공정인, [15] 내지 [17] 중 어느 하나에 따른 방법.[19] XMP의 양을 측정하는 공정이,(a1) MS법에 의하여, 상이한 2개의 측정 조건에서 혈액에 포함되는 XMP를 측정하는 공정과,(a2) (a1) 공정에서 얻어지는 상이한 2개의 측정 조건에서의 혈액에 포함되는 XMP의 이온 강도비를 구하는 공정과,(a3) (a2) 공정에서 얻어지는 혈액에 포함되는 XMP의 이온 강도비가 소정의 범위 내에 있는 것을 확인하는 공정을 포함하는 공정인, [18]에 따른 방법.[20] (a1) 공정이, LC-MS법에 의하여, 상이한 2개의 측정 조건에서 혈액에 포함되는 XMP를 측정하는 공정인, [19]에 따른 방법.[21] LC에 이용하는 이동상의 pH값이 7~11인, [20]에 따른 방법.[22] LC에 이용하는 이동상의 염 농도가 5~300mmol/L인, [20] 또는 [21]에 따른 방법.[23] LC에 이용하는 이동상이, 중탄산 암모늄 수용액을 포함하는 이동상인, [20] 내지 [22] 중 어느 하나에 따른 방법.[24] LC가 HILIC인, [20] 내지 [23] 중 어느 하나에 따른 방법.[25] 상이한 2개의 측정 조건이, MS법에 있어서의 검출 이온 및/또는 이온화 조건이 상이한 2개의 측정 조건인, [19] 내지 [24] 중 어느 하나에 따른 방법.[26] (c) 공정이,(c1) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 투여 후의 시간 또는 접촉의 시간과 (b) 공정에서 얻어지는 XMP의 변동률의 관계를 함수로 나타내는 공정과,(c2) (c1) 공정에서 얻어지는 함수로부터, 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 예측하는 공정을 포함하는 공정인, [15] 내지 [25] 중 어느 하나에 따른 방법.[27] (c2) 공정이, XMP의 변동률이 소정의 처치 기간에 있어서 소정의 변동률 이상인 경우에, 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성이라고 예측하는 공정을 포함하는 공정인, [26]에 따른 방법.[28] (c2) 공정이, XMP의 변동률이 소정의 처치 기간 중의 소정의 비율 이상의 기간에 있어서 소정의 변동률 이상인 경우에, 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성이라고 예측하는 공정을 포함하는 공정인, [26]에 따른 방법.[29] 혈액에 포함되는 XMP의 양을 측정하는 방법으로서,(a1) MS법에 의하여, 상이한 2개의 측정 조건에서 혈액에 포함되는 XMP를 측정하는 공정과,(a2) (a1) 공정에서 얻어지는 상이한 2개의 측정 조건에서의 혈액에 포함되는 XMP의 이온 강도비를 구하는 공정과,(a3) (a2) 공정에서 얻어지는 혈액에 포함되는 XMP의 이온 강도비가 소정의 범위 내에 있는 것을 확인하는 공정을 포함하는 방법.[30] (a1) 공정이, LC-MS법에 의하여, 상이한 2개의 측정 조건에서 혈액에 포함되는 XMP를 측정하는 공정인, [29]에 따른 방법.[31] LC에 이용하는 이동상의 pH값이 7~11인, [30]에 따른 방법.[32] LC에 이용하는 이동상의 염 농도가 5~300mmol/L인, [30] 또는 [31]에 따른 방법.[33] LC에 이용하는 이동상이, 중탄산 암모늄 수용액을 포함하는 이동상인, [30] 내지 [32] 중 어느 하나에 따른 방법.[34] LC가 HILIC인, [30] 내지 [33] 중 어느 하나에 따른 방법.[35] 상이한 2개의 측정 조건이, MS법에 있어서의 검출 이온 및/또는 이온화 조건이 상이한 2개의 측정 조건인, [29] 내지 [34] 중 어느 하나에 따른 방법.[36] MDS 환자에 대한 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량을 예측하기 위한 장치로서,(A) (i) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여하기 전의 환자로부터 채취한 혈액에 포함되는 XMP의 양과, (ii) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여한 후의 환자로부터 채취한 혈액에 포함되는 XMP의 양, 또는 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여하기 전의 환자로부터 채취한 혈액에 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 접촉시켜 얻어진 혈액에 포함되는 XMP의 양을 측정하는 수단과,(B) (A)에 기재된 수단에 의하여 얻어지는 XMP의 양으로부터 XMP의 변동률을 구하는 수단과,(C) (B)에 기재된 수단에 의하여 얻어지는 XMP의 변동률로부터 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량을 예측하는 수단을 포함하는 장치.[37] XMP의 양을 측정하는 수단이, MS 장치를 이용하는 수단인, [36]에 따른 장치.[38] MS 장치가, LC 장치와 연결된 MS 장치(LC-MS 장치)인, [37]에 따른 장치.[39] MDS 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 예측하기 위한 장치로서,(A) (i) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여하기 전의 환자로부터 채취한 혈액에 포함되는 XMP의 양과, (ii) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여한 후의 환자로부터 채취한 혈액에 포함되는 XMP의 양, 또는 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여하기 전의 환자로부터 채취한 혈액에 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 접촉시켜 얻어진 혈액에 포함되는 XMP의 양을 측정하는 수단과,(B) (A)에 기재된 수단에 의하여 얻어지는 XMP의 양으로부터 XMP의 변동률을 구하는 수단과,(C) (B)에 기재된 수단에 의하여 얻어지는 XMP의 변동률로부터, 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 예측하는 수단을 포함하는 장치.[40] (A)에 기재된 수단이, MS 장치를 이용하는 수단인, [39]에 따른 장치.[41] MS 장치가, LC 장치와 연결된 MS 장치(LC-MS 장치)인, [40]에 따른 장치.[42] MDS 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 예측하는 공정을 포함하는, MDS 환자의 처치에 이용하기 위한, 유효 성분이 화합물 A인 처치제로서, 예측하는 공정이,(a) (i) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여하기 전의 환자로부터 채취한 혈액에 포함되는 XMP의 양과, (ii) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여한 후의 환자로부터 채취한 혈액에 포함되는 XMP의 양, 또는 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여하기 전의 환자로부터 채취한 혈액에 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 접촉시켜 얻어진 혈액에 포함되는 XMP의 양을 측정하는 공정과,(b) (a) 공정에서 얻어지는 XMP의 양으로부터 XMP의 변동률을 구하는 공정과,(c) (b) 공정에서 얻어지는 XMP의 변동률로부터, 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 예측하는 공정을 포함하는 공정으로서, 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여 감수성이라고 예측된 환자인, 처치제.[43] MDS 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 예측하는 공정을 포함하는, MDS 환자의 처치에 이용하기 위한, 유효 성분이 화합물 A인 MDS의 처치 방법으로서, 예측하는 공정이,(a) (i) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여하기 전의 환자로부터 채취한 혈액에 포함되는 XMP의 양과, (ii) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여한 후의 환자로부터 채취한 혈액에 포함되는 XMP의 양, 또는 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여하기 전의 환자로부터 채취한 혈액에 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 접촉시켜 얻어진 혈액에 포함되는 XMP의 양을 측정하는 공정과,(b) (a) 공정에서 얻어지는 XMP의 양으로부터 XMP의 변동률을 구하는 공정과,(c) (b) 공정에서 얻어지는 XMP의 변동률로부터, 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 예측하는 공정을 포함하는 공정으로서, 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여 감수성이라고 예측된 환자인, 처치 방법. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 예측 방법은, 시료로서 혈액을 이용하는 방법이며, 이로써 MDS 환자에 대한 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량을 간편한 조작으로 단시간에 예측할 수 있다. 또, MDS 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 간편한 조작으로 단시간에 예측할 수 있다.유효 투여량을 예측함으로써, 약효의 발휘에 필요한 투여량을 적절히 설정할 수 있다. 필요량 이상의 투여를 피할 수 있어, 부작용을 저감시키는 것이 가능하게 된다. 또, 감수성인지 아닌지를 예측함으로써, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물에 대하여 감수성이 없는 환자에 대한 불필요한 투여를 회피할 수 있다.본 발명의 측정 방법은, 혈액에 포함되는 미량의 XMP의 양을 정확하게 측정할 수 있다.본 발명의 예측 장치는, 시료로서 혈액을 이용하는 장치이며, 이로써 MDS 환자에 대한 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량을 간편한 조작으로 단시간에 예측하기 위하여 이용할 수 있다. 또, MDS 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 간편한 조작으로 단시간에 예측하기 위하여 이용할 수 있다.본 발명의 처치제 및 처치 방법은, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성이라고 예측된 MDS 환자의 처치에 이용되기 때문에, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물에 대하여 감수성이 없는 환자에 대한 불필요한 투여를 회피할 수 있다.본 발명의 방법 및 처치제는, 통상의 방법에 따라, MDS 환자의 처치용 키트에 응용할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은, 화합물 A의 항종양 효과를 나타낸다.도 2는, PK/PD 해석의 결과를 나타낸다(PK 파라미터: Cmax).도 3은, PK/PD 해석의 결과를 나타낸다(PK 파라미터: Time above IC50).도 4는, PK/PD 해석의 결과를 나타낸다(PK 파라미터: AUC0-48).도 5는, XMP 표준 물질 및 인간 혈액(시료)에 포함되는 XMP의 측정 결과를 나타낸다(측정 조건: A, B).도 6은, XMP 표준 물질 및 인간 혈액(시료)에 포함되는 XMP의 측정 결과를 나타낸다(측정 조건: C, D).도 7은, XMP 표준 물질 및 인간 혈액(시료)에 포함되는 XMP의 측정 결과를 나타낸다(측정 조건: A', B').도 8은, 인간 혈액에 포함되는 XMP의 측정 결과를 나타낸다(LC 조건: a, b). [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서 "~"란 그 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 의미로 사용된다.처치란, 질환에 대한 예방 또는 치료 등을 의미한다.처치제란, 질환에 대하여 예방 또는 치료 등의 목적으로 이용되는 물질을 의미한다.처치 기간이란, 처치를 실시하는 기간을 의미한다.이온 강도에는, 예를 들면, LC-MS법에 있어서의 크로마토그램으로부터 얻어지는 피크 에리어 또는 MS 스펙트럼 상의 해당하는 이온의 강도가 포함된다.XMP 표준 물질이란, 혈액에 포함되는 XMP를 측정할 때에 이용되는 표품을 의미한다. XMP 표준 물질로서는, 시판 중인 잔토신 1인산의 나트륨염 등을 들 수 있다.(1) MDS 환자에 대한 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량을 예측하는 방법, 및 MDS 환자가 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여 감수성인지 아닌지를 예측하는 방법본 발명에 의한 방법에 있어서는, (a) 공정으로서, (i) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여하기 전의 환자로부터 채취한 혈액에 포함되는 XMP의 양과, (ii) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여한 후의 환자로부터 채취한 혈액에 포함되는 XMP의 양, 또는 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여하기 전의 환자로부터 채취한 혈액에 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 접촉시켜 얻어지는 혈액에 포함되는 XMP의 양을 측정한다.화합물 A의 염으로서는, 통상 알려져 있는 염기성기 또는 산성기에 있어서의 염을 들 수 있다. 염기성기의 염으로서는, 예를 들면, 염산, 브로민화 수소, 인산 및 황산 등의 광산과의 염; 주석산, 폼산, 아세트산, 푸마르산, 말레산, 시트르산, 트라이클로로아세트산 및 트라이플루오로아세트산 등의 유기 카복실산과의 염 그리고 메테인설폰산, 벤젠설폰산, p-톨루엔설폰산, 메시틸렌설폰산 및 나프탈렌설폰산 등의 설폰산과의 염 등을 들 수 있다. 산성기의 염으로서는, 예를 들면, 나트륨 및 칼륨 등의 알칼리 금속과의 염; 칼슘 및 마그네슘 등의 알칼리 토류 금속과의 염; 암모늄염 그리고 트라이메틸아민, 트라이에틸아민, 트라이뷰틸아민, 트로메타몰, 피리딘, N,N-다이메틸아닐린, N-메틸피페리딘, N-메틸모폴린, 다이에틸아민, 다이사이클로헥실아민, 프로카인, 다이벤질아민, N-벤질-β-펜에틸아민 및 N,N'-다이벤질에틸렌다이아민 등의 함질소 유기염기와의 염 등을 들 수 있다. 바람직한 염으로서는, 약리학적으로 허용되는 염을 들 수 있다.화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물은, 예를 들면, 일본 공개특허공보 소53-32124호, 일본 공개특허공보 소58-24569호, 국제 공개공보 제2009/035168호 또는 국제 공개공보 제2013/047758호 등에 기재되어 있는 방법에 의하여 제조할 수 있다.본 발명의 특징의 하나는, 혈액에 포함되는 XMP의 양을 지표로 하는 것이다. MDS에 대한 약물의 유효 투여량 및 약물에 대한 감수성을 정확하게 예측하기 위해서는 병소인 골수의 골수 세포를 이용하여 IMPDH 저해 효과를 평가하는 것이 바람직하지만, 골수 세포의 채취는 환자에게 주는 신체적, 정신적 부하가 크기 때문에, 빈도가 한정된다. 이로 인하여 통상에서는 IMPDH 저해 효과의 평가에 필요한 골수 세포를 입수할 수 없다. 본 발명에 있어서는, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 IMPDH 저해 효과가, 골수 세포와 말초혈의 혈액 세포에서 동등한 것이 처음으로 발견되었다. 이로써, 혈액 세포에 있어서의 IMPDH 저해 효과로부터 골수 세포에 있어서의 IMPDH 저해 효과를 예측하여, MDS에 대한 약물의 유효 투여량 및 약물에 대한 감수성을 예측하는 것이 가능하게 되었다. 본 발명에서 이용하는 혈액은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 말초혈, 골수, 비장 혹은 간장에 축적되어 있는 혈액, 림프액, 조직액 또는 제대혈이어도 되는데, 바람직하게는 말초혈이다. 환자로부터의 혈액의 채취는, 당업자에게 주지인 통상의 방법에 의하여 행할 수 있다. 또, 본 발명에서 이용하는 혈액은, 예측을 간편한 조작으로 단시간에 행하는 관점에서, 전혈(全血)이 바람직하다.본 발명에 있어서의 (a) 공정은, 이하의 2개의 양태 중 어느 하나로 행할 수 있다. 제1 양태는, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여하기 전의 환자로부터 채취한 혈액에 포함되는 XMP의 양 및 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여한 후의 환자로부터 채취한 혈액에 포함되는 XMP의 양을 측정하는 양태이다.제2 양태는, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여하기 전의 환자로부터 채취한 혈액에 포함되는 XMP의 양 및 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여하기 전의 환자로부터 채취한 혈액에 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 접촉시켜 얻어진 혈액에 포함되는 XMP의 양을 측정하는 양태이다.제1 양태에 있어서는, 환자에게 투여된 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물은 환자 체내에서 혈액 세포에 접촉하여 그 작용을 발휘한다. 제2 양태에 있어서는, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여하기 전의 환자로부터 채취한 혈액에, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 생체 외에서 접촉시킴으로써, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물은 혈액 세포에 작용을 발휘한다.본 발명에 있어서, XMP의 양은, 예를 들면, MS법에 의하여 측정할 수 있다. 혈액 시료는 MS법에 의한 측정에 앞서, 단백질 제거 등의 시료의 조분리를 행해도 되고, LC 등에 의하여 시료 중의 성분의 분리를 행해도 된다.혈액에 포함되는 단백질, 펩타이드 및 지질은, MS 측정의 대표적인 방해 성분이므로, 이들 방해 성분은 시료의 조분리에 의하여 미리 제거할 수 있다. 예를 들면, 분획 처리(원심 분리에 의한 세포 성분의 분획, 용혈 조작에 의한 액성 성분 및/또는 적혈구의 제거 등), 여과, 제(除)단백질 처리, 액상 추출 및/또는 고상 추출 등에 의하여, 조분리를 행할 수 있다. 또, 시료의 조분리는, 하기하는 성분의 분리 및 검출 조작과 함께, 프리칼럼 또는 칼럼 스위칭 등에 의하여 온라인으로 행할 수도 있다.또한 본 발명에 있어서는, LC에 의하여, 시료 중의 성분을 분리하고 나서, 시료를 MS 장치에 공급하는 것이 바람직하다.시료 중의 성분의 분리 방법으로서는, HILIC, 역상 크로마토그래피(RP), 이온 페어 시약을 이용한 크로마토그래피 또는 이온 교환 크로마토그래피 등을 사용할 수 있다. 필요한 분리와 성능이 얻어지고, MS로의 도입이 가능한 이동상 조성으로 용출할 수 있는 한, 모드 및 측정 조건은 특별히 한정되지 않는다. 또, 캐필러리 전기 영동 또는 가스 크로마토그래피 등의 분리법을 이용할 수도 있다.XMP의 측정에 있어서 검출될 수 있는 협잡물로서는, XMP와 질량이 근사한 화합물, 분해 등에 의하여 XMP와 질량이 근사한 화합물을 생성하는 화합물 및/또는 XMP와 LC의 용리 시간이 근사한 화합물 등을 들 수 있다. XMP와 질량이 근사한 화합물로서는, 예를 들면, GMP의 동위체 등을 들 수 있다. 분해 등에 의하여 XMP와 질량이 근사한 화합물을 생성하는 화합물로서는, 예를 들면, GDP의 동위체 및 GTP의 동위체 등을 들 수 있다. XMP와 LC의 용리 시간이 근사한 화합물로서는, 예를 들면, 환원형 니코틴아마이드아데닌다이뉴클레오타이드 인산(NADPH) 등을 들 수 있다.XMP의 양을 MS법으로 측정하는 공정은, 혈액에 포함되는 협잡물과, XMP를 구별하여 측정할 수 있는 조건하에서 행하는 것이 바람직하다. 본 발명자들의 검증에 의하여, XMP(질량 364.04)의 측정에 있어서 검출될 수 있는 협잡물에는, 구조가 유사하고 질량이 1 작은 GMP(질량 363.06)의 동위체(질량 364.06 및 질량 364.06), GDP 및 GTP의 인 소스 분해물(이온화부에서 분해하여 GMP를 발생시킴)의 동위체 그리고 NADPH에 유래하는 2가 이온이 포함되는 것이 판명되었다.LC-MS 측정 시에는, 협잡물의 영향을 회피하여, 선택적으로 XMP를 검출하는 것이 요망된다. 본 발명에 있어서는, XMP가 충분한 특이성으로 검출되어 있는지 아닌지를 검증하는 수법을 확립함으로써, 다종 또한 다량의 협잡물이 존재하는 조건하에서도 XMP를 선택적으로 고감도 또한 간편하게 정량하는 것이 가능하게 되었다.바람직하게는, XMP의 양을 측정하는 공정은,(a1) MS법에 의하여, 상이한 2개의 측정 조건에서 혈액에 포함되는 XMP를 측정하는 공정과,(a2) (a1) 공정에서 얻어지는 상이한 2개의 측정 조건에서의 혈액에 포함되는 XMP의 이온 강도비를 구하는 공정과,(a3) (a2) 공정에서 얻어지는 혈액에 포함되는 XMP의 이온 강도비가 소정의 범위 내에 있는 것을 확인하는 공정을 포함하는 공정이다.(a1)~(a3)을 포함하는 XMP의 측정 방법의 상세에 대하여, 본 명세서 중에 있어서 하기한다.XMP의 정량은, 검량선법(외부 표준법, 표준 첨가법 또는 내부 표준법) 또는 동위체 희석법 등의 공지의 정량법에 따라 행할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다.본 발명에 있어서는, (a) 공정에 이어서, (b) 공정으로서, (a) 공정에서 얻어지는 XMP의 양으로부터 XMP의 변동률을 구하는 공정을 행한다.변동률을 구하는 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 하기 식으로 구할 수 있다.변동률(%)=(1-(화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 투여 후의 XMP의 양/화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 투여 전의 XMP의 양))×100또는변동률(%)=(1-(화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 접촉시킨 후의 XMP의 양/화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 접촉 전의 XMP의 양))×100또한, XMP의 양은, 단위 혈액량당의 값을 이용할 수도 있는데, 단위 혈액 세포 수당의 값을 이용하는 것이 바람직하다.본 발명에 있어서는, (b) 공정에 이어서, (c) 공정으로서, (b) 공정에서 얻어지는 XMP의 변동률로부터 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량을 예측하거나, 또는 (b) 공정에서 얻어지는 XMP의 변동률로부터, 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 예측한다.예를 들면, (c) 공정은, (c1) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 투여 후의 시간과 (b) 공정에서 얻어지는 XMP의 변동률의 관계를 함수로 나타내는 공정과, (c2) (c1) 공정에서 얻어지는 함수로부터 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량을 예측하는 공정에 의하여 행할 수 있다. 또, (c) 공정은, (c1) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 투여 후의 시간과 (b) 공정에서 얻어지는 XMP의 변동률의 관계를 함수로 나타내는 공정과, (c2) (c1) 공정에서 얻어지는 함수로부터, 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 예측하는 공정에 의하여 행할 수 있다.또, (c) 공정은, (c1) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 접촉의 시간과 (b) 공정에서 얻어지는 XMP의 변동률의 관계를 함수로 나타내는 공정과, (c2) (c1) 공정에서 얻어지는 함수로부터 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량을 예측하는 공정에 의하여 행할 수 있다. 또, (c) 공정은, (c1) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 접촉의 시간과 (b) 공정에서 얻어지는 XMP의 변동률의 관계를 함수로 나타내는 공정과, (c2) (c1) 공정에서 얻어지는 함수로부터, 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 예측하는 공정에 의하여 행할 수 있다.(c2) 공정에 있어서, XMP의 변동률이 소정의 처치 기간에 있어서, XMP가 소정의 변동률(감소율) 이상이 되는 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 투여량이 유효 투여량이라고 예측한다.또, (c2) 공정에 있어서, XMP의 변동률이 소정의 처치 기간에 있어서, XMP가 소정의 변동률(감소율) 이상이 되는 경우에, 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성이라고 예측한다.소정의 처치 기간이란, 생물종에 따라 적절히 선택할 수 있는데, 예를 들면, 1일부터 2개월이어도 되고, 소정의 처치 기간 중의 소정의 비율 이상의 기간이어도 된다.소정의 처치 기간 중의 소정의 비율 이상의 기간이란, 생물종에 따라 적절히 선택할 수 있는데, 예를 들면, 소정의 처치 기간 중의 40% 이상의 기간으로 할 수 있다.소정의 변동률이란, 생물종에 따라 적절히 선택할 수 있는데, 예를 들면, 45% 이상(바람직하게는 50% 이상, 보다 바람직하게는 55% 이상)으로 할 수 있다.예를 들면, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치 기간의 40% 이상의 기간에 있어서, XMP의 변동률(감소율)이 45% 이상(바람직하게는 50% 이상, 보다 바람직하게는 55% 이상)이 되는 것과 같은 투여량을, 유효 투여량이라고 예측할 수 있다. 여기에서 얻어진 유효 투여량의 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 MDS 환자에게 투여하면 된다.또, 예를 들면, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치 기간의 40% 이상의 기간에 있어서, XMP의 변동률(감소율)이 45% 이상(바람직하게는 50% 이상, 보다 바람직하게는 55% 이상)이 되는 경우에, 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성이라고 예측할 수 있다. 감수성이라고 예측된 환자에 대하여, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여하면 된다.(2) 혈액에 포함되는 XMP의 양의 측정 방법본 발명에 의한 혈액에 포함되는 XMP의 양을 측정하는 방법은,(a1) MS법에 의하여, 상이한 2개의 측정 조건에서 혈액에 포함되는 XMP를 측정하는 공정과,(a2) (a1) 공정에서 얻어지는 상이한 2개의 측정 조건에서의 혈액에 포함되는 XMP의 이온 강도비를 구하는 공정과,(a3) (a2) 공정에서 얻어지는 혈액에 포함되는 XMP의 이온 강도비가 소정의 범위 내에 있는 것을 확인하는 공정을 포함하는 방법이다.(a1) 공정에 있어서는, MS법에 의하여 XMP를 검출한다. (a1) 공정에 있어서 상이한 2개의 측정 조건에서 측정을 행하고, (a2) 공정에 있어서 상이한 2개의 측정 조건에서의 혈액에 포함되는 XMP의 이온 강도비를 구하며, (a3) 공정에 있어서 이온 강도비가 소정의 범위 내에 있는 것을 확인함으로써, XMP를 협잡물과 구별하여 측정하는 것이 가능하게 되었다.(a1) 공정에 있어서는, LC에 의하여 시료의 분리를 행하고, MS법에 의하여 XMP를 검출하는 것(LC-MS법)이 바람직하다.또, 다른 양태에 있어서, 본 발명의 혈액에 포함되는 XMP의 양을 측정하는 방법은,(a11) MS법에 의하여, 상이한 2개의 측정 조건에서 XMP 표준 물질 및 혈액에 포함되는 XMP를 측정하는 공정과,(a12) (a11) 공정에서 얻어지는 상이한 2개의 측정 조건에서의 XMP 표준 물질의 이온 강도비 및 혈액에 포함되는 XMP의 이온 강도비를 구하는 공정과,(a13) (a12) 공정에서 얻어지는 XMP 표준 물질의 이온 강도비와 혈액에 포함되는 XMP의 이온 강도비를 비교하는 공정을 포함하는 방법을 이용할 수 있다.(a12) 공정에 있어서는, (a11) 공정에서 얻어지는 상이한 2개의 측정 조건에서의 XMP 표준 물질의 이온 강도비 및 혈액에 포함되는 XMP의 이온 강도비를 구하고, (a13) 공정에 있어서는, (a12) 공정에서 얻어지는 XMP 표준 물질의 이온 강도비와 혈액에 포함되는 XMP의 이온 강도비를 비교한다.여기에서, 혈액 시료의 이온 강도비와 XMP 표준 물질의 이온 강도비가, 소정의 범위 내인 경우에는, 혈액 중의 XMP가 높은 특이성으로 검출되어 있다고 판단할 수 있다. 반대로, 혈액 시료의 이온 강도비와 XMP 표준 물질의 이온 강도비가 소정의 범위 외인 경우에는, 비를 취한 조건 중 어느 한쪽 또는 양쪽 모두에서 선택성이 불충분했다고 판단한다.LC로서는, HILIC, RP, 이온 페어 시약을 이용한 크로마토그래피 또는 이온 교환 크로마토그래피 등을 사용할 수 있고, 바람직하게는, HILIC이다.LC에 이용하는 이동상으로서는, 바람직하게는 염기성인 수용액의 이동상 A 및 유기 용매를 포함하는 이동상 B를 사용할 수 있다.이동상 A의 pH값은, 바람직하게는 7~11이고, 보다 바람직하게는 8~11이며, 더 바람직하게는 8.4~10.4이고, 특히 바람직하게는 9.0~9.8이다.이동상 A의 pH값은, 사용하는 칼럼의 종류에 따라 설정하면 된다.LC에 이용하는 이동상의 염 농도는, 바람직하게는 5~300mmol/L이고, 보다 바람직하게는 20~200mmol/L이다.LC-MS 측정에서는, 통상, 높은 감도를 내기 위하여 염 농도를 낮게(예를 들면, 10mmol/L 등) 하는데, 본 발명에 있어서는, 통상보다 높은 염 농도를 채용함으로써, XMP와 협잡물을 분리하는 것이 가능하게 되었다.LC에 이용하는 이동상 A로서는, 중탄산 암모늄 수용액을 포함하는 것이 바람직하다.이동상 B에 이용되는 유기 용매로서는, 아세토나이트릴, 메탄올, 2-프로판올 또는 에탄올 등을 들 수 있고, 바람직하게는 아세토나이트릴 또는 메탄올이며, 보다 바람직하게는 아세토나이트릴이다.본 발명의 일례에 있어서는, HILIC 칼럼(예를 들면, SeQuant ZIC-pHILIC, 머크사) 등을 이용하여 50mmol/L 중탄산 암모늄 수용액(25질량% 암모니아 수용액으로 pH9.4로 조정) 및 아세토나이트릴을 이동상으로서 이용하고, 이동상 A와 이동상 B의 비율을 경시적으로 변화시키는 그레이디언트법 또는 이동상 A와 이동상 B의 비율을 고정하는 아이소크래틱법으로 용출함으로써, XMP를 협잡물과 분리할 수 있다.이동상 B로서, 아세토나이트릴을 사용하는 경우, 이동상 중의 아세토나이트릴의 농도는, 바람직하게는 20~90용량%이고, 보다 바람직하게는 35~70용량%이며, 더 바람직하게는 65용량%이다. 용출은, 이동상 A와 이동상 B의 비율을 경시적으로 변화시키는 그레이디언트 용출에 의하여 행해도 되는데, 협잡물과의 분리가 향상되는 점 및 주입량을 늘린 조건에서 분석할 수 있는 점에서, 이동상 A와 이동상 B의 비율을 변화시키지 않는 아이소크래틱법이 바람직하다.본 발명에 있어서는, MS법에 의하여, 상이한 2개의 측정 조건에서 혈액에 포함되는 XMP를 측정한다.MS법에 있어서는, MS 장치에 의하여, 시료 중의 성분을 이온화하고, XMP 유래의 이온을 선택하여 검출한다. 다량 또한 다종의 질량 및 구조가 유사한 협잡물 중으로부터 선택적으로 XMP를 검출하기 위해서는, (1) MS/MS 모드에 의한 측정, (2)고분해능형 MS 장치의 사용, (3) (1) 및 (2)의 양쪽 모두의 사용에 의하여, 높은 매스 필터 효과를 확보하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 방법은, 높은 선택성을 달성할 수 있도록, 분리 조건과 MS 조건(검출 이온 및/또는 이온화 조건)을 설정하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 방법에 있어서는, 분리와 MS 검출의 조합에 의하여, XMP와 협잡물을 구별할 수 있는 조건을 채용할 수 있다. 선택성이 충분한지 아닌지에 대해서는, (a1) 공정, (a2) 공정 및 (a3) 공정에 나타내는 수법에 의하여 평가할 수 있다. 본 발명에 있어서는, LC에서의 분리가 충분하면, 약물 동태로 통상 이용되는 저분해능의 MS 장치를 이용한 경우이더라도, 혈액에 포함되는 XMP의 양을 정확하게 측정할 수 있다.트리플 사중극 등의 저분해능의 MS 장치를 이용하는 경우, MRM(Multiple Reaction Monitoring) 모드 등의 MS/MS 측정에 의하여 특이성을 확보하여 측정할 수 있다. 측정 대상으로부터 발생하는 복수의 MS/MS 프로덕트 이온을 검출하는 등, 복수의 조건에서 측정하는 것이 바람직하다. 해석 시에 특이성이 양호한 조건을 선택할 수 있고, 또 하기하는 특이성의 검증을 행할 수 있다.Orbitrap형 MS(예를 들면, Q-Exactive, Thermo사)나 TOF형 MS(예를 들면, 6550iFunnelQ-TOF, Agilent사, SYNAPT, Waters사) 등의 고분해능의 장치를 이용한 MS/MS 측정 또는 MS 측정은, 보다 높은 특이성으로 측정할 수 있다. 장치의 분해능은 높은 쪽이 바람직한데, XMP의 정량 해석에 필요한 감도·다이나믹 레인지가 얻어지는 장치를 사용하는 것이 바람직하다.본 발명의 (a1) 공정에 있어서는, MS법에 의하여, 상이한 2개의 측정 조건에서 혈액에 포함되는 XMP를 측정한다. 즉, 상이한 2개의 MS 조건에서 XMP 유래의 이온을 측정한다. 상이한 2개의 측정 조건은, MS법에 있어서의 검출 이온 및/또는 이온화 조건이 상이한 2개의 측정 조건인 것이 바람직하다. 구체적으로는, MS/MS 측정에 있어서 발생하는 복수의 MS/MS 프로덕트 이온의 측정, 상이한 이온화 조건(이온원 온도(터보 히터의 가스 온도) 또는 이온 도입부(오리피스 플레이트)의 전압 등)에서의 측정 및 posi 모드와 nega 모드에서의 측정 등을 들 수 있다. 예를 들면, 복수의 MS/MS 프로덕트 이온을 측정하는 경우, 365.0(m/z)을 프리커서 이온으로 했을 때의 97.0(m/z)의 프로덕트 이온과, 365.0(m/z)을 프리커서 이온으로 했을 때의 153.0(m/z)의 프로덕트 이온의 조합, 및 365.0(m/z)을 프리커서 이온으로 했을 때의 97.0(m/z)의 프로덕트 이온과, 365.0(m/z)을 프리커서 이온으로 했을 때의 213.0(m/z)의 프로덕트 이온의 조합을 사용할 수 있다. 전혈 중의 XMP의 양을 측정하는 경우, 365.0(m/z)을 프리커서 이온으로 했을 때의 97.0(m/z)의 프로덕트 이온과, 365.0(m/z)을 프리커서 이온으로 했을 때의 213.0(m/z)의 프로덕트 이온의 조합을 사용하는 것이 바람직하다. 용혈 중의 XMP의 양을 측정하는 경우, 365.0(m/z)을 프리커서 이온으로 했을 때의 97.0(m/z)의 프로덕트 이온과, 365.0(m/z)을 프리커서 이온으로 했을 때의 153.0(m/z)의 프로덕트 이온의 조합을 사용하는 것이 바람직하다.각 조건에 있어서, XMP를 특이적으로 검출할 수 있는지 아닌지(협잡물을 검출하고 있지 않은지)를 평가하기 위하여, 임의로 선택한 2개의 측정 조건에 있어서의 이온 강도비를 산출하여, 이온 강도비가 소정의 범위 내에 있는 것을 확인한다. 즉, 본 발명의 (a2) 공정에 있어서는, (a1) 공정에서 얻어지는 상이한 2개의 측정 조건에서의 혈액에 포함되는 XMP의 이온 강도비를 구하고, (a3) 공정에 있어서는, (a2) 공정에서 얻어지는 혈액에 포함되는 XMP의 이온 강도비가 소정의 범위 내에 있는 것을 확인한다.이온 강도비는, 예를 들면, 하기 식으로 구할 수 있다.이온 강도비=(다른 측정 조건의 이온의 강도)/(365.0(m/z)을 프리커서 이온으로 했을 때의 97.0(m/z)의 프로덕트 이온의 강도)여기에서, 다른 조건의 이온의 강도로서, 예를 들면 365.0(m/z)을 프리커서 이온으로 했을 때의 153.0(m/z)의 프로덕트 이온의 강도 또는 365.0(m/z)을 프리커서 이온으로 했을 때의 213.0(m/z)의 프로덕트 이온의 강도를 이용할 수 있다.여기에서, 혈액 시료의 이온 강도비가, 소정의 범위 내에 있는 경우에는, 혈액 중의 XMP가 높은 특이성으로 검출되어 있다고 판단할 수 있다. 반대로, 혈액 시료의 이온 강도비가 소정의 범위 외인 경우는, 비를 취한 조건 중 어느 한쪽 또는 양쪽 모두에서 선택성이 불충분했다고 판단한다. 소정의 범위 내란, 상기한 식으로 이온 강도비를 구한 경우의 이온 강도비가 1 미만인 경우이다. 다른 조건의 이온의 강도가 365.0(m/z)을 프리커서 이온으로 했을 때의 213.0(m/z)의 프로덕트 이온의 강도일 때, 이온 강도비가 0.1~0.3인 것이 바람직하다. 측정의 정밀도를 향상시키기 위해서는, 어느 조건에 대하여, 비를 취하는 상대를 변경하여, 복수의 조합으로 검증할 수도 있다. XMP의 측정 시에 검출될 수 있는 GMP 등의 협잡물에 대해서는, 이 방법으로 중첩의 유무를 평가할 수 있다. 특이성의 검증은, 크로마토그램에 있어서의 피크 에리어비 또는 스펙트럼에 있어서의 이온 강도비에 한정되지 않고, 특이성을 충분히 평가 가능한 검증 방법이면 특별히 한정되지 않는다. 어느 측정 조건에서 특이성이 충분하면, 이 측정 조건에 있어서의 결과를 채용할 수 있다. 어느 측정 조건에서의 특이성이 불충분한 경우는, 분리·검출 조건을 재검토하면 된다. 예를 들면, 검출하는 MS/MS 프로덕트 이온의 변경 또는 이온원의 온도(터보 히터의 가스 온도) 및 이온 도입부(오리피스 플레이트)의 전압을 저하시킴으로써 협잡물의 검출을 억제할 수 있는 것이 발명자들의 검토에 의하여 발견되었다.또, XMP 표준 물질의 이온 강도비와 혈액에 포함되는 XMP의 이온 강도비를 비교하는 경우의 소정의 범위 내란, 혈액에 포함되는 XMP의 이온 강도비가, XMP 표준 물질의 이온 강도비의 0.5~1.5인 경우이다.상기한 바와 같이, 특이성이 충분하다고 판단된 MS 측정에 의하여 검출된 이온으로부터, XMP를 정량할 수 있다.(3) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량을 예측하기 위한 장치, 및 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물에 대한 감수성을 예측하기 위한 장치본 발명은, 또한 MDS 환자에 대한 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량을 예측하기 위한 장치 및 MDS 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 예측하기 위한 장치를 제공한다. 본 발명의 장치는,(A) (i) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여하기 전의 환자로부터 채취한 혈액에 포함되는 XMP의 양과, (ii) 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여한 후의 환자로부터 채취한 혈액에 포함되는 XMP의 양, 또는 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 투여하기 전의 환자로부터 채취한 혈액에 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 접촉시켜 얻어진 혈액에 포함되는 XMP의 양을 측정하는 수단과,(B) (A)에 기재된 수단에 의하여 얻어지는 XMP의 양으로부터 XMP의 변동률을 구하는 수단과,(C) (B)에 기재된 수단에 의하여 얻어지는 XMP의 변동률로부터 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량을 예측하는 수단 또는 환자가 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여 감수성인지 아닌지를 예측하는 수단을 포함하는 장치이다.(A)에 기재된 수단은, 혈액에 포함되는 XMP의 양을 측정할 수 있는 수단이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 MS 장치 등을 이용할 수 있으며, 또한 분리 장치와 MS 장치를 조합시킨 장치를 이용할 수도 있다. 분리 장치로서는, 고속 액체 크로마토그래피 장치, 캐필러리 전기 영동 또는 가스 크로마토그래피 장치 등을 사용할 수 있다. 바람직하게는, LC-MS 장치이다.MS 장치는, 통상, 시료 도입부, 이온원, 분석부, 이온 검출부 및 데이터 처리부를 갖고 있다.시료 도입부는, 시료를 MS 장치 내에 도입하는 부위이다. 예를 들면, MS 장치를, 고속 액체 크로마토그래피 장치, 캐필러리 전기 영동 또는 가스 크로마토그래피 장치에 연결하여, 이들 장치로부터 시료를 MS 장치에 도입할 수도 있다.이온원은, 시료에 전하를 갖게 하는 부위이며, 전자 이온화법(EI법), 화학 이온화법(CI법), 전계 탈리법(FD법), 고속 원자 충격법(FAB법), 매트릭스 지원 레이저 탈리 이온화법(MALDI법), 대기압 광이온화법(APPI법), 대기압 화학 이온화법(APCI법) 및 일렉트로 스프레이 이온화법(ESI법) 등이 알려져 있다. LC-MS법으로서 이용되는 이온원으로서는, APPI법, APCI법 또는 ESI법을 이용할 수 있고, ESI법이 바람직하다.분석부는, 이온화된 시료를 분리하는 부위이다. 자장편향형, 사중극형, 이온트랩형, 비행시간형, 푸리에 변환 이온 사이클로트론 공명형 및 탠덤형 등이 알려져 있다.검출부는, 분석부에서 선별된 이온을 전자증배관 또는 마이크로채널 플레이트로 증감하여 검출하는 부위이다.데이터 처리부는, 얻어진 데이터로부터 매스스펙트럼을 제작하는 부위이다.(B)에 기재된, XMP의 변동률을 구하는 수단으로서는, 얻어지는 XMP의 양 및 상기의 식으로부터 변동률을 구할 수 있는 수단이면 되고, 예를 들면, 계산 소프트웨어 또는 프로그램을 갖는 전자계산기(컴퓨터)를 사용할 수 있다.(C)에 기재된, (B)에 기재된 수단에 의하여 얻어지는 XMP의 변동률로부터 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량을 예측하는 수단 또는 환자가 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여 감수성인지 아닌지를 예측하는 수단으로서는, XMP의 변동률로부터 소정의 기준에 근거하여 유효 투여량 또는 감수성을 예측할 수 있는 수단이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 범용의 계산 소프트웨어 등을 이용하여 행할 수 있다. 예를 들면 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 투여 후의 시간 또는 접촉의 시간과, XMP의 변동률의 관계를 함수로 나타내는 수단과, 얻어진 함수로부터 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량 또는 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대한 감수성의 유무를 예측하는 수단을 포함하는 프로그램을 갖는 전자계산기(컴퓨터)를 사용할 수 있다.(4) 유효 성분이 화합물 A인 MDS의 처치제, 및 유효 성분이 화합물 A인 MDS의 처치 방법본 발명은, 또한 MDS 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 예측하는 공정을 포함하는, 유효 성분이 화합물 A인 MDS의 처치제, 및 유효 성분이 화합물 A인 MDS의 처치 방법을 제공한다.본 발명의 MDS 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 예측하는 공정은, 상기와 같다.MDS 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성이라고 예측된 경우, 유효 성분이 화합물 A인 MDS의 처치제가 환자의 처치에 이용된다.화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 MDS의 처치제로서 이용하는 경우, 통상, 제제화(製劑化)에 사용되는 부형제(賦形劑), 담체 및 희석제 등의 제제 보조제를 적절히 혼합해도 된다. 이들은, 통상의 방법에 따라, 정제, 캡슐제, 산제(散劑), 시럽제, 과립제, 환제, 현탁제, 유제(乳劑), 액제, 분체 제제, 좌제, 점안제, 점비제, 점이제, 첨부제, 연고제 또는 주사제 등의 형태로, 경구 또는 비경구로 투여할 수 있다. 또, 투여 방법, 투여량 및 투여 횟수는, 환자의 연령, 체중 및 증상에 따라 적절히 선택할 수 있는데, 처치 기간의 40% 이상의 기간에 있어서, XMP의 변동률(감소율)이 45% 이상(바람직하게는 50% 이상, 보다 바람직하게는 55% 이상)이 되는 것과 같은 투여량을 선택하는 것이 바람직하다.이하의 실시예에 의하여 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 의하여 한정되는 일은 없다.한외 여과 튜브는, UltrafreeMC-PLHCC 250/pk for Metabolome Analysis(Human Metabolome Technologies사)를 이용했다.원심 에바포레이터는, miVac Duo HV(Genevac사)를 이용했다.PBS 용액은, PBS, pH7.4(써모 피셔 사이언티픽사)를 이용했다.실시예실시예 1 화합물 A의 세포 증식 억제 작용시험 화합물로서, 화합물 A의 3/4 수화물을 이용했다.인간 골수성 백혈병 세포주로서, SKM-1(독립 행정법인 의약기반연구소 JCRB 세포 뱅크)을 이용했다.인간 골수성 백혈병 세포주 SKM-1을 96웰 플레이트에 90μL(5000개) 파종했다. 시험 화합물의 PBS 용액(화합물 A로서, 0, 1, 3, 10, 30, 100, 300, 1000, 3000 또는 10000μmol/L) 10μL를 플레이트에 첨가하여, 37℃, 5%CO2에서 72시간 인큐베이트했다. CellTiter-Glo(Promega사)를 100μL씩 첨가하여, 세포 파쇄액을 제작했다.플레이트 리더에 의하여 화학 발광 강도의 상댓값을 구했다.화합물 A의 IC50값은 21.5μmol/L(화합물 A로서, 2.73μg/mL)였다. 화합물 A는, 우수한 증식 억제 활성을 나타냈다.실시예 2 PK/PD 해석(약물 동태(Pharmacokinetics)/약역학(Pharmacodynamics) 해석)에 의한 약물 농도 예측(1) 화합물 A의 항종양 효과시험 화합물로서, 화합물 A의 3/4 수화물을 이용했다.인간 골수성 백혈병 세포로서, SKM-1 세포를 이용했다.인간 골수성 백혈병 세포 5.0×106개를 자성 누드마우스(BALB/cAJcl-nu/nu)의 우측 복부 피하에 이식하여, 피하 종양을 형성했다. 이식 후 9일째에 군 나누기를 행하여, 1군 10마리로 하여 7군을 작성했다. 군 구성을 표 1에 나타낸다. 이식 후 10일째부터 대조 용매(0.5w/v% 메틸셀룰로스 400 수용액, 이하, "0.5%MC"라고도 칭함) 또는 시험 화합물을 간헐 경구 투여(2일간 투여한 후 4일간 휴약을 1쿠르(Kur)로 하여, 합계 5쿠르)하고, 이식 후 39일째의 종양 체적을 측정하여, 항종양 효과를 평가했다. 억제율은 이하의 식으로 산출했다.억제율(%)=(1-(이식 후 39일째의 종양 체적)/(군 1의 이식 후 39일째의 종양 체적))×100[표 1]이식 후 39 일째의 종양 체적을 도 1에 나타낸다.군 4, 군 5, 군 6 및 군 7은, 우수한 항종양 효과를 나타냈다.(2) 화합물 A의 PK 시험비절식하의 자성 마우스(BALB/cAJcl)에 시험 화합물(화합물 A로서, 10, 40, 80 및 160mg/kg)을 단회 경구 투여했다. 5분간, 15분간, 30분간, 1시간, 2시간, 5시간, 10시간 또는 24시간 후에 헤파린 채혈 후, 혈장 중의 화합물 A의 농도를 LC/MS/MS를 이용하여 측정하여, PK 파라미터(tmax, Cmax, t1/2 및 AUC0-24)를 산출했다.(3) PK/PD 해석화합물 A를 단회 경구 투여했을 때의 혈장 중 농도 추이로부터, two-compartment model의 약물 동태 파라미터인 V1/F, K01, K10, K12 및 K21을 산출했다. 이들 파라미터를 이용하여, 다양한 용법 용량에 있어서의 반복 투여 시의 화합물 A의 혈장 중 농도 추이를 예측했다. 또한, 10mg/kg부터 80mg/kg까지는 선형성이 확인되었기 때문에, 10mg/kg 투여의 파라미터를 이용하여 20, 40 및 80mg/kg의 반복 투여 시의 예측을 행했다. 120 및 240mg/kg에 대해서는 160mg/kg의 파라미터를 이용하여 예측을 행했다. 얻어진 화합물 A의 혈장 중 농도 추이로부터, Cmax(ng/mL), AUC0-48 (ng·시간/mL) 및 Time above IC50(%, IC50값: 21.5μmol/L(화합물 A로서, 2.73μg/mL))을 산출했다. PK 파라미터(Cmax, Time above IC50 및 AUC0-48)를 X축으로 플롯하고, 종양 체적의 억제율을 Y축으로 플롯했다. 결과를 도 2, 3 및 4에 나타낸다.Cmax와 억제율의 상관계수는 -0.5447, Time above IC50과 억제율의 상관계수는 0.9814, AUC0-48과 억제율의 상관계수는 0.4684인 점에서 Time above IC50이 가장 억제율과 상관되는 파라미터였다.또, Time above IC50이 40% 이상인 군에서 통계학적으로 유의하게 종양 체적이 억제되었다. 이것으로부터, 인간 혈장 중의 약물 농도가, 처치 기간의 중의 40% 이상의 기간에 있어서, 화합물 A로서 2.73μg/mL 이상을 유지하는 것이 중요하다고 예측되었다.실시예 3 XMP의 정량(1-1) 헤파린 첨가 채혈에 의하여 정상인으로부터 채취한 혈액 450μL 및 PBS 용액 50μL를 튜브에 첨가하여, 37℃의 인큐베이터에서 8시간 교반했다.(1-2) (1-1)에서 얻어진 시료 100μL에 메탄올 400μL를 첨가했다. 보텍스 믹서로 교반 후, 클로로폼 400μL를 첨가하여, 보텍스 믹서로 교반 후, 초순수 120μL를 첨가했다. 보텍스 믹서로 교반한 후, 4℃, 10000×g에서 15분간 원심 분리했다. 수상 400μL를 회수하고, 한외 여과 튜브에 첨가하여, 12℃, 9200×g에서 2시간 원심 분리했다. 여액을 합치고, 원심 에바포레이터를 이용하여 40℃에서 2시간 감압 건조했다. 건조 후, -80℃의 프리저에서 보존했다.(1-3) 시료를 물에 용해하여, 원심 분리한 후, 상청을 회수하여 측정 시료로 했다. 측정 시료 및 XMP 표준 물질을 LC-MS/MS에 제공했다. XMP 표준 물질은, XMP(Xanthosine-5'-monophosphate, Sodium salt)(제나 바이오사이언스사)를 이용했다. 장치 구성 및 측정 조건을 이하에 나타낸다.(LC-MS/MS)LC: UFLC(시마즈 세이사쿠쇼)MS: QTRAP 5500(에이비·사이엑스사)(LC)칼럼: SeQuant ZIC-pHILIC 5μm, polymeric PEEK 150×2.1mm metal-free HPLC column(머크사)칼럼 오븐 온도: 40℃이동상 A: 50mmol/L 중탄산 암모늄(25질량% 암모니아 수용액으로 pH9.4로 조정)이동상 B: 아세토나이트릴송액 조건: 0.3mL/분그레이디언트 사이클을 표 2에 나타낸다. 표 2 중의 %는 체적 %를 나타낸다.[표 2](MS/MS)이온화: ESI positive(Electrospray ionization positive)스캔 모드: MRM (Multiple Reaction Monitoring)측정 조건을 표 3에 나타낸다.[표 3](1-3)에서 얻어진 측정 결과를 도 5에 나타낸다.(1-4) 해석 1시료의 크로마토그램에서는 복수의 근접 피크가 보였다. XMP 표준 물질의 피크로부터 시료의 XMP의 피크를 추정하여, 면적을 산출했다. 특이성을 검증하기 위하여, 측정 조건 A에 있어서의 피크 에리어 및 측정 조건 B에 있어서의 피크 에리어의 비(B/A)를 산출했다. 결과를 표 4에 나타낸다.[표 4]시료의 피크 에리어비(B/A)는 1.2였다. 시료의 피크 에리어비가 1 이상인 점에서, 측정 조건 A 및 B 중 어느 한쪽 또는 양자에 있어서, 특이성이 불충분하다(협잡물이 중첩되어 검출되어 있다)고 판정했다.(1-5) 해석 2측정 조건 C 및 D에서, XMP 표준 물질 및 (3)에서 얻어진 시료를 측정했다. 측정 조건 C 및 D를 표 5에 나타낸다. XMP 표준 물질 및 시료의 측정 결과를 도 6 및 표 6에 나타낸다.[표 5][표 6]시료의 피크 에리어비(D/C)는 0.4였다. 시료의 피크 에리어비가 1 미만인 점에서, 특이성은 양호하다고 판정했다.이 결과로부터, 측정 조건 C 및 D에 의하여, XMP의 양을 측정할 수 있다고 판정했다.(2-1) 표 7에 나타내는 측정 조건에서 측정하는 것 이외에는 (1-1)~(1-3)에 기재된 방법과 동일하게 시료를 제작하여, 시료의 XMP를 측정했다.[표 7](2-1)에서 얻어진 측정 결과를 도 7에 나타낸다.(2-2) 해석특이성을 검증하기 위하여, 측정 조건 A'에 있어서의 피크 에리어 및 측정 조건 B'에 있어서의 피크 에리어의 비(B'/A')를 산출했다. 결과를 표 8에 나타낸다.[표 8]시료의 피크 에리어비(B'/A')는 0.2였다. 시료의 피크 에리어비가 0.1~0.3의 범위 내인 점에서, 특이성은 매우 양호하다고 판정했다.이 결과로부터, 측정 조건 A' 및 B'에 의하여, XMP의 양을 측정할 수 있다고 판정했다.실시예 4 인간 골수성 백혈병 세포 중의 XMP와 정상인의 혈액 세포 중의 XMP시험 화합물로서, 화합물 A의 3/4 수화물을 이용했다.인간 골수성 백혈병 세포로서, K562(독립 행정법인 이화학연구소 바이오리소스센터)를 이용했다.(1)인간 골수성 백혈병 세포 2×107개를 RPMI 1640배지(Life Technologies사) 18mL가 들어간 배양 플라스크에 현탁했다. 시험 화합물의 PBS 용액(화합물 A로서, 0, 10, 100 또는 1000μg/mL) 2mL를 플라스크에 첨가하여, 37℃, 5%CO2 조건하에서 24시간 인큐베이트했다. 20℃, 300×g에서 3분간 원심 분리한 후, 상청을 제거하여, PBS 용액 10mL에 현탁했다. 그 후, 4℃, 300×g에서 5분간 원심 분리한 후, 상청을 제거했다. 메탄올 1000μL를 첨가하여 교반한 후, 초순수 500μL를 첨가하여, 더 교반했다. 600μL씩 2개의 튜브에 분할하고, 각각에 클로로폼 400μL를 첨가하여 교반한 후, 4℃, 10000×g에서 15분간 원심 분리했다. 수상 400μL를 회수하고, 한외 여과 튜브에 첨가하여, 12℃, 9200×g에서 2시간 원심 분리했다. 여액을 합치고, 원심 에바포레이터를 이용하여, 40℃에서 2시간 감압 건조했다. 건조 후, -80℃의 프리저에서 보존했다.(2)헤파린 첨가 채혈에 의하여 정상인 2명으로부터 채취한 혈액(검체 A 및 검체 B)을 450μL씩 1.5mL 튜브에 첨가하여, 시험 화합물의 PBS 용액(화합물 A로서, 0, 10, 30, 100, 300 또는 1000μg/mL)을 각 농도 각각 50μL씩 튜브에 첨가했다. 37℃에서 인큐베이터로 8시간 교반했다. 그 후, 혈액에 BD Pharm Lyse(555899, Becton, Dickinson and Company사)를 첨가했다(혈액 0.2mL에 대하여, BD Pharm Lyse 2mL를 첨가했다). 보텍스 믹서로 교반 후, 차광하여, 실온에서 15분 정치했다. 20℃, 1000×g에서 5분간 원심 분리한 후, 상청을 제거하여, PBS 용액 10mL에 현탁했다. 4℃, 1000×g에서 5분간 원심 분리한 후, 상청을 제거하여, 각각에 메탄올 1000μL를 첨가하고, 교반한 후, 초순수 500μL를 첨가하여, 더 교반했다. 600μL씩 2개의 튜브에 분할하고, 각각에 클로로폼 400μL를 첨가하여, 교반한 후, 4℃, 10000×g에서 15분간 원심 분리했다. 수상 400μL를 회수하고, 한외 여과 튜브에 첨가하여, 12℃, 9200×g에서 2시간 원심 분리했다. 여액을 합치고, 원심 에바포레이터를 이용하여, 40℃에서 2시간 감압 건조했다. 건조 후, -80℃의 프리저에서 보존했다.(3)(1) 및 (2)에서 보존한 시료를 실온으로 되돌리고, 각각에 초순수 40μL를 첨가하여 교반하며, 4℃, 21500×g에서 5분간 원심 분리했다. 상청 35μL를 바이알로 옮기고, 4℃에서 보존 후, 실시예 3(3)에 기재한 LC-MS/MS 측정 장치, LC 조건 및 MS/MS 조건에서, 시료 중의 XMP를 측정했다.(4)화합물 A 무처리군의 XMP의 값(피크 에리어값)을 100%로 하여, XMP의 양(%)을 산출했다.결과를 표 9에 나타낸다.[표 9]정상인의 혈액 세포 및 인간 골수성 백혈병 세포에 있어서의 XMP의 양의 변동은 동등했다. MDS 환자의 골수 중의 아구에 있어서의 화합물 A에 대한 XMP의 양의 변동은, 말초혈 중의 혈액 세포에 있어서의 변동을 측정함으로써 예측 가능한 것이 시사되었다.실시예 5 용혈 후의 혈액 세포 중의 XMP와 전혈 중의 XMP시험 화합물로서, 화합물 A의 3/4 수화물을 이용했다.(1)헤파린 첨가 채혈에 의하여 정상인 2명으로부터 채취한 혈액(검체 A 및 검체 B)을 450μL씩 튜브에 첨가하고, 시험 화합물의 PBS 용액(화합물 A로서, 0, 10, 30, 100, 300 또는 1000μg/mL)을 각 농도 각각 50μL씩 튜브에 첨가했다. 37℃에서 인큐베이터로 8시간 교반했다.(2-1)(1)에서 얻어진 혈액 샘플에 BD Pharm Lyse(555899, Becton, Dickinson and Company사)를 첨가했다(혈액 0.2mL에 대하여, BD Pharm Lyse 2mL를 첨가했다). 보텍스 믹서로 교반 후, 차광하여, 실온에서 15분 정치했다. 20℃, 1000×g에서 5분간 원심 분리한 후, 상청을 제거하여, PBS 10mL에 현탁했다. 20℃, 1000×g에서 5분간 원심 분리한 후, 상청을 제거하여, PBS 10mL에 현탁했다. 4℃, 1000×g에서 5분간 원심 분리한 후, 상청을 제거하여, 각각에 메탄올 1000μL를 첨가하고, 교반한 후, 초순수 500μL를 첨가하여, 더 교반했다. 600μL씩 2개의 튜브에 분할하여, 각각에 클로로폼 400μL를 첨가하여, 교반한 후, 4℃, 10000×g에서 15분간 원심 분리했다. 수상 400μL를 회수하고, 한외 여과 튜브(UltrafreeMC-PLHCC 250/pk for Metabolome Analysis(Human Metabolome Technologies사))에 첨가하여, 12℃, 9200×g에서 2시간 원심 분리했다. 여액을 합치고, 원심 에바포레이터를 이용하여, 40℃에서 2시간 감압 건조했다. 건조 후, -80℃의 프리저에서 보존했다.(2-2)(1)에서 얻어진 혈액 샘플 100μL에 400μL의 메탄올을 첨가하여, 교반한 후, 400μL의 클로로폼을 첨가하여, 더 교반했다. 120μL의 초순수를 첨가하여, 교반한 후, 4℃, 10000×g에서 15분간 원심 분리했다. 수상 400μL를 회수하고, 한외 여과 튜브에 첨가하여, 12℃, 9200×g에서 2시간 원심 분리했다. 여액을 원심 에바포레이터를 이용하여, 40℃에서 2시간 감압 건조했다. 건조 후, -80℃의 프리저에서 보존했다.(3)(2-1) 및 (2-2)에서 얻어진 시료를 실온으로 되돌리고, 각각에 초순수 40μL 첨가하여 교반하며, 4℃, 21500×g에서 5분간 원심 분리했다. 상청 35μL를 바이알로 옮기고, 4℃에서 보존 후, 실시예 3(3)에 기재한 LC-MS/MS 측정 장치, LC 조건 및 MS/MS 조건에서, 시료 중의 XMP를 측정했다.(4)화합물 A 무처리군에서의 XMP의 양을 100%로 하여, XMP의 양(%)을 산출했다.결과를 표 10에 나타낸다.[표 10]용혈 후의 혈액 세포 중의 XMP의 양과 전혈 중의 XMP의 양은, 거의 동등했다. 전혈 중의 XMP양은, 혈액 세포에 있어서의 XMP의 양을 반영하고 있었다.실시예 6 혈액 세포 중의 XMP와 골수 세포 중의 XMP시험 화합물로서, 화합물 A의 3/4 수화물을 이용했다.(1)자성 마우스(BALB/cAJcl)에 0.5%MC 또는 시험 화합물의 0.5%MC(화합물 A로서 100mg/kg)를 경구 투여했다.(2-1)투여 후부터 1, 4, 8 또는 24시간 후에 아이소플루레인 흡입에 의한 마취하에서 후대정맥으로부터 에틸렌다이아민 4아세트산 다이나트륨염으로 처리한 폴리프로필렌제 주사통 및 25게이지의 주사바늘을 이용하여 전채혈했다. 혈액에 BD Pharm Lyse(555899, Becton, Dickinson and Company사)를 첨가했다(0.2mL의 혈액에 대하여, 2mL의 BD Pharm Lyse를 첨가했다). 보텍스 믹서로 교반 후, 차광하여, 실온에서 15분 정치했다. 20℃, 1000×g에서 5분간 원심 분리한 후, 상청을 제거하여, PBS 용액 10mL에 현탁했다. 4℃, 1000×g에서 5분간 원심 분리한 후, 상청을 제거하고, 각각에 1000μL의 메탄올을 첨가하여 교반한 후, 500μL의 초순수를 첨가하여, 더 교반했다. 600μL씩 2개의 튜브에 분할하고, 각각에 400μL의 클로로폼을 첨가하여 교반한 후, 4℃, 10000×g에서 15분간 원심 분리했다. 수상 400μL를 회수하고, 한외 여과 튜브에 첨가하여, 12℃, 9200×g에서 2시간 원심 분리했다. 여액을 합치고, 원심 에바포레이터를 이용하여, 40℃에서 2시간 감압 건조했다. 건조 후, -80℃의 프리저에서 보존했다.(2-2)투여 후부터 1, 4, 8 또는 24시간 후에 아이소플루레인 흡입에 의한 마취하에서 좌우 대퇴골을 채취, 골단을 절단하고, 4℃, 3000rpm에서 1분간 원심 분리하여, 골수 세포를 회수했다. 1mL의 PBS에 현탁하여, 세포 수를 계수했다. 4℃, 1000×g에서 5분간 원심 분리한 후, 상청을 제거하고, 각각에 1000μL의 메탄올을 첨가하여 교반한 후, 500μL의 초순수를 첨가하여, 더 교반했다. 600μL씩 2개의 튜브에 분할하고 각각에 400μL의 클로로폼을 첨가하여 교반한 후, 4℃, 10000×g에서 15분간 원심 분리했다. 수상 400μL를 회수하고, 한외 여과 튜브에 첨가하여, 12℃, 9200×g에서 2시간 원심 분리했다. 여액을 합치고, 원심 에바포레이터를 이용하여, 40℃에서 2시간 감압 건조했다. 건조 후, -80℃의 프리저에서 보존했다.(3)(2-1) 및 (2-2)에서 얻어진 시료를 실온으로 되돌리고, 초순수를 용혈 샘플에 40μL, 골수 샘플에 150μL 첨가했다. 교반 후, 4℃, 21500×g에서 5분간 원심 분리했다. 용혈 샘플은 상청 35μL를, 골수 샘플은 상청 140μL를 바이알로 옮기고, 4℃에서 보존 후, 실시예 3(3)에 기재한 LC-MS/MS 측정 장치, LC 조건 및 MS/MS 조건에서, 시료 중의 XMP를 측정했다.(4)화합물 A 무처리군에서의 XMP의 양을 100%로 하여, XMP의 양(%)을 산출했다.결과를 표 11에 나타낸다.[표 11]혈액 세포 및 골수 세포 중의 XMP의 변동은 동등했다. 혈액 세포에 있어서의 화합물 A에 대한 XMP의 변동은 골수 세포에 있어서의 변동을 반영하고 있는 것이 시사되었다.실시예 4, 실시예 5 및 실시예 6의 결과로부터, 말초혈 전혈의 XMP의 변동은 MDS 환자의 골수의 아구 중의 XMP의 변동을 반영하고 있는 것이 나타났다.실시예 7 인간 골수성 백혈병 세포 중의 XMP시험 화합물로서, 화합물 A의 3/4 수화물을 이용했다.인간 골수성 백혈병 세포로서, SKM-1을 이용했다.(1)인간 골수성 백혈병 세포 2×107개를 RPMI 1640배지(Life Technologies사) 18mL가 들어간 배양 플라스크에 현탁했다. 시험 화합물의 PBS 용액(화합물 A로서, 0, 10, 30, 100, 300 또는 1000μg/mL) 2mL를 플라스크에 첨가하여, 37℃, 5%CO2 조건하에서 24시간 인큐베이트했다. 20℃, 300×g에서 3분간 원심 분리한 후, 상청을 제거하여, PBS 용액 10mL에 현탁했다. 10μL를 분취하고, 세포 수를 TC10(BioRad사)을 이용하여 계측했다. 300×g에서 5분간 원심 분리한 후, 상청을 제거했다. 메탄올 1000μL를 첨가하여 교반한 후, 초순수 500μL를 첨가하여, 더 교반했다. 600μL씩 2개의 튜브에 분할하고, 각각에 400μL의 클로로폼을 첨가하여 교반한 후, 4℃, 10000×g에서 15분간 원심 분리했다. 수상 400μL를 회수하고, 한외 여과 튜브에 첨가하여, 12℃, 9200×g에서 2시간 원심 분리했다. 여액을 1개의 튜브에 합치고 원심 에바포레이터를 이용하여, 40℃에서 약 2시간 감압 건조했다. 건조 후, -80℃의 프리저에서 보존했다.(2)(1)에서 얻어진 시료를 실온으로 되돌리고, 각각에, 4ng/μL 2'-플루오로-2'-데옥시사이티딘 1인산을 함유한 5mmol/L 폼산 암모늄 50μL를 첨가하여 교반했다. 상청 12.5μL를 바이알로 옮기고, 이하의 측정 조건에서 시료 중의 XMP를 측정했다.(LC-MS/MS)LC: UFLC(시마즈 세이사쿠쇼)MS: QTRAP3200(에이비·사이엑스사)(LC)칼럼: SeQuant ZIC-pHILIC 5μm, polymeric PEEK 150×2.1mm metal-free HPLC column(머크사)칼럼 오븐 온도: 40℃이동상 A: 10mmol/L 중탄산 암모늄(25질량% 암모니아 수용액으로 pH9.4로 조정)이동상 B: 아세토나이트릴송액 조건: 0.5mL/분그레이디언트 사이클을 표 12에 나타낸다. 표 12 중의 %는 체적 %를 나타낸다.[표 12](MS/MS)이온화: ESI positive스캔 모드: MRM측정 조건을 표 13에 나타낸다.[표 13](3)화합물 A 무처리군의 XMP의 값을 100%로 하여, XMP양(%)을 이하의 식으로 산출했다.XMP의 양(%)=((XMP의 피크 에리어)/((2'-플루오로-2'-데옥시사이티딘 1인산의 피크 면적)×(세포 수)))/((무처리군의 XMP의 피크 에리어)/((무처리군의 2'-플루오로-2'-데옥시사이티딘 1인산의 피크 에리어)×(무처리군의 세포 수)))×100이하의 식으로 XMP의 감소율(%)을 산출했다.XMP의 감소율(%)=100-XMP의 양(%)결과를 표 14에 나타낸다.[표 14]화합물 A의 SKM-1 세포에 있어서의 IC50값은 2.73μg/mL이다(실시예 1). 따라서, IC50값 부근에서의 XMP 감소율은 43~55%였다.실시예 2 및 실시예 7의 결과로부터, 처치 기간 중의 40% 이상의 기간에 있어서, XMP 감소율이 45% 이상일 때, 그 투여량은 유효하다고 예측할 수 있다.실시예 8 전혈 중의 XMP, GMP 및 GTP시험 화합물로서, 화합물 A의 3/4 수화물을 이용했다.(1)헤파린 첨가 채혈에 의하여 정상인으로부터 채취한 혈액을 450μL씩 튜브에 첨가하고, 시험 화합물의 PBS 용액(화합물 A로서, 0, 1, 10 또는 100μg/mL)을 각 농도 각각 50μL씩 튜브에 첨가했다. 37℃에서 인큐베이터로 8시간 교반했다.(2)(1)에서 얻어진 혈액 샘플 100μL에 400μL의 메탄올을 첨가하여, 교반한 후, 400μL의 클로로폼을 첨가하여, 더 교반했다. 120μL의 초순수를 첨가하여, 교반한 후, 4℃, 10000×g에서 15분간 원심 분리했다. 수상 400μL를 회수하고, 한외 여과 튜브에 첨가하여, 12℃, 9200×g에서 2시간 원심 분리했다. 여액을 원심 에바포레이터를 이용하여, 40℃에서 2시간 감압 건조했다. 건조 후, -80℃의 프리저에서 보존했다.(3)(2)에서 얻어진 시료를 실온으로 되돌리고, 각각에 초순수 40μL 첨가하여 교반하며, 4℃, 21500×g에서 5분간 원심 분리했다. 상청 35μL를 바이알로 옮기고, 4℃에서 보존 후, 실시예 3(3)에 기재한 LC-MS/MS 측정 장치 및 LC 조건 및 표 15에 나타내는 MS/MS 조건에서, 시료 중의 XMP, GMP 및 GTP를 측정했다.[표 15](4)화합물 A 무처리군의 XMP, GMP 및 GTP의 값(Peak Area값)을 100%로 하여, XMP, GMP 및 GTP의 양(%)을 산출했다. 결과를 표 16에 나타낸다.[표 16]전혈 중의 XMP의 양은, 화합물 A의 농도가 높아짐에 따라, 감소했다. 한편, 전혈 중의 GMP 및 GTP의 양은, 화합물 A의 농도가 높아져도, 그다지 변동이 보이지 않았다. 이 결과로부터, GMP 또는 GTP 등의 XMP의 하류의 대사물에서는 화합물 A의 치료 효과를 평가할 수 없고, XMP에서는 화합물 A의 치료 효과를 평가할 수 있는 것이 나타났다.실시예 9 LC의 그레이디언트 조건실시예 3(1-1) 및 (1-2)에 기재된 방법과 동일하게 하여 시료를 제작했다. 시료를 물에 용해하여, 원심 분리한 후, 상청을 회수하여 측정 시료로 했다. 측정 시료 및 XMP 표준 물질을 LC-MS/MS에 제공했다. 장치 구성 및 측정 조건을 이하에 나타낸다.(LC-MS/MS)LC: UFLC(시마즈 세이사쿠쇼)MS: QTRAP 5500(에이비·사이엑스사)(LC)칼럼: SeQuant ZIC-pHILIC 5μm, polymeric PEEK 150×2.1mm metal-free HPLC column (머크사)칼럼 오븐 온도: 40℃이동상 A: 50mmol/L 중탄산 암모늄(25질량% 암모니아 수용액으로 pH9.4로 조정)이동상 B: 아세토나이트릴송액 조건: 0.3mL/분주입량: 2μL(조건 a), 5μL(조건 b)조건 a 및 b의 그레이디언트 사이클을 표 17 및 18에 나타낸다. 표 17 및 표 18 중의 %는 체적 %를 나타낸다.조건 a[표 17]조건 b[표 18](MS/MS)이온화: ESI positive스캔 모드: MRM측정 조건을 표 19에 나타낸다.[표 19]얻어진 측정 결과를 도 8에 나타낸다.LC 조건 b의 XMP 용출에서 아이소크래틱법을 이용한 경우에는, LC 조건 a의 그레이디언트법을 이용한 경우에 비하여, 시료 중의 XMP와 협잡물의 분리도가 향상되어, 시료 중의 XMP를 보다 높은 특이성으로 검출할 수 있는 것이 확인되었다. 또한, LC 조건 b에서는, 샘플 주입량을 LC 조건 a의 2.5배까지 증가시킬 수 있었다.산업상 이용가능성본 발명의 예측 방법은, MDS 환자에 대한 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량을 간편한 조작으로 단시간에 예측할 수 있다. 또, MDS 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 간편한 조작으로 단시간에 예측할 수 있다.본 발명의 측정 방법은, 혈액에 포함되는 미량의 XMP의 양을 정확하게 측정할 수 있다.본 발명의 예측 장치는, MDS 환자에 대한 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물의 유효 투여량을 간편한 조작으로 단시간에 예측하기 위하여 이용할 수 있다. 또, MDS 환자가, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성인지 아닌지를 간편한 조작으로 단시간에 예측하기 위하여 이용할 수 있다.본 발명의 처치제 및 처치 방법은, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물을 이용하는 처치에 대하여, 감수성이라고 예측된 MDS 환자의 처치에 이용되기 때문에, 화합물 A 혹은 그 염 또는 그 수화물에 대하여 감수성이 없는 환자에 대한 불필요한 투여를 회피할 수 있다.	본 발명의 과제는, 간편한 조작으로, 단시간에 측정을 행할 수 있는 5-하이드록시-1H-이미다졸-4-카복사마이드의 유효 투여량 또는 감수성의 예측 방법 및 예측 장치, 잔토신 1인산량의 측정 방법, 그리고 골수 이형성 증후군의 처치제 및 처치 방법을 제공하는 것이다. 본 발명에 의하면, 혈액 중의 잔토신 1인산의 양을 측정하는 것을 포함하는 5-하이드록시-1H-이미다졸-4-카복사마이드의 유효 투여량 또는 감수성의 예측 방법 및 예측 장치, 매스스펙트로메트리법에 의하여, 상이한 2개의 측정 조건에서 혈액에 포함되는 잔토신 1인산을 측정하는 공정을 포함하는 잔토신 1인산량의 측정 방법, 그리고 골수 이형성 증후군의 처치제 및 처치 방법이 제공된다.
[ 발명의 명칭 ] 이어폰 상의 버튼 동작을 검출하기 위한 회로, 단말기 및 이어폰CIRCUIT FOR DETECTING BUTTON ACTION OF EARPHONE, TERMINAL, AND EARPHONE [ 기술분야 ] 본 발명의 실시예는 검출 회로 기술에 관한 것으로서, 구체적으로, 이어폰 상의 버튼 동작을 검출하기 위한 회로, 단말기 및 이어폰에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 현재, 모든 일반적인 이어폰에는, 음악 청취 중인 노래 또는 통화를 위한 전화 사이를 전환하기 위해 사용되는 버튼이 제공된다. 일반적으로, 대부분의 버튼은 회로 내에서 이어폰의 마이크로폰(MIC) 선을 단락(short-circuiting)하여, 즉, 버튼과 MIC를 병렬로 연결하여 구현된다. 버튼이 눌리면, MIC가 단락되기 때문에, MID의 양단에 전압이 존재하지 않고; 버튼이 눌리지 않으면, MIC의 양단의 회로에 전압이 존재한다. 따라서 이어폰이 단말기 장치, 예컨대 이동 전화 또는 컴퓨터에 삽입되는 경우, 단말기 장치는 MIC의 양단에서의 전압을 모니터링하여, 버튼이 눌렸는지 여부를 판정할 수 있으므로, 대응하는 기능을 구현할 수 있다. 기술의 지속적인 발전으로, 일반적인 이어폰은 4개의 도체 플러그(four-conductor plug)를 가지는 노이즈 리덕션 이어폰(noise reduction earphone)으로 점차 진화하고 있다. 4개의 도체 플러그를 가지는 노이즈 리덕션 이어폰에서, MIC 선은 전력선(충전선으로도 나타냄)으로도 사용되어야 한다. 이 경우, 버튼이 여전히 일반적인 이어폰의 회로에 따라 구현되면, 병렬 회로의 일단이 전력 공급부에 연결되어 있고, 다른 일단은 접지되어 있기 때문에, 버튼이 눌리는 경우, 전력선이 곧바로 접지로 단락되어, 회로 번아웃을 초래하며 중대한 잠재적 리스크를 야기할 수 있다. 따라서, 본 산업에서 시급히 해결할 문제는 4개의 도체 플러그를 가지는 노이즈 리덕션 이어폰 상의 버튼을 어떻게 검출할 것인지, 나아가 검출된 상태에 따라 대응하는 기능을 어떻게 구현할 것인지 이다. [ 발명의 개요 ] 본 발명의 실시예는 이어폰 상의 버튼 동작을 검출하기 위한 회로, 단말기 및 이어폰을 제공하여, 4개의 도체 플러그를 가지는 노이즈 리덕션 이어폰의 버튼 상태를 검출하고, 나아가 검출된 상태에 따라 대응하는 기능을 구현한다. 제1 측면에 따르면, 본 발명의 일 실시예는 이어폰 상의 버튼 동작을 검출하기 위한 회로를 제공하며, 상기 회로는, 제1 단 및 제2 단이 제공되는 제1 저항; 제1 입력단, 제2 입력단, 및 출력단이 제공되는 비교기 - 상기 비교기의 제1 입력단은 상기 제1 저항의 제1 단에 연결되어 있고, 상기 비교기의 제2 입력단은 상기 제1 저항의 제2 단에 연결되어 있음 - ; 및 상기 제1 저항의 제1 단에 연결되어 있는 전력 공급부를 포함하고, 상기 이어폰은, 제1 단 및 제2 단을 포함하는 제2 저항 - 상기 이어폰이 상기 회로에 연결되는 경우, 상기 제2 저항의 제1 단은 상기 제1 저항의 제2 단에 연결됨 - ; 제1 단 및 제2 단을 포함하는 마이크로폰(MIC) - 상기 MIC의 제1 단은 상기 제2 저항의 제1 단에 연결되어 있고, 상기 MIC의 제2 단은 접지되어 있음 - ; 및 양 단이 상기 MIC의 제2 단과 상기 제2 저항의 제2 단에 각각 연결되어 있는 버튼을 포함하고, 상기 버튼이 눌리는 경우, 상기 버튼의 양단은 전기적으로 연결된다. 제1 측면의 제1 가능 구현 방식에서, 상기 회로는 제1 아날로그-투-디지털 변환기(analog to digital converter, ADC) 및 제2 ADC를 더 포함하고, 상기 제1 ADC는 상기 제1 저항의 제1 단에 연결되어 있고, 상기 제2 ADC는 상기 제1 저항의 제2 단에 연결되어 있다. 제2 측면에 따르면, 본 발명의 일 실시예는 이어폰 인터페이스를 통해 이어폰에 연결될 수 있는 단말기를 제공하며, 상기 단말기는, 제1 단 및 제2 단이 제공되는 제1 저항; 제1 입력단, 제2 입력단 및 출력단이 제공되는 비교기 - 상기 비교기의 제1 입력단은 상기 제1 저항의 제1 단에 연결되어 있고, 상기 비교기의 제2 입력단은 제1 저항의 제2 단에 연결되어 있고, 상기 제1 입력단과 상기 제2 입력단 간의 전압 차이가 제1 임계값보다 큰 경우, 상기 비교기의 출력단에서 제어 신호를 출력하도록 구성되어 있음 - ; 및 상기 제1 저항의 제1 단에 연결되어 있는 전력 공급부를 포함하고, 상기 이어폰은, 제1 단 및 제2 단을 포함하는 제2 저항 - 상기 이어폰이 상기 이어폰 인터페이스를 통해 상기 단말기에 연결되는 경우, 상기 제2 저항의 제1 단은 상기 제1 저항의 제2 단에 연결됨 - ; 제1 단 및 제2 단을 포함하는 마이크로폰(MIC) - 상기 MIC의 제1 단은 상기 제2 저항의 제1 단에 연결되어 있고, 상기 MIC의 제2 단은 접지되어 있음 - ; 및 양 단이 상기 MIC의 제2 단과 상기 제2 저항의 제2 단에 각각 연결되어 있는 버튼을 포함하고, 상기 버튼이 눌리는 경우, 상기 버튼의 양단은 전기적으로 연결되고,상기 단말기는, 상기 제어 신호를 수신하고, 상기 제어 신호에 대응하는 기능을 실행하도록 구성되어 있는 프로세서를 더 포함한다. 제2 측면의 제1 가능 구현 방식에서, 상기 단말기는, 제1 아날로그-투-디지털 변환기(ADC) - 상기 제1 ADC의 입력단은 상기 제1 저항의 제1 단에 연결되어 있고, 상기 제1 ADC의 출력단은 상기 프로세서에 연결되어 있음 - ; 및 제2 ADC - 상기 제2 ADC의 입력단은 상기 제1 저항의 제2 단에 연결되어 있고, 상기 제2 ADC의 출력단은 상기 프로세서에 연결되어 있음 - 를 더 포함하고, 상기 프로세서는 상기 제1 ADC의 출력값과 상기 제2 ADC의 출력값을 판독하고, 상기 제1 ADC의 출력값을 상기 제2 ADC의 출력값과 비교하며, 상기 제1 ADC의 출력값과 상기 제2 ADC의 출력값 간의 차이가 제2 임계값보다 큰 경우, 상기 전력 공급부가 상기 이어폰을 충전하고 있는 것으로 결정하도록 구성되어 있다. 제3 측면에 따르면, 본 발명의 일 실시예는 이어폰을 제공하며, 상기 이어폰은, 제1 단 및 제2 단을 포함하는 제2 저항 - 상기 이어폰이 이어폰 인터페이스를 통해 단말기에 삽입되는 경우, 상기 제2 저항의 제1 단은 제1 저항의 제2 단에 연결됨 - ; 제1 단 및 제2 단을 포함하는 마이크로폰(MIC) - 상기 MIC의 제1 단은 상기 제2 저항의 제1 단에 연결되어 있고, 상기 MIC의 제2 단은 접지되어 있음 - ; 및 양 단이 상기 MIC의 제2 단과 상기 제2 저항의 제2 단에 각각 연결되어 있는 버튼을 포함하고, 상기 버튼이 눌리는 경우, 상기 버튼의 양단은 전기적으로 연결되고,상기 단말기는, 제1 단 및 제2 단이 제공되는 제1 저항; 제1 입력단, 제2 입력단 및 출력단이 제공되는 비교기 - 상기 비교기의 제1 입력단은 상기 제1 저항의 제1 단에 연결되어 있고, 상기 비교기의 제2 입력단은 제1 저항의 제2 단에 연결되어 있고, 상기 제1 입력단과 상기 제2 입력단 간의 전압 차이가 임계값보다 큰 경우, 상기 비교기의 출력단에서 제어 신호를 출력하도록 구성되어 있음 - ; 및 상기 제1 저항의 제1 단에 연결되어 있는 전력 공급부를 포함한다. 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 이어폰 상의 버튼 동작을 검출하기 위한 회로, 단말기 및 이어폰에 따르면, 단말기 장치는 버튼 검출 회로를 이용하여 버튼 상태를 검출하고, 대응하는 동작을 실행한다. 버튼 검출 회로에서, 버튼이 눌려진 상태에 있는 경우, 버튼과 전력 공급부 사이의 저항이 존재한다. 따라서, 전력 공급부가 직접 접지되어 야기되는 회로 번아웃이 회피되며, 이어폰의 버튼 상태의 검출이 구현된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따라 이어폰 상의 버튼 동작을 검출하기 위한 회로의 등가 회로 다이어그램이다. 도 2는, 본 발명의 다른 실시예에 따라 이어폰 상의 버튼 동작을 검출하기 위한 회로의 등가 회로 다이어그램이다. 도 3은, 본 발명의 일 실시예에 따라 이어폰 인터페이스를 통해 이어폰에 연결될 수 있는 단말기의 개략적인 구조도이다. 도 4는, 본 발명의 다음 실시예에 따라 이어폰 인터페이스를 통해 이어폰에 연결될 수 있는 단말기의 개략적인 구조도이다.도 5는, 본 발명의 일 실시예에 따른 이어폰의 개략적인 구조도이다. 도 6은, 본 발명의 일 실시예에 따른 검출 방법의 흐름도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명의 실시예의 목적, 기술적 솔루션 및 이점을 보다 명확하게 하기 위해, 이하에서는 본 발명의 실시예의 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예의 기술적 솔루션을 명확하고 완전하게 설명한다. 명백하게, 설명되는 실시예는 본 발명의 일부 실시예일뿐이며, 모든 실시예는 아니다. 본 발명의 실시예에 기초하여 창조적 노력 없이 통상의 기술자에 의해 획득되는 다른 모든 실시예는 본 발명의 보호 범위 내에 속할 것이다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 이어폰 상의 버튼 동작을 검출하기 위한 회로의 등가 회로 다이어그램이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 검출 회로는 제1 저항(11), 비교기(12), 전력 공급부(13), 버튼(14), MIC(15), 및 제2 저항(16)을 포함하고, 여기서 제1 저항(11)은 제1 단(111) 및 제2 단(112)을 제공하며, MIC(15)는 제1 단(151) 및 제2 단(152)을 제공하며, 제2 저항(16)은 제1 단(161) 및 제2 단(162)을 제공한다. 제1 저항(11)의 제1 단(111)은 전력 공급부(13)에 연결되어 있다. 제1 저항(11)의 제2 단(112)은 MIC(15)의 제1 단(151)과 제2 저항(16)의 제1 단(161)에 연결되어 있다. 비교기(12)는 제1 입력단(121), 제2 입력단(122) 및 출력단(123)을 제공한다. 비교기(12)의 제1 입력단(121)은 제1 저항(11)의 제1 단(111)에 연결되어 있다. 비교기(12)의 제2 입력단(122)은 제1 저항(11)의 제2 단(112)에 연결되어 있다. 버튼(14)의 양단은 MIC(15)의 제2 단(152)와 제2 저항(16)의 제2 단(162)에 각각 연결되어 있다. 버튼(14)이 눌리면, 버튼(14)의 양단은 전기적으로 연결된다. MIC(15)의 제2 단(152)는 접지되어 있다. 도 1을 참조하면, 검출 회로는 버튼 검출 회로에 상응한다. 버튼(14)이 눌려진 상태에 있는 경우, MIC(15)와 제2 저항(16)은 병렬로 연결된다. MIC의 저항값이 상대적으로 크기 때문에, MIC(15)와 제2 저항(16)이 병렬로 연결된 후의 병렬 저항값은 제2 저항(16)의 저항값과 거의 동일하다. 이 경우, 비교기(12)의 2개의 입력단이 제1 저항(11)의 양단에 각각 연결되기 때문에, 비교기(12)의 2개의 입력단 사이의 전압 차이는 제1 저항(11)의 양단 사이의 전압 차이이지만, 제1 저항(11)의 양단 사이의 전압 차이는 제1 저항(11)을 통해 흐르는 전류에 의존한다. 제2 저항(16)의 저항값이 작아지면, 제1 저항(11)를 통해 흐르는 전류는 커지고, 제1 저항(11)의 양단 사이의 전압 차이는 커진다. 이 전압 차이가 특정 값보다 큰 경우, 출력단(123)은 인터럽트 신호(interrupt signal)를 프로세서(도면에 도시되지 않음), 예컨대, 중앙처리장치(Central Processing Unit, CPU)에 출력하고, 이 프로세서는 대응하는 기능을 구현한다. 버튼(14)이 눌려지지 않은 상태에 있는 경우, 제2 저항(15)은 연결 해제된다. 제1 저항(11)의 전류는 MIC(15)의 저항값에 의존하며, 여기서 MIC(15)의 저항값은 고정되어 있며 상대적으로 크고, 제1 저항(11)을 통해 흐르는 전류는 약하며, 제1 저항(11)의 양단 사이의 전압 차이는 작다. 이 경우, 비교기는 인터럽트 신호를 프로세서에 출력하지 않는다. 도 1로부터 알 수 있는 것처럼, 제1 저항(11) 및 제2 저항(16)의 보호로 인해, 버튼(14)이 눌려진 상태에 있는 경우에도, 전력 공급부(13)가 직접적으로 접지되어 야기되는 회로 번아웃을 회피할 수 있다. 도 2는, 본 발명의 다른 실시예에 따라 이어폰 상의 버튼 동작을 검출하기 위한 회로의 등가 회로 다이어그램이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 도 1의 전술한 회로를 기초로, 이 실시예에서 제공되는 검출 회로는 제1 아날로그-투-디지털 변환기(analog to digital converter, ADC)(17) 및 제2 ADC(18)를 더 포함하며, 여기서 제1 ADC(17)는 제1 저항(11)의 제1 단에 연결되어 있고, 제2 ADC(18)는 제1 저항(11)의 제2 단(112)에 연결되어 있다. 도 2를 참조하면, 검출 회로 내의 비교기(12)를 제외한 부분은 인식 회로에 상응한다. 직렬로 연결된 제2 저항(16)과 버튼(14)을 병렬로 MIC(15)에 연결함으로써 형성되는 병렬 회로의 일단이 충전 회로(도면에서 회색 패딩으로 도시됨)에 연결되는 경우, 전력 공급원(13)이 충전 회로에 전력을 공급하기 때문에, 제1 저항(11)을 통해 흐르는 전류가 강해지며, 제1 회로(11)의 양단에 전압이 존재하게 된다. 이 경우, 제1 단(111)에서의 전압은 제1 ADC(17)의 입력이고, 제2 단(112)에서의 전압은 제2 ADC(18)의 입력이다. 제1 ADC(17)와 제2 ADC(18) 사이의 차이가 특정 값보다 큰 경우, 회로 내에 충전 회로가 존재한다는 것을 나타낸다. 직렬로 연결된 제2 저항(16)과 버튼(14)을 병렬로 MIC(15)에 연결함으로써 형성되는 병렬 회로의 일단이 충전 회로(도면에서 회색 패딩으로 도시됨)에 연결되지 않는 경우, 제1 저항(11)을 통해 흐르는 전류는 약해지므로, 제1 ADC(17)와 제2 ADC(18) 사이의 차이는 매우 작으며 무시될 수 있다. 이 경우, 회로 내에 충전 회로가 존재하지 않는다는 것을 나타낸다. 제1 ADC(17)와 제2 ADC(18) 사이의 차이는, 제1 ACD(17)에 의해 획득되는 이진수 시퀀스와 제2 ADC(18)에 의해 획득되는 이진수 시퀀스 사이의 차이가 십진수로 변환된 후 획득된 결과로 이해될 수 있다. 구체적 구현 프로세스에서, 제1 ADC(17)와 제2 ADC(18) 모두 프로세서에 연결될 수 있으며, 프로세서는 제1 ADC(17)와 제2 ADC(18)의 숫자 값을 판독하고 비교한다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 가능 구현 방식에서, 일반적으로 점선의 왼쪽에 있는 컴포넌트와 오른쪽에 있는 컴포넌트는 상이한 장치에 위치할 수 있다. 예컨대, 점선의 왼쪽에 있는 컴포넌트는 단말기 장치에 배치될 수 있으며, 점선의 오른쪽에 있는 컴포넌트는 이어폰에 배치될 수 있고, 이어폰이 단말기 장치에 삽입되는 경우, 전술한 버튼 검출 기능 및 충전 회로 인식 기능이 구현된다. 유의해야 할 것은, 전술한 실시예에서, 상이한 ADC가 필요에 따라 선택될 수 있다는 것이다. 예를 들어, 12-비트 ADC 또는 다른 양의 비트의 ADC가 제1 ADC(17) 및 제2 ADC(18)로 선택될 수 있다. 도 3은, 본 발명의 일 실시예에 따라 이어폰 인터페이스를 통해 이어폰에 연결될 수 있는 단말기의 개략적인 구조도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 이 실시예에 의해 제공되는 단말기(100)는, 제1 단(111) 및 제2 단(112)이 제공되는 제1 저항(11); 제1 입력단(121), 제2 입력단(122) 및 출력단(123)이 제공되는 비교기(12) - 비교기(12)의 제1 입력단(121)은 제1 저항(11)의 제1 단(111)에 연결되어 있고, 비교기(12)의 제2 입력단(122)은 제1 저항(11)의 제2 단(112)에 연결되어 있고, 제1 입력단(121)과 제2 입력단(122) 간의 전압 차이가 임계값보다 큰 경우, 비교기(12)의 출력단(123)에서 제어 신호를 출력하도록 구성되어 있음 - ; 및 제1 저항(11)의 제1 단(111)에 연결되어 있는 전력 공급부(13)을 포함하고, 이어폰은, 제1 단(161) 및 제2 단(162)을 포함하는 제2 저항(16) - 이어폰이 이어폰 인터페이스를 통해 단말기(100)에 연결되는 경우, 제2 저항(16)의 제1 단(161)은 제1 저항(16)의 제2 단(162)에 연결됨 - ; 제1 단(151) 및 제2 단(152)을 포함하는 마이크로폰(MIC)(15) - MIC(15)의 제1 단(151)은 제2 저항(16)의 제1 단(161)에 연결되어 있고, MIC(15)의 제2 단(152)은 접지되어 있음 - ; 및 양 단이 MIC(15)의 제2 단(152)과 제2 저항(16)의 제2 단(162)에 각각 연결되어 있는 버튼(14)을 포함하고, 버튼(14)이 눌리는 경우, 버튼(14)의 양단이 전기적으로 연결되고,단말기(100)는, 제어 신호를 수신하고, 제어 신호에 대응하는 기능을 실행하도록 구현되어 있는 프로세서(19)를 더 포함한다. 도 4는, 본 발명의 다음 실시예에 따라 이어폰 인터페이스를 통해 이어폰에 연결될 수 있는 단말기의 개략적인 구조도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 선택적으로, 도 3에 도시된 전술한 단말기를 기초로, 이 실시예에 의해 제공되는 단말기(100)는, 제1 ADC(17) - 제1 ADC(17)의 입력단(171)은 제1 저항(11)의 제1 단(111)에 연결되어 있고, 제1 ADC(17)의 출력단(172)은 프로세서(19)에 연결되어 있음 - ; 및 제2 ADC(18) - 제2 ADC(18)의 입력단(181)은 제1 저항(11)의 제2 단(112)에 연결되어 있고, 제2 ADC(18)의 출력단(182)은 프로세서(19)에 연결되어 있음 - 를 더 포함한다. 이어폰의 유형을 식별하는 프로세스에서, 프로세서(19)는 제1 ADC(17)의 출력값과 제2 ADC(18)의 출력값을 판독하고, 제1 ADC(17)의 출력값을 제2 ADC(18)의 출력값과 비교하고, 제1 ADC(17)의 출력값과 제2 ADC(18)의 출력값 간의 차이가 제2 임계값보다 큰 경우, 전력 공급부가 이어폰을 충전하는 것으로 결정하도록 구성되어 있으므로, 이어폰의 유형을 식별할 수 있다. 즉, 제1 ADC(17)의 출력값과 제2 ADC(18)의 출력값 사이의 차이가 제2 임계값보다 큰 경우, 단말기(100)는 이어폰 내에 충전 회로가 존재하며 이어폰은 노이즈 리덕션 이어폰인 것으로 결정하고; 그 외에, 제1 ADC(17)의 출력값과 제2 ADC(18)의 출력값 사이의 차이가 제2 임계값보다 크지 않은 경우, 단말기(100)는 이어폰 내에 충전 회로가 존재하지 않으며 이어폰은 4개의 도체 플러그를 가지는 일반적인 이어폰인 것으로 결정한다. 도 3 및 도 4 내의 전술한 단말기의 동작 원리는 여기서 추가로 설명되지 않는다. 도 1 및 도 2에 도시된 실시예를 참조할 수 있다.도 5는, 본 발명의 일 실시예에 따른 이어폰의 개략적인 구조도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 이 실시예에 의해 제공되는 이어폰(200)은, 제1 단(161) 및 제2 단(162)을 포함하는 제2 저항(16) - 이어폰(200)이 이어폰 인터페이스를 통해 단말기에 삽입되는 경우, 제2 저항(16)의 제1 단(161)은 제1 저항(11)의 제2 단(111)에 연결됨 - ; 제1 단(151) 및 제2 단(152)을 포함하는 마이크로폰(MIC)(15) - MIC(15)의 제1 단(151)은 제2 저항(16)의 제1 단(161)에 연결되어 있고, MIC(15)의 제2 단(152)은 접지되어 있음 - ; 및 양 단이 MIC(15)의 제2 단(152)과 제2 저항(16)의 제2 단(161)에 각각 연결되어 있는 버튼(14)을 포함하고, 버튼(14)이 눌리는 경우, 버튼(14)의 양단이 전기적으로 연결되고,단말기는, 제1 단(111) 및 제2 단(112)이 제공되는 제1 저항(11); 제1 입력단(121), 제2 입력단(122) 및 출력단(123)이 제공되는 비교기(12) - 비교기(12)의 제1 입력단(121)은 제1 저항(11)의 제1 단(111)에 연결되어 있고, 비교기(12)의 제2 입력단(122)은 제1 저항(11)의 제2 단(112)에 연결되어 있고, 제1 입력단(121)과 제2 입력단(122) 간의 전압 차이가 임계값보다 큰 경우, 비교기(12)의 출력단(123)에서 제어 신호를 출력하도록 구성되어 있음 - ; 및 제1 저항(11)의 제1 단(111)에 연결되어 있는 전력 공급부(13)을 포함한다. 도 6은, 본 발명의 일 실시예에 따른 검출 방법의 흐름도이다. 도 1을 참조할 수도 있다. 이 실시예에서, 점선의 왼쪽에 있는 컴포넌트는 단말기 장치에 배치되고, 점선의 오른쪽에 있는 컴포넌트는 이어폰에 배치된다. 이 솔루션은, MIC 선이 전력 선으로도 사용되는 이어폰에 전력을 공급하는 단말기 장치에 적용될 수 있다. 구체적으로, 이 실시예는 다음의 단계를 포함한다:101. 이어폰이 단말기 장치에 삽입되어 있는 상태에 있는 경우, 단말기 장치는 제1 입력단과 제2 입력단 사이의 전압 차이를 검출하고, 이 전압 차이가 제1 임계값보다 크면, 이어폰의 버튼이 눌려진 상태에 있는 것으로 검출하고; 그 외에 이 전압 차이가 제1 임계값보다 크지 않으면, 이어폰의 버튼이 눌려지지 않은 상태에 있는 것으로 검출한다. 이 단계에서, 단말기 장치는 버튼 검출 회로를 이용하여 제1 저항의 양단에서의 전압을 검출한다. 구체적 구현 원리는 여기서 추가로 설명되지 않는다. 도 1의 전술한 실시예를 참조할 수 있다. 102. 단말기 장치는 버튼 상태에 따라 대응하는 동작을 실행한다. 버튼 상태를 검출한 후, 단말기 장치는 대응하는 동작을 실행한다. 예를 들어, 단말기 장치가 노래를 재생하고 있는 경우, 버튼이 눌려진 상태에 있는 것으로 검출하는 때, 단말기 장치는 노래를 바꾸는 동작을 실행하며; 다른 예로, 단말기 장치가 노래를 재생하고 있는 경우, 수신 전화가 있을 때, 사용자는 버튼을 누르고, 이 경우, 단말기 장치는 버튼이 눌려진 상태에 있는 것으로 검출하고 전화에 연결한다. 또한, 빨리 감지 및 되감기와 같은 기능은, 버튼이 눌려진 상태에 있는 기간 및 연속적인 눌림 횟수에 따라 구현될 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 이 실시예에 의해 제공되는 검출 방법에서, 단말기 장치는 버튼 검출 회로를 이용하여 버튼 상태를 검출하며, 대응하는 동작을 실행한다. 버튼 검출 회로에서, 버튼이 눌려진 상태에 있는 경우, 버튼과 전력 공급부 사이의 저항이 존재한다. 따라서, 전력 공급부가 직접 접지되어 야기되는 회로 번아웃이 회피되며, 이어폰의 버튼 상태의 검출이 구현된다. 나아가, 도 6에 도시된 실시예에서, 예를 들어, 이어폰은 노이즈 리덕션 기능을 가지는 노이즈 리덕션 이어폰일 수 있다. 단말기 장치가 노이즈 리덕션 이어폰 내의 노이즈 리덕션 기능을 구현하기 위한 모듈에 전력을 공급해야 하기 때문에, 노이즈 리덕션 이어폰은 MIC 선을 전력 선으로 사용하는 이어폰이다. 이 경우, 이어폰의 유형을 구별하기 위해, 단말기 장치는 이어폰 검출 회로를 추가로 제공할 수 있다. 이어폰 검출 회로는, 제1 ADC 및 제2 ADC를 포함하고, 여기서 제1 ADC는 제1 저항의 제1 단에 연결되어 있으며, 제2 ADC는 제1 저항의 제2 단에 연결되어 있다. 이어폰이 단말기 장치에 삽입되어 있는 상태에 있으면, 단말기 장치는 제1 ADC 및 제2 ADC 사이의 차이가 제2 임계값보다 큰지 여부를 판정하고; 이 차이가 제2 임계값보다 크면, 이어폰의 유형이 노이즈 리덕션 이어폰인 것으로 검출하고; 그 외에 이 차이가 제2 임계값보다 크지 않으면, 이어폰의 유형이 노이즈 리덕션 이어폰이 아닌 것으로 검출한다. 구체적으로, 도 2에 도시된 전술한 회로를 참조할 수 있으며, 여기서 추가 설명이 제공되지는 않는다. 선택적으로, 도 6에 도시된 전술한 실시예에서, 전력 공급기는 5-볼트 전력 공급기이며; 제1 저항의 저항값은 10 옴이며; 제1 임계값은 0.5 볼트이고; 제2 저항의 저항값은 40 옴이다. 검출 회로가 버튼 검출 기능을 실행하는 경우, 버튼이 눌려진 상태에 있으면, 제1 저항을 통해 흐르는 전류는 5 V / ( 10 + 40 ) Ω = 0.1 A이고, 제1 저항의 양단 사이의 전압 차이는 1 V 이다, 즉, 제1 저항의 양단 사이의 전압 차이는 제1 임계값 0.1 V 보다 크다. 이 경우, 비교기는 제1 저항의 양단 사이의 전압 차이를 검출하고, 인터럽트 신호를 생성하며, 비교기의 출력단에서 CPU로 인터럽트 신호가 출력된다. 이에 따라, CPU는 버튼이 눌려진 상태에 있는 것으로 검출하고, 대응하는 동작을 실행한다. 그러나, 버튼이 눌리지 않은 상태에 있으면, MIC의 저항값이 상대적으로 크기 때문에, 제1 저항의 저항값이 무시될 수 있다. 이 경우, 제1 저항을 통해 흐르는 전류는 매우 약하다. 따라서, 제1 저항의 양단 사이의 전압 차이도 매우 작으며, 비교기는 어떠한 인터럽트 신호도 출력하지 않는다. 유의해야 할 점은, 전술한 실시예에서, 본 발명은 제1 임계값이 0.1 볼트인 일 예를 이용하여 상세하게 설명된 것이며, 본 발명은 이에 제한되지 않는다는 점이다. 다른 실현 가능 구현 방식에서, 제1 임계값은 다른 값일 수도 있다. 예를 들어, 상이한 값이 비교기의 정밀성에 따라 제1 임계값으로 사용될 수 있다. 나아가, 선택적으로, 도 6에 도시된 전술한 실시예에서, 제2 임계값은, 예컨대, 1 볼트일 수 있다. 검출 회로가 이어폰 식별 기능을 실행하는 경우, 즉, 4개의 도체 플러그를 가지는 일반적인 이어폰과 노이즈 리덕션 이어폰을 구별해야 할 필요가 있는 경우, 단말기 장치는 제1 ADC와 제2 ADC 사이의 차이를 검출하여 이어폰 식별 기능을 구현한다. 구체적으로, 이어폰이 노이즈 리덕션 이어폰인 경우, 단말기 장치는 노이즈 리덕션 이어폰의 노이즈 리덕션 기능 모듈을 충전하기 때문에, 제1 저항을 통해 흐르는 전류는 약 15 MA 이므로, 제1 저항의 양단 사이에 전압 차이가 존재한다. 제1 ADC와 제2 ADC 간의 차이는 약 150 밀리볼트(MV), 즉, 제1 ADC와 제2 ADC 사이의 차이는 제2 임계값 20 MV 보다 크다. 이 경우, 단말기 장치는 이어폰이 노이즈 리덕션 이어폰인 것으로 검출한다. 그 외에, 일반적인 이어폰이 삽입되면, 단말기 장치는 이어폰을 충전할 필요가 없으므로, 제1 저항을 통해 흐르는 전류는 매우 약하며 거의 무시될 수 있고, 제1 ADC와 제2 ADC 사이의 차이는 거의 0이다. 이 경우, 단말기 장치는 이어폰이 4개의 도체 플러그를 가지는 일반적인 이어폰인 것으로 검출한다. 유의해야 할 점은, 전술한 실시예에서, 본 발명은 제2 임계값이 20 MV 인 일 예를 사용하여 상세하게 설명된 것이며, 본 발명은 이에 제한되지 않는다는 점이다. 다른 실현 가능 구현 방식에서, 제2 임계값은 다른 값일 수도 있다. 통상의 기술자는 방법 실시예의 모든 또는 일부 단계가 관련 있는 하드웨어를 명령하는 프로그램에 의해 구현될 수 있다는 것을 이해할 수 있다. 프로그램은 컴퓨터로 판독 가능한 저장 매체에 저장될 수 있다. 프로그램이 실행되면, 방법 실시예의 단계가 수행된다. 전술한 저장 매체는, ROM, RAM, 마그네틱 디스크 또는 광 디스크와 같은 프로그램 코드를 저장할 수 있는 임의의 매체를 포함한다. 마지막으로, 유의해야 할 점은, 전술한 실시예는 단지 본 발명의 기술적 솔루션을 설명하기 위해 의도된 것이며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니라는 점이다. 본 발명이 전술한 실시예를 참조하여 상세하게 설명되었으나, 통상의 기술자는, 본 발명의 실시예의 기술적 솔루션의 범위에서 벗어나지 않고, 전술한 실시예에서 설명된 기술적 솔루션에 변형을 가하거나 이들의 일부 또는 모든 기술적 특징에 대한 등가 대체물을 만들 수 있다.	본 발명의 실시예는 이어폰 상의 버튼 동작을 검출하기 위한 회로, 단말기 및 이어폰을 제공한다. 상기 방법은, 이어폰이 단말기 장치에 삽입되어 있는 상태에 있는 경우, 단말기 장치가 제1 입력단과 제2 입력단 사이의 전압 차이를 검출하는 단계; 및 이 전압 차이가 제1 임계값보다 크면, 이어폰이 눌려진 상태에 있는 것으로 검출하고; 그 외에 이 전압 차이가 제1 임계값보다 크지 않으면, 이어폰이 눌려지지 않은 상태에 있는 것으로 검출하는 단계를 포함하여, 단말기 장치는 버튼 상태에 따라 대응하는 동작을 실행할 수 있다. 이 과정에서, 단말기 장치는 버튼 검출 회로를 이용하여 버튼 상태를 검출하고, 대응하는 동작을 실행한다. 버튼 검출 회로에서, 버튼이 눌려진 상태에 있는 경우, 버튼과 전력 공급부 사이의 저항이 존재한다. 따라서, 전력 공급부가 직접 접지되어 야기되는 회로 번아웃이 회피되며, 이어폰의 버튼 상태의 검출이 구현된다.
[ 발명의 명칭 ] 살모넬라균의 비코딩 RNA 및 이의 식별과 응용NON-CODING RNA OF SALMONELLA AND INDENTIFICATION AND USE THEREOF [ 기술분야 ] 본 발명은 생물 기술 분야에 관한 것이고, 더 구체적으로 살모넬라균(Salmonella)의 비코딩(Noncoding) 리보핵산(RNA, Ribonucleic Acid) 및 이의 식별과 응용에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 미생물(Microorganism)은, 자연계에 광범위하게 존재하는 육안으로 볼 수 없고 반드시 광학 현미경 또는 전자 현미경에 의하여 수백 배, 수천 배, 심지어 수만 배로 확대하여야만 관찰할 수 있는 미소생물의 총칭이다. 이들은 체형이 미소하고, 구조가 간단하며, 번식이 신속하고, 쉽게 변이되며, 및 환경 적응 능력이 강한 등 특징을 구비한다.미생물의 종류가 다양하고, 자연계에서의 분포가 매우 광범위하다. 인류, 동물과 식물의 체표 및 이들이 외계와 서로 연통하는 복강경로에도 다양한 미생물이 존재한다.미생물은 인류에 대한 제일 중요한 영향 중의 하나가 일부 질환을 초래하는 바, 특히 전염병을 초래한다. 비록 질환의 예방과 치료방면에서, 인류는 많은 발전을 가져왔지만, 새로 나타나거나 또는 다시 나타나는 미생물 감염은 여전히 끊임없이 발생하고, 많은 질환에는 줄곧 효과적인 치료약물이 부족하다. 이 밖에, 대량의 광범위항생제(broad spectrum antibiotics)의 남용으로 심한 선택압(Selective pressure)을 초래하고, 수많은 균주가 변이되어, 더 위험한 내약품성 균주가 나타났다.무릇 살아 있는 생물의 체외 또는 체내에서 생장하는 미생물은 모두 기생 미생물로 불리우고, 기생 생활하는 미생물은 기타 생물의 영양을 박탈하거나, 심지어 기타 생물의 신체의 일부분을 영양으로 한다. 미생물은 구강, 피부 또는 호흡 기관을 통하여 사람 또는 동물 체내에 진입하고, 사람 또는 동물체의 영양을 이용하여 생장번식할 수 있다. 만일 이러한 세균이 독소를 생성하면, 사람은 콜레라, 장티푸스, 폐렴 등과 같은 병에 걸린다. 에이즈, 감기 등 질환은 바이러스에 의하여 초래된 것이다. 바이러스는 더 특정된 기생 미생물이고, 이들은 세포를 떠나면 생존할 수 없기 때문에, 엄격한 기생 미생물이라고 부른다. 미생물 감염(Microbial infection)은 임상에서 흔히 보는 미생물이 초래한 질환이다. 세균성 질환의 진단에서, 병인을 확인하기 위하여 절대 다수는 모두 세균학 진단을 해야 한다. 그러나, 시료로부터 분리하여 얻은 세균이 반드시 질환의 병원인 것을 의미하지 않으므로, 환자의 임상 상황, 시료를 채집한 부위, 획득한 세균 종류에 따라 종합적으로 분석해야 된다. 상기 균주의 병원성을 확정하기 위하여, 때로는 독력(virulence), 세포 및 동물 등 실험을 진행해야 된다.세균 및 그 대사 산물은 항원성을 구비함으로써, 세균성 감염은 항체를 검출하여 진단을 진행할 수도 있다. 이 밖에, 최근에는 세균의 유전형질을 검출하여 세균에 대하여 진단하는 신규 방법인 유전자 진단 방법이 더 발전되고 있다. 하지만, 상기 검출 방법은 조작이 번거롭고, 검출 샘플의 채집 및 보관에 대한 요구가 엄격하면서, 검출 결과가 위양성(false positive)일 확율이 높고, 검출 주기가 길어, 환자 병세를 지연하기 쉽다.감염성 질환, 특히 만성 지속성 감염은 인류 건강과 생명을 위협하는 전 세계적인 고질별 중의 하나이다. 인류에 대하여 중요한 영향을 주는 세포 내 병원체는 결핵균(Mycobacterium tuberculosis), 살모넬라균, 브루셀라균(Brucella), 레지오넬라균(legionella), 리스테리아균(Listeria) 및 나균(Mycobacterium leprae) 등을 포함한다. 결핵, AIDS, 간염 등 칠대병은 전 세계적으로 위협하는 질환을 이루고, 상기 질환의 치료가 어려운 원인은 병원체의 세포 내 기생성과 밀접한 관계가 있다. 세포 내 미생물 감염에 대한 치료는 하나의 난관이다. 주요한 원인은, 이러한 병원체가 세포 내에 침입하여 잠복할 때, 일반적인 항생제는 세균이 잠복한 세포 내에 이송되기 어렵고, 가령 이송되어도, 이송된 상기 항생제의 농도는 효과적으로 살균하는 효과를 달성하기 어려운 것과; 항체는 세포 내에 진입하여 작용을 발휘할 수 없는 것과; 세포 내 균이 세포를 성공적으로 기생한 후, 면역 시스템의 탐식, 살상과 제거를 피면할 수 있을 뿐만 아니라, 세포 내에서 장기간 생존할 수 있어, 적당한 시기(예를 들면, 생물체 면역력이 하강됨)에서 유기체 발병을 초래하기 때문이다.살모넬라균속(Salmonella)은 인류와 동물 장 내에 기생되고, 생화학 반응과 항원 구조가 유사한 한 무리의 그람음성균(Gram negative bacillus)이고, 일부분은 전문 인류에 대하여 병을 일으키고, 일부분은 단지 동물에 대하여 병을 일으키며, 또 일부분은 사람과 동물에 대하여 모두 병을 일으키는데, 이러한 것들을 살모넬라균으로 총칭한다. 현재 이미 1800종 이상의 살모넬라균을 발견하였고, 항원 성분에 따라 A, B, C, D, E 등 기본적인 균형으로 구분할 수 있다. 그 중에서, 인류 질환에 관한 것에는 주로 A 그룹의 파라티푸스(paratyphoidfever) A균, B 그룹의 파라티푸스B균과 쥐티푸스균, C 그룹의 파라티푸스C균과 돼지콜레라균(swine fever), D 그룹의 장티푸스(typhoid fever)과 장염세균이 있다. 이러한 균들은 가금티푸스(fowl typhoid), 추백리(pullorum), 돼지콜레라, 쥐티푸스균, 돼지 파라티푸스, 말파라티푸스균(paratyphoid of horse) 등 질환을 초래할 수 있다. 병원성이 가장 강한 것은 살모넬라 콜레라(Salmonella cholerae)이고, 그 다음으로는 쥐티푸스균(Salmonella typhimurium)과 살모넬라 엔테라이티디스(Salmonella enteritidis)이다. 살모넬라균에 감염되거나 또는 보균자의 대소변에 오염된 식품을 먹으면, 사람이 식중독에 걸릴 수 있다.따라서, 미생물 감염 질환을 예방 치료하고, 이와 같은 질환의 실험실 진단 및 임상 치료를 개선하여, 환자 병세의 지연을 피면하며, 환자 신체 및 경제적의 부담을 감소시키도록, 본 기술분야에서는 조작이 간단하고 결과가 정확한 신규 진단과 치료기술을 개발하는 것이 절박하게 필요하다. [ 발명의 개요 ] 본 발명은, 미생물 감염에 대하여 조작이 간단하고 결과가 정확한 진단과 치료 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.본 발명의 제1 양태에서, (i), 서열이 SEQ ID NO:1~5 중의 어느 하나로 표시되는 서열을 갖는 milRNA; 및 (ii), (i)중의 상기 milRNA의 뉴클레오타이드(nucleotide) 서열과 상보적인 milRNA로부터 선택되는 분리된 mil RNA(micro-like RNA)를 제공한다.다른 바람직한 예에서, 상기 상보적이라는 것은 기본적으로 상보적이인 것(비상보적인 염기≤3개, 바람직하게는 ≤3개, 더 바람직하게는 ≤1개)과 완전히 상보적인 것을 포함한다.또 다른 바람직한 예에서, 상기 milRNA는 살모넬라균에서 유래된다.또 다른 바람직한 예에서, 상기 milRNA는 사람 또는 사람이 아닌 포유동물의 혈액, 체액 또는 조직샘플로부터 분리된다.또 다른 바람직한 예에서, 상기 혈액은 혈장 및/또는 혈청이다.또 다른 바람직한 예에서, 상기 사람이 아닌 포유동물은 마우스, 래트, 토끼, 돼지, 소, 양 등이다.또 다른 바람직한 예에서, 상기 milRNA는 사람으로부터 분리된다.본 발명의 제2 양태에서, 분리되거나 또는 인위적으로 구축되는 전구체 milRNA를 제공하는 바, 상기 전구체 milRNA는 동물 세포 내에서 절단되어 본 발명의 제1 양태에 따른 milRNA로 발현될 수 있다.다른 바람직한 예에서, 상기 동물 세포는 인간 세포를 포함한다.본 발명의 제3 양태에서, 동물 세포에 의하여, 인간 세포 내에서 절단되어 본 발명의 제1 양태에 따른 milRNA로 발현될 수 있는 전구체 milRNA로 전사될 수 있는 분리된 폴리뉴클레오타이드(polynucleotide)를 제공한다.다른 바람직한 예에서, 상기 폴리뉴클레오타이드는 하기의 식 I로 표시되는 구조를 구비한다.식 I: Seq정방향-X-Seq역방향식 I에서, Seq정방향은 동물 세포에서 상기 milRNA로 발현될 수 있는 뉴클레오타이드 서열이고, Seq역방향은 Seq정방향와 기본적으로 상보적이거나 또는 완전히 상보적인 뉴클레오타이드 서열이며, X는 Seq정방향와 Seq역방향 사이에 위치한 스페이서 서열(spacer sequences)이고, 상기 스페이서 서열과 Seq정방향 및 Seq역방향은 서로 비상보적이며, 식 I로 표시되는 구조는 동물 세포에 전이된 후, 하기의 식 II로 표시되는 이차구조(secondary structure)를 형성한다.식 II: 식 II에서, Seq정방향, Seq역방향와 X의 정의는 상기와 같고, \|\|는 Seq정방향와 Seq역방향 사이에 형성되는 상보적 염기 페어링(Pairing) 관계를 표시한다.본 발명의 제4 양태에서, 본 발명의 제1 양태에 따른 milRNA 또는 본 발명의 제3 양태에 따른 폴리뉴클레오타이드를 함유하는 담체를 제공한다.본 발명의 제5 양태에서, (a), 살모넬라균 감염을 검출하는 시약, 검출칩 또는 키트(kit)를 제조하거나, 또는 (b), 유도형NO생성효소(iNOS, inducible NO synthase)의 발현 또는 활성을 제어하는 조절제를 제조하기 위한 제1 양태에 따른 milRNA의 용도를 제공한다.다른 바람직한 예에서, 상기 iNOS의 발현 또는 활성을 제어하는 조절제는 iNOS의 발현 또는 활성을 감소하는 억제제이다. 본 발명의 제6 양태에서, 고상 담체; 및 본 발명의 제1 양태에 따른 milRNA를 특이적으로 포획하고, 상기 고상 담체에 순차적으로 고정되는 올리고뉴클레오타이드 프로브(oligonucleotide probe)를 포함하는 핵산칩（Nucleic Acid Chip）을 제공한다.본 발명의 제7 양태에서, 살모넬라균 감염을 검출하는 키트를 제조하기 위한 본 발명의 제6 양태에 따른 핵산칩의 용도를 제공한다.본 발명의 제8 양태에서, 본 발명의 제6 양태에 따른 핵산칩 또는 본 발명의 제1 양태에 따른 milRNA를 함유하는 키트를 제공한다.본 발명의 제9 양태에서, 본 발명의 제1 양태에 따른 milRNA를 특이적으로 제어 또는 차단하는 억제제를 제공한다.다른 바람직한 예에서, 상기 억제제는 milRNA 해면(sponge), milRNA 서열과 상보적인 안티센스 핵산(antisense nucleic acid), 소분자 화합물이다.또 다른 바람직한 예에서, 상기 억제제는 (i) 또는 (ii)중의 상기 milRNA의 뉴클레오타이드 서열과 상보적인 핵산(예를 들어, RNA, DNA 또는 유사체 등)이다.본 발명의 제10 양태에서, (a), 살모넬라균 감염을 치료하는 약물을 제조하거나, 또는 (b), iNOS의 발현 또는 활성을 증가하는 약물을 제조하기 위한 본 발명의 제9 양태에 따른 milRNA의 억제제의 용도를 제공한다. 본 발명의 제11 양태에서, 약학적으로 허용 가능한 담체와 본 발명의 제1 양태에 따른 milRNA를 특이적으로 제어 또는 차단하는 억제제를 포함하는 약물 조성물을 제공한다.다른 바람직한 예에서, 상기 milRNA의 억제제는 milRNA 해면(sponge), milRNA 서열과 상보적인 안티센스 핵산(antisense nucleic acid)을 포함한다.또 다른 바람직한 예에서, 상기 milRNA의 억제제는 SEQ ID NO.: 7에서 설명한 바와 같다.본 발명의 제12 양태에서, 하나의 실험군과 하나의 대조군을 제공하고, 상기 실험군에서 후보물질을 실험군의 세포 또는 동물에 투여하여, 투여된 후의 상기 실험군 중의 sal-1의 발현 수준을 측정하며, 상기 대조군에 실험군과 동일한 조건을 사용하지만, 후보물질을 대조군의 세포 또는 동물에 사용하지 않는 단계(a); 및 실험군의 sal-1과 대조군의 sal-1의 발현 수준을 비교하는 단계(b)를 포함하고, 실험군의 sal-1의 발현 수준이 대조군의 sal-1의 발현 수준보다 현저히 낮을 경우, 상기 후보물질은 살모넬라균 감염을 치료하기 위한 후보약물임을 의미하는 살모넬라균 감염을 치료하는 후보약물의 선별방법을 제공한다.다른 바람직한 예에서, 상기 sal-1의 서열은 SEQ ID NO.: 1에 설명한 바와 같다.또 다른 바람직한 예에서, 상기 동물은 마우스를 포함하고, 상기 세포는 체외에서 배양되는 세포를 포함한다.본 발명의 제13 양태에서, iNOS의 발현 또는 활성을 감소하는 조절제 또는 약물 조성물을 제조하기 위한 sal-1의 용도를 제공한다.다른 바람직한 예에서, 상기 sal-1의 서열은 SEQ ID NO.: 1에서 설명한 바와 같다.본 발명의 범위 내에서, 본 발명의 상기 각 기술특징과 후술되는(예를 들면, 실시예) 구체적인 설명의 각 기술특징은 모두 서로 조합되어, 새롭거나 또는 바람직한 과제의 해결수단을 구성하는 것으로 이해되어야 한다. 편폭의 제한으로 일일이 다시 설명하지 않는다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 체내 병원체 살모넬라균의 비코딩 RNA(ncRNA)에 대한 식별 결과를 표시한 도이다. 여기서, sal-1, sal-2, sal-3, sal-4, sal-5는 동족 살모넬라균에서 상이한 milRNA를 검출한 것을 대표하고, mock는 인산 완충 식염수(PBS, phosphate buffer saline)로 세균 감염 시뮬레이션을 처리한 결과, 세포 내에서 sal-1, sal-2, sal-3, sal-4, sal-5를 검출하지 못한 것을 의미한다. 도 2는 병원체 살모넬라균의 ncRNA를 표시하는 전기 영동도(electropherogram)이다. 여기서, 제1 레인은 분자량 표준을 대표하고, 제2 레인은 sal-1 표준품을 대표하며, 제3 레인은 mock 감염 시뮬레이션(PBS 처리)을 대표하고, 제4 레인은 LB 배양한 살모넬라균 SE2472(세포를 첩촉하지 않음)를 대표하며, 제5 레인은 살모넬라균 SE2472 감염 HT-29 세포를 대표한다. 도 3은 살모넬라균 sal-1과 pre-sal-1의 관계를 표시하는 도이다.도 4는 살모넬라균sal-1이 iNOS의 두 개의 타겟 부위(target site)를 조절할 수 있는 것을 표시하는 도이다.도 5는 RAW264.7 세포에 iNOS 전체 길이(full-length)의 발현 플라스미드(plasmid)를 전이하면, sal-1도 역시 iNOS의 발현을 성공적으로 제어할 수 있는 것을 표시한 도이다.도 6은 살모넬라균 milRNA(sal-1)이 타겟 유전자 iNOS에 대한 제어 작용을 표시한 도이다.도 7은 Sal-1이 살모넬라균 감염 마우스에 있어서의 제어 작용을 표시한 도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명인은 광범위하고 철저한 실험을 거친 후, 체내 병원체(감염 미생물, 기생 미생물, 공생 미생물 등을 포함)는 비코딩 RNA을 방출하고, 이러한 특정된 ncRNA는 체내 병원체의 바이오마커(biomarkers)로 사용할 수 있으며, 체내 병원체의 검출과 치료에 효과적으로 사용되어, 미생물 감염성 질환의 진단과 치료를 효과적으로 개선할 수 있는 것을 최초로 예기치 않게 발견하였다. 이러한 기초 상에서 본 발명을 완성하였다.구체적으로, 본 발명의 연구에 의하면, 체내 감염 미생물, 기생 미생물, 공생 미생물은 모두 ncRNA를 통하여 생리적 항상성 및 질환의 발생과 발전에 참여할 수 있다. 상이한 병원체의 특유한 ncRNA(병원체의 바이오마커로 사용함)를 식별 및 검출하여, 상이한 병원체를 정확하고 신속하게 검출해 낼 수 있다. 이 밖에, 체내 병원체를 기반으로 숙주 시스템이 가공 생성한 ncRNA를 이용하여, 표적적으로 억제와 제거(예를 들면, 안티센스 RNA 기술을 이용함)를 진행하여, 미생물 감염 질환에 대한 치료를 진행할 수 있다. ncRNA의 치료를 기반으로, 미생물 및/또는 미생물성 질환에 대하여 신규 치료 전략을 제공한다.용어 본 명세서에서 사용한 바와 같이, 본 발명의 용어 'milRNA', '살모넬라균 특이성 milRNA'은 서로 교체하여 사용할 수 있는 것으로, sal-1, sal-2, sal-3, sal-4, sal-5 중의 어느 하나 또는 이들의 조합을 의미한다.본 명세서에서 사용한 바와 같이, 용어 '억제제', '길항제'와 '차단제'는 서로 교체하여 사용할 수 있는 것으로, 이들의 함의는 동일하다.본 명세서에서 사용한 바와 같이, 용어 'sal-1 차단제’는 안티센스 서열 또는 핵산 sponge 등과 같이 sal-1 기능을 억제 또는 차단할 수 있는 물질을 의미한다. 이러한 억제제는 sal-1과 타겟 유전자 iNOS의 mRNA의 결합을 억제하고, sal-1이 타겟 유전자의 발현에 대한 감소를 억제할 수 있다. 용어 본 명세서에서 사용한 바와 같이, 용어 '미생물'은 바이러스, 세균, 원시 세균, 클라미디아(chlamydia), 원생생물 등 각종 미소생물을 포함한다. 본 발명에서, '체내 미생물’은 숙주(사람 또는 기타 동물) 체내에 존재하는 각종 미생물을 의미하는 바, 감염 미생물, 기생 미생물과 공생 미생물을 포함한다. 이런 종류의 전형적인 체내 미생물은 질환을 초래할 수 있는 병원체이다.본 발명에서, 병원체와 숙주세포의 관계에 따르면, 병원체는 세포외 세균과 세포내 세균인 두가지 종류로 구분될 수 있다. 세포외 세균은 숙주세포 외의 세포간극, 혈액, 림프액, 조직액 등 체액에서 생장번식하는 세균을 의미한다. 세포내 세균은 또 하기와 같은 두가지 종류로 구분된다. 통성 세포내 세균은 숙주 체내에서 주로 세포 내에 기숙하여 생장번식하고, 체외 생세포의 배지에서도 생장할 수 있는 세균을 의미한다. 편성 세포내 세균은 체내 또는 체외를 막론하고 모두 반드시 생세포 내에서만 생장번식하는 세균을 의미한다.본 명세서에서 사용한 바와 같이, 용어 'milRNA', 즉 micro-like RNA는 세균에서 유래되는, microRNA과 유사한 RNA 서열을 의미한다.본 명세서에서 사용한 바와 같이, 용어 'sRNA', 즉 small non-coding RNA는 미소한 비코딩의 RNA 서열을 의미한다. 본 발명에서, sRNA는 microRNA 및 milRNA를 포함한다.iNOS는 유도형 산화질소 합성 효소를 의미한다.비코딩 RNA비코딩 RNA는 단백질로 번역되지 않는 RNA를 의미하고, 이는 리보솜RNA( rRNA, ribosomal RNA), 운반RNA(tRNA, transfer RNA), 소형 핵 RNA (snRNA, small nuclear RNA), 핵소체내저분자 RNA(snoRNA, small nucleolar RNA), microRNA 등 각종 상이한 RNA를 포함하며, 이러한 RNA는 게놈(genome) 으로부터 전사되어 오고, 단백질로 번역되지 않지만, 단백질 번역 과정에 참여하며, RNA 수준에서 각자의 생물학적 기능을 수행할 수 있다. 예를 들면, snRNA, snoRNA는 RNA 절단과 RNA 수식에 참여한다.비코딩 RNA는 길이 방면에서 구분하면, microRNA, 작은 간섭 RNA(siRNA, small interfering RNA), piRNA를 포함하는 50nt보다 작은 것; rRNA, tRNA, snRNA, snoRNA, SLRNA, SRPRNA 등을 포함하는 50 nt 내지 500 nt인 것; 길고 micro-like RNA의 비코딩 RNA, 길고 폴리 에이(polyA) 꼬리를 구비하지 않은 비코딩 RNA 등을 포함하는 500 nt보다 긴 것 세가지 종류로 구분할 수 있다. snRNA는 small nuclear RNA의 약칭이고, 소핵 RNA로도 불리운다. 그 기능은 단백질 인자와 결합하여 소핵 리보핵산 단백질 입자(small nuclear ribonucleo-protein partcle, snRNPs으로 약칭)를 형성하는 것이고, mRNA를 이어맞추는(splicing) 기능을 수행한다.snoRNA는 최초로 인(nucleolus)에서 발견된 작은 RNA인 것으로, 소인 RNA로 불리우며, 최초로 발견한 이들의 생물학적 기능은 rRNA를 수식하는 것이다. 대부분 소인 RNA는 두가지 종류로 구분될 수 있다. 한가지 종류는 C Dbox snoRNA이고, 이런 종류의 snoRNA는 RNA의 염기에 대하여 메틸화 수식하기 위한 것이다. 다른 종류는 H/ACA box이고, 이런 종류의 snoRNA는 RNA의 염기에 대하여 메틸우라실화 수식하기 위한 것이다. 이들의 특징은 중간에 하나의 루프(loop) 영역을 추가하는 한 쌍의 줄기(stem)를 형성하는 것이고, 중간의 loop 영역에는 하나의 boxH가 구비된다. 끝부분의 tail에는 하나의 boxACA가 존재하는데, 이는 boxH와 boxACA의 일차 서열 특징의 정의가 비교적 모호하기 때문이다.miRNA는, 작은 RNA 분자와 전사 유전자가 상보되어 유전자의 침묵을 매개하는 것이다. MicroRNA는 한가지 종류의 21-23nt의 작은 RNA이고, 그 전구체는 대략 70~100nt 좌우이며, 표준적인 줄기(stem) 구조를 형성하고, 가공 후 21~23nt로 되는 단일 가닥 RNA이다. microRNA의 작용 메커니즘은 mRNA과 상보하여 mRNA를 침묵시키거나 또는 분해시키는 것이다. miRNA 메커니즘을 기반으로 개발한 RNAi 기술이 바로 microRNA과 유사한 small RNA를 이용하여 대응되는 mRNA를 침묵시키는 것이다.gRNA는 안내 RNA로 불리우기도 하는데, 진핵생물에서 RNA 편집에 참여되는 mRNA과 상보적인 서열을 구비하는 RNA를 의미한다.eRNA는 인트론(introns) 또는 비코딩 DNA로부터 전사된 RNA 분자로서, 유전자의 전사와 번역효율을 정밀하게 조절한다.신호인식입자 RNA는 세포질에서 신호 펩타이드 함유 mRNA와, 분비하기로 한 RNA 기능 분자를 식별하는 것을 의미한다pRNA는 박테리오파지(bacterio-phage) RNA를 의미한다. 예를 들면, 연구 결과에 의하면, fi29 박테리오파지에서 6 개의 동일한 작은 RNA 분자로 아데노신 3인산(ATP, adenosine triphosphate)을 이용하여 DNA의 패키징(packaging)에 참여한다.tmRNA는, tRNA 유사와 mRNA 유사가 복합되는 RNA를 구비하는 것을 의미한다. tmRNA는 세균 중에 광범위하게 존재하고, 번역 또는 오독된 리보솜을 식별하며, 일부 스톨링(stalling)이 지연된 리보솜도 식별하고, 이러한 문제가 있는 리보솜의 붕괴를 매개한다. 이 밖에, mRNA 중의 비코딩 영역에는 인트론 영역과 5'-UTR, 3'-UTR 등과 같은 리보솜 식별 소자가 포함되는 바, 비코딩 RNA로도 볼 수 있다.milRNA 및 이의 전구체 본 발명은 살모넬라균에서 유래되는 한 가지 신규 milRNA를 제공한다. 이러한가지 종류의 milRNA는 miRNA와 매우 유사하고, 이는 한가지 종류의 RNA 분자이며, milRNA 전구체를 형성할 수 있는 전사체를 가공하여 얻는다. 길이는 일반적으로 18~28개의 뉴클레오타이드(nt)(특히 약 20~26nt)를 구비한다. miRNA와 유사하고, milRNA는 일반적으로 노던법(Northern blot)에 의하여 검출된다.본 명세서에서 사용한 바와 같이, '분리됨'은 물질이 이의 오리지널 환경으로부터 분리되는(만약 자연적인 물질이면, 오리지널 환경은 자연환경임) 것을 의미한다. 생체 세포 내의 자연적인 상태에서의 폴리뉴클레오타이드와 폴리펩티드(polypeptide) 등은 분리 및 정제되지 않았지만, 동일한 폴리뉴클레오타이드 또는 폴리펩티드 등은 자연적인 상태에서 동존하는 기타 물질로부터 이격되면, 분리 정제된 것이다.milRNA는 전구체 RNA(Precursor milRNA, Pre-milRNA)로부터 가공되어 얻는 것이고, 상기 전구체 RNA는 안정한 줄기 루프(머리핀) 구조로 폴딩될 수 있으며, 상기 줄기 루프 구조의 길이는 일반적으로 50~100bp 사이에 있다. 상기 전구체 milRNA는 안정한 줄기 루프 구조로 폴딩될 수 있고, 줄기 루프 구조의 줄기부 양측에는 기본적으로 상보적인 두 개의 서열을 포함한다. 상기 전구체 milRNA는 자연적이거나 또는 인위적으로 합성될 수 있다.전구체 milRNA는 절단되어, 암호화 유전자의 mRNA의 적어도 일부분의 서열과 상보적일 수 있는 milRNA를 생성할 수 있다. 본 명세서에서 사용한 바와 같이, '기본적으로 상보적임' 은 뉴클레오타이드의 서열은 충분히 상보적이고, 예측 가능한 방식으로 상호작용을 발생할 수 있는 것을 의미하며, 예를 들어, 이차구조(줄기 루프 구조와 같음)를 형성하는 것이다. 일반적으로, 두 개의 '기본적으로 상보적'의 뉴클레오타이드 서열의 상호 사이에는 적어도 70%의 뉴클레오타이드가 상보적이고, 바람직하게는, 적어도 80%의 뉴클레오타이드가 상보적이며, 더 바람직하게는, 적어도 90%의 뉴클레오타이드가 상보적이고, 가장 바람직하게는, 98%, 99% 또는 100%와 같이 적어도 95%의 뉴클레오타이드가 상보적인 것이다. 일반적으로, 두 개의 충분히 상보적인 분자 사이에는 최대 40 개의 비매칭되는 뉴클레오타이드가 존재할 수 있고, 바람직하게는, 최대 30 개의 비매칭되는 뉴클레오타이드가 존재하며, 더 바람직하게는, 최대 20 개의 비매칭되는 뉴클레오타이드가 존재하고, 가장 바람직하게는, 1개, 2개, 3개, 4개, 5개, 8 개의 비매칭되는 뉴클레오타이드와 같이 최대 10 개의 비매칭되는 뉴클레오타이드가 존재한다.본 명세서에서 사용한 바와 같이 '줄기 루프' 구조는 '머리핀' 구조로도 불리우는 것으로, 뉴클레오타이드 분자를 의미하며, 이는 이중 가닥 영역(줄기부)을 형성할 수 있는 바, 상기 이중 가닥 영역은 상기 뉴클레오타이드 분자의 두 개의 영역(동일한 분자에 위치함)으로 형성되고, 두 개의 영역은 이중 가닥 부분의 양측에 각각 배열되며; 상기 '줄기 루프' 구조는 비상보적인 뉴클레오타이드 분자, 즉, 단일 가닥 영역을 포함하는 적어도 하나의 '루프' 구조를 더 포함한다. 가령 상기 뉴클레오타이드 분자의 두 개의 영역이 완전히 상보적이 아니더라도 상기 뉴클레오타이드의 이중 가닥 부분은 이중 가닥 상태를 유지할 수 있다. 예를 들면, 삽입, 결실, 치환 등은 하나의 소영역의 비상보적 또는 상기 소영역 자체의 비상보적 또는 상기 소영역 자체가 줄기 루프 구조를 형성하거나 또는 기타 형식의 이차구조를 초래할 수 있다. 그러나, 상기 두 개의 영역은 여전히 기본적으로 상보적이며, 예측 가능한 방식에서 상호작용을 발생하고, 줄기 루프 구조의 이중 가닥 영역을 형성할 수 있다. 줄기 루프 구조는 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자들이 익숙한 것이고, 일반적으로 일차 구조를 구비하는 하나의 뉴클레오타이드 서열의 핵산을 획득한 후, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자들은 상기 핵산이 줄기 루프 구조를 형성할 수 있는지의 여부를 확정할 수 있다.본 발명에서 설명한 milRNA는 SEQ ID NO: 1~5로 표시되는 서열을 갖는다. milRNA의 안정성 또는 기타 성질을 향상시키기 위하여, 상기 milRNA의 적어도 하나의 일단에 'TT' 등과 같은 적어도 하나의 보호성 염기를 추가할 수도 있다. 안티센스 올리고뉴클레오티드 본 발명에서 제시한 milRNA 서열에 따르면, 체내에서 상응한 milRNA의 발현을 감소할 수 있는 안티센스 올리고뉴클레오티드를 설계해 낼 수 있다. 본 명세서에서 사용한 바와 같이, '안티센스 올리고뉴클레오티드(antisense-oligonucleotides, AS-Ons 또는 ASO)'는 '안티센스 뉴클레오타이드'로도 불리우고, 길이가 약 18~28nt(특히 약 20~26nt)의 DNA 분자 또는 RNA 분자 또는 그 유사체를 의미한다.본 발명에서, 상기 '안티센스 올리고뉴클레오티드'는 잠금 핵산 또는 핵산 체인 백본(chain backbone) 수식기술 등을 기반으로 하는 수단을 사용하여 획득하는 수식을 거친 안티센스 뉴클레오타이드 등을 더 포함하고, 상기 수식은 안티센스 올리고뉴클레오티드의 활성을 거의 개변시키지 않으며, 더 바람직하게는, 상기 수식은 안티센스 올리고뉴클레오티드의 안정성, 활성 또는 치료효과를 향상시킬 수 있다. 잠금 핵산(locked nucleic acid, LNA)은 일반적으로 하나의 메틸렌 브릿지(methylene bridge)를 통하여 리보오스(ribose)의 2' 산소 원자와 4' 탄소 원자를 연결시키는 수식기술을 의미한다. LNA는 milRNA의 혈청 반감기를 연장하고, 타겟에 대한 친화성을 향상시키며, 오프 타겟 작용의 범위와 수준을 감소시킬 수 있다. 핵산 체인 백본의 수식기술을 기반으로 제시되는 안티센스 약물은 가용성, 뉴클레아제 분해를 저항하는 등 방면에서 크게 개선되고, 대량 합성에 용이하다. 올리고뉴클레오티드의 백본 수식 방법에는 티오법을 포함하는 다양한 방법이 존재하는 바, 예를 들어, 디옥시뉴클레오티드 체인을 티오디옥시뉴클레오티드 체인으로 티오수식하는 것이다. 상기 방법은 DNA 백본의 인산결합의 산소 원자를 유황 원자로 교체하여, 안티뉴클레아제 분해를 저항할 수 있다. 상기 안티센스 올리고뉴클레오티드의 대부분 또는 전부 활성을 유지할 수 있는 어떠한 수식도 모두 본 발명에 포함된 것으로 이해해야 된다.본 발명의 바람직한 양태로서, 안티센스 올리고뉴클레오티드에 대하여 잠금 핵산 수식을 진행하고, 더 바람직하게는 티오 수식을 진행한다.본 발명에서 설명한 안티센스 올리고뉴클레오티드는 동물(예를 들면, 살모넬라균 감염 환자) 체내에 전이된 후, 이들은 관련되는 milRNA의 발현을 현저히 감소할 수 있다. 폴리뉴클레오타이드 구축물본 발명에서 제시한 milRNA 서열에 따르면, 도입된 후 상응한 mRNA의 발현에 영향을 줄 수 있는 milRNA로 가공되는 폴리뉴클레오타이드 구축물을 설계해 낼 수 있는 바, 다시 말하면, 상기 폴리뉴클레오타이드 구축물은 체내에서 상응한 milRNA의 량을 증가할 수 있다. 따라서, 본 발명은 인간 세포에 의하여 전구체 milRNA로 전사될 수 있는 분리된 폴리뉴클레오타이드(구축물)을 제공하고, 상기 전구체 milRNA는 인간 세포에 의하여 절단되고 상기 milRNA로 발현될 수 있다.본 발명의 바람직한 양태로서, 상기 폴리뉴클레오타이드 구축물은 하기의 식 I로 표시되는 구조를 함유한다.식 I: Seq정방향-X-Seq역방향식 I에서, Seq정방향은 동물 세포에서 상기 milRNA로 발현될 수 있는 뉴클레오타이드 서열이고, Seq역방향은 Seq정방향와 기본적으로 상보적인 뉴클레오타이드 서열 또는 세포에서 상기 milRNA로 발현될 수 있는 뉴클레오타이드 서열이며, Seq정방향은 Seq정방향과 기본적으로 상보적인 뉴클레오타이드 서열이고, X는 Seq정방향와 Seq역방향 사이에 위치한 스페이서 서열이며, 또한 상기 스페이서 서열과 Seq정방향 및 Seq역방향은 서로 비상보적이며, 식 I로 표시되는 구조는 동물 세포에 전이된 후, 하기의 식 II로 표시되는 이차구조를 형성한다.식 II: 식 II에서, Seq정방향, Seq역방향와 X의 정의는 상기와 같고, \|\|는 Seq정방향와 Seq역방향 사이에 형성되는 상보적 염기 페어링 관계를 표시한다.일반적으로, 상기 폴리뉴클레오타이드 구축물은 발현 담체에 위치한다. 따라서, 본 발명은 담체를 더 포함하는 바, 이는 상기 milRNA 또는 상기 폴리뉴클레오타이드 구축물을 함유한다. 상기 발현 담체는 일반적으로 프로모터(promoter), 복제기점(origin of replication) 및/또는 표지 유전자(marker gene) 등을 함유한다. 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자들이 숙지하는 방법은 본 발명에서 수요한 발현 담체를 구축할 수 있다. 이러한 방법은 체외 DNA 재조합 기술, DNA 합성 기술,체내 재조합 기술 등을 포함한다. 상기 발현 담체는 바람직하게 하나 또는 여러개의 선택적 표지 유전자를 포함하여, 전환된 숙주세포를 선택하는 표현형 형질을 제공하도록 할 수 있는 바, 예를 들어, 카나마이신(kalamycin), 젠타마이신(gentamycine), 히그로마이신(Hygromycin), 암피실린(Ampicillin) 내성이다. 메커니즘본 발명을 쉽게 이해하기 위하여, 본 발명자는 하기와 같은 메커니즘을 제공한다. 그러나, 이러한 메커니즘은 본 발명을 한정하기 위함은 아닌 것으로 이해해야 된다. 본 발명의 연구에 따르면, 미생물이 인체를 감염한 후, 자체의 일부 ncRNA를 분비하여 순환 시스템에 진입하는데, 이러한 ncRNA는 미생물 자체에서 유래된 것이며, 따라서, 미생물 감염 질환의 진단 마커로 사용할 수 있다. 전형적으로, 혈청에 존재하고 미생물에서 유래되는 ncRNA는 미생물 감염 질환의 진단 마커로 사용할 수 있다. 이러한 혈액 또는 혈청 중의 병원체의 특유한 ncRNA는 미생물 감염성 질환의 진단 효율을 크게 향상시킬 수 있어, 질환 자체의 치료에 큰 도움을 주고, 중요한 임상 의의를 가지고 있으며, 동시에, 미생물에서 유래되는 ncRNA를 깊이 연구하여, 이러한가지 종류의 질환의 발병 또는 감염 메커니즘에 새로운 단서를 제공할 것이다. 식별 방법본 발명은 하기와 같은 병원체에서 유래되는 ncRNA의 통용하는 식별 방법을 더 제공한다.혈청 또는 혈액에 존재하는 병원체 ncRNA의 식별을 예를 들면, 일반적으로 상기 식별 방법은 하기와 같은 몇가지 단계를 포함한다. 각종 미생물(세균, 원시 세균, 바이러스, 마이코플라즈마(mycoplasma), 클라미디아, 원생생물 등을 포함)감염 환자의 혈액 또는 혈청 샘플을 수집하는 단계(a); 높은 처리율 시퀀싱(High-throughput sequencing) 기술 및 생물 정보학 분석을 이용하여 서로 결합하는 수단을 비교 대조하여, 환자의 혈액 또는 혈청 중의 미생물에서 유래되는 한 그룹의 sRNA(miRNA를 포함)를 초기 선별하는 단계(b); 및 민감하고 정확한 질적인 실시간 중합 효소 연쇄 반응법(Quantitative Real-time polymerase chain reaction)을 더 응용하여 초기 선별한 sRNA에 대하여 검증하고, 각종 미생물 감염 환자의 혈청 중의 각자 특이하며 미생물 자체에서 유래되는 혈청 sRNA를 찾아내어, 이가 질환 자체에 대한 진단 가치를 평가하는 단계(c).본 발명에서, 식별해 낸 병원체에서 유래되는 ncRNA에 대하여, 상기 ncRNA를 진단 마커로 사용하는 실행 가능성을 더 평가할 수 있다.본 발명에서, 식별해 낸 병원체에서 유래되는 ncRNA에 대하여, 상기 ncRNA가 병원체 감염에서 일으키는 작용을 더 평가할 수 있다.전형적인 방법은 체외 세포 감염 실험을 통하여 분석하는 것이다. 일반적으로 상기 방법은 하기와 같은 몇가지 단계를 포함한다. 각종 미생물(세균, 원시 세균, 바이러스, 마이코플라즈마, 클라미디아, 원생생물 등을 포함) 감염 세포를 사용하여, 감염 후의 세포 배양액을 수집하는 단계(a); 높은 처리율 시퀀싱 기술(Solexa 시퀀싱 기술) 및 생물 정보학 분석을 이용하여 서로 결합하는 수단을 비교 대조하여, 세포 배양액에서 미생물에서 유래되는 한 그룹의 sRNA(miRNA를 포함)를 초기 선별하는 단계(b); 및 민감하고 정확한 질적인 실시간 중합 효소 연쇄 반응법을 더 응용하여 초기 선별한 sRNA를 검증하는 단계(c)를 포함한다. 본 발명에서 제시한 상기 방법에 따르면, 미생물 감염 질환 환자의 체액, 혈액(또는 혈청)에서 미생물 자체에서 유래되는 한 가지 또는 여러 가지의 ncRNA(miRNA를 포함)가 미생물 감염 질환 진단에 대한 특이성, 정확성을 식별 및 평가할 수 있고, 기존의 임상 진단 방법과 비교 대조할 수 있다. 응용본 발명의 연구는 체내 감염 미생물, 기생 미생물, 공생 미생물이 숙주를 조절하는 신규 수단을 처음으로 제시한다. 분비 경로를 통하여, 상이한 체내 병원체(예를 들면, 체내 감염 미생물, 기생 미생물, 공생 미생물)는 이가 생성한 비코딩 RNA를 숙주세포에 전달하여, 숙주의 단백질의 '도움’을 빌려, 숙주의 면역 시스템에 영향을 줌으로써, 체내 병원체가 숙주 체내에서 생존하는데 이롭다. 따라서, 병원체 특이성의 ncRNA를 간섭 또는 억제하는 것은 미생물 감염을 억제하는 것과 미생물성 질환을 치료하는 새로운 경로이다.본 발명의 발견에 기반하여, 병원체 특이성의 ncRNA를 검출(또는 진단) 마커로 사용하거나, 또는 치료타겟으로 사용할 수도 있다.살모넬라균을 예를 들면, 살모넬라균은 세균 자체이 코딩한 비코딩 RNA(ncRNA)를 숙주세포 내에 전송하고, 세포의 microRNA 절단 시스템에 의하여, microRNA와 유사한 milRNA를 생성하며, milRNA를 이용하여 면역 시스템(예를 들면, iNOS)을 제어함으로써, 세균에 의해 이용되고, 이가 숙주에 의하여 제거되는 것을 피면하도록 보호한다. milRNA의 억제제(inhibitor) 를 이용하여 milRNA를 흡착하면, 세균이 세포 내의 생존 능력을 효과적으로 억제하여, 세균 생존 능력의 감소를 초래할 수 있어, 세균 감염의 치료에 적용될 수 있다. 검출시약, 검출칩와 검출키트본 발명은 본 발명의 검출시약 또는 검출칩을 포함하는, 살모넬라균 또는 살모넬라균 감염을 검출하기 위한 키트를 더 제공한다. 상기 키트는 본 발명의 살모넬라균 감염 특이성 miRNA의 발현 프로파일(expression profile)을 검출에 사용될 수 있거나, 또는 살모넬라균 또는 살모넬라균 감염의 검출에 사용될 수 있고, 바람직하게는, 상기 키트는, RNA 샘플을 마킹하기 위한 마커; 및 마커와 서로 대응되는 기질을 더 포함한다.이 밖에, 상기 키트는 RNA의 추출, 중합효소 연쇄 반응 (PCR, polymerase chain reaction), 혼성화, 발색 등에 수요되는 각종 시약을 더 포함할 수 있고, 추출액, 증폭액, 혼성화액, 효소, 대조액, 발색액, 세액, 항체 등을 포함하지만 이에 한정되지 않는다.이 밖에, 상기 키트에는 사용 설명서 및/또는 칩 이미지 분석 소프트웨어를 더 포함할 수 있다. 칩일반적으로, microRNA 발현 프로파일 칩은 몇 백개, 몇 천개 또는 더 많은 프로브를 포함하고, 다양한 microRNA를 포함하며, 동질 이중 가닥이 상보적인 원리를 이용하여 샘플에 함유된 각종 microRNA의 함량을 검출한다. 따라서, 동일한 시기에 테스트 샘플 중의 microRNA의 전사 수준을 검출할 수 있다. 본 발명에서 설명한 milRNA 서열을 이용하면, 상응한 milRNA칩을 더 제조할 수 있어, 이의 발현 프로파일 및 milRNAs의 조절 방식을 연구할 수 있다.다른 양태에서, 본 발명은 살모넬라균 또는 살모넬라균 감염을 검출할 수 있는, milRNA 발현 프로파을 분석하기 위한 칩을 더 제공한다. 본 발명에서 설명한 milRNA칩은 고상 담체, 및 상기 고상 담체에 순차적으로 고정되는 올리고뉴클레오타이드 프로브를 포함하고, 상기 올리고뉴클레오타이드 프로브는 SEQ ID NO: 1~4로 표시되는 서열에 대한 핵산 서열을 포함한다.구체적으로, 본 발명에서 제시한 milRNA에 따르면, 고상 담체에 고정되고, '올리고뉴클레오티드 어레이(array)’를 형성하는 적합한 프로브를 설계할 수 있다. 상기 '올리고뉴클레오티드 어레이’는 어드레싱(addressing)(즉, 차별적이고 액세스 가능한 주소를 트징으로 하는 위치) 가능한 어레이를 구비하고, 매 하나의 어드레싱 가능한 위치에는 모두 이와 관련되는 하나의 특징적 올리고뉴클레오티드를 함유되는 것을 의미한다. 수요에 따라, 올리고뉴클레오티드 어레이를 여러 개의 서브 어레이로 나눌 수 있다.상기 고상 담체로는 유전자칩 분야의 각종 흔히 사용하는 재료를 사용할 수 있고, 예를 들면, 나일론 필름, 활성기(예를 들면, 알데하이드기, 아미노기 등) 수식을 거친 유리칩 또는 실리콘칩, 수식을 거치지 않은 유리칩, 플라스틱칩 등 일 수 있지만 이에 한정되지 않는다.본 기술분야의 공지된 바이오칩의 통상적인 제조 방법을 사용하여 상기 milRNA칩을 제조할 수 있다. 예를 들면, 만일 고상 담체로서 사용한 것이 수식 유리칩 또는 실리콘칩이고 프로브의 5'단에는 아미노기 수식의 축dT번들이 함유되면, 올리고뉴클레오타이드 프로브를 용액으로 조제할 수 있고, 그 다음 마이크로배열기(Microarrayer)를 사용하여 이를 수식 유리칩 또는 실리콘칩에 배열하고, 기설정한 서열 또는 어레이로 배열한 후, 하룻밤 방치하여 고정시키면 본 발명의 milRNA칩을 얻을 수 있다.본 발명에서 설명한 RNA과 milRNA칩 사이의 고상 혼성화는 본 기술분야의 전형적인 방법에 의하여 진행되고, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자들은 경험에 의하여 버퍼, 프로브와 샘플 농도, 전혼성화 온도, 혼성화 온도 및 시간 등과 관련되는 가장 적합한 조건을 쉽게 확정할 수 있다. 또는 003c#분자클론실험지침서003e#에서 제시한 내용을 참조할 수도 있다.그 다음, 마킹 신호가 milRNA칩에 위치한 위치, 강도 등 정보에 의하여 데스트 정보를 획득한다. 증폭산물을 형광단(fluorophore)으로 마킹하면, 형광 검출기기(예를 들면, 레이저 공초점 스캐너Scanarray 3000 등)를 직접 사용하여 테스트 정보를 얻을 수도 있다.약물 조성물본 발명은 약학적으로 허용 가능한 담체 또는 유효량의 본 발명의 milRNA(예를 들면, sal-1)의 억제제, 차단제 또는 길항제를 포함하는 약물 조성물을 더 제공한다.본 명세서에서 사용한 바와 같이, 용어 '유효량' 또는 '유효 조제량'은 사람 및/또는 동물에 대하여 기능 또는 활성을 발생할 수 있고 사람 및/또는 동물에게 허용되는 양을 의미한다. 본 명세서에서 사용한 바와 같이, '약학적으로 허용 가능한' 성분은 포유동물에 적용되고 과도한 부작용(예를 들면, 독성, 자극과 변태적 반응)이 없는 것인 바, 즉, 합리적인 효익/위험성을 구비하는 물질이다. 용어 '약학적으로 허용 가능한 담체'는, 각종 부형제와 희석제를 포함하고 치료제 투여에 사용되는 담체를 의미한다.본 발명의 약물 조성물은 안전 유효량의 본 발명의 활성 성분 및 약학적으로 허용 가능한 담체를 함유한다. 이러한가지 종류의 담체는 염수, 버퍼, 글루코오스(glucose), 물, 글리세린(glycerin), 에틸알코올(ethyl alcohol) 및 이들의 조합을 포함한다(이에 한정되지 않음). 일반적으로, 약물 제제는 응당 투여 방식과 서로 매칭되어야 하고, 본 발명의 약물 조성물의 제제는 주사제, 경구 제제(정제, 캡슐, 드링크제), 경피제, 지연제이다. 예를 들면, 생리염수 또는 글루코오스와 기타 보조제를 함유하는 수용액으로 통상적인 방법를 통하여 제조한다. 상기 약물 조성물은 무균 조건에서 제조해야 한다.본 발명에서 제시한 활성 성분의 유효량은 투여의 방식과 치료될 질환의 엄중한 정도 등에 따라 변화될 수 있다. 바람직한 유효량의 선택은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자들에 의하여 각종 요소에 따라 확정될 수 있다(예를 들면, 임상 실험을 통함). 상기 요소는, 생체 이용률, 대사, 반감기 등과 같은 상기 활성 성분의 약물동태학 파라미터, 또는 환자의 치료하고자 하는 질환의 엄중한 정도, 환자의 체중, 환자의 면역 상황, 투여 경로 등을 포함하지만 이에 한정되지 않는다. 일반적으로, 본 발명의 활성 성분을 매일 약 0.00001mg~50mg/kg 동물체중(바람직하게는 0.0001mg~10mg/kg 동물 체중)의 조제량으로 투여하면, 만족스러운 효과를 얻을 수 있다. 예를 들면, 치료 상황의 절박한 요구에 의하여, 매일 여러 번으로 나눈 조제량을 투여하거나, 또는 조제량을 비례에 따라 감소할 수 있다.본 발명에서 제시한 약학적으로 허용 가능한 담체는 물, 염수, 리포좀, 지질, 단백질, 단백질-항체 복합체, 펩티드 물질, 섬유소, 나노겔 또는 이들의 조합을 포함한다(이에 한정되지는 않음). 담체의 선택은 응당 투여 방식과 서로 매칭되어야 하고, 이러한 내용은 모두 본 발명이 속하는 기술분야의 통삭의 지식을 가진 자들이 숙지하는 것이다.본 발명은, 살모넬라균 감염을 치료하고, 살모넬라균 감염 증상을 완화시키며, 숙주동물 중의 살모넬라균 수량을 감소하고, 살모넬라균 감염 사망율을 감소하며, 과도한 면역 등을 감소하기 위한 약물을 제조하는데 있어어의 상기 약물 조성물의 용도를 더 제공한다.본 발명의 주요한 우점은 하기와 같다.(a) 병원체(예를 들면, 살모넬라균) 감염을 검출하는 간편하고 신속하며 정확한 신규 방법을 제공한다.(b) 미생물 감염을 억제하고 미생물성 질환을 치료하는 새로운 경로를 제공한다.이하 구체적인 실시예를 결합하여 본 발명을 더 설명한다. 이해해야 할 것은, 이러한 실시예는 단지 본 발명을 설명하기 위한 것일 뿐 본 발명의 범위를 한정하기 위함은 아니다. 하기의 실시예에서 구체적인 조건을 밝히지 않은 실험방법은 일반적으로 통상적인 조건에 따르는 바, 예를 들면, Sambrook 등, 분자클론: 실험실 수첩(New York: Cold Spring Harbor Laboratory Press, 1989)에 제시한 조건에 따르거나 제조사에서 건의한 조건에 따라 실행한 것이다. 달리 명시하지 않으면, 백분비와 분수는 중량백분비와 중량분수이다.이하 실시예에서, 체내 병원체 살모넬라균을 연구한 결과에 의하면, 살모넬라균은 숙주에 의하여, 살모넬라균 감염을 효과적으로 검출하고 치료할 수 있는 milRNA(ncRNA)를 생성할 수 있다.실시예1, 세균 감염세포에서 milRNA의 선별 LB 평판에서 접종 루프로 살모넬라균 균종을 획선 도말(Streak-plate)하고, 중등 크기의 콜로니(colony)를 선별하여 LB 용액 배지에 접종시키며, 37℃에서 하룻밤 배양시킨 다음, 원심 분리하여 LB 배지를 제거하고, RPMI-1640+10%FBS 배지로 균체를 재부유시킨다.세균을 감염하기 전날에, 세포 용기에 췌장 효소로 소화 완성한 사람의 장 상피 세포인 HT-29 세포를 넣고, 5%의 CO2 항온기(incubator)에 놓아두어 37℃에서 배양한다. MOI(5-10:1) 비율에 따라 세포를 감염시키고, 2시간 동안 감염시킨 후, PBS로 감염되지 않고 세포에 진입한 세균을 세척한 다음, 젠타마이신(gentamycine)을 함유하는 RPMI-1640+10%FBS로 배양하며, 하룻밤 배양한 후, 다시 PBS로 3번 세척하고, 0.1%의 PBST(PBS+Triton X-100)로 세포를 분해하며, 다시 0.22㎛의 필터로 세균을 제거한다. 상기 처리를 거친 후, 세포 내에 진입하지 않은 세균 및 세포 내에 잔존한 세균을 철저히 제거한다.그 다음, Trizol LS로 용해물(lysate) 중의 전체 RNA를 추출하고, Solexa 딥 시퀀싱(deep sequencing)을 거친 후, 측정하여 획득한 데어터를 분석하여, 살모넬라균 특이성의 작은 RNA 세그먼트(segment)를 찾아 낸다.1.1 milRNA의 식별 solexa 시퀀싱에 의하여 획득한 세그먼트를 분석하여, 멀티 카피(multi copy)의 milRNA 세그먼트 서열을 선별해 내고, 이러한 서열에 대하여 정량 PCR 검출 프로브와 northern blot의 검출 프로브를 설계 및 합성한다. 1.2 northern blot 검출Trizol LS 시약으로 LB를 사용하여 배양한 살모넬라균의 전체 RNA 및 살모넬라균이 세포를 감염한 후의 세포기질(cytosol)의 전체 RNA를 각각 추출하고, 전체 RNA를 1 x RNA loading buffer(Takara)로 재부유시킨 다음, 15%의 TBE-Urea polyacrylamidegelelectrophoresis(PAGE)에서 전기영동하며, 전기영동 후, RNA를 나일론 필름에 전사하고, 자외선(UV) 가교를 거친 후, 디곡신(DIG)으로 마킹한 프로브로 혼성화시켜, milRNA의 발현을 분석한다. 1.3 질적인 실시간 PCR 검출Trizol LS 시약으로 LB를 사용하여 배양한 살모넬라균의 전체 RNA 및 살모넬라균이 세포를 감염한 후의 세포기질의 전체 RNA를 각각 추출한 다음, DEPC 처리된 초순수로 RNA를 용해하고, 먼저 프로브의 다운스트림 프라이머를 사용하여 cDNA로 역전사하며, 다시 합성된 프로브(ABI)로 정량 PCR 증폭하고, 증폭 후 각 샘플 중의 milRNA의 함량을 분석한다.결과실험 결과는 도1, 도2와 도3에 도시된 바와 같다.도1과 도2의 결과에 의하면, northern blot와 qRT-PC 검출을 사용하면, 단지 살모넬라균이 세포를 감염한 후에만 19~30nt의 작은 RNA(본 발명에서, milRNA로 불리움)가 나타나고, 본 발명은 milRNA(sal-1)를 선별하여 전면적이고 깊은 연구를 하였다.생물학 소프트웨어를 이용하여 milRNA(sal-1)가 살모넬라균의 균 게놈에서의 서열 정황을 분석하였고, 구체적인 결과는 도3을 참조하면 된다. 도3은, milRNA(sal-1)가 위치한 nc-RNA는 pre-sal-1으로 중첩될 수 있는 것을 나타낸다. 살모넬라균(Salmonella)에서 유래되는 일부분의 ncRNA의 서열은 하기와 같다.Sal-1: UGUGGGCACUCGAAGAUACGGAUU(SEQ ID No.: 1)Sal-2: AUGCGAGAGUAGGGAACUGCCAGGCAU(SEQ ID No.: 2)Sal-3: UCCUCUGUAGUUCAGUCGGUAGAACGGC(SEQ ID No.: 3)Sal-4: GAAGGUGGCGGAAUUGGUAGACG(SEQ ID No.: 4)Sal-5: GCCCGGAUGGUGGAAUCGGUA(SEQ ID No.: 5)Pre-sal-1의 서열은 하기와 같다.5'-TGTGGGCACTCGAAGATACGGATTCTTAACGTCCTAGGACGAAAAATGAATACCAAGTCTCAAGAGTGAACACG-3'(SEQ ID No.: 6)실시예2milRNA에 대한 억제제(inhibitor)는 세균이 숙주를 감염하는 능력을 제어할 수 있다.2.1 체외 실험본 실험에서, 식별해 낸 살모넬라균 특이성의 sal-1에 대하여, 이와 타겟 유전자 inducible nitric oxide synthase(iNOS)의 관련성을 연구한다.PCR로 milRNA과 결합할 수 있는 타겟 부위 영역을 증폭해 내고, Spe I+Hind III 더블 다이제스트 반응(Double Digests)를 거친 후, pMIR-REPORT luciferase담체(상하이 잉에이씬 과학기술유한회사로부터 구매)에 삽입하여, 재조합 플라스미드(iNOS)를 구축해 낸다. 또한 구축 완성한 상기 재조합 플라스미드의 milRNA 결합 부위(binding sites)를 돌연변이시켜, 재조합 돌연변이 플라스미드(iNOS mut)를 구축해 낸다. 동시에, CMV를 프로모터로 사용하는 발현 담체에 milRNA의 전구체를 넣어 과발현 milRNA의 담체(pre-sal-1)를 구축해 낸다.milRNA 대조 플라스미드 또는 pre-sal-1과 iNOS 또는 iNOS mut를 HEK-293T 세포에 동시전이(cotransfection)시켜, 리보터 유전자 검출을 진행하고, 동시에 β-gal 플라스미드로 대조한다.구체적인 결과는 도4에 도시된 바와 같다. 도4의 Luciferase 결과에 의하면, sal-1은 iNOS의 두 개의 타겟 부위를 모두 제어할 수 있어, iNOS를 감소한다.2.2 Western blot야생형의 iNOS 유전자 전체 길이를 진핵 발현 플라스미드에 클론해 넣어, 재조합 발현 iNOS 플라스미드(iNOS WT)를 구축하여 iNOS 발현을 진행하고, 동시에 milRNA 결합 부위를 돌연변이(단지 염기 서열을 개변시키고 아미노산 서열을 개변시키지 않는 세임센스 돌연변이(samesense mutation))시켜, 발현 iNOS 플라스미드(iNOS MUT)를 구축해 내서 돌연변이 iNOS의 발현을 진행한다. pre-sal-1를 각각 iNOS WT 및 iNOS MUT와 함께 마우스 RAW264.7세포(상기 세포는 자극을 받지 않고 iNOS를 발현하지 않음)에 각각 동시전이시킨 후 발현시켜 milRNA가 iNOS에 대한 제어 능력을 검출한다.구체적인 결과는 도5에 도시된 바와 같다. 도5의 결과에 의하면, RAW264.7 세포에 iNOS 전체 길이를 전이한 발현 플라스미드인 sal-1도 마찬가지로 iNOS의 발현(감소)을 성공적으로 제어할 수 있다. 2. 3 세포감염 실험살모넬라균에 감염되기 전날에, 24웰판에 HT-29 세포를 넣고, 다음날 anti-sal-1를 lipofectin 2000로 전사하고, anti-sal-1가 전이된 24h 후, MOI(5~10:1)로 살모넬라균을 감염시키며, 대조군은 임의의 서열을 사용하고, 감염된 24h 후 세포 내 세균의 생존 능력을 검출한다.각 안티센스 핵산의 서열은 하기와 같다(5' 내지 3').anti-sal-1: AAUCCGUAUCUUCGAGUGCCCACA(SEQ ID NO.:7)anti-sal-2: AUGCCUGGCAGUUCCCUACUCUCGCAU(SEQ ID NO.: 8)anti-sal-3: GCCGUUCUACCGACUGAACUACAGAGGA(SEQ ID NO.: 9)anti-sal-4: CGUCUACCAAUUCCGCCACCUUC(SEQ ID NO.: 10)anti-sal-5: UACCGAUUCCACCAUCCGGGC(SEQ ID NO.: 11)구체적인 결과는 도6을 참조하면 된다. 도6은, 사람의 장 상피 세포(HT-29)를 감염 모형으로 할 경우, 살모넬라균 감염된 HT-29세포에 sal-1의 억제제(anti-sal-1)를 전이시키고, 다시 iNOS의 발현과 활성 검출을 분석하며, 살모넬라균이 세포 내에서의 생존율을 검출 및 분석한 것을 표시한다. 살모넬라균이 sal-1에 대한 억제제를 감염한 후, iNOS의 발현량은 약 2.8배(도6A)로 더 상승되고, iNOS의 활성도 약 2.3배(도6B)로 상응하게 상승된다. sal-1의 발현 수준은 약 90%(도6C)로 감소되고, 살모넬라균 감염후, 세포 내의 수량도 따라서 45%(도6D)로 감소된다.2. 4 체내 실험milRNA를 과발현시킬 수 있는 슬로바이러스를 패키징해 내도록, 다이제스트 반응을 거친 후의 pre-sal-1 서열을 통상적인 lentivirus 담체에 삽입한다.milRNA와 상보적으로 결합되는 서열을 유전자 공학 수단으로 milRNA과 결합 가능한 해면체(3번 중복되는 상보적인 세그먼트를 포함)를 구축해 낸 다음, milRNA를 흡착할 수 있는 슬로바이러스를 패키징해 내도록, lentivirus 담체에 milRNA의 해면체도 삽입한다.또한, 마우스 체내에서도 iNOS를 발현할 수 있으므로, milRNA가 iNOS에 대한 조절 기능을 검증하기 위하여, 본 발명자는 mouse iNOS의 milRNA의 결합 부위가 모두 돌연변이하는 발현 플라스미드를 구축해 낸 다음, 이러한 플라스미드도 다이제스트 반응을 거친 후 lentivirus담체에 삽입하여 mouse iNOS를 과발현시킬 수 있는 슬로바이러스를 패키징해 내도록 한다,.6~8 주령의 BALA/C 마우스를 실험 대상으로 하여, milRNA의 증가 또는 감소 발현이 iNOS 발현에 대한 영향 및 마우스 침습 능력에 대한 비교를 분석한다. 6~8 주의 자성 BALB/C를 감염 모형로 하고, 재조합 슬로바이러스로 milRNA(sal-1)가 과발현된 슬로바이러스, iNOS가 과발현(마우스 iNOS의 sal-1 결합 부위는 아미노산을 거쳐 sal-1 비결합 또는 저결합 능력으로 세임센스 돌연변이됨)된 슬로바이러스 및 특이성 흡수 milRNA(sal-1) 해면체의 슬로바이러스를 각각 패키징해 낸다. 실험은 mock, 살모넬라균(SE2472), lenti-NTC+SE2472, lenti-sal-1+SE2472, lenti-sal-1 sponge+SE2472, lenti-NTC+ iNOS MUT SE2472, lenti-sal-1+iNOS MUT SE2472, lenti- sal-1 sponge+iNOS MUT SE2472 등 8군으로 나우어진다.구체적인 결과는 도 7을 참조하면 된다. 도 7은 마우스 모형에서 sal-1 중의 발현량을 나타낸다.도 7A의 결과에 의하면, 살모넬라균 SE2472이 마우스를 감염한 후, sal-1의 발현량은 상승되고, lenti-sal-1+SE2472 군에서 sal-1의 발현량은 더 상승되며, lenti-sal-1 sponge+SE2472 군의 sal-1발현 수준은 sal-1 sponge(sal-1에 대한 억제제)의 흡착에 인하여 감소된다. 마우스 iNOS의 sal-1의 결합 부위를 세임센스 돌연변이시킨 후에 슬로바이러스로 패키징하고, 다시 마우스를 감염시킨 후, sal-1은 조금 감소되며(돌연변이된 iNOS의 발현은 세균이 마우스 체내에서 생존하는 능력에 영향을 주어, 수량이 조금 감소됨), lenti-sal-1+iNOS MUT SE2472 군의 sal-1의 발현량은 어느 정도의 회복 발현을 얻을 수 있고, lenti- sal-1 sponge+iNOS MUT SE2472에서 sal-1의 발현량은 더 감소된다.도 7B는 상기 8군의 마우스가 SE2472에 감염될 때의 임상 증상의 개변을 표시하고, 이러한 변화는 앞서 설명한 sal-1의 변화에 인하여 세균 감염 증상의 개변에 부합된다.도 7C과 도 7D는 iNOS가 이러한 8군 중의 발현량의 변화를 표시하고, 살모넬라균 SE2472 감염에서, iNOS의 발현은 비록 상승하였지만, 차이가 현저하지 않고, 단지 sal-1 sponge를 사용할 때에만 iNOS의 발현이 회복 발현을 현저하게 얻을 수 있으며, 이것은 sal-1이 iNOS의 발현을 제어하는 것을 명확히 표명하고, iNOS가 세임센스 돌연변이를 거친 후, iNOS의 발현이 더 상승되며 sal-1의 제어를 받지 않는 것을 알 수 있는 바, 결과에 의하면, sal-1은 iNOS의 발현을 확실히 제어할 수 있다. 도 7E는 이러한 8군에서 마우스 대장조직 중의(장 공동에서 이미 제거) 세균함량을 검출한 것을 표시한다. sal-1의 증가 발현은 세균이 장 조직에서의 감염 능력을 촉진할 수 있고, sal-1이 sponge에 의하여 흡착 제거된 후, 세균 감염 능력은 감소된다. iNOS 세임센스 돌연변이 군에서, sal-1은 제어 작용을 발휘하지 않는데, 이러한 결과들은, sal-1이 iNOS를 제어하고, iNOS를 통하여 세균이 숙주 체내에서의 감염과 생존 능력에 영향을 주는 것을 모두 표명한다.본 발명의 실시예의 결과는, 살모넬라균은 자체가 코딩한 비코딩 RNA(ncRNA)를 숙주세포 내에 전달하고, 세포의 microRNA 절단 시스템에 의하여 microRNA과 유사한 milRNA를 생성하며, milRNA 제어 면역 시스템(예를 들면, iNOS)을 응용함으로써, 살모넬라균을 보호하여 숙주에 의하여 제거되는 것으로부터 방지되는 것을 표명한다. 본 발명은 milRNA의 inhibitor를 이용하여 milRNA를 흡착하면, 세균이 세포 내에서의 생존 능력을 효과적으로 억제하여, 세균의 생존 능력을 감소시킬 수 있으므로, 세균 감염의 치료에 적용될 수 있다.실시예3 살모넬라균 milRNA의 응용본 발명에서 설명한 milRNA의 용도는, (a), 살모넬라균 감염을 검출하는 시약, 검출칩 또는 키트를 제조하거나, 또는 (b), iNOS의 발현 또는 활성을 제어하는 조절제를 제조하는 것이다.여기서, 살모넬라균 감염을 검출하는 핵산칩은, 고상 담체; 및 본 발명에서 설명한 milRNA를 특이적으로 포획하고, 상기 고상 담체에 순차적으로 고정되는 올리고뉴클레오타이드 프로브를 포함한다.본 발명의 살모넬라균 감염을 검출하는 상기 핵산칩은 혈청에서 안정하게 변화하는 milRNA 프로브를 높은 처리율적으로 선별할 수 있고, 동시에 혈청에서 milRNA의 전체 변화를 통하여 질환을 예측과 진단한다. 발명자는 우선 시퀀싱의 방법 또는 정량 PCR 방법을 통하여 혈청에서 한개 이상의 카피를 구비하는 milRNA를 확정한 다음, 이러한 milRNA의 역방향 상보적 프로브를 합성시키고, 다시 이러한 프로브를 칩마이크로배열기 SmartArrayTM로 75X5mm이며 화학적 수식을 거친 검경판(object plate)에 배열한다. 칩에 배열된 샘플은 내부표준인 U6, tRNA, 인공 제조되는 30개의 염기 길이의 외부 표준, 양성 대조 Hex 등을 더 포함한다. 전체 도트(dot) 어레이는 4 개의 서브 에레이로 구분되고, 매 하나의 서브 어레이에는 23개의 행, 21개의 열을 구비하고, 도트 간격은 185㎛이며, 도트의 직경은 약 130㎛이고, 매 하나의 프로브는 3번 반복된다.칩 조작 프로세스는 하기와 같다. (1), 혈청/혈장 중의 전체 RNA를 추출하고, 포름알데히드 변성겔 전기 영동으로 전체 RNA의 질량을 검출한다. (2), milRNA의 분리: 50~100의 전체 RNA를 추출하여 Ambion's miRNA Isolation Kit(Cat #. 1560)으로 milRNA를 분리한다. (3), milRNA 샘플의 형광 마킹: T4 RNA 연결 효소(ligase) 마킹 방법을 이용하여 형광 마킹한 다음, 다시 무수 에틸에탄올로 침전시키고, 건조 후 칩 혼성화에 사용한다. (4), 혼성화와 세척: RNA를 16㎕의 혼성화액(15%의 포름아미드, 0.2%의 SDS, 3 X SSC, 50 X enhardt's solution)에 용해시키고, 42℃에서 하룻밤 혼성화시킨다. 혼성화가 완료된 후, 우선 42℃ 좌우에서 0.2%의 SDS, 2 X SSC의 액체에서 4분 동안 세척한 다음, 실온에서 0.2 X SSC 용체에서 4분 동안 세척하고, 유리칩을 건조시키면 스캔에 바로 사용할 수 있다. (5), 칩 스캔: LuxScan 10K/A 듀얼 레이저 스캐너로 칩을 스캔한다. (6), 데어터 추출 및 분석: LuxScan3. 0 이미지 분석 소프트웨어를 사용하여 칩 이미지를 분석하고, 이미지 신호를 디지털 신호로 전화시키며, 마지막으로 SAM로 선별한 차등 발현 유전자를 분석한다.정량 PCR 기술과 바이오칩 기술로 이중 검증한, 살모넬라균 감염 및 정상적인 생리 상태에서 차등 발현 수준이 큰 한가지 종류의 혈청/혈장 milRNA 프로브를 바이오칩 제조에 적용하고, 방법은 상기와 같다. 상기 칩과 기존의 칩을 비교하면, 제조 공정과 조작 흐름에는 큰 개선이 없지만, 상기 칩은 프로브 라이브러리를 간소화하였고, 이로써, 칩의 제조 원가와 생산 시간을 크게 감소하여, 제조에 용이하다. 동시에 칩의 표적성과 실용성도 향상시켰다. 상기 칩을 실천에 투입하면, 단지 환자의 혈청/혈장만 필요하고, 기타 어떠한 조직 없이도 질환을 초기에 발견할 수 있어, 진단과 치료의 지도에 도움을 준다. 이 밖에, 본 발명에서 설명한 핵산칩의 용도는 살모넬라균 감염을 검출하는 키트를 제조하는데 사용된다. 살모넬라균 감염을 검출하는 키트는 본 발명에서 설명한 핵산칩 또는 본 발명에서 설명한 milRNA를 함유한다.살모넬라균 감염의 진단, 치료 평가 및 약물활성 성분의 선별, 효능 평가에 사용되는 milRNA 키트의 제조 공정과 조작 프로세서는 정량과 반정량 PCR 기술과 바이오칩 기술에 기반한다.우선, 시퀀싱하는 방법 또는 PCR 방법을 통하여 정상적인 혈청/혈장에 하나 이상의 카피를 함유하는 milRNA를 확정한다. 그 다음, 정량 PCR 기술과 바이오칩 기술을 통하여 질환 및 정상적인 생리 상태에서 발현량과 차등 수준이 큰 한가지 종류의 혈청/혈장 milRNA를 선별하여, 살모넬라균 감염의 발생 여부를 예측 및 병변 수준을 진단하는 지표로 사용한다. 마지막으로, 대응되는 혈청/혈장 milRNA의 수량을 선별해 냄으로써, 이것은, 칩 프로브 라이브러리의 기초상에서 만들어진 최적화된 간소화된 것이다. 상기 키트는 혈청/혈장 milRNA 프라이머, Taq 효소, dNTP 등 시약을 포함한다. 상기 키트의 가치는, 혈청/혈장만 필요하고 기타 조직 샘플이 필요하지 않고, 가장 간소화된 프로브 라이브러리를 통하여 milRNA의 변화 추세를 검출하며, 다시 상기 변화 추세를 통하여 살모넬라균 감염이 발생되는 가능성을 예측 또는 살모넬라균 감염의 병리적 단계를 진단하는 것이다. 따라서, 상기 키트를 실전에 추입하면, 초기에 살모넬라균 감염을 발견하는 가능성을 향상시킬 수 있어 진단과 치료의 지도에 도움을 준다. 본 발명에서 언급한 모든 문헌은 모두 본 출원에 참고로 인용되고, 매 한편의 문헌이 참고로 단독으로 인용되는 것과 같다. 이 밖에, 본 발명의 상기 설명 내용을 열독한 후, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명에 대하여 여러가지 변경 또는 보정을 진행할 수 있고, 이러한 등가 형식은 모두 본 출원에 첨부된 특허청구범위에서 한정된 범위에 속하는 것으로 이해해야 된다.	본 발명은 살모넬라균의 비코딩 RNA 및 이의 식별과 응용을 제공한다. 구체적으로, 살모넬라균은 자체가 코딩한 비코딩 RNA(ncRNA)를 숙주세포 내에 전달하고, 세포의 마이크로 RNA(microRNA) 절단 시스템에 의하여 microRNA과 유사한 milRNA를 생성하며, milRNA 제어 면역 시스템을 응용함으로써, 살모넬라균을 보호하여 숙주에 의하여 제거되는 것으로부터 방지된다. milRNA의 억제제를 이용하여 milRNA를 흡착하면, 세균이 세포 내에서의 생존 능력을 효과적으로 억제하여, 세균의 생존 능력을 감소시킬 수 있다. 본 발명은 살모넬라균 또는 감염 질환을 효과적으로 검측, 치료 및 연구할 수 있는 것에 관한 시약과 방법을 더 제공한다.
[ 발명의 명칭 ] 융합된 금속 나노와이어로 구성된 투명 전도성 전극 및 그들의 구조 설계 및 그 제조 방법TRANSPARENT CONDUCTIVE ELECTRODES COMPRISING MERGED METAL NANOWIRES, THEIR STRUCTURE DESIGN, AND METHOD OF MAKING SUCH STRUCTURES [ 기술분야 ] 본 특허 출원은 대체로 투명 전극에 관한 것으로, 그 들의 구조 및 그 제조 방법을 포함하고, 보다 상세하게는 접합부를 가진 금속 나노와이어 네트워크를 이용한 투명 전극에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 인듐 주석 산화물（ITO）은 기존 투명 전극의 투명 전도체로 과학 연구 분야에 늘리 이용되어 있으나, 대규모적인 생산 공정에 있어서 많은 단점이 존재 한다. 첫째, 전극의 제조를 위하여, ITO는 기판 위에 진공 증착되어야 하는 데, 해당 진공 증착 공정은 비교적 비싸고 생산량이 적다. 둘째, 대부분의 응용에 있어서, 전기 성질을 확보하기 위하여, ITO의 두께는 150나노미터 또는 그 이상 두께에 도달하여야 하는 데, 이러한 두께 하에서, ITO필름은 부서지기 쉬워 대면적 또는 유연성이 필요한 기판에 적용하기 힘들다. 셋째, 좋은 전도성과 선명도를 달성하기 위하여, ITO필름은 높은 온도, 더 좋게는 200℃ 넘는 온도에서 어닐링 처리를 진행하여야 하는 데, 이는 유리 등과 같은 내고온 기판에서의 그 들의 적용을 제한한다. 고분자의 연화점은 비교적 낮으므로, 고분자를 기반으로 하는 대부분의 ITO필름은 고 전도성과 고 투명성을 동시에 달성하기 위한 어닐링 온도에 견딜 수 없다. 따라서, 전자 광학의 응용 범위가 늘어나고, 더욱 참신하고 특이한 기능, 예를 들면 3차원 디스플레이와 태양 전지 등에 응용됨에 따라, 광전자 성질이 ITO보다 우월하거나 또는 ITO와 견줄 만하고 대면적의 유연성 기판에 적용하며 저가격으로 대량 생산 가능한 대체 투명 전극에 대한 수요가 점점 늘어져 발명의 필요가 생겼다.저렴한 원가로 대량 생산을 실현하는 대안으로 인쇄 가능 금속 나노와이어로 구성된 투명 전도성 전극은 전도성과 투명성 등 방면에서 뛰여난 성능을 보여 주었다. 하지만, 네트워크화한 금속 나노와이어는 ITO필름과 달리, 그 전체 필름에 균일한 전도성을 가진다. 전극은 복수의 금속 나노와이어로 구성되고, 금속 나노와이어가 서로 겹치거나 또는 교차된 구역을 포함한다. 연구에 의하면, 금속 나노와이어의 접합부를 감소시키면 전도 필름의 시트 저항을 크게 낮출 수 있다.통상적으로, 두 나노와이어를 겹쳐서 쌓으면 교집합이 생기고 그 높이는 두 나노와이어의 조합 높이 즉 직경의 합과 같다. 예를 들면, 전도성 금속 나노와이어 네트워크가 직경이 d1인 제1 금속 나노와이어와 직경이 d2인 제2 금속 나노와이어로 구성된다면, 상기 금속 나노와이어 네트워크 중, 제1 와 제2 금속 나노와이어는 접합부에서 교차되고, 해당 접합부의 높이（J12）는 d1+d2이다. 도5에서 도시한 다른 실시예에 따르면, 전도성 전극은 복수의 금속 나노와이어로 구성되고, 네트워크화한 금속 나노와이어는 직경이 d1인 제1 금속 나노와이어, 직경이 d2인 제2 금속 나노와이어, 및 직경이 d3인 제3 금속 나노와이어를 포함한다. 금속 나노와이어 네트워크 중, 제1 , 제2 및 제3 금속 나노와이어는 접합부에서 교차되고, 해당 접합부의 높이 J13은 개개의 금속 나노와이어의 총 높이（즉 직경）의 합이다, 즉, J13= d1+d2+d3. 도1에서, 제1 , 제2 및 제3 금속 나노와이어는 모두 같은 직경（d1 = d2 =d3 = d）을 가지므로, 해당 접합부의 높이 J13은 3d로 된다.연구에 의하면, 단지 높은 온도에서 어닐링에 의해 금속 나노와이어의 접합부를 용융하여서는 시트 저항을 낮추는 데 효과적이지 못하다. 예를 들면, 150-200℃의 공정 조건 하에 건조 필름에 대해 어닐링을 실시한 경우, 이미 형성된 접합부는 변화되지 않으며, 남아 있는 전도 필름의 시트 저항은 1000옴에 달할 만큼 높다.이미 증명된 기존 방법에서 보면, 기존의 탄소 나노튜브 기술에 의하여, 전도성 고분자로 두 와이어를 접착제로 함께 붙이거나 또는 미국 공개특허공보 (제20110285019호) 및 코퍼레이션(Cambrios)이 소유한 미국 특허(제8049333호)에 의하여, 높은 압력을 가하여 접합부를 납작하게 누르는 방법은 나노와이어의 접합부를 변화시키는 데 효과가 있다. 미국 공개특허공보(제20110285019호) 및 미국 특허(제8049333호)에 따르면, 높은 온도에서 어닐링하는 외에 거시적 외력, 예를 들면 높은 압력을 가하여 접합부를 납작하게 누르면 시트 저항을 낮출 수 있다. 하지만, 상기 공정에는 단점이 있다. 나노와이어는 민감하여 쉽게 손상된다. 예를 들면 높은 온도와 높은 압력 하에서 물리적 변형 및/또는 열산화될 수 있다. 또한, 상기 공정에서 외력으로 나노와이어를 누를 때 외력은 금속 나노와이어의 접합부에만 가해지는 것이 아니라 전체 필름에 동시에 가해진다. 가해진 외력이 접합부에 작용하도록 보증하기 위해서는, 나노와이어의 미소한 사이즈를 고려하여, 아주 매끄럽고 평평한 기판 표면이 요구 된다. 그렇지 않으면, 접합부 뿐만 아니라 나노와이어의 길이까지 변형되거나 또는 납작해지는 가능성이 많고, 불필요한 안정성 문제를 일으킬 수 있다.상기 상황을 감안하여, 교차점에서 나노와이어를 연결하는 더 좋은 방법이 필요된다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명에 있어서 투명 전도성 전극의 낮은 시트 저항을 실현하기 위하여 나노와이어들을 교차점에 집결시켜 융합된 접합부를 형성하는 개선 방법을 제공하는 바, 상기 방법은 높은 온도, 높은 압력 따위 필요 없고 금속 나노와이어의 변형을 일으키지 않는다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명은 기판 및 기판 위의 대량의 단층으로 구성되고, 상기 단층에 직경이 d1인 제1 금속 나노와이어와 직경이 d2인 제2 금속 나노와이어를 포함하며, 상기 제1 과 제2 금속 나노와이어는 융합된 접합부에서 교차되고, 접합부의 깊이가 J12일 경우, J12003c#d1+d2）, J12003e#d1 또한 J12003e#d2인 투명 전도성 전극을 제공한다.본 발명은 또한 네트워크화된 복수의 금속 나노와이어로 구성된 투명 전도성 전극의 제조 방법을 제공하는 바, 상기 네트워크는 융합된 금속 나노와이어 접합부를 포함하고, 상기 제조 방법은：기판을 공급하는 단계；및기판 위에 금속 나노와이어 네트워크로 구성된 대량의 단층을 형성하는 단계；및 인접한 금속 나노와이어 사이에 융합된 금속 나노와이어 접합부를 형성하는 단계;를 포함한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 여기의 도면은 명세서에 내포되어 본 명세서의 일부분을 구성한다. 도면에서는 본 발명에 부합되는 실시예를 도시하였고, 명세서와 함께 본 발명의 원리를 설명하는데 사용된다. 하기에서는 도면을 결합하여 본 발명의 예시적 실시예를 쉽게 이해할 수 있게 설명하도록 한다. 여기서：도1은 한 금속 나노와이어의 단면을 나타내는 단면도;도2는 일 예시적 실시예에 따른 두 금속 나노와이어가 만나 형성된 단면을 나타내는 단면도;도3은 기존 기술의 일 예시적 실시예에 따른 두 금속 나노와이어가 만나 형성된 납작하게된 단면을 나타내는 단면도;도4a 내지 도4b는 본 발명의 일 예시적 실시예에 따른 두 금속 나노와이어가 만나 형성된 융합된 접합부를 나타내는 단면도;도5는 전도성 투명 전극의 단면의 SEM이미지, 여기서 세 금속 나노와이어는 서로 겹침;도6은 압력처리를 겪은 전도층의 SEM이미지, 여기서 교차점은 기존 기술과 유사한 납작하게된 단면을 가짐;도7은 금속 나노와이어 접합부를 포함한 전도층의 SEM이미지, 여기서 해당 접합부의 깊이는 두 직경의 합. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 하기에서는, 도면을 참조하여 투명 전도성 전극의 실시예에 대해 설명하도록 한다. 하지만, 해당 분야 당업자는, 상술 설명과 뒤에 이어질 설명은 단지 예시적이고 해석을 위한 목적일 뿐, 본 발명을 제한하는 것이 아님을 이해하여야 할 것이다. 본 발명을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정과 변화를 진행할 수 있음을 이해하여야 할 것이다.“선택적인” 또는 “선택적으로”라는 문구는 뒤에 이어질 상황이 발생 할 수도 있고 아닐 수도 있다는 의미로, 해당 상황이 발생 하든 안하든 모두 본 발명의 기술 내용에 포함된다는 뜻이다.본 발명의 범위 내에서, 경우에 따라, “상부”는 한 도형 또는 한 스택의 가장 높은 위치를 의미한다, “부감도”는 관찰자가 높은 곳에서 내려다본 상태를 의미한다. 경우에 따라, 하부 전극은 한 디바이스가 그 위에 놓인다 는 것을 의미하고, 반대로, 상부 전극은 스택형 디바이스의 상부에 위치한다는 것을 의미한다.단층본 발명의 일 예시적 실시예에 따르면, 투명 전도성 전극（TCE）은 기판과 나노와이어를 포함한 단일 전도층으로 구성된다. 선택적으로, 상기 전도층은 확산 전도성 물질, 예를 들면 ITO를 더 포함한다. 선택적으로, 상기 전도층은 전도성 고분자 또는 불전도성 고분자로 구성된 매트릭스를 더 포함한다, “매트릭스”는 금속 나노와이어가 고체 물질에 분산되거나 또는 매입된 상태를 가리킨다. 일부 나노와이어는 매트릭스 재료에서 튀어 나와, 상기 전도성 네트워크이 접속 가능하도록 구성된다. 상기 매트릭스는 금속 나노와이어를 위한 호스트로 되어, 상기 전도층의 물질적 형태를 제공한다. 상기 매트릭스는 어려운 환경 요인으로부터 금속 나노와이어를 보호할 수 있는 바, 예를 들면 침식과 부식을 막는다. 또한, 상기 매트릭스는 전도층에게 유리한 물리적 및 기계적 성질을 제공한다. 예를 들면, 해당 매트릭스는 기판에게 접착력을 제공한다. 일 예시적 실시예에 따르면, 상기 매트릭스는 유기 물질, 그리고 유연한 매트릭스로 제공되어 고분자 기판과 호환된다. 다른 예시적 실시예에 따르면, 상기 매트릭스는 유리 기판과 더 호환되는 금속 산화물 필름이다. 상기 매트릭스는 굴절률 보상층으로 될수 있다. 상기 매트릭스는 투명 전도성 전극에게 반사 방지 및 눈부심 방지 성질을 제공한다.여기서 사용한 “단층” 또는 “대량의 단층”은 보통 150나노미터 미만, 약 세 나노와이어의 두께이다. 더 일반적으로, “단층” 또는 “대량의 단층”은 보통100나노미터 미만, 약 두 나노와이어의 두께이다. 선택적으로, “단층” 또는 “대량의 단층”은 보통 50나노미터 또는 그 이하, 약 하나의 나노와이어의 두께이다. 여러 예시적 실시예에 있어서, 나노와이어의 폭 또는 직경은 10나노미터 내지 40나노미터, 20나노미터 내지 40나노미터, 5나노미터 내지 20나노미터, 10나노미터 내지 30나노미터, 40나노미터 내지 60나노미터, 50나노미터 내지 70나노미터의 범위 내에 있다.나노와이어본 발명의 일 예시적 실시예에 따르면, 나노와이어는 원통 모양으로 이루어지고, 도1에서 도시한 바와 같이 직경은 d, 길이는 L이다. 나노와이어의 가로 세로 비율은 L/d이다. 나노와이어의 적당한 가로 세로 비율은 10 내지 100000이다. 선호하는 예시적 실시예에 따르면, 나노와이어의 가로 세로 비율은 1000이상에 달하여, 투명한 전도성 필름을 제공한다. 왜냐하면 나노와이어가 길면 길수록, 가느면 가늘수록 더 효율적인 전도성 네트워크를 형성할 수 있고, 와이어의 전반적인 밀도가 더 낮아져 높은 투명성을 실현할 수 있다.금속 나노미터 와이어기존 기술에 의하면, 전도성 나노와이어는 금속 나노와이어와 비 금속 나노와이어를 포함한다. 일반적으로,“금속 나노와이어”는 금속 원소 및 금속합금으로 구성된 금속 와이어를 가리키고,“비금속 나노와이어”는, 예를 들면, 탄소 나노튜브（CNT）, 전도성 고분자 섬유 등이다.본 발명의 일 예시적 실시예에 따르면, 금속 나노와이어는 나노와이어가 대체로 금속원소와 금속합금으로 구성된 것을 가리킨다. 선택적으로, 상기 금속 나노와이어는 5-10％（몰 계산）미만의 금속 산화물을 함유한다. 나노와이어 합성의 불순물 또는 결함으로 금속산화물은 금속 나노와이어의 셀 또는 코어에 존재할 수 있다.본 발명의 일 예시적 실시예에 따르면, 금속산화물 나노와이어는 나노와이어가 대체로 금속산화물로 구성된 것을 가리킨다. 선택적으로, 불완전한 산화 또는 기타 원인으로 인해, 상기 금속산화물 나노와이어는 5-10％（몰 계산）의 금속원소를 함유한다.본 발명의 일 예시적 실시예에 따르면, 하이브리드 나노와이어는 금속/금속산화물 나노와이어로서, 여기서 상기 나노와이어는 주요 성분인 금속원소와 금속산화물을 동시에 함유한다. 금속/금속산화물의 하이브리드 나노와이어는 40％（몰분율）의 금속산화물과 60％（몰분율）의 금속원소 를 함유할 수 있고. 금속/금속산화물의 하이브리드 나노와이어는 60％（몰분율）의 금속산화물과 40％（몰분율）의 금속원소를 함유할 수 있다.금속 나노와이어의 전도성단 하나의 금속 나노와이어는 반드시 두 개의 다른 전기 단지 사이에 걸쳐야, 한 단지에서 다른 단지에 통하는 전도성 경로가 형성된다. 용어“단지”는 음극, 또는 양극, 또는 기타 전기적 연결의 시점과 종점일 수 있다. 일반적으로, 금속 나노와이어가 길면 길수록, 전도성 경로가 길어진다；전도성 전극의 전도성이 좋으면 좋을 수록, 그 시트 저항이 낮아진다. 지정한 구역 내에 금속 나노와이어가 많으면 많을 수록, 전도성 전극의 시트 저항이 낮아진다. 전극의 높은 전도성과 필름의 높은 투명성을 동시에 실현하기 위하여, 금속 나노와이어는 길고 가는 것을 선호한다.하지만, 굉장히 길고 얇은 전도성 필름을 제조하는 것은, 실험적인 도전일 뿐만 아니라, 필름의 불안정함을 초래할 가능성도 있다. 본 발명에 따른 전극의 전도층에 있어서, 전도층에 들어있는 복수의 금속 나노와이어는 하나의 네트워크를 형성하고, 해당 네트워크에 있어서, 한 나노와이어는 복잡하게 얽히거나 또는 헐겁게 그냥 통과하는 방식으로 인접한 나노와이어와 관련된다. 한 나노와이어가 인접한 다른 나노와이어와 관련된 경우, 전하는 한 나노와이어에서 다른 나노와이어로 뛰어들 수도 있고 아닐 수도 있다. 상기 네트워크에 있어서, 한 나노와이어는 서로 교차되는 방식으로 인접한 나노와이어와 연결될 수 있다. 한 나노와이어와 다른 나노와이어가 연결된 경우, 접합부가 생기게 되고 이러한 나노와이어들의 전도성 경로는 상호 연관된다.위에 걸친 접합부, 납작하게된 접합부 대 융합된 접합부도2과 도5는 예시적인 위에 걸친 접합부를 나타내는 도면이고, 도3 내지 도4b 및 도7은 예시적인 융합된 접합부를 나타내는 도면이며, 도6은 납작하게된 접합부를 나타내는 미국 공개특허공보 (제 20110285019호)의 SEM이미지이다.도2 내지 도4b에서는 예시적으로 금속 나노와이어의 세가지 연결 접합부를 도시하는 바, 도2에서 도시한 제1 연결 접합부는 위에 걸친 접합부로서, 여기서 한 나노와이어는 다른 나노와이어의 위에 걸쳐 있고, 두 나노와이어 사이에는 틈 또는 매트릭스 재료가 없다. 상기 두 나노와이어는 접합부에서 밀접한 계면을 형성하나, 대다수의 금속 나노와이어는 대체로 서로 분리된다. 도3에서 도시한 제2 연결 접합부는 납작하게된 접합부로서, 여기서 두 나노와이어 지간의 교차점은 납작하다. 도4a와 도4b에서 도시한 제3 연결 접합부는 융합된 접합부로서, 여기서 한 나노와이어와 다른 나노와이어는 교차되고, 나노와이어의 적어도 일부는 서로 융합된다.본 발명은 기판과 대체로 단일한 전도층으로 구성된 전도성 전극에 관한 것으로, 상기 전도층은 네트워크화된 복수의 금속 나노와이어를 포함한다. 이러한 금속 나노와이어는 여러 점에서 서로 연결되어, 한 단지에서 다른 단지로 통하는 전도성 경로를 제공한다. 상기 복수의 나노와이어는 함께 네트워크를 이룬 제1 나노와이어과 제2 나노와이어를 포함한다. 상기 전도성 나노와이어 네트워크에 있어서, 상기 제1 나노와이어와 제2 나노와이어는 서로 관련된다. 또한, 상기 전도성 나노와이어 네트워크에 있어서, 제1 나노와이어와 제2 나노와이어는 서로 연결된다. 상기 제1 나노와이어와 상기 제2 나노와이어가 연결된 경우, 그들의 전도성 경로도 서로 연관되고, 함께 용화 또는 융합된다. 상기 제1 나노와이어의 직경은 d1, 상기 제2 나노와이어의 직경은 d2, 접합부의 높이, 즉, 한 나노와이어의 한 외부 분계선에서 다른 한 외부 분계선까지의 거리는 J12이다. 상기 네트워크에 있어서, 상기 제1 나노와이어와 상기 제2 나노와이어가 서로 관련된 경우, J12의 값은 （d1+d2）의 합보다 크다. 상기 네트워크에 있어서, 상기 제1 나노와이어와 상기 제2 나노와이어가 서로 연결 또는 연관된 경우, J12의 값은 하나의 나노와이어의 직경보다 크거나 같고, 개개의 나노와이어의 직경의 합（d1+d2）보다 작다.미국 공개특허공보 (제 20110285019호) 및 미국 특허(제8049333호)에 있어서 납작한 또는 납작하게된 교차점에 대한 기술에 따르면, 높은 온도 또는 압력을 가하여 접합부 또는 교차점을 납작하게 눌러, 전극의 시트 저항을 낮출 수 있다. 미국 공개특허공보 (제 20110285019호) 및 미국 특허(제8049333호)에서 게시된 내용에 따르면, 납작한 교차점을 얻으려면, 반드시 금속 나노와이어가 거시 물리적 변형이 일어나도록 상기 교차점 또는 두 나노와이어가 교차되는 접합부에 압력을 가하여야 한다.또한, 미국 공개특허공보 (제 20110285019호) 및 미국 특허(제8049333호)에 따른 방법에 의하면, 롤러로 상기 투명 전도성 전극을 압연하여 상기 접합부를 납작하게 누르는 바, 이는 기판의 표면 조도에 달려 있고, 외부적으로 압력을 가하여 상기 접합부를 납작하게 누를 때, 해당 압력이 롤러와 기판의 표면 조도에 의해 상쇄될 가능성이 있어, 두 표면 사이의 공형 접촉을 억제하기 어렵다.상기와 대조하여 보면, 본 발명은 전극에 융합된 접합부가 있는 나노와이어 접합부를 포함함으로써 시트 저항이 낮은 전극을 제공하는 바, 여기서 상기 접합부는 표면을 변형/납작하게 할 필요없이, 또한, 압력을 가할 필요 없이 한 나노와이어를 다른 나노와이어에 융합되게 할 수 있다.본 발명에 따르면, 또한 투명 전도성 전극의 제조 방법을 제공하는 바, 상기 방법은：기판을 공급하는 단계； 상기 기판 위에 금속 나노와이어 네트워크로 구성된 대량의 단층을 형성하는 단계；인접한 금속 나노와이어 사이에 융합된 금속 나노와이어 접합부를 형성하는 단계; 를 포함한다.인접한 금속 나노와이어 사이에 융합된 금속 나노와이어 접합부를 형성하는 방법은： 원통형구조의 만곡부에서 두 나노와이어를 액상 소결하는 단계를 포함한다.인접한 금속 나노와이어 사이에 융합된 금속 나노와이어 접합부를 형성하는 방법은: 접합부 만곡부에서 연속 용해 및 나노와이어 교차점에서의 은원자의 재침전을 통해 건조대기, 표면장력, 모세관압을 각별히 유의하여 제어하는 단계를 더 포함한다. 본 발명에 따른 방법에 있어서, 입자 간의 상호 작용력이 이용되는 바, 이것은 금속 나노와이어를 납작하게 누르는 고압 롤러 등의 거시적 힘에 비해 더 커다란 힘이고, 힘이 배수로 늘어나, 더 효과적이다. 또한, 미시적 힘은 단지 교집합/교차점에 집중하여 작용하고, 기판의 만곡 또는 기판의 표면조도와는 완전히 독립된다.본 발명의 일 예시적 실시예에 따르면, 융합된 나노와이어 접합부를 형성하는 방법은：제1 용제에 금속 나노와이어를 포함한 잉크 용액을 만드는 단계； 기판 위에 교차점이 있느 금속 나노와이어 네트워크를 형성하는 단계； 건조시켜 제1 용제를 제거하여 나노와이어 필름을 형성하는 단계； 나노와이어 필름을 제2 용제로 가득 찬 공기속에 방치하는 단계； 교차점에서, 금속 나노와이어의 연속 용해 및 재침전 과정을 제어하고, 상기 필름을 건조시켜 전도 필름을 형성하는 단계; 를 포함한다. 일 예시적 실시예에 따르면, 제1 용제와 제2 용제는 같은 용제이고, 다른 예시적 실시예에 따르면, 제2 용제는 상기 두 용제의 혼합물이다.본 발명의 다른 예시적 실시예에 따르면, 융합된 나노와이어 접합부를 형성하는 방법은： 제1 용제에 금속 나노와이어를 포함한 잉크 용액을 만드는 단계； 기판 위에 교차점이 있느 금속 나노와이어 네트워크를 형성하는 단계； 제1 온도하에 제1 용제의 증발 속도를 낮추어 융합된 금속 나노와이어 접합부를 형성하는 단계； 제2 온도하에 융합된 금속 나노와이어 접합부를 가진 필름에 대해 어닐링하는 단계; 를 포함한다.코팅 방법본 명세서에서 지적한 바와 같이, 투명 도체는 여러 방법으로 제조할 수 있는 바, 예를 들면, 시크 코팅, 웹 코팅, 인쇄 및 라미네이션이다. 시크 코팅은 한층의 전도층을 코팅하는 것으로 모든 기판에 적용되고, 특히 강성 기판에 적용된다. 웹 코팅은 이미 방직 및 제지 공업의 고속도(고처리용량)에 활용된 기술로, 웹 코팅과 투명 도체 제조과정 중의 침적（코팅）공정과 호환이 된다. 웹 코팅은 재래식 장비를 사용하고 또한 완전히 자동화될 수 있으므로, 투명 도체의 제조 원가를 크게 낮출 수 있다. 특히, 웹 코팅을 이용하여 유연성 기판 위에 균일하고 재생 가능한 전도층을 형성할 수 있다. 상기 처리과정은 완정한 통합 생산 라인 또는 분리 조작의 방식으로 연속 운행할 수 있다. 미국 공개특허공보 (제 20110285019호)에 따른 웨트 코트 기술 및 그 절차에 관한 세부 내용도 본 발명에 도입할 수 있다.선택적으로, 교차점이 있느 제1 금속 나노와이어 네트워크는, 웨트 코트 기술외 다른 방법에 의해 기판 위에 침적될 수 있고； 또한 공기를 기반으로, 교차점 또는 접합부에서의 용해 및 재침전 과정을 제어하여, 용제 속에서 융합된 접합부를 형성할 수 있다.나노와이어의 사이즈본 발명의 한 측면에 따르면, 일 예시적 실시예에 있어서, 네트워크 또는 융합된 접합부에 처한 금속 나노와이어의 직경은 거의 비슷하다. 따라서, 제1 과 제2 나노와이어의 직경이 각각 d1과d2일 경우, 제1 와 제2 나노와이어 사이에 끼인 접합부의 높이는 J12003c#2d1=2d2이다.투명도네트워크화한 금속 나노와이어의 대량의 단층이 선호하는 두께일 경우, 투명 전도성 전극은 광학적으로 우수한 투명도를 보장할 수 있다. 일 예시적 실시예에 따르면, 400nm-1000nm의 파장 범위에서, 투명 전도성 전극은 적어도 80％이상의 광투과도를 가진다. 본 발명의 선호하는 실시예에 따르면, 400nm-1000nm의 파장 범위에서, 투명 전도성 전극은 적어도 90％이상의 광투과도를 가진다. 본 발명의 더 선호하는 실시예에 따르면, 400nm-1000nm의 파장 범위에서, 투명 전도성 전극은 적어도95％이상의 광투과도를 가진다.본 발명에 따른 투명 전도성 전극의 투과 헤이즈는10％초과로부터 0.6％미만에 이르는 범위에서 조절 가능하는 바, 이것은 최종적인 응용 프로그램에 달려 있다.본 발명의 일 예시적 실시예에 따르면, 투명 전도성 전극의 투과 헤이즈는 10％을 초과한다. 본 발명의 다른 예시적 실시예에 따르면, 투명 전도성 전극의 투과 헤이즈는 0.6％미만이다. 일 예시적 실시예에 따르면, 금속 나노와이어의 가로 세로 비율을 조절하여, 초저 투과 헤이즈의 필름을 얻을 수 있다. 다른 예시적 실시예에 따르면, 초저 투과 헤이즈는 굴절률 정합제를 매트릭스로 이용함으로써 실현된다. 또 다른 예시적 실시예에 따르면, 초저 투과 헤이즈는 분리된 단층을 굴절률 정합 구조로 이용하여 실현된다. 전도성본 발명에 따른 투명 전도성 전극은 광전 디바이스를 위한 발명으로, 단일한 전도층에 대한 설계 및 네트워크 중 접합부에 대한 설계는 모두 평면으로 들어가는 방향 및 평면을 뚫고 나오는 방향에서의 전도성을 동시에 높이기 위해서이다. 그 결과로, 전도 필름의 시트 저항이 크게 낮아진다. 일 예시적 실시예에 따르면, 투명 전도성 전극의 저항은 약 200옴 매 평방 또는 그 이하이다. 다른 예시적 실시예에 따르면, 투명 전도성 전극의 저항은 약300 옴 매 평방 또는 그 이하이다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 금속 나노와이어 네트워크의 시트 저항은 0.1옴/평방 내지 1000옴/평방의 범위에서 조절 가능한다.나노와이어의 화학 성분본 발명에 있어서, 나노와이어는 여러가지 전도성 물질, 모든 귀금속원소 등에서 선택한 적어도 하나의 재료로 구성될 수 있다. 원소 주기율표에서, 금속 나노와이어를 구성할 수 있는 화학성분으로는: 구리（Cu）, 은（Ag）, 금（Au）, 알루미늄（Al）, 니켈（Ni）, 팔라듐（Pd）, 백금（Pt） 또는 그들의 조합을 포함하는 바, 이에 제한되지 않는다. 나노와이어 네트워크에 이용될 수 있는 금속은 또한: 은 도금 구리, 금 도금 은 또는 금 도금 구리 등을 더 포함할 수 있다. 나노와이어는 예를 들면, 아연, 몰리브덴, 크롬, 텅스텐, 탄탈, 금속합금 등 중 적어도 하나의 재료로 구성될 수도 있으나. 이에 제한되지 않는다. 본 발명에 있어서, 일부 덜 선호하는 예시적 실시예에 따르면, 금속산화물의 나노와이어도 포함된다.본 발명의 일 예시적 실시예에 따르면, 금속 나노와이어 네트워크는 시종일관 한가지 화학성분으로 구성된다. 본 발명의 다른 예시적 실시예에 따르면, 금속 나노와이어 네트워크는 여러 가지 화학성분의 혼합물로 구성된다. 일 예시적 실시예 에 따르면, 상기 화학성분의 혼합물은 금속 또는 금속산화물을 포함한다. 다른 예시적 실시예에 따르면, 상기 화학성분의 혼합물은 서로 다른 전기성 성질을 가진 화합물, 예를 들면, 서로 다른 전도성을 가진 화합물을 포함한다. 다른 예시적 실시예에 따르면, 상기 화학성분의 혼합물은 서로 다른 광학적 성질을 가진 화합물, 예를 들면, 서로 다른 광학 투명성 또는 굴절률을 가진 화합물을 포함한다.본 발명의 일 예시적 실시예에 따르면, 나노와이어는 또한 부식 방지 코팅 또는 반사 방지 코팅을 더 포함할 수 있다.형태 또는 기하학적 구조상기 예시적 실예에서 기술된 바와 같이, 본 명세서에서 게시된 본 발명의 실시예 또는 실시방식에 있어서, 나노와이어는 적어도 하나의 끝 또는 길이를 가진다. 상기 기술내용은 주로 토론의 용의성을 위한 것으로, 이외에 모든 기하 형태, 예를 들면 가로 세로 비율이 다른 막대형, 개 뼈 모양, 원형 입자, 길쭉한 타원형 입자, 다른 기하형태의 하나 또는 그들의 조합, 또는 기타 금속 네이트 워크를 형성한 입자구조도 본 발명에 적용된다 는 것을 이해하여야 한다.기판본 발명의 일 예시적 실시예에 따르면, 기판는 강성 기판이다. 해당 강성 기판은 유리이다. 경우에 따라, 유리는1.5이상의 굴절률을 가진다. 경우에 따라, 유리는 1.7이상의 굴절률을 가진다.본 발명의 다른 예시적 실시예에 따르면, 기판은 고분자로 구성된 유연성 기판이다. 이러한 고분자는 예를 들면, 폴리이미드（PI）, 폴리아미드, 폴리에텔에텔 케톤（PEEK）, 폴리에테르설폰（PES）, 폴리 에터이미드（PEI）, 폴리에틸렌 나프탈레이트（PEN）, 폴리에스테르（PET）, 관련된 고분자, 메탈라이지드 플라스틱, 및/또는 상기 재료 및/또는 유사한 재료의 조합을 포함하는 바, 이에 제한되지 않는다.더 선호하는 실시예에 따르면, 고분자 기판은 차단성을 가진다. 일 예시적 실시예에 따르면, 기판은 산소침투율이 10-2g/m2/일 미만인 한장의 차단막이다. 다른 예시적 실시예에 따르면, 기판은 수분 침투율이 10-2g/m2/일 미만인 한 장의 차단막이다. 또 다른 예시적 실시예에 따르면, 기판은 수분 침투율이10-6g/m2/일 미만인 한 장의 차단막이다.또 다른 예시적 실시예에 따르면, 기판은 곡선 모양 또는 유연성 기판이다.또 다른 예시적 실시예에 따르면, 기판은 규칙적인 기하형태로 이루어진다. 이러한 기하형태는 휴대폰, 태블릿 PC, 텔레비전, 전자도서, 윈도스 및 태양전지의 기하형태를 포함한다. 또 다른 예시적 실시예에 따르면, 해당 기판은 불규칙적인 기하형태, 예를 들면 별 모양, 원추형 및 구형 등으로 이루어진다.디바이스에서의 전극 위치본 발명에 따른 투명 전도성 전극은 최종적으로 전기 광학 디바이스에 이용된다. 투명도 등과 같은 광학 성질 및 전도성 등과 같은 전기학 성질에 의해, 본 발명의 투명 전도성 전극은 여러 분야에서 늘리 응용되고 있다. 일 예시적 실시예에 따르면, 투명 전극은 디바이스의 상부 전극이다. 다른 예시적 실시예에 따르면, 전극은 디바이스의 하부 전극이다. 또 다른 예시적 실시예에 따르면, 전극은 스택형 디바이스의 전극이다.방법본 발명의 한 측면에 따르면, 또한 투명 전도성 전극의 제조 방법을 제공하는 바, 상기 투명 전도성 전극은 네트워크 속의 복수의 금속 나노와이어를 포함하고, 상기 네트워크는 융합된 금속 나노와이어 접합부를 포함한다. 상기 제조 방법은：기판을 공급하는 단계；및기판 위에 금속 나노와이어 네트워크로 구성된 대량의 단층을 형성하는 단계；및 인접한 금속 나노와이어 사이에 융합된 금속 나노와이어 접합부를 형성하는 단계; 를 포함한다.일 예시적 실시예에 따르면, 투명 전도성 전극의 대량의 단층을 형성하는 방법은：표면 활성제의 존재하에, 물에 나노와이어를 혼합하여 잉크 용액을 만드는 단계；잉크 용액을 기판 위에 코팅하여 코팅 필름을 형성하는 단계；주변환경속에서 코팅 필름을 건조시키는 단계； 및 80℃-150℃사이의 온도하에 코팅 필름을 어닐링하는 단계; 를 포함한다.상기 방법은 또한 코팅 필름을 산성 환경속에 방치하는 단계; 를 더 포함한다.그 후에, 상기 방법은 또한 코팅 필름을 알칼리성 환경속에 방치하는 단계를 더 포함한다.다른 예시적 실시예에 따르면, 투명 전도성 전극의 대량의 단층을 형성하는 방법은：표면 활성제의 존재하에, 물에 나노와이어를 혼합하여 잉크 용액을 만드는 단계；잉크 용액을 기판 위에 코팅하여 코팅 필름을 형성하는 단계；코팅 필름 속의 용제를 제거하기 전, 코팅 필름을 산성 환경속에 방치하는 단계；및 80℃-150℃사이의 온도하에 코팅 필름을 어닐링하는 단계; 를 포함한다.선택적으로, 상기 방법은 코팅 필름을 산성 환경속에 방치한 후, 또 코팅 필름을 알칼리성 환경속에 방치하는 단계를 더 포함한다.산성 환경은 원소 상태로 존재하는 금속을 그 들의 산화 상태로 전환시킬 수 있는 환경 및 용제에 용해 가능 또는 용제의 혼합물 등 모든 화학적 환경을 포함한다. 일 예시적 실시예에 따르면, 투명 전극 속의 금속 나노와이어는 은이고, 잉크 용액를 만드는 용제는 물이며, 산성 환경에는 초산, 포름산 및 그 들의 조합을 포함한다. 선택적으로, 잉크 용액은 접착제, 예를 들면 섬유소를 포함한다. 선택적으로, 잉크 용액은 용제로 쓰이는 알코올을 포함한다. 선택적으로, 잉크 용액은 물과 용제로 쓰이는 알코올 혼합물을 포함한다. 선택적으로, 산성 환경은 여러 가지 산을 포함하는 바, 그 중 적어도 하나는 유기산이다.기본 환경은 산화 상태 또는 염 상태의 금속을 원소 상태로 전환시킬 수 있는 모든 화학적 환경을 포함한다. 일 예시적 실시예에 따르면, 투명 전극 속의 금속 나노와이어는 은이고, 잉크 용액를 만드는 용제는 물이며, 및 기본 환경에는 암모니아와 물을 포함한다. 선택적으로, 잉크 용액은 접착제, 예를 들면 섬유소를 포함한다. 선택적으로, 잉크 용액은 용제로 쓰이는 알코올을 포함한다. 선택적으로, 잉크 용액은 물과 용제로 쓰이는 알코올 혼합물을 포함한다. 선택적으로, 기본 환경은 여러 가지 염기를 포함하는 바, 그 중 적어도 하나는 유기 염기이다.본 발명은 또한 투명 전도성 전극의 제조 방법을 제공하는 바, 상기 투명 전도성 전극은 네트워크 속의 복수의 금속 나노와이어로 구성되고, 상기 네트워크는 융합된 금속 나노와이어 접합부를 포함한다. 상기 방법은：기판을 공급하는 단계；및기판 위에 금속 나노와이어 네트워크로 구성된 대량의 단층을 형성하는 단계；및 인접한 금속 나노와이어 사이에 융합된 금속 나노와이어 접합부를 형성하는 단계; 를 포함한다.본 발명의 다른 측면에 따르면, 투명 전도성 전극의 제조 방법을 제공하는 바, 상기 투명 전도성 전극은 네트워크 속의 복수의 금속 나노와이어로 구성되고, 상기 네트워크는 융합된 금속 나노와이어 접합부를 포함한다. 상기 방법은：기판을 공급하는 단계；및기판 위에 금속 나노와이어 네트워크로 구성된 대량의 단층을 형성하는 단계；및 액상 소결 공정에 의해 금속 나노와이어 접합부를 형성하는 단계; 를 포함한다.액상 소결 공정에는 결정적인 단계를 포함하는 바, 즉 용액의 재침전 단계이다. 여기서, 일부 금속 원소는 염으로 전환되어 용해되고, 용해된 일부 금속염이 침전하여 금속 분말을 형성한다. 상기 액상 소결 공정은 또한 금속 나노와이어에 금속 분말을 소결하는 단계를 더 포함한다.상기 액상 소결은 확산 제어 과정이다.선택적으로, 액상 소결은 금속 나노와이어의 재배치를 더 포함한다.실험대비 실험：은 나노와이어의 제조 및 배합 방법은: 0.3그램의 나노와이어, 99.6그램의 물, 0.1그램의 섬유소 및 0.01그램의 표면 활성제를 혼합하여, 용액을 PET기판에 스펀 코팅하고, 800rpm의 회전 속도로 30초 동안 원심 분리한다. 그리고 실온하에서 10분 동안 공기 건조하고, 나아가 120℃의 오븐에서3분 동안 재건조시킨다. 상기에 의해 제조된 샘플의 시트 저항은 여전히 50K옴/평방이상이고, 선 대 선 교차점의 SEM이미지은 도5에서 도시된 바와 같다.액상 소결을 유도하는 실험과정은 나노와이어의 제조 및 배합 방법은:0.3그램의 나노와이어, 99.6그램의 물, 0.1그램의 섬유소 및0.01그램의 표면 활성제를 혼합하여, 용액을 PET기판에 스펀 코팅하고, 800rpm의 회전 속도로 30초 동안 원심 분리한다. 그리고 실온하에서 공기 건조하는 대신, 그것을 초산과 포름산의 혼합물로 가득 찬 산성기분 속에 방치하여 30초 내지 3분 동안 증발한 후, 그것을 암모니아와 물을 함유한 기본 기분속에 방치하여5분 동안 증발한다. 그리고, 나아가 120℃의 오븐속에서 3분 동안 재건조시킨다. 상기에 의해 제조된 샘플의 시트 저항은 약100옴/평방이고, 선 대 선 교차점의 SEM이미지은 도7에서 도시된 바와 같다.해당 분야 당업자는, 상기 기술은 여러 가능한 실시예 중의 일부로서 단지 예시적인 목적일 뿐, 본 발명을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정과 변화를 진행할 수 있음을 이해하여야 할 것이다.본 명세서에서 언급한 “한 실시예”, “일 실시예”, “예시적 실시예”등은, 실시예에 관련하여 기술된 어느 특정한 특징, 구조, 또는 특성이 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 명세서의 서로 다른 위치에서 나타난 이러한 문구들은 모두 동일한 실시예를 가리키는 것은 아니다. 또한, 특정한 특징, 구조, 또는 특성이 임의의 실시예에 관련하여 기술된 경우, 해당 분야의 당업자는 능력 범위 내에서 이러한 특정한 특징, 구조, 또는 특성을 다른 실시예에 관련하여 제출될 수 있다. 또한, 쉽게 이해하기 위하여, 어떤 방법의 단계는 단독적인 단계로 기술된 가능성이 있는 데, 이러한 나누어 기술된 단계는 그들의 성능에 따라 반드시 순서대로 거쳐야 한다 는 것으로 해석하는 것은 아니다. 즉, 일부 단계는 다른 단계에서 실행할 수도 있고, 또는 동시에 실행할 수도 있고 등등 여러 가지 가능성이 있다. 또한, 예시적 도면은 본 발명의 실시예에 따른 여러 가지 방법을 나타내은 도면이다. 본 명세서에서 게시된 이러한 예시적 방법의 실시방식은 해당 디바이스의 실시방식에도 적용된다. 하지만, 상기 방법의 실시방식은 이에 따라 제한되지 않는다.비록 여기에서 본 발명의 일부 실시예에 대해 설명하고 기술하였으나, 해당 분야의 당업자는 이러한 실시예를 숙지한 후 본 발명의 사상과 범위 내에서 여러 가지 수정과 변화를 진행할 수 있을 것이다. 그러므로, 상기 실시예는 모든 측면에 대한 설명으로 인정하여야 할 것이고, 본 발명은 본 문의 기술에 의해 제한되지 않음을 이해하여야 할 것이다. 따라서, 본 발명은 첨부된 특허청구범위에 의하여 한정되고, 특허청구범위에 내포된 함의 및 그와 균등한 범위 내에서의 모든 수정과 변화는 그에 포함된다. 본 발명의 명세서에 있어서, 사용한 용어 “선택적으로”는 비배타성으로, “선호하지만, 제한되지 않는다”의 뜻을 의미한다. 특허청구범위에서 사용된 용어에 대하여, 그에 부여된 의미는 본 명세서에서 상세히 논술한 총적 발명 구상과 일치하는 범위 내에서 제일 광범위한 의미로 해석하여야 한다.예를 들면, 용어 “결합”과“연결”（및 그 유사 용어）는 직접 또는 간접적인 연결/결합을 의미한다. 또 예를 들면, “가진다”, “포함한다”, 등 유사 용어 및 전환된 유사 용어 또는 문구는 “구성된다” 와 동의어（즉, 모두 “개방적” 용어로 인식한다）이다. 다만 "…로 이루어진다"와 “본질적 으로 …로 이루어진다” 라는 문구는 “페쇄적”용어로 인식하여야 한다. 문구“하기 위한(수단)” 및 특허청구범위에서 나타난 관련 효능에 대하여, 서술로 해당 효능을 실현하는 구조를 충분히 해석하지 못하는 경우를 제외하고, 특허청구범위는 112의 제6단락에 의거하여 해석하려고 시도하지 않는다.	본 발명은 융합된 금속 나노와이어로 구성된 투명 전도성 전극 및 그 제조 방법을 제공하는 바, 상기 융합된 나노와이어 접합부의 접합 깊이는 개개의 금속 나노와이어의 직경의 합보다 작다.
[ 발명의 명칭 ] 스피커 진동막 및 그 제조방법LOUDSPEAKER DIAPHRAGM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF [ 기술분야 ] 본 발명은 전기 음향 기술분야에 관한 것으로, 구체적으로 스피커 진동막 및 그 제조방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 단일 층 구조로 형성된 스피커 진동막은 단일 층 소재 자체의 기본 속성만 구비하므로, 스피커 진동막의 요구에 도달하기 어렵다. 현재 스피커 진동막은 복수층의 소재가 복합된 구조를 적용하는데, 선택된 진동막 소재가 통상적으로 진동막의 강성 및 댐핑 특성을 동시에 만족시키기 어려운 바, 통상적으로 강성이 큰 진동막은 댐핑 효과가 작고, 댐핑 효과가 큰 진동막은 강성이 너무 낮으므로, 현재의 스피커, 특히 고주파 스피커의 진동막에 대한 요구를 만족시킬 수가 없다. 따라서, 상기 결함을 극복하기 위하여 이러한 구조를 가진 스피커 진동막 및 그 제조방법에 대해 개선할 필요가 있다 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 진동막의 강성 및 댐핑 특성을 동시에 만족시킬 수 있어, 진동막의 음향 성능을 향상시키는 스피커 진동막 및 그 제조방법을 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기술안은, 중심 위치에 위치하는 돔（Dome）부 및 주변 위치에 위치하는 림(Rim) 부를 포함하는 스피커 진동막에 있어서, 상기 돔부, 또는 상기 돔부와 상기 림부는 실크재 및 상기 실크재와 결합되는 열가소성 폴리우레탄을 포함하며, 상기 실크재의 표면에 열경화성 접착제가 도포되어 있는 스피커 진동막을 제공한다.바람직하게는, 상기 실크재와 상기 열가소성 폴리우레탄은 열압착을 통해 결합된다.바람직하게는, 상기 실크재의 양측 표면에 각각 상기 열경화성 접착제가 도포되어 있다.또한, 바람직하게는, 상기 실크재의 일면에만 상기 열경화성 접착제가 도포되어 있다.바람직하게는, 상기 열경화성 접착제는 실크재와 열가소성 폴리우레탄 사이에 위치한다.또한, 바람직하게는, 상기 실크재가 열경화성 접착제와 열가소성 폴리우레탄 사이에 위치한다.상술한 스피커 진동막의 제조방법에 있어서,a. 고온 조건 하에서 실크재에 열경화성 접착제를 도포한 후, 접착제가 도포된 실크재를 고온 건조시키는 단계,b. a단계에서 열경화성 접착제가 도포된 실크재와 열가소성 폴리우레탄을 열압착하여, 시트재를 형성하는 단계,c. b단계에서 형성된 시트재에 대해 고온 하에서 가압하여 돔부, 혹은 돔부 및 림부를 형성하는 단계를 포함하는 스피커 진동막의 제조방법을 제공한다.바람직하게는, c단계에서 상부 몰드 및 하부 몰드를 사용하여 성형하되, 성형 시 상부 몰드는 열가소성 폴리우레탄과 접촉하고, 하부 몰드는 열경화성 접착제가 도포된 실크재와 접촉한다.바람직하게는, 상기 상부 몰드의 온도는 상기 하부 몰드의 온도 이하이다.바람직하게는, c단계에서 고온 상태의 상기 시트재 중의 열경화성 접착제 및 열가소성 폴리우레탄은 모두 용융 상태이다. [ 발명의 효과 ] 상술한 기술안을 적용 시, 종래의 구조에 비해 본 발명 스피커 진동막의 돔부, 또는 돔부 및 림부는 열경화성 접착제가 도포된 실크재 및 열압착을 통해 실크재와 결합되는 열가소성 폴리우레탄을 포함하되, 열경화성 접착제가 도포된 실크재는 강성을 가지고, 또한 열가소성 폴리우레탄은 큰 내부 댐핑을 가지므로, 이 두 가지 소재를 결합한 스피커 진동막은 양호한 강성 및 댐핑 특성을 구비한다. 따라서 진동막의 음향 성능, 특히 고주파 음향 성능을 향상시킬 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 하기 도면을 참조한 본 발명에 대한 설명을 통해, 본 발명의 상술한 특징 및 기술적 장점은 더욱 명백해지고 쉽게 이해될 것이다.도1은 본 발명 제1실시예의 진동막의 입체구조 도면이다.도2는 도1에 도시된 진동막의 단면도이다.도3은 도2에 도시된 A부분의 확대 도면이다.도4는 본 발명 제2실시예의 진동막의 입체구조 도면이다.도5는 도4에 도시된 진동막의 단면도이다.도6은 도5에 도시된 B부분의 확대 도면이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하에서는 첨부된 도면과 구체적인 실시예를 결합하여 본 발명에 대해 상세하게 설명하기로 한다.제1실시예:도1 내지 도3에 도시된 바와 같이, 스피커 진동막(1)은 두 층의 소재로 이루어지되, 열가소성 폴리우레탄(11) 및 열압착을 통해 열가소성 폴리우레탄(11)과 결합되는 실크재(silk cloth, 12)를 포함하며, 도면에 도시하지는 않았으나 그중 실크재(12)의 표면에는 경화 접착제가 도포되어 있다. 경화 접착제는 실크재(12)의 강성을 향상시킬 수 있다. 바람직하게는, 경화 접착제는 열경화성 접착제인 바, 열경화성 접착제는 실크재와 결합된 후 상온에서 경화되어, 접착제가 도포된 실크재의 안정성을 확보하며, 여기서 진동막(1)의 동작 과정 중 열경화성 접착제는 고체 상태이다. 이러한 재질의 진동막(1)에 있어서, 열가소성 폴리우레탄(11)이 큰 내부 댐핑을 가지고, 실크재(12) 또한 열경화성 접착제가 도포된 후 매우 큰 강성을 가지므로, 진동막(1)이 양호한 강성 및 댐핑 특성을 동시에 구비하도록 하여, 진동막(1)의 음향 성능, 특히 고주파 음향 특성을 향상시킬 수 있다.여기서, 실크재(12)의 일면에만 열경화성 접착제를 도포할 수도 있고, 양면에 모두 열경화성 접착제를 도포할 수도 있는 바, 두 가지 구조 모두 실크재가 일정한 강성을 가지도록 할 수 있으며, 일면에만 접착제를 도포한 실크재(12)와 양면에 접착제를 도포한 실크재(12)는 부동한 강성을 가지므로, 실제 수요에 따라 결정할 수 있다.여기서, 실크재(12)의 일면에만 열경화성 접착제를 도포할 경우, 상기 열가소성 폴리우레탄(11)을 실크재(12) 중 상기 열경화성 접착제가 도포된 일면에 결합시켜, 상기 열경화성 접착제가 실크재(12)와 열가소성 폴리우레탄(11) 사이에 위치하도록 할 수도 있고, 상기 열가소성 폴리우레탄(11)을 실크재(12) 중 상기 열경화성 접착제가 도포되지 않은 일면에 결합시켜, 상기 실크재(12)가 열경화성 접착제와 열가소성 폴리우레탄(11) 사이에 위치하도록 할 수도 있다.본 실시예에서 진동막(1)은 중심 위치에 위하는 돔부(I) 및 주변 위치에 위치하는 림부(II)를 포함하며, 바람직하게는, 돔부(I) 및 림부(II)는 모두 상술한 열가소성 폴리우레탄(11)과, 경화 접착제가 도포된 실크재(12)를 열압착을 통해 복합하여 형성된 진동막 구조를 적용한다. 이 경우 스피커 진동막(1)의 돔부(I) 및 림부(II)가 모두 동일한 소재를 적용한 구조를 가지므로, 제품의 성형 공정을 간략화할 수 있으며, 또한 이러한 진동막(1)은 진동막(1)의 강성 및 댐핑 특성을 동시에 만족시킬 수 있으므로, 스피커의 음향 성능, 특히 고주파 스피커의 음향 성능 향상에 기여한다.본 발명의 이러한 스피커 진동막의 제조방법은 다음과 같다.a. 고온 조건 하에서 실크재에 접착제를 도포하고, 실크재에 접착제를 도포한 후 접착제를 도포한 실크재를 고온 건조시키되, 상기 접착제는 열경화성 접착제이다.b. a단계에서 접착제가 도포된 실크재(12)와 열가소성 폴리우레탄(11)에 대해 고온 하에서 열압착하여 시트재를 형성한다.c. b단계에서 형성된 시트재를 고온 하에서 가압하여 돔부(I) 및 림부(II)를 형성한다.여기서, c단계의 성형 과정 중, 두 몰드 즉 상부 몰드 및 하부 몰드를 사용하여 성형하되, 성형 시 상부 몰드는 열가소성 폴리우레탄과 접촉하고, 하부 몰드는 열경화성 접착제가 도포된 실크재와 접촉하게 한다. 열가소성 폴리우레탄의 용점이 열경화성 접착제의 용점보다 낮으므로, 바람직하게는 상부 몰드의 온도가 하부 몰드의 온도보다 높지 않도록 한다. 상부 몰드 및 하부 몰드를 사용하여 시트재에 대해 가압시, 고온 하에서 수 초 내지 십수 초 내에 진동막이 성형되도록 제어한다.여기서, c단계에서 시트재 중의 열경화성 접착제 및 열가소성 폴리우레탄(11)은 고온 하에서 모두 용융 상태이며, 그후 가압을 통해 특정 형상을 가진 진동막의 돔부(I) 및 림부(II)를 형성한다. 상기 열가소성 폴리우레탄의 용융온도는 약 150℃이고, 상술한 스피커 진동막의 제작방법 중 온도는 150~230℃의 범위 내로 제어할 수 있으며, 바람직하게는 170~230℃의 범위 내로, 예를 들어 180℃, 200℃, 210℃로 제어할 수 있다. a단계 중의 실크재는 양면에 모두 접착제가 도포되거나, 일면에만 접착제가 도포될 수 있다. 실크재의 일면에만 접착제를 도포할 경우, b단계에서 열가소성 폴리우레탄(11)을 실크재의 접착제가 도포된 일면에 결합시킬 수도 있고, 실크재의 접착제가 도포되지 않은 일면에 결합시킬 수도 있다. 이러한 스피커 진동막의 제조방법은 진동막의 각 부분이 균일한 두께를 가지도록 할 수 있어, 진동막의 성능을 보장하며, 성형 후의 진동막은 양호한 강성 및 댐핑 특성을 가지므로, 진동막의 음향 성능 향상에 기여한다.제2실시예:도4 내지 도6에 도시된 바와 같이, 스피커의 진동막(1＇)은 중심 위치에 위치하는 돔부(I) 및 주변 위치에 위치하는 림부(II)를 포함하며, 그중 돔부(I)는 열경화성 접착제가 도포되어 있는 실크재(12) 및 열압착을 통해 실크재(12)와 결합되는 열가소성 폴리우레탄(11)을 포함한다 (도면에 열경화성 접착제를 도시하지는 않았음). 여기서, 림부(II)는 기타 구조를 가지는 바, 상술한 돔부(I) 및 림부(II) 구조를 적용하지 않고 접착제 도포 등 방식을 통해 일체로 고정 결합된다. 접착제를 도포한 실크재(12)는 양호한 강성을 가지고, 열가소성 폴리우레탄(11)은 큰 내부 댐핑을 가지므로, 이 두 소재를 결합하여 형성된 진동막(1＇)의 돔부(I)는 양호한 강성 및 댐핑 특성을 동시에 구비하여, 진동막(1＇)의 음향특성, 특히 고주파 음향성능을 현저하게 향상시킬 수 있다.마찬가지로, 제품의 구체적인 수요에 따라, 실크재(12)는 일면에만 접착제가 도포된 구조거나 양면에 모두 접착제가 도포된 구조일 수 있다.이러한 스피커 진동막의 제조방법은 다음과 같다.a. 고온 조건 하에서 실크재에 접착제를 도포하고, 실크재에 접착제를 도포한 후 접착제를 도포한 실크재를 고온 건조시키되, 해당 접착제는 열경화성 접착제이다.b. a단계에서 접착제가 도포된 실크재(12)와 열가소성 폴리우레탄(11)에 대해 고온 하에서 열압착하여 시트재를 형성한다.c. b단계에서 형성된 시트재에 대해 고온 하에서 가압하여 돔부(I)를 형성한다.여기서, c단계의 성형 과정 중 상부 몰드 및 하부 몰드를 사용하여 성형하되, 성형 시 상부 몰드는 열가소성 폴리우레탄과 접촉하고, 하부 몰드는 열경화성 접착제가 도포된 실크재와 접촉하도록 한다. 열가소성 폴리우레탄의 용점이 열경화성 접착제의 용점보다 낮으므로, 바람직하게는 상부 몰드의 온도가 하부 몰드의 온도보다 높지 않도록 한다. 상부 몰드 및 하부 몰드를 통해 시트재에 대해 가압 시, 고온 하에서 수 초 내지 십수 초 내에 진동막이 성형되도록 제어한다.여기서, c단계에서 시트재 중의 열경화성 접착제 및 열가소성 폴리우레탄(11)은 고온 하에서 모두 용융 상태이며, 그후 가압을 통해 특정 형상을 가진 진동막의 돔부(I)를 형성한다. 상기 열가소성 폴리우레탄의 용융온도는 약 150℃이고, 상술한 스피커 진동막의 제작방법 중의 온도는 150~230℃의 범위 내로 제어할 수 있으며, 바람직하게는 170~230℃의 범위 내로, 예를 들어 180℃, 200℃, 210℃로 제어할 수 있다. a단계 중의 실크재는 양면에 모두 접착제가 도포되거나, 일면에만 접착제가 도포될 수 있다. 실크재의 일면에만 접착제를 도포할 경우, b단계에서, 열가소성 폴리우레탄(11)을 실크재의 접착제가 도포된 일면에 결합시킬 수도 있고, 실크재의 접착제가 도포되지 않은 일면에 결합시킬 수도 있다. 이러한 스피커 진동막의 제조방법은 진동막의 각 부분이 균일한 두께를 가지도록 할 수 있어, 진동막의 성능을 보장하며, 성형 후의 진동막은 양호한 강성 및 댐핑 특성을 가지므로, 진동막의 음향 성능 향상에 기여한다.본 발명의 상기 예시 하에서, 당업자는 상술한 실시예를 기초로 기타 개선과 변형이 가능하며, 이러한 개선과 변형은 전부 본 발명의 보호 범위에 포함된다. 당업자라면 상술한 구체적인 설명은 본 발명의 목적을 보다 이해하기 쉽게 해석하기 위한것일 뿐이며, 본 발명의 보호 범위는 특허청구범위의 내용 및 그 균등물에 의해 확정되어야 함을 이해할것이다.	중심 위치에 위치하는 돔부 및 주변 위치에 위치하는 림부를 포함하는 스피커 진동막에 있어서, 돔부 및/또는 림부는 실크재 및 상기 실크재와 결합되는 열가소성 폴리우레탄을 포함하며, 실크재의 표면에 열경화성 접착제가 도포되어 있다. 상술한 스피커 진동막의 제조방법에 있어서, a. 고온 조건에서 실크재에 열경화성 접착제를 도포하고, 접착제가 도포된 실크재를 고온 건조시키는 단계, b. a단계에서 열경화성 접착제가 도포된 실크재와 열가소성 폴리우레탄을 열압착하여 시트재를 형성하는 단계, c. b단계에서 형성된 시트재에 대해 고온 하에서 가압하여 돔부 및/또는 림부를 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의한 스피커 진동막의 돔부, 또는 돔부 및 림부는 열경화성 접착제가 도포된 실크재 및 열압착을 통해 실크재와 결합되는 열가소성 폴리우레탄을 포함하며, 이 두 가지 소재를 결합하여 형성된 스피커 진동막은 양호한 강성 및 댐핑 특성을 구비하므로, 진동막의 음향 성능을 향상시킬 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 패턴의 제조 방법, 패턴을 제조하기 위한 제조 장치, 입체물의 제조 방법 및 그 제조 장치METHOD FOR MANUFACTURING A PATTERN, MANUFACTURING APPARATUS FOR MANUFACTURING A PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING STRUCTURAL BODY AND MANUFACTURING APPARATUS THEREFOR [ 기술분야 ] 본 발명은, 패턴의 제조 방법, 패턴을 제조하기 위한 제조 장치, 입체물의 제조 방법 및 그 제조 장치에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 최근, 디지털 인쇄 기술이 확산되고 있다. 디지털 인쇄는 판을 필요로 하지 않기 때문에, 소량 인쇄 작업물을 생산하는데 용이하고, 촉박한 주문의 소량 생산에 편리하다. 디지털 인쇄 기술은 대략적으로 동일한 품질로 아날로그 인쇄에 의한 사진이나 잡지 등과 같은 일반적인 인쇄물의 인쇄를 가능하게 한다. 그러나, 후막 스크린 인쇄와 관련하여 디지털 인쇄 기술에 대한 문제가 남아 있다. 잉크 재료 및 기록 매체의 유형이 제한될 수 있는 것이 문제이다. 후막 스크린 인쇄는 훨씬 장래성이 있고, 후막 인쇄는 통상의 인쇄와 비교하여 화상 정보의 인쇄를 가능하게 해야 한다. 그러므로, 후막 스크린 인쇄에 있어서, 패턴을 형성하기 위한 잉크 및 기록 매체와 같은, 사용될 수 있는 재료의 많은 선택성을 갖는 것이 중요하다. 예를 들어, 아날로그 후막 스크린 인쇄 기술을 사용하는 스크린-인쇄 기술은, 인쇄 화상의 일부를 후막으로 형성할 수 있어 디자인 가치를 상승시키고, 도전성 잉크를 사용하여 전기 회로를 인쇄할 수 있다. 이에 대해, 후막 스크린 인쇄를 위한 수단으로서의 디지털 인쇄로 알려져 있는 UV-IJ(잉크젯) 방법 및 전자사진 방법은 패턴을 형성하기 위해 사용될 수 있는 잉크 등의 재료를 각각 제한한다. 예를 들어, 패턴 형성 재료는 잉크젯법이 UV-IJ인 경우 잉크젯법이 토출할 수 있는 포토폴리머로 제한된다.후막 스크린 인쇄에서, 패턴 형성을 위해 사용되는 재료의 자유도를 높이는 것이 제안되었다. 일본 특허 공개 공보 제10-45138호에 따르면, 잉크가 건조되기 전에 열가소성 수지가 인쇄된 잉크에 부여되고 열가소성 수지를 용융시키기 위해 열가소성 수지가 가열되는, 잉크를 사용하는 후막 스크린 인쇄를 위한 방법이 개시되어 있다.그러나, 잉크젯을 위한 잉크는 전형적으로 저점도이고, 노즐에 의해 토출된 잉크 액적은 비딩(beading)을 방지하기 위해 즉시 기록 매체에 전형적으로 흡수되기 때문에, 분체 재료가 잉크에 고정되게 하는 것은 어렵다. 또한, 분체 재료가 잉크에 고정되게 할 수 있는 경우에도, 우수한 잉크 흡수력을 갖는 기록 매체에만 패턴을 형성할 수 있다는 큰 제한이 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특허 공개 공보 제10-45138호 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] [ 과제의 해결 수단 ] 따라서, 본 발명의 양태는, 매우 다양한 상이한 매체에의 패턴 형성을 가능하게 하는, 분체에 의해 매체에 형성된 패턴을 고정밀도로 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.본 발명의 일 양태에서, 제1 액체 및 유동 억제 액체의 패턴을 매체에 제공하는 단계로서, 유동 억제 액체는 제1 액체가 매체 상에서 유동하는 것을 억제하도록 구성되는 단계; 분체 재료를 패턴에 부여하는 단계; 및 패턴에 부착되지 않은 분체 재료를 제거하여 분체 재료의 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴의 제조 방법이 제공된다.본 발명의 추가적인 예시적인 실시예에 따르면, 패턴을 제조하기 위한 제조 장치가 제공된다.본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참고한 이하의 예시적인 실시예에 대한 설명으로부터 명확해질 것이다. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 소정 양태에 따르면, 매우 다양한 상이한 매체에의 패턴 형성을 가능하게 하는, 분체에 의해 매체에 형성된 패턴을 고정밀도로 제조할 수 있는 방법이 제공될 수 있으며, 그를 위한 제조 장치가 또한 제공될 수 있다. 또한, 전술한 패턴 형성에 의한 입체물의 제조 방법 및 그를 위한 제조 장치가 제공될 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 일 실시예에 따른 입체물의 제조 방법을 실현하는 제조 장치의 일례로서의 적층 형성 장치를 도시하는 개략도이다.도 2는 적층 형성 장치의 제어 시스템을 도시하는 블록도이다.도 3은 일 실시예에 따른 입체물의 제조 방법을 실현하는 제조 장치의 일례로서의 적층 형성 장치를 도시하는 개략도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명의 다양한 예시적인 실시예, 특징부, 및 양태를 도면을 참고하여 이하에서 상세하게 설명할 것이다.도 1은 본 발명의 실시예에 따른 패턴의 제조 방법 및 패턴에 의한 입체물의 제조 방법을 실현하는 제조 장치의 일례로서의 적층 모델링 장치(100)를 개략적으로 도시하는 사시도이다. 장치(100)에서, 새롭게 적층되는 입체물의 일 층의 패턴이 전사 부재로서 기능하는 벨트 형상 전사 부재(1)의 표면에 형성된 후 반송 기구(2)에 의해 각각의 프로세스 유닛을 통과하게 되고, 따라서 입체물의 단면 형상을 갖는 단면 층으로서의 착색 패턴(14)이 형성된다. 또한, 입체물을 위한 착색 패턴(14)은 전사 부재(1)에 대해 상대적으로 왕복 이동되는 적층 유닛(8)의 적층 위치로 반송된 후 적층된 형성 도중의 입체물(10)에 적층된다. 전사 부재(1)는 중간 인쇄 매체로 사용된다.전사 부재(1)는 표면에 형성된 입체물의 층을 지지하는 서포트 부재로서 기능하며 또한 형성된 층을 서로 적층시킴으로써 이미 형성된 형성 도중의 입체물에 형성된 층을 전사하는 전사 부재로서 기능한다. 따라서, 전사 부재(1)는 입체물을 형성하는 재료에 대해 어느 정도의 친화력을 제공하면서 높은 이형성을 갖는 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 전사 부재(1)의 측부 단면 층의 일부만이 전사되는 경우에도 입체물을 형성하는 것이 가능하다. 그러나, 입체물의 정밀도를 위해, 전체 단면 층이 형성 도중의 입체물(10)에 전사되는 경우가 있을 수 있다.또한, 전사를 안정적으로 행하기 위해서는, 전사 부재(1)는 적어도 어느 정도의 탄성을 가질 수 있다. 전사 부재의 재료로서, 예를 들어 실리콘 고무 및 플루오르화 고무를 들 수 있다. 패터닝에 사용되는 재료는 위에서 언급된 고무 재료에서 일부 경우에 반발될 수 있기 때문에, 사용되는 재료에 따라서는 그 위에 표면 처리가 실행되는 경우가 있을 수 있다. 고무 경도는 탄성체의 두께에 따라 결정되지만, 그 두께가 큰 경우, 경질 고무가 바람직하게 사용될 수 있고, 두께가 작은 경우에, 연질 고무가 바람직하게 사용될 수 있다. 두께가 큰 경우, 대략 80도의 경도를 갖는 고무가 제공될 수 있고, 전사 부재(1)가 얇은 벨트 형상을 갖는 경우, 대략 0.1 내지 0.5mm의 두께 및 대략 50 내지 20 도의 고무 경도를 갖는 고무로 형성되는 박막이 제공될 수 있다. 고정밀도가 요구되는 경우, 각각 탄성을 갖지 않는, TEFLON(등록 상표) 시트나 서브미크론 수준의 두께를 갖는 이형제로 코팅된 평활 필름이 사용될 수 있다. 탄성이 낮은 전사 부재(1)가 사용되는 경우, 일부 경우 기계 정밀도 및/또는 긴 프로세스 시간이 요구될 수 있기 때문에, 적용 목적에 따라 재료가 선택될 수 있다.또한, 금속 분체 등이 형상 형성 재료로서 사용되는 경우, 그 표면은 높은 내열성을 갖는 질화붕소 등을 사용하여 이형 처리에 의해 처리될 수 있다.적층 모델링 장치(100)에서 실행되는 적층 생성 프로세스를 이하에서 설명한다. 도 1에 도시된 장치에서, 제1 액체로서의 반응액이 제1 잉크젯 디바이스(3)로부터 전사 부재(1)에 토출되어 전사 부재(1)에 반응액의 패턴(11)을 형성한다. 그러나, 방법은 위에서 설명된 것으로 제한되지 않고, 예를 들어 반응액의 패턴은 예를 들어 플렉소그래픽 인쇄와 같은 판을 사용한 인쇄에 의해 형성될 수도 있다. 상이한 화상 또는 상이한 색의 복수의 패턴이 동일한 영역에 동시에 형성되는 경우, 판을 사용한 인쇄는 어느 정도까지 효율적일 수 있다. 마찬가지로, 입체물을 형성하는 경우, 각각 상이한 형상을 갖는 복수의 패턴을 판에 배치한 후 복수의 패턴을 적층하여 입체물을 형성할 수 있다.잉크젯법을 사용한 패터닝은 액체로 의도된 패턴 형상을 형성할 수 있기 때문에, 이것이 바람직할 수 있다. 다양한 유형의 잉크젯법, 서멀(thermal) 타입, 피에조 액추에이터 타입, 정전 타입, 콘티뉴어스(continuous) 타입이 이용가능하다. 잉크가 토출되는 노즐에 관하여, 1 노즐 타입, 예를 들어 디스펜서, 및 다수의 노즐이 제공된 라인 헤드 중 적어도 하나가 이용가능하다. 라인 헤드는 바람직하게는 높은 생산성을 실현하기 위해 바람직하게 사용될 수 있다.제1 액체는 반응액만으로 제한되지 않는다. 예를 들어, 수계 잉크, 및/또는 오일계 잉크와 같은 액체 또한 제1 액체로서 사용될 수 있다. 기록 매체에 제1 액체를 토출함으로써 패턴(11)을 형성하는 경우에는, 분체 재료가 도달할 때까지 제1 액체 부착성이 유지되는 경우가 있을 수 있고, 그래서 수계 잉크가 사용되는 경우가 있을 수 있다.플라스틱이 분체 재료로 사용되고 수계 잉크가 제1 액체로 사용되는 경우, 수계 잉크를 플라스틱과 매칭시키기 위해서 수용성 유기 용매 및/또는 계면활성제가 수계 잉크에 첨가되는 경우가 있을 수 있다.또한, 수용성 유기 용매 및/또는 계면활성제의 농도를 높이기 위해서 수용성 유기 용매 및/또는 계면활성제를 포함하는 제1 액체로서의 부여 잉크로부터 물이 증발되는 경우가 있을 수 있다.제1 액체로 사용되는 수용성 유기 용매는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어 표면 장력, 건조성, 및 점도와 관련하여 수용성 유기 용매가 선택될 수 있다. 수용성 유기 용매의 예로서, 예를 들어, 디메틸포름아미드 및 디메틸아세트아미드 등의 아미드류, 아세톤 등의 케톤류, 테트라히드로푸란 및 디옥산 등의 에테르류, 폴리에틸렌 글리콜 및 폴리프로필렌 글리콜 등의 폴리알킬렌 글리콜류, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 부틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 1, 2, 6-헥산트리올, 티디글리콜, 헥실렌 글리콜 및 디에틸렌 글리콜 등의 알킬렌 글리콜류, 에틸렌글리콜메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸에테르 및 트리에틸렌 글리콜 모노메틸에테르 등의 다가 알코올의 저급 알킬에테르류, 에탄올, 이소프로필알코올, n-부틸알코올, 및 이소부틸 알코올 등의 1가 알코올류, 글리세린, N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 트리에탄올아민, 술포란, 및 디메틸 술폭시드를 들 수 있다.계면활성제로서, 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제, 수용성 음이온계 계면활성제, 양이온계 계면활성제, 비이온계 계면활성제, 및 양성 계면활성제가 사용될 수 있다.제1 액체와 관련하여, 아래에서 설명되는 바와 같이, 분체 재료를 공급한 후에 분체 재료에 부여되는 제2 액체와 반응하는 반응 잉크는, 제2 액체가 유동하는 것을 억제하기 위해 제2 액체와 접촉할 때, 제2 액체에 의해 형성되는 화상의 품질을 향상시킬 수 있다.반응 유형 및 반응 재료는 제2 액체와의 조합과 관련하여 그리고 반응의 사용 목적에 따라 선택될 수 있다. 예를 들어, 수계 잉크에 대해, 응집, 염석 출연 반응, 및/또는 산-염기 반응을 단독으로 또는 조합하여 사용하는 것이 가능하다. 응집이 이들에 적합할 수 있다. 특히, 금속염을 포함하는 반응액과 안료 잉크의 조합이 화상 품질과 관련하여 제공될 수 있는데, 이는 소량의 반응액을 갖는 얇은 잉크 패턴의 형성을 허용하기 때문이다. 그리고, 또한 이러한 조합은 그 반응 속도가 높기 때문에 우수성을 제공할 수 있다.반응액에 포함된 반응 재료를 위한 재료로서, 잉크와 반대인 전하를 갖는 이온성 재료를 들 수 있다. 예를 들어, 잉크젯을 위한 잉크로서 음이온성 잉크가 사용될 수 있고, 음이온성 잉크를 위한 반응 재료로서, 금속염, 특히 2 이상의 원자가를 갖는 다가 금속염을 포함하는 용액이 사용될 수 있다. 다가 금속염은 2 이상의 원자가를 갖는 다가 금속 이온 및 다가 금속 이온에 대응하는 양이온을 포함한다. 다가 금속 이온의 예로서, 예를 들어 Ca2+, Cu2+, Ni2+, Mg2+, Zn2+ 등의 2가 금속 이온, 및 예를 들어 Fe3+, Al3+ 등의 3가 금속 이온을 들 수 있다. 그리고, 다가 금속 이온에 대응하는 음이온의 예로서, Cl-, NO3-, SO42-, I-, Br-, ClO3-, RCOO- (R은 알킬기임)를 들 수 있다.더 높은 반응성을 위해 금속 이온을 산과 함께 사용하는 것이 유용하다. 산은 또한 단독으로 반응 재료로서 유용하다.산의 예로서, 유기산, 예를 들어 옥살산, 폴리아크릴산, 포름산, 아세트산, 프로피온산, 말론산, 말산, 말레산, 아스코르브산, 숙신산, 글루타르산, 글루탐산, 푸마르산, 시트르산, 타르타르산, 락트산, 피롤리돈카르복실산, 피론 카르복실산, 피롤 카르복실산, 푸란 카르복실산, 쿠마린 산, 티오펜 카르복실산, 니코틴산, 히드록시 숙신산, 디옥시 숙신산을 들 수 있다.제1 액체는 고체 성분을 포함할 수 있고, 착색 패턴(이하에서 설명됨)에서의 포함 비율은 제1 액체에서의 고체 성분을 감소시킬수록 높아질 수 있다. 착색 패턴에서의 높은 포함 비율은 착색 패턴에 의해 형성되는 입체물의 경도에 영향을 주고 입체물의 재활용을 용이하게 한다.또한, 분체에 의해 형성되는 층의 두께의 균일성과 관련하여, 제공되는 분체 재료의 양은 제1 액체의 두께에 비례하기 때문에, 전사 부재(1)에서의 제1 액체의 두께가 균일해지게 되는 경우가 있을 수 있다. 두께의 균일성을 갖는 분체 재료에 의해 형성되는 층은 층에 의해 형성되는 인쇄 생성물의 미적으로 우수한 특징에 기여하고 또한 층에 의해 형성되는 입체물의 형성의 정밀도에 기여한다.분체 재료에 부여된 제2 액체로 인해 제1 액체는 형성될 화상에 작은 영향을 주기 때문에, 제1 액체의 색과 관련하여, 제1 액체는 투명하거나 색을 갖지 않는 경우가 있을 수 있다. 제1 액체의 색은 흰색일 수 있다.분체 재료에 의해 형성될 층에 대해 균일한 두께를 얻기 위해, 미리 결정된 크기로의 분류에 따라 그리고 분체의 접착성을 나타내는 범위에서 분체 재료가 선택될 수 있다.제1 액체의 패턴(11)의 두께는 또한 도 1에 도시된 수분 제거 유닛(5)과 같은 추가적인 기구를 사용하여 조정될 수 있다. 제1 액체는 단일 액체이기 보다는 다수의 액체의 조합일 수 있다. 잉크젯이 사용되는 경우, 토출될 수 있는 액체의 점도가 제한되기 때문에, 더 높은 점도를 위해 서로 반응하는 2 개의 액체를 포함하는 재료를 사용하는 것도 가능하다.제1 액체의 패턴(11)은 다수의 액체를 포함하는 제1 액체를 사용함으로써 안정화될 수 있다. 예를 들어, 기록 매체가 잉크 흡수성을 갖지 않는 표면이거나 전사 부재(1)의 잉크 반발 표면인 경우, 잉크 패턴(11)은 제1 액체의 패턴(11)의 형성과 분체 재료의 공급 사이의 의도된 위치로부터 이동하는 것이 보장될 수 있다. 이러한 경우에는, 분체 재료가 제1 액체의 패턴(11)에 따라 부여되기 때문에, 후막 화상의 품질이 염려된다. 특히, 제1 액체의 패턴(11)의 두께를 더 작게 할 목적으로 수분 제거가 실행되는 경우, 기록면의 특성에 따라서, 패턴(11)의 건조와 연관된 부피의 저하로 인한 제1 액체의 패턴(11)의 변화가 현저해질 수 있다. 또한, 수분 제거가 행해지지 않는 경우에도, 제1 액체의 부여와 분체 재료의 공급 사이에서 장시간이 경과하면, 표면 장력 등에 의해 제1 액체의 패턴(11)이 변형될 염려가 있다.이와 같이 기록면에서 잉크가 반발되는 것을 방지하기 위해서, 제1 액체는 예를 들어 2 개의 액체, 즉 반응액과 반응액이 유동하는 것을 억제하는 액체(반응액 유동 억제 액체)의 조합일 수 있다. 더 구체적으로는, 반응액의 유동은 분체 재료의 공급 전에 반응액의 것과 반대인 전하를 갖는 무색 또는 무채색 잉크를 사용함으로써 억제될 수 있고, 또한 반응액의 부여 직후에 제2 액체(이하에서 설명됨)로서 유색 잉크의 일부 또는 모두를 부여함으로써 억제될 수 있다. 반응액 유동 억제 액체가 투명하거나 두드러지지 않는 밝은 색인 경우, 반응액 유동 억제 액체가 착색되지 않는 부분에 부여되는 경우가 있을 수 있다.유색 잉크가 반응액 유동 억제 액체로서 사용되는 경우, 유색 잉크는 반응액과 반응하여 반응액의 유동을 억제한다. 예를 들어, 착색되는 부분에 소정량의 유색 잉크가 부여되는 한편, 최종적으로 진한 색의 화상이 형성되는 부분에는 제2 잉크젯 디바이스(4)(이하에서 설명됨)로부터 추가 잉크가 토출된다. 이때, 반응액 패턴 중 착색되는 부분 이외의 패턴(11) 내의 임의의 부분에 투명한 반응액 유동 억제 액체를 부여하는 것이 가능하다.제1 액체의 패턴(11)의 형성으로부터 수초 또는 수십초의 간격 후에 분체 재료를 공급하는 경우, 제1 액체가 반응액과 반응액 유동 억제 액체의 조합으로 구성될 수 있는 시간-기반 가이드라인이 있다.기록면과 반응액 사이의 친화성에 따라, 반응액과 반응액 유동 억제 액체의 부여 사이의 타이밍 간격은 수초 이내, 바람직하게는 1초 이내일 수 있다.제1 액체가 다수의 액체로 구성되는 경우, 액체의 패턴(11)은 제1 액체가 단일 액체로 형성되는 경우보다 더 두껍고, 따라서 제1 액체의 패턴(11)의 두께가 수분 제거 유닛을 사용하여 감소되거나 시간에 따라 감소되도록 허용된 후에 분체 재료가 공급될 수 있다. 반응액 유동 억제 액체의 조성에 대해서는, 패턴(11)의 두께가 부여 후의 수분 제거 프로세스를 통해 감소될 수 있고 액체의 고체 함량이 작아질 수 있다. 그러나, 부여 부피가 지나치게 크지 않고 토출이 안정적으로 실행될 수 있도록, 고체 함량의 결정에 있어서 부여되는 부피 및 점도가 고려될 수 있다.적절한 값의 범위는 사용된 재료, 성형될 형상, 및 모델링의 정확도에 의존하지만, 점도 및 고체 함량에 대한 일부 가이드라인은, 점도가 100mPa.s 이하, 바람직하게는 50mPa.s 이하, 더 바람직하게는 20mPa.s 이하일 수 있고, 고체 함량은 20% 이하, 바람직하게는 10%이하, 더 바람직하게는 5% 이하일 수 있는 것이다.분체 재료의 부여시의 제1 액체의 패턴(11)의 두께에 대한 가이드라인은, 두께가 부여된 분체 재료의 입자의 직경의 20% 이하, 바람직하게는 10% 이하, 더 바람직하게는 5% 이하일 수 있는 것이다.반응액 유동 억제 액체를 공급하기 위해서, 액적을 그들의 의도된 위치에 비접촉식으로 배치할 수 있는 장비, 예를 들어 잉크젯 디바이스 또는 제트-방식 디스펜서가 사용될 수 있다.다수의 액체의 조합으로서의 제1 액체와 함께 사용되는 장치의 예가 도 3에 도시되어 있다. 도 3에서, 장치는 제1 잉크젯 디바이스(3)와는 별도로 반응액 유동 억제 액체를 부여하도록 구성되는 제3 잉크젯 디바이스(21)를 갖는다. 다른 상세는 도 1에 도시된 것과 동일하다. 도 3에서는, 제1 액체는 2개의 잉크젯 디바이스에 의해 제공되지만, 제1 액체는 또한 2 개 이상의 액체를 사용하여 2개 이상의 디바이스에 의해 제공될 수 있다. 프로세스에서의 제1 액체의 기능은 분체 재료를 부착시키는 것이며, 이는 제1 액체의 품질(예를 들어, 부착력 및 패턴 정밀도)이 향상될 수 있다는 것을 의미한다. 물론, 도 1에 도시된 제1 잉크젯 디바이스(3)는, 반응액과 반응액이 유동하는 것을 억제하는 액체의 양자 모두를 토출함으로써 도 3의 제3 잉크젯 디바이스(21)의 역할을 하도록 구성될 수 있다.반응액과 반응액 유동 억제 액체의 부여 순서에 대해서는, 어느 경우에도 액체가 먼저 부여될 수 있다.그 후, 모델링재 분말 부여 유닛(6)을 사용하여 모델링재 분말 부여 유닛(6)의 위치까지 반송된 제1 액체의 패턴(11)에 분체 재료가 부여된다. 이는 분체 패턴(12)을 형성한다. 분체 재료의 고정은 제1 액체의 접착력에 의해 달성되기 때문에, 매우 다양한 상이한 재료가 이들이 입자화될 수 있는 한 사용될 수 있다. 부여된 입자를 최종적으로 용융시켜서 단일 질량물로 하는 것을 돕기 위해서 열가소성 수지와 같은 재료가 사용될 수 있다. 예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 나일론, ABS, 폴리락트산, 폴리스티렌, 폴리비닐클로라이드, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리테트라플루오로에틸렌, 이오노머, 및 EVA 등의 열가소성 수지가 사용될 수 있다. 수지의 이외에도, 금속, 유리, 및 세라믹 등의 열성형에 의해 형성될 수 있는 재료가 사용될 수 있다. 또한, 분체의 표면은 분체의 잉크에의 부착, 잉크 발색, 및 입자끼리의 고정을 돕는 표면 처리를 받을 수 있다. 입자의 형상은 특별히 제한되지 않지만, 구 형상이 입자가 화상 부분(화상이 형성되는 부분)에 부착되는 것 및 입자를 비화상 부분(화상이 형성되지 않는 부분)으로부터 제거하는 것을 돕는다. 하나의 층에의 입자의 잘 열거된 배열을 통해 최종 패턴(12)의 균일한 두께가 보장될 수 있고, 이는 입자의 크기가 유사할 때 용이해진다. 당연히, 입자 크기의 증가에 따라 패턴(12)의 두께가 증가하고, 상이한 입자 직경을 갖는 재료의 사용이 패턴(12)의 두께를 제어하는 방식이다.입자의 내부 구조를 다공질화하면 잉크의 발색이 향상될 수 있다. 모델링재 분말 부여 유닛(6)이 분체를 부여하는 방법에 제한은 없고, 하나의 가능한 방식은 분체 재료를 분사하거나 분체 재료를 유동하게 함으로서 전사 부재(1)의 제1 액체의 적어도 전체 패턴(11)에 분체 재료를 공급하고 그 후 분체 재료가 제1 액체에 의해 고정되는 부분을 제외하고 진동, 공기 송출, 및 흡입 등의 기술에 의해 분체 재료를 제거하는 것이다. 또한, 정전기 등의 별도의 기술을 사용하여 분체의 잠정적인 패턴을 미리 형성하고, 그 후 제1 액체의 패턴(11)에 따라 분체를 부분적으로 공급하는 것이 가능하다. 모델링 재료의 부여 및 제거는 별도의 프로세스에서 실행될 수 있고 또한 단일 프로세스에서 동시에 실행될 수 있다. 예를 들어, 송출된 공기로 구조 재료의 입자를 분사하면서 제1 액체의 패턴(11)을 향해 공기를 송출하는 것은 분체 패턴(12)의 형성 및 불필요한 분체의 제거를 위한 동시 처리의 방식이다.또한, 다수의 분체 재료를 사용하는 것이 가능하다. 예를 들어, 제1 액체가 제1 분체 재료가 배치되는 부분에 부여되고, 제1 분체의 패턴이 거기에 형성된다. 그 후, 제1 액체의 패턴이 제2 분체 재료가 배치되는 부분에 다시 형성되고, 제2 분체가 거기에 부착된다. 이러한 접근법은 화상 패턴 또는 입체물의 경도의 부분적인 변화 등의 목적을 위해 동일한 평면에 다수의 재료가 배치될 수 있게 한다.그리고, 제2 잉크젯 디바이스(4)가 제2 액체로서의 유색 잉크를 분체 패턴(12)에 부여하여 착색 분체의 패턴인 착색 분체 패턴(13)을 형성한다. 도 1은 컬러 잉크가 제2 잉크젯 디바이스(4)로부터 부여되는 구조를 도시하지만, 이는 유일한 가능한 구조가 아니다. 그러나, 잉크젯은 전사 부재(1)와 접촉하게 되는 액체를 부여하도록 구성되는 유닛, 즉 제2 잉크젯 디바이스(4) 없이 제2 액체가 분체 패턴(12)에 부여될 수 있게 하기 때문에 매우 유용하다. 특히, 분체 입자를 사용하여 형성된 패턴이 형성 도중의 입체물(10)(이하에서 설명됨)에 전사되고 거기에 적층되는 것이 필요조건인 경우, 전사 부재(1) 및 분체 입자는 함께 견고하게 고정될 수 없다. 그러나, 접촉 기록이 입자의 백-트래핑(back-trapping)을 유발할 수 있다.제2 잉크젯 디바이스(4)에 대한 제한은 전술한 제1 잉크젯 디바이스(3)에 대한 것과 동일하고, 이는 잉크젯법에서 제2 잉크젯 디바이스(4)가 특별한 제한 없이 사용될 수 있다는 것을 의미한다.특별히 제한되지 않는 제2 액체로서의 잉크는 기본적으로 높은 장식 효과를 갖는 컬러 잉크이다. 수계 잉크 및 오일계 잉크의 양자 모두가 사용될 수 있고, 수계 잉크는 제1 액체와의 반응을 위해 사용될 수 있다. 수계 잉크와 함께 사용될 수 있는 이온 반응은 매우 고속이므로 혼란이 적은 화상을 재현할 수 있다. 특히, 제2 액체가 안료 잉크를 포함하는 수계 잉크이고 제1 액체가 금속염을 포함하는 용액인 잉크 세트가 본 실시형태에서 사용될 수 있다.안료 잉크가 사용되는 경우, 색재로서의 안료 이외에, 분산 수지, 분산 보조제, 수용성 유기 용매, pH 조정제, 계면활성제, 및 물 등의 첨가제가 특성을 제어하기 위해 첨가될 수 있다. 개별 재료 사이의 혼합비에 대해서는, 재료는 인쇄될 화상 및 사용될 반응액에 적절하게 혼합될 수 있다. 가이드 라인은 다음과 같다: 안료 1 % 내지 10%; 수용성 유기 용매 5% 내지 30%; 물 70% 내지 90%; 다른 재료 수% 포인트 이하.제2 액체가 복수의 컬러 잉크의 세트인 경우에도, 제1 액체로서의 반응액의 사용은 색 혼합을 방지하여 고품질 화상이 형성되는 것을 보장한다. 또한, 부여된 잉크 사이의 부피의 차는, 분체가 제1 액체를 사용하여 패턴 안으로 이미 형성되었기 때문에, 분체의 부착량에 영향을 주지 않는다.제1 액체, 분체 재료, 및 제2 액체를 이 순서로 전사 부재(1)에 부여함으로써 이와 같이 착색 분체 패턴(13)을 형성하는 것은 일부 소정의 다른 장점을 제공한다. 예를 들어, 착색 분체 패턴(13)으로부터 형성된 층이 그 밖의 소정의 것에 전사되는 방법에서, 제1 액체로서 반응액을 사용하고 분체 재료 전에 제2 액체를 부여하는 것은 전사 부재(1)에 작용하는 반응의 결과로서 화상 패턴을 이형하는데 있어서 어려움을 유발할 것이다. 한편, 본 실시형태에서 언급된 순서로 재료를 부여하는 것은, 전사 부재(1)에서 보다 분체 재료에서 반응이 더 강하게 작용하고, 이에 의해 전사 효율의 감소를 방지하고 잉크 패턴과 분체 재료 사이의 고정을 보다 견고하게 하는 것을 보장한다. 또한, 분체 재료의 상면에 부여된 접착성은 기록 매체에의 전사 후에 분체 수지의 막이 형성될 수 있게 한다. 결과적으로, 전사 부재(1)의 재료의 선택에 있어서의 자유도, 전사 부재(1)의 수명, 정밀도(열팽창) 및 생산성에서 이점이 있다.또한, 본 실시형태에서 언급된 순서를 따르면 착색 분체 패턴(13)으로부터 형성된 층이 그 측방 표면에 균일하게 착색될 수 있고, 결과적인 입체물의 측방 표면에서의 자연스러운 발색의 큰 이점을 제공한다.벨트 형상 전사 부재(1)에 제1 액체, 분체 재료, 및 제2 액체의 패턴에 의해 형성된 착색 분체 패턴(13)은 그 후 그것이 가열 유닛(7)에 의해 가열되는 가열을 위한 위치까지 반송된다. 이 위치에서, 가열 유닛(7)은 착색 분체 패턴(13)에 열 복사를 방출하여 착색 분체 패턴(13)을 막으로 형성한다. 가열 유닛(7)이 패턴(13)을 가열하는 방법에 특별한 제한은 없다. 예를 들어, 가열 롤러와 같은 접촉 방법이 사용될 수 있고, IR 또는 마이크로파의 방사와 같은 비접촉 방법이 또한 사용될 수 있다. 또한, 레이저 광과 같은 에너지 방사선으로 패턴(13)을 주사하여 패턴을 가용하는 것이 가능하다. 가열 유닛(7)은 전사 부재(1)의 이면에 배치될 수 있다.또한, 착색 분체 패턴(13)은 패턴(13)을 형성하기 위해 사용되는 재료에 미리 첨가된 자외선 경화 성분 등의 광경화 성분을 광경화시킴으로써 막으로 형성될 수 있다. 이 경우, 기록 매체 또는 형성 도중의 입체물(10)과 접촉하고 있는 상태에서 착색 분체 패턴(13)에 경화 광을 조사할 수 있어, 패턴(13)이 동시에 전사 및 접합된다.이러한 방식으로 착색 분체 패턴(13)으로부터 형성되는 착색 패턴(14)이 그것이 적층 유닛(8)을 향하는 위치까지 반송되고, 적층 유닛(8)과 정렬되며, 그 후 형성 도중의 입체물(10)과 접촉하게 된다. 착색 패턴(14)은 형성 도중의 입체물(10)과 접촉하는 상태에서 냉각됨으로써, 착색 패턴(14)이 형성 도중의 입체물(10)에 부착된다. 또한, 착색 패턴(14)을 냉각시켜 착색 패턴을 먼저 경화시키고 그 후 경화된 층을 접착제 등을 사용하여 형성 도중의 입체물(10)에 부착시키는 것이 가능하다. 이 프로세스 동안, 전사 부재(1)의 이면에 제공된 백 플레이트(9)가 착색 패턴(14)을 입체물(10)에 부착시키기 위해 사용된다.도 1에 도시된 장치는 전사 부재(1)의 재료를 용융시킴으로써 분체 재료의 막을 형성하지만, 제2 액체의 부여 후에 기록 매체에 분체 재료를 전사 하고 그 후 전사된 재료를 기록 매체의 막으로 형성하는 것도 가능하다. 실제로, 이는 제1 및 제2 액체, 분체 재료, 및 기록 매체의 조합에 따라 기록 매체에 대한 더 견고한 부착을 초래할 수 있다.또한, 분체 재료는 용융되지 않고 최종 물품에 입자의 형태로 남을 수 있다.도 1에는 도시되지 않았지만, 적층 모델링 방법에 의한 오버행 형상의 형성은 일반적으로 서포트라 불리는 일시적 서포트 부재를 필요로 하며, 서포트는 사용되는 재료 및 입체물의 의도된 용도에 적합하게 선택적으로 형성될 수 있다. 이 경우에는, 적층 모델링 장치는 서포트재 공급 유닛을 갖고, 서포트재 공급 유닛(도면에 도시되지 않음)은 형성 도중의 입체물(10)을 지지하는 서포트 부재를 형성하도록 구성된 서포트재를 공급한다.이 프로세스는 입체물을 제조하기 위해 미리결정된 횟수로 반복된다.도 2는 도 1 및 도 3의 적층 모델링 장치(100)의 제어 시스템을 도시하는 도면이다. 적층 모델링 장치(100)에서, 참조 번호 100은 전체 장치를 나타내고, CPU(101)는 전체 시스템의 제어의 책임이 있는 메인 유닛이고 개별 구성요소를 제어한다. 메모리(102)는 CPU(101)의 동작 프로그램을 저장하는 ROM, 인터페이스(103)를 통해 로딩된 인쇄물 데이터(104)를 저장하고 데이터를 처리하기 위한 워크를 위해 사용되는 RAM 등으로 구성된다.인쇄 개시 신호에 응답하여, CPU(101)는 미리결정된 파라미터에 따라 형성될 구조의 데이터로서의 로딩된 인쇄물 데이터(104)를 실제 패터닝을 위한 슬라이스 데이터로 변환한다. 그리고, 슬라이스 데이터 중에서, 잉크가 부착되어야 하는 전체 영역을 규정하는 정보가 제1 잉크젯 디바이스(3)에 전송되고, 유색 잉크가 부여되어야 하는 영역을 규정하는 정보가 제2 잉크젯 디바이스(4)에 전송된다. 또한, 반응액 유동 억제 액체의 부여에 관한 정보는 선택적으로 유색 잉크에 관한 정보와 함께 제3 잉크젯 디바이스(21)에 전송된다. 동시에, CPU(101)는 반송 기구(2), 제1 잉크젯 디바이스(3), 제2 잉크젯 디바이스(4), 모델링재 분말 부여 유닛(6), 가열 유닛(7), 적층 유닛(8), 및 서포트 재료 공급 유닛(15)과 통신하여 이들의 상태를 점검한다. 이들 구성요소가 인쇄를 개시할 준비가 된 것으로 확인되면, 반송 기구(2)는 전사 부재(1)를 반송한다. 전사 부재(1)가 인코더(105)로부터의 신호에 따라 위치된 후, 제1 잉크젯 디바이스(3), 제2 잉크젯 디바이스(4), 수분 제거 유닛(5), 모델링재 분말 부여 유닛(6), 가열 유닛(7), 적층 유닛(8)이 지정된 바에 따라 동작한다. 이 프로세스가 미리결정된 횟수 반복되어 입체물을 완성한다.이하에서, 본 발명의 양태를 일부 예를 도시함으로써 더 상세하게 설명한다.실시예 1도 3의 장치를 사용하여 적층 모델링을 행한다.물체 데이터는 미리 의도된 간격 간극의 상태로 슬라이스 데이터로 변환되었다. 실시예 1에서는, 100 마이크로미터 간극 슬라이스 데이터가 사용되었다.그 표면에 폴리이미드 테이프(3M; 상품명 5419)가 있는 0.4mm의 PET 필름의 조각이 전사 부재(1)로서 사용되었다.그 후, 상이한 잉크 사이의 색 혼합을 방지할 수 있는 반응액(이하에 도시된 배합)이 제1 잉크젯 디바이스(3)를 사용하여 형성될 패턴(11)에 대응하는 위치에 부여되었다.반응액의 배합- Ca(NO3)2.4H2O: 50질량부- 계면활성제(가와켄 화인 케미칼; 상품명 Acetylenol EH): 1질량부- 디에틸렌글리콜: 9질량부- 순수: 40질량부계속해서, 제3 잉크젯 디바이스(21)를 사용하여, 형성된 반응액 패턴(11)에 반응액 유동 억제 액체(아래 도시된 배합:점도, 2.1mPa.s)가 부여되었다.반응액 유동 억제 액체- 산화티타늄(이시하라 산교 가이샤; 상품명 TTO-55): 3질량부- 스티렌-아크릴산-아크릴산 에틸 공중합체(산가, 240; 중량 평균 분자량, 5000): 1질량부- 글리세린: 10질량부- 에틸렌 글리콜: 5질량부- 계면활성제(가와켄 화인 케미칼; 상품명 Acetylenol EH): 1질량부- 순수: 80질량부계속해서, 전사 부재(1)에 형성된 패턴(11)이 이러한 방식으로 수분 제거 유닛(5)을 사용하여 건조되었다.계속해서, 분체 재료로서의 폴리프로필렌 입자(평균 입자 직경, 200 마이크로미터)가 모델링재 분말 부여 유닛(6)으로서의 블레이드 코터를 사용하여 전사 부재(1) 상의 건조된 잉크 패턴(11)에 부여되었다.계속해서, 상업적으로 입수가능한 정전기 방지 공기 송출기(초기 압력, 0.25Pa)를 사용하여 공기가 전사 부재(1)에 송출되어 패턴 외 분체 재료를 제거하였다.획득된 분체 패턴(12)은 착색 분체 패턴(13)을 형성하는 제2 잉크젯 디바이스(4)를 사용하여 이하의 배합을 갖는 컬러 잉크를 부여함으로써 착색되었다.잉크의 조성- 안료(이하에 기재됨): 3질량부블랙, 카본 블랙(미쯔비시 케미컬; 상품명 MCF88); 시안, 안료 블루 15; 마젠타, 안료 레드 7; 옐로우, 안료 옐로우 74- 스티렌-아크릴산-아크릴산 에틸 공중합체(산가 240; 중량 평균 분자량, 5000): 1질량부- 글리세린: 10질량부- 에틸렌 글리콜: 5질량부- 계면활성제(가와켄 화인 케미칼; 상품명 Acetylenol EH): 1질량부- 순수: 80질량부계속해서, 착색 분체 패턴(13)이 전사 부재(1)의 이면으로부터 히터를 사용하여 가열되고 대략 170도(섭씨)에서 용융되었고 착색 패턴(14)이 되었다.계속해서, 착색 패턴(14)이 적층 유닛(8)의 위치에 반송되고 위치결정된 후에, 적층 유닛(8)의 모델링 스테이지가 전사 부재(1)의 표면으로부터의 간극이 100 마이크로미터였던 지점까지 하방으로 이동되었고, 그래서 착색 패턴(14)이 모델링 스테이지의 표면에 접촉되었다.전번의 적층물에 새로운 층을 적층하는, 이러한 일련의 동작이 총 1000회 반복되어, 10cm의 높이를 갖는 적층물을 완성하였다. 이와 같이, 3차원 입체물이 얻어졌다.상기 예에서는, 착색 분체 패턴으로부터 얻어진 단면 층을 적층함으로써 입체물이 형성되었지만, 이하의 예 2에서 설명되는 바와 같이 이러한 순서로 기록 매체에 제1 액체, 분체 재료, 및 제2 액체를 부여함으로써 후막 인쇄물로서의 회로 기판을 인쇄하는 것이 가능하다.실시예 2도 3의 장치의 패턴 형성 부분을 사용하여 후막 인쇄를 행하는 예를 나타낸다.전기 기판용 에폭시 수지 판(두께 1mm; 상업적으로 입수가능한 제품) 상에 제1 잉크젯 디바이스(3)를 사용하여 하기 반응액으로 회로 패턴(회로 선폭 0.2mm)을 직접 그렸다.반응액의 배합- AlK(SO4)2.12H2O: 40질량부- 스티렌-아크릴산-아크릴산 에틸 공중합체(산가 270; 중량 평균 분자량 1500): 3질량부- 계면활성제(가와켄 화인 케미칼; 상품명 Acetylenol EH): 1질량부디에틸렌글리콜: 13질량부순수: 43질량부계속해서, 제3 잉크젯 디바이스(21)를 사용하여 형성된 반응액 패턴(11)에 반응액 유동 억제 액체(아래 도시된 배합; 점도 3.0mPa.s)를 부여했다.반응액 유동 억제 액체- 산화티타늄: TiO2(루틸형): 5질량부- 수지 스티렌-아크릴산 에틸 공중합체(산가 220; 평균 분자량 5000): 2질량부- 에틸렌 글리콜: 4질량부- 에틸 알코올: 4질량부- 계면활성제(가와켄 화인 케미칼; 상품명 Acetylenol EH): 1질량부- 순수: 84질량부계속해서, 얻어진 반응액 패턴(11)을 수분 제거 유닛(5)으로부터 5분 동안 50도(섭씨)에서 온풍으로 건조하였다. 계속해서, 솔더 볼(직경 20마이크로미터; 상업적으로 입수가능한 제품)기 모델링재 분말 부여 유닛(6)을 사용하여 반응액의 패턴(11)에 부여되었고, 기판은 패턴 외의 솔더 볼을 제거하기 위해 진동되었다.계속해서, 얻어진 솔더 볼 패턴(12)에 대하여, 5 V 선으로서 사용되도록 의도된 선이 적색(플러스 측에 대해) 및 흑색(마이너스 측에 대해)으로 착색되고 2.5V 선으로서 사용되도록 의도된 선이 청색(플러스 측에 대해) 및 황색(마이너스 측에 대해)으로 착색되도록, 제2 잉크젯 디바이스(4)를 사용하여 아래의 유색 잉크를 부여하였다.잉크의 배합- 안료: 10질량부블랙: CuO.Cr2O3블루: CoO.Al2O3레드: CdS.3CdSe옐로우: CdS투명: 안료 없음- 수지 스티렌-아크릴산 에틸 공중합체(산가 220; 평균 분자량 5000): 2질량부- 에틸렌 글리콜: 4질량부- 에틸 알코올: 4질량부- 계면활성제(가와켄 화인 케미칼; 상품명 Acetylenol EH): 1질량부- 순수: 79질량부* 투명 잉크는 안료 대신 순수를 포함계속해서, 이 패터닝된 기판을 220도(섭씨)에서 5분 동안 가열 노에서 가열하였다. 솔더 볼이 용융되었고, 서비스 전압으로 색별된 회로 기판이 얻어졌다.실시예 3도 3의 장치의 패턴 형성 부분을 사용하여 후막 인쇄를 행하는 예를 나타낸다.화상 데이터로서 잉크 부여 부피가 0% 내지 240%인 고농도부를 포함하는 풍경 사진 화상을 사용했다. 이것은, 고농도부가 착색될 수 있도록, 제1 액체와 제2 액체의 양자 모두가 유색 잉크를 포함하는 예이다.사진 화상이 후막으로서 생성되어야 하는 백색 유리판(두께 1mm; 상업적으로 입수가능한 제품)의 부분에 제1 잉크젯 디바이스(3)를 사용하여 이하의 반응액을 11% 부피로 균일하게 부여하였다. 계속해서, 이하의 6개의 유색 잉크(투명 후막 부분에 대해서는 투명 잉크)를 화상 데이터에 따라 연속적으로 부여하였으며, 총 잉크 부피의 상한은 100% 였다. 이와 같이, 제1 액체의 패턴(11)을 생성하였다.실시예 3에서는, 100%의 잉크 부여 부피로서 1200dpi의 해상도에서 각 포인트에의 하나의 4pl 액적의 부여가 정의된다.반응액의 배합- Ca(NO3)2.4H2O: 50질량부- 계면활성제(가와켄 화인 케미칼; 상품명 Acetylenol EH): 1질량부- 디에틸렌 글리콜: 9질량부- 순수: 40질량부(잉크의 조성)- 안료(아래 기재): 3질량부블랙, 카본 블랙(미쯔비시 케미칼: 상품명 MCF88), 시안, 안료 블루 15; 마젠타, 안료 레드(7); 옐로우, 안료 옐로우 74; 화이트, 산화티타늄; 투명, 실리카계 미립자- 스티렌-아크릴산-아크릴산 에틸 공중합체(산가 240; 중량 평균 분자량 5000): 1질량부- 디에틸렌 글리콜: 10질량부- 에틸렌 글리콜: 5질량부- 계면활성제(가와켄 화인 케미칼; 상품명 Acetylenol EH): 1질량부- 순수: 80질량부계속해서, 얻어진 제1 액체 패턴(11)을 수분 제거 유닛(5)으로부터 50도(섭씨)에서 5분 동안 온풍으로 건조시켰고, 분체 재료로서의 폴리프로필렌 입자(평균 입자 직경, 200 마이크로미터)가 제1 액체의 패턴(11)에 분사되었다.계속해서, 제1 액체의 패턴(11) 외측에 존재하는 분체 재료를 제거하기 위해서 상업적으로 입수가능한 정전기방지 공기 송출기(초기 압력 0.25Pa)를 사용하여 전사 부재(1)에 공기를 송출하였다. 이와 같이, 분체 패턴(12)을 얻었다.계속해서, 제2 잉크젯 디바이스(4)를 사용하여 제1 액체에 의해 의도된 총 잉크 부피가 도달되지 않은 부분(의도된 부여 잉크의 부피가 100% 내지 240%의 범위에 있었던 부분)에 상기 배합을 갖는 컬러 잉크를 부여하였다. 이에 의해, 착색 분체 패턴(13)을 얻었다.계속해서, 착색 분체 패턴(13)을 전사 부재(1)의 이면으로부터 히터를 사용하여 가열하였고 대략 170도(섭씨)에서 용융시켜 착색 패턴(14)으로 하였다.이와 같이 하여, 미세한 그리고 고동도인 화상을 포함하는 후막 인쇄 사진 화상을 얻었다.본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 제한되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 모든 이러한 변형 및 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.이 출원은 그 전체가 본원에 참조로 통합되는 2013년 12월 18일에 출원된 일본 특허 출원 제2013-261519호의 우선권을 청구한다.	패턴의 제조 방법은 제1 액체 및 유동 억제 액체의 패턴을 매체 상에 제공하는 단계로서, 상기 유동 억제 액체는 상기 제1 액체가 상기 매체 상에서 유동하는 것을 억제하도록 구성되는 제공 단계, 분체 재료를 상기 패턴에 부여하는 단계, 및 상기 패턴에 부착되지 않은 상기 분체 재료를 제거하여 상기 분체 재료의 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 필터 이상 판정 시스템FILTER ABNORMALITY DETERMINATION SYSTEM [ 기술분야 ] 본 발명은 내연 기관의 배기가스 통로에 배치된 필터의 이상 판정 시스템에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 내연 기관으로부터 배출되는 배기가스에 포함된 미립자 물질(이후, "PM"으로도 지칭됨)을 포집하기 위해, 내연 기관의 배기가스 통로에 필터가 설치된다. 필터가 파손 등으로 인해 이상 상태에 이르게 되는 경우, PM이 충분히 제거되지 않은 배기가스가 배출되며, 따라서 배기가스 내의 PM을 검출하는 PM 센서가 필터의 이상 상태를 검출하기 위해 필터의 하류 측에 배치될 수 있다. 여기서, PM 센서가 위치되는 상황에 따라서, PM 센서의 출력과 배기가스 내의 PM의 양 사이에 편차가 발생하고, 적절하게 PM을 검출하기 어려울 수 있다. 따라서, 국제 공개 번호 제2012/77182호(WO2012/77182)에 개시된 기술에서는, 편차와 배기가스 유속 사이의 상관관계에 착안하여, 파라미터로서 배기가스 유속을 사용하여 PM 센서의 출력을 보정함으로써 PM 검출 정밀도의 향상이 달성된다.일본 특허 출원 공개 번호 제2012-122399호(JP 2012-122399 A)는 PM 센서의 센서 소자에 대한 PM의 부착이 배기가스 유속에 따라서 변한다는 점에 기초하여 PM 센서의 출력이 조정되는 구성을 개시한다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 내연 기관의 배기가스 통로에 배치된 필터의 하류 측에 배치된 PM 센서가 필터의 이상 유무를 판정하기 위해 사용되는 경우, 배기가스 내의 PM을 적절히 검출하기 위해 PM을 포함하는 배기가스를 PM 센서 내에 도입하는 것이 중요하다. 특히, 센서 소자 내의 PM 축적량과 센서 출력을 관련시키도록 구성된 PM 센서에서, 검출될 배기가스가 적절하게 센서 소자에 도달하지 않는 경우, 배기가스 내에 포함된 PM을 검출하기 어렵다.내연 기관의 기관 부하가 증가하는 경우와 같이 PM 센서가 설치된 배기가스 통로 내의 배기가스 유속의 변화가 증가하는 경우, 본 발명의 출원인은 PM 센서 근방의 배기가스 흐름이 교란되고 검출될 배기가스가 PM 센서의 본체 내에 적절히 도입되지 않는 점을 발견했다. 본 발명의 출원인은 또한 배기가스 유속의 변화가 사라진 이후에도 비교적 오랜 시간 동안 배기가스의 이러한 교란이 유지되고, 따라서 PM 센서의 PM 검출 정밀도에 큰 영향을 줄 수 있는 점을 발견했다. PM 센서의 검출 정밀도가 악화되는 경우, 필터가 이상인지 여부를 고정밀도로 판정하기 어렵고, 따라서 사용자가 필터 등을 수리하도록 촉구하는 것이 어렵다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명은 PM 센서를 사용하여 필터가 이상인지 여부를 고정밀도로 판정할 수 있는 필터 이상 판정 시스템을 제공한다.본 발명에서, 본 출원인은 PM 센서가 배치된 배기가스 통로 내의, 단시간 동안 배기가스 유속의 변화, 즉 단위 시간당 배기가스 유속의 변화에 따라서 PM 센서의 출력에 기초하여 필터 이상 판정을 수행하는 시간을 조정한다. 이 구성에 따르면, PM 센서 내로의 배기가스의 도입 실패로 인한 PM 센서의 검출 정밀도의 저하로 인해 필터의 이상 판정 정밀도의 악화를 억제할 수 있다.본 발명의 양태에 따르면, 필터 이상 판정 시스템이 제공되고, 필터 이상 판정 시스템은 내연 기관의 배기가스 통로에 배치되어 배기가스 내의 미립자 물질을 포집하는 필터, 필터의 배기가스 통로 하류에서 흐르는 배기가스의 일부를 센서 본체 내에 도입하고 센서 본체 내의 센서 소자 상에 축적된 미립자 물질의 양과 센서 출력을 관련시키도록 구성되는 PM 센서, PM 센서의 출력에 기초하여 필터 이상 판정을 수행하도록 구성되는 이상 판정 유닛, 이상 판정 유닛이 센서 소자 상에 축적된 미립자 물질의 추정량에 기초하여 이상 판정을 수행하는 시기를 결정하도록 구성되는 판정 시기 결정 유닛, 및 PM 센서가 배치된 배기가스 통로에서 단위 시간당 배기가스 유속의 변화에 따라서 판정 시기 결정 유닛에 의해 결정된 수행 타이밍을 조정하도록 구성되는 판정 수행 조정 유닛을 포함한다.본 발명의 다른 양태에 따르면, 필터 이상 판정 시스템이 제공되고, 필터 이상 판정 시스템은 내연 기관의 배기가스 통로에 배치되며 배기가스 내의 미립자 물질을 포집하도록 구성되는 필터, 센서로서, 센서의 본체 내에 센서 소자를 포함하고, 센서는 필터의 배기가스 통로 하류에서 흐르는 배기가스의 일부를 본체 내에 도입하도록 구성되고, 센서 소자는 센서 소자 상의 미립자 물질의 축적량에 관한 값을 출력하도록 구성되는, 센서, 및 전자 제어 유닛을 포함하고, 전자 제어 유닛은 a) 센서의 출력에 기초하여 필터 이상 판정을 수행하고, b) 센서 소자 상의 미립자 물질의 축적량을 추정하고, c) 미립자 물질의 양에 기초하여 이상 판정의 수행 시기를 결정하고, d) 센서가 배치된 배기가스 통로에서 단위 시간당 배기가스 유속의 변화에 따라서 수행 시기를 조정하도록 구성된다.본 발명의 양태에 따르는 필터 이상 판정 시스템은 배기가스 통로에 설치된 필터가 이상인지 여부를 판정한다. 여기서, 필터는 배기가스 내의 미립자 물질(PM)을 포집하는 기능을 갖는다. 균열 또는 과도한 온도 상승으로 인한 침식 등의 이상 상태가 필터에서 발생되는 경우, PM이 충분히 포집되지 않은 배기가스가 필터의 하류 측으로 유출되며, 따라서 PM 센서는 배기가스를 검출하기 위해 필터의 하류 측에 배치된다. 여기서, PM 센서는 배기가스 통로를 흐르는 배기가스의 일부를 센서 본체 내에 도입하고 도입된 배기가스에 포함된 PM을 그 내부에 배치된 센서 소자 상에 축적시킴으로써 PM 센서의 출력과 PM 축적량을 관련시키도록 구성된다.상술된 구성을 갖는 PM 센서에서, 배기가스 내의 PM은 센서 본체 내에 점차 도입되기 때문에, PM 센서의 출력은 센서 본체 내에 도입된 PM의 누적량을 반영한다. 따라서, 이상 판정 유닛이 PM 센서의 출력에 기초하여 필터의 이상 상태를 효과적으로 판정하기 위해, 즉 필터의 이상 상태를 PM 센서의 출력에 상당히 반영하기 위해, PM 센서는 사전결정된 기간 내에 PM을 도입하고 그 기간에 센서 소자 상의 PM 축적량을 이용한다. 따라서, 효과적인 필터 이상 판정을 가능하게 하기 위해, 이상 판정을 수행하는 시기는 판정 시기 결정 유닛에 의해, 센서 소자 상의 PM 추정 축적량에 기초하여 결정된다.그러나, 상술된 바와 같이, PM 센서가 배치된 배기가스 통로에서 단위 시간당 배기가스 유속의 변화(이후, 간단히 "배기가스 유속의 변화" 또는 "변화"로 지칭됨)가 증가하는 경우, 배기가스는 PM 센서의 본체에 적절히 도입되지 않고 따라서 PM이 센서 소자 상에 적절히 축적되지 않는다. 따라서, 판정 시기 결정 유닛에 의해 결정된 이상 판정 수행 시기와 필터 이상 판정에 적합한 시기 사이에 편차가 발생할 가능성이 있다. 몇몇 경우, 판정 시기 결정 유닛에 의해 결정된 수행 시기에 따라서, PM이 센서 소자 상에 실제로 충분히 축적되지 않은 상황, 즉, 배기가스 내의 PM의 양이 충분히 반영되지 않고 과도하게 적은 PM의 양이 축적되는 상황에서 필터 이상 판정이 수행될 수 있고, 이상 판정 유닛이 잘못하여 필터가 정상이라고 판정(잘못된 정상 판정)할 수 있는 가능성이 있다.따라서, 본 발명에 따르는 필터 이상 판정 시스템에서, 판정 수행 조정 유닛은 배기가스 유속의 변화에 따라서 판정 시기 결정 유닛에 의해 결정되는 수행 시기를 조정한다. 즉, 판정 시기 결정 유닛에 의해 조정되는 수행 시기는 배기가스 유속의 변화가 증가할 때 PM 센서의 본체 내에 배기가스를 적절히 도입하기에 더욱 어려워지는 것을 고려함으로써 조정된다. 예를 들어, 배기가스 유속의 변화가 증가하여 배기가스의 도입양이 감소될 때 센서 소자 상의 PM 축적량이 감소된다고 생각되는 점에서, PM 축적량의 감소로 인한 필터 이상 판정 정밀도의 저하를 회피하기 위해 판정 수행 조정 유닛에 의한 조정이 수행된다. 본 구성에 따르면, PM 센서의 출력에 기초한 필터 이상 판정이 적절한 시기에 수행되고, 따라서 이상 판정 유닛에서의 이상 판정 정밀도를 향상시킬 수 있다.필터 이상 판정 시스템에서, PM 센서는 배기가스를 센서의 본체 내에 도입하도록 구성된 도입부를 포함할 수 있고, PM 센서는 도입부에 의한 배기가스의 도입 방향이 배기가스 통로에서 배기가스의 흐름 방향에 대해 사전결정된 각도를 형성하도록 배기가스 통로에 부착될 수 있다. 여기서, 도입 방향은 배기가스가 도입부로부터 센서 본체 내로 흐르는 방향이다. 도입 방향 및 배기가스 통로에서의 배기가스의 흐름 방향에 의해 규정되는 사전결정된 각도는, 배기가스 통로에서 배기가스 유속의 변화가 증가할 때 발생하는 배기가스 흐름의 교란에 의해 도입부를 통한 배기가스의 도입이 저해되는 상황을 발생시키는 PM 센서의 부착 각도이다. 사전결정된 각도를 구비한 배기가스 통로에 부착된 PM 센서는 PM 센서의 검출시 배기가스 통로 내의 배기가스 유속의 변화에 의해 쉽게 영향을 받고, 따라서 본 발명이 이에 적절히 적용될 수 있다.필터 이상 판정 시스템에서, 판정 수행 조정 유닛은 단위 시간당 배기가스 유속의 변화가 사전결정된 기준 변화 이상인 경우 판정 시기 결정 유닛에 의한 이상 결정의 수행을 회피하도록 구성될 수 있다. 판정 수행 조정 유닛은 단위 시간당 배기가스 유속의 변화가 사전결정된 기준 변화 미만인 경우, 판정 시기 결정 유닛의 결정에 따라서 이상 판정 유닛에 의한 이상 판정을 수행하도록 구성될 수 있다. 여기서, 사전결정된 기준 변화는 배기가스 통로 내의 배기가스 유속의 변화가 증가될 때 센서 본체에의 배기가스의 도입 실패로 인한 센서 소자 상의 PM 축적 불량의 영향이 비교적 커진다고 결정하기 위한 임계값이다.따라서, 배기가스 유속의 변화가 사전결정된 기준 변화 이상인 경우, 배기가스 내의 실제 PM의 양과 센서의 출력에 기초한 PM의 양 사이에 편차가 발생하고 이상 판정 유닛의 이상 판정 정밀도에 바람직하지 않은 영향을 미치는 점이 고려될 수 있다. 따라서, 이러한 경우, 이상 판정 유닛에 의한 이상 판정은 판정 시기 결정 유닛에 의해 결정되는 이상 판정 수행 시기에 의존하는 일 없이 회피된다. 한편, 배기가스 유속의 변화가 기준 변화 미만인 경우, 변화의 영향은 무시되는 것으로 고려되고, 이상 판정 유닛에 의한 이상 판정은 판정 시기 결정 유닛에 의해 결정되는 시기에서 수행된다.수행 시기가 판정 수행 조정 유닛에 의해 조정되는 양태 대신, 수행 시기가 조정되는 다음의 양태가 채용될 수 있다. 즉, 필터 이상 판정 시스템에서, 판정 시기 결정 유닛은 센서 소자 상의 미립자 물질 축적량을 추정하고, 미립자 물질 추정 축적량이 사전결정된 판정-수행 축적량에 도달할 때 이상 판정 유닛에 의해 이상 판정을 수행하는 시기가 되었다고 결정하도록 구성될 수 있다. 이 경우, 판정 수행 조정 유닛은 단위 시간당 배기가스 유속의 변화에 기초하여 결정되는 PM 센서의 불검출 시간(단위 시간당 배기가스 유속의 변화가 사전결정된 변화 이상이 되는 시간)에 따라서 판정 시기 결정 유닛에 의한 수행 시기를 조정하도록 구성될 수 있다.판정 시기 결정 유닛이 센서 소자 상의 미립자 물질 축적량을 추정하고 미립자 물질의 추정 축적량에 기초하여 이상 판정 유닛에 의해 이상 판정 수행 시기를 결정하는 양태는 PM 센서 내의 필터의 정상 상태와 이상 상태 사이의 차이가 상당한 시기에서 이상 판정을 수행하는데 중요하다. 이상 판정 수행 시기가 센서 소자 상의 PM 축적량의 추정 결과에 기초하여 결정되는 양태에서, 배기가스 통로 내의 배기가스 유속의 변화가 증가하는 경우, 센서 본체에의 배기가스의 도입 실패로 인한 센서 소자 상의 PM 축적 불량의 영향이 비교적 커지고, 센서 소자 상의 PM 추정 축적량과 실제 PM 축적량 사이에 편차가 발생한다.따라서, 이 경우, 배기가스 유속의 변화에 의해 발생되는 PM 센서의 불검출 시간에 착안한다. 상술된 바와 같이, 배기가스 유속의 변화가 증가하는 경우, 배기가스는 배기가스 흐름의 교란으로 인해 센서 본체 내에 양호하게 도입되지 않는다. 그 결과, PM 센서는 배기가스 통로에서 흐르는 배기가스 내의 PM을 검출할 수 없고, 따라서 PM이 검출되지 않는 시간은 본 발명에서 "PM 센서의 불검출 시간"으로서 지칭된다. 센서 소자 상의 추정 PM 축적량과 실제 PM 축적량 사이의 편차는 PM 센서의 불검출 시간이 원인인 것으로 생각된다. 따라서, 배기가스 유속의 변화와 관련된 PM 센서의 불검출 시간에 따라서 판정 시기 결정 유닛에 의해 결정되는 수행 시기를 조정함으로써, 이상 판정 유닛이 적절한 시기에 이상 판정을 수행 가능하게 할 수 있다.PM 센서의 불검출 시간에 따라서 판정 수행 조정 유닛에 의해 이상 판정 수행 시기가 조정되는 양태에서, 예를 들어, 판정 수행 조정 유닛은 배기가스 통로 내의 배기가스 유속의 변화가 개시된 이후 PM 센서의 불검출 시간이 경과할 때까지 판정 시기 결정 유닛에 의한 미립자 물질의 축적량의 추정을 정지하도록 구성될 수 있다. 이 방식으로, 불검출 시간이 경과할 때까지 PM 센서의 센서 소자 상의 PM 축적량의 추정을 일시적으로 정지함으로써, PM 추정 축적량이 증가되는 것을 방지하고 따라서 센서 소자 상의 실제 PM 축적량과의 괴리를 회피할 수 있다. 이 결과, 판정 시기 결정 유닛에 의해 결정되는 수행 시기는 이상 판정이 이상 판정 유닛에 의해 적절하게 수행될 수 있는 시기이다.PM 센서의 불검출 시간에 따라서 판정 수행 조정 유닛에 의해 이상 판정 수행 시기가 조정되는 다른 양태에서, 예를 들어, 배기가스 내의 배기가스 유속의 변화가 개시된 이후 PM 센서의 불검출 시간의 경과와 관계없이 판정 시기 결정 유닛이 미립자 물질 축적량을 계속해서 추정하는 경우, 판정 수행 조정 유닛은 배기가스 통로 내의 배기가스 유속의 변화가 개시된 이후 불검출 시간이 될 때까지의 기간의 센서 소자 상의 미립자 물질 축적량에 기초하여 판정 시기 결정 유닛에 의해 축적된 미립자 물질의 추정량 또는 사전결정된 판정-수행 추정량을 보정하도록 구성될 수 있다. 이 양태에서, 센서 소자 상의 PM 축적량은 상술된 양태에 비교하여 계속해서 추정된다. 따라서, 배기가스 유속의 변화가 개시된 이후 불검출 시간이 경과할 때까지 발생할 수 있는 추정 PM 축적량과 실제 PM 축적량 사이의 편차에 기초하여 사전결정된 판정-수행 축적량 또는 판정 시기 결정 유닛에 의한 미립자 물질의 추정량을 보정함으로써, 이상 판정 정밀도에 대한 편차의 영향이 제거된다. 이 결과, 판정 시기 결정 유닛에 의해 결정되는 수행 시기는 이상 판정이 이상 판정 유닛에 의해 적절히 수행될 수 있는 시기이다.필터 이상 판정 시스템에서, 불검출 시간은 단위 시간당 배기가스 유속의 변화가 증가할 때 길어지도록 설정될 수 있다. 본 발명의 출원인의 연구를 통해, 배기가스 유속의 변화가 증가할수록, PM 센서의 센서 본체에의 PM의 도입 실패 정도가 증가하는 경향이 있다는 새로운 지견이 획득되었다. 도입 실패 정도가 증가되는 경우, PM 센서의 불검출 시간은 길어진다. 따라서, 배기가스 유속의 변화와 불검출 시간 사이의 상관관계를 상술된 바와 같이 설정함으로써, PM 센서의 불검출 시간에 따른 판정 수행 조정 유닛에 의한 적절한 조정을 구현할 수 있다.필터 이상 판정 시스템에서, 예를 들어, 센서 소자는 배기가스 내의 미립자가 축적되는 절연층, 및 절연층에 인접하여 배치된 한 쌍의 전극을 포함할 수 있고, 센서 소자는 한 쌍의 전극에 전류를 공급함으로써 배기가스 내의 미립자 물질을 절연층 상에 전기적으로 포집하도록 구성될 수 있고, PM 센서는 절연층 상에 축적된 미립자에 따라서 결정되는 한 쌍의 전극 사이의 전기 저항에 기초하여 배기가스 내의 미립자 물질의 양을 검출하도록 구성된 센서일 수 있다.필터 이상 판정 시스템은 이상 판정 유닛에 의한 이상 판정 결과를 사용자에게 표시하도록 구성된 표시기 유닛을 더 포함할 수 있다. 따라서, 판정 결과는 사용자에게 확실히 표시할 수 있기 때문에, 사용자에게 필터의 교환, 수리 등을 촉구할 수 있다.본 발명에 따르면, PM 센서를 사용하여 필터가 이상인지 여부를 고정밀도로 판정할 수 있는 필터 이상 판정 시스템을 제공할 수 있다.본 발명의 예시적인 실시예의 특징, 장점 및 기술적 그리고 산업적 중요성은 유사한 참조 부호가 유사한 요소를 지시하는 첨부 도면을 참조하여 이후 설명될 것이다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명에 따르는 필터 이상 판정 시스템이 탑재된 내연 기관의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.도 2는 도 1에 도시된 내연 기관의 배기가스 통로에 배치된 PM 센서의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.도 3은 도 2에 도시된 PM 센서의 센서 소자의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.도 4는 도 3에 도시된 PM 센서의 센서 소자의 단면도이다.도 5는 본 발명에 따르는 필터 이상 판정 시스템이 탑재된 내연 기관의 배기가스 통로에서의 배기가스 유속의 변화 및 PM 센서의 출력 추이를, 대표적인 유속 변화마다 도시하는 도면이다.도 6은 종래 기술에 따라 배기가스 통로에 배치된 PM 센서의 출력에 기초하여 필터 이상 판정이 수행되는 경우, 내연 기관이 탑재된 차량의 차량 속도, PM 센서를 통과한 PM의 양, PM 센서 내의 PM 축적량, PM 센서의 출력의 추이를 도시하는 도면이다.도 7은 본 발명에 따르는 필터 이상 판정 시스템에서 수행되는 필터 이상 판정 제어를 도시하는 제1 흐름도이다.도 8은 본 발명에 따르는 필터 이상 판정 시스템에서 수행되는 필터 이상 판정 제어를 도시하는 제2 흐름도이다.도 9는 본 발명에 따르는 필터 이상 판정 시스템에서 수행되는 필터 이상 판정 제어를 도시하는 제3 흐름도이다.도 10은 본 발명에 따르는 필터 이상 판정 시스템에서 수행되는 필터 이상 판정 제어를 도시하는 제4 흐름도이다.도 11은 본 발명에 따르는 필터 이상 판정 시스템에서 수행되는 필터 이상 판정 제어를 도시하는 제5 흐름도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이후, 본 발명의 구체적인 실시예가 첨부 도면을 참조하여 설명될 것이다. 본 실시예에서 설명된 구성 부품의 크기, 재료, 형상, 상대 구성 배열 등은 특별히 언급되지 않는 한 발명의 기술적 범위를 이에 한정하도록 의도되지 않는다.도 1은 본 발명에 따르는 필터 이상 판정 시스템이 탑재된 내연 기관(1)의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다. 내연 기관(1)은 차량 구동용 디젤 엔진이다. 내연 기관(1)은 흡기 통로(10) 및 배기가스 통로(2)에 연결된다. 흡기 통로(10)에는 내연 기관(1)의 흡기량을 검지하는 공기 유량계(9)가 설치된다. 내연 기관(1)은 배기가스 통로(2)에 연결되고, 배기가스 통로에는 배기가스 내의 미립자 물질(PM)을 포집하는 미립자 필터(4)(이후, 단순히 "필터"로 지칭됨)가 설치된다. 산화 촉매(3)가 배기가스 통로(2) 내의 필터(4) 상류 측에 배치된다. 산화 촉매(3)는 배기가스 내의 미연소 연료 성분, NO 등을 산화시키는 기능을 갖는다.산화 촉매(3)로 유입하는 배기가스에 연료(미연소 연료)를 공급하는 연료 공급 밸브(5)가 산화 촉매(3)의 상류 측에 설치된다. 연료 공급 밸브(5)로부터의 공급 대신, 내연 기관(1)에서의 연소 제어에 의해 배기가스 내에 포함되는 미연소 연료량을 증가시킴으로써 미연소 연료가 산화 촉매(3)에 공급될 수 있다. 예를 들어, 압축 행정의 상사점 근방에서의 주 분사 이후 수행되는 포스트 분사에 의해, 미연소 연료가 산화 촉매(3)에 공급될 수 있다. 필터(4)의 하류 측의 배기가스 통로(2)에서 흐르는 배기가스 내에 포함된 PM의 양을 검출하는 PM 센서(8), 배기가스의 온도를 검출하는 온도 센서(7), 및 필터(4)의 하류 측의 배기가스 압력을 검출하는 압력 센서(6)가 필터(4)의 근방에 배치된다. PM 센서(8)의 상세가 후술될 것이다.내연 기관(1)에는 전자 제어 유닛(ECU)(20)이 설치된다. ECU(20)는 내연 기관(1)의 운전 상태 등을 제어하는 유닛이다. ECU(20)는 연료 공급 밸브(5), 압력 센서(6), 온도 센서(7), 및 PM 센서(8)에 추가로, 공기 유량계(9), 크랭크 위치 센서(11), 및 액셀러레이터 개방도 센서(12) 등에 전기 접속된다. 따라서, 연료 공급 밸브(5)는 ECU(20)로부터의 지시에 응답하여 배기가스에 연료를 공급한다. 크랭크 위치 센서(11)는 내연 기관(1)의 크랭크각을 검출하고, 검출된 크랭크각을 ECU(20)에 출력한다. 액셀러레이터 개방도 센서(12)는 내연 기관(1)이 탑재된 차량의 액셀러레이터 개방도를 검출하고, 검출된 액셀러레이터 개방도를 ECU(20)에 출력한다. 그 결과, ECU(20)는 크랭크 위치 센서(11)의 출력에 기초하여 내연 기관(1)의 기관 회전 속도를 산출하고, 액셀러레이터 개방도 센서(12)의 출력에 기초하여 내연 기관(1)의 기관 부하를 산출한다. ECU(20)는 공기 유량계(9)의 출력에 기초하여, 배기가스 통로(2) 내의 배기가스 유량을 산출할 수 있다. 이는 내연 기관(1)에서 흡기 유속과 배기가스 유량 사이에 일정한 상관관계가 존재하기 때문이다.상술된 구성을 갖는 내연 기관(1)의 배기가스 시스템에서, 간략히, 배기가스에 포함된 미립자 물질(PM)은 필터(4)에 의해 포집되고 따라서 외부로의 PM의 방출이 억제된다. 추가로, NOx를 정화하기 위한 NOx 선택-환원형 촉매, NOx를 정화하기 위한 환원제 공급 유닛, 등이 설치될 수 있다. 필터(4)의 PM 포집 기능은 저하될 수 있고, 따라서 필터는 PM이 충분히 포집될 수 없는 이상 상태에 진입할 수 있다. 일 예는 필터(4)의 기재에 균열이 발생하고 균열 위치로 인해 PM이 충분히 포집될 수 없는 파손 상태이다. 다른 예는 필터(4)에 의해 포집된 PM이 연료 공급 밸브(5)로부터의 연료 공급과 함께 배기가스 온도의 상승에 의한 산화에 의해 제거되는 경우, 그 산화 열에 의해 필터(4)가 과도하게 고온 상태가 되어, 기재가 부식되고, 부식된 위치로 인해 PM이 충분히 포집될 수 없는 부식 상태이다. 또한, 필터(4)의 이상 상태는 내연 기관(1)의 배기가스 제어 시스템으로부터 필터(4)가 제거된 상태, 즉 필터(4)가 배치되지 않은 경우를 포함하고, PM은 필터(4)에 의해 실질적으로 포집될 수 없다.필터(4)의 이상 상태에서, ECU(20)는 이상 상태를 적절하게 판정하기 위해 필터(4)의 하류 측에 배치된 PM 센서(8)의 출력을 이용한다. 따라서, ECU(20)에 의한 필터(4) 이상 여부 판정에서, 먼저 PM 센서(8)의 구조가 후술될 것이다. 도 2는 PM 센서(8)의 개략적인 구성 및 배기가스 통로(2) 내의 PM 센서(8)의 설치 상태를 도시한다. PM 센서(8)는 배기가스 내의 PM이 부착 및 축적되는 센서 소자(8c), 센서 소자(8c)를 덮는 내부 커버(8b), 및 내부 커버(8b)를 덮는 외부 커버(8a)를 포함한다. 양쪽 커버의 길이 방향(센서 소자(8c)의 길이 방향)으로 배기가스가 흐르는 배기가스 채널(8d)이 내부 커버(8b)와 외부 커버(8a) 사이에 형성된다. 배기가스 채널(8d)의 일 단부(8f)는 배기가스 통로(2) 측으로 개방되고, 다른 단부는 내부 커버(8b) 내에 형성된 배기가스 채널(8e)에 연결된다. 따라서, PM 센서(8)에서, 배기가스는 배기가스 채널(8d)의 개구인 단부(8f)로부터 배기가스 채널(8d) 내에 도입되고, 배기가스 채널(8e)에 유입하고, 배기가스 통로(2)측으로 개방되는 배기가스 채널(8e)의 단부(8g)로부터 배기가스 통로(2)로 복귀된다. 이 방식으로, PM 센서(8) 내에 도입된 배기가스가 배기가스 유로(8e) 내에서 흐르는 경우, 배기가스는 거기에 배치된 센서 소자(8c)와 접촉하고, 따라서 배기가스 내의 PM은 센서 소자(8e) 상에 부착 및 축적된다.센서 소자(8c)의 상세 구조가 도 3 및 도 4를 참조하여 후술될 것이다. 도 3은 PM 센서(8)의 센서 소자(8c)의 부분 확대도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 센서 소자(8c)는 그 표면에 한 쌍의 전극(80, 90)을 포함한다. 한 쌍의 전극(80, 90)은 서로 접촉하지 않는 상태에서, 그 사이에 일정한 간격을 두고 배열된다. 더 구체적으로는, 전극(80, 90)은 센서 소자(8c)의 길이 방향으로 연장하는 도전부(81, 91)를 포함하고, 도전부(81, 91)에 수직인 방향으로 연장하는 복수의 도전부(82, 92)가 센서 소자(8c)의 팁부 근방에 형성된다. 즉, 전극(80, 90)은 센서 소자(8c)의 팁부 근방에 빗살 형상으로 배열된 도전부(82, 92)를 포함하고, 빗살 형상부는 서로 맞물리도록 배열된다.도 4는 도 3의 A-B 선을 따르는 개략적 단면도이다. 도 4의 상측은 도 3의 센서 소자(8c)의 표면 측에 대응한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 전극(80, 90)은 절연층(12) 상에 배열된다. 절연층(12)은 PM을 포집하는 기능을 갖는다. 전압이 전원 회로 등을 통해 전원으로부터 전극(80, 90)을 가로질러 인가되는 경우, 전계가 전극(80, 90) 사이에 발생되고, 배기가스 내의 대전된 PM이 전계에 의해 유인되어, PM이 전극(80, 90) 사이에 축적된다.전극(80, 90)에 대응하는 열전대 등의 온도 센서(14)가 전극(80, 90) 근방의 절연층(12)에 매립된다. 대응하는 온도 센서(14)에서 발생되는 기전력을 검출하는 검출기(미도시)가 사전결정된 회로를 통해 각각의 온도 센서(14)에 접속되고, ECU(20)는 기전력을 검출함으로써 전극(80, 90)의 근방의 온도를 검출할 수 있다. 히터(16)는 온도 센서(14) 아래에 매립된다. 히터(16)는 발열의 중심이 전극(80, 90) 바로 아래에 위치되도록 형성된다. 히터(16)는 전원 회로 등을 통해 전력이 공급될 수 있다. 히터(16)에 전력이 공급되는 경우, 센서 소자(8c)가 가열되고, 따라서 전극(80, 90) 사이에 축적된 PM이 연소에 의해 제거될 수 있다. 이 방식으로, 히터(16)에의 전력 공급에 의해 전극(80, 90) 사이에 축적된 PM을 제거하는 처리는 "센서 재생 처리"로서 지칭된다. 센서 재생 처리는 온도 센서(14)의 검출 온도가 연소에 의해 PM을 제거하는데 적합한 온도가 되도록 전압 인가를 조정하는 처리이고, 전극(80, 90) 사이의 PM 축적량이 사전결정된 임계값을 초과하는 경우 축적된 PM을 제거하도록 수행된다.이러한 구성을 갖는 PM 센서(8)는 ECU(20)에 전기 접속된다. PM 센서(8)는 전극(80, 90) 사이의 전기 저항에 대응하는 센서 출력을 ECU(20)에 출력한다. ECU(20)는 PM 센서(8)의 센서 출력에 기초하여 배기가스 내의 PM의 양을 검출할 수 있다. 구체적으로, PM 센서(8)에 의한 PM 검출은 센서 재생 처리가 PM 센서(8) 상에서 수행된 직후 개시된다. 센서 재생 처리 직후, PM은 전극(80, 90) 사이에 축적되지 않는다. 따라서, 양쪽 전극은 서로로부터 전기적으로 절연되고, 그 때의 센서 출력은 제로이다.PM 센서(8)에의 배기가스의 도입으로, PM은 전극(80, 90) 사이에 천천히 축적된다. 그러나, 초기에는 PM 축적량이 적기 때문에, 전극(80, 90) 사이에 축적되는 PM에 기초한 도전 경로는 아직 그 사이에 형성되지 않는다. 따라서, 이 상태에서, 전극(80, 90)는 서로로부터 절연되고 센서 출력은 제로에서 유지된다. 그 후, PM이 전극(80, 90) 사이에 축적되고 사전결정된 PM 축적량에 도달하는 경우, 축적된 PM으로 인해 전극(80, 90) 사이에 도전 경로가 형성된다. 도전 경로가 형성되는 경우, 전극(80, 90) 사이의 전기 저항이 감소되고, PM 센서(8)의 센서 출력이 출력된다. PM 축적량이 더 많아질수록, 도전 경로가 더 넓어지고 전극(80, 90) 사이의 전기 저항이 더욱 낮아진다. 이 방식으로, PM 센서(8)는 센서 출력으로서 PM 축적량과 관련된 전극(80, 90) 사이의 전기 저항의 저하를 이용한다.이러한 출력 특성을 갖는 PM 센서(8)를 사용하여 필터(4)의 이상이 결정되는 경우, 이상 판정 정밀도에 영향을 주는 PM 센서(8)의 특성 및 본 발명의 출원인에 의한 새로운 지견으로서 구해진 현상이 도 5 및 도 6을 참조하여 후술될 것이다. 도 5는 배기가스 통로(2) 내의 배기가스 유속의 변화(단위 시간당 배기가스 유속의 변화), 및 PM 센서(8)의 센서 출력의 추이를, 대표적인 유속의 변화의 크기마다 도시한다. 구체적으로는, 상부 부분(a)은 유속 변화가 없는 경우(유속 변화가 제로로 간주될 정도로 매우 적음)의 추이를 도시하고, 중간 부분(b)은 유속 변화가 적은 경우(피크값이 20m/s/s임)의 추이를 도시하고, 하부 부분(c)은 유속 변화가 큰 경우(피크값이 35m/s/s임)의 추이를 도시한다. 도 5의 (a), (b), 및 (c)에서, 배기가스 유속의 변화의 추이는 VS1, VS2, VS3에 의해 표시되고, 센서 출력의 추이는 P1, P2, P3에 의해 표시된다. 도 5의 (a), (b), 및 (c)에서 수직축은 시간을 나타내고, 스케일은 동일하다.여기서, 도 5의 (a), (b), 및 (c)는 사전결정된 PM의 양을 포함하는 배기가스가 PM 센서(8)에 도달하는 상황을 도시하고, 도 5의 (b) 및 (c)는 시간(T0)에서 배기가스 유속의 변화가 개시된 상황을 도시한다. 이러한 상황에서, 배기가스 유속에 변화가 없는 경우(도 5의 (a)), PM 센서(8)는 시각(T0)에서 센서 출력의 출력을 개시하고, 센서 출력은 서서히 증가한다. 이때, 배기가스 유속에 변화가 없는 경우, 배기가스가 PM 센서(8)에 양호하게 도입되고 센서 소자(8c) 상의 PM 축적량이 증가한다는 점이 이해될 수 있다.한편, 배기가스 유속의 변화가 비교적 적은 경우(도 5의 (b)), PM 센서(8)는 시간(T0) 이후 시간(D1)이 경과한 시점에서 센서 출력의 출력을 개시하고 센서 출력은 서서히 증가한다. 즉, 배기가스 유속이 VS2에 의해 표시된 변화를 개시한 이후 시간(D1)이 경과한 기간에서, PM 센서(8)에 의한 PM 검출은 거의 수행되지 않는다. 이는 배기가스 유속의 변화로 인해 PM 센서(8)의 근방에서의 배기가스 흐름에 교란이 발생하고 도 2에 도시된 PM 센서(8)의 단부(8f)로부터 배기가스의 도입이 저해되기 때문이다. 본 실시예에서, 시간(D1)은 PM 센서(8)의 "불검출 시간"으로 지칭된다. 배기가스 유속의 변화로 인해 발생하는 배기가스 흐름의 교란은 시간(D1)의 경과와 함께 실질적으로 수렴하고, 따라서 배기가스가 PM 센서(8) 내에 도입되고, 센서 출력이 증가한다. 배기가스 유속의 변화가 큰 경우(도 5의 (c)), PM 센서(8) 근방의 배기가스 흐름의 교란 정도는 커지고 따라서 PM 센서(8)의 불검출 시간(D1)은 도 5의 (b)의 불검출 시간보다 길어진다.이와 같이, PM 센서(8)에서, 배기가스 유속의 변화가 발생하는 경우, 내부에의 배기가스 도입이 저해되고 변화가 커질수록 불검출 시간이 길어지는 특성이 확인될 수 있다. 불검출 시간에서, PM은 PM 센서(8)의 센서 소자(8c) 상에 실제 축적되지 않으며, 따라서 PM이 축적된다고 상정하는 종래 기술에서는 잘못된 판정이 필터(4)의 이상 판정 제어에서 일어날 가능성이 있다. 종래 기술에 따르는 필터(4)의 이상 판정 제어가 도 6을 참조하여 후술될 것이다. 도 6의 (a)에서, 내연 기관(1)이 탑재된 차량의 차량 속도 추이가 선(L1)에 의해 표시된다. 도 6의 (b)에서, PM 센서(8)가 배치된 배기가스 통로(2)를 흐르는 배기가스 내의 PM의 양의 추이가 선(L2)에 의해 표시되고, PM 센서(8)의 센서 소자(8c) 상에 축적된 PM의 추정량(이후, "추정 PM 축적량")의 추이가 선(L3)에 의해 표시된다. 도 6의 (c)에서, PM 센서(8)의 센서 출력의 추이가 선(L4)에 의해 표시된다.종래 기술에 따르는 이상 판정 제어에서, PM 센서(8)의 센서 출력이 임계값보다 큰 경우, 필터(4)는 이상 상태라고 판정된다(도 6의 (c) 참조). PM 센서(8)에서, 배기가스 내의 PM은 센서 소자(8c) 상에 축적되고 PM 축적량은 센서 출력과 관련성을 갖는다. 필터(4)의 이상 상태를 효과적으로 판정하기 위해, PM을 PM 센서(8)에 일정 기간 동안 도입하고 필터(4)의 이상 상태를 PM 축적량에 강하게 반영하는 것이 필요하다. 따라서, 내연 기관(1)으로부터 배출되어 필터(4)를 통과하는 배기가스의 일부가 PM 센서(8)에 도입되고, 도입된 배기가스에 포함된 PM이 센서 소자(8c) 상에 축적된다는 전제로, 센서 소자(8c) 상의 PM 축적량이 추정된다. 추정 PM 축적량이 효과적인 이상 판정이 가능한 PM 축적량으로서 설정된 판정-수행 축적량에 도달하는 경우(도 6의 (b)에 도시된 시간(T1), PM 센서(8)의 센서 출력에 기초한 이상 판정이 수행된다.도 6의 (a)에 R1로 표시된 기간에서, 내연 기관(1)이 탑재된 차량은 급가속 이후 가속이 유지된다. 그 결과, 기간(R1) 이후, 배기가스 내의 실제 PM의 양이 증가한 상태는 선(L2)에 의해 표시된 바와 같이 유지된다. 여기서, 추정 PM 축적량은 내연 기관(1)에서의 가속 상태를 고려하여 배기가스에 포함되는 PM의 양을 반영함으로써, 센서 소자(8c) 상의 PM 축적량이 시간의 경과와 함께 증가하도록 추정된다. 그러나, 배기가스 통로(2) 내의 배기가스 유속은 차량의 급가속과 함께 크게 증가하기 때문에, 배기가스 유속의 변화로 인해 PM 센서(8)에의 배기가스의 도입이 저해되는 현상으로 인해 센서 소자(8c) 상의 PM 축적은 양호하게 수행되지 않고 도 6의 (c)에서 기간(R2)로 표시된 바와 같이 센서 출력이 변하지 않는 불검출 시간이 발생한다. 그 결과, 추정 PM 축적량이 판정-수행 축적량에 도달한 시점에서, PM은 실제로는 센서 소자(8c) 상에, 효과적인 이상 판정이 가능한 정도로 배기가스 내의 PM의 양을 반영한 양까지는 축적되지는 않는다. 몇몇 경우, 이상 판정이 이 시점에서 수행되는 경우, 센서 출력이 임계값보다 낮다는 이유로 필터(4)가 정상이라고 잘못 판정될 가능성이 있다.따라서, 본 실시예에 따르는 필터(4)의 이상 판정 시스템에서, 배기가스 유속의 변화로 인해 PM 센서(8)에의 배기가스 도입이 저해되는 현상을 고려하여 도 7에 도시된 이상 판정 제어가 수행되고 필터(4)의 이상 판정 정밀도의 향상이 달성된다. 이상 판정 제어는 ECU(20)에 저장된 제어 프로그램에 의해 수행된다. 본 실시예에 따르는 이상 판정 제어가 도 7을 참조하여 후술될 것이다.먼저, S101에서, PM 센서(8)의 센서 소자(8c) 상에 축적된 PM을 연소에 의해 제거하기 위해 센서 재생 처리가 수행된다. 구체적으로는, 히터(16)에 전력을 공급함으로써 센서 소자(8c)의 온도가 상승된다. S101의 처리가 종료될 때, 제어 흐름은 S102로 진행한다.S102에서, 센서 소자(8c) 상의 PM 축적량이 추정된다. 추정 처리는 상술된 바와 같이 종래 기술에서도 수행되지만, 본 발명에서의 PM 축적량의 추정으로서 다시 설명된다. 구체적으로, S102의 처리가 수행되는 시점에서, 배기가스에 포함된 PM의 양은 내연 기관(1)의 운전 상태(예를 들어, 기관 부하 또는 기관 회전 속도)에 기초하여 추정되고, PM을 포함하는 배기가스에 PM 센서(8)를 노출시킴으로써 센서 소자(8c) 상에 PM이 축적된다는 전제에서 배기가스 내의 PM의 양 및 배기가스 유량에 기초하여, 처리 시점에서 센서 소자(8c) 상에 새로 축적되는 PM의 양이 추정된다. PM 축적량을 추정하는 이전의 처리에서 추정된 센서 소자(8c) 상의 추정 PM 축적량에, 새로 축적되는 PM의 양을 가산함으로써, S102의 처리가 수행되는 시점에서의 센서 소자(8c) 상의 추정 PM 축적량이 산출된다. S102의 처리가 종료될 때, 제어 흐름은 S103으로 진행한다.S103에서, PM 센서(8)가 배치된 배기가스 통로(2) 내의 배기가스 유속의 변화(ΔVS)가 산출된다. 구체적으로, 식(1)에 의해 표현되는 상태 방정식을 사용하여 배기가스 유량(V)이 산출된다.V = n·R·T/P ... (1)여기서, n은 배기가스 물질의 양을 나타내고, R은 기체 상수를 나타내고, T는 배기가스 온도를 나타내고, P는 배기가스 압력을 나타낸다. 온도 센서(7)의 출력이 배기가스 온도(T)로서 사용된다. 압력 센서(6)의 출력이 배기가스 압력(P)으로서 사용된다. 압력 센서(6)가 설치되지 않은 경우, 도시되지 않은 대기압 센서의 출력에, 배기가스 유량을 고려하여 산출된 배기가스 통로(2)에서의 상대 압력값을 가산하여 획득된 압력이 배기가스 압력(P)으로서 채용될 수 있다. 여기서, n은 식(2)을 사용하여 산출된다.n = (배기가스 유량)/(배기가스의 분자량) ... (2)그리고, 식(1)에 의해 산출된 배기가스 유량(V)을, 배기가스 통로(2)를 형성하는 배기가스 파이프의 횡단 면적(S)(배기가스의 흐름에 수직인 방향에서의 단면적)에 의해 제산함으로써, 배기가스 유속(U)이 산출된다. 이전의 산출 처리에서 산출된 배기가스 유속(U)과, 금회의 산출 처리에서 산출된 새로운 배기가스 유속(U) 사이의 차이를 산출함으로써, 즉, 산출된 배기가스 유속(U)을 시간에 대해 미분함으로써, S103의 처리가 수행되는 시점에서의 배기가스 유속의 변화(ΔVS)가 산출된다. S103의 처리가 종료될 때, 제어 흐름은 S104로 진행한다.S104에서, S103에서 산출된 배기가스 유속의 변화(ΔVS)가 사전결정된 기준 변화(ΔVS0) 이상인지 여부가 판정된다. 사전결정된 기준 변화(ΔVS0)는 배기가스 통로(2)에서의 배기가스 유속의 변화(ΔVS)가 증가함으로써 PM 센서(8)에의 배기가스의 도입 실패가 발생한다고 판단하기 위한 변화 임계값이다. 따라서, S104의 판정 결과가 부정인 경우, PM 센서(8)에의 배기가스 도입이 양호하게 수행된다는 것을 의미하고, 이후 S105의 판정 처리가 수행된다. S105에서, 센서 소자(8c) 상의 추정 PM 축적량이 판정-수행 축적량 이상인지 여부가 판정된다. 판정-수행 축적량은 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이 PM 센서(8)의 출력에 기초한 필터(4)의 이상 판정의 수행 시기를 결정하기 위한 PM 축적량의 임계값이다. 즉, S105의 판정 처리는 본 발명에 따르는 판정 시기 결정 유닛에 의한 처리에 대응한다. S105의 판정 결과가 긍정인 경우 제어 흐름은 S106로 진행하고, S105의 판정 결과가 부정인 경우 S102 및 후속 단계의 처리가 반복 수행된다.S106에서, 필터(4)의 이상 판정을 수행하기 위해 도 6의 (c)에 도시된 바와 같이 PM 센서의 출력이 임계값 이상인지 여부가 판정된다. 임계값은 필터(4)의 이상 상태가 나타나기 때문에 PM이 충분히 포집되지 않은 배기가스가 그 하류 측으로 흐르는지 여부를 판정하기 위한 임계값이다. S106의 판정 결과가 긍정인 경우, 제어 흐름은 S107로 진행하고 필터(4)가 이상 상태라고 판정된다. 한편, S106의 판정 결과가 부정인 경우, 제어 처리는 S108로 진행하고, 필터(4)는 정상 상태라고 판정된다. S106 내지 S108의 처리는 본 발명에 따르는 이상 판정 유닛에 의한 처리에 대응한다.S104의 판정 결과가 긍정인 경우, 센서 소자(8c) 상의 추정 PM 축적량은 PM 센서(8)에의 배기가스의 도입 실패로 인해 PM 센서(8)의 출력을 결정하기 위해 사용되는 실제 PM 축적량과 괴리되고, PM을 포함하는 배기가스에 대한 PM 센서(8)의 노출에도 PM 센서(8)의 출력이 증가하지 않는 상태(도 6의 (c)에서 기간(R2)에 의해 표시되는 PM 센서(8)의 출력 상태)가 형성되는 것을 의미한다. 따라서, 이 경우 S106에서 도시된 필터(4)의 이상 판정이 수행되는 경우, 잘못된 판정 가능성이 증가한다. 따라서, S104의 판정 결과가 긍정인 경우, 제어 흐름은 S109로 진행하고, S105의 판정 처리를 통해 필터(4)의 이상 판정(즉, S106 내지 S108의 처리)의 수행을 회피하기 위해, S109에서는 지금까지 추정된 센서 소자(8c) 상의 PM 축적량이 리셋된다. 이상 판정 제어는 이러한 리셋에 의해 S101로부터 개시된다.도 7에 도시된 이상 판정 제어에서, 센서 소자(8c) 상의 추정 PM 축적량에 기초하여 필터(4)의 이상 판정의 수행이 결정된다는 전제 하에, 센서 재생 처리로부터 이상 판정의 수행까지의 기간에서 배기가스 유속의 변화가 사전결정된 기준 변화 이상인 경우, PM 센서(8)에의 배기가스의 도입 실패가 발생하며 따라서 이상 판정의 수행이 회피된다. 그 결과, 도 6을 참조하여 설명된, 필터(4)의 이상 판정에 대한 잘못된 판정이 회피되고 판정 정밀도를 적절하게 유지할 수 있다. 본 실시예에서, 필터(4)가 이상 상태라고 판정되는 경우, 내연 기관(1)의 사용자에게 이상 상태가 나타난다는 점을 알리기 위해 표시기 등이 점등될 수 있다.003c#변형예003e#상술된 실시예에서, 필터(4)의 이상 판정으로서 PM 센서(8)의 출력 및 임계값이 비교되지만, 상술된 양태 대신에, 예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이, PM 센서(8)의 출력이 사전결정된 출력 값에 도달할 때까지의 도달 시간에 기초하여, 필터(4)의 이상 판정이 수행될 수 있다. 구체적으로, S105의 판정 결과가 긍정인 경우, S111에 처리가 수행된다. S111에서, PM 센서(8)의 출력이 임계 출력값에 도달할 때까지의 시간(Ta)이 산출된다. 도달 시간(Ta)은 S101의 센서 재생 처리가 종료된 이후, 출력값이 임계 출력값(예를 들어, S106에서의 임계값과 동일한 센서 출력)에 도달할 때까지의 시간으로서 규정된다.그리고, S111의 처리가 종료된 후, S112에서, 도달 시간(Ta)이 기준 도달 시간보다 짧은지 여부가 판정된다. 기준 도달 시간은 필터(4)의 이상 상태를 반영하는 시간이며, 도달 시간(Ta)이 기준 도달 시간보다 짧은 경우 PM이 충분히 포집되지 않은 배기가스가 필터(4)의 하류 측으로 흐른다는 점이 생각될 수 있다. 따라서, S112의 판정 결과가 긍정인 경우, 제어 흐름은 S113으로 진행하고 필터(4)가 이상 상태라고 판정된다. 한편, S112의 판정 결과가 부정인 경우, 제어 흐름은 S114로 진행하고, 필터(4)는 정상 상태라고 판정된다. 이 방식으로, 도달 시간(Ta)에 기초하여 필터(4)의 이상 판정이 수행되고 본 발명에 따르는 이상 판정 제어에 의해 배기가스 유속의 변화가 사전결정된 기준 변화 이상인 경우에도, 이상 판정의 수행을 회피함으로써 필터(4)의 이상 판정에 대한 잘못된 판정을 회피할 수 있다.내연 기관(1)에서 수행되는 이상 판정 제어의 제2 실시예가 도 9를 참조하여 후술될 것이다. 여기서, 도 9에 도시된 이상 판정 제어에 포함된 처리 중 도 7에 도시된 이상 판정 처리에 포함된 것과 동일한 처리는 동일한 참조 부호에 의해 참조되며, 그 상세한 설명은 반복되지 않을 것이다. 본 실시예에서, S101의 처리 이후 S102의 처리는 수행되지 않고, 그 대신 S103의 처리가 수행된다. S103의 처리가 종료될 때, S201의 처리가 수행된다. S201에서, S104와 마찬가지로, 배기가스 유속의 변화(ΔVS)가 사전결정된 기준 변화(ΔVS0) 이상인지 여부가 판정된다. S201의 판정 결과가 긍정인 경우 처리 흐름은 S202로 진행하고, S201의 판정 결과가 부정인 경우 제어 흐름은 후술되는 S204로 진행한다.그리고, S202에서는, S103에서 산출된 배기가스 유속의 변화(ΔVS)에 기초하여 PM 센서(8)의 불검출 시간(D1)이 산출된다. 불검출 시간(D1)은 도 5를 참조하여 상술된 바와 같고, 배기가스 유속의 변화(ΔVS)와 관련성을 갖는다. 따라서, 배기가스 유속의 변화(ΔVS)와 PM 센서(8)에서의 불검출 시간(D1) 사이의 상관관계가 미리 측정되고, 제어 맵이 ECU(20)의 메모리에 미리 형성된다. S202의 처리 수행시 제어 맵에 액세스함으로써, PM 센서(8)의 불검출 시간(D1)이 산출된다. S202의 처리가 종료될 때, 제어 흐름은 S203으로 진행한다.S203에서, 배기가스 유속의 변화(ΔVS)가 개시(예를 들어, 도 5의 (b) 및 (c)에서의 시간(T0))된 이후 PM 센서(8)의 불검출 시간(D1)이 경과하는지 여부가 판정된다. S203의 판정 결과가 긍정인 경우 제어 흐름은 S204로 진행하고, S203의 판정 결과가 부정인 경우 S203의 처리가 반복된다. S204에서, 센서 소자(8c) 상의 PM 축적량은 S102와 유사하게 추정된다. S204이후, S105의 판정 처리를 통해 S106 내지 S108의 필터(4)의 이상 판정이 수행된다.도 9에 도시된 이상 판정 제어에서, 센서 소자(8c) 상의 추정 PM 축적량에 기초하여 필터(4)의 이상 판정의 수행이 결정된다는 전제 하에, 센서 재생 처리로부터 이상 판정의 수행까지의 기간에서 배기가스 유속의 변화가 사전결정된 기준 변화 이상인 경우, 배기가스 유속의 변화가 개시된 이후 PM 센서(8)의 불검출 시간(D1)이 경과할 때까지의 기간에서 센서 소자(8c) 상의 PM 축적량은 추정되지 않거나 PM 축적량의 추정은 대기 상태이다. 이는 상술된 바와 같이, 배기가스 유속의 변화가 비교적 커져 PM 센서(8)에의 배기가스의 도입 실패가 발생하고, 따라서 실제로 센서 소자(8c) 상의 PM의 축적을 수행하기 어렵다는 것을 고려한다. 이 처리를 수행함으로써, 도 6의 (b)에 도시된 이상 판정 수행 시기(T1)는 불검출 시간(D1)만큼 지연되고, 센서 소자(8c) 상의 실제 PM 축적량과 추정 PM 축적량 사이의 편차가 가능한 감소되는 상태에서 필터(4)의 이상 판정 수행 시기가 결정될 수 있다. 따라서, 필터(4)의 이상 판정에 관한 잘못된 판정을 회피하고 판정 정밀도를 적절하게 유지할 수 있다.내연 기관(1)에서 수행되는 이상 판정 제어의 제3 실시예가 도 10을 참조하여 후술될 것이다. 여기서, 도 10에 도시된 이상 판정 제어에 포함되는 처리 중 도 7 내지 도 9에 도시된 이상 판정 제어에 포함되는 것과 동일한 처리는 동일한 참조 부호에 의해 참조되며, 그 상세한 설명은 반복되지 않을 것이다. 본 실시예에서, S101의 처리 이후 S102의 처리는 수행되지 않고, 대신 S103의 처리가 수행된다. S103의 처리가 종료되는 경우, S301 내지 S309의 처리가 수행된다. 먼저, S301에서, S104와 마찬가지로, 배기가스 유속의 변화(ΔVS)가 사전결정된 기준 변화(ΔVS0) 이상인지 여부가 판정된다. S301의 판정 결과가 긍정인 경우 제어 흐름은 S302로 진행하고, S301의 판정 결과가 부정인 경우 제어 흐름은 후술되는 S306으로 진행한다.S301의 판정 결과가 긍정인 경우, S202와 마찬가지로, PM 센서(8)의 불검출 시간(D1)은 S103에서 산출된 배기가스 유속의 변화(ΔVS)에 기초하여 S302에서 산출된다. 이후, S303에서, S102와 마찬가지로, 센서 소자(8c) 내의 PM 축적량의 추정이 행하여진다. 이후, S304에서, 배기가스 유속의 변화로 인한 PM 센서(8)의 불검출 시간에, 즉 배기가스 유속의 변화가 개시된 이후 불검출 시간(D1)이 경과할 때까지의 기간에, S303의 처리에서 센서 소자(8c) 상의 PM 축적량으로서 가산된 추정 PM 축적량(PX)이 산출된다. 본 실시예에서, 후술되는 S306에서 PM 축적량이 추정되기 때문에, S304의 처리는 S303 및 S306의 추정 처리에 의해 추정 PM 축적량 중 S303의 추정 처리에서 가산된 PM 추정 축적량(PX)을 산출하는 처리이다. S304의 처리가 종료될 때, S305에서는, S203과 마찬가지로 배기가스 유속의 변화(ΔVS)가 개시된 이후 PM 센서(8)의 불검출 시간(D1)이 경과하는지 여부가 판정된다. S305의 판정 결과가 긍정인 경우 제어 흐름은 S307로 진행하고, S305의 판정 결과가 부정인 경우 S303 및 후속 단계의 처리가 반복된다.여기서, S301의 판정 결과가 부정인 경우, S306에서는 S303과 마찬가지로 센서 소자(8c) 상의 PM 축적량이 추정되고 이후 제어 흐름은 S307로 진행한다.그리고, S307에서, S304에서 산출된 PM 축적량(PX)에 기초하여, 필터(4)의 이상 판정을 수행하는 시기를 결정하기 위한 임계값인 판정-수행 축적량이 보정된다. 구체적으로, 보정되지 않은 판정-수행 축적량에 PM 축적량(PX)을 가산함으로써 획득된 PM 축적량이 보정된 판정-수행 축적량으로서 설정된다. 이러한 제어에서, S301의 판정 결과가 긍정이 아닌 경우, 즉 PM 축적량(PX)이 산출되지 않은 경우, 제어의 편의상, 보정되지 않은 판정-수행 축적량이 보정된 판정-수행 축적량으로서 설정된다. S307의 처리가 종료될 때, 제어 흐름은 S308로 진행한다.S308에서, 센서 소자(8c) 상의 추정 PM 축적량이 S307에서 보정된 판정-수행 축적량 이상인지 여부가 판정된다. S308의 판정 처리는 S105와 마찬가지로, 필터(4)의 이상 판정을 수행하는 시기를 결정하는 처리에 대응한다. S308의 판정 결과가 긍정인 경우 제어 흐름은 S309로 진행하고, S308의 판정 결과가 부정인 경우 S103의 처리 및 후속 단계가 반복된다. S309의 처리는 상술된 필터(4)의 이상 판정에 대응하고, S106 내지 S108의 처리를 집합적으로 나타낸다.도 10에 도시된 이상 판정 제어에서, 센서 소자(8c) 상의 추정 PM 축적량에 기초하여 필터(4)의 이상 판정의 실행이 결정된다는 전제 하에, 배기가스 유속의 변화가 사전결정된 기준 변화 이상인지 여부와 관계없이 센서 소자(8c) 상의의 PM 축적량을 추정하는 처리가 연속해서 수행된다. 그러나, 센서 재생 처리로부터 이상 판정의 수행까지 기간에서 배기가스 유속의 변화가 사전결정된 기준 변화 이상인 경우, 불검출 시간에서의 PM 축적량(PX)에 기초하여, 이상 판정의 수행 시기를 결정하기 위한 임계값인 판정-수행 축적량은 PM 축적량(PX)만큼 증가하도록 보정된다. 이러한 처리를 수행함으로써, 도 6의 (b)에 도시된 이상 판정 수행 시기(T1)는 판정-수행 축적량의 증가만큼 지연되고, 실제로 센서 소자(8c) 상의 실제 PM 축적량과 추정 PM 축적량 사이의 편차가 가능한 감소된 상태에서 필터(4)의 이상 판정 수행 시기가 결정될 수 있다. 따라서, 필터(4)의 이상 판정에 관한 잘못된 판정을 회피하고 판정 정밀도를 적절하게 유지할 수 있다.내연 기관(1)에서 수행되는 이상 판정 제어의 제4 실시예가 도 11을 참조하여 후술될 것이다. 여기서, 도 11에 도시된 이상 판정 제어에 포함되는 처리 중 도 10에 도시된 이상 판정 제어에 포함되는 것과 동일한 처리는 동일한 참조 부호에 의해 참조되며, 그 상세한 설명은 반복되지 않을 것이다. 본 실시예에서, 도 10에 도시된 S307 및 S308의 처리 대신에, S401 및 S402의 처리가 수행된다. 구체적으로, S305의 판정 결과가 긍정이거나 S306의 처리가 종료된 경우, S401의 처리가 수행된다. S401에서, S304에서 산출된 PM 축적량(PX)에 기초하여 현시점까지 추정된 센서 소자(8c) 상의 PM 축적량이 보정된다. 구체적으로, 보정되지 않은 PM 추정 축적량으로부터 PM 축적량(PX)을 감산함으로써 획득된 PM 축적량이 보정된 판정-수행 축적량으로서 설정된다. 이러한 제어에서, S301의 판정 결과가 긍정이 아닌 경우, 즉 PM 축적량(PX)이 산출되지 않은 경우, 제어의 편의상, 보정되지 않은 추정 PM 축적량이 보정된 추정 PM 축적량으로서 설정된다. S401의 처리가 종료될 때, 제어 흐름은 S402로 진행한다.그리고, S402에서, S401에서 보정된 추정 PM 축적량이 판정-수행 축적량 이상인지 여부가 판정된다. S401의 판정 처리는 S105와 마찬가지로, 필터(4)의 이상 판정의 수행 시기를 결정하는 처리에 대응한다. S402의 판정 결과가 긍정인 경우 제어 흐름은 S309로 진행하고, S402의 판정 결과가 부정인 경우 S103 및 후속 단계의 처리가 반복된다.도 11에 도시된 이상 판정 제어에서, 센서 소자(8c) 상의 추정 PM 축적량에 기초하여 필터(4)의 이상 판정의 수행이 결정된다는 전제 하에, 배기가스 유속의 변화가 사전결정된 기준 변화 이상인지 여부와 관계없이 센서 소자(8c) 상의 PM 축적량의 추정 처리가 연속해서 수행된다. 그러나, 센서 재생 처리로부터 이상 판정의 수행까지의 기간에서 배기가스 유속의 변화가 사전결정된 기준 변화 이상이 되는 경우, 그때까지 추정된 센서 소자(8c) 상의 PM 축적량은 불검출 시간에서의 PM 축적량(PX)에 기초하여 PM 축적량(PX)만큼 감소되도록 보정된다. 이 처리를 수행함으로써, 도 6의 (b)에 도시된 이상 판정 수행 시기(T1)는 추정 PM 축적량의 감소만큼 지연되고, 센서 소자(8c) 상의 실제 PM 최적량과 추정 PM 축적량 사이의 편차가 가능한 감소된 상태에서 필터(4)의 이상 판정 수행 시기가 결정될 수 있다. 따라서, 필터(4)의 이상 판정에 관한 잘못된 판정을 회피하고 판정 정밀도를 적절하게 유지할 수 있다.	필터 이상 판정 시스템은 필터(4)의 하류 측 상의 배기가스 통로(2)에서 흐르는 배기가스의 일부를 센서 본체 내에 도입하고 센서 본체 내의 센서 소자 상에 축적된 미립자 물질의 양을 센서 출력과 관련시키도록 구성되는 PM 센서(8), PM 센서(8)의 출력에 기초하여 필터 이상 판정을 수행하도록 구성되는 이상 판정 유닛(20), 이상 판정 유닛(20)이 센서 소자 상의 미립자 물질의 추정 축적량에 기초하여 이상 판정을 수행하는 시기를 결정하도록 구성되는 판정 시기 결정 유닛, 및 PM 센서(8)가 배치된 배기가스 통로(2)에서 단위 시간당 배기가스 유속의 변화에 따라서 판정 시기 결정 유닛에 의해 결정되는 수행 시기를 조정하도록 구성되는 판정 수행 조정 유닛을 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 펌프 대수 제어 방법, 펌프 대수 제어 장치, 펌프 시스템, 열원 시스템 및 기록 매체METHOD FOR CONTROLLING NUMBER OF PUMPS, DEVICE FOR CONTROLLING NUMBER OF PUMPS, PUMP SYSTEM, HEAT SOURCE SYSTEM, AND STORAGE MEDIUM [ 기술분야 ] 본 발명은 펌프 대수 제어 방법, 펌프 대수 제어 장치, 펌프 시스템, 열원 시스템 및 프로그램에 관한 것이다.본원은, 2014년 1월 31일에, 일본에 출원된 특허 출원 제2014-017187호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다. [ 배경기술 ] 공조기 등의 부하 장치에 열원기로부터 냉수나 온수(이하, 냉온수) 등의 열매체를 공급하는 열원 시스템에 있어서 열원기에 냉온수를 압송하는 1차 펌프 외에, 열원기로부터 이격된 공조기에 열매체를 재압송할 목적으로 열원기와 공조기 사이에 병렬로 접속한 복수대의 2차 펌프를 설치하는 경우도 많다. 그와 같은 2차 펌프를 갖는 열원 시스템에 있어서, 부하 장치에의 토출 유량을 만족시킬 수 있도록 2차 펌프의 운전대수를 결정하는 방법이 존재한다. 이러한 방법에 있어서는 일반적으로, 펌프의 대수 증감을 행하는 기준으로 되는 역치를 설정하고, 공급 경로의 도중에 구비된 계측기에서 측정한 열매체의 유량이 그 역치를 초과하면 펌프를 추가 기동하고, 반대로 역치 이하로 되면 정지시킨다고 하는 제어를 행하는 경우가 많다. 그러나, 이와 같이 측정한 유량만으로 펌프 운전대수의 증감의 판단을 행하면 펌프의 능력에 아직 여유가 있는, 즉 펌프의 주파수가 정격 주파수에 비해 여유가 있음에도 불구하고 펌프를 추가 기동해 버릴 가능성이 있다.예를 들어 특허문헌 1에서는, 2차 펌프의 운전대수마다 정해진 펌프의 토출 압력과 펌프의 토출 유량의 관계를 나타낸 곡선과, 부하 장치에 공급하는 열매체의 유량과 그것에 필요한 펌프의 토출 압력의 상관을 나타내는 제어선의 교점에서 결정한 유량을 역치로 하여 펌프 운전대수를 변화시킴으로써, 대수 변화 후도 토출 압력을 유지할 수 있는 유량의 역치를 설정하고 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특허 제5261153호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 특허문헌 1의 방법의 경우, 배관의 압력 손실 특성을 정확하게 파악하고, 그것을 반영한 제어선이 얻어지지 않으면 유의한 역치를 얻는 것은 어렵다. 배관의 압력 손실이란, 배관 중에 열매체가 흐를 때에 발생하는 마찰이나, 배관의 구부러짐, 밸브에 의한 저항 등에 의한 펌프 토출 압력의 손실이며, 압력 손실 특성이란 열매체의 유량에 대한 압력 손실의 변화 특성이다. 특히 부하 장치가 공조기인 경우, 공조기에 구비된 제어 밸브에 의해 계통의 압력 손실이 변화되기 때문에, 상술한 제어선도 변화되는 것을 고려하지 않으면, 펌프의 운전대수 제어에 사용하는 역치가 어긋나 버릴 가능성이 있다. 적절한 타이밍에서 펌프의 운전대수를 변화시킬 수 없으면, 불필요한 대수 변화에 의해 열매체의 유량이나 압력 등이 변동되어 버려, 열원 시스템을 안정적으로 운전할 수 없게 된다.본 발명은 펌프 대수 제어 방법, 펌프 대수 제어 장치, 펌프 시스템, 열원 시스템 및 프로그램을 제공한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 제1 형태에 의하면, 펌프 대수 제어 방법은, 병렬로 접속된 복수의 펌프가 부하에 압송하는 열매체의 유량 혹은 상기 부하가 필요로 하는 열부하와, 상기 복수의 펌프 중 운전 중인 각 펌프에 지령한 주파수 지령값에 기초하여 상기 펌프의 운전대수를 증감시키는 공정을 갖는다.본 발명의 제2 형태에 의하면, 제1 형태에 따른 펌프 대수 제어 방법에 있어서, 상기 복수의 펌프 중 운전 중인 펌프에 의한 토출 유량의 측정값으로부터 상기 부하에 압송하는 열매체의 유량을 나타내는 대수 판단 유량값을 취득하는 공정을 갖고, 상기 펌프의 운전대수를 증감시키는 공정은, 상기 대수 판단 유량값이 미리 정해진 역치 Gα 이상, 또한, 각 펌프에 지령한 주파수 지령값이 미리 정해진 역치 Fα 이상으로 된 경우에 상기 펌프의 운전대수를 증가시키고, 또한, 상기 대수 판단 유량값이 미리 정해진 역치 Gβ 이하, 또한, 각 펌프에 지령한 주파수 지령값이 미리 정해진 역치 Fβ 이하로 된 경우에 상기 펌프의 운전대수를 감소시킨다.본 발명의 제3 형태에 의하면, 제1 형태에 따른 펌프 대수 제어 방법에 있어서, 상기 부하가 요구하는 열부하를 산출하는 공정을 갖고, 상기 펌프의 운전대수를 증감시키는 공정은, 상기 열부하가 미리 정해진 역치 Lα 이상, 또한, 각 펌프에 지령한 주파수 지령값이 미리 정해진 역치 Fα 이상으로 된 경우에 상기 펌프의 운전대수를 증가시키고, 또한, 상기 열부하가 미리 정해진 역치 Lβ 이하, 또한, 각 펌프에 지령한 주파수 지령값이 미리 정해진 역치 Fβ 이하로 된 경우에 상기 펌프의 운전대수를 감소시킨다.본 발명의 제4 형태에 의하면, 제2 또는 제3 형태에 따른 펌프 대수 제어 방법에 있어서, 상기 펌프의 운전대수를 증감시키는 공정은, 또한 상기 펌프의 펌프 헤드와, 상기 펌프를 대수 증가시키는 역치인 대수 증가 허가 펌프 헤드 또는 상기 펌프를 대수 감소시키는 역치인 대수 감소 허가 펌프 헤드를 비교하고, 상기 대수 증가 허가 펌프 헤드가 상기 펌프 헤드보다 작은 경우만 펌프의 운전대수를 증가시키고, 상기 대수 감소 허가 펌프 헤드가 상기 펌프 헤드보다 큰 경우만 펌프의 운전대수를 감소시킨다.본 발명의 제5 형태에 의하면, 제4 형태에 따른 펌프 대수 제어 방법에 있어서, 상기 펌프 운전대수 증가 후의 펌프의 토출 유량과 펌프의 토출 유량에 대한 펌프 헤드의 미리 정해진 상관에 기초하여 산출한 펌프 헤드로부터, 상기 펌프의 주파수를 미리 정해진 역치 Fβ로 동작시켰을 때의 펌프 헤드를 산출하여 상기 대수 증가 허가 펌프 헤드를 구하고, 또한, 상기 펌프 운전대수 감소 후의 펌프의 토출 유량과 상기 미리 정해진 상관에 기초하여 산출한 펌프 헤드로부터, 상기 펌프의 주파수를 미리 정해진 역치 Fα로 동작시켰을 때의 펌프 헤드를 산출하여 상기 대수 감소 허가 펌프 헤드를 구하는 공정을 갖는다.본 발명의 제6 형태에 의하면, 제2 또는 제3 형태에 따른 펌프 대수 제어 방법에 있어서, 펌프의 운전대수의 증감 후에 있어서의 펌프 헤드와 현재의 펌프 헤드가 동일한 것을 조건으로 상기 운전 중인 펌프의 소정의 주파수에 있어서의 펌프 헤드와 펌프의 토출 유량의 미리 정해진 상관에 기초하여 펌프의 운전대수 증가 후의 주파수 지령값과 운전대수 감소 후의 주파수 지령값을 취득하는 공정을 갖고, 상기 펌프의 운전대수를 증감시키는 공정은, 또한 상기 운전대수 증가 후의 주파수 지령값이 상기 역치 Fβ보다 클 때만 펌프의 운전대수를 증가시키고, 또한, 상기 운전대수 감소 후의 주파수 지령값이 상기 역치 Fα보다 작을 때만 펌프의 운전대수를 감소시킨다.본 발명의 제7 형태에 의하면, 제2 내지 제6 형태 중 어느 하나의 형태에 따른 펌프 대수 제어 방법에 있어서, 상기 운전 중인 펌프의 소정의 주파수에 있어서의 토출 유량과 펌프 효율의 미리 정해진 상관에 기초하여 펌프의 운전대수 증가 후의 펌프 효율과 운전대수 감소 후의 펌프 효율과 현재의 펌프 효율을 취득하는 공정을 갖고, 상기 펌프의 운전대수를 증감시키는 공정은, 또한 상기 운전대수 증가 후의 펌프 효율이 상기 현재의 펌프 효율 이상인 경우만 펌프의 운전대수를 증가시키고, 또한, 상기 운전대수 감소 후의 펌프 효율이 상기 현재의 펌프 효율 이상인 경우만 펌프의 운전대수를 감소시킨다.또한 본 발명의 제8 형태에 의하면, 펌프 대수 제어 장치는, 부하에 열매체를 압송하는 병렬로 접속된 복수의 펌프의 운전대수를, 상기 부하에 압송하는 열매체의 유량 혹은 상기 부하가 필요로 하는 열부하와 상기 복수의 펌프 중 운전 중인 각 펌프에 지령한 주파수 지령값에 기초하여 증감시키는 펌프 대수 제어부를 구비한다.또한 본 발명의 제9 형태에 의하면, 펌프 시스템은, 병렬로 접속된 복수의 펌프와, 제8 형태에 따른 펌프 대수 제어 장치를 구비하고, 상기 펌프의 1대당의 펌프 헤드와 유량 측정값을 변화시키지 않도록 상기 펌프의 운전대수를 변화시킨다.또한 본 발명의 제10 형태에 의하면, 열원 시스템은, 부하와, 병렬로 접속된 복수의 열매체를 압송하는 열원기와, 병렬로 접속된 복수의 열원기로부터 압송된 열매체를 또한 부하에 압송하는 2차 펌프와, 제8 형태에 따른 펌프 대수 제어 장치를 구비한다.또한 본 발명의 제11 형태에 의하면, 프로그램은, 펌프 대수 제어 장치의 컴퓨터를, 병렬로 접속된 복수의 펌프가 부하에 압송하는 열매체의 유량 혹은 상기 부하가 필요로 하는 열부하와, 상기 복수의 펌프 중 운전 중인 각 펌프에 지령한 주파수 지령값에 기초하여 상기 펌프의 운전대수를 증감시키는 수단으로서 기능시킨다. [ 발명의 효과 ] 상술한 펌프 대수 제어 방법, 펌프 대수 제어 장치, 펌프 시스템, 열원 시스템 및 프로그램에 의하면, 압력 손실 특성 등 설비의 특성을 알 것 없이 적절한 타이밍에서 펌프의 운전대수를 적절하게 제어할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 열원 시스템의 개략도이다.도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 펌프 대수 제어 장치의 기능 블록도이다.도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 펌프 대수 제어 장치의 처리 플로우를 도시하는 도면이다.도 4는 본 발명의 제1 실시 형태의 변형예에 의한 열원 시스템의 개략도이다.도 5는 본 발명의 제1 실시 형태의 변형예에 의한 펌프 대수 제어 장치의 기능 블록도이다.도 6은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 펌프 대수 제어 장치의 기능 블록도이다.도 7은 펌프의 특성을 나타내는 Q-H 특성의 일례를 도시하는 도면이다.도 8a는 2차 펌프의 운전대수를 1대에서 2대로 대수 증가시켰을 때의 변화를 도시하는 도면이다.도 8b는 2차 펌프의 운전대수를 1대에서 2대로 대수 증가시켰을 때의 변화를 도시하는 도면이다.도 9는 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 펌프 대수 제어 장치의 처리 플로우를 도시하는 도면이다.도 10은 본 발명의 제3 실시 형태에 의한 펌프 대수 제어 장치의 기능 블록도이다.도 11은 본 발명의 제3 실시 형태에 의한 펌프 대수 제어 장치의 처리 플로우를 도시하는 도면이다.도 12는 본 발명의 제4 실시 형태에 의한 펌프 대수 제어 장치의 기능 블록도이다.도 13은 펌프의 토출 유량과 펌프 효율의 상관의 일례를 도시하는 도면이다.도 14는 본 발명의 제4 실시 형태에 의한 펌프 대수 제어 장치의 처리 플로우를 도시하는 도면이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 003c#제1 실시 형태003e#이하, 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 열원 시스템을 도 1∼도 3을 참조하여 설명한다.도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 열원 시스템의 개략도이다.도 1에 도시한 바와 같이 본 실시 형태의 열원 시스템은, 열원기(30)와, 1차 펌프(10)와, 2차 펌프(20)와, 부하(40)와, 유량계(21)와, 펌프 대수 제어 장치(50)를 구비하고 있다.열원기(30)는 부하에 대하여 물 등의 냉각용 또는 가열용의 열매체를 공급하는 장치이다. 1차 펌프(10)는 열원기(30)에 열매체를 압송한다. 열원기(30)는 부하에 대하여 물 등의 냉각용 또는 가열용의 열매체를 공급하는 장치이다. 본 실시 형태에 의한 열원 시스템에서는 열원기(30) 및 1차 펌프(10)의 조합은 병렬로 복수 설치되어 있어도 된다. 도면에는 1차 펌프(10)가 병렬로 복수 설치되어 있는 상태를 도시하고 있다.2차 펌프(20)는 열원기(30)로부터 보내어져 오는 열매체를 부하(40)에 압송한다. 2차 펌프(20)는 서로 병렬로 접속되어 설치되어 있고, 부하(40)로부터의 요구에 따라서 부하(40)에 공급하는 열매체의 유량을 제어한다.유량계(21)는 펌프로부터 압송된 열매체의 단위 시간당의 유량을 측정하는 유량계이다.부하(40)는 예를 들어 공조기이다. 부하(40)는 열매체에 대하여 방열 또는 흡열을 행하고, 그 후의 열매체를 열원기(30)에 환류시킨다.펌프 대수 제어 장치(50)는 2차 펌프(20)의 운전대수를 부하(40)가 필요로 하는 요구 부하에 따라서 대수 증감시키는 기능을 갖는 장치이다.도 1에 있어서 열원기(30), 1차 펌프(10), 2차 펌프(20)는 2대씩 설치되어 있지만, 이들 대수에 한정되지 않는다. 예를 들어 열원기(30) 및 1차 펌프(10)가 6대씩 설치되고, 2차 펌프(20)는 9대 설치되어 있어도 된다.또한, 이 열원 시스템에는, 부하(40)의 요구 부하에 따라서 열매체의 공급량을 조정하기 위해 열원기(30)의 운전대수를 제어하는 장치(도시하지 않음)가 구비되어 있어도 된다.도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 펌프 대수 제어 장치의 기능 블록도이다.도 2를 사용하여 본 실시 형태에 있어서의 펌프 대수 제어 장치(50)에 대하여 설명한다.도 2에 도시한 바와 같이, 펌프 대수 제어 장치(50)는 대수 판단 유량값 취득부(101), 대수 판단 주파수값 취득부(102), 펌프 주파수 설정부(103), 유량 취득부(104), 펌프 대수 제어부(105), 기억부(200)를 구비하고 있다.대수 판단 유량값 취득부(101)는 유량에 따라 2차 펌프(20)의 운전대수를 증감시키는 경우에 사용하는 역치인 유량 대수 증가 역치 Gα, 유량 대수 감소 역치 Gβ를 기억부(200)로부터 판독하여 취득한다. 또한, 대수 판단 유량값 취득부(101)는 예를 들어 이하의 식 (1)에 의해 대수 판단 유량값을 산출한다.여기서, Gload는 운전 중인 전체 2차 펌프(20)로부터 압송된 물 등 열매체의 유량의 측정값이다. G0i는, 현재 운전되고 있는 2차 펌프의 정격 유량이다. 대수 판단 유량값은, 운전 중인 2차 펌프의 정격 유량의 합에 대한 운전 중인 전체 펌프에 의한 토출 유량의 측정값의 비율이다.대수 판단 주파수값 취득부(102)는 주파수에 의해 2차 펌프(20)의 운전대수를 증감시키는 경우에 사용하는 역치인 주파수 대수 증가 역치 Fα, 주파수 대수 감소 역치 Fβ를 기억부(200)로부터 판독하여 취득한다. 또한, 대수 판단 주파수값 취득부(102)는 펌프 주파수 설정부(103)가 각 2차 펌프(20)에 대하여 출력한 주파수 지령값을 펌프 주파수 설정부(103)로부터 취득하고, 대수 판단 주파수값으로 한다.펌프 주파수 설정부(103)는 2차 펌프(20)에 대하여 펌프를 운전하는 주파수를 지령한다. 주파수란, 2차 펌프(20)를 구동하는 모터를 회전시키기 위한 전력 주파수이며, 펌프 주파수 설정부(103)는 주파수를 지정하고 펌프의 회전수를 변경함으로써 펌프의 출력을 제어한다. 펌프 주파수 설정부(103)는 운전 상태에 있는 복수의 2차 펌프(20)에 대해서는 동일한 주파수 지령값을 출력하는 것으로 한다.유량 취득부(104)는 유량계(21)가 측정한 열매체의 유량을 취득한다.펌프 대수 제어부(105)는 펌프에 의해 압송된 열매체의 유량이나 펌프의 주파수가 소정의 조건을 만족시킬 때에 펌프의 운전대수를 증가시킨다. 본 실시 형태에서는, 이하의 2개 조건을 만족시킨 경우에 펌프의 운전대수를 증가시킨다.003c#대수 증가 조건 1 : 유량에 의한 판단003e#003c#대수 증가 조건 2 : 주파수에 의한 판단003e#여기서, 대수 판단 주파수값은 펌프 주파수 설정부(103)가 2차 펌프(20)에 출력한 주파수 지령값 Fset와 동일한 값이다. Fα는 대수 판단 주파수값 취득부(102)가 취득한 역치이다.즉, 현재 운전되고 있는 2차 펌프(20) 모두에 의해 압송되고 있는 유량의, 운전 중인 2차 펌프(20)가 갖는 송수 능력의 총합에 대한 비율이 역치 Gα 이상(식 (2))이고, 또한, 각 2차 펌프(20)에 출력한 주파수 지령값이 역치 Fα 이상(식 (3))일 때에 펌프 대수 제어부(105)는 2차 펌프(20)의 운전대수를 증가시킨다.또한, 펌프 대수 제어부(105)는 펌프에 의해 압송된 열매체의 유량이나 펌프의 주파수가 소정의 조건을 만족시킬 때에 펌프의 운전대수를 감소시킨다. 본 실시 형태에서는, 이하의 2개 조건을 만족시킨 경우에 펌프의 운전대수를 감소시킨다.003c#대수 감소 조건 1 : 유량에 의한 판단003e#여기서, Gβ는 대수 판단 유량값 취득부(101)가 취득한 역치이다.003c#대수 감소 조건 2 : 주파수에 의한 판단003e#여기서, Fβ는 대수 판단 주파수값 취득부(102)가 취득한 역치이다. 또한, 대수 판단 주파수값이란, 예를 들어 펌프 주파수 설정부(103)가 2차 펌프(20)에 대하여 지정하는 주파수 지령값이다.즉, 현재 운전되고 있는 2차 펌프(20) 모두에 의해 압송되고 있는 유량의 현재 운전되고 있는 2차 펌프(20)가 갖는 송수 능력의 총합에 대한 비율이 역치 Gβ 이하(식 (4))이고, 또한, 각 2차 펌프(20)에 출력한 주파수 지령값이 역치 Fβ 이하(식 (5))일 때에 펌프 대수 제어부(105)는 2차 펌프(20)의 운전대수를 감소시킨다.기억부(200)는 펌프 대수의 증감을 판정하는 데에 사용하는 Gα, Fα 등의 역치나 2차 펌프(20)의 특성을 나타낸 정보 등을 유지하고 있다. 특성 정보란 예를 들어, Q-H 특성, 펌프의 토출 유량과 펌프 효율의 상관을 나타내는 그래프 등이다.도 3은 본 실시 형태에 의한 펌프 대수 제어 장치의 처리 플로우를 도시하는 도면이다.도 3의 처리 플로우를 사용하여 펌프 대수 제어 장치(50)가 2차 펌프(20)의 운전대수를 증감시키는 처리에 대하여 설명한다.전제로서 도 1에 도시한 열원 시스템이 가동되고 있고, 예를 들어 부하(40)가 공조기이고, 이용자가 온도 설정을 상하시키면 요구 부하는 증감하고, 그것에 수반하여 펌프 대수 제어 장치(50)가 2차 펌프(20)의 운전대수를 제어하는 것으로 한다. 또한, 펌프의 대수 증감 직후에 있어서의 2차 펌프(20)의 유량의 총합은 대수 증감 전과 변화되지 않고, 또한 2차 펌프(20)의 1대당의 펌프 헤드(펌프의 양정)도 변화되지 않는 것으로 한다.먼저, 유량 취득부(104)가 유량계(21)가 측정한 단위 시간당의 유량을 취득한다(스텝 S1). 유량계(21)가 측정한 유량은 1대 또는 복수대의 2차 펌프(20)에 의해 압송된 열매체의 총 유량이다. 이 측정값은, 실제로 배관을 흐르고 있는 유량을 측정한 값이기 때문에 배관의 압력 손실 특성이 반영된 값이라고 생각할 수 있다.다음에 대수 판단 유량값 취득부(101)가 기억부(200)에 저장된 상기의 역치 Gα, Gβ를 판독하여 취득한다. 또한, 대수 판단 유량값 취득부(101)가 식 (1)에 의해 대수 판단 유량값을 산출한다(스텝 S2). 대수 판단 유량값 취득부(101)는 이들 값을 펌프 대수 제어부(105)에 출력한다.다음에 대수 판단 주파수값 취득부(102)가 기억부(200)에 저장된 상기의 역치 Fα, Fβ를 판독하여 취득한다. 또한, 대수 판단 주파수값 취득부(102)가, 펌프 주파수 설정부(103)로부터 2차 펌프(20)에 대하여 지령한 펌프 주파수 지령값을 대수 판단 주파수값으로서 취득한다(스텝 S3). 대수 판단 주파수값 취득부(102)는 이들 값을 펌프 대수 제어부(105)에 출력한다.다음에, 펌프 대수 제어부(105)는 식 (2) 및 식 (3)을 평가하여 「대수 증가 조건 1」 및 「대수 증가 조건 2」의 판정을 행한다(스텝 S4). 그리고, 펌프 대수 제어부(105)는 양쪽의 조건을 만족시킬 때(스텝 S4="예"), 현재 정지되어 있는 2차 펌프(20) 중 1대를 기동하여, 2차 펌프(20)를 대수 증가시킨다(스텝 S5).비교의 결과, 「대수 증가 조건 1」 및 「대수 증가 조건 2」 중 어느 하나의 조건이라도 만족시키지 않는 경우(스텝 S4="아니오"), 스텝 S6의 처리로 진행한다.다음에 펌프 대수 제어부(105)는 식 (4) 및 식 (5)를 평가하여 「대수 감소 조건 1」 및 「대수 감소 조건 2」의 판정을 행한다(스텝 S6). 그리고, 펌프 대수 제어부(105)는 양쪽의 조건을 만족시킬 때(스텝 S6="예"), 현재 기동되고 있는 2차 펌프(20) 중 1대를 정지하여, 2차 펌프(20)를 대수 감소시킨다(스텝 S7).비교의 결과, 「대수 감소 조건 1」 및 「대수 감소 조건 2」 중 어느 하나의 조건이라도 만족시키지 않는 경우(스텝 S6="아니오"), 스텝 S8의 처리로 진행한다.마지막으로 펌프 대수 제어 장치(50)는, 열원 시스템이 이용자 등의 조작에 의해 정지되었는지 여부를 소정의 방법에 의해 판정한다. 열원 시스템의 운전이 정지된 경우(스텝 S8="예"), 본 처리 플로우는 종료된다. 운전이 계속되는 경우(스텝 S8="아니오"), 스텝 S1로부터의 처리를 반복한다.본 실시 형태에 의한 효과에 대하여 설명한다. 예를 들어, 부하의 저하에 의해 공조기의 밸브가 교축되어, 계통의 압력 손실이 큰 「열원 시스템 상태 1」에 있어서, 1대의 2차 펌프(20)가 운전 중이며, 그때의 토출 유량의 측정값이 100㎥/h이다. 또한 반대로 부하의 상승에 의해 압력 손실이 작아진 「열원 시스템 상태 2」에 있어서, 1대의 2차 펌프(20)가 운전 중이며, 역시 토출 유량의 측정값이 100㎥/h이다. 그리고, 2차 펌프(20)의 운전대수를 1대에서 2대로 증가시키는 역치는 100㎥/h이다.이때 「열원 시스템 상태 1」에 있어서는 압력 손실이 크기 때문에, 2차 펌프(20)를 최대에 가까운 값의 주파수에서 가동하고 있음에도 불구하고 토출 유량의 측정값이 100㎥/h인 것으로 하면, 미리 설정된 역치에 따라서 2차 펌프(20)의 운전대수를 2대로 하는 것은 적절한 제어라고 생각된다. 한편, 「열원 시스템 상태 2」에 있어서는, 압력 손실이 작기 때문에, 예를 들어 최대 주파수의 절반 정도의 주파수에서 2차 펌프(20)를 가동하여 100㎥/h의 유량이 얻어지고 있다. 이 경우, 2차 펌프(20)의 운전대수를 증가시키는 것은 반드시 적절한 것은 아니고, 현재 가동되고 있는 2차 펌프(20)의 주파수를 증가시키면 부하 장치가 요구하는 유량을 공급할 수 있을 가능성도 있다. 이와 같은 경우, 유량만을 대수 증감의 판단에 사용하는 종래의 방법에서는, 2차 펌프를 대수 증가시킨다. 펌프의 대수 증가는 시스템에 흐르는 열매체의 압력, 유량에 큰 변화를 초래한다.본 실시 형태에 의하면, 시스템의 압력 손실 정보를 포함한 실제의 유량의 측정값 외에, 주파수 지령값에 의한 판단을 행함으로써 압력 손실 등 설비의 상세를 알 필요없이 2차 펌프(20)의 대수 증감이 가능해진다. 또한, 펌프 주파수 지령값을 사용하여 대수 증감을 판단함으로써 펌프의 여력을 고려한 2차 펌프(20)의 증감이 가능하게 되고, 예를 들어 펌프의 능력에 여유가 있는 데도 대수 증가시켜 버리는 바와 같은 제어를 방지할 수 있도록 되기 때문에, 펌프의 대수 증감이 발생하기 어려워져, 종래 방법보다 더욱 안정된 열원 시스템의 운전이 가능해진다. 마찬가지로, 펌프를 대수 감소시킬 때도, 주파수를 저하시킴으로써 펌프의 능력을 더욱 떨어뜨릴 수 있는 데도 대수 감소시켜 버리는 것을 방지할 수 있다.003c#변형예003e#본 실시 형태의 변형예로서 열매체의 유량 대신에 부하(40)가 필요로 하는 열부하를 사용하는 것도 가능하다. 이하, 변형예에 대하여 도 4∼도 5를 참조하여 설명한다.도 4는 본 실시 형태의 변형예에 의한 열원 시스템의 개략도이다.이 변형예의 열원 시스템은, 온도계(22), 온도계(23)를 구비하고 있다. 그 밖의 구성은 제1 실시 형태와 동일하다.온도계(22)는 부하(40)의 입구 부근에 설치되어 있다. 온도계(22)는 부하(40)에 공급되는 열매체의 온도를 측정한다.온도계(23)는 부하(40)의 출구 부근에 설치되어 있다. 온도계(23)는 부하(40)로부터 열원기(30)에 환류하는 열매체의 온도를 측정한다.도 5는 본 실시 형태의 변형예에 의한 펌프 대수 제어 장치의 기능 블록도이다.이 변형예의 펌프 대수 제어 장치(50)는 온도 취득부(110)를 구비하고, 대수 판단 유량값 취득부(101) 대신에 대수 판단 열부하 취득부(111)를 구비하는 점에서 제1 실시 형태와 상이하다. 본 실시 형태의 그 밖의 구성은 제1 실시 형태와 동일하다.온도 취득부(110)는 온도계(22), 온도계(23)가 측정한 열매체의 온도를 취득한다.대수 판단 열부하 취득부(111)는 미리 정해진 역치인 열부하 대수 증가 역치 Lα, 열부하 대수 감소 역치 Lβ를 기억부(200)로부터 판독한다. 또한, 대수 판단 열부하 취득부(111)는 유량 취득부(104)로부터 열매체의 유량을, 온도 취득부(110)로부터는 온도계(22), 온도계(23)가 측정한 열매체의 온도를 취득하여 부하(40)가 필요로 하는 부하(열부하)를 산출한다. 열부하는, 예를 들어 이하의 식을 사용하여 산출할 수 있다.여기서, 「열매체의 유량」은 유량계(21)가 측정한 값이며, 대수 판단 열부하 취득부(111)가 유량 취득부(104)로부터 취득한 값이다. 「환류하는 열매체의 온도」는, 온도계(23)가 측정한 온도이며, 대수 판단 열부하 취득부(111)가 온도 취득부(110)로부터 취득한 값이다. 「공급되는 열매체의 온도」는, 온도계(22)가 측정한 온도이며, 대수 판단 열부하 취득부(111)가 온도 취득부(110)로부터 취득한 값이다. 열매체의 비열 및 열매체의 비중에 대해서는, 기억부(200)에 미리 기록되어 있고, 대수 판단 열부하 취득부(111)는 이들 값을 기억부(200)로부터 판독한다.본 실시 형태에 있어서 펌프 대수 제어부(105)는 대수 판단 열부하 취득부(111)가 산출한 열부하나 대수 판단 주파수값 취득부(102)가 취득한 펌프의 주파수가 소정의 조건을 만족시킬 때에 펌프의 운전대수를 증가시킨다. 구체적으로는 이하의 2개의 조건을 만족시킨 경우에 펌프의 운전대수를 증가시킨다.003c#대수 증가 조건 1-1 : 열부하에 의한 판단003e#003c#대수 증가 조건 2 : 주파수에 의한 판단003e#또한, 펌프 대수 제어부(105)는 열부하나 펌프의 주파수가 소정의 조건을 만족시킬 때에 펌프의 운전대수를 감소시킨다. 구체적으로는 이하의 2개 조건을 만족시킨 경우에 펌프의 운전대수를 감소시킨다.003c#대수 감소 조건 1-1 : 열부하에 의한 판단003e#003c#대수 감소 조건 2 : 주파수에 의한 판단003e#이 변형예에서는, 대수 증가 조건 1-1 및 대수 감소 조건 1-1이 제1 실시 형태와 상이하다. 대수 증가 조건 2 및 대수 감소 조건 2에 대해서는, 제1 실시 형태와 동일하다.처리 플로우에 대하여 설명한다. 이 변형예에서는, 도 3의 스텝 S1에 있어서, 유량 취득부(104)가 유량계(21)의 측정한 유량을 취득하는 것 외에, 온도 취득부(110)가 온도계(22), 온도계(23)가 측정한 열매체의 온도를 취득한다. 또한, 스텝 S2에서는, 대수 판단 열부하 취득부(111)가 기억부(200)에 저장된 역치 Lα, Lβ를 판독한다. 또한, 대수 판단 열부하 취득부(111)는 유량 취득부(104)로부터 열매체의 유량을 취득하고, 온도 취득부(110)로부터 부하(40)에 공급되는 열매체의 온도와 부하(40)로부터 열원기(30)에 환류하는 열매체의 온도를 취득한다. 그리고 대수 판단 열부하 취득부(111)는 식 (6)에 의해 열부하를 산출한다. 또한, 스텝 S4에서는, 펌프 대수 제어부(105)는 상기의 「대수 증가 조건 1-1」 및 「대수 증가 조건 2」의 판정을 행한다. 또한, 스텝 S6에서는, 펌프 대수 제어부(105)는 상기의 「대수 감소 조건 1-1」 및 「대수 감소 조건 2」의 판정을 행한다. 본 변형예에 있어서의 다른 처리 스텝에 대해서는 제1 실시 형태와 동일하다.본 실시 형태 및 변형예에서 사용한 Gα, Gβ, Fα, Fβ, Lα, Lβ의 각 역치는, 실험이나 시뮬레이션 등에 의해 미리 정한 값이다.003c#제2 실시 형태003e#이하, 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 열원 시스템을 도 6∼도 9를 참조하여 설명한다.제2 실시 형태는, 제1 실시 형태 외에 펌프의 대수 증감의 반복을 방지하여, 보다 안정된 펌프의 운전을 행하기 위한 실시 형태에 관한 것이다.도 6은 본 실시 형태에 의한 펌프 대수 제어 장치의 기능 블록도이다.본 실시 형태의 펌프 대수 제어 장치(50)는 펌프 헤드 취득부(107)를 구비하고 있는 점에서 제1 실시 형태와 상이하다. 본 실시 형태의 그 밖의 구성은 제1 실시 형태와 동일하다.펌프 헤드 취득부(107)는 2차 펌프(20)의 현재 운전 중인 2차 펌프(20)의 펌프 헤드나, 2차 펌프 증감 후의 펌프 헤드를 기억부(200)가 보유하는 Q-H 특성에 기초하여 취득한다. 여기서 펌프 헤드란 펌프의 양정이다. 또한, Q-H 특성이란 펌프를 최대 주파수에서 동작시켰을 때의 토출 유량과 펌프 헤드의 관계를 나타낸 펌프의 성능 곡선이다. Q-H 특성의 일례를 도 7에 도시한다. 일반적으로 펌프의 토출 유량(Q)과 펌프 헤드(H)는 토출 유량을 증가시키면 펌프 헤드가 감소하는 관계에 있고, 펌프의 종류에 의해 이 Q-H 특성은 상이한 궤도를 그린다. 기억부(200)에는 열원 시스템에서 사용하고 있는 2차 펌프(20)의 Q-H 상관을 나타내는 Q-H 특성이 저장되어 있고, 펌프 헤드 취득부(107)는 이 Q-H 특성을 사용하여 대수 증감 전후에 있어서의 1대당의 2차 펌프(20)의 토출 유량에 대응하는 펌프 헤드를 취득한다.다음에 보다 구체적으로 펌프 헤드를 구하는 방법에 대하여 설명한다. 먼저, 펌프의 대수 증가를 예로 펌프 헤드를 구하는 데 사용하는 각 기호 등에 대하여 설명을 행한다.도 8a 및 도 8b는 2차 펌프(20)의 운전대수를 1대에서 2대로 대수 증가시켰을 때의 변화를 도시하는 도면이다. 이하, 처음부터 운전 상태에 있는 2차 펌프(20)를 펌프(20-1), 대수 증가시키는 2대째의 2차 펌프(20)를 펌프(20-2)라 기재한다.도 8a는 1대 운전 상태의 도면이다. 1대의 펌프(20-1)가 압송한 단위 시간당의 유량을 GA, 모든 펌프(20-1)에 의해 압송된 단위 시간당의 총 유량을 GinA라 한다. 이 도면에 있어서 운전대수는 1대이기 때문에 GinA=GA이다. 또한, 펌프1의 주파수를 fA라 하고, 펌프(20-1)의 헤드를 HA라 한다.도 8b는 2대 운전 상태의 도면이다. 펌프(20-1) 및 펌프(20-2)의 각각이 압송한 1대당의 펌프에 의한 단위 시간당의 유량을 GB, 2대의 펌프(20-1) 및 펌프(20-2)에 의해 압송된 단위 시간당의 총 유량을 GinB라 한다.이 도면에 있어서 운전대수는 2대이기 때문에 GinB=GB×2이다. 또한, 펌프(20-1) 및 펌프(20-2)의 주파수를 fB라 하고, 펌프(20-1) 및 펌프(20-2)의 헤드를 HB라 한다. 즉 도 8b에 있어서 펌프 대수 제어 장치(50)는 운전대수에 관계없이 운전 상태에 있는 2차 펌프(20)의 각각이 서로 동일한 주파수로 되도록 제어한다. 또한, 펌프 대수 제어 장치(50)는 2차 펌프(20)를 대수 증감하는 경우, 그 전후에서 총 유량(GinA)과 펌프 헤드(HA)가 변하지 않도록 제어를 행한다. 이들 조건은 제1∼제4 실시 형태에 있어서 공통된 전제 조건이다.이것을 정리하면 n대로부터 n+m대로 대수 증가시킨 후의 각 값은 이하와 같이 나타낼 수 있다.총 유량 : GinB=GinA 1대당의 토출 유량 : GB=(n/(n+m))GA1대당의 펌프 헤드 : HB=HA펌프 주파수 : fB(모든 운전 중인 펌프에서 동일함)다음에 펌프 헤드를 구하는 방법에 대하여 설명한다. 2차 펌프(20)를 주파수 1에서 운전하여 토출 유량 1을 얻고 있는 것으로 한다. 먼저, 펌프를 최대 주파수에서 운전하였을 때의 토출 유량은, 토출 유량 1에 최대 주파수를 주파수 1로 나눈 값을 곱하여 구할 수 있다. 다음에 구한 최대 주파수의 토출 유량을 사용하여 Q-H 특성을 판독하고, 펌프를 최대 주파수에서 운전하였을 때의 토출 유량에 대응하는 펌프 헤드를 구한다. 다음에 구한 펌프 헤드에, 현재의 주파수 1의 펌프 최대 주파수에 대한 비율의 2승을 승산한다. 이와 같이 하여 구한 값이 펌프 헤드이다.먼저 대수 증가 허가 펌프 헤드(HB')를 이하의 식 (11)에 의해 구한다.여기서 우변의 제1항 F(x)는 Q-H 특성이 나타내는 토출 유량으로부터 펌프 헤드를 구하는 함수를 나타내고 있다. 또한, Fβ는 제1 실시 형태에서 설명한 주파수 대수 감소 역치이다. 또한, fmax는 각 2차 펌프(20)의 최대 주파수(펌프 최대 주파수)이다. 주파수 대수 감소 역치 Fβ를 사용하여 구한 이 펌프 헤드는 2차 펌프(20)를 1대 증가시킨 상태로부터 1대 감소시킬 때의 펌프 헤드(대수 증가 허가 펌프 헤드)를 의미한다.또한, 펌프 헤드 취득부(107)는 마찬가지로 하여 펌프 증가 후의 상태에 있어서의 펌프 헤드(HB)를 다음 식 (12)에 의해 구한다. 여기서 증가 전의 주파수나 유량을 사용하는 것은 상술한 바와 같이 펌프 헤드를 변화시키지 않도록 2차 펌프(20)를 증가시키므로, 이 증가 후의 펌프 헤드는, 현재(대수 증가 전)의 펌프 헤드와 동일하기 때문이다.그리고 펌프 대수 제어부(105)는 이들 값을 사용하여 제1 실시 형태에 있어서의 2개의 대수 증가 조건에 추가하여 다음 조건의 판정을 행한다.003c#대수 증가 조건 3 : 펌프 헤드에 의한 판단003e#즉, 펌프 대수 제어부(105)는 「대수 증가 조건 1」, 「대수 증가 조건 2」 외에 대수 증가 허가 펌프 헤드 이상이면 2차 펌프(20)의 운전대수를 증가시킨다. 대수 증가 허가 펌프 헤드는, 주파수 대수 감소 역치를 사용하여 구한 값이며, 펌프의 운전대수 증가 후에 있어서 펌프를 대수 감소시키는 기준으로 되는 값이다. 운전대수를 증가시켰다고 해도 대수 증가 후의 펌프 헤드가 이 값을 하회할 것 같으면 다시 펌프를 대수 감소시키게 될 가능성이 있는 것을 고려하여 그와 같은 불필요를 없애기 위해 본 실시 형태에서는 이와 같은 조건을 추가한다.다음에 펌프 헤드 취득부(107)가 대수 감소 허가 펌프 헤드를 구하는 방법에 대하여 설명한다. 대수 감소 허가 펌프 헤드는, 펌프의 운전대수 감소 후에 있어서 펌프를 대수 증가시키는 기준으로 되는 값이다.대수 증가 시와 마찬가지로 하여 2차 펌프(20)를 n대로부터 n-m대로 대수 감소시킨 후의 각 양은 이하와 같이 나타낼 수 있다.송수 유량 : GinB=GinA 1대당의 송수 유량 : GB=(n/(n-m))GA1대당의 펌프 헤드 : HB=HA펌프 주파수 : fB(모든 운전 중인 펌프에서 동일함)대수 감소 허가 펌프 헤드는 이하의 식 (14)에 의해 구할 수 있다.Fα는 제1 실시 형태에서 설명한 주파수 대수 증가 역치이다. 또한, 펌프 헤드 취득부(107)는 식 (12)에 의해 펌프 대수 감소 후의 상태에 있어서의 펌프 헤드(HB)를 구한다. 대수 감소 후의 펌프 헤드는, 펌프 대수 감소 전의 펌프 헤드와 변함이 없기 때문에 식 (12)에 의해 구할 수 있다.그리고 펌프 대수 제어부(105)는 이들 값을 사용하여 제1 실시 형태에 있어서의 2개의 대수 감소 조건 외에 다음 조건의 판정을 행한다.003c#대수 감소 조건 3 : 펌프 헤드에 의한 판단003e#즉, 펌프 대수 제어부(105)는 「대수 감소 조건 1」, 「대수 감소 조건 2」 외에 대수 감소 허가 펌프 헤드 이하이면 2차 펌프(20)의 운전대수를 대수 감소시킨다. 이 조건은, 대수 증가의 경우와 마찬가지로, 펌프의 운전대수 감소 후에 있어서 다시 펌프를 대수 증가시키게 될 가능성이 있는 것을 고려한 것이다.도 9는 본 실시 형태에 의한 펌프 대수 제어 장치의 처리 플로우를 도시하는 도면이다.도 9의 처리 플로우를 사용하여 펌프 대수 제어 장치(50)가 2차 펌프(20)의 운전대수를 증감하는 처리에 대하여 설명한다. 도 3과 동일한 처리에 대해서는 동일한 부호를 부여하여 설명한다.먼저, 스텝 S1부터 스텝 S3은 제1 실시 형태와 동일하다. 즉, 유량 취득부(104)가 유량계(21)가 측정한 유량을, 대수 판단 유량값 취득부(101)가 역치 Gα, Gβ, 대수 판단 유량값을, 대수 판단 주파수값 취득부(102)가 역치 Fα, Fβ, 대수 판단 주파수값을 취득한다.다음에, 펌프 헤드 취득부(107)가 식 (12)에 의해 펌프 대수 증감 후의 펌프 헤드, 식 (11)에 의해 대수 증가 허가 펌프 헤드, 식 (14)에 의해 대수 감소 허가 펌프 헤드를 구한다(스텝 S10).다음에 펌프 대수 제어부(105)는 「대수 증가 조건 1」과 「대수 증가 조건 2」와 「대수 증가 조건 3」의 판정을 행한다(스텝 S11). 그리고, 펌프 대수 제어부(105)는 3개의 조건을 모두 만족시킬 때(스텝 S11="예"), 2차 펌프(20)의 운전대수를 1대 대수 증가시킨다(스텝 S5).비교의 결과, 「대수 증가 조건 1」과 「대수 증가 조건 2」와 「대수 증가 조건 3」 중 어느 하나의 조건이라도 만족시키지 않는 경우(스텝 S11="아니오"), 스텝 S12의 처리로 진행한다.다음에 펌프 대수 제어부(105)는 「대수 감소 조건 1」과 「대수 감소 조건 2」와 「대수 감소 조건 3」의 판정을 행한다(스텝 S12). 그리고, 펌프 대수 제어부(105)는 3개의 조건을 모두 만족시킬 때(스텝 S12="예"), 2차 펌프(20)의 운전대수를 1대 감소시킨다(스텝 S7).비교의 결과, 「대수 감소 조건 1」과 「대수 감소 조건 2」와 「대수 감소 조건 3」 중 어느 하나의 조건이라도 만족시키지 않는 경우(스텝 S12="아니오"), 스텝 S8의 처리로 진행한다. 스텝 S8의 처리는 도 3과 동일하다. 즉 열원 시스템이 정지될 때까지 스텝 S1로부터의 처리를 반복한다.제1 실시 형태에서는, 측정한 유량 및 펌프 주파수를 사용한 2차 펌프(20)의 대수 증가 및 대수 감소의 판단 기준을 나타냈다. 그러나, 제1 실시 형태의 방법만으로는, 펌프 대수 증가 또는 대수 감소 후의 상태를 고려하고 있지 않기 때문에 다시 대수 증가 및 대수 감소의 판정을 행해 버려, 대수 증가와 대수 감소를 반복해 버릴 가능성이 있다.본 실시 형태에 의하면 대수 증가 및 대수 감소의 판단 시에, 대수 증감 후의 유량 측정값과 펌프 주파수 외에, 대수 증가(대수 감소) 후의 펌프 운전 상태를 Q-H 특성으로부터 추정한 대수 감소(대수 증가) 역치의 펌프 헤드와 비교한 후에 대수 증감함으로써 대수 증가와 대수 감소의 반복을 방지할 수 있다.본 실시 형태는 제1 실시 형태의 변형예와 조합하는 것도 가능하다.003c#제3 실시 형태003e#이하, 본 발명의 제3 실시 형태에 의한 열원 시스템을 도 10∼도 11을 참조하여 설명한다.제3 실시 형태는, 제2 실시 형태와 마찬가지로 제1 실시 형태 외에 펌프의 대수 증감의 반복을 방지하여, 보다 안정된 펌프의 운전을 행하기 위한 실시 형태에 관한 것이다.도 10은 본 실시 형태에 의한 펌프 대수 제어 장치(50)의 기능 블록도이다.본 실시 형태의 펌프 대수 제어 장치(50)는 펌프 주파수 추정값 취득부(108)를 구비하고 있는 점에서 제1 실시 형태와 상이하다. 본 실시 형태의 그 밖의 구성은 제1 실시 형태와 동일하다.펌프 주파수 추정값 취득부(108)는 2차 펌프(20)의 대수 증감 후의 주파수 추정값인 대수 증가 후 펌프 주파수 추정값 및 대수 감소 후 펌프 주파수 추정값을 취득한다.구체적으로는, 대수 증가 후의 펌프 헤드는 식 (16)에 의해 구할 수 있다.즉 대수 증가 후의 펌프 주파수(fB)에 있어서 대수 증가 후에 있어서의 펌프 1대당 필요한 토출 유량((n/n+m)×GA)이 얻어진 것으로 하여, 그 경우의 펌프 최대 주파수에 있어서의 토출 유량에 기초하여, Q-H 특성으로부터 취득한 펌프 헤드에 대수 증가 후의 펌프 주파수(fB)의 펌프 최대 주파수(fmax)에 대한 비율의 2승을 곱하여 대수 증가 후에 있어서의 펌프 헤드(HB)를 얻는다.한편, 식 (16)에 의해 구한 HB는, HA와 동일하고(HB=HA로 되도록 대수 증감함), HA는 현재의 펌프 주파수, 유량 측정값, Q-H 특성을 사용하여 구할 수 있다(식 (12)). 펌프 주파수 추정값 취득부(108)는 이 관계를 이용하여 HB=HA로 되도록 하는 주파수 fB를, 미리 준비해 둔 주파수와 펌프 헤드의 상관을 나타낸 맵, 혹은 역함수로부터 도출하고, 그 fB를 대수 증가 후 펌프 주파수 추정값이라 한다.그리고, 펌프 대수 제어부(105)는 「대수 증가 조건 1」과 「대수 증가 조건 2」 외에 주파수에 의한 대수 증가 후에 다시 대수 감소 조건에 들어가지 않기 위한 대수 증가 허가 판정(「대수 증가 조건 4」)을 행한다.003c#대수 증가 조건 4 : 주파수에 의한 판단003e#여기서, fB는 펌프 주파수 추정값 취득부(108)가 구한 대수 증가 후 펌프 주파수 추정값, Fβ는 제1 실시 형태에서 설명한 주파수 대수 감소 역치이다. 본 실시 형태에서는, 「대수 증가 조건 1」, 「대수 증가 조건 2」 외에 대수 증가 후의 주파수가 주파수 대수 감소 역치를 상회하지 않으면, 다시 펌프를 대수 감소하게 될 가능성이 있으므로 그것을 방지하기 위해서 이 조건을 펌프의 대수 증가 판단에 추가한다.마찬가지로 하여 대수 감소 후의 판정을 행한다. 펌프 주파수 추정값 취득부(108)는 대수 감소 후에 있어서의 펌프 1대당의 유량이나 펌프 최대 주파수를 식 (18)에 대입하고, 식 (18)의 값이 상기의 HA와 동일한 것을 이용하여, 맵이나 역함수 등으로부터 대수 감소 후 펌프 주파수 추정값 fB를 구한다.그리고, 펌프 대수 제어부(105)는 「대수 감소 조건 1」과 「대수 감소 조건 2」에 추가하여 주파수에 의한 대수 감소 후에 다시 대수 증가 조건에 들어가지 않기 위한 대수 감소 허가 판정(「대수 감소 조건 4」)을 행한다.003c#대수 감소 조건 4: 주파수에 의한 판단003e#여기서, fB는 펌프 주파수 추정값 취득부(108)가 구한 대수 감소 후 펌프 주파수 추정값, Fα는 제1 실시 형태에서 설명한 주파수 대수 증가 역치이다. 즉, 본 실시 형태에서는, 「대수 감소 조건 1」, 「대수 감소 조건 2」 외에 대수 감소 후의 주파수가 주파수 대수 증가 역치 이하로 되지 않으면, 다시 펌프를 대수 증가시키게 될 가능성이 있으므로 그것을 방지하기 위해 이 조건을 펌프의 대수 감소 판단에 추가한다.도 11은 본 실시 형태에 의한 펌프 대수 제어 장치의 처리 플로우를 도시하는 도면이다.도 11의 처리 플로우를 사용하여 펌프 대수 제어 장치(50)가 2차 펌프(20)의 운전대수를 증감하는 처리에 대하여 설명한다. 도 3과 동일한 처리에 대해서는 동일한 부호를 부여하여 설명한다.스텝 S1부터 스텝 S3은 제1 실시 형태와 동일하다.다음에, 펌프 주파수 추정값 취득부(108)가 맵이나 역함수에 의해 펌프 대수 증감 후의 펌프 주파수의 추정값 fB를 구한다(스텝 S13).다음에 펌프 대수 제어부(105)는 「대수 증가 조건 1」과 「대수 증가 조건 2」와 「대수 증가 조건 4」의 판정을 행한다(스텝 S14). 그리고, 펌프 대수 제어부(105)는 3개의 조건을 모두 만족시킬 때(스텝 S14="예"), 2차 펌프(20)의 운전대수를 1대 증가시킨다(스텝 S5).비교의 결과, 「대수 증가 조건 1」과 「대수 증가 조건 2」와 「대수 증가 조건 4」 중 어느 하나의 조건이라도 만족시키지 않는 경우(스텝 S14="아니오"), 스텝 S15의 처리로 진행한다.다음에 펌프 대수 제어부(105)는 「대수 감소 조건 1」과 「대수 감소 조건 2」와 「대수 감소 조건 4」의 판정을 행한다(스텝 S15). 그리고, 펌프 대수 제어부(105)는 3개의 조건을 모두 만족시킬 때(스텝 S15="예"), 2차 펌프(20)의 운전대수를 1대 감소시킨다(스텝 S7).비교의 결과, 「대수 감소 조건 1」과 「대수 감소 조건 2」와 「대수 감소 조건 3」 중 어느 하나의 조건이라도 만족시키지 않는 경우(스텝 S12="아니오"), 스텝 S8의 처리로 진행한다. 스텝 S8의 처리는 도 3과 동일하다. 즉 열원 시스템이 정지될 때까지 스텝 S1로부터의 처리를 반복한다.본 실시 형태에 의하면, 대수 증가(대수 감소) 후의 펌프 주파수를 추정하고, 그 값과 주파수 대수 감소(대수 증가) 역치와 비교한다. 그리고 제1 실시 형태의 2개의 조건 외에, 대수 증가 후의 펌프 주파수 추정값이 주파수 대수 감소 역치를 상회하면 2차 펌프(20)의 대수 증가를 행한다. 마찬가지로 제1 실시 형태의 2개의 조건 외에, 대수 감소 후의 펌프 주파수 추정값이 주파수 대수 증가 역치를 하회하면 2차 펌프(20)의 대수 감소를 행한다. 2차 펌프(20)의 증감 후의 주파수를 고려함으로써 대수 증가와 대수 감소의 반복을 방지할 수 있다.본 실시 형태는 제1 실시 형태의 변형예와 조합하는 것도 가능하다.003c#제4 실시 형태003e#이하, 본 발명의 제4 실시 형태에 의한 열원 시스템을 도 12∼도 14를 참조하여 설명한다.제4 실시 형태는, 제1∼제3 실시 형태 외에 펌프 효율을 고려하여 펌프의 운전대수를 변경하는 실시 형태에 관한 것이다.도 12는 본 실시 형태에 의한 펌프 대수 제어 장치의 기능 블록도이다.본 실시 형태의 펌프 대수 제어 장치(50)는 펌프 주파수 추정값 취득부(108)와 펌프 효율 취득부(109)를 구비하는 점에서 제1 실시 형태와 상이하다. 본 실시 형태의 그 밖의 구성은 제1 실시 형태와 동일하다.펌프 주파수 추정값 취득부(108)는 제3 실시 형태에서 설명한 바와 같이 대수 증가 후 펌프 주파수 추정값 및 대수 감소 후 펌프 주파수 추정값을 맵이나 역함수를 사용하여 취득한다.펌프 효율 취득부(109)는 기억부(200)가 보유하는 펌프의 토출 유량과 펌프 효율의 상관을 나타내는 그래프 등을 사용하여, 2차 펌프(20)의 대수 증감 후의 펌프 효율의 추정값을 구한다. 펌프를 최대 주파수에서 동작시켰을 때의 토출 유량과 펌프 효율의 상관의 일례를 도 13에 도시한다. 도 13은 펌프의 토출 유량에 따라서, 펌프 효율이 변화되는 것을 나타내고 있다. 2차 펌프(20)의 운전대수를 증감시키면 1대당의 토출 유량은 변화되므로, 그것에 따라서 펌프 효율도 변화되는 것을 이해할 수 있다.대수 증가 전의 상태에 있어서의 1대당의 현재 펌프 효율 ηA는 이하의 식 (20)에 의해 구한다.여기서, η(x)는 펌프의 토출 유량과 펌프 효율의 관계를 나타내는 함수이다.또한, 마찬가지로 1대당의 대수 증가 후 펌프 효율 ηB는 이하의 식 (21)에 의해 구해진다.여기서 fB는 펌프 주파수 추정값 취득부(108)가 산출한 대수 증가 후 펌프 주파수 추정값이다.그리고, 펌프 대수 제어부(105)는 「대수 증가 조건 1」과 「대수 증가 조건 2」 외에 펌프 효율에 의한 대수 증가 허가 판정(「대수 증가 조건 5」)을 행한다.003c#대수 증가 조건 5 : 펌프 효율에 의한 판단003e#즉, 펌프 대수 제어부(105)는 「대수 증가 조건 1」, 「대수 증가 조건 2」 외에 대수 증가 후의 펌프 효율이 대수 증가 전의 펌프 효율 이상으로 되지 않으면 대수 증가시키지 않는다.마찬가지로 펌프 효율 취득부(109)는 1대당의 대수 감소 후 펌프 효율을 이하의 식 (23)에 의해 구한다.그리고, 펌프 대수 제어부(105)는 「대수 감소 조건 1」과 「대수 감소 조건 2」 외에 펌프 효율에 의한 대수 감소 허가 판정(「대수 감소 조건 5」)을 행한다.003c#대수 감소 조건 5 : 펌프 효율에 의한 판단003e#즉, 펌프 대수 제어부(105)는 「대수 감소 조건 1」, 「대수 감소 조건 2」 외에 대수 감소 후의 펌프 효율이 대수 감소 전의 펌프 효율 이상으로 되지 않으면 대수 감소시키지 않는다.제1∼제3 실시 형태에서는 펌프 효율에 대하여 고려하고 있지 않기 때문에, 효율이 나쁜 운전점에서 운전하도록 펌프를 대수 증감하고 있을 가능성이 있다.본 실시 형태에 의하면, 펌프 효율을 고려함으로써 소비 전력을 억제하면서도 펌프를 대수 증감하는 것이 가능하다.도 14는 본 실시 형태에 의한 펌프 대수 제어 장치의 처리 플로우를 도시하는 도면이다.도 14의 처리 플로우를 사용하여 펌프 대수 제어 장치(50)가 2차 펌프(20)의 운전대수를 증감하는 처리에 대하여 설명한다. 도 11과 동일한 처리에 대해서는 동일한 부호를 부여하여 설명한다.스텝 S1부터 스텝 S3은, 제1∼제3 실시 형태와 동일이다. 다음 스텝 S13은 제3 실시 형태(도 11)와 동일하다.다음에, 펌프 효율 취득부(109)가 펌프 대수 증감 전후의 펌프 효율을 구한다(스텝 S17).다음에 펌프 대수 제어부(105)는 「대수 증가 조건 1」과 「대수 증가 조건 2」와 「대수 증가 조건 5」의 판정을 행한다(스텝 S18). 그리고, 펌프 대수 제어부(105)는 3개의 조건을 모두 만족시킬 때(스텝 S18="예"), 2차 펌프(20)의 운전대수를 1대 증가시킨다(스텝 S5).비교의 결과, 「대수 증가 조건 1」과 「대수 증가 조건 2」와 「대수 증가 조건 5」 중 어느 하나의 조건이라도 만족시키지 않는 경우(스텝 S18="아니오"), 스텝 S18의 처리로 진행한다.다음에 펌프 대수 제어부(105)는 「대수 감소 조건 1」과 「대수 감소 조건 2」와 「대수 감소 조건 5」의 판정을 행한다(스텝 S18). 그리고, 펌프 대수 제어부(105)는 3개의 조건을 모두 만족시킬 때(스텝 S18="예"), 2차 펌프(20)의 운전대수를 1대 감소시킨다(스텝 S7).비교의 결과, 「대수 감소 조건 1」과 「대수 감소 조건 2」와 「대수 감소 조건 5」 중 어느 하나의 조건이라도 만족시키지 않는 경우(스텝 S18="아니오"), 스텝 S8의 처리로 진행한다. 스텝 S8의 처리는 도 3과 동일하다. 즉 열원 시스템이 정지될 때까지 스텝 S1로부터의 처리를 반복한다.본 실시 형태는, 제1 실시 형태와 그 변형예뿐만 아니라 제2 및 제3 실시 형태와 조합하는 것도 가능하다. 제2 또는 제3 실시 형태와 조합한 경우에는, 2차 펌프(20)의 대수 증감의 반복을 방지하여, 펌프의 효율적인 운전점을 찾으면서 부하에의 유량 측정값을 만족시키도록 펌프 운전대수를 결정할 수 있기 때문에, 에너지 절약 효과를 기대할 수 있다.상술한 펌프 대수 제어 장치는 내부에 컴퓨터를 갖고 있다. 그리고, 상술한 펌프 대수 제어 장치의 각 처리의 과정은, 프로그램의 형식으로 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기억되어 있고, 이 프로그램을 컴퓨터가 판독하여 실행함으로써, 상기 처리가 행해진다. 여기서 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체란, 자기 디스크, 광자기 디스크, CD-ROM, DVD-ROM, 반도체 메모리 등을 말한다. 또한, 이 컴퓨터 프로그램을 통신 회선에 의해 컴퓨터에 배신하고, 이 배신을 받은 컴퓨터가 당해 프로그램을 실행하도록 해도 된다.또한, 상기 프로그램은 전술한 기능의 일부를 실현하기 위한 것이어도 된다.또한, 전술한 기능을 컴퓨터 시스템에 이미 기록되어 있는 프로그램과의 조합으로 실현할 수 있는 것, 소위 차분 파일(차분 프로그램)이어도 된다.그 밖에, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 상기한 실시 형태에 있어서의 구성 요소를 주지의 구성 요소로 치환하는 것은 적절히 가능하다. 또한, 본 발명의 기술 범위는 상기의 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경을 가하는 것이 가능하다. [ 산업상 이용가능성 ] 상기한 펌프 대수 제어 방법, 펌프 대수 제어 장치, 펌프 시스템, 열원 시스템 및 프로그램에 의하면, 압력 손실 특성 등 설비의 특성을 알 것 없이 적절한 타이밍에서 펌프의 운전대수를 적절하게 제어할 수 있다. [ 부호의 설명 ] 10 : 1차 펌프20 : 2차 펌프21 : 유량계22 : 온도계23 : 온도계30 : 열원기40 : 부하50 : 펌프 대수 제어 장치101 : 대수 판단 유량값 취득부102 : 대수 판단 주파수값 취득부103 : 펌프 주파수 설정부104 : 유량 취득부105 : 펌프 대수 제어부107 : 펌프 헤드 취득부108 : 펌프 주파수 추정값 취득부109 : 펌프 효율 취득부110 : 온도 취득부111 : 대수 판단 열부하 취득부200 : 기억부	이 펌프 대수 제어 방법은, 병렬로 접속된 복수의 펌프가 부하(40)에 압송하는 열매체의 유량 혹은 상기 부하가 필요로 하는 열부하와, 상기 복수의 펌프 중 운전 중인 각 펌프에 지령한 주파수 지령값에 기초하여 상기 펌프의 운전대수를 증감시키는 공정을 갖는다.
[ 발명의 명칭 ] 리튬 이온 이차 전지 LITHIUM ION SECONDARY BATTERY [ 기술분야 ] 본 발명은 전지, 보다 상세하게는 정극과 부극 사이에 세퍼레이터가 개재된 전지에 관한 것이다.본 출원은 2013년 12월 13일 출원된 일본 특허 출원 번호 2013-258690에 기초하여 우선권을 주장하며, 그의 내용은 본 기재에 참조로 포함된다. [ 배경기술 ] 최근, 리튬 이온 이차 전지, 니켈 수소 전지 등의 이차 전지는 차량 탑재용 전원, 또는 퍼스널 컴퓨터 및 휴대 단말기의 전원으로서 중요성이 높아지고 있다. 특히, 경량이며 고에너지 밀도가 얻어지는 리튬 이온 이차 전지는 차량 탑재용 고출력 전원으로서 바람직하게 사용되고 있다. 하나의 전형적인 구성에서는, 이러한 리튬 이온 이차 전지에, 리튬 전이 금속 복합 산화물로부터 형성되는 정극, 탄소 재료로부터 형성되는 부극, 및 정극과 부극의 사이에 배치되는 세퍼레이터를 구비하고 있다. 이러한 세퍼레이터에 관한 종래 기술의 예로서는 특허문헌 1 및 특허문헌 2를 들 수 있다. 특허문헌 1에는, 유리 섬유제 부직포 내부 및 상기 부직포의 적어도 한쪽의 표면에 폴리올레핀 수지제의 미세다공체를 구비한 세퍼레이터가 개시되어 있다. 특허문헌 2에는, 폴리올레핀 수지에 절연성 유리 섬유 또는 아라미드 섬유를 분산시킨 미세다공성 수지 필름으로 형성되는 세퍼레이터가 개시되어 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특허 출원 공개 번호 2013-089563일본 특허 출원 공개 번호 2008-243482 [ 발명의 개요 ] 자동차 등의 차량에 탑재되는 조전지는, 조전지가 제한된 탑재 스페이스에서 사용될 것이며 진동 하에 놓일 것이라는 전제 하에, 다수의 전지 (단전지)를 배열하고 구속한 상태 (즉, 전지들을 서로 고정한 상태)로 구축된다. 이러한 구속 시에는, 조전지를 구성하는 개개의 전지에 상당한 면압 (하중)이 가해진다. 그러나, 본 발명자들에 의한 발견에 의하면, 실사용 중에 전지의 충전 상태의 변화 및 온도 변화 등에 기인하여 발생하는 전극 판의 팽창 및 수축이, 전지 상에 작용하는 면압 (구속 하중)의 현저한 변동 (예를 들어 약 ±0.5 MPa)을 일으킬 수 있는 것이 드러났다. 이러한 변동은 또한 전지 저항의 변화를 일으킬 수 있다. 또한, 전지 저항의 변동은 전지 성능을 저하시킬 수 있다. 예를 들어, 전지 저항이 증대하면 회생 전류가 감소하여 연비가 악화된 우려가 있고, 전지 저항이 저하되면 충전 전류가 증대하여 과충전이 발생할 수 있다. 따라서, 전지 저항의 변동은 바람직하게는 가능한 한 작다.본 발명자들은 상기 면압 변화에 수반하는 전지 저항의 변동에 대한 하나의 요인이 세퍼레이터에 있는 것을 발견하였다. 구체적으로는, 본 발명자들은 세퍼레이터가 폴리올레핀 수지로부터 형성되는 다공질 시트 형태인 경우, 세퍼레이터 상에 작용하는 면압이 증대하면, 폴리올레핀 수지의 공공이 폐색되고, 전지 저항이 증대하는 경향이 있는 것을 발견하였다. 본 발명자들은 세퍼레이터가 부직포인 경우, 상기 면압 증대에 수반하는 공공의 폐색은 일어나기 어렵지만, 그럼에도 주로 두께 변화의 영향에 의해 전지 저항이 저하 경향을 나타내는 것을 발견하였다. 본 발명자들은 전지 저항의 면압 의존성이 이러한 정부 역전 경향을 나타내는 2종의 세퍼레이터를 병용하고, 세퍼레이터의 각각의 특성 사이의 상호작용을 이용함으로써, 종래의 전지에 비해서, 면압의 변화에 수반하는 전지 저항의 변동이 보다 적은 전지를 얻을 수 있는 것을 발견하였고, 그 발견에 기초하여 본 발명을 완성하였다.구체적으로는, 본 발명에 의해 제공되는 전지는 정극, 세퍼레이터 및 부극이 적층되어 형성되는 (그로 인해 생성되는) 전극체를 포함한다. 상기 전지는, 상기 세퍼레이터로서, 서로 특성이 다른 제1 세퍼레이터 및 제2 세퍼레이터를 포함한다. 상기 제1 세퍼레이터 및 상기 제2 세퍼레이터는, 상기 제1 세퍼레이터 및 상기 제2 세퍼레이터가 상기 전극체의 적층 방향에서 서로 접하지 않는 상태에서 상기 전극체 내에 배치된다.상기 제1 세퍼레이터 및 상기 제2 세퍼레이터는 이하의 특성을 갖는다:상기 정극, 상기 제1 세퍼레이터 및 상기 부극이 적층되어 형성되는 (그로 인해 생성되는) 전극체를 포함하는 전지를 구축했을 경우에, 상기 전극체의 적층 방향에 가해지는 면압의 변화량 델타 P (MPa) 및 상기 면압 델타 P를 적용했을 때의 상기 전지의 저항 증가량 델타 X (%)로부터 구해지는 (계산되는) 저항 증가율 X=델타 X/델타 P가 X003e#0 (양의 값)을 충족하며,상기 정극, 상기 제2 세퍼레이터 및 상기 부극이 적층되어 형성되는 (그로 인해 생성되는) 전극체를 포함하는 전지를 구축했을 경우에, 상기 전극체의 적층 방향에 가해지는 면압의 변화량 델타 P (MPa) 및 상기 면압 델타 P를 적용했을 때의 상기 전지의 저항 증가량 델타 Y (%)로부터 구해지는 (계산되는) 저항 증가율 Y=델타 Y/델타 P가 Y003c#0 (음의 값)을 충족한다.따라서, 저항 증가율 X, Y가 서로 다른 제1 세퍼레이터와 제2 세퍼레이터를 병용함으로써, 상기 세퍼레이터에 가해지는 면압이 변화한 경우에도 전지 저항의 변동이 발생하기 어렵다. 따라서, 상기 기재된 구성에 의하면, 전지 저항의 변동에 기인하는 다양한 문제 (예를 들어, 전지 저항의 증대에 기인하는 회생 전류의 감소, 나아가서는 연비의 악화를 야기하는 문제, 또는 전지 저항의 저하에 기인하는 충전 전류의 증대, 나아가서는 과충전을 야기하는 문제)를 해소하는 것을 가능케 하는 고성능 전지를 제공할 수 있다.여기에 개시되는 전지의 바람직한 일 형태에서는, 상기 제1 세퍼레이터는 폴리올레핀 수지로부터 형성되고, 상기 제2 세퍼레이터는 부직포로부터 형성된다. 세퍼레이터로서 폴리올레핀 수지와 부직포를 병용함으로써, 상술한 효과가 보다 잘 발휘될 수 있다.폴리올레핀 수지와 부직포를 병용하는 것과 관련된 기술은 알려져 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는 유리 섬유제 부직포 표면에 폴리올레핀 수지제 미세다공체를 구비한 세퍼레이터가 개시되어 있다. 그러나, 특허문헌 1의 기술에서는, 부직포 표면에 폴리올레핀 수지제의 미세다공체를 구비하고 있기 때문에, 면압 적용 시에 폴리올레핀 수지가 부직포의 공공을 폐색함으로써 내부 저항이 증대한다. 따라서, 전지 저항의 변동을 억제하는 것이 곤란하다. 대조적으로, 본 발명의 구성에 의하면, 제1 세퍼레이터 및 제2 세퍼레이터는, 제1 세퍼레이터 및 제2 세퍼레이터가 전극체의 적층 방향에 서로 접하지 않는 상태에서 전극체 내에 배치되므로, 제1 세퍼레이터 및 제2 세퍼레이터는 서로 간섭하지 않는다 (서로 악영향을 미치지 않는다). 따라서, 상기 면압 변화에 수반하는 전지 저항의 변동을 보다 큰 정도로 억제할 수 있다.여기에 개시되는 전지의 바람직한 일 형태에서는, 상기 제1 세퍼레이터와 상기 정극이 서로 대향하는 영역의 면적을 S1로 나타내고, 상기 제2 세퍼레이터와 상기 정극이 서로 대향하는 영역의 면적을 S2로 나타냈을 경우에, 면적비 (S1/S2)가-0.8Y/X≤(S1/S2)≤-1.2Y/X의 관계를 충족한다. 면적비 (S1/S2)의 값이 상기 범위 내이면, 면압 변화에 수반하는 전지 저항의 변동을 보다 큰 정도로 억제할 수 있다.여기에 개시되는 전지의 바람직한 일 형태에서는, 상기 전극체는 상기 정극, 상기 제1 세퍼레이터, 상기 부극 및 상기 제2 세퍼레이터가 이 순서로 반복해서 적층되어 형성되는 (그로 인해 생성되는) 적층 전극체이다. 본 발명에 의하면, 상기 기재된 바와 같이, 정극, 제1 세퍼레이터, 부극 및 제2 세퍼레이터가 이 순서로 반복해서 적층되어 형성되는 (그로 인해 생성되는) 적층 전극체에서 면압 변화에 수반하는 전지 저항의 변동을 보다 큰 정도로 억제할 수 있다.여기에 개시되는 전지의 바람직한 일 형태에서는, 상기 전극체는 상기 정극, 상기 제1 세퍼레이터, 상기 부극 및 상기 제2 세퍼레이터가 이 순서로 적층되고, 생성된 적층체가 권회되어 형성되는 (그로 인해 생성되는) 권회 전극체이다. 본 발명에 의하면, 정극, 제1 세퍼레이터, 부극 및 제2 세퍼레이터가 이 순서로 적층되고, 생성된 적층체가 권회되어 형성되는 (그로 인해 생성되는) 권회 전극체에서, 면압 변화에 수반하는 전지 저항의 변동을 보다 큰 정도로 억제할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 일 실시형태에 따른 리튬 이온 이차 전지의 구조 일례를 도시하는 도면이고;도 2는 일 실시형태에 따른 권회 전극체를 도시하는 도면이고;도 3은 도 2 중의 III-III 단면을 도시하는 단면도이고;도 4는 라미네이트 셀을 도시하는 사시도이고;도 5는 일 실시형태에 따른 권회 장치를 모식적으로 도시하는 도면이고;도 6은 일 실시형태에 따른 조전지를 도시하는 사시도이고;도 7은 또 다른 실시형태에 따른 적층 전극체를 도시하는 사시도이고;도 8은 또 다른 실시형태에 따른 적층 전극체를 도시하는 단면도이고;도 9는 또 다른 실시형태에 따른 적층 전극체를 도시하는 단면도이고;도 10은 또 다른 실시형태에 따른 적층 전극체를 도시하는 단면도이고;도 11은 면압과 저항 사이의 관계를 나타내는 그래프이고 (샘플 1);도 12는 면압과 저항 사이의 관계를 나타내는 그래프이고 (샘플 2);도 13은 면압과 저항 사이의 관계를 나타내는 그래프이고;도 14는 적층 전극체를 도시하는 단면도이고;도 15는 면압과 저항 사이의 관계를 나타내는 그래프이다 (샘플 3). [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명의 일 실시형태에 따른 전지를 첨부하는 도면을 참조하여 설명할 것이다. 동일한 효과를 발휘하는 부재 및 부위에는 적절하게 동일한 참조 부호로 나타낼 것이다. 도면은 모두 모식적으로 도시되어, 반드시 실물을 반영하고 있지는 않다. 도면은 단지 예를 나타내는 것이며, 이는 구체적으로 언급되지 않는 한 본 발명을 어떠한 방식으로도 한정하지 않는다. 이하, 리튬 이온 이차 전지에 본 발명을 사용하는 경우의 예에 기초하여 본 발명의 실시형태를 설명할 것이지만, 본 발명이 적용될 수 있는 전지를 그에 한정하고자 하는 의도는 아니다.도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 리튬 이온 이차 전지(100)를 도시한다. 상기 리튬 이온 이차 전지(100)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 권회 전극체(20) 및 전지 케이스(30)를 포함한다. 도 2는 권회 전극체(20)를 도시하는 도면이다. 도 3은 도 2 중의 III-III 단면을 도시한다. 본 발명의 일 실시형태에 따른 리튬 이온 이차 전지(100)에서는, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 편평 형상의 권회 전극체(20)가 도시하지 않은 액상 전해질 (전해액)과 함께, 편평한 각형의 전지 케이스 (즉 외장 용기)(30)에 수용된다.전지 케이스(30)는 일단부 (전지의 통상 사용 상태에서의 상단부에 상당함)에서 개구부를 갖는 상자형 (즉 바닥이 있는 직육면체 형상)의 케이스 본체(32), 및 케이스 본체(32)의 개구부에 설치되어 상기 개구부를 막는 직사각 형상 플레이트 부재로 형성되는 밀봉판 (덮개)(34)으로 구성된다. 전지 케이스(30)의 재질은, 예를 들어 알루미늄이 예시된다. 도 1에 도시한 바와 같이, 밀봉판(34)에는 외부 접속용의 정극 단자(42) 및 부극 단자(44)가 형성된다. 밀봉판(34)의 단자들(42, 44) 사이에는, 전지 케이스(30)의 내압이 소정 수준 이상으로 상승한 경우에 상기 내압을 개방하도록 하는 방식으로 박벽의 안전 밸브(36)가 형성된다.권회 전극체(20)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 시트 형상의 정극 (정극 시트)(50), 제1 세퍼레이터(70), 시트 형상의 부극 (부극 시트)(60) 및 제2 세퍼레이터(72)가 적층되고, 생성된 적층체가 권회되는 것으로 인해 생성된다.정극 시트(50)는 띠 형상의 정극 집전체(52) 및 정극 활물질 층(54)을 포함한다. 정극 집전체(52)로서는, 예를 들어, 두께가 약 15 μm인 띠 형상의 알루미늄 박이 사용된다. 정극 집전체(52)의 폭 방향 편측 상에는, 그의 한 테두리부를 따라 미도포 시공부(52a)가 설정된다. 도면에 도시한 예에서는, 정극 활물질 층(54)은, 정극 집전체(52) 상에 설정된 미도포 시공부(52a)를 제외한, 정극 집전체(52)의 양면에 보유 지지된다. 정극 활물질 층(54)에는 정극 활물질, 도전재 및 바인더가 포함된다.정극 활물질로서는, 리튬 이온 이차 전지의 정극 활물질로서 사용되는 물질을 본원에서 사용할 수 있다. 정극 활물질의 예로서는, 예를 들어, LiNiCoMnO2 (리튬 니켈 코발트 망간 복합 산화물) 등의 리튬 전이 금속 산화물을 들 수 있다. 예를 들어, 정극 활물질에, 도전재로서 아세틸렌 블랙 (AB) 등의 카본 블랙 또는 기타 분말 상태 탄소 재료 (그래파이트 등)의 혼합물을 사용할 수 있다. 정극 활물질 및 도전재 이외에, 또한, 예를 들어 폴리비닐리덴 플루오라이드 (PVDF), 스티렌 부타디엔 고무 (SBR), 폴리테트라플루오로에틸렌 (PTFE), 카르복시메틸 셀룰로오스 (CMC) 등의 바인더를 첨가할 수 있다. 이들을 적당한 분산 매체에 분산시키고, 생성된 분산액을 혼련함으로써 정극 합제 (페이스트)를 제조할 수 있다. 정극 활물질 층(54)은 이 정극 합제를 정극 집전체(52)에 도포하고, 이어서 건조시키고, 미리 정해진 두께로 가압함으로써 형성된다.부극 시트(60)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 띠 형상의 부극 집전체(62) 및 부극 활물질 층(64)을 포함한다. 부극 집전체(62)로서는, 예를 들어, 두께가 약 10 μm인 띠 형상의 구리 박이 사용된다. 부극 집전체(62)의 폭 방향 편측 상에는, 그의 한 테두리부를 따라 미도포 시공부(62a)가 설정된다. 도면에 도시한 예에서는, 부극 활물질 층(64)은, 부극 집전체(62) 상에 설정된 미도포 시공부(62a)를 제외한, 부극 집전체(62)의 양면에 보유 지지된다. 부극 활물질 층(64)에는 예를 들어, 부극 활물질, 증점제, 바인더 등이 포함된다.부극 활물질로서는, 리튬 이온 이차 전지에 종래 사용되는 1종 또는 2종 이상의 물질을 특별한 한정 없이 사용할 수 있다. 그의 적합예로서, 그래파이트 카본 등의 탄소 재료를 들 수 있다. 정극의 경우에서와 같이, 부극 활물질을 PVDF, SBR, PTFE, CMC 등의 바인더와 함께 적당한 분산 매체에 분산시키고, 생성된 분산액을 혼련함으로써, 부극 합제 (페이스트)를 제조할 수 있다. 부극 활물질 층(64)은 이 부극 합제를 부극 집전체(62)에 도포하고, 이어서 건조시키고, 미리 정해진 두께로 가압함으로써 형성된다.제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)는, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 정극 시트(50) 및 부극 시트(60)를 이격하는 부재이다. 이 예에서는, 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)는 미소한 구멍을 복수개 갖는 소정 폭의 띠 형상 시트재로 구성된다. 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 부극 활물질 층(64)의 폭(b1)은 정극 활물질 층(54)의 폭(a1)보다 넓다 (b1003e#a1). 또한, 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)의 폭(c1 및 c2)은 정극 활물질 층(54)의 폭(a1)보다 넓고, 부극 활물질 층(64)의 폭(b1)보다 넓다 (c1, c2003e#b1003e#a1). 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)에 대해서는 추후에 상세하게 설명할 것이다.권회 전극체(20)에서는, 정극 시트(50) 및 부극 시트(60)가, 제1 세퍼레이터(70) 또는 제2 세퍼레이터(72)를 그 사이에 개재하여, 정극 활물질 층(54) 및 부극 활물질 층(64)이 서로 대향하도록 하는 방식으로 서로 적층된다. 보다 구체적으로는, 권회 전극체(20)에서는, 정극 시트(50), 부극 시트(60), 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)는 정극 시트(50), 제1 세퍼레이터(70), 부극 시트(60) 및 제2 세퍼레이터(72)의 순으로 적층된다. 또한, 부극 집전체(62) 및 정극 집전체(52)는 서로의 미도포 시공부(52a, 62a)가 권회 전극체(20)의 폭 방향에서 그의 반대측으로 각각 돌출되도록 하는 방식으로 적층된다. 적층되는 시트재 (예를 들어, 정극 시트(50))는 폭 방향으로 설정된 권회 축(WL) 둘레에 권회된다.권회 전극체(20)는 전지 케이스(30) (이 예에서는, 덮개(34))에 설치된 전극 단자(42, 44)에 설치된다. 권회 전극체(20)는 권회 축에 직교하는 한 방향에서 가압하여 편평하게 구부러진 상태에서 전지 케이스(30)에 수납된다. 권회 전극체(20)에서는, 세퍼레이터(70, 72)의 폭 방향에서, 정극 시트(50)의 미도포 시공부(52a) 및 부극 시트(60)의 미도포 시공부(62a)가 서로 반대측으로 튀어나와 있다. 한 전극 단자(42)는 정극 집전체(52)의 미도포 시공부(52a)에 고정되고, 다른 전극 단자(44)는 부극 집전체(62)의 미도포 시공부(62a)에 고정된다. 상기 권회 전극체(20)는 케이스 본체(32)의 편평한 내부 공간에 수용된다. 케이스 본체(32)는 권회 전극체(20)가 케이스 본체(32) 내에 수용된 후 덮개(34)에 의해 막아진다.전해액 (비수 전해액)으로서는, 리튬 이온 이차 전지에 종래 사용되는 비수 전해액과 동일한 전해액을 임의의 특별한 한정 없이 여기서 사용할 수 있다. 비수 전해액은, 전형적으로는, 적당한 비수 용매에 지지염을 혼입한 조성을 갖는다. 상기 비수 용매로서는, 에틸렌 카르보네이트, 프로필렌 카르보네이트, 디메틸 카르보네이트, 디에틸 카르보네이트, 에틸 메틸 카르보네이트, 1,2-디메톡시에탄, 1,2-디에톡시에탄, 테트라히드로푸란, 1,3-디옥솔란 등으로 이루어지는 군으로부터 선택된 비수 용매 중 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 상기 지지염으로서는, 예를 들어, LiPF6, LiBF4, LiAsF6, LiCF3SO3, LiC4F9SO3, LiN(CF3SO2)2 또는 LiC(CF3SO2)3 등의 리튬염을 사용할 수 있다. 일례로서, 비수 전해액은 에틸렌 카르보네이트 및 디에틸 카르보네이트의 혼합 용매 (예를 들어, 질량비 1:1)에 LiPF6을 약 1 mol/L의 농도로 함유한다.이하, 본 발명의 일 실시형태에 따른 리튬 이온 이차 전지(100)의 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)를 상세하게 설명할 것이다.자동차 등의 차량에 탑재되는 조전지는, 조전지가 제한된 탑재 스페이스에서 사용될 것이며 진동 하에 놓일 것이라는 전제 하에, 다수의 전지를 배열하고 구속한 상태로 구축된다. 구속 시에는, 조전지를 구성하는 개개의 전지에 상당한 면압 (구속 하중)이 가해진다. 본 발명자들에 의한 발견에 의하면, 실사용 중에 전지의 충전 상태의 변화 및 온도 변화 등에 기인하여 발생하는 전극 판의 팽창 및 수축이, 전지 상에 작용하는 면압 (구속 하중)의 현저한 변동을 일으킬 수 있는 것이 드러났다. 이러한 변동은 또한 전지의 저항의 변화를 일으킬 수 있다. 또한, 전지 저항의 변동은 전지 성능을 저하시킬 수 있다. 본 발명자들은, 실험을 거쳐, 면압 변화에 수반하는 전지 저항의 변동 (면압 의존성)의 요인이 세퍼레이터에 있는 것을 발견하였다. 구체적으로는, 본 발명자들은 다양한 다른 세퍼레이터를 사용한 전지를 복수개 제조하고, 전지의 면압 (구속 하중)을 변경하면서 각각의 전지의 IV 저항을 측정하였다. 이 중, 폴리올레핀 수지로부터 형성되는 세퍼레이터 및 부직포로부터 형성되는 세퍼레이터를 사용한 전지에서의, IV 저항의 측정 결과를 도 11 및 도 12에 도시한다. 도 11은 폴리올레핀 수지 세퍼레이터를 사용했을 때의 면압과 IV 저항 사이의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 12는 부직포 세퍼레이터를 사용했을 때의 면압과 IV 저항 사이의 관계를 나타내는 그래프이다.폴리올레핀 수지 세퍼레이터를 사용한 전지에서는, 도 11에 도시한 바와 같이, 면압이 증가함에 따라서 IV 저항이 증가 경향을 나타내었다. 다른 한편, 부직포 세퍼레이터를 사용한 전지에서는, 도 12에 도시한 바와 같이, 면압이 증가함에 따라서 IV 저항이 저하 경향을 나타내었다. 이것은 폴리올레핀 수지 세퍼레이터와 부직포 세퍼레이터 사이에, IV 저항의 면압 의존성이 정부 역전 경향을 나타내는 것을 의미한다. 본 발명자들은 이러한 IV 저항의 면압 의존성의 정부 역전 경향을 나타내는 2종의 세퍼레이터를 사용하고, 세퍼레이터의 각각의 특성 사이의 상호작용을 이용함으로써, 종래 전지에 비하여, 면압 변화에 수반하는 전지 저항의 변동이 보다 적은 전지를 얻을 수 있다는 아이디어에 기초하여 본 발명을 완성하였다.여기서 제안되는 리튬 이온 이차 전지(100)는, 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 정극(50), 제1 세퍼레이터(70), 부극(60) 및 제2 세퍼레이터(72)가 이 순서로 적층되고, 생성된 적층체가 권회되어 형성되는 권회 전극체(20)를 포함한다. 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)에서 IV 저항의 면압 의존성은 서로 정부 역전 경향을 나타낸다.IV 저항의 면압 의존성은 도 4에 도시하는 라미네이트 셀(80)을 사용하여 계산할 수 있다. 여기서, 도 4는 IV 저항의 면압 의존성을 얻기 위한 라미네이트 셀(80)의 구성예를 도시한다. IV 저항의 면압 의존성을 얻기 위해서, 예를 들어, 도 4에 도시한 바와 같이, 평가하고자 하는 세퍼레이터(86), 정극(82) 및 부극(84)을 포함하는 전극체(88)를 제조한다. 세퍼레이터(86)로서는 여기서 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)가 각각 사용된다. 정극(82)으로서는, 정극 집전체(82a)의 편면에 정극 활물질 층(82b)을 보유 지지시킨 정극이 사용된다. 여기서 정극 집전체(82a) 및 정극 활물질 층(82b)에는, 정극 시트(50)에 사용되는 정극 집전체(52) 및 정극 활물질 층(54)과 동일한 재료가 사용된다. 정극 집전체(82a)에는 정극 단자(82c)가 설치된다. 부극(84)으로서는, 부극 집전체의 편면에 부극 활물질 층(84b)을 보유 지지시킨 부극이 사용된다. 여기서 부극 집전체(84a) 및 부극 활물질 층(84b)에는, 부극 시트(60)에 사용되는 부극 집전체(62) 및 부극 활물질 층(64)과 동일한 재료가 사용된다. 부극 집전체(84a)에는 부극 단자(84c)가 설치된다.상기 라미네이트 셀(80)에서는, 도 4에 도시한 바와 같이, 평가하고자 하는 세퍼레이터(86)를 그 사이에 개재하여, 정극(82) 및 부극(84)을 서로 대향하게 배치하고, 전해액에 침지시켜 라미네이트 주머니(85) 내에 수용한다. 라미네이트 셀(80)의 전극체(88)의 적층 방향 (정극(82), 세퍼레이터(86) 및 부극(84)의 적층 방향)에 대하여 일정한 면압 (하중)이 가해진다. 면압이 변경되는 소정의 범위에서, 각각의 면압에서, 소정의 전류값 (예를 들어 30 C)에서 10초에 걸쳐 라미네이트 셀(80)을 충전 및 방전하고; 이때 충전 및 방전 전의 전압값 (초기 전압값)과 초기 전압값으로부터 10초 경과 후 시점에서의 전압값 사이의 차분에 기초하여 IV 저항을 산출한다. IV 저항과 면압 사이의 상관관계를 나타내는 그래프로부터 IV 저항의 면압 의존성을 파악할 수 있다.도 11은 제1 세퍼레이터(70)를 사용하여, 면압을 0.5 내지 3.0 MPa의 범위에서 변경한 경우의 IV 저항의 변화를 나타낸다. 여기서 면압은 면압이 1.5 MPa인 경우의 IV 저항을 100%로 한 상대값을 나타낸다. 이 경우, 면압과 IV 저항 사이의 상관관계를 나타내는 그래프의 기울기를 아는 것으로써, 제1 세퍼레이터(70)를 사용했을 때의 IV 저항의 면압 의존성 (이하, 저항 증가율 X)을 구할 수 있다. 구체적으로는 이하의 식 1을 사용하여 X를 구할 수 있다. 이 예에서는 X는 +0.33%/MPa로 설정된다.저항 증가율 X (%/MPa)=델타 X/델타 P (1)델타 P(ΔP): 전극체의 적층 방향에 가해지는 면압의 변화량 (MPa)델타 X(ΔX): 면압 변화량 델타 P를 적용했을 때의 저항 증가량 (%)도 12는 제2 세퍼레이터(72)를 사용하여, 면압을 0.5 내지 3.0 MPa의 범위에서 변경했을 경우의 IV 저항의 변화를 나타낸다. 여기서 면압은 면압이 1.5 MPa인 경우의 IV 저항을 100%로 한 상대값을 나타낸다. 이 경우, 면압과 IV 저항 사이의 상관관계를 나타내는 그래프의 기울기를 아는 것으로써, 제2 세퍼레이터(72)를 사용했을 때의 IV 저항의 면압 의존성 (이하, 저항 증가율 Y)을 구할 수 있다. 구체적으로는 이하의 식 2를 사용하여 Y를 구할 수 있다. 이 예에서는 Y는 -0.35%/MPa로 설정된다.저항 증가율 Y (%/MPa)=델타 Y/델타 P (2)델타 P(ΔP): 전극체의 적층 방향에 가해지는 면압의 변화량 (MPa)델타 Y(ΔY): 면압 변화량 델타 P를 적용했을 때의 저항 증가량 (%)여기에 개시되는 리튬 이온 이차 전지(100)에서는, 상기 식 1을 사용하여 구해지는 제1 세퍼레이터(70)의 상기 측정에 기초하는 저항 증가율 X는 X003e#0 (양의 값)인 것으로 규정된다. 상기 식 2를 사용하여 구해지는 제2 세퍼레이터(72)의 상기 측정에 기초하는 저항 증가율 Y는 Y003c#0 (음의 값)인 것으로 규정된다. 즉, 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)는, 상기 측정에 기초하는 저항 증가율 X, Y가 상기 정부 역전 경향을 나타내도록 설정된다. 이러한 구성에 의하면, 저항 증가율 X, Y가 정부 역전 경향을 나타내는 제1 세퍼레이터(70)와 제2 세퍼레이터(72)를 병용함으로써, 면압이 변화한 경우에도, 전지 저항의 변동이 발생하기 어렵다. 그로 인해, 상기 전지 저항의 변동에 수반하는 다양한 문제가 해소된 고성능 리튬 이온 이차 전지(100)가 구축될 수 있다. 예를 들어, 도 13은 저항 증가율 X가 +0.33%/MPa인 제1 세퍼레이터(70)와, 저항 증가율 Y가 -0.35%/MPa인 제2 세퍼레이터(72)를 병용했을 때의 면압과 IV 저항 사이의 관계를 시뮬레이션한 그래프이다. 도 13에 도시한 바와 같이, 저항 증가율 X, Y가 서로 다른 제1 세퍼레이터(70)와 제2 세퍼레이터(72)를 병용함으로써, IV 저항의 면압 의존성 (저항 증가율)을 -0.02%/MPa까지 작게 할 수 있다. 본 발명자들에 의한 검토에 의하면, 상기 저항 증가율 X, Y가 서로 다른 제1 세퍼레이터(70)와 제2 세퍼레이터(72)를 병용하는 것에 의한 저항 변동 억제 효과는, 제1 세퍼레이터(70)와 제2 세퍼레이터(72)를 서로 접합한 2층 구조의 세퍼레이터를 사용한 경우에는 유사한 정도로 발휘될 수 없다는 것이 하기 기재된 시험 예에서 드러났다. 즉, 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)가, 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)가 전극체(20)의 적층 방향에 서로 접하지 않는 상태에서 전극체(20) 내에 배치되는 경우에, 보다 우수한 저항 변동 억제 효과를 제공하는 리튬 이온 이차 전지(100)가 구축될 수 있다.상기 식 1에 기초하여 구해지는 여기에 개시되는 제1 세퍼레이터(70)의 저항 증가율 X는 X003e#0 (양의 값)이도록 설정되면 충분하다. 상기 제1 세퍼레이터(70)의 재료로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌 (PE) 또는 폴리프로필렌 (PP) 등의 폴리올레핀 수지를 적절하게 사용할 수 있다. 이러한 폴리올레핀 수지로부터 형성되는 제1 세퍼레이터(70)의 구조는 단층 구조일 수 있거나 다층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제1 세퍼레이터(70)는 PP 층, PP 층 상에 적층된 PE 층, 및 PE 층 상에 적층된 PP 층의 3층 구조의 형태로 구성될 수 있다. 다층 구조를 갖는 제1 세퍼레이터(70)의 층수는 3개로 한정되지 않고, 2개 또는 4개 이상일 수 있다.예를 들어, 제1 세퍼레이터(70)는 PE계 수지로 구성될 수 있다. PE계 수지로서는, 에틸렌의 단독중합체가 바람직하게 사용된다. PE계 수지는 에틸렌으로부터 유도되는 반복 단위를 50 질량% 이상 함유하는 수지, 즉 에틸렌과 공중합가능한 α-올레핀의 중합으로 인해 생성되는 공중합체, 또는 에틸렌과 공중합가능한 적어도 1종의 단량체의 중합으로 인해 생성되는 공중합체일 수 있다. α-올레핀으로서, 프로필렌 등이 예시된다. 다른 단량체로서, 예를 들어, 공액 디엔 (예를 들어 부타디엔), 아크릴산 등이 예시된다. 예를 들어, PE로서는, 일반적으로 고밀도 폴리에틸렌 또는 직쇄상 (선상) 저밀도 폴리에틸렌으로 칭해지는 폴리올레핀을 사용할 수 있다. 대안적으로, 중밀도 및 저밀도의 각종 유형의 분지 폴리에틸렌을 여기서 사용할 수 있다. 제1 세퍼레이터(70)는, 필요에 따라, 가소제, 산화 방지제 등의 각종 첨가제를 함유할 수 있다.여기에 개시되는 제1 세퍼레이터(70)의 두께는 바람직하게는 약 10 μm 내지 30 μm, 보다 바람직하게는 약 10 μm 내지 25 μm 범위이다. 제1 세퍼레이터(70)의 두께가 상기 범위 내이면, 상술한 효과가 보다 잘 발휘될 수 있다. 제1 세퍼레이터(70)의 두께가 지나치게 크면, 제1 세퍼레이터(70)의 이온 전도성은 저하될 수 있다. 다른 한편, 제1 세퍼레이터(70)의 두께가 지나치게 작으면, 파막이 발생하는 우려가 있을 수 있다. 제1 세퍼레이터(70)의 두께는 SEM에 의해 촬영한 화상을 화상 해석함으로써 계산할 수 있다.제1 세퍼레이터(70)의 공극률은 바람직하게는 약 20% 내지 60%, 보다 바람직하게는, 예를 들어 약 30% 내지 50% 범위이다. 제1 세퍼레이터(70)의 공극률이 상기 범위 내이면, 제1 세퍼레이터(70)의 셧다운 기능을 유효하게 하면서, 상술한 효과를 보다 잘 발휘할 수 있다. 제1 세퍼레이터(70)의 공극률이 지나치게 크면, 제1 세퍼레이터(70)의 셧다운 기능이 유효하게 작용하지 않고, 강도가 부족해서 파막이 일어나기 쉬워질 우려가 있다. 다른 한편, 제1 세퍼레이터(70)의 공극률이 지나치게 작으면, 제1 세퍼레이터(70)에 보유 지지될 수 있는 전해액량이 적어지고, 이온 전도성이 저하할 수 있다.여기에 개시되는 제1 세퍼레이터(70)의 걸리 값(Gurley value) (통기 저항)은 적당하게는 약 300 (sec/100 cm3) 이상 900 (sec/100 cm3) 이하, 바람직하게는 400 (sec/100 cm3) 이상 800 (sec/100 cm3) 이하, 보다 바람직하게는 500 (sec/100 cm3) 이상 700 (sec/100 cm3) 이하 범위이다. 제1 세퍼레이터(70)의 걸리 값이 상기 범위 내이면, 제1 세퍼레이터(70)의 셧다운 기능을 유효하게 하면서, 상술한 효과를 보다 잘 발휘할 수 있다. 본 명세서에서, 세퍼레이터의 걸리 값은 JIS L 1096:2010 "직물 및 편물의 옷감 시험 방법"에 준거하여 측정한다.여기에 개시되는 제2 세퍼레이터(72)의, 상기 식 2에 기초하여 구해지는 저항 증가율 Y는 Y003c#0 (음의 값)이도록 설정되면 충분하다. 상기 제2 세퍼레이터(72)로서는, 예를 들어, 부직포를 적절하게 사용할 수 있다. 부직포를 구성하는 섬유의 예로서는, 예를 들어, 유리, 셀룰로오스, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리아미드-이미드, 폴리아크릴로니트릴, 전방향족 폴리에스테르 등을 들 수 있다. 상기 중에서도, 부직포는 바람직하게는 유리 섬유를 함유하고; 특히 바람직하게는 실질적으로 유리 섬유로 구성되는 부직포가 사용된다. 상기 부직포를 구성하는 섬유는 단섬유 또는 장섬유일 수 있다. 부직포의 섬유 직경은 적합하게는 약 5 μm 내지 30 μm, 바람직하게는 10 μm 내지 20 μm 범위이다. 부직포의 섬유 직경이 상기 범위 내이면, 제2 세퍼레이터(72)의 셧다운 기능을 유효하게 하면서, 상술한 효과를 보다 잘 발휘할 수 있다. 부직포의 섬유는, 필요에 따라, 가소제, 산화 방지제 등의 각종 첨가제를 함유할 수 있다.여기에 개시되는 제2 세퍼레이터(72)의 두께는 바람직하게는 약 10 μm 내지 30 μm, 보다 바람직하게는 약 10 μm 내지 25 μm 범위이다. 제2 세퍼레이터(72)의 두께가 상기 범위 내이면, 상술한 효과를 보다 잘 발휘할 수 있다. 제2 세퍼레이터(72)의 두께가 지나치게 크면, 제2 세퍼레이터(72)의 이온 전도성이 저하될 수 있다. 다른 한편, 제2 세퍼레이터(72)의 두께가 지나치게 작으면, 파막이 발생하는 우려가 있을 수 있다. 제2 세퍼레이터(72)의 두께는 SEM에 의해 촬영한 화상을 화상 해석함으로써 계산할 수 있다.제2 세퍼레이터(72)의 공극률은 바람직하게는 약 50% 내지 90%, 보다 바람직하게는, 예를 들어, 약 60% 내지 85% 범위이다. 제2 세퍼레이터(72)의 공극률이 상기 범위 내이면, 제2 세퍼레이터(72)의 셧다운 기능을 유효하게 하면서, 상술한 효과를 보다 잘 발휘할 수 있다. 제2 세퍼레이터(72)의 공극률이 지나치게 크면, 강도가 부족해서 파막이 일어나기 쉬워지는 우려가 발생한다. 다른 한편, 제2 세퍼레이터(72)의 공극률이 지나치게 작으면, 제2 세퍼레이터(72)에 보유 지지될 수 있는 전해액량이 적어지고, 이온 전도성이 저하할 수 있다.여기에 개시되는 제2 세퍼레이터(72)의 걸리 값 (통기 저항)은 적당하게는 약 3 (sec/100 cm3) 이상 20 (sec/100 cm3)이하, 바람직하게는 5 (sec/100 cm3) 이상 15 (sec/100 cm3)이하, 보다 바람직하게는 6 (sec/100 cm3) 이상 10 (sec/100 cm3) 이하 범위이다. 제2 세퍼레이터(72)의 걸리 값이 상기 범위 내이면, 상술한 효과를 보다 잘 발휘할 수 있다.제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)의 표면에 절연성 입자의 층을 형성할 수 있다. 절연성 입자는, 절연성 무기 필러 (예를 들어, 금속 산화물 또는 금속 수산화물 등의 필러), 또는 절연성 수지 입자 (예를 들어, 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌의 입자)로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)의 이면들 중, 부극 활물질 층에 대향하는 면 상에 무기 필러를 함유하는 내열 다공층이 형성될 수 있다. 바람직하게는, 무기 필러는 내열성이고 전지의 명시된 범위 내에서 전기화학적으로 안정하다. 적합예로서, 예를 들어, 알루미나 (Al2O3), 알루미나 수화물 (예를 들어 베마이트 (Al2O3ㆍH2O)), 수산화마그네슘 (Mg(OH)2), 탄산마그네슘 (MgCO3) 등의 무기 금속 화합물이 예시된다. 이들 무기 금속 화합물 재료는 1종의 단일 유형으로서, 또는 2종 이상의 유형으로서 병용하여 사용할 수 있다,제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)를 포함하는 권회 전극체(20)는 도 5에 도시하는 권회 장치(200)를 사용해서 제작할 수 있다. 권회 장치(200)는 한 쌍의 롤러(210a, 210b) 및 코어(220)를 포함한다. 한 쌍의 롤러(210a, 210b)는 코어(220) 옆에 대칭적으로 위치하도록 배치된다. 도 5에 도시한 예에서는, 정극 시트(50) 및 제2 세퍼레이터(72)가 롤러(210a)에 공급되고, 부극 시트(60) 및 제1 세퍼레이터(70)가 롤러(210b)에 공급된다. 이 상태에서, 롤러(210a, 210b)를 각각의 권회 축 둘레에 1 방향으로 회전하도록 유발한다. 정극 시트(50), 제1 세퍼레이터(70), 부극 시트(60) 및 제2 세퍼레이터(72)가 이 순서로 적층되고, 생성된 적층체가 권회됨으로써 이에 의해 권회 전극체(20)가 구축될 수 있다.이어서, 각각이 이러한 구성의 리튬 이온 이차 전지(100)인 단전지를 복수개 구비하여 얻어지는 조전지의 일 구성예를 설명한다. 이 조전지(1000)에서는, 도 6에 도시한 바와 같이, 복수개 (도면에서는 4개, 예를 들어 10개 이상, 바람직하게는 약 10 내지 30개, 예를 들어 20개)의 리튬 이온 이차 전지 (단전지)(100)를 각각의 정극 단자(42) 및 부극 단자(44)가 교대로 배치되도록 전지를 서로에 대해 반전시키면서, 전지 케이스(30)의 광폭면이 서로 대향하도록 하는 방향 (적층 방향)으로 배열된다. 이에 따라 배열된 단전지(100) 사이에는, 소정 형상의 냉각판(110)이 끼워 넣어진다. 상기 냉각판은 사용 시에 단전지(100) 내에서 발생하는 열을 효율적으로 방산시키기 위한 방열 부재로서 기능한다. 냉각판은 단전지(100) 사이에 냉각용 유체 (전형적으로는 공기)를 도입가능한 형상 (예를 들어, 복수개의 평행한 홈이 직사각 형상의 냉각판의 한 변으로부터 수직으로 연장하여 상기 판의 대향하는 변에 이르는 형상)을 갖는다. 높은 우수한 열전도성을 갖는 금속제의 또는 폴리프로필렌 등의 경량 및 경질 합성 수지제의 냉각판이 여기서 적합하다.이에 따라 배열된 단전지(100) 및 냉각판(110)의 세트의 양단부에는 한 쌍의 엔드 플레이트 (구속판)(120)가 배치된다. 이에 따라 배열된 단전지(100) 및 냉각판(110)은 양쪽 엔드 플레이트(120)를 가로질러 놓여지도록 설치된 체결용의 구속 밴드(130)에 의해, 규정된 구속 하중 (면압: 0.5 MPa 내지 3 MPa, 바람직하게는 1 MPa 내지 2.5 MPa)이 가해지도록 구속된다. 인접하는 단전지(100)의 한쪽의 정극 단자(42) 및 또 다른 쪽의 부극 단자(44)는 각각의 접속 부재 (버스 바)(140)에 의해 서로 전기적으로 접속된다.도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시형태에 따른 조전지(1000)의 단전지(100) 각각에서는 저항 증가율 X, Y가 서로 다른 제1 세퍼레이터(70)와 제2 세퍼레이터(72)가 병용된다. 따라서, 구속 하중 (면압)이 변화한 경우에도, 단전지(100)에서 전지 저항의 변동이 발생하기 어렵다. 따라서, 어느 단전지(100)에서도 전지 저항의 변동으로부터 유래되는 여러가지 문제 (예를 들어, 전지 저항의 증대에 기인하는 회생 전류의 감소, 나아가서는 연비의 악화를 야기하는 문제, 또는 전지 저항의 저하에 기인하는 충전 전류의 증대, 나아가서는 과충전을 야기하는 문제)를 회피하는 것을 가능케 하는 고성능 조전지(1000)를 구축할 수 있다.이상, 본 발명의 일 실시형태에 따른 리튬 이온 이차 전지(100) 및 조전지(1000)에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않는다.여기에 개시되는 기술의 적합한 적용 대상은 상술한 권회 유형의 전극체에 한정되지 않는다. 예를 들어, 정극(50), 제1 세퍼레이터(70), 부극(60) 및 제2 세퍼레이터(72)가 이 순서로 반복해서 적층된 적층 전극체(20)도 또한 가능하다. 도 7 및 도 8은 이러한 적층 전극체(20)를 모식적으로 도시한다. 도면에 도시한 예에서는, 정극 집전체(52) 및 부극 집전체(62)는 직사각형의 시트재이다. 정극 집전체(52) 및 부극 집전체(62)는 그의 길이 방향을 서로 정렬시키고, 정극 활물질 층(54) 및 부극 활물질 층(64)이 세퍼레이터(70, 72)를 그 사이에 개재하여 서로 대향하여 교대로 적층되도록 하는 방식으로 교대로 적층된다. 상기 적층 전극체(20)에서, 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)는 전극체(20)의 적층 방향으로 교대로 배치된다. 이에 따라, 정극(50), 제1 세퍼레이터(70), 부극(60) 및 제2 세퍼레이터(72)가 이 순서로 반복해서 적층되고 있는 경우에도, 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)의 저항 증가율 X, Y를 적절하게 서로 상이하게 규정하는 것으로 상술한 효과를 달성할 수 있다. 세퍼레이터의 적층수는 도면에 도시한 8개 세퍼레이터로 한정되지 않고, 보다 큰 수 (예를 들어 10 내지 200개)일 수 있다.상술한 실시형태에서는, 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)가 전극체(20)의 적층 방향으로 교대로 배치되고 있지만, 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)의 적층 순서는 이에 한정되지 않고; 예를 들어 도 9에 도시한 바와 같이, 복수개 (도면에서는 3개)의 제1 세퍼레이터(70) (및 제2 세퍼레이터(72))를 전극체(20)의 적층 방향으로 연속해서 배치할 수 있다. 이에 따라, 복수개의 제1 세퍼레이터(70) (제2 세퍼레이터(72))가 전극체(20)의 적층 방향으로 연속해서 배치되는 경우에도, 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)의 저항 증가율 X, Y를 적절하게 상이하게 규정하는 것으로 저항 변동을 억제하는 효과를 달성할 수 있다.상술한 실시형태에서는, 전극체(20)의 적층 방향에서, 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)가 다른 층에 배치되지만, 적층은 이 구성에 한정되지 않고, 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)는 같은 층에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 10에 도시한 바와 같이, 전극체(20)의 적층 방향에 직교하는 폭 방향에서, 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)는 서로 인접하게 배치될 수 있다. 도면에 도시한 예에서는, 전극체(20)의 폭 방향에서, 각각의 제1 세퍼레이터(70)가 정극 집전체(52)의 미도포 시공부(52a)가 위치하는 측에 배치되고, 각각의 제2 세퍼레이터(72)가 부극 집전체(62)의 미도포 시공부(62a)가 위치하는 측에 배치된다. 이에 따라, 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)가 전극체(20)의 폭 방향에 서로 인접하게 배치되는 경우에도, 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)의 저항 증가율 X, Y를 적절하게 상이하게 규정하는 것으로 저항 변동을 억제하는 효과를 달성할 수 있다.여기에 개시되는 리튬 이온 이차 전지(100)는, 제1 세퍼레이터(70)와 정극(50) (특히 정극 활물질 층(54))이 서로 대향하는 영역의 면적을 S1로 나타내고, 제2 세퍼레이터(72)와 정극(50) (특히 정극 활물질 층(54))이 서로 대향하는 영역의 면적을 S2로 나타냈을 경우에, 바람직하게는-0.8Y/X≤(S1/S2)≤-1.2Y/X, 보다 바람직하게는-0.9Y/X≤(S1/S2)≤-1.12Y/X, 특히 바람직하게는 (S1/S2)=-Y/X를 충족한다. 상기 X는 상기 식 1에 기초하여 구해지는 제1 세퍼레이터(70)의 저항 증가율 X이며, 상기 Y는 상기 식 2에 기초하여 구해지는 제2 세퍼레이터(72)의 저항 증가율 Y이다. 바람직하게는, 저항 증가율 X가 +0.33%/MPa인 제1 세퍼레이터(70) 및 저항 증가율 Y가 -0.35%/MPa인 제2 세퍼레이터(72)를 사용하는 경우, 면적비 (S1/S2)가 -Y/X (즉 S1:S2이 35:33)를 충족한다. 이 경우, 예를 들어, 도 9에 도시하는 적층 전극체(20)에서, 세퍼레이터의 총 층수 (총 수)가 68개라면, 제1 세퍼레이터(70)를 35개, 제2 세퍼레이터(72)를 33개 사용할 수 있다. 이러한 면적비 (S1/S2)의 범위 내에서는 저항 변동을 보다 확실하게 억제할 수 있다.시험 예본 발명자들은 상기 세퍼레이터(70, 72)의 특성에 대해서 실험적으로 평가하였다. 여기서, 평가용 셀은 도 4의 사시도에 도시하는 라미네이트 셀 (리튬 이온 이차 전지)(80)에 기초하여 구축하였다. 각각의 평가용 셀은, 정극 집전체(82a)의 편면에 정극 활물질 층(82b)이 형성된 정극(82), 부극 집전체(84a)의 편면에 부극 활물질 층(84b)이 형성된 부극(84), 및 정극 활물질 층(82b)과 부극 활물질 층(84b) 사이에 개재된 세퍼레이터(86)를 포함하였다. 도 4에서는, 각 부재의 실제 두께는 반영하지 않았다.정극(82)에서는, 정극 활물질 층(82b)에 포함되는 정극 활물질 입자로서 LiNi1/3Mn1/3Co1/3O2 분말, 바인더로서 PVDF, 및 도전재로서 아세틸렌 블랙 (AB)을 사용하였다. 여기서, 정극 활물질 층(82b)을 형성하기 위한 합제로서는, LiNi1/3Mn1/3Co1/3O2, PVDF 및 AB를 LiNi1/3Mn1/3Co1/3O2:PVDF:AB=93:3:4의 질량 비율로, 분산 용매로서 NMP 중에 혼합하여 제조한 합제 페이스트를 사용하였다. 상기 합제 페이스트를 정극 집전체(82a)로서의 알루미늄 박 (두께 15 μm) 상에 도포하고, 그 전체를 건조시키고 압연하여, 정극(82)을 형성하였다.부극(84)은 부극 활물질 층(84b)에 포함되는 부극 활물질 입자로서 천연 흑연 분말, 바인더로서 SBR, 및 증점제로서 CMC를 사용하여 제조하였다. 여기서, 부극 활물질 층(84b)을 형성하기 위한 합제로서는, 흑연, SBR 및 CMC를 흑연:SBR:CMC=98:1:1의 질량 비율로, 분산 용매로서 물 중에 혼합하여 제조한 합제 페이스트를 사용하였다. 상기 합제 페이스트를 부극 집전체(84a)로서의 구리 박 (두께 10 μm) 상에 띠 형상으로 도포하고, 그 전체를 건조시키고 압연하여, 부극(84)을 형성하였다.여기서 사용되는 전해액은 에틸렌 카르보네이트, 디에틸 카르보네이트 및 에틸 메틸 카르보네이트를 3:4:3의 부피 비율로 배합하고, LiPF6을 1.1 mol/L의 농도로 용해시켜 얻었다.평가용 셀의 샘플 1 내지 3은 세퍼레이터의 재질이 상이하였다. 샘플 1에서는, 폴리에틸렌 (PE)의 단층으로부터 형성되는 다공질 시트를 사용하였다. 샘플 2에서는, 유리 섬유로부터 형성되는 부직포를 사용하였다. 샘플 3에서는, 폴리에틸렌 (PE)의 다공질막과 유리 섬유로부터 형성되는 부직포를 접합하여 생성된 2층 구조의 세퍼레이터를 사용하였다.이에 따라 얻어진 샘플 1 내지 3의 평가용 셀에 대하여, 정극(82), 세퍼레이터(86) 및 부극(84)의 적층 방향에 일정한 면압 (하중)을 가하였다. 면압을 0.5 MPa, 1.0 MPa, 1.5 MPa, 2.0 MPa 및 3.0 MPa로 변경하였고, 각 면압에서 IV 저항을 측정하였다. 여기서 IV 저항은 25℃의 환경 하에서 30 C의 전류값에서 충전 및 방전 전의 전압값 (초기 전압값)과, 초기 전압값으로부터 10초 경과 시점에서의 전압값 사이의 차분에 기초하여 계산하였다. 결과를 도 11, 도 12 및 도 15에 나타낸다. 여기서, 도 11은 샘플 1의 면압과 IV 저항 사이의 관계를 나타내는 그래프이며, 도 12는 샘플 2의 면압과 IV 저항 사이의 관계를 나타내는 그래프이며, 도 15는 샘플 3의 면압과 IV 저항 사이의 관계를 나타내는 그래프이다. 그래프의 기울기로부터 저항 증가율을 산출하였다.도 11에 도시한 바와 같이, PE 다공질 시트를 사용한 샘플 1에서는, 면압이 증가함에 따라서 IV 저항이 증가 경향을 나타내었다. 샘플 1의 저항 증가율은 +0.33%/MPa이었다. 샘플 1의 세퍼레이터에서는, 면압 증가에 의해 PE 수지의 공공이 폐색함으로써, 내부 저항이 증대한 것으로 추측된다. 도 12에 도시한 바와 같이, 부직포를 사용한 샘플 2에서는, 면압이 증가함에 따라서 IV 저항이 저하 경향을 나타내었다. 샘플 2의 저항 증가율은 -0.35%/MPa이었다. 샘플 2의 세퍼레이터에서는, 면압 증가에 의한 공공의 폐색은 일어나기 어렵지만, 상기 결과는 주로 세퍼레이터의 두께의 감소 (및 따라서 정부극간 거리의 감소)에 기인하는 IV 저항의 저하로부터 발생하는 것으로 추측된다.PE의 다공질 시트와 부직포의 조합인 2층 구조의 세퍼레이터를 사용한 샘플 3에서는, 샘플 1과 마찬가지로, 면압이 증가함에 따라 IV 저항이 증가 경향을 나타내었다. 샘플 3의 저항 증가율은 +0.24%/MPa이었다. 샘플 3의 세퍼레이터에서는, 면압 인가 시에 PE 수지의 공공이 폐색되고, 나아가 부직포의 공공도 PE에 의해 폐색되기 때문에, 그에 따라 내부 저항이 증대하는 것으로 추측된다. 상기 결과로부터, 제1 세퍼레이터(70)와 제2 세퍼레이터(72)의 조합인 2층 구조의 세퍼레이터를 사용한 전지 (도 14)에서 저항 변동을 억제하는 효과가 충분히 달성되지 않을 수 있다는 것이 드러났다.이상, 본 발명을 적합한 실시형태에 기초하여 설명하였지만, 이에 따라 기재된 특색은 한정하는 것이 아니고, 말할 필요도 없이, 상기 실시형태는 다양한 변경을 수용할 수 있다. 예를 들어, 상기의 실시형태에서는, 전지의 전형적인 예로서 리튬 이온 이차 전지에 대해서 설명했지만, 실시형태는 이 형태의 전지에 한정되지 않는다. 예를 들어, 전지는 리튬 이온 이외의 금속 이온 (예를 들어 나트륨 이온)을 전하 담체로 사용하는 전지일 수 있다.상술한, 여기에 개시되는 기술에 따라 제공되는 전지 (전형적으로는 리튬 이온 이차 전지)는, 전지 저항의 면압 의존성이 낮고, 우수한 전지 특성을 가지므로, 특히 자동차 등의 차량에 탑재되는 모터 (전동기)의 전원으로서 적합하게 사용할 수 있다. 따라서, 본 발명은 이러한 전지(100) (전형적으로는 복수개의 전지(100)가 직렬 접속하여 생성되는 조전지의 형태일 수 있음)를 전원으로서 구비하는 차량 (전형적으로는 자동차, 특히 하이브리드 자동차, 전기 자동차 또는 연료 전지 자동차와 같은, 전동기를 구비하는 자동차)을 제공한다. [ 산업상 이용가능성 ] 여기에 개시되는 전지는 전지 저항에서 보다 적은 변동을 나타내는 전지를 제공할 수 있다.	본 발명에 따른 전지(100)는, 세퍼레이터로서, 서로 특성이 다른 제1 세퍼레이터(70) 및 제2 세퍼레이터(72)를 포함한다. 제1 세퍼레이터 및 제2 세퍼레이터는 전극체의 적층 방향에서 서로 접하지 않는 상태에서 전극체(20) 내에 배치된다. 제1 세퍼레이터 및 제2 세퍼레이터는 이하의 특성을 갖는다: 정극(50), 제1 세퍼레이터 및 부극(60)이 적층되어 형성되는 전극체를 포함하는 전지를 구축했을 경우에, 상기 전극체의 적층 방향에 가해지는 면압의 변화량 델타 P 및 상기 면압 변화량 델타 P를 적용했을 때의 상기 전지의 저항 증가량 델타 X로부터 구해지는 저항 증가율 X=델타 X/델타 P가 X003e#0 (양의 값)이며, 정극, 제2 세퍼레이터 및 부극이 적층되어 형성되는 전극체를 포함하는 전지를 구축했을 경우에, 상기 전극체의 적층 방향에 가해지는 면압의 변화량 델타 P 및 상기 면압 변화량 델타 P를 적용했을 때의 상기 전지의 저항 증가량 델타 Y로부터 구해지는 저항 증가율 Y=델타 Y/델타 P가 Y003c#0(음의 값)이다.
[ 발명의 명칭 ] 희토류 박막 자석 및 그 제조 방법 및 희토류 박막 자석 형성용 타깃 RARE-EARTH THIN-FILM MAGNET, PROCESS FOR PRODUCING SAME, AND TARGET FOR FORMING RARE-EARTH THIN-FILM MAGNET [ 기술분야 ] 본 발명은, 펄스 레이저 데포지션법(PLD법)에 의해 형성한 희토류 박막 자석 및 그 제조 방법 및 희토류 박막 자석을 제작하기 위한 타깃에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 최근, 전자 기기의 경박단소화에 수반하여, 우수한 자기 특성을 갖는 희토류 자석의 소형화, 고성능화가 진행되고 있다. 그 중에서도, 네오디뮴-철-붕소(Nd-Fe-B)계 자석은, 현유의 자석 중에서 가장 높은 최대 에너지곱을 가지므로, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)나 에너지 하비스트(환경 발전) 등의 에너지 분야나, 의료 기기 분야 등에의 응용이 기대되고 있다.이러한 희토류 자석의 박막은, 스퍼터링법(특허문헌 1, 비특허문헌 1)이나 펄스 레이저 데포지션법(특허문헌 2, 비특허문헌 2) 등의 PVD(Physical Vapor Deposition)법(비특허문헌 3)을 이용하여 제작하는 것이 알려져 있다. 예를 들어 특허문헌 2에는, 펄스 YAG 레이저를 사용한 레이저 어블레이션법에 의해, 타깃과 막 사이에 우수한 조성 전사성이 있고, 또한 성막 속도가 스퍼터링법에 비해 1자릿수 이상이나 높은 Nd2Fe14B상을 주로 하는 Nd-Fe-B계 박막이 얻어지는 것이 기재되어 있다.이러한 방법으로 제작한 희토류 박막의 자석은, 보자력: 약 1000㎄/m, 잔류 자화: 0.6T, 최대 에너지곱 (BH)max: 60kJ/㎥의 값을 취하는 것이 보고되어 있다(비특허문헌 4). 그러나, 이들 수치 중에서도 잔류 자화 및 최대 에너지곱은, 아직 실용화 가능한 자기 특성이라고는 할 수 없고, 예를 들어 소형의 모터를 구동하기에 충분하지 않으므로, 가일층의 자기 특성의 개선이 강하게 요구되고 있다.박막 특성의 개선 방법 중 하나로서, α-Fe 연자성상과 Nd2Fe14B 경자성상을 복합화한 나노 콤퍼짓 구조화가 유효하다. 이 구조의 박막 자석은, 수 ㎚∼수십 ㎚의 크기의 결정립을 각각 갖는 연자성상과 경자성상을 박막의 조직 내에 공존시켜 양 상의 자기 특성을 교환 결합시킴으로써, 낮은 자계에서의 연자성상의 자화 반전이 방해되어, 마치 경자성상 단상과 같이 작용할 수 있다.나노 콤퍼짓 막의 종류로서는, α-Fe 연자성상과 Nd2Fe14B 경자성상을 2차원적으로 교대로 적층하여 다층화한 적층형 나노 콤퍼짓 막이라고 불리는 것과, 막 내에 α-Fe 연자성상과 Nd2Fe14B 경자성상을 3차원적으로 랜덤하게 분산시킨 분산형 나노 콤퍼짓 막이라고 불리는 것의 2종류가 있다. 전자에 대해서는, 펄스 레이저 데포지션법으로 Nd2Fe14B/α-Fe를 주기적으로 800층 적층하고, 두께가 약 10㎛인 다층막을 성막하는 것, 또한 그것에 의해, 최대 에너지곱이 90kJ/㎥를 달성한 것이 개시되어 있다(비특허문헌 5).그러나, 이러한 방법으로 제작한 나노 콤퍼짓 막은, 펄스 레이저 데포지션 특유의 드롭렛이 막 표면에 퇴적되어 요철이 발생하므로, 적층 수가 많아짐에 따라 연자성상과 경자성상의 계면에 있어서의 조성 변화의 급준성이 점차 저하되고, 이 결과, 박막의 자기 특성의 열화가 우려된다.후자에 대해서는, 비특허문헌 6에 마그네트론 스퍼터링법에 의해 Nd2Fe14B/α-Fe의 분산형 나노 콤퍼짓 막의 성막, 및 열처리하는 것이 기재되어 있다(비특허문헌 6). 그러나, 이 방법으로 제작한 분산형 나노 콤퍼짓 막은 아직 충분한 자기 특성은 얻어져 있지 않다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특허 공개 제2012-207274호 공보일본 특허 공개 제2009-091613호 공보 [ 비특허문헌 ] N.M.Dempsey, A.Walther, F.May, D.Givord, K.Khlopkov O.Gutfeisch: Appl.Phys.Lett. 90(2007) 092509-1-092509-3.H.Fukunaga, T.Kamikawatoko, M.Nakano, T.Yanai F.Yamashita: J.Appl.Phys. 109(2011) 07A758-1-07A758-3.G. Rieger, J. Wecker, W. Rodewalt, W. Scatter, Fe.-W. Bach, T.Duda and W.Unterberg: J.Appl.Phys. 87(2000) 5329-5331.M.Nakano, S.Sato, F.Yamashita, T.Honda, J.Yamasaki, K.Ishiyama, M.Itakura, J.Fidler, T.Yanai, H.Fukunaga: IEEE Trans.Magn. 43(2007) 2672-2676.H.Fukunaga, H.Nakayama, T.Kamikawamoto, T.Yanai, M.Nakano, F.Yamashita, S.Ohta, M.Itakura, M.Nishida: J. Phys. Conf. Ser. 266(2011) 012027-1-012027-5.이시조네, 노무라, 가토, 미야자키, 모토카와: 일본 응용 자기학회지 24(2000)423-426. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은, 양호한 자기 특성을 갖고, 양산성·재현성이 우수한, α-Fe상과 Nd2Fe14B상이 3차원적으로 교호 배열된 나노 콤퍼짓 구조를 갖는 희토류 박막 자석 및 그 제조 방법 및 희토류 박막 자석을 제작하기 위한 타깃을 제공하는 것을 과제로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기한 과제를 해결하기 위해, 본 발명자들은 예의 연구를 행한 결과, 펄스 레이저 데포지션법에 의한 성막에서 사용하는 타깃의 조성 및 펄스 레이저 강도 밀도를 최적화함으로써, 단상으로 이루어지는 1매의 타깃으로부터, α-Fe상과 Nd2Fe14B상이 3차원적으로 교호 배열된 나노 콤퍼짓 구조를 갖는 희토류 박막을 성막할 수 있다는 지견을 얻었다. 본 발명에 있어서의 나노 콤퍼짓 구조라 함은, 자화가 높은 연자성상인 α-Fe상과 보자력을 발현하는 경자성상인 Nd2Fe14B상이 수십 ㎚의 오더의 평균 결정 입경으로 3차원적으로 교호 배열된 구조를 의미한다. 그 구조의 모식도를 도 1에 나타낸다.이러한 지견에 기초하여, 본 발명은 이하의 수단을 제공한다.1) Nd, Fe, B를 필수 성분으로 하는 희토류 박막 자석이며, α-Fe상과 Nd2Fe14B상이 3차원적으로 교호 배열된 조직으로 이루어지고, 각 상의 평균 결정 입경이 10∼30㎚인 것을 특징으로 하는 희토류 박막 자석.2) 막 두께가 5㎛ 이상이고, 최대 에너지곱 (BH)max가 90kJ/㎥ 이상, 130kJ/㎥ 이하인 것을 특징으로 하는 상기 1)에 기재된 희토류 박막 자석.3) NdxFe14B(단, X는 1.8∼2.7을 만족시키는 수)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 희토류 박막 자석 형성용 타깃.4) Nd, Fe, B를 필수 성분으로 하고, α-Fe상과 Nd2Fe14B상이 3차원적으로 교호 배열된 조직으로 이루어지고, 각 상의 평균 결정 입경이 10∼30㎚인 희토류 박막 자석을, 펄스 레이저 데포지션법에 의해 형성하기 위한 상기 3)에 기재된 희토류 박막 자석 형성용 타깃.5) 상기 3) 또는 4)에 기재된 타깃을 사용하여 펄스 레이저 데포지션법에 의해 희토류 박막을 성막하는 공정, 성막한 희토류 박막을 열처리하여 결정화시키는 공정, 결정화한 희토류 박막을 착자하여 희토류 박막 자석을 제작하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 희토류 박막 자석의 제조 방법.6) 희토류 박막을 성막하는 공정에 있어서, 펄스 레이저 강도 밀도를 1∼1000J/㎠로 하는 것을 특징으로 하는 상기 5)에 기재된 희토류 박막 자석의 제조 방법.7) 희토류 박막을 결정화시키는 공정에 있어서, 7∼9㎾, 시간이 1∼5초인 조건에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 상기 5) 또는 6)에 기재된 희토류 박막 자석의 제조 방법. [ 발명의 효과 ] 본 발명은, 펄스 레이저 데포지션법에 의해, α-Fe상과 Nd2Fe14B상이 3차원적으로 교호 배열된 나노 콤퍼짓 구조의 희토류 박막 자석을 제작할 수 있다. 그리고, 얻어지는 희토류 박막 자석은, 양호한 자기 특성을 나타낸다고 하는 우수한 효과를 갖는다. 또한, 본 발명은, 단상으로 이루어지는 1매의 타깃으로부터, 상기 나노 콤퍼짓 구조의 희토류 박막 자석을 안정적으로 성막할 수 있으므로, 제조 비용의 점에서 생산성을 향상시킬 수 있다고 하는 우수한 효과를 갖는다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명의 희토류 박막 자석의 조직을 나타내는 모식도이다.도 2는 실시예 1의 희토류 박막 자석의 M-H 특성도이다.도 3은 실시예 1의 열처리 전후에 있어서의 희토류 박막 자석의 X선 회절도이다.도 4는 실시예 1의 열처리 후의 조직의 TEM 명시야상과 대응하는 SAD(Selected area diffraction) 도형이다.도 5는 실시예 1의 희토류 박막 자석 중의 α-Fe 결정립과 Nd2Fe14B 결정립의 분포도이다.도 6은 실시예 2의 희토류 박막 자석의 M-H 특성도이다.도 7은 실시예 3의 희토류 박막 자석의 M-H 특성도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명의 희토류 박막 자석은, Nd(네오디뮴), Fe(철) 및 B(붕소)를 필수 성분으로서 함유하고, 도 1에 나타내는 바와 같이 α-Fe상(도 1 중에서 흑색 부분)과 Nd2Fe14B상(도 1 중에서 회색 부분)이 3차원적으로 교호 배열된 조직의 나노 콤퍼짓 구조를 갖고, α-Fe상 및 Nd2Fe14B상의 평균 결정 입경이 10∼30㎚인 것을 특징으로 하는 것이다.α-Fe상은, 고립 입자를 가정하면 10㎚ 미만으로 되면 초상자성 상태에 근접한다. 한편, 평균 결정 입경이 30㎚를 초과하면, Nd2Fe14B상과의 교환 결합이 저하됨과 함께, 자화 반전의 피닝 효과의 역할을 하는 연자성상의 α-Fe 결정립끼리의 입계의 감소나, α-Fe 결정립과 Nd2Fe14B 결정립의 입계의 존재 비율이 감소하므로, 보자력이 저하된다. 따라서, α-Fe상의 평균 결정 입경은 상기 수치 범위로 한다.또한, Nd2Fe14B상의 단자구 결정립 사이즈가 240㎚ 정도이므로, 단자구 결정립 사이즈 이하인 것이 전제인 동시에, 전술한 바와 같이, 인접하는 α-Fe상의 평균 결정 입경이 10∼30㎚이므로, 이 이상의 크기의 평균 결정 입경에서는, α-Fe상과 불균일이 발생하여 교환 결합이 저하된다. 따라서, Nd2Fe14B상의 평균 결정 입경은 상기한 수치 범위로 한다.각 상의 평균 결정 입경은, 펄스 레이저 데포지션법에 의해 α-Fe상과 Nd2Fe14B 아몰퍼스상을 제작하고, 그 후, 열처리에 의해 Nd2Fe14B 아몰퍼스상을 결정화시킨 조직에 대해, 투과 전자 현미경(TEM: Transmission Electron Microscope)에 의한 관찰을 행하고, 그 TEM 관찰에 의해 얻어진 줄무늬 형상 조직의 암시야상의 짧은 결정 축 방향의 축의 길이를 단축 직경으로 하여 분포를 취하고, 당해 단축 직경의 길이를 산술 평균 직경(개수 평균 직경)으로 하여 산출하여 구한다.본 발명의 희토류 박막 자석은, 막 두께가 5㎛ 이상이며, 최대 에너지곱 (BH)max가 90kJ/㎥ 이상인 것을 특징으로 한다. 막 두께를 5㎛ 이상으로 하는 이유는, (1) 작은 전자 디바이스에 응용하였을 때에 어느 정도의 영역에 자계를 발생할 필요가 있으므로, (2) 면내 방향 길이와 면직 방향의 길이(막 두께)의 치수비가 높아지면, 반자계의 영향에 의해, 막 표면으로부터 수직 방향의 외부에 충분한 자계를 취출하는 것이 곤란해지기 때문이다. 이상적인 치수비(어스펙트비)로서 1:1 정도인 것이 알려져 있다. 본 발명은 이러한 박막 자석에 있어서, 미세한 나노 콤퍼짓 구조를 구비함으로써, 최대 에너지곱 (BH)max가 90kJ/㎥ 이상을 실현할 수 있다.본 발명의 희토류 박막 자석 형성용 타깃은, NdxFe14B(단, X는 1.8∼2.7을 만족시키는 수)로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 상기 X가 1.8 미만이면, 잔류 자화값은 항상 1.0T를 초과하는 높은 값을 나타내지만, Nd2Fe14B상의 체적률이 감소하므로, α-Fe상과의 교환 결합이 저하되어, 보자력이 200㎄/m 미만으로 저하된다. 한편, 상기 X가 2.7을 초과하면, Fe상의 체적률이 감소함과 함께, 잉여의 비자성 성분인 Nd가 잔존하여, 잔류 자화가 저하되거나, 혹은 교환 결합성이 열화되는 문제가 발생한다. 따라서, 상기 X는 상기 수치 범위로 한다.본 발명의 희토류 박막 자석은, 예를 들어 이하와 같이 하여 제작할 수 있다.Nd2.4Fe14B 조성의 타깃을 펄스 레이저 데포지션 장치에 장착한다. 다음으로, 챔버 내를 진공도가 10-5Pa로 될 때까지 배기한 후, 상기 타깃에 집광 렌즈를 통해 레이저를 조사한다. 레이저에는, Nd:YAG 레이저(발진 파장: 355㎚, 반복 주파수 30㎐)를 사용할 수 있다. 레이저의 강도 밀도는 1∼1000J/㎠로 한다. 레이저 강도 밀도가 1J/㎠ 미만이면, 레이저가 타깃에 조사되었을 때, 드롭렛이 대량 발생하여, 밀도의 저하, 나아가 자기 특성의 열화가 발생한다. 한편, 1000J/㎠를 초과하면, 레이저 조사에 의한 타깃의 에칭이 현저하게 발생하여, 어블레이션 현상이 정지하는 등의 바람직하지 않은 현상이 발생한다.상기한 바와 같이 레이저 조사된 타깃 표면에서는, 화학 반응과 용융 반응이 일어나, 플룸이라고 불리는 플라즈마가 발생한다. 이것이 대향하는 기판 상에 도달함으로써, α-Fe상과 Nd-Fe-B계 아몰퍼스상이 3차원적으로 분산되고, 또한 교대로 배열된 나노 콤퍼짓 구조로 이루어지는 박막을 형성할 수 있다. 기판에는, 융점이 높은 Ta, Ti, W, Mo, Zr, Nb를 사용할 수 있다. 그 중에서도 산소의 게터 효과가 높은 Ta나 Ti가 유효한 동시에, Si 기판이나 석영 유리 기판 등에는 상기 원소를 버퍼층으로서 이용할 수 있다. 나아가, 밀리사이즈 모터에의 응용을 감안한 Fe, Co, Ni 및 그들의 합금 등의 투자율이 높은 금속 기판도 이용할 수 있다.이와 같이 하여 성막한 박막은, Nd-Fe-B계 아몰퍼스 모상 중에 α-Fe 미결정립이 3차원적으로 분산 배열된 상태로 되어 있다. 그로 인해, 성막 후에는 출력 7∼9㎾, 시간 1∼5초의 조건에서 열처리를 실시하여, Nd-Fe-B계 아몰퍼스 모상을 결정화시킬 필요가 있다. 여기서, 출력 7㎾ 미만, 또한 시간 1초 미만의 열처리에서는, 막 중의 Nd-Fe-B계 아몰퍼스상의 결정화가 곤란해지거나, 혹은 아몰퍼스상이 많이 잔존한다. 한편, 출력 9㎾를 초과하고, 또한 시간 5초를 초과한 열처리에서는, (1) 막 중의 Nd2Fe14B 결정립이 조대해지고, 또한 α-Fe 결정립도 조대화되거나, 혹은 (2) Nd2Fe14B상이나 α-Fe상 이외의 이상이 발현하므로, 자기 특성은 열화된다. 따라서, 열처리 조건은 출력이 7∼9㎾, 시간이 1∼5초의 범위로 된다. 그 후, 이 박막에 대해, 예를 들어 자계 7T로 펄스 착자를 실시함으로써, 희토류 박막 자석을 제작할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서는 착자의 방법에 특별히 제한은 없고, 공지의 착자 방법을 이용할 수 있다. 이것으로부터, 본 발명의 α-Fe상과 Nd2Fe14B상의 나노 콤퍼짓 구조로 이루어지는 희토류 박막 자석을 제조할 수 있다.실시예이하, 실시예 및 비교예에 기초하여 설명한다. 또한, 본 실시예는 어디까지나 일례이며, 이 예에 의해 전혀 제한되는 것은 아니다. 즉, 본 발명은 청구범위에 의해서만 제한되는 것이며, 본 발명에 포함되는 실시예 이외의 다양한 변형을 포함하는 것이다.(실시예 1)순도가 99.9％(3N), 상대 밀도가 99％인 Nd2.4Fe14B 타깃을 펄스 레이저 데포지션 장치에 장착하고, 챔버 내를 진공으로 배기하였다. 다음으로, 10-5Pa의 진공도에 도달한 것을 확인한 후, 약 6.5rpm으로 회전시킨 타깃에 반복 주파수 30㎐의 Nd:YAG 레이저(발진 파장: 355㎚)를 조사하고, 타깃 물질을 어블레이션하여, Ta 기판 상에 줄무늬 형상의 α-Fe 결정상과 Nd-Fe-B계 아몰퍼스 모상으로 이루어지는 콤퍼짓 막을 두께 10㎛ 이상으로 하여 성막하였다. 이때 타깃과 기판의 거리를 10㎜, 레이저 강도를 4W로 하고, 레이저 빔을 집광 렌즈를 통해 타깃 표면에 집광시킴으로써, 타깃 표면에서의 레이저 강도 밀도를 10J/㎠ 정도로 하였다. 다음으로, 출력 8㎾, 약 2초간 펄스 어닐링 처리(열처리 온도 500∼800℃ 정도)를 행하여, Nd-Fe-B계 아몰퍼스상을 결정화시켰다. 그 후, 자계 7T로 펄스 착자를 실시하여, 희토류 박막 자석을 제작하였다. 또한, 막 두께 평가에는 마이크로미터를 사용하고, 조성 분석에는 EDX(Energy Dispersive X-ray spectroscopy)를 사용하였다.이와 같이 하여 제작한 희토류 박막 자석에 대해, VSM(Vibrating Sample Magnetometer)을 사용하여, 자기 특성을 평가하였다. 도 2에 실시예 1의 희토류 박막 자석의 M-H 특성을 나타낸다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 잔류 자화는 1.04T, 보자력은 426㎄/m, (BH)max는 108kJ/㎥로 양호한 결과가 얻어졌다. 다음으로, 열처리 전후의 희토류 박막의 X선 회절도를 도 3에 나타낸다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 성막 후의 α-Fe상은 결정화되어 있지만, Nd2Fe14B상은 아몰퍼스상으로 되어 있다. 또한, 열처리에 의해 Nd2Fe14B상이 결정화되어 있는 것이 확인되었다. 다음으로, 열처리 후의 희토류 박막에 대해 TEM을 사용하여 조직을 관찰하였다. 그 결과를 도 4에 나타낸다. 도 4의 우측 도면에 있어서, 백색의 콘트라스트와 흑색의 콘트라스트를 나타내는 부분이 α-Fe 결정립, 회색의 콘트라스트를 나타내는 모상 부분이 Nd2Fe12B 결정립이다. 이 TEM 화상으로부터, α-Fe 결정립과 Nd2Fe12B 결정립이 섬 형상으로 3차원적으로 교호 배열된 나노 콤퍼짓 구조를 갖는 것을 확인하였다. 도 5에는, α-Fe 결정립과 Nd2Fe12B 결정립의 분포를 나타낸다. 전자는 N 수가 1044개, 후자는 N 수가 339개인 측정 결과이다. 이 도면으로부터 α-Fe상의 평균 결정 입경은 약 17㎚, Nd2Fe12B상의 평균 결정 입경이 약 14㎚였다.(실시예 2)순도가 99.9％(3N), 상대 밀도가 99％인 Nd1.8Fe14B 타깃을 펄스 레이저 데포지션 장치에 장착하고, 챔버 내를 진공으로 배기하였다. 다음으로, 10-5Pa의 진공도에 도달한 것을 확인한 후, 약 6.5rpm으로 회전시킨 타깃에 반복 주파수 30㎐의 Nd:YAG 레이저(발진 파장: 355㎚)를 조사하고, 타깃 물질을 어블레이션하여, Ta 기판 상에 Nd-Fe-B계 아몰퍼스막을 두께 10㎛ 이상으로 성막하였다. 이때 타깃과 기판의 거리를 10㎜, 레이저 강도를 4W로 하고, 레이저 빔을 집광 렌즈를 통해 타깃 표면에 집광시킴으로써, 타깃 표면에서의 레이저 강도 밀도를 10J/㎠로 하였다. 다음으로, 출력 8㎾, 약 2초간 펄스 어닐링 처리(열처리 온도 500∼800℃ 정도)를 행하여, Nd-Fe-B계 아몰퍼스상을 결정화시켰다. 그 후, 자계 7T로 펄스 착자를 실시하여, 희토류 박막 자석을 제작하였다. 또한, 막 두께 평가에는 마이크로미터를 사용하고, 조성 분석에는 EDX를 사용하였다.이와 같이 하여 제작한 희토류 박막 자석에 대해, VSM을 사용하여, 자기 특성을 평가하였다. 도 6에 실시예 2의 희토류 박막 자석의 M-H 특성을 나타낸다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 잔류 자화는 0.99T 정도, 보자력은 386㎄/m, (BH)max는 91kJ/㎥로 양호한 결과가 얻어졌다. 다음으로, 열처리 후의 희토류 박막에 대해 TEM을 사용하여 조직을 관찰하였다. 실시예 1과 마찬가지의 방법을 이용하여 결정 입경을 측정한 결과, α-Fe상의 평균 결정 입경은 약 16㎚, Nd2Fe14B상의 평균 결정 입경은 약 14㎚였다.(실시예 3)순도가 99.9％(3N), 상대 밀도가 99％인 Nd2.6Fe14B 타깃을 펄스 레이저 데포지션 장치에 장착하고, 챔버 내를 진공으로 배기하였다. 다음으로, 10-5Pa의 진공도에 도달한 것을 확인한 후, 약 6.5rpm으로 회전시킨 타깃에 반복 주파수 30㎐의 Nd:YAG 레이저(발진 파장: 355㎚)를 조사하고, 타깃 물질을 어블레이션하여, Ta 기판 상에 Nd-Fe-B계 아몰퍼스막을 두께 10㎛ 이상으로 성막하였다. 이때 타깃과 기판의 거리를 10㎜, 레이저 강도를 4W로 하고, 레이저 빔을 집광 렌즈를 통해 타깃 표면에 집광시킴으로써, 타깃 표면에서의 레이저 강도 밀도를 10J/㎠로 하였다. 다음으로, 출력 8㎾, 약 2초간 펄스 어닐링 처리(열처리 온도 500∼800℃ 정도)를 행하여, Nd-Fe-B계 아몰퍼스상을 결정화시켰다. 그 후, 자계 7T로 펄스 착자를 실시하여, 희토류 박막 자석을 제작하였다. 또한, 막 두께 평가에는 마이크로미터를 사용하고, 조성 분석에는 EDX를 사용하였다.이와 같이 하여 제작한 희토류 박막 자석에 대해, VSM을 사용하여, 자기 특성을 평가하였다. 도 7에 실시예 3의 희토류 박막 자석의 M-H 특성을 나타낸다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 잔류 자화는 1.05T 정도, 보자력은 446㎄/m, (BH)max는 128kJ/㎥로 양호한 결과가 얻어졌다. 다음으로, 열처리 후의 희토류 박막에 대해 TEM을 사용하여 조직을 관찰하였다. 실시예 1과 마찬가지의 방법을 사용하여 결정 입경을 측정한 결과, α-Fe상의 평균 결정 입경은 약 18㎚, Nd2Fe14B상의 평균 결정 입경은 약 15㎚였다.(비교예 1)순도가 99.9％(3N), 상대 밀도가 99％인 Nd1.4Fe14B 타깃을 펄스 레이저 데포지션 장치에 장착하고, 챔버 내를 진공으로 배기하였다. 다음으로, 10-5Pa의 진공도에 도달한 것을 확인한 후, 약 6.5rpm으로 회전시킨 타깃에 반복 주파수 30㎐의 Nd:YAG 레이저(발진 파장: 355㎚)를 조사하고, 타깃 물질을 어블레이션하여, Ta 기판 상에 Nd-Fe-B계 아몰퍼스막을 두께 10㎛ 이상으로 성막하였다. 이때 타깃과 기판의 거리를 10㎜, 레이저 강도를 4W로 하고, 레이저 빔을 집광 렌즈를 통해 타깃 표면에 집광시킴으로써, 타깃 표면에서의 레이저 강도 밀도를 1J/㎠로 하였다. 다음으로, 출력 8㎾, 약 2초간 펄스 어닐링 처리(열처리 온도 500∼800℃ 정도)를 행하여, Nd-Fe-B계 아몰퍼스상을 결정화시켰다. 그 후, 자계 7T로 펄스 착자를 실시하여, 희토류 박막 자석을 제작하였다. 또한, 막 두께 평가에는 마이크로미터를 사용하고, 조성 분석에는 EDX를 사용하였다.이와 같이 하여 제작한 희토류 박막 자석에 대해, VSM을 사용하여, 자기 특성을 평가하였다. 그 결과, 잔류 자화는 0.8T 정도, 보자력은 300㎄/m, (BH)max는 최대 60kJ/㎥로 실시예와 비교하여 떨어지는 결과로 되었다. 다음으로, 열처리 후의 희토류 박막에 대해 TEM을 사용하여 조직을 관찰하였다. 그 결과, α-Fe상과 Nd2Fe14B상이 수 10㎚∼100㎚를 초과하는 범위에서 분산된 상태로 존재하는 것을 확인하였다. 게다가, 실시예 1에 비해, 타깃으로부터 방출되는 드롭렛이 현저하게 많아, 표면 평활성 및 밀도의 열화 등이 발생하는 것도 확인되었다.(비교예 2)순도가 99.9％(3N), 상대 밀도가 99％인 Nd2.6Fe14B와 α-Fe를 조합한 1매의 타깃을 펄스 레이저 데포지션 장치에 장착하고, 챔버 내를 진공으로 배기하였다. 다음으로, 10-5Pa의 진공도에 도달한 것을 확인한 후, 약 6.5rpm으로 회전시킨 타깃에 반복 주파수 30㎐의 Nd:YAG 레이저(발진 파장: 355㎚)를 조사하고, 타깃 물질을 어블레이션하여, Ta 기판 상에 α-Fe상과 Nd-Fe-B계 아몰퍼스상으로 이루어지는 콤퍼짓 막을 두께 10㎛ 이상으로 성막하였다. 이때 타깃과 기판의 거리를 10㎜, 레이저 강도를 4W로 하고, 레이저 빔을 집광 렌즈를 통해 타깃 표면에 집광시킴으로써, 타깃 표면에서의 레이저 강도 밀도를 1J/㎠ 정도로 하였다. 다음으로, 출력 8㎾, 약 2초간 펄스 어닐링 처리(열처리 온도 500∼800℃ 정도)를 행하여, Nd-Fe-B계 아몰퍼스상을 결정화시켰다. 그 후, 자계 7T로 펄스 착자를 실시하여, 희토류 박막 자석을 제작하였다. 또한, 막 두께 평가에는 마이크로미터를 사용하고, 조성 분석에는 EDX를 사용하였다.이와 같이 하여 제작한 희토류 박막 자석에 대해, VSM을 사용하여, 자기 특성을 평가하였다. 그 결과, 잔류 자화는 0.9T, 보자력은 400㎄/m, (BH)max는 100kJ/㎥로 실시예 1과 비교하여 동일 정도이지만, 그 각형성은 실시예 1에 비해 현저하게 떨어지는 것을 확인하였다. 게다가, 실시예에 비해, 타깃으로부터 방출되는 드롭렛이 현저하게 많아, 표면 평활성 및 밀도의 열화 등이 발생하는 것도 확인되었다.본 발명의 펄스 레이저 데포지션법으로 제작되는 α-Fe상과 Nd2Fe14B상이 3차원적으로 교호 배열된 나노 콤퍼짓 구조의 희토류 박막 자석은, 양호한 자기 특성을 가지므로, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems), 에너지 하비스트(환경 발전) 등의 에너지 분야나 의료 기기 분야 등에 응용되는 자기 디바이스에 유용하다.	본 발명은, Nd, Fe, B를 필수 성분으로 하는 희토류 박막 자석이며, α-Fe상과 Nd2Fe14B상이 3차원적으로 교호 배열된 조직으로 이루어지고, 각 상의 평균 결정 입경이 10∼30㎚인 것을 특징으로 하는 희토류 박막 자석. 양산성, 재현성이 우수하고, 양호한 자기 특성을 갖는 희토류 박막 자석 및 그 제조 방법 및 당해 박막을 제작하기 위한 타깃을 제공하는 것을 과제로 한다.
[ 발명의 명칭 ] 평면 표현을 이용한 향상된 인트라-예측 부호화ENHANCED INTRA-PREDICTION CODING USING PLANAR REPRESENTATIONS [ 기술분야 ] 본 특허 출원은 35 U.S.C. §119(e) 하에서 2010년 12월 21일자로 출원된 미국 가특허 출원 번호 61/425,670호 및 2011년 3월 4일자로 출원된 미국 가특허 출원 번호 61/449,528의 출원일의 이점을 주장하며, 상기한 특허 출원의 전체 내용이 참조에 의해 본 명세서에 원용된다.본 발명은 비디오 부호화에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 저복잡도 평면 예측 모드 부호화(low complexity planar prediction mode coding)로 향상된 인트라-프레임 예측에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 디지털 비디오는 디지털 비디오 시퀀스의 각각의 프레임 및 전체 프레임(예컨대, 일련의 프레임)을 압축되지 않은 방식으로 표현하기 위해서는 많은 양의 데이터를 필요로 한다. 대부분의 애플리케이션은 대역폭 한계 때문에 압축되지 않은 디지털 비디오를 컴퓨터 네트워크를 통해 전송하는 것이 가능한 것은 아니다. 또한, 압축되지 않은 디지털 비디오는 많은 양의 저장 공간을 필요로 한다. 디지털 비디오는 일반적으로 저장 요건을 감소시키고 대역폭 요건을 감소시키기 위해 여러 방식으로 인코딩된다.디지털 비디오를 인코딩하는 한 가지 기술은 인터-프레임 예측(inter-frame prediction) 또는 인터-예측(inter-prediction)이다. 인터-예측은 상이한 프레임들 간의 시간적 중복성(temporal redundancy)을 이용한다. 비디오의 시간적으로 인접한 프레임들은 통상적으로 실질적으로 동일하게 유지되는 화소 블록을 포함한다. 인코딩 프로세스 동안, 모션 벡터가 하나의 프레임 내의 화소 블록의 움직임을 다른 프레임 내의 유사한 화소 블록에 연관(interrelate)시킨다. 이에 따라, 시스템은 화소 블록을 2회 인코딩할 필요가 없으며, 화소 블록을 1회 인코딩하고, 다른 화소 블록을 예측하기 위한 모션 벡터를 제공한다.디지털 비디오를 인코딩하기 위한 또 다른 기술은 인트라-프레임 예측(intra-frame prediction) 또는 인트라-예측(intra-prediction)이다. 인트라-예측은 다른 프레임 내의 화소를 참조하지 않고 프레임 또는 프레임의 일부분을 인코딩한다. 인트라-예측은 하나의 프레임 내의 화소 블록들 간의 공간적 중복성을 이용한다. 공간적으로 인접한 화소 블록들이 일반적으로 유사한 속성을 갖기 때문에, 인접한 블록들 간의 공간적 상관 관계를 참조함으로써 부호화 프로세스의 효율이 향상된다. 이러한 상관 관계는 인접한 블록들에 사용된 예측 모드에 기초한 타겟 블록의 예측에 의해 이용될 수도 있다.통상적으로, 인코더는 화소 예측기를 포함하고, 이 화소 예측기는 인터-예측기, 인트라-예측기 및 모드 셀렉터를 포함한다. 인터-예측기는 수신된 이미지에 대한 예측을 움직임 보상된 참조 프레임에 기초하여 수행한다. 인트라-예측기는 수신된 이미지에 대한 예측을 현재 프레임 또는 화상(picture)의 이미 처리된 부분에 기초하여 수행한다. 인트라-예측기는 또한 복수의 상이한 인트라-예측 모드를 포함하고, 각각의 예측 모드 하에서 예측을 수행한다. 인터-예측기 및 인트라-예측기로부터의 출력들은 모드 셀렉터에 제공된다.모드 셀렉터는 인터-예측 부호화 또는 인트라-예측 부호화 중의 어느 부호화 방법이 이용되는지를 결정하며, 인트라-예측 부호화가 이용되는 때에는, 복수의 인트라-예측 모드 중에서 어느 모드의 인트라-예측 부호화가 이용되는지를 결정한다. 결정 프로세스에서, 모드 셀렉터는 어느 인코딩 방법 또는 어느 모드가 부호화 효율 및 처리 비용에 대해 가장 효율적인 결과를 제공하는지를 분석하기 위해 비용 함수(cost function)를 이용한다.인트라-예측 모드는 DC 모드 및 방향성 모드(directional mode)를 포함한다. DC 모드는 블록에 걸쳐 화소값이 일정한 블록을 표현하는데 적합하다. 방향성 모드는 특정한 방향으로 스트라이프 패턴(stripe pattern)을 갖는 블록을 표현하는데 적합하다. 이미지가 급격한 변화 없이 부드럽고(smooth), 그 화소값이 하나의 블록에서 서서히 변화되는, 또 다른 이미지 패턴이 있다. DC 모드 및 방향성 모드는 이미지 컨텐츠에서의 작은 점진적 변화를 예측하는데 적합하지 않으며, 특히 낮은 비트레이트 내지 중간 비트레이트에서 바람직하지 않은 블로킹 아티팩트(annoying blocking artifact)를 생성할 수 있다. 이것은, 서서히 변화되는 화소값을 갖는 블록들이 인코딩될 때에, 그 블록들의 AC 계수가 영(0)으로 양자화되는 경향이 있지만, DC 계수는 영이 아닌 값(non-zero value)을 갖기 때문이다.이 문제점을 해소하기 위해, H.264/AVC 표준 하에서의 인트라-예측 모드는, 화소값이 작은 평면 기울기(planar gradient)로 서서히 변화되는 부드러운 이미지를 갖는 블록을 표현하기 위해 평면 모드(planar mode)를 추가로 포함한다. H.264/AVC 표준의 평면 모드 하에서는, 평면 기울기가 근사되고, 디코더에 비트스트림으로 시그널링된다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은 인트라-예측 부호화의 부호화 효율을 향상시킬 수 있는 저복잡도 평면 모드 부호화를 제공하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명에서는, 평면 예측 모드 하에서, 인코더가 제1 예측값 및 제2 예측값을 계산한다. 제1 예측값은 각각의 수평 경계 화소의 값과 수직 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산된다. 제2 예측값은 각각의 수직 경계 화소의 값과 수평 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산된다. 인코더는 또한 예측 블록의 각각의 예측 화소값을 구하기 위해 제1 예측값과 제2 예측값의 평균을 구한다.본 발명의 일특징에서, 인코더는 예측 블록과 타겟 블록 간의 잔차(residual)를 비트스트림으로 디코더에 시그널링한다.본 발명의 또 다른 특징에서, 1차 변환 커널(transform kernel) HN(i.j) 세트가 2차 변환 커널 GN(i,j) 세트로 스위칭된다. 인코더는 2차 변환 커널 GN(i,j) 세트를 이용하여 잔차를 변환한다.2차 변환 커널 GN(i,j) 세트는 다음 수식,(a) ;(b) ; 및(c) 중의 하나에 의해 정해진다.본 발명의 또 다른 특징에서, N×N 크기에 대한 2차 변환 커널 GN(i,j) 세트는 M×M 크기에 대한 1차 변환 커널 HM(i.j) 세트에 의해 정해지며, 여기서 M＞N이다. 구체적으로, 2차 변환 커널 GN(i,j) 세트는 2N×2N 크기의 변환 커널(H2N)이 지원되면 에 의해 정해지거나, 그렇지 않은 경우에는 GN(i,j)=HN(i,j)이다.본 발명은 또한 디코딩을 위해 이용되는 저복잡도 평면 모드 부호화를 제공한다. 평면 모드 하에서, 디코더는 제1 예측값 및 제2 예측값을 계산한다. 제1 예측값은 각각의 수평 경계 화소의 값과 수직 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산된다. 제2 예측값은 각각의 수직 경계 화소의 값과 수평 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산된다. 디코더는 그 후 예측 블록의 각각의 예측 화소값을 구하기 위해 제1 예측값과 제2 예측값의 평균을 구한다. 디코더는 평면 모드 하에서 인코더에서 생성된 인코더로부터 시그널링된 잔차를 디코딩하고, 이미지 데이터를 재구축하기 위해 예측 블록에 디코딩된 잔차를 가산한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명을 구현할 수 있는 일례의 하드웨어 아키텍처를 도시하는 블록도이다.도 2는 본 발명을 적용할 수 있는 비디오 인코더의 전반적인 도시를 보여주는 블록도이다.도 3은 본 발명을 적용할 수 있는 비디오 디코더의 전반적인 도시를 보여주는 블록도이다.도 4는 본 발명의 실시예에 따른 인코더의 기능 모듈을 도시하는 블록도이다.도 5는 본 발명의 실시예에 따른 비디오 인코더에 의해 수행되는 인코딩 프로세스를 보여주는 흐름도이다.도 6은 본 발명의 실시예에 따른 디코더의 기능 모듈을 보여주는 블록도이다.도 7은 본 발명의 실시예에 따른 비디오 디코더에 의해 수행되는 디코딩 프로세스를 보여주는 흐름도이다.도 8은 8×8 화소 P(i,j)을 포함하고 있는 타겟 블록과 화소 P(i,j)를 예측하기 위해 이용되는 참조 화소의 개략적 표현을 보여주는 도면이다.도 9는 JCT-VC Al19에서 제안된 평면 모드 부호화에 따라 예측 화소를 생성하는 프로세스를 나타내는 개략적 표현을 보여주는 도면이다.도 10은 본 발명의 평면 모드 부호화에 따라 예측 화소를 생성하는 프로세스를 나타내는 개략적 표현을 보여주는 도면이다.도 11은 본 발명의 평면 모드 부호화에 따라 예측 화소를 생성하는 프로세스를 나타내는 또 다른 개략적 표현을 보여주는 도면이다.도 12는 1차 변환 커널 세트와 2차 변환 커널 세트 간에 스위칭하는 프로세스를 보여주는 흐름도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1은 본 발명을 구현할 수 있는 컴퓨터(100)의 일례의 하드웨어 아키텍처를 도시하고 있다. 도 1에 도시된 하드웨어 아키텍처는 본 발명의 실시예를 구현하는 비디오 인코더 및 비디오 디코더 양자 모두에 공통될 수도 있다는 것에 유의하기 바란다. 컴퓨터(100)는 프로세서(101), 메모리(102), 저장 장치(105) 및 하나 이상의 입력 및/또는 출력(I/O) 장치(106)(또는 주변 장치)를 포함하며, 이들은 로컬 인터페이스(107)를 통해 통신 가능하게 연결되어 있다. 로컬 인터페이스(105)는 예컨대 종래 기술로 공지된 바와 같이 하나 이상의 버스 또는 기타 유선 또는 무선 접속부이어도 되지만, 이러한 것으로 한정되지 않는다.프로세서(101)는 소프트웨어, 구체적으로는 메모리(102)에 저장된 소프트웨어를 실행하는 하드웨어 장치이다. 프로세서(101)는 임의의 맞춤형 또는 상업적으로 입수 가능한 프로세서, 중앙 처리 장치(CPU), 컴퓨터(100)에 관련된 여러 개의 프로세서 중의 보조 프로세서, 반도체 기반 마이크로프로세서(마이크로칩 또는 칩 세트 형태의), 또는 소프트웨어 명령을 실행하기 위한 일반적인 임의의 장치이어도 된다.메모리(102)는 휘발성 메모리 요소(예컨대, 랜덤 액세스 메모리(DRAM, SRAM, SDRAM 등과 같은 RAM)) 및 비휘발성 메모리 요소(예컨대, ROM, 하드 드라이브, 테이프, CDROM 등) 중의 임의의 하나 또는 조합을 포함할 수 있는 컴퓨터 판독 가능 매체를 포함한다. 또한, 메모리(102)는 전자식 저장 매체, 자기식 저장 매체, 광학식 저장 매체 및/또는 기타 타입의 저장 매체를 통합하여도 된다. 컴퓨터 판독 가능 매체는 명령 실행 시스템, 기기 또는 장치에 의해 사용되거나 또는 이들과 함께 사용하기 위한 프로그램을 저장, 통신, 전파 또는 전송할 수 있는 어떠한 수단이어도 된다. 메모리(102)는, 다양한 컴포넌트가 서로 원격으로 위치되어 있지만 프로세서(101)에 의해 액세스될 수 있는 분산 아키텍처를 가질 수 있다는 점에 유의하기 바란다.메모리(102) 내의 소프트웨어(103)는, 아래에 설명되는 바와 같이 컴퓨터(100)의 논리적 기능을 구현하기 위한 실행 가능한 명령의 정렬된 목록(ordered listing)을 각각이 포함하고 있는 하나 이상의 개별 프로그램을 포함할 수도 있다. 도 1의 예에서, 메모리(102) 내의 소프트웨어(103)는 본 발명에 따라 컴퓨터(100)의 비디오 인코딩 또는 비디오 디코딩 기능을 규정한다. 또한, 반드시 그러할 필요는 없지만, 메모리(102)가 운영 체제(O/S)(104)를 포함하고 있는 것도 가능하다. 운영 체제(104)는 본질적으로 컴퓨터 프로그램의 실행을 제어하고, 스케줄링, 입력-출력 제어, 파일 및 데이터 관리, 메모리 관리, 및 통신 제어 및 관련 서비스를 제공한다.컴퓨터(100)의 저장 장치(105)는 고정형 저장 장치 또는 휴대용 저장 장치를 포함한 다수의 상이한 타입의 저장 장치 중의 하나이어도 된다. 일례로서, 저장 장치(105)는 자기 테이프, 디스크, 플래시 메모리, 휘발성 메모리, 또는 상이한 저장 장치이어도 된다. 또한, 저장 장치(105)는 보안 디지털 메모리 카드 또는 임의의 다른 탈착 가능 저장 장치(105)이어도 된다.I/O 장치(106)는 예컨대 터치 스크린, 키보드, 마우스, 스캐너, 마이크로폰, 또는 기타 입력 장치와 같은 입력 장치를 포함할 수 있으며, 이러한 예는 위에 언급한 것으로 한정되지 않는다. 더욱이, I/O 장치(106)는 또한 예컨대 디스플레이 또는 기타 출력 장치와 같은 출력 장치를 포함할 수 있으며, 이러한 예는 위에 언급한 것으로 한정되지 않는다. I/O 장치(106)는 또한 입력 및 출력을 통해 통신하는 장치, 예컨대 변조기/복조기(예컨대, 또 다른 장치, 시스템 또는 네트워크를 액세스하기 위한 모뎀), 무선 주파수(RF), 무선 또는 기타 송수신기, 전화 인터페이스, 브리지, 라우터, 또는 입력단 및 출력단으로서 기능하는 기타 장치를 추가로 포함할 수 있으며, 이러한 예는 위에 언급된 것으로 한정되지 않는다.당해 기술 분야에 통상의 지식을 가진 사람에 의해 널리 알려진 바와 같이, 비디오 압축은 비디오 시퀀스에서 중복 정보를 제거함으로써 달성된다. 다수의 상이한 비디오 부호화 표준이 존재하며, 그 예는 MPEG-1, MPEG-2, MPEG-4, H.261, H.263 및 H.264/AVC를 포함한다. 본 발명은 임의의 특정한 비디오 부호화 표준이 적용되는 것으로 한정되도록 의도되지 않는다는 것에 유의하기 바란다. 그러나, 본 발명의 이하의 설명은 본 명세서에서 참조에 의해 원용되고 있는 H.264/AVC 표준의 예를 이용하여 제공된다. H.264/AVC 표준은 최신의 비디오 부호화 표준이며, MPEG-1, MPEG-2, MPEG-4, H.261, 및 H.263과 같은 이전의 부호화 표준에 비하여 현저한 성능 향상을 달성한다.H.264/AVC에서, 비디오의 각각의 프레임 또는 화상은 여러 개의 슬라이스로 나누어질 수 있다. 슬라이스는 그 후 매크로블록으로 지칭되는 16×16 화소의 블록으로 분할되며, 이 블록이 그 후 8×16, 16×8, 8×8, 4×8, 8×4 및 그 아래의 4×4 화소의 블록으로 추가로 분할될 수 있다. H.264/AVC 표준에 의해 지원되는 5개 타입의 슬라이스가 있다. I 슬라이스에서는, 매크로블록 모두가 인트라-예측을 이용하여 부호화된다. P 슬라이스에서는, 매크로블록이 인트라-예측 또는 인터-예측을 이용하여 부호화될 수 있다. P 슬라이스는 매크로블록 당 단지 하나의 모션 보상 예측(MCP) 신호가 이용될 수 있다. B 슬라이스에서는, 매크로블록이 인트라-예측 또는 인터-예측을 이용하여 부호화될 수 있다. 예측 당 2개의 MCP 신호가 이용될 수 있다. SP 슬라이스는 P 슬라이스가 상이한 비디오 스트림 간에 효율적으로 스위칭되도록 한다. SI 슬라이스는 랜덤 액세스 또는 에러 복구에 대해서는 SP 슬라이스에 대해 정확히 매칭되지만 인트라-예측만을 이용한다.도 2 본 발명이 적용될 수 있는 비디오 인코더의 전반적인 도시를 보여주는 도면이다. 도면에 도시된 블록은 메모리(102) 내의 소프트웨어(103)를 실행하는 프로세서(101)에 의해 실현되는 기능 모듈을 나타낸다. 비디오 프레임의 화상(200)이 비디오 인코더(201)에 제공된다. 비디오 인코더는 화상(200)을 매크로블록(200A)의 단위로 처리한다. 각각의 매크로블록은 화상(200)의 여러 개의 화소를 포함한다. 각각의 매크로블록에 대해서는, 변환 계수로의 변환이 수행되고, 그에 후속하여 변환 계수 레벨로의 양자화가 수행된다. 더욱이, 화소 데이터에 대해 직접적으로 부호화 단계를 수행하지 않고 예측된 화소값에 대한 그 화소 데이터의 차에 대해 부호화 단계를 수행하기 위해 인트라-예측 또는 인터-예측이 이용되며, 이로써 보다 용이하게 압축되는 작은 값이 달성된다.각각의 슬라이스에 대해, 인코더(201)는 각각의 슬라이스의 매크로블록의 부호화된 버전을 형성하는 다수의 구문 요소(syntax element)를 생성한다. 변환 계수 레벨 또는 스킵된(skiped) 변환 계수 레벨을 나타내주는 유효성 맵(significance map)과 같은 변환 계수의 부호화에 관련되는 구문 요소의 모든 잔여 데이터 요소는 잔여 데이터 구문 요소로 지칭된다. 이들 잔여 데이터 구문 요소 외에, 인코더(201)에 의해 생성된 구문 요소는 각각의 매크로블록을 각각 인코딩하고 디코딩하는 방식에 관한 제어 정보를 포함하고 있는 제어 정보 구문 요소를 포함한다. 즉, 구문 요소는 2개의 범주로 분류될 수 있다. 제1 범주인 제어 정보 구문 요소는 예컨대 슬라이스-기반 및 매크로블록-기반 제어 정보뿐만 아니라 매크로블록 타입, 서브-매크로블록 타입, 및 공간적 타입과 시간적 타입 양자 모두의 예측 모드에 대한 정보에 관련된 요소를 포함한다. 제2 범주에서는, 양자화 단계에 대응하는 레벨의 단위로 나타내진 유효 계수(significant coefficient)의 값 및 양자화된 변환 계수의 블록 내의 모든 유효 계수의 위치를 나타내는 유효성 맵과 같은 잔여 데이터 요소 모두가 결합(combine)되고, 잔여 데이터 구문 요소로 된다.인코더(201)는, 각각의 슬라이스에 대해 구문 요소를 인코딩하고 산술 코드워드(arithmetic codeword)를 생성하는 엔트로피 부호화기(entrophy coder)를 포함한다. 슬라이스에 대한 산술 코드워드를 생성할 때, 엔트로피 부호화기는 비디오 신호 비트 스트림에서의 구문 요소의 데이터 값들 간의 통계 의존성(statistical dependency)을 이용한다. 인코더(201)는 화상(200)의 슬라이스에 대하여 인코딩된 비디오 신호를 도 3에 도시된 비디오 디코더(301)에 출력한다.도 3은 본 발명을 적용할 수 있는 비디오 디코더의 전반적인 도시를 보여주는 도면이다. 마찬가지로, 이 도면에 도시된 블록은 메모리(102) 내의 소프트웨어(103)를 실행하는 프로세서(101)에 의해 실현되는 기능 모듈을 나타낸다. 비디오 디코더(301)는 인코딩된 비디오 신호를 수신하고, 먼저 이 신호를 역으로 구문 요소로 엔트로피 디코딩한다. 디코더(301)는, 매크로블록×매크로블록으로 그리고나서 슬라이스 후 슬라이스(slice after slice)로, 화상(300)의 화소의 화상 샘플(300A)을 재구축하기 위해, 구문 요소를 사용한다.도 4는 비디오 인코더(201)의 기능 모듈을 도시하는 도면이다. 이러한 기능 모듈은 메모리(102) 내의 소프트웨어(103)를 실행하는 프로세서(101)에 의해 실현된다. 입력 비디오 화상은, 크로미넌스("크로마") 및 휘도("루마")(예컨대 색조, 포화, 및 값 등의 다른 성분들도 가능함)와 같은 원래 컬러의 성분을 표현하는 샘플 포인트에 의해 정해지는 자연 발생적인(압축되지 않은) 비디오 이미지의 필드 또는 프레임이다. 입력 비디오 화상은, 화상 컬러의 루마 성분의 16×16 화소로 이루어지는 정사각형 화상 영역을 각각 표현하는 매크로블록(400)으로 분할된다. 입력 비디오 화상은, 또한, 화상 컬러의 두 개의 크로마 성분의 각각의 크로마 성분의 8×8 화소를 각각 표현하는 매크로블록으로 파티션화된다. 일반적인 인코더 동작에서, 입력된 매크로블록은 인터-예측 또는 인트라-예측을 이용하여 시간적으로 또는 공간적으로 예측된다. 그러나, 설명을 위해, 매크로블록(400)은 모두 I-슬라이스 타입 매크로블록이며, 인트라-예측만이 적용되는 것으로 가정한다.인트라-예측은 인트라-예측 모듈(401)에서 달성되며, 인트라-예측 모듈의 동작은 이하에서 상세히 설명된다. 인트라-예측 모듈(401)은, 이전에 인코딩되고, 재구축되고, 프레임 메모리(403)에 저장된 이웃 블록의 수평 및 수직 경계 화소로부터 예측 블록(402)을 생성한다. 타겟 블록(400)과 예측 블록(402) 간의 차인 예측 블록(402)의 잔차(residual)(404)는 변환 모듈(405)에 의해 변환되고, 그 후 양자화기(406)에 의해 양자화된다. 변환 모듈(405)은 잔차(404)를 변환 계수의 블록으로 변환한다. 양자화기(406)는 변환 계수를 양자화하여 양자화된 변환 계수(407)로 한다. 그리고나서, 양자화된 변환 계수(407)는 엔트로피-부호화 모듈(408)에서 엔트로피-부호화되고, 인코딩된 비디오 신호(409)로서 전송된다(선택된 인트라-예측 모드에 관한 기타 정보와 함께).비디오 인코더(201)는 타겟 블록에 대한 인트라-예측을 수행하기 위한 디코딩 기능부를 포함한다. 디코딩 기능부는 역양자화기(410) 및 역변환 모듈(411)을 포함하며, 역양자화기 및 역변환 모듈이 양자화된 변환 계수(407)에 대하여 역양자화 및 역변환을 수행하여 디코딩된 예측 잔차(412)를 생성하고, 이 디코딩된 예측 잔차가 예측 블록(402)에 가산된다. 디코딩된 예측 잔차(410)와 예측 블록(402)을 합한 것이 재구축된 블록(413)이며, 재구축된 블록(413)이 프레임 메모리(403)에 저장되고, 다음 타겟 블록(400)의 디코딩을 위한 예측 블록(402)을 생성하기 위해 이 재구축된 블록(413)이 인트라-예측 모듈(401)에 의해 프레임 메모리(403)로부터 판독되어 사용될 것이다. 필요한 경우, 재구축된 이미지로부터 블로킹 아티팩트(blocking artifact)를 제거하기 위해 프레임 메모리(403)의 입력단 또는 출력단 중의 어느 하나에 디블로킹 필터(deblocking filter)가 위치될 수도 있다.도 5는 비디오 인코더(201)에 의해 수행되는 프로세스를 나타내는 흐름도이다. H.264/AVC 표준에 따르면, 인트라 예측은, 이전에 인코딩되고 재구축된 이웃 블록의 경계 화소("참조 화소")의 보간(interpolation)을 이용하여, 복수의 예측 모드 하에서 타겟 블록(400)의 각각의 화소를 예측하는 것을 포함한다. 예측 모드는 양의 정수 0, 1, 2,…에 의해 식별되며, 각각의 정수는 타겟 블록(400) 내의 특정 화소를 예측하기 위한 상이한 명령 또는 알고리즘에 연관된다. 인트라-예측 모듈(401)은 각각의 예측 모드 하에서 인트라-예측을 수행하고, 상이한 예측 블록을 생성한다. 전체 검색(full search, FS) 알고리즘 하에서는, 생성된 예측 블록의 각각을 타겟 블록(400)과 비교하여, 예측 모드들 중에서 예측 잔차(404)를 최소화하거나 더욱 작은 예측 잔차(404)를 생성하는 최적의 예측 모드를 찾는다(단계 501). 최적의 예측 모드의 식별이 압축되고(단계 502), 기타 제어 정보 구문 요소와 함께 디코더(301)에 시그널링될 것이다.각각의 예측 모드는 전술한 바와 같이 예측의 일반적인 방향에 의해 기술될 수 있다(즉, 수평으로 위, 수직 및 대각선 아래 왼쪽). 예측 방향은 각도 방향에 의해 그래픽으로 기술될 수 있다. 예측 모드에 대응하는 각도는, 타겟 화소를 예측하는 데 사용되는 참조 화소의 가중된 평균 위치로부터 타겟 화소 위치로의 방향에 대하여 일반적인 관계를 갖는다. DC 예측 모드에서, 예측 블록(402)은, 예측 블록(402)의 각각의 화소가 참조 화소의 평균값으로 균일하게 설정되도록, 생성된다.다시 도 5를 참조하면, 인트라-예측 모듈(401)이 예측 블록(402)을 출력하고, 이 예측 블록을 타겟 블록(400)으로부터 감산하여 잔차(404)를 획득한다(단계 503). 변환 모듈(405)이 잔차(404)를 변환 계수의 블록으로 변환한다(단계 504). 양자화기(406)가 변환 계수를 양자화하여 양자화된 변환 계수로 한다. 엔트로피 부호화 모듈(408)이 양자화된 변환 계수를 엔트로피-인코딩하며(단계 506), 이것이 최적의 예측 모드의 압축된 식별과 함께 보내진다. 역양자화기(410)가 양자화된 변환 계수를 역으로 양자화한다(단계 507). 역변환 모듈(411)이 디코딩된 예측 잔차(412)를 구하기 위해 역변환을 수행하며(단계 508), 이 디코딩된 예측 잔차가 예측 블록(402)에 가산되어 재구축된 블록(413)이 된다(단계 509).도 6은 비디오 디코더(301)의 기능 모듈을 도시한다. 이러한 기능 모듈은 메모리(102) 내의 소프트웨어(103)를 실행하는 프로세서(101)에 의해 실현된다. 인코더(201)로부터의 인코딩된 비디오 신호가 먼저 엔트로피 디코더(600)에 의해 수신되고, 양자화된 변환 계수(601)로 다시 엔트로피-디코딩된다. 양자화된 변환 계수(601)는 역양자화기(602)에 의해 역으로 양자화되고, 역변환 모듈(603)에 의해 역으로 변환되어 예측 잔차(604)를 생성하게 된다. 인트라-예측 모듈(605)은 인코더(201)에 의해 선택된 예측 모드를 통지받는다. 선택된 예측 모드에 따라, 인트라 예측 모듈(605)은 도 5의 단계 503에서 수행된 것과 유사한 인트라-예측 프로세스를 수행하여, 이전에 재구축되어 프레임 메모리(607)에 저장된 이웃 블록의 경계 화소를 이용하여 예측 블록(606)을 생성한다. 예측 블록(606)은 디코딩된 비디오 신호의 블록(608)을 재구축하기 위해 예측 잔차(604)에 가산된다. 재구축된 블록(608)은 다음 블록의 예측에 사용하기 위해 프레임 메모리(607)에 저장된다.도 7은 비디오 인코더(201)에 의해 수행되는 프로세스를 보여주는 흐름도이다. 비디오 디코더(301)가 비디오 인코더(201)로부터 시그널링된 최적의 예측 모드의 식별을 디코딩한다(단계 701). 디코딩된 예측 모드를 이용하여, 인트라-예측 모듈(605)이 이전에 재구축되어 프레임 메모리(607)에 저장된 이웃 블록의 경계 화소를 이용하여 예측 블록(606)을 생성한다(단계 702). 산술 디코더(600)가 인코더(201)로부터의 인코딩된 비디송 신호를 다시 양자화된 변환 계수(601)로 디코딩한다(단계 703). 역양자화기(602)가 양자화된 변환 계수를 역으로 양자화하여 변환 계수로 한다(단계 704). 역변환 모듈(603)이 변환 계수를 역으로 변환하여 예측 잔차(604)로 하고(단계 705), 이 예측 잔차가 예측 블록(606)에 가산되어 디코딩된 비디오 신호의 블록(608)을 재구축한다(단계 706).비디오 인코더(201)에 의해 수행된 인코딩 프로세스를 도 8을 참조하여 추가로 설명한다. 도 8은 8×8 화소 P(i,j)를 포함하는 타겟 블록과 화소 P(i,j)를 예측하기 위해 사용되는 참조 화소의 개략적인 표현을 보여주고 있다. 도 8에서, 참조 화소는 17개의 수평 화소와 17개의 수직 화소로 이루어지며, 여기서 좌측의 위쪽 화소는 수평 경계와 수직 경계 양자 모두에 공통되어 있다. 따라서, 타겟 블록에 대한 예측 화소를 생성하기 위해서는 32개의 상이한 화소가 이용 가능하다. 도 8이 예측될 8×8 블록을 도시하고 있지만, 이하의 설명은 상이한 구성에서 다양한 개수의 화소에 적용할 수 있도록 하기 위해 일반화되어 이루어진다. 예컨대, 예측될 블록은 4×4 어레이의 화소를 포함할 수 있다. 예측 블록은 또한 8×8 어레이의 화소, 16×16 어레이의 화소, 또는 더 큰 어레이의 화소를 포함할 수도 있다. 정사각형 어레이 및 직사각형 어레이 양자 모두를 포함하는 다른 화소 구성 또한 예측 블록을 구성할 수 있다.화소의 블록이 수평 및 수직 참조 화소를 이용하여 인트라-예측 부호화를 거치는 것으로 가정한다. 여기서, PO(i,j)는 타겟 블록의 원래 화소값(original pixel value)을 나타내고, PP(i,j)는 예측된 화소값을 나타내고, PR(i,j)는 잔차값을 나타내고, PQ(i,j)는 화소 P(i,j)에 대한 압축된 잔차값을 나타내고, PC(i,j)는 화소 P(i,j)에 대한 압축된 값을 나타내며, 이하의 수식은 이들의 관계를 정의한다:는 순방향 변환 커널(forward transform kernel)을 표현하는 N×N 행렬이다. 는 역방향 변환 커널(inverse transform kernel)을 표현하는 N×N 행렬이다. PT(1:N,1:N)은 비트스트림 내의 변환되고 양자화된 잔차 신호를 나타낸다. QF()는 양자화 연산을 나타내고, QI()는 역양자화 연산을 나타낸다.예측된 화소값 PP(i,j)은 참조 화소 로 수행되는 인트라-예측 모드에 의해 결정된다. H.264/AVC는 인트라 4×4 예측, 인트라 8×8 예측, 및 인트라 16×16 예측을 지원한다. 인트라 4×4 예측은 하나의 수직 예측 모드, 하나의 수평 예측 모드, 하나의 DC 예측 모드, 및 6개의 각도 예측 모드를 포함하는 9개의 예측 모드 하에서 수행된다. 인트라 8×8 예측은 인트라 4×4 예측에서 수행된 것과 같이 9개의 예측 모드 하에서 수행된다. 인트라 16×16 예측은 하나의 수직 예측 모드, 하나의 수평 예측 모드, 하나의 DC 예측 모드, 및 하나의 평면 예측 모드를 포함하는 4개의 예측 모드 하에서 수행된다. 예컨대, DC 예측 모드, 수직 예측 모드, 및 수평 예측 모드 하에서 구해진 예측된 화소값 PP(i,j)은 아래와 같이 정의된다:DC 예측 모드:수직 예측 모드:수평 예측 모드:최근에 Joint Collaborative Team on Video Coding(JCT-VC)에 제출된 제안 No. JCT-VC Al19가 본 명세서에 참조에 의해 원용되어 있다. 제안 No. JCT-VC Al19는 작은 평면 기울기(small planar gradient)로 점차적으로 변경되는 화소값을 예측하기 위해 선형 보간 연산 및 이중 선형 보간 연산(bi-linear interpolation operation)의 조합을 이용하는 저복잡도 평면 모드 연산을 제안한다. 제안된 평면 모드 프로세스는 도 9에 개략적으로 도시되어 있다. 프로세스는 예측될 블록에서의 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)을 식별하는 것으로 개시한다. 그리고나서, 블록의 하단 행(bottom low)의 예측된 화소값 PP(N,j)을 획득하기 위해 값 PP(N,N)과 참조 화소값 PC(N,0) 사이에서 선형 보간이 수행된다. 마찬가지로, 블록의 최우측 열(rightmost column)의 예측된 화소값 PP(i,N)을 획득하기 위해 값 PP(N,N)과 참조 화소값 PC(0,N) 사이에서 선형 보간이 수행된다. 그 후, 블록의 나머지 화소값 PP(i,j)을 획득하기 위해 예측된 화소값 PP(N,j) 및 PP(i,N)과 참조 화소값 PC(i,0) 및 PC(0,j) 사이에서 이중 선형 보간이 수행된다. 제안된 평면 모드 프로세스는 아래의 수식으로 표현될 수 있다:우측 열:하단 행:나머지 화소:JCT-VC Al19에서 제안된 평면 모드 프로세스에서는 해소될 두 가지 문제가 있다. 제안된 프로세스에서, 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)은 은 비트스트림으로 디코더에 시그널링되고, 디코더에서 타겟 블록을 디코드하기 위해 이용된다. 달리 말하면, 디코더는 제안된 평면 하에서 예측을 수행하기 위해 우측 하단 화소의 값을 필요로 한다. 또한, 제안된 프로세스에서, 잔차는 평면 모드 하에서는 얻어지지 않으므로 디코더에 시그널링되지 않는다. 잔차 시그널링의 생략은 전송될 인코딩된 비디오 데이터의 감소에 기여할 수 있지만, 평면 모드의 적용을 낮은 비트-레이트 비디오 부호화로 제한한다.본 발명에 따른 평면 모드는 JCT-VC Al19에서 제안된 평면 모드 프로세스에 연관된 전술한 문제를 해소하기 위해 설계된다. 본 발명의 실시예에 따라, 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)은 참조 화소로부터 구해진다. 따라서, 우측 하단 화소의 화소값 PP(N,N)을 디코더에 시그널링할 필요가 없다. 본 발명의 다른 실시예에서, 평면 모드 하에서 형성된 예측 블록은 잔차를 구하기 위해 이용되며, 이 잔차가 디코더에 시그널링하기 위해 변환 및 양자화된다. 중간(mid) 또는 하급(coarse) 양자화 파라미터를 이용한 종래의 이산 코사인 변환(DCT) 및 양자화의 적용은 평면 모드 하에서 획득된 잔차로부터 제로 AC 계수 및 논-제로 DC 계수를 산출하는 경향이 있다. 이를 방지하기 위해, 본 발명의 실시예는 평면 모드 하에서 획득된 잔차를 변환하기 위해 1차 변환 커널 대신 2차 변환 커널을 이용한다. 또한, 다른 실시예는 양자화 파라미터가 타겟 블록에서의 공간적 활동도(spatial activity)에 따라 적응적으로 변경되는 적응 양자화(adaptive quantization)를 평면 모드 하에서 수행한다.본 발명의 실시예에서, 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)은 참조 화소로부터 계산된다. 값 PP(N,N)은 다음의 3가지 방법 중의 하나에 따라 계산된다:방법 1:여기서, 연산자 "≫"는 라운딩(rounding)을 갖거나 갖지 않는 우측 시프트 연산(right-shift operation)을 나타낸다.방법 2:여기서, wh 및 wv는 PC(0,1:N) 및 PC(1:N,0)을 이용하여 결정된 가중치이다. 예컨대, wh 및 wv는 다음과 같이 계산된다:여기서, 연산자 "var()"는 변수를 산출하기 위한 연산자를 나타낸다.방법 3:여기서, 이고,이다. 는 산술 연산을 나타낸다. 본 발명의 실시예에서, 산술 연산은 로서 정의된다. 본 발명의 또 다른 실시예에서, 산술 연산은 간략하게 로서 정의된다. 본 발명에서는 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)이 디코더에 시그널링되지 않는다는 것에 유의하기 바란다. 그 대신, 디코더는 인코더에 의해 채용된 방법에 따라 값 PP(N,N)을 계산하며, 이 방법은 사전에 결정될 수도 있거나 또는 그 방법의 식별이 디코더에 시그널링될 수도 있다.도 10은 본 발명의 실시예에 따른 평면 모드 하에서 수행된 화소값을 예측하는 프로세스를 보여주는 개략도이며, 이 프로세스에서는 상기한 방법 1이 실시된다. 프로세스는 방법 1을 이용하여 블록 내의 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)을 계산하는 것으로 개시한다. 값 PP(N,N)이 계산된 후, 블록의 하단 행의 예측된 화소값 PP(N,j)을 획득하기 위해 값 PP(N,N)과 참조 화소값 PC(N,0) 간에 선형 보간이 수행된다. 마찬가지로, 블록의 최우측 열의 예측된 화소값 PP(i,N)을 획득하기 위해 값 PP(N,N)과 참조 화소값 PC(0,N) 간에 선형 보간이 수행된다. 그 후, 블록의 나머지 화소값 PP(i,j)을 획득하기 위해 예측된 화소값 PP(N,j) 및 PP(i,N)과 참조 화소값 PC(i,0) 및 PC(0,j) 간에 이중 선형 보간이 수행된다. 이하의 수식 및 도 11에 의해 나타낸 바와 같이, 방법 1은 타겟 블록의 화소값 PP(i,j)을 예측하는 연산을 간략화할 수 있다:여기서, 이고,분수 정확도(fractional accuracy)가 요구되면, 이다.상기한 수식은 블록의 화소값 PP(i,j)을 계산하기 위해 값 N에 의한 제산(division)을 필요로 한다. 제산 연산은 다음과 같이 정수 연산방식(integer arithmetic)을 이용함으로써 방지될 수 있다:여기서, 이고,이다.정수 정확도가 충분하면, 화소값 PP(i,j)는 아래에 의해 표현될 수 있으며,여기서, 이고,이다.방법 1은 다음과 같이 수정될 수도 있다:여기서, 은 산술 연산을 나타낸다. 본 발명의 실시예에서, 산술 연산은 로서 정의된다. 본 발명의 또 다른 실시예에서, 산술 연산은 간략하게 로서 정의된다.방법 1은 다음과 같이 추가로 수정될 수 있다:여기서, 은 이하의 4개의 수식 중의 하나에 의해 정의될 수 있는 함수를 나타낸다:수식 1:수식 2:수식 3:수식 4:, 여기서 은 어레이 에 필터가 적용될 때의 x(N+i)의 필터링된 값이다. 본 발명의 실시예에서, 필터는 3-탭 필터 이어도 된다.상기 실시예들에서, 수직 및 수평 참조 화소 는 예측을 위해 모두 이용할 수 있다. 참조 화소는 타겟 블록이 슬라이스 또는 프레임의 경계에 위치되는 경우에는 이용 가능하지 않을 수도 있다. 수직 참조 화소 가 예측에 이용 가능하지 않고, 수평 참조 화소 가 이용 가능하면, 예측을 위한 수직 참조 화소를 생성하기 위해 어사인먼트(assignment) 가 수행된다. 수평 참조 화소 가 예측에 이용 가능하지 않고, 수직 참조 화소 가 이용 가능하면, 예측을 위한 수평 참조 화소를 생성하기 위해 어사인먼트 가 수행된다. 수직 참조 화소 또는 수평 참조 화소 중의 어느 것도 예측을 위해 이용 가능하지 않으면, 수직 및 수평 참조 화소를 생성하기 위해 어사인먼트 가 수행된다. 수식에서, Nb는 화소값을 표현하기 위해 사용된 비트 심도(bit-depth)를 나타낸다.본 발명의 실시예에서, 다른 예측 모드 하에서 생성된 예측 블록과 같이, 평면 모드 하에서 생성된 예측 블록은 잔차 PR(1:N,1:N)를 구하기 위해 이용되며, 이 잔차가 변환 모듈(405)에 의해 변환되고, 양자화기(406)에 의해 양자화된다. 변환되고 양자화된 잔차 PT(1:N,1:N)는 비트스트림으로 디코더에 시그널링된다. 또한, 변환되고 양자화된 잔차 PT(1:N,1:N)는 역변환 모듈(410) 및 역양자화기(411)에 의해 역으로 변환 및 양자화되어, 압축된 잔차 PQ(1:N,1:N)가 되며, 이 압축된 잔차가 후속의 타겟 블록을 예측하는데 사용하기 위해 프레임 메모리(403)에 저장된다.변환 및 양자화된 잔차 PT(1:N,1:N) 전체가 비트스트림으로 디코더에 시그널링될 수도 있다. 이와 달리, 잔차 중의 일부 PT(1:K,1:K) 만이 비트스트림으로 디코더에 시그널링될 수도 있다. K는 N보다 작으며(K＜N), 예컨대 1과 같이 사전에 정해진 값으로 설정된다. K의 값은 비스트림으로 디코더에 시그널링될 수도 있다. 디코더가 잔차 중의 일부 PT(1:K,1:K) 만을 수신하면, 디코더는 잔차의 일부분을 디코드하고, 잔차의 나머지 부분을 영(0)으로 설정한다. 잔차의 일부만이 디코더에 시그널링되지만, 후속 타겟 블록을 예측하는 목적을 위해 압축된 잔차 PQ(1:N,1:N)를 획득하기 위해 전체 잔차 PT(1:N,1:N)가 역으로 변환 및 양자화된다.또한, 본 발명의 또 다른 실시예에서, 양자화 파라미터는 평면 모드 하에서 생성된 잔차를 양자화하기 위해 적응적으로 변경된다. 평면 모드는 작은 평면 기울기로 점차적으로 변경되는 화소값을 갖는 부드러운 이미지를 갖는 블록에 적용된다. 이러한 부드러운 블록으로부터의 잔차는 중간 또는 하급 양자화 파라미터로 영(0)으로 양자화되는 경향이 있다. 양자화가 논-제로 계수를 산출하도록 하기 위해, 본 발명의 실시예에서, 양자화 파라미터는 평면 모드 하에서 생성된 잔차가 양자화될 때에는 더 미세한 양자화 파라미터로 스위칭된다. 평면 모드 하에서 생성된 잔차를 양자화하기 위해 사용되는 양자화 파라미터(QPPlanar)는 기본 양자화 파라미터(QPbaseP)로 정의될 수 있다. QPbaseP는 더 미세한 양자화 파라미터를 표현하는 사전 결정된 값으로 설정될 수 있다. QPbaseP가 디코더에 알려져 있지 않으면, 이 파라미터는 비트스트림으로 디코더에 시그널링될 수 있거나, 또는 보다 구체적으로 H.264/AVC에서 정의된 바와 같이 슬라이스 헤더 또는 화상 파라미터 세트로 시그널링 될 수 있다.본 발명의 실시예에서, QPPlanar는 단순히 QPbaseP(QPPlanar=QPbaseP)로 설정된다. QPPlanar는 QPbaseP와 QPN의 합(QPPlanar=QPbaseP+QPN)으로 정의될 수도 있으며, 여기서 QPN은 N의 값과 관련하여 QPN의 값을 나열하고 있는 탐색표를 이용하여 결정된다. QPPlanar는 이와 달리 QPPlanar= QPbaseP+QPdiff(N)으로서 정의될 수도 있다. QPdiff(N)은 값 N의 함수이며, 비트스트림으로 디코더에 시그널링되거나, 또는 보다 구체적으로는 H.264/AVC에서 정의된 바와 같이 슬라이스 헤더 또는 화상 파라미터 세트로 시그널링된다. 디코더는 자신의 비디오 코덱 체계에서 지원되는 값 N의 각각에 대한 비트스트림으로부터 QPdiff(N)을 결정한다.본 발명의 또 다른 실시예에서, 차동 양자화 파라미터(differential quantization parameter)(QPdelta)를 추가함으로써, QPbaseP는 QPbaseP= QPbaseP+QPdelta로서 수정된다. QPdelta는 공간적 활동도에 대해 적응적으로 QPbaseP를 조정하기 위해 블록 또는 블록의 그룹에서의 공간적 활동도로부터 결정된 양자화 파라미터이다. QPdelta는 비트스트림으로 디코더에 시그널링된다. QPdelta가 블록의 공간적 활동도로부터 결정되므로, 이 파라미터는 블록 내의 이미지 콘텐츠에 따라서는 영(0)이 될 수도 있으며, 평면 예측 모드를 위한 QPbaseP에 영향을 주지 않는다.또한, 본 발명의 다른 실시예에서, QPPlanar는 평면 모드 이외의 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 양자화하기 위해 이용되는 정상 양자화 파라미터 QPnormal로 결정된다. 이러한 실시예에서, QPPlanar는 아래의 다섯 가지 방식 중의 하나에 따라 결정된다:1. QPPlanar = QPnormal2. QPPlanar = QPnormal + QPN, 여기서 QPN은 N의 값에 관련하여 QPN의 값을 나열하고 있는 탐색표로부터 결정됨.3. QPPlanar = QPnormal + QPdiff(N), 여기서 QPdiff(N)은 값 N의 함수이고, 비트스트림으로 디코더에 시그널링됨.4. QPPlanar = QPnormal + QPdelta, 여기서 QPdelta는 QPnormal을 적응적으로 조정하기 위해 블록 또는 블록의 그룹에서의 공간적 활동도로부터 결정된 양자화 파라미터이며, 비트스트림으로 디코더에 시그널링됨.5. QPPlanar = QPnormal + QPN + QPdelta본 발명의 또 다른 실시예에서, 변환 모듈(405) 및 역변환 모듈(410)은, 1차 순방향 변환 및 역변환 커널( 및 ) 세트를 이용하는 대신, 평면 모드 하에서 생성된 잔차의 순방향 변환 및 역변환을 위해 2차 순방향 변환 및 역변환 커널( 및 ) 세트를 이용한다. 1차 변환 커널 세트는 평면 모드 이외의 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 변환하기 위해 이용되며, 고주파 에너지(high frequency energy)가 있는 블록에 적합하다. 한편, 평면 예측 모드에 놓이게 될 블록은 그 안에서 낮은 공간적 활동도를 가지며, 부드러운 이미지를 갖는 블록에 적합화된 변환 커널을 요구한다. 본 실시예에서, 변환 모듈(405) 및 역변환 모듈(410)은 도 12에 도시된 바와 같이 1차 변환 커널 세트와 2차 변환 커널 세트 간에 스위칭하며, 평면 모드 이외의 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 변환할 때에는 1차 변환 커널 세트를 이용하는 반면, 평면 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 변환할 때에는 2차 변환 커널 세트를 이용한다. 그러나, 2차 변환 커널 세트는 평면 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 변환하기 위해 이용되는 것으로 제한되지 않고, 평면 모드 이외의 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 변환하기 위해 이용될 수도 있다는 것에 유의하기 바란다.2차 순방향 변환 커널() 세트는 이하의 옵션 중의 하나로부터 구해지는 픽스드 포인트 근사(fixed-point approximation)이어도 된다:옵션 1(타입-7 DST):옵션 2(타입-4 DST):옵션 3(타입-2 DST, 흔히 DCT로서 알려짐):옵션 4:2N×2N 크기의 변환 커널()이 비디오 코덱에 의해 지원되면, . 그렇지 않은 경우에는, . 따라서, 옵션 4에서, 비디오 코덱에서 지원되는 최저 및 최대 변환 크기가 4×4 및 32×32이면, 4×4 크기에 대한 2차 변환 커널 세트는 8×8 크기에 대한 1차 변환 커널 세트로부터 구해진다. 마찬가지로, 8×8 크기에 대한 2차 변환 커널 세트는 16×16 크기에 대한 1차 변환 커널 세트로부터 구해지고, 16×16 크기에 대한 2차 변환 커널 세트는 32×32 크기에 대한 1차 변환 커널 세트로부터 구해진다. 그러나, 지원되는 최대 크기가 32×32인 크기 제한으로 인해, 32×32 크기에 대한 2차 변환 커널 세트는 32×32 크기에 대한 1차 변환 커널 세트로부터 구해진다.계수 인자(scaling factor) ki는 를 충족하도록 정해질 수 있다. 계수 인자 ki는 H.264/AVC에서 이용되는 바와 같이 양자화 파라미터를 조정하기 위해 이용될 수도 있다. 2차 역변환 커널 세트는 순방향 변환 커널 를 이용하여 로부터 구해질 수 있으며, 여기서 IN은 N×N 크기의 항등 행렬을 나타낸다.1차 변환 커널 세트가 특성을 충족하면, 옵션 4에서 정의된 2차 변환 커널 세트가 바람직하다. 옵션 4는 2차 세트가 1차 세트로부터 구해질 수 있기 때문에 2차 변환 커널 세트가 1차 변환 커널 세트와 별도로 저장될 필요가 없다는 이점이 있다. 2N×2N 크기에 대한 1차 변환 커널() 세트가 타입-3 DCT의 근사이면, 상기한 특성이 충족되며, N×N 크기에 대한 2차 변환 커널() 세트가 타입-4 DST의 근사가 될 것이다. 1차 변환 커널 세트가 상기한 특성을 충족하지 못하면, 옵션 1에서 정의된 2차 변환 커널 세트가 바람직하다.평면 예측 모드는 2가지 방식 중의 하나로 선택될 수 있다. 첫 번째 방식에서는, 평면 예측 모드 하에서 생성된 예측 블록이 기타 예측 모드 하에서 생성된 예측 블록과 함께 부호화 효율에 대해 평가된다. 평면 모드 하에서 생성된 예측 블록이 예측 블록들 중에서 최상의 부호화 효율을 보이면, 평면 모드가 선택된다. 이와 달리, 부호화 효율에 대해 평면 모드가 단독으로 평가된다. 평면 예측 모드는 이미지가 부드럽고 그 평면 기울기가 작은 영역에 바람직하다. 따라서, 블록에서의 고주파 에너지의 양 및 블록의 에지를 따른 이미지 불연속성을 확인하기 위해 타겟 블록의 콘텐츠가 분석된다. 고주파 에너지의 양이 임계치 미만이고, 블록의 에지를 따라 커다란 불연속성이 발견되지 않으면, 평면 모드가 선택된다. 그렇지 않은 경우에는, 기타 예측 모드 하에서 생성된 예측 블록이 하나의 모드를 선택하기 위해 평가된다. 양쪽 모두의 경우에, 평면 예측 모드의 선택은 비트스트림으로 디코더에 시그널링된다.전술한 상세한 설명을 읽고 난 후의 당업자에는 의심의 여지없이 본 발명에 대한 많은 변경과 변형이 명백하게 될 것이며, 예시로서 보여주고 설명한 임의의 구체적인 실시예는 발명을 제한하려는 의도가 없다는 사실을 이해해야 한다. 따라서, 다양한 실시예들의 세부 구성에 대한 참조는 청구항들의 범위를 제한하려는 의도가 없으며, 그 자체로 본 발명의 본질적인 것으로서 간주되는 특징들을 원용할 뿐이다.	본 발명은, 제1 예측값이 각각의 수평 경계 화소의 값과 수직 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산되고, 제2 예측값이 각각의 수직 경계 화소의 값과 수평 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산되는, 저복잡도 평면 모드 부호화를 제공한다. 그리고나서, 제1 예측값과 제2 예측값은 예측 블록의 각각의 예측 화소값을 구하기 위해 평균이 구해진다. 예측 블록과 타겟 블록 간의 잔차가 디코더에 시그널링된다.
[ 발명의 명칭 ] 평면 표현을 이용한 향상된 인트라-예측 부호화ENHANCED INTRA-PREDICTION CODING USING PLANAR REPRESENTATIONS [ 기술분야 ] 본 특허 출원은 35 U.S.C. §119(e) 하에서 2010년 12월 21일자로 출원된 미국 가특허 출원 번호 61/425,670호 및 2011년 3월 4일자로 출원된 미국 가특허 출원 번호 61/449,528의 출원일의 이점을 주장하며, 상기한 특허 출원의 전체 내용이 참조에 의해 본 명세서에 원용된다.본 발명은 비디오 부호화에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 저복잡도 평면 예측 모드 부호화(low complexity planar prediction mode coding)로 향상된 인트라-프레임 예측에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 디지털 비디오는 디지털 비디오 시퀀스의 각각의 프레임 및 전체 프레임(예컨대, 일련의 프레임)을 압축되지 않은 방식으로 표현하기 위해서는 많은 양의 데이터를 필요로 한다. 대부분의 애플리케이션은 대역폭 한계 때문에 압축되지 않은 디지털 비디오를 컴퓨터 네트워크를 통해 전송하는 것이 가능한 것은 아니다. 또한, 압축되지 않은 디지털 비디오는 많은 양의 저장 공간을 필요로 한다. 디지털 비디오는 일반적으로 저장 요건을 감소시키고 대역폭 요건을 감소시키기 위해 여러 방식으로 인코딩된다.디지털 비디오를 인코딩하는 한 가지 기술은 인터-프레임 예측(inter-frame prediction) 또는 인터-예측(inter-prediction)이다. 인터-예측은 상이한 프레임들 간의 시간적 중복성(temporal redundancy)을 이용한다. 비디오의 시간적으로 인접한 프레임들은 통상적으로 실질적으로 동일하게 유지되는 화소 블록을 포함한다. 인코딩 프로세스 동안, 모션 벡터가 하나의 프레임 내의 화소 블록의 움직임을 다른 프레임 내의 유사한 화소 블록에 연관(interrelate)시킨다. 이에 따라, 시스템은 화소 블록을 2회 인코딩할 필요가 없으며, 화소 블록을 1회 인코딩하고, 다른 화소 블록을 예측하기 위한 모션 벡터를 제공한다.디지털 비디오를 인코딩하기 위한 또 다른 기술은 인트라-프레임 예측(intra-frame prediction) 또는 인트라-예측(intra-prediction)이다. 인트라-예측은 다른 프레임 내의 화소를 참조하지 않고 프레임 또는 프레임의 일부분을 인코딩한다. 인트라-예측은 하나의 프레임 내의 화소 블록들 간의 공간적 중복성을 이용한다. 공간적으로 인접한 화소 블록들이 일반적으로 유사한 속성을 갖기 때문에, 인접한 블록들 간의 공간적 상관 관계를 참조함으로써 부호화 프로세스의 효율이 향상된다. 이러한 상관 관계는 인접한 블록들에 사용된 예측 모드에 기초한 타겟 블록의 예측에 의해 이용될 수도 있다.통상적으로, 인코더는 화소 예측기를 포함하고, 이 화소 예측기는 인터-예측기, 인트라-예측기 및 모드 셀렉터를 포함한다. 인터-예측기는 수신된 이미지에 대한 예측을 움직임 보상된 참조 프레임에 기초하여 수행한다. 인트라-예측기는 수신된 이미지에 대한 예측을 현재 프레임 또는 화상(picture)의 이미 처리된 부분에 기초하여 수행한다. 인트라-예측기는 또한 복수의 상이한 인트라-예측 모드를 포함하고, 각각의 예측 모드 하에서 예측을 수행한다. 인터-예측기 및 인트라-예측기로부터의 출력들은 모드 셀렉터에 제공된다.모드 셀렉터는 인터-예측 부호화 또는 인트라-예측 부호화 중의 어느 부호화 방법이 이용되는지를 결정하며, 인트라-예측 부호화가 이용되는 때에는, 복수의 인트라-예측 모드 중에서 어느 모드의 인트라-예측 부호화가 이용되는지를 결정한다. 결정 프로세스에서, 모드 셀렉터는 어느 인코딩 방법 또는 어느 모드가 부호화 효율 및 처리 비용에 대해 가장 효율적인 결과를 제공하는지를 분석하기 위해 비용 함수(cost function)를 이용한다.인트라-예측 모드는 DC 모드 및 방향성 모드(directional mode)를 포함한다. DC 모드는 블록에 걸쳐 화소값이 일정한 블록을 표현하는데 적합하다. 방향성 모드는 특정한 방향으로 스트라이프 패턴(stripe pattern)을 갖는 블록을 표현하는데 적합하다. 이미지가 급격한 변화 없이 부드럽고(smooth), 그 화소값이 하나의 블록에서 서서히 변화되는, 또 다른 이미지 패턴이 있다. DC 모드 및 방향성 모드는 이미지 컨텐츠에서의 작은 점진적 변화를 예측하는데 적합하지 않으며, 특히 낮은 비트레이트 내지 중간 비트레이트에서 바람직하지 않은 블로킹 아티팩트(annoying blocking artifact)를 생성할 수 있다. 이것은, 서서히 변화되는 화소값을 갖는 블록들이 인코딩될 때에, 그 블록들의 AC 계수가 영(0)으로 양자화되는 경향이 있지만, DC 계수는 영이 아닌 값(non-zero value)을 갖기 때문이다.이 문제점을 해소하기 위해, H.264/AVC 표준 하에서의 인트라-예측 모드는, 화소값이 작은 평면 기울기(planar gradient)로 서서히 변화되는 부드러운 이미지를 갖는 블록을 표현하기 위해 평면 모드(planar mode)를 추가로 포함한다. H.264/AVC 표준의 평면 모드 하에서는, 평면 기울기가 근사되고, 디코더에 비트스트림으로 시그널링된다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은 인트라-예측 부호화의 부호화 효율을 향상시킬 수 있는 저복잡도 평면 모드 부호화를 제공하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명에서는, 평면 예측 모드 하에서, 인코더가 제1 예측값 및 제2 예측값을 계산한다. 제1 예측값은 각각의 수평 경계 화소의 값과 수직 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산된다. 제2 예측값은 각각의 수직 경계 화소의 값과 수평 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산된다. 인코더는 또한 예측 블록의 각각의 예측 화소값을 구하기 위해 제1 예측값과 제2 예측값의 평균을 구한다.본 발명의 일특징에서, 인코더는 예측 블록과 타겟 블록 간의 잔차(residual)를 비트스트림으로 디코더에 시그널링한다.본 발명의 또 다른 특징에서, 1차 변환 커널(transform kernel) HN(i.j) 세트가 2차 변환 커널 GN(i,j) 세트로 스위칭된다. 인코더는 2차 변환 커널 GN(i,j) 세트를 이용하여 잔차를 변환한다.2차 변환 커널 GN(i,j) 세트는 다음 수식,(a) ;(b) ; 및(c) 중의 하나에 의해 정해진다.본 발명의 또 다른 특징에서, N×N 크기에 대한 2차 변환 커널 GN(i,j) 세트는 M×M 크기에 대한 1차 변환 커널 HM(i.j) 세트에 의해 정해지며, 여기서 M＞N이다. 구체적으로, 2차 변환 커널 GN(i,j) 세트는 2N×2N 크기의 변환 커널(H2N)이 지원되면 에 의해 정해지거나, 그렇지 않은 경우에는 GN(i,j)=HN(i,j)이다.본 발명은 또한 디코딩을 위해 이용되는 저복잡도 평면 모드 부호화를 제공한다. 평면 모드 하에서, 디코더는 제1 예측값 및 제2 예측값을 계산한다. 제1 예측값은 각각의 수평 경계 화소의 값과 수직 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산된다. 제2 예측값은 각각의 수직 경계 화소의 값과 수평 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산된다. 디코더는 그 후 예측 블록의 각각의 예측 화소값을 구하기 위해 제1 예측값과 제2 예측값의 평균을 구한다. 디코더는 평면 모드 하에서 인코더에서 생성된 인코더로부터 시그널링된 잔차를 디코딩하고, 이미지 데이터를 재구축하기 위해 예측 블록에 디코딩된 잔차를 가산한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명을 구현할 수 있는 일례의 하드웨어 아키텍처를 도시하는 블록도이다.도 2는 본 발명을 적용할 수 있는 비디오 인코더의 전반적인 도시를 보여주는 블록도이다.도 3은 본 발명을 적용할 수 있는 비디오 디코더의 전반적인 도시를 보여주는 블록도이다.도 4는 본 발명의 실시예에 따른 인코더의 기능 모듈을 도시하는 블록도이다.도 5는 본 발명의 실시예에 따른 비디오 인코더에 의해 수행되는 인코딩 프로세스를 보여주는 흐름도이다.도 6은 본 발명의 실시예에 따른 디코더의 기능 모듈을 보여주는 블록도이다.도 7은 본 발명의 실시예에 따른 비디오 디코더에 의해 수행되는 디코딩 프로세스를 보여주는 흐름도이다.도 8은 8×8 화소 P(i,j)을 포함하고 있는 타겟 블록과 화소 P(i,j)를 예측하기 위해 이용되는 참조 화소의 개략적 표현을 보여주는 도면이다.도 9는 JCT-VC Al19에서 제안된 평면 모드 부호화에 따라 예측 화소를 생성하는 프로세스를 나타내는 개략적 표현을 보여주는 도면이다.도 10은 본 발명의 평면 모드 부호화에 따라 예측 화소를 생성하는 프로세스를 나타내는 개략적 표현을 보여주는 도면이다.도 11은 본 발명의 평면 모드 부호화에 따라 예측 화소를 생성하는 프로세스를 나타내는 또 다른 개략적 표현을 보여주는 도면이다.도 12는 1차 변환 커널 세트와 2차 변환 커널 세트 간에 스위칭하는 프로세스를 보여주는 흐름도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1은 본 발명을 구현할 수 있는 컴퓨터(100)의 일례의 하드웨어 아키텍처를 도시하고 있다. 도 1에 도시된 하드웨어 아키텍처는 본 발명의 실시예를 구현하는 비디오 인코더 및 비디오 디코더 양자 모두에 공통될 수도 있다는 것에 유의하기 바란다. 컴퓨터(100)는 프로세서(101), 메모리(102), 저장 장치(105) 및 하나 이상의 입력 및/또는 출력(I/O) 장치(106)(또는 주변 장치)를 포함하며, 이들은 로컬 인터페이스(107)를 통해 통신 가능하게 연결되어 있다. 로컬 인터페이스(105)는 예컨대 종래 기술로 공지된 바와 같이 하나 이상의 버스 또는 기타 유선 또는 무선 접속부이어도 되지만, 이러한 것으로 한정되지 않는다.프로세서(101)는 소프트웨어, 구체적으로는 메모리(102)에 저장된 소프트웨어를 실행하는 하드웨어 장치이다. 프로세서(101)는 임의의 맞춤형 또는 상업적으로 입수 가능한 프로세서, 중앙 처리 장치(CPU), 컴퓨터(100)에 관련된 여러 개의 프로세서 중의 보조 프로세서, 반도체 기반 마이크로프로세서(마이크로칩 또는 칩 세트 형태의), 또는 소프트웨어 명령을 실행하기 위한 일반적인 임의의 장치이어도 된다.메모리(102)는 휘발성 메모리 요소(예컨대, 랜덤 액세스 메모리(DRAM, SRAM, SDRAM 등과 같은 RAM)) 및 비휘발성 메모리 요소(예컨대, ROM, 하드 드라이브, 테이프, CDROM 등) 중의 임의의 하나 또는 조합을 포함할 수 있는 컴퓨터 판독 가능 매체를 포함한다. 또한, 메모리(102)는 전자식 저장 매체, 자기식 저장 매체, 광학식 저장 매체 및/또는 기타 타입의 저장 매체를 통합하여도 된다. 컴퓨터 판독 가능 매체는 명령 실행 시스템, 기기 또는 장치에 의해 사용되거나 또는 이들과 함께 사용하기 위한 프로그램을 저장, 통신, 전파 또는 전송할 수 있는 어떠한 수단이어도 된다. 메모리(102)는, 다양한 컴포넌트가 서로 원격으로 위치되어 있지만 프로세서(101)에 의해 액세스될 수 있는 분산 아키텍처를 가질 수 있다는 점에 유의하기 바란다.메모리(102) 내의 소프트웨어(103)는, 아래에 설명되는 바와 같이 컴퓨터(100)의 논리적 기능을 구현하기 위한 실행 가능한 명령의 정렬된 목록(ordered listing)을 각각이 포함하고 있는 하나 이상의 개별 프로그램을 포함할 수도 있다. 도 1의 예에서, 메모리(102) 내의 소프트웨어(103)는 본 발명에 따라 컴퓨터(100)의 비디오 인코딩 또는 비디오 디코딩 기능을 규정한다. 또한, 반드시 그러할 필요는 없지만, 메모리(102)가 운영 체제(O/S)(104)를 포함하고 있는 것도 가능하다. 운영 체제(104)는 본질적으로 컴퓨터 프로그램의 실행을 제어하고, 스케줄링, 입력-출력 제어, 파일 및 데이터 관리, 메모리 관리, 및 통신 제어 및 관련 서비스를 제공한다.컴퓨터(100)의 저장 장치(105)는 고정형 저장 장치 또는 휴대용 저장 장치를 포함한 다수의 상이한 타입의 저장 장치 중의 하나이어도 된다. 일례로서, 저장 장치(105)는 자기 테이프, 디스크, 플래시 메모리, 휘발성 메모리, 또는 상이한 저장 장치이어도 된다. 또한, 저장 장치(105)는 보안 디지털 메모리 카드 또는 임의의 다른 탈착 가능 저장 장치(105)이어도 된다.I/O 장치(106)는 예컨대 터치 스크린, 키보드, 마우스, 스캐너, 마이크로폰, 또는 기타 입력 장치와 같은 입력 장치를 포함할 수 있으며, 이러한 예는 위에 언급한 것으로 한정되지 않는다. 더욱이, I/O 장치(106)는 또한 예컨대 디스플레이 또는 기타 출력 장치와 같은 출력 장치를 포함할 수 있으며, 이러한 예는 위에 언급한 것으로 한정되지 않는다. I/O 장치(106)는 또한 입력 및 출력을 통해 통신하는 장치, 예컨대 변조기/복조기(예컨대, 또 다른 장치, 시스템 또는 네트워크를 액세스하기 위한 모뎀), 무선 주파수(RF), 무선 또는 기타 송수신기, 전화 인터페이스, 브리지, 라우터, 또는 입력단 및 출력단으로서 기능하는 기타 장치를 추가로 포함할 수 있으며, 이러한 예는 위에 언급된 것으로 한정되지 않는다.당해 기술 분야에 통상의 지식을 가진 사람에 의해 널리 알려진 바와 같이, 비디오 압축은 비디오 시퀀스에서 중복 정보를 제거함으로써 달성된다. 다수의 상이한 비디오 부호화 표준이 존재하며, 그 예는 MPEG-1, MPEG-2, MPEG-4, H.261, H.263 및 H.264/AVC를 포함한다. 본 발명은 임의의 특정한 비디오 부호화 표준이 적용되는 것으로 한정되도록 의도되지 않는다는 것에 유의하기 바란다. 그러나, 본 발명의 이하의 설명은 본 명세서에서 참조에 의해 원용되고 있는 H.264/AVC 표준의 예를 이용하여 제공된다. H.264/AVC 표준은 최신의 비디오 부호화 표준이며, MPEG-1, MPEG-2, MPEG-4, H.261, 및 H.263과 같은 이전의 부호화 표준에 비하여 현저한 성능 향상을 달성한다.H.264/AVC에서, 비디오의 각각의 프레임 또는 화상은 여러 개의 슬라이스로 나누어질 수 있다. 슬라이스는 그 후 매크로블록으로 지칭되는 16×16 화소의 블록으로 분할되며, 이 블록이 그 후 8×16, 16×8, 8×8, 4×8, 8×4 및 그 아래의 4×4 화소의 블록으로 추가로 분할될 수 있다. H.264/AVC 표준에 의해 지원되는 5개 타입의 슬라이스가 있다. I 슬라이스에서는, 매크로블록 모두가 인트라-예측을 이용하여 부호화된다. P 슬라이스에서는, 매크로블록이 인트라-예측 또는 인터-예측을 이용하여 부호화될 수 있다. P 슬라이스는 매크로블록 당 단지 하나의 모션 보상 예측(MCP) 신호가 이용될 수 있다. B 슬라이스에서는, 매크로블록이 인트라-예측 또는 인터-예측을 이용하여 부호화될 수 있다. 예측 당 2개의 MCP 신호가 이용될 수 있다. SP 슬라이스는 P 슬라이스가 상이한 비디오 스트림 간에 효율적으로 스위칭되도록 한다. SI 슬라이스는 랜덤 액세스 또는 에러 복구에 대해서는 SP 슬라이스에 대해 정확히 매칭되지만 인트라-예측만을 이용한다.도 2 본 발명이 적용될 수 있는 비디오 인코더의 전반적인 도시를 보여주는 도면이다. 도면에 도시된 블록은 메모리(102) 내의 소프트웨어(103)를 실행하는 프로세서(101)에 의해 실현되는 기능 모듈을 나타낸다. 비디오 프레임의 화상(200)이 비디오 인코더(201)에 제공된다. 비디오 인코더는 화상(200)을 매크로블록(200A)의 단위로 처리한다. 각각의 매크로블록은 화상(200)의 여러 개의 화소를 포함한다. 각각의 매크로블록에 대해서는, 변환 계수로의 변환이 수행되고, 그에 후속하여 변환 계수 레벨로의 양자화가 수행된다. 더욱이, 화소 데이터에 대해 직접적으로 부호화 단계를 수행하지 않고 예측된 화소값에 대한 그 화소 데이터의 차에 대해 부호화 단계를 수행하기 위해 인트라-예측 또는 인터-예측이 이용되며, 이로써 보다 용이하게 압축되는 작은 값이 달성된다.각각의 슬라이스에 대해, 인코더(201)는 각각의 슬라이스의 매크로블록의 부호화된 버전을 형성하는 다수의 구문 요소(syntax element)를 생성한다. 변환 계수 레벨 또는 스킵된(skiped) 변환 계수 레벨을 나타내주는 유효성 맵(significance map)과 같은 변환 계수의 부호화에 관련되는 구문 요소의 모든 잔여 데이터 요소는 잔여 데이터 구문 요소로 지칭된다. 이들 잔여 데이터 구문 요소 외에, 인코더(201)에 의해 생성된 구문 요소는 각각의 매크로블록을 각각 인코딩하고 디코딩하는 방식에 관한 제어 정보를 포함하고 있는 제어 정보 구문 요소를 포함한다. 즉, 구문 요소는 2개의 범주로 분류될 수 있다. 제1 범주인 제어 정보 구문 요소는 예컨대 슬라이스-기반 및 매크로블록-기반 제어 정보뿐만 아니라 매크로블록 타입, 서브-매크로블록 타입, 및 공간적 타입과 시간적 타입 양자 모두의 예측 모드에 대한 정보에 관련된 요소를 포함한다. 제2 범주에서는, 양자화 단계에 대응하는 레벨의 단위로 나타내진 유효 계수(significant coefficient)의 값 및 양자화된 변환 계수의 블록 내의 모든 유효 계수의 위치를 나타내는 유효성 맵과 같은 잔여 데이터 요소 모두가 결합(combine)되고, 잔여 데이터 구문 요소로 된다.인코더(201)는, 각각의 슬라이스에 대해 구문 요소를 인코딩하고 산술 코드워드(arithmetic codeword)를 생성하는 엔트로피 부호화기(entrophy coder)를 포함한다. 슬라이스에 대한 산술 코드워드를 생성할 때, 엔트로피 부호화기는 비디오 신호 비트 스트림에서의 구문 요소의 데이터 값들 간의 통계 의존성(statistical dependency)을 이용한다. 인코더(201)는 화상(200)의 슬라이스에 대하여 인코딩된 비디오 신호를 도 3에 도시된 비디오 디코더(301)에 출력한다.도 3은 본 발명을 적용할 수 있는 비디오 디코더의 전반적인 도시를 보여주는 도면이다. 마찬가지로, 이 도면에 도시된 블록은 메모리(102) 내의 소프트웨어(103)를 실행하는 프로세서(101)에 의해 실현되는 기능 모듈을 나타낸다. 비디오 디코더(301)는 인코딩된 비디오 신호를 수신하고, 먼저 이 신호를 역으로 구문 요소로 엔트로피 디코딩한다. 디코더(301)는, 매크로블록×매크로블록으로 그리고나서 슬라이스 후 슬라이스(slice after slice)로, 화상(300)의 화소의 화상 샘플(300A)을 재구축하기 위해, 구문 요소를 사용한다.도 4는 비디오 인코더(201)의 기능 모듈을 도시하는 도면이다. 이러한 기능 모듈은 메모리(102) 내의 소프트웨어(103)를 실행하는 프로세서(101)에 의해 실현된다. 입력 비디오 화상은, 크로미넌스("크로마") 및 휘도("루마")(예컨대 색조, 포화, 및 값 등의 다른 성분들도 가능함)와 같은 원래 컬러의 성분을 표현하는 샘플 포인트에 의해 정해지는 자연 발생적인(압축되지 않은) 비디오 이미지의 필드 또는 프레임이다. 입력 비디오 화상은, 화상 컬러의 루마 성분의 16×16 화소로 이루어지는 정사각형 화상 영역을 각각 표현하는 매크로블록(400)으로 분할된다. 입력 비디오 화상은, 또한, 화상 컬러의 두 개의 크로마 성분의 각각의 크로마 성분의 8×8 화소를 각각 표현하는 매크로블록으로 파티션화된다. 일반적인 인코더 동작에서, 입력된 매크로블록은 인터-예측 또는 인트라-예측을 이용하여 시간적으로 또는 공간적으로 예측된다. 그러나, 설명을 위해, 매크로블록(400)은 모두 I-슬라이스 타입 매크로블록이며, 인트라-예측만이 적용되는 것으로 가정한다.인트라-예측은 인트라-예측 모듈(401)에서 달성되며, 인트라-예측 모듈의 동작은 이하에서 상세히 설명된다. 인트라-예측 모듈(401)은, 이전에 인코딩되고, 재구축되고, 프레임 메모리(403)에 저장된 이웃 블록의 수평 및 수직 경계 화소로부터 예측 블록(402)을 생성한다. 타겟 블록(400)과 예측 블록(402) 간의 차인 예측 블록(402)의 잔차(residual)(404)는 변환 모듈(405)에 의해 변환되고, 그 후 양자화기(406)에 의해 양자화된다. 변환 모듈(405)은 잔차(404)를 변환 계수의 블록으로 변환한다. 양자화기(406)는 변환 계수를 양자화하여 양자화된 변환 계수(407)로 한다. 그리고나서, 양자화된 변환 계수(407)는 엔트로피-부호화 모듈(408)에서 엔트로피-부호화되고, 인코딩된 비디오 신호(409)로서 전송된다(선택된 인트라-예측 모드에 관한 기타 정보와 함께).비디오 인코더(201)는 타겟 블록에 대한 인트라-예측을 수행하기 위한 디코딩 기능부를 포함한다. 디코딩 기능부는 역양자화기(410) 및 역변환 모듈(411)을 포함하며, 역양자화기 및 역변환 모듈이 양자화된 변환 계수(407)에 대하여 역양자화 및 역변환을 수행하여 디코딩된 예측 잔차(412)를 생성하고, 이 디코딩된 예측 잔차가 예측 블록(402)에 가산된다. 디코딩된 예측 잔차(410)와 예측 블록(402)을 합한 것이 재구축된 블록(413)이며, 재구축된 블록(413)이 프레임 메모리(403)에 저장되고, 다음 타겟 블록(400)의 디코딩을 위한 예측 블록(402)을 생성하기 위해 이 재구축된 블록(413)이 인트라-예측 모듈(401)에 의해 프레임 메모리(403)로부터 판독되어 사용될 것이다. 필요한 경우, 재구축된 이미지로부터 블로킹 아티팩트(blocking artifact)를 제거하기 위해 프레임 메모리(403)의 입력단 또는 출력단 중의 어느 하나에 디블로킹 필터(deblocking filter)가 위치될 수도 있다.도 5는 비디오 인코더(201)에 의해 수행되는 프로세스를 나타내는 흐름도이다. H.264/AVC 표준에 따르면, 인트라 예측은, 이전에 인코딩되고 재구축된 이웃 블록의 경계 화소("참조 화소")의 보간(interpolation)을 이용하여, 복수의 예측 모드 하에서 타겟 블록(400)의 각각의 화소를 예측하는 것을 포함한다. 예측 모드는 양의 정수 0, 1, 2,…에 의해 식별되며, 각각의 정수는 타겟 블록(400) 내의 특정 화소를 예측하기 위한 상이한 명령 또는 알고리즘에 연관된다. 인트라-예측 모듈(401)은 각각의 예측 모드 하에서 인트라-예측을 수행하고, 상이한 예측 블록을 생성한다. 전체 검색(full search, FS) 알고리즘 하에서는, 생성된 예측 블록의 각각을 타겟 블록(400)과 비교하여, 예측 모드들 중에서 예측 잔차(404)를 최소화하거나 더욱 작은 예측 잔차(404)를 생성하는 최적의 예측 모드를 찾는다(단계 501). 최적의 예측 모드의 식별이 압축되고(단계 502), 기타 제어 정보 구문 요소와 함께 디코더(301)에 시그널링될 것이다.각각의 예측 모드는 전술한 바와 같이 예측의 일반적인 방향에 의해 기술될 수 있다(즉, 수평으로 위, 수직 및 대각선 아래 왼쪽). 예측 방향은 각도 방향에 의해 그래픽으로 기술될 수 있다. 예측 모드에 대응하는 각도는, 타겟 화소를 예측하는 데 사용되는 참조 화소의 가중된 평균 위치로부터 타겟 화소 위치로의 방향에 대하여 일반적인 관계를 갖는다. DC 예측 모드에서, 예측 블록(402)은, 예측 블록(402)의 각각의 화소가 참조 화소의 평균값으로 균일하게 설정되도록, 생성된다.다시 도 5를 참조하면, 인트라-예측 모듈(401)이 예측 블록(402)을 출력하고, 이 예측 블록을 타겟 블록(400)으로부터 감산하여 잔차(404)를 획득한다(단계 503). 변환 모듈(405)이 잔차(404)를 변환 계수의 블록으로 변환한다(단계 504). 양자화기(406)가 변환 계수를 양자화하여 양자화된 변환 계수로 한다. 엔트로피 부호화 모듈(408)이 양자화된 변환 계수를 엔트로피-인코딩하며(단계 506), 이것이 최적의 예측 모드의 압축된 식별과 함께 보내진다. 역양자화기(410)가 양자화된 변환 계수를 역으로 양자화한다(단계 507). 역변환 모듈(411)이 디코딩된 예측 잔차(412)를 구하기 위해 역변환을 수행하며(단계 508), 이 디코딩된 예측 잔차가 예측 블록(402)에 가산되어 재구축된 블록(413)이 된다(단계 509).도 6은 비디오 디코더(301)의 기능 모듈을 도시한다. 이러한 기능 모듈은 메모리(102) 내의 소프트웨어(103)를 실행하는 프로세서(101)에 의해 실현된다. 인코더(201)로부터의 인코딩된 비디오 신호가 먼저 엔트로피 디코더(600)에 의해 수신되고, 양자화된 변환 계수(601)로 다시 엔트로피-디코딩된다. 양자화된 변환 계수(601)는 역양자화기(602)에 의해 역으로 양자화되고, 역변환 모듈(603)에 의해 역으로 변환되어 예측 잔차(604)를 생성하게 된다. 인트라-예측 모듈(605)은 인코더(201)에 의해 선택된 예측 모드를 통지받는다. 선택된 예측 모드에 따라, 인트라 예측 모듈(605)은 도 5의 단계 503에서 수행된 것과 유사한 인트라-예측 프로세스를 수행하여, 이전에 재구축되어 프레임 메모리(607)에 저장된 이웃 블록의 경계 화소를 이용하여 예측 블록(606)을 생성한다. 예측 블록(606)은 디코딩된 비디오 신호의 블록(608)을 재구축하기 위해 예측 잔차(604)에 가산된다. 재구축된 블록(608)은 다음 블록의 예측에 사용하기 위해 프레임 메모리(607)에 저장된다.도 7은 비디오 인코더(201)에 의해 수행되는 프로세스를 보여주는 흐름도이다. 비디오 디코더(301)가 비디오 인코더(201)로부터 시그널링된 최적의 예측 모드의 식별을 디코딩한다(단계 701). 디코딩된 예측 모드를 이용하여, 인트라-예측 모듈(605)이 이전에 재구축되어 프레임 메모리(607)에 저장된 이웃 블록의 경계 화소를 이용하여 예측 블록(606)을 생성한다(단계 702). 산술 디코더(600)가 인코더(201)로부터의 인코딩된 비디송 신호를 다시 양자화된 변환 계수(601)로 디코딩한다(단계 703). 역양자화기(602)가 양자화된 변환 계수를 역으로 양자화하여 변환 계수로 한다(단계 704). 역변환 모듈(603)이 변환 계수를 역으로 변환하여 예측 잔차(604)로 하고(단계 705), 이 예측 잔차가 예측 블록(606)에 가산되어 디코딩된 비디오 신호의 블록(608)을 재구축한다(단계 706).비디오 인코더(201)에 의해 수행된 인코딩 프로세스를 도 8을 참조하여 추가로 설명한다. 도 8은 8×8 화소 P(i,j)를 포함하는 타겟 블록과 화소 P(i,j)를 예측하기 위해 사용되는 참조 화소의 개략적인 표현을 보여주고 있다. 도 8에서, 참조 화소는 17개의 수평 화소와 17개의 수직 화소로 이루어지며, 여기서 좌측의 위쪽 화소는 수평 경계와 수직 경계 양자 모두에 공통되어 있다. 따라서, 타겟 블록에 대한 예측 화소를 생성하기 위해서는 32개의 상이한 화소가 이용 가능하다. 도 8이 예측될 8×8 블록을 도시하고 있지만, 이하의 설명은 상이한 구성에서 다양한 개수의 화소에 적용할 수 있도록 하기 위해 일반화되어 이루어진다. 예컨대, 예측될 블록은 4×4 어레이의 화소를 포함할 수 있다. 예측 블록은 또한 8×8 어레이의 화소, 16×16 어레이의 화소, 또는 더 큰 어레이의 화소를 포함할 수도 있다. 정사각형 어레이 및 직사각형 어레이 양자 모두를 포함하는 다른 화소 구성 또한 예측 블록을 구성할 수 있다.화소의 블록이 수평 및 수직 참조 화소를 이용하여 인트라-예측 부호화를 거치는 것으로 가정한다. 여기서, PO(i,j)는 타겟 블록의 원래 화소값(original pixel value)을 나타내고, PP(i,j)는 예측된 화소값을 나타내고, PR(i,j)는 잔차값을 나타내고, PQ(i,j)는 화소 P(i,j)에 대한 압축된 잔차값을 나타내고, PC(i,j)는 화소 P(i,j)에 대한 압축된 값을 나타내며, 이하의 수식은 이들의 관계를 정의한다:는 순방향 변환 커널(forward transform kernel)을 표현하는 N×N 행렬이다. 는 역방향 변환 커널(inverse transform kernel)을 표현하는 N×N 행렬이다. PT(1:N,1:N)은 비트스트림 내의 변환되고 양자화된 잔차 신호를 나타낸다. QF()는 양자화 연산을 나타내고, QI()는 역양자화 연산을 나타낸다.예측된 화소값 PP(i,j)은 참조 화소 로 수행되는 인트라-예측 모드에 의해 결정된다. H.264/AVC는 인트라 4×4 예측, 인트라 8×8 예측, 및 인트라 16×16 예측을 지원한다. 인트라 4×4 예측은 하나의 수직 예측 모드, 하나의 수평 예측 모드, 하나의 DC 예측 모드, 및 6개의 각도 예측 모드를 포함하는 9개의 예측 모드 하에서 수행된다. 인트라 8×8 예측은 인트라 4×4 예측에서 수행된 것과 같이 9개의 예측 모드 하에서 수행된다. 인트라 16×16 예측은 하나의 수직 예측 모드, 하나의 수평 예측 모드, 하나의 DC 예측 모드, 및 하나의 평면 예측 모드를 포함하는 4개의 예측 모드 하에서 수행된다. 예컨대, DC 예측 모드, 수직 예측 모드, 및 수평 예측 모드 하에서 구해진 예측된 화소값 PP(i,j)은 아래와 같이 정의된다:DC 예측 모드:수직 예측 모드:수평 예측 모드:최근에 Joint Collaborative Team on Video Coding(JCT-VC)에 제출된 제안 No. JCT-VC Al19가 본 명세서에 참조에 의해 원용되어 있다. 제안 No. JCT-VC Al19는 작은 평면 기울기(small planar gradient)로 점차적으로 변경되는 화소값을 예측하기 위해 선형 보간 연산 및 이중 선형 보간 연산(bi-linear interpolation operation)의 조합을 이용하는 저복잡도 평면 모드 연산을 제안한다. 제안된 평면 모드 프로세스는 도 9에 개략적으로 도시되어 있다. 프로세스는 예측될 블록에서의 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)을 식별하는 것으로 개시한다. 그리고나서, 블록의 하단 행(bottom low)의 예측된 화소값 PP(N,j)을 획득하기 위해 값 PP(N,N)과 참조 화소값 PC(N,0) 사이에서 선형 보간이 수행된다. 마찬가지로, 블록의 최우측 열(rightmost column)의 예측된 화소값 PP(i,N)을 획득하기 위해 값 PP(N,N)과 참조 화소값 PC(0,N) 사이에서 선형 보간이 수행된다. 그 후, 블록의 나머지 화소값 PP(i,j)을 획득하기 위해 예측된 화소값 PP(N,j) 및 PP(i,N)과 참조 화소값 PC(i,0) 및 PC(0,j) 사이에서 이중 선형 보간이 수행된다. 제안된 평면 모드 프로세스는 아래의 수식으로 표현될 수 있다:우측 열:하단 행:나머지 화소:JCT-VC Al19에서 제안된 평면 모드 프로세스에서는 해소될 두 가지 문제가 있다. 제안된 프로세스에서, 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)은 은 비트스트림으로 디코더에 시그널링되고, 디코더에서 타겟 블록을 디코드하기 위해 이용된다. 달리 말하면, 디코더는 제안된 평면 하에서 예측을 수행하기 위해 우측 하단 화소의 값을 필요로 한다. 또한, 제안된 프로세스에서, 잔차는 평면 모드 하에서는 얻어지지 않으므로 디코더에 시그널링되지 않는다. 잔차 시그널링의 생략은 전송될 인코딩된 비디오 데이터의 감소에 기여할 수 있지만, 평면 모드의 적용을 낮은 비트-레이트 비디오 부호화로 제한한다.본 발명에 따른 평면 모드는 JCT-VC Al19에서 제안된 평면 모드 프로세스에 연관된 전술한 문제를 해소하기 위해 설계된다. 본 발명의 실시예에 따라, 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)은 참조 화소로부터 구해진다. 따라서, 우측 하단 화소의 화소값 PP(N,N)을 디코더에 시그널링할 필요가 없다. 본 발명의 다른 실시예에서, 평면 모드 하에서 형성된 예측 블록은 잔차를 구하기 위해 이용되며, 이 잔차가 디코더에 시그널링하기 위해 변환 및 양자화된다. 중간(mid) 또는 하급(coarse) 양자화 파라미터를 이용한 종래의 이산 코사인 변환(DCT) 및 양자화의 적용은 평면 모드 하에서 획득된 잔차로부터 제로 AC 계수 및 논-제로 DC 계수를 산출하는 경향이 있다. 이를 방지하기 위해, 본 발명의 실시예는 평면 모드 하에서 획득된 잔차를 변환하기 위해 1차 변환 커널 대신 2차 변환 커널을 이용한다. 또한, 다른 실시예는 양자화 파라미터가 타겟 블록에서의 공간적 활동도(spatial activity)에 따라 적응적으로 변경되는 적응 양자화(adaptive quantization)를 평면 모드 하에서 수행한다.본 발명의 실시예에서, 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)은 참조 화소로부터 계산된다. 값 PP(N,N)은 다음의 3가지 방법 중의 하나에 따라 계산된다:방법 1:여기서, 연산자 "≫"는 라운딩(rounding)을 갖거나 갖지 않는 우측 시프트 연산(right-shift operation)을 나타낸다.방법 2:여기서, wh 및 wv는 PC(0,1:N) 및 PC(1:N,0)을 이용하여 결정된 가중치이다. 예컨대, wh 및 wv는 다음과 같이 계산된다:여기서, 연산자 "var()"는 변수를 산출하기 위한 연산자를 나타낸다.방법 3:여기서, 이고,이다. 는 산술 연산을 나타낸다. 본 발명의 실시예에서, 산술 연산은 로서 정의된다. 본 발명의 또 다른 실시예에서, 산술 연산은 간략하게 로서 정의된다. 본 발명에서는 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)이 디코더에 시그널링되지 않는다는 것에 유의하기 바란다. 그 대신, 디코더는 인코더에 의해 채용된 방법에 따라 값 PP(N,N)을 계산하며, 이 방법은 사전에 결정될 수도 있거나 또는 그 방법의 식별이 디코더에 시그널링될 수도 있다.도 10은 본 발명의 실시예에 따른 평면 모드 하에서 수행된 화소값을 예측하는 프로세스를 보여주는 개략도이며, 이 프로세스에서는 상기한 방법 1이 실시된다. 프로세스는 방법 1을 이용하여 블록 내의 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)을 계산하는 것으로 개시한다. 값 PP(N,N)이 계산된 후, 블록의 하단 행의 예측된 화소값 PP(N,j)을 획득하기 위해 값 PP(N,N)과 참조 화소값 PC(N,0) 간에 선형 보간이 수행된다. 마찬가지로, 블록의 최우측 열의 예측된 화소값 PP(i,N)을 획득하기 위해 값 PP(N,N)과 참조 화소값 PC(0,N) 간에 선형 보간이 수행된다. 그 후, 블록의 나머지 화소값 PP(i,j)을 획득하기 위해 예측된 화소값 PP(N,j) 및 PP(i,N)과 참조 화소값 PC(i,0) 및 PC(0,j) 간에 이중 선형 보간이 수행된다. 이하의 수식 및 도 11에 의해 나타낸 바와 같이, 방법 1은 타겟 블록의 화소값 PP(i,j)을 예측하는 연산을 간략화할 수 있다:여기서, 이고,분수 정확도(fractional accuracy)가 요구되면, 이다.상기한 수식은 블록의 화소값 PP(i,j)을 계산하기 위해 값 N에 의한 제산(division)을 필요로 한다. 제산 연산은 다음과 같이 정수 연산방식(integer arithmetic)을 이용함으로써 방지될 수 있다:여기서, 이고,이다.정수 정확도가 충분하면, 화소값 PP(i,j)는 아래에 의해 표현될 수 있으며,여기서, 이고,이다.방법 1은 다음과 같이 수정될 수도 있다:여기서, 은 산술 연산을 나타낸다. 본 발명의 실시예에서, 산술 연산은 로서 정의된다. 본 발명의 또 다른 실시예에서, 산술 연산은 간략하게 로서 정의된다.방법 1은 다음과 같이 추가로 수정될 수 있다:여기서, 은 이하의 4개의 수식 중의 하나에 의해 정의될 수 있는 함수를 나타낸다:수식 1:수식 2:수식 3:수식 4:, 여기서 은 어레이 에 필터가 적용될 때의 x(N+i)의 필터링된 값이다. 본 발명의 실시예에서, 필터는 3-탭 필터 이어도 된다.상기 실시예들에서, 수직 및 수평 참조 화소 는 예측을 위해 모두 이용할 수 있다. 참조 화소는 타겟 블록이 슬라이스 또는 프레임의 경계에 위치되는 경우에는 이용 가능하지 않을 수도 있다. 수직 참조 화소 가 예측에 이용 가능하지 않고, 수평 참조 화소 가 이용 가능하면, 예측을 위한 수직 참조 화소를 생성하기 위해 어사인먼트(assignment) 가 수행된다. 수평 참조 화소 가 예측에 이용 가능하지 않고, 수직 참조 화소 가 이용 가능하면, 예측을 위한 수평 참조 화소를 생성하기 위해 어사인먼트 가 수행된다. 수직 참조 화소 또는 수평 참조 화소 중의 어느 것도 예측을 위해 이용 가능하지 않으면, 수직 및 수평 참조 화소를 생성하기 위해 어사인먼트 가 수행된다. 수식에서, Nb는 화소값을 표현하기 위해 사용된 비트 심도(bit-depth)를 나타낸다.본 발명의 실시예에서, 다른 예측 모드 하에서 생성된 예측 블록과 같이, 평면 모드 하에서 생성된 예측 블록은 잔차 PR(1:N,1:N)를 구하기 위해 이용되며, 이 잔차가 변환 모듈(405)에 의해 변환되고, 양자화기(406)에 의해 양자화된다. 변환되고 양자화된 잔차 PT(1:N,1:N)는 비트스트림으로 디코더에 시그널링된다. 또한, 변환되고 양자화된 잔차 PT(1:N,1:N)는 역변환 모듈(410) 및 역양자화기(411)에 의해 역으로 변환 및 양자화되어, 압축된 잔차 PQ(1:N,1:N)가 되며, 이 압축된 잔차가 후속의 타겟 블록을 예측하는데 사용하기 위해 프레임 메모리(403)에 저장된다.변환 및 양자화된 잔차 PT(1:N,1:N) 전체가 비트스트림으로 디코더에 시그널링될 수도 있다. 이와 달리, 잔차 중의 일부 PT(1:K,1:K) 만이 비트스트림으로 디코더에 시그널링될 수도 있다. K는 N보다 작으며(K＜N), 예컨대 1과 같이 사전에 정해진 값으로 설정된다. K의 값은 비스트림으로 디코더에 시그널링될 수도 있다. 디코더가 잔차 중의 일부 PT(1:K,1:K) 만을 수신하면, 디코더는 잔차의 일부분을 디코드하고, 잔차의 나머지 부분을 영(0)으로 설정한다. 잔차의 일부만이 디코더에 시그널링되지만, 후속 타겟 블록을 예측하는 목적을 위해 압축된 잔차 PQ(1:N,1:N)를 획득하기 위해 전체 잔차 PT(1:N,1:N)가 역으로 변환 및 양자화된다.또한, 본 발명의 또 다른 실시예에서, 양자화 파라미터는 평면 모드 하에서 생성된 잔차를 양자화하기 위해 적응적으로 변경된다. 평면 모드는 작은 평면 기울기로 점차적으로 변경되는 화소값을 갖는 부드러운 이미지를 갖는 블록에 적용된다. 이러한 부드러운 블록으로부터의 잔차는 중간 또는 하급 양자화 파라미터로 영(0)으로 양자화되는 경향이 있다. 양자화가 논-제로 계수를 산출하도록 하기 위해, 본 발명의 실시예에서, 양자화 파라미터는 평면 모드 하에서 생성된 잔차가 양자화될 때에는 더 미세한 양자화 파라미터로 스위칭된다. 평면 모드 하에서 생성된 잔차를 양자화하기 위해 사용되는 양자화 파라미터(QPPlanar)는 기본 양자화 파라미터(QPbaseP)로 정의될 수 있다. QPbaseP는 더 미세한 양자화 파라미터를 표현하는 사전 결정된 값으로 설정될 수 있다. QPbaseP가 디코더에 알려져 있지 않으면, 이 파라미터는 비트스트림으로 디코더에 시그널링될 수 있거나, 또는 보다 구체적으로 H.264/AVC에서 정의된 바와 같이 슬라이스 헤더 또는 화상 파라미터 세트로 시그널링 될 수 있다.본 발명의 실시예에서, QPPlanar는 단순히 QPbaseP(QPPlanar=QPbaseP)로 설정된다. QPPlanar는 QPbaseP와 QPN의 합(QPPlanar=QPbaseP+QPN)으로 정의될 수도 있으며, 여기서 QPN은 N의 값과 관련하여 QPN의 값을 나열하고 있는 탐색표를 이용하여 결정된다. QPPlanar는 이와 달리 QPPlanar= QPbaseP+QPdiff(N)으로서 정의될 수도 있다. QPdiff(N)은 값 N의 함수이며, 비트스트림으로 디코더에 시그널링되거나, 또는 보다 구체적으로는 H.264/AVC에서 정의된 바와 같이 슬라이스 헤더 또는 화상 파라미터 세트로 시그널링된다. 디코더는 자신의 비디오 코덱 체계에서 지원되는 값 N의 각각에 대한 비트스트림으로부터 QPdiff(N)을 결정한다.본 발명의 또 다른 실시예에서, 차동 양자화 파라미터(differential quantization parameter)(QPdelta)를 추가함으로써, QPbaseP는 QPbaseP= QPbaseP+QPdelta로서 수정된다. QPdelta는 공간적 활동도에 대해 적응적으로 QPbaseP를 조정하기 위해 블록 또는 블록의 그룹에서의 공간적 활동도로부터 결정된 양자화 파라미터이다. QPdelta는 비트스트림으로 디코더에 시그널링된다. QPdelta가 블록의 공간적 활동도로부터 결정되므로, 이 파라미터는 블록 내의 이미지 콘텐츠에 따라서는 영(0)이 될 수도 있으며, 평면 예측 모드를 위한 QPbaseP에 영향을 주지 않는다.또한, 본 발명의 다른 실시예에서, QPPlanar는 평면 모드 이외의 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 양자화하기 위해 이용되는 정상 양자화 파라미터 QPnormal로 결정된다. 이러한 실시예에서, QPPlanar는 아래의 다섯 가지 방식 중의 하나에 따라 결정된다:1. QPPlanar = QPnormal2. QPPlanar = QPnormal + QPN, 여기서 QPN은 N의 값에 관련하여 QPN의 값을 나열하고 있는 탐색표로부터 결정됨.3. QPPlanar = QPnormal + QPdiff(N), 여기서 QPdiff(N)은 값 N의 함수이고, 비트스트림으로 디코더에 시그널링됨.4. QPPlanar = QPnormal + QPdelta, 여기서 QPdelta는 QPnormal을 적응적으로 조정하기 위해 블록 또는 블록의 그룹에서의 공간적 활동도로부터 결정된 양자화 파라미터이며, 비트스트림으로 디코더에 시그널링됨.5. QPPlanar = QPnormal + QPN + QPdelta본 발명의 또 다른 실시예에서, 변환 모듈(405) 및 역변환 모듈(410)은, 1차 순방향 변환 및 역변환 커널( 및 ) 세트를 이용하는 대신, 평면 모드 하에서 생성된 잔차의 순방향 변환 및 역변환을 위해 2차 순방향 변환 및 역변환 커널( 및 ) 세트를 이용한다. 1차 변환 커널 세트는 평면 모드 이외의 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 변환하기 위해 이용되며, 고주파 에너지(high frequency energy)가 있는 블록에 적합하다. 한편, 평면 예측 모드에 놓이게 될 블록은 그 안에서 낮은 공간적 활동도를 가지며, 부드러운 이미지를 갖는 블록에 적합화된 변환 커널을 요구한다. 본 실시예에서, 변환 모듈(405) 및 역변환 모듈(410)은 도 12에 도시된 바와 같이 1차 변환 커널 세트와 2차 변환 커널 세트 간에 스위칭하며, 평면 모드 이외의 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 변환할 때에는 1차 변환 커널 세트를 이용하는 반면, 평면 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 변환할 때에는 2차 변환 커널 세트를 이용한다. 그러나, 2차 변환 커널 세트는 평면 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 변환하기 위해 이용되는 것으로 제한되지 않고, 평면 모드 이외의 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 변환하기 위해 이용될 수도 있다는 것에 유의하기 바란다.2차 순방향 변환 커널() 세트는 이하의 옵션 중의 하나로부터 구해지는 픽스드 포인트 근사(fixed-point approximation)이어도 된다:옵션 1(타입-7 DST):옵션 2(타입-4 DST):옵션 3(타입-2 DST, 흔히 DCT로서 알려짐):옵션 4:2N×2N 크기의 변환 커널()이 비디오 코덱에 의해 지원되면, . 그렇지 않은 경우에는, . 따라서, 옵션 4에서, 비디오 코덱에서 지원되는 최저 및 최대 변환 크기가 4×4 및 32×32이면, 4×4 크기에 대한 2차 변환 커널 세트는 8×8 크기에 대한 1차 변환 커널 세트로부터 구해진다. 마찬가지로, 8×8 크기에 대한 2차 변환 커널 세트는 16×16 크기에 대한 1차 변환 커널 세트로부터 구해지고, 16×16 크기에 대한 2차 변환 커널 세트는 32×32 크기에 대한 1차 변환 커널 세트로부터 구해진다. 그러나, 지원되는 최대 크기가 32×32인 크기 제한으로 인해, 32×32 크기에 대한 2차 변환 커널 세트는 32×32 크기에 대한 1차 변환 커널 세트로부터 구해진다.계수 인자(scaling factor) ki는 를 충족하도록 정해질 수 있다. 계수 인자 ki는 H.264/AVC에서 이용되는 바와 같이 양자화 파라미터를 조정하기 위해 이용될 수도 있다. 2차 역변환 커널 세트는 순방향 변환 커널 를 이용하여 로부터 구해질 수 있으며, 여기서 IN은 N×N 크기의 항등 행렬을 나타낸다.1차 변환 커널 세트가 특성을 충족하면, 옵션 4에서 정의된 2차 변환 커널 세트가 바람직하다. 옵션 4는 2차 세트가 1차 세트로부터 구해질 수 있기 때문에 2차 변환 커널 세트가 1차 변환 커널 세트와 별도로 저장될 필요가 없다는 이점이 있다. 2N×2N 크기에 대한 1차 변환 커널() 세트가 타입-3 DCT의 근사이면, 상기한 특성이 충족되며, N×N 크기에 대한 2차 변환 커널() 세트가 타입-4 DST의 근사가 될 것이다. 1차 변환 커널 세트가 상기한 특성을 충족하지 못하면, 옵션 1에서 정의된 2차 변환 커널 세트가 바람직하다.평면 예측 모드는 2가지 방식 중의 하나로 선택될 수 있다. 첫 번째 방식에서는, 평면 예측 모드 하에서 생성된 예측 블록이 기타 예측 모드 하에서 생성된 예측 블록과 함께 부호화 효율에 대해 평가된다. 평면 모드 하에서 생성된 예측 블록이 예측 블록들 중에서 최상의 부호화 효율을 보이면, 평면 모드가 선택된다. 이와 달리, 부호화 효율에 대해 평면 모드가 단독으로 평가된다. 평면 예측 모드는 이미지가 부드럽고 그 평면 기울기가 작은 영역에 바람직하다. 따라서, 블록에서의 고주파 에너지의 양 및 블록의 에지를 따른 이미지 불연속성을 확인하기 위해 타겟 블록의 콘텐츠가 분석된다. 고주파 에너지의 양이 임계치 미만이고, 블록의 에지를 따라 커다란 불연속성이 발견되지 않으면, 평면 모드가 선택된다. 그렇지 않은 경우에는, 기타 예측 모드 하에서 생성된 예측 블록이 하나의 모드를 선택하기 위해 평가된다. 양쪽 모두의 경우에, 평면 예측 모드의 선택은 비트스트림으로 디코더에 시그널링된다.전술한 상세한 설명을 읽고 난 후의 당업자에는 의심의 여지없이 본 발명에 대한 많은 변경과 변형이 명백하게 될 것이며, 예시로서 보여주고 설명한 임의의 구체적인 실시예는 발명을 제한하려는 의도가 없다는 사실을 이해해야 한다. 따라서, 다양한 실시예들의 세부 구성에 대한 참조는 청구항들의 범위를 제한하려는 의도가 없으며, 그 자체로 본 발명의 본질적인 것으로서 간주되는 특징들을 원용할 뿐이다.	본 발명은, 제1 예측값이 각각의 수평 경계 화소의 값과 수직 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산되고, 제2 예측값이 각각의 수직 경계 화소의 값과 수평 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산되는, 저복잡도 평면 모드 부호화를 제공한다. 그리고나서, 제1 예측값과 제2 예측값은 예측 블록의 각각의 예측 화소값을 구하기 위해 평균이 구해진다. 예측 블록과 타겟 블록 간의 잔차가 디코더에 시그널링된다.
[ 발명의 명칭 ] 평면 표현을 이용한 향상된 인트라-예측 부호화ENHANCED INTRA-PREDICTION CODING USING PLANAR REPRESENTATIONS [ 기술분야 ] 본 특허 출원은 35 U.S.C. §119(e) 하에서 2010년 12월 21일자로 출원된 미국 가특허 출원 번호 61/425,670호 및 2011년 3월 4일자로 출원된 미국 가특허 출원 번호 61/449,528의 출원일의 이점을 주장하며, 상기한 특허 출원의 전체 내용이 참조에 의해 본 명세서에 원용된다.본 발명은 비디오 부호화에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 저복잡도 평면 예측 모드 부호화(low complexity planar prediction mode coding)로 향상된 인트라-프레임 예측에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 디지털 비디오는 디지털 비디오 시퀀스의 각각의 프레임 및 전체 프레임(예컨대, 일련의 프레임)을 압축되지 않은 방식으로 표현하기 위해서는 많은 양의 데이터를 필요로 한다. 대부분의 애플리케이션은 대역폭 한계 때문에 압축되지 않은 디지털 비디오를 컴퓨터 네트워크를 통해 전송하는 것이 가능한 것은 아니다. 또한, 압축되지 않은 디지털 비디오는 많은 양의 저장 공간을 필요로 한다. 디지털 비디오는 일반적으로 저장 요건을 감소시키고 대역폭 요건을 감소시키기 위해 여러 방식으로 인코딩된다.디지털 비디오를 인코딩하는 한 가지 기술은 인터-프레임 예측(inter-frame prediction) 또는 인터-예측(inter-prediction)이다. 인터-예측은 상이한 프레임들 간의 시간적 중복성(temporal redundancy)을 이용한다. 비디오의 시간적으로 인접한 프레임들은 통상적으로 실질적으로 동일하게 유지되는 화소 블록을 포함한다. 인코딩 프로세스 동안, 모션 벡터가 하나의 프레임 내의 화소 블록의 움직임을 다른 프레임 내의 유사한 화소 블록에 연관(interrelate)시킨다. 이에 따라, 시스템은 화소 블록을 2회 인코딩할 필요가 없으며, 화소 블록을 1회 인코딩하고, 다른 화소 블록을 예측하기 위한 모션 벡터를 제공한다.디지털 비디오를 인코딩하기 위한 또 다른 기술은 인트라-프레임 예측(intra-frame prediction) 또는 인트라-예측(intra-prediction)이다. 인트라-예측은 다른 프레임 내의 화소를 참조하지 않고 프레임 또는 프레임의 일부분을 인코딩한다. 인트라-예측은 하나의 프레임 내의 화소 블록들 간의 공간적 중복성을 이용한다. 공간적으로 인접한 화소 블록들이 일반적으로 유사한 속성을 갖기 때문에, 인접한 블록들 간의 공간적 상관 관계를 참조함으로써 부호화 프로세스의 효율이 향상된다. 이러한 상관 관계는 인접한 블록들에 사용된 예측 모드에 기초한 타겟 블록의 예측에 의해 이용될 수도 있다.통상적으로, 인코더는 화소 예측기를 포함하고, 이 화소 예측기는 인터-예측기, 인트라-예측기 및 모드 셀렉터를 포함한다. 인터-예측기는 수신된 이미지에 대한 예측을 움직임 보상된 참조 프레임에 기초하여 수행한다. 인트라-예측기는 수신된 이미지에 대한 예측을 현재 프레임 또는 화상(picture)의 이미 처리된 부분에 기초하여 수행한다. 인트라-예측기는 또한 복수의 상이한 인트라-예측 모드를 포함하고, 각각의 예측 모드 하에서 예측을 수행한다. 인터-예측기 및 인트라-예측기로부터의 출력들은 모드 셀렉터에 제공된다.모드 셀렉터는 인터-예측 부호화 또는 인트라-예측 부호화 중의 어느 부호화 방법이 이용되는지를 결정하며, 인트라-예측 부호화가 이용되는 때에는, 복수의 인트라-예측 모드 중에서 어느 모드의 인트라-예측 부호화가 이용되는지를 결정한다. 결정 프로세스에서, 모드 셀렉터는 어느 인코딩 방법 또는 어느 모드가 부호화 효율 및 처리 비용에 대해 가장 효율적인 결과를 제공하는지를 분석하기 위해 비용 함수(cost function)를 이용한다.인트라-예측 모드는 DC 모드 및 방향성 모드(directional mode)를 포함한다. DC 모드는 블록에 걸쳐 화소값이 일정한 블록을 표현하는데 적합하다. 방향성 모드는 특정한 방향으로 스트라이프 패턴(stripe pattern)을 갖는 블록을 표현하는데 적합하다. 이미지가 급격한 변화 없이 부드럽고(smooth), 그 화소값이 하나의 블록에서 서서히 변화되는, 또 다른 이미지 패턴이 있다. DC 모드 및 방향성 모드는 이미지 컨텐츠에서의 작은 점진적 변화를 예측하는데 적합하지 않으며, 특히 낮은 비트레이트 내지 중간 비트레이트에서 바람직하지 않은 블로킹 아티팩트(annoying blocking artifact)를 생성할 수 있다. 이것은, 서서히 변화되는 화소값을 갖는 블록들이 인코딩될 때에, 그 블록들의 AC 계수가 영(0)으로 양자화되는 경향이 있지만, DC 계수는 영이 아닌 값(non-zero value)을 갖기 때문이다.이 문제점을 해소하기 위해, H.264/AVC 표준 하에서의 인트라-예측 모드는, 화소값이 작은 평면 기울기(planar gradient)로 서서히 변화되는 부드러운 이미지를 갖는 블록을 표현하기 위해 평면 모드(planar mode)를 추가로 포함한다. H.264/AVC 표준의 평면 모드 하에서는, 평면 기울기가 근사되고, 디코더에 비트스트림으로 시그널링된다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은 인트라-예측 부호화의 부호화 효율을 향상시킬 수 있는 저복잡도 평면 모드 부호화를 제공하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명에서는, 평면 예측 모드 하에서, 인코더가 제1 예측값 및 제2 예측값을 계산한다. 제1 예측값은 각각의 수평 경계 화소의 값과 수직 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산된다. 제2 예측값은 각각의 수직 경계 화소의 값과 수평 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산된다. 인코더는 또한 예측 블록의 각각의 예측 화소값을 구하기 위해 제1 예측값과 제2 예측값의 평균을 구한다.본 발명의 일특징에서, 인코더는 예측 블록과 타겟 블록 간의 잔차(residual)를 비트스트림으로 디코더에 시그널링한다.본 발명의 또 다른 특징에서, 1차 변환 커널(transform kernel) HN(i.j) 세트가 2차 변환 커널 GN(i,j) 세트로 스위칭된다. 인코더는 2차 변환 커널 GN(i,j) 세트를 이용하여 잔차를 변환한다.2차 변환 커널 GN(i,j) 세트는 다음 수식,(a) ;(b) ; 및(c) 중의 하나에 의해 정해진다.본 발명의 또 다른 특징에서, N×N 크기에 대한 2차 변환 커널 GN(i,j) 세트는 M×M 크기에 대한 1차 변환 커널 HM(i.j) 세트에 의해 정해지며, 여기서 M＞N이다. 구체적으로, 2차 변환 커널 GN(i,j) 세트는 2N×2N 크기의 변환 커널(H2N)이 지원되면 에 의해 정해지거나, 그렇지 않은 경우에는 GN(i,j)=HN(i,j)이다.본 발명은 또한 디코딩을 위해 이용되는 저복잡도 평면 모드 부호화를 제공한다. 평면 모드 하에서, 디코더는 제1 예측값 및 제2 예측값을 계산한다. 제1 예측값은 각각의 수평 경계 화소의 값과 수직 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산된다. 제2 예측값은 각각의 수직 경계 화소의 값과 수평 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산된다. 디코더는 그 후 예측 블록의 각각의 예측 화소값을 구하기 위해 제1 예측값과 제2 예측값의 평균을 구한다. 디코더는 평면 모드 하에서 인코더에서 생성된 인코더로부터 시그널링된 잔차를 디코딩하고, 이미지 데이터를 재구축하기 위해 예측 블록에 디코딩된 잔차를 가산한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명을 구현할 수 있는 일례의 하드웨어 아키텍처를 도시하는 블록도이다.도 2는 본 발명을 적용할 수 있는 비디오 인코더의 전반적인 도시를 보여주는 블록도이다.도 3은 본 발명을 적용할 수 있는 비디오 디코더의 전반적인 도시를 보여주는 블록도이다.도 4는 본 발명의 실시예에 따른 인코더의 기능 모듈을 도시하는 블록도이다.도 5는 본 발명의 실시예에 따른 비디오 인코더에 의해 수행되는 인코딩 프로세스를 보여주는 흐름도이다.도 6은 본 발명의 실시예에 따른 디코더의 기능 모듈을 보여주는 블록도이다.도 7은 본 발명의 실시예에 따른 비디오 디코더에 의해 수행되는 디코딩 프로세스를 보여주는 흐름도이다.도 8은 8×8 화소 P(i,j)을 포함하고 있는 타겟 블록과 화소 P(i,j)를 예측하기 위해 이용되는 참조 화소의 개략적 표현을 보여주는 도면이다.도 9는 JCT-VC Al19에서 제안된 평면 모드 부호화에 따라 예측 화소를 생성하는 프로세스를 나타내는 개략적 표현을 보여주는 도면이다.도 10은 본 발명의 평면 모드 부호화에 따라 예측 화소를 생성하는 프로세스를 나타내는 개략적 표현을 보여주는 도면이다.도 11은 본 발명의 평면 모드 부호화에 따라 예측 화소를 생성하는 프로세스를 나타내는 또 다른 개략적 표현을 보여주는 도면이다.도 12는 1차 변환 커널 세트와 2차 변환 커널 세트 간에 스위칭하는 프로세스를 보여주는 흐름도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1은 본 발명을 구현할 수 있는 컴퓨터(100)의 일례의 하드웨어 아키텍처를 도시하고 있다. 도 1에 도시된 하드웨어 아키텍처는 본 발명의 실시예를 구현하는 비디오 인코더 및 비디오 디코더 양자 모두에 공통될 수도 있다는 것에 유의하기 바란다. 컴퓨터(100)는 프로세서(101), 메모리(102), 저장 장치(105) 및 하나 이상의 입력 및/또는 출력(I/O) 장치(106)(또는 주변 장치)를 포함하며, 이들은 로컬 인터페이스(107)를 통해 통신 가능하게 연결되어 있다. 로컬 인터페이스(105)는 예컨대 종래 기술로 공지된 바와 같이 하나 이상의 버스 또는 기타 유선 또는 무선 접속부이어도 되지만, 이러한 것으로 한정되지 않는다.프로세서(101)는 소프트웨어, 구체적으로는 메모리(102)에 저장된 소프트웨어를 실행하는 하드웨어 장치이다. 프로세서(101)는 임의의 맞춤형 또는 상업적으로 입수 가능한 프로세서, 중앙 처리 장치(CPU), 컴퓨터(100)에 관련된 여러 개의 프로세서 중의 보조 프로세서, 반도체 기반 마이크로프로세서(마이크로칩 또는 칩 세트 형태의), 또는 소프트웨어 명령을 실행하기 위한 일반적인 임의의 장치이어도 된다.메모리(102)는 휘발성 메모리 요소(예컨대, 랜덤 액세스 메모리(DRAM, SRAM, SDRAM 등과 같은 RAM)) 및 비휘발성 메모리 요소(예컨대, ROM, 하드 드라이브, 테이프, CDROM 등) 중의 임의의 하나 또는 조합을 포함할 수 있는 컴퓨터 판독 가능 매체를 포함한다. 또한, 메모리(102)는 전자식 저장 매체, 자기식 저장 매체, 광학식 저장 매체 및/또는 기타 타입의 저장 매체를 통합하여도 된다. 컴퓨터 판독 가능 매체는 명령 실행 시스템, 기기 또는 장치에 의해 사용되거나 또는 이들과 함께 사용하기 위한 프로그램을 저장, 통신, 전파 또는 전송할 수 있는 어떠한 수단이어도 된다. 메모리(102)는, 다양한 컴포넌트가 서로 원격으로 위치되어 있지만 프로세서(101)에 의해 액세스될 수 있는 분산 아키텍처를 가질 수 있다는 점에 유의하기 바란다.메모리(102) 내의 소프트웨어(103)는, 아래에 설명되는 바와 같이 컴퓨터(100)의 논리적 기능을 구현하기 위한 실행 가능한 명령의 정렬된 목록(ordered listing)을 각각이 포함하고 있는 하나 이상의 개별 프로그램을 포함할 수도 있다. 도 1의 예에서, 메모리(102) 내의 소프트웨어(103)는 본 발명에 따라 컴퓨터(100)의 비디오 인코딩 또는 비디오 디코딩 기능을 규정한다. 또한, 반드시 그러할 필요는 없지만, 메모리(102)가 운영 체제(O/S)(104)를 포함하고 있는 것도 가능하다. 운영 체제(104)는 본질적으로 컴퓨터 프로그램의 실행을 제어하고, 스케줄링, 입력-출력 제어, 파일 및 데이터 관리, 메모리 관리, 및 통신 제어 및 관련 서비스를 제공한다.컴퓨터(100)의 저장 장치(105)는 고정형 저장 장치 또는 휴대용 저장 장치를 포함한 다수의 상이한 타입의 저장 장치 중의 하나이어도 된다. 일례로서, 저장 장치(105)는 자기 테이프, 디스크, 플래시 메모리, 휘발성 메모리, 또는 상이한 저장 장치이어도 된다. 또한, 저장 장치(105)는 보안 디지털 메모리 카드 또는 임의의 다른 탈착 가능 저장 장치(105)이어도 된다.I/O 장치(106)는 예컨대 터치 스크린, 키보드, 마우스, 스캐너, 마이크로폰, 또는 기타 입력 장치와 같은 입력 장치를 포함할 수 있으며, 이러한 예는 위에 언급한 것으로 한정되지 않는다. 더욱이, I/O 장치(106)는 또한 예컨대 디스플레이 또는 기타 출력 장치와 같은 출력 장치를 포함할 수 있으며, 이러한 예는 위에 언급한 것으로 한정되지 않는다. I/O 장치(106)는 또한 입력 및 출력을 통해 통신하는 장치, 예컨대 변조기/복조기(예컨대, 또 다른 장치, 시스템 또는 네트워크를 액세스하기 위한 모뎀), 무선 주파수(RF), 무선 또는 기타 송수신기, 전화 인터페이스, 브리지, 라우터, 또는 입력단 및 출력단으로서 기능하는 기타 장치를 추가로 포함할 수 있으며, 이러한 예는 위에 언급된 것으로 한정되지 않는다.당해 기술 분야에 통상의 지식을 가진 사람에 의해 널리 알려진 바와 같이, 비디오 압축은 비디오 시퀀스에서 중복 정보를 제거함으로써 달성된다. 다수의 상이한 비디오 부호화 표준이 존재하며, 그 예는 MPEG-1, MPEG-2, MPEG-4, H.261, H.263 및 H.264/AVC를 포함한다. 본 발명은 임의의 특정한 비디오 부호화 표준이 적용되는 것으로 한정되도록 의도되지 않는다는 것에 유의하기 바란다. 그러나, 본 발명의 이하의 설명은 본 명세서에서 참조에 의해 원용되고 있는 H.264/AVC 표준의 예를 이용하여 제공된다. H.264/AVC 표준은 최신의 비디오 부호화 표준이며, MPEG-1, MPEG-2, MPEG-4, H.261, 및 H.263과 같은 이전의 부호화 표준에 비하여 현저한 성능 향상을 달성한다.H.264/AVC에서, 비디오의 각각의 프레임 또는 화상은 여러 개의 슬라이스로 나누어질 수 있다. 슬라이스는 그 후 매크로블록으로 지칭되는 16×16 화소의 블록으로 분할되며, 이 블록이 그 후 8×16, 16×8, 8×8, 4×8, 8×4 및 그 아래의 4×4 화소의 블록으로 추가로 분할될 수 있다. H.264/AVC 표준에 의해 지원되는 5개 타입의 슬라이스가 있다. I 슬라이스에서는, 매크로블록 모두가 인트라-예측을 이용하여 부호화된다. P 슬라이스에서는, 매크로블록이 인트라-예측 또는 인터-예측을 이용하여 부호화될 수 있다. P 슬라이스는 매크로블록 당 단지 하나의 모션 보상 예측(MCP) 신호가 이용될 수 있다. B 슬라이스에서는, 매크로블록이 인트라-예측 또는 인터-예측을 이용하여 부호화될 수 있다. 예측 당 2개의 MCP 신호가 이용될 수 있다. SP 슬라이스는 P 슬라이스가 상이한 비디오 스트림 간에 효율적으로 스위칭되도록 한다. SI 슬라이스는 랜덤 액세스 또는 에러 복구에 대해서는 SP 슬라이스에 대해 정확히 매칭되지만 인트라-예측만을 이용한다.도 2 본 발명이 적용될 수 있는 비디오 인코더의 전반적인 도시를 보여주는 도면이다. 도면에 도시된 블록은 메모리(102) 내의 소프트웨어(103)를 실행하는 프로세서(101)에 의해 실현되는 기능 모듈을 나타낸다. 비디오 프레임의 화상(200)이 비디오 인코더(201)에 제공된다. 비디오 인코더는 화상(200)을 매크로블록(200A)의 단위로 처리한다. 각각의 매크로블록은 화상(200)의 여러 개의 화소를 포함한다. 각각의 매크로블록에 대해서는, 변환 계수로의 변환이 수행되고, 그에 후속하여 변환 계수 레벨로의 양자화가 수행된다. 더욱이, 화소 데이터에 대해 직접적으로 부호화 단계를 수행하지 않고 예측된 화소값에 대한 그 화소 데이터의 차에 대해 부호화 단계를 수행하기 위해 인트라-예측 또는 인터-예측이 이용되며, 이로써 보다 용이하게 압축되는 작은 값이 달성된다.각각의 슬라이스에 대해, 인코더(201)는 각각의 슬라이스의 매크로블록의 부호화된 버전을 형성하는 다수의 구문 요소(syntax element)를 생성한다. 변환 계수 레벨 또는 스킵된(skiped) 변환 계수 레벨을 나타내주는 유효성 맵(significance map)과 같은 변환 계수의 부호화에 관련되는 구문 요소의 모든 잔여 데이터 요소는 잔여 데이터 구문 요소로 지칭된다. 이들 잔여 데이터 구문 요소 외에, 인코더(201)에 의해 생성된 구문 요소는 각각의 매크로블록을 각각 인코딩하고 디코딩하는 방식에 관한 제어 정보를 포함하고 있는 제어 정보 구문 요소를 포함한다. 즉, 구문 요소는 2개의 범주로 분류될 수 있다. 제1 범주인 제어 정보 구문 요소는 예컨대 슬라이스-기반 및 매크로블록-기반 제어 정보뿐만 아니라 매크로블록 타입, 서브-매크로블록 타입, 및 공간적 타입과 시간적 타입 양자 모두의 예측 모드에 대한 정보에 관련된 요소를 포함한다. 제2 범주에서는, 양자화 단계에 대응하는 레벨의 단위로 나타내진 유효 계수(significant coefficient)의 값 및 양자화된 변환 계수의 블록 내의 모든 유효 계수의 위치를 나타내는 유효성 맵과 같은 잔여 데이터 요소 모두가 결합(combine)되고, 잔여 데이터 구문 요소로 된다.인코더(201)는, 각각의 슬라이스에 대해 구문 요소를 인코딩하고 산술 코드워드(arithmetic codeword)를 생성하는 엔트로피 부호화기(entrophy coder)를 포함한다. 슬라이스에 대한 산술 코드워드를 생성할 때, 엔트로피 부호화기는 비디오 신호 비트 스트림에서의 구문 요소의 데이터 값들 간의 통계 의존성(statistical dependency)을 이용한다. 인코더(201)는 화상(200)의 슬라이스에 대하여 인코딩된 비디오 신호를 도 3에 도시된 비디오 디코더(301)에 출력한다.도 3은 본 발명을 적용할 수 있는 비디오 디코더의 전반적인 도시를 보여주는 도면이다. 마찬가지로, 이 도면에 도시된 블록은 메모리(102) 내의 소프트웨어(103)를 실행하는 프로세서(101)에 의해 실현되는 기능 모듈을 나타낸다. 비디오 디코더(301)는 인코딩된 비디오 신호를 수신하고, 먼저 이 신호를 역으로 구문 요소로 엔트로피 디코딩한다. 디코더(301)는, 매크로블록×매크로블록으로 그리고나서 슬라이스 후 슬라이스(slice after slice)로, 화상(300)의 화소의 화상 샘플(300A)을 재구축하기 위해, 구문 요소를 사용한다.도 4는 비디오 인코더(201)의 기능 모듈을 도시하는 도면이다. 이러한 기능 모듈은 메모리(102) 내의 소프트웨어(103)를 실행하는 프로세서(101)에 의해 실현된다. 입력 비디오 화상은, 크로미넌스("크로마") 및 휘도("루마")(예컨대 색조, 포화, 및 값 등의 다른 성분들도 가능함)와 같은 원래 컬러의 성분을 표현하는 샘플 포인트에 의해 정해지는 자연 발생적인(압축되지 않은) 비디오 이미지의 필드 또는 프레임이다. 입력 비디오 화상은, 화상 컬러의 루마 성분의 16×16 화소로 이루어지는 정사각형 화상 영역을 각각 표현하는 매크로블록(400)으로 분할된다. 입력 비디오 화상은, 또한, 화상 컬러의 두 개의 크로마 성분의 각각의 크로마 성분의 8×8 화소를 각각 표현하는 매크로블록으로 파티션화된다. 일반적인 인코더 동작에서, 입력된 매크로블록은 인터-예측 또는 인트라-예측을 이용하여 시간적으로 또는 공간적으로 예측된다. 그러나, 설명을 위해, 매크로블록(400)은 모두 I-슬라이스 타입 매크로블록이며, 인트라-예측만이 적용되는 것으로 가정한다.인트라-예측은 인트라-예측 모듈(401)에서 달성되며, 인트라-예측 모듈의 동작은 이하에서 상세히 설명된다. 인트라-예측 모듈(401)은, 이전에 인코딩되고, 재구축되고, 프레임 메모리(403)에 저장된 이웃 블록의 수평 및 수직 경계 화소로부터 예측 블록(402)을 생성한다. 타겟 블록(400)과 예측 블록(402) 간의 차인 예측 블록(402)의 잔차(residual)(404)는 변환 모듈(405)에 의해 변환되고, 그 후 양자화기(406)에 의해 양자화된다. 변환 모듈(405)은 잔차(404)를 변환 계수의 블록으로 변환한다. 양자화기(406)는 변환 계수를 양자화하여 양자화된 변환 계수(407)로 한다. 그리고나서, 양자화된 변환 계수(407)는 엔트로피-부호화 모듈(408)에서 엔트로피-부호화되고, 인코딩된 비디오 신호(409)로서 전송된다(선택된 인트라-예측 모드에 관한 기타 정보와 함께).비디오 인코더(201)는 타겟 블록에 대한 인트라-예측을 수행하기 위한 디코딩 기능부를 포함한다. 디코딩 기능부는 역양자화기(410) 및 역변환 모듈(411)을 포함하며, 역양자화기 및 역변환 모듈이 양자화된 변환 계수(407)에 대하여 역양자화 및 역변환을 수행하여 디코딩된 예측 잔차(412)를 생성하고, 이 디코딩된 예측 잔차가 예측 블록(402)에 가산된다. 디코딩된 예측 잔차(410)와 예측 블록(402)을 합한 것이 재구축된 블록(413)이며, 재구축된 블록(413)이 프레임 메모리(403)에 저장되고, 다음 타겟 블록(400)의 디코딩을 위한 예측 블록(402)을 생성하기 위해 이 재구축된 블록(413)이 인트라-예측 모듈(401)에 의해 프레임 메모리(403)로부터 판독되어 사용될 것이다. 필요한 경우, 재구축된 이미지로부터 블로킹 아티팩트(blocking artifact)를 제거하기 위해 프레임 메모리(403)의 입력단 또는 출력단 중의 어느 하나에 디블로킹 필터(deblocking filter)가 위치될 수도 있다.도 5는 비디오 인코더(201)에 의해 수행되는 프로세스를 나타내는 흐름도이다. H.264/AVC 표준에 따르면, 인트라 예측은, 이전에 인코딩되고 재구축된 이웃 블록의 경계 화소("참조 화소")의 보간(interpolation)을 이용하여, 복수의 예측 모드 하에서 타겟 블록(400)의 각각의 화소를 예측하는 것을 포함한다. 예측 모드는 양의 정수 0, 1, 2,…에 의해 식별되며, 각각의 정수는 타겟 블록(400) 내의 특정 화소를 예측하기 위한 상이한 명령 또는 알고리즘에 연관된다. 인트라-예측 모듈(401)은 각각의 예측 모드 하에서 인트라-예측을 수행하고, 상이한 예측 블록을 생성한다. 전체 검색(full search, FS) 알고리즘 하에서는, 생성된 예측 블록의 각각을 타겟 블록(400)과 비교하여, 예측 모드들 중에서 예측 잔차(404)를 최소화하거나 더욱 작은 예측 잔차(404)를 생성하는 최적의 예측 모드를 찾는다(단계 501). 최적의 예측 모드의 식별이 압축되고(단계 502), 기타 제어 정보 구문 요소와 함께 디코더(301)에 시그널링될 것이다.각각의 예측 모드는 전술한 바와 같이 예측의 일반적인 방향에 의해 기술될 수 있다(즉, 수평으로 위, 수직 및 대각선 아래 왼쪽). 예측 방향은 각도 방향에 의해 그래픽으로 기술될 수 있다. 예측 모드에 대응하는 각도는, 타겟 화소를 예측하는 데 사용되는 참조 화소의 가중된 평균 위치로부터 타겟 화소 위치로의 방향에 대하여 일반적인 관계를 갖는다. DC 예측 모드에서, 예측 블록(402)은, 예측 블록(402)의 각각의 화소가 참조 화소의 평균값으로 균일하게 설정되도록, 생성된다.다시 도 5를 참조하면, 인트라-예측 모듈(401)이 예측 블록(402)을 출력하고, 이 예측 블록을 타겟 블록(400)으로부터 감산하여 잔차(404)를 획득한다(단계 503). 변환 모듈(405)이 잔차(404)를 변환 계수의 블록으로 변환한다(단계 504). 양자화기(406)가 변환 계수를 양자화하여 양자화된 변환 계수로 한다. 엔트로피 부호화 모듈(408)이 양자화된 변환 계수를 엔트로피-인코딩하며(단계 506), 이것이 최적의 예측 모드의 압축된 식별과 함께 보내진다. 역양자화기(410)가 양자화된 변환 계수를 역으로 양자화한다(단계 507). 역변환 모듈(411)이 디코딩된 예측 잔차(412)를 구하기 위해 역변환을 수행하며(단계 508), 이 디코딩된 예측 잔차가 예측 블록(402)에 가산되어 재구축된 블록(413)이 된다(단계 509).도 6은 비디오 디코더(301)의 기능 모듈을 도시한다. 이러한 기능 모듈은 메모리(102) 내의 소프트웨어(103)를 실행하는 프로세서(101)에 의해 실현된다. 인코더(201)로부터의 인코딩된 비디오 신호가 먼저 엔트로피 디코더(600)에 의해 수신되고, 양자화된 변환 계수(601)로 다시 엔트로피-디코딩된다. 양자화된 변환 계수(601)는 역양자화기(602)에 의해 역으로 양자화되고, 역변환 모듈(603)에 의해 역으로 변환되어 예측 잔차(604)를 생성하게 된다. 인트라-예측 모듈(605)은 인코더(201)에 의해 선택된 예측 모드를 통지받는다. 선택된 예측 모드에 따라, 인트라 예측 모듈(605)은 도 5의 단계 503에서 수행된 것과 유사한 인트라-예측 프로세스를 수행하여, 이전에 재구축되어 프레임 메모리(607)에 저장된 이웃 블록의 경계 화소를 이용하여 예측 블록(606)을 생성한다. 예측 블록(606)은 디코딩된 비디오 신호의 블록(608)을 재구축하기 위해 예측 잔차(604)에 가산된다. 재구축된 블록(608)은 다음 블록의 예측에 사용하기 위해 프레임 메모리(607)에 저장된다.도 7은 비디오 인코더(201)에 의해 수행되는 프로세스를 보여주는 흐름도이다. 비디오 디코더(301)가 비디오 인코더(201)로부터 시그널링된 최적의 예측 모드의 식별을 디코딩한다(단계 701). 디코딩된 예측 모드를 이용하여, 인트라-예측 모듈(605)이 이전에 재구축되어 프레임 메모리(607)에 저장된 이웃 블록의 경계 화소를 이용하여 예측 블록(606)을 생성한다(단계 702). 산술 디코더(600)가 인코더(201)로부터의 인코딩된 비디송 신호를 다시 양자화된 변환 계수(601)로 디코딩한다(단계 703). 역양자화기(602)가 양자화된 변환 계수를 역으로 양자화하여 변환 계수로 한다(단계 704). 역변환 모듈(603)이 변환 계수를 역으로 변환하여 예측 잔차(604)로 하고(단계 705), 이 예측 잔차가 예측 블록(606)에 가산되어 디코딩된 비디오 신호의 블록(608)을 재구축한다(단계 706).비디오 인코더(201)에 의해 수행된 인코딩 프로세스를 도 8을 참조하여 추가로 설명한다. 도 8은 8×8 화소 P(i,j)를 포함하는 타겟 블록과 화소 P(i,j)를 예측하기 위해 사용되는 참조 화소의 개략적인 표현을 보여주고 있다. 도 8에서, 참조 화소는 17개의 수평 화소와 17개의 수직 화소로 이루어지며, 여기서 좌측의 위쪽 화소는 수평 경계와 수직 경계 양자 모두에 공통되어 있다. 따라서, 타겟 블록에 대한 예측 화소를 생성하기 위해서는 32개의 상이한 화소가 이용 가능하다. 도 8이 예측될 8×8 블록을 도시하고 있지만, 이하의 설명은 상이한 구성에서 다양한 개수의 화소에 적용할 수 있도록 하기 위해 일반화되어 이루어진다. 예컨대, 예측될 블록은 4×4 어레이의 화소를 포함할 수 있다. 예측 블록은 또한 8×8 어레이의 화소, 16×16 어레이의 화소, 또는 더 큰 어레이의 화소를 포함할 수도 있다. 정사각형 어레이 및 직사각형 어레이 양자 모두를 포함하는 다른 화소 구성 또한 예측 블록을 구성할 수 있다.화소의 블록이 수평 및 수직 참조 화소를 이용하여 인트라-예측 부호화를 거치는 것으로 가정한다. 여기서, PO(i,j)는 타겟 블록의 원래 화소값(original pixel value)을 나타내고, PP(i,j)는 예측된 화소값을 나타내고, PR(i,j)는 잔차값을 나타내고, PQ(i,j)는 화소 P(i,j)에 대한 압축된 잔차값을 나타내고, PC(i,j)는 화소 P(i,j)에 대한 압축된 값을 나타내며, 이하의 수식은 이들의 관계를 정의한다:는 순방향 변환 커널(forward transform kernel)을 표현하는 N×N 행렬이다. 는 역방향 변환 커널(inverse transform kernel)을 표현하는 N×N 행렬이다. PT(1:N,1:N)은 비트스트림 내의 변환되고 양자화된 잔차 신호를 나타낸다. QF()는 양자화 연산을 나타내고, QI()는 역양자화 연산을 나타낸다.예측된 화소값 PP(i,j)은 참조 화소 로 수행되는 인트라-예측 모드에 의해 결정된다. H.264/AVC는 인트라 4×4 예측, 인트라 8×8 예측, 및 인트라 16×16 예측을 지원한다. 인트라 4×4 예측은 하나의 수직 예측 모드, 하나의 수평 예측 모드, 하나의 DC 예측 모드, 및 6개의 각도 예측 모드를 포함하는 9개의 예측 모드 하에서 수행된다. 인트라 8×8 예측은 인트라 4×4 예측에서 수행된 것과 같이 9개의 예측 모드 하에서 수행된다. 인트라 16×16 예측은 하나의 수직 예측 모드, 하나의 수평 예측 모드, 하나의 DC 예측 모드, 및 하나의 평면 예측 모드를 포함하는 4개의 예측 모드 하에서 수행된다. 예컨대, DC 예측 모드, 수직 예측 모드, 및 수평 예측 모드 하에서 구해진 예측된 화소값 PP(i,j)은 아래와 같이 정의된다:DC 예측 모드:수직 예측 모드:수평 예측 모드:최근에 Joint Collaborative Team on Video Coding(JCT-VC)에 제출된 제안 No. JCT-VC Al19가 본 명세서에 참조에 의해 원용되어 있다. 제안 No. JCT-VC Al19는 작은 평면 기울기(small planar gradient)로 점차적으로 변경되는 화소값을 예측하기 위해 선형 보간 연산 및 이중 선형 보간 연산(bi-linear interpolation operation)의 조합을 이용하는 저복잡도 평면 모드 연산을 제안한다. 제안된 평면 모드 프로세스는 도 9에 개략적으로 도시되어 있다. 프로세스는 예측될 블록에서의 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)을 식별하는 것으로 개시한다. 그리고나서, 블록의 하단 행(bottom low)의 예측된 화소값 PP(N,j)을 획득하기 위해 값 PP(N,N)과 참조 화소값 PC(N,0) 사이에서 선형 보간이 수행된다. 마찬가지로, 블록의 최우측 열(rightmost column)의 예측된 화소값 PP(i,N)을 획득하기 위해 값 PP(N,N)과 참조 화소값 PC(0,N) 사이에서 선형 보간이 수행된다. 그 후, 블록의 나머지 화소값 PP(i,j)을 획득하기 위해 예측된 화소값 PP(N,j) 및 PP(i,N)과 참조 화소값 PC(i,0) 및 PC(0,j) 사이에서 이중 선형 보간이 수행된다. 제안된 평면 모드 프로세스는 아래의 수식으로 표현될 수 있다:우측 열:하단 행:나머지 화소:JCT-VC Al19에서 제안된 평면 모드 프로세스에서는 해소될 두 가지 문제가 있다. 제안된 프로세스에서, 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)은 은 비트스트림으로 디코더에 시그널링되고, 디코더에서 타겟 블록을 디코드하기 위해 이용된다. 달리 말하면, 디코더는 제안된 평면 하에서 예측을 수행하기 위해 우측 하단 화소의 값을 필요로 한다. 또한, 제안된 프로세스에서, 잔차는 평면 모드 하에서는 얻어지지 않으므로 디코더에 시그널링되지 않는다. 잔차 시그널링의 생략은 전송될 인코딩된 비디오 데이터의 감소에 기여할 수 있지만, 평면 모드의 적용을 낮은 비트-레이트 비디오 부호화로 제한한다.본 발명에 따른 평면 모드는 JCT-VC Al19에서 제안된 평면 모드 프로세스에 연관된 전술한 문제를 해소하기 위해 설계된다. 본 발명의 실시예에 따라, 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)은 참조 화소로부터 구해진다. 따라서, 우측 하단 화소의 화소값 PP(N,N)을 디코더에 시그널링할 필요가 없다. 본 발명의 다른 실시예에서, 평면 모드 하에서 형성된 예측 블록은 잔차를 구하기 위해 이용되며, 이 잔차가 디코더에 시그널링하기 위해 변환 및 양자화된다. 중간(mid) 또는 하급(coarse) 양자화 파라미터를 이용한 종래의 이산 코사인 변환(DCT) 및 양자화의 적용은 평면 모드 하에서 획득된 잔차로부터 제로 AC 계수 및 논-제로 DC 계수를 산출하는 경향이 있다. 이를 방지하기 위해, 본 발명의 실시예는 평면 모드 하에서 획득된 잔차를 변환하기 위해 1차 변환 커널 대신 2차 변환 커널을 이용한다. 또한, 다른 실시예는 양자화 파라미터가 타겟 블록에서의 공간적 활동도(spatial activity)에 따라 적응적으로 변경되는 적응 양자화(adaptive quantization)를 평면 모드 하에서 수행한다.본 발명의 실시예에서, 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)은 참조 화소로부터 계산된다. 값 PP(N,N)은 다음의 3가지 방법 중의 하나에 따라 계산된다:방법 1:여기서, 연산자 "≫"는 라운딩(rounding)을 갖거나 갖지 않는 우측 시프트 연산(right-shift operation)을 나타낸다.방법 2:여기서, wh 및 wv는 PC(0,1:N) 및 PC(1:N,0)을 이용하여 결정된 가중치이다. 예컨대, wh 및 wv는 다음과 같이 계산된다:여기서, 연산자 "var()"는 변수를 산출하기 위한 연산자를 나타낸다.방법 3:여기서, 이고,이다. 는 산술 연산을 나타낸다. 본 발명의 실시예에서, 산술 연산은 로서 정의된다. 본 발명의 또 다른 실시예에서, 산술 연산은 간략하게 로서 정의된다. 본 발명에서는 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)이 디코더에 시그널링되지 않는다는 것에 유의하기 바란다. 그 대신, 디코더는 인코더에 의해 채용된 방법에 따라 값 PP(N,N)을 계산하며, 이 방법은 사전에 결정될 수도 있거나 또는 그 방법의 식별이 디코더에 시그널링될 수도 있다.도 10은 본 발명의 실시예에 따른 평면 모드 하에서 수행된 화소값을 예측하는 프로세스를 보여주는 개략도이며, 이 프로세스에서는 상기한 방법 1이 실시된다. 프로세스는 방법 1을 이용하여 블록 내의 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)을 계산하는 것으로 개시한다. 값 PP(N,N)이 계산된 후, 블록의 하단 행의 예측된 화소값 PP(N,j)을 획득하기 위해 값 PP(N,N)과 참조 화소값 PC(N,0) 간에 선형 보간이 수행된다. 마찬가지로, 블록의 최우측 열의 예측된 화소값 PP(i,N)을 획득하기 위해 값 PP(N,N)과 참조 화소값 PC(0,N) 간에 선형 보간이 수행된다. 그 후, 블록의 나머지 화소값 PP(i,j)을 획득하기 위해 예측된 화소값 PP(N,j) 및 PP(i,N)과 참조 화소값 PC(i,0) 및 PC(0,j) 간에 이중 선형 보간이 수행된다. 이하의 수식 및 도 11에 의해 나타낸 바와 같이, 방법 1은 타겟 블록의 화소값 PP(i,j)을 예측하는 연산을 간략화할 수 있다:여기서, 이고,분수 정확도(fractional accuracy)가 요구되면, 이다.상기한 수식은 블록의 화소값 PP(i,j)을 계산하기 위해 값 N에 의한 제산(division)을 필요로 한다. 제산 연산은 다음과 같이 정수 연산방식(integer arithmetic)을 이용함으로써 방지될 수 있다:여기서, 이고,이다.정수 정확도가 충분하면, 화소값 PP(i,j)는 아래에 의해 표현될 수 있으며,여기서, 이고,이다.방법 1은 다음과 같이 수정될 수도 있다:여기서, 은 산술 연산을 나타낸다. 본 발명의 실시예에서, 산술 연산은 로서 정의된다. 본 발명의 또 다른 실시예에서, 산술 연산은 간략하게 로서 정의된다.방법 1은 다음과 같이 추가로 수정될 수 있다:여기서, 은 이하의 4개의 수식 중의 하나에 의해 정의될 수 있는 함수를 나타낸다:수식 1:수식 2:수식 3:수식 4:, 여기서 은 어레이 에 필터가 적용될 때의 x(N+i)의 필터링된 값이다. 본 발명의 실시예에서, 필터는 3-탭 필터 이어도 된다.상기 실시예들에서, 수직 및 수평 참조 화소 는 예측을 위해 모두 이용할 수 있다. 참조 화소는 타겟 블록이 슬라이스 또는 프레임의 경계에 위치되는 경우에는 이용 가능하지 않을 수도 있다. 수직 참조 화소 가 예측에 이용 가능하지 않고, 수평 참조 화소 가 이용 가능하면, 예측을 위한 수직 참조 화소를 생성하기 위해 어사인먼트(assignment) 가 수행된다. 수평 참조 화소 가 예측에 이용 가능하지 않고, 수직 참조 화소 가 이용 가능하면, 예측을 위한 수평 참조 화소를 생성하기 위해 어사인먼트 가 수행된다. 수직 참조 화소 또는 수평 참조 화소 중의 어느 것도 예측을 위해 이용 가능하지 않으면, 수직 및 수평 참조 화소를 생성하기 위해 어사인먼트 가 수행된다. 수식에서, Nb는 화소값을 표현하기 위해 사용된 비트 심도(bit-depth)를 나타낸다.본 발명의 실시예에서, 다른 예측 모드 하에서 생성된 예측 블록과 같이, 평면 모드 하에서 생성된 예측 블록은 잔차 PR(1:N,1:N)를 구하기 위해 이용되며, 이 잔차가 변환 모듈(405)에 의해 변환되고, 양자화기(406)에 의해 양자화된다. 변환되고 양자화된 잔차 PT(1:N,1:N)는 비트스트림으로 디코더에 시그널링된다. 또한, 변환되고 양자화된 잔차 PT(1:N,1:N)는 역변환 모듈(410) 및 역양자화기(411)에 의해 역으로 변환 및 양자화되어, 압축된 잔차 PQ(1:N,1:N)가 되며, 이 압축된 잔차가 후속의 타겟 블록을 예측하는데 사용하기 위해 프레임 메모리(403)에 저장된다.변환 및 양자화된 잔차 PT(1:N,1:N) 전체가 비트스트림으로 디코더에 시그널링될 수도 있다. 이와 달리, 잔차 중의 일부 PT(1:K,1:K) 만이 비트스트림으로 디코더에 시그널링될 수도 있다. K는 N보다 작으며(K＜N), 예컨대 1과 같이 사전에 정해진 값으로 설정된다. K의 값은 비스트림으로 디코더에 시그널링될 수도 있다. 디코더가 잔차 중의 일부 PT(1:K,1:K) 만을 수신하면, 디코더는 잔차의 일부분을 디코드하고, 잔차의 나머지 부분을 영(0)으로 설정한다. 잔차의 일부만이 디코더에 시그널링되지만, 후속 타겟 블록을 예측하는 목적을 위해 압축된 잔차 PQ(1:N,1:N)를 획득하기 위해 전체 잔차 PT(1:N,1:N)가 역으로 변환 및 양자화된다.또한, 본 발명의 또 다른 실시예에서, 양자화 파라미터는 평면 모드 하에서 생성된 잔차를 양자화하기 위해 적응적으로 변경된다. 평면 모드는 작은 평면 기울기로 점차적으로 변경되는 화소값을 갖는 부드러운 이미지를 갖는 블록에 적용된다. 이러한 부드러운 블록으로부터의 잔차는 중간 또는 하급 양자화 파라미터로 영(0)으로 양자화되는 경향이 있다. 양자화가 논-제로 계수를 산출하도록 하기 위해, 본 발명의 실시예에서, 양자화 파라미터는 평면 모드 하에서 생성된 잔차가 양자화될 때에는 더 미세한 양자화 파라미터로 스위칭된다. 평면 모드 하에서 생성된 잔차를 양자화하기 위해 사용되는 양자화 파라미터(QPPlanar)는 기본 양자화 파라미터(QPbaseP)로 정의될 수 있다. QPbaseP는 더 미세한 양자화 파라미터를 표현하는 사전 결정된 값으로 설정될 수 있다. QPbaseP가 디코더에 알려져 있지 않으면, 이 파라미터는 비트스트림으로 디코더에 시그널링될 수 있거나, 또는 보다 구체적으로 H.264/AVC에서 정의된 바와 같이 슬라이스 헤더 또는 화상 파라미터 세트로 시그널링 될 수 있다.본 발명의 실시예에서, QPPlanar는 단순히 QPbaseP(QPPlanar=QPbaseP)로 설정된다. QPPlanar는 QPbaseP와 QPN의 합(QPPlanar=QPbaseP+QPN)으로 정의될 수도 있으며, 여기서 QPN은 N의 값과 관련하여 QPN의 값을 나열하고 있는 탐색표를 이용하여 결정된다. QPPlanar는 이와 달리 QPPlanar= QPbaseP+QPdiff(N)으로서 정의될 수도 있다. QPdiff(N)은 값 N의 함수이며, 비트스트림으로 디코더에 시그널링되거나, 또는 보다 구체적으로는 H.264/AVC에서 정의된 바와 같이 슬라이스 헤더 또는 화상 파라미터 세트로 시그널링된다. 디코더는 자신의 비디오 코덱 체계에서 지원되는 값 N의 각각에 대한 비트스트림으로부터 QPdiff(N)을 결정한다.본 발명의 또 다른 실시예에서, 차동 양자화 파라미터(differential quantization parameter)(QPdelta)를 추가함으로써, QPbaseP는 QPbaseP= QPbaseP+QPdelta로서 수정된다. QPdelta는 공간적 활동도에 대해 적응적으로 QPbaseP를 조정하기 위해 블록 또는 블록의 그룹에서의 공간적 활동도로부터 결정된 양자화 파라미터이다. QPdelta는 비트스트림으로 디코더에 시그널링된다. QPdelta가 블록의 공간적 활동도로부터 결정되므로, 이 파라미터는 블록 내의 이미지 콘텐츠에 따라서는 영(0)이 될 수도 있으며, 평면 예측 모드를 위한 QPbaseP에 영향을 주지 않는다.또한, 본 발명의 다른 실시예에서, QPPlanar는 평면 모드 이외의 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 양자화하기 위해 이용되는 정상 양자화 파라미터 QPnormal로 결정된다. 이러한 실시예에서, QPPlanar는 아래의 다섯 가지 방식 중의 하나에 따라 결정된다:1. QPPlanar = QPnormal2. QPPlanar = QPnormal + QPN, 여기서 QPN은 N의 값에 관련하여 QPN의 값을 나열하고 있는 탐색표로부터 결정됨.3. QPPlanar = QPnormal + QPdiff(N), 여기서 QPdiff(N)은 값 N의 함수이고, 비트스트림으로 디코더에 시그널링됨.4. QPPlanar = QPnormal + QPdelta, 여기서 QPdelta는 QPnormal을 적응적으로 조정하기 위해 블록 또는 블록의 그룹에서의 공간적 활동도로부터 결정된 양자화 파라미터이며, 비트스트림으로 디코더에 시그널링됨.5. QPPlanar = QPnormal + QPN + QPdelta본 발명의 또 다른 실시예에서, 변환 모듈(405) 및 역변환 모듈(410)은, 1차 순방향 변환 및 역변환 커널( 및 ) 세트를 이용하는 대신, 평면 모드 하에서 생성된 잔차의 순방향 변환 및 역변환을 위해 2차 순방향 변환 및 역변환 커널( 및 ) 세트를 이용한다. 1차 변환 커널 세트는 평면 모드 이외의 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 변환하기 위해 이용되며, 고주파 에너지(high frequency energy)가 있는 블록에 적합하다. 한편, 평면 예측 모드에 놓이게 될 블록은 그 안에서 낮은 공간적 활동도를 가지며, 부드러운 이미지를 갖는 블록에 적합화된 변환 커널을 요구한다. 본 실시예에서, 변환 모듈(405) 및 역변환 모듈(410)은 도 12에 도시된 바와 같이 1차 변환 커널 세트와 2차 변환 커널 세트 간에 스위칭하며, 평면 모드 이외의 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 변환할 때에는 1차 변환 커널 세트를 이용하는 반면, 평면 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 변환할 때에는 2차 변환 커널 세트를 이용한다. 그러나, 2차 변환 커널 세트는 평면 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 변환하기 위해 이용되는 것으로 제한되지 않고, 평면 모드 이외의 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 변환하기 위해 이용될 수도 있다는 것에 유의하기 바란다.2차 순방향 변환 커널() 세트는 이하의 옵션 중의 하나로부터 구해지는 픽스드 포인트 근사(fixed-point approximation)이어도 된다:옵션 1(타입-7 DST):옵션 2(타입-4 DST):옵션 3(타입-2 DST, 흔히 DCT로서 알려짐):옵션 4:2N×2N 크기의 변환 커널()이 비디오 코덱에 의해 지원되면, . 그렇지 않은 경우에는, . 따라서, 옵션 4에서, 비디오 코덱에서 지원되는 최저 및 최대 변환 크기가 4×4 및 32×32이면, 4×4 크기에 대한 2차 변환 커널 세트는 8×8 크기에 대한 1차 변환 커널 세트로부터 구해진다. 마찬가지로, 8×8 크기에 대한 2차 변환 커널 세트는 16×16 크기에 대한 1차 변환 커널 세트로부터 구해지고, 16×16 크기에 대한 2차 변환 커널 세트는 32×32 크기에 대한 1차 변환 커널 세트로부터 구해진다. 그러나, 지원되는 최대 크기가 32×32인 크기 제한으로 인해, 32×32 크기에 대한 2차 변환 커널 세트는 32×32 크기에 대한 1차 변환 커널 세트로부터 구해진다.계수 인자(scaling factor) ki는 를 충족하도록 정해질 수 있다. 계수 인자 ki는 H.264/AVC에서 이용되는 바와 같이 양자화 파라미터를 조정하기 위해 이용될 수도 있다. 2차 역변환 커널 세트는 순방향 변환 커널 를 이용하여 로부터 구해질 수 있으며, 여기서 IN은 N×N 크기의 항등 행렬을 나타낸다.1차 변환 커널 세트가 특성을 충족하면, 옵션 4에서 정의된 2차 변환 커널 세트가 바람직하다. 옵션 4는 2차 세트가 1차 세트로부터 구해질 수 있기 때문에 2차 변환 커널 세트가 1차 변환 커널 세트와 별도로 저장될 필요가 없다는 이점이 있다. 2N×2N 크기에 대한 1차 변환 커널() 세트가 타입-3 DCT의 근사이면, 상기한 특성이 충족되며, N×N 크기에 대한 2차 변환 커널() 세트가 타입-4 DST의 근사가 될 것이다. 1차 변환 커널 세트가 상기한 특성을 충족하지 못하면, 옵션 1에서 정의된 2차 변환 커널 세트가 바람직하다.평면 예측 모드는 2가지 방식 중의 하나로 선택될 수 있다. 첫 번째 방식에서는, 평면 예측 모드 하에서 생성된 예측 블록이 기타 예측 모드 하에서 생성된 예측 블록과 함께 부호화 효율에 대해 평가된다. 평면 모드 하에서 생성된 예측 블록이 예측 블록들 중에서 최상의 부호화 효율을 보이면, 평면 모드가 선택된다. 이와 달리, 부호화 효율에 대해 평면 모드가 단독으로 평가된다. 평면 예측 모드는 이미지가 부드럽고 그 평면 기울기가 작은 영역에 바람직하다. 따라서, 블록에서의 고주파 에너지의 양 및 블록의 에지를 따른 이미지 불연속성을 확인하기 위해 타겟 블록의 콘텐츠가 분석된다. 고주파 에너지의 양이 임계치 미만이고, 블록의 에지를 따라 커다란 불연속성이 발견되지 않으면, 평면 모드가 선택된다. 그렇지 않은 경우에는, 기타 예측 모드 하에서 생성된 예측 블록이 하나의 모드를 선택하기 위해 평가된다. 양쪽 모두의 경우에, 평면 예측 모드의 선택은 비트스트림으로 디코더에 시그널링된다.전술한 상세한 설명을 읽고 난 후의 당업자에는 의심의 여지없이 본 발명에 대한 많은 변경과 변형이 명백하게 될 것이며, 예시로서 보여주고 설명한 임의의 구체적인 실시예는 발명을 제한하려는 의도가 없다는 사실을 이해해야 한다. 따라서, 다양한 실시예들의 세부 구성에 대한 참조는 청구항들의 범위를 제한하려는 의도가 없으며, 그 자체로 본 발명의 본질적인 것으로서 간주되는 특징들을 원용할 뿐이다.	본 발명은, 제1 예측값이 각각의 수평 경계 화소의 값과 수직 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산되고, 제2 예측값이 각각의 수직 경계 화소의 값과 수평 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산되는, 저복잡도 평면 모드 부호화를 제공한다. 그리고나서, 제1 예측값과 제2 예측값은 예측 블록의 각각의 예측 화소값을 구하기 위해 평균이 구해진다. 예측 블록과 타겟 블록 간의 잔차가 디코더에 시그널링된다.
[ 발명의 명칭 ] 평면 표현을 이용한 향상된 인트라-예측 부호화ENHANCED INTRA-PREDICTION CODING USING PLANAR REPRESENTATIONS [ 기술분야 ] 본 특허 출원은 35 U.S.C. §119(e) 하에서 2010년 12월 21일자로 출원된 미국 가특허 출원 번호 61/425,670호 및 2011년 3월 4일자로 출원된 미국 가특허 출원 번호 61/449,528의 출원일의 이점을 주장하며, 상기한 특허 출원의 전체 내용이 참조에 의해 본 명세서에 원용된다.본 발명은 비디오 부호화에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 저복잡도 평면 예측 모드 부호화(low complexity planar prediction mode coding)로 향상된 인트라-프레임 예측에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 디지털 비디오는 디지털 비디오 시퀀스의 각각의 프레임 및 전체 프레임(예컨대, 일련의 프레임)을 압축되지 않은 방식으로 표현하기 위해서는 많은 양의 데이터를 필요로 한다. 대부분의 애플리케이션은 대역폭 한계 때문에 압축되지 않은 디지털 비디오를 컴퓨터 네트워크를 통해 전송하는 것이 가능한 것은 아니다. 또한, 압축되지 않은 디지털 비디오는 많은 양의 저장 공간을 필요로 한다. 디지털 비디오는 일반적으로 저장 요건을 감소시키고 대역폭 요건을 감소시키기 위해 여러 방식으로 인코딩된다.디지털 비디오를 인코딩하는 한 가지 기술은 인터-프레임 예측(inter-frame prediction) 또는 인터-예측(inter-prediction)이다. 인터-예측은 상이한 프레임들 간의 시간적 중복성(temporal redundancy)을 이용한다. 비디오의 시간적으로 인접한 프레임들은 통상적으로 실질적으로 동일하게 유지되는 화소 블록을 포함한다. 인코딩 프로세스 동안, 모션 벡터가 하나의 프레임 내의 화소 블록의 움직임을 다른 프레임 내의 유사한 화소 블록에 연관(interrelate)시킨다. 이에 따라, 시스템은 화소 블록을 2회 인코딩할 필요가 없으며, 화소 블록을 1회 인코딩하고, 다른 화소 블록을 예측하기 위한 모션 벡터를 제공한다.디지털 비디오를 인코딩하기 위한 또 다른 기술은 인트라-프레임 예측(intra-frame prediction) 또는 인트라-예측(intra-prediction)이다. 인트라-예측은 다른 프레임 내의 화소를 참조하지 않고 프레임 또는 프레임의 일부분을 인코딩한다. 인트라-예측은 하나의 프레임 내의 화소 블록들 간의 공간적 중복성을 이용한다. 공간적으로 인접한 화소 블록들이 일반적으로 유사한 속성을 갖기 때문에, 인접한 블록들 간의 공간적 상관 관계를 참조함으로써 부호화 프로세스의 효율이 향상된다. 이러한 상관 관계는 인접한 블록들에 사용된 예측 모드에 기초한 타겟 블록의 예측에 의해 이용될 수도 있다.통상적으로, 인코더는 화소 예측기를 포함하고, 이 화소 예측기는 인터-예측기, 인트라-예측기 및 모드 셀렉터를 포함한다. 인터-예측기는 수신된 이미지에 대한 예측을 움직임 보상된 참조 프레임에 기초하여 수행한다. 인트라-예측기는 수신된 이미지에 대한 예측을 현재 프레임 또는 화상(picture)의 이미 처리된 부분에 기초하여 수행한다. 인트라-예측기는 또한 복수의 상이한 인트라-예측 모드를 포함하고, 각각의 예측 모드 하에서 예측을 수행한다. 인터-예측기 및 인트라-예측기로부터의 출력들은 모드 셀렉터에 제공된다.모드 셀렉터는 인터-예측 부호화 또는 인트라-예측 부호화 중의 어느 부호화 방법이 이용되는지를 결정하며, 인트라-예측 부호화가 이용되는 때에는, 복수의 인트라-예측 모드 중에서 어느 모드의 인트라-예측 부호화가 이용되는지를 결정한다. 결정 프로세스에서, 모드 셀렉터는 어느 인코딩 방법 또는 어느 모드가 부호화 효율 및 처리 비용에 대해 가장 효율적인 결과를 제공하는지를 분석하기 위해 비용 함수(cost function)를 이용한다.인트라-예측 모드는 DC 모드 및 방향성 모드(directional mode)를 포함한다. DC 모드는 블록에 걸쳐 화소값이 일정한 블록을 표현하는데 적합하다. 방향성 모드는 특정한 방향으로 스트라이프 패턴(stripe pattern)을 갖는 블록을 표현하는데 적합하다. 이미지가 급격한 변화 없이 부드럽고(smooth), 그 화소값이 하나의 블록에서 서서히 변화되는, 또 다른 이미지 패턴이 있다. DC 모드 및 방향성 모드는 이미지 컨텐츠에서의 작은 점진적 변화를 예측하는데 적합하지 않으며, 특히 낮은 비트레이트 내지 중간 비트레이트에서 바람직하지 않은 블로킹 아티팩트(annoying blocking artifact)를 생성할 수 있다. 이것은, 서서히 변화되는 화소값을 갖는 블록들이 인코딩될 때에, 그 블록들의 AC 계수가 영(0)으로 양자화되는 경향이 있지만, DC 계수는 영이 아닌 값(non-zero value)을 갖기 때문이다.이 문제점을 해소하기 위해, H.264/AVC 표준 하에서의 인트라-예측 모드는, 화소값이 작은 평면 기울기(planar gradient)로 서서히 변화되는 부드러운 이미지를 갖는 블록을 표현하기 위해 평면 모드(planar mode)를 추가로 포함한다. H.264/AVC 표준의 평면 모드 하에서는, 평면 기울기가 근사되고, 디코더에 비트스트림으로 시그널링된다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은 인트라-예측 부호화의 부호화 효율을 향상시킬 수 있는 저복잡도 평면 모드 부호화를 제공하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명에서는, 평면 예측 모드 하에서, 인코더가 제1 예측값 및 제2 예측값을 계산한다. 제1 예측값은 각각의 수평 경계 화소의 값과 수직 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산된다. 제2 예측값은 각각의 수직 경계 화소의 값과 수평 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산된다. 인코더는 또한 예측 블록의 각각의 예측 화소값을 구하기 위해 제1 예측값과 제2 예측값의 평균을 구한다.본 발명의 일특징에서, 인코더는 예측 블록과 타겟 블록 간의 잔차(residual)를 비트스트림으로 디코더에 시그널링한다.본 발명의 또 다른 특징에서, 1차 변환 커널(transform kernel) HN(i.j) 세트가 2차 변환 커널 GN(i,j) 세트로 스위칭된다. 인코더는 2차 변환 커널 GN(i,j) 세트를 이용하여 잔차를 변환한다.2차 변환 커널 GN(i,j) 세트는 다음 수식,(a) ;(b) ; 및(c) 중의 하나에 의해 정해진다.본 발명의 또 다른 특징에서, N×N 크기에 대한 2차 변환 커널 GN(i,j) 세트는 M×M 크기에 대한 1차 변환 커널 HM(i.j) 세트에 의해 정해지며, 여기서 M＞N이다. 구체적으로, 2차 변환 커널 GN(i,j) 세트는 2N×2N 크기의 변환 커널(H2N)이 지원되면 에 의해 정해지거나, 그렇지 않은 경우에는 GN(i,j)=HN(i,j)이다.본 발명은 또한 디코딩을 위해 이용되는 저복잡도 평면 모드 부호화를 제공한다. 평면 모드 하에서, 디코더는 제1 예측값 및 제2 예측값을 계산한다. 제1 예측값은 각각의 수평 경계 화소의 값과 수직 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산된다. 제2 예측값은 각각의 수직 경계 화소의 값과 수평 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산된다. 디코더는 그 후 예측 블록의 각각의 예측 화소값을 구하기 위해 제1 예측값과 제2 예측값의 평균을 구한다. 디코더는 평면 모드 하에서 인코더에서 생성된 인코더로부터 시그널링된 잔차를 디코딩하고, 이미지 데이터를 재구축하기 위해 예측 블록에 디코딩된 잔차를 가산한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명을 구현할 수 있는 일례의 하드웨어 아키텍처를 도시하는 블록도이다.도 2는 본 발명을 적용할 수 있는 비디오 인코더의 전반적인 도시를 보여주는 블록도이다.도 3은 본 발명을 적용할 수 있는 비디오 디코더의 전반적인 도시를 보여주는 블록도이다.도 4는 본 발명의 실시예에 따른 인코더의 기능 모듈을 도시하는 블록도이다.도 5는 본 발명의 실시예에 따른 비디오 인코더에 의해 수행되는 인코딩 프로세스를 보여주는 흐름도이다.도 6은 본 발명의 실시예에 따른 디코더의 기능 모듈을 보여주는 블록도이다.도 7은 본 발명의 실시예에 따른 비디오 디코더에 의해 수행되는 디코딩 프로세스를 보여주는 흐름도이다.도 8은 8×8 화소 P(i,j)을 포함하고 있는 타겟 블록과 화소 P(i,j)를 예측하기 위해 이용되는 참조 화소의 개략적 표현을 보여주는 도면이다.도 9는 JCT-VC Al19에서 제안된 평면 모드 부호화에 따라 예측 화소를 생성하는 프로세스를 나타내는 개략적 표현을 보여주는 도면이다.도 10은 본 발명의 평면 모드 부호화에 따라 예측 화소를 생성하는 프로세스를 나타내는 개략적 표현을 보여주는 도면이다.도 11은 본 발명의 평면 모드 부호화에 따라 예측 화소를 생성하는 프로세스를 나타내는 또 다른 개략적 표현을 보여주는 도면이다.도 12는 1차 변환 커널 세트와 2차 변환 커널 세트 간에 스위칭하는 프로세스를 보여주는 흐름도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1은 본 발명을 구현할 수 있는 컴퓨터(100)의 일례의 하드웨어 아키텍처를 도시하고 있다. 도 1에 도시된 하드웨어 아키텍처는 본 발명의 실시예를 구현하는 비디오 인코더 및 비디오 디코더 양자 모두에 공통될 수도 있다는 것에 유의하기 바란다. 컴퓨터(100)는 프로세서(101), 메모리(102), 저장 장치(105) 및 하나 이상의 입력 및/또는 출력(I/O) 장치(106)(또는 주변 장치)를 포함하며, 이들은 로컬 인터페이스(107)를 통해 통신 가능하게 연결되어 있다. 로컬 인터페이스(105)는 예컨대 종래 기술로 공지된 바와 같이 하나 이상의 버스 또는 기타 유선 또는 무선 접속부이어도 되지만, 이러한 것으로 한정되지 않는다.프로세서(101)는 소프트웨어, 구체적으로는 메모리(102)에 저장된 소프트웨어를 실행하는 하드웨어 장치이다. 프로세서(101)는 임의의 맞춤형 또는 상업적으로 입수 가능한 프로세서, 중앙 처리 장치(CPU), 컴퓨터(100)에 관련된 여러 개의 프로세서 중의 보조 프로세서, 반도체 기반 마이크로프로세서(마이크로칩 또는 칩 세트 형태의), 또는 소프트웨어 명령을 실행하기 위한 일반적인 임의의 장치이어도 된다.메모리(102)는 휘발성 메모리 요소(예컨대, 랜덤 액세스 메모리(DRAM, SRAM, SDRAM 등과 같은 RAM)) 및 비휘발성 메모리 요소(예컨대, ROM, 하드 드라이브, 테이프, CDROM 등) 중의 임의의 하나 또는 조합을 포함할 수 있는 컴퓨터 판독 가능 매체를 포함한다. 또한, 메모리(102)는 전자식 저장 매체, 자기식 저장 매체, 광학식 저장 매체 및/또는 기타 타입의 저장 매체를 통합하여도 된다. 컴퓨터 판독 가능 매체는 명령 실행 시스템, 기기 또는 장치에 의해 사용되거나 또는 이들과 함께 사용하기 위한 프로그램을 저장, 통신, 전파 또는 전송할 수 있는 어떠한 수단이어도 된다. 메모리(102)는, 다양한 컴포넌트가 서로 원격으로 위치되어 있지만 프로세서(101)에 의해 액세스될 수 있는 분산 아키텍처를 가질 수 있다는 점에 유의하기 바란다.메모리(102) 내의 소프트웨어(103)는, 아래에 설명되는 바와 같이 컴퓨터(100)의 논리적 기능을 구현하기 위한 실행 가능한 명령의 정렬된 목록(ordered listing)을 각각이 포함하고 있는 하나 이상의 개별 프로그램을 포함할 수도 있다. 도 1의 예에서, 메모리(102) 내의 소프트웨어(103)는 본 발명에 따라 컴퓨터(100)의 비디오 인코딩 또는 비디오 디코딩 기능을 규정한다. 또한, 반드시 그러할 필요는 없지만, 메모리(102)가 운영 체제(O/S)(104)를 포함하고 있는 것도 가능하다. 운영 체제(104)는 본질적으로 컴퓨터 프로그램의 실행을 제어하고, 스케줄링, 입력-출력 제어, 파일 및 데이터 관리, 메모리 관리, 및 통신 제어 및 관련 서비스를 제공한다.컴퓨터(100)의 저장 장치(105)는 고정형 저장 장치 또는 휴대용 저장 장치를 포함한 다수의 상이한 타입의 저장 장치 중의 하나이어도 된다. 일례로서, 저장 장치(105)는 자기 테이프, 디스크, 플래시 메모리, 휘발성 메모리, 또는 상이한 저장 장치이어도 된다. 또한, 저장 장치(105)는 보안 디지털 메모리 카드 또는 임의의 다른 탈착 가능 저장 장치(105)이어도 된다.I/O 장치(106)는 예컨대 터치 스크린, 키보드, 마우스, 스캐너, 마이크로폰, 또는 기타 입력 장치와 같은 입력 장치를 포함할 수 있으며, 이러한 예는 위에 언급한 것으로 한정되지 않는다. 더욱이, I/O 장치(106)는 또한 예컨대 디스플레이 또는 기타 출력 장치와 같은 출력 장치를 포함할 수 있으며, 이러한 예는 위에 언급한 것으로 한정되지 않는다. I/O 장치(106)는 또한 입력 및 출력을 통해 통신하는 장치, 예컨대 변조기/복조기(예컨대, 또 다른 장치, 시스템 또는 네트워크를 액세스하기 위한 모뎀), 무선 주파수(RF), 무선 또는 기타 송수신기, 전화 인터페이스, 브리지, 라우터, 또는 입력단 및 출력단으로서 기능하는 기타 장치를 추가로 포함할 수 있으며, 이러한 예는 위에 언급된 것으로 한정되지 않는다.당해 기술 분야에 통상의 지식을 가진 사람에 의해 널리 알려진 바와 같이, 비디오 압축은 비디오 시퀀스에서 중복 정보를 제거함으로써 달성된다. 다수의 상이한 비디오 부호화 표준이 존재하며, 그 예는 MPEG-1, MPEG-2, MPEG-4, H.261, H.263 및 H.264/AVC를 포함한다. 본 발명은 임의의 특정한 비디오 부호화 표준이 적용되는 것으로 한정되도록 의도되지 않는다는 것에 유의하기 바란다. 그러나, 본 발명의 이하의 설명은 본 명세서에서 참조에 의해 원용되고 있는 H.264/AVC 표준의 예를 이용하여 제공된다. H.264/AVC 표준은 최신의 비디오 부호화 표준이며, MPEG-1, MPEG-2, MPEG-4, H.261, 및 H.263과 같은 이전의 부호화 표준에 비하여 현저한 성능 향상을 달성한다.H.264/AVC에서, 비디오의 각각의 프레임 또는 화상은 여러 개의 슬라이스로 나누어질 수 있다. 슬라이스는 그 후 매크로블록으로 지칭되는 16×16 화소의 블록으로 분할되며, 이 블록이 그 후 8×16, 16×8, 8×8, 4×8, 8×4 및 그 아래의 4×4 화소의 블록으로 추가로 분할될 수 있다. H.264/AVC 표준에 의해 지원되는 5개 타입의 슬라이스가 있다. I 슬라이스에서는, 매크로블록 모두가 인트라-예측을 이용하여 부호화된다. P 슬라이스에서는, 매크로블록이 인트라-예측 또는 인터-예측을 이용하여 부호화될 수 있다. P 슬라이스는 매크로블록 당 단지 하나의 모션 보상 예측(MCP) 신호가 이용될 수 있다. B 슬라이스에서는, 매크로블록이 인트라-예측 또는 인터-예측을 이용하여 부호화될 수 있다. 예측 당 2개의 MCP 신호가 이용될 수 있다. SP 슬라이스는 P 슬라이스가 상이한 비디오 스트림 간에 효율적으로 스위칭되도록 한다. SI 슬라이스는 랜덤 액세스 또는 에러 복구에 대해서는 SP 슬라이스에 대해 정확히 매칭되지만 인트라-예측만을 이용한다.도 2 본 발명이 적용될 수 있는 비디오 인코더의 전반적인 도시를 보여주는 도면이다. 도면에 도시된 블록은 메모리(102) 내의 소프트웨어(103)를 실행하는 프로세서(101)에 의해 실현되는 기능 모듈을 나타낸다. 비디오 프레임의 화상(200)이 비디오 인코더(201)에 제공된다. 비디오 인코더는 화상(200)을 매크로블록(200A)의 단위로 처리한다. 각각의 매크로블록은 화상(200)의 여러 개의 화소를 포함한다. 각각의 매크로블록에 대해서는, 변환 계수로의 변환이 수행되고, 그에 후속하여 변환 계수 레벨로의 양자화가 수행된다. 더욱이, 화소 데이터에 대해 직접적으로 부호화 단계를 수행하지 않고 예측된 화소값에 대한 그 화소 데이터의 차에 대해 부호화 단계를 수행하기 위해 인트라-예측 또는 인터-예측이 이용되며, 이로써 보다 용이하게 압축되는 작은 값이 달성된다.각각의 슬라이스에 대해, 인코더(201)는 각각의 슬라이스의 매크로블록의 부호화된 버전을 형성하는 다수의 구문 요소(syntax element)를 생성한다. 변환 계수 레벨 또는 스킵된(skiped) 변환 계수 레벨을 나타내주는 유효성 맵(significance map)과 같은 변환 계수의 부호화에 관련되는 구문 요소의 모든 잔여 데이터 요소는 잔여 데이터 구문 요소로 지칭된다. 이들 잔여 데이터 구문 요소 외에, 인코더(201)에 의해 생성된 구문 요소는 각각의 매크로블록을 각각 인코딩하고 디코딩하는 방식에 관한 제어 정보를 포함하고 있는 제어 정보 구문 요소를 포함한다. 즉, 구문 요소는 2개의 범주로 분류될 수 있다. 제1 범주인 제어 정보 구문 요소는 예컨대 슬라이스-기반 및 매크로블록-기반 제어 정보뿐만 아니라 매크로블록 타입, 서브-매크로블록 타입, 및 공간적 타입과 시간적 타입 양자 모두의 예측 모드에 대한 정보에 관련된 요소를 포함한다. 제2 범주에서는, 양자화 단계에 대응하는 레벨의 단위로 나타내진 유효 계수(significant coefficient)의 값 및 양자화된 변환 계수의 블록 내의 모든 유효 계수의 위치를 나타내는 유효성 맵과 같은 잔여 데이터 요소 모두가 결합(combine)되고, 잔여 데이터 구문 요소로 된다.인코더(201)는, 각각의 슬라이스에 대해 구문 요소를 인코딩하고 산술 코드워드(arithmetic codeword)를 생성하는 엔트로피 부호화기(entrophy coder)를 포함한다. 슬라이스에 대한 산술 코드워드를 생성할 때, 엔트로피 부호화기는 비디오 신호 비트 스트림에서의 구문 요소의 데이터 값들 간의 통계 의존성(statistical dependency)을 이용한다. 인코더(201)는 화상(200)의 슬라이스에 대하여 인코딩된 비디오 신호를 도 3에 도시된 비디오 디코더(301)에 출력한다.도 3은 본 발명을 적용할 수 있는 비디오 디코더의 전반적인 도시를 보여주는 도면이다. 마찬가지로, 이 도면에 도시된 블록은 메모리(102) 내의 소프트웨어(103)를 실행하는 프로세서(101)에 의해 실현되는 기능 모듈을 나타낸다. 비디오 디코더(301)는 인코딩된 비디오 신호를 수신하고, 먼저 이 신호를 역으로 구문 요소로 엔트로피 디코딩한다. 디코더(301)는, 매크로블록×매크로블록으로 그리고나서 슬라이스 후 슬라이스(slice after slice)로, 화상(300)의 화소의 화상 샘플(300A)을 재구축하기 위해, 구문 요소를 사용한다.도 4는 비디오 인코더(201)의 기능 모듈을 도시하는 도면이다. 이러한 기능 모듈은 메모리(102) 내의 소프트웨어(103)를 실행하는 프로세서(101)에 의해 실현된다. 입력 비디오 화상은, 크로미넌스("크로마") 및 휘도("루마")(예컨대 색조, 포화, 및 값 등의 다른 성분들도 가능함)와 같은 원래 컬러의 성분을 표현하는 샘플 포인트에 의해 정해지는 자연 발생적인(압축되지 않은) 비디오 이미지의 필드 또는 프레임이다. 입력 비디오 화상은, 화상 컬러의 루마 성분의 16×16 화소로 이루어지는 정사각형 화상 영역을 각각 표현하는 매크로블록(400)으로 분할된다. 입력 비디오 화상은, 또한, 화상 컬러의 두 개의 크로마 성분의 각각의 크로마 성분의 8×8 화소를 각각 표현하는 매크로블록으로 파티션화된다. 일반적인 인코더 동작에서, 입력된 매크로블록은 인터-예측 또는 인트라-예측을 이용하여 시간적으로 또는 공간적으로 예측된다. 그러나, 설명을 위해, 매크로블록(400)은 모두 I-슬라이스 타입 매크로블록이며, 인트라-예측만이 적용되는 것으로 가정한다.인트라-예측은 인트라-예측 모듈(401)에서 달성되며, 인트라-예측 모듈의 동작은 이하에서 상세히 설명된다. 인트라-예측 모듈(401)은, 이전에 인코딩되고, 재구축되고, 프레임 메모리(403)에 저장된 이웃 블록의 수평 및 수직 경계 화소로부터 예측 블록(402)을 생성한다. 타겟 블록(400)과 예측 블록(402) 간의 차인 예측 블록(402)의 잔차(residual)(404)는 변환 모듈(405)에 의해 변환되고, 그 후 양자화기(406)에 의해 양자화된다. 변환 모듈(405)은 잔차(404)를 변환 계수의 블록으로 변환한다. 양자화기(406)는 변환 계수를 양자화하여 양자화된 변환 계수(407)로 한다. 그리고나서, 양자화된 변환 계수(407)는 엔트로피-부호화 모듈(408)에서 엔트로피-부호화되고, 인코딩된 비디오 신호(409)로서 전송된다(선택된 인트라-예측 모드에 관한 기타 정보와 함께).비디오 인코더(201)는 타겟 블록에 대한 인트라-예측을 수행하기 위한 디코딩 기능부를 포함한다. 디코딩 기능부는 역양자화기(410) 및 역변환 모듈(411)을 포함하며, 역양자화기 및 역변환 모듈이 양자화된 변환 계수(407)에 대하여 역양자화 및 역변환을 수행하여 디코딩된 예측 잔차(412)를 생성하고, 이 디코딩된 예측 잔차가 예측 블록(402)에 가산된다. 디코딩된 예측 잔차(410)와 예측 블록(402)을 합한 것이 재구축된 블록(413)이며, 재구축된 블록(413)이 프레임 메모리(403)에 저장되고, 다음 타겟 블록(400)의 디코딩을 위한 예측 블록(402)을 생성하기 위해 이 재구축된 블록(413)이 인트라-예측 모듈(401)에 의해 프레임 메모리(403)로부터 판독되어 사용될 것이다. 필요한 경우, 재구축된 이미지로부터 블로킹 아티팩트(blocking artifact)를 제거하기 위해 프레임 메모리(403)의 입력단 또는 출력단 중의 어느 하나에 디블로킹 필터(deblocking filter)가 위치될 수도 있다.도 5는 비디오 인코더(201)에 의해 수행되는 프로세스를 나타내는 흐름도이다. H.264/AVC 표준에 따르면, 인트라 예측은, 이전에 인코딩되고 재구축된 이웃 블록의 경계 화소("참조 화소")의 보간(interpolation)을 이용하여, 복수의 예측 모드 하에서 타겟 블록(400)의 각각의 화소를 예측하는 것을 포함한다. 예측 모드는 양의 정수 0, 1, 2,…에 의해 식별되며, 각각의 정수는 타겟 블록(400) 내의 특정 화소를 예측하기 위한 상이한 명령 또는 알고리즘에 연관된다. 인트라-예측 모듈(401)은 각각의 예측 모드 하에서 인트라-예측을 수행하고, 상이한 예측 블록을 생성한다. 전체 검색(full search, FS) 알고리즘 하에서는, 생성된 예측 블록의 각각을 타겟 블록(400)과 비교하여, 예측 모드들 중에서 예측 잔차(404)를 최소화하거나 더욱 작은 예측 잔차(404)를 생성하는 최적의 예측 모드를 찾는다(단계 501). 최적의 예측 모드의 식별이 압축되고(단계 502), 기타 제어 정보 구문 요소와 함께 디코더(301)에 시그널링될 것이다.각각의 예측 모드는 전술한 바와 같이 예측의 일반적인 방향에 의해 기술될 수 있다(즉, 수평으로 위, 수직 및 대각선 아래 왼쪽). 예측 방향은 각도 방향에 의해 그래픽으로 기술될 수 있다. 예측 모드에 대응하는 각도는, 타겟 화소를 예측하는 데 사용되는 참조 화소의 가중된 평균 위치로부터 타겟 화소 위치로의 방향에 대하여 일반적인 관계를 갖는다. DC 예측 모드에서, 예측 블록(402)은, 예측 블록(402)의 각각의 화소가 참조 화소의 평균값으로 균일하게 설정되도록, 생성된다.다시 도 5를 참조하면, 인트라-예측 모듈(401)이 예측 블록(402)을 출력하고, 이 예측 블록을 타겟 블록(400)으로부터 감산하여 잔차(404)를 획득한다(단계 503). 변환 모듈(405)이 잔차(404)를 변환 계수의 블록으로 변환한다(단계 504). 양자화기(406)가 변환 계수를 양자화하여 양자화된 변환 계수로 한다. 엔트로피 부호화 모듈(408)이 양자화된 변환 계수를 엔트로피-인코딩하며(단계 506), 이것이 최적의 예측 모드의 압축된 식별과 함께 보내진다. 역양자화기(410)가 양자화된 변환 계수를 역으로 양자화한다(단계 507). 역변환 모듈(411)이 디코딩된 예측 잔차(412)를 구하기 위해 역변환을 수행하며(단계 508), 이 디코딩된 예측 잔차가 예측 블록(402)에 가산되어 재구축된 블록(413)이 된다(단계 509).도 6은 비디오 디코더(301)의 기능 모듈을 도시한다. 이러한 기능 모듈은 메모리(102) 내의 소프트웨어(103)를 실행하는 프로세서(101)에 의해 실현된다. 인코더(201)로부터의 인코딩된 비디오 신호가 먼저 엔트로피 디코더(600)에 의해 수신되고, 양자화된 변환 계수(601)로 다시 엔트로피-디코딩된다. 양자화된 변환 계수(601)는 역양자화기(602)에 의해 역으로 양자화되고, 역변환 모듈(603)에 의해 역으로 변환되어 예측 잔차(604)를 생성하게 된다. 인트라-예측 모듈(605)은 인코더(201)에 의해 선택된 예측 모드를 통지받는다. 선택된 예측 모드에 따라, 인트라 예측 모듈(605)은 도 5의 단계 503에서 수행된 것과 유사한 인트라-예측 프로세스를 수행하여, 이전에 재구축되어 프레임 메모리(607)에 저장된 이웃 블록의 경계 화소를 이용하여 예측 블록(606)을 생성한다. 예측 블록(606)은 디코딩된 비디오 신호의 블록(608)을 재구축하기 위해 예측 잔차(604)에 가산된다. 재구축된 블록(608)은 다음 블록의 예측에 사용하기 위해 프레임 메모리(607)에 저장된다.도 7은 비디오 인코더(201)에 의해 수행되는 프로세스를 보여주는 흐름도이다. 비디오 디코더(301)가 비디오 인코더(201)로부터 시그널링된 최적의 예측 모드의 식별을 디코딩한다(단계 701). 디코딩된 예측 모드를 이용하여, 인트라-예측 모듈(605)이 이전에 재구축되어 프레임 메모리(607)에 저장된 이웃 블록의 경계 화소를 이용하여 예측 블록(606)을 생성한다(단계 702). 산술 디코더(600)가 인코더(201)로부터의 인코딩된 비디송 신호를 다시 양자화된 변환 계수(601)로 디코딩한다(단계 703). 역양자화기(602)가 양자화된 변환 계수를 역으로 양자화하여 변환 계수로 한다(단계 704). 역변환 모듈(603)이 변환 계수를 역으로 변환하여 예측 잔차(604)로 하고(단계 705), 이 예측 잔차가 예측 블록(606)에 가산되어 디코딩된 비디오 신호의 블록(608)을 재구축한다(단계 706).비디오 인코더(201)에 의해 수행된 인코딩 프로세스를 도 8을 참조하여 추가로 설명한다. 도 8은 8×8 화소 P(i,j)를 포함하는 타겟 블록과 화소 P(i,j)를 예측하기 위해 사용되는 참조 화소의 개략적인 표현을 보여주고 있다. 도 8에서, 참조 화소는 17개의 수평 화소와 17개의 수직 화소로 이루어지며, 여기서 좌측의 위쪽 화소는 수평 경계와 수직 경계 양자 모두에 공통되어 있다. 따라서, 타겟 블록에 대한 예측 화소를 생성하기 위해서는 32개의 상이한 화소가 이용 가능하다. 도 8이 예측될 8×8 블록을 도시하고 있지만, 이하의 설명은 상이한 구성에서 다양한 개수의 화소에 적용할 수 있도록 하기 위해 일반화되어 이루어진다. 예컨대, 예측될 블록은 4×4 어레이의 화소를 포함할 수 있다. 예측 블록은 또한 8×8 어레이의 화소, 16×16 어레이의 화소, 또는 더 큰 어레이의 화소를 포함할 수도 있다. 정사각형 어레이 및 직사각형 어레이 양자 모두를 포함하는 다른 화소 구성 또한 예측 블록을 구성할 수 있다.화소의 블록이 수평 및 수직 참조 화소를 이용하여 인트라-예측 부호화를 거치는 것으로 가정한다. 여기서, PO(i,j)는 타겟 블록의 원래 화소값(original pixel value)을 나타내고, PP(i,j)는 예측된 화소값을 나타내고, PR(i,j)는 잔차값을 나타내고, PQ(i,j)는 화소 P(i,j)에 대한 압축된 잔차값을 나타내고, PC(i,j)는 화소 P(i,j)에 대한 압축된 값을 나타내며, 이하의 수식은 이들의 관계를 정의한다:는 순방향 변환 커널(forward transform kernel)을 표현하는 N×N 행렬이다. 는 역방향 변환 커널(inverse transform kernel)을 표현하는 N×N 행렬이다. PT(1:N,1:N)은 비트스트림 내의 변환되고 양자화된 잔차 신호를 나타낸다. QF()는 양자화 연산을 나타내고, QI()는 역양자화 연산을 나타낸다.예측된 화소값 PP(i,j)은 참조 화소 로 수행되는 인트라-예측 모드에 의해 결정된다. H.264/AVC는 인트라 4×4 예측, 인트라 8×8 예측, 및 인트라 16×16 예측을 지원한다. 인트라 4×4 예측은 하나의 수직 예측 모드, 하나의 수평 예측 모드, 하나의 DC 예측 모드, 및 6개의 각도 예측 모드를 포함하는 9개의 예측 모드 하에서 수행된다. 인트라 8×8 예측은 인트라 4×4 예측에서 수행된 것과 같이 9개의 예측 모드 하에서 수행된다. 인트라 16×16 예측은 하나의 수직 예측 모드, 하나의 수평 예측 모드, 하나의 DC 예측 모드, 및 하나의 평면 예측 모드를 포함하는 4개의 예측 모드 하에서 수행된다. 예컨대, DC 예측 모드, 수직 예측 모드, 및 수평 예측 모드 하에서 구해진 예측된 화소값 PP(i,j)은 아래와 같이 정의된다:DC 예측 모드:수직 예측 모드:수평 예측 모드:최근에 Joint Collaborative Team on Video Coding(JCT-VC)에 제출된 제안 No. JCT-VC Al19가 본 명세서에 참조에 의해 원용되어 있다. 제안 No. JCT-VC Al19는 작은 평면 기울기(small planar gradient)로 점차적으로 변경되는 화소값을 예측하기 위해 선형 보간 연산 및 이중 선형 보간 연산(bi-linear interpolation operation)의 조합을 이용하는 저복잡도 평면 모드 연산을 제안한다. 제안된 평면 모드 프로세스는 도 9에 개략적으로 도시되어 있다. 프로세스는 예측될 블록에서의 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)을 식별하는 것으로 개시한다. 그리고나서, 블록의 하단 행(bottom low)의 예측된 화소값 PP(N,j)을 획득하기 위해 값 PP(N,N)과 참조 화소값 PC(N,0) 사이에서 선형 보간이 수행된다. 마찬가지로, 블록의 최우측 열(rightmost column)의 예측된 화소값 PP(i,N)을 획득하기 위해 값 PP(N,N)과 참조 화소값 PC(0,N) 사이에서 선형 보간이 수행된다. 그 후, 블록의 나머지 화소값 PP(i,j)을 획득하기 위해 예측된 화소값 PP(N,j) 및 PP(i,N)과 참조 화소값 PC(i,0) 및 PC(0,j) 사이에서 이중 선형 보간이 수행된다. 제안된 평면 모드 프로세스는 아래의 수식으로 표현될 수 있다:우측 열:하단 행:나머지 화소:JCT-VC Al19에서 제안된 평면 모드 프로세스에서는 해소될 두 가지 문제가 있다. 제안된 프로세스에서, 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)은 은 비트스트림으로 디코더에 시그널링되고, 디코더에서 타겟 블록을 디코드하기 위해 이용된다. 달리 말하면, 디코더는 제안된 평면 하에서 예측을 수행하기 위해 우측 하단 화소의 값을 필요로 한다. 또한, 제안된 프로세스에서, 잔차는 평면 모드 하에서는 얻어지지 않으므로 디코더에 시그널링되지 않는다. 잔차 시그널링의 생략은 전송될 인코딩된 비디오 데이터의 감소에 기여할 수 있지만, 평면 모드의 적용을 낮은 비트-레이트 비디오 부호화로 제한한다.본 발명에 따른 평면 모드는 JCT-VC Al19에서 제안된 평면 모드 프로세스에 연관된 전술한 문제를 해소하기 위해 설계된다. 본 발명의 실시예에 따라, 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)은 참조 화소로부터 구해진다. 따라서, 우측 하단 화소의 화소값 PP(N,N)을 디코더에 시그널링할 필요가 없다. 본 발명의 다른 실시예에서, 평면 모드 하에서 형성된 예측 블록은 잔차를 구하기 위해 이용되며, 이 잔차가 디코더에 시그널링하기 위해 변환 및 양자화된다. 중간(mid) 또는 하급(coarse) 양자화 파라미터를 이용한 종래의 이산 코사인 변환(DCT) 및 양자화의 적용은 평면 모드 하에서 획득된 잔차로부터 제로 AC 계수 및 논-제로 DC 계수를 산출하는 경향이 있다. 이를 방지하기 위해, 본 발명의 실시예는 평면 모드 하에서 획득된 잔차를 변환하기 위해 1차 변환 커널 대신 2차 변환 커널을 이용한다. 또한, 다른 실시예는 양자화 파라미터가 타겟 블록에서의 공간적 활동도(spatial activity)에 따라 적응적으로 변경되는 적응 양자화(adaptive quantization)를 평면 모드 하에서 수행한다.본 발명의 실시예에서, 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)은 참조 화소로부터 계산된다. 값 PP(N,N)은 다음의 3가지 방법 중의 하나에 따라 계산된다:방법 1:여기서, 연산자 "≫"는 라운딩(rounding)을 갖거나 갖지 않는 우측 시프트 연산(right-shift operation)을 나타낸다.방법 2:여기서, wh 및 wv는 PC(0,1:N) 및 PC(1:N,0)을 이용하여 결정된 가중치이다. 예컨대, wh 및 wv는 다음과 같이 계산된다:여기서, 연산자 "var()"는 변수를 산출하기 위한 연산자를 나타낸다.방법 3:여기서, 이고,이다. 는 산술 연산을 나타낸다. 본 발명의 실시예에서, 산술 연산은 로서 정의된다. 본 발명의 또 다른 실시예에서, 산술 연산은 간략하게 로서 정의된다. 본 발명에서는 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)이 디코더에 시그널링되지 않는다는 것에 유의하기 바란다. 그 대신, 디코더는 인코더에 의해 채용된 방법에 따라 값 PP(N,N)을 계산하며, 이 방법은 사전에 결정될 수도 있거나 또는 그 방법의 식별이 디코더에 시그널링될 수도 있다.도 10은 본 발명의 실시예에 따른 평면 모드 하에서 수행된 화소값을 예측하는 프로세스를 보여주는 개략도이며, 이 프로세스에서는 상기한 방법 1이 실시된다. 프로세스는 방법 1을 이용하여 블록 내의 우측 하단 화소의 값 PP(N,N)을 계산하는 것으로 개시한다. 값 PP(N,N)이 계산된 후, 블록의 하단 행의 예측된 화소값 PP(N,j)을 획득하기 위해 값 PP(N,N)과 참조 화소값 PC(N,0) 간에 선형 보간이 수행된다. 마찬가지로, 블록의 최우측 열의 예측된 화소값 PP(i,N)을 획득하기 위해 값 PP(N,N)과 참조 화소값 PC(0,N) 간에 선형 보간이 수행된다. 그 후, 블록의 나머지 화소값 PP(i,j)을 획득하기 위해 예측된 화소값 PP(N,j) 및 PP(i,N)과 참조 화소값 PC(i,0) 및 PC(0,j) 간에 이중 선형 보간이 수행된다. 이하의 수식 및 도 11에 의해 나타낸 바와 같이, 방법 1은 타겟 블록의 화소값 PP(i,j)을 예측하는 연산을 간략화할 수 있다:여기서, 이고,분수 정확도(fractional accuracy)가 요구되면, 이다.상기한 수식은 블록의 화소값 PP(i,j)을 계산하기 위해 값 N에 의한 제산(division)을 필요로 한다. 제산 연산은 다음과 같이 정수 연산방식(integer arithmetic)을 이용함으로써 방지될 수 있다:여기서, 이고,이다.정수 정확도가 충분하면, 화소값 PP(i,j)는 아래에 의해 표현될 수 있으며,여기서, 이고,이다.방법 1은 다음과 같이 수정될 수도 있다:여기서, 은 산술 연산을 나타낸다. 본 발명의 실시예에서, 산술 연산은 로서 정의된다. 본 발명의 또 다른 실시예에서, 산술 연산은 간략하게 로서 정의된다.방법 1은 다음과 같이 추가로 수정될 수 있다:여기서, 은 이하의 4개의 수식 중의 하나에 의해 정의될 수 있는 함수를 나타낸다:수식 1:수식 2:수식 3:수식 4:, 여기서 은 어레이 에 필터가 적용될 때의 x(N+i)의 필터링된 값이다. 본 발명의 실시예에서, 필터는 3-탭 필터 이어도 된다.상기 실시예들에서, 수직 및 수평 참조 화소 는 예측을 위해 모두 이용할 수 있다. 참조 화소는 타겟 블록이 슬라이스 또는 프레임의 경계에 위치되는 경우에는 이용 가능하지 않을 수도 있다. 수직 참조 화소 가 예측에 이용 가능하지 않고, 수평 참조 화소 가 이용 가능하면, 예측을 위한 수직 참조 화소를 생성하기 위해 어사인먼트(assignment) 가 수행된다. 수평 참조 화소 가 예측에 이용 가능하지 않고, 수직 참조 화소 가 이용 가능하면, 예측을 위한 수평 참조 화소를 생성하기 위해 어사인먼트 가 수행된다. 수직 참조 화소 또는 수평 참조 화소 중의 어느 것도 예측을 위해 이용 가능하지 않으면, 수직 및 수평 참조 화소를 생성하기 위해 어사인먼트 가 수행된다. 수식에서, Nb는 화소값을 표현하기 위해 사용된 비트 심도(bit-depth)를 나타낸다.본 발명의 실시예에서, 다른 예측 모드 하에서 생성된 예측 블록과 같이, 평면 모드 하에서 생성된 예측 블록은 잔차 PR(1:N,1:N)를 구하기 위해 이용되며, 이 잔차가 변환 모듈(405)에 의해 변환되고, 양자화기(406)에 의해 양자화된다. 변환되고 양자화된 잔차 PT(1:N,1:N)는 비트스트림으로 디코더에 시그널링된다. 또한, 변환되고 양자화된 잔차 PT(1:N,1:N)는 역변환 모듈(410) 및 역양자화기(411)에 의해 역으로 변환 및 양자화되어, 압축된 잔차 PQ(1:N,1:N)가 되며, 이 압축된 잔차가 후속의 타겟 블록을 예측하는데 사용하기 위해 프레임 메모리(403)에 저장된다.변환 및 양자화된 잔차 PT(1:N,1:N) 전체가 비트스트림으로 디코더에 시그널링될 수도 있다. 이와 달리, 잔차 중의 일부 PT(1:K,1:K) 만이 비트스트림으로 디코더에 시그널링될 수도 있다. K는 N보다 작으며(K＜N), 예컨대 1과 같이 사전에 정해진 값으로 설정된다. K의 값은 비스트림으로 디코더에 시그널링될 수도 있다. 디코더가 잔차 중의 일부 PT(1:K,1:K) 만을 수신하면, 디코더는 잔차의 일부분을 디코드하고, 잔차의 나머지 부분을 영(0)으로 설정한다. 잔차의 일부만이 디코더에 시그널링되지만, 후속 타겟 블록을 예측하는 목적을 위해 압축된 잔차 PQ(1:N,1:N)를 획득하기 위해 전체 잔차 PT(1:N,1:N)가 역으로 변환 및 양자화된다.또한, 본 발명의 또 다른 실시예에서, 양자화 파라미터는 평면 모드 하에서 생성된 잔차를 양자화하기 위해 적응적으로 변경된다. 평면 모드는 작은 평면 기울기로 점차적으로 변경되는 화소값을 갖는 부드러운 이미지를 갖는 블록에 적용된다. 이러한 부드러운 블록으로부터의 잔차는 중간 또는 하급 양자화 파라미터로 영(0)으로 양자화되는 경향이 있다. 양자화가 논-제로 계수를 산출하도록 하기 위해, 본 발명의 실시예에서, 양자화 파라미터는 평면 모드 하에서 생성된 잔차가 양자화될 때에는 더 미세한 양자화 파라미터로 스위칭된다. 평면 모드 하에서 생성된 잔차를 양자화하기 위해 사용되는 양자화 파라미터(QPPlanar)는 기본 양자화 파라미터(QPbaseP)로 정의될 수 있다. QPbaseP는 더 미세한 양자화 파라미터를 표현하는 사전 결정된 값으로 설정될 수 있다. QPbaseP가 디코더에 알려져 있지 않으면, 이 파라미터는 비트스트림으로 디코더에 시그널링될 수 있거나, 또는 보다 구체적으로 H.264/AVC에서 정의된 바와 같이 슬라이스 헤더 또는 화상 파라미터 세트로 시그널링 될 수 있다.본 발명의 실시예에서, QPPlanar는 단순히 QPbaseP(QPPlanar=QPbaseP)로 설정된다. QPPlanar는 QPbaseP와 QPN의 합(QPPlanar=QPbaseP+QPN)으로 정의될 수도 있으며, 여기서 QPN은 N의 값과 관련하여 QPN의 값을 나열하고 있는 탐색표를 이용하여 결정된다. QPPlanar는 이와 달리 QPPlanar= QPbaseP+QPdiff(N)으로서 정의될 수도 있다. QPdiff(N)은 값 N의 함수이며, 비트스트림으로 디코더에 시그널링되거나, 또는 보다 구체적으로는 H.264/AVC에서 정의된 바와 같이 슬라이스 헤더 또는 화상 파라미터 세트로 시그널링된다. 디코더는 자신의 비디오 코덱 체계에서 지원되는 값 N의 각각에 대한 비트스트림으로부터 QPdiff(N)을 결정한다.본 발명의 또 다른 실시예에서, 차동 양자화 파라미터(differential quantization parameter)(QPdelta)를 추가함으로써, QPbaseP는 QPbaseP= QPbaseP+QPdelta로서 수정된다. QPdelta는 공간적 활동도에 대해 적응적으로 QPbaseP를 조정하기 위해 블록 또는 블록의 그룹에서의 공간적 활동도로부터 결정된 양자화 파라미터이다. QPdelta는 비트스트림으로 디코더에 시그널링된다. QPdelta가 블록의 공간적 활동도로부터 결정되므로, 이 파라미터는 블록 내의 이미지 콘텐츠에 따라서는 영(0)이 될 수도 있으며, 평면 예측 모드를 위한 QPbaseP에 영향을 주지 않는다.또한, 본 발명의 다른 실시예에서, QPPlanar는 평면 모드 이외의 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 양자화하기 위해 이용되는 정상 양자화 파라미터 QPnormal로 결정된다. 이러한 실시예에서, QPPlanar는 아래의 다섯 가지 방식 중의 하나에 따라 결정된다:1. QPPlanar = QPnormal2. QPPlanar = QPnormal + QPN, 여기서 QPN은 N의 값에 관련하여 QPN의 값을 나열하고 있는 탐색표로부터 결정됨.3. QPPlanar = QPnormal + QPdiff(N), 여기서 QPdiff(N)은 값 N의 함수이고, 비트스트림으로 디코더에 시그널링됨.4. QPPlanar = QPnormal + QPdelta, 여기서 QPdelta는 QPnormal을 적응적으로 조정하기 위해 블록 또는 블록의 그룹에서의 공간적 활동도로부터 결정된 양자화 파라미터이며, 비트스트림으로 디코더에 시그널링됨.5. QPPlanar = QPnormal + QPN + QPdelta본 발명의 또 다른 실시예에서, 변환 모듈(405) 및 역변환 모듈(410)은, 1차 순방향 변환 및 역변환 커널( 및 ) 세트를 이용하는 대신, 평면 모드 하에서 생성된 잔차의 순방향 변환 및 역변환을 위해 2차 순방향 변환 및 역변환 커널( 및 ) 세트를 이용한다. 1차 변환 커널 세트는 평면 모드 이외의 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 변환하기 위해 이용되며, 고주파 에너지(high frequency energy)가 있는 블록에 적합하다. 한편, 평면 예측 모드에 놓이게 될 블록은 그 안에서 낮은 공간적 활동도를 가지며, 부드러운 이미지를 갖는 블록에 적합화된 변환 커널을 요구한다. 본 실시예에서, 변환 모듈(405) 및 역변환 모듈(410)은 도 12에 도시된 바와 같이 1차 변환 커널 세트와 2차 변환 커널 세트 간에 스위칭하며, 평면 모드 이외의 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 변환할 때에는 1차 변환 커널 세트를 이용하는 반면, 평면 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 변환할 때에는 2차 변환 커널 세트를 이용한다. 그러나, 2차 변환 커널 세트는 평면 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 변환하기 위해 이용되는 것으로 제한되지 않고, 평면 모드 이외의 예측 모드 하에서 생성된 잔차를 변환하기 위해 이용될 수도 있다는 것에 유의하기 바란다.2차 순방향 변환 커널() 세트는 이하의 옵션 중의 하나로부터 구해지는 픽스드 포인트 근사(fixed-point approximation)이어도 된다:옵션 1(타입-7 DST):옵션 2(타입-4 DST):옵션 3(타입-2 DST, 흔히 DCT로서 알려짐):옵션 4:2N×2N 크기의 변환 커널()이 비디오 코덱에 의해 지원되면, . 그렇지 않은 경우에는, . 따라서, 옵션 4에서, 비디오 코덱에서 지원되는 최저 및 최대 변환 크기가 4×4 및 32×32이면, 4×4 크기에 대한 2차 변환 커널 세트는 8×8 크기에 대한 1차 변환 커널 세트로부터 구해진다. 마찬가지로, 8×8 크기에 대한 2차 변환 커널 세트는 16×16 크기에 대한 1차 변환 커널 세트로부터 구해지고, 16×16 크기에 대한 2차 변환 커널 세트는 32×32 크기에 대한 1차 변환 커널 세트로부터 구해진다. 그러나, 지원되는 최대 크기가 32×32인 크기 제한으로 인해, 32×32 크기에 대한 2차 변환 커널 세트는 32×32 크기에 대한 1차 변환 커널 세트로부터 구해진다.계수 인자(scaling factor) ki는 를 충족하도록 정해질 수 있다. 계수 인자 ki는 H.264/AVC에서 이용되는 바와 같이 양자화 파라미터를 조정하기 위해 이용될 수도 있다. 2차 역변환 커널 세트는 순방향 변환 커널 를 이용하여 로부터 구해질 수 있으며, 여기서 IN은 N×N 크기의 항등 행렬을 나타낸다.1차 변환 커널 세트가 특성을 충족하면, 옵션 4에서 정의된 2차 변환 커널 세트가 바람직하다. 옵션 4는 2차 세트가 1차 세트로부터 구해질 수 있기 때문에 2차 변환 커널 세트가 1차 변환 커널 세트와 별도로 저장될 필요가 없다는 이점이 있다. 2N×2N 크기에 대한 1차 변환 커널() 세트가 타입-3 DCT의 근사이면, 상기한 특성이 충족되며, N×N 크기에 대한 2차 변환 커널() 세트가 타입-4 DST의 근사가 될 것이다. 1차 변환 커널 세트가 상기한 특성을 충족하지 못하면, 옵션 1에서 정의된 2차 변환 커널 세트가 바람직하다.평면 예측 모드는 2가지 방식 중의 하나로 선택될 수 있다. 첫 번째 방식에서는, 평면 예측 모드 하에서 생성된 예측 블록이 기타 예측 모드 하에서 생성된 예측 블록과 함께 부호화 효율에 대해 평가된다. 평면 모드 하에서 생성된 예측 블록이 예측 블록들 중에서 최상의 부호화 효율을 보이면, 평면 모드가 선택된다. 이와 달리, 부호화 효율에 대해 평면 모드가 단독으로 평가된다. 평면 예측 모드는 이미지가 부드럽고 그 평면 기울기가 작은 영역에 바람직하다. 따라서, 블록에서의 고주파 에너지의 양 및 블록의 에지를 따른 이미지 불연속성을 확인하기 위해 타겟 블록의 콘텐츠가 분석된다. 고주파 에너지의 양이 임계치 미만이고, 블록의 에지를 따라 커다란 불연속성이 발견되지 않으면, 평면 모드가 선택된다. 그렇지 않은 경우에는, 기타 예측 모드 하에서 생성된 예측 블록이 하나의 모드를 선택하기 위해 평가된다. 양쪽 모두의 경우에, 평면 예측 모드의 선택은 비트스트림으로 디코더에 시그널링된다.전술한 상세한 설명을 읽고 난 후의 당업자에는 의심의 여지없이 본 발명에 대한 많은 변경과 변형이 명백하게 될 것이며, 예시로서 보여주고 설명한 임의의 구체적인 실시예는 발명을 제한하려는 의도가 없다는 사실을 이해해야 한다. 따라서, 다양한 실시예들의 세부 구성에 대한 참조는 청구항들의 범위를 제한하려는 의도가 없으며, 그 자체로 본 발명의 본질적인 것으로서 간주되는 특징들을 원용할 뿐이다.	본 발명은, 제1 예측값이 각각의 수평 경계 화소의 값과 수직 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산되고, 제2 예측값이 각각의 수직 경계 화소의 값과 수평 경계 화소의 하나의 화소의 값 간의 선형 보간을 이용하여 계산되는, 저복잡도 평면 모드 부호화를 제공한다. 그리고나서, 제1 예측값과 제2 예측값은 예측 블록의 각각의 예측 화소값을 구하기 위해 평균이 구해진다. 예측 블록과 타겟 블록 간의 잔차가 디코더에 시그널링된다.
[ 발명의 명칭 ] 검사 방법, 리소그래피 장치, 마스크 및 기판INSPECTION METHOD, LITHOGRAPHIC APPARATUS, MASK AND SUBSTRATE [ 기술분야 ] 관련 출원의 교차 참조본 출원은 2013년 12월 17일에 출원된 미국 가특허출원 제 61/917,041 호 및 2014년 2월 27일에 출원된 미국 가출원 제 61/945,656 호에 관련되어 있고, 상기 가출원들은 전체적으로 본원에 참조로 관련되어 있다.본 발명은 예컨대 리소그래피 기술에 의해 디바이스를 제조하는 데에 사용할 수 있는 검사 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 리소그래피 장치는 기판 상에 통상적으로는 기판의 타겟 영역 상에 원하는 패턴을 부여하는 장치이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 경우, 마스크 또는 레티클(reticle)로도 지칭되는 패터닝 장치가 집적회로의 개개의 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟 영역(예컨대, 하나의 다이(die)의 일부분, 하나의 다이, 또는 여러 개의 다이를 포함) 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 위에의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 타겟 영역들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 타겟 영역 상에 패턴 전체를 한번에 노광함으로써 각각의 타겟 영역을 조사(照射)하는 소위 스테퍼(stepper), 및 소정의 방향("스캐닝"-방향)의 방사선 빔을 통해 패턴을 스캐닝하는 동시에, 이 방향과 평행한 방향(동일 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 스캐닝함으로써 각각의 타겟 영역을 조사하는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 장치로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.리소그래피 공정을 모니터링하기 위해서는, 패터닝된 기판의 하나 이상의 파라미터가 측정된다. 이러한 파라미터는 예컨대 패터닝된 기판 상에 또는 패터닝 기판에 형성된 연속층들 간의 오버레이 오차 및/또는 현상된 광감성 레지스트의 임계 선폭을 포함할 수 있다. 이러한 측정은 제품 기판 및/또는 전용의 계측 타겟에서 수행될 수 있다. 리소그래피 공정으로 형성된 미세 구조체의 측정을 행하기 위한 다양한 기술이 존재하며, 이들 기술은 주사 전자 현미경(scanning electron microscope) 및 다양한 다른 특수 기기를 사용하는 것을 포함한다. 특수 검사 기기의 신속한 비침투성 형태는, 방사선 빔을 기판의 표면 상의 타겟으로 향하게 하여 산란 또는 반사된 빔의 하나 이상의 특성을 측정하는 스캐터로미터(scatterometer)가 있다. 방사선 빔이 기판에 의해 반사되거나 산란되기 전과 후의 방사선 빔의 하나 이상의 특성을 비교함으로써, 기판의 특성을 결정할 수 있다. 이것은 예컨대 반사 빔을 이미 알고 있는 기판 특성과 관련된 이미 알고 있는 하나 이상의 측정치의 라이브러리에 저장된 데이터와 비교함으로써 행해질 수 있다. 2가지의 주요 유형의 스캐터로미터가 알려져 있다. 분광 스캐터로미터(spectroscopic scatterometer)는 광대역 방사선 빔을 기판 상으로 지향시키고 특히 좁은 각도 범위로 산란된 방사선의 스펙트럼(예컨대, 파장을 함수로 하는 세기)을 측정한다. 각도 분해 스캐터로미터(angularly resolved scatterometer)는 단색성 방사선 빔(monochromatic radiation beam)을 이용하고, 산란된 방사선의 세기를 각도를 함수로 하여 측정한다. [ 발명의 개요 ] EUV 리소그래피에서 초점 측정은 다른 초점 설정을 통해 기판 상의 초점 보정 마크의 변화에 근거할 수 있다. 미국 특허 출원 US 2009-0135398 에는, 마스크를 판독하는데에 사용될 수 있는 위상 격자 정렬 센서가 개시되어 있다. 그 문헌에 개시되어 있는 방법을 사용하여 판독되는 초정 보정 마크의 크기는 600 x 600 ㎛2 이다. EUV 리소그래피에서 초점을 측정하는 방법은 초점을 통한 마크 질(mark quality) 변화의 검출에 기반하며 도스(dose) 및 공정 변화에 매우 민감하다.초점 판독을 위해 스캐터로미터를 사용하기 위해, 타겟은 타겟 면적과 같은 고객 요건을 만족하기 위해 더 작아야 하며(예컨대,40 x 40 ㎛2), 계측 기구의 빔 폭 내의 라인 공간의 수는 10 주기 보다 많아야 한다. 스캐터로미터를 사용하는 초점 측정 방법은 임계 치수(CD) 및 타겟(예컨대, 기판 상의 주기적 구조체(격자))의 측벽각(SWA)의 측정에 근거할 수 있다.그러나, 여러 이유로, 이 회절 기반 계측 방법은 EUV 장치 제조 공정에도 잘 기능하지 않는다. 특히, EUV 레지스트 필름 두께는 193 nm 액침 리소그래피(∼100 nm)와 비교하여 상당히 낮으며(∼50 nm 이하), 그래서 EUV 기판으로부터 정확한 SWA 및/또는 CD 정보를 추출하는게 어렵게 된다.예컨대, EUV 시스템을 사용하여 노광되는 구조체에 회절 기반 계측을 사용할 수 있게 해주는 방법을 제공하는 것이 바람직하다.일 양태에 따르면, 리소그래피 공정과 관련한 초점 정보를 얻는 방법이 제공되는데, 이 방법은, 서로 번갈아 있는 제 1 구조체와 제 2 구조체를 포함하는 적어도 하나의 타겟을 제공하는 단계 - 제 2 구조체의 형태는 초점 의존적이어서, 제 2 구조체의 형태는 타겟을 형성하는데에 사용되는 패턴화된 빔의 초점에 의존하며, 제 1 구조체의 형태는 제 2 구조체의 초점 의존성과 동일한 초점 의존성을 갖지 않음 - ; 상기 타겟을 조명하는 단계; 및 상기 타겟에 의해 산란된 방사선을 검출하여, 그 타겟에 대해, 타겟의 전체적인 비대칭을 나타내는 비대칭 측정값을 얻는 단계를 포함하고, 비대칭 측정값은 타겟을 형성할 때의 상기 패턴화된 빔의 초점을 나타낸다. 일 양태에 따르면, 서로 번갈아 있는 제 1 구조체와 제 2 구조체를 포함하는 타겟을 형성하기 위해 빔을 패턴화하기 위한 패턴을 포함하는 마스크로서, 상기 마스크는, 상기 제 1 구조체를 형성하기 위한 제 1 구조체 피쳐(feature); 및 상기 제 2 구조체를 형성하기 위한 제 2 구조체 피쳐를 포함하고, 상기 제 2 구조체 피쳐는, 제 2 구조체의 형태가 초점 의존적이어서 제 2 구조체의 형태가 타겟을 형성할 때의 패턴화된 빔의 초점에 의존하도록 구성되어 있으며, 또한 제 1 구조체 피쳐는 제 1 구조체의 형태가 제 2 구조체의 초점 의존성과 동일한 초점 의존성을 갖지 않도록 구성되어 있다.일 양태에 따르면, 서로 번갈아 있는 제 1 구조체와 제 2 구조체를 갖는 타겟을 포함하는 기판이 제공되는 바, 상기 제 1 구조체 및 제 2 구조체 둘다는 저분해능 부분 구조체를 포함하고, 적어도 상기 제 2 구조체는 하나 이상의 고분해능 부분 구조체를 포함하며, 타겟에 있는 고분해능 부분 구조체의 수 및/또는 크기는 타겟을 형성하기 위해 사용되는 패턴화된 빔의 초점에 의해 결정된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 이제, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태를 단지 예시적으로 설명할 것이며, 도면에서 대응하는 참조 부호는 대응하는 부품을 나타낸다.도 1은 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하고 있다.도 2는 리소그래피 셀 또는 클러스터를 개략적으로 도시하고 있다.도 3은 제1 스캐터로미터를 개략적으로 도시하고 있다.도 4는 제2 스캐터로미터를 개략적으로 도시하고 있다.도 5는 스캐터로미터 측정으로부터 구조체를 재구성하기 위한 예시적인 공정을 나타낸다.도 6 은 스캐터로미터 측정으로부터 구조체를 재구성하기 위한 다른 예시적인 공정을 나타낸다.도 7a는 인터리브드(interleaved) 오버레이 타겟을 개략적으로 나타낸다. 도 7b는 회절 기반 초점(DBF) 측정 타겟을 개략적으로 나타낸다.도 7c는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 타겟을 개략적으로 나타낸다.도 7d는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 타겟을 개략적으로 나타낸다.도 8은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 대안적인 타겟 구성의 상세를 개략적으로 나타낸다.도 9는 다른 초점 설정에서 노광된 다수의 타겟을 개략적으로 나타낸다.도 10은 (a) 최선의 초점에서 노광된 그리고 (b) 어느 정도의 초점 흐림을 갖고 노광된 2개의 타겟의 상세 및 스캐터로미터가 결과적으로 검출할 근사를 개략적으로 나타낸다.도 11은 비대칭 또는 y 축 상의 무게 중심 및 x 축상의 초점을 나타내는 그래프로, 초점 부호 정보를 어떻게 얻는가를 도시하는 역할을 한다.도 12는 본 발명에 따른 초점 부호 정보를 추출하기 위한 2-타겟 배치를 나타낸다.도 13a 및 13b는 성분 신호를 포함하는 도 12 에 도시되어 있는 두 타겟에 대한 초점(x 축)에 대한 비대칭 신호 진폭(y 축)의 그래프를 나타내고, 도 13c 는 도 13a 및 13b 의 그래프의 차를 결정하는 것을 보여준다. 도 14a 및 14b는 제 2 패터닝 장치 또는 제 2 패터닝 장치 패턴에 대한 필요 없이, 2개의 개별적인 노광으로 제 1 세트의 구조 및 제 2 세트의 구조체를 발생시키는 방법을 도시한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1은 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하고 있다. 리소그래피 장치는 이하의 구성요소를 포함한다: 방사선 빔(B, 예컨대 UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 조절하도록 구성된 조명 시스템(조명기)(IL); 패터닝 장치(예컨대, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 또한 특정 파라미터에 따라 패터닝 장치(MA)를 정확히 위치시키도록 구성된 제1 위치 설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블)(MT); 기판(예컨대, 레지스트가 코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 특정 파라미터에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제2 위치 설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예컨대, 웨이퍼 테이블)(WT); 및 패터닝 장치(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여한 패턴을 기판(W)의 타겟 영역(C)(예컨대, 하나 이상의 다이를 포함하는) 상에 투영하도록 구성된 투영 시스템(예컨대, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS).조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위한 굴절식, 반사식, 자기식, 전자기식, 정전식, 다른 형태의 광학 요소, 또는 이들의 임의의 조합과 같은 다양한 형태의 광학 요소들을 포함할 수 있다.지지 구조체는 패터닝 장치의 배향, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예컨대 패터닝 장치가 진공 분위기에 유지되는지의 여부와 같은 기타 조건들에 좌우되는 방식으로 패터닝 장치를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 장치를 유지하기 위해 기계식, 진공식, 정전식, 또는 기타 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는 예컨대 필요에 따라 고정되거나 이동시킬 수 있는 프레임(frame) 또는 테이블일 수도 있다. 지지 구조체는 패터닝 장치가 예컨대 투영 시스템에 대하여 요구된 위치에 있도록 할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 장치"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.본 명세서에서 사용되는 "패터닝 장치"라는 용어는, 기판의 타겟 영역에 패턴을 생성하기 위하여 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하기 위해 사용될 수 있는 모든 디바이스를 지칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예컨대 그 패턴이 위상 반전 피처(phase-shifting feature) 또는 이른바 어시스트 피처(assist feature)를 포함하는 경우, 기판의 타겟 영역 내의 요구된 패턴과 정확하게 대응하지 않을 수도 있다는 것에 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적회로와 같은 타겟 영역 내에 생성되는 디바이스에서의 특정 기능층에 대응할 것이다.패터닝 장치는 투과형 또는 반사형 모두 가능하다. 패터닝 장치의 예로는 마스크, 프로그래머블 미러 어레이, 및 프로그래머블 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상 반전형 및 감쇠 위상 반전형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라 다양한 하이브리드 마스크 타입들을 포함한다. 프로그래머블 미러 어레이의 예는 소형 미러들의 매트릭스 배열을 채용하며, 그 각각의 미러들은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 경사지는 것이 가능하다. 경사진 미러들은 미러 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 이용되고 있는 노광 방사선에 대하여 적합하거나 또는 액침액(immersion liquid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인들에 대하여 적합한, 굴절형, 반사형, 반사 굴절형(catadioptric), 자기형, 전자기형, 및 정전형 광학 시스템, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 어떠한 타입의 투영 시스템도 포함하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서 사용되는 "투영 렌즈"라는 용어는 "투영 시스템"이라는 좀더 일반적인 용어의 동의어로 간주할 수 있다.본 명세서에서 설명한 바와 같이, 리소그래피 장치는 투과형의 것(예컨대, 투과형 마스크를 채용함)이다. 이와 달리, 리소그래피 장치는 반사형의 것(예컨대, 전술한 바와 같은 유형의 프로그래머블 미러 어레이를 채용하거나, 또는 반사형 마스크를 채용함)일 수도 있다.리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지) 이상의 테이블(예컨대, 2개 이상의 기판 테이블 및/또는 2개 이상의 패터닝 장치 테이블 및/또는 기판 테이블 및 기판을 유지하지 않는 테이블)을 갖는 타입의 것일 수도 있다. 이러한 "복수 스테이지" 기계에서는, 추가의 테이블을 병행하여 사용하거나, 또는 하나 이상의 테이블 상에서 예비 공정을 수행하면서 다른 하나 이상의 테이블을 노광용으로 사용하는 것이 가능하다.리소그래피 장치는 또한 기판의 적어도 일부분을 물과 같은 비교적 굴절률이 높은 액체로 덮어 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우도록 하는 유형의 것으로 될 수도 있다. 액침액은 예컨대 마스크와 투영 시스템 사이와 같은 리소그래피 장치 내의 다른 공간에도 가해질 수 있다. 액침 기술은 투영 시스템의 개구도(numerical aperture)를 증가시키기 위한 것으로 당해 기술 분야에 널리 공지되어 있다. 본 명세서에 사용된 바와 같은 "액침"이라는 용어는 기판과 같은 구조체를 반드시 액체에 침지하여야 하는 것을 의미하지는 않고, 노광하는 동안에 투영 시스템과 기판 사이에 액체를 위치시키는 것을 의미한다.도 1을 참조하면, 조명기(IL)는 방사 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수광한다. 예컨대, 방사 소스(SO)가 엑시머 레이저인 경우, 방사 소스(SO)와 리소그래피 장치는 별도의 구성요소일 수도 있다. 이러한 경우, 방사 소스(SO)는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선 빔은 예컨대 적합한 지향 미러 및/또는 빔 확장기(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)을 이용하여 방사 소스(SO)로부터 조명기(IL)로 전달된다. 다른 경우에, 예컨대 방사 소스(SO)가 수은 램프인 경우에, 이 방사 소스(SO)는 리소그래피 장치에 통합된 부품일 수도 있다. 방사 소스(SO) 및 조명기(IL)는 필요에 따라 채용되는 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사 시스템으로 지칭될 수도 있다.조명기(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포(angular intensity distribution)를 조정하도록 되어 있는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 조명기의 퓨필 평면(pupil plane) 내의 세기 분포의 적어도 외측 반경 및/또는 내측 반경 범위(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 조명기(IL)는 집속기(integrator)(IN) 및 집광기(condenser)(CO)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 조명기(IL)는 방사선 빔의 단면에서 요구된 균일성 및 세기 분포를 갖도록 방사선 빔을 조절하는데 사용될 수 있다.방사선 빔(B)은 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되는 패터닝 장치(예컨대, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 장치(MA)에 의해 패터닝된다. 패터닝 장치(MA)를 횡단한 후, 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하고, 투영 시스템(PS)은 방사선 빔을 기판(W)의 타겟 영역(C) 상에 집속시킨다. 제2 위치 설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예컨대, 간섭계 디바이스, 선형 인코더, 2-D 인코더 또는 용량형 센서)를 이용하여, 예컨대 상이한 타겟 영역(C)을 방사선 빔(B)의 경로 내에 위치시키도록 기판 테이블(WT)을 정확하게 이동시킬 수 있다. 마찬가지로, 제1 위치 설정기(PM) 및 다른 위치 센서(도 1에 명시되어 도시되어 있지는 않음)를 이용하여, 예컨대 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적 인출 후에 또는 스캔하는 동안에, 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 패터닝 장치(MA)를 정확히 위치시키는 것이 가능하다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은, 제1 위치 설정기(PM)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈(long-stroke module; 개략적 위치 설정) 및 숏-스트로크 모듈(short-stroke module; 미세 위치 설정)을 이용하여 실현될 것이다. 마찬가지로, 기판 테이블(WT)의 이동은 제2 위치 설정기(PW)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈 및 숏-스트로크 모듈을 이용하여 실현될 수 있다. 스테퍼의 경우(스캐너와 반대되는 것으로서의), 지지 구조체(MT)는 숏-스트로크 액추에이터에만 연결될 수도 있고, 또는 고정될 수도 있다. 패터닝 장치(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2) 및 패터닝 장치 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 전용의 타겟 영역에 위치하고 있지만, 이들 마크들은 타겟 영역 사이의 공간 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있다). 마찬가지로, 패터닝 장치(MA) 상에 하나보다 많은 다이가 제공되는 상황에서는, 패터닝 장치 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.도시된 장치는 다음 모드들 중 하나 이상의 모드로 사용될 수 있다:1. 스텝 모드에서는, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)을 기본적으로 정지 상태로 유지한 채로, 방사선 빔(B)에 부여한 패턴 전체를 한 번에 타겟 영역(C) 상에 투영한다(즉, 단일 정지 노광). 그리고나서, 상이한 타겟 영역(C)이 노광될 수 있도록 기판 테이블(WT)을 X 방향 및/또는 Y 방향으로 이동시킨다. 스텝 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기에 의해, 단일 정지 노광시에 이미징되는 타겟 영역(C)의 크기가 한정된다.2. 스캔 모드에서는, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)을 동기적으로 스캐닝하면서, 방사선 빔(B)에 부여한 패턴을 타겟 영역(C) 상에 투영한다(즉, 단일 동적 노광). 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대율(축소율) 및 상 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기에 의해 단일 동적 노광시의 타겟 영역의 폭(스캐닝되지 않는 방향에서의 폭)이 한정되는 한편, 스캐닝 동작의 길이에 의해 타겟 영역(C)의 높이(스캐닝 방향에서의 높이)가 결정된다.3. 또 다른 모드에서는, 프로그래머블 패터닝 장치를 유지한 채로 지지 구조체(MT)를 기본적으로 정지 상태로 하고, 또한 기판 테이블(WT)을 이동시키거나 스캐닝하면서, 방사선 빔에 부여한 패턴을 타겟 영역(C) 상에 투영한다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사 소스가 채용되며, 프로그래머블 패터닝 장치는 기판 테이블(WT)의 각각의 이동 후에 또는 스캔 동안의 연속적인 방사 펄스의 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급한 바와 같은 타입의 프로그래머블 미러 어레이와 같은 프로그래머블 패터닝 장치를 이용하는 마스크 없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.또한, 전술한 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 전혀 다른 사용 모드들이 채용될 수도 있다.도 2에 도시된 바와 같이, 리소그래피 장치(LA)는 리소셀(lithocell) 또는 클러스터(cluster)로도 지칭되는 리소그래픽 셀(LC)의 일부를 형성하며, 리소그래피 셀은 또한 기판에 대해 노광전 공정(pre-exposure process) 및 노광후 공정(post-exposure process)을 수행하기 위한 장치를 포함한다. 통상적으로, 이러한 장치는 레지스트층을 증착하는 하나 이상의 스핀 코터(spin coater)(SC), 노광된 레지스트를 현상하는 하나 이상의 현상기(DE), 하나 이상의 칠 플레이트(chill plate, CH), 및/또는 하나 이상의 베이크 플레이트(bake plate, BK)를 포함한다. 기판 핸들러 또는 로봇(RO)이 입력/출력 포트(I/O1, I/O2)로부터 기판을 픽업하여, 이를 상이한 공정 장치 간에 이동시키며, 그 후 리소그래피 장치의 로딩 베이(loading bay, LB)에 전달한다. 통칭하여 트랙으로도 지칭되는 이들 장치는 감독 제어 시스템(supervisory control system, SCS)에 의해 제어되는 트랙 제어 유닛(TCU)의 제어 하에 있게 되며, 감독 제어 시스템은 또한 리소그래피 제어 유닛(LACU)을 통해 리소그래피 장치를 제어한다. 그러므로, 처리량 및 처리 효율을 최대화하기 위해 상이한 장치가 작동될 수 있다.리소그래피 장치에 의해 노광되는 기판이 정확하고 일정하게 노광되도록 하기 위해, 후속 층들 간의 오버레이 오차, 라인 두께, 임계 치수(CD) 등과 같은 특성을 측정하기 위해 노광된 기판을 검사하는 것이 바람직하다. 에러가 검출되는 경우, 특히 동일 배치(batch)의 하나 이상의 다른 기판이 여전히 노광되도록 하기에 충분한 정도로 빠르고 신속하게 검사가 수행될 수 있으면, 후속 기판의 노광에 대한 조정이 이루어질 수 있다. 또한, 이미 노광된 기판이 예컨대 수율을 향상시키기 위해 벗겨지거나 재작업될 수 있으며, 아니면 폐기함으로써 오류가 있는 것으로 알려진 기판에 대해 노광을 수행하는 것을 방지한다. 기판의 일부 타겟 영역만이 오류가 있는 경우, 양호한 상태의 타겟 영역에만 추가의 노광이 수행될 수 있다.기판의 특성, 구체적으로 상이한 기판의 특성 또는 동일 기판의 상이한 층의 하나 이상의 특성이 층 간에 어떻게 변화하는지를 판정하기 위해 검사 장치가 사용된다. 검사 장치는 리소그래픽 장치(LA) 또는 리소셀(LC)에 통합될 수도 있고, 또는 독립형 장치일 수도 있다. 가장 신속한 측정을 가능하게 하기 위해, 검사 장치는 노광 직후에 노광된 레지스트층에서의 특성을 측정하는 것이 바람직하다. 그러나, 레지스트 내의 잠상(latent image)은 매우 낮은 컨트래스트를 가지며, 이로써 방사선에 노광된 레지스트의 부분과 방사선에 노광되지 않은 부분 간의 굴절율차가 매우 작게 되며, 모든 검사 장치가 잠상의 유용한 측정을 행하기에 충분한 감도를 갖는 것은 아니다. 따라서, 통상적으로 노광된 기판에 대해 수행되는 첫 번째 단계이고, 레지스트의 노광된 부분과 노광되지 않은 부분 간의 컨트래스트를 증가시키는 단계인, 노광후 베이크 단계(post-exposure bake step, PEB) 후에 측정이 이루어질 것이다. 이 스테이지에서, 레지스트 내의 이미지는 반잠상(semi-latent)으로 지칭될 수 있다. 또한, 레지스트의 노광된 부분 또는 노광되지 않은 부분 중의 하나를 제거한 지점에서, 또는 에칭과 같은 패턴 전사 단계 후에, 현상된 레지스트 이미지의 측정을 행하는 것도 가능하다. 후자의 가능성은 오류가 있는 기판의 재작업에 대한 가능성은 제한하지만, 유용한 정보를 제공할 수 있다.도 3은 본 발명의 실시예에 사용될 수 있는 스캐터로미터를 도시한다. 이 스캐터로미터는 방사선을 기판(W) 상에 투영하는 광대역(백색광) 방사선 투영기(2)를 포함한다. 반사된 방사선은 분광계 검출기(4)에 통과되며, 분광계 검출기(4)는 정반사 방사선의 스펙트럼(10)(파장을 함수로 하는 세기)을 측정한다. 이 데이터로부터, 검출된 스펙트럼을 발생하는 프로파일 또는 구조체가 처리 유닛(PU)에 의해, 예컨대 RCWA(Rigorous Coupled Wave Analysis) 및 비선형 회귀(non-linear regression)에 의해 또는 도 3의 하단에 도시된 바와 같이 시뮬레이션된 스펙트럼의 라이브러리와의 비교에 의해 재구성될 수 있다. 일반적으로, 재구성을 위해, 일반적인 형태의 구조체가 알려져 있으며, 일부 파라미터는 이 구조체를 구성하는 공정에 대한 정보로부터 가정되어, 이 구조의 소수의 파라미터만이 스캐터로메트리 데이터로부터 결정되도록 된다. 이러한 스캐터로미터는 수직 입사 스캐터로미터 또는 경사 입사 스캐터로미터로서 구성될 수 있다.사용될 수 있는 다른 스캐터로미터가 도 4에 도시되어 있다. 이 장치에서, 방사선 소스(2)에 의해 방출된 방사선은 렌즈 시스템(12)을 이용하여 평행하게 되고 간섭 필터(13) 및 편광기(polarizer)(17)를 투과하고 부분 반사 표면(16)에 의해 반사되고, 높은 개구도(NA)(바람직하게는, 적어도 0.9 또는 적어도 0.95를 갖는 마이크로스코프 대물 렌즈(15)를 통해 기판(W) 상에 초점된다. 액침 스캐터로미터는 1이 넘는 개구도를 갖는 렌즈를 포함하는 경우도 있다. 반사된 방사선은 그 후 부분 반사 표면(16)에서 검출기(18)로 투과되어 산란 스펙트럼(scatter spectrum)이 검출된다. 검출기는 렌즈 시스템(15)의 초점 거리에 있는 배면 투영 퓨필 평면(back-projected pupil plane)(11)에 위치될 수 있지만, 퓨필 평면은 이와 달리 보조 광학장치(도시하지 않음)를 이용하여 검출기 상에 재이미징(re-image)될 수 있다. 퓨필 평면은, 방사선의 방사 위치(radial position)가 입사각을 정하고, 각도 위치(angular position)가 방사선의 방위각을 정하는, 평면이다. 검출기는 바람직하게는 기판 타겟(30)의 2차원 각도 산란 스펙트럼이 측정될 수 있도록 2차원 검출기이다. 검출기(18)는 예컨대 CCD 또는 CMOS 센서의 어레이일 수 있으며, 예컨대 프레임당 40 ms의 노출 시간(integration time)을 이용할 수 있다.예컨대 입사 방사선의 세기를 측정하기 위해 기준 빔이 이용되는 경우가 있다. 이를 위해, 방사선 빔이 빔 스플리터(16)에 입사될 때, 방사선 빔의 일부가 빔 스플리터를 투과하여 기준 빔으로서 기준 미러(14)를 향하게 된다. 기준 빔은 그 후 동일한 검출기(18)의 상이한 부분 상에 투영되거나 또는 대안적으로 다른 검출기(미도시) 상에 투영된다. 405∼790 nm 또는 그 미만의 범위, 예컨대 200∼300 nm의 대상 파장을 선택하기 위해 간섭 필터(13)의 세트가 이용될 수 있다. 간섭 필터는 상이한 필터의 세트를 포함하기보다는 조정 가능하게 될 수도 있다. 간섭 필터 대신 격자(grating)가 이용될 수 있다.검출기(18)는 단일 파장(또는 좁은 파장 범위)에서의 산란된 방사선의 세기를 측정할 수도 있고, 여러 파장에서의 각각의 세기를 측정할 수도 있으며, 또는 일정 파장 범위에 걸쳐 통합된 세기를 측정할 수도 있다. 또한, 검출기는 횡자기 편광된 광(transverse magnetic-polarized light) 및 횡전기 편광된 방사선(transverse electric-polarized radiation)의 세기, 및/또는 횡자기 편광된 광과 횡전기 편광된 방사선 간의 위상차를 별도로 측정할 수 있다.광대역 방사선 소스(즉, 넓은 범위의 방사선 주파수 또는 파장을 가지며 또는 그에 따라 넓은 범위의 컬러를 갖는 광원)를 이용하는 것이 가능하여, 커다란 에텐듀(large etendue)를 제공함으로써 복수의 파장들의 믹싱을 가능하게 한다. 광대역에서의 복수의 파장은 바람직하게는 각각 Δλ의 대역폭 및 적어도 2Δλ(즉, 대역폭의 2배)의 간격을 갖는다. 방사선의 여러 개의 "소스"는 섬유 다발을 이용하여 분할된 연장된 방사선 소스의 상이한 부분들일 수도 있다. 이러한 방식으로, 각도 분해 산란 스펙트럼은 복수의 파장에서 병렬로 측정될 수 있다. 3-D 스펙트럼(파장 및 2개의 상이한 각도)이 측정될 수 있으며, 이 3-D 스펙트럼은 2-D 스펙트럼보다 더 많은 정보를 담고 있다. 이것은 더 많은 정보가 측정될 수 있도록 하여, 계측 공정 견고성(metrology process robustness)을 증가시킨다. 이것은 유럽 특허 유럽 특허 출원 공보 EP1628164에 더욱 상세하게 설명되어 있고, 이는 본원에 참조로 관련되어 있다.기판(W) 상의 타겟(30)은 현상 후에 바(bar)가 실선의 레지스트 라인으로 형성되도록 인쇄되는 1-D 격자일 수도 있다. 타겟(30)은 2-D 격자일 수 있고, 이 격자는 현상 후에 고체 레지스트 필러 또는 레지스트내의 비아(via)로 형성되도록 인쇄된다. 이와 달리, 바, 필러 또는 비아는 기판 내로 에칭될 수도 있다. 이 패턴은 리소그래피 투영 장치, 구체적으로 투영 시스템(PS), 및 조명 시스템에서의 색수차(chromatic aberration)에 감응하며, 이러한 수차의 존재 및 조명 대칭성은 인쇄된 격자에서의 변형(variation)으로 나타나게 될 것이다. 이에 따라, 인쇄된 격자의 스캐터로메트리 데이터가 격자를 재구성하는데 이용된다. 인쇄 단계 및/또는 다른 스캐터로메트리 공정에 대한 정보로부터, 라인 폭 및 라인 형상 또는 2-D 격자의 파라미터(예컨대, 필러 또는 비아 폭 또는 길이 또는 형상)과 같은 1-D 격자의 파라미터가 처리 유닛(PU)에 의해 수행되는 재구성 공정에 입력될 수 있다.전술한 바와 같이, 타겟은 기판의 표면 상에 있다. 이 타겟은 종종 2-D 어레이로 있는 격자 또는 실질적으로 직사각형 구조체 있는 일련의 선의 형상으로 되어 있다. 계측에서 엄격한 광학 회절 이론의 목적은, 타겟에서 반사되는 회절 스펙트럼을 정확하게 계산하는 것이다. 다시 말해, CD(임계 치수) 균일성 및 오버레이 게측을 위해 타겟 형상 정보가 얻어진다. 오버레이 계측은 기판 상의 두 층이 정렬되어 있는지의 여부를 판단하기 위해 두 타겟의 오버레이를 측정하는 측정법이다. CD 균일성은 리소그래피 장치의 노광 시스템이 어떻게 기능하고 있는지를 판단하기 위해 스펙트럼에서 격자의 균일성의 측정값이다. 구체적으로, CD 또는 임계 치수는 기판 상에 "쓰여지는" 대상물의 폭인데, 이 폭은 리소그래피 장치가 물리적으로 기판 상에서 쓸 수 있는 한계이다. 타겟(30) 및 그의 회절 특성과 같은 타겟 구조의 모델과 함께 전술한 스캐터로미터를 사용하여, 구조체의 형상 및 기타 파라미터의 측정이 많은 방식으로 수행된다. 도 5 에 나타나 있는 제 1 유형의 과정에서, 타겟 형상의 제 1 추정에 근거한 회절 패턴(제 1 후보 구조체)이 계산되고, 관찰된 회절 패턴과 비교된다. 그리고 모델의 파라미터는 체계적으로 변하고 일련의 반복으로 재계산되어, 새로운 후보 구조체가 발생되고 최선의 피트(fit)에 도달하게 된다. 도 6 에 나타나 있는 제 2 유형의 과정에서, 많은 다른 후보 구조체에 대해 회절 스펙트럼이 미리 계산되어 회절 스텍트럼의 "라이브러리"를 생성한다. 그리고, 측정 타겟으로부터 관찰된 회절 패턴이 계산된 스펙트럼의 라이브러리와 비교되어 상기 최선의 피트를 찾는다. 양 방법은 함께 사용될 수 있는데, 대강의 피트가 라이브러리로부터 얻어질 수 있고, 다음에 반복적인 과정을 통해 최선의 피트를 찾게 된다.도 5 를 더 상세히 참조하여, 타겟 형상 및/또는 재료 특성의 측정이 수행될 방법을 요약하여 설명할 것이다. 이 설명을 위해 타겟은 단지 한 방향으로만 반복적이다라고(1-D 구조체) 가정할 것이다. 실제로는, 2 또는 3 방향으로 주기적일 수 있고(2 또는 3 차원 구조체), 처리는 이에 따라 적합하게 될 것이다.단계 502 에서, 전술한 바와 같은 스캐터로미터를 사용하여, 기판 상에 있는 실제 타겟의 회절 패턴이 측정된다. 이 측정된 회절 패턴은 컴퓨터와 같은 계산 시스템에 보내진다. 계산 시스템은 위에서 언급한 처리 유닛(PU)이거나 별도의 장치일 수 있다.단계 503 에서, 다수의 파라미터 pi(p1, p2, p3 등) 면에서 타겟 구조체의 파라미터화된 모델을 규정하는 "모델 레시피"가 정립된다. 이들 파라미터는 예컨대 1D 주기적 구조체에서, 측벽의 각도, 피쳐의 높이 또는 깊이, 및/또는 피쳐의 폭을 나타낼 수 있다. 타겟 재료 및 하나 이상의 하부 층의 하나 이상의 특성이 또한 굴절률(스캐터로미터 방사선 빔에 존재하는 특정 파장에서의 굴절률)과 같은 파라미터로 나타난다. 특정한 예가 아래에 주어질 것이다. 중요하게는, 타겟의 구조체가 그의 형상과 재료 특성을 나타내는 수십개의 파라미터로 규정되지만, 모델 레시피는 일정한 값을 갖는 이들 중 많은 것을 규정할 것이고, 다른 것은 다음의 처리 단계를 위해 가변적인 또는 "플로팅" 파라미터이다. 고정된 파라미터와 플로팅 파라미터 사이의 선택하는 과정을 이하 설명한다. 더욱이, 파라미터가 완전히 독립적인 플로팅 파라미터인 것은 아니면서 변할 수 있는 방법을 소개할 것이다. 도 5 의 설명을 위해, 가변 파라미터만 pi로서 고려한다.단계 504 에서, 플로팅 파라미터(즉, p1(0), p2(0), p3(0) 등)를 위한 초기 값 pi(0)을 설정하여 모델 타겟 형상을 추정한다. 각 플로팅 파라미터는 레시피에 규정되어 있는 바와 같이 어떤 미리 결정된 범위 내에서 생성될 것이다. 단계 506 에서, 모델의 다른 요소의 하나 이상의 광학적 특성과 함께, 추정된 형상을 나타내는 파라미터를 사용하여, 예컨대, RCWA와 같은 엄격한 광학적 회절 방법 또는 막스웰 방정식의 다른 해법 수단을 사용하여 하나 이상의 산란 특성을 계산한다. 이리하여, 추정된 타겟 형상의 추정된 또는 모델 회절 패턴이 얻어진다.단계 508 및 510 에서, 측정된 회절 패턴 및 모델 회절 패턴이 비교되고, 그것들의 유사도 및/또는 차이를 사용하여 모델 타겟 형상에 대한 "메릿(merit) 함수"를 계산한다. 단계 512 에서, 상기 메릿 함수는 모델이 실제 타겟 형상을 정확히 나타내기 전에 개선될 필요가 있음을 나타낸다고 가정하면, 하나 이상의 새로운 파라미터 p1(1), p2(1), p3(1) 등이 추정되어 단계 506 에 반복적으로 피드백된다. 단계 506 ∼ 512가 반복된다. 조사를 보조하기 위해, 단계 506 에서의 계산에서, 파라미터 공간 내의 이 특정한 영역에서 메릿 함수의 편도함수가 더 생성될 수 있는데, 이 편도함수는, 파라미터의 증가 또는 감소에 따라 메릿 함수가 증가 또는 감소되는 민감도를 나타낸다. 메릿 함수의 계산 및 도함수의 사용은 일반적으로 당업계에 잘 알려져 있기 때문에 여기서 상세히 설명하지 않을 것이다.단계 514 에서, 메릿 함수가 이 반복적인 과정이 원하는 정확도의 해에 수렴한 것을 나타내면, 현재 추정된 하나 이상의 파라미터가 실제 타겟 구조체의 측정값으로서 보고된다.이 반복적인 과정의 계산 시간은 주로, 사용되는 포워드 회절 모델, 즉 엄격한 광학적 회절 이론을 사용하는 추정된 모델 회절 패턴에 의해, 추정된 타겟 구조체로부터 결정된다. 더 많은 파라미터가 필요한 경우, 더 많은 자유도가 있다. 원리적으로 계산 시간은 자유도의 거듭제곱에 따라 증가한다. 단계 506 에서 계산된 추정된 또는 모델 회절 패턴은 다양한 형태로 표현될 수 있다. 계산된 패턴이 단계 502 에서 생성된 측정된 패턴과 동일한 형태로 표현되면 비교가 간단하게 된다. 예컨대, 모델링된 스펙트럼은 도 3 의 장치로 측정된 스펙트럼과 쉽게 비교될 수 있는데, 모델링된 퓨필(pupil) 패턴은 도 4 의 장치로 측정된 퓨필 패턴과 쉽게 비교될 수 있다.도 5 부터 시작되는 이 설명 전체에 걸쳐, 용어 "회절 패턴"은 도 4 의 스캐터로미터가 사용된다는 가정에서 사용될 것이다. 당업자라면 교시를 다른 종류의 스캐터로미터, 또는 심지어는 다른 종류의 측정 기구에도 쉽게 적합하게 할 수 있을 것이다.도 6 은 서로 다른 추정된 타겟 형상(후보 구조체)에 대한 복수의 모델 회절 패턴이 사전에 계산되어 실제 측정값과의 비교를 위해 저장되는 다른 예의 과정을 도시한다. 기본적인 원리와 용어는 도 5 의 과정에서와 동일하다. 도 6 의 단계들은 다음과 같다.단계 602 에서, 라이브러리를 생성하는 과정이 시작된다. 각 종류의 타겟 구조체를 위해 개별적인 라이브러리가 생성될 수 있다. 라이브러리는 필요에 따라 측정 장치의 사용자에 의해 생성될 수 있고 또는 장치의 공급업자에 의해 사전에 생성될 수 있다.단계 603 에서, 다수의 파라미터 pi(p1, p2, p3 등) 면에서 타겟 구조체의 파라미터화된 모델을 규정하는 "모델 레시피"가 정립된다. 고려 사항은 반복적인 과정의 단계 503 에서와 것과 유사하다.단계 604 에서, 제 1 세트의 파라미터(p1(0), p2(0), p3(0) 등)가, 예컨대 각 파라미터의 무작위한 값을 생성하여 생성되며, 각각은 값의 예상 범위 내에 있다.단계 606 에서, 모델 회절 패턴이 계산되어 라이브러리에 저장되고, 이 패턴은 하나 이상의 파라미터으로 나타내지는 타겟 형상으로부터 기대되는 회절 패턴을 나타낸다.단계 608 에서, 새로운 세트의 형상 파라미터(p1(1), p2(1), p3(1) 등)가 생성된다. 저장되어 있는 모델링된 모든 회절 패턴을 포함하는 라이브러리가 충분히 완전히 판단될 때까지 단계 606 ∼ 608이 수십회, 수백회 또는 심지어 수천회 반복된다. 저장되어 있는 각 패턴은 다차원 파라미터 공간 내의 샘플점을 나타낸다. 라이브러리 내의 샘플은, 어떤 실제 회절 패턴이라도 충분히 가깝게 나타내질 충분한 밀도로 샘플 공간에 있어야 한다. 단계 610 에서, 라이브러리가 생성된 후에(전일 수 있지만), 실제 타겟(30)은 스캐터로미터에 배치되고 그의 회절 패턴이 측정된다.단계 612 에서, 측정된 패턴은 라이브러리에 저장되어 있는 하나 이상의 모델링된 패턴과 비교되어, 최선의 부합 패턴이 찾아진다. 비교는 라이브러리에 있는 모든 샘플과 이루어지거나 또는 더 체계적인 조사 전략이 사용되어, 계산 부담이 감소된다. 단계 614 에서, 부합이 찾아지면, 부합하는 라이브러리 패턴을 생성시키는데에 사용되는 추정된 타겟 형상은 근사적인 대상 구조체인 것으로 결정될 수 있다. 부합 샘플에 대응하는 하나 이상의 형상 파라미터는 하나 이상의 측정된 형상 파라미터로서 출력된다. 부합 과정은 모델 회절 신호에서 직접 수행될 수 있고 또는 빠른 계산을 위해 최적화된 대체 모델에서 수행될 수 있다.단계 616 에서, 선택적으로, 가장 가까운 부합 샘플이 출발점으로서 사용되고, 세련화 과정이 사용되어, 보고를 위한 하나 이상의 최종 파라미터가 얻어진다. 이 세련화 과정은 예컨대 도 5 에 나타나 있는 것과 유사한 반복적인 과정을 포함할 수 있다.세련화 단계 616 를 사용할지 안 할지는 실시자에게 선택적 사항이다. 라이브러리가 매우 조밀하게 샘플링되면, 양호한 부합이 항상 찾아질 수 있기 때문에, 반복적인 세련화 과정은 필요치 않을 수 있다. 한편, 그러한 라이브러리는 실제 사용에는 너무 클 수 있다. 따라서, 실용적인 해결 방안은, 조대한 세트의 파라미터를 위한 라이브러리 검색을 사용하고 그 다음에 메릿 함수를 사용하여 하나 이상의 반복을 수행하여 원하는 정확도를 갖는 타겟 기판의 파라미터 세트를 보고하기 위해 더 정확한 세트의 파라미터를 결정하는 것이다. 추가적인 반복이 수행되는 경우, 계산된 회절 패턴 및 관련된 세련화된 패턴 세트를 라이브러리에 새로운 엔트리로서 추가하는 것은 선택적인 사항이다. 이렇게 해서, 비교적 작은 양의 계산 노력에 근거하지만 세련화 단계 616 의 계산 수고를 사용하여 더 큰 라이브러리로 되는 라이브러리가 처음에 사용될 수 있다. 어떤 구조체가 사용되든지 간에, 보고되는 가변 파라미터 중 하나 이상의 값의 추가 세련화가 복수의 후보 구조체의 양호한 부합에 근거하여 얻어질 수도 있다. 예컨대, 후보 구조체 중의 2개 또는 모두가 높은 부합 점수를 갖는다고 가정하면, 최종적으로 보고되는 파라미터 세트는 둘 이상의 후보 구조체의 파라미터 사이의 보간으로 생성될 수 있다.이 반복적인 과정의 계산 시간은 주로 단계 506 및 606에서의 포워드 회절 모델, 즉 엄격한 광학적 회절 이론을 사용하는 추정된 모델 회절 패턴에 의해, 추정된 타겟 구조체로부터 결정된다.리소그래피를 사용하여 만들어지는 피쳐의 치수는 더 작아지기 때문에, 리소그래피는 소형 IC 또는 다른 디바이스 및/또는 구조체가 제조될 수 있게 해주는 더 중요한 요인이 되고 있다. 패턴 인쇄의 한계에 대한 이론적인 추정치는 아래의 식 (1)으로 나타나 있는 레일라이 판단 기준으로 주어질 수 있다: (1)여기서, λ는 사용되는 방사선의 파장이고, NA는 패턴을 인쇄하기 위해 사용되는 투영 시스템의 개구도이고, k1은 공정 의존적인 조정 계수(레일라이 상수라고도 함)이고 CD는 인쇄된 피쳐의 피쳐 크기(또는 임계 치수)이다. 상기 식(1)으로부터 알 수 있는 바와 같이, 피쳐의 최소 인쇄가능 크기의 감소가 3가지 방법으로, 즉 노광 파장 λ를 짧게 하거나, 개구도 NA를 증가시키거나 또는 k1 값을 감소시켜 이루어질 수 있다. 노광 파장을 짧게 해서 최소 인쇄가능 크기를 줄이기 위해, 극자외(EUV) 방사선을 사용하는 것이 제안되어 있다. EUV 방사선은 5 ∼ 20 nm, 예컨대 13 ∼ 14 nm 범위의 파장을 갖는 전자기 방사선이다. 또한, 예컨대 6.7 nm 또는 6.8 nm 와 같은 5 ∼ 10 nm 범위 내에 있는, 10 nm 미만의 파장을 갖는 EUV 방사선을 사용할 수 있는 것이 제안되었다. 이러한 방사선은 극자외 방사선 또는 소프트 x 레이 방사선이라고 한다. 가능한 소스는 예컨대 레이저 발생 플라즈마 소스, 방전 플라즈마 소스, 또는 전자 저장 링에 의해 제공되는 신크로트론 방사선에 근거한 소스를 포함한다. EUV 시스템에서 회절 기반 계측을 사용할 수 있는 일 가능한 방법은, 위상 변이 패터닝 장치를 사용하는 것이다. 이러한 위상 변이 페터닝 장치는, 방사선이 빔이 축선에서 벗어나 편향되도록 다시 보내지는 빔에서 위상 변이를 일으키는 트렌치(trench)(또는 다른 위상 변이 피쳐)를 포함한다. 위상 변이도(및 편향도)는 초점 흐림도에 달려 있다. 결과적인 타겟은, 트렌치를 갖지 않는 패터닝 장치 피쳐를 통해 인쇄되고 그래서 초점에 독립적인 기판 상의 위치에서 인쇄되는 제 1 구조체, 및 트렌치를 갖는 패터닝 장치 피쳐를 통해 인쇄되고 그래서 초점에 의존적인 기판 상의 위치에서 인쇄되는 제 2 구조체를 포함할 수 있다. 이렇게 해서, 제 2 구조체의 위치(제 1 구조체를 기준으로)는 초점 의존적이다. 그러나, 이러한 구성은 바람직하지 않을 수 있는데, 패터닝 장치를 제조하는 것이 복잡하고 어렵기 때문이다. 본원에서 제안되는 측정 방법은 더블 패터닝 오버레이 측정과 함께 사용되는 엇갈린 스캐터로미터 오버레이 타겟의 수정 버젼을 이용한다. 수정된 타겟은 이 엇갈린 오버레이 타겟과 전술한 초점 보정 마크를 조합한 것이다.도 7a 는 엇갈린 스캐터로미터 오버레이 타겟(700)을 나타내는데, 이 타겟은 서로 번갈아 있는 제 1 구조체(705)와 제 2 구조체(710)를 포함한다. 제 1 구조체(705)와 제 2 구조체(710)는 의도적으로 초점 의존적인 것은 아니다. 구체적으로, 이 실시예에서, 제 1 및 2 구조체(705, 710)의 인쇄된 선 비대칭은 초점에 민감하지 않다. 물론, 피쳐의 형성시에 어느 정도의 초점 의존성은 항상 있을 것인데(예컨대, 피쳐의 프로파일은 초점에 따라 변할 것이다), 바로 이 때문에, 초점 제어가 리소그래피 공정에서 중요한 것이다.도 7b 는 회절 기반 초점(DBF) 측정을 위해 구성되어 있는 DBF 타겟(715)을 도시한다. 이 타겟은 복수의 DBF 구조체(720)를 포함하는데, 각 구조체는 고분해능 부분 구조체(725)를 포함한다. 베이스 피치 위에 있는 고분해능 부분 구조체(725)는 각각의 DBF 구조체(720)를 위한 비대칭 레지스트 프로파일을 생성하며, 비대칭도는 초점에 의존적이다. 따라서, 계측 기구는 그러한 DBF 타겟(715)으로 비대칭도를 측정할 수 있고 이를 스캐너 초점으로 변환시킨다.DBF 타겟(715)이 회절 기반 초점 측정을 가능하게 해주지만, 모든 경우에 사용되기에는 적합하지 않을 수 있다. EUV 레지스트 필름 두께는 액침 리소그래피에서 사용되는 것 보다 상당히 작은데, 이 때문에, 타겟의 일 부분을 형성하는 구조체의 비대칭 프로파일로부터 정확한 비대칭 정보를 추출하는 것이 어렵게 된다. 추가로, 그러한 구조체는 어떤 제품 구조에 적용가능한 엄격한 설계 요건에 부합하지 않을 수 있다. 디바이스 제작 과정 중에, 패터닝 장치의 패턴의 모든 피쳐는 인쇄되어야 하고 다음 처리 단계에 견뎌야 한다. 디바이스 제조자는, 인쇄된 피쳐가 그의 공정 요건을 보장하는데에 도움이 되도록 피쳐 설계를 제한하는 수단으로서 설계 규칙을 사용한다. 이러한 일 설계 규칙은 구조체의 허용가능한 크기에 관한 것이다. 다른 설계 규칙은 패턴 밀도인데, 이 패턴 밀도는 결과적인 레지스트 패턴의 밀도를 특정 범위 내로 제한한다. 패턴 밀도는 결함과 서로 밀접히 관련 있는데. 연마 및 확산 단계는 결함 발생을 피하기 위해 어느 정도의 균일성을 필요로 할 수 있기 때문이다. 이는 (예컨대) 얇은 층이 레지스트 피쳐 위에 형성되는 스페이서 공정에서 중요하며, 다른 공정 단계는 레지스트 가장자리가 일단 어디에 존재하든 피쳐를 작은 선으로 감소시킨다. 스페이서 공정 후에 최소 패턴 밀도 요건을 달성하는 것은, 레지스트 가장자리 만이 얇은 선으로서 기판에 전달되기 때문에 큰 피쳐를 사용하는 것이 가능하지 않을 수 있음을 의미한다. 이와 관련하여, DBF 타겟(715)의 DBF 구조체(720)는 너무 클 수 있다. 그러므로, 스페이서 공정 패턴 밀도를 증가시키기 위해, 레지스트 패턴 가장자리의 수를 증가시킬 필요가 있다.계측 피쳐는 또한 이들 설계 규칙에 부합해야 하는데, 그렇지 않으면 결함의 원인이 되기 때문이다. 그러므로 계측 타겟은, 파장과 포착 각도의 한계가 주어져 있을 때 계측 기구가 검출할 수 있는 신호를 여전히 발생시킬 수 있는 작은 피쳐로 구성되어야 한다. DBF 타겟(715)에 대해, 스페이서 공정 후의 결과적인 패턴 밀도는 상당히 너무 작을 수 있다.도 7c 는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 수정된 타겟(730)을 도시한다. 이 타겟(730)은 제 1 구조체(740)와 제 2 구조체(750)를 포함한다. 제 1 구조체(740)는 초점 의존적이지 않고, 도 7a 의 제 1 구조체(705)와 본질적으로 유사하다. 제 2 구조체(750)는 고분해능 부분 구조체(760) 및 저분해능 부분 구조체(770)를 포함한다. 고분해능 부분 구조체(760)는 200 nm 보다 작은 폭을 가져야 하고, 그래서 스캐터로미터에 의해 개별적인 구조체로서 검출되지 않는다. 다양한 실시 형태에서, 고분해능 부분 구조체(760) 모두는 100 nm 보다 작은, 50 nm 보다 작은, 또는 25 nm 보다 작은 폭을 가질 수 있다. 일 실시 형태에서, 고분해능 부분 구조체(760) 및 저분해능 부분 구조체(770) 모두는 유사한 CD를 가질 수 있는데, 예컨대 저분해능 부분 구조체(770)는 고분해능 부분 구조체(760) 보다 단지 10 ∼ 40 nm 더 넓을 수 있다.부분 구조체(760)의 고분해능의 효과는, 타겟(730)을 인쇄하는데에 사용되는 방사선 빔이 최선의 초점 영역 내에 있을 때 그 부분 구조체만 기판 상에 인쇄된다는 것이다. 최선의 초점 영역 외부에서는(즉, 빔이 초점에서 벗어날 때), 부분 구조체(760)(또는 그의 일 부분)은 인쇄되지 않는다. 따라서, 인쇄된 제 2 구조체(750)의 형태는 방사선 빔의 초점에 달려 있다. 이는 전술한 위상 변이 마스크로 얻어지는 타겟과는 대조적인데, 위상 변이 마스크의 경우, 초점 의존적인 것은 제 2 구조체의 위치이지, 형태가 아니다. 이렇게 해서, 위상을 변경하기 위한 트렌치 또는 유사한 피쳐에 대한 필요 없이, 더 통상적인 패터닝 장치가 사용될 수 있다.제 2 구조체(750)의 형태의 변화는 무게 중심(CoG)의 변위로 나타날 수 있는데, 이 변위는 스캐터로미터에 의해 퓨필 비대칭으로 검출될 수 있다. CoG 변위는 프로그램된 초점 오프셋 기판에 대해 보정될 수 있다. 기판을 알려져 있는 초점스 오프셋으로 노광시킴으로써, 설계된 타겟의 거동(스캐터로미터에 의해 검출되는)을 초점의 함수로 보정할 수 있다. 그 결과, 도 11 에 있는 곡선(1100)과 유사한 곡선이 얻어진다. 이 보정된 곡선으로, 기판은 최선의 초점에서 노광될 수 있으고, 측정된 스캐터로미터 응답이 곡선(1100)과 비교되어, 기판 상의 각 측정에 대한 초점 위치를 결정할 수 있다.추가적으로, 제 2 구조체(750) 사이에 제 1 구조체(740)가 존재함으로써, DBF 타겟(715)과 비교하여 패턴 밀도가 증가된다.도 7d 는 둘다 초점 의존적인 제 1 구조체(775)와 제 2 구조체(750)를 포함하는 타겟(730')을 나타내는데, 두 구조체 모두는 고분해능 부분 구조체(760)와 저분해능 부분 구조체(770)를 포함한다. 제 1 구조체(775)의 경우 고분해능 부분 구조체(760)가 저분해능 부분 구조체(770)의 일 측에 있고 제 1 구조체(750)의 경우에는 저분해능 부분 구조체(770)의 반대 측에 있기 때문에, 제 1 구조체(775)의 초점 의존성은 제 2 구조체(750)의 초점 의존성과는 다르다. 이렇게 해서, 제 1 구조체(775) 및 제 2 구조체(750)의 경우에 초점을 통한 CoG 변위는 서로 반대 방향으로 있을 것이다.타겟(730, 730')은, 다수의 고분해능 바아(각각 유사한 선폭(15 ∼ 25 nm; 예컨대 22 nm)을 가지며 제 1 구조체(740)와 동일한 방향으로 연장되어 있음)를 포함하는 고분해능 부분 구조체(760) 및 저분해능 부분 구조체(770)를 나타낸다. 그러나, 다른 구성도 가능하다. 도 8 은 제 2 구조체(750)의 예시적인 다른 구성의 상세를 나타낸다. 각 경우, 제 1 구조체(810, 810') 및 제 2 구조체(850, 850', 850")의 단일 예가 나타나 있다. 타겟을 만들기 위해, 도 8(d)의 예에서 이들 구조체 쌍은 도 7c 또는 도 7d에 나타나 있는 것과 유사한 방식으로 여러 번 반복된다.도 8(a) 는 제 2 구조체(750)와 유사한 제 2 구조체(850)를 나타내는데, 다른 점은, 고분해능 부분 구조체(860)의 분해능(선폭)이 저분해능 부분 구조체(870)로부터 멀어지는 방향으로 낮은 분해능에서 높은 분해능으로 변한다는 것이다. 이리하여, 작은 초점 흐림도는 최고 분해능을 갖는 고분해능 부분 구조체(들)(860)는 인쇄되지 못할 것이고 인쇄되지 못하는 고분해능 구조체(860)의 수는 초점 흐림도가 증가함에 따라 증가함을 의미하므로, 초점을 통한 제 2 구조체(850)의 형태의 변화가 증가하게 된다. 이는, 초점 흐림도에 따라, 제 2 구조체(850)가 취할 수 있는 다른 초점 의존적인 형태가 많이 있고 그래서 제 2 구조체(850)에서 있을 수 있는 무게 중심의 변위가 많이 있게 됨을 의미한다. 고분해능 부분 구조체(860) 중 가장 작은 것은 리소그래피 장치의 분해능이 허용하는 만큼 좁을 수 있다.일 실시 형태에서, 고분해능 부분 구조체(860)의 폭은 15 nm 과 25 nm 사이에서 변한다. 고분해능 부분 구조체(860) 모두는 서로 다른 선폭을 가질 수 있고, 또는 동일한 선폭의 인접하는 부분 구조체를 포함할 수 있다. 예컨대, 고분해능 부분 구조체(860)는 앞 단락에서 설명한 바와 같이 감소하는 선폭의 순서로 배열될 수 있지만, 이러한 배열은 동일한 선폭을 갖는 고분해능 부분 구조체(860)에 인접하는 몇몇 고분해능 부분 구조체(예컨대, 2개의 가장 얇은 고분해능 부분 구조체)를 포함할 수 있다.도 8(b) 는 저분해능 부분 구조체(870)의 방향에 수직인 방향으로 연장되어 있는 수평 부분 구조체(860')를 포함하는 제 2 구조체(850')를 나타낸다. 제 2 구조체(850')는 도 7b에 있는 DBF 구조체(720)와 본질적으로 동일하다. 이들 구조체는 초점에 따라 제 2 구조체(850')의 CoG 변위가 생기도록 라인 엔드(팁-팁) 초점 응답을 나타낸다. 모든 수평 부분 구조체(860')가 패터닝 장치와 동일한 CD를 가지므로, 라인 엔드의 우측은 초점 흐림에 따라 후퇴되며, 그래서 각 부분 구조체(860')의 길이는 초점 흐림에 따라 변하게 되는데, 초점 흐림도가 커질수록 각각의 수평 부분 구조체(860')는 더 짧아질 것이다. 용도에 따라 수직 부분 구조체 또는 수평 부분 구조체를 가짐으로써 이점이 있을 수 있다. 하나 또는 다른 것은 공정 변화, 투여 변화 또는 특정의 수차(aberration)에 더 민감할 수 있다. 실제 제품에 가능한 한 가깝게 거동하는 타겟 설계(w.r.t. 초점 및 수차 민감도)를 고려하여, 도 7 또는 8 에 도시되어 있는 설계 또는 청구 범위에 속하는 다른 설계를 고려할 수 있다.도 8(c)는 본질적으로 부분 구조체(860)와 부분 구조체(860')의 개념을 조합한 부분 구조체(860")를 포함하는 제 2 구조체(850")를 나타낸다. 제 2 구조체(850")는 2차원 어레이의 부분 구조체(860")를 포함하는데, 이는 각 부분 구조체(860")의 폭이 수평 방향으로 감소하도록 배열되어 있다. 이러한 배열로 제품형 수차 민감도가 나타나게 된다.도 8(d)는 고분해능 부분 구조체(880)를 포함하는 제 1 구조체(810')에 인접해 있는, 도 8(a)에 도시되어 있는 것과 본질적으로 유사한 제 2 구조체(850)를 나타낸다. 고분해능 부분 구조체(880)는 고분해능 부분 구조체(860)와 유사하지만, 반대 방향으로 배치된다(두꺼운 것에서 얇은 것으로 되는 것과 비교하여 얇은 것에서 두꺼운 것으로 됨). 저분해능 부분 구조체(870)에 대한 고분해능 부분 구조체(860)와 비교하여, 고분해능 부분 구조체(880)는 저분해능 부분 구조체(890)의 반대측에 있다.도 9 는 도 8(a)에 나타나 있는 종류의 제 2 구조체(950a)를 갖는 타겟(900)(최선의 초점 f0에서 인쇄됨), 및 다른 초점 흐림도에서 인쇄되고 제 2 구조체(950b, 950c, 950d)를 갖는 타겟(910, 910', 920, 920', 930, 930')을 나타낸다. 타겟(900)은 인쇄되는 고분해능 부분 구조체(960)를 가지며, 최고 분해능을 갖는 부분 구조체도 갖는다. 타겟(910, 910')(각각은 동일한 크기를 갖지만 최선의 초점 f0 기준으로 다른 부호를 갖는 초점 흐림도로 인쇄됨)은 인쇄되는 보다 적은 고분해능 부분 구조체(960)를 가지고 있다. 이 패턴은 타겟(920, 920') 및 타겟(930, 930')에 대해 반복되며, 각 경우, 초점 흐림도의 크기가 증가함에 따라, 인쇄되는 고분해능 부분 구조체(960)의 수는 감소한다.도 10 은 (a) 타겟(900)의 인쇄된 제 2 구조체(950a)와 (b) 타겟(920)(또는 920')의 인쇄된 제 2 구조체(950c) 간의 무게 중심 변위를 도시한다. 각 경우, 위쪽 그림은 실제 인쇄된 타겟(900, 920)을 나타내고, 아래쪽 그림은 각각의 타겟(900, 920)을 검사하는 스캐터로미터가 실제 스캐터로미터 신호의 모델링/분석 후에 효과적으로 "보는"(즉, 검출하는) 것을 근사적으로 나타낸 것이다. 아래쪽 그림에서 알 수 있는 바와 같이, 제 2 구조체(950a, 950c)는 스캐터로미터에 의해 인쇄된 고분해능 부분 구조체(960)의 수에 의존하는 폭을 갖는 유효 구조체(1060, 1060c)인 것으로 보이게 된다. 도 10(a)에서, 보여지는 제 1 유효 구조체(1060)의 무게 중심(대응하는 제 1 구조체(1040)에 대한)은 x 으로 표시되어 있다. 도 10(b)에서, 보여지는 제 2 유효 구조체(1060c)의 무게 중심은 x 와 같지 않음을 알 수 있다.무게 중심 변위는 스캐터로미터에 의해, 회절된 방사선의 양의 회절 차수와 음의 회절 차수 사이의 비대칭으로서 검출될 수 있다. 그러므로, 검출된 비대칭은 초점을 나타내는 것이고, 따라서, 스캐터로미터를 사용해 비대칭을 측정하여, 타겟을 인쇄하는데에 사용되는 초점을 결정할 수 있다. 타겟의 비대칭은 대응하는 양의 회절 차수와 음의 회절 차수에 대한 회절 패턴에 영향을 줄 것이다. 타게에 비대칭이 없다면, 양의 회절 차수와 음의 회절 차수는 동일한 스펙트럼 프로파일을 갖게 될 것이다. 양의 회절 차수와 음의 회절 차수의 스펙트럼 성분의 차이를 분석을 사용하여, 타겟의 비대칭을 결정할 수 있다. "양의 회절 차수와 음의 회절 차수"는, 1차 회절 차수 및 이 보다 높은 회절 차수 중의 임의의 것을 말한다. 회절 차수는 양의 회절 차수도 음의 회절 차수도 아닌 영차(거울 반사), 및 보충적인 쌍으로 존재하는 더 높은 차수(통상적으로 양의 차수 및 음의 차수라고함)를 포함한다. 영이 아닌 차수를 더 높은 차수라고 할 수 있다. 따라서, +1차 및 -1차는 양과 음의 차수의 예이고, +2차 및 -2차, +3차 및 -3차도 마찬가지다. +1차 및 -1차를 참조하여 예를 설명할 것인데, 이에 한정되지 않는다.도 11 은 비대칭 또는 y 축 상의 무게 중심 및 x 축상의 초점을 나타내는 그래프(1100)인데, 이는 초점 부호 정보를 어떻게 얻는가를 도시하는 역할을 한다. 도 9 에서, 타겟(920, 920') 및 타겟(930, 930') 처럼, 인쇄되는 타겟(910, 910')은 구별가능하지 않음을 알 수 있다. 각 쌍의 대해, 초점 흐림도는 같지만, 부호는 다르다. 고유성 문제는 초점 부호 정보를 추출하는 방법이 바람직함을 의미한다. 상기 방법은 모든 초점 값이 그래프(1100)의 피크의 일측에 있도록 기판을 적절히 촛점에서 벗어난 상태에서 얄려져 있는 오프셋으로 노광하는 것을 포함한다. 예컨대, 알려져 있는 초점 오프셋은 모든 측정된 초점 값이 영역(1110) 내에 있음을 의미한다. 그리고, 알려져 있는 초점 오프셋은 측정된 초점 값으로부터 취해져, 정확한 부호를 갖는 실제 초점 값을 찾을 수 있다.제안된 방법은 보정 과정 및 이어지는 모니터 및 제어 과정을 포함할 수 있다. 보정 과정은 초점 노광 매트릭스(FEM) 기판을 노광하고 초점 보정 곡선을 계산하기 위해 초점의 함수로 더 높은 차수의 비대칭을 측정하는 것을 포함한다. FEM 기판은 스캐터로미터를 위한 보정 기판으로서 사용될 수 있다. 당업계에 알려져 있는 바와 같이, FEM 기판은 패턴이 초점과 노광 오프셋의 복수의 조합으로 노광되는 포토레지스트로 코팅된 기판을 포함한다. 모니터 및 제어 과정은 모니터 기판을 초점에서 벗어난 상태에서 노광하고(전술한 바와 같이 부호 정보를 얻기 위해) 그리고 더 높은 차수의 비대칭을 측정하는 것을 포함한다. 이 측정된 더 높은 차수의 비대칭은, 보정 과정 중에 계산된 초점 보정 곡선을 사용하여 초점으로 변환될 수 있다. 모니터 기판으로부터 보정 곡선을 결정하기 위해, 프로그램된 초점 오프셋(예컨대, Rx 경사)으로 다수의 필드가 노광될 수 있다. 이리하여, 공정 의존성이 줄어든다. 모니터 기판을 초점에서 벗어난 상태에서 더 노광시킬 필요가 있기 때문에, 상기 방법은 오프 제품 측정에 더 쉽게 적용될 수 있다. 의도적으로 초점에서 버어나게 하면서 온(on) 제품으로 노광하는 것은 분명 바람직하지 않다. 그러나, 상기 방법은 3차원 마스크(M3D) 효과를 이용하는 패터닝 장치 포토그래피를 갖는 타겟 설계를 제공하여 온 제품 초점 제어에 적합하게 될 수 있다. 마스크 패터닝 장치는, 노광 중에 제품 구조체가 초점이 맞는 상태로 형성되고 타겟은 초점 오프셋을 갖고서 초점에서 벗어난 상태에서 형성되도록 될 수 있다. 이러한 마스크 패터닝 장치는 최선의 초점에서 노광되는 제품 피쳐에 대해 M3D 유도된 최선의 초점 오프셋을 타겟에 생성하기 위해 M3D 피쳐(예컨대, 스캐터 바아)를 포함할 수 있다. 일 실시 형태에서, M3D 피쳐는 이전 실시 형태의 고분해능 부분 구조체를 포함할 수 있다. 초점 의존적인 M3D 피쳐를 갖는 이들 타겟은, M3D 효과로 얻어지는 최선의 초점 오프셋을 고려하여, 이미 설명한 것과 유사한 방식으로 측정되고 초점 결정될 수 있다.도 12 및 13 은 부호 정보를 얻기 위한 다른 방법을 도시한다. 이 방법을 이해하기 위해서는, 전술한 엇갈린 타겟의 초점 응답은 실제로는 인쇄된 비대칭 라인 응답(초점의 함수로 대략 선형적임)과 엇갈린 타겟 설계(두 구조체 개체군 사이의 무게 중심(CoG)의 차)의 조합임을 알아야 한다. 이는 도 12(a) 및 13(a)에 나타나 있다. 도 12(a)는 특히 도 8(b)와 관련하여 이미 논의된 엇갈린 타겟 설계(1200)이다(이 개념은 여기서 설명하는 다른 엇갈린 타겟 중 어느 것에도 적용가능함). 타겟(1200)은 제 1 구조체(1210) 및 제 2 구조체(1220)를 포함한다. 제 1 구조체는 예컨대 여기서 개시되는 어떤 형태라도 될 수 있다. 제 2 구조체(1220)는 여기서 DBF 구조체(720)(도 7b) 또는 도 8(b)에 있는 제 2 구조체(870)와 유사한 것으로 나타나 있다. 도 13a 의 곡선(1330)은 포커스(x 축)를 통한 결과적인 신호 응답(y 축)이다. 이 곡선(1330)은 곡선(1310)의 합을 포함하는데, 이 합은 타겟(1200) 및 라인(1320)의 CoG 변위로 인한 초점에 대한 신호 응답을 나타내며, 이는 제 2 구조체(1220)의 비대칭으로 인한 포커스에 대한 신호 응답을 나타낸다.복수의(엇갈린) 타겟의 신호를 조합하여 타겟(1200)의 부호 문제를 해결하는 것이 제안된다. 동일한 비대칭 라인에 대한 대칭 라인 세그먼트 배치를 유지하면서, 예컨대 비대칭 라인의 설계 특성을 변화시켜, 고유성 문제를 해결할 수 있다. 이러한 타겟(1230)은 도 12(b)에 도시되어 있다. 이 타겟은 제 4 구조체(1240)를 포함하는데, 이 구조체는 형태에 있어 제 2 구조체(1220)와 다르지만 동일한 기본 설계로 되어 있고, 차이는 고해상도 피쳐의 선폭 및/또는 길이의 파라미터에 관한 것이다. 타겟(1230)에서 제 3 구조체(1250)(제 1 구조체(1210)와 본질적으로 동일함)와 제 4 구조체(1240)의 상대 배치는, 타겟(1200)에서 제 1 구조체(1210)와 제 2 구조체(1220)의 상대 배치와 유사하다.도 13b 에서 알 수 있는 바와 같이, 곡선(1310)과 곡선(1340)의 유사성으로 나타나 있는 바와 같이(여기서 곡선(1340)은 타겟(1230)의 CoG 변위로 인한 초점에 대한 신호 응답을 나타냄), 엇갈린 타겟(1200, 1230)의 보쑹(Bossung)형 거동은 유사하게 유지되며, 제 4 구조체(1240)의 형태가 제 2 구조체(1220)와 다르기 때문에 비대칭 라인 컨텐트(1350)가 변한다. 결과적인 초점 응답 곡선(1360)도 나타나 있다. 효과적으로 이는 서로 다른 엇갈린 타겟(1200, 1230)의 보쑹 탑은 서로에 대해 이동할 것임을 의미한다. 그래서 고유성 문제는,도 13c 에 나타나 있는 바와 같이 양 비대칭 신호(1330, 1350)의 차를 찾고(결과적인 신호(1360)는 CoG 신호의 보쑹형 거동과 비대칭 라인 신호의 차 사이의 유사성에 의존할 것이다), 그리고/또는 양 타겟(1200, 1230)의 (다변량) 초점(도스) 모델을 만들어 해결될 수 있다.원리적으로, 제 3 및 4 구조체는 제 1 및 2 구조체와 유사하지 않을 수 있다. 원리적으로, 제 3 및 4 구조체의 배치는 제 1 및 2 구조체의 배치와 유사하지 않을 수 있다.추가적으로, 비대칭 구조 응답 및 엇갈린 라인 구조의 배치의 최적화 절차를 수행하여 최선의 초점 오프셋이 타겟 응답 안으로 미리 선택될 수 있다. 보쑹 탑 오프셋을 설계하는 이 방법은, 전술한 바와 같이 M3D 효과를 사용하는 것 보다 좋을 수 있는데, M3D 효과는 예측불가능하고 패터닝 장치 마다 다를 수 있고 또한 패터닝 장치 패턴에서도 다를 수 있기 때문이다. 부호 정보를 얻는 이 직접적인 방법(도 13c에 도시되어 있는 바와 같은)은, 구조의 비대칭이 더 두드러진 비EUV 용도(더 두꺼운 레지스트)에 더 적용가능하다. 도 11 에 도시되어 있는 바와 같은 부호 추출법을 사용하여, 최선의 초점 오프셋의 예비 선택이 EUV, 얇은 레지스트 용도에 사용될 수 있다. 그러나, 원리적으로, 최선의 초점 오프셋 방법은, 최선의 초점 설정이 최적화 파라미터인 측정(그래서 또한 비 EUV 용도)에 유효하다. 전형적인 용도는 모니터형 용도일 수 있다. 온-제품 용도의 경우, 최선의 초점 설정은 사용자의 과정에 의해 결정되며, 그래서 사용자 특정 조건에서 작용하는 초점 측정 방안이 고안되어야 한다.위에서 언급한 바와 같이, 도 7b 에 나타나 있는 DBF 타겟(715)은 어떤 설계 규칙의 패턴 밀도 요건을 만족하지 않을 수 있다. 패턴 밀도를 증가시키기 위해, 베이스 피치를 감소시키거나 타겟 내에 더미 피쳐를 추가하여 타겟 설계를 변경할 수 있다. 베이스 피치를 감소시키는 것은 실현 가능하지 않을 것 같은데, 그렇게 하면, 계측 기구에서 사용되는 회절 차수가 현재 광학 장치의 분해능을 넘어 퍼지기 때문이다. 이를 해결하기 위해, 이미 설명한 바와 같이, DBF 구조체(720) 사이에 추가 구조체(도 8 에 있는 제 1 구조체(810))를 제공하는 것이 제안된다. 그러나, 이들 제 1 구조의 인쇄 또한 어려운데, 왜냐하면, 비대칭 레지스트 프로파일을 생성하는 고분해능 피쳐(725)가 제 1 구조체를 위한 패터닝 장치에서 이용가능한 공간을 제한하기 때문이다. 그러므로, 계측 기구에 의해 캡쳐되는 피치에서의 패턴 프로파일 비대칭 및 요구되는 패턴 밀도 모두를 포함하는 타겟을 인쇄하기 위한 다른 방법이 바람직하다.그러므로, 제 2 패터닝 장치 또는 제 2 패터닝 장치 패턴에 대한 필요 없이, 2개의 개별적인 노광으로 제 2 구조(720)와 제 1 구조(810)를 발생시키는 것이 제안된다. 이 방법은 도 14a 및 14b 에 도시되어 있다. 도 14a 는 패터닝 장치(1400) 영역을 나타내는데, 이 영역은 주 제품 영역(1405) 및 주 제품 영역(1405)의 주변에 있는 스크라이브(scribe) 영역(1410)을 포함한다(명료성을 위해 스크라이브 영역(1410)은 실제 보다 주 제품 영역(1405)에 대해 더 크게 나타나 있음). 스크라이브 영역(1410)에서, 주 제품 영역의 일 측에 제 2 구조체(1415)가 있다. 또한 제 2 구조체(1415)의 노광 후에 기판에 실제로 인쇄되는 구조체(1420) 및 제 2 구조체(1415')의 상세가 나타나 있다. 스크라이브 영역(1410)에서, 제 2 구조체(1415)의 반대쪽에서 주 제품 영역(1405)의 다른 측에는 제 1 구조체(1425)가 있다. 마찬가지로, 제 1 구조체(1425)의 노광 후에 기판에 실제로 인쇄되는 구조체(1430) 및 제 2 구조체(1425')의 상세가 나타나 있다.도 14b 는 완전한 구조체가 어떻게 인쇄되는가를 보여준다. 이 도는 기판 상에서의 노광을 위한 위치에 있는 패터닝 장치(1400) 영역을 나타낸다. 또한, 현재의 노광 바로 전의 노광을 위한 상대적으로 이전의 위치에 있는 패터닝 장치(1400') 영역(점선으로 나타나 있음)이 나타나 있다. 제품을 기판 상에 노광할 때, 제품의 영역의 일 측에 있는 스크라이브 레인(lane) 영역이 이전 노광의 제품 영역의 반대 측에 있는 스크라이브 레인 영역(1410)과 겹칠 것으로 예상된다. 제 2 구조체(1415) 및 제 1 구조체(1425)가 패터닝 장치에 있는 제품 영역의 양측에서 그리고 직접 서로 대향하여(y 축 주위에서만) 정확히 위치되어 있다면, 그들의 영역은 각 쌍의 노광 중에 겹치게 된다(1440)(동일한 줄에서). 물론, 제 2 구조(1415) 및 제 1 구조(1425)는, 개별적인 구조체가 겹침 영역(1440) 내에서 번갈아 있도록 위치되어야 하며, 그래서 결과적인 인쇄된 구조(1445)는 정확한 형태를 취하게 되고 제 2 구조(1415) 및 제 1 구조(1425)는 서로 엇갈린다.이러한 방법은 도면에 도시되어 있는 바와 같은 다크필드(네거티브) 노광을 포함한다(어두운 영역이 레지스트를 나타내는 경우, 결과적인 타겟은 트렌치형 타겟임). 이는 종래의 타겟(이로부터 제 2 구조체가 형성됨)의 제 1 노광 후에 구조 사이에 기판에 레지스트가 남아 있지 않을 것이기 때문이다. 도 14a 및 14b 는 대칭 구조와 비대칭 구조, 특히 도 8(b)에 나타나 있는 형태의 구조체의 엇갈림을 나타낸다. 그러나, 이 방법은 여기서 개시되는 어떤 타겟 구조체라도 인쇄하는데에 사용될 수 있다. 추가적으로, 동일한 방법을 사용하여 다른 피쳐 및/또는 더 작은 피쳐의 어레이를 엇갈리게 할 수 있다.대안적인 실시 형태에서, 제 1 구조체는 더미 구조체일 수 있다. 이러한 구성에서, 더미 구조체는 전술한 바와 같은 CoG 변위를 발생시키는데에 사용되지 않으며, 초점 측정은 제 2 구조체만의 비대칭으로부터 취해진다. 그러한 더미 구조체를 갖는 결과적인 인쇄된 구조체는, 측정 기구의 캡쳐 범위 내의 피치에서 필요한 패턴 밀도 및 비대칭 프로파일을 가질 것이다. 더미 구조체는 어떤 형태라도 취할 수 있다(예컨대, 각 쌍의 제 2 구조체 사이의 매우 높은 분해능 다중 라인).패턴 밀도를 증가시키기 위한 이 방법의 사용은 DBF 계측에 한정되지 않고 패턴 밀도를 증가시키는 계측 피쳐, 및 예컨대 이완된 피치로 인쇄되는 특정 이미징 효과를 이용하는 계측 피쳐에도 적용될 수 있다.이 절은 하나 이상의 패터닝 장치 또는 패터닝 장치 패턴을 통해 복합 구조체를 인쇄하는 방법을 가장 넓게 개시하는데, 이 방법은,제 1 패터닝 장치 또는 제 1 패터닝 장치 패턴에 위치되어 있는 제 1 패터닝 장치 구조체로부터 제 1 인쇄 구조체를 인쇄하는 것을 포함하는 제 1 노광을 기판 상에서 수행하는 단계; 및 상기 제 1 노광에 인접하여 제 2 노광을 상기 기판 상에서 수행하는 단계를 포함하고, 상기 기판 상에는 제 1 노광과 제 2 노광의 겹침 영역이 있으며, 이 겹침 영역은 형성된 제 1 인쇄 구조체를 포함하며, 상기 제 2 노광은 상기 기판 상의 겹침 영역에서, 제 1 패터닝 장치 또는 제 1 패터닝 장치 패턴 또는 제 2 패터닝 장치 또는 제 2 패터닝 장치 패턴에 위치되어 있는 제 2 패터닝 장치 구조체로부터 제 2 인쇄 구조체를 인쇄하여 복합 구조체를 형성하는 것을 포함한다.상기 패터닝 장치 또는 패터닝 장치 패턴은 제품 영역 및 이 제품 영역의 주변에 있는 스크라이브(scribe) 라인 영역을 포함하고, 제 1 패터닝 장치 구조체 및 제 2 패터닝 장치 구조체는 패터닝 장치 또는 패터닝 장치 패턴의 스크라이브 레인 영역 또는 다른 패터닝 장치 또는 패터닝 장치 패턴의 스크라이브 레인 영역에 위치된다. 상기 제 1 패터닝 장치 구조체는 상기 스크라이브 레인 영역의 제 1 측에 위치되며, 제 2 패터닝 장치 구조체는 제품 영역의 제 1 측의 반대 측에 위치되며, 그래서 제 1 패터닝 장치 구조체는 (단일 축선에 대해) 제 2 패터닝 장치 구조체의 바로 반대 쪽에 위치된다. 또한, 제품 영역 및 이 제품 영역의 주변에 있는 스크라이브 라인 영역을 포함하는 패터닝 장치, 및 이 패터닝 장치의 스크라이브 레인 영역 내부에 위치되는 제 2 패터닝 장치가 개시되며, 제 1 패터닝 장치 구조체는 상기 스크라이브 레인 영역의 제 1 측에 위치되며, 제 2 패터닝 장치 구조체는 제품 영역의 제 1 측의 반대 측에 위치되며, 그래서 제 1 패터닝 장치 구조체는 (단일 축선에 대해) 제 2 패터닝 장치 구조체의 바로 반대 쪽에 위치된다.상기 실시 형태를 EUV 리소그래피와 관련하여 설명했지만, 본원의 실시 형태는 다른(예컨대, 더 긴) 파장, 예컨대 193 nm의 방사선을 사용하는 리소그래피 공정에도 적용될 수 있다.본 명세서에서는, 집적회로(IC)의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 사용예에 대해 특정하게 언급하였지만, 본 명세서에서 설명된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리(magnetic domain memory)용 유도 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같은 기타 응용예들을 가질 수 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 다른 응용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟 영역"과 같은 좀더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예컨대 트랙(통상적으로 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 장치), 계측 장비, 및/또는 검사 장치에서 처리될 수 있다. 적용 가능한 범위에서, 상기한 기판 처리 장치와 여타 기판 처리 장치에 본 명세서의 개시 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 집적회로를 생성하기 위하여 기판이 복수 회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 지칭할 수도 있다.앞에서는 광학 리소그래피의 관점에서 본 발명의 실시예를 이용하는 것에 대하여 구체적인 참조가 이루어졌을 수도 있지만, 본 발명은 예컨대 임프린트 리소그래피와 같은 다른 응용분야에 이용될 수도 있으며, 또한 문맥이 허락하는 곳에서는 광학 리소그래피로 한정되지 않는다. 임프린트 리소그래피에서는, 패터닝 장치의 토폴로지가 기판에 기판 상에 생성된 패턴을 형성한다. 패터닝 장치의 토포그래피는 기판 상에 제공된 레지스트의 층 내로 프레스될 수 있으며, 그 후에 레지스트를 전자기 방사선, 가열, 압력 또는 이들의 조합을 가함으로써 경화시킨다. 레지스트가 경화된 후에는, 패터닝 장치는 레지스트의 외측으로 이동되어 레지스트 층에 패턴을 잔류시킨다.본 명세서에 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어에는, 자외(UV) 방사선(예컨대, 365, 355, 248, 193, 157, 또는 126 ㎚의 파장 또는 그 부근의 파장을 가짐) 및 극자외(EUV) 방사선(예컨대, 5∼20 ㎚ 범위의 파장을 가짐)을 포함하는 모든 유형의 전자기 방사선뿐만 아니라 이온빔 또는 전자빔과 같은 입자빔이 포함된다."렌즈"라는 용어는 문맥이 허용하는 곳에서는 굴절성, 반사성, 자기성, 전자기성, 및 정전성 광학 요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 요소들 중 어느 하나 또는 그 조합을 지칭할 수도 있다.이상에서 본 발명의 특정 실시예들이 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예컨대, 본 발명의 실시예는 위에서 개시된 바와 같은 방법을 기술하는 기계 판독 가능한 명령어들의 하나 이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 데이터 저장 매체(예컨대, 반도체 메모리, 자기 디스크, 또는 광디스크)의 형태를 취할 수도 있다.위의 설명은 예시적이지, 제한적인 것이 아니다. 따라서, 당업자에게는, 아래에 제시된 청구 범위에서 벗어남이 없이 전술한 바와 같은 발명에 대해 수정이 이루어질 수 있음이 명백할 것이다.	리소그래피 공정과 관련한 초점 정보를 얻는 방법 및 장치가 개시된다. 본 방법은, 타겟을 조명하는 단계, 및 타겟에 의해 산란된 방사선을 검출하여, 그 타겟에 대해, 타겟의 전체적인 비대칭을 나타내는 비대칭 측정값을 얻는 단계를 포함하고, 타겟은 서로 번갈아 있는 제 1 구조체와 제 2 구조체를 포함하며, 제 2 구조체의 형태는 초점 의존적이고, 제 1 구조체의 형태는 제 2 구조체의 초점 의존성과 동일한 초점 의존성을 갖지 않으며, 비대칭 측정값은 타겟을 형성하는 빔의 초점을 나타낸다. 이러한 타겟을 형성하기 위한 관련된 마스크 및 이러한 타겟을 갖는 기판이 또한 개시된다.
[ 발명의 명칭 ] 동화상 부호화 장치, 동화상 부호화방법 및 동화상 부호화 프로그램, 및 동화상 복호 장치, 동화상 복호 방법 및 동화상 복호 프로그램VIDEO ENCODING DEVICE, VIDEO ENCODING METHOD, VIDEO ENCODING PROGRAM, VIDEO DECODING DEVICE, VIDEO DECODING METHOD, AND VIDEO DECODING PROGRAM [ 기술분야 ] 본 발명은 움직임 보상 예측을 이용한 동화상 부호화 및 복호 기술에 관한 것이고, 특히 움직임 보상 예측으로 이용하는 움직임 벡터의 부호화 및 복호 기술에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 일반적인 동화상 압축 부호화에는 움직임 보상 예측이 이용된다. 움직임 보상 예측은, 대상 화상을 작은 블록으로 분할하고, 복호 종료의 화상을 참조 화상으로 움직임 벡터에서 나타내는 움직임 방향으로 움직인 양만큼 대상 화상의 대상 블록과 동일한 위치에서 이동한 위치의 참조 화상을 예측 신호로서 생성하는 기술이다. 움직임 보상 예측에는 1개의 움직임 벡터를 이용해서 단일 방향으로 실행하는 것과, 2개의 움직임 벡터를 이용하여 쌍방향으로 실행하는 것이 있다.또, 움직임 벡터에 대해서도 처리 대상 블록에 인접하는 부호화 종료 블록의 움직임 벡터를 예측 움직임 벡터("예측 벡터"라고도 함)로 하고, 처리 대상 블록의 움직임 벡터와 예측 벡터와의 차분을 구하고, 차분 벡터를 부호화 벡터로서 전송함으로써 압축 효율을 향상시키고 있다.MPEG-4AVC에서는, MPEG-2보다도 움직임 보상 예측의 블록 사이즈를 작고 다양하게 함으로써 움직임 보상 예측의 효율을 향상시키고 있다.한편, 블록 사이즈를 작게 함으로써 움직임 벡터수가 증가하기 때문에, 부호화 벡터의 부호량이 문제가 되었다.그 때문에, MPEG-2에서는 단순히 처리 대상 블록의 좌측에 인접하는 블록의 움직임 벡터를 예측 벡터로 하고 있었지만(비특허문헌 1), MPEG-4AVC에서는 복수의 인접 블록의 움직임 벡터의 중앙값을 예측 벡터로 함으로써 예측 벡터의 정보를 향상시키고, 부호화 벡터의 부호량의 증가를 억제하고 있다(비특허문헌 2). 단지, MPEG-4AVC에 있어서, 부호화 종료된 다른 화상의 움직임 벡터를 이용해서, 부호화 벡터의 부호화 효율을 향상시키는 기술이 알려져 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 비특허문헌 ] ISO/IEC 13818-2 Information technology-Generic coding of moving pictures and associated audio information:VideoISO/IEC 14496-10 Information technology-Coding of audio-visual objects-Part 10:Advanced Video Coding [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 비특허문헌 1 및 2 중 어느 하나에 기재된 방법에 있어서도, 예측 벡터는 한 가지만 얻을 수 있기 때문에 예측 정도가 나쁘고, 부호화 효율이 좋지 않게 되는 문제가 있다. 본 발명자들은 예측 벡터의 후보를 복수 이용하는 방법을 취하는 것을 생각했지만, 이 경우, 예측 벡터의 후보를 식별하기 위한 인덱스를 부호화하는 것이 필요하게 되고, 인덱스의 부호량이 증가한다는 문제가 있는 것을 인식하는데 이르렀다.본 발명은 이러한 상황에 비추어 이루어진 것이며, 그 목적은 움직임 벡터의 예측 정도와 부호화 효율을 향상시킬 수 있는 동화상 부호화 및 복호 기술을 제공하는 것에 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 양태의 동화상 부호화 장치는 블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 부호화 장치이고, 부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 소정의 문턱 사이즈보다 큰 경우, 부호화 종료 화상에 있는 블록에서 예측 움직임 벡터 후보를 도출하고, 상기 부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈 이하의 경우, 상기 예측 움직임 벡터 후보를 도출하지 않는 예측 움직임 벡터 후보 생성부(133)를 구비한다.본 발명의 다른 양태도 동화상 부호화 장치이다. 이 장치는, 블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 부호화 장치이고, 부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 소정의 문턱 사이즈보다 큰 경우, 부호화 종료 화상에 있는 블록에서 얻어지는 예측 움직임 벡터 후보를 예측 움직임 벡터 후보 리스트에 포함하고, 상기 부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈 이하의 경우, 상기 예측 움직임 벡터 후보를 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에 포함하지 않는 예측 움직임 벡터 후보 리스트 생성부(133)와, 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 부호화 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 움직임 벡터 선택부(121)와, 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 선택된 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 부호화하는 부호화부(104)를 구비한다.본 발명의 또 다른 양태도 동화상 부호화 장치이다. 이 장치는, 블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 부호화 장치이고, 부호화 대상 블록에 인접하는 블록에서 공간 예측 움직임 벡터 후보를 도출하는 공간 예측 움직임 벡터 후보 생성부(130)와, 부호화 종료 화상에 있는 블록에서 시간 예측 움직임 벡터 후보를 도출하는 시간 예측 움직임 벡터 후보 생성부(132)와, 시간 예측 움직임 벡터의 이용을 허가하는지 아닌지를 나타내는 이용 허가 정보가 허가함을 나타내는 경우, 상기 공간 예측 움직임 벡터 후보와 상기 시간 예측 움직임 벡터 후보에서 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성하고, 상기 이용 허가 정보가 허가하지 않음을 나타내는 경우, 상기 공간 예측 움직임 벡터 후보에서 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성하는 예측 움직임 벡터 후보 리스트 생성부(133)와, 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 부호화 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 움직임 벡터 선택부(121)와, 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 선택된 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 부호화 하는 부호화부(104)를 구비한다.본 발명의 또 다른 양태도 동화상 부호화 장치이다. 이 장치는, 복수의 블록 사이즈로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 부호화 장치이고, 부호화 대상 블록에 인접하는 부호화 종료의 1개 이상의 블록의 움직임 벡터에서 제1 예측 움직임 벡터의 후보를 포함하는 제1 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부(130)와, 부호화 종료 화상에서 상기 부호화 대상 블록과 동일 위치의 블록 및 상기 동일 위치의 블록에 인접하는 1개 이상의 블록의 움직임 벡터에서 제2 예측 움직임 벡터의 후보를 포함하는 제2 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제2 예측 벡터 후보 리스트 생성부(132)와, 상기 부호화 대상 블록의 블록 사이즈와 소정의 문턱 사이즈와의 비교 결과에 의해, 상기 제1 예측 벡터 후보 리스트와 상기 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합한 제3 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는지 아닌지를 판정하는 결합 판정부(131)와, 상기 부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈보다도 작은 경우, 상기 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합하지 않고, 상기 제1 예측 벡터 후보 리스트에서 상기 제3 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제3 예측 벡터 후보 리스트 생성부(133)와, 상기 제3 예측 벡터 후보 리스트에서 상기 부호화 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 벡터 선택부(121)와, 상기 제3 예측 벡터 후보 리스트에서 상기 선택된 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 부호화하는 부호화부(104)를 구비한다.본 발명의 또 다른 양태도 동화상 부호화 장치이다. 이 장치는, 복수의 블록 사이즈로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 부호화 장치이고, 부호화 종료 블록의 움직임 벡터를 최소 블록 사이즈 단위로 할당된 메모리 영역에 격납하여 관리하는 제1 움직임 벡터 기억부(111)와, 상기 제1 움직임 벡터 기억부(111)를 참조하여, 부호화 대상 블록에 인접하는 부호화 종료의 1개 이상의 블록의 움직임 벡터에서 제1 예측 움직임 벡터의 후보를 포함하는 제1 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부(130)와, 부호화 종료 화상의 최소 블록 사이즈 단위의 움직임 벡터를 소정의 압축 사이즈로 정리하여 1개의 대표 움직임 벡터로 치환하고, 압축 사이즈 단위로 할당된 메모리 영역에 격납하여 관리하는 제2 움직임 벡터 기억부(302)와, 상기 제2 움직임 벡터 기억부(302)를 참조하여, 부호화 종료 화상에서 상기 부호화 대상 블록과 동일 위치의 블록 및 상기 동일 위치의 블록에 인접하는 1개 이상의 블록의 움직임 벡터에서 제2 예측 움직임 벡터의 후보를 포함하는 제2 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제2 예측 벡터 후보 리스트 생성부(132)와, 상기 부호화 대상 블록의 블록 사이즈와, 소정의 문턱 사이즈와의 비교 결과에 의해, 상기 제1 예측 벡터 후보 리스트와 상기 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합한 제3 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는지 아닌지를 판정하는 결합 판정부(131)와, 상기 부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈보다도 작은 경우, 상기 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합시키지 않고, 상기 제1 예측 벡터 후보 리스트에서 상기 제3 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제3 예측 벡터 후보 리스트 생성부(133)와, 상기 제3 예측 벡터 후보 리스트에서 상기 부호화 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 벡터 선택부(121)와, 상기 제3 예측 벡터 후보 리스트에서 상기 선택된 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 부호화하는 부호화부(104)를 구비한다.본 발명의 또 다른 양태는, 동화상 부호화 방법이다. 이 방법은, 블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 부호화 방법이고, 부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 소정의 문턱 사이즈보다 큰 경우, 부호화 종료 화상에 있는 블록에서 예측 움직임 벡터 후보를 도출하고, 상기 부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈 이하의 경우, 상기 예측 움직임 벡터 후보를 도출하지 않는 예측 움직임 벡터 후보 생성 단계를 구비한다.본 발명의 또 다른 양태도 동화상 부호화 방법이다. 이 방법은, 블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 부호화 방법이고, 부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 소정의 문턱 사이즈보다 큰 경우, 부호화 종료 화상에 있는 블록에서 얻어지는 예측 움직임 벡터 후보를 예측 움직임 벡터 후보 리스트에 포함하고, 상기 부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈 이하의 경우, 상기 예측 움직임 벡터 후보를 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에 포함하지 않는 예측 움직임 벡터 후보 리스트 생성 단계와, 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 부호화 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 움직임 벡터 선택 단계와, 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 선택된 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 부호화하는 부호화 단계를 구비한다.본 발명의 또 다른 양태도, 동화상 부호화 방법이다. 이 방법은, 블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 부호화 방법이고, 부호화 대상 블록에 인접하는 블록에서 공간 예측 움직임 벡터 후보를 도출하는 공간 예측 움직임 벡터 후보 생성 단계와, 부호화 종료 화상에 있는 블록에서 시간 예측 움직임 벡터 후보를 도출하는 시간 예측 움직임 벡터 후보 생성 단계와, 시간 예측 움직임 벡터의 이용을 허가하는지 아닌지를 나타내는 이용 허가 정보가 허가함을 나타내는 경우, 상기 공간 예측 움직임 벡터 후보와 상기 시간 예측 움직임 벡터 후보에서 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성하고, 상기 이용 허가 정보가 허가하지 않음을 나타내는 경우, 상기 공간 예측 움직임 벡터 후보에서 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성하는 예측 움직임 벡터 후보 리스트 생성 단계와, 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 부호화 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 움직임 벡터 선택 단계와, 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 선택된 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 부호화하는 부호화 단계를 구비한다.본 발명의 어느 양태의 동화상 복호 장치는, 블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 복호 장치이고, 복호 대상 블록의 블록 사이즈가 소정의 문턱 사이즈보다 큰 경우, 복호 종료 화상에 있는 블록도에서 예측 움직임 벡터 후보를 도출하고, 상기 복호 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈 이하인 경우, 상기 예측 움직임 벡터 후보를 도출하지 않는 예측 움직임 벡터 후보 생성부(133)를 구비한다.본 발명의 다른 양태도 동화상 복호 장치이다. 이 장치는, 블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 복호 장치이고, 복호 대상 블록의 블록 사이즈가 소정의 문턱 사이즈보다 큰 경우, 복호 종료 화상에 있는 블록에서 얻어지는 예측 움직임 벡터 후보를 예측 움직임 벡터 후보 리스트에 포함하고, 상기 복호 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈 이하의 경우, 상기 예측 움직임 벡터 후보를 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에 포함하지 않는 예측 움직임 벡터 후보 리스트 생성부(133)와, 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 참조해야하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 복호하는 복호부(201)와, 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 참조해야하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보에 기초하여 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 복호 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 움직임 벡터 선택부(221)를 구비한다.본 발명의 또 다른 양태도 동화상 복호 장치이다. 이 장치는, 블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 복호 장치이고, 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 참조해야하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 복호하는 복호부(201)와, 복호 대상 블록에 인접하는 블록에서 공간 예측 움직임 벡터 후보를 도출하는 공간 예측 움직임 벡터 후보 생성부(130)와, 복호 종료 화상에 있는 블록에서 시간 예측 움직임 벡터 후보를 도출하는 시간 예측 움직임 벡터 후보 생성부(132)와, 시간 예측 움직임 벡터의 이용을 허가하는지 아닌지를 나타내는 이용 허가 정보가 허용함을 나타내는 경우, 상기 공간 예측 움직임 벡터 후보와 상기 시간 예측 움직임 벡터 후보에서 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성하고, 상기 이용 허가 정보가 허가하지 않음을 나타내는 경우, 상기 공간 예측 움직임 벡터 후보에서 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성하는 예측 움직임 벡터 후보 리스트 생성부(133)와, 상기 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보에 기초하여 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 복호 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 움직임 벡터 선택부(221)를 구비한다.본 발명의 또 다른 양태도 동화상 복호 장치이다. 이 장치는, 복수의 블록 사이즈로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 복호 장치이고, 예측 벡터 후보 리스트에서 참조해야하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 복호하는 복호부(201)와, 복호 대상 블록에 인접하는 복호 종료의 1개 이상의 블록의 움직임 벡터에서 제1 예측 움직임 벡터의 후보를 포함하는 제1 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부(130)와, 복호 종료 화상에서 상기 복호 대상 블록과 동일 위치의 블록 및 상기 동일 위치의 블록에 인접하는 1개 이상의 블록의 움직임 벡터에서 제2 예측 움직임 벡터의 후보를 포함하는 제2 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제2 예측 벡터 후보 리스트 생성부(132)와, 상기 복호 대상 블록의 블록 사이즈와 소정의 문턱 사이즈와의 비교 결과에 의해, 상기 제1 예측 벡터 후보 리스트와 상기 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합한 제3 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는지 아닌지를 판정하는 결합 판정부(131)와, 상기 복호 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈보다도 작은 경우, 상기 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합하지 않고, 상기 제1 예측 벡터 후보 리스트에서 상기 제3 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제3 예측 벡터 후보 리스트 생성부(133)와, 상기 참조해야 하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보에 기초하여 상기 제3 예측 벡터 후보 리스트에서 상기 복호 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 벡터 선택부(221)를 구비한다.본 발명의 또 다른 양태도 동화상 복호 장치이다. 이 장치는, 복수의 블록 사이즈로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 복호 장치이고, 예측 벡터 후보 리스트에서 참조해야하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 복호하는 복호부(201)와, 복호 종료의 블록의 움직임 벡터를 최소 블록 사이즈 단위로 할당된 메모리 영역에 격납하여 관리하는 제1 움직임 벡터 기억부(207)와, 상기 제1 움직임 벡터 기억부(207)를 참조하여 복호 대상 블록에 인접하는 복호 종료의 1개 이상의 블록의 움직임 벡터에서 제1 예측 움직임 벡터의 후보를 포함하는 제1 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부(130)와, 복호 종료 화상의 최소 블록 사이즈 단위의 움직임 벡터를 소정의 압축 사이즈로 정리하여 1개의 대표 움직임 벡터로 치환하고, 압축 사이즈 단위로 할당된 메모리 영역에 격납하여 관리하는 제2 움직임 벡터 기억부(402)와 상기 제2 움직임 벡터 기억부(402)를 참조하여, 복호 종료 화상에서 상기 복호 대상 블록과 동일 위치의 블록 및 상기 동일 위치의 블록에 인접하는 1개 이상의 블록의 움직임 벡터에서 제2 예측 움직임 벡터의 후보를 포함하는 제2 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제2 예측 벡터 후보 리스트 생성부(132)와, 상기 복호 대상 블록의 블록 사이즈와 소정의 문턱 사이즈와의 비교 결과에 의해, 상기 제1 예측 벡터 후보 리스트와 상기 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합한 제3 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는지 아닌지를 판정하는 결합 판정부(131)와, 상기 복호 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈보다도 작은 경우, 상기 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합하지 않고, 상기 제1 예측 벡터 후보 리스트에서 상기 제3 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제3 예측 벡터 후보 리스트 생성부(133)와, 상기 참조해야 하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보에 기초하여 상기 제3 예측 벡터 후보 리스트에서 상기 복호 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 벡터 선택부(221)를 구비한다.본 발명의 또 다른 양태는, 동화상 복호 방법이다. 이 방법은, 블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 복호 방법이고, 복호 대상 블록의 블록 사이즈가 소정의 문턱 사이즈보다 큰 경우, 복호 종료 화상에 있는 블록에서 예측 움직임 벡터 후보를 도출하고, 상기 복호 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈 이하의 경우, 상기 예측 움직임 벡터 후보를 도출하지 않는 예측 움직임 벡터 후보 생성 단계를 구비한다.본 발명의 또 다른 양태도 동화상 복호화 방법이다. 이 방법은, 블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 복호 방법이고, 복호 대상 블록의 블록 사이즈가 소정의 문턱 사이즈보다 큰 경우, 복호 종료 화상에 있는 블록에서 얻어지는 예측 움직임 벡터 후보를 예측 움직임 벡터 후보 리스트에 포함하고, 상기 복호 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈 이하의 경우, 상기 예측 움직임 벡터 후보를 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에 포함하지 않는 예측 움직임 벡터 후보 리스트 생성 단계와, 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 참조 해야하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 복호하는 복호 단계와, 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 참조해야 하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보에 기초하여 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 복호 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 움직임 벡터 선택 단계를 구비한다.본 발명의 또 다른 양태도 동화상 복호 방법이다. 이 방법은, 블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 복호 방법이고, 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 참조해야 하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 복호하는 복호 단계와, 복호 대상 블록에 인접하는 블록에서 공간 예측 움직임 벡터 후보를 도출하는 공간 예측 움직임 벡터 후보 생성 단계와, 복호 종료 화상에 있는 블록에서 시간 예측 움직임 벡터 후보를 도출하는 시간 예측 움직임 벡터 후보 생성 단계와, 시간 예측 움직임 벡터의 이용을 허가하는지 아닌지를 나타내는 이용 허가 정보가 허가함을 나타내는 경우, 상기 공간 예측 움직임 벡터 후보와 상기 시간 예측 움직임 벡터 후보에서 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성하고, 상기 이용 허가 정보가 허가하지 않음을 나타내는 경우, 상기 공간 예측 움직임 벡터 후보에서 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성하는 예측 움직임 벡터 후보 리스트 생성 단계와, 상기 예측 움직임 벡터 위치를 나타내는 정보에 기초하여 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 복호 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 움직임 벡터 선택 단계를 구비한다.또한, 이상의 구성 요소의 임의의 조합, 본 발명의 표현을 방법, 장치, 시스템, 기록 매체, 컴퓨터 프로그램 등의 사이에서 변환한 것도 본 발명의 양태로서 유효하다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 의하면, 움직임 벡터의 예측 정도와 부호화 효율을 향상시킬 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 제1 실시형태의 동화상 부호화 장치의 구성을 설명하는 도면이다.도 2는 도 1의 제1 움직임 정보 메모리와 제2 움직임 정보 메모리에서 움직임 벡터와 참조 화상 인덱스의 관리 방법을 설명하는 도면이다.도 3은 도 1의 움직임 정보 생성부의 구성을 설명하는 도면이다.도 4는 제1 후보 블록군을 설명하는 도면이다.도 5는 제2 후보 블록군을 설명하는 도면이다.도 6은 도 3은 예측 벡터 후보 리스트 생성부의 구성을 설명하는 도면이다.도 7은 제1 실시형태의 동화상 부호화 장치의 부호화의 동작을 설명하는 플로차트이다.도 8은 도 1의 움직임 정보 생성부의 동작을 설명하는 플로차트이다.도 9는 도 6의 예측 벡터 후보 리스트 생성부의 동작을 설명하는 플로차트이다.도 10은 도 6의 제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부와 제2 예측 벡터 후보 리스트 생성부의 동작을 설명하는 플로차트이다.도 11은 제1 후보 블록군에 대해서의 각 방향의 검사를 설명하는 도면이다.도 12는 제2 후보 블록군에 대해서의 각 방향의 검사를 설명하는 도면이다.도 13은 제1 실시형태의 동화상 복호 장치를 설명하는 도면이다.도 14는 도 13의 움직임 정보 재생부의 구성을 설명하는 도면이다.도 15는 제1 실시형태의 동화상 복호 장치의 복호 동작을 설명하는 플로차트이다.도 16은 도 14의 움직임 정보 재생부의 동작을 설명하는 플로차트이다.도 17은 제1 실시형태의 확장예에 의한 예측 벡터 후보 리스트 생성부의 구성을 설명하는 도면이다.도 18은 제1 실시형태의 확장예에 의한 예측 벡터 후보 리스트 생성부의 동작을 설명하는 플로차트이다.도 19는 제1 실시형태의 확장예에 의한 POC차에 의한 소정 문턱 사이즈를 설명하는 도면이다.도 20은 제1 실시형태의 확장예에 의한 예측 벡터 후보 리스트 생성부의 동작을 설명하는 플로차트이다.도 21은 제2 실시형태의 동화상 부호화 장치의 구성을 설명하는 도면이다.도 22는 도 21의 움직임 정보 압축부와 움직임 정보 신장부에 의한 움직임 정보의 압축과 신장을 설명하는 도면이다.도 23은 제2 실시형태의 SPS의 신택스의 일부를 설명하는 도면이다.도 24는 제2 실시형태의 동화상 부호화 장치의 부호화의 동작을 설명하는 플로차트이다.도 25는 제2 실시형태의 예측 벡터 후보 리스트 생성부의 동작을 설명하는 플로차트이다.도 26은 제2 실시형태의 동화상 복호 장치를 설명하는 도면이다.도 27은 제2 실시형태의 동화상 복호 장치의 복호의 동작을 설명하는 플로차트이다.도 28은 예측 부호화 모드를 설명하는 도면이다.도 29는 화상을 최대 부호화 블록으로 분할하는 예를 설명하는 도면이다.도 30은 부호화 블록을 설명하는 도면이다.도 31은 예측 블록을 설명하는 도면이다.도 32는 예측 블록 사이즈를 설명하는 도면이다.도 33은 예측 블록의 신택스의 일례를 설명하는 도면이다.도 34는 Truncated Unary 부호열을 설명하는 도면이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 먼저, 본 발명의 실시형태의 전제가 되는 기술을 설명한다.현재, MPEG(Moving Picture Experts Group) 등의 부호화 방식에 준거한 장치 및 시스템이 보급되고 있다. 그와 같은 부호화 방식에서는 시간축상에 연속하는 복수의 화상을 디지털 신호의 정보로서 처리한다. 그때, 효율이 높은 정보의 방송, 전송 또는 축적 등을 목적으로 하고, 시간 방향의 용장성을 이용한 움직임 벡터 보상 예측 및 공간 방향의 용장성을 이용한 이산 코사인 변환 등의 직교 변환을 이용해서 압축 부호화한다.1995년에는 MPEG-2비디오(ISO/IEC13818-2)부호화 방식이 범용의 영상 압축 부호화 방식으로서 제정되고, DVD(Digital Versatile Disk) 및 D-VHS(등록 상표) 규격의 디지털 VTR에 의한 자기 테이프 등의 축적 미디어 및 디지털 방송 등의 애플리케이션으로서 널리 이용되고 있다.또한, 2003년에 국제표준화기구(ISO)와 국제전기표준회의(IEC)의 조인트 기술의원회(ISO/IEC)와, 국제전기통신연합 전기통신표준화부문(ITU-T)의 공동 작업에 의해 MPEG-4 AVC/H. 264로 불리는 부호화 방식(ISO/IEC에는 14496-10, ITU-T에는 H.264의 규격 번호가 붙어 있다. 이하, 이것을 MPEG-4AVC로 부른다)이 국제 표준으로서 제정되었다.현재, 국제표준화기구(ISO)와 국제전기표준회의(IEC)의 조인트 기술위원회(ISO/IEC)와 국제전기통신연합 전기통신표준화부문(ITU-T)의 공동 작업에 의해 HEVC로 불리는 부호화 방식의 표준화가 검토되고 있다.(예측 부호화 모드)본 발명의 실시형태에는, 움직임 보상 예측의 방향이나 부호화 벡터수를 여러 가지 블록 사이즈로 전환하는 것이 가능하게 되어 있다.여기서, 움직임 보상 예측의 방향과 부호화 벡터수를 연관 지은 예측 부호화 모드의 일례에 대해 도 28을 이용하여 간단하게 설명한다.움직임 보상 예측의 방향이 단일 방향이고, 부호화 벡터수가 1인 단일 방향 모드(UniPred), 움직임 보상 예측의 방향이 쌍방향이고 부호화 벡터수가 2인 쌍방향 모드(BiPred), 움직임 보상 예측의 방향이 쌍방향이고 부호화 벡터수가 0인 시간 다이렉트 모드(Temporal Direct)와 공간 다이렉트 모드(Spatial Dierct)가 있다. 또, 움직임 보상 예측을 실시하지 않는 예측 부호화 모드인 인트라 모드(Intra)도 있다.(참조 화상 인덱스)본 발명의 실시형태에는, 움직임 보상 예측의 정도 향상을 위해, 움직임 보상 예측에서 복수의 참조 화상 중에서 최적인 참조 화상을 선택하는 것을 가능하게 한다. 그 때문에, 움직임 보상 예측에서 이용한 참조 화상을 참조 화상 인덱스로서 부호화 벡터와 함께 부호화 스트림 안에 부호화한다. 움직임 보상 예측에서 이용하는 참조 화상 인덱스는 0 이상의 수치가 된다.(부호화 블록)본 발명의 실시형태에는, 입력된 화상 신호를 도 29와 같이 최대 부호화 블록 단위로 분할하고, 분할한 부호화 블록을 래스터 스캔 순서로 처리한다.부호화 블록은 계층 구조로 되어 있고, 부호화 효율 등을 고려하여 순차 균등하게 4분할함으로써 보다 작은 부호화 블록으로 할 수 있다. 또한, 4분할된 부호화 블록은 지그재그 스캔 순으로 부호화된다. 이 이상 작게 할 수 없는 부호화 블록을 최소 부호화 블록이라고 칭한다. 부호화 블록은 부호화의 단위가 되고, 최대 부호화 블록도 분할 수가 0인 경우는 부호화 블록이 된다.본 실시형태에는, 최대 부호화 블록을 64화소×64화소, 최소 부호화 블록을 8화소×8화소로 한다.도 30에 최대 부호화 블록의 분할의 일례를 나타낸다. 도 30의 예에는, 부호화 블록이 10개로 분할되어 있다. CU0, CU1, CU9는 32화소×32화소의 부호화 블록, CU2, CU3, CU8은 16화소×16화소의 부호화 블록, CU4, CU5, CU6은 8화소×8화소의 부호화 블록으로 되어 있다.(예측 블록)본 발명의 실시형태에는, 부호화 블록은 추가로 예측 블록으로 분할된다. 예측 블록의 분할의 패턴을 도 31에 도시한다. 부호화 블록을 분할하지 않는 2N×2N, 수평 방향으로 분할하는 2N×N, 수직 방향으로 분할하는 N×2N, 수평과 수직으로 분할하는 N×N이 있다. 즉, 예측 블록 사이즈는 도 32에 도시하는 바와 같이, CU 분할 수가 0이고 최대의 예측 블록 사이즈인 64화소×64화소에서 CU분할 수가 3이고 최소의 예측 블록 사이즈인 4화소×4화소까지의 13의 예측 블록 사이즈가 존재하게 된다.본 발명의 실시형태에는, 최대 부호화 블록을 64화소×64화소, 최소 부호화 블록을 8화소×수직(8)으로 하지만, 이 조합에 한정되지 않는다. 또, 예측 블록의 분할의 패턴을 도 31로 했지만, 1 이상으로 분할되면 좋고 이것에 한정되지 않는다.(예측 벡터 인덱스)HEVC에서는, 더 예측 벡터의 정도를 향상시키기 위해, 복수의 예측 벡터의 후보 중에서 최적의 예측 벡터를 선택하고, 선택한 예측 벡터를 나타내기 위한 예측 벡터 인덱스를 부호화하는 것이 검토된다. 또, 예측 벡터의 후보로서 다른 화상의 움직임 벡터를 이용하는 것도 검토되고 있다. 종래의 동화상 압축 부호화에서는, 다른 화상의 움직임 벡터는 움직임 보상 예측에서 이용되는 경우는 있어도, 예측 벡터로서 이용되는 경우는 없었다.본 발명의 실시형태에서는, 상기의 예측 벡터 인덱스를 도입하고, 또한 예측 벡터의 후보로서 다른 화상의 움직임 벡터를 이용한다.(인계 방향 인덱스)HEVC에서는, 더 부호화 효율을 향상시키기 위해, 복수의 인접 블록의 후보 중에서 최적의 인접 블록을 선택하고, 선택한 인접 블록을 나타내기 위한 인계 방향 인덱스(머지 인덱스(Merge Index))를 부호화 및 복호하는 것이 검토되어 있다. 이것은 선택된 머지 인덱스를 나타내는 블록의 움직임 정보(움직임 벡터, 참조 화상 인덱스 및 움직임 보상 예측의 방향)를 처리 대상 블록으로 그대로 이용하는 방법이다. 이 방법에서도, 예측 벡터 인덱스와 동일하게 다른 화상의 처리 종료의 블록을 이용하는 것이 검토되어 있다.(신택스(syntax))본 실시형태에 의한 예측 블록의 신택스의 일례를 도 33을 이용해서 설명한다. 예측 블록이 인트라인지 인터인지는 상위의 부호화 블록에 의해 지정되어 있고, 도 33은 예측 블록이 인터의 경우의 신택스를 도시한다. 인계 방향 플래그(merge_flag), 인계 방향 인덱스(merge_idx), 움직임 보상예측의 방향(bipred_flag), 참조 인덱스(ref_idx_l0과 ref_idx_l1), 차분 움직임 벡터(mvd_l0[0], mvd_l0[1], mvd_l1[0], mvd_l1[1]), 예측 벡터 인덱스(mvp_idx_l0 및 mvp_idx_l1)가 설치되어 있다.도 33에서는 예측 벡터 인덱스의 복호(부호화)의 전단에 예측 벡터의 후보수를 산출하는 함수인 NumMvpCands()가 마련되어 있다. 이것은 주변 블록의 상황에 따라서 예측 벡터의 후보수가 예측 블록마다 변화하기 때문이다.또한, 예측 벡터의 후보 후보수가 1인 경우는 예측 벡터 인덱스를 복호(부호화)하지 않는다. 예측 벡터의 후보수가 1인 경우는 지정하지 않아도 일의로 결정할 수 있기 때문에다. NumMvpCands()의 상세에 대해서는 후술한다.또, 예측 벡터 인덱스의 부호열에 대해 도 34를 이용해서 설명한다. 본 실시형태에는, 예측 벡터 인덱스의 부호열로서 Truncated Unary 부호열을 이용한다. 도 34(a)는 예측 벡터의 후보수가 2개인 경우의 Truncated Unary 부호열에 의한 예측 벡터 인덱스의 부호열을, 도 34(b)는 예측 벡터의 후보수가 3개의 경우의 Truncated Unary 부호열에 의한 예측 벡터 인덱스의 부호열을, 도 34(c)는 예측 벡터의 후보수가 4개의 경우의 Truncated Unary 부호열에 의한 예측 벡터 인덱스의 부호열을 나타낸다.도 34에서 같은 예측 벡터 인덱스의 값을 부호화하는 경우에도, 예측 벡터의 후보수가 적을수록 예측 벡터 인덱스에 할당되는 부호 비트가 작아지는 것을 알 수 있다. 예컨대, 예측 벡터 인덱스가 1인 경우, 예측 벡터의 후보수가 2개이면, "1" 의 1 비트이지만, 예측 벡터의 후보수가 3개이면, "10"의 2 비트가 된다.이와 같이, 예측 벡터의 부호수는 적을수록 예측 벡터 인덱스의 부호화 효율은 향상한다. 반면, 예측 벡터의 후보수가 예측 블록마다 변화하기 때문에, 예측 벡터 인덱스를 복호하기 위해서는 예측 벡터의 후보수를 사전에 산출해 놓을 필요가 있다.종래의 동화상 부호화에서는 다른 화상의 움직임 벡터에 대한 메모리 액세스는 움직임 보상 예측을 실행하는 경우뿐이었지만, 본 발명의 실시형태에는 상술과 같이 예측 벡터 인덱스의 산출에 있어서도 사전에 예측 벡터의 후보수를 산출해 놓을 필요가 있기 때문에, 움직임 벡터 메모리에 대한 액세스 양이 크게 증가한다.(POC)본 발명의 실시형태에는, 화상의 시간 정보(거리 정보)로서 POC(Picture Order Count)를 이용한다. POC는 MPEG-4AVC로 정의된 화상의 표시 순서를 나타내는 카운터(counter)이다. 화상의 표시 순서가 1 증가하면 POC도 1 증가한다. 따라서, 화상 간의 POC차에서 화상 간의 시간차(거리)를 취득할 수 있다.(인접 블록의 움직임 벡터의 특성)일반적으로 처리 대상 블록의 움직임 벡터와 처리 대상 블록에 인접하는 블록의 움직임 벡터의 상간도가 높은 것은, 처리 대상 블록과 처리 대상 블록에 인접하는 블록이 같은 움직임을 하고 있는 경우, 예컨대, 처리 대상 블록과 처리 대상 블록에 인접하는 블록을 포함한 영역이 평행 이동하고 있는 경우이다.(다른 화상의 움직임 벡터의 특성)한편, 일반적으로 시간 다이렉트 모드나 공간 다이렉트 모드로 이용되고 있는 복호 종료의 다른 화상 상에서 처리 대상 블록과 동일 위치인 블록(동일 위치 블록)과 처리 대상 블록의 상관도가 높은 것은, 동일 위치 블록과 처리 대상 블록이 정지 상태이거나, 동일 위치 블록과 처리 대상 블록이 평행 이동하고 있는 경우이다.(작은 블록의 움직임 벡터의 특성)또, 일반적으로 블록의 크기가 작아지는 것은, 처리 대상 블록의 움직임(움직임 벡터)와 인접 블록의 움직임(움직임 벡터)의 상관도가 낮은 경우 즉, 움직임이 복잡하다고 생각되어, 이 경우는 또 처리 대상 블록과 다른 화상의 움직임 벡터의 동일 위치 블록이 정지 상태이거나 처리 대상 블록과 동일 위치 블록이 평행 이동하고 있는 가능성은 낮다.이하, 도면과 함께 본 발명에 따른 동화상 부호화 장치, 동화상 부호화 방법, 동화상 부호화 프로그램의 적절한 실시형태에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 도면의 설명에는 동일 요소에는 동일 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다.[제1 실시형태](동화상 부호화 장치(100)의 구성)도 1은 본 발명의 제1 실시형태의 동화상 부호화 장치(100)의 구성을 도시한다. 동화상 부호화 장치(100)는, 동화상 신호를 움직임 보상 예측을 실시하는 예측 블록 단위로 부호화하는 장치이다. 부호화 블록의 분할, 예측 블록 사이즈의 결정, 예측 부호화 모드의 결정은 상위의 부호화 제어부로 결정되어 있는 것으로 한다. 동화상 부호화 장치(100)는, CPU(Central Processing Unit), 프레임 메모리, 하드디스크 등을 구비하는 정보처리장치 등의 하드웨어에 의해 실현된다. 동화상 부호화 장치(100)는, 상기 구성 요소가 동작하는 것에 의해, 이하에 설명하는 기능적인 구성 요소를 실현한다.또한, 처리 대상의 예측 블록의 위치 정보, 예측 블록 사이즈, 참조 화상 인덱스, 움직임 보상 예측의 방향에 관해서는 동화상 부호화 장치(100) 내에서 공유하고 있는 것으로 하고, 도시하지 않는다.본 실시형태의 동화상 부호화 장치(100)는 예측 블록 화상 취득부(101), 감산부(102), 예측 오차 부호화부(103), 부호열 생성부(104), 예측 오차 복호부(105), 움직임 보상부(106), 가산부(107), 움직임 벡터 검출부(108), 움직임 정보 생성부(109), 프레임 메모리(110), 제1 움직임 정보 메모리(111) 및 제2 움직임 정보 메모리(112)를 포함한다.(동화상 부호화 장치(100)의 기능)이하, 각부의 기능에 대해 설명한다.예측 블록 화상 취득부(101)는, 예측 블록의 위치 정보와 예측 블록 사이즈에 기초하여 단자(10)에 의해 공급되는 화상 신호에서 처리 대상의 예측 블록의 화상 신호를 취득하고, 예측 블록의 화상 신호를 감산부(102)와 움직임 벡터 검출부(108)에 공급한다.감산부(102)는 예측 블록 화상 취득부(101)에 의해 공급되는 화상 신호와 움직임 보상부(106)에 의해 공급되는 예측 신호를 감산하여 예측 오차 신호를 산출하고, 예측 오차 신호를 예측 오차 부호화부(103)에 공급한다.예측 오차 부호화부(103)는, 감산부(102)에 의해 공급되는 예측 오차 신호를 양자화나 직교 변환 등의 처리를 실행하고 예측 오차 부호화 데이터를 생성하고, 예측 오차 부호화 데이터를 부호열 생성부(104) 및 예측 오차 복호부(105)에 공급한다.부호열 생성부(104)는, 예측 오차 부호화부(103)에 의해 공급되는 예측 오차 부호화 데이터 및 움직임 정보 생성부(109)에 의해 공급되는 차분 벡터와 예측 벡터 인덱스를 움직임 보상 예측의 방향, 참조 인덱스와 함께 신택스에 따라 엔트로피 부호화하여 부호열을 생성하고, 부호열을 단자(11)에 공급한다.또한, 본 실시형태에는 상기와 같이 예측 벡터 인덱스의 부호화에 Truncated Unary 부호열을 이용했지만, 예측 벡터 인덱스가 예측 벡터의 후보수가 작을수록 적은 비트로 부호화할 수 있는 부호열이라면 이것에 한정되지 않는다.예측 오차 복호부(105)는, 예측 오차 부호화부(103)에 의해 공급되는 예측 오차 부호화 데이터를 역양자화나 역직교 변환 등의 처리를 실행해서 예측 오차 신호를 생성하고, 예측 오차 신호를 가산부(107)에 공급한다.움직임 보상부(106)는, 프레임 메모리(110) 내의 참조 화상을 움직임 벡터 검출부(108)에 의해 공급되는 움직임 벡터만 움직임 보상하여 예측 신호를 생성한다. 움직임 보상 예측의 방향이 쌍방향이면, 각각 방향의 예측 신호를 평균화한 것을 예측 신호로 하고, 예측 신호를 가산부(107)에 공급한다.가산부(107)는, 예측 오차 복호부(105)에 의해 공급되는 예측 오차 신호와 움직임 보상부(106)에 의해 공급되는 예측 신호를 가산하여 복호 화상 신호를 생성하고, 복호 화상 신호를 프레임 메모리(110)에 공급한다.움직임 벡터 검출부(108)는, 예측 블록 화상 취득부(101)에 의해 공급되는 화상 신호와 시간이 다른 화상 신호에서 움직임 벡터를 검출하고, 움직임 벡터를 움직임 보상부(106)에 공급한다. 또한, 움직임 보상 예측의 방향이 쌍방향이면, 각각의 방향의 움직임 벡터를 검출하고, 움직임 벡터를 움직임 보상부(106)에 공급한다.일반적인 움직임 벡터의 검출 방법은, 화상 신호와 동일 위치에 의해 소정의 이동량만 이동시킨 위치가 다른 화상 신호에 대해 오차 평가값을 산출하고, 오차 평가값이 최소가 되는 이동량을 움직임 벡터로 한다. 오차 평가값으로는, 절대 차분화를 나타내는 SAD(sum of Absolute diference)나 제곱 오차 평균을 나타내는 MSE(Mean Square Error) 등을 이용하는 것이 가능하다.움직임 정보 생성부(109)는, 움직임 벡터 검출부(108)에 의해 공급되는 움직임 벡터와, 제1 움직임 정보 메모리(111)에 의해 공급되는 제1 후보 블록군과, 제2 움직임 정보 메모리(112)에 의해 공급되는 제2 후보 블록군에서 차분 벡터와 예측 벡터 인덱스를 생성하고, 차분 벡터와 예측 벡터 인덱스를 부호열 생성부(104)에 공급한다.움직임 정보 생성부(109)의 상세한 설명에 대해서는 후술한다.프레임 메모리(110)는, 가산부(107)에 의해 공급되는 복호 화상 신호를 기억한다. 또, 화상 전체의 복호가 완료한 복호 화상에 대해서는 참조 화상으로서 1 이상의 소정 화상 수 기억하고, 참조 화상 신호를 움직임 보상부(106)에 공급한다. 참조 화상을 기억하는 기억 영역은, FIFO(First In First Out) 방식으로 제어된다.제1 움직임 정보 메모리(111)는, 움직임 벡터 검출부(108)에 의해 공급되는 움직임 벡터와 참조 화상 인덱스를 최소의 예측 블록 사이즈 단위로 1 화상분 기억하고, 처리 대상의 예측 블록의 인접 블록의 정보를 제1 후보 블록군으로서 움직임 정보 생성부(109)에 공급한다. 또, 제1 움직임 정보 메모리(111)는, 화상 전체의 처리가 종료하면, 기억하고 있는 움직임 벡터와 참조 화상 인덱스를 제2 움직임 정보 메모리(112)에 이동시킨다.제2 움직임 정보 메모리(112)는, 제1 움직임 정보 메모리(111)에 의해 공급되는 움직임 벡터와 참조 화상 인덱스를 소정 화상 수만큼 기억하고, 처리 대상의 예측 블록과 동일 위치의 ColPic상의 블록과 그 주변 블록을 제2 후보 블록군으로서 움직임 정보 생성부(109)에 공급한다. 움직임 벡터와 참조 화상 인덱스를 기억하는 기억 영역은 프레임 메모리(110)와 동기하고 있으며, FIFO(First In First Out) 방식으로 제어된다. ColPic이란, 처리 대상의 예측 블록과는 다른 복호 종료의 화상이고, 프레임 메모리(110)에 참조 화상으로서 기억되어 있다. 본 실시형태에는, ColPic은 직전에 복호한 참조 화상으로 한다. 또한, 본 실시형태에는, ColPic은 직전에 복호한 참조 화상으로 했지만, 표시 순으로 직전의 참조 화상이나 표시 순으로 직후의 참조 화상으로 하거나 복호화 스트림 중에서 임의의 참조 화상을 지정하는 것도 가능하다.여기서, 제1 움직임 정보 메모리(111)와 제2 움직임 정보 메모리(112)에서 움직임 벡터와 참조 화상 인덱스의 관리 방법에 대해 도 2를 이용해서 설명한다. 움직임 벡터와 참조 화상 인덱스는 최소의 예측 블록 단위로 각 메모리 영역에 기억된다. 도 2는 처리 대상의 예측 블록 사이즈가 16화소×16화소인 경우의 모양을 나타내고 있다. 이 경우, 이 예측 블록의 움직임 벡터와 참조 화상 인덱스는 도 2의 사선부의 16개의 메모리 영역에 격납된다.또한, 예측 부호화 모드가 인트라 모드인 경우, 움직임 벡터로서 (0, 0)이 기억되고, 참조 화상 인덱스로서 -1이 기억된다. 또한, 참조 화상 인덱스의 -1은 움직임 보상 예측을 실시하지 않는 모드인 것이 판정할 수 있다면 어떠한 값이어도 좋다.이 이후는 특히 거절하지 않는 이상 단순히 블록으로 표현하는 경우에는, 최소의 예측 블록 단위의 것을 나타내기로 한다.이어서, 본 실시형태의 특징이 되는 움직임 정보 생성부(109)의 상세한 구성에 대해 도 3을 이용해서 설명한다. 도 3은 움직임 정보 생성부(109)의 구성을 나타낸다.움직임 정보 생성부(109)는, 예측 벡터 후보 리스트 생성부(120)와 예측 벡터 선택부(121)와 감산부(122)를 포함한다. 단자(12)는 제1 움직임 정보 메모리(111)에 단자(13)는 제2 움직임 정보 메모리(112)에, 단자(14)는 움직임 벡터 검출부(108)에, 단자(15)는 부호열 생성부(104)에 접속되어 있다.예측 벡터 후보 리스트 생성부(120)는, 본 실시형태에 의한 동화상 부호화 장치에 의해 생성된 부호열을 복호하는 동화상 복호 장치에도 동일하게 설치되어 동화상 부호화 장치와 동화상 복호 장치에 의해 모순 없는 예측 벡터 후보 리스트가 생성된다.또한, 신택스로 설명한 NumMvpCands()는, 예측 벡터 후보 리스트 생성부(120)에 의해 생성된 예측 벡터 후보 리스트에 포함되는 예측 벡터 후보수를 되돌린다.이하, 각부의 기능에 대해 설명한다.예측 벡터 후보 리스트 생성부(120)는, 단자(12)에 의해 공급되는 제1 후보 블록군과 단자(13)에 의해 공급되는 제2 후보 블록군에서 예측 벡터 후보 리스트를 생성하고, 예측 벡터 후보 리스트를 예측 벡터 선택부(121)에 공급한다.(후보 불록군)여기서, 제1 후보 블록군에 대해 도 4를 이용해서 설명한다. 도 4는 처리 대상의 예측 블록 사이즈가 16화소×16화소인 경우의 모양을 도시하고 있다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 처리 대상의 예측 블록의 인접 블록을, 좌측에 위치하는 블록(A1), 블록(A2, A3, A4), 위에 위치하는 블록(B1), 블록(B2), 블록(B3), 블록(B4), 우측 위에 위치하는 블록(C), 좌측 위에 위치하는 블록(D), 좌측 아래에 위치하는 블록(E)으로서, 이들을 제1 후보 블록군이라고 한다.본 실시형태에서는, 제1 후보 블록군을 도 4로 했지만, 본 발명의 실시형태에는, 제1 후보 블록군은, 처리 대상의 예측 블록에 인접하는 적어도 1 이상의 처리 종료의 블록이면 좋고, 도 4에 한정되지 않는다. 예컨대, 각 방향에서 1개씩 선택해서 블록(A1), 블록(C), 블록(D) 및 블록(B1), 블록(E) 등으로 해도 좋다.다음으로, 제2 후보 블록군에 대해 도 5를 이용해서 설명한다. 도 5는 처리 대상의 예측 블록 사이즈가 16화소×16화소인 경우의 모양을 도시하고 있다. 도 5에 도시하는 바와 같이, 처리 대상의 예측 블록과 동일 위치에 있는 ColPic 상의 예측 블록 내의 블록과 그 주변 블록을 제2 후보 블록군으로 한다. 구체적으로는, 처리 대상의 예측 블록과 동일 위치인 ColPic 상의 예측 블록 내의 블록(I1)에서 블록(I16), 좌측에 위치하는 블록(A1)에서 블록(A4), 위에 위치하는 블록(B1)에서 블록(B4), 우측 위에 위치하는 블록(C), 좌측 위에 위치하는 블록(D), 좌측 아래에 위치하는 블록(E), 우측에 위치하는 블록(F1)에서 블록(F4), 아래에 위치하는 G1에서 G4, 우측 아래에 위치하는 H로 하고, 이들의 블록을 제2 후보 블록군이라고 한다.본 실시형태에는, 제2 후보 블록군을 ColPic 상의 블록(I1)에서 블록(I16), 블록(A1)에서 블록(A4), 블록(B1)에서 블록(B4), 블록(C), 블록(D), 블록(E), 블록(F1)에서 블록(F4), 블록(G1)에서 블록(G4), 블록(H)로 했지만, 본 발명의 실시형태에는, 제2 후보 블록군은 처리 대상의 예측 블록과는 다른 복호 종료의 화상 상의 적어도 1 이상의 블록이면 좋고, 상기에 한정되지 않는다. 제2 후보 블록군을 블록으로 해도 좋고 예컨대, 블록 (I1)의 1 블록만큼, 블록(H)의 1 블록만큼으로 해도 좋다.예측 벡터 선택부(121)는, 예측 벡터 후보 리스트 생성부(120)에 의해 공급되는 예측 벡터 후보 리스트 중에서, 단자(14)에 의해 공급되는 움직임 벡터에 대응하는 예측 벡터를 선택하고, 예측 벡터를 감산부(122)에 공급하면서 선택된 예측 벡터를 나타내는 정보인 예측 벡터 인덱스를 단자(15)로 출력한다.감산부(122)는, 단자(14)에 의해 공급되는 움직임 벡터에서 예측 벡터 선택부(121)에 의해 공급되는 예측 벡터를 감산하여 차분 벡터를 산출하고, 차분 벡터를 단자(15)에 공급한다.도 6은 예측 벡터 후보 리스트 생성부(120)의 구성을 도시한다.예측 벡터 후보 리스트 생성부(120)는, 제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부(130)와 결합 판정부(131)와 제2 예측 벡터 후보 리스트 생성부(132)와 예측 벡터 후보 리스트 결정부(133)를 포함한다. 단자(16)는 예측 벡터 선택부(121)에 접속되어 있다.이하, 각부의 기능에 대해 설명한다.제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부(130)는, 단자(12)에 의해 공급되는 제1 후보 블록군에서 1 이상의 움직임 벡터를 포함하는 제1 예측 벡터 후보 리스트를 생성하고, 제1 예측 벡터 후보 리스트를 예측 벡터 후보 리스트 결정부(133)에 공급한다.결합 판정부(131)는, 처리 대상의 예측 블록의 예측 블록의 사이즈에서 결합 판정 결과를 도출하고, 결합 판정 결과를 예측 벡터 후보 리스트 결정부(133)에 공급한다.제2 예측 벡터 후보 리스트 생성부(132)는, 단자(13)에서 공급되는 제2 후보 블록군에서 0 이상의 움직임 벡터를 포함하는 제2 예측 벡터 후보 리스트를 생성하고, 제2 예측 벡터 후보 리스트를 예측 벡터 후보 리스트 결정부(133)에 공급한다.예측 벡터 후보 리스트 결정부(133)는, 결합 판정부(131)에 의해 공급되는 결합 판정 결과에 기초하여 제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부(130)에 의해 공급되는 제1 예측 벡터 후보 리스트와 제2 예측 벡터 후보 리스트 생성부(132)에 의해 공급되는 제2 예측 벡터 리스트에서 제3의 예측 벡터 후보 리스트를 결정하고, 제3의 예측 벡터 후보 리스트를 단자(16)에 공급한다.(동화상 부호화 장치(100)의 동작)이어서, 도 7의 플로차트를 이용해서 본 실시형태의 동화상 부호화 장치(100)에서 부호화의 동작을 설명한다.예측 블록 화상 취득부(101)는, 예측 블록의 위치 정보와 예측 블록 사이즈에 기초하여 단자(10)에 의해 공급되는 화상 신호에서 처리 대상의 예측 블록의 화상 신호를 취득한다(단계(S100)).움직임 벡터 검출부(108)는, 예측 블록 화상 취득부(101)에 의해 공급되는 화상 신호와 프레임 메모리(110)에 의해 공급되는 참조 화상 신호에서 움직임 벡터를 검출한다(단계(S101)).움직임 정보 생성부(109)는, 움직임 벡터 검출부(108)에 의해 공급되는 움직임 벡터와, 제1 움직임 정보 메모리(111)에 의해 공급되는 제1 후보 블록군과, 제2 움직임 정보 메모리(112)에 의해 공급되는 제2 후보 블록군에서 차분 벡터와 예측 벡터 인덱스를 생성한다(단계(S102)).움직임 보상부(106)는 프레임 메모리(110) 내의 참조 화상을 움직임 벡터 검출부(108)에 의해 공급되는 움직임 벡터에 기초하여 움직임 보상해서 예측 신호를 생성한다(단계(S103)).감산부(102)는, 예측 블록 화상 취득부(101)에 의해 공급되는 화상 신호와 움직임 보상부(106)에 의해 공급되는 예측 신호를 감산하여 예측 오차 신호를 산출한다(단계(S104)).예측 오차 부호화부(103)는, 감산부(102)에 의해 공급되는 예측 오차 신호를 양자화나 직교 변환 등의 처리를 실행해서 예측 오차 부호화 데이터를 생성한다(단계(S105)).부호열 생성부(104)는, 예측 오차 부호화부(103)에 의해 공급되는 예측 오차 부호화 데이터 및 움직임 정보 생성부(109)에 의해 공급되는 차분 벡터와 예측 벡터 인덱스를 움직임 보상 예측의 방향, 참조 인덱스와 함께 신택스에 따라 엔트로피 부호화하여 부호열을 생성한다(단계(S106)).가산부(107)는, 예측 오차 복호부(105)에 의해 공급되는 예측 오차 신호와 움직임 보상부(106)에 의해 공급되는 예측 신호를 가산하여 복호 화상 신호를 생성한다(단계(S107)).프레임 메모리(110)는, 가산부(107)에 의해 공급되는 복호 화상 신호를 기억한다(단계S108).제1 움직임 정보 메모리(111)는, 움직임 벡터 검출부(108)에 의해 공급되는 움직임 벡터를 최소의 예측 블록 사이즈 단위로 1 화상분 기억한다(단계S109).화상 전체의 처리가 종료되면(단계(S110)의 YES), 제1 움직임 정보 메모리(207)는 제2 움직임 정보 메모리(208)에 기억되어 있는 1 화면 분의 움직임 벡터를 이동시키고, 제2 움직임 정보 메모리(112)는, 제1 움직임 정보 메모리(111)에 의해 공급되는 움직임 벡터를 소정 화상 수만큼 기억한다(단계(S111)). 또한, 본 실시형태에는 단계(S111)를 화상 전체의 처리가 종료했을 때로 했지만, 처리 대상의 예측 블록마다 실행하는 것도 가능하다.이어서, 도 8의 플로차트를 이용해서 움직임 정보 생성부(109)의 동작을 설명한다.예측 벡터 후보 리스트 생성부(120)는, 단자(12)에 의해 공급되는 제1 후보 블록군과 단자(13)에 의해 공급되는 제2 후보 블록군에서 예측 벡터 후보 리스트를 생성한다(단계(S120)).예측 벡터 선택부(121)는 예측 벡터 후보 리스트 생성부(120)에 의해 공급되는 예측 벡터 후보 리스트 중에서, 단자(14)에 의해 공급되는 움직임 벡터에 대응하는 예측 벡터를 결정한다(단계(S121)). 여기서 예측 벡터의 결정 방법에 대해 설명한다. 움직임 벡터와 예측 벡터 후보 리스트에 포함되는 각 예측 벡터 후보의 수평 성분과 수직 성분의 절대 차분 합을 구하고, 절대 차분 합이 최소가 되는 예측 벡터 후보를 예측 벡터로서 결정한다. 이것은 부호화 벡터의 부호량이 최소가 되는 것을 기대할 수 있기 때문이다. 또한, 부호화 벡터의 부호량이 최소가 되는 방법은, 이 방법에 한정되지 않는다.감산부(122)는, 단자(14)에 의해 공급되는 움직임 벡터에서 예측 벡터 선택부(121)에 의해 공급되는 예측 벡터를 감산하여 차분 벡터를 산출한다(단계(S122)).이어서, 도 9의 플로차트를 이용해서, 예측 벡터 후보 리스트 생성부(120)의 동작을 설명한다.제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부(130)는, 단자(12)에 의해 공급되는 제1 후보 블록군에서 1 이상의 움직임 벡터를 포함하는 제1 예측 벡터 후보 리스트를 생성한다(단계(S130)).제 예측 벡터 후보 리스트 생성부(132)는, 단자(13)에 의해 공급되는 제2 후보 리스트 블록군에서 0 이상의 움직임 벡터를 포함하는 제2 예측 벡터 후보 리스트를 생성한다(단계(S131)).결합 판정부(131)는, 처리 대상의 예측 블록의 예측 블록의 사이즈와, 소정 문턱 사이즈에서 결합 판정 결과를 도출한다(단계(S132)).결합 판정 결과의 도출은, 처리 대상 블록의 예측 블록 사이즈를 미리 정해진 소정 문턱 사이즈와 비교하는 것에 의해 실행된다. 처리 대상 블록의 예측 블록 사이즈가 소정 문턱 사이즈 이상이라면 결합 판정 결과를 1로, 그 이외에는 0으로 한다. 또한, 본 실시형태의 결합 판정은, 처리 대상 블록의 예측 블록 사이즈를 미리 정해진 소정 문턱 사이즈와 비교하는 것에 의해 실행되기 때문에, 처리 대상 블록의 예측 블록 사이즈가 소정 문턱 사이즈에 의해 크면 결합 판정 결과를 1로, 그 외에는 0으로 해도 좋다.본 실시형태에는, 미리 정해진 소정 문턱 사이즈를 최대의 예측 블록 사이즈의 1/4인 16화소×16화소에 설정한다. 미리 정해진 소정 문턱 사이즈는 이것에 한정되지 않고, 하드웨어의 제약 등에 의해 설정되어도 좋다.예측 벡터 후보 리스트 결정부(133)는, 결합 판정부(131)에 의해 공급되는 결합 판정 결과가 1이면(단계(S132)의 YES), 제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부(130)에 의해 공급되는 제1 예측 벡터 후보 리스트와 제2 예측 벡터 후보 리스트 생성부(132)에 의해 공급되는 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합하여 예측 벡터 후보 리스트로 한다(단계(S133)).예측 벡터 후보 리스트 결정부(133)는, 결합 판정부(131)에 의해 공급되는 결합 판정 결과가 0이면(단계(S132)의 NO), 제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부(130)에 의해 공급되는 제1 예측 벡터 후보 리스트를 예측 벡터 후보 리스트로 한다(단계(S134)). 즉, 결합 판정부(131)에 의해 공급되는 결합 판정 결과가 0이면, 제2 예측 벡터 후보 리스트 생성부(132)에 의해 공급되는 제2 예측 벡터 후보 리스트에 포함되는 예측 벡터 후보는, 예측 벡터 후보 리스트에는 포함되지 않는다.예측 벡터 후보 리스트 결정부(133)는, 예측 벡터 후보 리스트에 포함되는 예측 벡터 후보를 순차 검사하여 동일한 움직임 벡터를 검출하고, 동일하게 검출된 일방의 예측 벡터 후보를 예측 벡터 후보 리스트에서 삭제하고, 예측 벡터 후보가 중복되지 않도록 하여, 예측 벡터 후보 리스트를 갱신하여 용장의 예측 벡터 후보를 삭제한다(단계(S135)).본 실시형태에는, 예측 벡터 인덱스의 부호화 효율을 향상시키기 위해 단계(S135)를 실시했지만, 단계(S135)를 생략할 수도 있다.또, 본 실시형태에는, 설명을 용이하게 하기 위해 단계(S131)를 단계(S132)보다도 먼저 실시하기로 했지만 단계(S132)를 먼저 실행하고, 결합 판정 결과가 0의 경우에는, 단계(S131)를 생략할 수도 있다.이어서, 도 10의 플로차트를 이용해서 제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부(130)의 동작을 설명한다. 도 10 내의 제N은 제1이 된다.먼저, 제1 예측 벡터 후보 리스트의 등록 수를 0으로 하여 제1 예측 벡터 후보 리스트가 초기화된다(단계(S140)).다음으로, 제1 후보 블록군에 대해 검사 방향으로서 수평 방향(방향 1)과 수직 방향(방향 2)의 2 방향을 정의하여, 이하의 처리가 실행된다(단계(S141)). 제1 후보 블록군에 대해서의 각 방향의 검사에 대해서는 도 11을 이용하여 설명한다.수평 방향의 검사는 블록(C)에서 블록(B1), 블록(B2), 블록(B3), 블록(B4), 블록(D)까지 순차적으로 실행된다. 수직 방향의 검사는, 블록(E)에서 블록(A1), 블록(A2), 블록(A3), 블록(A4)까지 순차적으로 실행된다.다음으로, 제1 예측 벡터 후보 리스트에 추가하는지 아닌지를 검사하는 검사 개수가 결정된다(단계(S142)).본 실시형태에는, 수평 방향으로 검사하는 최대수를 최대의 예측 블록 사이즈의 절반인 8개에 블록(C)과 블록(D)을 더한 10개로 하고, 수직 방향으로 검사하는 최대수를 최대의 예측 블록 사이즈의 절반인 8개에 블록(E)을 더한 9개로 한다. 그러나 블록(C), 블록(D) 및 블록(E)는 처리 대상의 예측 블록의 위치에 따라 존재하지 않는 가능성이 있다. 블록(C), 블록(D) 및 블록(E)가 존재하지 않는 경우에는, 검사하는 최대수에서 존재하지 않는 블록수를 줄여 놓는다. 그리고 제1 후보 블록군에 포함되는 각 방향의 후보 블록수가 검사하는 최대수를 넘는 경우에는 검사 개수를 최대수로 제한한다.다음으로, 제1 후보 블록군의 각 방향에 포함되는 각 후보 블록에 대해 검사 개수만큼 이하의 처리가 반복 실시된다(단계(S143)).후보 블록의 참조 인덱스가 -1이 아닌 것 즉, 인트라 모드가 아닌지 판정된다(단계(S144)).후보 블록이 인트라 모드가 아니라면(단계(S114)의 YES), 후보 블록의 참조 인덱스가 처리 대상의 예측 블록의 참조 화상 인덱스와 동일한지 판정된다(단계(S145)).후보 블록의 참조 인덱스가 처리 대상의 예측 블록의 참조 화상 인덱스와 동일하면(단계(S145))의 YES), 제1 예측 벡터 후보 리스트에 후보 블록의 움직임 벡터가 추가된다(단계(S146)).후보 블록의 참조 인덱스가 -1이거나(단계(S114)의 NO), 후보 블록의 참조 인덱스가 처리 대상의 예측 블록의 참조 화상 인덱스와 동일하지 않으면(단계(S145)의 NO), 다음 후보 블록이 검사된다(단계(S147)).후보 블록의 참조 인덱스가 처리 대상의 예측 블록의 참조 화상 인덱스와 동일하거나, 각 방향의 검사 개수만큼 처리되기까지 상기의 처리가 반복된다(단계(S148)).다음으로, 제1 예측 벡터 후보 리스트의 등록수가 0인지가 검사된다(단계(S149)).제1 예측 벡터 후보 리스트의 등록수가 0이면(단계(S149)의 YES), 제1 예측 벡터 후보 리스트에 움직임 벡터(0, 0)가 추가되고(단계(S150) 처리를 종료한다.제1 예측 벡터 후보 리스트의 등록수가 0이 아니라면(단계(S149)의 NO), 처리를 종료한다. 이와 같이, 제1 예측 벡터 후보 리스트에 추가되는 움직임 벡터가 도출된다.이어서, 도 10의 플로차트를 이용해서 제2 예측 벡터 후보 리스트 생성부(132)의 동작을 설명한다. 도 10 내의 제N은 제2가 된다.제2 후보 블록군에 대한 각 방향의 검사 순서를 도 12에 도시한다.제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부(130)의 동작과의 제1 차이점은, 검사 방향으로서 동일 위치 방향(방향 0)을 갖는 것이고, 검사 방향은 동일 위치 방향, 수평 방향, 수직 방향의 순서대로 실시된다. 동일 위치 방향의 후보 블록은 도 12의 I1에서 I16에 해당하고, 동일 위치 방향의 검사는 래스터 스캔 순서로 실시된다.제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부(130)의 동작과의 제2 차이점은, 단계(S149)와 단계(S150)가 실시되지 않는 것이다. 이것은 제1 예측 벡터 후보 리스트와 제2 예측 벡터 후보 리스트 중에서 또는 예측 벡터 후보 리스트에 1 이상의 예측 벡터 후보를 추가하기 위해 이루어지기 때문에, 제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부(130) 또는 제2 예측 벡터 후보 리스트 생성부(132) 중에서 실행되어도 좋고, 또한 예측 벡터 리스트 결정부(133)로 실행되어도 좋다.본 실시예에서는, 메모리 액세스 양을 저감하기 위해, 검사하는 최대수를 9개로 제한했지만, 특히 제한을 마련하지 않아도 좋다.본 실시형태에서는, 처리 속도를 우선으로 하고, 단계(S146)에서 후보 블록의 참조 인덱스가 처리 대상의 예측 블록의 참조 화상 인덱스와 동일하면 다음 방향의 검사로 했지만, 각 방향의 검사 개수만큼 처리될 때까지 반복해도 좋다.본 실시예에서는, 제1 후보 블록군에 대해서의 각 방향의 검사 방법을 도 11로 했지만, 전체 방향의 합계의 검사수가 1 이상이면 좋고, 이 검사 방법에 한정되지 않는다. 예컨대, 방향(1)을 블록(C), 블록(B1), 블록(D), 방향(2)를 블록(E), 블록(A1)만으로 해도 좋다.본 실시예에서는, 제2 후보 블록군에 대해서의 각 방향의 검사 방법을 도 12로 했지만, 전체 방향의 합계의 검사수가 1 이상이면 좋고, 이 검사 방법에 한정되지 않는다. 예컨대, 방향(2)의 블록(H)만으로 해도 좋고, 블록(H)과 블록(I)의 2 블록으로 해도 좋다.(동화상 복호 장치(200)의 구성)다음으로, 본 실시형태의 동화상 복호 장치를 설명한다. 도 13에 본 실시형태의 동화상 복호 장치(200)를 나타낸다. 동화상 복호 장치(200)는, 동화상 부호 장치(100)에 의해 부호화된 부호열을 복호하여 재생 화상을 생성하는 장치이다.동화상 복호 장치(200)는, CPU(Central Processing Unit), 프레임 메모리, 하드 디스크 등을 구비하는 정보 처리 장치 등의 하드웨어에 의해 실현된다. 동호상 복호 장치(200)는 상기의 구성 요소가 동작하는 것에 의해, 이하에 설명하는 기능적인 구성 요소를 실현한다.또한, 복호 대상의 예측 블록의 위치 정보, 예측 블록 사이즈, 참조 화상 인덱스, 움직임 보상 예측의 방향에 관해서는 동화상 복호 장치(200) 내에서 공유하는 것으로 하고 도시하지 않는다.본 실시형태의 동화상 복호 장치(200)는, 부호열 해석부(201), 예측 오차 복호부(202), 가산부(203), 움직임 정보 재생부(204), 움직임 보상부(205), 프레임 메모리(206), 제1 움직임 정보 메모리(207), 제2 움직임 정보 메모리(208)로 구성된다.(동화상 복호 장치(200)의 기능)이하, 각부의 기능에 대해 설명한다.부호열 해석부(201)는, 단자(20)에 의해 공급된 부호열을 복호하여 예측 오차 부호화 데이터, 움직임 보상 예측의 방향, 참조 화상 인덱스, 차분 벡터 및 예측 벡터 인덱스를 신택스에 따라 복호하고, 예측 오차 부호화 데이터를 예측 오차 복호화(202)에 차분 벡터 및 예측 벡터 인덱스를 움직임 정보 재생부(204)에 공급한다.예측 오차 복호부(202)는, 부호열 해석부(201)에 의해 공급되는 예측 오차 부호화 데이터를 역양자화나 역직교 변환 등의 처리를 실행해서 예측 오차 신호를 생성하고, 예측 오차 신호를 가산부(203)에 공급한다.가산부(203)는, 예측 오차 복호부(202)에 의해 공급되는 예측 오차 신호와 움직임 보상부(205)에 의해 공급되는 예측 신호를 가산하여 복호 화상 신호를 생성하고, 복호 화상 신호를 프레임 메모리(206)에 공급한다.움직임 정보 재생부(204)는, 부호열 해석부(201)에 의해 공급되는 차분 벡터와 예측 벡터 인덱스와, 제1 움직임 정보 메모리(207)에 의해 공급되는 제1 후보 블록군과, 제2 움직임 정보 메모리(208)에 의해 공급되는 제2 후보 블록군에서 움직임 벡터를 재생하고, 움직임 벡터를 움직임 보상부(205)에 공급한다.움직임 정보 재생부(204)의 상세한 구성에 대해서는 후술한다.움직임 보상부(205)는, 프레임 메모리(206) 내의 참조 화상을, 움직임 정보 재생부(204)에 의해 공급되는 움직임 벡터만큼 움직임 보상하고 예측 신호를 생성한다. 움직임 보상 예측의 방향이 쌍방향이면, 각각의 방향의 예측 신호를 평균화한 것을 예측 신호로 하고, 예측 신호를 가산부(203)에 공급한다.프레임 메모리(206), 제1 움직임 정보 메모리(207), 제2 움직임 정보 메모리(208)는, 각각 프레임 메모리(110), 제1 움직임 정보 메모리(111), 제2 움직임 정보 메모리(112)와 동일한 기능을 갖는다.이어서, 본 실시형태의 특징이 되는 움직임 정보 재생부(204)의 상세한 구성에 대해서 도 14를 이용해서 설명한다. 도 14는, 움직임 정보 재생부(204)의 구성을 도시한다.움직임 정보 재생부(204)는, 예측 벡터 후보 리스트 생성부(220)와 예측 벡터 결정부(221)와 가산부(222)를 포함한다. 단자(22)는 제1 움직임 정보 메모리(207)에, 단자(23)는 제2 움직임 정보 메모리(208)에, 단자(24)는 부호열 해석부(201)에, 단자(25)는 움직임 보상부(205)에 접속되어 있다.이하, 각부의 기능에 대해 설명한다.예측 벡터 후보 리스트 생성부(220)는 예측 벡터 후보 리스트 생성부(120)와 동일한 기능을 갖는다.예측 벡터 결정부(221)는, 예측 벡터 후보 리스트 생성부(220)에 의해 공급되는 예측 벡터 후보 리스트와, 단자(24)에 의해 공급되는 예측 벡터 인덱스에서 예측 벡터를 결정하여 가산부(222)에 공급한다.가산부(222)는, 단자(24)에 의해 공급되는 차분 벡터와 예측 벡터 결정부(221)에 의해 공급되는 예측 벡터를 가산하여 움직임 벡터를 산출하고, 움직임 벡터를 단자(25)에 공급한다.(복호 장치의 동작)이어서, 도 15의 플로차트를 이용해서, 본 실시형태의 동화상 복호 장치(200)에서 복호의 동작을 설명한다.부호열 해석부(201)는 단자(20)에 의해 공급된 부호열을 복호하여 예측 오차 부호화 데이터, 움직임 보상 예측의 방향, 참조 화상 인덱스, 차분 벡터 및 예측 벡터 인덱스를 신택스에 따라 복호한다(단계(S100)).움직임 정보 재생부(204)는, 부호열 해석부(201)에 의해 공급되는 차분 벡터와 예측 벡터 인덱스와, 제1 움직임 정보 메모리(207)에 의해 공급되는 제1 후보 블록군과, 제2 움직임 정보 메모리(208)에 의해 공급되는 제2 후보 블록군에서 움직임 벡터를 재생한다(단계(S201)).움직임 보상부(205)는, 프레임 메모리(206) 내의 참조 화상을 움직임 정보 재생부(204)에 의해 공급되는 움직임 벡터에 기초하여 움직임 보상하여 예측 신호를 생성한다(단계(S202)).예측 오차 복호부(202)는, 부호열 해석부(201)에 의해 공급되는 예측 오차 부호화 데이터를 역양자화나 역직교 변환 등의 처리를 실행해서 예측 오차 신호를 생성한다(단계(S203)).가산부(203)는, 예측 오차 복호부(202)에 의해 공급되는 예측 오차 신호와 움직임 보상부(205)에 의해 공급되는 예측 신호를 가산하여 복호 화상 신호를 생성한다(단계(S204)).프레임 메모리(206)는, 가산부(203)에 의해 공급되는 복호 화상 신호를 기억한다(단계(S206)).제1 움직임 정보 메모리(207)는, 움직임 정보 재생부(204)에 의해 공급되는 움직임 벡터를 최소의 예측 블록 사이즈 단위로 1화상 분 기억한다(단계(S207)).화상 전체의 처리가 종료하면(단계(S208)의 YES), 제1 움직임 정보 메모리(207)는 제2 움직임 정보 메모리(208)에 기억하고 있는 1화면 분의 움직임 벡터를 이동시키고, 제2 움직임 정보 메모리(208)는, 제1 움직임 정보 메모리(207)에 의해 공급되는 움직임 벡터를 소정 화상 수만큼 기억한다(단계(S209)).이어서, 도 16의 플로차트를 이용해서 움직임 정보 재생부(204)의 동작을 설명한다.예측 벡터 후보 리스트 생성부(220)는, 단자(22)에 의해 공급되는 제1 후보 블록군과 단자(23)에 의해 공급되는 제2 후보 블록군에서 예측 벡터 후보 리스트를 생성한다(단계(S220)).예측 벡터 결정부(221)는, 예측 벡터 후보 리스트 생성부(220)에 의해 공급되는 예측 벡터 후보 리스트의 예측 벡터 후보수가 1보다 큰지를 판정한다(단계(S221)).예측 벡터 결정부(221)는, 예측 벡터 후보수가 1보다 크면(단계(S221)의 YES), 부호열 해석부(201)에 의해 공급되는 예측 벡터 인덱스를 취득한다(단계(S222)). 그리고 예측 벡터 후보 리스트 중에서 예측 벡터 인덱스에서 나타내는 예측 벡터 후보를 예측 벡터로서 선택한다(단계(S223)).예측 벡터 결정부(221)는, 예측 벡터 후보수가 1이면(단계(S221)의 NO), 예측 벡터 후보 리스트에 포함되는 유일한 예측 벡터 후보를 예측 벡터로서 선택한다(단계(S224).가산부(222)는, 단자(24)에 의해 공급되는 차분 벡터와 예측 벡터 결정부(221)에 의해 공급되는 예측 벡터를 가산하여 움직임 벡터를 산출한다(단계(S225)).(제1 실시형태의 확장예)또한, 본 실시형태는 이하와 같이 확장할 수 있다.(소정 문턱 사이즈)본 실시형태에는, 미리 정해진 소정 문턱 사이즈를 최대의 예측 블록 사이즈의 1/4인 16화소×16화소로 설정했지만, 소정 문턱 사이즈는 최소의 예측 블록 사이즈 이상이고 최대의 예측 블록 사이즈 이하라면 예컨대, 32×16이나 4×8 등의 비대칭 블록이어도 좋다. 또, 소정 문턱 사이즈가 최대의 예측 블록 사이즈인 경우에, 모든 예측 블록 사이즈에서 결합 판정 결과가 0이 되도록 해도 좋다. 이 경우, 모든 예측 블록 사이즈에서 결합 판정 결과가 0이기 때문에, 결과적으로 제2 예측 벡터 후보 리스트에 포함되는 ColPic 상의 움직임 벡터는 예측 벡터로서 이용되지 않는다.또한, 본 실시형태에서는, 소정 문턱 사이즈를 미리 정의했지만, 소정 문턱 사이즈를 부호열로 부호화하여 복호함으로써 부호화 장치에서 동화상의 특성 등에 따라 적응적으로 설정할 수 있다. 예컨대, 화면 사이즈가 커지는 만큼 크게 하고, 움직임이 큰 만큼 커지도록 적응적으로 설정할 수 있다.여기서는, 소정 문턱 사이즈 부호열에 부호화하여 복호하기로 했지만, 소정 문턱 사이즈가 부호화 측과 복호 측에서 공유되면 좋고, 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 고정의 소정 문턱 사이즈(4×4, 8×8 등)를 나타내는 플래그를 부호열에 부호화하여 복호하고, 부호화 측과 복호 측에서 소정 문턱 사이즈를 나타내는 플래그가 0이면, 고정의 소정 문턱 사이즈가 설정되고, 소정 문턱 사이즈를 나타내는 플래그가 1이면, 소정 문턱 사이즈가 설정되지 않도록 해도 실현할 수 있다. 또한, 소정 문턱 사이즈가 설정되지 않는 경우에는, 제1 예측 벡터 후보 리스트와 제2 예측 벡터 후보 리스트가 결합되어 예측 벡터 후보 리스트가 생성되도록 해도 좋다.또, 소정 문턱 사이즈를 최대의 예측 블록 사이즈에 설정하여 동화상의 특성 등에 따라 적응적으로 설정하는 것은, 소정 문턱 사이즈가 최대의 예측 블록 사이즈인 것을 나타내는 정보(이하, 시간 부호 이용 플래그)를 시퀀스마다나 픽처마다 부호열로 부호화하여 복호하고, 시간 후보 이용 플래그가 0이면, 부호화 측과 복호 측에서 제2 예측 벡터 후보 리스트에 포함되는 ColPic 상의 움직임 벡터를 예측 벡터로서 이용하지 않도록 하고, 시간 후보 이용 플래그가 1인 경우 부호화측과 복호화측에서 제2 예측 벡터 후보 리스트에 포함되는 ColPic 상의 움직임 벡터를 예측 벡터로서 이용하도록 하는 것으로도 실현할 수 있다.또, 무선 전송 등과 같이, 전송 에러 등이 발생하기 쉬운 경우에는, 소정 문턱 사이즈를 최대의 예측 블록 사이즈로 설정하고, 항상 제2 예측 벡터 후보 리스트에 포함되는 ColPic 상의 움직임 벡터를 예측 벡터로서 이용하지 않도록 함으로써, ColPic이 손실한 경우에도 예측 움직임 벡터를 취득할 수 있도록 하고, 부호화 스트림을 복호 할 수 없는 심각한 에러를 회피할 수 있다.(거리 의존)본 실시형태에서는, 소정 문턱 사이즈를 미리 정의했지만, 처리 대상의 예측 블록이 존재하는 처리 대상 화상과 제2 후보 블록군이 존재하는 다른 복호 종료의 화상과의 거리(시간차)에 의해, 화상 간의 거리가 커질수록 상기 소정 문턱 사이즈가 커지도록 제어하는 것도 가능하다. 이것은 화상 간의 거리가 커질수록 화상 간의 움직임 정보의 상관성이 감소하기 때문에 실행된다.이 경우의 예측 벡터 후보 리스트 생성부(120)의 구성과 동작을 각각 도 17과 도 18에 나타낸다. 본 실시형태의 확장예에 의한 예측 벡터 후보 리스트 생성부(120)에는, 결합 판정부(131)에 단자(17) 및 단자(18)가 접속되어 있다. 단자(17)에서는 처리 대상 화상의 시간 정보가, 단자(18)에서는 다른 복호 종료의 화상의 시간 정보가 공급된다. 결합 판정부(131)는, 단자(17)에 의해 공급되는 처리 대상 화상의 시간 정보와 단자(18)에 의해 공급되는 다른 복호 종료의 화상의 시간 정보에 따라, 화상 간의 거리가 커질수록 상기 소정 문턱 사이즈가 커지도록 소정 문턱 사이즈를 설정한다(단계(S1136)). 본 실시예에서는, 시간 정보로서 POC를 이용한다. 도 19에 POC차가 커질수록 소정 문턱 사이즈가 커지도록 제어한 일례를 나타낸다. 또, POC차가 소정값 이상이면, 소정 문턱 사이즈가 항상 최대의 예측 블록 사이즈로서 작용하도록 할 수 있다.(예측 벡터의 우선 순위)본 실시형태에는, 결합 판정 결과가 1이면, 제1 예측 벡터 후보 리스트와 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합하여 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 것으로 했다. 일반적으로 처리 대상의 예측 블록 사이즈를 포함함 주변 영역이 평행 이동이나 정지하고 있는 경우 즉, 처리 대상의 예측 블록 사이즈가 큰 경우에는, 처리 대상의 예측 블록과는 다른 화상의 움직임 벡터가 유효해지기 때문에, 제2 예측 벡터 후보 리스트를 우선(優先)하고, 그 후에 제1 예측 벡터 후보 리스트를 추가할 수 있다. 제1 예측 벡터 후보 리스트와 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합한 예측 벡터 후보 리스트에서 우선하는 위치에 있는 것만큼 인덱스에 짧은 부호 길이의 부호를 할당하여 부호화하기 때문에, 인덱스의 부호화 효율을 향상시킬 수 있다.또, 본 실시형태에는 결합 판정 결과가 1이면, 제1 예측 벡터 후보 리스트와 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합하여 예측 벡터 후보 리스트를 생성하고, 결합 판정 결과가 0이면, 제1 예측 벡터 후보 리스트에서 예측 벡터 후보 리스트를 생성하려고 했다. 본 실시형태에 의하면, 처리 대상 블록이 소정 문턱 사이즈 이상인 경우에 다른 복호 종료의 화상의 움직임 벡터를 우선하면 좋고, 결합 판정 결과가 1이면, 제2 예측 벡터 후보 리스트와 제1 예측 벡터 후보 리스트를 순차 결합하여 예측 벡터 후보 리스트를 생성하고, 결합 판정 결과가 0이면, 제1 예측 벡터 후보 리스트와 제2 예측 벡터 후보 리스트를 순차 결합하여 예측 벡터 후보 리스트를 생성할 수 있다.본 실시형태의 확장예에 의한 예측 벡터 후보 리스트 생성부(120)의 동작을 설명하는 플로차트를 도 20에 도시한다. 제1 실시형태와의 차이는, 단계(S133)의 대신에 제2 예측 벡터 후보 리스트와 제1 예측 벡터 후보 리스트를 순차 결합하여 예측 벡터 후보 리스트로 하고 (단계(S136)), 단계(S134)의 대신에 제1 예측 벡터 후보 리스트와 제2 예측 벡터 후보 리스트를 순차 결합하여 예측 벡터 후보 리스트로 하는 것이다(단계(S136)).(부호화 제어)본 실시형태에는, 결합 판정 결과가 1이면, 제1 예측 벡터 후보 리스트와 제2 예측 후보 리스트를 결합하여 예측 벡터 후보 리스트를 생성하고, 결합 판정 결과가 0이면, 제1 예측 벡터 후보 리스트에서만 예측 벡터 후보 리스트를 생성하려고 했다. 이것은 부호화와 복호에서 공통 동작을 정의함으로써 예측 벡터 인덱스의 부호량을 삭감하기 위해 실행한 처리이다.연산량을 삭감하는 목적뿐이라면, 결합 판정 결과와 달리, 제1 예측 벡터 후보 리스트와 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합하여 예측 벡터 후보 리스트를 생성하고, 부호화 장치에서 예측 벡터 인덱스의 선택시에 결합 판정 결과가 0이면, 제2 예측 벡터 후보 리스트에 포함되는 움직임 벡터를 예측 벡터로서 선택하지 않도록 제어할 수도 있다. 이 경우의 동화상 부호화 장치는 이하와 같은 특징을 갖는다.복수의 블록 사이즈로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 부호화 장치로서, 부호화 대상 블록에 인접하는 부호화 종료의 1개 이상의 블록의 움직임 벡터에서 제1 예측 움직임 벡터의 후보를 포함하는 제1 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부와,부호화 종료 화상에서 상기 부호화 대상 블록과 동일 위치의 블록 및 상기 동일 위치의 블록에 인접하는 1개 이상의 블록의 움직임 벡터에서 제2 예측 움직임 벡터의 후보를 포함하는 제2 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제2 예측 벡터 후보 리스트 생성부와,상기 제1 예측 벡터 후보 리스트와 상기 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합한 제3 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제3 예측 벡터 후보 리스트 생성부와,상기 부호화 대상 블록의 블록 사이즈와 소정의 문턱 사이즈의 비교 결과에 의해, 상기 제2 예측 벡터 후보 리스트를 이용하는지 아닌지를 판정하는 결합 판정부와,상기 부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈보다도 작은 경우, 상기 제3 예측 벡터 후보 리스트 중 상기 제2 예측 벡터 후보 리스트를 선택 대상으로 하지 않고, 상기 제3 예측 벡터 후보 리스트 중 상기 제1 예측 벡터 후보 리스트에서 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 벡터 선택부와,상기 제3 예측 벡터 후보 리스트에서 상기 선택된 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 부호화하는 부호화부를 구비한다.(후보 리스트 생성의 확장)본 실시형태에는, 후보 리스트의 생성 대상을 움직임 벡터로서 예측 벡터 인덱스의 부호화 및 복호에 대해 설명했다. 본 실시형태에 의하면, 후보 리스트의 생성 대상은 움직임 벡터에 한정되지 않고, 처리 대상 블록에 인접하는 처리 종료의 블록의 정보에서 제1 후보 리스트를 생성하고, 이미 처리 종료 화상의 처리 대상 블록과 동일 위치에 인접하는 블록의 정보에서 제2 후보 리스트를 생성하고, 제1 후보 리스트와 제2 후보 리스트에서 생성한 제3의 후보 리스트를 생성하고, 제3의 후보 리스트에서 부호화 및 복호하는 인덱스를 결정하는 방법이면 좋다. 예컨대, 본 실시형태는, 움직임 정보를 인계하는 방향을 나타내는 인계 방향 인덱스(머지 인덱스)에 적용할 수 있다.이 경우, 제1 후보 리스트, 제2 후보 리스트, 제3의 후보 리스트에서는 움직임 벡터에 더해 참조 화상 인덱스 및 움직임 보상 예측의 방향이 동일하게 관리되고, 인계 방향 인덱스에 의해 나타낸 블록의 움직임 정보로서 움직임 벡터, 참조 화상 인덱스 및 움직임 보상 예측의 방향이 처리 대상 블록의 움직임 정보로서 이용된다. 즉, 본 실시형태에서 설명한 예측 벡터가 그대로 움직임 벡터로서 이용된다. 또한, 신택스에서 설명한 NumMergeCands()는 NumMvpCands()와 동일하게 후보 리스트에 포함되는 후보수를 되돌린다. 또, 인계 방향 인덱스의 부호열에는 예측 벡터 인덱스의 부호열과 동일하게 Truncated Unary 부호열이 이용된다.(제1 실시형태의 효과)이와 같이, 처리 대상의 예측 블록 사이즈를 포함한 주변 영역이 평행 이동하고 있거나 정지하고 있을 가능성이 낮은 경우 즉, 처리 대상의 예측 블록 사이즈가 작은 경우에, 처리 대상의 예측 블록과는 다른 화상의 움직임 벡터를 예측 움직임 벡터 후보에 더하지 않도록 제어함으로써, 예측 벡터 후보수가 삭감되고, 예측 벡터 인덱스의 부호량을 삭감할 수 있고, 움직임 보상 예측의 효율의 저하를 억제하는 동화상 부호화 장치를 실현할 수 있다. 한편, 처리 대상의 예측 블록 사이즈가 큰 경우에, 처리 대상의 예측 블록과는 다른 화상의 움직임 벡터를 예측 움직임 벡터 후보에 더함으로써, 예측 벡터의 정도를 향상시킬 수 있다.예측 벡터 후보수가 삭감됨으로써 움직임 벡터 메모리에 대한 액세스량이 억제되고, 처리량이 삭감되는 효과도 있다. 예컨대, 다른 화상의 움직임 벡터가 외부 메모리 등에 소재하는 경우에, 움직임 벡터 메모리에 대한 액세스량을 억제하는 효과는 크다.또, 처리 대상의 예측 블록이 존재하는 처리 대상 화상과 제2 후보 블록군이 존재하는 대상 처리 화상과는 다른 복호 종료의 화상과의 거리(시간차)가 커지는 즉, 움직임 정보의 상관도는 작아지는 경우에, 다른 화상의 움직임 벡터를 예측 움직임 벡터 후보에 더하지 않도록 억제함으로써 상기와 동일한 결과를 실현할 수 있다.이와 같은 효과는 화면 사이즈가 클수록 현저하게 된다.[제2 실시형태]도 21은, 본 발명의 제2 실시형태의 동화상 부호화 장치(300)의 구성을 도시한다. 본 발명의 제2 실시형태의 동화상 부호화 장치(300)의 구성은, 단자(30)의 설정과 움직임 정보 압축부(301), 제2 움직임 정보 메모리(302), 움직임 정보 신장부(303) 및 움직임 정보 생성부(109)이고, 제1 실시형태의 동화상 부호화 장치(100)의 구성과 동일하다.이하, 본 실시형태에서 단자(30)의 설정과 움직임 정보 압축부(301), 제2 움직임 정보 메모리(302), 움직임 정보 신장부(303), 움직임 정보 생성부(109)의 기능에 대해 제1 실시형태와의 차이를 설명한다.단자(30)에 의해 움직임 정보 메모리 압축률(α)과 시간 벡터 이용 제한 레벨(β)이 공급되고, 움직임 정보 메모리 압축률(α)은 움직임 정보 생성부(109), 움직임 정보 압축부(301) 및 움직임 정보 신장부(303)에 공급되고, 시간 벡터 이용 제한 레벨(β)은 움직임 정보 생성부(109)에 공급된다.움직임 정보 압축부(301)는, 제1 움직임 정보 메모리(111)에 의해 공급되는 움직임 벡터와 참조 화상 인덱스를 움직임 정보 메모리 압축률(α)에 기초하여 1/2α의 메모리 영역에 압축하고, 제2 움직임 정보 메모리(302)에 공급한다.제2 움직임 정보 메모리(302)는, 제1 실시형태의 제2 움직임 정보 메모리(112)의 1/2α의 메모리 용량을 갖고, 움직임 정보 압축부(301)에 의해 공급되는 움직임 벡터와 참조 화상 인덱스를 소정 화상수만 기억한다.움직임 정보 신장부(303)는, 움직임 정보 메모리 압축률(α)에 기초하여 제2 움직임 정보 메모리(302)에 의해 공급되는 움직임 벡터와 참조 화상 인덱스를 신장하여 움직임 정보 생성부(109)에 공급한다.움직임 정보 메모리 압축률(α)에 대해 설명한다. 움직임 정보 메모리 압축률(α)은 제2 움직임 정보 메모리(302)의 메모리 용량을 삭감하기 위해 설정되는 것으로, 수평, 수직 방향 각각에 대해 2α의 사이즈("압축 사이즈"라고 함)의 움직임 정보 메모리 영역가 하나의 메모리 영역에 압축된다. 이때, 2α의 사이즈의 메모리 영역에 격납되어 있던 움직임 정보를 정리하여 하나의 대표값으로 치환하고, 대표값은 1/2α로 압축된 블록 사이즈 단위로 할당된 메모리 영역에 격납된다. 예컨대, 2α의 사이즈의 메모리 영역에 격납되어 있던 움직임 벡터는 평균값을 취하는 등에 의해, 하나의 움직임 벡터로 치환되고, 1/2α로 압축된 메모리 영역에 격납된다. 본 실시형태에는 α를 5로 가정한다.도 22를 이용해서 움직임 정보의 압축과 신장에 대해 설명한다. 도 22(a)는 압축 전의 제1 움직임 정보 메모리(111)의 메모리 영역(0)에서 메모리 영역(63)까지의 64개의 메모리 영역를 도시한다. 본 실시예에서는 64개의 메모리 영역의 대표값을 메모리 영역(0)에 격납된 값으로 한다. 도 22(b)는 압축 후의 제2 움직임 정보 메모리(302)의 1개의 메모리 영역에 제1 움직임 정보 메모리(111)의 메모리 영역(0)의 값이 기억되어 있는 모양을 나타낸다. 도 22(c)는 신장 후의 움직임 정보 생성부(109)에 공급되는 64개의 메모리 영역에 제2 움직임 정보 메모리(302)의 1개의 메모리 영역의 값이 복제되어 기억되어 있는 모양을 나타낸다.본 실시형태에서는 움직임 정보 메모리 압축률(α)을 5로 했지만, 움직임 정보 메모리 압축률(α)은 0 이상이면 좋다. 또, 메모리 영역의 대표값을 메모리 영역(0)로 했지만, 중앙에 위치하는 메모리 영역(27)나 그 인접 블록 영역로 해도 좋고, 메모리 영역(0)에서 메모리 영역(63)의 평균값이나 중앙값이어도 좋다.움직임 정보 생성부(109)에는, 움직임 정보 메모리 압축률(α)과 시간 벡터 이용 제한 레벨(β)이 공급되고, 예측 벡터 후보 리스트 생성부(120) 내의 결합 판정부(131)의 기능만 제1 실시형태와 다르다.이하, 결합 판정부(131)에 대해 설명한다. 본 실시예에서 결합 판정 결과의 도출은, 제1 실시형태의 결합 판정 결과의 도출과는 기준값이 되는 소정 문턱 사이즈를 이하의 결합 허가 사이즈로 치환한 것과 동일하다.본 실시예에서 결합 판정 결과의 도출은, 처리 대상 블록의 예측 블록 사이즈가 움직임 정보 메모리 압축률(α)과 시간 벡터 이용 제한 레벨(β)에 의해 도출되는 결합 허가 사이즈와 비교하는 것에 의해 실행된다. 처리 대상 블록의 예측 블록 사이즈가 움직임 정보 메모리 압축률(α)과 시간 벡터 이용 제한 레벨(β)에 의해 결정되는 결합 허가 사이즈 이상이면 결합 판정 결과를 1로 가정하고, 그 이외에는 0으로 가정한다.결합 허가 사이즈는 수평 방향, 수직 방향 모두 2α-β(β≤α)로 한다. β=0으로 하면, 결합 허가 사이즈는 움직임 정보 메모리 압축률에 의해 결정되는 메모리 영역 사이즈(즉, 상술의 압축 사이즈)와 동일하게 되고, β=α로 하면, 결합 허가 사이즈는 1이 되기 때문에, 모든 예측 블록 사이즈에 대해 결합을 허가하는 것이 된다. 본 실시형태에는 β=0으로 한다. 즉, 결합 허가 사이즈는 32화소×32화소가 된다.본 실시형태에 의한 동화상 부호화 장치(100)에서는, 상위의 SPS에서 도 23의 신택스에 따라 움직임 정보 메모리 압축률(α과 시간 벡터 이용 제한 레벨(β)이 부호화되어 부호열이 된다. 도 23의 신택스에서는, 움직임 정보 메모리 압축률(α(mv_compression_ratio))와 시간 벡터 이용 제한 레벨(β(temporal_mv_restrict_idc))을 SPS(Sequence Parameter Set)의 일부에 설정하고 있지만, SPS보다도 하위 계층의 PPS(Picture Parameter Set)나 슬라이스 헤더 등에 설치할 수도 있다. 또한, 움직임 정보 메모리 압축률(α)과 시간 벡터 이용 제한 레벨(β)은 메모리 영역 사이즈와 결합 허가 사이즈가 도출되면 좋고, 도 23의 형식에는 한정되지 않는다. 예컨대, 움직임 정보 메모리 압축률(α)이나 시간 벡터 이용 제한 레벨(β)을 도 32에서 도시하는 CU 분할수로 도시할 수 있다. 또, 수평 방향과 수직 방향으로 나누어 움직임 정보 메모리 압축률(α)과 시간 벡터 이용 제한 레벨(β)을 설정할 수 있다.(부호화 장치의 동작)이어서, 도 24의 플로차트를 이용해서 본 실시형태의 동화상 부호화장치(300)에서 부호화 동작을 설명한다. 제1 실시형태와의 차이에 대해 설명한다.먼저, 상위의 SPS에서 움직임 정보 메모리 압축률(α)과 시간 벡터 이용 제한 레벨(β)이 부호화된다.그리고 모든 예측 블록의 처리의 종료 후(단계(S110)의 YES), 움직임 정보 압축부(301)는 제1 움직임 정보 메모리(111)에 의해 공급되는 움직임 벡터와 참조 화상 인덱스를 움직임 정보 메모리 압축률(α)에 기초하여 1/2α의 메모리 영역에 압축한다(단계(S300)).또, 단계(S101)의 후에, 움직임 정보 신장부(303)는 움직임 정보 메모리 압축률(α)에 기초하여 제2 움직임 정보 메모리(302)에 의해 공급되는 움직임 벡터와 참조 화상 인덱스를 신장하고, 움직임 정보 생성부(109)에 공급한다(단계(S301)).이어서, 도 25의 플로차트를 이용해서 본 실시형태의 예측 벡터 후보 리스트 생성부(120) 내의 결합 판정부(131)의 동작에 대해 제1 실시형태와의 차이점에 대해 설명한다. 도 25는 예측 벡터 후보 리스트 생성부(120)의 동작을 나타낸다.먼저, 결합 판정부(131)는, 움직임 정보 메모리 압축률(α)과 시간 벡터 이용 제한 레벨(β)에 의해 결합 허가 사이즈를 도출한다(단계(S330)).결합 판정부(131)는, 처리 대상의 예측 블록의 예측 블록의 사이즈와 결합 허가 사이즈에서 결합 판정 결과를 도출한다(단계(S132).(복호 장치의 구성과 기능)다음으로, 본 실시형태의 동화상 복호 장치를 설명한다. 도 26에 본 실시형태의 동화상 복호 장치(400)를 도시한다. 동화상 복호 장치(400)는, 동화상 부호화 장치(300)에 의해 부호화된 부호열을 복호하여 재생 화상을 생성하는 장치이다.본 발명의 제2 실시형태의 동화상 복호 장치(400)의 구성은, 움직임 정보 압축부(401), 제2 움직임 정보 메모리(402), 움직임 정보 신장부(403), 움직임 정보 재생부(204)를 제외하고 제1 실시형태의 동화상 복호 장치(200)의 구성과 동일하다.이하, 본 실시형태에서 움직임 정보 압축부(401), 제2 움직임 정보 메모리(402), 움직임 정보 신장부(403), 움직임 정보 재생부(204)의 기능에 대해 제1 실시형태와의 차이를 설명한다.본 실시형태에 의한 동화상 복호 장치(400)에는, 상위의 SPS에서 도 23의 신택스에 따라 움직임 정보 메모리 압축률(α)과 시간 벡터 이용 제한 레벨(β)이 부호열에서 복호되고, 단자(40)에 의해 공급된다. 단자(40)에 의해 움직임 정보 메모리 압축률(α)이 움직임 정보 압축부(401), 움직임 정보 신장부(403), 움직임 정보 재생부(204)에 공급되고, 시간 벡터 이용 제한 레벨(β)이 움직임 정보 재생부(204)에 공급된다.움직임 정보 압축부(401), 제2 움직임 정보 메모리(402), 움직임 정보 신장부(403)의 기능은, 본 실시예의 동화상 부호화 장치(300)의 움직임 정보 압축부(301), 제2 움직임 정보 메모리(302), 움직임 정보 신장부(303)와 동일하다.움직임 정보 재생부(204)에는, 움직임 정보 메모리 압축률(α)과 시간 벡터 이용 제한 레벨(β)이 공급되고, 예측 벡터 후보 리스트 생성부(120) 내의 결합 판정부(131)의 기능만이 다르다. 예측 벡터 후보 리스트 생성부(120) 내의 결합 판정부(131)의 기능은, 본 실시예의 동화상 부호화 장치(300)와 동일하다.(복호 장치의 동작)이어서, 도 27의 플로차트를 이용해서, 본 실시형태의 동화상 복호 장치(400)에서 복호의 동작을 설명한다. 제1 실시형태와의 차이에 대해 설명한다.먼저, 상위의 SPS에서 움직임 정보 메모리 압축률(α)과 시간 벡터 이용 제한 레벨(β)이 복호된다.그리고 모든 예측 블록의 처리의 종료 후(단계(S205)의 YES), 움직임 정보 압축부(401)는 제1 움직임 정보 메모리(207)에 의해 공급되는 움직임 벡터와 참조 화상 인덱스를 움직임 정보 메모리 압축률(α)에 기초하여 1/2α의 메모리 영역에 압축한다(단계(S400)).또, 단계(S201) 전에, 움직임 정보 신장부(403)는 움직임 정보 메모리 압축률(α)에 기초하여, 제2 움직임 정보 메모리(402)에 의해 공급되는 움직임 벡터와 참조 화상 인덱스를 신장하고, 움직임 정보 재생부(204)에 공급한다(단계(S401).(제2 실시형태의 변형예)또한, 본 실시형태는 이하의 변형예를 적용할 수 있다.본 실시형태에는 제2 움직임 정보 메모리에 기억된 압축된 움직임 벡터와 참조 인덱스를 움직임 정보 신장부에 의해 신장하고, 신장한 움직임 벡터와 참조 인덱스를 움직임 정보 생성부나 움직임 정보 재생부에 공급하고 있지만, 본 실시형태는 압축된 움직임 벡터와 참조 인덱스를 압축이나 신장을 하지 않아도 동일하게 실시할 수 있다.예컨대, 움직임 정보 신장부 대신에 메모리 어드레스 변환부를 설치하고, 신장된 메모리 영역에서 참조되는 메모리 어드레스를 압축된 메모리 영역의 메모리 어드레스로 변환함으로써, 신장하지 않고 움직임 정보에 액세스할 수도 있다.예컨대, 도 22와 같이 수평(8) 블록, 수직(8) 블록의 64개의 메모리 영역의 대표값을 메모리 영역(0)에 격납된 값으로 하는 경우에는, 신장된 메모리 영역에서 참조되는 메모리 어드레스의 수평 위치와 수직 위치를 각각 blkX, blkY, 압축된 메모리 영역의 어드레스의 수평 위치와 수직 위치를 각각 rblkX, rblkY로 하면, 식 1과 식 2에 의해 산출할 수 있다. 여기서, Floor 함수는 입력값에서 끝수를 잘라 버리고 정수로 하는 함수로 한다.rblkX=Floor(blkX08); (식 1)rblkY=Floor(blkY08); (식 2)또, 움직임 정보 압축부(301)를 생략하고, 움직임 정보 신장부 대신에 메모리 어드레스 변환부를 설치하고, 참조되는 메모리 어드레스를 움직임 정보의 대표값이 격납되어 있는 메모리 어드레스에 변환하는 것으로도 실현할 수 있다. 예컨대, 도 22와 같이 수평(8) 블록, 수직(8) 블록의 64개의 메모리 영역의 대표값을 메모리 영역(0)에 격납된 값으로 하는 경우에는, 참조되는 메모리 어드레스의 수평 위치와 수직 위치를 각각 blkX, blkY, 대표값이 격납되어 있는 메모리 어드레스의 수평 위치와 수직 위치를 각각 rblkX, rblkY로 하면, 식 3과 식 4에 의해 산출할 수 있다.rblkX=Floor(blkX/8)8; (식 3)rblkY=Floor(blkY/8)8; (식 4)메모리 어드레스 변환함으로써, 메모리 용량을 삭감할 수는 없지만, 압축이나 신장하는 처리를 삭감할 수 있다.(제2 실시형태의 효과)이와 같이, 처리 대상의 예측 블록 사이즈가 작은 경우, 압축된 다른 화상의 움직임 벡터를 예측 움직임 벡터 후보에 더하지 않도록 제어함으로써, 본래의 움직임 정도와는 다른 움직임 정보의 이용을 제한하여 움직임 보상 예측의 정도의 저하를 억제하면서 연산량을 삭감하고, 예측 벡터 후보수를 삭감하여 예측 벡터 인덱스의 부호량을 삭감할 수 있는 동화상 부호화 장치를 실현할 수 있다.또, 예컨대 압축된 다른 화상의 움직임 벡터가 외부 메모리 등에 소재하는 경우에는, 움직임 벡터 메모리에 대한 액세스량을 억제하는 효과도 있다.또, 예측 벡터로서 다른 화상의 움직임 벡터의 이용을 제한하는 조건을 나타내는 정보를 복호하는 경우에는, 움직임 정보 메모리 압축률의 정의도 합해서 복호함으로써, 다른 화상의 움직임 벡터의 이용이 제한된 경우에는 움직임 정보 메모리의 압축을 촉구하고, 효율적인 움직임 정보 메모리의 이용이 실현될 수 있다. 또, 플래그를 공용함으로써, 보다 저위계층에서 다른 화상의 움직임 벡터의 이용의 제한이나 움직임 정보 메모리 압축률의 정의에서 플래그의 부호량의 증가를 억제할 수 있다.이상 진술한 실시형태의 동화상 부호화 장치가 출력하는 동화상의 부호화 스트림은, 실시형태에서 이용된 부호화 방법에 따라 복호할 수 있도록 특정한 데이터 포맷을 갖고 있으며, 동화상 부호화 장치에 대응하는 동화상 복호 장치가 이 특정한 데이터 포맷의 부호화 스트림을 복호 할 수 있다.동화상 부호화 장치와 동화상 복호 장치의 사이에서 부호화 스트림을 주고 밭기 위해, 유선 또는 무선의 네트워크가 사용되는 경우, 부호화 스트림을 통신로의 전송 형태에 적당한 데이터 형식으로 변환하여 전송해도 좋다. 그 경우, 동화상 부호화 장치가 출력하는 부호화 스트림을 통신로의 전송 형태에 적당한 데이터 형식의 부호화 데이터로 변환하여 네트워크에 송신하는 동화상 송신 장치와, 네트워크에서 부호화 데이터를 수신하여 부호화 스트림에 복원하여 동화상 복호 장치에 공급하는 동화상 수신 장치가 마련되어 있다.동화상 송신 장치는, 동화상 부호화 장치가 출력하는 부호화 스트림을 버퍼하는 메모리와, 부호화 스트림을 패킷화하는 패킷 처리부와, 패킷화된 부호화 데이터를 네트워크를 통해 송신하는 송신부를 포함한다. 동화상 수신 장치는, 패킷화된 부호화 데이터를 네트워크를 통해 수신하는 수신부와, 수신된 부호화 데이터를 버퍼하는 메모리와, 부호화 데이터를 패킷 처리하여 부호화 스트림을 생성하고, 동화상 복호 장치에 제공하는 패킷 처리부를 포함한다.이상의 부호화 및 복호에 관한 처리는, 하드웨어를 이용한 전송, 축적, 수신 장치로서 실현할 수 있는 것은 당연하며, ROM(리드·온리·메모리)나 플래시 메모리 등에 기억되어 있는 펌웨어나 컴퓨터 등의 소프트웨어에 의해서도 실현할 수 있다. 그 펌웨어 프로그램, 소프트웨어 프로그램을 컴퓨터 등으로 읽을 수 있는 기록 매체에 기록하여 제공하는 것도, 유선 또는 무선의 네트워크를 통해 서버에서 제공하는 것도, 지상파 또는 위성 디지털 방송의 데이터 방송으로 제공하는 것도 가능하다.이상, 본 발명을 실시형태를 기초로 설명했다. 실시형태는 예시이고, 그들의 각 구성 요소나 각 처리 프로세스의 조합에 여러 가지 변형예가 가능한 것, 또 그러한 변형예도 본 발명의 범위에 있는 것은 당업자에게 이해되는 바이다.*본 발명은 이하의 양태로 구성되어도 좋다.[항목1]블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 부호화 장치로,부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 소정의 문턱 사이즈보다 큰 경우, 부호화 종료 화상에 있는 블록에서 예측 움직임 벡터 후보를 도출하고, 상기 부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈 이하의 경우, 상기 예측 움직임 벡터 후보를 도출하지 않는 예측 움직임 벡터 후보 생성부를 구비하는 것을 특징으로 하는 동화상 부호화 장치.[항목2]블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 부호화 장치로,부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 소정의 문턱 사이즈보다 큰 경우, 부호화 종료 화상에 있는 블록에서 얻어지는 예측 움직임 벡터 후보를 예측 움직임 벡터 후보 리스트에 포함시키고, 상기 부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈 이하의 경우, 상기 예측 움직임 벡터 후보를 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에 포함하지 않는 예측 움직임 벡터 후보 리스트 생성부와, 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 부호화 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 움직임 벡터 선택부와,상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 선택된 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 부호화하는 부호화부를 구비하는 것을 특징으로 하는 동화상 부호화 장치.[항목3]상기 부호화 종료 화상에 있는 블록은 상기 부호화 대상 블록과 동일 위치의 블록 또는 상기 동일 위치의 블록의 주변에 있는 블록인 것을 특징으로 하는 항목1 또는 항목2에 기재된 동화상 부호화 장치.[항목4]상기 부호화부는, 상기 소정의 문턱 사이즈를 나타내는 정보를 부호화하는 것을 특징으로 하는 항목1 내지 항목3 중 어느 하나에 기재된 동화상 부호화 장치.[항목5]상기 부호화 종료 화상에 있는 블록의 움직임 벡터는, 소정 영역마다 소정 영역 내의 어느 하나의 블록의 움직임 벡터로 설정된 것을 특징으로 하는 항목1 내지 항목4 중 어느 하나에 기재된 동화상 부호화 장치.[항목6]상기 소정의 문턱 사이즈는 상기 소정 영역보다도 작아지도록 설정되는 것을 특징으로 하는 항목5에 기재된 동화상 부호화 장치.[항목7]상기 부호화 대상 블록을 포함하는 화상과 상기 부호화 종료 화상과의 시간차가 길어지면, 상기 소정의 문턱 사이즈가 커지도록 제어하는 것을 특징으로 하는 항목1 내지 항목6 중 어느 하나에 기재된 동화상 부호화 장치.[항목8]블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 부호화 장치로,부호화 대상 블록에 인접하는 블록에서 공간 예측 움직임 벡터 후보를 도출하는 공간 예측 움직임 벡터 후보 생성부와,부호화 종료 화상에 있는 블록에서 시간 예측 움직임 벡터 후보를 도출하는 시간 예측 움직임 벡터 후보 생성부와,시간 예측 움직임 벡터의 이용을 허가하는지 아닌지를 나타내는 이용 허가 정보가 허가함을 나타내는 경우, 상기 공간 예측 움직임 벡터 후보와 상기 시간 예측 움직임 벡터 후보에서 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성하고, 상기 이용 허가 정보가 허가하지 않음을 나타내는 경우, 상기 공간 예측 움직임 벡터 후보에서 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성하는 예측 움직임 벡터 후보 리스트 생성부와,상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 부호화 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 움직임 벡터 선택부와,상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 선택된 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 부호화하는 부호화부를 구비하는 것을 특징으로 하는 동화상 부호화 장치.[항목9]상기 부호화 종료 화상에 있는 블록은, 상기 부호화 대상 블록과 동일 위치의 블록 또는 상기 동일 위치의 블록의 주변에 있는 블록인 것을 특징으로 하는 항목8에 기재된 동화상 부호화 장치.[항목10]상기 부호화부는, 상기 이용 허가 정보를 부호화하는 것을 특징으로 하는 항목8 또는 항목9에 기재된 동화상 부호화 장치.[항목11]상기 부호화 종료 화상에 있는 블록의 움직임 벡터는, 소정 영역마다 소정 영역 내의 어느 하나의 블록의 움직임 벡터에 설정되는 것을 특징으로 하는 항목8 내지 항목10 중 어느 하나에 기재된 동화상 부호화 장치.[항목12]복수의 블록 사이즈로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 부호화 장치로,부호화 대상 블록에 인접하는 부호화 종료의 1개 이상의 블록의 움직임 벡터에서 제1 예측 움직임 벡터의 후보를 포함하는 제1 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부와,부호화 종료 화상에서 상기 부호화 대상 블록과 동일 위치의 불록 및 상기 동일 위치의 블록에 인접하는 1개 이상의 블록의 움직임 벡터에서 제2 예측 움직임 벡터의 후보를 포함하는 제2 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제2 예측 벡터 후보 리스트 생성부와,상기 부호화 대상 블록의 블록 사이즈와 소정의 문턱 사이즈와의 비교 결과에 의해, 상기 제1 예측 벡터 후보 리스트와 상기 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합한 제3 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는지 아닌지를 판정하는 결합 판정부와,상기 부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈보다도 작은 경우, 상기 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합시키지 않고, 상기 제1 예측 벡터 후보 리스트에서 상기 제3 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제3 예측 벡터 후보 리스트 생성부와,상기 제3 예측 벡터 후보 리스트에서 상기 부호화 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 벡터 선택부와,상기 제3 예측 벡터 후보 리스트에서 상기 선택된 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 부호화하는 부호화부를 구비하는 것을 특징으로 하는 동화상 부호화 장치.[항목13]복수의 블록 사이즈로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 부호화 장치로,부호화 종료의 블록의 움직임 벡터를 최소 블록 사이즈 단위로 할당된 메모리 영역에 격납하여 관리하는 제1 움직임 벡터 기억부와,상기 제1 움직임 벡터 기억부를 참조하여, 부호화 대상 블록에 인접하는 부호화 종료의 1개 이상의 블록의 움직임 벡터에서 제1 예측 움직임 벡터의 후보를 포함하는 제1 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부와,부호화 종료 화상의 최소 블록 사이즈 단위의 움직임 벡터를 소정의 압축 사이즈로 정리하여 1개의 대표 움직임 벡터로 치환하고, 압축 사이즈 단위로 할당된 메모리 영역에 격납하여 관리하는 제2 움직임 벡터 기억부와,상기 제2 움직임 벡터 기억부를 참조하여, 부호화 종료 화상에서 상기 부호화 대상 블록과 동일 위치의 블록 및 상기 동일 위치의 블록에 인접하는 1개 이상의 블록의 움직임 벡터에서 제2 예측 움직임 벡터의 후보를 포함하는 제2 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제2 예측 벡터 후보 리스트 생성부와,상기 부호화 대상 블록의 블록 사이즈와 소정의 문턱 사이즈와의 비교 결과에 의해, 상기 제1 예측 벡터 후보 리스트와 상기 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합한 제3 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는지 아닌지를 판정하는 결합 판정부와,상기 부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈보다도 작은 경우, 상기 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합하지 않고, 상기 제1 예측 벡터 후보 리스트에서 상기 제3 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제3 예측 벡터 후보 리스트 생성부와,상기 제3 예측 벡터 후보 리스트에서 상기 부호화 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 벡터 선택부와,상기 제3 예측 벡터 후보 리스트에서 상기 선택된 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 부호화하는 부호화부를 구비하는 것을 특징으로 하는 동화상 부호화 장치.[항목14]블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 부호화 방법으로,부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 소정의 문턱 사이즈보다 큰 경우, 부호화 종료 화상에 있는 블록에서 예측 움직임 벡터 후보를 도출하고, 상기 부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈 이하의 경우, 상기 예측 움직임 벡터 후보를 도출하지 않는 예측 움직임 벡터 후보 생성 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 동화상 부호화 방법.[항목15]블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 부호화 방법으로,부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 소정의 문턱 사이즈보다 큰 경우, 부호화 종료 화상에 있는 블록에서 얻어지는 예측 움직임 벡터 후보를 예측 움직임 벡터 후보 리스트에 포함하고, 상기 부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈 이하의 경우, 상기 예측 움직임 벡터 후보를 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에 포함하지 않는 예측 움직임 벡터 후보 리스트 생성 단계와,상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 부호화 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 움직임 벡터 선택 단계와,상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 선택된 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 부호화하는 부호화 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 둥화상 부호화 방법.[항목16]블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 부호화 방법으로,부호화 대상 블록에 인접하는 블록에서 공간 예측 움직임 벡터 후보를 도출하는 공간 예측 움직임 벡터 후보 생성 단계와,부호화 종료 화상에 있는 블록에서 시간 예측 움직임 벡터 후보를 도출하는 시간 예측 움직임 벡터 후보 생성 단계와,시간 예측 움직임 벡터의 이용을 허가하는지 아닌지를 나타내는 이용 허가 정보가 허가함을 나타내는 경우, 상기 공간 예측 움직임 벡터 후보와 상기 시간 예측 움직임 벡터 후보에서 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성하고, 상기 이용 허가 정보가 허가하지 않음을 나타내는 경우, 상기 공간 예측 움직임 벡터 후보에서 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성하는 예측 움직임 벡터 후보 리스트 생성 단계와,상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 부호화 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 움직임 벡터 선택 단계와,상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 선택된 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 부호화하는 부호화 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 동화상 부호화 방법.[항목17]블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 부호화 프로그램으로,부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 소정의 문턱 사이즈보다 큰 경우, 부호화 종료 화상에 있는 블록에서 예측 움직임 벡터 후보를 도출하고, 상기 부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈 이하의 경우, 상기 예측 움직임 벡터 후보를 도출하지 않는 예측 움직임 벡터 후보 생성 단계를 컴퓨터로 실행하는 것을 특징으로 하는 동화상 부호화 프로그램.[항목18]블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 부호화 프로그램으로,부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 소정의 문턱 사이즈보다 큰 경우, 부호화 종료 화상에 있는 블록에서 얻어지는 예측 움직임 벡터 후보를 예측 움직임 벡터 후보 리스트에 포함하고, 상기 부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈 이하의 경우, 상기 예측 움직임 벡터 후보를 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에 포함하지 않는 예측 움직임 벡터 후보 리스트 생성 단계와,상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 부호화 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 움직임 벡터 선택 단계와,상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 선택된 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 부호화하는 부호화 단계를 컴퓨터에 실행시키는 것을 특징으로 하는 동화상 부호화 프로그램.[항목19]블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 부호화 프로그램으로,부호화 대상 블록에 인접하는 블록에서 공간 예측 움직임 벡터 후보를 도출하는 공간 예측 움직임 벡터 후보 생성 단계와,부호화 종료 화상에 있는 블록에서 시간 예측 움직임 벡터 후보를 도출하는 시간 예측 움직임 벡터 후보 생성 단계와,시간 예측 움직임 벡터의 이용을 허가하는지 아닌지를 나타내는 이용 허가 정보가 허가함을 나타내는 경우, 상기 공간 예측 움직임 벡터 후보와 상기 시간 예측 움직임 벡터 후보에서 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성하고, 상기 이용 허가 정보가 허가하지 않음을 나타내는 경우, 상기 공간 예측 움직임 벡터 후보에서 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성하는 예측 움직임 벡터 후보 리스트 생성 단계와,상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 부호화 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 움직임 벡터 선택 단계와,상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 선택된 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 부호화하는 부호화 단계를 컴퓨터에 실행시키는 것을 특징으로 하는 동화상 부호화 프로그램.[항목20]블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 복호 장치로,복호 대상 블록의 블록 사이즈가 소정의 문턱 사이즈보다 큰 경우, 복호 종료 화상에 있는 블록에서 예측 움직임 벡터 후보를 도출하고, 상기 복호 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈 이하의 경우, 상기 예측 움직임 벡터 후보를 도출하지 않는 예측 움직임 벡터 후보 생성부를 구비하는 것을 특징으로 하는 동화상 복호 장치.[항목21]블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 복호 장치로.복호 대상 블록의 블록 사이즈가 소정의 문턱 사이즈보다 큰 경우, 복호 종료 화상에 있는 블록에서 얻어지는 예측 움직임 벡터 후보를 예측 움직임 벡터 후보 리스트에 포함하고, 상기 복호 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈 이하의 경우, 상기 예측 움직임 벡터 후보를 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에 포함하지 않는 예측 움직임 벡터 후보 리스트 생성부와,상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 참조해야하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 복호하는 복호부와,상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 참조해야하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보에 기초하여 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 복호 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 움직임 벡터 선택부를 구비하는 것을 특징으로 하는 동화상 복호 장치.[항목22]상기 복호 종료 화상에 있는 블록은 상기 복호 대상 블록과 동일 위치의 블록 또는 상기 동일 위치의 블록의 주변에 있는 블록인 것을 특징으로 하는 항목20 또는 항목21에 기재된 동화상 복호 장치.[항목23]상기 복호부는, 상기 소정의 문턱 사이즈를 나타내는 정보를 복호하고, 상기 소정의 문턱 사이즈를 얻는 것을 특징으로 하는 항목20 내지 항목22 중 어느 하나에 기재된 동화상 복호 장치.[항목24]상기 복호 종료 화상에 있는 블록의 움직임 벡터는, 소정 영역마다 소정 영역 내 중 어느 하나의 블록의 움직임 벡터로 설정되는 것을 특징으로 하는 항목20 내지 항목23 중 어느 하나에 기재된 동화상 복호 장치.[항목25]상기 소정의 문턱 사이즈는 상기 소정 영역보다도 작아지도록 설정되는 것을 특징으로 하는 항목24에 기재된 동화상 복호 장치.[항목26]상기 복호 대상 블록을 포함하는 화상과 상기 복호 종료 화상과의 시간 차가 길어지면, 상기 소정의 문턱 사이즈가 커지도록 제어하는 것을 특징으로 하는 항목20 내지 항목25 중 어느 하나에 기재된 동화상 복호 장치.[항목27]블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 복호 장치로,예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 참조해야 하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 복호하는 복호부와,복호 대상 블록에 인접하는 블록에서 공간 예측 움직임 벡터 후보를 도출하는 공간 예측 움직임 벡터 후보 생성부와,복호 종료 화상에 있는 블록에서 시간 예측 움직임 벡터 후보를 도출하는 시간 예측 움직임 벡터 후보 생성부와,시간 예측 움직임 벡터의 이용을 허가하는지 아닌지를 나타내는 이용 허가 정보가 허가함을 나타내는 경우, 상기 공간 예측 움직임 벡터 후보와 상기 시간 예측 움직임 벡터 후보에서 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성하고, 상기 이용 허가 정보가 허가하지 않음을 나타내는 경우, 상기 공간 예측 움직임 벡터 후보에서 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성하는 예측 움직임 벡터 후보 리스트 생성부와,상기 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보에 기초하여 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 후보 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 움직임 벡터 선택부를 구비하는 것을 특징으로 하는 동화상 복호 장치.[항목28]상기 복호 종료 화상에 있는 블록은, 상기 복호 대상 블록과 동일 위치의 블록 또는 상기 동일 위치 블록의 주변에 있는 블록인 것을 특징으로 하는 항목27에 기재된 동화상 복호 장치.[항목29]상기 복호부는 상기 이용 허가 정보를 복호하는 것을 특징으로 하는 항목27 또는 항목28에 기재된 동화상 복호 장치.[항목30]상기 복호 종료 화상에 있는 블록의 움직임 벡터는, 소정 영역마다 소정 영역 내 중 어느 하나의 블록의 움직임 벡터로 설정되는 것을 특징으로 하는 항목27 내지 항목29 중 어느 하나에 기재된 동화상 복호 장치.[항목31]복수의 블록 사이즈로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 복호 장치로,예측 벡터 후보 리스트에서 참조해야 하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 복호하는 복호부와,복호 대상 블록에 인접하는 복호 종료의 1개 이상의 블록의 움직임 벡터에서 제1 예측 움직임 벡터의 후보를 포함하는 제1 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부와,복호 종료 화상에서 상기 복호 대상 블록과 동일 위치의 블록 및 상기 동일 위치의 블록에 인접하는 1개 이상의 블록의 움직임 벡터에서 제2 예측 움직임 벡터의 후보를 포함하는 제2 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제2 예측 벡터 후보 리스트 생성부와,상기 복호 대상 블록의 블록 사이즈와 소정의 문턱 사이즈와의 비교 결과에 의해, 상기 제1 예측 벡터 후보 리스트와 상기 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합한 제3 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는지 아닌지를 판정하는 결합 판정부와,상기 복호 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈보다도 작은 경우, 상기 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합하지 않고, 상기 제1 예측 벡터 후보 리스트에서 상기 제3 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제3 예측 벡터 후보 리스트 생성부와,상기 참조해야 하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보에 기초하여 상기 제3 예측 벡터 후보 리스트에서 상기 복호 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 벡터 선택부를 구비하는 것을 특징으로 하는 동화상 복호 장치.[항목32]복수의 블록 사이즈로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 복호 장치로,예측 벡터 후보 리스트에서 참조해야하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 복호하는 복호부와,복호 종료의 블록의 움직임 벡터를 최소 블록 사이즈 단위로 할당된 메모리 영역에 격납하여 관리하는 제1 움직임 벡터 기억부와,상기 제1 움직임 벡터 기억부를 참조하여, 복호 대상 블록에 인접하는 복호 종료의 1개 이상의 블록의 움직임 벡터에서 제1 예측 움직임 벡터의 후보를 포함하는 제1 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부와,복호 종료 화상의 최소 블록 사이즈 단위의 움직임 벡터를 소정의 압축 사이즈로 정리하여 1개의 대표 움직임 벡터로 치환하고, 압축 사이즈 단위로 할당된 메모리 영역에 격납하여 관리하는 제2 움직임 벡터 기억부와,상기 제2 움직임 벡터 기억부를 참조하여 복호 종료 화상에서 상기 복호 대상 블록과 동일 위치의 블록 및 상기 동일 위치의 블록에 인접하는 1개 이상의 블록의 움직임 벡터에서 제2 예측 움직임 벡터의 후보를 포함하는 제2 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제2 예측 벡터 후보 리스트 생성부와,상기 복호 대상 블록의 블록 사이즈와 소정의 문턱 사이즈와의 비교 결과에 의해, 상기 제1 예측 벡터 후보 리스트와 상기 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합한 제3 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는지 아닌지를 판정하는 결합 판정부와,상기 복호 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈보다도 작은 경우, 상기 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합하지 않고, 상기 제1 예측 벡터 후보 리스트에서 상기 제3 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는 제3 예측 벡터 후보 리스트 생성부와,상기 참조해야하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보에 기초하여 상기 제3 예측 벡터 후보 리스트에서 상기 후보 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 벡터 선택부를 구비하는 것을 특징으로 하는 동화상 복호 장치.[항목33]블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 복호 방법으로,복호 대상 블록의 블록 사이즈가 소정의 문턱 사이즈보다 큰 경우, 복호 종료 화상에 있는 블록에서 예측 움직임 벡터 후보를 도출하고, 상기 복호 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈 이하의 경우, 상기 예측 움직임 벡터 후보를 도출하지 않는 예측 움직임 벡터 후보 생성 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 동화상 복호 방법.[항목34]블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 복호 방법으로,복호 대상 블록의 블록 사이즈가 소정의 문턱 사이즈보다 큰 경우, 복호 종료 화상에 있는 블록에서 얻어지는 예측 움직임 벡터 후보를 예측 움직임 벡터 후보 리스트에 포함하고, 상기 복호 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈 이하의 경우, 상기 예측 움직임 벡터 후보를 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에 포함하지 않는 예측 움직임 벡터 후보 리스트 생성 단계와,상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 참조해야 하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 복호하는 복호 단계와,상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 참조해야하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보에 기초하여 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 복호 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 움직임 벡터 선택 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 동화상 복호 방법.[항목35]블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 복호 방법으로,예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 참조해야 하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 복호하는 복호 단계와,복호 대상 블록에 인접하는 블록에서 공간 예측 움직임 벡터 후보를 도출하는 공간 예측 움직임 벡터 후보 생성 단계와,복호 종료 화상에 있는 블록에서 시간 예측 움직임 벡터 후보를 도출하는 시간 예측 움직임 벡터 후보 생성 단계와,시간 예측 움직임 벡터의 이용을 허가하는지 아닌지를 나타내는 이용 허가 정보가 허가함을 나타내는 경우, 상기 공간 예측 움직임 벡터 후보와 상기 시간 예측 움직임 벡터 후보에서 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성하고, 상기 이용 허가 정보가 허가하지 않음을 나타내는 경우, 상기 공간 예측 움직임 벡터 후보에서 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성하는 예측 움직임 벡터 후보 리스트 생성 단계와,상기 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보에 기초하여 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 복호 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 움직임 벡터 선택 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 동화상 복호 방법.[항목36]블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 복호 프로그램으로,복호 대상 블록의 블록 사이즈가 소정의 문턱 사이즈보다 큰 경우, 복호 종료 화상에 있는 블록에서 예측 움직임 벡터 후보를 도출하고, 상기 복호 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈 이하의 경우, 상기 예측 움직임 벡터 후보를 도출하지 않는 예측 움직임 벡터 후보 생성 단계를 컴퓨터에 실행시키는 것을 특징으로 하는 동화상 복호 프로그램.[항목37]블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 복호 프로그램으로,복호 대상 블록의 블록 사이즈가 소정의 문턱 사이즈보다 큰 경우, 복호 종료 화상에 있는 블록에서 얻어지는 예측 움직임 벡터 후보를 예측 움직임 벡터 후보 리스트에 포함하고, 상기 복호 대상 블록의 블록 사이즈가 상기 소정의 문턱 사이즈 이하의 경우, 상기 예측 움직임 벡터 후보를 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에 포함하지 않는 예측 움직임 벡터 후보 리스트 생성 단계와,상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 참조해야 하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 복호하는 복호 단계와,상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 참조해야 하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보에 기초하여 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 복호 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 움직임 벡터 선택 단계를 컴퓨터로 실행시키는 것을 특징으로 하는 동화상 복호 프로그램.[항목38]블록 단위로 움직임 보상 예측을 실행하는 동화상 복호 프로그램으로,예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 참조해야 하는 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보를 복호하는 복호 단계와,복호 대상 블록에 인접하는 블록에서 공간 예측 움직임 벡터 후보를 도출하는 공간 예측 움직임 벡터 후보 생성 단계와,복호 종료 화상에 있는 블록에서 시간 예측 움직임 벡터 후보를 도출하는 시간 예측 움직임 벡터 후보 생성 단계와,시간 예측 움직임 벡터의 이용을 허가하는지 아닌지를 나타내는 이용 허가 정보가 허가함을 나타내는 경우, 상기 공간 예측 움직임 벡터 후보와 상기 시간 예측 움직임 벡터 후보에서 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성하고, 상기 이용 허가 정보가 허가하지 않음을 나타내는 경우, 상기 공간 예측 움직임 벡터 후보에서 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성하는 예측 움직임 벡터 후보 리스트 생성 단계와, 상기 예측 움직임 벡터의 위치를 나타내는 정보에 기초하여 상기 예측 움직임 벡터 후보 리스트에서 상기 복호 대상 블록의 예측 움직임 벡터를 선택하는 예측 움직임 벡터 선택 단계를 컴퓨터로 실행시키는 것을 특징으로 하는 동화상 복호 프로그램. [ 산업상 이용가능성 ] 본 발명은 움직임 보상 예측을 이용한 동화상 부호화 기술로 이용할 수 있다. [ 부호의 설명 ] 100: 동화상 부호화 장치101: 예측 블록 화상 취득부102: 감산부103: 예측 오차 부호화부104: 부호열 생성부105: 예측 오차 복호부106: 움직임 보상부107: 가산부108: 움직임 벡터 검출부109: 움직임 정보 생성부110: 프레임 메모리111: 제1 움직임 정보 메모리112: 제2 움직임 정보 메모리120: 예측 벡터 후보 리스트 생성부121: 예측 벡터 선택부122: 감산부130: 제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부131: 결합 판정부132: 제2 예측 벡터 후보 리스트 생성부133: 예측 벡터 후보 리스트 결정부200: 동화상 복호 장치201: 부호열 해석부202: 예측 오차 복호부203: 가산부204: 움직임 정보 재생부205: 움직임 보상부206: 프레임 메모리207: 제1 움직임 정보 메모리208: 제2 움직임 정보 메모리220: 예측 벡터 후보 리스트 생성부221: 예측 벡터 결정부222: 가산부300: 동화상 부호화 장치301: 움직임 정보 압축부302: 제2 움직임 정보 메모리303: 움직임 정보 신장부400: 동화상 복호 장치401: 움직임 정보 압축부402: 제2 움직임 정보 메모리403: 움직임 정보 신장부	제1 예측 벡터 후보 리스트 생성부(130)는, 부호화 대상 블록에 인접하는 부호화 종료 블록의 움직임 벡터에서 제1 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성한다.제 2 예측 벡터 후보 리스트 생성부(132)는 부호화 종료 화상에 있어서, 부호화 대상 블록과 동일 위치의 블록 및 동일 위치의 블록에 인접하는 블록의 움직임 벡터에서 제2 예측 움직임 벡터 후보 리스트를 생성한다. 결합 판정부(131)는 부호화 대상 블록의 블록 사이즈와 문턱 사이즈의 비교에 의해, 제1 및 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합한 제3 예측 벡터 후보 리스트를 생성하는지 아닌지를 판정한다. 예측 벡터 후보 리스트 결정부(133)는 부호화 대상 블록의 블록 사이즈가 문턱 사이즈보다도 작은 경우, 제2 예측 벡터 후보 리스트를 결합시키지 않고, 제1 예측 벡터 후보 리스트에서 제3 예측 벡터 후보 리스트를 생성한다.
[ 발명의 명칭 ] 복합 수지 입자, 발포성 입자, 예비 발포 입자 및 발포 성형체COMPOSITE RESIN PARTICLES, FOAMABLE PARTICLES, PRE-FOAMED PARTICLES, AND FOAM MOLDED BODY [ 기술분야 ] 본 발명은 복합 수지 입자, 발포성 입자, 예비 발포 입자 및 발포 성형체에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 낙구 충격값이 향상되고, 기계적 특성(내낙하 충격 압축성, 내낙하 충격성 등) 등의 각종 물성의 온도 의존성이 억제된 발포 성형체를 제공할 수 있는 복합 수지 입자, 발포성 입자 및 예비 발포 입자, 이들 입자에서 얻어진 발포 성형체에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 폴리스티렌계 수지로 이루어지는 발포 성형체는 강성, 단열성, 경량성, 내수성 및 발포 성형성이 우수한 것이 알려져 있다. 이 때문에, 이 발포 성형체는 완충재나 건재용 단열재로서 널리 사용되고 있다. 그러나, 폴리스티렌계 수지로 이루어지는 발포 성형체는 내약품성 및 내충격성이 떨어진다는 과제가 있었다.한편, 폴리에틸렌계 수지로 이루어지는 발포 성형체는 내약품성 및 내충격성이 우수한 것이 알려져 있다. 이 때문에, 이 발포 성형체는 자동차 관련 부품에 사용되고 있다. 그러나, 폴리에틸렌계 수지는 발포제의 유지성이 떨어지는 점에서, 발포 성형 조건을 정밀하게 제어할 필요가 있다. 이 때문에 제조 비용이 비싸다는 과제가 있었다. 또한, 이 발포 성형체는 폴리스티렌계 수지로 이루어지는 발포 성형체에 비해, 강성이 떨어진다는 과제도 있었다.상기 폴리스티렌계 수지 및 폴리에틸렌계 수지로 이루어지는 발포 성형체의 과제를 해결하기 위해, 폴리스티렌계 수지와 폴리에틸렌계 수지의 복합 수지 입자에서 얻어진 발포 성형체가 보고되어 있다. 이 발포 성형체는 폴리스티렌계 수지의 우수한 강성 및 발포 성형성과, 폴리에틸렌계 수지의 우수한 내약품성 및 내충격성을 겸비하고 있다. 또한, 일본 특허공보 제4072553호(특허문헌 1) 및 일본 특허공보 제4072554호(특허문헌 2)에서는 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌계 수지를 포함하는 복합 수지 입자가 내충격성이 보다 개선된 발포 성형체를 제공하는 것이 보고되어 있다. 또한, 일본 공개특허공보 2007-270116호(특허문헌 3) 및 일본 공개특허공보 2010-24353호(특허문헌 4)에서는 특정의 물성을 갖는 고밀도 폴리에틸렌계 수지를 포함하는 복합 수지 입자가 기계적 특성의 온도 의존성이 억제된 발포 성형체를 제공하는 것이 보고되어 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특허공보 제4072553호일본 특허공보 제4072554호일본 공개특허공보 2007-270116호일본 공개특허공보 2010-24353호 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 상기 공보에 기재된 복합 수지 입자에 의하면, 높은 기계적 특성 또는 내충격성이 개선된 발포 성형체를 제공할 수 있다. 그러나, 넓은 온도 범위에서 발포 성형체의 내충격성을 보다 향상시킬 수 있는 복합 수지 입자의 제공이 요망되고 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 발명자들은 발포 성형체의 원료를 재검토한 결과, 중밀도∼고밀도 폴리에틸렌과, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌을 특정의 비율로 복합 수지 입자 내에 함유시킴으로써, 넓은 온도 범위에서 발포 성형체의 내충격성을 보다 향상시킬 수 있는 것을 뜻밖에 알아내어, 본 발명에 이르렀다.이러한 본 발명에 의하면, 폴리에틸렌계 수지와 폴리스티렌계 수지를 포함하는 복합 수지 입자로서, 상기 폴리에틸렌계 수지 및 폴리스티렌계 수지가 이들 수지의 합계에 대해, 각각 50∼20질량％ 및 50∼80질량％의 범위로 포함되고, 상기 폴리에틸렌계 수지가 925∼965㎏/㎥의 범위의 중밀도 내지 고밀도의 제1 폴리에틸렌계 수지와, 직쇄상이며, 또한 상기 제1 폴리에틸렌계 수지보다 저밀도의 제2 폴리에틸렌계 수지로 구성되고, 상기 제1 폴리에틸렌계 수지 및 제2 폴리에틸렌계 수지가 이들 수지의 합계에 대해, 각각 90∼30질량％ 및 10∼70질량％의 범위로 포함되는 복합 수지 입자가 제공된다.또한, 본 발명에 의하면, 상기 복합 수지 입자와, 물리 발포제를 포함하는 발포성 입자가 제공된다.또한, 본 발명에 의하면, 상기 발포성 입자를 예비 발포시켜 얻어진 예비 발포 입자가 제공된다.또한, 상기 예비 발포 입자를 형내 발포 성형시켜 얻어진 발포 성형체가 제공된다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 의하면, 저온 내지 고온의 범위(예를 들면, -35∼65℃)에서 기계적 특성(예를 들면, 내낙하 충격 압축성 및 내낙하 충격성)의 변동이 억제되고, 또한 내충격성이 향상된 발포 성형체를 제공할 수 있는 복합 수지 입자, 발포성 입자 및 예비 발포 입자를 제공할 수 있다. 또한, 이들 입자에서 얻어진 기계적 특성의 변동이 억제되고, 또한 내충격성이 향상된 발포 성형체를 제공할 수 있다.또한, 이하 중 어느 경우, 본 발명은 기계적 특성의 변동이 보다 억제되고, 또한 내충격성이 보다 향상된 발포 성형체를 제공할 수 있는 복합 수지 입자를 제공할 수 있다.(1) 제2 폴리에틸렌계 수지가 제1 폴리에틸렌계 수지보다 15㎏/㎥ 이상 낮은 밀도를 갖는다.(2) 제1 폴리에틸렌계 수지가 140mJ/㎎ 이상의 결정화 열량을 갖고, 제2 폴리에틸렌계 수지가 120mJ/㎎ 이하의 결정화 열량을 갖는다.(3) 복합 수지 입자가 5중량％ 미만으로 겔분율을 억제한 입자이다.(4) 복합 수지 입자가 1.0∼2.0㎜의 평균 입자 직경을 갖는다.(5) 제1 폴리에틸렌계 수지가 2개 이상의 피크를 연속 승온 용출 분별법(TREF)에 의한 용출 온도-용출량 곡선 중에 갖는다.(6) 복합 수지 입자가 추가로 카본 블랙을 0.5∼2.5질량％의 범위로 포함한다.(7) 복합 수지 입자가 폴리에틸렌계 수지로 이루어지는 종입자에 스티렌계 모노머를 함침 중합시킴으로써 얻어진다.(8) 폴리에틸렌계 수지와 폴리스티렌계 수지를 포함하는 복합 수지 입자로서, 폴리에틸렌계 수지 및 폴리스티렌계 수지가 이들 수지의 합계에 대해, 각각 50∼20질량％ 및 50∼80질량％의 범위로 포함되고, 폴리에틸렌계 수지가 930∼950㎏/㎥의 범위의 중밀도 내지 고밀도의 제1 폴리에틸렌계 수지와, 직쇄상이며, 또한 제1 폴리에틸렌계 수지보다 저밀도의 제2 폴리에틸렌계 수지로 구성되고, 제1 폴리에틸렌계 수지 및 제2 폴리에틸렌계 수지가 이들 수지의 합계에 대해, 각각 90∼30질량％ 및 10∼70질량％의 범위로 포함되며, 제1 폴리에틸렌계 수지가 폴리스티렌 환산으로 GPC 측정에 의한 25,000∼50,000의 범위의 수평균 분자량 Mn, 700,000∼1,300,000의 범위의 Z평균 분자량 Mz, 및 20∼50의 범위의 Mz/Mn을 갖는다.(9) 제1 폴리에틸렌계 수지가 폴리스티렌 환산으로 GPC 측정에 의한 150,000∼250,000의 범위의 중량 평균 분자량 Mw 및 4.5∼9.0의 범위의 Mw/Mn을 갖는다.(10) 폴리스티렌계 수지가 GPC 측정에 의한 600,000∼1,000,000의 범위의 Z평균 분자량 Mz를 갖는다.(11) 폴리스티렌계 수지가 GPC 측정에 의한 250,000∼450,000의 범위의 중량 평균 분자량 Mw를 갖는다.또한 추가로, 이하 중 어느 경우, 본 발명은 기계적 특성의 변동이 보다 억제되고, 또한 내충격성이 보다 향상된 발포 성형체를 제공할 수 있는 예비 발포 입자를 제공할 수 있다.(1) 폴리스티렌계 수지가 GPC 측정에 의한 600,000∼1,000,000의 범위의 Z평균 분자량 Mz를 갖는다.(2) 폴리스티렌계 수지가 GPC 측정에 의한 250,000∼450,000의 범위의 중량 평균 분자량 Mw를 갖는다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명에 사용 가능한 폴리에틸렌계 수지의 대표적인 TREF 용출 온도-용출량 곡선이다.도 2는 실시예 7a 및 3b에 사용한 제1 폴리에틸렌계 수지의 분자량 분포 곡선이다.도 3은 실시예 7a 및 3b에 사용한 제2 폴리에틸렌계 수지의 분자량 분포 곡선이다.도 4는 50％ 압축시 발생 하중 및 50％ 압축시 흡수 에너지 측정용 기구의 개략도이다.도 5는 50％ 압축시 발생 하중 및 50％ 압축시 흡수 에너지 측정용 기구의 개략도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] (복합 수지 입자)본 발명의 복합 수지 입자는 폴리에틸렌계 수지와 폴리스티렌계 수지를 포함한다.폴리에틸렌계 수지와 폴리스티렌계 수지의 복합 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지의 방법을 여러 가지 사용할 수 있다. 예를 들면, 폴리에틸렌계 수지와 폴리스티렌계 수지를 혼련하는 방법, 폴리에틸렌계 수지 입자에 스티렌계 모노머를 함침 중합시키는 방법을 들 수 있다.(1) 폴리에틸렌계 수지폴리에틸렌계 수지는 925∼965㎏/㎥의 범위의 중밀도 내지 고밀도의 제1 폴리에틸렌계 수지와, 직쇄상이며, 또한 제1 폴리에틸렌계 수지보다 저밀도의 제2 폴리에틸렌계 수지로 구성된다.(a) 제1 폴리에틸렌계 수지제1 폴리에틸렌계 수지는 925∼965㎏/㎥의 범위의 밀도를 갖고 있다. 이 밀도 범위는 폴리에틸렌계 수지에 있어서, 일반적으로 중밀도 내지 고밀도이다. 이러한 밀도를 갖는 폴리에틸렌계 수지는 기계적 특성의 온도 의존성이 다른 폴리에틸렌계 수지보다 작은 특징이 있다. 구체적으로는 -35℃의 저온하에서도 기계적 특성이 저하되기 어렵고, 내한성이 우수하며, 또한 융점과 비캣(Vicat) 연화점이 다른 폴리에틸렌계 수지보다 높기 때문에, 65℃의 고온하에서도 기계적 특성이 저하되기 어려우며, 내열성이 우수한 발포 성형체를 제공할 수 있다. 밀도가 925㎏/㎥보다 작은 경우, 내열성이 불충분해지는 경우가 있다. 965㎏/㎥보다 큰 경우, 융점이 지나치게 높아, 발포, 성형하기 어려워지는 경우가 있다. 밀도가 930㎏/㎥ 이상인 경우, 내열성이 불충분해지는 것을 억제할 수 있다. 950㎏/㎥ 이하의 경우, 융점이 지나치게 높아, 발포, 성형하기 어려워지는 것을 억제할 수 있다.밀도는 925㎏/㎥, 930㎏/㎥, 935㎏/㎥, 940㎏/㎥, 945㎏/㎥, 950㎏/㎥, 955㎏/㎥, 960㎏/㎥, 965㎏/㎥를 취할 수 있다. 바람직한 밀도의 범위는 935∼960㎏/㎥나 930∼950㎏/㎥이다. 보다 바람직한 밀도의 범위는 935∼945㎏/㎥이다.제1 폴리에틸렌계 수지는 폴리스티렌 환산으로 GPC 측정에 의한 25,000∼50,000의 범위의 수평균 분자량 Mn, 700,000∼1,300,000의 범위의 Z평균 분자량 Mz, 및 20∼50의 범위의 Mz/Mn을 갖고 있어도 된다. 본 발명에서 바람직하게 사용 가능한 제1 폴리에틸렌계 수지는 Mz가 일반적인 중밀도∼고밀도 폴리에틸렌계 수지에 대해 큰 경향이 있다. 이 때문에, Mz/Mn도 일반적인 중밀도∼고밀도 폴리에틸렌계 수지에 대해 큰 경향이 있다. Mn이 25,000 미만인 경우, 내충격성이 불충분해지는 경우가 있다. Mn이 50,000보다 큰 경우, 발포, 성형하기 어려워지는 경우가 있다. Mz가 700,000 미만인 경우, 기계적 강도 또는 내열성이 불충분해지는 경우가 있다. Mz가 1,300,000보다 큰 경우, 발포, 성형하기 어려워지는 경우가 있다. Mz/Mn이 20 미만인 경우, 기계적 특성의 온도 의존성이 커지는 경우가 있다. Mz/Mn이 50보다 큰 경우, 발포, 성형하기 어려워지는 경우가 있다.Mn은 25,000, 30,000, 35,000, 40,000, 45,000, 50,000을 취할 수 있다. Mz는 700,000, 800,000, 900,000, 1,000,000, 1,100,000, 1,200,000, 1,300,000을 취할 수 있다. Mz/Mn은 20, 25, 30, 35, 40, 45, 50을 취할 수 있다. 바람직한 Mn의 범위는 25,000∼48,000이고, 보다 바람직하게는 28,000∼48,000이다. 또한, 바람직한 Mz의 범위는 80,000∼120,000이고, 보다 바람직하게는 100,000∼110,000이다. 또한, 바람직한 Mz/Mn의 범위는 20∼48이고, 보다 바람직한 Mz/Mn의 범위는 25∼48이고, 더욱 바람직하게는 28∼48이며, 특히 바람직하게는 28∼40이다.제1 폴리에틸렌계 수지는 폴리스티렌 환산으로 GPC 측정에 의한 150,000∼250,000의 범위의 중량 평균 분자량 Mw 및 4.5∼9.0의 범위의 Mw/Mn을 갖는 것이 바람직하다. Mw가 150,000 미만인 경우, 내충격성이 불충분해지는 경우가 있다. Mw가 250,000보다 큰 경우, 발포, 성형하기 어려워지는 경우가 있다. Mw/Mn이 4.5 미만인 경우, 기계적 특성의 온도 의존성이 커지는 경우가 있다. Mw/Mn이 9.0보다 큰 경우, 발포, 성형하기 어려워지는 경우가 있다. Mw는 150,000, 170,000, 190,000, 210,000, 230,000, 250,000을 취할 수 있다. Mw/Mn은 4.5, 5.0, 6.0, 7.0, 8.0, 9.0을 취할 수 있다. 바람직한 Mw의 범위는 160,000∼240,000이고, 보다 바람직하게는 200,000∼240,000이다. 또한, 바람직한 Mw/Mn의 범위는 4.5∼8.5이고, 보다 바람직하게는 4.8∼7.1이다.또한, 이 수지는 2개 이상의 피크를 연속 승온 용출 분별법(TREF)에 의한 용출 온도-용출량 곡선 중에 가져도 된다. 2개 이상의 피크를 가짐으로써, 기계적 특성의 온도 의존성이 억제되어, 내충격성이 개선된 발포 성형체를 제공할 수 있다. 또한, 폴리에틸렌계 수지는 2개의 피크를 갖는 것이 바람직하다. 특히 2개의 피크 중, 고온측의 피크는 85∼100℃의 사이에, 저온측의 피크는 65∼80℃의 사이에 존재하는 것이 바람직하다. 여기서, 도 1에 상기 공보에 기재된 폴리에틸렌계 수지의 대표적인 TREF 용출 온도-용출량 곡선을 나타낸다.제1 폴리에틸렌계 수지는 140mJ/㎎ 이상의 결정화 열량을 갖는 수지인 것이 바람직하다. 여기서, 결정화 열량이 140mJ/㎎ 미만인 경우, 발포 성형체의 기계적 특성의 온도 의존성이 커지는 경우가 있다. 바람직한 결정화 열량의 범위는 150∼200mJ/㎎이고, 보다 바람직하게는 160∼190mJ/㎎이다. 결정화 열량은 150mJ/㎎, 160mJ/㎎, 170mJ/㎎, 180mJ/㎎, 190mJ/㎎, 200mJ/㎎을 취할 수 있다.제1 폴리에틸렌계 수지는 0.1∼20의 범위의 멜트 플로우 레이트[MFR(g/10분), 190℃, 2.16㎏ 하중으로 측정]를 갖는 수지인 것이 바람직하다. 여기서, MFR이 0.1g/10분 미만인 폴리에틸렌계 수지는 발포 배율이 저하되기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 20g/10분을 초과하면 용융 장력이 작아져 발포 배율이 저하되는 것에 추가로, 발포 성형체의 강도도 저하되기 때문에 바람직하지 않다. 보다 바람직한 MFR은 1∼10g/10분이고, 더욱 바람직한 MFR은 2∼5g/10분이다. MFR은 1g/10분, 3g/10분, 5g/10분, 7g/10분, 9g/10분, 10g/10분을 취할 수 있다.제1 폴리에틸렌계 수지에는 상기 범위의 밀도를 갖는 공지의 수지를 모두 사용할 수 있다. 바람직하게는 상기 특정의 분자량도 갖는 공지의 수지를 모두 사용할 수 있다. 제1 폴리에틸렌계 수지로는 에틸렌 단독 중합체, 또는 에틸렌과 탄소수 3∼8의 α-올레핀의 공중합체를 들 수 있다. 탄소수 3∼8의 α-올레핀으로는 프로필렌, 1-부텐, 1-헥센, 1-옥텐, 4-메틸-1-펜텐, 3-메틸-1-부텐, 비닐시클로알칸(예를 들면, 비닐시클로펜탄, 비닐시클로헥산), 고리형 올레핀(예를 들면, 노르보르넨, 노르보르나디엔), 디엔(예를 들면, 부타디엔, 1,4-헥사디엔) 등을 들 수 있다. 탄소수 3∼8의 올레핀 유래의 성분이 폴리에틸렌계 수지에서 차지하는 비율은 특별히 한정되지 않지만, 50질량％ 이하인 것이 바람직하고, 20질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 발명을 저해하지 않는 범위에서, 스티렌을 에틸렌과 공중합시켜도 된다.공지의 수지로는 예를 들면, 니혼 폴리에틸렌사 제조의 노바텍 HD 시리즈, 프라임 폴리머사 제조의 에볼류 H 시리즈, 도소사 제조의 니폴론 하드 시리즈, TOSOH-HMS 시리즈 등의 중밀도 폴리에틸렌 및 고밀도 폴리에틸렌을 들 수 있다.상기 특정의 분자량도 갖는 공지의 제1 폴리에틸렌계 수지에는 시판의 수지를 사용 가능하다. 시판의 수지로는 예를 들면, 도소사로부터 입수 가능한 고용융 장력 폴리에틸렌(TOSOH-HMS 시리즈)을 들 수 있다. 또한, 이하에 나타내는 바와 같이, 상기 특허문헌 4에 기재된 방법에 의해 제조된 폴리에틸렌계 수지도 바람직하게 사용할 수 있다.제1 폴리에틸렌계 수지의 제조 방법에는 특정의 밀도를 갖는 폴리에틸렌계 수지 또는 특정의 분자량도 갖는 폴리에틸렌계 수지의 제조가 가능하다면 어떤 방법을 사용하는 것도 가능하다. 예를 들면, 중합 촉매 및/또는 중합 조건을 다단계로 변경하는 다단 중합법, 복수의 중합 촉매를 혼합한 촉매에 의한 중합법, 동일 또는 상이한 중합 촉매로 제조한 복수의 폴리에틸렌계 수지를 블렌드하는 방법 등을 들 수 있다.폴리에틸렌계 수지의 분자량, 결정화 열량 및 MFR의 조정은 후술하는 실시예의 제조 조건 그 자체, 혹은 조건 인자의 마이너 변동에 의해 임의로 구별하여 제조하는 것이 가능하다. 조건 인자의 마이너 변동이란, 예를 들면, 단독의 중합 촉매 성분을 복수의 중합 촉매 성분의 조합으로 바꾸는 것이나 중합 조건을 변경하는 것 등이 해당한다. 예를 들면, 중합 반응을 행할 때의 중합 온도, 에틸렌 분압, 공존시키는 수소 등의 분자량 조정제의 양, 첨가하는 코모노머양 등으로 나타내는 이른바 중합 조건을 제어하는 것에 의해 구별하여 제조하는 것도 가능하다. 예를 들면, 분자량은 수소 등의 분자량 조정제의 양을 줄임으로써 크게 할 수 있고, 수소 등의 분자량 조정제의 양을 늘림으로써 작게 할 수 있다. 또한, 결정화 열량은 중합 온도를 높게 함으로써 크게 할 수 있고, 중합 온도를 낮게 함으로써 작게 할 수 있다. 또한, MFR은 수소 등의 분자량 조정제의 양을 늘림으로써 크게 할 수 있고, 수소 등의 분자량 조정제의 양을 줄임으로써 작게 할 수 있다.제1 폴리에틸렌계 수지 내, 용출 온도-용출량 곡선이 2개의 피크를 갖는 제1 폴리에틸렌계 수지는 예를 들면, 도소사로부터 입수 가능하다. 또한, 이하에 나타내는 바와 같이, 상기 특허문헌 4에 기재된 방법에 의해 제조된 폴리에틸렌계 수지도 바람직하게 사용할 수 있다.제1 폴리에틸렌계 수지의 제조에 사용하는 중합 촉매로는 예를 들면, 일본 공개특허공보 2004-346304호, 일본 공개특허공보 2005-248013호, 일본 공개특허공보 2006-321991호, 일본 공개특허공보 2007-169341호 및 일본 공개특허공보 2008-050278호에 기재된 중합 촉매 및 이들을 공지의 방법에 의해 조합한 중합 촉매를 들 수 있다. 제1 폴리에틸렌계 수지의 제조에 있어서, 중합 온도는 -100∼120℃가 바람직하고, 특히 생산성을 고려하면 20∼120℃, 나아가서는 50∼120℃의 범위인 것이 바람직하다. 중합 시간은 10초∼20시간의 범위가 바람직하고, 중합 압력은 상압∼300MPa의 범위인 것이 바람직하다.에틸렌과 탄소수 3∼8의 α-올레핀으로 이루어지는 제1 폴리에틸렌계 수지를 사용하는 경우, 에틸렌/탄소수 3∼8의 α-올레핀(몰비)은 1∼200인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3∼100, 더욱 바람직하게는 5∼50이다. 또한, 중합시에 수소 등을 사용하여 분자량의 조절을 행하는 것도 가능하다.또한, 제1 폴리에틸렌계 수지는 매크로 모노머의 존재하에 에틸렌을 중합시킴으로써 얻어진 수지인 것이 바람직하다. 구체적으로는 말단에 비닐기를 갖는 에틸렌의 단독 중합체 또는 에틸렌과 탄소수 3 이상의 올레핀의 공중합체로 이루어지는 매크로 모노머와, 탄소수 2 이상의 올레핀을 공중합시킴으로써 얻어지는 폴리에틸렌계 수지이다.여기서, 매크로 모노머는 2,000 이상의 Mn과, 2∼5의 Mw/Mn을 갖는 것이 바람직하다. 탄소수 3 이상의 올레핀으로는 프로필렌, 1-부텐, 1-헥센, 1-옥텐, 4-메틸-1-펜텐, 3-메틸-1-부텐, 비닐시클로알칸(예를 들면, 비닐시클로펜탄, 비닐시클로헥산) 등을 들 수 있다. 이들 올레핀은 단독이어도 되고, 2종 이상의 조합이어도 된다. 여기서, 탄소수 2 이상의 올레핀은 상기 에틸렌과 탄소수 3∼8의 α-올레핀에서 선택된다.매크로 모노머의 Mn은 5,000 이상인 것이 보다 바람직하고, 10,000 이상인 것이 더욱 바람직하다. 상한은 100,000인 것이 바람직하다. 또한, Mw/Mn은 2∼4인 것이 보다 바람직하고, 2∼3.5인 것이 더욱 바람직하다.또한, 매크로 모노머의 주쇄인 메틸렌 탄소 1000개당 비닐 말단수를 X, 매크로 모노머의 주쇄인 메틸렌 탄소 1000개당 포화 말단수를 Y로 했을 경우, 식 Z＝X/[(X＋Y)×2]로 나타내는 Z가 0.25∼1인 것이 바람직하다. Z는 0.5∼1인 것이 보다 바람직하다. 여기서, 비닐 말단 및 포화 말단은 1H-NMR, 13C-NMR 또는 FT-IR에 의해 그 수를 측정할 수 있는 것은 당업자에게 잘 알려져 있다. 예를 들면, 13C-NMR의 경우, 비닐 말단은 114ppm과 139ppm에, 포화 말단은 32.3ppm, 22.9ppm 및 14.1ppm에 피크를 갖고, 이 피크로부터 그 수를 측정할 수 있다.상기 매크로 모노머와 올레핀을 공중합시킴으로써, 본 발명의 사용에 바람직한 제1 폴리에틸렌계 수지가 얻어진다. 여기서, 매크로 모노머 이외의 탄소수 2 이상의 올레핀에서 유래하는 수지(수지 A)의 전체 수지에 대한 비율은 1∼99질량％가 바람직하고, 5∼90질량％가 보다 바람직하며, 30∼80질량％가 더욱 바람직하다. 수지 A의 비율의 측정은 수지의 GPC 차트를 매크로 모노머의 GPC 차트와 비교함으로써 행할 수 있다. 구체적으로는 양 차트의 비교에 의해 수지 A에서 유래하는 피크를 결정하고, 그 피크의 면적의 전체 피크의 면적에 대한 비율이 수지 A의 비율에 상당한다.중합은 배치식, 반연속식, 연속식 중 어느 방법으로도 행하는 것이 가능하고, 중합 조건을 바꾸어 2단계 이상으로 나누어 행하는 것도 가능하다. 또한, 제1 폴리에틸렌계 수지는 중합 종료 후에 종래 주지된 방법에 의해 중합 용매로부터 분리 회수되고, 건조시켜 단리할 수 있다.중합은 슬러리 상태, 용액 상태 또는 기상 상태로 실시할 수 있고, 특히, 중합을 슬러리 상태로 행하는 경우에는 입자 형상이 고른 제1 폴리에틸렌계 수지를 효율적이며, 안정적으로 생산할 수 있다. 또한, 중합에 사용하는 용매는 일반적으로 사용되는 유기 용매이면 어느 것이어도 되고, 구체적으로는 예를 들면 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 프로판, 이소부탄, 펜탄, 헥산, 헵탄, 시클로헥산, 가솔린 등을 들 수 있다. 또한, 프로필렌, 1-부텐, 1-헥센, 1-옥텐 등의 올레핀 자신을 용매로서 사용할 수도 있다.(b) 제2 폴리에틸렌계 수지제2 폴리에틸렌계 수지는 직쇄상이며, 또한 제1 폴리에틸렌계 수지보다 저밀도의 수지(예를 들면, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌계 수지: LLDPE)이다. 제1 폴리에틸렌계 수지는 인장 파괴 변형이 작은 것(예를 들면, JIS K6922-2:2010에 의한 측정으로 500％ 미만)이 많기 때문에, 내충격성이 불충분한 발포 성형체가 얻어지는 경우가 있다. 제2 폴리에틸렌계 수지는 인장 파괴 변형이 높기 때문에, 제1 폴리에틸렌계 수지와 병용함으로써, 발포 성형체의 내충격성을 개선할 수 있는 것으로 발명자들은 생각하고 있다. 또한, 단지 병용하는 것만으로는 그 효과는 한정적이며, 특정의 병용 비율의 범위가 있는 것도 발명자들은 알아내었다. 제2 폴리에틸렌계 수지의 밀도는 875∼929㎏/㎥의 범위인 것이 바람직하다. 밀도는 875㎏/㎥, 880㎏/㎥, 890㎏/㎥, 900㎏/㎥, 910㎏/㎥, 920㎏/㎥, 929㎏/㎥를 취할 수 있다. 또한, 제2 폴리에틸렌계 수지의 밀도는 제1 폴리에틸렌계 수지의 밀도보다 15㎏/㎥ 이상 낮은 것이 바람직하다.제2 폴리에틸렌계 수지는 폴리스티렌 환산으로 GPC 측정에 의한 65,000∼90,000의 범위의 수평균 분자량 Mn, 250,000∼400,000의 범위의 Z평균 분자량 Mz, 및 2∼10의 범위의 Mz/Mn을 갖는 것이 바람직하다. Mn이 65,000 미만인 경우, 내충격성이 불충분해지는 경우가 있다. Mn이 90,000보다 큰 경우, 발포, 성형하기 어려워지는 경우가 있다. Mz가 250,000 미만인 경우, 기계적 강도가 불충분해지는 경우가 있다. Mz가 400,000보다 큰 경우, 발포, 성형하기 어려워지는 경우가 있다. Mz/Mn이 2 미만인 경우, 내열성이 불충분해지는 경우가 있다. Mz/Mn이 10보다 큰 경우, 발포, 성형하기 어려워지는 경우가 있다. Mn은 65,000, 70,000, 75,000, 80,000, 85,000, 90,000을 취할 수 있다. Mz는 250,000, 270,000, 300,000, 320,000, 350,000, 370,000, 400,000을 취할 수 있다. Mz/Mn은 2, 4, 6, 8, 10을 취할 수 있다. 보다 바람직한 Mn의 범위는 70,000∼85,000이다. 또한, 보다 바람직한 Mz의 범위는 300,000∼350,000이다. 또한, 보다 바람직한 Mz/Mn의 범위는 3∼5이다.제2 폴리에틸렌계 수지는 폴리스티렌 환산으로 GPC 측정에 의한 150,000∼250,000의 범위의 중량 평균 분자량 Mw 및 1.5∼8의 범위의 Mw/Mn을 갖는 것이 바람직하다. Mw가 150,000 미만인 경우, 내충격성이 불충분해지는 경우가 있다. Mw가 250,000보다 큰 경우, 발포, 성형하기 어려워지는 경우가 있다. Mw/Mn이 1.5 미만인 경우, 기계적 특성의 온도 의존성이 커지는 경우가 있다. Mw/Mn이 8보다 큰 경우, 발포, 성형하기 어려워지는 경우가 있다.Mw는 150,000, 170,000, 190,000, 210,000, 230,000, 250,000을 취할 수 있다. Mw/Mn은 1.5, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8을 취할 수 있다. 바람직한 Mw의 범위는 180,000∼220,000이고, 보다 바람직하게는 180,000∼200,000이다. 또한, 바람직한 Mw/Mn의 범위는 2∼5이고, 보다 바람직하게는 2∼3이다.제2 폴리에틸렌계 수지는 120mJ/㎎ 이하의 결정화 열량을 갖는 수지인 것이 바람직하다. 여기서, 결정화 열량이 120mJ/㎎보다 큰 경우, 발포 성형체의 기계적 특성의 온도 의존성이 커지는 경우가 있다. 바람직한 결정화 열량의 범위는 70∼120mJ/㎎이고, 보다 바람직하게는 85∼115mJ/㎎이다. 결정화 열량은 70mJ/㎎, 80mJ/㎎, 90mJ/㎎, 100mJ/㎎, 110mJ/㎎, 120mJ/㎎을 취할 수 있다.제1 폴리에틸렌계 수지의 결정화 열량은 제2 폴리에틸렌계 수지의 결정화 열량보다 30mJ/㎎ 큰 것이 바람직하다. 결정화 열량이 작은 제2 폴리에틸렌계 수지에 결정화 열량이 큰 제1 폴리에틸렌계 수지를 첨가함으로써, 발포 성형체의 기계적 특성의 온도 의존성을 작게 할 수 있는 것으로 발명자들은 생각하고 있다.제2 폴리에틸렌계 수지는 0.1∼20의 범위의 멜트 플로우 레이트[MFR(g/10분), 190℃, 2.16㎏ 하중으로 측정]를 갖는 수지인 것이 바람직하다. 여기서, MFR이 0.1g/10분 미만인 폴리에틸렌계 수지는 발포 배율이 저하되기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 20g/10분을 초과하면 용융 장력이 작아져 발포 배율이 저하되는 것에 추가로 발포 성형체의 강도도 저하되기 때문에 바람직하지 않다. 보다 바람직한 MFR은 1∼10g/10분이고, 더욱 바람직한 MFR은 2∼5g/10분이다. MFR은 1g/10분, 3g/10분, 5g/10분, 7g/10분, 9g/10분, 10g/10분을 취할 수 있다. 제2 폴리에틸렌계 수지의 MFR은 제1 폴리에틸렌계 수지와의 상용성을 감안하여, 제1 폴리에틸렌계 수지의 MFR과 가까운 것이 바람직한 것으로 발명자들은 생각하고 있다.제2 폴리에틸렌계 수지는 에틸렌 단독 중합체, 또는 에틸렌과 탄소수 3∼8의 α-올레핀의 공중합체로 통상 구성된다. 탄소수 3∼8의 α-올레핀으로는 프로필렌, 1-부텐, 1-헥센, 1-옥텐, 4-메틸-1-펜텐, 3-메틸-1-부텐, 비닐시클로알칸(예를 들면, 비닐시클로펜탄, 비닐시클로헥산), 고리형 올레핀(예를 들면, 노르보르넨, 노르보르나디엔), 디엔(예를 들면, 부타디엔, 1,4-헥사디엔) 등을 들 수 있다. 탄소수 3∼8의 올레핀 유래의 성분이 폴리에틸렌계 수지에서 차지하는 비율은 특별히 한정되지 않지만, 50질량％ 이하인 것이 바람직하고, 20질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 발명을 저해하지 않는 범위에서, 스티렌을 에틸렌과 공중합시켜도 된다.제2 폴리에틸렌계 수지에는 시판의 수지를 사용 가능하다.제1 폴리에틸렌계 수지와 제2 폴리에틸렌계 수지의 함유 비율은 양 수지 합계에 대해, 전자가 90∼30질량％, 후자가 10∼70질량％이다. 전자의 비율이 90질량％보다 큰 경우, 내충격성이 불충분해지는 경우가 있다. 한편, 30질량％보다 작은 경우, 기계적 특성의 온도 의존성이 커지는 경우가 있다. 전자의 함유 비율은 90질량％, 80질량％, 70질량％, 60질량％, 50질량％, 40질량％, 30질량％를 취할 수 있다. 바람직한 전자와 후자의 함유 비율은 80∼40질량％와 20∼60질량％이고, 보다 바람직한 전자와 후자의 함유 비율은 80∼50질량％와 20∼50질량％이며, 더욱 바람직한 전자와 후자의 함유 비율은 80∼60질량％와 20∼40질량％이다.(c) 그 밖의 성분폴리에틸렌계 수지는 본 발명의 목적을 벗어나지 않는 한, 다른 수지를 포함하고 있어도 된다. 다른 수지로는 탄소수 2∼20의 α-올레핀 단독 중합체 및 공중합체를 들 수 있다. 구체적으로는, 폴리프로필렌, 폴리 1-부텐, 폴리(4-메틸-1-펜텐), 폴리 1-펜텐, 에틸렌/프로필렌 공중합체, 에틸렌/1-부텐 공중합체, 프로필렌/1-부텐 공중합체, 에틸렌/프로필렌/1-부텐 공중합체, 4-메틸-1-펜텐/에틸렌 공중합체, 에틸렌/프로필렌/폴리엔 공중합체, 각종 프로필렌계 블록 공중합체나 프로필렌계 랜덤 공중합체 등을 들 수 있다. 이들 다른 수지의 배합 비율은 전체 폴리에틸렌계 수지량에 대해, 50질량％ 이하가 바람직하고, 30질량％ 이하가 보다 바람직하다.폴리에틸렌계 수지에는 필요에 따라, 착색제, 안정제, 충전재(보강재), 고급 지방산 금속염, 난연제, 대전 방지제, 활제, 천연 또는 합성유, 왁스, 자외선 흡수제, 내후 안정제, 방담제, 항블로킹제, 슬립제, 피복제, 중성자 차폐제 등의 첨가제가 포함되어 있어도 된다. 이 중, 착색제로는 무기 및 유기 착색제(안료 또는 염료)를 모두 사용할 수 있다. 특히, 산화철, 카본 블랙 등의 무기 착색제가 바람직하다.카본 블랙으로는 파네스 블랙, 채널 블랙, 서멀 블랙, 아세틸렌 블랙, 흑연, 탄소 섬유 등을 들 수 있다. 카본 블랙은 복합 수지 입자 제조시에, 기재 수지에 카본 블랙을 분산시킨 조성물, 이른바 마스터 배치로서 첨가함으로써 복합 수지 입자 내에 존재시켜도 된다. 마스터 배치는 마스터 배치 100질량부에 대해 바람직하게는 30∼50질량부, 보다 바람직하게는 35∼45질량부의 비율로 카본 블랙을 포함한다. 마스터 배치에 포함되는 기재 수지로는 폴리에틸렌계 수지가 바람직하다.카본 블랙은 폴리에틸렌계 수지 내, 1∼25질량％의 범위로 포함되어 있는 것이 바람직하다. 1질량％ 미만이면, 폴리에틸렌계 수지가 충분히 착색되지 않는 경우가 있다. 25질량％ 보다 많은 경우, 폴리에틸렌계 수지 내에 혼합하는 것이 곤란해지기 쉽다. 함유량은 1질량％, 5질량％, 10질량％, 15질량％, 20질량％, 25질량％를 취할 수 있다. 보다 바람직한 함유량은 2∼15질량％의 범위이다.안정제는 산화 열화나 열열화 등을 방지하는 역할을 달성하며, 공지된 것을 모두 사용할 수 있다. 예를 들면, 페놀계 안정제, 유기 포스파이트계 안정제, 티오에테르계 안정제, 힌더드아민계 안정제 등을 들 수 있다.충전재로는 탤크, 유리 등을 들 수 있고, 그 형상은 구형상, 판형상, 섬유 형상 등 특별히 한정되지 않는다.고급 지방족 금속염으로는 스테아르산, 올레산, 라우르산 등의 고급 지방산과, 알칼리토류 금속(마그네슘, 칼슘, 바륨 등)이나 알칼리 금속(나트륨, 칼륨, 리튬 등)의 염을 들 수 있다.(2) 폴리스티렌계 수지폴리스티렌계 수지로는 예를 들면, 스티렌 단량체, α-메틸스티렌, p-메틸스티렌, t-부틸스티렌 등의 스티렌계 모노머에서 유래하는 수지를 들 수 있다. 또한, 폴리스티렌계 수지는 스티렌계 모노머와, 스티렌계 모노머와 공중합 가능한 다른 모노머의 공중합체로 이루어지는 성분이어도 된다. 다른 모노머로는 디비닐벤젠과 같은 다관능성 모노머나, (메타)아크릴산부틸과 같은 구조 중에 벤젠 고리를 포함하지 않는 (메타)아크릴산알킬에스테르 등이 예시된다. 이들 다른 모노머를 폴리스티렌계 수지에 대해 5질량％를 초과하지 않는 범위에서 사용해도 된다.폴리에틸렌계 수지와 폴리스티렌계 수지의 양은 양 수지의 합계를 100질량％로서 각각 50∼20질량％ 및 50∼80질량％이다. 또한, 폴리스티렌계 수지의 양이 80질량％를 초과하는 경우, 발포 성형체의 내약품성 및 내충격성이 저하되는 경우가 있다. 50질량％보다 적은 경우, 발포 성형체의 강성이 저하되는 경우가 있다. 전자의 함유 비율은 50질량％, 45질량％, 40질량％, 35질량％, 30질량％, 25질량％, 20질량％를 취할 수 있다. 바람직한 양은 40∼20질량％ 및 60∼80질량％이고, 보다 바람직한 양은 40∼30질량％ 및 60∼70질량％이다.(3) 형상복합 수지 입자의 형상은 원통 형상, 대략 구형상 내지는 구형상이며, 평균 입자 직경이 1.0∼2.0㎜인 것이 바람직하다. 형상은 충전성을 양호하게 하려면, 대략 구형상 내지는 구형상이 보다 바람직하다.평균 입자 직경은 1.0㎜ 미만의 경우, 발포성 입자에 사용하는 경우, 물리 발포제의 유지성이 낮아져, 저밀도화가 곤란해지기 쉽다. 2.0㎜를 초과하는 경우, 예비 발포 입자에 사용하는 경우, 성형용 금형에 대한 충전성이 나빠지기 쉽고, 발포 성형체의 박육화도 곤란해지기 쉽다.(4) 기타복합 수지 입자는 5중량％ 이하로 겔분율이 억제되어 있는 것이 바람직하다. 억제되어 있음으로써, 이 입자에서 유래하는 발포 성형체의 리사이클성을 향상시킬 수 있다. 겔분율은 5중량％, 4중량％, 3중량％, 2중량％, 1중량％, 0중량％를 취할 수 있다.(발포성 입자)발포성 입자는 상기 복합 수지 입자에 물리 발포제를 함침시킨 입자이다. 물리 발포제로는 예를 들면, 프로판, n-부탄, 이소부탄, n-펜탄, 이소펜탄, 시클로펜탄, 헥산, 디메틸에테르 등을 들 수 있다. 이들 물리 발포제는 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 물리 발포제의 함유량은 복합 수지 입자 100질량부에 대해, 5∼25질량부인 것이 바람직하다.발포성 입자의 평균 입자 직경은 상기 복합 수지 입자와 동일한 정도로 할 수 있다. 또한, 형상은 충전성을 양호하게 하려면 대략 구형상 내지는 구형상이 보다 바람직하다.(예비 발포 입자)예비 발포 입자는 상기 발포성 입자를 예비 발포시켜 얻어진 입자이다.예비 발포 입자는 20∼200㎏/㎥의 부피 밀도를 갖는 것이 바람직하다. 부피 밀도가 20㎏/㎥보다 작은 경우, 발포시켰을 때에 독립 기포율이 저하되어, 예비 발포 입자에서 얻어지는 발포 성형체의 강도가 저하되는 경우가 있다. 한편, 200㎏/㎥보다 큰 경우, 얻어지는 발포 성형체를 경량화할 수 없는 경우가 있다. 보다 바람직한 부피 밀도는 25∼100㎏/㎥이다. 부피 밀도의 측정법은 실시예의 란에 기재한다.예비 발포 입자를 구성하는 폴리스티렌계 수지의 GPC 측정에 의한 Z평균 분자량 Mz는 600,000∼1,000,000인 것이 바람직하다. Mz가 600,000보다 낮으면 발포 성형체의 강도가 저하되는 경우가 있기 때문에, 바람직하지 않다. 한편, 1,000,000보다 높으면 예비 발포 입자의 2차 발포성이 저하되고, 예비 발포 입자끼리의 융착성이 저하되어 발포 성형체의 강도가 저하되는 경우가 있으므로 바람직하지 않다.Mz는 600,000, 700,000, 800,000, 900,000, 1,000,000을 취할 수 있다. 보다 바람직한 Z평균 분자량 Mz는 700,000∼900,000이다.폴리스티렌계 수지의 GPC 측정에 의한 중량 평균 분자량 Mw는 250,000∼450,000인 것이 바람직하다. Mw가 250,000보다 낮으면 발포 성형체의 강도가 저하되는 경우가 있기 때문에, 바람직하지 않다. 한편, 450,000보다 높으면 예비 발포 입자의 2차 발포성이 저하되고, 예비 발포 입자끼리의 융착성이 저하되어 발포 성형체의 강도가 저하되는 경우가 있으므로 바람직하지 않다. Mw는 250,000, 280,000, 300,000, 330,000, 350,000, 370,000, 400,000, 430,000, 450,000을 취할 수 있다. 보다 바람직한 중량 평균 분자량 Mw는 300,000∼400,000이다.(발포 성형체)발포 성형체는 상기 예비 발포 입자를 형내 발포 성형시켜 얻어진 성형체이다. 발포 성형체는 내약품성, 내충격성 및 강성이 우수한 점에 추가로, 온도 의존성이 더욱 개선되어 있다.기계적 특성의 온도 의존성의 평가 시험으로서 예를 들면, ASTM D3763-92에 준거한 다이나텁 충격 압축 시험이 있다.우선, 다이나텁 충격 압축 시험에 있어서, -35℃와 23℃에서 평가했을 경우의 50％ 압축시 발생 하중 Q-35와 Q23의 비 Q-35/Q23을 1.22 이하로 할 수 있다. 또한, 23℃와 65℃에서 평가했을 경우의 50％ 압축시 발생 하중 Q23과 Q65의 비 Q65/Q23을 0.77 이상으로 할 수 있다.다음으로, 다이나텁 충격 압축 시험에 있어서, -35℃와 23℃에서 평가했을 경우의 50％ 압축시 흡수 에너지 E-35와 E23의 비 E-35/E23을 1.22 이하로 할 수 있다. 또한, 23℃와 65℃에서 평가했을 경우의 50％ 압축시 흡수 에너지 E23과 E65의 비E65/E23을 0.77 이상으로 할 수 있다.상기 시험으로부터 본 발명에 의하면, 예를 들면, -35℃∼65℃의 범위에 있어서 기계적 특성의 온도 의존성이 낮은 발포 성형체를 제공할 수 있다.또한, 25,000∼50,000의 범위의 수평균 분자량 Mn, 700,000∼1,300,000의 범위의 Z평균 분자량 Mz, 및 20∼50의 범위의 Mz/Mn을 갖는 제1 폴리에틸렌계 수지를 사용하여, 제1 폴리에틸렌계 수지와 제2 폴리에틸렌계 수지의 함유 비율을 전자가 90∼30질량％, 후자가 10∼70질량％(보다 바람직하게는 전자가 80∼50질량％, 후자가 20∼50질량％)로 하면, -35℃∼65℃의 범위에 있어서, 보다 온도 의존성이 낮은 발포 성형체를 제공할 수 있다.구체적으로는 우선, 다이나텁 충격 압축 시험에 있어서, -35℃와 23℃에서 평가했을 경우의 50％ 압축시 발생 하중 Q-35와 Q23의 비 Q-35/Q23을 1.20 이하로 할 수 있다. 또한, 23℃와 65℃에서 평가했을 경우의 50％ 압축시 발생 하중 Q23과 Q65의 비 Q65/Q23을 0.80 이상으로 할 수 있다.다음으로, 다이나텁 충격 압축 시험에 있어서, -35℃와 23℃에서 평가했을 경우의 50％ 압축시 흡수 에너지 E-35와 E23의 비 E-35/E23을 1.20 이하로 할 수 있다.또한, 23℃와 65℃에서 평가했을 경우의 50％ 압축시 흡수 에너지 E23과 E65의 비E65/E23을 0.80 이상으로 할 수 있다.또한, 본 발명에 의하면, 25㎝ 이상의 JIS K7211:1976에 의한 낙구 충격값을 갖는 발포 성형체를 제공할 수 있다.발포 성형체는 20∼200㎏/㎥의 밀도를 갖는 것이 바람직하다. 밀도가 20㎏/㎥보다 작은 경우, 독립 기포율이 많아지기 때문에, 강도가 저하되는 경우가 있다. 한편, 200㎏/㎥보다 큰 경우, 질량이 증가되는 경우가 있다. 보다 바람직한 밀도는 25∼100㎏/㎥이다. 밀도의 측정법은 실시예의 란에 기재한다.본 발명의 발포 성형체는 여러 용도에 사용할 수 있지만, 범퍼의 심재, 도어 내장 완충재 등의 차량용 완충재, 전자 부품, 유리를 포함하는 각종 공업 자재, 식품의 완충재나 반송 용기 등의 각종 용도에 사용할 수 있다. 특히, 차량용 완충재에 바람직하게 사용할 수 있다.(복합 수지 입자, 발포성 입자, 예비 발포 입자 및 발포 성형체의 제조 방법)우선, 복합 수지 입자는 폴리에틸렌계 수지와 폴리스티렌계 수지를 용융 혼련하고, 입자 형상으로 절단함으로써 형성할 수 있지만, 예를 들면, 이하와 같이 제조하는 것이 바람직하다.즉, 수성 현탁액 중에, 상기 폴리에틸렌계 수지의 종입자와, 스티렌계 모노머와, 필요에 따라 중합 개시제를 분산시킨다. 또한, 스티렌계 모노머와 중합 개시제를 미리 혼합하여 사용해도 된다.종입자는 공지의 방법에 의해 얻을 수 있다. 예를 들면, 폴리에틸렌계 수지를 필요에 따라 무기 핵제와 첨가제와 함께, 압출기 내에서 용융 혼련하여 압출함으로써 스트랜드를 얻고, 얻어진 스트랜드를 공기 중에서 컷하고, 수중에서 컷하고, 가열하면서 컷함으로써, 조립하는 방법을 들 수 있다.폴리에틸렌계 수지의 종입자는 원통 형상, 대략 구형상 내지는 구형상이며, 평균 입자 직경이 0.2∼1.5㎜인 것이 바람직하다. 또한, 형상은 충전성을 양호하게 하려면 대략 구형상 내지는 구형상이 보다 바람직하다. 평균 입자 직경은 0.2㎜ 미만인 경우, 발포성 입자에 사용하는 경우, 발포제의 유지성이 낮아져, 저밀도화가 곤란해지기 쉽기 때문에 바람직하지 않다. 1.5㎜를 초과하는 경우, 예비 발포 입자에 사용하는 경우, 성형용 금형에 대한 충전성이 나빠질 뿐만 아니라 발포 성형체의 박육화도 곤란해지기 쉽다.무기 핵제로는 예를 들면, 탤크, 이산화규소, 마이카, 클레이, 제올라이트, 탄산칼슘 등을 들 수 있다. 무기 핵제의 사용량은 폴리에틸렌계 수지 100질량부에 대해, 2질량부 이하가 바람직하고, 0.2∼1.5질량부가 보다 바람직하다.수성 현탁액을 구성하는 수성 매체로는 물, 물과 수용성 용매(예를 들면, 저급 알코올)의 혼합 매체를 들 수 있다.중합 개시제로는 일반적으로 스티렌계 모노머의 현탁 중합용 개시제로서 사용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 벤조일퍼옥사이드, 디 t-부틸퍼옥사이드, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 디쿠밀퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-디-t-부틸퍼옥시헥산, t-부틸퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사노에이트, t-부틸-퍼옥시-2-에틸헥실카보네이트 등의 유기화 과산화물이다. 이들 중합 개시제는 단독 또는 2종 이상을 병용해도 된다.중합 개시제의 사용량은 스티렌계 모노머 100질량부에 대해, 0.1∼0.9질량부가 바람직하다. 0.1질량부 미만에서는 스티렌계 모노머의 중합에 시간이 지나치게 걸리는 경우가 있다. 0.9질량부를 초과하는 중합 개시제의 사용은 폴리스티렌계 수지의 분자량이 낮아지는 경우가 있다. 보다 바람직한 사용량은 0.2∼0.5질량부가다.수계 현탁액에는 필요에 따라 분산제를 첨가해도 된다. 분산제로는 특별히 한정되지 않고, 공지의 것을 모두 사용할 수 있다. 구체적으로는, 인산칼슘, 피로인산마그네슘, 피로인산나트륨, 산화마그네슘 등의 난용성 무기물을 들 수 있다. 또한, 도데실벤젠술폰산소다와 같은 계면활성제를 사용해도 된다.다음으로, 얻어진 분산액을 스티렌계 모노머가 실질적으로 중합되지 않는 온도로 가열하여 스티렌계 모노머를 종입자에 함침시킨다. 종입자 내부에 스티렌계 모노머를 함침시키는 시간은 30분∼2시간이 적당하다. 충분히 함침시키기 전에 중합이 진행되면 폴리스티렌계 수지의 중합체 분말을 생성하기 때문이다. 상기 모노머가 실질적으로 중합되지 않는 온도란, 높은 쪽이 함침 속도를 빠르게 하는데는 유리하지만, 중합 개시제의 분해 온도를 고려하여 결정하는 것이 바람직하다.이어서, 스티렌계 모노머의 중합을 행한다. 중합은 특별히 한정되지 않지만, 105∼140℃에서, 1.5∼5시간 행하는 것이 바람직하다. 중합은 통상, 가압 가능한 밀폐 용기 내에서 행해진다.여기서, 스티렌계 모노머의 함침과 중합을 복수회로 나누어 행해도 된다. 복수회로 나눔으로써, 폴리스티렌의 중합체 분말의 발생을 최대한 줄일 수 있다.상기 공정에 의해 복합 수지 입자를 얻을 수 있다. 얻어진 복합 수지 입자는 내부가 폴리스티렌계 레진 리치이고, 외각부가 폴리에틸렌계 레진 리치이기 때문에, 발포 성형체의 물성에 좋은 영향을 주는 것으로 발명자들은 생각하고 있다.다음으로, 발포성 입자는 상기 중합 중 또는 중합 종료 후의 복합 수지 입자에 물리 발포제를 함침함으로써 얻을 수 있다. 이 함침은 그 자체 공지의 방법에 의해 행할 수 있다. 예를 들면, 중합 중에서의 함침은 중합 반응을 밀폐식 용기 내에서 행하고, 용기 내에 물리 발포제를 압입함으로써 행할 수 있다. 중합 종료 후의 함침은 밀폐식 용기 내에서 물리 발포제를 압입함으로써 행해진다.또한, 예비 발포 입자는 상기 발포성 입자를 공지의 방법에 의해 소정의 부피 밀도로 예비 발포시킴으로써 얻을 수 있다.또한, 발포 성형체는 예비 발포 입자를 발포 성형기의 금형 내에 충전하고, 재차 가열하여 예비 발포 입자를 발포시키면서, 발포 입자끼리를 열융착시킴으로써 얻을 수 있다. 가열용 매체는 수증기를 바람직하게 사용할 수 있다.실시예이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 언급이 없는 한 사용한 시약 등은 시판품을 사용하였다. 유기 화합물로 처리된 점토 광물의 제조, 에틸렌계 중합체 제조용 촉매의 제조, 에틸렌계 중합체의 제조 및 용매 정제는 전부 불활성 가스 분위기하에서 행하였다. 또한, 용매는 전부 미리 공지의 방법으로 정제, 건조, 탈산소를 행한 것을 사용하였다. 트리이소부틸알루미늄의 헥산 용액(0.714M)은 도소 파인켐사 제조를 사용하였다.이하의 실시예에 있어서의 각종 물성의 측정법을 하기한다.＜폴리에틸렌계 수지의 밀도의 측정＞밀도는 JIS K6922-1:1997 「플라스틱-폴리에틸렌(PE) 성형용 및 압출용 재료-제1부: 호칭 방법의 시스템 및 사양 표기의 기초」에 기재되어 있는 방법으로 측정한다.＜폴리에틸렌계 수지의 MFR＞MFR은 JIS K6922-1:1997 「플라스틱-폴리에틸렌(PE) 성형용 및 압출용 재료- 제1부: 호칭 방법의 시스템 및 사양 표기의 기초」에 기재되어 있는 방법으로 190℃, 2.16㎏ 하중으로 측정한다.＜TREF에 의한 용출 온도-용출량 곡선의 측정＞폴리에틸렌계 수지에 내열 안정제(치바 스페셜리티 케미컬즈사 제조, 이르가녹스 1010TM；1500ppm, 이르가포스 168TM；1500ppm)를 첨가한 것을 인터널 믹서(도요 정기 제작소사 제조, 상품명 라보 플라스토밀)를 이용하여, 질소 기류하, 190℃, 회전수 30rpm으로 30분간 혼련한다. 혼련물을 ODCB에 그 농도가 0.05질량％가 되도록 135℃에서 가열 용해한다. 이 가열 용액 5밀리리터를 글래스 비즈를 충전한 컬럼에 주입한 후, 0.1℃／분의 냉각 속도로 25℃까지 냉각하여, 시료를 글래스 비즈 표면에 침착시킨다. 다음으로, 이 컬럼에 ODCB를 일정 유량으로 흘리면서, 컬럼 온도를 50℃／hr의 일정 속도로 승온시키고, 각 온도에 있어서 용액에 용해 가능한 시료를 준비 용출시킨다.이 때, 용제 중의 시료 농도는 메틸렌의 비대상 신축 진동의 파수 2925㎝-1에 대한 흡수를 적외 검출기로 연속적으로 검출함으로써 얻어진다. 연속적으로 검출된 농도로부터 용출 온도-용출량 곡선을 얻을 수 있다. TREF 분석은 극소량의 시료로 온도 변화에 대한 용출 속도의 변화를 연속적으로 분석할 수 있기 때문에, 분별법으로는 검출할 수 없는 비교적 상세한 피크의 검출이 가능하다.＜폴리에틸렌계 수지의 Z평균 분자량(Mz), 중량 평균 분자량(Mw), 수평균 분자량(Mn), Mz/Mn 및 Mw/Mn의 측정＞ 상기 값은 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)를 이용하여 내부 표준법으로 측정한 폴리스티렌(PS) 환산값을 의미한다.구체적으로는, 시료 10㎎을 용해 여과 장치(도소사 제조 DF-8020)에 부속된 여과 용기(100㎛ 포어 사이즈)에 봉입한다. 시험관에 여과 용기와 0.05중량％BHT(부틸히드록시톨루엔)가 들어간 O-디클로로벤젠 6㎖를 첨가해 마개를 꼭 닫고, 도소사 제조 DF-8020을 이용하여, 160℃에서 5시간 용해시킨 것을 측정 시료로 한다. 다음의 측정 조건에서 크로마토그래프를 이용하여 측정하고, 미리 제조해 둔 표준 폴리스티렌의 검량선으로부터 Mz, Mw 및 Mn을 구하여, 얻어진 각 평균 분자량에서 Mz/Mn 및 Mw/Mn을 산출한다.사용 장치: 도소사 제조 HLC-8121GPC/HT 가이드 컬럼: 도소사 제조 TSKguardcolumn HHR(S) HT 1개(7.5㎜ I.D.×7.5㎝)×1개 컬럼: 도소사 제조 TSKgel GMHHR-H(S)HT(7.8㎜ I.D.×30㎝)×2개 이동상: O-디클로로벤젠샘플 유량: 1.0㎖/min 레퍼런스 유량: 0.5㎖/min 검출기: RI 검출기 시료 농도: 0.17wt％ 주입량: 300㎕ 측정 시간: 40min 샘플링 피치: 300msec(장치 각부 설정 온도)용매 스토커: 50℃, 시스템 오븐: 40℃, 프리 오븐: 145℃, 컬럼 오븐(컬럼 온도): 145℃, 샘플 테이블: 145℃, 주입 밸브: 145℃, 트랜스 라인: 145℃, 폐액 라인: 145℃, 검출기: 145℃ 검량선용 표준 폴리스티렌 시료는 쇼와 전공사 제조, 상품명 「shodex」중량 평균 분자량이 5,620,000, 3,120,000, 1,250,000, 442,000, 131,000, 54,000, 20,000, 7,590, 3,450, 1,320인 것을 사용한다.상기 검량선용 표준 폴리스티렌을 A(5,620,000, 1,250,000, 131,000, 20,000, 3,450) 및 B(3,120,000, 442,000, 54,000, 7,590, 1,320)로 그룹을 나눈 후, A를 각각 3∼10㎎ 칭량 후 O-디클로로벤젠 50㎖에 용해하고, B도 각각 3∼10㎎ 칭량 후 o-디클로로벤젠 50㎖에 용해한다. 표준 폴리스티렌 검량선은 제조한 A 및 B 용해액을 300㎕ 주입하여 측정 후에 얻어진 유지 시간으로부터 교정 곡선(삼차식)을 작성함으로써 얻어지고, 그 검량선을 이용해 Mz, Mw 및 Mn을 구하여, 얻어진 각 평균 분자량에서 Mz/Mn 및 Mw/Mn을 산출한다.＜폴리에틸렌계 수지의 융점의 측정＞JIS K7121:1987 「플라스틱의 전이 온도 측정 방법」에 기재되어 있는 방법으로 측정한다. 단, 샘플링 방법·온도 조건에 관해서는 이하와 같이 행한다.시차 주사 열량계 장치 DSC6220형(에스아이아이 나노테크놀로지사 제조)을 이용하여, 알루미늄제 측정 용기의 바닥에 간극이 없도록 시료를 약 6㎎ 충전하고, 질소 가스 유량 20㎖/min 하에서 30℃에서 -40℃까지 강온한 후 10분간 유지하고, -40℃에서 220℃까지 승온(1st Heating), 10분간 유지 후 220℃에서 -40℃까지 강온(Cooling), 10분간 유지 후, -40℃에서 220℃까지 승온(2nd Heating)했을 때의 DSC 곡선을 얻는다. 여기서, 모든 승온·강온은 속도 10℃／min으로 행하고, 기준 물질로서 알루미나를 사용한다. 본 발명에 있어서, 융점이란, 2nd Heating 과정에서 관찰되는 융해 피크의 최고값의 온도를 판독한 값이다.＜폴리에틸렌계 수지의 결정화 열량＞JIS K7122:1987 「플라스틱의 전이열 측정 방법」에 기재되어 있는 방법으로 측정한다. 단, 샘플링 방법·온도 조건에 관해서는 이하와 같이 행한다.시차 주사 열량계 장치 DSC6220형(에스아이아이 나노테크놀로지사 제조)을 이용하여 알루미늄제 측정 용기의 바닥에 간극이 없도록 시료를 약 6㎎ 충전하고, 질소 가스 유량 20㎖/min 하에서 30℃에서 -40℃까지 강온한 후 10분간 유지하고, -40℃에서 220℃까지 승온(1st Heating), 10분간 유지 후 220℃에서 -40℃까지 강온(Cooling), 10분간 유지 후 -40℃에서 220℃까지 승온(2nd Heating)했을 때의 DSC 곡선을 얻는다. 여기서, 모든 승온·강온은 속도 10℃／min으로 행하고, 기준 물질은 알루미나를 사용한다. 본 발명에 있어서, 결정화 열량이란, Cooling 과정에서 관찰되는 DSC 곡선의 발열 피크의 면적에서 구해지는 값으로 한다. 이 열량은 고온측의 베이스 라인에서 발열 피크가 멀어지는 점과 발열 피크가 저온측의 베이스 라인으로 돌아오는 점을 연결하는 직선과, DSC 곡선에 둘러싸이는 부분의 면적으로부터 산출된다.＜복합 수지 입자의 겔분율＞겔분율(wt％)의 측정은 이하와 같이 행한다.200㎖ 가지형 플라스크에 복합 수지 입자 1.0g을 정칭하고, 톨루엔 100㎖와 비등석 0.03g을 첨가하고, 냉각관을 장착해, 130℃로 유지한 오일 배스에 담그고 24시간 환류 후, 가지형 플라스크 내의 용해액이 식기 전에 80메시(선 직경 φ0.12㎜) 철망으로 여과한다. 수지 불용물이 있는 철망을 진공 오븐으로 130℃에서 1시간 건조시킨 후, 게이지압 -0.06MPa로 2시간 건조시켜 톨루엔을 제거하고, 실온까지 냉각 후, 철망 위의 불용 수지 중량을 정칭한다. 겔분율(wt％)은 이하의 산출식에 의해 구한다.겔분율(wt％)＝철망 위의 불용 수지 중량(g)/시료 중량(g)×100＜복합 수지 입자의 평균 입자 직경＞평균 입자 직경이란 D50으로 표현되는 값이다.구체적으로는 로탭형 체진탕기(이이다 제작소사 제조)를 이용하여, 체 메시 4.00㎜, 3.35㎜, 2.80㎜, 2.36㎜, 2.00㎜, 1.70㎜, 1.40㎜, 1.18㎜, 1.00㎜, 0.85㎜, 0.71㎜, 0.60㎜, 0.50㎜, 0.425㎜, 0.355㎜, 0.300㎜, 0.250㎜, 0.212㎜ 및 0.180㎜의 JIS 표준체(JIS Z8801-1:2006)로 시료 약 25g을 10분간 분급하고, 체망 위의 시료 중량을 측정한다. 얻어진 결과로부터 누적 중량 분포 곡선을 작성하고, 누적 중량이 50％가 되는 입자 직경(메디안 직경)을 평균 입자 직경으로 한다.＜예비 발포 입자의 부피 밀도 및 부피 배수＞예비 발포 입자의 부피 밀도는 하기의 요령으로 측정한다.우선, 예비 발포 입자를 메스 실린더에 500㎤의 눈금까지 충전한다. 단, 메스 실린더를 수평 방향에서 육안으로 보아, 예비 발포 입자가 1개의 입자라도 500㎤의 눈금에 이르고 있으면, 충전을 종료한다. 다음으로, 메스 실린더 내에 충전한 예비 발포 입자의 질량을 소수점 이하 2자리의 유효 숫자로 칭량하고, 그 질량을 W(g)로 한다. 다음 식에 의해 예비 발포 입자의 부피 밀도를 산출한다.부피 밀도(kg/㎥)＝W÷500×1000 부피 밀도의 역수의 1000배가 부피 배수이다.＜폴리스티렌계 수지의 Z평균 분자량(Mz), 중량 평균 분자량(Mw)의 측정＞폴리스티렌계 수지의 Z평균 분자량(Mz) 및 중량 평균 분자량(Mw)은 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)를 이용하여 측정한 폴리스티렌 환산 평균 분자량을 의미한다. 이하에서는 발포 성형체에 있어서의 폴리스티렌계 수지의 각종 평균 분자량의 측정법을 설명하고 있지만, 발포 성형체는 복합 수지 입자의 집합체로서, 복합 수지 입자로부터 발포 성형체를 제조할 때까지의 공정에 의해 각종 평균 분자량은 변화되지 않기 때문에, 복합 수지 입자, 발포성 입자 및 예비 발포 입자의 각종 평균 분자량은 발포 성형체의 것과 동일하다.우선, 슬라이서(후지시마 공기사 제조 FK-4N)로 발포 성형체를 두께 0.3㎜, 길이 100㎜, 폭 80㎜로 슬라이스하고, 이것을 분자량 측정용 시료로서 취급한다. 구체적으로는 시료 3㎎을 테트라히드로푸란(THF) 10㎖에서 24시간 정치해 완전 용해시키고, 얻어진 용액을 GL사 제조 비수계 0.45㎛의 크로마토디스크(13N)로 여과한 후, 다음의 측정 조건에서 크로마토그래프를 이용하여 측정하고, 미리 제조해 둔 표준 폴리스티렌의 검량선에서 시료의 평균 분자량을 구한다. 또한, 그 시점에서 완전 용해되어 있지 않은 경우는 다시 24시간 정치마다(합계 72시간까지) 완전 용해되어 있는지 여부를 확인하고, 72시간 후에 완전 용해할 수 없는 경우에는 시료에 가교 성분이 포함되어 있는 것으로 판단하여, 용해된 성분의 분자량을 측정한다.(측정 조건) 사용 장치: 도소사 제조 HLC-8320GPC EcoSEC 시스템(RI 검출기 내장) 가이드 컬럼: 도소사 제조 TSKguardcolumn SuperHZ-H(4.6㎜I.D.×2㎝)×1개컬럼: 도소사 제조 TSKgel SuperHZM-H(4.6㎜I.D.×15㎝)×2개 컬럼 온도: 40℃ 시스템 온도: 40℃ 이동상: THF이동상 유량: 샘플측 펌프＝0.175㎖/min 레퍼런스측 펌프＝0.175㎖/min검출기: RI 검출기 시료 농도: 0.3g/ℓ주입량: 50㎕ 측정 시간: 0-25min 런타임: 25min 샘플링 피치: 200msec(검량선의 작성) 검량선용 표준 폴리스티렌 시료는 도소사 제조, 상품명 「TSK standard POLYSTYRENE」의 중량 평균 분자량이 5,480,000, 3,840,000, 355,000, 102,000, 37,900, 9,100, 2,630, 500인 것과, 쇼와 전공사 제조, 상품명 「Shodex STANDARD」의 중량 평균 분자량이 1,030,000인 것을 사용한다.상기 검량선용 표준 폴리스티렌 시료를 그룹 A(1,030,000), 그룹 B(3,840,000, 102,000, 9,100, 500) 및 그룹 C(5,480,000, 355,000, 37,900, 2,630)로 그룹을 나눈 후, 그룹 A를 5㎎ 칭량 후 THF 20㎖에 용해하고, 그룹 B도 각각 5∼10㎎ 칭량 후 THF 50㎖에 용해하고, 그룹 C도 각각 1㎎∼5㎎ 칭량 후 THF 40㎖에 용해하였다. 표준 폴리스티렌 검량선은 제조한 A, B, 및 C 용액 50㎕씩을 주입하여 측정 후에 얻어진 유지 시간으로부터 교정 곡선(삼차식)을 HLC-8320GPC 전용 데이터 해석 프로그램 GPC 워크스테이션(EcoSEC-WS)으로 작성함으로써 얻어지고, 그 검량선을 이용하여 평균 분자량을 산출한다.＜발포 성형체의 밀도 및 배수＞발포 성형체의 밀도는 JIS A9511:1995 「발포 플라스틱 보온판」에 기재된 방법으로 측정한다.밀도의 역수의 1000배가 배수이다.＜발포 성형체의 각 시험 온도에서의 50％ 압축시 발생 하중 및 50％ 압축시 흡수 에너지＞ 상기 값은 ASTM D3763-92(Standard Test Method for High Speed Puncture Properties of Plastics Using Load and Displacement Sensors)에 준거한 다이나텁 충격 압축 시험으로 측정한다. 측정에 있어서는 하기의 조건으로 설정한다.시험 장치: General Research사 제조 다이나텁 충격 시험 장치 GRC 8250을 사용해, 텁의 선단과 클램프를 하기로 변경한다.텁(3500lbs(15568N))의 선단(1)은 φ1/2인치 반구형 인서트로부터 압축 시험용 평판(상측)(2)(스테인리스제, 세로 45㎜×가로 45㎜×높이 15㎜, 중량 225g)으로 한다. 도 4 참조.클램프 대신에 압축 시험용 평판(하측)(3)(스테인리스제)을 장착한다. 평판의 장착 위치는 크로스 헤드의 하한 위치에 있어서 상측과 하측의 압축 시험용 평판의 간격이 15㎜가 되도록 한다. 도 5 참조. 도 5 중, 4는 지지 도구, 5는 시험편, 6은 텁을 의미한다.측정 방법: 시험편은 전체면에 표피가 없는 세로 35㎜×가로 35㎜×높이 35㎜로 하고, 시험 전에 -35℃±2℃, 23℃±2℃, 65℃±2℃의 환경에서 16시간 이상 보관하여 품온을 안정시킨다. GRC 8250에 부속된 항온조를 각 시험 온도 -35℃±2℃, 23℃±2℃, 65℃±2℃로 온조하고, 시험편을 압축 시험용 평판(하측)에 두고, 그 위에 선단을 압축 시험용 평판(상측)으로 변경한 텁을 시험 속도 3.01m/sec, 시험 하중 3.19㎏, 낙추 거리 46㎝의 조건에서 낙하시켜 시험을 행한다.해석 소프트 Impulse Data Acquisition을 사용하여 측정 차트 상의 커서를 변위 17.5㎜에 수동으로 맞추고, 차트의 오른쪽 위, 왼쪽 위에 표시되는 하중 및 흡수 에너지의 값을 판독하여, 50％ 압축시 발생 하중 및 50％ 압축시 흡수 에너지의 값으로 한다. 시험수 5개의 평균을 산출한다.얻어진 50％ 압축시 발생 하중 Q-35와 Q23의 비 Q-35/Q23 및 Q65와 Q23의 비 Q65/Q23, 또한, 50％ 압축시 흡수 에너지 E-35와 E23의 비 E-35/E23 및 E65와 E23의 비E65/E23을 다음의 기준(실시예 1a∼13a 및 비교예 1a∼5a까지는 기준 A, 실시예 1b∼14b 및 비교예 1b∼4b까지는 기준 B)에서 평가한다.기준 AQ-35/Q23 및 E-35/E23○(양호): 비가 1.20 미만△(가능): 비가 1.20 이상 1.22 미만의 범위 ×(불가): 비가 1.22 이상 Q65/Q23 및 E65/E23○(양호): 비가 0.80 이상△(가능): 비가 0.77 이상 0.80 미만의 범위 ×(불가): 비가 0.77 미만 기준 B○(양호): 비가 1.20 이하 ×(불가): 비가 1.20보다 크다 Q65/Q23 및 E65/E23○(양호): 비가 0.80 이상 ×(불가): 비가 0.80 미만＜발포 성형체의 낙구 충격값＞JIS K7211:1976 「경질 플라스틱의 낙추 충격 시험 방법 통칙」에 기재된 방법에 준거하여 낙구 충격 강도를 측정한다.얻어진 발포 성형체를 온도 50℃에서 1일간 건조시킨 후, 이 발포 성형체로부터 40㎜×215㎜×20㎜(두께)의 시험편(6면 모두 표피 없음)을 잘라 낸다.이어서, 지지점간의 간격이 150㎜가 되도록 시험편의 양단을 클램프로 고정하고, 무게 321g의 강구를 소정의 높이로부터 시험편의 중앙부에 낙하시켜, 시험편의 파괴의 유무를 관찰한다.시험편 5개가 전수 파괴되는 최저의 높이로부터 전수 파괴되지 않는 최고의 높이까지 5㎝ 간격으로 강구의 낙하 높이(시험 높이)를 바꾸어 시험하여, 낙구 충격값(cm), 즉 50％ 파괴 높이를 다음의 계산식에 의해 산출한다.H50＝Hi＋d[Σ(i·ni)/N±0.5]식 중의 기호는 다음을 의미한다.H50: 50％ 파괴 높이(cm) Hi: 높이 수준(i)이 0일 때의 시험 높이(cm)이며, 시험편이 파괴되는 것이 예측되는 높이 d: 시험 높이를 상하로 이동시킬 때의 높이 간격(cm)i: Hi일 때를 0으로 하여, 1개씩 증감하는 높이 수준(i＝…-3, -2, -1, 0, 1, 2, 3…) ni: 각 수준에 있어서 파괴된(또는 파괴되지 않은) 시험편의 수로, 어느 쪽이든 많은 쪽의 데이터를 사용(동일한 수인 경우는 어느 쪽을 사용해도 된다) N: 파괴된(또는 파괴되지 않은) 시험편의 총수(N＝Σni)로, 어느 쪽이든 많은 쪽의 데이터를 사용(동일한 수인 경우는 어느 쪽을 사용해도 된다) ±0.5: 파괴된 데이터를 사용할 때는 부의 수, 파괴되지 않은 데이터를 사용할 때는 정의 수를 채용얻어진 낙구 충격값을 다음의 기준(실시예 1a∼13a 및 비교예 1a∼5a까지는 기준 A, 실시예 1b∼14b 및 비교예 1b∼4b까지는 기준 B)에서 평가한다. 낙구 충격값이 클수록 발포 성형체의 내충격성이 큰 것을 나타낸다.기준 A◎(우수): 낙구 충격값이 40㎝ 이상○(양호): 낙구 충격값이 30㎝ 이상 40㎝ 미만의 범위△(가능): 낙구 충격값이 25㎝ 이상 30㎝ 미만의 범위 ×(불가): 낙구 충격값이 25㎝ 미만 기준 B○(양호): 낙구 충격값이 35㎝ 이상△(가능): 낙구 충격값이 30㎝ 이상 35㎝ 미만의 범위 ×(불가): 낙구 충격값이 30㎝ 미만＜발포 성형체의 압축 강도＞JIS K6767:1999 「발포 플라스틱-폴리에틸렌-시험 방법」에 기재된 방법에 의해 측정한다. 즉, 텐실론 만능 시험기 UCT-10T(오리엔텍사 제조), 만능 시험기 데이터 처리 UTPS-237(소프트 브레인사 제조)을 이용하여, 시험체 사이즈는 50×50×두께 25㎜로 압축 속도를 10.0㎜/min(1분당 이동 속도가 가능한 한 시험편 두께의 50％에 가까운 속도)으로 한다. 두께의 10％ 압축시의 압축 응력(MPa)을 측정한다. 시험편의 수는 3개로 하고, JIS K7100:1999 「플라스틱-상태 조절 및 시험을 위한 표준 분위기」의 기호 「23/50」(온도 23℃, 상대 습도 50％), 2급의 표준 분위기하에서 16시간에 걸쳐 상태 조정한 후, 동일한 표준 분위기하에서 측정한다.압축 응력은 다음 식에 의해 산출한다.σ10＝F10/A0σ10: 압축 응력(MPa)F10: 10％ 변형시의 하중(N)A0: 시험편의 최초의 단면적(㎟)＜발포 성형체의 굽힘 강도 및 굽힘 파단점 변위량＞굽힘 강도 및 굽힘 파단점 변위량은 JIS K7221-2:1999 「경질 발포 플라스틱-굽힘 시험- 제2부: 굽힘 특성을 구하는 방법」에 기재된 방법에 의해 측정한다. 즉, 텐실론 만능 시험기 UCT-10T(오리엔텍사 제조), 만능 시험기 데이터 처리 소프트 UTPS-237(소프트 브레인사 제조)을 이용하여, 시험편 사이즈는 폭 75×길이 300×두께 25㎜(가압면측에만 스킨면 있음)로, 시험 속도를 10㎜/min, 가압 쐐기 10R, 지지대 10R로서 지지점간 거리 200㎜로, 시험편의 스킨을 갖지 않는 면이 신장되도록 가압하여 측정한다. 시험편의 수는 5개로 하고, JIS K7100:1999 「플라스틱-상태 조절 및 시험을 위한 표준 분위기」의 기호 「23/50」(온도 23℃, 상대 습도 50％), 2급의 표준 분위기하에서 16시간에 걸쳐 상태 조정한 후, 동일한 표준 분위기하에서 측정한다.굽힘 강도(MPa)는 다음 식에 의해 산출한다.R＝(1.5FR×L/bd2)×103R: 굽힘 강도(MPa) FR: 최대 하중(kN) L: 지지점간 거리(㎜)b: 시험편의 폭(㎜)d: 시험편의 두께(㎜) 이 시험에 있어서, 파단 검출 감도를 0.5％로 설정하고, 직전 하중 샘플링점과 비교하여, 그 감소가 설정값 0.5％(휨량: 30㎜)를 초과했을 때, 직전의 샘플링점을 굽힘 파단점 변위량(㎜)으로서 측정하여, 시험수 5의 평균을 구한다.얻어진 굽힘 파단점 변위량을 다음의 기준(실시예 1a∼13a 및 비교예 1a∼5a까지는 기준 A, 실시예 1b∼14b 및 비교예 1b∼4b까지는 기준 B)에서 평가한다. 굽힘 파단점 변위량이 클수록 발포 성형체의 유연성이 큰 것을 나타낸다.기준 A◎(우수): 굽힘 파단점 변위량이 40㎜ 이상○(양호): 굽힘 파단점 변위량이 30㎜ 이상 40㎜ 미만의 범위△(가능): 굽힘 파단점 변위량이 20㎜ 이상 30㎜ 미만의 범위 ×(불가): 굽힘 파단점 변위량이 20㎜ 미만 기준 B○(양호): 굽힘 파단점 변위량이 28㎜ 이상△(가능): 굽힘 파단점 변위량이 25㎜ 이상 28㎜ 미만의 범위×(불가): 굽힘 파단점 변위량이 25㎜ 미만＜리사이클성의 평가＞리사이클성의 평가는 얻어진 발포 성형체를 분쇄기로 분쇄한 후, 압출기(압축 혼련 단축 압출기: CER40Y 3.7MB-SX, 호시 플라스틱사 제조, 다공판: φ2㎜×1구멍)에 투입하여 압출한 경우, 1시간당 스트랜드가 절단되는 횟수를 측정하여, 5회 이상/1시간을 ×, 5회 미만/1시간을 ○으로 한다.실시예 1a제1 폴리에틸렌계 수지(고밀도 폴리에틸렌: 니혼 폴리에틸렌사 제조, 품명 노바텍 HD, 품번 HY540) 100질량부, 제2 폴리에틸렌계 수지(직쇄상 저밀도 폴리에틸렌 LLDPE: 니혼 폴리에틸렌사 제조, 품명 하모렉스, 품번 NF444A) 233질량부 및 카본 블랙 마스터 배치로서(다우 케미컬 재팬사 제조, 제품명 28E-40) 36.7질량부를 텀블러 믹서에 투입하고, 10분간 혼합하였다.이어서, 이 수지 혼합물을 단축 압출기(형식: CER40Y 3.7MB-SX, 호시 플라스틱사 제조, 구경 40㎜φ, 다이 플레이트(구경 1.5㎜))에 공급해 온도 230∼250℃에서 용융 혼련하고, 스트랜드 컷 방식에 의해 팬 커터(호시 플라스틱사 제조, 형식: FCW-110B/SE1-N)로 원통 형상 0.40∼0.60mg/개(평균 0.5mg/개)로 절단하여, 폴리에틸렌계 수지로 이루어지는 종입자를 얻었다.다음으로, 교반기가 형성된 5리터의 오토 클레이브에 피로인산마그네슘 30g, 도데실벤젠술폰산소다 0.15g을 순수 1.9㎏에 분산시켜 분산용 매체를 얻었다.분산용 매체에 30℃에서 상기 종입자 600g을 분산시켜 10분간 유지하고, 이어서 60℃로 승온시켜 현탁액을 얻었다.또한, 이 현탁액에 중합 개시제로서 디쿠밀퍼옥사이드를 0.44g 용해시킨 스티렌 단량체 200g을 30분에 걸쳐 적하시켰다. 적하 후, 60분간 유지함으로써, 고밀도 폴리에틸렌계 수지 입자 내에 스티렌 단량체를 함침시켰다. 함침 후, 130℃로 승온시키고, 이 온도에서 2시간 중합(제1 중합)시켰다.다음으로, 120℃로 내린 현탁액 중에, 도데실벤젠술폰산소다 0.65g을 순수 0.1㎏에 용해한 수용액을 투입한 후, 디쿠밀퍼옥사이드를 5.0g 용해시킨 스티렌 단량체 1200g을 5시간에 걸쳐 적하시켰다. 스티렌 단량체 합계량은 종입자 100질량부에 대해, 233질량부로 하였다. 적하 후, 기포 조정제로서 에틸렌·비스스테아르산아마이드 6.0g을 투입하고, 120℃에서 1시간 유지함으로써, 고밀도 폴리에틸렌계 수지 입자 내에 스티렌 단량체를 함침시켰다. 함침 후, 140℃로 승온시키고, 이 온도에서 3시간 유지하여 중합(제2 중합)시켰다. 이 중합 결과, 복합 수지 입자를 얻을 수 있었다.이어서, 30℃ 이하까지 냉각하고, 오토 클레이브에서 복합 수지 입자를 꺼냈다. 복합 수지 입자 2㎏과, 물 2리터와, 도데실벤젠술폰산소다 0.50g을 5리터의 교반기가 형성된 오토 클레이브에 넣었다. 또한, 발포제로서 부탄(n-부탄:이소부탄＝7:3(질량비)) 520밀리리터(300g)를 오토 클레이브에 넣었다. 그 후, 70℃로 승온시키고, 3시간 교반을 계속함으로써 발포성 입자를 얻을 수 있었다.그 후, 30℃ 이하까지 냉각하고, 발포성 입자를 오토 클레이브에서 꺼내어, 탈수 건조시켰다.이어서, 얻어진 발포성 입자를 부피 밀도 50㎏/㎥로 예비 발포시킴으로써, 예비 발포 입자를 얻었다. 얻어진 예비 발포 입자를 1일간 실온(23℃)에 방치한 후, 400㎜×300㎜×30㎜의 크기의 성형용 금형에 넣었다. 그 후, 0.15MPa의 수증기를 50초간 도입해 가열하고, 이어서, 발포 성형체의 면압이 0.01MPa로 저하될 때까지 냉각함으로써, 밀도 50㎏/㎥의 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 2a부피 밀도 및 밀도를 33.3kg/㎥로 변경하는 것 이외에는 실시예 1a와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 3a제1 폴리에틸렌계 수지를 프라임 폴리머사 제조 에볼류 H SP3510으로 변경하고, 제2 폴리에틸렌계 수지 및 카본 블랙 마스터 배치의 첨가량을 100질량부 및 22질량부로 변경하는 것, 성형시의 조압을 0.11MPa로 변경하는 것 이외에는 실시예 2a와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 4a종입자와 스티렌 단량체 합계량의 질량비를 100:400(종입자량은 440g, 제1 중합과 제2 중합의 스티렌 단량체량은 145g 및 1415g)으로 변경하고, 중합 개시제로서 디쿠밀퍼옥사이드량을 각각 0.32g 및 5.62g으로 변경하고, 제2 중합의 스티렌 단량체를 5시간에 걸쳐 적하한 것, 부피 밀도 및 밀도를 25.0kg/㎥로 변경하는 것 이외에는 실시예 3a와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.비교예 1a제1 폴리에틸렌계 수지를 사용하지 않고, 카본 블랙 마스터 배치의 첨가량을 11질량부로 변경하는 것 이외에는 실시예 1a와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.비교예 2a제2 폴리에틸렌계 수지를 니혼 폴리에틸렌사 제조, 품번 커넬 KF270으로 변경하고, 부피 밀도 및 밀도를 33.3kg/㎥로 변경하는 것 이외에는 비교예 1a와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.비교예 3a제1 폴리에틸렌계 수지를 사용하지 않는 것, 카본 블랙 마스터 배치의 첨가량을 11질량부로 변경하는 것 이외에는 실시예 4a와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 5a[변성 헥토라이트의 제조]물 3리터에 에탄올 3리터와, 37％ 진한 염산 100밀리리터를 첨가한 후, 얻어진 용액에 N,N-디메틸-옥타데실아민 330g(1.1mol)을 첨가하고, 60℃로 가열함으로써, 염산염 용액을 제조하였다. 이 용액에 헥토라이트 1㎏을 현탁시켰다. 이 현탁액을 60℃에서, 3시간 교반하여, 상청액을 제거한 후, 60℃의 물 50ℓ로 세정하였다. 그 후, 60℃, 10-3torr로 24시간 건조시켜, 제트 밀로 분쇄함으로써, 평균 입자 직경 5.2㎛의 변성 헥토라이트를 얻었다.[중합 촉매(p)의 제조]상기 변성 헥토라이트 500g을 헥산 1.7리터에 현탁시키고, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산-1,3-디일-비스(시클로펜타디에닐)지르코늄디클로라이드8.45g(20.0mmol)과, 트리이소부틸알루미늄의 헥산 용액(0.714M) 2.8리터(2mol)의 혼합액을 첨가하여, 60℃에서 3시간 교반하였다. 그 후, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산-1,3-디일-비스(시클로펜타디에닐)지르코늄디클로라이드에 대해 15mol％의 디페닐(1-시클로펜타디에닐)(2,7-디-tert-부틸-9-플루오레닐)지르코늄디클로라이드 2.36g(3.53mmol)을 첨가하여 실온에서 6시간 교반하였다. 정치하여 상청액을 제거하고, 추가로 트리이소부틸알루미늄의 헥산 용액(0.15M)을 첨가하여 최종적으로 100g/ℓ의 촉매 슬러리를 얻었다.[중합 촉매(q)의 제조]상기 변성 헥토라이트 500g을 헥산 1.7리터에 현탁시키고, 프로판-1,3-디일비스(시클로펜타디에닐)지르코늄디클로라이드 6.63g(20.0mmol)과, 트리이소부틸알루미늄의 헥산 용액(0.714M) 2.8리터(2mol)의 혼합액을 첨가하여, 60℃에서 3시간 교반한 후, 프로판-1,3-디일비스(시클로펜타디에닐)지르코늄디클로라이드에 대해 5mol％의 디페닐메틸렌(1-시클로펜타디에닐)(9-플루오레닐)지르코늄디클로라이드 0.58g(1.05mmol)을 첨가하여 실온에서 6시간 교반하였다. 정치하여 상청액을 제거하고, 추가로 트리이소부틸알루미늄의 헥산 용액(0.15M)을 첨가하여 최종적으로 100g/ℓ의 촉매 슬러리를 얻었다.[폴리에틸렌계 수지의 제조]내용적 540리터의 중합기에 헥산 300리터 및 1-부텐 1.6리터를 도입하고, 오토 클레이브의 내온을 80℃로 승온시켰다. 이 오토 클레이브에 상기 중합 촉매(p) 74밀리리터 및 상기 중합 촉매(q) 125밀리리터를 첨가하고, 에틸렌/수소 혼합 가스(수소: 1500ppm 함유)를 분압이 0.9MPa가 될 때까지 도입하여 중합을 개시하였다. 중합 중, 분압이 0.9MPa로 유지되도록 에틸렌/수소 혼합 가스를 연속적으로 도입하였다. 또한, 중합 온도를 80℃로 제어하였다. 중합 개시 90분 후에 중합기의 내압을 탈압한 후, 내용물을 여과하고, 건조시켜 54㎏의 제1 폴리에틸렌계 수지의 분말을 얻었다. 얻어진 분말을 200℃로 설정한 50㎜ 직경의 단축 압출기를 사용하여 용융 혼련, 펠릿타이즈함으로써 제1 폴리에틸렌계 수지의 펠릿을 얻었다.[복합 수지 입자의 제조]상기에서 얻어진 제1 폴리에틸렌계 수지의 펠릿 100질량부, 제2 폴리에틸렌계 수지(직쇄상 저밀도 폴리에틸렌 LLDPE: 니혼 폴리에틸렌사 제조, 품명 하모렉스, 품번 NF444A) 11질량부 및 카본 블랙 마스터 배치 0질량부로 변경하고, 종입자와 스티렌 단량체 합계량의 질량비를 100:150(종입자량은 760g, 제1 중합과 제2 중합의 스티렌 단량체량은 250g 및 990g)으로 변경하고, 중합 개시제로서 디쿠밀퍼옥사이드량을 각각 0.55g 및 4.46g으로 변경하고, 제2 중합의 스티렌 단량체를 4시간 30분에 걸쳐 적하한 것, 성형시의 조압을 0.10MPa로 변경하는 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 6a부피 밀도 및 밀도를 33.3kg/㎥로 변경하는 것 이외에는 실시예 5a와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 7a제1 폴리에틸렌계 수지를 도소사 제조 품명: TOSOH-HMS 그레이드명: 10S65B로 변경하고, 제2 폴리에틸렌계 수지의 첨가량을 43질량부로 변경한 것 이외에는 실시예 5a와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 8a부피 밀도 및 밀도를 33.3kg/㎥로 변경하는 것 이외에는 실시예 7a와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 9a제1 폴리에틸렌계 수지를 도소사 제조 품명: TOSOH-HMS 그레이드명: 09S53B로 변경하고, 제2 폴리에틸렌계 수지를 니혼 폴리에틸렌사 제조, 품명 커넬, 품번 KF270으로 변경하고, 그 첨가량을 67질량부로 변경한 것 이외에는 실시예 8a와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.비교예 4a제1 폴리에틸렌계 수지를 사용하지 않는 것 이외에는 실시예 5a와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.비교예 5a부피 밀도 및 밀도를 33.3kg/㎥로 변경하는 것 이외에는 비교예 4a와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 10a제1 폴리에틸렌계 수지를 도소사 제조 품명: TOSOH-HMS 그레이드명: 10S65B로 변경하고, 제2 폴리에틸렌계 수지 및 카본 블랙 마스터 배치의 첨가량을 25질량부 및 13.8질량부로 변경하는 것, 성형시의 조압을 0.11MPa로 변경하는 것 이외에는 실시예 1a와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 11a부피 밀도 및 밀도를 33.3kg/㎥로 변경하는 것 이외에는 실시예 10과 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 12a제1 폴리에틸렌계 수지를 도소사 제조 품명: TOSOH-HMS 그레이드명: CK57로 변경하고, 제2 폴리에틸렌계 수지를 니혼 폴리에틸렌사 제조, 품명 커넬, 품번 KF270으로 변경하고, 제2 폴리에틸렌계 수지 및 카본 블랙 마스터 배치의 첨가량을 150질량부 및 22질량부로 변경하는 것, 성형시의 조압을 0.15MPa로 변경하는 것 이외에는 실시예 11a와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 13a제2 폴리에틸렌계 수지를 니혼 폴리에틸렌사 제조, 품명 하모렉스, 품번 NF444A로 변경하고, 제2 폴리에틸렌계 수지 및 카본 블랙 마스터 배치의 첨가량을 233질량부 및 36.7질량부로 변경하는 것, 부피 밀도 및 밀도를 25.0kg/㎥로 변경하는 것 이외에는 실시예 12a와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.표 1∼9 중, HDPE, LLDPE, PS 및 MB는 각각 고밀도 폴리에틸렌(제1 폴리에틸렌계 수지), 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌계 수지(제2 폴리에틸렌계 수지), 폴리스티렌 및 마스터 배치를 의미한다.표 5∼7로부터 이하를 알 수 있다.실시예로부터 925∼965㎏/㎥의 범위의 중밀도 내지 고밀도의 제1 폴리에틸렌계 수지와, 직쇄상이며, 또한 상기 제1 폴리에틸렌계 수지보다 저밀도의 제2 폴리에틸렌계 수지를 포함하는 복합 수지 입자는 작은 기계적 특성의 온도 의존성, 높은 낙구 충격값, 압축 강도, 굽힘 강도 및 굽힘 파단점 변위를 갖는 발포 성형체가 얻어지는 것을 알 수 있다.실시예 1b[복합 수지 입자의 제조]실시예 5a와 동일하게 하여 얻어진 제1 폴리에틸렌계 수지의 펠릿 100질량부, 제2 폴리에틸렌계 수지(직쇄상 저밀도 폴리에틸렌 LLDPE: 니혼 폴리에틸렌사 제조, 품명: 하모렉스, 품번: NF444A) 25질량부를 텀블러 믹서에 투입하고, 10분간 혼합하였다.이어서, 이 수지 혼합물을 단축 압출기(형식: CER40Y 3.7MB-SX, 호시 플라스틱사 제조, 구경 40㎜φ, 다이 플레이트(구경 1.5㎜))에 공급해 온도 230∼250℃에서 용융 혼련하고, 스트랜드 컷 방식에 의해 팬 커터(호시 플라스틱사 제조, 형식: FCW-110B/SE1-N)로 원통 형상 0.40∼0.60mg/개(평균 0.5mg/개)로 절단하여, 폴리에틸렌계 수지로 이루어지는 종입자를 얻었다.다음으로, 교반기가 형성된 5리터의 오토 클레이브에 피로인산마그네슘 20g, 도데실벤젠술폰산소다 0.15g을 순수 1.9㎏에 분산시켜 분산용 매체를 얻었다.분산용 매체에 30℃에서 상기 종입자 760g을 분산시켜 10분간 유지하고, 이어서 60℃로 승온시켜 현탁액을 얻었다.또한, 이 현탁액에 중합 개시제로서 디쿠밀퍼옥사이드를 0.55g 용해시킨 스티렌 단량체 250g을 30분에 걸쳐 적하시켰다. 적하 후, 60분간 유지함으로써, 고밀도 폴리에틸렌계 수지 입자 내에 스티렌 단량체를 함침시켰다. 함침 후, 130℃로 승온시키고, 이 온도에서 2시간 중합(제1 중합)시켰다.다음으로, 120℃로 내린 현탁액 중에 도데실벤젠술폰산소다 0.65g을 순수 0.1㎏에 용해한 수용액을 투입한 후, 디쿠밀퍼옥사이드를 4.46g 용해시킨 스티렌 단량체 990g을 4시간 30분에 걸쳐 적하시켰다. 스티렌 단량체 합계량은 종입자 100질량부에 대해, 150질량부로 하였다. 적하 후, 기포 조정제로서 에틸렌·비스스테아르산아마이드 6.0g을 투입해, 120℃에서 1시간 유지함으로써, 고밀도 폴리에틸렌계 수지 입자 내에 스티렌 단량체를 함침시켰다. 함침 후, 140℃로 승온시키고, 이 온도에서 3시간 유지하여 중합(제2 중합)시켰다. 이 중합 결과, 복합 수지 입자를 얻을 수 있었다.이어서, 30℃ 이하까지 냉각시키고, 오토 클레이브에서 복합 수지 입자를 꺼냈다. 복합 수지 입자 2㎏과, 물 2리터와, 도데실벤젠술폰산소다 0.50g을 5리터의 교반기가 형성된 오토 클레이브에 넣었다. 또한, 발포제로서 부탄(n-부탄:이소부탄＝7:3(질량비)) 520밀리리터(300g)를 오토 클레이브에 넣었다. 그 후, 70℃로 승온시키고, 3시간 교반을 계속함으로써 발포성 입자를 얻을 수 있었다.그 후, 30℃ 이하까지 냉각하고, 발포성 입자를 오토 클레이브에서 꺼내어, 탈수 건조시켰다.이어서, 얻어진 발포성 입자를 수증기로 부피 밀도 50㎏/㎥로 예비 발포시킴으로써, 예비 발포 입자를 얻었다. 얻어진 예비 발포 입자를 1일간 실온(23℃)에 방치한 후, 400㎜×300㎜×30㎜의 크기의 성형용 금형에 넣었다.그 후, 0.10MPa의 수증기를 50초간 도입해 가열하고, 이어서, 발포 성형체의 면압이 0.01MPa로 저하될 때까지 냉각함으로써, 밀도 50㎏/㎥의 발포 성형체를 얻었다.얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 2b부피 밀도 및 밀도를 33.3kg/㎥로 변경한 것 이외에는 실시예 1b와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 3b제1 폴리에틸렌계 수지를 도소사 제조 품명: TOSOH-HMS 그레이드명: 10S65B로 변경하고, 제2 폴리에틸렌계 수지의 첨가량을 43질량부로 변경하고, 카본 블랙 마스터 배치로서 다우 케미컬 재팬사 제조 제품명 28E-40을 15.7질량부 첨가한 것 이외에는 실시예 1b와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 4b부피 밀도 및 밀도를 33.3kg/㎥로 변경한 것 이외에는 실시예 3b와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 5b제2 폴리에틸렌계 수지 및 카본 블랙 마스터 배치의 첨가량을 67질량부 및 18.3질량부로 변경한 것 이외에는 실시예 3b와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 6b부피 밀도 및 밀도를 33.3kg/㎥로 변경한 것 이외에는 실시예 5b와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 7b제2 폴리에틸렌계 수지를 니혼 폴리에틸렌사 제조, 품명: 커넬, 품번: KF270으로 변경하고, 제2 폴리에틸렌계 수지 및 카본 블랙 마스터 배치의 첨가량을 100질량부 및 22질량부로 변경한 것 이외에는 실시예 3b와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 8b제1 폴리에틸렌계 수지를 도소사 제조 품명: TOSOH-HMS 그레이드명: CK57로 변경하고, 제2 폴리에틸렌계 수지를 니혼 폴리에틸렌사 제조, 품번 커넬 KF270으로 변경하고, 제2 폴리에틸렌계 수지 및 카본 블랙 마스터 배치의 첨가량을 150질량부 및 27.5질량부로 변경한 것 이외에는 실시예 1b와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 9b제2 폴리에틸렌계 수지 및 카본 블랙 마스터 배치의 첨가량을 233질량부 및 0질량부로 변경한 것 이외에는 실시예 7b와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 10b제1 폴리에틸렌계 수지를 도소사 제조 품명: TOSOH-HMS 그레이드명: 10S65B로 변경하고, 카본 블랙 마스터 배치(다우 케미컬 재팬사 제조, 제품명 28E-40)를 13.8질량부 첨가해, 종입자와 스티렌 단량체 합계량의 질량비를 100:233(종입자량은 600g, 제1 중합과 제2 중합의 스티렌 단량체량은 200g 및 1200g)으로 변경하고, 중합 개시제로서 디쿠밀퍼옥사이드량을 각각 0.44g 및 5.0g으로 변경하고, 제2 중합의 스티렌 단량체를 5시간에 걸쳐 적하한 것 이외에는 실시예 1b와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 11b부피 밀도 및 밀도를 33.3kg/㎥로 변경한 것 이외에는 실시예 10b와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 12b종입자와 스티렌 단량체 합계량의 질량비를 100:233(종입자량은 600g, 제1 중합과 제2 중합의 스티렌 단량체량은 200g 및 1200g)으로 변경하고, 중합 개시제로서 디쿠밀퍼옥사이드량을 각각 0.44g 및 5.0g으로 변경하고, 제2 중합의 스티렌 단량체를 5시간에 걸쳐 적하한 것 이외에는 실시예 7b와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 13b제1 폴리에틸렌계 수지를 도소사 제조 품명: TOSOH-HMS 09S53B로 변경하고, 종입자와 스티렌 단량체 합계량의 질량비를 100:233(종입자량은 600g, 제1 중합과 제2 중합의 스티렌 단량체량은 200g 및 1200g)으로 변경하고, 중합 개시제로서 디쿠밀퍼옥사이드량을 각각 0.44g 및 5.0g으로 변경하고, 제2 중합의 스티렌 단량체를 5시간에 걸쳐 적하한 것 이외에는 실시예 8b와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 14b제1 폴리에틸렌계 수지를 도소사 제조 품명: TOSOH-HMS 09S53B로 변경한 것 이외에는 실시예 11b와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.비교예 1b제2 폴리에틸렌계 수지를 사용하지 않은 것 이외에는 실시예 1b와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.비교예 2b제1 폴리에틸렌계 수지를 실시예 3b에서 사용한 도소사 제조 품명: TOSOH-HMS 그레이드명: 10S65B로 하고, 카본 블랙 마스터 배치(다우 케미컬 재팬사 제조, 제품명 28E-40)를 11질량부 첨가하고, 부피 밀도 및 밀도를 33.3kg/㎥로 변경한 것 이외에는 비교예 1b와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.비교예 3b종입자와 스티렌 단량체 합계량의 질량비를 100:233(종입자량은 600g, 제1 중합과 제2 중합의 스티렌 단량체량은 200g 및 1200g)으로 변경하고, 중합 개시제로서 디쿠밀퍼옥사이드량을 각각 0.44g 및 5.0g으로 변경하고, 제2 중합의 스티렌 단량체를 5시간에 걸쳐 적하시키고, 부피 밀도 및 밀도를 50㎏/㎥로 변경한 것 이외에는 비교예 2b와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.비교예 4b제1 폴리에틸렌계 수지를 실시예 13에서 사용한 도소사 제조 품명: TOSOH-HMS 그레이드명: 09S53B로 변경하고, 부피 밀도 및 밀도를 33.3kg/㎥로 변경한 것 이외에는 비교예 3b와 동일하게 하여 발포 성형체를 얻었다. 얻어진 발포 성형체의 외관 및 융착은 모두 양호하였다.실시예 및 비교예에 사용한 폴리에틸렌계 수지의 각종 물성을 표 8에 나타낸다. 또한, 실시예 1b∼14b 및 비교예 1b∼4b의 사용 원료의 양, 복합 수지 입자의 겔분율, 평균 입자 직경, 폴리스티렌계 수지의 Z평균 분자량(Mz), 중량 평균 분자량(Mw), 발포 성형체의 부피 배수와 부피 밀도를 표 9 및 10에 나타낸다. 표 9 및 10 중의 수지 번호는 표 8에 기재된 수지 번호에 대응된다. 또한, 이들 실시예 및 비교예의 발포 성형체의 다이나텁 충격 압축 시험, 낙구 충격값, 압축 강도, 굽힘 강도, 휨의 파단점 변위, 리사이클성을 측정한 결과를 표 11 및 12에 나타낸다.PE, HDPE, LLDPE, PS 및 MB는 각각 폴리에틸렌계 수지, 고밀도 폴리에틸렌(제1 폴리에틸렌계 수지), 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌계 수지(제2 폴리에틸렌계 수지), 폴리스티렌 및 마스터 배치를 의미한다.표 11 및 표 12로부터 이하를 알 수 있다. 실시예로부터 930∼950㎏/㎥의 범위의 중밀도 내지 고밀도의 제1 폴리에틸렌계 수지와, 직쇄상이며, 또한 상기 제1 폴리에틸렌계 수지보다 저밀도의 제2 폴리에틸렌계 수지를 포함하는 복합 수지 입자는 작은 기계적 특성의 온도 의존성, 높은 낙구 충격값, 압축 강도, 굽힘 강도 및 굽힘 파단점 변위를 갖는 발포 성형체가 얻어지는 것을 알 수 있다.실시예와 비교예로부터 제1 폴리에틸렌계 수지 및 제2 폴리에틸렌계 수지가 이들 수지의 합계에 대해, 각각 90∼30질량％ 및 10∼70질량％의 범위로 포함됨으로써, 작은 기계적 특성의 온도 의존성, 높은 낙구 충격값, 압축 강도, 굽힘 강도 및 굽힘 파단점 변위를 갖는 발포 성형체가 얻어지는 것을 알 수 있다. [ 부호의 설명 ] 1: 텁의 선단, 2: 압축 시험용 평판(상측), 3: 압축 시험용 평판(하측), 4: 지지 도구, 5: 시험편, 6: 텁	폴리에틸렌계 수지와 폴리스티렌계 수지를 포함하는 복합 수지 입자로서, 상기 폴리에틸렌계 수지 및 폴리스티렌계 수지가 이들 수지의 합계에 대해, 각각 50∼20질량％ 및 50∼80질량％의 범위로 포함되고, 상기 폴리에틸렌계 수지가 925∼965㎏/㎥의 범위의 중밀도 내지 고밀도의 제1 폴리에틸렌계 수지와, 직쇄상이며, 또한 상기 제1 폴리에틸렌계 수지보다 저밀도의 제2 폴리에틸렌계 수지로 구성되고, 상기 제1 폴리에틸렌계 수지 및 제2 폴리에틸렌계 수지가 이들 수지의 합계에 대해, 각각 90∼30질량％ 및 10∼70질량％의 범위로 포함되는 복합 수지 입자.
[ 발명의 명칭 ] 폴라 코드 비율 매칭 방법 및 장치METHOD AND APPARATUS FOR RATE MATCHING OF POLAR CODE [ 기술분야 ] 본 발명의 실시예는 통신 기술 분야에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 본 발명은 폴라 코드 비율 매칭 방법 및 장치에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 통신 시스템에서, 일반적으로, 채널 코딩은 데이터 전송의 신뢰성을 개선하고 통신의 품질을 보장하기 위해 사용된다. 폴라 코드(polar code)는 선형 블록 코드이고, 섀넌 용량(Shannon capacity)을 획득할 수 있으며 낮은 코딩 및 디코딩 복잡성을 갖는다는 것이 이론적으로 증명된 인코딩 방식이다.통신 성능을 개선하기 위해, HARQ(Hybrid Automatic Repeat Request) 기술이 사용될 수 있고, 추가로, 물리적 채널의 허용 용량(bearing capacity)과 일치하도록, 비율 매칭(rate matching)은 폴라 코드(Polar code)에 수행되어야 하며, HARQ에서 재전송 할 때마다 전송된 비트는 비율 매칭을 사용하여 결정된다.종래 기술에서, 의사 랜덤(quasi-random) 펑처링(puncturing)의 전통적 HARQ 기술이 폴라 코드에 사용된다. 즉, 펑처링 위치는 의사 랜덤(quasi-randomly)으로 선택된다. 하지만, 종래 기술에서, 프레임 오류 비율은 상대적으로 높고 HARQ 성능은 상대적으로 낮다. [ 발명의 개요 ] 본 발명의 실시예는 HARQ 성능을 개선할 수 있는, 폴라 코드 비율 매칭 방법 및 장치가 제공된다.제1 측면에 따르면, 폴라 코드(polar code) 비율 매칭 방법이 제공되고, 이러한 폴라 코드 비율 매칭 방법은, 타겟(target) 폴라 코드의 코드 길이에 따라 컨그루엔셜 시퀀스(congruential sequence)를 획득하는 단계; 미리 설정된 규칙에 따라, 상기 컨그루엔셜 시퀀스에 소팅(sorting) 처리를 수행하여 기준 시퀀스를 획득하는 단계; 상기 컨그루엔셜 시퀀스 및 상기 기준 시퀀스에 따라 매핑 함수를 결정하는 단계; 인터리빙(interleaving)된 출력 비트를 생성하기 위해, 상기 매핑 함수에 의해, 상기 타겟 폴라 코드를 인터리빙하는 단계를 포함한다.제1 측면을 참조하면, 제1 측면의 다른 구현 방식에서, 상기 타겟 폴라 코드의 코드 길이에 따라 컨그루엔셜 시퀀스를 획득하는 단계는, 이하의 수식:, 에 의해, 상기 컨그루엔셜 시퀀스를 결정하는 단계이고, 상기 은 상기 타겟 폴라 코드의 코드 길이이고, , , , 및 은 구체적 파라미터이다.제1 측면 및 전술한 제1 측면의 가능한 구현 방식을 참조하면, 상기 , , 및 이다.제1 측면 또는 전술한 제1 측면의 가능한 구현 방식 중 어느 하나를 참조하면, 제1 측면의 다른 구현 방식에서, 상기 인터리빙된 출력 비트에 순서 역전 처리(order reversing processing)를 수행하는 단계를 더 포함한다.제1 측면 및 제1 측면의 전술한 구현 방식을 참조하면, 제1 측면의 다른 구현 방식에서, RV(redundancy version) 파라미터에 따라, 상기 인터리빙된 출력 비트 중에서, HARQ(hybrid automatic repeat request) 재전송에서 전송된 송신 비트의 시작 위치를 결정하는 단계를 더 포함한다.제1 측면 및 전술한 제1 측면의 가능한 구현 방식을 참조하면, 제1 측면의 다른 구현 방식에서, 시퀀셜 인터셉션(sequential interception) 또는 레피테이션(repetition) 방식으로, 상기 인터리빙된 출력 비트 중에서, HARQ 재전송에서 전송되어야 하는 송신 비트를 획득하는 단계를 더 포함한다.제2 측면에 따르면, 폴라 코드(polar code) 비율 매칭 장치가 제공되고, 이러한 폴라 코드 비율 매칭 장치는, 타겟(target) 폴라 코드의 코드 길이에 따라 컨그루엔셜 시퀀스(congruential sequence)를 획득하도록 구성된 획득 유닛; 미리 설정된 규칙에 따라, 상기 컨그루엔셜 시퀀스에 소팅(sorting) 처리를 수행하여 기준 시퀀스를 획득하도록 구성된 소팅(sorting) 유닛; 상기 컨그루엔셜 시퀀스 및 상기 기준 시퀀스에 따라 매핑 함수를 결정하도록 구성된 결정 유닛; 및 인터리빙(interleaving)된 출력 비트를 생성하기 위해, 상기 매핑 함수에 의해, 상기 타겟 폴라 코드를 인터리빙하도록 구성된 인터리빙 유닛을 포함한다.제2 측면을 참조하면, 제2 측면의 다른 구현 방식에서, 상기 획득 유닛은 구체적으로, 이하의 수식:, 에 의해, 상기 컨그루엔셜 시퀀스를 결정하도록 구성되고, 상기 은 상기 타겟 폴라 코드의 코드 길이이고, , , , 및 은 구체적 파라미터이다.제2 측면 및 전술한 제2 측면의 가능한 구현 방식을 참조하면, 상기 , , 및 이다.제2 측면 또는 전술한 제2 측면의 가능한 구현 방식 중 어느 하나를 참조하면, 제2 측면의 다른 구현 방식에서, 상기 인터리빙된 출력 비트에 순서 역전 처리를 수행하도록 구성된 순서 역전 유닛을 더 포함한다.제2 측면 또는 제2 측면의 전술한 구현 방식을 참조하면, 제2 측면의 다른 구현 방식에서, RV(redundancy version) 파라미터에 따라, 상기 인터리빙된 출력 비트 중에서, HARQ(hybrid automatic repeat request) 재전송에서 전송된 송신 비트의 시작 위치를 결정하도록 구성된 송신 유닛을 더 포함한다.제2 측면 및 전술한 제2 측면의 가능한 구현 방식을 참조하면, 제2 측면의 다른 구현 방식에서, 시퀀셜 인터셉션(sequential interception) 또는 레피테이션(repetition) 방식으로, 상기 인터리빙된 출력 비트 중에서, HARQ 재전송에서 송신되어야 하는 송신 비트를 획득하도록 구성된 송신 유닛을 더 포함한다.제3 측면에 따르면, 무선 통신 장치가 제공되고, 이러한 무선 통신 장치는, 타겟 폴라 코드(target polar code)의 코드 길이에 따라 컨그루엔셜 시퀀스(congruential sequence)를 획득하는 동작, 미리 설정된 규칙에 따라 상기 컨그루엔셜 시퀀스에 소팅(sorting) 처리를 수행하여 기준 시퀀스를 획득하는 동작, 상기 컨그루엔셜 시퀀스 및 상기 기준 시퀀스에 따라 매핑 함수를 결정하는 동작, 및 인터리빙(interleaving)된 출력 비트를 생성하기 위해, 상기 매핑 함수에 의해, 상기 타겟 폴라 코드를 인터리빙하는 동작을 수행하는 데 사용되는 명령을 저장하도록 구성된 메모리; 및 상기 메모리와 연결되고, 상기 메모리에 저장된 상기 명령을 실행하도록 구성된 프로세서를 포함한다.제3 측면을 참조하면, 제3 측면의 다른 구현 방식에서, 상기 메모리는, 구체적으로 이하의 수식:, 에 의해, 상기 컨그루엔셜 시퀀스를 결정하는 동작 명령을 저장하도록 구성되고, 상기 은 상기 타겟 폴라 코드의 코드 길이이고, , , , 및 은 구체적 파라미터이다.제3 측면 및 전술한 제3 측면의 가능한 구현 방식을 참조하면, 상기 , , 및 이다.제3 측면 또는 전술한 제3 측면의 가능한 구현 방식 중 어느 하나를 참조하면, 제3 측면의 다른 구현 방식에서, 상기 메모리는 추가로, 상기 인터리빙 된 출력비트에 순서 역전 처리를 수행하는 동작 명령을 저장하도록 구성된다.제3 측면 및 제3 측면의 전술한 구현 방식을 참조하면, 제3 측면의 다른 구현 방식에서, 상기 메모리는 추가로, RV(redundancy version) 파라미터에 따라, 상기 인터리빙된 출력 비트 내에서, HARQ(hybrid automatic repeat request) 재전송에서 전송된 송신 비트의 시작 위치를 결정하는 동작 명령을 저장하도록 구성된다.제3 측면 및 전술한 제3 측면의 가능한 구현 방식을 참조하면, 제3 측면의 다른 구현 방식에서, 상기 메모리는 추가로, 시퀀셜 인터셉션(sequential interception) 또는 레피테이션(repetition) 방식으로, 상기 인터리빙된 출력 비트 내에서, HARQ 재전송에서 전송되어야 하는 송신 비트를 획득하는 명령을 저장하도록 구성된다.본 발명의 폴라 코드 비율 매칭 방법 및 장치에 따르면, 폴라 코드의 코드 길이에 따라 컨그루엔셜 시퀀스가 결정되고, 컨그루엔셜 시퀀스를 사용하여 타겟 폴라 코드의 인터리빙이 구현되며, 인터리빙 후 획득된 비트의 시퀀스가 더욱 단일화된 구조를 가질 수 있게 하며, 프레임 오류 비율 및 HARQ 성능이 개선되어, 따라서 통신 신뢰성이 개선된다. 폴라 코드 비율 매칭 방법 및 장치는, 다양한 코드 길이의 폴라 코드 비율 매칭 프로세스에 적용가능하고, 좋은 공통성과 실용성을 갖는다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 발명의 실시예에서의 기술적 해결수단을 명확하게 설명하기 위해, 이하에서 실시예를 설명하기 위해 필요한 첨부된 도면을 간략하게 설명한다. 분명한 것은, 이하의 설명에서 첨부된 도면은 본 발명의 일부 실시예만을 나타낸 것이고, 당업자는 창의적 노력 없이 첨부된 도면으로부터 다른 도면을 유도할 수 있다.도 1은 본 발명의 실시예에 따른 무선 통신 시스템의 다이어그램이다.도 2는 무선 통신 환경에서 본 발명의 구현 방식의 폴라 코드 비율 매칭 방법을 수행하기 위한 시스템의 다이어그램이다.도 3은 본 발명의 실시예에 따른 폴라 코드 매칭 방법의 흐름도이다.도 4a 및 도 4b는 본 발명의 방법에 기초하여 수행된 처리 이후에 획득된 폴라코드의 비율 매칭 성능의 에뮬레이션 결과이고, 도 4a는 코드 길이가 2048이고 정보 비트 길이가 1024인 폴라 코드의 비율 매칭 성능을 나타내고, 도 4b는 코드 길이가 1024이고 정보 비트 길이는 512인 폴라 코드의 비율 매칭 성능을 나타낸 것이다.도 5는 본 발명의 실시예에 따른 폴라 코드 비율 매칭 장치의 구조 블록 다이어그램이다.도 6은 무선 통신 환경에서 폴라 코드 비율 매칭 방법을 수행하는데 도움이 되는 액세스 단말기 실시예의 다이어그램이다.도 7은 무선 통신 시스템에서 폴라 코드 비율 매칭 방법을 수행하는데 도움이 되는 시스템 실시예의 다이어그램이다.도 8은 무선 통신 환경에서 사용될 수 있는 폴라 코드 비율 매칭 방법에서의 시스템 실시예의 다이어그램이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 현재, 여러 실시 예들은, 본 명세서에서 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 나타내는 데 사용된 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 다음의 설명에서, 하나 이상의 실시 예들의 포괄적 이해를 제공하도록, 설명을 용이하게 하기 위해 다양한 구체적 세부 사항이 제공된다. 그러나 물론, 실시 예는 이들 구체적 세부 사항 없이 구현될 수 있다. 다른 예에서, 공통 구조 및 장치는 하나 이상의 실시 예를 설명하기 위해 블록 다이어그램의 형태로 도시된다.본 명세서에서 사용되는 용어 "컴포넌트", "모듈", "시스템" 등은 컴퓨터 관련된, 실행 중인 엔티티(entity), 하드웨어, 펌웨어(firmware), 소프트웨어, 소프트웨어 및 하드웨어의 조합, 또는 실행중인 소프트웨어를 나타내는 데 사용된다. 예를 들어, 구성 요소는 프로세서에서 실행되는 프로세스, 프로세서, 오브젝트, 실행 가능한 파일, 실행 스레드, 프로그램 및/또는 컴퓨터가 될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 도면에 도시된 바와 같이, 두 컴퓨팅 장치에서 실행되는 애플리케이션 및 컴퓨팅 장치는 구성 요소일 수 있다. 하나 이상의 구성 요소는 프로세스 및/또는 실행 스레드에 캠프(camp) 할 수 있으며, 구성 요소는 하나의 컴퓨터 및/또는 두 개 이상의 컴퓨터 사이에 분산될 수 있다. 또한, 이들 구성요소는 다양한 데이터 구조가 저장된 다양한 컴퓨터 판독 가능 매체에서 실행될 수 있다. 예를 들어, 구성요소는, 로컬 프로세스 및/또는 원격 프로세스를 사용하여 통신을 수행할 수 있고, 하나 이상의 데이터 패킷(예를 들어, 로컬 시스템의 다른 구성 요소와 상호 작용하는 두 구성 요소, 분산 시스템, 및/또는 신호를 이용하여 다른 시스템과 상호 작용하는 인터넷과 같은 네트워크의 데이터)을 갖는 신호에 따라 통신을 수행할 수 있다. 또한, 실시 예는 액세스 단말기를 참조하여 설명한다. 액세스 단말기는 또한 시스템, 가입자(subscriber) 유닛, 가입자(subscriber) 기지국, 이동 기지국, 이동 장치, 원격 단말기, 이동 장치, 사용자 단말기, 단말기, 무선 통신 장치, 사용자 에이전트, 사용자 장치, 또는 UE(User Equipment)로 지칭될 수 있다. 액세스 단말기는 셀룰러 폰, 무선 전화기, SIP(Session Initiation Protocol, Session Initiation Protocol) 전화, WLL(Wireless Local Loop) 기지국, PDA(Personal Digital Assistant), 무선 통신 기능을 갖는 휴대용 장치, 컴퓨팅 장치, 또는 무선 모뎀에 연결된 다른 처리 장치일 수 있다. 또한, 실시예는 기지국을 참조하여 설명한다. 기지국은 모바일 장치와 통신하도록 구성될 수 있고, 기지국은 GSM(Global System of Mobile communication, Global System for Mobile Communications)에서의 BTS(Base Transceiver Station) 또는 CDMA(Code Division Multiple Access, Code Division Multiple Access)일 수 있고, WCDMA(Wideband Code Division Multiple Access)에서의 NB(NodeB) 일 수 있으며, 또는 LTE (Long Term Evolution)에서의 eNB 또는 eNodeB(Evolutional Node B, evolved NodeB), 중계국, 액세스 포인트, 미래 5세대 네트워크의 기지국 장치 등일 수 있다.또한, 본 발명의 측면 또는 특징들은 방법, 장치, 또는 표준 프로그래밍 및/또는 엔지니어링 기술을 이용하는 제품으로 구현될 수 있다. 본 명세서에서 사용된 용어 "제품"은 임의의 컴퓨터 판독 가능한 구성요소에서 액세스 된 컴퓨터 프로그램, 자동차, 또는 매체를 포함한다. 예를 들어, 컴퓨터 판독 가능한 매체는 (하드 디스크, 플로피 디스크 또는 자기 테이프와 같은)자기 저장 구성요소, (CD (Compact Disk) 및 DVD(Digital Versatile Disk)와 같은)광디스크, 스마트카드, (EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory), 카드, 스틱 또는 키 드라이브와 같은)플래시 메모리 구성요소를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명되는 다양한 저장 매체는 정보를 저장하도록 구성된 하나 이상의 장치 및/또는 정보를 저장하도록 구성된 다른 기계 판독 가능 매체를 나타낼 수 있다. "기계 판독 가능한 매체"는 무선 채널 및 지시 및/또는 데이터를 저장하고, 포함하고, 운반할 수 있는 다양한 다른 매체를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.이제, 도 1을 참조하면, 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 무선 통신 시스템(100)을 도시한다. 무선 통신 시스템(100)은 기지국(102)을 포함하고, 기지국(102)은 복수의 안테나 그룹을 포함한다. 각 안테나 그룹은 하나 이상의 안테나를 포함할 수 있다. 예를 들어 하나의 안테나는 안테나(104) 및 안테나(106)를 포함할 수 있고, 다른 안테나 그룹은 안테나(108) 및 안테나(110)를 포함할 수 있으며, 추가 그룹은 안테나(112) 및 안테나(114)를 포함할 수 있다. 도 1에 각 안테나 그룹에 포함된 두 개의 안테나가 도시되어 있으나, 이보다 많거나 적은 안테나가 각 그룹에 사용될 수 있다. 기지국(102)은 추가로, 송신 체인 및 수신 체인을 포함할 수 있고, 당업자는 송신 체인 및 수신 체인 모두 신호 송수신에 관련된(프로세서, 변조기, 멀티플렉서, 복조기, 디멀티플렉서, 및 안테나와 같은)복수의 구성요소를 포함할 수 있다.기지국(102)은 (액세스 단말기(116) 및 액세스 단말기(122)와 같은)하나 이상의 액세스 단말기와 통신할 수 있다. 그러나 기지국(102)은 액세스 단말기(116) 및 액세스 단말기(122)와 유사한 액세스 단말기이면 어떠한 수의 액세스 단말기와도 통신할 수 있다. 예를 들어, 액세스 단말기(116) 및 액세스 단말기(122)는 셀룰러폰, 스마트폰, 휴대용 컴퓨터, 이동 통신 장치, 이동 컴퓨팅 장치, 위성 무선 장치, GPS(Global Positioning Systems), PDA, 및/또는 무선 통신 시스템(100)에서 통신을 수행하도록 구성된 장치이면 어떠한 장치라도 적합한 장치 일 수 있다. 도면에 나타난 바와 같이, 액세스 단말기(116)는 안테나(112, 114)와 통신하고, 안테나(112, 114)는 포워드 링크(118)를 통해 액세스 단말기(116)에 정보를 송신하며, 리버스 링크(120)를 통해 액세스 단말기(116)의 정보를 수신한다. 또한, 액세스 단말기(122)는 안테나(104, 106)와 통신하며, 안테나(104, 106)는 포워드 링크(124)를 통해 액세스 단말기(122)에 정보를 송신하며, 리버스 링크(124)를 통해 액세스 단말기(122)의 정보를 수신한다. 예를 들어, FDD(Frequency Division Duplex) 시스템에서, 포워드 링크(118)는 리버스 링크(120)에 의해 사용되는 주파수 대역과 상이한 주파수 대역을 사용할 수 있고, 포워드 링크(124)는 리버스 링크(126)에 의해 사용되는 주파수 대역과 상이한 주파수 대역을 사용할 수 있다. 또한 TDD(Time Division Duplex) 시스템에서, 포워드 링크(118) 및 리버스 링크(120)는 같은 주파수 밴드를 사용할 수 있고, 포워드 링크(124) 및 리버스 링크(126)는 같은 주파수 밴드를 사용할 수 있다.각 안테나 그룹 및/또한 통신을 위해 설계된 구역은 기지국(120)의 섹터일 수 있다. 예를 들어, 안테나 그룹은 기지국(102)의 통신 가능 구역의 섹터 내의 액세스 단말기와 통신하도록 설계될 수 있다. 포워드 링크(118) 및 리버스 링크(120)를 각각 사용하여 기지국(102)이 액세스 단말기(116, 120)와 통신하는 과정에서, 기지국(120)의 송신 안테나는 빔포밍(beamforming) 방식으로써 포워드 링크(118) 및 리버스 링크(124)의 신호 대 잡음 비(signal-to-noise ratio)를 개선할 수 있다. 또한, 기지국에 의해, 단일 안테나를 사용하여 기지국의 모든 액세스 단말기에 신호를 송신하는 송신 방식과 비교하여, 기지국(102)이 빔포밍 방식으로써 관련 통신 가능 구역에 임의로 분포된 액세스 단말기(116, 122)에 신호를 송신할 때, 인접한 셀 내의 모바일 장치는 간섭을 덜 격는다.구체적 시간에서, 기지국(102), 액세스 단말기(116) 또는 액세스 단말기(122)는 무선 통신 송신 장치 및/또는 무선 통신 수신 장치일 수 있다. 데이터를 송신하기 이전에, 무선 통신 송신 장치는 전송을 위해 데이터를 인코딩한다. 구체적으로, 무선 통신 송신 장치는 채널을 통해 무선 통신 수신 장치로 송신되어야 하는 데이터 비트의 구체적 수량을 획득(예를 들어, 생성하거나, 다른 통신 장치로부터 수신하거나, 또는 메모리에 저장)할 수 있다. 데이터 비트는 데이터의 전송 블록에 포함될 수 있고, 전송 블록은 복수의 코드 블록을 생성하기 위해 분할될 수 있다. 또한, 무선 통신 송신 장치는 폴라 인코더(미 도시)를 사용하여 각 코드 블록을 인코딩할 수 있다.도 2는 무선 통신 환경에서 본 발명의 구현 방식의 폴라 코드 비율 매칭 방법을 수행하기 위한 시스템의 다이어그램이다. 시스템(200)은 무선 통신 장치(202)를 포함하고, 무선 통신 장치(202)가 채널을 통해 데이터를 송신하는 것이 도시되어 있다. 무선 통신 장치(202)가 데이터를 송신하는 것이 도시되었으나, 무선 통신 장치(202)는 추가로, 채널을 통해 데이터를 수신한다. (예를 들어, 무선 통신 장치(202)는 동시에 데이터를 송수신할 수 있고, 무선 통신 장치(202)는 다른 시점에 데이터를 송수신할 수 있거나, 또는 이들의 조합일 수 있다. 무선 통신 장치(202)는, 예를 들어, (도 1의 기지국(102)과 같은)기지국 또는 (도 1의 액세스 단말기(116) 또는 도 1의 액세스 단말기(122)와 같은)액세스 단말기일 수 있다.무선 통신 장치(202)는 폴라 코드 인코더(204), 비율 매칭 장치(205), 및 송신기(206)를 포함할 수 있다. 선택적으로, 무선 통신 장치(202)가 채널을 통해 데이터를 수신할 때, 무선 통신 장치(202)는 추가로, 수신기를 포함할 수 있고, 수신기는 독립적으로 존재할 수 있거나, 트랜스시버를 형성하기 위해 송신기(206)에 통합될 수 있다.폴라 코드 인코더(204)는 무선 통신 장치(202)에서 송신된 데이터를 인코딩하여 타겟 폴라 코드(target polar code)를 획득하도록 구성된다.비율 매칭 장치(205)는 폴라 인코더(204)에 의해 출력된 타겟 폴라 코드의 코드 길이에 따라 컨그루엔셜 시퀀스(congruential sequence)를 획득하고, 미리 설정된 규칙에 따라 컨그루엔셜 시퀀스에 소팅 처리(sorting processing )를 수행하도록 구성되며, 컨그루엔셜 시퀀스 및 기준 시퀀스에 따라 매핑 함수를 결정하고, 인터리빙(interleaving)된 출력 비트를 생성하기 위해, 매핑 함수에 따라 타겟 폴라 코드를 인터리빙하도록 구성된다.또한, 송신기(206)는 그 후에, 채널을 통해, 비율 매칭 장치(205)가 처리를 수행한 이후 획득된 출력 비트를 송신할 수 있다. 예를 들어, 송신기(206)는 관련 데이터를 다른 무선 통신 장치(미도시)에 송신할 수 있다.이하에서, 전술한 비율 매칭 장치의 구체적 처리 프로세스를 설명한다.도 3은 본 발명의 실시예에 따른 폴라 코드 매칭 방법(300)의 흐름도이다. 도 3에 도시된 폴라 코드 매칭 방법(300)은 (인터리버(interleaver)와 같은)비율 매칭 장치에 의해, 무선 통신 장치에서 수행될 수 있고, 폴라 코드 매칭 방법(300)은 이하의 단계를 포함한다.단계(S310). 타겟 폴라 코드의 코드 길이에 따라 컨그루엔셜 시퀀스를 획득한다.단계(S320). 미리 설정된 규칙에 따라, 컨그루엔셜 시퀀스에 소팅 처리를 수행하여 기준 시퀀스를 획득한다.단계(S330). 컨그루엔셜 시퀀스 및 기준 시퀀스에 따라 매핑 함수를 결정한다.단계(S340). 인터리빙된 출력 비트를 생성하기 위해, 매핑 함수에 따라 타겟 폴라 코드에 인터리빙을 수행한다.구체적으로, 단계(S310)에서, 송신 단은, 예를 들어, 폴라 인코더를 사용하여, 수신 단에 송신되어야 하는 정보에 폴라 인코딩 처리를 수행하여 폴라 코드(즉, 타겟 폴라 코드)를 생성한다. 폴라 코드(polar code)는 선형 블록 코드이고, 섀넌 용량(Shannon capacity)을 획득할 수 있으며 낮은 코딩 및 디코딩 복잡성을 갖는다는 것이 이론적으로 증명된 인코딩 방식이다. 폴라 코드의 인코딩 출력은 수식:와 같고, 은 길이가 N인 이진 열 벡터이며, 은 NN 행렬이고, 이며, 코드 길이 N=2, 이고, n ≥ 0이며, 여기에서, 이고, 은 전치 행렬(transpose matrix)이며, 은 으로서 정의돠는 크로네커 파워(kronecker power)이다.폴라 코드 인코딩 과정에서, 내의 일부 비트는 정보(즉, 수신 단에 송신되어야 하는 데이터 정보)를 운반하는 데 사용되고, 비트는 정보 비트로서 지칭되며, 이러한 비트의 인덱스의 세트는 A로 표시된다. 나머지 비트는 고정 값이고 예를 들어, 항상 0으로 설정된 프로즌 비트(frozen bits)로 지칭된다.따라서, 폴라 코드 인코더의 인코딩 프로세스 후 출력된, 폴라 코드의 비트 시퀀스(bit sequence)는 로 단순화될 수 있고, 는 내의 정보 비트의 세트이고, 는 K 길이의 열 벡터이며, K는 정보 비트의 수량이다. 는 세트 A 내의 인덱스에 대응하는 열을 사용하여 획득된 부분 행렬이고, 는 KA 행렬이다. 세트 A의 선택은 폴라 코드의 성능을 결정한다.상술한 폴라 코드의 획득 프로세스는 일례이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다. 정보의 인코딩 처리에 의해 폴라 코드를 갖는 비트 시퀀스는 본 발명의 보호 범위 안에 있다.그 이후에, 컨그루엔셜 시퀀스는 폴라 코드의 코드 길이에 따라 결정될 수 있고, 이하의 수식:, 에 의해, 컨그루엔셜 시퀀스를 결정하는 단계를 포함하고, 은 상기 타겟 폴라 코드의 코드 길이이고, , , , 및 은 구체적 파라미터이다. 구체적으로, M은 구체적인 양의 정수이고, 진 두 개의 정수 A 및 B가 M에 의해 나누어진 후 획득된 나머지가 동일하다면, M 모듈로(modulo) A는 B에 컨그루언트(congruent) 하다 라고 한다. 선형 컨그루언트 방법은 이하의 수학식 1로서 나타내어 질 수 있다., 여기에서, 은 모듈로(modulo)를 나타내고, 0003c#이며, 는 곱하는 수(multiplier)를 의미하고, 는 증분(increment)을 의미하며,은 초깃값을 의미한다.선택적으로, 본 발명의 실시예에서, , , 이고, 이다.구체적으로 테스트는 ,, , 이고, 일 때, 0부터 까지의 임의의 번호(32비트)가 생성될 수 있고, 컨그루엔셜 시퀀스에 대해 더 나은 확률 통계 특징이 획득될 수 있으며, 컨그루엔셜 시퀀스의 랜더미스(randomness)는 개선될 수 있다는 것을 나타낸다.따라서, 본 발명의 실시예에서, 컨그루엔셜 시퀀스는 이하의 프로그램을 사용하여 메틀랩(matlab)을 기초로 생성될 수 있다.function [seq_x] = multiplieCongru_interg (length, initial); Statement 1seq_x(1) = initial; Statement 2a = 7^5; Statement 3c = 0; Statement 4m = 2^31-1; Statement 5for k = 1: (length-1); Statement 6seq_x(k+1) = mod(aseq_x(k)+c, m); Statement 7end이러한 프로그램의 구체적 노트는 이하와 같다.Statement 1: 컨그루엔셜 시퀀스를 구현하기 위해 multiplieCongru_interg 함수를 정의하고, 이 함수의 리턴 값은 seq_x이다. initial은 컨그루엔셜 시퀀스의 초깃값이고 이 함수의 입력 파라미터이다. length는 컨그루엔셜 시퀀스의 구성 요소의 수량, 즉, length=N이고, N은 폴라 코드의 코드 길이이다.Statement 2: 컨그루엔셜 시퀀스 내의 첫 번째 구성요소 즉, seq_x(1)를 미리 설정된 초기 값으로 정의한다.Statement 3: 파라미터 를 정의한다.Statement 4: 파라미터 을 정의한다.Statement 5: 파라미터 을 정의한다.Statement 6: k의 값 범위를 [1, length-1] 로 정의한다.Statement 7: seq_x(k+1)은 aseq_x(k)+c modulo m으로 정의한다.메틀랩에서 어레이의 시퀀스 번호는 1부터 시작하기 때문에, 메틀랩에서 슈도코드(pseudocodes)는 1 부터 N이다.이후, 단계(S320)에서, 오름 차순(미리 설정된 규칙의 일례)으로 송신 단은 위에서 결정된 컨그루엔셜 시퀀스에 소팅(sorting) 처리르 수행할 수 있다.본 발명의 실시 예에서, 예를 들어, 전술한 소팅 처리는 소트 함수를 사용하여 수행될 수 있고, 소팅 함수는 sort ([first,last])로 나타날 수 있다. 즉, [first,last]의 요소는 오름차순으로 소팅된다.따라서, 본 발명의 실시예에서, 위에서 생성된 컨그루엔셜 시퀀스는 이하의 프로그램을 사용하여 메틀랩을 기초로 소팅될 수 있다.st2 = 4831;[seq_x] = multiplieCongru_interg(N,st2);[ign, p] = sort(seq_x);Interleaver_RM = p.따라서, 전술한 소팅 처리 이후 획득된 컨그루엔셜 시퀀스가 기준 시퀀스로서 사용될 수 있다.그러므로 단계에서, 단계(S310)에서 획득된 컨그루엔셜 시퀀스 및 단계(S320)에서 획득된 기준 시퀀스에 따라, 매핑 함수가 결정된다.구체적으로, 단계(S320)에서, 컨그루엔셜 시퀀스 내의 요소에 소팅 처리가 수행된다. 따라서, 전술한 매핑 함수는, 컨그루엔셜 시퀀스 및 기준 시퀀스 내의, 요소의 위치에 따라 결정될 수 있다.제한이 아닌 일례로서, 시퀀스 A가 [0, 7, 1] 이면, 시퀀스 A에 오름 차순 소팅이 수행된 이후 획득된 시퀀스 B는 [0, 1, 7] 이다. 따라서, 시퀀스 A부터 시퀀스 B까지 매핑 규칙(또는 매핑 함수) P는 [0, 2, 1] 로 나타날 수 있다. 즉, 시퀀스 B의 (시퀀스 번호가 0인)첫 번째 요소는 시퀀스 A의 (시퀀스 번호가 0인)첫 번째 요소이고, 시퀀스 B의 (시퀀스 번호가 1인)두 번째 요소는 시퀀스 A의 (시퀀스 번호가 1인)두 번째 요소이며, 시퀀스 B의 (시퀀스 번호가 2인)세 번째 요소는 시퀀스 A의 (시퀀스 번호가 2인)세 번째 요소이다.이와 같이, 매핑 함수는, 위에서 획득된, 기준 시퀀스 및 컨그루엔셜 시퀀스에 따라 획득될 수 있다.따라서, 단계(S340)에서, 단계(S310)에서 획득된 타겟 폴라 코드는 위에서 획득된 매핑 함수를 기초로 인터리빙(interleaving)될 수 있다.제한이 아닌 일례로서, 매핑 함수 p가 [0, 1, 2] 이고, 인터리빙 이후 획득된 비트의 시퀀스의 (시퀀스 번호가 0인)첫 번째 비트의 비트 값이 인터리빙 처리 이전에 존재한 비트의 시퀀스의 (시퀀스 번호가 0인)첫 번째 비트이면, 인터리빙 처리 이후 획득된 비트의 시퀀스의 (시퀀스 번호가 1인)두 번째 비트의 비트 값은 인터리빙 처리 이전에 존재한 비트의 시퀀스의 (시퀀스 번호가 2인)세 번째 비트의 값이고, 인터리빙 처리 이후 획득된 비트의 시퀀스의 (시퀀스 번호가 2인)세 번째 비트의 비트 값은 인터리빙 이전에 존재한 비트의 시퀀스의 (시퀀스 번호가 1인)두 번째 비트의 비트값이다.선택적으로, 폴라 코드 비율 매칭 방법(300)은 추가로, 인터리빙 처리 후 획득된 출력 비트에 대해 순서 역전 처리(order reversing processing)를 수행하는 단계를 포함한다.구체적으로, 인터리빙 처리 후 획득된 출력 비트의 시퀀스가 단계(S340)에서 획득된 이후, 순서 역전 처리는 비트의 시퀀스에 수행될 수 있다. 예를 들어, 인터리빙 후 획득된 비트가 a0, a1, ..., aN-1 이면, 순서 역전 처리(order reversing processing) 후 획득된 비트는 aN-1, aN-2, ..., a1, a0이다.선택적으로, 폴라 코드 비율 매칭 방법(300)은 추가로, RV(redundancy version) 파라미터에 따라, 인터리빙된 출력 비트 중에서, HARQ(hybrid automatic repeat request) 재전송에서 전송된 송신 비트의 시작 위치를 결정하는 단계를 포함한다.구체적으로, 인터리빙(또는 인터리빙 및 순서 역전 처리) 후, 예를 들어, 출력 비트는 써큘러 버퍼(Circular Buffer)에 송신될 수 있고, 써큘러 버퍼 내에서, 현재 HARQ 재전송에 대응하는 RV 파라미터에 따라, 이번 재전송에서 비트의 시작 유치가 결정될 수 있고, 송신 리소스 또는 미리 설정된 규칙에 따라, 이번 재전송에서 비트의 길이가 결정될 수 있다. 따라서, 현재 HARQ 재존송에서 송신되어야 하는 비트 또는 비율 매칭 처리 후 획득된 출력 비트가 결정될 수 있다.대안으로서, 선택적으로, 폴라 코드 비율 매칭 방법(300)은 시퀀셜 인터셉션(sequential interception) 또는 레피테이션(repetition) 방식으로, 인터리빙된 출력 비트 중에서, HARQ 재전송에서 송신되어야 하는 송신 비트를 획득하는 단계를 포함한다.구체적으로, 인터리빙(또는 인터리빙 및 순서 역전) 처리 후 획득된 출력 비트 중에서, HARQ 전송의 각 시간에 비트의 시작 위치가 송신되고, 따라서, 재전송의 각 시간에서의 비트는 시퀀셜 인터셉션 또는 레피테이션의 방식으로 결정될 수 있다.도 4a는 코드 길이가 2048이고 정보 비트 길이가 1024인 폴라 코드의 비율 매칭 성능을 나타내고, 도 4b는 코드 길이가 1024이고 정보 비트 길이는 512인 폴라 코드의 비율 매칭 성능을 나타낸 것이다. 도 4a 및 4b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 폴라 코드 비율 매칭 방법을 사용하여 수행되는 처리 후 획득된 폴라 코드의 비율 매칭 성능이 더 낫다.이하의 표 1은 코드 길이가 2048이고 정보 비트 길이가 1024인 코드인 경우의 폴라 코드 및 터보 코드(Turbo code)의 비율 매칭 성능을 나타내고, 정보 비트는 24-비트 CRC(clic Redundancy Check)를 포함하며, P는 펑처링(puncturing) 방식에 의해 제거된 비트의 수량을 나타낸다.코드 비율 R=0.5코드 비율 R=0.6(P=341)코드 비율 R=0.6(P=341)코드 비율 R=0.8(P=768)폴라 코드의 신호-대-잡음비(dB)1.051.62.33.2터보 코드의 신호-대-잡음비(dB)1.4522.63.35터보 코드에 대한 폴라 코드의 이득(dB)0.40.40.30.15이하의 표 2는 코드 길이 1024 및 정보 비트 512인 경우, 폴라 코드 및 터보 코드의 비율 매칭 성능을 나타내고, 정보 비트는 24-비트 CRC를 포함한다.코드 비율 R=0.5코드 비율 R=0.6(P=171)코드 비율 R=0.6(P=293)코드 비율 R=0.8(P=384)폴라 코드의 신호-대-잡음비(dB)1.251.72.33.15터보 코드의 신호-대-잡음비(dB)1.72.252.93.6터보 코드에 대한 폴라 코드의 이득(dB)0.450.550.60.45도 4a 및 4b에 나타난 바와 같이, 코드 길이가 동일하고, 정보 비트 길이가 동일한 경우, 코드 비율은 동일하며, 본 발명의 폴라 코드 처리 방법을 사용하여 수행된 처리 이후 획득된 폴라 코드의 비율 매칭 성능은 확연히 터보 코드의 비율 매칭 성능 보다 낫다.본 발명의 실시예에서, 폴라 코드 비율 매칭 방법에 따라, 폴라 코드의 코드 길이에 기초하여 컨그루엔셜 시퀀스가 결정되고, 컨그루엔셜 시퀀스를 사용하여 타겟 폴라 코드의 인터리빙이 구현되며, 인터리빙 후 획득된 비트의 시퀀스가 더욱 단일화된 구조를 가질 수 있게 하여, 프레임 에러 비율 및 HARQ 성능이 개선되어, 따라서 통신 신뢰성이 개선된다. 폴라 코드 비율 매칭 방법 및 장치는, 다양한 코드 길이의 폴라 코드 비율 매칭 프로세스에 적용가능하고, 좋은 공통성과 실용성을 갖는다.도 1 및 도 4를 참조하여 상술한, 본 발명의 실시예에 따른 폴라 코드 비율 매칭 방법이 상세히 설명되고, 이하에서, 도 5를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 폴라 코드 비율 매칭 장치를 상세히 설명한다.도 5는 본 발명의 실시예에 따른 폴라 코드 비율 매칭 장치(400)의 구조 블록 다이어그램이다. 비율 매칭 장치(400)는 획득 유닛(401), 소팅 유닛(402), 결정 유닛(403), 및 인터리빙 유닛(404)를 포함한다.획득 유닛(410)은 타겟 폴라 코드의 코드 길이에 따라 컨그루엔셜 시퀀스를 획득하도록 구성된다.소팅 유닛(420)은 미리 설정된 규칙에 따라 컨그루엔셜 시퀀스에 소팅 처리(sorting processing)를 수행하여 기준 시퀀스를 획득하도록 구성된다.결정 유닛(430)은 컨그루엔셜 시퀀스 및 기준 시퀀스에 따라 매핑 함수를 결정하도록 구성된다.인터리빙 유닛(440)은 인터리빙(interleaving)된 출력 비트를 생성하기 위해, 매핑 함수에 따라, 타겟 폴라 코드를 인터리빙하도록 구성된다.선택 적을 획득 유닛(410)은 구체적으로 ,이하의 수식:, 에 의해, 컨그루엔셜 시퀀스를 결정하도록 구성되고, 은 타겟 폴라 코드의 코드 길이이고, , , , 및 은 구체적 파라미터이다.선택적으로, , , 및 이다.선택적으로, 폴라 코드 비율 매칭 장치(400)는 추가로, 인터리빙된 출력 비트에 순서 역전 처리를 수행하도록 구성된 순서 역전 유닛을 포함한다.선택적으로, 폴라 코드 비율 매칭 장치(400)는 추가로, RV(redundancy version) 파라미터에 따라, 인터리빙된 출력 비트 중에서, HARQ(hybrid automatic repeat request) 재전송에서 전송된 송신 비트의 시작 위치를 결정하도록 구성된 송신 유닛(미 도시)을 포함한다.선택적으로, 폴라 코드 비율 매칭 장치(400)는 추가로, RV(redundancy version) 파라미터에 따라, 인터리빙된 출력 비트 중에서, HARQ(hybrid automatic repeat request) 재전송에서 전송된 송신 비트의 시작 위치를 결정하도록 구성된송신 유닛(미 도시)을 포함한다.삭제본 발명의 실시예에 따른 폴라 코드 비율 매칭 장치(400)는 본 발명의 실시예에서의 폴라 코드 매칭 방법(300)의 실행 바디에 대응할 수 있고, 비율 매칭 장치(400)의 유닛 및 전술한 다른 동작 및 기능은 도 3의 폴라 코딩 방법(300)의 대응하는 과정을 구현하는데 사용될 수 있다. 간결성을 위해 세부사항은 여기에서 다시 설명하지 않는다.또한, 폴라 코드 비율 매칭 장치는, 비율 매칭 장치를 포함할 수 있고, 비율 매칭 장치는 획득 유닛(410), 소팅 유닛(420), 결정 유닛(430), 및 인터리빙 유닛(440)의 기능을 포함한다.본 발명의 실시예에서 폴라 코드 비율 매칭 장치에 따르면, 컨그루엔셜 시퀀스는 폴라 코드의 코드 길이에 기초하여 결정되고, 타겟 폴라 코드의 인터리빙은 컨그루엔셜 시퀀스를 사용하여 구현되며, 인터리빙 후 획득된 비트의 시퀀스가 더욱 단일화된 구조를 가질 수 있게 하며, 프레임 오류 비율 및 HARQ 성능이 개선되어, 따라서 통신 신뢰성이 개선된다. 폴라 코드 비율 매칭 방법 및 장치는, 다양한 코드 길이의 폴라 코드 비율 매칭 프로세스에 적용가능하고, 좋은 공통성과 실용성을 갖는다. 도 6은 무선 통신 환경에서 폴라 코드 비율 매칭 방법을 수행하는데 도움이 되는 액세스 단말기(500) 실시예의 다이어그램이다. 액세스 단말기(500)는 수신기(502)를 포함하고, 수신기(502)는, 신호, 예를 들어, 수신 안테나(미 도시)로부터의 신호를 수신하고, (필터링, 증폭, 다운-컨버전과 같은) 전형적인 동작을 수신된 신호에 수행하며, 샘플 획득을 위한 조정 후 획득된 신호를 디지털화하도록 구성된다. 수신기(502)는, 예를 들어, MMSSE(Minimum Mean-Squared Error) 수신기 일 수 있다. 액세스 단말기(500)는 추가로, 복조기(504)를 포함할 수 있고, 복조기(504)는 수신된 신호를 복조하고, 채널 추정을 위해 복조화된 신호를 프로세서(506)에 제공할 수 있다. 프로세서(506)는 구체적으로, 수신기(502)에 의해 수신된 정보를 분석 및/또는 송신기(516)에 의해 송신된 정보를 생성하도록 구성된다. 프로세서는 액세스 단말기(500)의 하나 이상의 구성 요소를 제어하도록 구성된다. 및/또는, 제어기는 수신기(502)에 의해 수신된 신호를 분석하고, 송신기(516)에 의해 송신된 신호를 생성하며, 액세스 단말(500)의 하나 이상의 구성 요소를 제어하도록 구성된다.액세스 단말기(500)는 추가로, 메모리(508)를 포함할 수 있고, 메모리(508)는 프로세서(506)에 연결되어 있으며, 송신되어야 할 데이터, 수신된 데이터, 및 모든 본 명세서에서 설명된 다양한 동작 및 기능과 관련된 다른 적합한 정보 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(508)는 또한 폴라 코드의 처리에 관련된 프로토콜 및/또는 알고리즘을 저장할 수 있다.본 명세서에서 설명된 (메모리(608)와 같은) 데이터 저장 장치는 휘발성 또는 비휘발성 메모리일 수 있거나, 휘발성 메모리 및 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다. 제한보다는 예로서, 비휘발성 메모리는, ROM(Read-Only Memory, PROM (Programmable ROM), EPROM(Erasable PROM), EEPROM(Electrically EPROM), 또는 플래시 메모리일 수 있다. 휘발성 메모리는 RAM(Random Access Memory)을 포함할 수 있고, RAM은 외부 캐시로서 사용될 수 있다. 제한보다는 예로서, RAM은 SRAM (Static RAM), DRAM(Dynamic RAM), SDRAM(Synchronous DRAM), DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM), ESDRAM(Enhanced SDRAM), SLDRAM(Synchlink DRAM), 및 DR RAM (Direct Rambus RAM)과 같은 다양한 형태일 수 있다. 본 명세서에서 설명된, 폴라 코드 비율 매칭 시스템 및 전술한 폴라 코드 매칭 방법에는 메모리(508)가 포함되지만, 이러한 메모리 및 다른 적합한 유형의 다른 메모리에 한정되는 것은 아니다.실제 어플리케이션에서, 수시기(502)는 추가로, 기본적으로 도 2의 비율 매칭 장치(205)와 유사한 비율 매칭 장치(510)에 연결될 수 있다. 또한, 액세스 단말기(500)는 도 2의 폴라 코드 인코더(204)와 기본적으로 유사한 폴라 코드 인코더(512)를 포함할 수 있다. 비율 매칭 장치(510)는 폴라 인코더(512)에 의해 수행된 폴라 코드 인코딩 처리 후, 획득된 타겟 폴라 코드의 코드 길이에 따라 컨그루엔셜 시퀀스를 획득하고, 미리 설정된 규칙에 따라, 컨그루엔셜 시퀀스에 소팅 처리를 수행하여 기준 시퀀스를 획득하며, 컨그루엔셜 시퀀스 및 기준 시퀀스에 따라 매핑 함수를 결정하도록 구성되며, 인터리빙 처리 후 획득된 출력 비트를 생성하기 위해, 매핑 함수에 따라 타겟 포라 코드에 인터리빙 처리를 수행하도록 구성될 수 있다.선택적으로, 실시예에서, 비율 매칭 장치(510)는 추가로 이하의 수식:, 에 의해, 컨그루엔셜 시퀀스를 결정하도록 구성되고, 은 타겟 폴라 코드의 코드 길이이고, , , , 및 은 구체적 파라미터이다.선택적으로, , , 및 이다.선택적으로, 다른 실시예에서, 비율 매칭 장치(510)는 추가로, 인터리빙된 출력 비트에 순서 역정 처리를 수행하도록 구성될 수 있다.선택적으로, 다른 실시예에서, 비율 매칭 장치(510)는 추가로, RV(redundancy version) 파라미터에 따라, 인터리빙된 출력 비트 중에서, HARQ(hybrid automatic repeat request) 재전송에서 전송된 송신 비트의 시작 위치를 결정하도록 구성될 수 있다.선택적으로, 다른 실시예에서, 비율 매칭 장치(510)는 추가로, 시퀀셜 인터셉션(sequential interception) 또는 레피테이션(repetition) 방식으로, 인터리빙된 출력 비트 중에서, HARQ 재전송에서 송신되어야 하는 송신 비트를 획득하도록 구성될 수 있다.또한, 액세스 단말기(500)는 추가로, 변조기(514) 및 송신기(516)를 포함할 수 있고, 송신기(516)는, 신호를, 예를 들어, 기지국 또는 다른 액세스 단말기에 송신하도록 구성된다. 폴라 코드 인코더(512), 비율 매칭 장치(510), 및/또는 부호기(514)는 프로세서(506)와 분리된 것으로 도시되었으나, 폴라 코드 인코더(512), 비율 매칭 장치(510), 및/또는 복조기(514)는 프로세서(506)의 부분들 부분, 또는 복수의 프로세서(미 도시)일 수 있다. 실제 어플리케이션에서, 수신기(502) 및 송신기(516)는 또한, 트랜스시버 형태로 집적될 수 있다. 컨그루엔셜 시퀀스는 폴라 코드의 코드 길이에 기초하여 결정되고, 타겟 폴라 코드의 인터리빙은 컨그루엔셜 시퀀스를 사용하여 구현되며, 인터리빙 후 획득된 비트의 시퀀스가 더욱 단일화된 구조를 가질 수 있게 하며, 프레임 오류 비율 및 HARQ 성능이 개선되어, 따라서 통신 신뢰성이 개선된다. 폴라 코드 비율 매칭 방법 및 장치는, 다양한 코드 길이의 폴라 코드 비율 매칭 프로세스에 적용가능하고, 좋은 공통성과 실용성을 갖는다. 도 7은 무선 통신 시스템에서 폴라 코드 비율 매칭 방법을 수행하는데 도움이 되는 시스템(600)의 다이어그램이다. 시스템(600)은 (액세스 포인트, NB, eNB와 같은)기지국(602)을 포함하고, 기지국(602)은, 복수의 수신 안테나(606)를 사용하여 하나 이상의 단말기(604)로부터 신호를 수신하는 수신기(610) 및 송신 안테나(608)를 사용하여 하나 이상의 단말기(604)에 신호를 송신하는 송신기(624)를 포함한다. 대체로, "수신 안테나" 및 "송신 안테나"는 수신/송신 안테나의 형태로 통합될 수 있다. 수신기(610)는 수신 안테나(606)로부터 정보를 수신할 수 있고, 수신된 정보를 복조하는 복조기(612)와 기능적으로 관련될 수 있다. 복조 된 심볼은 프로세서(614)에 의해 분석되고, 프로세서(614)는 메모리(616)에 연결되어 있다. 메모리(616)는 액세스 단말기(604)(또는 다른 기지국(미 도시))에 송신되어야 하는 데이터, 액세스 단말기(604)(또는 다른 기지국(미 도시))로부터 수신된 데이터, 및/또는 본 발명에서 설명된 구현 및 기능에 관련된 다른 모든 적합한 정보를 저장하도록 구성된다. 프로세서(614)는 추가로, 폴라 인코더(618) 및 비율 매칭 장치(620)에 연결되어 있고, 비율 매칭 장치(620)는, 폴라 인코더(618)에 의해 수행된 폴라 코드 인코딩 처리 후 획득된 타겟 폴라 코드의 코드 길이에 따라, 컨그루엔셜 시퀀스를 획득하고, 미리 설정된 규칙에 따라, 컨그루엔셜 시퀀스에 소팅 처리를 수행하여 기준 시퀀스를 획득하며, 컨그루엔셜 시퀀스 및 기준 시퀀스에 따라 매핑 함수를 결정하고, 인터리빙된 출력 비트를 생성하기 위해, 매핑 함수에 따라 타겟 폴라 코드에 인터리빙 처리를 수행하도록 구성될 수 있다.선택적으로, 실시예에서, 비율 매칭 장치(620)는 추가로, 이하의 수학식:, 에 의해, 컨그루엔셜 시퀀스를 결정하도록 구성되고, 은 타겟 폴라 코드의 코드 길이이고, , , , 및 은 구체적 파라미터이다.선택적으로, , , 및 이다.선택적으로, 다른 실시예에서, 비율 매칭 장치(620)는 추가로, 인터리빙된 출력 비트에 순서 역전 처리를 수행하도록 구성된다.선택적으로, 다른 실시예에서, 비율 매칭 장치(620)는 추가로, RV 파라미터에 따라, 인터리빙된 출력 비트 중에서, HARQ 재전송에서 전송된 송신 비트의 시작 위치를 결정하도록 구성된다.선택적으로, 다른 실시예에서, 비율 매칭 장치(620)는 추가로, 시퀀셜 인터셉션(sequential interception) 또는 레피테이션(repetition) 방식으로, 인터리빙된 출력 비트 중에서, HARQ 재전송에서 송신되어야 하는 송신 비트를 획득하도록 구성된다.또한, 액세스 단말기(600)는 추가로, 변조기(622) 및 송신기(624)를 포함할 수 있고, 송신기(624)는 신호를, 예를 들어, 기지국 또는 다른 액세스 단말기로 송신하도록 구성된다. 폴라 코드 인코더(612), 비율 매칭 장치(620), 및/또는 변조기(622)가 프로세서(614)로부터 분리되어 도시되었으나, 폴라 인코더(618), 비율 매칭 장치(620), 및/또는 변조기(622)는 프로세서(614)의 부분들 또는 부분이거나, 또는 복수의 프로세서(미 도시)일 수 있다. 실제 어플리케이션에서, 수신기(502) 및 송신기(516)는 또한, 트랜스시버 형태로 집적될 수 있다.또한, 시스템(600)에서, 변조기(622)는 변조 프레임일 수 있고, 송신기(624)는 안테나(606)를 사용하여, 변조기(622)에 의해 변조된 프레임을 액세스 단말기(604)에 송신할 수 있다. 폴라 코드 인코더(612), 비율 매칭 장치(620), 및/또는 변조기(622)가 프로세서(614)로부터 분리되어 도시되었으나, 폴라 코드 인코더(616), 비율 매칭 장치(620), 및/또는 변조기(622)는 프로세서(614)의 부분들 또는 부분이거나, 또는 복수의 프로세서(미 도시)일 수 있다. 실제 어플리케이션에서, 수신기(502) 및 송신기(516)는 또한, 트랜스시버 형태로 집적될 수 있다.본 명세서에서 설명된 실시 예는 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어, 미들웨어, 마이크로 코드, 또는 이들의 조합을 사용하여 구현될 수 있다. 하드웨어 구현을 위해, 프로세싱 유닛은 하나 이상의 ASIC(Application Specific Integrated Circuits), DSP(Digital Signal Processing), DSPDs (DSP Device), PLDs (Programmable Logic Device), FPGAs(Field-Programmable Gate Array), 프로세서, 제어기, 마이크로 제어기, 마이크로프로세서, 또는 칩과 같이 본 명세서에서 설명된 기능을 구현하도록 구성된 다른 전자 유닛 또는 이들의 조합으로 구현될 수 있다. 실시예가 소프트웨어, 펌웨어, 미들웨어는, 마이크로 코드, 프로그램 코드 또는 코드 세그먼트로 구현될 때, 소프트웨어, 펌웨어, 미들웨어, 마이크로 코드, 프로그램 코드 및 코드 세그먼트는, 예를 들면, 저장 요소의 기계 판독 가능 매체에 저장될 수 있다. 코드 세그먼트는 프로세스, 기능, 서브프로그램, 프로그램, 루틴, 모듈, 소프트웨어 그룹, 클래스, 명령, 데이터 구조, 또는 프로그램 명령문의 모든 조합일 수 있다. 코드 세그먼트는 다른 코드 세그먼트에 연결되거나 또는, 정보, 데이터, 독립 변수, 파라미터, 또는 보관 콘텐츠를 송신 및/또는 수신함으로써 하드웨어 회로에 연결될 수 있다. 정보, 독립 변수, 파라미터, 데이터 등은, 전송, 전달, 메모리 공유, 메시지 전달, 토큰 전달, 네트워크 전송 등을 포함하는 임의의 적절한 방법으로 전송 될 수 있다.소프트웨어 구현을 위해, 본 명세서에 기재된 기술은 본 명세서에서 설명한 (프로세스 및 기능과 같은) 기능을 구현하는 모듈들을 사용하여 구현될 수 있다. 소프트웨어 코드는 메모리에 저장될 수 있고, 프로세서를 사용하여 실행될 수 있다. 저장 유닛은 프로세서 내에서 또는 프로세서 외부에서 구현될 수 있고, 후자는, 저장 유닛은 당 업계에 공지된 다양한 수단을 사용하는 통신 방식을 사용하여 프로세서에 결합 될 수있다.컨그루엔셜 시퀀스는 폴라 코드의 코드 길이에 기초하여 결정되고, 타겟 폴라 코드의 인터리빙은 컨그루엔셜 시퀀스를 사용하여 구현되며, 인터리빙 후 획득된 비트의 시퀀스가 더욱 단일화된 구조를 가질 수 있게 하며, 프레임 오류 비율 및 HARQ 성능이 개선되어, 따라서 통신 신뢰성이 개선된다. 폴라 코드 비율 매칭 방법 및 장치는, 다양한 코드 길이의 폴라 코드 비율 매칭 프로세스에 적용가능하고, 좋은 공통성과 실용성을 갖는다. 도 8을 참조하면, 도 8은 무선 통신 환경에서 사용될 수 있는 폴라 코드 비율 매칭 방법에서의 시스템(800)을 나타낸다. 예를 들어, 시스템(700)은 적어도 기지국의 일부 캠프(camp)일 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 시스템(700)은 적어도 액세스 단말기의 일부 캠프(camp)일 수 있다. 시스템(700)은 기능 블록을 포함한 것을 의미할 수 있고, 기능 블록은 프로세서, 소프트웨어, 또는 (펌웨어 같은)이들의 조합에 의해 구현되는 기능을 의미할 수 있다. 시스템(700)은 전자적 요소가 함께 동작하는 논리 그룹(702)을 포함한다. 예를 들어, 논리 그룹(702)은 전자 요소(704)를 포함할 수 있고, 타겟 폴라 코드의 코드 길이에 따라 컨그루엔셜 시퀀스를 획득하도록 구성될 수 있다. 전자 요소(706)는 미리 설정된 규칙에 따라, 컨그루엔셜 시퀀스에 소팅 처리를 수행하여 기준 시퀀스를 획득하도록 구성된다. 전자 요소(708)는 컨그루엔셜 시퀀스 및 기준 시퀀스에 따라 매핑 함수를 결정하도록 구성된다. 전자 요소(710)는 인터리빙된 출력 비트를 생성하기 위해, 매핑 함수에 따라 타겟 폴라 코드를 인터리빙하도록 구성된다.전술한 기술적 해결 수단에 따라, 컨그루엔셜 시퀀스는 폴라 코드의 코드 길이에 따라 결정되고, 타겟 폴라 코드는 컨그루엔셜 시퀀스를 사용하여 구현되며, 인터리빙 후 획득된 비트의 시퀀스가 더욱 단일화된 구조를 가질 수 있게 하며, 프레임 오류 비율 및 HARQ 성능이 개선되어, 따라서 통신 신뢰성이 개선된다. 폴라 코드 비율 매칭 방법 및 장치는, 다양한 코드 길이의 폴라 코드 비율 매칭 프로세스에 적용가능하고, 좋은 공통성과 실용성을 갖는다. 또한, 시스템(700)은 메모리(712)를 포함할 수 있고, 메모리(712)는 전자 요소(704, 706, 708, 및 710)와 관련된 기능을 구현하기 의한 명령을 저장할 수 있다. 전자 요소(704, 706, 708, 및 710)가 메모리(712)의 외부에 있는 것으로 도시되었으나, 하나 이상의 전자 요소(704, 706, 708, 및 710)는 메모리(712) 내에 존재할 수 있다.전술한 설명은 하나 이상의 실시예를 포함한다. 분명한 것은, 이러한 실시예를 설명하기 위해 요소 또는 방법의 가능한 모든 조합을 설명하는 것은 불가능하지만, 당업자는 이러한 실시예가 추가로 결합하고 변환될 수 있다는 것을 알 수 있다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시 예는 첨부된 청구 범위의 기술적 사상 및 보호 범위 내에 있는 모든 변경, 수정 및 변형을 포함하기 위한 것이다. 또한, 명세서 또는 청구 범위에 사용된 용어 "포함"에 대해, 용어의 적용 방식은 청구항에서 응집력 있는 단어로서 사용된 용어 "~를 구성하는"의 용어로 설명되는 바와 같이, 용어 "포함"의 적용 방식과 유사하다. 당업자는 본 발명에서 개시된 실시 예에서 설명된 실시예의 조합으로, 유닛 및 알고리즘 단계가 전자 하드웨어, 컴퓨터 소프트웨어 및 전자 하드웨어의 조합으로 구현될 수 있다는 것을 알 수 있다. 기능이 하드웨어 또는 소프트웨어 방식으로 구현되는지는 특정 어플리케이션 및 기술적 해결 수단 설계 제약 조건에 따른다. 당업자는 각 특정 어플리케이션에 대해 설명된 기능을 구현하기 위해, 다른 방법을 사용할 수 있지만, 이 구현은 본 발명의 범위를 넘어서는 것으로 간주하여서는 안 된다.이것은 분명히, 편리하고 간단한 설명의 목적을 위해, 시스템, 장치 및 장치의 상세한 작업 과정은 상술 한 방법 실시 예에 대응하는 과정을 참고하여, 당업자는 이해할 수 있고, 자세한 내용은 여기에서 다시 설명하지 않는다.본 명세서에서 제공되는 여러 실시 예에서, 개시된 시스템, 장치 및 방법은 다른 방식으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 설명된 장치 실시예는 단지 예시이다. 예를 들어, 유닛 부문은 단순히 논리적 기능 부문이며, 실제 구현에서 다른 부문일 수 있다. 예를 들어, 복수의 유닛 또는 구성 요소가 결합 또는 다른 시스템에 통합되거나, 또는 일부 기능은 무시되거나 수행되지 못할 수 있다. 또한, 표시되거나 논의된, 상호 연결, 직접 연결, 또는 통신 접속은 어떤 인터페이스를 사용하여 구현될 수 있다. 장치들 또는 유닛들 간의 간접 연결 또는 통신 접속은, 전자 기계적 또는 다른 형태로 구현될 수 있다.별도의 부분으로 설명된 유닛은 물리적으로 분리되거나 물리적으로 분리되지 않을 수 있고, 유닛으로 표시된 부분은 물리적 유닛이거나 물리적 유닛이 아닐 수 있으며, 하나의 위치에 있거나 복수의 네트워크 유닛에 분산될 수 있다. 유닛의 일부 또는 전부는 실시예의 기술적 해결 수단의 목적을 달성하기 위한 실제의 요구에 따라 선택될 수 있다.또한, 본 발명의 실시 예에서의 기능 유닛은 하나의 프로세싱 유닛에 통합될 수 있고, 각 유닛은 단독으로 물리적으로 존재할 수 있으며, 2개 이상의 유닛이 하나의 유닛으로 통합될 수있다.기능이 소프트웨어 기능 유닛의 형태로 구현되어 판매되거나 독립 제품으로 사용되는 경우, 기능은 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 저장될 수 있다. 이러한 이해를 바탕으로, 본질적으로, 본 발명의 기술적 해결 수단이나 종래 기술에 기여하는 부분, 또는 기술적 해결 수단의 일부는 소프트웨어 제품의 형태로 구현될 수 있다. 컴퓨터 소프트웨어 제품은 저장 매체에 저장되고, (퍼스널 컴퓨터, 서버, 또는 네트워크 장치가 될 수 있는)컴퓨터 장치에, 설명된 방법의 단계 중 일부 또는 전부를 수행하도록 지시하는 여러 명령을 포함한다. 전술한 저장 매체는, USB, 플래시 드라이브, 이동식 하드 디스크, 판독 전용 메모리, ROM(Read-Only Memory), RAM(Random Access Memory), 자기 디스크, 광디스크와 같은 프로그램 코드를 저장할 수 있는 메체라면 어떠한 메체라도 포함한다.전술 한 설명은 단지 본 발명의 특정 구현 방식이지만, 본 발명의 보호 범위를 제한하는 것은 아니다. 본 발명에 기재된 기술적 범위 내에서 당업자에 의해 파악된 모든 변형 또는 교체가 용이하게 본 발명의 보호 범위 내에 포함한다. 따라서 본 발명의 보호 범위는 특허 청구 범위의 보호 범위에 따른다.	폴라 코드 비율 매칭 방법이 제공되고, 폴라 코드 비율 매칭 방법은, 타겟 폴라 코드의 코드 길이에 따라 컨그루엔셜 시퀀스를 획득하는 단계, 미리 설정된 규칙에 따라 컨그루엔셜 시퀀스에 소팅 처리를 수행하여 기준 시퀀스를 획득하는 단계, 컨그루엔셜 시퀀스 및 기준 시퀀스에 따라 매핑 함수를 결정하는 단계, 및 인터리빙된 출력 비트를 생성하기 위해, 매핑 함수에 따라 타겟 폴라 코드를 인터리빙하는 단계를 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 유기 재료를 위한 증발 소스, 진공 챔버에서 유기 재료를 증착하기 위한 증착 장치, 및 유기 재료를 증발시키기 위한 방법EVAPORATION SOURCE FOR ORGANIC MATERIAL, DEPOSITION APPARATUS FOR DEPOSITING ORGANIC MATERIAL IN A VACUUM CHAMBER, AND METHOD FOR EVAPORATING AN ORGANIC MATERIAL [ 기술분야 ] [0001] 본 발명의 실시예들은, 유기 재료의 증착, 유기 재료를 위한 소스, 및 유기 재료를 위한 증착 장치들에 관한 것이다. 본 발명의 실시예들은 특히, 유기 재료를 위한 증발(evaporation) 소스, 진공 챔버에서 유기 재료를 증착하기 위한 증착 장치, 및 유기 재료를 증발(evaporating)시키기 위한 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] [0002] 유기 증발기들은 유기 발광 다이오드(OLED)들의 생산을 위한 툴이다. OLED들은, 방출(emissive) 층이 특정한 유기 화합물들의 박막을 포함하는, 특수한 타입의 발광 다이오드들이다. 유기 발광 다이오드들(OLED들)은, 정보를 디스플레잉하기 위한, 텔레비전 스크린들, 컴퓨터 모니터들, 모바일 폰들, 다른 핸드-헬드(hand-held) 디바이스들 등의 제조에서 사용된다. OLED들은 또한, 일반적인 공간 조명을 위해 사용될 수 있다. OLED 디스플레이들로 가능한 컬러들, 휘도, 및 시야각의 범위는, OLED 픽셀들이 직접적으로 광을 방출하고, 백라이트를 요구하지 않기 때문에, 종래의 LCD 디스플레이들의 범위보다 더 크다. 따라서, OLED 디스플레이들의 에너지 소비는 종래의 LCD 디스플레이들의 에너지 소비보다 상당히 더 적다. 추가로, OLED들이 가요성 기판들 상에 제조될 수 있는 사실은 추가적인 애플리케이션들을 발생시킨다. 전형적인 OLED 디스플레이는, 예컨대, 개별적으로 에너자이징 가능한(energizable) 픽셀들을 갖는 매트릭스 디스플레이 패널을 형성하는 방식으로, 모두 기판 상에 증착된, 2개의 전극들 사이에 위치된 유기 재료의 층들을 포함할 수 있다. OLED는 일반적으로, 2개의 유리 패널들 사이에 배치되고, 유리 패널들의 에지들은, 그 내부에 OLED를 인캡슐레이팅(encapsulate)하도록 밀봉된다.[0003] 그러한 디스플레이 디바이스들의 제조에서 조우되는 다수의 난제들이 존재한다. 일 예에서, 디바이스의 가능한 오염을 방지하기 위해, 2개의 유리 패널들 사이에 OLED를 인캡슐레이팅하기 위해 필요한 다수의 노동 집약적 단계들이 존재한다. 다른 예에서, 디스플레이 스크린들, 그리고 따라서, 유리 패널들의 상이한 사이즈들은, 디스플레이 디바이스들을 형성하기 위해 사용되는 프로세스, 및 프로세스 하드웨어의 실질적인 재구성을 요구할 수 있다. 일반적으로, 대면적 기판들 상에 OLED 디바이스들을 제조하기를 요망한다.[0004] 다양한 난제들을 야기하는, 대규모 OLED 디스플레이들의 제조에서의 하나의 단계는, 예컨대, 패터닝된 층들의 증착을 위한 기판의 마스킹(masking)이다. 추가로, 알려진 시스템들은 전형적으로, 예컨대 003c# 50 %의 작은 전체 재료 활용을 갖는다.[0005] 따라서, OLED 디스플레이 디바이스들을 형성하기 위한 새롭고 개선된 장치 및 방법들에 대한 계속되는 요구가 존재한다. [ 발명의 개요 ] [0006] 상기된 바를 고려하여, 유기 재료를 위한 개선된 증발 소스, 유기 재료를 증발시키기 위한 개선된 증착 장치, 및 유기 재료를 증발시키는 방법이 제공된다. 본 발명의 실시예들의 추가적인 양상들, 이점들, 및 피처들은, 종속 청구항들, 설명, 및 첨부 도면들로부터 명백하다.[0007] 일 실시예에 따르면, 유기 재료를 위한 증발 소스가 제공된다. 증발 소스는, 증발 도가니(crucible) ― 증발 도가니는 유기 재료를 증발시키도록 구성됨 ―; 하나 또는 그 초과의 배출구들을 갖는 분배 파이프(distribution pipe) ― 분배 파이프는 증발 도가니와 유체 연통하고, 분배 파이프는, 증발 동안에, 축을 중심으로 회전가능함 ―; 및 분배 파이프를 위한 지지부를 포함하며, 여기에서, 지지부는 제 1 드라이브에 연결가능하거나, 또는 제 1 드라이브(drive)를 포함하고, 여기에서, 제 1 드라이브는 분배 파이프 및 지지부의 병진 이동(translational movement)에 대해 구성된다.[0008] 다른 실시예에 따르면, 진공 챔버에서 유기 재료를 증착하기 위한 증착 장치가 제공된다. 증착 장치는, 프로세싱 진공 챔버; 유기 재료를 위한 증발 소스 ― 증발 소스는 프로세싱 진공 챔버에서 유기 재료를 증발시킴 ―; 및 진공 챔버에 배치되고, 적어도 2개의 트랙들을 갖는 기판 지지 시스템을 포함하며, 여기에서, 기판 지지 시스템의 트랙, 예컨대 각각의 트랙은, 진공 챔버에서, 기판, 또는 기판을 운반하는 캐리어의 본질적으로 수직인 지지를 위해 구성된다. 증발 소스는, 증발 도가니 ― 증발 도가니는 유기 재료를 증발시키도록 구성됨 ―; 하나 또는 그 초과의 배출구들을 갖는 분배 파이프 ― 분배 파이프는 증발 도가니와 유체 연통하고, 분배 파이프는, 증발 동안에, 축을 중심으로 회전가능함 ―; 및 분배 파이프를 위한 지지부를 포함하며, 여기에서, 지지부는 제 1 드라이브에 연결가능하거나, 또는 제 1 드라이브를 포함하고, 여기에서, 제 1 드라이브는 분배 파이프 및 지지부의 병진 이동에 대해 구성된다.[0009] 추가적인 실시예에 따르면, 유기 재료를 증발시키기 위한 방법이 제공된다. 유기 재료를 증발시키는 방법은, 본질적으로 수직인 제 1 프로세싱 포지션으로 제 1 기판을 이동시키는 단계; 증발 소스가 유기 재료를 증발시키는 동안에, 적어도 병진 이동에 의해, 제 1 기판을 따라 증발 소스를 이동시키는 단계; 제 1 프로세싱 포지션과 상이한, 본질적으로 수직인 제 2 프로세싱 포지션으로 제 2 기판을 이동시키는 단계; 증발 동안에, 축을 중심으로 증발 소스의 분배 파이프를 회전시키는 단계; 및 증발 소스가 유기 재료를 증발시키는 동안에, 적어도 병진 이동에 의해, 제 2 기판을 따라 증발 소스를 이동시키는 단계를 포함한다. [ 도면의 간단한 설명 ] [0010] 본 발명의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된, 본 발명의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 본 발명의 실시예들에 관한 것이고, 다음과 같이 설명된다.도 1a 내지 도 1d는, 본원에서 설명되는 또한 추가적인 실시예들에 따른 증착 장치의 진공 챔버에서의 상이한 증착 포지션들에서의, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 유기 재료를 위한 증발 소스를 예시하는 개략도들을 도시한다.도 2는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 진공 챔버에서 유기 재료를 증착하기 위한 증착 장치의 개략적인 상면도를 도시한다.도 3은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 진공 챔버에서 유기 재료를 증착하기 위한 다른 증착 장치의 개략적인 상면도를 도시한다.도 4a 및 도 4b는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 진공 챔버에서 유기 재료를 증착하기 위한 증착 장치, 및 진공 챔버에서의 상이한 증착 포지션들에서의, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 유기 재료의 증발을 위한 증발 소스의 개략적인 측면도들을 도시한다.도 5a 및 도 5b는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 진공 챔버에서 유기 재료를 증착하기 위한 증착 장치, 및 진공 챔버에서의 상이한 증착 포지션들에서의, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 유기 재료의 증발을 위한 증발 소스들의 개략도들을 도시한다.도 6은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 적어도 2개의 증착 장치들, 및 유기 재료의 증발을 위한 증발 소스들을 갖는 시스템의 개략도를 도시한다.도 7a 및 도 7b는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증발 소스의 부분들의 개략도들을 도시한다.도 7c는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 다른 증발 소스의 개략도를 도시한다.도 8a 및 도 8b는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 진공 챔버에서 유기 재료를 증착하기 위한 증착 장치, 및 진공 챔버에서의 상이한 증착 포지션들에서의, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 유기 재료의 증발을 위한 증발 소스들의 개략도들을 도시한다.도 9는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 진공 챔버에서 유기 재료를 증착하기 위한 다른 증착 장치의 개략도를 도시한다.도 10은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 유기 재료를 증발시키기 위한 방법을 예시하는 흐름도를 도시한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] [0011] 이제, 본 발명의 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이고, 그러한 실시예들의 하나 또는 그 초과의 예들은 도면들에 예시된다. 도면들의 다음의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 각기 다른 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 본 발명의 설명으로서 제공되고, 본 발명의 제한으로서 의도되지 않는다. 추가로, 일 실시예의 부분으로서 예시되거나 또는 설명된 특징들은, 또한 추가적인 실시예를 산출하기 위해, 다른 실시예들에 대해, 또는 다른 실시예들과 함께 사용될 수 있다. 설명이 그러한 변형들 및 변화들을 포함하도록 의도된다.[0012] 도 1a 내지 도 1d는, 진공 챔버(110)에서의 다양한 포지션들에서의 증발 소스(100)를 도시한다. 상이한 포지션들 사이의 이동은 화살표들(101B, 101C, 및 101D)에 의해 표시된다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 증발 소스는, 축을 중심으로 한 회전 및 병진 이동에 대해 구성된다. 도 1a 내지 도 1d는, 증발 도가니(104) 및 분배 파이프(106)를 갖는 증발 소스(100)를 도시한다. 분배 파이프(106)는 지지부(102)에 의해 지지된다. 추가로, 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 도가니(104)가 또한, 지지부(102)에 의해 지지될 수 있다. 2개의 기판들(121)이 진공 챔버(110)에 제공된다. 전형적으로, 기판 상의 층 증착의 마스킹을 위한 마스크(132)가 증발 소스(100)와 기판 사이에 제공될 수 있다. 도 1a 내지 도 1d에서 예시된 바와 같이, 분배 파이프(106)로부터 유기 재료가 증발된다. 이는 참조 번호(10)에 의해 표시된다.[0013] 도 1a에서, 증발 소스(100)는 제 1 포지션에 있는 것으로 도시된다. 도 1b에서 도시된 바와 같이, 진공 챔버(110)에서의 좌측 기판은, 화살표(101B)에 의해 표시된 바와 같은, 증발 소스의 병진 이동에 의해, 유기 재료의 층으로 증착된다. 좌측 기판(121)이 유기 재료의 층으로 증착되는 동안에, 제 2 기판, 예컨대 도 1a 내지 도 1d에서의 우측 상의 기판은 교환될 수 있다. 도 1b는, 기판을 위한 운송 트랙(124)을 도시한다. 좌측 기판(121)이 유기 재료의 층으로 증착된 후에, 증발 소스의 분배 파이프(106)는, 도 1c에서의 화살표(101C)에 의해 표시된 바와 같이 회전된다. 제 1 기판(도 1b에서의 좌측 상의 기판) 상의 유기 재료의 증착 동안에, 제 2 기판이 포지셔닝되고, 마스크(132)에 대하여 정렬되었다. 따라서, 도 1c에서 도시된 회전 후에, 우측 상의 기판, 즉 제 2 기판(121)은, 화살표(101D)에 의해 표시된 바와 같이, 유기 재료의 층으로 코팅될 수 있다. 제 2 기판(121)이 유기 재료로 코팅되는 동안에, 제 1 기판은 진공 챔버(110) 밖으로 이동될 수 있다. 도 1d는, 제 1 기판의 포지션(도 1d에서의 좌측)에서 운송 트랙(124)을 도시한다.[0014] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 기판들은, 본질적으로 수직인 포지션에서, 유기 재료로 코팅된다. 즉, 도 1a 내지 도 1d에서 도시된 도면들은, 증발 소스(100)를 포함하는 장치의 상면도들이다. 전형적으로, 분배 파이프는 증기(vapor) 분배 샤워헤드, 특히 선형 증기 분배 샤워헤드이다. 분배 파이프는, 본질적으로 수직으로 연장되는 라인 소스를 제공한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 본질적으로 수직으로는, 특히 기판 배향(orientation)과 관련되는 경우에, 10° 또는 그 미만의, 수직 방향으로부터의 편차를 허용하는 것으로 이해된다. 이러한 편차는, 수직 배향으로부터의 약간의 편차를 갖는 기판 지지부가 더 안정적인 기판 포지션을 야기할 수 있기 때문에, 제공될 수 있다. 그러나, 유기 재료의 증착 동안의 기판 배향은 본질적으로 수직인 것으로 고려되고, 이는, 수평 기판 배향과 상이한 것으로 고려된다. 그에 의해, 기판들의 표면은, 하나의 기판 치수(dimension)에 대응하는 하나의 방향으로 연장되는 라인 소스, 및 다른 기판 치수에 대응하는 다른 방향을 따르는 병진 이동에 의해 코팅된다.[0015] 도 1c에서 도시된 바와 같이, 분배 파이프(106)의 회전, 즉 제 1 기판(121)으로부터 제 2 기판(121)으로의 회전은 180°이다. 도 1d에서 도시된 바와 같이, 제 2 기판이 증착된 후에, 분배 파이프(106)는, 180°만큼 역으로(backward) 회전될 수 있거나, 또는 도 1c에서 표시된 바와 동일한 방향으로 회전될 수 있다. 분배 파이프는 총 360°만큼 회전된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 분배 파이프(106)는, 예컨대, 참조 번호(10)에 의해 표시된 증발 코일이 기판들(121)의 표면에 대해 수직으로 제공되지 않는 경우에, 적어도 160°만큼 회전된다. 그러나, 전형적으로, 분배 파이프는 180°만큼, 또는 적어도 360°만큼 회전된다.[0016] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 예컨대 선형 증기 분배 샤워헤드와 같은 라인 소스의 병진 이동과, 예컨대 선형 증기 분배 샤워헤드와 같은 라인 소스의 회전의 조합은, 기판의 마스킹의 높은 정밀도가 요구되는 OLED 디스플레이 제조에 대해, 높은 재료 활용 및 높은 증발 소스 효율을 허용한다. 소스의 병진 이동은, 기판 및 마스크가 정지된 채로 유지될 수 있기 때문에, 높은 마스킹 정밀도를 허용한다. 회전 이동은, 다른 기판이 유기 재료로 코팅되는 동안의 하나의 기판의 기판 교환을 허용한다. 이는, 유휴 시간(idle time), 즉 증발 소스가 기판을 코팅하지 않으면서 유기 재료를 증발시키는 시간이 상당히 감소됨에 따라, 재료 활용을 상당히 개선한다.[0017] 본원에서 설명되는 실시예들은 특히, 예컨대, OLED 디스플레이 제조를 위한 그리고 대면적 기판들 상의 유기 재료들의 증착에 관한 것이다. 몇몇 실시예들에 따르면, 대면적 기판들, 또는 하나 또는 그 초과의 기판들을 지지하는 캐리어들, 즉 대면적 캐리어들은, 적어도 0.174 m2의 사이즈를 가질 수 있다. 전형적으로, 캐리어의 사이즈는, 약 1.4 m2 내지 약 8 m2, 더 전형적으로는 약 2 m2 내지 약 9 m2, 또는 심지어 최대 12 m2일 수 있다. 전형적으로, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 홀딩(holding) 배열들, 장치들, 및 방법들이 제공되는, 기판들이 지지되는 직사각형 면적은, 본원에서 설명되는 바와 같은 대면적 기판들을 위한 사이즈들을 갖는 캐리어들이다. 예컨대, 단일의 대면적 기판의 면적에 대응할 대면적 캐리어는, 약 1.4 m2 기판들(1.1 m x 1.3 m)에 대응하는 GEN 5, 약 4.29 m2 기판들(1.95 m x 2.2 m)에 대응하는 GEN 7.5, 약 5.7 m2 기판들(2.2 m x 2.5 m)에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어, 약 8.7 m2 기판들(2.85 m × 3.05 m)에 대응하는 GEN 10일 수 있다. 한층 더 큰 세대들, 예컨대 GEN 11 및 GEN 12, 및 대응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따르면, 기판 두께는 0.1 내지 1.8 mm일 수 있고, 홀딩 배열, 그리고 특히 홀딩 디바이스들은 그러한 기판 두께들에 대해 적응될 수 있다. 그러나, 특히, 기판 두께는 약 0.9 mm 또는 그 미만, 예컨대 0.5 mm 또는 0.3 mm일 수 있고, 홀딩 배열, 그리고 특히 홀딩 디바이스들은 그러한 기판 두께들에 대해 적응된다. 전형적으로, 기판은 재료 증착에 대해 적합한 임의의 재료로 제조될 수 있다. 예컨대, 기판은, 유리(예컨대, 소다-석회 유리, 붕규산 유리 등), 금속, 폴리머, 세라믹, 화합물 재료들, 탄소 섬유 재료들, 또는 임의의 다른 재료, 또는 증착 프로세스에 의해 코팅될 수 있는 재료들의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 재료로부터 제조될 수 있다.[0018] 우수한 신뢰성 및 수율들을 달성하기 위해, 본원에서 설명되는 실시예들은, 유기 재료의 증착 동안에, 마스크 및 기판을 정지된 채로 유지한다. 대면적 기판의 균일한 코팅을 위한 이동가능한 선형 소스가 제공된다. 유휴 시간은, 각각의 증착 후에 기판이 교환될 필요가 있고 마스크 및 기판의 서로에 관한 새로운 정렬 단계를 포함하는 동작과 비교하여 감소된다. 유휴 시간 동안에, 소스는 재료를 낭비한다. 따라서, 제 2 기판을 증착 포지션에 있게 하고, 마스크에 대하여 즉시(readily) 정렬되게 하는 것은, 유휴 시간을 감소시키고, 재료 활용을 증가시킨다.[0019] 도 2는, 진공 챔버(110)에서 유기 재료를 증착하기 위한 증착 장치(200)의 실시예를 예시한다. 증발 소스(100)가 진공 챔버(100)에서 트랙 또는 선형 가이드(220) 상에 제공된다. 선형 가이드(220)는 증발 소스(100)의 병진 이동에 대해 구성된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 상이한 실시예들에 따르면, 병진 이동을 위한 드라이브는, 진공 챔버(110) 내에서, 트랙 또는 선형 가이드(220)에서, 증발 소스(100)에서 제공될 수 있거나, 또는 이들의 조합에서 제공될 수 있다. 도 2는, 예컨대 게이트 밸브와 같은 밸브(205)를 도시한다. 밸브(205)는, 인접한 진공 챔버(도 2에서 도시되지 않음)에 대한 진공 밀봉을 허용한다. 밸브는, 진공 챔버(110) 내로의 또는 진공 챔버(110) 밖으로의 마스크(132) 또는 기판(121)의 운송을 위해 개방될 수 있다.[0020] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 추가적인 진공 챔버, 예컨대 유지보수(maintenance) 진공 챔버(210)가 진공 챔버(110) 근처에 제공된다. 진공 챔버(110) 및 유지보수 진공 챔버(210)는 밸브(207)에 의해 연결된다. 밸브(207)는, 유지보수 진공 챔버(210)와 진공 챔버(110) 사이의 진공 밀봉을 개방 및 폐쇄하도록 구성된다. 증발 소스(100)는, 밸브(207)가 개방 상태에 있는 동안에, 유지보수 진공 챔버(210)로 이송될 수 있다. 그 후에, 밸브는, 유지보수 진공 챔버(210)와 진공 챔버(110) 사이에 진공 밀봉을 제공하기 위해 폐쇄될 수 있다. 밸브(207)가 폐쇄된 후에, 유지보수 진공 챔버(210)는, 진공 챔버(110)에서의 진공을 파괴시키지 않으면서, 증발 소스(110)의 유지보수를 위해, 벤팅되고(vented), 개방될 수 있다.[0021] 2개의 기판들(121)이 진공 챔버(110) 내에서 각각의 운송 트랙들 상에 지지된다. 추가로, 마스크들(132)을 위에 제공하기 위한 2개의 트랙들이 제공된다. 기판들(121)의 코팅은 각각의 마스크들(132)에 의해 마스킹될 수 있다. 전형적인 실시예들에 따르면, 마스크들(132), 즉, 제 1 기판(121)에 대응하는 제 1 마스크(132), 및 제 2 기판(121)에 대응하는 제 2 마스크(132)가, 마스크(132)를 미리 결정된 포지션으로 홀딩하기 위해, 마스크 프레임(131)에 제공된다.[0022] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 기판(121)은, 정렬 유닛(112)에 연결된 기판 지지부(126)에 의해 지지될 수 있다. 정렬 유닛(112)은 마스크(132)에 대하여 기판(121)의 포지션을 조정할 수 있다. 도 2는, 기판 지지부(126)가 정렬 유닛(112)에 연결된 실시예를 예시한다. 따라서, 기판은, 유기 재료의 증착 동안에 마스크와 기판 사이의 적절한 정렬을 제공하기 위해, 마스크(132)에 관하여 이동된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 추가적인 실시예에 따르면, 대안적으로 또는 부가적으로, 마스크(132), 및/또는 마스크(132)를 홀딩하는 마스크 프레임(131)이, 정렬 유닛(112)에 연결될 수 있다. 마스크가 기판(121)에 관하여 포지셔닝될 수 있거나, 또는 마스크(132) 및 기판(121) 양자 모두가 서로에 관하여 포지셔닝될 수 있다. 기판(121)과 마스크(132) 사이의 서로에 관한 상대적인 포지션을 조정하도록 구성된 정렬 유닛들(112)은, 증착 프로세스 동안의 마스킹의 적절한 정렬을 허용하고, 이는, 고 품질 또는 LED 디스플레이 제조에 대해 유익하다.[0023] 마스크와 기판의 서로에 관한 정렬의 예들은, 마스크의 평면 및 기판의 평면에 대해 본질적으로 평행한 평면을 정의하는 적어도 2개의 방향들에서의 상대적인 정렬을 허용하는 정렬 유닛들을 포함한다. 예컨대, 정렬은, 적어도, x-방향 및 y-방향, 즉, 위에서-설명된 평행한 평면을 정의하는 2개의 데카르트(Cartesian) 방향들에서 실시될 수 있다. 전형적으로, 마스크 및 기판은 서로에 대해 본질적으로 평행할 수 있다. 특히, 정렬은 추가로, 마스크의 평면 및 기판의 평면에 대해 본질적으로 수직인 방향에서 실시될 수 있다. 따라서, 정렬 유닛은, 적어도 X-Y-정렬에 대해, 그리고 특히, 마스크와 기판의 서로에 관한 X-Y-Z-정렬에 대해 구성된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 하나의 특정한 예는, 진공 챔버(110)에서 정지된 채로 홀딩될 수 있는 마스크에 대해 x-방향, y-방향, 및 z-방향으로 기판을 정렬시키는 것이다.[0024] 도 2에서 도시된 바와 같이, 선형 가이드(220)는, 증발 소스(100)의 병진 이동의 방향을 제공한다. 증발 소스(100)의 양 측들 상에, 마스크(132)가 제공된다. 그에 의해, 마스크들(132)은 병진 이동의 방향에 대해 본질적으로 평행하게 연장될 수 있다. 추가로, 증발 소스(100)의 대향하는 측들에서의 기판들(121)이 또한, 병진 이동의 방향에 대해 본질적으로 평행하게 연장될 수 있다. 전형적인 실시예들에 따르면, 기판(121)은, 밸브(205)를 통해, 진공 챔버(110) 내로 그리고 진공 챔버(110) 밖으로 이동될 수 있다. 증착 장치(200)는 기판들(121) 각각의 운송을 위한 각각의 운송 트랙을 포함할 수 있다. 예컨대, 운송 트랙은, 도 2에서 도시된 기판 포지션에 대해 평행하게, 그리고 진공 챔버(110) 내로 그리고 밖으로 연장될 수 있다.[0025] 전형적으로, 마스크 프레임들(131), 그리고 그에 의해 마스크들(132)을 지지하기 위해, 추가적인 트랙들이 제공된다. 따라서, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들은, 진공 챔버(110) 내에 4개의 트랙들을 포함할 수 있다. 예컨대 마스크의 세정을 위해, 챔버 밖으로 마스크들(132) 중 하나를 이동시키기 위하여, 마스크 프레임(131), 그리고 그에 의해 마스크가, 기판(121)의 운송 트랙 상으로 이동될 수 있다. 그 후에, 각각의 마스크 프레임은, 기판을 위한 운송 트랙 상에서 진공 챔버(110)에서 빠져나갈 수 있거나, 또는 진공 챔버(110)에 진입할 수 있다. 마스크 프레임들(131)을 위해 진공 챔버(110) 내로 그리고 밖으로의 별개의 운송 트랙을 제공하는 것이 가능할지라도, 2개의 트랙들, 즉 기판을 위한 운송 트랙들만이 진공 챔버(110) 내로 그리고 밖으로 연장되는 경우에, 증착 장치(200)의 소유 비용이 감소될 수 있고, 부가하여, 마스크 프레임들(131)은, 적절한 액추에이터 또는 로봇에 의해, 기판을 위한 운송 트랙들 중 각각의 운송 트랙 상으로 이동될 수 있다.[0026] 도 2는, 증발 소스(100)의 다른 예시적인 실시예를 예시한다. 증발 소스(100)는 지지부(102)를 포함한다. 지지부(102)는 선형 가이드(220)를 따르는 병진 이동에 대해 구성된다. 지지부(102)는, 증발 도가니(104), 및 증발 도가니(104) 위에 제공된 분배 파이프(106)를 지지한다. 증발 도가니에서 생성되는 증기가, 상방으로, 그리고 분배 파이프의 하나 또는 그 초과의 배출구들 밖으로 이동할 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 분배 파이프(106)는 또한, 증기 분배 샤워헤드, 예컨대 선형 증기 분배 샤워헤드로 고려될 수 있다.[0027] 하나 또는 그 초과의 배출구들은, 예컨대, 샤워헤드 또는 다른 증기 분배 시스템에 제공될 수 있는, 하나 또는 그 초과의 개구들, 또는 하나 또는 그 초과의 노즐들일 수 있다. 증발 소스는, 증기 분배 샤워헤드, 예컨대, 복수의 노즐들 또는 개구들을 갖는 선형 증기 분배 샤워헤드를 포함할 수 있다. 본원에서, 샤워헤드는, 샤워헤드에서의 압력이, 예컨대 적어도 하나의 자릿수만큼, 샤워헤드 외부보다 더 높도록 개구들을 갖는 인클로저(enclosure)를 포함하는 것으로 이해될 수 있다.[0028] 도 2는 추가로, 적어도 하나의 실드(202)를 갖는 실드 어셈블리를 예시한다. 전형적으로, 도 2에서 도시된 바와 같이, 실시예들은 2개의 실드들(202), 예컨대 측면 실드들을 포함할 수 있다. 유기 재료의 증발은 기판을 향하는 방향으로 한정될 수 있다. 분배 파이프에 관하여 측방향으로의, 즉, 예컨대 정상적인 증발 방향에 대해 수직인 방향으로의 증발이 방지될 수 있거나, 또는 유휴 모드에서만 사용될 수 있다. 유기 재료의 증기 빔을 스위칭 오프시키는 것과 비교하여 유기 재료의 증기 빔을 차단하는 것이 더 용이할 수 있는 사실을 고려하여, 분배 파이프(106)는 또한, 증기 방출이 요구되지 않는 동작 모드 동안에 증기가 증발 소스(100)에서 빠져나가는 것을 방지하기 위해, 측면 실드들(202) 중 하나를 향하여 회전될 수 있다.[0029] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 분배 파이프의 회전은, 적어도 분배 파이프가 위에 탑재된 증발기 제어 하우징(housing)의 회전에 의해 제공될 수 있다. 전형적으로, 증발 도가니가 또한, 증발기 제어 하우징 상에 탑재된다. 따라서, 증발 소스들은, 적어도, 회전가능하게 탑재되는 분배 파이프, 구체적으로는, 양자 모두, 즉 함께, 회전가능하게 탑재되는, 분배 파이프 및 증발 도가니, 및 한층 더 구체적으로는, 함께, 회전가능하게 탑재되는, 제어 하우징, 분배 파이프 및 증발 도가니를 포함한다. 전형적으로, 하나 또는 그 초과의 측면 실드들은, 하나 또는 그 초과의 측면 실드들이 분배 파이프와 함께 회전하지 않도록 고정적으로 탑재될 수 있다. 도 2 및 도 3에서 도시된 바와 같은 전형적인 예에 따르면, 측면 실드들은, 증발 소스의 2개의 측들 상에 증기 배출구 개구가 제공되도록 제공될 수 있고, 여기에서, 2개의 측들은, 각각, 2개의 기판들 중 하나를 향한다. 따라서, 고정된 측면 실드들은, 축을 중심으로 하는 분배 파이프들의 회전에 대하여 정지된다. 그러나, 측면 실드들은 병진 이동을 따르고, 병진 이동에 대하여 이동가능하다.[0030] 도 3은, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또한 추가적인 변형들을 예시한다. 그에 의해, 도 2에 대하여 이미 설명된 세부사항들, 양상들, 및 피처들은 참조의 용이함을 위해 생략될 것이다. 도 2와 비교하면, 도 3에서 도시된 증발 소스(100)는 3개의 증발 도가니들(104) 및 3개의 분배 파이프들(106)을 포함한다. 유기 재료의 층으로 기판을 코팅하기 위하여, 하나의 유기 재료가 증발될 수 있거나, 또는 2개 또는 그 초과의 유기 재료들이 유기 재료들의 하나의 층을 증착하기 위해 증발될 수 있다. 그에 의해, 2개 또는 그 초과의 유기 재료들이 증기 상태로 그리고/또는 기판의 표면 상에서 혼합되고, 유기 재료의 하나의 층을 형성한다. 이를 고려하면, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 2개 또는 그 초과의 증발 도가니들(104) 및 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들(106)이 지지부(102)에 의해 지지될 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 분배 파이프들은, 예컨대 선형 분배 샤워헤드로서 라인 소스들을 제공할 수 있고, 추가로, 지지부(102)는, 기판(121) 상에 유기 재료를 증착하기 위해, 선형 가이드(220)를 따라 이동한다.[0031] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또한 추가적인 실시예들에 따르면, 유지보수 진공 챔버(210)에서의 증발 소스(100)의 이송은, 선형 가이드(220)의 세장형(elongated) 부분에 의해 제공될 수 있다. 추가적인 선형 가이드(320)가 유지보수 진공 챔버(210)에 제공된다. 또한 추가로, 제 2 증발 소스(100)가 유지보수 진공 챔버(210)에서의 대기 포지션에 제공될 수 있다. 도 3은, 유지보수 진공 챔버의 좌측 상의 대기 포지션에서 추가적인 증발 소스(100)를 도시한다. 증착 장치(200)를 동작시키는 것의 몇몇 실시예들에 따르면, 진공 챔버(110)에서 도시된 증발 소스(100)는, 예컨대 유지보수가 요구되는 경우에, 유지보수 진공 챔버(210) 내로 이동될 수 있다. 이러한 이동을 위해, 밸브(207)가 개방될 수 있다. 도 3에서 대기 포지션에 있는 것으로 도시되고, 동작할 준비가 된 상태에 있는 추가적인 증발 소스(100)가 진공 챔버(110) 내로 이동될 수 있다. 그 후에, 밸브(207)는 폐쇄될 수 있고, 유지보수 진공 챔버(210)는, 유지보수 진공 챔버에서의 대기 포지션으로 방금 이동된 제 1 증발 소스(100)의 유지보수를 위해, 벤팅되고, 개방될 수 있다. 그에 의해, 증발 소스들의 신속한 교환이 가능하다. 그에 의해, 증착 장치(200)는, 이전에 알려진 바와 같이, 증착 장치의 소유 비용의 상당한 부분을 생성하는 감소된 다운타임을 갖는다.[0032] 추가로, 본원에서 설명되는 실시예들은, 일주일 또는 그 초과의 시간 스케일(time scale) 상에서, 예컨대 약 ± 5 % 또는 그 미만의 안정적인 증발 레이트를 허용한다. 이는 특히, 개선된 유지보수 조건들에 의해 제공될 수 있다. 또한 추가로, 유기 재료를 동작시키는 방법들에 따르면, 증발 도가니에서의 유기 재료의 리필은, 진공을 파괴시키지 않으면서, 그리고 심지어, 증착 장치의 증발을 중단시키지 않으면서, 실시될 수 있다. 하나의 증발 소스의 유지보수 및 리필은, 다른 소스의 동작과 무관하게 실시될 수 있다. 이는, 다수의 다른 OLED 제조 시스템들에서 소스 유지보수 및 소스의 리-필링이 보틀넥(bottleneck)이기 때문에, 소유 비용(CoO)을 개선한다. 즉, 정기적인(routine) 유지보수 동안에 또는 마스크 교환 동안에 기판 핸들링(handling) 또는 증착 챔버를 벤팅할 필요성을 갖지 않는 것에 의한 높은 시스템 업타임(uptime)은, CoO를 상당히 개선할 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 이러한 개선에 대한 하나의 근거는, 유지보수 진공 챔버, 및/또는 본원에서 설명되는 유지보수 진공 챔버와 연관된 다른 컴포넌트들이고, 여기에서, 진공배기될(evacuated) 수 있는 별개의 챔버, 즉 유지보수 진공 챔버 또는 다른 소스 저장 챔버에서의 증발 소스 또는 소스들의 유지보수 및 사전-컨디셔닝이 제공된다.[0033] 도 4a 및 도 4b는, 유기 재료를 증착하기 위한 증착 장치(200)의 개략적인 측단면도를 도시한다. 그에 의해, 도 4a는, 진공 챔버(110)에서의 좌측의 기판(121)이 유기 재료로 코팅되는 동작 조건을 도시한다. 도 4b는, 분배 파이프들(106)(도 4a 및 도 4b에서 2개의 분배 파이프들을 볼 수 있음)이 회전된 후에, 진공 챔버(110)에서의 우측의 기판(121)이 유기 재료로 코팅되는 동작 조건을 도시한다.[0034] 도 4a 및 도 4b는, 제 1 기판(121)을 위한 제 1 운송 트랙, 및 제 2 기판(121)을 위한 제 2 운송 트랙을 도시한다. 제 1 롤러 어셈블리가 진공 챔버(110)의 하나의 측 상에 도시되고, 제 2 롤러 어셈블리가 진공 챔버의 다른 측 상에 도시된다. 도 4a 및 도 4b에서, 제 1 롤러 어셈블리 및 제 2 롤러 어셈블리의 각각의 롤러(424)가 도시된다. 롤러들은 축(425)을 중심으로 회전할 수 있고, 드라이브 시스템에 의해 드라이빙된다. 전형적으로, 복수의 롤러들이 하나의 모터에 의해 회전된다. 기판(121)은 캐리어(421)에서 지지된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 캐리어(421)는, 캐리어(421)의 하부 측에서, 롤러와 맞물릴 수 있는 로드(rod)를 갖는다. 따라서, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따르면, 제 1 기판을 위한 제 1 운송 트랙, 및 제 2 기판을 위한 제 2 운송 트랙이 제공된다. 2개의 추가적인 트랙들이, 예컨대 각각의 롤러 어셈블리들에 의해 제공된다. 도 4a 및 도 4b는, 진공 챔버(110)의 2개의 측들 상의 하나의 롤러(403)를 도시한다. 추가적인 트랙들은, 마스크 프레임(131)에서 지지될 수 있는 마스크(132)를 지지하도록 구성된다. 예시적인 실시예들에 따르면, 마스크 프레임(131)은, 마스크 프레임(131)의 하부 위치에서, 각각의 롤러 어셈블리의 롤러들(403)과 맞물리기 위한 로드(431)를 가질 수 있다.[0035] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱 시스템에서 사용하도록 적응된 캐리어는, 전극 어셈블리 및 지지 베이스를 포함한다. 전극 어셈블리는, 기판 캐리어에 기판을 고정시키기 위한 정전 척킹력(chucking force)을 생성하도록 구성된다. 또한 추가적인 부가적인 또는 대안적인 변형들에 따르면, 지지 베이스는, 그 내부에 형성된 가열/냉각 레저부아(reservoir)를 갖는다. 전극 어셈블리 및 지지 베이스는, 프로세싱 시스템 내에서의 운송에 대해 구성된 일체형(unitary) 바디를 형성한다. 캐리어는 프로세싱 시스템에서 공급 매체들에 연결가능할 수 있다. 퀵 디스커넥트(quick disconnect)가 바디에 커플링될 수 있고, 바디가 열 조절 매체의 소스로부터 디커플링되는 경우에, 가열 레저부아/냉각 레저부아에 열 조절 매체를 트랩핑(trap)하도록 구성될 수 있다. 퀵 디스커텍트는 척킹 전하를 인가하도록 커플링될 수 있다.[0036] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 롤러(403)로부터 롤러(424)로 마스크 프레임(131)을 이동시키기 위해, 진공 챔버(110)에 액추에이터 또는 로봇이 제공된다. 마스크 프레임, 그리고 따라서, 마스크가, 운송 트랙을 제공하는 롤러 어셈블리 상에 제공된다. 따라서, 마스크 프레임(131)은, 기판을 위해 롤러 어셈블리에 의해 제공되는 운송 트랙을 따라, 진공 챔버(110) 내로 그리고 진공 챔버 밖으로 이동될 수 있다.[0037] 도 4a에서, 좌측 상의 기판(121)이 유기 재료로 코팅된다. 이는, 유기 재료의 증기가 분배 파이프들(106)에서의 복수의 배출구 개구들 또는 노즐들로부터 가이딩되는 것을 예시하는 참조 번호(10)에 의해 표시된다. 진공 챔버(110)의 우측 상의 기판 및 캐리어는 도 4a에서 점선들로 도시된다. 점선들은, 기판이 진공 챔버(110) 내로 또는 밖으로의 운송 하에 있는 것, 또는 기판 및 마스크(132)가 서로에 대하여 현재 정렬된 것을 표시한다. 전형적으로, 유기 재료로 코팅될 기판의 운송, 및 마스크 정렬은, 좌측 상의 기판 상의 유기 재료의 증착이 완료되기 전에, 완료된다. 그에 의해, 증발 소스(100)는, 좌측 상의 기판을 위한 증착 포지션으로부터 우측 상의 기판을 위한 증착 포지션으로 즉시 회전할 수 있고, 이는, 도 4b에서 도시된다.[0038] 증발 소스(100)는, 액추에이터(108), 예컨대, 토크 모터, 전기 로터(rotor), 또는 공압식(pneumatic) 로터를 포함한다. 액추에이터(108)는, 예컨대 자성유체 피드-스루(ferrofluidic feed-through)와 같은 진공 회전 피드-스루(109)를 통해, 토크를 제공할 수 있다. 액추에이터(108)는, 적어도, 본질적으로 수직인 축을 중심으로 분배 파이프들(106)을 회전시키도록 구성된다. 증발 소스는, 예컨대, 액추에이터(108) 및 피드-스루(109)를 하우징할 수 있는 지지부(102)를 포함한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 소스(100)는 증발기 제어 하우징(402)을 더 포함한다. 증발기 제어 하우징(402)은, 대기 박스(atmospheric box), 즉, 진공 챔버(110)가 기술적인 진공으로 진공배기되는 경우에도, 내부에서 대기압(atmospheric pressure)을 유지하도록 구성된 박스일 수 있다. 예컨대, 스위치, 밸브, 제어기, 냉각 유닛, 및 냉각 제어 유닛으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 엘리먼트가 증발기 제어 하우징(402)에 제공될 수 있다. 지지부(102)는 추가로, 증발 도가니들(104) 및 분배 파이프들(106)을 지지한다.[0039] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 지지부(102)에는 선형 가이드(433)에 대한 맞물림이 제공된다. 증발 소스의 병진 이동은, 선형 가이드(433) 내에서 또는 상으로 지지부(102)를 이동시킴으로써 제공될 수 있다. 그에 의해, 액추에이터, 드라이브, 모터, 드라이브 벨트, 및/또는 드라이브 체인이 선형 가이드 또는 지지부(102)에 제공될 수 있다. 또한 추가적인 대안에 따르면, 액추에이터, 드라이브, 모터, 드라이브 벨트, 및/또는 드라이브 체인의 각각의 부분이 선형 가이드 및 지지부 양자 모두에 제공될 수 있다.[0040] 진공 챔버(110)에서의 좌측 상의 기판(121)이 코팅되는 코팅 포지션(도 4a 참조)으로부터, 진공 챔버(110)에서의 우측 상의 기판(121)이 유기 재료로 코팅되는 포지션(도 4b 참조)으로, 분배 파이프들이 회전된 후에, 증발 소스(100)는, 진공 챔버(110)에서의 우측 상의 기판(121)을 증착하기 위해, 선형 가이드(433)를 따르는 병진 이동에 의해 이동된다. 도 4b에서 좌측 상에 점선들에 의해 표시된 바와 같이, 유기 재료로 이전에 코팅된 제 1 기판은 이제, 진공 챔버(110) 밖으로 이동된다. 진공 챔버(110)에서의 프로세싱 구역에서 좌측 상에 새로운 기판이 제공되고, 마스크(132) 및 기판(121)이 서로에 대하여 정렬된다. 따라서, 우측 상의 기판(121)이 유기 재료의 층으로 코팅된 후에, 분배 파이프들(106)은, 다시, 좌측 상의 새로운 기판(121) 상에 유기 재료를 증착하기 위해, 액추에이터(108)에 의해 회전될 수 있다.[0041] 위에서 설명된 바와 같이, 본원에서 설명되는 실시예들은, 기판(121)의 하나의 치수를 따르는 라인 소스를 제공하는 적어도 하나의 분배 파이프의 병진 이동, 및 제 1 프로세싱 구역으로부터 제 2 프로세싱 구역으로의 적어도 하나의 분배 파이프의 회전을 포함하고, 여기에서, 제 1 프로세싱 구역 및 제 2 프로세싱 구역 각각은, 그 각각에서 지지되는 기판을 갖도록 구성된다. 예컨대, 프로세싱 구역들에서의 기판들은 캐리어에서 지지되고, 그러한 캐리어는 차례로, 기판 포지션의 정렬을 위해 액추에이터 및/또는 운송 트랙 상에 제공된다. 전형적으로, 라인 소스를 형성하는 적어도 하나의 분배 파이프(106)는 본질적으로 수직인 방향으로 연장되고, 즉, 라인 소스를 정의하는 라인은 본질적으로 수직인 방향으로 연장되고, 적어도 하나의 분배 파이프(106)의 회전의 축이 또한, 본질적으로 수직인 방향으로 연장된다. 적어도 하나의 분배 파이프(106)가 동작 동안에 회전되도록 구성된다. 예컨대 도 4a 및 도 4b에 대하여 볼 수 있는 바와 같이, 라인 소스를 형성하는 방향과 회전의 축의 방향은 평행할 수 있다.[0042] 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 소스는, 소스로의 기계적인 신호 및/또는 전력 전송(power transmission)을 포함할 수 있고, 예컨대, 슬라이딩 접촉부를 가질 수 있다. 예컨대, 선형 드라이브, 진공 회전 유닛, 및/또는 슬라이딩 접촉부의 조합이, 증발 소스로의 신호 및/또는 전력 전송을 위해 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또한 추가적인 실시예들에 따르면, 증발 소스는 유도성(inductive) 전력 전송 및/또는 유도성 신호 전송을 포함할 수 있다. 도 4a 및 도 4b는, 증발 소스(100)에서의, 예컨대 지지부(102)에서의 제 1 코일 배열(452), 및 진공 챔버(110)에서의 제 2 코일 배열(453)을 도시한다. 그에 의해, 전력 및/또는 제어 신호가, 진공 챔버(110) 내부로부터 증발 소스(100)로 유도성으로 전송될 수 있다. 예컨대, 코일 배열(453)은, 전력 및/또는 신호 전송이 병진 이동의 포지션과 무관하게 제공될 수 있도록, 진공 챔버에서 연장될 수 있다. 상이한 구현들에 따르면, 증발 도가니를 위한 전력, 즉 유기 재료를 증발시키기 위한 전력, 액추에이터(108)를 위한, 즉 분배 파이프의 회전을 위한 전력, 증발의 제어를 위한 제어 신호, 분배 파이프의 회전의 제어를 위한 제어 신호, 및 병진 이동을 위한 제어 신호 중 적어도 하나는, 코일 배열들의 조합에 의해 제공될 수 있다.[0043] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따르면, 증발 소스는, 적어도 하나의 증발 도가니, 및 적어도 하나의 분배 파이프, 예컨대 적어도 하나의 선형 증기 분배 샤워헤드를 포함한다. 그러나, 증발 소스는, 2개 또는 3개, 궁극적으로는 심지어 4개 또는 5개의 증발 도가니들 및 대응하는 분배 파이프들을 포함할 수 있다. 그에 의해, 상이한 유기 재료들이 기판 상에 하나의 유기 층을 형성하도록, 수개의 도가니들 중 적어도 2개에서 상이한 유기 재료들이 증발될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 증착 레이트가 증가될 수 있도록, 수개의 도가니들 중 적어도 2개에서 유사한 유기 재료들이 증발될 수 있다. 이는 특히, 유기 재료들이 종종, 비교적 작은 온도 범위(예컨대, 20 ℃ 또는 심지어 그 미만)에서만 증발될 수 있고, 따라서, 도가니에서의 온도를 증가시킴으로써 증발 레이트가 크게 증가될 수 없기 때문에, 합당하다.[0044] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 증발 소스들, 증착 장치들, 증발 소스들 및/또는 증착 장치들을 동작시키는 방법들, 및 증발 소스들 및/또는 증착 장치들을 제조하는 방법들은 수직 증착에 대해 구성되고, 즉, 기판은, 층 증착 동안에, 본질적으로 수직인 배향(예컨대, 수직 +- 10°)으로 지지된다. 추가로, 라인 소스, 병진 이동, 및 증발 방향의 회전, 특히, 본질적으로 수직인, 예컨대, 기판 배향 및/또는 라인 소스의 라인-연장의 방향에 대해 평행한 축을 중심으로 하는 회전의 조합은, 약 80 % 또는 그 초과의 높은 재료 활용을 허용한다. 이는, 다른 시스템들과 비교하여 적어도 30 %의 개선이다.[0045] 프로세스 챔버, 즉 내부에서의 층 증착을 위한 진공 챔버 내의 이동가능한 그리고 터닝 가능한 증발 소스는, 높은 재료 활용으로 연속적인 또는 거의 연속적인 코팅을 허용한다. 본원에서 설명되는 실시예들은, 2개의 기판들을 교번하여 코팅하기 위한 180° 터닝 메커니즘을 이용하는 스캐닝 소스 접근법을 사용함으로써, 높은 재료 활용(적어도 50 % 또는 그 초과) 및 높은 증발 소스 효율(003e# 85 %)을 허용한다. 그에 의해, 소스 효율은, 코팅될 기판의 전체 영역의 균일한 코팅을 허용하기 위해, 증기 빔들이 대면적 기판들의 사이즈에 걸쳐 연장되는 사실로 인해 발생하는 재료 손실들을 고려한다. 재료 활용은 부가적으로, 증발 소스의 유휴 시간들, 즉, 증발 소스가 증발된 재료를 기판 상에 증착할 수 없는 시간들 동안에 발생하는 손실들을 고려한다.[0046] 또한 추가로, 본원에서 설명되는 그리고 수직 기판 배향에 관련된 실시예들은, 증착 장치들, 그리고 구체적으로는, 기판 상에 유기 재료의 수개의 층들을 코팅하기 위한 수개의 증착 장치들을 포함하는 증착 시스템들의 작은 풋프린트(footprint)를 허용한다. 본원에서 설명되는 장치들이, 대면적 캐리어들에서의 복수의 기판들의 프로세싱, 또는 대면적 기판 프로세싱에 대해 구성되는 것이 고려될 수 있다. 수직 배향은 추가로, 현재의 그리고 장래의 기판 사이즈 세대들, 즉 현재의 그리고 장래의 유리 사이즈들에 대한 우수한 확장성(scalability)을 허용한다.[0047] 도 5a 및 도 5b는, 증착 장치(500)의 또한 추가적인 실시예를 도시한다. 도 5a는, 증착 장치(500)의 개략적인 상면도를 도시한다. 도 5b는, 증착 장치(500)의 개략적인 측단면도를 도시한다. 증착 장치(500)는 진공 챔버(110)를 포함한다. 예컨대 게이트 밸브와 같은 밸브(205)는 인접한 진공 챔버에 대한 진공 밀봉을 허용한다. 밸브는, 진공 챔버(110) 내로의 또는 진공 챔버(110) 밖으로의 기판(121) 또는 마스크(132)의 운송을 위해 개방될 수 있다. 2개 또는 그 초과의 증발 소스들(100)이 진공 챔버(110)에 제공된다. 도 5a에서 도시된 예는 7개의 증발 소스들을 도시한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따르면, 2개의 증발 소스들, 3개의 증발 소스들, 또는 4개의 증발 소스들이 유익하게 제공될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따라 또한 제공될 수 있는 더 많은 수의 증발 소스들과 비교하여, 제한된 수의(예컨대, 2개 내지 4개의) 증발 소스들의 유지보수의 로지스틱(logistic)이 더 용이할 수 있다. 따라서, 소유 비용은 그러한 시스템들에 대해 더 우수할 수 있다.[0048] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 그리고 예컨대 도 5a에서 도시된 바와 같이, 루프형(looped) 트랙(530)이 제공될 수 있다. 루프형 트랙(530)은 직진(straight) 부분들(534) 및 휘어진(curved) 부분들(533)을 포함할 수 있다. 루프형 트랙(530)은, 증발 소스들의 병진 이동, 및 증발 소스들의 회전을 제공한다. 위에서 설명된 바와 같이, 증발 소스들은 전형적으로, 라인 소스들, 예컨대 선형 증기 분배 샤워헤드들일 수 있다.[0049] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 루프형 트랙은, 루프형 트랙을 따라 하나 또는 그 초과의 증발 소스들을 이동시키기 위해, 레일 또는 레일 배열, 롤러 배열, 또는 자기 가이드를 포함한다.[0050] 루프형 트랙(530)에 기초하여, 소스들의 트레인이, 전형적으로 마스크(132)에 의해 마스킹되는 기판(121)을 따르는 병진 이동에 의해 이동할 수 있다. 루프형 트랙(530)의 휘어진 부분(533)은 증발 소스(100)의 회전을 제공한다. 추가로, 휘어진 부분(533)은, 제 2 기판(121) 앞에 증발 소스를 포지셔닝하는 것을 제공할 수 있다. 루프형 트랙(530)의 추가적인 직진 부분(534)은, 추가적인 기판(121)을 따르는 추가적인 병진 이동을 제공한다. 위에서 언급된 바와 같이, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 기판들(121) 및 마스크들(132)은, 증착 동안에, 본질적으로 정지된 채로 유지된다. 예컨대, 라인의 본질적으로 수직인 배향을 갖는 라인 소스들과 같은 라인 소스들을 제공하는 증발 소스들이, 정지된 기판들을 따라 이동된다.[0051] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 진공 챔버(110)에서 도시된 기판(121)은, 롤러들(403 및 424)을 갖는 기판 지지부에 의해, 그리고 추가로, 정렬 유닛들(112)에 연결된 기판 지지부(126)에 의해, 정지된 증착 포지션에서 지지될 수 있다. 정렬 유닛(112)은 마스크(132)에 대하여 기판(121)의 포지션을 조정할 수 있다. 따라서, 기판은, 유기 재료의 증착 동안에 기판과 마스크 사이의 적절한 정렬을 제공하기 위해, 마스크(132)에 관하여 이동될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 추가적인 실시예에 따르면, 대안적으로 또는 부가적으로, 마스크(132), 및/또는 마스크(132)를 홀딩하는 마스크 프레임(131)은 정렬 유닛(112)에 연결될 수 있다. 마스크가 기판(121)에 관하여 포지셔닝될 수 있거나, 또는 마스크(132) 및 기판(121) 양자 모두가 서로에 관하여 포지셔닝될 수 있다.[0052] 도 5a 및 도 5b에서 도시된 실시예는, 진공 챔버(110)에 제공된 2개의 기판들(121)을 도시한다. 그러나, 특히, 진공 챔버에 증발 소스들(100)의 트레인을 포함하는 실시예들에 대해, 적어도 3개의 기판들 또는 적어도 4개의 기판들이 제공될 수 있다. 그에 의해, 기판의 교환을 위한, 즉, 진공 챔버 내로의 새로운 기판의 그리고 진공 챔버 밖으로의 프로세싱된 기판의 운송을 위한 충분한 시간이, 더 많은 수의 증발 소스들, 그리고 따라서, 더 높은 처리량을 갖는 증착 장치(500)에 대해서도, 제공될 수 있다.[0053] 도 5a 및 도 5b는, 제 1 기판(121)을 위한 제 1 운송 트랙, 및 제 2 기판(121)을 위한 제 2 운송 트랙을 도시한다. 제 1 롤러 어셈블리가 진공 챔버(110)의 하나의 측 상에 도시된다. 제 1 롤러 어셈블리는 롤러들(424)을 포함한다. 추가로, 운송 시스템은 자기 가이딩 엘리먼트(524)를 포함한다. 유사하게, 롤러들 및 자기 가이딩 엘리먼트를 갖는 제 2 운송 시스템이 진공 챔버의 대향하는 측 상에 제공된다. 운송 시스템은, 예컨대, 도 4a 및 도 4b에 대하여 설명된 바와 같이 동작될 수 있다. 캐리어들(421)의 상부 부분들은 자기 가이딩 엘리먼트들(524)에 의해 가이딩된다. 유사하게, 몇몇 실시예들에 따르면, 마스크 프레임들(131)이 롤러들(403) 및 자기 가이딩 엘리먼트들(503)에 의해 지지될 수 있다.[0054] 도 5b는, 루프형 트랙(530)의 각각의 직진 부분(534) 상에 제공된 2개의 지지부들(102)을 예시적으로 도시한다. 증발 도가니들(104) 및 분배 파이프들(106)은 각각의 지지부들(102)에 의해 지지된다. 도 5b는, 지지부(102)에 의해 지지된 2개의 분배 파이프들(106)을 예시한다. 지지부들(102)은, 루프형 트랙의 직진 부분들(534) 상에서 가이딩되는 것으로 도시된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 액추에이터, 드라이브, 모터, 드라이브 벨트, 및/또는 드라이브 체인이, 루프형 트랙을 따라, 즉, 루프형 트랙의 직진 부분들(534)을 따라, 그리고 루프형 트랙의 휘어진 부분(533)(도 5a 참조)을 따라, 지지부(102)를 이동시키기 위해 제공될 수 있다.[0055] 도 6은, 제 1 증착 장치(200) 및 제 2 증착 장치(200)를 갖는 증착 시스템(600)의 실시예를 도시한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 이송 챔버들이 제공된다. 도 6은, 제 1 이송 챔버(610) 및 제 2 이송 챔버(611)를 예시적으로 도시한다. 추가로, 이송 챔버들(609 및 612)의 부분들이 도시된다. 도 6에서 도시된 바와 같이, 게이트 밸브(605)가 이송 챔버(609)와 이송 챔버(610) 사이에 제공된다. 게이트 밸브(605)는, 이송 챔버(609)와 이송 챔버(610) 사이에 진공 밀봉을 제공하기 위해, 폐쇄 또는 개방될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 게이트 밸브들이 2개의 인접한 이송 챔버들 사이에 제공될 수 있다. 게이트 밸브(605)의 존재는, 증착 시스템(600)의 애플리케이션에 따라, 즉, 기판 상에 증착되는 유기 재료의 층들의 종류, 수, 및/또는 시퀀스에 따라 좌우된다. 따라서, 하나 또는 그 초과의 게이트 밸브(605)가 이송 챔버들 사이에 제공될 수 있다. 대안적으로, 이송 챔버들 중 어떠한 이송 챔버들 사이에도 게이트 밸브가 제공되지 않는다.[0056] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 이송 챔버들 중 하나 또는 그 초과는 진공 회전 챔버로서 제공될 수 있다. 그 내부에서, 기판(121)은, 중심 축, 예컨대 수직 중심 축을 중심으로 회전될 수 있다. 그에 의해, 운송 트랙들(621)의 배향이 변화될 수 있다. 이송 챔버(611)에서 예시된 바와 같이, 2개의 기판들(121)이 회전된다. 기판(121)이 위에 위치된 2개의 운송 트랙들(621R)이, 증착 장치(200)의 운송 트랙들(621)로부터 연장되는 2개의 운송 트랙들(621)에 대하여 회전된다. 이를 고려하면, 운송 트랙들(621R) 상의 2개의 기판들(121)은, 각각, 인접한 이송 챔버(610 또는 612)로 이송되기 위한 포지션으로 제공된다.[0057] 제 1 증착 장치(200)는 밸브(205)에 의해 제 1 이송 챔버(610)에 연결된다. 도 6에서 도시된 바와 같이, 그리고 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 운송 트랙들(621)은 진공 챔버(110)로부터 이송 챔버(610) 내로 연장된다. 그에 의해, 기판들(121) 중 하나 또는 그 초과가 진공 챔버(110)로부터 이송 챔버(610)로 이송될 수 있다. 그에 의해, 밸브(205)는 전형적으로, 하나 또는 그 초과의 기판들의 운송을 위해 개방된다. 추가적인 증착 장치(200)가 추가적인 밸브(205)에 의해 제 2 이송 챔버(611)에 연결된다. 따라서, 기판은, 하나의 증착 장치로부터 이송 챔버로, 이송 챔버로부터 추가적인 이송 챔버로, 그리고 추가적인 이송 챔버로부터 추가적인 증착 장치로 이송될 수 있다. 그에 의해, 유기 재료의 수개의 층들은, 대기(atmosphere), 및 비-진공 조건들, 및/또는 원하지 않는 환경에 기판을 노출시키지 않으면서, 기판 상에 증착될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따르면, 이송 챔버들은, 예컨대, 진공 조건 및/또는 요구되는 환경 하에서 하나 또는 그 초과의 기판들을 이송하도록 구성된 진공 이송 챔버들이다.[0058] 도 6에서 도시된 증착 장치(200)는 도 3에 대하여 설명된 증착 장치와 유사하거나 또는 비슷하다. 본원에서 포지션 장치들에 대해 설명되는 양상들, 세부사항들, 및 피처들이 또한, 도 6에서 예시적으로 도시된 바와 같은 증착 시스템(600)에 대해 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 소스(100')가 증착 장치(200)에 제공될 수 있다. 증발 소스(100')는, 기판(121) 상으로 유기 재료를 가이딩하도록 구성된 4개의 분배 파이프들을 포함한다. 그에 의해, 상이한 유기 재료들이 기판 상에 하나의 유기 층을 형성하도록, 4개의 도가니들 중 적어도 2개에서 상이한 유기 재료들이 증발될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 증착 레이트가 증가될 수 있도록, 4개의 도가니들 중 적어도 2개에서 유사한 유기 재료들이 증발될 수 있다. 4개의 증발 도가니들에서 증발된 각각의 재료들은, 도 6에서 도시된 4개의 분배 파이프들 중 각각의 분배 파이프에 의해, 기판(121)을 향하여 가이딩된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또한 추가적인 실시예들에 따르면, 예컨대, 도 2 및 도 3에 대하여 도시된 바와 같은 측면 실드들은, 몇몇 실시예들에 따라, 생략될 수 있다. 이는, 증발 소스(100')에 대해 예시적으로 도시된다.[0059] 위에서 설명된 바와 같이, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 기판(121)은 제 1 방향을 따라 진공 챔버(110) 밖으로 이동될 수 있다. 기판(121)은, 본질적으로 직진하는 경로를 따라, 인접한 진공 챔버, 예컨대 이송 챔버 내로 이동된다. 이송 챔버에서, 기판은, 기판이 제 1 방향과 상이한 제 2 방향으로 제 2 직진 경로를 따라 이동될 수 있도록, 회전될 수 있다. 전형적인 실시예들에 따르면, 제 2 방향은 제 1 방향에 대해 실질적으로 수직이다. 이는, 증착 시스템의 용이한 설계를 허용한다. 진공 챔버(110) 내로의 기판의 로딩(loading)에 대해, 기판은 제 2 방향을 따라 이송 챔버 내로 이동될 수 있고, 그 이송 챔버에서 회전될 수 있다. 그 후에, 기판은, 제 2 방향과 상이한 제 1 방향을 따라 진공 챔버(110) 내로 이동될 수 있다.[0060] 도 7a 내지 도 7c는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 활용될 수 있는, 증발 소스의 부분들을 도시한다. 증발 소스는, 도 7a에서 도시된 바와 같이, 분배 파이프(106) 및 증발 도가니(104)를 포함할 수 있다. 그에 의해, 예컨대, 그러한 분배 파이프는, 가열 유닛(715)을 갖는 세장형 큐브(cube)일 수 있다. 증발 도가니는, 가열 유닛(725)에 의해 증발될 유기 재료를 위한 레저부아일 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따르면, 분배 파이프(106)는 라인 소스를 제공한다. 예컨대, 복수의 개구들 및/또는 노즐들이 적어도 하나의 라인을 따라 배열된다. 대안적인 실시예에 따르면, 적어도 하나의 라인을 따라 연장되는 하나의 세장형 개구가 제공될 수 있다. 예컨대, 세장형 개구는 슬릿(slit)일 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 라인은 본질적으로 수직으로 연장된다. 예컨대, 분배 파이프(106)의 길이는, 적어도, 증착 장치에서 증착될 기판의 높이에 대응한다. 다수의 경우들에서, 분배 파이프(106)의 길이는, 증착될 기판의 높이보다, 적어도 10 % 또는 심지어 20 %만큼 더 길 것이다. 그에 의해, 기판의 상부 단부 및/또는 기판의 하부 단부에서의 균일한 증착이 제공될 수 있다.[0061] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 분배 파이프의 길이는, 1.3 m 또는 그 초과, 예컨대 2.5 m 또는 그 초과일 수 있다. 하나의 구성에 따르면, 도 7a에서 도시된 바와 같이, 증발 도가니(104)는 분배 파이프(106)의 하부 단부에 제공된다. 유기 재료가 증발 도가니(104)에서 증발된다. 유기 재료의 증기는, 분배 파이프의 바닥에서 분배 파이프(106)에 진입하고, 분배 파이프에서의 복수의 개구들을 통해, 예컨대, 본질적으로 수직인 기판을 향하여, 본질적으로 측방향으로 가이딩된다. 예시적인 목적들을 위해, 도 7a에서, 그러한 증발 도가니(104) 및 분배 파이프(106)는 열 실드들이 없이 도시된다. 도 7a에서 도시된 개략적인 투시도에서, 가열 유닛(715) 및 가열 유닛(725)을 볼 수 있다.[0062] 도 7b는, 분배 파이프(106)가 증발 도가니(104)에 연결되는, 증발 소스의 부분의 확대된 개략도를 도시한다. 분배 파이프(106)와 증발 도가니(104) 사이에 연결을 제공하도록 구성된 플랜지(flange) 유닛(703)이 제공된다. 예컨대, 증발 도가니 및 분배 파이프는, 분리 및 연결될 수 있거나, 또는 예컨대 증발 소스의 동작을 위해 플랜지 유닛에서 어셈블링될 수 있는 별개의 유닛들로서 제공된다.[0063] 분배 파이프(106)는 내측 홀로우 공간(710)을 갖는다. 가열 유닛(715)이 분배 파이프를 가열하기 위해 제공된다. 따라서, 분배 파이프(106)는, 증발 도가니(104)에 의해 제공되는 유기 재료의 증기가 분배 파이프(106)의 벽의 내측 부분에 응축되지 않도록, 온도로 가열될 수 있다. 실드(717)가 분배 파이프(106)의 튜브 주위에 제공된다. 실드는, 가열 유닛(715)에 의해 제공된 열 에너지를 홀로우 공간(710)을 향하여 되돌려 반사하도록 구성된다. 분배 파이프를 가열하기 위해 요구되는 에너지, 즉, 가열 유닛(715)에 제공되는 에너지는, 실드(717)가 열 손실들을 감소시키기 때문에, 감소될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 실드(717)는 하나의 열 실드 층을 포함할 수 있다. 대안적으로, 2개 또는 그 초과의 열 실드 층들이 열 실드(717) 내에 제공될 수 있다.[0064] 전형적으로, 도 7b에서 도시된 바와 같이, 열 실드(717)는, 분배 파이프(106)에서의 개구(712)의 포지션들에서 개구들을 포함한다. 도 7b에서 도시된 증발 소스의 확대도는 4개의 개구들(712)을 도시한다. 개구들(712)은, 분배 파이프(106)의 축에 대해 본질적으로 평행한 라인을 따라 제공된다. 본원에서 설명되는 바와 같이, 분배 파이프(106)는, 예컨대 복수의 개구들이 내부에 배치된 선형 분배 샤워헤드로서 제공될 수 있다. 본원에서 이해되는 바와 같은 샤워헤드는, 예컨대 증발 도가니로부터 재료가 제공 또는 가이딩될 수 있는, 인클로저, 홀로우 공간, 또는 파이프를 갖는다. 샤워헤드는, 샤워헤드 내의 압력이 샤워헤드 외부보다 더 높도록, 복수의 개구들(또는 세장형 슬릿)을 가질 수 있다. 예컨대, 샤워헤드 내의 압력은, 샤워헤드 외부보다 적어도 하나의 자릿수만큼 더 높을 수 있다.[0065] 동작 동안에, 분배 파이프(106)는 플랜지 유닛(703)에서 증발 도가니(104)에 연결된다. 증발 도가니(104)는 증발될 유기 재료를 수용하고, 유기 재료를 증발시키도록 구성된다. 도 7b는, 증발 도가니(104)의 하우징에 걸친 단면을 도시한다. 예컨대 증발 도가니의 상부 부분에 리필 개구가 제공되고, 그러한 리필 개구는, 증발 도가니(104)의 인클로저를 폐쇄시키기 위해, 플러그(722), 덮개, 커버 등을 사용하여 폐쇄될 수 있다.[0066] 외측 가열 유닛(725)이 증발 도가니(104)의 인클로저 내에 제공된다. 외측 가열 엘리먼트는, 적어도, 증발 도가니(104)의 벽의 부분을 따라 연장될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 중심 가열 엘리먼트들(726)이 부가적으로 또는 대안적으로 제공될 수 있다. 도 7b는, 2개의 중심 가열 엘리먼트들(726)을 도시한다. 중심 가열 엘리먼트들(726)은, 중심 가열 엘리먼트들에 전기 전력을 제공하기 위해, 전도체들(729)을 포함할 수 있다. 몇몇 구현들에 따르면, 증발 도가니(104)는 실드(727)를 더 포함할 수 있다. 실드(727)는, 외측 가열 유닛(725), 그리고 존재하는 경우에, 중심 가열 엘리먼트들(726)에 의해 제공되는 열 에너지를 증발 도가니(104)의 인클로저 내로 되돌려 반사하도록 구성될 수 있다. 그에 의해, 증발 도가니(104) 내에서의 유기 재료의 효율적인 가열이 제공될 수 있다.[0067] 본원에서 설명된 몇몇 실시예들에 따르면, 실드(717) 및 실드(727)와 같은 열 실드들이 증발 소스를 위해 제공될 수 있다. 열 실드들은 증발 소스의 에너지 손실들을 감소시킬 수 있다. 그에 의해, 에너지 소비가 감소될 수 있다. 그러나, 특히 유기 재료들의 증착에 대한 추가적인 양상으로서, 증발 소스로부터 유래하는 열 복사, 특히, 증착 동안의 기판 및 마스크를 향하는 열 복사가 감소될 수 있다. 특히, 마스킹된 기판들 상의 유기 재료들의 증착에 대해, 그리고 한층 더, 디스플레이 제조에 대해, 기판 및 마스크의 온도는 정밀하게 제어될 필요가 있다. 따라서, 증발 소스로부터 유래하는 열 복사가 감소 또는 방지될 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들은 실드(717) 및 실드(727)와 같은 열 실드들을 포함한다.[0068] 이러한 실드들은, 증발 소스 외부로의 열 복사를 감소시키기 위해, 수개의 실딩 층들을 포함할 수 있다. 추가적인 선택으로서, 열 실드들은, 공기, 질소, 물, 또는 다른 적절한 냉각 유체들과 같은 유체에 의해 활동적으로 냉각되는 실딩 층들을 포함할 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또한 추가적인 실시예들에 따르면, 증발 소스를 위해 제공되는 하나 또는 그 초과의 열 실드들은, 분배 파이프(106) 및/또는 증발 도가니(104)와 같은, 증발 소스들의 각각의 부분들을 둘러싸는 시트 금속들을 포함할 수 있다. 예컨대, 시트 금속들은, 0.1 mm 내지 3 mm의 두께들을 가질 수 있고, 철 금속(ferrous metal)들(SS) 및 비-철 금속들(Cu, Ti, Al)로 구성된 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 재료로부터 선택될 수 있고, 그리고/또는 예컨대 0.1 mm 또는 그 초과의 갭만큼 서로에 대하여 이격될 수 있다.[0069] 몇몇 실시예들에 따르면, 도 7a 및 도 7b에 대하여 예시적으로 도시된 바와 같이, 증발 도가니(104)는 분배 파이프(106)의 하부 측에 제공된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또한 추가적인 실시예들에 따르면, 증기 도관(732)이, 분배 파이프의 중심 부분에서, 또는 분배 파이프의 상부 단부와 분배 파이프의 하부 단부 사이의 다른 포지션에서, 분배 파이프(106)에 제공될 수 있다. 도 7c는, 분배 파이프(106), 및 분배 파이프의 중심 부분에 제공된 증기 도관(732)을 갖는 증발 소스의 예를 예시한다. 유기 재료의 증기는 증발 도가니(104)에서 생성되고, 증기 도관(732)을 통해, 분배 파이프들(106)의 중심 부분으로 가이딩된다. 증기는 복수의 개구들(712)을 통해 분배 파이프(106)에서 빠져나간다. 분배 파이프(106)는, 본원에서 설명되는 다른 실시예들에 대하여 설명되는 바와 같이, 지지부(102)에 의해 지지된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또한 추가적인 실시예들에 따르면, 2개 또는 그 초과의 증기 도관들(732)이, 분배 파이프(106)의 길이를 따라, 상이한 포지션들에 제공될 수 있다. 증기 도관들(732)은, 하나의 증발 도가니(104)에 연결될 수 있거나, 또는 수개의 증발 도가니들(104)에 연결될 수 있다. 예컨대, 각각의 증기 도관(732)은 대응하는 증발 도가니(104)를 가질 수 있다. 대안적으로, 증발 도가니(104)는, 분배 파이프(106)에 연결된 2개 또는 그 초과의 증기 도관들(732)과 유체 연통할 수 있다.[0070] 본원에서 설명되는 바와 같이, 분배 파이프는 홀로우 실린더일 수 있다. 실린더라는 용어는, 원형 바닥 형상, 및 원형 상부 형상, 및 상부 원과 작은 하부 원을 연결하는 휘어진 표면 영역 또는 셸(shell)을 갖는 것으로 통상적으로 수용되는 것으로 이해될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 추가적인 실시예들에 따르면, 실린더라는 용어는 추가로, 수학적인 의미에서, 임의의 바닥 형상, 및 동일한 상부 형상, 및 상부 형상과 하부 형상을 연결하는 휘어진 표면 영역 또는 셸을 갖는 것으로 이해될 수 있다. 따라서, 실린더는 반드시 원형 단면을 가질 필요는 없다. 대신에, 베이스 표면 및 상부 표면은 원과 상이한 형상을 가질 수 있다.[0071] 도 5a 및 도 5b에 대하여 설명된 바와 같이, 증발 소스들의 트레인을 갖는 실시예들, 및/또는 증발 소스들의 병진 및 회전 이동을 위한 루프형 트랙을 갖는 실시예들은, 진공 챔버에 제공되는 2개 초과의 기판들을 갖는 것으로부터 이익을 얻을 수 있다. 진공 챔버(110) 내에 2개 초과의 기판들을 제공하는 상이한 실시예들이 도 8a, 도 8b, 및 도 9에서 예시된다. 예컨대 도 8a에서 도시된 바와 같이, 진공 챔버(110)는 4개의 포지션들 또는 프로세싱 구역들을 포함할 수 있고, 그러한 4개의 포지션들 또는 프로세싱 구역들에서, 기판(121)이 프로세싱될 수 있고, 예컨대, 그러한 4개의 포지션들 또는 프로세싱 구역들에서, 유기 재료가 기판(121) 상에 증착될 수 있다. 그에 의해, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 특히, 복수의 증발 소스들이 제공되는 증착 장치(500)에 대해, 처리량을 증가시키기 위해 기판들의 교환이 가속될 수 있다. 도 8a에서 도시된 증착 장치(500)는 2개의 이송 챔버들(810)을 포함한다. 이송 챔버들 각각은 진공 챔버(110) 근처에 제공된다. 예컨대, 이송 챔버들(810)은 밸브(205)를 통해 진공 챔버(110)에 연결될 수 있다. 본원에서 도시된 다른 실시예들에 대하여 설명되는 바와 같이, 도 8a에서 도시된 2개의 이송 챔버들(810) 대신에 하나의 이송 챔버가 제공될 수 있다.[0072] 운송 트랙(621)이 이송 챔버들(810)에 제공된다. 운송 트랙(621)은 진공 챔버(110) 내로 연장된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 운송 트랙은, 롤러들의 배열, 자기 가이딩 엘리먼트들의 배열, 및/또는 기판, 및/또는 기판을 갖는 캐리어의 본질적으로 선형인 이동에 대해 구성된 다른 운송 엘리먼트들에 의해 정의될 수 있고, 여기에서, 기판은 전형적으로, 본질적으로 수직으로 배향된다. 도 8a에서 도시된 바와 같이, 예컨대, 기판이 내부에 배치된 캐리어(421)를 지지함으로써, 기판들을 지지하는 기판 지지부들(126)이 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 기판들(121)은, 운송 트랙(621)으로부터 자연히 오프셋(offset)된 프로세싱 포지션에 제공될 수 있다. 예컨대, 기판들(121)은, 기판을 프로세싱 포지션 내로 또는 밖으로 포지셔닝하기 위해, 운송 트랙(621)의 방향에 대해 본질적으로 수직인 방향으로 이동될 수 있다.[0073] 4개의 기판들(121)이 진공 챔버(110)에 제공되고, 여기에서, 2개의 기판들이 운송 트랙(621)의 방향에 대해 본질적으로 평행한 라인을 따라 포지셔닝될 수 있다. 따라서, 2개의 기판들은 제 1 라인을 따라 포지셔닝되고, 2개의 기판들은 제 2 라인을 따라 포지셔닝된다. 복수의 증발 소스들(100)을 이동시키기 위한 루프형 트랙(530)이 제 1 라인과 제 2 라인 사이에 제공된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 루프형 트랙은 2개의 직진 부분들 및 2개의 휘어진 부분들을 포함할 수 있다. 2개의 직진 부분들은, 제 1 라인에 대해 본질적으로 평행할 수 있고, 그리고/또는 기판들(121)에 대해 본질적으로 평행할 수 있다. 증발 소스들(100)은, 예컨대 선형 분배 샤워헤드에 의한 기판 상의 유기 재료의 포지션을 위한 병진 이동을 제공하기 위해, 루프형 트랙(530)의 직진 부분들을 따라 이동될 수 있다. 증발 소스들(100)은, 루프형 트랙의 휘어진 부분들을 따르는 증발 소스들의 이동에 의해 회전된다. 그에 의해, 증발 소스들의 분배 파이프들에 의해 유기 재료의 증기가 가이딩되는 방향이, 예컨대 180°만큼 회전된다. 따라서, 증발 소스의 분배 파이프는 적어도 160°만큼 회전가능하다.[0074] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 예컨대 마스크 프레임(131)에 의해 지지될 수 있는 마스크(132)가, 각각, 기판 포지션들에 의해 정의된 제 1 라인과 루프형 트랙(530) 사이에, 또는 추가적인 기판 포지션들에 의해 정의된 제 2 라인과 루프형 트랙(530) 사이에 제공된다. 루프형 트랙(530)은, 마스크들(132)에 의해 마스킹된 기판들을 따르는 복수의 증발 소스들(100)의 병진 이동을 허용한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 2개 또는 그 초과의 증발 소스들(100)이 루프형 트랙(530) 상에 제공된다. 예컨대, 도 8a는, 루프형 트랙(530) 상에 제공된 8개의 증발 소스들(100)을 도시한다. 2개 또는 그 초과의 증발 소스들이 차례로 병진 이동에 의해 기판들에 걸쳐 운송될 수 있다. 그에 의해, 예컨대, 증발 소스들(100) 각각이 유기 재료의 하나의 층을 증착할 수 있다. 따라서, 유기 재료의 수개의 상이한 층들이, 프로세싱 포지션에 제공되는 기판 상에 증착될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 소스들(100) 중 2개 또는 그 초과, 또는 심지어 증발 소스들 각각이, 기판 상에 상이한 유기 재료의 상이한 층을 증착할 수 있다.[0075] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또한 추가적인 실시예들에 따르면, 유지보수 진공 챔버(210)가 제공될 수 있다. 예컨대, 유지보수 진공 챔버(210)는 밸브(207)에 의해 진공 챔버(110)로부터 분리될 수 있다. 밸브(207)는, 유지보수 진공 챔버(210)와 진공 챔버(110) 사이의 진공 밀봉을 개방 및 폐쇄시키도록 구성된다. 증발 소스(100)는 유지보수 진공 챔버(210)로 이송될 수 있다. 그 후에, 밸브는, 유지보수 진공 챔버(210)와 진공 챔버(110) 사이에 진공 밀봉을 제공하기 위해 폐쇄될 수 있다. 따라서, 유지보수 진공 챔버는, 진공 챔버(110)의 진공을 파괴시키지 않으면서, 벤팅되고 개방될 수 있다.[0076] 예컨대 추가적인 루프형 트랙과 같은 추가적인 트랙(820)이 유지보수 진공 챔버(210)에 제공된다. 도 8a에서 예시적으로 도시된 바와 같이, 추가적인 트랙(820)의 휘어진 부분은 루프형 트랙(530)의 휘어진 부분과 오버래핑(overlap)할 수 있다. 이는, 루프형 트랙(530)으로부터 추가적인 트랙(820)으로의 증발 소스(100)의 이송을 허용한다. 따라서, 증발 소스들은, 루프형 트랙(530)으로부터 추가적인 트랙들(820)로, 그리고 그 역으로 이동될 수 있다. 이는, 증발 소스들의 유지보수를 위해 유지보수 진공 챔버(210) 내로 증발 소스들을 이동시키는 것, 그리고 유지보수된 증발 소스들을 유지보수 진공 챔버(210)로부터 진공 챔버(110) 내로 이동시키는 것을 허용한다. 유지보수된 증발 소스들은, 진공 챔버(110)에서 기판 상에 유기 재료를 증발시킬 수 있다.[0077] 도 8a에서 도시되지는 않았지만, 기판과 마스크의 서로에 대한 정렬을 위한 하나 또는 그 초과의 정렬 유닛들이, 도 8a에서 도시된 바와 같은 증착 장치(500)에 제공될 수 있다. 도 8a는, 2개의 기판들의 프로세싱 포지션에 의해 정의된 제 1 라인과, 2개의 추가적인 기판들의 프로세싱 포지션에 의해 정의된 제 2 라인 사이에 루프형 트랙(530)이 제공되는 실시예를 도시한다.[0078] 루프형 트랙(530)의 대안적인 배열이 도 8b에서 도시된다. 루프형 트랙(530)은, 기판들의 프로세싱 포지션들에 의해 정의된 라인을 따라 배열된 적어도 하나의 기판, 전형적으로 2개 또는 그 초과의 기판들을 둘러싼다. 상기된 바를 고려하면, 하나의 선택(도 8a 참조)에 따르면, 적어도 2개의 기판들은, 유기 재료가 위에 증착되는 이들의 각각의 표면들이 서로를 향하도록 배향될 수 있다. 다른 선택(도 8b 참조)에 따르면, 진공 챔버(110)에서의 기판들, 및 유기 재료가 위에 증착되는 이들의 각각의 표면들은, 동일한 방향으로 배향된다. 도 8a 및 도 8b에서 도시된 증착 장치들(500)이, 4개의 기판들(121)을 하우징하도록 구성된 진공 챔버들(110)을 예시하지만, 2개의 기판들(121)을 하우징하도록 구성된 각각의 변형들이 또한, 진공 챔버들에 대해 제공될 수 있다. 예컨대, 유지보수 진공 챔버(210), 추가적인 트랙(820), 운송 트랙(621), 이송 챔버들(810) 등에 관련된 추가적인 세부사항들, 양상들, 및 피처들이, 도 8a에서 도시된 실시예에 대하여 설명된 바와 유사한 방식으로, 도 8b에서 도시된 실시예에서 구현될 수 있다.[0079] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 증착 장치는, 2개 또는 그 초과의 기판들, 즉 기판 프로세싱 구역들을 갖는 챔버를 포함한다. 하나의 기판이 프로세싱되고 있는 동안에, 다른 기판이 챔버 내로 또는 챔버 밖으로 이동된다. 따라서, 하나의 기판이 하나의 기판 프로세싱 구역에서 프로세싱될 수 있다. 추가로, 제 2 기판 프로세싱 구역에 위치된 기판이 제거될 수 있고, 새로운 기판이 제 2 기판 프로세싱 구역 내로 이동될 수 있다.[0080] 본원에서 설명되는 바와 같이, 하나 또는 그 초과의 증발 소스들은, 병진 이동에 의해, 정지된 기판을 스캐닝하는 하나 또는 그 초과의 라인 소스들로서 제공될 수 있다. 특히, 소스 트레인 및/또는 루프형 트랙을 갖는 실시예들에 대해, 적어도 하나의 라인 소스가 각각의 유기 층에 대해 제공될 수 있다. 예컨대, 디스플레이가 제조되고 있는 경우에, 라인 소스는, 방출 층, 홀 운송 층, 홀 주입 층 등에 대해 제공될 수 있다.[0081] 도 9는, 증착 장치(500)의 또한 추가적인 실시예를 예시한다. 증착 장치(500)는, 본원에서 설명되는 다른 실시예들에 대하여 이전에 설명된 바와 같이, 이송 챔버들(810), 밸브들(205), 유지보수 진공 챔버(210), 및 추가적인 트랙(820)을 포함한다. 도 9에서 도시된 실시예가, 기판들 상에 유기 재료를 증착하기 위한 진공 챔버 내로의 기판(121)의 한층 더 우수한 교환을 보조하기 위해, 4개의 이송 챔버들(810)을 포함하지만, 유사하게, 운송 트랙들이 이송 챔버들(810)에 제공된다. 운송 트랙들은, 진공 회전 컴파트먼트들 내로의, 그리고 진공 회전 컴파트먼트들 밖으로의 기판의 이송을 위해, 진공 회전 컴파트먼트들(910) 내로 연장된다. 도 9는, 4개의 진공 회전 컴파트먼트들(910)이 진공 챔버(110)에 연결된 예를 도시한다. 루프형 트랙(530)이 진공 챔버(110)에 제공된다. 복수의 증발 소스들(100)이 루프형 트랙(530)에 의해 지지되고, 따라서, 루프형 트랙의 직진 부분들을 따르는 병진 이동, 및 루프형 트랙의 휘어진 부분들을 따르는 회전 이동들을 실시할 수 있다.[0082] 진공 회전 컴파트먼트들(910)은, 진공 회전 컴파트먼트들(910) 및 진공 챔버(110)를 포함하는 시스템이 진공배기될 수 있도록, 진공 챔버(110)에 연결된다. 대안적으로, 회전 모듈들을 포함하는 하나의 챔버가 제공될 수 있다. 진공 회전 컴파트먼트들(910) 내의 기판들의 회전은, 참조번호(911)로 표시된 원들에 의해 표시된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따르면, 진공 회전 컴파트먼트들 각각은 진공 회전 모듈을 포함하고, 여기에서, 기판은 진공 회전 모듈의 제 1 포지션에서 로딩 또는 언로딩될 수 있다. 예컨대 180°만큼의, 이송 챔버(810)로부터 로딩된 기판의 회전은, 기판(121)을 프로세싱 포지션으로 이동시키고, 그러한 프로세싱 포지션에서, 증발 소스들이 기판의 표면을 따라 스캐닝한다. 또한 추가적인 대안들에 따르면, 프로세싱 포지션 내로 기판들을 제공하기 위한 기판 회전은 또한, 예컨대, 진공 챔버들 및 컴파트먼트들이 상이하게 배열된 경우에, 180°와 상이한 각도에 의해 제공될 수 있다. 그러나, 이송 포지션으로부터 프로세싱 포지션으로 기판을 이동시키기 위한 180° 회전은 비슷한 작은 풋프린트를 제공한다.[0083] 도 9에서 도시된 바와 같이, 예컨대, 회전 모듈은, 회전 모듈에서 제공되는 2개의 기판 위치들 각각에 대해, 기판(121) 및 마스크(132)가 서로에 대하여 정렬될 수 있도록, 2개의 정렬 유닛들(112)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 증착 장치는, 예컨대, 4개의 진공 회전 모듈들 및 8개의 기판 지지 포지션들을 포함할 수 있다. 그러나, 본원에서 설명되는 또한 추가적인 실시예들과 조합될 수 있는 다른 실시예들에 따르면, 상이한 수의 기판 지지 포지션들 및/또는 상이한 수의 진공 회전 모듈들이 제공될 수 있다. 예컨대, 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 적어도 2개의 기판 프로세싱 포지션들이 제공된다. 기판 프로세싱 포지션들은, 증발 소스의 적어도 분배 파이프의 회전에 의한 기판의 프로세싱을 허용하도록 배열된다. 다른 예에서, 적어도 2개의 회전 모듈들, 적어도 2개의 기판 프로세싱 포지션들, 및 적어도 4개의 기판 지지 포지션들(이들 중 2개가 또한 기판 프로세싱 포지션들임)이 제공될 수 있다.[0084] 도 10은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 유기 재료를 증발시키는 방법을 예시하는 흐름도를 도시한다. 2개의 기판 포지션들이 재료 활용을 개선하기 위해 제공된다. 이는, 증발 소스의, 특히, 선형 분배 샤워헤드와 같은 라인 소스의 병진 이동 및 회전 이동과 조합된다. 단계(802)에서, 본질적으로 수직인 배향으로 제공되는 제 1 기판이 제 1 프로세싱 포지션으로 이동된다. 단계(804)에서, 증발 소스가, 적어도 병진 이동에 의해, 제 1 프로세싱 포지션에 포지셔닝된 제 1 기판을 따라 이동하고, 예컨대, 제 1 기판을 스캐닝하고, 여기에서, 유기 재료가 제 1 기판 상에 증착된다. 제 1 기판이 프로세싱되는 동안에, 제 2 프로세싱 포지션은, 제 2 프로세싱 포지션에서의 제 2 기판의 프로세싱을 위해 준비될 수 있다. 예컨대, 단계(806)에서, 제 2 기판이, 제 1 프로세싱 포지션과 상이한 제 2 프로세싱 포지션으로 이동될 수 있다. 또한 추가로, 제 2 기판의 준비는, 제 2 프로세싱 포지션으로부터의 이전에 프로세싱된 기판의 제거, 및/또는 마스크와 제 2 기판의 서로에 관한 정렬을 포함할 수 있다. 단계(808)에서, 증발 소스의 적어도 분배 파이프가, 제 2 프로세싱 포지션을 향하여 지향되도록 회전된다. 본원에서 설명되는 바와 같이, 회전은, 본질적으로 수직인 축, 전형적으로, 라인 소스가 따라서 연장되는 축을 중심으로 실시될 수 있다. 상태(809)에서, 증발 소스가, 적어도 병진 이동에 의해, 제 2 프로세싱 포지션에 포지셔닝된 제 2 기판을 따라 이동하고, 예컨대, 제 2 기판을 스캐닝하고, 여기에서, 유기 재료가 제 2 기판 상에 증착된다.[0085] 전술한 바가 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 발명의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 발명의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.	유기 재료를 위한 증발 소스가 설명된다. 증발 소스는, 증발 도가니 ― 증발 도가니는 유기 재료를 증발시키도록 구성됨 ―; 하나 또는 그 초과의 배출구들을 갖는 분배 파이프 ― 분배 파이프는 증발 도가니와 유체 연통하고, 분배 파이프는, 증발 동안에, 축을 중심으로 회전가능함 ―; 및 분배 파이프를 위한 지지부를 포함하며, 지지부는 제 1 드라이브에 연결가능하거나, 또는 제 1 드라이브를 포함하고, 제 1 드라이브는 분배 파이프 및 지지부의 병진 이동에 대해 구성된다.
[ 발명의 명칭 ] 날개형 엘라스토머 커플링 및 클램프 링WINGED ELASTOMERIC COUPLING AND CLAMP RING [ 기술분야 ] 본원은 본원에서 참고로 합체된 2013년 12월 20일자 출원된 미국 일련의 번호 제 14/135,813호의 유익을 청구한다. 본원은 일반적으로 대략 샤프트 축에 정렬된 2개의 샤프트들 사이에서 토크를 전달하기 위한 엘라스토머 커플링, 즉 한쌍의 축방향으로 이격된 샤프트들을 연결하는 엘라스토머 커플링에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 상기 커플링은 엘라스토머 요소를 포함하는 재료에 봉입 또는 매립되고 고정되는 플랜지 부분들을 갖는 클램프 링들을 가진다. 엘라스토머 요소는 엘라스토머 요소 및 클램프 링들 사이의 분리력을 최소화하는 날개형 부분들을 가진다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명의 목적은 대략 샤프트 축에 정렬된 두개의 샤프트들 사이에서 토크를 전달하는 커플링을 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명에 따른 커플링은 대략 샤프트 축에 정렬된 두개의 샤프트들 사이에서 토크를 전달한다. 상기 커플링은 대략 상기 샤프트 축에 정렬된 중심축을 가진다. 상기 커플링은 대략 샤프트축과 정렬된 중심축을 가진다. 상기 커플링은 상기 커플링 중심축과 평행하게 연장되는 단부들 및 상기 단부들 사이로 연장되는 아치형 부분들을 갖는 아치형 커플링 세그먼트들을 포함한다. 상기 아치형 커플링 세그먼트들은 링으로 배열되되 인접 세그먼트들은 단부 대 단부로 배열되어서 상기 커플링을 형성한다. 각각의 커플링 부분은 샤프트에 작동식으로 부착되도록 구성된 제 1 클램프 링 및 다른 샤프트에 작동식으로 연결되도록 구성된 제 2 클램프 링을 포함한다. 엘라스토머 재료가 양자의 클램프 링들 사이로 연장된다. 상기 엘라스토머 재료는 상기 아치형 커플링 세그먼트의 각각의 단부에 인접한 영역들에서 각각의 클램프 링에서 축방향 및 원주방향으로 연장된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 샤프트 허브 및 커플링의 분해 사시도.도 2는 도 1의 반-환형 커플링 부분의 사시도.도 3은 도 2의 반-환형 커플링 부분의 전면도.도 4는 도 2의 반-환형 커플링 부분의 측면도.도 5는 도 4의 도면의 반대편인, 도 2의 반-환형 커플링 부분의 대안 측면도.도 6은 반-환형 커플링 부분의 대안 실시예의 사시도.도 7은 도 6의 반-환형 커플링 부분의 측면도.도 8은 반-환형 커플링 부분의 대안 실시예의 사시도. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1에 있어서, 대략 샤프트 축(A-A)에 정렬된 2개의 샤프트들(22,24) 사이에서 토크를 전달하기 위한 엘라스토머 커플링(20)이 도시된다. 상기 커플링은 아치형 커플링 세그먼트들(26a, 26b)을 포함한다. 예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이, 상기 커플링은 상기 커플링의 링과 접대하는 단부들(27)과 함께 배열된 2개의 반-환형 부분 또는 커플링 절반부들을 포함한다. 상기 도면은 절반부들 또는 반-환형 커플링 부분을 포함하는 아치형 커플링 세그먼트를 도시하지만, 다른 구성들도 사용될 수 있다. 예를 들어, 아치형 커플링 세그먼트들은 예를 들어, 하나의 절반 아치형 세그먼트 및 2개의 1/4 아치형 세그먼트들과 같은 1/4 또는 1/3 또는 그 조합들을 포함할 수 있다. 각각의 커플링 부분은 일반적으로 샤프트 축(A-A)과 일치하는 중심축(B-B)을 갖는 커플링(20)을 형성하기 위하여 샤프트 허브(28) 주위에 배열될 수 있다. 도 4 및 도 5에 가장 잘 도시된 바와 같이, 각각의 반-환형 커플링 부분(26a, 26b)은 제 1 및 제 2 축방향 반대편 측부들(32,34)을 갖는 중심 요소(30)를 포함한다. 중심 요소(30)는 제 1 축방향 측부(32)를 형성하는 제 1 레그 부분(36) 및 제 2 축방향 측부(34)를 형성하는 제 2 레그 부분(38)을 가지며 교량 부분(40)이 각각의 레그 부분(36,38) 사이에서 연장되어서 커플링 중심 요소를 형성한다. 따라서, 상기 중심 요소의 제 1 및 제 2 레그 부분들은 커플링 중심축에 대해서 방사상으로 이격 위치된 교량 부분에 의해서 일체로 연결된다. 중심 요소는 고무, 우레탄 또는 그 유도체와 같은 임의의 적당한 엘라스토머 재료로 형성될 수 있다. 각각의 커플링 부분은 측부로부터 연장되는 클램프 링(50,52)을 가진다. 상기 커플링이 반-환형 부분을 포함할 때, 상기 클램프 링은 또한 반-환형 몸체들을 포함할 수 있다. 클램프 링은 강철, 플라스틱 등과 같은 임의의 강성 재료로 제조될 수 있다. 상기 중심 요소가 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 제 1 및 제 2 레그 부분들과 함께 형성될 때, 각각의 클램프 링은 커플링 중심축을 따라 각각의 레그 부분으로부터 축방향으로 연장될 수 있다. 각각의 클램프 링(50,52)은 중심 요소 내에 매립될 수 있는 플랜지 부분(미도시)을 가질 수 있다. 중심 요소가 제 1 및 제 2 레그 부분들과 함께 형성될 때, 각각의 클램프 링 플랜지 부분은 중심 요소의 각각의 레그 부분에 매립될 수 있다. 상기 플랜지 부분은 클램프 링에서 가공되거나 또는 다르게는 스웨이징(swaging) 또는 펀칭 동작을 통해서 클램프 링의 일체형 부분으로서 형성될 수 있다. 플랜지 부분은 또한 클램프 링에 접합, 용접 또는 다르게 부착되거나 또는 클램프 링에 침착될 수 있다. 각각의 클램프 링은 또한 커플링이 샤프트 허브에 부착될 수 있게 허용하기 위하여 중심 요소로부터 외향으로 연장되는 부착 부분을 가진다. 도 1에 가장 잘 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 허브(28)는 일반적으로 동일하게 구성되고 일반적으로 환형이며 금속과 같은 임의의 적당한 일반적인 강성 재료로 제조될 수 있다. 제 1 및 제 2 허브(28)는 각각 제 1 및 제 2 샤프트(22,24)와 연결 또는 결합되도록 구성된 내부 축방향 보어 또는 표면(60)을 포함한다. 또한, 제 1 및 제 2 허브들은 각각 커플링의 클램프 링에 의해서 각각 결합되는 외부 원통형 표면(62)을 각각 포함한다. 커플링 클램프 링 부착 부분은 샤프트(22,24)의 제 1 및 제 2 허브(28)와 연결되도록 구성된다. 클램프 링(50,52)은 샤프트 허브(28)를 둘러쌀 수 있다. 예를 들어, 각각의 커플링 부분은 반-환형 형상을 가지며 각각의 클램프 링은 반-원통형을 갖는 일반적인 반-환형일 수 있다. 허브의 외부 원통형 표면(62)은 클램프 링 부착 부분들의 내면(70)과 결합될 수 있고 실질적으로 허브의 외면을 통해서 결합될 수 있다. 예시를 통해서, 샤프트 허브들이 샤프트 축을 따라 이동할 수 없는 제로 틈새의 적용 유형에서, 제 1 반-환형 커플링 부분은 샤프트 허브의 반-환형 부분에 설치되고 제 2 반-환형 커플링 부분은 샤프트 허브의 잔여 반-환형 부분에 설치될 수 있다. 비록, 도면에 도시되지 않았지만, 클램프 링은 허브의 측면과 결합할 수 있다. 설치를 허용하기 위하여, 제 1 및 제 2 허브(28)는 또한 외면 주위에서 원주방향으로 이격된 복수의 홀들(72)을 각각 포함하고 클램프 링 부착 부분은 클램프 링 주위에 원주방향으로 이격된 복수의 홀들(74)을 가질 수 있다. 허브 고정자 홀들(72)은 클램프 링 홀(74)과 일치함으로써, 클램프 링 홀들이 허브 홀들과 정합될 수 있게 한다. 클램프 링은 클램프 링 홀(74)을 통해서 기계식 고정자(76)를 통과시키고 샤프트 허브 홀(72) 안으로 나사체결함으로써 샤프트 허브에 고정될 수 있다. 클램프 링에서의 홀(74)은 오정렬이 있을 때 클램프 링들이 샤프트 허브에 연결될 수 있게 허용하도록 세장형 또는 슬롯들로서 형성될 수 있다. 오정렬이 존재할 때 세장형 홀들 또는 슬롯들을 제공함으로써, 설치자는 클램프 링들을 통해서 고정자들을 허브 내의 나사형 홀들과 정렬시킬 수 있는 능력을 가진다. 틈새 홀들 대신에 슬롯은 허브들 사이에 평행하거나 및/또는 각도 오정렬이 있을 때 고정자들이 클램프 링들의 슬롯들을 통과하여 허브들의 나사형 홀들 안으로 진입할 수 있게 허용한다. 비록, 도면에 도시되지 않았지만, 핀 또는 다른 고정자 수단도 역시 클램프 링들을 샤프트 허브들에 고정하는데 사용될 수 있다. 각각의 커플링 부분(또는 단일 통합 커플링의 경우에)은 양호하게는, 수지 이송 성형 프로세스(resin transfer molding process)에 의해서 행해진다. 수지는 중심 요소를 형성하기 위하여 유리 섬유 재료를 함침하기 위하여 몰드 안으로 사출될 수 있다. 수지 함침 재료는 그 다음 경화될 수 있다. 클램프 링들은 수지 재료를 몰드 안으로 적용하는 중에 중심 요소에 고정되고, 경화할 때 또는 차후에 몰드로부터 중심 요소를 제거할 수 있다. 클램프 링으로부터 엘라스토머를 분리시키는 힘이 반 환형 커플링 부분(26a, 26b)의 단부(27)에서 가장 크다. 이 힘들은 엘라스토머 중심 요소 및 클램프 링 사이의 접합부의 분리 또는 파손을 유발할 수 있다. 이러한 분리 또는 파손은 상기 커플링이 전후 주기적으로 또는 연속적으로 굽혀질 때 종종 확대된다. 단부(27)에서 접합 영역을 증가시키기 위하여, 엘라스토머의 날개형 부분(100)이 제공된다. 각각의 날개형 부분(100)은 클램프 링 부착 부분을 따라 중심 요소(30)의 측면(32,34)으로부터 축방향으로 연장되는 엘라스토머 재료를 포함한다. 날개형 부분(100)은 클램프 링 부착 부분을 향하여 테이퍼질 수 있다. 날개형 부분은 각각의 클램프 링(50,52)의 원위 단부 또는 주변부로 연장될 수 있다. 축방향 연장부(102)(도 4)의 양은 클램프 링에 대한 엘라스토머의 접합을 증가시키기에 충분한 영역을 제공하도록 원하는 대로 선택될 수 있다. 날개형 부분(100)은 클램프 링 주위의 단부(27)로부터 원주방향으로 연장될 수 있다. 원주방향 연장부(104)(도 2)의 양은 클램프 링에 대한 엘라스토머의 접합을 증가시키기에 충분한 영역을 제공하도록 원하는 대로 선택될 수 있다. 날개형 부분(100)의 원주방향 및 축방향 연장부들(102,104)은 단부(27)에서 접합분리 힘의 영향을 지탱하기에 충분한 접합 영역을 형성하도록 원하는 대로 선택될 수 있다. 커플링 부분의 단부(27)에서 엘라스토머의 날개형 부분(100)을 배치하면, 커플링의 전체 비틀림 강도에 미치는 영향을 최소화할 수 있다. 날개형 부분(100)의 수는 엘라스토머 및 클램프 링 사이의 접합 영역의 원하는 양을 생성하기에 필요한 대로 선택될 수 있다. 상기 접합 영역에서 추가 증가를 제공하기 위하여, 상기 날개형 부분은 클램프 링의 다른 영역에 배열될 수 있다. 예를 들어, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 날개형 부분은 클램프 링(50,52)의 단부(27)에 제공되고 또한 단부의 중간 영역에 제공되어서, 클램프 링 홀들(74) 주위에 틈새를 남긴다. 도 8은 그로밋(110)이 클램프 링 홀들(74)에 제공되고 날개형 부분이 그로밋(110) 주위로 연장되는 다른 예를 도시한다. 도 8에서, 상기 엘라스토머는 실행시에 상기 엘라스토머가 클램프 링의 전체 외면을 따라 접합되도록 축방향 및 원주방향으로 연속으로 연장된다. 도 8에서, 그로밋(110)은 볼트 통로에 대한 액세스를 제공하고 아치형 커플링 세그먼트를 샤프트 허브에 고정한다. 이 과정에서, 상기 클램프 링은 변형될 필요가 없고 몰드 프로세스 중에 원하는 엘라스토머를 구성함으로써 개선된 접합을 제공할 수 있다. 상기 실시예들은 본원의 원리 및 그 실제 적용을 가장 잘 설명하고 그에 의해서 당업자가 여러 실시예들에서 상기 원리를 가장 잘 사용할 수 있게 하도록 채택되고 기술되었으며 계획된 특정 용도에 대해서 여러 변형이 맞추어진다. 본 발명의 범주 내에서, 본원에 기술된 구성 및 방법에서 다양한 변형이 이루어질 수 있기 때문에, 상술한 설명에 포함되거나 또는 첨부된 도면에 도시된 모든 문제는 제한적이라기 보다는 예시적으로 해석되도록 의도된다. 따라서, 본 발명의 범주 및 범위는 상술한 예시적 실시예에 의해서 제한되지 않거나 또는 첨부된 청구범위 및 그 동등물에 따라서 규정되어야 한다.	커플링은 대략 샤프트 축에 정렬된 두개의 샤프트들 사이에서 토크를 전달한다. 상기 커플링은 대략 상기 샤프트 축에 정렬된 중심축을 가진다. 상기 커플링은 대략 샤프트축과 정렬된 중심축을 가진다. 상기 커플링은 상기 커플링 중심축과 평행하게 연장되는 단부들 및 상기 단부들 사이로 연장되는 아치형 부분들을 갖는 아치형 커플링 세그먼트들을 포함한다. 상기 아치형 커플링 세그먼트들은 링으로 배열되되 인접 세그먼트들은 단부 대 단부로 배열되어서 상기 커플링을 형성한다. 각각의 커플링 부분은 샤프트에 작동식으로 부착되도록 구성된 제 1 클램프 링 및 다른 샤프트에 작동식으로 연결되도록 구성된 제 2 클램프 링을 포함한다. 엘라스토머 재료가 양자의 클램프 링들 사이로 연장된다. 상기 엘라스토머 재료는 상기 아치형 커플링 세그먼트의 각각의 단부에 인접한 영역들에서 각각의 클램프 링에서 축방향 및 원주방향으로 연장된다.
[ 발명의 명칭 ] 복강경 근막 폐쇄 시스템LAPAROSCOPIC FASCIAL CLOSURE SYSTEM [ 기술분야 ] 관련 출원에 대한 상호 참조본 특허 출원은 전체 내용이 본 명세서에 병합된 2013년 12월 9일에 출원된 미국 가특허 출원 번호 61/913,910을 우선권 주장한다.기술 분야본 발명은 조직 폐쇄 디바이스(tissue closure device)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 복부 내부 봉합 절차 동안 또는 수술 투관침(surgical trocar) 또는 다른 천공 디바이스에 의해 생성된 천공 상처를 봉합하는 동안 사용되는 템플릿(template)과 슬라이딩 봉합사 회수 니들(sliding suture retrieving needle)을 포함하는 복강경 근막 폐쇄 시스템에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 내부 기관, 조직, 인대 및 골에 수술을 시행하는 최소 침습 방법은 카테터, 복강경 등과 같은 극히 작은 기기를 사용한다. 이 기기는 예를 들어 5 mm 내지 18 mm 직경 정도의 매우 작은 절개부를 사용하여 도입되고, 이 절개부 안으로 투관침 또는 다른 도입 디바이스가 배치된다. 이 투관침은, 예를 들어, 3 mm 내지 30 mm의 직경을 구비할 수 있고, 더 작은 투관침은 개구를 실질적으로 변함 없이 유지한다. 더 큰 투관침은 개구를 확대할 수 있다. 이 투관침은 여러 수술 기기, 보기 디바이스(viewing device), 및 수술 절차 동안 사용되는 다른 기기를 도입하고 제거하기 위한 신뢰성 있고 고정된 개구를 제공한다.절개부와 투관침 개구는 전통적인 수술 표준에 의하면 매우 작지만, 여전히 수술 절차를 완료한 후에는 여전히 폐쇄가 필요하다. 수술 폐쇄는 수술후 감염, (예를 들어 복부 수술에서) 수술후 탈장, 후속 출혈 또는 다른 영향의 가능성을 감소시킨다. 폐쇄는 수동 봉합을 통해 또는 폐쇄를 완료하는데 사용되는 봉합 기기를 통해 수행될 수 있다. 어느 경우이든, 봉합하는 것은 예를 들어 봉합사를 조작하기 위해서 뿐만 아니라 절차를 보기 위해서 작은 개구 사이즈를 통해야 하기 때문에 어려워진다. 폐쇄하는 것은 또한, 상부 피부를 폐쇄하는 것과는 별개로 피하 조직, 예를 들어 근막 층을 봉합하는 것이 필요하고, 또 이러한 절차 동안 내부 기관에 부상이나 손상이 일어나는 것을 회피하면서 피부의 매우 작은 개구를 통해 봉합해야 하는 것에 의해 더 어려워진다.복부 벽에 있는 개구를 폐쇄하는 것과 같은 종래의 폐쇄 기술은 원래의 투관침 절개부로부터 일정 거리에서 복부 벽 조직을 통해 봉합사를 통과시킨다. 하나 이상의 봉합사가 이후 묶여서 피하 층을 폐쇄하고 나서 피부층을 적절히 폐쇄한다. 원래의 절개부 개구로부터 봉합사 장소(location)까지의 거리는 적절한 양의 복부 벽 조직을 고정시켜 신뢰성 있는 폐쇄를 형성하기 위해 중요하다는 것이 주목된다. 이 거리가 너무 작으면, 폐쇄가 충분치 않아서, 차후 합병증 없이 개구를 신뢰성 있게 폐쇄하지 못할 수 있다.조직 폐쇄 디바이스, 예를 들어 복강경 포트 폐쇄 디바이스는 투관침 디바이스를 제거한 후 개구에 도입되어서 투관침 개구의 봉합을 더 용이하게 할 수 있다. 여러 방법 및 구조는 개구를 폐쇄하는 것을 도와줄 수 있으나, 폐쇄를 완료하는데 상당한 개수의 단계를 요구할 수 있다. 일부 디바이스는 개구를 봉합하고 봉합사를 묶는데 수동적인 주의를 상당히 요구할 뿐만 아니라, 폐쇄를 수행하는데 근접 보기를 요구할 수 있다. 추가적으로, 일부 디바이스는 폐쇄를 수행하는데 상당한 개수의 부품(component) 또는 특별한 디바이스를 구비하거나, 또는 일부 디바이스는 정상 수술 상황에서도 일관성 있고 신뢰성 있는 결과를 제공하지 못할 수 있다.이외로 본 발명의 배경이 되는 기술은 미국 특허 번호 US 5,618,290, 미국 특허출원공개공보 US2004/0068273, 미국 특허출원공개공보 US2010/0185217, 미국 특허출원공개공보 US2010/0280530 및 미국 특허출원공개공보 US2012/0143221에서 살펴 볼 수 있다.본 발명은 수술 봉합 디바이스를 포함하는 조직 폐쇄 디바이스뿐만 아니라 복부 내부를 봉합하고 수술 투관침 및 다른 천공 디바이스에 의해 생성된 천공 상처를 봉합하는데 사용될 수 있는 디바이스에 관한 것이다. [ 발명의 개요 ] 복강경 근막 폐쇄 시스템은, 신체 동공으로의 삽입을 위하여 봉합사 파지기 회수기(suture grasper retriever)와 함께 이용될 수 있는 폐쇄 템플릿에 프리로딩되는 봉합사를 제공할 수 있어, 신체 동공 내에 배치되는 템플릿으로 봉합사의 일부를 용이하게 캡쳐하고 다음으로 상기 신체 동공으로부터 디바이스를 리트랙트(retract)하는 동안 디바이스 첨단에서 또는 디바이스 첨단 내에서 상기 봉합사의 자유 이동 또는 슬라이딩을 용이하게 한다.일 예시적인 실시예에 따라, 조직 폐쇄 디바이스는 중심 길이방향 축을 한정하는 세장형 몸체를 포함하고, 상기 세장형 몸체는 근위 단부, 원위 단부, 및 상기 세장형 몸체를 통해 축방향으로 연장된 루멘(lumen)을 포함한다. 상기 조직 폐쇄 디바이스는 상기 세장형 몸체의 상기 루멘을 통해 적어도 부분적으로 연장되는 작동체 로드(actuator rod)를 더 포함한다. 상기 세장형 몸체의 원위 부분은 복수의 차폐물(shield)에 선회식으로 연결된 복수의 날개부(wing)에 선회식으로 연결된다. 상기 복수의 차폐물은 상기 디바이스의 원위 첨단 부분에 선회식으로 연결되고, 상기 원위 첨단 부분은 상기 작동체 로드의 원위 단부에 부착된다. 상기 복수의 날개부 각각은 상기 날개부와 차폐물이 상기 디바이스의 전개된 위치에서 상기 세장형 몸체로부터 멀어지는 방향으로 연장될 때 각각의 상기 복수의 날개부와 복수의 차폐물의 사이에 한정된 봉합사 회수 공간으로 통과를 허용하는 개구를 포함한다.일 측면에 따라, 상기 개구는 원형 또는 개방된 형상이다. 일 측면에 따라, 상기 복수의 차폐물 각각은 리빙 힌지(living hinge)를 통해 상기 복수의 날개부의 대응하는 날개부에 연결된다.일 측면에 따라, 상기 복수의 차폐물과 상기 복수의 날개부는, 상기 작동체 로드가 상기 세장형 몸체에 대해 원위 방향으로 이동될 때 상기 세장형 몸체와 평행하도록 선회식으로 리트랙트가능하다.일 측면에 따라, 상기 복수의 차폐물과 상기 복수의 날개부는, 상기 작동체 로드가 상기 전개된 위치에서 상기 세장형 몸체에 대해 근위 방향으로 이동될 때 상기 중심 길이방향 축으로부터 멀어지는 측방향으로 일정 각도로 연장된다.일 측면에 따라, 상기 세장형 몸체는 상기 디바이스에 로딩된 봉합사의 장소를 제어하는 복수의 봉합사 러너 가이드(suture runner guide)를 더 포함하고, 각 봉합사 러너 가이드는 상기 복수의 날개부 각각의 내부 표면의 원위에서 미리 결정된 위치에 배치된다.일 측면에 따라, 상기 장소는, 봉합사 파지기가 적어도 하나의 니들 가이드 루멘을 통과한 후 상기 봉합사 회수 공간으로 삽입될 때 상기 봉합사 파지기가 상기 봉합사와 직교로 교차하도록 하기 위하여 상기 미리 결정된 위치에 상기 봉합사를 정렬한다.일 측면에 따라, 상기 복수의 차폐물은 상기 전개된 위치에서 장기, 혈관, 또는 다른 조직이 의도치 않게 니들에 의해 천공되는 것을 방지한다.일 측면에 따라, 상기 세장형 몸체의 근위 부분은 봉합사를 안정화시키거나 팽팽하게 유지하는 봉합사 클리트(suture cleat)를 포함한다.일 예시적인 실시예에 따라, 조직 폐쇄 시스템은 봉합사 파지기와 조직 폐쇄 템플릿을 포함하고, 상기 조직 폐쇄 템플릿은, 중심 길이방향 축을 한정하는 세장형 몸체로서, 근위 단부, 원위 단부, 상기 세장형 몸체를 통해 축방향으로 연장되는 루멘을 포함하는 상기 세장형 몸체, 상기 세장형 몸체의 상기 루멘을 통해 적어도 부분적으로 연장되는 작동체 로드, 및 상기 세장형 몸체의 중심 축에 대해 일정 각도로 상기 세장형 몸체를 횡단하는 적어도 하나의 니들 가이드 루멘을 포함한다. 상기 세장형 몸체의 원위 부분은 복수의 날개부에 선회식으로 연결되고, 상기 복수의 날개부는 복수의 차폐물에 선회식으로 연결되고, 상기 복수의 날개부와 상기 복수의 차폐물은 상기 작동체 로드가 상기 세장형 몸체에 대해 근위 방향으로 이동될 때 전개된 위치에서 상기 세장형 몸체로부터 멀어지는 측방향으로 연장되도록 동작될 수 있다. 상기 복수의 날개부 각각은 상기 전개된 위치에서 상기 세장형 몸체로부터 멀어지는 방향으로 연장될 때 각각의 상기 복수의 날개부와 복수의 차폐물의 사이에 한정된 봉합사 회수 공간으로 통과를 허용하는 개구를 포함한다. 일 측면에 따라, 상기 복수의 차폐물이 상기 전개된 위치에서 상기 세장형 몸체로부터 멀어지는 방향으로 측방향으로 연장되는 동안, 상기 봉합사 파지기의 원위 단부는, 상기 적어도 하나의 니들 가이드 루멘을 통해 그리고 상기 복수의 날개부의 개구를 통해 삽입가능하다.일 측면에 따라, 상기 전개된 위치에서 상기 복수의 차폐물은, 상기 봉합사 파지기가 상기 복수의 날개부의 개구를 통해 삽입될 때 상기 봉합사 파지기에 의해 장기, 혈관, 또는 다른 조직이 의도치 않게 니들에 의해 천공되는 것을 방지한다.일 측면에 따라, 상기 세장형 몸체는 상기 템플릿에 로딩된 봉합사의 장소를 제어하는 복수의 봉합사 러너 가이드를 더 포함하고, 각 봉합사 러너 가이드는 상기 복수의 날개부 각각의 내부 표면의 원위에서 미리 결정된 위치에 배치된다.일 측면에 따라, 상기 장소는, 상기 봉합사 파지기가 상기 봉합사 회수 공간으로 삽입될 때 상기 봉합사 파지기가 상기 봉합사와 직교로 교차하도록 하는 상기 미리 결정된 위치에 상기 봉합사를 정렬한다.일 측면에 따라, 상기 봉합사 파지기는 상기 미리 결정된 위치에서 봉합사를 둘러싸도록 측방향으로 확장할 수 있는 적어도 하나의 요소를 포함한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 명세서에 포함되고 본 명세서의 일부를 구성하는 첨부 도면은, 본 발명에 따른 여러 실시예를 도시하고, 상세한 설명과 함께, 본 발명의 원리를 설명하는 기능을 한다.도 1은 본 발명의 특정 측면에 따른 조직 폐쇄 템플릿의 사시도;도 2는 본 발명의 특정 측면에 따른 특정 사용 상태에서 조직 폐쇄 템플릿과 봉합사 파지기를 도시하는 근막 폐쇄 시스템의 사시도;도 3은 본 발명의 특정 측면에 따른 근막 폐쇄 시스템의 측면도;도 4는 본 발명의 특정 측면에 따른 폐쇄 템플릿의 측면 사시도;도 5는 본 발명의 다른 측면에 따른 폐쇄 템플릿의 정면도;도 6은 본 발명의 특정 측면에 따른 폐쇄 템플릿의 측면도;도 7은 도 6의 A-A에서의 폐쇄 템플릿의 원위 부분의 확대 측면도;도 8은 본 발명의 특정 측면에 따른 사용 위치에서 폐쇄 템플릿의 측면도;도 9는 본 발명의 특정 측면에 따른 사용 위치에서 폐쇄 템플릿의 측면 사시도; 도 10은 도 9의 B-B에서의 폐쇄 템플릿의 원위 부분의 확대 측면도;도 11은 특정 사용 상태에서 본 발명의 특정 측면에 따른 봉합사 파지기의 정면도; 및도 12는 본 발명의 특정 측면에 따른 봉합사 파지기의 배면도. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명은 이제 동일한 참조 부호가 도면 전체에 걸쳐 동일한 부분을 나타내는 도면을 참조하여 설명된다.복강경 근막 폐쇄 시스템의 여러 측면은 함께 결합되거나, 부착되거나, 및/또는 접합되는 부품들을 설명하는 것에 의해 예시될 수 있다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, "결합된", "부착된", 및/또는 "접합된"이라는 용어는 2개의 부품들 사이에 직접 연결을 나타내거나 또는, 적절한 경우, 개재 부품 또는 중개 부품을 통해 서로 간접 연결된 것을 나타내는데 사용된다. 이와 대조적으로, 하나의 부품이 다른 부품에 "직접 결합된", "직접 부착된", 및/또는 "직접 접합된" 것이라고 언급되는 경우에는, 이들 사이에 개재 요소는 존재하지 않는다."하부" 또는 "바텀(bottom)"과 "상부" 또는 "탑(top)"과 같은 상대적인 용어는 본 명세서에서 도면에 도시된 하나의 요소와 다른 요소의 관계를 설명하는데 사용될 수 있다. 상대적인 용어들은 도면에 도시된 배향에 더하여 복강경 근막 폐쇄 시스템 또는 그 부품의 여러 배향을 포함하도록 의도된 것으로 이해된다. 예로서, 도면에 도시된 복강경 근막 폐쇄 시스템의 측면이 뒤집혀진 경우, 다른 요소의 "바텀" 측에 있는 것으로 설명된 요소는 이 다른 요소의 "탑" 측에 배향될 수 있다. 그리하여 "바텀"이라는 용어는 장치의 특정 배향에 따라 "바텀"과 "탑"의 배향을 모두 포함할 수 있다.투관침 개구를 위한 폐쇄 디바이스는 본 명세서에 설명된 특징부 중 하나 이상의 특징부를 포함하고 본 명세서에 설명된 이익 중 일부 이익을 제공할 수 있는 폐쇄 디바이스와, 특히 복부 조직 개구를 위한 폐쇄 디바이스의 예로서 사용된다. 복부 벽에서 투관침 개구를 폐쇄하는 것은 허용가능한 결과를 위해 특정 문제를 제기하고, 복부 개구를 위한 폐쇄 디바이스가 보다 상세히 고려된다. 그러나, 복부 상처를 폐쇄하는 것이 아닌 다른 폐쇄 디바이스도 본 발명의 하나 이상으로부터 이익을 얻을 수 있다.조직 개구, 예를 들어 복부 벽에 있는 투관침 개구를 폐쇄하는데 사용될 수 있는 장치의 일 예에 따라 그리고 장치가 조직을 폐쇄하는데 사용될 수 있는 하나 이상의 방법을 반영하는 경우, 근막 폐쇄 시스템(100)은 폐쇄 조립체 또는 폐쇄 템플릿(102)과 니들 회수기(104)를 포함한다. 폐쇄 템플릿(102)은 본 명세서에서 설명된 바와 같이 니들 회수기(104) 또는 다른 봉합사 도입기 또는 니들과 함께 사용될 수 있고, 본 명세서에서 설명된 니들 회수기(104)는 다른 폐쇄 디바이스와 함께 사용될 수 있다. 그러나, 일부 예를 위하여, 폐쇄 디바이스(102)와 니들 조립체(104)는 함께 사용되는 것으로 고려된다. 추가적으로, 폐쇄 조립체를 적용하는 본 설명은 복부 개구를 폐쇄하는 상황에서 제공되는 것이지만, 다른 조직 폐쇄도 이 폐쇄 조립체의 하나 이상의 부품과 함께 수행될 수 있는 것으로 이해된다.복부 벽에 있는 투관침 개구의 상황에서, 이 개구는 이 개구가 만들어진 복부 내 장소에 따라 근육을 포함할 수 있는 피부와 표층(superficial layer)을 통과하여 연장된다. 피부와 표층은 간략화를 위해 피부층이라고 언급된다. 피부층 아래에는 얇은 복막을 가지는 근막 층이 있다. 이 복막은 내부 기관(미도시) 외부에 복부 공동의 라이닝을 형성하고, 이 피부층, 근막 층, 및 복막을 통해 투관침 개구와 투관침에 의해 수술자가 내부 기관에 접근할 수 있다. 수술이 완료되면, 임의의 하부 기관을 천공하거나 손상시키는 것을 주의 깊게 회피하면서 근막 층과 복막 층을 폐쇄하는 것에 의해 투관침 개구가 폐쇄된다. 폐쇄 공정 동안 하부 기관을 천공하는 것을 최소화하는 하나의 방법은 예를 들어 아래에서 보다 충분히 설명된 방식으로 하부 기관으로부터 멀어지게 조직 층을 리트랙트시키고, 조직 벽(복막 층)을 넘어 봉합사 도입기 또는 회수기의 진입을 제한하거나 주의 깊게 제어하는 것이다.일반적으로 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 예에서 폐쇄 템플릿(102)은 폐쇄 몸체(116)를 포함한다. 이 몸체는 근위 부분(118)으로부터 원위 부분(120)으로 연장된다. 일반적으로, 근위 부분(118)은 폐쇄 디바이스를 제어하고 조작하는데 사용되고, 원위 부분(120)은 복막 층 하에서 삽입되는 작업 구조물을 형성한다. 본 예에서 원위 부분(120)은 예를 들어, 보지 않고도, 봉합사를 신뢰성 있게 회수할 수 있는 알려진 미리 결정된 장소에서 미리 로딩된 봉합사의 일부를 제공하는데 사용되고, 이런 식으로 해서 봉합사 물림(suture bite)이 신뢰성 있는 폐쇄를 형성하는 최적의 장소에서 이루어질 수 있다. 예를 들어, 원위 부분(120)은 타겟으로부터 사전 배치된 봉합사 부분을 회수하기 위한 회수 도구를 근막층을 통해 타겟으로 삽입하기 위한 또한 근막층 및 조직 개구를 통해 봉합사를 인출하기 위한 타겟으로서 이용될 수 있어서, 개구의 폐쇄를 돕는다.폐쇄 템플릿(102)은, 일반적으로 정상 사용 동안 복강경 개구 내에 존재하는 폐쇄 몸체(116) 부분으로 고려될 수 있는 중개 부분 또는 중간 부분(122)을 더 포함한다. 중간 부분(122)은 일반적으로 피부층의 외부 표면과 복막 층 사이에 연장된다. 중간 부분(122)은 수술자가 회수기의 이동 방향을 실질적으로 조절하거나 변경함이 없이 니들 회수기를 미리 결정된 타깃 사이트(target site) 쪽으로 신뢰성 있고 반복가능하게 가이드하는 것을 도와주는 적어도 하나의 요소를 포함한다. 본 예에서, 아래에서 보다 충분히 설명되는 바와 같이, 미리 결정된 타깃 사이트에 봉합사 도입기 또는 회수기를 신뢰성 있고 반복가능하게 배치하는 것을 도와주는 중간 부분(122)에 있는 적어도 하나의 요소는 폐쇄 디바이스(102)의 몸체(116)를 통과하는 채널 또는 통로, 예를 들어 트랜스 측방향 통로(trans lateral passageway)(127)이다. 선택적인 측면에서, 중간 부분(122)은 폐쇄 디바이스(102)의 몸체(116)를 통해 연장되는 복수의 채널 또는 통로를 포함할 수 있다. 폐쇄 템플릿(102)을 보다 상세히 고려하면, 본 예에서 원위 부분(120)은 봉합사 또는 파지기 니들보다 더 넓은 영역에 걸쳐, 도 1 또는 도 5에 도시된 실시예에서, 폐쇄 몸체(116, 1102)의 폭에 이르기까지 편평한 또는 굴곡된 구조물일 수 있는 복수의 날개부(124)를 포함한다. 날개부(124)는 봉합사 회수기(104)를 위한 타깃을 형성한다. 날개부(124)는 도 2에 도시된 바와 같이 전개된 형태에서 폐쇄 몸체(116)로부터 실질적으로 반대 방향으로 외부쪽으로 연장될 수 있다. 이들 날개부는 실질적으로 180° 떨어져 있고, 폐쇄 몸체(116)의 중심 축에 실질적으로 수직으로 연장된다. 다른 예에서, 폐쇄 템플릿(102)은, 쌍으로 배열되어 있든지 또는 다른 방식으로 배열되어 있든지 여부에 상관없이 복수의 날개부를 구비하거나 단일 날개부를 구비할 수 있다. 쌍으로 배열되는 경우, 이들 날개부는 원하는 바에 따라 2개, 4개, 6개, 또는 그 이상의 개수의 쌍으로 배열될 수 있다.날개부(124)는 폐쇄 몸체(116)의 원위 단부에 장착 구조물(126)의 각 부분에 선회식으로 장착될 수 있다. 날개부(124)는 당김 로드(pull rod)(130)에 링크되고 이 당김 로드를 통해 동작될 수 있다. 당김 로드(130)는 폐쇄 몸체(116) 내에서 길이방향으로 이동하기 위해 폐쇄 몸체(116) 내에서 위쪽으로 연장되고 이 폐쇄 몸체의 중심 축에 실질적으로 센터링되어 있다. 당김 로드(130)와 날개부(124)는, 당김 로드(130)가 위쪽으로 이동하는 경우 링크 암 또는 확장기(expander)가 위쪽으로 당겨져서 날개부(124)가 도 1에 도시된 접힌 형태 또는 삽입된 형태로부터 도 2에 도시된 확장된 형태 또는 전개된 형태로 이동되도록, 몸체(116)에 장착될 수 있다. 몸체(116) 내에서 당김 로드(130)가 아래쪽으로 이동하는 경우 날개부(124)는 몸체에 대해 아래쪽으로 폐쇄된 형태 또는 기하학적 형상으로 접혀서 신체에 외상성 삽입을 할 수 있다.도 1 및 도 2에 도시된 날개부(124)에 더하여, 원위 부분(120)은 날개부(124)에 연결된 차폐물 부분(132)을 더 포함할 수 있다. 차폐물 부분(132)은 또한 날개부(124)와 유사한 봉합사 또는 파지기 니들보다 더 넓은 영역에 걸쳐 편평한 또는 굴곡된 구조물이고, 예를 들어, 리빙 힌지에 의해, 또는 날개부(124)의 작동에 의해 차폐물 부분(132)이 대응하여 작동되는 임의의 적절한 힌지 구조물에 의해 날개부(124)에 연결될 수 있다. 차폐물 부분(132)은 당김 로드(130)가 작동될 때 폐쇄된 위치로부터 확장된 또는 전개된 위치로 유사하게 연장된다. 차폐물 부분(132)은 또한 원위 단부(133)에 연결될 수 있고, 날개부가 도 2에 도시된 바와 같이 전개될 때 완전히 둘러싸인 봉합사 회수 공동을 형성하도록 힌지 결합될 수 있다. 봉합사 회수 공동은, 니들 회수기(104)가 봉합사 회수 절차 동안 타깃 쪽으로 연장하여 봉합사 부분을 회수하는 동안, 주변 조직 및/또는 내부 기관이 손상되지 않게 보호하는 영역을 제공한다.도 3은 앞서 설명된 것과 동일한 일반적인 개념에 따라 구성된 다른 복강경 근막 폐쇄 시스템(1000)을 도시한다. 이 시스템(1000)은 봉합사 파지기(200)와 같은 니들 회수기에 사용되는 폐쇄 템플릿(1100)을 포함한다. 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 템플릿(1100)은 근위 단부(1104)와 원위 단부(1106)를 갖는 세장형 몸체(1102)를 포함하고, 이 세장형 몸체는 몸체(1102)를 통해 길이방향으로 연장되도록 제공된 루멘(1108)을 구비한다. 몸체(1102)는 작동체 로드(1112)에 연결된 핸들(1110)과 상호 작용하는 적어도 하나의 잠금 특징부(lock feature)(1109)를 근위 단부 쪽에 포함할 수 있다. 일 측면에서, 핸들(1110)은 몸체(1102)로부터 측방향으로 연장된 부분 및/또는 몸체(1102)의 근위 단부로부터 축방향으로 연장된 부분을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 봉합사 니들 가이드 루멘(1114)은 몸체(1102)의 근위 부분으로부터 원위 부분 쪽으로 일정 각도로 중심 축을 횡단할 수 있다. 니들 가이드 루멘(1114)은 니들의 삽입을 도와주는 깔때기부(funnel)(1116)를 몸체(1102)의 근위 단부에 포함할 수 있고, 니들 가이드 출구 루멘(1118)은 깔때기부(1116)의 원위에 그리고 탑 날개부(1120)로부터 멀어지는 방향으로 미리 결정된 거리에 위치된다. 탑 날개부(1120)는, 예를 들어, 별개의 리빙 힌지 또는 핀 힌지(pin hinge)를 통해, 몸체(1102)에 연결될 수 있다.날개부(1120)에 더하여, 템플릿(1100)의 원위 부분은 날개부(1120)에 선회식으로 연결된 차폐물(1122)을 포함한다. 차폐물 부분(1122)은, 예를 들어 리빙 힌지, 또는 임의의 적절한 힌지 구조물에 의해 탑 날개부(1120)에 연결될 수 있다. 이어서 차폐물 부분(1122)은 템플릿(1100)의 원위 첨단 부분(1124)에 선회식으로 연결된다. 첨단 부분(1124)은 비외상성으로 형성되어, 작동체 로드(1112)에 연결되되, 핸들(1110)이 작동되는 경우 원위 첨단 부분(1124)이 몸체(1102) 쪽으로 리트랙트되거나 이 몸체로부터 멀어지는 방향으로 연장될 수 있도록, 작동체 로드(1112)에 연결될 수 있다. 이에 따라 날개부(1120)와 차폐물 부분(1122)은 작동 로드(1112)에 의해 제어되어, 작동 로드(1112)가 당겨질 때 폐쇄된 위치로부터 확장된 또는 전개된 위치로 연장될 수 있다. 따라서 날개부(1120)와 차폐물 부분(1122)은 날개부(1120)가 도 8에 도시된 바와 같이 전개될 때 완전히 둘러싸인 봉합사 회수 공동을 형성한다. 봉합사 회수 공동은, 니들 회수기(104)가 봉합사 회수 절차 동안 타깃 쪽으로 연장하여 봉합사 부분을 회수하는 동안, 주변 조직 및/또는 내부 기관이 손상되는 것을 방지하는 보호 영역을 제공한다.날개부(1120)는 복막을 찾고, 확장될 때 리트랙트하는데 사용될 수 있다. 각 날개부(1120)는 시스템이 전개될 때 봉합사 파지기(200)가 봉합사 회수 공동으로 통과를 허용하는, 원형(round) 또는 타원형(oval) 또는 임의의 적절한 형상일 수 있는 개구(1126)를 포함할 수 있다. 봉합사 위치지정 가이드와 그루브가 날개부에 제공되고, 이 봉합사 위치지정 가이드와 그루브는, 날개부가 접혀 템플릿이 신체 공동으로부터 리트랙트될 때 봉합사로부터 멀어지는 방향으로 해제되도록 설계된 봉합사의 미리 결정된 위치를 제공할 수 있다.리빙 힌지 클램프 등(미도시)과 같은 봉합사 리테이닝 수단은 아래에 설명된 클리트에 대해 대안적인 설계로 사용될 수 있는 몸체의 근위 부분에 통합되고 위치될 수 있다. 봉합사 클램프는 디바이스에 로딩될 때 봉합사를 일시적으로 제 위치에 유지하고, 이에 의해 날개부가 접힌 위치로부터 개방된 위치로 활성화될 때 봉합사가 슬라이딩하거나 이동하게 할 수 있다.또한 봉합사 위치지정 가이드 또는 그루브(1130)는 개방된 위치 또는 전개된 위치에서 측방향 날개부에 대해 미리 결정된 위치에 봉합사 스트랜드(strand)의 일부를 로딩하고 배치하기 위하여 몸체의 길이를 따라 제공될 수 있다. 이 가이드와 그루브는 봉합사가 로딩될 때 봉합사를 디바이스의 외부 표면 아래에 위치시키는 것에 의해 봉합사를 은닉시키는 기능을 하여, 디바이스가 환자에 삽입되는 동안 봉합사가 의도치 않게 분리되는 것을 방지할 수 있다.봉합사를 디바이스에 로딩한 후 봉합사를 제 위치에 유지하는 능동 또는 수동 클램프 또는 클리트 수단이 사용될 수 있다. 예를 들어, 봉합사 클리트(1132)는 몸체의 근위 부분 쪽에 위치되어, 삽입, 날개부의 확장 및 봉합사의 회수 동안 디바이스에 로딩될 때 봉합사를 팽팽하게 유지하거나 또는 봉합사를 안정화시킬 수 있다. 클램프 또는 클리트(1132)는, 측방향 날개부(1120)가 개방될 때 및/또는 봉합사 파지기 등을 사용하여 봉합사를 픽업하고 인출하는 동안 봉합사를 슬라이딩시키거나 이동시킬 수 있다.몸체(1102)는 봉합사 파지기 디바이스(200)의 근위 핸들에 있는 키 특징부(key feature)와 상호 작용하는 키홈(keyway)을 템플릿의 근위 단부에 포함할 수 있다. 키와 키홈은, 키가 키홈에 존재할 때 측방향 확장 요소가 일반적으로 템플릿에 캡처되어 유지되는 봉합사와 직교하도록 구성될 수 있다. 키/키홈 특징부는 정지부로 기능하고, 니들의 침투 거리를 제한할 수 있다. 사용자는 회수기의 핸들의 바닥을 템플릿에 있는 회수기의 삽입점에 직접 도달하도록 교육받을 수 있다.차폐물 부분(1122)은 템플릿의 원위 부분 쪽에 위치된다. 전술된 바와 같이, 차폐물 부분(1122)은 기관 또는 혈관 또는 다른 조직이 니들에 의해 의도치 않게 천공되는 것을 방지할 수 있고, 측방향 날개부(1120)를 위한 컬럼 지지부로 기능할 수 있다. 차폐물 부분(1122)은 원위 차폐물과 탑 날개부를 연결하는 적어도 하나의 힌지를 포함할 수 있다. 힌지 구성은 핀 또는 리빙 힌지 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 리빙 힌지는 탑 날개부(1120)와 차폐물 부분(1122) 사이에 반경 전이를 형성하는 미리 한정된 길이에서 일정한 두께를 가지도록 구성될 수 있다. 더 큰 반경 전이는 개방된 위치에 있을 때 탑 날개부로부터 더 멀어지는 방향으로 차폐물(의 내부 표면)을 가져갈 수 있다. 이에 따라 이것은 봉합사가 위치될 수 있는 작업 공간을 증가시켜, 봉합사를 캡처할 때 봉합사 파지기(200)를 위한 공간을 만든다.도 5에 도시된 바와 같이, 봉합사를 제 위치에 유지하는 봉합사 가이드 슬롯(1125)이 원위 첨단(1124)에 제공될 수 있다. 이 슬롯(1125)은 봉합사를 미리 결정된 위치에 제공하고, 템플릿이 몸체로부터 리트랙트될 때 봉합사로부터 멀어지는 방향으로 해제되도록 설계된다.도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 작동체 로드(1112)는 디바이스의 원위 첨단 부분(1124)과 근위 핸들(1110)을 연결하는 템플릿의 몸체를 따라 슬라이딩가능하게 배열될 수 있다. 드라이버가 근위로 리트랙트될 때, 날개부(1120)는 도 8 내지 도 10에 도시된 바와 같이 접힌 프로파일로부터 확장된 측방향 위치로 변한다. 드라이버 및/또는 핸들(1110)은 드라이버(1110)를 근위로 바이어스하여 근접 프로파일을 유지하거나 또는 원위로 바이어스하여 확장된 측방향 위치를 유지하도록 몸체의 근위 단부에 스프링으로 로딩될 수 있다. 수술자는 스프링 힘을 극복하고 선택된 스프링 구성에 따라 날개부를 개방하거나 폐쇄할 수 있다.측면 로딩 봉합사 슬롯(1130)은 삽입 동안 봉합사(1180)를 유지하고, 봉합사 회수기의 리트랙트 동안 봉합사를 해제하도록 구성된다. 탑 날개부가 몸체에 측방향으로 개방될 때 탑 날개부(1120)의 내부 표면 아래로 미리 결정된 위치에서 봉합사의 장소를 제어하는 봉합사 러너 가이드(1140) (또한 도 9 및 도 10 참조)가 몸체에 제공된다. 이 장소는 봉합사 파지기(200)가 봉합사와 교차하여 일반적으로 서로 직교하게 정렬되도록 구성된다.도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 봉합사 파지기(200)는 템플릿으로부터 봉합사를 회수하는 수단과 결합된 니들(210)일 수 있다. 일 측면에서, 템플릿으로부터 봉합사를 회수하는 수단은 적어도 하나의 파지 요소(grasping element)(220)를 포함할 수 있다.봉합사 파지기(200)는 템플릿 몸체(1102)의 근위 부분에 있는 삽입 점으로 삽입되고 나서 템플릿의 중심선과 횡방향으로 지나 템플릿 몸체(1102)의 출구 점을 통해 연장되어 유연한 조직을 통해 그리고 봉합사에 인접한 탑 날개부의 애퍼처 개구를 가로질러 봉합사를 캡처하고 회수할 수 있다. 이 회수 조작은 템플릿의 반대쪽에서 반복되어 거기서 봉합사를 회수할 수 있다.봉합사 파지기(200)는 봉합사(1180)를 둘러싸도록 측방향으로 확장할 수 있는 적어도 하나의 요소(220)를 포함할 수 있고, 이 적어도 하나의 요소는 봉합사가 캡처된 후 봉합사(1180)가 자유로이 슬라이딩할 수 있도록 구성된다. 봉합사 파지기(200)는 도 3 및 도 9에 도시된 바와 같이 템플릿의 근위 단부에 있는 키홈(1150)과 상호 작용하는 키 특징부(230)를 근위 핸들(240)에 포함할 수 있다. 일 측면에서, 키 특징부(230)는 니들(210) 쪽 내부로 테이퍼지는 편평한 표면일 수 있는 반면, 키홈(1150)은 폐쇄 몸체(116)의 중심 축과 평행하게 연장되는 편평한 표면일 수 있다. 동작시, 키(230)의 편평한 표면은 키홈(1150)의 편평한 표면에 인접하여 봉합사에 대해 측방향 확장 요소(220)를 정렬할 수 있다. 키(230)와 키홈(1150)은 키(230)가 키홈(1150)에 존재할 때 측방향 확장 요소(220)가 템플릿에 캡처되어 유지되는 봉합사(1180)와 일반적으로 직교하도록 구성될 수 있다. 키/키홈 특징부는 정지부로 작용하고, 니들(210)의 침투 거리를 제한할 수 있다. 사용자는 회수기의 핸들(240)의 바닥이 템플릿에 있는 회수기의 삽입점에 직접 도달하도록 교육받을 수 있다.봉합사 파지기(200)는 봉합사 타깃에 접근할 때 확장하도록 자동적으로 활성화하고 회수기를 리트랙트시킬 때 비활성화 또는 폐쇄하여 리트랙트 조작 동안 봉합사를 캡처하도록 구성될 수 있다. 이것에 의해 외과 의사는 보지 않고도 블라인드 기술을 사용하여 봉합사를 붙잡고 제거할 수 있다. 활성화/비활성화 특징부는 이전에 언급된 키/키홈 배열과 함께 동작될 수 있다.봉합사(1180)는, 예를 들어 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 접힌 상태의 날개부(1120)를 갖는 디바이스의 외부 주위에 로딩되고, 여기서 봉합사(1180)의 중간 부분은 디바이스의 원위 첨단(1124)에 있는 봉합사 슬롯(1125)에 장착되고 나서, 몸체의 원위 단부에 있는 봉합사 러너 가이드(1140)의 슬롯 아래로 이어지고 나서, 디바이스의 몸체를 따라 연속적으로 이어진다. 봉합사(1180)는 디바이스의 근위 부분에 위치된 클램프 또는 클리트(1132)에 의해 팽팽하게 당겨지고 고정된다. 템플릿(1100)은 홀을 통해 신체 공동 내로 삽입될 수 있다. 날개부(1120)는 확장하여 개방되도록 작동되고, 디바이스는 탑 날개부(1120)를 복막에 맞물리도록 리트랙트된다. 봉합사 파지기(200)는 템플릿(1100)의 몸체를 통해 삽입될 수 있고, 유연한 조직을 횡단하고 탑 날개부의 애퍼처(1126)를 교차하여 봉합사 회수 공동에 위치된 봉합사와 맞물려 이를 캡처할 수 있다. 파지기(200)는 신체 공동으로부터 리트랙트되어 봉합사(1180)는 그 원위 첨단에서 자유로이 슬라이딩하여 봉합사의 말단 단부를 외부로 드러낸다. 이 단계들은 템플릿(1100)의 다른 측면에서 반복되고 나서, 디바이스의 날개부(1120)가 비활성화되거나 폐쇄되어, 봉합사(1180)를 해제하고 나서, 디바이스는 신체 공동으로부터 리트랙트되고 제거된다. 봉합사의 노출된 단부들을 사용하여 매듭을 묶어서 근막을 폐쇄한다.상기 설명은 개시된 시스템과 기술의 예를 제공하는 것으로 이해된다. 그러나, 본 발명의 상기 예와는 상이할 수 있는 다른 구현도 고려될 수 있다. 본 발명 또는 예에 대한 모든 언급은 이런 점에서 설명된 특정 예를 말하는 것으로 의도되고, 보다 일반적으로 본 발명의 범위를 임의로 제한하는 것으로 의도된 것이 아니다. 특정 특징부에 대한 구별과 결점을 나타내는 모든 언어는 이 특징부에 선호도가 없다는 것을 나타내는 것으로 의도된 것일 뿐, 달리 언급이 없는 한, 본 발명의 범위로부터 완전히 배제하려고 의도된 것이 아니다. 본 명세서에서 값의 범위의 언급은, 본 명세서에서 달리 언급이 없는 한, 이 범위 내에 있는 각 개별 값을 개별적으로 언급하는 것을 단축된 방법으로 언급하는 기능을 하는 것으로 의도된 것이고, 이에 따라 각 개별 값은 이 개별 값이 본 명세서에서 개별적으로 언급된 것처럼 본 명세서에 포함된다. 본 명세서에서 설명된 모든 방법은, 본 명세서에서 달리 언급이 없는 한 또는 문맥에서 명확히 모순되지 않는 한, 임의의 적절한 순서로 수행될 수 있다.	봉합 절차 동안 봉합사를 회수하는 것을 지원하는 조직 폐쇄 디바이스로서, 상기 디바이스는 세장형 몸체를 포함하고, 상기 세장형 몸체는 근위 단부, 원위 단부, 및 상기 세장형 몸체를 통해 축방향으로 연장되는 루멘을 구비한다. 상기 디바이스는, 상기 세장형 몸체의 루멘을 통해 적어도 부분적으로 연장되고 상기 세장형 몸체의 원위 단부에 부착된 복수의 날개부와 복수의 차폐물을 작동시키는 작동체 로드를 더 포함한다. 상기 세장형 몸체는 개구와 출구를 갖는 적어도 하나의 니들 가이드 루멘을 포함하고, 상기 적어도 하나의 니들 가이드 루멘은 상기 세장형 몸체의 중심 축에 대해 일정 각도로 상기 세장형 몸체를 횡단하여 봉합사 파지기를 둘러싸인 봉합사 회수 공동으로 가이드한다.
[ 발명의 명칭 ] 불균일한 표면상에 금속을 형성하는 방법 및 불균일한 표면상에 결합된 구조물METHODS OF FORMING METAL ON INHOMOGENEOUS SURFACES AND STRUCTURES INCORPORATING METAL ON INHOMOGENEOUS SURFACES [ 기술분야 ] 개시된 기술은 일반적으로 집적 회로에 관한 것이고, 좀 더 구체적으로는, 가령 메모리 셀에 걸쳐 불균일한 표면상에 금속을 형성하는 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 텅스텐 금속화와 같은 증착된 금속을 포함하는 집적 회로는, 컴퓨터, 디지털 카메라, 셀룰러 텔레폰, 개인용 디지털 어시스턴트 등을 포함하는 다양한 범위의 전자 장치에서 발견될 수 있다. 금속화는, 가령 트랜지스터나 메모리 셀과 같은 별도의 장치를 전기적 입/출력 핀과 상호연결하는데 사용되는 전반적인 금속화 스킴의 일부를 형성할 수 있다. 금속 상호연결이 치수로 스케일되기 때문에, 금속 상호 연결의 저항은 증가한다. 따라서, 금속 상호연결의 저항의 증가를 감소시키기 위하여, 금속 구조물이 필요한데, 이 금속 구조물의 저항은 금속 구조물의 저항률을 감소시킴에 의해 낮아질 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1a는 이질적 표면상에 형성된 금속화 구조물의 개략적인 단면도이다.도 1b는 어떤 다른 실시예에 따른 금속화 구조물의 개략적인 단면도이다.도 2a-2d는 일부 실시예에 따른 다양한 단계의 제작에서의 메모리 어레이의 개략적인 단면도이다.도 3은 일부 다른 실시예에 따른 메모리 어레이의 개략적인 단면도이다.도 4는 일부 실시예에 따른 시딩 물질의 두께의 함수로서, 전도성 물질의 실험 저항률을 나타내는 그래프이다.도 5a는 일부 실시예에 따른 전도성 물질의 두께의 함수로서, 전도성 물질의 실험 저항률을 나타내는 그래프이다.도 5b는 일부 실시예에 따른 전도성 금속 물질의 x-레이 회절 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.도 5c는 어떤 다른 실시예에 따른 전도성 금속 물질의 x-레이 회절 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.도 5d는 어떤 다른 실시예에 따른 전도성 금속 물질의 x-레이 회절 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.도면에서의 특징들은 스케일에 따라 도시될 필요가 없고, 도시된 것과 상이한 방향으로 연장될 수 있다. 다양한 축과 방향이 도시되어서 본 명세서에 논의 사항을 용이하게 하면서, 특징들은 상이한 방향으로 연장될 수 있다는 것을 인식할 것이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 집적 회로(IC)의 금속 상호연결은, 트랜지스터, 레지스터 또는 메모리 셀과 같은 별도의 장치와 I/O 핀과 같은 외부 전기 입력 및 출력부 사이의 전기적 연결을 제공한다. 크기의 소형화를 지속하려는 IC 때문에, 상호연결은 많은 성능 메트릭에 대한 보틀 넥일 수 있다. 예를 들어, 금속 연결부의 증가하는 레지스턴스 및/또는 증가하는 커패시턴스는 액세스 속도를 제한할 수 있고, 전자 장치, 가령 무선 장치, 개인용 컴퓨터 등의 전력 소비를 증가시킬 수 있다.금속 상호연결부가 치수로 스케일되기 때문에, 금속 상호연결부의 레지스턴스는 증가한다. 왜냐하면, 금속 구조물(가령, 금속 라인 및 비아)의 레지스턴스는 일반적으로 금속 구조물의 단면적(가령, 직사각형 금속 구조물의 너비와 높이의 곱)에 비례하고, 금속 구조물의 너비와 같은 측면 치수를 수축시키는 것은 원치 않는 금속 구조물의 전기 레지스턴스의 증가를 야기할 수 있기 때문이다. 금속 구조물의 주어진 길이에 대해, 금속 구조물의 레지스턴스의 이러한 증가는 금속 구조물의 비례적으로 증가하는 높이에 의해, 어떤 환경하에서 보상될 수 있어서, 단면적이 비교적 일정하게 유지될 수 있다. 그러나, 이러한 보상은 부정적인 결과를 가질 수 있다. 예를 들어, 증가된 높이는 길이적 방향으로 연장되는 금속 구조물의 측면의 면적의 증가를 초래하고, 이는 금속 라인의 증가된 커패시턴스로 이어질 수 있다. 또한, 금속 구조물의 증가된 높이는, 금속 라인의 에칭의 어려움 또는 라인들이 금속층을 에칭함에 의해 형성되는, 금속 라인들 사이에 형성된 갭을 유전체 물질로 채우는 어려움과 같은 증가된 공정상 어려움으로 이어질 수 있다. 따라서, 금속 구조물의 저항률을 최소로함에 의해 치수적 보상과 독립적으로, 레지스턴스가 낮아지는, 금속 구조물에 대한 요구가 있다. 본 명세서에 기술된 일부 실시예에서, 저항률은, 금속 구조물을 형성하는 금속 물질의 상 및 미세구조물을 제어함을 통해 최소로된다.텅스텐을 포함하는 금속 구조물은, 메모리 장치를 포함하여 다양한 응용예에 대한 상호연결의 다양한 부품을 형성하는데 사용된다. 텅스텐을 포함하는 금속 구조물은 다른 것 보다도, 전극, 비아, 금속 라인, 접촉물 및 플러그를 포함한다. 다양한 금속 구조물에서의 텅스텐의 다양한 사용은, 적어도 부분적으로, 증착 프로세스와 에칭 프로세스를 포함하여 텅스텐을 프로세싱하는 비교적 다양한 선택사항 때문일 수 있다. 텅스텐은 다른 것 보다도, 가령, 원자층 증착법(ALD), 화학 증기 증착법(CVD), 증발, 및 물리 증기 증착법(PVD)을 사용하여 증착될 수 있다. 또한, 다른 것 보다도, 플루오린, 클로린 및 황산을 사용하는 화학 기술을 포함하여, 텅스턴에 대해 존재하는 에칭 화학 기술이 많이 알려져 있다.텅스텐을 포함하는 얇은 필름의 전기 저항률은 필름이 증착된 표면의 특징에 의해 영향을 받을 수 있다. 이론에 의해 제한되지 않으면, 이러한 종속성의 이유는 얇은 필름 물질과 표면을 제공하는 물질 사이의 계면 에너지(interfacial energy)라고 여겨진다. 이러한 이유로, 특정한 환경에서, 하나 이상의 물질을 가진 이질적 표면 대신에, 하나의 물질을 가진 균일한 표면상에 얇은 필름을 형성하는 것이 바람직할 수 있다. 균일한 표면을 가지는 것은 균일한 크기의 분포 및/또는 얇은 필름 내의 더 빽빽한 크기의 입자의 분포와 같은 이점으로 이어질 수 있다. 이러한 이유로, 본 명세서에 기술된 다양한 실시예는, 균일한 표면상에 증착된, 가령 텅스텐을 포함하는 금속 얇은 필름으로부터 금속 구조물을 형성한다.또한, 균일한 표면은 얇은 필름 물질의 상을 제어하는데 이로울 수 있다. 예를 들어, 텅스텐은 적어도 두 개의 고체 결정질 상, 즉, 체심 입방(bcc) 구조를 가진 낮은 저항률의 알파-상 및 등방(A15) 구조를 가진 높은 저항률의 베타-상을 가지는 것으로 관측되어 왔다. 전자는 평형 상으로 이해된다. 텅스텐을 포함하는 주어진 얇은 필름에서, 알파 및 베타-상 중 하나 또는 둘 모두가 존재할 수 있다. 어떤 상황에서, 텅스텐의 알파와 베타-상 사이의 저항률의 차이는 10x를 초과할 수 있다. 따라서, 이론에 의해 제한되지 않으면, 금속 구조물의 더 낮은 저항률을 원할 때, 텅스텐을 포함하는 금속 구조물의 미세구조물을 제어하여서, 금속 구조물 내의 더 낮은 저항률의 알파 텅스텐의 비율이 최대로 되게 하는 것이 바람직할 수 있다. 이러한 이유로, 본 명세서에 개시된 다양한 실시예는 알파-상 텅스텐을 주로 포함하고, 본질적으로 베타-상 텅스텐이 없는 금속 구조물을 형성할 수 있다.도 1a는 이질적 표면(4a, 6a)상에 형성된 금속화 구조물(2)의 개략적인 단면도이다. 금속화 구조물은 상호연결 구조물일 수 있다. 상호연결 구조물(2)을 형성하는 방법은 제1 물질(4) 및 제1 물질(4)에 인접하고 제1 물질과 상이한 제2 물질(6)을 포함하는 기판을 제공하는 단계를 포함한다. 추가적으로, 본 방법은 제1 물질의 제1 표면 영역(4a) 및 제2 물질의 제2 표면 영역(6a)을 포함하는 노출된 표면을 제공하는 단계를 포함한다. 또한, 본 방법은 물리 증기 증착 프로세스를 통해 제1 및 제2 표면 영역(4a 및 6a)상에 텅스텐을 포함하는 블랭킷 얇은 필름 금속(8)을 증착하는 단계를 포함한다. 얇은 필름 금속(8)은 이후에 패턴화되어서 다양한 상호연결 구조물, 가령, 금속 라인을 형성할 수 있다.제1 물질(4)은 가령, 비아, 플러그, 접촉물 또는 그 밖의 다른 유사한 구조물과 같은 전기 전도체의 역할을 할 수 있다. 제1 물질(4)은 다른 금속성 물질 중에서도, 탄소, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 티타늄 니트라이드, 탄탈륨 니트라이드 및 도핑된 결정질 실리콘과 같은 금속성 물질을 포함할 수 있다.제2 물질(6)은 다른 것 중에, 가령, 상호-금속 유전체, 내부층 유전체, 및 고립 유전체로서의 역할을 할 수 있다. 제2 물질은 다른 옥사이드나 유전체 중에서도, 실리콘 옥사이드, 실리콘 니트라이드 및 실리콘 옥시니트라이드와 같은 유전체 물질을 포함할 수 있다.우선, 제1 물질(4)은 금속의 얇은 필름을 증착함에 의해 형성되고, 이후에 얇은 필름을 패터닝하여 갭에 의해 분리된 제1 금속 물질(4)을 형성하고 나서, 유전체 물질을 갭 내에 증착하여 제2 물질(6)을 형성한다. 이러한 유형의 프로세스는 종종 "차감적 금속(subtractive metal)" 프로세스라고 한다. 다른 실시예에서, 우선, 제2 물질(6)은 유전체의 얇은 필름을 증착함에 의해 형성되고, 이후에 유전체를 패터닝하여 갭에 의해 분리된 제2 물질(6)을 형성하고 나서, 갭 내의 금속 물질을 도금/증착함에 의해 제1 물질(4)을 형성하여, 제1 물질(4)을 형성한다. 이러한 유형의 프로세스는 종종 "다마신(damascene)" 프로세스라고 한다.제1 및 제2 물질(4 및 6)이 차감적 또는 다마신 프로세스 중 하나에 의해 형성된 이후에, 제1 및 제2 표면 영역(4a 및 6a)을 포함하는 실질적으로 평면의 표면은, 가령, 화학 기계적 폴리싱(CMP) 프로세스를 사용하여, 평면화(planarization)에 의해 형성된다. "차감적 금속" 프로세스에서, CMP 프로세스는 패턴화된 제1 물질(4)상에 증착된 과도한 유전체 물질을 제거하여, 실질적으로 평면의 표면을 형성하는 반면, "다마신" 프로세스에서, CMP 프로세스는 패턴화된 제2 물질(6)상에 증착된 과도한 금속 물질을 제거하여, 실질적으로 평면의 표면을 형성한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, "실질적으로" 평면의 표면은, 일상적인 프로세싱 변동에 의해 초래될 수 있는 제1 및 제2 물질(4 및 6) 사이에 인접한 계단 높이를 포함할 수 있는 일반적으로 평면인 표면이다. 이러한 변동은 가령, 제1 및 제2 물질(4 및 6) 사이의 CMP 제거 속도의 차이 때문에 발생할 수 있다. 이는 때때로, "디싱(dishing)"이라고 한다. 본 명세서에 기술된 실시예에서, 이러한 계단 높이가 CMP 프로세스의 특정한 조건에 의존할 수 있는 반면, "실질적으로" 평면의 표면은, 평면화된 물질(가령, 도 1a에서의 제1 및 제2 물질(4 및 6))의 두께를 일반적으로 초과하지 않는, 디싱에 의해 초래되는 국부적인 계단 높이 변동을 가지는 것으로 이해될 것이다. 예를 들어, 평면의 표면은 가령, 0 nm 내지 20 nm, 가령 약 5 nm를 초과하지 않는 국부적인 계단 높이 변동을 가질 수 있다.텅스텐을 포함할 수 있는 얇은 필름 금속(8)은 물리 증기 증착법(PVD)에 의해 증착될 수 있다. 예를 들어, 얇은 필름 금속(8)은 DC 마그네트론 스퍼터링 시스템 내에서 증착될 수 있다. 다른 실시예에서, 얇은 필름 금속(8)은 화학 증기 증착법이나 원자층 증착법에 의해 증착된다.일부 실시예에서, 얇은 필름 금속(8)은 약 0.01 Å/s 내지 약 1 Å/s, 가령 약 0.15 Å/s의 느린 증착 속도로 증착된다. 다른 예시에서, 금속 물질(8)은 약 1 Å/s 내지 약 100 Å/s, 가령 약 11 Å/s의 빠른 증착 속도로 증착된다. 일부 실시예에서, 증착하는 동안, 액티브 척킹(active chucking)이 후면 아르곤 흐름으로 웨이퍼에 가해져서, 약 10 ℃ 내지 약 100 ℃, 가령 약 17 ℃로 웨이퍼를 차갑게 유지한다.텅스텐을 포함하는 얇은 필름 금속(8)의 미세구조물은, 입자(grain)가 자라는 기판과 얇은 필름 물질(8) 사이의 계면 에너지를 포함하는, 여러 요소에 의존할 수 있다. 제1 및 제2 표면 영역(4a 및 6a)을 포함하는 도 1a에 도시된 이질적 표면에 대하여, 얇은 필름 금속(8)과 제1 표면 영역(4a)사이의 제1 계면 에너지 및 얇은 필름 물질(8)과 제2 표면 영역(6a) 사이의 제2 계면 에너지는 상이할 수 있다. 결과로 나온 미세구조물은 크기 분포에서 단분산(monodisperse)이 아닌 입자를 가질 수 있는데, 즉, 입자는 가령, 복수의 피크를 가지는 크기 분포를 가질 수 있다. 예를 들어, 도 1a에서의 도면에 의해서, 제1 표면 영역(4a) 위에 형성된 입자(8a)의 제1 평균 크기는 제2 표면 영역(6a) 위에 형성된 입자(8b)의 제2 평균 크기와 상이할 수 있다. 도 1a에 도시된 구조물에서, 제1 표면 영역(4a) 위에 형성된 입자(8a)는, 도 1a에 제2 표면 영역(6a) 위에 형성된 입자(8b) 보다 평균상 더 큰 것으로 도시되지만, 이는 오직 설명을 위함이다. 다른 경우에서, 제1 표면 영역(4a) 위에 형성된 입자(8a)는 제2 표면 영역(6a) 위에 형성된 입자(8b) 보다 평균상 더 작을 수 있다. 다른 경우에서, 제1 표면 영역(4a) 위에 형성된 입자(8a)는 제2 표면 영역(6a) 위에 형성된 입자(8b)와 비교하여, 평균상 유사할 수 있다.얇은 필름 금속(8)이 텅스텐으로 형성될 때, 증착된 텅스텐은 알파-상 및 베타-상 텅스텐 모두를 포함할 수 있다. 두 상이 존재할 때, 알파-상과 베타-상의 텅스텐의 상대적인 양은 여러 요소에 의존할 수 있다. 어떠한 이론에 얽매이지 않으면, 기본 물질(가령, 도 1a에서의 제1 및 제2 물질(4 및 6))내의 산소 원자의 사용가능성은 베타-상 텅스텐의 형성에 있어서의 요소일 수 있다. 구속되거나 자유로울 수 있는 충분한 양의 산소 원자가 존재할 때, 상당한 양의 베타-상 텅스텐이 증착된 얇은 필름 금속(8) 내에 존재할 수 있다. 가령, 제1 및 제2 물질(4 및 6) 중 적어도 하나가 산소 원자를 포함할 때, 상당한 양의 베타-상 텅스텐이 존재할 수 있다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 가령, 제2 물질(6)이 옥사이드(가령, SiO2)를 포함하는 내부층 유전체(ILD)일 때, 적어도, 제2 표면 영역(6a) 위에 형성된 입자(8b)의 비율은 베타-상 텅스텐을 포함할 수 있다. 반대로, 제1 물질(4)이 실질적으로 산소가 없는 금속성 물질(가령, 탄소)일 때, 적어도, 제1 표면 영역(4a) 위에 형성된 입자(8a)의 비율은 알파-상 텅스텐을 포함할 수 있다. 도 1a가 제2 표면 영역(6a) 위에 형성된 베타-상 텅스텐 입자(8b) 및 제1 표면 영역(4a) 위에 형성된 알파-상 텅스텐 입자(8a)를 나타내지만, 도면은 단지 설명을 위함이고, 알파-상 및 베타-상 텅스텐 입자(8a 및 8b)의 실제 위치와 분포는 제1 및 제2 표면 영역(4a 및 6a) 위에 실질적으로 상호혼합될 수 있다. 또한, 다른 실시예에서, 제1 물질(4)은 또한, 베타-상 텅스텐의 형성에 있어서 요소가 될 수 있는 산소 원자를 포함할 수 있다.본 명세서에서 사용된 바와 같이, "상당한" 양의 상(가령, 알파-상) 텅스텐을 가진 얇은 필름 물질은, 상의 부피 비율에서, 약 50 % 내지 약 100 % 또는 약 75 % 내지 약 100 %, 가령 약 90 %를 가진 금속 물질(8)의 얇은 필름을 말한다. 텅스텐의 상의 부피 비율은 가령, 기술 분야에 알려진 방법을 사용하여 얇은 필름의 X-레이 회절 패턴의 곡선-맞춤(curve-fitting)에 의해 결정될 수 있다. 마찬가지로, "실질적으로 없는" 상(가령, 베타-상)의 텅스텐을 가진 얇은 필름 물질은, 상의 부피 비율에서, 약 50 % 미만 또는 약 10 % 미만을 가진 금속 물질(8)의 얇은 필름을 말한다.본 명세서에서 사용된 바와 같이, "본질적으로" 상(가령, 알파-상)의 텅스텐으로 구성된 얇은 필름 물질은, 얇은 필름의 X-레이 회절 패턴의 곡선-맞춤에 의해 검출가능하기에, 눈에 띄게 검출가능한 양의 다른 상이 나타나지 않는 금속 무질(8)의 얇은 필름을 말한다.도 1a를 계속하여 참조하면, 얇은 필름 금속(8)의 두께(h1)는, 상당한 양의 특정한 상의 텅스텐(가령, 베타-상 텅스텐)이 존재하는지 아닌지에 영향을 주는 하나의 요소가 될 수 있다. 예를 들어, 이론에 얽매이지 않으면, 도 1a에서와 같은 이질적 표면상에, 얇은 필름 금속(8)은 초기에, 특정한 두께까지 대부분 베타-상 텅스텐을 포함하고, 실질적으로 알파-상 텅스텐이 없는 필름으로 성장할 수 있다. 특정 두께를 넘으면, 얇은 필름 금속(8)의 추가 두께는 알파 및 베타-상 모두를 포함하는 얇은 필름 부분으로 전이되거나, 얇은 필름 부분이 실질적으로 베타-상이 없는 텅스텐이 된다. 임의의 이론에 얽매이지 않으면, 이러한 전이는 가령, 기본 물질로부터 더 적은 산소 접근을 가진 성장 표면에 기인할 수 있다. 일부 경우에, 제1 및 제2 표면 영역(4a 및 6a)에서 직접 성장될 때, 이들 중 적어도 하나는 베타-상 텅스텐의 개시를 위해 사용가능한 산소 원자를 포함하고, 약 15 nm 미만의 두께를 가진 얇은 필름 금속(8)은 실질적으로 알파-상 텅스텐이 없을 수 있다. 이는 낮은-레지스턴스 텅스텐계 상호연결 구조물(가령, 금속 라인)을 가진 많은 IC를 제작하는데 문제를 제기하는 것인데, 왜냐하면, 많은 상호연결 구조물은 기본 구조물(가령, SiO2 ILD)에 산소를 포함하고, 이러한 많은 구조물은 약 15 nm 미만의 두께를 가진 얇은 필름 금속 구조물(8)로 형성되기 때문이다. 상호연결 구조물을 형성하기 위해 사용되는 물질과 프로세스는, 대부분 베타-상 텅스텐을 포함하면서 실질적으로 알파-상 텅스텐이 없는 상호연결 구조물이나 알파 및 베타-상 텅스텐을 포함하는 상호연결 구조물의 형성을 지지하나, 대부분 알파-상을 포함하면서 실질적으로 베타-상 텅스텐이 없는 상호연결 구조물의 형성을 지지하지 않는다.이제 도 1b를 참조하면, 어떠한 다른 실시예에 따른 금속화 구조물(10)을 도시한 개략적인 부분 단면도가 도시된다. 일부 실시예에서, 금속화 구조물(10)은 상호연결 구조물일 수 있다. 도 1a와 마찬가지로, 일부 실시예에서, 상호연결 구조물(10)을 형성하기 위한 방법은, 제1 물질(4) 및 제1 물질(4)에 인접하면서 상이한 제2 물질(6)을 포함하는 기판을 제공하는 단계를 포함하고, 제1 물질(4)의 제1 표면 영역(4b) 및 제2 물질(6)의 제2 표면 영역(6b)을 포함하는 노출된 표면을 제공하는 단계를 포함한다. 도 1a와 달리, 제1 및 제2 표면 영역(4b 및 6b)상에 얇은 필름 금속(8)을 증착하는 것 대신에, 도 1b의 방법은 가령, 제1 및 제2 표면 영역(4b 및 6b)상에 시딩 물질(12)을 증착하는 것과 같이 형성하여, 균일한 표면(12a)을 제공한다. 본 방법은, 가령 PVD 프로세스를 사용하여, 균일한 표면(12a) 상에 가령 텅스텐을 포함하는 얇은 필름 금속(8)을 증착하는 것과 같이 형성하는 단계를 포함한다. 얇은 필름 금속(8)은 이후에 패턴화되어서, 가령, 금속 라인과 같은 상호연결 구조물과 같은 다양한 구조물을 형성할 수 있다.여러 요소가 블랭킷 얇은 필름 금소(8)의 저항률에 영향을 줄 수 있다. 이러한 하나의 요소는 얇은 필름 금속(8)의 미세구조물일 수 있다. 예를 들어, 금속 물질의 저항률은 얇은 필름 금속(8)의 평균 입자 크기 및 그 얇은 필름의 입자 크기의 분포(가령, 표준 편차)에 의존할 수 있다. 임의의 이론에 얽매이지 않으면, 이러한 종속성은 다른 기원보다도, 적어도 부분적으로, 입자 경계면에서 발생하는 전자 충돌의 더 높은 확률 때문에, 전자의 평균 자유 행로와 평균 입자 크기사이의 상관도에서 기원될 수 있다고 여겨진다. 이러한 이유로, 일부 실시예에서, 비교적 큰 평균 입자 크기와 비교적 작은 입자 크기의 표준 편차를 가지는 것이 바람직할 수 있다. 도 1b의 도시된 실시예는, 제1 및 제2 표면 영역(4b 및 6b)과 얇은 필름 금속(8) 사이에 적절한 시딩 물질(12)을 삽입함에 의해 이러한 이점을 달성할 수 있다. 도 1a와 관련하여 상기 논의된 바와 같이, 이질적 표면(가령, 제1 및 제2 표면 영역(4a 및 6a))상의 블랭킷 얇은 필름 금속(8)을 형성하는 단계는 비-단분산일 수 있는 입자 크기 분포를 도입할 수 있다. 도 1b의 도시된 실시예에서, 블랭킷 시딩 물질(12)은 좀 더 단분산인 입자 크기 분포를 제공할 수 있는 균일한 표면(12a)을 제공한다.얇은 필름 금속(8)의 저항률에 영향을 줄 수 있는 또 다른 요소는 어떤 상의 존재 및 존재하는 상의 저항률이다. 이러한 이유로, 베타-상 텅스텐에 비해 알파-상 텅스텐의 더 높은 비율을 가지는 것이 바람직할 수 있다. 도 1a와 관련하여 논의되는 바와 같이, 이질적 표면이 상당한 양의 산소(가령, SiO2)를 포함하는 표면을 포함할 때, 특히 얇은 필름 금속(8)의 두께(h1)가 약 15 nm 미만의 두께를 가질 때, 결과적으로 상당한 양의 베타-상 텅스텐이 형성될 수 있다. 도 1b의 도시된 실시예에서, 시딩 물질(12)은 실질적으로 산소가 없는 물질로 선택되어서, 실질적으로 베타-상 없는 텅스텐인 얇은 필름 금소(8)의 형성을 촉진할 수 있다. 일부 실시예에서, 얇은 필름 금속(8)은 본질적으로 알파-상 텅스텐으로 구성되어서, 얇은 필름 금속(8)의 X-레이 회절 패턴은 베타-상 텅스텐에 기인하는 피크를 나타내지 않는다.시딩 물질(12)이 균일한 표면(12a)을 제공할 때라도, 노출된 시딩 물질(12)에서의 입자내의 결정질 면(crystalline facet)의 존재는 얇은 필름 금속(8)의 미세구조물에 영향을 줄 수 있다. 이러한 양태에서, 결정질 면의 영향을 최소로하는 것이 바람직할 수 있다. 이러한 이유로, 일부 실시예에서, 시딩 물질(12)은 비결정성 물질을 포함한다. 적절한 비결정성 물질은 가령, 비결정성 실리콘과 비결정성 게르마늄을 포함하는 비결정성 반도체를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 적절한 비결정성 물질은 가령, 실리콘 니트라이드를 포함하는 비결정성 금속 니트라이드를 포함할 수 있다. 그러나, 창의적인 양태는 비결정성 시딩 물질로 제한되지 않고, 다른 실시예는 결정질 시딩 물질을 포함할 수 있다.일부 실시예에서, 시딩 물질(12)은 가령, PVD 프로세스 또는 CVD 프로세스와 같은 임의의 적절한 방법을 사용하여 증착될 수 있다. 일부 실시예에서, 시딩 물질(12) 및 얇은 필름 금속(8)은, 시딩 물질의 표면을 챔버 외부의 공기에 노출하지 않고, 동일한 챔버 내에, 원 위치에서 증착될 수 있다. 예를 들어, 얇은 필름 금속(8)은 복수의-타겟 PVD 시스템을 사용하여 원 위치에서 증착될 수 있다. 이러한 원 위치 프로세스는 균일한 표면(12a)으로부터 산소 원자를 더욱 감소하는데 있어서 바람직할 수 있다.시딩 물질(12)의 두께(h2)는 균일한 표면(12a)에 대해 충분하고 연속적인 커버를 제공하기 위한, 임의의 적절한 두께일 수 있다. 이와 관련하여, 일부 실시예에서, 적절한 두껜느 약 1 nm 내지 약 15 nm일 수 있다. 다른 실시예에서, 적절한 두께는, 약 2 nm 내지 약 15 nm, 약 2.5 nm 내지 약 15 nm, 약 1 nm 내지 약 4 nm, 가령 약 2.5 nm일 수 있다.이하에서는, 상호연결 구조물의 실시예 및 메모리 어레이의 상황속에서 동일한 것을 형성하는 방법이 더욱 자세히 논의된다. 일반적으로, 메모리 성능과 메모리 비트 밀도는 프로세스 아키텍처와 메모리 어레이를 형성하는데 사용된 물질에 의존할 수 있다. 예를 들어, 크로스-포인트 메모리 어레이와 관련하여, 프로세스 아키텍처와 메모리 셀에 접근하기 위한 전도성 액세스 라인(가령, 칼럼 라인과 로우 라인)을 형성하는데 사용된 물질은 전도성 액세스 라인의 레지스턴스와 커패시턴스에 직접적인 영향을 줄 수 있어서, 가령, 액세스 시간과 같은 메모리 성능에 영향을 줄 수 있다. 한 편으로는, 더 좁아진 전도성 액세스 라인은 단위 면적당 더 높은 밀도의 전도성 액세스 라인을 허용할 수 있고, 이는 결국, 단위 면적당 더 높은 밀도의 메모리 셀을 허용할 수 있다. 다른 한 편으로는, 전도성 액세스 라인의 너비 및/또는 높이가 감소될 때, 전도성 액세스 라인의 레지스턴스는 실질적으로 증가할 수 있다. 따라서, 본 명세서에서 논의되는 바와 같이, 감소된 저항률을 가진 전도성 액세스 라인을 형성하는 방법이 요구된다.도 2a-2d를 참조하면, 가령, 실질적으로 단일의 알파-상 텅스텐과 같은 금속을 포함하는 전도성 라인을 형성하는 방법이 도시된다. 일부 실시예에서, 약 90%이 넘는 금속의 부피 비율이 알파-상 텅스텐을 포함한다면, 금속은 "실질적으로" 단일의 알파-상 텅스텐일 수 있다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 전도성 라인은, 단일 축을 따라 연장되거나, 만곡되거나, 서로 다른 축을 따라 각각 연장된 서로 다른 부분을 포함할 수 있는 연장된 전도성 구조물이다. 전도성 라인을 형성하는 방법은 절연 물질(48)에 인접한 메모리 셀 라인 스택을 포함하는 중간 어레이 구조물(100b)(도 2b)을 제공하는 단계를 포함한다. 메모리 셀 라인 스택은 하단 전극 라인(40), 하단 칼코게나이드 요소 라인(38b), 중간 전극 라인(36b), 상단 칼코게나이드 요소 라인(34b) 및 상단 전극 라인(32b)을 포함한다. 본 방법은, 전극 표면(62)과 고립 표면(60)을 포함하는 실질적으로 평면화된 표면상에 제2 시딩 물질(42b)(도 2c)을 증착하는 단계를 추가적으로 포함한다. 본 방법은, 제2 시딩 물질(42b) 상에 텅스텐을 포함하는 상단 전도성 물질(20b)을 증착하는 단계를 추가적으로 포함한다. 본 발명은, 제2 시딩 물질(42b)과 상단 전도성 물질(20b)을 패턴화하는 단계를 더 포함하여, 실질적으로 단일의 알파-상 텅스텐을 포함하는 상단 전도성 라인(20)을 형성한다. 일부 실시예에서, 전극 표면(62), 고립 표면(60) 및 시딩층(42b)은 도 1b의 표면(4a), 표면(6a) 및 시딩층(12)에 각각 해당한다.이하에서, 실시예가 금속을 포함하는 전도성 라인을 형성하는 상황에서 기술되지만, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 본 명세서에 기술된 방법은 일반적으로, 불균일한 표면 위에 전도성 물질 및 전도성 물질 영역을 형성하는 것에 적용가능하다. 이러한 전도성 물질은 임의의 형상을 가질 수 있다. 또한, 실시예는 불균일한 표면이 실질적으로 평면이든 아니든 적용될 수 있고, 수평 및 수직인 불균일한 표면 모두에 적용될 수 있다.도 2a의 중간 어레이 구조물(100a)을 참조하면, 전도성 라인을 형성하는 방법은, 기판(미도시) 위에 제1 시딩 물질(18a), 제1 블랭킷 시딩 물질(18a) 위의 (가령, 텅스텐을 포함하는) 하단 전도성 물질(22a), (가령, 텅스텐을 포함하는) 하단 전도성 물질(22a)상의 하단 전극 물질(40a), 하단 전극 물질(40a)상의 하단 칼코게나이드 물질(38a), 하단 칼코게나이드 물질(38a)상의 중간 전극 물질(36a), 중간 전극 물질(36a)상의 상단 칼코게나이드 물질(34a) 및 상단 칼코게나이드 물질(34a)상의 상단 전극 물질(32a)을 포함하는 물질 스택을 제공하는 단계를 포함한다.일부 실시예에서, 제1 블랭킷 시딩 물질(18a)은, 메모리 어레이를 위한 구동 및 센싱 회로를 형성하는 트랜지스터를 포함하는 다양한 구조물을 가진 기판(미도시)상에 증착된다. 이러한 이유로, 제1 블랭킷 시딩 물질(18a)은, 전도성 표면은 물론 금속간(intermetal) 유전체 표면을 포함하는 기판 표면상에 증착될 수 있다. 금속간 유전체 표면은 가령, 실리콘 옥사이드 표면을 포함할 수 있다. 전도성 표면은, 가령 기본 트랜지스터를 전기적으로 연결하는 비아의 표면을 포함할 수 있고, 가령, 수직 전도성 구조물의 다른 유형 중에서, 텅스텐 비아, 폴리실리콘 플러그 및 구리 비아를 포함할 수 있다.제1 시딩 물질(18a)은 기판 표면(미도시)의 전도성 표면은 물론 금속간 유전체 표면 모두를 커버한다. 도 1b와 관련하여 논의되는 바와 같이, 제1 시딩 물질(18a)은 하단 전도성 물질(22a)의 이후의 증착을 위해 균일한 표면을 제공하는 역할을 한다. 특정한 상황하에서, 균일한 표면은, 좀 더 균일한 분포 및/또는 좀 더 균일한 상을 특징으로 하는 입자를 가진 하단 전도성 물질(22a)이 생기도록 할 수 있다. 또한, 특정한 상황하에서, 균일한 표면은 더 큰 평균 입자 크기를 가진 하단 전도성 물질(22a)이 생기도록 할 수 있다.일부 실시예에서, 도 1b와 마찬가지로, 제1 시딩 물질(18a)은 비결정성 물질을 포함한다. 제1 시딩 물질(18a)은 가령, 바람직하게는 약 0.5 nm 내지 약 4,5 nm, 좀 더 바람직하게는 약 1.5 nm 내지 약 3.5 nm, 가령, 약 2.5 nm의 두께를 가진 비결정성 실리콘 또는 게르마늄을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 비결정성 물질은 PVD와 같은 적절한 기술을 사용하여 증착되어서 비결정성 미세구조물을 달성할 수 있다. 예를 들어, 상당한 핵생성 및/또는 제1 시딩 물질(18a)의 성장을 막기 위하여, 일부 실시예에서, 바람직하게는 약 10 ℃ 내지 약 100 ℃, 그리고 좀 더 바람직하게는 10 ℃ 내지 약 30℃의 기판 온도에서 증착이 수행될 수 있다.일부 실시예에서, 도 1b와 마찬가지로, 텅스텐을 포함하는 하단 전도성 물질(22a)은, 바람직하게는 약 5 nm 내지 약 25 nm, 그리고 좀 더 바람직하게는 약 10 nm 내지 약 20 nm, 가령 약 15 nm의 두께를 가질 수 있다.더 큰 평균 입자 크기 및/또는 좀 더 균일한 크기 분포에 더하여, 텅스텐을 포함하는 하단 금속 물질(22a)을 제1 시딩 물질(18a)에 증착하는 단계는 본 명세서에서 논의되는 바와 같이, 베타-상 텅스텐과 같은 하단 금속 물질(22a)의 원하지 않는 특정한 상을 억제할 수도 있다.상기에서 논의되는 바와 같이, 일부 실시예에서, 기판 표면의 금속간 유전체 표면이 옥사이드(가령, 실리콘 옥사이드)를 포함할 때, 금속간 유전체 표면상에 직접 하단 전도성 물질(22a)을 증착하는 것은, 텅스텐이 하단 전도성 물질(22)사에 증착되는 실시예에서, 베타-상 텅스텐의 상당한 비율을 가진 하단 전도성 물질(22a)을 야기할 수 있다. 상기에서 논의되는 바와 같이, 베타-상 텅스텐의 형성은 금속간 유전체의 옥사이드 내의 산소의 존재에 의해 가능하게 될 수 있다. 이에 반하여, 하단 전도성 물질(22a)은 도 2a에 도시된 바와 같이, 개입되는 제1 시딩 물질(18a)상에 증착될 때, 결과로 나온 하단 전도성 물질(22a)은 실질적으로, 단일의 상인 알파-상 텅스텐만을 포함할 수 있고, 실질적으로 베타-상이 없는 텅스텐일 수 있다. 일부 실시예에서, 하단 전도성 물질(22a)은 본질적으로 알파-상 텅스텐으로 구성될 수 있어서, 하단 전도성 물질(22a)의 x-레이 회절 스펙트럼에서 텅스텐의 다른 상에 기인하는 피크가 없이 도시된다.텅스텐을 포함하는 하단 전도성 물질(22a)을 가진 실시예가 상기에 기술되었지만, 하단 전도성 물질(22a)은, 메모리 어레이 내의 메모리 셀에 접근하기 위해 전기적 전류를 전달하기 위한 하단 전도성 라인(22)을 형성하기에 적절한 임의의 전도성 및/또는 반도체성 물질을 포함할 수 있다는 것을 이해해야 한다. 하단 전도성 라인(22)을 형성하기에 적절한 전도성/반도체성 물질의 예시는 다른 것 중에서도, n-도핑된 폴리 실리콘, p-도핑된 폴리 싯리콘, Al, Cu 및 W를 포함하는 금속, TiN, TaN, 및 TaCN를 포함하는 전도성 금속 니트라이드를 포함한다.계속하여, 도 2a를 참조하면, 하단, 중간 및 사단 전극 물질(40a, 36a, 및 32a)은, 가령, n-도핑된 폴리 실리콘 및 p-도핑된 폴리 실리콘, C, Al, Cu, Ni, Cr, Co, Ru, Rh, Pd, Ag, Pt, Au, Ir, Ta, 및 W를 포함하는 금속, TiN, TaN, WN, 및 TaCN를 포함하는 전도성 금속 니트라이드, 탄탈륨 실리사이드, 텅스텐 실리사이드, 니켈 실리사이드, 코발트 실리사이드 및 티타늄 실리사이드를 포함하는 전도성 금속 실리사이드, 및 RuO2를 포함하는 전도성 금속 옥사이드를 포함하는, 전극을 형성하기에 적합한 하나 이상의 전도성 및 반도체성 물질을 각각 포함할 수 있다.일부 실시예에서, 상단 칼코게나이드 물질(34a)과 하단 칼코게나이드 물질(38a) 중 적어도 하나는 메모리 셀의 저장 요소에 적절한 물질을 포함할 수 있고, 상단 칼코게나이드 물질(34a)과 하단 칼코게나이드 물질(38a)의 다른 하나는 메모리 셀의 선택 요소에 적절한 물질을 포함할 수 있다. 오직 설명을 위해서, 도 2a-2d에서, 상단 칼코게나이드 물질(34a)이 적절한 저장 물질을 포함하고 하단 칼코게나이드 물질(38a)이 적절한 선택 물질을 포함하는 실시예가 기술될 것이다. 이러한 실시예에서, 최종 메모리 셀은, 상온에서 비휘발성인 안정한 상 변화를 겪을 수 있는 저장 노드인 상단 칼코게나이드 요소(34) 및 안정한 상 변화를 겪지 않고, 대신에 저장 요소로의 접근을 일시적으로 제공하도록 스위칭되는 선택 노드인 하단 칼코게나이드 요소(38)를 포함한다. 그러나, 다른 실시예에서, 선택 노드와 저장 노드에 대한 상대적 위치가 역으로 되어서, 상단 칼코게나이드 요소(34)가 선택 노드이고, 하단 칼코게나이드 요소(38)가 저장 노드가 될 수 있다는 것을 이해해야 한다. 다른 실시예에서, 저장 노드의 역할을 하는 칼코게나이드 요소가 생략될 수 있다는 것도 이해해야 한다.일부 실시예에서, 상단 칼코게나이드 물질(34a)은, 다른 칼코게나이드 합금 시스템 중에서도, 가령, In2Sb2Te5, In1Sb2Te4, In1Sb4Te7 등과 같은 인디움(In)-안티모니(Sb)-텔루륨(Te)(IST) 합금 시스템 내의 적어도 두 개의 원소를 포함하는 합금, Ge8Sb5Te8, Ge2Sb2Te5, Ge1Sb2Te4, Ge1Sb4Te7, Ge4Sb4Te7 등과 같은 게르마늄(Ge)-안티모니(Sb)-텔루륨(Te)(GST) 합금 시스템 내의 적어도 두 개의 원소를 포함하는 합금과 같은 칼코게나이드 합성물을 포함하는 저장 노드에 적절한 상 변화 물질을 포함한다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같은, 하이픈으로 연결된 화학 합성물 표기법은 특정한 혼합물 또는 화합물 내에 포함된 원소를 나타내며, 나타난 원소와 관련된 모든 화학양론을 나타내도록 의도된다. 상 변화 저장 노드에서 사용될 수 있는 다른 칼코게나이드 합금 시스템은 가령, Ge-Te, In-Se, Sb-Te, Ga-Sb, In-Sb, As-Te, Al-Te, In-Ge-Te, Ge-Sb-Te, Te-Ge-As, In-Sb-Te, Te-Sn-Se, Ge-Se-Ga, Bi-Se-Sb, Ga-Se-Te, Sn-Sb-Te, In-Sb-Ge, Te-Ge-Sb-S, Te-Ge-Sn-O, Te-Ge-Sn-Au, Pd-Te-Ge-Sn, In-Se-Ti-Co, Ge-Sb-Te-Pd, Ge-Sb-Te-Co, Sb-Te-Bi-Se, Ag-In-Sb-Te, Ge-Sb-Se-Te, Ge-Sn-Sb-Te, Ge-Te-Sn-Ni, Ge-Te-Sn-Pd, 및 Ge-Te-Sn-Pt를 포함한다.일부 실시에에서, 하단 칼코게나이드 물질(38a)은 칼코게나이드 물질도 포함하여, 바닥 및 중간 전극(40 및 36)에 연결된 선택 노드(38)를 포함하는 이단자 선택 장치를 형성한다. 이러한 선택 장치는 종종 오보닉 스레숄드 스위치(OTS)라고 한다. 이러한 이유로, OTS를 형성하는데 적절한 하단 칼코게나이드 물질(38a)은 저장 노드에 대해 상기 기술된 칼코게나이드 합금 시스템 중 임의의 하나를 포함하는 칼코게나이드 조성물를 포함할 수 있다. 또한, 하단 칼코게나이드 물질(38a)은 아세닉(As)과 같은 결정성을 억제하기 위한 원소를 더 포함할 수 있다. 추가될 때, As와 같은 원소는 임의의 비일시적 핵생성 및/또는 합금의 성장을 방해하여 결정성을 억제한다. 따라서, 스레숄드 전압을 초과하는 전위가 선택 노드에 걸쳐 인가될 때, 선택 노드는 전도성 상태로 스위칭하도록 구성될 수 있다. 또한, 전도성 상태는, 충분한 유지 전류가 선택 노드에 걸쳐 유지되는 동안 유지될 수 있다. OTS에 적절한 물질의 예시는 다른 것 보다도, Te-As-Ge-Si, Ge-Te-Pb, Ge-Se-Te, Al-As-Te, Se-As-Ge-Si, Se-As-Ge-C, Se-Te-Ge-Si, Ge-Sb-Te-Se, Ge-Bi-Te-Se, Ge-As-Sb-Se, Ge-As-Bi-Te, 및 Ge-As-Bi-Se를 포함한다.도 2b의 중간 어레이 구조물(100b)를 참조하면, 전도성 라인을 형성하는 방법은, x-방향으로 연장되는 하단 라인 스택을 형성하기 위해 도 2a의 중간 어레이 구조물(100a)의 물질 스택을 차감적으로 패터닝하는 단계를 추가적으로 포함할 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "차감적 패터닝"은, 상기 기술된 하단 라인 스택과 같은 형성될 구조물이, 그 구조물을 형성하기 위해 물질을 제거함에 의해 형성되는 프로세스를 말한다. 예를 들어, 차감적 패터닝 프로세스는 패턴화될 영역 위에 에칭 마스크 구조물(가령, 도시되지 않은 포토레지스트 패턴이나 하드 마스크 패턴)을 리소그래피적으로 제공하는 단계, 이후에 에칭하는 단계를 포함하여, 마스크 구조물에 의해 마스크된 영역 내의 물질이 보호되는 반면 노출된 영역의 물질은 에칭 제거 프로세스에 의해 제거된다.계속하여 도 2b를 참조하면, 하단 라인 스택을 차감적으로 패터닝하는 단계는 x-방향으로 연장되는 라인을 포함하는 에칭 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 이후에, 라인을 포함하는 패턴화된 에칭 마스크를 사용하여, 에칭 마스크 패턴의 라인들 사이의 물질 스택의 노출된 영역이 에칭된다. 도 2b의 중간 어레이 구조물(100b)의 하단 라인 스택은, 위에서 부터 시작하여, 상단 전극 물질(32a), 상단 칼코게나이드 물질(34a), 중간 전극 물질(36a), 하단 칼코게나이드 물질(38a), 하단 전극 물질(40a), 하단 전도성 물질(22a) 및 제1 시딩 물질(18a)의 순서로 에칭하여, 도 2a의 물질 스택을 에칭함에 의해 형성된다. 결과로 나온 도 2b의 하단 라인 스택은 기판(미도시) 위의 제1 시딩 라인(18), 제1 시딩 라인(18) 위의 하단 전도성 라인(22), 하단 전도성 라인(22)상의 하단 전극 라인(40), 하단 전극 라인(40)상의 하단 칼코게나이드 라인(38b), 하단 칼코게나이드 라인(38b)상의 중간 전극 라인(36b), 중간 전극 라인(36b)상의 상단 칼코게나이드 라인(34b) 및 상단 칼코게나이드 라인(34b)상의 상단 전극 라인(32b)을 포함한다.하단 라인 스택이 차감적으로 패턴화되면, 인접한 라인 스택들 사이의 공간은 유전체 물질로 채워져서 제1 고립 유전체 영역(48)을 형성한다. 적절한 유전체 물질은 가령, 실리콘 옥사이드 및 실리콘 니트라이드를 포함할 수 있는데, 이는 다른 것 보다도, 고-밀도 플라즈마(HDP) 프로세스, 스핀-온-유전체(SOD) 프로세스, 서브-대기 화학 증기 증착법(SACVD) 프로세스 및 원자층 증착법(ALD) 프로세스와 같은 적절한 갭-채움 프로세스에 의해 증착될 수 있다. 인접한 하단 라인 스택들 사이의 라인간 공간이 유전체 물질로 채워져서 고립 유전체 영역(48)을 형성하면, 중간 어레이 구조물(100b)은 화학적-기계적으로 폴리시되어서, 전극 표면(60)과 고립 표면(62)을 교대로 포함하는 실질적으로 평면의 표면을 노출한다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 본 명세서에서 논의되는 바와 같이, 이들 표면을 형성하는 물질의 제거에서 약간의 차이점 때문에, 인접한 전극 표면(62)과 고립 표면(60) 사이에 계단 높이가 존재할 수 있음에도 불구하고, "실질적으로 평면화된 표면"은 화학적-기계적으로 폴리시(polish)된 표면을 말한다. 이러한 계단 높이는 전극 및 고립 표면(62 및 60) 사이의 폴리시 속도 차이에 기인할 수 있다. 본 명세서에 기술된 다양한 실시예에서, 계단 높이는 상단 전극 라인(32b)과 고립 유전체 영역(48)의 너비와 대략 같거나 더 작다.도 2c의 중간 어레이 구조물(100c)를 참조하면, 전도성 라인을 형성하는 방법은, 도 2b의 중간 어레이 구조물(100b)의 실질적으로 평면화된 표면상에 제2 시딩 물질(42b)을 증착하는 단계 및 제2 시딩 물질(42b)상에 텅스텐을 포함하는 상단 전도성 물질(20b)을 추가적으로 증착하는 단계를 추가적으로 포함할 수 있다.도 2a의 제1 시딩 물질(18a)과 관련된 상기 논의는 제2 시딩 물질(42b)에 유사하게 적용된다. 그러나, 도 2a와 달리, 제2 블랭킷 시딩 물질(42b)은 도 2b의 하단 라인 스택의 전극 표면(62)과 고립 표면(60) 위에 증착된다. 도 2a와 마찬가지로, 제2 시딩 물질(42b)은 상단 전도성 물질(20b)의 이후의 증착을 위해 균일한 표면을 제공하는 역할을 한다. 시딩 물질(12)의 이점, 물질, 증착 방법 및 치수와 유사하게, 도 1b와 도 2a와 관련하여 상기 기술된 제1 블랭킷 시딩 물질(18a)은 도 2c의 제2 시딩 물질(42b)에 적용된다.또한, 도 2a와 마찬가지로, 도 2c의 상단 전도성 물질(20b)은 하단 전도성 물질(22a)과 관련하여 논의된 유사한 방법을 사용하여 증착되고, 유사한 치수를 가진 유사한 물질을 포함할 수 있다. 더 큰 평균 입자 크기 및/또는 좀 더 균일한 크기 분포, 및/또는 입자의 좀 더 균일한 상 및 원하는 상(가령, 베타-상 텅스텐과 같이)의 억제와 같이, 도 2a에서 논의된 제1 시딩 물질(18a)상의 하단 전도성 물질(22a)을 증착하는 이점은 제2 시딩 물질(42b)상의 상단 전도성 물질(22b)에 동일하게 적용된다.계속하여 도 2c를 참조하면, 일부 실시예에서, 제1 고립 유전체 영역(48)이 실리콘 옥사이드를 포함할 때, 전극 표면(60)과 고립 표면(62)을 교대로 포함하는 표면상에 직접있는 상단 전도성 물질(20b)의 증착은 상당한 양의 베타-상 텅스텐, 여기서, 텅스텐은 상단 전도성 물질(20b)인데, 이를 포함하는 상단 전도성 물질(20b)을 야기할 수 있다. 상기에서 논의되는 바와 같이, 특정한 환경에서, 베타-상 텅스텐의 형성은 실리콘 옥사이드 내의 산소의 존재에 의해 가능하게 될 수 있다. 이와 달리, 상단 전도성 물질(20b)이 도 2c에 도시된 바와 같은 개입하는 제2 시딩 물질(42b)상에 증착될 때, 결과로 나온 상단 전도성 물질(20b)은 실질적으로 단일의 알파-상 텅스텐만 포함할 수 있고, 실질적으로 베타-상 없는 텅스텐일 수 있다. 일부 실시예에서, 상단 전도성 물질(20b)은, 상단 전도성 물질(20b)의 x-레이 회절 스펙트라에서 다른 상의 텅스텐에 기인하는 피크가 없도록 도시되는 바와 같이, 본질적으로 알파-상 텅스텐으로 구성될 수 있다.일부 다른 실시예에서, 상단 전극 라인(32b)이 탄소를 포함하고 상단 전도성 물질(20)이 텅스텐을 포함할 때, 전극 표면(60)과 고립 표면(62)을 교대로 포함하는 표면상에 상단 전도성 물질(20b)의 직접적인 증착은 텅스텐 카바이드 상을 포함하는 상단 전도성 물질(20b)을 초래하고, 이는 상단 전도성 물질(20b)과 기본 전극 표면(60) 사이의 경계면에 존재할 수 있다. 임의의 이론에 얽매이지 않으면, 텅스텐 카바이드 상의 형성은 상단 전극 라인(32b) 내의 탄소의 존재에 의해 가능하게 될 수 있다. 이와 달리, 상단 전도성 물질(20b)이 도 2c에 도시된 바와 같이, 개입하는 제2 시딩 물질(42b) 상에 증착될 때, 결과로 나온 상단 전도성 물질(20b)은 실질적으로 알파-상 텅스텐을 포함할 수 있고, 텅스텐 카바이드 상이 실질적으로 없을 수 있다.도 2d의 중간 어레이 구조물(100d)를 참조하면, 전도성 라인을 형성하는 방법은, 상단 전도성 라인(20)과 제2 시딩 라인(42)을 포함하는 상단 라인 스택을 형성하기 위해 차감적으로 패터닝하는 단계를 더 포함한다. 상단 라인 스택을 형성하는 단계는 y-방향으로 연장되는 라인을 포함하는 에칭 마스크 패턴(미도시)을 형성하는 단계 및 상단 전도성 라인(20)을 형성하기 위해 노출된 영역을 에칭하는 단계를 포함한다. 도 2d의 실시예에서, 에칭하는 단계는 상단 전도성 물질(20b) 및 제2 시딩 라인(42)상의 상단 전도성 라인(20)을 포함하는 상단 라인 스택내로 에칭되는 도 2c의 제2 시딩 물질(42b)을 야기한다. 또한, 상단 전극 라인(32b), 상단 칼코게나이드 라인(34b), 중간 전극 라인(36b) 및 하단 칼코게나이드 라인(38a)을 포함하고, 도 2b에서 정의되는 x-방향으로 연장되는 하단 라인 스택의 일부는 y-방향으로 연장되는 마스크 라인 패턴들 사이에 에칭되어서, 상단 전극(32), 상단 칼코게나이드 요소(34), 중간 전극(36) 및 하단 칼코게나이드 요소(38)를 포함하고, x 및 y 방향으로 전기적으로 제한되는, 이차원적으로 제한된 스택을 야기한다. 도 2d의 도시된 실시예에서, 에칭하는 단계는 도 2c의 하단 칼코게나이드 라인(38b)을 에칭하는 단계 이후에 정지되어서, 하단 전도성 라인(22)과 하단 전극 라인(40)은 이차원적으로 제한된 스택(52)이 형성된 이후에 변하지 않는다.도 2d는 상기 기술된 프로세스에 의해 형성된 상 변화 메모리 장치 구조물을 나타낸다. 상 변화 메모리 장치 구조물은, x-방향으로 연장되고 기판 위에 제1 시딩 라인(18) 및 제1 시딩 라인(18)상에 하단 전도성 라인(22)을 포함하는 하단 전도성 라인 스택(51)을 포함한다. 상 변화 메모리 장치 구조물은, x-방향으로 연장되는 하단 전극 라인(40), 제1 전극 라인(40)상에 배치된 하단 칼코게나이드 요소(38), 하단 칼코게나이드 요소(38)(가령, 선택 노드) 상에 배치된 중간 전극(36), 중간 전극(36)상의 상단 칼코게나이드 요소(34)(가령, 저장 노드), 중간 전극(36)상에 배치된 저장 노드(34) 및 상단 칼코게나이드 요소(34)상에 배치된 상단 전극(32)을 포함하는 이차원적으로 제한된 스택을 포함하는 하단 전도성 라인 스택(51)상의 상 변화 메모리 셀 스택(52)을 추가적으로 포함한다. 상 변화 메모리 장치 구조물은, y-방향으로 연장되고, 상단 전극(32)상의 제2 시딩 라인(42) 및 제2 시딩 라인(42)상의 상단 전도성 라인(20)을 포함하는, 상단 전극(32)상의 상단 전도성 라인 스택(53)을 더 포함한다. 상기 기술된 바와 같은, 차감적으로 패턴화된 상단 전도성 라인 스택(53), 상 변화 메모리 셀 스택(52) 및 하단 전도성 라인 스택은 도 2d의 중간 어레이 구조물(100d)을 형성한다.도 2d의 메모리 장치 구조물의 스택 컨피규레이션은 일부 실시예에 따른 예시적인 컨피규레이션을 나타낸다. 즉, 다른 스택 컨피규레이션이 가능하다. 예를 들어, 일부 실시예의 상기에서 논의되는 바와 같이, 선택 노드와 저장 노드의 위치는 서로 바뀌어져서, 하단 및 상단 칼코게나이드 요소(38 및 34) 중 하나가 저장 노드가 되고, 그 반대가 될 수 있다.일부 실시예에서, 하단 및 상단 칼코게나이드 요소(38 및 34) 중 하나 또는 둘 다는 두 측면 방향 중 오직 한 방향으로 전기적 고립될 수 있다. 예를 들어, 하단 칼코게나이드 요소(38)는 제1 시딩 라인(18), 하단 전도성 라인(22) 및 제1 전극 라인(40)을 따라, x-방향으로 연장될 수 있다. 마찬가지로, 상단 칼코게나이드 요소(34)는 상단 전도성 라인(20) 및 제2 시eld 라인(42)을 따라, y-방향으로 연장될 수 있다.일부 실시예에서, 또한, 상단 전극(32)은 오직 한 측면 방향으로 전기적 고립되어서, x-방향으로 연장되고, 상단 전도성 라인 스택은 제2 전극(32)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 하단 및 상단 전극(40 및 32) 모두는 두 측면 방향으로 제한될 수 있다.일부 실시예에서, 하단 및 상단 칼코게나이드 요소(38 및 34) 중 하나는 생략될 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 하단 전극(40), 중간 전극(36) 및 상단 전극(32)이 생략될 수 있다.상기 기술되는 바와 같이, 상단 라인 스택, 셀 스택(52) 및 하단 라인 스택이 상기에서 논의되는 바와 같이 차감적인 패터닝에 의해 형성되면, 차감적 에칭에 의해 형성된 공간은 유전체로 채워져서 도 2b의 제1 고립 유전체 영역(48)과 유사한 제2 고립 유전체 영역을 형성한다.도 2b를 다시 참조하면, 일부 실시예에서 제1 포토 마스크를 사용하여 패터닝과 에칭에 기인한 하단 라인 스택은 약 40 nm 내지 약 60 nm의 범위인, 가령 약 50 nm으로 선택되는 y-방향으로의 제1 라인 너비를 가진다. 다른 실시예에서, 하단 라인 스택은 약 25 nm 내지 약 40 nm의 범위인, 가령 약 35 nm으로 선택되는 라인 너비를 가진다. 다른 실시예에서, 하단 라인 스택은 약 18 nm 내지 약 25 nm의 범위인, 가령 약 20 nm으로 선택되는 라인 너비를 가진다. 다른 실시예에서, 하단 라인 스택은 약 5 nm 내지 약 18 nm의 범위인, 가령 약 14 nm으로 선택되는 라인 너비를 가진다. 더 작은 치수가 더 가능하지만, 사용되는 리소그래픽 능력에 의해서만 제한된다.도 2d를 다시 참조하면, 제2 포토 마스크를 사용하여 패터닝과 에칭에 기인한 상단 라인 스택은, 도 2b의 하단 라인 스택의 라인 너비와 유사하게, x-방향으로의 제2 라인 너비를 가진다.도 2d를 여전히 참조하면, 일부 실시예에서, 제1 시딩 라인(18)은 약 0.5 내지 약 4.5 nm의 범위인, 가령 약 2.5 nm으로 선택되는 두께를 가지고, 하단 전도성 라인(22)은 약 5 nm 내지 약 25 nm의 범위인, 가령 약 15 nm으로 선택되는 두께를 가지고, 하단 전극 라인(40)은 약 10 nm 내지 약 50 nm의 범위인, 가령 약 25 nm으로 선택되는 두께를 가지고, 제1 칼코게나이드 요소(34)는 약 5 nm 내지 약 50 nm의 범위인, 가령 약 25 nm으로 선택되는 두께를 가지고, 중간 전극(36)은 약 10 nm 내지 약 100 nm의 범위인, 가령 약 25 nm으로 선택되는 두께를 가지고, 상단 칼코게나이드 요소(34)는 약 10 nm 내지 약 50 nm의 범위인, 가령 약 25 nm으로 선택되는 두께를 가지고, 상단 전극(32)은 약 10 nm 내지 약 50 nm의 범위인, 가령 약 25 nm으로 선택되는 두께를 가지고, 제2 시딩 라인(42)은 약 0.5 nm 내지 약 4.5 nm의 범위인, 가령 약 2.5 nm으로 선택되는 두께를 가지고, 및 상단 전도성 라인(20)은 약 5 nm 내지 약 25 nm의 범위인, 가령 약 15 nm으로 선택되는 두께를 가진다.제1 및 제2 시딩층(18 및 42)이 존재하고, 제1 및 제2 라인 너비 치수 및 상기 기술된 다양한 두께값의 조합에 대한 다양한 실시예에서, 중간 어레이 구조물(100d)의 전체 스택의 전체 두께에 비해, 하단 및 상단 전도성 라인(22 및 20)의 결합되 두께의 상대적 비율은, 제1 및 제2 시딩층(18 및 42)이 존재하지 않는 실시예 보다 실질적으로 낮을 수 있다는 것을 인식할 것이다. 일부 실시예에서, 하단 및 하단 전도성 라인(22 및 20)의 결합된 두께의 비율은 약 60% 내지 약 40%, 가령 약 50%이다. 다른 실시예에서, 하단 및 하단 전도성 라인(22 및 20)의 결합된 두께의 비율은 약 50% 내지 약 30%, 가령 약 40%이다. 다른 실시예에서, 하단 및 하단 전도성 라인(22 및 20)의 결합된 두께의 비율은 약 20% 내지 약 40%, 가령 약 30%이다.일부 실시예에 따른 상기 기술된 어레이 구조물의 제작은 상 변화 메모리 셀의 단일 "덱(deck)"을 형성하도록 간주될 수 있다. 하나의 양태에서, 덱은 각각 하단 및 상단 전도성 라인(20 및 22)을 포함하는 단일 수직 스택에 의해 전기적으로 어드레스 가능한 메모리 셀의 어레이로 형성될 수 있다. 그러나, 일부 다른 실시예는 복수의 덱을 가질 수 있고, 이들 각각은 본 명세서에서 기술된(가령, 도 2a-2d를 참조)바와 같이 형성된다. 도 3은 도 2d의 하단 전도성 라인(22)과 유사하게 x-방향으로 연장되는 제1 전도성 라인(22) 및 도 2d의 상단 전도성 라인(20)과 유사하게 y-방향으로 연장되는 제2 전도성 라인(20)을 포함하는 하단 덱(94)을 포함하는 완전히 제작된 듀얼-덱 상 변화 메모리 어레이(200)를 기술한다. 도 2d와 마찬가지로, 하단 덱(94)은 제1 전도성 라인(22) 아래에 제1 시딩 라인(18) 및 제1 전도성 라인(22)상에 하단 상 변화 메모리 셀 스택(92)을 더 포함한다. 하단 상 변화 메모리 셀 스택(92)은 x-방향으로 연장되는 제1 하단 전극 라인(40), 제1 하단 전극 라인(40)상에 배치된 제1 하단 칼코게나이드 요소(38), 제1 하단 칼코게나이드 요소(38)(가령, 선택 노드)상에 배치된 제1 중간 전극(36), 제1 중간 전극(3)상의 제1 상단 칼코게나이드 요소(34)(가령, 저장 노드) 및 제1 상단 칼코게나이드 요소(34) 상에 배치된 제1 상단 전극(32)을 포함한다. 하단 덱(94)은 제1 상단 전극(32)상에 제2 시딩 라인(42) 및 제2 시딩 라인(42)상에 배치된 제2 전도성 라인(22)을 더 포함할 수 있다.듀얼-덱 상 변화 메모리 어레이(200)에서, 상단 덱(98)은, 상단 상 변화 메모리 스택(96)과 하단 상 변화 메모리 스택(92) 사이에 있는 액세스 라인으로, 하단 덱과 공통 전도성 라인을 공유한다. 도 3은 y-방향으로 연장되고, 액세스 라인으로서 하단 덱(94)과 공유하는 제2 전도성 라인(20) 및 x-방향으로 연장되는 제3 전도성 라인(24)을 포함하는 상단 덱(98)을 기술한다. 상단 상 변화 메모리 셀 스택(96)은 제2 전도성 라인(20)상에 배치된다. 상단 상 변화 메모리 셀 스택은 y-방향으로 연장되는 제2 하단 전극 라인(80), 제2 하단 전극 라인(80)상에 배치된 제2 하단 칼코게나이드 요소(78), 제2 하단 칼코게나이드 요소(78)(가령, 선택 노드)상에 배치된 제2 중간 전극(76), 제2 중간 전극(76)상의 제2 상단 칼코게나이드 요소(74)(가령, 저장 노드) 및 제2 상단 칼코게나이드 요소(74)상에 배치된 제2 상단 전극(72)을 포함한다. 상단 덱(98)은 제1 상단 전극(32)상의 제3 시딩 라인(70) 및 제2 시딩 라인(42)상에 배치된 제3 전도성 라인(24)을 더 포함한다.도 4는 일부 실시예에 따른 시딩 물질 두께의 두께에 대한 함수로서, 시딩 물질상에 증착된 실질적으로 단일 상 텅스텐을 포함하는 전도성 라인의 저항률의 감소를 나타내는 그래프(120)이다. 도시된 실시예는 약 27 nm의 두께를 가진 텅스텐 라인상에 수행된 저항률 측정치를 나타낸다. 텅스텐 라인은 0 내지 약 14 nm의 범위인 두께를 가진 비결정질 실리콘 라인상에 형성되는데, 이는 결국 약 15 nm의 두께를 가진 탄소 라인상에 형성된다. y-축은 라인의 스택의 저항률을 나타내고, x-축은 측정된 스택에 대한 비결정질 실리콘의 두께를 나타낸다. 도시된 바와 같이, 기본 비결정질 실리콘 라인의 두께가 약 2.5 nm까지 증가함에 따라, 텅스텐 라인의 저항률은 감소한다. 이러한 실시예에서, 기본 비결정질 실리콘 라인의 두께가 약 2.5 nm의 두께 초과로 증가할 때, 텅스텐 라인의 저항률은 대략 일정하게 유지된다.도 5a는 일부 실시예에 따른 다양한 기본 물질상에 형성된 텅스텐 라인의 저항률을 나타내는 그래프(140)이다. y-축은 상이한 기본(underlying) 물질상에 형성된 텅스텐 라인의 측정된 저항률을 나타내고, x-축은 다양한 기본 물질상에 형성된 텅스텐 라인의 두께를 나타낸다. 그래프(140)에서, 속이 채워진 다이아몬드 심볼(142), 속이 빈 원형(144) 및 속이 채워진 삼각형(146)은, SiO2상에 형성된 텅스텐 라인을 위한 텅스텐 라인, 탄소상에 형성된 텅스텐 라인 및 탄소상의 비결정성 실리콘의 2.5 nm에 형성된 텅스텐 라인 대 저항률을 각각 나타낸다. 도시된 바와 같이, 측정된 텅스텐 라인의 모둔 두께에서, 비결정성 실리콘상에 형성된 텅스텐 라인의 저항률을 나타내는 속이 채워진 삼각형(146)은 SiO2상에 형성된 텅스텐 라인을 나타내는 속이 채워진 다이아몬드 심볼(142)과 탄소상에 형성된 텅스텐 라인을 나타내는 속이 빈 원형(144)에 비하여, 더 낮은 저항률을 가진다. 도 5b-5d에서, SiO2상에 형성된 텅스텐 라인, 탄소상에 형성된 텅스텐 라인 및 비결절성 실리콘의 2.5 nm상에 형성된 텅스텐 라인의 대표적인 x-레이 패턴이 도시되는데, SiO2상에 형성된 텅스텐 라인과 탄소상에 형성된 텅스텐 라인의 비교적 높은 저항률에 비해, 비결정성 실리콘상에 형성된 텅스텐 라인의 비교적 낮은 저항률은 실질적으로 단일의 알파-상 텅스텐의 존재 때문인 것을 나타낸다.도 5b는 일 실시예에 따른, 도 5a의 속이 채워진 다이아몬드 심볼(142)과 마찬가지로, SiO2상에 형성된 텅스텐 라인의 x-레이 회절 패턴(150)이다. y-축은 회절된 x-레이 광자의 세기를 나타내고, x-축은 입사와 회절된 x-레이 빔 사이의 2-세타 각을 나타낸다. 본 실시예에서, 알파 텅스텐을 나타내는 2-세타 각의 약 40도에서의 피크에 덧붙여서, 약 35.5도 및 약 44 도에서 두 개의 추가적인 피크가 존재하는데, 이는 베타-상 텅스텐의 존재를 나타낸다.도 5c는 일 실시예에 따른, 도 5a에 속이 빈 원형과 유사하게, 탄소상에 형성된 텅스텐 라인의 x-레이 회절 패턴(152)이다. 도 5b에서와 같이, y-축은 회절된 x-레이 광자의 세기를 나타내고, x-축은 입사와 회절된 x-레이 빔 사이의 2-세타 각을 나타낸다. 본 실시예에서, 알파 텅스텐을 나타내는 2-세타 각의 약 40도에서의 피크에 덧붙여서, 약 39도에서 추가적인 피크가 존재하는데, 이는 텅스텐 카바이드의 존재를 나타낸다.도 5d는 일 실시예에 따른, 탄소 위에 비결정성 시딩층의 2.5 nm상에 형성된 텅스텐 라인의 x-레이 회절 패턴(154)이다. 도 5b에서와 같이, y-축은 회절된 x-레이 광자의 세기를 나타내고, x-축은 입사와 회절된 x-레이 빔 사이의 2-세타 각을 나타낸다. 본 실시예에서, 알파 텅스텐을 나타내는 2-세타 각의 약 40도에서의 피크만 존재한다. 또한, 베타-상 텅스텐과 텅스텐 카바이드를 나타내는 추가적인 피크는 존재하지 않는다.본 발명이 특정한 실시예에 관하여 기술되었더라도, 본 명세세서에 제시된 모든 특징과 이점을 제공하지 않은 실시예롤 포함하여, 당업자에게 명백한 다른 실시예도 본 발명의 범위 내에 있다. 게다가, 상기 기술된 다양한 실시예는 추가 실시예를 제공하기 위해 결합될 수 있다. 또한, 일 실시예의 상황에 도시된 어떤 특징은 다른 실시예에도 결합될 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 첨부된 청구항을 참조함에 의해서만 정의된다.	개시된 기술은 메모리 장치를 포함하는 집적 회로에 관한 것이다. 집적 회로를 형성하는 방법은 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 표면을 제공하는 단계 - 제1 영역은 제2 영역과 상이한 물질로 형성됨 - 를 포함한다. 본 방법은 추가적으로 제1 및 제2 영역에 걸쳐 접촉하는 시딩 물질(seeding material)을 형성하는 단계를 포함한다. 또한, 본 방법은 상기 시딩 물질상에 텅스텐을 포함하는 금속을 형성하는 단계를 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 비수 이차 전지용 세퍼레이터, 적층체, 적층체의 제조 방법, 및 비수 이차 전지NONAQUEOUS SECONDARY BATTERY SEPARATOR, LAMINATED BODY, METHOD FOR PRODUCING LAMINATED BODY, AND NONAQUEOUS SECONDARY BATTERY [ 기술분야 ] 첫째, 본 발명은 적층체 및 적층체를 포함하는 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터에 관한 것이다. 둘째, 본 발명은 적층체, 비수 전해액 이차 전지용 부재 및 비수 전해액 이차 전지에 관한 것이다. 셋째, 본 발명은 적층체, 세퍼레이터 및 그 이용에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터에 사용되는 적층체, 당해 적층체를 사용한 세퍼레이터 및 이것을 구비한 비수 이차 전지에 관한 것이다. 넷째, 본 발명은 비수 이차 전지용 세퍼레이터, 적층체, 적층체의 제조 방법 및 비수 이차 전지에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 첫째, 리튬 이차 전지 등의 비수 전해액 이차 전지는, 현재 퍼스널 컴퓨터, 휴대 전화, 휴대 정보 단말기 등의 기기에 사용하는 전지로서 널리 사용되고 있다. 리튬 이차 전지로 대표되는 이들 비수 전해액 이차 전지는, 에너지 밀도가 높고, 그로 인해, 전지의 파손 또는 전지를 사용하고 있는 기기의 파손에 의해 내부 단락 또는 외부 단락이 발생한 경우에는, 대전류가 흘러서 발열하는 경우가 있다. 그 때문에, 비수 전해액 이차 전지에는, 일정 이상의 발열을 방지함으로써 높은 안전성을 확보할 것이 요구되고 있다. 비수 전해액 이차 전지의 안전성을 확보하는 수단으로서는, 이상 발열이 발생했을 때, 세퍼레이터에 의해 정극 및 부극간의 이온의 통과를 차단해서, 가일층의 발열을 방지하는 셧 다운 기능을 부여하는 방법이 일반적이다. 즉, 비수 전해액 이차 전지에 있어서는, 정극과 부극 사이에 배치되는 세퍼레이터에, 예를 들어 정극 및 부극간의 내부 단락 등이 원인이 되어서 당해 전지 내에 이상 전류가 흘렀을 때, 그 전류를 차단해서 과대 전류가 흐르는 것을 저지(셧 다운)해서 가일층의 발열을 억제하는 기능을 부여하는 방법이 일반적이다. 여기서, 상기 셧 다운은, 통상의 사용 온도를 초과한 경우에, 열에 의해 세퍼레이터가 용융되어, 당해 세퍼레이터에 형성되어 있는 세공을 폐색함으로써 이루어진다. 그리고, 세퍼레이터는, 상기 셧 다운을 행한 후, 전지 내가 어느 정도의 고온이 되어도 열에 의해 파괴되지 않아 셧 다운한 상태를 유지하는 것이 바람직하다. 상기 세퍼레이터로서는, 이상 발열이 발생했을 때, 예를 들어 약 80 내지 180℃에서 용융되는 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공막이 일반적으로 사용되고 있다. 그러나, 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공막은, 폴리올레핀의 융점 이상의 고온 하에서, 막 구조를 유지할 수 없게 되어 파막을 야기함으로써, 전지의 정극과 부극이 직접 접촉하여, 단락 현상을 일으킬 우려가 있다. 또한, 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공막은 전극과의 접착성이 나쁘기 때문에, 전지 용량의 저하나 사이클 특성의 저하를 야기할 우려가 있다. 상기 단락 현상의 발생을 저지할 목적으로, 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공막 중 적어도 한 면에, 각종 수지 및 필러로 구성되는 내열층을 적층시킨 세퍼레이터가 존재하고 있다. 또한, 세퍼레이터의 전극에 대한 접착성을 개선할 목적으로, 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공막 중 적어도 한 면에, 폴리불화비닐리덴계 수지를 포함하는 다공질층(접착층)을 적층시킨 세퍼레이터가 존재하고 있다. 또한, 상기 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공막의 습윤성(임계 표면 장력)과, 상기 내열층의 습윤성(임계 표면 장력)을 조정함으로써, 상기 내열층이 양호하게 형성된 세퍼레이터가 제안되어 있다(특허문헌 1). 뿐만 아니라, 상기 내열층과, 상기 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공막과의 사이의 접착성을 향상시키기 위해서, 그리고 상기 내열층을 구성하는 미립자끼리의 접착성을 향상시킬 목적으로, 상기 내열층에 유기 결합제(예를 들어, 폴리불화비닐리덴계 수지)를 포함하고 있는 세퍼레이터도 제안되어 있다(특허문헌 1). 또한 그 밖에도, 세퍼레이터의 표면 습윤성, 즉 전지 조립 시의 전해액의 주액성을 개선하기 위한 방법으로서, 세퍼레이터의 표면, 즉 상기 수지를 포함하는 다공질층에 대하여 코로나 처리를 행함으로써, 상기 수지를 포함하는 다공질층의 표면에 극성 관능기를 도입하는 것 등이 일반적으로 알려져 있다. 둘째, 리튬 이온 이차 전지로 대표되는 비수 전해액 이차 전지는, 에너지 밀도가 높고, 그로 인해, 현재 퍼스널 컴퓨터, 휴대 전화, 휴대 정보 단말기 등의 기기에 사용하는 전지로서 널리 사용되고 있다. 그리고, 비수 전해액 이차 전지에 있어서는, 안전성 등의 성능의 향상을 목적으로, 정극과 부극 사이에 배치되는 세퍼레이터의 개량이 다양하게 시도되고 있다. 특히, 폴리올레핀을 포함하는 다공질 필름은 전기 절연성이 우수함과 함께 양호한 이온 투과성을 나타내는 점에서, 비수 전해액 이차 전지의 세퍼레이터로서 널리 이용되고 있어, 당해 세퍼레이터에 관한 다양한 제안이 이루어져 있다. 특허문헌 2에는, 폴리올레핀계 수지에 알케닐술폰산 금속염과 발포제를 배합한 폴리올레핀계 수지 조성물을 포함하고, 상기 폴리올레핀계 수지가 전자선 가교됨과 함께, 독립 기포를 함유하여 이루어지는 폴리올레핀계 수지 가교 발포체가 기재되어 있다. 특허문헌 3에는, 제1 수지 조성물로 구성되는 제1 미다공성 필름과, 상기 제1 수지 조성물보다도 낮은 융점을 갖는 제2 수지 조성물로 구성되는 제2 미다공성 필름을 구비하는 적층 미다공성 필름이며, 기공률이 50 내지 70％인 적층 미다공성 필름이 기재되어 있다. 또한 세퍼레이터가, 전지 제조 시에 예를 들어 전극 군에서의 권취 코어의 발취 조작 등에서 손상을 받으면, 정부극간의 전자 절연성을 유지할 수 없어 전지 성능 불량이 발생하고, 전지 조립의 생산성을 저하시킨다. 상기 불량을 사전에 검출하기 위해서, 전지 제조에서는 일반적으로 전해액 주액 전에 전류의 누설 검사를 행한다. 특허문헌 4에는, 상기 누설 검사에서의 불량률을 저감시키는 내열성 수지를 포함하는 내열성 다공막과, 상기 내열성 다공막의 정극측 면 전체를 가리는 제1 폴리올레핀 다공막과, 상기 내열성 다공막의 부극측 면 전체를 가리는 제2 폴리올레핀 다공막을 갖고, 상기 내열성 수지의 융점 또는 열변형 온도가, 상기 제1 및 제2 폴리올레핀 다공막에 포함되는 폴리올레핀의 융점 또는 열변형 온도보다도 높은 세퍼레이터가 기재되어 있다. 셋째, 리튬 이차 전지 등의 비수 전해액 이차 전지는, 현재 퍼스널 컴퓨터, 휴대 전화, 휴대 정보 단말기 등의 기기에 사용하는 전지로서 널리 사용되고 있다. 리튬 이차 전지로 대표되는 이들 비수 전해액 이차 전지는, 에너지 밀도가 높고, 그로 인해, 전지의 파손 또는 전지를 사용하고 있는 기기의 파손에 의해 내부 단락 또는 외부 단락이 발생한 경우에는, 대전류가 흘러서 발열하는 경우가 있다. 그 때문에, 비수 전해액 이차 전지에는, 일정량 이상의 발열을 방지함으로써 높은 안전성을 확보할 것이 요구되고 있다. 비수 전해액 이차 전지의 안전성을 확보하는 수단으로서는, 이상 발열이 발생했을 때, 세퍼레이터에 의해 정극 및 부극간의 이온의 통과를 차단해서, 가일층의 발열을 방지하는 셧 다운 기능을 부여하는 방법이 일반적이다. 즉, 비수 전해액 이차 전지에 있어서는, 정극과 부극 사이에 배치되는 세퍼레이터에, 예를 들어 정극 및 부극간의 내부 단락 등이 원인이 되어서 당해 전지 내에 이상 전류가 흘렀을 때, 그 전류를 차단해서 과대 전류가 흐르는 것을 저지(셧 다운)하여 가일층의 발열을 억제하는 기능을 부여하는 방법이 일반적이다. 여기서, 상기 셧 다운은, 통상의 사용 온도를 초과한 경우에, 열에 의해 세퍼레이터가 용융되어, 당해 세퍼레이터에 형성되어 있는 세공을 폐색함으로써 이루어진다. 그리고, 세퍼레이터는, 상기 셧 다운을 행한 후, 전지 내가 어느 정도의 고온이 되어도 열에 의해 파괴되지 않아 셧 다운한 상태를 유지하는 것이 바람직하다. 상기 세퍼레이터로서는, 이상 발열이 발생했을 때, 예를 들어 약 80 내지 180℃에서 용융되는 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공질 필름이 일반적으로 사용되고 있다. 그러나, 상기 다공질 필름을 포함하는 세퍼레이터는 고온에서의 형상 안정성이 불충분해서, 셧 다운 기능을 발현해도, 수축이나 파막 등이 발생하면, 정극과 부극이 직접 접촉하여 내부 단락을 일으킬 우려가 있다. 즉, 상기 다공질 필름을 포함하는 세퍼레이터는, 내부 단락에 의한 이상 발열을 충분히 억제할 수 없을 우려가 있고, 따라서 보다 높은 안전성을 확보할 수 있는 세퍼레이터가 요구되고 있다. 내열성이 우수한 다공질 필름으로서, 예를 들어 특허문헌 5에는, 폴리올레핀의 미다공막에 방향족 아라미드 등의 방향족 중합체를 포함하는 내열 다공층을 적층한 다공질 필름이 제안되어 있다. 또한, 리튬 이차 전지의 대형화에 수반하여, 세퍼레이터의 컬이 현재화되기 쉬워지는 경향이 있다. 세퍼레이터에 컬이 발생하면, 제조 시의 핸들링이 나빠지기 때문에, 권회 불량이나 조립 불량 등, 전지의 제작에 문제가 발생하는 경우가 있다. 이러한 과제를 해결하는 기술로서, 예를 들어 특허문헌 6에는, 특정한 단량체를 포함하는 단량체 조성물을 공중합해서 얻어지는 공중합체를 포함하는 조성물로서, 상기 단량체 조성물 중에서의 불포화 카르복실산 단량체의 비율이 1.0질량％ 미만이고, 상기 가교성 단량체 이외의 단량체로부터 계산되는 공중합체의 Tg가 -25℃ 이하인 다층 다공막용 공중합체 조성물과, 무기 입자를 포함하는 다공층 형성용 도포액을 사용해서 얻어지는 다층 다공막이, 고온 환경 하에서도 열수축이 억제되고, 또한 내컬성을 갖는 것으로서 제안되어 있다. 넷째, 리튬 이차 전지 등의 비수 전해액 이차 전지(이하, 「비수 이차 전지」라고 함)는 현재, 퍼스널 컴퓨터, 휴대 전화, 휴대 정보 단말기 등의 기기에 사용하는 전지로서 널리 사용되고 있다. 리튬 이차 전지로 대표되는 이들 비수 이차 전지는, 에너지 밀도가 높고, 그 로 인해, 전지의 파손 또는 전지를 사용하고 있는 기기의 파손에 의해 내부 단락 또는 외부 단락이 발생한 경우에는, 대전류가 흘러서 발열하는 경우가 있다. 그 때문에, 비수 이차 전지에는, 일정량 이상의 발열을 방지함으로써 높은 안전성을 확보할 것이 요구되고 있다. 비수 이차 전지의 안전성을 확보하는 수단으로서는, 이상 발열이 발생했을 때, 세퍼레이터에 의해 정극 및 부극간의 이온의 통과를 차단해서, 가일층의 발열을 방지하는 셧 다운 기능을 부여하는 방법이 일반적이다. 즉, 비수 이차 전지에 있어서는, 정극과 부극 사이에 배치되는 세퍼레이터에, 예를 들어 정극 및 부극간의 내부 단락 등이 원인이 되어서 당해 전지 내에 이상 전류가 흘렀을 때, 그 전류를 차단해서 과대 전류가 흐르는 것을 저지(셧 다운)하여 가일층의 발열을 억제하는 기능을 부여하는 방법이 일반적이다. 여기서, 상기 셧 다운은, 통상의 사용 온도를 초과한 경우에, 열에 의해 세퍼레이터가 용융되어, 당해 세퍼레이터에 형성되어 있는 세공을 폐색함으로써 이루어진다. 그리고, 세퍼레이터는, 상기 셧 다운을 행한 후, 전지 내가 어느 정도의 고온이 되어도 열에 의해 파괴되지 않아 셧 다운한 상태를 유지하는 것이 바람직하다. 상기 세퍼레이터로서는, 이상 발열이 발생했을 때, 예를 들어 약 80 내지 180℃에서 용융되는 폴리올레핀을 주성분으로 하는 막 형상의 다공질 기재가 일반적으로 사용되고 있다. 그러나, 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공질 기재는, 폴리올레핀의 융점 이상의 고온 하에서, 막 구조를 유지할 수 없게 되어 파막을 야기함으로써, 전지의 정극과 부극이 직접 접촉하여, 단락 현상을 일으킬 우려가 있다. 또한, 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공막은, 전극과의 접착성이 나쁘기 때문에, 전지 용량의 저하나 사이클 특성의 저하를 야기할 우려가 있다. 상기 단락 현상의 발생을 저지할 목적, 및 세퍼레이터의 전극에 대한 접착성을 개선할 목적으로, 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공질 기재 중 적어도 한 면에, 폴리불화비닐리덴계 수지를 포함하는 다공층(접착층)을 적층시킨 세퍼레이터의 개발이 진행되고 있다. 예를 들어, 특허문헌 7에는, 전극과의 접착력 및 이온 투과성을 고려하여, 폴리불화비닐리덴계 수지를 포함하는 다공층의 공공률을 30 내지 60％로 하는 것이 나타나 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 국제 공개 공보 제2011/129169호(2011년 10월 20일 공개) 일본 공개 특허 공보 「일본 특허 공개 제2000-1561호 공보(2000년 1월 7일 공개)」 일본 공개 특허 공보 「일본 특허 공개 제2013-28099호 공보(2013년 2월 7일 공개)」 국제 공개 공보 제2011/013300호 팸플릿(2011년 2월 3일 공개) 일본 특허 공개 제2009-205959호 공보 일본 특허 공개 제2012-221889호 공보 일본 특허 공보 「일본 특허 5432417호 공보(발행일: 2014년 3월 5일）」 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 상기 배경 기술의 제1 점에 대해서, 종래 기술에 의한 세퍼레이터에 있어서는, 상기 수지를 포함하는 다공질층(내열층, 접착층)의 임계 표면 장력과 기재(상기 다공막)의 임계 표면 장력과의 차이가 커서, 상술한 2층간의 전해액에 대한 주액 저항의 차가 커지기 때문에, 상기 세퍼레이터 전체에서의, 비수 전해액 이차 전지의 조립 시에 있어서의 전해액에 대한 주액성이 나빠진다는 문제가 존재한다. 이에 의해, 비수 전해액 이차 전지를 조립할 때, 전해액을 전지 내에 주액하는 공정의 시간이 길어지는 등의 문제가 발생한다. 상기 배경 기술의 제2 점에 대해서, 상술한 바와 같이, 다양한 세퍼레이터가 개발되어 있지만, 양호한 전지 특성을 얻기 위해서는 이것만으로는 충분하지 않다. 특히, 누설 발생 등이 생기는 불량률은 보다 낮게 할 필요가 있다. 본 발명자들은 그 때문에, 높은 절연 내력을 갖는 새로운 이차 전지의 세퍼레이터가 필요하다고 생각하여, 더 높은 절연 내력을 갖는 세퍼레이터를 얻기 위해 검토하였다. 본 발명은 이러한 검토의 결과로 이루어진 것으로, 더 높은 절연 내력을 가져, 세퍼레이터로서 적합한 적층체를 제공하는 데 있다. 상기 배경 기술의 제3 점에 대해서, 상술한 바와 같이 다양한 세퍼레이터가 개발되어 있지만, 양호한 전지 특성을 얻기 위해서는 이것만으로는 충분하지 않다. 특히, 컬의 발생을 억제하는 기술에 대해서는, 가일층의 개선의 여지가 있다. 본 발명은, 상기 종래의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 컬의 발생이 억제된 세퍼레이터용의 적층체 및 당해 적층체의 이용 기술을 제공하는 데 있다. 상기 배경 기술의 제4 점에 대해서, 특허문헌 7의 기술에서는, 다공층 본체의 공공률만이 고려되어 있고, 비수 이차 전지에 내장된 상태에 대해서 고려되어 있지 않다. 폴리불화비닐리덴계 수지를 포함하는 다공층은 비수 이차 전지에 내장되면, 전해액에 의해 겔화함으로써, 전극과의 밀착성을 높일 수 있다. 그러나, 다공층이 겔화함으로써 이온의 이동 속도가 저하되어, 사이클 특성의 저하를 야기할 가능성이 있다. 구체적으로는, 이온 이동 속도의 저하에 의해, 충전 시간(특히 전압 일정 충전)의 증대를 초래하고, 그 결과, 정극측에서의 전해액의 산화 분해나 부극측에서의 금속 석출 등, 용량 저하에 이르는 문제를 생각할 수 있다. 본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 전극과의 밀착성을 확보하면서, 비수 이차 전지의 사이클 특성의 저하를 억제하는 비수 이차 전지용 세퍼레이터, 적층체, 적층체의 제조 방법 및 비수 이차 전지를 제공하는 데 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 〔발명 1〕 상기 제1 과제에 대해서, 본 발명은, 상기의 문제를 해결하기 위한 것으로, 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공질 필름 중 적어도 한쪽 면에, 수지를 포함하는 다공질층을 적층시킨 적층체이며, 상기 다공질층의 최표면의 임계 표면 장력(A)과, 상기 적층체를 상기 다공질 필름과 상기 다공질층과의 계면에서 박리시킨 경우의, 다공질 필름의 계면측 임계 표면 장력(B)과의 관계가 이하에 나타내는 식 (1) 0≤(A)-(B)≤20mN/m … (1) 로 나타내어지는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)과 공극률(D)과의 관계가 이하에 나타내는 식 (2) (C)/(D)≤0.13 … (2) 로 나타내어지는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)은, 상기 다공질 필름에서의 세공의 구멍 직경의 평균값을 ㎛ 단위로 나타낸 값이며, 상기 공극률(D)은, 상기 다공질 필름에 공극이 없다고 가정했을 때의 그 필름의 체적을 기준으로 한 경우의, 실제의 상기 다공질 필름에서의 공극이 차지하는 체적의 비율을 나타내는 값이다. 또한, 상기 다공질층에 포함되는 수지가 폴리불화비닐리덴계 수지인 것이 보다 바람직하다. 또한 그 밖에도, 본 발명은 상기의 문제를 해결하기 위한 것으로, 상기 적층체를 포함하는 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터인 것을 특징으로 한다. 또한 그 밖에도, 본 발명은 상기의 문제를 해결하기 위한 것으로, 상기 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터를 포함하는 비수 전해액 이차 전지인 것을 특징으로 한다. 〔발명 2〕 상기 제2 과제에 대해서, 본 발명자들은, 세퍼레이터를 구성하는 각 층에서의, 단위 면적당 수지의 함유량의 증가에 수반하는 절연 내력의 상승량에 착안하였다. 그리고, 다공질 필름과, 그 편면 또는 양면에 적층된, 수지를 포함하는 다공질층에 있어서, 다공질층에서의 상기 상승량이 필름에서의 상기 상승량 이상이 되는 수지를 채용함으로써, 더 높은 절연 내력을 갖는 적층체를 얻는 것이 가능해짐을 알아내고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 즉, 상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명에 따른 적층체는, 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공질 필름과, 상기 다공질 필름의 편면 또는 양면에 적층된, 수지를 포함하는 다공질층을 구비하고, (A) 상기 다공질층의 단위 면적당 포함되는 상기 수지의 양(g/m2)의 증가량에 대한, 당해 다공질층의 절연 내력의 상승량(V·m2/g)과, (B) 상기 다공질 필름의 단위 면적당 포함되는 상기 폴리올레핀의 양(g/m2)의 증가량에 대한 당해 다공질 필름의 절연 내력의 상승량(V·m2/g)의 관계가 이하에 나타내는 식 (1) (A)003e#(B) … (1) 로 나타내어지고, 또한 상기 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)과 공극률(D)의 관계가 이하에 나타내는 식 (2) (C)/(D)≤0.13 … (2) 로 나타내어지는 것을 특징으로 하고 있다. 여기서, 상기 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)은, 상기 다공질 필름에서의 세공의 구멍 직경의 평균값을 ㎛ 단위로 나타낸 값이며, 상기 공극률(D)은, 상기 다공질 필름에 공극이 없다고 가정했을 때의 그 필름의 체적을 기준으로 한 경우의, 실제의 상기 다공질 필름에서의 공극이 차지하는 체적의 비율을 나타내는 값이다. 또한, 본 발명에 따른 적층체에서는, 상기 (A)와 (B)가 또한 (A)003e#2×(B)의 관계를 만족하는 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 적층체에서는, 상기 수지는 폴리불화비닐리덴인 것이 보다 바람직하다. 본 발명에 따른 적층체에서는, 상기 수지는 방향족 폴리아미드인 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 발명에 따른 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터는 상기 적층체를 포함하는 것을 특징으로 하고 있다. 또한, 본 발명에 따른 비수 전해액 이차 전지용 부재는, 정극, 본 발명에 따른 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터 및 부극이 이 순서대로 배치되어 이루어지는 것을 특징으로 하고 있다. 또한, 본 발명에 따른 비수 전해액 이차 전지는, 본 발명에 따른 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터를 포함하는 것을 특징으로 하고 있다. 〔발명 3〕 상기 제3 과제에 대해서, 본 발명자들은, 상기 과제를 감안하여 예의 검토한 결과, (A) 세퍼레이터를 구성하는 적층체에서의 흡습 특성과 컬 발생이 밀접하게 관련되어 있는 것, (B) 적층체의 흡습 특성이 특정한 범위 내인 경우, 컬의 발생을 억제할 수 있는 것, (C) 세퍼레이터를 구성하는 적층체의 제2 다공층의 형상과 컬 발생이 밀접하게 관련되어 있는 것, 및 (D) 제2 다공층의 형상이 특정한 것인 경우, 컬의 발생을 억제할 수 있음을 알아내고, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다. 즉, 본 발명은 이하의 발명을 포함한다. (1) 폴리올레핀계 수지를 포함하는 제1 다공층과, 제2 다공층을 적층시킨 적층체로서, 상기 적층체에서의, (가) 노점 20℃ 분위기에서의 함수율과, (나) 노점 -30℃ 분위기에서의 함수율과의 차가 1000ppm 이하이고, 제2 다공층의 표면에서의, 0.5㎛2 이상의 구멍의 개공부의 면적이 30％ 이하인 적층체. (2) 노점 20℃ 분위기에서의, (다) 상기 제1 다공층의 함수량과, (라) 상기 제2 다공층의 함수량과의 차가 10mg/m2 이하인, (1)에 기재된 적층체. (3) 제2 다공층의 표면에서의, 0.5㎛2 이상의 구멍의 개공부의 면적이 5％ 이하인, (1) 또는 (2)에 기재된 적층체. (4) 상기 제2 다공층이, 직경 1㎛ 이하의 골격이 삼차원 그물눈 형상으로 연결된 구조를 갖거나, 또는 수지 미립자를 포함하는 것인, (1) 내지 (3) 중 어느 한 항에 기재된 적층체. (5) 상기 제2 다공층이 폴리불화비닐리덴계 수지를 포함하는, (1) 내지 (4) 중 어느 한 항에 기재된 적층체. (6) 상기 수지 미립자가 탄소수 2 내지 4의 α-올레핀에서 유래되는 구조 단위를 갖는 수지인, (4)에 기재된 적층체. (7) 상기 적층체에서의, (가) 노점 20℃ 분위기에서의 함수율과, (나) 노점 -30℃ 분위기에서의 함수율과의 차가 100ppm 이상인, (1) 내지 (6) 중 어느 한 항에 기재된 적층체. (8) 상기 노점 20℃ 분위기에서의, (다) 상기 제1 다공층의 함수량과, (라) 상기 제2 다공층의 함수량과의 차가 1mg/m2 이상인, (1) 내지 (7) 중 어느 한 항에 기재된 적층체. (9) 상기 (1) 내지 (8) 중 어느 한 항에 기재된 적층체로 구성되는 세퍼레이터. (10) 상기 (9)에 기재된 세퍼레이터를 구비한 비수 이차 전지. 〔발명 4〕 상기 제4 과제에 대해서, 본 발명에 따른 비수 이차 전지용 세퍼레이터는, 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 비수 이차 전지용의 정극 및 부극 사이에 배치되는 비수 이차 전지용 세퍼레이터이며, 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공질 기재와, 상기 다공질 기재 중 적어도 한쪽 면에 적층된, 폴리불화비닐리덴계 수지를 포함하는 다공층을 구비하고, 상기 다공질 기재에서의 세공의 구멍 직경의 평균값을 ㎛ 단위로 나타낸 값을 상기 다공질 기재의 평균 세공 직경(C)으로 하고, 상기 다공질 기재에 공극이 없다고 가정했을 때의 그 기재의 체적을 기준으로 한 경우의, 실제의 상기 다공질 기재에서의 공극이 차지하는 체적의 비율을 나타내는 값을 상기 다공질 기재의 공극률(D)로 할 때, 평균 세공 직경(C)과 공극률(D)의 관계가 (C)/(D)≤0.13을 만족하고, 상기 다공층은, 농도 1.0몰/리터의 LiPF6을 에틸메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트 및 에틸렌카르보네이트의 체적비가 50:20:30인 혼합 용매에 용해시킨 25℃의 전해액에 24시간 침지시킨 후의, 다공층 1평방미터당 포함되는, 상기 전해액을 흡수한 수지의 체적이 0.05 내지 5.00cm3인 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 따른 비수 이차 전지용 세퍼레이터에 있어서, 상기 다공층은, 상기 전해액에 24시간 침지시킨 후의, 다공층 1평방미터당 포함되는, 상기 전해액을 흡수한 수지의 체적이 0.25 내지 1.50cm3인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 따른 비수 이차 전지용 세퍼레이터에 있어서, 상기 다공층은, 상기 전해액에 24시간 침지시킨 후의 공극률이 0.005 내지 0.55인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 따른 비수 이차 전지용 세퍼레이터에 있어서, 상기 다공층은, 상기 전해액에 24시간 침지시킨 후의 평균 세공 직경이 0.8 내지 95.0nm인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 따른 적층체는, 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 상기 비수 이차 전지용 세퍼레이터와 전극 시트를 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 따른 적층체의 제조 방법은, 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 상기 다공층을 형성하는 수지를 용해시킨 용액을, 상기 다공질 기재 또는 상기 전극 시트에 도포 건조하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 따른 비수 이차 전지는, 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 상기 비수 이차 전지용 세퍼레이터와 전극 시트를 포함하는 것을 특징으로 한다. [ 발명의 효과 ] 〔발명 1〕 본 발명에 따른 세퍼레이터를 사용함으로써, 비수 전해액 이차 전지의 조립 시에 있어서의 전해액에 대한 주액성이 개선된다는 효과를 발휘한다. 〔발명 2〕 본 발명에 따르면, 더 높은 절연 내력을 갖는 비수 전해액 이차 전지의 세퍼레이터를 제공할 수 있다는 효과를 발휘한다. 〔발명 3〕 본 발명에 따른 적층체에 의하면, 전지의 세퍼레이터로서 사용했을 때, 컬의 발생을 억제할 수 있다는 효과를 발휘한다. 그로 인해, 전지 제작 시의 핸들링이 양호해지고, 또한 전지 성능의 향상도 기대할 수 있다. 〔발명 4〕 본 발명에 따르면, 전극과의 밀착성을 확보하면서, 비수 이차 전지의 사이클 특성의 저하를 억제하는 효과를 발휘한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명에서의 적층체를 도시하는 모식도이다(발명 1). 도 2는 본 발명에서의 적층체를 사용한 전해액 침투 시험의 방법을 도시하는 모식도이다(발명 1). 도 3은 본 발명에 따른 적층체의 제2 다공층의 표면을 주사형 전자 현미경에 의해 촬영한 화상이다(발명 3). 도 4는 종래의 적층체(비교예 4)의 제2 다공층의 표면을 주사형 전자 현미경에 의해 촬영한 화상이다(발명 3). [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 〔제1 실시 형태: 발명 1〕 본 발명자들이 예의 검토를 행한 결과, 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공질 필름(이하, 다공질 필름이라고도 함) 중 적어도 한쪽 면에, 수지를 포함하는 다공질층을 적층시킨 적층체로서, 상기 다공질층의 최표면의 임계 표면 장력(A)과, 상기 적층체를 상기 다공질 필름과 상기 다공질층과의 계면에서 박리시킨 경우의, 다공질 필름의 계면측 임계 표면 장력(B)과의 차이가 작아지는 경우, 구체적으로는 상술한 차인 (A)-(B)가 0mN/ｍ 이상, 20mN/m 이하로 되는 경우에, 적층체를 포함하는 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터의 습윤성이 양호해져, 비수 전해액 이차 전지의 조립 시에 있어서의 전해액에 대한 주액성이 종래의 세퍼레이터보다도 개선되는 것을 알아내고, 본 발명을 완성시켰다. 여기서, 다공질 필름의 계면측 임계 표면 장력이란, 상기 적층체로부터 상기 다공질층을 박리시킨 후에 남은 다공질 필름(기재)의 상기 다공질층과의 계면이 존재한 측의 표면에서의 임계 표면 장력을 의미한다. 또한, 본 명세서에서의 「전해액」에는, 비수 전해액 이차 전지에 있어서 일반적으로 사용되는 전해액이 모두 포함된다. (본 발명의 실시 형태) 이하, 본 발명의 제1 실시 형태에 대해서, 이하에 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 이하에 설명하는 각 구성에 한정되는 것은 아니며, 특허청구범위에 나타낸 범위에서 다양한 변경이 가능하고, 서로 다른 실시 형태에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합해서 얻어지는 실시 형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다. 또한, 본 명세서에서 특기하지 않는 한, 수치 범위를 나타내는 「A 내지 B」는, 「A 이상 B 이하」를 의미한다. (비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터) 본 발명의 일 실시 형태는, 다공질 필름 중 적어도 한쪽 면에, 수지를 포함하는 다공질층을 적층시킨 적층체로서, 상기 다공질층의 최표면의 임계 표면 장력(A)과, 상기 적층체를 상기 다공질 필름과 상기 다공질층과의 계면에서 박리시킨 경우의, 다공질 필름의 계면측 임계 표면 장력(B)과의 관계가 이하에 나타내는 식 (1) 0≤(A)-(B)≤20mN/m … (1) 로 나타내어지는 구성이다.003c#다공질 필름003e#본 발명에서의 다공질 필름은, 세퍼레이터의 기재이며, 폴리올레핀을 주성분으로 하고, 그 내부에 연결된 세공을 다수 갖고 있으며, 한쪽 면에서 다른 쪽 면으로 기체나 액체를 통과시키는 것이 가능하게 되어 있다. 다공질 필름에서 차지하는 폴리올레핀의 비율은, 다공질 필름 전체의 50체적％ 이상이며, 90체적％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 95체적％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 폴리올레핀에는, 중량 평균 분자량이 5×105 내지 15×106인 고분자량 성분이 포함되어 있는 것이 보다 바람직하다. 특히, 폴리올레핀에 중량 평균 분자량이 100만 이상인 고분자량 성분이 포함되어 있으면, 다공질 필름 및 다공질 필름을 포함하는 적층체의 강도가 향상되므로 보다 바람직하다. 열가소성 수지인 상기 폴리올레핀으로서는 구체적으로는, 예를 들어 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 4-메틸-1-펜텐, 1-헥센 등의 단량체를 (공)중합해서 이루어지는 단독 중합체(예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐) 또는 공중합체(예를 들어, 에틸렌-프로필렌 공중합체)를 들 수 있다. 이 중, 과대 전류가 흐르는 것을 보다 저온에서 저지(셧 다운)할 수 있기 때문에, 폴리에틸렌이 보다 바람직하다. 당해 폴리에틸렌으로서는, 저밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 선상 폴리에틸렌(에틸렌-α-올레핀 공중합체), 중량 평균 분자량이 100만 이상인 초고분자량 폴리에틸렌 등을 들 수 있고, 이 중, 중량 평균 분자량이 100만 이상인 초고분자량 폴리에틸렌이 더욱 바람직하다. 다공질 필름의 막 두께는, 적층체의 막 두께를 고려해서 적절히 결정하면 되지만, 다공질 필름을 기재로서 사용하고, 다공질 필름의 편면 또는 양면에 다공질층을 적층해서 적층체를 형성하는 경우에는, 4 내지 40㎛인 것이 바람직하고, 7 내지 30㎛인 것이 보다 바람직하다. 다공질 필름의 단위 면적당 중량은, 적층체의 강도, 막 두께, 중량 및 핸들링성을 고려해서 적절히 결정하면 되지만, 적층체를 비수 전해액 이차 전지의 세퍼레이터로서 사용한 경우의 당해 전지의 중량 에너지 밀도나 체적 에너지 밀도를 높게 할 수 있도록, 통상 4 내지 20g/m2인 것이 바람직하고, 5 내지 12g/m2인 것이 보다 바람직하다. 다공질 필름의 투기도는, 걸리(Gurley)값으로 30 내지 500sec/100mL인 것이 바람직하고, 50 내지 300sec/100mL인 것이 보다 바람직하다. 다공질 필름이 상기 투기도를 가짐으로써, 적층체를 세퍼레이터로서 사용했을 때, 충분한 이온 투과성을 얻을 수 있다. 다공질 필름의 공극률(D)은, 전해액의 유지량을 높임과 함께, 과대 전류가 흐르는 것을 보다 저온에서 확실하게 저지(셧 다운)하는 기능을 얻을 수 있도록, 0.2 내지 0.8(20 내지 80체적％)인 것이 바람직하고, 0.3 내지 0.75(30 내지 75체적％)인 것이 보다 바람직하다. 또한, 다공질 필름이 갖는 세공의 구멍 직경은, 적층체를 세퍼레이터로서 사용했을 때, 충분한 이온 투과성을 얻을 수 있고, 또한 정극이나 부극으로의 입자의 인입을 방지할 수 있도록, 3㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 다공질 필름의 세공의 평균 구멍 직경(이하, 평균 세공 직경(C)이라고도 함)과 다공질 필름의 공극률(D)은, (C)/(D)≤0.13이라는 관계를 만족하는 것이 바람직하고, (C)/(D)≤0.10이라는 관계를 만족하는 것이 보다 바람직하다. 여기서, 상기 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)은, 상기 다공질 필름에서의 세공의 구멍 직경의 평균값을 ㎛ 단위로 나타낸 값이며, 상기 공극률(D)은, 상기 다공질 필름에 공극이 없다고 가정했을 때의 그 필름의 체적을 기준으로 한 경우의, 실제의 상기 다공질 필름에서의 공극이 차지하는 체적의 비율을 나타내는 값이다. 또한, 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)은, PMI사 제조 펌 포로미터(형식: CFP-1500A)를 사용하여 측정된다. 여기서 측정에는, 시험액으로서 PMI사 제조 갈윅(GalWick)(상품명)을 사용하여, 다공질 필름에서의 하기 (i) 및 (ii)에 기재된 곡선을 측정한다. (i) 시험액에 침지한 상태의 압력-유량 곡선 (ii) 건조한 상태에서 측정한 유량의 1/2로 하는 압력-유량 곡선 (i) 및 (ii)의 곡선의 교점에서의 압력(P)의 값에 기초하여, 이하의 식 (3)을 사용해서 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)을 산출한다. (C)=4cosθr/P … (3) 여기서, (C): 평균 세공 직경(㎛), r: 시험액의 표면 장력(N/m), P: 위에서 나타낸 교점의 압력(Pa), 및 θ: 다공질 필름과 시험액의 접촉각(°)을 나타낸다.다공질 필름의 공극률(D)은 다음의 방법에 의해 측정된다. 다공질 필름을 한 변의 길이 10cm인 정사각형으로 잘라내고, 그 잘라낸 소편의 중량: W(g) 및 두께: E(cm)를 측정한다. 측정된 중량(W) 및 두께(E), 및 다공질 필름의 진 비중(ρ)(g/cm3)에 기초하여, 이하의 식 (4)를 사용해서 다공질 필름의 공극률(D)을 산출한다. 공극률(D)=1-(W/ρ)/(10×10×E) … (4) 상기 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)을 제어하는 방법으로서는, 예를 들어 세공 직경을 작게 하는 경우, 다공질 필름 제막 시에 무기 필러 등의 개공제 또는 상분리제의 분산 상태를 균일화시키는 방법, 무기 필러 개공제의 입경을 미세화하는 방법, 상분리제를 포함한 상태에서 연신하는 방법, 및 낮은 연신 배율로 연신하는 방법 등의 방법을 들 수 있다. 또한, 상기 다공질 필름의 공극률(D)을 제어하는 방법으로서는, 예를 들어 고공극률의 다공질 필름을 얻는 경우, 폴리올레핀 등의 수지에 대한 무기 필러 등의 개공제 또는 상분리제의 양을 많게 하는 방법, 상분리제를 제거한 후에 연신하는 방법, 및 높은 연신 배율로 연신하는 방법 등의 방법을 들 수 있다. 상술한 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)/다공질 필름의 공극률(D)은, 상기 다공질 필름을 포함하는 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터의 폴리올레핀 기재 내부로의 전해액의 침입 용이성에 대한 지배 인자의 하나라고 생각된다. (C)/(D)의 값이 감소하는 것은, 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)이 감소하는 것, 및/또는 다공질 필름의 공극률(D)이 증대되는 것을 나타낸다. 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)이 감소하면, 상기 폴리올레핀 기재 내부의 세공에 상기 전해액을 도입하는 구동력이 되는 것으로 추정되는 모세관력이 증대된다고 생각된다. 또한, 다공질 필름의 공극률(D)이 증대되면, 상기 폴리올레핀 기재에서의 상기 전해액이 침투할 수 없는 폴리올레핀이 존재하는 개소의 체적이 감소한다고 생각된다. 그로 인해, 상술한 (C)/(D)의 값이 감소하면, 상기 다공질 필름을 포함하는 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터의 폴리올레핀 기재 내부로의 전해액의 침입(침투) 용이성이 증대된다고 생각된다. 구체적으로는, 상술한 (C)/(D)≤0.13, 바람직하게는 (C)/(D)≤0.10인 경우, 상기 다공질 필름을 포함하는 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터의 폴리올레핀 기재 내부로의 전해액의 침입 용이성이, 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터로서 실제로 사용되기에 충분한 크기로 증대될 수 있다. 즉, 상술한 (C)/(D)는 상기의 임계 표면 장력(B)에 영향을 미치는 요소이며, 즉 (C)/(D)를 조정함으로써 상기 (A)-(B)의 범위를 제어할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 다공질 필름은 세공을 갖고 있으므로, 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)은 0보다도 큰 값이 된다. 그로 인해, 상술한 (C)/(D)의 값도 또한 0보다도 커진다. 다공질 필름의 제조 방법은 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 폴리올레핀 등의 수지에 가소제를 첨가해서 필름으로 성형한 후, 가소제를 적당한 용매로 제거하는 방법을 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 초고분자량 폴리에틸렌과, 중량 평균 분자량이 1만 이하인 저분자량 폴리올레핀을 포함하는 폴리올레핀 수지를 사용해서 다공질 필름을 제조하는 경우에는, 제조 비용의 관점에서, 이하에 나타내는 방법에 의해 당해 다공질 필름을 제조하는 것이 바람직하다. (1) 초고분자량 폴리에틸렌 100중량부와, 중량 평균 분자량이 1만 이하인 저분자량 폴리올레핀 5 내지 200중량부와, 탄산칼슘 등의 무기 충전제 100 내지 400중량부를 혼련해서 폴리올레핀 수지 조성물을 얻는 공정, (2) 상기 폴리올레핀 수지 조성물을 사용해서 시트를 성형하는 공정, 계속해서, (3) 공정 (2)에서 얻어진 시트로부터 무기 충전제를 제거하는 공정, (4) 공정 (3)에서 무기 충전제를 제거한 시트를 연신해서 다공질 필름을 얻는 공정. 또는, (3') 공정 (2)에서 얻어진 시트를 연신하는 공정, (4') 공정 (3')에서 연신한 시트로부터 무기 충전제를 제거해서 다공질 필름을 얻는 공정. 또한, 다공질 필름은, 상술한 물성을 갖는 시판품을 사용할 수도 있다. 또한, 다공질 필름에는, 다공질층을 형성하기 전에, 즉 후술하는 도공액을 도공하기 전에, 친수화 처리를 실시해도 된다. 다공질 필름에 친수화 처리를 실시함으로써, 상기 임계 표면 장력(B)을 조정할 수 있다. 즉, 미리 측정한 다공질층의 최표면의 임계 표면 장력(A)에 따라, 다공질 필름에 주로 기인하는 임계 표면 장력(B)을 조정해 둠으로써, 상기 식 (1)의 관계를 만족하는 적층체를 얻을 수 있다. 상기 친수화 처리로서는 구체적으로는, 예를 들어 산이나 알칼리 등에 의한 약제 처리, 코로나 처리, 플라즈마 처리 등의 공지된 처리를 들 수 있다. 상기 친수화 처리 중, 비교적 단시간에 다공질 필름을 친수화할 수 있을 뿐 아니라 친수화가 다공질 필름의 표면 근방에만 한정되고, 다공질 필름의 내부를 변질시키지 않는 점에서, 코로나 처리가 보다 바람직하다. 다공질 필름은 필요에 따라, 수지를 포함하는 다공질층 이외에 다공질층으로 포함하고 있어도 된다. 당해 다공질층으로서는, 내열층이나 접착층, 보호층 등의 공지된 다공질층을 들 수 있다. 구체적인 다공질층으로서는 후술하는 수지를 포함하는 다공질층과 동일한 조성의 것을 들 수 있다. 003c#다공질층003e#본 발명의 다공질층은, 바람직하게는 다공질 필름의 편면 또는 양면에 적층되는 내열층 또는 접착층이다. 다공질층을 구성하는 수지는, 전지의 전해액에 불용이며, 또한 그 전지의 사용 범위에서 전기 화학적으로 안정되는 것이 바람직하다. 다공질 필름의 편면에 다공질층이 적층되는 경우에는, 당해 다공질층은, 바람직하게는 비수 전해액 이차 전지로 했을 때의, 다공질 필름에서의 정극과 대향하는 면에 적층되고, 보다 바람직하게는 정극과 접하는 면에 적층된다.당해 수지로서는 구체적으로는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 에틸렌-프로필렌 공중합체 등의 폴리올레핀; 폴리불화비닐리덴(PVDF)이나 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 불소 함유 수지; 불화비닐리덴-헥사플루오로프로필렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체나 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체 등의 불소 함유 고무; 방향족 폴리아미드; 전체 방향족 폴리아미드(아라미드 수지); 스티렌-부타디엔 공중합체 및 그의 수소화물, 메타크릴산에스테르 공중합체, 아크릴로니트릴-아크릴산에스테르 공중합체, 스티렌-아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌프로필렌 러버, 폴리아세트산비닐 등의 고무류; 폴리페닐렌에테르, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술피드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르아미드, 폴리에스테르 등의 융점이나 유리 전이 온도가 180℃ 이상인 수지; 폴리비닐알코올, 폴리에틸렌글리콜, 셀룰로오스에테르, 알긴산나트륨, 폴리아크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리메타크릴산 등의 수용성 중합체 등을 들 수 있다.또한, 상기 방향족 폴리아미드로서는 구체적으로는, 예를 들어 폴리(파라페닐렌테레프탈아미드), 폴리(메타페닐렌이소프탈아미드), 폴리(파라벤즈아미드), 폴리(메타벤즈아미드), 폴리(4,4'-벤즈아닐리드테레프탈아미드), 폴리(파라페닐렌-4,4'-비페닐렌디카르복실산아미드), 폴리(메타페닐렌-4,4'-비페닐렌디카르복실산아미드), 폴리(파라페닐렌-2,6-나프탈렌디카르복실산아미드), 폴리(메타페닐렌-2,6-나프탈렌디카르복실산아미드), 폴리(2-클로로파라페닐렌테레프탈아미드), 파라페닐렌테레프탈아미드/2,6-디클로로파라페닐렌테레프탈아미드 공중합체, 메타페닐렌테레프탈아미드/2,6-디클로로파라페닐렌테레프탈아미드 공중합체 등을 들 수 있다. 이 중, 폴리(파라페닐렌테레프탈아미드)가 보다 바람직하다.상기 수지 중, 불소 함유 수지 및 방향족 폴리아미드가 보다 바람직하고, 불소 함유 수지 중에서도, 폴리불화비닐리덴(PVDF), 불화비닐리덴(VDF)과 헥사플루오로프로필렌(HFP)과의 공중합체 등의 폴리불화비닐리덴계 수지가 보다 바람직하고, PVDF가 더욱 바람직하다. 상기 다공질층은 필러를 포함해도 된다. 본 발명에서 다공질층에 포함되어 있어도 되는 필러로서는, 유기물을 포함하는 필러 및 무기물을 포함하는 필러를 들 수 있다. 유기물을 포함하는 필러로서는 구체적으로는, 예를 들어 스티렌, 비닐케톤, 아크릴로니트릴, 메타크릴산메틸, 메타크릴산에틸, 글리시딜메타크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 아크릴산메틸 등의 단량체의 단독 중합체 또는 2종류 이상의 공중합체; 폴리테트라플루오로에틸렌, 4불화에틸렌-6불화프로필렌 공중합체, 4불화에틸렌-에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐리덴 등의 불소 함유 수지; 멜라민 수지; 요소 수지; 폴리에틸렌; 폴리프로필렌; 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산 등을 포함하는 필러를 들 수 있다. 무기물을 포함하는 필러로서는 구체적으로는, 예를 들어 탄산칼슘, 탈크, 클레이, 카올린, 실리카, 히드로탈사이트, 규조토, 탄산마그네슘, 탄산바륨, 황산칼슘, 황산마그네슘, 황산바륨, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화티타늄, 질화티타늄, 알루미나(산화알루미늄), 질화알루미늄, 마이카, 제올라이트, 유리 등의 무기물을 포함하는 필러를 들 수 있다. 필러는, 1종만을 사용해도 되고, 2종류 이상을 조합해서 사용해도 된다. 상기 필러 중, 일반적으로, 충전재라 불리는, 무기물을 포함하는 필러가 적합하고, 실리카, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화티타늄, 알루미나, 마이카, 제올라이트 등의 무기 산화물을 포함하는 필러가 보다 바람직하고, 실리카, 산화마그네슘, 산화티타늄 및 알루미나로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 필러가 더욱 바람직하고, 알루미나가 특히 바람직하다. 알루미나에는, α-알루미나, β-알루미나, γ-알루미나, θ-알루미나 등의 많은 결정형이 존재하는데, 모두 적절하게 사용할 수 있다. 이 중에서도, 열적 안정성 및 화학적 안정성이 특히 높기 때문에, α-알루미나가 가장 바람직하다. 본 발명에서는 통상, 상기 수지를 용매에 용해시킴과 함께, 필요에 따라 상기 필러를 분산시킴으로써, 다공질층을 형성하기 위한 도공액을 제작한다.본 발명에서 임계 표면 장력이란, 물질의 표면에 액적을 적하했을 때의 접촉각이 0°인 경우의 표면 장력이라고 정의되는 값이며, 그 물질의 습윤성을 나타내는 지표가 된다. 임계 표면 장력의 값이 작을수록 그 물질은 젖기 쉬워, 통상은 흡액성이 양호해지지만, 적층체의 경우에는, 층과 층 사이의 흡액 저항이 흡액성에 큰 영향을 준다. 본 명세서에서의 임계 표면 장력은, JIS K 6768에 준거한 방법에 의해 측정된다. 구체적으로는, 적층체에 있어서의 다공질층(도공층)의 최표면을 대상으로 하고, 25℃의 환경 하에서 교와 카이멘 가가꾸 제조의 접촉각계 드롭 마스터(Drop Master) 500을 사용하고, 용매로서 순수 및 프로필렌카르보네이트를 사용하여, 각각의 용매 접촉각(θ)을 측정하여, 지스만 플롯(Zisman plot)에 의해 임계 표면 장력(A)을 산출한다. 또한, 마찬가지의 방법으로, 적층체로부터 다공질층(도공층)을 박리한 후의 해당 다공질 필름(기재)의 해당 다공질층(도공층)이 박리된 측 표면에서의 임계 표면 장력(B)을 산출한다. 상기 다공질층의 최표면의 임계 표면 장력(A)과, 상기 적층체를 다공질 필름과 상기 다공질층과의 계면에서 박리시킨 경우의, 다공질 필름의 계면측 임계 표면 장력(B)과의 차의 절댓값이 작아지고, 또한 상기 임계 표면 장력(A)에서 상기 임계 표면 장력(B)을 차감한 값이 0 이상이 되면, 상기 다공질 필름의 층과 상기 다공질층과의 사이의 흡액 저항 차가 저감되어, 결과적으로 세퍼레이터 전체의 흡액성이 높아진다. 구체적으로는, 0mN/m≤(A)-(B)≤20mN/m, 바람직하게는 4mN/m≤(A)-(B)≤19mN/m, 더욱 바람직하게는 4mN/m≤(A)-(B)≤15mN/m인 경우에, 세퍼레이터 전체의 전해액에 대한 흡액성이 충분히 높아지므로 바람직하다. (다공질층에서의 전해액의 침투 시간) 본 발명에 따른 적층체를 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터로서 사용해서 제조되는 비수 전해액 이차 전지의 내부 저항을 실용 레벨로까지 낮추기 위해서, 상기 비수 전해액 이차 전지를 조립할 때, 일반적으로 정부극 및 세퍼레이터로 이루어지는 군에 전해액을 주액하는 공정과, 또한 세퍼레이터 내부까지 전해액을 스며들어 퍼지게 하는 에이징 공정을 실시한다. 후술하는 방법에서 측정되는 적층체(비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터)로의 전해액 침투 시간은, 상술한 2개 공정의 작업 시간(택트 타임)과 역상관 관계이다. 따라서, 상기 적층체로의 전해액 침투 시간은, 상술한 2개 공정의 작업 속도, 특히 세퍼레이터 내부까지의 전해액 침투 시간의 지표가 되는 것으로 추정된다. 상기 적층체로의 전해액 침투 시간은, 50초 미만인 것이 바람직하고, 30초 미만인 것이 보다 바람직하다. 상기 적층체로의 전해액 침투 시간을 상기 범위 내로 함으로써, 상기 적층체를 사용한 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터의 조립 공정, 특히 그 중 세퍼레이터 내부까지 전해액을 스며들어 퍼지게 하는 에이징 공정의 작업 시간(택트 타임)을 실용 레벨로까지 단축할 수 있다. (비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터의 제조 방법) 본 발명에서의 세퍼레이터를 구성하는 적층체는, 도 1에 도시한 바와 같이, 기재가 되는 다공질 필름의 표면 상에, 예를 들어 이하에 나타내는 방법 (1) 내지 (3) 중 어느 하나의 방법을 사용하여, 수지를 포함하는 다공질층을 형성함으로써 제조된다. (1) 상기 다공질층을 형성하는 수지를 용해시킨 도공액을, 상기 다공질 필름의 표면에 도공한 후, 그 필름을 상기 수지에 대하여 빈용매인 석출 용매에 침지함으로써, 상기 수지로 구성된 다공질층을 석출시키는 방법. (2) 상기 다공질층을 형성하는 수지를 용해시킨 도공액을, 상기 다공질 필름의 표면에 도공한 후, 저비점 프로톤 산을 사용하여 상기 도공액의 액성을 산성으로 함으로써, 상기 수지로 구성된 다공질층을 석출시키는 방법. (3) 상기 다공질층을 형성하는 수지를 용해시킨 도공액을, 상기 다공질 필름의 표면에 도공한 후, 원적외선 가열 또는 동결 건조를 사용하여 상기 도공액 중의 용매를 증발시켜서, 상기 수지로 구성된 다공질층을 석출시키는 방법. 또한, 상기 방법 (1) 및 (2)의 경우에는, 상기 다공질층이 석출된 후에, 얻어진 적층체를 또한 건조시키는 공정이 포함될 수 있다. 수지를 용해시키는 용매(분산매)는, 다공질 필름에 악영향을 미치지 않고, 상기 수지를 균일하면서도 또한 안정적으로 용해하고, 상기 필러를 균일하면서도 또한 안정적으로 분산시킬 수 있으면 되며, 특별히 한정되는 것은 아니다. 상기 용매(분산매)로서는 구체적으로는, 예를 들어 물; 메틸알코올, 에틸알코올, n-프로필알코올, 이소프로필알코올, t-부틸알코올 등의 저급 알코올; 아세톤, 톨루엔, 크실렌, 헥산, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드 등을 들 수 있다. 상기 용매(분산매)는 1종만을 사용해도 되고, 2종류 이상을 조합해서 사용해도 된다. 상기 방법에서, 예를 들어 상기 다공질층을 구성하는 수지가 PVDF계 수지인 경우에는, PVDF계 수지를 용해시키는 용매로서는, N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용매를 사용하는 것이 바람직하고, N-메틸피롤리돈이 보다 바람직하다. 상기 석출 용매에는, 예를 들어 도공액에 포함되는 용매(분산매)에 용해하고, 또한 도공액에 포함되는 수지를 용해하지 않는 다른 용매(이하, 용매 X)를 사용할 수 있다. 도공액이 도포되어서 도막이 형성된 다공질 필름을 상기 용매 X에 침지하고, 다공질 필름 상 또는 지지체 상의 도막 중의 용매(분산매)를 용매 X로 치환한 후에, 용매 X를 증발시킴으로써, 도공액으로부터 용매(분산매)를 효율적으로 제거할 수 있다. 석출 용매로서는 구체적으로는, 예를 들어 물; 메틸알코올, 에틸알코올, n-프로필알코올, 이소프로필알코올, t-부틸알코올 등의 저급 알코올; 아세톤 등을 들 수 있다. 상기 석출 용매는, 1종만을 사용해도 되고, 2종류 이상을 조합해서 사용해도 된다. 상기 방법 (1)에서, 예를 들어 상기 다공질층을 구성하는 수지가 PVDF계 수지인 경우에는, 상기 다공질층을 석출시키기 위한 용매로서는, 이소프로필알코올 또는 t-부틸알코올이 바람직하다. 수지를 용해시키는 용매와 석출 용매와의 조합에 의해, 상기 임계 표면 장력(A)과 상기 임계 표면 장력(B)의 차를 조정할 수 있다. 이들 용매의 특성에 의해, 다공질 필름의 공극에 인입하는 도공액, 즉 수지의 양이 변화하기 때문에, 그 결과로서 임계 표면 장력(B)이 변동하고, 그 결과로서, 임계 표면 장력(A)과 임계 표면 장력(B)의 차가 변동된다. 상기 방법 (2)에서, 상기 저비점 프로톤 산으로서는, 예를 들어 염산, 아세트산 등을 들 수 있다. 상기 방법 (3)에서, 원적외선 가열 또는 동결 건조는, 다른 건조 방법(풍건 등)과 비교하여, 상기 다공질층의 공공의 형상이 석출시에 무너지기 어렵다는 이점을 갖는다. 뿐만 아니라, 본 발명에서의 세퍼레이터를 구성하는 적층체는, 기재가 되는 다공질 필름의 표면 상에 이하 (4)에 나타내는 방법으로 수지를 포함하는 다공질층을 형성함으로써 제조되어도 된다. (4) 상기 다공질층을 형성하는 수지 미립자의 물 등 분산매에 분산시킨 도공액을 기재에 도공하고, 분산매를 건조 제거함으로써 다공질층을 형성시키는 방법.상기 방법 (4)에서는, 분산매는 물인 것이 바람직하고, 또한 건조 전의 적층막을 저급 알코올류에 침지함으로써, 물 등의 분산매를 희석, 치환해도 되고, 이 경우의 저급 알코올류로서는, 이소프로필알코올 또는 t-부틸알코올이 바람직하다. 또한, 상기 적층체에, 또한 내열층을 적층하는 경우에는, 다공질층을 구성하는 수지 대신 상기 내열층을 구성하는 수지를 사용하는 것 이외는, 상술한 방법과 마찬가지의 방법을 행함으로써, 내열층을 적층시킬 수 있다. 또한, 상기 다공질층에 필러가 포함되는 경우에는, 상기 다공질층을 형성하는 수지를 용해시킨 도공액에, 또한 필러를 분산시킨 것을 사용함으로써, 필러가 포함되는 다공질층을 형성할 수 있다. 도공액의 다공질 필름에의 도포 방법, 즉 필요에 따라 친수화 처리가 실시된 다공질 필름의 표면에의 다공질층의 형성 방법은, 특별히 제한되는 것은 아니다. 다공질 필름의 양면에 다공질층을 적층하는 경우에는, 다공질 필름의 한쪽 면에 다공질층을 형성한 후, 다른 쪽 면에 다공질층을 형성하는 축차 적층 방법이나, 다공질 필름의 양면에 다공질층을 동시에 형성하는 동시 적층 방법을 행할 수 있다. 다공질층의 두께는, 도공 후의 습윤 상태(웨트)의 도공막의 두께, 수지와 필러의 중량비, 도공액의 고형분 농도(수지 농도와 필러 농도의 합) 등을 조절함으로써 제어할 수 있다. 상기 도공액을 다공질 필름에 도포하는 방법은, 필요한 단위 면적당 중량이나 도공 면적을 실현할 수 있는 방법이라면 되며, 특별히 제한되는 것은 아니다. 도공액의 도포 방법으로서는, 종래 공지된 방법을 채용할 수 있고, 구체적으로는, 예를 들어 그라비아 코터법, 소직경 그라비아 코터법, 리버스 롤 코터법, 트랜스퍼 롤 코터법, 키스 코터법, 딥 코터법, 나이프 코터법, 에어 닥터 블레이드 코터법, 블레이드 코터법, 로드 코터법, 스퀴즈 코터법, 캐스트 코터법, 바 코터법, 다이 코터법, 스크린 인쇄법, 스프레이 도포법 등을 들 수 있다. 상기 건조에는, 통상의 건조 장치를 사용할 수 있다. 건조 온도는, 다공질 필름의 세공이 수축해서 투기도가 저하되는 것을 피하기 위해서, 다공질 필름의 투기도가 저하되지 않는 온도, 구체적으로는 10 내지 120℃, 보다 바람직하게는 20 내지 80℃에서 행하는 것이 바람직하다. 상술한 방법에 의해 형성되는 다공질층의 막 두께는, 적층체의 막 두께를 고려해서 적절히 결정하면 되지만, 다공질 필름을 기재로서 사용하고, 다공질 필름의 편면 또는 양면에 다공질층을 적층해서 적층체를 형성하는 경우에는, 0.1 내지 20㎛(양면인 경우에는 합계 값)인 것이 바람직하고, 2 내지 15㎛인 것이 보다 바람직하다. 다공질층의 막 두께가 상기 범위를 초과하는 경우에는, 적층체를 세퍼레이터로서 사용했을 때, 비수 전해액 이차 전지의 부하 특성이 저하될 우려가 있다. 다공질층의 막 두께가 상기 범위 미만인 경우에는, 사고 등에 의해 당해 전지에 발열이 발생했을 때, 다공질층이 다공질 필름의 열수축에 대항할 수 없어 파손되어서 세퍼레이터가 수축될 우려가 있다. 다공질층의 단위 면적당 중량은, 적층체의 강도, 막 두께, 중량 및 핸들링성을 고려해서 적절히 결정하면 되지만, 적층체를 비수 전해액 이차 전지의 세퍼레이터로서 사용한 경우의 당해 전지의 중량 에너지 밀도나 체적 에너지 밀도를 높게 할 수 있도록, 통상 0.1 내지 5g/m2인 것이 바람직하고, 0.5 내지 3g/m2인 것이 보다 바람직하다. 다공질층의 단위 면적당 중량이 상기 범위를 초과하는 경우에는, 적층체를 세퍼레이터로서 사용했을 때, 비수 전해액 이차 전지가 무거워진다. 다공질층의 공극률은, 충분한 이온 투과성을 얻을 수 있도록, 0.1 내지 0.9(10 내지 90체적％)인 것이 바람직하고, 0.3 내지 0.8(30 내지 80체적％)인 것이 보다 바람직하다. 또한, 다공질층이 갖는 세공의 구멍 직경은, 적층체를 세퍼레이터로서 사용했을 때, 충분한 이온 투과성을 얻을 수 있고, 또한 정극이나 부극으로의 입자의 인입을 방지할 수 있도록, 3㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 상기 다공질 필름이 갖는 세공의 평균 구멍 직경(평균 세공 직경(C))과 다공질 필름의 공극률(D)의 관계가 (C)/(D)003c#0.13인 것이 바람직하고, (C)/(D)≤0.10인 것이 보다 바람직하다. 상기 (C)/(D)가 위에 나타낸 범위인 다공질 필름을 포함하는 적층체를 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터로서 사용하는 것은, 상기 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터의 폴리올레핀 기재 내부로의 전해액의 침입 용이성이, 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터로서 실제로 사용되기에 충분한 크기로 증대될 수 있기 때문에 바람직하다. 본 발명은 상술한 각 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 청구항에 나타낸 범위에서 다양한 변경이 가능하고, 서로 다른 실시 형태에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합해서 얻어지는 실시 형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다. 본 발명은 또한, 이하에 나타내는 구성을 구비하는 적층체 및 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터를 포함할 수 있다. [1] 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공질 필름 중 적어도 한쪽 면에, 수지를 포함하는 다공질층을 적층시킨 적층체로서, 상기 다공질층의 최표면의 임계 표면 장력(A)과, 상기 적층체를 상기 다공질 필름과 상기 다공질층과의 계면에서 박리시킨 경우의, 다공질 필름의 계면측 임계 표면 장력(B)과의 관계가 이하에 나타내는 식 (1') \|(A)-(B)\|003c#10mN/m …(1') 로 나타내어지는 것을 특징으로 하는 적층체. [2] 상기 다공질층에 포함되는 수지가 폴리불화비닐리덴계 수지인 것을 특징으로 하는, [1]에 기재된 적층체. [3] [1] 또는 [2]에 기재된 적층체를 포함하는 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터. 〔제2 실시 형태: 발명 2〕 본 발명의 제2 실시 형태에 대해서 이하에 설명하는데, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 이하에 설명하는 각 구성에 한정되는 것은 아니며, 특허청구범위에 나타낸 범위에서 다양한 변경이 가능하고, 서로 다른 실시 형태나 실시예에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합해서 얻어지는 실시 형태나 실시예에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다. 또한, 본 명세서 중에 기재된 학술 문헌 및 특허문헌 모두가, 본 명세서 중에서 참고 문헌으로서 원용된다. 또한, 본 명세서에서 특기하지 않는 한, 수치 범위를 나타내는 「A 내지 B」는 「A 이상 B 이하」를 의미한다. 003c#적층체003e#본 발명에 따른 적층체는, 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공질 필름과, 상기 다공질 필름의 편면 또는 양면에 적층된, 수지를 포함하는 다공질층을 구비하고, (A) 상기 다공질층의 단위 면적당 포함되는 상기 수지의 양(g/m2)의 증가량에 대한, 당해 다공질층의 절연 내력의 상승량(V·m2/g)과, (B) 상기 다공질 필름의 단위 면적당 포함되는 상기 폴리올레핀의 양(g/m2)의 증가량에 대한 당해 다공질 필름의 절연 내력 상승량(V·m2/g)과의 관계가 이하에 나타내는 식 (1) (A)003e#(B) … (1) 로 나타내어지고, 또한 상기 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)과 공극률(D)과의 관계가 이하에 나타내는 식 (2) (C)/(D)≤0.13 … (2) 로 나타내어진다. 이와 같이, 수지의 증가량에 대한 절연 내력의 향상량이 큰 수지를 채용함으로써, 더 높은 절연 내력을 갖는 세퍼레이터를 얻을 수 있다. 여기서, 상기 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)은, 상기 다공질 필름에서의 세공의 구멍 직경의 평균값을 ㎛ 단위로 나타낸 값이며, 상기 공극률(D)은 상기 다공질 필름에 공극이 없다고 가정했을 때의 그 필름의 체적을 기준으로 한 경우의, 실제의 상기 다공질 필름에서의 공극이 차지하는 체적의 비율을 나타내는 값이다. 또한, 내전압 시험에서 불량 개소로서 검출되는 결손 개소의 발생원이 되는 도공 세퍼레이터 내전압 저하 개소의 저감에 필요한, 필름에 적층된 다공질층의 균일성에 영향을 미치는 인자라 추정되는 (C)/(D)가 0.13 이하의 값이 됨으로써, 상기 결손 개소의 발생을 억제할 수 있다. 다공질층 및 다공질 필름의 절연 내력은, 닛본 테크나트 제조의 임펄스 절연 시험기 IMP3800K를 사용하여, 이하의 수순으로 측정할 수 있다. (i) 상부 원기둥 전극 φ25mm, 하부 원기둥 전극 φ75mm 사이에 측정 대상인 적층체를 끼운다. (ii) 장치 내부에 있는 콘덴서에 전하를 저류해 나감으로써, 이 내부 콘덴서에 전기적으로 접속된 상부 전극과 하부 전극 사이에 있는 상기 적층체에, 0V로부터 직선상으로 전압을 인가한다. (iii) 전압 강하가 검출될(즉, 절연 파괴가 발생할) 때까지 전압을 인가하고, 상기 전압 강하가 검출된 전압을 절연 파괴 전압으로서 측정한다. (iv) 적층체의 다공질층의 수지 단위 면적당 중량에 대하여, 절연 파괴 전압을 플롯하고, 선형 근사한 직선의 기울기로부터 절연 내력을 산출한다. 또한, 본 발명의 다른 실시 형태에서, 상기 비수 이차 전지용 세퍼레이터에는, 상기 다공층 이외에 내열성의 수지로 구성되는 내열층이 적층되어 있어도 된다. 상기 내열층으로서는, 아라미드 또는 알루미나 미립자를 포함하고 있는 층이 바람직하다. 〔다공질 필름〕 본 발명에서의 다공질 필름은 세퍼레이터의 기재이며, 폴리올레핀을 주성분으로 하고, 그 내부에 연결된 세공을 다수 갖고 있으며, 한쪽 면에서 다른 쪽 면으로 기체나 액체를 통과시키는 것이 가능하게 되어 있다. 다공질 필름에 포함되는 폴리올레핀의 종류 및 함유량 등은, 상기 (A) 및 (B)에서, (A)003e#(B)의 관계를 만족하고, 또한 다공질 필름의 세공의 구멍 직경의 평균값(평균 세공 직경(C))과 공극률(D)이 (C)/(D)≤0.13인 관계를 만족하는 것이면 된다. 즉, 당해 다공질층에 포함되는 수지의 종류 및 함유량, 및 목적으로 하는 다공질 필름의 성질 등에 따라, 폴리올레핀의 종류 및 함유량 등을 적절히 설정하면 된다. 이하, 당해 관계를 만족하는 것을 전제로 하여, 구체예에 대해서 설명한다. 다공질 필름에서 차지하는 폴리올레핀의 비율은, 다공질 필름 전체의 50체적％ 이상이며, 90체적％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 95체적％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 폴리올레핀에는, 중량 평균 분자량이 5×105 내지 15×106인 고분자량 성분이 포함되어 있는 것이 보다 바람직하다. 특히, 폴리올레핀에 중량 평균 분자량이 100만 이상인 고분자량 성분이 포함되어 있으면, 다공질 필름 및 다공질 필름을 포함하는 적층체의 강도가 향상되므로 보다 바람직하다. 또한, 본 발명에서의 「다공질 필름의 단위 면적당 포함되는 상기 폴리올레핀의 양」은, 여기에 설명하는 다공질 필름에서 차지하는 폴리올레핀의 비율이다. 다공질 필름의 절연 내력은 종래 공지된 방법으로 측정할 수 있다. 예를 들어, 가부시끼가이샤 닛본 테크나트 제조 「리튬 이온 전지 절연 시험기 형식 IMP-1090」을 사용하여, 첨부되어 있는 설명서에 따라서 측정할 수 있다. 열가소성 수지인 폴리올레핀으로서는 구체적으로는, 예를 들어 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 4-메틸-1-펜텐, 1-헥센 등의 단량체를 (공)중합해서 이루어지는 단독 중합체(예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐) 또는 공중합체(예를 들어, 에틸렌-프로필렌 공중합체)를 들 수 있다. 이 중, 과대 전류가 흐르는 것을 보다 저온에서 저지(셧 다운)할 수 있기 때문에, 폴리에틸렌이 보다 바람직하다. 당해 폴리에틸렌으로서는, 저밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 선상 폴리에틸렌(에틸렌-α-올레핀 공중합체), 중량 평균 분자량이 100만 이상인 초고분자량 폴리에틸렌 등을 들 수 있고, 이 중 중량 평균 분자량이 100만 이상인 초고분자량 폴리에틸렌이 더욱 바람직하다. 다공질 필름의 막 두께는, 적층체의 막 두께를 고려해서 적절히 결정하면 되지만, 다공질 필름을 기재로서 사용하고, 다공질 필름의 편면 또는 양면에 다공질층을 적층해서 적층체를 형성하는 경우에는, 4 내지 40㎛인 것이 바람직하고, 7 내지 30㎛인 것이 보다 바람직하다. 다공질 필름의 단위 면적당 폴리올레핀의 단위 면적당 중량(함유량)은, 적층체의 강도, 막 두께, 중량 및 핸들링성을 고려해서 적절히 결정하면 되지만, 적층체를 비수 전해액 이차 전지의 세퍼레이터로서 사용한 경우의 당해 전지의 중량 에너지 밀도나 체적 에너지 밀도를 높게 할 수 있도록, 통상 4 내지 20g/m2인 것이 바람직하고, 5 내지 12g/m2인 것이 보다 바람직하다. 다공질 필름의 투기도는, 걸리값으로 30 내지 500sec/100mL인 것이 바람직하고, 50 내지 300sec/100mL인 것이 보다 바람직하다. 다공질 필름이 상기 투기도를 가짐으로써, 적층체를 세퍼레이터로서 사용했을 때, 충분한 이온 투과성을 얻을 수 있다. 다공질 필름의 공극률(D)은, 전해액의 유지량을 높임과 함께, 과대 전류가 흐르는 것을 보다 저온에서 확실하게 저지(셧 다운)하는 기능을 얻을 수 있도록, 0.2 내지 0.8(20 내지 80체적％)인 것이 바람직하고, 0.3 내지 0.75(30 내지 75체적％)인 것이 보다 바람직하다. 또한, 다공질 필름이 갖는 세공의 구멍 직경은, 적층체를 세퍼레이터로서 사용했을 때, 충분한 이온 투과성을 얻을 수 있고, 또한 정극이나 부극으로의 입자의 인입을 방지할 수 있도록, 3㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 다공질 필름의 세공의 평균 구멍 직경(이하, 평균 세공 직경(C)이라고도 함)과 다공질 필름의 공극률(D)은, (C)/(D)≤0.13이라는 관계를 만족하는 것이 바람직하고, (C)/(D)≤0.10이라는 관계를 만족하는 것이 보다 바람직하다. 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)은, PMI사 제조 펌 포로미터(형식: CFP-1500A)를 사용하여 측정된다. 여기서 측정에는, 시험액으로서 PMI사 제조 갈윅(상품명)을 사용하여, 다공질 필름에서의 하기 (i) 및 (ii)에 기재된 곡선을 측정한다. (i) 시험액에 침지한 상태의 압력-유량 곡선 (ii) 건조한 상태에서 측정한 유량의 1/2로 하는 압력-유량 곡선 (i) 및 (ii)의 곡선의 교점에서의 압력(P)의 값에 기초하여, 이하의 식 (3)을 사용해서 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)을 산출한다. (C)=4cosθr/P …(3) 여기서, (C): 평균 세공 직경(㎛), r: 시험액의 표면 장력(N/m), P: 위에서 나타낸 교점의 압력(Pa), 및 θ: 다공질 필름과 시험액의 접촉각(°)을 나타낸다.다공질 필름의 공극률(D)은 다음의 방법에 의해 측정된다. 다공질 필름을 한 변의 길이 10cm인 정사각형으로 잘라내고, 그 잘라낸 소편의 중량: W(g) 및 두께: E(cm)를 측정한다. 측정된 중량(W) 및 두께(E), 및 다공질 필름의 진 비중(ρ)(g/cm3)에 기초하여, 이하의 식 (4)를 사용해서 다공질 필름의 공극률(D)을 산출한다. 공극률(D)=1-(W/ρ)/(10×10×E) … (4) 상기 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)을 제어하는 방법으로서는, 예를 들어 세공 직경을 작게 하는 경우, 다공질 필름 제막 시에 무기 필러 등의 개공제 또는 상분리제의 분산 상태를 균일화시키는 방법, 무기 필러 개공제의 입경을 미세화하는 방법, 상분리제를 포함한 상태에서 연신하는 방법, 및 낮은 연신 배율로 연신하는 방법 등의 방법을 들 수 있다. 또한, 상기 다공질 필름의 공극률(D)을 제어하는 방법으로서는, 예를 들어 고공극률의 다공질 필름을 얻는 경우, 폴리올레핀 등의 수지에 대한 무기 필러 등의 개공제 또는 상분리제의 양을 많게 하는 방법, 상분리제를 제거한 후에 연신하는 방법, 및 높은 연신 배율로 연신하는 방법 등의 방법을 들 수 있다. 상술한 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)/다공질 필름의 공극률(D)은, 내전압 시험에서 불량 개소로서 검출되는 결손 개소의 발생원이 되는 도공 세퍼레이터 내전압 저하 개소의 저감에 필요한, 필름에 적층된 다공질층의 균일성에 영향을 미치는 인자라고 추정된다. (C)/(D)의 값이 상기 범위 밖, 즉 0.13보다도 큰 값이 되는 경우로서는, 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)이 증대되는 경우, 또는 다공질 필름의 공극률(D)이 감소하는 경우가 상정된다. 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)이 증대되는 경우, 다공질 필름의 공공(세공)의 구멍 직경의 증대에 수반하여 적층 수지의 기재(다공질 필름) 세공 내로의 침입이 일어나기 쉬워지기 때문에, 결과적으로 국소적으로 적층 다공질층의 단위 면적당 포함되는 적층 수지량이 감소한(경우에 따라 결여된) 저내전압 개소의 발생을 초래한다고 생각된다. 한편, 다공질 필름의 공극률(D)이 감소하는 경우, 적층 수지의 다공질 필름 세공으로의 침입이 억제되기 때문에, 결과적으로, 다공질 필름과 다공질층을 포함하는 적층체에 있어서 충분한 계면 강도가 얻어지지 않아, 국소적으로 적층 다공질층이 탈락 결손된 저내전압 개소가 발생하기 쉬워진다고 생각된다. 그로 인해, 상술한 (C)/(D)의 값이 0.13 이하인 경우, 저내전압 개소의 발생이 억제되고, 내전압 시험에서 결손 개소가 저감된, 더 높은 절연 내력을 갖고, 세퍼레이터로서 적합한 적층체를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 다공질 필름은 세공을 갖고 있으므로, 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)은 0보다도 큰 값이 된다. 그로 인해, 상술한 (C)/(D)의 값도 또한 0보다도 커진다. 다공질 필름의 제조 방법은 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 폴리올레핀 등의 수지에 가소제를 첨가해서 필름으로 성형한 후, 가소제를 적당한 용매로 제거하는 방법을 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 초고분자량 폴리에틸렌과, 중량 평균 분자량이 1만 이하인 저분자량 폴리올레핀을 포함하는 폴리올레핀 수지를 사용해서 다공질 필름을 제조하는 경우에는, 제조 비용의 관점에서, 이하에 나타내는 방법에 의해 당해 다공질 필름을 제조하는 것이 바람직하다. (1) 초고분자량 폴리에틸렌 100중량부와, 중량 평균 분자량이 1만 이하인 저분자량 폴리올레핀 5 내지 200중량부와, 탄산칼슘 등의 무기 충전제 100 내지 400중량부를 혼련해서 폴리올레핀 수지 조성물을 얻는 공정, (2) 상기 폴리올레핀 수지 조성물을 사용해서 시트를 성형하는 공정, 계속해서, (3) 공정 (2)에서 얻어진 시트로부터 무기 충전제를 제거하는 공정, (4) 공정 (3)에서 무기 충전제를 제거한 시트를 연신해서 다공질 필름을 얻는 공정. 또는 (3') 공정 (2)에서 얻어진 시트를 연신하는 공정, (4') 공정 (3')에서 연신한 시트로부터 무기 충전제를 제거해서 다공질 필름을 얻는 공정. 또한, 다공질 필름은, 상술한 물성을 갖는 시판품을 사용할 수도 있다. 또한, 다공질 필름에는, 다공질층을 형성하기 전에, 즉 후술하는 도공액을 도공하기 전에, 친수화 처리를 실시해 두는 것이 보다 바람직하다. 다공질 필름에 친수화 처리를 실시해 둠으로써, 도공액의 도공성이 보다 향상되고, 그로 인해 보다 균일한 다공질층을 형성할 수 있다. 이 친수화 처리는, 도공액에 포함되는 용매(분산매)에서 차지하는 물의 비율이 높은 경우에 유효하다. 상기 친수화 처리로서는 구체적으로는, 예를 들어 산이나 알칼리 등에 의한 약제 처리, 코로나 처리, 플라즈마 처리 등의 공지된 처리를 들 수 있다. 상기 친수화 처리 중, 비교적 단시간에 다공질 필름을 친수화할 수 있을 뿐 아니라 친수화가 다공질 필름의 표면 근방에만 한정되고, 다공질 필름의 내부를 변질시키지 않는 점에서, 코로나 처리가 보다 바람직하다. 〔다공질층〕 본 발명에 따른 다공질층은, 적어도 수지를 포함하여 이루어지는, 다공질 필름의 편면 또는 양면에 적층되는 내열층이다. 상기 수지는, 삼차원 그물코 구조를 갖는 것이 보다 바람직하다. 다공질층을 구성하는 수지는, 상기 (A) 및 (B)에서, (A)003e#(B)의 관계를 만족하는 것이면 되지만, 전지의 전해액에 불용이고, 또한 그 전지의 사용 범위에서 전기 화학적으로 안정된 것이 바람직하다. 또한, 수지가 삼차원 그물코 구조를 갖는지 여부는, 예를 들어 주사형 전자 현미경(SEM)에 의해 확인할 수 있다. 또한, 본 발명에서의 「다공질층의 단위 면적당 포함되는 상기 수지의 양」은, 다공질층을 형성할 때 사용하는 수지, 단량체, 필러 등의 양과, 제조되는 다공질층의 면적으로부터 산출할 수 있다. 다공질층의 절연 내력은, 상술한 다공질 필름의 절연 내력의 측정 방법과 마찬가지의 방법으로 측정할 수 있다. 다공질층에 포함되는 수지로서는 구체적으로는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 에틸렌-프로필렌 공중합체 등의 폴리올레핀; 폴리불화비닐리덴(PVDF)이나 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 불소 함유 수지; 불화비닐리덴-헥사플루오로프로필렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체나 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체 등의 불소 함유 고무; 방향족 폴리아미드: 전체 방향족 폴리아미드(아라미드 수지); 스티렌-부타디엔 공중합체 및 그의 수소화물, 메타크릴산에스테르 공중합체, 아크릴로니트릴-아크릴산에스테르 공중합체, 스티렌-아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌프로필렌 러버, 폴리아세트산비닐 등의 고무류; 폴리페닐렌에테르, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술피드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르아미드, 폴리에스테르 등의 융점이나 유리 전이 온도가 180℃ 이상인 수지 ;폴리비닐알코올, 폴리에틸렌글리콜, 셀룰로오스에테르류, 폴리아크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리메타크릴산 등의 수용성 중합체 등을 들 수 있다.또한, 상기 방향족 폴리아미드로서는 구체적으로는, 예를 들어 폴리(파라페닐렌테레프탈아미드), 폴리(메타페닐렌이소프탈아미드), 폴리(파라벤즈아미드), 폴리(메타벤즈아미드), 폴리(4,4'-벤즈아닐리드테레프탈아미드), 폴리(파라페닐렌-4,4'-비페닐렌디카르복실산아미드), 폴리(메타페닐렌-4,4'-비페닐렌디카르복실산아미드), 폴리(파라페닐렌-2,6-나프탈렌디카르복실산아미드), 폴리(메타페닐렌-2,6-나프탈렌디카르복실산아미드), 폴리(2-클로로파라페닐렌테레프탈아미드), 파라페닐렌테레프탈아미드/2,6-디클로로파라페닐렌테레프탈아미드 공중합체, 메타페닐렌테레프탈아미드/2,6-디클로로파라페닐렌테레프탈아미드 공중합체 등을 들 수 있다. 이 중, 폴리(파라페닐렌테레프탈아미드)가 보다 바람직하다. 폴리이미드로서는, 방향족의 2산 무수물과 디아민과의 축중합으로 제조되는 전체 방향족 폴리이미드가 바람직하다. 2산 무수물로서는, 예를 들어 피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 2,2'-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물을 들 수 있다. 디아민으로서는, 예를 들어 옥시디아닐린, 파라페닐렌디아민, 벤조페논디아민, 3,3'-메틸렌디아닐린, 3,3'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 1,5'-나프탈렌디아민을 들 수 있다. 폴리아미드이미드로서는, 방향족 디카르복실산 및 방향족 디이소시아네이트를 사용해서 이들 축합 중합으로부터 얻어지는 것, 방향족 2산 무수물 및 방향족 디이소시아네이트를 사용해서 이들 축합 중합으로부터 얻어지는 것을 들 수 있다. 방향족 디카르복실산으로서는, 예를 들어 이소프탈산, 테레프탈산을 들 수 있다. 방향족 2산 무수물로서는, 예를 들어 무수 트리멜리트산을 들 수 있다. 방향족 디이소시아네이트로서는, 예를 들어 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 오르토트릴란디이소시아네이트, m-크실렌디이소시아네이트를 들 수 있다. 상기 수지 중, 폴리올레핀, 불소 함유 수지, 방향족 폴리아미드 및 수용성 중합체가 보다 바람직하다. 또한, 방향족 폴리아미드 및 폴리불화비닐리덴이 높은 절연 내력이 얻어지는 점에서 보다 바람직하다. 다공질층은 필러를 포함해도 된다. 따라서, 다공질층이 필러를 포함하는 경우에는, 상기 수지는 결합제 수지로서의 기능을 갖게 된다. 본 발명에서 다공질층에 포함되어 있어도 되는 필러로서는, 유기물을 포함하는 필러 및 무기물을 포함하는 필러를 들 수 있다. 유기물을 포함하는 필러로서는 구체적으로는, 예를 들어 스티렌, 비닐케톤, 아크릴로니트릴, 메타크릴산메틸, 메타크릴산에틸, 글리시딜메타크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 아크릴산메틸 등의 단량체의 단독 중합체 또는 2종류 이상의 공중합체; 폴리테트라플루오로에틸렌, 4불화에틸렌-6불화프로필렌 공중합체, 4불화에틸렌-에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐리덴 등의 불소 함유 수지; 멜라민 수지; 요소 수지; 폴리에틸렌; 폴리프로필렌; 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산 등을 포함하는 필러를 들 수 있다. 무기물을 포함하는 필러로서는 구체적으로는, 예를 들어 탄산칼슘, 탈크, 클레이, 카올린, 실리카, 히드로탈사이트, 규조토, 탄산마그네슘, 탄산바륨, 황산칼슘, 황산마그네슘, 황산바륨, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화티타늄, 질화티타늄, 알루미나(산화알루미늄), 질화알루미늄, 마이카, 제올라이트, 유리 등의 무기물을 포함하는 필러를 들 수 있다. 필러는, 1종만을 사용해도 되고, 2종류 이상을 조합해서 사용해도 된다. 상기 필러 중 무기 입자가 바람직하다. 무기 입자는, 일반적으로, 충전재라 불리는, 무기물을 포함하는 필러이다. 예를 들어 무기 입자로서는, 실리카, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화티타늄, 알루미나, 마이카, 제올라이트 등의 무기 산화물을 포함하는 필러가 보다 바람직하고, 실리카, 산화마그네슘, 산화티타늄 및 알루미나로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 필러가 더욱 바람직하고, 알루미나가 특히 바람직하다. 알루미나에는, α-알루미나, β-알루미나, γ-알루미나, θ-알루미나 등의 많은 결정형이 존재하는데, 모두 적절하게 사용할 수 있다. 이 중에서도, 열적 안정성 및 화학적 안정성이 특히 높기 때문에, α-알루미나가 가장 바람직하다. 필러의 형상은, 원료인 유기물 또는 무기물의 제조 방법이나, 다공질층을 형성하기 위한 도공액을 제작할 때의 필러 분산 조건 등에 따라 변화하며, 구형, 타원형, 사각형, 표주박 등의 형상 또는 특정한 형상을 갖지 않는 부정형 등, 다양한 형상이 존재하지만, 하기 입자 직경을 갖고 있으면, 어떤 형상이어도 된다. 다공질층이 필러를 포함하고 있고, 필러가 무기 입자인 경우에 있어서, 필러의 함유량은, 다공질층의 전량에 대하여 10 내지 90중량％인 것이 바람직하고, 25 내지 75중량％인 것이 보다 바람직하다. 무기 입자가 수지층의 전량에 대하여 90중량％ 이하, 바람직하게는 75중량％ 이하임으로써, 수지층의 절연 내력을 보다 향상시킬 수 있다. 본 발명에 따른 적층체를 제조하는 방법으로서는, 예를 들어 수지를 용매에 용해시킴과 함께, 필요에 따라 상기 필러를 분산시킴으로써, 다공질층을 형성하기 위한 도공액을 제작하고, 계속해서 당해 도공액을 다공질 필름의 편면 또는 양면에 도포해서 건조시킴으로써, 본 발명에 따른 다공질층을 형성한다. 즉, 도공액을 다공질 필름의 편면 또는 양면에 도포해서 건조시킴으로써, 다공질 필름의 편면 또는 양면에 다공질층이 적층된 본 발명에 따른 적층체를 제조한다. 본 발명에 따른 적층체는, 상술한 적층체를 얻을 수 있으면 특별히 한정되지 않고 다양한 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들어, 다공질층으로서, 불소 함유 수지를 사용하는 경우라면, 불소 함유 수지를 포함하는 도공액을 다공질 필름 상에 도공해서 도공층을 형성하고, 계속해서 도공층의 불소 함유 수지를 고화시킴으로써, 다공질층을 다공질 필름 상에 일체적으로 형성하는 방법으로 제조할 수 있다. 불소 함유 수지를 포함하는 다공질층은, 예를 들어 다음의 습식 도공법에 의해 형성할 수 있고, 이러한 방법에 의해 형성함으로써 삼차원 그물코 구조를 갖는 다공질층을 얻을 수 있다. 먼저, 불소 함유 수지를 용매에 용해시키고, 이것에 필러를 분산시켜서 도공액을 제조해도 된다. 이 도공액을 다공질 필름에 도공하고, 계속해서 적절한 응고액에 침지함으로써, 상분리를 유발하면서 불소 함유 수지를 고화시킨다. 이 공정을 거쳐, 다공질 필름 상에는, 불소 함유 수지를 포함하는 다공질 구조(바람직하게는 삼차원 그물코 구조)의 층이 형성된다. 그 후, 수세와 건조를 행하여, 다공질 구조의 층으로부터 응고액을 제거한다. 예를 들어, 이하의 방법을 들 수 있다. (방법 1) (a) 불소 함유 수지가 용매에 용해한 용액을 제조한다. (b) 해당 용액을 다공질 필름에 도공하여, 도공막을 형성한다. (c) 습윤 상태의 해당 도공막을, 해당 불소 함유 수지를 용해하지 않는 용매로의 침지 등의 수단으로, 상기 도공막으로부터 불소 함유 수지를 석출시킨다. (d) 필요에 따라 습윤 상태의 해당 불소 함유 수지가 석출된 도공막을, 해당 불소 함유 수지를 용해하지 않는 용매에 추가로 침지시켜 세정한다. (e) 습윤 상태의 해당 불소 함유 수지가 석출된 도공막을 건조한다.본 발명에 적합한 습식 도공법의 상세는 이하와 같다.도공액의 제조에 사용하는, 불소 함유 수지를 용해하는 용매(이하, 「양(良)용매」라고도 함)로서는, N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 디메틸아세트아미드, 디메틸포름아미드, 디메틸포름아미드 등의 극성 아미드 용매가 적절하게 사용된다.양호한 다공질 구조를 형성하는 관점에서는, 상분리를 유발하는 상분리제를 양용매에 혼합시키는 것이 바람직하다. 상분리제로서는, 물, 메탄올, 에탄올, 프로필알코올, 부틸알코올, 부탄디올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 트리프로필렌글리콜 등을 들 수 있다. 상분리제는, 도공에 적절한 점도를 확보할 수 있는 범위에서 첨가하는 것이 바람직하다. 용매로서는, 양호한 다공질 구조를 형성하는 관점에서, 양용매를 60질량％ 이상, 상분리제를 5질량％ 내지 40질량％ 포함하는 혼합 용매가 바람직하다. 도공액은, 양호한 다공질 구조를 형성하는 관점에서, 불소 함유 수지가 3질량％ 내지 10질량％의 농도로 포함되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 도공액은, 다공질층에 미끄럼성을 부여하는 관점과 양호한 다공질 구조를 형성하는 관점에서, 불소 함유 수지 및 필러의 총량에서 차지하는 필러의 비율이 1질량％ 내지 30질량％인 것이 바람직하고, 3질량％ 내지 28질량％인 것이 보다 바람직하다. 응고액은, 도공액의 제조에 사용한 양용매와 상분리제 및 물로 구성되는 것이 일반적이다. 양용매와 상분리제의 혼합비는 불소 함유 수지의 용해에 사용한 혼합 용매의 혼합비에 맞추는 것이 생산상 바람직하다. 물의 농도는, 다공질 구조의 형성 및 생산성의 관점에서, 40질량％ 내지 90질량％인 것이 바람직하다. 다공질 필름으로의 도공액의 도공은, 메이어 바, 다이 코터, 리버스 롤 코터, 그라비아 코터 등 종래의 도공 방식을 적용해도 된다. 다공질층은, 상술한 습식 도공법 이외에도, 건식 도공법으로 제조할 수 있다. 여기서, 건식 도공법이란, 불소 함유 수지, 필러 및 용매를 포함한 도공액을 다공질 필름에 도공하고, 이 도공층을 건조시켜서 용매를 휘발 제거함으로써, 다공층을 얻는 방법이다. 단, 건식 도공법은, 습식 도공법과 비교해서 도공층이 치밀해지기 쉬우므로, 양호한 다공질 구조(삼차원 그물코 구조)를 얻을 수 있는 점에서 습식 도공법이 더 바람직하다. 세퍼레이터는, 다공질층을 독립된 시트로서 제작하고, 이 다공질층을 다공질 필름에 겹쳐서, 열 압착이나 접착제에 의해 복합화하는 방법에 의해서도 제조할 수 있다. 다공질층을 독립된 시트로서 제작하는 방법으로서는, 불소 함유 수지 및 필러를 포함하는 도공액을 박리 시트 상에 도공하고, 상술한 습식 도공법 또는 건식 도공법을 적용해서 다공질층을 형성하여, 박리 시트로부터 다공질층을 박리하는 방법을 들 수 있다. 또한, 다공질층으로서, 불소 함유 수지 이외의 수지를 사용하는 경우에는, 다공질 필름과 다공질층을 각각 별도로 제작해서 접합하는 방법, 및 다공질층의 성분과 매체를 포함하는 도공액을 제작하여, 다공질 필름 상에 도포해서 매체를 제거하는 방법 등에 의해 적층체를 얻을 수 있다. 후자의 방법이 간편해서 바람직하다. 매체는 용매 또는 분산매이며, 다공질층의 성분을 균일하면서도 또한 안정적으로 용해 또는 분산시킬 수 있는 매체이면 된다. 매체로서는, 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 등의 알코올류, 아세톤, 톨루엔, 크실렌, 헥산, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드 등을 들 수 있다. 매체는 단독으로 사용하거나, 상용하는 범위에서 복수 혼합하여 사용해도 된다. 프로세스나 환경 부하 면에서, 매체는 80중량％ 이상이 물인 것이 바람직하고, 물만인 것이 보다 바람직하다. 상기 도공액을 다공질 필름에 도포하는 도포 방법은, 균일하게 웨트 코팅할 수 있는 방법이라면 특별히 제한은 없고, 종래 공지된 방법을 채용할 수 있다. 도포 방법으로서는, 예를 들어 모세관 코팅법, 스핀 코팅법, 슬릿 다이 코팅법, 스프레이 코팅법, 롤 코팅법, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 바 코터법, 그라비아 코터법, 다이 코터법 등을 들 수 있다. 다공질층의 두께는 상기 도공액의 도포량, 상기 도공액 중의 중합체의 농도, 상기 도공액이 미립자를 포함하는 경우, 미립자의 중합체에 대한 비를 조절함으로써 제어할 수 있다. 상기 도공액을 얻는 방법으로서는, 균질한 도공액을 얻을 수 있는 방법이라면, 특별히 한정되지 않는다. 상기 도공액이 특히 필러를 포함하는 경우에는, 기계 교반법, 초음파 분산법, 고압 분산법, 미디어 분산법 등의 방법이 바람직하고, 보다 균일하게 분산시키는 것이 용이하다는 점에서, 고압 분산법이 보다 바람직하다. 이 때의 혼합 순서도, 침전물이 발생하는 등 특별한 문제가 없는 한, 중합체와 필러 등의 기타 성분을 한번에 매체에 첨가해서 혼합해도 되고, 임의의 순서로 매체에 첨가해서 혼합해도 되고, 각각을 매체에 용해 또는 분산시킨 후에 혼합하는 등 임의이다. 상기 도공액의 매체가 물을 포함하는 경우, 상기 도공액을 다공질 필름 상에 도포하기 전에, 미리 다공질 필름에 친수화 처리를 행하는 것이 바람직하다. 다공질 필름을 친수화 처리함으로써, 보다 도포성이 향상되어, 보다 균질한 다공질층을 얻을 수 있다. 이 친수화 처리는, 특히 매체 중의 물의 농도가 높을 때에 유효하다. 친수화 처리로서는, 산이나 알칼리 등에 의한 약제 처리, 코로나 처리, 플라즈마 처리 등을 들 수 있다. 비교적 단시간에 다공질 필름을 친수화할 수 있을 뿐 아니라, 코로나 방전에 의한 폴리올레핀의 개질이 다공질 필름의 표면 근방에만 한정되어, 다공질 필름 내부의 성질을 변화시키지 않아, 높은 도포성을 확보할 수 있다는 점에서, 코로나 처리가 바람직하다. 다공질 필름 상에 도포한 상기 도공액으로부터의 매체의 제거는 건조가 간편해서 바람직하다. 건조 방법으로서는, 예를 들어 자연 건조, 송풍 건조, 가열 건조, 감압 건조 등을 들 수 있고, 가열 건조가 바람직하다. 사용하는 매체에도 의존하지만, 건조 온도는 30 내지 80℃인 것이 바람직하고, 50 내지 80℃가 보다 바람직하다. 30℃ 이상이면 충분한 건조 속도가 얻어지고, 80℃ 이하이면 외관이 양호한 적층 다공질 필름이 얻어진다. 상술한 방법에 의해 형성되는 본 발명에 따른 다공질층의 막 두께는, 적층체의 막 두께를 고려해서 적절히 결정하면 되지만, 다공질 필름을 기재로서 사용하고, 다공질 필름의 편면 또는 양면에 다공질층을 적층해서 적층체를 형성하는 경우에는, 0.1 내지 20㎛(양면인 경우에는 합계 값)인 것이 바람직하고, 2 내지 15㎛인 것이 보다 바람직하다. 다공질층의 막 두께가 상기 범위를 초과하는 경우에는, 적층체를 세퍼레이터로서 사용했을 때, 비수 전해액 이차 전지의 부하 특성이 저하될 우려가 있다. 다공질층의 막 두께가 상기 범위 미만인 경우에는, 사고 등에 의해 당해 전지에 발열이 발생했을 때, 다공질층이 다공질 필름의 열수축에 대항할 수 없어 파손되어서, 세퍼레이터가 수축할 우려가 있다. 다공질층의 물성에 관한 하기 설명에서는, 다공질 필름의 양면에 다공질층이 적층되는 경우에는, 비수 전해액 이차 전지로 했을 때의, 다공질 필름에서의 정극과 대향하는 면에 적층된 다공질층의 물성을 적어도 가리킨다. 다공질층의 단위 면적당 중량은, 적층체의 강도, 막 두께, 중량 및 핸들링성을 고려해서 적절히 결정하면 되지만, 적층체를 비수 전해액 이차 전지의 세퍼레이터로서 사용한 경우의 당해 전지의 중량 에너지 밀도나 체적 에너지 밀도를 높게 할 수 있도록, 통상 0.1 내지 5g/m2인 것이 바람직하고, 0.5 내지 3g/m2인 것이 보다 바람직하다. 다공질층의 단위 면적당 중량이 상기 범위를 초과하는 경우에는, 적층체를 세퍼레이터로서 사용했을 때, 비수 전해액 이차 전지가 무거워진다. 상술한 방법에 의해 다공질 필름의 편면 또는 양면에 다공질층을 적층함으로써, 본 발명에 따른 적층체가 형성된다. 즉, 본 발명에 따른 적층체는, 다공질 필름의 편면 또는 양면에 상기 다공질층이 적층되어서 구성되어 있다. 적층체의 투기도는, 걸리값으로 30 내지 800sec/100mL인 것이 바람직하고, 50 내지 500sec/100mL인 것이 보다 바람직하다. 적층체가 상기 투기도를 가짐으로써, 적층체를 세퍼레이터로서 사용했을 때, 충분한 이온 투과성을 얻을 수 있다. 투기도가 상기 범위를 초과하는 경우에는, 적층체의 공극률이 높기 때문에 적층 구조가 성기게 되어 있는 것을 의미하고, 결과적으로 적층체의 강도가 저하되어, 특히 고온에서의 형상 안정성이 불충분해질 우려가 있다. 한편, 투기도가 상기 범위 미만인 경우에는, 세퍼레이터로서 사용했을 때, 충분한 이온 투과성을 얻을 수 없어, 비수 전해액 이차 전지의 전지 특성을 저하시키는 경우가 있다. 적층체에 있어서, 상기 (A) 및 상기 (B)는 「(A)003e#2×(B)」의 관계를 만족하는 것이 보다 바람직하다. 상기 (A) 및 상기 (B)가 상기 관계를 만족함으로써, 얻어진 적층체의 적층 다공질층에서의 결손부의 내전압성이 향상되고, 상기 적층 다공질층에 있어서 구조 결손부나 두께가 저하된 개소 등이 존재한 경우에도, 내전압 시험에 있어서 불량화되지 않는 적층체 및 상기 적층체를 포함하는 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터를 얻을 수 있다. 적층체에 대하여 내전압 시험을 행하는(즉, 적층체에 대하여 전압을 인가하는) 경우에, 내전압 시험에 의해 발생하는 결손 수의 수는 30개 이하인 것이 바람직하고, 25개 이하인 것이 보다 바람직하다. 상기 결손 수를 상기 범위 내로 억제함으로써, 당해 적층체를 세퍼레이터로서 사용해서 조립된 비수 전해액 이차 전지의 작동 불량률이 감소할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 적층체는 상기 다공질 필름 및 다공질층 이외에, 필요에 따라 내열층이나 접착층, 보호층 등의 공지된 다공막을, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위에서 포함하고 있어도 된다. 003c#비수 전해액 이차 전지003e#본 발명에 따른 비수 전해액 이차 전지는, 적층체를 세퍼레이터로서 포함하고 있다. 보다 구체적으로는, 본 발명에 따른 비수 전해액 이차 전지는, 정극, 적층체 및 부극이 이 순서대로 배치되어 이루어지는 비수 전해액 이차 전지용 부재를 포함하고 있다. 이하, 비수 전해액 이차 전지로서, 리튬 이온 이차 전지를 예로 들어 설명한다. 또한, 적층체 이외의 비수 전해액 이차 전지의 구성 요소는, 하기 설명의 구성 요소에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 따른 비수 전해액 이차 전지에 있어서는, 예를 들어 리튬염을 유기 용매에 용해하여 이루어지는 비수 전해액을 사용할 수 있다. 리튬염으로서는, 예를 들어 LiClO4, LiPF6, LiAsF6, LiSbF6, LiBF4, LiCF3SO3, LiN(CF3SO2)2, LiC(CF3SO2)3, Li2B10Cl10, 저급 지방족 카르복실산 리튬염, LiAlCl4 등을 들 수 있다. 상기 리튬염은, 1종만을 사용해도 되고, 2종류 이상을 조합해서 사용해도 된다. 상기 리튬염 중, LiPF6, LiAsF6, LiSbF6, LiBF4, LiCF3SO3, LiN(CF3SO2)2 및 LiC(CF3SO2)3으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 불소 함유 리튬염이 보다 바람직하다. 비수 전해액을 구성하는 유기 용매로서는 구체적으로는, 예를 들어 에틸렌카르보네이트, 프로필렌카르보네이트, 디메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트, 에틸메틸카르보네이트, 4-트리플루오로메틸-1,3-디옥솔란-2-온, 1,2-디(메톡시카르보닐옥시)에탄 등의 카르보네이트류; 1,2-디메톡시에탄, 1,3-디메톡시프로판, 펜타플루오로프로필메틸에테르, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필디플루오로메틸에테르, 테트라히드로푸란, 2-메틸테트라히드로푸란 등의 에테르류; 포름산메틸, 아세트산메틸, γ-부티로락톤 등의 에스테르류; 아세토니트릴, 부티로니트릴 등의 니트릴류; N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등의 아미드류; 3-메틸-2-옥사졸리돈 등의 카르바메이트류; 술포란, 디메틸술폭시드, 1,3-프로판술톤 등의 황 함유 화합물; 및, 상기 유기 용매에 불소기가 도입되어 이루어지는 불소 함유 유기 용매 등을 들 수 있다. 상기 유기 용매는, 1종만을 사용해도 되고, 2종류 이상을 조합해서 사용해도 된다. 상기 유기 용매 중, 카르보네이트류가 보다 바람직하고, 환상 카르보네이트와 비환상 카르보네이트의 혼합 용매, 또는 환상 카르보네이트와 에테르류의 혼합 용매가 더욱 바람직하다. 환상 카르보네이트와 비환상 카르보네이트의 혼합 용매로서는, 작동 온도 범위가 넓고, 또한 부극 활물질로서 천연 흑연이나 인조 흑연 등의 흑연 재료를 사용한 경우에도 난분해성을 나타내는 점에서, 에틸렌카르보네이트, 디메틸카르보네이트 및 에틸메틸카르보네이트를 포함하는 혼합 용매가 더욱 바람직하다. 정극으로서는, 통상 정극 활물질, 도전재 및 결착제를 포함하는 정극합제를 정극 집전체 상에 담지한 시트 형상의 정극을 사용한다. 상기 정극 활물질로서는, 예를 들어 리튬 이온을 도프·탈도프 가능한 재료를 들 수 있다. 당해 재료로서는 구체적으로는, 예를 들어 V, Mn, Fe, Co, Ni 등의 전이 금속을 적어도 1종 포함하고 있는 리튬 복합 산화물을 들 수 있다. 상기 리튬 복합 산화물 중, 평균 방전 전위가 높은 점에서, 니켈산리튬, 코발트산리튬 등의 α-NaFeO2형 구조를 갖는 리튬 복합 산화물, 리튬망간스피넬 등의 스피넬형 구조를 갖는 리튬 복합 산화물이 보다 바람직하다. 당해 리튬 복합 산화물은, 다양한 금속 원소를 포함하고 있어도 되고, 복합 니켈산리튬이 더욱 바람직하다. 또한, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Cu, Ag, Mg, Al, Ga, In 및 Sn으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속 원소의 몰수와 니켈산리튬 중의 Ni의 몰수의 합에 대하여, 상기 적어도 1종의 금속 원소의 비율이 0.1 내지 20몰％가 되도록 당해 금속 원소를 포함하는 복합 니켈산리튬을 사용하면, 고용량으로의 사용에서의 사이클 특성이 우수하므로 특히 바람직하다. 상기 도전재로서는, 예를 들어 천연 흑연, 인조 흑연, 코크스류, 카본 블랙, 열분해 탄소류, 탄소 섬유, 유기 고분자 화합물 소성체 등의 탄소질 재료 등을 들 수 있다. 상기 도전재는, 1종만을 사용해도 되고, 예를 들어 인조 흑연과 카본 블랙을 혼합해서 사용하는 등, 2종류 이상을 조합해서 사용해도 된다. 상기 결착제로서는, 예를 들어 폴리불화비닐리덴, 불화비닐리덴의 공중합체, 폴리테트라플루오로에틸렌, 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌의 공중합체, 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬비닐에테르의 공중합체, 에틸렌-테트라플루오로에틸렌의 공중합체, 불화비닐리덴-헥사플루오로프로필렌-테트라플루오로에틸렌의 공중합체, 열가소성 폴리이미드, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 열가소성 수지를 들 수 있다. 또한, 결착제는 증점제로서의 기능도 갖고 있다. 정극합제를 얻는 방법으로서는, 예를 들어 정극 활물질, 도전재 및 결착제를 정극 집전체 위에서 가압해서 정극합제를 얻는 방법; 적당한 유기 용제를 사용해서 정극 활물질, 도전재 및 결착제를 페이스트상으로 해서 정극합제를 얻는 방법 등을 들 수 있다. 상기 정극 집전체로서는, 예를 들어 Al, Ni, 스테인리스 등의 도전체를 들 수 있으며, 박막으로 가공하기 쉽고 저렴한 점에서, Al이 보다 바람직하다. 시트 형상의 정극 제조 방법, 즉 정극 집전체에 정극합제를 담지시키는 방법으로서는, 예를 들어 정극합제가 되는 정극 활물질, 도전재 및 결착제를 정극 집전체 위에서 가압 성형하는 방법; 적당한 유기 용제를 사용해서 정극 활물질, 도전재 및 결착제를 페이스트상으로 해서 정극합제를 얻은 후, 당해 정극합제를 정극 집전체에 도공하고, 건조해서 얻어진 시트 형상의 정극합제를 가압해서 정극 집전체에 고착하는 방법 등을 들 수 있다. 부극으로서는, 통상 부극 활물질을 포함하는 부극합제를 부극 집전체 상에 담지한 시트 형상의 부극을 사용한다. 상기 부극 활물질로서는, 예를 들어 리튬 이온을 도프·탈도프 가능한 재료, 리튬 금속 또는 리튬 합금 등을 들 수 있다. 당해 재료로서는 구체적으로는, 예를 들어 천연 흑연, 인조 흑연, 코크스류, 카본 블랙, 열분해 탄소류, 탄소 섬유, 유기 고분자 화합물 소성체 등의 탄소질 재료; 정극보다도 낮은 전위에서 리튬 이온의 도프·탈도프를 행하는 산화물, 황화물 등의 칼코겐 화합물을 들 수 있다. 상기 부극 활물질 중, 전위 평탄성이 높고, 또한 평균 방전 전위가 낮기 때문에 정극과 조합한 경우에 큰 에너지 밀도가 얻어지는 점에서, 천연 흑연, 인조 흑연 등의 흑연 재료를 주성분으로 하는 탄소질 재료가 보다 바람직하다. 부극합제를 얻는 방법으로서는, 예를 들어 부극 활물질을 부극 집전체 위에서 가압해서 부극합제를 얻는 방법; 적당한 유기 용제를 사용해서 부극 활물질을 페이스트상으로 해서 부극합제를 얻는 방법 등을 들 수 있다. 상기 부극 집전체로서는, 예를 들어 Cu, Ni, 스테인리스 등을 들 수 있고, 특히 리튬 이온 이차 전지에서는, 리튬과 합금을 만들기 어렵고 또한 박막으로 가공하기 쉬운 점에서, Cu가 보다 바람직하다. 시트 형상의 부극 제조 방법, 즉 부극 집전체에 부극합제를 담지시키는 방법으로서는, 예를 들어 부극합제가 되는 부극 활물질을 부극 집전체 위에서 가압 성형하는 방법; 적당한 유기 용제를 사용해서 부극 활물질을 페이스트상으로 해서 부극합제를 얻은 후, 당해 부극합제를 부극 집전체에 도공하고, 건조해서 얻어진 시트 형상의 부극합제를 가압해서 부극 집전체에 고착하는 방법 등을 들 수 있다. 상기 정극, 적층체 및 부극을 이 순서대로 배치해서 비수 전해액 이차 전지용 부재를 형성한 후, 비수 전해액 이차 전지의 하우징이 되는 용기에 당해 비수 전해액 이차 전지용 부재를 넣고, 계속해서 당해 용기 내를 비수 전해액으로 채운 후, 감압하면서 밀폐함으로써, 본 발명에 따른 비수 전해액 이차 전지를 제조할 수 있다. 비수 전해액 이차 전지의 형상은 특별히 한정되는 것은 아니며, 박판(페이퍼)형, 원반형, 원통형, 직육면체 등의 각기둥형 등의 어떤 형상이어도 된다. 또한, 비수 전해액 이차 전지의 제조 방법은 특별히 한정되는 것은 아니며, 종래 공지된 제조 방법을 채용할 수 있다. 본 발명에 따른 비수 전해액 이차 전지는 높은 절연 내력을 가지므로, 누설 등의 불량이 일어날 확률이 낮다. 본 발명은 상술한 각 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 청구항에 나타낸 범위에서 다양한 변경이 가능하고, 서로 다른 실시 형태에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합해서 얻어지는 실시 형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다. 또한, 각 실시 형태에 각각 개시된 기술적 수단을 조합함으로써, 새로운 기술적 특징을 형성할 수 있다. 본 발명은 또한, 이하에 나타내는 구성을 구비하는 적층체, 비수 전해액 이차 전지용 부재 및 비수 전해액 이차 전지를 포함할 수 있다. [1] 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공질 필름과, 상기 다공질 필름의 편면 또는 양면에 적층된, 수지를 포함하는 다공질층을 구비하고, (A) 상기 다공질층의 단위 면적당 포함되는 상기 수지의 양(g/m2)의 증가량에 대한, 당해 다공질층의 절연 내력의 상승량(V·m2/g)과, (B) 상기 다공질 필름의 단위 면적당 포함되는 상기 폴리올레핀의 양(g/m2)의 증가량에 대한 당해 다공질 필름의 절연 내력의 상승량(V·m2/g)과의 관계가 (A)003e#(B)인 적층체. [2] 상기 수지는 폴리불화비닐리덴인, [1]에 기재된 적층체. [3] 상기 수지는 방향족 폴리아미드인, [1]에 기재된 적층체. [4] 정극, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 적층체 및 부극이 이 순서대로 배치되어 이루어지는 비수 전해액 이차 전지용 부재. [5] [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 적층체를 세퍼레이터로서 포함하는 비수 전해액 이차 전지. 〔제3 실시 형태: 발명 3〕 본 발명의 제3 실시 형태에 대해서 이하에 설명하는데, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 이하에 설명하는 각 구성에 한정되는 것은 아니며, 특허청구범위에 나타낸 범위에서 다양한 변경이 가능하고, 서로 다른 실시 형태나 실시예에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합해서 얻어지는 실시 형태나 실시예에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다. 또한, 본 명세서 중에 기재된 학술 문헌 및 특허문헌 모두가, 본 명세서 중에서 참고 문헌으로서 원용된다. 또한, 본 명세서에서 특기하지 않는 한, 수치 범위를 나타내는 「A 내지 B」는 「A 이상 B 이하」를 의미한다. 〔1. 적층체〕 본 발명에 따른 적층체는, 폴리올레핀계 수지를 포함하는 제1 다공층과, 제2 다공층을 적층시킨 적층체이다. 본 발명에서는, 상기 적층체의 흡습 특성이 중요하다. 본 발명자들은, 세퍼레이터를 구성하는 적층체의 흡습 특성과 세퍼레이터에서의 컬의 발생이 밀접하게 관련되어 있는 것, 그리고 적층체의 흡습 특성이 특정한 범위 내인 경우, 컬의 발생을 억제할 수 있는 것을 알아내었다. 구체적으로는, 상기 제1 다공층과 제2 다공층을 적층시킨 적층체에서의, (가) 노점 20℃ 분위기에서의 함수율과, (나) 노점 -30℃ 분위기에서의 함수율과의 차가 1000ppm 이하인 것이 바람직하다. 또한, 상기 (가)와 (나)의 차는 800ppm 이하인 것이 바람직하고, 600ppm 이하인 것이 보다 바람직하고, 500ppm 이하인 것이 더욱 바람직하고, 400ppm 이하인 것이 특히 바람직하다. 또한, 상기 (가) 및 (나)의 값은, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해 산출한다. 상기 (가)와 (나)의 차가 상기 수치 이하인 경우, 즉 상이한 2개의 노점(20℃와 -30℃의)간의 함수율의 차가 소정 값 이하인 경우, 상기 적층체를 세퍼레이터로서 사용할 때 컬의 발생을 억제할 수 있다. 이 작용 기서에 대해서, 노점을 낮게 한 경우의 적층체의 수분율의 변화량이 소정 값보다 큰 경우, 적층체에 컬이 발생하기 때문에, 적층체의 수분율의 변화량을 소정 값 이하로 제어하는 것이 중요하다고, 본 발명자들은 추측하고 있다. 또한, 상기 적층체에서의 상기 (가)와 (나)의 차가 100ppm 이상인 것이 바람직하다. 이러한 수치 이상이면, 상기 적층체를 세퍼레이터로서 사용할 때 전해액이 침투하기 쉽고, 레이트 특성 등에 대하여 악영향을 미치기 어렵다. 또한, 다른 중요한 흡습 특성으로서, 노점 20℃ 분위기에서의, (다) 상기 제1 다공층의 함수량과, (라) 상기 제2 다공층의 함수량과의 차가 10mg/m2 이하인 것이 바람직하다. 또한, 상기 (다)와 (라)의 차는 8mg/m2 이하인 것이 바람직하고, 7mg/m2 이하인 것이 보다 바람직하고, 6mg/m2 이하인 것이 더욱 바람직하고, 5mg/m2 이하인 것이 특히 바람직하다. 상기 (다) 및 (라)의 값은, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해 산출한다. 상기 (다)와 (라)의 차가 상술한 수치 이하인 경우, 상기 적층체를 세퍼레이터로서 사용할 때, 컬의 발생을 억제할 수 있다. 이것은, 적층체를 구성하는 제1 다공층이 유지하는 수분량과 제2 다공층이 유지하는 수분량의 차가 소정 값보다 큰 경우, 적층체에 컬이 발생하기 때문에, 제1 다공층 및 제2 다공층의 수분량의 차를 제어하는 것이 중요하다고, 본 발명자들은 추측하고 있다. 또한, 제2 다공층이 유지하는 수분량이 적을수록, 수분에 의한 전지 내에서의 부반응을 일으키지 않아, 전지 특성을 저하시키지 않기 때문에 바람직하다. 또한, 상기 (다)와 (라)의 차는 1mg/m2 이상인 것이 바람직하다. 이러한 범위라면, 상기 적층체를 세퍼레이터로서 사용할 때 전해액이 침투하기 쉽고, 레이트 특성 등에 대하여 악영향을 미치기 어렵다. 또한, 본 발명에서는, 상기 적층체를 구성하는 제2 다공층의 형상이 중요하다. 본 발명자들은, 세퍼레이터를 구성하는 적층체의 제2 다공층의 형상과 세퍼레이터에서의 컬의 발생이 밀접하게 관련되어 있는 것, 그리고 제2 다공층의 형상이 특정한 것인 경우, 컬의 발생을 억제할 수 있는 것을 알아내었다. 구체적으로는, 제2 다공층의 표면(제1 다공층이 적층된 측과 반대측의 표면)에서의, 0.5㎛2 이상의 매크로 구멍의 개공부의 면적은 30％ 이하인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 20％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 10％ 이하이고, 특히 바람직하게는 5％ 이하이다. 또한, 이온 투과성의 관점에서 바람직하게는 0.001 이상이며, 보다 바람직하게는 0.1％ 이상이다. 또한, 제2 다공층의 표면에서의, 0.5㎛2 이상의 매크로 구멍의 개공부의 면적은, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해 산출한다. 상기 제2 다공층의 표면에서의, 0.5㎛2 이상의 매크로 구멍의 개공부의 면적이 상술한 범위 내이면, 컬의 발생을 효과적으로 억제할 수 있기 때문에 바람직하다. 이어서, 본 발명에 따른 적층체를 구성하는 제1 다공층, 제2 다공층에 대해서 설명한다. 〔1-1. 제1 다공층〕 제1 다공층은, 폴리올레핀계 수지를 포함하는 것이면 되고, 미다공막인 것이 바람직하다. 즉, 제1 다공층은, 그 내부에 연결된 세공을 갖는 구조를 갖고, 한쪽 면에서 다른 쪽 면으로 기체나 액체가 투과 가능한 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공질 필름인 것이 바람직하다. 또한, 전지가 발열했을 때 용융되어, 적층체(환언하면, 세퍼레이터)를 무공화(無孔化)함으로써, 해당 적층체에 셧 다운 기능을 부여하는 것일 수 있다. 제1 다공층은, 1개의 층으로 이루어지는 것이어도 되고, 복수의 층으로 형성되는 것이어도 된다. 제1 다공층에서의 폴리올레핀 성분의 비율은, 제1 다공층에 포함되는 성분 전체의 50체적％ 이상인 것을 필수로 하고, 90체적％ 이상인 것이 바람직하고, 95체적％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 제1 다공층의 폴리올레핀 성분에는, 중량 평균 분자량이 5×105 내지 15×106인 고분자량 성분이 포함되어 있는 것이 바람직하다. 특히 제1 다공층의 폴리올레핀 성분으로서 중량 평균 분자량 100만 이상인 폴리올레핀 성분이 포함됨으로써, 제1 다공층 및 제1 다공층을 포함하는 적층체 전체의 강도가 높아지기 때문에 바람직하다. 폴리올레핀으로서는, 예를 들어 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 4-메틸-1-펜텐, 1-헥센 등을 중합한 고분자량의 단독 중합체 또는 공중합체를 들 수 있다. 제1 다공층은, 이 폴리올레핀을 단독으로 포함하는 층, 및/또는 이들 폴리올레핀의 2종 이상을 포함하는 층일 수 있다. 특히, 에틸렌을 주체로 하는 고분자량의 폴리에틸렌이 바람직하다. 또한, 제1 다공층은, 당해 층의 기능을 손상시키지 않는 범위에서, 폴리올레핀 이외의 성분을 포함해도 무방하다. 제1 다공층은, 그 내부에 연결된 세공을 갖는 구조이며, 한쪽 면에서 다른 쪽 면으로 기체, 액체 및 이온 등이 투과 가능하다. 그 투과율은 통상, 투기도로 표현된다. 제1 다공층의 투기도는 통상, 걸리값으로 30 내지 1000초/100cc의 범위이며, 바람직하게는 50 내지 800초/100cc의 범위이다. 제1 다공층이 상기 범위의 투기도를 가지면, 세퍼레이터로서 사용했을 때, 충분한 이온 투과성을 얻을 수 있다. 제1 다공층의 공극률은, 전해액의 유지량을 높임과 함께, 확실하게 셧 다운 기능을 얻을 수 있는 점에서, 20 내지 80체적％가 바람직하고, 30 내지 70체적％가 보다 바람직하다. 공극률이 20체적％ 미만이면 전해액의 유지량이 적어질 우려가 있고, 80체적％를 초과하면 셧 다운이 발생하는 강온에서의 무공화가 불충분해질 우려가 있다. 즉, 전지가 격렬하게 발열했을 때 전류를 차단하지 못하게 될 우려가 있다. 제1 다공층의 구멍 직경은, 본 발명의 세퍼레이터를 전지에 내장했을 때, 충분한 이온 투과성이 얻어지고, 또한 정극이나 부극으로의 입자의 인입을 방지할 수 있는 점에서, 3㎛ 이하가 바람직하고, 1㎛ 이하가 보다 바람직하다. 제1 다공층의 막 두께는, 적층체의 적층 수를 감안해서 적절히 결정된다. 특히 제1 다공층을 기재로서 사용하고, 제1 다공층의 편면(또는 양면)에 제2 다공층을 형성하는 경우에 있어서, 제1 다공층의 막 두께는 4 내지 40㎛가 바람직하고, 5 내지 30㎛가 보다 바람직하다. 두께가 4㎛ 미만이면 제1 다공층의 강도가 불충분해질 우려가 있고, 40㎛를 초과하면 너무 두꺼워져, 전지 용량이 작아질 우려가 있다.제1 다공층의 단위 면적당 중량은, 적층체의 강도, 막 두께, 핸들링성 및 중량, 나아가 전지의 세퍼레이터로서 사용한 경우의 전지의 중량 에너지 밀도나 체적 에너지 밀도를 높게 할 수 있는 점에서, 통상 4 내지 15g/m2이며, 5 내지 12g/m2가 바람직하다. 이러한 제1 다공층으로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2013-14017호 공보의 다공질 폴리올레핀층, 일본 특허 공개 제2012-54229호 공보의 폴리올레핀 다공막 및 일본 특허 공개 제2014-040580호 공보의 폴리올레핀 기재 다공질 필름 등을 적절하게 이용할 수 있다. 제1 다공층의 제조 방법에 대해서도, 공지된 방법을 사용할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 일본 특허 공개 평 7-29563호 공보에 기재된 바와 같이, 열가소성 수지에 가소제를 첨가해서 필름 성형한 후, 해당 가소제를 적당한 용매로 제거하는 방법을 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 제1 다공층이, 초고분자량 폴리에틸렌 및 중량 평균 분자량 1만 이하인 저분자량 폴리올레핀을 포함하는 폴리올레핀 수지로 형성되어 이루어지는 경우에는, 제조 비용의 관점에서, 이하에 나타낸 바와 같은 방법에 의해 제조하는 것이 바람직하다. (a) 초고분자량 폴리에틸렌 100중량부와, 중량 평균 분자량 1만 이하인 저분자량 폴리올레핀 5 내지 200중량부와, 탄산칼슘 등의 무기 충전제 100 내지 400중량부를 혼련해서 폴리올레핀 수지 조성물을 얻는 공정 (b) 상기 폴리올레핀 수지 조성물을 사용해서 시트를 성형하는 공정 (c) 공정 (b)에서 얻어진 시트 내로부터 무기 충전제를 제거하는 공정 (d) 공정 (c)에서 얻어진 시트를 연신해서 제1 다공층을 얻는 공정 그 밖에, 상술한 각 특허문헌에 기재된 방법을 이용해도 된다. 또한, 제1 다공층에 대해서는 상술한 특성을 갖는 시판품을 사용해도 된다. 제1 다공층의 함수율은, 그것을 구성하는 원료에 따라 조정할 수 있는데, 제1 다공층을 친수화 처리함으로써 조정할 수도 있다. 친수화 처리함으로써, 제1 다공층의 함수율을 원하는 값으로 함으로써 본 발명의 적층체를 얻을 수 있다. 친수화 처리로서는, 산이나 알칼리 등에 의한 약제 처리, 코로나 처리, 플라즈마 처리 등을 들 수 있다. 〔1-2. 제2 다공층〕 제2 다공층은, 상술한 흡습 특성을 나타내는 것이면 되고, 구체적인 구성은 특별히 한정되지 않는다. 제2 다공층은, 내부에 다수의 미세 구멍을 갖고, 이들 미세 구멍이 연결된 구조로 되어 있어, 한쪽 면에서 다른 쪽 면으로 기체 또는 액체가 통과 가능하게 된 층일 수 있다. 또한, 제2 다공층은, 제1 다공층의 편면에 적층체의 최외층으로서 설치되어, 세퍼레이터로서 사용할 때 전극과 접착할 수 있는 층이어도 된다. 제2 다공층은, 복수의 층으로 구성되는 것이어도 된다. 예를 들어, 제2 다공층은, 내열층 및 기능층 중 적어도 한쪽을 포함하는 것인 구성을 예시할 수 있다. 제2 다공층이 내열층과 기능층을 포함하는 경우, 상기 제1 다공층과 기능층과의 사이에 내열층을 형성해도 된다(즉, 제1 다공층/내열층/기능층의 순의 적층체가 됨). 다른 형태로서, 상기 제1 다공층/기능층/내열층의 순의 적층체로 해도 된다. 또한 다른 형태로서, 기능층과 내열층 사이에 상기 제1 다공층을 끼워 넣는 구조여도 된다(즉, 내열층/제1 다공층/기능층). 단, 세퍼레이터의 두께를 얇게 하기 위해서는, 제2 다공층은 기능층만을 포함하는 것이 바람직하다. 전지의 고용량화에 기여하기 위해서이다. 이하, 기능층과 내열층에 대해서 설명한다. 제2 다공층의 함수율은, 그것을 구성하는 원료에 따라 조정할 수 있는데, 제2 다공층을 친수화 처리함으로써 조정할 수도 있다. 친수화 처리함으로써, 제2 다공층의 함수율을 원하는 값으로 함으로써 본 발명의 적층체를 얻을 수 있다. 친수화 처리로서는, 산이나 알칼리 등에 의한 약제 처리, 코로나 처리, 플라즈마 처리 등을 들 수 있다. 003c#기능층003e#제2 다공층을 구성하는 기능층으로서는, 상술한 흡습 특성을 나타내는 것이면 되며, 그 구성은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 직경 1㎛ 이하의 골격이 삼차원 그물눈 형상으로 연결된 구조를 갖는 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 수지는, 예를 들어 폴리불화비닐리덴계 수지(이하, 간단히 「PVDF계 수지」라고도 함)를 포함하는 것이 바람직하다. PVDF계 수지로서는, 불화비닐리덴의 단독 중합체(즉, 폴리불화비닐리덴); 불화비닐리덴과 다른 공중합 가능한 단량체와의 공중합체(폴리불화비닐리덴 공중합체); 이들의 혼합물을 들 수 있다. 불화비닐리덴과 공중합 가능한 단량체로서는, 예를 들어 헥사플루오로프로필렌, 테트라플루오로에틸렌, 트리플루오로에틸렌, 트리클로로에틸렌, 불화비닐 등을 들 수 있고, 1종류 또는 2종류 이상을 사용할 수 있다. PVDF계 수지는, 유화 중합 또는 현탁 중합으로 합성할 수 있다. PVDF계 수지는, 그 구성 단위로서 불화비닐리덴이 95몰％ 이상(보다 바람직하게는 98몰％ 이상) 포함되어 있는 것이 바람직하다. 불화비닐리덴이 95몰％ 이상 포함되어 있으면, 전지 제조 시의 가압이나 가열에 견딜 수 있는 기계적 강도와 내열성을 확보하기 쉽다. 기능층은, 헥사플루오로프로필렌의 함유량이 서로 다른 2종류의 PVDF계 수지(하기의 제1 수지와 제2 수지)를 함유하는 형태도 바람직하다. ·제1 수지: 헥사플루오로프로필렌의 함유량이 0몰％ 초과 1.5몰％ 이하인 불화비닐리덴/헥사플루오로프로필렌 공중합체, 또는 불화비닐리덴 단독 중합체(헥사플루오로프로필렌의 함유량이 0몰％) ·제2 수지: 헥사플루오로프로필렌의 함유량이 1.5몰％ 초과인 불화비닐리덴/헥사플루오로프로필렌 공중합체 상기 2종류의 PVDF계 수지를 함유하는 기능층은, 어느 한쪽을 함유하지 않는 기능층에 비해, 전극과의 밀착성이 향상된다. 또한, 상기 2종류의 PVDF계 수지를 함유하는 기능층은, 어느 한쪽을 함유하지 않는 기능층에 비해, 제1 다공층과의 접착성이 향상되고, 이들 층간의 박리력이 향상된다. 제1 수지와 제2 수지의 혼합비(질량비, 제1 수지:제2 수지)는 15:85 내지 85:15가 바람직하다. PVDF계 수지는, 중량 평균 분자량이 30만 내지 300만인 것이 바람직하다. 중량 평균 분자량이 30만 이상이면, 제2 다공층이 전극과의 접착 처리에 견딜 수 있는 역학 물성을 확보할 수 있어, 충분한 밀착성이 얻어진다. 한편, 중량 평균 분자량이 300만 이하이면, 도공 성형할 때의 도공액의 점도가 너무 높아지지 않아 성형성이 우수하다. 중량 평균 분자량은 보다 바람직하게는 30만 내지 200만의 범위이며, 더욱 바람직하게는 50만 내지 150만의 범위이다. PVDF계 수지의 피브릴 직경은 사이클 특성의 관점에서, 10nm 내지 1000nm인 것이 바람직하다. 상기 기능층은, PVDF계 수지 이외의 다른 수지를 포함하고 있어도 된다. 다른 수지로서는, 스티렌-부타디엔 공중합체; 아크릴로니트릴이나 메타크릴로니트릴 등의 비닐니트릴류의 단독 중합체 또는 공중합체; 폴리에틸렌옥시드나 폴리프로필렌옥시드 등의 폴리에테르류 등을 들 수 있다. 또한, 상기 기능층은, 무기물 또는 유기물을 포함하는 필러를 포함하고 있어도 된다. 필러를 함유함으로써, 세퍼레이터의 미끄럼성이나 내열성을 향상시킬 수 있다. 필러로서는, 비수 전해액에서 안정되고 또한 전기 화학적으로 안정된 유기 필러 및 무기 필러 중 어느 것이어도 된다. 유기 필러로서는, 예를 들어 가교 폴리아크릴산, 가교 폴리아크릴산에스테르, 가교 폴리메타크릴산, 가교 폴리메타크릴산에스테르, 가교 폴리메타크릴산메틸, 가교 폴리실리콘, 가교 폴리스티렌, 가교 폴리디비닐벤젠, 스티렌-디비닐벤젠 공중합체 가교물, 폴리이미드, 멜라민 수지, 페놀 수지, 벤조구아나민-포름알데히드 축합물 등의 가교 고분자 미립자; 폴리술폰, 폴리아크릴로니트릴, 폴리아라미드, 폴리아세탈, 열가소성 폴리이미드 등의 내열성 고분자 미립자 등을 들 수 있다.유기 필러를 구성하는 수지(고분자)는, 상기에 예시한 분자종의 혼합물, 변성체, 유도체, 공중합체(랜덤 공중합체, 교호 공중합체, 블록 공중합체, 그래프트 공중합체), 가교체여도 된다. 무기 필러로서는, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 수산화칼슘, 수산화크롬, 수산화지르코늄, 수산화니켈, 수산화붕소 등의 금속 수산화물; 알루미나, 지르코니아 등의 금속 산화물; 탄산칼슘, 탄산마그네슘 등의 탄산염; 황산바륨, 황산칼슘 등의 황산염; 규산칼슘, 탈크 등의 점토 광물 등을 들 수 있다. 난연성 부여나 제전 효과의 관점에서는, 금속 수산화물이 바람직하다. 각종 필러는, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 필러의 체적 평균 입자 직경은, 양호한 밀착성과 미끄럼성의 확보 및 세퍼레이터의 성형성의 관점에서, 0.01㎛ 내지 10㎛인 것이 바람직하다. 그 하한값으로서는 0.1㎛ 이상이 보다 바람직하고, 상한값으로서는 5㎛ 이하가 보다 바람직하다. 필러의 입자 형상은 임의이며, 구형, 타원형, 판상, 막대 형상, 부정형의 어느 것이어도 된다. 전지의 단락 방지의 관점에서는, 판상의 입자나, 응집하지 않은 1차 입자인 것이 바람직하다. 필러는, 기능층의 표면에 미세한 요철을 형성함으로써 미끄럼성을 향상시킬 수 있는 것인데, 필러가 판상의 입자나 응집하지 않은 1차 입자인 경우에는, 필러에 의해 기능층의 표면에 형성되는 요철이 보다 미세해져, 전극과의 밀착성이 보다 양호하다. 상기 기능층에서는, PVDF계 수지 및 필러의 총량에서 차지하는 필러의 비율이 1질량％ 내지 30질량％인 것이 바람직하다. 필러의 함유 비율이 1질량％ 이상이면, 기능층의 표면에 미세한 요철을 형성해서 세퍼레이터의 미끄럼성을 향상시키는 효과가 발휘되기 쉽다. 이 관점에서는, 필러의 함유 비율은 3질량％ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 필러의 함유 비율이 30질량％ 이하이면, 기능층 및 세퍼레이터의 기계적 강도가 유지되어, 예를 들어 전극과 세퍼레이터를 겹쳐서 권회하여 전극체를 제작할 때, 세퍼레이터에 갈라짐 등이 발생하기 어렵다. 이 관점에서는, 필러의 함유 비율은 20질량％ 이하가 보다 바람직하고, 10질량％ 이하가 더욱 바람직하다. 기능층에 있어서는, 세퍼레이터를 슬릿했을 때 슬릿 단부면에 보풀이나 절곡, 슬릿 부스러기의 혼입이 발생하는 것을 억제하는 관점에서, PVDF계 수지 및 필러의 총량에서 차지하는 필러의 비율이 1질량％ 이상인 것이 바람직하고, 3질량％ 이상이 보다 바람직하다. 기능층의 평균 두께는, 전극과의 밀착성과 고에너지 밀도를 확보하는 관점에서, 제1 다공층의 편면에서 0.5㎛ 내지 10㎛인 것이 바람직하고, 1㎛ 내지 5㎛인 것이 보다 바람직하다. 기능층은, 이온 투과성의 관점에서 충분히 다공화된 구조인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 공공률이 30％ 내지 60％인 것이 바람직하다. 기능층은, 평균 구멍 직경이 20nm 내지 100nm인 것이 바람직하다. 기능층의 표면 조도는, 10점 평균 조도(Rz)로 0.8㎛ 내지 8.0㎛가 바람직하고, 0.9㎛ 내지 6.0㎛가 보다 바람직하고, 1.0㎛ 내지 3.0㎛가 더욱 바람직하다. 10점 평균 조도(Rz)는 JIS B 0601-1994(또는 JIS B 0601-2001의 Rzjis)에 준한 방법에 의해 측정되는 값이다. 구체적으로는, Rz는 고사까 겡뀨쇼사 제조의 ET4000을 사용하여, 측정 길이 1.25mm, 측정 속도 0.1mm/초, 온습도 25℃/50％ RH의 조건에서 측정되는 값이다. 기능층의 동마찰 계수는 0.1 내지 0.6이 바람직하고, 0.1 내지 0.4가 보다 바람직하고, 0.1 내지 0.3이 더욱 바람직하다. 동마찰 계수는, JIS K7125에 준한 방법에 의해 측정되는 값이다. 구체적으로는, 본 발명에서의 동마찰 계수는, 헤이돈사 제조의 표면 특성 테스터(Surface Property Tester)를 사용하여 측정되는 값이다. 기능층의 도공량은, 전극과의 밀착성 및 이온 투과성의 관점에서, 제1 다공층의 편면에서 0.5g/m2 내지 1.5g/m2인 것이 바람직하다. 또한, 제2 다공층을 구성하는 기능층은, 수지 미립자를 포함하는 것이어도 된다. 상기 수지 미립자는, 탄소수 2 내지 4의 α-올레핀에서 유래되는 구조 단위를 갖는 수지 또는 PVDF계 수지인 것이 바람직하다. 또한 이러한 기능층은, 수지 미립자 외에 결합제 수지를 포함하는 것이어도 된다. 상기 결합제 수지는, 수지 미립자끼리를 결착시키는 성질을 갖고, 전지의 전해액에 대하여 불용성이며, 전지의 사용 환경 하에서 전기 화학적으로 안정되는 중합체(즉, 결합제 수지)가 바람직하다. 또한, 결합제 수지는 수용성의 중합체여도 되고, 비수용성의 중합체여도 된다. 결합제 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌이나 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀, 폴리불화비닐리덴이나 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 불소 함유 수지, 불화비닐리덴-헥사플루오로프로필렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체나 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체 등의 불소 함유 고무, 스티렌-부타디엔 공중합체나 그의 수소화물, 메타크릴산에스테르 공중합체, 아크릴로니트릴-아크릴산에스테르 공중합체, 스티렌-아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌프로필렌 러버, 폴리아세트산비닐 등의 고무류, 폴리페닐렌에테르, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술피드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르아미드, 폴리에스테르 등의 융점이나 유리 전이 온도가 180℃ 이상인 수지, 폴리비닐알코올, 폴리에틸렌글리콜, 셀룰로오스에테르류, 알긴산나트륨, 폴리아크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리메타크릴산 등의 중합체를 들 수 있다. 이들 결합제 수지는, 단독 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다. 셀룰로오스에테르류로서는, 예를 들어 카르복시메틸셀룰로오스(CMC), 히드록시에틸셀룰로오스(HEC), 카르복시에틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 시안에틸셀룰로오스, 옥시에틸셀룰로오스 등을 들 수 있다. 또한, 기능층의 그 밖의 형태로서, 기능층은, 탄소수 2 내지 4의 α-올레핀에서 유래되는 구조 단위를 갖는 수지 또는 PVDF계 수지를 포함하는 미립자의 집합체층을 들 수 있다. 이 기능층에는, 또한 유기 화합물 및 무기 화합물 중 적어도 한쪽을 포함하는 필러가 포함되어 있다. 필러의 함유량은, 제1 실시 형태에서는, 미립자와 필러의 합계 질량에 대하여 20질량％ 내지 80질량％이며, 제2 실시 형태에서는, 미립자의 체적과 필러의 체적의 합계 체적에 대한 필러의 체적이 15체적％ 내지 90체적％이다. 또한, 기능층 1층당 미립자의 함유량은 0.1g/m2 내지 6.0g/m2이다. 필러는, 상술한 것을 적절하게 예시할 수 있다. 기능층이 이러한 구성임으로써, 세퍼레이터의 이온 투과성 및 핸들링성이 우수하고, 또한 전극과 세퍼레이터를 열 프레스에 의해 접합한 경우에 양호한 밀착성을 확보할 수 있다. 기능층은, 상기 미립자를 집합체로서 포함하는 미립자의 집합체층으로 되어 있어도 된다. 여기서 「미립자의 집합체층」으로서는, 예를 들어 다음의 (i)의 구성과, (ii)의 구성을 들 수 있다. (i)의 구성은, 미립자가 1차 입자로 제1 다공층에 고정화된 구성, 또는 미립자끼리 또는 미립자와 필러의 응집체(2차 입자)로서 제1 다공층에 고정화된 구성이다. (ii)의 구성은, 서로 인접하는 복수의 미립자끼리 또는 미립자와 필러가 일체적으로 연결되어 층상으로 되어 있고, 이 층에서의 미립자의 적어도 일부가 제1 다공층의 표면에 고정되어, 층상을 이루는 전체가 제1 다공층에 고정(일체화)된 구성이다. 또한, 미립자가 집합체로 되어 있는 것은, 세퍼레이터 표면(기능층 표면)을 주사형 전자 현미경(Scanning Electron Microscope; SEM)으로 관찰함으로써 확인할 수 있다. 기능층은, 충분한 이온 투과성을 갖는 것이라면, 그 구조는 특별히 제한되는 것은 아니다. 이온 투과성이라는 관점에서는, 기능층은 다공화된 구조인 것이 바람직하다. 다공화된 기능층을 접착성 다공질층이라고도 한다. 또한, 상기 미립자는, 기능층 중에서 입자 형상을 유지하고 있는 것이 바람직하다. 여기에서 말하는 「입자 형상을 유지하고 있는」이란, 예를 들어 주사형 전자 현미경으로 본 발명의 비수계 이차 전지용 세퍼레이터를 관찰했을 때, 상기 미립자의 입자 계면을 식별할 수 있는 상태를 말한다. 미립자의 평균 입경은 0.01㎛ 내지 1㎛인 것이 바람직하고, 0.02㎛ 내지 1㎛인 것이 보다 바람직하고, 0.05㎛ 내지 1㎛인 것이 특히 바람직하다. 미립자의 평균 입경이 0.01㎛ 이상임으로써, 비수계 이차 전지용 세퍼레이터의 미끄럼성 및 핸들링성이 우수하다. 한편, 미립자의 평균 입경이 1㎛ 이하임으로써, 기능층을 균일하게 얇은 두께로 하기 쉽다. 기능층의 1층당에서의 미립자의 질량은 0.1g/m2 내지 6.0g/m2인데, 1.0g/m2 내지 3.0g/m2의 범위인 것이 바람직하다. 기능층의 1층당에서의 미립자의 질량이 0.1g/m2 이상임으로써, 세퍼레이터와 전극의 밀착성이 향상된다. 또한, 기능층의 1층당에서의 미립자의 질량이 6.0g/m2 이하임으로써, 이온이 세퍼레이터를 투과하기 쉽고, 전지의 부하 특성을 향상시킬 수 있다. 기능층은, 전해액을 포함한 상태에서 압착 또는 열 프레스함으로써 전극과 접착하는 층이다. 또한, 상기 수지 미립자가, 탄소수 2 내지 4의 α-올레핀에서 유래되는 구조 단위를 갖는 수지인 것이 바람직하다. 예를 들어, 에틸렌과 아세트산비닐의 공중합체인 것이 바람직하다. 미립자의 평균 입경은 0.01㎛ 내지 1㎛인 것이 바람직하고, 0.02㎛ 내지 1㎛인 것이 보다 바람직하고, 0.05㎛ 내지 1㎛인 것이 특히 바람직하다. 탄소수 2 내지 4의 α-올레핀으로서는, 예를 들어 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐 등을 들 수 있고, 바람직하게는 에틸렌이다. 탄소수 2 내지 4의 α-올레핀에서 유래되는 구조 단위를 갖는 수지는, 이들 탄소수 2 내지 4의 α-올레핀과 그 밖의 단량체와의 공중합체여도 된다. 그 밖의 단량체로서는, 아세트산비닐, 프로피온산비닐, 부티르산비닐, 라우르산비닐, 카프로산비닐, 스테아르산비닐, 팔미트산비닐, 버사트산비닐 등의 지방산 비닐; 아크릴산메틸, 아크릴산에틸, 아크릴산프로필, 아크릴산부틸, 아크릴산헥실, 아크릴산옥틸, 아크릴산라우릴 등의 탄소수 1 내지 16의 알킬기를 갖는 아크릴산에스테르; 메타크릴산에틸, 메타크릴산프로필, 메타크릴산부틸, 메타크릴산헥실, 메타크릴산옥틸, 메타크릴산라우릴 등의 탄소수 1 내지 16의 알킬기를 갖는 메타크릴산에스테르; 아크릴산, 메타크릴산, 2-아크릴로일옥시에틸숙시네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸숙시네이트, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시에틸메타크릴레이트 등의 산성기 함유 비닐 단량체; 스티렌, 아크릴산벤질, 메타크릴산벤질 등의 방향족 비닐 단량체; 1,3-부타디엔, 이소프렌 등의 디엔; 및 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 그 중에서도 지방산 비닐, 아크릴산에스테르, 메타크릴산에스테르가 바람직하고, 아세트산비닐, 아크릴산에틸이 보다 바람직하다. 탄소수 2 내지 4의 α-올레핀에서 유래되는 구조 단위를 갖는 수지는, 바람직하게는 탄소수 2 내지 4의 α-올레핀과 그 밖의 단량체에서 유래되는 구조 단위를 갖는 수지이며, 보다 바람직하게는, 지방산 비닐, 아크릴산에스테르 및 메타크릴산에스테르로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종에서 유래되는 구조 단위와, 탄소수 2 내지 4의 α-올레핀에서 유래되는 구조 단위를 갖는 수지이다. 003c#내열층003e#내열층은, 내열성 재료를 포함하고, 셧 다운이 발생하는 고온에서 내열성을 갖고 있는 층이면 되며, 그 밖의 구성은 특별히 한정되지 않는다. 내열층도, 내부에 다수의 미세 구멍을 갖고, 이들 미세 구멍이 연결된 구조로 되어 있어, 한쪽 면에서 다른 쪽 면으로 기체 또는 액체가 통과 가능하게 된 층인 것이 바람직하다. 제2 다공층이 내열층을 포함하는 경우, 당해 제2 다공층은 고온에서도 형상 안정성을 가질 수 있다. 또한, 본 명세서에서 내열성 재료란, 제1 다공층이 용융되는 온도(예를 들어, 제1 다공층이 폴리에틸렌을 포함하는 경우에는, 약 130℃)에서, 용융 또는 열분해하지 않는 재료라 정의한다.내열성 재료로서는, 예를 들어 내열성 수지, 및 필러를 포함하는 내열성 수지 조성물 등을 들 수 있다. 내열성 수지로서는, 예를 들어 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리카르보네이트, 폴리아세탈, 폴리술폰, 폴리페닐렌술피드, 폴리에테르에테르케톤, 방향족 폴리에스테르, 폴리에테르술폰, 폴리에테르이미드, 셀룰로오스에테르류 등을 들 수 있다. 이들 내열 수지는, 단독 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다. 상술한 내열성 수지 중에서도, 내열성을 보다 높이는 점에서, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르술폰, 폴리에테르이미드가 바람직하고, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리아미드이미드가 보다 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 방향족 폴리아미드(파라 배향 방향족 폴리아미드, 메타 배향 방향족 폴리아미드), 방향족 폴리이미드, 방향족 폴리아미드이미드 등의 질소 함유 방향족 중합체이며, 특히 바람직하게는 방향족 폴리아미드이다. 내열성의 관점에서 특히 바람직한 것은, 파라 배향 방향족 폴리아미드(이하, 「파라 아라미드」라고도 함)이다. 파라 아라미드는, 파라 배향 방향족 디아민과 파라 배향 방향족 디카르복실산할라이드와의 축합 중합에 의해 얻어지는 것이며, 아미드 결합이 방향족 환의 파라 위치 또는 거기에 준한 배향 위치(예를 들어, 4,4'-비페닐렌, 1,5-나프탈렌, 2,6-나프탈렌 등과 같은 반대 방향으로 동축 또는 평행하게 연장되는 배향 위치)에서 결합되는 반복 단위를 실질적으로 포함하는 것이다. 파라 아라미드로서는, 예를 들어 폴리(파라페닐렌테레프탈아미드), 폴리(파라벤즈아미드), 폴리(4,4'-벤즈아닐리드테레프탈아미드), 폴리(파라페닐렌-4,4'-비페닐렌디카르복실산아미드), 폴리(파라페닐렌-2,6-나프탈렌디카르복실산아미드), 폴리(2-클로로-파라페닐렌테레프탈아미드), 파라페닐렌테레프탈아미드/2,6-디클로로파라페닐렌테레프탈아미드 공중합체 등의 파라 배향형 또는 파라 배향형에 준한 구조를 갖는 파라 아라미드를 들 수 있다. 방향족 폴리이미드로서는, 방향족의 2산 무수물과 디아민과의 축중합으로 제조되는 전체 방향족 폴리이미드가 바람직하다. 2산 무수물로서는, 예를 들어 피로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 2,2'-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물을 들 수 있다. 디아민으로서는, 예를 들어 옥시디아닐린, 파라페닐렌디아민, 벤조페논디아민, 3,3'-메틸렌디아닐린, 3,3'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 1,5'-나프탈렌디아민을 들 수 있다. 방향족 폴리아미드이미드로서는, 방향족 디카르복실산 및 방향족 디이소시아네이트를 사용해서 이들 축합 중합으로부터 얻어지는 것, 방향족 2산 무수물 및 방향족 디이소시아네이트를 사용해서 이들 축합 중합으로부터 얻어지는 것을 들 수 있다. 방향족 디카르복실산으로서는, 예를 들어 이소프탈산, 테레프탈산을 들 수 있다. 방향족 2산 무수물로서는, 예를 들어 무수 트리멜리트산을 들 수 있다. 방향족 디이소시아네이트로서는, 예를 들어 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 오르토트릴란디이소시아네이트, m-크실렌디이소시아네이트를 들 수 있다. 셀룰로오스에테르류로서는, 예를 들어 카르복시메틸셀룰로오스(CMC), 히드록시에틸셀룰로오스(HEC), 카르복시에틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 시안에틸셀룰로오스, 옥시에틸셀룰로오스 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 화학적, 열적인 안정성이 우수한 CMC, HEC가 바람직하고, CMC가 보다 바람직하다. 필러로서는, 유기 필러 또는 무기 필러를 사용할 수 있다. 유기 필러로서는, 예를 들어 스티렌, 비닐케톤, 아크릴로니트릴, 메타크릴산메틸, 메타크릴산에틸, 글리시딜메타크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 아크릴산메틸 등의 단독 또는 2종류 이상의 공중합체, 폴리테트라플루오로에틸렌, 4불화에틸렌-6불화프로필렌 공중합체, 4불화에틸렌-에틸렌 공중합체, 폴리비닐리덴플루오라이드(폴리불화비닐리덴계 수지) 등의 불소계 수지, 멜라민 수지, 요소 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메타크릴레이트 등을 포함하는 미립자를 들 수 있다. 무기 필러로서는, 탄산칼슘, 탈크, 클레이, 카올린, 실리카, 하이드로탈사이트, 규조토, 탄산마그네슘, 탄산바륨, 황산칼슘, 황산마그네슘, 황산바륨, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화티타늄, 알루미나 (예를 들어, α-알루미나), 마이카, 제올라이트, 유리 등을 포함하는 미립자를 들 수 있다. 또한, 상기 필러의 수화물과 같은, 상기 필러와 유사한 물질을 사용해도 된다. 이들 필러는, 단독 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다. 상기 필러 중에서도, 화학 안정성, 고온에서의 형상 안정성을 보다 높이는 점에서, 무기 산화물의 필러가 바람직하고, 그 중에서도 α-알루미나가 보다 바람직하다. 또한, 필러는, 제2 다공층에서의 이온 투과성을 확보하기에 충분한 정도의 구멍을 형성할 수 있는 것인 것이 바람직하다. 필러의 중량 비율은, 내열성 수지 및 필러의 합계 100중량％당 20 내지 99중량％일 수 있는데, 바람직하게는 30 내지 99중량％이며, 보다 바람직하게는 40 내지 99중량％이며, 보다 바람직하게는 50 내지 99중량％이며, 더욱 바람직하게는 60 내지 99중량％이다. 필러의 중량 비율이 상기 특정한 범위임으로써, 이온 투과성과 분말 낙하의 곤란성의 밸런스가 우수한 제2 다공층이 얻어진다. 또한, 분말 낙하란, 적층 다공질 필름으로부터 필러가 박리되는 현상이다. 내열층에는, 내열층의 기능을 손상시키지 않는 범위에서, 내열성 재료 이외의 성분이 포함되어 있어도 된다. 그러한 성분으로서, 예를 들어 분산제, 가소제, pH 제조제를 들 수 있다. 내열층의 두께는 1 내지 25㎛ 이하일 수 있는데, 바람직하게는 5 내지 20㎛ 이하의 범위이다. 두께가 1㎛ 이상이면, 사고 등에 의해 전지의 발열이 발생했을 때 제1 다공층의 열수축을 억제할 수 있어, 세퍼레이터가 수축될 우려를 피할 수 있다. 한편, 두께가 25㎛ 이하인 경우, 제2 다공층의 두께가 지나치게 두꺼워지지 않아, 전지의 용량이 작아질 우려를 피할 수 있다. 〔2. 적층체를 사용한 세퍼레이터〕 본 발명의 적층체는, 세퍼레이터(예를 들어, 비수 이차 전지용 세퍼레이터)로서 이용 가능하다. 이러한 세퍼레이터는, 기계 강도와 전지로 했을 때의 에너지 밀도의 관점에서, 전체의 막 두께가 5㎛ 내지 35㎛인 것이 바람직하고, 10㎛ 내지 20㎛인 것이 보다 바람직하다. 세퍼레이터의 공공률은, 전극과의 밀착성, 핸들링성, 기계적 강도 및 이온 투과성의 관점에서, 30％ 내지 60％인 것이 바람직하다. 세퍼레이터의 걸리값(JIS P8117)은, 기계 강도와 막 저항의 밸런스가 좋은 점에서, 50초/100cc 내지 800초/100cc인 것이 바람직하다. 세퍼레이터는, 이온 투과성의 관점에서, 제1 다공층의 걸리값과, 상기 제1 다공층 상에 제2 다공층을 형성한 세퍼레이터의 걸리값과의 차가 300초/100cc 이하인 것이 바람직하고, 150초/100cc 이하인 것이 보다 바람직하고, 100초/100cc 이하인 것이 더욱 바람직하다. 세퍼레이터의 곡로율(tortuosity)은 이온 투과성의 관점에서, 1.5 내지 2.5인 것이 바람직하다. 세퍼레이터의 막 저항은 전지의 부하 특성의 관점에서, 1ohm·cm2 내지 10ohm·cm2인 것이 바람직하다. 여기서 막 저항이란, 세퍼레이터에 전해액을 함침시켰을 때의 저항값이며, 교류법으로 측정된다. 당연히, 전해액의 종류, 온도에 따라 상이하지만, 상기의 수치는 전해액으로서 1M LiBF4-프로필렌카르보네이트/에틸렌카르보네이트(질량비 1/1)를 사용하여, 20℃에서 측정한 수치이다. 세퍼레이터의 105℃에서의 열수축률은, MD 방향, TD 방향 모두 10％ 이하인 것이 바람직하다. 열수축률이 이 범위에 있으면, 세퍼레이터의 형상 안정성과 셧 다운 특성의 밸런스가 잡힌 것이 된다. 보다 바람직하게는 5％ 이하이다.〔3. 세퍼레이터의 제조 방법〕 본 발명에 따른 적층체를 사용한 세퍼레이터의 제조 방법에 대해서도, 당해 세퍼레이터를 얻을 수 있으면 특별히 한정되지 않고, 다양한 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들어, 제2 다공층의 기능층으로서, PVDF계 수지를 사용하는 경우라면, PVDF계 수지를 포함하는 도공액을 제1 다공층(기재) 상에 도공해서 도공층을 형성하고, 계속해서 도공층의 PVDF계 수지를 고화시킴으로써, 제2 다공층을 제1 다공층 상에 일체적으로 형성하는 방법으로 제조할 수 있다. PVDF계 수지를 포함하는 제2 다공층은, 예를 들어 다음의 습식 도공법에 의해 형성할 수 있다. 먼저, PVDF계 수지를 용매에 용해시키고, 이것에 필러를 분산시켜서 도공액을 제조해도 된다. 이 도공액을 제1 다공층에 도공하고, 계속해서 적절한 응고액에 침지함으로써, 상분리를 유발하면서 PVDF계 수지를 고화시킨다. 이 공정을 거쳐, 제1 다공층 상에는, PVDF계 수지를 포함하는 다공질 구조의 층이 형성된다. 그 후, 수세와 건조를 행하여, 다공질 구조의 층으로부터 응고액을 제거한다. 예를 들어, 이하의 방법을 들 수 있다. (방법 1) (a) PVDF계 수지가 용매에 용해된 용액을 제조한다. (b) 해당 용액을 제1 다공층에 도공하여, 도공막을 형성한다. (c) 습윤 상태의 해당 도공막을, 해당 PVDF계 수지를 용해하지 않는 용매에의 침지 등의 수단으로, 상기 도공막으로부터 PVDF계 수지를 석출시킨다. (d) 필요에 따라 습윤 상태의 해당 PVDF계 수지가 석출된 도공막을, 해당 PVDF계 수지를 용해하지 않는 용매에 추가로 침지시켜 세정한다. (e) 습윤 상태의 해당 PVDF계 수지가 석출된 도공막을 건조한다. (방법 2) (a) 필요에 따라 결합제 수지가 물에 용해된 수용액에, PVDF계 수지가 분산된 도공막을 제조한다. 이때, PVDF계 수지는 미립자이어도 된다. (b) 도공액을 제1 다공층에 도공하여, 도공막을 형성한다. (c) 물을 건조 제거한다. 이러한 방법에 의해 제조된 제2 다공층은, 통상 직경 1㎛ 이하의 골격이 삼차원 그물눈 형상으로 연결된 구조를 갖는다. 직경 1㎛ 이하의 골격이 삼차원 그물눈 형상으로 연결된 구조를 갖는 것은, 주사형 전자 현미경에 의해 제2 다공층의 표면을 관찰함으로써 확인할 수 있다. 본 발명에 적합한 습식 도공법의 상세는 이하와 같다. 도공액의 제조에 사용하는, PVDF계 수지를 용해하는 용매(이하, 「양용매」라고도 함)로서는, N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 디메틸아세트아미드, 디메틸포름아미드, 디메틸포름아미드 등의 극성 아미드 용매가 적절하게 사용된다. 양호한 다공질 구조를 형성하는 관점에서는, 상분리를 유발하는 상분리제를 양용매에 혼합시키는 것이 바람직하다. 상분리제로서는, 물, 메탄올, 에탄올, 프로필알코올, 부틸알코올 등을 들 수 있다. 단, 트리프로필렌글리콜 및 에틸렌글리콜 등의 비점이 150℃를 초과하는 친수성의 상분리제를 양용매에 혼합시키지 않는 것이 바람직하다. 폴리올레핀계 수지를 포함하는 제1 다공층은 80℃ 내지 150℃에서 용융 변형되기 때문에, 본 발명에 따른 적층체는 150℃를 초과하는 온도에서의 건조를 행할 수 없다. 그 때문에, 비점이 150℃를 초과하는 친수성의 상분리제는, 적층체 중에 잔존하기 쉽고, 노점 20℃ 분위기에서의 함수율을 상승시키는 경향이 있다. 상분리제는, 도공에 적절한 점도를 확보할 수 있는 범위에서 첨가하는 것이 바람직하다. 용매로서는, 양호한 다공질 구조를 형성하는 관점에서, 양용매를 60질량％ 이상, 상분리제를 5질량％ 내지 40질량％ 포함하는 혼합 용매가 바람직하다. 도공액은, 양호한 다공질 구조를 형성하는 관점에서, PVDF계 수지가 3질량％ 내지 10질량％의 농도로 포함되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 도공액은, 제2 다공층에 미끄럼성을 부여하는 관점과 양호한 다공질 구조를 형성하는 관점에서, PVDF계 수지 및 필러의 총량에서 차지하는 필러의 비율이 1질량％ 내지 30질량％인 것이 바람직하고, 3질량％ 내지 28질량％인 것이 보다 바람직하다. 응고액(PVDF계 수지를 용해하지 않는 용매)은 도공액의 제조에 사용한 양용매와 상분리제 및 물로 구성되는 것이 일반적이다. 양용매와 상분리제의 혼합비는 PVDF계 수지의 용해에 사용한 혼합 용매의 혼합비에 맞추는 것이 일반적이다. 물의 농도는, 다공질 구조의 형성 및 생산성의 관점에서, 40질량％ 내지 90질량％인 것이 바람직하다. 상기 양용매와 마찬가지의 이유에 의해, 응고액에도 비점이 150℃를 초과하는 친수성의 상분리제는 포함되지 않는 것이 바람직하다. 제1 다공층으로의 도공액의 도공은, 메이어 바, 다이 코터, 리버스 롤 코터, 그라비아 코터 등 종래의 도공 방식을 적용해도 된다. 제2 다공층은, 상술한 습식 도공법 이외에도, 건식 도공법으로 제조할 수 있다. 여기서, 건식 도공법이란, PVDF계 수지, 필러 및 용매를 포함한 도공액을 제1 다공층에 도공하고, 이 도공층을 건조시켜서 용매를 휘발 제거함으로써 다공층을 얻는 방법이다. 단, 건식 도공법은 습식 도공법과 비교해서 도공층이 치밀해지기 쉽고, 또한 도공액의 양용매가 제2 다공질 중에 잔존하기 쉬우므로, 양호한 다공질 구조를 얻을 수 있는 점에서 습식 도공법이 더 바람직하다. 건식 도공법에 있어서는, 다공질 구조를 형성하기 위해서 PVDF계 수지를 용해하는 용매로서, 양용매와 해당 양용매보다도 비점이 높은 빈용매와의 혼합 용매를 사용하는 경우가 있지만, 적층체의 컬을 억제한다는 관점에서는, 이러한 혼합 용매를 사용하는 것은 바람직하지 않다. 당해 혼합 용매를 사용한 경우, 양용매가 먼저 증발하고, 빈용매가 잔존함으로써 다공층의 구멍이 형성된다. 즉, 빈용매가 증발한 자국이 구멍이 되는데, 이러한 방법에 의해 제2 다공층을 형성한 경우, 상기 구멍의 크기가 커지는 경향이 있다. 구체적으로는, 제2 다공층의 표면에서의, 0.5㎛2 이상의 매크로 구멍의 개공부의 면적이 30％를 초과하는 경향이 있다. 상기 구멍의 크기가 커지고, 제2 다공층의 표면에서의, 0.5㎛2 이상의 매크로 구멍의 개공부의 면적이 30％를 초과하는 경우, 제1 다공층과 제2 다공층의 계면에서의, 제2 다공층의 구멍의 크기도 커지고, 제1 다공층과 제2 다공층의 접착점이 조잡해진다. 그 결과, 습도의 변화에 수반하는 제1 다공층의 수축 응력을 제2 다공층이 억제할 수 없게 되어, 적층체의 컬이 발생한다. 세퍼레이터는, 제2 다공층을 독립된 시트로서 제작하고, 이 제2 다공층을 제1 다공층에 겹쳐서, 열 압착이나 접착제에 의해 복합화하는 방법에 의해서도 제조할 수 있다. 제2 다공층을 독립된 시트로서 제작하는 방법으로서는, PVDF계 수지 및 필러를 포함하는 도공액을 박리 시트 상에 도공하고, 상술한 습식 도공법 또는 건식 도공법을 적용해서 제2 다공층을 형성하여, 박리 시트로부터 제2 다공층을 박리하는 방법을 들 수 있다. 또한, 제2 다공층이 내열층인 경우에는, 제1 다공층과 제2 다공층을 각각 별도로 제작해서 접합하는 방법, 제2 다공층의 성분과 매체를 포함하는 도공액을 제작하여, 제1 다공층 상에 도포해서 매체를 제거하는 방법을 들 수 있으며, 후자의 방법이 간편해서 바람직하다.매체는 용매 또는 분산매이며, 제2 다공층의 성분이 균일하면서도 또한 안정적으로 용해 또는 분산시킬 수 있는 매체이면 된다. 매체로서는, 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 등의 알코올류, 아세톤, 톨루엔, 크실렌, 헥산, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드 등을 들 수 있다. 매체는 단독으로 사용하거나, 상용하는 범위에서 복수 혼합하여 사용해도 된다. 프로세스나 환경 부하 면에서, 매체는, 80중량％ 이상이 물인 것이 바람직하고, 물만인 것이 보다 바람직하다. 상기 도공액을 제1 다공층에 도포하는 도포 방법은, 균일하게 웨트 코팅할 수 있는 방법이라면 특별히 제한은 없으며, 종래 공지된 방법을 채용할 수 있다. 도포 방법으로서는, 예를 들어 모세관 코팅법, 스핀 코팅법, 슬릿 다이 코팅법, 스프레이 코팅법, 롤 코팅법, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 바 코터법, 그라비아 코터법, 다이 코터법 등을 들 수 있다. 제2 다공층의 두께는 상기 도공액의 도포량, 상기 도공액 중의 중합체의 농도, 상기 도공액이 미립자를 포함하는 경우, 미립자의 중합체에 대한 비를 조절함으로써 제어할 수 있다. 통상, 제1 다공층으로의 상기 도공액의 도포, 및 제1 다공층에 도포한 상기 도공액으로부터의 매체의 제거는, 제1 다공층을 반송하면서 연속해서 행하여진다. 이렇게 함으로써, 제1 다공층이 긴 형상이어도, 연속적으로 제1 다공층과 제2 다공층을 적층하는 것이 가능하다. 상기 도공액을 얻는 방법으로서는, 균질한 도공액을 얻을 수 있는 방법이라면, 특별히 한정되지 않는다. 상기 도공액이, 폴리올레핀 이외의 중합체 이외에 다른 성분, 특히 필러를 포함하는 경우에는, 기계 교반법, 초음파 분산법, 고압 분산법, 미디어 분산법 등의 방법이 바람직하고, 보다 균일하게 분산시키는 것이 용이하다는 점에서, 고압 분산법이 보다 바람직하다. 그때의 혼합 순서도, 침전물이 발생하는 등 특별한 문제가 없는 한, 중합체와 필러 등의 기타 성분을 한번에 매체에 첨가해서 혼합해도 되고, 임의의 순서로 매체에 첨가해서 혼합해도 되고, 각각을 매체에 용해 또는 분산시킨 후에 혼합하는 등 임의이다.상기 도공액의 매체가 물을 포함하는 경우, 상기 도공액을 제1 다공층 상에 도포하기 전에, 미리 제1 다공층에 친수화 처리를 행하는 것이 바람직하다. 제1 다공층을 친수화 처리함으로써, 보다 도포성이 향상되고, 보다 균질한 제2 다공층을 얻을 수 있다. 이 친수화 처리는, 특히 매체 중의 물의 농도가 높을 때 유효하다. 친수화 처리로서는, 산이나 알칼리 등에 의한 약제 처리, 코로나 처리, 플라즈마 처리 등을 들 수 있다. 비교적 단시간에 제1 다공층을 친수화할 수 있을 뿐 아니라, 코로나 방전에 의한 폴리올레핀의 개질이 제1 다공층의 표면 근방에만 한정되어, 제1 다공층 내부의 성질을 변화시키지 않아, 높은 도포성을 확보할 수 있다는 점에서, 코로나 처리가 바람직하다. 제1 다공층 상에 도포한 상기 도공액으로부터의 매체의 제거는 건조가 간편해서 바람직하다. 건조 방법으로서는, 예를 들어 자연 건조, 송풍 건조, 가열 건조, 감압 건조 등을 들 수 있고, 가열 건조가 바람직하다. 사용하는 매체에도 의존하지만, 건조 온도는 30 내지 80℃인 것이 바람직하고, 50 내지 80℃가 보다 바람직하다. 30℃ 이상이라면 충분한 건조 속도가 얻어지고, 80℃ 이하이면 외관이 양호한 적층 다공질 필름이 얻어진다. 또한, 제2 다공층으로서, PVDF계 수지를 포함하는 미립자를 사용하는 경우를 예로 들어 설명한다. 세퍼레이터의 제조 방법은, PVDF계 수지를 포함하는 미립자와 유기 화합물 및 무기 화합물 중 적어도 한쪽을 포함하는 필러를 함유하는 수계 분산물을 제1 다공층의 편면 또는 양면에 도공하는 도공 공정과, 도공된 수계 분산물을 건조하는 건조 공정을 갖고, 세퍼레이터를 제조한다. 세퍼레이터의 제조 방법을 상기 구성으로 함으로써, 수계 분산물의 용매를 증발시킴으로써, 본 발명의 비수계 이차 전지용 세퍼레이터를 제조할 수 있다. 그 때문에, 세퍼레이터의 제조에 일반적으로 사용되는 아세톤 등의 유기 용제를 취급하는 설비가 불필요해서, 세퍼레이터의 제조 비용을 저감할 수 있기 때문에, 생산성 높게 세퍼레이터를 제조할 수 있다. 〔도공 공정〕 도공 공정에서는, PVDF계 수지를 포함하는 미립자와 유기 화합물 및 무기 화합물 중 적어도 한쪽을 포함하는 필러를 함유하고, 상기 필러의 함유량이, 상기 미립자 및 상기 필러의 합계 질량에 대하여 20질량％ 이상 80질량％ 이하인 수계 분산물을, 상기 미립자가 1층당 0.1g/m2 내지 6.0g/m2가 되도록, 제1 다공층의 편면 또는 양면에 도공한다. 〔수계 분산물〕 수계 분산물은, 먼저, PVDF계 수지를 포함하는 미립자와, 유기 화합물 및 무기 화합물 중 적어도 한쪽을 포함하는 필러를, 각각 용매에 고체 상태로 분산, 현탁, 또는 유화함으로써 제조된다. 얻어진 수계 분산물이, 제1 다공층에 도공하는 도공액이 된다. 수계 분산물은 에멀전이거나 서스펜션이어도 된다. 수계 분산물의 용매로서는, 적어도 물이 사용되고, 또한 물 이외의 용매를 첨가해도 된다. 물 이외의 용매로서는, PVDF계 수지 및 필러를 용해하지 않고, 고체 상태로 분산, 현탁 또는 유화할 수 있는 용매라면 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 2-프로판올 등의 알코올, 아세톤, 테트라히드로푸란, 메틸에틸케톤, 아세트산에틸, N-메틸피롤리돈, 디메틸아세트아미드, 디메틸포름아미드, 디메틸포름아미드 등의 유기 용제를 들 수 있다. 본 발명에 있어서, 수계 에멀전이란, PVDF계 수지를 포함하는 미립자와 필러를, 물, 또는 물과 상기 유기 용제와의 혼합액에 유화한 것이다. 환경, 안전 및 경제적인 관점에서는, 물 또는 물과 알코올과의 혼합액에 PVDF계 수지를 포함하는 미립자와 필러를 유화한 수계 에멀전을 사용하는 것이 바람직하다. 수계 분산물의 조성은, 물과 미립자와 필러를 함유하고 있으면 되지만, 또한 필러의 함유량이, 미립자 및 필러의 합계 질량에 대하여 20질량％ 이상 80질량％ 이하가 되는 양, 또는 미립자의 체적과 필러의 체적과의 합계 체적에 대한 필러의 체적이 15체적％ 이상 90체적％ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 도공에 적절한 점도를 확보할 수 있는 범위에서, 공지된 증점제를 더 함유하고 있어도 되고, 수계 분산물에서의 미립자 및 필러의 분산성을 향상시키기 위해서, 공지된 계면 활성제를 함유하고 있어도 된다. 수계 분산물 중의 PVDF계 수지를 포함하는 미립자의 함유량은, 수계 분산물의 전체 질량에 대하여 1질량％ 내지 50질량％인 것이 바람직하다. 미립자의 농도를 조절함으로써, 비수계 이차 전지용 세퍼레이터에 존재하는 PVDF계 수지를 포함하는 미립자의 질량을 조정할 수 있다. 제1 다공층(예를 들어, 폴리올레핀 미다공막)으로의 수계 분산물의 도공에는, 예를 들어 메이어 바, 다이 코터, 리버스 롤 코터, 그라비아 코터, 마이크로그라비아 코터, 스프레이 코팅 등 종래의 도공 방식을 적용하는 것이 가능하다. PVDF계 수지를 포함하는 미립자를 제1 다공층의 표리 양면에 고정화하는 경우, 수계 분산물을 편면씩 도공해서 건조해도 된다. 생산성의 관점에서는, 수계 분산물을 양면 동시에 제1 다공층에 도공하여, 수계 분산물을 건조하는 것이 바람직하다. 〔건조 공정〕 건조 공정에서는, 도공 공정에서 제1 다공층에 도공된 수계 분산물을 건조한다. 제1 다공층(예를 들어, 폴리올레핀 미다공막) 중 적어도 한쪽 면에 도공된 수계 분산물을 건조시킴으로써, 수계 분산물의 용매를 증발시키면서 PVDF계 수지를 포함하는 미립자의 집합체와 필러를 포함하는 기능층을 형성한다. 건조 공정을 거침으로써 얻어진 기능층 중의 PVDF계 수지를 포함하는 미립자는, 입자 형상을 유지하고 있는 것이 바람직하다. 또한, 건조 공정을 행함으로써, PVDF계 수지 미립자가 결합제로서 기능하고, 기능층 전체가, 폴리올레핀 미다공막 등의 제1 다공층 상에 일체적으로 형성된 상태가 된다. 〔4. 비수 이차 전지〕 본 발명에 따른 비수 이차 전지는, 리튬의 도프·탈도프에 의해 기전력을 얻는 비수계 이차 전지이며, 정극과, 부극과, 앞서 서술한 세퍼레이터를 구비하는 것이면 되며, 그 밖의 구성은 특별히 한정되지 않는다. 비수 이차 전지는, 부극과 정극이 상술한 세퍼레이터를 통해 대향한 구조체에 전해액이 함침된 전지 요소가 외장재 내에 봉입된 구조를 갖는다. 비수 이차 전지는, 비수전해질 이차 전지, 특히 리튬 이온 이차 전지에 적합하다. 또한, 도프란, 흡장, 담지, 흡착 또는 삽입을 의미하고, 정극 등의 전극의 활물질에 리튬 이온이 생기는 현상을 의미한다. 상술한 세퍼레이터를 사용해서 제조된 비수 이차 전지는, 세퍼레이터의 핸들링성이 우수하므로, 제조 수율이 높다. 정극은, 정극 활물질 및 결합제 수지를 포함하는 활물질층이 집전체 상에 성형된 구조로 해도 된다. 활물질층은, 또한 도전 보조제를 포함해도 된다.정극 활물질로서는, 예를 들어 리튬 함유 전이 금속 산화물 등을 들 수 있고, 구체적으로는 LiCoO2, LiNiO2, LiMn1/2Ni1/2O2, LiCo1/3Mn1/3Ni1/3O2, LiMn2O4, LiFePO4, LiCo1/2Ni1/2O2, LiAl1/4Ni3/4O2 등을 들 수 있다. 결합제 수지로서는, 예를 들어 PVDF계 수지 등을 들 수 있다. 도전 보조제로서는, 예를 들어 아세틸렌 블랙, 케첸 블랙, 흑연 분말과 같은 탄소 재료를 들 수 있다. 집전체로서는, 예를 들어 두께 5㎛ 내지 20㎛의 알루미늄 박, 티타늄 박, 스테인리스 박 등을 들 수 있다. 부극은, 부극 활물질 및 결합제 수지를 포함하는 활물질층이 집전체 상에 성형된 구조로 해도 된다. 활물질층은, 또한 도전 보조제를 포함해도 된다. 부극 활물질로서는, 리튬을 전기 화학적으로 흡장할 수 있는 재료를 들 수 있고, 구체적으로는, 예를 들어 탄소 재료; 규소, 주석, 알루미늄 등과 리튬과의 합금 등을 들 수 있다. 결합제 수지로서는, 예를 들어 PVDF계 수지, 스티렌-부타디엔 고무 등을 들 수 있다. 본 발명의 세퍼레이터는, 부극 결합제로서 스티렌-부타디엔 고무를 사용한 경우에도, 부극에 대하여 충분한 밀착성을 확보할 수 있다. 도전 보조제로서는, 예를 들어 아세틸렌 블랙, 케첸 블랙, 흑연 분말과 같은 탄소 재료를 들 수 있다. 집전체로서는, 예를 들어 두께 5㎛ 내지 20㎛의 구리박, 니켈 박, 스테인리스 박 등을 들 수 있다. 또한, 상기 부극 대신에, 금속 리튬 박을 부극으로서 사용해도 된다. 전해액은, 리튬염을 비수계 용매에 용해한 용액이다. 리튬염으로서는, 예를 들어 LiPF6, LiBF4, LiClO4 등을 들 수 있다. 비수계 용매로서는, 예를 들어 에틸렌카르보네이트, 프로필렌카르보네이트, 플루오로에틸렌카르보네이트, 디플루오로에틸렌카르보네이트 등의 환상 카르보네이트; 디메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트, 에틸메틸카르보네이트, 및 그의 불소 치환체 등의 쇄상 카르보네이트; γ-부티로락톤, γ-발레로락톤 등의 환상 에스테르 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용하거나 혼합하여 사용해도 된다. 전해액으로서는, 환상 카르보네이트와 쇄상 카르보네이트를 질량비(환상 카르보네이트/쇄상 카르보네이트) 20/80 내지 40/60으로 혼합하고, 리튬염을 0.5M 내지 1.5M 용해한 것이 적합하다. 외장재로서는, 금속 캔이나 알루미늄 적층 필름제 팩 등을 들 수 있다. 전지의 형상은 각형, 원통형, 코인형 등이 있다. 비수 이차 전지는, 예를 들어 정극과 부극 사이에 상술한 세퍼레이터를 배치한 적층체에 전해액을 함침시켜서 외장재(예를 들어, 알루미늄 적층 필름제 팩)에 수용하고, 상기 외장재 위로부터 상기 적층체를 프레스함으로써 제조할 수 있다. 또한, 세퍼레이터로서, PVDF계 수지를 사용하는 경우, 당해 세퍼레이터는 전극과 겹침으로써 접착할 수 있다. 따라서, 전지 제조에 있어서 상기 프레스는 필수적인 공정이 아니지만, 전극과 세퍼레이터와의 밀착성을 높이기 위해서는, 프레스를 행하는 것이 바람직하다. 또한 전극과 세퍼레이터와의 밀착성을 높이기 위해서, 프레스는 가열하면서의 프레스(열 프레스)로 하는 것이 바람직하다.정극과 부극 사이에 세퍼레이터를 배치하는 방식은, 정극, 세퍼레이터, 부극을 이 순서대로 적어도 1층씩 적층하는 방식(소위 스택 방식)이어도 되고, 정극, 세퍼레이터, 부극, 세퍼레이터를 이 순서대로 겹쳐서, 길이 방향으로 권취하는 방식이어도 된다. 〔제4 실시 형태: 발명 4〕 본 발명의 제4 실시 형태에 대해서 이하에 설명하는데, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 이하에 설명하는 각 구성에 한정되는 것은 아니며, 특허청구범위에 나타낸 범위에서 다양한 변경이 가능하고, 서로 다른 실시 형태에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합해서 얻어지는 실시 형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다. 또한, 본 명세서에서 특기하지 않는 한, 수치 범위를 나타내는 「A 내지 B」는 「A 이상 B 이하」를 의미한다. 〔1. 비수 이차 전지용 세퍼레이터〕 본 발명에 따른 비수 이차 전지용 세퍼레이터는, 비수 이차 전지에 있어서 정극과 부극 사이에 배치되고, 폴리올레핀을 주성분으로 하는 막 형상의 다공질 기재와, 다공질 기재 중 적어도 한쪽 면에 적층된 다공층을 포함한다. 또한, 본 발명의 다른 실시 형태에 있어서, 상기 비수 이차 전지용 세퍼레이터에는, 상기 다공층 이외에 내열성의 수지로 구성되는 내열층이 적층되어 있어도 된다. 상기 내열층으로서는, 방향족 폴리아미드를 포함하고 있는 층이 바람직하다. 이하에, 본 발명에 따른 비수 이차 전지용 세퍼레이터를 구성하는 다공질 기재 및 다공층에 대해서 설명한다. 〔1-1. 다공질 기재〕 다공질 기재는, 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공질이면서 또한 막 형상의 기재(폴리올레핀계 다공질 기재)이면 되고, 미다공막인 것이 바람직하다. 즉, 다공질 기재는, 그 내부에 연결된 세공을 갖는 구조를 갖고, 한쪽 면에서 다른 쪽 면으로 기체나 액체가 투과 가능한 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공질 필름인 것이 바람직하다. 또한, 전지가 발열했을 때 용융되어, 비수 이차 전지용 세퍼레이터를 무공화함으로써, 해당 비수 이차 전지용 세퍼레이터에 셧 다운 기능을 부여하는 것일 수 있다. 다공질 기재는, 1개 층을 포함하는 것이어도 되고, 복수의 층으로 형성되는 것이어도 된다. 다공질 기재의 체적 기준의 공극률(D)은, 전해액의 유지량을 높임과 함께, 과대 전류가 흐르는 것을 보다 저온에서 확실하게 저지(셧 다운)하는 기능을 얻을 수 있도록, 0.2 내지 0.8(20 내지 80체적％)인 것이 바람직하고, 0.3 내지 0.75(30 내지 75체적％)인 것이 보다 바람직하다. 또한, 다공질 기재가 갖는 세공의 구멍 직경은, 세퍼레이터로서 사용했을 때, 충분한 이온 투과성을 얻을 수 있고, 또한 정극이나 부극으로의 입자의 인입을 방지할 수 있도록, 3㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 다공질 기재의 세공의 평균 구멍 직경(이하, 평균 세공 직경(C)이라고도 함)과 다공질 기재의 공극률(D)은 (C)/(D)≤0.13이라는 관계를 만족하고, (C)/(D)≤0.10이라는 관계를 만족하는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 다공질 기재의 평균 세공 직경(C)은, 상기 다공질 기재에서의 세공의 구멍 직경의 평균값을 ㎛ 단위로 나타낸 값이며, 상기 공극률(D)은, 상기 다공질 기재에 공극이 없다고 가정했을 때의 그 필름의 체적(E)을 기준으로 한 경우의, 실제의 상기 다공질 기재에서의 공극이 차지하는 체적(F)의 비율((E)/(F))을 나타내는 값이다. 다공질 기재의 평균 세공 직경(C)은, PMI사 제조 펌 포로미터(형식: CFP-1500A)를 사용하여 측정된다. 여기서 측정에는, 시험액으로서 PMI사 제조 갈윅(상품명)을 사용하여, 다공질 기재에서의 하기 (i) 및 (ii)에 기재된 곡선을 측정한다.(i) 시험액에 침지한 상태의 압력-유량 곡선(ii) 건조 상태에서 측정한 유량의 1/2로 는 압력-유량 곡선 i) 및 ii)의 곡선의 교점에서의 압력(P)의 값에 기초하여, 이하의 식 (1)을 사용해서 다공질 기재의 평균 세공 직경(C)을 산출한다. C=4cosθr/P … (1) 여기서, C: 평균 세공 직경(㎛), r: 시험액의 표면 장력(N/m), P: 위에서 나타낸 교점의 압력(Pa), 및 θ: 적층체와 시험액의 접촉각(°)을 나타낸다. 다공질 기재의 공극률(D)은 다음의 방법에 의해 측정된다. 다공질 기재를 한 변의 길이 10cm인 정사각형으로 잘라내고, 그 잘라낸 소편의 중량: W(g) 및 두께: E(cm)를 측정한다. 측정된 중량(W) 및 두께(E), 및 다공질 기재의 진 비중(ρ)(g/cm3)에 기초하여, 이하의 식 (2)를 사용해서 다공질 필름의 공극률(D)을 산출한다. 공극률(D)=1-(W/ρ)/(10×10×E) … (2) 상기 다공질 기재의 평균 세공 직경(C)을 제어하는 방법으로서는, 예를 들어 세공 직경을 작게 하는 경우, 다공질 기재의 제막시에 무기 필러 등의 개공제 또는 상분리제의 분산 상태를 균일화시키는 방법, 무기 필러 개공제의 입경을 미세화하는 방법, 상분리제를 포함한 상태에서 연신하는 방법, 및 낮은 연신 배율로 연신하는 방법 등의 방법을 들 수 있다. 또한, 상기 다공질 기재의 공극률(D)을 제어하는 방법으로서는, 예를 들어 고공극률의 다공질 기재를 얻는 경우, 폴리올레핀 등의 수지에 대한 무기 필러 등의 개공제 또는 상분리제의 양을 많게 하는 방법, 상분리제를 제거한 후에 연신하는 방법, 및 높은 연신 배율로 연신하는 방법 등의 방법을 들 수 있다. 상술한 다공질 기재의 평균 세공 직경(C)/다공질 기재의 공극률(D)은, 상기 다공질 기재를 포함하는 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터의 폴리올레핀 기재 내부로의 전해액의 침입 용이성에 대한 지배 인자의 하나라고 생각된다. (C)/(D)의 값이 감소하는 것은, 다공질 기재의 평균 세공 직경(C)이 감소하는 것, 및/또는 다공질 기재의 공극률(D)이 증대하는 것을 나타낸다. 다공질 기재의 평균 세공 직경(C)이 감소하면, 상기 폴리올레핀 기재 내부의 세공에 상기 전해액을 도입하는 구동력이 되는 것으로 추정되는 모세관력이 증대한다고 생각된다. 또한, 평균 세공 직경(C)이 작음으로써, 리튬 금속에 의한 덴드라이트(수지 형상 결정)의 생성을 억제할 수 있다. 또한, 다공질 기재의 공극률(D)이 증대하면, 상기 폴리올레핀 기재에서의 상기 전해액이 침투할 수 없는 폴리올레핀이 존재하는 개소의 체적이 감소한다고 생각된다. 그로 인해, 상술한 (C)/(D)의 값이 감소하면, 상기 다공질 기재를 포함하는 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터의 폴리올레핀 기재 내부로의 전해액의 침입(침투) 용이성이 증대된다고 생각된다. 구체적으로는, 상술한 (C)/(D)≤0.13, 바람직하게는 (C)/(D)≤0.10인 경우, 상기 다공질 기재를 포함하는 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터의 폴리올레핀 기재 내부로의 전해액의 침입 용이성이, 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터로서 실제로 사용되기에 충분한 크기로 증대될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 다공질 기재는, 세공을 갖고 있는 점에서, 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)은 0보다도 큰 값이 된다. 그로 인해, 상술한 (C)/(D)의 값도 또한 0보다도 커진다.다공질 기재에 있어서의 폴리올레핀 성분의 비율은, 다공질 기재 전체의 50체적％ 이상인 것을 필수로 하고, 90체적％ 이상인 것이 바람직하고, 95체적％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 다공질 기재의 폴리올레핀 성분에는, 중량 평균 분자량이 5×105 내지 15×106인 고분자량 성분이 포함되어 있는 것이 바람직하다. 특히 다공질 기재의 폴리올레핀 성분으로서 중량 평균 분자량 100만 이상인 폴리올레핀 성분이 포함됨으로써, 다공질 기재 및 비수 이차 전지용 세퍼레이터 전체의 강도가 높아지기 때문에 바람직하다. 폴리올레핀으로서는, 예를 들어 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 4-메틸-1-펜텐, 1-헥센 등을 중합한 고분자량의 단독 중합체 또는 공중합체를 들 수 있다. 다공질 기재는, 이들 폴리올레핀을 단독으로 포함하는 층, 및/또는 이들 폴리올레핀의 2종 이상을 포함하는 층일 수 있다. 특히, 에틸렌을 주체로 하는 고분자량의 폴리에틸렌이 바람직하다. 또한, 다공질 기재는, 당해 층의 기능을 손상시키지 않는 범위에서, 폴리올레핀 이외의 성분을 포함해도 무방하다. 다공질 기재의 투기도는, 통상 걸리값으로 30 내지 500초/100cc의 범위이며, 바람직하게는 50 내지 300초/100cc의 범위이다. 다공질 기재가 상기 범위의 투기도를 가지면, 세퍼레이터로서 사용했을 때, 충분한 이온 투과성을 얻을 수 있다. 다공질 기재의 막 두께는, 비수 이차 전지용 세퍼레이터의 적층 수를 감안해서 적절히 결정된다. 특히 다공질 기재의 편면(또는 양면)에 다공층을 형성하는 경우에 있어서, 다공질 기재의 막 두께는 4 내지 40㎛가 바람직하고, 7 내지 30㎛가 보다 바람직하다. 다공질 기재의 단위 면적당 중량은, 적층체의 강도, 막 두께, 핸들링성 및 중량, 나아가 비수 이차 전지의 세퍼레이터로서 사용한 경우의 당해 전지의 중량 에너지 밀도나 체적 에너지 밀도를 높게 할 수 있는 점에서, 통상 4 내지 20g/m2이며, 5 내지 12g/m2가 바람직하다. 이러한 다공질 기재로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2013-14017호 공보의 다공질 폴리올레핀층, 일본 특허 공개 제2012-54229호 공보의 폴리올레핀 다공막 및 일본 특허 공개 제2014-040580호 공보의 폴리올레핀 기재 다공질 필름 등을 적절하게 이용할 수 있다. 다공질 기재의 제조 방법에 대해서도, 공지된 방법을 사용할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 일본 특허 공개 평 7-29563호 공보에 기재된 바와 같이, 열가소성 수지에 가소제를 첨가해서 필름 성형한 후, 해당 가소제를 적당한 용매로 제거하는 방법을 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 다공질 기재가, 초고분자량 폴리에틸렌 및 중량 평균 분자량 1만 이하의 저분자량 폴리올레핀을 포함하는 폴리올레핀 수지로 형성되어 이루어지는 경우에는, 제조 비용의 관점에서, 이하에 나타낸 바와 같은 방법에 의해 제조하는 것이 바람직하다. (1) 초고분자량 폴리에틸렌 100중량부와, 중량 평균 분자량 1만 이하의 저분자량 폴리올레핀 5 내지 200중량부와, 탄산칼슘 등의 무기 충전제 100 내지 400중량부를 혼련해서 폴리올레핀 수지 조성물을 얻는 공정 (2) 폴리올레핀 수지 조성물을 사용해서 시트를 성형하는 공정 (3) 공정 (2)에서 얻어진 시트 내로부터 무기 충전제를 제거하는 공정 (4) 공정 (3)에서 얻어진 시트를 연신해서 A층을 얻는 공정 그 밖에, 상술한 각 특허문헌에 기재된 방법을 이용해도 된다. 또한, 다공질 기재에 대해서는 상술한 특성을 갖는 시판품을 사용해도 된다. 〔1-2. 다공층〕 본 발명에 따른 다공층은, 폴리불화비닐리덴계 수지(PVDF계 수지)를 포함한다. 다공층은, 내부에 다수의 세공을 갖고, 이들 세공이 연결된 구조로 되어 있어, 한쪽 면에서 다른 쪽 면으로 기체 또는 액체가 통과 가능하게 된 층일 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서, 다공층은, 다공질 기재의 편면에 세퍼레이터의 최외층으로서 설치되어, 전극과 접착할 수 있는 층이 된다. 본 발명자들은, 예의 검토를 행한 결과, 다공층을, 농도 1.0몰/리터의 LiPF6을 에틸메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트 및 에틸렌카르보네이트의 체적비가 50:20:30인 혼합 용매에 용해시킨 전해액에 25℃에서 24시간 침지시킨 후, 다공층 1평방미터당 포함되는 다공층(여기서는, 전해액을 흡수한 수지)의 체적을 0.05 내지 5.00cm3로 함으로써, 전극과의 밀착성을 확보하면서, 사이클 특성의 저하를 억제시킬 수 있음을 알아내었다. 특히, 평균 세공 직경(C)과 공극률(D)이 (C)/(D)≤0.13의 관계를 만족하는 다공질 기재와, 전해액 침지 후의 다공층 1평방미터당 포함되는, 당해 전해액을 흡수한 수지의 체적이 0.05 내지 5.00cm3인 다공층을 조합함으로써, 전극과의 밀착성을 확보하면서, 사이클 특성의 저하를 억제시킬 수 있음을 알아내었다. 즉, 폴리올레핀계의 다공질 기재와, 폴리불화비닐리덴계 수지를 포함하는 다공층이 적층된 구조를 갖는 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터에서는, 다공질 기재의 평균 세공 직경(C)과 공극률(D)이 (C)/(D)≤0.13인 관계를 만족하는 것과, 전해액 침지 후의 다공층 1평방미터당 포함되는 체적이 0.05 내지 5.00cm3인 것의 양자를 충족함으로써, 전극과의 밀착성을 확보하면서, 사이클 특성의 저하를 억제시킬 수 있다. 또한, 평균 세공 직경(C)과 공극률(D)이 (C)/(D)≤0.13인 관계를 만족하는 다공질 기재와, 전해액 침지 후의 다공층 1평방미터당 포함되는, 당해 전해액을 흡수한 수지의 체적이 0.05 내지 5.00cm3인 다공층을 조합함으로써, 덴드라이트의 생성을 또한 억제할 수 있음과 함께, 셧 다운 특성의 향상을 도모할 수 있다.상술한 바와 같이, (C)/(D)≤0.13의 관계를 만족하도록 다공질 기재의 평균 세공 직경(C)을 작게 함으로써, 다공질 기재에서의 리튬 금속에 의한 덴드라이트(수지 형상 결정)의 생성을 억제할 수 있다. 그리고, 전해액을 흡수한 수지의 체적이 5.00cm3 이하가 되는 다공층을 사용함으로써, 전해액을 흡수한 경우에도, 다공층을 구성하는 수지(겔)가 적당한 경도를 유지할 수 있어, 덴드라이트의 생성을 억제할 수 있다. 전해액을 흡수한 수지의 체적이 5.00cm3를 초과하면, 다공층을 구성하는 겔이 너무 부드러워져, 덴드라이트의 생성을 억제하는 것이 곤란해진다. 이와 같이, 본 실시 형태에 따르면, 다공질 기재 및 다공층의 양자에 있어서, 덴드라이트의 생성을 억제할 수 있다. 또한, 다공층을 구성하는, 전해액을 흡수한 수지(겔)가 적당한 경도를 유지하기 때문에, (C)/(D)≤0.13의 관계를 만족하는 다공질 기재의 세공에 당해 겔이 들어가기 어려워진다. 이에 의해, 당해 겔이 다공질 기재의 세공에 들어감으로 인한 셧 다운 특성의 저하를 방지할 수 있다. 즉, 셧 다운 특성의 향상을 도모할 수 있다. 여기서, 농도 1.0몰/리터의 LiPF6을 에틸메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트 및 에틸렌카르보네이트의 체적비가 50:20:30인 혼합 용매에 용해시킨 전해액이란, 비수 이차 전지에 사용되는 전해액의 일례이다. 따라서, 25℃의 당해 전해액에 24시간 침지시켜진 다공층은, 비수 이차 전지에 내장된 상태의 다공층을 모의적으로 나타내고 있다. 또한, 전해액을 흡수한 수지란, 다공층을 구성하는 수지가 전해액에 의해 팽윤된 상태, 즉 겔화한 상태를 나타내고 있다. 또한, 다공층 1평방미터당 포함되는, 전해액을 흡수한 수지의 체적(체적 단위 면적당 중량)은 이하와 같이 측정 산출하였다. 1) 전해액 팽윤 후 증가 중량의 산출 폴리불화비닐리덴계 수지를 알루미늄제 컵에 도포하고, 120℃, 8시간 진공 건조시켰다. 거기에서 얻어진 필름 형상의 무공성의 폴리불화비닐리덴계 수지를 2cm 사방으로 절단하여, 시료의 중량(W1)을 측정하였다. 이 시료를, 농도 1.0몰/리터의 LiPF6을 에틸메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트 및 에틸렌카르보네이트의 체적비가 50:20:30인 혼합 용매에 용해시킨 전해액에, 25℃에서 24시간 침지한 후에, 시료를 취출해서 중량(W2)을 측정하여, 하기 식으로부터 팽윤 후 증가 중량을 산출하였다. 팽윤 후 증가 중량 W2'=W2-W1 [식 중, W1은 침지 전의 중량을 나타내며, W2는 침지시키고 나서 24시간 후의 중량을 나타냄] 2) 전해액 팽윤 후 수지의 체적 팽윤도의 산출 폴리불화비닐리덴계 수지의 전해액 팽윤 후의 체적 팽윤도를 하기 식으로부터 산출하였다. 체적 팽윤도=(W1/ρ1+W2'/ρ2)/(W1/ρ1) [식 중, ρ1은 25℃에서의 PVDF계 수지의 비중을, ρ2는 25℃에서의 농도 1.0몰/리터의 LiPF6을 에틸메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트 및 에틸렌카르보네이트의 체적비가 50:20:30인 혼합 용매에 용해시킨 전해액의 비중을 나타냄] 3) 전해액 팽윤 후의 다공층의 체적 단위 면적당 중량의 산출 건조 상태에서의 다공층의 단위 면적당 중량(1평방미터당 중량)(Wd)을 측정하고, 당해 단위 면적당 중량을, 25℃에서의 PVDF계 수지의 비중으로 나눔으로써, 건조 상태에서의 다공층의 수지 성분의 체적 단위 면적당 중량(1평방미터당 수지 체적)(Vd)을 산출하였다. 당해 건조 상태에서의 다공층의 수지 성분의 체적 단위 면적당 중량(Vd)에, 상기 전해액 팽윤 후 수지의 체적 팽윤도를 적산함으로써, 전해액 팽윤 후의 다공층의 체적 단위 면적당 중량(즉, 다공층 1평방미터당 포함되는, 전해액을 흡수한 수지의 체적)(Vw)을 구할 수 있다. 그리고, 전해액에 침지한 후의 다공층 1평방미터당 포함되는, 전해액을 흡수한 수지의 체적을 0.05cm3 이상으로 함으로써, 다공층과 전극의 밀착성을 확보할 수 있다. 즉, 다공층 1평방미터당 전해액을 흡수한 수지의 체적이 0.05cm3 미만인 경우, 겔화한 수지의 양이 적어, 전극과의 밀착성을 유지하는 것이 곤란해지지만, 0.05cm3 이상으로 함으로써, 전극과의 밀착성을 확보할 수 있다. 또한, 다공층 1평방미터당 전해액을 흡수한 수지의 체적을 0.25cm3 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 전해액에 침지한 후에 있어서, 다공층 1평방미터당 전해액을 흡수한 수지의 체적을 5.00cm3 이하로 함으로써, 당해 다공층이 내장된 비수 이차 전지의 사이클 특성을 향상시킬 수 있다. 즉, 다공층 1평방미터당 전해액을 흡수한 수지의 체적이 5.00cm3보다도 큰 경우, 겔화한 다공층에 있어서의 이온의 투과 저항의 증대를 초래하게 된다. 그러나, 5.00cm3 이하로 함으로써, 겔화한 다공층에서의 이온의 이동 속도의 저하를 억제하여, 충전 시간의 증가를 억제할 수 있다. 그 결과, 당해 다공층을 비수 이차 전지에 내장했을 때, 정극측에서의 전해액의 산화 분해나 부극측에서의 금속 석출을 억제할 수 있어, 사이클 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 다공층 1평방미터당 포함되는, 전해액을 흡수한 수지의 체적을 1.50cm3 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 발명에 따른 다공층에 있어서, 25℃의 상기 전해액에 24시간 침지한 후의 공극률을 0.5 내지 55.0％로 하는 것이 바람직하다. 여기서, 전해액에 24시간 침지한 후의 다공층의 공극률은, 다음과 같이 해서 구할 수 있다. 먼저, 전해액에 24시간 침지한 후의 다공층의 체적(A)을, 공극을 포함한 상태에서 계측한다. 또한, 전해액에 24시간 침지한 후의 다공층의 중량을 측정하고, 당해 중량을 전해액을 흡수한 수지의 진밀도로 나눔으로써, 수지(전해액에 의해 겔화한 수지) 자체의 체적(B)을 구한다. 그리고, 공극률=100×(A-B)/A에 의해 공극률을 구한다. 비수 이차 전지에 다공층을 내장하고, 전해액에 의해 다공층이 겔화하면, 겔 내에서의 전해액의 확산 속도는 느려진다. 그 때문에, 어떤 영향에 의해 다공층 내에서 국소적으로 전해액이 고갈되면, 당해 개소에 전해액을 공급할 수 없게 된다. 그 결과, 전해액이 고갈된 상태가 유지되어, 사이클 특성이 저하될 가능성이 있다. 그러나, 전해액에 24시간 침지한 후의 다공층의 공극률을 0.005(0.5체적％) 이상으로 함으로써, 당해 다공층을 비수 이차 전지에 내장했을 때, 공극의 부분에 전해액이 액체 상태로 존재하게 되어, 국소적인 전해액의 고갈이 발생했다고 해도, 근방의 공극에 존재하는 전해액이 당해 개소에 공급된다. 그 결과, 전해액이 고갈된 상태가 유지되는 것을 방지할 수 있어, 사이클 특성의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 전해액에 24시간 침지한 후의 다공층의 공극률을 0.55(55체적％) 이하로 함으로써, 겔화한 다공층의 강도를 유지할 수 있음과 함께, 비수 이차 전지에 내장했을 때, 전극과 접촉하는 겔화한 다공층의 면적을 확보할 수 있기 때문에, 전극과의 밀착성의 저하를 방지할 수 있다. 이에 의해, 충방전 사이클 중의 정극-부극간 거리의 증대에 의한 용량 저하를 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 다공층에 있어서, 25℃의 상기 전해액에 24시간 침지한 후의 평균 세공 직경을 0.8 내지 95.0nm로 하는 것이 바람직하다. 여기서, 전해액에 24시간 침지한 후의 평균 세공 직경은, 주사형 프로브 현미경(SPM)에 의해 측정할 수 있다. 비수 이차 전지에서는, 약간 혼입된 수분에 의해 무기 고체물이 생성되는 경우가 있을 수 있다. 이러한 무기 고체물이 다공층에서의 세공을 폐색하면, 전지의 용량 저하를 발생시키게 된다. 그러나, 전해액에 24시간 침지한 후의 다공층의 평균 세공 직경을 0.8nm 이상으로 함으로써, 이러한 무기 고체물이 세공을 폐색하는 확률을 저감할 수 있어, 전지의 용량 저하를 억제할 수 있다. 또한, 전해액에 24시간 침지한 후의 다공층의 평균 세공 직경을 95.0nm 이하로 함으로써, 겔화한 다공층의 강도를 유지할 수 있음과 함께, 비수 이차 전지에 내장했을 때, 전극과 접촉하는 겔화한 다공층의 면적을 확보할 수 있기 때문에, 전극과의 밀착성을 유지할 수 있다. 이에 의해, 충방전 사이클 중의 정극-부극간 거리의 증대에 의한 용량 저하를 방지할 수 있다. 다공층을 구성하는 수지는, 폴리불화비닐리덴계 수지를 포함하는 것이며, 직경 1㎛ 이하의 골격이 삼차원 그물눈 형상으로 연결된 구조를 갖는 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 폴리불화비닐리덴계 수지로서는, 불화비닐리덴의 단독 중합체(즉, 폴리불화비닐리덴); 불화비닐리덴과 다른 공중합 가능한 단량체와의 공중합체(폴리불화비닐리덴 공중합체); 이들의 혼합물을 들 수 있다. 불화비닐리덴과 공중합 가능한 단량체로서는, 예를 들어 헥사플루오로프로필렌, 테트라플루오로에틸렌, 트리플루오로에틸렌, 트리클로로에틸렌, 불화비닐 등을 들 수 있고, 1종류 또는 2종류 이상을 사용할 수 있다. 폴리불화비닐리덴계 수지는 유화 중합 또는 현탁 중합으로 합성할 수 있다. 폴리불화비닐리덴계 수지는, 그 구성 단위로서 불화비닐리덴이 95몰％ 이상(보다 바람직하게는 98몰％ 이상) 포함되어 있는 것이 바람직하다. 불화비닐리덴이 95몰％ 이상 포함되어 있으면, 전지 제조 시의 가압이나 가열에 견딜 수 있는 기계적 강도와 내열성을 확보하기 쉽다. 또한, 다공층은, 헥사플루오로프로필렌의 함유량이 서로 다른 2종류의 폴리불화비닐리덴계 수지(하기의 제1 수지와 제2 수지)를 함유하는 형태도 바람직하다. ·제1 수지: 헥사플루오로프로필렌의 함유량이 0몰％ 초과 1.5몰％ 이하인 불화비닐리덴/헥사플루오로프로필렌 공중합체, 또는 불화비닐리덴 단독 중합체(헥사플루오로프로필렌의 함유량이 0몰％) ·제2 수지: 헥사플루오로프로필렌의 함유량이 1.5몰％ 초과인 불화비닐리덴/헥사플루오로프로필렌 공중합체 상기 2종류의 폴리불화비닐리덴계 수지를 함유하는 다공층은, 어느 한쪽을 함유하지 않는 다공층에 비해, 전극과의 접착성이 향상된다. 또한, 상기 2종류의 폴리불화비닐리덴계 수지를 함유하는 다공층은, 어느 한쪽을 함유하지 않는 다공층에 비하여, 다공질 기재와의 접착성이 향상되고, 이들 층간의 박리력이 향상된다. 제1 수지와 제2 수지의 혼합비(질량비, 제1 수지:제2 수지)는 15:85 내지 85:15가 바람직하다. 폴리불화비닐리덴계 수지는, 중량 평균 분자량이 30만 내지 300만인 것이 바람직하다. 중량 평균 분자량이 30만 이상이면, 다공층이 전극과의 접착 처리에 견딜 수 있는 역학 물성을 확보할 수 있어, 충분한 접착성이 얻어진다. 한편, 중량 평균 분자량이 300만 이하이면, 도공 성형할 때의 도공액의 점도가 너무 높아지지 않아 성형성이 우수하다. 중량 평균 분자량은 보다 바람직하게는 30만 내지 200만의 범위이며, 더욱 바람직하게는 50만 내지 150만의 범위이다. 폴리불화비닐리덴계 수지의 피브릴 직경은 사이클 특성의 관점에서, 10nm 내지 1000nm인 것이 바람직하다. 다공층은, 폴리불화비닐리덴계 수지 이외의 다른 수지를 포함하고 있어도 된다. 다른 수지로서는, 스티렌-부타디엔 공중합체; 아크릴로니트릴이나 메타크릴로니트릴 등의 비닐니트릴류의 단독 중합체 또는 공중합체; 폴리에틸렌옥시드나 폴리프로필렌옥시드 등의 폴리에테르류 등을 들 수 있다. 또한, 다공층은, 무기물 또는 유기물을 포함하는 필러를 포함하고 있어도 된다. 필러를 함유함으로써, 세퍼레이터의 미끄럼성이나 내열성을 향상시킬 수 있다. 필러로서는, 비수 전해액에서 안정되고 또한 전기 화학적으로 안정된, 유기 필러 및 무기 필러 중 어느 것이어도 된다. 전지의 안전성을 확보하는 관점에서는, 내열 온도가 150℃ 이상인 필러가 바람직하다. 유기 필러로서는, 예를 들어 가교 폴리아크릴산, 가교 폴리아크릴산에스테르, 가교 폴리메타크릴산, 가교 폴리메타크릴산에스테르, 가교 폴리메타크릴산메틸, 가교 폴리실리콘, 가교 폴리스티렌, 가교 폴리디비닐벤젠, 스티렌-디비닐벤젠 공중합체 가교물, 폴리이미드, 멜라민 수지, 페놀 수지, 벤조구아나민-포름알데히드 축합물 등의 가교 고분자 미립자; 폴리술폰, 폴리아크릴로니트릴, 폴리아라미드, 폴리아세탈, 열가소성 폴리이미드 등의 내열성 고분자 미립자 등을 들 수 있다. 유기 필러를 구성하는 수지(고분자)는, 상기에 예시한 분자종의 혼합물, 변성체, 유도체, 공중합체(랜덤 공중합체, 교호 공중합체, 블록 공중합체, 그래프트 공중합체), 가교체여도 된다. 무기 필러로서는, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 수산화칼슘, 수산화크롬, 수산화지르코늄, 수산화니켈, 수산화붕소 등의 금속 수산화물; 알루미나, 지르코니아 등의 금속 산화물; 탄산칼슘, 탄산마그네슘 등의 탄산염; 황산바륨, 황산칼슘 등의 황산염; 규산칼슘, 탈크 등의 점토 광물 등을 들 수 있다. 난연성 부여나 제전 효과의 관점에서는, 금속 수산화물이 바람직하다. 각종 필러는, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 필러의 체적 평균 입자 직경은, 양호한 접착성과 미끄럼성의 확보 및 세퍼레이터의 성형성의 관점에서, 0.01㎛ 내지 10㎛인 것이 바람직하다. 그 하한값으로서는 0.1㎛ 이상이 보다 바람직하고, 상한값으로서는 5㎛ 이하가 보다 바람직하다.필러의 입자 형상은 임의이며, 구형, 타원형, 판상, 막대 형상, 부정형의 어느 것이어도 된다. 전지의 단락 방지의 관점에서는, 판상의 입자나, 응집하지 않은 1차 입자인 것이 바람직하다. 필러는, 다공층의 표면에 미세한 요철을 형성함으로써 미끄럼성을 향상시킬 수 있는 것인데, 필러가 판상의 입자나 응집하지 않은 1차 입자인 경우에는, 필러에 의해 다공층의 표면에 형성되는 요철이 보다 미세해져, 전극과의 접착성이 보다 양호하다. 다공층에 있어서는, 폴리불화비닐리덴계 수지 및 필러의 총량에서 차지하는 필러의 비율이 1질량％ 내지 30질량％인 것이 바람직하다. 필러의 함유 비율이 1질량％ 이상이면, 다공층의 표면에 미세한 요철을 형성해서 세퍼레이터의 미끄럼성을 향상시키는 효과가 발휘되기 쉽다. 이 관점에서는, 필러의 함유 비율은 3질량％ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 필러의 함유 비율이 30질량％ 이하이면, 다공층의 기계적 강도가 유지되어, 예를 들어 전극과 세퍼레이터를 겹쳐서 권회하여 전극체를 제작할 때, 세퍼레이터에 갈라짐 등이 발생하기 어렵다. 이 관점에서는, 필러의 함유 비율은 20질량％ 이하가 보다 바람직하고, 10질량％ 이하가 더욱 바람직하다. 다공층에 있어서는, 세퍼레이터를 슬릿했을 때 슬릿 단부면에 보풀이나 절곡, 슬릿 부스러기의 혼입이 발생하는 것을 억제하는 관점에서, 폴리불화비닐리덴계 수지 및 필러의 총량에서 차지하는 필러의 비율이 1질량％ 이상인 것이 바람직하고, 3질량％ 이상이 보다 바람직하다. 다공층의 평균 막 두께는, 전극과의 접착성과 고에너지 밀도를 확보하는 관점에서, 다공질 기재의 편면에서 0.5㎛ 내지 10㎛인 것이 바람직하고, 1㎛ 내지 5㎛인 것이 보다 바람직하다. 다공층은, 이온 투과성의 관점에서 충분히 다공화된 구조인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 공공률이 30％ 내지 60％인 것이 바람직하다. 다공층은, 평균 구멍 직경이 20nm 내지 100nm인 것이 바람직하다.다공층의 표면 조도는, 10점 평균 조도(Rz)로 0.8㎛ 내지 8.0㎛가 바람직하고, 0.9㎛ 내지 6.0㎛가 보다 바람직하고, 1.0㎛ 내지 3.0㎛가 더욱 바람직하다. 10점 평균 조도(Rz)는 JIS B 0601-1994(또는 JIS B 0601-2001의 Rzjis)에 준한 방법에 의해 측정되는 값이다. 구체적으로는, Rz는 고사까 겡뀨쇼사 제조의 ET4000을 사용하여, 측정 길이 1.25mm, 측정 속도 0.1mm/초, 온습도 25℃/50％ RH의 조건에서 측정되는 값이다. 다공층의 동마찰 계수는 0.1 내지 0.6이 바람직하고, 0.1 내지 0.4가 보다 바람직하고, 0.1 내지 0.3이 더욱 바람직하다. 동마찰 계수는, JIS K7125에 준한 방법에 의해 측정되는 값이다. 구체적으로는, 본 발명에서의 동마찰 계수는, 헤이돈사 제조의 표면 특성 테스터를 사용하여 측정되는 값이다. 다공층의 도공량은, 전극과의 접착성 및 이온 투과성의 관점에서, 다공질 기재의 편면에서 0.5g/m2 내지 1.5g/m2인 것이 바람직하다. 〔2. 비수 이차 전지용 세퍼레이터의 제조 방법〕 본 발명에 따른 비수 이차 전지용 세퍼레이터는, 상술한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를 얻을 수 있으면 특별히 한정되지 않고, 다양한 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들어, 다공질 기재가 되는 폴리올레핀계 수지 미다공막의 표면 상에, 이하에 나타내는 방법 (1) 내지 (3) 중 어느 하나의 방법을 사용하여, 폴리불화비닐리덴계 수지를 포함하는 다공층을 형성함으로써 제조된다. (1) 상기 다공층을 형성하는 수지를 용해시킨 용액을, 다공질 기재의 표면에 도포한 후, 그 다공질 기재를 상기 수지에 대하여 빈용매인 석출 용매에 침지함으로써, 상기 수지로 구성된 다공층을 석출시키는 방법. (2) 상기 다공층을 형성하는 수지를 용해시킨 용액을, 다공질 기재의 표면에 도포한 후, 저비점 유기산을 사용하여, 상기 용액의 액성을 산성으로 함으로써, 상기 수지로 구성된 다공층을 석출시키는 방법. (3) 상기 다공층을 형성하는 수지를 용해시킨 용액을, 다공질 기재의 표면에 도포한 후, 원적외선 가열 또는 동결 건조를 사용하여, 상기 용액 중의 용매를 증발시켜서, 상기 수지로 구성된 다공층을 석출시키는 방법. 또한, 상기 방법 (1) 및 (2)의 경우에는, 상기 다공층이 석출된 후에, 얻어진 적층체를 또한 건조시키는 공정이 포함될 수 있다. 상기 방법에 있어서, 예를 들어 상기 다공층을 구성하는 수지가 PVDF계 수지인 경우에는, PVDF계 수지를 용해시키는 용매로서는, N-메틸피롤리돈을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 방법 (1)에서, 예를 들어 상기 다공층을 구성하는 수지가 PVDF계 수지인 경우에는, 상기 다공층을 석출시키기 위한 용매로서는, 이소프로필알코올 또는 t-부틸알코올이 바람직하다. 또한, 상기 방법 (1)에서 제조된 다공층에 전자선(EB: Electric Beam)을 조사해도 된다. 이에 의해, 다공층의 수지에서의 가교를 증가시킬 수 있다. 상기 방법 (2)에서, 상기 유기산으로서는, 예를 들어 파라톨루엔술폰산, 아세트산 등을 들 수 있다. 상기 방법 (3)에서, 원적외선 가열 또는 동결 건조는, 다른 건조 방법(풍건 등)과 비교하여, 상기 다공층의 공공의 형상이 석출시에 무너지기 어렵다는 이점을 갖는다. 또한, 상기 적층체에, 또한 내열층을 적층하는 경우에는, 다공층을 구성하는 수지 대신 상기 내열층을 구성하는 수지를 사용하는 것 이외는, 상술한 방법과 마찬가지의 방법을 행함으로써 내열층을 적층시킬 수 있다. 또한, 상기 다공층에 필러가 포함되는 경우에는, 상기 다공층을 형성하는 수지를 용해시킨 용액 대신에, 그 용액에 또한 필러를 분산시킨 것을 사용함으로써, 필러가 포함되는 다공층을 형성할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 상기 방법 (1) 내지 (3)에서, 다공층을 형성하는 수지를 용해시킨 용액 중의 수지량을 변화시킴으로써, 전해액에 침지한 후의 다공층 1평방미터당 포함되는, 전해액을 흡수한 수지의 체적을 조정할 수 있다. 또한, 다공층을 형성하는 수지를 용해시키는 용매량을 변화시킴으로써, 전해액에 침지한 후의 다공층의 공극률, 평균 세공 직경을 조정할 수 있다. 〔3. 비수 이차 전지〕 본 발명에 따른 비수 이차 전지는, 리튬의 도프·탈도프에 의해 기전력을 얻는 비수계 이차 전지이며, 정극 시트와, 부극 시트와, 앞서 서술한 본 발명의 비수계 이차 전지용 세퍼레이터가 적층된 적층체를 구비하는 것이면 되고, 그 밖의 구성은 특별히 한정되지 않는다. 비수 이차 전지는, 부극 시트와 정극 시트가 상술한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를 통해 대향한 구조체에 전해액이 함침된 전지 요소가 외장재 내에 봉입된 구조를 갖는다. 비수 이차 전지는, 비수전해질 이차 전지, 특히 리튬 이온 이차 전지에 적합하다. 또한, 도프란, 흡장, 담지, 흡착 또는 삽입을 의미하고, 정극 등의 전극의 활물질에 리튬 이온이 생기는 현상을 의미한다. 상술한 본 발명에 따른 비수 이차 전지용 세퍼레이터를 사용해서 제조된 비수 이차 전지는, 세퍼레이터의 핸들링성이 우수하므로, 제조 수율이 높다. 정극 시트는, 정극 활물질 및 결합제 수지를 포함하는 활물질층이 집전체 상에 성형된 구조로 해도 된다. 활물질층은, 또한 도전 보조제를 포함해도 된다. 정극 활물질로서는, 예를 들어 리튬 함유 전이 금속 산화물 등을 들 수 있고, 구체적으로는 LiCoO2, LiNiO2, LiMn1/2Ni1/2O2, LiCo1/3Mn1/3Ni1/3O2, LiMn2O4, LiFePO4, LiCo1/2Ni1/2O2, LiAl1/4Ni3/4O2 등을 들 수 있다. 결합제 수지로서는, 예를 들어 폴리불화비닐리덴계 수지 등을 들 수 있다. 도전 보조제로서는, 예를 들어 아세틸렌 블랙, 케첸 블랙, 흑연 분말과 같은 탄소 재료를 들 수 있다. 집전체로서는, 예를 들어 두께 5㎛ 내지 20㎛의 알루미늄 박, 티타늄 박, 스테인리스 박 등을 들 수 있다. 부극 시트는, 부극 활물질 및 결합제 수지를 포함하는 활물질층이 집전체 상에 성형된 구조로 해도 된다. 활물질층은, 또한 도전 보조제를 포함해도 된다. 부극 활물질로서는, 리튬을 전기 화학적으로 흡장할 수 있는 재료를 들 수 있고, 구체적으로는, 예를 들어 탄소 재료; 규소, 주석, 알루미늄 등과 리튬과의 합금 등을 들 수 있다. 결합제 수지로서는, 예를 들어 폴리불화비닐리덴계 수지, 스티렌-부타디엔 고무 등을 들 수 있다. 본 발명의 세퍼레이터는, 부극 결합제로서 스티렌-부타디엔 고무를 사용한 경우에도, 부극에 대하여 충분한 접착성을 확보할 수 있다. 도전 보조제로서는, 예를 들어 아세틸렌 블랙, 케첸 블랙, 흑연 분말과 같은 탄소 재료를 들 수 있다. 집전체로서는, 예를 들어 두께 5㎛ 내지 20㎛의 구리박, 니켈 박, 스테인리스 박 등을 들 수 있다. 또한, 상기 부극 대신에, 금속 리튬 박을 부극으로서 사용해도 된다. 전해액은, 리튬염을 비수계 용매에 용해한 용액이다. 리튬염으로서는, 예를 들어 LiPF6, LiBF4, LiClO4 등을 들 수 있다. 비수계 용매로서는, 비수 이차 전지에서 일반적으로 사용되는 용매가 모두 포함되고, 상술한 혼합 용매(에틸메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트 및 에틸렌카르보네이트의 체적비가 50:20:30)에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 에틸렌카르보네이트, 프로필렌카르보네이트, 플루오로에틸렌카르보네이트, 디플루오로에틸렌카르보네이트 등의 환상 카르보네이트; 디메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트, 에틸메틸카르보네이트, 및 그의 불소 치환체 등의 쇄상 카르보네이트; γ-부티로락톤, γ-발레로락톤 등의 환상 에스테르 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용하거나 혼합하여 사용해도 된다. 전해액으로서는, 환상 카르보네이트와 쇄상 카르보네이트를 질량비(환상 카르보네이트/쇄상 카르보네이트) 20/80 내지 40/60(보다 바람직하게는 30/70)으로 혼합한 용매에 리튬염을 0.5M 내지 1.5M 용해한 것이 적합하다. 외장재로서는, 금속 캔이나 알루미늄 적층 필름제 팩 등을 들 수 있다. 전지의 형상은 각형, 원통형, 코인형 등이 있다. 비수 이차 전지는, 예를 들어 정극 시트와 부극 시트 사이에 상술한 세퍼레이터를 배치한 적층체에 전해액을 함침시켜서 외장재(예를 들어, 알루미늄 적층 필름제 팩)에 수용하고, 상기 외장재 위로부터 상기 적층체를 프레스함으로써 제조할 수 있다. 또한, 상기 비수 이차 전지용 세퍼레이터로서, 폴리불화비닐리덴계 수지를 사용하는 경우, 당해 세퍼레이터는 전극과 겹침으로써 접착할 수 있다. 따라서, 전지 제조에 있어서 상기 프레스는 필수적인 공정은 아니지만, 전극과 세퍼레이터와의 접착성을 높이기 위해서는, 프레스를 행하는 것이 바람직하다. 또한 전극과 세퍼레이터의 접착성을 높이기 위해서, 프레스는 가열하면서의 프레스(열 프레스)로 하는 것이 바람직하다. 정극 시트와 부극 시트 사이에 세퍼레이터를 배치하는 방식은, 정극 시트, 세퍼레이터, 부극 시트를 이 순서대로 적어도 1층씩 적층하는 방식(소위 스택 방식)이어도 되고, 정극 시트, 세퍼레이터, 부극 시트, 세퍼레이터를 이 순서대로 겹쳐서, 길이 방향으로 권회하는 방식이어도 된다. 〔그 밖의 실시 형태〕 상술한 설명에서는, 다공질 기재 상에 다공층을 형성한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를 제조하고, 당해 비수 이차 전지용 세퍼레이터를 사이에 두도록 정극 시트 및 부극 시트를 겹침으로써, 비수 이차 전지용 세퍼레이터와 전극을 포함하는 적층체를 제조하는 것으로 하였다. 그러나, 본 발명에 따른 비수 이차 전지의 제조 방법은, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 다공층을 형성하는 수지를 용해시킨 용액을, 정극 시트 또는 부극 시트 중 적어도 한쪽 면 상에 도포함으로써, 다공층을 형성해도 된다. 이 형성 방법으로서는, 상술한 방법 (1) 내지 (3) 중 어느 하나를 사용하면 된다. 그리고, 다공질 기재를 사이에 두도록 정극 시트 및 부극 시트를 겹쳐서, 열 프레스함으로써, 비수 이차 전지용 세퍼레이터와 전극을 포함하는 적층체를 제조한다. 이때, 다공층이 형성된 전극 시트에 대해서는, 다공층이 다공질 기재와 대향하도록 배치하면 된다. 이에 의해, 전극, 다공층, 다공질 기재, (다공층), 전극이 적층된 적층체를 제조할 수 있다. 그 결과, 전극과 다공질 기재 사이에 다공층이 배치되고, 다공질 기재와 전극의 밀착성을 확보하면서, 사이클 특성을 향상시킬 수 있다. [실시예]〔발명 1에 관한 실시예〕 (다공질 필름의 평균 세공 직경(C)) PMI사 제조 펌 포로미터(형식: CFP-1500A)를 사용해서 평균 세공 직경(C)을 측정하였다. 여기서 측정에는, 시험액으로서 PMI사 제조 갈윅(상품명)을 사용하여, 다공질 필름에서의 하기 (i) 및 (ii)에 기재된 곡선을 측정하였다. (i) 시험액에 침지한 상태의 압력-유량 곡선 (ii) 건조한 상태에서 측정한 유량의 1/2로 하는 압력-유량 곡선 (i) 및 (ii)의 곡선의 교점에서의 압력(P) 값에 기초하여, 이하의 식 (3)을 사용해서 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)을 산출하였다. (C)=4cosθr/P … (3) 여기서, (C): 평균 세공 직경(㎛), r: 시험액의 표면 장력(N/m), P: 위에서 나타낸 교점의 압력(Pa), 및 θ: 다공질 필름과 시험액의 접촉각(°)을 나타낸다.(다공질 필름의 공극률(D)) 다공질 필름을 한 변의 길이 10cm인 정사각형으로 잘라내고, 그 잘라낸 소편의 중량: W(g) 및 두께: E(cm)를 측정하였다. 측정한 중량(W) 및 두께(E), 및 다공질 필름의 진 비중(ρ)(g/cm3)에 기초하여, 이하의 식 (4)를 사용해서 다공질 필름의 공극률(D)을 산출하였다. 공극률(D)=1-(W/ρ)/(10×10×E) … (4) (세퍼레이터의 제조) [실시예 1] 불화비닐리덴-헥사플루오로프로필렌(PVDF-HEP) 공중합체를 N-메틸피롤리돈에 7중량％의 농도로 용해시켜, 도공액을 제작하였다. 이것을 막 두께 17㎛이며, 또한 이하의 표 1에 나타내는 평균 세공 직경(C) 및 공극률(D)을 갖고, (C)/(D)=0.08인 폴리에틸렌 다공질 필름(기재)의 편면에 도공하고, 이소프로필알코올에 침지함으로써, 폴리불화비닐리덴계 수지(PVDF-HEP 공중합체)로 구성된 다공질층을 석출시켰다. 또한, 상기의 다공질층이 그 표면에 석출된 폴리에틸렌 다공질 필름을 건조시킴으로써 폴리불화비닐리덴계 수지(PVDF-HEP 공중합체)로 구성된 다공질층이 폴리에틸렌 다공질 필름의 표면에 형성된 적층체를 얻었다. [실시예 2] PVDF-HEP 공중합체 대신에 폴리불화비닐리덴(PVDF) 수지를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, PVDF로 구성된 다공질층이 폴리에틸렌 다공질 필름의 표면에 형성된 적층체를 얻었다. [실시예 3] PVDF-HEP 공중합체 대신에 미쯔이 가가꾸 제조 폴리올레핀 수성 디스퍼젼 케미펄 W401을 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 미쯔이 가가꾸 제조 폴리올레핀 수성 디스퍼젼 케미펄 W401로 구성된 다공질층이 폴리에틸렌 다공질 필름의 표면에 형성된 적층체를 얻었다. [실시예 4] 기재로서, (C)/(D)=0.08인 폴리에틸렌 다공질 필름 대신에, 이하의 표 1에 나타내는 평균 세공 직경(C) 및 공극률(D)을 갖고, (C)/(D)=0.13인 폴리에틸렌 다공질 필름을 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, PVDF-HEP 공중합체로 구성된 다공질층이 폴리에틸렌 다공질 필름의 표면에 형성된 적층체를 얻었다. [비교예 1] 기재로서, (C)/(D)=0.08인 폴리에틸렌 다공질 필름 대신에, 이하의 표 1에 나타내는 평균 세공 직경(C) 및 공극률(D)을 갖고, (C)/(D)=0.18인 폴리에틸렌 다공질 필름을 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, PVDF-HEP 공중합체로 구성된 다공질층이 폴리에틸렌 다공질 필름의 표면에 형성된 적층체를 얻었다. [비교예 2] PVDF-HEP 공중합체 대신에 카르복시메틸셀룰로오스(CMC)를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, CMC로 구성된 다공질층이 폴리에틸렌 다공질 필름의 표면에 형성된 적층체를 얻었다. [비교예 3] PVDF-HEP 공중합체 대신에 미쯔이 가가꾸 제조 폴리올레핀 수성 디스퍼젼 케미펄 S300을 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 미쯔이 가가꾸 제조 폴리올레핀 수성 디스퍼젼 케미펄 S300으로 구성된 다공질층이 폴리에틸렌 다공질 필름의 표면에 형성된 적층체를 얻었다. [비교예 4] PVDF-HEP 공중합체 대신에 미쯔이 가가꾸 제조 폴리올레핀 수성 디스퍼젼 케미펄 S600을 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 미쯔이 가가꾸 제조 폴리올레핀 수성 디스퍼젼 케미펄 S600으로 구성된 다공질층이 폴리에틸렌 다공질 필름의 표면에 형성된 적층체를 얻었다. [비교예 5] 기재로서, (C)/(D)=0.08인 폴리에틸렌 다공질 필름 대신에, 이하의 표 1에 나타내는 평균 세공 직경(C) 및 공극률(D)을 갖고, (C)/(D)=0.16인 폴리에틸렌 다공질 필름을 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, PVDF-HEP 공중합체로 구성된 다공질층이 폴리에틸렌 다공질 필름의 표면에 형성된 적층체를 얻었다. (임계 표면 장력 시험) 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 5에서 얻어진 각각의 적층체에 대해서, 당해 적층체에서의 상기 다공질층(도공층)의 최표면을 대상으로 하고, 25℃의 환경 하에서 교와 카이멘 가가꾸 제조의 접촉각계 드롭 마스터 500을 사용하고, 용매로서 순수 및 프로필렌카르보네이트를 사용하여, 각각의 용매 접촉각(θ)을 측정하여, 지스만 플롯에 의해 임계 표면 장력(A)을 산출하였다. 또한, 마찬가지의 방법으로, 상기 적층체로부터 상기 다공질층(도공층)을 박리한 후의 상기 다공질 필름(기재)의 상기 다공질층(도공층)이 박리된 측 표면에서의 임계 표면 장력(B)을 산출하였다. (전해액 침투 시험) 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 5에서 얻어진 각각의 적층체에 대해서, 도 2에 도시한 바와 같이, 얻어진 적층체를, 다공질층을 상부로 해서, 유리판 상에서 양면 테이프를 사용하여 고정한 뒤에, 노점 -20℃의 환경 하에서 피펫을 사용해서 전해액(디에틸카르보네이트(DEC)) 2μl를 상기 다공질층 위에서 적하하였다. 계속해서, 적하 후부터 적하한 액면의 광택이 사라질 때까지의 시간을, 상기 적하한 전해액이 상기 적층체 내부로 침투할 때까지의 시간(이하, 침투 시간이라고 함)으로서 측정하였다.(측정 결과) 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 5에서 얻어진 각각의 적층체에 대해서, 사용한 기재(다공질 필름)의 평균 세공 직경(C), 공극률(D) 및 평균 세공 직경(C)/공극률(D), 및 얻어진 적층체에서의 임계 표면 장력(A), 임계 표면 장력(B) 및 그 차이((A)-(B)), 및 침투 시간의 측정 결과를 통합해서 표 1에 나타내었다. 실시예 1 내지 4에서 얻어진 적층체는 하기 식 (1)의 관계를 만족한다. 0mN/m≤(A)-(B)≤20mN/m … (1) 한편, 비교예 1 내지 5에서 얻어진 적층체는 상기 식 (1)의 관계를 만족하지 않는다. 또한, 실시예 1 내지 4 및 비교예 2 내지 4에서 얻어진 적층체는 하기 식 (2)의 관계를 만족한다. (C)/(D)≤0.13 … (2) 한편, 실시예 6, 비교예 1 및 비교예 5에서 얻어진 적층체는 상기 식 (2)의 관계를 만족하지 않는다. 실시예 1 내지 4에서 얻어진 적층체의 침투 시간과, 비교예 1 내지 5에서 얻어진 적층체의 침투 시간을 비교하면, 실시예 1 내지 4에서 얻어진 적층체의 침투 시간이 더 단시간이 되는 것을 알았다. 즉, 상술한 식 (1)을 만족하는 적층체는, 상술한 식 (1)을 만족하지 않는 적층체보다도, 전해액의 침투가 용이한 것을 알았다. 또한, 실시예 1에서 얻어진 적층체의 침투 시간과, 다공질 필름의 (C)/(D)가 상이하며, 다공질층의 구성 요소가 동일한 실시예 4, 및 비교예 1 및 비교예 5에서 얻어진 적층체의 침투 시간을 비교하면, 다공질 필름에서의 평균 세공 직경(C)/공극률(D)의 값이 작은 것이 침투 시간이 더 짧아, 전해액의 침투가 용이한 것을 알았다. 〔발명 2에 관한 실시예〕 (다공질 필름의 평균 세공 직경(C)) PMI사 제조 펌 포로미터(형식: CFP-1500A)를 사용해서 평균 세공 직경(C)을 측정하였다. 여기서 측정에는, 시험액으로서 PMI사 제조 갈윅(상품명)를 사용하여, 다공질 필름에서의 하기 (i) 및 (ii)에 기재된 곡선을 측정하였다. (i) 시험액에 침지한 상태의 압력-유량 곡선 (ii) 건조한 상태에서 측정한 유량의 1/2로 하는 압력-유량 곡선 (i) 및 (ii)의 곡선의 교점에서의 압력(P)의 값에 기초하여, 이하의 식 (3)을 사용해서 다공질 필름의 평균 세공 직경(C)을 산출하였다. (C)=4cosθr/P … (3) 여기서, (C): 평균 세공 직경(㎛), r: 시험액의 표면 장력(N/m), P: 위에서 나타낸 교점의 압력(Pa), 및 θ: 다공질 필름과 시험액의 접촉각(°)을 나타낸다.(다공질 필름의 공극률(D)) 다공질 필름을 한 변의 길이 10cm인 정사각형으로 잘라내고, 그 잘라낸 소편의 중량: W(g) 및 두께: E(cm)를 측정하였다. 측정한 중량(W) 및 두께(E), 및 다공질 필름의 진 비중(ρ)(g/cm3)에 기초하여, 이하의 식 (4)를 사용해서 다공질 필름의 공극률(D)을 산출하였다. 공극률(D)=1-(W/ρ)/(10×10×E) … (4) (세퍼레이터의 제조) [실시예 5] 전체 방향족 폴리아미드(아라미드 수지)를 N-메틸피롤리돈에 7중량％의 농도로 용해시키고, 또한 알루미나 입자를 분산시킨 도공액을 제작하였다. 이것을 막 두께 17㎛이며, 또한 이하의 표 2에 나타내는 평균 세공 직경(C) 및 공극률(D)을 갖고, (C)/(D)=0.08인 폴리에틸렌 다공질 필름(기재)의 편면에 도공하고, 이소프로필알코올에 침지함으로써, 아라미드 수지 매트릭스에 알루미나 입자가 분산된 수지로 구성된 다공질층을 석출시켰다. 또한, 상기 다공질층이 그 표면에 석출된 폴리에틸렌 다공질 필름을 건조시킴으로써, 아라미드 수지 매트릭스에 알루미나 입자가 분산된 수지로 구성된 다공질층이 폴리에틸렌 다공질 필름의 표면에 형성된 적층체를 얻었다. [실시예 6] 아라미드 수지 및 알루미나 입자 대신에 폴리불화비닐리덴계 수지(불화비닐리덴-헥사플루오로프로필렌(PVDF-HEP) 공중합체)를 사용한 것 이외는, 실시예 5와 마찬가지로 하여, 폴리불화비닐리덴계 수지(PVDF-HEP 공중합체)로 구성된 다공질층이 폴리에틸렌 다공질 필름의 표면에 형성된 적층체를 얻었다. [실시예 7] 기재로서, (C)/(D)=0.08인 폴리에틸렌 다공질 필름 대신에, 이하의 표 2에 나타내는 평균 세공 직경(C) 및 공극률(D)을 갖고, (C)/(D)=0.13인 폴리에틸렌 다공질 필름을 사용한 것 이외는, 실시예 6과 마찬가지로 하여, 폴리불화비닐리덴계 수지(PVDF-HEP 공중합체)로 구성된 다공질층이 폴리에틸렌 다공질 필름의 표면에 형성된 적층체를 얻었다. [비교예 6] 기재로서, (C)/(D)=0.08인 폴리에틸렌 다공질 필름 대신에, 이하의 표 2에 나타내는 평균 세공 직경(C) 및 공극률(D)을 갖고, (C)/(D)=0.16인 폴리에틸렌 다공질 필름을 사용한 것 이외는, 실시예 6과 마찬가지로 하여, 폴리불화비닐리덴계 수지(PVDF-HEP 공중합체)로 구성된 다공질층이 폴리에틸렌 다공질 필름의 표면에 형성된 적층체를 얻었다. [비교예 7] 기재로서, (C)/(D)=0.08인 폴리에틸렌 다공질 필름 대신에, 이하의 표 2에 나타내는 평균 세공 직경(C) 및 공극률(D)을 갖고, (C)/(D)=0.18인 폴리에틸렌 다공질 필름을 사용한 것 이외는, 실시예 6과 마찬가지로 하여, 폴리불화비닐리덴계 수지(PVDF-HEP 공중합체)로 구성된 다공질층이 폴리에틸렌 다공질 필름의 표면에 형성된 적층체를 얻었다. [비교예 8] 20중량％ 에탄올 수용액에 카르복시메틸셀룰로오스 나트륨(CMC, 다이이찌 고교 세야꾸 가부시끼가이샤 제조: 셀로겐 3H)을 용해시켜서 얻은 CMC 용액(CMC 농도: 0.70중량％) 100중량부에 알루미나(AKP3000, 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 제조) 25중량부를 첨가하여 혼합한 도공액을 제작하였다. 이것을, 이하의 표 2에 나타내는 평균 세공 직경(C) 및 공극률(D)을 갖고, (C)/(D)=0.18인 폴리에틸렌 다공질 필름(기재)의 편면에 도공하여 건조함으로써, 알루미나와 CMC로 구성된 다공질층이 폴리에틸렌 다공질 필름의 표면에 형성된 적층체를 얻었다. [비교예 9] 기재로서, (C)/(D)=0.18인 폴리에틸렌 다공질 필름 대신에, 이하의 표 2에 나타내는 평균 세공 직경(C) 및 공극률(D)을 갖고, (C)/(D)=0.08인 폴리에틸렌 다공질 필름을 사용한 것 이외는, 비교예 8과 마찬가지로 하여, 알루미나와 CMC로 구성된 다공질층이 폴리에틸렌 다공질 필름의 표면에 형성된 적층체를 얻었다. (절연 내력 시험) 실시예 5 내지 7 및 비교예 6 내지 9에서 얻어진 적층체에 대해서, 닛본 테크나트 제조의 임펄스 절연 시험기 IMP3800K를 사용하여, 이하의 수순으로 다공질층 및 다공질 필름의 절연 내력 시험을 행하였다. (i) 상부 원기둥 전극 φ25mm, 하부 원기둥 전극 φ75mm 사이에 측정 대상인 적층체를 끼웠다. (ii) 장치 내부에 있는 콘덴서에 전하를 저류해 나감으로써, 이 내부 콘덴서에 전기적으로 접속된 상부 전극과 하부 전극 사이에 있는 상기 적층체에, 0V로부터 직선상으로 전압을 인가하였다. (iii) 절연 파괴가 발생하는, 즉 전압 강하가 검출될 때까지 전압을 인가하여, 상기 전압 강하가 검출된 전압을 절연 파괴 전압으로서 측정하였다. (iv) 적층체의 다공질층의 수지 단위 면적당 중량에 대하여 절연 파괴 전압을 플롯하여, 선형 근사한 직선의 기울기로부터 절연 내력을 산출하였다. (내전압 불량 수 판정 시험) 실시예 5 내지 7 및 비교예 6 내지 9에서 얻어진 적층체에 대해서, 각각의 적층체를 13cm×13cm의 크기로 절단하여, 기꾸스이 덴시 고교 가부시끼가이샤 제조의 내전압 시험기 TOS-9201을 사용해서 내전압 시험을 실시하였다. 상기 내전압 시험의 시험 조건은 이하와 같았다. (i) 상부 원기둥 전극 φ25mm, 하부 원기둥 전극 φ75mm 사이에 측정 대상인 적층체를 끼웠다. (ii) 상기 전극간에 있어서, 승전압 속도 40V/s로 800V까지 승전압한 후, 그 전압(800V)을 60초간 유지하였다. (iii) 동일한 적층체 내에서의 25군데에 있어서, (i), (ii)에 기재된 방법과 마찬가지의 방법으로 내전압 시험을 행하였다. (iv) 디지털 스틸 카메라를 사용하여, (iii)에 기재된 내전압 시험 후의 적층체를 사진 촬영하였다. (v) (iv)에서 촬영된 사진의 데이터를 퍼스널 컴퓨터에 도입하여, 미국 국립 위생 연구소(NIH: National Institues of Health)가 발행하는 화상 해석의 무료 소프트 IMAGEJ를 사용해서, 내전압 불량 수 판정을 행하여, 결손 개소의 개수를 산출하였다. (측정 결과) 실시예 5 내지 7 및 비교예 6 내지 9에서 얻어진 각각의 적층체에 대해서, 사용한 기재(다공질 필름)의 평균 세공 직경(C), 공극률(D) 및 평균 세공 직경(C)/공극률(D), 및 얻어진 적층체에서의 다공질층의 절연 내력(A) 및 다공질 필름의 절연 내력(B), 및 내전압 불량 수 판정 시험의 측정 결과를 통합해서 표 2에 나타내었다. 실시예 6, 7과 비교예 6, 7의 비교로부터, 마찬가지의 절연 내력을 구비하는 적층체에 있어서, (C)/(D)가 작은 쪽이, 내전압 시험에서의 결손 수의 수가 적어지고, 특히 (C)/(D)가 0.13 이하인 경우, 결손 수는 바람직한 범위인 30개 이하로 되는 것을 알았다. 실시예 5 내지 7과 비교예 7, 8의 비교로부터, 이하의 식 (1)을 만족하는 적층체는, 식 (1)을 만족하지 않는 적층체보다도 결손 수가 감소하는 것을 알았다. (A)003e#(B) … (1) 실시예 5와 실시예 6, 7의 비교로부터, (A)003e#2×(B)를 만족하는 실시예 5에서 얻어진 적층체가, (A)003e#2×(B)를 만족하지 않는 실시예 6, 7에서 얻어진 적층체보다도 결손 수가 보다 감소하는 것을 알았다. 〔발명 3에 관한 실시예〕 이하의 각 실시예, 비교예 및 참고예에서, 적층체의 흡습성, 컬 특성 등의 물성은 이하의 방법으로 측정하였다. (1) 적층체의 흡습성 ·적층체의 함수율: 적층체를 8cm×8cm 사각의 정사각형을 3매 잘라내고, 실온 하에서, 노점 20℃ 및 -30℃에서 1일 유지한 후, 미량 수분 측정 장치(가부시끼가이샤 미쯔비시 가가꾸 어널리테크 제조; CA-200, VA-230)를 사용하여, 200mL/min의 유속으로 질소 기류 하 150℃에서 가열해서 검출되는 수분량을 측정하였다. 150℃에서 가열하기 전의 적층체의 전체 중량에 대한 상기 수분량의 비율을 함수율(질량％)로서 구하였다. ·함수율 차: 노점 20℃에서의 함수율에서, 노점 -30℃에서의 함수율을 차감한 값을 함수율 차로 하였다. ·특정 노점에서의 폴리올레핀 다공막(제1 다공층)과 도공막(제2 다공층)의 함수량 차: 노점 20℃에서의 폴리올레핀 다공막 및 도공막 각각의 함수율에, 1평방미터당 폴리올레핀 또는 도공막 중량을 적산하여, 폴리올레핀 다공막 및 도공막 각각의 1평방미터당 함수량을 산출하고, 이 차의 절대값을, 폴리올레핀 다공막과 도공막의 함수량 차로 하였다. (2) 제2 다공층의 표면에서의, 0.5㎛2 이상의 구멍의 개공부 면적의 측정 주사형 전자 현미경(가부시끼가이샤 히타치 하이테크놀러지즈 제조, SU1510)을 사용하여, 제2 다공층의 표면을 2000배로 관찰하고, 그 화상을 미국 국립 위생 연구소(NIH: National Institues of Health)가 발행하는 화상 해석의 무료 소프트 IMAGEJ를 사용하여, 구멍을 검출할 수 있는 휘도로 분리하였다. 구멍 내가 모두 구멍 면적으로서 검출될 수 있도록, 구멍 내에 있는 휘도의 구멍을 매립하였다. 그 후, 측정 범위로부터, 면적이 0.5㎛2 이상인 구멍을 모두 검출하여, 그 면적의 합계를 산출하였다. 측정 범위의 총 면적으로부터 면적이 0.5㎛2 이상인 구멍이 차지하는 비율을 산출하였다. (3) 컬 측정 적층체를 8cm×8cm 사각의 정사각형으로 잘라내어, 실온 하에서, 노점 -30℃에서 하루 유지한 후, 단부가 일어난 높이를 측정하였다. 또한, 외관을 이하의 기준에서 판단하였다. 또한, C는 완전히 컬링된 상태를 나타내고, A 및 B의 상태가 바람직하고, A가 가장 바람직한 상태로 한다. ·A: 단부의 일어남이 없음. ·B: 단부의 일어남은 있지만, 단부 이외의 대부분은 일어남이 없어 평탄한 상태. ·C: 양단부가 가까워져서, 통 형상으로 말려진 상태. (실시예 8) PVDF계 수지(아르케마사 제조; 상품명 「KYNAR2801」)를, 고형분이 7질량％가 되도록, N-메틸-2-피롤리돈(이하, 「NMP」라고도 함)에, 65℃, 30분의 조건에서 교반하여 용해시켰다. 얻어진 용액을 도공액으로 하고, 폴리에틸렌의 다공막(두께 17㎛, 공극률 36％) 상에, 닥터 블레이드법에 의해, 도공액 중의 PVDF계 수지 1평방미터당 1.0g이 되도록 도포하였다. 얻어진 도포물인 적층체를, 도막이 NMP 습윤 상태인 그대로 2-프로판올 중에 침지하여, 25℃에서 5분간 정치시켜, 적층 다공질 필름(1-i)을 얻었다. 얻어진 적층 다공질 필름(1-i)을 침지 용매 습윤 상태에서, 또한 별도의 2-프로판올 중에 침지하여, 25℃에서 5분간 정치시켜 적층 다공질 필름(1-ii)을 얻었다. 얻어진 적층 다공질 필름(1-ii)을 65℃에서 5분간 건조시켜서, 도공 세퍼레이터(1)를 얻었다. 얻어진 도공 세퍼레이터(1)의 평가 결과를 표 3에 나타내었다. 또한, 도공 세퍼레이터(1)가 갖는 제2 다공층은, 직경 1㎛ 이하의 골격이 삼차원 그물눈 형상으로 연결된 구조를 갖는다. (실시예 9) 도공액 중의 PVDF계 수지 1평방미터당 양이 3.0g이 되도록 변경한 점 이외는, 실시예 8과 마찬가지의 방법으로, 도공 세퍼레이터(2)를 얻었다. 얻어진 도공 세퍼레이터(2)의 평가 결과를 표 3에 나타내었다. 또한, 도공 세퍼레이터(2)가 갖는 제2 다공층은, 직경 1㎛ 이하의 골격이 삼차원 그물눈 형상으로 연결된 구조를 갖는다. (비교예 10) 알루미나 미립자(스미또모 가가꾸사 제조; 상품명 「AKP3000」) 100중량부, 카르복시메틸셀룰로오스(다이셀 파인켐 제조; 제품 번호 1110) 3중량부의 혼합물에, 고형분이 29질량％가 되도록 물을 첨가하여, 얻어진 혼합물을 자전·공전 믹서 「아와토리 렌타로」(가부시끼가이샤 신키 제조; 등록 상표)로 실온 하에서, 2000rpm, 30초의 조건에서 2회 교반·혼합하였다. 얻어진 혼합물에 2-프로판올 14질량부를 첨가해서, 혼합하여, 고형분이 28질량％인 도공액을 얻었다. 얻어진 도공액을, 코로나 처리 20W/(m2/분)를 실시한 폴리에틸렌 다공막(두께 17㎛, 공극률 36％) 상에, 도공액 중의 알루미나 미립자와 카르복시메틸셀룰로오스와의 무게의 합이 1평방미터당 7.0g이 되도록, 닥터 블레이드법에 의해 도포하였다. 얻어진 도포물인 적층체를 65℃에서 5분간 건조시켜서, 적층 다공질 필름(3)을 얻었다. 얻어진 적층 다공질 필름(3)의 평가 결과를 표 3에 나타내었다. 또한, 적층 다공질 필름(3)이 갖는 제2 다공층은, 직경 1㎛ 이하의 골격이 삼차원 그물눈 형상으로 연결된 구조를 갖지 않는다. (비교예 11) PVDF계 수지(아르케마사 제조; 상품명 「KYNAR2801」)를, 고형분이 7질량％가 되도록, 디메틸아세트아미드/트리프로필렌글리콜=7/3[WR]의 혼합 용매에, 65℃, 30분의 조건에서 교반하여 용해시켰다. 얻어진 용액을 도공액으로 하여, 폴리에틸렌의 다공막(두께 17㎛, 공극률 36％) 상에, 닥터 블레이드법에 의해, 도공액 중의 PVDF계 수지 1평방미터당 1.0g이 되도록 도포하였다. 얻어진 도포물인 적층체를, 도막이 혼합 용매 습윤 상태 그대로 물/디메틸아세트아미드/트리프로필렌글리콜=57/30/13[WR] 중에 침지하여, 25℃에서 5분간 정치시켜, 적층 다공질 필름(2-i)을 얻었다. 얻어진 적층 다공질 필름(2-i)을 침지 용매 습윤 상태에서, 또한 별도의 2-프로판올 중에 침지하여, 25℃에서 5분간 정치시켜 적층 다공질 필름(2-ii)을 얻었다. 얻어진 적층 다공질 필름(2-ii)을 65℃에서 5분간 건조시켜서, 도공 세퍼레이터(4)를 얻었다. 얻어진 도공 세퍼레이터(4)의 평가 결과를 표 3에 나타내었다. 또한, 도공 세퍼레이터(4)가 갖는 제2 다공층은, 직경 1㎛ 이하의 골격이 삼차원 그물눈 형상으로 연결된 구조를 갖는다. (비교예 12) 적층 다공질 필름(2-ii)을 65℃에서 1시간 건조시킨 점 이외는, 비교예 11과 마찬가지의 방법으로, 도공 세퍼레이터(5)를 얻었다. 얻어진 도공 세퍼레이터(5)의 평가 결과를 표 3에 나타내었다. 또한, 도공 세퍼레이터(5)가 갖는 제2 다공층은, 직경 1㎛ 이하의 골격이 삼차원 그물눈 형상으로 연결된 구조를 갖는다. (비교예 13) PVDF계 수지(아르케마사 제조; 상품명 「KYNAR2801」)를, 고형분이 7질량％가 되도록, 아세톤(양용매)/2-프로판올(빈용매)/물=130/10/5[WR]의 혼합 용매에, 40℃, 30분의 조건에서 교반하여 용해시켰다. 얻어진 용액을 도공액으로 하여, 폴리에틸렌의 다공막(두께 17㎛, 공극률 36％) 상에, 닥터 블레이드법에 의해, 도공액 중의 PVDF계 수지 1평방미터당 1.0g이 되도록 도포하였다. 얻어진 도포물인 적층체를, 습도 40％로 조정한 박스 내에서, 25℃에서 5분간 건조시켜서 도공 세퍼레이터(6)를 얻었다. 얻어진 도공 세퍼레이터(6)의 평가 결과를 표 3에 나타내었다. (참고예 1) 실시예 8 및 9, 및 비교예 10, 11, 12 및 13에서 사용한 폴리에틸렌의 다공막의 평가 결과를 표 3에 나타내었다. 〔발명 4에 관한 실시예〕 003c#세퍼레이터의 제작003e#이하와 같이, 실시예 10 내지 13 및 비교예 14 내지 18에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를 제작하였다. (실시예 10) PVDF계 수지(아르케마사 제조; 상품명 「KYNAR2801」)를, 고형분이 7질량％가 되도록, N-메틸-2-피롤리돈(NMP)에 65℃, 30분으로 교반하여 용해시켰다. 얻어진 용액을 도공액으로 해서, 폴리에틸렌을 포함하는 다공질 기재(두께 12㎛, 공극률 0.44(44 체적％), 평균 세공 직경(C)/공극률(D)=0.08) 상에, 닥터 블레이드법에 의해, 도공액 중의 PVDF계 수지 함유량의 1평방미터당 1.0g이 되도록 도포하였다. 얻어진 도포물을, 도막이 NMP 습윤 상태 그대로 2-프로판올 중에 침지하여, 25℃에서 5분간 정치시켜, 적층 다공질 필름(1-i)을 얻었다. 얻어진 적층 다공질 필름(1-i)을 침지 용매 습윤 상태에서, 또한 별도의 2-프로판올 중에 침지하여, 25℃에서 5분간 정치시켜 적층 다공질 필름(1-ii)을 얻었다. 얻어진 적층 다공질 필름(1-ii)을 65℃에서 5분간 건조시켜서, 실시예 10에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를 얻었다. 실시예 10에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를, 농도 1.0몰/리터의 LiPF6을 에틸메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트 및 에틸렌카르보네이트의 체적비가 50:20:30인 혼합 용매에 용해시킨 25℃의 전해액에 24시간 침지시킨 후의, 상기 PVDF계 수지를 포함하는 다공층 1평방미터당 포함되는, 전해액을 흡수한 수지의 체적은 0.8cm3이었다. (실시예 11) 실시예 10의 다공질 기재 대신에, 다른 폴리에틸렌을 포함하는 다공질 기재(두께 9㎛, 공극률 0.35(35체적％), 평균 세공 직경(C)/공극률(D)=0.13)를 사용한 점 이외는, 실시예 10과 동일 조건에서 실시예 11에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를 얻었다. 실시예 11에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를, 농도 1.0몰/리터의 LiPF6을 에틸메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트 및 에틸렌카르보네이트의 체적비가 50:20:30인 혼합 용매에 용해시킨 25℃의 전해액에 24시간 침지시킨 후의, 상기 PVDF계 수지를 포함하는 다공층 1평방미터당 포함되는, 전해액을 흡수한 수지의 체적은 0.8cm3이었다. (실시예 12) PVDF계 수지(아르케마사 제조; 상품명 「KYNAR2801」) 대신에, PVDF계 수지(아르케마사 제조; 상품명 「KYNAR2500」)를 사용한 것 이외는, 실시예 10과 동일 조건에서 실시예 12에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를 얻었다. 실시예 12에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를, 농도 1.0몰/리터의 LiPF6을 에틸메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트 및 에틸렌카르보네이트의 체적비가 50:20:30인 혼합 용매에 용해시킨 25℃의 전해액에 24시간 침지시킨 후의, 상기 PVDF계 수지를 포함하는 다공층 1평방미터당 포함되는, 전해액을 흡수한 수지의 체적은 1.3cm3이었다. (실시예 13) PVDF계 수지(아르케마사 제조; 상품명 「KYNAR2801」) 대신에, PVDF계 수지(아르케마사 제조; 상품명 「KYNAR2801」)와 에틸렌-아세트산비닐 공중합체계 수지를 70:30의 비로 혼합한 수지를 사용한 것 이외는 실시예 10과 동일 조건에서 실시예 13에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를 얻었다. 실시예 13에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를, 농도 1.0몰/리터의 LiPF6을 에틸메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트 및 에틸렌카르보네이트의 체적비가 50:20:30인 혼합 용매에 용해시킨 25℃의 전해액에 24시간 침지시킨 후의, PVDF계 수지와 에틸렌-아세트산비닐 공중합체계 수지를 포함하는 다공층 1평방미터당 포함되는, 전해액을 흡수한 수지의 체적은 4.3cm3이었다. (비교예 14) 실시예 10의 다공질 기재 대신에, 다른 폴리에틸렌을 포함하는 다공질 기재(두께 16㎛, 공극률 0.39(39체적％), 평균 세공 직경(C)/공극률(D)=0.16)를 사용한 점 이외는, 실시예 10과 동일 조건에서 비교예 14에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를 얻었다. 비교예 14에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를, 농도 1.0몰/리터의 LiPF6을 에틸메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트 및 에틸렌카르보네이트의 체적비가 50:20:30인 혼합 용매에 용해시킨 25℃의 전해액에 24시간 침지시킨 후의, PVDF계 수지를 포함하는 다공층 1평방미터당 포함되는, 전해액을 흡수한 수지의 체적은 0.8cm3이었다. (비교예 15) 실시예 10의 다공질 기재 대신에, 다른 폴리에틸렌을 포함하는 다공막(두께 17㎛, 공극률 0.54(54체적％), 평균 세공 직경(C)/공극률(D)=0.18)을 사용한 점 이외는, 실시예 10과 동일 조건에서 비교예 15에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를 얻었다. 비교예 15에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를, 농도 1.0몰/리터의 LiPF6을 에틸메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트 및 에틸렌카르보네이트의 체적비가 50:20:30인 혼합 용매에 용해시킨 25℃의 전해액에 24시간 침지시킨 후의, PVDF계 수지를 포함하는 다공층 1평방미터당 포함되는, 전해액을 흡수한 수지의 체적은 0.8cm3이었다. (비교예 16) PVDF계 수지(아르케마사 제조; 상품명 「KYNAR2801」) 대신에, PVDF계 수지(아르케마사 제조; 상품명 「KYNAR2801」)와 에틸렌-아세트산비닐 공중합체계 수지를 55:45의 비로 혼합한 수지를 사용한 것 이외는, 실시예 10과 동일 조건에서 비교예 16에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를 얻었다. 비교예 16에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를, 농도 1.0몰/리터의 LiPF6을 에틸메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트 및 에틸렌카르보네이트의 체적비가 50:20:30인 혼합 용매에 용해시킨 25℃의 전해액에 24시간 침지시킨 후의, PVDF계 수지와 에틸렌-아세트산비닐 공중합체계 수지를 포함하는 다공층 1평방미터당 포함되는, 전해액을 흡수한 수지의 체적은 6cm3이었다. (비교예 17) PVDF계 수지(아르케마사 제조; 상품명 「KYNAR2801」) 대신에, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체계 수지를 사용한 것 이외는 실시예 10과 동일 조건에서 비교예 17에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를 얻었다. 비교예 17에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를, 농도 1.0몰/리터의 LiPF6을 에틸메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트 및 에틸렌카르보네이트의 체적비가 50:20:30인 혼합 용매에 용해시킨 25℃의 전해액에 24시간 침지시킨 후의, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체계 수지를 포함하는 다공층 1평방미터당 포함되는, 전해액을 흡수한 수지의 체적은 12cm3이었다. (비교예 18) PVDF계 수지(아르케마사 제조; 상품명 「KYNAR2801」)의 고형분 농도를 0.3질량％가 되도록 한 것 이외는 실시예 10과 동일 조건에서 비교예 18에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를 얻었다. 비교예 18에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를, 농도 1.0몰/리터의 LiPF6을 에틸메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트 및 에틸렌카르보네이트의 체적비가 50:20:30인 혼합 용매에 용해시킨 25℃의 전해액에 24시간 침지시킨 후의, PVDF계 수지를 포함하는 다공층 1평방미터당 포함되는, 전해액을 흡수한 수지의 체적은 0.03cm3이었다. 003c#비수 전해액 이차 전지의 제작003e#이어서, 상기와 같이 해서 제작한 실시예 10 내지 13 및 비교예 14 내지 18의 비수 이차 전지용 세퍼레이터 각각을 사용해서 비수 이차 전지를 이하에 따라서 제작하였다. (정극) LiNi0.5Mn0.3Co0.2O2/도전재/PVDF(중량비 92/5/3)를 알루미늄 박에 도포함으로써 제조된, 시판하고 있는 정극을 사용하였다. 상기 정극을, 정극 활물질층이 형성된 부분의 크기가 40mm×35mm이며, 또한 그 외주에 폭 13mm로 정극 활물질층이 형성되어 있지 않은 부분이 남도록 알루미늄 박을 잘라내서, 정극으로 하였다. 정극 활물질층의 두께는 58㎛, 밀도는 2.50g/cm3이었다. (부극) 흑연/스티렌-1,3-부타디엔 공중합체/카르복시메틸셀룰로오스나트륨(중량비 98/1/1)을 구리박에 도포함으로써 제조된, 시판하고 있는 부극을 사용하였다. 상기 부극을, 부극 활물질층이 형성된 부분의 크기가 50mm×40mm이며, 또한 그 외주에 폭 13mm로 부극 활물질층이 형성되어 있지 않은 부분이 남도록 구리박을 잘라내서, 부극으로 하였다. 부극 활물질층의 두께는 49㎛, 밀도는 1.40g/cm3이었다. (조립) 라미네이트 파우치 내에서, 상기 정극, 비수 이차 전지용 세퍼레이터 및 부극을 이 순서대로 적층(배치)함으로써, 비수 전해액 이차 전지용 부재를 얻었다. 이때, 정극의 정극 활물질층에서의 주면 전부가, 부극의 부극 활물질층에서의 주면 범위에 포함되도록(주면에 겹치도록), 정극 및 부극을 배치하였다. 계속해서, 상기 비수 전해액 이차 전지용 부재를, 알루미늄층과 히트 시일층이 적층되어 이루어지는 주머니에 넣고, 또한 이 주머니에 비수 전해액을 0.25mL 넣었다. 상기 비수 전해액은, 농도 1.0몰/리터의 LiPF6을 에틸메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트 및 에틸렌카르보네이트의 체적비가 50:20:30인 혼합 용매에 용해시킨 25℃의 전해액을 사용하였다. 그리고, 주머니 내를 감압하면서, 당해 주머니를 히트 시일함으로써 비수 이차 전지를 제작하였다. 비교예 18을 제외한 비수 이차 전지용 세퍼레이터에 대해서는 상기 방법에 의해 비수 이차 전지를 제작할 수 있었지만, 비교예 18에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터에 대해서는, 전극과 밀착되지 않아, 비수 이차 전지를 제작할 수 없었다. 이와 같이, 전해액 침지 후의 다공층 1평방미터당 포함되는, 전해액을 흡수한 수지의 체적이 0.05cm3 미만인 비교예 18에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터에서는, 전극과의 밀착성을 확보할 수 없음이 확인되었다. 한편, 비교예 18을 제외한 실시예 10 내지 13 및 비교예 14 내지 17에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터에서는, 전해액 침지 후의 다공층 1평방미터당 포함되는, 전해액을 흡수한 수지의 체적이 0.05cm3 이상이며, 전극과의 밀착성을 확보할 수 있음이 확인되었다. 003c#사이클 시험003e#충방전 사이클을 거치지 않은 새로운 비수 이차 전지에 대하여, 25℃에서 전압 범위; 4.1 내지 2.7V, 전류값; 0.2C(1시간율의 방전 용량에 의한 정격 용량을 1시간 동안 방전하는 전류값을 1C로 함, 이하도 마찬가지임)을 1 사이클로 하여, 4 사이클의 초기 충방전을 행하였다. 계속해서, 55℃에서 다음 식 초기 전지 특성 유지율(％)=(20C 방전 용량/0.2C 방전 용량)×100 에 따라, 초기 전지 특성 유지율을 산출하였다. 계속해서, 55℃에서 충전 상태 50％로부터, 충전 전류값; 1.0C, 방전 전류값; 10C의 정전류로, 충방전 용량이 4mAh가 되도록 충방전을 행하는 것을 1 사이클로 하여, 100 사이클의 충방전을 행하였다. 그리고, 다음의 식 전지 특성 유지율(％)=(100 사이클째의 20C 방전 용량/100 사이클째의 0.2C 방전 용량)×100 에 따라, 100 사이클 후의 전지 특성 유지율을 산출하였다. 표 4에 결과를 나타낸다. 표 4에 나타낸 바와 같이, 전해액 침지 후의 다공층 1평방미터당 포함되는, 전해액을 흡수한 수지의 체적이 5.00cm3를 초과하는 비교예 16, 17에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를 사용한 비수 이차 전지에 대해서는, 초기 전지 특성 유지율이 60％ 미만, 100 사이클 후의 전지 특성 유지율이 40％ 이하로 낮은 것이 확인되었다. 또한, 다공질 기판에서의 평균 세공 직경(D)/공극률(C)이 0.13을 초과하는 비교예 14, 15에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를 사용한 비수 이차 전지에 대해서는, 초기 전지 특성 유지율이 37％ 미만, 100 사이클 후의 전지 특성 유지율이 31％ 이하로 더 낮은 것이 확인되었다. 이에 반해, 전해액 침지 후의 다공층 1평방미터당 포함되는, 전해액을 흡수한 수지의 체적이 0.05 내지 5.00cm3이며, 또한 다공질 기판에서의 평균 세공 직경(D)/공극률(C)이 0.13 이하인 실시예 10 내지 13에 관한 비수 이차 전지용 세퍼레이터를 사용한 비수 이차 전지에 대해서는, 초기 전지 특성 유지율이 60％ 이상이며, 100 사이클 후의 전지 특성 유지율도 50％ 이상으로, 사이클 특성의 저하를 억제할 수 있음이 확인되었다. [ 산업상 이용가능성 ] 〔발명 1〕 본 발명은 적층체 및 적층체를 포함하는 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터는, 비수 전해액 이차 전지 조립 시의 전해액에 대한 주액성이 개선되어, 전해액을 전지 내에 주액하는 공정의 시간이 단축된다. 그로 인해, 본 발명에 따른 비수 전해액 이차 전지용 세퍼레이터는, 전지의 조립에 필요한 시간이 짧아, 생산성이 우수한 비수 전해액 이차 전지의 제조에 사용할 수 있다. 〔발명 2〕 본 발명에 따른 다공질층 및 다공질층을 적층하여 이루어지는 적층체는, 비수 전해액 이차 전지의 제조 분야에 있어서 광범위하게 이용할 수 있다. 〔발명 3〕 본 발명은 비수 전해액 이차 전지의 제조 분야에 있어서 광범위하게 이용할 수 있다. 〔발명 4〕 본 발명은 비수 이차 전지의 제조 분야에 있어서 광범위하게 이용할 수 있다. [ 부호의 설명 ] 1 : 수지를 포함하는 다공질층 2 : 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공질 필름 3 : 피펫 4 : 전해액 5 : 다공질층 6 : 다공질 필름 7 : 양면 테이프 8 : 유리판	본 발명에 따른 적층체는, 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공질 필름 중 적어도 한쪽 면에, 수지를 포함하는 다공질층을 적층시킨 적층체로서, 상기 다공질층의 최표면의 임계 표면 장력(A)과, 상기 적층체를 상기 다공질 필름과 상기 다공질층과의 계면에서 박리시킨 경우의, 다공질 필름의 계면측 임계 표면 장력(B)과의 관계가 0≤(A)-(B)≤20mN/m로 나타내어진다(발명 1). 본 발명의 적층체는, 더 높은 절연 내력을 갖는 이차 전지의 세퍼레이터로서 사용할 수 있는, 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공질 필름과, 수지를 포함하는 다공질층을 구비하고, (A) 다공질층의 단위 면적당 포함되는 수지의 양의 증가량에 대한 절연 내력의 상승량과, (B) 다공질 필름의 단위 면적당 포함되는 폴리올레핀의 양의 증가량에 대한 절연 내력의 상승량과의 관계가 (A)003e#(B)로 나타내어진다(발명 2). 컬의 발생이 억제된 적층체 및 그 이용 기술을 제공한다. 본 발명은 세퍼레이터를 구성하는 적층체에 있어서, 2점의 노점(20℃, -30℃)에서의 함수율의 차가 1000ppm 이하이고, 제2 다공층의 표면에서의, 0.5㎛2 이상의 구멍의 개공부의 면적이 30％ 이하임으로써, 적층체의 컬의 발생을 억제할 수 있다(발명 3). 정극 및 부극 사이에 배치되는 비수 이차 전지용 세퍼레이터는, 폴리올레핀을 주성분으로 하는 다공질 기재와, 다공질 기재 중 적어도 한쪽 면에 적층된 폴리불화비닐리덴계 수지를 포함하는 다공층을 구비한다. 폴리올레핀계 다공질 기재의 평균 세공 직경(C)(㎛)과 공극률(D)과의 관계가 (C)/(D)≤0.13을 만족하고, 다공층은, 농도 1.0몰/리터의 LiPF6을 에틸메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트 및 에틸렌카르보네이트의 체적비가 50:20:30인 혼합 용매에 용해시킨 25℃의 전해액에 24시간 침지시킨 후의, 다공층 1평방미터당 포함되는, 상기 전해액을 흡수한 수지의 체적이 0.05 내지 5.00cm3이다(발명 4).
[ 발명의 명칭 ] 가교체와 그의 제조 방법 및 용도, 및 에틸렌계 공중합체CROSSLINKED PRODUCT, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND THE USE THEREOF, AND ETHYLENE COPOLYMER [ 기술분야 ] 본 발명은, 가교체의 제조 방법, 가교체, 그의 용도, 에틸렌계 공중합체, 및 에틸렌계 공중합체 조성물에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 에틸렌·α-올레핀 공중합체는, 종래부터 여러 가지 용도에 이용되고 있다.예를 들어, 용융 성형 후 가교되어 얻어진 가교체는, 전기 케이블 피복이나 벽지 등에 사용되는 것이 알려져 있다(특허문헌 1, 2 참조).또한, 에틸렌·α-올레핀 공중합체를 이용한 가교 발포체는, 기계적 강도가 높고, 경량이면서 유연하기 때문에, 건축용 외장재, 내장재, 도어 글라스 런 등의 자동차 부품, 포장 재료, 일용품 등에 이용되는 것 외에, 신발 또는 신발용 부품, 예를 들어 스포츠화 등의 구두창(주로 미드솔)에도 사용이 시도되고 있다. 그 중에서도 신발 또는 신발용 부품에는, 경량이고, 내구성이 우수하다고 하는 조건이 요구되고, 특허문헌 3에는, 저비중이고 압축 영구 변형이 작은 에틸렌·α-올레핀 공중합체와 그의 가교 성형체 및 신발용 부품이 제안되어 있다. 또한, 특허문헌 4에는, 압축 영구 변형이 개선된 에틸렌/α-올레핀 공중합체 조성물의 가교 성형체가 개시되어 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특허공개 평6-87990호 공보일본 특허공개 2013-204211호 공보일본 특허공개 2008-308619호 공보국제 공개 2013-039850호 팜플렛 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명자들의 검토에 의하면, 종래의 에틸렌계 공중합체를 용융 성형하고 가교하는 경우에, 성형성의 점이 문제가 되어, 그 때문에 성형품의 외관이 나빠지는 경우가 있었다. 또한 성형성을 높이려고 하여, 예를 들어 분자량 분포를 넓히려고 하면, 그의 물성이 뒤떨어지는 경우가 있었다. 또한 특허문헌 4에 개시되는 에틸렌/α-올레핀 공중합체와 같이, 바이닐기의 함유량이 적은 에틸렌계 공중합체의 조성물로부터 얻어지는 가교 성형체는 인장 강도나 인열 강도 등의 물성이 요구를 만족하지 않는 경우가 있었다.종래, 이들 가교 성형체용의 재료를 이용하여 신발 또는 의류용 부품을 제조하는 경우에 있어서는, 주로 가교제나 발포제를 포함하는 조성물을 성형하여 발포성 시트를 제조하고, 당해 시트를 재단하고 금형에 삽입하여, 일차 발포체를 얻고, 필요에 따라 추가로 압축 성형에 의해 소정의 형상의 부여를 행하는 방법을 이용하여 행해져 왔다.한편, 비용 절감의 관점에서는, 사출 성형, 트랜스퍼 성형 등으로 제조할 수 있는 것이 바람직하다. 특히 바람직하게는 사출 성형 또는 트랜스퍼 성형으로 제조할 수 있는 것이, 생산 인원이나 공정을 삭감할 수 있기 때문에 바람직하다. 그러나 본 발명자들의 검토에 의하면, 단순히 에틸렌·α-올레핀 공중합체를 포함하는 조성물로부터 예를 들어 사출 성형으로 가교 발포시킨 경우에는, 얻어진 복수의 성형체 사이에서, 성형체의 치수의 격차가 있다는 것을 알게 되었다.본 발명이 해결하려고 하는 과제는, 에틸렌·α-올레핀 공중합체를 이용하여, 성형성이 우수하고 가교 후의 물성과 외관도 우수한 가교체를 제조하는 방법을 제공하는 것, 및 성형성이 우수함과 함께 우수한 물성의 가교체를 가져오는 에틸렌·α-올레핀 공중합체를 제공하는 것에 있다. 또한 본 발명이 해결하려고 하는 다른 과제는, 사출 성형, 트랜스퍼 성형 등의 성형 공정을 거쳐 가교 발포체를 제조함에 있어서, 성형체의 치수의 격차가 작고, 또한 기계 강도가 충분한 발포체를 얻는 것, 및 당해 발포체를 가져오는 에틸렌·α-올레핀 공중합체를 제공하는 것에 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명은, 이하의 〔1〕∼〔14〕에 관한 것이다. 〔1〕 에틸렌 유래의 구성 단위와 탄소수 3∼20의 α-올레핀 유래의 구성 단위를 갖는 공중합체로서, 하기 (1), (2) 및 (3)의 요건을 모두 만족하는 에틸렌계 공중합체(A), 또는 해당 에틸렌계 공중합체(A)를 포함하는 수지 조성물을 용융 성형하는 공정과, 가교시키는 공정을 포함하는 가교체의 제조 방법; (1) 1H-NMR에 의해 구해지는 탄소수 1000개당 바이닐기 함유량이 0.06개 이상 1개 이하이다.(2) MFR10/MFR2.16이 8.5 이상 50 이하이다.(3) 밀도 d가 850kg/m3 이상 920kg/m3 이하이다.(단, MFR10은, ASTM D1238의 방법에 의해, 10kg 하중, 190℃에서 측정한 멜트 플로 레이트(g/10분)를, MFR2.16은, ASTM D1238의 방법에 의해, 2.16kg 하중, 190℃에서 측정한 멜트 플로 레이트(g/10분)를 각각 나타낸다.)〔2〕 상기 에틸렌계 공중합체(A)가, 하기 요건(4)를 추가로 만족하는 것을 특징으로 하는 상기 〔1〕에 기재된 가교체의 제조 방법; (4) MFR2.16이 0.01∼200g/10분의 범위에 있다.〔3〕 상기 에틸렌계 공중합체(A)가, 에틸렌과 α-올레핀만을 단량체로서 이용하여 얻어지는 에틸렌계 공중합체(A1)인 것을 특징으로 하는 상기 〔1〕 또는 〔2〕에 기재된 가교체의 제조 방법. 〔4〕 발포시키는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 〔1〕∼〔3〕 중 어느 하나에 기재된 가교체의 제조 방법.〔5〕 상기의 용융 성형하는 공정이, 사출 성형 또는 트랜스퍼 성형에 의하는 것이고, 또한 발포시키는 공정을 추가로 포함하는, 상기 〔1〕∼〔3〕 중 어느 하나에 기재된 가교체의 제조 방법.〔6〕 상기 〔1〕∼〔5〕 중 어느 하나에 기재된 가교체의 제조 방법으로 얻어지는 가교체.〔7〕 폴리올레핀, 폴리유레테인, 고무, 피혁 및 인공 피혁으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 소재로 이루어지는 층과, 상기 〔6〕에 기재된 가교체가 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 적층 성형체.〔8〕 신발용 부품인 것을 특징으로 하는 상기 〔7〕에 기재된 적층 성형체.〔9〕 신발용 부품이, 미드솔, 이너솔, 또는 솔인 것을 특징으로 하는 상기 〔8〕에 기재된 적층 성형체.〔10〕 에틸렌 유래의 구성 단위와 탄소수 3∼20의 α-올레핀 유래의 구성 단위를 갖는 공중합체로서, 하기 (1), (2) 및 (3)의 요건을 모두 만족하는 것을 특징으로 하는 에틸렌계 공중합체(A); (1) 1H-NMR에 의해 구해지는 탄소수 1000개당 바이닐기 함유량이 0.06개 이상 1개 이하이다.(2) MFR10/MFR2.16이 8.5 이상 50 이하이다.(3) 밀도 d가 850kg/m3 이상 920kg/m3 이하이다.(단, MFR10은, ASTM D1238의 방법에 의해, 10kg 하중, 190℃에서 측정한 멜트 플로 레이트(g/10분)를, MFR2.16은, ASTM D1238의 방법에 의해, 2.16kg 하중, 190℃에서 측정한 멜트 플로 레이트(g/10분)를 각각 나타낸다.)〔11〕하기 요건(4)를 추가로 만족하는 것을 특징으로 하는 상기 〔10〕에 기재된 에틸렌계 공중합체(A); (4) MFR2.16이 0.01∼200g/10분의 범위에 있다.〔12〕 에틸렌과 α-올레핀만을 단량체로서 이용하여 얻어지는 에틸렌계 공중합체(A1)인 것을 특징으로 하는 상기 〔10〕 또는 〔11〕에 기재된 에틸렌계 공중합체(A).〔13〕 상기 〔10〕∼〔12〕 중 어느 하나에 기재된 에틸렌계 공중합체(A)와, 가교제(C)를 포함하는 에틸렌계 공중합체 조성물.〔14〕 발포제(D)를 추가로 포함하는 상기 〔13〕에 기재된 에틸렌계 공중합체 조성물. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 가교체의 제조 방법에 의하면, 성형성 좋고, 기계 강도가 우수한 가교체를 얻을 수 있다.더욱이, 생산성이 우수한 방법으로, 경량이고 기계 강도가 우수한 발포체를 얻을 수 있고, 또한, 개체간에서의 치수의 격차가 작은 가교 성형체를 제공할 수 있다.본 발명의 가교체는, 외관 및 기계적 강도가 우수하다.본 발명의 가교 발포체는, 기계 강도가 우수함과 함께, 경량이면서 유연하고, 내구성도 우수하다. 이 때문에 본 발명의 가교 발포체 및 그것을 이용한 적층 성형체는, 신발용 부품으로서 적합하게 이용된다.또한, 본 발명의 에틸렌계 공중합체(A)는, 상기 가교체 또는 가교 발포체의 제조에 적합하게 이용되고, 가교 특성이 우수하고, 가교체의 구조에 이용한 경우에는 성형성이 우수하며, 또한 가교 발포체의 제조에 이용한 경우에는 얻어지는 발포체의 치수의 안정성 등이 양호하고 생산성이 우수하며, 얻어지는 가교체 또는 가교 발포체가 우수한 기계 강도를 나타내는 것이 된다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명에 대해 구체적으로 설명한다.＜가교체의 제조 방법＞본 명세서에 있어서 특별히 예고가 없는 한, 가교체에는 비발포의 가교체와 발포된 가교 발포체의 어느 것도 포함된다. 본 발명의 가교체의 제조에는, 에틸렌계 공중합체(A)가 필수 성분으로서 이용되면 되고, 에틸렌계 공중합체(A)를 단독으로 이용해도 되며, 에틸렌계 공중합체(A)를 포함하는 수지 조성물을 이용해도 된다. 수지 조성물에는, 에틸렌계 공중합체(A)에 더하여, 필요에 따라서 그 밖의 수지 성분(B), 가교제(C), 발포제(D), 및 그 밖의 첨가제 등의 임의 성분이 이용된다.에틸렌계 공중합체(A)본 발명에 따른 에틸렌계 공중합체(A)는, 에틸렌 유래의 구성 단위와 탄소수 3∼20의 α-올레핀 유래의 구성 단위를 갖는 공중합체로서, 하기 (1), (2) 및 (3)의 요건을 모두 만족한다. 또한 본 발명에 따른 에틸렌계 공중합체(A)는 하기 (1), (2), (3)의 요건에 더하여, 하기 (4)의 요건을 만족하는 것이 바람직하다.(1) 1H-NMR에 의해 구해지는 탄소수 1000개당 바이닐기 함유량이 0.06개 이상 1개 이하이다.(2) MFR10/MFR2.16이 8.5 이상 50 이하이다.(3) 밀도 d가 850kg/m3 이상 920kg/m3 이하이다.(4) MFR2.16이 0.01∼200g/10분의 범위에 있다.한편 본 발명에 있어서, MFR10은, ASTM D1238의 방법에 의해, 10kg 하중, 190℃에서 측정한 멜트 플로 레이트(g/10분)를, MFR2.16은, ASTM D1238의 방법에 의해, 2.16kg 하중, 190℃에서 측정한 멜트 플로 레이트(g/10분)를 각각 나타낸다.본 발명에 따른 에틸렌계 공중합체(A)는, 에틸렌 유래의 구성 단위와 탄소수 3∼20의 α-올레핀 유래의 구성 단위를 갖는다. 본 발명의 에틸렌계 공중합체(A)는, 에틸렌 유래의 구성 단위와 탄소수 3∼20의 α-올레핀 유래의 구성 단위를 갖고 있으면 특별히 제한은 없고, 에틸렌과 탄소수 3∼20의 α-올레핀만으로 이루어지는 공중합체여도 되고, 또한, 에틸렌 및 α-올레핀 이외에서 유래하는 구성 단위를 갖고 있어도 된다.탄소수 3∼20의 α-올레핀으로서는, 예를 들어, 프로필렌, 1-뷰텐, 1-펜텐, 3-메틸-1-뷰텐, 4-메틸-1-펜텐, 1-헥센, 1-옥텐, 1-데센, 1-도데센, 1-테트라데센 등을 들 수 있다. 탄소수 3∼20의 α-올레핀은, 바람직하게는 탄소수 3∼10의 α-올레핀이다. 공중합 성분인 탄소수 3∼20의 α-올레핀은, 1종 단독이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.또한 본 발명에 따른 에틸렌계 공중합체(A)는, 바이닐기를 갖는 비공액 다이엔 유래의 구성 단위를 갖고 있어도 된다. 비공액 다이엔으로서는, 예를 들어 바이닐노보넨 등을 들 수 있다. 본 발명에 있어서는, 에틸렌계 공중합체(A)가 에틸렌 유래의 구성 단위와 탄소수 3∼20의 α-올레핀 유래의 구성 단위만으로 이루어지는 것이, 중합체를 간편하게 제조할 수 있고, 또한 중합체의 겔이 보다 적다는 등의 점에서 바람직하다.본 발명에 따른 에틸렌계 공중합체(A)에 있어서, 에틸렌 유래의 구성 단위와 탄소수 3∼20의 α-올레핀 유래의 구성 단위의 비율은, 요건(3)에 나타내는 밀도 범위를 만족하도록 적절히 선택하면 된다. 통상은 에틸렌 유래의 구성 단위와 α-올레핀 유래의 구성 단위의 합계를 100몰%로 한 경우에, 에틸렌 유래의 구성 단위가 50∼95몰%이다. 에틸렌 유래의 구성 단위량의 하한은 60몰%가 바람직하고, 75몰%가 보다 바람직하고, 80몰%가 더 바람직하다.· 바이닐기 함유량본 발명에 따른 에틸렌계 공중합체(A)는, 1H-NMR에 의해 구해지는 탄소수 1000개당 바이닐기 함유량이 0.06개 이상 1개 이하이다. (요건(1))본 발명에 따른 에틸렌계 공중합체(A)의 탄소수 1000개당 바이닐기 함량의 하한치는, 통상 0.06개, 바람직하게는 0.07개, 보다 바람직하게는 0.08개, 또한 더 바람직하게는 0.09개이다. 또한, 본 발명에 따른 에틸렌계 공중합체(A)의 탄소수 1000개당 바이닐기 함량의 상한치는 1개이고, 바람직하게는 0.50개이며, 보다 바람직하게는 0.25개이다. 바이닐기 함량이 상기 범위에 있는 것은, 얻어지는 성형체의 기계적 강도가 향상된다는 점에서 바람직하다. 본 발명의 에틸렌계 중합체(A)의 바이닐기 함량이 많은 것에 의해, 얻어지는 성형체의 기계적 강도가 우수하다는 것에 대해서는, 가교체의 제조의 항에서도 상술한다. 한편, 바이닐기 함유량 및 후술하는 바이닐리덴기 함유량의 구체적인 측정 방법은, 후술하는 실시예의 측정 방법에서 상술한다.· 바이닐리덴기 함유량본 발명에 따른 에틸렌계 공중합체(A)는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 1H-NMR에 의해 구해지는 탄소수 1000개당 바이닐리덴기 함유량이, 통상, 0.05개 이상 1.00개 이하이다. 에틸렌계 공중합체(A)의 탄소수 1000개당 바이닐리덴기 함유량의 하한치는, 통상 0.05개, 바람직하게는 0.06개, 보다 바람직하게는 0.07개이며, 또한 상한치는 통상 1.00개, 바람직하게는 0.50개, 보다 바람직하게는 0.35개이다.· MFR10/MFR2.16본 발명에 따른 에틸렌계 공중합체(A)는, MFR10/MFR2.16이 8.5 이상 50 이하이다. (요건(2))본 발명에 따른 에틸렌계 공중합체(A)의 MFR10/MFR2.16은, 통상 8.5 이상, 바람직하게는 8.5를 초과하는 값이며, 보다 바람직하게는 8.6 이상, 더 바람직하게는 8.7 이상이다. 또한 에틸렌계 공중합체(A)의 MFR10/MFR2.16의 상한치는, 통상 50, 바람직하게는 25, 보다 바람직하게는 13, 더 바람직하게는 12이다.여기에서 MFR10은, 10kg 하중, 190℃에서 측정한 멜트 플로 레이트(g/10분)를, MFR2.16은, 2.16kg 하중, 190℃에서 측정한 멜트 플로 레이트(g/10분)를 각각 나타내는 것이며, MFR10/MFR2.16은 공중합체의 장쇄 분기의 정도의 지표 중 하나가 된다고 생각되고 있는 값이다.에틸렌계 공중합체의 MFR10/MFR2.16값이 8.5 미만이면, 예를 들어, 에틸렌계 공중합체를, 발포제나 가교제 등의 성분과 함께 조성물로 하여, 사출 성형 및 발포를 행하여 가교 발포체를 제조하는 경우에, 얻어지는 가교 발포체의 형상의 정밀도가 낮은 것이 되어, 가교 발포체의 치수에 격차가 발생하는 경우가 있다. 또한 에틸렌계 공중합체의 MFR10/MFR2.16값이 50을 초과하여 지나치게 큰 경우에는, 치수의 격차의 정도는 약간 개선되지만, 얻어지는 발포 성형체의 강도 등의 물성이 저하되는 경우가 있기 때문에 바람직하지 않다.· 밀도본 발명에 따른 에틸렌계 공중합체(A)는, 그 밀도 d가 850kg/m3 이상 920kg/m3 이하이다. (요건(3))본 발명에 따른 에틸렌계 공중합체(A)의 밀도 d는, 통상 850∼920kg/m3, 바람직하게는 850∼910kg/m3, 보다 바람직하게는 855∼910kg/m3, 더 바람직하게는 857∼905kg/m3의 범위인 것이 바람직하다.밀도 d가 이와 같은 범위를 만족하는 경우에는, 유연성과 강도의 균형이 우수한 가교체 또는 가교 발포체가 얻어지기 쉽기 때문에 바람직하다.한편, 본 발명에 있어서 밀도 d는, ASTM D1505에 의해 23℃에서 측정한 값이다.· MFR(멜트 플로 레이트)본 발명에 따른 에틸렌계 공중합체(A)는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, MFR2.16(2.16kg 하중, 190℃에서 측정한 멜트 플로 레이트)이, 0.01∼200g/10분의 범위에 있는 것이 바람직하다. (요건(4))본 발명에 따른 에틸렌계 공중합체(A)에 있어서는, 바람직하게는 이 범위 내 에 있어서, 용도에 따른 MFR을 적절히 선택할 수 있다. 본 발명에 따른 에틸렌계 공중합체(A)의 MFR2.16은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 0.01∼200g/10분, 보다 바람직하게는 0.1∼100g/10분, 더 바람직하게는 0.1∼40g/10분, 또한 더 바람직하게는 0.1∼25g/10분, 특히 바람직하게는 0.1∼10g/10분의 범위인 것이 바람직하다. 또한 에틸렌계 공중합체(A)의 MFR2.16은, 2.0 이상인 것도 바람직하다. 에틸렌계 공중합체(A)의 분자량이 클수록 MFR2.16은 작아진다. 분자량의 조절 방법에 대해서는 「에틸렌계 공중합체(A)의 제조」의 항에서 기술한다. MFR2.16이 상기 상한치 이하인 것은, 얻어지는 성형체의 강도가 향상된다는 점에서 바람직하고, MFR2.16이 상기 하한치 이상인 것은, 에틸렌계 중합체(A)의 용융 성형 시의 유동성이 향상된다는 점에서 바람직하다.· Mw/Mn본 발명에 따른 에틸렌계 공중합체(A)는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)에 의한 측정치로부터 구해지는 중량 평균 분자량 Mw와 수 평균 분자량 Mn의 비로서 산출되는 분자량 분포(Mw/Mn)가, 바람직하게는 1.5∼3.5, 보다 바람직하게는 1.5∼3.0이다. Mw/Mn은, 올레핀 중합용 촉매의 항에서 기술한 대로 중합용 촉매를 적절히 선택함으로써 상기 범위 내로 할 수 있다. 또한, 상기 범위 내에 있는 것은, 용융 성형성 및 얻어지는 성형체의 강도가 향상된다는 점에서 바람직하다.에틸렌계 공중합체(A)의 제조본 발명에 따른 에틸렌계 공중합체(A)는, 전술한 요건(1), (2) 및 (3)을 만족하는 것이면 되고, 그 제조 방법을 특별히 한정하는 것은 아니지만, 예를 들어, 올레핀 중합용 촉매의 존재하에, 에틸렌과, 탄소수 3∼20의 α-올레핀의 적어도 1종을 공중합시키는 것에 의해 적합하게 제조할 수 있다.· 올레핀 중합용 촉매본 발명의 에틸렌계 공중합체(A)는, 전술한 특성을 갖는 것이고, 그 제조 방법은 전혀 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 하기 촉매 성분〔A〕 및 〔B〕로 이루어지는 올레핀 중합용 촉매의 존재하에, 에틸렌과, 탄소수 3∼20의 α-올레핀으로부터 선택되는 1종 이상을 공중합하는 것에 의해 제조할 수 있다.〔A〕 하기 화학식[I]로 표시되는 가교형 메탈로센 화합물.(식[I] 중, M은 전이 금속을 나타내고, p는 전이 금속의 원자가를 나타내고, X는 동일해도 상이해도 되고, 각각은 수소 원자, 할로젠 원자 또는 탄화수소기를 나타내며, R1 및 R2는 동일해도 상이해도 되는 M에 배위한 π 전자 공액 배위자를 나타내고, Q는 R1과 R2를 가교하는 2가의 기를 나타낸다.)〔B〕 (b-1) 유기 알루미늄 옥시 화합물, (b-2) 상기 메탈로센 화합물〔A〕와 반응하여 이온쌍을 형성하는 화합물, 및(b-3) 유기 알루미늄 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물.공중합은, 예를 들어, 이와 같은 올레핀 중합용 촉매의 존재하에, 에틸렌 및 α-올레핀으로부터 선택되는 1종 이상의 모노머를 0∼200℃의 온도에서 용매의 공존하에서 용액 중합하는 것에 의해 행할 수 있다.그렇지만 본 발명에 관련되는 에틸렌계 공중합체(A)는, 전술한 특성을 만족하는 한 상기 제조 방법에는 전혀 한정되는 것은 아니고, 예를 들어, 공중합에 있어서 상기 식[I]과는 상이한 구조의 메탈로센 화합물을 사용해도 되고, 상기 촉매 성분〔B〕 이외의 조촉매를 사용해도 되며, 공지된 2종류 이상의 에틸렌계 공중합체를 이용하여, 반응기 블렌딩이나 물리 블렌딩 등의 수법에 의해 조제해도 된다.이하, 촉매 성분〔A〕 및 〔B〕를 포함하는 올레핀 중합용 촉매의 존재하에, 에틸렌과, 탄소수 3∼20의 α-올레핀으로부터 선택되는 1종 이상을 공중합하는, 에틸렌계 공중합체(A)를 제조하는 전술한 방법에 대해 더 설명한다.촉매 성분〔A〕촉매 성분〔A〕는, 상기 식[I]로 표시되는 가교형 메탈로센 화합물이다. 상기 식[I] 중, M으로 표시되는 전이 금속으로서는, 예를 들어, Zr, Ti, Hf, V, Nb, Ta 및 Cr을 들 수 있고, 바람직한 전이 금속은 Zr, Ti 또는 Hf이며, 더 바람직한 전이 금속은 Zr 또는 Hf이다.화학식[I] 중, R1 및 R2로 표시되는 π 전자 공액 배위자로서는, η-사이클로펜타다이엔일 구조, η-벤젠 구조, η-사이클로헵타트라이엔일 구조, 및 η-사이클로옥타테트라엔 구조를 갖는 배위자를 들 수 있고, 특히 바람직한 배위자는 η-사이클로펜타다이엔일 구조를 갖는 배위자이다. η-사이클로펜타다이엔일 구조를 갖는 배위자로서, 예를 들어, 사이클로펜타다이엔일기, 인덴일기, 수소화 인덴일기, 플루오렌일기 등을 들 수 있다. 이들 기는, 할로젠 원자, 알킬, 아릴, 아르알킬, 알콕시, 아릴옥시 등의 탄화수소기, 트라이알킬실릴기 등의 탄화수소기 함유 실릴기, 쇄상 또는 환상 알킬렌기 등으로 더 치환되어 있어도 된다.화학식[I] 중, Q로 표시되는 R1과 R2를 가교하는 기는, 2가의 기이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌기, 비치환 또는 치환 사이클로알킬렌기, 알킬리덴기, 비치환 또는 치환 사이클로알킬리덴기, 비치환 또는 치환 페닐렌기, 실릴렌기, 다이알킬 치환 실릴렌기, 저밀기, 다이알킬 치환 저밀기 등을 들 수 있다.촉매 성분〔A〕로서는, 후술하는 실시예에서 이용하는 메탈로센 착체를 구체적으로 예시할 수 있지만, 이들 화합물에 전혀 한정되는 것은 아니다.이와 같은 촉매 성분〔A〕는, 촉매 성분〔B〕와 함께 올레핀 중합용 촉매로서 이용하는 것이 바람직하다.촉매 성분〔B〕촉매 성분〔A〕를, 에틸렌계 공중합체(A)를 제조하기 위한 올레핀 중합 촉매의 성분으로서 이용하는 경우, 올레핀 중합 촉매는, (b-1) 유기 알루미늄 옥시 화합물, (b-2) 촉매 성분〔A〕와 반응하여 이온쌍을 형성하는 화합물, 및 (b-3) 유기 알루미늄 화합물로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물로 구성되는 촉매 성분〔B〕를 포함하는 것이 바람직하다. 여기에서, 촉매 성분〔B〕는, 중합 활성과 생성 올레핀 중합체의 성상의 시점에서, 다음의 [c1]∼[c4] 중 어느 하나의 태양으로 바람직하게 이용된다.[c1] (b-1) 유기 알루미늄 옥시 화합물만, [c2] (b-1) 유기 알루미늄 옥시 화합물과 (b-3) 유기 알루미늄 화합물, [c3] (b-2) 촉매 성분〔A〕와 반응하여 이온쌍을 형성하는 화합물과 (b-3) 유기 알루미늄 화합물, [c4] (b-1) 유기 알루미늄 옥시 화합물과 (b-2) 촉매 성분〔A〕와 반응하여 이온쌍을 형성하는 화합물.단, 촉매 성분〔A〕로서, 화학식[I]에 있어서 Q가 실릴렌기인 메탈로센 화합물을 이용하는 경우는,〔B〕성분으로서는, (b-2) 촉매 성분〔A〕와 반응하여 이온쌍을 형성하는 화합물이 사용되는 경우는 없고, 상기의 바람직한 〔B〕성분; [c1]∼[c4]에 있어서도, [c1]과 [c2]만이 채용된다.이하, 촉매 성분〔B〕를 구성할 수 있는 각 성분에 대해 구체적으로 설명한다.(b-1) 유기 알루미늄 옥시 화합물유기 알루미늄 옥시 화합물(b-1)로서는, 종래 공지된 알루미녹세인을 그대로 사용할 수 있다. 구체적으로는, 하기 화학식[II] 및/또는 화학식[III]으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.(식[II] 또는 [III] 중, R은 탄소수 1∼10의 탄화수소기, n은 2 이상의 정수를 나타낸다.)으로 대표되는 화합물을 들 수 있고, 특히 R이 메틸기인 메틸알루미녹세인으로 n이 3 이상, 바람직하게는 10 이상인 것이 이용된다. (화학식[II] 또는 [III]에 있어서 R이 메틸기인 유기 알루미늄 옥시 화합물을, 이하 「메틸알루미녹세인」이라고 부르는 경우가 있다.)또한, 유기 알루미늄 옥시 화합물(b-1)로서는, 포화 탄화수소에 용해되는 메틸알루미녹세인 유연체(類緣體)를 이용하는 것도 바람직하고, 예를 들어 하기 화학식[IV]와 같은 수식 메틸알루미녹세인을 예시할 수 있다.(식[IV] 중, R은 탄소수 2∼20의 탄화수소기, m, n은 2 이상의 정수를 나타낸다.)상기 화학식[IV]로 표시되는 수식 메틸알루미녹세인은, 트라이메틸알루미늄과 트라이메틸알루미늄 이외의 알킬알루미늄을 이용하여 조제되고(예를 들어, US4960878이나 US5041584 등에 제조법이 개시), 도소·파인켐사 등 메이커로부터 트라이메틸알루미늄과 트라이아이소뷰틸알루미늄을 이용하여 조제된, R이 아이소뷰틸기인 것이 MMAO, TMAO라는 상품명으로 상업 생산되고 있다(예를 들어, 「도소 연구·기술 보고」 제47권 55(2003) 참조).더욱이 유기 알루미늄 옥시 화합물(b-1)로서는, 일본 특허공개 평2-78687호 공보에 예시되어 있는 벤젠 불용성의 유기 알루미늄 옥시 화합물을 이용해도 되고, 하기 화학식[V]로 표시되는 붕소를 포함한 유기 알루미늄 옥시 화합물을 이용해도 된다.(식[V] 중, Rc는 탄소 원자수가 1∼10인 탄화수소기를 나타낸다. Rd는, 서로 동일해도 상이해도 되고, 수소 원자, 할로젠 원자 또는 탄소 원자수가 1∼10인 탄화수소기를 나타낸다.)한편, 전술한 (b-1) 유기 알루미늄 옥시 화합물 중에는 약간의 유기 알루미늄 화합물이 혼입되어 있어도 지장없다. (b-2) 촉매 성분〔A〕와 반응하여 이온쌍을 형성하는 화합물상기 촉매 성분〔A〕와 반응하여 이온쌍을 형성하는 화합물(b-2)(이하, 「이온성 화합물(b-2)」라고 약칭하는 경우가 있다.)로서는, 일본 특허공개 평1-501950호 공보, 일본 특허공개 평1-502036호 공보, 일본 특허공개 평3-179005호 공보, 일본 특허공개 평3-179006호 공보, 일본 특허공개 평3-207703호 공보, 일본 특허공개 평3-207704호 공보, USP5321106호 등에 기재된 루이스산, 이온성 화합물, 보레인 화합물 및 카보레인 화합물 등을 들 수 있다. 더욱이 이온성 화합물(b-2)로서는, 헤테로폴리 화합물 및 아이소폴리 화합물도 들 수 있다.본 발명에 있어서, 바람직하게 채용되는 이온성 화합물(b-2)는, 하기 화학식[VI]으로 표시되는 화합물이다.식[VI] 중, Re+로서는, H+, 카베늄 양이온, 옥소늄 양이온, 암모늄 양이온, 포스포늄 양이온, 사이클로헵틸트라이엔일 양이온, 전이 금속을 갖는 페로세늄 양이온 등을 들 수 있다. Rf∼Ri는, 서로 동일해도 상이해도 되고, 유기 기, 바람직하게는 아릴기이다.상기 카베늄 양이온으로서 구체적으로는, 트라이페닐카베늄 양이온, 트리스(메틸페닐)카베늄 양이온, 트리스(다이메틸페닐)카베늄 양이온 등의 3치환 카베늄 양이온 등을 들 수 있다.상기 암모늄 양이온으로서 구체적으로는, 트라이메틸암모늄 양이온, 트라이에틸암모늄 양이온, 트라이(n-프로필)암모늄 양이온, 트라이아이소프로필암모늄 양이온, 트라이(n-뷰틸)암모늄 양이온, 트라이아이소뷰틸암모늄 양이온 등의 트라이알킬암모늄 양이온, N,N-다이메틸아닐리늄 양이온, N,N-다이에틸아닐리늄 양이온, N,N-2,4,6-펜타메틸아닐리늄 양이온 등의 N,N-다이알킬아닐리늄 양이온, 다이아이소프로필암모늄 양이온, 다이사이클로헥실암모늄 양이온 등의 다이알킬암모늄 양이온 등을 들 수 있다.상기 포스포늄 양이온으로서 구체적으로는, 트라이페닐포스포늄 양이온, 트리스(메틸페닐)포스포늄 양이온, 트리스(다이메틸페닐)포스포늄 양이온 등의 트라이아릴포스포늄 양이온 등을 들 수 있다.상기 중, Re+로서는, 카베늄 양이온, 암모늄 양이온 등이 바람직하고, 특히 트라이페닐카베늄 양이온, N,N-다이메틸아닐리늄 양이온, N,N-다이에틸아닐리늄 양이온이 바람직하다.카베늄염인 이온성 화합물(b-2)로서는, 구체적으로는, 트라이페닐카베늄테트라페닐보레이트, 트라이페닐카베늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 트라이페닐카베늄테트라키스(3,5-다이트라이플루오로메틸페닐)보레이트, 트리스(4-메틸페닐)카베늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 트리스(3,5-다이메틸페닐)카베늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.암모늄염인 이온성 화합물(b-2)로서는, 트라이알킬 치환 암모늄염, N,N-다이알킬아닐리늄염, 다이알킬암모늄염 등을 들 수 있다.트라이알킬 치환 암모늄염인 이온성 화합물(b-2)로서는, 구체적으로는, 예를 들어 트라이에틸암모늄테트라페닐보레이트, 트라이프로필암모늄테트라페닐보레이트, 트라이(n-뷰틸)암모늄테트라페닐보레이트, 트라이메틸암모늄테트라키스(p-톨릴)보레이트, 트라이메틸암모늄테트라키스(o-톨릴)보레이트, 트라이(n-뷰틸)암모늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 트라이에틸암모늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 트라이프로필암모늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 트라이프로필암모늄테트라키스(2,4-다이메틸페닐)보레이트, 트라이(n-뷰틸)암모늄테트라키스(3,5-다이메틸페닐)보레이트, 트라이(n-뷰틸)암모늄테트라키스(4-트라이플루오로메틸페닐)보레이트, 트라이(n-뷰틸)암모늄테트라키스(3,5-다이트라이플루오로메틸페닐)보레이트, 트라이(n-뷰틸)암모늄테트라키스(o-톨릴)보레이트, 다이옥타데실메틸암모늄테트라페닐보레이트, 다이옥타데실메틸암모늄테트라키스(p-톨릴)보레이트, 다이옥타데실메틸암모늄테트라키스(o-톨릴)보레이트, 다이옥타데실메틸암모늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 다이옥타데실메틸암모늄테트라키스(2,4-다이메틸페닐)보레이트, 다이옥타데실메틸암모늄테트라키스(3,5-다이메틸페닐)보레이트, 다이옥타데실메틸암모늄테트라키스(4-트라이플루오로메틸페닐)보레이트, 다이옥타데실메틸암모늄테트라키스(3,5-다이트라이플루오로메틸페닐)보레이트, 다이옥타데실메틸암모늄 등을 들 수 있다.N,N-다이알킬아닐리늄염인 이온성 화합물(b-2)로서는, 구체적으로는, 예를 들어 N,N-다이메틸아닐리늄테트라페닐보레이트, N,N-다이메틸아닐리늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, N,N-다이메틸아닐리늄테트라키스(3,5-다이트라이플루오로메틸페닐)보레이트, N,N-다이에틸아닐리늄테트라페닐보레이트, N,N-다이에틸아닐리늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, N,N-다이에틸아닐리늄테트라키스(3,5-다이트라이플루오로메틸페닐)보레이트, N,N-2,4,6-펜타메틸아닐리늄테트라페닐보레이트, N,N-2,4,6-펜타메틸아닐리늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.다이알킬암모늄염으로서 구체적으로는, 예를 들어 다이(1-프로필)암모늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 다이사이클로헥실암모늄테트라페닐보레이트 등을 들 수 있다.그 밖의 이온성 화합물(b-2)로서는, 본 출원인에 의해 개시(일본 특허공개2004-51676호 공보)되어 있는 이온성 화합물도 제한 없이 사용이 가능하다.상기의 이온성 화합물(b-2)는, 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상 혼합하여 이용할 수도 있다.(b-3) 유기 알루미늄 화합물유기 알루미늄 화합물(b-3)으로서는, 예를 들어 하기 화학식[VII]로 표시되는 유기 알루미늄 화합물, 하기 화학식[VIII]로 표시되는 제1족 금속과 알루미늄의 착알킬화물 등을 들 수 있다.RamAl(ORb)nHpXq … [VII](식[VII] 중, Ra 및 Rb는, 서로 동일해도 상이해도 되고, 탄소 원자수가 1∼15, 바람직하게는 1∼4인 탄화수소기를 나타내며, X는 할로젠 원자를 나타내고, m은 0＜m≤3, n은 0≤n＜3, p는 0≤p＜3, q는 0≤q＜3의 수이며, 또한 m＋n＋p＋q=3이다.)상기 화학식[VII]로 표시되는 유기 알루미늄 화합물의 구체예로서는, 트라이메틸알루미늄, 트라이에틸알루미늄, 트라이n-뷰틸알루미늄, 트라이헥실알루미늄, 트라이옥틸알루미늄 등의 트라이n-알킬알루미늄; 트라이아이소프로필알루미늄, 트라이아이소뷰틸알루미늄, 트라이sec-뷰틸알루미늄, 트라이tert-뷰틸알루미늄, 트라이2-메틸뷰틸알루미늄, 트라이3-메틸헥실알루미늄, 트라이2-에틸헥실알루미늄 등의 트라이 분기쇄 알킬알루미늄; 트라이사이클로헥실알루미늄, 트라이사이클로옥틸알루미늄 등의 트라이사이클로알킬알루미늄; 트라이페닐알루미늄, 트라이톨릴알루미늄 등의 트라이아릴알루미늄; 다이아이소프로필알루미늄 하이드라이드, 다이아이소뷰틸알루미늄 하이드라이드 등의 다이알킬알루미늄 하이드라이드; 화학식 (i-C4H9)xAly(C5H10)z(식 중, x, y, z는 양의 수이며, z≤2x이다.) 등으로 표시되는 아이소프렌일알루미늄 등의 알켄일알루미늄; 아이소뷰틸알루미늄 메톡사이드, 아이소뷰틸알루미늄 에톡사이드 등의 알킬알루미늄 알콕사이드; 다이메틸알루미늄 메톡사이드, 다이에틸알루미늄 에톡사이드, 다이뷰틸알루미늄 뷰톡사이드 등의 다이알킬알루미늄 알콕사이드; 에틸알루미늄 세스퀴에톡사이드, 뷰틸알루미늄 세스퀴뷰톡사이드 등의 알킬알루미늄 세스퀴알콕사이드; 화학식 Ra2.5Al(ORb)0.5 등으로 표시되는 평균 조성을 갖는 부분적으로 알콕시화된 알킬알루미늄; 다이에틸알루미늄 페녹사이드, 다이에틸알루미늄(2,6-다이-t-뷰틸-4-메틸페녹사이드) 등의 알킬알루미늄 아릴옥사이드; 다이메틸알루미늄 클로라이드, 다이에틸알루미늄 클로라이드, 다이뷰틸알루미늄 클로라이드, 다이에틸알루미늄 브로마이드, 다이아이소뷰틸알루미늄 클로라이드 등의 다이알킬알루미늄 할라이드; 에틸알루미늄 세스퀴클로라이드, 뷰틸알루미늄 세스퀴클로라이드, 에틸알루미늄 세스퀴브로마이드 등의 알킬알루미늄 세스퀴할라이드; 에틸알루미늄 다이클로라이드 등의 알킬알루미늄 다이할라이드 등의 부분적으로 할로젠화된 알킬알루미늄; 다이에틸알루미늄 하이드라이드, 다이뷰틸알루미늄 하이드라이드 등의 다이알킬알루미늄 하이드라이드; 에틸알루미늄 다이하이드라이드, 프로필알루미늄 다이하이드라이드 등의 알킬알루미늄 다이하이드라이드 등 그 밖의 부분적으로 수소화된 알킬알루미늄; 에틸알루미늄 에톡시클로라이드, 뷰틸알루미늄 뷰톡시클로라이드, 에틸알루미늄 에톡시브로마이드 등의 부분적으로 알콕시화 및 할로젠화된 알킬알루미늄 등을 들 수 있다.M2AlRa4 … [VIII](식[VIII] 중, M2는 Li, Na 또는 K를 나타내고, Ra는 탄소 원자수가 1∼15, 바람직하게는 1∼4인 탄화수소기를 나타낸다.)로 표시되는 주기율표 제1족 금속과 알루미늄의 착알킬화물. 이와 같은 화합물로서는, LiAl(C2H5)4, LiAl(C7H15)4 등을 예시할 수 있다.또한, 상기 화학식[VII]로 표시되는 화합물과 유사한 화합물도 사용할 수 있고, 예를 들어 질소 원자를 개재하여 2 이상의 알루미늄 화합물이 결합한 유기 알루미늄 화합물을 들 수 있다. 이와 같은 화합물로서 구체적으로는, (C2H5)2AlN(C2H5)Al(C2H5)2 등을 들 수 있다.(b-3) 유기 알루미늄 화합물로서는, 입수 용이성의 점에서, 트라이메틸알루미늄, 트라이아이소뷰틸알루미늄이 바람직하게 이용된다.· 에틸렌계 공중합체(A)의 제조본 발명에 따른 에틸렌계 공중합체(A)는, 전술한 올레핀 중합용 촉매의 존재하에, 에틸렌과, 탄소수 3∼20의 α-올레핀의 적어도 1종을 공중합시키는 것에 의해 적합하게 제조할 수 있다. 공중합은, 예를 들어, 용매의 공존하에서 용액 중합하는 것에 의해 행할 수 있다. 여기에서 중합 온도는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 140℃ 이상, 바람직하게는 150℃ 이상으로 할 수 있다. 이와 같은 온도에서 공중합 반응을 행하면, 얻어지는 에틸렌계 공중합체(A)의 MFR10/MFR2.16을 크게 할 수 있고, 또한 바이닐기 함유량을 많은 것으로 할 수 있기 때문에 바람직하다.중합 시에는, 각 성분의 사용법, 첨가 순서는 임의로 선택되지만, 예를 들어 촉매 성분〔A〕 및 촉매 성분〔B〕를 임의의 순서로 중합기에 첨가하는 방법을 예시할 수 있다. 상기 방법에 있어서는, 각 촉매 성분의 2개 이상이 미리 접촉되어 있어도 된다.상기와 같은 올레핀 중합용 촉매를 이용하여, 에틸렌과 탄소수 3∼20의 α-올레핀의 적어도 1종의 공중합을 행하여, 본 발명의 에틸렌계 공중합체(A)를 제조하는 경우, 촉매 성분〔A〕는, 반응 용적 1리터당, 통상 10-9∼10-1몰, 바람직하게는 10-8∼10-2몰이 되는 양으로 이용된다.성분(b-1)은, 성분(b-1)과, 성분〔A〕 중의 전체 전이 금속 원자(M)의 몰비[(b-1)/M]가 통상 1∼10000, 바람직하게는 10∼5000이 되는 양으로 이용된다. 성분(b-2)는, 성분〔A〕 중의 전체 전이 금속(M)과의 몰비[(b-2)/M]가, 통상 0.5∼50, 바람직하게는 1∼20이 되는 양으로 이용된다. 성분(b-3)은, 중합 용적 1리터당, 통상 0∼5밀리몰, 바람직하게는 약 0∼2밀리몰이 되는 양으로 이용된다.여기에서, 에틸렌과 탄소수 3∼20의 α-올레핀의 투입 몰비는, 목적으로 하는 에틸렌계 공중합체(A)의 특성에 따라서 적절히 선택하면 되고, 특별히 한정되지 않지만, 통상, 에틸렌:α-올레핀=10:90∼99.9:0.1, 바람직하게는 에틸렌:α-올레핀=30:70∼99.9:0.1, 더 바람직하게는 에틸렌:α-올레핀=50:50∼95.0:5.0이다.탄소수 3∼20의 α-올레핀으로서는, 직쇄상 또는 분기상의 α-올레핀, 예를 들어 프로필렌, 1-뷰텐, 2-뷰텐, 1-펜텐, 3-메틸-1-뷰텐, 1-헥센, 4-메틸-1-펜텐, 3-메틸-1-펜텐, 1-옥텐, 1-데센, 1-도데센 등을 들 수 있다. 이들 α-올레핀 중에서는, 1-뷰텐, 1-헥센, 4-메틸-1-펜텐 및 1-옥텐이 특히 바람직하게 이용된다. 본 발명에서는, 이들 중 탄소수 3∼10의 α-올레핀이 보다 바람직하게 이용된다.에틸렌계 공중합체(A)의 제조에 바람직하게 채용되는 「용액 중합」이란, 공중합 반응에 불활성인 탄화수소 용매 중에 폴리머가 용해된 상태로 중합을 행하는 방법의 총칭이다. 본 발명에 관련되는 용액 중합에 있어서의 중합 온도는, 통상 0∼200℃ 정도의 범위로 할 수 있지만, 바람직하게는 140℃ 이상, 보다 바람직하게는 150℃ 이상으로 하는 것이 바람직하다.본 발명에 관련되는 용액 중합에 있어서는, 중합 온도가 0℃에 미치지 않는 경우, 그 중합 활성은 극단적으로 저하되므로 생산성의 점에서 실용적이지 않고, 더욱이 에틸렌계 공중합체(A)의 바이닐기 함량이 저하되는 경우가 있다. 또한, 0℃ 이상의 중합 온도 영역에서는 온도가 높아짐에 따라, 중합 시의 용액 점도가 저하되고, 중합열의 제열도 용이해지며, 더욱이 에틸렌계 공중합체(A)의 바이닐기 함량이 증가한다. 그렇지만, 중합 온도가 200℃를 초과하면, 중합 활성이 극단적으로 저하되는 경우도 있다. 본 발명에 따른 에틸렌계 공중합체(A)는, 비교적 높은 MFR10/MFR2.16값을 갖고, 바이닐기 함량이 비교적 많은 것이기 때문에 140℃ 이상, 바람직하게는 150℃ 이상의 비교적 고온에서 공중합을 행하는 것이 바람직하다.중합 압력은, 통상 상압∼10MPa 게이지압, 바람직하게는 상압∼8MPa 게이지압의 조건하이며, 공중합은, 회분식, 반연속식, 연속식의 어느 방법에 있어서도 행할 수 있다. 반응 시간(공중합 반응이 연속법으로 실시되는 경우에는 평균 체류 시간)은, 촉매 농도, 중합 온도 등의 조건에 따라서도 상이하고 적절히 선택할 수 있지만, 통상 1분간∼3시간, 바람직하게는 10분간∼2.5시간이다. 더욱이 중합을 반응 조건이 상이한 2단 이상으로 나누어 행하는 것도 가능하다. 얻어지는 에틸렌계 공중합체(A)의 분자량은, 중합계 중의 수소 농도나 중합 온도를 변화시키는 것에 의해서도 조절할 수 있다. 더욱이, 사용하는 촉매 성분〔B〕의 양에 의해 조절할 수도 있다. 중합계에 수소를 첨가하는 경우, 그 양은 생성되는 에틸렌계 공중합체 1kg당 0.001∼5,000NL 정도가 적당하다. 또한, 얻어지는 에틸렌계 공중합체(A)의 바이닐기량은, 중합 온도를 높이는 것, 수소 첨가량을 최대한 줄이는 것으로 증가시킬 수 있다. 또한, 얻어지는 에틸렌계 공중합체(A)의 MFR10/MFR2.16은, 클수록 장쇄 분기 구조를 많이 함유한다는 것을 나타내는 지표가 되지만, 후술하는 실시예와 같은 배위 중합의 경우, 에틸렌계 공중합체(A) 중의 장쇄 분기 구조는, β-수소 탈리 반응에 의해 생성된 말단 바이닐기를 갖는 분자쇄(매크로모노머)가, 재삽입되는 것에 의해 생성된다고 생각되고 있다. 이 때문에, 용액 중의 매크로모노머 농도와 에틸렌 농도의 비([매크로모노머]/[에틸렌])를 증감시킴으로써, 에틸렌계 공중합체(A)의 MFR10/MFR2.16의 값을 제어할 수 있다. 일반적으로 [매크로모노머]/[에틸렌]이 높으면 에틸렌계 중합체 중의 장쇄 분기량은 증가하고, [매크로모노머]/[에틸렌]이 낮으면 에틸렌계 중합체 중의 장쇄 분기량은 저하된다. 용액 중의 [매크로모노머]/[에틸렌]을 증감시키는 수법으로는 구체적으로는 이하의 [1]∼[4]와 같은 방법을 들 수 있다.[1] 중합 온도중합 온도가 높을수록 β-수소 탈리 반응은 일어나기 쉬워진다. 그 때문에, 중합 온도를 높이면, [매크로모노머]/[에틸렌]이 커져, 에틸렌계 공중합체 중의 장쇄 분기량은 증가한다.[2] 폴리머 농도용액 중의 폴리머 농도를 높이면, 상대적으로 매크로모노머 농도도 높아지기 때문에, [매크로모노머]/[에틸렌]이 커져, 에틸렌계 공중합체 중의 장쇄 분기량은 증가한다.[3] 에틸렌 전화율에틸렌 전화율을 높이면, 용액 중의 에틸렌 농도가 낮아지기 때문에, [매크로모노머]/[에틸렌]이 커져, 에틸렌계 공중합체 중의 장쇄 분기량은 증가한다. [4] 용매종중합 용매를 저비점의 용매로 하면, 용액 중의 에틸렌 농도가 낮아지기 때문에, [매크로모노머]/[에틸렌]이 커져, 에틸렌계 공중합체 중의 장쇄 분기량은 증가한다.그 밖에도, β-수소 탈리 반응을 제어하는 것 이외에 Al에 대한 연쇄 이동 반응 등을 제어하는 것에 의해 [매크로모노머]/[에틸렌]을 증감시켜, 에틸렌계 중합체 중의 장쇄 분기량을 변화시킬 수도 있다.용액 중합에 있어서 이용되는 용매는 통상, 불활성 탄화수소 용매이며, 바람직하게는 상압하에 있어서의 비점이 50℃∼200℃인 포화 탄화수소이다. 구체적으로는, 펜테인, 헥세인, 헵테인, 옥테인, 데케인, 도데케인, 등유 등의 지방족 탄화수소; 사이클로펜테인, 사이클로헥세인, 메틸사이클로펜테인 등의 지환족 탄화수소를 들 수 있다. 한편 벤젠, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소류나 에틸렌클로라이드, 클로로벤젠, 다이클로로메테인 등의 할로젠화 탄화수소도 본 발명의 고온 용액 중합에 관련되는 「불활성 탄화수소 용매」의 범주에 들어가며, 그 사용을 제한하는 것은 아니다. 상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 고온 용액 중합에 있어서는, 종래 범용되어 온 방향족 탄화수소 용해 타입의 유기 알루미늄 옥시 화합물뿐만 아니라, 지방족 탄화수소나 지환족 탄화수소에 용해되는 MMAO와 같은 수식 메틸알루미녹세인을 사용할 수 있다. 이 결과, 용액 중합용의 용매로서 지방족 탄화수소나 지환족 탄화수소를 채용하면, 중합계 내나 생성되는 에틸렌계 중합체 중에 방향족 탄화수소가 혼입될 가능성을 거의 완전히 배제하는 것이 가능해졌다. 즉, 본 발명에 관련되는 고온 용액 중합 방법은, 환경 부하를 경감화할 수 있어 인체 건강에 대한 영향을 최소화할 수 있다고 하는 특징도 갖는 것이다.물성치의 격차를 억제하기 위해, 중합 반응에 의해 얻어진 에틸렌계 공중합체(A) 및 희망에 따라 첨가되는 다른 성분은, 임의의 방법으로 용융되어 혼련, 조립(造粒) 등을 실시하는 것이 바람직하다.· 그래프트 변성본 발명의 에틸렌계 공중합체(A)는, 일부 또는 전부를 극성 모노머에 의해 그래프트 변성하여 이용해도 된다.이 극성 모노머로서는, 수산기 함유 에틸렌성 불포화 화합물, 아미노기 함유 에틸렌성 불포화 화합물, 에폭시기 함유 에틸렌성 불포화 화합물, 방향족 바이닐 화합물, 불포화 카복실산 또는 그의 유도체, 바이닐에스터 화합물, 염화바이닐, 카보다이이미드 화합물 등을 들 수 있다.극성 모노머로서는, 특히 불포화 카복실산 또는 그의 유도체가 특히 바람직하다. 불포화 카복실산 또는 그의 유도체로서는, 카복실산기를 1 이상 갖는 불포화 화합물, 카복실산기를 갖는 화합물과 알킬알코올의 에스터, 무수 카복실산기를 1 이상 갖는 불포화 화합물 등을 들 수 있고, 불포화기로서는, 바이닐기, 바이닐렌기, 불포화 환상 탄화수소기 등을 들 수 있다.구체적인 화합물로서는, 예를 들어 아크릴산, 말레산, 푸마르산, 테트라하이드로프탈산, 이타콘산, 시트라콘산, 크로톤산, 아이소크로톤산, 나딕산〔상표〕(엔도시스-바이사이클로[2.2.1]헵트-5-엔-2,3-다이카복실산) 등의 불포화 카복실산; 또는 그의 유도체, 예를 들어 산 할라이드, 아마이드, 이미드, 무수물, 에스터 등을 들 수 있다. 이러한 유도체의 구체예로서는, 예를 들어 염화말렌일, 말레이미드, 무수 말레산, 무수 시트라콘산, 말레산 모노메틸, 말레산 다이메틸, 글리시딜 말레에이트 등을 들 수 있다.이들 불포화 카복실산 및/또는 그의 유도체는, 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 이들 중에서는, 불포화 다이카복실산 또는 그의 산 무수물이 적합하고, 특히 말레산, 나딕산 또는 이들의 산 무수물이 바람직하게 이용된다.변성은, 피변성체에, 극성 모노머를 그래프트 중합시키는 것에 의해 얻어진다. 피변성체에, 상기와 같은 극성 모노머를 그래프트 중합시킬 때에는, 극성 모노머는, 피변성체 100질량부에 대해서, 통상 1∼100질량부, 바람직하게는 5∼80질량부의 양으로 사용된다. 이 그래프트 중합은, 통상 라디칼 발생제의 존재하에 행해진다.라디칼 발생제로서는, 예를 들어 후술하는 라디칼 발생제(C)에 있어서 드는 것과 동일한 것을 이용할 수 있다.라디칼 발생제는, 피변성체 및 극성 모노머와 그대로 혼합하여 사용할 수도 있지만, 소량의 유기 용매에 용해하고 나서 사용할 수도 있다. 이 유기 용매로서는, 라디칼 발생제를 용해할 수 있는 유기 용매이면 특별히 한정하지 않고 이용할 수 있다.또한 피변성체에 극성 모노머를 그래프트 중합시킬 때에는, 환원성 물질을 이용해도 된다. 환원성 물질을 이용하면, 극성 모노머의 그래프트량을 향상시킬 수 있다. 피변성체의 극성 모노머에 의한 그래프트 변성은, 종래 공지된 방법으로 행할 수 있다.이와 같이 하여 얻어지는 변성체의 변성량(극성 모노머의 그래프트량)은, 변성체를 100질량%로 한 경우에 통상 0.1∼50질량%, 바람직하게는 0.2∼30질량%, 더 바람직하게는 0.2∼10질량%인 것이 바람직하다.본 발명의 에틸렌계 공중합체(A)의 일부 또는 전부를 극성 모노머에 의해 그래프트 변성하여 이용하면, 다른 수지와의 접착성, 상용성이 우수하고, 또한 얻어진 성형체 표면의 젖음성이 개량되는 경우가 있다.또한, 극성 모노머, 예를 들어 불포화 카복실산 및/또는 그의 유도체의 함유량이 상기 범위에 있는 것에 의해, 본 발명의 에틸렌계 공중합체(A)의 일부 또는 전부를 그래프트 변성하여 이용한 경우, 극성기 함유 수지(예를 들어 폴리에스터, 폴리바이닐알코올, 에틸렌·바이닐알코올 공중합체, 폴리아마이드, PMMA, 폴리카보네이트 등)에 대해서 높은 접착 강도를 나타낸다.또한, 본 발명의 에틸렌계 공중합체(A)의 일부 또는 전부를 그래프트 변성하여 얻어진 그래프트 변성 에틸렌계 공중합체(A)에는, 해당 변성물이 갖는 특성을 해치지 않는 범위에서, 다른 중합체, 예를 들어 열가소성 수지나 엘라스토머 등을 배합할 수 있다. 그들의 배합은, 그래프트 변성 단계여도 변성 후의 혼합이어도 된다.그 밖의 수지 성분(B)본 발명의 가교체 또는 가교 발포체는, 전술한 에틸렌계 공중합체(A) 또는 해당 에틸렌계 공중합체(A)를 포함하는 수지 조성물로부터 형성되는 것이며, 전술한 에틸렌계 공중합체(A)를 필수 성분으로 하여 형성되어 이루어지는 것이면 되고, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 에틸렌계 공중합체(A) 이외의 그 밖의 수지 성분(B)를 포함하는 수지 조성물을 이용하여 형성되어도 된다. 그 밖의 수지 성분(B)로서는, 예를 들어, α-올레핀·극성 모노머 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·비공액 폴리엔 공중합체, 각종 올레핀계 폴리머 등을 들 수 있다.본 발명의 가교체 또는 가교 발포체가 에틸렌계 공중합체(A) 이외의 그 밖의 수지 성분(B)를 포함하는 경우, 그 밖의 수지 성분(B)로서는, 에틸렌·극성 모노머 공중합체(B1)이 바람직하다.에틸렌·극성 모노머 공중합체(B1)의 극성 모노머로서는, 불포화 카복실산, 그의 염, 그의 에스터, 그의 아마이드, 바이닐에스터, 일산화탄소 등을 예시할 수 있다. 보다 구체적으로는, 아크릴산, 메타크릴산, 푸마르산, 이타콘산, 말레산 모노메틸, 말레산 모노에틸, 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 불포화 카복실산, 이들 불포화 카복실산의 리튬, 나트륨, 칼륨 등의 1가 금속의 염이나 마그네슘, 칼슘, 아연 등의 다가 금속의 염, 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 아이소프로필, 아크릴산 아이소뷰틸, 아크릴산 n-뷰틸, 아크릴산 아이소옥틸, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 아이소뷰틸, 말레산 다이메틸 등의 불포화 카복실산 에스터, 아세트산 바이닐, 프로피온산 바이닐과 같은 바이닐에스터, 일산화탄소, 이산화황 등의 1종 또는 2종 이상 등을 예시할 수 있다.에틸렌·극성 모노머 공중합체(B1)로서, 보다 구체적으로는, 에틸렌·아크릴산 공중합체, 에틸렌·메타크릴산 공중합체와 같은 에틸렌·불포화 카복실산 공중합체, 상기 에틸렌·불포화 카복실산 공중합체의 카복실기의 일부 또는 전부가 상기 금속으로 중화된 아이오노머, 에틸렌·아크릴산 메틸 공중합체, 에틸렌·아크릴산 에틸 공중합체, 에틸렌·메타크릴산 메틸 공중합체, 에틸렌·아크릴산 아이소뷰틸 공중합체, 에틸렌·아크릴산 n-뷰틸 공중합체와 같은 에틸렌·불포화 카복실산 에스터 공중합체, 에틸렌·아크릴산 아이소뷰틸·메타크릴산 공중합체, 에틸렌·아크릴산 n-뷰틸·메타크릴산 공중합체와 같은 에틸렌·불포화 카복실산 에스터·불포화 카복실산 공중합체 및 그 카복실기의 일부 또는 전부가 상기 금속으로 중화된 아이오노머, 에틸렌·아세트산 바이닐 공중합체와 같은 에틸렌·바이닐에스터 공중합체 등을 대표예로서 예시할 수 있다.이들 중에서는 특히, 에틸렌과, 불포화 카복실산, 그의 염, 그의 에스터 및 아세트산 바이닐로부터 선택되는 극성 모노머의 공중합체가 바람직하고, 특히 에틸렌·(메트)아크릴산 공중합체 또는 그의 아이오노머나 에틸렌·(메트)아크릴산·(메트)아크릴산 에스터 공중합체 또는 그의 아이오노머, 에틸렌·아세트산 바이닐 공중합체가 바람직하고, 에틸렌·아세트산 바이닐 공중합체가 가장 바람직하다.이와 같은 에틸렌·극성 모노머 공중합체(B1)로서는, 극성 모노머의 종류에 따라서도 상이하지만, 극성 모노머 함량이 통상 1∼50질량%, 특히 5∼45질량%인 것이 바람직하다. 이와 같은 에틸렌·극성 모노머 공중합체로서는 또한, 성형 가공성, 기계적 강도 등을 고려하면, MFR2.16이 0.05∼500g/10분, 특히 0.1∼100g/10분인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 에틸렌과 불포화 카복실산, 불포화 카복실산 에스터, 바이닐에스터 등의 공중합체는, 고온, 고압 하의 라디칼 공중합에 의해 얻을 수 있다. 또한 에틸렌과 불포화 카복실산의 금속염의 공중합체(아이오노머)는, 에틸렌·불포화 카복실산 공중합체와 상당하는 금속 화합물을 반응시키는 것에 의해 얻을 수 있다.본 발명에 있어서, 그 밖의 수지 성분(B)로서 이용되는 에틸렌·극성 모노머 공중합체(B1)이 에틸렌·아세트산 바이닐 공중합체인 경우, 에틸렌·아세트산 바이닐 공중합체 중의 아세트산 바이닐 함유량은, 통상 10∼30질량%, 바람직하게는 15∼30질량%, 더 바람직하게는 15∼25질량%이다. 또한, 이 에틸렌·아세트산 바이닐 공중합체는, MFR2.16이 통상 0.1∼50g/10분, 바람직하게는 0.5∼20g/10분, 더 바람직하게는 0.5∼5g/10분이다.본 발명의 가교체 또는 가교 발포체가, 에틸렌계 공중합체(A)와 에틸렌·극성 모노머 공중합체(B1)을 포함하는 수지 조성물을 이용하여 형성되는 경우, 수지 조성물이, 전술한 에틸렌계 공중합체(A)와, 에틸렌·극성 모노머 공중합체(B1)을, (A)가 100∼20질량부, (B1)이 0∼80질량부인 비율로 포함하고, (A)가 100질량부, (B1)이 0질량부인 것이 바람직한 태양의 하나이다. 또한 (B1)을 포함하는 경우에는 바람직하게는 (A)가 99∼20질량부, (B1)이 1∼80질량부인 비율로 포함한다(여기에서 (A)와 (B1)의 합계를 100질량부로 한다). 즉 본 발명에 따른 수지 조성물에 있어서는, 에틸렌계 공중합체(A)와 에틸렌·극성 모노머 공중합체(B1)의 질량비((A)/(B1))가, 100/0∼20/80이며, 100/0인 것이 바람직한 태양의 하나이다. (B1)을 포함하는 경우에는 바람직하게는 99/1∼20/80, 보다 바람직하게는 99/1∼40/60의 범위인 것이 바람직하다.본 발명에 따른 수지 조성물이, 에틸렌계 공중합체(A)에 더하여, 그 밖의 수지 성분(B)를 함유하는 경우, 그 밖의 수지 성분(B)가, 에틸렌·극성 모노머 공중합체(B1)을 함유하는 것이 바람직하지만, 필요에 따라서 그 밖의 수지 성분을 함유해도 된다. 그 밖의 수지 성분으로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 에틸렌·α-올레핀·비공액 폴리엔 공중합체 등을 들 수 있다. 본 발명에 따른 수지 조성물이, 에틸렌계 공중합체(A) 및 에틸렌·극성 모노머 공중합체(B1) 이외의 수지 성분을 함유하는 경우, 그 함유량은, (A)와 (B1)의 합계 100질량부에 대해서, 통상 30질량부 이하, 바람직하게는 1∼20질량부 정도인 것이 바람직하다.가교제(C)본 발명의 가교체 또는 가교 발포체는, 필요에 따라서 가교제(C)를 포함하는 수지 조성물로부터 형성되는 것이어도 된다.가교제(C)로서는, 가교제로서 작용하는 라디칼 발생제를 특별히 제한 없이 이용할 수 있다.본 발명의 가교체 또는 가교 발포체의 형성에 이용하는 수지 조성물이 가교제(C)를 함유하는 경우, 그 함유량은, 에틸렌계 공중합체(A)와, 에틸렌·극성 모노머 공중합체(B1) 등의 그 밖의 수지 성분(B)의 합계 100질량부(즉 전체 수지 성분 100질량부)에 대해서, 바람직하게는 0.1∼2.0질량부, 보다 바람직하게는 0.3∼1.8질량부, 더 바람직하게는 0.6∼1.6질량부의 범위인 것이 바람직하다. 가교제(C)를 이와 같은 양으로 함유하는 수지 조성물을 이용하면, 적당한 가교 구조를 갖는 성형체나 발포 성형체를 제조할 수 있다.가교제(C)로서는, 유기 과산화물이 바람직하게 이용되고, 구체적으로는, 다이큐밀퍼옥사이드, 다이-t-뷰틸퍼옥사이드, 2,5-다이메틸-2,5-다이-(t-뷰틸퍼옥시)헥세인, 2,5-다이메틸-2,5-다이-(t-뷰틸퍼옥시)헥신-3, 1,3-비스(t-뷰틸퍼옥시아이소프로필)벤젠, 1,1-비스(t-뷰틸퍼옥시)-3,3,5-트라이메틸사이클로헥세인, n-뷰틸-4,4-비스(t-뷰틸퍼옥시)발레레이트, 벤조일퍼옥사이드, p-클로로벤조일퍼옥사이드, 2,4-다이클로로벤조일퍼옥사이드, t-뷰틸퍼옥시벤조에이트, t-뷰틸퍼벤조에이트, t-뷰틸퍼옥시아이소프로필카보네이트, 다이아세틸퍼옥사이드, 라우로일퍼옥사이드, t-뷰틸큐밀퍼옥사이드 등의 유기 퍼옥사이드를 들 수 있다. 이들 중에서, 다이큐밀퍼옥사이드가 바람직하다.본 발명에 따른 수지 조성물이, 가교제(C)를 포함하는 경우에는, 가교제(C)와 함께 필요에 따라서 가교 조제를 함유하는 것도 바람직하다. 가교 조제로서는, 예를 들어, 황, p-퀴논다이옥심, p,p'-다이벤조일퀴논다이옥심, N-메틸-N-4-다이나이트로소아닐린, 나이트로소벤젠, 다이페닐구아니딘, 트라이메틸올프로페인-N,N'-m-페닐렌다이말레이미드와 같은 퍼옥시 가교용 조제; 또는 다이바이닐벤젠, 트라이알릴사이아누레이트(TAC), 트라이알릴아이소사이아누레이트(TAIC)를 들 수 있다. 또한, 가교 조제로서는, 에틸렌 글리콜 다이메타크릴레이트, 다이에틸렌 글리콜 다이메타크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 다이메타크릴레이트, 트라이메틸올프로페인 트라이메타크릴레이트, 알릴 메타크릴레이트 등의 다작용성 메타크릴레이트 모노머: 바이닐뷰티레이트, 바이닐스테아레이트와 같은 다작용성 바이닐 모노머 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 트라이알릴사이아누레이트(TAC), 트라이알릴아이소사이아누레이트(TAIC)가 바람직하다. 본 발명에 따른 수지 조성물에 있어서는, 이와 같은 가교 조제는, 가교 조제와 가교제(C)의 질량비[가교 조제/가교제(C)]가 1/30∼5/1, 바람직하게는 1/20∼3/1, 더 바람직하게는 1/15∼2/1이 되는 양, 특히 바람직하게는 1/10∼1/1이 되는 양으로 이용되는 것이 바람직하다.발포제(D)본 발명의 가교체 또는 가교 발포체, 특히 가교 발포체는, 필요에 따라서 가교제(C)를 포함하는 수지 조성물로부터 형성되는 것이어도 된다.수지 조성물이 발포제(D)를 함유하는 경우, 그 함유량은, 발포제(D)의 종류에도 의하지만, 에틸렌계 공중합체(A)와, 에틸렌·극성 모노머 공중합체(B1) 등의 그 밖의 수지 성분(B)의 합계 100질량부(즉 전체 수지 성분 100질량부)에 대해서, 발포제(D)를 0.1∼30질량부, 바람직하게는 0.1∼25질량부, 더 바람직하게는 0.5∼20질량부의 범위인 것이 바람직하다.본 발명에 있어서, 발포제(D)로서는, 화학 발포제, 물리 발포제의 어느 것도 이용할 수 있다. 화학 발포제로서는, 구체적으로는, 아조다이카본아마이드(ADCA), 1,1'-아조비스(1-아세톡시-1-페닐에테인), 다이메틸-2,2'-아조비스뷰티레이트, 다이메틸-2,2'-아조비스아이소뷰티레이트, 2,2'-아조비스(2,4,4-트라이메틸펜테인), 1,1'-아조비스(사이클로헥세인-1-카보나이트릴), 2,2'-아조비스[N-(2-카복시에틸)-2-메틸-프로피온아미딘] 등의 아조 화합물; N,N'-다이나이트로소펜타메틸렌테트라민(DPT) 등의 나이트로소 화합물; 4,4'-옥시비스(벤젠설폰일하이드라자이드), 다이페닐설폰-3,3'-다이설폰일하이드라자이드 등의 하이드라진 유도체; p-톨루엔설폰일세미카바자이드 등의 세미카바자이드 화합물; 트라이하이드라지노트라이아진 등의 유기계 열분해형 발포제, 더욱이, 탄산수소나트륨, 탄산수소암모늄 등의 중탄산염, 탄산나트륨, 탄산암모늄 등의 탄산염; 아질산암모늄 등의 아질산염, 수소 화합물 등의 무기계 열분해형 발포제를 들 수 있다. 그 중에서도, 아조다이카본아마이드(ADCA), 탄산수소나트륨이 특히 바람직하다.또한, 발포 시에 화학 반응을 반드시 수반하지는 않는 발포제인 물리 발포제로서는, 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 프로페인, 뷰테인, 펜테인, 헥세인 등의 각종 지방족 탄화수소류; 다이클로로에테인, 다이클로로메테인, 사염화탄소 등의 각종 염화 탄화수소류; 플론 등의 각종 불화염화 탄화수소류 등의 유기계 물리 발포제, 더욱이 공기, 이산화탄소, 질소, 아르곤, 물 등의 무기계 물리 발포제 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 증기로 할 필요가 없고, 염가이며, 환경 오염, 발화의 가능성이 극히 적은 이산화탄소, 질소, 아르곤이 가장 우수하다. 본 발명에 있어서 발포제(D)로서 물리 발포제를 이용하면, 발포제의 분해 잔사가 없기 때문에, 조성물의 가교 발포 시에 있어서의 금형 오염을 방지할 수 있다. 게다가, 물리 발포제는, 분상(粉狀)은 아니므로, 혼련성이 우수하다. 또한, 이 물리 발포제를 이용하면, 얻어지는 발포체의 이취(異臭)(ADCA 분해 시에 생성되는 암모니아 냄새 등)를 방지할 수 있다.또한, 본 발명에 있어서는, 발포제(D)로서 취기(臭氣), 금형 오염 등의 악영향을 일으키지 않는 범위에서, 상기와 같은 화학 발포제를 이용할 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상 조합하여 이용해도 되며, 물리 발포제와 화학 발포제를 조합하여 이용해도 된다.물리 발포제의 저장 방법으로서는, 소규모의 생산이면, 이산화탄소, 질소 등을 봄베에 들어 있는 상태로 사용하여, 사출 성형기 및 압출 성형기 등에 감압 밸브를 통해서 공급할 수 있고, 또한 펌프 등에 의해 승압하여, 사출 성형기 및 압출 성형기 등에 공급하는 경우도 있다.또한, 대규모로 발포 제품을 제조하는 설비이면, 액화 이산화탄소, 액화 질소 등의 저장 탱크를 설치하고, 열교환기를 통해, 기화하고, 배관에 의해, 감압 밸브에 의해 사출 성형기 및 압출 성형기 등에 공급한다.또한, 액상의 물리 발포제의 경우, 저장 압력으로서는, 0.13∼100MPa의 범위가 바람직하다.상기 발포제(D)로서 화학 발포제를 이용하는 경우, 화학 발포제는, 에틸렌계 공중합체(A)와, 에틸렌·극성 모노머 공중합체(B1) 등의 그 밖의 수지 성분(B)의 합계 100질량부에 대해서, 통상 2∼30질량부, 바람직하게는 3∼20질량부, 보다 바람직하게는 5∼15질량부의 비율로 이용된다. 단, 화학 발포제의 사용량은, 사용하는 발포제의 종류·그레이드에 따라 발생 가스량이 상이하기 때문에, 목적하는 발포 배율에 따라 적절히 증감될 수 있다.또한, 발포제(D)로서 물리 발포제를 이용하는 경우, 물리 발포제의 첨가량은, 원하는 발포 배율에 따라서 적절히 결정되지만, 에틸렌계 공중합체(A)와, 에틸렌·극성 모노머 공중합체(B1) 등의 그 밖의 수지 성분(B)의 합계 100질량부에 대해서, 통상 0.1∼15질량부, 바람직하게는 0.5∼10질량부이다.본 발명에 따른 수지 조성물은, 필요에 따라서, 발포제(D)와 함께 발포 조제를 함유해도 된다. 발포 조제는, 발포제(D)의 분해 온도의 저하, 분해 촉진, 기포의 균일화 등의 작용을 한다. 이와 같은 발포 조제로서는, 산화아연(ZnO), 스테아르산 아연, 살리실산, 프탈산, 스테아르산, 옥살산 등의 유기 산, 요소 또는 그의 유도체 등을 들 수 있다.임의 성분본 발명에 따른 수지 조성물은, 필요에 따라서, 전술한 각 성분 이외의 성분을 임의 성분으로서 함유해도 되고, 예를 들어, 필러, 내열 안정제, 내후 안정제, 난연제, 염산 흡수제, 안료 등의 각종 첨가제를 함유해도 된다. 각종 첨가제로서는, 올레핀계 수지에 첨가할 수 있는 첨가제로서 공지된 것을 들 수 있다.본 발명에서는, 에틸렌계 공중합체(A), 또는 에틸렌계 공중합체(A)를 포함하는 수지 조성물을, 사출 성형이나 발포 성형 등의 각종 성형 용도에 이용할 수 있고, 가교체 또는 가교 발포체의 제조에 적합하게 이용할 수 있다.가교체·가교 발포체의 제조본 발명에서는, 에틸렌계 공중합체(A)를 포함하는 원료로서, 전술한 에틸렌계 공중합체(A) 또는 에틸렌계 공중합체(A)를 포함하는 수지 조성물을 이용하여, 용융 성형하는 공정, 가교시키는 공정, 및 필요에 따라서 발포시키는 공정에 의해, 가교체 또는 가교 발포체를 제조한다.용융 성형하는 공정, 가교시키는 공정, 및 필요에 따라서 발포시키는 공정은, 축차 또는 연속적으로 행해도 되고, 동시에 행해도 된다.가교체 또는 가교 발포체의 제조에 있어서, 수지 조성물은, 펠렛화 또는 용융 혼련 상태로 하는 등, 미리 조제되어 있어도 되고, 또한, 용융 성형을 행할 때 등에, 각 성분을 동시 또는 축차로 동일한 공급부에 공급하는지, 또한 별개의 공급구로부터 각각 동시 또는 축차로 공급하는지에 따라, 용융 성형 등의 공정과 동시에, 성형기 내에서 조성물을 조제하여 이용해도 된다. 미리 조제된 수지 조성물을 사용하지 않는 경우에는, 수지 조성물의 각 성분을 각각 별개로 동일 또는 각각 다른 공급부에 공급해도 되고, 또한 전체 성분 중 임의의 2종 이상의 성분을 조성물로 한 것을 공급해도 된다.본 발명에 있어서, 용융 성형하는 공정은, 에틸렌계 공중합체(A)를 포함하는 원료를 용융시켜 성형하는 단계를 포함하는 방법이면 특별히 제한 없이 채용할 수 있고, 종래 공지된 용융 성형법, 예를 들어 압출 성형, 회전 성형, 캘린더 성형, 사출 성형, 압축 성형, 트랜스퍼 성형, 분말 성형, 블로우 성형, 진공 성형 등의 방법에 의해, 여러 가지 형상으로 성형할 수 있다. 또한 성형 공정은, 시트나 튜브상으로 한 에틸렌계 공중합체(A)를 포함하는 원료를, 캘린더 성형, 프레스 성형, 압출 성형, 인플레이션 성형 등의 방법에 의해 행해도 된다. 이들 성형법 중에서는, 사출 성형 및 트랜스퍼 성형이 바람직하고, 사출 성형이 특히 바람직하다. 사출 성형이나 트랜스퍼 성형은, 가교체 또는 가교 발포체인 성형체의 제조 효율이 우수하기 때문에 바람직하다. 본 발명에 따른 에틸렌계 공중합체(A) 또는 에틸렌계 공중합체(A)를 포함하는 수지 조성물은, 사출 성형성이 우수하여, 사출 성형체나 사출 발포 성형체를 제조한 경우에도, 성형성이 좋고, 치수 정밀도가 우수한 것으로 할 수 있다.또한 가교시키는 공정, 필요에 따라서 행하는 발포시키는 공정은, 용융 성형하는 공정과 동시에 행해도 되고, 용융 성형하는 공정 후에 행해도 된다. 더욱이, 가교시키는 공정, 필요에 따라서 행해지는 발포시키는 공정은, 성형체를 얻은 후에 일단 냉각하고, 다시 당해 성형체를 가열하여 행해도 된다. 가교시키는 공정은, 전술한 가교제(C)를 이용한 가교여도, 전자선 등을 이용한 가교여도 된다.가교 발포체를 제조하는 경우에는, 통상, 에틸렌계 공중합체(A)를 포함하는 원료를, 용융 성형하는 공정, 가교시키는 공정, 및 발포시키는 공정을 갖는다. 본 발명의 가교 발포체의 제조 방법은, 전술한 에틸렌계 공중합체(A) 또는 에틸렌계 공중합체(A)를 포함하는 수지 조성물을, 용융 성형하는 공정과, 가교시키는 공정과, 발포시키는 공정을 포함한다.가교 발포체의 제조에 이용하는 수지 조성물은, 미가교이면서 미발포 상태이며, 용융 상태여도 되고, 또한, 냉각 고화된 펠렛 또는 시트여도 된다.예를 들어, 가교 발포체를, 에틸렌계 공중합체(A)를 포함하는 수지 조성물의 펠렛을 이용하여 제조하는 경우, 펠렛은, 전술한 에틸렌계 공중합체(A) 및 필요에 따라서 에틸렌·극성 모노머 공중합체(B1) 등의 그 밖의 수지 성분(B), 및 필요에 따라서, 가교제(C), 발포제(D), 그 밖의 첨가제 등의 각 성분을, 전술한 비율에 따라 헨셸 믹서 등으로 혼합하고, 밴버리 믹서, 롤, 압출기 등의 혼련기로 가교제(C) 및/또는 발포제(D)가 분해되지 않는 온도에서 용융 가소화하고, 균일하게 혼합 분산시켜 조립기에 의해 조제할 수 있다.가교 발포체를 제조하는 방법으로서는, 후술하는 바와 같이 예를 들어, 열처리에 의한 가교와 전리성 방사선 가교를 들 수 있다. 열처리에 의한 가교의 경우에는, 수지 조성물이 가교제(C) 및 가교 조제를 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 전리성 방사선에 의한 가교의 경우에는, 가교 조제를 함유하는 것이 바람직하다.본 발명에 따른 가교 발포체는, 필요에 따라서, 필러, 내열 안정제, 내후 안정제, 난연제, 염산 흡수제, 안료 등의 각종 첨가제를, 본 발명의 목적을 해치지 않는 범위에서 포함해도 되고, 이들 각종 첨가제는, 미리 수지 조성물 중에 포함되어 있어도 되며, 또한, 가교 발포체의 제조 시에 첨가하여 이용되어도 된다.또한 가교 발포체를, 에틸렌계 공중합체(A) 또는 에틸렌계 공중합체(A)를 포함하는 수지 조성물의 시트를 이용하여 제조하는 경우, 해당 시트는, 예를 들어 상기와 같이 하여 얻어진 펠렛을 압출기 또는 캘린더 성형기를 이용하여 조제할 수 있다. 또한, 수지 조성물을 구성하는 각 성분을 브라벤더 등으로 혼련한 후, 캘린더 롤로 시트상으로 성형하는 방법, 프레스 성형기로 시트화하는 방법, 또는 압출기를 이용하여 혼련한 후 T 다이 또는 환상 다이를 통하여 시트화하는 방법 등에 의해, 미가교이면서 미발포 상태의 발포성 시트를 조제할 수 있다.본 발명의 가교 발포체는, 구체적으로는, 예를 들어 다음과 같은 방법에 의해 조제할 수 있다.예를 들어, 전술한 수지 조성물의 시트를 이용하여 가교 발포체를 제조하는 경우에는, 전술과 같이 하여 얻어진 수지 조성물의 시트를 캘린더 성형기, 프레스 성형기, T 다이 압출기를 이용하여 성형할 수 있다. 바람직하게는 상기 수지 조성물의 시트를, 캘린더 성형기, 프레스 성형기, T 다이 압출기를 이용하여 얻을 수 있다. 이 시트 성형 시에 있어서는, 가교제(C) 및 발포제(D)를 포함하는 경우에는 그의 분해 온도 이하에서 시트 성형하는 것이 바람직하고, 구체적으로는, 수지 조성물을 구성하는 수지 성분의 용융 상태에서의 온도가 예를 들어 100∼130℃가 되는 조건으로 설정하여 시트 성형하는 것이 바람직하다.상기 방법에 의해 얻어진 시트로부터 일차 발포체를 제조하는 방법을 예시하면, 예를 들어, 130∼200℃로 유지된 금형에, 금형의 용적에 대해서 1.0∼1.2의 범위로 재단하여, 금형 내에 삽입한다. 금형의 형체(型締) 압력은 예를 들어 30∼300kgf/cm2, 유지 시간은 예를 들어 10∼90분의 조건하에서, 일차 발포체(비가교 또는 가교 발포체)를 제작한다.즉 열처리에 의해 발포 성형체(비가교 또는 가교 발포체)를 제조한다. 발포 성형체가 비가교인 경우에는, 추가로 가열 또는 전자선 조사 등에 의해 가교를 행하여, 가교 발포체로 할 수 있다. 한편 유지 시간은, 금형의 두께에 의존하기 때문에, 이 범위를 초과하여 적절히 증감될 수 있다.상기 (가교) 발포체용 금형은, 그 형상은 특별히 제한은 되지 않지만, 통상 시트가 얻어지는 형상을 갖고 있는 금형이 이용된다. 이 금형은, 용융 수지 및 발포제 분해 시에 발생하는 가스가 빠지지 않도록, 완전히 밀폐된 구조로 하는 것이 바람직하다. 또한, 형틀로서는, 내면에 테이퍼가 져 있는 형틀이 수지의 이형성의 면에서 바람직하다.또한, 상기 방법 이외에도, 예를 들어 에틸렌계 공중합체(A)를 포함하는 상기 수지 조성물을 압출기로부터 압출하여, 대기 중으로 해방함과 동시에 발포시키는 압출 발포법에 의해, 비가교의 발포 성형체 또는 본 발명의 가교 발포체를 제조할 수도 있다. 즉 열처리에 의해 발포체를 제조할 수 있다. 발포 성형체가 비가교인 경우에는, 추가로 가열 또는 전자선 조사 등에 의해 가교를 행하여, 가교 발포체로 할 수 있다.또한 더욱이, 에틸렌계 공중합체(A) 또는 에틸렌계 공중합체(A)를 포함하는 수지 조성물, 바람직하게는 가교제(C) 및 발포제(D)를 포함하는 수지 조성물을, 가교제(C) 및 발포제(D)의 분해 온도 이하에서 금형 내에 사출하고, 금형 내에서 예를 들어 130℃∼200℃ 정도의 온도로 유지하여 가교 발포시키는 방법(사출 발포법)도 들 수 있다. 즉 열처리에 의해 발포체를 제조할 수 있다. 발포 성형체가 비가교인 경우에는, 추가로 가열 또는 전자선 조사 등에 의해 가교를 행하여, 가교 발포체로 할 수 있다.상기 방법에 의해 얻어진 일차 발포체를, 추가로 압축 성형에 의해 소정의 형상의 부여를 행하는 것도 바람직하다. 이 때의 압축 성형 조건의 일례를 들면, 금형 온도가 130∼200℃, 형체 압력이 30∼300kgf/cm2, 압축 시간이 5∼60분, 압축비가 1.1∼3.0, 바람직하게는 1.3∼2의 범위이다.또한, 전리성 방사선 조사에 의한 가교 방법에 의해 가교 발포체를 얻으려면, 우선, 발포 성형체가 비가교인 경우에는, 추가로 가열 또는 전자선 조사 등에 의해 가교를 행하여, 가교 발포체로 할 수 있다. 바람직하게는 유기계 열분해형 발포제인 발포제(D)를 포함하는 수지 조성물을, 발포제(D)의 분해 온도 미만의 온도에서 용융 혼련하고, 얻어진 혼련물을 예를 들어 시트상으로 성형하여, 미가교의 발포 시트를 얻는다.다음으로, 얻어진 미가교의 발포 시트에 전리성 방사선을 소정량 조사하여 발포 시트를 가교시킨 후, 얻어진 가교 발포 시트를 필요에 따라서 추가로 유기계 열분해형 발포제의 분해 온도 이상으로 가열하여 발포시키는 것에 의해, 시트상의 가교 발포체를 얻을 수 있다. 즉 열처리에 의해 발포체를 제조할 수 있다.전리성 방사선으로서는, α선, β선, γ선, 전자선, 중성자선, X선 등이 이용된다. 이 중 코발트-60의 γ선, 전자선이 바람직하게 이용된다.가교 발포체의 제품 형상으로서는, 예를 들어 시트상, 후물(厚物) 보드상, 네트상, 형물(型物) 등을 들 수 있다.상기와 같이 하여 얻어진 가교 발포체에 대해, 압축 성형에 의해 소정의 형상의 부여를 행하는 것에 의해 이차 발포체를 제조할 수 있다. 이 때의 압축 성형 조건의 일례를 들면, 금형 온도가 130∼200℃, 형체 압력이 30∼300kgf/cm2, 압축 시간이 5∼60분, 압축비가 1.1∼3.0의 범위이다.상기와 같은 제조법 중에서도, 에틸렌계 공중합체(A) 또는 에틸렌계 공중합체(A)를 포함하는 수지 조성물, 바람직하게는 가교제(C) 및 발포제(D)를 포함하는 수지 조성물을, 열처리하여 가교 발포체를 얻는 것이 바람직하다.또한, 본 발명의 가교 발포체는, 비중이 0.03∼0.30인 것도 바람직하다. 또한 본 발명의 발포 성형체의, 압축 영구 변형(CS, %)과 비중(d)은, 특별히 제한은 없지만, CS≤-279×(d)＋95를 만족하는 것이, 경량이면서 압축 영구 변형이 작은 발포 성형체를 제공할 수 있다는 점에서 바람직하다. 이와 같은 발포 성형체는, 압축에 대한 응력 완화가 양호하고, 내처짐성(sag resistance)이 요구되는 용도에 적합하여, 후술하는 적층체, 신발 또는 신발용 부품에 바람직하게 이용된다. 또한 상기 CS값의 하한에도 특별히 제한은 없지만, 예를 들어 10% 이상, 바람직하게는 25% 이상의 값이 되는 것이 바람직한 태양의 하나이다.본 발명의 가교체의 제조 방법에서는, 성형성 좋고, 기계 물성이 우수한 가교체를 제조할 수 있다.본 발명의 가교체의 제조 방법에 있어서, 성형성이 우수한 것은, 원료로서 이용하는 에틸렌계 공중합체(A)의 MFR10/MFR2.16이 높은 것에 기인한다고 생각된다. 또한 가교하는 것에 의해, 고무 탄성 등을 확보하지만, 가교의 정도가 동일해도, 본 발명의 가교체의 제조 방법 및 본 발명에 따른 가교체에서는, 바이닐기가 많은 에틸렌계 공중합체(A)를 원료로서 이용하는 것에 기인하여, 기계 강도가 커진다. 기계 강도가 우수한 가교체를 얻기 위해서는, 특히 에틸렌과 α-올레핀만을 단량체로서 이용한 에틸렌계 공중합체(A)를 이용하는 것이 바람직하다. 이 이유는 확실하지는 않지만, 에틸렌계 공중합체에 바이닐기가 적은 경우에는, 일정한 가교도를 예를 들어 가교제의 증량으로 달성하려고 하면, 가교점이 균일하게 분포될 수 없는 경우가 있는데 반하여, 본 발명과 같이 바이닐기가 많은 에틸렌계 공중합체(A)를 이용한 경우에는, 일정한 가교도를 달성하는데도, 가교점이 균일하게 분포되기 때문은 아닌가 하고 생각된다. 또한, 에틸렌계 공중합체(A)가, 에틸렌과 α-올레핀만을 공중합하여 얻어지는 것이면, 바이닐기가 분자의 말단에 존재하기 때문에, 보다 가교점이 균일하게 분포되는 것은 아닌가 하고 추정된다. 예를 들어 가교도(예를 들어 겔 함량, 발포체의 경우에는 예를 들어 비중 및 압축 영구 변형)를 일정하게 하여 비교하면, 본 발명의 에틸렌계 공중합체(A)와, 바이닐기가 보다 적은 공중합체에서는, 본 발명쪽이, 기계 강도(신도 등)가 우수하다고 생각된다. 또한, 본 발명의 가교체의 제조 방법에 의하면, 외관 불량(변색, 기포의 발생 등에 의한 표면 거칠어짐)이 적은 가교체를 제공할 수 있다.본 발명의 가교 발포체의 제조 제법에서는, 얻어지는 성형체의 치수의 안정성이 우수하다는 등 생산성 좋고, 기계 물성이 우수한 가교체를 제조할 수 있다. 이는, 예를 들어 사출 성형을 할 때에, 형으로의 수지의 주입 부분(예를 들어 게이트나 노즐 등)을 통하여 형에 수지가 유입될 때의 발열이 억제되어, 형 밖에서의 예기치 못한 발포나 가교를 방지할 수 있는 것은 아닌가 하고 추정하고 있다.또한 본 발명에 따른 가교 발포체는, 기계 강도가 우수하다. 가교 발포체의 제조에서는, 가교하는 것에 의해, 고무 탄성 등을 확보하지만, 가교의 정도가 동일해도, 본 발명의 에틸렌계 공중합체(A)를 이용한 경우에는, 공중합체 중에 바이닐기가 많은 것에 기인하여 기계 강도가 커지는 것은 아닌가 하고 예측하고 있다. 특히 에틸렌과 α-올레핀만을 단량체로서 이용한 에틸렌계 공중합체(A)를 이용한 경우가 바람직하다고 예측하고 있다. 이 이유는 확실하지는 않지만, 상기한 바와 같이, 에틸렌계 공중합체에 바이닐기가 적은 경우에는, 일정한 가교도를 예를 들어 가교제의 증량으로 달성하려고 하면, 가교점이 균일하게 분포될 수 없는 경우가 있는데 반하여, 본 발명과 같이 바이닐기가 많은 에틸렌계 공중합체(A)를 이용한 경우에는, 일정한 가교도를 달성하는데도, 가교점이 보다 균일하게 분포되기 때문은 아닌가 하고 추정된다. 또한, 에틸렌계 공중합체(A)가, 에틸렌과 α-올레핀만을 공중합하여 얻어지는 것이면, 바이닐기가 분자의 말단에 존재하기 때문에, 보다 가교점이 균일하게 분포되는 것은 아닌가 하고 추정된다. 예를 들어 가교도(예를 들어 겔 함량, 발포체의 경우에는 예를 들어 비중 및 압축 영구 변형)를 일정하게 하여 비교하면, 본 발명의 에틸렌계 공중합체(A)와, 바이닐기가 보다 적은 공중합체에서는, 본 발명쪽이, 기계 강도(신도 등)가 우수하다고 생각된다.또한, 본 발명의 가교 발포체의 제조 방법에 의하면, 성형체의 외관 불량(변색, 기대하지 않는 기포의 발생 등에 의한 표면 거칠어짐) 등도 적다.가교체의 용도본 발명에 따른 가교체는, 자동차용 웨더스트립, 건축용 재료, 호스(자동차용 호스, 송수용 호스, 가스용 호스), 방진 고무(자동차용 방진 고무, 철도용 방진 고무, 산업 기계용 방진 고무, 건축용 면진 고무), 벨트(전동 벨트, 반송용 벨트), 시일재(자동차용 컵·시일재, 산업 기계용 시일재), 피복 전선, 전선 조인트, 전기 절연 부품, 반도전 고무 부품, OA 기기용 롤, 공업용 롤 및 가정용 고무 제품 등에 적합하게 이용할 수 있다.더욱이, 본 발명에 따른 가교체는, 자동차용 내장재, 저VOC 자동차 재료, 전자 부품, 하드 디스크 커버, 전자파 실드, 방열 재료, 투명 호스, 손목시계 밴드, 반도체 봉지 재료, 태양 전지 봉지 재료, 건축용 저VOC 재료, 건축 개스킷, 건축용 시트, 건축 줄눈재 등에 적합하게 이용할 수 있다.상기 자동차용 웨더스트립으로서는, 예를 들어 도어 웨더스트립, 트렁크 웨더스트립, 러기지 웨더스트립, 루프 사이드 레일 웨더스트립, 슬라이드 도어 웨더스트립, 벤틸레이터 웨더스트립, 슬라이딩 루프 패널 웨더스트립, 프론트 윈도 웨더스트립, 리어 윈도 웨더스트립, 쿼터 윈도 웨더스트립, 락 필러 웨더스트립, 도어 글라스 아우터 웨더스트립, 도어 글라스 이너 웨더스트립, 댐 윈드실드, 글라스 런 채널, 도어 미러용 브래킷, 시일 헤드 램프, 시일 카울 탑 등을 들 수 있다. 상기 자동차용 호스로서는, 예를 들어 브레이크 호스, 라디에이터 호스, 히터 호스, 에어 클리너 호스 등을 들 수 있다.상기 자동차용 방진 고무로서는, 예를 들어 엔진 마운트, 액봉 엔진 마운트, 댐퍼 풀리, 체인 댐퍼, 카뷰레터 마운트, 토셔널 댐퍼, 스트럿 마운트, 러버 부시, 범퍼 고무, 헬퍼 고무, 스프링 시트, 쇼크 업소버, 공기 스프링, 보디 마운트, 범퍼 가드, 머플러 서포트, 고무 커플링, 센터 베어링 서포트, 클러치용 고무, 차동 마운트, 서스펜션 부시, 미끄럼 부시, 쿠션 스트럿 바, 스토퍼, 핸들 댐퍼, 라디에이터 서포터, 머플러 행어 등을 들 수 있다.상기 철도용 방진 고무로서는, 예를 들어 슬래브 매트, 밸러스트 매트, 궤도 매트 등을 들 수 있다.상기 산업 기계용 방진 고무로서는, 예를 들어 엑스팬션 조인트, 플렉시블 조인트, 부시, 마운트 등을 들 수 있다.상기 전동 벨트로서는, 예를 들어 V 벨트, 평벨트, 이빨 달린 벨트 등을 들 수 있다.상기 반송용 벨트로서는, 예를 들어 경반송용 벨트, 원통형 벨트, 러프 탑 벨트, 플랜지 달린 반송용 벨트, U형 가이드 달린 반송용 벨트, V 가이드 달린 반송용 벨트 등을 들 수 있다.상기 자동차용 컵·시일재로서는, 예를 들어 마스터 실린더 피스톤 컵, 휠 실린더 피스톤 컵, 등속 조인트 부츠, 핀 부츠, 더스트 커버, 피스톤 시일, 패킹, O링, 다이어프램 등을 들 수 있다.상기 산업 기계용 시일재로서는, 예를 들어 콘덴서 패킹, O링, 패킹 등을 들 수 있다.상기 자동차용 웨더스트립 스펀지로서는, 예를 들어 도어 웨더스트립 스펀지, 보닛 웨더스트립 스펀지, 트렁크 룸 웨더스트립 스펀지, 선루프 웨더스트립 스펀지, 벤틸레이터 웨더스트립 스펀지, 코너 스펀지 등을 들 수 있다.상기 건축용 시일 스펀지로서는, 예를 들어 개스킷, 에어 타이트, 줄눈재, 문버팀쇠부의 시일 스펀지 등을 들 수 있다. 상기 OA 기기용 롤로서는, 예를 들어 대전 롤, 전사 롤, 현상 롤, 급지 롤 등을 들 수 있다.상기 공업용 롤로서는, 예를 들어 제철용 롤, 제지용 롤, 인쇄용 전선 롤 등을 들 수 있다.상기 가정용 고무 제품으로서는, 예를 들어 비옷, 고무밴드, 구두, 고무장갑, 라텍스 제품, 골프 볼 등을 들 수 있다.＜적층 성형체, 신발용 부품＞본 발명의 가교체는, 타 소재와, 또는 본 발명의 가교체끼리 적층된 적층 성형체인 것도 바람직하다. 적층 성형체로 하는 가교체는 특히 가교 발포체인 것이 바람직하다. 적층체인 본 발명의 가교 발포체는, 상기한, 본 발명의 가교 발포 성형체로 이루어지는 층과, 폴리올레핀, 폴리유레테인, 고무, 피혁 및 인공 피혁으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 소재로 이루어지는 층을 갖는 적층 성형체인 것이 바람직하다.적층 성형체를 구성하는 타 소재, 바람직하게는 폴리올레핀, 폴리유레테인, 고무, 피혁 및 인공 피혁으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 소재로서는, 특별히 제한되지 않고 공지된 것을 이용할 수 있다. 이와 같은 적층 성형체는 신발용 부품으로서 특히 적합하다.신발용 부품으로서는, 예를 들어 구두창, 구두의 미드솔, 이너솔, 솔, 샌들 등을 들 수 있다.본 발명에 따른 신발 또는 신발용 부품은, 본 발명의 발포 성형체 또는 적층체인 본 발명의 발포 성형체를 이용하고 있기 때문에, 경량이고, 장기간의 사용에 의한 변형을 억제할 수 있다. 이 때문에 신발용 부품인 본 발명의 가교 발포 성형체는, 스포츠화용 등에 특히 유용하다.실시예이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.이하의 실시예 및 비교예에 있어서, 각종 물성은 이하와 같이 하여 측정 또는 평가했다.[공중합체의 물성 평가]이중 결합량이중 결합량의 정량은, 에틸렌·α-올레핀 공중합체의 1H-NMR 측정(니혼전자(주)제, 「ECX400P형 핵자기 공명 장치」)에 의해 행했다. 여기에서, 이중 결합에서 유래하는 시그널로서 바이닐형 이중 결합, 바이닐리덴형 이중 결합, 2치환 올레핀형 이중 결합 및 3치환 올레핀형 이중 결합이 관측된다. 각 시그널의 적분 강도로부터 이중 결합량을 정량했다. 한편, 에틸렌·α-올레핀 공중합체의 주쇄 메틸렌 시그널을 케미컬 시프트 기준(1.2ppm)으로 했다.각 식 중, *는 수소 원자 이외의 원자와의 결합손을 나타낸다.각 수소 원자 a∼e의 피크는, 하기 부근에 관측된다. · 수소 원자 a의 피크: 4.60ppm· 수소 원자 b의 피크: 4.85ppm· 수소 원자 c의 피크: 5.10ppm· 수소 원자 d의 피크: 5.25ppm· 수소 원자 e의 피크: 5.70ppm이중 결합량의 정량식은, 이하와 같다.· 바이닐형 이중 결합량=(시그널 b의 적분 강도)＋(시그널 e의 적분 강도)/3· 바이닐리덴형 이중 결합량=(시그널 a의 적분 강도)/2· 2치환 올레핀형 이중 결합량=(시그널 d의 적분 강도)/2· 3치환 올레핀형 이중 결합량=(시그널 c의 적분 강도)이들 결과로부터, 탄소수 1000개당 바이닐기 함유량(바이닐형 이중 결합량) 및 탄소수 1000개당 바이닐리덴기 함유량(바이닐리덴형 이중 결합량)을 구했다.밀도 d밀도 d(kg/m3)는, ASTM D1505에 따라, 23℃에서 구했다.MFRMFR(멜트 플로 레이트, g/10분)는, ASTM D1238에 따라, 190℃에서 구했다. 2.16kg 하중에서의 측정치를 MFR2.16, 10kg 하중에서의 측정치를 MFR10으로 했다.분자량 분포(Mw/Mn)겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)에 의해, 오쏘다이클로로벤젠 용매, 140℃에서 구했다. Waters사제 겔 침투 크로마토그래프 Alliance GPC-2000형을 이용하여, 이하와 같이 하여 측정했다. 분리 컬럼은, TSKgel GNH6-HT를 2개, 및 TSKgel GNH6-HTL을 2개이며, 컬럼 사이즈는 모두 직경 7.5mm, 길이 300mm이고, 컬럼 온도는 140℃로 하고, 이동상으로는 o-다이클로로벤젠(와코준야쿠공업) 및 산화 방지제로서 BHT(다케다약품) 0.025질량%를 이용하여, 1.0ml/분으로 이동시키고, 시료 농도는 15mg/10ml로 하고, 시료 주입량은 500μl로 하고, 검출기로서 시차굴절계를 이용했다. 표준 폴리스타이렌은, 분자량이 Mw＜1000, 및 Mw＞4×106에 대해서는 도소사제를 이용하고, 1000≤Mw≤4×106에 대해서는 프레셔 케미컬사제를 이용했다.[가교 시트의 물성·외관 평가]인장 강도인장 강도는, JIS 3호 덤벨을 이용하여 인장 속도 50mm/분으로 인장 시험을 행하여 구했다.겔 함량겔 함량은, 가교체를 2g 채취하고, 325메쉬의 금망(金網)에 넣고, 비등 파라자일렌 용매에 140℃에서, 24시간 침지하고, 잔류물을 23℃에서 1시간 건조한 후, 추가로 80℃에서 2시간 진공 건조를 실시하고, 금망 중에 남은 겔물의 중량을 측정하여 구했다.표면 상태가교 시트의 표면 상태를, 육안 관찰에 의해, 표면이 평활하고 거칠어져 있지 않은 것을 「양호」, 표면 거칠어짐을 확인할 수 있는 것을 「불량」이라고 평가했다.[가교 발포체의 물성 평가]비중비중은, JIS K7222에 따라 측정했다. 샘플은, 발포체가 입방체이면 최대 면적의 평면의 네 변으로부터 각각 20mm 이상 내부, 또한 해당 평행 평면의 표면으로부터 스킨을 남긴 상태로 샘플링했다. 예를 들어 미드솔의 경우, 단부로부터 각각 20mm 이상 내부, 대략 평행 평면의 양 표면으로부터 스킨을 남긴 상태로 샘플을 조제했다.측정은 발포체의 5 부위의 평균으로 한다. 또한 발포체의 품질의 균일성의 척도인, 5 부위의 비중의 측정치의 최대치와 최소치의 차가 0.08 이하인 것이 바람직하고, 0.06 이하인 것이 더 바람직하다. 상기 범위가 0.08을 초과하면, 성형체 품질(경도, 기계 물성, 압축 영구 변형 등)이 일정하지 않다는 것을 의미한다.아스카 C 경도아스카 C 경도는, JIS K7312-1996 부속서 2에 기재된 「스프링 경도 시험 타입 C 시험 방법」에 따라, 23℃ 환경하에서 측정을 행했다.반발 탄성반발 탄성은, JIS K6255에 준하여 측정을 행했다. 샘플은 상기 (2) 압축 영구 변형(CS)에 사용하는 샘플과 동일한 방법으로 조제한 샘플을 준비하여, 23℃ 분위기하에서 측정을 행했다.인열 강도인열 강도는, ASTM D3574에 따라, 23℃ 환경하에서 측정을 행했다. 시험기는 인장 시험기를 사용하고, 인장 속도는 100mm/min으로 한다. 인열 강도 Tr(N/mm)은 다음 식으로 계산했다.Tr=T0/T1×9.81 T0: 인열 응력(kg) T1: 샘플 폭(mm)압축 영구 변형(CS)압축 영구 변형(CS)은, JIS K6262에 준하여 측정을 행했다. 샘플은, 발포체를 φ 30mm, 두께 15mm 이상의 원기둥형으로 잘라내고, 원기둥의 2개의 평행 평면 각각에 대해, 해당 평행 평면의 표면으로부터 뽑아내어, 편방에 스킨을 남긴 상태로 두께 10mm로 한 것을 이용했다.한편, 샘플 채취 대상이 되는 발포체가, 여러 가지 형상의 입체인 경우에도, φ 30mm, 두께 15mm 이상의 원기둥형으로 잘라내고, 원기둥의 2개의 평행 평면 각각에 대해, 해당 평행 평면의 표면으로부터 뽑아내어, 편방에 스킨을 남긴 상태로 두께를 10mm로 함으로써 샘플로 했다.발포체로부터 원기둥형으로의 잘라내기, 및 평행 평면의 표면으로부터의 발포체의 절취는 원기둥 뽑기 덤벨형을 사용할 수 있다.이 샘플을, 50% 압축, 50℃ 환경에서 6시간 정치하고, 압축으로부터 해방하여 30분 후에 측정했다. 압축 영구 변형(CS)(%)은, 이하의 식에 의해 산출했다.CS=(t0-t1)/(t0-t2)×100 t0: 샘플 원래 두께(mm) t1: 샘플을 압축 장치로부터 꺼낸지 30분 후의 두께(mm) t2: 스페이서 두께(mm)[실시예 1]에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-1)의 제조교반 날개를 구비한 내용적 100L의 스테인레스제 중합기(교반 회전수=250rpm)를 이용하여, 중합 온도 165℃, 중합 압력 2.8MPaG에서, 연속적으로 에틸렌과 1-옥텐의 공중합을 행했다. 중합기 측부로부터 매시(每時), 탈수 정제한 헥세인을 22L, 에틸렌을 6.6kg, 1-옥텐을 6.5kg의 속도로, 또한 수소를 10NL, 비스(p-톨릴)메틸렌(사이클로펜타다이엔일)(1,1,4,4,7,7,10,10-옥타메틸-1,2,3,4,7,8,9,10-옥타하이드로다이벤즈(b,h)-플루오렌일)지르코늄 다이클로라이드를 0.028mmol, 메틸알루미녹세인을 알루미늄 환산으로 14mmol, 트라이아이소뷰틸알루미늄을 10mmol의 속도로 연속적으로 공급하여, 공중합 반응을 행했다. 생성된 에틸렌·1-옥텐 공중합체의 헥세인 용액을, 중합기 측벽부에 설치된 배출구를 개재시켜, 중합기 내 용액량 30L를 유지하도록 액면 제어 밸브의 개방도를 조절하면서 연속적으로 배출했다. 얻어진 에틸렌/1-옥텐 공중합체의 헥세인 용액을 가열기로 유도하여 180℃로 승온시키고, 촉매 실활제로서 매시, 메탄올을 80mL로 첨가하여 중합을 정지시키고, 감압한 탈휘 공정에 연속적으로 이송하여 건조하는 것에 의해, 에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-1)을 얻었다.상기와 같이 하여 얻어진 에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-1)은, 밀도 d가 906kg/m3, MFR2.16이 2.0g/10min, 수량이 매시 7.0kg이었다.물성을 표 1에 나타낸다.가교 시트의 제조 및 평가상기에서 얻은 에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-1) 100질량부에 대해서, 다이큐밀퍼옥사이드(DCP) 0.8질량부, 및 트라이알릴아이소사이아누레이트(TAIC)[상품명 M-60(TAIC 함유량 60%), 닛폰화성(주)제] 0.1질량부(TAIC 함량으로서)를, 2본 롤을 이용하여 용융 혼합 배합하여, 수지 조성물을 얻었다. 그 후, 선단 온도를 120℃로 설정한 시트 성형기로 1mm 두께의 시트를 작성하고, 180℃로 설정한 오븐으로 10분간 가열하여, 가교체인 가교 시트를 작성했다. 얻어진 가교 시트의 인장 강도, 겔 함량, 표면 상태를 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.가교 발포체의 제조상기에서 얻은 에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-1) 70질량부, 에틸렌바이닐아세테이트 공중합체(VA 함량=22wt%) 30질량부, 산화아연 3.0질량부, 다이큐밀퍼옥사이드(DCP) 0.9질량부, 트라이알릴아이소사이아누레이트(TAIC)[상품명 M-60(TAIC 함유량 60%), 닛폰화성(주)제] 0.1질량부(TAIC 함량으로서), 아조다이카본아마이드 5.5질량부, 및 실리콘 고무(상품명 CF201U, 다우코닝사제) 2질량부로 이루어지는 혼합물을, 롤에 의해, 롤 표면 온도 120℃에서 10분간 혼련한 후, 2축 테이퍼 스크류가 부속된 단축 압출기를 사용하여, 혼합물이 가교, 발포를 개시하지 않는 온도 이하(130℃ 정도)에서 펠렛화했다. 얻어진 펠렛을, 사출 발포 성형기(KingSteel사제)에 투입하여, 가교 발포체를 얻었다. 금형 조건은 100kg/cm2, 170℃, 7분이며, 사출 발포의 조건(사출 실린더 조건)은, 사출 압력 90kg/cm2, 실린더 온도 설정: C1/C2/C3/C4=80/85/90/95℃, 사출 속도: C1/C2/C3/C4=28/26/24/22%로 설정했다. 금형 사이즈는, 두께 10mm, 세로 180mm, 가로 60mm로 했다.얻어진 가교 발포체를, 성형 직후에, 60℃에서 30분간 어닐링을 실시하고, 24시간 후에 비중, 압축 영구 변형, 아스카 C 경도, 반발 탄성을 상기 방법에 따라 측정했다. 그 결과를 표 1에 아울러 나타낸다.한편 이 가교 발포체에 대해 190℃, 2.16kg 하중에서 MFR 측정을 시도했지만, 전혀 유동하지 않았다. 즉 MFR2.16은 0.01g/10분보다도 낮은 것이었다. 성형 안정성 평가상기 방법으로 사출 성형을 20회 연속으로 실시하여, 발포체 성형품의 세로 방향의 길이의 표준 편차를 측정했다. 결과를 표 1에 아울러 나타낸다.[실시예 2]에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-2)의 제조실시예 1에 있어서, 중합 온도를 160℃, 중합 압력을 3.2MPaG, 매시, 에틸렌을 7.5kg, 1-옥텐 대신에 1-뷰텐을 4.9kg의 공급 속도로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-2)를 얻었다.상기와 같이 하여 얻어진 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-2)는, 밀도 d가 895kg/m3, MFR2.16이 3.0g/10min, 수량이 매시 8.0kg이었다. 물성을 표 1에 나타낸다.가교 발포체의 제조, 및 물성 평가 및 성형 안정성 평가실시예 1에 있어서, 에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-1) 대신에, 상기에서 얻은 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-2)를 이용하고, 표 1에 나타내는 배합 처방으로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 가교 발포체의 제조, 및 물성 및 성형 안정성의 평가를 행했다. 결과를 표 1에 아울러 나타낸다.[실시예 3]에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-3)의 제조실시예 2에 있어서, 매시, 에틸렌을 7.0kg, 1-뷰텐을 5.9kg의 공급 속도로 바꾼 것 이외에는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-3)을 얻었다.상기와 같이 하여 얻어진 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-3)은, 밀도 d가 885kg/m3, MFR2.16이 2.6g/10min, 수량이 매시 8.0kg이었다. 물성을 표 1에 나타낸다.가교 시트의 제조 및 평가실시예 1에 있어서, 에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-1) 대신에, 상기에서 얻은 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-3)을 이용하고, 표 1에 나타내는 배합 처방으로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 가교 시트의 제조 및 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.가교 발포체의 제조, 및 물성 평가 및 성형 안정성 평가실시예 1에 있어서, 에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-1) 대신에, 상기에서 얻은 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-3)을 이용하고, 표 1에 나타내는 배합 처방으로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 가교 발포체의 제조, 및 물성 및 성형 안정성의 평가를 행했다. 결과를 표 1에 아울러 나타낸다.[실시예 4]에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-4)의 제조실시예 2에 있어서, 중합 압력을 2.5MPaG, 매시, 에틸렌을 6.6kg, 1-뷰텐을 3.3kg, 수소를 5NL, 비스(p-톨릴)메틸렌(사이클로펜타다이엔일)(1,1,4,4,7,7,10,10-옥타메틸-1,2,3,4,7,8,9,10-옥타하이드로다이벤즈(b,h)-플루오렌일)지르코늄 다이클로라이드를 0.040mmol, 메틸알루미녹세인을 20mmol의 공급 속도로 바꾼 것 이외에는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-4)를 얻었다.상기와 같이 하여 얻어진 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-4)는, 밀도 d가 876kg/m3, MFR2.16이 3.9g/10min, 수량이 매시 8.4kg이었다. 물성을 표 1에 나타낸다.가교 발포체의 제조, 및 물성 평가 및 성형 안정성 평가실시예 1에 있어서, 에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-1) 대신에, 상기에서 얻은 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-4)를 이용하고, 표 1에 나타내는 배합 처방으로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 가교 발포체의 제조, 및 물성 및 성형 안정성의 평가를 행했다. 결과를 표 1에 아울러 나타낸다.[실시예 5]에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-5)의 제조실시예 2에 있어서, 매시, 수소를 15NL의 공급 속도로 바꾼 것 이외에는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-5)를 얻었다.상기와 같이 하여 얻어진 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-5)는, 밀도 d가 894kg/m3, MFR2.16이 4.0g/10min, 수량이 매시 8.1kg이었다. 물성을 표 1에 나타낸다.[비교예 1]에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-6)의 제조실시예 1에 있어서, 중합 온도를 110℃, 중합 압력을 0.8MPaG, 매시, 헥세인을 55L, 에틸렌을 1.7kg, 1-옥텐을 2.1kg, 비스(p-톨릴)메틸렌(사이클로펜타다이엔일)(1,1,4,4,7,7,10,10-옥타메틸-1,2,3,4,7,8,9,10-옥타하이드로다이벤즈(b,h)-플루오렌일)지르코늄 다이클로라이드 대신에 [다이메틸(t-뷰틸아마이드)(테트라메틸-η5-사이클로펜타다이엔일)실레인]타이타늄 다이클로라이드를 0.009mmol, 메틸알루미녹세인 대신에 트라이페닐카베늄(테트라키스펜타플루오로페닐)보레이트를 0.090mmol, 트라이아이소뷰틸알루미늄을 6mmol의 공급 속도로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 에틸렌/1-옥텐 공중합체(A-6)을 얻었다.상기와 같이 하여 얻어진 에틸렌/1-옥텐 공중합체(A-6)은, 밀도 d가 905kg/m3, MFR2.16이 1.2g/10min, 수량이 매시 1.3kg이었다. 물성을 표 1에 나타낸다.가교 시트의 제조 및 평가실시예 1에 있어서, 에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-1) 대신에, 상기에서 얻은 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-6)을 이용하고, 표 1에 나타내는 배합 처방으로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 가교 시트의 제조 및 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.가교 발포체의 제조, 및 물성 평가 및 성형 안정성 평가실시예 1에 있어서, 에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-1) 대신에, 상기에서 얻은 에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-6)을 이용하고, 표 1에 나타내는 배합 처방으로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 가교 발포체의 제조, 및 물성 및 성형 안정성의 평가를 행했다. 결과를 표 1에 아울러 나타낸다.[비교예 2]에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-7)의 제조교반 날개를 구비한 실질 내용적 1L의 스테인레스제 중합기(교반 회전수=500rpm)를 이용하여, 중합 온도 130℃에서, 만액 상태로 연속적으로 에틸렌과 1-뷰텐의 공중합을 행했다. 중합기 측부로부터 액상으로 매시, 헥세인을 1.82L, 에틸렌을 56g, 1-뷰텐을 40g의 속도로, 또한 수소를 0.6NL, 비스(p-톨릴)메틸렌(사이클로펜타다이엔일)(1,1,4,4,7,7,10,10-옥타메틸-1,2,3,4,7,8,9,10-옥타하이드로다이벤즈(b,h)-플루오렌일)지르코늄 다이클로라이드를 0.0001mmol, 메틸알루미녹세인/톨루엔 용액을 알루미늄 환산으로 0.05mmol, 트라이아이소뷰틸알루미늄을 1.0mmol의 속도로 연속적으로 공급하고, 중합 압력 3.8MPaG가 되도록 유지하여 공중합 반응을 행했다. 한편, 연속적으로 얻어진 에틸렌·1-뷰텐 공중합체의 헥세인 용액을 홀드 드럼에 저장하고, 거기에 촉매 실활제로서 매시, 메탄올을 0.2ml로 첨가하여 중합을 정지했다.얻어진 에틸렌·1-뷰텐 공중합체의 헥세인 용액을, 1시간마다 뽑아내어 2L의 메탄올 중에서 중합 용액으로부터 폴리머를 석출하고, 진공하 130℃, 10시간 건조하여 에틸렌/1-뷰텐 공중합체(A-7)을 얻었다.상기와 같이 하여 얻어진 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-7)은, 밀도 d가 907kg/m3, MFR2.16이 1.2g/10min, 수량이 매시 43.5g이었다. 물성을 표 1에 나타낸다.가교 시트의 제조 및 평가실시예 1에 있어서, 에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-1) 대신에, 상기에서 얻은 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-7)을 이용하고, 표 1에 나타내는 배합 처방으로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 가교 시트의 제조 및 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.가교 발포체의 제조, 및 물성 평가 및 성형 안정성 평가실시예 1에 있어서, 에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-1) 대신에, 상기에서 얻은 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-7)을 이용하고, 표 1에 나타내는 배합 처방으로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 가교 발포체의 제조, 및 물성 및 성형 안정성의 평가를 행했다. 결과를 표 1에 아울러 나타낸다.[비교예 3]에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-8)의 제조교반 날개를 구비한 실질 내용적 1L의 스테인레스제 중합기(교반 회전수=500rpm)를 이용하여, 중합 온도 125℃에서, 만액 상태로 연속적으로 에틸렌과 1-뷰텐의 공중합을 행했다. 중합기 측부로부터 액상으로 매시, 헥세인을 1.73L, 에틸렌을 56g, 1-뷰텐을 90g의 속도로, 또한 수소를 0.5NL, 비스(p-톨릴)메틸렌(사이클로펜타다이엔일)(1,1,4,4,7,7,10,10-옥타메틸-1,2,3,4,7,8,9,10-옥타하이드로다이벤즈(b,h)-플루오렌일)지르코늄 다이클로라이드를 0.00015mmol, 메틸알루미녹세인/톨루엔 용액을 알루미늄 환산으로 0.075mmol, 트라이아이소뷰틸알루미늄을 1.0mmol의 속도로 연속적으로 공급하고, 중합 압력 3.8MPaG가 되도록 유지하여 공중합 반응을 행했다. 한편, 연속적으로 얻어진 에틸렌·1-뷰텐 공중합체의 헥세인 용액을 홀드 드럼에 저장하고, 거기에 촉매 실활제로서 매시, 메탄올을 0.2ml로 첨가하여 중합을 정지했다.얻어진 에틸렌·1-뷰텐 공중합체의 헥세인 용액을, 1시간마다 뽑아내어 2L의 메탄올 중에서 중합 용액으로부터 폴리머를 석출하고, 진공하 130℃, 10시간 건조하여 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-8)을 얻었다.상기와 같이 하여 얻어진 에틸렌/1-뷰텐 공중합체(A-8)은, 밀도 d가 884kg/m3, MFR2.16이 3.7g/10min, 수량이 매시 49.0g이었다. 물성을 표 1에 나타낸다.가교 시트의 제조 및 평가실시예 1에 있어서, 에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-1) 대신에, 상기에서 얻은 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-8)을 이용하고, 표 1에 나타내는 배합 처방으로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 가교 시트의 제조 및 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.가교 발포체의 제조, 및 물성 평가 및 성형 안정성 평가실시예 1에 있어서, 에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-1) 대신에, 상기에서 얻은 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-8)을 이용하고, 표 1에 나타내는 배합 처방으로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 가교 발포체의 제조, 및 물성 및 성형 안정성의 평가를 행했다. 결과를 표 1에 아울러 나타낸다.[비교예 4]에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-9)의 제조 방법비교예 3에 있어서, 중합 온도를 150℃, 헥세인을 매시 1.40L, 에틸렌을 94g, 1-뷰텐 대신에 1-옥텐을 286g으로 하고, 수소를 공급하지 않고, 비스(p-톨릴)메틸렌(사이클로펜타다이엔일)(1,1,4,4,7,7,10,10-옥타메틸-1,2,3,4,7,8,9,10-옥타하이드로다이벤즈(b,h)-플루오렌일)지르코늄 다이클로라이드를 0.003mmol, 메틸알루미녹세인/톨루엔 용액을 알루미늄 환산으로 0.15mmol의 속도로 바꾼 것 이외에는, 비교예 3과 마찬가지로 하여 에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-9)를 얻었다. 얻어진 에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-9)는, 밀도 d가 874kg/m3, MFR2.16이 1.1g/10min, 수량이 매시 75.0g이었다. 물성을 표 1에 나타낸다.가교 발포체의 제조, 및 물성 평가 및 성형 안정성 평가실시예 1에 있어서, 에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-1) 대신에, 상기에서 얻은 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-9)를 이용하고, 표 1에 나타내는 배합 처방으로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 가교 발포체의 제조, 및 물성 및 성형 안정성의 평가를 행했다. 결과를 표 1에 아울러 나타낸다.[비교예 5]에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-10)의 제조 방법실시예 2에 있어서, 중합 온도를 130℃, 중합 압력을 1.0MPaG, 매시, 헥세인을 55L, 에틸렌을 1.7kg, 1-뷰텐을 1.1kg, 수소를 20NL, 비스(p-톨릴)메틸렌(사이클로펜타다이엔일)(1,1,4,4,7,7,10,10-옥타메틸-1,2,3,4,7,8,9,10-옥타하이드로다이벤즈(b,h)-플루오렌일)지르코늄 다이클로라이드 대신에 rac-다이메틸실릴렌-비스1-(2-메틸-4-페닐-1-인덴일)지르코늄 다이클로라이드를 0.0030mmol, 메틸알루미녹세인을 알루미늄 환산으로 1.5mmol, 트라이아이소뷰틸알루미늄을 30mmol의 공급 속도로 바꾼 것 이외에는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-10)을 얻었다.상기와 같이 하여 얻어진 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-10)은, 밀도 d가 904kg/m3, MFR2.16이 1.1g/10min, 수량이 매시 1.4kg이었다. 물성을 표 1에 나타낸다.가교 시트의 제조 및 평가실시예 1에 있어서, 에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-1) 대신에, 상기에서 얻은 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-10)을 이용하고, 표 1에 나타내는 배합 처방으로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 가교 시트의 제조 및 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.가교 발포체의 제조, 및 물성 평가 및 성형 안정성 평가실시예 1에 있어서, 에틸렌·1-옥텐 공중합체(A-1) 대신에, 상기에서 얻은 에틸렌·1-뷰텐 공중합체(A-10)을 이용하고, 표 1에 나타내는 배합 처방으로 한 것 외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 가교 발포체의 제조, 및 물성 및 성형 안정성의 평가를 행했다. 결과를 표 1에 아울러 나타낸다.가교 시트의 평가 결과본 발명의 에틸렌·α-올레핀 공중합체를 이용한 실시예 1, 3에서는, MFR10/MFR2.16의 값이 본원 범위보다도 큰 비교예 5의 중합체를 이용하는 경우와 비교하여, 겔 함량이 동치이므로 가교도가 동등하다는 것이 나타나고 있음에도 불구하고, 얻어지는 가교체의 강도 및 신도, 그들의 균형이 우수하다는 것을 알 수 있다. 또한, MFR10/MFR2.16의 값이 본원 범위보다도 작은 비교예 1, 2, 3의 중합체를 이용하는 경우와 비교하여, 얻어지는 가교체의 표면 상태가 우수하고, 또한, 강도 및 신도의 균형이 우수하다는 것을 알 수 있다.가교 발포체의 평가 결과, 및 성형 안정성 평가 결과본 발명의 에틸렌·α-올레핀 공중합체를 이용한 실시예 1∼4는, MFR10/MFR2.16의 값이 본원 범위보다도 지나치게 크거나 또는 지나치게 작은 비교예 1∼5와 비교하여, 성형 안정성이 우수하다는 것을 알 수 있다. 더욱이, 얻어진 성형체는 인열 강도가 우수하고, 압축 영구 변형이 작은 경향이 확인된다. [ 산업상 이용가능성 ] 본 발명에 따른 가교체 및 가교 발포체는, 가교체 및 가교 발포체의 용도로서 종래 공지된 용도에 제한 없이 이용할 수 있고, 예를 들어, 자동차 내장 표피재, 웨더스트립 스펀지, 보디 패널, 스티어링 휠, 사이드 실드 등의 자동차 내외장 부품; 지반 개량용 시트, 상수판, 소음 방지벽 등의 토목·건재; 공업 부품; 구두창, 샌들 등의 신발용 부품; 전선 피복재, 커넥터, 캡 플러그 등의 전기·전자 부품; 골프 클럽 그립, 야구 배트 그립, 수영용 핀, 수중 안경 등의 스포츠·레저 용품; 개스킷, 방수포, 가든 호스, 벨트, 탈수 시트, 화장용 퍼프 등의 잡화 등을 들 수 있다. 특히, 구두창, 구두의 미드솔, 이너솔, 솔, 샌들 등의 신발용 부품으로서 적합하게 이용할 수 있다.	[해결 수단] 본 발명의 가교체의 제조 방법은, 에틸렌 유래의 구성 단위와 탄소수 3∼20의 α-올레핀 유래의 구성 단위를 갖는 공중합체로서, 하기 (1), (2) 및 (3)의 요건을 모두 만족하는 에틸렌계 공중합체(A) 또는 해당 에틸렌계 공중합체(A)를 포함하는 수지 조성물을 용융 성형하는 공정과, 가교시키는 공정을 포함한다. (1) 1H-NMR에 의해 구해지는 탄소수 1000개당 바이닐기 함유량이 0.06개 이상 1개 이하이다. (2) MFR10/MFR2.16이 8.5 이상 50 이하이다. (3) 밀도 d가 850kg/m3 이상 920kg/m3 이하이다. [효과] 본 발명의 가교체의 제조 방법에 의하면, 성형성 좋고, 기계 강도가 우수한 가교체를 얻을 수 있다. 더욱이, 생산성이 우수한 방법으로, 경량이고 기계 강도가 우수한 발포체를 얻을 수 있고, 또한 개체간에서의 치수의 격차가 작은 가교 성형체를 제공할 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 로봇 핸드, 로봇, 및 로봇 셀ROBOT HAND, ROBOT, AND ROBOT CELL [ 기술분야 ] 본 발명은, 워크를 유지하기 위한 로봇 핸드, 이 로봇 핸드를 구비한 로봇, 및 이 로봇이 내부에 설치된 로봇 셀에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 종래, 로봇 핸드로 워크를 유지하여 반송 등을 행하는 산업용 로봇이 알려져 있으며, 전형적으로는 다관절형 로봇을 들 수 있다. 다관절형 로봇에 있어서는, 복수의 아암 부재가 순차적으로 관절을 통하여 서로 연결되어 로봇 아암이 구성되며, 이 로봇 아암의 선단에 로봇 핸드가 장착되어 있다. 다관절형 로봇, 전형적으로는 6축 다관절형 로봇은, 로봇 아암의 선단에 장착된 로봇 핸드의 이동에 높은 자유도를 가지고 있다. 최근, 자립형의 생산 설비로서 로봇 셀의 채용이 진행되고 있지만, 로봇 셀과 같이 한정된 공간 내에서 작업을 행하는데 있어서, 다관절형 로봇은 유리하다. 그런데, 특히 로봇 셀과 같이 작업 공간이 한정되어 있는 경우, 로봇과 그 주위의 각종 기기·구조물의 배치 설계가 어려워진다는 문제가 있어, 스페이스 효율의 개선이 요구되고 있다. 예를 들면, 로봇 핸드로 워크를 유지할 때, 로봇 핸드의 워크 유지 수단에 대해 워크를 소정의 위치에 유지할 필요가 있어, 이러한 워크의 위치 결정을 실현하기 위한 기기를, 로봇 셀의 내부에 설치할 필요가 있다. 그러나, 로봇 셀 내부의 작업 공간에는 한계가 있기 때문에, 워크의 위치 결정 만을 위해 전용의 기기를 배치하는 것은 피하고 싶다는 사정이 있다. 예를 들면 특허 문헌 1에는, 우선 처음에 로봇 핸드의 흡착 수단으로 대상물을 흡착하고, 이어서 유지 수단으로 대상물을 그 외측으로부터 협지함으로써, 대상물을 유지 수단에 의해 소정의 자세로 협지하는 기술이 개시되어 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본국 특허공개 2000-61875호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 그러나, 특허 문헌 1에 기재된 기술은, 최초로 대상물을 흡착한 흡착 수단에 의해 그대로 대상물을 유지하는 것이 아니라, 흡착 수단과는 따로 설치한 유지 수단에 의해 대상물을 협지하여 대상물을 유지하는 것이다. 상기 대로 특허 문헌 1에 기재된 기술은, 최종적으로는 흡착이 아닌 협지에 의해 대상물을 유지하는 것이기 때문에, 유지 수단으로 유지한 상태에 있는 대상물을 가공 장치에 의해 가공하려고 한 경우에는, 유지 수단에 의한 대상물의 협지 부분에 대해 가공을 실시할 수 없다. 예를 들면, 대략 평판 형상의 대상물에 대해 연마 가공을 실시하는 경우, 대상물의 측면 둘레부를 협지하고 있는 유지 수단이, 연마 장치의 연마면에 간섭되어 버리기 때문에, 적절한 연마 가공을 실시할 수 없다. 그래서, 본 발명의 목적은, 워크의 표면을 흡착하여 워크를 유지하는 흡착부를 가지는 워크 유지 수단을 구비한 로봇 핸드에 있어서, 워크 유지 수단에 대해 워크를 소정의 위치에 위치 결정하기 위한 기능을 구비한 로봇 핸드, 이 로봇 핸드를 구비한 로봇, 및 이 로봇을 구비한 로봇 셀을 제공하는 것에 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은, 로봇의 아암의 선단에 장착되며, 워크를 유지하기 위한 로봇 핸드에 있어서, 상기 아암의 선단에 장착되는 핸드 기부와, 상기 핸드 기부에 설치된 워크 유지 수단과, 상기 워크 유지 수단에 유지된 상기 워크를 상기 워크 유지 수단에 대해 소정의 위치에 위치 결정하기 위한 워크 위치 결정 수단을 구비하고, 상기 워크 유지 수단은, 상기 워크의 표면에 흡착되어 상기 워크를 해방 가능하게 유지하기 위한 흡착부를 가지며, 상기 흡착부는, 상기 워크를 흡착한 상태에 있어서, 상기 워크의 표면에 평행한 방향으로 탄성 변형 가능한 것을 특징으로 한다. 또, 바람직하게는, 상기 흡착부는, 진공 흡착 패드이다. 또, 바람직하게는, 상기 워크 위치 결정 수단은, 상기 워크에 맞닿아 상기 워크를 상기 소정의 위치에 위치 결정하기 위한 위치 결정 접촉 부재를 가진다. 또, 바람직하게는, 상기 워크 위치 결정 수단은, 상기 위치 결정 접촉 부재를, 상기 워크를 상기 소정의 위치에 위치 결정할 때의 위치 결정 위치와, 상기 위치 결정 위치보다 바깥쪽의 외방 확개(擴開) 위치 사이에서 전환하기 위한 내외 위치 전환 수단을 가진다. 또, 바람직하게는, 상기 내외 위치 전환 수단은, 상기 위치 결정 접촉 부재를, 상기 외방 확개 위치와, 상기 위치 결정 위치와, 상기 위치 결정 위치보다 안쪽의 내방 퇴피 위치 사이에서 전환한다. 또, 바람직하게는, 상기 내방 퇴피 위치는, 상기 아암의 축선 방향으로 본 경우, 상기 워크 유지 수단으로 유지된 상기 워크와 겹치는 위치이다. 또, 바람직하게는, 상기 워크 위치 결정 수단은, 상기 위치 결정 접촉 부재를, 상기 워크 유지 수단의 워크 유지면보다 전방으로 돌출한 전방 돌출 위치와, 상기 워크 유지면으로부터 후방으로 퇴피한 후방 퇴피 위치 사이에서 전환하기 위한 전후 위치 전환 수단을 가진다. 또, 바람직하게는, 상기 위치 결정 접촉 부재는, 상기 위치 결정 위치에 있어서 상기 워크를 양측으로부터 사이에 끼는 한 쌍의 위치 결정 접촉편을 가진다. 또, 바람직하게는, 상기 위치 결정 접촉 부재는, 2세트의 상기 한 쌍의 위치 결정 접촉편을 가지며, 일방의 상기 한 쌍의 위치 결정 접촉편에 의한 상기 워크의 끼임 방향은, 타방의 상기 한 쌍의 위치 결정 접촉편에 의한 상기 워크의 끼임 방향에 대해 수직이다. 또, 바람직하게는, 일방의 상기 한 쌍의 위치 결정 접촉편의 각각의 폭은, 타방의 상기 한 쌍의 위치 결정 접촉편의 각각의 폭보다 크다. 또, 바람직하게는, 상기 위치 결정 접촉 부재의 선단이 내방으로 돌출되어 있다. 또, 바람직하게는, 상기 로봇은, 상기 로봇 핸드로 유지한 상기 워크를 연마기의 연마면에 맞닿게 해 연마 처리를 행하기 위한 연마용 로봇이다. 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 의한 로봇은, 상기 중 어느 하나의 로봇 핸드와, 상기 로봇 핸드가 장착된 상기 아암을 구비한 것을 특징으로 한다. 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은, 워크를 가공하기 위한 로봇 셀에 있어서, 상기 로봇과, 상기 로봇이 내부에 설치된 셀 몸체를 구비한 것을 특징으로 한다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 의하면, 워크의 표면을 흡착하여 워크를 유지하는 흡착부를 가지는 워크 유지 수단을 구비한 로봇 핸드에 있어서, 워크 유지 수단에 대해 워크를 소정의 위치에 위치 결정하기 위한 기능을 부여할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명의 일실시 형태에 의한 로봇 셀의 내부를 측방으로부터 본 도. 도 2는 도 1에 나타낸 로봇 셀의 정면도. 도 3은 도 1에 나타낸 로봇 셀의 내부를 상방으로부터 본 도. 도 4는 도 1에 나타낸 로봇 셀의 내부를 비스듬하게 상방으로부터 본 도. 도 5은 도 1에 나타낸 로봇 셀의 내부에 배치된 가공 장치(류터)의 측면도. 도 6은 본 발명의 다른 실시 형태에 의한 로봇 셀의 내부를 비스듬하게 상방으로부터 본 도. 도 7은 본 발명의 일실시 형태에 의한 로봇 핸드를 나타낸 정면도이며, 워크 가공 시의 상태를 나타낸 도. 도 8은 도 7에 나타낸 로봇 핸드의 측면도. 도 9은 도 7에 나타낸 로봇 핸드의 일부를 나타낸 사시도. 도 10은 도 7 내지 도 9에 나타낸 로봇 핸드의 일부를 제1 구동원, 제2 구동원, 및 진공원과 함께 나타낸 모식도. 도 11은 트레이 내에서의 워크의 수납 상태를 설명하기 위한 모식도. 도 12은 도 7에 나타낸 로봇 핸드에 있어서, 외방 확개 상태를 나타낸 정면도. 도 13은 도 12에 나타낸 로봇 핸드의 측면도. 도 14은 도 12 및 도 13에 나타낸 로봇 핸드의 일부를 제1 구동원 및 제2 구동원과 함께 나타낸 모식도. 도 15은 도 7에 나타낸 로봇 핸드에 있어서, 전방 돌출 상태를 나타낸 정면도. 도 16은 도 15에 나타낸 로봇 핸드의 측면도. 도 17은 도 7에 나타낸 로봇 핸드에 있어서, 위치 결정 상태를 나타낸 정면도. 도 18은 도 17에 나타낸 로봇 핸드의 측면도. 도 19은 도 17 및 도 18에 나타낸 로봇 핸드의 일부를 제1 구동원 및 제2 구동원과 함께 나타낸 모식도. 도 20은 도 7에 나타낸 로봇 핸드에 있어서의 워크 위치 결정 동작을 설명하기 위한 모식적인 측면도이며, 전방 돌출 상태를 나타낸 도. 도 21은 도 20에 대응하는 모식적인 평면도. 도 22은 도 21에 나타낸 상태로부터, 단변측 위치 결정 접촉편을 위치 결정 위치로 이동시킨 상태를 나타낸 모식적인 평면도. 도 23은 도 22에 나타낸 상태로부터, 장변측 위치 결정 접촉편을 위치 결정 위치로 이동시킨 상태를 나타낸 모식적인 평면도. 도 24은 도 23에 나타낸 상태에 있어서, 흡착 패드가 변형되어 있는 모습을 나타낸 모식적인 정면도. 도 25은 도 24에 나타낸 상태로부터, 진공 파괴 에어의 공급에 의해 흡착 패드가 통상 상태로 복귀한 모습을 나타낸 모식적인 정면도. 도 26은 도 25에 대응하는 모식적인 평면도. 도 27은 도 7에 나타낸 로봇 핸드로 유지한 워크를 연마 가공하는 모습을 나타낸 모식적인 측면도. 도 28은 본 발명의 일실시 형태에 의한 워크 반전 지원 장치를 나타낸 측면도. 도 29은 도 28에 나타낸 워크 반전 지원 장치의 하면도. 도 30은 도 28에 나타낸 워크 반전 지원 장치를 모식적으로 나타낸 계통도. 도 31은 도 28에 나타낸 워크 반전 지원 장치의 동작을 설명하기 위한 측면도이며, 유체압 실린더가 제1 위치에 있는 상태를 나타낸 도. 도 32은 도 28에 나타낸 워크 반전 지원 장치의 동작을 설명하기 위한 측면도이며, 유체압 실린더가 제2 위치에 있는 상태를 나타낸 도. 도 33은 도 28에 나타낸 워크 반전 지원 장치의 동작을 설명하기 위한 측면도이며, 워크의 협지 상태를 나타낸 도. 도 34은 도 28에 나타낸 워크 반전 지원 장치로 유지된 워크를 로봇 핸드로 표리 반전하여 바꿔 드는 모습을 나타낸 모식도. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명의 일실시 형태에 의한 로봇 셀에 대해서, 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시 형태에 의한 로봇 셀은, 워크에 대해 연마 가공을 실시하기 위한 것이다. 가공 대상의 워크는, 전형적으로는, 대략 평판 형상의 워크, 혹은 평판의 측가장자리(의 일부)로부터 짧은 측벽이 세워진 형상의 워크 등이다. 워크의 재질은, 비자성체여도 자성체여도 되고, 전형적으로는, 알루미늄 합금이나 마그네슘 합금 등의 비자성체의 금속이다. 도 1 내지 도 4에 나타낸 바와 같이, 로봇 셀(1)은, 전체적으로 직육면체를 이루는 셀 몸체(2)를 구비하고 있으며, 이 셀 몸체(2)는, 4개의 측벽(2A)과, 측벽(2A)의 상단에 배치된 천정(2B)과, 측벽(2A)의 하단에 배치된 저벽(2C)을 가지고 있다. 셀 몸체(1) 내부의 상하 방향의 중앙부에는, 수평 방향으로 연장되는 수평 작업대(3)가 설치되어 있으며, 이 수평 작업대(3)의 상방에 작업 공간(4)이 형성되어 있다. 로봇 셀(1)의 내부에는, 6축 다관절 로봇(5)이 천장 매달기식으로 배치되어 있다. 로봇(5)은, 셀 몸체(2)의 천정(2B)에 고정된 기부(6)와, 기부(6)에 기단부가 접속된 로봇 아암(7)과, 로봇 아암(7)의 선단에 장착된 로봇 핸드(8)를 구비하고 있다. 로봇 핸드(8)는, 그 용도에 따라 구분하여 사용하기 위해 복수 종류가 미리 준비되어 있으며, 로봇 아암(7)의 선단에 착탈 가능하게 장착된다. 비사용 중의 로봇 핸드(8)는, 핸드 재치대(9)(도 4) 상에 올려 놓아진다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 수평 작업대(3)의 하방에는, 공급측 및 배출측의 트레이 승강 장치(10A, 10B) 및 제어 장치(11)가 배치되어 있다. 제어 장치(11)에 의해, 로봇(5), 가공 장치(12)(도 3, 도 4), 트레이 승강 장치(10A, 10B) 등이 제어된다. 공급측 트레이 승강 장치(10A)는, 가공 전의 워크(13)를 수용한 복수의 트레이(14)를 순차적으로 상승시키는 공급측 승강부(15A)를 가지며, 배출측 트레이 승강 장치(10B)는, 가공 후의 워크(13)를 수용한 복수의 트레이(14)를 순차적으로 강하시키는 배출측 승강부(15B)를 가진다. 하나의 트레이(14)에는 복수의 워크(13)(도 3에서는 8개)가 수용되어 있으며, 공급측 승강부(15A) 및 배출측 승강부(15B)의 각각에, 복수의 트레이(14)가 그들을 상하로 겹친 상태로 세트된다. 도 2에 나타낸 바와 같이 셀 몸체(2)의 정면에는, 가공 전의 워크(13)를 수용한 트레이(14)를 로봇 셀(1) 내에 반입하기 위한 반입문(16)과, 가공 후의 워크(13)를 수용한 트레이(14)를 로봇 셀(1) 내로부터 반출하기 위한 반출문(17)이 설치되어 있다. 셀 몸체(2)의 정면에 있어서의 반입문(16) 및 반출문(17)의 상방에는, 메인터넌스 시에 개방되어 로봇 셀(1) 내부로의 액세스를 가능하게 하는 한 쌍의 작업용 문(18A, 18B)이 설치되어 있다. 한 쌍의 작업용 문(18A, 18B) 중 일방(18A)에는, 로봇 셀(1)의 조작 패널(19)이 설치되어 있다. 도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 셀 몸체(2) 내부의 작업 공간(4)에는, 로봇 핸드(8)에 유지된 상태에 있는 워크(13)를 가공하기 위한 복수의 가공 장치(12(12A, 12B, 12C, 12D))가 설치되어 있다. 즉, 수평 작업대(3) 상에는, 3종류의 벨트식 연마기(12A, 12B, 12C)가 설치되어 있다. 이들 3종류의 연마기(가공 장치)(12A, 12B, 12C)는, 모두, 주행하는 연마용 벨트(가공면)(20A, 20B, 20C)에 워크(13)를 눌러 연마 가공을 행하는 것이다. 여기서, 벨트식 연마기(12A, 12B, 12C)의 연마용 벨트(가공면)(20A, 20B, 20C)는, 워크(13)가 눌러지는 방향으로 탄발적으로 이동 가능하다. 또, 셀 몸체(2)의 측벽(2A)에는, 다른 가공 장치로서, 전동 류터(12D) 및 연마 브러쉬(12E)가 설치되어 있다. 연마 브러쉬(12E)는, 워크(13)를 그 연마면(가공면)(21)에 마찰시킴으로써, 워크(13)에 연마 가공을 실시하는 것이다. 도 5에 나타낸 바와 같이 전동 류터(12D)는, 구동 모터(22)에 의해 회전 구동되는 회전 연마 부재(23)의 연마면(가공면)(24)에 워크(13)를 누름으로써, 워크(13)에 연마 가공을 실시하는 것이다. 전동 류터(12D)의 근방에는, 연마 가공 시에 비산하는 연마분을 회수하기 위한 흡인 덕트(25)(도 4)가 설치되어 있다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 전동 류터(12D)는, 셀 몸체(2)에 고정된 LM 가이드(26)를 통하여 이동 가능하게 설치됨과 함께, 에어 실린더 등의 탄발 수단(27)에 의해, 워크(13)가 눌러지는 방향으로 탄발적으로 이동 가능하게 되어 있다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 로봇 셀(2)의 측벽(2A)에는, 연마 가공 시에 워크(13)에 부착된 연마분을 에어로 날려 버리기 위한 에어 블로우 노즐(28)이, 전동 류터(12D) 및 연마 브러쉬(12E)의 하방에 설치되어 있다. 셀 몸체(2)의 천정(2B)에는, 로봇 핸드(8)에 있어서의 워크(13)의 표리 반전을 지원하기 위한 워크 반전 지원 장치(29)가 설치되어 있다. 이 워크 반전 지원 장치(29)에 대해서는, 도 28 내지 도 34를 참조하여 잠시 후에 상세히 서술한다. 3종류의 벨트식 연마기(12A, 12B, 12C), 전동 류터(12D), 연마 브러쉬(12E), 에어 블로우 노즐(28), 및 워크 반전 지원 장치(29)는, 모두, 셀 몸체(2) 내의 작업 공간(4)의 후방측의 영역에 배치되어 있다. 수평 작업대(3)의 전방측에는, 공급측의 트레이(14)가 배치되는 공급측 개구(30A)와, 배출측의 트레이(14)가 배치되는 배출측 개구(30B)가 형성되어 있다. 공급측 트레이 승강 장치(10A)의 공급측 승강부(15A)에 세트된 복수의 트레이(14) 중, 그 최상단에 있는 트레이(14)가, 공급측 개구(30A)를 통하여 작업 공간(4) 내에 설치된다. 한편, 배출측 트레이 승강 장치(10A)의 배출측 승강부(15A)에는, 가공이 완료된 워크(13)를 수납하기 위한 배출측 트레이(14)가, 배출측 개구(30B)를 통하여 작업 공간(4) 내에 배치된다. 도 2에 나타낸 조작 패널(19)을 조작함으로써, 도 1에 나타낸 제어 장치(11)를 통하여, 로봇 핸드(8)에 의한 가공 장치(12)의 가공면(20A, 20B, 20C, 21)에 대한 워크(13)의 압입(押入)량을 수동으로 조정할 수 있다. 이 경우, 조작 패널(19) 및 제어 장치(11)는, 본 발명에 있어서의 수동 조정 수단으로서 기능한다. 상술한 바와 같이 본 실시 형태에 의한 로봇 셀(1)은, 로봇 핸드(8)로 유지된 상태에 있는 워크(13)를, 로봇 셀(1) 내에 설치된 각종의 가공 장치(12)로 가공하는 것이다. 이 때문에, 로봇으로 간단히 워크를 반송하는 경우 등에 비해, 본 실시 형태에 있어서의 로봇 셀(1)의 로봇(5)은, 보다 한층 더 복잡한 움직임이 요구된다. 그래서, 본 실시 형태에 의한 로봇 셀(1)에 있어서는, 로봇 핸드(8)로 유지된 상태에 있는 워크(13)를 가공하기 위한 각종의 가공 장치(12)를 셀 몸체(2) 내에 설치함과 함께, 로봇(5)을 셀 몸체(2)의 천정(2B)으로부터 매닮으로써, 스페이스 효율을 큰폭으로 개선하여, 복잡한 움직임을 하는 로봇(5)이 주위의 기기·구조물과 간섭하는 것을 회피하도록 했다. 또, 로봇 셀(1) 내에서 사용하는 가공 장치(12)는, 모두, 그 가공면(연마면)(20A, 20B, 20C, 21)이, 워크(13)의 눌림 방향으로 탄발적으로 이동 가능하다. 이 때문에, 로봇(5)에 의한 워크(13)의 눌림 동작을 설정할 때에, 가공면(연마면)(20A, 20B, 20C, 21)의 이동폭을, 로봇 동작에 있어서의 허용 오차로서 이용할 수 있다. 이와 같이, 가공면(연마면)(20A, 20B, 20C, 21)의 이동폭을, 로봇 동작 시의 허용 오차로서 이용할 수 있는 것도, 로봇 셀(1) 내의 한정된 작업 공간(4) 내에서 로봇(5)에 복잡한 움직임을 시키면서, 주위의 기기·구조물과의 간섭을 회피하면서, 원하는 가공 동작을 실현하는데 있어서 유효하다. 또, 상술한 바와 같이 로봇(5)의 동작 설정에 대한 허용 오차가 확보되기 때문에, 로봇 동작의 티칭 작업이 용이하게 된다. 이 때문에, 공장 내에 동일한 로봇 셀(1)을 복수대 설치하는 경우에도, 오프 라인으로 작성한 티칭 데이터를, 모든 로봇 셀(1)에서 공유할 수 있다. 이것에 의해, 로봇 셀(1)의 시운전 조정은, 현장에 반입하기 전에, 예를 들면 출하원에서 행함과 함께, 현장에서는 로봇(5)의 실제의 동작을 확인하면서, 미세조정을 행하는 정도이면 충분하다. 이 미세조정은, 조작 패널(19)을 이용하여, 현장의 작업원이 행할 수 있다. 도 6은, 상술한 로봇 셀(1)의 일변형예를 나타내고 있으며, 3종류의 벨트식 연마기(12A, 12B, 12C)가, 모두, 셀 몸체(2)의 측벽(2A)에 설치되어 있다. 이것에 의해, 벨트식 연마기(12A, 12B, 12C)의 연마면(20A, 20B, 20C)이, 대략 수직 방향(중력 방향)으로 연장되게 된다. 이와 같이 벨트식 연마기(12A, 12B, 12C)의 연마면(20A, 20B, 20C)을 대략 수직 방향으로 배향함으로써, 연마 가공 시에 발생한 연마분이 중력에 의해 낙하하므로, 예를 들면, 벨트식 연마기(12A, 12B, 12C)의 하방에 집진 덕트를 배치함으로써, 연마분을 용이하게 또한 확실히 회수할 수 있다. 또, 도 6에 나타낸 변형예에 있어서는, 수평 작업대(3) 상에 가공 장치(12)가 존재하지 않기 때문에, 메인터넌스 작업을 행할 때의 작업 공간을 충분히 확보할 수 있다. 다음에, 본 발명의 일실시 형태에 의한 로봇 핸드에 대해서, 도 7 내지 도 27을 참조하여 설명한다. 본 실시 형태에 의한 로봇 핸드(8)는, 도 7 내지 도 10에 나타낸 바와 같이, 로봇 아암(7)의 선단에 장착되는 핸드 기부(31)를 가지며, 핸드 기부(31)에는, 반송 및 가공 중의 워크(13)를 유지하기 위한 워크 유지 수단(32)이 설치되어 있다. 워크 유지 수단(32)은, 워크(13)의 표면에 흡착되어 워크(13)를 해방 가능하게 유지하기 위한 4개의 흡착부(33)를 가진다. 각 흡착부(33)는, 워크(13)를 흡착한 상태에 있어서, 워크(13)의 표면에 평행한 방향으로 탄성 변형 가능하게 구성되어 있다. 바람직하게는, 각 흡착부(33)는, 벨로스식의 진공 흡착 패드로 구성된다. 로봇 핸드(8)는, 또한, 워크 유지 수단(32)에 유지된 워크(13)를 워크 유지 수단(32)에 대해 소정의 위치에 위치 결정하기 위한 워크 위치 결정 수단(34)을 가진다. 워크 위치 결정 수단(34)은, 워크(13)에 맞닿아 워크(13)를 소정의 위치에 위치 결정하기 위한 6개의 위치 결정 접촉 부재(35)를 가진다. 위치 결정 접촉 부재(35)는, 위치 결정 위치에 있어서 워크(13)를 양측으로부터 사이에 끼는 2세트의 한 쌍의 제1 위치 결정 접촉편(36A) 및 1세트의 한 쌍의 제2 위치 결정 접촉편(36B)으로 이루어진다. 2세트의 한 쌍의 제1 위치 결정 접촉편(36A) 및 1세트의 한 쌍의 제2 위치 결정 접촉편(36B) 중, 2세트의 한 쌍의 제1 위치 결정 접촉편(36A)은 워크(13)의 장변측을 협지하고, 나머지 1세트의 한 쌍의 제2 위치 결정 접촉편(36B)은 워크(13)의 단변측을 협지한다. 워크 장변측의 제1 위치 결정 접촉편(36A)에 의한 워크(13)의 끼임 방향과 워크 단변측의 제2 위치 결정 접촉편(36B)에 의한 워크(13)의 끼임 방향은 직교하고 있다. 워크 단변측의 제2 위치 결정 접촉편(36B)의 폭은, 워크 장변측의 제1 위치 결정 접촉편(36A)의 폭보다 크다. 도 8 및 도 9에 나타낸 바와 같이, 워크 장변측의 제1 위치 결정 접촉편(36A)은, 그 선단이 내방으로 돌출되어 있다. 워크 위치 결정 수단(34)은, 또한, 위치 결정 접촉편(36A, 36B)을, 워크 유지 수단(32)의 워크 유지면(37)보다 전방으로 돌출한 전방 돌출 위치와, 워크 유지면(37)으로부터 후방으로 퇴피한 후방 퇴피 위치 사이에서 전환하기 위한 전후 위치 전환 수단(38)을 가진다. 도 7에 나타낸 바와 같이, 전후 위치 전환 수단(38)은, 한 쌍의 전후 동작용 에어 실린더(39)를 가지며, 각 전후 동작용 에어 실린더(39)의 피스톤(39A)의 선단에 각 접촉편 지지 부재(40)가 설치되어 있다. 각 접촉편 지지 부재(40)에는, 단변측의 제2 위치 결정 접촉편(36B)이 고정되어 설치되어 있다. 각 전후 동작용 에어 실린더(39)는, 각 실린더 지지 부재(41)에 고정되어 설치되어 있으며, 각 실린더 지지 부재(41)는, 핸드 기부(31)에 고정되어 설치된 제1 LM 가이드(42)에 의해 직동 가능하게 지지되어 있다. 각 실린더 지지 부재(41)는, 도 10에 나타낸 제1 구동원(43)에 의해, 워크(13)의 장변 연장 방향(제1 내외 방향) D1로 직동 구동된다. 이것에 의해, 단변측의 한 쌍의 제2 위치 결정 접촉편(36B)의 위치를, 워크(13)를 소정의 위치에 위치 결정할 때의 위치 결정 위치와, 위치 결정 위치보다 바깥쪽의 외방 확개 위치와, 위치 결정 위치보다 안쪽의 내방 퇴피 위치 사이에서 전환한다. 각 접촉편 지지 부재(40)의 내면에는, 각 제2 LM 가이드(44)가 설치되어 있으며, 각 제2 LM 가이드(44)에 의해 워크 장변측의 각 제1 위치 결정 접촉편(36A)이 직동 가능하게 지지되어 있다. 제2 LM 가이드(44)에 의한 직동 방향은, 제1 LM 가이드(42)에 의한 직동 방향에 대해 직교하고 있다. 워크 장변측의 각 제1 위치 결정 접촉편(36A)은, 도 10에 나타낸 제2 구동원(45)에 의해, 워크의 단변 연장 방향(제2 내외 방향) D2로 직동 구동된다. 이것에 의해, 장변측의 한 쌍의 제1 위치 결정 접촉편(36A)의 위치를, 워크(13)를 소정의 위치에 위치 결정할 때의 위치 결정 위치와, 위치 결정 위치보다 바깥쪽의 외방 확개 위치와, 위치 결정 위치보다 안쪽의 내방 퇴피 위치 사이에서 전환한다. 상술한 제1 LM 가이드(42), 제1 구동원(43), 제2 LM 가이드(44), 및 제2 구동원(45)에 의해, 위치 결정 접촉편(36A, 36B)을, 워크(13)를 소정의 위치에 위치 결정할 때의 위치 결정 위치와, 위치 결정 위치보다 바깥쪽의 외방 확개 위치와, 위치 결정 위치보다 안쪽의 내방 퇴피 위치 사이에서 전환하는 워크 위치 결정 수단(34)이 구성되어 있다. 여기서, 위치 결정 접촉편(36A, 36B)의 내방 퇴피 위치는, 도 10에 나타낸 바와 같이, 로봇 아암(7)의 축선 방향(워크 표면에 수직인 방향)으로 본 경우, 워크 유지 수단(32)으로 유지된 워크(13)와 겹치는 위치이다. 도 7에 나타낸 전후 동작용 에어 실린더(39)의 피스톤(39A)의 전진 및 후퇴 동작에 의해, 접촉편 지지 부재(40)가 전후 방향(아암 축선 방향) D3으로 이동한다. 이것에 의해, 장변측의 제1 위치 결정 접촉편(36A) 및 단변측의 제2 위치 결정 접촉편(36B)의, 전방 돌출 위치와 후방 퇴피 위치를 전환한다. 전방 돌출 위치와 후방 대치(對置) 위치의 전환에 대해서는, 도 12 내지 도 16을 참조하여 후술한다. 워크 유지 수단(32)의 각 흡착부(33)는, 도 10에 나타낸 진공원(46)에 의해 진공 흡인되고, 이것에 의해 워크(13)의 표면을 흡착 유지한다. 워크(13)를 각 흡착부(33)로부터 해방할 때에는, 진공 파괴 에어를 각 흡착부(33)에 공급하고, 각 흡착부(33) 내의 진공 상태를 해제하여 워크(13)를 해방한다. 도 11은, 로봇 셀(1)에 있어서 가공되는 복수의 워크(13)(도 11의 예에서는 8개)를 트레이(14)로 수용한 상태를 나타내고 있다. 트레이(14)에는, 각 워크(13)를 수납하기 위한 각 수납 오목부(14A)가 형성되어 있으며, 수납 오목부(14A)의 내주는, 워크(13)의 외주보다 약간 큰 치수로 되어 있다. 이것에 의해, 수납 오목부(14A)의 내주와 워크(13)의 외주 사이에, 어느 정도의 간극이 형성되어 있다. 상기 대로, 수납 오목부(14A)의 내주와 워크(13)의 외주 사이에 간극이 존재하기 때문에, 수납 오목부(14A) 중에 수납되어 있는 워크(13)의 방향이, 도 11에 나타낸 바와 같이 워크(13) 마다 편차가 생겨 버린다. 이 때문에, 로봇 핸드(8)의 워크 유지 수단(32)의 각 흡착부(33)에 의한 워크 표면의 흡착 위치를, 복수의 워크(13)에 있어서 일정하게 할 수 없다. 상술한 바와 같이 본 실시 형태에 의한 로봇 셀(1)은, 그 내부에 설치된 가공 장치(12)에 의해, 로봇 핸드(8)에 유지된 상태에 있는 워크(13)를 가공하는 것이다. 이 때문에, 로봇 핸드(8)의 워크 유지 수단(32)에 대해, 워크(13)가 소정의 위치에 정확하게 위치 결정되어 있지 않으면, 가공 장치(12)에 의한 가공 품질에 편차가 생겨 버리거나, 혹은 워크(13)의 가공 자체가 불가능하게 되어 버린다. 특히 연마 가공에 있어서는, 워크(13)의 표면과, 연마기(12A, 12B, 12C) 및 전동 류터(12D)의 가공면(20A, 20B, 20C, 21)의 거리가 가공 품질에 영향을 주기 때문에, 로봇 핸드(8)의 워크 유지 수단(32)에 대해, 워크(13)를 소정의 위치에 정확하게 위치 결정하는 것이 매우 중요하다. 그래서, 본 실시 형태에 의한 로봇 핸드(8)에 있어서는, 트레이(14)의 수납 오목부(14A) 내에 있는 워크(13)를 워크 유지 수단(32)에 의해 일단 유지하여 꺼낸 후, 워크 위치 결정 수단(34)을 이용하여, 워크(13)의 유지 위치를 소정의 위치로 이동시켜 수정한다. 즉, 도 7 및 도 8에 나타낸 바와 같이 워크 유지 수단(32)의 흡착부(33)를 워크 표면에 맞닿게 하여, 도 10에 나타낸 진공원(46)을 이용하여 워크(13)의 표면을 흡착부(33)로 흡착 유지한 후, 트레이(14)의 수납 오목부(14A)로부터 워크(13)를 끌어올려 꺼낸다. 또한, 트레이(14)의 수용 오목부(14A)로부터 워크(13)를 꺼낼 때에는, 도 7에 나타낸 바와 같이 워크 위치 결정 수단(34)의 위치 결정 접촉편(36A, 36B)이 후방 퇴피 위치에 있을 필요가 있지만, 반드시 내방 퇴피 위치에 있을 필요는 없고, 외방 확개 위치에 있어도 된다. 요컨데, 워크 유지 수단(32)에 의한 워크(13)의 흡착 동작 시에, 워크 위치 결정 수단(34)이 워크(13)나 트레이(14)에 간섭하지 않으면 된다. 다음에, 제1 구동원 및 제2 구동원을 작동시켜, 도 12 내지 도 14에 나타낸 바와 같이, 장변측의 제1 위치 결정 접촉편(36A) 및 단변측의 제2 위치 결정 접촉편(36B)을 외방 확개 위치로 이동시킨다. 또한, 워크(13)의 흡착 동작 시에 이미 위치 결정 접촉편(36A, 36B)이 외방 확개 위치에 있는 경우에는, 이 확개 동작은 불필요하다. 여기서, 위치 결정 접촉편(36A, 36B)의 외방 확개 위치는, 로봇 아암(7)의 축선 방향(워크 표면에 수직인 방향)으로 본 경우, 도 14에 나타낸 바와 같이, 워크 유지 수단(32)으로 유지된 워크(13)의 외주보다 외측에 있는 위치이다. 외방 확개 위치는, 트레이(14)의 수납 오목부(14A)의 내주와 워크(13)의 외주 사이의 간극의 치수, 즉, 수납 오목부(14A) 내의 워크(13)의 위치 어긋남량을 고려하여 설정된다. 다음에, 도 15 및 도 16에 나타낸 바와 같이, 후방 퇴피 위치에 있는 장변측의 제1 위치 결정 접촉편(36A) 및 단변측의 제2 위치 결정 접촉편(36B)을, 전후 동작용 에어 실린더(39)를 구동하여 전방 돌출 위치로 전진시킨다. 이것에 의해, 각 위치 결정 접촉편(36A, 36B)이, 워크 유지 수단(32)의 워크 유지면(37)보다 전방으로 돌출한다. 다음에, 도 17 내지 도 19에 나타낸 바와 같이, 외방 확개 위치에 있는 장변측의 제1 위치 결정 접촉편(36A) 및 단변측의 제2 위치 결정 접촉편(36B)을, 제1 구동원(43) 및 제2 구동원(45)을 구동하여 위치 결정 위치로 이동시킨다. 보다 구체적으로는, 도 20 및 도 21에 나타낸 외방 확개 위치에 있는 위치 결정 접촉편(36A, 36B) 중, 우선 처음에 단변측의 제2 위치 결정 접촉편(36B)을, 제1 구동원(43)에 의해, 도 22에 나타낸 바와 같이 위치 결정 위치로 이동시킨다. 이것에 의해, 워크(13)는, 워크 유지 수단(32)으로 유지된 상태에 있어서, 워크 장변 연장 방향 D1에 있어서 위치 결정된다. 다음에, 장변측의 제1 위치 결정 접촉편(36A)을, 제2 구동 수단(45)에 의해, 도 23에 나타낸 바와 같이 위치 결정 위치로 이동시킨다. 이것에 의해, 워크(13)는, 워크 유지 수단(32)으로 유지된 상태에 있어서, 워크 단변 연장 방향 D2에 있어서 위치 결정된다. 이러한 동작에 의해, 워크(13)는, 도 23에 나타낸 바와 같이 소정의 위치에 위치 결정된다. 이 때, 워크 유지 수단(32)의 흡착부(33)는, 도 24에 나타낸 바와 같이, 정상적인 형상으로부터 어긋나 변형된 형상이 되어 있다. 즉, 흡착부(33)는, 워크(13)의 표면에 평행한 방향으로 탄성 변형 가능함으로써, 위치 결정 접촉편(36A, 36B)에 의해 워크(13)를 이동시키면, 그 이동에 따라 도 24에 나타낸 바와 같이 변형된다. 도 24에 나타낸 상태에 있어서, 각 흡착부(33)에 진공 파괴 에어를 순간적으로 공급하고, 각 흡착부(33)와 워크(13)의 표면의 흡착 상태를 순간적으로 해제한다. 그러면, 도 25에 나타낸 바와 같이 각 흡착부(33)가 정상적인 형상으로 복귀함과 함께, 각 흡착부(33)가, 도 26에 나타낸 바와 같이 워크(13)의 표면 상의 소정의 위치로 이동하여, 소정의 위치에서 워크(13)를 흡착 유지한다. 또한, 흡착부(33)에 진공 파괴 에어를 순간적으로 공급해도, 워크(13)는 위치 결정 접촉편(36A, 36B)에 의해 협지되어 있으므로, 로봇 핸드(8)로부터 낙하하는 일은 없다. 또, 만약, 흡착부(33)에 진공 파괴 에어를 공급했을 때에 워크(13)가 눌려 움직여진 경우에도, 워크 장변측의 제1 위치 결정 접촉편(36A)은 그 선단이 내방으로 돌출되어 있으므로, 이 돌출부에서 워크(13)를 받아 들일 수 있어, 워크(13)의 낙하를 확실히 방지할 수 있다. 상기의 동작에 의해, 워크 유지 수단(32)으로 워크(13)를 소정의 위치에서 유지하면, 전후 동작용 에어 실린더(39)를 구동하여, 위치 결정 접촉편(36A, 36B)을 후방 퇴피 위치로 퇴피시킨다. 계속해서, 제1 구동원(43) 및 제2 구동원(45)에 의해, 위치 결정 접촉편(36A, 36B)을 내방 퇴피 위치로 퇴피시킨다. 도 27은, 상기의 동작에 의해 소정의 위치에 위치 결정된 워크(13)를, 로봇 핸드(8)의 워크 유지 수단(32)에 의해 유지한 상태로, 가공 장치(12)의 가공면(연마면)(20A, 20B, 20C)에 의해 가공하는 모습을 나타내고 있다. 여기서, 위치 결정 접촉편(36A, 36B)을 내방 퇴피 위치로 퇴피시키고 있으므로, 도 27에 나타낸 바와 같이, 워크(13)의 측주면을 연마 가공할 때에, 위치 결정 접촉편(36A, 36B)이 가공 장치(12)의 가공면(연마면)(20A, 20B, 20C)과 간섭하는 것을 회피할 수 있다. 이상 서술한 바와 같이, 본 실시 형태에 의한 로봇 핸드(8)에 의하면, 로봇 핸드(8) 자신이 워크(13)의 위치 결정 기능을 구비하고 있으므로, 워크(13)의 위치 결정 만을 위해 전용의 기기를 배치할 필요가 없고, 로봇 셀(1) 내의 한정된 작업 공간(4)을 유효하게 이용할 수 있다. 또, 본 실시 형태에 의한 로봇 핸드(8)에 있어서는, 워크(13)의 표면을 흡착하여 유지하는 워크 유지 수단(32)을 사용함과 함께, 워크(13)를 가공할 때에는, 위치 결정 접촉편(36A, 36B)을 후방 퇴피 위치 및 내방 퇴피 위치로 퇴피시킬 수 있으므로, 예를 들면 워크(13)의 측면 둘레부에 대한 연마 가공 등을 지장 없이 행할 수 있다. 다음에, 본 발명의 일실시 형태에 의한 워크 반전 지원 장치(29)에 대해서, 도 28 내지 도 34를 참조하여 설명한다. 상술한 바와 같이 로봇 핸드(8)는, 워크 유지 수단(32)의 각 흡착부(33)에 의해 워크(13)의 표면을 흡착하여 워크(13)를 유지하는 것이지만, 워크(13)의 종류나 가공 내용에 따라서는, 트레이(14)에 수납된 상태에 있어서 상방을 향하고 있는 워크(13)의 표면을 가공 장치(12)에 의해 가공하는 경우가 있다. 이 경우에는, 로봇 핸드(8)에 의해 트레이(14)로부터 꺼낸 워크(13)를, 표리 반전시켜 로봇 핸드(8)로 바꿔 들 필요가 있다. 본 실시 형태에 의한 워크 반전 지원 장치(29)는, 이러한 경우에 로봇 핸드(8)에 있어서의 워크(13)의 표리 반전을 지원하기 위한 것이며, 바람직하게는, 도 4에 나타낸 바와 같이 로봇 셀(1)의 천정(12B)에 설치된다. 도 28(측면도) 및 도 29(하면도)에 나타낸 바와 같이, 본 실시 형태에 의한 워크 반전 지원 장치(29)는, 로봇 핸드(8)에 의해 유지된 워크(13)의 대향하는 측부에 맞닿아 워크(13)를 협지하기 위한 한 쌍의 워크 협지 부재(47A, 47B)를 가진다. 한 쌍의 워크 협지 부재(47A, 47B)는, 고정측 워크 협지 부재(47A)와 가동측 워크 협지 부재(47B)로 이루어지며, 로봇 셀(1)의 천정면에 대해 워크(13)가 대략 수직이 되도록 워크(13)를 협지한다. 고정측 워크 협지 부재(47A)와 가동측 워크 협지 부재(47B)에 의해 협지된 워크(13)의 상방에는, 천정측 접촉대(48)가 설치되어 있다. 워크 반전 지원 장치(29)는, 또한, 도 30에 나타낸 바와 같이 워크 협지 부재 구동 수단(49)을 구비하고 있으며, 워크 협지 부재 구동 수단(49)은, 가동측 워크 협지 부재(47B)가 장착된 피스톤(50A)을 포함하는 유체압 실린더(50)와, 유체압 실린더(50)를 피스톤(50A)의 진퇴 방향으로 이동시키기 위한 실린더 이동 수단(51)을 가진다. 유체압 실린더(50)는, 바람직하게는 에어 실린더이다. 실린더 이동 수단(51)은, 유체압 실린더(50)가 고정되어 설치된 주행 부재(52)와, 주행 부재(52)를 직동 가능하게 지지하는 주행 부재 LM 가이드(53)와, 주행 부재(52)를 주행 구동하는 주행용 구동원(54)을 구비하고 있다. 실린더 이동 수단(51)에 의해, 유체압 실린더(50)의 위치를, 도 31에 나타낸 제1 위치와, 도 32에 나타낸 제2 위치 사이에서 전환할 수 있다. 유체압 실린더(50)와 실린더 이동 수단(51)에 의해, 가동측 워크 협지 부재(47B)의 위치를, 워크(13)의 협지 상태에 있어서의 위치와 해방 상태에 있어서의 위치 사이에서 전환하기 위한 협지 상태 전환 수단(55)이 구성되어 있다. 워크 반전 지원 장치(29)를 이용하여 로봇 핸드(8)에 있어서의 워크(13)를 표리 반전시킬 때에는, 실린더 이동 수단(51)에 의해 유체압 실린더(50)를 도 31에 나타낸 제1 위치로 한 상태에서, 도 31 및 도 34에 나타낸 바와 같이, 로봇 핸드(8)의 워크 유지 수단(32)으로 유지한 워크(13)를, 로봇(5)의 동작에 의해 고정측 워크 협지 부재(47A) 및 천정측 접촉대(48)에 맞닿게 한다. 여기서, 로봇 핸드(8)의 워크 유지 수단(32)에 의해 유지된 워크(13)는, 상술한 워크 위치 결정 수단(34)에 의해, 워크 유지 수단(32)에 대해 소정의 위치에 위치 결정되어 있다. 이 때문에, 로봇(5)의 동작에 의해, 워크(13)를, 고정측 워크 협지 부재(47A) 및 천정측 접촉대(48)에 정확하게 위치 맞춤할 수 있다. 로봇(5)에 의해 워크(13)를 고정측 워크 협지 부재(47A) 및 천정측 접촉대(48)에 맞닿게 한 상태에서, 실린더 이동 수단(51)에 의해 유체압 실린더(50)를, 도 32에 나타낸 바와 같이 제2 위치로 이동시킨다. 계속해서, 유체압 실린더(50)를 구동하여 가동측 워크 협지 부재(47B)를 전진시켜, 도 33에 나타낸 바와 같이 고정측 워크 협지 부재(47A)와 가동측 워크 협지 부재(47B)로 워크(13)를 협지하여 유지한다. 다음에, 로봇(5)의 워크 유지 수단(32)에 의한 워크(13)의 유지 상태를 해제하고, 워크 반전 지원 장치(29)에 의해 워크(13)를 잠정적으로 유지시킨 상태에서, 로봇(5)을 동작시켜 도 34에 가상선으로 나타낸 바와 같이, 워크(13)의 이면에 워크 유지 수단(32)의 흡착부(33)를 맞닿게 하여, 워크(13)를 흡착 유지한다. 이 때, 워크 반전 지원 장치(29)에 의해 유지되어 있는 워크(13)의 위치 및 방향은, 미리 정확하게 파악되어 있으므로, 미리 파악되어 있는 워크 위치 정보에 의거하여 로봇(5)을 동작시킴으로써, 로봇(6)의 워크 유지 수단(32)에 의해 워크(13)를 소정의 위치에서 유지할 수 있다. 계속해서, 유체압 실린더(50) 및 실린더 이동 수단(51)을 구동하여, 고정측 워크 협지 부재(47A) 및 가동측 워크 협지 부재(47B)로부터 워크(13)를 해방하고, 로봇(5)을 동작시켜 워크 반전 지원 장치(29)로부터 워크(13)를 꺼낸다. 그 후, 로봇(5)은, 워크(13)를 3차원적으로 핸들링하면서, 가공 장치(12)에 의해 워크를 가공한다. 상술한 바와 같이 본 실시 형태에 의한 워크 반전 지원 장치(29)는, 한 쌍의 워크 협지 부재(47A, 47B)에 의해 워크(13)를 협지하여 유지하도록 했으므로, 워크 반전 지원 장치(29)의 설치 양태(설치 장소나 설치 자세 등)의 자유도를 높일 수 있다. 예를 들면, 본 실시 형태에 의한 워크 반전 지원 장치(29)와 같이, 그 설치 장소를 로봇 셀(1)의 천정면으로 하는 것이 가능하고, 이것에 의해, 로봇 셀(1) 내의 한정된 작업 공간(4)을 유효하게 사용할 수 있다. 특히, 연마 가공을 실시하기 위한 로봇 셀(1)에 있어서는, 벨트식 연마기(12A, 12B, 12C)와 같이 비교적 넓은 설치 면적을 필요로 하는 장치를 사용하므로, 워크 반전 지원 장치(29)의 설치 장소의 자유도가 높은 것은, 기기 배치 설계 상에 있어서 매우 유리하다. 또한, 바람직하게는, 워크 반전 지원 장치(29)의 한 쌍의 워크 협지 부재(47A, 47B)는, 워크(13)의 협지 방향 축선 A1 상에 로봇(5)이 위치하도록 워크(13)를 협지한다(도 3 참조). 로봇(5)을 워크(13)의 협지 방향 축선 A1 상에 위치시킴으로써, 로봇(5)이 워크 반전 지원 장치(29)에 액세스할 때의 로봇(5)의 동작을, 좌우 대칭인 것으로 할 수 있다. 이것에 의해, 로봇 셀(1) 내의 한정된 작업 공간(4) 내에 있어서도, 로봇(5)의 동작 공간을 확보하기 쉬워진다. 이하, 상술한 로봇 셀(1)에 있어서 워크(13)를 연마 가공할 때의 프로세스의 일례에 대해서 설명한다. 작업자는, 셀 몸체(2)의 정면의 반입문(16)을 열고, 공급측 트레이 승강 장치(10A)의 공급측 승강부(15A)에 복수단의 트레이(14)를 세트한다. 각 트레이(14)에는, 가공 전의 워크(13)가 복수 올려 놓아져 있다. 이 때, 공급측 승강부(15A)는 최하 위치에 배치되어 있다. 다음에, 작업자는, 반입문(16)을 닫으면, 조작 패널(19)로부터 워크 종별과 수량을 입력하고, 시작 버튼을 누른다. 그러면, 로봇(5)은, 선택된 워크용의 로봇 핸드(8)를, 핸드 재치대(9) 상의 복수의 로봇 핸드(8) 중에서 선택하여 집는다. 한편, 공급측 트레이 승강 장치(10A)는, 공급측 승강부(15A)를 상승시켜, 최상단의 트레이(14)를 소정의 워크 취득 위치, 즉 공급측 개구(30A)의 위치로 이동시킨다. 로봇(5)은, 공급측의 트레이(14)에 수납된 복수의 워크(13) 중 하나를, 워크 유지 수단(32)의 흡착부(33)로 흡착하여 꺼내고, 상술한 워크 위치 결정 수단(34)의 위치 결정 동작에 의해 워크(13)의 위치 결정을 행한다. 로봇(5)은, 로봇 핸드(8)의 워크 유지 수단(32)에 유지된 워크(13)를, 셀 몸체(2)의 천정(2B)에 설치되어 있는 워크 반전 지원 장치(29)까지 반송하고, 이 워크 반전 지원 장치(29)에 워크(13)를 잠정적으로 유지시킨다. 로봇(5)은, 워크 유지 수단(32)의 흡착부(33)를, 워크 반전 지원 장치(29)로 유지된 워크(13)의 이면에 맞닿게 하여 흡착시킨다. 이것에 의해, 워크(13)를, 로봇 핸드(8)에 있어서 표리 반전시켜 바꿔 든다. 다음에, 로봇(5)은, 가공 장치(12)를 이용하여 워크(13)에 대해 소정의 연마 가공을 실시하고, 연마 시에 워크(13)에 부착된 연마분을 에어 블로우 노즐(28)로부터의 에어로 적당히 날려 버리고, 연마 가공을 완료한다. 연마 가공이 완료된 워크(13)는, 로봇(5)에 의해 워크 반전 지원 장치(29)까지 반송되고, 다시 반전 조작을 행한다. 로봇(5)은, 워크 반전 지원 장치(29)를 이용하여 워크(13)를 바꿔 든 후, 배출측 트레이 승강 장치(10B)의 배출측 승강부(15B)에 올려 놓아진 배출측 트레이(14)에 워크(13)를 수납한다. 상술한 일련의 동작을 반복하여, 최상단의 공급측 트레이(14)에 수납된 복수의 워크(13) 모두에 대해 연마 가공을 실시한다. 가공이 완료된 워크(13)가 수납된 배출측 트레이(14)는, 배출측 트레이 승강 장치(10B)에 의해 일단(一段)분 만큼 강하된다. 로봇(5)은, 워크 유지 수단(32)에 의해, 비워진 공급측 트레이(14)를 흡착 유지하여, 가공이 완료된 워크(13)가 수납된 배출측 트레이(14) 상에 올려 놓는다. 공급측 트레이 승강 장치(10A)는, 공급측 승강부(15A)를 일단분 만큼 상승시켜, 가공 전의 복수의 워크(13)가 수납된 다음의 트레이(14)를 소정의 워크 취득 위치, 즉 수평 작업대(3)에 형성된 공급측 개구(30A)에 배치한다. 상술한 동작을 반복하여, 공급측 승강부(15A)에 세트된 모든 트레이(14)의 워크(13)의 연마 가공이 완료되면, 작업자는, 반출문(17)을 개방하여, 로봇 셀(1)의 내부로부터 배출측 트레이(14)를 반출한다. 이상의 조작에 의해, 복수단의 트레이(14)에 수납된 복수의 워크(13)의 가공 처리, 구체적으로는 연마 처리가 완료된다. [ 부호의 설명 ] 1 로봇 셀 2 셀 몸체 2A 셀 몸체의 측벽 2B 셀 몸체의 천정 2C 셀 몸체의 저벽 3 수평 작업대 4 작업 공간 5 로봇 6 로봇의 기부 7 로봇 아암 8 로봇 핸드 9 핸드 재치대 10A, 10B 트레이 승강 장치 11 제어 장치 12 가공 장치 12A, 12B, 12C 벨트식 연마기 12D 전동 류터 12E 연마 브러쉬 13 워크 14 트레이 15A, 15B 트레이 승강 장치의 승강부 16 반입문 17 반출문 18A, 18B 작업용 문 19 조작 패널 20A, 20B, 20C 연마용 벨트(가공면) 21 연마 브러쉬의 연마면(가공면) 22 구동 모터 23 회전 연마 부재 24 회전 연마 부재의 연마면(가공면) 25 전동 류터용 흡인 덕트 26 전동 류터용 LM 가이드 27 전동 류터용 탄발 수단(에어 실린더) 28 에어 블로우 노즐 29 워크 반전 지원 장치 30A 공급측 개구 30B 배출측 개구 31 핸드 기부 32 워크 유지 수단 33 흡착부 34 워크 위치 결정 수단 35 위치 결정 접촉 부재 36A 장변측의 위치 결정 접촉편 36B 단변측의 위치 결정 접촉편 37 워크 유지면 38 전후 위치 전환 수단 39 전후 동작용 에어 실린더 39A 전후 동작용 에어 실린더의 피스톤 40 접촉편 지지 부재 41 실린더 지지 부재 42 제1 LM 가이드 43 제1 구동원 44 제2 LM 가이드 45 제2 구동원 46 진공원 47A, 47B 워크 협지 부재 48 천정측 접촉대 49 워크 협지 부재 구동 수단 50 유체압 실린더 50A 유체압 실린더의 피스톤 51 실린더 이동 수단 52 실린더 이동 수단의 주행 부재 53 실린더 이동 수단의 LM 가이드 54 실린더 이동 수단의 주행용 구동원 55 협지 상태 전환 수단 A1 워크 반전 지원 장치의 워크 협지 방향 축선 D1 워크 장변 연장 방향(제1 내외 방향) D2 워크 단변 연장 방향(제2 내외 방향) D3 전후 방향	본 로봇 핸드(8)는, 아암(7)의 선단에 장착되는 핸드 기부(31)와, 핸드 기부(31)에 설치된 워크 유지 수단(32)과, 워크 유지 수단(32)에 유지된 워크(13)를 워크 유지 수단(32)에 대해 소정의 위치에 위치 결정하는 워크 위치 결정 수단(34)을 구비한다. 워크 유지 수단(32)은, 워크(13)의 표면에 흡착되어 워크(13)를 해방 가능하게 유지하는 흡착부(33)를 가지며, 흡착부(33)는, 워크(13)를 흡착한 상태에 있어서, 워크(13)의 표면에 평행한 방향으로 탄성 변형 가능하다. 워크 유지 수단에 대해 워크를 소정의 위치에 위치 결정하는 기능을 구비한 로봇 핸드를 제공할 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 워크 반전 지원 장치 및 이 장치를 구비한 로봇 셀WORKPIECE-FLIPPING ASSISTANCE DEVICE AND ROBOT CELL EQUIPPED WITH SAID DEVICE [ 기술분야 ] 본 발명은, 로봇 핸드에 있어서의 워크의 상·하면 반전을 지원하기 위한 워크 반전 지원 장치, 및 이 장치를 구비한 로봇 셀에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 종래, 로봇 핸드로 워크를 유지하여 반송 등을 행하는 산업용 로봇이 알려져 있으며, 전형적으로는 다관절형 로봇을 들 수 있다. 다관절형 로봇에 있어서는, 복수의 아암 부재가 순차적으로 관절을 통하여 서로 연결되어 로봇 아암이 구성되며, 이 로봇 아암의 선단에 로봇 핸드가 장착되어 있다. 다관절형 로봇, 전형적으로는 6축 다관절형 로봇은, 로봇 아암의 선단에 장착된 로봇 핸드의 이동에 높은 자유도를 가지고 있다. 최근, 자립형의 생산 설비로서 로봇 셀의 채용이 진행되고 있지만, 로봇 셀과 같이 한정된 공간 내에서 작업을 행하는데 있어서, 다관절형 로봇은 유리하다. 그런데, 특히 로봇 셀과 같이 작업 공간이 한정되어 있는 경우에는, 로봇과 그 주위의 각종 기기·구조물의 배치가 어려워진다는 문제가 있어, 스페이스 효율의 개선이 요구되고 있다. 예를 들면, 로봇 핸드로 일단 유지한 워크를, 그 상·하면을 반전시켜 바꿔 들 필요가 있는 경우, 그것을 위한 기기를 로봇 셀의 내부에 설치할 필요가 있다. 특허 문헌 1은, 로봇 핸드로 일단 유지한 워크를 상·하면 반전시켜, 바꿔 들기 위한 기기로서, 워크 반전 스테이션을 개시하고 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본국 특허공개 2007-21634호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 그러나, 특허 문헌 1의 워크 반전 스테이션은, 단지 워크를 횡가대(橫架臺) 상에 올려 놓는 구조이기 때문에, 반전 조작 시에 워크는 고정되어 있지 않다. 그 때문에, 반전 조작 시의 워크는, 그것이 수평 방향으로 연장되는 상태로 워크 반전 스테이션 상에 올려 놓는 것이 필요하며, 반전 조작 시의 워크의 방향에는 제한이 있다. 또, 인용 문헌 1에 기재된 워크 반전 스테이션은, 바닥면에 설치되어 있기 때문에, 다른 기기(반입 스테이션, 가공 스테이션, 및 반출 스테이션)와 함께 바닥면을 크게 점유하여, 기기의 설치 면적(풋프린트)이 커져 버린다는 문제가 있다. 그래서, 본 발명의 목적은, 로봇 핸드에 있어서의 워크의 상·하면 반전을 지원하기 위한 워크 반전 지원 장치에 있어서, 그 설치 양태, 즉, 설치 장소나 설치 자세 등의 자유도를 높이는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은, 로봇 핸드에 있어서의 워크의 상·하면 반전을 지원하기 위한 워크 반전 지원 장치로서, 상기 로봇 핸드에 의해 유지된 상기 워크의 대향하는 측부에 맞닿아 상기 워크를 협지하기 위한 한 쌍의 워크 협지 부재와, 상기 한 쌍의 워크 협지 부재를, 상기 워크를 협지하는 협지 상태와, 상기 워크를 해방하는 해방 상태 사이에서 전환하기 위한 협지 상태 전환 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다. 또, 바람직하게는, 상기 워크 반전 지원 장치는, 상기 로봇 핸드를 가지는 로봇이 내부에 배치된 로봇 셀의 내부에 설치되어 있다. 또, 바람직하게는, 상기 한 쌍의 워크 협지 부재는, 상기 로봇 셀 중 어느 하나의 내벽면에 대해 상기 워크가 대략 수직이 되도록 상기 워크를 협지한다. 또, 바람직하게는, 상기 한 쌍의 워크 협지 부재는, 상기 로봇 셀의 천정면에 대해 상기 워크가 대략 수직이 되도록 상기 워크를 협지한다. 또, 바람직하게는, 상기 한 쌍의 워크 협지 부재는, 상기 로봇 셀의 천정면에 설치되어 있다. 또, 바람직하게는, 상기 한 쌍의 워크 협지 부재는, 상기 워크의 협지 방향 축선 상에 상기 로봇이 위치하도록 상기 워크를 협지한다. 또, 바람직하게는, 상기 한 쌍의 워크 협지 부재는, 고정측 워크 협지 부재와 가동측 워크 협지 부재를 가지며, 상기 협지 상태 전환 수단은, 상기 가동측 워크 협지 부재의 위치를, 상기 협지 상태에 있어서의 위치와 상기 해방 상태에 있어서의 위치 사이에서 전환한다. 또, 바람직하게는, 상기 협지 상태 전환 수단은, 상기 가동측 워크 협지 부재가 장착된 피스톤을 포함하는 유체압 실린더와, 상기 유체압 실린더를 상기 피스톤의 진퇴 방향으로 이동시키기 위한 실린더 이동 수단을 가진다. 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은, 워크를 가공하기 위한 로봇 셀에 있어서, 상기 중 어느 하나의 워크 반전 지원 장치와, 상기 워크 반전 지원 장치가 내부에 설치된 셀 몸체를 구비한 것을 특징으로 한다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 의하면, 로봇 핸드에 있어서의 워크의 상·하면 반전을 지원하기 위한 워크 반전 지원 장치에 있어서, 그 설치 양태, 즉, 설치 장소나 설치 자세 등의 자유도를 높일 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명의 일실시 형태에 의한 로봇 셀의 내부를 측방으로부터 본 도. 도 2는 도 1에 나타낸 로봇 셀의 정면도. 도 3은 도 1에 나타낸 로봇 셀의 내부를 상방으로부터 본 도. 도 4는 도 1에 나타낸 로봇 셀의 내부를 비스듬하게 상방으로부터 본 도. 도 5은 도 1에 나타낸 로봇 셀의 내부에 배치된 가공 장치(류터)의 측면도. 도 6은 본 발명의 다른 실시 형태에 의한 로봇 셀의 내부를 비스듬하게 상방으로부터 본 도. 도 7은 본 발명의 일실시 형태에 의한 로봇 핸드를 나타낸 정면도이며, 워크 가공 시의 상태를 나타낸 도. 도 8은 도 7에 나타낸 로봇 핸드의 측면도. 도 9은 도 7에 나타낸 로봇 핸드의 일부를 나타낸 사시도. 도 10은 도 7 내지 도 9에 나타낸 로봇 핸드의 일부를 제1 구동원, 제2 구동원, 및 진공원과 함께 나타낸 모식도. 도 11은 트레이 내에서의 워크의 수납 상태를 설명하기 위한 모식도. 도 12은 도 7에 나타낸 로봇 핸드에 있어서, 외방 확개(擴開) 상태를 나타낸 정면도. 도 13은 도 12에 나타낸 로봇 핸드의 측면도. 도 14은 도 12 및 도 13에 나타낸 로봇 핸드의 일부를 제1 구동원 및 제2 구동원과 함께 나타낸 모식도. 도 15은 도 7에 나타낸 로봇 핸드에 있어서, 전방 돌출 상태를 나타낸 정면도. 도 16은 도 15에 나타낸 로봇 핸드의 측면도. 도 17은 도 7에 나타낸 로봇 핸드에 있어서, 위치 결정 상태를 나타낸 정면도. 도 18은 도 17에 나타낸 로봇 핸드의 측면도. 도 19은 도 17 및 도 18에 나타낸 로봇 핸드의 일부를 제1 구동원 및 제2 구동원과 함께 나타낸 모식도. 도 20은 도 7에 나타낸 로봇 핸드에 있어서의 워크 위치 결정 동작을 설명하기 위한 모식적인 측면도이며, 전방 돌출 상태를 나타낸 도. 도 21은 도 20에 대응하는 모식적인 평면도. 도 22은 도 21에 나타낸 상태로부터, 단변측 위치 결정 접촉편을 위치 결정 위치로 이동시킨 상태를 나타낸 모식적인 평면도. 도 23은 도 22에 나타낸 상태로부터, 장변측 위치 결정 접촉편을 위치 결정 위치로 이동시킨 상태를 나타낸 모식적인 평면도. 도 24은 도 23에 나타낸 상태에 있어서, 흡착 패드가 변형되어 있는 모습을 나타낸 모식적인 정면도. 도 25은 도 24에 나타낸 상태로부터, 진공 파괴 에어의 공급에 의해 흡착 패드가 통상 상태로 복귀한 모습을 나타낸 모식적인 정면도. 도 26은 도 25에 대응하는 모식적인 평면도. 도 27은 도 7에 나타낸 로봇 핸드로 유지한 워크를 연마 가공하는 모습을 나타낸 모식적인 측면도. 도 28은 본 발명의 일실시 형태에 의한 워크 반전 지원 장치를 나타낸 측면도. 도 29은 도 28에 나타낸 워크 반전 지원 장치의 하면도. 도 30은 도 28에 나타낸 워크 반전 지원 장치를 모식적으로 나타낸 계통도. 도 31은 도 28에 나타낸 워크 반전 지원 장치의 동작을 설명하기 위한 측면도이며, 유체압 실린더가 제1 위치에 있는 상태를 나타낸 도. 도 32은 도 28에 나타낸 워크 반전 지원 장치의 동작을 설명하기 위한 측면도이며, 유체압 실린더가 제2 위치에 있는 상태를 나타낸 도. 도 33은 도 28에 나타낸 워크 반전 지원 장치의 동작을 설명하기 위한 측면도이며, 워크의 협지 상태를 나타낸 도. 도 34은 도 28에 나타낸 워크 반전 지원 장치로 유지된 워크를 로봇 핸드로 상·하면 반전하여 바꿔 드는 모습을 나타낸 모식도. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명의 일실시 형태에 의한 로봇 셀에 대해서, 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시 형태에 의한 로봇 셀은, 워크에 대해 연마 가공을 실시하기 위한 것이다. 가공 대상의 워크는, 전형적으로는, 대략 평판 형상의 워크, 혹은 평판의 측가장자리(의 일부)로부터 짧은 측벽이 세워진 형상의 워크 등이다. 워크의 재질은, 비자성체여도 자성체여도 되고, 전형적으로는, 알루미늄 합금이나 마그네슘 합금 등의 비자성체의 금속이다. 도 1 내지 도 4에 나타낸 바와 같이, 로봇 셀(1)은, 전체적으로 직육면체를 이루는 셀 몸체(2)를 구비하고 있으며, 이 셀 몸체(2)는, 4개의 측벽(2A)과, 측벽(2A)의 상단에 배치된 천정(2B)과, 측벽(2A)의 하단에 배치된 저벽(2C)을 가지고 있다. 셀 몸체(1) 내부의 상하 방향의 중앙부에는, 수평 방향으로 연장되는 수평 작업대(3)가 설치되어 있으며, 이 수평 작업대(3)의 상방에 작업 공간(4)이 형성되어 있다. 로봇 셀(1)의 내부에는, 6축 다관절 로봇(5)이 천장 매달기식으로 배치되어 있다. 로봇(5)은, 셀 몸체(2)의 천정(2B)에 고정된 기부(6)와, 기부(6)에 기단부가 접속된 로봇 아암(7)과, 로봇 아암(7)의 선단에 장착된 로봇 핸드(8)를 구비하고 있다. 로봇 핸드(8)는, 그 용도에 따라 구분하여 사용하기 위해 복수 종류가 미리 준비되어 있으며, 로봇 아암(7)의 선단에 착탈 가능하게 장착된다. 비사용 중의 로봇 핸드(8)는, 핸드 재치대(9)(도 4) 상에 올려 놓아진다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 수평 작업대(3)의 하방에는, 공급측 및 배출측의 트레이 승강 장치(10A, 10B) 및 제어 장치(11)가 배치되어 있다. 제어 장치(11)에 의해, 로봇(5), 가공 장치(12)(도 3, 도 4), 트레이 승강 장치(10A, 10B) 등이 제어된다. 공급측 트레이 승강 장치(10A)는, 가공 전의 워크(13)를 수용한 복수의 트레이(14)를 순차적으로 상승시키는 공급측 승강부(15A)를 가지며, 배출측 트레이 승강 장치(10B)는, 가공 후의 워크(13)를 수용한 복수의 트레이(14)를 순차적으로 강하시키는 배출측 승강부(15B)를 가진다. 하나의 트레이(14)에는 복수의 워크(13)(도 3에서는 8개)가 수용되어 있으며, 공급측 승강부(15A) 및 배출측 승강부(15B)의 각각에, 복수의 트레이(14)가 그들을 상하로 겹친 상태로 세트된다. 도 2에 나타낸 바와 같이 셀 몸체(2)의 정면에는, 가공 전의 워크(13)를 수용한 트레이(14)를 로봇 셀(1) 내에 반입하기 위한 반입문(16)과, 가공 후의 워크(13)를 수용한 트레이(14)를 로봇 셀(1) 내로부터 반출하기 위한 반출문(17)이 설치되어 있다. 셀 몸체(2)의 정면에 있어서의 반입문(16) 및 반출문(17)의 상방에는, 메인터넌스 시에 개방되어 로봇 셀(1) 내부로의 액세스를 가능하게 하는 한 쌍의 작업용 문(18A, 18B)이 설치되어 있다. 한 쌍의 작업용 문(18A, 18B) 중 일방(18A)에는, 로봇 셀(1)의 조작 패널(19)이 설치되어 있다. 도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 셀 몸체(2) 내부의 작업 공간(4)에는, 로봇 핸드(8)에 유지된 상태에 있는 워크(13)를 가공하기 위한 복수의 가공 장치(12(12A, 12B, 12C, 12D))가 설치되어 있다. 즉, 수평 작업대(3) 상에는, 3종류의 벨트식 연마기(12A, 12B, 12C)가 설치되어 있다. 이들 3종류의 연마기(가공 장치)(12A, 12B, 12C)는, 모두, 주행하는 연마용 벨트(가공면)(20A, 20B, 20C)에 워크(13)를 눌러 연마 가공을 행하는 것이다. 여기서, 벨트식 연마기(12A, 12B, 12C)의 연마용 벨트(가공면)(20A, 20B, 20C)는, 워크(13)가 눌러지는 방향으로 탄발적으로 이동 가능하다. 또, 셀 몸체(2)의 측벽(2A)에는, 다른 가공 장치로서, 전동 류터(12D) 및 연마 브러쉬(12E)가 설치되어 있다. 연마 브러쉬(12E)는, 워크(13)를 그 연마면(가공면)(21)에 마찰시킴으로써, 워크(13)에 연마 가공을 실시하는 것이다. 도 5에 나타낸 바와 같이 전동 류터(12D)는, 구동 모터(22)에 의해 회전 구동되는 회전 연마 부재(23)의 연마면(가공면)(24)에 워크(13)를 누름으로써, 워크(13)에 연마 가공을 실시하는 것이다. 전동 류터(12D)의 근방에는, 연마 가공 시에 비산하는 연마분을 회수하기 위한 흡인 덕트(25)(도 4)가 설치되어 있다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 전동 류터(12D)는, 셀 몸체(2)에 고정된 LM 가이드(26)를 통하여 이동 가능하게 설치됨과 함께, 에어 실린더 등의 탄발 수단(27)에 의해, 워크(13)가 눌러지는 방향으로 탄발적으로 이동 가능하게 되어 있다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 로봇 셀(2)의 측벽(2A)에는, 연마 가공 시에 워크(13)에 부착된 연마분을 에어로 날려 버리기 위한 에어 블로우 노즐(28)이, 전동 류터(12D) 및 연마 브러쉬(12E)의 하방에 설치되어 있다. 셀 몸체(2)의 천정(2B)에는, 로봇 핸드(8)에 있어서의 워크(13)의 상·하면 반전을 지원하기 위한 워크 반전 지원 장치(29)가 설치되어 있다. 이 워크 반전 지원 장치(29)에 대해서는, 도 28 내지 도 34를 참조하여 잠시 후에 상세히 서술한다. 3종류의 벨트식 연마기(12A, 12B, 12C), 전동 류터(12D), 연마 브러쉬(12E), 에어 블로우 노즐(28), 및 워크 반전 지원 장치(29)는, 모두, 셀 몸체(2) 내의 작업 공간(4)의 후방측의 영역에 배치되어 있다. 수평 작업대(3)의 전방측에는, 공급측의 트레이(14)가 배치되는 공급측 개구(30A)와, 배출측의 트레이(14)가 배치되는 배출측 개구(30B)가 형성되어 있다. 공급측 트레이 승강 장치(10A)의 공급측 승강부(15A)에 세트된 복수의 트레이(14) 중, 그 최상단에 있는 트레이(14)가, 공급측 개구(30A)를 통하여 작업 공간(4) 내에 설치된다. 한편, 배출측 트레이 승강 장치(10A)의 배출측 승강부(15A)에는, 가공이 완료된 워크(13)를 수납하기 위한 배출측 트레이(14)가, 배출측 개구(30B)를 통하여 작업 공간(4) 내에 배치된다. 도 2에 나타낸 조작 패널(19)을 조작함으로써, 도 1에 나타낸 제어 장치(11)를 통하여, 로봇 핸드(8)에 의한 가공 장치(12)의 가공면(20A, 20B, 20C, 21)에 대한 워크(13)의 압입(押入)량을 수동으로 조정할 수 있다. 이 경우, 조작 패널(19) 및 제어 장치(11)는, 본 발명에 있어서의 수동 조정 수단으로서 기능한다. 상술한 바와 같이 본 실시 형태에 의한 로봇 셀(1)은, 로봇 핸드(8)로 유지된 상태에 있는 워크(13)를, 로봇 셀(1) 내에 설치된 각종의 가공 장치(12)로 가공하는 것이다. 이 때문에, 로봇으로 간단히 워크를 반송하는 경우 등에 비해, 본 실시 형태에 있어서의 로봇 셀(1)의 로봇(5)은, 보다 한층 더 복잡한 움직임이 요구된다. 그래서, 본 실시 형태에 의한 로봇 셀(1)에 있어서는, 로봇 핸드(8)로 유지된 상태에 있는 워크(13)를 가공하기 위한 각종의 가공 장치(12)를 셀 몸체(2) 내에 설치함과 함께, 로봇(5)을 셀 몸체(2)의 천정(2B)으로부터 매닮으로써, 스페이스 효율을 큰폭으로 개선하여, 복잡한 움직임을 하는 로봇(5)이 주위의 기기·구조물과 간섭하는 것을 회피하도록 했다. 또, 로봇 셀(1) 내에서 사용하는 가공 장치(12)는, 모두, 그 가공면(연마면)(20A, 20B, 20C, 21)이, 워크(13)의 눌림 방향으로 탄발적으로 이동 가능하다. 이 때문에, 로봇(5)에 의한 워크(13)의 눌림 동작을 설정할 때에, 가공면(연마면)(20A, 20B, 20C, 21)의 이동폭을, 로봇 동작에 있어서의 허용 오차로서 이용할 수 있다. 이와 같이, 가공면(연마면)(20A, 20B, 20C, 21)의 이동폭을, 로봇 동작 시의 허용 오차로서 이용할 수 있는 것도, 로봇 셀(1) 내의 한정된 작업 공간(4) 내에서 로봇(5)에 복잡한 움직임을 시키면서, 주위의 기기·구조물과의 간섭을 회피하면서, 원하는 가공 동작을 실현하는데 있어서 유효하다. 또, 상술한 바와 같이 로봇(5)의 동작 설정에 대한 허용 오차가 확보되기 때문에, 로봇 동작의 티칭 작업이 용이하게 된다. 이 때문에, 공장 내에 동일한 로봇 셀(1)을 복수대 설치하는 경우에도, 오프 라인으로 작성한 티칭 데이터를, 모든 로봇 셀(1)에서 공유할 수 있다. 이것에 의해, 로봇 셀(1)의 시운전 조정은, 현장에 반입하기 전에, 예를 들면 출하원에서 행함과 함께, 현장에서는 로봇(5)의 실제의 동작을 확인하면서, 미세조정을 행하는 정도이면 충분하다. 이 미세조정은, 조작 패널(19)을 이용하여, 현장의 작업원이 행할 수 있다. 도 6은, 상술한 로봇 셀(1)의 일변형예를 나타내고 있으며, 3종류의 벨트식 연마기(12A, 12B, 12C)가, 모두, 셀 몸체(2)의 측벽(2A)에 설치되어 있다. 이것에 의해, 벨트식 연마기(12A, 12B, 12C)의 연마면(20A, 20B, 20C)이, 대략 수직 방향(중력 방향)으로 연장되게 된다. 이와 같이 벨트식 연마기(12A, 12B, 12C)의 연마면(20A, 20B, 20C)을 대략 수직 방향으로 배향함으로써, 연마 가공 시에 발생한 연마분이 중력에 의해 낙하하므로, 예를 들면, 벨트식 연마기(12A, 12B, 12C)의 하방에 집진 덕트를 배치함으로써, 연마분을 용이하게 또한 확실히 회수할 수 있다. 또, 도 6에 나타낸 변형예에 있어서는, 수평 작업대(3) 상에 가공 장치(12)가 존재하지 않기 때문에, 메인터넌스 작업을 행할 때의 작업 공간을 충분히 확보할 수 있다. 다음에, 본 발명의 일실시 형태에 의한 로봇 핸드에 대해서, 도 7 내지 도 27을 참조하여 설명한다. 본 실시 형태에 의한 로봇 핸드(8)는, 도 7 내지 도 10에 나타낸 바와 같이, 로봇 아암(7)의 선단에 장착되는 핸드 기부(31)를 가지며, 핸드 기부(31)에는, 반송 및 가공 중의 워크(13)를 유지하기 위한 워크 유지 수단(32)이 설치되어 있다. 워크 유지 수단(32)은, 워크(13)의 표면에 흡착되어 워크(13)를 해방 가능하게 유지하기 위한 4개의 흡착부(33)를 가진다. 각 흡착부(33)는, 워크(13)를 흡착한 상태에 있어서, 워크(13)의 표면에 평행한 방향으로 탄성 변형 가능하게 구성되어 있다. 바람직하게는, 각 흡착부(33)는, 벨로스식의 진공 흡착 패드로 구성된다. 로봇 핸드(8)는, 또한, 워크 유지 수단(32)에 유지된 워크(13)를 워크 유지 수단(32)에 대해 소정의 위치에 위치 결정하기 위한 워크 위치 결정 수단(34)을 가진다. 워크 위치 결정 수단(34)은, 워크(13)에 맞닿아 워크(13)를 소정의 위치에 위치 결정하기 위한 6개의 위치 결정 접촉 부재(35)를 가진다. 위치 결정 접촉 부재(35)는, 위치 결정 위치에 있어서 워크(13)를 양측으로부터 사이에 끼는 3세트의 한 쌍의 위치 결정 접촉편(36A, 36B)으로 이루어진다. 3세트의 한 쌍의 위치 결정 접촉편(36A, 36B) 중, 2세트의 한 쌍의 위치 결정 접촉편(36A)은 워크(13)의 장변측을 협지하고, 나머지 1세트의 한 쌍의 위치 결정 접촉편(36B)은 워크(13)의 단변측을 협지한다. 워크 장변측의 위치 결정 접촉편(36A)에 의한 워크(13)의 끼임 방향과 워크 단변측의 위치 결정 접촉편(36B)에 의한 워크(13)의 끼임 방향은 직교하고 있다. 워크 단변측의 위치 결정 접촉편(36B)의 폭은, 워크 장변측의 위치 결정 접촉편(36A)의 폭보다 크다. 도 8 및 도 9에 나타낸 바와 같이, 워크 장변측의 위치 결정 접촉편(36A)은, 그 선단이 내방으로 돌출되어 있다. 워크 위치 결정 수단(34)은, 또한, 위치 결정 접촉편(36A, 36B)을, 워크 유지 수단(32)의 워크 유지면(37)보다 전방으로 돌출한 전방 돌출 위치와, 워크 유지면(37)으로부터 후방으로 퇴피한 후방 퇴피 위치 사이에서 전환하기 위한 전후 위치 전환 수단(38)을 가진다. 도 7에 나타낸 바와 같이, 전후 위치 전환 수단(38)은, 한 쌍의 전후 동작용 에어 실린더(39)를 가지며, 각 전후 동작용 에어 실린더(39)의 피스톤(39A)의 선단에 각 접촉편 지지 부재(40)가 설치되어 있다. 각 접촉편 지지 부재(40)에는, 단변측의 위치 결정 접촉편(36B)이 고정되어 설치되어 있다. 각 전후 동작용 에어 실린더(39)는, 각 실린더 지지 부재(41)에 고정되어 설치되어 있으며, 각 실린더 지지 부재(41)는, 핸드 기부(31)에 고정되어 설치된 제1 LM 가이드(42)에 의해 직동 가능하게 지지되어 있다. 각 실린더 지지 부재(41)는, 도 10에 나타낸 제1 구동원(43)에 의해, 워크(13)의 장변 연장 방향(제1 내외 방향) D1로 직동 구동된다. 이것에 의해, 단변측의 한 쌍의 위치 결정 접촉편(36B)의 위치를, 워크(13)를 소정의 위치에 위치 결정할 때의 위치 결정 위치와, 위치 결정 위치보다 바깥쪽의 외방 확개 위치와, 위치 결정 위치보다 안쪽의 내방 퇴피 위치 사이에서 전환한다. 각 접촉편 지지 부재(40)의 내면에는, 각 제2 LM 가이드(44)가 설치되어 있으며, 각 제2 LM 가이드(44)에 의해 워크 장변측의 각 위치 결정 접촉편(36A)이 직동 가능하게 지지되어 있다. 제2 LM 가이드(44)에 의한 직동 방향은, 제1 LM 가이드(42)에 의한 직동 방향에 대해 직교하고 있다. 워크 장변측의 각 위치 결정 접촉편(36A)은, 도 10에 나타낸 제2 구동원(45)에 의해, 워크의 단변 연장 방향(제2 내외 방향) D2로 직동 구동된다. 이것에 의해, 장변측의 한 쌍의 위치 결정 접촉편(36A)의 위치를, 워크(13)를 소정의 위치에 위치 결정할 때의 위치 결정 위치와, 위치 결정 위치보다 바깥쪽의 외방 확개 위치와, 위치 결정 위치보다 안쪽의 내방 퇴피 위치 사이에서 전환한다. 상술한 제1 LM 가이드(42), 제1 구동원(43), 제2 LM 가이드(44), 및 제2 구동원(45)에 의해, 위치 결정 접촉편(36A, 36B)을, 워크(13)를 소정의 위치에 위치 결정할 때의 위치 결정 위치와, 위치 결정 위치보다 바깥쪽의 외방 확개 위치와, 위치 결정 위치보다 안쪽의 내방 퇴피 위치 사이에서 전환하는 워크 위치 결정 수단(34)이 구성되어 있다. 여기서, 위치 결정 접촉편(36A, 36B)의 내방 퇴피 위치는, 도 10에 나타낸 바와 같이, 로봇 아암(7)의 축선 방향(워크 표면에 수직인 방향)으로 본 경우, 워크 유지 수단(32)으로 유지된 워크(13)와 겹치는 위치이다. 도 7에 나타낸 전후 동작용 에어 실린더(39)의 피스톤(39A)의 전진 및 후퇴 동작에 의해, 접촉편 지지 부재(40)가 전후 방향(아암 축선 방향) D3으로 이동한다. 이것에 의해, 장변측의 위치 결정 접촉편(36A) 및 단변측의 위치 결정 접촉편(36B)의, 전방 돌출 위치와 후방 퇴피 위치를 전환한다. 전방 돌출 위치와 후방 대치(對置) 위치의 전환에 대해서는, 도 12 내지 도 16을 참조하여 후술한다. 워크 유지 수단(32)의 각 흡착부(33)는, 도 10에 나타낸 진공원(46)에 의해 진공 흡인되고, 이것에 의해 워크(13)의 표면을 흡착 유지한다. 워크(13)를 각 흡착부(33)로부터 해방할 때에는, 진공 파괴 에어를 각 흡착부(33)에 공급하고, 각 흡착부(33) 내의 진공 상태를 해제하여 워크(13)를 해방한다. 도 11은, 로봇 셀(1)에 있어서 가공되는 복수의 워크(13)(도 11의 예에서는 8개)를 트레이(14)로 수용한 상태를 나타내고 있다. 트레이(14)에는, 각 워크(13)를 수납하기 위한 각 수납 오목부(14A)가 형성되어 있으며, 수납 오목부(14A)의 내주는, 워크(13)의 외주보다 약간 큰 치수로 되어 있다. 이것에 의해, 수납 오목부(14A)의 내주와 워크(13)의 외주 사이에, 어느 정도의 간극이 형성되어 있다. 상기 대로, 수납 오목부(14A)의 내주와 워크(13)의 외주 사이에 간극이 존재하기 때문에, 수납 오목부(14A) 중에 수납되어 있는 워크(13)의 방향이, 도 11에 나타낸 바와 같이 워크(13) 마다 편차가 생겨 버린다. 이 때문에, 로봇 핸드(8)의 워크 유지 수단(32)의 각 흡착부(33)에 의한 워크 표면의 흡착 위치를, 복수의 워크(13)에 있어서 일정하게 할 수 없다. 상술한 바와 같이 본 실시 형태에 의한 로봇 셀(1)은, 그 내부에 설치된 가공 장치(12)에 의해, 로봇 핸드(8)에 유지된 상태에 있는 워크(13)를 가공하는 것이다. 이 때문에, 로봇 핸드(8)의 워크 유지 수단(32)에 대해, 워크(13)가 소정의 위치에 정확하게 위치 결정되어 있지 않으면, 가공 장치(12)에 의한 가공 품질에 편차가 생겨 버리거나, 혹은 워크(13)의 가공 자체가 불가능하게 되어 버린다. 특히 연마 가공에 있어서는, 워크(13)의 표면과, 연마기(12A, 12B, 12C) 및 전동 류터(12D)의 가공면(20A, 20B, 20C, 21)의 거리가 가공 품질에 영향을 주기 때문에, 로봇 핸드(8)의 워크 유지 수단(32)에 대해, 워크(13)를 소정의 위치에 정확하게 위치 결정하는 것이 매우 중요하다. 그래서, 본 실시 형태에 의한 로봇 핸드(8)에 있어서는, 트레이(14)의 수납 오목부(14A) 내에 있는 워크(13)를 워크 유지 수단(32)에 의해 일단 유지하여 꺼낸 후, 워크 위치 결정 수단(34)을 이용하여, 워크(13)의 유지 위치를 소정의 위치로 이동시켜 수정한다. 즉, 도 7 및 도 8에 나타낸 바와 같이 워크 유지 수단(32)의 흡착부(33)를 워크 표면에 맞닿게 하여, 도 10에 나타낸 진공원(46)을 이용하여 워크(13)의 표면을 흡착부(33)로 흡착 유지한 후, 트레이(14)의 수납 오목부(14A)로부터 워크(13)를 끌어올려 꺼낸다. 또한, 트레이(14)의 수용 오목부(14A)로부터 워크(13)를 꺼낼 때에는, 도 7에 나타낸 바와 같이 워크 위치 결정 수단(34)의 위치 결정 접촉편(36A, 36B)이 후방 퇴피 위치에 있을 필요가 있지만, 반드시 내방 퇴피 위치에 있을 필요는 없고, 외방 확개 위치에 있어도 된다. 요컨데, 워크 유지 수단(32)에 의한 워크(13)의 흡착 동작 시에, 워크 위치 결정 수단(34)이 워크(13)나 트레이(14)에 간섭하지 않으면 된다. 다음에, 제1 구동원 및 제2 구동원을 작동시켜, 도 12 내지 도 14에 나타낸 바와 같이, 장변측의 위치 결정 접촉편(36A) 및 단변측의 위치 결정 접촉편(36B)을 외방 확개 위치로 이동시킨다. 또한, 워크(13)의 흡착 동작 시에 이미 위치 결정 접촉편(36A, 36B)이 외방 확개 위치에 있는 경우에는, 이 확개 동작은 불필요하다. 여기서, 위치 결정 접촉편(36A, 36B)의 외방 확개 위치는, 로봇 아암(7)의 축선 방향(워크 표면에 수직인 방향)으로 본 경우, 도 14에 나타낸 바와 같이, 워크 유지 수단(32)으로 유지된 워크(13)의 외주보다 외측에 있는 위치이다. 외방 확개 위치는, 트레이(14)의 수납 오목부(14A)의 내주와 워크(13)의 외주 사이의 간극의 치수, 즉, 수납 오목부(14A) 내의 워크(13)의 위치 어긋남량을 고려하여 설정된다. 다음에, 도 15 및 도 16에 나타낸 바와 같이, 후방 퇴피 위치에 있는 장변측의 위치 결정 접촉편(36A) 및 단변측의 위치 결정 접촉편(36B)을, 전후 동작용 에어 실린더(39)를 구동하여 전방 돌출 위치로 전진시킨다. 이것에 의해, 각 위치 결정 접촉편(36A, 36B)이, 워크 유지 수단(32)의 워크 유지면(37)보다 전방으로 돌출한다. 다음에, 도 17 내지 도 19에 나타낸 바와 같이, 외방 확개 위치에 있는 장변측의 위치 결정 접촉편(36A) 및 단변측의 위치 결정 접촉편(36B)을, 제1 구동원(43) 및 제2 구동원(45)을 구동하여 위치 결정 위치로 이동시킨다. 보다 구체적으로는, 도 20 및 도 21에 나타낸 외방 확개 위치에 있는 위치 결정 접촉편(36A, 36B) 중, 우선 처음에 단변측의 위치 결정 접촉편(36B)을, 제1 구동원(43)에 의해, 도 22에 나타낸 바와 같이 위치 결정 위치로 이동시킨다. 이것에 의해, 워크(13)는, 워크 유지 수단(32)으로 유지된 상태에 있어서, 워크 장변 연장 방향 D1에 있어서 위치 결정된다. 다음에, 장변측의 위치 결정 접촉편(36A)을, 제2 구동 수단(45)에 의해, 도 23에 나타낸 바와 같이 위치 결정 위치로 이동시킨다. 이것에 의해, 워크(13)는, 워크 유지 수단(32)으로 유지된 상태에 있어서, 워크 단변 연장 방향 D2에 있어서 위치 결정된다. 이러한 동작에 의해, 워크(13)는, 도 23에 나타낸 바와 같이 소정의 위치에 위치 결정된다. 이 때, 워크 유지 수단(32)의 흡착부(33)는, 도 24에 나타낸 바와 같이, 정상적인 형상으로부터 어긋나 변형된 형상이 되어 있다. 즉, 흡착부(33)는, 워크(13)의 표면에 평행한 방향으로 탄성 변형 가능함으로써, 위치 결정 접촉편(36A, 36B)에 의해 워크(13)를 이동시키면, 그 이동에 따라 도 24에 나타낸 바와 같이 변형된다. 도 24에 나타낸 상태에 있어서, 각 흡착부(33)에 진공 파괴 에어를 순간적으로 공급하고, 각 흡착부(33)와 워크(13)의 표면의 흡착 상태를 순간적으로 해제한다. 그러면, 도 25에 나타낸 바와 같이 각 흡착부(33)가 정상적인 형상으로 복귀함과 함께, 각 흡착부(33)가, 도 26에 나타낸 바와 같이 워크(13)의 표면 상의 소정의 위치로 이동하여, 소정의 위치에서 워크(13)를 흡착 유지한다. 또한, 흡착부(33)에 진공 파괴 에어를 순간적으로 공급해도, 워크(13)는 위치 결정 접촉편(36A, 36B)에 의해 협지되어 있으므로, 로봇 핸드(8)로부터 낙하하는 일은 없다. 또, 만약, 흡착부(33)에 진공 파괴 에어를 공급했을 때에 워크(13)가 눌려 움직여진 경우에도, 워크 장변측의 위치 결정 접촉편(36A)은 그 선단이 내방으로 돌출되어 있으므로, 이 돌출부에서 워크(13)를 받아 들일 수 있어, 워크(13)의 낙하를 확실히 방지할 수 있다. 상기의 동작에 의해, 워크 유지 수단(32)으로 워크(13)를 소정의 위치에서 유지하면, 전후 동작용 에어 실린더(39)를 구동하여, 위치 결정 접촉편(36A, 36B)을 후방 퇴피 위치로 퇴피시킨다. 계속해서, 제1 구동원(43) 및 제2 구동원(45)에 의해, 위치 결정 접촉편(36A, 36B)을 내방 퇴피 위치로 퇴피시킨다. 도 27은, 상기의 동작에 의해 소정의 위치에 위치 결정된 워크(13)를, 로봇 핸드(8)의 워크 유지 수단(32)에 의해 유지한 상태로, 가공 장치(12)의 가공면(연마면)(20A, 20B, 20C)에 의해 가공하는 모습을 나타내고 있다. 여기서, 위치 결정 접촉편(36A, 36B)을 내방 퇴피 위치로 퇴피시키고 있으므로, 도 27에 나타낸 바와 같이, 워크(13)의 측주면을 연마 가공할 때에, 위치 결정 접촉편(36A, 36B)이 가공 장치(12)의 가공면(연마면)(20A, 20B, 20C)과 간섭하는 것을 회피할 수 있다. 이상 서술한 바와 같이, 본 실시 형태에 의한 로봇 핸드(8)에 의하면, 로봇 핸드(8) 자신이 워크(13)의 위치 결정 기능을 구비하고 있으므로, 워크(13)의 위치 결정 만을 위해 전용의 기기를 배치할 필요가 없고, 로봇 셀(1) 내의 한정된 작업 공간(4)을 유효하게 이용할 수 있다. 또, 본 실시 형태에 의한 로봇 핸드(8)에 있어서는, 워크(13)의 표면을 흡착하여 유지하는 워크 유지 수단(32)을 사용함과 함께, 워크(13)를 가공할 때에는, 위치 결정 접촉편(36A, 36B)을 후방 퇴피 위치 및 내방 퇴피 위치로 퇴피시킬 수 있으므로, 예를 들면 워크(13)의 측면 둘레부에 대한 연마 가공 등을 지장 없이 행할 수 있다. 다음에, 본 발명의 일실시 형태에 의한 워크 반전 지원 장치(29)에 대해서, 도 28 내지 도 34를 참조하여 설명한다. 상술한 바와 같이 로봇 핸드(8)는, 워크 유지 수단(32)의 각 흡착부(33)에 의해 워크(13)의 표면을 흡착하여 워크(13)를 유지하는 것이지만, 워크(13)의 종류나 가공 내용에 따라서는, 트레이(14)에 수납된 상태에 있어서 상방을 향하고 있는 워크(13)의 표면을 가공 장치(12)에 의해 가공하는 경우가 있다. 이 경우에는, 로봇 핸드(8)에 의해 트레이(14)로부터 꺼낸 워크(13)를, 상·하면 반전시켜 로봇 핸드(8)로 바꿔 들 필요가 있다. 본 실시 형태에 의한 워크 반전 지원 장치(29)는, 이러한 경우에 로봇 핸드(8)에 있어서의 워크(13)의 상·하면 반전을 지원하기 위한 것이며, 바람직하게는, 도 4에 나타낸 바와 같이 로봇 셀(1)의 천정(12B)에 설치된다. 도 28(측면도) 및 도 29(하면도)에 나타낸 바와 같이, 본 실시 형태에 의한 워크 반전 지원 장치(29)는, 로봇 핸드(8)에 의해 유지된 워크(13)의 대향하는 측부에 맞닿아 워크(13)를 협지하기 위한 한 쌍의 워크 협지 부재(47A, 47B)를 가진다. 한 쌍의 워크 협지 부재(47A, 47B)는, 고정측 워크 협지 부재(47A)와 가동측 워크 협지 부재(47B)로 이루어지며, 로봇 셀(1)의 천정면에 대해 워크(13)가 대략 수직이 되도록 워크(13)를 협지한다. 고정측 워크 협지 부재(47A)와 가동측 워크 협지 부재(47B)에 의해 협지된 워크(13)의 상방에는, 천정측 접촉대(48)가 설치되어 있다. 워크 반전 지원 장치(29)는, 또한, 도 30에 나타낸 바와 같이 워크 협지 부재 구동 수단(49)을 구비하고 있으며, 워크 협지 부재 구동 수단(49)은, 가동측 워크 협지 부재(47B)가 장착된 피스톤(50A)을 포함하는 유체압 실린더(50)와, 유체압 실린더(50)를 피스톤(50A)의 진퇴 방향으로 이동시키기 위한 실린더 이동 수단(51)을 가진다. 유체압 실린더(50)는, 바람직하게는 에어 실린더이다. 실린더 이동 수단(51)은, 유체압 실린더(50)가 고정되어 설치된 주행 부재(52)와, 주행 부재(52)를 직동 가능하게 지지하는 주행 부재 LM 가이드(53)와, 주행 부재(52)를 주행 구동하는 주행용 구동원(54)을 구비하고 있다. 실린더 이동 수단(51)에 의해, 유체압 실린더(50)의 위치를, 도 31에 나타낸 제1 위치와, 도 32에 나타낸 제2 위치 사이에서 전환할 수 있다. 유체압 실린더(50)와 실린더 이동 수단(51)에 의해, 가동측 워크 협지 부재(47B)의 위치를, 워크(13)의 협지 상태에 있어서의 위치와 해방 상태에 있어서의 위치 사이에서 전환하기 위한 협지 상태 전환 수단(55)이 구성되어 있다. 워크 반전 지원 장치(29)를 이용하여 로봇 핸드(8)에 있어서의 워크(13)를 상·하면 반전시킬 때에는, 실린더 이동 수단(51)에 의해 유체압 실린더(50)를 도 31에 나타낸 제1 위치로 한 상태에서, 도 31 및 도 34에 나타낸 바와 같이, 로봇 핸드(8)의 워크 유지 수단(32)으로 유지한 워크(13)를, 로봇(5)의 동작에 의해 고정측 워크 협지 부재(47A) 및 천정측 접촉대(48)에 맞닿게 한다. 여기서, 로봇 핸드(8)의 워크 유지 수단(32)에 의해 유지된 워크(13)는, 상술한 워크 위치 결정 수단(34)에 의해, 워크 유지 수단(32)에 대해 소정의 위치에 위치 결정되어 있다. 이 때문에, 로봇(5)의 동작에 의해, 워크(13)를, 고정측 워크 협지 부재(47A) 및 천정측 접촉대(48)에 정확하게 위치 맞춤할 수 있다. 로봇(5)에 의해 워크(13)를 고정측 워크 협지 부재(47A) 및 천정측 접촉대(48)에 맞닿게 한 상태에서, 실린더 이동 수단(51)에 의해 유체압 실린더(50)를, 도 32에 나타낸 바와 같이 제2 위치로 이동시킨다. 계속해서, 유체압 실린더(50)를 구동하여 가동측 워크 협지 부재(47B)를 전진시켜, 도 33에 나타낸 바와 같이 고정측 워크 협지 부재(47A)와 가동측 워크 협지 부재(47B)로 워크(13)를 협지하여 유지한다. 다음에, 로봇(5)의 워크 유지 수단(32)에 의한 워크(13)의 유지 상태를 해제하고, 워크 반전 지원 장치(29)에 의해 워크(13)를 잠정적으로 유지시킨 상태에서, 로봇(5)을 동작시켜 도 34에 가상선으로 나타낸 바와 같이, 워크(13)의 이면에 워크 유지 수단(32)의 흡착부(33)를 맞닿게 하여, 워크(13)를 흡착 유지한다. 이 때, 워크 반전 지원 장치(29)에 의해 유지되어 있는 워크(13)의 위치 및 방향은, 미리 정확하게 파악되어 있으므로, 미리 파악되어 있는 워크 위치 정보에 의거하여 로봇(5)을 동작시킴으로써, 로봇(6)의 워크 유지 수단(32)에 의해 워크(13)를 소정의 위치에서 유지할 수 있다. 계속해서, 유체압 실린더(50) 및 실린더 이동 수단(51)을 구동하여, 고정측 워크 협지 부재(47A) 및 가동측 워크 협지 부재(47B)로부터 워크(13)를 해방하고, 로봇(5)을 동작시켜 워크 반전 지원 장치(29)로부터 워크(13)를 꺼낸다. 그 후, 로봇(5)은, 워크(13)를 3차원적으로 핸들링하면서, 가공 장치(12)에 의해 워크를 가공한다. 상술한 바와 같이 본 실시 형태에 의한 워크 반전 지원 장치(29)는, 한 쌍의 워크 협지 부재(47A, 47B)에 의해 워크(13)를 협지하여 유지하도록 했으므로, 워크 반전 지원 장치(29)의 설치 양태(설치 장소나 설치 자세 등)의 자유도를 높일 수 있다. 예를 들면, 본 실시 형태에 의한 워크 반전 지원 장치(29)와 같이, 그 설치 장소를 로봇 셀(1)의 천정면으로 하는 것이 가능하고, 이것에 의해, 로봇 셀(1) 내의 한정된 작업 공간(4)을 유효하게 사용할 수 있다. 특히, 연마 가공을 실시하기 위한 로봇 셀(1)에 있어서는, 벨트식 연마기(12A, 12B, 12C)와 같이 비교적 넓은 설치 면적을 필요로 하는 장치를 사용하므로, 워크 반전 지원 장치(29)의 설치 장소의 자유도가 높은 것은, 기기 배치 설계 상에 있어서 매우 유리하다. 또한, 바람직하게는, 워크 반전 지원 장치(29)의 한 쌍의 워크 협지 부재(47A, 47B)는, 워크(13)의 협지 방향 축선 A1 상에 로봇(5)이 위치하도록 워크(13)를 협지한다(도 3 참조). 로봇(5)을 워크(13)의 협지 방향 축선 A1 상에 위치시킴으로써, 로봇(5)이 워크 반전 지원 장치(29)에 액세스할 때의 로봇(5)의 동작을, 좌우 대칭인 것으로 할 수 있다. 이것에 의해, 로봇 셀(1) 내의 한정된 작업 공간(4) 내에 있어서도, 로봇(5)의 동작 공간을 확보하기 쉬워진다. 이하, 상술한 로봇 셀(1)에 있어서 워크(13)를 연마 가공할 때의 프로세스의 일례에 대해서 설명한다. 작업자는, 셀 몸체(2)의 정면의 반입문(16)을 열고, 공급측 트레이 승강 장치(10A)의 공급측 승강부(15A)에 복수단의 트레이(14)를 세트한다. 각 트레이(14)에는, 가공 전의 워크(13)가 복수 올려 놓아져 있다. 이 때, 공급측 승강부(15A)는 최하 위치에 배치되어 있다. 다음에, 작업자는, 반입문(16)을 닫으면, 조작 패널(19)로부터 워크 종별과 수량을 입력하고, 시작 버튼을 누른다. 그러면, 로봇(5)은, 선택된 워크용의 로봇 핸드(8)를, 핸드 재치대(9) 상의 복수의 로봇 핸드(8) 중에서 선택하여 집는다. 한편, 공급측 트레이 승강 장치(10A)는, 공급측 승강부(15A)를 상승시켜, 최상단의 트레이(14)를 소정의 워크 취득 위치, 즉 공급측 개구(30A)의 위치로 이동시킨다. 로봇(5)은, 공급측의 트레이(14)에 수납된 복수의 워크(13) 중 하나를, 워크 유지 수단(32)의 흡착부(33)로 흡착하여 꺼내고, 상술한 워크 위치 결정 수단(34)의 위치 결정 동작에 의해 워크(13)의 위치 결정을 행한다. 로봇(5)은, 로봇 핸드(8)의 워크 유지 수단(32)에 유지된 워크(13)를, 셀 몸체(2)의 천정(2B)에 설치되어 있는 워크 반전 지원 장치(29)까지 반송하고, 이 워크 반전 지원 장치(29)에 워크(13)를 잠정적으로 유지시킨다. 로봇(5)은, 워크 유지 수단(32)의 흡착부(33)를, 워크 반전 지원 장치(29)로 유지된 워크(13)의 이면에 맞닿게 하여 흡착시킨다. 이것에 의해, 워크(13)를, 로봇 핸드(8)에 있어서 상·하면 반전시켜 바꿔 든다. 다음에, 로봇(5)은, 가공 장치(12)를 이용하여 워크(13)에 대해 소정의 연마 가공을 실시하고, 연마 시에 워크(13)에 부착된 연마분을 에어 블로우 노즐(28)로부터의 에어로 적당히 날려 버리고, 연마 가공을 완료한다. 연마 가공이 완료된 워크(13)는, 로봇(5)에 의해 워크 반전 지원 장치(29)까지 반송되고, 다시 반전 조작을 행한다. 로봇(5)은, 워크 반전 지원 장치(29)를 이용하여 워크(13)를 바꿔 든 후, 배출측 트레이 승강 장치(10B)의 배출측 승강부(15B)에 올려 놓아진 배출측 트레이(14)에 워크(13)를 수납한다. 상술한 일련의 동작을 반복하여, 최상단의 공급측 트레이(14)에 수납된 복수의 워크(13) 모두에 대해 연마 가공을 실시한다. 가공이 완료된 워크(13)가 수납된 배출측 트레이(14)는, 배출측 트레이 승강 장치(10B)에 의해 일단(一段)분 만큼 강하된다. 로봇(5)은, 워크 유지 수단(32)에 의해, 비워진 공급측 트레이(14)를 흡착 유지하여, 가공이 완료된 워크(13)가 수납된 배출측 트레이(14) 상에 올려 놓는다. 공급측 트레이 승강 장치(10A)는, 공급측 승강부(15A)를 일단분 만큼 상승시켜, 가공 전의 복수의 워크(13)가 수납된 다음의 트레이(14)를 소정의 워크 취득 위치, 즉 수평 작업대(3)에 형성된 공급측 개구(30A)에 배치한다. 상술한 동작을 반복하여, 공급측 승강부(15A)에 세트된 모든 트레이(14)의 워크(13)의 연마 가공이 완료되면, 작업자는, 반출문(17)을 개방하여, 로봇 셀(1)의 내부로부터 배출측 트레이(14)를 반출한다. 이상의 조작에 의해, 복수단의 트레이(14)에 수납된 복수의 워크(13)의 가공 처리, 구체적으로는 연마 처리가 완료된다. [ 부호의 설명 ] 1 로봇 셀 2 셀 몸체2A 셀 몸체의 측벽 2B 셀 몸체의 천정 2C 셀 몸체의 저벽 3 수평 작업대 4 작업 공간 5 로봇6 로봇의 기부 7 로봇 아암 8 로봇 핸드 9 핸드 재치대 10A, 10B 트레이 승강 장치 11 제어 장치12 가공 장치 12A, 12B, 12C 벨트식 연마기 12D 전동 류터 12E 연마 브러쉬 13 워크 14 트레이 15A, 15B 트레이 승강 장치의 승강부 16 반입문 17 반출문 18A, 18B 작업용 문 19 조작 패널 20A, 20B, 20C 연마용 벨트(가공면)21 연마 브러쉬의 연마면(가공면) 22 구동 모터 23 회전 연마 부재 24 회전 연마 부재의 연마면(가공면) 25 전동 류터용 흡인 덕트 26 전동 류터용 LM 가이드 27 전동 류터용 탄발 수단(에어 실린더) 28 에어 블로우 노즐 29 워크 반전 지원 장치 30A 공급측 개구 30B 배출측 개구 31 핸드 기부 32 워크 유지 수단 33 흡착부 34 워크 위치 결정 수단 35 위치 결정 접촉 부재 36A 장변측의 위치 결정 접촉편36B 단변측의 위치 결정 접촉편 37 워크 유지면 38 전후 위치 전환 수단 39 전후 동작용 에어 실린더39A 전후 동작용 에어 실린더의 피스톤 40 접촉편 지지 부재 41 실린더 지지 부재 42 제1 LM 가이드 43 제1 구동원 44 제2 LM 가이드 45 제2 구동원 46 진공원 47A, 47B 워크 협지 부재 48 천정측 접촉대 49 워크 협지 부재 구동 수단 50 유체압 실린더 50A 유체압 실린더의 피스톤 51 실린더 이동 수단 52 실린더 이동 수단의 주행 부재 53 실린더 이동 수단의 LM 가이드 54 실린더 이동 수단의 주행용 구동원 55 협지 상태 전환 수단A1 워크 반전 지원 장치의 워크 협지 방향 축선D1 워크 장변 연장 방향(제1 내외 방향) D2 워크 단변 연장 방향(제2 내외 방향) D3 전후 방향	본 워크 반전 지원 장치(29)는, 로봇 핸드에 의해 유지된 워크(13)의 대향하는 측부에 맞닿아 워크(13)를 협지하기 위한 한 쌍의 워크 협지 부재(47A, 47B)와, 한 쌍의 워크 협지 부재(47A, 47B)를, 워크(13)를 협지하는 협지 상태와, 워크(13)를 해방하는 해방 상태 사이에서 전환하기 위한 협지 상태 전환 수단(55)을 구비한다. 로봇 핸드에 있어서의 워크의 상·하면 반전을 지원하는 워크 반전 지원 장치에 있어서, 그 설치 양태, 즉, 설치 장소나 설치 자세 등의 자유도를 높일 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 저밀도 폴리에틸렌의 압출코팅 및 그로부터 제조되는 가열-밀봉 물품EXTRUSION COATING OF LOW DENSITY POLYETHYLENE AND HEAT-SEALED ARITCLE MADE THEREFROM [ 기술분야 ] 본 발명은 폴리머층이 저밀도 폴리에틸렌을 포함하고 그에 의하여 조성물이 임의의 첨가제를 포함하지 않는 조성물을 포함하는, 기재 상에 압출 코팅된 폴리머층을 포함하는 가열 밀봉 물품에, 그리고 이러한 물품의 제조방법 및 가열-밀봉 구조 중의 층으로서 이러한 조성물을 포함하는 폴리머층의 용도에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)이 예를 들어 압출 코팅과 같은 많은 응용에서 사용된다. 압출 코팅 공정에서 사용된 높은 가공 온도로 인하여 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)의 분해가 발생한다는 것이 대체로 알려져 있다. 주요 분해 반응은 분자 확장이며, 즉 폴리머의 가교화가 이러한 높은 온도에서 일어난다. 이러한 가교화의 한 가지 불리한 점은 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)의 용융 흐름 지수(melt flow rate)가 극적으로 하강한다는 것이다. 이러한 변화는 통상의 용융 흐름 지수 측정에 의하여 용이하게 검출가능하다. 그러나 이러한 용융 흐름 지수 (MFR)는 이것이 압출 코팅 공정에서 기재 내로의 강하 속도 및 폴리머 투과를 유의미하게 한정하기 때문에 바람직하지 않다. 게다가, 이러한 가교화는 또한 밀봉 성능에 부정적인 영향을 준다. 가교화를 회피하기 위하여, WO2013/124221에서 기술된 바와 같이 항산화제가 사용될 수 있다. 그러나, 항산화제는 전형적으로 다이(die)를 빠져나오는 폴리머 용융물의 산화를 방지하고 계속해서 이는 코팅의 접착 성능에 부정적인 영향을 준다. 코팅과 기재 사이의 감소된 부착은 이것이 이 기술에서 가장 중요한 인자 중의 하나이기 때문에 압출 코팅 공정에서 수용될 수 없다. WO2013/124221에서는 이러한 목표의 충돌에 대처하고자 특정한 항산화제가 사용되었다.압출 코팅 공정에서 기재는 폴리머로 코팅된다. 기재는 전형적으로 종이, 페이퍼보드 또는 크라프트지 등과 같은 섬유상 기재; 알루미늄 포일 등과 같은 금속 포일; 또는 이축 배향된 폴리프로필렌 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름, 폴리아미드 (PA) 필름 또는 셀로판 필름 등과 같은 플라스틱 필름이다. 폴리머는 이동하는 기재 상으로 평다이를 통하여 압출된다. 폴리머 용융물은 전형적으로 고온, 전형적으로 275 내지 330 ℃에서 빠져나온다.용융물이 다이를 빠져나올 때 용융물 필름이 다이 아래에 위치되는 가압롤(pressure roll)과 냉각롤(chill roll)의 2개의 롤러 사이에 형성된 간극(nip) 내로 강하된다. 용융물 필름 보다 더 높은 속도로 이동하는 기재가 필름을 소정의 두께까지 끌어당긴다. 2개의 롤 사이의 압력이 필름을 기재 상으로 가압한다. 더욱이, 필름이 냉각롤의 저온에 의하여 냉각되고 고화된다. 압출 코팅 공정의 특징적인 매개변수 중의 하나인 강하비율(draw-down ratio)은 기재 상의 폴리머 필름의 두께에 대한 다이 갭의 비율이다.전형적인 압출 코팅 공정에 있어서 기재는 고속으로, 전형적으로 100 m/분 이상 또는 300 m/분 이상 그리고 거의 모든 상용적으로 작동하는 기계에서는 400 m/분 이상 또는 500 m/분 이상으로 통과된다. 현대식 기계는 1000 m/분 이하의 선속도로 작동되도록 설계된다. 본 출원에서 "선속도(line speed)" 및 "강하 속도(draw-down speed)"는 코팅 라인에서 기재의 속도를 언급하는 동의어로 고려된다.압출 코팅 공정의 설명은 예를 들어 Crystalline Olefin Polymers, Part II, by R.A.V. Raff and K.W. Doak (Interscience Publishers, 1964), pages 478-484, 또는 Plastics Processing Data Handbook, by Dominick V. Rosato (Chapman 0026# Hall, 1997), pages 273-277에서 주어진다.이러한 압출 코팅된 기재는 포장 및 다른 응용에서 사용될 수 있으며, 여기에서 가열-밀봉이 사용되어 열가소성 표면을 기제에 결합시킨다. 이는 결합되어야 할 표면에 열을 적용시켜 이를 연화시키거나 용융시키는 한편으로 어느 정도 압력을 결합되어야 할 위치에 적용시키는 것에 의하여 수행된다. 가장 통상적으로 가열은 결합되어야 할 표면에 대향하는 표면에 가열 막대(hot bar) 등과 같은 가열 물체를 접촉시키거나 표면을 열풍, 적외선 조사, 초음파 또는 유도가열로 가열시키는 것에 의해 수행된다. 결합을 위한 적절한 온도로 결합되어야 할 표면을 가열시킬 수 있는 속도가 종종 표면을 가열-밀봉시킬 수 있는 속도를 결정한다. 많은 이러한 작업이 느린 가열-밀봉 속도가 유의미하게 비용을 증가시키는 고-용량, 연속 작업이기 때문에 고속 가열-밀봉은 중요하다. 많은 경우에 있어서, 표면들 간에 형성되는 밀봉은 밀봉되어야 할 표면이 여전히 따뜻한 동안에 하중 하에 위치시킨다. 이는 폴리에틸렌의 열-점착 특성이 냉각 이전에서조차도 강한 밀봉이 형성되는 것을 보증하는 데 절대적임을 의미한다.그러나 열 점착 강도가 보다 높아야 할 뿐만 아니라 열 밀봉 개시 온도 또한 보다 낮아야 한다. 보다 낮은 온도에서의 작동에 의하여 밀봉되어야 할 물품이 고온에 노출되지 않는 것이 유리하다. 물론 보다 낮은 온도가 발생 및 유지에 더 저렴하기 때문에 경제적인 이점도 또한 있다.따라서, 첨가제 없이 압출될 수 있는 한편으로 압출 코팅 공정 동안에 수지의 원래의 MFR을 보유할 수 있고 높은 열 점착력과 함께 후속의 가열 밀봉 단계에서의 낮은 밀봉 개시 온도 (SIT: sealing initiating temperature)를 갖는 저밀도 폴리에틸렌이 소망된다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 따라서 본 발명의 목적은 높은 가공 속도에서 접착 특성에 영향을 주지 않고 압출 코팅 공정에서 사용될 수 있고 첨가제 없이 압출되는 한편으로 용융 흐름 지수를 보유할 수 있고 높은 열 점착력 및 후속의 가열 밀봉 단계에서의 낮은 밀봉 개시 온도 (SIT)를 갖는 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)을 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 따라서, 본 발명은 제1 양태에서 폴리머층 및 열가소성 표면과 제2 기재의 가열-밀봉에 의하여 가열-밀봉된 물품을 제조하기 위한 제1 기재를 포함하는 압출 코팅된 구조의 열가소성 표면으로서 조성물 (Co)을 포함하고, 조성물이 관형 반응기 내에서 생산된 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE), 바람직하게는 에틸렌의 저밀도 호모폴리머 (LDPE homopolymer)를 포함하고 첨가제가 없는 폴리머층의 적어도 일부의 용도를 제공하는 것이다.본 발명은 제2 양태에서 폴리머층 및 열가소성 표면과 제2 기재의 가열-밀봉에 의하여 가열-밀봉된 물품을 제조하기 위한 제1 기재를 포함하는 압출 코팅된 구조의 열가소성 표면으로서 조성물 (Co)을 포함하는 폴리머층의 적어도 일부의 용도를 제공하며, 조성물이- 3.0 g/10 분 이상의 ISO 1133 (190℃, 2.16 ㎏)에 따른 용융 흐름 지수 (MFR);- 10 이상의 분자량 분포 Mw/Mn; 및- 적어도 15 / 100k C인 비닐리덴 함량;을 갖는 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE), 바람직하게는 에틸렌의 저밀도 호모폴리머 (여기에서는 LDPE 호모폴리머라고 언급됨)를 포함하고 조성물이 첨가제가 없는 것이다.본 발명을 통하여 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)은 바람직하게는 에틸렌의 저밀도 호모폴리머 (LDPE 호모폴리머)이다.바람직하게는, 제1 구체예에 있어서 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)은 관형 반응기 내에서 생산되고 - 3.0 g/10 분 이상의 ISO 1133 (190℃, 2.16 ㎏)에 따른 용융 흐름 지수 (MFR);- 10 이상의 분자량 분포 Mw/Mn; 및- 적어도 15 / 100k C인 비닐리덴 함량;을 갖는다.바람직하게는, 제2 구체예에 있어서 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)은 관형 반응기 내에서 생산된다.달리 명백하게 반대로 언급되지 않는 한 이하에서 앞서-언급된 구체예 둘 다의 바람직한 특징이 기술된다.압출 코팅된 기재에 있어서 폴리머층은 기재 상으로 압출 코팅된다.바람직하게는, 폴리머층은 첨가제가 없는 것이다.본 발명은 추가로 주어진 순서대로 a) 본 발명의 구체예들 중의 하나에 따른 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)을 준비하고;b) 단계 a)에서 수득된 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)을 포함하는 조성물 (Co)을 준비하고; c) 단계 b)에서 수득된 조성물 (Co)을 포함하는 폴리머층을 제1 기재 상으로 압출 코팅하고;그에 의하여 첨가제가 조성물 중에 존재하지 않거나 조성물에 첨가되지 않거나 그의 성분들 중의 어느 것도 단계 a) 내지 b) 이전 또는 동안에 영향을 주지 않고d) 단계 c)에서 수득된 폴리머층의 적어도 일부인 제1 열가소성 표면을 제2 기재에 대하여 가열 밀봉하는 단계를 포함하는 방법에 관한 것이다.저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)은 바람직하게는 - 3.0 g/10 분 이상의 ISO 1133 (190℃, 2.16 ㎏)에 따른 용융 흐름 지수 (MFR);- 10 이상의 분자량 분포 Mw/Mn; 및- 적어도 15 / 100k C인 비닐리덴 함량;을 갖고/갖거나, 바람직하게는 갖고바람직하게는 관형 반응기 내에서 생산된다.바람직하게는, 첨가제가 조성물 중에 존재하지 않거나 조성물에 첨가되지 않거나 그의 성분들 중의 어느 것도 단계 a) 내지 c) 이전 또는 동안에 영향을 주지 않는다.본 발명은 추가로 열가소성 표면이 제2 기재 상으로 가열-밀봉되는 물품에 관한 것이며, 여기에서 상기 열가소성 표면이 본 발명의 구체예들 중의 하나에 따른 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)을 포함하는 조성물 (Co)을 포함하는 폴리머층의 적어도 일부이고여기에서 조성물 (Co)이 임의의 첨가제를 포함하지 않고그에 의하여 폴리머층이 추가로 제1 기재를 포함하는 코팅된 구조의 한 층이고 그에 의하여 폴리머층이 가열-밀봉에 앞서 제1 기재 상으로 압출 코팅된다.저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)은 바람직하게는 - 3.0 g/10 분 이상의 ISO 1133 (190℃, 2.16 ㎏)에 따른 용융 흐름 지수 (MFR);- 10 이상의 분자량 분포 Mw/Mn; 및- 적어도 15 / 100k C인 비닐리덴 함량;을 갖고/갖거나, 바람직하게는 갖고바람직하게는 관형 반응기 내에서 생산된다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하에서 본 발명의 용도의 바람직한 구체예 또는 기술적인 상세한 설명을 참조하면, 달리 명백하게 반대로 언급되지 않는 한 이러한 바람직한 구체예 또는 기술적인 상세한 설명이 또한 본 발명의 공정과 마찬가지로 여기에서 기술된 본 발명의 물품을 나타내는 것으로 이해되어야 한다.코팅되어야 할 기재, 즉 제1 기재는 당해 기술분야에서 공지된 임의의 기재일 수 있다. 바람직하게는 기재는 종이, 페이퍼보드 또는 크라프트지 등과 같은 섬유상 기재; 알루미늄 포일 등과 같은 금속 포일; 및 이축 배향된 폴리프로필렌 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름, 폴리아미드 (PA) 필름 또는 셀로판 필름 등과 같은 플라스틱 필름으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.제2 기재는 또한 본 발명에 따른 폴리머층 또는 본 발명에 따른 폴리머층으로 코팅된 기재를 포함하여 당해 기술분야에서 공지된 임의의 기재일 수 있다. 이는 제1 기재와 비교하여 동일하거나 다른 것일 수 있다. 바람직하게는 제2 기재는 본 발명에 따른 폴리머층, 종이, 페이퍼보드 또는 크라프트지 등과 같은 섬유상 기재; 알루미늄 포일 등과 같은 금속 포일; 및 이축 배향된 폴리프로필렌 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름, 폴리아미드 (PA) 필름 또는 셀로판 필름 등과 같은 플라스틱 필름 또는 본 발명에 따른 폴리머층으로 코팅된 본 발명에 따른 폴리머층을 제외한 앞서-언급된 기재 중의 하나로 이루어지는 군으로부터 선택된다.따라서, 가열 밀봉되어야 할 2개의 표면들 중에서 단지 하나의 표면이 본 발명에 따른 조성물 (Co)을 포함하는 폴리머층의 적어도 일부인 열가소성 표면일 수 있다. 달리 말하면 코팅된 기재는 상기 구체예들 중의 하나에 따른 제2 기재에 대하여 직접적으로 가열 밀봉될 수 있다.제2 기재는 제1 기재와 동일한 물질일 수 있고 바람직하게는 동일한 물질로 이루어진다.제2 기재 및 제1 기재는 또한 동일한 기재의 서로 다른 면적 등과 같이 동일한 것일 수 있다.이는 폴리머층을 포함하는 코팅된 기재를 폴리머층이 동일한 폴리머층의 서로 다른 면적과 접촉되도록 절첩하는 것에 의하여 수행될 수 있다. 따라서, 자구 "적어도 일부(at least a part)"가 본 발명에서 사용된다.달리 제2 기재는 제1 기재와 동일한 것일 수 있고 기재는 단지 부분적으로 본 발명에 따른 폴리머층으로 코팅된다. 그에 의하여 본 발명에 따른 폴리머층은 동일한 기재의 미코팅된 영역과 밀봉될 수 있다.기재는 솔기(seam)를 포함할 수 있다. 이러한 솔기는 예를 들어 상기 구체예의 경우에서와 같이 기재가 절첩되어야 하는 경우에 특히 유리하다.바람직하게는, 제1 기재가 본 발명에 따른 폴리머층을 포함하고 제2 기재가 본 발명에 따른 폴리머층 또는 본 발명에 따른 폴리머층이 코팅된 기재, 바람직하게는 본 발명에 따른 폴리머층으로 코팅된 기재이다.제2 기재 및 제1 기재는 또한 동일한 기재의 서로 다른 면적 등과 같이 동일한 것일 수 있다.이는 상기 개괄된 바와 같이 폴리머층을 포함하는 코팅된 기재를 폴리머층이 동일한 폴리머층의 서로 다른 면적과 접촉되도록 절첩하는 것에 의하여 수행될 수 있다.바람직하게는, 각각이 본 발명에 따른 2개의 폴리머층(들) 중의 적어도 일부인 2개의 열가소성 표면들이 가열-밀봉되고, 보다 바람직하게는, 각 폴리머층이 폴리머층과 기재를 포함하는 코팅된 구조의 층이고 그에 의하여 폴리머층이 가열-밀봉에 앞서 개개 기재 상으로 압출 코팅된다.바람직하게는, 본 발명에 따른 용도, 공정 및/또는 물품에 있어서, 폴리머층 및/또는 조성물 (Co)은 적어도 2.0 g/10 분의 용융 흐름 지수 MFR2 (190　℃, 2.16 ㎏, ISO 1133)를 갖고, 그에 의하여 추가로 압출 이전 및 이후의 조성물 (Co)의 용융 흐름 지수 MFR2 (190　℃, 2.16 ㎏, ISO 1133)가 실질적으로 동일하고, 즉그에 의하여MFR (이후)는 압출 코팅 이후의 조성물 (Co)의 용융 흐름 지수 MFR2 (190　℃, 2.16 ㎏, ISO 1133)이고;MFR (이전)은 압출 코팅 이전의 조성물 (Co)의 용융 흐름 지수 MFR2 (190　℃, 2.16 ㎏, ISO 1133)이다.이미 상기 개괄된 바와 같이, 용어 "적어도 일부"는 동일한 폴리머층의 서로 다른 영역이 가열-밀봉되거나 전체 층이 가열 밀봉에 적용되지 않는 것을 표현하도록 사용된다. 동일한 폴리머층의 서로 다른 영역은 동일한 물리적 특성을 갖는다.이러한 LDPE를 사용하는 것에 의하여 놀랍게도 비록 첨가제가 존재하지 않는다고 하여도 용융 흐름 지수에서 전혀 또는 단지 무시할 수 있을 정도의 강하가 일어나는 것으로 밝혀졌다. 게다가, 접착 특성, 열 점착 강도 및 밀봉 개시 온도가 유사한 용융점을 갖는 오토클레이브 수지에 비하여 추가로 개선되었다.따라서, 가열-밀봉에 앞서, 폴리머층은 코팅된 구조의 외층들 중의 하나이다. 외층은 외층과 환경 사이에 추가의 층이 존재하지 않는 것을 의미한다. 외층들 둘 다는 또한 본 발명에 따른 폴리머층일 수 있다.본 발명에 있어서 용어 "첨가제(addtive)"는 반응기, 바람직하게는 관형 반응기 내에서 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)을 제조하는 데 사용된 라디칼 개시제를 제외하고는 폴리머 물질과 다른 모든 무기 또는 유기 화합물을 포함한다. 특히 용어 "첨가제"는 폴리머의 산화사이클에 영향을 주고 대개는 항산화제 및 라디칼 스캐빈저로 언급되는 화합물을 포함하는 화합물을 포함한다. 항산화제는 폴리머가 산화되는 것을 방지하는 화합물이고 입체장애된 페놀, 황 함유 항산화제, 방향족 아민 및 장애된 아민을 포함한다. 라디칼 스캐빈저는 폴리머 중의 라디칼과 반응할 수 있는 화합물이다. 예들로는 아인산염(phosphite) 및 포스포나이트(phosphonite) 및 히드록실아민 및 아민 산화물이 있다.바람직하게는, 폴리머층은 임의의 첨가제를 포함하지 않는다. 본 발명에 따른 하나 이상의 폴리머층이 존재하는 경우, 바람직하게는 모든 폴리머층이 임의의 첨가제를 포함하지 않는다.본 발명에 따르면 용어 "폴리머층(polymer layer)" 및 "압출 코팅된 층(extrusion coated layer)"은 동일한 대상, 즉 기재 상에 압출 코팅된 폴리머층을 정의하고 따라서 상호호환가능하다.상기 언급된 바와 같이 기재는 압출 코팅되고, 따라서, 기재의 적어도 하나의 표면이 코팅된다. 그러나 기재의 양 측면들, 즉 기재의 외표면 및 내표면 (측)이 압출 코팅되는 것이 본 발명의 관점 이내이다. 따라서 본 발명에 따른 폴리머층은 기재와 직접적인 접촉 상태에 있게 된다. 용어 "직접적인 접촉(direct contact)"은 또한 폴리머층과 기재 간의 접착을 개선하기 위하여 개별적으로 폴리머층이 오존처리에 적용되고 기재가 코로나 처리 또는 화염 처리에 적용되는 구체예들을 망라한다.본 발명의 물품은 적어도 코팅된 기재를 포함하여야 하고 최종 용도에 따라 하나 또는 그 이상, 대개는 3개 이하의 코팅된 기재로 이루어질 수 있다. 전형적으로 물품은 주스곽(juice carton), 우유곽 등이다. 그러나 본 발명에 따른 물품은 또한 가요성 포장 및 산업용 포장 물품과 마찬가지로 일회용 컵, 접시 등일 수 있다. 따라서 가장 광범위한 의미에 있어서 본 물품은 엄밀한 의미의 그런 2개의 열가소성 표면이 가열-밀봉되는 물품이다.압출 코팅된 기재의 폴리머층은 바람직하게는 2 내지 1,000 ㎛의 범위, 보다 바람직하게는 5 내지 100 ㎛의 범위 이내의 두께를 갖는다. 특정한 두께는 기재의 속성, 그의 기대되는 후속하는 취급 조건 및 가장 중요하게는 후속하는 최종 제품의 용도에 따라 선택될 수 있다. 특히, LDPE가 본 발명에서 정의된 바와 같은 경우 실질적으로 더 얇은 코팅이 생성될 수 있다. 예를 들어, 일반적으로 오토클레이브-기반 LDPE로 2 ㎛ 두께에 도달하는 것이 가능하지 않은 반면에 본 발명에 따른 LDPE는 2 ㎛ 코팅을 문제 없이 생성하는 것을 허용한다. 기재의 두께는 대체로 자유롭게 선택될 수 있고 코팅 공정에 대하여 영향을 끼치지 않는다. 이는 전형적으로 1 내지 1,000 ㎛, 예를 들면, 5 내지 300 ㎛가 될 수 있다.압출 코팅 공정은 바람직하게는 통상의 압출 코팅 기술을 사용하여 실행된다. 따라서, 폴리머 조성물 (Co)이 압출 장치에 공급된다. 압출기로부터 폴리머 용융물이 평다이를 통하여 코팅되어야 할 기재에로 통과된다. 다이 립(die lip)과 간극 사이의 거리로 인하여, 용융된 플라스틱이 공기 중에서 짧은 기간 동안 산화되고, 대개는 압출 코팅된 층과 기재 간에서 개선된 접착을 야기한다. 코팅된 기재는 냉각롤 상에서 냉각되고, 그 후 이는 모서리 정리기(edge tri㎜er)를 통과하고 권취된다.다이 폭은 전형적으로 사용된 압출기의 규격에 의존적이다. 따라서 90 ㎜ 압출기에 대하여는 폭은 적절하게 600 내지 1,200 ㎜, 115 ㎜ 압출기에 대하여는 900 내지 2,500 ㎜, 150 ㎜ 압출기에 대하여는 1,000 내지 4,000 ㎜ 그리고 200 ㎜ 압출기에 대하여는 3,000 내지 5,000 ㎜ 이내가 될 수 있다.바람직하게는 선속도 (강하 속도)는 75 m/분 이상, 보다 바람직하게는 100 m/분, 보다 바람직하게는 300 m/분, 그리고 최근 상용적으로 작동하는 기계는 400 m/분 이상 또는 500 m/분 이상이다. 현대 기계는 1,000 m/분 이하의 선속도로 작동되도록 설계된다. 따라서 하나의 바람직한 구체예에 있어서 선속도 (강하 속도)는 1,500 m/분 이하 그리고 바람직하게는 1,200 m/분 이하, 그리고 그에 따라 선속도(강하 속도)는 바람직하게는 300 내지 1,500 m/분 이상의 범위, 보다 바람직하게는 300 내지 800 m/분의 범위 또는 500 내지 1,200 m/분의 범위 등과 같이 300 내지 1,400 m/분의 범위 또는 500 내지 1,400 m/분의 범위이다.폴리머 용융물, 즉, 조성물 (Co) 용융물의 온도는 275 내지 330 ℃ 등과 같이 전형적으로 270 내지 330 ℃이다.서로 다른 폴리머로 다중층으로 된 코팅을 생산하는 것이 가능하도록 적어도 2개의 압출기를 수반하는 코팅 라인을 사용하는 것 또한 가능하다. 예를 들면 오존 처리 및/또는 기재의 코로나 처리 또는 화염처리에 의하여 다이를 빠져나오는 폴리머 용융물을 처리하여 접착력을 개선하는 배열을 갖는 것 또한 가능하다. 코로나 처리를 위해서는, 예를 들어 기재를 전극으로 기능하는 2개의 도체 요소 사이로 통과시켜 전극들 사이에 높은 전압, 대개는 교류 전압 (약 10000 V 및 10000 ㎐)을 적용시켜 스프레이 또는 코로나 방전이 발생되도록 한다. 스프레이 또는 코로나 방전으로 인하여, 기재 표면 상의 공기가 이온화되고 기재 표면의 분자와 반응한다. 서로 다른 기술의 개관이, 예를 들어, David A Mar㎏raf of Enercon Industries Corporation in http://www.enerconind.com/files/7f/7fb3c045-dee6-461c-b508-259b816d0bf4.pdf에 의해 주어진다 (화염 처리에 대하여 2 내지 8페이지, 코로나 처리에 대하여는 9 내지 20페이지 그리고 오존 처리에 대하여는 20 내지 21페이지를 참조).본 발명에 따르면 폴리머층은 조성물 (Co)을 포함하여야만 한다. 바람직하게는 조성물 (Co)은 폴리머층의 주요부를 구성한다. 따라서 폴리머층은 바람직하게는 적어도 50 중량%, 보다 바람직하게는 적어도 70 중량%, 여전히 보다 바람직하게는 적어도 85 중량%, 여전히 보다 바람직하게는 95 중량% 또는 그 이상을 포함하며, 여전히 보다 더 바람직하게는 조성물 (Co)로 이루어진다. 따라서 폴리머층이 조성물 (Co)의 70 내지 90 중량%와 같이 70 내지 100 중량%, 보다 바람직하게는 85 내지 90 중량%와 같이 85 내지 100 중량%, 보다 더 바람직하게는 95 내지 99 중량%와 같이 95 내지 100 중량%를 포함한다.바람직하게는 폴리머층은 적어도 2.0 g/10 분의 용융 흐름 지수 MFR2 (190℃)를 갖고, 보다 바람직하게는 2.0 내지 15.0 g/10분의 범위 이내의 용융 흐름 지수 MFR2 (190℃)를 갖고, 보다 더 바람직하게는 2.5 내지 15.0 g/10 분의 범위 이내, 보다 더 바람직하게는 3.5 내지 10.0 g/10분의 범위 이내, 여전히 보다 더 바람직하게는 4.5 내지 9.0 g/10 분의 범위 이내의 용융 흐름 지수 MFR2 (190℃)를 갖는다. 숙련된 자에게는 용이하게 이해될 수 있는 바와 같이, 폴리머층의 용융 흐름 지수는 압출 후 층에 적용한다. 동일한 값 및 범위가 압출 코팅 공정 후의 폴리머층의 일부인 조성물 (Co)의 용융 흐름 지수 MFR2 (190℃)에 대하여 적용된다.반면에 압출 코팅 공정 이전의 폴리머 조성물 (Co)의 용융 흐름 지수 MFR2 (190℃)는 더 높을 수 있다. 따라서 압출 코팅 공정 이전의 폴리머 조성물 (Co)의 용융 흐름 지수 MFR2 (190℃)는 적어도 2.5 g/10 분이고, 보다 바람직하게는 3.5 내지 20.0 g/10 분의 범위 이내, 보다 더 바람직하게는 5.0 내지 15.0 g/10 분의 범위 이내의 용융 흐름 지수 MFR2 (190℃)를 갖는다.본 발명의 하나의 이점은 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE) 및 그에 따른 폴리머 조성물 (Co)의 용융 흐름 지수 MFR2 (190℃)가 압출 코팅 공정에 의해 영향을 받는다고 하더라도 단지 아주 작게 영향을 받는다. 바람직하게는 압출 전 후 조성물 (Co)의 용융 흐름 지수 MFR2 (190　℃)는 실적으로 거의 같고, 즉보다 바람직하게는 ,보다 더 바람직하게는 여기에서MFR (이후)는 압출 코팅 이후의 조성물 (Co)의 용융 흐름 지수 MFR2 (190　℃)이고;MFR (이전)은 압출 코팅 이전의 조성물 (Co)의 용융 흐름 지수 MFR2 (190　℃)이다.본 발명에 따른 폴리머 조성물 (Co)은 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)을 포함하여야만 한다. 따라서 폴리머 조성물 (Co)은 추가로 본 발명에서 앞서 명쾌하게 언급되지 않은 폴리머를 포함할 수 있다. 따라서, 폴리머 조성물은 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)의 적어도 50 중량%, 보다 바람직하게는 적어도 70 중량%, 보다 더 바람직하게는 80 내지 100 중량% 또는 80 내지 90 중량%와 같이 적어도 80 중량%, 보다 더 바람직하게는 90 내지 99 중량% 또는 90 내지 100 중량%와 같이 적어도 90 중량%를 포함하며, 여기에서 중량%는 폴리머 조성물을 기준으로 한다. 바람직한 구체예에 있어서 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)은 조성물 (Co) 내에서 유일한 폴리머이다.특히 바람직한 구체예에 있어서 폴리머층은 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)으로 이루어진다.저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)은 바람직하게는 에틸렌의 저밀도 호모폴리머 (여기에서는 LDPE 호모폴리머로 언급됨)이다.일반적으로, 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)의 중합은 과산화물, 산소, 아조 화합물 또는 이들의 조합 등과 같은 하나 이상의 라디칼 개시제의 작용 하에서, 약 150 내지 350℃의 온도에서 그리고 약 100 내지 400 MPa의 압력에서 바람직하게는 관형 반응기 내에서 단량체를 반응시키는 것에 의하여 수행된다. 단량체는 대개 반응기 내로 도입되기 이전에 소정의 압력까지 여러 단계로 압축된다. 본 발명에 따라 사용되는 LDPE는 바람직하게는 관형 반응기 내에서 생산된다. 관형 반응기는 전형적으로 180° 굴곡(bend)으로 연결되는 일련의 직선 영역들로 배열되는 수백미터의 재킷형 고압 배관(jacketed high pressure tubing)으로 이루어진다. 관형 반응기는 분할-공급 반응기(split-feed reactor)를 포함하여 단일-공급(single-feed) 또는 다중-공급(multi-feed) 공급기이다. 단일-공급 관형 반응기 (또한 전방-공급 반응기(front-feed reactor)라고도 언급됨)에 있어서, 총 단량체 흐름은 제1 반응 영역의 인입구에로 공급된다. 다중-공급 관형 반응기에 있어서, 단량체는 반응기를 따라 여러 위치들에서 반응기 내로 공급된다. 분할-공급 반응기에 있어서, 압출된 단량체 혼합물은 여러 흐름으로 분할되고 그의 서로 다른 위치들에서 반응기 내로 공급된다. 반응은 라디칼 개시제의 주입에 의하여 개시된다. 반응 혼합물은 제1 반응 피크 이후 냉각되고 추가의 개시제가 첨가되어 제2 반응 영역을 개시한다. 개시제 주입 지점의 수는 반응 영역의 수를 결정한다. 고압 라디칼 중합에 의한 에틸렌 폴리머의 생산을 위한 관형 반응기는 대개는 전체 2 내지 5개의 반응 영역을 포함한다. 반응이 완결되는 경우, 온도 및 압력이 전형적으로는 고압 분리기 및 저압 분리기를 사용하는 2 단계로 강하된다. 그 결과의 폴리머가 회수되고 미반응된 단량체가 제거되거나 반응기에 다시 재순환된다. 라디칼 개시제로서, 당해 기술분야에서 통상적으로 공지된 개시제가 사용될 수 있다. 고압 라디칼 중합에 의한 에틸렌 폴리머의 생산의 추가의 상세는 예를 들면 Encyclopedia of Polymer Science and Engineering, Vol. 6 (1986), pp 383-410에서 찾을 수 있다.적절한 관형 기술/공정은 당해 기술분야에서 공지되어 있다. 예들에는 LyondellBasell Lupotech(R) T, SABTEC CTR(R) tubular LDPE technology, ExxonMobil Chemical's high pressure tubular process 또는 DSM's 'Clean Tubular Reactor Technology'들이 있다. 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)의 의미는 공지되어 있고 문헌에 기록되었다. 비록 용어 LDPE가 저밀도 폴리에틸렌에 대한 약어이기는 하나, 용어는 밀도 범위를 한정하는 것이 아니라 LDPE-형 HP 폴리에틸렌을 커버하는 것으로 이해되어야 하며, 이는 저, 중 및 고밀도로 고압 공정에서의 무-라디칼 중합에 의해 생산된다.용어 LDPE는 단지 HP 폴리에틸렌의 속성을 올레핀 중합 촉매의 존재 중에서 생산된 폴리에틸렌에 비하여 서로 다른 분지 구조 등과 같은 전형적인 특징으로 기술하고 구분한다. 더욱이, 상기 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE), 바람직하게는 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE) 호모폴리머는 불포화될 수 있다.저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)이 공중합체인 경우 이는 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 비-공액 디엔, 비닐실란 및 아세테이트 등과 같은 전형적인 공단량체를 포함한다.이미 상기 개괄된 바와 같이, 본 발명의 저밀도 폴리에틸렌은 바람직하게는 관형 반응기 내에서 라디칼 개시 중합에 의해 생산되며 여기에서 중합은 에틸렌 단량체를 과산화물, 산소 또는 이들의 조합 등과 같은 하나 이상의 라디칼 개시제의 작용 하에서 반응시키는 것에 의해 수행된다.본 발명의 폴리에틸렌은 바람직하게는 WO-A-2013/083285 및 WO-A-2103178242에서 기술된 공정에 따라 생산된다. 상기 언급된 공정을 사용하는 것에 의하여 본 발명자들은 놀랍게도 유리한 특성을 나타내는 저밀도 폴리에틸렌을 생산하는 것이 가능하였다. 따라서, 예를 들어, 손실 탄성율(loss modulus) G'' = 5 ㎪에서의 저장 탄성율(storage modulus) G'는 통상의 기술로 생산된 표준 관형 물질 (저밀도 폴리에틸렌)에 비하여 본 발명의 저밀도 폴리에틸렌에 대하여 대체로 더 높은 것으로 나타났다. 본 발명의 신규한 저밀도 폴리에틸렌은 통상의 관형 물질에 비하여 유리한 가공성 특성, 예를 들어 개선된 압출 코팅 특성을 나타낸다.관형 반응기 내에서 생산된 저밀도 폴리에틸렌은 오토클레이브 물질 내에 존재하는 확연한 고분자량 테일(high molecular weight tail)을 수반하지 않는 분자량 분포를 가질 수 있다. 분자량 분포의 외양에서의 이러한 차이는 당해 기술분야에서 숙련된 자에게 기대되고 감지가능하다. 본 발명의 저밀도 폴리에틸렌은 바람직하게는 910 내지 940 ㎏/m3의 간격, 보다 바람직하게는 910 내지 935 ㎏/m3의 간격 이내의 밀도를 갖는 폴리에틸렌이다.더욱이, 본 발명의 저밀도 폴리에틸렌은 바람직하게는 11 이상 가장 바람직하게는 12 이상의 분자량 분포 Mw/Mn를 갖는다. 대개 Mw/Mn은 28 이하, 바람직하게는 26 이하일 것이다.Mn은 수평균분자량이고 Mw는 중량평균분자량이다. Mw 및 Mn은 겔투과크로마토그래피 (GPC)의 기술분야에서 공지된 방법에 따라 결정된다. 분지된 물질에 대하여는 분지된 구조가 선형 물질에 대한 것과 같이 분자량에 따라 용리되지 않기 때문에 평균분자량은 광산란의 보조에 의하여 결정된다. 또한 MWD 또는 PDI (다분산 지수)라고도 불리우는 분자량분포 Mw/Mn는 압출 코팅 특성에 대한 핵심 매개변수이다. 더욱이, 본 발명의 저밀도 폴리에틸렌은 바람직하게는 5 ㎪의 손실 탄성율 G''에서 측정된 저장 탄성율 G' (5㎪)를 가지며, 이는 3000 ㎩ 초과 보다 바람직하게는 3250 ㎩ 초과이다. 대개 상기 언급된 저장 탄성율은 3900 ㎩ 이하일 것이다.영점 전단 점도(zero shear-rate viscosity) η0는 전형적으로 3000 내지 6000 ㎩, 바람직하게는 4000 내지 6000 ㎩, 보다 바람직하게는 4500 내지 6000 ㎩이다.더욱이, 본 발명의 저밀도 폴리에틸렌은 바람직하게는 적어도 20 / 100k C, 보다 바람직하게는 적어도 25 / 100k C 그리고 가장 바람직하게는 적어도 28 / 100k C의 비닐리덴 함량을 갖는다.더욱이, 비닐리덴 함량 간격의 적절한 상한 비닐리덴 함량 한계는 38, 36 또는 달리 34일 수 있고, 이러한 상한 비닐리덴 함량 한계는 각각 여기에서 기술된 바와 같은 개방 또는 폐쇄된 임의의 비닐리덴 함량 간격에서 사용될 수 있으며, 즉 여기에서 기술된 바와 같은 임의의 비닐리덴 함량 간격의 주어진 낮은 비닐리덴 함량 한계와 조합하여 사용될 수 있다.비닐리덴은 3차 탄소 라디칼의 베타-분할(beta-scission)에 의해 형성된다. 보다 높은 라디칼 개시제 양에 의한 증가된 분지에 대해 3차 탄소 라디칼의 수 및 또한 베타-분할의 가능성 및 비닐리덴의 생성이 증가할 수 있다. 따라서 비닐리덴 함량은 본 발명의 저밀도 폴리에틸렌 중에 도입된 분지의 양에 대한 간접 측정일 수 있다.분지는 폴리머 골격에로의 라디칼 전달에서 유래한다. 이러한 전달 반응은 쇄들 간의 분자량의 구별, 장쇄 분지를 유도하는 전파 또는 2개의 쇄들의 하나로의 병합을 야기하는 조합을 통한 종말에 대하여 필수적이다. 장쇄 분지 및 고분자량 물질의 도입은 여기에서는 저밀도 폴리에틸렌인 물질이 보다 높은 용융 세기 (감소된 폐색(neck-in))를 야기하는 용융물에서의 얽힘(entanglement)을 나타내도록 한다.바람직하게는, 본 발명의 저밀도 폴리에틸렌은 3.5 내지 15 g/10 분 그리고 가장 바람직하게는 4.0 내지 7.0 g/10 분의 ISO 1133 (190℃, 2.16 ㎏)에 따른 용융 흐름 지수 (MFR)를 갖는다. 바람직하게는 저밀도 에틸렌 폴리머는 40000 내지 250000 g/몰, 보다 바람직하게는 47000 내지 240000 g/몰의 중량평균분자량 Mw을 갖는다.본 발명에 따른 조성물 (Co)은 단축 압출기와 마찬가지로 이축 압출기와 같이 특히 압출기를 포함하는 폴리머 화합물의 제조를 위한 적절한 용융 혼합 장치 내에서 성분들을 혼련(compounding)하는 것에 의하여 제조될 수 있다. 다른 적절한 용융 혼합 장치에는 위성압출기(planet extruder) 및 단일스크류 코-니더(single screw co-kneader)가 포함된다.2개 이상의 표면들이 함께 밀봉될 수 있고, 예를 들어 코팅된 구조는 2 또는 그 이상의 본 발명에 따른 제2 기재와 같은 기재와 함께 밀봉될 수 있다.바람직하게는, 밀봉되는 모든 표면들이 여기에서 기술된 바와 같은 폴리머층이다. 바람직하게는 밀봉되어야 할 면적의 가열은 더 뜨거운 물질 (예를 들어 밀봉 막대(들) 또는 롤러(들))로부터의 열전도에 의해, 마이크로파 가열, 유전 가열, 초음파 등에 의해) 수행된다.사용된 압력의 양은 밀봉되어야 할 2 (또는 그 이상) 표면들과 접촉할 필요가 있는 것에 따라 예를 들어 손가락 압력 내지 프레스 또는 롤러에 의해 적용되는 압력, 예를 들어 밀봉 막대의 약 3 ㎫까지 변할 수 있다. 압력의 적용 이전 또는 동시에 가열이 될 수 있다. 비록 압력이 가열 이전에 적용될 수 있기는 하나, 대개는 가열이 수행될 때까지는 유효하지 않을 것이다.밀봉이 되는 가열-밀봉가능한 폴리에틸렌 밀봉 표면의 온도는 대체로 유리전이온도 Tg를 초과할 것이다. 상용적으로 수행된 가열-밀봉의 대부분은 고속 라인이기 때문에, 충분한 강도의 밀봉을 제공하기 위하여 요구되는 온도가 낮을수록 라인이 종종 더 빨리 구동되며, 이는 밀봉 표면을 요구되는 온도까지 가열하는 데 시간이 덜 걸릴 수 있기 때문이다.대개는 가열 밀봉은 90 내지 200 ℃, 바람직하게는 105 내지 150 ℃ 그리고 가장 바람직하게는 105 내지 130 ℃의 온도에서 수행된다.대개는 가열 밀봉은 0.5 내지 3 ㎫의 압력에서 수행된다.더욱이 상기 구체예들 중의 임의의 폴리머층이 125 ℃ 이하, 보다 바람직하게는 100 내지 120　℃의 범위, 보다 더 바람직하게는 102 내지 118　℃의 범위의 가열 밀봉 개시 온도 (SIT)를 갖는 것이 바람직하다.실시예1. 측정 방법하기의 용어의 정의 및 측정 방법은 달리 정의되지 않는 한 본 발명의 상기 개관 기재와 마찬가지로 하기 실시예에 대하여 적용한다.분자량, 분자량 분포 (Mn, Mw, MWD) - GPC굴절률 인덱스 (RI: refractive index), 온라인 연결된 4개의 캐필러리 브릿지 점도계(capillary bridge viscometer: PL-BV 400-HT) 및 15° 및 90°의 이중 광산란 검출기 (PL-LS 15/90 광산란 검출기)가 장착된 PL 220 (Agilent) GPC가 사용되었다. 160 ℃에서 그리고 1 ㎖/분의 일정 흐름 속도에서 고정상으로서 3개의 Olexis 및 1개의 Olexis Guard 컬럼 그리고 이동상으로서 1,2,4-트리클로로벤젠 (TCB, 250 ㎎/ℓ 2,6-디 3차 부틸-4-메틸-페놀로 안정화된)이 적용되었다. 분석 당 200 ㎕의 샘플 용액이 주입되었다. 8.0 내지 12.0 ㎎의 폴리머를 10 ㎖ (160 ℃에서)의 안정화된 TCB (이동상과 동일) 중에 PP에 대하여는 2.5 시간 동안 또는 PE에 대하여는 160℃에서 연속적인 완만한 교반 하에서 3 시간 동안 용해시키는 것에 의하여 모든 샘플이 제조되었다. 160℃에서 폴리머 용액의 주입된 농도 (c160℃)는 다음과 같은 방법으로 결정되었다.w25 (폴리머 중량) 및 V25 (25℃에서의 TCB의 용적)를 이용.대응하는 검출기 상수와 마찬가지로 검출기 간 지연 용적을 132900 g/몰의 몰 중량 및 0.4789 ㎗/g의 점도를 갖는 협폭 PS 표준물 (MWD = 1.01)로 결정되었다. TCB 중의 사용된 PS 표준물에 대한 대응하는 dn/dc는 0.053 ㎤/g이다. Cirrus Multi-Offline SEC-Software Version 3.2 (Agilent)를 사용하여 계산이 수행되었다.각 용리액 절편에서의 몰 중량이 15° 광산란 각도를 사용하는 것에 의하여 산출되었다. Cirrus Multi SECSoftware Version 3.2를 사용하여 데이터 수집, 데이터 가공 및 계산이 수행되었다. Cirrus software 중의 옵션 "~로부터의 샘플 계산 옵션 서브필드 절편 MW 데이터(sample calculation options subfield slice MW data from)" 분야의 "LS 15 각도 사용(use LS 15 angle)"을 사용하여 분자량이 산출되었다. RI 검출기의 검출기 상수, 샘플의 농도(c) 및 분석된 샘플의 검출기 반응의 영역으로부터 분자량의 결정을 위하여 사용된 dn/dc가 산출되었다. 각 절편에서의 이러한 분자량이 C. Jackson and H. G. Barth (C. Jackson and H. G. Barth, "Molecular Weight Sensitive Detectors" in: Handbook of Size Exclusion Chromatography and related techniques, C.-S. Wu, 2nd ed., Marcel Dekker, New York, 2004, p.103)에 의해 기술된 바와 같은 방법으로 낮은 각도에서 산출되었다. LS 검출기 또는 RI 검출기 각각의 낮은 신호가 달성되는 낮고 높은 분자 영역에 대하여는 선형 피팅(linear fit)을 사용하여 대응하는 분자량에 대하여 용리 용적을 상관시켰다. 샘플에 따라 선형 피팅의 영역이 조정되었다. 다분산 지수, PDI= Mw/Mn (wherein Mn is the number average molecular weight and Mw is the weight average molecular weight)에 의해 기술되는 분자량 평균 (Mz, Mw 및 Mn), 분자량 분포 (MWD) 및 그의 대역폭(broadness)이 하기 식을 사용하여 ISO 16014-4:2003 및 ASTM D 6474-99에 따라 겔투과크로마토그래피에 의하여 결정되었다: (1) (2) (3)일정한 용리 용적 간격 ΔVi에 대하여는, 여기에서 Ai 및 Mi는 GPC-LS에 의해 결정된 크로마토그래피 피크 절편 영역 및 폴리올레핀 분자량 (MW)이다.동적 전단 측정 (주파수 점진 변화 측정(frequency sweep measurements))동적 전단 측정에 의한 폴리머 용융물의 특정은 ISO standards 6721-1 및 6721-10에 따른다. 25 ㎜ 평행 플레이트 기하구조(parallel plate geometry)가 장착된 Anton Paar MCR501 응력 제어 회전 유동계(stress controlled rotational rheometer) 상에서 측정이 수행되었다. 압축 주조된 플레이트 상에서 질소 압력 및 선형 점탄성 영역 내의 응력의 설정을 사용하여 측정이 수행되었다. 190 ℃에서 0.01 내지 600 rad/s 주파수 범위 및 1.3 ㎜의 간격의 설정을 적용하여 진동 전단 시험이 수행되었다.동적 전단 실험에서 탐침이 정현 변화 전단 변형 또는 전단 응력 (각각 변형 및 응력 제어 모드)에서 균질한 변형에 적용되었다. 제어된 변형 실험에 대하여는, 탐침이 (1)로 표현될 수 있는 정현 변형에 적용되었다.적용된 변형이 선형 점탄성 영역 이내인 경우, 그 결과의 정현 응력 반응은 (2)로 주어질 수 있으며여기에서σ0 및 γ0는 각각 응력 및 변형 진폭이고ω는 각 주파수이고δ는 상전이 (적용된 변형과 응력 반응 간의 손실 각)이고t는 시간이다동적 시험 결과는 전형적으로 여러 서로 다른 형태학적 함수 즉, 다음과 같이 표현될 수 있는 전단 저장 탄성율 G', 전단 손실 탄성율, G'', 복합 전단 탄성율, G, 복합 전단 점도, η, 동적 전단 점도, η', 상-외 성분(out of-phase component)의 복합 전단 점도 η'' 및 손실 탄젠트, tan δ의 수단으로 표현되었다: [Pa] (3) [Pa] (4) [Pa] (5)[Pa.s] (6)[Pa.s] (7)[Pa.s] (8)상기 언급된 형태학적 함수 외에도 소위 탄성 지수 (EI: elasticity index)(EI(x)) 등과 같은 다른 형태학적 매개변수를 또한 결정할 수 있다. 탄성 지수 EI(x)는 x ㎪의 손실 탄성율 G''의 값에 대하여 결정된 저장 탄성율 G'의 값이며 식 (9)로 기술될 수 있다. [Pa] (9)예를 들면, EI(5㎪)는 5 ㎪와 등가인 G''의 값에 대하여 결정된 저장 탄성율 G'의 값으로 정의된다.영점 전단 점도 η0이 다음과 같이 산출되었다:함수 f' 및 f''가 다음과 같이 정의되었다:및f''의 각 점들에 대한 5개의 최저 측정 주파수에 대응하는 f'의 점들을 플롯팅하는 것에 의하여 f''에 대한 f'의 플롯이 수행되었다(y-축 상의 f', x-축 상의 f''). 계속해서 최적-피팅 직선(best-fitting straight line)이 점들을 통하여 도시되었고 선을 f''=0까지 외삽시켰다. 계속해서 영점 전단 점도를 절편값의 역수 즉, η0 = 1/f'(f''=0)로 취하였다.참조문헌:[1] Rheological characterization of polyethylene fractions" Heino, E.L., Lehtinen, A., Tanner J., Seppala, J., Neste Oy, Porvoo, Finland, Theor. Appl. Rheol., Proc. Int. Congr. Rheol, 11th (1992), 1, 360-362[2] The influence of molecular structure on some rheological properties of polyethylene", Heino, E.L., Borealis Polymers Oy, Porvoo, Finland, Annual Transactions of the Nordic Rheology Society, 1995.).[3] Definition of terms relating to the non-ultimate mechanical properties of polymers, Pure 0026# Appl. Chem., Vol. 70, No. 3, pp. 701-754, 1998.NMR 분광학에 의한 미세구조의 정량정량 핵-자기 공명 (NMR) 분광학을 사용하여 폴리머 중에 존재하는 불포화기의 함량을 정량하였다. 400.15 ㎒에서 작동하는 Bruker Advance III 400 NMR 분광분석기를 사용하여 용액-상태 중에서 정량 1H NMR 스펙트럼을 기록하였다. 13C 최적화 10 ㎜ 선택 여기 탐침헤드(probehead)를 사용하여 125℃에서 모든 공기역학에 대하여 질소 가스를 사용하여 모든 스펙트럼이 기록되었다. 안정화제로서 대략 3 ㎎의 Hostanox를 사용하는 1,2-테트라클로로에탄-d2 (TCE-d2) 중에 대략 200 ㎎의 물질을 용해시켰다. 30° 펄스, 10 초의 여기 지연 및 10 ㎐ 샘플 회전을 활용하는 표준 단일-펄스 여기(standard single-pulse excitation)가 채용되었다. 4개의 더미 스캔(du㎜y scan)을 사용하여 스펙트럼 당 총 128개의 과도 신호(transient)들이 획득되었다. 이러한 설정은 1차적으로 불포화 정량 및 비닐리덴기의 안정성에 대하여 요구되는 고해상도에 대하여 선택되었다. he10a, busico05a 모든 화학이동을 5.95 ppm에서 잔류 양성자화된 용매로부터 야기되는 신호로 내부적으로 하였다.말단 비닐기 (R-CH=CH2)의 존재에 대응하는 특징적인 신호가 관측되었고 각각 관능기 당 보고되는 자리들의 수로 고려되는 4.95, 4.98 및 5.00 및 5.05 ppm에서의 결합된 말단 Va 및 Vb 양성자들의 적분을 사용하여 비닐리덴기의 함량이 정량되었다:Nvinyl = (IVa + IVb ) / 2비닐기의 함량은 탄소 존재 총 수에 대한 폴리머 중의 비닐기의 분율로서 산출되었다:Uvinyl = Nvinyl / Ctotal내부 비닐리덴기 (RR'C=CH2)의 존재에 대응하는 특징적인 신호가 관측되었고 비닐리덴기의 함량이 관능기 당 보고되는 자리들의 수로 고려되는 4.74 ppm에서의 2개의 D 말단 양성자들의 적분을 사용하여 정량되었다:Nvinylidene = ID / 2비닐리덴기의 함량은 탄소 존재 총 수에 대한 폴리머 중의 비닐리딘기의 분율로서 산출되었다:Uvinylidene = Nvinylidene / Ctotal내부 시스-비닐렌기 (ERCH=CHR')의 존재에 대응하는 특징적인 신호가 관측되었고 시스-비닐렌기의 함량이 관능기 당 보고되는 자리들의 수로 고려되는 5.39 ppm에서의 2개의 C 양성자들의 적분을 사용하여 정량되었다:Ncis = IC / 2시스-비닐렌기의 함량은 탄소 존재 총 수에 대한 폴리머 중의 시스-비닐렌기의 분율로서 산출되었다:Ucis = Ncis / Ctotal내부 트랜스-비닐렌기 (Z-RCH=CHR')의 존재에 대응하는 특징적인 신호가 관측되었고 트랜스-비닐렌기의 함량이 관능기 당 보고되는 자리들의 수로 고려되는 5.45 ppm에서의 2개의 T 양성자들의 적분을 사용하여 정량되었다:Ntrans = IT / 2트랜스-비닐렌기의 함량은 탄소 존재 총 수에 대한 폴리머 중의 트랜스-비닐렌기의 분율로서 산출되었다:Utrans = Ntrans / Ctotal보고되는 핵의 수에 대해 고려되는 2.85 내지 -1.00 사이의 벌크 지방족 적분 및 이 영역 내에 포함되지 않는 불포화에 연관된 자리들에 대한 보상으로부터 탄소의 총 량이 산출되었다:Ctotal = (1/2) * (Ialiphatic + Nvinyl + Nvinylidene + Ncis + Ntrans)개별 관측된 불포화된 기 및 그에 따라 또한 탄소 존재의 총 수에 대하여 보고된 총합으로서 불포화기의 총 함량이 산출되었다:Utotal = Uvinyl + Uvinylidene + Ucis + Utrans불포화 함량은 불포화기/100kC이 양으로서 주어졌고 여기에서 100kC는 100000개의 탄소를 의미한다. 특정한 불포화기 (x)의 상대 함량이 불포화기의 총 량에 대한 주어진 불포화기의 분율 또는 백분율로서 보고되었다:[Ux] = Ux / Utotal참조문헌he10aHe, Y., Qiu, X, and Zhou, Z., Mag. Res. Chem. 2010, 48, 537-542.busico05aBusico, V. et. al. Macromolecules, 2005, 38 (16), 6988-6996용융 흐름 지수 (MFR)용융 흐름 지수가 190 ℃에서 2.16 ㎏ (MFR2)의 하중으로 측정되었다. 용융 흐름 지수는 ISO 1133에 표준화된 시험 장치가 10 분 이내에서 190 ℃에서 2.16 ㎏의 하중 하에서 압출하는 그램 단위의 폴리머의 양이다.코팅층의 MFR이 다음과 같이 결정되었다:코팅층을 기재에서 벗겨내고 수집하였다. 계속해서, 코팅을 가위를 이용하여 작은 조각으로 절단하고 조각을 자동 압착기 내로 투입하였다. 자동 압착기를 사용하여 샘플로부터 공기를 제거하였다. 자동 압착기 내에서, 폴리머 필름의 조각을 용융시키고 샘플 플레이트로 성형시켰다. 계속해서 플레이트 (기포가 전혀 없는)를 작은 조각으로 절단하고 계속해서 조각을 상기 논의된 바와 같이 MFR 측정에 사용하였다. 자동 압착기로의 샘플 플레이트의 제조는 ISO 293에 따라 수행되었다.밀도저밀도 폴리에틸렌 (LDPE): ISO 1183-2에 따라 밀도가 측정되었다. ISO 1872-2 표 3 Q (압축 성형)에 따라 샘플 제조가 실행되었다.강하 속도 DD (10g/㎡)가 시험 기간 동안 코팅 중량 상수 (10 g/ ㎡)를 유지하는 것에 의하여 결정되었다. 출발 선속도는 100 m/분 이었으며 이는 5초 이내에서 100 m/분의 단계로 필름이 파단되거나 600 m/분에 도달되었을 때까지 단계적으로 증가되었다. 폐색이 다이 개구의 폭과 기재 상의 코팅의 폭 간의 차이로 결정되었다.접착력 시험이 기재와 코팅 간의 접착력을 평가하기 위하여 수행되었다. 코팅과 기재를 서로 손으로 찢었다. 동일한 작업자가 비교예와 실시예의 샘플을 시험하였다. 1 내지 5의 순위가 하기와 같이 주어졌다:1 코팅이 기재로부터 매우 쉽게 박리된다. 분리될 때 코팅이 기재를 전혀 찢지 않는다.2 코팅이 기재로부터 쉽게 분리될 수 있으나 기재의 일부가 분리된 코팅에 딸려온다. 3 코팅이 거의 완전히 기재에 접착되나 여전히 작은 면적으로부터 박리될 수 있다. 4 코팅이 기재에 잘 접착되었다. 코팅을 작은 면적으로부터 천천히 찢어내어 제거하는 것이 여전히 가능할 수 있다.5 코팅을 기재로부터 분리하는 것이 불가능하다. 시도하면 기재가 찢어지는 결과를 가져올 것이다.열 점착력(Hot tack force): 최대 열 점착력, 즉 힘/온도 다이아그램의 최대값이 결정되고 보고되었다. 열 점착 측정을 J0026#B 열 점착 시험기(hot tack tester)로 ASTM F 1921 방법에 따라 수행하였다. 기준은 샘플이 폭에서 15 ㎜ 조각으로 절단되어야 할 것을 요구하고 있다. 샘플을 열 점착 시험기 내로 양단부가 기계적 잠금장치에 부착되도록 수직 방향으로 위치시켰다. 계속해서 시험기를 밀봉하고 가열 밀봉을 끌어내고 저항력을 측정하였다.밀봉 압력, N/㎟ 1.5밀봉 시간, 초 0.5냉각 시간, 초 0.2박리 속도, ㎜/초 20090℃ 내지 측정된 열 점착력이 1 N 미만인 온도까지의 범위의 온도에 대하여 열 점착력을 시험하는 것에 의하여 각 샘플의 열 점착이 구축되었다. 기준은 적어도 3개의 병렬 측정이 수행되어야 할 것을 요구하고 있다. 온도를 10 ℃의 단계로 증가시켰다.실시예PE1은 923 ㎏/㎥의 밀도 및 4.5 g/10 분의 용융 흐름 지수 MFR2 (190℃)를 갖는, Borealis AG의 상용 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE) CA7230이다. 이는 추가로 4600 Pa의 η0를 가졌다.PE2는 920 ㎏/㎥의 밀도 및 7.5 g/10 분의 용융 흐름 지수 MFR2 (190℃)를 갖는, Borealis AG의 상용 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE) CA8200이다. 이는 추가로 2600 Pa의 η0를 가졌다.PE1 및 PE2는 오토클레이브 반응기를 사용하여 생산되었다. PE3는 918 ㎏/㎥의 밀도 및 5.7 g/10 분의 용융 흐름 지수 MFR2 (190℃, 2.16 ㎏, ISO 1133)를 갖는, 관형 반응기 내에서 생산된 LDPE이다. 이는 추가로 203000 g/몰의 분자량, 32 /100k C의 비닐리덴 함량, 14.5의 Mw/Mn, 3500 Pa의 G'(G''=5㎪) 및 5200 Pa의 η0를 가졌다. WO-A-2013178242의 물질 A에 대하여 기술된 바와 마찬가지로 생산된다.MFR 강하상기 폴리머 PE1 내지 PE3를 100 m/분의 선속도 및 하기 표에서 주어진 온도에서 20 g/㎡의 코팅 중량에서 압출 코팅에 적용시켰으며 MFR2 (190℃, 2.16 ㎏ 하중) [g/10 분]을 결정하였다. 그 결과를 하기 표에 나타내었다.접착 특성30 g/㎡의 코팅 중량을 갖는 코팅을 100　m/분의 선속도에서 UG 크라프트지 상에로 하기 표에 기재된 온도에서 적용시키고 접착 특성을 상기 개괄된 바와 같이 결정하였다.두 번째 시험에서 30 g/㎡의 코팅 중량을 갖는 코팅을 100　m/분의 선속도에서 315℃에서 하기 표에 기재된 기재 상에 적용시켰다따라서 본 발명의 물품은 개선된 접착 특성을 나타낸다.열 점착 시험에서의 밀봉 개시 온도가 결정되었고 그 결과를 도 1에 나타내었다. 선속도는 100m/분 UG 크라프트지 상의 코팅 중량은 20 g/㎡이었다. PE3는 또한 더 높은 영점 전단 점도를 나타내고, 즉 밀봉 막대 아래로 탈출하는 용융물의 양은 감소한다. 그 결과를 도 2 및 도 3에 나타내었다.PE3은 PE1과 동일한 DSC 용융점, 즉 110℃를 갖는다.도면으로부터 볼 수 있는 바와 같이 PE3의 열 점착 시험에서의 밀봉 개시 온도는 DSC 용융점이 동일하다고 가정하여도 PE1에 비하여 유의미하게 더 높다.더욱이, PE3의 밀봉 개시 온도는 더 높은 용융점 (110℃ ⇔ 108℃)을 가정하여도 PE2와 비교하여 유사하다. 게다가, PE3의 접착 특성은 밀봉 개시 온도가 유사하다고 가정하여도 PE2에 비하여 유의미하게 개선된다.	본 발명은 폴리머층 및 열가소성 표면과 제2 기재의 가열-밀봉에 의하여 가열-밀봉된 물품을 제조하기 위한 제1 기재를 포함하는 압출 코팅된 구조의 열가소성 표면으로서 조성물 (Co)을 포함하고, 조성물이 관형 반응기 내에서 생산된 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)을 포함하고 첨가제가 없는 폴리머층의 적어도 일부의 용도; 및 폴리머층 및 열가소성 표면과 제2 기재의 가열-밀봉에 의하여 가열-밀봉된 물품을 제조하기 위한 제1 기재를 포함하는 압출 코팅된 구조의 열가소성 표면으로서 조성물 (Co)을 포함하는 폴리머층의 적어도 일부의 용도를 제공하며, 조성물이 - 3.0 g/10 분 이상의 ISO 1133 (190℃, 2.16 ㎏)에 따른 용융 흐름 지수 (MFR); - 10 이상의 분자량 분포 Mw/Mn; 및 - 적어도 15 / 100k C인 비닐리덴 함량;을 갖는 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE)을 포함하고, 조성물이 첨가제가 없는 용도에 관한 것이다.
[ 발명의 명칭 ] 노즐 본체 및 연료 분사 밸브NOZZLE BODY AND FUEL INJECTION VALVE [ 기술분야 ] 본 발명은 연료 분사 밸브용 노즐 본체 및 연료 분사 밸브에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 연료 분사 밸브는 연료를 계량하여 내연 엔진의 흡기 다기관으로 공급하거나 또는 내연 엔진의 연소 챔버로 직접 공급하는데 사용된다. 연료가 계량되어 내연 엔진의 연소 챔버로 직접 공급될 때, 연료 분사 밸브의 노즐 본체의 첨단(tip)은 연소 챔버로 돌출할 수 있다. 여기서, 첨단은 연소 공정에 노출되어 인젝터 첨단(injector tip)에 그을음을 초래할 수 있다.점점 증가하는 엄격한 방출 기준은 가솔린 엔진 방출량에 입자 수 제한을 도입한다. 이 첨단은 입자의 방출량을 증가시키기 때문에 이런 점에서 첨단의 그을음은 문제시될 수 있다. 이것은 첨단에 있는 탄소층이 분사 밸브로부터 분배되는 연료의 일부를 저장하도록 동작가능하기 때문이다. 저장된 연료는 그을음 입자의 소스인 소위 풍부한 연소 또는 농후한 연소를 초래할 수 있다. [ 발명의 개요 ] 본 발명의 목적은 첨단에 그을음을 초래하는 위험이 특히 낮은 연료 분사 밸브용 노즐 본체를 제시하는 것이다.본 목적은 청구항 1의 특징을 갖는 노즐 본체에 의해 달성된다. 노즐 본체 및 이 노즐 본체를 갖는 연료 분사 밸브의 유리한 실시예와 개선은 종속 청구항에 제시된다.일 측면에 따라, 연료 분사 밸브용 노즐 본체가 제시된다. 제2 측면에 따라, 상기 노즐 본체를 포함하는 연료 분사 밸브가 제시된다. 상기 연료 분사 밸브는 일 실시예에서 가솔린 분사 밸브이다.상기 노즐 본체는 공동(cavity)을 구비한다. 상기 공동은 특히 연료 입구 단부로부터 상기 노즐 본체의 연료 출구 단부로 연장된다. 상기 노즐 본체의 연료 출구 단부는 특히 상기 연료 분사 밸브의 인젝터 첨단을 나타낸다. 이것은 내연 엔진의 연소 챔버에 위치되도록 제공될 수 있다.상기 노즐 본체는 상기 공동으로부터 연료를 분배하는 분사 채널을 포함한다. 밸브 니들이 상기 노즐 본체의 공동에 수용될 수 있다. 상기 밸브 니들은 왕복운동 방식으로 상기 노즐 본체에 대해 이동할 수 있다. 폐쇄 위치에서, 상기 밸브 니들은 - 상기 노즐 본체로 구성될 수 있는 - 밸브 안착부와 접촉하여 상기 분사 채널을 통한 유체의 흐름을 방지한다. 상기 밸브 니들은 상기 밸브 안착부로부터 멀어지는 방향으로 변위되어 상기 분사 채널을 통한 유체 흐름을 허용할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 밸브 안착부와 상기 분사 채널은 상기 연료 출구 단부에서 상기 노즐 본체의 베이스 본체에 고정된 상기 노즐 본체의 안착부 본체로 구성될 수 있고, 여기서 상기 안착부 본체와 상기 베이스 본체는 별개의 부품이다.상기 분사 채널은 제1 구획과, 상기 제1 구획의 다운스트림에 제2 구획을 구비하고, 상기 제1 구획과 제2 구획은 공통 인터페이스를 구비한다. 상기 제1 구획은 연료 입구 개구로부터 상기 공통 인터페이스로 연장되고, 상기 제2 구획은 상기 공통 인터페이스로부터 연료 출구 개구로 연장된다. 상기 제1 구획의 단면적은 상기 연료 입구 개구로부터 상기 공통 인터페이스로 가는 경로에서 단조적(monotonically)으로 감소한다. 상기 제2 구획의 단면적은 상기 공통 인터페이스로부터 상기 연료 출구 개구로 가는 경로에서 단조적으로 증가한다. "단면적"이라는 것은 특히 각 구획의 중심 축에 수직인 평면에서 각 구획의 외주방향 측면 표면으로 둘러싸인 영역의 면적인 것으로 이해된다. 특히, 상기 제1 구획과 제2 구획은 상기 분사 채널의 채널 축으로 언급될 수 있는 공통 중심 축을 공유한다.일 실시예에 따라, 상기 제1 구획은 상기 연료 입구 개구로부터 상기 공통 인터페이스로 구성된 제2 개구로 연장되고, 상기 제2 구획은, 상기 공통 인터페이스로 구성되고 상기 제2 개구에 의해 천공된 바텀 표면으로부터 상기 연료 출구 개구로 연장된다.- 상기 연료 입구 개구로부터 상기 공통 인터페이스로 가는 경로에서 단면적이 단조적으로 감소하는 것에 의해 - 제1 구획은 특히 제2 개구로부터 상기 공통 인터페이스로부터 나타나는 발산하는 연료 스프레이 원추(spray cone)를 형성하도록 동작가능하다. 상기 연료 스프레이 원추는 미리 결정된 원추각(cone angle)을 구비한다. 상기 원추각은 특히 상기 스프레이 원추의 중심 축에 대하여 원추의 가상 외주방향 포락선 표면의 경사각이고, 즉 상기 원추각은 상기 원추의 절반의 개구 각도에 대응한다. 상기 포락선 표면은, 예를 들어, 원추형 표면일 수 있다.본 발명자는 상기 제2 구획의 측면 표면에 물질이 침착하면 그을음 입자를 생성하는데 특히 많은 영향을 미친다는 것을 발견하였다. 유리하게는, 본 발명의 분사 채널의 경우, 상기 스프레이 원추의 원추형으로 발산하는 형상은 상기 분사 채널의 상기 제2 구획의 원추형으로 발산하는 형상에 대응한다. 이런 방식으로, 상기 스프레이 원추는 유리하게는 상기 제2 구획의 특히 큰 부분에 걸쳐 분사 채널과 상호 작용하여 상기 제2 구획의 측면 표면에 침착물이 형성되는 것을 회피하거나 및/또는 상기 제2 구획의 측면 표면으로부터 침착된 물질을 제거하도록 동작가능할 수 있다. 예를 들어, 상기 스프레이는 상기 분사 이벤트 동안 전단력과 액적 충격에 의해 상기 제2 구획의 측면 표면을 클리닝하도록 동작가능하다.본 발명자는 본 발명에 따른 분사 채널에 의해 상기 제2 구획의 측면 표면 부근에서 특정 고에너지의 역 흐름이 달성가능하다는 것을 발견하였다. 상기 제2 구획에서 흐름이 정체되는 구역이 회피되거나 또는 적어도 특히 작을 수 있다. 이런 방식으로, 상기 제2 구획의 측면 표면은 그 전체 길이에 걸쳐 청결하게 유지될 수 있다.동시에, 상기 분사 채널을, - 스프레이 홀(spray hole) 또는 흐름 홀이라고도 언급될 수 있는 - 상기 수렴하는 제1 구획과, - 단계 홀(step hole)이라고도 언급될 수 있는 - 상기 발산하는 제2 구획으로 분리하면, 상기 스프레이 원추에서 연료의 측방향 속력이 특히 커질 수 있다. 이런 방식으로, 상기 스프레이 원추의 침투 깊이는, 특히 단계 홀이 없는 분사 채널에 비해 특히 작게 유지될 수 있다. 이것으로 상기 노즐 본체에 의해 분배된 스프레이로부터 오는 연료로 연소 챔버가 습윤될 위험이 특히 낮을 수 있는데, 이 습윤은 또한 그을음을 초래할 수 있는 것이다. 나아가, 상기 스프레이는 유리하게는 특히 작은 액적으로 분무될 수 있어서 특히 작은 양의 입자를 생성하는 연소를 달성할 수 있다.상기 제2 개구는 바람직하게는 상기 유체 흐름을 위한 이탈 에지(break-away edge)를 한정한다. 특히, 상기 유체 흐름은 상기 이탈 에지에서 상기 노즐 본체로부터 분리된다. 상기 제2 개구의 다운스트림에 분사 채널의 제2 구획이 존재하는 것으로 인해, 상기 분사 채널의 외측에 있는 연료 출구 단부에서 상기 노즐 본체의 표면에 그을음이 있을 위험이 특히 작아진다.일 실시예에서, 상기 제1 구획은 중심 축 주위에, 특히 상기 채널 축 주위에 회전 대칭이다. 일 개선에서, 상기 제1 구획은, 상기 연료 입구 개구로부터 상기 공통 인터페이스로 가는, 특히 상기 제2 개구로 가는 경로에서 테이퍼(taper)지는 원추대(truncated cone) 형상을 구비한다. 다른 개선에서, 상기 제1 구획은 상기 제1 구획의 중심 축을 통해 길이방향 구획에서 곡선(curved)인 측면 표면을 구비한다. 예를 들어, 이 측면 표면은 쌍곡면(hyperboloid) 형상이다. 일 실시예에서, 상기 제2 구획은 상기 바텀 표면으로부터 상기 연료 출구 개구로 가는 경로에서 확장되는 원추대 형상을 구비한다. 이런 방식으로, 상기 제2 구획의 측면 표면의 모든 측에 대해 우수한 클리닝이 달성될 수 있다.일 실시예에서, 상기 제1 구획은, 상기 제1 구획의 원추대 형상의 중심 축에 대해 0.3° 내지 6°의 경사각을 갖는 외주방향 측면 표면을 구비하고, 여기서 그 경계값이 포함된다. 이런 방식으로, 상기 스프레이 원추의 유리한 형상이 달성가능하다.일 실시예에서, 상기 제2 구획은, 상기 제2 구획의 원추대 형상의 중심 축에 대해, 특히 상기 채널 축에 대해 상기 스프레이 원추의 원추각만큼 적어도 크고 상기 원추각보다 최대 6° 더 큰 경사각을 갖는 외주방향 측면 표면을 구비한다. 상기 제2 구획의 경사각이 상기 스프레이 원추의 원추각과 유사하고 상기 원추각만큼 적어도 큰 것에 의해, 상기 제2 구획의 측면 표면에 특히 우수한 클리닝이 그 전체 길이에 걸쳐 달성가능하다.일 실시예에서, 상기 제2 구획의 상기 바텀 표면은 상기 제1 구획의 상기 제2 개구 주위로 외주 방향으로 연장된다. 예를 들어, 상기 제2 구획의 측면 표면으로부터 제2 개구의 측방향 거리는 50㎛ 이하이다. 특히, 상기 바텀 표면은, 상기 제2 개구로 한정된 내부 윤곽과, 상기 바텀 표면이 상기 제2 구획의 측면 표면과 병합되는 외부 윤곽을 구비하는 원형 링의 형상이다. 상기 외부 윤곽의 반경은 50㎛ 이하만큼 내부 윤곽의 반경보다 더 크다. 이런 방식으로, 흐름 정체 구역이 상기 제2 구획의 측면 표면과 바텀 표면 사이의 인터페이스 부근에 존재할 위험이 특히 낮다.상기 노즐 본체와 상기 연료 분사 밸브의 추가적인 장점, 유리한 실시예, 및 개선은 개략 도면과 함께 아래에서 설명된 예시적인 실시예로부터 명백하게 될 것이다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 예시적인 실시예에 따른 노즐 본체를 갖는 연료 분사 밸브의 개략적인 길이방향 단면도;도 2는 도 1의 노즐 본체의 분사 채널의 확대도; 및도 3은 분사 채널의 상면도. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 예시적인 실시예와 도면에서, 유사하거나, 동일하거나 또는 유사하게 작용하는 부재는 동일한 참조 부호로 제공된다. 도면은 축척에 맞게 도시된 것이 아니다. 오히려, 도면에서 개별 부재는 더 나은 표현 및/또는 더 나은 이해를 위해 사이즈가 과장되었을 수 있다.도 1은 예시적인 실시예에 따른 노즐 본체(10)를 갖는 연료 분사 밸브(1)의 개략적인 길이방향 단면도를 도시한다. 연료 분사 밸브는 연료, 특히 가솔린을 계량하여, 내연 엔진의 연소 챔버에 공급하도록 구성된다.노즐 본체(10)는 공동(15)을 구비한다. 공동(15)은 연료 입구 단부(도면에 미도시)로부터 연료 분사 밸브(1)의 인젝터 첨단을 나타내는 노즐 본체(10)의 연료 출구 단부(12)로 연장된다. 연료 출구 단부(12)는 내연 엔진의 연소 챔버에 위치되도록 제공된다.노즐 본체(10)는 공동(15)으로부터 연료를 분배하는 하나 이상의 분사 채널(20)을 포함한다. 본 실시예에서, 2개의 분사 채널(20)이 도시된다. 노즐 본체(10)는 2개를 초과하는 분사 채널(20)을 구비할 수 있다. 예를 들어, 분사 채널(20)은 노즐 본체(10)의 길이방향 축(L)을 따라 상면도에서 가상 원형 윤곽으로 분배 - 특히 균일하게 분배 - 될 수 있다.공동(15)에는 밸브 니들(5)이 수용된다. 밸브 니들(5)은 왕복운동 방식으로 노즐 본체(10)에 대해 축방향으로 이동할 수 있다. 밸브 니들은 연료 출구 단부(12) 쪽을 향하는 단부에서 밀봉 본체(7)를 구비한다. 밀봉 본체(7)는 밸브 니들(5)의 폐쇄 위치에서 노즐 본체(10)의 밸브 안착부(3)와 접촉하여 분사 채널(20)을 통한 유체 흐름을 방지할 수 있다. 밸브 니들(5)은 연료 분사 밸브(1)의 작동체 조립체(도면에 미도시)에 의해 밸브 안착부(3)로부터 멀어지는 방향으로 길이방향으로 변위되어 밀봉 본체(7)가 밸브 안착부(3)로부터 이격되어 분사 채널(20)을 통한 유체의 흐름을 허용할 수 있다.도 2는 노즐 본체(10)의 분사 채널(20)들 중 하나의 분사 채널의 확대도를 도시한다. 도 3은 노즐 본체(10)의 외측으로부터 분사 채널(20)의 채널 축(A)을 따라 분사 채널(20)의 상면도를 도시한다.분사 채널(20)은 제1 구획(22)과, 이 제1 구획(22)의 다운스트림에 제2 구획(24)을 구비하고, 이 제1 구획과 제2 구획은 공통 인터페이스(26)를 구비한다. 보다 구체적으로, 제1 구획과 제2 구획(22, 24)은 공통 채널 축(A)을 따라 서로 후속하여 배열되고, 공통 인터페이스(26)에서 서로 인접한다. 제1 구획(22)은 연료 입구 개구(221)로부터 공통 인터페이스(26)로 구성된 제2 개구(222)로 연장된다. 제2 구획(24)은 바텀 표면(241)으로부터 연료 출구 개구(242)로 연장된다. 분사 채널(20)의 제2 구획(24)의 바텀 표면(241)은 공통 인터페이스(26)로 구성되고 제2 개구(222)로 천공된다.제2 개구(222)의 외부 윤곽은 제1 구획(22)의 외주방향 측면 표면(223)과 바텀 표면(241)의 인터페이스에 형성된 샤프한 에지로 한정된다. 샤프한 에지는 유체 흐름이 분사 채널(20)의 표면으로부터 분리되는 이탈 에지를 구성한다. 샤프한 에지는 특히 제1 구획(22)의 측면 표면(223)과 바텀 표면(241) 사이에 270°를 초과하는 각도를 포함하는 것으로 이해된다.제1 구획(22)의 단면적은 연료 입구 개구(221)로부터 제2 개구(222)로 채널 축(A)을 따라 가는 경로에서 단조적으로 감소한다. 도 2에 도시된 분사 채널(20)의 경우, 제1 구획(22)은 채널 축(A)에 대해 회전 대칭인 원추대 형상이다.본 발명자는 연료 흐름이 연료 입구 개구(221)를 통해 분사 채널(20)에 들어갈 때 공동(15)의 벽으로부터 분리될 수 있다는 것을 발견하였다. 제1 구획(22)의 수렴하는 형상은 연료 흐름을 제1 구획(22)의 측면 표면(223)에 재부착하는 것을 촉진한다. 제1 구획(22)의 수렴하는 형상에 의해, 연료의 축방향 속도가 특히 작고, 이에 따라, 유리하게는 연소 챔버로 연료의 침투 깊이가 작아질 수 있다.도 1의 우측에 있는 분사 채널(20)로 개략적으로 지시된 대안적인 예시적인 실시예에서, 제1 구획(22)의 측면 표면(223)의 윤곽은 곡선일 수 있다. 예를 들어, 측면 표면(223)은 채널 축(A) 주위로 곡선 라인을 회전시키는 것으로부터 초래되는 회전 대칭 형상으로 표현될 수 있다. 예를 들어, 측면 표면(223)은 쌍곡면 형상일 수 있다.또 다른 대안적인 실시예(도면에 미도시)에서, 측면 표면(223)은 연료 입구 개구(221)에서 원통형 또는 원추형 기본 형상과 둥근 에지를 구비할 수 있다. 이런 방식으로, 연료가 연료 입구 개구(221)에서 분사 채널(20)에 들어갈 때 연료 흐름이 공동(15)의 표면으로부터 분리될 위험이 특히 작아진다.제2 구획(24)의 단면적은 바텀 표면(241)으로부터 연료 출구 개구(242)로 채널 축(A)을 따라 가는 경로에서 단조적으로 증가한다. 도 2의 실시예에서, 제2 구획은 채널 축(A)에 대해 회전 대칭인 원추대 형상이다.도 2의 예시적인 실시예에 따른 분사 채널(20)의 제1 구획(22)의 측면 표면(223)은 채널 축(A)에 대해 0.3° 내지 6°의 경사각을 구비하고, 이 채널 축(A)은 동시에 제1 구획(22)의 원추대 형상의 중심 축이다. 본 실시예에서, 경사각(a)은 1.4°의 값을 구비한다.이런 방식으로, 밀봉 부재(7)가 밸브 안착부(3)와 접촉하지 않게 이동하여 분사 채널(20)을 통해 가솔린을 분배할 때, 제1 구획(22)은 (도 2에서 대시 라인으로 개략적으로 지시된) 발산하는 연료 스프레이 원추(28)를 형성한다. 연료 스프레이 원추(28)는 미리 결정된 원추각(σ)으로 제2 개구(222)로부터 나타난다. 원추각(σ)은 스프레이 원추(28)의 중심 축에 대해 원추의 가상 외주방향 포락선 표면의 경사각이다. 스프레이 원추의 중심 축은 본 실시예에서 채널 축(A)과 동일하다. 일 실시예에서, 원추각(σ)은 경사각(α)과 같다.제2 구획(24)은. 스프레이 원추(28)의 원추각(σ)만큼 적어도 크고 채널 축(A)에 대해 상기 원추각(σ)보다 최대 6° 더 큰 경사각(β)을 갖는 외주방향 측면 표면(243)을 구비한다. 채널 축(A)은 또한 본 실시예에서 제2 구획(24)의 원추대 형상의 중심 축이다.제1 구획(22), 제2 구획(24), 및 스프레이 원추(28)는 채널 축(A)에 대해 바람직하게는 회전 대칭이다. 이런 방식으로, 채널 축(A) 주위로 측면 표면(243)의 모든 각진 영역에서 제2 구획(24)의 측면 표면(243)에 우수한 클리닝이 달성가능하다.본 실시예에서, 연료 입구 개구(221)와 제2 개구(222) 사이의 거리는 연료 입구 개구(221)의 직경의 1.1 배의 값을 갖는다. 다른 실시예에서, 연료 입구 개구(221)와 공통 인터페이스(26) 사이의 거리 대. 연료 입구 개구(221)의 직경의 비율은 1 내지 2의 값, 바람직하게는 1 내지 1.5의 값을 구비하고, 각 경우에 그 경계값이 포함된다.제2 구획(24)의 바텀 표면(241)은 제1 구획(22)의 제2 개구(222) 주위로 외주 방향으로 연장된다. 본 실시예에서, 바텀 표면(241)은, 제2 개구(222)로 한정된 내부 윤곽과, 제2 구획(24)의 측면 표면(243)과 바텀 표면(241) 사이의 인터페이스로 한정된 외부 윤곽을 구비하는 원형 링 형상이다. 외부 윤곽의 반경(Ra)은 내부 윤곽의 반경(Ri)보다 50㎛ 이하만큼 더 크다. 일 실시예에서, 이것은 5㎛ 이상이다. 다시 말해, 제2 개구(222)로부터 바텀 표면(241)과의 인터페이스에 있는 제2 구획(24)의 측면 표면(243)까지의 거리(D)는 50㎛ 이하이고, - 일 실시예에서 - 또한 5㎛ 이상이다.본 발명은 예시적인 실시예에 기초한 상세한 설명에 의한 특정 실시예로 제한되지 않는다. 오히려, 본 발명은 상이한 실시예의 부재의 임의의 조합을 포함한다. 나아가, 본 발명은 청구항의 임의의 조합과 청구항에 개시된 특징의 임의의 조합을 포함한다.	연료 분사 밸브(1)용 노즐 본체(10)와 상기 노즐 본체(10)를 갖는 연료 분사 밸브(1)가 제시된다. 상기 노즐 본체(10)는 제1 구획(22)과, 상기 제1 구획(22)의 다운스트림에 제2 구획(24)을 구비하는 분사 채널(20)을 포함하고, 상기 제1 구획과 제2 구획(22, 24)은 공통 인터페이스(26)를 구비한다. 상기 제1 구획(22)의 단면적은 상기 제1 구획(22)의 연료 입구 개구(221)로부터 상기 공통 인터페이스(26)로 가는 경로에서 단조적으로 감소하고, 상기 제2 구획(24)의 단면적은 상기 공통 인터페이스(26)로부터 상기 제2 구획(24)의 연료 출구 개구(242)로 가는 경로에서 단조적으로 증가한다.
[ 발명의 명칭 ] 내열성 초콜릿HEAT STABLE CHOCOLATE [ 기술분야 ] 본 발명은 초콜릿 제품 분야에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 개선된 내열성을 갖는 초콜릿 제품, 그러한 내열성 초콜릿 제품을 생산하는 방법, 및 이들의 용도에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 초콜릿은 전 세계적으로 과자류의 가장 우수한 타입 중 하나로 여겨지고 초콜릿 과자류의 다양한 타입 및 모양은 수년에 걸쳐 개발되어 왔다. 초콜릿 분야의 혁신은 맛과 같은 감각적 양상 및 구강 촉감에 훨씬 집중하여 왔다. 그러나 시각적 외관 또한 초콜릿 과자류의 품질에 대한 소비자의 전반적인 인식에서 중요한 양상이다. 따라서, 과자류의 덜 매력적인 외관은 소비자로 하여금 열등한 품질의 과자류에 관한 것으로 쉽게 판단하게 할 것이기 때문에 초콜릿 과자류의 시각적 외관은 초콜릿 제조업자에게 중요하게 역할한다.초콜릿 과자류의 시각적 외관에 관련된 중요한 문제는 초콜릿의 표면 상에 쉽게 알아볼 수 있는 블룸(bloom) 효과이다. 블루밍이 발생하는 경우, 초콜릿 과자류의 표면은 더 적은 광택을 갖고 종종 표면 상에 분명하게 볼 수 있는 블룸 결정을 갖는 다소 칙칙한 외관을 가질 것이다. 만약에 블룸의 외관이 있다면 이는 전형적으로 저장 몇 주 또는 몇 개월 후 발생한다. 특히 더 따뜻한 지역에서 고온에서의 저장은 초콜릿 제품의 안정성에 관해 문제가 될 수 있다.초콜릿은 일반적으로 코코아 버터, 코코아 고체 및 설탕을 포함한다. 우유 지방 및 다른 성분이 초콜릿 조성물에 또한 존재할 수 있다.초콜릿의 제조 과정에서, 상기 성분이 혼합된다. 상기 혼합물은 초콜릿에 조심스럽게 전-프로그램화된 온도 프로필을 가하는 조질(tempering) 기구에서 조질 가공을 거친다. 순차적으로, 상기 초콜릿은 초콜릿 과자류를 만들기 위해 사용되고 생성된 과자류는 미리 결정된 냉각 프로그램 후 냉각된다. 상기 조질 과정은 차례로 상기 고체 지방의 결정 조성물에서 덜 변화하는 경향이 있는 다소 안정한 초콜릿 제품을 얻도록 하는 시드 결정의 바람직한 타입의 충분한 양을 만들기 위한 목적으로 역할한다.초콜릿에서의 블룸은 잘-연구된 현상이고 초콜릿 제조업자 사이에서는 상기 블룸 효과가 다소 초콜릿에서 발생할 수 있는 고체 지방 결정 변형과 관련된다는 데에 동의한다.선행 기술에서 초콜릿에서의 블룸 효과를 감소시키는 다양한 방법이 제안되어 왔다.Sato 등의, JAOCS, Vol. 66, no.12, 1989은 고체화에 대해 코코아 버터 및 다크 초콜릿에서 진행되는 결정화를 가속화시키는 결정성 시드의 용도를 설명한다.JP 2008206490은 S가 20개 이상의 탄소 원자를 갖는 포화 지방산이고 U는 올레산과 같은 불포화 지방산인 SUS-타입 트리글리세리드의 형태에서 조질 촉진자(promoter)를 개시한다.EP 0 294 974 A2는 구성요소 지방산 잔기의 탄소 원자의 총 개수로 50 내지 56개를 갖는 SUS-타입 트리글리세리드에 또한 기반된 분말 조질 가속자(accelerator)를 설명한다. 상기 조질 가속자는 예를 들어 분산 배지 중에 분산제로서, 생산 동안 초콜릿으로 바람직한 결정 형성을 위한 시드로서 첨가된다.또한 특이적인 트리-글리세리드 조성물을 갖는 항-블루밍 제제의 첨가가 알려져있다. 이러한 항-블루밍 제제는 전형적으로 특정 촉매를 이용하여 트리글리세리드 오일의 화학적 인터에스테르화에 의해 수득된 식물성 지방에 기반될 수 있다.따라서, 초콜릿 또는 초콜릿-유사 제품을 제조하는 기술에서 그러한 제품의 내열성을 개선시킬 필요성이 여전히 존재한다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은 지방상(fat phase)을 포함하는 내열성(heat stable) 초콜릿으로서, 상기 내열성 초콜릿의 상기 지방상은,결정성 시드의 중량에 의한 0.1 내지 15%,레시틴이 아닌 유화제의 중량에 의한 0.01 내지 5%를 포함하고,상기 내열성 초콜릿의 상기 지방상은 코코아 버터, 코코아 버터 등가물 또는 이들의 조합의 중량에 의한 25 내지 94.9% 및 코코아 버터 개선제의 중량에 의한 5% 이상을 포함하고,상기 결정성 시드는 상기 결정성 시드의 중량에 의한 40 내지 95%의 양으로 SatOSat-트리글리세리드 및 상기 결정성 시드의 중량에 의한 30 내지 85%의 양으로 StOSt-트리글리세리드를 포함하고,상기 결정성 시드의 주요 흡열 용융 피크 위치는 상기 주요 흡열 용융 피크 위치를 정의하는 용융 열분석도를 생성하기 위하여 결정성 시드 10 ± 1 mg의 시료를 20℃에서 50℃로 3℃/분 속도로 가열시킴으로써 시차 주사 열량 분석(Differential Scanning Calorimetry)에 의하여 측정시 약 40℃ 이상이고,상기 Sat는 포화 지방산을 나타내고, 상기 St는 스테아르산을 나타내고, 상기 O는 올레산을 나타낸다.본 발명의 일 구체예에서 상기 레시틴이 아닌 유화제는 폴리소르베이트, 모노-글리세리드, 디-글리세리드, 폴리-글리세롤 에스테르, 프로피렌 글리콜 에스테르, 소르비탄 에스테르 및 이들의 임의의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것이다.본 발명의 일 구체예에서 상기 레시틴이 아닌 유화제는 소르비탄-트리-스테아레이트를 포함한다.본 발명의 다른 구체예에서 상기 내열성 초콜릿의 상기 지방상은 상기 지방상의 중량에 의한 40 내지 92% 또는 상기 지방상의 중량에 의한 50 내지 90%와 같은 상기 지방상의 중량에 의한 30 내지 94%의 양으로 코코아 버터, 코코아 버터 등가물 또는 이들의 조합을 포함한다.본 발명의 구체예에 따르면 상기 코코아 버터 등가물은 야자 오일, 시어(shea) 버터, 사라수(sal) 오일, 이들의 분획 및 이들의 혼합물의 하나 이상으로 구성된 인터에스테르화 지방(interesterified fat) 혼합물, 인터에스테르화 지방 혼합물의 분획 또는 이들의 조합을 상기 내열성 초콜릿의 상기 지방상의 중량에 의한 0.1 내지 15%의 양으로 포함한다.본 발명의 다른 구체예에 따르면 상기 코코아 버터 개선제는 시어, 사라수, 망고, 모우라(mowra), 코쿰(kokum), 일리프(illipe), 쿠푸아수(cupuacu), 이들의 분획 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.본 발명의 다른 구체예에 따르면 상기 코코아 버터 개선제는 시어 버터 또는 시어 버터 분획을 포함하거나 이들로 이루어진다.본 발명의 다른 구체예에 따르면 상기 코코아 버터 개선제는 상기 지방상의 중량에 의한 12 내지 30%와 같은 상기 지방상의 중량에 의한 10 내지 40%의 양으로 존재한다.본 발명의 구체예에 따르면 상기 결정성 시드는 결정성 시드의 중량에 의한 60 내지 90%와 같은 상기 결정성 시드의 중량에 의한 50 내지 93%의 양으로 SatOSat를 포함한다.본 발명의 다른 구체예에서 상기 결정성 시드는 상기 결정성 시드 중량에 의한 45 내지 75% 또는 상기 결정성 시드 중량에 의한 50 내지 70%와 같은 상기 결정성 시드 중량에 의한 40 내지 80%의 양으로 StOSt를 포함한다.본 발명의 일 구체예에서 상기 결정성 시드는 시어 스테아린을 포함하거나 시어 스테아린으로 구성된다.본 발명의 다른 구체예에서 상기 결정성 시드의 상기 주요 흡열 용융 피크 위치는 용융 열분석도를 생성하기 위하여 결정성 시드 10 ± 1 mg의 시료를 20℃에서 50℃로 3℃/분의 속도로 가열함으로써 시차 주사 열량 분석에 의해 측정시 42℃이상과 같은 41℃ 이상이다.본 발명은 또한 여기서 상기에 기재된 임의의 구체예에 따른 내열성 초콜릿을 생산하는 방법으로서, 상기 방법은,a) 지방상을 포함하는 초콜릿 조성물을 용융시키는 단계로서, 상기 지방상은,레시틴이 아닌 유화제의 중량에 의한 0.01 내지 5%를 포함하고,코코아 버터, 코코아 버터 등가물 또는 이들의 조합의 중량에 의한 25 내지 94.9% 및 코코아 버터 개선제의 중량에 의한 5% 이상을 포함하는 것인 단계,b) 상기 초콜릿 조성물을 25 내지 39℃로 냉각하는 단계,c) 시드된(seeded) 초콜릿을 생산하기 위하여 교반하는 동안 결정성 시드의 상기 지방상의 중량에 의한 0.1 내지 15%를 첨가하는 단계를 포함한다.본 발명의 일 구체예에서 상기 결정성 시드는 결정성 분말, 부분적으로 용융된 현탁액 또는 이들의 조합으로서 첨가된다.본 발명은 추가로 여기서 상기에 기재된 임의의 구체예에 따라 내열성 초콜릿 또는 여기서 기재된 임의의 구체예에 따른 방법에 의하여 생산된 내열성 초콜릿의 몰딩, 코팅, 엔로빙(enrobing) 또는 필링(filling) 적용을 위한 용도에 관련된다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명은 이제 보다 상세하게 설명되고 본 발명의 특이적인 구체예는 예시의 수단으로서 기재된다.하기의 정의 및 축약어는 본 명세서 전반에 적용된다:Sat = 포화 지방산/아실기 (saturated fatty acid/acyl-group)U = 불포화 지방산/아실기 (unsaturated fatty acid/acyl-group)St = 스테아르산/스테아르산염 (stearic acid/stearate)O = 올레산/올레산염 (oleic acid/oleate)CB = 코코아 버터 (cocoa butter)CBE = 코코아 버터 등가물 (Cocoa butter equivalent)CBI = 코코아 버터 개선제 (Cocoa butter improver)BR = 블룸 지연 성분 (Bloom retarding component)STS = 소르비탄-트리-스테아레이트 (Sorbitan-tri-stearate)MC = 밀크 초콜릿 (Milk Chocolate)DC = 다크 초콜릿 (Dark Chocolate)DSC = 시차 주사 열량 분석 (Differential Scanning Calorimetry)ref = 참조 (reference)co = 비교적인 (comparative)본 맥락에서 백분율 (%)로 주어지는 양은 다른 언급이 없으면 중량(w/w%, wt %, wt.% 등)에 의한다.초콜릿 생산에서, 조질 단계는 특수화된 장비를 요구하는 성가신 과정이고 시간 소비적일 수 있다.만약 내열성 초콜릿이 요구된다면, 상기 초콜릿 조성물에 조질 가공을 가하는 단계가 예를 들면 블룸에 관해 적어도 다소 내열성인 고체 지방상을 수득하는 주요 루트이다.본 발명에 따르면, 그러한 조질 가공은 초콜릿 조성물에 연화제 및 코코아 버터 개선제와 함께 결정성 시드를 사용하여 내열성이 심지어 조질 단계 없이 수득됨으로써 부분적으로 또는 전체적으로 생략될 수 있다.본 발명은 지방상(fat phase)을 포함하는 내열성(heat stable) 초콜릿으로서, 상기 내열성 초콜릿의 상기 지방상은,결정성 시드의 중량에 의한 0.1 내지 15%,레시틴이 아닌 유화제의 중량에 의한 0.01 내지 5%를 포함하고,상기 내열성 초콜릿의 상기 지방상은 코코아 버터, 코코아 버터 등가물 또는 이들의 조합의 중량에 의한 25 내지 94.9% 및 코코아 버터 개선제의 중량에 의한 5% 이상을 포함하고,상기 결정성 시드는 상기 결정성 시드의 중량에 의한 40 내지 95%의 양으로 SatOSat-트리글리세리드 및 상기 결정성 시드의 중량에 의한 30 내지 85%의 양으로 StOSt-트리글리세리드를 포함하고,상기 결정성 시드의 주요 흡열 용융 피크 위치는 상기 주요 흡열 용융 피크 위치를 정의하는 용융 열분석도를 생성하기 위하여 결정성 시드 10 ± 1 mg의 시료를 20℃에서 50℃로 3℃/분 속도로 가열시킴으로써 시차 주사 열량 분석(Differential Scanning Calorimetry)에 의하여 측정시 약 40℃ 이상이고,상기 Sat는 포화 지방산을 나타내고, 상기 St는 스테아르산을 나타내고, 상기 O는 올레산을 나타낸다.내열성 초콜릿은 SatOSat 트리글리세리드에 기반한 결정성 시드를 포함하는 초콜릿의 지방상을 조정함으로써 수득될 수 있는 것으로 밝혀졌다. 내열성에 관한 가장 좋은 결과는 초콜릿의 지방상이 또한 코코아 버터 개선제 및 레시틴이 아닌 유화제를 포함할 때 얻어진다.놀랍게도, 상기 초콜릿의 내열성을 수득하는 단계에 관한 시너지가 상기 초콜릿에서의 상이한 구성요소 간에 존재한다. 이는 본 발명자들에 의해서 밝혀졌다. 상기 초콜릿에서 적어도 부분이 레시틴이 아닌 유화제 및 코코아버터 개선제와 함께 StOSt인 SatOSat 트리글리세리드에 기반한 결정성 시드를 조합함으로써, 표준적인 기질의 초콜릿 또는 상기 언급된 초콜릿 구성요소의 단지 하나 또는 둘을 포함하는 초콜릿과 비교시 생산된 초콜릿의 개선된 내열성이 수득될 수 있다.따라서, 본 발명에 따르면, 상기 결정성 시드는 상기 결정성 시드의 중량에 의한 30 내지 85%의 양인 StOSt-트리글리세리드를 포함한다. 상기 StOSt-트리글리세리드는 상기 결정성 시드의 중량에 의한 40 내지 95%를 포함하는 SatOSat-트리글리세리드인 SatOSat-트리글리세리드의 부분이다.이는 예를 들어 상기 결정성 시드 중에 상기 SatOSat-함량이 상기 결정성 시드의 중량에 의한 50%이고, 상기 결정성 시드 중에 StOSt-함량이 상기 결정성 시드의 중량에 의한 45%인 구체예에서, 상기 결정성 시드 중에 StOSt-트리글리세리드 외에 SatOSat-트리글리세리드의 결정성 시드의 중량에 의한 5%가 있다는 것을 의미한다.상기 개선된 내열성은 코코아 버터, 코코아 버터 등가물 또는 이들의 조합을 포함하는 초콜릿에서 관찰된다.상기 개선은 종래의 초콜릿 또는 시드, 유화제 (레시틴이 아닌 것) 및 CBI의 세가지 모두를 포함하지 않는 초콜릿과 본 발명의 구체예에 따른 내열성 초콜릿을 비교할 때 분명해진다. 이 비교는 예를 들어 상이한 초콜릿에 대한 표면 블룸 경향을 비교함으로써 만들 수 있다.상기 결정성 시드 물질은 상기 결정성 시드의 주요 흡열 용융 피크 위치가 상기 주요 흡열 피크 위치를 정의하는 용융 열분석도를 생성하기 위하여 결정성 시드 10 ± 1 mg의 시료를 20℃에서 50℃로 3℃/분 속도로 가열시킴으로써 시차 주사 열량 분석에 의하여 측정시 약 40℃ 이상인 한 상이한 방법으로 제조될 수 있다. 상기 결정성 시드의 용융 온도가 약 40℃보다 상당히 낮은 경우, 상기 초콜릿의 내열성이 위태로워질(compromised) 수 있다.시딩 기술은 초콜릿 분야에서 알려져 있다. 본 명세서에 기재된 바와 같은 결정성 시드는 숙련된 자에게 알려진 다양한 방법에 의해서 수득될 수 있다.약 40℃ 이상의 주요 흡열 용융 피크 위치를 갖는 적절한 시드 물질을 수득하는 한가지 방법은 열을 가함으로써 상기 시드 조성물 또는 이들의 분획으로 구성된 식물성 지방을 녹여, 예를 들어 약 37℃인 약 40℃ 이하의 온도에서 약 20시간 동안 상기 식물성 지방 또는 이들의 분획을 저장하는 것일 수 있다.결정성 시드의 시료는 HUBER TC45 침지 냉각 시스템을 갖는 METTLER TOLEDO DSC 823e 에 의해서 분석된다.10 ± 1 mg의 시료는 표준(reference)으로서 비어있는 팬과 함께 40 ㎕ 알루미늄 팬에 밀봉(hermetically sealed)되었다. 시료를 먼저 20.0℃에서 2분 동안 유지하였다. 그런 다음 시료를 50.0℃로 30℃/분으로 가열하여 주요 흡열 피크 위치를 정의하는 용융 열분석도를 생성하였다.상기 주요 흡열 용융 피크 조성은 상기 결정성 시드 물질의 객관적인 물리적 특성이므로, 정확한 DSC-방법이 결정적이지는 않다. 이 분야에 알려진 다른 방법이 사용될 수 있다.본 발명의 일 구체예에서 상기 레시틴이 아닌 유화제는 폴리소르베이트, 모노-글리세리드, 디-글리세리드, 폴리-글리세롤 에스테르, 프로피렌 글리콜 에스테르, 소르비탄 에스테르 및 이들의 임의의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.본 발명의 구체예에서 상기 레시틴이 아닌 유화제는 소르비탄-트리-스테아레이트이다.놀랍게도 소르비탄-트리-스테아레이트가 초콜릿에서 결정성 시드 및 CBI와 함께 적용될 때 내열성을 촉진시키는 것이 발견되었다.본 발명의 일 구체예에서 상기 내열성 초콜릿의 상기 지방상은 상기 지방상의 중량에 의한 40 내지 92% 또는 상기 지방상의 중량에 의한 50 내지 90%와 같은 상기 지방상의 중량에 의한 30 내지 94%의 양으로 코코아 버터, 코코아 등가물 또는 이들의 임의의 조합을 포함한다.상기 내열성 초콜릿은 상기 내열성 초콜릿의 지방상의 상당한 부분을 이루는 CB 및/또는 CBE를 포함한다.본 발명의 구체예에 따르면 상기 코코아 버터 등가물은 야자 오일, 시어 버터, 사라수 오일, 이들의 분획 및 이들의 혼합물의 하나 이상으로 구성된 인터에스테르화 지방(interesterified fat) 혼합물, 인터에스테르화 지방 혼합물의 분획 또는 이들의 조합을 상기 내열성 초콜릿의 상기 지방상의 중량에 의한 0.1 내지 15%의 양으로 포함한다.일부 구체예에서 상기 CBE는 인터에스테르화 지방을 포함한다. 상기 인터에스테르화는 화학적 인터에스테르화 또는 효소적 인터에스테르화에 의해 이루어질 수 있다.인터에스테르화는 구체적으로 더 좋은 유통기한을 촉진시키기 위한 유용한 지방을 생산할 수 있다.본 발명의 다른 구체예에 따르면 상기 코코아 버터 개선제는 시어, 사라수, 망고, 모우라, 코쿰, 일리프, 쿠푸아수, 이들의 분획 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것이다.일부 천연 원료는 CBI를 설립하는데 사용될 수 있다. 상기 CBI의 기능은 내열성 및 감각적 특성에 관한 초콜릿의 개선을 포함하여 많을 수 있다. CBI는 CB와 비교할 때 더 높은 고체 지방 함량 때문에 초콜릿의 용융점을 높일 수 있다.본 발명의 일 구체예에 따르면 상기 코코아 버터 개선제는 시어 버터 또는 시어 버터 분획을 포함하거나 이들로 이루어진다.시어 버터 또는 이들의 분획에 기반된 CBI는 시드된 초콜릿의 내열성을 증가시키는 것에 관해 훌륭한 특성을 가질 수 있다.초콜릿에 첨가할 때 CBI 단독으로 내열성 효과를 종종 가질 수 있다.놀랍게도, 상기 CBI가 레시틴이 아닌 유화제와 함께 시드된 초콜릿에 사용될 때, 상기 초콜릿의 내열성이 더 개선되는 본 발명의 유리한 구체예가 얻어진다.본 발명의 일 구체예에서 상기 코코아 버터 개선제는 상기 지방상의 중량에 의한 12 내지 30%와 같은 상기 지방상의 중량에 의한 10 내지 40%의 양으로 존재한다.본 발명에 따르면, CBI는 항상 초콜릿에서 지방상의 5% 이상의 양으로 존재해야 한다. 일부 구체예에서 CBI는 상기 지방상의 중량에 의한 40% 또는 상기 지방상의 중량에 의한 35%까지 첨가될 수 있다.다른 것들 사이에서, 질감 파라미터는 초콜릿에서 CBI의 최적의 양을 결정짓는 역할을 할 수 있다. 상기 초콜릿의 지방상에서 CBI가 5% 아래일 때, 수득될 수 있는 내열성이 위태로울 수 있다. 상기 지방상에서 CBI가 40% 위일 때, 상기 초콜릿이 너무 단단해져서 좋지 않은 구강 감촉을 제공할 수 있다. 본 발명의 일 구체예에서 상기 결정성 시드는 결정성 시드의 중량에 의한 60 내지 90%와 같은 상기 결정성 시드의 중량에 의한 50 내지 93%의 양으로 SatOSat를 포함한다.상기 초콜릿에서 결정성 시드의 역할은 초콜릿의 내열성을 증가시키는 것이다. SatOSat가 풍부한 초콜릿 지방의 바람직한 결정성은 유사한 트리-글리세리드 조성물의 결정성 시드에 의해서 가장 잘 촉진될 수 있다.본 발명의 일 구체예에서 상기 결정성 시드는 상기 결정성 시드의 중량에 의한 45 내지 75% 또는 상기 결정성 시드의 중량에 의한 50 내지 70%와 같은 상기 결정성 시드의 중량에 의한 40 내지 80%의 양으로 StOSt를 포함한다. StOSt가 풍부한 결정성 시드는 본 발명의 유리한 구체예에 따른 내열성 초콜릿에 잘 맞는 것으로 발견되었다. 이러한 이유는 CB 및 또한 많은 CBE 둘다 StOSt에 풍부하기 때문일 수 있다.본 발명의 일 구체예에서 상기 결정성 시드는 시어 스테아린을 포함하거나 시어 스테아린으로 구성된다.시어 스테아린을 포함하거나 이들로 구성되는 결정성 시드는 특히 유리할 수 있다. 그러한 결정성 시드는 CB 및 CBE 둘다에 우수한 적합성이 있어 초콜릿의 우수한 질감이 제공될 수 있다는 것이 발견되었다.본 발명의 다른 구체예에서 상기 결정성 시드의 상기 주요 흡열 용융 피크 위치는 용융 열분석도를 생성하기 위하여 결정성 시드 10 ± 1 mg의 시료를 20℃에서 50℃로 3℃/분 속도로 가열시킴으로써 시차 주사 열량 분석에 의하여 측정시 42℃ 이상과 같은 41℃ 이상이다. 상기 결정성 시드의 주요 흡열 용융 피크 위치는 상기 시드 결정의 내열성을 나타냄으로써 간접적으로 상기 결정성 시드가 초콜릿에 첨가될 때 수득될 수 있는 내열성을 반영할 수 있다.본 발명은 또한 청구항 1에 따른 내열성 초콜릿을 생산하는 방법에 관련되는데, 상기 방법은,a) 지방상을 포함하는 초콜릿 조성물을 용융시키는 단계로서, 상기 지방상은,레시틴이 아닌 유화제의 중량에 의한 0.01 내지 5%를 포함하고,코코아 버터, 코코아 버터 등가물 또는 이들의 조합의 중량에 의한 25 내지 94.9% 및 코코아 버터 개선제의 중량에 의한 5% 이상을 포함하는 것인 단계,b) 상기 초콜릿 조성물을 25 내지 39℃로 냉각하는 단계,c) 시드된(seeded) 초콜릿을 생산하기 위하여 교반하는 동안 결정성 시드의 상기 지방상의 중량에 의한 0.1 내지 15%를 첨가하는 단계를 포함한다.초콜릿 조성물이 용융될 때, 상기 조성물 중에 모든 지방 결정이 용융될 수 있다. 냉각시킬 때, 새로운 지방 결정이 형성될 수 있고 결정성 시드를 첨가함으로써 더 내열성인 결정의 형성이 촉진될 수 있다.본 발명의 구체예에 따르면 상기 결정성 시드는 결정성 분말, 부분적으로 용융된 현탁액 또는 이들의 조합으로서 첨가된다. 상기 결정성 시드의 첨가는 가공 디자인에 대해 일부 기술적 도전을 제안할 수 있다. 이론적으로, 상기 결정성 시드는 초콜릿을 생산하기 위한 가공 디자인에 편리하게 통합될 수 있는 임의의 방법으로 첨가될 수 있다.본 발명은 추가로 본 명세서에 기재된 임의의 구체예에 따른 내열성 초콜릿 또는 본 명세서에 기재된 임의의 방법에 의하여 생산된 내열성 초콜릿의 몰딩, 코팅, 엔로빙(enrobing) 또는 필링(filling) 적용을 위한 용도에 관련된다.본 발명의 구체예에 따른 내열성 초콜릿은 내열성이 유리하거나 또는 중요한 특징일 수 있는 임의의 적용에서 유용하다. 이는 특히 상기 초콜릿이 약 20℃ 또는 25℃의 주변 온도 위의 환경에서 사용되거나 저장되는 적용에서 해당할 수 있다.특히, 저장 온도가 약 33℃ 위 또는 약 35℃ 위 또는 예를 들어 초콜릿이 더운 여름 날에 차 안에 저장될 때인 심지어 약 37℃ 위와 같이 간헐적으로 매우 높아지면, 본 발명의 구체예에 따른 내열성 초콜릿이 특별히 잘 수행할 수 있고 온도가 다시 낮아져 상기 초콜릿이 소비될 때 좋은 제품을 보존할 수 있다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명은 이제 예시의 방법으로 설명된다실시예 1표준 (=ref), 비교 (=co) 및 발명적 조성물의 밀크 초콜릿 (=MC) 및 다크 초콜릿 (=DC)하기의 표 1 및 2는 각각 밀크 초콜릿 및 다크 초콜릿에 대한 레시피 및 지방 조성을 보여준다.정확히 100%로부터 합 편차는 개별 성분 양의 반올림 (round off) 때문이다. 상기 레시피에서 총 지방 함량은 시어 스테아린, CB, 코코아 매스(mass)의 지방 함량 (코코아 매스에서 약 56% CB), 밀크 지방 및 스킴 밀크 분말의 지방 함량의 합으로서 계산된다.따라서 첨가 될 때, 유화제 (여기서 STS)는 총 지방 함량의 중량에 의한 약 2%의 양으로 존재한다.BR (=블룸 지연 성분(Bloom retarding component)은 분획 기반한 인터에스테르화 야자 및 시어다.밀크 초콜릿 I, II, III 및 다크 초콜릿 I, II, III을 대리석 테이블 상에 모두 손으로 단련하였고 20 g 초콜릿 바를 사용하였다.용융된 밀크 초콜릿 IV, V, VI, VII 및 다크 초콜릿 IV를 33℃에서 물 재킷을 가진 열린 그릇에서 교반하였다. 약 20 ㎛의 평균 입자를 갖는 분말 상태인 시드를 상기 초콜릿에 첨가하여 20분 동안 즉각 혼합하였다. 그런 다음 상기 초콜릿을 20 g 초콜릿 바 몰드로 부었다.상기 몰드를 순차적으로 30분 동안 15℃ 온도에서, 그 다음 12℃에서, 그 다음 15℃인 세 개 존의 냉각 터널에서 냉각하였다.하기의 표 1 및 2에서 중량 백분율은 각각 총 레시피 및 지방 조성을 의미한다.실시예 2밀크 및 다크 초콜릿의 초콜릿 바의 블룸 안정성20℃에서 7일 저장 후 실시예 1의 초콜릿 바를 프로그램될 수 있는 온도 캐비닛에 배치하고 고온에서 8시간 동안 가열 처리한 다음 16시간 동안 저온을 가하였다. 이 가열 처리를 1회 또는 5회 연이어 수행하였다. 상기 고온은 35 내지 37 ± 0.5℃였고, 상기 저온은 20 내지 25 ± 0.5℃ 였다.상기 초콜릿 바를 1회 및 5회 가열 처리 후 블룸에 대해서 시험하였다.하기의 표 3은 상이한 고온 및 저온 설정 하에 1회 가열 처리 후 실시예 1, 표 1의 밀크 초콜릿 바에 대해 관찰된 블룸 효과에 대한 시험 결과를 설명한다.표 4는 상이한 고온 및 저온 설정 하에 1회 가열 처리 후 표 2의 다크 초콜릿 바에 대해 관찰된 블룸 효과에 대한 시험 결과를 설명한다.표 3 및 4에서,“++”는 윤기있고 비-블룸성인 초콜릿 표면을 나타낸다.“+”는 윤기없지만 비-블룸성인 초콜릿 표면을 나타낸다. “-“는 블룸성 초콜릿 표면을 나타낸다. 표 3에서의 데이터는 시료 MC IV 및 MC VII이 모든 시험 조건 하에 매우 좋은 블룸 안정성을 나타내는 것을 보여준다. 분명하게, CBI, 유화제 (이 경우 STS) 및 시드의 세 가지 모두의 존재가 지속적으로 좋은 결과를 얻기 위해 요구된다.표 4에서의 데이터는 CBI, 유화제 (이 경우 STS) 및 시드의 세 가지 모두의 존재가 지속적으로 좋은 결과를 얻기 위해 요구된다는 것을 확인하는데, 시료 DC IV를 참조하라.이 실험에서 DC II는 DC III 보다 더 좋은 블룸 안정성을 가졌고, 이는 DC IV에서의 경우와 같이 함께 통합될 때 CBI, 유화제 (이 경우 STS) 및 시드 간에 시너지가 존재한다는 것을 나타낸다는 것에 주목해야 한다.유사한 관찰이 MC IV 및 MC VII와 비교할 때 표 3에서의 시료 MC II 및 MC III에 대해서 유지된다.게다가, 37 내지 25℃에서 가열 처리 후 비-블룸성인 초콜릿 바의 선택을 블룸 시험을 위하여 블룸 캐비닛에 배치하였다. 상기 시료를 25℃의 등온 온도 조건 하에 테스트하였다.하기의 표 5는 25℃ 등온 조건에서 저장된 37 내지 25℃에서 1회 및 5회의 연속적 가열 처리 후 밀크 초콜릿 바에 대해 관찰된 블룸 효과에 대한 시험 결과를 설명한다.표 5에서의 데이터는 가열 주기 처리한 다음 25℃에서 등온 저장 한 후 MC IV 및 MC VII의 매우 좋은 블룸 저항성을 나타낸다.심지어 26 주 후, 볼 수 있는 블룸이 상기 시료 상에 관찰되지 않았다.	지방상을 포함하는 내열성 초콜릿으로서, 상기 내열성 초콜릿의 상기 지방상은 결정성 시드의 중량에 의한 0.1 내지 15%, 레시틴이 아닌 유화제의 중량에 의한 0.01 내지 5%를 포함하고, 상기 내열성 초콜릿의 상기 지방상은 코코아 버터, 코코아 버터 등가물 또는 이들의 조합의 중량에 의한 25 내지 94.9% 및 코코아 버터 개선제의 중량에 의한 5% 이상을 포함하고, 상기 결정성 시드는 상기 결정성 시드의 중량에 의한 40 내지 95%의 양으로 SatOSat-트리글리세리드 및 상기 결정성 시드의 중량에 의한 30 내지 85%의 양으로 StOSt-트리글리세리드를 포함하고, 상기 결정성 시드의 주요 흡열 용융 피크 위치는 시차 주사 열량 분석에 의하여 측정시 약 40℃ 이상이고, 상기 Sat는 포화 지방산을 나타내고, 상기 St는 스테아르산을 나타내고, 상기 O는 올레산을 나타낸다.
[ 발명의 명칭 ] 열원 장치HEAT SOURCE DEVICE [ 기술분야 ] 본 발명은, 복수의 열원기를 갖춘 열원 장치에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 복수의 열원기를 구비하고, 이들 열원기의 운전에 의해 얻어지는 온열 또는 냉열을 부하측(이용측)에 공급하는 열원 장치가 알려져 있다. 열원기는, 펌프의 운전에 의해 열매체(물이나 염수(brine) 등)를 취입하고, 취입된 열매체를 히트 펌프식 냉동 사이클의 운전에 의해 가열 또는 냉각한다. 각 열원기는 열매체 배관을 거쳐서 서로 병렬 접속되고, 이들 열원기의 운전 대수가 부하에 따라 제어된다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특허 공개 2008-224182호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 복수의 열원기를 운전하는 경우, 그 각 열원기의 펌프의 능력이 부하측의 요구 능력에 따라 제어된다. 다만, 운전하는 복수의 열원기의 배관 저항이 서로 상이한 경우, 각 열원기에 흐르는 열매체의 유량에 차이가 생겨서, 유량이 적은 쪽의 열원기의 펌프가 실속하여, 이상 정지할 가능성이 있다. 본 실시 형태의 목적은, 열원기에 있어서, 펌프의 이상 정지를 야기하는 일 없이, 적정한 양의 온열 또는 냉열을 부하 측에 공급할 수 있는, 신뢰성이 뛰어난 열원 장치를 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 청구항 1의 열원 장치는, 열매체를 부하 측에 공급하는 복수의 열원기와, 상기 부하 측에 흐르는 상기 열매체의 양을 조정하는 제 1 유량 조정 밸브와, 상기 부하 측에 흐르는 상기 열매체의 양을 검지하는 유량 검지부와, 상기 부하 측에 흐르는 상기 열매체를 바이패스하는 바이패스 배관과, 상기 바이패스 배관에 흐르는 상기 열매체의 양을 조정하는 제 2 유량 조정 밸브와, 컨트롤러를 구비한다. 컨트롤러는, 상기 부하 측의 요구 능력에 따라 상기 각 열원기의 운전 대수 및 상기 제 1 유량 조정 밸브의 조정량을 제어하고, 상기 유량 검지부의 검지 유량에 따라 상기 제 2 유량 조정 밸브의 조정량을 제어하며, 상기 유량 검지부의 검지 유량을 운전중의 상기 각 열원기에 배분하고 할당하고, 이 할당량에 따라 운전중의 상기 각 열원기에 있어서의 상기 열매체의 공급 능력을 제어한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 일 실시 형태의 전체적인 구성을 도시하는 도면. 도 2는 일 실시 형태에 있어서의 각 열원기의 냉동 사이클의 구성을 도시하는 도면. 도 3은 일 실시 형태에 있어서의 컨트롤러의 제어를 도시하는 흐름도.도 4는 일 실시 형태에 있어서의 부하측 배관 저항 특성을 나타내는 도면. 도 5는 일 실시 형태의 각 열원기에 있어서의 물의 유량과 펌프 능력 간의 관계를 도시하는 도면. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명의 열원 장치의 일 실시 형태에 대해 도면을 참조해 설명한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 복수의 열원기(1a, 1b, … 1n)에, 열매체 배관(이하, 물 배관이라 함)(2a) 및 열매체 배관(이하, 물 배관이라 함)(2b)을 거쳐서, 부하측의 기기인 예를 들면 복수의 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)가 접속된다. 열원기(1a, 1b, … 1n)는, 물 배관(2a, 2b)을 거쳐서 서로 병렬 접속된 상태에 있다. 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)도, 물 배관(2a, 2b)을 거쳐서 서로 병렬 접속된 상태에 있다. 물 배관(2a)은, 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)의 물 유입구에 연결되는 복수의 지관(2aa, 2ab, … 2an)을 포함한다. 물 배관(2b)은, 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)의 물 유출구로 연결되는 복수의 지관(2ba, 2bb, … 2bn)을 포함한다.열원기(1a, 1b, … 1n)는, 열매체 열교환기(후술하는 물 열교환기(60, 30)), 히트 펌프식 냉동 사이클 및 펌프(후술하는 펌프(80))를 구비하며, 부하측을 거친 물 배관(2b) 내의 물(열매체)을 상기 펌프의 흡입압에 의해 열매체 열교환기에 도입하고, 그 열매체 열교환기 내의 물을 상기 히트 펌프식 냉동 사이클의 운전에 의해 가열 또는 냉각하며, 그 가열 또는 냉각한 물을 상기 펌프의 토출압에 의해 물 배관(2a)에 공급한다. 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)는, 물 배관(2a)으로부터 유입하는 물의 열과 실내 팬으로부터 송출되는 실내 공기의 열을 교환하고, 이 열교환 후의 물을 물 배관(2b)으로 유출한다. 물 배관(2b)의 지관(2ba, 2bb, … 2bn)에, 개방도 가변의 유량 조정 밸브(제 1 유량 조정 밸브)(4a, 4b, … 4n)가 각각 배설된다. 유량 조정 밸브(4a, 4b, … 4n)는, 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)의 개개에 흐르는 물의 양을 개방도 변화에 의해 조정한다. 물 배관(2b)에 있어서, 지관(2ba, 2bb, … 2bn)보다 하류측의 위치에, 유량 센서(유량 검지부)(5)가 배치된다. 유량 센서(5)는, 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)로부터 유출하는 물의 양(총량)을, 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)에 흐르는 물의 양(총량)(Qt)으로서 검지한다. 물 배관(2a)에 있어서의 열원기(1a, 1b, … 1n)의 접속 위치와, 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)의 접속 위치 사이에, 바이패스 배관(6)의 일단이 접속된다. 바이패스 배관(6)의 타단은, 물 배관(2b)에 있어서의 유량 센서(5)보다 하류측의 위치에 접속된다. 바이패스 배관(6)은, 열원기(1a, 1b, … 1n)로부터 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)를 향해 흐르는 물을 바이패스해서, 열원기(1a, 1b, … 1n)측으로 되돌린다. 이 바이패스 배관(6)의 중도부에, 개방도 가변의 유량 조정 밸브(제 2 유량 조정 밸브)(7)가 배설된다. 유량 조정 밸브(7)는, 바이패스 밸브라고도 불리며, 바이패스 배관(6)에 흐르는 물의 양을 개방도 변화에 의해 조정한다. 유량 조정 밸브(7)가 완전 폐쇄된 경우, 배관(2a) 내의 물은 바이패스 배관(6)에 유입하는 일 없이 부하측으로 흐른다. 유량 조정 밸브(7)가 열렸을 경우, 배관(2a) 내의 물 중, 유량 조정 밸브(7)의 개방도에 비례하는 양의 물이, 바이패스 배관(6)을 통과해서 배관(2b)으로 흐른다. 배관(2a) 내의 물 중, 바이패스 배관(6)에 유입하지 않았던 물이, 부하측으로 흐른다. 바이패스 배관(6)의 양단 사이에, 제 1 차압 검지부인 차압 센서(8)가 접속된다. 차압 센서(8)는, 바이패스 배관(6)의 일단측의 물의 압력과 타단측의 물의 압력 간의 차이(바이패스 배관(6)의 양단 간의 물의 압력 차이)(P)를 검지한다. 열원기(1a, 1b, … 1n)는, 전술한 바와 같이, 열매체 열교환기(후술하는 물 열교환기(60, 30)), 및 그 열매체 열교환기와 부하측의 사이에서 물을 순환시키는 펌프(후술하는 펌프(80))를 구비하여, 열매체 열교환기를 통과하는 물을 히트 펌프식 냉동 사이클의 운전에 의해 가열 또는 냉각한다. 열원기(1a)에 탑재되어 있는 히트 펌프식 냉동 사이클의 구성을 도 2에 도시한다. 또한 열원기(1b, … 1n)에 탑재되어 있는 각 히트 펌프식 냉동 사이클도 마찬가지의 구성이다. 압축기(21)의 토출 냉매가 사방 밸브(22)를 거쳐서 공기 열교환기(23a, 23b)로 흐르고, 그 공기 열교환기(23a, 23b)를 거친 냉매가 전자 팽창 밸브(24a, 24b)를 거쳐서 물 열교환기(열매체 열교환기)(30)의 제 1 냉매 유로(30a)로 흐른다. 이 제 1 냉매 유로(30a)를 거친 냉매는, 사방 밸브(22) 및 어큐뮬레이터(25)를 통과해서 압축기(21)에 흡입된다. 이 냉매 흐름 방향은 냉각 운전(냉수 생성 운전) 시의 것으로, 공기 열교환기(23a, 23b)가 응축기, 물 열교환기(30)의 제 1 냉매 유로(30a)가 증발기로서 기능한다. 가열 운전(온수 생성 운전) 시는, 사방 밸브(22)의 유로가 전환되고 냉매의 흐름 방향이 역으로 되어, 물 열교환기(30)의 제 1 냉매 유로(30a)가 응축기, 공기 열교환기(23a, 23b)가 증발기로서 기능한다. 이들 압축기(21), 사방 밸브(22), 공기 열교환기(23a, 23b), 전자 팽창 밸브(24a, 24b), 물 열교환기(30)의 제 1 냉매 유로(30a), 및 어큐뮬레이터(25)에 의해, 제 1 히트 펌프식 냉동 사이클이 구성된다. 압축기(41)의 토출 냉매가 사방 밸브(42)를 거쳐서 공기 열교환기(43a, 43b)로 흐르고, 그 공기 열교환기(43a, 43b)를 거친 냉매가 전자 팽창 밸브(44a, 44b)를 거쳐서 상기 물 열교환기(30)의 제 2 냉매 유로(30b)로 흐른다. 이 제 2 냉매 유로(30b)를 거친 냉매는, 사방 밸브(42) 및 어큐뮬레이터(45)를 통과해서 압축기(41)에 흡입된다. 이 냉매 흐름 방향은 냉각 운전(냉수 생성 운전) 시의 것으로, 공기 열교환기(43a, 43b)가 응축기, 물 열교환기(30)의 제 2 냉매 유로(30b)가 증발기로서 기능한다. 가열 운전(온수 생성 운전) 시는, 사방 밸브(42)의 유로가 전환해서 냉매의 흐름 방향이 역으로 되고, 물 열교환기(30)의 제 2 냉매 유로(30b)가 응축기, 공기 열교환기(43a, 43b)가 증발기로서 기능한다. 이들 압축기(41), 사방 밸브(42), 공기 열교환기(43a, 43b), 전자 팽창 밸브(44a, 44b), 물 열교환기(30)의 제 2 냉매 유로(30b), 및 어큐뮬레이터(45)에 의해, 제 2 히트 펌프식 냉동 사이클이 구성된다. 압축기(51)의 토출 냉매가 사방 밸브(52)를 거쳐서 공기 열교환기(53a, 53b)로 흐르고, 그 공기 열교환기(53a, 53b)를 거친 냉매가 전자 팽창 밸브(54a, 54b)를 거쳐서 물 열교환기(열매체 열교환기)(60)의 제 1 냉매 유로(60a)로 흐른다. 이 제 1 냉매 유로(60a)를 거친 냉매는, 사방 밸브(52) 및 어큐뮬레이터(55)를 통과해서 압축기(51)에 흡입된다. 이 냉매 흐름 방향은 냉각 운전(냉수 생성 운전) 시의 것으로, 공기 열교환기(53a, 53b)가 응축기, 물 열교환기(60)의 제 1 냉매 유로(60a)가 증발기로서 기능한다. 가열 운전(온수 생성 운전) 시는, 사방 밸브(52)의 유로가 전환해서 냉매의 흐름 방향이 역으로 되며, 물 열교환기(60)의 제 1 냉매 유로(60a)가 응축기, 공기 열교환기(53a, 53b)가 증발기로서 기능한다. 이들 압축기(51), 사방 밸브(52), 공기 열교환기(53a, 53b), 전자 팽창 밸브(54a, 54b), 물 열교환기(60)의 제 1 냉매 유로(60a), 및 어큐뮬레이터(55)에 의해, 제 3 히트 펌프식 냉동 사이클이 구성된다. 압축기(71)의 토출 냉매가 사방 밸브(72)를 거쳐서 공기 열교환기(73a, 73b)로 흐르고, 그 공기 열교환기(73a, 73b)를 거친 냉매가 전자 팽창 밸브(74a, 74b)를 거쳐서 상기 물 열교환기(60)의 제 2 냉매 유로(60b)로 흐른다. 이 제 2 냉매 유로(60b)를 거친 냉매는, 사방 밸브(72) 및 어큐뮬레이터(75)를 통과해서 압축기(71)에 흡입된다. 이 냉매 흐름 방향은 냉각 운전(냉수 생성 운전) 시의 것으로, 공기 열교환기(73a, 73b)가 응축기, 물 열교환기(60)의 제 2 냉매 유로(60b)가 증발기로서 기능한다. 가열 운전(온수 생성 운전) 시는, 사방 밸브(72)의 유로가 전환해서 냉매의 흐름 방향이 역으로 되어, 물 열교환기(60)의 제 2 냉매 유로(60b)가 응축기, 공기 열교환기(73a, 73b)가 증발기로서 기능한다. 이들 압축기(71), 사방 밸브(72), 공기 열교환기(73a, 73b), 전자 팽창 밸브(74a, 74b), 물 열교환기(60)의 제 2 냉매 유로(60b), 및 어큐뮬레이터(75)에 의해, 제 4 히트 펌프식 냉동 사이클이 구성된다. 물 배관(2b)의 물은, 물 배관(101)을 통과해서 물 열교환기(60)의 물 유로(60c)로 흐른다. 물 유로(60c)로부터 유출하는 물은, 물 배관(102)을 통과해서 물 열교환기(30)의 물 유로(30c)로 흐른다. 물 유로(30c)로부터 유출하는 물은, 물 배관(2a)으로 흐른다. 물 열교환기(60)의 물 유로(60c) 및 물 열교환기(30)의 물 유로(30c)는, 물 배관(102)를 거쳐서 직렬 접속된 상태에 있다. 물 배관(101)에, 펌프(80)가 배설된다. 펌프(80)는, 물 배관(2b) 내의 물을 물 배관(101)에 흡입하고, 흡입된 물을 물 열교환기(60), 물 배관(102), 물 열교환기(30), 물 배관(103)에 통과해서 물 배관(2b)에 송출한다. 펌프(80)는, 인버터(81)로부터 공급되는 교류 전압에 의해 동작하는 모터를 가지며, 그 모터의 회전수에 따라 능력(양정)이 변화한다. 인버터(81)는, 상용 교류 전원(82)의 전압을 정류하고, 정류 후의 직류 전압을 스위칭에 의해 소정 주파수의 교류 전압으로 변환하며, 변환한 교류 전압을 펌프(80)의 모터에 대한 구동 전력으로서 공급한다. 이 인버터(81)의 출력 전압의 주파수(출력 주파수)(F)를 변화시키는 것에 의해, 펌프(80)의 모터의 회전수가 변화한다. 물 배관(101)과 물 배관(103)의 상호 사이[물 열교환기(60, 30)의 양단 사이]에, 제 2 차압 검지부인 차압 센서(90)가 접속된다. 차압 센서(90)는, 물 열교환기(60)에 유입하는 물의 압력과 물 열교환기(30)로부터 유출하는 물의 압력의 차이(Pw)를 검지한다. 이 차압 센서(90)의 검지 압력차(Pw)에 근거해서, 물 열교환기(60, 30)에 흐르는 물의 양, 즉 열원기(1a)에 흐르는 물의 양(Wa)을 검출할 수 있다. 한편, 열원기(1a, 1b, … 1n), 유량 조정 밸브(4a, 4b, … 4n), 유량 센서(5), 유량 조정 밸브(7), 및 차압 센서(8)에, 컨트롤러(10)가 접속된다. 이들 열원기(1a, 1b, … 1n), 물 배관(2a, 2b), 유량 조정 밸브(4a, 4b, … 4n), 유량 센서(5), 바이패스 배관(6), 유량 조정 밸브(7), 차압 센서(8), 컨트롤러(10)에 의해, 열원 장치가 구성된다. 컨트롤러(10)는, 열원기(1a, 1b, … 1n)의 운전, 유량 조정 밸브(4a, 4b, … 4n)의 개방도, 및 유량 조정 밸브(7)의 개방도를 제어하는 것이고, 주요한 기능으로서 제 1 검출부(11), 제 2 검출부(12), 제 1 제어부(13), 제 2 제어부(14), 제 3 제어부(15), 메모리(16)를 포함한다. 제 1 검출부(11)는, 당해 열원 장치가 설치된 후(설치 후)의 시운전시, 열원기(1a, 1b, … 1n)의 각 펌프(80)를 각각 정격 능력[소정의 운전 주파수(F)]으로 운전하면서, 부하 측으로 흐르는 물의 양(Q)과 바이패스 배관(6)의 양단 간에 있어서의 물의 압력차(P)의 관계를 나타내는 부하측 배관 저항 특성(2차측 배관 저항 특성이라고도 함)을 검출한다. 제 2 검출부(12)는, 열원기(1a, 1b, … 1n)에 있어서의 각 차압 센서(90)의 검지 압력차(Pw)와 열원기(1a, 1b, … 1n)의 개개에 있어서의 열교환기 저항 특성에 근거하는 연산에 의해, 운전 중의 각 열원기의 개개에 흐르는 물의 양(W)을 검출한다. 열교환기 저항 특성은, 물 열교환기(60, 30)에 고유의 것으로서, 미리 실측되어서 컨트롤러(10)의 메모리(16)에 기억되어 있다. 제 1 제어부(13)는, 부하측의 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)의 요구 능력[실내 공기 온도(Ta)와 설정 온도(Ts)의 차이]의 총 합에 따라서, 열원기(1a, 1b, … 1n)의 운전 대수 및 유량 조정 밸브(4a, 4b, … 4n)의 개방도를 제어한다. 제 2 제어부(14)는, 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)의 요구 능력의 총 합에 알맞는 최적 양의 물이 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)로 흐르도록, 유량 센서(5)의 검지 유량(Qt) 및 제 1 검출부(11)에서 검출한 부하측 배관 저항 특성에 따라서, 유량 조정 밸브(파이패스 밸브)(7)의 개방도를 제어한다. 제 3 제어부(15)는, 유량 센서(5)의 검지 유량(Qt)을 열원기(1a, 1b, … 1n) 중에서 운전중의 각 열원기에 배분(예를 들면 균등분)하여 각각 필요 유량(Wt)으로써 할당하고, 이들 할당 유량(Wt)에 제 2 검출부(12)의 각 검출 유량(W)이 일치하도록, 운전중의 각 열원기에 있어서의 펌프(80)의 능력(열매체의 공급 능력)을 제어한다. 다음에, 컨트롤러(10)가 실행하는 제어를 도 3의 흐름도를 참조하면서 설명한다. 당해 열원 장치가 설치된 후의 시운전시(스텝 S1의 예), 컨트롤러(10)는, 다음의 처리에 의해 부하측 배관 저항 특성을 검출한다(스텝 S2). 우선, 컨트롤러(10)는, 바이패스 배관(6)의 유량 조정 밸브(7)를 완전 폐쇄하며, 또 유량 조정 밸브(4a, 4b, … 4n) 중 배관 저항이 가장 큰 공기 열교환기에 대응하는 유량 조정 밸브만 완전 개방하고 나머지의 유량 조정 밸브를 완전 폐쇄한다. 이 상태에서, 컨트롤러(10)는, 열원기(1a, 1b, … 1n)의 각 펌프(80)를 각각 정격 능력[소정의 운전 주파수(F)]으로 운전하고, 이 때의 유량 센서(5)의 검지 유량(Qt)의 값(최소 유량)(Qn)과 차압 센서(8)의 검지 압력차(P)의 값(Pn) 간의 대응점(교점)을 도 4에 나타내는 제 1 특성점(Sn)으로써 메모리(16)에 보지한다. 이 경우, 유량 조정 밸브(7)가 완전 폐쇄되어 있으므로, 열원기(1a, 1b, … 1n)로부터 유출하는 물의 전부가 바이패스되는 일 없이 부하 측으로 흐른다. 배관 저항이 가장 큰 공기 열교환기로서, 열원기(1a, 1b, … 1n)로부터의 배관 길이가 가장 긴 말단 위치에 존재하는 예를 들면 공기 열교환기(3n)가, 미리 선정된다. 혹은, 말단 위치의 공기 열교환기(3n)보다 열원기(1a, 1b, … 1n)에 가까운 쪽의, 예를 들면 공기 열교환기(3b)가, 물 배관(2a, 2b)에 연결되는 지관(2ab, 2bb)이 다른 공기 열교환기 측의 지관보다 가는 것 등의 요인에 의해, 배관 저항이 가장 큰 공기 열교환기로서 미리 선정되는 일도 있다. 배관 저항이 가장 큰 공기 열교환기의 선정은, 당해 열원 장치의 설치 시에 있어서의 작업원의 경험칙이나 실측에 근거하여 행해진다. 이 선정 결과가 컨트롤러(10)의 메모리(16)에 기억된다. 계속해서, 컨트롤러(10)는, 바이패스 배관(6)의 유량 조정 밸브(7)를 완전 폐쇄한 채로, 유량 조정 밸브(4a, 4b, … 4n)의 전부를 완전 개방한다. 이 상태에서, 컨트롤러(10)는, 열원기(1a, 1b, … 1n)의 각 펌프(80)를 각각 정격 능력으로 운전하고, 이 때의 유량 센서(5)의 검지 유량(Qt)의 값(최대 유량)(Qm)과 차압 센서(8)의 검지 압력차(P)의 값(Pm)의 대응점(교점)을 도 4에 나타내는 제 2 특성점(Sm)으로서 메모리(16)에 보지한다. 그리고, 컨트롤러(10)는, 보지한 제 1 특성점(Sn)과 제 2 특성점(Sm)을 연결하여 "부하 측에 흐르는 물의 양(Q)"과 "바이패스 배관(6)의 양단 사이의 물의 압력차(P)”의 관계를 근사적으로 나타내는 2차 근사 곡선을, 부하측 배관 저항 특성으로서 검출한다. 컨트롤러(10)는, 검출한 부하측 배관 저항 특성으로서 메모리(16)에 기억한다. 한편, 시운전이 종료한 후의 통상 운전시(스텝 S1의 아니오), 컨트롤러(10)는, 부하측의 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)의 요구 능력[실내 공기 온도(Ta)와 설정 온도(Ts)의 차이]의 총 합에 따라서, 열원기(1a, 1b, … 1n)의 운전 대수 및 유량 조정 밸브(4a, 4b, … 4n)의 개방도를 제어한다(스텝 S3).즉, 컨트롤러(10)는, 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)의 요구 능력의 총 합이 클수록 열원기(1a, 1b, … 1n)의 운전 대수를 증가시키고, 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)의 요구 능력의 총 합이 작아짐에 따라 열원기(1a, 1b, … 1n)의 운전 대수를 감소시켜 간다. 게다가 컨트롤러(10)는, 공기 열교환기(3a)의 요구 능력이 클수록 유량 조정 밸브(4a)의 개방도를 증대(유량 증가)시키고, 공기 열교환기(3a)의 요구 능력이 작아짐에 따라 유량 조정 밸브(4a)의 개방도를 축소(유량 감소)시켜 간다. 공기 열교환기(3b, … 3n)에 대응하는 유량 조정 밸브(4b, … 4n)의 개방도에 대해서도, 마찬가지로 제어한다.이 운전 대수 제어 및 개방도 제어의 실행에 맞추어, 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)에 실제로 흐르는 물의 양(총량)(Qt)이 유량 센서(5)에 의해 검지된다. 컨트롤러(10)는, 유량 센서(5)의 검지 유량(Qt)에 대응하는 "바이패스 배관(6)의 양단 사이의 물의 목표 압력차(Pt)"를, 시운전시에 검출해서 기억한 도 4의 부하측 배관 저항 특성으로부터 구한다(스텝 S4). 그리고, 컨트롤러(10)는, 차압 센서(8)의 검지 압력차[바이패스 배관(6)의 양단 사이의 물의 압력차](P)가 상기 구한 목표 압력차(Pt)가 되도록, 유량 조정 밸브(7)의 개방도(물의 바이패스량)를 제어한다(스텝 S5). 차압 센서(8)의 검지 압력차(P)를 목표 압력차(Pt)로 설정하는 것에 의해, 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)의 요구 능력의 총 합에 알맞은 최적 양의 물이 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)로 흐른다. 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)에 있어서 여분이 되는 물은, 바이패스 배관(6)을 통과해서 운전 중의 1대 또는 복수대의 열원기로 복귀한다. 컨트롤러(10)는, 유량 센서(5)의 검지 유량(Qt)을 운전 중의 1대 또는 복수대의 열원기로 균등분해서 각각 필요 유량(Wt)으로서 할당한다(스텝 S6). 예를 들면, 유량 센서(5)의 검지 유량(Qt)이 1000 리터/h 이고, 열원기(1a, 1b, … 1n)의 운전 대수가 5대인 경우, 200(=1000/5) 리터/h 를 열원기 1대당의 필요 유량(Wt)으로서 할당한다. 유량 센서(5)의 검지 유량(Qt)이 1200 리터/h 이고, 열원기(1a, 1b, … 1n)의 운전 대수가 4대인 경우는, 300(=1200/4) 리터/h를 열원기 1대당의 필요 유량(Wt)으로서 할당한다. 컨트롤러(10)는, 운전중의 1대 또는 복수대의 열원기에 있어서의 차압 센서(90)의 검지 압력차(Pw)와 운전중의 1대 또는 복수대의 열원기에 있어서의 물 열교환기[물 열교환기(60, 30)]의 열교환기 저항 특성에 근거하는 연산에 의해, 운전중의 1대 또는 복수대의 열원기의 개개에 흐르는 물의 양(W)을 검출한다(스텝 S7).예를 들면 2대의 열원기(1a, 1b)가 운전중인 경우, 컨트롤러(10)는, 열원기(1a)에 있어서의 차압 센서(90)의 검지 압력차(Pwa) 및 열원기(1b)에 있어서의 차압 센서(90)의 검지 압력차(Pwb)를 읽어 들이는 것과 동시에, 열원기(1a)에 있어서의 열교환기 저항 특성 및 열원기(1b)에 있어서의 열교환기 저항 특성을 메모리(16)으로부터 독출해서, 이들 검지 압력차(Pwa, Pwb) 및 각 열교환기 저항 특성에 근거하는 연산에 의해, 열원기(1a)에 흐르는 물의 양(Wa) 및 열원기(1b)에 흐르는 물의 양(Wb)을 검출한다. 컨트롤러(10)는, 각 검출 유량(Wa, Wb)이 열원기(1a, 1b)에 할당한 각 필요 유량(Wt)과 각각 일치하도록, 열원기(1a, 1b)에 있어서의 각 인버터(81)의 출력 주파수(F)를 제어한다(스텝 S8). 구체적으로는, 컨트롤러(10)는, 검출 유량(Wa)이, 열원기(1a)에 할당한 필요 유량(Wt)보다 적은 경우, 열원기(1a)에 있어서의 인버터(81)의 출력 주파수(F)를 상승시킨다. 이것에 의해, 열원기(1a)에 있어서의 펌프(80)의 능력이 증가하고, 열원기(1a)에 흐르는 물의 양(Wa)이 증가 방향으로 변화한다. 컨트롤러(10)는, 검출 유량(Wa)이, 열원기(1a)에 할당한 필요 유량(Wt)보다 많은 경우, 열원기(1a)에 있어서의 인버터(81)의 출력 주파수(F)를 강하시킨다. 이것에 의해, 열원기(1a)에 있어서의 펌프(80)의 능력이 감소해서, 열원기(1a)에 흐르는 물의 유량(Wa)이 감소 방향으로 변화한다. 컨트롤러(10)는, 검출 유량(Wa)이, 열원기(1a)에 할당한 필요 유량(Wt)과 일치했을 때, 그 때의 열원기(1a)에 있어서의 인버터(81)의 출력 주파수(F)를 보지한다. 마찬가지로, 컨트롤러(10)는, 검출 유량(Wb)이, 열원기(1b)에 할당한 필요 유량(Wt)보다 적은 경우, 열원기(1b)에 있어서의 인버터(81)의 출력 주파수(F)를 상승시킨다. 컨트롤러(10)는, 검출 유량(Wb)이, 열원기(1b)에 할당한 필요 유량(Wt)보다 많은 경우, 열원기(1b)에 있어서의 인버터(81)의 출력 주파수(F)를 강하시킨다. 컨트롤러(10)는, 검출 유량(Wb)이, 열원기(1b)에 할당한 필요 유량(Wt)과 일치했을 때, 그 때의 열원기(1b)에 있어서의 인버터(81)의 출력 주파수(F)를 보지한다. 덧붙여 열원기(1a, 1b, … 1n)로 흐르는 물의 양(Wa, Wb, … Wn)은, 열원기(1a, 1b, … 1n)와 부하측 사이의 배관 저항에 따라 다르다. 즉, 부하측으로부터 가장 먼 말단 위치에 존재하는 열원기(1n)의 배관 저항은 크고, 따라서 열원기(1n)로 흐르는 물의 양(Wn)은 좀 적은 듯 싶은 유량이 된다. 부하 측에 가까운 쪽의 열원기(1a)의 배관 저항은 작고, 따라서 열원기(1a)로 흐르는 물의 양(Wa)은 좀 많은 듯 싶은 유량이 된다. 예를 들면 2대의 열원기(1a, 1n)가 운전하고 있는 경우에, 열원기(1a, 1n)에 흐르는 물의 양(Wa, Wn)과 그 열원기(1a, 1n)에 있어서의 각 펌프(80)의 능력(펌프 능력)간의 관계를, 그 열원기(1a, 1n)에 있어서의 열교환기 저항(Ra, Rn)을 파라미터로 해서 도시한 것이 도 5이다. 열원기(1a)에 흐르는 물의 양(Wa)을 그 열원기(1a)에 할당한 필요 유량(Wt)과 일치시키기 위해서는, 열원기(1a)에 있어서의 펌프(80)의 운전 주파수(F)를 소정값(Fa)으로 설정하면 된다. 말단 위치의 열원기(1n)에 흐르는 물의 양(Wn)을, 그 열원기(1n)에 할당한 필요 유량(Wt)과 일치시키기 위해서는, 열원기(1n)에 있어서의 펌프(80)의 운전 주파수(F)를 소정 값[Fn(＞Fa)]으로 설정하면 된다. 따라서, 상기와 같이, 부하측의 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)에 흐르는 물의 양(총량)(Qt)을 검지하고, 그 검지 유량(Qt)을 운전중의 예를 들면 열원기(1a, 1n)에 배분해서 각각 필요 유량(Wt)으로서 할당하고, 이들 필요 유량(Wt)에 열원기(1a, 1n)에 흐르는 물의 양(Wa, Wn)이 일치하도록, 열원기(1a, 1n)에 있어서의 각 펌프(80)의 운전 주파수(F)를 제어하는 것에 의해, 열원기(1a)의 배관 저항과 열원기(1n)의 배관 저항이 서로 다른 경우에도, 열원기(1a, 1n)에 흐르는 물의 양(Wa, Wn)을 균일하게 할 수 있다. 운전중의 열원기(1a, 1n)에 흐르는 물의 양(Wa, Wn)이 균일해지므로, 열원기(1a, 1n)에 있어서의 각 펌프(80)의 실속 및 이상 정지를 막을 수 있다. 이것에 의해, 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)의 요구 능력의 총 합에 알맞는 항상 적정한 양의 온수 또는 냉수를 공기 열교환기(3a, 3b, … 3n)에 공급할 수 있다. 필요 유량(Wt)이 얻어지도록 각 펌프(80)의 운전 주파수(F)를 증감할 뿐이므로, 이른바 열원기측 배관 저항 특성(1차측 배관 저항 특성)이나 각 펌프(80)의 특성을 미리 검출해 둘 필요가 없다. 열원기(1a, 1b, … 1n)가 복잡하게 배치되는 설치 환경에서도, 배관 저항을 갖추기 위한 헤더 시공이나, 리버스 턴 배관 등, 대처 요법적인 처치가 불필요해진다. ［변형예］상기 실시 형태에서는, 4개의 히트 펌프식 냉동 사이클 및 2개의 물 열교환기(30, 60)를 갖춘 열원기(1a, 1b, … 1n)를 예로 설명하였지만, 각 열원기에 있어서 히트 펌프식 냉동 사이클의 개수 및 물 열교환기의 개수에 대해서는 적절히 선정 가능하다. 상기 실시 형태에서는, 부하측의 기기가 공기 열교환기인 경우를 예로 설명했지만, 부하측의 기기가 예를 들면 저탕 탱크인 경우도 마찬가지로 실시할 수 있다. 상기 실시 형태에서는, 부하 측에 흐르는 물의 양을 검지하고, 그 검지 유량을 운전중의 각 열원기에 균등분해서 할당하도록 하였지만, 균등분이 아니어도, 각 펌프(80)가 실속 없이 동작을 계속할 수 있는 배분이면 된다. 상기 실시 형태에서는, 부하측 배관 저항 특성을 당해 열원 장치의 설치 후의 시운전에 의해서 검출하였지만, 거기에 한정하지 않으며, 부하 측의 공기 열교환기의 증설이나 감설 후의 시운전시에 부하측 배관 저항 특성을 검출해도 된다.그 외, 상기 실시 형태 및 변형예는, 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이 신규 실시 형태 및 변형예는, 그 외의 여러가지 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 여러 가지의 생략, 수정 및 변경을 행할 수 있다. 이들 실시 형태나 변형은, 발명의 범위는 요지에 포함되는 것과 동시에, 특허 청구의 범위에 기재된 발명과 그 균등의 범위에 포함된다.[산업상 이용 가능성]본 발명의 열원 장치는, 공기 조화기나 급탕기 등에의 이용이 가능하다. [ 부호의 설명 ] 1a, 1b, … 1n …: 열원기, 2a, 2b: 물 배관(열매체 배관), 3a, 3b, … 3n …: 공기 열교환기(부하측의 기기), 4a, 4b, … 4n …: 유량 조정 밸브(제 1 유량 조정 밸브), 5: 유량 센서(유량 검지부), 6: 바이패스 배관, 7: 유량 조정 밸브(제 2 유량 조정 밸브), 8: 차압 센서(제 1 차압 검지부), 10: 컨트롤러, 11: 제 1 검출부, 12: 제 2 검출부, 13: 제 1 제어부, 14: 제 2 제어부, 15: 제 3 제어부, 21, 41, 51, 71: 압축기, 30, 60: 물 열교환기(열매체 열교환기), 80: 펌프, 81: 인버터, 82: 상용 교류 전원, 90: 차압 센서(제 2 차압 검지부)	컨트롤러는, 부하측의 요구 능력에 따라서, 복수의 열원기의 운전 대수 및 부하 측으로의 열매체의 유량을 제어한다. 컨트롤러는, 부하 측에 흐르는 열매체의 양을 검지하고, 부하측에 흐르는 열매체의 바이패스량을 그 검지 유량에 따라 제어한다. 컨트롤러는, 상기 검지 유량을 운전중의 각 열원기에 배분해서 할당하고, 이들 할당 유량에 따라 운전중의 각 열원기에 있어서의 펌프의 능력을 제어한다.
[ 발명의 명칭 ] 디바이스들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 장치, 및 증발 소스를 프로세싱 진공 챔버로부터 유지 진공 챔버로 또는 유지 진공 챔버로부터 프로세싱 진공 챔버로 이송하기 위한 방법A PROCESSING APPARATUS FOR PROCESSING DEVICES, AND METHOD FOR TRANSFERRING AN EVAPORATION SOURCE FROM A PROCESSING VACUUM CHAMBER TO A MAINTENANCE VACUUM CHAMBER OR FROM THE MAINTENANCE VACUUM CHAMBER TO THE PROCESSING VACUUM CHAMBER [ 기술분야 ] [0001] 본 개시물의 실시예들은, 디바이스들, 특히, 디바이스들 내부에 유기 재료들(organic materials)을 포함하는 디바이스들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 장치에 관한 것이고, 증발 소스를 프로세싱 진공 챔버로부터 유지 진공 챔버(maintenance vacuum chamber)로 또는 유지 진공 챔버로부터 프로세싱 진공 챔버로 이송하기 위한 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] [0002] 유기 증발기들(organic evaporators)은 OLED들(organic light-emitting diodes)의 생산을 위한 툴들이다. OLED들은, 방출 층이 특정한 유기 화합물들의 얇은 필름을 포함하는 발광 다이오드들이다. OLED들은, 정보를 디스플레이하기 위한, 텔레비젼 스크린들, 컴퓨터 모니터들, 모바일 폰들, 다른 휴대용 디바이스들, 등의 제조에서 사용된다. OLED들은 또한, 일반적인 공간 조명(general space illumination)을 위해 사용될 수 있다. OLED 디스플레이들로 가능한 색깔들, 밝기, 및 시야 각도의 범위는 통상적인 LCD 디스플레이들의 경우보다 더 큰데, 이는, OLED 픽셀들은 직접 발광하고 역광(back light)을 필요로하지 않기 때문이다. OLED 디스플레이들의 에너지 소비는 통상적인 LCD 디스플레이들의 에너지 소비보다 상당히 적다. 게다가, OLED들은 가요성 기판들 상에 제조될 수 있으며, 추가적인 어플리케이션들을 초래할 수 있다. 예를 들어, OLED 디스플레이는, 개별적으로 에너자이징 가능한(energizable) 픽셀들을 갖는 매트릭스 디스플레이 패널을 형성하는 방식으로 기판 상에 증착된, 2개의 전극들 사이에 위치된 유기 재료의 층들을 포함할 수 있다. OLED는 2개의 유리 패널들 사이에 위치될 수 있고, 유리 패널들의 엣지들은 유리 패널들 내의 OLED를 캡슐화하기 위해 밀봉된다.[0003] OLED 디스플레이 디바이스들의 제조에서 직면한 난제들이 존재한다. 일 예에서, 디바이스의 가능한 오염을 방지하도록, 2개의 유리 패널들 사이의 OLED를 캡슐화하기 위해 필요한 여러가지 노동-집약적인 프로세스들이 존재한다. 다른 예에서, 유리 패널들 및 디스플레이 스크린들의 상이한 크기들은, 디스플레이 디바이스들을 형성하는 데에 사용되는 프로세스 하드웨어 및 프로세스의 실질적인 재구성을 필요로할 수 있다. 일반적으로, OLED 디바이스들을 대면적 기판들 상에 제조하려는 요구가 존재한다.[0004] OLED 디스플레이들 또는 OLED 조명 어플리케이션들은, 예를 들어, 프로세싱 장치의 진공 챔버에서 증발되는(evaporated) 여러가지 유기 재료들의 스택(stack)을 포함한다. 유기 재료들은 증발 소스들을 사용하여 섀도우 마스크들을 통해 순차적인 방식(subsequent manner)으로 기판 상에 증착된다. 기판, 섀도우 마스크들, 및 증발 소스들은 진공 챔버 내에 제공된다. 증발 소스들은 가끔 서비싱되어야(serviced) 하고 재충전되어야(refilled) 한다. 증발 소스들을 서비싱하고 재충전하기 위해, 프로세싱 장치는 가동 중지되어야(shut down) 하고, 진공 챔버는 통기되어야(vented) 하며, 증발 소스는 진공 챔버로부터 제거되어야 한다. 이러한 내용을 고려하면, 증발 소스들을 서비싱하고 재충전하는 것은 상당한 작업부하(workload)를 야기하며, 시간 소모적이고, 프로세싱 장치의 증가된 유휴시간(downtime)과 감소된 프로세싱 효율 또는 처리량으로 이어진다.[0005] 그러므로, 디바이스들, 특히, 디바이스들 내부에 유기 재료들을 포함하는 디바이스들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 장치들, 및 증발 소스들의 서비싱 및 재충전을 용이하게 하고 프로세싱 장치의 유휴시간을 감소시키는, 증발 소스를 이송하기 위한 방법들에 대한 필요가 존재한다. [ 발명의 개요 ] [0006] 상기 내용을 고려하여, 디바이스들, 특히, 디바이스들 내부에 유기 재료들을 포함하는 디바이스들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 장치, 및 증발 소스를 프로세싱 진공 챔버로부터 유지 진공 챔버로 또는 유지 진공 챔버로부터 프로세싱 진공 챔버로 이송하기 위한 방법이 제공된다. 본 개시물의 추가적인 양태들, 이익들, 및 특징들은 청구항들, 설명, 및 첨부한 도면들로부터 자명하다.[0007] 본 개시물의 양태에 따르면, 디바이스들, 특히, 디바이스들 내부에 유기 재료들을 포함하는 디바이스들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 장치가 제공된다. 프로세싱 장치는, 프로세싱 진공 챔버; 재료를 위한 적어도 하나의 증발 소스 ― 적어도 하나의 증발 소스는 적어도 하나의 증발 도가니(evaporation crucible), 및 하나 또는 그 초과의 배출구들을 갖는 적어도 하나의 분배 파이프를 포함하고, 적어도 하나의 증발 도가니는 재료를 증발시키도록 구성되며, 적어도 하나의 분배 파이프는 적어도 하나의 증발 도가니와 유체 연통함(fluid communication) ―; 및 프로세싱 진공 챔버와 연결된 유지 진공 챔버를 포함하고, 적어도 하나의 증발 소스는 프로세싱 진공 챔버로부터 유지 진공 챔버로 그리고 유지 진공 챔버로부터 프로세싱 진공 챔버로 이송될 수 있다.[0008] 본 개시물의 다른 양태에 따르면, 디바이스들, 특히, 디바이스들 내부에 유기 재료들을 포함하는 디바이스들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 장치가 제공된다. 프로세싱 장치는, 프로세싱 진공 챔버; 재료를 위한 적어도 하나의 증발 소스 ― 적어도 하나의 증발 소스는 적어도 하나의 증발 도가니, 및 하나 또는 그 초과의 배출구들을 갖는 적어도 하나의 분배 파이프를 포함하고, 적어도 하나의 증발 도가니는 재료를 증발시키도록 구성되며, 적어도 하나의 분배 파이프는 적어도 하나의 증발 도가니와 유체 연통함 ―; 및 프로세싱 진공 챔버와 연결된 유지 진공 챔버를 포함하고, 적어도 하나의 증발 소스는 프로세싱 진공 챔버로부터 유지 진공 챔버로 그리고 유지 진공 챔버로부터 프로세싱 진공 챔버로 이송될 수 있으며, 유지 진공 챔버와 프로세싱 진공 챔버의 연결부는 개구부를 포함하고, 개구부는 프로세싱 진공 챔버로부터 유지 진공 챔버로 그리고 유지 진공 챔버로부터 프로세싱 진공 챔버로의 적어도 하나의 증발 소스의 이송을 위해 구성되며, 프로세싱 장치는 개구부를 폐쇄하도록 구성된 밀봉 디바이스를 더 포함하고, 밀봉 디바이스는 적어도 하나의 증발 소스에 부착된다.[0009] 본 개시물의 또 다른 양태에 따르면, 증발 소스를 프로세싱 진공 챔버로부터 유지 진공 챔버로 또는 유지 진공 챔버로부터 프로세싱 진공 챔버로 이송하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 증발 소스의 증발 도가니 및 분배 파이프를, 프로세싱 진공 챔버와 유지 진공 챔버 사이에 제공된 개구부를 통해, 프로세싱 진공 챔버로부터 유지 진공 챔버로 또는 유지 진공 챔버로부터 프로세싱 진공 챔버로 이동시키는 단계를 포함한다.[0010] 실시예들은 또한, 개시된 방법들을 수행하기 위한 장치들에 관한 것이고, 각각의 설명된 방법 양태들을 수행하기 위한 장치 파트들(parts)을 포함한다. 이러한 방법 양태들은 하드웨어 컴포넌트들, 적절한 소프트웨어에 의해 프로그래밍된 컴퓨터, 상기 2가지의 임의의 조합, 또는 임의의 다른 방식에 의해 수행될 수 있다. 게다가, 본 개시물에 따른 실시예들은 또한, 설명된 장치를 동작시키기 위한 방법들에 관한 것이다. 방법은, 장치의 모든 기능을 수행하기 위한 방법 양태들을 포함한다. [ 도면의 간단한 설명 ] [0011] 본 개시물의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된, 본 개시물의 더 구체적인 설명이, 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부한 도면들은 본 개시물의 실시예들에 관한 것이며, 이하에서 설명된다.도 1a 내지 1c는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 디바이스들, 특히, 디바이스들 내부에 유기 재료들을 포함하는 디바이스들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 장치의 개략적인 평면도들을 도시한다.도 2는, 본원에서 설명되는 추가적인 실시예들에 따른, 디바이스들, 특히, 디바이스들 내부에 유기 재료들을 포함하는 디바이스들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 장치의 개략적인 평면도를 도시한다.도 3a 및 3b는, 본원에서 설명되는 더 추가적인 실시예들에 따른, 디바이스들, 특히, 디바이스들 내부에 유기 재료들을 포함하는 디바이스들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 장치의 개략적인 평면도들을 도시한다.도 4a 내지 4c는, 본원에서 설명되는 더 추가적인 실시예들에 따른, 디바이스들, 특히, 디바이스들 내부에 유기 재료들을 포함하는 디바이스들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 장치의 개략적인 평면도들을 도시한다.도 5는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 디바이스들, 특히, 디바이스들 내부에 유기 재료들을 포함하는 디바이스들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 장치의 개략적인 사시도를 도시한다.도 6a 내지 6c는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 프로세싱 장치의 증발 소스의 부분들의 개략도들을 도시한다. 그리고,도 7은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 증발 소스를 프로세싱 진공 챔버로부터 유지 진공 챔버로 또는 유지 진공 챔버로부터 프로세싱 진공 챔버로 이송하기 위한 방법의 흐름도를 도시한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] [0012] 이제, 본 개시물의 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이며, 다양한 실시예들 중 하나 또는 그 초과의 예들은 도면들에 예시된다. 도면들에 대한 이하의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 본 개시물의 설명으로써 제공되고, 본 개시물의 제한으로서 의도되지 않는다. 또한, 일 실시예의 부분으로서 예시되거나 설명되는 특징들은, 더 추가적인 실시예를 생성하기 위해 다른 실시예들과 함께 사용되거나 또는 다른 실시예들에 대해 사용될 수 있다. 상세한 설명은 그러한 수정들 및 변형들을 포함하도록 의도된다.[0013] 도 1a 내지 1c는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 디바이스들, 특히, 디바이스들 내부에 유기 재료들을 포함하는 디바이스들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 장치(100)의 개략적인 평면도들을 도시한다.[0014] 본 개시물의 양태에 따르면, 디바이스들, 특히, 디바이스들 내부에 유기 재료들을 포함하는 디바이스들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 장치(100)는, 프로세싱 진공 챔버(110); 유기 재료를 위한 증발 소스(1000) ― 증발 소스(1000)는 증발 도가니(1004), 및 하나 또는 그 초과의 배출구들을 갖는 분배 파이프(1006)를 포함하고, 증발 도가니(1004)는 유기 재료를 증발시키도록 구성되며, 분배 파이프(1006)는 증발 도가니(1004)와 유체 연통함 ―; 및 프로세싱 진공 챔버(110)에 연결된 유지 진공 챔버(150)를 포함하고, 증발 소스(1000)는 프로세싱 진공 챔버(110)로부터 유지 진공 챔버(150)로 그리고 유지 진공 챔버(150)로부터 프로세싱 진공 챔버(110)로 이송될 수 있다. 몇몇 구현예들에서, 분배 파이프(1006)는, 증발 동안, 축을 중심으로 회전 가능하다.[0015] 본원에서 개시되는 실시예들에 따른 프로세싱 장치는 증발 소스(1000)의 서비싱 및/또는 재충전을 용이하게 하고, 프로세싱 장치의 유휴시간을 감소시킬 수 있다. 프로세싱 진공 챔버(110)로부터 독립적으로 통기될 수 있는 유지 진공 챔버(150)를 프로세싱 진공 챔버(110)에 부착하는 것에 의해, 진공 시스템을 통기시키지 않고 그리고/또는 생산을 멈추지 않고, 예를 들어, 증발 소스(1000)가 배기된 후에, 유지 진공 챔버(150)에서 증발 소스(1000)를 교환하고 증발 소스(1000)를 서비싱하는 것이 가능하다.[0016] 도 1a 내지 1c는, 증발 소스(1000)가 상이한 포지션들에 있는 프로세싱 장치(100)를 도시한다. 도 1a 및 1b에서, 증발 소스(1000)는 프로세싱 진공 챔버(110)에 포지셔닝되고, 도 1c에서, 증발 소스(1000)는, 예를 들어, 서비싱 및/또는 재충전을 위해 유지 진공 챔버(150)에 포지셔닝된다. 도 1a 내지 1c는 하나의 증발 소스를 예시했지만, 몇몇 예들에서, 둘 또는 그 초과의 증발 소스들(1000)이 프로세싱 장치(100)에 제공될 수 있다. 예로서, 제 1 증발 소스는 프로세싱 진공 챔버(110)에 포지셔닝될 수 있고, 제 2 증발 소스는 유지 진공 챔버(150)에 포지셔닝될 수 있다. 제 1 증발 소스는 디바이스들, 특히, 디바이스들 내부에 유기 재료들을 포함하는 디바이스들을 제조하기 위해 동작될 수 있고, 그러는 동안, 유지 진공 챔버(150)에 포지셔닝된 제 2 증발 소스는 동시에 서비싱되고 그리고/또는 재충전될 수 있으며, 프로세싱 장치의 유휴시간은 더 감소될 수 있거나, 심지어 회피될 수 있다.[0017] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱 장치(100)는, 증발 소스(1000)를 프로세싱 진공 챔버(110)로부터 유지 진공 챔버(150)로 그리고 유지 진공 챔버(150)로부터 프로세싱 진공 챔버(110)로 이송하도록 구성된 이송 디바이스(도시되지 않음)를 포함한다. 이송 디바이스는, 이송을 수행하기 위해 증발 소스(1000)에 연결 가능한, 액츄에이터(actuator), 드라이브(drive), 또는 아암(arm)과 같은 변위 디바이스(displacement device)를 포함할 수 있다.[0018] 증발 소스(1000)는, 증발 재료를 포함하도록 이루어진 하나 또는 그 초과의 증발 도가니들(1004)을 갖고, 하나 또는 그 초과의 분배 파이프들(1006)을 갖는다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱 장치(100), 그리고 특히 증발 소스(1000)는, 분배 파이프(1006)를 위한 지지부(1002)를 포함한다. 분배 파이프(1006)는 지지부(1002)에 의해 지지된다. 또한, 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 도가니들(1004)이 또한, 지지부(1002)에 의해 지지될 수 있다. 몇몇 구현예들에서, 증발 소스(1000)는, 특히 증발 동안의, 축을 중심으로 한 회전을 위해 구성된다. OLED 디바이스 제조를 위한 다양한 어플리케이션들은, 둘 또는 그 초과의 유기 재료들이 동시에 증발되는 프로세스들을 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 둘 또는 그 초과의 분배 파이프들 및 대응하는 증발 도가니들은 나란히(next to each other) 제공될 수 있다. 그러한 증발 소스는 또한, 증발 소스 어레이(array)로 지칭될 수 있는데, 예를 들어, 한가지 종류 초과의 유기 재료가 동시에 증발된다. 증발 소스(1000)의 예는 도 6a 내지 c와 관련하여 설명된다.[0019] 몇몇 구현예들에서, 분배 파이프(1006)는 증기 분배 샤워헤드(vapor distribution showerhead), 특히 선형(linear) 증기 분배 샤워헤드이다. 분배 파이프(1006)는 실질적으로 수직으로 연장되는 라인 소스(line source)를 제공할 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 실질적으로 수직하다는 것은, 특히 기판 배향을 지칭할 때, 수직 방향으로부터 20°또는 그 미만, 예를 들어, 10°또는 그 미만의 편차(deviation)를 허용하도록 이해된다. 이러한 편차는, 예를 들어, 수직 배향으로부터 약간의 편차를 갖는 기판 지지부가 더 안정적인 기판 포지션을 초래할 수 있기 때문에, 제공될 수 있다. 그러나, 유기 재료의 증착 동안의 기판 배향은 실질적으로 수직인 것으로 여겨지고, 이는 수평 기판 배향과 상이한 것으로 여겨진다.[0020] 몇몇 실시예들에서, 기판들(121)의 표면은, 하나의 기판 치수에 대응하는 한 방향으로 연장되고 다른 기판 치수에 대응하는 다른 방향을 따른 병진 운동(translational movement)인 증발 소스(1000)에 의해 코팅된다. 증발 도가니(1004)에서 생성된 증기는 상방으로 그리고 분배 파이프(1006)의 하나 또는 그 초과의 배출구들(도시되지 않음) 밖으로 이동할 수 있다. 분배 파이프(1006)의 하나 또는 그 초과의 배출구들은, 예를 들어, 샤워헤드 또는 다른 증기 분배 시스템에 제공될 수 있는, 하나 또는 그 초과의 개구부들 또는 하나 또는 그 초과의 노즐들일 수 있다. 증발 소스(1000)는, 복수의 노즐들 또는 개구부들을 갖는 증기 분배 샤워헤드, 예를 들어, 선형 증기 분배 샤워헤드를 포함할 수있다. 본원에서 이해되는 바와 같은 샤워헤드는, 샤워헤드에서의 압력이 샤워헤드의 외부에서보다, 예를 들어, 적어도 10배(one order of magnitude) 만큼 더 높도록, 개구부들을 갖는 엔클로져(enclosure)를 포함할 수 있다.[0021] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 분배 파이프(1006)는 삼각형 형상으로 설계될 수 있고, 이로써, 개구부들 또는 노즐 어레이들은 가능한 한 서로 근접하여 포지셔닝될 수 있다. 이는, 예를 들어, 둘, 셋 또는 더 많은 상이한 유기 재료들의 공동-증발(co-evaporation)의 경우에 대해서, 상이한 유기 재료들의 개선된 혼합(mixture)을 달성하는 것을 허용한다.[0022] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 분배 파이프(1006)의 회전은 증발기 제어 하우징의 회전에 의해 제공될 수 있는데, 적어도 분배 파이프(1006)가 증발기 제어 하우징의 상부에 장착된다. 부가적으로 또는 대안적으로, 분배 파이프(1006)의 회전은, 루프형 트랙(looped track)의 커브형 부분(curved portion)을 따라 증발 소스(1000)를 이동시키는 것에 의해 제공될 수 있다. 예로서, 증발 도가니(1004)는 증발기 제어 하우징 상에 장착되고, 증발 소스(1000)는 분배 파이프(1006) 및 증발 도가니(1004)를 포함할 수 있으며, 양자 모두, 즉, 함께, 회전 가능하게 장착될 수 있다.[0023] 몇몇 구현예들에서, 기판(121) 상에서의 층 증착의 마스킹을 위한 마스크(132)가 기판(121)과 증발 소스(1000) 사이에 제공될 수 있다. 유기 재료는 분배 파이프(1006)로부터 증발되고 마스크(132)를 통해 기판(121) 상에 증착된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 마스크(132)를 미리 결정된 포지션에 홀딩하기(hold) 위해, 마스크(132), 즉, 도 1a 내지 c에 도시된 2개의 기판들(121) 중 제 1 기판에 대응하는 제 1 마스크, 및 2개의 기판들(121) 중 제 2 기판에 대응하는 제 2 마스크가 마스크 프레임(131)에 제공된다.[0024] 부가적으로 또는 대안적으로 구현될 수 있는 더 추가적인 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 증발 소스(1000)는 마스크(132)의 포지션에서의 온도 변화, 예를 들어, 5 켈빈(Kelvin) 미만, 또는 심지어 1 K 미만일 수 있는 온도 변화를 허용한다. 증발 소스(1000)로부터 마스크(132)로의 열 전달의 감소는, 개선된 냉각에 의해 제공될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 예를 들어, 분배 파이프(1006)가 삼각형 형상을 갖는 경우, 마스크(132)를 향하여 방사하는(radiate) 면적(area)이 감소된다. 부가적으로, 증발 소스(1000)로부터 마스크(132)로의 열 전달을 감소시키기 위해, 금속 플레이트들의 스택, 예를 들어, 최대 10개의 금속 플레이트들이 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 열 차폐부들(heat shields) 또는 금속 플레이트들에는, 배출구들 또는 노즐들을 위한 오리피스들(orifices)이 제공될 수 있고, 열 차폐부들 또는 금속 플레이트들은 증발 소스(1000)의 적어도 전방 측(front side), 즉, 기판(121)을 향한(facing) 측에 부착될 수 있다.[0025] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 소스(1000)는, 특히 프로세싱 진공 챔버(110) 내에서, 병진 운동을 위해 구성된다. 예로서, 프로세싱 장치(100)는, 증발 소스(1000)의 병진 운동을 위해 구성된 제 1 드라이브를 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 제 1 드라이브는 증발 소스(1000)에 연결 가능하거나 증발 소스(1000)에 포함된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 지지부(1002)는 제 1 드라이브에 연결 가능하거나, 제 1 드라이브를 포함한다. 제 1 드라이브는 모터 또는 다른 적합한 액츄에이터일 수 있다.[0026] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱 장치(100)는, 프로세싱 진공 챔버(110)에 배치되고 적어도 2개의 트랙들(220)을 갖는 증발 소스 지지 시스템을 더 포함하고, 증발 소스 지지 시스템의 적어도 2개의 트랙들(220)은 적어도 프로세싱 진공 챔버(110) 내에서의 증발 소스(1000)의 병진 운동을 위해 구성된다. 예로서, 제 1 드라이브는 증발 소스(1000)를 적어도 2개의 트랙들(220)을 따라 이동시키거나 이송하도록 구성될 수 있다.[0027] 몇몇 구현예들에서, 증발 소스(1000)는 프로세싱 진공 챔버(110)에, 적어도 2개의 트랙들(220), 예를 들어, 루프형 트랙 또는 선형 가이드(linear guide) 상에 제공된다. 적어도 2개의 트랙들(220)은, 특히, 증착 프로세스와 같은 동작 동안, 증발 소스(1000)의 병진 운동을 위해 구성된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 소스(1000)의 병진 운동을 위한 제 1 드라이브는 최소 2개의 트랙들(220)에, 증발 소스(1000)에, 프로세싱 진공 챔버(110) 내에, 또는 이들의 조합에 제공될 수 있다.[0028] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱 장치(100)는 밸브(105)를 통해 프로세싱 진공 챔버(110)에 연결된 다른 진공 챔버(106)를 더 포함하고, 다른 진공 챔버(106)는, 예를 들어, 프로세싱 진공 챔버(110) 내로의 그리고 프로세싱 진공 챔버(110)의 밖으로의 기판(121)의 이송을 위해 구성될 수 있다. 도 1a 내지 1c는 밸브(105), 예를 들어, 게이트 밸브를 도시한다. 밸브(105)는 프로세싱 진공 챔버(110)와 다른 진공 챔버(106) 사이의 진공 밀봉을 허용한다. 밸브(105)는 프로세싱 진공 챔버(110) 내로의 또는 프로세싱 진공 챔버(110) 밖으로의 기판(121) 및/또는 마스크(132)의 이송을 위해 개방될 수 있다.[0029] 몇몇 구현예들에서, 유지 진공 챔버(150)는 프로세싱 진공 챔버(110)에 인접하여 제공될 수 있고, 유지 진공 챔버(150)와 프로세싱 진공 챔버(110)는 연결된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 유지 진공 챔버(150)롸 프로세싱 진공 챔버(110)의 연결부는 개구부(152)를 포함하고, 개구부(152)는, 프로세싱 진공 챔버(110)로부터 유지 진공 챔버(150)로의 그리고 유지 진공 챔버(150)로부터 프로세싱 진공 챔버(110)로의 증발 소스(1000)의 이송을 위해 구성된다. 몇몇 실시예들에서, 프로세싱 장치(100)는 개구부(152)를 폐쇄하도록 구성된 밀봉 디바이스(도시되지 않음)를 더 포함한다. 특히, 밀봉 디바이스는 개구부(152)를 실질적으로 진공-기밀로 밀봉하도록 구성된다. 예로서, 밀봉 디바이스는, 도 4a 내지 4c 및 도 5와 관련하여 설명될 것과 같이, 증발 소스(1000)에 부착된다. 개구부(152)가 밀봉 디바이스에 의해 폐쇄되거나 밀봉될 때, 유지 진공 챔버(150)는, 프로세싱 진공 챔버(110)에서의 진공을 파괴하지 않고, 증발 소스(1000)의 유지를 위해 통기되고 개방될 수 있다.[0030] 몇몇 예들에서, 개구부(152) 및 밀봉 디바이스는 프로세싱 진공 챔버(110)와 유지 진공 챔버(150)를 연결하는 밸브에 포함될 수 있다. 밸브는 프로세싱 진공 챔버(110)와 유지 진공 챔버(150) 사이의 진공 밀봉을 개방하고 폐쇄하도록 구성될 수 있다. 밸브가 개방 상태에 있는 동안 증발 소스(1000)는 유지 진공 챔버(150)로 이송될 수 있다. 그런 후에, 밸브는 프로세싱 진공 챔버(110)와 유지 진공 챔버(150) 사이에 진공 밀봉을 제공하기 위해 폐쇄될 수 있다. 밸브가 폐쇄되는 경우, 유지 진공 챔버(150)는, 프로세싱 진공 챔버(110)에서의 진공을 파괴하지 않고, 증발 소스(1000)의 유지를 위해 통기되고 개방될 수 있다.[0031] 몇몇 구현예들에서, 마스크 프레임들(131) 및/또는 마스크들(132)을 지지하기 위해 추가적인 트랙들이 제공된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱 장치(100)는 프로세싱 진공 챔버(110) 내에 4개의 트랙들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 마스크(132)의 세정을 위해 마스크들(132) 중 하나를 프로세싱 진공 챔버(110) 밖으로 이동시키기 위해서, 마스크 프레임(131) 및 마스크(132)는 기판(121)의 운송 트랙들 상으로 이동될 수 있다. 그러면, 각각의 마스크 프레임은, 기판(121)을 위한 운송 트랙 상에서 프로세싱 진공 챔버(110)를 빠져나가거나 챔버에 진입할 수 있다. 마스크 프레임들(131)을 위해, 프로세싱 진공 챔버(110)의 안과 밖으로의 개별적인 운송 트랙을 제공하는 것이 가능할 지라도, 오직 2개의 트랙들만, 즉, 기판(121)을 위한 운송 트랙들만 프로세싱 진공 챔버(110)의 안과 밖으로 연장된다면, 프로세싱 장치(200)의 소유 비용들은 감소될 수 있고, 부가적으로, 마스크 프레임들(131)은 적절한 액츄에이터 또는 로봇에 의해, 기판(121)을 위한 운송 트랙들 중 각각의 트랙 상으로 이동될 수 있다.[0032] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 기판(121)은 정렬 유닛(112)에 연결된 기판 지지부(126)에 의해 지지될 수 있다. 정렬 유닛(112)은 마스크(132)에 대해 기판(121)의 포지션을 조정할 수 있다. 도 1a 내지 1c는, 기판 지지부(126)가 정렬 유닛(112)에 연결된 실시예를 예시한다. 기판(121)은, 유기 재료의 증착 동안에, 기판(121)과 마스크(132) 사이의 정렬을 제공하기 위해서, 마스크(132)에 대하여 이동될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 추가적인 실시예에 따르면, 대안적으로 또는 부가적으로 마스크(132) 및/또는 마스크(132)를 홀딩하는 마스크 프레임(131)은 정렬 유닛(112)에 연결될 수 있다. 마스크(132)는 기판(121)에 대하여 포지셔닝 될 수 있거나, 또는 마스크(132) 및 기판(121) 양자 모두는 서로에 대해서 포지셔닝될 수 있다. 정렬 유닛(112)은 기판(121)과 마스크(132) 사이의 포지션을 서로에 대해 조정하도록 구성되고, 증착 프로세스 동안 마스킹의 정렬을 허용하며, 이는 고품질 또는 OLED 디스플레이 제조를 위해 유익하다.[0033] 서로에 대한 마스크(132)와 기판(121)의 정렬의 예들은, 평면을 정의하는 적어도 2개의 방향들로의 상대 정렬을 위해 구성된 정렬 유닛(112)을 포함하는데, 평면은 기판(121)의 평면 및 마스크(132)의 평면에 대해 실질적으로 평행하다. 예를 들어, 정렬은 적어도 x-방향 및 y-방향으로, 즉, 상기-설명된 평행한 평면을 정의하는 2개의 직교 방향들(Cartesian directions)로 수행될 수 있다. 예로서, 마스크(132) 및 기판(121)은 근본적으로 서로에 대해 평행할 수 있다. 정렬은 기판(121)의 평면 및 마스크(132)의 평면에 대해 실질적으로 수직한 방향으로 추가적으로 수행될 수 있다. 정렬 유닛(112)은, 서로에 대해 마스크(132)와 기판(121)의, 적어도 X-Y-정렬을 위해, 그리고 특히 X-Y-Z-정렬을 위해 구성될 수 있다. 예로서, 기판(121)은 마스크(132)에 대해 x-방향, y-방향 및 z-방향으로 정렬될 수 있고, 마스크(132)는 프로세싱 진공 챔버(110)에서 고정적으로 홀딩될 수 있다.[0034] 도 1a 내지 1c에 도시된 바와 같이, 적어도 2개의 트랙들(220), 예를 들어, 선형 가이드는 프로세싱 진공 챔버(110) 내에서의 증발 소스(1000)의 병진 운동의 방향을 제공한다. 증발 소스(1000)의 양쪽 측들 상에 각각의 마스크가 제공된다. 마스크들(132)은 병진 운동의 방향에 대해 근본적으로 평행하게 연장될 수 있다. 또한, 증발 소스(1000)의 대향하는(opposing) 측들에 있는 기판들(121)은 또한, 병진 운동의 방향에 대해 근본적으로 평행하게 연장될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 기판(121)은 밸브(105)를 통해 프로세싱 진공 챔버(110) 내로 그리고 프로세싱 진공 챔버(110) 밖으로 이동될 수 있다. 프로세싱 장치(100)는 기판들(121) 각각의 운송을 위한 각각의 운송 트랙을 포함할 수 있다. 예를 들어, 운송 트랙은 도 1a 내지 1c에 도시된 기판 포지션에 대해 평행하게 그리고 프로세싱 진공 챔버(110)의 안과 밖으로 연장될 수 있다.[0035] 프로세싱 장치(100)는 증발 소스(1000)의 서비싱 및/또는 재충전을 용이하게 하고, 프로세싱 장치의 유휴시간을 감소시킬 수 있다. 유지 진공 챔버(150)를 프로세싱 진공 챔버(110)에 부착시키고 증발 소스(1000)를 프로세싱 진공 챔버(110)로부터 유지 진공 챔버(150)로 이송함으로써, 유지 진공 챔버(150)는 프로세싱 진공 챔버(110)로부터 독립적으로 통기될 수 있다. 증발 소스(1000)는, 프로세싱 장치(100)의 진공 시스템을 통기시키지 않고 그리고/또는 생산을 멈추지 않고, 예를 들어, 증발 소스(1000)가 배기된 후에, 교환될 수 있거나 또는 서비싱될 수 있다.[0036] 도 2는, 본원에서 설명되는 추가적인 실시예들에 따른, 디바이스들, 특히, 디바이스들 내부에 유기 재료들을 포함하는 디바이스들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 장치(200)의 개략적인 평면도를 도시한다.[0037] 도 2의 프로세싱 장치(200)는 도 1a 내지 c와 관련하여 상기 설명된 프로세싱 장치(100)와 유사하며, 오직 차이점들만 이하에서 설명된다.[0038] 프로세싱 장치(200)에서, 증발 소스(1000)의 증발 도가니(1004) 및 분배 파이프(1006)는 프로세싱 진공 챔버(110)로부터 유지 진공 챔버(150)로 그리고 유지 진공 챔버(150)로부터 프로세싱 진공 챔버(110)로 이송되며, 분배 파이프(1006)를 위한 지지부(1002)는 프로세싱 진공 챔버(110)로부터 유지 진공 챔버(150)로 그리고 유지 진공 챔버(150)로부터 프로세싱 진공 챔버(110)로 이송되지 않는다. 다시 말해서, 분배 파이프(1006)를 위한 지지부(1002)는 프로세싱 진공 챔버(110)에 남는 반면, 증발 소스(1000)의 증발 도가니(1004) 및 분배 파이프(1006)는 이송된다.[0039] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱 장치(200)는 증발 소스(1000)를 프로세싱 진공 챔버(110)로부터 유지 진공 챔버(150)로 그리고 유지 진공 챔버(150)로부터 프로세싱 진공 챔버(110)로 이송하도록 구성된 이송 디바이스(도시되지 않음)를 포함한다. 이송 디바이스는, 이송을 수행하기 위해 증발 소스(1000)에 연결 가능한, 액츄에이터, 드라이브, 선형 드라이브, 또는 아암과 같은 변위 디바이스를 포함할 수 있다. 이송 디바이스는 부가적으로 또는 대안적으로, 예를 들어, 적어도 2개의 이동 방향들을 갖고, 유지 모듈에 로케이팅될 수 있는 로봇에 의해 제공될 수 있다.[0040] 프로세싱 진공 챔버(110)에 지지부(1002)를 남기는 것에 의해, 증발 소스(1000)의 서비싱될 그리고/또는 교환될 부분들은, 유지 진공 챔버(150)로 이송될 수 있고, 증발 소스(1000)의 서비싱되지 않을 그리고/또는 교환되지 않을 부분들은 프로세싱 진공 챔버(110)에 남는다. 이는, 이송을 수행하기 위한 노력을 최소화하는 것을 허용한다.[0041] 도 3a 및 3b는, 본원에서 설명되는 더 추가적인 실시예들에 따른, 디바이스들, 특히, 디바이스들 내부에 유기 재료들을 포함하는 디바이스들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 장치(300)의 개략적인 평면도들을 도시한다.[0042] 도 3a 및 3b의 프로세싱 장치(300)는 도 1a 내지 c 및 2와 관련하여 상기 설명된 프로세싱 장치들과 유사하며, 오직 차이점들만 이하에서 설명된다.[0043] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱 장치(300)는, 프로세싱 진공 챔버(110)에 배치되고 적어도 2개의 트랙들(220)을 갖는 증발 소스 지지 시스템을 포함하며, 증발 소스 지지 시스템의 적어도 2개의 트랙들(220)은 적어도 프로세싱 진공 챔버(110) 내에서의 증발 소스(1000)의 병진 운동을 위해 구성된다.[0044] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 적어도 2개의 트랙들(220) 중 각각의 트랙은 제 1 트랙 섹션(221) 및 제 2 트랙 섹션(222)을 포함하고, 제 1 트랙 섹션(221) 및 제 2 트랙 섹션(222)은 분리 가능하다. 몇몇 구현예들에서, 제 1 트랙 섹션(221)은, 예를 들어, 증발 소스(1000)와 함께, 프로세싱 진공 챔버(110)로부터 유지 진공 챔버(150)로 그리고 유지 진공 챔버(150)로부터 프로세싱 진공 챔버(110)로 이송 가능하도록 구성된다.[0045] 몇몇 구현예들에서, 증발 도가니(1004) 및 분배 파이프(1006)는 제 1 트랙 섹션들(221)과 함께 이송된다. 다른 구현예들에서, 증발 도가니(1004), 분배 파이프(1006) 및 분배 파이프(1006)를 위한 지지부(1002)는 제 1 트랙 섹션들(221)과 함께 이송된다.[0046] 증발 소스(1000)는 프로세싱 진공 챔버(110)에, 적어도 2개의 트랙들(220), 예를 들어, 루프형 트랙 또는 선형 가이드 상에 제공된다. 적어도 2개의 트랙들(220)은, 특히 증착 프로세스와 같은 동작 동안의, 증발 소스(1000)의 병진 운동을 위해 구성된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 소스(1000)의 병진 운동을 위한 제 1 드라이브는 최소 2개의 트랙들(220)에, 특히 제 1 트랙 섹션들(221)에, 증발 소스(1000)에, 프로세싱 진공 챔버(110) 내에, 또는 이들의 조합에 제공될 수 있다.[0047] 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 소스의 병진 운동을 위해 구성된 제 1 드라이브는 증발 소스(1000)와 함께 프로세싱 진공 챔버(110)로부터 유지 진공 챔버(150)로 그리고 유지 진공 챔버(150)로부터 프로세싱 진공 챔버(110)로 이송될 수 있다. 예로서, 제 1 드라이브는 증발 소스(1000) 및 제 1 트랙 섹션들(221)을 프로세싱 진공 챔버(110)로부터 유지 진공 챔버(150)로 그리고 유지 진공 챔버(150)로부터 프로세싱 진공 챔버(110)로 이동시키거나 구동하도록(driving) 구성될 수 있다. 몇몇 예들에서, 병진 운동을 위해 사용되는 제 1 드라이브가 또한, 이송을 위해 사용되는 경우에, 증발 소스의 이송을 위해 부가적인 디바이스가 제공될 필요가 없다.[0048] 제 1 트랙 섹션(221)을 증발 소스(1000)와 함께 이송할 때, 증발 소스(1000)는, 프로세싱 진공 챔버(110)로부터 유지 진공 챔버(150)로의 이송이 일어나기 전에, 증발 소스 지지 시스템으로부터 디커플링될(decoupled) 필요가 없다. 또한, 증발 소스(1000)는, 유지 진공 챔버(150)로부터 프로세싱 진공 챔버(110)로의 이송이 수행된 후에, 증발 소스 지지 시스템에 커플링될 필요가 없으며, 이는 시간과 노력을 절약한다.[0049] 도 4a 내지 4c는, 본원에서 설명되는 더 추가적인 실시예들에 따른, 디바이스들, 특히, 디바이스들 내부에 유기 재료들을 포함하는 디바이스들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 장치(400)의 개략적인 평면도들을 도시한다.[0050] 도 4a 내지 c의 프로세싱 장치(400)는 상기 설명된 프로세싱 장치들과 유사하며, 오직 차이점들만 이하에서 설명된다[0051] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 유지 진공 챔버(150)와 프로세싱 진공 챔버(110)의 연결부는 개구부(도 1 내지 3에서 참조 번호 "152"로 표시됨)를 포함하고, 개구부는 프로세싱 진공 챔버(110)로부터 유지 진공 챔버(150)로 그리고 유지 진공 챔버(150)로부터 프로세싱 진공 챔버(110)로의 증발 소스(1000)의 이송을 위해 구성된다.[0052] 몇몇 실시예들에서, 프로세싱 장치(400)는 개구부를 폐쇄하기 위해 구성된 밀봉 디바이스(410)를 더 포함한다. 특히, 밀봉 디바이스(410)는 개구부를 실질적으로 진공-기밀로 밀봉하도록 구성된다. 개구부가 밀봉 디바이스(410)에 의해 폐쇄되거나 밀봉될 때, 유지 진공 챔버(150)는, 프로세싱 진공 챔버(110)에서의 진공을 파괴하지 않고, 증발 소스(1000)의 유지를 위해 통기되고 개방될 수 있다.[0053] 몇몇 구현예들에서, 밀봉 디바이스(410)는 증발 소스(1000)에 부착되거나 증발 소스(1000)에 포함된다. 예로서, 밀봉 디바이스(410)는 증발 소스(1000)의 측에, 예를 들어, 지지부(1002)에, 실질적으로 수직 배향으로 장착될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 밀봉 디바이스(410)는, 프로세싱 진공 챔버(110)와 유지 진공 챔버(150) 사이의 개구부를 밀봉하거나 폐쇄하도록 구성된 플레이트일 수 있다. 밀봉 디바이스(410)를 증발 소스(1000)와 통합하는(integrating) 것은, 프로세싱 진공 챔버(110) 및/또는 유지 진공 챔버(150) 내에서 공간을 절약하는 것을 허용한다.[0054] 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 소스(1000)는 밀봉 디바이스(410)에 대해 이동 가능하다. 예로서, 적어도 분배 파이프(1006) 및 증발 도가니(1004)는 밀봉 디바이스(410)에 대해 이동 가능하다. 몇몇 구현예들에서, 프로세싱 장치(400)는 증발 소스(1000)와 밀봉 디바이스(410)를 연결하는 연결 디바이스(420)를 포함할 수 있다. 연결 디바이스(420)는 증발 소스(1000)와 밀봉 디바이스(410) 사이에 이동 가능한 연결을 제공하도록 구성될 수 있다. 예로서, 밀봉 디바이스(410)는, 이동 가능한 연결을 제공하기 위해, 힌지들(hinges)에 의해 연결된 둘 또는 그 초과의 아암 부분들을 포함할 수 있다.[0055] 몇몇 구현예들에서, 연결 디바이스(420)는, 증발 소스(1000)에 대해, 그리고 특히 분배 파이프(1006) 및 증발 도가니(1004)에 대해 밀봉 디바이스(410)를 이동시키도록 구성된 병진 디바이스일 수 있다. 개구부를 폐쇄하기 위해, 증발 소스(1000)는 프로세싱 진공 챔버(110) 또는 유지 진공 챔버(150) 내에 적합하게 포지셔닝될 수 있으며, 병진 디바이스는, 개구부를 실질적으로 진공-기밀로 폐쇄하거나 밀봉하기 위해, 밀봉 디바이스(410)를 증발 소스(1000)에 대해 개구부를 향하여 이동시킬 수 있다. 밀봉 디바이스(410)는, 유지 진공 챔버(150)로부터 프로세싱 진공 챔버(110)로의 그리고 그 역으로의 이송 동안, 증발 소스(1000)에 대해서 고정된다(fixed).[0056] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱 장치(400)는, 유지 진공 챔버(150)에 제공되는 회전 가능한 디바이스(430)를 포함한다. 회전 가능한 디바이스(430)는 증발 소스(1000) 및/또는 제 1 트랙 섹션들(도 3a 및 3b에서 참조 번호 "221"로 표시됨)을 수용하도록 구성될 수 있다. 예로서, 회전 가능한 디바이스(430)는 회전 가능한 플랫폼일 수 있다.[0057] 도 4a를 참조하면, 2개의 증발 소스들(1000)이 도시된다. 2개의 증발 소스들 중 제 1 증발 소스는 프로세싱 진공 챔버(110)에 포지셔닝되고, 2개의 증발 소스들 중 제 2 증발 소스는 유지 진공 챔버(150)에 포지셔닝된다. 예로서, 2개의 증발 소스들 중 제 2 증발 소스는 회전 가능한 디바이스(430) 상에 포지셔닝될 수 있다.[0058] 도 4b에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 서비싱될 또는 교환될 제 1 증발 소스는, 프로세싱 진공 챔버(110)로부터 유지 진공 챔버(150)로, 그리고 특히 회전 가능한 디바이스(430) 상으로 이송될 수 있다. 예로서, 제 1 증발 소스 및 제 2 증발 소스는 회전 가능한 디바이스(430) 상에 연속적으로(back-to-back), 예를 들어, 증발 소스들의 밀봉 디바이스들이 서로를 향해 배향되는 상태로 포지셔닝될 수 있다. 다시 말해서, 밀봉 디바이스들 양자 모두는 제 1 증발 소스와 제 2 증발 소스 사이에 포지셔닝될 수 있거나 샌드위칭될(sandwiched) 수 있다.[0059] 증발 소스들 양자 모두, 즉, 제 1 증발 소스 및 제 2 증발 소스가, 회전 가능한 디바이스(430) 상에 포지셔닝될 때, 회전 가능한 디바이스(430)는, 예를 들어, 약 180도 회전되고, 이로써, 제 1 증발 소스와 제 2 증발 소스는 포지션들을 교환한다. 도 4b에서, 회전은 화살표들로 표시된다. 그런 다음에, 제 2 증발 소스는 프로세싱 진공 챔버(110) 내로 이송될 수 있으며, 프로세싱 진공 챔버(110)와 유지 진공 챔버(150)를 연결하는 개구부는, 예를 들어, 제 2 증발 소스의 밀봉 디바이스(410)에 의해 밀봉될 수 있다. 유지 진공 챔버(150)는 제 1 증발 소스의 서비싱 또는 제거를 위해 통기될 수 있다. 이는, 프로세싱 진공 챔버(110)의 진공을 파괴할 필요 없이, 증발 소스들의 교환을 허용한다.[0060] 도 5는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 디바이스들, 특히, 디바이스들 내부에 유기 재료들을 포함하는 디바이스들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 장치(500)의 개략적인 평면도를 도시한다.[0061] 도 5의 프로세싱 장치(500)는 도 4a 내지 c와 관련하여 상기 설명된 프로세싱 장치와 유사하며, 오직 차이점들만 이하에서 설명된다.[0062] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱 장치(500)는, 프로세싱 진공 챔버(110)에 배치되고 적어도 2개의 트랙들(220)을 갖는 증발 소스 지지 시스템을 포함하며, 증발 소스 지지 시스템의 적어도 2개의 트랙들(220)은 적어도 프로세싱 진공 챔버(110) 내에서의 증발 소스(1000)의 이동을 위해 구성된다. 적어도 2개의 트랙들(220) 중 각각의 트랙은 제 1 트랙 섹션(221) 및 제 2 트랙 섹션(222)을 포함하고, 제 1 트랙 섹션(221) 및 제 2 트랙 섹션(222)은 분리 가능하다. 몇몇 구현예들에서, 제 1 트랙 섹션(221)은 증발 소스(1000)와 함께 프로세싱 진공 챔버(110)로부터 유지 진공 챔버(150)로 그리고 유지 진공 챔버(150)로부터 프로세싱 진공 챔버(110)로 이송 가능하도록 구성된다.[0063] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 유지 진공 챔버(150)와 프로세싱 진공 챔버(110)의 연결부는, 프로세싱 진공 챔버(110)로부터 유지 진공 챔버(150)로 그리고 유지 진공 챔버(150)로부터 프로세싱 진공 챔버(110)로의 증발 소스(1000)의 이송을 위해 구성된 개구부를 포함한다.[0064] 몇몇 실시예들에서, 프로세싱 장치(500)는, 개구부를 폐쇄하도록 구성된 밀봉 디바이스(510)를 더 포함한다. 몇몇 구현예들에서, 밀봉 디바이스(510)는 증발 소스(1000)에 부착된다. 밀봉 디바이스(510)는 프로세싱 진공 챔버(110)와 유지 진공 챔버(150) 사이의 개구부를 밀봉하도록 구성된 플레이트일 수 있다.[0065] 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 소스(1000)는 밀봉 디바이스(510)에 대해 이동 가능하다. 예로서, 프로세싱 장치(500)는, 증발 소스(1000)와 밀봉 디바이스(510)를 연결하는 연결 디바이스(520)를 포함할 수 있다. 예로서, 연결 디바이스(520)는 증발 소스(1000)에 대한 밀봉 디바이스(510)의 병진 운동을 가이딩하도록(guiding) 구성된다. 부가적으로 또는 대안적으로, 연결 디바이스(520)는, 증발 소스(1000)를 위한 매체 공급부(media supply)를 제공할 수 있거나 수용할 수 있다. 예로서, 연결 디바이스(520)는 아암, 특히 패시브 아암(passive arm)일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 연결 디바이스(520)의 적어도 부분은, 매체 공급부에 대한 임의의 입자 충격(particle impact)을 방지하기 위해, 대기 환경(atmospheric environment)을 제공한다. 예로서, 대기 환경은 연결 디바이스(520) 내부에 제공될 수 있고, 특히, 아암의 내부에 제공될 수 있다.[0066] 몇몇 구현예들에서, 아암은, 증발 소스(1000)와 밀봉 디바이스(510) 사이의 상대 운동을 허용하기 위해, 각각의 힌지들에 의해 연결된 둘 또는 그 초과의 아암 부분들을 포함할 수 있다. 예로서, 연결 디바이스(520)는 제 1 아암(532) 및 제 2 아암(534)을 포함한다. 제 1 아암(532)은, 증발 소스(1000)에 연결된 제 1 단부 부분, 및 힌지(536)를 통해 제 2 아암(534)의 제 3 단부 부분에 연결된 제 2 단부 부분을 갖는다. 제 2 아암(534)은, 프로세싱 진공 챔버(110) 및/또는 유지 진공 챔버(150)에 연결된 제 4 단부 부분을 갖는다.[0067] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱 장치(500)는, 유지 진공 챔버(150) 내에 제공되는 회전 가능한 디바이스(530)를 포함한다. 회전 가능한 디바이스(530)는 증발 소스(1000) 및/또는 제 1 트랙 섹션들(221)을 수용하도록 구성될 수 있다. 예로서, 회전 가능한 디바이스(530)는 회전 가능한 플랫폼일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 프로세싱 장치(500)는 회전 가능한 디바이스(530)를 구동하도록 또는 회전시키도록 구성된 드라이브를 포함한다. 드라이브는 샤프트, 예를 들어, 중공 샤프트(hollow shaft)를 통해, 회전 가능한 디바이스(530)에 연결될 수 있다.[0068] 몇몇 실시예들에 따르면, 회전 가능한 디바이스(530)는 둘 또는 그 초과의 증발 소스들을 지지하도록 구성된다. 예로서, 예를 들어, 서비싱될 또는 교환될 제 1 증발 소스는, 프로세싱 진공 챔버(110)로부터 유지 진공 챔버(150)로, 그리고 특히 회전 가능한 디바이스(530) 상으로 이송될 수 있다. 예를 들어, 서비싱된 또는 새로운 증발 소스인 제 2 증발 소스는 또한, 회전 가능한 디바이스(530) 상에 제공될 수 있다. 증발 소스들 양자 모두, 즉, 제 1 증발 소스 및 제 2 증발 소스가 회전 가능한 디바이스(530) 상에 포지셔닝될 때, 회전 가능한 디바이스(530)가, 예를 들어, 약 180도 회전되며, 이로써, 제 1 증발 소스와 제 2 증발 소스는 포지션들을 교환한다. 그런 다음에, 제 2 증발 소스는 프로세싱 진공 챔버(110) 내로 이송될 수 있으며, 프로세싱 진공 챔버(110)와 유지 진공 챔버(150)를 연결하는 개구부는, 예를 들어, 제 2 증발 소스의 밀봉 디바이스(510)에 의해 밀봉될 수 있다. 유지 진공 챔버(150)는 제 1 증발 소스의 서비싱 또는 제거를 위해, 예를 들어, 유지 진공 챔버(150)의 도어(154)를 개방함으로써 통기될 수 있다. 이는, 프로세싱 진공 챔버(110)의 진공을 파괴할 필요 없이, 증발 소스들의 교환을 허용한다.[0069] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 소스(1000)는 액츄에이터, 예를 들어 토크 모터, 전기 로터(electric rotor) 또는 공압 로터(pneumatic rotor)를 포함한다. 액츄에이터는 진공 회전 피드-스루(vacuum rotation feed-through), 예를 들어, 액체 자석이 밀봉된 피드-스루(ferrofluid sealed rotation feed-through)를 통해 토크를 제공할 수 있다. 액츄에이터는 적어도 분배 파이프들(1006)을, 근본적으로 수직인 축을 중심으로 회전시키도록 구성된다. 증발 소스(1000)는, 예를 들어, 액츄에이터 및 피드-스루를 하우징할(house) 수 있는 지지부(1002)를 포함한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 증발 소스(1000)는 증발기 제어 하우징을 더 포함한다. 증발기 제어 하우징은 대기 박스(atmospheric box), 즉, 심지어, 프로세싱 진공 챔버(110)가 기술적 진공(technical vacuum)으로 진공 배기되는(evacuated) 때에도, 박스 내부에 대기압(atmospheric pressure)을 유지하도록 구성된 박스일 수 있다. 예를 들어, 스위치, 밸브, 제어기, 냉각 유닛, 및 냉각 제어 유닛으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 엘리먼트가 증발기 제어 하우징에 제공될 수 있다. 지지부(1002)는 추가로, 증발 도가니들(1004) 및 분배 파이프들(1006)을 지지한다.[0070] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱 장치(500)는 공급 통로, 예를 들어, 공급 라인을 포함할 수 있다. 공급 통로는 증발 소스(1000)에, 예를 들어, 전기 연결들 및/또는 유체들(예를 들어, 물) 및/또는 가스들과 같은 매체를 공급하도록 구성될 수 있다. 공급 통로는, 공급 통로를 통과하는 하나 또는 그 초과의 라인들 및/또는 케이블들, 예컨대, 물 공급 라인들, 가스 공급 라인들 및/또는 전기 케이블들을 가이딩하도록 구성될 수 있다. 몇몇 구현예들에서, 공급 통로는 대기 환경을 갖는데, 즉, 심지어, 프로세싱 진공 챔버(110) 및/또는 유지 진공 챔버(150)와 같은 주위가 기술적 진공으로 진공 배기되는 때에도, 공급 통로는 공급 통로 내에서 대기압을 유지하도록 구성될 수 있다. 예로서, 공급 통로는 연결 디바이스(520)의 적어도 일부를 포함할 수 있다.[0071] 몇몇 구현예들에서, 공급 통로는 증발 소스(1000)로부터, 프로세싱 진공 챔버(110)와 유지 진공 챔버(150) 사이에 제공되는 피드 스루로 연장된다. 예로서, 피드 스루는, 프로세싱 진공 챔버(110)와 유지 진공 챔버(150)를 분리하는 벽 부분 또는 밀봉 디바이스(510)에 또는 그 내부에(in or at) 제공될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 공급 통로는 증발 소스(1000)로부터, (대기 박스일 수 있는) 증발기 제어 하우징들 및 연결 디바이스(520) 중 적어도 하나를 통해 피드 스루로 연장된다.[0072] 몇몇 실시예들에서, 공급 통로는 유지 진공 챔버(150)의 외부로부터, 유지 진공 챔버 내로 그리고 회전 가능한 디바이스(530)의 바닥부 또는 중간 공간 내로, 예를 들어, 회전 가능한 디바이스(530)의 드라이브의 중공 샤프트를 통해 연장된다. 공급 통로는 추가적으로, 회전 가능한 디바이스(530)의 바닥부 또는 중간 공간으로부터, 예를 들어, 주름진 호스(corrugated hose)와 같은 라인을 통해, 밀봉 디바이스(510)에 또는 그 내부에 제공되는 대기 박스로 연장될 수 있다. 대기 박스는 밀봉 디바이스(510)에 부착된 "백팩(back pack)"에 포함될 수 있다. 상기-언급된 피드 스루는, 밀봉 디바이스(510)에 또는 그 내부에 제공되는 대기 박스에 또는 그 내부에 제공될 수 있다. 예로서, 밀봉 디바이스(510)에 또는 그 내부에 제공되는 대기 박스는 피드 스루로서 구성될 수 있다. 공급 통로는 추가적으로, 밀봉 디바이스(510)에 또는 그 내부에 제공되는 대기 박스로부터, 연결 디바이스(520)를 통해, 증발기 제어 하우징으로 연장될 수 있다. 그런 다음에, 공급 통로는, 적어도 분배 파이프들(1006)을 회전시키도록 구성된 액츄에이터의 중공 샤프트를 통해, 증발기 제어 하우징으로부터 증발 소스(1000)로, 예를 들어, 증발 소스(1000)의 대기 박스로 연장될 수 있다.[0073] 일 실시예에 따르면, 디바이스들, 특히, 디바이스들 내부에 유기 재료들을 포함하는 디바이스들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 장치가 제공된다. 프로세싱 장치는 프로세싱 진공 챔버 및 재료를 위한 적어도 하나의 증발 소스를 포함하고, 적어도 하나의 증발 소스는 적어도 하나의 증발 도가니, 및 하나 또는 그 초과의 배출구들을 갖는 적어도 하나의 분배 파이프를 포함하며, 적어도 하나의 증발 도가니는 재료를 증발시키도록 구성되고, 적어도 하나의 분배 파이프는 적어도 하나의 증발 도가니와 유체 연통한다. 프로세싱 장치는, 증발 소스로의 매체 공급을 위해 구성된, 증발 소스에 또는 증발 소스 내부에 있는 대기 박스를 갖는다. 프로세싱 장치는, 대기 박스로부터, 프로세싱 장치의 외부의 대기로의 매체 공급을 위해 구성된 연결 디바이스를 더 포함한다. 예를 들어, 프로세싱 장치는 프로세싱 진공 챔버와 연결된 유지 진공 챔버를 더 포함한다. 연결 디바이스는 프로세싱 진공 챔버의 대기 박스로부터 유지 진공 챔버로의, 예를 들어, 유지 진공 챔버의 추가적인 대기 박스로의 대기 경로를 제공할 수 있다. 더 추가적인 선택적인 수정들에 따르면, 추가적인 대기 박스로부터 유지 진공 챔버의 외부, 즉, 프로세싱 장치의 외부로의 추가적인 대기 경로가 제공될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 본 개시물에서 설명되는 추가적인 변형들, 특징들, 양태들, 및 세부사항들은, 대기 박스를 포함하는 프로세싱 장치와 조합될 수 있다.[0074] 본 개시물의 양태에 따르면, 프로세싱 장치는 프로세싱 진공 챔버; 유기 재료 또는 무기(non-organic) 재료, 예를 들어, Ag, Mg, 등을 위한 적어도 하나의 증발 소스 ― 적어도 하나의 증발 소스는 적어도 하나의 증발 도가니, 및 하나 또는 그 초과의 배출구들을 갖는 적어도 하나의 분배 파이프를 포함하며, 적어도 하나의 증발 도가니는 유기 재료 또는 무기 재료, 예를 들어, Ag, Mg, 등을 증발시키도록 구성되고, 적어도 하나의 분배 파이프는 적어도 하나의 증발 도가니와 유체 연통함 ―; 및 프로세싱 진공 챔버와 연결된 유지 진공 챔버를 포함하고, 적어도 하나의 증발 소스는 프로세싱 진공 챔버로부터 유지 진공 챔버로 그리고 유지 진공 챔버로부터 프로세싱 진공 챔버로 이송될 수 있으며, 유지 진공 챔버와 프로세싱 진공 챔버의 연결부는 개구부를 포함하고, 개구부는 프로세싱 진공 챔버로부터 유지 진공 챔버로 그리고 유지 진공 챔버로부터 프로세싱 진공 챔버로의 적어도 하나의 증발 소스의 이송을 위해 구성되며, 프로세싱 장치는 개구부를 폐쇄하도록 구성된 밀봉 디바이스를 더 포함하고, 밀봉 디바이스는 적어도 하나의 증발 소스에 부착된다.[0075] 도 6a 내지 c는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증발 소스(1000)의 부분들을 도시한다. 도 6a에 도시된 바와 같이, 증발 소스(1000)는 분배 파이프(1006) 및 증발 도가니(1004)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 분배 파이프(1006)는, 제 1 가열 유닛(615)을 갖는 세장형 큐브(elongated cube)일 수 있다. 증발 도가니(1004)는, 증발될 유기 재료를 위한, 제 2 가열 유닛(625)을 갖는 용기(reservoir)일 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 분배 파이프(1006)는 라인 소스를 제공한다. 예를 들어, 복수의 개구부들 및/또는 배출구들, 예컨대, 노즐들은 적어도 하나의 라인을 따라 배열된다. 대안적인 실시예에 따르면, 적어도 하나의 라인을 따라 연장되는 하나의 세장형 개구부가 제공될 수 있다. 예를 들어, 세장형 개구부는 슬릿(slit)일 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 라인은 근본적으로 수직으로 연장된다. 예를 들어, 분배 파이프(1006)의 길이는 적어도, 본 실시예들의 프로세싱 장치에서 증착될 기판의 높이에 대응한다. 몇몇 경우들에서, 분배 파이프(1006)의 길이는 증착될 기판의 높이보다, 적어도 10% 만큼 또는 심지어 20% 만큼 더 길 수 있다. 기판의 상부 단부 및/또는 기판의 하부 단부에서의 균일한 증착이 제공될 수 있다.[0076] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 분배 파이프(1006)의 길이는 1.3m 또는 그 초과, 예를 들어, 2.5m 또는 그 초과일 수 있다. 일 구성에 따르면, 도 2a에 도시된 바와 같이, 증발 도가니(1004)는 분배 파이프(1006)의 하부 단부에 제공된다. 유기 재료는 증발 도가니(1004)에서 증발된다. 유기 재료의 증기는 분배 파이프(1006)의 바닥부에서 분배 파이프(1006)로 진입하고, 분배 파이프(1006)의 복수의 개구부들을 통해 근본적으로 측면으로(essentially sideways), 예를 들어, 근본적으로 수직인 기판을 향해 가이딩된다.[0077] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 배출구들(예를 들어, 노즐들)은, 수평으로 +- 20°인 주 증발 방향을 갖도록 배열된다. 몇몇 특정한 실시예들에 따르면, 증발 방향은 살짝 상방으로, 예를 들어, 수평 내지 15°상방, 예컨대, 3°내지 7°상방의 범위이도록 배향될 수 있다. 기판은 증발 방향에 대해 실질적으로 수직이 되도록 살짝 경사질 수 있으며, 원치 않는 입자 생성이 감소될 수 있다. 예시적인 목적들을 위해, 도 6a에서, 증발 도가니(1004) 및 분배 파이프(1006)는 열 차폐부들이 없이 도시된다. 예로서, 도 6a에 도시된 개략적인 사시도에서, 제 1 가열 유닛(615) 및 제 2 가열 유닛(625)을 볼 수 있다.[0078] 도 6b는, 분배 파이프(1006)가 증발 도가니(1004)에 연결된, 증발 소스(1000)의 부분의 확대된 개략도를 도시한다. 증발 도가니(1004)와 분배 파이프(1006) 사이에 연결을 제공하도록 구성된 플랜지 유닛(flange unit; 603)이 제공된다. 예로서, 증발 도가니(1004) 및 분배 파이프(1006)는, 예를 들어, 증발 소스의 동작을 위해 플랜지 유닛(603)에서 조립될 수 있거나 연결될 수 있고 분리될 수 있는 개별 유닛들로서 제공된다.[0079] 분배 파이프(1006)는 내측 중공 공간(610)을 갖는다. 분배 파이프(1006)를 가열하기 위해 제 1 가열 유닛(615)이 제공된다. 예로서, 분배 파이프(1006)는, 증발 도가니(1004)에 의해 제공되는 유기 재료의 증기가, 분배 파이프(1006)의 벽의 내측 부분에 응축되지 않도록 하는 온도로 가열될 수 있다. 둘 또는 그 초과의 열 차폐부들(617)이 분배 파이프(1006)의 관(tube) 주위에 제공된다. 열 차폐부들은 제 1 가열 유닛(615)에 의해 제공되는 열 에너지를 다시 내측 중공 공간(610)을 향하여 반사하도록 구성된다. 이를 고려하여, 분배 파이프(1006)를 가열하기 위해 요구되는 에너지, 즉, 제 1 가열 유닛(615)에 제공되는 에너지는 감소될 수 있는데, 이는, 열 차폐부들(617)이 열 손실들을 감소시키기 때문이다. 또한, 다른 분배 파이프들 및/또는 마스크 또는 기판으로의 열 전달이 감소될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 둘 또는 그 초과의 열 차폐부들(617)은 둘 또는 그 초과의 열 차폐 층들, 예를 들어, 다섯 또는 그 초과의 열 차폐 층들, 예컨대, 열개의 열 차폐 층들을 포함할 수 있다.[0080] 몇몇 예들에서, 도 6b에 도시된 바와 같이, 둘 또는 그 초과의 열 차폐부들(617)은, 분배 파이프(1006)에서의 배출구(612) 또는 개구부의 포지션들에서 개구부들을 포함한다. 도 6b에 도시된 증발 소스의 확대도는 4개의 개구부들 또는 배출구들(612)을 도시한다. 개구부들 또는 배출구들(612)은, 분배 파이프(1006)의 축에 대해 근본적으로 평행한 하나 또는 그 초과의 라인들을 따라 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 바와 같이, 분배 파이프(1006)는 선형 분배 샤워헤드로서 제공될 수 있고, 선형 분배 샤워헤드는, 예를 들어, 선형 분배 샤워헤드에 배치된 복수의 개구부들을 갖는다. 본원에서 이해되는 바와 같은 샤워헤드는, 예를 들어, 증발 도가니(1004)로부터 재료가 제공될 수 있거나 가이딩될 수 있는, 엔클로져, 중공 공간, 또는 파이프를 갖는다. 샤워헤드는, 샤워헤드 내에서의 압력이 샤워헤드의 외부에서보다 더 높도록, 복수의 개구부들(또는 세장형 슬릿)을 가질 수 있다. 예를 들어, 샤워헤드 내에서의 압력은, 샤워헤드의 외부에서보다 적어도 10배 더 높을 수 있다.[0081] 동작 동안, 분배 파이프(1006)는 플랜지 유닛(603)에서 증발 도가니(1004)에 연결된다. 증발 도가니(1004)는, 증발될 유기 재료를 수용하고 유기 재료를 증발시키도록 구성된다. 도 6b는 증발 도가니(1004)의 하우징을 통하는 단면을 도시한다. 예를 들어, 증발 도가니(1004)의 상부 부분에, 재충전 개구부가 제공되고, 재충전 개구부는, 증발 도가니(1004)의 엔클로져를 폐쇄하기 위한, 플러그(622), 덮개, 커버, 등을 사용하여 폐쇄될 수 있다.[0082] 외측 가열 유닛과 같은 제 2 가열 유닛(625)이, 증발 도가니(1004)의 엔클로져 내에 제공될 수 있다. 제 2 가열 유닛(625)은 적어도 증발 도가니(1004)의 벽의 부분을 따라서 연장될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 중앙 가열 엘리먼트들(626)이 제공될 수 있다. 도 6b는 2개의 중앙 가열 엘리먼트들을 도시한다. 중앙 가열 엘리먼트들(626)은, 전력을 중앙 가열 엘리먼트들(626)에 제공하기 위한 전도체들(629)을 포함할 수 있다. 몇몇 구현예들에 따르면, 증발 도가니(1004)는 차폐부(627)를 더 포함할 수 있다. 차폐부(627)는, 제 2 가열 유닛(625)에 의해, 그리고, 존재하는 경우에 중앙 가열 엘리먼트들(626)에 의해 제공되는 열 에너지를 다시 증발 도가니(1004)의 엔클로져 내로 반사하도록 구성될 수 있다. 증발 도가니(1004) 내에서의 유기 재료의 효율적인 가열이 제공될 수 있다.[0083] 몇몇 실시예들에 따르면, 도 6a 내지 6b와 관련하여 예시적으로 도시된 바와 같이, 분배 파이프(1006)의 하부 측에 증발 도가니(1004)가 제공된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 더 추가적인 실시예들에 따르면, 증기 도관(632)이, 분배 파이프(1006)에, 분배 파이프(1006)의 중앙 부분 또는 분배 파이프(1006)의 하부 단부와 분배 파이프(1006)의 상부 단부 사이의 다른 포지션에 제공될 수 있다. 도 6c는, 분배 파이프(1006), 및 분배 파이프(1006)의 중앙 부분에 제공된 증기 도관(632)을 갖는 증발 소스의 예를 예시한다. 유기 재료의 증기는 증발 도가니(1004)에서 생성되고, 증기 도관(632)을 통해 분배 파이프(1006)의 중앙 부분으로 가이딩된다. 증기는 복수의 개구부들 또는 배출구들(612)을 통해 분배 파이프(1006)를 빠져나간다. 분배 파이프(1006)는, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 관련하여 설명된 바와 같이, 지지부(1002)에 의해 지지된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 더 추가적인 실시예들에 따르면, 둘 또는 그 초과의 증기 도관들(632)은 분배 파이프(1006)의 길이를 따라 상이한 포지션들에 제공될 수 있다. 예로서, 증기 도관들(632)은 하나의 증발 도가니(1004)에 또는 몇몇의 증발 도가니들(1004)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 각각의 증기 도관(632)은 대응하는 증발 도가니를 가질 수 있다. 대안적으로, 증발 도가니(1004)는, 분배 파이프(1006)에 연결되는 둘 또는 그 초과의 증기 도관들(632)과 유체 연통할 수 있다.[0084] 본원에서 설명되는 실시예들은 대면적 기판들 상에서의 증발을 위해 활용될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 대면적 기판들은 적어도 0.67㎡의 크기를 가질 수 있다. 전형적으로, 크기는 약 0.67㎡(0.73 x 0.92m - 4.5세대) 내지 약 8㎡, 더 전형적으로 약 2㎡ 내지 약 9㎡ 또는 심지어 최대 12㎡일 수 있다. 예를 들어, 대면적 기판 또는 캐리어는, 약 0.67㎡ 기판들(0.73 x 0.92m)에 대응하는 4.5세대, 약 1.4㎡ 기판들(1.1m x 1.3m)에 대응하는 5세대, 약 4.29㎡ 기판들(1.95m x 2.2m)에 대응하는 7.5세대, 약 5.7㎡ 기판들(2.2m x 2.5m)에 대응하는 8.5세대, 또는 심지어, 약 8.7㎡ 기판들(2.85m x 3.05m)에 대응하는 10세대일 수 있다. 더욱 더 큰 세대들, 예컨대, 11세대 및 12세대 그리고 대응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다.[0085] 도 7은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 증발 소스를 프로세싱 진공 챔버로부터 유지 진공 챔버로 또는 유지 진공 챔버로부터 프로세싱 진공 챔버로 이송하기 위한 방법(700)의 흐름도를 도시한다.[0086] 본 개시물의 양태에 따르면, 방법(700)은, 블록(710)에서, 증발 소스의 증발 도가니 및 분배 파이프를, 프로세싱 진공 챔버와 유지 진공 챔버 사이에 제공되는 개구부를 통해, 프로세싱 진공 챔버로부터 유지 진공 챔버로 또는 유지 진공 챔버로부터 프로세싱 진공 챔버로 이동시키는 단계를 포함한다.[0087] 몇몇 구현예들에 따르면, 방법(700)은, 블록(720)에서, 프로세싱 진공 챔버에 배치된 증발 소스 지지 시스템의 트랙의 2개의 트랙 섹션들 중 제 1 트랙 섹션을 증발 소스의 증발 도가니 및 분배 파이프와 함께, 개구부를 통해, 프로세싱 진공 챔버로부터 유지 진공 챔버로 또는 유지 진공 챔버로부터 프로세싱 진공 챔버로 이동시키는 단계; 및/또는 증발 소스에 부착된 밀봉 디바이스에 의해 개구부를 밀봉하는 단계를 더 포함한다.[0088] 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 증발 소스를 프로세싱 진공 챔버로부터 유지 진공 챔버로 또는 유지 진공 챔버로부터 프로세싱 진공 챔버로 이송하기 위한 방법은 컴퓨터 프로그램들, 소프트웨어, 컴퓨터 소프트웨어 제품들 및 상호 관련된 제어기들을 사용하여 수행될 수 있고, 이들은, CPU, 메모리, 사용자 인터페이스, 및 대면적 기판을 프로세싱하기 위한 장치의 대응하는 컴포넌트들과 통신하는 입력 및 출력 디바이스들을 가질 수 있다.[0089] 전술한 내용은 본 개시물의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시물의 다른 그리고 추가적인 실시예들은, 본 개시물의 기본 범위로부터 벗어나지 않고 안출될 수 있으며, 본 개시물의 범위는 이하의 청구항들에 의해서 결정된다.	디바이스들, 특히, 디바이스들 내부에 유기 재료들을 포함하는 디바이스들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 장치가 설명된다. 프로세싱 장치는, 프로세싱 진공 챔버; 유기 재료를 위한 적어도 하나의 증발 소스 ― 적어도 하나의 증발 소스는 적어도 하나의 증발 도가니(evaporation crucible), 및 하나 또는 그 초과의 배출구들을 갖는 적어도 하나의 분배 파이프를 포함하고, 적어도 하나의 증발 도가니는 유기 재료를 증발시키도록 구성되며, 적어도 하나의 분배 파이프는 적어도 하나의 증발 도가니와 유체 연통함(fluid communication) ―; 및 프로세싱 진공 챔버와 연결된 유지 진공 챔버를 포함하고, 적어도 하나의 증발 소스는 프로세싱 진공 챔버로부터 유지 진공 챔버로 그리고 유지 진공 챔버로부터 프로세싱 진공 챔버로 이송될 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 커튼 에어백을 위하여 일체형으로 직조된 직물의 비용 효과적 이용COST-EFFECTIVE USE OF ONE-PIECE WOVEN FABRIC FOR CURTAIN AIRBAGS [ 기술분야 ] 본 발명은 자동차 안전에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 작은 중첩 및 경사 전방 충돌 및 측면 충돌 상황에서 보호를 제공하는 방법 및 팽창 가능 에어백 커튼에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 팽창 가능 안전 제한 장치 또는 에어백은 대부분의 신규 차량들에서 의무적이다. 에어백은 통상적으로 차량의 승객측 대쉬보드 및 차량 운전자측의 조향 휘일에 있는 에어백 모듈을 가진 시스템의 일부로서 설치된다. 사고의 경우에, 차량내의 센서는 비정상적인 감속을 측정하고 팽창기 안에 포함된 충전물의 점화를 촉발시킨다. 충전물로부터 팽창하는 기체는 도관을 통하여 이동하여 에어백을 채우는데, 에어백은 운전자 및 승객의 전방에서 즉각적으로 팽창하여 차량 내부와의 유해한 충격으로부터 운전자 및 승객을 보호한다. 통상적으로, 에어백은 정상적인 차량 운행중에는 보이지 않도록 차량 트림(vehicle trim) 내부에 감춰진다. 에어백 시스템들은 차량 내부의 측면과 승객 사이의 측방향 충격으로부터 유사한 보호의 필요성에 응답하여 개발되었다. 이것은 다른 차량이 차량의 측면과 충돌할 때 또는 전복 상황에서 발생될 수 있으며, 전복 상황에서는 차량의 측면이 지면에 반복적으로 충격된다. 측면 충격 에어백은 종종 "팽창 가능 커튼"으로 호칭된다. 많은 팽창 가능 커튼은 차량 루프가 측면 윈도우 및 필라(pillar)들과 만나는 모서리를 따라서 집어 넣어진다. 이러한 팽창 가능 커튼은 차량의 루프를 덮는 직물인, 헤드라이너(headliner)의 가장자리에서 헤드라이너 트림(headliner trim)의 뒤에 집어 넣어질 수 있다. 많은 정부들에 의해서 규제되는 최근의 안전 표준은 측면 또는 정면 충돌의 경우에 보다 포괄적인 보호를 필요로 한다. 더욱이, 제조 및 설치가 보다 경제적이고, 특징부들을 차량 내부에 위치시키려는 차량 제조자의 능력에 간섭되는 것이 회피되고, 신뢰성 있게 전개되는 것이 기대될 수 있는 에어백 시스템을 제공하려는 계속적인 필요성이 존재한다. 차량의 승객들은 전개시에 차량내의 그 어떤 다양한 위치들에도 있을 수 있으며, 따라서 점유자 위치의 가장 넓은 가능 범위에 걸친 충격에 대하여 보호하는 에어백 시스템을 제공하는 것이 소망스럽다. 현존의 일부 팽창 가능 커튼 디자인은 특정 충돌의 경우에, 예를 들어 전복 충돌의 경우에 적절한 보호를 제공하지 않는 것으로 관찰되었다. 전복 충돌의 경우에, 차량 점유자의 위치 및 궤적은 예측하기 곤란하다. 따라서, 순수하게 측면 충격에 대하여 보호하도록 설계된 공지의 팽창 가능 커튼은 가장 필요한 보호를 제공하는 적절한 위치에 있지 않을 수 있다. 결과적으로 에어백 시스템의 전개에도 불구하고, 내부 차량 표면과의 충격에 의한 상해 및/또는 차량으로부터 튀어나가는 것에 의한 상해를 받을 수 있다. 더욱이, 에어백의 비용, 복잡성 및 제조 시간을 감소시키는 것이 소망스럽다. 많은 에어백들은 에어백의 팽창 가능 챔버들을 한정하도록 함께 고정되는 재료의 층들로부터 만들어진다. 공지된 많은 에어백 디자인들은 실질적으로 폐기된 직물로 이루어지는 실질적으로 비팽창의 주위 영역을 가진다. 폐기된 직물은 에어백의 비용을 증가시키는데, 왜냐하면 과도한 직물이 구입 및 처리되어야 하기 때문이다. 더욱이, 다양한 에어백 시스템 구성 요소들이 사용될 수 있다. 그러한 구성 요소들은 다양한 줄(tether)을 포함하며, 줄은 에어백의 전개 및/또는 위치 선정 제어를 돕는다. 그러한 구성 요소들은 종종 에어백과 별도로 형성되어 추가적인 제조 단계들의 사용을 통해 에어백에 부착된다. 따라서, 이러한 액세서리들은 종종 에어백을 만드는데 필요한 비용 및 제조 시간을 현저하게 증가시킨다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명의 다양한 시스템 및 방법들은 당해 기술 분야의 현재 상태에 응답하여 개발되었으며, 특히 현재 이용 가능한 에어백 시스템 및 방법들에 의해 완전하게 해결되지 않았던 당업계의 필요성 및 문제점들에 응답하여 개발되었다. 따라서, 다양한 충돌 상황에서 차량 점유자를 위한 신뢰성 있는 보호를 제공하는 에어백 시스템 및 방법을 제공하는 것이 유리하다. 더욱이, 제조 및 설치 비용을 최소화시키는 것이 유리하다. 본 발명의 에어백 시스템 및 방법은 여기에 상세하게 기재하지 않은 다른 장점들을 가질 수 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기와 같은 것을 달성하도록, 그리고 여기에 광범위하게 설명되고 구현된 본 발명에 따라서, 에어백 조립체는 차량의 적어도 측방향 표면을 충격하는 것으로부터 차량 점유자를 보호하도록 차량내에 배치될 수 있다. 에어백 조립체는 보관 구성 및 전개 구성을 가지는 팽창 가능 커튼 에어백을 구비할 수 있고, 전개 구성에서 팽창 가능 커튼 에어백은 차량 점유자와 차량의 적어도 하나의 측방향 표면 사이에서 전개된다. 팽창 가능 커튼 에어백은 차량의 루프에 인접한 보관 구성 및 전개 구성을 가지는 팽창 가능 커튼 에어백을 구비할 수 있으며, 상기 전개 구성에서 팽창 가능 커튼 에어백은 차량 점유자와 차량의 적어도 하나의 측방향 표면 사이에서 아래로 전개되고, 팽창 가능 커튼 에어백은 주위 접합부에서 함께 고정되는 외측 직물 층 및 내측 직물 층을 포함하고, 주위 접합부는 상기 주위 접합부의 내측으로 제 1 챔버를 형성하고 상기 주위 접합부의 외측으로 비팽창 주위 영역을 형성한다. 팽창 가능 커튼 에어백은 제 1 단부 및 차량에 고정 가능한 제 2 단부를 구비한 줄을 더 포함할 수 있고, 상기 줄은 제 1 세그먼트 및, 상기 제 1 세그먼트의 위에 적어도 부분적으로 놓이는 제 2 세그먼트를 포함한다. 제 1 세그먼트 및 제 2 세그먼트 각각은 내측 직물 층과 단일 부재로서 형성된 제 1 직물 층 및, 외측 직물 층과 단일 부재로서 형성된 제 2 직물 층을 구비할 수 있다. 제 1 챔버는 팽창 가능 에어백 커튼을 보관 구성으로부터 전개 구성으로 움직이도록 팽창될 수 있다. 비팽창 주위 영역은 전개 구성에서 제 1 챔버의 후방에 위치된 후방 부분을 구비할 수 있다. 줄의 제 1 단부는 후방 부분에 위치될 수 있어서 전개 구성에서 줄이 팽창 가능 커튼 에어백에 후방으로의 텐션(tension)을 가한다. 줄의 제 1 및 제 2 세그먼트들은 비팽창 주위 영역의 인접한 부분들로부터 제거될 수 있다. 줄의 제 1 단부는 제 1 세그먼트에서 제 1 접음(fold)을 구비할 수 있고 제 2 세그먼트에서 제 2 접음을 구비할 수 있다. 제 1 접음 및 제 2 접음은 제 1 세그먼트 및 제 2 세그먼트가 서로의 위에 놓이게끔 위치시키도록 지향될 수 있다. 제 1 접음 및 제 2 접음은 비팽창 주위 영역의 인접한 부분들에 실질적으로 직각으로 줄을 위치시킬 수 있다. 줄의 제 1 단부는 제 1 및 제 2 세그먼트와 비팽창 주위 영역에 고정된 강화 패널을 더 가질 수 있다. 강화 패널은 비팽창 주위 영역으로부터 제거될 수도 있다. 에어백 조립체는 팽창기를 더 포함할 수 있다. 주위 접합부는 기체를 팽창기로부터 제 1 챔버로 운반하도록 위치된 팽창 도관을 더 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 에어백 조립체는 차량의 적어도 측방향 표면을 충격하는 것으로부터 차량 점유자를 보호하도록 차량의 루프에 인접하여 배치될 수 있다. 에어백 조립체는 차량의 루프에 인접한 보관 구성 및 전개 구성을 가지는 팽창 가능 커튼 에어백을 포함할 수 있고, 전개 구성에서 팽창 가능 커튼 에어백은 차량의 적어도 하나의 측방향 표면과 차량 점유자 사이에서 아래로 전개된다. 팽창 가능 커튼 에어백은 주위 접합부에서 함께 고정되는 내측 직물 층 및 외측 직물 층을 가질 수 있고, 주위 접합부는 상기 주위 접합부의 내측으로 제 1 챔버를 형성하고, 제 1 챔버의 전방으로 제 2 챔버를 형성하고, 주위 접합부의 외측으로 비팽창 주위 영역을 형성한다. 에어백 조립체는 제 1 단부 및 차량에 고정 가능한 제 2 단부를 가진 줄을 더 구비할 수 있다. 제 1 및 제 2 챔버들 각각은 팽창하여 팽창 가능 에어백 커튼을 보관 구성으로부터 전개 구성으로 움직일 수 있다. 비팽창 주위 영역은 전개 구성에서 제 1 및 제 2 챔버 위에 위치된 상부 부분을 가질 수 있다. 줄은 제 2 챔버 위의 상부 부분내에서 내측 직물 층과 단일 부재로서 형성된 제 1 직물 층 및, 제 2 챔버 위의 상부 부분내에서 외측 직물 층과 단일 부재로서 형성된 제 2 직물 층을 가질 수 있다. 제 2 챔버는 전개되는 동안 제 1 챔버에 대하여 피봇될 수 있다. 전개 구성에서, 줄은 제 1 챔버에 대한 제 2 챔버의 방위를 제어하도록 텐션을 가할 수 있다. 에어백 조립체는 팽창기를 더 포함할 수 있다. 주위 접합부는 비 팽창 주위 영역의 상부 부분을 전방 섹션 및 후방 섹션으로 분리하는 팽창 도관을 더 형성할 수 있다. 팽창 도관은 기체를 팽창기로부터 제 1 챔버로 운반하도록 위치될 수 있다. 줄은 비 팽창 주위 영역의 상부 부분의 전방 섹션으로부터 제거될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 에어백 조립체는 차량의 적어도 하나의 측방향 표면의 충격으로부터 차량 점유자를 차폐하도록 차량의 루프에 인접하게 배치될 수 있다. 에어백 조립체는 차량의 루프에 인접한 보관 구성 및 전개 구성을 가지는 팽창 가능 커튼 에어백을 구비할 수 있으며, 전개 구성에서 팽창 가능 커튼 에어백은 차량의 적어도 하나의 측방향 표면과 차량의 점유자 사이에서 아래로 전개된다. 팽창 가능 커튼 에어백은 주위 접합부에서 함께 고정된 내측 직물 층 및 외측 직물 층을 가질 수 있으며, 주위 접합부는 상기 주위 접합부 내측으로 제 1 챔버를 형성하고, 주위 접합부 외측으로 비팽창 주위 영역을 형성한다. 에어백 조립체는, 비팽창 주위 영역내에 있는 외측 직물 층 또는 비팽창 주위 영역내에 있는 내측 직물 층과 단일 부재로서 형성된 제 1 직물 층을 포함하는 직물 차폐부를 더 포함할 수 있다. 보관 구성에서, 제 1 직물 층은 팽창 가능 커튼 에어백의 길이 둘레에 적어도 부분적으로 감싸일 수 있다. 제 1 챔버는 팽창 가능 에어백 커튼을 보관 구성으로부터 전개 구성으로 움직이도록 팽창될 수 있다. 직물 차폐부는 팽창 가능 커튼 에어백의 길이 둘레에 완전하게 감싸일 수 있다. 제 1 직물 층은 내측 직물 층과 단일 부재로서 형성될 수 있다. 직물 차폐부는 외측 직물 층과 단일 부재로서 형성된 제 2 직물 층을 더 포함할 수 있다. 제 2 직물 층은 팽창 가능 커튼 에어백의 길이 둘레에서 적어도 부분적으로 감싸일 수 있다. 제 2 직물 층은 제 1 직물 층이 감싸이는 제 1 방향에 대향하는 제 2 방향으로 감싸일 수 있다. 보관 구성에서, 제 1 및 제 2 직물층들중 하나는 적어도 부분적으로 제 1 및 제 2 직물 층들중 다른 하나를 덮을 수 있다. 에어백 조립체는 복수개의 장착 조립체들을 더 포함할 수 있다. 장착 조립체들 각각은 차량에 고정 가능한 탭(tab) 및, 래퍼(wrapper)를 가질 수 있으며, 상기 래퍼는 전개될 때까지 팽창 가능 에어백 커튼을 보관 구성으로 유지하도록 직물 차폐부 및 팽창 가능 에어백 커튼 둘레를 감싼다. 에어백 조립체는 팽창기를 더 가질 수 있다. 주위 접합부는 팽창 도관을 더 형성할 수 있으며, 이것은 전개 구성에서 제 1 챔버 위에 위치된 비팽창 주위 영역의 상부 부분을 전방 섹션 및 후방 섹션으로 분리시킨다. 팽창 도관은 팽창기로부터 제 1 챔버로 기체를 운반하도록 위치될 수 있다. 직물 차폐부는 비팽창 주위 영역의 상부 부분의 후방 섹션으로부터 제거될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 에어백 조립체는 차량의 적어도 하나의 측방향 표면에 대한 충격으로부터 차량 점유자를 보호하도록 차량의 루프에 인접하게 배치될 수 있다. 에어백 조립체는 차량의 루프에 인접한 보관 구성 및 전개 구성을 가지는 팽창 가능 커튼 에어백을 포함할 수 있으며, 전개 구성에서 팽창 가능 커튼 에어백은 차량의 적어도 하나의 측방향 표면과 차량 점유자 사이에서 아래로 전개된다. 팽창 가능 커튼 에어백은 주위 접합부에서 함께 고정되는 내측 직물 층 및 외측 직물 층을 가질 수 있으며, 주위 접합부는 상기 주위 접합부의 내측으로 제 1 챔버 및 제 2 챔버를 형성하고, 상기 주위 접합부의 외측으로 비팽창 주위 영역을 형성한다. 팽창 가능 커튼 에어백을 보관 구성으로부터 전개 구성으로 움직이도록, 제 1 챔버는 팽창될 수 있고 제 2 챔버는 제 1 챔버의 전방으로 팽창될 수 있다. 전개 구성에서, 주위 접합부는, 제 1 챔버의 상부 경계를 한정하는 후방 섹션 및, 제 2 챔버의 상부 경계를 한정하는 전방 섹션을 가진 상부 부분을 가질 수 있다. 전개 구성에서, 전방 섹션은 후방 섹션으로부터 수직으로 오프셋(offset)될 수 있어서, 전방 섹션은 상기 전방 섹션에 인접한 후방 섹션의 일부 보다 높다. 차량은 A-필라(pillar), 상기 A 필라 아래에 연장된 윈도우 및, 윈도우 아래에 위치된 측방향 표면(lateral sruface)을 가질 수 있다. 전개 구성에서, 제 2 챔버는 윈도우를 가로지르고 제 2 챔버의 저부 부분이 측방향 표면과 나란히 위치되기에 충분한 깊이로 A 필라 아래에 연장될 수 있다. 전개 구성에서, 전방 섹션은 제 2 챔버의 저부 부분의 하방향 움직임을 강제하도록 차량의 루프에 맞닿을 수 있다. 에어백 조립체는 팽창기를 더 가질 수 있다. 주위 접합부의 후방 섹션은 기체를 팽창기로부터 제 1 챔버로 운반하도록 위치된 팽창 도관을 더 형성할 수 있다. 차량에 설치하기 전에, 팽창 도관 및 제 2 챔버는 제 1 챔버 위에 대략 같은 높이로 연장될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 에어백 조립체는 차량의 적어도 하나의 측방향 표면에 대한 충격으로부터 차량 점유자를 보호하도록 차량의 루프에 인접하게 배치될 수 있다. 에어백 조립체는 차량의 루프에 인접한 보관 구성 및 전개 구성을 가지는 팽창 가능 커튼 에어백을 구비할 수 있으며, 전개 구성에서 팽창 가능 커튼 에어백은 차량의 적어도 하나의 측방향 표면과 차량 점유자 사이에서 아래로 전개된다. 팽창 가능 커튼 에어백은 주위 접합부에서 함께 고정된 내측 직물 층 및 외측 직물 층을 가질 수 있고, 주위 접합부는 상기 주위 접합부의 내측으로 제 1 챔버 및 상기 제 1 챔버 전방의 제 2 챔버를 형성하고, 주위 접합부의 외측으로 비팽창 주위 영역을 형성한다. 에어백 조립체는 제 1 단부 및 차량에 고정 가능한 제 2 단부를 가진 줄을 더 포함할 수 있다. 줄은 비팽창 주위 영역내에 있는 내측 직물 층과 단일 부재로서 형성된 제 1 직물 층 및, 비팽창 주위 영역내에 있는 외측 직물 층과 단일 부재로서 형성된 제 2 직물 층을 가질 수 있다. 에어백 조립체는 비팽창 주위 영역내에 있는 외측 직물 층 및 비팽창 주위 영역내에 있는 내측 직물 층중 하나와 단일 부재로서 형성된 제 1 직물 층을 가진 직물 차폐부를 더 포함할 수 있다. 보관 구성에서, 제 1 직물 층은 팽창 가능 커튼 에어백의 길이 둘레에서 적어도 부분적으로 감싸일 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백을 보관 구성으로부터 전개 구성으로 움직이도록, 제 1 챔버가 팽창될 수 있고 제 2 챔버는 제 1 챔버의 전방으로 팽창될 수 있다. 전개 구성에서, 주위 접합부는 제 1 챔버의 상부 경계를 한정하는 후방 섹션 및, 제 2 챔버의 상부 경계를 한정하는 전방 섹션을 가진 상부 부분을 가질 수 있다. 전개 구성에서, 전방 섹션이 상기 전방 섹션에 인접한 후방 섹션의 일부 보다 더 높도록, 전방 섹션은 후방 섹션으로부터 수직으로 오프셋될 수 있다. 본 발명의 상기 설명 및 다른 특징들과 장점들은 다음의 상세한 설명 및 첨부된 청구 범위로부터 더욱 완전하게 명백해지거나 또는 여기에 기재된 에어백 시스템 및 방법의 예시적인 실시예들의 실시에 의해 이해될 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 발명의 예시적인 실시예들은 첨부된 도면을 참조하여 취해진 다음의 상세한 설명 및 첨부된 청구 범위로부터 보다 완전하게 명백해질 것이다. 도면들은 단지 예시적인 실시예들을 묘사한 것이며, 따라서 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않는다는 점을 이해하면서, 본 발명의 예시적인 실시예들은 첨부된 도면들의 사용을 통하여 추가적으로 상세하게 설명될 것이다. 도 1 은 본 발명의 예시적인 일 실시예에 따라서 차량 내부에 있는 보관 구성의 에어백 조립체에 대한 측면도이다. 도 2 는 도 1 의 에어백 조립체의 측면도로서, 팽창 가능 커튼 에어백이 전개 구성으로 도시되어 있다.도 3 은 도 1 의 에어백 조립체의 평면도로서, 팽창 가능 커튼 에어백은 전개 구성으로 도시되어 있다. 도 4 는 본 발명의 대안의 예시적인 실시예에 따라서 차량 안에 있는 보관 구성의 에어백 조립체의 측면도이다. 도 5 는 도 4 의 에어백 조립체의 측면도로서, 팽창 가능 커튼 에어백이 전개 구성으로 도시되어 있다. 도 6 은 도 4 의 에어백 조립체의 팽창 가능 커튼 에어백의 전방 부분의 측면도로서, 팽창 가능 커튼 에어백을 보관 구성으로 콤팩트하게 만들기 전이다. 도 7 은 도 4 의 에어백 조립체의 평면도로서, 팽창 가능 커튼 에어백은 전개 구성으로 도시되어 있다.도 8 은 본 발명의 다른 대안의 실시예에 따른 에어백 조립체의 팽창 가능 커튼 에어백의 전방 부분에 대한 측면도로서, 팽창 가능 커튼 에어백을 보관 구성으로 콤팩트하게 만들기 전이다. 도 9 는 본 발명의 다른 대안의 실시예에 따른 에어백 조립체의 팽창 가능 커튼 에어백의 후방 부분에 대한 측면도이다. 도 10 은 줄을 형성하는 제 1 접음 단계의 수행 이후에 도 9 의 팽창 가능 커튼 에어백의 후방 부분에 대한 측면도이다. 도 11 은 줄을 형성하는 제 2 접음 단계의 수행 이후에 도 9 의 팽창 가능 커튼 에어백의 후방 부분에 대한 측면도이다. 도 12 는 줄을 형성하는 제 3 접음 단계의 수행 이후에 도 9 의 팽창 가능 커튼 에어백의 후방 부분에 대한 측면도이다. 도 13 은 줄의 제 1 단부의 강화 이후에 도 9 의 팽창 가능 커튼 에어백의 후방 부분에 대한 측면도이다. 도 14 는 본 발명의 다른 대안의 실시예에 따른 에어백 조립체의 팽창 가능 커튼 에어백의 후방 부분에 대한 측면도이다. 도 15 는 직물 차폐부를 형성하는 제 1 접음 단계의 수행 이후에 도 14 의 팽창 가능 커튼 에어백의 정면도이다.도 16 은 팽창 가능 커튼 에어백에 장착 조립체를 부착한 이후에 도 14 의 팽창 가능 커튼 에어백의 정면도이다. 도 17 은 팽창 가능 커튼 에어백을 콤팩트하게 만들기 시작한 이후에 도 14 의 팽창 가능 커튼 에어백의 정면도이다. 도 18 은 팽창 가능 커튼 에어백을 콤팩트하게 만들고 팽창 가능 커튼 에어백을 차량에 부착한 이후에 도 14 의 팽창 가능 커튼 에어백의 배면도이다. 도 19 는 팽창 가능 커튼 에어백의 전개 동안에 도 14 의 팽창 가능 커튼 에어백의 배면도이다. 도 20 은 본 발명의 다른 대안의 실시예에 따른 에어백 조립체의 팽창 가능 커튼 에어백의 측면도이다. 도 21 은 도 20 의 팽창 가능 커튼 에어백을 전개 구성으로 도시한 측면도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명의 예시적인 실시예들은 도면을 참조하여 가장 잘 이해될 것이며, 도면에서 동일한 부분들은 동일한 도면 번호로 표시되어 있다. 전체적으로 도면에 도시되고 여기에 설명된 본 발명의 구성 요소들은 광범위하게 상이한 구성으로 구성되고 설계될 수 있다는 점이 용이하게 이해될 것이다. 따라서, 도 1 내지 도 21 에 표시된 바와 같은 본 발명의 장치, 시스템 및 방법의 실시예들에 대한 다음의 보다 상세한 설명들은 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 의도된 것이 아니고, 단지 본 발명의 예시적인 실시예들을 나타내기 위한 것이다. "연결되고", "결합되고" 및 "소통되고"는 2 개 또는 그 이상의 실체들 사이에서의 상호 연결의 임의 형태를 지칭하며, 기계적, 전기적, 자기적, 전자기적, 유체 및 열적 상호 작용을 포함한다. 구성 요소들은 서로 직접 접촉되지 않을지라도 서로 결합될 수 있다. "맞닿는"이라는 표현은 비록 물품들이 반드시 함께 부착되지 않을지라도 서로 직접 물리적으로 접촉된 물품들을 지칭한다. "유체 소통"은 하나의 특징부내에 있는 유체가 다른 특징부 안으로 지나갈 수 있도록 2 개의 특징부들이 연결된 것을 지칭한다. "예시적"이라는 용어는 전형적이거나 또는 대표적인 예 또는 경우로서의 역할을 의미하며, 특수하거나 또는 바람직한 것을 반드시 의미하지 않는다. 팽창 가능 에어백 시스템은 충돌 시나리오에서 점유자의 상해를 최소화시키도록 널리 이용된다. 에어백 모듈은 차량내의 다양한 위치들에 설치되며, 조향 휘일, 계기 패널, 측면 도어 또는 측부 좌석, 차량 루프 레일에 인접한 곳, 머리 위의 위치, 무릎 또는 다리 위치를 포함하여 설치되지만 그에 제한되지 않는다. 도 1 을 참조하면, 에어백 조립체(100)는 측면 충돌 또는 전복 충돌중에 차량의 승객을 보호하도록 이용될 수 있다. 차량은 차량의 길이를 따라서 지향된 길이 방향(101)을 가질 수 있고, 차량의 일 측부로부터 대향하는 측부로, 예를 들어 도 1 의 도면에서 지면의 안으로 그리고 밖으로 지향되는 측방향(lateral direction, 102) 및, 상방향과 하방향으로 지향되는 횡단 방향(103)을 가질 수 있다. "내측으로" 및 "외측으로"라는 용어는 측방향(102)을 따른 대상물의 위치를 지칭하도록 사용될 수 있다. "외측으로"는 차량의 측방향 평면에 대하여 제 2 대상물보다 상대적으로 인접한 대상물의 배치에 관한 것이며, 측방향 평면은 측방향(102)에 직각인 2 개의 평면들중 하나로서, 그중 하나는 차량의 좌측 종단에 거의 닿고, 다른 하나는 차량의 거의 우측 종단에 닿는다. "내측으로"는 차량의 중간 평면에 대하여 제 2 대상물보다 상대적으로 인접한 대상물의 배치에 관한 것이며, 상기 중간 평면은 차량을 2 개의 동등한 절반부로 양분하는 측방향(102)에 직각인 평면이다. "내측으로" 및 "외측으로"는 2 개의 대상물이 측방향(102)에서 정렬될 것을 필요로 하지 않는다; 오히려, 이러한 용어들은 위에서 설명된 바와 같이 단순히 측방향 평면 또는 중간 평면에 대한 인접함에 관한 것이다. "후방으로" 및 "전방으로"는 길이 방향(101)을 따른 대상물의 상대적인 위치에 관한 것이다. "전방으로"는 차량의 전방 평면에 대하여 제 2 목적물보다 상대적으로 인접한 목적물의 배치에 관한 것이며, 상기 전방 표면은 차량의 최전방 종단에 거의 닿는 길이 방향(101)에 직각인 평면이다. 마찬가지로, "후방으로"는 차량의 후방 평면에 대하여 다른 대상물보다 상대적으로 인접한 대상물의 배치에 관한 것이며, 후방 평면은 차량의 후방 종단에 거의 닿는 길이 방향(101)에 직각인 평면이다. 제 2 대상물의 "전방"에 있는 대상물은 길이 방향(101)에서 제 2 대상물과 정렬될 필요는 없다; 이는 단순히 제 1 대상물이 제 2 대상물보다 차량의 전방 평면에 더 인접한 것을 의미한다. 마찬가지로 "후방으로"라는 용어는 길이 방향(101)에서의 정렬을 필요로 하지 않는다. "측방향"이라는 용어는 측방향(102)에 관한 방향, 대상물 또는 표면을 지칭한다. 차량의 "측방향 표면"은 차량의 중간 평면을 전체적으로 (그러나 정확하게 꼭 그렇지는 않은) 향하는 차량의 내부 표면들이다. 에어백 조립체(100)는 팽창기(104), 튜브(106) 및, 팽창기(104)로부터 튜브(106)를 통하여 기체를 수용하는 팽창 가능 커튼 에어백(110)을 포함할 수 있다. 에어백 조립체(100)는 센서 및 제어 시스템(미도시)을 가질 수도 있으며, 이것은 충돌 또는 임박한 충돌을 검출하고 활성 신호를 팽창기(104)로 송신한다. 팽창기(104)는 꽃불 기술(pyrotechnic), 저장 기체 또는 콤비네이션 팽창기와 같은 몇가지 유형들중 하나일 수 있고, 단일 또는 다중 스테이지 팽창기일 수 있다. 팽창기(104)는 팽창 가능 커튼 에어백(110)에 대하여 임의의 적절한 위치에 저장될 수 있다. 만약 팽창기(104)가 꽃불 기술 팽창기라면, 팽창기(104)는 활성 신호의 수신에 응답하여 신속하게 팽창 기체를 발생시키도록 점화되는 추진제(propellant)를 포함할 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(110)은 차량내에서 길이 방향(101)을 따라서 연장될 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(110)은 차량의 루프 레일(roof rail, 112)에 결합될 수 있거나 또는 그 다음에 결합될 수 있다. 에어백 조립체(100)는 전방 줄(forward tether 108) 및 후방 줄( rear tether 109)을 포함할 수 있으며, 상기 줄들은 팽창 가능 커튼 에어백(110)의 전방 단부 및 후방 단부에 인접하게 각각 결합된다. 팽창 가능 커튼 에어백(110)의 팽창시에, 전방 줄(108) 및 후방 줄(109)은 텐션(tension)을 제공할 수 있으며, 이것은 팽창 가능 에어백(110)이 제 위치에 유지되는 것을 보조한다.충돌의 경우에, 팽창 가능 커튼 에어백(110)은 차량의 필라(pillar, 측방향 윈도우 및/또는 윈드실드와 후방 윈도우 사이의 구조체)와 측부 윈도우와 같은 차량의 하나 이상의 측방향 표면들과 차량의 승객들 사이에서 차량의 측부를 따라서 아래로 팽창할 수 있다. 필라는 A 필라(114), B 필라(116), C 필라(118)를 포함할 수 있고, 만약 존재한다면 D 필라(119)를 포함할 수 있으며, 이들 필라 모두는 그들의 상단부에서 루프 레일에 접합될 수 있다. 일부 실시예들에서, 팽창 가능 커튼 에어백은 차량의 A 필라로부터 C 필라까지 연장될 수 있다. 도 1 에 도시된 것과 같은 다른 실시예에서, 팽창 가능 커튼 에어백(110)은 차량의 A 필라(114)로부터 D 필라(119)까지 연장될 수 있다. 에어백 조립체(100)에 더하여, 다른 에어백들이 차량에 설치될 수 있다. 예를 들어, 별도의 운전자 측 에어백(도 1 에 미도시)이 사용되어 차량의 전방 표면들과의 충격으로부터 점유자(즉, 운전자)를 보호할 수 있으며, 차량의 전방 표면은 조향 휘일(121) 및 계기 패널(122)을 포함한다. 에어백 조립체(100)는 이전에 언급된 측방향 표면들에 대해서 충격을 완충시킬 뿐만 아니라, A 필라 및/또는 계기 패널(122)의 외측 부분(123)에 대한 충격을 완충시킴으로써, 보충적인 보호를 제공할 수 있다. 외측 부분(123)은 계기 패널(122)의 부분으로서 일반적으로 조향 휘일(121)의 외측에 놓인다. 팽창 가능 커튼 에어백(110)이 정상적으로는 보관 구성(stowed configuration)으로 놓일 수 있는데, 여기에서는 팽창 가능 커튼 에어백(110)이 차량의 내부 트림(trim) 뒤에 감춰지며, 예를 들어 측방향 헤드라이너 트림(headliner trim) 뒤에 감춰진다 (트림은 헤드라이너의 가장자리를 덮으며, 헤드라이너는 통상적으로 차량 지붕의 내부를 덮는 직물의 시트이다). 차량 안에 설치하기 전에, 팽창 가능 커튼 에어백(110)은 말림, 접힘 또는 그것의 조합에 의해서 보관 구성으로 집약화될 수 있어서, 팽창 가능 커튼 에어백(110)이 신장된 형상을 취하게 되며 그것의 단면 형상의 높이 또는 폭보다 훨씬 큰 길이로써 경로를 따라서 연장된다. 일단 보관 구성으로 콤팩트하게 되면, 팽창 가능 커튼 에어백(110)은 래퍼(wrapper), 패스너(fastener) 또는 그와 유사한 것의 사용을 통하여 보관 구성으로 보유될 수 있어서 설치 및 발송(shipping)을 용이하게 한다. 팽창 가능 커튼 에어백(110)은 루프 레일(112)에 인접하여 차량에 고정될 수 있다. 도 1 의 실시예에서, 일체화된 래퍼(wrapper) 및 패스너 시스템(fastening system)은 팽창 가능 커튼 에어백(110)의 길이를 따라서 분포된 복수개의 장착 조립체(120)의 형태로 제공될 수 있다. 장착 조립체(120)들 각각은 팽창 가능 커튼 에어백(110)에 고정된 탭(tab, 124), 탭(124)을 루프 레일(112)에 고정시키는 패스너(125) 및, 전개시에 팽창 가능 커튼 에어백(110)을 보관 구성으로 유지시키도록 팽창 가능 커튼 에어백(110)을 에워싸는 래퍼(wrapper, 126)를 포함할 수 있다. 대안의 실시예들에서, 상이한 장착 조립체들이 이용될 수 있다. 그러한 장착 조립체들은 팽창 가능 커튼 에어백과 일체로 형성된 탭들, 대안의 패스너 또는 유사물을 포함할 수 있다. 래퍼(126)는 모든 실시예들에 존재하지 않을 수 있다; 다른 실시예들은 팽창 가능 커튼 에어백을 콤팩트하게 유지하도록 상이한 부착 방법 또는 특징부들을 이용할 수 있다. 그러한 래퍼 또는 다른 특징부들은 팽창 가능 커튼 에어백을 차량에 고정시키는데 이용되는 장착 조립체들과 독립적일 수 있다. 도시된 바와 같이, 팽창 가능 커튼 에어백(110)은 루프 레일(112)에 고정된 제 1 보호 영역(130) 및, 필라(114)에 고정된 제 2 보호 영역(132)을 가질 수 있다. 따라서, 장착 조립체(120)는 팽창 가능 커튼 에어백(110)의 길이를 따라서 D 필라상에 있거나 그에 가까운 후방 위치로부터, A 필라(114)의 전방 단부에 인접한 전방 위치까지 배치될 수 있다. 활성화시에, 팽창기(104)는 팽창 기체를 튜브(106)로 발생 및/또는 배출시킬 수 있다. 튜브(106)로부터, 팽창 기체는 신속하게 팽창 가능 커튼 에어백(110)으로 진입할 수 있고, 그에 의해 팽창 가능 커튼 에어백(110)은 팽창되기 시작한다. 팽창에 응답하여, 래퍼(126)는 팽창 가능 커튼 에어백(110)을 배출시키도록 파괴될 수 있다. 따라서, 팽창 가능 커튼 에어백(110)은 보관 구성으로부터 빠져나가서 연장된 형상을 취한다. 이러한 과정은 "전개"로 호칭된다. 전개가 완료되면, 팽창 가능 커튼 에어백(110)은 전개 구성에 있는 것으로 지칭될 수 있으며, 이는 도 2 에 도시되고 설명되는 바와 같다. 도 2 를 참조하면, 사시도는 에어백 조립체(100)를 도시하며, 여기에서 팽창 가능 커튼 에어백(110)은 전개 구성으로 도시되어 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(110)은 팽창기(104) 및/또는 다른 선택적인 팽창기들의 활성화시에 팽창될 수 있어서, 팽창 가능 커튼 에어백(110)은 보관 구성으로부터 전개 구성으로 천이된다. 전개되는 동안, 래퍼(126)가 찢어질 수 있어서 팽창 가능 커튼 에어백(110)은 보관 구성으로부터 이탈될 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(110)은 또한 B 필라(116) 및 C 필라(118)를 지나서 연장될 수 있어서 팽창 가능 커튼 에어백은 도 2 에 도시된 바와 같이 전개 구성에서 적어도 부분적으로 B 필라(116) 및 C 필라(118)를 덮는다. 팽창 가능 커튼 에어백(110)은 또한 D 필라(119)의 일부를 덮을 수도 있다. 도 2 는 제 1 보호 영역(130) 및 제 2 보호 영역(132)의 위치 선정을 도시한다. 제 1 보호 영역(130)은 전체적으로 조향 휘일로부터 후방으로 차량의 측방향 표면을 덮는 반면에, 제 2 보호 영역(132)은 조향 휘일(121)의 전방으로 측방향 표면을 덮는다. 팽창 가능 커튼 에어백(110)은 상부 부분(134) 및 하부 부분(136)을 가질 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(110)은 전체적으로 직물 또는 얇은 폴리머와 같은 2 개 층의 유연성 재료로부터 형성될 수 있고, 내측 섹션(138) 및, 외측 섹션(139) 형태의 외측 직물 층(도 3 에 도시됨)을 포함할 수 있다. 내측 섹션(138) 및 외측 섹션(139)은 제 1 직물 층 및 제 2 직물 층을 각각 구성할 수 있다. 일 예에 따르면, 팽창 가능 커튼 에어백(110)은 전체적으로 직조된 나일론 직물로부터 만들어지지만, 다른 직물 또는 유연성 재료들이 이용될 수 있다. 내측 섹션(138) 및 외측 섹션(139)은 분리된 직물의 부재들일 수 있거나, 또는 함께 접혀진 직물의 단일 부재의 섹션들일 수 있다. 내측 섹션(138) 및 외측 섹션(139)은 도시된 바와 같이 예를 들어 주위 꿰맴(peripheral stitching, 144)을 통하여 주위 접합부에서 함께 고정될 수 있다. 대안으로서, 내측 섹션(138) 및 외측 섹션(139)은 패스너 고정(fastening), 접착제, 일체형 직조, RF 용접, 초음파 용접 또는 당해 기술 분야에서 공지된 임의의 다른 적절한 방법을 통해 함께 고정될 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(110)의 내측 섹션(138) 및 외측 섹션(139)은 제 1 보호 영역(130)내의 제 1 챔버(140) 및 제 2 보호 영역(132) 내의 제 2 챔버(142)를 형성할 수 있다. "챔버"는 동체 안에 있는 내부 공동으로서 정의될 수 있다. 제 1 챔버(140)는 충전 튜브(106)를 통하여 팽창기(104)로부터 팽창 기체를 수용할 수 있다. 제 2 챔버(142)는 제 1 챔버(140)로부터 팽창 기체를 수용할 수 있다. 도시된 바와 같이, 제 1 챔버(140)는 내부의 꿰맴(148)을 통하여 팽창 셀(inflation cells, 146)들로 분할될 수 있다. 도 3 을 참조하면, 팽창 가능 커튼 에어백(110)을 가진 에어백 조립체(100)가 전개 구성으로 평면도로서 도시되어 있다. 또한, 도 3 은 점유자 영역(160)을 도시하는데, 이것은 보통 차량 점유자의 머리에 의해 점유되거나, 또는 보다 상세하게는, 운전자의 머리에 의해 점유되며, 도 3 은 예시적인 운전자 측 에어백의 전개된 위치(162)를 도시한다. 또한, 도 3 은 차량에 대한 점유자 머리의 전방 궤적(170), 외측 궤적(172) 및, 전방 외측 궤적(174)을 도시한다. 전방 궤적(170)은 보통의(즉, 작지 않은 중첩 또는 경사진) 정면 충돌중에 머리가 점유자 영역(160)으로부터 움직이는 궤적이다. 외측 궤적(172)은 차량의 측면에 대한 충격과 같은 측면 충격 동안 머리가 점유자 영역(160)으로부터 움직이는 궤적으로서, 팽창 가능 커튼 에어백(110)은 차량의 측면을 따라서 팽창한다. 전방 외측 궤적(174)은 작은 중첩 또는 경사 충돌 동안 머리가 점유자 영역(160)으로부터 움직일 수 있는 궤적이다. 도시된 바와 같이, 전방 외측 궤적(174)은 작은 중첩(overlap) 또는 경사 충돌에 의해 야기된 차량의 회전으로부터 초래되고, 점유자의 머리를 조향 휘일(121)의 외측으로 움직여서 A 필라(114) 및/또는 계기 패널(122)의 외측 부분(123)에 충돌시키는 경향을 가질 수 있다. 일부 차량들은 조향 휘일(121)의 전방으로 연장된 도어를 가질 수 있으며, 따라서, 작은 중첩 또는 경사 충돌의 경우에 충격을 받을 수도 있는 도어 트림 또는 다른 도어 부분들을 가질 수 있다. 제 2 보호 영역(132)의 존재는 그러한 충격으로부터 머리를 보호하는 역할을 할 수 있다. 따라서, 제 2 보호 영역(132)은 전복 또는 작은 중첩 또는 경사 충돌의 경우에 에어백 조립체(100)가 향상된 보호를 제공할 수 있게 한다. 내부 꿰맴(148)의 배치에 따라서, 제 2 보호 영역(132)은 제 1 보호 영역(130)과 전체적으로 동시에 팽창될 수 있거나, 또는 제 1 보호 영역(130)의 팽창이 실질적으로 완료된 이후에만 팽창될 수 있다. 만약 내부 꿰맴(148) 또는 보다 상세하게는 내부 꿰맴(148)의 챔버 분할부(150)가 제 1 보호 영역(130)으로부터 제 2 보호 영역(132)으로의 팽창 기체 유동을 제한하도록 위치한다면, 제 2 보호 영역(132)의 팽창은 소망되는 정도로 지연될 수 있다. 제 1 보호 영역(132)은 차량의 다양한 내부 구조물과 상호 작용할 수 있으며, 예를 들어 A 필라(114), 계기 패널(122) 및 조향 휘일(121)과 상호 작용할 수 있다. 예를 들어, 제 2 보호 영역(132)은 전개되는 동안 이러한 구조물들중 그 어떤 것과도 부딪힐 수 있어서 어떤 마찰 맞물림을 제공하며, 이것은 점유자의 머리가 제 2 보호 영역(132)과 잠재적으로 충격되는 동안 제 2 보호 영역(132)이 제 위치에 유지되는 것을 보조한다. 에어백 조립체(100)는 사용시에 차량의 운전자 측에 도시되어 있다. 유사하게 구성된 (즉, 거울 이미지 또는 거울 유사 이미지) 에어백 조립체가 에어백 조립체(100)에 더하여 또는 그에 대안으로 차량의 승객측에서 이용될 수 있다. 그러한 에어백 조립체는 제 2 보호 영역(132)과 유사한 제 2 보호 영역을 가질 수 있어서 내부 표면들에 대한 충격으로부터 전방의 승객을 보호하며, 상기 내부 표면은 A 필라(114), 조향 휘일(121) 및, 계기 패널(122)의 외측 부분(123)에 해당한다. 예를 들어, 승객의 측부는 A 필라, 글로브 구획부(glove compartment), 대쉬보드 및/또는 계기 패널을 가질 수 있으며, 이들은 상기 제 2 보호 영역(132)에 의해 유리하게 덮일 수 있다. 에어백 조립체(100)의 구성은 단지 예시적이다. 팽창 가능 커튼 에어백들의 다양한 유형 및 구성들은 본 발명의 범위내에서 이용될 수 있다. 예를 들어, 대안의 실시예들에서, 팽창 가능 커튼 에어백들의 다양한 크기, 형상 및 비율들이 이용될 수 있다. 자동차 제조사는 차량내의 소망의 위치, 예상되는 충돌 유형 및 강도, 차량 점유자에 있을 수 있는 습관 및, 자동차 안전 기술의 당업자가 인식하는 임의의 다른 기준에 기초하여 그러한 대안의 실시예들로부터 선택할 수 있다. 도 1 내지 도 3 의 실시예들에서, 제 2 보호 영역(132)은 전체적으로 A 필라(114)에 부착된 트림내에 집어넣어져 있을 수 있다. 이것은 일부 차량에 적절할 수 있다. 그러나, 일부 실시예들에서, A 필라(114)에 고정되고 그리고/또는 집어넣어진 에어백 구조를 최소화시키도록 소망스러울 수 있다. 일부 차량들, 특히 콤팩트 카아(compact car)는 A 필라(114)에 부착된 트림 안에 매우 제한된 공간을 가질 수 있다. 더욱이, 전개하는 동안 A 필라 트림 요소들 또는 다른 구성 요소들이 차량 내부로 돌출될 위험성을 최소화시키는 것이 소망스러울 수 있다. 따라서, 대안의 실시예들에서, 제 2 보호 영역은 다른 곳에 저장될 수 있다. 도 4 를 참조하면, 본 발명의 대안의 예시적인 실시예에 따른 에어백 조립체(200)의 측면도가 도시되어 있으며, 팽창 가능 커튼 에어백(210)은 차량 안에서 보관 구성으로 도시되어 있다. 에어백 조립체(110)와 같이, 에어백 조립체(200)는 튜브(106)를 통해 팽창 가능 커튼 에어백(210)에 연결된 팽창기(104) 및, 전개시에 팽창 가능 커튼 에어백(210)을 제 위치에 유지하도록 텐션을 제공하게끔 협동하는 전방 줄(108) 및 후방 줄(tether, 109)을 포함할 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(210)은 복수개의 장착 조립체(120)를 통해 루프 레일(112)에 고정될 수 있고, 장착 조립체 각각은 탭(124), 패스너(125) 및 래퍼(wrapper, 126)를 포함할 수 있다. 이전의 실시예에서와 같이, 래퍼(126)는 팽창 가능 커튼 에어백(210)의 초기 팽창중에 파괴될 수 있어서 팽창 가능 커튼 에어백(210)의 전개를 허용한다. 팽창 가능 커튼 에어백(210)은 에어백 구성 요소들을 A 필라(114)에 부착 또는 저장하기 위한 필요성을 최소화시키도록 설계될 수 있다. 따라서, 조향 휘일(121)의 전방으로 전개되는 팽창 가능 커튼 에어백(210)의 부분들이, A 필라(114)상의 트림내에 저장되기보다는, 루프 레일(112)의 전방 부분에 인접하여 위치되는 디자인을 팽창 가능 커튼 에어백(210)이 가질 수 있다. 보다 상세하게는, 팽창 가능 커튼 에어백(210)이 조향 휘일(121)의 전체적으로 후방으로 전개되는 제 1 보호 영역(230) 및, 조향 휘일(121)의 전체적으로 전방으로 전개되는 제 2 보호 영역(232)을 가질 수 있다. 보관 구성에서, 제 2 보호 영역(232)은 뒤로 접혀질 수 있어서 제 1 보호 영역(230) 위에 놓인다. "위에 놓이는(overlie)" 것은 서로에 대하여 위치된 외측으로 향하는 표면들을 가진 2 개의 대상물을 지칭한다.따라서, 도 4 의 보관 구성에서의 팽창 가능 커튼 에어백(210)에 의해 형성된 패키지는 이전 실시예의 팽창 가능 커튼 에어백(110)의 패키지보다 루프 레일(112)의 전방 부분에 인접하여 다소 클 수 있다. 장착 조립체(12)들중 어느 것도 A- 필라(114)에 고정될 필요가 없다. 이것은 A 필라(114)가 전방 줄(108)을 제외하고 에어백 구성 요소들에서 자유롭게 한다. 이것은 A 필라(114)상의 트림 안에 저장된 재료의 크기를 최소화시킬 수 있다. 더욱이, 그러한 구성은 에어백 조립체(200)의 전개 동안에 A 필라의 트림 또는 A 필라로부터 에어백 구성 요소들이 돌출되는 위험성을 감소시킴으로써 에어백 조립체(200)의 전체적인 안전 수준을 향상시킬 수 있다. 본 발명의 대안의 실시예에서, 장착 조립체들중 오직 하나만이 (즉, 최전방의 장착 조립체) A 필라에 고정될 수 있다. 위에서 설명된 많은 장점들이 그러한 구성으로 얻어질 수 있으며, 특히 만약 A 필라 트림이 루프 레일과의 접합부를 향하여 큰 경우에 그러하며, 그에 의해 A 필라의 상부 단부에 많은 공간을 남긴다. 도 5 를 참조하면, 도 4 의 에어백 조립체(200)의 측면도가 도시되어 있는데, 팽창 가능 커튼 에어백(210)이 전개 구성으로 도시되어 있다. 전개는 도 1 내지 도 3 의 에어백 조립체(100)에 대한 설명에서 실질적으로 기재된 바와 같이 초기에 발생될 수 있다. 따라서, 도시된 바와 같이, 래퍼(126)가 개방되게 파열되어 팽창 가능 커튼 에어백(210)을 배출시킬 수 있고, 팽창 가능 커튼 에어백(210)은 아래로 연장되어 차량의 점유자들을 차량의 측방향 표면들에 대한 충격으로부터 보호할 수 있다. 도시된 바와 같이, 팽창 가능 커튼 에어백(210)은 일부 차이와 함께 전체적으로 팽창 가능 커튼 에어백(110)과 유사한 구성을 가진다. 팽창 가능 커튼 에어백(210)은 상부 부분(234) 및 하부 부분(236)을 가질 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(210)은, 예를 들어 주위의 꿰맴(244)으로써, 주위 접합부에서 상기 언급된 방법들중 임의의 것을 통하여 함께 고정된 내측 섹션(238) 및 외측 섹션(239)에 의해 형성될 수 있다. "주위 접합부"는 내측 요소 및 외측 요소가 내부 챔버를 형성하도록 그것에 의해 접합되는 그 어떤 특징부일 수 있다. 따라서, 주위 꿰맴(244)은 주위 접합부(peripheral juncture)의 많은 가능한 실시예들중 오직 하나일 뿐이다. 다른 실시예들은 초음파 용접 접합부, 일체형으로 직조된 접합부, 접착제 또는 화학적으로 접합된 접합부, 기계적으로 고정된 접합부, RF 용접된 접합부 및 유사한 것을 포함한다. 내측 섹션(238) 및 외측 섹션(239)은 각각 제 1 직물층 및 제 2 직물층을 구성할 수 있다. 내부의 꿰맴(248)은 주위 꿰맴(244)의 내부에 적용될 수 있다. 내측 섹션(238) 및 외측 섹션(239)은 제 1 보호 영역(230)내의 제 1 챔버(240) 및 제 2 보호 영역(232)내의 제 2 챔버(242)를 형성하도록 협동할 수 있다. 제 1 챔버(240) 및 제 2 챔버(242)의 경계는 주위 꿰맴(244) 및 내부 꿰맴(248)의 기하 형상에 의해 형성될 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(210)은 이전 실시예의 팽창 셀(146)과 같은 팽창 셀(cell)들을 가지지 않을 수 있지만, 대신에, 내부 꿰맴(248)에 의해 형성된 복수개의 비 팽창 영역(246)들을 가질 수 있다. 비팽창 영역(246)들은 차량 점유자로부터 충격이 있을 것 같지 않은 영역들에 인접하여 위치할 수 있거나, 줄 또는 다른 에어백 구성 요소를 부착하는 것이 소망스러운 영역들에 인접하여 위치될 수 있다. 그러한 부착은 팽창 가능 커튼 에어백(210)의 팽창을 방해하지 않으면서 내측 섹션(238) 및 외측 섹션(239)을 통하여 수행될 수 있기 때문에 비팽창 영역(246)에서 유리하게 이루어질 수 있다. 비팽창 영역(non-inflatable region, 246)은 또한 전개 구성에서 팽창 가능 커튼 에어백(210)의 체적을 감소시키는 역할을 함으로써, 필요한 팽창 기체의 양을 감소시키고, 따라서 팽창기(104)의 크기를 감소시킨다. 내부 꿰맴(248)의 챔버 분할부(250)는 제 1 보호 영역(230)과 제 2 보호 영역(232) 사이에 위치될 수 있고, 따라서 제 1 챔버(240)를 제 2 챔버(242)로부터 분리시킬 수 있다. 챔버 분할부(250)는 제 1 챔버(240)로부터 제 2 챔버(242)로의 팽창 기체의 유동을 제한할 수 있고, 따라서 일반적으로 제 2 보호 영역(232)의 팽창 이전에 제 1 보호 영역(230)이 팽창되게 할 수 있다. 제 2 보호 영역(232)은 훨씬 콤팩트(compact)할 수 있고, 전개되었을 때 상대적으로 좁을 수 있다는 점에서 제 2 보호 영역(232)은 이전 실시예의 제 2 보호 영역(132)과 매우 상이하다. 이것은 팽창 가능 커튼 에어백(210) 및, 특히 제 2 보호 영역(232)이 제 1 보호 영역(230)의 위에 놓이는, 팽창 가능 커튼 에어백(210)의 확대된 전방 부분이 루프 레일(112)을 위한 트림 안의 그것을 위해 제공된 공간 안으로 채워넣어지는 것을 보장하는데 도움이 될 수 있다. 전개되는 동안, 제 1 보호 영역(230) 및 제 2 보호 영역(232)의 팽창은 제 2 보호 영역(232)이 그것의 집어 넣어진 위치로부터 전방으로 전체적으로 피봇되게 하여 제 1 보호 영역(230)의 위에 놓이게 할 수 있다. 따라서, 제 2 보호 영역(232)은 그것이 측방향(102)으로 연장될 때까지 우선 내측으로 피봇될 수 있는데, 그곳에서 전체적으로 제 1 보호 영역(230)에 직각이다. 그 위치로부터 제 2 보호 영역(232)은 계속 전방으로 피봇될 수 있지만, 이제 외측으로 피봇될 수 있다. 억제되지 않고 두어진다면, 이러한 움직임은 제 2 보호 영역(232)이 전체적으로 제 1 보호 영역(230)과 평행할 때까지 계속될 수 있다. 만약 제 2 보호 영역(232)이 완전히 펼쳐지도록 허용되면, 즉, 제 1 보호 영역(230)에 전체적으로 평행할 때까지 외측으로 피봇된다면, 작은 중첩 충돌(overlap collision)의 경우에, 이것은 점유자의 충격을 방지하도록 더 이상 최적으로 위치되지 않을 수 있다. 보다 정확하게는, 그러한 위치가 도 3 도시된 전방 외측의 궤적(174)을 따라서 운전자의 머리가 움직이는 것을 허용할 수 있다. 따라서, 위에서 볼 때 제 1 보호 영역(230)에 대하여 180 °보다 작은 각도로 제 2 보호 영역(232)을 유지하기 위한 어떤 메카니즘을 제공하는 것이 소망스럽다. 이러한 각도는 도 7 에 보다 상세하게 도시될 것이다. 제 2 보호 영역(232)을 제 1 보호 영역(230)에 평행한 위치를 향해 외측으로 피봇시키는 것을 억제하도록 제한 부재가 이용될 수 있다. "제한 부재"는 대상물의 위치 및/또는 방위를 제한하는 역할을 하는 임의의 구조체로서 정의될 수 있다. 에어백 조립체(200)에서, 전개되는 동안 제한 부재는 제 2 보호 영역(232)의 외측으로의 움직임을 제한할 수 있다. 에어백 조립체(200)에서, 제한 부재는 줄(280)의 형태를 취할 수 있으며 제 1 단부(282)는 제 1 보호 영역(230)에 고정되고 제 2 단부(284)는 제 2 보호 영역(232)에 고정된다. 제 1 단부(282)는 제 1 보호 영역(230)의 상부 가장자리에 인접하게 고정될 수 있고, 제 1 보호 영역(230) 자체에 고정될 수 있거나, 또는 루프 레일(112)과 같은 차량의 일부에 고정될 수 있다. 도 5 에서, 제 1 단부(282)는 장착 조립체(120)들중 하나에 고정되고, 따라서 루프 레일(112)에 장착 조립체(120)의 탭(tab, 124)을 고정시키도록 이용된 패스너(fastener, 125)를 가지고 루프 레일(112)에 고정될 수 있다. 제 2 단부(284)는 제 2 보호 영역(232)의 상부 가장자리에 직접 고정될 수 있다. 대안의 예시적인 실시예들에서, 제한 부재는 다양한 구성들을 가질 수 있으며, 코드(cord) 또는 줄과 같은 유연성 부재들, 또는 레일, 브래킷등과 같은 경직된 부재들을 포함한다. 레일(미도시)은 쿠션에 연결된 링과 같은 미끄럼 요소를 가질 수 있고, 제 2 보호 영역(232)의 외측으로의 그리고/또는 전방으로의 움직임을 제한하도록 차량의 루프에 인접하게 고정될 수 있다. 브래킷(미도시) 또는 다른 단단한 정지부가 차량 루프로부터 아래로 전개되어 제 2 보호 영역(232)의 전방으로의 그리고/또는 외측으로의 움직임을 직접적으로 차단할 수 있다. 당업자는 제 2 보호 영역(232)의 전방으로의 그리고/또는 외측으로의 움직임을 제한하도록 많은 다른 대안의 장치들이 이용될 수 있다는 점을 인식할 것이다. 도 6 을 참조하면, 팽창 가능 커튼 에어백(210)을 보관 구성으로 만들기 전에, 도 4 의 에어백 조립체(200)의 팽창 가능 커튼 에어백(210)의 전방 부분의 측면도가 도시되어 있다. 도시된 바와 같이, 챔버 분할부(250)는 제 1 챔버(240)와 제 2 챔버(242) 사이에서 팽창 가능 커튼 에어백(210)의 대부분의 높이를 따라서 연장될 수 있다. 전방 줄(108)은 팽창 가능 커튼 에어백(210)에 고정된 제 1 단부(286) 및 차량에 고정될 수 있는 제 2 단부(288)를 가질 수 있다. 제 1 단부(286)는 챔버 분할부(250)에 고정될 수 있고, 보다 상세하게는, 챔버 분할부(250)의 나머지로부터 연장된 비팽창 영역(246)에 고정될 수 있다. 제 1 단부(286)는 꿰맴(287)을 통해 영역(246)에 고정될 수 있다. 제 2 단부(288)는 예를 들어 패스너(fastener, 미도시)의 사용을 통하여, A 필라(114)에 대한 제 2 단부(288)의 부착을 용이하게 하는 구멍(289) 또는 다른 특징부를 가질 수 있다. 챔버 분할부(250)는 자연적인 접음 선(fold line)으로부터도 형성될 수 있는데, 전개 구성에서, 팽창 가능 커튼 에어백(210)은 부분적으로 접혀진 상태로 유지될 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(210) 안의 팽창 기체의 압력과 팽창 가능 커튼 에어백(210)이 측방향(102) 외측으로 부푸는 방식은 팽창 가능 커튼 에어백(210)의 대부분의 영역들이 길이 방향 (10)으로부터 이탈하여 굽혀지는 것을 억제하는 경향을 가질 수 있기 때문에, 다른 위치에서 팽창 가능 커튼 에어백(210)을 접는 것은 곤란할 수 있다. 그러나, 챔버 분할부(250)는 팽창 가능 커튼 에어백(210)의 대부분의 높이를 따라서 연장되므로, 챔버 분할부(250)는 자연적인 접힘 선을 제공할 수 있다. 제 2 보호 영역(232)의 제 2 챔버(242)는 도시된 바와 같이 단일 챔버이다. 그러나, 본 발명의 사상으로부터 이탈하지 않으면서 제 2 챔버(242)가 다수의 챔버들로 분할될 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 예를 들어, 제 2 챔버(242)는 2 개의 인접한 챔버들로 분할될 수 있으며, 즉, 최전방 챔버 및 중간 챔버로 분할될 수 있다. 중간 챔버는 일측에 챔버 분할부(250)를 가질 수 있고, 다른 측에 최전방 챔버와 중간 챔버 사이의 분할부를 가질 수 있다. 중간 챔버 및 최전방 챔버를 가진 에어백 구성은 측면 도어, A 필라 및 계기 패널의 윤곽을 따라서 양호하게 정렬될 수 있다. 본 발명의 일 실시예는 차량 점유자가 A 필라에 충격되는 것을 완충시키도록 위치된 중간 챔버 및, 차량 점유자가 계기 패널에 충격되는 것을 완충시키도록 위치된 최전방 챔버를 가질 수 있다. 물론, 본 발명을 이해하는 당업자는 차량 점유자를 특정의 차량 구성에 대하여 보호하는 다수 챔버들을 이용하는 구성을 결정할 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(210)은 그것을 보관 구성으로 만들도록, 보관된(stowed) 접음 선(290)에서 접혀질 수 있다. 도 6 에 도시된 바와 같이, 보관된 접음 선(290)은 자연적인 접음 선(즉, 전개된 접음 선)과 같으며, 따라서 챔버 분할부(250)에 의하여 정의된다. 대안의 실시예들에서, 팽창 가능 커튼 에어백(210)은 상이한 위치에서 접힐 수 있으며, 즉, 챔버 분할부(250)의 전방 또는 후방에서 접힐 수 있다. 보관된 접음 선의 위치는 팽창 가능 커튼 에어백(210)의 전개 구성에 충격을 거의 주지 않을 수 있는데, 왜냐하면 챔버 분할부(250)는 전개 구성에서 접음이 위치되는 곳을 결정할 수 있기 때문이다. 전방 줄(108)의 제 1 단부(286)의 부착 위치는 제 2 보호 영역(232)에 소망되는 레벨의 텐션을 제공하도록 선택될 수 있다. 보다 상세하게는, 챔버 분할부(250)의 전방에 제 1 단부(286)를 고정시키는 것은 전방 줄(108)이 길이 방향(101)에서 제 1 보호 영역(230)에 대해서 뿐만 아니라, 제 2 보호 영역(232)에도 텐션을 가하게 할 수 있다. 그러한 텐션은 전개하는 동안 제 2 보호 영역(232)이 전방으로 피봇되는 것을 도움으로써 제 2 보호 영역(232)이 펼쳐지는 것을 도울 수 있을 뿐만 아니라, 제 2 보호 영역(232)이 제 1 보호 영역(230)에 평행하게 되는 위치를 향하여 제 2 보호 영역(232)을 당기도록 작용할 수도 있다. 위에 설명된 바와 같이, 이는 소망스러울 수 있다. 챔버 분할부(250)의 후방에 제 1 단부(286)를 고정시키는 것은 전방 줄(108)이 길이 방향(101)에서 오직 제 1 보호 영역(230)에만 텐션을 가하게 할 수 있다. 제 1 단부(286)를 직접적으로 챔버 분할부(250)상에, 또는 챔버 분할부(250)의 전방이지만 그에 인접하게 고정시키는 것은 전방 줄(108)이 제 2 보호 영역(232)에 일정 레벨의 텐션을 가하게 할 수 있지만, 짧은 모멘트 아암(moment arm)을 가짐으로써, 제 2 보호 영역(232)을 전방으로 피봇시키는 경향을 가지는 결과적인 모멘트는 상대적으로 작다. 따라서, 제 1 단부(286)의 부착 지점은, 작은 중첩, 경사 충돌 또는 전복 충돌의 경우에 보호를 제공하도록, 적절한 방위에서의 제 2 보호 영역(232)의 유지와 제 2 보호 영역(232)의 신속한 전개 사이에 소망의 균형을 달성하도록 주의 깊게 선택될 수 있다. 도 6 의 실시예에서, 제 1 단부(286)는 챔버 분할부(250)의 비팽창 영역(246)에 고정될 수 있는데, 이것은 챔버 분할부(250)의 나머지의 후방으로 전체적으로 연장된다. 따라서, 도 6 에 구성된 바와 같이, 전방 줄(108)은 제 2 보호 영역(232)에 길이 방향의 텐션을 가하더라도 거의 가하지 않을 수 있다. 줄(280)의 제 2 단부(284)는 예를 들어 꿰맴(285)을 통하여 제 2 보호 영역(232)의 상부 가장자리(294)에 고정될 수 있다. 제 2 단부(284)는 제 2 보호 영역(232)의 상부에서 주위 꿰맴(244)의 위에 고정될 수 있어서, 제 2 단부(284)를 제 2 보호 영역(232)에 고정시키는 꿰맴(285)은 제 2 보호 영역(232)의 팽창을 방해하지 않으면서 내측 섹션(238) 및 외측 섹션(239)을 통해 연장될 수 있다.제 2 단부(284)는 제 2 보호 영역(232)의 전방 가장자리(292) 및 전개된 접음 선 또는 챔버 분할부(250)로부터 대략 등거리의 위치에서 상부 가장자리(294)에 고정될 수 있다. 따라서, 제 2 단부(284)는 길이 방향(101)에서 제 2 보호 영역(232)의 중심에 전체적으로 인접한 위치에 고정될 수 있다. 이러한 위치는 줄 재료를 보존하는 것과 긴 모멘트 아암을 제공하는 것 사이의 균형을 제공할 수 있는데, 줄 재료의 보존은 챔버 분할부(250)에 인접한 부착에 유리하고, 긴 모멘트 아암의 제공은 점유자가 상대적으로 빠른 속도로 움직이는 경우에 제 2 보호 영역(232)을 제 위치에 유지시킨다. 제 2 보호 영역(232)을 너무 단단하게 제 위치에 유지시키는 것을 회피하도록 이러한 모멘트 아암을 완화시키는 것이 소망스러울 수 있다. 보다 상세하게는, 제 2 보호 영역(232)에 대한 점유자의 충격을 부드럽게 하도록, 제 1 보호 영역(230)에 평행한 위치를 향하여 제 2 보호 영역이 외측으로 피봇될 수 있는 일부 성능을 제공하는 것이 유리할 수 있다. 제 2 단부(284)의 위치는 제 2 보호 영역(232)의 위치에서 강성도(rigidity)와 유연성(flexibility) 사이의 최적 균형을 만들도록 주의 깊게 선택될 수 있다. 도 6 의 구성으로부터, 팽창 가능 커튼 에어백(210)은 줄(280)의 제 1 단부(282)를 그에 대응하는 장착 조립체(120)(즉, 도 6 에서 좌측에 있는 장착 조립체(120))에 부착하기 전에 적어도 부분적으로 콤팩트하게 될 필요가 있을 수 있으며, 왜냐하면 도시된 바와 같이 팽창 가능 커튼 에어백(210)이 평탄하게 펼쳐져 있으면서 상부 가장자리(294)상의 소망 위치와 장착 조립체(120)에 동시에 부착되기에는 줄(280)이 충분하게 길지 않을 수 있기 때문이다. 일 예에 따르면, 제 2 단부(284)가 도시된 바와 같이 상부 가장자리(294)에 고정되어 있으면서, 팽창 가능 커튼 에어백(210)은 보관된 접음 선(290)에서 내측으로 접혀질 수 있다. 따라서, 전방 가장자리(292)는 내측으로 또는 도 6 을 참조하여 페이지의 밖으로 가져갈 수 있고, 다음에 전방 가장자리(292)가 제 1 보호 영역(230)의 대응하는 영역 위에 놓일 때까지 후방으로 (또는 도 6 에서 좌측으로) 가져갈 수 있다. 접힘 선(290)은 다음에 팽창 가능 커튼 에어백(210)의 전방 가장자리일 수 있다. 줄(280)의 제 1 단부(282)는 장착 조립체(120)의 탭(124)에 고정될 수 있다. 대안으로서, 이것은 에어백 조립체(200)가 차량에 설치될 때 이루어질 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(210)이 길이 방향(101)에서 접힌 이후에, 팽창 가능 커튼 에어백(210)은 횡방향(103)에서 말리거나, 접히거나 또는 그렇지 않으면 콤팩트(compact)하게 될 수 있다. 이것은 보관 구성에서 팽창 가능 커튼 에어백(210)의 신장된 형상을 제공할 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(210)이 보관 구성에 있으면서, 장착 조립체(120)는 루프 레일(112)에 용이하게 고정될 수 있어서 팽창 가능 커튼 에어백(210)을 차량에 설치한다. 이전에 언급된 바와 같이, 장착 조립체(120)들중 아무 것도 A 필라(114)에 고정될 필요가 없다. 도 7 을 참조하면, 도 4 의 에어백 조립체(200)의 평면도가 도시되어 있으며, 여기에서 팽창 가능 커튼 에어백(210)은 전개 구성으로 도시되어 있다. 도시된 바와 같이, 제 2 보호 영역(232)은 제 1 보호 영역(230)으로부터 줄(230)에 의해 제한되는 범위로 펼쳐져 있다. 제 2 보호 영역(232)은 운전자 측의 에어백의 위치(162)와 제 1 보호 영역(230) 사이의 간극을 차단하도록 위치될 수 있다. 따라서 제 2 보호 영역(232)은 전체적으로 점유자 머리의 점유자 영역(160)과 A 필라(114)와 계기 패널(122)의 외측 부분(123) 사이에 위치될 수 있어서, 이러한 표면들에 대한 충격으로부터의 보호를 제공한다. 도시된 바와 같이, 팽창 가능 커튼 에어백(210)은 챔버 분할부(250)에서 접혀진 상태로 유지될 수 있으며, 이것은 팽창 가능 커튼 에어백(210)의 자연적인 접힘 선을 한정한다. 이전에 언급된 바와 같이, 팽창 가능 커튼 에어백(210)의 보관된 접음 선은 챔버 분할부(250)에 있을 수도 있지만, 대안의 실시예에서는 그럴 필요가 없다. 챔버 분할부(250)로부터 상이한 위치에서의 자연스런 접음 선은 전개된 팽창 가능 커튼 에어백의 구성에 영향을 미칠 수 있거나 미치지 않을 수 있다. 도 7 에 도시된 바와 같이, 제 2 보호 영역(232)은 제 1 보호 영역(230)에 대한 각도로써 펼쳐질 수 있다. 각도(296)는 줄(280)의 부착 위치 및 길이에 의해 결정될 수 있다. 각도(296)가 유리하게는 180 도 보다 작을 수 있다. 각도(296)는 110 도 내지 160 도의 범위에 속할 수 있다. 보다 정확하게는, 각도(296)가 120 도 내지 150 도의 범위내에 속할 수 있다. 더욱 정확하게는, 각도(296)가 130 도 내지 140 도 범위내에 속할 수 있다. 더욱 정확하게는, 각도(296)가 대략 135 도일 수 있다. 도 8 을 참조하면, 팽창 가능 커튼 에어백(310)을 보관 구성으로 콤팩트하게 만들기 전에, 본 발명의 대안의 실시예에 따라서 에어백 조립체의 팽창 가능 커튼 에어백(310)의 전방 일부를 도시하는 측면도가 나타나 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(310)은 길이를 따라서 배치된 복수개의 장착 조립체(320)를 가질 수 있어서 차량에 대한 팽창 가능 커튼 에어백(310)의 부착을 용이하게 한다. 장착 조립체(320)들 각각은 탭(tab)을 가질 수 있고, 선택적으로는 장착 조립체(120)들의 설명에서 설명된 것과 같은 다른 구성 요소들을 가질 수 있다. 소망된다면, 장착 조립체(320)들 모두가 A 필라(114)의 후방으로 고정될 수 있다. 대안으로서, 장착 조립체(320)들중 하나(즉, 최전방)가 루프 레일(112)에 인접한 A 필라(114)에 고정될 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(210)과 같이, 팽창 가능 커튼 에어백(310)은 제 1 보호 영역(330) 및, 상기 제 1 보호 영역(330)의 전방으로 펼쳐지는 제 2 보호 영역(332)을 가질 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(310)은 상부 부분(334), 하부 부분(336), 내측 섹션(338) 및 외측 섹션(339)(도 8 의 관점으로부터 이탈되게 향한다)을 가질 수 있다. 내측 섹션(338) 및 외측 섹션(339)은 제 1 직물층 및 제 2 직물층을 각각 구성할 수 있다. 내측 섹션(338) 및 외측 섹션(339)은 함께 고정될 수 있어서 제 1 보호 영역(330) 안의 제 1 챔버(340) 및, 제 2 보호 영역(332)내의 제 2 챔버(342)를 형성한다. 내측 섹션(338) 및 외측 섹션(339)은 예를 들어 주위 꿰맴(344)의 사용을 통하여, 주위 솔기에서 함께 고정될 수 있다. 내부 꿰맴(348)도 주위 꿰맴(344)의 내부에 적용될 수 있고, 하나 이상의 비팽창 영역(346)을 한정할 수 있다. 제 2 보호 영역(332)은 전방 가장자리(392), 상부 가장자리(394), 저부 가장자리(396) 및 후방 가장자리(미도시)를 가질 수 있다. 제 1 보호 영역(330) 및 제 2 보호 영역(332)은 챔버 분할부(350)에 의해 서로로부터 분리될 수 있으며, 챔버 분할부는 전체적으로 횡방향(103)을 따라서 연장된 비팽창 영역(346)에 의해 한정될 수 있다. 비팽창 영역(346)은 팽창 가능 커튼 에어백(310)의 높이의 실질적인 부분을 따라서 연장될 수 있다; 따라서, 비팽창 영역(346)은 전개된 접음 선을 형성할 수 있고, 전개 후에는 상기 접음 선 둘레에서 팽창 가능 커튼 에어백(310)이 부분적으로 접혀져서 유지될 수 있다. 보관된 접음 선(390)은 챔버 분할부(350)에 위치됨으로써, 보관된 접음 선(stowed fold line, 390)은 챔버 분할부(350)에 의해 정의된 전개 접음 선(deployed fold line)과 같을 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(310)은 전방 줄(308)을 통하여 차량에 고정될 수 있으며, 상기 줄은 예를 들어 꿰맴(387)을 통하여 챔버 분할부(350)에 인접하게 팽창 가능 커튼 에어백(310)에 고정된 제 1 단부(386) 및, 차량의 A 필라(114)에 고정될 수 있는 제 2 단부(388)를 가질 수 있다. 줄(380)의 형태인 제한 부재는, 이전 실시예의 줄(280)의 방식과 유사한 방식으로, 제 1 보호 영역(330)에 대하여 제 2 보호 영역(332)이 펼쳐지는 각도를 제어하도록 이용될 수 있다. 따라서 줄(380)은 장착 조립체(320)들중 하나에 고정될 수 있는 제 1 단부(382)를 가질 수 있는데, 상기 장착 조립체들중 하나는 예를 들어 팽창 가능 커튼 에어백(310)이 콤팩트하게 되기 이전, 또는 그 동안, 또는 그 이후의 적절한 시간의 제 2 최전방 장착 조립체(도 8 에서 가장 좌측의 장착 조립체)인 장착 조립체(320)와 같은 것이다. 줄(380)은 제 2 단부(384)를 가질 수도 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(310)은 몇가지 양상에서 팽창 가능 커튼 에어백(210)과 구분될 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(310)에서, 제 2 챔버(342)는 인접한 그것의 상단부로부터 채워질 수 있다. 따라서, 팽창 기체는 상부 가장자리(394)에 인접한 주위 꿰맴(344)과 챔버 분할부(350)의 비팽창 영역(346)의 상부 가장자리 사이에서 제 2 챔버(342) 안으로 유동할 수 있다. 제 2 챔버(342) 안으로의 기체 유동을 허용하는 통로는 상당히 넓을 수 있어서, 제 2 보호 영역(332)이 신속하게 팽창할 수 있게 한다. 제 2 보호 영역(332)은 제 1 보호 영역(330)의 팽창과 동시에 팽창될 수 있거나, 또는 그들 사이에 오직 짧은 지연만을 가지면서 팽창할 수 있게 한다. 더욱이, 챔버 분할부(350)를 형성하는 비팽창 영역(346)은 이전 실시예의 챔버 분할부(250) 보다 길이 방향(101)을 따라서 현저하게 넓을 수 있다. 이것은 전개되는 동안 팽창 가능 커튼 에어백(310)이 소망의 각도(예를 들어 이전의 실시예와 관련하여 도시된 각도(296))로 챔버 분할부(350)에서 접혀져서 유지되는 것을 도울 수 있으며, 왜냐하면 챔버 분할부(350)에 인접한 제 2 보호 영역(332)의 부분이 제 1 보호 영역(330)의 대응하는 부분과 연계되기 전에 제 1 보호 영역(330) 및 제 2 보호 영역(332)이 각각 팽창될 수 있는 충분한 공간을 가질 수 있기 때문이다. 그러한 연계는 제 1 보호 영역(330)에 평행한 방위로 제 2 보호 영역(332)을 강제할 수 있다. 챔버 분할부(350)의 폭은 제 2 보호 영역(332)이 제 1 보호 영역(330)에 대하여 최적의 위치 및/또는 각도에서 유지될 수 있게 보장하는 것을 돕기 위하여 줄(380)과 협동하여 작용할 수 있다. 또한, 챔버 분할부(350)의 저부 단부에 인접한 주위 꿰맴(344)의 기하 형상은 제 2 보호 영역(332)과 제 1 보호 영역(330) 사이의 소망되는 각도를 가지고 팽창 가능 커튼 에어백(310)의 전개를 용이하게 할 수도 있다. 챔버 분할부(350)의 저부 단부에 인접한 주위 꿰맴(344)의 만곡은 팽창 가능 커튼 에어백(310)의 저부 단부에 인접한 챔버 분할부(350)를 넓히는 역할을 할 수 있고, 전개 과정 동안 챔버 분할부(350)의 저부 부분에 존재하는 길이 방향 텐션을 경감시키는데 도움이 될 수 있다. 이것은 제 2 보호 영역(332)이 제 1 보호 영역(330)에 대하여 적절한 각도로 유지되는 것을 더 허용할 수 있다. 본 발명에 따르면, 재료 절감 원칙들이 다양한 에어백 구성 요소들을 직물로부터 형성하는데 이용될 수 있으며, 그렇지 않으면 에어백 구성 요소를 형성하는데 낭비될 수 있다. 일부 에어백들은 2 개의 직물 시트를 함께 꿰매어서 형성된다. 통상적으로, 대형 시트들이 이용된다; 시트들의 각각의 쌍은 다수의 에어백들로 절단될 수 있다. 에어백들은 완전한 사각 형상이 아니기 때문에, 인접한 에어백들 사이의 상당한 직물이 과정중에 낭비될 수 있다. 본 발명은 가외의 직물이, 특히 에어백 주위에서 발견되는 직물이 에어백 액세서리를 형성하는데 이용될 수 있는 방법을 제공하는데, 통상적으로는 에어백 액세서리들이 분리된 직물 단편들로부터 만들어진다. 그러한 액세서리들은 줄, 강화 부재, 직물 쉴드(fabric shield), 세일 패널(sail panel), 부착 탭(attachment tab) 및, 다양한 다른 품목들을 포함할 수 있으며, 이들은 에어백의 설치 및/또는 전개를 용이하게 하는데 이용될 수 있다. 도 8 의 실시예를 참조하면, 팽창 가능 커튼 에어백(310)은 주위 꿰맴(344)의 외측에 위치하는 주위 영역(352) 또는 비팽창 주위 영역을 가질 수 있다. 주위 영역(352)은 제 1 챔버(340) 및 제 2 챔버(342)로부터 주위 꿰맴(344)의 대향측상에 놓일 수 있고, 따라서 팽창 기체를 포함할 필요가 없다. 내측 섹션(338) 및 외측 섹션(339)은 주위 영역(352)내에서 함께 고정될 수 있거나, 또는 주위 영역(352)에서 전체적으로 부착되지 않고 두어질 수 있다. 주위 영역(352)은 상부 부분(354), 저부 부분(356), 전방 부분(358) 및 후방 부분(미도시)을 가질 수 있다. 주위 꿰맴(344)은 상부 부분(364), 저부 부분(366), 전방 부분(368) 및, 후방 부분(미도시)을 가질 수도 있다. 상부 부분(354)은 전체적으로 상부 부분(364)의 위에 놓일 수 있고, 저부 부분(356)은 전체적으로 저부 부분(364)의 아래에 놓일 수 있고, 전방 부분(358)은 전체적으로 전방 부분(368)의 전방에 놓일 수 있다. 마찬가지로, 주위 영역(352)의 후방 부분은 전체적으로 주위 꿰맴(344)의 후방 부분의 후방에 놓일 수 있다. 줄(380)은 주위 영역(352)의 상부 부분(354)의 직물로부터 절단될 수 있다. 따라서, 도시된 바와 같이, 줄(380)은 상부 부분(354)과 단일 부재로서 형성될 수 있다. 줄(380)의 주 동체는 슬릿(372)에 의해 주위 영역(352)의 상부 부분(354)의 나머지로부터 분리될 수 있다. 슬릿(372)은 줄(380)의 제 2 단부(384)에 미치지 못하여 끝남으로써, 주위 영역(352)의 상부 부분(354)은 제 2 단부(384)에서 줄(380)에 접합되고 단일체로 유지될 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(310)은 내측 섹션(338) 및 외측 섹션(339)의 재료를 절단하거나 또는 그렇지 않으면 분리하여 팽창 가능 커튼 에어백(310)의 가장자리들을 한정함으로써, 즉, 전방 가장자리(392), 상부 가장자리(394), 저부 가장자리(396) 및 후방 가장자리(미도시)를 한정함으로써 형성될 수 있다. 이러한 프로세스는 팽창 가능 커튼 에어백(310)의 프로파일을 한정할 수 있다. 다음에, 동일하거나 또는 상이한 절단 또는 다른 분리 과정이 이용되어 슬릿(372)을 형성할 수 있으며, 그에 의해 상부 부분(354)의 나머지와는 다른 줄(380)을 형성한다. 대안의 실시예들에서, 그러한 줄의 양 단부가 선택적으로는 별도 직물 부재(미도시)의 부착을 통하여 또는 줄의 일부를 자체 위로 접음으로써 강화될 수 있다. 예를 들어, 그러한 줄(미도시)은 2 중 길이 또는 2 중 폭을 가지고 형성될 수 있고, 다음에 뒤로 접혀져서 자체의 위에 놓인다. 이것은 슬릿의 형성 이전 또는 이후에 이루어져서 줄을 주위 영역으로부터 분리시킬 수 있다. 그러한 방법은 줄의 전체 길이에 적용되어 전체 길이를 강화시킬 수 있거나, 또는 선택적으로, 단부들 양쪽 또는 어느 한쪽에만 적용되어 부착 지점들 및/또는 스트레스 집중 부위들을 강화시킬 수 있다. 다른 선택으로서, 플레이트, 패스너(fastener) 등과 같은 더 단단한 요소들이 상기 줄을 강화시키도록 적용될 수 있다. 도 8 의 팽창 가능 커튼 에어백(310)에 적용되는 원리는 다양한 에어백 및 줄의 구성들에 적용될 수 있다. 예를 들어, 주위 영역과 일체화된 상부 줄의 사용에 더하여 또는 그에 대한 대안으로서, 팽창 가능 커튼 에어백에서 텐션을 유지하도록 설계된 전방 및/또는 후방 줄은 팽창 가능 커튼 에어백의 가장자리들에 존재하는 과잉의 직물로부터 단일 부재로서 형성될 수 있다. 도 9 를 참조하면, 본 발명의 다른 대안의 실시예에 따른 에어백 조립체(400)의 팽창 가능 커튼 에어백(410)의 후방 일부의 측면도가 도시되어 있다. 이전의 실시예들과 같이, 팽창 가능 커튼 에어백(410)은 차량(미도시)의 루프 레일에 인접하여 고정되어서 차량 측방향 표면에 대하여 충격으로부터 하나 이상의 차량 점유자들을 보호한다. 팽창 가능 커튼 에어백(410)은 복수개의 장착 조립체(420)들의 사용을 통하여 차량에 고정될 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(410)은 소망의 충격 보호를 제공하도록 팽창되는 적어도 제 1 보호 영역(430)을 가질 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(410)은 상부 부분(434) 및 하부 부분(436)을 가질 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(410)은 제 1 및 제 2 직물 층들로부터 형성될 수 있으며, 이것은 내측 섹션(438) 및 외측 섹션(439)일 수 있다. 내측 섹션(438) 및 외측 섹션(439)은 제 1 보호 영역(430) 안에 제 1 챔버(440)를 한정할 수 있다. 제 1 챔버(440)는 내측 섹션(438)을 외측 섹션(439)에 고정하는 주위 접합부(peripheral juncture)에 의해 한정될 수 있다. 주위 접합부는 다양한 부착 방법들 및 구성들로 형성될 수 있고, 이것은 꿰맴, 일체형 직조(weaving), RF 용접, 초음파 용접, 기계적 고정(mechanical fastening), 접착제 접합, 화학적 접합등을 포함한다. 도 9 에서, 주위 접합부는 팽창 가능 커튼 에어백(410)의 주위를 전체적으로 에워싸는 주위 꿰맴( peripheral stitching, 444)의 형태를 취할 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(410)은 주위 꿰맴(444)에 의해 한정된 공간 안에 위치된 하나 이상의 비팽창 영역(446)을 가질 수도 있다. 비팽창 영역(446)은 내부 꿰맴(448)에 의해서 한정될 수 있거나 또는 대안으로서, 상이한 형태의 부착에 의해서 한정될 수 있으며, 그에 의하여 내측 섹션(438) 및 외측 섹션(439)은 주위 꿰맴(444)에 의해 한정된 공간내에서 함께 고정된다. 주위 꿰맴(444)은 주위 꿰맴(444) 외측에 위치된 주위 영역(452)을 형성할 수도 있다. 주위 영역(452)내에서, 내측 섹션(438) 및 외측 섹션(439)이 함께 고정될 수 있거나, 또는 부착되지 않고 두어질 수 있다. 주위 영역(452)은 상부 부분(454), 저부 부분(456), 전방 부분(미도시) 및, 후방 부분(460)을 가질 수 있다. 주위 꿰맴(444)은 마찬가지로 상부 부분(464), 저부 부분(466), 전방 부분 및 후방 부분(470)을 가질 수 있다. 상부 부분(454)은 전체적으로 상부 부분(464)의 위에 위치될 수 있고, 저부 부분(456)은 전체적으로 저부 부분(466)의 아래에 위치될 수 있고, 후방 부분(460)은 전체적으로 후방 부분(470)의 후방에 위치될 수 있다. 에어백 조립체(400)는 후방 줄로서 작용하는 줄(480)을 가질 수도 있으며, 이것은 전방 줄(미도시)과 협동하여 팽창 가능 커튼 에어백(410)상에 텐션을 유지시켜서 전개 이후에 팽창 가능 커튼 에어백(410)을 제 위치에 유지시킬 수 있다. 줄(480)은 팽창 가능 커튼 에어백(410)을 형성하는 외측 섹션(439) 및 내측 섹션(438)과 단일의 부재로서 형성될 수 있다. 보다 정확하게는, 줄(480)은 후방 부분(460)내에 이미 존재하는 과잉의 직물로부터 주위 영역(452)의 후방 부분(460)에 형성될 수 있다. 줄(480)은 서로의 위에 놓이도록 궁극적으로 함께 고정될 제 1 세그먼트(482) 및 제 2 세그먼트(484)로부터 형성될 수 있다. 제 1 세그먼트(482) 및 제 2 세그먼트(484) 각각은 제 1 단부(486) 및 제 2 단부(488)를 가질 수 있다. 제 1 세그먼트(482) 및 제 2 세그먼트(484) 각각의 제 1 단부(486)는 주위 영역(452)의 후방 부분(460)과 일체로 유지될 수 있고, 각각의 제 2 단부(488)는 차량(미도시)에 고정될 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(410)은 직물의 큰 시트들로부터 형성될 수 있는데, 이것은 절단되거나 또는 그렇지 않으면 큰 시트의 나머지로부터 분리될 수 있어서 내측 섹션(438) 및 외측 섹션(439)을 형성한다. 후방 부분(460)은 인접한 직물로부터 절단되거나 또는 그렇지 않으면 분리된 후방 가장자리(490)를 가질 수 있어서 도 9 에 도시된 윤곽을 한정하며, 따라서 제 1 세그먼트(482) 및 제 2 세그먼트(484) 각각의 일측을 한정한다. 제 1 세그먼트(482)의 다른 측은 제 1 슬릿(472)에 의해 한정될 수 있고, 제 2 세그먼트(484)의 다른 측은 제 2 슬릿(474)에 의해 한정될 수 있다. 제 1 세그먼트(482) 및 제 2 세그먼트(484)의 각각의 제 2 단부(488)가 확대된 형상을 가지는 것이 소망스러울 수 있으며, 이는 차량에 대한 부착을 용이하게 하고, 그리고/또는 만약 부착을 용이하게 하도록 제 2 단부(488)에 구멍이 형성된다면 존재할 수 있는 응력 집중을 보상하는 높은 강도를 제공한다. 제 2 세그먼트(484)의 제 2 단부(488)의 확대된 형상이 후방 가장자리(490)의 윤곽에 의해 한정되기 때문에, 제 2 슬릿(474)은 도시된 각도 형성(angulation)과 함께 실질적으로 직선으로 연장될 수 있다. 제 1 슬릿(472)은 직선, 곡선 및 각도의 조합으로 연장될 수 있어서 제 1 세그먼트(482)의 제 2 단부(488)의 확대된 형상을 한정한다. 제 1 세그먼트(482) 및 제 2 세그먼트(484)의 제 1 단부(486)들에 접근할 때, 제 1 슬릿(472) 및 제 2 슬릿(474)은 서로에 미치지 못하여 끝나게 되어 분리되지 않은 부분(476)을 남기게 되며, 그에 의하여 제 1 세그먼트(482) 및 제 2 세그먼트(484)는 주위 영역(452)의 후방 부분(460)에 부착되어 일체로 유지된다. 제 1 슬릿(472) 및 제 2 슬릿(474)의 인접한 단부들은 수직으로 정렬될 수 있다. 제 1 세그먼트(482) 및 제 2 세그먼트(484)는 도시된 바와 같이 주위 영역(452)의 후방 부분(460)의 인접한 부분들로부터 형성될 수 있다. 이전에 언급된 바와 같이, 제 1 세그먼트(482) 및 제 2 세그먼트(484)는 서로의 위에 놓이도록 접혀질 수 있다. 이러한 것이 이루어질 수 있는 한가지 방식은 다음과 같이 도 10, 도 11 및 도 12 와 관련하여 설명되고 도시될 것이다. 도 10 을 참조하면, 줄(480)을 형성하는 제 1 접음 단계의 수행 이후에 도 9 의 팽창 가능 커튼 에어백(410)의 후방 부분을 나타내는 측면도가 도시되어 있다. 보다 상세하게는, 제 1 슬릿(472) 및 제 2 슬릿(474)이 형성된 이후에, 제 1 세그먼트(482) 및 제 2 세그먼트(484)가 비분리 부분(unsevered portion, 476)에서만 주위 영역(452)의 후방 부분(460)의 나머지에 부착될 수 있다. 이전에 언급된 바와 같이, 제 1 슬릿(472) 및 제 2 슬릿(474)의 인접한 단부들은 수직 오프셋(vertical offset)에 의해 분리될 수 있으며, 이것은 비분리 부분(476)에 걸쳐 있을 수 있다. 비분리 부분(476)은 따라서 전체적으로 수직의 접음 선을 한정할 수 있으며, 접음 선에서 제 1 세그먼트(482) 및 제 2 세그먼트(484)는 전방으로 접혀질 수 있어서 도 10 에 도시된 구성을 획득한다. 제 2 세그먼트(4842)는 전체적으로 수직으로 연장될 수 있지만, 제 1 세그먼트(482)의 제 2 단부(488)는 도 9 에서 전체적으로 전방으로 각도가 형성되었고, 제 2 세그먼트(484)의 제 2 단부(488)는 도 10 에서 전체적으로 후방으로 각도가 형성될 수 있다. 접는 과정 동안, 제 1 세그먼트(482) 및 제 2 세그먼트(484)는 도 10 의 도면에 대하여 페이지의 밖으로 피봇될 수 있다. 제 1 세그먼트(482) 및 제 2 세그먼트(484)는 추가의 접는 작용을 위한 준비가 되어 있을 수 있다. 이러한 작용에 의하여, 제 1 세그먼트(482) 및 제 2 세그먼트(484)는 전체적으로 수평으로, 후방 부분(460), 후방 부분(470) 및, 후방 가장자리(490)에 전체적으로 직각으로 방위가 정해질 수 있다. 도 11 을 참조하면, 줄(480)을 형성하는 제 2 접는 단계의 수행 이후에 도 9 의 팽창 가능 커튼 에어백(410)의 후방 부분의 측면도가 도시되어 있다. 보다 상세하게는, 제 2 세그먼트(484)가 이전의 제 1 위치(492)로부터 도 11 에 도시된 위치로 전체적으로 아래로 접혀질 수 있다. 제 2 세그먼트(484)는 제 1 세그먼트(482)의 제 1 단부(486)에 인접한 제 1 접음 선(494)에서 접혀져서 도시된 위치에 도달할 수 있다. 제 1 접음 선(494)은 수평으로부터 대략 45 도의 각도로 될 수 있다; 따라서, 제 2 세그먼트(484)를 전체적으로 수직 방위로부터 전체적으로 수평 방위로 접는다. 접는 과정 동안에, 제 2 세그먼트(484)는 도 11 의 도면에 대하여 페이지의 밖으로 피봇될 수 있다. 도 12 를 참조하면, 줄(480)을 형성하는 제 3 접음 단계의 수행 이후에 도 9 의 팽창 가능 커튼 에어백(410)의 후방 부분의 측면도가 도시되어 있다. 도시된 바와 같이, 제 1 세그먼트(482)는 이전의 제 2 위치(496)으로부터 도 12 에 도시된 위치로 전체적으로 상방향으로 접혀질 수 있다. 제 1 세그먼트(482)는 제 1 세그먼트(482)의 제 1 단부(486)에 인접한 제 2 접음 선(498)에서 접혀져서 도시된 위치에 도달할 수 있다. 제 2 접음 선(498)은 수평으로부터 45 도 보다 약간 작은 각도로 각이 질 수 있다; 따라서, 제 1 세그먼트(482)를 (이전의 제 2 위치(496)에 의해 표시된 약간 후방의 각도를 가진) 전체적으로 수직 방위로부터 전체적으로 수평 방위로 접는다. 접는 과정 동안에, 제 1 세그먼트(482)는 도 12 의 도면에 대하여 페이지의 밖으로 피봇될 수 있다. 일단 이러한 제 3 접음 과정이 완료되면, 제 2 세그먼트(484)는 제 1 세그먼트(482) 위에 놓일 수 있다. 줄(480)은 제 1 세그먼트(482) 및 제 2 세그먼트(484)를 포함할 수 있다. 제 1 세그먼트(482) 및 제 2 세그먼트(484) 각각은 제 1 직물층 및 제 2 직물층을 가질 수 있다. 제 1 및 제 2 직물층들은 내측 섹션(438) 및 외측 섹션(439)과 각각 단일형으로 형성될 수 있다. 따라서, 줄(480)은 도 12 의 단계 이후에 4 개의 층들을 가질 수 있다. 이러한 2 개 줄 및, 4 겹 층 구성은, 팽창 가능 커튼 에어백(410)이 전개될 때 줄(480)이 현저한 텐션 스트레스(tensile stress)를 유지할 수 있기 때문에 유리할 수 있다. 따라서, 줄(480)은 전개 스트레스를 신뢰성 있게 지탱하도록 2 개 이상의 층들(즉, 내측 섹션(438) 및 외측 섹션(439))을 필요로 할 수 있다. 주위 영역(452)의 후방 부분(460)으로부터의 제 1 세그먼트(482) 및 제 2 세그먼트(484)의 형성은 높은 강도를 가진 줄(480)의 제작을 가능하게 할 수 있으며, 이것은 팽창 가능 커튼 에어백(410)을 형성하는데 이미 이용된 것이면서 낭비될 수 있는 직물 이외의 그 어떤 직물도 필요로 하지 않으면서 이루어진다. 전개시의 스트레스에 저항하는 줄(480)의 성능을 더욱 향상시키도록, 줄(480)을 강화시키는 것이 도움이 될 수 있다. 상세하게는, 추가적인 직물 층이 가장 큰 스트레스를 겪는 줄(480)의 부분들에 선택적으로 추가될 수 있다. 이것은 줄(480)의 제 1 단부(486) 및/또는 제 2 단부(488)의 강화를 수반할 수 있다. 제 1 단부(486)의 예시적인 강화는 다음과 같이 도 13 과 관련하여 도시되고 설명될 것이다. 도 13 을 참조하면, 줄(480)의 제 1 단부(486)의 강화 이후에 도 9 의 팽창 가능 커튼 에어백의 후방 부분을 나타내는 측면도가 도시되어 있다. 제 1 단부(486)는 스트레스 라이저(stress riser)를 나타낼 수 있는데, 제 1 단부(486)는 주위 영역(452)의 후방 부분(460)에 접합된다 .따라서, 찢어짐 방지를 돕도록 이러한 접합부를 강화시키는 것이 바람직스러울 수 있다. 도시된 바와 같이, 제 1 강화 패널(477)은 제 1 단부(486)에 적용될 수 있다. 제 1 강화 패널(477)은 도시된 바와 같이 전체적으로 정사각형 형상을 가질 수 있거나, 또는 그 어떤 다른 형상을 가질 수 있다. 제 1 강화 패널(477)은 주위 영역(452)의 일부로부터 분리될 수 있다. 따라서, 제 1 강화 패널(477)은 2 개 이상의 층들을 가질 수 있다. 제 2 강화 패널(478)은 제 1 단부(486)에 적용될 수도 있다. 도 13 에서, 제 2 강화 패널(478)은 삼각 형상으로 도시되어 있지만, 이것은 단지 예시적이다. 제 1 강화 패널(477)은 제 1 단부(486)와 제 2 강화 패널(478) 사이에 샌드위치될 수 있다. 제 2 강화 패널(478)은 2 개 이상의 층들도 가질 수 있다. 제 1 강화 패널(477) 및 제 2 강화 패널(478)은 다양한 방법의 사용을 통하여 제 1 단부(486)에 고정될 수 있으며, 상기 방법은 꿰맴, 일체형 직조, RF 용접, 초음파 용접, 화학적 접합, 접착제 접합, 기계적 고정등을 포함한다. 도 13 에서, 제 1 강화 패널(477), 제 2 강화 패널(478) 및 제 1 단부(486)는 꿰맴(479)의 사용을 통하여 함께 고정된다. 제 1 강화 패널(477) 및 제 2 강화 패널(478)은 비분리 부분(476)의 찢어짐 또는 신장을 회피하는 것을 도울 수 있으며, 비분리 부분에 의하여 제 1 단부(486)는 주위 영역(452)의 후방 부분(460)에 접합된다. 에어백 조립체(300) 및 에어벡 조립체(400)는 본 발명의 재료 절감의 원리가 줄의 다양한 유형에 적용될 수 있는 예를 나타낸다. 본 발명은 에어백 액세서리의 다른 유형을 제공하도록 추가적으로 또는 대안으로서 사용될 수 있다. 한가지 그러한 예는 도 14 와 관련하여 도시되고 설명될 것이다. 도 14 를 참조하면, 본 발명의 다른 대안의 실시예에 따른 에어백 조립체(500)의 팽창 가능 커튼 에어백(510)의 후방 부분에 대한 측면도가 도시되어 있다. 이전의 실시예들과 같이, 팽창 가능 커튼 에어백(510)은 차량(미도시)의 루프 레일에 인접하게 고정되어 차량 측면에 대한 충격으로부터 하나 이상의 차량 점유자를 보호한다. 팽창 가능 커튼 에어백(510)은 복수개의 장착 조립체(520)의 사용을 통하여 차량에 고정될 수 있다. 각각의 장착 조립체(520)는 차량에 대한 팽창 가능 커튼 에어백(510)의 부착을 용이하게 하는 탭(tab, 524) 및 팽창 가능 커튼 에어백(510)을 보관 구성에서 유지하도록 팽창 가능 커튼 에어백(510) 둘레를 감싸는 래퍼(wrapper, 526)를 가질 수 있다. 장착 조립체(520)는 직물 및/또는 폴리머 시트들과 같은 유연성 재료의 분리된 부재들로부터 형성될 수 있다. 래퍼(wrapper, 526)는 도 14 에 도시된 바와 같이 탭과 같은 것일 수 있거나, 또는 팽창 가능 커튼 에어백(510)의 길이의 큰 부분을 덮도록 넓을 수 있다. 대안의 실시예(미도시)에서, 단일 장착 조립체가 사용될 수 있고, 차량 부착을 위하여 래퍼에 부착된 다수의 탭들과 함께, 팽창 가능 커튼 에어백(510)의 전체 길이 또는 거의 전체 길이에 연장된 단일 래퍼(single wrapper)를 가질 수 있다. 본 발명의 범위내에서 많은 대안의 장착 조립체들이 이용될 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(510)은 소망의 충격 보호를 제공하도록 팽창되는 적어도 제 1 보호 영역(530)을 가질 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(510)은 상부 부분(534) 및 하부 부분(536)을 가질 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(510)은 제 1 및 제 2 직물 층들로부터 형성될 수 있으며, 이것은 내측 섹션(538) 및 외측 섹션(539)일 수 있다. 내측 섹션(538) 및 외측 섹션(539)은 제 1 보호 영역(530)내에서 제 1 챔버(540)를 한정할 수 있다. 제 1 챔버(540)는 내측 섹션(538)을 외측 섹션(539)에 고정시키는 주위 접합부에 의해 한정될 수 있다. 주위 접합부는 다양한 부착 방법 및 구성들에 의해 형성될 수 있으며, 이것은 꿰맴, 일체형 직조, RF 용접, 초음파 용접, 기계적 고정, 접착제 접합, 화학적 접합등을 포함한다. 도 14 에서, 주위 접합부는 팽창 가능 커튼 에어백(510)의 주위를 전체적으로 에워싸는 주위 꿰맴(544)의 형태를 취할 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(510)은 주위 꿰맴(544)에 의해 한정된 공간내에 위치된 하나 이상의 비팽창 영역(546)을 가질수도 있다. 비팽창 영역(546)은 내부 꿰맴(548)에 의해 한정될 수 있거나, 또는 대안으로서, 상이한 형태의 부착에 의해 한정될 수 있으며, 상이한 형태의 부착에 의해 내측 섹션(538) 및 외측 섹션(539)이 주위 꿰맴(544)에 의해 한정된 공간내에서 함께 고정된다. 주위 꿰맴(544)은 주위 꿰맴(544)의 외측에 위치된 주위 영역(552)을 한정할 수도 있다. 주위 영역(552)내에서, 내측 섹션(538) 및 외측 섹션(539)은 함께 고정될 수 있거나, 또는 부착되지 않을 수 있다. 주위 영역(552)은 상부 부분(554), 저부 부분(556), 전방 부분(미도시) 및 후방 부분(560)을 가질 수 있다. 주위 꿰맴(544)은 마찬가지로 상부 부분(564), 저부 부분(566), 전방 부분 및, 후방 부분(570)을 가질 수 있다. 상부 부분(554)은 전체적으로 상부 부분(564)의 위에 위치될 수 있고, 저부 부분(556)은 전체적으로 저부 부분(566)의 아래에 위치될 수 있고, 후방 부분(560)은 전체적으로 후방 부분(570)의 후방에 위치될 수 있다. 주위 영역(552)의 상부 부분(554)은 팽창 도관을 가질 수 있으며, 상기 팽창 도관은 팽창 기체를 도 1 의 팽창기(104)와 같은 팽창기로부터 팽창 가능 커튼 에어백(510)으로 운반한다. 팽창 도관은 도 1 의 에어백 조립체(100)의 튜브와 같은 튜브(106)의 형태를 취할 수 있다. 튜브(106)는 주위 영역(552)의 상부 부분(554)을 통하여 연장될 수 있고, 상부 부분(554)을 튜브(106) 앞의 전방 섹션(572) 및 튜브(106) 뒤의 후방 섹션(574)으로 분리시킬 수 있다. 많은 에어백 디자인에서, 팽창 도관의 전방 및 후방에 놓이는 주위 영역의 부분들은 낭비된 재료를 구성한다. 도 14 의 에어백 조립체(500)에서, 후방 섹션(574)은 직물 차폐부(580)를 형성하도록 이용될 수 있으며, 상기 직물 차폐부는 보관 구성에서 팽창 가능 커튼 에어백(510)을 덮어서 전개 관련 이벤트로부터 팽창 가능 커튼 에어백(510)을 보호하며, 상기 전개 관련 이벤트는 예를 들어 파열이나 또는 차량 내부에 있는 루프 레일에 인접한 대상물에 대한 걸림(snagging)과 같은 것이다. 그러한 대상물은 트림, 트림 패스너(trim fastener), 점유자 수하물과 같은 것을 포함할 수 있다. 직물 차폐부(580)는 전개되는 동안에 팽창 가능 커튼 에어백(510)이 그러한 대상물에 대한 충돌에 관련된 손상을 억제할 것을 도울 수 있다. 대안의 실시예(미도시)에서, 소망된다면, 팽창 가능 커튼 에어백은 팽창 도관의 전방 및 후방에, 주위 영역의 상부 부분의 전방 섹션 및 후방 섹션을 가질 수 있으며, 이들은 모두 직물 차폐부(fabric shield)를 형성하도록 이용된다. 대안으로서, 섹션들중 오직 하나만이 (예를 들어, 전방 섹션만이) 직물 차폐부를 형성하는데 이용될 수 있다. 본 발명의 다른 대안의 실시예(미도시)에서, 다른 비팽창 에어백 영역들이 직물 차폐부들을 형성하도록 이용되어 팽창하는 동안 팽창 가능 커튼 에어백을 보호할 수 있다. 도 14 의 실시예를 참조하면, 직물 차폐부(580)는 제 1 직물 층(582) 및 제 2 직물 층(584)을 포함할 수 있다. 제 1 직물 층(582)은 내측 섹션(538)과 일체로 형성될 수 있고, 주위 꿰맴(544)의 상부 부분(564) 위로 연장되는 내측 섹션(538)의 부분일 수도 있다. 마찬가지로, 제 2 직물 층(584)은 외측 섹션(539)과 일체로 형성될 수 있고, 주위 꿰맴(544)의 상부 부분(564)의 위로 연장되는 외측 섹션(539)의 부분일 수도 있다. 제 1 직물 층(582) 및 제 2 직물 층(584)은 다음과 같이 도 15 내지 도 18 과 관련하여 도시되고 설명되는 바로서 래퍼(wrapper, 526)의 내부에서 팽창 가능 커튼 에어백(510)의 둘레에 감싸일 수 있다. 도 15 를 참조하면, 직물 차폐부(580)를 형성하는 제 1 접음 단계의 수행 이후에 도 14 의 에어백 조립체(500)의 정면도를 도시한다. 직물 차폐부(580)는 팽창 가능 커튼 에어백(510)을 보관 구성으로 콤팩트하게 만들기 전에 접혀질 수 있다. 도시된 바와 같이, 제 2 직물 층(584)은 제 1 직물 층(582)으로부터 분리될 수 있고, 팽창 가능 커튼 에어백(510)의 외측 섹션(539)의 나머지에 대하여 아래로 접혀질 수 있다. 이것은 팽창 가능 커튼 에어백(510)에 대한 장착 조립체(520)의 부착 이전에 이루어질 수 있다. 따라서, 장착 조립체(520)는 도 15 에 도시되지 않는다. 도 16 을 참조하면, 팽창 가능 커튼 에어백에 대한 장착 조립체(520)의 부착 이후에 도 14 의 에어백 조립체(500)의 정면도를 도시한다. 장착 조립체(520)는 당해 기술 분야에 공지된 다양한 방법을 통하여 팽창 가능 커튼 에어백(510)에 고정될 수 있으며, 상기 방법은 일체형 직조, 초음파 용접, RF 용접, 재봉(sewing), 접착제 접합, 화학적 접합등을 포함한다. 도 16 에 도시된 바와 같이, 장착 조립체(520)는 꿰맴(590)을 통하여 주위 영역(552)의 상부 부분(554)에 인접하거나 또는 그 안에 있는 팽창 가능 커튼 에어백(510)에 부착될 수 있다. 꿰맴(590)은 도시된 바와 같이 선택적으로는 내측 섹션(538), 외측 섹션(539), 탭(524) 및 래퍼(526)를 통해 적용될 수 있다. 탭(524)은 초기에 아래로 지향될 수 있어서 제 2 직물 층(584)에 대하여 놓이는데, 제 2 직물 층은 이전 단계에서 아래로 접혀졌던 것이다. 래퍼(526)는 초기에 제 1 직물층(582)에 평행하게 위로 연장되도록 위치될 수 있다. 도 17 을 참조하면, 팽창 가능 커튼 에어백(510)의 콤팩트화(compaction)를 시작한 이후에, 도 14 의 에어백 조립체(500)의 정면도가 도시되어 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(510)은 임의의 다양한 방법으로 콤팩트하게 될 수 있는데, 말림(rolling), 접음(folding), 채움(wadding)등을 포함한다. 도 17 에 도시된 바와 같이, 팽창 가능 커튼 에어백(510)이 내측으로 말릴 수 있다. 따라서, 저부 부분(556)이 우선 도시된 바와 같이 내측으로 접힐 수 있고, 직후에 제 1 챔버(540)의 하부 부분(536)이 접힐 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(510)은 팽창 가능 커튼 에어백(510)의 전체가 제 1 직물 층(582), 제 2 직물 층(584) 및 장착 조립체(520)에 인접하게 콤팩트하게 될 때까지 말릴 수 있다. 도 18 을 참조하면, 팽창 가능 커튼 에어백(510)의 콤팩트화 및 팽창 가능 커튼 에어백(510)의 차량 루프 레일(112)에 대한 부착이 완료된 이후에 도 14 의 에어백 조립체(500)의 배면도를 도시한다. 에어백 조립체(500)를 도 17 의 구성으로부터 도 18 의 구성으로 가져오는데 몇가지 단계들이 발생될 수 있다. 보다 상세하게는, 팽창 가능 커튼 에어백(510)의 전체가 말려서 제 1 직물 층(582)과 제 2 직물 층(584) 사이에 전체적으로 인접하게 위치될 수 있다. 제 1 직물층(582) 및 제 2 직물층(584)은 내측으로 가서 팽창 가능 커튼 에어백(510)을 둘러쌀 수 있다. 도 18 에 도시된 바와 같이, 제 1 직물 층(582)을 처음에 팽창 가능 커튼 에어백(510) 둘레로 가져감으로써 제 1 직물 층(582)이 거의 또는 전체적으로 팽창 가능 커튼 에어백(510)을 에워쌀 수 있다. 다음에, 제 2 직물 층(584)을 팽창 가능 커튼 에어백(510)의 둘레로 가져가서 제 2 직물 층(584)이 거의 또는 전체적으로 팽창 가능 커튼 에어백(510) 및 제 1 직물 층(582)을 에워쌀 수 있다. 대안의 실시예들에서, 제 1 직물 층(582) 및 제 2 직물 층(584)이 팽창 가능 커튼 에어백(510) 둘레를 둘러싸는 순서가 변경될 수 있다. 일단 직물 차폐부(580)가 제 위치에 있으면, 즉, 제 1 직물층(582) 및 제 2 직물층(584)이 팽창 가능 커튼 에어백(510)의 둘레를 에워싸면, 래퍼(wrapper, 526)가 다음에 팽창 가능 커튼 에어백(510) 및 직물 차폐부(580) 둘레로 둘러쌀 수 있다. 래퍼(526)의 자유 단부는 다음에 팽창 가능 커튼 에어백(510) 및/또는 탭(524)에 부착될 수 있다. 도 18 에 도시된 바와 같이, 래퍼(526)의 자유 단부는 탭(524)에 부착될 수 있어서 래퍼(526)는 팽창 가능 커튼 에어백(510) 및 직물 차폐부(580)를 보관 구성으로 보유한다. 에어백 조립체(500)는 이제 보관 구성에 있을 수 있어서, 차량에 설치될 준비가 된다. 차량에 설치되기 전에, 에어백 조립체(500)는 탭(524)이 하방향 보다는 상방향으로 연장되도록 단부가 단부 위에 180°로 뒤집어질 수 있다. 따라서, 도 18 은 에어백 조립체(500)의 배면도를 표시할 수 있는 반면에, 도 15, 도 16 및 도 17 은 에어백 조립체의 정면도를 나타낸다. 일단 적절하게 지향되면, 에어백 조립체(500)는 탭(524)들을 루프 레일(112)에 고정시킴으로써 차량에 고정될 수 있다. 이것은 패스너(fastener) 또는 당업계에서 공지된 다른 부착 방법들을 통하여 다양한 방법으로 이루어질 수 있다. 에어백 조립체(500)는 이제 충격 보호를 제공하도록 전개될 준비가 될 수 있다. 도 19 는 팽창 가능 커튼 에어백(510)의 전개 동안의 도 14 의 에어백 조립체(500)의 배면도이다. 충돌, 전복, 임박한 충돌 또는 임박한 전복의 검출시에, 팽창기(104)는 팽창 기체를 발생시킬 수 있으며, 이것은 튜브(106)를 통하여 팽창 가능 커튼 에어백(510) 안으로 운반될 수 있다. 팽창 기체는 팽창 가능 커튼 에어백(510)의 상부 부분(534)에서 시작되면서, 팽창 가능 커튼 에어백(510)이 팽창되게 할 수 있다. 이러한 팽창은 래퍼(526)를 파열시킬 수 있고 그리고/또는 팽창 가능 커튼 에어백(510) 및/또는 탭(524)에 대한 부착으로부터 래퍼(526)를 탈착시킬 수 있다. 이제 래퍼(526)는 명료하게 하기 위하여 도 19 에 도시되지 않는다. 확장하는 팽창 가능 커튼 에어백(510)은 제 1 직물 층(582) 및 제 2 직물 층(584)이 개방되게 벌어지도록 할 수 있다. 보다 정확하게는, 제 2 직물 층(584)은 상방향으로 연장될 수 있어서, 헤드라이너 트림 패스너(headliner trim fastener), 루프 레일(112)에 탭(524)들을 부착하는데 사용된 패스너 구성 요소(fastener component)와 같은, 팽창 가능 커튼 에어백(510) 위의 대상물로부터 팽창 가능 커튼 에어백(510)을 보호한다. 제 1 직물 층(582)은 아래로 연장될 수 있어서, 루프 레일 트림 및 패스너, 옷걸이 후크, 좌석 벨트 앵커, 점유자 소지물 및/또는 차량의 다른 내부 특징부들과 같은, 팽창 가능 커튼 에어백(510)의 뒤에 있는 그리고/또는 아래에 있는 대상물로부터 팽창 가능 커튼 에어백(510)을 보호한다. 도 19 의 구성으로부터, 팽창 가능 커튼 에어백은 그것이 완전히 팽창되어서 차량 점유자를 측방향 충격, 작은 중첩, 및/또는 전복 충돌로부터 보호하도록 적절하게 위치될 때까지 아래로 계속 팽창할 수 있다. 직물 차폐부(580)는 전개되는 동안에 팽창 가능 커튼 에어백(510)에 대한 손상을 회피하는데 도움이 될 수 있으며, 이것은 팽창 가능 커튼 에어백(510)의 주위 영역(552)의 재료 사용을 통해 달성될 수 있고, 상기 재료는 그렇게 사용되지 않았다면 폐기 재료가 될 수 있었던 재료이다. 따라서, 직물 차폐부(580)는 에어백 시스템의 경제성 및 효율성에 기여할 수 있다. 에어백 조립체(500)는 본 발명의 재료 절감 원리가 전개되는 동안의 팽창 가능 커튼 에어백을 보호하는 차폐부에 적용될 수 있는 예를 나타낸다. 본 발명은 다른 방법으로 에어백 조립체들의 작동을 향상시키도록 추가적으로 또는 대안으로서 이용될 수 있으며, 예를 들어 에어백이 최적으로 위치되는 것을 보장하도록 추가적인 팽창 가능 체적을 제공함으로써 그렇게 된다. 그러한 예는 팽창 가능 커튼 에어백을 위한 전방 챔버에 대한 소망 위치를 제공하는 것과 관련하여, 도 20 및 도 21 과 관련하여 도시되고 설명될 것이다. 도 20 을 참조하면, 본 발명의 다른 대안의 실시예에 따른 에어백 조립체(600)의 팽창 가능 커튼 에어백(610)의 측면도가 도시되어 있다. 이전의 실시예에서와 같이, 팽창 가능 커튼 에어백(610)은 차량의 루프 레일(미도시)에 인접하게 고정되어 차량의 측방향 표면에 대한 충격으로부터 하나 이상의 차량 점유자들을 보호할 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(610)은 복수개의 장착 조립체(520)의 사용을 통하여 차량에 고정될 수 있는데, 상기 장착 조립체는 도 14 내지 도 19 의 에어백 조립체(500)의 장착 조립체(520)와 유사하거나 또는 같을 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(610)은 제 1 보호 영역(630) 및 제 2 보호 영역(632)을 가질 수 있으며, 제 2 보호 영역은 제 1 보호 영역(630)의 전방으로 팽창됨으로써 제 1 보호 영역(630) 및 제 2 보호 영역(632)이 협동하여 소망의 충격 보호를 제공한다. 제 2 보호 영역(632)은 차량의 전방 좌석 승객 또는 운전자와 같은 차량 점유자의 직접 외측에 위치될 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(610)은 상부 부분(634) 및 하부 부분(636)을 가질 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(610)은 제 1 및 제 2 직물 층들로부터 형성될 수 있는데, 이들은 내측 섹션(638) 및 외측 섹션(639)일 수 있다. 내측 섹션(638) 및 외측 섹션(639)은 제 1 보호 영역(630)내의 제 1 챔버(640) 및 제 2 보호 영역(632)내의 제 2 챔버(642)를 한정할 수 있다. 제 1 챔버(640)는 내측 섹션(638)을 외측 섹션(639)에 고정시키는 주위 접합부에 의해 한정될 수 있다. 주위 접합부는 다양한 부착 방법들 및 구성들로 형성될 수 있으며, 상기 구성들에는 꿰맴, 일체형 직조, RF 용접, 초음파 용접, 기계적 고정, 접착제 접합, 화학적 접합 또는 이들과 유사한 것이 포함된다. 도 20 에서, 주위 접합부는 팽창 가능 커튼 에어백(610)의 주위를 전체적으로 에워싸는 주위 꿰맴(644)의 형태를 취할 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(610)은 주위 꿰맴(644)에 의해 한정된 공간내에 위치된 하나 이상의 비팽창 영역(646)들을 가질 수도 있다. 비팽창 영역(646)들은 내부 꿰맴(648)에 의해 한정될 수 있거나, 또는 대안으로서, 상이한 형태의 부착에 의해 한정될 수 있으며, 그에 의하여 내측 섹션(638) 및 외측 섹션(639)이 주위 꿰맴(644)에 의해 한정된 공간 안에서 함께 고정된다. 주위 꿰맴(644)은 주위 꿰맴(644)의 외부에 위치된 주위 영역(652)을 한정할 수도 있다. 주위 영역(652)내에서, 내측 섹션(638) 및 외측 섹션(639)은 함께 고정될 수 있거나, 또는 부착되지 않을 수 있다. 주위 영역(652)은 상부 부분(654), 저부 부분(656), 전방 부분(658) 및 후방 부분(660)을 가질 수 있다. 주위 꿰맴(644)은 마찬가지로 상부 부분(664), 저부 부분(666), 전방 부분(668) 및, 후방 부분(670)을 가질 수 있다. 상부 부분(654)은 상부 부분(664)의 위에 전체적으로 위치될 수 있고, 저부 부분(656)은 저부 부분(666)의 아래에 전체적으로 위치될 수 있고, 후방 부분(660)은 후방 부분(670)의 후방에 전체적으로 위치될 수 있다. 주위 영역(652)의 상부 부분(654)은 팽창 도관을 가질 수 있으며, 팽창 도관은 팽창 기체를 도 1 의 팽창기(104)와 같은 팽창기로부터 팽창 가능 커튼 에어백(610)으로 운반한다. 팽창 도관은 도 1 의 에어백 조립체(100)의 튜브와 같은 튜브(106)의 형태를 취할 수 있다. 튜브(106)는 주위 영역(652)의 상부 부분(654)을 통하여 연장될 수 있다. 주위 꿰맴(644)의 상부 부분(664)은 제 2 챔버(642)의 상부 경계를 한정하고 그 위에 존재하는 전방 섹션(672)을 가질 수 있다. 더욱이, 주위 꿰맴(644)의 상부 부분(664)은 제 1 챔버(640)의 상부 경계를 한정하고 그 위에 존재하는 후방 섹션(674)을 가질 수 있다. 이전에 언급된 바와 같이, 주위 영역(652)의 상부 부분(654)의 재료는 많은 경우에 폐기 재료일 수 있다. 공지된 여러 디자인에서, 팽창 가능 커튼 에어백의 팽창 가능 부분의 상부 경계는 직선 형상으로 한정됨으로써, 팽창 가능 커튼 에어백의 모든 팽창 가능 영역들은 동일한 높이에서 끝나거나 또는 동일한 높이에 인접하게 끝난다. 일부 경우에, (튜브(106)와 같은) 팽창 도관은 주위 영역(652)의 상부 부분(654)내에서 필요한 재료의 범위를 한정할 수 있다. 그러한 팽창 도관의 전방 및/또는 후방의 재료는 폐기된 재료일 수 있다. 팽창 가능 커튼 에어백(610)에서, 본 발명의 재료 절감 원리는 팽창 가능 커튼 에어백(610)을 형성하는데 필요한 재료를 현저하게 추가하지 않으면서 팽창 가능 커튼 에어백(610)에 의해 제공되는 보호를 향상시키도록 적용될 수 있다. 보다 상세하게는, 팽창 가능 커튼 에어백(610)에서, 제 2 챔버(642)는 튜브(106) 전방의 영역으로 상방향 연장될 수 있는데, 많은 공지된 디자인에서 상기 영역은 폐기된 공간일 뿐이다. 따라서, 커튼이 도 20 에 도시된 바와 같이 수직으로 배치되었을 때 주위 꿰맴(644)의 전방 섹션(672)은 주위 꿰맴(644)의 후방 섹션(674) 보다 현저하게 높을 수 있다. 결국, 제 2 보호 영역(632)은 제 1 보호 영역(630)의 높이보다 큰 높이로 연장될 수 있다. 결과적으로, 제 2 보호 영역(632)은 팽창하는 동안, 차량 루프, 루프 레일 또는 제 2 보호 영역(632) 위의 다른 구조에 맞닿을 수 있다. 이러한 맞닿음은 제 2 보호 영역(632)을 아래로 밀어서, 제 2 보호 영역(632)의 가외의 높이 없이도 도달되는 차량내의 깊이로 제 2 보호 영역(632)의 저부가 연장된다. 제 2 보호 영역(632)의 저부는 제 1 보호 영역(630)의 저부 아래로 연장될 수 있다. 이것은 측방향 충격 또는 차량 전복에 기인하여 차량 윈도우를 통해 튀어 나가는 차량의 운전자 및/또는 전방 좌석 점유자를 보호하는데 소망스러울 수 있다. 소망된다면, 제 2 보호 영역(632)의 저부가 윈도우의 저부 아래에서, 윈도우 아래에 존재하는 도어의 부분 내측에 위치되도록 하는 깊이로 제 2 보호 영역(632)이 연장될 수 있다. 따라서, 제 2 보호 영역(632)은 점유자 또는 상기 제 2 보호 영역(632)을 윈도우의 밖으로 강제하는 다른 차량 내용물에 의해 가해지는 압력에 저항할 수 있다. 따라서, 팽창된 제 2 보호 영역(632)의 향상된 깊이는, 상대적으로 강력한 충격 또는 전복의 경우에도, 제 2 보호 영역(632)이 차량 점유자와 윈도우 사이의 소망 장소에 유지될 수 있게 한다. 이것은 폐기될 수 있었을 에어백 재료를 사용하여 달성될 수 있다. 도 21 은 팽창 가능 커튼 에어백(610)을 전개 구성에서 보다 상세하게 도시한다. 도 21 을 참조하면, 도 20 의 팽창 가능 커튼 에어백(610)의 측면도가 전개 구성으로 도시되어 있다. 도시된 바와 같이, 제 2 보호 영역(632)의 상부가 (루프 레일(112)의 높이와 비교함으로써) 제 1 보호 영역(630)의 상부 보다 높이 연장되도록 팽창 가능 커튼 에어백(610)이 전개될 수 있으며, 그에 의해 제 2 보호 영역(632)의 연장된 상부는 차량의 루프와 맞닿게 된다. 따라서 전방 섹션(672)은 전방 섹션(672)에 인접한 후방 섹션(674)의 일부보다 더 높을 수 있다. 이것은 제 2 보호 영역(632)이 제 2 보호 영역(632)에 의해 전체적으로 덮이는 윈도우(680)의 저부를 넘어서 연장되게 할 수 있음으로써, 제 2 보호 영역(632)의 저부는 윈도우(680) 아래에서 도어(682)의 앞에 위치한다. 결국, 팽창 가능 커튼 에어백(610)은 압력에 대하여 향상된 저항을 제공할 수 있어서 제 2 보호 영역(632)을 윈도우(680) 밖으로 움직이도록 강제하는 경향이 있다. 이것은 특히 심각한 측방향 충격 또는 전복의 경우에 차량에서 튀어나가는 것에 대한 우수한 보호일 수 있다. 이전의 설명은 하나의 예로서 절단-및-재봉(cut-and-sewing) 기술로 만들어진 팽창 가능 커튼 에어백을 설명하며, 상기 기술에 의하여 도 8 의 팽창 가능 커튼 에어백(310)의 내측 섹션(338) 및 외측 섹션(339)과 같은 2 개의 직물 층들이 재봉(sewing)을 통해 함께 부착된다. 그러한 실시예들에서, 주위 꿰맴(344)은 재봉을 통해 형성될 수 있어서 비팽창 주위 영역(352)은 여전히 2 개의 별개 층들을 가지며, 즉, 내측 섹션(338) 및 외측 섹션(339)을 가진다. 그러나, 위에 개략적으로 나타낸 원리는 단편식 직조(once-piece weaving;OPW) 기술로 만들어진 에어백들에 동등하게 적용 가능하다. 그러한 기술로써, 2 개의 직물 층들은 도 8 의 주위 꿰맴(344)을 형성하는데 이용될 수 있는 재봉 작용 대신에 가장자리들에서 함께 직조될 수 있다. 그러한 실시예의 비 팽창 주위 영역은 함께 직조된 내측 및 외측 섹션들로 이루어진 오직 하나의 층만을 가질 수 있다. 비팽창 주위 영역의 미사용 부분들은 여전히 주위 영역의 상부, 후방, 전방 및/또는 저부에서 하나 또는 그 이상의 줄들을 형성하도록 이용될 수 있다. 마찬가지로, 일체형 직조 에어백(one-piece woven airbag)에서, 도 20 의 제 2 보호 영역(632)과 같은 보호 영역은 비팽창 주위 영역의 미사용 부분내에 존재할 재료를 이용하도록 연장될 수 있다. 일체형 직조 에어백들을 위해 사용되는 방법들은 절단-및-재봉 에어백들에 대하여 위에 제공된 예와 근사하게 닮을 수 있다. 따라서 본 발명은 절단-및-재봉 에어백들에 제한되지 않으며, 일체형 직조 에어백 또는 당해 기술 분야에 공지된 임의의 다른 제조 방법들로 구성된 에어백들과도 이용될 수 있다. 여기에 개시된 그 어떤 방법이라도 설명된 방법을 수행하기 위한 하나 이상의 단계들 또는 작용을 포함한다. 방법의 단계 및/또는 작용들은 다른 것과 교환될 수 있다. 즉, 실시예의 적절한 작용을 위하여 단계들 또는 작용들의 특정한 순서가 필요하지 않는 한, 특정한 단계들 및/또는 작용들의 순서 및/또는 이용은 변경될 수 있다. 명세서를 통하여 "실시예"는 적어도 하나의 실시예에 포함된 것과 관련하여 설명된 특정의 특징, 구조 또는 특성들을 의미한다. 따라서, 명세서를 통하여 기재된 바와 같은 인용된 절 또는 그것의 변형이 반드시 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니다. 마찬가지로, 실시예들에 대한 상기 설명에서 다양한 특징들은 개시 내용을 간결화할 목적을 위하여 때때로 하나의 실시예, 도면 또는 설명에서 함께 그룹을 이룰 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 그러나, 개시된 방법은 그 어떤 청구항이라도 그 청구항에 명시적으로 기재된 것보다 많은 특징들을 필요로 하는 의도를 반영하는 것으로 해석되지 않는다. 오히려, 다음의 청구항들이 반영하는 바로서, 발명의 양상은 그 어떤 단일의 상기 개시된 실시예들의 모든 특징들보다 적은 특징의 조합에 있다. 따라서, 상세한 설명에 뒤이은 청구 범위는 각각의 청구항이 그 자체의 분리된 실시예를 나타내면서, 상세한 설명에 포함된다. 이러한 개시 내용은 독립 청구항들의 그것의 종속 청구항들과의 모든 교환을 포함한다. 특징 또는 요소와 관련하여 "제 1" 이라는 청구항의 기재가 그러한 특징 또는 요소의 제 2 또는 추가의 존재를 의미하는 것은 아니다. 수단 부가 기능(means plus function)의 형식으로 기재된 요소들은 35 U.S.C §112 Para 6 에 따라서 해석되도록 의도된다. 본 발명의 기초적인 원리로부터 이탈하지 않으면서 상기 설명된 실시예들의 세부 내용에 대하여 변화가 이루어질 수 있다는 점이 당업자에게 명백할 것이다. 독점적인 재산권 또는 특권이 청구되는 본 발명의 실시예들은 다음과 같이 한정된다. 본 발명의 특정한 실시예들 및 적용예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 여기에 개시된 구성 및 요소들에 제한되지 않는다는 점이 이해되어야 한다. 당업자에게 명백할 다양한 변형, 변화 및 변경이 본 발명의 사상 및 범위로부터 이탈하지 않으면서 본 발명의 방법 및 시스템의 구성, 작용 및 세부 내용에서 이루어질 수 있다. [ 부호의 설명 ] 100. 에어백 조립체 104. 팽창기106. 튜브 110. 팽창 가능 커튼 에어백114. A 필라 116. B 필라118. C 필라 119. D 필라121. 조향 휘일 122. 계기 패널	에어백 조립체는 보관 구성 및 전개 구성을 가지는 팽창 가능 커튼 에어백을 구비할 수 있다. 팽창 가능 커튼은 제 1 챔버 및, 상기 제 1 챔버의 전방에서 팽창되는 제 2 챔버를 가질 수 있다. 제 2 챔버는 제 1 챔버의 높이보다 위에 있는 높이를 가질 수 있어, 제 2 챔버의 저부는 차량 도어에 인접하게 아래로 가압된다. 복수개의 에어백 조립체 구성 요소들은 제 1 챔버 및 제 2 챔버를 둘러싸는 비팽창 주위 영역과 일체로 형성될 수 있다. 그러한 구성 요소들은 비팽창 주위 영역의 전방 또는 후방으로부터 절단된 전방 줄 또는 후방 줄, 제 2 챔버의 전개를 제어하도록 비팽창 주위 영역의 상부로부터 절단된 상부 줄 및, 집어 넣어진 팽창 가능 커튼 에어백 둘레를 적어도 부분적으로 둘러싸도록 상부로부터 절단된 직물 차폐부를 포함할 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 전력 생산 및/또는 열 공급용 증기 발생기의 출력을 제어하는 방법METHOD FOR REGULATING THE OUTPUT OF STEAM GENERATORS FOR GENERATING POWER AND/OR PROVIDING HEAT [ 기술분야 ] 본 발명은 전력 생산 및/또는 열 공급용 증기 발생기(steam generator), 바람직하게는 화석 연료 또는 유기물 연료로 연소되는 보일러를 포함하는 그러한 증기 발생기에서, 특히 증기 발생기의 작동 중에 증기 및/또는 물로 작동되어 증기 발생기의 가열 면을 세척하는 세척 장치를 사용하는 것을 감안하여 증기 발생기의 출력을 제어하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 증기 발생기의 출력 제어 방법은 잔재(residue)의 소각을 위한, 잔재의 혼합 소각(co-incineration)을 위한, 및 폐기물의 소각을 위한 연소 시스템을 구비한 증기 발생기에서 출력을 제어하는 것도 또한 포함한다.본 발명에 따른 증기 발생기의 출력 제어 방법은 특히 흔히 최대 출력의 범위에서 작동되는 그러한 증기 발생기에서 출력을 제어하는 것을 포함한다. [ 배경기술 ] 공칭 조건(nominal conditions) 하에서의 증기 발생기의 최대 전기 연속 출력(또는 열 발생기의 경우의 열 출력)을 정격 출력이라 지칭한다(VGB 가이드라인 RV809 참조). 증기 발생기의 정격 출력은 정적으로 결정되고, 증기 발생기의 설계 값에 해당한다. 마찬가지로 통상 조건(normal conditions) 하에서의 연속 출력으로서 특정되고 장기간에 걸친 출력이 가장 약한 시스템 부분(병목)에 의해 제한되는 병목 출력(bottleneck output)은 그와는 상이하다(VGB 가이드라인 RV809). 이하, "정격 출력" 및 "병목 출력"이란 용어는 공칭상으로 제한되는 전기 출력의 표지로서 동의어로 사용된다.본원의 의미에서, 증기 및/또는 물로 작동되는 세척 장치란 특히 스팀 블로워(steam blower) 또는 스팀 랜스 타입 스크루 수트 블로워(steam lance-type screw soot blower), 에코 스팀 블로워(eco-steam blower), 워터 캐논/스팀 캐논(water/steam cannon), 워터 랜스 블로워(water lance blower), 및 워터 블로워(water blower)를 의미할 수 있다.통상, 워터 랜스 블로워로는 작동 중에 스팀 보일러의 연소실의 복사 가열 면을 세척하고, 스팀 블로워 등의 장비로는 스팀 보일러의 재가열 면을 세척한다.전력 생산 및 열 활용을 위한 화석 연료용 연소 시스템, 잔재 혼합 소각 시스템, 및 폐기물 소각 시스템은 연료 중의 회분 형성 물질들(ash-forming substances)로 인해 점점 증가하는 보일러 오염에 처해진다. 따라서 연속 작업 시에 그러한 오염을 물 및/또는 증기로 작동되는 세척 장치에 의해 세척하여 제거하여야 한다. 세척에 필요한 증기는 대부분 공정 증기로서, 시스템으로부터 디커플링된다. 세척이 정시에 수행되지 않거나 현격히 너무 늦게 수행되면, 특히 용해, 침전물의 융해, 화학 공정에 기인할 수 있는 침적물들이 스케일(scale)들을 유발하고, 그러한 스케일들은 시스템의 열 전달 및 효율을 크게 악화시킨다.침적물들의 유형 및 범위에 따라, 증기 발생기의 예정된 작동 정지 중에 기계적/유압적 세척 제거를 수행하여야 한다. 이때, 부분적으로 상당한 비용 및 가용성 손실이 발생한다. 부가적으로, 큰 케이킹 침적물들이 의도치 않게 예컨대 재가열 면으로 투척됨으로 인해, 보일러에 기계적 손상이 일어날 수 있다.따라서 증기 발생기의 작동 중에 의도적인 적절한 세척을 하는 것이 필수적이다. 이때, 가능한 한 보일러의 오염된 영역을 정확하게 겨냥하여 요구에 상응하게 세척하여야 하는데, 왜냐하면 불충분한 세척뿐만 아니라 과잉의 세척도 시스템의 상태를 악화시키기 때문이다. 과잉의 세척은 해당 시스템 부분의 마모 증가를 수반하는데, 그 역시 바람직한 것이 아니다.세척 장치의 작동에 필요한 증기는 전력 생산에 제공되지 못하고, 그 때문에 그러한 증기 탭핑(tapping)은 출력 손실에 필적할 수 있다.보일러 벽/복사 가열 면의 세척에 물을 사용하는 것은 보일러 벽을 냉각시켜 시스템 열을 빼앗게 되는데, 그러한 시스템 열은 그렇지 않으면 전력 생산 또는 열 활용에 사용되었을 것이므로, 그러한 세척 과정도 또한 일반적으로 출력 손실을 수반한다.세척의 의미에서, 오염된 면들을 오염되지 않은 면들과 대비하여 정확하게 결정하는 데에는 어느 정도의 불확실성이 따르기 때문에, 흔히 더 큰 영역을 세척하여야 한다. 이때, 그와 같이 하면, 깨끗한 면들에도 증기 또는 물이 분사되고, 그러면 그 면들이 불균형적으로 냉각되어 증기 생성을 방해한다. 깨끗한 면들의 세척은 마모를 일으키기 쉬우므로, 가급적 회피되어야 한다.끝으로, 물의 사용 및 증기의 사용은 생증기 온도(live steam temperature) 및 재가열 온도의 하락을 가져오는데, 그 역시 출력 저하 및 효율 손실을 수반한다.특히, 마모 문제를 감안하고 있는 워터 랜스 블로워의 제어 방법이 예컨대 DE 10 2006 022 627 A1로부터 공지되어 있다. 연소실 벽의 세척에는 세척할 벽 영역의 열 응력이 어느 정도 수반되기 때문에, DE 10 2006 022 627 A1에 개시된 세척 방법에서는, 면적 및 범위에 있어 한정된 증기 발생기의 슬래깅(slagging) 영역만을 세척한다. 유사한 방법이 예컨대 DE 281453 B5로부터 공지되어 있다. 연소실 벽의 세척을 위한 워터 랜스의 작동을 제어하는 다른 방법이 예컨대 DE 41 39 838 A1로부터 공지되어 있다.세척 장치를 제어하는 공지의 방법들에서 주로 목표하는 바는 큰 가용성 손실을 수반하는 시스템 정지를 일으킴이 없이 보일러의 가용을 가급적 길게 보장하는 것이다.소위 재생 가능한 에너지 원들로부터 생성되는 전력의 공급이 증가함에 따라, 전력 시장에서 점점 더 심한 수요 변동이 나타나고 있고, 그에 따라 통상적으로 전력 시장에서 기저 부하 공급(base load supply)의 역할을 하는 증기 발생기도 또한 해당 증기 발생기의 가능한 한 모든 부하 포텐셜(load potential)들이 이용 가능하도록 작동하는 것이 바람직하다.증기 및/또는 물로 작동되는 세척 장치를 사용하는 것을 감안하여 증기 발생기의 출력을 제어하는 방법이 예컨대 US 2006/0178762 A1로부터 공지되어 있다.증기 및/또는 물로 작동되는 세척 장치의 사용 하에 증기 발생기의 출력을 제어하는 방법이 예컨대 US 2009/0090311 A1로부터도 공지되어 있다. 세척 장치의 제어는 증기 발생기의 최대 출력 수율에 대한 예측 모델을 사용하여 이뤄진다.삭제 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 따라서 본 발명의 과제는 보일러 또는 증기 발생기의 작동 중에 증기 및/또는 물로 작동되는 세척 장치를 사용하는 것을 감안하여 증기 발생기의 최적의 출력 수율은 물론 최적의 효율을 보장하는 증기 발생기의 출력 제어 방법을 제공하는데 있다.본 발명의 부가의 양태는 제어 에너지의 단기 제공에 대한 요건을 최적으로 감안하여 다수의 전력 생산 시스템들의 출력을 총괄적으로 제어하는 것에 관한 것이다.본원의 의미에서, 증기 발생기란 연소 장치 및 부속된 물-증기 회로를 갖는 발전소 블록을 의미할 수 있다. 다수의 증기 발생기들 또는 발전소 블록들이 하나의 발전소로 통합될 수 있다.본원에서 사용되는 보일러란 용어는 "증기 발생기"란 용어에 대한 동의어로 사용된다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 과제는 청구항 1에 따른 방법 및 청구항 14에 따른 방법에 의해 해결된다. 그 방법들의 바람직한 구성들이 각각의 종속 청구항들로부터 개시된다.증기 발생기의 작동 중에 증기 및/또는 물로 작동되는 세척 장치를 사용하는 것을 감안하여 전력 생산 및/또는 열 공급용 증기 발생기의 출력을 제어하는 방법은 다음의 방법 단계들을 포함한다:- 증기 발생기의 가열 면의 유효성(effectiveness) 및/또는 오염도에 대한 직간접적인 판정을 가능하게 하는 증기 발생기의 상태 변수들을 모니터링하는 단계,- 측정된 및/또는 파악된 상태 변수들을 기반으로 하여 유효성 예측을 수립하는 단계,- 시장의 전력 수요 및/또는 열 수요의 함수로서 부하 예측을 수립하는 단계,- 가용성 예측으로서 및 예상되는 주위 온도 및/또는 연료 품질의 함수로서 증기 발생기의 예상 가용 최대 출력에 관한 예측을 수립하는 단계, 및- 유효성 예측의 함수로서 최적의 세척 시점을 결정하되, 증기 발생기의 가열 면의 소정의 최소 유효성을 하회하지 않을 것 및/또는 가열 면의 소정의 최대 허용 오염도를 초과하지 않을 것을 조건으로 유효성 예측에 따라 개시될 타깃 세척 과정을 부하 예측 및/또는 가용성 예측에 의존하여 변경하는 단계.본원의 의미에서, 유효성 예측이란 주로 가열 면의 기술적 유효성의 관점에서 과잉의 재료 마모 및/또는 예정되지 않은 시스템 정지를 방지하는데 적합한 세척 시점 및/또는 세척 사이클을 결정하도록 하는 예측을 의미할 수 있다. 이때, 유효성 예측은 예컨대 오염에 수반하여 변하는 가열 면의 온도를 기반으로 할 수 있다.타깃 세척 과정의 변경은 특히 세척 과정을 연기 또는 억제 및/또는 단축 또는 연장 및/또는 강화 또는 감쇠시키는 것이다. 즉, 부하 예측의 측면에서 증기 발생기의 실제 출력을 최적으로 맞추기 위해 증기 발생기에의 개입을 애초 계획된 시점에 비해 변경하는 한에서 타깃 세척 과정이 변경된다.본원의 의미에서, 부하 예측이란 전력/열의 공급을 위해 증기 발생기에 요구되는 예상 수요(부하)에 관한 예측을 의미할 수 있다. 부하 예측은 예컨대 전력 망 운영자(network operator), 재분배자(redistributor), 에너지 거래자(energy trader)에 의해 또는 증기 발생기의 제어 장치에서 수립될 수 있다. 이때, 부하 예측은 부하를 커버하기 위해 메리트 오더(merit order)를 고려한 증기 발생기의 출력을 사용할 것인지 여부 및 그러한 어떤 출력을 사용할 것인지 감안하는 것이 바람직하다.부하 예측 및 가용성 예측은 여러 번 반복하는 과정 중에 서로 매치되는 것이 바람직하다.본원의 의미에서, 가용성 예측이란 증기 발생기의 예상 최대 출력에 관한 예측을 의미할 수 있는데, 여기서 그러한 최대 출력은 조건 여하에 따라 증기 발생기 또는 해당 발전소 블록의 정격 출력 또는 병목 출력의 아래 또는 위에 있을 수 있다. 그것은 증기 발생기의 실제 가용 출력이 증기 발생기의 정격 출력을 기준으로 하여 변동한다는 인식에 입각한 것이다. 다른 요인들 이외에도, 특히 주위 온도 및 연료의 품질이 실제 가용 출력에 큰 영향을 미친다. 이때, 주위 온도는 무엇보다도 경우에 따라 증기 발생기의 사용 가능한 출력에 대한 제한 인자가 되는 냉각 타워의 냉각 출력에 영향을 미친다. 낮 기온이 비교적 낮으면, 출력은 주위 온도가 높을 때보다 커진다. 또한, 출력은 사용되는 연료의 발열량(heat value)에도 의존하여 달라진다. 예컨대, 석탄을 연료로 사용할 경우, 출력은 사용되는 석탄 품질에 의존하여 달라진다. 석탄 품질의 변동은 예컨대 연도 가스의 양의 변동을 일으키고, 그것은 다시 블로워의 출력 수요의 변동을 수반하여 증기 발생기의 출력(순출력)에 영향을 미친다.그러한 상황을 감안하여 증기 발생기의 예상 가용 최대 출력에 관한 예측을 수립하는 것은 정격/병목 출력을 기준으로 한 증기 발생기의 출력 변동을 세척 시점 및 세척 사이클을 결정하는데 반영하는 것을 가능하게 한다.본 발명에 따른 방법에 의하면, 추가로 전력 수요 및/또는 열 수요의 함수로서의 부하 예측을 세척 시점 또는 세척 사이클의 결정을 위한 기준으로서 반영하여 유효성의 관점 하에 증기 발생기의 기술적 가용성의 의미에서 파악된 최적의 세척 시점 및/또는 경우에 따라 세척할 면의 비율의 의미에서 그에 대해 파악된 최적의 세척 시간을 연기한다. 추가로 또는 대안적으로, 세척 과정의 강도를 강화시키거나 감쇠시킬 수 있다. 그것은 망에서의 부하 수요가 피크일 때에 보일러의 출력 수율이 가능한 한 최대인 것이 바람직하므로, 그러한 시간대에는 세척에 기인한 보일러의 부하 드롭(load drop)을 피하여야 한다는 고려에 입각한 것이다. 세척 또는 세척 사이클에 가용되는 시간대는 본 발명에 따라 전부하 최적화(full load optimization)의 의미에서 전력 수요에 의존하여 연기되거나 최적화된다.즉, 예컨대 최적의 세척 시점은 그것이 피크 전력 수요의 단계에 속한다면 경우에 따라 증기 발생기에 더 적은 부하가 요구되는 단계에 속하도록 연기될 수 있는데, 그 경우에 그러한 단계에서는 수요에 의존하는 전력 가격도 역시 당연히 더 낮게 된다.즉, 본 발명에 따르면, 수요 지향적인 세척 및 그러한 세척으로 인해 생기는 증기 발생기의 최소 출력을 실제 전력 수요 및 그로 인한 전력 가격 또는 실제 열 수요에 연계시킨다.이때, 한편으로 과정의 오염이 계속해서 저하되지 않도록 하고, 다른 한편으로 세척에 기인하여 예상되는 증기 발생기의 출력 손실이 전력 수요가 적은 단계에 속하도록 하는 것이 보장되어야 한다.그와 함께, 소정의 최대 허용 오염을 초과하지 않도록 하여 예정되지 않은 보일러의 정지를 회피하도록 하여야 한다.전술한 방법은 특히 갈탄(brown coal)으로 연소되는 보일러 또는 증기 발생기에 적용하기 적합한데, 왜냐하면 갈탄은 그 성질 여하에 따라 높은 비율의 슬래그 형성 물질들을 함유하고, 그러한 증기 발생기에서는 효율 최적화된 작동이 매우 중요하기 때문이다.증기 발생기의 상태 변수들로서, 적어도 가열 면 온도 및/또는 증기 발생기의 생증기 온도 및/또는 증기 발생기의 재가열 온도를 탐지 및/또는 측정한다. 가열 면 온도는 예컨대 가열 면의 오염 상태를 파악하는데 사용될 수 있고, 그것은 예컨대 공지의 열 화상 방법에 의해 파악될 수 있다. 연소실의 벽 온도가 연소실의 오염도에 대한 지표로서 사용될 수 있다. 가열 면의 온도는 예컨대 적절한 온도 센서에 의해 측정될 수도 있다.연소실 온도를 파악하고 모니터링하는 방법은 예컨대 DE 10 2006 022 627 A1 및 DE 10 2007 039 945 A1에 개시되어 있다. 또한, 후자의 간행물에는 가열 면 유효성을 파악하는 방법도 개시되어 있다.본 발명에 따른 방법의 바람직한 양태에서는, 증기 발생기에 대한 부하 예측을 기상 예보 데이터의 함수로서 수립하는 구성이 제공된다. 기본적으로, 특정의 날씨 조건에서는 망에서 재생 에너지 원으로부터의 전력이 덜 공급되어 여러 날들의 기간에 걸친 매우 신뢰성 있는 부하 예측을 수립할 수 있다는 것이 알려져 있다. 증기 발생기에 의해 열을 공급하는 경우, 부하 예측은 예측되는 열 수요에 의존하여 이뤄진다. 부하 예측은 반드시 기상 예보를 기반으로 수립되어야 하는 것은 아니고, 예컨대 산업계의 전력 소비처 및/또는 열 소비처의 온 또는 오프를 기반으로 부하 예측이 이뤄질 수도 있다. 예컨대, 알루미늄 제조용 생산 시스템이 가동을 시작하면 상당량의 전력이 필요하므로, 그러한 시스템의 가동 개시는 예측 가능한 부하 드롭이 된다.전력 망에서 강력한 부하가 예측될 경우에는 타깃 세척 과정을 억제 및/또는 감쇠 및/또는 및/또는 연기 및/또는 단축할 수 있고, 미약한 부하가 예측될 경우에는 타깃 세척 과정을 앞당김 및/또는 증강할 수 있다. 본원의 의미에서, 타깃 세척 과정이란 수행된 유효성 예측을 기반으로 할 때에 특정 세척 시점에 유의적이고 바람직한 것이지만 그 시점에 반드시 필요로 하는 것은 아닌 세척 과정을 의미할 수 있다. 반드시 지켜야 하는 세척 시점에 반드시 필요로 하는 세척 과정은 가열 면의 유효성이 소정의 최소 유효성에 미치지 못하거나 가열 면의 오염이 최대 허용 오염을 초과하는 경우에 개시되는 세척 과정만이 그러한 세척 과정이다.특정 세척 시점에 정해진 세척 사이클을 거치게 되는데, 이때 경우에 따라서는 세척 시점을 연기하는 것이 아니라, 세척할 면의 의미에서의 세척 범위를 한정하거나 확장하는 구성이 제공될 수도 있다. 경우에 따라, 예컨대 워터 랜스 블로워의 사용 시에 수압의 제어를 통해 세척 강도를 감소시키거나 증가시킬 수도 있다. 본원의 의미에서, 세척 시점이란 세척 사이클의 시작점을 의미할 수 있다.지연된 타깃 세척 과정을 증강시키는 것이 매우 바람직하다. 즉, 전력 망의 강력한 부하 단계에서 억제되었다가 추후 시점에 시작되는 타깃 세척 과정의 경우, 가열 면에 오염물이 잔존하는 것을 피하기 위해 그 타깃 세척 과정을 증강시킨다.가용성 예측 및 유효성 예측을 신경망 모델(neural model)에 의해 수립하는 것이 매우 바람직하다.또한, 적어도 유효성 예측 및 부하 예측을 세척 사이클을 개시 및/또는 해제하는 퍼지 제어기(fuzzy controller)의 입력 변수로서 사용하는 것이 바람직하다.세척 과정의 지속 시간 및 세척 면적 크기에 의존하여 예상할 수 있는 세척에 기인한 가열 면의 마모도 역시 퍼지 제어기의 입력 변수로서 사용할 수 있다.부하 예측을 전력 가격 예측으로서의 나타내는 것이 바람직하다. 퍼지 제어의 경우, 전력 가격 예측을 퍼지 제어기의 입력 변수로서 사용한다. 예컨대, 가열 면 유효성 지향적인 수트 블로워 관리 시스템 또는 적외선 카메라 유도 세척 시스템과 같은 진단 시스템들에 의해, 기술적 세척 요구 및 기술적 최적 세척 시점을 결정하여 세척 장치들의 제어를 위한 제어 기법에 전달한다. 기술적 세척 요구는 이미 전술한 바와 같은 유효성 예측의 결과로부터 나온 세척 요구이다.대안적으로, 열 수요 예측과 같은 부하 예측을 예컨대 계절별로 또는 산업계의 소비처의 온 또는 오프에 의존하여 수립할 수도 있다.본 발명에 따르면, 증기 발생기(발전소 블록)에서의 부하 계획, 세척 계획, 및 가동 계획을 부하 제어기(load controller)에 의해 평가 및 자동화한다. 예컨대, 해당 소프트웨어를 갖춘 전자 데이터 처리 장치가 부하 제어기로서 마련될 수 있다. 부하 제어기에서는, 시간적 및 기술적 조치의 여지(scope)를 결정하여 예컨대 전력 시장에서의 가격 전개 및 수요와 연계시킨다. 그러면 그로부터 가격 최적화 및 수요 최적화된 세척 계획이 나오게 되는데, 그 경우 그러한 세척 계획은 전력 시장에서의 가격이 높은 시점에 최소 부하를 허용하지 않고, 저가격의 단계에서 세척 장치들을 제어 구동한다. 그럼으로써, 실제 전력 수요 및 가격 수요가 최적으로 감안된다. 그러한 최적화에는 연료 계획도 포함될 수 있다.전력 시장 또는 열 수요로부터 나온 수익/가격을 평가하고, 수용 가능한 세척 과정을 파악하며, 양자의 기준의 최적화를 모색하여 제어 구동을 한다. 그 경우, 세척 시스템의 제어 구동은 진단 시스템 및/또는 제어 기법에 의해 자동으로 수행될 수 있거나, 권고로서 운영 스태프에 전달되어 이후에 운영 스태프가 제어 구동을 수행할 수 있다.본 발명에 따른 방법의 바람직한 양태에서는, 강력한 부하의 단계 내에서 타깃 세척 과정을 높은 가용성이 예측되는 시간으로 연기하는 구성이 제공된다. 이때, 추가적으로 세척 과정의 수행을 계획할 때에 증기 발생기의 더 높은 최대 가능 출력을 감안한다. 그것은 특히 더 높은 최대 가능 출력이 가용성 예측에 이미 포함되어 있는 것이 아니라, 변경하지 않았다면 출력을 제한하였을 파라미터의 변경에 의거하여 단기간 내에 주어지는 경우에 유리하다.본 방법의 또 다른 바람직한 구성에서는, 가용성 예측의 수립 시에 및 실제 제어 시에 특히 증기 발생기의 출력 제한 인자들을 모니터링하고 감안한다. 그것은 예컨대 연료의 발열량, 생증기량, 생증기 온도, 재가열 온도, 재가열 압력, 재가열 가열량, 및/또는 냉각수 온도이다.부하 예측 및 가용성 예측에 의존하여 부하 제어에 의한 증기 발생기의 출력 제어를 위한 제어 계획을 수립하고, 그 제어 계획에 의거하여 증기 발생기를 그 출력에 있어 제어하는 것이 바람직하다. 따라서 증기 발생기의 타깃 대 실제 제어가 수행된다.증기 발생기의 출력 제어는 주파수 제어 및 발전기의 배후에서의 2차 출력 제어를 통해 통상적인 방식으로 가능하다. 그 경우, 증기 발생기의 하류에 연결된 발전기로부터 전력 망으로 인도되는 전기 출력의 제어를 통해 출력 제어가 수행된다.부하 예측, 가용성 예측, 및 유효성 예측을 시간 및 일별로 산정된 시간에 대해, 바람직하게는 금일 동안의 약 0 내지 24시간의 기간에 대해 및 이후 날들 동안의 약 0 내지 48시간의 기간에 대해 수립하는 것이 바람직하다.예컨대, 익일에 대한 일과 계획의 형태로 된 증기 발생기의 작동 방식에 대한 스케줄로서 제어 계획을 발행하고, 이어서 익일에 그 제어 계획에 의거하여 증기 발생기의 제어를 수행하되, 이때 제어 계획은 증기 발생기의 출력에 대한 참조 변수(reference variable)를 지정할 수 있다.실제로, 예컨대 일별 기간 또는 24시간의 기간에 대해 발행된 그러한 제어 계획을 전력 망의 요구에 따라 쿼터 시간마다(quarter-hourly) 과도 제어하는 구성이 제공될 수 있다.추가로, 보충적 출력 옵션들 및/또는 제어 에너지의 제공을 위한 옵션들을 가용성 예측에서 감안하는 구성이 제공될 수 있다. 보충적 출력 옵션들은 특히 여하튼 일시적으로 증기 발생기의 높은 출력을 가능하게 하지만 경우에 따라 증기 발생기의 낮은 효율을 수반하는 출력 옵션들이다. 그러한 보충적 출력 옵션의 일례는 예열기를 끄는 것이다. 그럼으로써, 효율에 부담을 주는 출력 증가가 얻어진다. 제어 에너지를 제공하기 위해, 제어 출력을 가져올 수 있는 증기 발생기의 출력 대역을 정확하게 특정할 수 있다.본 발명에 따른 방법은 정격 출력/병목 출력 위에 있는 최대 출력을 예정하는 것도 가능하다는 의미에서 증기 발생기의 부하 포텐셜을 전부 활용하는 것을 가능하게 한다. 추가로, 출력의 양호한 계획성이 제공되는 출력에서의 좁은 안전 대역을 가능하게 한다. 가용성 예측이 없다면, 증기 발생기의 정격 출력을 기준으로 어느 정도의 출력 대역 폭을 비가용 블록 출력으로서 제공하여 경우에 따라 전력 망의 부하 요구에 따라 증기 발생기를 그 대역 폭 내에서 제어하는 것이 필요하게 될 것이다. 가용성 예측의 수립에 의해, 증기 발생기의 정격 출력 위에 있는 증기 발생기의 출력을 예정하는 것이 가능하고, 그에 따라 세척 과정의 계획 시에 증기 발생기의 최대 가능 출력을 감안할 수 있게 된다.본 발명은 밸런싱 그룹 관리(balancing group management)의 과정 중에 다수의 증기 발생기들 및/또는 적어도 하나의 증기 발생기와 제어 에너지 제공 시스템을 동시에 감안할 경우에 또 다른 이점을 구현한다. 기본적으로, 필요 시에 부하 요구를 정확히 지키기 위해 및/또는 망 안정성에 기여하기 위해 그 출력의 정해진 일부를 예비(reserve)(제어 에너지)로 남겨 두어야 하는 요구가 증기 발생기에 요구된다. 그러한 요구는 밸런싱 그룹 관리의 과정 중에 해당 출력을 제공함으로써 충족될 수도 있다.그에 상응하여, 적어도 하나의 증기 발생기 및 제어 에너지 제공 시스템을 가상 밸런싱 그룹으로 통합하는, 전력 생산 및 열 공급용 증기 발생기의 출력 제어 방법이 제공된다. 제어 에너지 공급 시스템은 기본적으로 미리 정해진 충분한 출력을 특히 소정의 시간 내에 요청에 응하여 제공할 수 있는 모든 타입의 에너지 발생기일 수 있다. 따라서 그 자격 적합성에 있어 결정적인 것은 무엇보다도 최대 출력 및 그 최대 출력에 도달하기 위한 가능한 워밍업 램프(warm-up ramp)이다. 특히, 제어 에너지 제공 시스템은 또 다른 증기 발생기, 양수 발전소, 또는 차단 가능한 동력 설비일 수 있다.그래서 본 발명에 따른 방법은 증기 발생기 또는 증기 발생기들에 대한 전력 수요 및/또는 열 수요의 함수로서 부하 예측을 수립하는 단계, 증기 발생기 또는 증기 발생기들의 예상 가용 최대 출력에 대한 예측을 가용성 예측으로서 수립하는 단계, 및 밸런싱 그룹으로 통합되는 최대 출력을 갖는 증기 발생기와 최소 출력을 갖는 제어 에너지 제공 시스템을 감안한 제어 계획을 수립하는 단계를 포함한다.그러한 방법은 증기 발생기가 종전과는 달리 그 최대 출력으로 작동될 수 있고 제어 에너지를 제공할 필요가 없다는 이점을 제공한다. 그것은 빈번한 부하 교체를 피할 수 있기 때문에, 특히 시스템 마모의 관점에서도 증기 발생기의 경제적인 이용을 가능하게 한다.개개의 증기 발생기의 출력 변동은 다수의 증기 발생기들을 감안할 때에 확률적 영향(stochastic effect) 그 자체에 의거하여 상당 부분 보상되거나, 에너지 제공 시스템에 의해 중앙 집중적으로 보상된다.제어 계획은 특히 향후 시간에 대해, 예컨대 시간 및 일별로 산정된 기간에 대해, 예컨대 금일 동안의 약 0 내지 24시간의 기간에 대해 및 이후 날들 동안의 약 0 내지 48시간의 기간에 대해 수립된다.가용성 예측은 이미 전술한 바와 같이 주위 온도 및/또는 연료 품질의 함수로서 수립되는 것이 바람직한데, 그것은 그러한 파라미터가 가용 출력에 상당한 영향을 미치기 때문이다.본 방법의 범위에서는, 증기 발생기의 총 발전기 출력(gross generator output) 및/또는 순 발전기 출력(net generator output)을 모니터링하는 것이 바람직하다. 2개의 출력 값들 중의 하나를 모니터링하는 것으로도 충분한데, 왜냐하면 해당 시스템을 알면 다른 값을 추정할 수 있기 때문이다. 그 경우, 제어 에너지 제공 시스템이 제어 계획과 대비한 생산 차를 보상하여 각각의 시점에 밸런싱 그룹이 보상되도록 제어 에너지 제공 시스템을 제어한다.추가로, 보충적 출력 옵션들 및/또는 제어 에너지의 제공을 위한 옵션들을 가용성 예측에서 감안하는 구성이 제공될 수 있다. 보충적 출력 옵션들은 특히 여하튼 일시적으로 증기 발생기의 높은 출력을 가능하게 하지만 경우에 따라 증기 발생기의 낮은 효율을 수반하는 출력 옵션들이다. 그러한 보충적 출력 옵션의 일례는 예열기를 끄는 것이다. 그럼으로써, 효율에 부담을 주는 출력 증가가 얻어진다. 보충적 출력 옵션들은 특히 제어 에너지를 제공하는데 사용될 수 있다.청구항 14에 따른 다수의 증기 발생기들의 출력을 제어하는 방법에서도, 특히 증기 발생기의 작동 중에 증기 및/또는 물로 작동되는 세척 장치들을 사용하는 것을 감안하는 것이 적용될 수 있다. 그에 관해서는, 전술한 설명을 참조하면 된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 이하, 본 발명을 첨부 도면들을 참조해서 실시예에 의거하여 설명하기로 한다. 첨부 도면들 중에서,도 1은 24시간의 기간에 걸친 증기 발생기의 출력 도표로서, 총출력으로서의 증기 발생기의 최대 가능 전기 출력, 총출력으로서의 발전기의 전기 출력, 순출력으로서의 증기 발생기의 전기 출력, 및 이후로 스케줄로 지칭될 해당 기간에 대한 제어 계획이 기입되어 있는 도표이고,도 2는 증기 발생기의 제어 및 예측의 블록도이며,도 3은 여러 날들에 걸친 제어 계획 또는 스케줄의 일례로서, 전기 출력이 시간 눈금을 따라 기입되어 있는 도표이고,도 4는 16시간의 기간에 걸쳐 기입된 증기 발생기의 전기 출력을 나타낸 도표로서, 증기 발생기의 최대 가능 총출력, 세척에 필요한 출력 손실을 제외한 증기 발생기의 최대 가능 출력, 및 증기 발생기의 제어에 따라 실제로 나오는 총 발전기 출력이 표시되어 있는 도표이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하에서 총 발전기 출력 및 순 발전기 출력을 언급하는 경우, 전기 출력으로서 제공되는 발전기의 단자들에서의 전기 출력을 총 발전기 출력으로 지칭한다. 순 발전기 출력은 실제로 전력 망에 공급되는 출력이다. 순 발전기 출력과 총 발전기 출력 간의 차는 증기 발생기 그 자체의 작동을 위해 전력 망의 앞에서 분기되는 출력이다. 증기 발생기의 제어는 일반적으로 기존 데이터를 기반으로 총 발전기 출력에 의거하여 이뤄지는데, 순 발전기 출력은 추정될 수 있다. 증기 발생기의 순출력은 그에 맞춰 증기 발생기가 설계된 전기 순출력이다. 최대 가능 전기 출력은 증기 발생기가 외기 온도 또는 주위 온도 및 연료 품질과 가열 면의 유효성에 의존하여 실제로 출력할 수 있는 출력이다.증기 발생기의 작동 중에 가열 면을 세척하면, 세척 과정 동안 실제 최대 가능 출력이 떨어지는데, 예컨대 300 MW(메가와트)의 전기 정격 출력을 갖는 증기 발생기의 경우에 세척 과정의 유형에 따라 약 15 내지 30 MW 정도 떨어진다.세척은 예컨대 연소실 내에서 세척 장치와 각각 마주하여 배치된 복사 가열 면을 하나 이상의 워터 랜스 블로워에 의해 씻어내는 것을 포함할 수 있다. 이때, 고압의 물이 연소실을 통해 맞은편의 복사 가열 면에 인가되고, 그에 따라 그 곳에 혹시 있는 고착물 내지 케이킹이 분리된다.소위 수트 블로워에 의한 증기 발생기의 소위 재가열 면의 세척도 본원의 의미에서의 가열 면의 세척으로서 제공될 수 있다.그러한 세척 과정은 증기 발생기의 작동 중에 수행되는데, 그것은 일반적으로 알려져 있는 바와 같다.후술할 예는 갈탄의 미분탄 연소 장치를 구비한 증기 발생기의 제어 장치를 기반으로 하여 설명될 것이다. 증기 발생기 또는 발전소 블록은 300 MW의 정격 출력을 갖는다.도 1에는, 24시간의 적용 기간에 걸쳐 발전소 블록(증기 발생기)의 최대 가능 총출력(PMB), 실제 총 발전기 출력(PGB), 실제 순 발전기 출력(PGN), 및 전력 망에 제공되는 출력(PDispo)에 대한 제어 계획 또는 스케줄이 기입되어 있다.도 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 증기 발생기의 최대 가능 출력(PMB)은 스케줄에 따라 실제 제공되는 출력(PDispo)보다 훨씬 더 크다.도 1로부터 또한 알 수 있는 바와 같이, 대략 13시와 16시 사이 및 대략 21시와 0시 사이에 증기 발생기의 세척이 수행되는데, 그것은 순 발전기 출력(PGN)의 하락을 수반한다.이제, 본 발명에 따른 제어의 구성 및 구조를 도 2에 도시된 블록도에 의거하여 설명하기로 한다. 그 블록도에서, 도면 부호 "1"로 지시된 발전소 블록 또는 증기 발전기는 물리적으로 존재하는 발전소 블록을 의미한다. 그러한 발전소 블록(1)은 물-증기 회로를 갖는 연소실 또는 보일러와, 도면 부호 "2"로 지시된 전력 망에 전력을 공급하는 증기로 작동되는 적어도 하나의 발전기를 포함한다. 발전소블록(1)의 제어는 도면 부호 "3"으로 개략적으로 나타낸 발전소 제어 기법을 통해 이뤄지는데, 그 발전소 제어 기법에 의해 부하 제어 및 세척 장치들(4)의 제어가 수행된다. 발전소 제어 기법(3)의 상류에는 가상 시스템 모델의 형태의 가상 발전소 블록(5)이 연결된다. 그러한 가상 발전소 블록은 발전소 블록(1)의 상태 변수들에 대한 물리적으로 존재하는 모든 측정 장치들, 모니터링 장치들, 및 진단 장치들의 가상 표현(virtual representation) 및 블록 부하의 표현과 세척 장치들(4)의 제어의 표현을 포함한다.발전소 제어 장치(3) 및 가상 발전소 블록(5)으로부터의 데이터는 부하 제어기/최적화기(7)와 소통하는 데이터베이스(6)에 수집된다. 부하 제어기(7)는 적어도 하나의 퍼지 제어기를 포함하는 소프트웨어 기반 신경망 시스템으로서 구성되고, 웹 기반 사용자 인터페이스를 포함한다. 그러한 부하 제어기에는, 발전소 제어 기법으로부터의 측정치와 설정치, 가상 발전소 블록(6)으로부터의 유효성, 품질 등급, 효율과 시스템 특성치, 및 사용량의 형태의 입력 값들이 들어오는데, 발전소 블록(1)의 진단 시스템도 그 값들을 표시한다. 부하 제어기(7)에서는, 유효성 예측, 부하 예측, 및 최적화된 부하 능력으로서의 가용성 예측과 최적화된 세척 제어가 생성된다. 부하 예측 및 가용성 예측은 발전소 가동 계획(9)의 데이터에 의거하여 수립되는데, 그러한 데이터는 날씨 데이터 및 예상 시장 수요를 감안하는 것이다. 또한, 부하 제어기(7)는 가용성 예측(8) 또는 부하 능력 예측을 수립하는데, 그것은 다시 가용성 예측(8) 및 전력 시장의 부하 수요(10)에 의거하여 제어 계획의 형태의 스케줄(11)이 수립되고, 그 스케줄(11)이 발전소 블록(1)의 제어를 위한 제어 변수로서 발전소 제어 장치(3)에서 감안된다는 점에서 발전소 가동 계획(9) 시에 감안되게 된다.증기 발생기 또는 발전소 블록(1)의 상태 변수들의 모니터링은 진단 장치들을 통해 수행되고, 그 진단 장치들의 진단 데이터는 가상 발전소 블록(5)에서 표시되고 데이터베이스(6)에 저장된다. 그러한 데이터에 의거하여, 부하 제어기(7)에서 유효성 예측이 수립되고, 유효성 예측에 의거하여 타깃 세척 시점이 파악된다. 전력 수요의 함수로서 부하 예측을 고려하고, 경우에 따라 증기 발생기의 예상 가용 최대 출력을 고려하여 세척 장치들(4)의 제어를 위한 제어 명령이 생성된다. 그러한 방식으로, 시장의 부하 수요(10)에 의존하여 최적의 세척 시점 및 최적의 세척 강도를 결정하고 유도하는 것이 가능하다. 또한, 최적화된 스케줄(11)을 위해 감안되는 가용성 예측(8) 또는 부하 능력 예측이 부하 제어기(7)에 의해 수립될 수 있는데, 최적화된 스케줄(11)은 발전소 블록(1)의 최적화된 부하 능력 예측을 감안하고, 그것은 예컨대 이하에서 도 4에 의거하여 그래프로 나타내는 바와 같다. 도 4는 도 1에 도시된 도표와 대략 상응하는 도표를 도시한 것으로, 그 도표에는 발전소 블록(1)의 최대 가능 총출력(PMB), 수트 블로워를 거친 후의 발전소 블록(1)의 최대 가능 총출력(PMBR), 총 발전기 출력(PGB), 및 제어 계획 또는 스케줄(11)에 따라 제공 가능한 출력(PDispo)이 기입되어 있다. 빗금 친 면은 발전소 블록(1)의 최대 가용성을 감안하여 얻어지는 부하 포텐셜을 나타내고, PMB와 PMBR 사이의 음영 면들은 세척 장치들의 해당 제어에 의해 얻어지는 부하 포텐셜을 나타낸다. [ 부호의 설명 ] PMB: 증기 발생기의 최대 가능 전기 총출력PGB: 총 발전기 출력PGN: 순 발전기 출력PDispo: 제어 계획/스케줄PMBR: 수트 블로워 이후의 증기 발생기의 최대 총출력1: 발전소 블록 2: 전력 망3: 발전소 제어 기법 4: 세척 장치5: 가상 발전소 블록 6: 데이터베이스7: 부하 제어기 8: 가용성 예측9: 발전소 가동 계획 10: 부하 수요11: 스케줄	본 발명은 증기 발생기의 작동 중에 증기 및/또는 물로 작동되는 세척 장치를 사용하는 것을 감안하여 전력 생산 및/또는 열 공급용 증기 발생기의 출력을 제어하는 방법에 관한 것이다. 본 방법은 증기 발생기의 가열 면의 유효성 및/또는 오염 상태에 대한 직간접적인 판정을 가능하게 하는 증기 발생기의 상태 변수들을 모니터링하는 단계를 포함한다. 또한, 본 방법은 측정된 및/또는 파악된 상태 변수들을 기반으로 하여 유효성 예측을 수립하는 단계, 전력 수요 및/또는 열 수요의 함수로서 부하 예측을 수립하는 단계, 가용성 예측으로서 및 주위 온도 및/또는 연료 품질의 함수로서 증기 발생기의 예상 가용 최대 출력에 관한 예측을 수립하는 단계, 및 유효성 예측의 함수로서 최적의 세척 시점을 결정하되, 증기 발생기의 가열 면의 소정의 최소 유효성을 하회하지 않을 것 및/또는 가열 면의 소정의 최대 허용 오염도를 초과하지 않을 것을 조건으로 유효성 예측에 따라 개시될 타깃 세척 과정을 부하 예측 및/또는 가용성 예측에 의존하여 연기 또는 억제 및/또는 단축 또는 연장 및/또는 증강 또는 감쇠시키는 단계를 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 내화성 코스 세라믹 제품 및 이의 제조방법, 및 이의 용도Refractory coarse ceramic product and method for producing the same and its use [ 기술분야 ] 본 발명은 적어도 하나의 내화성 재료를 포함하는 코스(coarse) 세라믹 내화성 제품에 관한 것이다. 본 발명은, 또한 상기 제품의 제조방법 및 이의 용도에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 본 발명에 따른 코스 세라믹 내화성 제품은 세라믹 소성(ceramically fired) 또는 비소성 성형품, 특히 압축된 단일체(monolithic) 제품으로서, 이는 세라믹 공장에서 제조되거나, 또는 사용자에 의해 제조되며, 이는 공업적 소성 또는 용융 시스템 또는 그외 소성된 공업용 골재구조물들(aggregates), 예를 들면, 시멘트 킬른 시스템, 석회 샤프트 킬른 또는 석회 회전 킬른, 가열로들, 및 에너지 생성용 로들과 같은 대용량 공업로에서 내화성 라이닝용으로 사용된다.본 발명의 범위 내에서, 용어 "내화성(refractory)"은 ISO 836 또는 DIN 51060에 따른 정의에 한정되는 것은 아니며, 이는 003e# 1500℃의 내화도(pyrometric cone equivalent)를 의미한다. 또한, 상기 용어는 바람직하게는 600 내지 2000℃, 특히 바람직하게는 1000 내지 1800℃에서 골재물 중의 골재 구조의 보호를 위해 사용되는 제품에 관련된 것으로 의도된다.내화물(refractory materials)은 탄소 및 내화성 탄소 화합물 뿐만 아니라 6개의 내화성 기초 산화물들을 기본으로 한다는 것은 당업자에게 공지되어 있고, 이들은 예를 들면, "Gerald Routschka/Hartmut-Wuthnow, Practical Handbook of "Refractory Materials", 5th Edition, Vulkan-Verlag(이하, "Practical Handbook"으로 약칭함), pp. 1-7"에 지명되고 분류되어 있다. 또한, 내화물로부터 제조된 제품들의 기본적인 용도들도 상기 문헌에 표기되어 있다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은 Practical Handbook의 페이지 15~20에 따른 내화성 제품용으로 알려진 코스-세라믹의 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명에 따른 성형된, 특히 압축된 내화성 제품은 사용의 목적에 적합한 냉간 압축 강도를 얻는 것을 목적으로 하고, 또한 그것을 제조하는 동안 및 그 후, 심지어 온도 특성 시험(temperature cycling) 후에도 취급 용이성을 충분히 높이는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명의 제품들은 적용 온도에서 열적 안정성, 내식성(corrosion resistance), 열충격 저항성, 우수한 마이크로 구조 탄성(microstructural elasticity), 압축 시 적합한 크립성(creep), 낮은 가스 투과도 및 높은 굽힘 강도를 나타내는 것을 목적으로 한다.또한, 본 발명에 따른 제품들은 작업 케이싱(working casings), 예를 들면 골재가 접하는 로(furnace)에 접하는 라이닝으로서 적합하고, 동시에 각각의 용도의 요구 사항을 만족시키는 것을 목적으로 하고, 또한 현재까지 이러한 목적으로 사용되는 종래의 제품들과 비교하였을 때 낮은 열전도율을 갖는 것을 목적으로 한다.독일 특허 DE 10 1006 040 269 B4에 공지된, 각각의 다른 내화물로 제조된 코스 세라믹 내화성 제품들은, 작업 케이싱으로서 사용 가능하고, 높은 개기공도로 인해 상대적으로 낮은 열전도성을 갖는다. 이들 공지된 제품들 및 유통 시장에서 입수 가능한 낮은 기공도를 갖는 대부분의 공지된 작업-케이싱 제품들은, 온도의 상승 시에 부피가 팽창하고, 이어서 온도가 낮아지는 동안에, 통상 가역적으로 수축하는 특성을 갖고 있고, 상기 제품들의 제조 후 및 사용 전에, 예를 들면 DIN-EN 993-19에 따라 정기적으로 테스트 된다. 상기 특성은, 또한 용어 “가역적 열팽창(reversible thermal expansion)”으로 알려져 있다. 이 거동은 내화성 벽돌 구조물 또는 내화성 단일체 라이닝 내로, 적절한 소위 팽창 조인트(expansion joint)를 도입함으로써 방지된다(본 발명의 범위 내에서, 단일체는, 라이닝이 무정형의 가공가능한 새로 배합한 혼합물 덩어리(mixed mass), 예를 들면 새로 배합한 혼합 콘크리트 덩어리로부터 국부적으로 제조된 것을 의미한다.).그러나, 대부분의 공지된 코스 세라믹 내화성 제품들은, 온도가 변화하는 동안에 가역적으로 부피 변화가 일어나고, 뿐만 아니라 소위 비가역적 후수축(post- shrinkage)과 같이, 인 시튜로, 즉 사용 중에 비가역적으로도 소성 골재내에서 부피 변화가 일어난다. 상기 후수축은, 예를 들면, 성형 또는 비성형 제품에서 불완전한 소결, 상변형 또는 화학 반응에 기인한 것이다상기 후수축으로 인해, 지금까지 비가역적 부피 변화를 피할 수 없었고, 그로 인해, 골재 라이닝의 내화성 제품들 사이의 조인트들이 오픈된다. 이것은 작업-케이싱 벽돌 구조 또는 내화성 단일체 작업-케이싱 블록 또는 라이닝의 헐거워짐(loosening) 및 불완전성을 초래한다. 내화성 제품의 후수축은 DIN EN 993-10에 따라 비가역적 길이 변화를 측정하여 테스트된다.본 발명의 목적은, 특히, 예를 들면 특정의 냉간 압축 강도(기계적), 열적 및 기계적 로딩(열기계적) 동안의 인시튜에서 특정의 강도, 및 인시튜에서 화학적 부식(열화학)에 대한 저항성과 같은, 작업 케이싱 용도에 매치되는 각각의 특성들에 지나친 영향을 미치지 않으면서, 작업 케이싱용으로 적합하나, 후수축의 경향이 있는 코스 세라믹 내화성 제품의 후수축을 최대한 감소시키는 것이다. 또한, 본 발명은 특히, 현재까지 사용되는 상대적으로 높은 열 전도성을 갖는 작업-케이싱 라이닝과 비교하여 낮은 열 전도성을 보장하는 것을 목적으로 한다.지금까지 내화성 블록들의 열전도성의 감소는, 통상 작업층 및 절연층의 다층 케이싱 배열에 의해 달성되었다. 예를 들면, 특히 시멘트 로터리 킬른과 같은 골재구조물들 내에서, 다층 케이싱들은 기계적으로 매우 민감하거나, 또는 파열에 취약하고, 또한 설치가 복잡하다. 이른바 중간층 케이싱으로 인해 작동시 발생하는 불확실성을 피하기 위해, 절연층이 존재하지 않는 작업 케이싱을 설치하는 것은 일반적인 것은 아니다. 그러나, 골재구조물의 재킷(jacket) 물질을 로드하기 위한 높은 온도와 높은 열 손실은 서로 관련이 있다.또한, 본 발명의 목적은 높은 기공도로 인해 열전도성이 감소된, 특히 압축에 의해 성형된 코스 세라믹 내화성 제품을 제공하는 것으로, 상기에 나타낸 바와 같이 기계적, 열기계적 및 열화학적으로 작업 케이싱에 적합하고, 낮은 다공도를 갖는 코스 세라믹 내화성 제품과 비교하여, 적어도 상당한 요구 물성들을 더욱 확보하면서, 후수축도 최대한 감소시키는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명에 따른 목적은 청구항 1, 10 및 19의 특징들에 의해 달성된다. 본 발명의 유리한 구체예들은 이들 청구항들에 종속되는 청구항들에서 특징지워진다.본 발명은 작업 케이싱으로서 적합하고, 또한 공지된 선행기술의 작업 케이싱 보다 소성 수축(firing shrinkage) 및 후수축에 대하여 더욱 부피-안정적인 매우 높은 다공성을 갖는 내화성 제품을 제공한다.예를 들면, 독일 특허 DE 10 2006 040 269 B4에 따른 종래 기술과 비교하여, 본 발명에 따른 내화성 제품은 0.1mm 내지 0.5mm의 입자 크기의 중립질 분획이 증가하고, 이른바 0.1mm 미만의 분말 입자 분획 또한 증가할지라도, 003e# 0.5 mm의 조립질 분획이 현저히 감소된 것이다. 본 발명의 범위 내에서, 예를 들면, 003e# 0.5 내지 최대 8mm, 예를 들면 특히 최대 6mm의 입자 크기 범위는 "조립질(coarse grain)"로 정의되고, 0.1 내지 0.5mm의 입자 크기는 "중립질(medium grain)"로 정의되며, 003c# 0.1 mm 분획은 분말 입자(flour-grained) 또는 미세 입자(fine-grained) 분획으로 정의된다. 상기한 입자 구성에 의해 소성 수축, 후수축 및 다공성과 관련하여 상기와 같은 신규의 향상된 특성들을 제공할 뿐만 아니라, 그것으로부터 제조된, 적어도 하나의 바인더 및/또는 적어도 하나의 작용제 및/또는 적어도 하나의 첨가제 및/또는 물을 포함하고, 본 발명에 따른 비소성 및/또는 소성 내화성 제품의 원료가 되는 압축 또는 성형가능한 덩어리(mass)의 향상된 가공성을 제공한다. 본 발명에 따른 코스 세라믹, 특히 압축 성형된 내화성 제품은, 22 내지 45부피%, 특히 23 내지 29부피%의 개기공도(open porosity), 및 내화물의 입자 구조, 또는 몇몇 혼합된 내화물이 사용되는 경우에는, 예를 들면 적당한 체질(sieving)에 의해 확립된 혼합물의 입자 구조를 각각 특징으로 하고, 상기 입자 구조는 0.1 내지 0.5mm의 입자 크기를 갖는 중립질 분획의 함량이 30 내지 55중량%, 특히 35 내지 50중량%이고, 내화성 제품의 나머지의 입자 구조는 분말-입자 분획 및/또는 조립질 분획이다. 바람직하게는, 상기 내화물의 정상 입자 크기 분포도, 또는 여러 내화물이 사용되는 경우에는, 그 혼합물의 정상 입자 크기 분포도를 갖는 본 발명에 따른 입자 구조는 적절한 체로 체질한 후에 다음과 같은 특징을 갖는다:최대 0.1mm: 20~61중량%, 특히 25~55중량%0.1~0.5mm: 30~55중량%, 특히 35~50중량%0.5mm 초과 최대 8mm,예를 들면, 특히최대 6mm: 0~25중량%, 특히 10~25중량%.세라믹 내화성 제품에 있어서, 입자 구조의 실측된 한계값들은 최적의 한계값들이고, 당업자들에게 공지된 바와 같이, 몇몇 내화물 또는 내화 혼합물들의 경우, 이들 값은 ±10% 이하 및/또는 그 이상의 편차를 가질 수 있으나, 그러한 경우에도 본 발명에 따른 실시에 의해 달성되는 효과와 동등한 효과 및 결과들을 나타낼 수 있다.상기 표기된 중량%(또한, 이하 질량%라 칭하기도 함)는 오직 내화물 또는 내화물의 혼합물의 입자 구조에 관한 것일 뿐, 전체 비율 중, 최대 10중량%로 존재가능한 바인더들 및/또는 항산화제와 같은 화학 작용제들 또는 미네랄 첨가제들과 같은, 본 발명에 따른 내화성 제품에 추가로 소량 혼합되는 통상의 성분들의 입자 크기에 관한 것은 아니다.본 발명에 따른 코스 세라믹, 특히 압축 성형된 내화성 제품들은 높은 다공성에도 불구하고 열적, 열기계적 및 열화학적 작업-케이싱 특성들을 가지고 있기 때문에 소성된 공업로 골재에서 현재까지 사용되고 있는, 이른바 고밀도의 압축 내화성 표준 제품들을 대체하여 작업 케이싱으로서 사용될 수 있다.본 발명의 분야에서 대부분의 표준 성형 및 압축 코스 세라믹 내화성 제품들은 최대 약 21부피%의 개기공도를 갖는 것이 일반적으로 알려져 있기 때문에, 그러한 용도에 적합한 요구 특성들이 확보된다면(다공성에 대하여는, 마그네시아-스피넬, 스피넬, 마그네시아-지르코니아 및 마그네시아-지르콘 브릭들의 다공성에 대한 Practical Handbook, p. 127, Plate 4.43 참조), 이것은 매우 놀라운 일이다. 따라서, 이들 표준 성형 코스 세라믹인 압축 내화성 제품들은, 열적 절연성 브릭(brick) 또는 경량의 내화성 브릭으로 알려진, 적어도 45부피%의 높은 전체 기공도를 갖는 고다공성의 내화성 열적 절연성 제품들(Practical Handbook, pp. 211-214)과 비교하여 고밀도(dense) 내화성 제품으로 알려져 있다. 공지된 바와 같이, 기공도는 성형된 코스 세라믹 내화성 제품들의 기계적, 열기계적 및 열화학적 특성들에 상당한 영향을 준다. 기공도의 증가에 따라, 상기 특성들은 일반적으로 급격하게 변화한다(Practical Handbook, p. 307, Fig. A17).본 발명에 따른 성형된 코스 세라믹 내화성 제품들은 그러한 경우에 해당되지 않거나, 또는 상기한 급격한 정도의 변화를 일으키지 않는다는 것은 놀라운 일이며, 이는 하기 실시예들에서 증명될 것이다.내화성 충전 물질을 성형하는 과정에서 압축하여 얻어지는 성형된 코스 세라믹 내화성 제품에 있어서 높은 개기공도의 조절을 허용하는 본 발명에 따른 입자 구조는, 놀랍게도 성형된 그린 내화성 제품을 세라믹 소성(ceramic firing)하는 동안에 또는 본 발명에 따른 성형된 그린(green) 내화성 제품의 세라믹 소성 조건 하에서 불가피하게 발생하는, 이른바 소성 수축을 감소시킬 수 있고, 이 경우 열 부하 또는 세라믹 소성은 공업로 골재구조물 내에서 화력과 마주보는 면 상에서 오직 인시튜로만 일어난다. 상기 소성 수축은, 온도 변동 또는 비가역적 후-수축 동안에 발생하는 가역적 부피 변화는 아니다.일반적으로, 표준 내화성 작업-케이싱 제품들은, 0.1 내지 1mm의 입자-크기 분획(Practical Handbook, p. 16, Table 2.1)을 20 내지 40중량% 포함하는 전형적인 연속 입자-크기 구조를 가지고, 0.5 내지 1mm의 분획은 10중량% 이상이므로, 본 발명과 관련된 0.1 내지 0.5mm의 입자-크기 분획은 종래 기술에서의 30중량% 한계값 미만으로 제한된다.본 발명에 따른 성형된, 특히 압축된 내화성 제품들의 제조를 위해, 본 발명의 범위 내에 존재하는 입자 구조 범위들 내의 혼합물들은 적어도 하나의 내화물을 포함하고, 바람직하게는 내화성 제품들의 제조에 적합한 적어도 하나의 바인더 및/또는 적어도 하나의 표준 작용제 및/또는 적어도 하나의 통상의 첨가제 및/또는 물과 혼합된다. 상기 혼합물 덩어리는 몰드 내에 도입되고, 압축되어서 상기 성형 제품들을 형성한다. 압축 압력은, 본 발명에 따라, 사용준비가 완료된 비소성 제품 또는 소성 제품의 적어도 22부피%, 바람직하게는 22부피% 초과, 특히 최대 45부피%의 기공도를 달성하도록 선택된다. 일반적으로 사용되는 60 내지 150MPa의 압축 압력과 비교하여, 상대적으로 낮은 압축 압력인 10 내지 60MPa, 특히 10 내지 40MPa의 압축 압력이 적합하다는 것을 발견하였다.명백하게, 0.1 내지 0.5mm의 중립질 크기의 혼합물의 입자 크기 분포도는 예를 들면 상기 범위 내에서 연속적으로 편리하게 조절가능하거나, 또는 전체 입자 구조 혼합물 내의 상기 표시된 입자-크기 범위의 정량적 부분과 조합하여 가우스 분포도를 가질 수 있고, 특히 압축하는 동안에 형성될 수 있는 본 발명에 따른 기공 부피를 확보하고, 소성 수축 및/또는 후수축의 감소 또는 적어도 후수축의 상당한 감소에 공헌하는 상기 입자들의 상호 지지(mutual bracing)를 통하여, 상기 입자-크기 범위의 입자들은, 본 발명에 따른 성형된 코스 세라믹 제품의 마이크로 구조의 지지체 프레임워크(support framework)를 확보한다.본 발명에 따른 내화성 제품의 제조를 위하여, 마그네시아, 돌로마(doloma), 마그네슘 알루미네이트 스피넬, 허시나이트(hercynite), 포오스테라이트(forsterite), 플레오나스트(pleonast), 크롬 광석, 지르코니아, 칼슘알루미네이트, 칼슘헥사알루미네이트, 알루미나 및 알루미노실리케이트 원료 물질들, SiC, 결합 점토와 같은 내화물들이 각각 단독으로, 또는 예를 들면 적어도 2종의 물질의 임의의 조합으로 사용된다. 본 발명은, 특히 다음의 물질들 중 적어도 하나를 기본으로 한 내화물을 사용하는 것이 효과적이다: 마그네시아, 돌로마, 내화 점토(fireclay), 안달루사이트(andalusite), 포오스테라이트, 보크사이트(bauxite). 본 발명은 다음의 재료들 중 적어도 하나를 기본으로 하는 것이 특히 효과적이다:마그네시아와 마그네슘 알루미네이트 스피넬,마그네시아와 허시나이트,마그네시아와 포오스테라이트,마그네시아와 플레오나스트,마그네시아와 크롬 광석.성형된 코스 세라믹 내화성 제품들은, 적합한 바인더의 사용 하에 통상적으로 제조된다. 이들의 예로는 Practical Handbook의 28 및 29페이지의 표 3.2에 표준 첨가 비율과 함께 나타나 있다. 본 발명의 범위 내에서, 특히 바람직한 원료 물질들, 물 및/또는 바인더로서 적어도 하나의 합성-수지 바인더, 특히 내화성 제품용으로 통상 사용되는 열경화성(hot-curing) 수지, 예로서 페놀-포름알데히드 수지 또는 리그닌 설페이트를, 성형 압축 제품의 제조를 위하여 압축되어질 출발 혼합물의 건조 물질에 대하여 3 내지 9중량%, 특히 4 내지 6중량%로 사용함으로써, 본 발명에 따라 목적하는 마이크로 구조체들이 형성되고, 이에 의하여 원하는 기공 부피 및 0.1 내지 0.5mm의 입자-크기 분획으로부터 유래되는 지지체-입자 프레임 워크를 갖는, 본 발명에 따라 목적하는 마이크로 구조체의 제조를 위한 향상된 압축성이 달성되고, 특히 후수축을 방지 또는 현저히 감소시킬 수 있다. 본 발명에 따른 단일체 제품을 위하여, 이들 바인더들이 사용될 경우, 동일하게 유리한 효과를 나타낸다.작업 케이싱으로서 적합하고, 본 발명에 따른 코스 세라믹 내화성 제품들을 위한 특히 바람직한 방법은, 종래의 고밀도 작업-케이싱 제품과 비교하여, 크게 감소된 후수축, 낮은 열 전도성 및 높은 기공성을 갖는, 특히 다음의 입자 구조를 갖는 적어도 하나의 입자 물질을 사용함으로써 제공된다:최대 0.1mm: 20~61중량%, 특히 25~55중량%0.1~0.5mm: 30~55중량%, 특히 35~50중량%0.5mm 초과 최대 8mm, 예를 들면, 특히 최대 6mm: 9~25중량%, 특히 10~25중량%본 발명의 범위 내에서, 용어 "입자(grain)" 또는 "입자들" 또는 "입자들의" 또는 "입자 크기(grain size)" 또는 "입자 구조(grain structure)"는, 적어도 1종의 내화물 입자들의 응집에 의해 과립화 골재로 형성된 둥근 모양, 예를 들면 구형상을 갖는 과립들과 달리, 예를 들면, 제품이 코스-입자(coarse-grained) 물질의 그라인딩 또는 크러싱에 의해 크기가 감소됨으로써 일반적으로 제조되고, 불규칙한 파편 형상을 갖는 것을 의미한다.다양한 입자 구조를 갖는 몇몇 물질들이 사용되는 경우에는, 예를 들어 2 내지 4분 동안 건조 혼합되고, 결과 혼합물은 본 발명에 따른 상기 입자 구조를 갖게 된다.본 발명의 범위 내에서, 또한 동일한 목적을 위하여 표준 고밀도 내화성 작업-케이싱 제품들의 제조에도 사용될 수 있는 물질들 또는 혼합물들이 사용된다. 상기 내화성 제품을 제조하기 위해, 상기 물질 또는 혼합물에 통상적으로 바인더를 첨가할 수 있고, 상기 바인더는 물 및/또는 타르 및/또는 피치와 같은 적어도 하나의 바인더, 및/또는 페놀-포름알데히드 또는 푸란 노볼락 수지, 및/또는 리그닌 설포네이트와 같은 적어도 하나의 합성 수지 바인더일 수 있으며, 상기 압축 성형 제품들을 압축시키기 위해 사용되는 상기 바인더들의 함량은 출발 혼합물의 건조 물질에 대하여 각각 3 내지 9중량%, 바람직하게는 4 내지 6중량%를 포함할 수 있다. 그런 다음, 상기 바인더 또는 바인더들의 최적 분포를 위해, 예를 들면 3 내지 10분 동안 혼합을 수행한다. 상기 바인더 비율 및 혼합 방식 또는 혼합기의 종류는 0.1 내지 5mm, 예를 들면 특히 0.5 내지 4mm의 과립 직경을 갖는 과립들로 이루어지는, 소위 혼합 과립을 형성하기 위해 바람직하게 선택된다. 예를 들면, 과립화하는 동안에 혼합물 내에 물 및/또는 바인더를 분사하면서 첨가하는 것이 더욱 편리하다.바람직하게는, 이른바 응집 과립화(agglomerating granulation)는, 상기 혼합 과립화 후에 수행되거나 또는 상기 혼합 과립화의 과정을 생략하고, 예를 들어 과립화 혼합기 또는 과립화 드럼 또는 과립화 팬(pan)에서 혼합물 내로 투입된 과립 물질들을 3 내지 6분 동안 간단하게 혼합한 후에 수행됨으로써, 2 내지 15mm, 특히 3 내지 6mm의 과립 직경을 갖는 응집된 과립들을 생성시킨다.혼합 과립화 또는 응집 과립화로부터 얻은 과립들을 압축기의 압축 몰드 내에 도입시키고, 10 내지 60MPa, 특히 20 내지 40MPa의 압축 압력으로 성형 제품들을 압축함으로써 1.5 내지 7MPa, 특히 2 내지 4MPa의 압축 강도 및 1.80 내지 2.80g/㎤, 특히 2.00 내지 2.70g/㎤의 고유 밀도(raw density)를 갖는 그린 성형품을 생성한다. 건조는, 바람직하게는, 0.1 내지 0.6중량%, 특히 0.2 내지 0.5중량%의 잔여 수분 함량을 가지게 될 때까지, 60 내지 200℃, 특히 90 내지 140℃에서 수행되고, 상기한 압축 강도는 건조 후에 달성될 수 있다.이들 그린 브릭(green bricks), 특히 건조 그린 브릭들은, 추가의 처리없이도, 예를 들면 대용량 공업로와 같은 소성되어질 산업용 골재 구조물에서, 파열없이 스택 형성(stacked) 및 벽체로 설치하는 취급이 가능하다. 다공성은 압축 압력을 통한 제어 방식으로, 22 내지 45부피%, 특히 23 내지 29부피%의 범위 내에서 조절가능하다.그런 다음, 상기 브릭의 세라믹 소성은, 소성 골재 구조물 내에서 벽체로 설치한(walling-up) 후에 인시튜로 수행하였는데, 우선 화력과 접하는 표면 영역이 소성되고, 그런 다음 점진적으로 내부로 소성이 확장함으로써, 본 발명에 따라 목적하는 특성들, 특히 수축 및 열전도성을 소성 영역에서 확보하였다.바람직하게는, 압축된 그린 브릭들은 터널로와 같은 세라믹 소성로에서 1200 내지 1800℃, 특히 1400 내지 1700℃의 온도 범위에서 세라믹 소성된다. 상기 공정에서, 기공도는 전혀 변화하지 않거나, 또는 아주 약간 변화하였고, 본 발명에 따라 목적하는 낮은 열전도성은 상기 방법으로 확보되었다. 상기 열전도성은, 예를 들면 10 내지 50%, 특히 15 내지 35%의 범위 내에 있으며, 이는 동일한 조성물로 제조되는 최대 21부피%의 개기공도를 갖는 통상의 고밀도 작업-케이싱 브릭들 보다 낮은 범위이다. 냉간 압축 강도는 30 내지 100MPa, 특히 45 내지 80MPa의 범위 내에 있다.특히, 가장 유사한 선행기술인 DE 10 2006 040 269 B4에 따른 제품들 및 공지된 고밀도 제품들과 비교되는 본 발명에 따른 코스 세라믹 제품들의 우수성은, 다음의 실시예들에 근거하여 설명될 것이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 실시예 1유사 바인더, 즉 페놀 수지와 물을, 유사한 바인더 비율인 건조 혼합물에 대한 6중량%의 양으로 포함하는 유사한 광물학적 조성물(84중량%의 마그네시아, 16중량%의 융합 스피넬)을 기본으로 한 브릭들을 유사한 제조 파라미터들로 하기와 같이 제조하였다.a)는 독일 특허 DE 10 2006 040 269 B4에 따라, 003e# 0.5mm의 입자 크기의 작은 분획의 함량은 11중량%, 0.1 내지 0.5mm의 범위의 작은 입자 크기 분획들의 함량은 4중량%, 또한, 003c# 0.1 mm의 입자 크기를 갖는 분획의 함량은 85중량%를 포함하며, 40MPa의 압축 압력에 따라 압축하였다.b)는 본 발명에 따라, 003e# 0.5mm의 입자 크기의 작은 분획의 함량이 11중량%, 0.1 내지 0.5mm의 증가된 입자-크기 분획의 함량은 37중량%, 및 003c# 0.1 mm의 입자 크기를 갖는 분획의 함량은 52중량%를 포함하며, 40MPa의 압축 압력에서 압축하였다.c)는 주로 사용되는 선행기술에 따른 고밀도 내화성 브릭에 따라, 003e# 0.5 mm의 입자 크기를 갖는 큰 분획의 함량은 54중량%; 0.1 내지 0.5mm의 입자-크기 분획의 함량은 9중량%, 및 003c# 0.1mm의 입자 크기의 분획의 함량은 37중량%를 포함하며, 100MPa의 압축 압력으로 압축하였다.모든 브릭들은 터널로에서 산화 조건 하에서 1600℃에서 50시간 동안 소성하였다. 상기 혼합물들의 입자-크기 분포도는 DIN 66165-1에 따라 측정하였고, 소성 수축을 측정하고, 최종 고유 밀도(finished raw density)는 측정 및 칭량에 의해 결정하였으며, DIN EN 993-1에 따른 개기공도, DIN EN 993-5에 따른 냉간 압축 강도, DIN EN 993-6에 따른 냉간 굽힘 강도, DIN EN 993-4에 따른 가스 투과도, 400℃, 1500℃ 및 1600℃에서 12시간에 걸친 DIN EN 993-10에 따른 비가역적 길이 변화를 측정하였다. 가스 투과도와 개기공도의 비율의 제곱근은 침투 민감도를 측정한 것이다. 열충격 저항성은, 1100℃의 상승된 시험 온도에서 공기 중에서 DIN EN 993-11에 따라 측정하였다. 또한, 상기 브릭들을 다양한 소성 처리를 하여 높은 사용 온도에서의 부피 안정성을 평가하기 위하여, 상기 제품을 공정 소성 온도(manufacturing firing temperature)에서 수회 소성하였고, 각각의 소성 후에 상기 제조된 제품의 부피를 측정하였다.도 1은, 누적 곡선으로서 실시예 1의 a), b) 및 c)에 대한 실시예 1의 입자-크기 분포도를 나타낸 그래프이다.다음 표 1에서 실시예 1의 결과를 나타내었는데, 이는 a), b) 및 c)에 따른 브릭들의 특성값들이다.구분a)b)c)압축 강도MPa404090-150소성 온도℃160016001600최종 고유 밀도g/㎤2.642.632.90냉간 압축 강도MPa72.565.368.3냉간 굽힘 강도MPa6.35.25.1개기공도vol%25.724.617.0가스 투과도nPm1.65.33.5침투 민감도10-6 m2.54.64.5공기 중에서의 열충격 저항성사이클수17003e# 30003e# 30소성 수축lin%1.790.640.301400℃에서의 비가역적 길이 변화lin%-0.23-0.070.001500℃에서의 비가역적 길이 변화lin%-0.35-0.18-0.051600℃에서의 비가역적 길이 변화lin%-0.50-0.32-0.10c)에 따른 종래의 고밀도 브릭들과 비교할 경우, 브릭들의 특성은 a)의 경우에 변화하였는데, 이는 혼합물 중 분말 분획에 유리하도록 모든 입자-크기 분획들이 감소되었고, 성형화하는 동안에 압축 압력은 상당히 낮았는데, 이러한 결과로, 압축 후에, 최종 고유 밀도는 현저하게 감소하였고, 개기공도는 크게 증가하였다. 이들 브릭들의 냉간 압축 강도는, 고밀도 브릭들과 비교하였을 때, 약간 증가하였고; 냉간 굽힘 강도는 높아졌다. 가스 투과도 및 침투 민감도는 감소하였다. 또한, 긍정적인 것으로 평가될 수 있는 이러한 변화들 외에, 소성 수축은 상당히 증가하였고, 또한 상기 브릭들의 후수축 시험으로부터, 후수축은 1400℃에서 이미 일어났고, 후수축은 2배 이상이었다. 이들 변화들은, a)에 따른 제품들이 공정 소성(manufacturing firing) 동안에 또는 사용 중에 부피 안정성에 문제가 있거나 부피 안정성이 부족한 것을 나타낸다. 열충격 저항성은 c)에 따른 브릭들과 비교하여 상당히 감소하였다. 상기 시험편은 17회의 퀀칭 사이클 후에 산산조각이 났다.본 발명에 따른 b)의 경우에, 감소된 조립질 및 중립질 분획들의 상당 부분이 0.1 내지 0.5mm의 범위 내로 이동하였고, 최종 고유 밀도의 감소 및 개기공도의 증가는 a)와 비교될만한 수준이었다. a)와 비교하여, 가스 투과도 및 침투 민감도는 증가하였고, 상기 침투 민감도는 c)에 따른 고밀도 제품들의 범위 내로 유지되었다.반대로, b)의 소성 수축은 a)와 비교시 반으로 떨어졌고, 후수축의 감소는 매우 컸다. c)와 비교 시, 냉간 압축 강도 및 냉간 굽힘 강도는 고밀도 브릭들의 전형적인 범위 내에서 안정성있게 유지되었다. 003e# 30회의 퀀칭 사이클 후에도 파열되지 않은 정도의 열충격 저항성은 c)에 따른 고밀도 제품들과 동등한 높은 수준이다. 내화성 제품들의 부피 안정성을 나타내는 테스트 방법은 1600℃에서 다중-소성 거동(multiple-firing bahavior)을 결정하는 것이다. 상기 목적을 위해, 상기 제품은 공정 소성 후에 소성 골재구조물 내에서 반복적으로 수회 소성되었고, 매회 각각 부피를 결정하였다.도 2는 a), b) 및 c)의 브릭들의 다중 소성에 따른 부피 변화를 나타낸다.c)에 따른 고밀도 브릭들에 있어서, 7회의 추가 소성 후에, 브릭들의 출발 부피에 대한 부피 변화는 0%이다.a)에 따른 브릭들에 있어서, 7회의 추가 소성 후에 상기 부피 변화는 이미 4%보다 크다. a)의 브릭들 내에서 확립된 고기공도가 손실되고, 높은 열전도성이 다시 확립된 것 외에도, 이러한 내화성 브릭들로부터 얻어진 내화성 블록들의 경우는, 장시간 지속되는 형태 정확도는 달성될 수 없다. b)에 따른 브릭들에 있어서, 브릭들의 출발 부피에 대한 부피변화는 1.5%이고, 이는 a)에 따른 브릭들 보다 훨씬 작아서, 낮은 열 전도성을 나타내는 장점은 유지된다.b) 및 c)에 따른 브릭들의 열전도성의 결정목적하는 열전도성의 감소를 확인하기 위하여, DIN 993-15의 핫-와이어(hot-wire) 방법에 따라, 본 발명에 따른 입자 구조를 갖는 b)에 따른 다공성 브릭들과, 선행기술에 따른 표준 고밀도의 소위 로터리 킬른 브릭들인 c)에 따른 브릭들에 대해 열전도성 측정을 수행하였고, 그 결과들을 하기 표 2에 나타내었다:핫-와이어 방법에 따른 b) 및 c)에 따른 브릭들에 대한 열전도성 측정 결과b)c)300℃에서의 열전도도 [W/(mK)]5.66.7700℃에서의 열전도도 [W/(mK)]3.75.11000℃에서의 열전도도 [W/(mK)]3.04.0표 2에 나타낸 바와 같이, 상기 측정들은 300℃, 700℃ 및 1000℃에서 수행하였다. 상기 결과들은, 본 발명에 따른 b)의 브릭들에 있어서, 명백하게 감소된 열전도성 값을 나타낸다. c)의 열전도성에 비해, b)의 열 전도성은 300℃에서 16%, 700℃에서 27%, 및 1000℃에서 25%까지 감소되었다.실시예 2실시예 2는 높은 코스-입자 분획들과 비교한 입자 구조체의 경계 특성을 나타낸다. 실시예 1에서와 같이, 84% 마그네시아 및 16% 융합 스피넬을 기본으로 하는 브릭들을 하기와 같이 제조하였다:b)는 본 발명에 따라, 003e# 0.5 mm의 입자 크기를 갖는 작은 분획의 함량이 11중량%, 0.1 내지 0.5nm의 입자-크기 분획의 증가된 함량이 37중량%, 및 003c# 0.1mm의 입자-크기 분획의 함량이 52중량%이고, 40MPa의 압축 압력(실시예 1 참조)으로 압축하였다.d) 입자 구조체의 입자-크기 분포도가 본 발명의 범위를 벗어나서 변경되고, 그 외의 제조 파라미터들은 동일하다. 입자-크기 분포도의 차이는 0.1 내지 0.5mm의 입자 분획에서 0.5 내지 1mm의 입자-크기의 다음 수준의 조립질 분획으로 이동한 것에 의해 특징지워지는데, 0.1 내지 0.5mm의 입자 크기의 분획들의 함량은 약 28중량%로, 본 발명에서 해당 입자 크기에 대해 실측된 최소값 보다 약간 낮고, 더 큰 조립질 분획들의 함량은 약 30중량%로, 상기 최대 분획 보다 약간 높다.모든 브릭들은 1600℃에서 소성되었고, 실시예 1로부터 얻어진 브릭들과 동일하게 테스트하였다.도 3은 누적 곡선으로서 b) 및 d)에 대한 입자-크기 분포도를 나타낸다.하기 표는 실시예 2의 결과를 나타낸다.b) 및 d)에 따른 브릭들의 특성값들구분b)d)압축 강도MPa4040소성 온도℃16001600최종 고유 밀도g/㎤2.632.78냉간 압축 강도MPa65.372.4냉간 굽힘 강도MPa5.25.1개기공도vol%24.620.5가스 투과도nPm5.34.5침투 민감도10-6m4.64.7공기 중에서의 열충격 저항성사이클수003e# 30003e# 30소성 수축lin%0.640.721400℃에서의 비가역적 길이 변화lin%-0.070.001500℃에서의 비가역적 길이 변화lin%-0.18-0.081600℃에서의 비가역적 길이 변화lin%-0.32-0.31입자-크기 분포도가 다르기 때문에, d)의 최종 고유 밀도는 b)에 비해 상당히 증가하였다. 표 3에 나타낸 바와 같이, 상기 d)의 개기공도는 20.5부피%로 감소되어, 선행기술에 따른 고밀도 제품들의 범위 내에 있고, 본 발명의 개기공도 범위 미만이다. 실시예 1의 c)의 경우의 침투 민감도는, 약간의 증가에도 불구하고 고밀도 제품들과 유사하였다. 심지어, 상기 강도들도 표준 고밀도 내화성 제품들과 유사하고, 소성 수축은 실시예 1의 c)에 따른 고밀도 브릭들과 비교하여 증가하였고, b)에 따른 본 발명의 브릭들과 비교할 때 약간 증가하였다. 다른 고밀도 제품에 있어서, d)의 후수축은 높은 온도에서만 일어나고, 상당히 낮은 개기공도에도 불구하고, 1600℃에서 b)의 후수축과 유사한 결과를 나타내었다. 열 충격 저항성은 양호하였다.도 4에 나타낸 바와 같이, 다중-소성 테스트에서, 본 발명에 따른 b)의 브릭들의 거동은, d)에 따른 고밀도 제품들과 비교하여 높은 다공성을 갖고, 부피 안정성에 대하여 최적화되어 있다.실시예 3실시예 3은 더욱 증가된 다공성과, 하한 입자 직경 0.1mm와 상한 입자 직경 0.5mm의 중립질 분획의 입자 구조의 변화에 따른 결과를 나타낸다. 84% 마그네시아 및 16% 융합 스피넬을 포함하는 유사한 원료 물질 및 유사한 광물 조성물로 이루어진 브릭들을 하기와 같이 제조하였다:a1)은 독일 출원 DE 10 2006 040 269 B4에 따라, 003e# 0.5mm의 입자 크기의 작은 분획의 함량이 11중량%, 0.1 내지 0.5mm의 입자 크기의 작은 분획의 함량이 4중량%, 및 003c# 0.1mm의 입자 크기의 분획의 함량이 85중량%이고, 최종 제품의 높은 기공도를 확립하기 위하여 단지 10MPa의 압축 압력에서 압축하였다.e)는 본 발명에 따라, 003e# 0.5mm의 입자 크기의 작은 분획의 함량이 11중량%, 0.1 내지 0.5mm의 증가된 입자-크기의 분획의 함량이 48중량%, 여기서 0.1 내지 0.2mm의 입자가 대부분을 차지하고, 003c# 0.1mm의 분획은 35중량%이다. 이들 브릭들은 40MPa의 압축 압력에서 다시 압축하였다. 그리고,f)는 본 발명에 따라, 003e# 0.5mm의 입자 크기의 작은 분획의 함량이 11중량%, 0.1 내지 0.5mm의 증가된 입자 크기의 분획의 함량이 50중량%, 여기서 0.3 내지 0.5mm의 입자 크기의 분획이 대부분을 차지하고, 003c# 0.1mm의 입자 크기의 분획은 34중량%이다. 이들 브릭들 또한 40MPa의 압축 압력에서 압축하였다.모든 브릭들은 1600℃에서 소성하였고, 실시예 1로부터 제조된 브릭들과 동일하게 테스트하였다.도 5는 누적 커브로서, a1), e) 및 f)에 대한 입자-크기 분포도를 나타내었다.표 3에 나타낸 바와 같이, a)에 따른 브릭들과 비교하여, 브릭의 특성들은 a1)의 경우에 변화하였고, 이는 압축 압력이 10MPa로 낮아진 결과로, 최종 고유 밀도는 2.45 g/㎤로 감소하였고, 개기공도는 29.2부피%로 증가하였다. a1)의 침투 민감도는 실시예 1로부터 제조된 a)에 따른 브릭들과 비교할 때, 증가하였다. a1)의 침투 민감도는 실시예 1로부터 제조된 a)에 따른 브릭들과 비교하여 증가하였다. 공정 소성 동안에, 상기 브릭들은 약 1.9%만큼 수축하였다. 이들 브릭들의 냉간-압축 강도는 약 45MPa이었고; 냉간 결합 강도는 5.2MPa로 약간 감소하였다. 1400℃, 1500℃ 및 1600℃에서의 후-팽창 및 후-수축 테스트에서, 영구적 비가역 길이 변화는 -0.12 lin%, -0.36 lin% 및 -0.67 lin%로 상승하였고, 상기 제품의 부피 안정성은 a)와 비교할 때 더욱 감소된 것으로 나타났다. 또한, 열충격 저항성은 파열할 때까지 8회의 퀀칭 사이클로 현저하게 감소하였다.본 발명에 따른 e)의 경우에서, 감소된 조립질 분획들의 상당 부분들은 0.1∼0.5mm 범위로 쉬프트되고, 그 중 0.1∼0.2mm의 입자들이 우세하며, 40MPa의 동일 압축 압력에서 최종 고유 밀도는 2.50g/㎤로 감소되고, 28.5%의 증가된 개기공도는 a1)과 유사하다. 침투 민감도는 증가하기 시작하였다. a1)의 경우와 반대로, 소성 수축은 증가하지 않고 0.56%이었다. 부피 안정성은 a1)과 비교하면 상당히 증가하였고, 이는 높은 온도에서만 후수축이 개시되고, 비가역적 길이 변화에서의 낮은 후수축값에 의해 나타난 것이다. 열충격 저항성의 측정에서 003e# 30회의 퀀칭 사이클까지도 파열은 일어나지 않았다.a1), e) 및 f)에 따른 브릭들의 특성값들구분a1)e)f)압축 강도MPa104040소성 강도℃160016001600최종 고유 밀도g/㎤2.452.502.64냉간 압축 강도MPa44.752.854.4냉간 굽힘 강도MPa5.25.85.3개기공도vol%29.228.523.8가스 투과도nPm4.911.620.5침투 민감도10-6 m4.16.49.3공기 중에서의 열충격 저항성사이클수8003e# 30003e# 30소성 수축lin%1.940.560.291400℃에서의 비가역적 길이 변화lin%-0.120.000.001500℃에서의 비가역적 길이 변화lin%-0.36-0.13-0.091600℃에서의 비가역적 길이 변화lin%-0.67-0.25-0.15f)는 본 발명에 따라, 감소된 조립질 분획들 및 중립질 분획들의 상당 부분들은 0.1∼0.5mm 범위로 쉬프트되고, 그 중 0.3∼0.5mm의 입자들이 우세하며, 40MPa의 동일 압축 압력에서 최종 고유 밀도는 2.64g/㎤로 감소되고, 23.8%로 증가된 개기공도는 a1) 및 e)보다 작다. 그러나, 고밀도 제품들 보다는 상당히 높고, 따라서 본 발명에 따른 범위 내에 있다. 침투 민감도는 f)에 따른 브릭들에서 증가하였다. 소성 수축은 0.29 lin%로 감소하였다. 더욱 다공성인 f) 제품의 비가역적 길이 변화는 또 다시 감소하여, 실시예 1에서의 c)에 따른 고밀도 제품들과 유사하였고, 열충격 저항성 또한 마찬가지였다.도 6은 a1), e) 및 f)의 브릭들의 다중 소성에 따른 부피 변화를 나타낸다. 본 발명의 범위 내에 있지 않은 a1)에 따른 다공성 브릭들에 대하여 다중 소성에서의 부피 변화는 큰 수축에 의해 나타난다. 도 6에서와 같이, 최종 제품의 출발 부피와 비교하여, 7회의 추가의 소성 사이클들 후에 약 5부피%가 손실되었다. 최종-제품의 조건에서 유사한 개기공도를 갖는 e)의 경우 단지 작은 부피 분획들을 손실하였고, 7회의 추가의 소성 사이클 후에, 약 1.6부피%로 약간 수축하였다. 본 발명에 따른 f)의 다공성 브릭들은, 우수한 부피 안정성을 명백하게 나타내었고, 심지어 7회의 추가의 소성 사이클 후에도 약 0.6부피%의 손실만이 있었다. 실시예 4상기 실시예 1 내지 3에서는, 본 발명에 따른 입자 구조의 장점을 마그네시아 스피넬 브릭들에 대하여 설명하였다. 다양한 내화성 물질들로부터 제조된 제품들에 대한 본 발명의 효과를 증명하기 위하여, 16중량%의 융합된 플레오나스트와 84중량%의 철-풍부(iron-rich) 소성 마그네시아의 조합물을 기본으로 하는 브릭들, 및 소성 점토를 기본으로 하는 브릭들 및 안달루사이트를 기본으로 하는 브릭들을 상기 실시예와 같이 제조하였다. 후자의 두 종류의 브릭들을 제조하는 동안에, 이러한 브릭들의 제조를 위한 통상적인 방법대로, 결합 점토(5%)를 혼합물에 첨가하였다.다양한 내화성 물질들로 제조된 브릭들은, 도 1의 실시예 1과 같이, 실시예 1에서와 같은 a), b) 및 c)의 입자-크기 분포도를 제공한다.이러한 목적을 위해,a)는 독일 특허 DE 10 2006 040 269 B4에 따라, 003e# 0.5 mm의 입자 크기의 작은 분획의 함량은 11중량%, 0.1 내지 0.5mm의 입자-크기 작은 분획들의 함량은 4중량% 및 003c# 0.1mm의 입자 크기의 분획들의 함량은 85중량%를 포함하며, 40MPa의 압축 압력 하에서 압축되었고,b)는 본 발명에 따라, 003e# 0.5mm의 입자 크기의 작은 분획의 함량은 11중량%, 0.1 내지 0.5mm의 입자-크기 분획들의 증가된 함량은 37중량%, 및 003c# 0.1mm의 입자 크기의 분획들의 함량은 52중량%를 포함하며, 40MPa의 압축 압력하에서 압축되었으며,c)는 주로 사용된 종래의 기술에 따른 고밀도 내화성 브릭들에 따라, 003e# 0.5mm의 입자 크기의 큰 분획의 함량은 54중량%, 0.1 내지 0.5mm의 입자-크기 분획들의 함량은 9중량%, 및 003c# 0.1mm의 입자 크기의 분획들의 함량은 37중량%를 포함하며, 40MPa의 압축 압력하에서 압축되었다.표 5는 상기 제품의 압축 압력 및 전형적인 소성 온도와, 측정 및 칭량에 의한 최종 고유 밀도, DIN 993-1에 따른 개기공도, DIN EN 993-5에 따른 냉간 압축 강도, DIN EN 993-6에 따른 냉간 굽힘 강도, DIN EN 993-4에 따른 가스 투과도, 1300℃, 1400℃ 및 1500℃에서 12시간에 걸친 DIN EN 993-10에 따른 비가역적 길이 변화, 1200℃의 상승된 테스트 온도에서 공기 중에서 DIN EN 993-11에 따른 열충격 저항성, 및 침투 민감도의 측정치로서의 가스 투과도와 개기공도의 비율의 제곱근의 결과를 나타내었다.각각 a), b) 및 c)에 따른 철-풍부 소성 마그네시아, 소성 점토 및 안달루사이트 브릭들을 기본으로 하는 마그네시아-플레오나스트 브릭들의 특성값들구분철-풍부 소성 마그네시아와 플레오나스트5% 결합 점토를 갖는 소성 점토5% 결합 점토를 갖는 안달루사이트a)b)c)a)b)c)a)b)c)압축 강도MPa40401504040904040115소성 온도℃145014501450140014001400145014501450최종 고유 밀도g/㎤2.232.403.091.952.042.212.132.212.57냉간 압축 강도MPa38.939.997.333.339.753.7100.490.2111.8냉간 굽힘 강도MPa4.23.55.54.55.56.114.412.815.8개기공도vol%32.127.614.529.326.617.326.624.512.4가스 투과도nPm4.13.93.91.92.31.91.72.12.4침투 민감도10-6m3.63.85.22.62.93.32.52.94.4공기중에서의 열충격 저항성사이클수5003e# 30003e# 30003e# 30003e# 30003e# 304003e# 30003e# 30소성 수축lin% 0.620.300.211.801.100.780.20-0.09-0.801300℃에서의 비가역적 길이 변화lin%0.000.02-0.03-0.04-0.04-0.030.000.000.031400℃에서의 비가역적 길이 변화lin%-0.04-0.02-0.05-1.47-0.62-0.12-0.07-0.020.001500℃에서의 비가역적 길이 변화lin%-0.63-0.16-0.10-3.60-1.88-1.30-0.85-0.31-0.09철-풍부 소성 마그네시아를 기본으로 하는 마그네시아-플레오나스트 브릭들:독일 출원 DE 10 2006 040 269 B4에 따른 a)의 브릭들은, 2.23g/㎤의 낮은 최종 고유 밀도 및 32.1부피%로 증가된 개기공도를 가지므로, c)에 따른 고밀도 브릭들과 차이가 있다. 냉간 압축 강도는 38.9MPa로 감소하였고, 냉각 굽힘 강도는 4.2MPa였다. 침투 민감도는 3.6㎛로 감소하였다. 개기공도의 증가와 관련하여, 소성 수축은 0.62 lin%로 3배로 급증했다. 특징적으로, 1500℃로 설정된 시험 온도에서의 후-수축에 의한 비가역적 길이 변화는 c)에 비해 6배에 달한다. 상기 열충격 저항성은 5회의 퀀칭 사이클에서 시험편의 파열로 크게 감소한 것으로 나타났다. 이들 브릭들은 열충격에 대한 저항성이 없다.본 발명에 따른 b)의 입자 구조를 갖는 소성 점토 브릭들은 2.04g/㎤의 최종 고유 밀도를 갖고, c)와 비교할 때 개기공도는 두배였다. 냉간 압축 강도는 39.9MPa이였고, 냉간 굽힘 강도는 3.5MPa였다. 침투 민감도는 3.8㎛로 감소하였다. 본 발명에 따른 입자 구조로 인하여, 소성 수축은 단지 0.3 lin%로 약간 상승하였고, 또한 -0.16 lin%의 비가역적 길이 변화는 a)에 따른 브릭들 보다 후수축의 증가가 현저히 작은 것을 나타낸다. 열충격 저항성의 측정에서, 30회의 퀀칭 사이클까지 파열이 일어나지 않았다.소성 점토 브릭들;c)의 특성 값들과 비교하여, a)에 따른 소성 점토 브릭들은 1.95g/㎤의 감소된 최종 고유 밀도를 갖는다; 개기공도는 29.3부피%로 증가하였다. 냉간 압축 강도는 33.3MPa로 감소하였고, 냉간 굽힘 강도는 4.5MPa로 감소하였다. 침투 민감도는 2.6㎛로 감소하였다. 개기공도의 증가와 관련하여, 소성 수축은 1.8 lin%로 증가하였다. 특징적으로, 1400℃로 설정된 시험 온도에서의 후수축에 의한 비가역적 길이 변화는 -1.47 lin%였다; 다음으로 높은 시험온도인 1500℃에서 후수축은 -3.6 lin%로 크게 증가하였다. 열충격 저항성의 측정에서, 30회의 퀀칭 사이클까지는 파열이 일어나지 않았다.본 발명에 따른 b)의 입자 구조를 갖는 소성 점토 브릭들은 2.04g/㎤의 최종 고유 밀도를 갖는다; c)와 비교할 때, 그들의 개기공도는 26.6부피%로 증가하였다. 냉간 압축 강도는 39.7MPa였고, 냉간 굽힘 강도는 5.5MPa였다. 침투 민감도는 2.9㎛로 감소하였다. 본 발명에 따른 입자구조로 인하여, 소성 수축은 단지 1.1 lin%로 증가하였고, 비가역적 길이 변화는 -0.62 lin%로, a)에 따른 브릭들 보다 더욱 양호한 후수축을 나타낸다. 1500℃에서 비가역적 길이 변화는 -1.88%로 증가하였고, 따라서 a)에 따른 브릭들보다 상당히 낮아진 것으로 나타났다. 열충격 저항성의 측정에서, 30회의 퀀칭 사이클까지 파열이 일어나지 않았다.안달루사이트 브릭들:안달루사이트 브릭들의 특성들은 주요 원료물질의 광물학적 상 변형을 반영한다. 안달루사이트의 물라이트화(mullitization)로 인하여, c)에 따른 고밀도 브릭들의 소성 수축은 마이너스값이다; 고밀도 브릭들은 0.8 lin%로 팽창하였다. a)에 따른 브릭들에 있어서, 상 변형에 기인한 팽창은 매우 미세한 입자 물질의 더 강한 소성에 의해 과잉-보상(over-compensated)된다; 상기 브릭들은 0.2 lin%로 수축하였다. 최종 고유 밀도는 2.13g/㎤로 감소하였고, 개기공도는 26.6부피%로 증가하였다. 냉간 압축 강도는 100.4MPa이었고, 냉간 굽힘 강도는 14.4MPa이었다. 침투 민감도는 2.5㎛로 감소하였다. 현저한 후수축은 1500℃에서 일어났고, 비가역적 길이 변화에 대하여 -0.85 lin%의 값을 갖는다. 열충격 저항성은 뒤떨어지고, 4회의 퀀칭 사이클에서 파열하였다. 본 발명에 따른 b)의 안달루사이트 브릭들은 소성 팽창의 범위 내로 유지되었다; 그것의 최종 고유 밀도는 2.21g/㎤로 감소하였고, 개기공도는 24.5부피%로 증가하였다. 냉간 압축 강도는 90.2MPa였고, 냉간 굽힘 강도는 12.8MPa였다. 후수축은 1500℃에서 일어났고, 비가역적 길이 변화에 대하여 -0.31 lin%의 값을 가지며, 이는 a)와 비교시 상당히 감소한 것이다. 침투 민감도는 2.9㎛로 감소하였다. 열충격 저항성의 측정에서, 30회의 퀀칭 사이클까지 파열이 일어나지 않았다. 재료의 선택에 상관없이, 본 발명에 따른 b)의 모든 브릭들은 c)에 따른 고밀도 제품들과 비교할 때 매우 높은 개기공도를 나타내고, 침투 민감도는 변화하지 않거나 감소하였고, 소성 수축 및 비가역적 길이 변화는 a)에 따른 다공성 브릭들보다 매우 작은 범위 내에서 변화하였다. a)에 따른 브릭들과 같이 열충격 저항성의 큰 손실은 본 발명의 b)에 따른 브릭들에서는 일어나지 않았다. 실시예 1 내지 3에서 언급된 마그네시아-융합 플레오나스트 브릭들, 소성 점토 브릭들 및 안달루사이트 브릭들, 및 마그네시아-스피넬 브릭들의 강도는 일반 제품들의 전형적인 값의 범위 내로 유지된다. 실시예 4는 본 발명을 상기 언급된 물질들에 한정하려는 의도는 아니고, 각각의 내화물이 본 발명에 적용되는 것을 나타내기 위한 것이다.	본 발명에 따른 적어도 하나의 입자상 내화물로 이루어진 내화성 코스 세라믹 내화성 제품은, 22 내지 45부피%, 특히 23 내지 29부피%의 개기공도(open porosity), 및 0.1 내지 0.5mm의 입자 크기를 갖는 중립질 입자 크기 분획이 10 내지 55중량%, 특히 35 내지 50중량%이고, 입자 구조의 나머지는 최대 0.1mm의 입자 크기를 갖는 미세 입자 분획 및/또는 0.5mm 초과의 입자 크기를 갖는 코스-입자 분획인 내화물 입자 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.
[ 발명의 명칭 ] 모션 검출 MOTION DETECTION [ 기술분야 ] 본 출원은 2013년 12월 9일에 출원된 미국 국제출원 WO2013US73799의 국내단계 진입출원으로서, 그 출원의 전체 내용은 이 명세서 중에 참고로 원용되어 있다.본 발명은, 모션 검출에 관한 것이다. 보다 상세히는, 본 발명은 멀티-출력 적외선 복사(輻射; radiation) 검출기와, 그런 적외선 검출기를 이용한 모션센서에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 적외선(IR) 복사 검출기를 이용하는 모션센서는 공지이다. 이러한 센서는, 피감(monitored) 공간 내의 움직임을 검출하는 세큐리티 시스템이나 조명 시스템에 빈번히 이용된다. 적외선 검출기는, 약 6-14 마이크론의 파장을 가지는 중-적외선 (IR) 복사 내의 변화를 검출한다. 이런 변화는, 온혈 동물과 같은 온열 대상물이 그 배경 환경을 통과해 움직임에 따른, 그 온열 대상물과 그 환경 사이의 온도차에 기인한다. 모션의 검출시, 모션센서는 일반적으로, 사이렌 같은 오디블(audible) 알람을 활성화시키고, 불을 켜고, 및/또는 모션이 검출되었다는 인디케이션(indication)을 전송한다.일반적인 적외선 검출기는, 파이로(pyro)전기 또는 피에조(piezo)전기적인 기판을 이용하는데, 이들은 그 기판의 대향하는 쪽에 도전성 구역을 구비하여 커피시터로서 동작하는 검출기 엘리먼트를 가진다. 기판 온도가 변함에 따라, 전하가 커패시터에 더해지거나 감해져서, 커패시터 양단 전압을 변화시킨다. 검출기 엘리먼트에 충돌하는 중-IR 복사의 양은, 기판의 그 구역의 온도를, 그리고 그에 따라, 검출기 엘리먼트를 이루는 커패시터 양단 전압을 결정한다. 어떤 모션센서는, 복수의 검출기 엘리먼트를 포함하는 적외선 검출기를 이용한다. 오류 알람의 발생을 줄이기 위해, 어떤 적외선 검출기는 반대 극성의 동일한 사이즈의 검출기 엘리먼트 쌍을 포함한다. 주변온도 변화나 물리적 쇼크뿐 아니라 논-포커스트(non-focused) 아웃 오브 밴드(out-of-band) 복사도, 양 검출기 엘리먼트에 동일하게 입사하고, 따라서 이 동일하고 반대인 엘리먼트들로부터의 신호들은, 서로 대략 상쇄되게 된다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 많은 모션센서들은, 싱글 적외선 검출기를 가지고 큰 공간을 모니터할 수 있도록 하기 위해, (렌즈, 포커싱 미러, 등의 광학 엘리먼트로 이루어지는) 광학 어레이를 포함한다. 광학 어레이는, 복수의 피감 볼륨(volume, 공간)들으로부터의 IR 복사를, 적외선 검출기에 보내는데, 이는 때로는, 원하는 중-적외선 범위 이외의 복사를 최소화해서 적외선 검출기에 도달하지 않도록 하는 필터를 포함하기도 한다. 각 피감 볼륨들은 일반적으로, 모션센서에 피라미드 정점을 가지고 모니터될 공간 속으로 뻗는 피라미드 형상의 볼륨이다. 각 피라미드로부터의 복사의 농도는, 광학 어레이에 의해 그들이 겹쳐지는 적외선 검출기 상에 투영되고, 적외선 검출기의 상이한 부분이 겹쳐진 이미지들로부터 받은 IR 복사의 양에 기반하여 가열된다. 적외선 검출기상의 검출기 엘리먼트들은, 그 전압을 변경함으로써 지역화된 가열에 반응한다. 검출기 엘리먼트들 사이의 전압의 결과적인 변화는 모니터되어, 모니터될 공간 내의 모션을 검출하는데 이용된다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 적외선 검출기는 상기 과제를 해결하기 위하여, 파이로(pyro)전기 물질을 포함하는 기판; 피치거리만큼 이격하여 상기 기판 상에 위치된 제1 세트의 검출기 엘리먼트; 및 대략 상기 피치거리만큼 이격하여 상기 기판 상에 위치된 제2 세트의 검출기 엘리먼트;를 포함하고, 여기서, 상기 제2 세트의 검출기 엘리먼트는, 상기 제1 세트의 검출기 엘리먼트로부터 논-쿼드러쳐(quadrature) 옵셋을 가지고 위치됨을 특징으로 한다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 따르면, 모션센서는, 서로 옵셋되는 적어도 2개의 티어의 모니터되는 볼륨들을 가진다. 적외선 광같은 전자기 복사가, 피감 볼륨들로부터 적외선 검출기의 파이로전기기판 상의 분리된 출력을 가지는 적어도 두 세트의 검츨기 엘리먼트로 보내진다. 인간이나 동물같은 온열 대상물이 피감 볼륨들을 통과해 움직임에 따라, 상기 대상물로부터의 온열이 상기 적외선 검출기의 출력 상의 전압을 변화하게 한다. 결과 파형들이 비교되고, 두 파형이 상기 피감 볼륨들의 피치와 피감 볼륨들의 티어들 사이의 상기 옵셋에 기반하는 크리티컬 위상각에 상당하는 위상관계를 가지면, 동물-면역 모션 인디케이션이 생성된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 첨부되는 도면들은, 본 명세서에 포함되어 그 일부를 이루는 것으로서, 본 발명의 다양한 실시예들을 예시한다. 일반적 서술과 함께, 도면들은 본 발명의 원리를 설명하는데 기여한다. 하지만, 이들이 본 발명을 설명된 특정 실시예(들)로 한정하는 것으로 취급되어서는 안 되고, 오직 설명 및 이해를 위한 것으로 취급되어야 한다. 도면들 중에서: 도 1A 및 1B는, 적외선 검출기의 실시예의 전면도와 후면도이다;도 1C는, 도 1A/B의 적외선 검출기의 실시예의 개략도이다:도 1D는, 도 1A/B의 적외선 검출기의 패키지된 버전의 실시예의 아이소메트릭(isometric; 등측도법) 도면이다;도 2A 및 2B는, 도 1A/B의 적외선 검출기의 실시예로부터의 예시 파형들이다;도 3은, 적외선 검출기의 다른 실시예를 나타낸다;도 4A 및 4B는, 적외선 검출기의 다른 실시예의 전면도 및 후면도이다;도 4C는, 도 4A/B의 적외선 검출기의 실시예의 개략도이다;도 4D는, 도 4A/B의 적외선 검출기의 패키지된 버전의 실시예의 아이소메트릭 도면이다;도 5A-D는, 적외선 검출기와 함께 사용되는 회로망의 실시예를 나타낸다;도 6A 및 6B는 각각, 모션센서의 실시예의 피감 볼륨들을 통과해 걸어가는, 인간과 동물의 예들을 나타낸다;도 7A 및 7B는 각각, 도 6A 및 6B의 모션센서 내의 적외선 검출기의 실시예로부터의 예시 파형들이다;도 8은, 룸 안의 모션센서용 모니터된 볼륨들의 실시예의 측면도 및 상면도이다;도 9A-C는, 모션센서 내에 이용되는 광학시스템의 실시예를 나타낸다;도 10은, 모션센서의 실시예의 블럭 다이어그램을 나타낸다;도 11은, 모션을 검출하는 방법의 실시예의 플로챠트를 나타낸다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하의 상세한 설명에서, 관련 지식의 완전한 이해를 제공하기 위해, 예시의 수단으로서 수많은 특정 세부사항이 설명된다. 하지만, 본 지식은 그런 세부사항 없이 시행되어도 좋다는 것은, 이 기술분야의 당업자에게 자명할 수 있다. 다른 경우로서, 본 발명의 개념의 불필요하게 애매한 측면을 피하기 위해, 잘 알려진 방법들, 절차들 및 컴포넌트들은 세부사항 없이 상대적으로 높은 레벨로 설명되어 있다. 수많은 설명적 용어와 어구들이, 본 발명의 다양한 실시예들을 설명하는데 사용된다. 이들 설명적 용어와 어구들은, 이 명세서 내에서 다른 정의가 내려지지 않는 한, 그 기술분야의 당업자에게 의미상 일반적으로 통용되는 것을 나타내도록 사용된다. 일반적으로 받아들여지는 정의와 달리 의미가 주어질 만한 몇몇 설명적 용어와 어구들은, 명료성을 위해 이하의 단락들에 제시된다.파이로(pyro)전기 물질은, 가열되거나 냉각되면 일시적으로 전압을 생성하는 물질이다. 사용된 파이로전기 물질에 따라서는, 온도가 일정하게 유지되면, 누설 전류로 인해 전압이 점차 소멸될 수 있다. 파이로전기 물질의 예에는, 미네랄 투어멀린(tourma라인) 및 컴파운드 질화갈륨, 질산세슘, 코발트 프탈로시아닌(phthalocyanine), 및 리튬 탄탈라이트(tantalite)가 포함된다. 피에조전기 물질은, 메카니컬 스트레스에 대한 응답으로 전압을 생성하는 물질이다. 피에조전기 물질의 예에는, 투어멀린, 쿼츠(quartz), 토파즈(topaz), 케인(cane) 슈거, 및 소듐(sodium, 나트륨) 포타슘(potassium, 칼륨) 타르트레이트(tartrate, 타르타르산염) 테트라하이드레이트(tetrahydrate, 4수화물)가 포함된다. 어떤 물질들은, 파이로전기와 피에조전기 특성 양쪽을 나타내고, 피에조전기물질의 지역적 가열은 메카니컬 스트레스를 야기할 수 있고, 이는 전압을 생성한다. 따라서, 파이로전기 물질과 피에조전기 물질의 상세한 물리적 특성은 상이하지만, 이 두 용어는 이곳 및 청구항에서 동의어로 사용된다. 따라서, 파이로전기 물질에 대한 참조는, 파이로전기 물질과 피에조전기 물질 양자를 포함한다.적외선 복사 검출기, 또는 간단히 적외선 검출기나 IR 검출기는, 그 적외선 검출기의 시계 내의 온열 대상물에 대한 정보를 제공하는 1 이상의 출력을 가지는 컴포넌트이다. 적외선 검출기는, 파이로전기 기판 상에 1 이상의 검출기 엘리먼트를 가진다. 검출기 엘리먼트는, 중-적외선 복사같은 전자기 복사를 받고, 또한 기판으로부터 파이로전기 전하를 받는데, 이는 적외선 검출기의 출력에 나타난다.모션센서는, 피감 공간 내의 모션을 검출하기 위한 시스템이다. 모션센서는, 1 이상의 적외선 검출기, 피감 공간으로부터의 전자기 복사를 적외선 검출기로 보내는 광학시스템, 및 적외선 검출기로부터 모션에 대한 정보를 받아서 그 정보에 기반하여 액션을 취하는 회로망을 포함한다. 어떠한 타입의 액션도 취하게 될 수 있지만, 다양한 실시예들은 오디블(가청) 알람의 소리내기, 광의 켜기나 끄기, 또는 모션이 검출되었음을 나타내는 메시지의 보내기 등, 액션(단, 이에 한하지 않음)을 취한다.적어도 몇몇 실시예에서는, 모션센서는, 서로 옵셋(이격)되는 적어도 2개의 티어(tier)의 피감 볼륨들을 가진다. 적외선 광 같은 전자기 복사는, 피감 볼륨들로부터 적외선 검출기의 파이로전기 기판 상의 분리된 출력들을 가지는 적어도 두 세트의 검출기 엘리먼트로 보내진다. 인간 또는 동물과 같은 온열 대상물이 피감 볼륨들을 통과해 움직임에 따라, 대상물로부터의 온열이 적외선 검출기의 출력 상의 전압이 변화되도록 한다. 그 결과 파형이 비교되고, 두 파형이 피감 볼륨들의 피치 및 피감 볼륨들의 티어들 사이의 옵셋에 기반하는 크리티컬(critical) 위상각에 상당하는 위상관계를 가지면, 동물-면역 모션, 또는 메이저 모션, 인디케이션이 생성된다. 동물-면역 모션, 또는 메이저 모션, 인디케이션은, 피감 볼륨들을 통과해 움직이는, 인간같이 큰 온열 바디에 대한 응답으로 생성된다. 개나 고양이 같은 작은 온열 바디에 의한 움직임은, 동물-면역 모션, 또는 메이저 모션, 인디케이션을 생성하지 않는다.청구항을 포함해서 본 발명에서 사용되는 "크리티컬 위상각에 상당하다"라는 용어는, 위상차, 또는 위상관계가 크리티컬 위상각에 근접하거나, 크리티컬 위상각을 포함하는 범위 내에 있는 것을 의미한다. 몇몇 실시예에 있어서, 위상관계는, 크리티컬 위상각의 약 ±10° 이내에 들면, 크리티컬 위상각에 상당하는 것으로 간주되어도 좋다. 적어도 하나의 실시예에 있어서, 위상관계는, 크리티컬 위상각의 약 ±30° 이내에 들면, 크리티컬 위상각에 상당하다고 간주되어도 좋다. 다른 실시예에 있어서, 크리티컬 위상각에 상당하는 범위는, 크리티컬 위상각 근방의 어떤 사이즈여도 좋고, 및/또는 크리티컬 위상각에 대해 비대칭이어도 좋다.본 발명에 따라 구비된 모션센서의 실시예는, 피감 공간 내로부터의 제1 세트의 피감 볼륨들로부터의 적외선 광을 제1 세트의 검출기 엘리먼트로 보내고, 피감 공간 내로부터의 제2 세트의 피감 볼륨들로부터의 적외선 광을 제2 세트의 검출기 엘리먼트로 보낸다. 제1 세트의 피감 볼륨들과 제2 세트의 피감 볼륨들은, 모션센서로부터의 상이한 방위(azimuth)각을 가지고, 즉 서로 옵셋되며, 인터리브(interleave)되고, 이로써 대상물이 피감 볼륨들을 통과해 움직임에 따라, 제1 세트의 검출기 엘리먼트로부터의 출력과 제2 세트의 검출기 엘리먼트로부터의 출력이 비슷하지만 위상차를 가지게 된다. 방위차(크리티컬 위상각)에 상당하는 출력들 사이의 위상차를 검출함으로써, 폴스 포지티브(false positive)가 종래 모션센서에 비해 감소된다.어떤 실시예에 있어서, 광학시스템이 두 세트의 피감 볼륨들에 대해 상이한 방위각을 만들지만, 다른 실시예에 있어서는, 적외선 검출기 상의 검출기 엘리먼트들의 배치가 상이한 방위각을 만든다. 어떤 실시예에서는, 두 출력의 위상차가 90도의 배수(0°, 90°, 180°, 270° 등)가 아닌 각도이다.어떤 실시예에 있어서는, 제1 세트의 피감 볼륨들과 제2 세트의 피감 볼륨들은, 모션센서로부터 상이한 고도에 있어서, 두 세트의 피감 볼륨들이 모션센서로부터 상이한 거리에 투영되도록 한다. 두 세트의 피감 볼륨들이 상이한 고도를 가지면, 두 세트의 피감 볼륨들을 모두 교차하기에 충분할만큼 큰 대상물은, 오직 한 세트의 피감 볼륨들에만 교차하기에 충분할만큼 작은 대상물과 구별될 수 있다. 이로써, 몇몇 실시예에서는, 메이저 모션(예컨대, 걸어가는 인간의 것, 단 펫(pet)과 같은 작은 동물의 통상적 모션의 것이 아님)과 마이너 모션(예컨대, 앉아서 약간 움직이는 인간에 의해 피감 볼륨들이 점유됨으로 인한, 또는 펫과 같은 작은 동물의 통상적 모션으로 인한 것) 사이의 구별이 가능하게 된다.이하, 첨부된 도면을 참조하여, 도시된 예에 대해 상세히 설명한다.도 1A 및 1B는 각각, 적외선 검출기(100)의 실시예의 전면도 및 후면도이다. 적외선 검출기는, 파이로전기 물질로 만들어진 기판(101)을 포함한다. 어떤 실시예에 있어서는, 기판(101)은, 전적으로 또는 거의 전적으로 파이로전기 물질로 만들어지지만, 다른 실시예에서는, 기판(101)은, 파이로전기 물질의 1 이상의 코팅이나 층을 가지는 불활성 절연체로 만들어진다. 다른 실시예는, 기판(101)에 다른 구조를 사용하지만, 여전히 기판(101) 내에 파이로전기 물질을 포함한다.적외선 검출기(100)는, 제1 세트의 검출기 엘리먼트를 포함하고, 이는, 기판(101)의 전방측(110) 상의 패드(113) 및 기판(101)의 후방측(120) 상의 패드(123)를 포함하는 하나의 검출기 엘리먼트(130)와, 기판(101)의 전방측(110) 상의 패드(114) 및 기판(101)의 후방측(120) 상의 패드(124)를 포함하는 다른 하나의 검출기 엘리먼트(140)를 포함한다. 패드(123)는 기판(101) 상에서 패드(113)에 거의 바로 마주보고 있고, 패드(124)는 기판(101) 상에서 패드(113)에 거의 바로 마주보고 있음을 유념해야 한다. 제1 세트의 검출기 엘리먼트의 두 검출기 엘리먼트(130, 140)는, 기판(101) 상에 피치거리(131)만큼 이격하여 위치되어 있다. 어떤 실시예에 있어서는, 두 검출기 엘리먼트(130, 140)는 거의 동일 사이즈이지만, 다른 실시예에 있어서는, 이들이 다른 사이즈여도 좋다. 검출기 엘리먼트(130)는 출력 패드(122)와 검출기 엘리먼트(140) 사이에 결합되어 있는데, 이는 다른 출력 패드(125)에 결합되어 있다. 그래서, 제1 세트의 검출기 엘리먼트는, 적어도 2개의 직렬로 결합된 검출기 엘리먼트(130, 140)를 포함한다. 도시된 실시예에 있어서는, 검출기 엘리먼트(130)는, 온도의 포지티브 변화에 응하여 출력 패드(125)와 출력 패드(122) 사이에 포지티브 전압을 제공하도록 구성되어 있고, 검출기 엘리먼트(140)는, 온도의 포지티브 변화에 응하여 출력 패드(125)와 출력 패드(122) 사이에 네가티브 전압을 제공하도록 구성되어 있다.적외선 검출기(100)는, 제2 세트의 검출기 엘리먼트를 더 포함하고, 이는, 기판(101)의 전방측(110) 상의 패드(117) 및 기판(101)의 후방측(120) 상의 패드(127)를 포함하는 하나의 검출기 엘리먼트(170)와, 기판(101)의 전방측(110) 상의 패드(118) 및 기판(101)의 후방측(120) 상의 패드(128)를 포함하는 다른 하나의 검출기 엘리먼트(180)를 포함한다. 패드(127)는 기판(101) 상에서 패드(117)에 거의 바로 마주보고 있고, 패드(128)는 기판(101) 상에서 패드(118)에 거의 바로 마주보고 있음을 유념해야 한다. 제2 세트의 검출기 엘리먼트의 두 검출기 엘리먼트(170, 180)는, 기판(101) 상에 피치거리(132)만큼 이격하여 위치되어 있다. 실시예에 있어서, 제1 세트의 검출기 엘리먼트의 피치거리(131)는 제2 세트의 검출기 엘리먼트의 피치거리(132)와 거의 동일하다. 실시예에 있어서, 검출기 엘리먼트(170)는 검출기 엘리먼트(130)와 거의 동일 사이즈이고, 검출기 엘리먼트(180)는 검출기 엘리먼트(140)와 거의 동일 사이즈이다. 어떤 실시예에 있어서는, 4개의 검출기 엘리먼트(130, 140, 170, 180)는 모두, 거의 동일 사이즈이다. 검출기 엘리먼트(170)는 출력 패드(126)와 검출기 엘리먼트(180) 사이에 결합되어 있는데, 이는 다른 출력 패드(129)에 결합되어 있다. 그래서, 제2 세트의 검출기 엘리먼트는, 적어도 2개의 직렬로 결합된 검출기 엘리먼트(170, 180)를 포함한다. 도시된 실시예에 있어서는, 검출기 엘리먼트(170)는, 온도의 증가에 응하여 출력 패드(129)와 출력 패드(126) 사이에 포지티브 전압을 제공하도록 구성되어 있고, 검출기 엘리먼트(180)는, 온도의 증가에 응하여 출력 패드(129)와 출력 패드(126) 사이에 네가티브 전압을 제공하도록 구성되어 있다.도 1A/B의 실시예에 있어서, 제1 세트의 검출기 엘리먼트(130, 140)와 제2 세트의 검출기 엘리먼트(170, 180)는 오버래핑되어 한 방향(예컨대, 도 1A/B의 수직)으로 개략 정렬되어 있으면서, 그 직교 방향(예컨대 도 1A/B의 수평)으로 옵셋(133)만큼 인터리브되어 위치되어 있다. 옵셋(133)은, 피치거리(131, 132)의 퍼센티지로 특징지워질 수 있다. 옵셋(133)이 피치거리(131, 132)의 절반(50%)이면, 그 옵셋(133)은 쿼드러쳐(quadrature) 옵셋이라 부를 수 있는데, 이는 한 세트의 검출기 엘리먼트의 제1 검출기 엘리먼트(예컨대, 검출기 엘리먼트(130))가 사이클의 시작을 나타내고, 그 세트의 검출기 엘리먼트의 제2 검출기 엘리먼트(예컨대, 검출기 엘리먼트(140))가 그 반대극성으로 인해 사이클의 제2 절반의 시작을 나타내는 파형에 대해, 피치거리(131, 132)가 풀(풀) 사이클의 절반을 나타내기 때문이다. 옵셋(133)이 피치거리(131, 132)의 절반과 동일하지 않으면, 그 옵셋(133)은 논-쿼드러쳐 옵셋이라 할 수 있다. 논-쿼드러쳐 옵셋은, 피치거리의 절반의 배수가 아니고 논-제로인 공통축에 대한 물리적 옵셋이다. 도 1A/B에 도시된 실시예에 있어서, 제2 세트의 검출기 엘리먼트(170, 180)는, 제1 세트의 검출기 엘리먼트(130, 140)로부터 논-쿼드러쳐 옵셋으로 위치되어 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 논-쿼드러쳐 옵셋은, 피치거리(131, 132)의 약 5%와 피치거리(131, 132)의 약 45% 사이, 또는 피치거리(131, 132)의 약 55%와 피치거리(131, 132)의 약 95% 사이이다. 적어도 한 실시예에 있어서, 논-쿼드러쳐 옵셋(133)은, 피치거리(131, 132)의 약 1/3 또는 약 2/3이다.도 1C는, 도 1A/B의 적외선 검출기(100)의 실시예의 개략도이다. 제1 세트의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트(112)는, 온도의 증가에 응해 검출기 엘리먼트에 의해 생성되는 전압의 극성을 나타내도록, 극성 커패시터(130, 140)로 나타내어져 있다. 커패시터(130, 140)의 전극은, 그 상당하는 검출기 엘리먼트의 패드의 참조번호로 마킹되어 있다. 따라서 검출기 엘리먼트, 즉 커피시터(130)는 패드(123) 및 패드(113)를 포함하고, 검출기 엘리먼트, 즉 커피시터(140)는 패드(114) 및 패드(124)를 포함한다. 제1 세트의 검출기 엘리먼트(112)는, 출력 패드(122) 및 출력 패드(125)에 결합되어 있다.제2 세트의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트(116)는, 온도의 증가에 응해 검출기 엘리먼트에 의해 생성되는 전압의 극성을 나타내도록, 극성 커패시터(170, 180)로 나타내어져 있다. 커패시터(170, 180)의 전극은, 그 상당하는 검출기 엘리먼트의 패드의 참조번호로 마킹되어 있다. 따라서 검출기 엘리먼트, 즉 커피시터(170)는 패드(127) 및 패드(117)를 포함하고, 검출기 엘리먼트, 즉 커피시터(180)는 패드(118) 및 패드(128)를 포함한다. 제2 세트의 검출기 엘리먼트(116)는, 출력 패드(126) 및 출력 패드(129)에 결합되어 있다. 적어도 몇몇 실시예에 있어서, 출력 패드(125) 및 출력 패드(129)는 접지에 결합되어 있고, 출력 패드(122)는 적외선 검출기(100)의 제1 출력이고, 출력 패드(126)는 적외선 검출기(100)의 제2 출력이다. 따라서 적어도 몇몇 실시예에 있어서, 제1 출력(122)은 제1 세트의 검출기 엘리먼트(112)에 결합되고, 제2 출력(126)은 제2 세트의 검출기 엘리먼트(116)에 결합되어 있다.도 1D는, 도 1A/B의 적외선 검출기(100)의 패키지된 버전(190)의 실시예의 아이소메트릭(isometric; 등측도법) 도면이다. 패키지된 버전(190)은, 스탠다드 TO-5 메탈 하우징 또는 몇가지 다른 타입의 패키징 같은 패키지(191)를 포함하고, 외부 중-IR 전자기 에너지가 적외선 검출기(100)의 기판(101)에 영향을 주는 것은 허용하고, 동시에, 논-중-IR 영향으로부터는 기판(101)을 쉴딩하도록, 중-IR-투과 윈도우(또는 윈도우/필터)의 뒷편의 패키지(191)의 내부에 적외선 검출기(100)의 기판(101)이 마운트되어 있다. 패키지된 버전(190)은, 패키지의 외측에서 접근 가능한 적어도 하나의 단자(192-199)를 포함한다. 패키지된 버전(190)은, 패키지(191) 내에 마운트되어, 적외선 검출기(100)의 검출기 엘리먼트들과 적어도 하나의 출력단자(192-199) 사이에 결합되는 회로망을 포함한다. 어떤 실시예에 있어서는, 회로망은 단순히 기판(101)과 적어도 하나의 단자(192-199) 사이의 전기 연결을 제공한다. 적어도 하나의 실시예에 있어서, 출력단자(192)는 출력 패드(122)에 결합되고, 출력단자(195)는 출력 패드(125)에 결합되고, 출력단자(196)는 출력 패드(126)에 결합되고, 출력단자(199)는 출력 패드(129)에 결합되어 있다. 다른 실시예에 있어서, 회로망은 제1 세트의 검출기 엘리먼트(112) 상의 제1 파이로전기 효과와 제2 세트의 검출기 엘리먼트(116) 상의 제2 파이로전기 효과를 검출하여, 제1 파이로전기 효과 및 제2 파이로전기 효과에 대한 정보를 적어도 하나의 출력단자(192-199)에 제공할 수 있다. 적어도 하나의 실시예에 있어서, 출력단자(195)는 트랜지스터 버퍼를 포함하는 회로망에 대한 파워 입력이고, 출력단자(199)는 접지단자로서, 출력 패드(125) 및 출력 패드(129)에 결합되어 있고, 출력 패드(122)는 트랜지스터 버퍼를 통해 출력단자(192)에 결합되어 있고, 출력 패드(126)는 트랜지서터 버퍼를 통해 출력단자(196)에 결합되어 있다. 또다른 실시예에 있어서, 출력단자(195)는 2개의 아날로그-to-디지털 컨버터(ADC)를 포함하는 회로망에 대한 파워 입력이고, 출력단자(199)는 접지단자로서, 출력 패드(125) 및 출력 패드(129)에 결합되어 있고, 출력 패드(122)는 그 출력이 출력단자(192)d에 결합되어 있는 제1 ADC에 결합되어 있고, 출력 패드(126)는 그 출력이 출력단자(196)에 결합되어 있는 제2 ADC에 결합되어 있다. 다른 실시예에 있어서, 출력단자(195)는 아날로그-to-디지털 컨버터(ADC)를 포함하는 회로망에 대한 파워 입력이고, 출력단자(199)는 접지단자로서 출력 패드(125) 및 출력 패드(129)에 결합되어 있고, 출력 패드(122) 및 출력 패드(126)는 둘다, 그 출력이 출력단자(192)에 결합되어 있는 ADC에 결합되어 있고, 출력단자(196)은 실시에에서 생략되거나 회로망이나 적외선 검출기(100)에 결합되어 있지 않다.도 2A 및 2B는, 도 1A/B의 적외선 검출기(100)의 실시예로부터의 예시 파형이다. 도 2A는, 적외선 검출기(100)에 보내지는 피감 공간을 가로질러 움직이는 온열 대상물로부터의 적외선 광에 대한 적외선 검출기(100)의 응답을 나타내는 파형(200)을 나타낸다. 파형(210)은 어떤 특정 움직이는 대상물이나 실제 피감 공간 환경을 나타내지 않고, 적외선 검출기(100)의 동작의 설명의 도움을 위해 여기 제공된 것임을 유념해야 한다. 파형(200)은 제1 세트의 검출기 엘리먼트(112) 양단 전압, 즉 출력 패드(125)가 접지된다고 가정할 때의 출력 패드(122)의 전압을 나타내는 파형(201)을 포함한다. 파형(200)은 제2 세트의 검출기 엘리먼트(116) 양단 전압, 즉 출력 패드(129)가 접지된다고 가정할 때의 출력 패드(126)의 전압을 나타내는 파형(205)을 더 포함한다.제1 검출기 엘리먼트(130)에 보내지는 피감 볼륨을 통과하여 움직이는 온열 대상물로부터의 적외선 광에 응하여, 검출기 엘리먼트(130)는 파형(201)에 대해 포지티브 전압(202)을 생성한다. 적외선 복사가 검출기 엘리먼트(130)에 보내지는 피감 볼륨으로부터, 적외선 복사가 검출기 엘리먼트(170)에 보내지는 피감 볼륨으로, 온열 대상물이 움직임에 따라, 파형(201) 상의 전압은 강하되기 시작하고, 검출기 엘리먼트(170)는 파형(205)에 대한 포지티브 전압(206)을 생성한다. 적외선 복사가 검출기 엘리먼트(170)에 보내지는 피감 볼륨으로부터, 적외선 복사가 검출기 엘리먼트(140)에 보내지는 피감 볼륨으로, 온열 대상물이 움직임에 따라, 파형(205) 상의 전압은 강하되기 시작하고, 검출기 엘리먼트(140)는 파형(201)에 대한 네가티브 전압을 생성한다. 그러면, 적외선 복사가 검출기 엘리먼트(140)로 보내지는 피감 볼륨으로부터, 적외선 복사가 검출기 엘리먼트(180)에 보내지는 피감 볼륨으로, 온열 대상물이 움직임에 따라, 파형(201) 상의 전압이 상승되기 시작하고, 검출기 엘리먼트(180)는 파형(205)에 대한 네가티브 전압을 생성한다. 파형(201)의 최대 전압(202)으로부터 최소 전압(203)까지의 시간은, 파형(201)의 한 풀 사이클, 즉 주기의 절반이라고 생각될 수 있다. 파형(205)의 최대 전압(206)으로부터 최소 전압(207)까지의 시간은, 파형(201)의 한 풀 사이클, 즉 주기의 절반이라고 생각될 수 있다.온열 대상물의 모션은, 제1 세트의 검출기 엘리먼트(112) 양단에 제1 파형(201)을, 제2 세트의 검출기 엘리먼트(116) 양단에 제2 파형(205)을 생성한다. 제1 세트의 검출기 엘리먼트(112)와 제2 세트의 검출기 엘리먼트(116)는 거의 동일 사이즈 및 피치를 가지므로, 제1 파형(201)과 제2 파형(202)은 거의 동등하고, 대략 동일한 절반 주기(204, 208)를 가진다. 그러나 제1 세트의 검출기 엘리먼트(112) 및 제2 세트의 검출기 엘리먼트(116)는, 옵셋(133)을 가지므로, 위상딜레이(209)로 표시된 바와 같이 두 파형(201, 205) 사이에는 위상시프트가 있다. 위상시프트, 즉 위상각 차이는, 위상딜레이(209)를 절반 주기(204, 208)에 비교함으로써 계산될 수 있다. 위상시프트는, 절반 주기(204, 208)의 퍼센티지로 계산될 수 있고, 이는 제1 세트의 검출기 엘리먼트(112)와 제2 세트의 검출기 엘리먼트(116) 사이의 옵셋에 상당하다. 다만, 다른 실시예는, 계산된 퍼센티지에 180°를 곱함으로써 위상시프트를 각도로 계산하여도 좋다. 계산된 위상시프트가 두 세트의 검출기 엘리먼트(112, 116) 사이의 옵셋(133)에 상당하면, 파형(201, 205)은 피감 공간을 통과하는 온열 대상물의 실제 움직임에 의해 야기되었을 가능성이 크다. 두 세트의 검출기 엘리먼트(112, 116) 사이의 옵셋에 상당하지 않는 위상시프트가 두 파형(201, 205) 사이에서 발견되면, 파형(201, 205)은 실제 움직임에 의해 야기되지 않고 다른 원인에 의해 야기되었을 가능성이 크다. 이 거동은, 움직임의 잘못된 검출, 또는 잘못된 알람의 생성을 감소시키는데 이용될 수 있다.청구항을 포함해서 본 명세서에서 사용되는 "옵셋에 상당하다"는 용어는, 절반 사이클(180°)의 퍼센티지로서의, 검출된 파형의 위상차, 또는 위상관계가, 검출기 엘리먼트의 피치의 퍼센티지로서 계산된 옵셋에 가깝거나, 옵셋을 포함하는 범위 내에 있는 것을 의미한다. 몇몇 실시예에 있어서, 위상관계는, 피치의 약 ±6%의 대략 옵셋 범위(예컨대, 옵셋이 33%이면, 약 27% 내지 약 39%의 범위) 내에 들면, 크리티컬 위상각에 상당하다고 간주되어도 좋다. 적어도 한 실시예에 있어서, 위상관계는, 피치의 약 ±20%의 대략 옵셋 범위(예컨대 옵셋이 33%이면, 약 13% 내지 약 53%의 범위) 내에 들면, 크리티컬 위상각에 상당하다고 간주되어도 좋다. 다른 실시예에 있어서, 옵셋에 상당하는 범위는, 옵셋 근방의 어떤 사이즈여도 좋고, 및/또는 옵셋에 대해 비대칭이어도 좋다.도 2B는, 종래의 시스템에서는 움직임의 잘못된 검출을 야기할 수 있는, 적외선 검출기(100)의 온도의 급변, 또는 적외선 검출기(100)가 받은 어떤 종류의 메카니컬 쇼크에 대한, 적외선 검출기(100)의 응답을 나타내는 파형(210)을 나타낸다. 파형(210)은 실제 이벤트를 나타내는 것이 아니고, 적외선 검출기(100)의 동작을 설명하기 위해 도움이 되도록 여기 제공된 것임을 유념해야 한다. 파형(210)은, 제1 세트의 검출기 엘리먼트(112) 양단 전압, 즉 출력 패드(125)가 접되되었다고 가정할 때의 출력 패드(122)의 전압을 나타내는 파형(211)을 포함한다. 파형(210)은, 제1 세트의 검출기 엘리먼트(116) 양단 전압, 즉 출력 패드(129)가 접지됐다고 가정할 때의 출력 패드(126)의 전압을 나타내는 파형(215)을 더 포함한다. 제1 파형(211)과 제2 파형은, 각각 최대(212)와 최대(216)으로 함께 상승하고, 그 후 각각 최소(213)와 최소(217)로 함께 하강함을 유념해야 한다. 두 파형(211, 215)은, 동일한 절반 주기(214)를 가지고, 두 파형(211, 215) 사이에는 위상시프트가 없다. 이처럼, 파형(210)은 움직임을 나타내는 것이 아니라고 결정될 수 있고, 움직임의 인디케이션은, 이들 파형에 응해서는 모션센서의 실시예에 의해 생성되지 않는다.도 3은, 적외선(IR) 검출기의 다른 실시예를 나타낸다. 도시된 실시예는 모두, 복수의 검출기 엘리먼트를 가지는 파이로전기 기판을 포함한다. 적외선 검출기(300)의 제1 교번(alternate) 실시예는, 제1 세트의 2개의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트(301)과 제2 세트의 2개의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트(302)를 포함한다. 제1 세트의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트(301)는, 제1 행(row)을 포함하여 구성되고, 제2 세트의 검출기 엘리먼트(302)는, 제1 행과 논-오버래핑(overlapping)인 제2 행을 포함하여 구성된다. 제1 세트의 검출기 엘리먼트(301)는, 적외선 검출기(300) 내에 제2 세트의 검출기 엘리먼트(302)로부터의 논-쿼드러쳐 옵셋을 가지지만, 검출기 엘리먼트들은, 제1 세트의 검출기 엘리먼트(301)의 개별 검출기 엘리먼트들이 제2 세트의 검출기 엘리먼트(302)의 개별 검출기 엘리먼트들과 오버랩하도록 사이즈가 정해진다. 따라서, 적외선 검출기(300)를 통과하는 수직 라인은, 제1 행(301)의 검출기 엘리먼트(301) 및 제2 행(302)의 검출기 엘리먼트와 교차하여도 좋다.적외선 검출기(310)의 제2 교번 실시예는, 제1 세트의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트(311)과 제2 세트의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트(312)를 포함한다. 제1 세트의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트(311)는, 제1 행(row)을 포함하여 구성되고, 제2 세트의 검출기 엘리먼트(312)는, 제1 행과 논-오버래핑(overlapping)인 제2 행을 포함하여 구성된다. 제1 세트의 검출기 엘리먼트(311)는, 적외선 검출기(310) 내에 제2 세트의 검출기 엘리먼트(312)로부터의 쿼드러쳐 옵셋을 가지고, 검출기 엘리먼트들은, 제1 세트의 검출기 엘리먼트(311)의 개별 검출기 엘리먼트들이 제2 세트의 검출기 엘리먼트(312)의 개별 검출기 엘리먼트들과 오버랩하지 않도록 사이즈가 정해지지만, 두 세트의 검출기 엘리먼트(311, 312) 사이에 커버되지 않은 수평 공간을 거의 남겨놓지 않아서, 적외선 검출기(310)를 통과하는 수직 라인이 하나의 검출기 엘리먼트 이상을 교차할 수는 없고, 적외선 검출기(310)를 통과하는 가능한 수직 라인 중 어느 검출기 엘리먼트와도 교차하지 않는 것은 거의 없다.적외선 검출기(320)의 제3 교번 실시예는, 제1 세트의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트(321)과 제2 세트의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트(322)를 포함한다. 제1 세트의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트(321)는, 제1 행(row)을 포함하여 구성되고, 제2 세트의 검출기 엘리먼트(322)는, 제1 행과 부분적으로 오버랩되는 제2 행을 포함하여 구성된다. 제1 세트의 검출기 엘리먼트(321)는, 적외선 검출기(320) 내에 제2 세트의 검출기 엘리먼트(322)로부터의 논-쿼드러쳐 옵셋을 가지고, 검출기 엘리먼트들은, 제1 세트의 검출기 엘리먼트(321)의 개별 검출기 엘리먼트들이 제2 세트의 검출기 엘리먼트(322)의 개별 검출기 엘리먼트들과 수평으로 오버랩하지 않도록 사이즈가 정해지고, 두 세트의 검출기 엘리먼트(321, 322) 사이에 커버되지 않은 수평 공간을 남겨놓아서, 적외선 검출기(320)를 통과하는 수직 라인이 하나 이상의 검출기 엘리먼트를 교차할 수는 없고, 적외선 검출기(320)를 통과하는 가능한 수직 라인 중 몇 개는 어떤 검출기 엘리먼트와도 교차하지 않는다. 그러나 이 실시예에 있어서는 두 세트의 검출기 엘리먼트(321, 322)가 수직으로 오버랩되고, 적어도 하나의 수평 라인이 4개의 검출기 엘리먼트들을 모두 교차하여도 좋다.적외선 검출기(330)의 제4 교번 실시예는, 제1 세트의 4개의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트(331)와, 제2 세트의 4개의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트(332)와, 제3 세트의 4개의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트(333)와, 제4 세트의 4개의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트(334)를 포함한다. 네 세트의 검출기 엘리먼트(331-334)는, 수직 방향으로 논-오버래핑이다. 제1 세트의 검출기 엘리먼트(331)와 제3 세트의 검출기 엘리먼트(333)는, 서로 수평으로 정렬되어 있고, 제2 세트의 검출기 엘리먼트(332)와 제4 세트의 검출기 엘리먼트(334)는, 서로 수평으로 정렬되어 있지만, 제1 세트(330) 및 제3 세트(333)로부터 논-쿼드러쳐 옵셋을 가진다.폭넓은 다양한 실시예들이 적외선 검출기의 다양한 실시예로서 그려진다. 다양한 실시예들은, 몇 세트의 검출기 엘리먼트도 가질 수 있고, 이는 세트당 몇 개의 검출기 엘리먼트도 가질 수 있다. 세트는, 제1 방향으로 오버래핑일 수도 있고 논-오버래핑일 수 있지만, 적어도 몇 세트는 제1 방향에 직교하는 방향으로 다른 세트로부터 옵셋되어 있다. 옵셋은, 어떤 실시예에 있어서는 쿼드러쳐 옵셋일 수 있지만, 다른 실시예에 있어서는 논-쿼드러쳐 옵셋일 수 있다. 검출기 엘리먼트는 실시예에 따라서, 어떤 사이즈일 수도 있고, 세트의 개별 검출기 엘리먼트들은, 제1 방향에 직교하는 방향으로 이웃 세트의 개별 검출기 엘리먼트와 오버랩해도 좋고, 하지 않아도 좋다. 각 세트의 검출기는 실시예에 따라서, 개별 출력을 가질 수도 있고, 검출기의 1 이상의 다른 세트와 평행하게 결합될 수도 있다. 어떤 실시예에 있어서, 각 세트의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트의 일단은 접지단자에 함께 결합되고, 각 세트의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트의 타단은, 개별 출력을 가진다. 다른 실시예에 있어서, 각 세트의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트의 일단은 접지단자에 함께 결합되고, 짝수 행의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트의 타단은 어느 출력에 결합되고, 홀수 행의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트의 타단은 다른 출력에 결합된다.도 4A 및 4B는, 적외선 검출기(400)의 다른 실시예의 전면도 및 후면도이다. 적외선 검출기는, 적어도 몇 개의 파이로전기 물질로 만들어진 기판(401)을 포함한다. 적외선 검출기(400)는, 제1 행의 검출기 엘리먼트(412)를 포함하고, 이는 기판(401)의 전방측(410) 상의 패드(413) 및 기판(401)의 후방측(420) 상의 패드(423)를 포함하는 하나의 검출기 엘리먼트(430)와, 기판(401)의 전방측(410) 상의 패드(414)와 기판(401)의 후방측(420) 상의 패드(424)를 포함하는 다른 검출기 엘리먼트(440)를 포함한다. 기판(401) 상에서 패드(423)는 패드(413)에 대향하고 있고, 기판(401) 상에서 패드(424)는 패드(414)에 대향하고 있음을 유념해야 한다. 제1 행의 검출기 엘리먼트(412)의 2개의 검출기 엘리먼트(430, 440)는, 기판(401) 상에 행 방향(도 4A/B에서 수평)으로 피치거리(431)만큼 이격시켜 위치되어 있다. 도시된 실시예에 있어서, 두 검출기 엘리먼트(430, 440)는 거의 동일 사이즈이다. 제1 행의 검출기 엘리먼트(412)는, 출력 패드(422)와 출력 패드(425) 사이에 결합된 적어도 2개의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트(430, 440)를 포함한다. 도시된 실시예에 있어서, 검출기 엘리먼트(430)는, 온도의 증가에 응해 출력 패드(425)와 출력 패드(422) 사이에 포지티브 전압을 제공하도록 구성되어 있고, 검출기 엘리먼트(440)는, 온도의 증가에 응해 출력 패드(425)와 출력 패드(422) 사이에 네가티브 전압을 제공하도록 구성되어 있다.적외선 검출기(400)는, 제2 행의 검출기 엘리먼트(416)를 더 포함하고, 이는, 기판(401)의 전방측 상의 패드(417)와 기판(401)의 후방측(420) 상의 패드(427)를 포함하는 하나의 검출기 엘리먼트(470)와, 기판(401)의 전방측 상의 패드(418)와 기판(401)의 후방측(420) 상의 패드(428)를 포함하는 다른 검출기 엘리먼트(470)를 포함한다. 기판(401) 상에서 패드(427)는 패드(417)에 대향하고 있고, 기판(401) 상에서 패드(428)는 패드(418)에 대향하고 있음을 유념해야 한다. 제2 행의 검출기 엘리먼트(418)의 2개의 검출기 엘리먼트(470, 480)는, 제1 행(412)에 평행인 행 방향으로 기판(401) 상에 위치되어 있고, 제1 행(412)의 피치거리(431)와 대략 동일한 만큼의 피치거리(432)만큼 이격되어 있다. 도시된 실시예에 있어서, 4개의 검출기 엘리먼트(430, 440, 470, 480)는 모두, 거의 동일 사이즈이다. 제2 행의 검출기 엘리먼트는, 출력 패드(426)와 출력 패드(429) 사이에 결합된 적어도 2개의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트(470, 480)를 포함한다. 도시된 실시예에 있어서, 검출기 엘리먼트(470)는 온도의 증가에 응해 출력 패드(429)와 출력 패드(426) 사이에 포지티브 전압을 제공하도록 구성되어 있고, 검출기 엘리먼트(480)는 온도의 증가에 응해 출력 패드(429)와 출력 패드(426) 사이에 네가티브 전압을 제공하도록 구성되어 있다.도 4A/B의 실시예에 있어서, 제1 행의 검출기 엘리먼트(412)와 제2 행의 검출기 엘리먼트(416)는, 실질적으로 논-오버래핑이다. 여기 및 청구항에서 사용되는 실질적으로 논-오버래핑은, 제1 행(412)의 검출기 엘리먼트(430, 440)의 높이(즉, 행 방향에 직교인 치수, 즉 도 4A/B에서 수직)의 80% 이상이 제2 행(418)의 검출기 엘리먼트(470, 480)와 오버랩하지 않음을 의미한다. 그러나, 제2 행(416)의 검출기 엘리먼트(470, 480)는, 행 방향(도 4A/B)에서 수평)으로 제1 행의 검출기 엘리먼트(412)로부터 논-제로 옵셋(433)으로 위치되어 있다. 옵셋(433)은, 피치거리(431, 432)의 퍼센티지로서 특징지어질 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 논-제로 옵션은, 피치거리의 약 5%와 피치거리의 약 95% 사이이다. 몇몇 실시예에 있어서, 옵셋(433)은 피치거리(431, 432)의 약 절반이고, 쿼드러쳐 옵셋이라고 할 수 있다. 몇몇 실시예에 있어서, 옵셋(433)은 피치거리(431, 432)의 절반과 동일하지 않아서, 옵셋(433)은 논-쿼드러쳐 옵셋이라 할 수 있다.도 4C는, 도 4A/B의 적외선 검출기(400)의 실시예의 개략도이다. 제1 행의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트(412)는, 온도의 증가에 응한 검출기 엘리먼트에 의해 생성된 전압의 극성을 나타내도록, 극성 커피시터(430, 440)로서 나타나 있다. 커패시터(430, 440)의 전극은, 검출기 엘리먼트의 패드에 상당하는 참조번호로 마킹되어 있다. 따라서 검출기 엘리먼트, 즉 커패시터(430)는, 패드(423) 및 패드(413)를 포함하고, 검출기 엘리먼트, 즉 커피시터(440)는, 패드(414) 및 패드(424)를 포함한다. 제1 행의 검출기 엘리먼트(412)는, 출력 패드(422) 및 출력 패드(425)에 결합되어 있다.제2 행의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트(416)는, 온도의 증가에 응해 검출기 엘리먼트에 의해 생성되는 전압의 극성을 나타내도록 극성 커패시터(470, 480)로서 나타내어진다. 커패시터(470, 480)의 전극은, 검출기 엘리먼트의 패드에 상당하는 참조번호로 마킹되어 있다. 따라서 검출기 엘리먼트, 즉 커패시터(470)는, 패드(427) 및 패드(417)를 포함하고, 검출기 엘리먼트, 즉 커피시터(480)는, 패드(418) 및 패드(428)를 포함한다. 제2 행의 검출기 엘리먼트(416)는, 출력 패드(426) 및 출력 패드(429)에 결합되어 있다. 적어도 몇개의 실시예에 있어서, 출력 패드(425) 및 출력 패드(429)는, 접지에 결합되어 있고, 출력 패드(422)는, 적외선 검출기(400)의 제1 출력이고, 출력 패드(426)는 적외선 검출기(400)의 제2 출력이다.도 4D는, 도 4A/B의 적외선 검출기(400)의 패키지된 버전(490)의 실시예의 아이소메트릭 도면이다. 패키지된 버전(490)은, 패키지(491)를 포함하고, 적외선 검출기(400)의 기판(401)에 외부 중-IR 전자기 에너지가 영향을 주는 것을 허용하고, 동시에 기판(401)을 논-중-IR 영향으로부터 쉴딩하도록, 적외선 검출기(400)의 기판(401)은, 중-IR-투과 윈도우(즉 윈도우/필터) 뒤의 패키지(491) 내에 마운트된다. 패키지된 버전(490)은, 패키지의 외측에서 접근 가능한 적어도 하나의 단자(492-499)를 포함한다. 적어도 한 실시예에 있어서, 출력단자(492)는, 출력 패드(422)에 결합되어 있고, 출력단자(495)는 출력 패드(425)에 결합되어 있고, 출력단자(496)는 출력 패드(426)에 결합되어 있고, 출력단자(499)는 출력 패드(429)에 결합되어 있다. 패키지된 버전(490)의 어떤 실시예는, 도 5A-D에 도시된 바와 같이, 패키지(491)에 마운트되어, 적외선 검출기(400)와 적어도 하나의 출력단자(492-499) 사이에 결합되는 회로망을 포함한다.도 5A-D는, 도 1A-D의 적외선 검출기(100) 또는 도 4A-D의 적외선 검출기(400)와 함께 사용될 회로망의 실시예를 나타낸다. 도 5A는, 패키지된 적외선 검출기(500)의 실시예의 개략을 나타낸다. 패키지된 적외선 검출기(500)는, 두 세트의 검출기 엘리먼트를 가지는 기판(509)을 포함한다. 제1 세트의 검출기 엘리먼트(501)는, 제2 검출기 엘리먼트(503)에 직렬 결합된 제1 검출기 엘리먼트(502)를 포함한다. 제2 세트의 검출기 엘리먼트(505)는, 제2 검출기 엘리먼트(507)에 직렬 결합된 제1 검출기 엘리먼트(506)를 포함한다. 회로망은, 도 5A에 도시된 실시예 내에서는 본딩 와이어같은 도체로 한정되는데, 이는 제1 세트의 검출기 엘리먼트(501)와 제2 세트의 검출기 엘리먼트(505) 양자의 일단을 접지단자(519)에 결합한다. 회로망은 또, 제1 세트의 검출기 엘리먼트(501)의 타단을 제1 출력(511)에, 제2 세트의 검출기 엘리먼트(505)의 타단을 제2 출력(512)에 결합한다.따라서 도 5A에 도시된 실시예에 있어서, 적외선 검출기는, 제1 세트의 검출기 엘리먼트(501)와 제2 세트의 검출기 엘리먼트(505), 제1 출력(511), 제2 출력(512), 및 접지단자를 포함한다. 이 실시예에 있어서, 제1 세트의 검출기 엘리먼트(501)는 제1 검출기 엘리먼트(502)와 제2 검출기 엘리먼트(503)로 이루어지고, 제2 세트의 검출기 엘리먼트(505)는 제3 검출기 엘리먼트(506)와 제4 검출기 엘리먼트(507)로 이루어진다. 제1(502), 제2(503), 제3(506) 및 제4 검출기 엘리먼트(507)는 각각, 유전체로서의 기판(509)과 함께 커패시터를 포함한다. 이 실시예에 있어서, 제1 출력(511)은 제1 검출기 엘리먼트(502)의 제1 단자에 연결되고, 제1 검출기 엘리먼트(502)의 제2 단자는 제2 검출기 엘리먼트(503)의 제1 단자에 연결되고, 제2 검출기 엘리먼트(503)의 제2 단자는 접지단자(519)에 연결되어 있다. 이 실시예에 있어서, 제2 출력(512)은 제3 검출기 엘리먼트(506)의 제1 단자에 연결되고, 제3 검출기 엘리먼트(506)의 제2 단자는 제4 검출기 엘리먼트(507)의 제1 단자에 연결되고, 제4 검출기 엘리먼트(507)의 제2 단자는 접지단자(519)에 연결되어 있다.도 5B는, 두 세트의 검출기 엘리먼트(521, 525)를 가지는 기판(529)을 포함하는 패키지된 적외선 검출기(520)의 실시예의 개략을 나타낸다. 패키지된 적외선 검출기(520)는, 패키지(531) 내에 마운트되어, 패키지 출력(530, 538, 539), 제1 세트의 검출기 엘리먼트(521) 및 제2 세트의 검출기 엘리먼트(525)에 결합된 회로망(540)을 포함한다. 제1 세트의 검출기 엘리먼트(521)는, 제2 검출기 엘리먼트(523)에 직렬 결합된 제1 검출기 엘리먼트(522)를 포함한다. 제2 세트의 검출기 엘리먼트(525)는, 제2 검출기 엘리먼트(527)에 직렬 결합된 제1 검출기 엘리먼트(526)를 포함한다. 제1 세트의 검출기 엘리먼트(521)와 제2 세트의 검출기 엘리먼트(525) 양자의 일단은, 접지단자(539)에 결합되어 있다. 제1 세트의 검출기 엘리먼트(521)의 타단은, 회로망(540)의 제1 입력(524)에 결합되고, 제2 세트의 검출기 엘리먼트(5215의 타단은, 회로망(540)의 제2 입력(528)에 결합되어 있다. 회로망(540)은, 회로망(540)에 파워를 공급하는 파워단자(538)과 접지단자(539)에도 결합되어 있다. 회로망(540)의 1 이상의 출력은, 패키지된 적외선 검출기(520)의 출력(530)에 결합되어 있다. 어떤 실시예에 있어서, 회로망(540)은, 제1 세트의 검출기 엘리먼트(521) 상의 제1 파이로전기 효과와 제2 세트의 검출기 엘리먼트(525) 상의 제2 파이로전기 효과를 검출하여, 적어도 한 출력단자(530)에 제1 파이로전기 효과와 제2 파이로전기 효과에 대한 정보를 제공할 수 있다. 어떤 실시예에 있어서는, 정보가 1 이상의 아날로그 파형의 형태로 제공된다. 다른 실시예에 있어서, 정보는 디지털 데이터로서 제공된다. 어떤 실시예는, 정보를 아날로그와 디지털 정보의 조합으로서 제공하여도 좋다.도 5C는, 패키지된 적외선 검출기(520) 내에서 회로망(540)으로서 사용되기에 적합한 회로망(540A)의 실시예를 나타낸다. 제1 입력(524)은 제1 트랜지스터 버퍼(541)에 결합되고, 제2 입력(528)은 제2 트랜지스터 버퍼(542)에 결합되어 있다. 제1 트랜지스터 버퍼(541)와 제2 트랜지스터 버퍼(542)는, 싱글 트랜지스터 버퍼에서 풀 OP앰프 기반의 디자인까지의 범위에 이르는, 어떠한 디자인이어도 좋고, 실시예에 따라서는, 다이오드, 저항, 및 커패시터같은(단 이에 한하지 않음) 기타 패시브 또는 액티브 전자 컴포넌트뿐 아니라 바이폴라 트랜지스터, 디플리션-모드 필드-효과 트랜지스터, 및 향상-모드 필드-효과 트랜지스터를 포함하는 어떤 타입의 트랜지스터를 사용해도 좋다. 한 실시예에 있어서, 트랜지스터 버퍼(541, 542)는 유니티 게인을 가지지만, 다른 실시예는 파이로전기 효과에 의해 생성되는 전압에서 출력의 전압 범위를 변화시키기 위해, 논-유니티 게인을 제공해도 좋다. 제1 트랜지스터 버퍼(541)는 적어도 한 출력단자(530)의 하나인 출력(531)을 드라이브하고, 제1 세트의 검출기 엘리먼트(521) 상의 파이로전기 효과에 대한 정보를 제공하는 제1 아날로그 전압파형을 가진다. 제2 트랜지스터 버퍼(542)는 적어도 한 출력단자(530)의 하나인 출력(532)을 드라이브하고, 제2 세트의 검출기 엘리먼트(525) 상의 파이로전기 효과에 대한 정보를 제공하는 제2 아날로그 전압파형을 가진다.도 5D는, 패키지된 적외선 검출기(520) 내에서 회로망(540)으로서 이용되기에 적합한 회로망(540B)의 실시예를 나타낸다. 회로망(540B)는, 두 입력(524, 528) 중 하나를 선택해서 아날로그-to-디지털 컨버터(ADC)(557)에 입력(555)으로 제공하는 아날로그 멀티플렉서(553)에 결합된 출력(552)을 가지는 컨트롤 회로망(551)을 포함한다. ADC(557)는, 실시예에 따라 어떤 레졸루션을 가질 수도 있지만, 적어도 한 실시예에 있어서 ADC(557)는, 모노토닉 14비트 ADC이다. 컨트롤 회로망(551)은, 1 이상의 컨트롤 라인(556)을 이용하여 ADC(557)도 컨트롤하고, ADC(557)의 출력(558)은 적어도 한 출력단자(530)에서 이용가능하게 된다. 따라서 적어도 한 실시예에 있어서, 회로망(540B)은, 적어도 하나의 아날로그-to-디지털 컨버터(557)를 포함하고, 적어도 하나의 출력단자(530)에서의 제1 파이로전기 효과와 제2 파이로전기 효과에 관한 정보는 적어도 하나의 전압파형을 나타내는 디지털 데이터를 포함한다.어떤 실시예에 있어서, 컨트롤 회로망(551)은, 패키지의 외부 컨트롤 단자에 결합된 1 이상의 컨트롤 라인을 포함해서, ADC(558)의 출력이 직접 외부 단자에서 이용가능하지만, 도시된 실시예에 있어서는, 컨트롤 회로망(551)은 ADC(557)의 출력(558)을 받아서, 적어도 하나의 출력단자(530) 중 하나인 양방향 입력/출력(I/O) 라인(535)을 통해 통신한다. 어떠한 프로토콜도 I/O 라인(535)에 이용될 수 있지만, 일 실시예에 있어서는, 적어도 제1 미리 정해진 시간 주기에 대해 I/O 라인(535)을 로우로 유지하고, 그 후 이를 하이로 드라이브 하고 이를 릴리즈함으로써, I/O 라인(535) 상의 캡쳐 및 트랜스미션 사이클이 외부디바이스에 의해 개시된다. 컨트롤 회로망(551)은 이를 검출하고, MUX 컨트롤 라인(552)을 이용하여 제1 입력(524)을 선택한다. 컨트롤 회로망(551)은 그 후, ADC 컨트롤 라인(556)을 이용하여, ADC(557)가 제1 입력(524)의 전압을 ADC 출력(558) 상의 디지털 값으로 변환하도록 하는데, 이는 컨트롤 회로망(551)에 의해 캡쳐된다. 제1 입력(524)의 디지털 값이 한번 캡쳐되면, 컨트롤 회로망(551)은 MUX 컨트롤 라인(552)을 이용하여 제2 입력(528)을 선택한다. 컨트롤 회로망(551)은 그 후, ADC 컨트롤 라인(556)을 이용하여 ADC(557)가 제2 입력(528)의 전압을 ADC 출력(558) 상의 디지털 값으로 변환하도록 하고, 이는 컨트롤 회로망(551)에 의해 캡쳐된다.I/O 라인(535)이 외부디바이스에 의해 하이로 드라이브되고 릴리즈된 후에, 컨트롤 회로망(551)은 제2 미리 정해진 시간 주기동안 I/O 라인(535) 상의 캡쳐된 디지털 값으로부터 1 비트의 정보를 드라이브하고, 그 후 I/O 라인(535)을 릴리즈한다. 외부디바이스는, 적어도 제2 미리 정해진 시간 주기동안 대기하고, I/O 라인(535)의 값을 캡쳐하고, 그 후 I/O 라인(535)을 로우로 드라이브하고 다시 하이로 드라이브한다. 컨트롤 회로망(551)은, 로우-to-하이 트랜지션을 검출하고, 다음 비트의 정보를 위해 프로세스를 반복한다. 이는 ADC 출력(558)으로부터의 디지털 정보가 모두 트랜스퍼될 때까지 계속된다. 다른 실시예는, 1 이상의 라인 상의 디지털 정보를 트랜스퍼하는데, 상이한 프로토콜을 사용한다. 어떤 실시예는, 디지털 정보에 대한 보다 빠르고 간이한 억세스를 할 수 있도록 하기 위해 복수의 ADC와 복수의 출력을 포함하여도 좋다.도 6A 및 6B는 각각, 실시예의 피감 공간(600)을 통과하여 걷고 있는, 인간(601)과 동물(602)의 예를 나타낸다. 피감 공간(600)은, 몇 개의 피감 볼륨들을 포함하는데, 인간(601)이나 동물(602)이 통과하는 곳인 이들의 단면은, 사각으로 나타나 있지만, 다른 실시예는 피감 볼륨들에 대해 다른 형상을 가질 수 있다. 제1 피감 볼륨(611)과 제2 피감 볼륨(612)은, 제1 행의 피감 볼륨들(610) 내에 포함되고, 제3 피감 볼륨(621)과 제4 피감 볼륨(622)은, 제2 행의 피감 볼륨들(620) 내에 포함된다. 도시된 실시예에 있어서, 제1 행의 피감 볼륨들(610)과 제2 행의 피감 볼륨들(620)은, 실질적으로 논-오버래핑이다. 다른 실시예는, 피감 공간(600)의 적어도 몇 개의 교차하는 면들에 대해 2행 이상의 피감 볼륨들을 가진다.피감 공간(600) 내의 제1 행의 피감 볼륨들(610)은, 피치(631), 즉 피감 볼륨들(611, 612) 사이의 거리를 가지고, 이는 제2 행의 피감 볼륨들(620)의 피치와 대략 동일하다. 하지만, 제2 행의 피감 볼륨들(620)은, 피감 공간(600) 내의 제1 행의 피감 볼륨들(610)로부터 논-제로 옵셋(633)을 가진다. 옵셋(633)은, 행의 플로우와 동일 방향, 즉 도 6A/B에 있어서 수평이다. 옵셋(633)을 측정하는 한 가지 방법은, 제1 피감 볼륨(611)의 좌단으로부터 제3 피감 볼륨(621)의 좌단까지의 거리를 찾아내는 것이다. 옵셋(633)은, 피치(631)의 퍼센티지로서, 즉 위상각으로서 계산될 수도 있고, 여기서 위상각은 다음과 같다:다양한 실시예에 있어서, 논-제로 옵셋(633)은 논-제로 값일 수 있지만, 대부분의 실시예에 있어서, 논-제로 옵셋(633)은 피치보다 크지 않게 된다. 따라서 실시예에 있어서, 옵셋은 다음으로 제한된다:어떤 실시예에 있어서, 제1 행(610)로부터의 써멀(thermal) 정보와 제2 행(620)로부터의 써멀 정보가 쿼드러쳐 신호이기 위해 위상각은 약 90°이지만, 다른 실시예에 있어서, 위상각은 0°, 90°, 또는 180°에 가깝지 않고, 따라서 다음과 같다: 도 6A에 있어서, 인간(601)이 피감 공간(600)을 좌에서 우로 통과하고 있다. 인간(601)이 움직임에 따라, 인간은 먼저 제1 행의 피감 볼륨들(610)의 제1 피감 볼륨(611) 내로 움직인다. 인간(601)으로부터의 써멀 정보가 제1 피감 볼륨(611)을 모니터하고 있는 모션센서 내의 적외선 검출기의 검출기 엘리먼트로 보내진다. 인간(601)이 계속 움직임에 따라, 인간(601)으로부터의 써멀 정보는 모션센서 내의 적외선 검출기의 다양한 검출기 엘리먼트에 보내진다. 인간(601)이 제1 피감 볼륨(611)으로부터 밖으로 움직임에 따라, 인간은 제3 피감 볼륨(621) 내로, 그 후 제2 피감 볼륨(612) 내로, 그리고 마지막으로 제4 피감 볼륨(622) 내로 움직인다. 적어도 몇 실시예에 있어서, 제1 행의 피감 볼륨들(610)로부터의 써멀 정보는, 제1 피감 볼륨(611) 내의 핫 대상물에 의한 써멀 정보에 대한 포지티브 기여와 제2 피감 볼륨(612) 내의 핫 대상물에 의한 써멀 정보에 대한 네가티브 기여를 기반으로 하고, 제2 행의 피감 볼륨들(620)로부터의 써멀 정보는, 제3 피감 볼륨(621) 내의 핫 대상물에 의한 써멀 정보에 대한 포지티브 기여와 제4 피감 볼륨(622) 내의 핫 대상물에 의한 써멀 정보에 대한 네가티브 기여를 기반으로 한다.어느 실시예에 있어서, 모션센서는, 제1 행의 피감 볼륨들(610)로부터의 써멀 정보와 제2 행의 피감 볼륨들(620)로부터의 써멀 정보로부터 추출된 파형의 위상관계를 검출하기 위한 적외선 검출기에 결합된 회로망을 포함한다. 이로써 모션센서 내의 회로망은, 위상관계가 크리티컬 위상각에 상당하면, 동물-면역(메이저 모션) 인디케이션을 생성할 수 있고, 여기서 크리티컬 위상각은, 0도보다 크고, 옵셋(633)과 피치(631)에 기반하고 있다.수많은 여러 이유로 인해, 위상관계, 즉 위상딜레이(φ')는, 정확히 동일하지 않더라도 크리티컬 위상각(φ)에 상당할 수 있음을 유념해야 한다. 각도가 계산되는 방식의 변형뿐 아니라 다양한 방향에서의 모션에 대해 허용하기 위해, 몇 실시예는 위상딜레이가 크리티컬 위상각에 상당하는지를 결정하는데 위상딜레이의 절대값(\| φ'\|)을 사용한다. 몇 실시예는 또한, 상응성의 결정에 대해 위상딜레이와 크리티컬 위상각이 둘 다 0°와 180° 사이가 되도록 각도를 노멀라이즈한다. 몇 실시예는 또한, 다음 조건에서 위상각이 크리티컬 위상각에 상당하다고 결정한다:몇 실시예에 있어서, 위상딜레이가 허용오차 팩터보다 적게 크리티컬 위상각으로부터 상이하면, 이들 둘은 상당한 것으로 간주하도록, 미리 정해진 허용오차 팩터가 사용된다. 허용오차 팩터는, 움직이는 대상물의 속도나 경로에 있어서의 어떤 변형에 대해 허용되도록 하여, 여전히 모션의 유효한 검출을 생성하도록 한다. 미리 정해진 허용오차 팩터는, 상이한 실시예에 있어서 다양하지만, 적어도 한 실시예에서는 ±10°이고, 다른 실시예에서는 피치의 ±6%이다. 몇 실시예에 있어서는, 허용오차 팩터는 파형의 크기나 두 파형 사이의 상관 팩터에 따라 달라진다.도 6B에 있어서, 동물(602)이 피감 공간(600)을 좌에서 우로 통과하고 있다. 동물(602)이 움직임에 따라, 동물은 먼저 제2 행의 피감 볼륨들(620)의 제3 피감 볼륨(621) 내로 움직이는데, 제1 행의 피감 볼륨들(610)의 제1 피감 볼륨(611)에는 들어가지 않으며, 이는 동물이 제1 행의 피감 볼륨들(610)에 들어갈만큼 충분히 크지 않기 때문이다. 동물(602)로부터의 써멀 정보는, 제3 피감 볼륨(621)을 모니터하고 있는 모션센서 내의 적외선 검출기의 검출기 엘리먼트로 보내진다. 동물(602)이 계속 움직임에 따라, 동물(602)로부터의 써멀 정보는 모션센서 내의 적외선 검출기의 다양한 검출기 엘리먼트로 보내진다. 동물(602)이 제3 피감 볼륨(621)로부터 밖으로 움직임에 따라, 동물은 제4 피감 볼륨(622) 내로 움직이는데, 제2 피감 볼륨(612) 내로는 들어가지 않는다. 따라서 동물(602)로부터의 써멀 정보는 제2 행의 피감 볼륨들(620)로부터 취득할 수 있지만, 동물(602)은 피감 공간(600)의 제1 행의 피감 볼륨들(610)에 미칠만큼 크지 않기 때문에, 동물(602)로부터의 써멀 정보는 제1 행의 피감 볼륨들(610)로부터는 취득될 수 없다. 이는, 실시예가 피감 공간(600)을 관통해 움직이는 인간(601)과 동물(602) 사이의 구별을 가능케 한다.도 7A 및 7B는, 도 6A 및 6B의 모션센서 내의 적외선 검출기의 실시예로부터의 예시 파형을 나타낸다. 도 7A는, 인간(601)이 피감 공간(600)을 통과해 걸어감에 따른 제1 행의 피감 볼륨들(610)로부터의 써멀 정보를 나타내는 제1 파형(701)과 제2 행의 피감 볼륨들(620)로부터의 써멀 정보를 나타내는 제2 파형(705)을 나타낸다. 인간(601)이 제1 피감 볼륨(611) 내로 들어감에 따라, 제1 파형(701)의 전압은 피크(702)를 향해 상승하기 시작한다. 그 후 인간(601)이 제1 피감 볼륨(611)에서 제3 피감 볼륨(621) 내로 들어감에 따라, 제1 파형(701)의 전압은 하강하기 시작하고, 제2 파형(705)의 전압은 피크(706)를 향해 상승하기 시작한다. 인간(601)이 제3 피감 볼륨(621)에서 제2 피감 볼륨(612)으로 감에 따라, 제2 파형(705)은 하강하기 시작하고, 제1 파형(701)은 밸리(703)를 향해 하강한다. 인간(601)이 제2 피감 볼륨(612)에서 제4 피감 볼륨(622)으로 감에 따라, 제1 파형(701)은 상승하기 시작하고 제2 파형(705)은 밸리(707)를 향해 하강하며, 그 후 인간(601)이 제4 피감 볼륨(622)을 떠남에 따라 다시 상승하기 시작한다.제1 파형(701)은, 제1 행의 피감 볼륨들(610)의 피치(631)와 인간(601)이 피감 공간(600)을 횡단하는 속도에 기반하는 절반-주기(704)를 나타낸다. 제2 행의 피감 볼륨들(620)은 제1 행(610)과 동일한 피치를 가지고, 인간은 제1 행을 통과해 움직이는 것과 동일한 속도로 제2 행의 피감 볼륨드(620)을 통과해 움직이므로, 제2 파형(705)의 절반-주기(708)는 제1 파형(701)의 절반-주기(704)와 대략 동일하다. 하지만, 제2 행의 피감 볼륨들(620)은 제1 행(610)로부터 논-제로 옵셋(633)을 가지므로, 제2 파형(705)은 제1 파형(701)으로부터 위상딜레이(709)를 가진다. 제1 파형(701)과 제2 파형(705)이 피감 볼륨들의 피치(631)로부터 계산된 크리티컬 위상각과 제1 행의 피감 볼륨들(610)로부터의 제2 행의 피감 볼륨들(620)의 논-제로 옵셋(633)에 상당하는 위상딜레이(709)만큼 분리되어 있음을 검출함으로써, 동물-면역 모션 검출이 실시예에 의해 달성될 수 있다.도 7B는, 동물(602)이 피감 공간(600)을 통과해 걸어감에 따른 제1 행의 피감 볼륨들(610)로부터의 써멀 정보를 나타내는 제1 파형(711)과 제2 행의 피감 볼륨들(620)로부터의 써멀 정보를 나타내는 제2 파형(715)을 나타낸다. 동물(602)이 제1 피감 볼륨(611) 밑으로 지나감에 따라, 제1 파형(711)의 전압은 영향 받지 않는다. 그 후 동물(602)이 제3 피감 볼륨(621) 내로 들어감에 따라, 제2 파형(715)의 전압은 피크(716)를 향해 상승하기 시작한다. 동물(602)이 제3 피감 볼륨(621)에서 제2 피감 볼륨(612) 밑으로 지나감에 따라, 제2 파형(715)은 하강하기 시작하고, 제1 파형(711)은 영향 받지 않고 그대로 유지된다. 동물(602)이 제4 피감 볼륨(622)으로 들어감에 따라, 제2 파형(715)은 밸리(717)를 향해 하강하고, 그 후 동물(602)이 제4 피감 볼륨(622)을 떠남에 따라 다시 상승하기 시작한다.제1 파형(711)은 동물(602)에 의해 영향 받지 않는데, 이는 동물(602)이 제1 행의 피감 볼륨들(610)에 들어갈만큼 크지 않기 때문이다. 제2 파형(711)은, 제1 행의 피감 볼륨들(610)과 동물(602)이 피감 공간(600)을 횡단하는 속도에 기반하는 절반-주기(718)를 나타낸다. 두 파형(711, 715) 사이의 차가 미리 정해진 임계치보다 큼을 검출함으로써, 마이너 모션 검출이 실시예에 의해 달성될 수 있다. 어떤 실시예는, 차이를 스무딩하기 위해 두 파형에 대한 추가 신호처리를 수행하거나, 아니면 폴스 포지티브를 감소시키거나 검출속도를 증가시키기 위해 차이 파형의 개별 파형을 처리하여도 좋다.도 7A/B에는 도시되지 않았지만, 주변온도에 있어서의 전체적 변화, 또는 전체적인 메카니컬 쇼크는, 적외선 검출기로부터의 두 파형이 도 2B에 도시된 바와 같이 거의 동등하고 위상딜레이 없게 되도록 할 수 있다. 제1 파형과 제2 파형이 위상차를 가지지 않고, 두 파형의 차가 미리 정해진 임계치를 초과하지 않음을 검출함으로써, 실시예에 의해 폴스 포지티브가 감소될 수 있다.도 6A/B와 도 7A/B는 모두, 적외선 검출구역, 즉 피감 공간(600) 내에서 동물 모션으로부터 인간 모션을 구분하는 방법이 어떤 실시예에서 어떻게 시행되는지를 나타낸다. 적외선 검출구역(600) 내로부터 적외선 강도가 센싱된다. 적어도 2개의 스택된 논-오버래핑 검출 티어(tier)(610, 620)가 적외선 검출구역(600) 내에 구비된다. 각 검출 티어(610, 620)는, 복수의 논-오버래핑 피감 볼륨들을 포함한다. 적어도 2개의 검출 티어(610, 620)의 복수의 논-오버래핑 피감 볼륨들은, 옵셋(633)만큼 수평 방향으로 서로 시프트되어 있다. 적어도 2개의 스택된 논-오버래핑 검출 티어 중의 단 하나의 검출 티어에서 발생된 적외선 강도에 있어서의 변화는, 그것이 동물에 의해 초래된 것일 수 있으므로, 어떤 실시예에 의해 무시지만, 단 하나의 검출 티어에서의 변화에 응하여, 어떤 실시예는 마이너 모션 인디케이션을 생성하여도 좋고, 또는 어떤 실시예의 어떤 모드에 있어서는, 일반 모션 인디케이션을 생성하여도 좋다. 크리티컬 위상각에 상당하는 위상관계를 가지는 적어도 2개의 스택된 검출 티어들 중 수직으로 이웃하는 검출 티어들 상의 적외선 강도의 충분한 변화의 등록에 응하여 인간의 존재를 나타내는 모션 인디케이션이 실시예에 의해 생성된다. 크리티컬 위상각은, 옵셋(633)에 의해 표현되는 논-오버래핑 피감 볼륨들의 피치(631)의 퍼센티지에 180도를 곱함으로써 계산될 수 있고, 0도보다 크다. 어떤 실시예에 있어서, 크리티컬 위상각은 약 10도와 약 80도 사이 또는 약 100도와 약 170도 사이이다. 크리티컬 위상각에 상당하지 않는 위상관계를 가지는 적어도 2개의 스택된 검출 티어 중 수직으로 이웃하는 검출 티어 상의 적외선 강도의 변화는, 실시예에 의해 무시된다. 어떤 실시예에 있어서 이 방법은 컴퓨터 코드에 의해 시행되고, 이는 적어도 하나의 머신 리더블(readable) 매체 상에 저장된다.도 8은, 어느 룸(800) 안의 모션센서(810)에 대한 피감 볼륨들의 실시예의 측면도(801)와 상면도(802)를 각각 나타낸다. 측면도(801)는, 상면도(802)의 단면 라인(A:A)에 의해 나타낸 룸(800)의 수직 평단면을 나타낸다. 먼저 측면도(801)를 보면, 모션센서(810)가 룸(800)의 벽에 마운트되어 있다. 모션센서(810)는, 실시예에 따라서는 어떤 높이에도 마운트될 수 있지만, 도시된 실시예에 있어서는, 모션센서(810)는 인간의 평균 신장보다 약간 높은 높이, 즉 플로어 위의 약 2 미터(m)에 마운트되어 있다. 모션센서는, 상이한 고도로 모션센서로부터 투영하는 피감 볼륨들의 여러 티어들, 즉 행들을 모니터한다. 측면도(801)에 있어서, 피감 볼륨(824)처럼 해치 라인이 없는 피감 볼륨들은 단면 평면(A:A) 뒤에 있고, 피감 볼륨(834)처럼 해치 라인을 가지는 피감 볼륨들은 단면 평면(A:A)에 의해 교차되고 있다. 다양한 티어들은, 상면도(802)에 도시된 바와 같이, 룸(800)의 플로어에 아크를 그리면서 교차한다. 상면도(802)에서, 짝수 넘버 티어들이 플로어와 만나는 위치는 해치 라인 없이 나타나 있고, 홀수 넘버 티어들이 플로어와 만나는 위치는 해치 라인을 가지도록 나타나 있다. 측면도(801)와 상면도(802) 양자를 같이 보면, 가장 높은 티어(820)는, 피감 볼륨(824)를 포함하고 짝수 넘버 티어라고 생각되는데, 이는 그 작은 하향굴절각과 룸의 사이즈로 인해, 룸(800)의 플로어와 만나지 않는다. 티어(820)는, 룸(800)의 플로어와 만나지 않아서 보이지 않지만, 다른 짝수 넘버 티어들의 패턴과 일치되는 다른 피감 볼륨들을 포함한다. 피감 볼륨(834)은, 두 번째로 높은 티어(830)의 일부이고, 이는 홀수 넘버 티어로 간주되고, 이것도 룸(800)의 플로어와 만나지 않지만 다른 홀수 넘버 티어들의 패턴과 일치되는 다른 피감 볼륨들을 포함한다. 다음 짝수 넘버 티어(840)는, 피감 볼륨들(841-846)을 포함하고, 다음 홀수 넘버 티어(850)는, 피감 볼륨들(851-856)을 포함하고, 다음 짝수 넘버 티어(860)는, 피감 볼륨들(861-866j)을 포함한다. 추가적 교번되는 홀수 티어들(871, 873, 875, 877)과 짝수 티어들(872, 874, 876)은 각각 어떤 세트의 피감 볼륨들을 포함한다. 도 8에 도시된 티어들의 수와 티어당 피감 볼륨들의 수는, 예시로서 보여진 것이고, 다양한 실시예에 있어서 어떠한 갯수의 티어와 티어당 피감 볼륨들이 사용될 수도 있다. 다른 실시예는, 더 많은, 또는 더 적은, 티어들, 즉 행들의 피감 볼륨들을 포함할 수 있다. 다른 실시예는, 한 티어 내에 더 많은 또는 더 적은 피감 볼륨들을 포함할 수도 있다. 어떤 실시예는, 다른 티어들과 다른 갯수의 피감 볼륨들을 가지는 티어들을 포함하여도 좋다.도시된 실시예에 있어서, 제1 세트의 피감 볼륨들은, 2 이상의 티어의 피감 볼륨들, 이 예에서는 짝수 티어들을 포함하고, 제2 세트의 피감 볼륨들은, 2 이상의 티어의 피감 볼륨들, 이 예에서는 홀수 티어들을 포함하며, 이들은 제1 세트의 피감 볼륨들의 2 이상의 티어의 피감 볼륨들과 인터리브되어 있다. 적어도 한 실시예에 있어서, 제1 세트의 피감 볼륨들, 즉 짝수 티어들로부터의 적외선 레이는, 모션센서(810) 내의 적외선 검출기 상의 제1 행, 즉 세트의 검출기 엘리먼트로 보내지고, 제2 세트의 피감 볼륨들, 즉 홀수 티어들로부터의 적외선 레이는, 모션센서(810) 내의 적외선 검출기 상의 제2 행, 즉 세트의 검출기 엘리먼트로 보내진다.어떤 티어의 피감 볼륨들은, 피치(811)로 이격되어 있고, 이는 어떤 실시예에 대해서는 도(degree)로 측정될 수 있다. 도시된 실시예에 있어서는, 피치(811)는 약 15°인데, 피치는 실시예에 따라서 어떤 각도일 수도 있다. 실시예에 있어서, 두 세트의 피감 볼륨들 중 적어도 몇 개의 티어들은, 거의 동일 피치(811)를 가진다. 제2 세트의 피감 볼륨들의 피감 볼륨들은은, 제1 세트의 피감 볼륨들의 피감 볼륨들로부터 옵셋(813)만큼 옵셋되어 있다. 옵셋은, 어떤 각도일 수도 있지만, 많은 실시예에 있어서 피치보다 크지 않다. 도시된 실시예에 있어서, 옵셋은 약 5°인데, 이는 피치의 1/3이다. 인간(891)과 동물(893)이 둘 다 도 8에 나타나 있지만, 이하의 논의에서는 이들은 마치 다른 쪽이 거기 없는 것처럼 독립적으로 고려된다. 인간(891)이 룸(800)을 통과하여 방향(892)로 움직임에 따라, 인간은 복수의 티어의 복수의 피감 볼륨들을 지나간다. 처음 위치에서, 인간(891)은 티어(850)의 피감 볼륨(854)와 티어(830)의 피감 볼륨(834)에 교차하고 있는데, 이들은 제2 세트의 피감 볼륨들의 일부이다. 인간 바디의 온열에 의해 생성되는 적외선 복사는, 2개의 피감 볼륨들(834, 854)로부터 모션센서(810)의 1 이상의 검출기 엘리먼트로 보내진다. 도시된 실시예에 있어서, 피감 볼륨(834)와 피감 볼륨(854)로부터의 적외선 레이는 둘다, 온열됨에 응하여 네가티브 전압을 생성하는 제2 행의 검출기 엘리먼트의 제2 검출기 엘리먼트로 보내진다.인간(891)이 방향(892)으로 움직임에 따라, 인간은 피감 볼륨(854)와 피감 볼륨(834)에서 밖으로 나가고, 제1 세트의 피감 볼륨들의 일부인 피감 볼륨(864), 피감 볼륨(844) 및 피감 볼륨(824) 속으로 들어간다. 도시된 실시예에 있어서, 피감 볼륨(864), 피감 볼륨(844), 및 피감 볼륨(824)로부터의 적외선 레이는, 온열됨에 응하여 네가티브 전압을 생성하는 제1 행의 검출기 엘리먼트의 제2 검출기 엘리먼트로 보내진다.인간(891)이 방향(892)으로 계속 움직임에 따라, 인간은 제1 세트의 피감 볼륨들의 피감 볼륨들로부터 밖으로 움직여서, 제2 세트의 피감 볼륨들의 피감 볼륨들, 티어(850)의 피감 볼륨(855) 및 티어(830)의 피감 볼륨으로 다시 들어가고, 이로부터 적외선 레이가, 온열됨에 응하여 포지티브 전압을 생성하는 제2 행의 검출기 엘리먼트의 제1 검출기 엘리먼트에 보내진다. 인간(891)이 방향(892)으로 계속 움직임에 따라, 인간은 제2 세트의 피감 볼륨들의 피감 볼륨들로부터 밖으로 나와서, 제1 세트의 피감 볼륨들, 티어(860)의 피감 볼륨(865), 티어(840)의 피감 볼륨(845) 및 티어(820)의 피감 볼륨으로 다시 들어가며, 이로부터 적외선 레이는, 온열됨에 응하여 포지티브 전압을 생성하는 제1 행의 검출기 엘리먼트의 제1 검출기 엘리먼트로 보내진다.따라서, 인간(891)이 방향(892)으로 룸(800)을 통과하여 움직임에 따라, 모션센서(810) 내의 적외선 검출기는, 검출기 엘리먼트의 각 행마다 대응하는 2개의 파형을 생성한다. 2개의 파형은, 대략 동일 형상을 가지지만, 두 세트의 피감 볼륨들 사이의 옵셋(813)으로 인하여 상이한 위상을 가진다. 인간(891)의 모션에 의해 창조된 두 파형은, 약 60° 상이한 위상관계를 가지고, 이는 옵셋(813)을 피치(811)로 나누고 180°로 곱함으로써 계산된 (5 / 15) x 180° = 60°의 크리티컬 위상각에 상당한다. 두 파형은, 크리티컬 각도에 상당하는 위상차를 가지므로, 인간(891)의 모션이 검출되고, 동물-면역 모션 인디케이션이 생성되는데, 이는 메이저 모션 인디케이션이나 인간 모션 인디케이션이라고도 해도 좋고, 이는 사이렌이나 경고 보이스같은 오디블 인디케이션, 광 켜기(turning on)나 스트로브 광이나 회전 광의 작동과 같은 비주얼 인디케이션, 스위치의 닫음이나 이더넷 메시지의 센딩같은 와이어드 회로 상의 인디케이션의 생성, 및/또는 Wi-Fi(IEEE 800.11) 네트워크나 직비(Zigbee)(IEEE 802.15) 네트워크를 통해 저송되는 메시지와 같은 전파 메시지의 전송 중의 1 이상이 될 수 있다.이제 인간(891) 대신 동물(893)의 모션을 보면, 동물(893)은 방향(894)으로 룸(800)을 통과해 움직인다. 그 초기 위치에서, 동물(893)은 피감 볼륨(854)와 교차하고, 다른 피감 볼륨들과는 동물(893)은 거의 교차하지 않는다. 동물(893)이 방향(894)으로 움직임에 따라, 동물은 피감 볼륨(854)에서 밖으로 움직여서 결국 피감 볼륨(855) 속으로 움직인다. 동물(893)의 바디의 온열에 의해 생성된 적외선 복사가 모션센서(810)의 적외선 검출기로 보내짐에 따라, 제2 행의 검출기 엘리먼트에 의해서는 전압이 생성되지만, 제1 행의 검출기 엘리먼트에 의해서는 생성되지 않는데, 이는 제1 티어의 피감 볼륨들로부터 픽업되고 제1 행의 검출기 엘리먼트로 보내지는 동물로부터의 적외선 복사가 거의 없기 때문이다. 따라서 모션센서(810) 내의 적외선 검출기에 의해 생성된 2개의 파형은, 상이한 형상을 가지고, 그래서 위상관계를 실제로 가지지 않는다.따라서 제1 티어의 피감 볼륨들을 지나가는 온열 바디를 나타내는 적외선 검출기의 제1 출력을 받고, 제2 티어의 피감 볼륨들을 지나가는 온열 바디를 나타내는 적외선 검출기의 제2 출력을 받음으로써, 인간 모션이 실시예에서 검출된다. 제2 티어의 피감 볼륨들은, 제1 티어의 피감 볼륨들로부터 수평 옵셋을 가지는 제1 티어의 피감 볼륨들 밑에 위치된다. 동물-면역 모션 인디케이션은, 크리티컬 위상각에 상당하는 적외선 검출기의 제1 출력과 제2 출력 사이의 위상차에 기반한 실시예에 의해 생성된다. 크리티컬 위상각은 실시예들 사이에서 다를 수 있지만, 어떤 실시예에서는 0°보다 크고, 약 10°와 약 170° 사이이다. 실시예에 따라서는, 동물-면역 모션 인디케이션은, 비주얼 인디케이션, 오디블 인디케이션 및/또는 전파 메시지 보내기를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에 있어서, 제1 출력과 제2 출력의 배경레벨에 대한 보상 후에 제1 출력과 제2 출력 사이의 스무딩된(smoothed) 차가 미리 정해진 값을 초과하는지가 결정되고, 미리 정해진 값을 초과하는 스무딩된 차에 응하여 마이너 모션 인디케이션이 생성된다. 어떤 실시예는, 마이너 모션 인디케이션을 생성할 것인지 아닌지를 결정하는데 사용되는 마이너 모션 검출에 대한 모드 세팅을 획득하는 것을 더 포함한다. 어떤 실시예에 있어서는, 인간 모션 검출이 컴퓨터 프로그램 제품을 이용하여 시행되고, 이는 그 안에 컴퓨터 리더블 프로그램 코드가 담긴 적어도 하나의 논-일시적 컴퓨터 리더블 저장매체를 포함한다.도 9A-C는, 모션센서 내에서 사용되는 광학시스템의 실시예를 나타낸다. 도 9A는 티어의 피감 볼륨들 사이의 옵셋을 생성하는데 렌즈를 이용하는 실시예를 나타낸다. 도 9A의 적외선 검출기(900)는, 제1 행의 2개의 검출기 엘리먼트인 검출기 엘리먼트(901)와 검출기 엘리먼트(902)와 제1 행의 검출기 엘리먼트에 정렬되어 있는 제2 행의 2개의 검출기 엘리먼트인 검출기 엘리먼트(903)와 검출기 엘리먼트(904)를 가진다. 제1 행의 제1 검출기 엘리먼트(901)는, 제2 행의 제1 검출기 엘리먼트(903) 바로 위에 있고, 제1 행의 제2 검출기 엘리먼트(902)는 제2 행의 제2 검출기 엘리먼트(904)의 바로 위에 있다. 적외선 검출기(900)의 전방이 나타나 있다.도 9A는, 벽 상의 피감 볼륨들의 투영에 의해 나타나는 실시예의 서브세트의 피감 볼륨들에 대한 광 경로 중 몇 개의 상면도(910)와 측면도(920)를 포함한다. 제1 티어의 피감 볼륨들은, 피감 볼륨(913), 피감 볼륨(914), 피감 볼륨(923), 및 피감 볼륨(924)을 포함한다. 제2 티어의 피감 볼륨들은, 피감 볼륨(911), 피감 볼륨(912), 피감 볼륨(921), 및 피감 볼륨(922)을 포함한다. 제1 티어의 피감 볼륨들과 제2 티어의 피감 볼륨들은 모두, 상면도(910)에 도시되어 있지만, 다른 낮은 티어들은 상면도(910)에 도시되어 있지 않다. 측면도(920)는, 4개의 티어의 말단 미감 볼륨인 제1 티어의 말단 피감 볼륨(924), 제2 티어의 말단 피감 볼륨(922), 제3 티어의 말단 피감 볼륨(928) 및 제4 티어의 말단 피감 볼륨(926)을 나타낸다. 실시예는, 각 티어 및/또는 그 이상의 티어들 내에 추가 피감 볼륨들을 포함할 수 있다.도 9A의 실시예에 있어서, 제1 렌즈(905)와 제2 렌즈(906)와 같은 렌즈가 적외선 광과 같은 전자기 복사를 피감 볼륨들로부터 적외선 검출기(900)의 검출기 엘리먼트로 보낸다. 적외선 검출기(900)의 상면은 상면도(910)에 나타나 있고, 적외선 검출기(900)의 좌측은 측면도(920)에 나타나 있다. 적외선 검출기(900)의 전방은, 상면도(910)와 측면도(920) 양자에서 우측으로 향하고 있다. 제1 렌즈(905)는 제1 티어의 피감 볼륨들의 부분으로부터의 광을 제2 행의 검출기 엘리먼트로 보내도록 위치되어 있어서, 피감 볼륨(913)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(903)로 보내지고, 피감 볼륨(914)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(904)로 보내진다. 제2 렌즈(906)는, 제2 티어의 피감 볼륨들의 옵셋 부분으로부터의 광을 적외선 검출기(900)의 제1 행의 검출기 엘리먼트로 보내도록 위치되어 있어서, 피감 볼륨(911)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(901)로 보내지고, 피감 볼륨(912)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(902)로 보내진다. 다른 렌즈(907)는 도 9A의 실시예에 있어서 제1 및 제2 티어의 피감 볼륨들의 다른 부분을 제2 및 제2 행의 검출기 엘리먼트에 각각 보내서, 피감 볼륨(921)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(901)로 보내지고, 피감 볼륨(922)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(902)로 보내지고, 피감 볼륨(923)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(903)로 보내지고, 피감 볼륨(924)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(904)로 보내진다.추가 렌즈는, 다른 티어의 피감 볼륨들의 부분을 검출기 엘리먼트로 보낸다. 도 9A의 실시예의 측면도(920)에 나타낸 예시에 있어서는, 렌즈(908)가 그 티어의 다른 피감 볼륨(도시되지 않았지만 측면도(920) 내 피감 볼륨(928) 뒤)뿐 아니라 피감 볼륨(928)으로부터의 광을 제2 행의 검출기 엘리먼트로 보내고, 이로써 피감 볼륨(928)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(904)로 보내지고, 그 티어의 다른 피감 볼륨은 검출기 엘리먼트(903)로 보내진다. 렌즈(908)도 그 티어의 다른 피감 볼륨(도시되지 않았지만 측면도(920) 내 피감 볼륨(926) 뒤)뿐 아니라 피감 볼륨(926)으로부터의 광을 제1 행의 검출기 엘리먼트에 보내고, 이로써 피감 볼륨(926)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(902)에 보내지고, 그 티어의 다른 피감 볼륨으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(901)에 보내진다.많은 수의 개별 렌즈가 실시예에서 사용될 수 있지만, 어떤 실시예는 도 9A에 나타낸 전자기 복사를 유도하기 위해 1 이상의 프레넬(Fresnel) 렌즈를 이용한다. 2 행의 2개의 정렬된 검출기 엘리먼트를 가지는 적외선 검출기를 이용하는 적어도 몇 실시예에 대해, 4개의 티어의 4개의 피감 볼륨들을 가지는 실시예는, 적어도 8개의 렌즈 또는 상이한 프레넬 엘리먼트들을 포함한다. 도 8에 나타낸 바와 같이 12개의 티어의 6개의 피감 볼륨들을 가지는 적어도 몇 실시예에 대해, 적어도 36개의 렌저, 또는 상이한 프레넬 엘리먼트들이 사용된다. 어떤 실시예는, 각 피감 볼륨을 위한 하나의 렌즈를 사용한다.도 9A의 실시예에 있어서, 렌즈는, 적외선 검출기 상의 검출기 엘리먼트의 행들, 즉 세트들 사이에 옵셋이 없더라도, 피감 볼륨들의 티어들 사이의 옵셋을 만들기 위해 사용된다. 따라서 모션센서의 어떤 실시예에 있어서, 적외선 검출기는, 제1 세트의 검출기 엘리먼트와 제1 세트로부터 제1 검출기 방향(즉, 적외선 검출기의 기판 상의 방향)으로 옵셋된 제2 세트의 검출기 엘리먼트를 포함해서, 2 행의 검출기 엘리먼트를 만든다. 제2 세트의 검출기 엘리먼트는, 제1 검출기 방향에 직교하는 제2 검출기 방향으로 제1 세트의 검출기 엘리먼트로부터 유효 옵셋 없이 위치(즉, 세트, 또는 행이 정렬)되어 있다. 그런 실시예에 있어서, 광학시스템은, 제1 세트의 피감 볼륨들로부터의 전자기 에너지를 제1 기하학적 구조를 가지는 제1 경로로 제1 세트의 검출기 엘리먼트로 보내는 제1 세트의 광학 엘리먼트를 포함한다. 렌즈(905)는, 제1 티어의 피감 볼륨들로부터의 전자기 에너지를 점선 라인으로 나타낸 기하학적 구조를 가지는 경로 상의 제2 행의 검출기 엘리먼트로 보내는 제1 세트의 광학 엘리먼트의 렌즈의 예시이다. 광학시스템은 또한, 제2 세트의 피감 볼륨들로부터의 전자기 에너지를 제1 기하학적 구조와 다른 제2 기하학적 구조를 가지는 제2 경로 상의 제2 세트의 검출기 엘리먼트로 보내는 제2 세트의 광학 엘리먼트도 포함한다. 렌즈(906)는, 제2 티어의 피감 볼륨들로부터의 전자기 에너지를 실선 라인으로 나타낸 기하학적 구조를 가지는 경로 상의 제1 행의 검출기 엘리먼트로 보내는 제2 세트의 광학 엘리먼트의 렌즈의 예시이다. 도 9A에 나타낸 실시예는, 작은 굴절각을 커버하는 피감 볼륨들의 세트에 대해 사용되어도 좋다. 실시예는, 하측 행의 검출기 엘리먼트(903, 904)의 광학경로로부터 상측 행의 검출기 엘리먼트(901, 902)의 광학경로를 분리하기 위한 수평 블로킹 벽을 포함해도 좋다. 수평 블로킹 벽은, 렌즈(905)가 추가 피감 볼륨으로부터의 전자기 에너지를 상측 행의 검출기 엘리먼트(901, 902)로 보내는 것을 막고, 렌즈(906)가 추가 피감 볼륨으로부터의 전자기 에너지를 하측 행의 검출기 엘리먼트(903, 904)로 보내는 것을 막는데 이용될 수 있다.도 9B는, 피감 볼륨들의 티어들 사이의 옵셋을 생성하기 위해 검출기 엘리먼트의 행들 사이의 옵셋을 이용하는 실시예를 나타낸다. 도 9B의 적외선 검출기(930)는, 제1 행의 2개의 검출기 엘리먼트인 검출기 엘리먼트(931)와 검출기 엘리먼트(932)와, 행 방향에 평행인 방향으로 제1 행의 검출기 엘리먼트로부터 옵셋을 가지는 제2 행의 2개의 검출기 엘리먼트인 검출기 엘리먼트(933)와 검출기 엘리먼트(934)를 가진다. 제2 행의 제1 검출기 엘리먼트(933)는, 제1 행의 제1 검출기 엘리먼트(931)로부터 옵셋되어 있고, 즉 행의 방향(도 9B의 적외선 검출기(930)에 대해 나타낸 바와 같이 수평)과 동일 방향으로 시프트되어 있다. 제2 행의 제2 검출기 엘리먼트도, 제1 행의 제2 검출기 엘리먼트(932)로부터 옵셋되어 있다. 적외선 검출기(930)의 전방이 나타나 있다.도 9B는, 벽 상의 피감 볼륨들의 투영에 의해 나타나는 실시예의 피감 볼륨들의 서브세트에 대한 몇 개의 광 경로의 상면도(940)와 측면도(950)를 포함한다. 제1 티어의 피감 볼륨들은, 피감 볼륨(943), 피감 볼륨(944), 피감 볼륨(953), 및 피감 볼륨(954)을 포함한다. 제2 티어의 피감 볼륨들은, 피감 볼륨(941), 피감 볼륨(942), 피감 볼륨(951), 및 피감 볼륨(952)을 포함한다. 제1 티어의 피감 볼륨들과 제2 티어의 피감 볼륨들은 모두, 상면도(940)에 나타나 있으나, 다른 하측 티어들은 상면도(940)에 나타나 있지 않다. 측면도(950)는, 4개의 티어들의 말단 피감 볼륨인 제1 티어의 말단 피감 볼륨(954), 제2 티어의 말단 피감 볼륨(952), 제3 티어의 말단 피감 볼륨(958) 및 제4 티어의 말단 피감 볼륨(956)을 나타낸다. 실시예는 각 티어 및/또는 그 이상의 티어들 내에 추가 피감 볼륨들을 포함할 수 있다.도 9의 실시예에 있어서, 렌즈(935, 937, 938)같은 렌즈는 적외선 광같은 전자기 복사를 피감 볼륨들로부터 적외선 검출기(930)의 검출기 엘리먼트에 보낸다. 적외선 검출기(930)의 상면이 상면도(940)에 나타나 있고, 적외선 검출기(930)의 좌측이 측면도(950)에 나타나 있다. 적외선 검출기(930)의 전방은, 상면도(940)와 측면도(950) 양자에 있어서 우측을 향해 있다. 제1 렌즈(935)는, 제1 및 제2 티어의 피감 볼륨들의 부분으로부터의 광을 적외선 검출기(930)에 보내도록 위치되어 있어서, 피감 볼륨(943)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(933)에 보내지고, 피감 볼륨(944)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(934)로 보내지고, 피감 볼륨(941)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(931)로 보내지고, 피감 볼륨(942)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(932)로 보내진다. 다른 렌즈(937)는, 제1 및 제2 티어의 피감 볼륨들의 다른 부분으로부터의 광을 적외선 검출기(930)로 보내서, 피감 볼륨(951)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(931)로 보내지고, 피감 볼륨(952)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(932)로 보내지고, 피감 볼륨(953)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(933)로 보내지고, 피감 볼륨(954)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(934)로 보내진다.다른 렌즈들은, 피감 볼륨들의 다른 쌍의 티어들의 부분을 적외선 검출기(930)에 보낸다. 도 9B의 실시예의 측면도(950) 내에 도시된 예시에 있어서, 렌즈(938)는, 그들 티어들(미도시이지만 측면도(950) 내의 피감 볼륨들(958, 956)의 뒤)의 다른 피감 볼륨들뿐 아니라 피감 볼륨(958)과 피감 볼륨(956)으로부터의 광을 적외선 검출기(930)에 보내서, 피감 볼륨(958)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(934)로 보내지고, 그 티어의 이웃 피감 볼륨으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(933)로 보내지고, 피감 볼륨(956)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(932)로 보내지고, 그 티어의 이웃 피감 볼륨으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(931)로 보내진다.수 많은 개별적 렌즈가 실시예에서 사용될 수 있지만, 어떤 실시예는 도 9B에 나타낸 바와 같이 전자기 복사를 보내기 위해 1 이상의 프레넬 렌즈를 이용한다. 2 행의 2개의 정렬된 검출기 엘리먼트를 가지는 적외선 검출기를 이용하는 적어도 몇 실시예에 대해, 4개의 티어의 4개의 피감 볼륨들을 가지는 실시예는, 적어도 4개의 렌즈 또는 상이한 프레넬 엘리먼트를 포함한다. 도 8에 나타낸 바와 같이 12개의 티어의 6개의 피감 볼륨들을 가지는 적어도 몇 실시예에 대해, 적어도 18개의 렌즈, 또는 상이한 프레넬 엘리먼트들이 이용된다. 어떤 실시예는, 각 피감 볼륨용 하나의 렌즈를 이용한다.도 9B의 실시예에 있어서, 적외선 검출기 상의 검출기 엘리먼트의 행들 사이의 옵셋은, 피감 볼륨들의 티어들 사이의 옵셋을 만드는데 사용된다. 따라서 모션센서의 어떤 실시예에 있어서, 적외선 검출기는, 제1 세트의 검출기 엘리먼트와 제1 검출기 방향(즉 적외선 검출기의 기판 상의 방향)으로 제1 세트로부터 제1 옵셋을 가지는 제2 세트의 검출기 엘리먼트를 포함하여, 두 행의 검출기 엘리먼트를 만든다. 제2 세트의 검출기 엘리먼트는, 제1 검출기 방향에 직교하는 제2 검출기 방향(즉 세트, 즉 행이 서로 옵셋됨)으로 제1 세트의 검출기 엘리먼트로부터 제2 옵셋을 가지도록 위치된다.도 9C는, 피감 볼륨들의 티어들 사이의 옵셋을 생성하기 위해 반사 엘리먼트, 리플렉터, 또는 미러를 이용하는 실시예를 나타낸다. 도 9C의 적외선 검출기(960)는, 제1 행의 2개의 검출기 엘리먼트인 검출기 엘리먼트(961)와 검출기 엘리먼트(962)와, 제1 행의 검출기 엘리먼트로부터 옵셋된 제2 행의 2개의 검출기 엘리먼트인 검출기 엘리먼트(963)와 검출기 엘리먼트(964)를 가진다. 제1 행의 제1 검출기 엘리먼트(961)는, 제2 행의 제1 검출기 엘리먼트로부터 옵셋되어 있고, 제1 행의 제2 검출기 엘리먼트는, 제2 행의 제2 검출기 엘리먼트로부터 옵셋되어 있다. 적외선 검출기(960)의 전방이 나타나 있다.도 9C는, 벽 상의 피감 볼륨들의 투영에 의해 나타나는 실시예의 피감 볼륨들의 서브세트에 대한 몇 개의 광 경로의 상면도(980)와 측면도(990)를 포함한다. 제2 티어의 피감 볼륨들은, 피감 볼륨(983), 피감 볼륨(984), 피감 볼륨(993), 및 피감 볼륨(994)을 포함한다. 제1 티어의 피감 볼륨들은, 피감 볼륨(981), 피감 볼륨(982), 피감 볼륨(991), 및 피감 볼륨(992)을 포함한다. 제1 티어의 피감 볼륨들과 제2 티어의 피감 볼륨들은 상면도(980)에 나타나 있지만, 다른 하측의 티어들언 상면도(980)에 나타나 있지 않다. 측면도(990)는, 4개의 티어들의 말단 피감 볼륨인, 제1 티어의 말단 피감 볼륨(992), 제2 티어의 말단 피감 볼륨(994), 제3 티어의 말단 피감 볼륨(998) 및 제4 티어의 말단 피감 볼륨(996)을 나타낸다. 실시예는, 각 티어 및/또는 그 이상의 티어들 내에 추가 피감 볼륨들을 포함할 수 있다.도 9C의 실시예에 있어서, 1 이상의 반사 엘리먼트(그 중 몇 개만 나타냄)가 피감 볼륨들로부터의 광을 적외선 검출기(960)로 반사하는데 사용되고, 여기서 적외선 검출기(960) 상의 검출기 엘리먼트의 행들 사이의 옵셋이 피감 볼륨들의 티어들 사이의 옵셋을 생성하는데 이용된다. 적외선 검출기(960)의 상면은 상면도(980)에 나타나 있고, 적외선 검출기(960)의 우측은 측면도(990)에 나타나 있다. 적외선 검출기(960)의 전방은, 상면도(980)와 측면도(990) 모두에서 좌측을 향해 약간 하향하고 있다. 제1 반사 엘리먼트(973)는, 적외선 검출기(960) 상의 피감 볼륨들의 제1 및 제2 티어의 부분으로부터의 광을 반사하도록 위치되어 있어서, 피감 볼륨(981)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(961)로 반사되고, 피감 볼륨(982)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(962)로 반사되고, 피감 볼륨(983)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(963)으로 반사되고, 피감 볼륨(984)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(964)로 반사된다. 다른 반사 엘리먼트(974)는, 적외선 검출기(960) 상의 제1 및 제2 티어의 피감 볼륨들의 다른 부분을 반사하여, 이로써 피감 볼륨(991)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(961)로 반사되고, 피감 볼륨(992)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(962)로 반사되고, 피감 볼륨(993)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(963)으로 반사되고, 피감 볼륨(994)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(964)로 반사된다. 추가 반사 엘리먼트는, 적외선 검출기(960) 상의 다른 티어의 피감 볼륨들의 부분을 반사한다. 도 9C의 실시예의 측면도(990)에 나타낸 예시에 있어서는, 반사 에리먼트(976)가 제1 행의 검출기 엘리먼트 상의 그 티어(도시되지 않았지만 측면도(990) 내의 피감 볼륨(998) 뒤)의 다른 이웃 피감 볼륨뿐 아니라 피감 볼륨(998)으로부터의 광도 반사해서, 이로써 피감 볼륨(998)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(962)로 반사되고, 그 티어의 이웃 피감 볼륨은 검출기 엘리먼트(961)로 보내진다. 반사 엘리먼트(976)도 제2 행의 검출기 엘리먼트 상의 그 티어의 다른 이웃 피감 볼륨(도시되지 않았지만 측면도(990) 내의 피감 볼륨(996) 뒤)뿐 아니라 피감 볼륨(996)으로부터의 광을 반사해서, 이로써 피감 볼륨(996)으로부터의 광은 검출기 엘리먼트(964)로 반사하고, 그 티어의 다른 이웃 피감 볼륨은 검출기 엘리먼트(963)로 보낸다.많은 수의 개별 반사 엘리먼트가 실시예에서 이용될 수 있고, 이는 1 이상의 렌즈 또는 프레넬 렌즈를 포함할 수도 있다. 두 행의 2개의 옵셋 검출기 엘리먼트를 가지는 적외선 검출기를 이용하는 적어도 어떤 실시예에 대해, 4개의 티어의 4개의 피감 볼륨들을 가지는 실시예는 적어도 4개의 반사 엘리먼트를 포함한다. 도 8에 나타낸 바와 같이 12개의 티어의 6개의 피감 볼륨들을 가지는 적어도 어떤 실시예에 대해, 적어도 18개의 반사 엘리먼트들이 이용된다. 어떤 실시예는, 각 피감 볼륨에 대해 개별 반사 엘리먼트를 이용한다.도 9C의 실시예에 있어서, 반사 엘리먼트는, 옵셋 피감 볼륨들로부터의 광을 검출기 엘리먼트의 행들 사이에 옵셋을 가지는 적외선 검출기(960)에 보내는데 이용된다. 다른 실시예에 있어서, 반사 엘리먼트는, 적외선 검출기 상의 검출기 엘리먼트에 행들, 또는 세트들 사이에 옵셋이 없더라도 피감 볼륨들의 티어들 사이의 옵셋을 만드는데 이용된다.모션센서의 광학시스템은, 피감 볼륨들로부터의 전자기 복사를 적외선 검출기의 검출기 엘리먼트로 보내기 위해, 실시예에 따라, 종래의 렌즈, 프레넬 렌즈, 컴파운드 렌즈, 회절 렌즈, 반사 엘리먼트, 포커싱 미러, 회절 미러, 평면 리플렉터, 슬릿, 광 가이드, 필터, 광학 코팅, 상기 어느 광학 엘리먼트의 어레이, 또는 어떤 다른 타입의 광학 컴포넌트도 이용될 수 있다. 피감 볼륨들의 티어들, 행들, 또는 세트들 사이의 옵셋은, 실시예에 따라서, 모션센서의 광학시스템을 이용함으로써, 또는 적외선 검출기의 기하학적 구조와 광학시스템의 특성의 조합에 의해, 적외선 검출기 상의 검출기 엘리먼트의 행들, 또는 세트들 사이의 옵셋을 이용해서 만들어질 수 있다.도 10은, 모션센서(1000)의 실시예의 블럭 다이어그램을 나타낸다. 모션센서(1000)는, 제1 세트의 검출기 엘리먼트와 제2 세트의 검출기 엘리먼트를 가지는 적외선 검출기(1002)를 포함한다. 모션센서(1000)는 또, 제1 세트의 피감 볼륨들로부터의 전자기 에너지(1006)를 제1 세트의 검출기 엘리먼트로 보내고, 제2 세트의 피감 볼륨들로부터의 전자기 에너지(1008)를 제2 세트의 검출기 엘리먼트로 보내는 광학시스템(1004)을 포함한다. 실시예에 있어서, 검출기 엘리먼트로 보내지는 전자기 에너지는 적외선 광을 포함한다. 제1 세트의 피감 볼륨들은, 어떤 피치로 이격되고, 제2 세트의 피감 볼륨들은 동일 피치로 이격된다. 제2 세트의 피감 볼륨들은, 도 8에 도시된 바와 같이 피치에 평행한 방향으로 제1 세트의 피감 볼륨들로부터 옵셋을 가진다. 어떤 실시예에 있어서, 광학시스템(1004)은, 두 세트의 피감 볼륨들 사이의 옵셋을 만들고, 어떤 실시예에 있어서는, 두 세트의 피감 볼륨들 사이의 옵셋은, 적외선 검출기(1002) 상의 두 세트의 검출기 엘리먼트들 사이의 옵셋에 의해 만들어진다. 옵셋은, 실시예에 따라서는, 피치의 어떤 퍼센티지일 수 있지만, 어떤 실시예에서는, 옵셋은 논-쿼드러쳐 옵셋이고, 예컨대 옵셋은 피치의 50%와 같지 않다. 어떤 실시예에 있어서, 제2 세트의 피감 볼륨들은, 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 제1 세트의 피감 볼륨들로부터 제2 옵셋을 가진다. 제2 옵셋은, 2 이상의 티어의 피감 볼륨들을 만들 수 있고, 이들은 실시예에 따라서는 오버래핑하여도 좋고 안 해도 좋다.도 10의 실시예의 모션센서(1000)도, 적외선 검출기(1002)에 결합된 프로세서(1011)와 같은 회로망(1010)을 포함할 수 있다. 컴퓨터 코드(1020)를 저장할 수 있는 메모리(1012)가 실시예에 있어서 프로세서(1011)에 결합되어 있고, 프로세서(1011)는 메모리(1012)로부터 컴퓨터 코드(1020)를 읽어서, 컴퓨터 코드(1020)를 실행시켜서, 여기 어떤 실시예에서 설명된 1 이상의 방법을 수행할 수 있다. 무선 네트워크 인터페이스(1014)가, 프로세서(1011)뿐 아니라 안테나(1016)에도 결합되어, Wi-Fi 네트워크나 직비 네트워크같은(단 이에 한하지 않음) 무선 컴퓨터 네트워크를 통해 전파 메시지가 모션센서(1000)에 대해 송신 및/또는 수신되도록 한다. 다른 실시예는, 프로세서(1011)를 포함해도 좋고 안 해도 좋지만, 여기 설명된 1 이상의 방법을 수행하기 위한 특수한 유선회로 또는 특수한 회로망은 포함해도 좋은, 다른 타입의 회로망(1010)을 포함한다.실시예에 있어서, 회로망(1010)은, 모션센서(1002)의 제1 세트의 검출기 엘리먼트에 관한 제1 써멀 정보와 모션센서(1002)의 제2 세트의 검출기 엘리먼트에 관한 제2 써멀 정보를 수신한다. 실시예에 있어서, 제1 써멀 정보는, 제1 세트의 피감 볼륨들로부터의 써멀 정보를 포함하고, 제2 써멀 정보는, 제2 세트의 피감 볼륨들로부터의 써멀 정보를 포함한다. 적어도 한 실시예에 있어서, 제1 세트의 피감 볼륨들은, 복수의 정렬된 행의 피감 볼륨들을 포함하고, 제2 세트의 피감 볼륨들은, 복수의 정렬된 행의 피감 볼륨들을 포함하며, 이들은 제1 세트의 행으로부터의 옵셋되고, 제1 세트의 행에 대해 교번한다.어떤 실시예의 회로망(1010)은, 제1 써멀 정보에 대한 제1 배경레벨과 제2 써멀 정보에 대한 제2 배경레벨을 등록한다. 그 후 회로망(1010)은, 제1 배경레벨을 뺀 후의 제1 써멀 정보를 나타내는 제1 파형을 제1 배경레벨을 뺀 후의 제2 써멀 정보를 나타내는 제2 파형에 비교한다. 어떤 실시예에 있어서, 정상상태(steady-상태) 조건의 환경은 일정하고, 및/또는 파이로전기 효과에 의해 생성된 어떠한 전하도 적외선 검출기 내에서 누설 전류를 통해 방전된다고 가정될 수 있기 때문에, 배경레벨이 등록되거나 보상되지 않는다. 제1 타입의 모션 인디케이션은, 동물-면역 모션 인디케이션, 메이저 모션 인디케이션 또는 인간 모션 인디케이션이라고도 할 수 있는데, 이는 제1 파형이 옵셋에 상당하는 위상시프트를 가지는 제1 파형에 상당하면 회로망(1010)에 의해 생성된다. 어떤 실시예에 있어서, 제1 타입의 모션 인디케이션은, 안테나(1016)를 통해 송신되는 전파 메시지, 비주얼 인디케이션, 및/또는 오디블 인디케이션을 포함한다. 어떤 실시예에 있어서, 회로망(1010)은 또, 제1 파형과 제2 파형 사이의 스무딩된 차가 미리 정해진 값을 초과하는지를 결정하고, 스무딩된 차가 미리 정해진 값을 초과하면, 제2 타입의 모션 인디케이션을 생성한다. 어떤 실시예에 있어서, 제2 타입의 모션 인디케이션은, 마이너 모션 인디케이션, 좌식(sedentary)-인간 모션 인디케이션, 작은-동물 모션 인디케이션, 또는 논-동물-면역 모션 인디케이션이라 할 수 있는데, 이는 안테나(1016)를 통해 송신되는 전파 메시지, 비주얼 인디케이션, 및/또는 오디블 인디케이션을 포함한다.어떤 실시예에 있어서, 회로망(1010)에 의해 모드 세팅이 획득된다. 모드 세팅은, 어떤 실시예에 있어서는 모션센서(1000) 상의 물리적 스위치에 의해 설정되지만, 다른 실시예에 있어서는, 모드 세팅은, 안테나(1016)를 통해 무선 네트워크 상에서 메시지로서 수신된다. 실시예에 있어서 모드 세팅은, 메이저 모션은 검출하고 마이너 모션은 검출 안 하는 제1 상태, 메이저 또는 마이너 모션을 어느 것이나 검출하고 차이를 나타내지 않는(예컨대, 일반적 모션 검출) 제2 상태, 마이너 모션은 검출하고 메이저 모션은 검출하지 않는 제3 상태, 메이저나 마이너 모션 어느 것이나 검출하고 차이를 보고하는 제4 상태, 마이너나 메이저의 어느 모션도 검출을 불허하는 제5 상태를 포함하는 여러 상이한 상태 중 하나로 설정될 수 있다. 다양한 실시예는, 다른 상태들뿐 아니라 설명된 5가지 상태의 어느 서브세트도 시행할 수 있다. 마이너 모션 검출을 시행하는 실시예에 있어서, 두 파형 사이의 스무딩된 차가 미리 정해진 값을 초과하고 모드가 마이너 모션 검출로 설정되어 있으면, 모션 인디케이션이 생성된다. 모드 세팅이 모션의 타입이 보고되는 상태를 가지면, 생성된 모션 인디케이션은, 마이너나 메이저같은 검출된 모션의 타입을 나타낸다. 모드가 동물을 무시(즉, 메이저 모션 검출 전용)하도록 설정되어 있으면, 미리 정해진 값을 초과하는 두 파형 사이의 스무딩된 차에 응해서 모션 인디케이션이 생성되지 않는다. 적어도 한 실시예에 있어서, 모드 세팅은, 안테나를 통해 수신되는 제1 메시지 내에 포함되고, 제1 타입의 모션 인디케이션, 즉 메이저 모션 인디케이션은, 안테나를 통해 송신되는 제2 메시지를 포함하고, 제2 타입의 모션 인디케이션, 즉 마이너 모션 인디케이션은, 안테나를 통해 송신되는 제3 메시지를 포함한다. 3가지 메시지의 각각은, 적어도 어떤 실시예에 있어서 상이한 내용을 포함한다.도 11은, 모션을 검출하는 방법의 실시예의 플로챠트(1100)를 나타낸다. 모션 검출은 블럭(1101)에서 시작해서 블럭(1102)에서 제1 티어의 피감 볼륨들을 지나가는 온열 바디를 나타내는 적외선 검출기의 제1 출력을 수신함으로써 계속한다. 제2 티어의 피감 볼륨들을 지나가는 온열 바디를 나타내는 적외선 검출기의 제2 출력이 블럭(1103)에서 수신된다. 실시예에 있어서, 제2 티어의 피감 볼륨들은, 제1 티어의 피감 볼륨들로부터의 수평 옵셋을 가지고 제1 티어의 피감 볼륨들 위에 위치되어 있다. 적외선 검출기의 제1 출력과 제2 출력 사이의 위상차는, 블럭(1104)에서 체크된다. 위상각이 0°보다 큰 크리티컬 위상각에 상당하면, 블럭(1105)에서 동물-면역(메이저 모션) 인디케이션이 생성되고, 블럭(1109)에서 모션센서는 계속 모션을 모니터한다. 실시예의 크리티컬 위상각은, 피감 볼륨들의 피치와 피감 볼륨들의 티어들 사이의 수평 옵셋에 기반한다. 어떤 실시예에 있어서, 크리티컬 위상각은, 약 10도와 약 170도 사이이다. 어떤 실시예에 있어서, 크리티컬 위상각은, 약 10도와 약 80도의 사이 또는 약 100도와 약 170도의 사이이다. 어떤 실시예에 있어서, 동물-면역 모션 인디케이션은, 비주얼 인디케이션 또는 오디블 인디케이션을 포함한다. 어떤 실시예에 있어서, 동물-면역 모션 인디케이션은, 전파 메시지를 포함한다.블럭(1104)에서, 위상각이 크리티컬 위상각에 상당하지 않다면, 또는, 두 출력들 사이에 위상관계가 없다면, 어떤 실시예는, 블럭(1106)에서 모드 세팅을 체크해서, 동물 검출이 이네이블되어 있는지를 본다. 동물 검출이 이네이블되어 있지 않으면, 어떠한 마이너 모션 인디케이션도 억제되고, 블럭(1109)에서 모션센서는 모션의 모니터를 계속한다. 동물 검출이 이네이블되어 있으면, 어떤 실시예에 있어서, 블럭(1107)에서, 제1 출력과 제2 출력의 배경레벨에 대해 보상한 후 제1 출력과 제2 출력 사이의 스무딩된 차가 미리 정해진 값을 초과하는지가 결정된다. 스무딩된 차가 미리 정해진 값을 초과하면, 블럭(1108)에서 마이너 모션 인디케이션이 생성된다. 어떤 실시예에 있어서, 메이저 모션 인디케이션과 마이너 모션 인디케이션은 상이하고, 검출된 모션의 타입에 대한 정보를 제공한다. 다른 실시예에 있어서, 메이저 모션 인디케이션과 마이너 모션 인디케이션은 구분 곤란(동일)하다.당업자에 의해 잘 이해될 수 있는 바와 같이, 다양한 실시예의 양상은, 시스템, 방법 또는 컴퓨터 프로그램 제품으로서 구현될 수 있다. 따라서, 본 발명의 양상은, 전적으로 하드웨어 실시예, 전적으로 소프트웨어 실시예(펌웨어, 레지던트 소프트웨어, 마이크로-코드, 기타를 포함) 또는 여기서 "회로망", "블럭", "모션센서", 또는 "시스템"이라고 모두 일반적으로 통칭될 수 있는 소프트웨어와 하드웨어 양상을 조합한 실시예 양상의 형태를 취할 수도 있다. 또한, 다양한 실시예의 양상은, 내부에 저장된 컴퓨터 리더블 프로그램 코드를 가지는 1 이상의 컴퓨터 리더블 매체에 구현된 컴퓨터 프로그램 제품의 형태를 취할 수도 있다.1 이상의 컴퓨터 리더블 저장매체의 어떠한 조합도 이용될 수 있다. 컴퓨터 리더블 저장매체는, 예컨대, 전자, 자기, 광학, 전자기, 적외선, 또는 반도체 시스템, 장치, 또는 디바이스, 또는 기타 당업자에게 알려진 비슷한 저장 디바이스, 또는 여기 설명된 컴퓨터 리더블 저장매체의 어떠한 적절한 조합으로 구현되어도 좋다. 본 명세서의 내용에 있어서, 컴퓨터 리더블 저장매체는, 인스트럭션 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의해 또는 이에 연결되어 사용되는 프로그램 및/또는 데이터를 포함 또는 저장할 수 있는 유형적 매체일 수 있다.다양한 실시예의 didd상에 대한 오퍼레이션을 수행하기 위한 컴퓨터 프로그램 코드는, 자바(Java), 스몰토크(Smalltalk), C++, 등과 같은 객체 지향 프로그래밍 랭귀지와 "C" 프로그래밍 랭귀지나 유사한 프로그래밍 랭귀지와 같은 전통적인 절차적 프로그래밍 랭귀지를 포함하는 1 이상의 프로그래밍 랭귀지의 어떠한 조합으로도 기술되어도 좋다. 다양한 구현에 따라, 프로그램 코드는, 실시예의 프로세서 상에서 전적으로 실행되거나, 부분적으로는 실시예의 프로세서 상에서, 부분적으로는 모션센서에 대해 로컬이거나 리모트인 다른 프로세서 상에서 실행되거나, 전적으로 리모트 컴퓨터나 서버에서 실행되어도 좋다. 마지막 시나리오에 있어서, 리모트 컴퓨터는, 로컬 에어리어 네트워크(LAN)나 와이드 에어리어 네트워크(WAN)를 포함하는 어떠한 타입의 네트워크를 통해 사용자의 컴퓨터에 연결되어 있어도 좋고, 연결은 외부 컴퓨터(예컨대, 인터넷 서비스 프로바이더를 이용해 인터넷을 통함)에 이루어져 있어도 좋다. 어떤 실시예는, 스탠드-얼론 소프트웨어 패키지일 수 있다.컴퓨터 프로그램 코드는, 프로세서에 의해 실행되면, 프로세서의 전자 디바이스 내에 디바이스를 통과하는 전자의 물리적 흐름을 변화시키는 물리적 변화를 야기한다. 이는 디바이스들 사이의 연결을 바꾸고, 이는 회로의 기능을 변화시킨다. 예컨대, 프로세서 내의 두 트랜지스터가, 컴퓨터 프로그램 코드의 컨트롤 하에서 멀티플랙싱 동작을 수행하도록 배선되어 있다면, 제1 컴퓨터 인스트럭션이 수행되면, 제1 소스로부터의 전자는 제1 트랜지스터를 통해 데스티네이션으로 흐르지만, 다른 컴퓨터 인스트럭션이 수행되면, 제1 소스로부터의 전자는 데스티네이션에 도달하는 것이 블럭되는 한편 제2 소스로부터의 전자가 제2 트랜지스터를 통해 데스티네이션으로 흐르는 것이 허용된다. 따라서 어떤 태스크를 수행하도록 프로그램된 프로세서는, 그 태스크를 실행하도록 프로그램되기 전에 그 프로세서가 무엇이었는지로부터 변형되고, 이는 마치 다양한 밸브들을 가지는 물리적 배관 시스템이 유체의 물리적 흐름을 변화시키도록 컨트롤될 수 있는 것과 같다.다양한 실시예의 양상은, 여기 개시된 다양한 실시예에 따른 방법, 장치, 시스템 및 컴퓨터 프로그램 제품의 플로챠트 일러스트레이션 및/또는 블럭 다이어그램을 참조하면서 설명되었다. 플로챠트 일러스트레이션 및/또는 블럭 다이어그램의 다양한 블럭, 및 플로챠트 일러스트레이션 및/또는 블럭 다이어그램 내의 블럭들의 조합은, 컴퓨터 프로그램 인스트럭션들에 의해 시행될 수 있음을 유념해야 한다. 이들 컴퓨터 프로그램 인스트럭션들은, 머신이 되는 일반용도 컴퓨터, 특수용도 컴퓨터, 또는 다른 프로그래머블 데이터 처리장치의 프로세서에 제공되어도 좋고, ㅇ이로써 컴퓨터나 기타 프로그래머블 데이터 처리장치의 프로세서를 통해 실행되는 인스트럭션은, 플로챠트 및/또는 블럭 다이어그램 블럭 또는 블럭들 내에 특정된 기능/동작을 수행하기 위한 수단을 형성한다.이들 컴퓨터 프로그램 인스트럭션들은 또, 컴퓨터 리더블 매체 내에 저장되어도 좋고, 이는 컴퓨터, 기타 프로그래머블 데이터 처리장치, 또는 기타 디바이스들이 컴퓨터 리더블 매체 내에 저장된 인스트럭션이 플로챠트 및/또는 블럭 다이어그램 블럭 또는 블럭들 내에 특정된 기능/행동을 수행하는 인스트럭션을 포함하여, 제조물품을 생산하는 식의 특정 방식으로 기능하도록 할 수 있다. 컴퓨터 프로그램 인스트럭션은 또, 컴퓨터, 다른 프로그래머블 데이터 처리장치, 또는 다른 디바이스에 로딩될 수 있고, 컴퓨터, 기타 프로그래머블 장치 또는 기타 디바이스 상에서 일련의 작동 단계들이 수행되도록 해서, 컴퓨터 또는 기타 프로그래머블 장치 상에서 실행되는 인스트럭션들이 플로챠트 및/또는 블럭 다이어그램 블럭 또는 블럭들 내에 특정된 기능/동작을 시행하기 위한 프로세스를 제공하여, 컴퓨터 실행된 프로세스를 생산할 수 있다.도면의 플로챠트 및/또는 블럭 다이어그램은, 다양한 실시예의 시스템, 방법 및 컴퓨터 프로그램 제품의 가능한 구현의 구성, 기능 및 동작을 예시하는데 도움을 준다. 이런 관점에서, 플로챠트 또는 블럭 다이어그램 내의 각 블럭은, 코드의 모듈, 세그먼트, 또는 부분을 나타낼 수 있고, 이는 특정 논리 함수를 시행하기 위한 1 이상의 실행 가능한 인스트럭션을 포함한다. 다른 구현예에 있어서, 블럭 내에 알려진 기능은, 도면에 알려진 순서와 달리 나타날 수 있음도 유념해야 한다. 예컨대, 연속하여 나타낸 2개의 블럭은, 실은, 관련된 기능에 따라서는, 실질적으로 동시에 실행될 수 있고, 또는 블럭들은 때로는 반대 순서로 실행될 수도 있다. 블럭 다이어그램 및 또는 플로챠트 일러스트레이션의 각 블럭, 및 블럭 다이어그램 및/또는 플로챠트 일러스트레이션 내으 블럭들의 조합은, 특화된 기능이나 동작을 수행하는 특수용도 하드웨어-기반 시스템 또는 특수용도 하드웨어와 컴퓨터 인스트럭션의 조합에 의해 수행될 수 있음도 유념해야 한다.다양한 실시예의 예시는, 이하의 문단에 설명된다:예시 적외선 검출기는, 파이로전기 물질, 피치거리만큼 이격되어 기판 상에 위치된 제1 세트의 검출기 엘리먼트, 및 대략 피치거리만큼 미격되어 기판 상에 위치된 제2 세트의 검출기 엘리먼트를 포함해 이루어지는 기판을 포함하고, 여기서, 제2 세트의 검출기 엘리먼트는, 제1 세트의 검출기 엘리먼트로부터 논-쿼드러쳐 옵셋을 가지고 위치되어 있다. 어떤 예시 적외선 검출기에 있어서, 제1 세트의 검출기 엘리먼트는, 적어도 2개의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트를 포함하여 이루어지고, 제2 세트의 검출기 엘리먼트는, 적어도 2개의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트를 포함하여 이루어진다. 어떤 예시 적외선 검출기에 있어서, 제1 세트의 검출기 엘리먼트는, 제1 행의 검출기 엘리먼트를 포함하여 이루어지고, 제2 세트의 검출기 엘리먼트는, 제1 행과 실질적으로 논-오버래핑인 제2 행의 검출기 엘리먼트를 포함하여 이루어진다. 어떤 예시 적외선 검출기에 있어서, 논-쿼드러쳐 옵셋은, 피치거리의 5%와 피치거리의 45% 사이 또는 피치거리의 55%와 피치거리의 95% 사이이다. 어떤 예시 적외선 검출기에 있어서, 논-쿼드러쳐 옵셋은, 피치거리의 대략 1/3 또는 대략 2/3이다. 어떤 예시 적외선 검출기는 또, 제1 세트의 검출기 엘리먼트에 결합된 제1 출력과 제2 세트의 검출기 엘리먼트에 결합된 제2 출력을 포함한다. 어떤 예시 적외선 검출기는 또, 접지단자를 포함하고, 여기서, 제1 세트의 검출기 엘리먼트는, 제1 검출기 엘리먼트와 제2 검출기 엘리먼트로 구성되고, 제2 세트의 검출기 엘리먼트는, 제3 검출기 에리먼트와 제4 검출기 엘리먼트로 구성되고, 이 제1, 제2, 제3 및 제4 검출기 엘리먼트는 각각, 기판을 유전체로서 이용하는 커패시터, 포함하여 이루어지고, 제1 출력은 제1 검출기 엘리먼트의 제1 단자에 연결되고, 제1 검출기 엘리먼트의 제2 단자는, 제2 검출기 엘리먼트의 제1 단자에 연결되고, 제2 검출기 엘리먼트의 제2 단자는 접지단자에 연결되고, 제2 출력은 제3 검출기 엘리먼트의 제1 단자에 연결되고, 제3 검출기 엘리먼트의 제2 단자는 제4 검출기 엘리먼트의 제1 단자에 연결되고, 제4 검출기 엘리먼트의 제2 단자는 접지단자에 연결되어 있다. 어떤 예시 적외선 검출기는 또, 패키지를 포함하고, 여기서, 기판은 패키지 내에 마운트되어, 외부 전기 에너지가 기판에 영향을 끼치는 것을 허용하도록 위치되어 있고, 패키지의 외측으로부터 접근 가능한 적어도 하나의 단자를 포함하고, 그리고 패키지 내에 마운트되어 적어도 한 단자, 제1 세트의 검출기 엘리먼트, 및 제2 세트의 검출기 엘리먼트와 결합되어, 제1 세트의 검출기 엘리먼트 상의 제1 파이로전기 효과와, 제2 세트의 검출기 엘리먼트 상의 제2 파이로전기 효과를 검출하여, 제1 파이로전기 효과와 제2 파이로전기 효과에 관한 정보를 적어도 하나의 단자에 제공하는 회로망을 포함한다. 어떤 예시 적외선 검출기에 있어서, 회로망은 적어도 하나의 아날로그-to-디지털 컨버터를 포함하고, 적어도 한 단자에서의 제1 파이로전기 효과와 제2 파이로전기 효과에 대한 정보는, 적어도 한 전압파형을 나타내는 디지털 데이터를 포함한다. 어떤 예시 적외선 검출기에 있어서, 회로망은, 제1 세트의 검출기 엘리먼트에 결합된 제1 트랜지스터 버퍼와 제2 세트의 검출기 엘리먼트에 결합된 제2 트랜지서트 버퍼를 포함하고, 적어도 한 단자는, 제1 출력단자, 제2 출력단자, 파워단자, 및 접지단자를 포함하고, 제1 파이로전기 효과에 대한 정보는, 제1 출력단자에서의 제1 아날로그 전압파형을 포함하고, 제2 파이로전기 효과에 관한 정보는, 제2 출력단자에서의 제2 아날로그 전압파형을 포함한다. 이 단락에서 설명된 엘리먼트의 어떠한 조합도 다양한 실시예에서 이용될 수 있다.예시 모션센서는, 제1 세트의 검출기 엘리먼트와 제2 세트의 검출기 엘리먼트를 포함하는 적외선 검출기와, 피치만큼 제1 방향으로 이격된 제1 세트의 피감 볼륨들로부터의 전자기 에너지를 제1 세트의 검출기 엘리먼트에 보내고, 피치만큼 제1 방향으로 이격된 제2 세트의 피감 볼륨들로부터의 전자기 에너지를 제2 세트의 검출기 엘리먼트에 보내는 광학시스템을 포함하고, 여기서, 제2 세트의 피감 볼륨들은, 제1 방향으로 제1 세트의 피감 볼륨들로부터의 옵셋을 가진다. 어떤 예시 모션센서에 있어서, 전자기 에너지는 적외선 광을 포함한다. 어떤 예시 모션센서에 있어서, 광학시스템은, 적어도 하느의 프레넬 렌즈를 포함한다. 어떤 예시 모션센서에 있어서, 광학시스템은, 복수의 반사 에리먼트를 포함한다. 어떤 예시 모션센서에 있어서, 옵셋은 논-쿼드러쳐 옵셋이다. 어떤 예시 모션센서에 있어서, 제2 세트의 피감 볼륨들은, 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 제1 세트의 피감 볼륨들로부터 제2 옵셋을 가진다. 어떤 예시 모션센서에 있어서, 제1 세트의 피감 볼륨들은, 2 이상의 티어의 피감 볼륨들을 포함하고, 제2 세트의 피감 볼륨들은, 제1 세트의 피감 볼륨들의 2 이상의 티어의 피감 볼륨들에 인터리브되는 2 이상의 티어의 피감 볼륨들을 포함한다. 어떤 예시 모션센서에 있어서, 제2 세트의 검출기 엘리먼트는, 파이로전기 기판 상의 제1 검출기 방향으로 제1 세트의 검출기 엘리먼트로부터 제1 옵션을 가지도록 위치되고, 제2 세트의 검출기 엘리먼트는, 제1 검출기 방향에 직교하는 파이로전기 기판 상의 제2 검출기 방향으로 제1 세트의 검출기 엘리먼트로부터 제2 옵셋으로 위치되어 있다. 어떤 예시 모션센서에 있어서, 제2 세트의 검출기 엘리먼트는, 파이로전기 기판 상의 제1 검출기 방향으로 제1 세트의 검출기 엘리먼트로부터 유효 옵셋을 가지지 않도록 위치되고, 제2 세트의 검출기 엘리먼트는, 제1 검출기 방향에 직교인 파이로전기 기판 상의 제2 검출기 방향으로 제1 세트의 검출기 엘리먼트로부터 옵셋으로 위치되어 있고, 광학시스템은, 제1 세트의 피감 볼륨들로부터의 전자기 에너지를 제1 기하학적 구조를 가지는 제1 경로 상의 제1 세트의 검출기 엘리먼트에 보내는 제1 세트의 광학 엘리먼트와, 제2 세트의 피감 볼륨들로부터의 전자기 에너지를 제1 기하학적 구조와 상이한 제2 기하학적 구조를 가지는 제2 경로 상의 제2 세트의 검출기 엘리먼트로 보내는 제2 세트의 광학 엘리먼트를 포함한다. 어떤 예시 모션센서는 또, 제1 세트의 검출기 엘리먼트에 대한 제1 써멀 정보와 제2 세트의 검출기 엘리먼트에 대한 제2 써멀 정보를 받고, 제1 써멀 정보를 나타내는 제1 파혀을 제2 써멀 정보를 나타내는 제2 파형에 비교하고, 제2 파형이 옵셋에 상당하는 위상시프트를 가지는 제1 파형에 상당하면, 제1 타입의 모션 인디케이션을 생성하는 회로망을 포함한다. 어떤 예시 모션센서는 또, 제1 써멀 정보에 대한 제1 배경레벨과 제2 써멀 정보에 대한 제2 배경레벨을 등록하고, 제1 배경레벨을 제1 써멀 정보에서 빼서 제1 파형을 만들고, 제1 배경레벨을 제2 써멀 정보에서 빼서 제2 파형을 만드는 회로망을 포함한다. 어떤 예시 모션센서는 또, 회로망에 결합되는 안테나를 포함하고, 여기서, 제1 타입의 모션 인디케이션은 안테나를 통해 송신되는 전파 메시지를 포함한다. 어떤 예시 모션센서에 있어서, 제2 세트의 피감 볼륨들은, 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 제1 세트의 피감 볼륨들로부터 제2 옵셋을 가지고, 모션센서는, 제1 파형과 제2 파형 사이의 스무딩된 차가 미리 정해진 값을 초과하는지를 결정하고, 스무딩된 차가 미리 정해진 값을 초과하면, 제2 타입의 모션 인디케이션을 생성하는 회로망을 더 포함한다. 어떤 예시 모션센서는 또, 동물 검출을 위한 모드 세팅을 수신하고, 제1 파형과 제2 파형 사이의 스무딩된 차가 미리 정해진 값을 초과하는지를 결정하고, 스무딩된 차가 미리 정해진 값을 초과하면 제2 타입의 모션 인디케이션을 생성하고, 모드는 동물 검출로 세트되고, 모드가 동물 검출로 세트되어 있지 않으면, 제2 타입의 모션 인디케이션을 억제하는 회로망을 포함한다. 어떤 예시 모션센서는 또, 회로망에 결합된 안테나를 포함하고, 여기서, 모드 세팅이 안테나를 통해 수신된 제1 메시지 내에 포함되고, 제1 타입의 모션 인디케이션은, 안테나를 통해 송신된 제2 메시지를 포함하고, 제2 타입의 모션 인디케이션은, 안테나를 통해 송신한 제3 메시지를 포함한다. 이 단락에서 설명된 엘리먼트의 어떤 조합도 다양한 실시예에 이용될 수 있다.다른 예시 모션센서는, 피치를 가지는 제1 행의 피감 볼륨들로부터의 제1 써멀 정보와 옵셋만큼 제1 행에 평행인 방향으로 시프트되고, 피치를 가지는 제2 행의 피감 볼륨들로부터의 적외선 검출기와, 적외선 검출기에 결합되어, 제1 써멀 정보와 제2 써멀 정보로부터 추출된 파형들의 위상관계를 검출하고, 위상관계가 크리티컬 위상각에 상당하면, 동물-면역 모션 인디케이션을 생성하는 회로망을 포함하고, 여기서 크리티컬 위상극은 0도보다 크고, 옵셋과 피치에 기반한다. 어떤 예시 모션센서에 있어서, 크리티컬 위상각은 10도와 80도 사이 또는 100도와 170도 사이이다. 어떤 예시 모션센서에 있어서, 크리티컬 위상각은 180도 곱하기 옵셋에 의해 나타나는 피치의 퍼센티지이다. 어떤 예시 모션센서에 있어서, 제1 행의 피감 볼륨들과 제2 행의 피감 볼륨들은, 실질적으로 논-오버래핑이다. 어떤 예시 모션센서는 또, 적외선 검출기에 결합되어, 제1 써멀 정보와 제2 써멀 정보로부터 추출된 파형들 사이의 스무딩된 차를 검출하고, 스무딩된 차가 미리 정해진 값을 초과하면, 마이너 모션 인디케이션을 생성하는 회로망을 포함한다. 어떤 예시 모션센서에 있어서, 제1 써멀 정보는, 제1 행의 피감 볼륨들을 포함하는 제1 복수의 정력된 행의 피감 볼륨들로부터의 써멀 정보를 포함하고, 제2 써멀 정보는, 제2 행의 피감 볼륨들을 포함하는 제2 복수의 정력된 행들의 피감 볼륨들로부터의 써멀 정보를 포함하고, 여기서, 제1 복수의 정력된 행들의 피감 볼륨들은, 제2 복수의 정력된 행들의 피감 볼륨들과 교번한다. 어떤 예시 모션센서에 있어서, 동물-면역 모션 인디케이션은, 비주얼 인디케이션이나 오디블 인디케이션을 포함한다. 어떤 예시 모션센서에 있어서, 동물-면역 모션 인디케이션은, 전파 메시지를 포함한다. 이 단락에서 설명된 엘리먼트들의 어떤 조합도, 다양한 실시예에서 이용될 수 있다.모션을 검출하는 예시적 방법은, 제1 티어의 피감 볼륨들을 지나가능 온열 바디를 나타내는 적외선 검출기의 제1 출력을 수신하는 것과, 제2 티어의 피감 볼륨들을 지나는 온열 바디를 나타내는 적외선 검출기의 제2 출력을 받고, 여기서, 제2 티어의 피감 볼륨들은 제1 티어의 피감 볼륨들로부터 수평 옵셋을 가지고 제1 티어의 피감 볼륨들 위에 위치되어 있고, 크리티컬 위상각에 상당하는 적외선 검출기의 제1 출력과 제2 출력 사이의 위상차에 기반한 동물-면역 모션 인디케이션을 생성하는 것을 포함하고, drl서 크리티컬 위상각은 0도보다 크다. 어떤 예시 방법에 있어서, 크리티컬 위상각은 10도와 170도 사이이다. 어떤 예시 방법에 있어서, 크리티컬 위상각은 10도와 80도 사이 또는 100도와 170도 사이이다. 어떤 예시 방법에 있어서, 동물-면역 모션 인디케이션은, 비주얼 인디케이션 또는 오디블 인디케이션을 포함한다. 어떤 예시 방법에 있어서, 동물-면역 모션 인디케이션은, 전파 메시지를 포함한다. 어떤 예시 방법은 또, 제1 출력과 제2 출력 사이의 스무딩된 차가 미리 정해진 값을 초과하는지를 결정하고, 스무딩된 차가 미리 정해진 값을 초과한다고 결정함에 응하여 마이너 모션 인디케이션을 생성하는 것을 포함한다. 어떤 예시 방법은 또, 스무딩된 차의 계산에 있어서 제1 출력과 제2 출력의 배경레벨에 대한 보상하기를 포함한다. 어떤 예시 방법은 또, 동물 검출을 위한 모드에 대한 세팅을 획득하고, 제1 출력과 제2 출력 사이의 스무딩된 차가 미리 정해진 값을 초과하는지를 결정하는 것과, 스무딩된 차가 미리 정해진 값을 초과함에 응하여, 모드가 동물 검출을 위해 설정되어 있으면, 마이너 모션 인디케이션을 생성하고, 모두가 동물 검출을 위해 설정되어 있지 않으면, 마이너 모션 인디케이션을 억제하는 것을 포함한다. 어떤 예시 방법에 있어서, 마이너 모션 인디케이션과 동물-면역 모션 인디케이션은 구분 곤란(동일)하다. 어떤 예시 방법에 있어서, 동물 검출을 위한 모드에 대한 세팅을 획득하는 것은, 무선 네트워크를 통해 세팅을 수신하는 것을 포함하고, 동물-면역 모션 인디케이션은, 무선 네트워크를 통해 송신된 제1 메시지를 포함하고, 마이너 모션 인디케이션은, 무선 네트워크를 통해 송신된 제2 메시지를 포함한다. 이 단락에서 설명된 엘리먼트의 어떤 조합도, 다양한 실시예에서 사용될 수 있다. 컴퓨팅 디바이스 상에서 실행됨에 응하여 컴퓨팅 디바이스에 이 단락에 따른 방법을 수행하도록 하는 1 이상의 인스트럭션을 포함하는 적어도 하나의 머신 리더블 매체를 이용하여, 적어도 파티 내에, 어떤 예시적 방법도 실행되어도 좋다.모션을 검출하기 위한 예시 컴퓨터 프로그램 제품은, 안에 구현된 컴퓨터 리더블 프로그램 코드를 가지는, 적어도 하나의 논-일시적 컴퓨터 리더블 저장매체를 포함하고, 컴퓨터 리더블 프로그램 코드는, 제1 티어의 피감 볼륨들을 지나는 온열 바디를 나타내는 적외선 검출기의 제1 출력을 받는 컴퓨터 리더블 프로그램 코드, 제2 티어의 피감 볼륨들을 지나는 온열 바디를 나타내는 적외선 검출기의 제2 출력을 받는 컴퓨터 리더블 프로그램 코드를 포함하고, 여기서, 제2 티어의 피감 볼륨들은, 제1 티어의 피감 볼륨들로부터 수평 옵셋을 가지고 제1 티어의 피감 볼륨들 아래에 위치되고, 0도보다 큰 크리티컬 위상각에 상당하는 적외선 검출기의 제1 출력과 제2 출력 사이의 위상차에 기반한 동물-면역 모션 인디케이션을 생성하는 컴퓨터 리더블 프로그램 코드를 포함한다. 어떤 예시 컴퓨터 프로그램 제품에 있어서, 크리티컬 위상각은 10도와 170도 사이이다. 어떤 예시 컴퓨트 프로그램 제품에 있어서, 크리티컬 위상각은 10도와 80도 사이 또는 100도와 170도 사이이다. 어떤 예시 컴퓨터 프로그램 제품은 또, 동물-면역 모션 인디케이션의 적어도 일부로서 비주얼 인디케이션 또는 오디블 인디케이션을 생성하는 컴퓨터 리더블 코드를 포함한다. 어떤 예시 컴퓨터 프로그램 제품은 또, 동물-면역 모션 인디케이션의 적어도 일부로서 전파 메시지를 송신하는 컴퓨터 리더블 코드를 포함한다. 어떤 예시 컴퓨터 프로그램 제품은 또, 제1 출력과 제2 출력의 배경레벨에 대한 보상을 한 후의 제1 출력과 제2 출력 사이의 스무딩된 차가 미리 정해진 값을 초과하는지를 결정하하는 컴퓨터 리더블 코드와, 스무딩된 차가 미리 정해진 값을 초과함에 응하여 마이너 모션 인디케이션을 생성하는 컴퓨터 리더블 코드를 포함한다. 어떤 예시 컴퓨터 프로그램 제품은 또, 동물 검출을 위한 모드의 세팅을 획득하는 컴퓨터 리더블 코드, 제1 출력과 제2 출력의 배경레벨에 대한 보상 후의 제1 출력과 제2 출력 사이의 스무딩된 차가 미리 정해진 값을 초과하는지를 결정하는 컴퓨터 리더블 코드, 스무딩된 차가 미리 정해진 값을 초과함에 응하여, 모드가 동물 검출로 설정되어 있으면, 마이너 모션 인디케이션을 생성하는 컴퓨터 리더블 코드, 모드가 동물 검출로 설정되어 있지 않으면 마이너 모션 인디케이션을 억제하는 것을 포함한다. 어떤 예시 컴퓨터 프로그램 제품은 또, 무선 네트워크를 통해 모드에 대한 세팅을 받는 컴퓨터 리더블 코드, 무선 네트워크를 통해 제1 메시지로서 동물-면역 모션 인디케이션을 발송하는 컴퓨터 리더블 코드, 무선 네트워크를 통해 제2 메시지로서 마이너 모션 인디케이션을 송신하는 컴퓨터 리더블 코드를 포함한다. 이 단락에서 설명된 엘리먼트의 어떤 조합도 다양한 실시예에 이용될 수 있다.적외선 검출구역 내에서 인간 모션을 검출하는 다른 예시 방법은, 각각 복수의 논-오버래핑 피감 볼륨들을 가지는, 적어도 2개의 스택된 논-오버래핑 검출 티어로부터 수신되는, 적외선 검출구역 내의 적외선 강도를 송신하는 것을 포함하고, 적어도 2개의 검출 티어의 복수의 논-오버래핑 피감 볼륨들은 옵셋만큼 수평방향으로 서로 시프트되어 있고, 변화가 크리티컬 위상각에 상당하는 위상관계를 가지면, 적어도 2개의 스택된 검출 티어의 수직 이웃 검출 티어 상의 적외선 강도에 있어서의 충분한 변화를 등록함에 응하여 인간의 존재를 나타내는 메이저 모션 인디케이션을 생성하는 것을 포함하고, 변화가 크리티컬 위상각에 상당하지 않는 위상관계를 가지면, 적어도 2개의 스택된 검출 티어의 수직 이웃 검출 티어상의 적외선 강도 내의 변화를 무시하는 것을 포함하고, 여기서 크리티컬 위상각은 0도보다 크다. 어떤 예시 방법은 또, 적어도 2개의 스택된 논-오버래핑 검출 티어의 오직 한 검출 티어 내에서만 발생하는 적외선 강도의 변화를 무시하는 것을 포함한다. 어떤 예시 방법은 또, 적어도 2개의 스택된 논-오버래핑 검출 티어의 오직 하나의 검출 티어에서만 일어나는 적외선 강도 내의 변화에 응하여 동물의 존재를 나타내는 마이너 모션 인디케이션을 생성하는 것을 포함한다. 어떤 예시 방법은 또, 동물 검사에 대한 모드의 세팅을 획득하는 것, 모드가 동물 검출을 위해 설정되어 있으면, 적어도 2개의 스택된 논-오버래핑 검출 티어 중 단 하나의 검출 티어 내에서 발생하는 적외선 강도의 변화에 응하여 동물의 존재를 나타내는 마이너 모션 인디케이션을 생성하는 것, 모드가 동물 검출을 위해 설정되어 있지 않으면 마이너 모션 인디케이션을 억제하는 것을 포함한다. 어떤 예시 방법에 있어서, 크리티컬 위상각은 10도와 80도 사이 또는 100도와 170도 사이이다. 어떤 예시 방법에 있어서, 크리티컬 위상각은 180도 곱하기 옵셋에 의해 나타나는 논-오버래핑 피감 볼륨들의 피치의 퍼센티지이다. 이 단락에서 설명된 엘리먼트의 어떤 조합도, 다양한 실시예에서 이용될 수 있다. 어떠한 예시 방법도, 적어도 파티로, 컴퓨팅 디바이스 상에서 실행됨에 응하여, 이 단락에 따른 방법을 컴퓨팅 디바이스가 수행하도록 하는 1 이상의 인스트럭션을 포함하는 저어도 하나의 머신 리더블 매체를 이용하여 시행될 수 있다.다른 적외선 검출기는, 파이로전기 물질을 포함하는 기판, 피치거리만큼 이격되어 기판 상에 위치되는 제1 행의 검출기 엘리먼트, 및 대략 피치거리만큼 이격되어 기판 상에 위치되는 제2 행의 검출기 엘리먼트를 포함하고, 여기서, 제1 행과 제2 행은, 실질적으로 논-오버래핑이고, 제2 행의 검출기 엘리먼트는, 제1 행에 평행인 방향으로 제1 행의 검출기 엘리먼트로부터 논-제로 옵셋으로 위치되어 있다. 어떤 예시 적외선 검출기에 있어서, 제1 행의 검출기 엘리먼트는, 적어도 2개의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트를 포함하고, 제2 행의 검출기 엘리먼트는, 적어도 2개의 직렬 결합된 검출기 엘리먼트를 포함한다. 어떤 예시 적외선 검출기에 있어서, 논-제로 옵셋은, 피치거리의 5%와 피치거리의 95% 사이이다. 어떤 예시 적외선 검출기에 있어서, 논-제로 옵셋은, 피치거리의 대략 절반이다. 어떤 예시 적외선 검출기에 있어서, 논-제로 옵셋은, 논-쿼드러쳐 옵셋이다. 어떤 예시 적외선 검출기는 또, 제1 행의 검출기 엘리먼트에 결합된 제1 출력과, 제2 행의 검출기 엘리먼트에 결합된 제2 출력을 포함한다. 어떤 예시 적외선 검출기는 또, 패키지를 포함하는데, 여기서, 기판은 패키지 상에 마운트되어, 외부 전자기 에너지가 기판에 영향을 주는 것을 허용하도록 위치되어 있고, 또한, 패키지의 외측에서 접근 가능한 적어도 하나의 단자를 포함하고, 또한, 패키지 내에 마운트되고, 적어도 하나의 단자, 제1 행의 검출기 엘리먼트, 그리고 제2 행의 검출기 엘리먼트에 결합되어, 제1 행의 검출기 엘리먼트 상의 제1 파이로전기 효과와 제2 행의 검출기 엘리먼트 상의 제2 파이로전기 효과를 검출하고, 제1 파이로전기 효과와 제2 파이로전기 효과에 대한 정보를 적어도 하나의 단자에 제공하는 회로망을 포함한다. 어떤 예시 적외선 검출기에 있어서, 회로망은, 적어도 하나의 아날로그-to-디지털 컨버터를 포함하고, 적어도 하나의 단자에서의 제1 파이로전기 효과와 제2 파이로전기 효과에 대한 정보는, 적어도 하나의 전압파형을 나타내는 디지털 데이터를 포함한다. 어떤 예시 적외선 검출기에 있어서, 회로망은, 제1 행의 검출기 엘리먼트에 결합된 제1 트랜지스터 버퍼와 제2 행의 검츨기 엘리먼트에 결합된 제2 트랜지스터 버퍼를 포함하고, 여기서, 적어도 하나의 단자는, 제1 출력단자, 제2 출력단자, 파워단자, 접지단자를 포함하고, 제1 파이로전기 효과에 대한 정보는, 제1 출력단자에서의 제1 아날로그 전압파형을 포함하고, 제2 파이로전기 효과에 대한 정보는, 제2 출력단자에서의 제2 아날로그 전압파형을 포함한다. 이 단락에서 설명된 엘리먼트의 어떤 조합도, 다양한 실시예에 이용될 수 있다.본 명세서 및 첨부된 청구항에서 사용되는 바와 같이, 단수형 "a", "an"과 "the"는, 내용이 명백히 달리 기술하지 않는 한 복수의 지시대상을 포함한다. 따라서, 예컨대, "어느 피감 볼륨"이라고 설명된 엘리먼트에 대한 참조는, 단일 피감 볼륨, 2개의 피감 볼륨들, 또는 어떠한 다른 갯수의 피감 볼륨들을 지칭해도 좋다. 본 명세서 및 첨부된 청구항에 사용되는 바와 같이, 용어 "또는"은, 내용이 명백히 달리 기술하지 않는 한, "및/또는"을 포함하는 그 감각 내에서 일반적으로 적용된다. 여기 사용되는 바와 같이, 용어 "결합된다"는, 직접 및 간접 연결을 포함한다. 또한, 제1 및 제2 디바이스가 결합되는 경우, 액티브 디바이스를 포함하는 사이에 개입하는 디바이스가 그들 사이에 위치되어도 좋다. 달리 기술되지 않는 한, 명세서와 청구항에서 사용된 엘리먼트, 퍼센티지, 기타의 양을 나타내는 모든 숫자는, 용어 "대략"에 의해 모든 경우에 있어서 변경될 수 있다고 이해되어야 한다. 용어 "대략"의 해석은, 맥락에 의하지만, 다른 인디케이션이 없다면, 변경된 양, 치수나 거리의 ±5%로 일반적으로 해석될 수 있다. 끝점에 의한 수치 범위의 설명은, 그 그 범위 내의 밑에 있는 모든 수를 포함(예컨대 1 내지 5는 1, 2.78, 3.33, 5를 포함함)한다. 특정 기능을 수행하는 "수단", 또는 특정 기능을 수행하는 "단계"를 명시적으로 기술하지 않은 청구항 내의 어떤 엘리먼트는, 35 U.S.C. § 112(f)에 특정된 것과 같은 "means"나 "step" 조항으로 해석되지 않는다.상기 제공된 다양한 실시예의 서술은, 본질적으로 예시이고, 발명, 그 적용 또는 용도를 제한하고자 하는 것이 아니다. 따라서, 여기 설명된 것을 넘는 상이한 변형은, 본 발명의 실시예의 범위 이내라고 해석된다. 그러한 변형은, 본 발명의 의도된 범위로부터 벗어나는 것이라고 간주되지 않는다. 이처럼, 본 발명의 넓이와 범위는, 상기 설명된 예시적 실시예에 의해 제한되어서는 안 되고, 다음의 청구항과 그 균등물에 따라서만 정의되어야 한다.	모션센서는, 서로 옵셋되는 적어도 2개의 티어의 모니터되는 볼륨들을 가진다. 적외선 광같은 전자기 복사가, 피감 볼륨들로부터 적외선 검출기의 파이로전기기판 상의 분리된 출력을 가지는 적어도 두 세트의 검츨기 엘리먼트로 보내진다. 인간이나 동물같은 온열 대상물이 피감 볼륨들을 통과해 움직임에 따라, 상기 대상물로부터의 온열이 상기 적외선 검출기의 출력 상의 전압을 변화하게 한다. 결과 파형들이 비교되고, 두 파형이 상기 피감 볼륨들의 피치와 피감 볼륨들의 티어들 사이의 상기 옵셋에 기반하는 크리티컬 위상각에 상당하는 위상관계를 가지면, 동물-면역 모션 인디케이션이 생성된다.
[ 발명의 명칭 ] 퀴나졸린 유도체QUINAZOLINE DERIVATIVE [ 기술분야 ] 본원은 약화학 분야에 관한 것이다.관련 출원본원은 2013년 12월 12일자로 중국 특허청에 제출된 "항종양 활성을 갖는 퀴나졸린 유도체, 이의 제조 및 적용"이라는 발명의 명칭의 중국 특허 출원 제 201310706058.3 호의 관련 이익 및 우선권을 주장하고, 이는 전체가 참조로서 본원에 혼입된다. [ 배경기술 ] EGFR은 HER(인간 표피 성장 인자 수용체) 당단백질 계열의 일원이고, 상기 계열의 다른 일원은 ErbB2(HER-2), ErbB3(HER-3), ErbB4(HER-4)를 포함한다. 세포내 EGFR 티로신 키나아제는 다양한 기질 단백질의 인산화를 촉매화하고, 종양 세포의 신호 경로에서 중추적인 역할을 한다. EGFR은 세포외 신호의 자극하에 이의 세포내 티로신 키나아제를 활성화하고, 세포외 신호를 세포로 전달하고 신호를 증폭시킴으로써 세포의 성장 및 분화, 혈관형성 및 세포자멸의 억제를 조절할 수 있다. EGFR 과발현 또는 돌연변이에 의해 야기된 이상 신호 경로 전달은 악성 종양의 성장, 침습 및 전이와 밀접한 상관관계가 있다. EGFR 발현은 정상 조직, 전-암성 병변으로부터 암성 조직으로 점진적으로 증가하고, EGFR 발현 수준은 암 환자의 예후와 밀접하게 관련된다. 여러 합성 약물은 EGFR-매개된 신호 전달을 차단함으로써 종양 세포의 성장 및 주변 조직으로 종양 침습을 억제하고, 종양 세포의 세포자멸을 촉진할 수 있다. 따라서, EGFR-표적된 요법은 현재 가장 떠오르는 연구 중 하나이다. EGFR을 표적하는 분자 표적된 요법은 선택적인 집단에서 우수한 치료 효과를 갖는다.현재, 약물 시장에서 EGFR을 표적하는 약물은 주로 2개의 카테고리로 나뉜다: EGFR의 세포외 도메인에서 작용하는 단클론 항체 및 세포내 EGFR 티로신 키나아제의 결합 도메인에서 작용하는 소분자 EGFR 티로신 키나아제 억제제(EGFR-TKI). 더욱이, EGFR-TKI 약물은 상기 약물과 EGFR 티로신 키나아제 사이의 상이한 결합 방식으로 인해 2개의 카테고리(즉, 가역적 및 비가역적 억제제)로 분류된다. 비가역적 억제제는 단백질 티로신 키나아제에 비가역적이고 영구적으로 결합할 수 있고, 새로운 단백질 티로신 키나아제가 생성되지 않는 한 단백질 티로신 키나아제의 수준은 계속해서 감소할 수 있다. 비가역적 억제제는 오랫동안 약으로써 효과적인 시간을 갖는다. 그러나, FDA 신청 기록은, 현존하는 임상적으로 개발된 약물인 아파티닙(Afatinib)의 생체이용률이 단지 11.175%이고, A431 인간 표피 암종 누드 마우스를 사용하는 이종이식 모델에서, 10 mg/kg의 아파니팁의 투여가 약리 효과를 보이지 않음을 나타낸다. 그러나, 아파티닙의 MTD는 30 mg/kg이다(문헌[Li D, Ambrogio L, Shimamura T, et al. BIBW2992, an irreversible EGFR/HER2 inhibitor highly effective in preclinical 폐암 models. Oncogene, 2008, 27(34): 4702-4711] 참조). 따라서, 아파티닙의 치료 기회가 매우 좁다는 것을 알 수 있다. [ 발명의 개요 ] 본원의 일 양상은 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 및 이의 약학적으로 허용되는 염에 관한 것이다.본원의 또 다른 양상은 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 및 이의 약학적으로 허용되는 염에 관한 것이고, 여기서 상기 염을 형성하기 위해 사용된 산은 염산, 브롬화수소산, 황산, 질산, 인산, 아세트산, 2,2-다이클로로아세트산, 아디프산, 알긴산, 아스코르브산, 아스파르트산, 메틸설폰산, 벤젠설폰산, 벤조산, 4-아세트아미도벤조산, 캄판산, 캄포르-10-설폰산, 카프르산, 카프로산, 카프릴산, 카본산, 신남산, 시트르산, 사이클람산, 도데실황산, 에탄-1,2-다이설폰산, 에탄설폰산, 2-하이드록시에탄설폰산, 포름산, 푸마르산, 갈락타르산, 겐티신산, 글루코헵톤산, 글루콘산, 글루쿠론산, 글루탐산, 글루타르산, 2-옥소-글루타르산, 글리세로인산, 글리콜산, 히푸르산, 이소부티르산, 락트산, 락토비온산, 라우르산, 말레산, 말산, 말론산, 만델산, 메탄설폰산, 점액산, 나프탈렌-1,5-다이설폰산, 나프탈렌-2-설폰산, 1-하이드록시-2-나프토산, 니코틴산, 올레인산, 오로트산, 옥살산, 팔미트산, 팜산, 프로피온산, 피로글루탐산, 피루브산, 살리실산, 4-아미노살리실산, 아세토살리실산, 세박산, 스테아르산, 숙신산, 타르타르산, 티오시안산, p-톨루엔설폰산, 트라이플루오로아세트산 및 운데실렌산으로 이루어진 군으로부터 선택된다.본원의 또 다른 양상은 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 및 이의 약학적으로 허용되는 염에 관한 것이고, 여기서 상기 염은 하기로 이루어진 군으로부터 선택된다:N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로클로라이드; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이설페이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로브로마이드; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이니트레이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이포스페이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이아세테이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이메틸설포네이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이페닐설포네이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이푸마레이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이말레에이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이니코티네이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이올레에이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이옥살레이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이프로피오네이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이살리실레이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 비스(4-아미노살리실레이트); N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이아세틸살리실레이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이타르트레이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이(p-톨루엔설포네이트); N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이시트레이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이말레이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 비스(나프탈렌-1,5-다이설포네이트); N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 비스(데칸다이오에이트); 및N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 비스(L-아스파르테이트).본원의 또 다른 양상은 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염, 및 약학적으로 허용되는 담체, 희석제 또는 부형제를 포함하는 약학 조성물에 관한 것이다.본원의 또 다른 양상은 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염의 제조 방법에 관한 것이고, 상기 방법은 하기 단계를 포함한다:하기 화학식 I의 화합물을 하기 화학식 II의 화합물과 반응시켜 화합물 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드를 수득하는 단계,바람직하게는, 하기 화학식 I의 화합물을 활성화된 에스터, 아실 클로라이드, 아실화된 이미다졸 또는 혼합된 무수물로 전환한 후, 하기 화학식 II의 화합물과 반응시키는 단계, 더욱 바람직하게는, 촉매로서 3차 아민, 예컨대 트라이에틸아민, N-메틸모폴린, 트라이메틸아민, 피리딘 또는 치환된 피리딘을 첨가하고, 하기 화학식 I의 화합물을 아실 클로라이드로 전환하는 경우, 바람직하게는 염소화제로서 티온일 클로라이드, 인 트라이클로라이드, 인 펜타클로라이드, 인 옥시클로라이드, 옥살릴 클로라이드, 또는 시아누르 클로라이드를 사용하는 단계; 또는바람직하게는, 하기 화학식 I의 화합물을 무수물로 전환한 후, 하기 화학식 II의 화합물과 반응시키는 단계, 더욱 바람직하게는, 촉매로서 피리딘, 치환된 피리딘, 예컨대 DMAP를 첨가하는 단계; 임의적으로, 화합물 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드를 이의 약학적으로 허용되는 산과 반응시켜 이의 상응하는 약학적으로 허용되는 염을 수득하는 단계:[화학식 I][화학식 II].본원의 또 다른 양상은 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염을 치료적 또는 예방적 효과량으로 치료 또는 예방을 필요로 하는 대상체에게 투여하는 단계를 포함하는, 단밸질 키나아제와 관련된 질병의 치료 또는 예방 방법에 관한 것이다.본원의 또 다른 양상은 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염을 치료적 또는 예방적 효과량으로 치료 또는 예방을 필요로 하는 포유동물에게 투여하는 단계를 포함하는, 상기 포유동물에서 단백질 티로신 인산화 효소의 과발현에 의해 야기된 생리적 이상의 치료 또는 예방 방법에 관한 것이다.본원의 추가 양상은 단백질 키나아제와 관련된 질병의 치료용 또는 예방용 약제의 제조에 있어서, 바람직하게는 포유동물에서 단백질 티로신 인산화 효소의 과발현에 의해 야기된 생리적 이상의 치료용 또는 예방용 약제의 제조에 있어서, N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염의 용도에 관한 것이다. 본원의 또 다른 양상은 단백질 키나아제와 관련된 질병의 치료용 또는 예방용 약제의 제조에 있어서, 바람직하게는 포유동물에서 단백질 티로신 인산화 효소의 과발현에 의해 야기된 생리적 이상의 치료용 또는 예방용 약제의 제조에 있어서, N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염을 포함하는 약학 조성물의 용도에 관한 것이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 하기 설명에서, 특정한 구체적인 세부사항은 다양하게 개시된 실시양태에 대한 완전한 이해를 제공하기 위해 포함된다. 그러나, 당업자는 실시양태가 하나 이상의 이러한 구체적인 세부사항 없이, 또는 다른 방법, 성분, 물질 등을 사용하여 실시될 수 있음을 인지할 것이다.달리 명시되지 않는 한, 명세서 및 청구범위 전체에 걸쳐, "포함하다, 포함하는" 및 "함유하다, 함유하는"이라는 용어는 "비제한적으로 포함하다"로서 해석되어야 하는 열린 포괄적인 의미로 해석되어야 한다. 본 명세서 전체에 걸쳐 "일 실시양태", "또 다른 실시양태에서" 또는 "일부 실시양태에서"에 대한 언급은, 실시양태와 관련하여 기재된 특정하게 언급된 특성, 구조, 또는 특징이 최소한 하나의 실시양태에 포함되는 것을 의미한다. 따라서, 본 명세서 전체에 걸쳐 다양한 곳에서 나타낸 "일 실시양태에서", "실시양태에서", "또 다른 실시양태에서" 또는 "일부 실시양태에서"란 어구는 반드시 모두 동일한 실시양태를 지칭하는 것은 아니다. 더욱이, 특정한 특성, 구조 또는 특징은 임의의 적합한 방식으로 하나 이상의 실시양태에서 조합될 수 있다.정의"약학적으로 허용되는 담체, 희석제 또는 부형제"는 비제한적으로 임의의 어쥬번트, 담체, 부형제, 활주제, 감미료, 희석제, 보존제, 염료/착색제, 풍미 강화제, 계면활성제, 습윤제, 분산제, 현탁제, 안정화제, 등삼투압제, 용매, 또는 유화제 등을 포함하고, 이는 인간 또는 동물에서 사용하기 위해 허용되는 것으로 미국 식품 의약국에 의해 승인되었고 약학 조성물의 제조시 부작용이 없다."약학적으로 허용되는 염"은 생물학적으로 또는 달리 바람직한 생물학적 효능 및 자유 염기의 특성을 보유하고, 무기산, 예컨대, 비제한적으로, 염산, 브롬화수소산, 황산, 질산, 인산 등, 및 유기산, 예컨대, 비제한적으로, 아세트산, 2,2-다이클로로아세트산, 아디프산, 알긴산, 아스코르브산, 아스파르트산, 메틸설폰산, 벤젠설폰산, 벤조산, 4-아세트아미도벤조산, 캄판산, 캄포르-10-설폰산, 카프르산, 카프로산, 카프릴산, 카본산, 신남산, 시트르산, 사이클람산, 도데실황산, 에탄-1,2-다이설폰산, 에탄설폰산, 2-하이드록시에탄설폰산, 포름산, 푸마르산, 갈락타르산, 겐티신산, 글루코헵톤산, 글루콘산, 글루쿠론산, 글루탐산, 글루타르산, 2-옥소-글루타르산, 글리세로인산, 글리콜산, 히푸르산, 이소부티르산, 락트산, 락토비온산, 라우르산, 말레산, 말산, 말론산, 만델산, 메탄설폰산, 점액산, 나프탈렌-1,5-다이설폰산, 나프탈렌-2-설폰산, 1-하이드록시-2-나프토산, 니코틴산, 올레인산, 오로트산, 옥살산, 팔미트산, 팜산, 프로피온산, 피로글루탐산, 피루브산, 살리실산, 4-아미노살리실산, 아세토살리실산, 세박산, 스테아르산, 숙신산, 타르타르산, 티오시안산, p-톨루엔설폰산, 트라이플루오로아세트산, 운데실렌산 등으로 형성된 염을 지칭한다."약학 조성물"은 본원의 화합물로부터 형성된 제형 및 생물학적으로 활성인 화합물을 포유동물, 예를 들면, 인간에게 전달하기 위해 당해 분야에서 일반적으로 허용되는 배지를 지칭한다. 상기 배지는 모두 약학적으로 허용되는 담체, 희석제 또는 부형제를 포함한다."치료 효과량"은 본원의 화합물이 포유동물, 예컨대 인간에게 투여되는 경우, 하기 정의된 바와 같이, 상기 포유동물, 예컨대 인간에서 단백질 티로신 인산화 효소에 의해 매개되는 질병 또는 질환에 효과를 나타내기에 충분한 화합물의 양을 지칭한다. "치료 효과량"을 이루는 본원의 화합물의 양은 화합물, 질병 또는 질환 및 이의 중증도, 및 치료될 포유동물의 연령에 따라 달라지지만, 당해 분야 및 본원과 관련한 지식을 갖는 당업자에 의해 통상적으로 결정될 수 있다.본원에 사용된 "치료하는" 또는 "치료"는 관심 질병 또는 장애를 갖는 포유동물, 예컨대 인간에서 관심 질병 또는 질환의 치료를 포괄하고, 하기를 포함한다:(i) 포유동물에서 발생하는, 특히, 상기 포유동물이 질환에 취약하지만 상기 질환을 갖는 것으로 아직 진단되지 않은 경우, 질병 또는 질환을 예방함;(ii) 상기 질병 또는 질환을 억제함, 즉, 이의 발달을 저지함; 또는(iii) 상기 질병 또는 질환을 완화함, 즉, 상기 질병 또는 질환의 퇴행을 야기함.본원에 사용된 용어 "질병" 및 "질환"은 상호교환적으로 사용될 수 있거나 특정한 병 또는 질환이 공지된 원인 인자를 갖질 수 없고(병인학이 아직 작동되지 않도록) 따라서 질병으로써 아직 인지되지 않지만 단지 바람직하지 않은 질병 또는 증상으로서 인지되고, 이때 더욱 특징적이거나 덜 특징적인 증상은 의사에 의해 확인되었다는 점에서 다를 수 있다.구체적 실시양태본원의 일 양상은 하기 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 및 이의 약학적으로 허용되는 염에 관한 것이다:N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드본원의 또 다른 양상은 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 및 이의 약학적으로 허용되는 염에 관한 것이고, 이때 상기 염을 형성하기 위해 사용된 산은 염산, 브롬화수소산, 황산, 질산, 인산, 아세트산, 2,2-다이클로로아세트산, 아디프산, 알긴산, 아스코르브산, 아스파르트산, 메틸설폰산, 벤젠설폰산, 벤조산, 4-아세트아미도벤조산, 캄판산, 캄포르-10-설폰산, 카프르산, 카프로산, 카프릴산, 카본산, 신남산, 시트르산, 사이클람산, 도데실황산, 에탄-1,2-다이설폰산, 에탄설폰산, 2-하이드록시에탄설폰산, 포름산, 푸마르산, 갈락타르산, 겐티신산, 글루코헵톤산, 글루콘산, 글루쿠론산, 글루탐산, 글루타르산, 2-옥소-글루타르산, 글리세로인산, 글리콜산, 히푸르산, 이소부티르산, 락트산, 락토비온산, 라우르산, 말레산, 말산, 말론산, 만델산, 메탄설폰산, 점액산, 나프탈렌-1,5-다이설폰산, 나프탈렌-2-설폰산, 1-하이드록시-2-나프토산, 니코틴산, 올레인산, 오로트산, 옥살산, 팔미트산, 팜산, 프로피온산, 피로글루탐산, 피루브산, 살리실산, 4-아미노살리실산, 아세토살리실산, 세박산, 스테아르산, 숙신산, 타르타르산, 티오시안산, p-톨루엔설폰산, 트라이플루오로아세트산 및 운데실렌산으로 이루어진 군으로부터 선택된다.본원의 또 다른 양상은 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 및 이의 약학적으로 허용되는 염에 관한 것이고, 이때 상기 염은 하기로 이루어진 군으로부터 선택된다:N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로클로라이드; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이설페이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로브로마이드; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이니트레이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이포스페이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이아세테이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이메틸설포네이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이페닐설포네이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이푸마레이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이말레에이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이니코티네이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이올레에이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이옥살레이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이프로피오네이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이살리실레이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 비스(4-아미노살리실레이트); N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이아세틸살리실레이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이타르트레이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이(p-톨루엔설포네이트); N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이시트레이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이말레이트; N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 비스(나프탈렌-1,5-다이설포네이트); N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 비스(데칸다이오에이트); 및N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 비스(L-아스파르테이트).본원의 또 다른 양상은 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염, 및 약학적으로 허용되는 담체, 희석제 또는 부형제를 포함하는 약학 조성물에 관한 것이다.본원의 약학 조성물에 사용될 수 있는 약학적으로 허용되는 담체의 예는 비제한적으로, 임의의 어쥬번트, 담체, 부형제, 활주제, 감미료, 희석제, 보존제, 염료/착색제, 풍미 강화제, 계면활성제, 습윤제, 분산제, 현탁제, 안정화제, 등삼투압제, 용매 또는 유화제 등을 포함하고, 이는 인간 또는 동물에서 사용하기 위해 허용되는 것으로 미국 식품 의약국에 의해 승인되었고 약학 조성물의 제조시 부작용이 없다.일부 실시양태에서, 본원의 약학 조성물은 비경구, 경피, 점막, 비강, 구강, 설하 또는 경구 경로를 통해 투여된 정제, 용액, 과립, 패치, 연고, 캡슐, 에어로졸 또는 좌제로서 제형화될 수 있다. 본원의 약학 조성물은 경구 투여, 구강 투여, 정맥내 주사, 복강내 주사, 피하 주사, 근육내 주사, 비강 드롭, 안구 드롭, 흡입, 직장 투여, 질 투여 또는 표피 투여에 의해 투여될 수 있다.본원의 또 다른 양상은 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염의 제조 방법에 관한 것이고, 상기 방법은 하기 단계를 포함한다:하기 화학식 I의 화합물을 하기 화학식 II의 화합물과 반응시켜 화합물 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드를 수득하는 단계,바람직하게는, 하기 화학식 I의 화합물을 활성화된 에스터, 아실 클로라이드, 아실화된 이미다졸 또는 혼합된 무수물로 전환한 후, 하기 화학식 II의 화합물과 반응시키는 단계, 더욱 바람직하게는, 촉매로서 3차 아민, 예컨대 트라이에틸아민, N-메틸모폴린, 트라이메틸아민, 피리딘 또는 치환된 피리딘을 첨가하고, 하기 화학식 I의 화합물을 아실 클로라이드로 전환하는 경우, 바람직하게는 염소화제로서 티온일 클로라이드, 인 트라이클로라이드, 인 펜타클로라이드, 인 옥시클로라이드, 옥살릴 클로라이드, 또는 시아누르 클로라이드를 사용하는 단계; 또는바람직하게는, 하기 화학식 I의 화합물을 무수물로 전환한 후, 하기 화학식 II의 화합물과 반응시키는 단계, 더욱 바람직하게는, 촉매로서 피리딘, 치환된 피리딘, 예컨대 DMAP를 첨가하는 단계; 임의적으로, 화합물 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드를 이의 약학적으로 허용되는 산과 반응시켜 이의 상응하는 약학적으로 허용되는 염을 수득하는 단계:[화학식 I][화학식 II].일부 실시양태에서, 화학식 II의 화합물은 US 2002/077330 A1에 기재된 방법에 따라 제조된다.일부 실시양태에서, 화학식 I의 화합물은 다음과 같이 제조된다:2-브로모에틸메틸에터(1084.2 g, 7.8 mol), 4-피페리돈 일수화물 하이드로클로라이드(921.0 g, 6 mol), 무수 칼륨 카보네이트(3312.0 g, 24 mol) 및 N,N-다이메틸아세트아미드(3.75 L)를 반응 케틀(20 L)에 넣고, 실온에서 24시간 동안 교반하였다. 케틀 중 반응 용액의 용량은 약 4.4 L이다. 반응 용액(2.2 L)을 따라 내고, 물(13 L) 및 다이클로로메탄(4 L)을 교반하에 10분 동안 케틀에 넣고, 생성된 혼합물을 액체 분리를 위해 방치한 후, 다이클로로메탄 층을 따라내었다. 수층을 다이클로로메탄(3 L x 3)으로 추출하였다. 상기 수층을 버렸다. 유기 층을 합하고, 무수 마그네슘 설페이트(1.3 kg)로 30분 동안 건조하고, 이어서 감압하에 여과하였다. 필터 케익을 다이클로로메탄(1 L)으로 세척하였다. 필터 케익을 감압하에 여과 건조한 후 버렸다. 추가 반응 용액(2.2 L)을 상기와 같이 처리하였다. 여액을 합하고 회전 증발기로 농축하였다. 농축된 용액을 합하여 유성 물질을 수득하였다.상기 유성 물질을 감압하에 증류하여 2 mmHg 하에 82 내지 88℃에서 분획을 수집하여, 무색 투명한 액체로서 1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-온(582.7 g)을 수득하였다.나트륨 하이드라이드(174.1 g, 4.354 mol, 60% 함량) 및 다이클로로메탄(5.08 L)을 반응 케틀(20 L)에 첨가하였다. 혼합물을 교반하고 0℃로 냉각하였다. 트라이메틸 포스포노아세테이트(660.4 g, 3.628 mol)를 천천히 적가하였다. 이를 적가하는 동안, 케틀의 온도를 0℃ 이하로 안정하게 유지하였다. 적가 동안, 다량의 가스가 생성되고, 반응 용액은 회색에서 백색으로 변하였다. 적가가 완료되면, 가스는 더 이상 방출되지 않고, 반응 용액은 백색 슬러리였다. 상기 반응 용액을 0℃ 이하의 저온에서 1 시간 동안 교반하면서 유지하였다. 1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-온(577.7 g, 3.628 mol)을 케틀에 천천히 적가하였다. 적가 동안 케틀의 온도를 2℃ 이하로 유지하였다. 적가가 완료된 후, 반응 용액을 15시간 동안 교반하에 0℃의 저온에서 유지하였다.반응이 완료된 후, 물(1 L)을 첨가하여 반응을 종료하였다. 냉각을 중지하였다. 물(4.08 L)을 교반하에 10분 동안 첨가한 후, 액체 분리를 위해 반응 용액을 방치하였다. 다이클로로메탄 층을 따라 버리고, 수층을 다이클로로메탄(1.7 L)으로 추출하였다. 상기 수층을 버렸다. 유기 층을 합하고 물(5.08 L)로 1회 세척하고 1 N 염산(3.6 L + 1.5 L)으로 2회 추출하였다. 이어서, 다이클로로메탄 층을 버리고, 염산 층을 합하였다. 합한 염산 층을 약 0℃로 냉각하였다. 1 N 나트륨 하이드록사이드 용액을 교반하에 pH가 9에 도달할 때까지 이에 천천히 적가하였다. 냉각을 중지하고, 혼합물을 실온으로 가온하였다. 이어서, 추출을 위해 다이클로로메탄(5.08 L)을 첨가하였다. 수층을 버리고, 유기 층을 물(5.08 L)로 1회 및 나트륨 클로라이드 포화 용액(5.08 L)으로 1회 세척하였다. 유기 층을 무수 마그네슘 설페이트(500 g)로 30분 동안 건조하고 감압하에 여과하였다. 필터 케익을 다이클로로메탄(0.5 L)으로 세척하였다. 여액을 회전 증발로 건조한 후 오일 펌프를 사용하여 감압하에 건조하여 연황색 유성 물질을 수득하였다.메틸 2-[1-(2-메톡시에틸)-피페리딘-4-일리덴] 아세테이트(621.0 g, 2.915 mol) 및 에탄올(2.915 L)을 반응 케틀(20 L)에 첨가하고, 교반하고 0℃에서 냉각하였다. 나트륨 하이드록사이드(291.5 g, 7.289 mol)를 물(0.729 L)에 용해한 후, 10℃로 냉각하였다. 생성된 용액을 저온에서 유지하고 케틀에 천천히 적가하였다. 나트륨 하이드록사이드의 첨가가 완료된 후, 반응 용액을 25℃ 이하로 가온하고, 7시간 동안 계속 교반하였다. 반응이 완료된 후, 반응 용액을 0℃로 냉각하고 밤새 교반하였다.상기 반응 용액에, 농축 염산을 pH가 2에 도달할 때까지 천천히 첨가하면서 온도를 약 0℃로 유지하였다. 냉각을 중단하고, 30분 동안 실온에서 계속 교반하였다. 반응 용액을 진공에서 여과하였다. 필터 케익을 무수 에탄올(500 ml)로 세척한 후, 감압하에 건조 여과하고 보존하였다. 여액을, 액체가 증발되지 않을 때까지 수욕에서 50℃로 회전 건조함으로써 농축하여, 황색 유성 물질을 수득하고, 다수의 백색 결정을 침전시켰다. 이어서, 무수 에탄올(1.46 L)을 첨가하고, 실온에서 15분 동안 교반하고, 감압하에 여과하였다. 필터 케익을 무수 에탄올(500 ml)로 세척한 후 감압하에 건조 여과하고 보존하였다. 여액을 액체가 증발되지 않을 때까지 50℃에서 회전 증발함으로써 농축하여 담황색의 걸쭉한 포리지-유사 물질을 수득하였다.포리지-유사 물질에 이소프로필 알코올(1.46 L)에 첨가하여 재결정하였다. 생성된 혼합물을 정화하기 위해 수욕에서 85℃로 교반하고, 재환류하고 용해하였다. 감압하에 고온 여과를 수행하여 소량의 불용성 잔사를 제거하였다. 여액을 3 L 3목 플라스크로 옮기고 85℃ 수욕에 부었다. 가열을 중단하고, 반응 용액을 자연적으로 냉각하고 밤새 교반하였다.반응 용액을 빙욕에서 2시간 동안 계속 교반하고 감압하에 여과하였다. 필터 케익을 이소프로판올(100 ml x 5)로 세척한다. 이어서, 필터 케익을 실온에서 공기 중에 2시간 동안 건조한 후 45℃에서 진공에서 건조하여 2-[1-(2-메톡시에틸)-피페리딘-4-일리덴]아세트산 하이드로클로라이드(254.5 g)를 수득하였다.일부 실시양태에서, N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드를 산과 반응시켜 이의 상응하는 약학적으로 허용되는 염을 수득하였다.N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드의 약학적으로 허용되는 염을 제조하기 위해 본원에서 사용될 수 있는 산의 예시적인 예는 비제한적으로, 염산, 브롬화수소산, 황산, 질산, 인산, 아세트산, 2,2-다이클로로아세트산, 아디프산, 알긴산, 아스코르브산, 아스파르트산, 메틸설폰산, 벤젠설폰산, 벤조산, 4-아세트아미도벤조산, 캄판산, 캄포르-10-설폰산, 카프르산, 카프로산, 카프릴산, 카본산, 신남산, 시트르산, 사이클람산, 도데실황산, 에탄-1,2-다이설폰산, 에탄설폰산, 2-하이드록시에탄설폰산, 포름산, 푸마르산, 갈락타르산, 겐티신산, 글루코헵톤산, 글루콘산, 글루쿠론산, 글루탐산, 글루타르산, 2-옥소-글루타르산, 글리세로인산, 글리콜산, 히푸르산, 이소부티르산, 락트산, 락토비온산, 라우르산, 말레산, 말산, 말론산, 만델산, 메탄설폰산, 점액산, 나프탈렌-1,5-다이설폰산, 나프탈렌-2-설폰산, 1-하이드록시-2-나프토산, 니코틴산, 올레인산, 오로트산, 옥살산, 팔미트산, 팜산, 프로피온산, 피로글루탐산, 피루브산, 살리실산, 4-아미노살리실산, 아세토살리실산, 세박산, 스테아르산, 숙신산, 타르타르산, 티오시안산, p-톨루엔설폰산, 트라이플루오로아세트산 및 운데실렌산을 포함한다.본원의 추가 양상은 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염을 치료적 또는 예방적 효과량으로 치료 또는 예방을 필요로 하는 대상체에게 투여하는 단계를 포함하는, 단백질 키나아제과 관련된 질병의 치료 또는 예방 방법에 관한 것이다.일부 실시양태에서, 질병은 암이다.본원의 방법을 사용함으로써 치료되거나 예방될 수 있는 암의 예시적인 예는 비제한적으로, 유방암, 두경부암, 폐암(비소세포 폐암, 소세포 폐암을 포함함), 대장암, 췌장암, 식도암, 위암 및 전립선암을 포함한다.일부 실시양태에서, 대상체는 포유동물이다.일부 실시양태에서, 포유동물은 인간이다.일부 실시양태에서, 유효 성분으로서 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염의 단위 투여량은 0.1 mg 내지 1000 mg이고, 이는 단백질 키나아제와 관련된 질병을 치료하거나 예방하기 위한 치료적 또는 예방적 효과량으로서 사용된다.일부 실시양태에서, 유효 성분으로서 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염의 단위 투여량은 1 mg 내지 1000 mg이고, 이는 단백질 키나아제와 관련된 질병을 치료하거나 예방하기 위한 치료적 또는 예방적 효과량으로서 사용된다.일부 실시양태에서, 유효 성분으로서 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염의 단위 투여량은 10 mg 내지 500 mg이고, 이는 단백질 키나아제와 관련된 질병을 치료하거나 예방하기 위한 치료적 또는 예방적 효과량으로서 사용된다.본원의 또 다른 양상은 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염을 치료적 또는 예방적 효과량으로 치료 또는 예방을 필요로 하는 포유동물에게 투여하는 단계를 포함하는, 상기 포유동물에서 단백질 티로신 인산화 효소의 과발현에 의해 야기된 생리적 이상의 치료 또는 예방 방법에 관한 것이다.일부 실시양태에서, 생리적 이상은 EGFR 또는 Her-2의 과발현에 의해 야기된다.일부 실시양태에서, 생리적 이상은 암이다.본원의 방법을 사용하여 치료되거나 예방될 수 있는 암의 예시적인 예는 비제한적으로, 유방암, 두경부암, 폐암(비소세포 폐암, 소세포 폐암을 포함함), 대장암, 췌장암, 식도암, 위암 및 전립선암을 포함한다.일부 실시양태에서, 포유동물은 인간이다.일부 실시양태에서, 유효 성분으로서 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염의 단위 투여량은 0.1 mg 내지 1000 mg이고, 이는 포유동물에서 단백질 티로신 인산화 효소의 과발현에 의해 야기된 생리적 이상을 치료하거나 예방하기 위한 치료적 또는 예방적 효과량으로서 사용된다.일부 실시양태에서, 유효 성분으로서 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염의 단위 투여량은 1 mg 내지 1000 mg이고, 이는 포유동물에서 단백질 티로신 인산화 효소의 과발현에 의해 야기된 생리적 이상을 치료하거나 예방하기 위한 치료적 또는 예방적 효과량으로서 사용된다.일부 실시양태에서, 유효 성분으로서 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염의 단위 투여량은 10 mg 내지 500 mg이고, 이는 포유동물에서 단백질 티로신 인산화 효소의 과발현에 의해 야기된 생리적 이상을 치료하거나 예방하기 위한 치료적 또는 예방적 효과량으로서 사용된다.본원의 또 다른 양상은 단백질 키나아제와 관련된 질병의 치료용 또는 예방용 약제의 제조에 있어서, 바람직하게는 포유동물에서 단백질 티로신 인산화 효소의 과발현에 의해 야기된 생리적 이상의 치료용 또는 예방용 약제의 제조에 있어서, N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염의 용도에 관한 것이다.일부 실시양태에서, N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염은 포유동물에서 EGFR 및/또는 Her-2의 과발현에 의해 야기된 생리적 이상의 치료 또는 예방에 사용된다. 일부 실시양태에서, 생리적 이상은 특히 EGFR의 과발현에 의해 야기된다.일부 실시양태에서, 단백질 티로신 인산화 효소의 과발현에 의해 야기된 생리적 이상, 및 단백질 티로신 인산화 효소의 활성을 억제하는 방법이 효과적인 질병은, 암이다.본원의 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염을 사용하여 치료되거나 예방될 수 있는 암의 예시적인 예는 비제한적으로, 유방암, 두경부암, 폐암(비소세포 폐암, 소세포 폐암을 포함함), 대장암, 췌장암, 식도암, 위암, 피부암, 대장암, 신장암, 방광암, 난소암, 구강암, 후두암, 자궁경부암, 간암 및 전립선암을 포함한다.일부 실시양태에서, 포유동물은 인간이다.일부 실시양태에서, 약 0.1 mg 내지 약 1000 mg의 단위 투여량의 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염은 단백질 키나아제와 관련된 질병을 치료하거나 예방하기 위해, 바람직하게는 포유동물에서 단백질 티로신 인산화 효소의 과발현에 의해 야기된 생리적 이상을 치료하거나 예방하기 위해 투여된다. 특이적 징후가 없는 경우, 본원에 기재된 모든 단위 용법 투여량은 환자에게 투여될 수 있는 단위를 지칭하고 작동 및 포장이 용이한 단위, 즉, 단일 용량이다. 일부 실시양태에서, 약 1 mg 내지 약 1000 mg의 단위 투여량의 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염은 단백질 키나아제와 관련된 질병을 치료하거나 예방하기 위해, 바람직하게는 포유동물에서 단백질 티로신 인산화 효소의 과발현에 의해 야기된 생리적 이상을 치료하거나 예방하기 위해 투여된다. 일부 실시양태에서, 약 10 mg 내지 약 500 mg의 단위 투여량의 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염은 단백질 키나아제와 관련된 질병을 치료하거나 예방하기 위해, 바람직하게는 포유동물에서 단백질 티로신 인산화 효소의 과발현에 의해 야기된 생리적 이상을 치료하거나 예방하기 위해 투여된다. 본원의 또 다른 양상은 단백질 키나아제와 관련된 질병의 치료용 또는 예방용 약제의 제조에 있어서, 바람직하게는 포유동물에서 단백질 티로신 인산화 효소의 활성의 억제용 약제의 제조에 있어서, N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염의 용도에 관한 것이다.일부 실시양태에서, 포유동물은 인간이다.본원의 또 다른 양상은 단백질 키나아제와 관련된 질병의 치료용 또는 예방용 약제의 제조에 있어서, 바람직하게는 포유동물에서 단백질 티로신 인산화 효소의 과발현에 의해 야기된 생리적 이상의 치료용 또는 예방용 약제의 제조에 있어서, N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염의 약학 조성물의 용도에 관한 것이다.일부 실시양태에서, N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염의 약학 조성물은 포유동물에서 EGFR 및/또는 Her-2의 과발현에 의해 야기된 생리적 이상의 치료 또는 예방에 사용된다. 일부 실시양태에서, 생리적 이상은 특히 EGFR의 과발현에 의해 야기된다.일부 실시양태에서, 단백질 티로신 인산화 효소의 과발현에 의해 야기된 생리적 이상, 및 단백질 티로신 인산화 효소의 활성을 억제하는 방법이 효과적인 질병은, 암이다.본원의 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염의 약학 조성물을 사용하여 치료되거나 예방될 수 있는 암의 예시적인 예는 비제한적으로, 유방암, 두경부암, 폐암(비소세포 폐암, 소세포 폐암을 포함함), 대장암, 췌장암, 식도암, 위암, 피부암, 대장암, 신장암, 방광암, 난소암, 구강암, 후두암, 자궁경부암, 간암 및 전립선암을 포함한다.일부 실시양태에서, 포유동물은 인간이다.일부 실시양태에서, 약 0.1 mg 내지 약 1000 mg의 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염을 포함하는 약학 조성물은 단백질 키나아제와 관련된 질병을 치료하거나 예방하기 위해, 바람직하게는 포유동물에서 단백질 티로신 인산화 효소의 활성을 억제하기 위해 단위 투여량으로서 투여된다.일부 실시양태에서, 약 1 mg 내지 약 1000 mg의 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염을 포함하는 약학 조성물은 단백질 키나아제와 관련된 질병을 치료하거나 예방하기 위해, 바람직하게는 포유동물에서 단백질 티로신 인산화 효소의 활성을 억제하기 위해 단위 투여량으로서 투여된다.일부 실시양태에서, 약 10 mg 내지 약 500 mg의 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 또는 이의 약학적으로 허용되는 염을 포함하는 약학 조성물은 단백질 키나아제와 관련된 질병을 치료하거나 예방하기 위해, 바람직하게는 포유동물에서 단백질 티로신 인산화 효소의 활성을 억제하기 위해 단위 투여량으로서 투여된다.이하에서, 본 개시내용은 본 개시내용의 다양한 양상 및 이의 장점의 더 나은 이해를 제공하기 위해 하기 언급된 실시예를 통해 상세하게 기재될 것이다. 그러나, 하기 언급된 실시예는 제한하는 것이 아니고 단지 본 개시내용의 일부 실시양태를 예시하기 위해 사용됨이 이해되어야 한다.실시예실시예 1N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드반응 케틀(20 L)을 아르곤 가스로 환기하였다. 2-[1-(2-메톡시에틸)-피페리딘-4-일리덴]아세트산 하이드로클로라이드(250.0 g, 1.062 mol), 재증류된 테트라하이드로푸란(1.46 L) 및 크로마토그래피로 순수한 N,N-다이메틸포름아미드(1.46 ml)를 상기 반응 케틀에 첨가하고, 교반하고 0℃로 냉각하였다. 옥살릴 클로라이드(128.1 g, 1.009 mol, 86.7 ml)를 천천히 적가하고, 케틀의 온도를 적가 동안 0℃ 이하로 유지하였다. 적가를 완료한 후, 생각을 중지하고, 아르곤 가스를 이용한 환기를 또한 중지하였다. 생성된 혼합물을 25℃에서 3시간 동안 교반하여 테트라하이드로푸란 중 2-[1-(2-메톡시에틸)-피페리딘-4-일리덴]아세틸 클로라이드 하이드로클로라이드의 용액을 수득하였다.테트라하이드로푸란 중 2-[1-(2-메톡시에틸)-피페리딘-4-일리덴]아세틸 클로라이드 하이드로클로라이드의 용액을 함유하는 반응 케틀을 아르곤 가스로 환기하고, 교반하고 0℃ 미만으로 냉각하였다. N4-(3-클로로-4-플루오로페닐)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-4,6-다이아민(256.7 g, 0.708 mol)을 N-메틸피롤리돈(1.46 L)에 용해하였다. 상기 용액을 케틀에 천천히 적가하고, 케틀의 온도를 0℃ 이하로 안정하게 유지하였다. 적가를 완료한 후, 1시간 동안 계속 교반하였다. 냉각을 중지하고, 반응 용액을 자연적으로 25℃ 이하로 가온하고 밤새 교반하였다.반응이 완료되었는지를 TLC로 모니터하였다. 반응을 완료한 후, 반응 용액을 약 0℃로 냉각하고, 이에 물(2.9 L)을 천천히 적가하였다. 케틸 중 반응 용액은 투명하였다. 반응 용액을 감압하에 여과하여 잔사를 제거한 후 기계적 교반하에 40℃ 수욕 중 10 L 환저 플라스크로 옮겼다. 5 N 나트륨 하이드록사이드 용액을 pH가 약 10에 도달할 때까지 적가하고, 곧 고체를 빠르게 침천시켰다. 반응 시스템이 정상적으로 교반하도록 적절한 양의 물을 첨가하였다. 수욕을 제거하고, 반응 용액을 실온에서 2시간 동안 교반하고, 감압하에 여과하였다. 필터 케익을 적가된 액체의 pH가 약 7에 도달할 때까지 증류수로 세척한 후 건조하여 담분홍색 고체로서 조질 생성물인 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드를 수득하였다.조질 생성물 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시 에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드(20 g) 및 이소프로판올(250 ml)을 케틀(1 L)에 첨가하고 기계적 교반하에 혼합하였다. 혼합물을 88℃에서 3시간 동안 환류 가열한 후 가열을 중단하고, 밤새 교반하였다. 생성된 혼합물을 감압하에 여과하였다. 필터 케익을 이소프로판올(250 ml x 4)로 세척하고, 감압하에 건조 여과하고 공기 중에 건조하여 생성물인 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드를 수득하였다.질량 분석(MS)(기계 모델: 6410B LC-MS; 아질런트(Agilent))은 544.2([M+H]+ 피크)의 분자 이온 피크를 나타내었다.수소 핵 자기 공명 분광법(1H-NMR)(기계 모델: 바리안 이노바(Varian Inova) 500 MHz; 측정 조건: 용매 DMSO)을 나타내고, 하기 결과를 수득하였다:탄소 핵 자기 공명 분광법(13C-NMR)(기계 모델: 바리안 이노바 500 MHz; 측정 조건: 용매 DMSO)을 나타내고, 하기 결과를 수득하였다:실시예 2N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이메틸설포네이트N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드(290.0 g) 및 이소프로판올(4.5 L)을 반응 케틀(20 L)에 첨가하고, 가열하고 40℃에서 교반하였다.증류수(135 ml) 및 메틸설폰산(128.1 g)의 혼합된 용액을 케틀에 천천히 적가하였고, 케틀 중 반응 용액은 투명하였다. 적가를 완료한 후, 추가 5분 동안 계속 교반한 후 중지하고, 반응 용액을 빼내고 여과하였다. 케틀을 물:이소프로판올 = 3:100(부피 비)의 혼합된 용액(150 ml)으로 세척하고, 세척한 용액을 반응 용액에 혼합하였다. 생성된 용액을 감압하에 여과하여 잔사를 제거하고, 여액을 10 L 환저 플라스크로 옮겼다. 이어서, 필터 케익을 물:이소프로판올 = 3:100(부피 비)의 혼합된 용액(150 ml)으로 세척하고, 세척된 용액을 환저 플라스크에 재혼입하고 실온에서 밤새 교반하였다. 고체를 침전시켰다. 진공에서 여과를 수행하였다. 필터 케익을 이소프로판올(250 ml x 4)로 세척하고, 감압하에 건조 여과하고 진공에서 35℃로 24 시간 동안 건조하여 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이메틸설포네이트(356.1g)를 수득하였다. 수율: 90.7%.질량 분석(MS) 검출(기계 모델: 6410B LC-MS; 아질런트), MS: 544.1에서 [M+H]+ 피크.수소 핵 자기 공명 분광법(1H-NMR)(기계 모델: 바리안 이노바 500 MHz; 측정 조건: 용매 D2O)을 나타내고 하기 결과를 수득하였다:탄소 핵 자기 공명 분광법(13C-NMR)(기계 모델: 바리안 이노바 500 MHz; 측정 조건: 용매 D2O)을 나타내고 하기 결과를 수득하였다:실시예 3N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이설페이트N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드(10 g) 및 이소프로판올(155 mL)을 유리병(500 mL)에 첨가하고, 가열하고 40℃에서 교반하였다.증류수(5 ml) 및 농축 황산(3.3 ml)의 혼합물을 유리병에 천천히 적가하였다. 유리병 내의 반응 용액은 투명하였다. 적가를 완료한 후, 추가 5분 동안 계속 교반한 후 중단하였다. 반응 용액을 빼내고 여과하였다. 유리병을 물:이소프로판올 = 3:100(부피 비)의 혼합된 용액(5 ml)으로 세척하고, 세척된 용액을 반응 용액에 혼합하였다. 생성된 용액을 감압하에 여과하여 잔사를 제거하고, 여액을 500 mL 환저 플라스크로 옮겼다. 이어서, 필터 케익을 물:이소프로판올 = 3:100(부피 비)의 혼합된 용액(5 ml)으로 세척하고, 세척된 용액을 환저 플라스크로 혼입하고 실온에서 밤새 교반하였다. 고체를 침전시켰다. 진공에서 여과를 수행하였다. 필터 케익을 이소프로판올(155 ml x 4)로 세척하고, 감압하에 건조 여과하고 진공에서 35℃로 24시간 동안 건조하여 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이설페이트를 수득하였다.질량 분석(MS) 검출(기계 모델: 6410B LC-MS; 아질런트), MS: 544에서 [M+H-196]+ 피크.실시예 4 내지 24다른 산을 갖는 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드의 염N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드를 실시예 2의 제조 방법에 따라 염산, 브롬화수소산, 질산, 인산, 아세트산, 벤젠설폰산, 푸마르산, 말레산, 니코틴산, 올레산, 옥살산, 프로피온산, 살리실산, 4-아미노살리실산, 아세토살리실산, 타르타르산, p-톨루엔설폰산, 시트르산, 말산, 나프탈렌-1,5-다이설폰산, 세박산, L-아스파르트산과 개별적으로 반응시켜 하기 생성물을 수득하였다:하기 화합물 4 내지 화합물 25의 1H NMR 데이타를 브루커(Bruker) AV400 및 용매로서 D2O에 의해 수득하였다:N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로클로라이드2.50(s, 1H), 2.52(s, 1H), 2.61(d, 1H), 2.94(t, 1H), 3.02(t, 1H), 3.30(s, 2H), 3.32(s, 3H), 3.39(s, 3H), 3.59(s, 1H), 3.61(s, 1H), 3.66(s, 1H), 3.69(d, 2H), 3.81(s, 2H), 4.18(s, 2H), 5.98(s, 1H), 6.84(s, 1H), 6.95(t, 1H), 7.20(t, 1H), 7.45(t, 1H), 8.27(s, 1H), 8.34(s, 1H).N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로브로마이드2.48(s, 1H), 2.53(s, 1H), 2.63(d, 1H), 2.90(t, 1H), 3.00(t, 1H), 3.31(s, 2H), 3.35(s, 3H), 3.37(s, 3H), 3.55(s, 1H), 3.62(s, 1H), 3.64(s, 1H), 3.67(d, 2H), 3.85(s, 2H), 4.15(s, 2H), 5.94(s, 1H), 6.80(s, 1H), 6.97(t, 1H), 7.25(t, 1H), 7.49(t, 1H), 8.31(s, 1H), 8.38(s, 1H).N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이니트레이트2.49(s, 1H), 2.54(s, 1H), 2.62(d, 1H), 2.93(t, 1H), 3.03(t, 1H), 3.33(s, 2H), 3.36(s, 3H), 3.38(s, 3H), 3.54(s, 1H), 3.67(s, 1H), 3.69(s, 1H), 3.70(d, 2H), 3.88(s, 2H), 4.16(s, 2H), 5.97(s, 1H), 6.83(s, 1H), 6.96(t, 1H), 7.23(t, 1H), 7.46(t, 1H), 8.33(s, 1H), 8.36(s, 1H).N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이포스페이트2.52(s, 1H), 2.56(s, 1H), 2.66(d, 1H), 2.95(t, 1H), 3.02(t, 1H), 3.35(s, 2H), 3.36(s, 3H), 3.39(s, 3H), 3.54(s, 1H), 3.65(s, 1H), 3.69(s, 1H), 3.72(d, 2H), 3.88(s, 2H), 4.16(s, 2H), 5.98(s, 1H), 6.83(s, 1H), 6.91(t, 1H), 7.23(t, 1H), 7.48(t, 1H), 8.30(s, 1H), 8.38(s, 1H).N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이아세테이트2.08(s, 6H), 2.54(s, 1H), 2.56(s, 1H), 2.69(d, 1H), 2.95(t, 1H), 3.07(t, 1H), 3.35(s, 2H), 3.36(s, 3H), 3.37(s, 3H), 3.54(s, 1H), 3.62(s, 1H), 3.69(s, 1H), 3.74(d, 2H), 3.88(s, 2H), 4.16(s, 2H), 5.99(s, 1H), 6.83(s, 1H), 6.91(t, 1H), 7.26(t, 1H), 7.44(t, 1H), 8.30(s, 1H), 8.39(s, 1H).N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이페닐설포네이트2.51(s, 1H), 2.56(s, 1H), 2.60(d, 1H), 2.94(t, 1H), 3.07(t, 1H), 3.32(s, 2H), 3.36(s, 3H), 3.39(s, 3H), 3.54(s, 1H), 3.62(s, 1H), 3.70(s, 1H), 3.74(d, 2H), 3.85(s, 2H), 4.16(s, 2H), 6.01(s, 1H), 6.83(s, 1H), 6.93(t, 1H), 7.27(t, 1H), 7.31-7.42(m, 2H), 7.46(t, 1H), 7.54-7.93(m, 8H), 8.32(s, 1H), 8.35(s, 1H).N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이푸마레이트2.53(s, 1H), 2.55(s, 1H), 2.60(d, 1H), 2.95(t, 1H), 3.07(t, 1H), 3.33(s, 2H), 3.36(s, 3H), 3.39(s, 3H), 3.54(s, 1H), 3.67(s, 1H), 3.71(s, 1H), 3.74(d, 2H), 3.86(s, 2H), 4.18(s, 2H), 6.03(s, 1H), 6.83(s, 1H), 6.95(t, 1H), 6.96(s, 2H), 7.04(s, 2H), 7.28(t, 1H), 7.47(t, 1H), 8.32(s, 1H), 8.38(s, 1H).N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이말레에이트2.50(s, 1H), 2.57(s, 1H), 2.61(d, 1H), 2.97(t, 1H), 3.08(t, 1H), 3.34(s, 2H), 3.37(s, 3H), 3.39(s, 3H), 3.54(s, 1H), 3.66(s, 1H), 3.71(s, 1H), 3.77(d, 2H), 3.86(s, 2H), 4.18(s, 2H), 6.02(s, 1H), 6.28(s, 2H), 6.30(s, 2H), 6.84(s, 1H), 6.95(t, 1H), 7.26(t, 1H), 7.44(t, 1H), 8.33(s, 1H), 8.39(s, 1H).N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이니코티네이트2.47(s, 1H), 2.52(s, 1H), 2.62(d, 1H), 2.94(t, 1H), 3.06(t, 1H), 3.38(s, 2H), 3.39(s, 3H), 3.40(s, 3H), 3.56(s, 1H), 3.67(s, 1H), 3.68(s, 1H), 3.70(d, 2H), 3.85(s, 2H), 4.16(s, 2H), 5.94(s, 1H), 6.83(s, 1H), 6.95(t, 1H), 7.23(t, 1H), 7.43(t, 1H), 7.50(m, 2H), 8.17(m, 2H), 8.32(s, 1H), 8.38(s, 1H), 8.79(m, 2H), 9.04(m, 2H).N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이올레에이트 0.96(t, 6H), 1.27-1.31(m, 28H), 1.33-1.35(m, 12H), 1.53-1.58(m, 4H), 1.94-1.98(m, 8H), 2.23(t, 4H), 2.49(s, 1H), 2.53(s, 1H), 2.61(d, 1H), 2.93(t, 1H), 3.01(t, 1H), 3.34(s, 2H), 3.36(s, 3H), 3.39(s, 3H), 3.55(s, 1H), 3.65(s, 1H), 3.68(s, 1H), 3.71(d, 2H), 3.88(s, 2H), 4.17(s, 2H), 5.41(s, 2H), 5.45(s, 2H), 5.98(s, 1H), 6.83(s, 1H), 6.95(t, 1H), 7.23(t, 1H), 7.45(t, 1H), 8.32(s, 1H), 8.37(s, 1H).N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이옥살레이트 2.48(s, 1H), 2.52(s, 1H), 2.62(d, 1H), 2.95(t, 1H), 3.03(t, 1H), 3.35(s, 2H), 3.36(s, 3H), 3.37(s, 3H), 3.56(s, 1H), 3.67(s, 1H), 3.69(s, 1H), 3.72(d, 2H), 3.88(s, 2H), 4.16(s, 2H), 5.99(s, 1H), 6.83(s, 1H), 6.93(t, 1H), 7.24(t, 1H), 7.46(t, 1H), 8.30(s, 1H), 8.38(s, 1H).N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이프로피오네이트1.09(t, 6H), 2.27(q, 4H), 2.45(s, 1H), 2.57(s, 1H), 2.65(d, 1H), 2.95(t, 1H), 3.05(t, 1H), 3.32(s, 2H), 3.36(s, 3H), 3.39(s, 3H), 3.56(s, 1H), 3.67(s, 1H), 3.69(s, 1H), 3.70(d, 2H), 3.88(s, 2H), 4.16(s, 2H), 6.01(s, 1H), 6.84(s, 1H), 6.93(t, 1H), 7.25(t, 1H), 7.46(t, 1H), 8.31(s, 1H), 8.37(s, 1H).N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이살리실레이트2.47(s, 1H), 2.59(s, 1H), 2.65(d, 1H), 2.94(t, 1H), 3.05(t, 1H), 3.31(s, 2H), 3.36(s, 3H), 3.39(s, 3H), 3.55(s, 1H), 3.67(s, 1H), 3.68(s, 1H), 3.72(d, 2H), 3.85(s, 2H), 4.16(s, 2H), 6.03(s, 1H), 6.84(s, 1H), 6.97(t, 1H), 6.95-7.04(m, 4H), 7.23(t, 1H), 7.46(t, 1H), 7.48-7.96(m, 4H), 8.30(s, 1H), 8.38(s, 1H).N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 비스(4-아미노살리실레이트)2.50(s, 1H), 2.61(s, 1H), 2.66(d, 1H), 2.93(t, 1H), 3.05(t, 1H), 3.32(s, 2H), 3.36(s, 3H), 3.37(s, 3H), 3.58(s, 1H), 3.67(s, 1H), 3.69(s, 1H), 3.75(d, 2H), 3.85(s, 2H), 4.16(s, 2H), 6.05(s, 1H), 6.11-6.24(m, 4H), 6.88(s, 1H), 6.98(t, 1H), 7.25(t, 1H), 7.47(t, 1H), 7.68-7.74(m, 2H), 8.34(s, 1H), 8.36(s, 1H).N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이아세틸살리실레이트2.11(s, 6H), 2.49(s, 1H), 2.51(s, 1H), 2.65(d, 1H), 2.92(t, 1H), 3.03(t, 1H), 3.31(s, 2H), 3.34(s, 3H), 3.39(s, 3H), 3.57(s, 1H), 3.67(s, 1H), 3.68(s, 1H), 3.75(d, 2H), 3.89(s, 2H), 4.17(s, 2H), 6.03(s, 1H), 6.82(s, 1H), 6.98(t, 1H), 7.27(t, 1H), 7.21-7.30(m, 4H), 7.42(t, 1H), 7.78-8.09(m, 4H), 8.31(s, 1H), 8.36(s, 1H).N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이타르트레이트2.53(s, 1H), 2.56(s, 1H), 2.61(d, 1H), 2.97(t, 1H), 3.05(t, 1H), 3.33(s, 2H), 3.37(s, 3H), 3.39(s, 3H), 3.54(s, 1H), 3.69(s, 1H), 3.71(s, 1H), 3.75(d, 2H), 3.91(s, 2H), 4.18(s, 2H), 4.51(s, 4H), 5.99(s, 1H), 6.82(s, 1H), 6.98(t, 1H), 7.23(t, 1H), 7.48(t, 1H), 8.31(s, 1H), 8.38(s, 1H).N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이(p-톨루엔설포네이트)2.33(s, 6H), 2.50(s, 1H), 2.52(s, 1H), 2.61(d, 1H), 2.91(t, 1H), 3.05(t, 1H), 3.30(s, 2H), 3.31(s, 3H), 3.35(s, 3H), 3.57(s, 1H), 3.63(s, 1H), 3.71(s, 1H), 3.74(d, 2H), 3.86(s, 2H), 4.16(s, 2H), 6.05(s, 1H), 6.84(s, 1H), 6.91(t, 1H), 7.25(t, 1H), 7.31-7.42(m, 4H), 7.45(t, 1H), 7.74-7.93(m, 4H), 8.31(s, 1H), 8.37(s, 1H).N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이시트레이트2.47(s, 1H), 2.50(s, 1H), 2.60(d, 1H), 2.64(s, 8H), 2.92(t, 1H), 3.05(t, 1H), 3.31(s, 2H), 3.35(s, 3H), 3.37(s, 3H), 3.59(s, 1H), 3.62(s, 1H), 3.75(s, 1H), 3.78(d, 2H), 3.88(s, 2H), 4.11(s, 2H), 6.02(s, 1H), 6.85(s, 1H), 6.90(t, 1H), 7.24(t, 1H), 7.45(t, 1H), 8.31(s, 1H), 8.41(s, 1H).N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이말레이트2.47(s, 1H), 2.53(q, 2H), 2.56(s, 1H), 2.63(d, 1H), 2.78(q, 2H), 2.95(t, 1H), 3.04(t, 1H), 3.35(s, 2H), 3.38(s, 3H), 3.39(s, 3H), 3.53(s, 1H), 3.69(s, 1H), 3.71(s, 1H), 3.73(d, 2H), 3.85(s, 2H), 4.12(s, 2H), 4.42(q, 2H), 5.92(s, 1H), 6.85(s, 1H), 6.92(t, 1H), 7.22(t, 1H), 7.47(t, 1H), 8.33(s, 1H), 8.43(s, 1H).N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 비스(나프탈렌-1,5-다이설포네이트)2.48(s, 1H), 2.58(s, 1H), 2.62(d, 1H), 2.97(t, 1H), 3.00(t, 1H), 3.33(s, 2H), 3.37(s, 3H), 3.38(s, 3H), 3.54(s, 1H), 3.66(s, 1H), 3.77(s, 1H), 3.79(d, 2H), 3.88(s, 2H), 4.10 (s, 2H), 5.95(s, 1H), 6.80(s, 1H), 6.93(t, 1H), 7.24(t, 1H), 7.48(t, 1H), 7.63-7.98(m, 12H), 8.30(s, 1H), 8.40(s, 1H).N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 비스(데칸다이오에이트)1.27-1.31(m, 16H), 1.54-1.58(m, 8H), 2.23(t, 8H), 2.54(s, 1H), 2.61(s, 1H), 2.65(d, 1H), 2.94(t, 1H), 3.02(t, 1H), 3.32(s, 2H), 3.36(s, 3H), 3.39(s, 3H), 3.53(s, 1H), 3.67(s, 1H), 3.78(s, 1H), 3.81(d, 2H), 3.85(s, 2H), 4.13(s, 2H), 5.97(s, 1H), 6.83(s, 1H), 6.93(t, 1H), 7.22(t, 1H), 7.46(t, 1H), 8.32(s, 1H), 8.42(s, 1H).N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 비스(L-아스파르테이트)2. 50(s, 1H), 2.60(q, 2H), 2.58(s, 1H), 2.67(d, 1H), 2.85(q, 2H), 2.97(t, 1H), 3.04(t, 1H), 3.32(s, 2H), 3.35(s, 3H), 3.37(s, 3H), 3.55(s, 1H), 3.68(s, 1H), 3.75(s, 1H), 3.73(d, 2H), 3.82(q, 2H), 3.87(s, 2H), 4.14(s, 2H), 5.97(s, 1H), 6.88(s, 1H), 6.91(t, 1H), 7.2 (t, 1H), 7.48(t, 1H), 8.34(s, 1H), 8.47(s, 1H).하기 실험 과정에 사용된 화합물 및 이의 약어:화합물 1: N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드; 화합물 2: N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로클로라이드; 화합물 3: N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이메틸설포네이트; 화합물 4: 하기 구조식을 갖는 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로클로라이드: ; 화합물 5: N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이설페이트; 화합물 6: N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이니트레이트; 화합물 7: N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이포스페이트; 화합물 8: N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이페닐설포네이트; 화합물 9: N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이푸마레이트; 화합물 10: N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이말레에이트; 화합물 11: N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이(p-톨루엔설포네이트); 화합물 12: 하기 구조식을 갖는 N-[4-(3-에틴일페닐아미노-7-(2-에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-메틸피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로클로라이드: .생물학적 실시예생물학적 실시예 1래트에서의 생체이용률 분석실험 I. 래트에서 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로클로라이드에 대한 생체이용률 분석1. 실험 동물12 마리 위스타 래트(수컷, 체중 200 내지 220 g)를 베이징 바이탈 리버 래보래토리 애니멀 테크놀로지 캄파니 리미티드(Beijing Vital River Laboratory Animal Technology Co., Ltd.; 허가 번호: SCXK(베이징) 2007-0001)로부터 구입하였다.2. 시험용 약물의 제조2.1. N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로클로라이드(30 mg)를 칭량하고, 초순수(6 ml)를 이에 첨가하여 정맥내 투여에 사용하기 위한 샘플 용액(5 mg/㎖)을 제조하였다.2.2. N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로클로라이드(30 mg)를 칭량하고, 초순수(12 ml)를 이에 첨가하여 위내 투여에 사용하기 위한 샘플 용액(2.5 mg/㎖)을 제조하였다.3. 실험 설계4. 분석 방법4.1. HPLC/MS 조건4.1.1. HPLC 조건: 크로마토그래피 컬럼: 충전제로서 옥타데실-결합된 실리카 겔(4.6 mm x 50 mm, 1.8 ㎛), 아질런트; 이동상: 메탄올:5 mM 암모늄 아세테이트(pH 4.0)(60:40); 유속: 1 ml/분; 컬럼 온도: 40℃.4.1.2. MS 조건공급원 파라미터:MRM 모드 검출 이온: 544.3→457.1(N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로클로라이드) 559.3→440.3(내부 표준, 아토르바스타틴 헤미-칼슘 염) 체류 시간: 80; 단편 전압: 180; 충돌 에너지: 25;4.2. 표준 곡선의 수립N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로클로라이드(1 mg)를 칭량하고 메탄올(1 mg/㎖) 중 용액으로 제형화하였다. 이어서, 용액을 50 ng/㎖, 100 ng/㎖, 200 ng/㎖, 500 ng/㎖, 1 ㎍/㎖, 2 ㎍/㎖, 5 ㎍/㎖, 10 ㎍/㎖, 20 ㎍/㎖, 50 ㎍/㎖, 및 100 ㎍/㎖의 표준 용액으로 단계적으로 희석하였다. 표준 용액(10 ㎕)을 별도로 원심분리관(1.5 ml)으로 피펫팅하였다. 내부 표준(메탄올 중 1 ㎍/㎖ 복용 용액; 10 ㎕)을 이에 첨가하였다. 혼합물을 볼텍싱하였다. 이어서, 아세토니트릴(200 ㎕)을 첨가하여 단백질을 침전시킨 후, 1분 동안 볼텍싱하고 16000 r/분으로 8분 동안 원심분리하였다. 측정을 위해 상청액(10 ㎕)을 직접 주사하였다.4.3. 생물 샘플의 처리12 마리 래트를 무작위로 2개 군(즉, 1개의 군당 래트 6 마리씩)으로 나눴다. 이러한 래트를 투여 전 12시간 동안 단식시키고 임의의 물을 허락하였다. 각각의 래트의 블랭크 혈액(약 0.5 ml)을 채취하고, 이어서, N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로클로라이드(20 mg/kg)를 각각 위내 위관영양법 및 꼬리 정맥내 주사를 통해 투여하였다. 투여 후 상이한 시점에서 안와 정맥 채혈로부터 혈액(약 0.5 ml)을 채혈하였다(꼬리 정맥내 투여에 대한 혈액 수집 시점은 5분, 15분, 0.5시간, 1시간, 2시간, 3시간, 4시간, 6시간, 8시간, 12시간, 18시간, 24시간, 30시간이었고; 위내 투여에 대한 혈액 수집 시점은 5분, 10분, 20분, 30분, 45분, 1시간, 2시간, 3시간, 4시간, 6시간, 8시간, 12시간, 18시간, 24시간, 30시간이었다). 혈액을 헤파린 첨가된 원심분리관에 넣고 8000 r/분으로 10분 동안 원심분리하였다. 혈장(100 ㎕)을 원심분리관(1.5 ml)에 피펫팅하고, 내부 표준(메탄올 중 1 ㎍/㎖ 아토르바스타틴 헤미-칼슘 염 용액; 10 ㎕)을 이에 첨가하였다. 생성된 혼합물을 볼텍싱하였다. 이어서, 아세토니트릴(200 ㎕)을 첨가하여 단백질을 침전시키고, 1분 동안 볼텍싱하고, 1600 r/분으로 8분 동안 원심분리하였다. 상청액을 회수하고, 상청액(10 ㎕)을 검출을 위해 직접 주사하였다.5. 결과5.1. 가로축으로서 샘플 농도의 자연 로그 및 세로축으로서 내부 표준에 대한 샘플의 피크 면적 비의 자연 로그를 갖는 표준 곡선을 다음과 같이 규명하였다:y = 1.008x - 4.149(R2 = 0.998).5.2. 각 시점에서 혈장 약물 농도(ng/㎖)를 하기 표에 나타내었다.5.2.1. 정맥내 투여 결과5.2.2. 위내 투여 결과 5.2.3. 결론생체이용률의 계산 방법: F = (AUCig x Div)/(AUCiv x Dig) x 100%여기서, D는 투여량이고; AUC는 혈장 약물 농도-시간 곡선하 면적이고; ig는 위내 투여를 나타내고; iv는 정맥내 주사 투여를 나타낸다.N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로클로라이드는 56.87%의 생체이용률을 갖고, 우수한 약동학 특성을 갖는다.실험 II. 래트에서 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노) -7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로브로마이드에 대한 생체이용률 분석1. 실험 동물12 마리 위스타 래트(6 마리는 수컷이고 나머지 6 마리는 암컷이다, 체중 160 내지 190 g)를 베이징 바이탈 리버 래보래토리 애니멀 테크놀로지 캄파니 리미티드(허가 번호: SCXK(베이징) 2007-0001)로부터 구입하였다. 2. 투여 설계3. 분석 방법3.1. 투여 양생법 및 혈액 샘플 운용12 마리 래트를 투여 전 12 시간 동안 금식시키고 임의의 물을 허락하였다. 이들을 무작위로 2개의 군(즉 1개의 군당 래트 6 마리 씩)으로 나누고, 투여 설계에 따라 시험 용품을 투여하였다. 투여 전 안와 정맥 채혈로부터 및 투여 후 5분, 15분, 0.5시간, 1시간, 2시간, 3시간, 4시간, 6시간, 8시간, 10시간, 24시간, 30시간에 혈액(약 0.5 ml)을 채취하고, 헤파린 첨가된 관에 넣고 8000 r/분으로 10분 동안 원심분리하였다. 혈장(100 ㎕)을 회수하고, 내부 표준(메탄올 중 1 ㎍/ml 아토르바스타틴 헤미-칼슘 염 용액; 10 ㎕)을 이에 첨가하였다. 생성된 혼합물을 볼텍싱하였다. 이어서, 아세토니트릴(200 ㎕)을 첨가하여 단백질을 침전시키고, 2분 동안 볼텍싱하고 13000 r/분으로 10분 동안 원심분리하였다. 상청액을 수득하고, 상청액(20 ㎕)을 측정을 위해 직접 주사하였다.3.2. 표준 곡선의 수립상이한 농도(50 ng/㎖, 100 ng/㎖, 250 ng/㎖, 500 ng/㎖, 1 ㎍/㎖, 2.5 ㎍/㎖, 5 ㎍/㎖, 10 ㎍/㎖, 25 ㎍/㎖, 50 ㎍/㎖, 100 ㎍/㎖)를 갖는 메탄올 중 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로브로마이드 용액(10 ㎕)을 개별적으로 원심분리관(1.5 ml)에 피펫팅하였다. 래트 블랭크 혈장(100 ㎕)을 이에 첨가하고 볼텍싱하였다. 내부 표준(메탄올 중 1 ㎍/ml 아토르바스타틴 헤미-칼슘 염 용액; 10 ㎕)을 첨가하였다. 이어서, 아세토니트릴(200 ㎕)을 첨가하여 단백질을 침전시키고, 2분 동안 볼텍싱하고 13000 r/분으로 10분 동안 원심분리하였다. 상청액을 수득하고, 상청액(20 ㎕)을 측정을 위해 주사하였다. 가로축으로서 내부 표준에 대한 샘플의 혈장 약물의 농도 비 및 세로축으로서 내부 표준에 대한 피크 면적 비를 사용하여 표준 곡선을 수립하였다.3.3. HPLC/MS 조건은 실험 1에서의 조건과 동일하였다.4. 결과주요 약동학 파라미터 및 경구 생체이용률 결과를 DAS2.0(통계적 모멘트)을 사용하여 계산하였다.5. 결론생체이용률의 계산 방법: F = (AUCig x Div)/(AUCiv x Dig) x 100%여기서, D는 투여량이고; AUC는 혈장 약물 농도-시간 곡선하 면적이고; ig는 위내 투여를 나타내고; iv는 정맥내 주사 투여를 나타낸다.N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로브로마이드는 42.76%의 생체이용률을 갖고, 우수한 약동학 특성을 갖는다.실험 III. N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드에 대한 생체이용률 분석1. 실험 동물8 마리 위스타 래트(수컷, 체중 160 내지 190 g)를 래보래토리 애니멀 센터 차이니즈 피엘에이 아카데미 오브 밀리터리 메디칼 사이언시스(Laboratory Animal Center, Chinese PLA Academy of Military Medical Sciences; 허가 번호: SCXK(Army) 2012-0004; 인증 번호: 0037074)로부터 구입하였다.2. 투여 설계예비-제형의 제조:1) 화합물을 10 ml 유리관에 정확히 칭량하였다.2) DMSO의 부피는 총 부피의 2%이고, DMSO를 피펫팅하였다. 피펫의 끝을 원심분리관의 내벽에 밀어붙이면서 천천히 회전하고, DMSO를 수회 피펫팅하여 원심분리관의 벽에 흡착된 화합물을 용해하였다. 모든 화합물을 원심분리관의 바닥 부분으로 옮긴 후, 화합물을 볼텍싱하여 용해하고 이어서 수욕에서 80℃로 방치하였다.3) 총 부피의 6%인 폴리옥실에틸렌 35-피마자유를 첨가하고 볼텍싱하였다.4) 총 부피의 92%인 주사용(0.9%) 나트륨 클로라이드 용액을 첨가하고 볼텍싱하여 투명한 용액을 수득하고, 이는 60분 이내에 사용될 것이다.(주의: 총 부피는 제조의 완료시 수득된 용액의 부피를 지칭한다.)3. 분석 방법3.1. 투여 양생법 및 혈액 샘플 운용8 마리 래트를 투여 12시간 전에 금식시키고 임의의 물을 허락하였다. 이들을 무작위로 2개의 군(즉, 하나의 군당 래트 4 마리씩)으로 나누고, 투여 설계에 따라 약물을 투여하였다. 투여 전 안와 정맥 채혈로부터 및 투여 후 5분, 0.5시간, 1시간, 2시간, 3시간, 4시간, 5시간, 6시간 및 8시간에 혈액(약 0.5 ml)을 채취하고, 헤파린 첨가된 원심분리관에 넣고 8000 r/분으로 10분 동안 원심분리하였다. 혈장(100 ㎕)을 회수하고, 메탄올 중 0.2% 아세트산(200 ㎕)(내부 표준(이르베사르탄, 20 ng/㎖)을 함유함)을 이에 첨가하여 단백질을 침전시키고, 2분 동안 볼텍싱하고 13000 r/분으로 10분 동안 원심분리하였다. 상청액을 수득하고, 상청액(20 ㎕)을 검출을 위해 주사하였다.3.2. LC-MS 검출 조건(1) 크로마토그래피 조건크로마토그래피 컬럼: 페노메넥스 시너지 폴라(Phenomenex Synergi Polar)-RP(150 x 4.6 mm, 2.5 ㎛)유속: 1 ㎖/분; 컬럼 온도: 40℃이동상: A 상: 암모늄 포름에이트의 5 mM 수용액; B 상: 메탄올, 및 구배는 다음과 같다: (2) MS 조건API3000 LC-MS/MS; ESI 공급원; MRM 양이온 스캔 모드; 및 파라미터는 다음과 같다: 4. 결과 주요 약동학 파라미터 및 경구 생체이용률 결과를 DAS2.0(통계적 모멘트)을 사용하여 계산하였다.5. 결론생체이용률의 계산 방법: F = (AUCig x Div)/(AUCiv x Dig) x 100%여기서, D는 투여량이고; AUC는 혈장 약물 농도-시간 곡선하 면적이고; ig는 위내 투여를 나타내고; iv는 정맥내 주사 투여를 나타낸다.N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드는 23.9%의 생체이용률을 갖고, 우수한 약동학 특성을 갖는다.실험 IV. 래트에서 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노) -7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이메틸설포네이트에 대한 생체이용률 분석1. 실험 동물12 마리 SD 래트(6 마리는 수컷이고 나머지 6 마리는 암컷이다, 7 내지 10 주령, 체중 200 내지 350 g)를 베이징 바이탈 리버 래보래토리 애니멀 테크놀로지 캄파니 리미티드로부터 구입하고, 애니멀 하우스 지엘피 센터(Animal House, GLP Center; 타이핑 로드 27 코트야드 소재)에서 사육하였다. 베이징 바이탈 리버 래보래토리 애니멀 테크놀로지 캄파니 리미티드의 제품 등록 번호는 SCXK(베이징) 2009-0002이다.2. 투여 설계3. 분석 방법3.1. 투여 양생법 및 혈액 샘플 운용투여 설계에 따라 동물의 각각의 군에 투여 1분, 5분, 15분, 30분, 1시간, 2시간, 3시간, 4시간, 6시간, 8시간, 12시간 및 24시간 후에 안와 정맥 채혈로부터 유리 모세관을 사용하여 혈액(약 0.5 ml)을 채취하고, 헤파린 첨가된 원심분리관에 넣었다. 관을 위아래로 약하게 진탕하고, 이어서 3000 r/분으로 10분 동안 4℃로 원심분리하였다. 혈장을 분리하였다. 혈장(50 ㎕)을 원심분리관(5 ml)으로 피펫팅하고, 이어서 내부 표준으로서 50% 메탄올 수용액(50 ㎕) 및 티에노르핀-D4 동위원소(50 ㎕)를 이에 첨가하고 볼텍싱하였다. 메탄올:아세토니트릴 = 1:3(부피 비)의 용액을 첨가하고, 완전히 혼합하기 위해 30초 동안 볼텍싱하였다. 생성된 혼합물을 3000 r/분으로 5분 동안 원심분리하였다. 상청액(500 ㎕)을 제거하고, 일련의 희석을 위해 20% 메탄올 용액(500 ㎕)에 첨가하였다. 혼합물을 완전히 혼합하기 위해 30초 동안 볼텍싱하였다. 혼합물을 13000 r/분으로 5분 동안 원심분리하고, 상청액(10 ㎕)을 LC/MS/MS 분석을 위해 주사하였다.3.2. LC-MS 검출 조건크로마토그래피 컬럼: 아젤라 베누실(Agela Venusil) AQ-C18, 5 ㎛ 2.1 x 50 mm; S/N: AQ-2105060029.액체상 조건: A: 수용액(5 mmol/L 암모늄 아세테이트, 0.2% 포름산), B: 메탄올; 컬럼 온도 25℃; 주입 용량: 10 mL; 구배 용리. 구배 조건: A 상: 5 mM 암모늄 아세테이트(0.2% 포름산 함유); B 상: 메탄올; 0 내지 0.5분, A 상 0.21 ㎖/분, B 상 0.09 ㎖/분; 0.5 내지 1분, A 상의 유속은 0 ㎖/분으로 선형 감소하고, B 상의 유속은 0.3 ㎖/분으로 선형 증가하고; 1.01분, B 상의 유속은 0.5 ㎖/분으로 증가하고 1분 동안 유지하고; 2.01분, A 상의 유속은 0.21 ㎖/분으로 증가하고, B 상의 유속은 0.09 ㎖/분으로 감소하고, 비는 2분 동안 유지되고 초기 유속 비로 평형을 유지하였다.MS 조건: 이온 공급원: 터보 이온스프레이(ESI+); 검출 모드: MRM; 5분기 파라미터: 화합물 1: m/z 544.2-457.1, CE(충돌 에너지): 36.5.4. 결과주요 약동학 파라미터 및 경구 생체이용률 결과를 DAS2.0(통계적 모멘트)을 사용하여 계산하였다. 래트에서 5.0 mg/kg의 단일 정맥내 주사에 대한 통계적 모멘트(n=6)의 약동학 파라미터래트에서 5.0 mg/kg의 단일 위내 투여에 대한 통계적 모멘트(n=6)의 약동학 파라미터5. 결론생체이용률의 계산 방법: F = (AUCig x Div)/(AUCiv x Dig) x 100%여기서, D는 투여량이고; AUC는 혈장 약물 농도-시간 곡선하 면적이고; ig는 위내 투여를 나타내고; iv는 정맥내 주사 투여를 나타낸다.N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이메틸설포네이트는 56.9%의 생체이용률을 갖고, 우수한 약동학 특성을 갖는다.생물학적 실시예 2마우스에 대한 단일 위내 위관영양법을 위한 MTD 분석1. 실험 동물: ICR 수컷 마우스(체중 19 내지 22 g)를 베이징 바이탈 리버 래보래토리 애니멀 테크놀로지 캄파니 리미티드(동물 허가 번호 SCXK(베이징) 2007-0001)로부터 구입하였다.2. 실험 설계: 21 마리 마우스를 9개의 군으로 나눴다. 군 I, IV 및 VI은 군당 1 마리 마우스를 나타내고, 군 II, V 및 IIX은 군당 4 마리 마우스를 나타내고, 군 III, VI 및 IX는 군당 2마리 마우스를 나타낸다. 화합물 4, 화합물 2 및 화합물 12를 주사용 물에 용해하였다. 군 I 내지 III에 각각 100 mg/kg, 150 mg/kg, 및 200 mg/kg 투여량으로 화합물 4(N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노) -7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로클로라이드)를 꼬리 정맥내 투여하였다. 투여 후 동물 반응 및 체중 변화를 관찰하고, 이러한 동물을 해부학적 관측을 위해 14일 후 희생시켰다. 군 IV 내지 VI에 각각 100 mg/kg, 150 mg/kg, 및 200 mg/kg 투여량으로 화합물 2(N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로클로라이드)를 꼬리 정맥내 투여하였다. 투여 후 동물 반응 및 체중 변화를 관찰하고, 이러한 동물을 해부학적 관측을 위해 14일 후 희생시켰다. 군 VII 내지 IX에 각각 100 mg/kg, 150 mg/kg, 및 200 mg/kg 투여량으로 화합물 12(N-[4-(3-에틴일페닐아미노-7-(2-에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-메틸피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로클로라이드)를 꼬리 정맥내 투여하였다. 투여 후 동물 반응 및 체중 변화를 관찰하고, 이러한 동물을 해부학적 관측을 위해 14일 후 희생시켰다.3. 실험 결과화합물 4: 마우스의 사망 환경 및 해부학적 현상화합물 2: 마우스의 사망 환경 및 해부학적 현상화합물 12: 마우스의 사망 환경 및 해부학적 현상 예비 약동학 연구로부터 위장관에서 모아진 화합물 4 및 화합물 12, 및 이들의 경구 생체이용률이 매우 낮음이 밝혀졌다.N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-((2-메톡시에틸))피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이하이드로클로라이드는 더욱 용인되고 독성이 적고, 따라서 더욱 바람직한 임상 약제 옵션이다.생물학적 실시예 3EGFR의 티로신 키나아제 활성에 대한 억제 효과1. 시약 및 재료EGFR: 인비트로겐 캄파니(Invitrogen Company), 카탈로그 번호 PV3872pGT(폴리(글루탐산-티로신)): 시그마-알드리치 캄파니(Sigma-Aldrich Company), 카탈로그 번호 P0275pY-20(마우스 항-포스포티로신 항체-HRP(서양고추냉이 과산화효소)): 인비트로겐 캄파니, 카탈로그 번호 03-7720TMB(3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘, HRP 기질): 이바이오사이언스 캄파니(eBioscience Company), 카탈로그 번호 00-4201-5696-웰 마이크로티터 플레이트: 눈크 캄파니(Nunc Company), 카탈로그 번호 4424042. 기계 및 장치마이크로플레이트 판독기: 바이오-라드 캄파니(Bio-Rad Company), 모델 680 96-웰 마이크로플레이트 세척기: 바이오-라드 캄파니, 모델 15753. 분석 방법3.1. 일반적인 방법분석 방법은 이러한 변형이 만들어지는 것에 기초하여 문헌[J. Moyer, E. Barbacci, K. Iwata, et al., Induction of apoptosis and cell cycle arrest by CP-358,774, an inhibitor of epidermal growth factor receptor tyrosine kinase Cancer Research 1997, 57:. 4838-4848]을 참조한다. 상기 분석 방법은 다음과 같이 요약된다.3.1.1. 4℃에서, 96-웰 마이크로티터 플레이트를 밤새 PBS(포스페이트 완충액)에 용해된 0.2 mg/㎖ pGT(효소의 기질로서)로 코팅하였다. 비결합된 pGT를 세척 용액(PBS 중 0.05% 트윈-20)으로 세척하여 제거하고, 플레이트를 실온에서 2시간 동안 공기 건조하였다.3.1.2. 효소 반응을 50 mM HEPE(N-(2-하이드록시에틸)피페라진-N'-2-에탄설폰산)(pH 7.5), 0.01% BRIJ-35(폴리옥시에틸렌 라우릴 에터), 10 mM MgCl2, 1 mM EGTA(에틸렌 글리콜 비스(2-아미노에틸 에터)테트라아세트산)를 함유하는 반응 시스템(50 ㎕) 중에서 특정한 농도의 ATP(아데노신 트라이포스페이트) 및 키나아제와 함께 수행하고, 30분 동안 실온에서 진행하였다. ATP의 말단에서 포스페이트 기를 티로신 잔기를 인산화하기 위해 키나아제 촉매에 의해 pGT의 티로신 잔기로 옮길 수 있다. 3.1.3. 최종 농도의 1% SDS(나트륨 도데실 설페이트)를 첨가하여 반응을 종료하였다. 인산화된 티로신 잔기를 pY-20을 사용하여 확인하였다. 항체 끝에서 HRP는 TMB가 색을 띨 수 있게 하였다. 이어서, 동량의 2 N H2SO4를 첨가하여 반응을 종료하였다. OD 값(이는 pGT의 티로신 잔기의 인산화 정도와 긍정적으로 관련된다)을 450 nm에서 측정하였다.3.2. 키나아제 및 기질 ATP의 농도를 인비트로겐 코포레이션(Invitrogen Corporation)에 의해 발간된 문헌[Optimization of a LanthaScreen Kinase assay for EGFR(ErbB1)](https://tools.lifetechnologies.com/content/sfs/manuals/EGFR_LanthaScreen_activity_Europium.pdf)을 참조하여 측정하였다. 최종 농도에 대한 선택 기준은 검출 시스템의 선형 범위 내의 생성물의 수율 및 ATP 접근 Km(미카엘리스 상수) 값의 농도를 가능하게 하는 키나아제의 농도이다.3.3. 화합물의 활성을 측정하기 위한 분석3.3.1. 적절한 양의 화합물을 DMSO(다이메틸설폭사이드)에 용해하여 2 mM 스톡 용액을 제조하였다. 이어서, 스톡 용액을 DMSO로 희석하여 가장 높은 시험 농도의 50-배의 작동 용액을 수득하고, 4-배 희석하여 총 7개 농도를 수득하였다.3.3.2. 50-배 농도의 화합물 작동 용액(1 ㎕)을 반응 시스템(50 mM HEPES(pH 7.5), 0.01% BRIJ-35, 10 mM MgCl2, 1 mM EGTA, 40 ng/㎖ 최종 농도의 44.4 ng/㎖ EGFR을 함유함)(44 ㎕)에 첨가하고, 볼텍싱하였다. H2O(EGFR 분석시 ATP의 농도는 100 ㎛이고, Her2 분석시 ATP의 농도는 400 ㎛이다)에 용해된 10-배 농도의 ATP(5 ㎕)를 첨가하여 효소 반응을 개시한 후 실온에서 30분 동안 반응시켰다.3.3.3. 시험 화합물이 없는 양성 용매 대조군(PC) 및 ATP 및 시험 화합물이 없는 음성 용매 대조군(NC)을 동시에 준비하였다. 투여된 군의 OD 값과 용매 대조군의 OD 값을 비교하여 화합물의 억제율을 수득하고, 이를 다음과 같이 계산하였다: 억제율 = [1-(실험 값 - NC 평균 값)/(PC 평균 값 - NC 평균 값)] x 100%. 억제율 및 SD(표준 편차)의 평균 값을 중복 웰로 측정하였다. 가로축으로서 로그 분포인 화합물의 농도 및 세로축으로서 억제율의 평균 값을 갖는 곡선을 플롯팅하고 4-파라미터 로지스틱 함수를 이용하여 맞췄다. 50% 억제율에 상응하는 곡선 점에서 화합물의 농도는 IC50 값이다.EGFR 분석 조건 4. 분석 결과 EGFR의 억제 활성(IC50: nM)생물학적 실시예 4돌연변이체 EGFR(L858R, L858R/T790M)의 티로신 키나아제 활성의 억제 작용1. 주요 시약 및 재료EGFR(L858R): 인비트로겐 코포레이션, 카탈로그 번호 PR7447AEGFR(L858R/T790M): 인비트로겐 코포레이션, 카탈로그 번호 PR8911AP22(폴리펩티드 기질): 지엘 바이오켐 리미티드(GL Biochem Ltd.), 카탈로그 번호 11239396-웰 플레이트: 코닝 인코포레이티드(Corning Inc.), 카탈로그 번호 3365384-웰 플레이트: 코닝 인코포레이티드, 카탈로그 번호 35732. 주요 기계 및 장치칼리퍼 워크스테이션(Caliper workstation)3. 분석 방법3.1. 분석을 위한 일반적인 조건3.2. 키나아제 완충액의 배합: 50 mM HEPES(pH 7.5), 0.0015% Brij-35, 10 mM MgCl2, 및 2 mM DTT(다이티오트레이톨).3.3. 종결 용액의 배합: 100 mM HEPES(pH 7.5), 0.015% Brij-35, 0.2% 코팅 시약 #3(칼리퍼 워크스테이션으로 제조됨), 및 50 mM EDTA(에틸렌 다이아민 테트라아세트산).3.4. 화합물의 희석3.4.1. 50-배 농도 화합물의 배합: 예를 들면, 분석을 위한 화합물의 최종 농도가 12.5 nM인 경우, 50-배 농도는 625 nM이다. 50-배 농도의 화합물 작동 용액을 96-웰 플레이트 중 DMSO로 4-배 희석하여 총 7개의 희석된 농도를 수득하였다. 3.4.2. 5-배 농도의 화합물을 반응 플레이트로 옮겼다. 용액(10 ㎕)을 상기 언급된 96-웰 플레이트의 각각의 웰로부터 또 다른 96-웰 플레이트로 옮기고, 이어서 키나아제 완충액(90 ㎕)을 첨가하였다. 용액(5 ㎕)을 상기 96-웰 플레이트로부터 384-웰 반응 플레이트로 옮겼다. 결과적으로, 10% DMSO에 용해된 5-배 농도의 화합물(5 ㎕)이 384-웰 반응 플레이트에 존재한다. 250 mM EDTA(5 ㎕)를 음성 대조군 웰에 첨가하였다.3.5. 키나아제 반응3.5.1. 키나아제 완충액을 사용하여 키나아제에 의해 2.5-배 농도의 효소 용액을 배합하였다.3.5.2. 키나아제 완충액을 사용하여 폴리펩티드 및 ATP에 의해 2.5-배 농도의 기질 용액을 배합하였다.3.5.3. 2.5-배 농도의 효소 용액(10 ㎕)을 384-웰 플레이트에 첨가하고, 실온에서 10분 동안 항온처리하였다.3.5.4. 2.5-배 농도의 기질 용액(10 ㎕)을 384-웰 플레이트에 첨가하고, 28℃에서 1시간 동안 항온처리하였다.3.5.5. 종결 용액(25 ㎕)을 첨가하여 반응을 종결하였다.3.6. 기질 전환율 데이타를 칼리퍼로 판독하였다.3.7. 억제율 계산: 전환율을 억제율로 전환하였다.억제율(%) = (max - 전환율)/(max - min) x 100% 여기서, max는 DMSO 대조군의 전환율을 지칭하고, min은 효소-부재 대조군의 전환을 지칭한다. 억제 곡선에 의해 IC50 값을 측정하였다.돌연변이체 EGFR에 대한 억제 활성(IC50: nM)N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 및 이의 약학적으로 허용되는 염은 매우 선택적이고 비가역적인 티로신 키나아제 억제제이고, 특히 EGFR에 대하여 높은 억제 활성을 나타내고, 따라서 임상 약제에 대한 더욱 바람직한 옵션이다.생물학적 실시예 5인간 종양 세포에서 시험관내 억제 작용1. 시험된 세포 및 주요 시약인간 편평세포 암종 세포주 A431, 인간 비소세포 폐암 세포주 HCC827, 두경부암 세포주 Fadu 및 인간 췌장암 세포주 AsPC-1을 셀 뱅크 차이니즈 아카데미 오브 사이언시스(Cell Bank, Chinese Academy of Sciences)로부터 구입하였다.RPMI-1640(배지의 종류; 깁코 인코포레이티드(Gibco Inc.), 카탈로그 번호 31800-022)은 건조 분말이다. 액체 배지를 설명서에 따라 배합하고, 세포 배양의 요건을 충족하기 위해 2 g/L NaHCO3 및 5.958 g/L HEPE를 이에 첨가하였다.EMEM(얼의 염(Earle's salt)을 갖는 최소 필수 배지; 깁코 인코포레이티드, 카탈로그 번호 41500-034)은 건조 분말이다. 설명서에 따라 액체 배지를 배합하고, 세포 배양의 요건을 충족하기 위해 2.2 g/L NaHCO3 및 5.958 g/L HEPE를 이에 첨가하였다.DMEM(듈베코 변형된 이글 배지(Dulbecco's Modified Eagle's Medium); 깁코 인코포레이티드, 카탈로그 번호 12800-017)은 건조 분말이다. 설명서에 따라 액체 배지를 배합하고, 세포 배양의 요건을 충족하기 위해 2.2 g/L NaHCO3 및 5.958 g/L HEPE를 이에 첨가하였다.F-12K(영양 혼합물 F-12 햄 카이그의 변형; 시그마-알드리치 인코포레이티드, 카탈로그 번호 N3520)는 건조 분말이다. 설명서에 따라 액체 배지를 배합하고, 세포 배양의 요건을 충족하기 위해 1.5 g/L NaHCO3 및 2.383 g/L HEPE를 이에 첨가하였다. F-12(햄 F-12 영양 혼합물; 깁코 인코포레이티드, 카탈로그 번호 21700-075)는 건조 분말이다. 설명서에 따라 액체 배지를 배합하고, 세포 배양의 요건을 충족하기 위해 1.76 g/L NaHCO3 및 2.383 g/L HEPE를 이에 첨가하였다. FBS(소 태아 혈청), 하이클론 래보래토리즈 인코포레이티드(Hyclone Laboratories, Inc.), 카탈로그 번호 SV30087.MTT(테트라졸륨 염), 시그마 코포레이션(Sigma Corporation), 카탈로그 번호 M5655. 5 mg/㎖ 스톡 용액을 포스페이트 완충액을 사용하여 제조하였다.SRB(설포르호다민): 시그마-알드리치 인코포레이티드, 카탈로그 번호 S9012. 0.4%(w/v) 작동 용액을 1% 아세트산을 사용하여 제조하였다. 2. 주요 기계 및 장치CO2 세포 인큐베이터(유형 311 및 371), 써모 피셔 사이언티픽 인코포레이티드(Thermo Fisher Scientific Inc.).층류 유동 후드(Laminar flow hood)(유형 DL-CJ-2N), 베이징 동리안 하르 인스트루먼트 메뉴펙쳐 캄파니 리미티드(Beijing Donglian Har Instrument Manufacture Co. Ltd.).ELIASA(유형 680), 바이오-래드 래보래토리즈 인코포레이티드(Bio-Rad Laboratories, Inc.).96-웰 플레이트 세척기(유형 1575), 바이오-래드 래보래토리즈 인코포레이티드.3. 분석 방법3.1, 세포 배양 배지 배합(완전 배지)은 일반적으로 셀 뱅크 차이니즈 아카데미 오브 사이언시스 및 ATCC(어메리칸 타입 컬쳐 콜렉션)에 의해 제공된 것을 따르고, 첨가제를 기본 배지 배합의 관점에서 조정하였다.3.2. 세포 배양 방법: 세포를 대수 생장기(즉, 부착 세포가 실질적으로 완전한 합류에 도달함)까지 5% CO2 및 포화 습도하에 37℃에서 완전 배지 중에서 배양하고, 이어서 후속 분석을 위해 수집하였다. 부착 세포의 경우, 이들을 먼저 트립신/DETA로 소화시켜 분리하였다.3.3. 특정한 수의 세포를 96-웰 세포 배양 플레이트(이하, 96-웰 플레이트로 지칭됨)에 시딩하였다. 다양한 농도의 화합물을 첨가하고 일정 기간(통상적으로 3일) 동안 공-배양하였다. 최종적으로, 웰 중 총 세포 단백질을 SRB 분석을 사용하여 측정하거나, 세포 생존력을 MTT 분석으로 측정하였다.3.3.1. 세포 시딩 농도를 화합물 억제 분석 과정을 완전히 모의하는 세포 성장 곡선 분석에 의해 측정하였다. 상이한 농도의 세포를 96-웰 플레이트에 시딩하였고, 적합한 농도는 화합물의 개입 없이 분석 시간에 걸쳐서 대수 생장기에서 세포를 유지하는 최대 시딩 농도이거나 이에 도달하여야 한다. 3.3.2. SRB 분석을 사용한 총 세포 단백질의 측정: 웰 중 배지를 회수하였다. 10% 트라이클로로아세트산을 첨가하여 1시간 초과 동안 세포를 고정한 후 제거하였다. 세포를 H2O로 세척하고, 이어서 0.4% SRB로 15 내지 30분 동안 염색하였다. 과잉 SRB를 제거하고, 세포를 1% 아세트산으로 세척하였다. 10 mM 트리스(트리스(하이드록시메틸)아미노메탄) 수용액(100 ㎕)을 첨가하여 단백질과 결합된 SRB를 용해하였다. 570 nm 파장에서 검출을 수행하였다.3.3.3. MTT 분석을 사용한 세포 생존력의 측정: 웰 중 배지를 회수하였다. 0.5 mg/㎖ MTT를 함유하는 기저 배지(일반적으로 소 태아 혈성(FBS) 및 다른 첨가제가 없는 배지를 지칭함)(100 ㎕)를 각각의 웰에 첨가하였다. 이어서, 세포를 3 시간 동안 배양하였다. MTT를 함유하는 기저 배지를 회수하고, DMSO(100 ㎕)를 각각의 웰에 첨가하여 포르마잔을 용해하였다. 490 nm 파장에서 측정을 수행하였다.3.3.4. SRB 또는 MTT 분석의 선택: 인간 편평세포 암종 세포주 A431, 두경부암 세포주 Fadu 및 인간 췌장암 세포주 AsPC-1의 실험에서 MTT 분석을 사용하고, 인간 비소세포 폐암 세포주 HCC827의 실험에서 SRB 분석을 사용하였다.3.4. 화합물의 희석 및 첨가: 세포에 내성이 있을 수 있는 DMSO의 농도를 DMSO 내성 분석에 의해 측정하고, 이로 인해 화합물의 희석 및 첨가 방법을 선택하였다. 세포 성장시 상이한 농도의 DMSO의 효과를 DMSO 내성 분석으로 측정하였다. 내성은, 세포 성장시 효과가 20%를 초과하지 않는 것으로 정의된다. 하기와 같은 두가지 방법을 최종적으로 측정하였다.방법 I: 시험 화합물(1 내지 2 mg)을 칭량하고 DMSO에 용해하여 2 mM 스톡 용액을 형성하였다. 스톡 용액을 기저 매질을 사용하여 20 μM(또는 분석의 필요에 따라 조정됨)로 희석하고, 3-배 구배 희석(DMSO 농도는 희석 동안 1%로 변함없이 유지된다)을 이용하여 8개의 농도 군을 수득하였다. 분석 웰에 완전 배지(80 ㎕) 및 10-배 농도의 화합물 작동 용액(20 ㎕)을 첨가하였고, 웰당 최종 부피는 200 ㎕이었고 DMSO 농도는 0.1%이었다. 수반된 세포주는 HCC827이었다.방법 II: 시험 화합물(1 내지 2 mg)을 칭량하고 DMSO에 용해하여 2 mM 스톡 용액을 형성하였다. 초기 농도를 분석의 필요에 따라 조정하고, DMSO로 3-배 구배 희석을 이용하여 총 8개 농도의 화합물의 용액을 수득하였다. 완전 배지(99 ㎕) 및 화합물의 용액(1 ㎕)을 각각의 분석 웰에 첨가하였고, 웰당 최종 부피는 200 ㎕이었고 DMSO 농도는 0.5%이었다. 수반된 세포주는 A431, Fadu 및 AsPC-1이었다.3.5. 화합물의 억제 활성의 계산: 분석은 화합물 분석군, 화합물이 없는 양성 용매 대조군(PC) 및 세포 및 화합물이 없는 음성 용매 대조군(NC)을 포함한다. 억제율 = [1-(실험 값 - NC 평균 값)/(PC 평균 값 - NC 평균 값)] x 100%. 억제율 및 SD의 평균 값을 2회 분석 웰로 측정하였다. 가로축으로서 화합물의 농도 및 로그 분포를 갖고, 세포축으로서 억제율의 평균 값을 갖는 곡선을 플롯팅하고 4-파라미터 로지스틱 함수를 사용하여 맞췄다. 50% 억제율에 상응하는 곡선점에서 화합물의 농도는 IC50 값이다.인간 종양 세포주의 배양 배지 배합 및 세포 시딩 농도4. 분석 결과4.1. 인간 편평세포 암종 세포주 A431에서 억제 작용인간 표피암 세포주 A431에서 억제 활성(IC50: μM)4.2. 인간 비소세포 폐암 세포주 HCC827에서 억제 활성인간 비소세포 폐암 세포주 HCC827에서 억제 활성(IC50: μM)4.3. 인간 두경부암 세포주 Fadu에서 억제 활성 인간 두경부암 세포주 Fadu에서 억제 활성(IC50: μM)4.4. 인간 췌장암 세포주 AsPC-1에서 억제 활성인간 췌장암 세포주 AsPC-1에서 억제 활성(IC50: μM)N-[4-((3-클로로-4-플루오로페닐아미노))-7-((2-메톡시에톡시))퀴나졸린-6-일]-2-[1-((2-메톡시에틸))피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 및 이의 약학적으로 허용되는 염은 매우 선택적이고 비가역적인 티로신 키나아제 억제제이고, 특히 EGFR에서 높은 억제 활성을 나타낸다.생물학적 실시예 6A431 인간 표피 암종 이종이식 모델의 약역학 활성에 대한 평가1. 분석 방법세포 배양:종양 세포를 10% 비활성화된 소 태아 혈청, 100 U/㎖ 페니실린 및 100 ㎍/㎖ 스트렙토마이신을 함유하는 MEM 배지를 사용하여 37℃ 및 5% CO2 인큐베이터에서 배양하였다. 대수 생장기에서 종양 세포를 수집하고, 적절한 밀도로 조정하고, 누드 마우스에 피하 주사하였다(0.2 ml/마우스). 종양이 누드 마우스에서 형성된 후 이종이식 모델을 수립하고 3 세대 초과 동안 생체내 계대배양 하였다.종양의 접종 및 분류: 상기 언급한 종양이 있는 마우스를 경추 탈골로 희생시켰다. 종양을 떼어내고 멸균 조건하에 작은 종양 조각(약 2 mm x 2 mm x 2 mm)으로 절단하였다. 작은 종양 조각을 투관침(trocar)을 사용하여 누드 마우스에 피하 접종하였다. 종양이 있는 누드 마우스에서 종양이 약 150±50 mm3(단위: 부피)까지 성장했을 때, 실험 동물을 다음 4개의 군으로 각각 8 마리씩 무작위로 나눴다: 용매 대조군, N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이메틸설포네이트의 20, 40 및 80 mg/kg 투여군, 및 양성 대조군 약물 타르세바의 50 mg/kg 투여군. 각각의 군의 동물은 14 일간 연속해서 하루에 한번 위내 투여를 겪었다. 분류 일은 0일로 배정된다.2. 분석 종점 및 데이타 처리종양 부피를 다음과 같이 계산하였다: 부피 = 0.5 x 긴 지름 x 짧은 지름2. 상대적인 종양 부피(RTV)를 RTV = Vt/V0에 기초하여 계산하였고, 여기서 V0은 투여될 동물을 분류할 때(즉, d0) 측정된 종양 부피이고, Vt는 각 측정이 이뤄진 때의 종양 부피이다. 상대적인 종양 증식률 T/C를 상대적인 종양 부피에 기초하여 계산하였고, 여기서, T는 처리군의 상대적인 종양 부피의 평균 값이고, C는 용매 대조군의 상대적인 종양 부피의 평균 값이다. T/C를 다음과 같이 계산하였다: T/C = TRTV/CRTV x 100%(여기서, TRTV는 처리군의 RTV이고, CRTV는 용매 대조군의 RTV이다). 억제율(%) = (용매 대조군의 평균 종양 중량 - 처리군의 평균 종양 중량)/용매 대조군의 평균 종양 중량 x 100%. 체중 변화율(%) = Wn/W0 x 100%(여기서, Wn은 n일에 각 군의 실험 동물의 평균 체중이고, W0는 0일에 각 군의 실험 동물의 평균 체중이다).3. 통계 분석일 방향 아노바 시험을 SPSS13.0에서 수행하여, 군 사이의 통계 분석을 수행하였다.4. 분석 결과분석 종료시 각 군의 종양 부피, 상대적인 종양 부피 및 T/C상기 종양 부피 파라미터 및 상대적인 종양 부피 파라미터에서, p003c#0.01 및 p003c#0.001은 용매 대조군과 비교하였다.각각의 군의 종양 중량 및 종양 억제율"-"는 아무것도 없거나 유효 데이타가 없음을 나타내고; p003c#0.001은 용매 대조군과 비교하였다.5. 분석 결론화합물 3의 3개의 투여군은 모두 종양 성장을 억제할 수 있고, T/C는 각각 30.6%, 37.7% 및 19.1%이었고, 우수한 약물-효과 관계를 보인다. 양성 대조군의 T/C는 47.3%이었다.A431 인간 편평세포 암종 이종이식 모델에서 화합물 3의 3개의 투여군의 종양 억제율은 각각 68.6%, 73.2% 및 85.6%이었고, 우수한 용량-효과 관계를 보인다. 양성 대조군의 종양 억제율은 62.0%이었다.화합물 3의 3개의 투여군에서 실험 동물의 체중은 유의미하게 감소하지 않고, 유의미한 이상이 실험 동물에서 관찰되지 않고, 이는 모두 N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이메틸설포네이트의 각각의 용량이 실험 동물에서 유의미한 독성을 생성하지 않을 수 있음을 나타낸다. 타르세바의 투여 용량은 MTD이었다.N-[4-((3-클로로-4-플루오로페닐아미노))-7-((2-메톡시에톡시))퀴나졸린-6-일]-2-[1-((2-메톡시에틸))피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이메틸설포네이트는 우수한 항-종양 활성 및 넓은 치료 창을 갖고, 따라서 임상 약제에 대한 더욱 바람직한 옵션이다.생물학적 실시예 7FaDu 인간 두경부암 이종이식 모델의 약역학 활성에 대한 평가1. 분석 방법세포 배양:종양 세포를 10% 비활성화된 소 태아 혈청, 100 U/㎖ 페니실린 및 100 ㎍/㎖ 스트렙토마이신을 함유하는 MEM 배지를 사용하여 37℃ 및 5% CO2 인큐베이터에서 배양하였다. 대수 생장기에서 종양 세포를 수집하고, 적합한 밀도로 조정하고, 누드 마우스에 피하 주사하였다(0.2 ml/마우스). 종양이 누드 마우스에서 형성된 후 이종이식 모델을 수립하고 3 세대 초과 동안 생체내 계대배양 하였다.종양 접종 및 분류: 상기 언급한 종양이 있는 마우스를 경추 탈골로 희생시켰다. 종양을 떼어내고 멸균 조건하에 작은 종양 조각(약 2 mm x 2 mm x 2 mm)으로 절단하였다. 작은 종양 조각을 투관침을 사용하여 누드 마우스의 우측 견갑골에 피하 접종하였다. 종양이 있는 누드 마우스에서 종양이 약 120±50 mm3(단위: 부피)까지 성장했을 때, 실험 동물을 다음 5개의 군으로 각각 8 마리씩 무작위로 나눴다: 용매 대조군, N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이메틸설포네이트의 20, 40 및 80 mg/kg 투여군, 및 양성 대조군 약물 타르세바의 50 mg/kg 투여군. 각각의 군의 동물은 14 일간 연속해서 매일 위내 투여를 겪었다. 분류 일은 0일로 배정된다.2. 분석 종점 및 데이타 처리종양 부피를 다음과 같이 계산하였다: 부피 = 0.5 x 긴 지름 x 짧은 지름2. 상대적인 종양 부피(RTV)를 RTV = Vt/V0에 기초하여 계산하였고, 여기서 V0은 투여될 동물을 분류할 때(즉, d0) 측정된 종양 부피이고, Vt는 각 측정이 이뤄진 때의 종양 부피이다. 상대적인 종양 증식률 T/C를 상대적인 종양 부피에 기초하여 계산하였고, 여기서, T는 처리군의 상대적인 종양 부피의 평균 값이고, C는 용매 대조군의 상대적인 종양 부피의 평균 값이다. T/C를 다음과 같이 계산하였다: T/C = TRTV/CRTV x 100%(여기서, TRTV는 처리군의 RTV이고, CRTV는 용매 대조군의 RTV이다). 억제율(%) = (용매 대조군의 평균 종양 중량 - 처리군의 평균 종양 중량)/용매 대조군의 평균 종양 중량 x 100%. 체중 변화율(%) = Wn/W0 x 100%(여기서, Wn은 n일에 각 군의 실험 동물의 평균 체중이고, W0는 0일에 각 군의 실험 동물의 평균 체중이다).3. 통계 분석일 방향 아노바 시험을 SPSS13.0에서 수행하여, 군 사이의 통계 분석을 수행하였다.4. 분석 결과분석 종료시 각 군의 종양 부피, 상대적인 종양 부피 및 T/Cp003c#0.01 및 *p003c#0.001은 용매 대조군과 비교하였고; ##p003c#0.01은 양성 대조군과 비교하였다.각각의 군의 종양 중량 및 종양 억제율"-"는 아무것도 없거나 유효 데이타가 없음을 나타내고; p003c#0.01 및 *p003c#0.001은 용매 대조군과 비교하였고; ##p003c#0.01은 양성 대조군과 비교하였다.5. 분석 결론화합물 3의 각각의 투여군의 T/C는 각각 61.4%, 54.7% 및 31.6%이었다. 각각의 투여군은 FaDu 인간 두경부암 이종이식 모델에서 우수한 억제 활성을 갖는다.화합물 3의 각각의 투여군의 종양 억제율은 각각 37.5%, 52.4% 및 76.2%이었다. 화합물 3의 각각의 투여군은 FaDu 인간 두경부암 이종이식 모델에서 우수한 억제 활성을 갖는다.화합물 3의 각각의 투여군에서 실험 동물의 체중은 유의미하게 감소하지 않고, 유의미한 이상이 실험 동물에서 관찰되지 않고, 이들은 모두 화합물 3의 각각의 용량이 실험 동물에서 유의미한 독성을 생성하지 않음을 나타낸다. 타르세바의 투여 용량은 MTD이었다.N-[4-((3-클로로-4-플루오로페닐아미노))-7-((2-메톡시에톡시))퀴나졸린-6-일]-2-[1-((2-메톡시에틸))피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이메틸설포네이트는 우수한 항-종양 활성 및 넓은 치료 창을 갖고, 따라서 임상 약제에 대한 더욱 바람직한 옵션이다.생물학적 실시예 8HCC827 인간 비소세포 폐암 이종이식 모델의 약역학 활성에 대한 평가1. 분석 방법세포 배양:종양 세포를 10% 비활성화된 소 태아 혈청, 100 U/㎖ 페니실린 및 100 ㎍/㎖ 스트렙토마이신을 함유하는 MEM 배지를 사용하여 37℃ 및 5% CO2 인큐베이터에서 배양하였다. 대수 생장기에서 종양 세포를 수집하고, 적합한 밀도로 조정하고, 누드 마우스에 피하 주사하였다(0.2 ml/마우스). 종양이 누드 마우스에서 형성된 후 이종이식 모델을 수립하고 3 세대 초과 동안 생체내 계대배양 하였다.접종 및 분류: 상기 언급한 종양이 있는 마우스를 경추 탈골로 희생시켰다. 종양을 떼어내고 멸균 조건하에 작은 종양 조각(약 2 mm x 2 mm x 2 mm)으로 절단하였다. 작은 종양 조각을 투관침을 사용하여 누드 마우스의 우측 견갑골에 피하 접종하였다. 종양이 있는 누드 마우스에서 종양이 약 150±50 mm3(단위: 부피)까지 성장했을 때, 실험 동물을 다음 5개의 군으로 각각 8 마리씩 무작위로 나눴다: 용매 대조군, N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이메틸설포네이트의 20, 40 및 80 mg/kg 투여군, 및 양성 대조군 약물 타르세바의 50 mg/kg 투여군. 각각의 군의 동물은 14 일간 연속해서 매일 위내 투여를 겪었다. 분류 일은 0일로 배정된다.2. 분석 종점 및 데이타 처리종양 부피를 다음과 같이 계산하였다: 부피 = 0.5 x 긴 지름 x 짧은 지름2. 상대적인 종양 부피(RTV)를 RTV = Vt/V0에 기초하여 계산하였고, 여기서 V0은 투여될 동물을 분류할 때(즉, d0) 측정된 종양 부피이고, Vt는 각 측정이 이뤄진 때의 종양 부피이다. 상대적인 종양 증식률 T/C를 상대적인 종양 부피에 기초하여 계산하였고, 여기서, T는 처리군의 상대적인 종양 부피의 평균 값이고, C는 용매 대조군의 상대적인 종양 부피의 평균 값이다. T/C를 다음과 같이 계산하였다: T/C = TRTV/CRTV x 100%(여기서, TRTV는 처리군의 RTV이고, CRTV는 용매 대조군의 RTV이다). 억제율(%) = (용매 대조군의 평균 종양 중량 - 처리군의 평균 종양 중량)/용매 대조군의 평균 종양 중량 x 100%. 체중 변화율(%) = Wn/W0 x 100%(여기서, Wn은 n일에 각 군의 실험 동물의 평균 체중이고, W0는 0일에 각 군의 실험 동물의 평균 체중이다).3. 통계 분석일 방향 아노바 시험을 SPSS13.0에서 수행하여, 군 사이의 통계 분석을 수행하였다.4. 분석 결과분석 종료시 각 군의 종양 부피, 상대적인 종양 부피 및 T/Cp003c#0.001은 용매 대조군과 비교하였다.각각의 군의 종양 중량 및 종양 억제율 "-"는 아무것도 없거나 유효 데이타가 없음을 나타내고; **p003c#0.001은 용매 대조군과 비교하였다.5. 분석 결론화합물 3의 3개의 투여군의 T/C는 각각 0.5%, 1.8% 및 1.8%이었고, 우수한 용량-효과 관계를 보였다. 양성 대조군의 T/C는 5.0%이었다.화합물 3의 3개의 투여군의 종양 억제율은 각각 91.7%, 95.2% 및 97.4%이었다.화합물 3의 각각의 투여군에서 실험 동물의 체중은 유의미하게 감소하지 않고, 유의미한 이상이 실험 동물에서 관찰되지 않고, 이들 모두는 화합물 3의 각각의 용량이 실험 동물에서 유의미한 독성을 생성하지 않음을 나타낸다. 타르세바의 투여 용량은 MTD이었다.N-[4-((3-클로로-4-플루오로페닐아미노))-7-((2-메톡시에톡시))퀴나졸린-6-일]-2-[1-((2-메톡시에틸))피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이메틸설포네이트는 우수한 항-종양 활성 및 넓은 치료 창을 갖고, 따라서 임상 약제에 대한 더욱 바람직한 옵션이다.생물학적 실시예 9살모넬라 타이피뮤리움(Salmonella Typhimurium)에 대한 돌연변이원성 분석1. 재료 및 방법: 화합물 1: N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드화합물 3: N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이메틸설포네이트직접 돌연변이원 1: 덱손(Dexon)(디마 테크놀로지 인코포레이티드(Dima Technology Inc.), 배치 번호: 456-2D)직접 돌연변이원 2: 나트륨 아지드, SA(암레스코 인코포레이티드(Amresco Inc.), 배치 번호: 0580c509)간접 돌연변이원: 2-아미노안트라센, 2-AA(시그마-알드리치 인코포레이티드; 배치 번호: STBB1901V)균주: 살모넬라 타이피뮤리움 TA97, TA98, TA100, TA1535, 및 TA102의 히스티딘 영양요구성 돌연변이체(중국 의료 과학 아카데미의 실험 동물 과학 연구소)를 액체 질소에서 저온보존하였다.비히클 1: 다이메틸 설폭사이드, DMSO(베이징 케미칼 웍스(Beijing Chemical Works), 배치 번호: 20111209)비히클 2: 주사용 멸균수(톈진 파마슈티칼 자오쭤 캄파니 리미티드(Tianjin Pharmaceutical Jiaozuo Co., Ltd.), 배치 번호: 11080142)2. 균주의 유전적 특징의 식별자발적인 복구 돌연변이체 속도 시험, 히스티딘 요구 시험, 크리스탈 바이올렛 감수성 시험, UV 손상의 절제 수복 결핍 돌연변이에 대한 식별 시험, 암피실린 내성 시험 및 테트라사이클린 내성 시험을 포함하는 균주의 유전적 특징을 식별하고 공인하였다. 3. 균주의 증균 배양 액체 질소에 저온보존된 세균 현탁액을 37℃ 수욕에서 빠르게 해동시켰다. 세균 현탁액(100 ㎕)을 회수하여 20 mL 영양 브로쓰에 시딩하였다. 어두운 곳에서 37℃ 16시간 동안 정치 배양한 후, 돌연변이원성 분석을 위해 세균 현탁액을 취하였다.4. 분석 방법4.1. 분석군4.2. 시험 샘플의 배합화합물 1을 칭량하고 15 mg/㎖의 최종 농도로 DMSO에 용해하였다. 용액을 0.22 ㎛ 여과 막을 통해 여과하였다. 초기 여액(1.0 mL)을 여과 동안 버렸다. 이어서, 여과된 시험 샘플 용액(15 mg/㎖)을 DMSO를 사용하여 5, 1.5, 0.5 및 0.15 mg/㎖의 농도를 갖는 용액으로 구배적으로 희석하였다.화합물 3을 칭량하고 15 mg/㎖의 최종 농도로 주사용 멸균수에 용해하였다. 용액을 0.22 ㎛ 여과 막을 통해 여과하였다. 초기 여액(1.0 mL)을 여과 동안 버렸다. 이어서, 여과된 시험 샘플 용액(15 mg/㎖)을 주사용 멸균수를 사용하여 5, 1.5, 0.5 및 0.15 mg/㎖의 농도를 갖는 용액으로 구배적으로 희석하였다.4.3. 시험 샘플에 대한 농도 분석여과 전에 15 mg/㎖ 시험 샘플 용액을 중복으로 유지하였다(각 부피당 0.5 mL). 배합 및 여과 후, 여과된 시험 샘플 용액의 각각의 농도를 중복으로 유지하고(각 부피당 0.5 mL) 실온에서 저장하였다. 농도의 정확도를 HPLC 방법으로 분석하였다. HPLC 방법: 실리카 겔에 화학적으로 결합된 옥타데실 실란을 충전제(4.6 mm x 250 mm, 5 ㎛)로서 사용하였고; 이동상으로서 0.3% 아세트산 수용액(v/v, pH는 수성 암모니아를 사용하여 8.10±0.05로 조정하였다)-메탄올-아세토니트릴(1:7)=48:52(v/v); 유속은 1 ml/분이었고; 컬럼 온도는 40℃이었고; 검출 파장은 254 nm이었고; 실행 시간은 30분이었다.4.4. 배합된 시험 샘플 용액의 저장 및 폐기배합된 시험 샘플 용액을 투여 전에 실온에서 저장하였다. 남아있는 시험 샘플 용액을 투여가 끝난 후 의료 폐기물과 같이 폐기하였다.4.5. 양성 대조군의 배합덱손(Dexon): 적절한 양의 덱손을 칭량하고 주사용 멸균수에 용해하여 250 ㎍/㎖ 농도의 용액을 수득하였다. 상기 용액을 0.22 ㎛ 멸균 여과 막을 통해 여과한 후 상기 용액을 사용하였다.나트륨 아지드: 적절한 양의 나트륨 아지드를 칭량하고 주사용 멸균수에 용해하여 60 ㎍/㎖ 농도의 용액을 수득하였다. 상기 용액을 0.22 ㎛ 멸균 여과 막을 통해 여과한 후 상기 용액을 사용하였다.2-아미노안트라센: 적절한 양의 2-아미노안트라센을 칭량하고 DMSO에 용해하여 30 ㎍/㎖ 농도의 용액을 수득하였다. 상기 용액을 0.22 ㎛ 멸균 여과 막을 통해 여과한 후 상기 용액을 사용하였다.4.6. S9 혼합물의 제조 및 배합이 분석에 사용된 스프래그-다우리 래트 간 S9 분획을 배치 번호 20120518을 사용하여 2012년 5월 18일에 제조하였다. 이를 액체 질소에 저장하였고, 단백질 농도는 20.477 mg/㎖이고, 이를 2014년 5월 17일 이전에 사용할 수 있다. 무균 시험 및 생물학적 활성 검출은 분석 요건을 충족하였다. S9 혼합물을 하기 표에 나타낸 조성에 기초하여 멸균 조건 하에 배합하였다.사용 전에, S9 혼합물은 멸균 조건하에 배합하였다. 배합된 용량을 분석 요건에 따라 작동기로 측정하였다. 다른 용매를 센터의 표준 작동 과정에 따라 배합하였다. S9 혼합물의 배합은 하기 표를 따른다.4.6. 분석 과정상부 배지를 용융하도록 가열하고, 이어서 추가 사용을 위해 45℃ 수욕에서 균형을 유지하였다.시험 제품 또는 대조군 약물 용액(0.1 mL), S9 혼합물 또는 PBS(pH 7.4)(0.5 mL), 및 상부 배지(약 0.05 mM 히스티딘, 약 0.05 mM 비오틴, 약 0.6% 아가, 및 약 0.5% NaCl 함유함)(2.0 mL) 및 마지막으로 세균 배양액(0.1 mL)의 순서로 10 mL 유리 시험관에 첨가하였다. 혼합물을 볼텍스 혼합기에서 신속하고 균일하게 혼합하고 하부 배지의 표면에 부었다. 상부 배지를 약간의 회전에 의해 기저 배지의 표면에 걸쳐 고르게 발랐다.배지가 고형화가 될 때까지 플레이트를 수평 테이블에 놓았다. 이어서, 플레이트를 뒤집고 37℃에서 48시간 동안 배양하였다(TA102 균주를 제외하고, 이를 72시간 동안 배양하였다). 플레이트를 철회하여 플레이트당 가시적인 복귀 돌연변이체 콜로니의 수를 카운팅하였다. 로딩하고 배양이 끝날 때 시험 샘플의 침전 현상을 관찰하였다. 3개의 플레이트를 각각 활성화 및 비활성화 조건하에 각각의 군에 대하여 시험하였다.5. 결과 평가상기 결과는 플레이트당 복귀 돌연변이체 콜로니의 수를 나타내고, 각각의 군의 복귀 돌연변이체 콜로니의 평균 수 및 표준 편차를 계산하였다. 결과가 하기 1 또는 2개의 기준을 충족하는 경우, 이는 긍정적으로 평가될 수 있다. 분석 결과의 생물학적 중요성이 우선적으로 고려되고, 통계 검정의 결과는 결과를 평가할 때 언급된다.1) 하나 이상의 균주의 경우, 복귀 돌연변이체 돌연변이 콜로니의 수는 대사성 활성화가 있거나 없는 조건하에 약물-의존성 증가를 나타낸다.2) 하나 이상의 투여군에서 복귀 돌연변이체 돌연변이 콜로니의 수는 대사성 활성화가 있거나 없는 조건하에 유의미한 증가를 나타내고, 이는 반복될 수 있다. 시험 제품이 균주에서 항균성 독성을 갖는지를 하기 기준에 따라 측정한다:(1) 백그라운드 세균 깔개(bacterial lawn)가 얇게 되고, 이는 동시에 복귀 돌연변이체 돌연변이 콜로니의 수의 감소를 수반할 수 있다.(2) 백그라운드 세균 깔개의 부재, 즉, 세균 성장이 완전히 억제된다.(3) 침상 비-복귀 돌연변이체 돌연변이 작은 콜로니의 출현(통상적으로 백그라운드 세균 깔개의 부재가 수반된다).6. 데이타 처리 방법양측 검정을 사용하여 통계 분석을 수행하고, 통계적 유의 수준은 P≤0.05로 설정하였다. 통계를 복귀 돌연변이체 돌연변이 콜로니 수의 평균 값 및 표준 편차로 수행하였다.데이타를 하기 과정에 따라 분석하였다: 먼저 데이타 동질성 시험을 위해 레벤(Levene) 검정을 수행하였다. 데이타가 동질한 경우(P003e#0.05), 분산 검정(아노바)의 단일-요소 분석을 수행할 수 있고; 분산 검정이 유의미한 경우(P≤0.05), 듀넷(Dunnett) 다중 비교를 수행할 수 있다. 레벤 검정 결과가 유의미한 경우(P≤0.05), 크루스칼-발리스 비모수(Kruskal-wallis nonparametric) 검정을 수행할 수 있다. 크루스칼-발리스 비모수 검정 결과가 유의미한 경우(P≤0.05), 만-휘트니(Mann-Whitney) U 검정을 사용하여 짝 비교를 추가로 수행할 수 있다.7. 결과7.1. 시험 샘플의 분석 결과화합물 1로 시험: 분석 결과는, 여과하기 전 가장 높은 농도 및 여과한 후 시험 샘플 용액의 각각의 농도가 101.77% 내지 104.31%의 이론적 농도임을 나타낸다. 여과 막은 90% 내지 110%의 허용 범위 내에서 용액의 농도에 유의미한 효과를 나타내지 않았다.화합물 3으로 시험: 분석 결과는, 여과하기 전 가장 높은 농도 및 여과한 후 시험 샘플 용액의 각각의 농도의 정확도가 99.39% 내지 102.89%의 이론적 농도임을 나타낸다. 여과 막은 90% 내지 110%의 허용 범위 내에서 용액의 농도에 유의미한 효과를 나타내지 않았다.7.2. 백그라운드 세균 깔개 및 콜로니에 대한 형태적 관찰1500 ㎍/플레이트 용량의 TA97 균주는 대사성 활성화(S9 첨가함) 조건하에 항세균성 독성을 갖고, 이는 백그라운드 세균 깔개에서 침상 작은 콜로니의 출현 및 복귀 돌연변이체 돌연변이 콜로니의 수의 유의미한 감소(P≤0.05)를 나타내었다. 1500 ㎍/플레이트 및 500 ㎍/플레이트 용량의 TA102 균주는 대사성 또는 비-대사성 활성화(S9 첨가하지 않음) 조건하에 항세균성 활성을 갖고, 이는 복귀 돌연변이체 돌연변이 콜로니의 수에 있어서 유의미한 감소(P≤0.05)를 나타내었다.유의미한 항세균성 활성은 대사성 또는 비-대사성 활성화 조건하에 각각의 용량으로 나머지 균주에서 발견되지 않았다.7.3. 침전 현상에 대한 관찰 각각의 균주가 비-대사성 활성화 조건하에 150 내지 1500 ㎍/플레이트의 범위 이내 용량으로 및 대사성 활성화 조건하에 500 ㎍/플레이트 및 1500 ㎍/플레이트의 용량으로 존재하는 경우, 시스템은 시험 샘플 용액을 첨가한 후 백탁되었고, 500 ㎍/플레이트 및 1500 ㎍/플레이트의 용량으로 상부 층에 첨가한 후 유지하였다. 이는 침전이 상기 용량으로 배양 시스템에서 발생하고, 나머지 군에서 침전 현상이 발생하지 않았음을 나타낸다. 각각의 투여군에서 배양 종료시 침전 현상은 발생하지 않았다.7.4. 콜로니 계수상기 분석 결과는, 대사성 또는 비-대사성 조건하에 비히클 대조군에 관해서, 각각의 균주의 자발적인 복귀 돌연변이체 돌연변이 콜로니의 수가 본 발명의 정상적인 범위 내에 있고; 비-대사성 활성화 조건하에 덱손 및 나트륨 아지드 양성 대조군 및 대사성 활성화 조건하에 2-아미노안트라센 양성 대조군에 관해서, 복귀 돌연변이체 돌연변이 콜로니의 수가 분명하게 비히클 대조군에서 복귀 돌연변이체 돌연변이 콜로니의 수의 2배 이상보다 많이 유의미하게 증가하였음(P≤0.05)을 나타내고, 예상된 긍정적인 결과를 보인다.15 ㎍/플레이트 내지 150 ㎍/플레이트 용량의 TA102 균주, 15 ㎍/플레이트 내지 500 ㎍/플레이트 용량의 TA97 균주, 및 15 ㎍/플레이트 내지 1500 ㎍/플레이트 용량의 나머지 균주는 시험 샘플과 관련된 복귀 돌연변이체 돌연변이 콜로니의 수에서 증가하지 않았다. 복귀 돌연변이체 돌연변이 콜로니의 수에 상응하는 범위 내의 용량으로 각각의 균주에서의 약간이지만 통계적으로 유의미한(P≤0.05) 변화는 정상 범위 내에서 정상 파동으로서 간주된다. 상기 분석 결과는, 150 ㎍/플레이트, 500 ㎍/플레이트 및 1500 ㎍/플레이트 이하의 용량의 시험 제품이 상응하는 TA102 균주, TA97 균주 및 나머지 균주에서 돌연변이원성을 갖지 않음을 나타낸다.8. 결론상기 분석 조건하에, 화합물 1 및 화합물 3은 150 ㎍/플레이트 이하의 용량으로 TA102 균주에서 돌연변이원성을 갖지 않고; 500 ㎍/플레이트 이하의 용량으로 TA97에서 돌연변이원성을 갖지 않고; 1500 ㎍/플레이트 이하의 용량으로 TA98, TA100 및 TA1535 균주에서 돌연변이원성을 갖지 않는다. 화합물 1 및 화합물 3은 항-세균 독성을 갖지 않는 용량으로 모든 균주에서 돌연변이원성을 갖지 않는다. N-[4-((3-클로로-4-플루오로페닐아미노))-7-((2-메톡시에톡시))퀴나졸린-6-일]-2-[1-((2-메톡시에틸))피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 및 N-[4-((3-클로로-4-플루오로페닐아미노))-7-((2-메톡시에톡시))퀴나졸린-6-일]-2-[1-((2-메톡시에틸))피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 다이메틸설포네이트는 에임스(Ames) 독성이 없고, 임상 약제에 대한 더욱 바람직한 옵션이다.전술한 바를 고려하여, 본원의 구체적 실시양태가 예시의 목적으로 기재되었지만, 당업자가 본원의 취지 및 범주에서 벗어나지 않고 다양한 변형 또는 개선을 만들 수 있음이 이해될 것이다. 이러한 변형 또는 개선은 모두 본원의 첨부된 청구범위의 범주 내에 속하는 것이다.	N-[4-(3-클로로-4-플루오로페닐아미노)-7-(2-메톡시에톡시)퀴나졸린-6-일]-2-[1-(2-메톡시에틸)피페리딘-4-일리덴]아세트아미드 및 이의 약학적으로 허용되는 염이 개시된다.
[ 발명의 명칭 ] 다중 채널 광학 촬상 장치MULTICHANNEL OPTICS IMAGE CAPTURE APPARATUS [ 기술분야 ] 본 발명의 다중 채널 광학 촬상 장치에 관한 것으로서 적어도 제 1 채널은 제 2 채널과 오버랩하는 적어도 부분적인 시야(field of view)를 포함한다. [ 배경기술 ] 개별 렌즈 대신에 병치된(juxtaposed) 광학 채널들의 광학체의 매핑을 사용하는 다중 채널 광학 촬상 장치가 존재한다([1], [2]. [3]). 채널들 내에 발생되는 개별 이미지들은 개별적으로 촬상되고 전체 이미지에 전자적으로 결합된다. 일부 다중 채널 시스템들은 오버랩으로 작동하는데, 즉 시야의 영역이 몇몇 채널들에 의해 매핑된다. 이는 깊이 맵(depth map)들과 같은 부가적인 정보의 획득을 위하여 사용될 수 있는 중복(redundancy)을 야기한다.그러나, 그러한 중복은 또한 촬상 장치의 전체 해상도를 감소시킨다. 따라서, 일부 경우에서, 두 개의 채널의 샘플링 패턴들이 매핑되는 오브젝트 또는 오브젝트 부분 상에서 서로에 대하여 디튜닝되도록(detuned) 채널들의 시야 방향들이 조정된다. 따라서, 제 2 채널은 그것의 다른 관점에 기인하는 전체 이미지에 대한 또 다른 정보에 기여할 분만 아니라 샘플링의 개선에 의해 이에 기여한다. 각각의 다중 채널 광학체의 성능 및 채널들에 의해 수집되는 데이터의 후-처리와 함께, 이는 또한 초 해상도(super resolution)로 불리는, 개별 이미지들로부터 구성되는 전체 이미지의 고해상도를 야기한다.인접한 채널들이 센서 상에서 측면으로 배치되기 때문에, 이는 거리에 의존하여, 오브젝트가 다른 각에서 출현하는 것과 같은 시차(parallax)를 갖는다. 이러한 시차에 기인하여, 샘플링 패턴들의 디튜닝은 거리에 의존한다. 두 개의 채널이 무한 이상 내에서 디튜닝될 때, 여전히 이러한 채널들의 샘플링 패턴들이 위상이 다르지 않고 정확하게 일치하는 거리들이 존재할 것이다. 이러한 경우들에서, 초 해상도는 더 이상 발생하지 않는다.촬상 장치의 해상도가 전체 이미지와 관련하여 거리에 의존하기 때문에, 부가적인 문제점이 발생한다. 단일 채널 디지털 카메라에서, 광학체의 해상도는 서브샘플링 및 관련 엘리어싱(aliasing)의 방지를 위한 이미지 센서의 샘플링 레이트에 적용되어야만 한다. 이는 매핑 렌즈들 자체의 디자인에 의하거나 또는 또한 광학 저역 통과(optical low-pass)로 불리는 이른바 엘리어싱 방지 필터에 의해 발생한다. 위의 경우에서와 같은 각 해상도가 거리에 의존할 때, 장면(scene)의 저역 통과 효과는 그것의 거리에 따른 각각의 이미지 부분을 위하여 적용되어야만 할 수 있다. 그러나, 동역학적인 국부적으로 적용 가능한 광학 저역 통과 필터들은 지금까지 실현될 수 없었다.거리 의존적 해상도의 문제점은 위에 설명된 어레인지먼트뿐만 아니라, 다른 다중 채널 광학 촬상 장치, 특히 모든 채널의 시야 방향이 동일한 장치와 관련된다([1], [2]). 부가적으로, 이는 오브젝트의 매핑을 위하여 종래의 대물렌즈를 다중 채널 광학체와 결합하는 이른바 플렌옵틱 카메라(plenoptic camera)들과 관련된다([4], [5]).그러나, 단순화된 방식으로, 샘플링 지점들 및 샘플링 패턴들이 다중 채널 광학 촬상 장치에서 언급될 수 있으나, 다중 채널 광학 촬상 장치의 검출기 픽셀은 개별 지점에서 강도를 측정하지 않고, 통합된 방식으로 입체 각을 가로질러 측정한다. 그러나, 설명된 문제점은 오브젝트 거리에 의존하여 동일하게 존재하며, 인접한 채널들의 검출기 픽셀들의 통합 영역은 다소 오버랩한다. 오버랩이 낮을수록, 해상도는 높고 전체 이미지의 이미지 재구성은 더 강력해진다. 그 결과, 또한 이러한 관점에서, 재구성된 전체 이미지의 해상도는 또한 거리에 의존한다.일반적으로, 설명된 문제점은 지금까지 수용되어왔다. 이는 시야의 오버래핑에 의한 해상도 향상으로 작동하는 다중 채널 광학 촬상 장치에서 발생한다. 현재, 이러한 시스템들은 거의 사용되지 않으며 종래의 단일 채널 광학 촬상 장치에서, 이러한 문제점은 존재하지 않는다.가능한 현존하는 접근법은 채널들이 개별적으로 회전되는 카메라 어레이의 제공이다[6]. 이러한 방법으로, 불규칙적 샘플링이 발생될 수 있다. 여기서, 완전한 카메라들의 어레이들, 즉 전체로서 센서와 광학체가 서로에 대하여 뒤틀려야만(twisted) 하는 것은 문제가 있으며, 이는 간결한 방식으로 구성되는 다중 채널 광학 촬상 장치의 제공을 방해한다. 부가적으로, 서로에 대하여 뒤틀리는 이미지 필드들이 서브샘플링 및 관련 엘리어싱을 방지하기 위한 하나의 센서 옆에 위치될 수 없는 단점이 발생할 수 있다.또한 슈도랜덤(pseudorandom) 샘플링 패턴들의 발생을 위하여 특정 기하학적 구조를 갖는 펜로즈 픽셀(Penrose pixel)들이 존재한다[7]. 이는 단일 채널 시스템으로의 해상도 향상을 위하여 사용된다. 오버샘플링은 다중 촬상 및 촬상들 사이의 카메라들의 이동에 의해 발생할 수 있다. 이러한 해결책을 위하여, 사방형(rhombical) 픽셀들의 다른 변이들이 필요하다. 다중 채널 광학 촬상 장치에서, 그러한 구현은 픽셀들의 재개발 및 슈도랜덤 픽셀 어레인지먼트의 배선을 위하여 상당한 노력을 필요로 할 수 있다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 위의 설명들에 따르면, 설명된 단점들을 제거하는 다중 채널 광학 촬상 장치들을 제공하기 위한 필요성이 존재한다. 특히, 해상도가 본질적으로 거리 의존적인 다중 채널 광학 촬상 장치들이 제공되어야 한다. 게다가, 현존하는 해결책들과 비교하여, 이는 쉽게 생산되어야 하고 더 간결한 방식으로 구성되어야 한다. 그러한 방식으로 향상된 다중 채널 광학 촬상 장치들에 의해, 본질적으로 다중 채널 광학 촬상 장치 및 오브젝트 사이의 거리에 독립적인, 고-해상도 오브젝트 촬상들이 가능한 다중 채널 광학 촬상 방법들이 사용 가능해야만 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 목적은 첨부된 청구항들에 따른 다중 채널 광학 촬상 장치 및 다중 채널 광학 촬상 방법들에 의해 해결된다. 각각의 종속항들은 본 발명의 실시 예들의 구현들과 관련된다. 청구항들 및 설명들에서의 도면 부호들은 단지 가독성(readability)을 향상시키는 역할을 하며 제한된 영향을 갖는 것을 의미하지는 않는다.청구된 장치들 및 방법들은 다중 채널 광학 촬상 장치의 채널들에 의해 촬상된 개별 이미지들로부터 상대적으로 고-해상도 및 강력한 전체 이미지들을 획득하는 것을 가능하게 한다. 전체 이미지의 해상도는 대부분 거리 의존적인데 그 이유는 채널들이 오브젝트 공간을 위한 향상된 샘플링 패턴을 제공하기 때문이다. 본 발명은 특정 거리들에서 오브젝트들이 촬상될 때, 본 발명에 따라 밀도가 충분히 거리 독립적인, 상대적으로 동질의 오브젝트 공간의 샘플링이 획득되도록, 채널들의 샘플링 지점들이 모이는 것을 방지한다. 동시에, 다중 채널 광학 촬상 장치들의 생산이 상대적으로 간단하고 비용 효율적인 방식으로 실행되도록, 생산하기에 상대적으로 쉬운 검출기 픽셀들의 배치를 선택하는 것이 가능해진다. 본 발명의 실시 예들에서, 다중 채널 광학 촬상 장치의 각각의 채널은 검출기 픽셀들의 2차원 어레인지먼트 및 검출기 픽셀들의 어레인지먼트 상으로의 매핑을 유발하도록 구성되는 매핑 광학체를 포함한다. 그러한 방법으로, 모든 채널은 비용 효율적인 생산이 가능해지도록, 비교 생산 방법들로 생산될 수 있다. 부가적으로, 검출기 픽셀들의 2차원 어레인지먼트는 간결한 디자인을 허용한다. 그러나, 적용의 목적이 그러한 구성을 필요하게 할 때 하나 또는 몇몇 채널, 예를 들면 두 개의 채널만이 검출기 픽셀들의 2차원 어레인지먼트 및 검출기 픽셀들의 어레인지먼트 상으로의 매핑을 유발하도록 구성되는 매핑 광학체를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 2차원 어레인지먼트는 모든 채널 내의 하나의 평면 내에 배치되나, 하나 또는 몇몇 채널들에서 이는 또한 그러한 방식으로 구성되는 채널의 시야 방향에 대하여 오목 또는 볼록 방식으로 굽을 수 있다.본 발명의 실시 예들에서, 두 개 이상의 채널은 다른 시야 방향을 갖는다. 그러한 방법으로, 바람직하게는, 상대적으로 큰 오브젝트 공간이 샘플링될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 모든 채널은 다른 시야 방향을 갖는다. 그러나, 실시 예들에서, 또한 두 개 이상의 채널이 동일한 시야 방향을 갖는 것이 의도된다. 또한, 모든 채널은 동일한 시야 방향을 갖는다. 그러한 방법으로, 특히 효율적인 초 해상도가 획득될 수 있다.일부 실시 예들에서 두 개 이상의 채널의 시야가 부분적으로 오버랩하는 것이 의도된다. 그러한 방법으로, 개별 채널들의 개별 이미지들로 구성되는 전체 이미지의 높은 해상도가 획득될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 두 개의 채널의 시야가 10% 이상, 예를 들면 또한 20% 이상 또는 심지어 30% 이상, 70% 이상 또는 또한 90% 이상 오버랩하는 것이 의도된다. 일부 실시 예들에서, 두 개의 인접한 채널의 시야는 부분적으로 오버랩한다. 일부 실시 예들에서, 모든 채널의 시야는 부분적으로 오버랩한다. 본 발명의 일부 실시 예들은 두 개 이상의 채널의 시약 완전히 오버랩하는 것을 특징으로 한다. 그러한 방법으로, 특히 높은 로컬 해상도(local resolution)가 획득될 수 있다. 또한, 모든 채널의 시야가 완전히 오버랩하는 실시 예들이 제공된다. 다른 실시 예들에서, 두 개의 인접한 채널의 시야는 완전히 오버랩한다.본 발명의 일부 실시 예들에서, 아나모픽(anamorphic) 매핑 광학체는 왜곡된(distorted) 방식으로 제 1 채널의 검출기 픽셀들의 어레인지먼트 상에 1.05 또는 그 이상의 종횡비(aspect ratio)에서 매핑되는 오브젝트를 매핑하도록 구성되는 하나 또는 몇몇 마이크로렌즈(microlense)를 포함한다. 그러한 방법으로, 다중 채널 광학 촬상 장치 내의 어떠한 해상도 향상이 거리 독립적인 방식으로 설정될 수 있는지의 도움으로 특히 바람직하고 간단한 해상도를 야기할 수 있다. 이러한 실시 예의 특별한 장점은 검출 방향을 따라 평면도에서 직사각형 및 부가적으로 정사각형 형태를 갖는 일반적으로 알려진 픽셀들이 특히 비용 효율적인 다중 채널 광학 촬상 장치의 생산이 가능하게 하기 위한 촬상을 위하여 사용될 수 있다는 것을 도출할 수 있다. 촬상 장치의 일부 또는 모든 검출기 픽셀은 또한 평면도에서 직사각형 및 부가적으로 비-정사각형 형태를 가질 수 있다. 두 개가 동일한 길이이고 부가적으로 서로 평행하게 배치되는, 검출기 픽셀들의 검출기 방향에 평행한 평면도에서 검출기 픽셀이 정확하게 4개의 측면을 가질 때 검출기 픽셀은 서로 평행한 검출기 픽셀의 측면들의 두 개의 측면 쌍이 각각 두 개의 측면 사이에서 각각 4개의 동일한 90o의 내부 각을 포함하는 기하학적으로 가까운 형태를 형성하도록, 직사각형 및 부가적으로 비-정사각형 형태를 가질 수 있다. 서로 90o의 각으로 배치되는 이러한 기하학적 형태의 측면들은 90o의 각으로 서로 배치되는 검출기 픽셀의 두 개의 측면이 서로에 대하여 1:1의 검출기 픽셀 종횡비와 다른 검출기 픽셀 종횡비를 갖도록, 상이한 길이들을 갖는다. 이와 대조적으로, 직사각형 및 부가적으로 정사각형 형태를 갖는 검출기 픽셀은 각각 4개의 동일한 90o의 내부 각을 갖는 기하학적으로 가까운 형태를 형성하는 동일한 길이의 4개의 측면을 가질 수 있고, 서로 90o의 각으로 배치되는 두 개의 측면의 검출기 픽셀 종횡비는 1:1이다. 직사각형 및 부가적으로 비-정사각형 형태를 갖는 검출기 픽셀들의 검출기 픽셀 종횡비는 예를 들면 1:1.05 이상, 예를 들면 1:1.1 이상, 1:2 이상 또는 심지어 1:10 이상이다. 검출기 픽셀의 검출기 픽셀 종횡비는 마이크로렌즈들에 의해 유발될 수 있는, 광학 왜곡의 형성비와 동일하지 않을 수 있다. 본 발명의 실시 예들에서, 하나, 몇몇 또는 모든 검출기 픽셀은 검출기 방향을 따라 평면도에서 둥근, 예를 들면 원형 형태를 갖는다. 실시 예들에서, 매핑되는 오브젝트의 종횡비가 1:1.1 이상의 비율로 마이크로렌즈들에 의해 왜곡되는 것이 의도된다. 다른 실시 예들은 매핑되는 오브젝트의 종횡비가 1:1.3 이상, 1:1.5 이상, 1:2 이상, 1:5 이상, 1:8 이상 또는 심지어 1:10 이상의 비율로 왜곡된 방식으로 매핑되는 것을 의도한다. 비-왜곡된 매핑는 1:1의 종횡비에서의 매핑과 상응하며, 이는 오브젝트가 종횡비와 관련하여 이미지 평면 내에서 현실적인 방법으로 매핑되는 것을 의미한다. 예를 들면 본 발명의 오브젝트가 왜곡 매핑 광학체에 의해 해결되지 않을 때, 매핑 광학체의 두 개 이상의 마이크로렌즈가 1:1의 종횡비로, 즉 왜곡되지 않는 방식으로 매핑되는 오브젝트를 매핑하도록 구성되는 것이 가능하다. 그리고 나서, 예를 들면, 심지어 모든 마이크로렌즈는 비-왜곡된 방식으로 매핑되는 오브젝트를 매핑하도록 구성될 수 있다.본 발명의 실시 예들에서 모든 채널이 채널 당 픽셀 행(row)들 및 픽셀 열들의 픽셀 매트릭스를 형성하는, 검출기 픽셀들의 2차원 어레인지먼트를 포함하는 것이 의도되며, 각각의 채널의 픽셀 행들 및 픽셀 열들은 서로 직각으로 배치되고 모든 채널은 서로 직각으로 배치되는 채널 행들 및 채널 열들의 채널 매트릭스 내에 배치되며 아나모픽 매핑 광학체는 1:1.05 이상의 종횡비로 모든 다른 채널과 관련하여 각각의 채널에 고유하게(uniquely) 할당 가능한 왜곡을 갖는 각각의 채널 상으로 매핑되는 오브젝트를 매핑하도록 구성된다. 그러한 방법으로, 다른 채널들과 비교하여 각각의 채널 상에 다르게 왜곡되는, 촬상되는 오브젝트의 매핑이 촬상될 수 있도록 달성될 수 있다. 그러한 방법으로, 매우 바람직한 방식으로 채널의 샘플링 패턴들이 특정 거리에서 모이는 것이 방지될 수 있는데, 그 이유는 매핑 광학체가 각각의 채널 상에서 오브젝트의 상이한 매핑을 매핑할 수 있기 때문이다. 따라서, 거리 의존적 해상도 손실이 감소되거나 또는 방지된다. 대신에, 샘플링 패턴이 거리에 관계없이 상대적으로 균일하게 남아있고 일정하게 충분한 밀도를 갖는 오브젝트 공간의 거리 의존적 샘플링을 가능하게 하는 것이 달성된다. 일부 실시 예들에 따르면, 매핑 광학체는 각각의 채널을 가로지르거나 또는 채널의 모든 이미지 지점/픽셀을 가로질러 왜곡이 균일하게 발생하거나 또는 적어도 연속적으로 변이하도록 구성된다. 연속적인 변이는 예를 들면, 각각의 채널의 모서리를 향하는 채널에 대하여 광학체의 중심으로부터 확장(종횡비＞1)의 변화를 의미한다. 일부 실시 예들에서, 모든 채널이 각각 하나의 픽셀 매트릭스를 갖고, 픽셀 열 폭은 픽셀 열 폭과 동일한 것이 의도된다. 다른 실시 예들에서, 모든 채널이 각각 하나의 픽셀 매트릭스를 갖고, 픽셀 열 폭은 픽셀 열 폭과 동일하지 않는 것이 의도된다. 부가적으로, 채널 매트릭스 내에 부가적으로 또는 대안으로서 모든 채널 열이 서로 평행하게 배치되거나 및/또는 모든 채널 행이 서로 평행하게 배치되는 실시 예들이 제공된다. 그러한 채널 매트릭스들은 특히 생산하기에 쉽고 따라서 본 발명의 다중 채널 광학 촬상 장치의 비용 효율적인 생산을 허용한다. 실시 예들에서, 제 1 채널이 제 2 채널의 검출기 픽셀들과 상이한 검출기 픽셀 종횡비를 갖는 검출기 픽셀들을 포함하는 것이 의도된다. 채널의 모든 검출기 픽셀은 동일한 검출기 픽셀 종횡비 또는 다른 검출기 픽셀 종횡비를 가질 수 있다. 부가적으로, 채널의 모든 검출기 픽셀은 평면도에서 동일하거나 또는 다른 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 채널의 일부 또는 모든 픽셀은 직사각형 및 부가적으로 비-정사각형일 수 있다. 또한, 모든 채널의 일부 또는 모든 검출기 픽셀은 직사각형 및 부가적으로 비-정사각형일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 각각의 채널은 직사각형 및 부가적으로 비-정사각형인 검출기 픽셀들을 포함하고, 이러한 검출기 픽셀들의 검출기 종횡비는 각각의 채널이 그것의 검출기 픽셀 종횡비를 통하여 고유하게 식별되도록, 채널 간에 개별적으로 다르다.일부 실시 예들에서, 아나모픽 매핑 광학체는 실린더형 표면을 갖는 하나 또는 몇몇 마이크로렌즈를 포함한다. 이는 특히 검출기 픽셀들의 어레인지먼트 상으로 왜곡된 방식으로 수정된 종횡비로 매핑되는 오브젝트의 매핑에 적합할 수 있다. 실시 예들에서, 이러한 마이크로렌즈들은 실린더형 렌즈들로서 구성된다.본 발명의 일부 실시 예들은 다중 채널 광학 촬상 장치가 부가적으로 매핑 광학체의 상류에 또 다른 렌즈를 포함하는 플렌옵틱 카메라인 것을 의도한다. 매핑 광학체는 아나모픽 매핑 광학체일 수 있다. 플렌옵틱 카메라들은 복수의 채널을 통한 오브젝트의 개벌 촬상들의 발생 및 그 뒤에 개별 촬상들로 구성되는 전체 이미지의 초점의 설정을 허용할 수 있다. 그러한 플렌옵틱 카메라들에서, 일정한 고해상도를 갖는 오브젝트 공간의 거리 독립적 샘플링이 특히 바람직할 수 있는데, 그 이유는 플렌옵틱 카메라들의 일부 실시 예들에서, 상업용 디지털 카메라의 채널들과 비교하여 감소된 픽셀 수를 갖는 채널들이 사용되기 때문이다. 따라서, 거리 의존적 해상도 손실을 감소시키는 것이 특히 바람직할 수 있다.본 발명의 일부 실시 예들에서, 제 1 채널은 검출기 픽셀들의 제 1의 2차원 어레인지먼트를 포함하고 제 2 채널은 검출기 픽셀들의 제 2의 2차원 어레인지먼트를 포함하며, 제 1의 2차원 어레인지먼트는 제 2의 2차원 어레인지먼트와 관련하여 비합치된다(incongruent). 이는 다중 채널 광학 촬상 장치의 광학체뿐만 아니라 촬상 전자파도 해상도가 대부분 또는 완전히 거리 독립적이 되도록, 촬상되는 오브젝트의 향상된 해상도에 기여할 수 있는 실시 예를 허용한다. 만일 제 2의 2차원 어레인지먼트가 제 1의 2차원 어레인지먼트와 관련하여 비합치되면, 촬상되는 오브젝트의 거리와 관계없이 충분히 거리 독립적인 밀도를 갖는 오브젝트 공간의 상대적으로 균일한 샘플링이 가능한 것이 달성된다. 향상된 다중 채널 광학 촬상 장치가 제공되도록, 시차 효과는 감소되거나 또는 방지된다. 비합치 방식으로 2차원으로 배치되는 제 1 채널 및 제 2 채널의 검출기 픽셀들을 결합함으로써, 아나모픽 매핑 광학체의 사용에 더하여, 거리 독립적인 균일한 샘플링의 또 다른 향상이 획득될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 1 채널이 제 2 채널의 검출기 픽셀 종횡비와 다른 검출기 픽셀 종횡비를 갖는 검출기 픽셀들을 포함하는 것이 의도된다. 채널의 모든 검출기 픽셀은 동일한 검출기 픽셀 종횡비 또는 다른 검출기 픽셀 종횡비를 가질 수 있다. 부가적으로, 채널의 모든 검출기 픽셀은 동일하거나 또는 다른 형태를 갖는다. 예를 들면, 채널의 모든 검출기 픽셀은 직사각형 및 부가적으로 비-정사각형일 수 있다. 또한, 모든 채널의 모든 검출기 픽셀은 직사각형 및 부가적으로 비-정사각형일 수 있다. 일부 실시 예들에서, 각각의 채널은 직사각형 및 부가적으로 비-정사각형인 검출기 픽셀들을 포함하고, 이러한 검출기 픽셀들의 검출기 픽셀 종횡비는 각각의 채널이 그것의 검출기 픽셀 종횡비를 통하여 고유하게 식별되도록, 채널마다 개별적으로 다르다.본 발명의 일부 실시 예들에서, 제 1의 2차원 어레인지먼트는 제 2의 2차원 어레인지먼트와 기하학적으로 유사하다. 이는 두 개의 채널을 위하여 본질적으로 동일한 생산 방법들이 사용될 수 있다는 장점을 가질 수 있다. 이러한 방법으로, 생산하기에 상대적으로 쉬울 수 있는 비용 효율적인 다중 채널 광학 촬상 장치가 제공될 수 있다. 일부 실시 예들에서의 제 1의 2차원 어레인지먼트는 회전 확장(rotation extension) 및 이동(translation)에 의해 제 2의 2차원 어레인지먼트로 전환될 수 있다. 다른 실시 예들에서, 제 1의 2차원 어레인지먼트는 폴딩 확장(folding extension) 및 이동에 의해 제 2의 2차원 어레인지먼트로 전환될 수 있다. 예를 들면, 실시 예들에서, 제 1의 2차원 어레인지먼트는 이동 및 어레인지먼트의 평면 내의 부가적인 2차원 확장에 의해 제 2의 2차원 어레인지먼트로 전환될 수 있다. 제 1의 2차원 어레인지먼트는 또한 제 2의 2차원 어레인지먼트와 비합치될 수 있고 다를 수 있다. 예를 들면, 제 1의 2차원 어레인지먼트는 검출기 픽셀들의 열들과 행들의 정규 그레이팅(regular grating)으로 구성될 수 있으며, 제 2의 2차원 어레인지먼트는 검출기 픽셀들, 예를 들면 펜로즈 픽셀들의 슈도랜덤 어레인지먼트로 구성된다.본 발명의 일부 실시 예들은 제 1의 2차원 어레인지먼트가 이동 및 부가적인 1차원 확장에 의해 제 2의 2차원 어레인지먼트로 전환될 수 있는 것을 의도한다. 이는 채널 전자장치를 위한 생산 방법이 특히 간단할 수 있다는 장점을 야기할 수 있다.일부 실시 예들에서, 제 1의 2차원 어레인지먼트는 이동, 부가적인 1차원 확장 및 부가적인 회전에 의해 제 2의 2차원 어레인지먼트로 전환될 수 있다. 이러한 방법으로, 오브젝트 공간을 위하여 특히 바람직한 샘플링 패턴들이 제공될 수 있다. 제 1의 2차원 어레인지먼트 및 제 2의 2차원 어레인지먼트는 밀도가 충분히 거리 독립적인 오브젝트 공간의 특히 균일한 샘플이 가능하도록 부가적인 회전에 의해 서로 디튜닝될 수 있다. 평면도에서, 예를 들면, 회전은 90o에 의해 제 1의 2차원 어레인지먼트에 직각으로 실행될 수 있다. 이는 제 1의 2차원 어레인먼트와 충분히 다를 수 있는 제 2의 2차원 어레인지먼트가 간단한 방식으로 제공될 수 있다는 것을 의미한다. 다른 실시 예들에서, 회전은 작은데, 예를 들면 90o 미만 또는 심지어 70o 미만 또는 심지어 50o 미만 또는 심지어 예를 들면 25o 미만이다. 본 발명의 실시 예들에서, 제 1의 2차원 어레인지먼트는 예를 들면 검출기 픽셀 종횡비가 제 2의 2차원 어레인지먼트의 검출기 픽셀 종횡비와 다른 검출기 픽셀들을 제 1의 2차원 어레인지먼트가 포함할 때, 이동 및 부가적인 회전에 의해 제 2의 2차원 어레인지먼트로 전환될 수 있다. 이러한 방법으로, 생산은 매우 단순화되고 시차 효과는 여전히 감소될 수 있다.2차원 어레인지먼트의 검출기 픽셀들이 픽셀 행들 및 픽셀 열들 내에 배치되고 제 2의 2차원 어레인지먼트의 검출기 픽셀들이 픽셀 행들 및 픽셀 열들 내에 배치되는 본 발명의 실시 예들이 존재한다. 이러한 방법으로, 오브젝트 공간의 특히 규칙적인 샘플링이 획득될 수 있고 촬상 장치는 생산하기가 쉬울 수 있으며, 동시에, 제 1의 2차원 어레인지먼트 및 제 2의 2차원 어레인지먼트의 비합치에 기인하여, 본질적으로 전체 이미지의 거리 독립적인 해상도가 획득될 수 있다. 검출기 픽셀들은 평면도에서 직사각형 및 부가적으로 정사각형 형태를 가질 수 있다. 그러한 검출기 픽셀들은 특히 생산하기가 쉽다. 그러나, 하나 또는 몇몇 검출기 픽셀들은 또한 예를 들면 픽셀 행들 및 픽셀 열들이 직사각형 및 부가적으로 비-정사각형 필드들을 형성하는, 즉 행 높이가 열 깊이와 다른 픽셀 매트릭스 내에 배치될 때, 특히 광범위한 방식으로 본 발명의 실시 예들에서 예를 들면 픽셀 행들 및 픽셀 열들을 채울 수 있도록 하기 위하여, 평면도에서 직사각형 및 부가적으로 비-정사각형 형태를 가질 수 있다. 검출기 픽셀은 두 개가 동일한 길이이고 부가적으로 서로 평행하게 배치되는, 검출기 픽셀들의 검출 방향과 평행하게 평면도에서 정확하게 4개의 측면을 가질 때 서로 평행한 검출기 픽셀의 측면들의 두 개의 측면 쌍이 각각 두 개의 측면 사이에 각각 90o의 4개의 동일한 내부 각을 포함하는 기하학적으로 가까운 형태를 형성하도록, 직사각형 및 부가적으로 비-정사각형 형태를 가질 수 있으며, 서로 90o의 각으로 배치되는 이러한 기하학적 형태의 측면들은 서로 90o의 각으로 배치되는 검출기 픽셀의 두 개의 측면이 1:1의 검출기 픽셀 종횡비와 다른 검출기 픽셀 종횡비를 갖도록, 다른 길이들을 갖는다. 이와 대조적으로, 직사각형 및 부가적으로 정사각형 형태를 갖는 검출기 픽셀은 각각 90o의 4개의 동일한 내부 각을 갖는 기하학적으로 가까운 형태를 형성하는 동일한 길이의 4개의 측면을 가질 수 있고, 서로 90o의 각으로 배치되는 두 측면의 검출기 픽셀 종횡비는 1:1이다. 직사각형 및 부가적으로 비-정사각형 검출기 픽셀의 검출기 픽셀 종횡비는 예를 들면 1:1.05 이상, 예를 들면 1:1.1 이상, 1:2 이상 또는 심지어 1:10 이상이다. 검출기 픽셀의 검출기 픽셀 종횡비는 실시 예들에서 마이크로렌즈들에 의해 영향을 받을 수 있는 광학 왜곡의 종횡비와 동일하지 않을 수 있다. 본 발명의 실시 예들에서, 하나, 몇몇 또는 모든 검출기 픽셀은 검출기 방향을 따라 평면도에서 둥근, 예를 들면 원형 형태를 가질 수 있다.본 발명의 일부 실시 예들은 제 1의 2차원 어레인지먼트의 두 개의 인접한 픽셀 행이 서로 평행하게 배치되고 행 높이를 가지며 제 1의 2차원 어레인지먼트의 두 개의 인접한 픽셀 열이 서로 평행하게 배치되고 열 폭을 가지며, 행 높이는 양에서 열 폭과 다르다는 것을 의도한다. 이러한 방법으로 한편으로는 채널들을 위한 특히 간단한 규칙적인 2차원 어레인지먼트들이 생산될 수 있고, 다른 한편으로는 밀도가 충분히 거리 독립적인 오브젝트 공간의 뛰어난 샘플링이 사용될 수 있는 것이 가능해진다. 부가적으로 제 2의 2차원 어레인지먼트의 두 개의 인접한 픽셀 행이 서로 평행하게 배치되고 행 높이를 가지며 제 2의 2차원 어레인지먼트의 두 개의 인접한 픽셀 열이 서로 평행하게 배치되고 열 폭을 가지며, 열 폭이 양에서 행 높이와 다를 때 특별한 장점들이 획득될 수 있다. 다중 채널 광학 촬상 장치의 두 개의 채널 또는 또한 모든 채널이 픽셀 행들 및 픽셀 열들 내에 그러한 방법으로 배치되는 검출기 픽셀들의 그러한 2차원 어레인지먼트들을 포함할 때, 채널들은 다중 채널 광학 촬상 장치에 대한 오브젝트의 거리와 관계없이 오브젝트 공간의 상대적으로 균일한 샘플링이 가능하도록, 모두 간단한 방법들로 생산될 수 있고 서로에 대하여 채널들의 디튜닝이 특히 쉽게 획득될 수 있다.따라서, 본 발명에 따른 일부 다중 채널 광학 촬상 장치들에서, 제 1의 2차원 어레인지먼트의 픽셀 행들이 서로 평행하게 배치되고 제 1의 2차원 어레인지먼트의 픽셀 열들이 서로 평행하게 배치되며 제 2의 2차원 어레인지먼트의 픽셀 행들이 서로 평행하게 배치되고 제 2의 2차원 어레인지먼트의 픽셀 열들이 서로 평행하게 배치되며, 제 1의 2차원 어레인지먼트의 행 높이는 제 2의 2차원 어레인지먼트와 관련하여 양에서 다르거나 및/또는 제 1의 2차원 어레인지먼트의 열 폭은 제 2의 2차원 어레인지먼트와 관련하여 양에서 다른 것이 의도된다. 이는 오브젝트 공간의 거리 독립적인 상대적으로 균일한 샘플링이 가능하도록, 두 개의 채널 사이의 특히 바람직한 디튜닝을 허용한다. 이러한 방법으로, 많은 샘플링 지점들이 전체 이미지의 해상도가 이러한 거리에서 감소될 수 있는 것과 같이, 특정 거리들에 모이는 것이 방지된다.실시 예들에서, 제 1의 2차원 어레인지먼트의 픽셀 행들 및 픽셀 열들이 서로 직각이거나 및/또는 제 2의 2차원 어레인지먼트의 픽셀 행들 및 픽셀 열들이 서로 직각인 것이 의도된다. 이러한 방법으로, 오브젝트 공간은 이미지 공간을 위하여 동일한 규칙적인 래스터(raster)가 사용되도록, 규칙적인 래스터로 샘플링될 수 있고, 불규칙한 래스터 사이, 예를 들면 채널의 전환 및 전체 이미지의 규칙적인 래스터가 생략될 수 있다, 이러한 방법으로, 개별 채널들의 촬상들로부터 전체 이미지의 발생은 단순화될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 행들이 제 1의 2차원 어레인지먼트와 관련하여 90o 미만의 각으로 둘러싸는 것이 의도된다. 여기서, 일부 실시 예들은 각이 70o 미만, 50o 미만, 30o 미만, 또는 심지어 10o 미만인 것을 제공한다. 이러한 방법으로, 예를 들면, 사방형 픽셀들이 사용될 수 있는, 사방형 2차원 어레인지먼트들이 발생될 수 있다. 일부 실시 예들에서, 제 2의 2차원 어레인지먼트의 행들 및 열들이 90o 미만의 각으로 둘러싸는 것이 의도된다. 실시 예들은 각이 80o 미만, 60o 미만, 40o 미만, 20o 미만 또는 10o 미만인 것을 제공한다. 만일 제 1 채널의 행들 및 열들 사이의 각 및/또는 제 2 채널의 행들 및 열들 사이의 각이 90o, 즉 채널의 행들 및 열들이 각각 서로 직각일 때, 실시 예들에서, 특히 생산하기에 쉬울 수 있는, 직사각형 및 부가적으로 비-정사각형 픽셀들 및/또는 직사각형 및 부가적으로 정사각형 검출기 픽셀들이 사용될 수 있다.본 발명의 실시 예들에서, 제 1 채널 및 제 2 채널은 직접적으로 병치된다. 이는 제 1 채널 및 제 2 채널 사이에 더 이상의 채널이 배치되지 않는 것을 의미한다. 이러한 방법으로, 상당 부분 서로 경사져야만 하는 채널의 각각의 검출기 픽셀들의 시야 방향들 없이 센서들의 시야들의 부분적이거나 또는 완전한 오버랩이 획득될 수 있다. 이는 다중 채널 광학 촬상 장치의 생산을 단순화할 수 있고 또한 도 비용 효율적으로 만들 수 있다.본 발명의 실시 예들은 다중 채널 광학 촬상 장치의 모든 채널이 서로 옆에 규칙적으로 배치되도록 구성된다. 서로 옆에 규칙적으로 배치되는 채널들의 양은 특히 쉬운 방식으로 광학 공간의 규칙적인 샘플링을 가능하게 할 수 있다. 또한, 그러한 방법으로 구성된 다중 채널 광학 촬상 장치는 단순화된 방식으로 생산될 수 있다. 그러나, 일부 실시 예들에서, 다중 채널 광학 촬상 장치의 채널들뿐만 아니라 또한, 예를 들면 일부 또는 모든 채널의 픽셀들은 평면 내에 임의로 배치된다. 이는 특히 신뢰할만한 방식으로 오브젝트 공간의 충분히 거리 독립적인 샘플링을 가능하게 하는데, 그 이유는 이러한 방법으로 촬상의 해상도가 감소될 수 있는 것과 같이, 많은 샘플링 지점들이 특정 거리에서 오버랩하는 것은 극히 가능성이 없기 때문이다. 일부 실시 예들에서, 본 발명에 따른 다중 채널 광학 촬상 장치는 제 1의 2차원 어레인지먼트와 관련하여 그리고 제 2의 2차원 어레인지먼트와 관련하여 모두 비합치되는 검출기 픽셀들의 제 3의 2차원 어레인지먼트를 포함하는 제 3 채널을 포함한다. 3개의 채널의 사용에 의해, 매핑되는 오브젝트의 해상도는 향상될 수 있다. 또한 해상도 향상들은 더 많은 채널에 의해 획득될 수 있다. 또 다른 해상도 향상들은 4, 5, 6, 또는 그 이상, 10 이상, 15 이상, 30 이상 또는 심지어 50 이상의 채널의 사용에 의해 획득될 수 있다. 그때, 각각의 채널들이 서로의 채널과 관련하여, 다른 채널들과 관련하여 비합치되는 검출기 픽셀들의 2차원 어레인지먼트를 포함하는 것이 바람직할 수 있다. 이러한 방법으로, 해상도는 촬상되는 오브젝트 및 다중 채널 광학 촬상 장치 사이의 어떠한 임의의 거리에서도 거의 일정하거나 또는 완전히 일정하게 남을 수 있다. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 일부 실시 예들은 제 1 채널, 제 2 채널 및 제 3 채널이 다중 채널 광학 촬상 장치의 모든 채널이 서로 평행한 채널 행들 및 서로 평행한 채널 열들을 형성하는 공통 채널 매트릭스 내에 배치되고, 채널 행들 및 채널 열들은 서로 직각으로 배치되고 제 1의 2차원 어레인지먼트, 제 2의 2차원 어레인지먼트 및 제 3의 2차원 어레인지먼트가 각각 평행한 픽셀 열들 및 픽셀 열들에 직각으로 배치되는 평행한 픽셀 행들의 픽셀 매트릭스 내에 배치되는 검출기 픽셀들로 형성되는 것이 의도된다. 이러한 방법으로, 특히 간단한 방식으로 오브젝트 공간의 매우 규칙적인 샘플링이 가능해지고 동시에 거의 또는 완전히 거리 독립적인 해상도가 가능해진다. [ 도면의 간단한 설명 ] 첨부된 도면들에 본 발명의 실시 예들이 도시된다.도 1a 및 1b는 다중 채널 광학 촬상 장치 내의 시차 효과를 갖는 광학 경로의 1차원 도면이다(종래 기술).도 2는 다중 채널 광학 촬상 장치에서 청구항 1에 따른 본 발명의 일 실시 예의 평면도이다.도 3은 플렌옵틱 카메라인 다중 채널 광학 촬상 장치에서 청구항 11에 따른 본 발명의 제 1 실시 예의 평면도이다.도 4는 다중 채널 광학 촬상 장치에서 청구항 11에 따른 본 발명의 제 2 실시 예의 평면도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 위에 설명된 도 1 내지 4를 참조하여 본 발명이 아래에 설명될 것이다. 그러나, 본 발명은 도시된 실시 예들에 한정되지 않는다. 상이한 실시 예들에서의 동일한 도면 부호들은 유사한 소자들을 설명한다.도 1은 다중 채널 광학 촬상 장치(1p) 내의 시차 효과를 갖는 광학 경로를 도시한다. 다중 채널 광학 촬상 장치(1p)는 몇몇 채널들(2p, 3p)의 개별 이미지들로부터 전체 이미지를 발생시키도록 구성된다. 도 1a는 제 1 채널(2p) 및 제 2 채널(3p)을 도시하며, 제 1 채널(2p)은 검출기 픽셀들(4p)의 제 1의 2차원 어레인지먼트를 포함하고 제 2 채널(3p)은 검출기 픽셀들(4p)의 제 2의 2차원 어레인지먼트를 포함한다. 제 1 채널(2p)은 4개의 검출기 픽셀(4p)을 포함하고 제 2 채널(3p)은 4개의 검출기 픽셀(4p)을 포함한다. 검출기 픽셀들(4p)은 각각 정사각형 형태를 갖고 각각 각각의 채널(2p, 3p) 내에 유사한 방식으로 서로 옆에 규칙적으로 배치된다. 제 1 채널(2p) 및 제 2 채널(3p)은 부가적으로 검출기 픽셀들(4p)의 어레인지먼트 상으로의 매핑을 유발시키도록 구성되는 매핑 광학체(5p)를 포함한다. 각각의 검출기 픽셀(4p)을 위하여, 매핑 광학체(5p)는 각각 1:1의 종횡비에서, 즉 매핑 광학체 아래에 배치되는 검출기 픽셀(4p) 상으로 비-왜곡된 방식으로 매핑되는 오브젝트를 매핑하도록 구성되는 마이크로 렌즈를 포함한다. 제 1 채널(2p) 및 제 2 채널(30)은 제 1 채널(2p)의 시야가 오브젝트 공간 내의 제 2 채널(3p)의 시야를 완전히 오버랩하도록, 다른 시야 방향들(B1 및 B2)을 갖는다.검출기 픽셀들(4p) 및 검출기 픽셀들(4p) 상으로 1:1의 종횡비에서 매핑되는 오브젝트를 매핑하는 광학체(5p)의 각각의 동일한 규칙적인 어레인지먼트에 의해, 도 1b에 따른 전체 이미지의 해상도는 거리 의존적이다. 제 1 채널(2p) 및 제 2 채널(3p)은 그것들 각각의 4개의 검출기 픽셀(4p)을 갖는 최대 8개의 샘플링 영역에서 촬상되는 오브젝트를 샘플링할 수 있다. 따라서, 거리들(d1 및 d2)에서, 단일 채널 광학 촬상 장치와 관련하여, 최대 4개의 샘플링 영역 대신에 6개까지 촬상되는 오브젝트의 슈퍼 샘플링(super sampling)이 발생할 수 있다. 거리(d3)에서, 제 1 채널(2p)의 검출기 픽셀들(4p)의 샘플링 영역들은 제 2 채널(3p)의 검출기 픽셀들(4p)의 샘플링 영역들과 오버랩한다. 그러나, 전체 이미지의 이미지 해상도가 거리들(d1 및 d2)과 관련하여 감소되도록, 5개의 샘플링 영역만이 존재한다. 이는 시차 효과로 불린다. 이는 문제점을 나타내는데 그 이유는 촬상되는 오브젝트의 거리와 관계없이 검출기 픽셀들(4p)의 모든 가능한 샘플링 영역의 최적 사용을 획득하는 것이 바람직하기 때문이다. 따라서, 샘플링 영역들의 오버래핑은 가능한 높은 해상도를 갖는 전체 이미지를 획득할 수 있도록 감소되거나 또는 완전히 방지되어야만 한다.첫 번째 해결책으로서, 본 발명은 다중 채널 광학 촬상 장치(1)를 제안하며, 적어도 제 1 채널(2)은 아나모픽 매핑 광학체(5)를 포함하고 제 1 채널(2)은 제 2 채널(3)과 오버랩하는 적어도 부분적인 시야를 갖는다. 두 번째 해결책으로서, 본 발명은 적어도 제 1 채널(2) 및 제 2 채널(3)을 포함하는 다중 광학 촬상 장치를 제안하며, 제 1 채널(2)은 제 2 채널(3)과 오버랩하는 적어도 부분적인 시야를 포함하고, 제 1 채널(2)은 검출기 픽셀들(4)의 제 1의 2차원 어레인지먼트를 포함하고 제 2 채널(3)은 검출기 픽셀들(4)의 제 2의 2차원 어레인지먼트를 포함하며 제 1의 2차원 어레인지먼트는 제 2의 2차원 어레인지먼트와 비합치된댜. 이에 의해, 채널들(2, 3)의 개별 이미지들로부터 형성되는 전체 이미지가 매핑되는 오브젝트의 거리와 관계없이 본질적으로 일정한 세부 해상도를 포함하도록, 검출기 픽셀들(4)의 샘플링 영역들의 거리 의존적 오버래핑이 감소되거나 또는 완전히 방지되는 것이 각각 획득된다.첫 번째 제안된 해결책에 따른 본 발명의 일 실시 예가 도 2에 도시된다. 이미지 평면 내에 평면도로 도시된 형태의 다중 채널 광학 촬상 장치(1)는 제 1 채널(2) 및 제 2 채널(3)을 포함한다. 제 1 채널(2) 및 제 2 채널(3)은 오버랩하는 완전한 시야를 갖는데 그 이유는 다중 채널 광학 촬상 장치(1)가 부가적으로 아나모픽 매핑 광학체(5) 상류에 또 다른 렌즈를 포함하는 플렌옵틱 카메라이기 때문이다. 제 1 채널(2) 및 제 2 채널(3)이 직접적으로 병치식으로 배치되기 때문에, 제 1 채널(2) 및 제 2 채널(3)은 도 2의 도면 상에 어떤 효과도 갖지 않는 약간 다른 시야 방향들만을 가질 수 있다. 제 1 채널(2) 및 제 2 채널(3)은 두 개의 채널 열 및 하나의 채널 행을 갖는 규칙적인 채널 매트릭스를 형성한다.도 2에 따르면, 제 1 채널(2)은 검출기 픽셀들(4)의 평면의 제 1의 2차원 어레인지먼트를 포함하고 제 2 채널(3)은 검출기 픽셀들(4)의 평면의 제 2의 2차원 어레인지먼트를 포함한다. 제 1 채널(2) 및 제 2 채널(3) 모두 내에서, 바람직하게는, 단지 하나의 검출기 픽셀(4)만이 도시된다. 그러나, 픽셀 행들(6a, 6b) 및 픽셀 열들(7a, 7b)은 픽셀 행들(6a, 6b) 및 픽셀 열들(7a, 7b)이 픽셀 행들(6a, 6b) 및 픽셀 열들(7a, 7b)의 매트릭스의 필드 당 하나의 검출기 픽셀(4)을 갖는 매트릭스 형태로 규칙적으로 수용되도록, 도시되지 않고 규칙적으로 떨어져 간격을 두는 검출기 픽셀들(4)을 더 포함한다. 이는 도 3 및 4의 도면들에 대해서도 유사하게 적용된다. 도 2에서, 검출기 픽셀들(4)은 평면도에서 정사각형 형태를 갖고 검출기 픽셀들(4)의 제 1의 2차원 어레인지먼트는 검출기 픽셀들(4)의 제 2의 2차원 어레인지먼트와 관련하여 비합치된다. 그러나, 검출기 픽셀들(4)의 제 1의 2차원 어레인지먼트가 첫 번째 해결책에 따른 비교 실시 예들에서 대신에 검출기 픽셀들(4)의 제 2의 2차원 어레인지먼트와 관련하여 비합치될 수 있는 것이 즉각적으로 명백하다.제 1 채널(2)은 제 1 채널 아래에 배치되는 검출기 픽셀들(4)의 어레인지먼트 상으로의 매핑을 유발시키도록 구성되는 아나모픽 매핑 광학체(5)를 포함한다. 제 2 채널(3)은 제 2 채널 아래에 배치되는 검출기 픽셀들(4)의 어레인지먼트 상으로의 매핑을 유발시키도록 구성되는 아나모픽 매핑 광학체(5)를 포함한다. 점선 방식으로 도시된 직사각형들(R1 및 R2)은 아나모픽 매핑 광학체(5)가 매핑되는 오브젝트, 이러한 경우에 실제로 1:1의 종횡비를 갖는 정사각형 대상을 제 1 채널(2) 상으로 그리고 제 2 채널(3) 상으로 어떻게 매핑하는지를 나타낸다. 아나모픽 매핑 광학체(5)는 왜곡된 방식으로 제 1 채널(2)의 검출기 픽셀들(4)의 어레인지먼트 상으로 1:1.05 이상의 종횡비에서 매핑되는 오브젝트를 매핑하도록 구성되는 마이크로렌즈를 포함한다. 각각의 채널에 효과적인 또 다른 왜곡과 관련한 왜곡 또는 왜곡의 변화는 바람직하게는 유사한, 균일한 또는 적어도 연속적으로 가변 방식으로 전체 채널에 효과적일 수 있다. 따라서 R1에 의해 도시된 것과 같은, 매핑되는 정사각형 대상은 1:1.05 이상, 더 정확하게는 1:1.1의 종횡비를 갖는 직사각형 대상으로서 매핑된다. 부가적으로, 아나모픽 매핑 광학체(5)는 왜곡된 방식으로 제 2 채널(3)의 검출기 픽셀들(4)의 어레인지먼트 상으로 1:1.4의 종횡비에서 매핑되는 오브젝트를 매핑하도록 구성되는 마이크로렌즈를 포함한다. 따라서, R2에 의해 도시된 것과 같은, 매핑되는 정사각형 대상은 1:1.4의 종횡비를 갖는 직사각형 대상으로서 매핑된다. 이는 마이크로렌즈가 실린더형 표면에 제공된다는 점에서 마이크로렌즈에 의해 달성된다. 따라서, 각각의 채널의 아나모픽 매핑 광학체(5)는 1:1.05의 종횡비에서 다른 채널(2, 3)과 관련하여 각각의 채널(2, 3)에 고유하게 할당 가능한 왜곡을 갖는 각각의 채널(2, 3) 상으로 매핑되는 오브젝트를 매핑하도록 구성된다. 따라서, 도 2에 따라 도시된 실시 예에서, 모든 채널(2, 3)은 각각 채널 당 픽셀 행들(6a, 6b) 및 픽셀 열들(7a, 7b)의 픽셀 매트릭스를 형성하는 검출기 픽셀들(4)의 2차원 어레인지먼트를 포함하며, 각각의 채널(2, 3)의 픽셀 행들(6a, 6b) 및 픽셀 열들(7a, 7b)은 각각 서로 직각으로 배치되며, 모든 채널(2, 3)은 서로 직각인 채널 행들 및 채널 열들의 채널 매트릭스 내에 배치되며, 아나모픽 매핑 광학체(5)는 1:1.05 이상의 종횡비에서 모든 다른 채널(2, 3)과 관련하여 각각의 채널(2, 3)에 고유하게 할당 가능한 왜곡을 갖는 각각의 채널(2, 3) 상으로 매핑되는 오브젝트를 매핑하도록 구성된다.도 2에 도시된 첫 번째 해결책에 의해, 촬상되는 오브젝트의 광학 세부내용은 제 2 채널(3)을 통하는 것보다 제 1 채널(2)을 통하여 촬상된다. 각각의 채널 정보의 적절한 전환에 의해, 거리와 관계없이 높은 해상도를 포함하는 전체 이미지가 획득되는데, 그 이유는 제 1 채널(2) 및 제 2 채널(30)이 각각 아나모픽 광학체(5)를 통하여 매핑되는 오브젝트에 대한 상이한 광학 정보를 촬상할 수 있기 때문이다. 아나모픽 광학체(5)는 예를 들면, 하나의 채널 내에 배치될 수 있거나 또는 바꾸어 말하면, 채널의 매핑 광학체는 비-아나모픽일 수 있다. 제 1 채널과 관련하여, 예를 들면, 각각의 아나모픽 광학체는 왜곡이 변화에 어떠한 영향도 미치지 않으며 제 2 채널(3)과 관련하여, 각각의 매핑 광학체는 왜곡이 변화에 영향을 미친다. 이러한 경우에, 영향을 받은(effected) 왜곡 및/또는 할당된 종횡비가 제 2 채널3)에 할당될 수 있다. 대안으로서 또는 부가적으로, 예를 들면 1:1의 종횡비에 의해, 영향을 받지 않은 왜곡이 제 1 채널(2)에 할당될 수 있다. 위에 설명된 것과 같이, 각각 전체 채널을 위한 효과적인 매핑에 영향을 미치는 매핑 광학체는 몇몇 또는 모든 채널 모두와 관련하여 아나모픽일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 마침내, 각각의 매핑 오브젝트들의 오브젝트 평면 내에 있는 픽셀들의 각각의 매핑 오브젝트들의 이미지 평면 내에 위치하는 이미지들의 어레인지먼트는 예를 들면 수직 픽셀 중심 거리에 대한 수평 픽셀 중심 거리의, 채널-개별 종횡비를 포함하며, 즉 종횡비는 채널들 중에서 변경되는데, 즉 채널들 사이에서 다르며, 이에 의해, 설명된 것과 같이, 상이한 채널들의 이미지 평면 측 상의 픽셀 이미지들이 오버래핑이 방지되는 오브젝트 거리들의 간격은 증가된다. 채널들 사이의 오브젝트 평면 측 상의 이미지 지점 종횡비들의 변경이 또한 가능하고 아래의 설명의 대상이 된다.두 번째 제안된 해결책에 따른 본 발명의 일 실시 예가 도 3에 도시된다. 이미지 평면 상에 평면도로 도시된 형태의 다중 채널 광학 촬상 장치(1)는 두 개의 채널(2, 3), 제 1 채널(2) 및 제 2 채널(3)을 포함한다. 제 1 채널(2) 및 제 2 채널(3)은 오버랩하는 부분적인 시야를 포함한다. 제 1 채널(2) 및 제 2 채널(3)은 동일한 시야 방향들을 포함한다. 이러한 실시 예에서, 다중 채널 광학 촬상 장치(1)의 각각의 채널(2, 3)은 또한 검출기 픽셀들(4)의 2차원 어레인지먼트 및 검출기 픽셀들(4)의 어레인지먼트 상으로의 매핑에 영향을 미치도록 구성되는 매핑 광학체(5)를 포함한다. 그러나, 각각의 채널(2, 3)을 위하여 두 번째 제안된 해결책의 이러한 실시 예에서, 이는 1:1의 종횡비에서 매핑되는, 즉 실제와 관련하여 왜곡되지 않은 오브젝트를 매핑하도록 구성되는 매핑 광학체(5)이다. 아나모픽 매핑 광학체(5) 대신에, 제 1 채널(2) 내에, 검출기 픽셀들(4)의 제 1의 2차원 어레인지먼트 및 제 2 채널(3) 내에 검출기 픽셀들(4)의 제 2의 2차원 어레인지먼트가 제공되고, 제 1의 2차원 어레인지먼트는 제 2의 2차원 어레인지먼트와 관련하여 비합치된다. 따라서, 전체 이미지의 주로 거리 독립적인 해상도는 아나모픽 매핑 광학체(5)의 사용 대신에, 제 1 채널(2) 및 제 2 채널(3) 내의 검출기 픽셀들(4)의 2차원 어레인지먼트들의 적합한 본 발명의 구현에 의해 보장된다. 이러한 실시 예에서, 검출기 픽셀들(4)은 다시 생산하기에 쉽고 비용 효율적인, 평면도에서 정사각형이고 부가적으로 직사각형인 검출기 픽셀들(4)이다. 그러나, 평면도에서 직사각형이고 비-정사각형인 검출기 픽셀들(4) 또는 또한 평면도에서 둥근 검출기 픽셀들(4)이 제공될 수 있는데, 그 이유는 본 발명의 해결책이 검출기 픽셀들(4)의 특정 디자인에 한정되지 않기 때문이다.아래에, 두 번째 제안된 해결책에 따른 제 1 채널(2) 및 제 2 채널(3)이 도 3을 참조하여 더 상세히 설명될 것이다. 제 1의 2차원 어레인지먼트는 제 2의 2차원 어레인지먼트와 유사한데, 그 이유는 제 1의 2차원 어레인지먼트의 검출기 픽셀들(4)이 픽셀 행들(6a) 및 픽셀 열들(7a)의 매트릭스 내에 배치되기 때문이다. 이러한 실시 예에서, 제 1의 2차원 어레인지먼트는 6개의 픽셀 행(6a) 및 6개의 픽셀 열(7a)의 정사각형 매트릭스이다. 부가적으로, 제 2의 2차원 어레인지먼트의 검출기 픽셀들(4)은 픽셀 행들(6b) 및 픽셀 열들(7b)의 매트릭스 내에 배치된다. 이러한 실시 예에서, 제 2의 2차원 어레인지먼트는 3개의 픽셀 헹(6b) 및 3개의 픽셀 열(7b)의 정사각형 매트릭스이다. 바꾸어 말하면, 제 1 채널(2) 및 제 2 채널(3) 내에서 모두, 두 개의 인접한 픽셀 행(6a, 6b)은 각각 서로 평행하게 배치되고 행 높이(8a, 8b)를 갖고 두 개의 인접한 픽셀 열(7a, 7b)은 각각 서로 평행하게 배치되고 열 폭(9a, 9b)을 가지며, 행 높이(8a, 8b)는 양과 관련하여 열 폭(9a, 9b)과 상응한다. 여기서, 제 1의 2차원 어레인지먼트의 행 높이(8a)는 제 2의 2차원 어레인지먼트의 행 높이(8b)와 관련하여 다르고 제 1의 2차원 어레인지먼트의 열 폭(9a)은 제 2의 2차원 어레인지먼트의 열 폭(8b)과 관련하여 다르다. 각각의 검출기 픽셀들(4)은 제 1 채널(2)을 위하여 제 2 채널(3)의 정사각형 래스터와 다른 검출기 픽셀들(4)의 정사각형 래스터가 형성되도록, 제 2 채널(2) 및 제 2 채널(3) 모두에서의 양에 따라 그것의 이웃과 동일하게 떨어져 간격을 둔다. 그러나, 수학적으로, 두 개의 상이한 정사각형은 항상 서로 유사하다. 따라서, 이러한 실시 예에서, 제 1의 2차원 어레인지먼트 및 제 2의 2차원 어레인지먼트는 서로 유사하다.두 번째 제안된 해결책에 따른 본 발명의 제 2 실시 예가 도 4에 도시된다. 이미지 평면 상으로의 평면도에 도시된 이러한 형태의 다중 채널 광학 촬상 장치(1)는 부가적으로 매핑 광학체(5) 상류에 또 다른 렌즈를 포함하는 플렌옵틱 카메라이다. 다중 채널 광학 촬상 장치(1)는 모든 채널(2, 3, 10)이 그것들의 직접적으로 이웃하는 채널들에 대하여 동일한 거리를 갖고 서로 옆으로 그리고 서로 아래로 배치되도록, 규칙적인 NxN 채널 매트릭스 내에 배치되는 N2 채널(2, 3, 10)을 포함한다. 따라서, 모든 채널(2, 3, 10)은 서로 평행한 채널 열들 및 서로 평행한 채널 행들을 형성한다. 바람직하게는, 제 1 채널(2), 제 2 채널(3) 및 제 3 채널(10)이 도시된다. 제 1 채널(2)은 검출기 픽셀들(4)의 제 1의 2차원 어레인지먼트를 갖는다. 제 2 채널(3)은 검출기 픽셀들(4)의 제 2의 2차원 어레인지먼트를 갖는다. 제 1 채널(2) 및 제 2 채널(3)은 직접적으로 병치된다. 제 3 채널(10)은 검출기 픽셀들(4)의 제 3의 2차원 어레인지먼트를 갖는다. 제 3의 2차원 어레인지먼트는 제 1의 2차원 어레인지먼트와 관련하여 그리고 제 2의 2차원 어레인지먼트와 관련하여 비합치된다. 제 1의 2차원 어레인지먼트가 또한 제 2의 2차원 어레인지먼트와 관련하여 비합치되기 때문에, 바람직하게 도시된 채널들(2, 3, 10)의 모든 세 개의 2차원 어레인지먼트는 서로 비합치된다. 나머지 N2-3 채널들은 모든 나머지 N2 채널이 서로 비합치되는 검출기 픽셀들(4)의 고유하게 구별 가능한 2차원 어레인지먼트들을 포함하도록 구성된다. N2-3 또 다른 채널들 중 일부는 검출기 픽셀들의 슈도랜덤 어레인지먼트들을 포함할 수 있고, 나머지 N2-3 또 다른 채널들은 규칙적인 픽셀 행들(6a, 6b, 6c) 및 픽셀 열들(7a, 7b, 7c)을 갖는 2차원 어레인지먼트들을 포함한다. 명백하게, 모든 N2-3 또 다른 채널들은 규칙적인 픽셀 행들(6a, 6b, 6c) 및 픽셀 열들(7a, 7b, 7c)을 갖는, 즉 가능한 한 간단한 생산을 가능하게 하도록 제 1 채널(2), 제 2 채널(3) 또는 제 3 채널(10)의 디자인 변이들만을 표현하는 2차원 어레인지먼트를 포함할 수 있다.도 4에 따른 실시 예에서, 검출기 픽셀들의 제 1의 2차원 어레인지먼트는 직사각형 및 부가적으로 비-정사각형 검출기 픽셀들(4)의 어레인지먼트이다. 이는 검출기 픽셀들(4)이 서로 평행하게 배치되는 픽셀 행들(6a) 및 서로 평행하게 배치되는 픽셀 열들(7a) 내에 배치되는 어레인지먼트이다. 부가적으로, 픽셀 행들(6a) 및 픽셀 열들(7a)은 서로 직각으로 배치된다. 도 4에 따른 실시 예에서, 검출기 픽셀들(4)의 제 2의 2차원 어레인지먼트는 또한 직사각형 및 부가적으로 비-정사각형 검출기 픽셀들(4)의 어레인지먼트이다. 이는 검출기 픽셀들(4)이 서로 평행하게 배치되는 픽셀 행들(6b) 및 서로 평행하게 배치되는 픽셀 열들(6b) 내에 배치되는 또 다른 2차원 어레인지먼트이다. 부가적으로, 픽셀 행들(6b) 및 픽셀 열들(7b)은 서로 직각으로 배치된다. 도 4에 따른 실시 예에서, 검출기 픽셀들(4)의 제 3의 2차원 어레인지먼트는 또한 직사각형 및 부가적으로 비-정사각형 검출기 픽셀들(4)의 어레인지먼트이다. 이는 검출기 픽셀들(4)이 서로 평행하게 배치되는 픽셀 행들(6c) 및 서로 평행하게 배치되는 픽셀 열들(7c) 내에 배치되는 또 다른 2차원 어레인지먼트이다. 부가적으로, 픽셀 행들(6c) 및 픽셀 열들(7c)은 서로 직각으로 배치된다. 제 1 채널(2), 제 2 채널(3) 및 제 3 채널(10)의 검출기 픽셀들(4)은 동일하고 따라서 동일한 검출기 픽셀 종횡비들을 갖는다. 따라서, 제 1 채널(2), 제 2 채널(3) 및 제 3 채널(10)은 그것들 각각의 검출기 픽셀 종횡비들을 기초로 하여 구별될 수 없는데 그 이유는 검출기 픽셀(4)의 검출기 픽셀 종횡비가 채널마다 동일하기 때문이다. 제 1 채널(2)을 위하여, 제 2 채널(3)을 위하여 그리고 제 3 채널(10)을 위하여, 검출기 픽셀 종횡비는 각각 1:1.05 이상이다. 그러나, 도시되지 않은 본 발명의 실시 예들에서, 채널마다 다른 검출기 픽셀 종횡비들을 갖는 직사각형 및 부가적으로 비-정사각형 검출기 픽셀들(4)은 두 개 또는 모든 채널의 예를 들면, 픽셀 행들(6a, 6b, 6c) 및 픽셀 열들(7a, 7b, 7c)이 도 4에 따른 실시 예에서는 그렇지 않은 것과 같이, 제공되는 영역과 관련하여 선택적으로 사용되도록, 두 개 또는 또한 모든 N2 채널을 위하여 존재할 수 있다는 것은 즉각적으로 명백하다. 예를 들면, 각각의 채널은 따라서 어떠한 두 개의 채널에 대하여 동일하지 않은 그것의 개별 픽셀 형성비를 기초로 하여 고유하게 식별될 수 있다. 검출기 픽셀 종횡비들의 차이는 채널, 예를 들면 채널(2)의 검출기 픽셀 종횡비가 1:x의 값을 갖고 또 다른 채널, 예를 들면 채널(3)의 검출기 픽셀 종횡비가 1:y의 값을 가지며, x 및 y는 1.05 이상의 값을 갖고 서로 다른 것과 같이 이해될 수 있다. 대안으로서, 나머지 채널은 검출기 픽셀 종횡비(y:1 또는 x:1)를 가질 수 있다. x:1 또는 y:1의 검출기 픽셀 종횡비는 검출기 픽셀 종횡비(y:1 또는 x:1)를 갖는 픽셀들과 비교하여 ±90o 또는 ±270o의 각에 의해 회전되는, 검출기 픽셀들의 어레인지먼트를 의미한다.도면과 대조적으로, 채널들(2, 3, 및/또는 10)은 또한 동일한 검출기 픽셀들의 수 및 동일한 수의 열들과 행들을 가질 수 있다. 이는 개별 채널들의 이미지들의 비교가능성 및/또는 결합가능성을 획득하는데 바람직할 수 있다. 특히, 이는 제 1 채널(2)의 검출기 픽셀들이 제 2 채널의 검출기 픽셀들(4)과 관련하여 90o의 각으로 회전되는 방식으로 배치되도록 실행될 수 있다.제 1의 2차원 어레인지먼트는 행 높이(6a) 및 제 1의 2차원 어레인지먼트의 행 높이(6a)와 양에서 다른, 열 폭(7a)을 갖는다. 부가적으로, 제 1의 2차원 어레인지먼트의 열 폭(7a)은 제 2의 2차원 어레인지먼트의 열 폭(7b)과 상응한다. 제 1의 2차원 어레인지먼트의 행 높이(6a)는 제 2의 2차원 어레인지먼트의 행 높이(6b)와 상응한다. 이는 제 1의 2차원 어레인지먼트가 이동 및 부가적인 1차원 확장에 의해 제 2 이차원 어레인지먼트로 전환될 수 있다는 것을 의미한다. 제 1의 2차원 어레인지먼트가 이동, 부가적인 1차원 확장 및 부가적인 회전에 의해 제 2의 2차원 어레인지먼트로 전환되도록, 제 2의 2차원 어레인지먼트가 또한 가시 평면 내에서 회전되는 방식으로, 예를 들면 90o 회전되어 배치될 수 있는 것은 자명하다.제 3의 2차원 어레인지먼트는 행 높이(6c) 및 제 3의 2차원 어레인지먼트의 행 높이(6c)와 양에서 다른, 열 폭(7c)을 갖는다. 부가적으로, 제 3의 2차원 어레인지먼트의 행 높이(6c)의 양은 제 1의 2차원 어레인지먼트의 행 높이(6a)의 양 및 제 2의 2차원 어레인지먼트의 행 높이(6b)의 양 모두와 다르다. 부가적으로, 제 3의 2차원 어레인지먼트의 열 폭(7c)의 양은 제 1의 2차원 어레인지먼트의 열 폭(7a)의 양 및 제 2의 2차원 어레인지먼트의 열 폭(7b)의 양 모두와 다르다. 따라서, 이러한 실시 예에서, 제 1의 2차원 어레인지먼트의 픽셀 행들(6a)은 서로 평행하게 배치되고 제 1의 2차원 어레인지먼트의 픽셀 열들(7a)은 서로 평행하게 배치되며 제 2의 2차원 어레인지먼트의 픽셀 열들(6b)은 서로 평행하게 배치되고 제 2의 2차원 어레인지먼트의 픽셀 열들(7b)은 서로 평행하게 배치되며, 제 1의 2차원 어레인지먼트의 행 높이(8a)는 제 3의 2차원 어레인지먼트의 행 높이(8c)에 대하여 양과 관련하여 다르고 제 1의 2차원 어레인지먼트의 열 폭(9a)은 제 3의 2차원 어레인지먼트의 열 폭(9c)에 대하여 양과 관련하여 다르다. 부가적으로, 이러한 실시 예에서, 제 1의 2차원 어레인지먼트의 픽셀 행들(6a)은 서로 평행하게 배치되고 제 1의 2차원 어레인지먼트의 픽셀 열들(7a)은 서로 평행하게 배치되며 제 3의 2차원 어레인지먼트의 픽셀 행들(6c)은 서로 평행하게 배치되고 제 3의 2차원 어레인지먼트의 픽셀 열들(7c)은 서로 평행하게 배치되며, 제 1의 2차원 어레인지먼트의 행 높이(8a)는 제 3의 2차원 어레인지먼트의 행 높이(8c)에 대하여 양과 관련하여 다르고 제 1의 2차원 어레인지먼트의 열 폭(9a)은 제 3의 2차원 어레인지먼트의 열 폭(9c)에 대하여 양과 관련하여 다르다. 그러나, 도시되지 않은 실시 예들에서 제 3의 2차원 어레인지먼트 대신에 또는 이에 더하여, 제 2의 2차원 어레인지먼트가 또한 제 1의 2차원 어레인지먼트와 관련하여 그러한 방식으로 구현되는 것은 자명하다.또한 그러한 규칙적인 픽셀 행들(6a, 6b, 6c) 및 픽셀 열들(7a, 7b, 7c)의 매트릭스를 포함하는, 도 4에 따른 규칙적인 NxN 채널 매트릭스의 모든 채널에서, 어떠한 채널의 행 높이(6) 및 그것의 열 폭(7)은 채널 매트릭스의 N2 채널들 중 어떠한 두 개의 채널도 동일한 행 높이(6) 및 동일한 열 폭(7)을 갖지 않도록 선택된다. 이러한 방법으로, 오브젝트 공간의 최상의 가능한 범위가 획득되고 다중 채널 광학 촬상 장치를 위하여 주로 거리 독립적인 해상도가 가능해진다.위에 설명된 특징들은 각각 독립적으로 또는 서로 조합하여 본 발명을 위하여 중요할 수 있으며 이러한 방식으로 본 발명의 해결책에 기여한다.참고문헌 리스트[1] Fleet, Kanaev, Scribner, Ackerman: Scene Independent Method for Image Formation in Lenslet Array Imagers. Patent Application US 20100013857A1[2] Kartik Venkartaraman, Amandeed S. Jabbi, Robert H. Mullis: Capturing and processing of images using monolithic camera array with heterogeneous imagers, ep09763194[3] A. Oberdorster, F. Wippermann, A. Bruckner: Bildaufnahmevorrichtung und Verfahren zum Aufnehmen eines Bildes, German Patent Application 102010031535.4-31[4] Ren Ng, Marc Levoy, Mathieu Bredif: Light Field Photography with a Hand-Held Plenoptic Camera. Stanford University Computer Science Tech Report CSTR 2005-02. April, 2005[5] T. Georgiev, A. Lumsdaine: Focused Plenoptic Camera and Rendering. Journal of Electronic Imaging, Volume 19, Issue 2, 2010.[6] Koskinen Samu T; Alakarhu Juha H; Salmelin EERO: Lenslet camera with rotated sensors, US020100321511A1[7] M. Ben-Ezra, Z. Lin, B. Wilburn, and W. Zhang: Penrose Pixels for Super-Resolution. IEEE Transactions on Pattern Analysis and Machine Intelligence (PAMI), Vol. 33, No. 7, pp. 1370-1383, July 2011. [ 부호의 설명 ] 1, 1p : 다중 채널 광학 촬상 장치2, 2p : 제 1 채널3, 3p : 제 2 채널4, 4p : 검출기 픽셀5, 5p : 매핑 광학체6a, b, c : 픽셀 행7a, b, c : 픽셀 열8a, b, c : 행 높이9a, b, c : 열 폭10 : 제 3 채널B1 : 제 1 시야 방향B2 : 제 2 시야 방향R1 :오브젝트의 제 1 매핑R2 :오브젝트의 제 2 매핑	본 발명은 다중 채널 광학 촬상 장치(1)에 관한 것으로서 적어도 제 1 채널(2)은 아나모픽 매핑 광학체(5)를 포함하고 제 1 채널(2)은 제 2 채널(3)과 오버랩하는 적어도 부분적인 시야를 포함한다. 부가적으로, 본 발명은 적어도 제 1 채널(2) 및 제 2 채널(3)을 포함하는 다중 채널 광학 촬상 장치(1)에 관한 것으로서, 제 1 채널(2)은 제 2 채널(3)과 오버랩하는 적어도 부분적인 시야를 갖고, 제 1 채널(3)은 검출기 픽셀들(4)의 제 1의 2차원 어레인지먼트를 포함하고 제 2 채널(3)은 검출기 픽셀들(4)의 제 2의 2차원 어레인지먼트를 포함하며, 제 1의 2차원 어레인지먼트는 제 2의 2차원 어레인지먼트와 관련하여 비합치된다. 제안된 해결책은 채널들(2, 3)의 개별 이미지들로 구성되는 전체 이미지의 해상도가 촬상되는 오브젝트와 관련하여 본질적으로 거리 독립적인 것을 달성한다.
[ 발명의 명칭 ] 팬 모터의 풍량 측정 방법AIR VOLUME MEASUREMENT METHOD FOR FAN MOTOR [ 기술분야 ] 본 발명은 일종의 팬 모터의 풍량 측정 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 최근 수년간, 전기기구 영역의 경쟁이 날로 치열해지고, 제품기술에 대한 요구가 지속적으로 높아지고 있는 실정으로, 예컨대 제품의 절전과 친환경, 제어 가능한 지능화 정도가 높고, 개발 주기가 짧으며, 소음이 적은 것 등을 들 수 있다. 핵심 부품으로서의 - 모터는, 의심할 나위 없이 상술한 기술 문제를 해결할 수 있는 핵심 부품이다. 전통적인 가정용 에어컨 내부의 모터는 보편적으로 단상 교류 모터 PSC를 적용하였다. 단상 교류 모터는 효율이 낮은 반면, 에너지 소모량이 많고, 소음이 크며 제어가능한 지능화 정도가 낮다. 모터기술의 발전과 더불어 직류 모터는 점차 교류 모터를 대체하고 있는바, 직류 모터는 모터 컨트롤러를 내장하여, 모터 컨트롤러를 이용하여 전류의 전자 방향전환 목적을 실현할 수 있다. 따라서 업계에서 ECM모터(electronically commutated motor) 또는 직류 BLDC모터(BLDC MOTOR)라 불리기도 하는 이 모터는 절전형에 친환경적이고, 신뢰성과 제어 가능성이 모두 높으며 소음이 작고 지능화가 용이한 등 장점이 있어 단상 교류 모터의 단점을 극복할 수 있다. 따라서 종래의 에어컨 내부의 단상 교류 모터는 점차 직류 BLDC모터 또는 ECM모터에 의해 대체되고 있다.중국 국내 또는 아시아 기타 국가의 에어컨은, 그 직류 모터 제어판이 에어컨 메인보드와 연결되고, 5트랙의 연결신호가 설치되어 있는데, 각각: GND포트, VDC포트, VCC포트, VSP포트, FG포트이다. 이와 같은 포트는 기본상 표준 포트로, 에어컨 메인보드는 출력 VSP전압 포트를 통해 직류 모터 제어판에 목표 회전속도를 입력하고, 모터는 FG포트를 통해 모터의 실제 속도를 피드백하여, 직류 모터의 회전속도 폐쇄 제어를 실현한다. 에어컨의 공기 유입, 공기 배출구 여과망 또는 공기통로가 막히면, 에어컨의 배출구 풍량은 하강하여 에어컨 제냉 또는 제열 효과에 영향을 주게 된다. 이는 에어컨 시스템에서 바람직하지 못한 것으로, 따라서 전통적인 BLDC모터에서 일정 풍량 또는 풍량 모니터링/경보 기능을 실현하는 것은 매우 필요한 것이다.종래의 솔루션: 일부 제품은 배출구 또는 공기통로 내부에 풍압계를 설치하는 방법으로 풍량의 크기를 판단하고, 일부 제품은 풍량계를 설치하여 풍량을 추산하지만, 이렇게 하면 모두 추가로 하드웨어를 설치하는 외에, 배선 등도 해야 하므로 매우 번잡하고 원가 지출도 늘어난다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] CN 104180858 ACN 103376743 A [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명의 목적은 팬 모터의 풍량 측정 방법을 제공하기 위한 것으로, 공기여과망이 막혔는지를 준확하게 판단하고 신호 경보를 출력하는바, 수학적 모형이 간단하고, 제어가 신뢰성이 있으며, 정밀도를 높일 수 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 목적은 아래의 기술방안을 통해 실현한다.일종의 팬 모터의 풍량 측정 방법으로 그 특징은: 다음의 단계를 포함한다:A) 모터 컨트롤러의 마이크로프로세서 내부에 M개의 풍량점 CFMi와 대응하는 M개의 일정 풍량 제어 함수 Qi=F(n)를 구축하며, 그중 Q는 입력 공률 또는 직류 모선 전류 또는 모멘트이고, n은 모터의 회전속도 , i는 정수이며, 1부터 시작하여 M까지이다.B) 모터를 시동하여 상태에 진입한 후, 모터의 실시간 회전속도 n0과 파라미터 Q0를 검측하고, 파라미터 Q0를 상술한 다수 개의 풍량점 CFMi와 대응하는 다수 개의 일정 풍량 제어 함수 Qi=F(n)에 대입하여 다수 개의 회전속도 ni를 얻은 후, 실시간 회전속도 n0과 다수 개의 풍량점 CFMi와 대응하는 다수 개의 회전속도 ni를 비교하여, 실시간 풍량 검측CFM0가 어느 두 개의 풍량점 CFMi와 CFMi-1사이에 있는가를 확인한다.C) 확정한 두 개의 풍량점 CFMi와 CFMi-1, 그리고 회전속도 ni와 ni-1을 이용하여 내삽법을 통해 실시간 풍량 검측 CFM0를 검측한다.풍량 검측 CFM0=CFMi+(CFMi-1-CFMi)×(ni-no)÷(ni-ni-1)이다.상술한 함수 Qi=F(n)의 획득 방법은 다음과 같다: 우선 소스 데이터를 적용하여 공기통로 설비에서, M개의 목표 풍량을 상대로 저정압에서부터 계속 고정압으로 조절하되, 이 정압은 실제 응용범위를 포함해야 한다. 정압 조절 과정에서 모터는 일정회전속도 제어상태에 있게 하고, 모터 회전속도 n을 조절하는 것을 통해 파라미터 Q의 풍량은 목표 풍량을 유지하고, 이때 모터의 안정적인 회전속도 n에 대응하는 파라미터 Q를 기록한다. 이렇게 하여 M개의 목표 풍량을 상대로 모두 한개 조의 회전속도 n과 파라미터 Q를 생성한다. 다음으로 곡선 피팅 방법으로 M개의 목표 풍량 중 매 한 개의 목표 풍량에 대응하는 한 개의 함수 Qi=F(n)를 생성한다.상기에서 기술한 다수 개의 풍량점 CFMi에는 최대 출력 풍량과 최소 출력 풍량을 포함한다.상기에서 기술한 Qi=F(n)는 한개의 2차 함수이고, 매개 목표 풍량점에 대응하는 함수 Q=C1+C2 x n+C3 x n2이다. 상기 팬 모터는 BLDC모터 또는 ECM모터를 적용하고, 모터 단일체와 모터 컨트롤러를 포함하며, 전술한 모터 단일체에는 회전축, 영구자성 회전자 모듈, 고정자 모듈과 하우징 모듈을 포함하고, 영구자성 회전자 모듈과 고정자 모듈은 자석 커플링을 형성하며, 고정자 모듈에는 고정자 철심과 고정자 철심에 감긴 코일 와인딩을 포함한다. 상기 모터 컨트롤러는 마이크로프로세서, 인버터 회로와 운행 파라미터 검측회로를 포함하고, 인버터 회로의 출력단과 코일 와인딩이 연결되며, 운행 파라미터 검측회로는 검측한 신호를 마이크로프로세서에 입력하고, 마이크로프로세서의 출력단은 인버터 회로를 제어하여, 마이크로프로세서 내부에 설정 목표 풍량을 입력한다. 실시간 풍량 검측 CFM0가 설정 목표 풍량보다 낮을 경우, 신호를 출력하여 경보를 출력한다.상기에서 기술한 팬 모터는 일정 풍량 제어 모드에서 작동하며, 마이크로프로세서는 우선 실제 출력이 정액 출력에 도달하는지 여부를 우선 측량하여, 실제 출력이 규정출력에 도달하고, 풍량 검측과 풍량 설정의 편차가 일정한 값에 도달하면 경보를 출력한다. 풍량과 풍량 설정이 편차 허용 범위 내임을 검측하면, 경보정지를 선택한다.상기 팬 모터는 일정모멘트 제어 모드에서 작동하고, 풍량 검측과 풍량 설정의 편차가 일정한 값에 도달하면, 공기여과망이 막힌 것으로 판단하고 경보를 출력한다. 상기에서 기술한 팬 모터가 일정회전속도 제어 모드에서 작동할 경우, 풍량 검측과 풍량 설정의 편차가 일정한 값에 도달하면, 공기여과망이 막힌 것으로 판단하고 경보를 출력한다. [ 발명의 효과 ] 본 발명은 종래의 기술과 비교하여 다음의 장점이 있다: 1) 본 발명은 모터 컨트롤러의 마이크로프로세서 내부에 M개의 풍량점을 이용하여 CFMi와 대응하는 M개의 일정 풍량 제어 함수Qi=F(n)를 구축하며, 모터의 실시간 회전속도 n0과 파라미터 Q0를 검측하고, 파라미터 Q0를 상술한 다수 개의 풍량점 CFMi와 대응하는 다수 개의 일정 풍량 제어 함수Qi=F(n)에 대입하여 다수 개의 회전속도 ni를 얻은 후, 실시간 회전속도 n0과 다수 개의 풍량점 CFMi와 대응하는 다수 개의 회전속도 ni를 비교하여, 실시간 풍량 검측CFM0가 어느 두 개의 풍량점 CFMi와 CFMi-1사이이 있는가를 확인하고, 내삽법을 이용하여 실시간 풍량 검측 CFM0를 계산해내는바, 수학적 모형이 간단하고, 제어가 신뢰성이 있으며, 정밀도가 높다.2) 팬 모터의 풍량 검측 소자를 이용하여, 풍량검측Q1과 풍량 설정Q0의 편차가 일정한 값에 도달하면, 공기여과망이 막힌 것으로 판단하여 신호 경보를 출력하고, 임의의 하드웨어를 추가할 필요가 없기에 설치가 간편하고 원가가 저렴하다.3) 팬 모터는 일정 풍량의 제어 모드에서 작동한다. 마이크로프로세서는 먼저 실제 출력이 규정 출력에 도달하는지 여부를 측량하고, 실제 출력이 규정출력에 도달하면, 다시 풍량 검측Q1과 풍량 설정Q0의 편차를 판단하는데 방안이 간단하고, 마이크로프로세서 계산량이 작으며, 실행 가능성이 높다.상기에서 기술한 함 수Qi=F(n)의 획득 방법은 다음과 같다: 우선 소스 데이터를 적용하여 공기통로 설비에서, M개의 목표 풍량을 상대로 저정압에서부터 줄곧 고정압으로 조절하되, 이 정압은 실제 응용범위를 포함해야 한다. 정압 조절 과정에서 모터는 일정회전속도 제어상태에 있게 하고, 모터 회전속도 n을 조절하는 것을 통해 파라미터 Q의 풍량은 목표 풍량을 유지하고, 이때 모터의 안정적인 회전속도 n에 대응하는 파라미터 Q를 기록한다. 이렇게 하여 M개의 목표 풍량을 상대로 모두 한개 조의 회전속도 n과 파라미터 Q를 생성하고, 다음 곡선피팅 방법을 통해 M개의 목표 풍량 중 매 한 개 목표 풍량의 대응하는 함수 Qi=F(n)를 생성한다. 상기 M개의 풍량점은 적어도 5개가 있어, 측량의 정밀도를 보장할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 전통적인 에어컨 송풍기 시스템의 구조표시도이다.도 2는 본 발명에 따른 팬 모터의 설치 표시도이다.도 3은 본 발명에 따른 팬 모터의 사시도이다.도 4는 본 발명에 따른 팬 모터의 모터 컨트롤러 사시도이다.도 5는 본 발명에 따른 팬 모터의 부분 단면도이다.도 6은 본 발명에 따른 팬 모터의 모터 컨트롤러의 일종의 실시회로 블록도이다.도 7은 도 6에 대응하는 회로도이다.도 8은 본 발명에 따른 팬 모터의 일정 풍량 제어 방법의 제어 순서도이다.도 9는 본 발명에 따른 팬 모터는 실험을 거쳐 일정 풍량 피팅곡선 획득도면이다.도 10은 본 발명1 / 3HP의 팬 모터는 일정 풍량을 제어하는 실험데이터의 피팅곡선도이다.도 11은 본 발명에 따른 팬 모터는 내삽법을 이용하여 임의로 입력한 풍량실험 데이터 피팅곡선도이다.도 12는 본 발명에 따른 팬 모터의 일정 풍량 제어 방법의 제어 논리도이다.도 13은 본 발명에 따른 팬 모터의 일정 풍량 제어 방법의 일종의 제어 과정 표시도이다.도 14는 본 발명에 따른 팬 모터의 일정 풍량 제어 방법의 또 다른 일종의 제어 과정 표시도이다.도 15는 본 발명에 따른 팬 모터의 일정 풍량 제어 방법에서 실험 검증을 거친 테스트 결과 도면이다.도 16은 본 발명에 따른 팬 모터의 풍량 추산 표시도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 아래에 구체 실시예와 첨부도면을 결부하여 본 발명에 대해 더욱 상세한 설명을 하기로 한다.실시예1: 아래에 우선 본 발명에서 적용한 팬 모터의 회로 구조 및 풍량의 측량 제어 원리에 대해 설명해 보기로 하자: 본 발명은 도 1의 표시와 같이, 전형적인 에어컨 통풍도관(공기통로)에 하나의 송풍시스템을 설치하였다(예하면 가스난로 또는 공기처리기). 도면에서 “모터+로터”로 대체하였고, 도관에는 공기여과망이 있다. 모터 작동시 송풍이 시작되고, 공기 배출구와 유입구 수량과 공간의 수량과 연관이 되기 때문에, 도관의 설계 역시 통일된 기준이 없고, 동시에 공기여과망 역시 서로 다른 압력 하강이 있을 수 있어 전통적인 단상 교류 모터---PSC모터를 탑재한 송풍시스템은 서로 다른 도관에서 실제 풍량이 다른 결과를 초래할 수 있다. 발명에서 적용한 팬 모터는 BLDC모터 또는 ECM모터이다.도 2의 표시와 같이, 1) 제품을 제어하는 것은 일종의 에어컨 시스템 컨트롤러로, 에어컨 시스템 컨트롤러는 모든 제품 조작 장치와 일정한 맞춤식 제작 포트의 외부 회로가 프로토콜 설정 정보를 모터 컨트롤러에 발송하는 것을 제어한다. 2) 모터 컨트롤러는 마이크로프로세서-마이크로컨트롤러 또는 DSP 전자판을 포함하여 모터 제어를 하고, 그 전원 부분은 컨트롤러 각 부분 회로에 전력을 공급하며, 전원은 직류 모선 전압과 전류를 설정한다. 따라서 모터 제어로 출력 전송을 하게 된다. 저원가와 양산이 가능한 모터 컨트롤러는 통상적으로 병렬연결 저항회로를 적용하여 전류와 전압 센서 하드웨어로 하고, 시스템의 피드백으로써 모터 구동을 제어하여 모터 제어를 실행한다. 예컨대 벡터 제어, 직접 토션 제어와 기타 유형의 센서 또는 무센서 제어를 들 수 있다. 잘 알려진 바와 같이 임의의 전자 모듈은 운행기간의 변화가 있는데, 이와 같은 변화는 검측 정밀도와 지구성에 영향을 주는 원인이다. 3) 팬 모터 회전자에는 자석체와 구조가 있고, 고정자측 또는 슬롯 중에는 다위상 코일조합이 있다. 온도 변화시, 영구자석체와 코일조합 저항에 변화가 발생하는데, 이는 모터 제어의 서로 다른 변화를 초래할 가능성이 있다. 모터제조 과정에서 통상적으로 일정 정도의 변화가 발생하는데, 모터의 노화, 신형 모터와 구형 모터는 정밀성과 내구성, 수명 등의 요소를 제어하는데 기여하며, 자석체의 모터 자속은 온도 변화에 따라 감자되는 것을 들 수 있다. 그외, 모터축 실효로 인한 위험성이 있으므로, 시스템 안전성의 검측 또는 실시간 모니터링도 포함된다. 4) 송풍기: 송풍기를 모터축에 설치하고, 회전으로 발생하는 기류는 일정한 속도를 가진다. 설치 위치는 동작에 영향을 주는데 마찰이 증가되고, 흐림이 낮아지고, 심지어는 잘못된 회전 방향을 초래할 수 있다. 5) 공기여과망: 공기여과망은 정기적인 교체와 정비 서비스를 해야 한다. 하지만 아주 오랜 기간 동안그 기록을 상실할 수 있으며, 마찰과 기류압력을 증가시킬 수 있다. 6) 도관 제어: 도관시스템은 먼지와 도관 파열로 이어질 수 있는데, 지역 제어와 ON/OFF 포트시스템 압력이 변화하는 원인이기도 하다. 위에서 언급한 실제상황에서 정량적인 풍량 제어를 한다면 매우 많은 불안정 요소를 발생할 수 있다.도 3, 도 4, 도 5에 도시된 바와 같이, 팬 모터는 통상적으로 모터 컨트롤러(2)와 모터 단일체(1)로 구성되고, 상기 모터 단일체(1)에는 고정자 모듈(12), 회전자 모듈(13)과 하우징 모듈(11)을 포함하며, 고정자 모듈(13)은 하우징 모듈(11)에 설치되고, 모터 단일체(1)에는 회전자 위치를 검측하는 홀센서(14)가 설치되고, 회전자 모듈(13)은 고정자 모듈(12)의 내측 또는 외측에 패키지로 구성되고, 모터 컨트롤러(2)는 제어박스(22)와 제어박스(22) 내부에 설치된 제어 기판(21)을 포함하며, 제어 기판(21)은 일반적으로 전원회로, 마이크로프로세서, 모선 전류 검측회로, 인버터 회로와 회전자 위치 측량회로 (14, 즉 홀센서)를 포함한다. 전원회로는 각 부분 회로에 전기를 공급하고, 회전자 위치 측량회로는 회전자 위치 신호를 검측한 후 마이크로프로세서에 입력하며, 모선 전류 검측회로는 검측한 모선 회로를 마이크로프로세서에 입력한다. 모선 전압 검측회로는 직류 모선 전압을 마이크로프로세서에 입력하고, 마이크로프로세서는 인버터 회로를 제어하며, 인버터 회로는 고정자 모듈(12)의 각 관련 코일 와인딩의 통전과 단전을 제어한다.도 6, 및 도 7에 도시된 바와 같이, 가령 팬 모터가 3상 BLDC 직류 영구자석 동기 모터라면, 회전자 위치 측량회로(14)는 일반적으로 3개의 홀센서를 적용하고, 3개의 홀센서는 각자 360도 전기각도 주기의 회전자 위치를 측량한다. 120도 전기각도로 회전할 때마다 고정자 모듈(12)의 각 상의 코일 와인딩의 통전을 한차례 변화하여 3상 6단계 제어 모드를 형성한다. 교류입력(AC INPUT)은 다이오드 D7, D8, D9, D10으로 구성된 풀(full) 웨이브 정류 회로를 경과한 후, 콘덴서(C1)의 한쪽에서 직류 모선 전압(Vbus)를 출력하고, 직류 모선 전압(Vbus)는 입력 교류 전압과 연관된다. 교류입력(AC INPUT)한 전압을 확정한 후, 3상 코일조합의 코일전압 UP는 PWM 초퍼 출력 전압이고, UP=Vbus*w, w는 마이크로프로세서가 인버터 회로에 입력한 PWM신호의 공간점유비이다. 코일전압 UP을 변경하면 직류 모선 전류(Ibus)를 변경할 수 있고, 인버터 회로는 전자 스위치 트랜지스터 Q1, Q2, Q3, Q4, Q5, Q6로 구성되며, 전자 스위치 트랜지스터 Q1, Q2, Q3, Q4, Q5, Q6의 제어단이 각각 마이크로프로세서가 출력한 6트랙 PWM신호(P1, P2, P3, P4, P5, P6)를 제어한다. 인버터 회로는 또한 저항(R1)을 연결하여 모선 전류(Ibus) 검측에 사용하고, 모선 전류 검측회로는 저항(R1)의 검측모선 전류(Ibus)를 전환한 후 마이크로프로세서로 전송한다. 모터 입력 공률 제어는 전자 스위치 트랜지스터(Q7) 제어, 마이크로프로세서가 출력한 1트랙 PWM신호--즉P0로써 전자 스위치 트랜지스터(Q7)의 도통 시간을 측정하여, 모터 입력 공률을 제어한다.도 8에 도시된 같이, 에어컨 시스템 중의 팬 모터는 직접 출력을 제어하는 일정 풍량 제어 방법으로, 상기 팬 모터가 로터를 구동함과 동시에 고정자 모듈, 영구자석 회전자 모듈 및 모터 컨트롤러를 구비한다. 상기 모터 컨트롤러에는 마이크로프로세서, 인버터 회로, 회전자 위치 측량회로, 모선 전류 검측회로, 모선 전압 검측회로와 모터입력 공률 제어 회로(도면 미표시)를 포함하고, 회전자 위치 측량회로는 회전자 위치 신호를 검측한 후 마이크로프로세서에 입력한다. 마이크로프로세서는 회전자 위치 신호에 근거하여 모터의 실시간 회전속도 n를 계산하고, 모선 전류 검측회로는 모선 전류를 마이크로프로세서에 입력하며, 모선 전압 검측회로는 직류 모선 전압을 마이크로프로세서에 입력하고, 마이크로프로세서는 인버터 회로를 제어한다. 인버터 회로는 고정자 모듈의 각 상의 코일 와인딩의 단전과 통전을 제어하고, 마이크로프로세서는 모터 입력 공률 제어 회로를 제어한다. 그 특징은: 아래의 절차를 포함한다: 단계 A) 모터 컨트롤러를 시동하고, 사전 설정 목표 풍량값 IN-CFM 을 수신한다.단계 B) 목표 풍량값 IN- CFM 에 근거하여 대응하는 함수 P= f(n)를 획득한다. 그 중 n은 회전속도 , P는 모터의 입력 공률.단계 C) 직접 출력 제어 일정 풍량 제어 모드로 들어간다: 제어 모터 또는 모터속도가 0 일 때 모터를 시동하여, 함수 P= f(n)를 따라 제어 궤적이 안정적인 작업포인트(pt, nt) 에 도달하게 한다. pt, nt. 는 일정 풍량 제어 함수P= f(n)의 궤적 위에 위치하여 입력 공률과 회전속도를 만족한다.단계 D) 직접 출력 제어 일정 풍량 제어 모드 유지: 모터운행 파라미터에 근거하여 모터 실시간 입력 공률 Pi를 계산한다. 계산 ΔP=│Pt-Pi│.단계 E) 출력 증가치ΔP가 설정치 Pset보다 작으면, 현재의 작업포인트를 유지한다.절차 F) 출력 증가치 ΔP가 설정치 Pset보다 같거나 크면, 출력/회전속도 제어 로직은 스피드 루프의 동작 시간 도달 여부를 계산한다. 만약 스피드 링루프 동작 시간이 도달하지 못하면 현재의 작업포인트를 유지한다.단계 G) 스피드 루프의 동작 시간이 도달하면, 속도 제어 회로에 들어가 Δn=│ni-nt│에 따라 속도를 조절한다. ni는 실시간 회전속도로, 궤적 위의 새 작업점(Pi, ni)을 실현한다. 즉 Pt=Pi, nt=ni로 된 후 단계 C로 돌아간다.상술한 함수 P= f(n)의 획득 방법은 다음과 같다: 우선 소스 데이터를 적용하여 다수 개의 목표 풍량을 상대로 저정압에서부터 계속 고정압으로 조절하되, 이 정압은 실제 응용범위를 포함해야 한다. 정압 조절 과정에서 모터는 일정 회전속도 제어상태에 있게 하고, 모터 회전속도 n과 모터의 실시간 입력 공률 Pi를 통해 풍량을 목표 풍량으로 유지하고, 이때 모터 안정상태의 회전속도 n에 대응하는 모터의 실시간 입력 공률 Pi를 기록한다. 이렇게 하여 다수 개의 목표 풍량을 상대로 모두 한개 조의 회전속도 n과 모터의 실시간 입력 공률 Pi를 생성한다. 다음으로 곡선 피팅 방법을 통해 다수 개의 목표 풍량 중 매 한 개의 목표 풍량에 대응하는 한 개의 함수P= f(n)를 생성한다.이상과 같이 만약 외부 입력 목표 풍량값 IN- CFM 이 모두 상술한 측정한 다수 개의 목표 풍량 중의 한 개와 다르면 내삽법을 통해, 임의의 외부 입력 목표 풍량값 IN- CFM 의 상에 대응하는 함수 P= f(n)를 피팅 계산하여 임의의 전과정 목표 풍량의 일정 풍량 제어를 실현할 수 있다.상술한 함수관계식 P=f(n)는 다항식 함수: P=C1+C2×n+...+Cm×nm-1, 그중C1,C2 , …, Cm는 계수, n은 모터 회전속도 값이고, 매 하나의 목표 풍량은 한 개 조의 C1,C2 , …Cm 에 대응하며, 계수는 저장된다. 마이크로프로세서는 입력된 목표 풍량값 IN- CFM 에 의거하여 룩업테이블법 또는 내삽법을 통해 이에 대응하는 한 개 조의 C1,C2 , …Cm 계수를 획득함으로써 함수관계식P=f(n)를 얻는다.상기 함수관계식P= f(n)는 한 개의 2차 함수: P=C1+C2×n+C3×n2.본 발명의 직접 출력 제어 일정 풍량의 제어 방법(Direct P Control for Constant Airflow Control Apparatus Method)의 개발과 수학 모형 구축방법은 다음과 같다: 일반적으로 한 개의 통풍 시스템에서, 송풍기는 팬 모터의 구동으로 안정 상태에서 기류 공기를 발생한다. 일정한 풍량 제어는 정압 조건하에서의 속도, 출력 제어를 통해 실현하는바, 관계식: CFM = F( P, speed, pressure)에서, 이 중 CFM는 풍량, P는 출력, speed는 속도, pressure는 정압이다. 정압 변화에서, 출력과 속도 제어로써 이 일정 풍량을 유지한다. 정압의 증가에 따라, 출력과 속도는 그에 따라 변화한다. 한 개의 일정 풍량 CFM 곡선이 테스트한 결과는 도 9의 표시와 같다. 이와 같은 일정 풍량 CFM 곡선을 기반으로, 제어 모델을 개발하면, 제품 제어가 확정 풍량 요구를 만족할 경우, 출력과 속도를 제어하여 특정 정압에서 일정 풍량 CFM을 제공한다. 도 9에서, 특성 곡선은 출력과 속도 제어를 유지하는 일정 풍량 물리 특성을 대표하고, 모든 모터의 규정 출력범위 내에서, 임의의 유형의 설계에 따른 기류 시스템에 대한 에어컨 업체는 출력 테스트 결과와 속도 곡선에 기반하여 전형적인 2차함수를 모델링 개발에 사용하여 일종 전형적인 함수로 할 수 있다는 결론을 얻을 수 있다. P=C1+C2×n+C3×n2, 곡선 위에서 3개의 미정포인트(A, B와 C)를 선택하는 것을 통하여, 그에 대응하는 좌표 위의 데이터 (p1,n1), (p2,n2),(p3,n3), 계수 C1, C2, C3, 아래 공식을 참고한다: , , , 및 , 방정식을 풀면, m=3.곡선피팅 과정은 다항식 묘사곡선을 선택하는 것으로, 다항식 계수는 최소제곱법을 통해 얻어낸다. 이론상 P=C1+C2×n+C3×n2...+Cm×nm-1 을 사용할 수 있고, 실제적으로는 이항식은 일반 수요를 만족할 수 있다. 함수관계식P= f(n)는 한 개의 2차 함수: P=C1+C2×n+C3×n2, 그중 C1、C2와 C3은 계수, n은 모터 회전속도 값이며, 테스트한 다수 개의 목표 풍량 중 임의의 한개 목표 풍량은 한개 조의 C1, C2와 C3 계수와 대응된 후 저장된다. 마이크로프로세서는 입력된 목표 풍량값 IN- CFM 에 근거하여 테이블법을 대조를 통해 이에 대응하는 한 개 조의 C1, C2와 C3 계수를 얻음으로써, 함수관계식P= f(n)을 얻는다. 모 부하에서 매 한개의 목표 풍량은 한개 조의 C1, C2와 C3 계수와 대응되며, 구체적으로 표1의 표시와 같다:CFM C1C2C3 1500.338-0.1510.04583000.4423-0.21130.0765450. . . . . . . . . 600. . . . . . . . . 750. . . . . . . . . 900. . . . . . . . . 도 10은 1 / 3HP의 팬 모터가 소형 도관의 에어컨 시스템에서의 직접 출력 제어 일정 풍량 실험 데이터 피팅 곡선도이다. 주어진 목표 기류에 대해 시스템은 일부 전형적인 풍량 CFM을 선택하여 테스트 포인트로 하여 하나의 데이터베이스를 구축한 후 수학적 모형 구축에 사용된다. 이와 같은 전형적인 포인트에는 최소와 최대 풍량값을 포함하고, 일부 중간점이 부가되어 제품 규격, 전형적인 풍량 CFM으로 하는데 테스트 포인트는 5개가 있는데 각각 150 / 300 / 450 / 600과 750 CFM이다.표2는 데이터 테스트 결과의 한가지 예이다. 모터의 회전속도 범위는 200~1400 rpm이다. 시스템의 정압은 0.1에서 1 H2O 이다. 사전 설정 일정 풍량 CCFM의 출력을 유지하여, 하나의 도 10에 대응하는 모터 입력 공률 PER_UNIT 값을 얻어 하나의 데이터베이스를 형성한다.150CFM풍량300CFM풍량450CFM풍량600CFM풍량750CFM풍량회전속도 출력회전속도 출력회전속도 출력회전속도 출력회전속도출력385.33.6%452.26.9%590.114.8%693.626.6%822.945.6%385.93.6%577.710.6%680.619.6%763.931.6%878.150.4%5316.0%700.314.6%778.524.7%839.337.2%93656.4%637.38.6%787.518.4%858.429.8%90543.2%997.963.9%737.411.6%861.222.2%940.535.2%987.850.6%105670.5%818.414.4%932.626.2%101541.0%105157.0%111577.1%89117.4%997.930.5%107845.6%112764.1%117683.3%970.321.5%105334.2%114651.6%118470.2%117383.2%102924.8%111939.7%119756.6%124575.0%110028.3%116543.1%125261.6%116332.4%최소제곱법을 이용하여 매개 사전설정 CFM 풍량에 대응하는 출력과 회전속도의 2차 함수는 한개 표준 계산 방법으로 얻어 낸다: 이 방정식은 한 개의 특정 정압의 임의 시스템의 작업포인트 출력과 속도를 정의한다. 설정 풍량 IN-CFM의 사전 설정치를 입력하면, 모터시스템은 이에 대응하는 함수를 설정하고, 그 작업포인트의 궤적 순환 함수를 정의한다. 방정식 (3)~(7)은 표준 방정식으로 표시될 수 있다. C1, C2, C3은 상수이다.즉 P=C1+C2×n+C3×n2 를 얻는다. 방정식 (3)~(7) 모델링 곡선은 몇 개의 일정 풍량 CFM이 필요하는 5개 선택 작업 포인트 궤적을 제공하며, Power는 출력(공률), n은 회전속도다.도 11에 도시된 바와 같이, 요구된 일정 풍량 IN-CFM 요구가 모델링 곡선 중의 한 개가 아닐 경우, 일종의 보간법을 이용하여 새로운 특징의 방정식으로 해당 요구의 일정 풍량 IN-CFM을 피팅한다. 예를 들면 청구한 일정 풍량 IN-CFM=525cfm 요구가 접수되었다면, 인근의 두 개의 곡선 CFM1-600cfm과 CFM2-450cfm 모델링이 인식될 수 있다. 다음 두 개의 상응한 방정식은 IN-CFM=525cfm 곡선의 새로운 방정식 계산에 사용될 수 있다. 필요로 하는 IN-CFM=525cfm을 기반으로, 3개의 선정 속도ω1, ω2, ω3으로, 이 속도에서의 출력값 계산을 확정하고, 이 두 개의 모형을 이용하여 곡선에 대응하는 방정식은 쌍출력 포인트에서 선정한 속도이고, 선형 가중 삽입치는 보간법 P값 계산에 사용된다. 우선 열거한 행렬 데이터는 아래와 같다.한 쌍의 출력포인트 (p1i, p2i)는 한 개의 선정 속도ω에 대응하고, 선정 속도ω1, ω2, ω3은 3쌍의 출력포인트 (p1i, p2i)에 대응되며, 선형 가중 보간법은 Pi치 계산에 사용된다. 그 값은:가중치 W는 이렇게 계산한다: 주의할 점은 이 CFM2≤IN-CFM≤CFM1, 0≤W≤1이다. 아래의 행렬 방정식은 계산가능하다. 이렇게 대응하는 IN-CFM=525cfm의 함수P= 를 얻을 수 있다. 이 행렬 방정식을 얻으면, C1, C2, C3 계수도 계산할 수 있다. 따라서 임의의 요구에서 풍량 IN-CFM 입력은 모두 출력 방정식을 얻을 수 있다. 이 과정은 모터 컨트롤러 내부의 마이크로프로세서---마이크로컨트롤러에서 초기화가 완성되기 때문에, 출력한 계산은 많은 실시간 CPU 자원을 소모할 필요가 없다. 이로부터 알 수 있듯이, 본 직접 출력 제어 DPC(Direct Power Control)는 회전속도 제어로써 출력 제어를 실현한다. 출력/회전속도 제어 로직의 기능은 출력/회전속도 회로 시간 상수를 조율하여 시스템의 안정성을 보장하는 것이다. 제어는 제어 모터의 정확성 제어, 토크 제어를 통해 비교할 수 있다. 스칼라 또는 벡터 제어에서, 속도 제어는 토크 제어에 비해 효과적이고, 제어 정밀도를 높일 수 있다.DPC 제어는 독특한 출력과 송풍기 부하 속도특성을 통해 속도 제어를 한다. 모터는 0 회전속도로부터 고회전 속도에 이르고, 출력 역시 이처럼 0 으로 부터 증대된다. 모터의 회전속도는 상승하면서 한 쌍의 작업포인트A(출력, 속도)까지 도달하는데, 정압 포인트이다. 도 13의 표시와 같이, 정력이 돌연 커지면, 속도 제어 모드 하에서, 모터는 더 많은 출력(또는 더 큰 토크)를 제공하여 속도를 유지한다. 높은 정압은 매우 큰 출력을 요구하기 때문이다. 출력이 돌연 더 높이 상승하면 모터시스템은 새로운 작업포인트의 “B”에 도달하여 같은 속도에 이른다. 이 알고리즘은 이는 일정한 CFM 궤적 곡선 작업포인트가 아니고, 이로부터 한 쌍의 출력/속도포인트 “C”를 결정한다. 하지만 C포인트는 안정적인 작업포인트가 아니며, 고출력의 요구가 있기 때문에 "D" 포인트로 가고, 이를 반복하는 등 새로운 안정적인 작업포인트 “G”를 얻은 후 종료된다.실시예에서 우리는 출력을 감소하여 파동이 돌연 변화시, 제한을 받는 출력 증가량을 통해 제어한다. 도 14에서 증가량 출력은 ΔP로 지정된다. 출력변화가 출력 증가량 ΔP을 초과하기만 하면, 속도 제어는 속도를 제어한다. 이 방식에서 모든 작업포인트는 대응하는 일정 풍량 CFM 궤적 곡선의 한 개 음양 광대역에서 작업한다. 정압이 변화하고 과도하는 과정에서 풍류 제어 시스템은 안정적이다. 도 15에서 도시된 바와 같이, 상술한 모터 직접 출력 제어 일정 풍량 제어 방법과 알고리즘은 이미 우리의 팬 모터 컨트롤러에서 시험을 하였고, 모든 시스템의 성능은 도 15의 표시 요구를 만족하였다.도 12는 본 알고리즘의 팬 모터 스칼라 제어 응용에서의 로직 박스 도면이다. 입력 공률은 직류 모선 전압, 전류 계산으로 얻는다. 출력 및 회전속도 는 최대 출력 Pmax, 및 회전속도 nmax 이내로 제한된다.피드백 직류 모선 전류 /전압을 통해 모터의 실시간 입력 공률 값Pi를 계산하고, 외부 입력 풍량IN-CFM과 출력/속도데이터가 매칭되어, 모터 입력 공률의 계산치Pt를 얻은 후, 모터 입출공률의 계산치 Pt와 모터의 실시간 출력 출력Pi를 비교하여, 출력차ΔP를 얻는다. 출력차ΔP가 제한되면 출력차ΔP의 과대를 피하고, 출력 파동이 너무 큰 것을 조절할 수 있다. 출력(공률)차 ΔP는 출력/속도 제어 로직을 통해 출력되어, 스피드 루프 제어를 하고, PWM 컨버터는 회전속도를 제어한다. 스칼라 제어를 적용하면, 즉 실시간 모선 전류 Ibus 와 실시간 모선 전압을 적용하여 모터의 실시간 입력 공률 P = Ibus ×Vbus 를 계산한다.팬 모터의 풍량 측량 원리는 다음과 같다: 상술한 이론 분석에 기반하여: 도 10은 1 / 3HP의 팬 모터가 소형도관의 에어컨 시스템의 직접 출력 제어 일정 풍량의 실험 데이터 피팅곡선도로, 풍량CFM는 테스트포인트로 하여 5개가 있는데 각각 150, 300, 450, 600과 750 CFM이고, 방정식 (3)~(7)을 얻으며, 표2는 테스트 데이터 결과를 보여주는 예이다. 모터의 회전속도 범위는 200~1400 rpm이다. 시스템의 정압은 0.1~1 H2O, 사전설정 일정 풍량 CCFM 출력을 유지하여, 대응하는 도 10의 모터 입력 공률의 PER_UNIT 값을 획득한다. 또한 임의의 한 개의 기술한 입력은 더는 상술한 5개의 작업포인트의 풍량데이터가 아니다. 예를 들면 IN-CFM=525cfm의 함수 P=C1+C2×n+C3×n2 를 얻을 수 있다. 행렬 방정식을 해결하면 C1, C2, C3 계수는 계산이 가능하다. 따라서 임의의 입력풍량 IN-CFM 모두 출력방정식을 얻을 수 있다. 즉, 임의의 입력 목표 풍량 모두 대응하는 해당 목표 풍량의 일정 풍량 제어 함수 P=C1+C2×n+C3×n2 를 얻을 수 있다.이상의 원리에 근거하여 역으로 추리하면: 모터 작동이 안정적인 상황에서, 모터의 현재 실시간 출력 Po와 회전속도 no를 측량할 수 있다. 도 16의 표시와 같이, 이 포인트 M (Po, no)을 통해 우리는 이 포인트 (Po, no)가 어느 일정 풍량이 제어하는 곡선 CFM0 위에 있는지를 추산할 수 있고, 이 포인트M(Po, no)에 대응하는 풍량값도 알수 있다. 그 추리 과정은 아래와 같다: 즉. 곡선은 두 개의 이미 알고 있는 풍량 곡선 사이에 위치해 있다. 우리는 P0를 방정식(3)~(7)에 대입하면, 5종의 풍량에 대응하는 회전속도 n(150), n(300), n(450), n(600), n(750)을 얻을 수 있고, 회전속도 비교 판단을 통해 회전속도 no가 어느 두개의 이미 알고 있는 일정 풍량 곡선 사이에 있는지를 판단할 수 있다. 가령 이 포인트 M(Po, no)이 일정 풍량 곡선 CFM1과 CFM2 사이에 있다고 한다면, 입력 공률 Po와 같은 상황에서, 일정 풍량 곡선CFM1과 CFM2에 대응하는 회전속도는 각각 n1, n2이다. 이 포인트 M(Po, no)의 일정 풍량값 CFM0=CFM2+(CFM1-CFM2)×(n2-no)÷(n2-n1), 이중 CFM1, CFM2는 풍량 150, n(300), 450, 600, 750 중의 하나이다. 이상의 추론에서 알 수 있듯이 모터의 실시간 출력Po와 회전속도 no를 알고 있다면, 에어컨 시스템 출력한 풍량값 CFM0을 얻을 수 있다. 풍량 검측이 풍량 설정보다 낮은 편차가 일정한 값에 도달하면, 공기여과망이 막힌 것으로 판단하고 신호를 출력하여 경보를 출력한다.실시예2: 일종 팬 모터의 풍량 측정 방법으로 그 특징은: 다음의 절차를 포함한다:A) 모터 컨트롤러의 마이크로프로세서 내부에 M개의 풍량점 CFMi와 대응하는 M개의 일정 풍량 제어 함수 Qi=F(n)를 구축하며, 이중 Q는 직류 모선 전류 파라미터, n은 모터의 회전속도이다. i는 정수이며, 1부터 시작하여 M까지이다.B) 모터를 시동하여 상태에 진입한 후, 모터의 실시간 회전속도 n0과 파라미터 Q0를 검측하고, 파라미터 Q0를 상술한 다수 개의 풍량점 CFMi와 대응하는 다수 개의 일정 풍량 제어 함수 Qi=F(n)에 대입하여 다수 개의 회전속도 ni를 얻은 후, 실시간 회전속도 n0과 다수 개의 풍량점 CFMi와 대응하는 다수 개의 회전속도 ni를 비교하여, 실시간 풍량 검측 CFM0가 어느 두 개의 풍량점 CFMi와 CFMi-1 사이에 있는가를 확인한다.C) 확정한 두 개의 풍량점 CFMi와 CFMi-1, 그리고 회전속도 ni와 ni-1을 이용하여 내삽법을 통해 실시간 풍량 검측 CFM0를 계산한다. 풍량 검측 CFM0=CFMi+(CFMi-1-CFMi)×(ni-no)÷(ni-ni-1).상기에서 기술한 함수Qi=F(n)의 획득 방법은 다음과 같다: 우선 소스 데이터를 적용하여 공기통로 설비에서, M개의 목표 풍량을 상대로 저정압에서부터 줄곧 고정압으로 조절하되, 이 정압은 실제 응용범위를 포함해야 한다. 정압 조절 과정에서 모터는 일정회전속도 제어상태에 있게 하고, 모터 회전속도 n을 조절하는 것을 통해 직류 모선 전류 Q의 풍량은 목표 풍량을 유지하고, 이 때의 모터의 안정상태 회전속도 n에 대응하는 직류 모선 전류 Q를 기록한다. 이렇게 하여 M개의 목표 풍량을 상대로 모두 한개 조의 회전속도 n과 직류 모선 전류 Q를 생성하고, 다음으로 곡선 피팅 방법으로 M개의 목표 풍량 중 매 한개의 목표 풍량에 대응하는 한 개의 함수 Qi=F(n)를 생성한다.팬 모터가 일정회전속도 제어 모드에서 작동할 경우, 풍량 검측과 풍량 설정의 편차가 일정한 값에 도달하면, 공기여과망이 막힌 것으로 판단하고 경보를 출력한다. M개의 풍량점은 최소 5개가 있어, 실시간 풍량 검측 CFM0 정밀도 계산을 보장할 수 있다. 실시예3: 일종의 팬 모터의 풍량 측정 방법으로 그 특징은: 다음의 단계를 포함한다: A) 모터 컨트롤러의 마이크로프로세서 내부에 M개의 풍량점 CFMi와 대응하는 M개의 일정 풍량 제어 함수 Qi=F(n)를 구축하며, 이중 Q는 모터출력 모멘트, n은 모터의 회전속도다. i는 정수이며, 1부터 시작하여 M까지이다.B) 모터를 시동하여 상태에 진입한 후, 모터의 실시간 회전속도 n0과 파라미터 Q0를 검측하고, 파라미터 Q0를 상술한 다수 개의 풍량점 CFMi와 대응하는 다수 개의 일정 풍량 제어 함수 Qi=F(n)에 대입하여 다수 개의 회전속도 ni를 얻은후, 실시간 회전속도 n0과 다수 개의 풍량점 CFMi와 대응하는 다수 개의 회전속도 ni를 비교하여, 실시간 풍량 검측 CFM0가 어느 두 개의 풍량점 CFMi와 CFMi-1 사이에 있는가를 확인한다.C) 확정한 두 개의 풍량점 CFMi와 CFMi-1, 그리고 회전속도 ni와 ni-1을 이용하여 내삽법을 통해 실시간 풍량 검측 CFM0를 계산한다. 풍량 검측 CFM0=CFMi+(CFMi-1-CFMi)×(ni-no)÷(ni-ni-1). 상기에서 기술한 함수 Qi=F(n)의 획득 방법은 다음과 같다: 우선 소스 데이터를 적용하여 공기통로 설비에서, M개의 목표 풍량을 상대로 저정압에서부터 줄곧 고정압으로 조절하되, 이 정압은 실제 응용범위를 포함해야 한다. 정압 조절 과정에서 모터는 일정회전속도 제어상태에 있게 하고, 모터 회전속도 n을 조절하는 것을 통해 모터출력 모멘트Q의 풍량은 목표 풍량을 유지하고, 이때의 모터 안정상태 회전속도 n에 대응하는 모터출력 모멘트Q를 기록한다. 이렇게 하여 M개의 목표 풍량을 상대로 모두 한 개조의 회전속도 n과 모터출력 모멘트Q를 생성하고, 다음으로 곡선 피팅 방법으로 M개의 목표 풍량 중 매 한개의 목표 풍량에 대응하는 한개의 함수Qi=F(n)를 생성한다. 모터출력 모멘트Q와 모터의 작동전류는 정비례하며, 따라서 검측모터의 작동전류를 통해 모터출력 모멘트Q를 계산할 수 있다. 팬 모터는 일정모멘트 제어 모드에서 작동하고, 풍량 검측과 풍량 설정의 편차가 일정한 값에 도달하면, 공기여과망이 막힌 것으로 판단하여 경보를 출력한다. M개의 풍량점은 최소 5개가 있어, 실시간 풍량 검측 CFM0 정밀도 계산을 보장할 수 있다. [ 부호의 설명 ] 1: 모터 단일체 2: 모터 컨트롤러11: 하우징 모듈 12: 고정자 모듈13: 회전자 모듈 14: 홀센서21: 제어기판 22: 제어박스	본 발명은 일종 팬 모터의 풍량 측정 방법을 개시한다. 그 특징은: 다음의 단계를 포함한다: A) 모터 컨트롤러(2)의 마이크로프로세서 내부에 M개의 풍량점 CFMi와 대응하는 M개의 일정 풍량 제어 함수 Qi=F(n)를 구축하며, 이 중 Q는 입력 공률(input power) 또는 직류 모선 전류(DC bus current) 또는 모멘트(torque)이고, n은 모터의 회전속도이다. B) 모터를 시동하여 정상상태에 진입한 후, 모터의 실시간 회전속도 n0과 파라미터 Q0를 검측하고, 파라미터 Q0를 상술한 다수 개의 풍량점 CFMi와 대응하는 다수 개의 일정 풍량 제어 함수Qi=F(n)에 대입하여 다수 개의 회전속도 ni를 얻은후, 실시간 회전속도 n0과 대응하는 다수 개의 회전속도 ni를 비교하고, 실시간 풍량 검측 CFM0가 어느 두 개의 풍량점 CFMi와 CFMi-1 사이에 있는가를 확인한다. C) 내삽법을 이용하여 실시간 풍량 검측 CFM0를 계산하여, 공기여과망이 막혔는지를 정확하게 판단하고 신호 경보를 출력하는바, 수학적 모형이 간단하고, 제어가 신뢰성이 있으며, 정밀도가 높다.
[ 발명의 명칭 ] 전자 부품용 티탄구리COPPER-TITANIUM ALLOY FOR ELECTRONIC COMPONENT [ 기술분야 ] 본 발명은 커넥터 등의 전자 부품용 부재로서 바람직한 티탄구리에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 최근에는 휴대 단말 등으로 대표되는 전자 기기의 소형화가 더욱 진행되고, 따라서 그것에 사용되는 커넥터는 협피치화, 저배화 (低背化) 및 협폭화의 경향이 현저하다. 소형의 커넥터일수록 핀폭이 좁고, 작게 접은 가공 형상이 되기 때문에, 사용하는 부재에는 필요한 스프링성을 얻기 위한 높은 강도가 요구된다. 이 점에서, 티탄을 함유하는 구리 합금 (이하,「티탄구리」라고 칭한다) 은, 비교적 강도가 높고, 응력 완화 특성에 있어서는 구리 합금 중 가장 우수하기 때문에, 특히 강도가 요구되는 신호계 단자용 부재로서 예전부터 사용되어 왔다.티탄구리는 시효 경화형 구리 합금이다. 용체화 처리에 의해 용질 원자인 Ti 의 과포화 고용체를 형성시키고, 그 상태로부터 저온에서 비교적 장시간의 열 처리를 실시하면, 스피노달 분해에 의해 모상 중에 Ti 농도의 주기적 변동인 변조 구조가 발달하고, 강도가 향상된다. 이 때 문제가 되는 것은, 강도와 굽힘 가공성이 상반되는 특성인 점이다. 즉, 강도를 향상시키면 굽힘 가공성이 저해되고, 반대로 굽힘 가공성을 중시하면 원하는 강도가 얻어지지 않는다는 것이다. 일반적으로 냉간 압연의 압하율을 높일수록, 도입되는 전위가 많아져 전위 밀도가 높아지기 때문에, 석출에 기여하는 핵 생성 사이트가 증가하여, 시효 처리 후의 강도를 높일 수 있지만, 압하율을 지나치게 높이면 굽힘 가공성이 악화된다. 이 때문에, 강도 및 굽힘 가공성의 양립을 도모하는 것이 과제로 되어 왔다.그래서, Fe, Co, Ni, Si 등의 제 3 원소를 첨가하거나 (특허문헌 1), 모상 중에 고용되는 불순물 원소군의 농도를 규제하고, 이들을 제 2 상 입자 (Cu-Ti-X 계 입자) 로서 소정의 분포 형태로 석출시켜 변조 구조의 규칙성을 높이거나 (특허문헌 2), 결정립을 미세화시키는 데에 유효한 미량 첨가 원소와 제 2 상 입자의 밀도를 규정하거나 (특허문헌 3), 결정립을 미세화하거나 (특허문헌 4), 결정 방위를 제어하거나 (특허문헌 5) 하는 관점에서, 티탄구리의 강도와 굽힘 가공성의 양립을 도모하려고 하는 기술이 제안되고 있다.또, 특허문헌 6 에는 스피노달 분해에서 기인하는 티탄의 변조 구조가 발달해 감에 따라, 티탄 농도의 변동이 커지고, 이로써 티탄구리에 점성을 부여하여 강도 및 굽힘 가공성이 향상되는 것이 기재되어 있다. 그래서, 특허문헌 6 에 있어서는 스피노달 분해에서 기인하는 모상 중의 Ti 농도의 변동을 제어하는 기술이 제안되어 있다. 특허문헌 6 에 있어서는, 최종 용체화 처리 후에 열 처리 (아시효 처리) 를 넣어 미리 스피노달 분해를 일으키고, 그 후에 종래 레벨의 냉간 압연, 종래 레벨의 시효 처리 혹은 그것보다 저온·단시간의 시효 처리를 실시함으로써 Ti 농도의 변동을 크게 하고, 티탄구리의 고강도화를 도모하는 것이 기재되어 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 공개특허공보 2004-231985호일본 공개특허공보 2004-176163호일본 공개특허공보 2005-97638호일본 공개특허공보 2006-265611호일본 공개특허공보 2012-188680호일본 공개특허공보 2012-097306호 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 이와 같이, 종래에는 강도 및 굽힘 가공성의 양면으로부터 특성의 개선을 도모하는 노력이 많이 이루어져 왔지만, 전자 기기의 소형화에 의해 탑재되는 커넥터 등의 전자 부품의 소형화도 더욱 진전되고 있다. 이와 같은 기술 트랜드에 추종하기 위해서는 티탄구리의 강도 및 굽힘 가공성을 더욱 높은 차원에서 달성하는 것이 필요하다. 강도 및 굽힘 가공성의 밸런스 향상에는 스피노달 분해에서 기인하는 Ti 농도의 변동을 크게 하는 것이 유효한 것이 나타나 있지만, 여전히 개선의 여지가 남아 있다.그래서, 본 발명은 티탄구리에 있어서, Ti 농도의 변동을 종래와는 다른 관점에서 제어하고, 강도 및 굽힘 가공성의 향상을 도모하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명자는, 티탄구리의 모상 중의 Ti 농도를 EDX 에 의해 라인 분석함으로써 얻어지는 Ti 농도의 변동 곡선에 있어서의 변동 계수, 나아가서는 십점 평균 높이가 강도 및 굽힘 가공성에 유의하게 영향을 주고 있는 것을 알아내었다. 그리고, 이들 파라미터를 적절히 제어함으로써, 이들 특성의 밸런스를 향상시킬 수 있는 것을 알아내었다. 본 발명은 이상의 지견을 배경으로 하여 완성된 것으로, 이하에 의해 특정된다.본 발명은 일 측면에 있어서, Ti 를 2.0 ∼ 4.0 질량％ 함유하고, 제 3 원소로서 Fe, Co, Mg, Si, Ni, Cr, Zr, Mo, V, Nb, Mn, B 및 P 로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상을 합계로 0 ∼ 0.5 질량％ 함유하고, 잔부가 구리 및 불가피적 불순물로 이루어지는 전자 부품용 티탄구리로서, 압연 방향에 평행한 단면에 있어서의 ＜100＞ 방위의 결정립에 대해 모상 중의 Ti 를 EDX 에 의해 라인 분석하였을 때에 얻어지는 Ti 농도의 변동 곡선에 있어서의 변동 계수가 0.2 ∼ 0.8 이고, 또한 압연 방향에 평행한 단면의 조직 관찰에 있어서의 크기가 3 ㎛ 이상인 제 2 상 입자의 관찰 시야 10000 ㎛2 당의 개수가 35 개 이하인 티탄구리이다.본 발명에 관련된 티탄구리의 일 실시형태에 있어서는, 압연 방향에 평행한 단면에 있어서의 ＜100＞ 방위의 결정립에 대해 모상 중의 Ti 를 EDX 에 의해 라인 분석하였을 때에 얻어지는 Ti 농도의 변동 곡선에 있어서의 십점 평균 높이가 2.0 ∼ 17.0 질량％ 이다.본 발명에 관련된 티탄구리의 다른 일 실시형태에 있어서는, 압연 방향에 평행한 단면의 조직 관찰에 있어서의 평균 결정 입경이 2 ∼ 30 ㎛ 이다.본 발명에 관련된 티탄구리의 또 다른 일 실시형태에 있어서는, 압연 방향에 평행한 방향에서의 0.2 ％ 내력이 900 ㎫ 이상이고, 또한 판 폭 (w)/판 두께 (t) ＝ 3.0 이 되는 굽힘 폭으로 굽힘 반경 (R)/판 두께 (t) ＝ 0 으로 하여 Badway (굽힘축이 압연 방향과 동일 방향) 의 W 굽힘 시험을 실시하였을 때에 굴곡부에 크랙을 발생시키지 않는다.본 발명은 다른 일 측면에 있어서, 본 발명에 관련된 티탄구리를 구비한 신동품이다.본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명에 관련된 티탄구리를 구비한 전자 부품이다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 의하면 강도 및 굽힘 가공성의 밸런스가 향상된 티탄구리가 얻어진다. 본 발명에 관련된 티탄구리를 재료로 함으로써 신뢰성이 높은 커넥터 등의 전자 부품이 얻어진다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1 은, 본 발명에 관련된 티탄구리의 모상 중의 Ti 를 EDX 에 의해 라인 분석하였을 때에 얻어지는 Ti 농도의 변동 곡선의 일례이다.도 2 는 티탄구리의 모상 중의 Ti 의 맵핑 이미지의 예이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] (1) Ti 농도본 발명에 관련된 티탄구리에 있어서는, Ti 농도를 2.0 ∼ 4.0 질량％ 로 한다. 티탄구리는, 용체화 처리에 의해 Cu 매트릭스 중에 Ti 를 고용시키고, 시효 처리에 의해 미세한 석출물을 합금 중에 분산시킴으로써, 강도 및 도전율을 상승시킨다.Ti 농도가 2.0 질량％ 미만이 되면, Ti 농도의 변동이 발생하지 않거나 또는 작아짐과 함께 석출물의 석출이 불충분해져 원하는 강도가 얻어지지 않는다. Ti 농도가 4.0 질량％ 를 초과하면, 굽힘 가공성이 열화되고, 압연시에 재료가 균열되기 쉬워진다. 강도 및 굽힘 가공성의 밸런스를 고려하면, 바람직한 Ti 농도는 2.5 ∼ 3.5 질량％ 이다.(2) 제 3 원소본 발명에 관련된 티탄구리에 있어서는, Fe, Co, Mg, Si, Ni, Cr, Zr, Mo, V, Nb, Mn, B 및 P 로 이루어지는 군에서 선택되는 제 3 원소의 1 종 이상을 함유시킴으로써, 강도를 더욱 향상시킬 수 있다. 단, 제 3 원소의 합계 농도가 0.5 질량％ 를 초과하면, 굽힘 가공성이 열화되고, 압연시에 재료가 균열되기 쉬워진다. 그래서, 이들 제 3 원소는 합계로 0 ∼ 0.5 질량％ 함유할 수 있고, 강도 및 굽힘 가공성의 밸런스를 고려하면, 상기 원소의 1 종 이상을 총량으로 0.1 ∼ 0.4 질량％ 함유시키는 것이 바람직하다.(3) Ti 농도의 변동 곡선의 변동 계수 및 십점 평균 높이본 발명에 있어서는, 압연 방향에 평행한 단면에 있어서의 ＜100＞ 방위의 결정립에 대해 모상 중의 Ti 를 EDX 에 의해 라인 분석함으로써 Ti 농도의 변동 곡선의 변동 계수 및 십점 평균 높이를 구한다. Ti 농도의 변동 곡선은 구체적으로는 압연 방향에 평행한 단면에 대한 주사형 투과 전자 현미경 (STEM) 을 사용한 에너지 분산형 X 선 분광법 (EDX) 에 의해 작성한다 (STEM-EDX 분석). STEM-EDX 분석에 의해 티탄구리의 ＜100＞ 방위의 결정립에 대해 모상을 라인 분석하면, 도 1 에 나타내는 바와 같은 Ti 농도가 주기적으로 변화하고 있는 모습을 관찰할 수 있다. 도 1 에 나타내는 평균선은, 라인 분석에 의해 측정한 각 측정 지점에서의 Ti 농도 (질량％) 의 합계값을 측정 지점 수로 나눈 값 (평균값) 을 나타낸다. 또한, 도 1 에 나타내는 바와 같은 Ti 농도의 변동 곡선으로부터, Ti 농도 (질량％) 의 변동 계수 및 십점 평균 높이를 측정할 수 있다.Ti 농도의 변동 계수는 측정 데이터의 측정 거리 내에서, Ti 농도의 표준 편차 및 평균값을 산출하고, 변동 계수 ＝ 표준 편차/평균값으로 산출되는 값이다. 변동 계수가 크다는 것은 Ti 농도의 변화가 큰 것을 나타내고, 변동 계수가 작다는 것은 Ti 농도의 변화가 작은 것을 나타낸다.Ti 농도의 십점 평균 높이는 측정 데이터의 측정 거리 내에서, 평균선을 기준으로 하여, 가장 높은 산정에서 5 번째까지의 산정의 표고 (Yp) 의 절대값의 평균값과, 가장 낮은 곡저에서 5 번째까지의 곡저의 표고 (Yv) 의 절대값의 평균값의 합으로서 정의된다. 예를 들어, 도 1 에 있어서는, ○ 표시로 마크된 피크값이 십점 평균 높이의 산출에 사용된다. 가장 높은 산정에서 5 번째까지의 산정의 표고의 절대값은 그래프의 좌측으로부터 순서대로 4.53, 2.31, 3.20, 4.41, 7.88 이고, 그 평균값은 4.466 이다. 또, 가장 낮은 곡저에서 5 번째까지의 곡저의 표고의 절대값은 그래프의 좌측으로부터 순서대로 3.10, 2.60, 3.80, 2.30, 4.10 이고, 그 평균값은 3.186 이다. 따라서, 이 경우의 십점 평균 높이는 7.652 질량％ 로 구해진다.측정 거리는 측정 오차를 방지하는 관점에서 150 ㎚ 이상으로 한다. 동일한 분석을 상이한 관찰 시야로 5 회 반복하고, 평균값을 변동 계수 및 십점 평균 높이의 측정값으로 한다. 라인 분석은, 분석하는 방향에 따라 Ti 농도의 변동 상태가 크게 상이하다. 그것은 Ti 의 농축부가 수십 ㎚ 간격으로 규칙적으로 배열되어 있기 때문이다. 그래서 라인 분석을 실시하기 전에 미리 Ti 의 맵핑을 실시하여, Ti 의 농담이 커지는 영역을 겨냥하여 라인 분석을 실시한다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, Ti 의 맵핑으로부터 화살표 (실선) 의 방향으로 라인 분석을 실시하는 것이 바람직하다. 또, 화살표 (점선) 의 방향으로 라인 분석을 실시하면, Ti 의 농담이 엷어져 바람직하지 않다.본 발명에 있어서는 티탄구리의 모상 중의 Ti 농도의 변동 계수가 큰 것이 특징 중 하나이다. 이로써 티탄구리에는 점성이 부여되어 강도 및 굽힘 가공성이 향상되는 것으로 생각된다. 본 발명에 관련된 티탄구리의 일 실시형태에 있어서는, 전술한 Ti 농도의 변동 곡선에 있어서의 변동 계수가 0.2 이상이고, 바람직하게는 0.25 이상이고, 보다 바람직하게는 0.3 이상이고, 보다 더욱 바람직하게는 0.35 이상이다.단, 모상 중의 Ti 농도 (질량％) 의 변동 계수가 지나치게 커지면, 조대한 제 2 상 입자가 석출되기 쉬워져 반대로 강도나 굽힘 가공성이 저하되는 경향이 있다. 그 때문에, 본 발명에 관련된 티탄구리의 일 실시형태에 있어서는, 전술한 Ti 농도의 변동 곡선에 있어서의 변동 계수가 0.8 이하이고, 바람직하게는 0.7 이하이고, 보다 바람직하게는 0.6 이하이고, 보다 더욱 바람직하게는 0.5 이하이다.Ti 농도의 십점 평균 높이는, Ti 농도의 변동 계수와 다소의 상관을 갖고 있으며, 변동 계수가 커짐에 따라 십점 평균 높이도 커지는 경향이 보여진다. 그러나, 변동 계수뿐만 아니라 십점 평균 높이를 적절히 제어함으로써, 강도와 굽힘 가공성의 가일층의 밸런스 향상을 기대할 수 있다. 강도와 굽힘 가공성의 밸런스를 고려하면, 모상 중의 Ti 농도 (질량％) 의 십점 평균 높이는 2.0 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 4.0 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 5.0 질량％ 이상인 것이 보다 더욱 바람직하다. 또, 모상 중의 Ti 농도 (질량％) 의 십점 평균 높이는 17.0 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 15.0 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 13.0 질량％ 이하인 것이 보다 더욱 바람직하다.(4) 제 2 상 입자본 발명에 관련된 티탄구리에 있어서는, Ti 농도의 변동 계수가 큼에도 불구하고, 조대한 제 2 상 입자가 적다는 특징도 갖는다. 조대한 제 2 상 입자는 강도나 굽힘 가공성에 악영향을 주는 점에서 제어하는 것이 바람직한 바, 변동 계수의 호적화에 따른 특성 향상이라는 효과와 더불어, 강도 및 굽힘 가공성이 현저하게 우수한 티탄구리가 얻어진다. 본 발명에 있어서 제 2 상 입자란, 용해 주조의 응고 과정에 생성되는 정출물 및 그 후의 냉각 과정에서 생성되는 석출물, 열간 압연 후의 냉각 과정에서 생성되는 석출물, 용체화 처리 후의 냉각 과정에서 생성되는 석출물, 및 시효 처리 과정에서 생성되는 석출물을 말하며, 전형적으로는 Cu-Ti 계의 조성을 갖는다. 제 2 상 입자의 크기는, 전자 현미경에 의한 관찰로 압연 방향에 평행한 단면을 조직 관찰하였을 때, 석출물에 포위될 수 있는 최대원의 직경으로서 정의된다.본 발명에 관련된 티탄구리의 일 실시형태에 있어서는, 크기가 3 ㎛ 이상인 제 2 상 입자의 관찰 시야 10000 ㎛2 당의 개수가 35 개 이하이다. 크기가 3 ㎛ 이상인 제 2 상 입자의 관찰 시야 10000 ㎛2 당의 개수는 30 개 이하인 것이 바람직하고, 25 개 이하인 것이 보다 바람직하고, 20 개 이하인 것이 보다 더욱 바람직하고, 15 개 이하인 것이 보다 더욱 바람직하고, 10 개 이하인 것이 보다 더욱 바람직하다. 크기가 3 ㎛ 이상인 제 2 상 입자의 관찰 시야 10000 ㎛2 당의 개수는 0 인 것이 바람직하지만, 변동 계수를 규정 범위에 들어가게 하는 것이 어려워지므로, 일반적으로는 1 개 이상이고, 전형적으로는 3 개 이상이다.(5) 0.2 ％ 내력 및 굽힘 가공성본 발명에 관련된 티탄구리는 일 실시형태에 있어서, JIS-Z 2241 에 따르는 인장 시험을 실시하였을 때에 압연 방향에 평행한 방향에서의 0.2 ％ 내력이 900 ㎫ 이상이고, 또한 판 폭 (w)/판 두께 (t) ＝ 3.0 이 되는 굽힘 폭으로 굽힘 반경 (R)/판 두께 (t) ＝ 0 으로 하여 Badway (굽힘축이 압연 방향과 동일 방향) 의 W 굽힘 시험을 JIS-H 3130 에 따라 실시하였을 때에 굴곡부에 크랙을 발생시키지 않는다.본 발명에 관련된 티탄구리는 바람직한 일 실시형태에 있어서, JIS-Z 2241 에 따르는 인장 시험을 실시하였을 때에 압연 방향에 평행한 방향에서의 0.2 ％ 내력이 1000 ㎫ 이상이고, 또한 판 폭 (w)/판 두께 (t) ＝ 3.0 이 되는 굽힘 폭으로 굽힘 반경 (R)/판 두께 (t) ＝ 0 으로 하여 Badway (굽힘축이 압연 방향과 동일 방향) 의 W 굽힘 시험을 JIS-H 3130 에 따라 실시하였을 때에 굴곡부에 크랙을 발생시키지 않는다.본 발명에 관련된 티탄구리는 보다 바람직한 일 실시형태에 있어서, JIS-Z 2241 에 따르는 인장 시험을 실시하였을 때에 압연 방향에 평행한 방향에서의 0.2 ％ 내력이 1050 ㎫ 이상이고, 또한 판 폭 (w)/판 두께 (t) ＝ 3.0 이 되는 굽힘 폭으로 굽힘 반경 (R)/판 두께 (t) ＝ 0 으로 하여 Badway (굽힘축이 압연 방향과 동일 방향) 의 W 굽힘 시험을 JIS-H 3130 에 따라 실시하였을 때에 굴곡부에 크랙을 발생시키지 않는다.본 발명에 관련된 티탄구리는 보다 더욱 바람직한 일 실시형태에 있어서, JIS-Z 2241 에 따르는 인장 시험을 실시하였을 때에 압연 방향에 평행한 방향에서의 0.2 ％ 내력이 1100 ㎫ 이상이고, 또한 판 폭 (w)/판 두께 (t) ＝ 3.0 이 되는 굽힘 폭으로 굽힘 반경 (R)/판 두께 (t) ＝ 0 으로 하여 Badway (굽힘축이 압연 방향과 동일 방향) 의 W 굽힘 시험을 JIS-H 3130 에 따라 실시하였을 때에 굴곡부에 크랙을 발생시키지 않는다.0.2 ％ 내력의 상한값은, 본 발명이 목적으로 하는 강도의 면에서는 특별히 규제되지 않지만, 수고 및 비용이 드는 데다가, 고강도를 얻기 위해 Ti 농도를 높이면 열간 압연시에 균열될 위험성이 있기 때문에, 본 발명에 관련된 티탄구리의 0.2 ％ 내력은 일반적으로는 1400 ㎫ 이하이고, 전형적으로는 1300 ㎫ 이하이고, 보다 전형적으로는 1200 ㎫ 이하이다.(6) 결정 입경티탄구리의 강도 및 굽힘 가공성을 향상시키기 위해서는, 결정립이 작을수록 좋다. 그래서, 바람직한 평균 결정 입경은 30 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 20 ㎛ 이하, 보다 더욱 바람직하게는 10 ㎛ 이하이다. 하한에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 결정 입경의 판별이 곤란해질수록 미세화하려고 하면 미재결정립이 존재하는 혼립이 되기 때문에 오히려 굽힘 가공성이 악화되기 쉽다. 그래서, 평균 결정 입경은 2 ㎛ 이상이 바람직하다. 본 발명에 있어서, 평균 결정 입경은 광학 현미경이나 전자 현미경에 의한 관찰로 압연 방향에 평행한 단면의 조직 관찰에 있어서의 원상당 직경으로 나타낸다.(7) 티탄구리의 판 두께본 발명에 관련된 티탄구리의 일 실시형태에 있어서는, 판 두께를 0.5 ㎜ 이하로 할 수 있고, 전형적인 실시형태에 있어서는 두께를 0.03 ∼ 0.3 ㎜ 로 할 수 있고, 보다 전형적인 실시형태에 있어서는 두께를 0.08 ∼ 0.2 ㎜ 로 할 수 있다.(8) 용도본 발명에 관련된 티탄구리는 여러 가지 신동품, 예를 들어 판, 조, 관, 봉 및 선으로 가공할 수 있다. 본 발명에 관련된 티탄구리는 한정적은 아니지만, 커넥터, 스위치, 오토포커스 카메라 모듈, 잭, 단자 (예를 들어 배터리 단자), 릴레이 등의 전자 부품의 재료로서 바람직하게 사용할 수 있다.(9) 제조 방법본 발명에 관련된 티탄구리는, 특히 최종 용체화 처리 및 그 이후의 공정에서 적절한 열 처리 및 냉간 압연을 실시함으로써 제조할 수 있다. 구체적으로는, 특허문헌 6 에 기재된 최종 용체화 처리 → 열 처리 (아시효 처리) → 냉간 압연 → 시효 처리라는 티탄구리의 제조 순서에 대해, 최종 용체화 처리 후의 열 처리를 2 단계로 함으로써 제조할 수 있다. 이하에 바람직한 제조예를 공정별로 순차 설명한다.＜잉곳 제조＞용해 및 주조에 의한 잉곳의 제조는, 기본적으로 진공 중 또는 불활성 가스 분위기 중에서 실시한다. 용해에 있어서 첨가 원소의 용해 잔류물이 있으면, 강도의 향상에 대해 유효하게 작용하지 않는다. 따라서, 용해 잔류물을 없애기 위해, Fe 나 Cr 등의 고융점의 제 3 원소는, 첨가하고 나서 충분히 교반한 후, 일정 시간 유지할 필요가 있다. 한편, Ti 는 Cu 중에 비교적 잘 녹으므로 제 3 원소의 용해 후에 첨가하면 좋다. 따라서, Cu 에 Fe, Co, Mg, Si, Ni, Cr, Zr, Mo, V, Nb, Mn, B 및 P 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 합계로 0 ∼ 0.5 질량％ 함유하도록 첨가하고, 이어서 Ti 를 2.0 ∼ 4.0 질량％ 함유하도록 첨가하여 잉곳을 제조하는 것이 바람직하다.＜균질화 어닐링 및 열간 압연＞잉곳 제조시에 생성된 응고 편석이나 정출물은 조대하므로 균질화 어닐링으로 가능한 한 모상에 고용시켜 작게 하고, 가능한 한 없애는 것이 바람직하다. 이것은 굽힘 균열의 방지에 효과가 있기 때문이다. 구체적으로는, 잉곳 제조 공정 후에는, 900 ∼ 970 ℃ 로 가열하여 3 ∼ 24 시간 균질화 어닐링을 실시한 후, 열간 압연을 실시하는 것이 바람직하다. 액체 금속 취성을 방지하기 위해, 열연 전 및 열연 중에는 960 ℃ 이하로 하고, 또한 원래 두께로부터 전체 압하율이 90 ％ 까지인 패스는 900 ℃ 이상으로 하는 것이 바람직하다.＜제 1 용체화 처리＞그 후, 냉연과 어닐링을 적절히 반복하고 나서 제 1 용체화 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 여기서 미리 용체화를 실시해 두는 이유는, 최종 용체화 처리에서의 부담을 경감시키기 위해서다. 즉, 최종 용체화 처리에서는, 제 2 상 입자를 고용시키기 위한 열 처리가 아니라, 이미 용체화되어 있는 것이기 때문에, 그 상태를 유지하면서 재결정만 일으키게 하면 되므로, 가벼운 열 처리로 끝난다. 구체적으로는, 제 1 용체화 처리는 가열 온도를 850 ∼ 900 ℃ 로 하고, 2 ∼ 10 분간 실시하면 된다. 그 때의 승온 속도 및 냉각 속도에 있어서도 최대한 빠르게 하여, 여기서는 제 2 상 입자가 석출되지 않도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 제 1 용체화 처리는 실시하지 않아도 된다.＜중간 압연＞최종 용체화 처리 전의 중간 압연에 있어서의 압하율을 높일수록, 최종 용체화 처리에 있어서의 재결정립을 균일하고 미세하게 제어할 수 있다. 따라서, 중간 압연의 압하율은 바람직하게는 70 ∼ 99 ％ 이다. 압하율은 ((압연 전의 두께 － 압연 후의 두께)/압연 전의 두께) × 100 ％ 로 정의된다.＜최종 용체화 처리＞최종 용체화 처리에서는 석출물을 완전히 고용시키는 것이 바람직하지만, 완전히 없앨 때까지 고온으로 가열하면, 결정립이 조대화되기 쉬우므로, 가열 온도는 제 2 상 입자 조성의 고용 한계 부근의 온도로 한다 (Ti 의 첨가량이 2.0 ∼ 4.0 질량％ 인 범위에서 Ti 의 고용 한계가 첨가량과 동일해지는 온도는 730 ∼ 840 ℃ 정도이고, 예를 들어 Ti 의 첨가량이 3.0 질량％ 에서는 800 ℃ 정도). 그리고 이 온도까지 급속히 가열하고, 수랭 등에 의해 냉각 속도도 빠르게 하면 조대한 제 2 상 입자의 발생이 억제된다. 따라서, 전형적으로는 730 ∼ 840 ℃ 의 Ti 의 고용 한계가 첨가량과 동일해지는 온도에 대해 －20 ℃ ∼ ＋50 ℃ 의 온도로 가열하고, 보다 전형적으로는 730 ∼ 840 ℃ 의 Ti 의 고용 한계가 첨가량과 동일해지는 온도에 비해 0 ∼ 30 ℃ 높은 온도, 바람직하게는 0 ∼ 20 ℃ 높은 온도로 가열한다.또, 최종 용체화 처리에서의 가열 시간은 짧은 편이 결정립의 조대화를 억제할 수 있다. 가열 시간은 예를 들어 30 초 ∼ 10 분으로 할 수 있고, 전형적으로는 1 분 ∼ 8 분으로 할 수 있다. 이 시점에서 제 2 상 입자가 발생해도 미세하고 균일하게 분산되어 있으면, 강도와 굽힘 가공성에 대해 거의 무해하다. 그러나 조대한 것은 최종 시효 처리에 의해 더욱 성장하는 경향이 있으므로, 이 시점에서의 제 2 상 입자는 생성해도 가능한 한 적고, 작게 해야 한다.＜예비 시효＞최종 용체화 처리에 이어서, 예비 시효 처리를 실시한다. 종래에는 최종 용체화 처리 후에는 냉간 압연을 실시하는 것이 통례였지만, 본 발명에 관련된 티탄구리를 얻는 데에 있어서는 최종 용체화 처리 후, 냉간 압연을 실시하지 않고 바로 예비 시효 처리를 실시하는 것이 중요하다. 예비 시효 처리는 다음 공정의 시효 처리보다 저온에서 실시되는 열 처리로서, 예비 시효 처리 및 후술하는 시효 처리를 연속해서 실시함으로써 조대한 석출물의 발생을 억제하면서 티탄구리의 모상 중의 Ti 농도의 변동 계수를 비약적으로 크게 하는 것이 가능해진다. 예비 시효 처리는 표면 산화 피막의 발생을 억제하기 위해 Ar, N2, H2 등의 불활성 분위기에서 실시하는 것이 바람직하다.예비 시효 처리에 있어서의 가열 온도가 지나치게 낮거나 지나치게 높아도 상기 이점을 얻는 것은 곤란하다. 본 발명자에 의한 검토 결과에 따르면, 재료 온도 150 ∼ 250 ℃ 에서 10 ∼ 20 시간 가열하는 것이 바람직하고, 재료 온도 160 ∼ 230 ℃ 에서 10 ∼ 18 시간 가열하는 것이 보다 바람직하고, 170 ∼ 200 ℃ 에서 12 ∼ 16 시간 가열하는 것이 보다 더욱 바람직하다.＜시효 처리＞예비 시효 처리에 이어서, 시효 처리를 실시한다. 예비 시효 처리 후, 일단 실온까지 냉각시켜도 된다. 제조 효율을 생각하면, 예비 시효 처리 후, 냉각시키지 않고 시효 처리 온도까지 승온시켜, 연속해서 시효 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 어느 방법이어도 얻어지는 티탄구리의 특성에 차이는 없다. 단, 예비 시효는 그 후의 시효 처리에서 균일하게 제 2 상 입자를 석출시키는 것을 목적으로 하고 있기 때문에, 예비 시효 처리와 시효 처리 사이에는 냉간 압연은 실시해서는 안된다.예비 시효 처리에 의해 용체화 처리에서 고용시킨 Ti 가 조금 석출되어 있는 점에서, 시효 처리는 관례의 시효 처리보다 약간 저온에서 실시해야 하고, 재료 온도 300 ∼ 450 ℃ 에서 0.5 ∼ 20 시간 가열하는 것이 바람직하고, 재료 온도 350 ∼ 440 ℃ 에서 2 ∼ 18 시간 가열하는 것이 보다 바람직하고, 재료 온도 375 ∼ 430 ℃ 에서 3 ∼ 15 시간 가열하는 것이 보다 더욱 바람직하다. 시효 처리는 예비 시효 처리와 동일한 이유에 의해 Ar, N2, H2 등의 불활성 분위기에서 실시하는 것이 바람직하다.＜최종 냉간 압연＞상기 시효 처리 후, 최종 냉간 압연을 실시한다. 최종 냉간 가공에 의해 티탄구리의 강도를 높일 수 있지만, 본 발명이 의도하는 고강도와 굽힘 가공성의 양호한 밸런스를 얻기 위해서는 압하율을 10 ∼ 50 ％, 바람직하게는 20 ∼ 40 ％ 로 하는 것이 바람직하다.＜응력 제거 어닐링＞ 고온 노출시의 내 (耐) 처짐성을 향상시키는 관점에서는, 최종 냉간 압연 후에 응력 제거 어닐링을 실시하는 것이 바람직하다. 응력 제거 어닐링을 실시함으로써 전위가 재배열되기 때문이다. 응력 제거 어닐링의 조건은 관용의 조건이어도 되지만, 과도한 응력 제거 어닐링을 실시하면 조대 입자가 석출되어 강도가 저하되기 때문에 바람직하지 않다. 응력 제거 어닐링은 재료 온도 200 ∼ 600 ℃ 에서 10 ∼ 600 초 실시하는 것이 바람직하고, 250 ∼ 550 ℃ 에서 10 ∼ 400 초 실시하는 것이 보다 바람직하고, 300 ∼ 500 ℃ 에서 10 ∼ 200 초 실시하는 것이 보다 더욱 바람직하다.또한, 당업자라면, 상기 각 공정 사이에 적절히 표면의 산화 스케일 제거를 위한 연삭, 연마, 쇼트 블라스트 산세 등의 공정을 실시할 수 있는 것은 이해할 수 있을 것이다.실시예이하에 본 발명의 실시예 (발명예) 를 비교예와 함께 나타내는데, 이들은 본 발명 및 그 이점을 보다 잘 이해하기 위해 제공하는 것으로, 발명이 한정되는 것을 의도하는 것은 아니다.표 1 (표 1-1 및 1-2) 에 나타내는 합금 성분을 함유하고 잔부가 구리 및 불가피적 불순물로 이루어지는 티탄구리의 시험편을 여러 가지 제조 조건으로 제조하고, 각각의 모상 중의 Ti 를 EDX 에 의해 라인 분석하였을 때에 얻어지는 Ti 농도의 변동 계수 및 십점 평균 높이, 나아가서는 0.2 ％ 내력 및 굽힘 가공성을 조사하였다.먼저, 진공 용해로에서 전기 구리 2.5 ㎏ 을 용해시키고, 제 3 원소를 표 1 에 나타내는 배합 비율로 각각 첨가한 후, 동 표에 나타내는 배합 비율의 Ti 를 첨가하였다. 첨가 원소의 용해 잔류물이 없도록 첨가 후의 유지 시간에도 충분히 배려한 후, 이들을 Ar 분위기에서 주형에 주입하여, 각각 약 2 ㎏ 의 잉곳을 제조하였다.상기 잉곳에 대해 950 ℃ 에서 3 시간 가열하는 균질화 어닐링 후, 900 ∼ 950 ℃ 에서 열간 압연을 실시하여, 판 두께 15 ㎜ 의 열연판을 얻었다. 면삭에 의한 탈스케일 후, 냉간 압연하여 소조 (素條) 의 판 두께 (2 ㎜) 로 하고, 소조에서의 제 1 차 용체화 처리를 실시하였다. 제 1 차 용체화 처리의 조건은 850 ℃ 에서 10 분간 가열로 하고, 그 후 수랭하였다. 이어서, 표 1 에 기재된 최종 냉간 압연에 있어서의 압하율 및 제품 판 두께의 조건에 따라 압하율을 조정하여 중간의 냉간 압연을 실시한 후, 급속 가열이 가능한 어닐링로에 삽입하여 최종 용체화 처리를 실시하고, 그 후 수랭하였다. 이 때의 가열 조건은 재료 온도가 Ti 의 고용 한계가 첨가량과 동일해지는 온도 (Ti 농도 3.0 질량％ 에서 약 800 ℃, Ti 농도 2.0 질량％ 에서 약 730 ℃, Ti 농도 4.0 질량％ 에서 약 840 ℃) 를 기준으로 하여 표 1 에 기재된 바와 같이 하였다. 이어서, Ar 분위기 중에서 표 1 에 기재된 조건으로 예비 시효 처리 및 시효 처리를 연속해서 실시하였다. 여기서는 예비 시효 처리 후에 냉각을 실시하지 않았다. 산세에 의한 탈스케일 후, 표 1 에 기재된 조건으로 최종 냉간 압연을 실시하고, 마지막으로 표 1 에 기재된 각 가열 조건으로 응력 제거 어닐링을 실시하여 발명예 및 비교예의 시험편으로 하였다. 시험편에 따라서는 예비 시효 처리, 시효 처리 또는 응력 제거 어닐링을 생략하였다.제조된 제품 시료에 대해 다음의 평가를 실시하였다.(가) 0.2 ％ 내력JIS13B 호 시험편을 제조하고, 이 시험편에 대해 JIS-Z 2241 에 따라 인장 시험기를 사용하여 압연 방향과 평행한 방향의 0.2 ％ 내력을 측정하였다.(나) 굽힘 가공성판 폭 (w)/판 두께 (t) ＝ 3.0 이 되는 굽힘 폭으로 Badway (굽힘축이 압연 방향과 동일 방향) 의 W 굽힘 시험을 JIS-H 3130 에 따라 실시하여, 균열이 발생하지 않는 최소 굽힘 반경 (MBR) 과 두께 (t) 의 비인 최소 굽힘 반경비 (MBR/t) 를 구하였다. 이 때, 균열의 유무는, 굴곡부 단면을 기계 연마로 경면으로 마무리하고, 광학 현미경으로 관찰하여 굴곡부에 크랙이 발생하였는지의 여부로 판단하였다.(다) STEM-EDX 분석각 시험편에 대해, 압연면을 수속 이온 빔 (FIB) 으로 절단함으로써 압연 방향에 평행한 단면을 노출시키고, 시료 두께를 100 ㎚ 이하 정도까지 얇게 가공하였다. 그 후, EBSD 로 ＜100＞ 방위립을 특정하고, 그 결정립의 모상 내에 대해 관찰하였다. 또한, ＜100＞ 방위의 결정립을 관찰하는 것은, Ti 농도의 농담이 가장 조밀해지기 때문이다. 관찰은 주사형 투과 전자 현미경 (니혼 전자 주식회사 형식 : JEM-2100F) 을 사용하여, 검출기는 에너지 분산형 X 선 분석계 (EDX, 니혼 전자사 제조, 형식 : JED-2300) 를 사용하고, 시료 경사 각도 0 °, 가속 전압 200 ㎸, 전자선의 스폿 직경 0.2 ㎚ 로 실시하였다. 그리고, 모상의 측정 거리 : 150 ㎚ 로 하고, 모상의 측정 거리 150 ㎚ 당의 측정 지점 수 : 150 개 지점, 모상의 측정 지점의 간격 : 1 ㎚ 로 함으로써 EDX 라인 분석을 실시하였다. 제 2 상 입자의 영향에 의한 측정 오차를 방지하기 위해, 모상의 측정 위치는 제 2 상 입자가 존재하지 않는 임의의 위치를 선택하였다. 또, 라인 분석의 방향에 대해서는, 미리 Ti 의 맵핑을 실시하고, 도 2 의 실선을 따라 Ti 농도의 농담이 커지는 방향을 선택하였다.얻어진 Ti 농도의 변동 곡선으로부터, 앞서 서술한 방법에 따라 Ti 농도의 변동 계수 및 십점 평균 높이를 구하였다.(라) 결정 입경또, 각 제품 시료의 평균 결정 입경의 측정은, 압연면을 FIB 로 절단함으로써, 압연 방향에 평행한 단면을 노출시킨 후, 단면을 전자 현미경 (Philips 사 제조의 XL30 SFEG) 을 사용하여 관찰하고, 단위 면적당의 결정립의 수를 카운트하여, 결정립 평균의 원상당 직경을 구하였다. 구체적으로는, 100 ㎛ × 100 ㎛ 의 프레임을 제조하여, 이 프레임 중에 존재하는 결정립의 수를 카운트하였다. 또한, 프레임을 가로지르고 있는 결정립에 대해서는, 모두 1/2 개로 하여 카운트하였다. 프레임의 면적 10000 ㎛2 를 그 합계로 나눈 것이 결정립 1 개당의 면적의 평균값이다. 그 면적을 갖는 진원의 직경이 원상당 직경이므로, 이것을 평균 결정 입경으로 하였다.(마) 조대 제 2 상 입자의 개수 밀도각 제품 시료의 압연면을 FIB 로 절단함으로써, 압연 방향에 평행한 단면을 노출시킨 후, 단면을 전자 현미경 (Philips 사 제조의 XL30 SFEG) 을 사용하여 관찰하고, 앞서 서술한 정의에 따라 각각 면적 10000 ㎛2 중에 존재하는 크기 3 ㎛ 이상의 제 2 상 입자의 수를 세어 임의의 10 개 지점의 평균을 구하였다.(고찰)표 1 (표 1-1 및 1-2) 에 시험 결과를 나타낸다. 발명예 1 에서는 최종 용체화 처리, 예비 시효, 시효, 최종 냉간 압연의 조건이 각각 적절하였던 점에서, Ti 농도의 변동 계수가 커진 한편으로, 조대한 제 2 상 입자는 억제되어, 0.2 ％ 내력 및 굽힘 가공성의 높은 차원에서의 양립이 달성되어 있는 것을 알 수 있다.발명예 2 는 예비 시효의 가열 온도를 발명예 1 보다 낮게 함으로써 Ti 농도의 변동 계수가 저하되었다. 발명예 1 에 비해 0.2 ％ 내력은 저하되었지만, 여전히 양호한 0.2 ％ 내력 및 굽힘 가공성을 확보할 수 있었다.발명예 3 은 예비 시효의 가열 온도를 발명예 1 보다 높임으로써 Ti 농도의 변동 계수가 상승하였다. 발명예 1 에 비해 0.2 ％ 내력이 저하되었지만, 여전히 양호한 0.2 ％ 내력 및 굽힘 가공성의 밸런스를 유지할 수 있었다.발명예 4 는 시효의 가열 온도를 발명예 1 보다 낮게 함으로써 Ti 농도의 변동 계수가 저하되었다. 발명예 1 에 비해 0.2 ％ 내력은 저하되었지만, 여전히 양호한 0.2 ％ 내력 및 굽힘 가공성을 확보할 수 있었다.발명예 5 는 시효의 가열 온도를 발명예 1 보다 높임으로써 Ti 농도의 변동 계수가 상승하였다. 발명예 1 에 비해 0.2 ％ 내력이 저하되었지만, 여전히 양호한 0.2 ％ 내력 및 굽힘 가공성을 확보할 수 있었다.발명예 6 은 최종 냉간 압연에 있어서의 압하율을 발명예 1 보다 작게 함으로써 0.2 ％ 내력이 발명예 1 보다 저하되었지만, 여전히 양호한 0.2 ％ 내력 및 굽힘 가공성을 확보할 수 있었다.발명예 7 은 최종 냉간 압연에 있어서의 압하율을 발명예 1 보다 높임으로써 높은 굽힘 가공성을 유지하면서도 0.2 ％ 내력이 향상되었다.발명예 8 에서는 발명예 1 에 대해 응력 제거 어닐링을 생략하였지만, 여전히 양호한 0.2 ％ 내력 및 굽힘 가공성을 확보할 수 있었다.발명예 9 에서는 발명예 1 에 대해 응력 제거 어닐링에 있어서의 가열 온도를 높였지만, 여전히 양호한 0.2 ％ 내력 및 굽힘 가공성을 확보할 수 있었다.발명예 10 은 예비 시효, 시효 및 응력 제거 어닐링에 있어서의 가열 온도를 발명예 1 보다 높임으로써 Ti 농도의 변동 계수 및 십점 평균 높이가 상승하였다. 십점 평균 높이가 규정 범위를 일탈함으로써, 발명예 1 보다는 0.2 ％ 내력은 떨어지지만, 여전히 양호한 0.2 ％ 내력 및 굽힘 가공성을 확보할 수 있었다.발명예 11 은 발명예 1 에 대해 티탄구리 중 Ti 농도를 하한으로까지 낮게 한 예이다. Ti 농도의 변동 계수가 저하되어 0.2 ％ 내력에 저하가 보였지만, 여전히 양호한 0.2 ％ 내력 및 굽힘 가공성을 확보할 수 있었다.발명예 12 는 발명예 1 에 대해 티탄구리 중의 Ti 농도를 상한으로까지 높임으로써 0.2 ％ 내력이 발명예 1 보다 상승한 예이다.발명예 13 ∼ 18 은 발명예 1 에 대해 여러 가지 제 3 원소를 첨가한 예이지만, 여전히 양호한 0.2 ％ 내력 및 굽힘 가공성을 확보할 수 있었다.비교예 1 은 최종 용체화 처리 온도가 지나치게 낮음으로써 미재결정 영역과 재결정 영역이 혼재하는 혼립화가 일어나, Ti 농도의 변동 계수가 저하되었다. 그 때문에 굽힘 가공성이 나빴다.비교예 2 에서는 예비 시효 처리를 실시하지 않은 점에서 Ti 농도의 변동 계수의 상승이 불충분해져, 굽힘 가공성이 나빴다.비교예 3 ∼ 4 는 특허문헌 6 에 기재된 티탄구리에 상당한다. 예비 시효 처리와 시효 처리를 연속으로 실시하지 않은 점에서 Ti 농도의 변동 계수의 상승이 불충분해져, 굽힘 가공성이 나빴다.비교예 5 는 예비 시효 처리를 실시하였지만 가열 온도가 지나치게 낮은 점에서 Ti 농도의 변동 계수가 충분히 상승하지 않아, 굽힘 가공성이 나빴다.비교예 6 은 예비 시효에 있어서의 가열 온도가 지나치게 높았기 때문에, 과시효가 되어 Ti 농도의 변동 계수가 과잉으로 상승하고, 변동에 견디지 못하게 된 일부의 안정상이 조대 입자로서 석출되었기 때문에 굽힘 가공성이 저하되었다.비교예 7 은 시효 처리를 실시하지 않은 점에서 스피노달 분해가 불충분해져 Ti 농도의 변동 계수가 낮아졌다. 그 때문에, 발명예 1 에 대해 0.2 ％ 내력 및 굽힘 가공성이 저하되었다.비교예 8 은 최종 용체화 처리 → 냉간 압연 → 시효 처리를 실시하였다고 평가할 수 있는 케이스이다. Ti 농도의 변동 계수는 규정 범위에 들어갔지만, 조대 제 2 상 입자의 석출이 많아짐으로써, 발명예 1 에 대해 0.2 ％ 내력 및 굽힘 가공성이 저하되었다.비교예 9 는 시효의 가열 온도가 지나치게 낮은 점에서 Ti 농도의 변동 계수가 낮아져, 발명예 1 에 대해 0.2 ％ 내력 및 굽힘 가공성이 저하되었다.비교예 10 은 시효의 가열 온도가 지나치게 높았기 때문에, 과시효가 되어 Ti 농도의 변동 계수가 과잉으로 상승하고, 변동에 견디지 못하게 된 일부의 안정상이 조대 입자로서 석출되었다. 그 때문에, 발명예 1 에 대해 0.2 ％ 내력 및 굽힘 가공성이 저하되었다.비교예 11 은 응력 제거 어닐링의 가열 온도가 지나치게 높았기 때문에 Ti 농도의 변동 계수가 과잉으로 상승하고, 변동에 견디지 못하게 된 일부의 안정상이 조대 입자로서 석출되었다. 그 때문에, 발명예 1 에 대해 0.2 ％ 내력 및 굽힘 가공성이 저하되었다.비교예 12 는 최종 용체화 처리 후, 시효 처리만을 실시한 예이지만, 조대 제 2 상 입자가 다수 석출되었다. 그 때문에, 발명예 1 에 대해 0.2 ％ 내력 및 굽힘 가공성이 저하되었다.비교예 13 은 제 3 원소의 첨가량이 지나치게 많음으로써 열간 압연에서 균열이 발생하였기 때문에, 시험편의 제조가 불가능하였다.비교예 14 는 Ti 농도가 지나치게 낮음으로써 Ti 농도의 변동 계수가 작아져, 강도 부족이 됨과 함께 굽힘 가공성도 열화되었다.비교예 15 는 Ti 농도가 지나치게 높음으로써 열간 압연에서 균열이 발생하였기 때문에, 시험편의 제조가 불가능하였다.[표 1-1][표 1-2]	티탄구리에 있어서, Ti 농도의 변동을 종래와는 다른 관점에서 제어하고, 강도 및 굽힘 가공성의 향상을 도모한다. Ti 를 2.0 ∼ 4.0 질량％ 함유하고, 제 3 원소로서 Fe, Co, Mg, Si, Ni, Cr, Zr, Mo, V, Nb, Mn, B 및 P 로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상을 합계로 0 ∼ 0.5 질량％ 함유하고, 잔부가 구리 및 불가피적 불순물로 이루어지는 전자 부품용 티탄구리로서, 압연 방향에 평행한 단면에 있어서의 ＜100＞ 방위의 결정립에 대해 모상 중의 Ti 를 EDX 에 의해 라인 분석하였을 때에 얻어지는 Ti 농도의 변동 곡선에 있어서의 변동 계수가 0.2 ∼ 0.8 이고, 또한 압연 방향에 평행한 단면의 조직 관찰에 있어서의 크기가 3 ㎛ 이상인 제 2 상 입자의 관찰 시야 10000 ㎛2 당의 개수가 35 개 이하인 티탄구리.
[ 발명의 명칭 ] 이음식 액정패널, 그 조립방법 및 이를 포함하는 이음식 텔레비전SPLICED LIQUID CRYSTAL PANEL, ASSEMBLY METHOD THEREFOR, AND SPLICED TELEVISION [ 기술분야 ] 본 발명은 액정 장치에 관한 것으로서, 특히 이음식 액정패널에 대한 것이다. 본 발명은 이러한 이음식 액정패널의 조립방법 및 이를 포함하는 텔레비전에 관한 것이기도 하다. [ 배경기술 ] 액정 기술이 발전해감에 따라, 점점 많은 장소에서 다수개의 액정 텔레비전을 이어 큰 사이즈의 텔레비전으로 만들어 사용한다. 보통, 이러한 큰 사이즈의 액정 텔레비전은 몇 대의 독립적인 텔레비전을 서로 이어 이루어진다. 이러한 이음식 텔레비전의 각 모듈은 서로 독립적인 것으로서, 전체적으로 보면 그 제조 비용이 비교적 높을 뿐만 아니라, 여러 대의 텔레비전을 이어 큰 사이즈의 텔레비전을 만든 후, 만약 한 대의 텔레비전이 고장이 나면 정상적으로 동작하는 다른 여러 대의 텔레비전도 함께 철거하여 수리해야 하는데, 이는 대형 사이즈의 텔레비전의 유지 보수를 불편하게 한다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 종래기술에 존재하는 상술한 문제점에 대해, 본 발명은 이음식 액정패널을 제공하며, 이러한 이음식 액정패널의 백라이트 모듈은 일체가 되기도 하고 분해가 편하기도 하여, 유지 보수가 편리하다. 또한, 본 발명은 이러한 이음식 액정 패널의 조립방법 및 이를 포함하는 텔레비전에 대한 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 1) 본 발명의 일 실시예는 이음식 액정 패널을 제공하며, 상기 이음식 액정패널은 백라이트 모듈 및 상기 백라이트 모듈과 함께 사용되는 다수개의 액정모듈을 포함하되, 상기 백라이트 모듈은 기판, 상기 기판의 제1표면에 설치되는 광원램프를 포함하고, 상기 기판 가장자리의 지지프레임 및 상기 지지프레임과 상기 기판의 제2표면 사이에 연결된 분해 부재를 에워싸며, 상기 분해 부재는 상기 지지프레임과 연결되는 제1연결체 및 상기 기판과 연결되는 제2연결체를 포함하고, 상기 제1연결체 및 상기 제2연결체는 경첩으로 연결된다. 본 발명에 따른 이음식 액정 패널에 따르면, 다수개의 액정모듈이 하나의 백라이트 모듈을 함께 사용하여, 생산단가를 낮춘다. 2) 본 발명의 제1)에서의 일 실시방식에서, 상기 지지프레임의 가장자리에 고정 설치된 접착프레임을 더 포함한다. 상기 접착프레임과 연결되는 격막지지부재를 더 포함하되, 상기 격막지지부재는 상기 광원램프의 외측에 설치되고 상기 제1표면을 다수개의 간격으로 나눈다. 상기 각 간격에 광학격막이 설치된다. 상기 격막지지부재 위에, 상기 광학격막의 외측에 액정모듈이 설치되고, 상기 다수개의 액정모듈 각각은 상기 제1표면의 대응되는 간격에 정렬된다. 이렇게, 백라이트 모듈과 액정모듈이 독립된 모듈이고, 위에서 언급한 경첩식 분해 부재를 통해, 이음식 액정 패널 일체를 분해하지 않은 상황에서 백라이트 모듈을 검측할 수 있다. 또한, 분해 부재를 뜯어내고 기판만 떼어 액정모듈을 분해하지 않을 수 있어, 이음식 액정패널에 대핸 유지 보수가 편리하다. 3) 본 발명의 제1) 또는 제2)에서의 일 실시방식에서, 광원램프는 평행으로 설치된 다수개의 램프관이다. 이러한 광원램프의 단가는 비교적 낮고 설치도 비교적 간단하다.4) 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상술한 이음식 액정패널을 조립하는 방법을 제공하며, 다음 단계들을 포함한다. 기판의 제1표면에 다수개의 광원램프를 설치하는 제1단계;상기 기판의 주변에 지지프레임을 설치하는 제2단계;분해 부재를 설치하되, 상기 분해 부재의 제1연결체는 상기 지지프레임과 연결되고, 상기 분해 부재의 제2연결체는 상기 기판의 제2표면과 연결되는 제3단계;상기 기판의 제1표면측, 광원램프의 외측에 상기 제1표면을 다수개의 간격으로 나누는 격막지지부재를 고정설치하고, 상기 격막지지부재에 광학격막을 설치하여, 하나의 백라이트 모듈을 형성하는 제4단계;상기 다수개의 액정모듈이 상기 격막지지부재의 위, 광학격막의 외측에 설치되어 이음식 액정 패널을 형성하는 제5단계5) 본 발명의 제4)의 일 실시방식에서, 제5단계에서, 상기 다수개의 액정모듈은 각각 상기 제4단계에서의 간격에 설치된다. 또다른 실시방식에서, 제5단계에서, 우선 상기 다수개의 액정모듈을 하나로 이은 후, 상기 백라이트 모듈과 함께 설치한다. 6) 본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 이음식 텔레비전을 제공하며, 이는 상술한 이음식 액정 패널을 포함한다. 본 출원에서, "외측"이라는 표현은 광원램프를 등지는 방향을 의미한다. [ 발명의 효과 ] 종래기술과 비교한 본 발명의 장점은 다음과 같다. 본 발명에서의 이음식 액정 패널에서, 다수개의 액정모듈이 하나의 백라이트 모듈을 함께 이용하여, 생산 단가를 낮춘다. 본 발명에서의 이음식 액정 패널에서, 백라이트 모듈과 액정모듈은 독립된 모듈이고, 경첩식 분해 부재를 통해, 이음식 액정 패널 일체를 분해하지 않은 상황에서 백라이트 모듈을 검측할 수 있다. 또한, 분해 부재를 뜯어내고 기판만 떼어 액정모듈을 분해하지 않을 수 있어, 이음식 액정패널에 대핸 유지 보수가 편리하다. [ 도면의 간단한 설명 ] 이하에서는 실시예와 도면을 토대로 본 발명에 대해 보다 상세하게 설명한다.도 1은 본 발명에 따른 백라이트 모듈의 제1표면을 도시한다. 도 2는 본 발명에 따른 백라이트 모듈의 제2표면을 도시한다.도 3은 도2에서의 I부분의 확대도이다. 도 4는 본 발명의 분해 부재의 구조도이다. 도 5는 격막지지부재를 설치한 백라이트 모듈의 개략도이다. 도 6은 광학격막을 설치한 백라이트 모듈의 구조도이다. 도 7은 격막지지부재 위에 액정모듈을 설치한 개략도이다. 도 8은 격막지지부재 위에 액정모듈을 설치한 다른 개략도이다.도 9는 본 발명에 따른 이음식 액정패널의 개략도이다. 도면에서, 동일한 구성요소에는 동일한 도면 표기를 사용한다. 도면은 실제 비율에 따라 그려진 것이 아니다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 아래에서는 도면과 함께 본 발명에 대해 설명한다.도 1에서 도시하는 바와 같이, 백라이트 모듈(10)은 기판(11)을 포함한다. 기판(11)의 제1표면 상에는 광원램프(12)가 설치된다. 일 실시예에서, 광원램프(12)는 통상적인 형광등, 냉음극 램프관 또는 발광 다이오드(즉, LED)를 선택할 수 있다. 광원램프(12)와 기판(11) 사이의 연결은 당업자가 잘 알고 있을 것이기에 여기에서는 상세하게 설명하지 않는다. 도 2에서 도시하는 바와 같이, 백라이트 모듈(10)은 기판(11)을 에워싸는 가장자리의 지지프레임(13) 및 지지프레임(13)과 상기 기판의 제2표면 사이에 연결된 분해 부재(20)를 더 포함한다. 도 2에서 도시하는 실시예에서, 네 개의 분해 부재(20)가 설치되었고, 두 쌍으로 나뉘었으며, 그 중 한 쌍은 기판(11)의 일 측변에 위치하고, 다른 한 쌍은 기판(11)의 대응되는 측변에 위치한다. 도 3과 도4에서 도시하는 바와 같이, 분해 부재(20)는 지지프레임(13)과 연결된 제1연결체(21) 및 기판(11)과 연결된 제2연결체(22)를 포함하고, 제1연결체(21)와 제2연결체(22)는 경첩 연결이며, 전체적으로 보아 분해 부재(20)는 힌지 형상을 가진다. 일 실시예에서, 제1연결체(21)와 제2연결체(22)는 모두 나사못으로 지지프레임(13)이나 기판(11)과 연결되어 분해가 편리하다. 이러한 힌지 형상의 분해 부재(20)의 장점은 이하에서 상세하게 설명한다. 도 5에서 도시하는 바와 같이, 백라이트 모듈(10)은 지지프레임의 가장자리에 고정 설치된 접착프레임(70)을 더 포함한다. 기판(11)의 제1표면측에 설치되고, 접착프레임(70)과 고정 연결된 격막지지부재(30)를 더 포함한다. 격막지지부재(30)는 격자형상의 폴 서포트(31, 32)로 형성되어, 격막지지부재(30)를 기판(11)의 제1표면에 설치한 다음, 기판(11)의 제1표면을 여러 개의 간격(33)으로 나눈다. 이러한 간격(33)은 액정모듈을 설치할 때 이용되고, 이는 이하에서 상세하게 설명한다. 주의할 점으로, 격막지지부재(30)가 기판(11)과 접촉하는 부분에 홈이 설치되고(미도시), 램프관 타입의 광원램프(12)는 이러한 홈에 관통되어 격막지지부재(30)의 설치를 편리하게 한다. 도 6에 도시하는 바와 같이, 백라이트 모듈(10)은 각 간격(33)에 설치되는 광학격막(40)을 더 포함한다. 일 실시예에서, 광학 격막(40)은 확산필름, 프리즘 필름, 광학보상막 등을 포함하고, 이러한 부품은 당업자가 잘 알고 있는 사항으로서 여기에서는 상세하게 설명하지 않기로 한다. 결론적으로, 백라이트 모듈(10)의 기판(11)은 분해부재(20)와 지지프레임(13)을 연결하고, 지지프레임(13)과 접착프레임(70)을 고정 연결하고, 격막지지부재(30)와 접착프레임(70)이 고정연결되어, 광학격막(40)은 격막지지부재(30)에 장착된다. 마지막으로, 격막지지부재(30) 위에, 광학격막(40)의 외측에 다수개의 액정모듈(50)이 설치된다. 주의할 점으로, 다수개의 액정모듈(50)은 각각 제1표면의 대응되는 간격(33)에 배열된다. 이렇게 함으로써 백라이트 모듈(10)과 액정모듈(50)을 포함하는 이음식 액정 패널(60)을 형성한다. 도 9에서 도시하는 바와 같이, 이렇게 하여 여러 대의 액정 모듈이 하나의 백라이트 모듈(10)을 함께 이용하여, 생산 단가를 낮춘다. 일 실시예에서, 액정모듈(50)과 백라이트 모듈(10)이 고정 연결되게 하기 위해, 앞 프레임(61)을 사용하여 액정모듈(50)을 백라이트 모듈(10)과 함께 고정한다. 이러한 이음식 액정 패널(60)에서, 액정모듈(50)은 기판(11)과 직접 연결되는 것이 아니라, 격막지지부재(30)에 설치되고, 기판(11)과 일정한 거리를 두고 떨어져 있다. 즉, 액정 모듈(50)과 백라이트 모듈(10)은 독립된 모듈을 형성한다. 기판(11)에 고장이 난 경우, 그 중 한 쌍의 분해 부재를 떼어 낼 수 있는데, 분해부재(20)가 힌지 형상이므로, 문을 여는 것과 같이 기판(11)을 열어 이에 대해 검측을 진행할 수 있어 액정 모듈(50)을 분해할 필요가 없다. 기판(11)을 유지 보수하거나 교체할 필요가 있을 때, 모든 분해부재(20)를 분해하여 바로 기판(11)을 떼어낼 수 있어, 액정 모듈(50)을 분해할 필요가 없다. 이렇게 매우 편리하게 이음식 액정패널(60)을 유지 보수한다.이하는, 도 1 내지 도 9에 따라 이음식 액정패널(60)의 장착 과정을 설명한다.우선, 기판(11)의 제1표면에 다수개의 광원램프(12)를 설치한다. 도 1에서 도시하는 바와 같다. 다음으로, 상기 기판(11)의 주변에 지지프레임(13)을 설치한다. 다음으로, 분해 부재(20)를 설치하되, 상기 분해 부재(20)의 제1연결체(21)는 상기 지지프레임(13)과 연결되고, 상기 분해 부재(20)의 제2연결체(22)는 상기 기판(11)의 제2표면과 연결된다. 도 2에서 도시하는 바와 같다. 상기 기판(11)의 제1표면측, 광원램프(12)의 외측에 격막지지부재(30)를 고정 설치하는데, 격막지지부재(30)는 기판(11)의 제1표면측을 다수개의 간격(33)으로 나눈다. 도 5에서 도시하는 바와 같다. 격막지지부재(30)상에 광학부재(40)를 고정 설치하여, 하나의 백라이트 모듈(10)을 형성한다. 도 6에서 도시하는 바와 같다. 마지막으로, 다수개의 액정모듈(50)이 상기 격막지지부재(30)의 위, 광학부재(40)의 외측에 설치되어 이음식 액정 패널(60)을 형성한다. 도 9에서 도시하는 바와 같다.일 실시예에서, 각 액정모듈(50)은 간격(33)에 설치될 수 있는데, 도 7에서 도시하는 바와 같다. 다른 실시예에서, 우선 다수개의 액정 모듈을 이어 일체(51)를 형성한 다음, 백라이트 모듈(10)과 함께 장착한다. 액정모듈(50)과 백라이트 모듈(10)이 고정연결되게 하기 위해, 앞 프레임(61)을 사용하여 액정모듈(50)과 백라이트 모듈(10)을 함께 고정한다. 도면에서 도시하는 바가 없다 하더라도, 본 발명에 따른 이음식 액정패널(60)은 이음식 텔레비전에 적용될 수도 있다. 이러한 이음식 텔레비전도 낮은 단가에 유지 보수가 편리하다는 장점이 있다. 최선의 실시예를 통해 본 발명에 대해 설명하였으나, 본 발명의 범위에 벗어나지 않는 한, 이에 대해 각종 개선을 하거나 균등한 부품으로 대체할 수 있을 것이다. 특히, 구조적인 충돌이 없는 한, 각 실시예에서 언급한 각 기술특징은 모두 임의의 방식으로 조합될 수 있다. 본 발명은 본문에서 공개한 특정의 실시예에 한정되는 것이 아니고, 청구항의 범위 내에 속하는 모든 기술특징을 포함하는 것으로 보아야 한다.	본 발명은 이음식 액정패널, 그 조립방법 및 이를 포함하는 이음식 텔레비전에 관한 것이다. 상기 이음식 액정패널은, 백라이트 모듈 및 상기 백라이트 모듈과 함께 사용되는 다수개의 액정모듈을 포함하되, 상기 백라이트 모듈은 기판, 상기 기판의 제1표면에 설치되는 광원램프를 포함하고, 상기 기판 가장자리의 지지프레임 및 상기 지지프레임과 상기 기판의 제2표면 사이에 연결된 분해 부재를 에워싸며, 상기 분해 부재는 상기 지지프레임과 연결되는 제1연결체 및 상기 기판과 연결되는 제2연결체를 포함하고, 상기 제1연결체 및 상기 제2연결체는 경첩으로 연결된다. 이러한 이음식 액정패널의 백라이트 모듈은 일체가 되기도 하고 분해가 편하기도 하여, 유지 보수가 편리하다.
[ 발명의 명칭 ] 작업 기계의 표시 시스템, 작업 기계의 표시 장치, 및 작업 기계의 표시 방법DISPLAY SYSTEM FOR WORK MACHINE, DISPLAY DEVICE FOR WORK MACHINE, AND DISPLAY METHOD FOR WORK MACHINE [ 기술분야 ] 본 발명은, 간이한 구성으로 각종 조정 처리를 실시하기 위한 화상을 생성하는 경우에, 그 조정 처리 화상을 생성하는 제어부의 처리 이상이 발생하여 조정 입력을 실시할 수 없는 상태라 하더라도, 당해 제어부와는 다른 제어부에서 생성하는 화면으로 신속하게 천이할 수 있는 작업 기계의 표시 시스템, 작업 기계의 표시 장치, 및 작업 기계의 표시 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 유압 셔블 등의 작업 기계의 분야에서는, 차체의 주변에 존재하는 장애물을 오퍼레이터가 시인할 수 있도록, 차체 후방이나 차체 측방에 복수 대의 카메라를 설치하고, 카메라가 촬상한 화상을 단일 카메라 화상으로서 작업 기계의 운전실 내의 모니터에 비추고 있는 것이 있다. 또한, 특허문헌 1 과 같이, 차체의 주위를 동시에 감시할 수 있도록, 각 카메라의 화상을 상방 시점으로 변환한 후에 각 카메라의 화상을 합성함으로써 부감 화상을 생성하여 모니터에 표시하는 것이 있다.또, 모니터 등의 표시 장치에는, 표시되는 화상 등을 캘리브레이션 (조정 처리) 하기 위한 기능이 준비되어 있는 것도 있다. 예를 들어, 특허문헌 2 에는, 터치 패널의 캘리브레이션에 관한 문헌으로, 잘못된 기준 포인트를 설정한 경우나, 터치 패널의 저항값이 크게 변화하여 표시 화면의 위치와 터치 패널 입력 위치가 크게 어긋나 조작 버튼의 터치를 검출할 수 없게 된 경우에서도, 터치 패널을 구비한 전자 기기로의 전원 투입, 또는 리셋 조작으로부터 일정 시간 내의 소정 횟수의 터치 패널로의 터치를 검출한 경우, 캘리브레이션 모드를 실시할 수 있는 것이 기재되어 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 공개특허공보 2013-253402호일본 공개특허공보 2011-65301호 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 그런데, 부감 화상을 생성하는 것과 같은 화상 처리는, 부하가 큰 작업이 되기 때문에, 일반적으로 모니터 등의 표시부에 기계 게이지 정보 (엔진 수온이나 연료의 잔량 등) 를 표시시키기 위한 모니터 제어부에 의한 처리로는 곤란이 따른다. 그 때문에, 모니터와는 별체의 범용 화상 처리 액셀러레이터를 갖는 화상 처리 컨트롤러 (주변 감시 제어부) 에 의해 처리된다.또, 정확한 상방 시점 화상 (부감 화상) 을 생성하기 위해서는, 미리 작업 기계에 설치되는 복수 대의 카메라의 설치 위치나 방향 등을 화상 처리 컨트롤러에 입력함과 함께, 표시부에 표시되는 화상이 올바른 상방 시점 화상으로 되어 있는지 확인하면서 각종 캘리브레이션을 실시해 둘 필요가 있다. 캘리브레이션을 실시하기 위해 전용의 화면 (조정 처리 화면) 이 준비되고, 당해 화면에 있어서 현재의 부감 화상이 표시된 상태에서 각종 캘리브레이션을 실시한다. 그 때문에, 캘리브레이션을 실시하기 위한 조정 처리 화면은, 화상 처리 컨트롤러측에서 생성해야 한다.그러나, 캘리브레이션 작업 중에, 화상 처리 컨트롤러에 어떠한 문제가 발생한 경우, 조정 처리 화면이 표시된 채로 입력을 받아들이지 않게 되어 버릴 가능성이 있다. 이 경우, 오퍼레이터는 일단 조정 처리 화면으로부터 연료 잔량이나 엔진 수온 등이 표시되는 표준 화면으로 천이하려고 시도하지만, 조정 처리 화면 자체가 입력을 받아들이지 않을 경우, 표준 화면으로 천이할 수 없다. 그 때문에, 화상 처리 컨트롤러에 문제가 발생한 경우에, 부감 화상을 생성할 수 없을 뿐만 아니라, 작업 기계를 동작하는 것조차 할 수 없게 되어 버릴 가능성이 있다.본 발명은, 상기를 감안하여 이루어진 것으로서, 간이한 구성으로, 캘리브레이션 등을 실시하는 조정 처리 화면을 주변 감시 제어부측에서 생성하는 경우에 주변 감시 제어부측의 처리 이상이 발생하여 조정 작업을 실시할 수 없는 상태라 하더라도 신속하게 모니터측이 생성하는 화면으로 천이할 수 있는 작업 기계의 표시 시스템, 작업 기계의 표시 장치, 및 작업 기계의 표시 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 서술한 과제를 해결하여 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 관련된 작업 기계의 표시 시스템은, 표시부를 구비한 모니터와, 상기 모니터에 접속되고, 작업 기계의 각종 정보를 표시시키기 위한 화면을 생성하며, 상기 모니터에 신호 출력하는 제 1 모니터 제어부와, 상기 모니터에 접속되고, 작업 기계의 특수 정보를 표시시키기 위한 화면을 생성하며, 상기 모니터에 신호 출력하는 제 2 모니터 제어부와, 복귀 스위치를 구비하고, 상기 모니터는, 상기 제 1 모니터 제어부로부터 출력된 신호에 기초하여 상기 작업 기계의 각종 정보를 상기 표시부에 표시함과 함께, 상기 제 2 모니터 제어부로부터 출력된 신호에 기초하여 상기 작업 기계의 특수 정보를 상기 표시부에 표시하는 것이고, 상기 복귀 스위치는, 상기 표시부에 표시된 상기 작업 기계의 특수 정보의 표시 화면으로부터, 작업 기계의 각종 정보의 표시 화면으로 천이시키기 위한 스위치인 것을 특징으로 한다.또, 본 발명에 관련된 작업 기계의 표시 시스템은, 상기의 발명에 있어서, 상기 작업 기계의 주위 상황을 취득하는 복수의 카메라를 갖고, 상기 제 2 모니터 제어부는, 상기 복수의 카메라에 접속되고, 상기 복수의 카메라의 단일 카메라 화상, 상기 복수의 카메라가 촬상한 화상에 기초하여 생성되는 부감 화상, 및 부감 화상의 조정 처리를 실시하는 조정 처리 화면을 생성하는 주변 감시 제어부이며, 상기 작업 기계의 상기 특수 정보는, 상기 조정 처리 화면을 포함하고, 상기 주변 감시 제어부는, 상기 조정 처리 화면을 생성하여 상기 모니터에 신호 출력하고, 상기 복귀 스위치는, 상기 모니터의 표시부가 상기 조정 처리 화면을 표시하는 상태로부터 상기 작업 기계의 각종 정보의 표시 화면으로 천이시키기 위한 스위치인 것을 특징으로 한다.또, 본 발명에 관련된 작업 기계의 표시 시스템은, 상기의 발명에 있어서, 상기 복귀 스위치는, 상기 모니터에 표시되거나, 혹은 상기 모니터에 형성된 스위치인 것을 특징으로 한다.또, 본 발명에 관련된 작업 기계의 표시 시스템은, 상기의 발명에 있어서, 상기 복귀 스위치는, 모니터와는 별체로 형성된 스위치인 것을 특징으로 한다.또, 본 발명에 관련된 작업 기계의 표시 시스템은, 상기의 발명에 있어서, 상기 조정 처리 화면은, 상기 부감 화상, 및/또는 단일 카메라 화상을 포함하는 화면인 것을 특징으로 한다.또, 본 발명에 관련된 작업 기계의 표시 시스템은, 상기의 발명에 있어서, 상기 작업 기계의 각종 정보란, 기계 정보, 경고 정보, 메뉴 화면, 및/또는 메인터넌스 화면인 것을 특징으로 한다.또, 본 발명에 관련된 작업 기계의 표시 시스템은, 상기의 발명에 있어서, 상기 작업 기계의 특수 정보란, 단일 카메라 화상, 부감 화상, 조정 처리 화면, 작업 기계 주위의 장애물에 관한 정보, 작업 현장 전체의 지형 정보, 작업 기계의 조작을 보조ㆍ가이던스하기 위한 작업 기계 주변의 지형 정보, 및/또는 원격 조작에 사용하는 작업 기계 주위의 화상 정보인 것을 특징으로 한다.또, 본 발명에 관련된 작업 기계의 표시 장치는, 표시부를 구비한 모니터와, 상기 모니터에 접속되고, 작업 기계의 각종 정보를 표시시키기 위한 화면을 생성하며, 상기 모니터에 신호 출력하는 제 1 모니터 제어부와, 상기 모니터에 접속되고, 작업 기계의 특수 정보를 표시시키기 위한 화면을 생성하며, 상기 모니터에 신호 출력하는 제 2 모니터 제어부와, 복귀 스위치를 구비하고, 상기 모니터는, 상기 제 1 모니터 제어부로부터 출력된 신호에 기초하여 상기 작업 기계의 각종 정보를 상기 표시부에 표시함과 함께, 상기 제 2 모니터 제어부로부터 출력된 신호에 기초하여 상기 작업 기계의 특수 정보를 상기 표시부에 표시하는 것이고, 상기 복귀 스위치는, 상기 표시부에 표시된 상기 작업 기계의 특수 정보의 표시 화면으로부터, 상기 작업 기계의 각종 정보의 표시 화면으로 천이시키기 위한 스위치인 것을 특징으로 한다.또, 본 발명에 관련된 작업 기계의 표시 방법은, 표시부를 구비한 모니터와, 복귀 스위치를 구비하고, 작업 기계의 각종 정보를 표시시키기 위한 화면을 생성하며, 상기 모니터에 신호 출력하는 제 1 모니터 스텝과, 작업 기계의 특수 정보를 표시시키기 위한 화면을 생성하며, 상기 모니터에 신호 출력하는 제 2 모니터 스텝과, 상기 제 1 모니터 스텝으로부터 출력된 신호에 기초하여 상기 작업 기계의 각종 정보를 상기 표시부에 표시하는 제 1 표시 스텝과, 상기 제 2 모니터 스텝으로부터 출력된 신호에 기초하여 상기 작업 기계의 특수 정보를 상기 표시부에 표시하는 제 2 표시 스텝과, 제 2 표시 스텝에 의해 상기 표시부에 상기 작업 기계의 특수 정보가 표시된 상태로부터, 상기 복귀 스위치의 조작에 의해, 제 1 표시 스텝에 의한 상기 작업 기계의 각종 정보가 상기 표시부에 표시되는 것을 특징으로 한다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 의하면, 제 2 모니터 제어부가 생성한 작업 기계의 특수 정보의 표시 화면으로부터 제 1 모니터 제어부가 생성한 화면으로 천이시키기 위한 복귀 스위치를 형성하고 있기 때문에, 간이한 구성으로, 작업 기계의 특수 정보의 표시 화면, 예를 들어 캘리브레이션 등을 실시하는 조정 처리 화면을 생성하는 제 2 모니터 제어부측, 예를 들어 주변 감시 제어부측에 어떠한 문제가 발생하여 조정 처리를 실시할 수 없는 상태라 하더라도, 신속하게 모니터측이 생성하는 화면, 예를 들어 표준 화면으로 천이할 수 있고, 예를 들어 엔진 수온이나 연료 잔량 등의 기본 정보를 확실하게 확인할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1 은, 본 발명의 실시형태인 작업 기계의 주변 감시 장치가 탑재되는 유압 셔블의 전체 구성을 나타내는 사시도이다.도 2 는, 운전실의 내부 배치를 나타내는 도면이다.도 3 은, 카메라의 배치를 나타내는 평면도이다. 도 4 는, 유압 셔블의 제어계 전체 및 주변 감시 제어부의 상세한 구성을 나타내는 블록도이다.도 5 는, 부감 화상 생성부에 의한 부감 화상의 생성 처리를 설명하는 설명도이다.도 6 은, 모니터의 표시부에 표준 화면이 표시된 상태를 나타내는 도면이다.도 7 은, 표준 화면과 조정 처리 화면 사이의 화면 천이를 설명하는 도면이다.도 8 은, 조정 처리 화면인 메인 설정 선택 화면의 일례를 나타내는 도면이다.도 9 는, 조정 처리 화면인 카메라 설정 메뉴 화면의 일례를 나타내는 도면이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 설명한다.[유압 셔블의 전체 구성]먼저, 도 1 은, 본 발명의 실시형태인 작업 기계의 주변 감시 장치가 탑재되는 유압 셔블의 전체 구성을 나타내는 사시도이다. 이 유압 셔블 (1) 은, 작업 기계의 일례로서 나타낸 유압 셔블이다. 유압 셔블 (1) 은, 자주 (自走) 가능한 하부 주행체 (2) 와, 하부 주행체 (2) 상에 자유롭게 선회할 수 있게 설치된 상부 선회체 (3) 와, 상부 선회체 (3) 의 전부 (前部) 중앙에 자유롭게 굴곡 기복할 수 있게 동작하는 작업기 (4) 를 구비한다.작업기 (4) 는 붐 (4a), 아암 (4b), 버킷 (4c), 붐 실린더 (4d), 아암 실린더 (4e) 및 버킷 실린더 (4f) 를 갖는다.상부 선회체 (3) 의 전부 좌측 부분에는, 운전실 (6) 이 설치된다. 상부 선회체 (3) 의 후부 (後部) 에는, 파워 컨테이너 (7) 가 탑재된다. 파워 컨테이너 (7) 내에는, 엔진, 유압 펌프, 라디에이터, 오일 쿨러 등이 수용되어 있다. 상부 선회체 (3) 의 후단부에는, 카운터 웨이트 (8) 가 장착된다.[운전실]도 2 는, 운전실 (6) 의 내부 배치를 나타내는 도면이다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 조작 레버 (11, 12) 는, 예를 들어 운전실 (6) 내의 오퍼레이터 시트 (10) 의 좌우에 배치된다. 조작 레버 (11) 는 상부 선회체 (3) 의 선회 동작과 아암 (4b) 의 동작에 대응하고 있으며, 조작 레버 (12) 는 붐 (4a) 의 동작과 버킷 (4c) 의 동작에 대응하고 있다. 또한, 조작 레버 (11, 12) 의 조작과 어느 작업기가 동작할지의 조합은, 본 실시형태의 것에 한정되지는 않는다.주행 레버 (13) 및 주행 레버 (14) 는, 조작에 따라 하부 주행체 (2) 의 좌측 및 우측의 크롤러의 전진 후진을 실시할 수 있다.또, 운전실 (6) 의 우측 앞쪽에는, 모니터 (15) 가 배치된다. 모니터 (15) 는, 표시부 (16) 와 조작부 (17) 를 갖는다. 표시부 (16) 는, 액정 디스플레이 등의 표시 장치로, 작업 기계의 각종 정보, 예를 들어, 엔진 수온, 유온, 연료의 잔량 등의 기계 정보, 기기의 이상 등을 나타내는 경고 정보, 메뉴 화면이나 메인터넌스 화면 등을 표시할 수 있다.또, 모니터 (15) 에는, 후술하는 카메라에 의해 촬영된 화상 (단일 카메라 화상) 이나, 복수의 카메라 화상을 상방 시점으로 변환한 후에 합성함으로써 생성되는 화상 (부감 화상) 을 표시할 수 있다.조작부 (17) 는, 표시부 (16) 의 표시 내용에 대응하여 복수의 기능을 갖게 한 펑션 스위치나, 작업 모드, 주행 모드, 에어컨 등의 각종 설정을 실시하기 위한 스위치를 포함한다. 또한, 모니터 (15) 는, 표시부 (16) 와 조작부 (17) 를 일체화한 터치 패널로 구성해도 된다. 또, 조작부 (17) 를 표시부 (16) 와 별체로 하여, 조작부 (17) 를 운전실 내의 다른 장소에 설치해도 된다.[카메라의 구성]카메라 (C1 ∼ C4) 는, 상부 선회체 (3) 에 장착된다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 카메라 (C1) 는, 상부 선회체 (3) 의 후방에 장착되어 상부 선회체 (3) 의 후방을 촬상한다. 또, 카메라 (C2) 는, 상부 선회체 (3) 의 우측방에 장착되어 상부 선회체 (3) 의 우후방을 촬상한다. 또, 카메라 (C3) 는, 상부 선회체 (3) 의 우측방에 장착되어 상부 선회체 (3) 의 우전방을 촬상한다. 또, 카메라 (C4) 는, 상부 선회체 (3) 의 좌측방에 장착되어 상부 선회체 (3) 의 좌측방을 촬상한다. 또한, 예를 들어, 각 카메라 (C1 ∼ C4) 는, 좌우 방향 및 높이 방향에 있어서 소정 각도의 시야 범위를 갖는다. 카메라로서 CCD (Charge-Coupled Device) 카메라를 사용할 수 있다. 또, 각 카메라 (C1 ∼ C4) 는, 와이드 다이나믹 레인지 (Wide Dynamic Range) 기능을 가져도 된다.[제어계의 전체 구성]도 4 는, 유압 셔블 (1) 의 제어계 전체의 구성을 나타내는 블록도이다. 도 4 에 나타내는 바와 같이, 주변 감시 제어부 (40) (제 2 모니터 제어부), 통신 제어부 (42), 모니터 제어부 (43) (제 1 모니터 제어부), 엔진 제어부 (44), 펌프 제어부 (45) 등이, 차내 네트워크의 하나인 CAN (41) 에 접속된다.모니터 제어부 (43) (제 1 모니터 제어부) 는, 모니터 (15) 에 접속되어, 모니터 (15) 의 표시 제어부로서 기능한다. 모니터 제어부 (43) 는, CAN (41) 을 통해 각종 센서로부터 송신된 정보나, 모니터 (15) 에 형성된 스위치를 통해 입력된 정보와 같은 작업 기계의 각종 정보의 입출력 제어를 실시한다. 그리고, 모니터 (15) 에 엔진 수온, 유온, 연료의 잔량 등의 기계 정보, 기기의 이상 등을 나타내는 경고 정보, 메뉴 화면이나 메인터넌스 화면 등을 표시하는 제어를 실시할 수 있다.모니터 제어부 (43) 는, 표준 화면 생성부 (46), 조정 처리 화면 생성 지시부 (47) 및 아이콘 생성부 (48) 를 갖는다. 표준 화면 생성부 (46) 는, 모니터 (15) 의 표시부 (16) 에 표시되는 표준 화면을 생성한다. 일례로서, 도 6 에 있어서의 모니터 (15) 의 표시부 (16) 에 표시된 화면이 표준 화면 (83) 이다. 도시되어 있는 바와 같이, 엔진 수온 게이지 (G1) 나 연료 잔량 게이지 (G3) 등의 각종 정보나, 부감 화상 (61) 과 단일 카메라 화상 (62) 과 같은 특수 정보가 한 화면에 표시되어 있다.조정 처리 화면 생성 지시부 (47) 는, 오퍼레이터의 조작에 의해 모니터 (15) 의 조작부 (17) 로부터 조정 처리 화면의 생성 지시를 받은 경우, 주변 감시 제어부 (40) 에, CAN (41) 을 통해 조정 처리 화면의 생성 지시를 출력한다. 그리고, 당해 생성 지시를 받은 주변 감시 제어부 (40) 내의 조정 처리 화면 생성부 (55) 가 조정 처리 화면을 생성한다. 조정 처리 화면은, 올바른 부감 화상을 생성하기 위해 미리 복수 대의 카메라의 설치 위치나 방향 등을 주변 감시 제어부 (40) 에 입력함과 함께, 표시되는 화상이 올바른 부감 화상이 되도록 각종 캘리브레이션을 실시하기 위한 전용 화면이다. 일례로서, 도 8 에 있어서 도시된 화면이 조정 처리 화면이다. 화면 우측에 도시된 조정 처리용 항목과, 화면 좌측에 도시된 부감 화상이 한 화면에 표시되어 있다.또, 모니터 제어부 (43) 내의 아이콘 생성부 (48) 는, 조정 처리 화면이 표시부 (16) 에 표시되는 경우에, 모니터 제어부 (43) 가 아이콘을, 주변 감시 제어부 (40) 가 생성하는 조정 처리 화면의 영역 밖, 구체적으로는 예를 들어 화면 하방의 영역에 생성한다. 아이콘의 일례로서, 도 8 에 있어서 화면 하방 (아이콘 영역) 에 도시된 아이콘 (IB, I6 ∼ I9) 이 아이콘 생성부 (48) 에 의해 생성된 아이콘이다.도 8 에 있어서의 화면 하부에 표시되어 있는 아이콘 (I6 ∼ I9) 에 대응하는 펑션 스위치 (F3 ∼ F6) 를 누르면, 조정 처리 화면에 있어서, 각종 메뉴의 선택ㆍ결정을 할 수 있다. 그 때, 펑션 스위치를 갖는 조작부 (17) 가 조작됨으로써, 그 신호를 모니터 제어부 (43), CAN (41) 을 통해 주변 감시 제어부 (40) 내의 조정 처리 화면 생성부 (55) 에 출력한다. 그리고, 조정 처리 화면 생성부 (55) 는, 받은 신호에 따른 새로운 조정 처리 화면을 생성하여, 영상 신호 (S1) 로서 모니터에 출력한다.한편, 후술하는 「EXIT」라고 쓰인 아이콘 (IB) 에 대응하는 펑션 스위치 (F1) 가 눌리면, 펑션 스위치를 갖는 조작부 (17) 가 모니터 제어부 (43) 에 신호를 출력한다. 그리고, 모니터 제어부 (43) 는, 내부의 표준 화면 생성부 (46) 가 받은 신호에 따른 표준 화면을 생성하여, 모니터 (15) 에 출력한다. 그렇게 함으로써, 조정 처리 작업 중에 있어서, 주변 감시 제어부 (40) 의 문제 등으로 인해 주변 감시 제어부 (40) 가 조작부 (17) 로부터의 신호를 받아들이지 않는 상태가 된 경우라 하더라도, 모니터 제어부 (43) 가 생성하는 화면, 예를 들어 표준 화면으로 신속하게 되돌아갈 수 있다.주변 감시 제어부 (40) (제 2 모니터 제어부) 는, 복수의 카메라 (C1 ∼ C4) 로 이루어지는 카메라군 (C) 및 모니터 (15) 와 접속하고 있으며, 후술하는 바와 같이, 복수의 카메라 중 어느 단일 카메라 화상과 부감 화상을 합성한 화상을 모니터에 출력한다.또, 주변 감시 제어부 (40) 는, 화상 처리부 (51) 및 표시 제어부 (53) 를 갖는다. 또한, 화상 처리부 (51) 는, 부감 화상 생성부 (54), 단일 카메라 화상 생성부 (58), 조정 처리 화면 생성부 (55) 및 화상 합성부 (56) 를 갖는다.부감 화상 생성부 (54) 는, 각 카메라 (C1 ∼ C4) 로부터 얻어진 화상을 기초로 부감 화상 (61) 을 생성한다. 도 5 에 나타내는 바와 같이, 부감 화상 생성부 (54) 는, 각 카메라 (C1 ∼ C4) 로부터 얻어진 화상 (P1 ∼ P4) 을 상방 시점 화상으로 변환한다. 즉, 부감 화상 생성부 (54) 는, 유압 셔블 (1) 의 상방에 위치하는 소정의 가상 시점에서 본 화상으로 변환한다.구체적으로, 부감 화상 생성부 (54) 는, 유압 셔블 (1) 의 상방의 가상 시점으로부터 지표면 레벨에 대응하는 소정의 가상 투영면에 투영하는 화상 변환을 실시한다. 그 후, 부감 화상 생성부 (54) 는, 부감 화상을 표시하는 프레임의 각 영역 (E1 ∼ E4) 에 대응하는 변환 화상 (P11 ∼ P14) 을 잘라내고, 각 변환 화상 (P11 ∼ P14) 을 프레임 내에서 합성한다. 부감 화상 생성부 (54) 가 생성하는 부감 화상에는, 유압 셔블 (1) 과의 위치 관계가 명확해지도록 유압 셔블 (1) 을 상방에서 본 화상 (P) 이 미리 첩부 (貼付) 되어 있다.이 부감 화상 (61) 의 정보는, 화상 합성부 (56) 에 입력된다. 또한, 영역 (E0) 은, 운전실 (6) 로부터 시인할 수 있기 때문에, 부감 화상은 생성되지 않는다. 또, 본 실시형태에서는, 4 개의 카메라 (C1 ∼ C4) 를 사용하고 있지만, 카메라의 수는 몇 개여도 되어, 예를 들어 3 개의 카메라 (C1, C2, C4) 를 사용해도 된다. 이 경우, 카메라 (C2) 는, 카메라 (C4) 와 마찬가지로 우측방을 촬상한다.단일 카메라 화상 생성부 (58) 는, 모니터 제어부 (43) 의 표준 화면 생성부 (46) 로부터의 요구에 따라, 각 카메라 (C1 ∼ C4) 가 촬상한 화상 중 어느 카메라의 단일 카메라 화상 (62) 을 화상 합성부 (56) 에 출력한다. 구체적으로는, 오퍼레이터에 의해 단일 카메라 화상 (62) 을 전환하는 조작이 조작부 (17) 에 의해 이루어진 경우, 그 신호가 모니터 제어부 (43) 및 CAN (41) 을 통해 단일 카메라 화상 생성부 (58) 에 전송되고, 단일 카메라 화상 생성부 (58) 는 지령을 받은 해당하는 카메라의 단일 카메라 화상 (62) 을 화상 합성부 (56) 에 출력한다.조정 처리 화면 생성부 (55) 는, 조정 처리 화면 생성 지시부 (47) 로부터의 생성 지시에 의해, 지시받은 조정 처리 화면 (90) 을 생성하여, 화상 합성부 (56) 에 출력한다.화상 합성부 (56) 는, 모니터 제어부 (43) 의 표준 화면 생성부 (46) 로부터 요구가 있으면, 도 6 에 있어서의 표준 화면 (83) 에 표시된 부감 화상 (61) 과 단일 카메라 화상 (62) 과 같이, 부감 화상 생성부 (54) 로부터 출력된 부감 화상 (61) 과, 단일 카메라 화상 생성부 (58) 로부터 출력된 단일 카메라 화상 (62) 을 합성하고, 합성된 화상은, 표시 제어부 (53) 를 통해 표시부 (16) 에 영상 신호 (S1) 로서 출력된다.또, 화상 합성부 (56) 는, 모니터 제어부 (43) 의 조정 처리 화면 생성 지시부 (47) 로부터 요구가 있으면, 도 8 에 있어서의 화면과 같이, 조정 처리 화면 (90) 의 한 화면인 주변 감시 조정 화면 01 (91) 에 부감 화상 (61) 을 합성시킨 화면을 생성하고, 합성된 화상은, 표시 제어부 (53) 를 통해 표시부 (16) 에 영상 신호 (S1) 로서 출력된다. 또한, 본 발명에서는, 주변 감시 제어부 (40) 에서 생성하는 부감 화상 (61), 단일 카메라 화상 (62) 및 조정 처리 화면 (90) 을 특수 정보로서 정의하고 있다.[모니터의 표준 화면]도 6 은, 모니터 (15) 의 표시부 (16) 에 표준 화면 (83) 의 일례가 표시된 상태를 나타내는 도면이다. 표준 화면 (83) 은, 키 스위치 온 후, 일정 시간 경과한 상태에서 표시되는 초기 화면이다. 일반적인 표준 화면에는, 작업 기계의 각종 정보, 예를 들어, 엔진 수온, 유온, 연료의 잔량 등의 기계 정보, 기기의 이상 등을 나타내는 경고 정보, 메뉴 화면이나 메인터넌스 화면 등을 표시한다.도 6 의 표준 화면 (83) 의 일례에서는, 상기 작업 기계의 각종 정보에 더하여, 특수 정보로서 표시부 (16) 의 중앙 왼쪽에는 부감 화상 (61) 이 표시되고, 중앙 오른쪽에는 단일 카메라 화상 (62) 이 표시된다. 도 6 의 단일 카메라 화상 (62) 은, 상부 선회체 (3) 의 후방에 형성된 카메라 (C1) 에 의한 후방을 촬상한 화상이다. 부감 화상 (61) 및 단일 카메라 화상 (62) 에는, 선회 중심으로부터의 거리나 방향의 기준을 나타내는 기준선 (D) 이 표시되어 있다.단일 카메라 화상 (62) 의 우상측에는, 단일 카메라 화상 위치 아이콘 (63) 이 표시된다. 단일 카메라 화상 위치 아이콘 (63) 은, 표시부 (16) 에 표시되어 있는 단일 카메라 화상 (62) 이 어느 위치를 촬영하는 카메라의 화상인지를 나타내고 있다. 도 6 에서는, 단일 카메라 화상 (62) 이 카메라 (C1) 에 의해 촬상된 화상인 것을 나타내고 있다. 또한, 도 6 에서는 부감 화상 (61) 이 좌측에, 단일 카메라 화상 (62) 이 우측에 표시되어 있지만, 양자의 표시 위치가 반대여도 된다.표시부 (16) 의 하부에는, 왼쪽에서부터 엔진의 냉각수의 수온을 나타내는 엔진 수온 게이지 (G1), 유압 회로 내의 작동유의 유온을 나타내는 작동 유온 게이지 (G2), 및 연료의 잔량의 레벨을 나타내는 연료 잔량 게이지 (G3) 가 표시된다. 또, 작동 유온 게이지 (G2) 는 표시되지 않아도 된다.또한, 펑션 스위치 (F1 ∼ F6) 는, 각 스위치 바로 윗쪽에서 표시부 (16) 가 표시하는 아이콘에 대응한 신호를 입력하기 위한 스위치이다. 도 6 에서는, 펑션 스위치 (F3) 의 상부에는, 단일 카메라 화상 (62) 을 전체 화면 표시로 전환하는 아이콘 (I1) 이 표시되어 있다. 또, 펑션 스위치 (F4) 의 상부에는, 단일 카메라 화상 (62) 의 카메라를 전환하는 (예를 들어, 카메라 (C1) 의 화상으로부터 카메라 (C2) 의 화상으로의 전환) 아이콘 (I2) 이 표시되어 있다. 펑션 스위치 (F6) 의 상부에는, 메뉴 화면으로 전환하는 아이콘 (I3) 이 표시되어 있다. 메뉴 화면이란, 작업 기계의 각종 설정이나 상황을 확인할 때에 사용하는 화면이다.또한, 펑션 스위치에 대응하는 아이콘 (I1 ∼ I3) 을 표시하지 않고, 대응하는 스위치를 다른 조작부 등에 형성해도 된다. 아이콘 (I4) 은, 서비스 미터의 값을 표시한다. 또, 아이콘 (I5) 은, 작업 모드의 설정 상태를 표시한다.[표준 화면과 조정 처리 화면 사이의 화면 천이]도 7 은, 표준 화면 (83) 과 조정 처리 화면 (90) 의 사이의 화면 천이를 설명하는 도면이다. 초기 화면으로서, 도 6 에 도시된 표준 화면 (83) 이 표시된다. 이 표준 화면 (83) 으로부터 주변 감시 제어부 (40) 의 캘리브레이션을 실시하기 위한 조정 처리 화면 (90) 으로 천이하는 경우, 표준 화면 (83) 에 있어서 펑션 스위치 (F6) 를 눌러 상기 서술한 메뉴 화면으로 천이한다.메뉴 화면에는 복수의 각종 설정 항목이 나열되어 있지만, 그 중에서 「서비스 선택」메뉴를 선택ㆍ결정함으로써 도시되지 않은 서비스 선택 화면 (84) 으로 천이한다. 마찬가지로, 서비스 선택 화면 (84) 에 있어서도 복수의 항목이 나열되어 있지만, 그 중에서 도시되지 않은 「조정 선택」메뉴를 선택ㆍ결정하여, 조정 선택 화면 (85) 으로 천이한다. 또한, 조정 선택 화면 (85) 에 있어서도 그 중에서 「메인 설정 선택」메뉴를 선택ㆍ결정하여, 메인 설정 선택 화면 (91) 으로 천이한다.그 결과, 부감 화상의 조정 처리를 실시하기 위한 조정 처리 화면 (90) 으로서의 주변 감시 조정 화면 01 (91) 이 표시된다. 조정 처리 화면 (90) 은, 계층 구조로 되어 있어, 어느 항목을 「결정」할 때마다 1 개 아래의 계층으로 천이하고, 「1 계층 되돌아감」버튼을 누르면, 1 개 위의 계층으로 천이한다.도 7 에 도시된 표준 화면 (83), 서비스 선택 화면 (84), 조정 선택 화면 (85) 은, 모니터 제어부 (43) 에 있어서의 표준 화면 생성부 (46) 가 생성하는 화면이다. 또, 주변 감시 조정 화면 01 (91) 이나 카메라 설정 메뉴 화면 (102) 과 같은 조정 처리 화면 (90) 은, 모니터 제어부 (43) 에 있어서의 조정 처리 화면 생성 지시부 (47) 로부터의 지시에 기초하여 주변 감시 제어부 (40) 에 있어서의 조정 처리 화면 생성부 (55) 가 생성하는 화면이다.그 때문에, 예를 들어, 표준 화면 (83) 으로부터 서비스 선택 화면 (84) 으로 천이하는 경우에는, 모니터 (15) 가 갖는 조작부 (17) 에 있어서 「서비스 선택」의 항목이 「선택ㆍ결정」됨으로써, 그 신호가 모니터 제어부 (43) 에 출력되고, 모니터 제어부 (43) 에 있어서의 표준 화면 생성부 (46) 가 서비스 선택 화면 (84) 을 생성하여, 표시부 (16) 에 출력하여 표시된다, 고 하는 신호의 입출력이 행해지고 있다.한편, 주변 감시 조정 화면 01 (91) 으로부터 주변 감시 조정 화면 02 (92) 로 천이하는 경우에는, 모니터 (15) 가 갖는 조작부 (17) 에 있어서 「1 개 아래의 항목을 선택」스위치가 눌림으로써, 그 신호가 모니터 제어부 (43) 를 통해 주변 감시 제어부 (40) 에 출력되고, 주변 감시 제어부에 있어서의 조정 처리 화면 생성부 (55) 가 주변 감시 조정 화면 02 (92) 를 생성하여, 영상 신호 (S1) 로서 표시부 (16) 에 출력하여 표시된다, 고 하는 신호의 입출력이 행해지고 있다.도 8 은, 주변 감시 조정 화면 01 (91) 을 나타내고 있으며, 이 화면의 좌측에 부감 화상 (61) 이 표시되고, 우측에 선택 항목이 표시된다. 이 상태에서는, 가장 위의 색이 칠해져 있는 항목인 「01 메인 설정」이 선택되어 있게 된다. 도 8 에 있어서의 화면 상중부의 영역은 주변 감시 제어부 (40) 에 있어서 생성되는 조정 처리 화면 영역이고, 화면 하부의 아이콘이 나열되어 있는 영역은 모니터 제어부 (43) 에 있어서의 아이콘 생성부 (48) 가 생성하는 아이콘 영역이다.펑션 스위치 (F3) 에 대응하는 아이콘 (I6) 은 「1 개 아래의 항목을 선택」을, 펑션 스위치 (F4) 에 대응하는 아이콘 (I7) 은 「1 개 위의 항목을 선택」을, 펑션 스위치 (F5) 에 대응하는 아이콘 (I8) 은 「1 계층 되돌아감」을, 펑션 스위치 (F6) 에 대응하는 아이콘 (I9) 은 「결정」을 의미하고 있다. 또, 도 8 의 화면 좌하방에 위치하는 「EXIT」라고 쓰여진 아이콘은, EXIT 아이콘 (IB) (복귀 스위치) 이다.도 7 에도 있는 바와 같이, 주변 감시 조정 화면 01 (91) 등의 조정 처리 화면 (90) 에는, 모두 EXIT 아이콘 (IB) 이 표시되도록 되어 있다. 그리고, EXIT 아이콘 (IB) 에 대응하는 펑션 스위치 (F1) (복귀 스위치) 가 눌리면, 어느 화면으로부터라 하더라도, 모니터 제어부 (43) 가 생성하는 화면인 표준 화면 (83) 으로 천이한다.그 경우, 펑션 스위치 (F1) 를 갖는 조작부 (17) 로부터 신호가 모니터 제어부 (43) 에 출력되고, 그 신호를 받은 모니터 제어부 (43) 는, 표준 화면 생성부 (46) 에 의해 표준 화면 (83) 을 생성하여, 표시부 (16) 에 출력한다고 하는 신호의 입출력이 행해진다.도 8 의 주변 감시 조정 화면 01 (91) 의 상태로부터 펑션 스위치 (F3) (1 개 아래의 항목을 선택) 를 누름으로써, 1 개 하부의 항목인 「02 카메라 설정」이 선택된 상태인 주변 감시 조정 화면 02 (92) 로 천이한다 (도시되어 있지 않음).여기에서, 「02 카메라 설정」이 선택된 상태 (주변 감시 조정 화면 02 (92)) 에서, 펑션 스위치 (F6) (결정) 를 누르면, 도 9 에 나타내는 카메라 설정 메뉴 화면 (102) 으로 천이한다.여기에서 주변 감시 제어부 (40) 가 정상적으로 가동하고 있는 상태라면, 예를 들어 카메라 설정 메뉴 화면 (102) 이 표시되어 있는 상태에서 「1 계층 되돌아감」스위치 (펑션 스위치 (F5)) 를 누르면, 그 신호가 주변 감시 제어부 (40) 에 보내지고, 주변 감시 제어부 (40) 에서 주변 감시 조정 화면 02 (92) 를 생성하여, 표시부 (16) 에 출력한다고 하는 동작이 이루어진다.한편, 여기에서 주변 감시 제어부 (40) 에 어떠한 문제가 발생하여 신호를 받아들이지 않게 된 경우, 조작부 (17) 로부터의 「1 계층 되돌아감」이라는 신호를 받아들이지 못하여, 주변 감시 조정 화면 02 (92) 으로 천이하지 않고 카메라 설정 메뉴 화면 (102) 이 표시된 상태인 채가 되어 버린다. 그와 같은 경우, 마찬가지로 「결정」스위치 (펑션 스위치 (F6)) 나 「1 개 아래의 항목을 선택」스위치 (펑션 스위치 (F3)) 를 눌렀다고 해도 화면을 천이할 수 없다.그러나, 그와 같은 경우라 하더라도, 모니터 제어부 (43) 가 생성하는 화면으로 천이시키기 위한 신호를 출력하기 위한 복귀 스위치를 누르면, 신호를 받아들이지 않게 된 주변 감시 제어부 (40) 를 통하지 않고, 스위치를 조작한 신호가 모니터 제어부 (43) 에 보내지고, 모니터 제어부 (43) 에 있어서 표준 화면 (83) 을 생성하여 표시부 (16) 에 표시하는, 즉, 바로 표준 화면 (83) 으로 되돌아갈 수 있다.따라서, 부감 화상의 캘리브레이션을 한창 실시하고 있을 때에 주변 감시 제어부측에 어떠한 문제가 발생하여 조정 처리를 실시할 수 없는 상태라 하더라도, 신속하게 모니터 제어부 (43) 가 생성하는 화면, 예를 들어 표준 화면으로 천이할 수 있어, 오퍼레이터가 엔진 수온이나 연료 잔량 등의 기본 정보를 확실하게 확인할 수 있다.상기 실시형태에서는, 복귀 스위치를 누른 경우에 표준 화면으로 되돌아갈 수 있는 구성으로 하였지만, 이 실시형태에 한정되지 않고, 예를 들어 터치 패널 디스플레이를 사용하여 화면 상에 표시되는 EXIT 아이콘을 탭하는 것만이어도 되고, 복귀 스위치를 조작부 (17) 내에 전용의 스위치로서 형성해도 된다. 또, 모니터 이외의 장소에 별체의 복귀 스위치를 형성하도록 해도 된다.상기 실시형태에서는, 복귀 스위치를 누른 경우에 표준 화면 (83) 으로 되돌아가는 구성으로 하였지만, 모니터 제어부 (43) 가 생성하는 화면이라면 어느 화면으로 되돌아가는 구성으로 해도 상관없다.상기 실시형태에서는, 단일 카메라 화상이나 부감 화상, 조정 처리 화면 등을 생성하는 주변 감시 제어부를 사용한 예로 설명하였지만, 그 이외의 제어부로, 고도의 정보 처리를 실시하거나 하여 외부 제어부 자신에서 생성한 작업 기계의 특수 정보 (예를 들어, 작업 기계 주위의 장애물에 관한 정보나, 작업 현장 전체의 지형 정보, 작업 기계의 조작을 보조ㆍ가이던스하기 위한 작업 기계 주변의 지형 정보, 원격 조작에 사용하는 작업 기계 주위의 화상 정보 등) 를 표시하기 위한 화상을 모니터에 출력하여, 모니터에 당해 특수 정보를 표시시키는 제어부라면 어떠한 것을 사용해도 상관없다. 또한, 단일 카메라 화상이나 부감 화상, 조정 처리 화면 등도 작업 기계의 특수 정보에 포함되어 있다.또, 상기 실시형태에서는, 주변 감시 제어부 (40) 와 모니터 제어부 (43) 가 CAN (41) 에 의해 접속되는 구성이었지만, 그 형태에 한정되지 않고, 예를 들어 동일 기판 내나 동일 칩 내에 각각 형성되는 구성이어도 된다.상기 실시형태에서는, 표준 화면에 부감 화상 (61) 과 단일 카메라 화상 (62) 을 동시에 표시시키는 구성으로 하고 있었지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 부감 화상만이나 단일 카메라 화상만을 표시, 혹은 모두 표준 화면에 표시하지 않는 구성으로 해도 된다. 또, 조정 처리 화면에 부감 화상 (61) 을 표시시키는 구성으로 하고 있었지만, 부감 화상을 표시시키지 않는 구성이어도 된다.또한, 상기 실시형태에서는 유압 셔블을 사용하여 설명하였지만, 작업 기계라면, 덤프 트럭, 불도저, 휠 로더 등의 작업 기계에 본 발명을 적용해도 된다.또, 상기 실시형태에서는 작업 기계의 운전실 (6) 에 모니터 (15) 를 형성한 구성으로 설명하였지만, 그 밖의 장소, 예를 들어 작업 기계의 원격 조작을 실시하기 위한 원격 조작실이나, 건설 현장 내에 있는 복수의 작업 기계를 전체적으로 관리ㆍ통제하는 관제실에 표시부를 형성한 구성이어도 된다. 모니터 (15) 가 휴대 단말로서 구성되어 (예를 들어, 분리 가능해도 된다), 오퍼레이터가 휴대 단말에 있어서의 표시부에 표시된 부감 화상을 볼 수 있는 구성이어도 된다.원격 조작실이나 관제실에 표시부를 형성한 경우, 복귀 스위치는, 마찬가지로 원격 조작실 내나 관제실 내에 형성하는 것이 바람직하다. 또, 모니터가 휴대 단말로서 구성되는 경우에는, 복귀 스위치를 휴대 단말에 형성해도 되고, 휴대 단말과는 다른 장치에 형성해도 된다.여기에서, 원격 조작실이나 관제실에 있어서 표시부에 부감 화상을 표시하는 경우나 휴대 단말에 표시부를 형성하는 경우에는, 작업 기계와, 조작실ㆍ관제실ㆍ휴대 단말 등의 각각에 어떠한 통신 수단을 형성하여, 부감 화상 등의 정보의 송수신을 실시하는 구성이어도 된다. [ 부호의 설명 ] 1 : 유압 셔블2 : 하부 주행체3 : 상부 선회체4 : 작업기4a : 붐4b : 아암4c : 버킷4d : 붐 실린더4e : 아암 실린더4f : 버킷 실린더6 : 운전실7 : 파워 컨테이너8 : 카운터 웨이트10 : 오퍼레이터 시트11, 12 : 조작 레버13, 14 : 주행 레버15 : 모니터16 : 표시부17 : 조작부40 : 주변 감시 제어부 (제 2 모니터 제어부)42 : 통신 제어부43 : 모니터 제어부 (제 1 모니터 제어부)44 : 엔진 제어부45 : 펌프 제어부46 : 표준 화면 생성부47 : 조정 처리 화면 생성 지시부48 : 아이콘 생성부51 : 화상 처리부53 : 표시 제어부54 : 부감 화상 생성부55 : 조정 처리 화면 생성부56 : 화상 합성부58 : 단일 카메라 화상 생성부61 : 부감 화상62 : 단일 카메라 화상63 : 단일 카메라 화상 위치 아이콘83 : 표준 화면84 : 서비스 선택 화면85 : 조정 선택 화면90 : 조정 처리 화면91 : 주변 감시 조정 화면 0192 : 주변 감시 조정 화면 02102 : 카메라 설정 메뉴 화면211 : 후방 카메라 설정 화면C : 카메라군C1 ∼ C4 : 카메라D : 기준선F1 ∼ F6 : 펑션 스위치G1 : 엔진 수온 게이지G2 : 작동 유온 게이지G3 : 연료 잔량 게이지I1 ∼ I9, IB : 아이콘S1 : 영상 신호	본 발명은, 작업 기계의 주위 상황을 취득하는 복수의 카메라 (C1 ∼ C4) 와, 복수의 카메라 (C1 ∼ C4) 가 촬상한 화상에 대해 화상 처리를 실시한 주변 감시 화상 혹은 주변 감시 제어부 (40) 의 조정 처리에 대한 소정의 조정 처리 화면 (90) 을 생성하고, 각각 영상 신호 (S1) 로서 출력하는 주변 감시 제어부 (40) 와, 주변 감시 제어부 (40) 로부터 출력된 영상 신호 (S1) 를 기초로 상기 주변 감시 화상 혹은 소정의 조정 처리 화면 (90) 을 표시 화면 상에 표시하는 표시부 (16) 와, 표준 화면을 생성하여 표시부 (16) 에 그 표준 화면을 표시함과 함께, 조작부 (17) 로부터 소정의 조정 처리 화면 (90) 의 출력 지시를 받은 경우, 주변 감시 제어부 (40) 에, 소정의 조정 처리 화면 (90) 의 출력 지시를 실시하는 모니터 제어부 (43) 와, 소정의 조정 처리 화면 (90) 이 표시부 (16) 에 표시된 상태로부터 상기 표준 화면으로 천이시키는 EXIT 아이콘을 구비한다.
[ 발명의 명칭 ] 전기 연결 요소를 구비한 디스크 DISK HAVING AN ELECTRIC CONNECTING ELEMENT [ 기술분야 ] 본 발명은 전기 연결 요소를 구비한 창유리와 그의 경제적, 친환경적 제조 방법에 관한 것이다.본 발명은 또한 예컨대 가열 도체 또는 안테나 도체와 같은 전기 도전성 구조물을 갖춘 차량용 전기 연결 요소를 구비한 창유리에 관한 것이다. 전기 도전성 구조물은 통상 솔더온(soldered-on) 전기 연결 요소를 통해 차내 전기 시스템에 연결된다. 사용되는 재료의 상이한 열팽창 계수로 인해 창유리를 변형시키는 기계적 응력이 발생하여 제조 및 작동 중에 창유리의 파손을 초래할 수 있다. [ 배경기술 ] 납 함유 솔더는 소성 변형에 의해 전기 연결 요소와 창유리 간에 발생하는 기계적 응력을 상쇄할 수 있는 높은 연성(ductility)을 가진다. 그러나 폐차처리지침(End of Life Vehicles Directive) 2000/53/EC 때문에 유럽 공동체 내에서는 납 함유 솔더는 무연 솔더로 대체되어야 한다. 해당 지침은 간단하게 약어 ELV(End of Life Vehicles)로 지칭된다. 해당 지침의 목적은 일회용 전자제품이 크게 증가함에 따라 제품에서 극히 문제가 되는 구성요소를 금지하는 것이다. 규제 대상 물질로는 납, 수은 및 카드뮴이 있다. 이는 무엇보다도 유리 상의 전기적 적용례에 무연 솔더링 재료의 구현 및 대응하는 대체재의 도입과 관련이 있다.EP 1 942 703 A2는 차량의 창유리 상의 전기 연결 요소로서, 창유리와 전기 연결 요소 간의 열팽창계수 차가 5×10-6/℃ 미만이고 연결 요소가 주로 티타늄을 함유하는 전기 연결 요소를 개시한다. 적절한 기계적 안정성과 공정성이 가능하도록 과량의 솔더 재료를 사용하는 방식이 제시된다. 과량의 솔더 재료는 연결 요소와 전기 도전성 구조물 사이의 중간 공간으로부터 외부로 유출된다. 과량의 솔더 재료는 창유리에 높은 기계적 응력을 초래한다. 이 기계적 응력으로 인해 결국에는 창유리가 파손된다. 또한 티타늄은 솔더링 특성이 불량하다. 이로 인해 연결 요소와 창유리 간의 접착력이 저하된다. 또한 연결 요소는 예컨대 용접에 의해 전기 도전성 재료, 예컨대 구리를 매개로 차내 전자제품에 연결되어야 한다. 티타늄은 용접성이 불량하다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명의 목적은 창유리의 임계 기계적 응력이 방지되는 것으로, 전기 연결 요소를 구비한 창유리와 그의 경제적, 친환경적 제조 방법을 제공하는 것이다.또한 본 발명의 목적은 보다 용이하게 입수 가능하고 솔더링 특성, 용접성 및 냉간 성형성과 같은 공정성이 보다 우수한 것으로, 종래 기술에 비해 개선된 연결 요소용 재료를 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 목적은 독립항 제1항에 따른 장치에 의해 본 발명에 따라 달성된다. 바람직한 실시형태는 종속항에서 제시된다.적어도 하나의 연결 요소를 구비한 본 발명에 따른 창유리는- 기판과,- 기판의 영역 상의 전기 도전성 구조물과,- 적어도 크롬을 함유하며, 바람직하게는 적어도 크롬을 함유하는 강인 연결 요소와,- 전기 도전성 구조물의 서브영역에 연결 요소를 전기적으로 연결하는 솔더 재료층을 포함한다.기판은 바람직하게는 유리, 특히 바람직하게는 판 유리, 플로트 유리, 석영 유리, 붕규산염 유리, 소다 석회 유리를 함유한다. 대안적인 바람직한 실시형태에서, 기판은 폴리머, 특히 바람직하게는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, 폴리메틸 메타크릴레이트 및/또는 이들의 혼합물을 함유한다.기판은 제1 열팽창계수를 가진다. 연결 요소는 제2 열팽창계수를 가진다. 본 발명의 유리한 실시형태에서, 제1 열팽창계수와 제2 열팽창계수 간의 차는 5×10-6/℃ 미만이다. 이 때문에 보다 우수한 접착력이 획득된다.전기 도전성 구조물은 창유리에 적용된다(applied on). 전기 연결 요소는 솔더링 재료에 의해 전기 도전성 구조물의 서브영역에 전기적으로 연결된다. 솔더 재료는 연결 요소와 전기 도전성 구조물 사이의 중간 공간으로부터 1 mm 미만의 유출폭으로 유출된다.바람직한 실시형태에서, 최대 유출폭은 바람직하게는 0.5 mm 미만이며, 특히 거의 0 mm이다. 이는 창유리의 기계적 응력의 저감, 연결 요소의 접착력 및 솔더의 양의 저감과 관련하여 특히 유리하다.최대 유출폭은 솔더 재료가 50 ㎛의 층 두께 미만으로 감소하는 솔더 재료의 크로스오버(crossover) 지점과 연결 요소의 외측 가장자리 사이의 거리로서 정의된다. 최대 유출폭은 솔더링 공정 후에 고화된 솔더 재료에 대해 측정된다.바람직한 최대 유출폭은 연결 요소와 전기 도전성 구조물 사이의 수직 거리와 솔더 재료의 체적을 적절히 선택함으로써 획득되는데, 이는 간단한 실험을 통해 결정될 수 있다. 연결 요소와 전기 도전성 구조물 사이의 수직 거리는 적절한 프로세스 공구, 예컨대 이격자가 합체된 공구를 사용하여 사전에 지정될 수 있다.최대 유출폭은 심지어 네거티브(negative)형일 수 있는데, 즉 연결 요소와 전기 도전성 구조물에 의해 형성되는 중간 공간 내로 후퇴할 수 있다.본 발명에 따른 창유리의 유리한 실시형태에서, 최대 유출폭은 전기 연결 요소와 전기 도전성 구조물에 의해 형성되는 중간 공간 내로 오목한 초승달 모양(meniscus)으로 후퇴한다. 오목한 초승달 모양은 예컨대 솔더링 공정 중에 솔더가 아직 유체로 존재하는 동안 이격자와 도전성 구조물 사이의 수직 거리를 증가시킴으로써 생성된다.이의 장점은 창유리, 특히 다량의 솔더 재료의 크로스오버가 존재하는 임계 영역에서 기계적 응력이 저감된다는 데 있다.제1 열팽창계수는 바람직하게는 8×10-6/℃ 내지 9×10-6/℃이다. 기판은 바람직하게는 0℃ 내지 300℃ 범위의 온도에서 바람직하게는 8.3×10-6/℃ 내지 9×10-6/℃의 열팽창 계수를 가지는 유리이다.제2 열팽창계수는 0℃ 내지 300℃ 범위의 온도에서 바람직하게는 9×10-6/℃ 내지 13×10-6/℃, 특히 바람직하게는 10×10-6/℃ 내지 11.5×10-6/℃이다.본 발명에 따른 전기 도전성 구조물은 바람직하게는 5 ㎛ 내지 40 ㎛, 특히 바람직하게는 5 ㎛ 내지 20 ㎛, 아주 특히 바람직하게는 8 ㎛ 내지 15 ㎛, 가장 바람직하게는 10 ㎛ 내지 12 ㎛의 층 두께를 가진다. 본 발명에 따른 전기 도전성 구조물은 바람직하게는 은, 특히 바람직하게는 은 입자와 유리 프릿을 함유한다.본 발명에 따른 솔더의 층 두께는 3.0×10-4 m 미만이다.솔더 재료는 바람직하게는 무연, 즉 납을 함유하지 않는다. 이는 본 발명에 따른 전기 연결 요소를 구비한 창유리가 환경에 미치는 영향과 관련하여 유리하다. 무연 솔더 재료는 통상적으로 납 함유 솔더 재료보다 낮은 연성을 가지며, 따라서 연결 요소와 창유리 간의 기계적 응력이 양호하게 상쇄되지 못한다. 그러나 본 발명에 따른 연결 요소에 의해 임계 기계적 응력을 방지할 수 있다는 것이 입증되었다. 본 발명에 따른 솔더 재료는 바람직하게는 주석과 비스무트, 인듐, 아연, 구리, 은 또는 이들의 조성물을 함유한다. 본 발명에 따른 솔더 조성물에서 주석의 비율은 3 wt% 내지 99.5 wt%, 바람직하게는 10 wt% 내지 95.5 wt%, 특히 바람직하게는 15 wt% 내지 60 wt%이다. 본 발명에 따른 솔더 조성물에서 비스무트, 인듐, 아연, 구리, 은 또는 이들의 조성물의 비율은 바람직하게는 0.5 wt% 내지 97 wt%, 바람직하게는 10 wt% 내지 67 wt%이며, 비스무트, 인듐, 아연, 구리 또는 은의 비율은 0 wt%일 수 있다. 본 발명에 따른 솔더 조성물은 0 wt% 내지 5 wt%의 비율로 니켈, 게르마늄, 알루미늄 또는 인을 함유할 수 있다. 본 발명에 따른 솔더 조성물은 아주 특히 바람직하게는 Bi40Sn57Ag3, Sn40Bi57Ag3, Bi59Sn40Ag1, Bi57Sn42Ag1, In97Ag3, Sn95.5Ag3.8Cu0.7, Bi67In33, Bi33In50Sn17, Sn77.2In20Ag2.8, Sn95Ag4Cu1, Sn99Cu1, Sn96.5Ag3.5 또는 이들의 혼합물을 함유한다.본 발명에 따른 연결 요소는 바람직하게는 50 wt% 내지 89.5 wt%의 철, 10.5 wt% 내지 20 wt%의 크롬, 0 wt% 내지 1 wt%의 탄소, 0 wt% 내지 5 wt%의 니켈, 0 wt% 내지 2 wt%의 망간, 0 wt% 내지 2.5 wt%의 몰리브덴 및/또는 0 wt% 내지 1 wt%의 티타늄을 적어도 함유한다. 또한 연결 요소는 바나듐, 알루미늄, 니오븀 및 질소를 포함하는 다른 원소의 혼합물을 함유할 수 있다.본 발명에 따른 연결 요소는 66.5 wt% 내지 89.5 wt%의 철, 10.5 wt% 내지 20 wt%의 크롬, 0 wt% 내지 1 wt%의 탄소, 0 wt% 내지 5 wt%의 니켈, 0 wt% 내지 2 wt%의 망간, 0 wt% 내지 2.5 wt%의 몰리브덴, 0 wt% 내지 2 wt%의 니오븀 및/또는 0 wt% 내지 1 wt%의 티타늄을 적어도 함유할 수도 있다. 또한 연결 요소는 바나듐, 알루미늄 및 질소를 포함하는 다른 원소의 혼합물을 함유할 수 있다.다른 바람직한 실시형태에서, 본 발명에 따른 연결 요소는 65 wt% 내지 89.5 wt%의 철, 10.5 wt% 내지 20 wt%의 크롬, 0 wt% 내지 0.5 wt%의 탄소, 0 wt% 내지 2.5 wt%의 니켈, 0 wt% 내지 1 wt%의 망간, 0 wt% 내지 1 wt%의 몰리브덴 및/또는 0 wt% 내지 1 wt%의 티타늄을 적어도 함유한다. 또한 연결 요소는 바나듐, 알루미늄, 니오븀 및 질소를 포함하는 다른 원소의 혼합물을 함유할 수 있다.본 발명에 따른 연결 요소는 73 wt% 내지 89.5 wt%의 철, 10.5 wt% 내지 20 wt%의 크롬, 0 wt% 내지 0.5 wt%의 탄소, 0 wt% 내지 2.5 wt%의 니켈, 0 wt% 내지 1 wt%의 망간, 0 wt% 내지 1 wt%의 몰리브덴, 0 wt% 내지 1 wt%의 니오븀 및/또는 0 wt% 내지 1 wt%의 티타늄을 적어도 함유할 수도 있다. 또한 연결 요소는 바나듐, 알루미늄 및 질소를 포함하는 다른 원소의 혼합물을 함유할 수 있다.다른 특히 바람직한 실시형태에서, 본 발명에 따른 연결 요소는 75 wt% 내지 84 wt%의 철, 16 wt% 내지 18.5 wt%의 크롬, 0 wt% 내지 0.1 wt%의 탄소, 0 wt% 내지 1 wt%의 망간 및/또는 0 wt% 내지 1 wt%의 티타늄을 적어도 함유한다. 또한 연결 요소는 바나듐, 알루미늄, 니오븀 및 질소를 포함하는 다른 원소의 혼합물을 함유할 수 있다.본 발명에 따른 연결 요소는 78.5 wt% 내지 84 wt%의 철, 16 wt% 내지 18.5 wt%의 크롬, 0 wt% 내지 0.1 wt%의 탄소, 0 wt% 내지 1 wt%의 망간, 0 wt% 내지 1 wt%의 니오븀 및/또는 0 wt% 내지 1 wt%의 티타늄을 적어도 함유할 수도 있다. 또한 연결 요소는 바나듐, 알루미늄 및 질소를 포함하는 다른 원소의 혼합물을 함유할 수 있다.본 발명에 따른 연결 요소는 바람직하게는 니켈, 주석, 구리 및/또는 은으로 코팅된다. 본 발명에 따른 연결 요소에는 특히 바람직하게는 니켈 및/또는 구리로 제조되는 접착 촉진층이 마련되고, 바람직하게는 은으로 제조되는 솔더링 가능층이 추가로 마련된다. 본 발명에 따른 연결 요소는 아주 특히 바람직하게는 0.1 ㎛ 내지 0.3 ㎛의 니켈 및/또는 3 ㎛ 내지 20 ㎛의 은으로 코팅된다. 연결 요소는 니켈, 구리 및/또는 은으로 도금될 수 있다. 니켈과 은은 연결 요소의 전류 전송 용량 및 부식 안정성과 솔더 재료에 의한 습윤성을 향상시킨다.본 발명에 따른 연결 요소는 바람직하게는 크롬의 비율이 10.5 wt% 이상이고 9×10-6/℃ 내지 13×10-6/℃의 열 팽창계수를 갖는 크롬 함유 강을 함유한다. 몰리브덴, 망간 또는 니오븀과 같은 추가 합금 성분으로 인해 부식 안정성이 향상되거나 인장 강도나 냉간 성형성과 같은 기계적 물성이 변경된다.티타늄으로 제조되는 종래 기술에 따른 연결 요소와 비교하여 크롬 함유 강으로 제조되는 연결 요소의 장점은 솔더링 특성이 보다 우수하다는 데 있다. 이는 22 W/mK인 티타늄의 열전도도에 비해 25 W/mK 내지 30 W/mK로 열전도도가 보다 높기 때문이다. 보다 높은 열전도도로 인해 솔더링 공정 중에 연결 요소가 보다 균일하게 가열되며, 이로써 특히 뜨거운 장소("열점")가 점형태로 형성되는 것이 방지된다. 이들 장소는 기계적 응력 및 후속 창유리 손상의 시발점이다. 창유리에 대한 연결 요소의 접착력이 향상됨으로써, 특히 납 함유 솔더 재료보다 낮은 연성으로 인해 기계적 응력을 양호하게 상쇄하지 못하는 무연 솔더 재료를 사용할 수 있게 된다. 또한 크롬 함유 강은 용접성이 우수하다. 이로써 용접에 의해 전기 도전성 재료, 예컨대 구리를 매개로 차내 전자제품과 연결 요소 간의 보다 우수한 연결이 가능하다. 보다 우수한 냉간 성형성으로 인해 연결 요소는 전기 도전성 재료와 보다 양호하게 크림핑될 수도 있다. 또한 크롬 함유 강은 보다 용이하게 입수할 수 있다.크롬 함유 강으로 제조되는 연결 요소의 추가적인 장점은 많은 종래의 연결 요소에 비해 고강성(high rigidity)이라는 데 있다. 이 때문에 연결 요소는 예컨대 연결 요소에 연결되는 와이어의 인장에 기인하는 부하를 받을 때 용이하게 변형되지 않는다. 이런 변형은 솔더 재료를 통한 연결 요소와 전기 도전성 구조물 간의 연결부에 부하를 초래한다. 특히 무연 솔더 재료를 사용하는 경우에는 이런 부하를 방지해야 한다. 납 함유 솔더 재료에 비해 무연 솔더 재료의 연성이 낮기 때문에 부하의 상쇄가 양호하게 이루어지지 않으며, 이는 창유리의 손상으로 이어질 수 있다.크롬 함유 강은 예컨대 강, 알루미늄, 티타늄, 구리로 제조되는 연결 요소 상에 상쇄판(compensation plate)으로서 용접되거나 크림핑되거나 접착될 수도 있다. 바이메탈로서, 유리의 팽창에 대한 연결 요소의 유리한 팽창 거동이 획득될 수 있다. 상쇄판은 바람직하게는 모자 형상이다.전기 연결 요소는 솔더 재료에 대면하는 표면에 구리, 아연, 주석, 은, 금 또는 이들의 합금 혹은 층, 바람직하게는 은을 함유하는 코팅을 포함할 수 있다. 이는 솔더 재료가 코팅 너머로 확산되는 것을 방지하고 유출폭을 제한한다.전기 연결 요소는 접촉면이 적어도 두 개인 브리지 형태로 구성될 수 있으나 접촉면이 하나인 연결 요소로서 구성될 수도 있다.예컨대 평면도에서 연결 요소는 바람직하게는 1 mm 내지 50 mm의 길이 및 폭, 바람직하게는 3 mm 내지 30 mm의 길이 및 폭을 가지며, 아주 특히 바람직하게는 2 mm 내지 5 mm의 폭과 12 mm 내지 24 mm의 길이를 가진다.전기 연결 요소의 형상은 연결 요소와 전기 도전성 구조물 사이에 솔더 데포(depot)를 형성할 수 있다. 솔더 데포와 연결 요소 상의 솔더의 습윤성으로 인해 솔더 재료가 중간 공간으로부터 유출되는 것이 방지된다. 솔더 데포는 직사각형, 라운드형 또는 다각형 구성일 수 있다.솔더링 공정 중의 솔더링 열의 분배 및 이에 따른 솔더 재료의 분배는 연결 요소의 형상에 의해 한정될 수 있다. 솔더 재료는 가장 뜨거운 지점으로 유동한다. 솔더링 공정 중에 연결 요소에 유리하게 열을 분배하기 위해 예컨대 브리지는 단일 모자 또는 이중 모자 형상을 가질 수 있다.연결 요소와 전기 도전성 구조물의 전기적 연결 중에 에너지의 도입은 바람직하게는 펀치, 열패드(thermode), 피스톤 솔더링, 바람직하게는 레이저 솔더링, 열풍 솔더링, 인덕션 솔더링, 저항 솔더링 및/또는 초음파에 의해 이루어진다.또한 본 발명의 목적은 적어도 하나의 연결 요소를 갖춘 창유리의 제조 방법이며,a) 솔더 재료를 일정한 층 두께, 체적, 형상 및 배열을 갖는 소판(platelet)으로서 연결 요소의 접촉면에 도포하고,b) 기판에 전기 도전성 구조물을 적용하고,c) 연결 요소를 전기 도전성 구조물 상에 솔더 재료와 함께 배열하고,d) 전기 도전성 구조물에 연결 요소를 솔더링하는 것을 포함하는 창유리의 제조 방법에 의해 달성된다.솔더 재료는 바람직하게는 일정한 층 두께, 체적, 형상 및 배열을 갖는 연결 요소 상의 소판으로서 바람직하게는 미리 연결 요소에 도포된다.연결 요소는 예컨대 구리로 제조되는 시트, 편조선, 메쉬에 용접되거나 크림핑되어 차내 전기 시스템에 연결될 수 있다.연결 요소는 바람직하게는 건물, 특히 자동차, 철도, 항공기 또는 선박의 가열 창유리나 안테나를 갖춘 창유리에 사용된다. 연결 요소는 창유리 외부에 배열되는 전기 시스템에 창유리의 도전성 구조물을 연결하는 역할을 한다. 전기 시스템은 증폭기, 제어 유닛 또는 전압원이다.본 발명의 바람직한 실시형태는 연결 요소를 갖춘 창유리로서, 연결 요소의 접촉면이 모서리를 갖지 않는 창유리이다. 전기 연결 요소는 하나의 접촉면을 통해 전기 도전성 구조물의 서브영역에 그 전면에 걸쳐 연결된다. 접촉면은 계란형, 바람직하게는 타원형, 특히 원형 구조물이다. 대안으로서 접촉면은 볼록한 다각형 형상, 바람직하게는 모서리가 라운드형인 직사각형 형상을 가질 수 있다. 라운드형 모서리는 r003e#0.5 mm, 바람직하게는 r003e#1 mm의 곡률 반경을 가진다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도면과 예시적인 실시형태를 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.도 1은 본 발명에 따른 창유리의 제1 실시형태의 사시도이다.도 1a는 본 발명에 따른 창유리의 대안적인 실시형태의 사시도이다.도 2는 도 1의 창유리의 A-A'에 따른 단면도이다.도 3은 본 발명에 따른 대안적인 창유리의 단면도이다.도 4는 본 발명에 따른 다른 대안적인 창유리의 단면도이다.도 5는 본 발명에 따른 다른 대안적인 창유리의 단면도이다.도 6은 본 발명에 따른 창유리의 대안적인 실시형태의 사시도이다.도 7은 도 6의 창유리의 B-B'에 따른 단면도이다.도 8은 도 1의 창유리의 C-C'에 따른 단면도이다.도 9는 도 1a의 창유리의 D-D'에 따른 단면도이다도 9a는 본 발명에 따른 창유리의 대안적인 실시형태의 단면도이다.도 9b는 연결 요소의 대안적인 실시형태의 평면도이다.도 10은 타원형 연결 요소를 구비한 본 발명에 따른 창유리의 대안적인 실시형태의 평면도이다.도 11은 도 10의 창유리의 E-E'에 따른 단면도이다.도 12는 본 발명에 따른 대안적인 창유리의 단면도이다.도 13은 본 발명에 따른 다른 대안적인 창유리의 단면도이다.도 14는 연결 요소의 대안적인 실시형태의 평면도이다.도 15는 연결 요소의 다른 대안적인 실시형태의 평면도이다.도 16은 연결 요소의 다른 대안적인 실시형태의 평면도이다.도 17은 도 16의 연결 요소의 측면도이다.도 18은 만곡형 연결 요소를 구비한 본 발명에 따른 다른 대안적인 실시형태의 단면도이다.도 19는 연결 요소의 다른 대안적인 실시형태의 사시도이다.도 20은 본 발명에 따른 방법의 상세 흐름도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1, 도 2 및 도 8은 전기 연결 요소(3)의 영역에서 본 발명에 따른 가열 가능 창유리(1)의 상세도를 각각 도시한다. 창유리(1)는 소다 석회 유리로 제조되는 3 mm 두께의 열적 프리스트레스트(prestressed) 단일창 안전 유리이다. 창유리(1)의 폭은 150 cm이고 높이는 80 cm이다. 가열 도체 구조물(2) 형태의 전기 도전성 구조물(2)이 창유리(1)에 인쇄된다. 전기 도전성 구조물(2)은 은 입자와 유리 프릿을 함유한다. 창유리(1)의 가장자리 영역에서, 전기 도전성 구조물(2)은 10 mm의 폭까지 확장되어 전기 연결 요소(3)에 대한 접촉면을 형성한다. 창유리(1)의 가장자리 영역에는 피복 세리그래프(미도시)도 존재한다. 전기 연결 요소(3)와 전기 도전성 구조물(2) 간의 접촉면(8)의 영역에는 전기 연결 요소(3)와 전기 도전성 구조물(2) 간의 내구성 있는 전기적, 기계적 연결이 이루어지도록 하는 솔더 재료(4)가 도포된다. 솔더 재료(4)는 57 wt%의 비스무트, 40 wt%의 주석 및 3 wt%의 은을 함유한다. 솔더 재료(4)는 전적으로 전기 연결 요소(3)와 전기 도전성 구조물(2) 사이에 미리 정해진 체적과 형상을 통해 배열된다. 솔더 재료(4)는 250 ㎛의 두께를 가진다. 전기 연결 요소(3)는 10.0×10-6/℃의 열팽창계수를 갖는 것으로 EN 10 088-2에 따른 재료 번호 1.4509의 강(ThyssenKrupp Nirosta�� 4509)으로 제조된다. 전기 연결 요소(3)는 브리지 형태로 구성되며 4 mm의 폭과 24 mm의 길이를 가진다.EN 10 088-2에 따른 재료 번호 1.4509의 강은 우수한 냉간 성형성을 가지며, 가스 용접을 제외한 모든 방식에서 우수한 용접성을 가진다. 해당 강은 소음 억제 시스템과 배기 가스 제독 시스템의 제작에 사용되는데, 950℃를 초과하는 온도까지 박리 저항성을 가지고 배기 가스 시스템에서 발생하는 응력에 대한 내식성을 가지기 때문에 해당 용도에 특히 적합하다. 그러나 다른 크롬 함유 강이 연결 요소(3)용으로 사용될 수 있다. 특히 적절한 다른 대안적인 강의 예로는 EN 10 088-2에 따른 재료 번호 1.4016의 강이 있다.도 1a와 도 9는 전기 연결 요소(3)의 영역에서 본 발명에 따른 가열 가능 창유리(1)의 대안적인 실시형태의 상세도를 각각 도시한다. 브리지 형태의 연결 요소(3)의 영역(7)이 창유리의 표면에 대해 소정 각도로 형성된다. 이 수단을 사용함으로써 모세관 효과에 기인하여 보다 두꺼운 솔더 재료(4)층이 전기 도전성 구조물(2)과 연결 요소의 영역(7)에 의해 한정되는 체적으로 획득된다. 따라서 연결 요소의 외측 가장자리에서 솔더 재료의 유출이 감소하여 창유리의 기계적 응력이 저감되는 유리한 결과를 낳는다. 이는 납 함유 솔더 재료에 비해 낮은 연성으로 인해 화학적 응력을 양호하게 상쇄할 수 없는 무연 솔더 재료를 사용하는 경우에 특히 유리하다. 브리지 형태의 연결 요소(3)의 높이 적합화 영역(7)은 반드시 편평한 세그먼트로 구성될 필요는 없으며 대신에 만곡될 수도 있다. 기판(1)의 표면과 기판(1)에 대면하는 영역(7)의 표면의 각각의 접평면(tangential plane) 간의 각도는 바람직하게는 90°미만, 특히 바람직하게는 2° 내지 75°, 아주 특히 바람직하게는 5° 내지 50°이다.도 3은 도 1과 도 2의 예시적인 실시형태에 이어 본 발명에 따른 연결 요소(3)의 대안적인 실시형태를 도시한다. 전기 연결 요소(3)에는 솔더 재료(4)에 대면하는 표면에 은 함유 코팅(5)이 마련된다. 이는 솔더 재료가 코팅(5) 너머로 확산되는 것을 방지하고 유출폭(b)을 제한한다. 다른 실시형태에서는 예컨대 니켈 및/또는 구리로 제조되는 접착 촉진층이 연결 요소(3)와 은 함유층(5) 사이에 배치될 수 있다. 솔더 재료(4)의 유출폭(b)은 1 mm 미만이다. 솔더 재료(4)의 배열로 인해 창유리(1)에는 임계 기계적 응력이 관찰되지 않는다. 전기 도전성 구조물(2)을 통한 창유리(1)와 전기 연결 요소(3) 간의 연결은 내구적으로 안정적이다.도 4는 도 1과 도 2의 예시적인 실시형태에 이어 본 발명에 따른 연결 요소(3)의 다른 대안적인 실시형태를 도시한다. 전기 연결 요소(3)는 솔더 재료(4)에 대면하는 표면에, 솔더 재료(4)용 솔더 데포를 형성하는 250 ㎛ 깊이의 리세스를 포함한다. 솔더 재료(4)가 중간 공간으로부터 유출되는 것을 완벽하게 방지하는 것이 가능하다. 창유리(1)의 열 응력은 비임계적이며, 전기 도전성 구조물(2)을 통한 연결 요소(3)와 창유리(1) 간의 내구성 있는 전기적, 기계적 연결이 이루어진다.도 5는 도 1과 도 2의 예시적인 실시형태에 이어 본 발명에 따른 연결 요소(3)의 다른 대안적인 실시형태를 도시한다. 전기 연결 요소(3)는 가장자리 영역에서 상향으로 절곡된다. 창유리(1)의 가장자리 영역의 상향 절곡부의 높이는 최대 400 ㎛이다. 이는 솔더 재료(4)용 공간을 형성한다. 소정의 솔더 재료(4)는 전기 연결 요소(3)와 전기 도전성 구조물(2) 사이에 오목한 초승달 모양을 형성한다. 솔더 재료(4)가 중간 공간으로부터 유출되는 것을 완벽하게 방지하는 것이 가능하다. 거의 0인 유출폭(b)은 0 미만이 되는데, 이는 주로 형성되는 초승달 모양으로 인한 것이다. 창유리(1)의 열 응력은 비임계적이며 전기 도전성 구조물(2)을 통한 연결 요소(3)와 창유리(1) 간의 내구성 있는 전기적, 기계적 연결이 이루어진다. 도 6과 도 7은 브리지 형태의 연결 요소(3)를 구비한 본 발명에 따른 창유리(1)의 다른 실시형태의 상세도를 각각 도시한다. 연결 요소(3)는 8×10-6/℃의 열팽창계수를 갖는 철 함유 합금을 함유한다. 재료의 두께는 2 mm이다. 연결 요소(3)와 전기 도전성 구조물(2) 간의 접촉면(8)의 영역에는, EN 10 088-2에 따른 재료 번호 1.4509의 크롬 함유 강(ThyssenKrupp Nirosta�� 4509)과 함께 모자 형상 상쇄 부재(6)가 적용된다. 모자 형상 상쇄 부재(6)의 최대 층 두께는 4 mm이다. 상쇄 부재에 의해, 연결 요소(3)의 열팽창계수를 창유리(1)와 솔더 재료(4)의 요건에 맞게 적합화하는 것이 가능하다. 모자 모양 상쇄 부재(6)로 인해 솔더 연결부(4)의 제조 중에 열 흐름이 향상된다. 가열은 주로 접촉면(8)의 중심에서 일어난다. 솔더 재료(4)의 유출폭(b)을 추가로 저감하는 것이 가능하다. 1 mm 미만의 작은 유출폭(b)과 적합화된 열팽창계수 때문에 창유리(1)의 열 응력을 추가로 저감하는 것이 가능하다. 창유리(1)의 열 응력은 비임계적이며, 전기 도전성 구조물(2)을 통한 연결 요소(3)와 창유리(1) 간의 내구성 있는 전기적, 기계적 연결이 이루어진다.도 9a는 도 1a와 도 9의 예시적인 실시형태에 이어 본 발명에 따른 연결 요소(3)의 대안적인 실시형태를 도시한다. 접촉면(8) 반대측의 기판(1)에 대면하지 않는 연결 요소(3)의 편평한 기부(foot) 영역의 표면 각각에는 접촉 범프(12)가 배열된다. 도시된 실시형태에서 접촉 범프(12)는 반구체로서 형성되며 2.5×10-4 m의 높이와 5×10-4 m의 폭을 가진다. 접촉 범프(12)의 중심은 기판(1)에 대면하지 않는 연결 요소(3)의 편평한 기부 영역의 표면의 기하 중심에 대략 배열된다. 그 볼록한 표면 때문에 접촉 범프(12)는 전기 도전성 구조물(2)에 대한 연결 요소의 솔더링이 유리하게 향상될 수 있도록 한다. 솔더링을 위해 그 접촉면이 편평한 전극이 사용될 수 있다. 전극의 표면은 접촉 범프(12)와 접촉하며 전극 표면과 접촉 범프(12) 간의 접촉 영역은 솔더링 포인트를 형성한다. 따라서 솔더링 포인트의 위치는 바람직하게는 기판(1)의 표면으로부터의 수직 거리가 가장 큰 접촉 범프(12)의 볼록면 상의 포인트에 의해 결정된다. 솔더링 포인트의 위치는 연결 요소(3) 상의 솔더 전극의 위치와는 무관하다. 이는 솔더링 공정 중에 재현 가능하고 균일한 열 분배와 관련하여 특히 유리하다.솔더링 공정 중의 열 분배는 접촉 범프(12)의 위치, 크기, 배열 및 기하구조에 의해 결정된다. 대안적인 실시형태에서, 접촉 범프(12)는 예컨대 회전 타원체의 세그먼트나 기판을 향하지 않는 표면이 볼록하게 만곡된 직육면체로 형성될 수 있다. 접촉 범프(12)는 바람직하게는 0.1 mm 내지 2 mm, 특히 바람직하게는 0.2 mm 내지 1 mm의 높이를 가진다. 접촉 범프(12)의 길이와 폭은 바람직하게는 0.1 mm 내지 5 mm, 아주 특히 바람직하게는 0.4 mm 내지 3 mm이다.이격자(11)가 각각의 접촉면(8)에 배열된다. 예컨대 세 개의 이격자(11)가 각각의 접촉면(8)에 배열될 수 있는데, 도면에 도시된 단면에서는 이들 중 하나의 이격자(11)가 식별 가능하다. 이격자(11)는 반구체로 형성되며 2.5×10-4 m의 높이와 5×10-4 m의 폭을 가진다. 대안적인 실시형태에서 이격자(11)는 정육면체, 피라미드 또는 회전 타원체의 세그먼트로 구성될 수도 있으며 바람직하게는 0.5×10-4 m 내지 10×10-4 m의 폭과 0.5×10-4 m 내지 5×10-4 m의 높이, 특히 바람직하게는 1×10-4 m 내지 3×10-4 m의 높이를 가진다. 이격자(11)에 의해 균일한 솔더 재료(4)층의 형성이 촉진된다. 이는 연결 요소(3)의 접착력과 관련하여 특히 유리하다.유리한 실시형태에서, 접촉 범프(12)와 이격자(11)는 연결 요소(3)와 일체로 형성될 수 있다. 접촉 범프(12)와 이격자(11)는 예컨대 스탬핑 또는 딥 드로잉에 의해 초기 상태의 편평한 표면을 갖는 연결 요소(3)를 표면에서 재성형함으로써 형성될 수 있다. 본 공정에서, 대응하는 함몰부가 접촉 범프(12)나 이격자(11) 대향측의 연결 요소(3)의 표면에 생성될 수 있다.접촉 범프(12)와 이격자(11)에 의해, 균질하고 두께가 균일하며 균일하게 융합된 솔더 재료(4)층이 획득된다. 따라서 연결 요소(3)와 기판(1) 간의 기계적 응력이 저감될 수 있다. 이는 납 함유 솔더 재료에 비해 낮은 연성으로 인해 기계적 응력을 양호하게 상쇄하지 못하는 무연 솔더 재료를 사용할 경우에 특히 유리하다.도 9b는 도 1a와 도 9의 예시적인 실시형태에 이어 본 발명에 따른 연결 요소(3)의 대안적인 실시형태의 평면도이다. 연결 요소(3)는 브리지 형태로 구성되며 도 9에 따른 단면을 가진다. 편평한 서브섹션 간의 경계는 평면도에 점선으로 표시되어 있다. 접촉면(8)이 배열되는 저부에서, 연결 요소(3)의 편평한 기부 영역은 8 mm의 폭을 가지는데 이는 기부 영역 간의 브리지 영역의 폭의 두 배이다. 놀랍게도 브리지 영역보다 넓은 폭으로 구성되는 기부 영역으로 인해 창유리(1)의 기계적 응력이 저감된다는 것이 입증되었다. 기부 영역의 폭은 바람직하게는 브리지 영역의 폭의 150% 내지 300%이다.도 10과 도 11은 전기 연결 요소(3)의 영역에서 본 발명에 따른 가열 가능 창유리(1)의 다른 실시형태의 상세도를 각각 도시한다. 50 ㎛의 층 두께(t)를 초과하는, 전기 연결 요소(3)와 전기 도전성 구조물(2) 사이의 중간 공간으로부터의 솔더 재료(4)의 유출은 b=0.5 mm의 최대 유출폭까지 관찰된다. 전기 연결 요소(3)는 EN 10 088-2에 따른 재료 번호 1.4509의 강(ThyssenKrupp Nirosta�� 4509)으로 제조된다. 전기 연결 요소(3)는 타원형 기부면을 갖도록 구성된다. 장축의 길이는 12 mm이고 단축의 길이는 5 mm이다. 연결 요소(3)의 재료의 두께는 0.8 mm이다. 연결 요소(3)와 전기 도전성 구조물(2)에 의해 미리 정해지는 솔더 재료(4)의 배열로 인해 창유리(1)에서 임계 기계적 응력이 관찰되지 않는다. 전기 도전성 구조물(2)을 통한 창유리(1)와 전기 연결 요소(3) 간의 연결은 내구적으로 안정적이다.도 12는 도 10과 도 11의 예시적인 실시형태에 이어 본 발명에 따른 연결 요소(3)의 대안적인 실시형태를 도시한다. 전기 연결 요소(3)에는 솔더 재료(4)에 대면하는 표면에 은 함유 코팅(5)이 마련된다. 이는 솔더 재료(4)가 코팅(5) 너머로 확산되는 것을 방지하고 유출폭(b)을 제한한다. 솔더 재료(4)의 유출폭(b)은 1 mm 미만이다. 솔더 재료(4)의 배열로 인해 창유리(1)에 임계 기계적 응력이 관찰되지 않는다. 전기 도전성 구조물(2)을 통한 창유리(1)와 전기 연결 요소(3) 간의 연결은 내구적으로 안정적이다.도 13은 도 10과 도 11의 예시적인 실시형태에 이어 타원형 기부면을 갖는 연결 요소(3)를 구비한 본 발명에 따른 창유리(1)의 다른 대안적인 실시형태를 도시한다. 연결 요소(3)는 8×10-6/℃의 열팽창계수를 갖는 철 함유 합금을 함유한다. 재료의 두께는 2 mm이다. 전기 도전성 구조물(2)과 연결 요소(3) 간의 접촉면(8)의 영역에는, EN 10 088-2에 따른 재료 번호 1.4509의 크롬 함유 강(ThyssenKrupp Nirosta�� 4509)과 함께 모자 형상 상쇄 부재(6)가 적용된다. 모자 형상 상쇄 부재(6)의 최대 층 두께는 4 mm이다. 상쇄 부재에 의해, 창유리(1)와 솔더 재료(4)의 요건에 맞게 연결 요소(3)의 열팽창계수를 적합화하는 것이 가능하다. 모자 형상 상쇄 부재(6)로 인해 솔더 연결부(4)의 제조 중에 열 흐름이 개선된다. 가열은 주로 접촉면(8)의 중심에서 일어난다. 솔더 재료(4)의 유출폭(b)을 추가로 저감하는 것이 가능하다. 1 mm 미만의 작은 유출폭(b)과 적합화된 열팽창계수 때문에 창유리(1)의 열 응력을 추가로 저감하는 것이 가능하다. 창유리(1)의 열 응력은 비임계적이며, 전기 도전성 구조물(2)을 통한 연결 요소(3)와 창유리(1) 간의 내구성 있는 전기적, 기계적 연결이 이루어진다.도 14는 본 발명에 따른 연결 요소(3)의 대안적인 실시형태의 평면도를 도시한다. 연결 요소(3)는 직사각형으로 구성되며 5 mm의 폭과 14 mm의 길이를 가진다. 직사각형의 모서리는 예컨대 1 mm의 곡률 반경(r)을 갖는 원형 세그먼트로 각각 라운드처리된다. 또한 연결 케이블(18)은 용접 영역(17)을 통해 연결 요소(3)에 용접된다. 용접 영역(17)은 3 mm의 폭과 6 mm의 길이를 가진다. 연결 케이블(18)은 얇은 주석도금 구리선으로 제조되는 직조 케이블이다. 연선 케이블 또는 전선이 연결 케이블(18)로서 사용될 수도 있다. 대안으로서 금속 슬리브, 플러그 커넥터 또는 크림프 연결부가 연결 요소(3)에 전기 도전적으로 연결될 수도 있다. 특히 연결 요소(3)는 일부분 혹은 여러 부분 파지 슬리브 또는 크림프 요소로 구성될 수도 있다.도 15는 본 발명에 따른 연결 요소(3)의 다른 대안적인 실시형태의 평면도를 도시한다. 연결 요소(3)는 직사각형으로 구성되며, 직사각형의 두 단변은 반원형으로 구성된다. 연결 요소는 5 mm의 폭과 14 mm의 길이를 가진다. 용접 영역(17)은 3 mm의 폭과 6 mm의 길이를 가진다.도 16과 도 17은 연결 탭(19)을 갖춘 본 발명에 따른 연결 요소(3)의 다른 대안적인 실시형태를 도시한다. 연결 요소(3)의 접촉면(8)은 원으로 구성된다. 원의 반경은 4 mm이다. 연결 탭(19)은 용접 영역(17)을 통해 연결 케이블(18)에 연결된다. 대안으로서 연결 탭(19)은 평판 플러그는 물론 파지 슬리브나 크림프 커넥터로 구성될 수도 있다. 이 실시형태에서 연결 탭(19)은 두 개의 노치부(20, 20')를 가진다. 이들 노치부(20, 20')는 연결 탭(19)의 재료를 저감하는 역할을 한다. 이로 인해 스프링 효과가 초래되고, 따라서 연결 케이블(18)을 통해 솔더 접촉부로 전달되는 힘이 완화된다.도 18은 본 발명에 따른 연결 요소(3)의 다른 대안적인 실시형태의 단면도를 도시한다. 연결 요소(3)는 중심에 곡선부(23)를 가진다. 곡선부(23)의 영역에서는 솔더 재료(4)의 두께가 확대된다.도 19는 본 발명에 따른 연결 요소(3)의 대안적인 실시형태의 사시도를 도시한다. 연결 요소(3)는 브리지 형태로 구성되며, 두 개의 접촉면(8)이 배열되는 저부에 예컨대 7 mm의 길이와 5 mm의 폭을 갖는 제1 및 제2 편평한 기부 영역을 가진다. 편평한 기부 영역은 예컨대 12 mm의 길이와 10 mm의 폭을 갖는 편평한 섹션을 포함하는 브리지 영역을 통해 서로 연결된다. 브리지 영역의 편평한 섹션은 제조 관련 만입부(indentation)(10)를 가진다. 만입부(10)는 제1 기부 영역이 높이 조절 전이 영역(7)을 통해 연결되는 브리지 영역의 편평한 섹션의 가장자리까지 완전히 연장된다. 만입부(10)는 제1 기부 영역과 높이 조절 전이 영역(7)에서부터 그 형상과 크기가 연결 요소(3)의 섹션에 대응한다. 접촉면(8)은 브리지 영역을 향하지 않는 두 모서리가 각각 베벨링된(beveled) 직사각형 형상을 가진다. 베벨링에 의해 접촉면(8)의 주위 측면 가장자리를 따라 지나치게 작은 각도, 특히 90°의 각도가 형성되는 것이 방지된다. 이로써 창유리의 기계적 응력이 저감될 수 있다는 것이 입증되었다.연결 요소(3)는 브리지 영역에 배열되는 플러그 커넥터(9)를 포함한다. 플러그 커넥터(9)는 제1 기부 영역에 대면하는 브리지 영역의 편평한 섹션의 측면 가장자리에서 브리지 영역의 편평한 섹션에 연결된다. 플러그 커넥터(9)는 차내 전자제품에 대한 연결 케이블(미도시)의 커플링이 부착될 수 있는 표준화 탭 커넥터로 구성된다.본 발명의 실시형태의 특별한 장점은 연결 요소(3)를 간단히 제조할 수 있고 동시에 편리한 전기 접촉용 인터페이스(플러그 커넥터(9))를 제공한다는 데 있다. 기부 영역, 브리지 영역 및 플러그 커넥터(9)는 일체로 형성된다. 연결 요소(3)는 편평한 초기 상태로 제공되는데, 이 상태에서는 제1 기부 영역과 높이 조절 전이 영역(7)으로서 제공되는 섹션은 만입부(10) 내부에 배열된다. 초기 상태에서, 플러그 커넥터(9)는 브리지 영역의 편평한 섹션과 동일한 평면에 배열된다. 제1 기부 영역과 높이 조절 전이 영역(7)으로서 제공되는 영역은 예컨대 펀칭, 레이저빔 가공, 워터젯 가공에 의해 브리지 영역의 편평한 섹션으로부터 분리될 수 있으며, 연결부의 가장자리를 통한 높이 조절 전이 영역(7)과 브리지 영역의 편평한 섹션 간의 연결은 그대로 유지된다. 플러그 커넥터(9)는 플러그 커넥터(9)와 브리지 영역의 편평한 섹션 간의 연결 라인을 중심으로 절곡되어 도시된 위치에 이르며, 초기 상태에서 상향을 향한 표면은 브리지 영역을 향한다. 제1 기부 영역과 높이 조절 전이 영역(7)은 높이 조절 전이 영역(7)과 브리지 영역의 편평한 섹션 간의 연결 라인 위로 절곡되어 도시된 위치에 이르며, 초기 상태에서 상향을 향한 표면은 제1 기부 영역과 높이 적합화 전이 구역(7)의 저면을 형성한다. 만입부(10)는 제1 기부 영역의 절곡에 의해 형성된다. 제2 기부 영역과, 이에 대응하는 높이 조절 전이 영역(7)도 편평한 초기 상태로부터 도시된 위치로 절곡된다.도 20은 전기 연결 요소(3)를 구비한 창유리(1)의 제조를 위한 본 발명에 따른 방법을 상세히 도시한다. 전기 연결 요소(3)를 구비한 창유리의 제조를 위한 본 발명에 따른 방법의 예가 제시되어 있다. 제1 단계로서, 형상과 체적에 따라 솔더 재료(4)를 분배하는 것이 필요하다. 분배된 솔더 재료(4)는 전기 연결 요소(3)의 접촉면(8)에 배열된다. 전기 연결 요소(3)는 전기 도전성 구조물(2) 상에 솔더 재료(4)와 함께 배열된다. 전기 도전성 구조물(2) 및 창유리(1)에 대한 전기 연결 요소(3)의 내구성 있는 연결이 에너지의 입력을 통해 이루어진다.실시예 창유리(1)(두께 3 mm, 폭 150 cm, 높이 80 cm), 가열 도체 구조물 형태의 전기 도전성 구조물(2), 도 1에 따른 전기 연결 요소(3), 연결 요소(3)의 접촉면(8) 상의 은층(5) 및 솔더 재료(4)에 의해 시험 샘플을 제조하였다. 연결 요소(3)의 재료 두께는 0.8 mm였다. 연결 요소(3)의 접촉면(8)의 폭은 4 mm이고 길이는 4 mm였다. 솔더 재료(4)를 일정한 층 두께, 체적 및 형상을 갖는 소판으로서 연결 요소(3)의 접촉면(8)에 미리 도포하였다. 연결 요소(3)를 전기 도전성 구조물(2) 상에 도포되는 솔더 재료(4)와 함께 부착하였다. 2초의 공정 시간 및 200℃의 온도에서 전기 도전성 구조물(2)에 연결 요소(3)를 솔더링하였다. 50 ㎛의 층 두께(t)를 초과한, 전기 연결 요소(3)와 전기 도전성 구조물(2) 사이의 중간 공간으로부터의 솔더 재료(4)의 유출은 단지 b=0.5 mm의 최대 유출폭까지만 관찰되었다. 전기 연결 요소(3), 연결 요소(3)의 접촉면(8) 상의 은층(5) 및 솔더 재료(4)의 치수와 조성은 표 1에서 확인할 수 있다. 연결 요소(3)와 전기 도전성 구조물(2)에 의해 미리 정해지는 솔더 재료(4)의 배열로 인해 창유리(1)에서 임계 기계적 응력이 관찰되지 않았다. 전기 도전성 구조물(2)을 통한 창유리(1)와 전기 연결 요소(3) 간의 연결은 내구적으로 안정적이었다.모세관 효과로 인해 도 1a의 연결 요소(3)는 연결 요소(3)와 기판(1) 간의 접착력이 보다 우수한 것으로 나타났다. 솔더 재료(4)의 배열로 인해 창유리(1)에는 임계 기계적 응력이 관찰되지 않았다. 전기 도전성 구조물(2)을 통한 창유리(1)와 전기 연결 요소(3) 간의 연결은 내구적으로 안정적이었다.모든 샘플의 경우, +80℃에서 -30℃에 이르는 온도 차에서 유리 기판(1)이 파손되거나 손상을 입지 않았다는 것을 관찰할 수 있었다. 솔더링 직후, 연결 요소(3)가 솔더링된 이들 창유리(1)는 급격한 온도 강하에 대해 안정적이라는 것을 입증할 수 있었다.구성요소재료실시예연결 요소(3)하기 조성을 갖는 EN 10 088-2에 따른 재료 번호 1.4509의 강철(wt%)78.87탄소(wt%)0.03크롬(wt%)18.5티타늄(wt%)0.6니오븀(wt%)1망간(wt%)1CTE(열팽창계수)(0℃ 내지 100℃에 대한 10-6/℃)10연결 요소와 기판 간의 CTE 차(0℃ 내지 100℃에 대한 10-6/℃)1.7열전도도(20℃에 대한 W/mK)25연결 요소의 두께(m)8.0×10-4습윤층(5)은(wt%)100층 두께(m)7.0×10-6솔더 재료(4)주석(wt%)40비스무트(wt%)57은(wt%)3솔더층의 두께(m)250×10-6습윤층과 솔더층의 두께(m)257×10-6유리 기판(1)(소다 석회 유리)CTE(0℃ 내지 320℃에 대한 10-6/℃)8.3비교예실시예와 동일하게 비교예를 수행하였다. 실시예와의 차이는 연결 요소(3)용으로 다른 재료를 사용했다는 데 있다. 연결 요소(3)는 100 wt%의 티타늄이었다. 따라서 연결 요소(3)는 낮은 열전도도와 낮은 열팽창계수를 가지며 연결 요소(3)와 기판(1) 간의 열팽창계수의 차가 보다 작았다. 전기 연결 요소(3), 연결 요소(3)의 접촉면(8) 상의 금속층 및 솔더 재료(4)의 치수와 조성은 표 2에서 확인할 수 있다. 솔더 재료(4)를 사용하여 종래의 방법에 따라 전기 도전성 구조물(2)에 연결 요소(3)를 솔더링하였다. 50 ㎛의 층 두께(t)를 초과한, 전기 연결 요소(3)와 전기 도전성 구조물(2) 사이의 중간 공간으로부터의 솔더 재료(4)의 유출에 있어 b=2 mm 내지 3 mm의 평균 유출폭이 관찰되었다. 비교예에서는 연결 요소용 재료의 낮은 열전도도로 인해 솔더링 공정 중에 연결 요소가 균일하게 가열되지 않았다.+80℃에서 -30℃까지의 급격한 온도 차에서 유리 기판(1)은 솔더링 직후에 심각한 손상을 보였다.구성요소재료비교예연결 요소(3)티타늄(wt%)100CTE(열팽창계수)(0℃ 내지 100℃에 대한 10-6/℃)8.80연결 요소와 기판 간의 CTE 차(0℃ 내지 100℃에 대한 10-6/℃)0.5열전도도(20℃에 대한 W/mK)22연결 요소의 두께(m)8.0×10-4습윤층(5)은(wt%)100층 두께(m)7.0×10-6솔더 재료(4)주석(wt%)40비스무트(wt%)57은(wt%)3솔더층의 두께(m)250×10-6습윤층과 솔더층의 두께(m)257×10-6유리 기판(1)(소다 석회 유리)CTE(0℃ 내지 320℃에 대한 10-6/℃)8.3표 1과 표 2의 차이와 본 발명에 따른 연결 요소(3)의 장점은 표 3에서 확인할 수 있다.본 발명에 따른 실시형태, 실시예비교예재료EN 10 088-2에 따른 재료 번호 1.4509의 강티타늄열전도도(20℃에 대한 W/mK)2522연결 요소의 CTE(열팽창계수)(0℃ 내지 100℃에 대한 10-6/℃)108.8연결 요소와 기판 간의 CTE 차(0℃ 내지 100℃에 대한 10-6/℃)1.70.5본 발명에 따른 연결 요소(3)와 유리 기판(1)을 구비한 본 발명에 따른 창유리가 급격한 온도 차에 대해 보다 우수한 안정성을 가진다는 것이 입증되었다. 이 결과는 기술분야의 기술자에게는 예상 외의 놀라운 것이었다. [ 부호의 설명 ] 1: 창유리2: 전기 도전성 구조물3: 전기 연결 요소4: 솔더 재료5: 습윤층6: 상쇄 부재7: 전기 연결 요소(3)의 영역8: 전기 도전성 구조물(2)과 연결 요소(3) 간의 접촉면9: 플러그 커넥터10: 만입부11: 이격자12: 접촉 범프17: 용접 영역18: 연결 케이블19: 연결 탭20: 노치부20': 노치부22: 2의 서브영역23: 곡선부b: 솔더 재료의 최대 유출폭t: 솔더 재료의 제한 두께r: 곡률반경A-A: 단면선B-B': 단면선 C-C': 단면선 D-D': 단면선 E-E': 단면선	본 발명은 기판(1)과, 기판(1)의 영역 상의 전기 도전성 구조물(2)과, 적어도 크롬 함유 강을 함유하는 연결 요소(3)와, 전기 도전성 구조물(2)의 서브영역에 연결 요소(3)를 전기적으로 연결하는 솔더링 화합물(4)층을 포함하는, 적어도 하나의 전기 연결 요소를 구비한 디스크에 관한 것이다.
[ 발명의 명칭 ] 정전용량 터치스크린 패널 및 그 간극부분 인듐주석 산화물 필름의 에칭 방법METHOD FOR ETCHING INDIUM TIN OXIDE FILM ON CAPACITIVE TOUCHSCREEN PANEL AND GAP PORTION THEREOF [ 기술분야 ] 본 발명은 플랫패널 디스플레이 기술 분야에 관한 것이며, 특히 정전용량 터치스크린 패널 및 그 간극부분 인듐주석 산화물 필름의 에칭 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 기존의 정전용량 방식 터치스크린은 주요하게 정전용량 터치스크린 패널 및 연성회로기판을 포함하며, 연성회로기판의 상부에 커버 플레이트가 마련되어 있다. 그 중, 정전용량 터치스크린 패널은 sensor로 약칭되는데, 절연성 투명 기판, 유도 회로층 및 구동 회로층을 포함한다. 여기서, 절연성 투명 기판은 유리 또는 플라스틱 필름 중 하나를 선택하며, 유도 회로층은 유도 회로를 구비하는 투광성 도전 필름 또는 유리이며, 구동 회로층은 구동 회로를 구비하는 투광성 도전 필름 또는 유리이며, 또한 구동 회로층 및 유도 회로층은 각각 해당 절연성 투명 기판의 양측에 겹쳐진다.정전용량 터치스크린 패널의 절연성 투명 기판 상에는 표시구역(1) 및 간극구역(2)을 포함하는 인듐주석 산화물 필름(ITO Film)이 마련되어 있으며, 도 1에 나타낸 바와 같이, 상기 표시구역(1)과 상기 간극구역(2)은 번갈아 분포되어 있으며, 정전용량 터치스크린 패널의 제어칩 요구의 제한을 받아 상기 간극구역(2)의 폭은 일반적으로 3mm이다. 간극구역의 ITO는 기생 정전용량을 가지기에, 칩 지지기능의 요구의 제한을 받아, 간극구역의 ITO에 대해 에칭처리를 진행하지 않을 경우, 제품 터치 사용시, 터치 신호의 드래프트가 발생하여, 제품의 터치 식별 정확도에 심한 영향을 미치기에, 간극구역의 ITO는 반드시 에칭을 통해 제거하여야만 제품의 터치 정확도를 보장할 수 있다. 기존의 에칭 방식은 도 2에 나타낸 바와 같이, 두갈래의 패턴 레이저 에칭 경로(3) 사이의 부분이 상기 간극구역(2)이며, 간극구역 레이저 에칭 경로(4)는 상기 패턴 레이저 에칭 경로(3)에 평행되게 에칭되는데, 간극구역의 폭의 수치 범위는 통상적으로 (0.2mm,0.3mm)mm이기에, 보통 수십 갈래의 레이저 에칭 라인을 통해야만 상기 간극구역(2)의 ITO를 에칭 제거할 수 있다. 그러나 이러한 에칭 방법으로 가공된 제품은 화상 표시 과정 중 스크린에 선명한 에칭 스트라이프가 나타나는데, 다시 말해서 에칭 제거된 부분의 투과율이 표시구역 패턴 부분의 투과율보다 크기에, 화상에 선명한 스트라이프가 나타나며, 이로 인해 터치스크린 제품의 표시효과가 떨어질 뿐만 아니라, 십여차례의 레이저 가공공정을 거쳐야 하기에, 생산효율도 매우 낮다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 종래 기술 중 정전용량 터치스크린 패널의 간극부분 인듐주석 산화물 필름의 에칭 방법을 통해 가공된 제품의 표시 효과가 나쁘고, 생산효율이 낮은 문제를 극복하고, 표시효과가 우수하고 생산효율이 높은 정전용량 터치스크린 패널 및 그 간극부분 인듐주석 산화물의 에칭 방법을 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 아래와 같은 기술방안을 채용한다.정전용량 터치스크린 패널 간극부분 인듐주석 산화물 필름의 에칭 방법에 있어서, 레이저에칭 라인을 이용하여 간극부분의 ITO를 서로 독립적이고 서로 연결되지 않는 여러개의 ITO 단락으로 분할하는 것을 포함한다.상술한 에칭 방법에 있어서, 두 갈래의 레이저 에칭 라인을 교차적으로 주사하여 서로 독립적이고 서로 연결되지 않는 여러 개의 상기 ITO 단락을 형성하고, 두갈래의 레이저 에칭 라인은 상기 간극부분에 간극구역 레이저 에칭 경로를 형성한다.상술한 에칭 방법에 있어서, 두 갈래의 레이저 에칭 라인의 중심선이 교차점에 접근하는 과정에서의 거리가 한 갈래의 레이저 에칭 라인의 폭보다 작다.상술한 에칭 방법에 있어서, 두 갈래의 레이저 에칭 라인은 교차점 부위에 인접하여 서로 평행되며 부분적으로 겹친다.상술한 에칭 방법에 있어서, 두갈래의 레이저 에칭 라인은 서로 0.01mm 어긋난다.상술한 에칭 방법에 있어서, 두 갈래의 레이저 에칭 라인의 중심선이 교차점에 접근하는 과정에서의 거리가 한 갈래의 레이저 에칭 라인의 폭보다 클 경우, 인접된 상기 ITO 단락의 간격은 양측의 상기 ITO 단락에 접근하는 위치에서 서로 독립적이고 서로 연결되지 않는 간격부분 ITO 단락을 형성한다.상술한 에칭 방법에 있어서, 각 상기 ITO 단락의 길이의 수치 범위는 (2mm, 4mm)이다.상술한 에칭 방법에 있어서, 각 상기 ITO 단락의 길이는 3mm이다.상술한 에칭 방법에 있어서, 상기 간극구역 레이저 에칭 경로의 중심선과 상기 정전용량 터치스크린 패널 표시구역의 패턴 레이저 에칭 경로의 중심선의 거리는 한갈래의 레이저 에칭 라인의 폭보다 작다.상술한 에칭 방법에 있어서, 상기 간극부분의 폭의 수치 범위는 (0.2mm, 0.3mm)이다.정전용량 터치스크린 패널에 있어서, 절연성 투명 기판, 유도 회로층 및 구동 회로층을 포함하며, 상기 절연성 투명 기판 상에 인듐주석 산화물 필름이 마련되어 있고, 상기 인듐주석 산화물 필름은 표시구역 및 간극구역을 포함하며, 상기 간극부분의 인듐주석 산화물 필름은 상술한 에칭 방법을 통해 에칭된다. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 상술한 기술방안은 기존 기술에 비해 아래와 같은 장점을 갖고 있다.(1) 본 발명에서 제공한 정전용량 터치스크린 패널 및 그 간극부분 인듐주석 산화물 필름의 에칭방법에 있어서, 레이저 에칭 라인을 이용하여 간극부분의 ITO를 서로 독립적이고 서로 연결되지 않는 여러 개의 ITO 단락으로 분할한다. 이러한 에칭 후, 각 ITO 단락의 기생 정전용량은 매우 작아서, 터치 신호의 식별 정확도에 거의 영향을 미치지 않으며, 레이저 에칭 라인의 수량을 줄여, 에칭 스트라이프가 선명하지 않아, 제품 표시효과가 균일하여, 에칭하지 않은 제품의 표시효과와 거의 같으며, 에칭 공정을 간소화하여, 하나의 제품을 에칭하는데 50% 좌우의 시간을 줄여, 생산효율을 현저히 향상시켰다.(2) 본 발명에서 제공한 정전용량 터치스크린 패널 및 그 간극부분의 인듐주석 산화물의 에칭 방법에 있어서, 두 갈래의 레이저 에칭 라인은 교차적으로 주사하여 여러 개의 서로 독립적이고 서로 연결되지 않는 ITO 단락을 형성하는데, 방법이 간편하고 실시하기 쉽다. (3) 본 발명에서 제공한 정전용량 터치스크린 패널 및 그 간극부분의 인듐주석 산화물의 에칭 방법에 있어서, 두 갈래의 레이저 에칭 라인의 중심선이 교차점에 접근하는 과정에서의 거리가 한 갈래의 레이저 에칭 라인의 폭보다 작아서, 간극구역의 ITO를 분리하여, 여러 개의 ITO단락을 형성할 수 있다. (4) 본 발명에서 제공한 정전용량 터치스크린 패널 및 그 간극부분의 인듐주석 산화물의 에칭 방법에 있어서, 각 상기 ITO 단락 길이의 수치 범위가 (2mm, 4mm)이고, 길이가 3mm인 것이 바람직하며, 칩 지지기능 요구의 제한을 받아, 이러한 길이의 ITO 단락의 기생 정전용량이 아주 작아서, 터치 신호의 식별 정확도에 거의 영향을 미치지 않기에, 제품의 터치 정확도를 보장한다.(5) 본 발명에서 제공한 정전용량 터치스크린 패널 및 그 간극부분의 인듐주석 산화물의 에칭 방법에 있어서, 간극구역 레이저 에칭 경로의 중심선과 정전용량 터치스크린 패널 표시구역의 패턴 레이저 에칭 경로의 중심선의 거리가 한 갈래의 레이저 에칭 라인의 폭보다 작아서, 레이저 에칭 라인이 동일한 위치에서의 에칭 회수가 지나치게 많아, 에칭 스트라이프가 선명한 문제를 방지하여, 제품의 표시 효과를 보장할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 발명의 내용을 더욱 용이하고 정확하게 이해하기 위해 본 발명의 구체적인 실시예와 도면에 근거하여 진일보 구체적으로 본 발명에 대해 설명한다. 그 중,도1은 기존 정전용량 터치스크린 패널의 모식도이다.도 2는 도 1중 A 부분의 확대도이다.도 3은 본 발명의 정전용량 터치스크린 패널의 모식도이다.도 4는 도 3 중 B 부분의 확대도이다.도 5는 도 4 중 C 부분의 확대도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 3 내지 도 5에 나타낸 바와 같이, 도 3 내지 도 5는 본 발명의 정전용량 터치스크린 패널 간극부분 인듐주석 산화물 필름의 에칭 방법의 바람직한 실시예이다.정전용량 터치스크린 패널의 절연성 투명 기판 상에는 표시구역(1) 및 간극구역(2)을 포함하는 인듐주석 산화물 필름(ITO)이 마련되어 있고, 도 3에 나타낸 바와 같이, 상기 표시구역(1) 및 상기 간극구역(2)은 번갈아 분포되며, 제어칩 요구의 제한을 받아 상기 간극구역(2)의 폭의 수치 범위는 (0.2mm, 0.3mm)이며, 본 실시예에 있어서, 상기 간극구역(2)의 폭이 0.3mm인 것이 바람직하다.상기 간극구역(2)의 ITO에 대해 에칭 시, 레이저 에칭 라인을 통해 상기 간극부분(2)의 ITO를 여러 개의 ITO 단락(5)으로 분할하는데, 도 4에 나타낸 바와 같이, 각 상기 ITO 단락(5)은 서로 독립적이고 서로 연결되지 않으며, 다시 말해서, 인접된 상기 ITO 단락(5) 사이에 간격(6)이 존재하며, 상기 간격(6)의 길이에 대해서는 구체적으로 한정하지 않으며, 인접된 상기 ITO 단락(5)을 분할할 수 있으면 된다. 각 ITO 단락(5)의 기생 정전용량은 매우 작아서, 터치 신호의 식별 정확도에 거의 영향을 미치지 않는다. 각 상기 ITO 단락(5)의 길이의 수치 범위는 (2mm, 4mm)이며, 본 실시예에 있어서, 각 상기 ITO 단락(5)의 길이가 3mm인 것이 바람직하다.구체적으로, 두 갈래의 레이저 에칭 라인을 교차적으로 주사하여 여러 개의 서로 독립적이고 서로 연결되지 않는 상기 ITO 단락(5)을 형성하며, 두 갈래의 레이저 에칭 라인은 상기 간극부분(2)에 간극구역 레이저 에칭 경로(4)를 형성한다. 두 갈래의 레이저 에칭 라인의 중심선이 교차점(7)에 접근하는 과정에서의 거리가 한 갈래의 레이저 에칭 라인의 폭보다 작다. 또한 간극구역 레이저 에칭 경로(4)의 중심선과 정전용량 터치스크린 패널 표시구역(1)의 패턴 레이저 에칭 경로(3)의 중심선의 거리도 한 갈래의 레이저 에칭 라인의 폭보다 작다.다른 실시예에 있어서, 두 갈래의 레이저 에칭 라인은 교차점 부위에 인접하여 서로 평행되고 부분적으로 겹치며, 두 갈래의 레이저 에칭 라인은 서로 0.01mm 어긋난다.다른 실시예에 있어서, 두 갈래의 레이저 에칭 라인의 중심선이 교차점(7)에 접근하는 과정에서의 거리가 한 갈래의 레이저 에칭 라인의 폭보다 클 경우, 인접하는 ITO 단락(5)의 간격(6)은 양측의 상기 ITO 단락(5)에 접근하는 위치에서 서로 독립적이고 서로 연결되지 않으며 상기 ITO 단락(5)과 유사한 간격부분 ITO 단락을 형성한다.다른 실시예에 있어서, 각 ITO 단락(5)의 길이는 2mm, 2.5mm, 3.8mm, 4mm 등일 수도 있으며, 구체적으로 제품 성능 요구에 따라 선택할 수 있다.다른 실시예에 있어서, 서로 다른 제어칩의 요구에 따라, 간극구역(2)의 폭은 0.2mm, 0.23mm, 0.25mm, 0.28mm 등일 수도 있다.위로부터 알 수 있다시피, 상기 실시예는 본 발명을 명확하게 설명하기 위한 예시이며, 실시형태를 한정하는 것이 아니다. 해당 분야의 당업자는 상기 설명에 기초하여 기타 다른 형태의 변화 또는 변동을 실시할 수 있다. 여기서는 모든 실시형태에 대해 전부 예시할 필요가 없거니와 예시할 수도 없지만 이에 근거한 자명한 변화 또는 변동은 여전히 본 발명의 보호 범위에 속한다. [ 부호의 설명 ] 1: 표시구역2: 간극구역3: 패턴 레이저 에칭 경로4: 간극구역 레이저 에칭 경로5: ITO 단락6: 간격7: 교차점	정전용량 터치스크린 패널 및 그 간극부분 인듐주석 산화물 필름의 에칭 방법에 있어서, 레이저에칭 라인을 이용하여 간극부분의 ITO를 서로 독립적이고 서로 연결되지 않는 여러개의 ITO 단락으로 분할하는 것을 포함한다. 본 발명의 정전용량 터치스크린 패널 및 그 간극부분 인듐주석 산화물 필름 에칭 방법은 생산효율이 높고, 에칭 후의 터치스크린 제품의 표시효과가 우수하다.
[ 발명의 명칭 ] 점착제 조성물ADHESIVE AGENT COMPOSITION [ 기술분야 ] 본 발명은, 점착제 조성물에 관한 것이다.본원은, 2014년 1월 15일에 일본에 출원된 일본국 특허 출원 2014-005143호에 의거하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다. [ 배경기술 ] 공업용 등으로 사용되는 점착제로서, 저비용으로 용이하게 제조할 수 있는 점으로부터, 아크릴 공중합체를 포함하는 아크릴계 점착제가 일반적으로 사용되고 있다.공업용 점착제는, 용도에 따라 다종다양한 조건에서의 내구성이 요구된다. 예를 들어, 편광판이나 위상차 필름 등으로 대표되는 광학 필름과, 액정 패널 등의 디스플레이를 접합시키는 광학 점착제는, 차재용, 옥외용 디스플레이 등 가혹한 조건이 요구되는 환경 하에 있어서도 점착제의 성능을 계속 유지할 필요가 있으며, 사용 환경 하에 있어서의 뛰어난 내구성이 요구된다.특히 고온 환경 하에 있어서의 크리프성(내열 크리프성)을 발휘하기 위해, 아크릴 공중합체의 질량 평균 분자량을 100만 이상으로 설정하고, 또한, 가교제를 병용하는 아크릴계 점착제 조성물이 제안되어 있다(예를 들어 특허문헌 1).그러나, 특허문헌 1에 기재된 아크릴계 점착제 조성물은, 아크릴 공중합체의 질량 평균 분자량이 100만 이상으로 매우 높기 때문에, 용액 점도가 높고, 코팅성이 뛰어난 점도까지 조정하려면 많은 유기 용매를 필요로 한다. 또, 가교제를 사용함으로써 점착제의 양생이 필요하게 되며, 가교 불균일에 의한 점착제로서의 성능에 편차가 발생하기 쉽다.근래에는, 가교형의 아크릴계 점착제를 대신하여, 아크릴계 트리블록 공중합체를 포함하는 점착제 조성물이 제안되어 있다(예를 들어 특허문헌 2).특허문헌 2에 기재된 점착제 조성물은 비가교형의 점착제이며, 아크릴계 공중합체를 트리블록 공중합체로 함으로써 용액 점도를 저하시키고, 코팅성을 향상시키고 있다. 그러나, 내열성은 90℃ 정도까지이며, 보다 높은 내열 크리프성을 발휘시키려면 점착제를 복수 블렌드할 필요가 있었다.그래서, 내열 크리프성을 향상시키기 위해, 아크릴계 트리블록 공중합체에 실란 커플링제나 이소시아네이트 첨가제를 첨가한 점착제 조성물이 제안되어 있다(예를 들어 특허문헌 3). [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본국 특허 공개 2003-329837호 공보국제 공개 제 2008/065982호국제 공개 제 2010/064551호 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 그러나, 특허문헌 3에 기재된 점착제 조성물의 경우, 내열 크리프성을 향상시키기 위해 실란 커플링제나 이소시아네이트 첨가제를 배합할 필요가 있어, 저장 안정성이 뒤떨어진다.본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 코팅성, 저장 안정성을 해치는 일 없이, 가교제나 첨가제를 배합하지 않더라도 내열 크리프성이 뛰어나고, 게다가 점착력이 양호한 점착제 조성물의 제공을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 일 양태에 따른 점착제 조성물은, 유리 전이점이 75℃ 이상이고, 환상 구조를 갖는 단량체 단위 및 카르복시기 함유 단량체 단위를 포함하는 블록 (A)와, 하기 일반식 (1)로 표시되는 아크릴산에스테르 단위를 70질량% 이상 포함하는 블록 (B)를 가지며, 산가가 8mgKOH/g 이상인 블록 공중합체 (X)를 포함하고, 상기 블록 (A)와 상기 블록 (B)의 질량 비율(블록 (A)/블록 (B))이 10/90~30/70이며, 상기 블록 공중합체 (X)의 적어도 한쪽의 말단에 상기 블록 (A)가 위치하고, 또한 상기 한쪽의 말단에서는 상기 블록 (B)를 상기 블록 (A)가 끼우고 있다.CH2=CR1-COOR2···(1)식 (1) 중, R1은 수소 원자이고, R2는 탄소수 8 이하의 직쇄 알킬기 또는 알콕시알킬기이다.상기 일 양태에 있어서, 상기 환상 구조를 갖는 단량체 단위가, 방향환 구조를 갖는 단량체 단위여도 된다. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 상기 양태에 따른 점착제 조성물은, 코팅성, 저장 안정성을 해치는 일 없이, 가교제나 첨가제를 배합하지 않더라도 내열 크리프성이 뛰어나고, 게다가 점착력이 양호하다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명의 일 실시형태에 대해 상세하게 설명한다.본 실시형태의 점착제 조성물은, 블록 (A)와 블록 (B)로 형성되는 블록 공중합체 (X)를 함유한다.또한, 본 발명에 있어서, 「(메타)아크릴산」은, 아크릴산 및 메타크릴산의 총칭이다.또, 본 발명에 있어서, 가역적 부가 개열 연쇄 이동 중합을 「RAFT 중합」이라고 하고, RAFT 중합에 이용되는 연쇄 이동제를 「RAFT제」라고 한다.＜블록 (A)＞블록 (A)는, 유리 전이점이 75℃ 이상인 중합체 또는 공중합체이다.유리 전이점이 75℃ 이상이면, 고온 환경 하에서의 크리프성(이하, 「내열 크리프성」이라고도 한다.)이 뛰어난 점착제 조성물이 얻어진다. 블록 (A)의 유리 전이점은, 80℃ 이상이 바람직하고, 90℃ 이상이 보다 바람직하다.블록 (A)의 유리 전이점은, 하기 식 (i)로 표시되는 Fox의 식으로부터 구해지는 값이다.1/(TgA＋273.15)=∑［Wa/(Tga＋273.15)］···(i) 식 (i) 중, TgA는 블록 (A)의 유리 전이점(℃)이고, Wa는 블록 (A)를 구성하는 단량체 a의 질량 분율이며, Tga는 단량체 a의 단독 중합체(호모폴리머)의 유리 전이점(℃)이다.또한, Tga는 호모폴리머의 특성값으로서 널리 알려져 있으며, 예를 들어, 「POLYMER HANDBOOK, THIRD EDITION」에 기재되어 있는 값이나, 제조회사의 카탈로그값을 이용하면 된다.블록 (A)의 유리 전이점은, 블록 (A)를 구성하는 단량체의 종류나 그 배합량에 따라 조정할 수 있다.블록 (A)를 구성하는 단량체로서는, 환상 구조를 갖는 단량체, 카르복시기 함유 단량체, (메타)아크릴산에스테르(단, 환상 구조를 갖는 단량체를 제외한다), 히드록시기 함유 단량체 등을 들 수 있다. 블록 (A)는, 적어도 환상 구조를 갖는 단량체 단위 및 카르복시기 함유 단량체 단위를 포함한다.환상 구조를 갖는 단량체로서는, 방향환 구조를 갖는 단량체, 지환 구조를 갖는 단량체 등을 들 수 있다.방향환 구조를 갖는 단량체로서는, 예를 들어 스티렌, α-메틸스티렌, o-, m- 혹은 p-메틸스티렌, o-, m- 혹은 p-클로로스티렌 등의 방향족 비닐 화합물; (메타)아크릴산벤질, (메타)아크릴산2-페녹시에틸 등의 방향환 구조를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다.지환 구조를 갖는 단량체로서는, 예를 들어 (메타)아크릴산시클로헥실, (메타)아크릴산디시클로펜타닐, (메타)아크릴산이소보르닐 등의 지환 구조를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다.이들은 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.이들 중에서도, 내열 크리프성이 보다 향상하는 점에서, 방향환 구조를 갖는 단량체가 바람직하고, 스티렌이 특히 바람직하다.블록 (A)를 구성하는 모든 구성 단위를 100질량%로 했을 때, 환상 구조를 갖는 단량체 단위의 함유율은, 50~95질량%가 바람직하고, 65~90질량%가 보다 바람직하다.카르복시기 함유 단량체로서는, 예를 들어 (메타)아크릴산, (메타)아크릴산β-카르복시에틸, (메타)아크릴산카르복시펜틸, 이타콘산, 크로톤산, 말레산, 푸마르산 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.블록 (A)를 구성하는 모든 구성 단위를 100질량%로 했을 때, 카르복시기 함유 단량체 단위의 함유율은, 3~40질량%가 바람직하고, 4~30질량%가 보다 바람직하다.(메타)아크릴산에스테르로서는, 환상 구조를 갖지 않는 (메타)아크릴산알킬에스테르, (메타)아크릴산알콕시알킬에스테르를 들 수 있다.환상 구조를 갖지 않는 (메타)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산부틸, (메타)아크릴산이소부틸, (메타)아크릴산2-에틸헥실 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.환상 구조를 갖지 않는 (메타)아크릴산알콕시알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메타)아크릴산2-메톡시에틸, (메타)아크릴산2-에톡시에틸, (메타)아크릴산2-(n-프로폭시)에틸, (메타)아크릴산2-(n-부톡시)에틸, (메타)아크릴산3-메톡시프로필, (메타)아크릴산3-에톡시프로필, 아크릴산2-(n-프로폭시)프로필, (메타)아크릴산2-(n-부톡시)프로필 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.블록 (A)를 구성하는 모든 구성 단위를 100질량%로 했을 때, (메타)아크릴산에스테르 단위의 함유율은, 5~50질량%가 바람직하고, 5~35질량%가 보다 바람직하다.히드록시기 함유 단량체로서는, 예를 들어 (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산4-히드록시부틸, (메타)아크릴산6-히드록시헥실, (메타)아크릴산8-히드록시옥틸, (메타)아크릴산10-히드록시데실, (메타)아크릴산12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)·메틸아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.블록 (A)를 구성하는 모든 구성 단위를 100질량%로 했을 때, 히드록시기 함유 단량체 단위의 함유율은, 0.1~10질량%가 바람직하고, 0.5~5질량%가 보다 바람직하다.블록 (A)를 구성하는 단량체의 조합으로서는, 블록 (A)의 유리 전이점이 75℃ 이상이 되고, 또한 블록 (A)가 환상 구조를 갖는 단량체 단위와, 카르복시기 함유 단량체 단위를 포함하는 것과 같은 조합이면 특별히 제한되지 않는다. 그러나, 환상 구조를 갖는 단량체와 카르복시기 함유 단량체를 적어도 이용한다. 환상 구조를 갖는 단량체를 이용하는 이유는 이하와 같다.블록 (A)는, 후술하는 블록 (B)와의 상용성의 차로부터 미크로상 분리를 일으킨다. 특히, 환상 구조를 갖는 단량체를 이용하여 얻어지는 블록 (A)는, 블록 (B)와의 상용성의 차가 커, 미크로상 분리를 일으키기 쉽다. 블록 (A)가 미크로상 분리를 일으키면, 블록 공중합체 (X)의 분자 배열이, 블록 (A)끼리, 블록 (B)끼리가 서로 인접한 배열이 된다. 그 결과, 블록 (B)보다 유리 전이점이 높은 블록 (A)가 블록 공중합체 (X)끼리의 유사 가교점이 된다. 그러면, 블록 공중합체 (X)의 구조가 유사적인 가교 구조가 되어, 가교한 고분자량의 아크릴계 공중합체와 같은 기능을 나타내며, 점착제 조성물의 내열 크리프성이 향상한다고 생각할 수 있다.또, 카르복시기 함유 단량체를 이용하는 이유는 이하와 같다.카르복시기 함유 단량체를 이용하면, 얻어지는 블록 (A)는 카르복시기 함유 단량체 유래의 카르복시기를 갖는다. 블록 (A)가 카르복시기를 갖고 있으면, 카르복시기끼리의 수소 결합에 의해 블록 공중합체 (X)의 세그먼트에 화학적인 결합력이 발생하고, 내열성이 보다 향상한다. 더욱이, 유사적인 가교 구조가 안정되기 쉬워져, 내열 크리프성이 보다 향상한다.＜블록 (B)＞블록 (B)는, 하기 일반식 (1)로 표시되는 아크릴산에스테르 단위를 포함하는 중합체 또는 공중합체이다.CH2=CR1-COOR2···(1)식 (1) 중, R1은 수소 원자이다.R2는 탄소수 8 이하의 직쇄 알킬기 또는 알콕시알킬기이다. R2의 탄소수가 8을 초과하면, 충분한 점착력이 얻어지지 않는다. 또, 알킬기나 알콕시알킬기가 분기쇄상이면, 점착력이 저하한다.R2의 탄소수는, 4 이상인 것이 바람직하다. 탄소수가 4 이상이면, 점착제 조성물의 피착체로의 젖음성이 양호해지고, 박리 시에 있어서의 지핑 현상이 일어나기 어려워진다.탄소수 8 이하의 직쇄 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기(n-프로필기), 부틸기(n-부틸기), 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기 등을 들 수 있다.탄소수 8 이하의 직쇄 알콕시알킬기로서는, 2-메톡시에틸기, 2-에톡시에틸기, 2-(n-프로폭시)에틸기, 2-(n-부톡시)에틸기, 3-메톡시프로필기, 3-에톡시프로필기, 2-(n-프로폭시)프로필기, 2-(n-부톡시)프로필기 등을 들 수 있다.R2로서는, 탄소수 8 이하의 직쇄 알킬기가 바람직하다.블록 (B)는, 적어도 상기 일반식 (1)로 표시되는 아크릴산에스테르를 중합함으로써 얻어진다. 블록 (B)는, 상기 일반식 (1)로 표시되는 아크릴산에스테르의 단독 중합체, 또는, 상기 일반식 (1)로 표시되는 아크릴산에스테르와, 상기 아크릴산에스테르와 공중합 가능한 단량체(이하, 「임의 단량체」라고 한다)를 공중합한 공중합체이다.상기 일반식 (1)로 표시되는 아크릴산에스테르로서는, 아크릴산메틸, 아크릴산에틸, 아크릴산프로필, 아크릴산부틸, 아크릴산펜틸, 아크릴산헥실, 아크릴산헵틸, 아크릴산옥틸 등의 아크릴산알킬에스테르; 아크릴산2-메톡시에틸, 아크릴산2-에톡시에틸, 아크릴산2-(n-프로폭시)에틸, 아크릴산2-(n-부톡시)에틸, 아크릴산3-메톡시프로필, 아크릴산3-에톡시프로필, 아크릴산2-(n-프로폭시)프로필, 아크릴산 2-(n-부톡시)프로필 등의 아크릴산알콕시알킬에스테르 등을 들 수 있다.이들은 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 그 중에서도, 아크릴산부틸이 바람직하다.블록 (B)를 구성하는 모든 구성 단위를 100질량%로 했을 때, 상기 일반식 (1)로 표시되는 아크릴산에스테르 단위의 함유율은, 70질량% 이상이며, 80질량% 이상이 바람직하고, 90질량%가 보다 바람직하다. 70질량% 이상이면, 충분한 점착력 및 내열 크리프성이 얻어진다.임의 단량체로서는, 상기 일반식 (1)로 표시되는 아크릴산에스테르 이외의 (메타)아크릴산에스테르(이하, 「다른 (메타)아크릴산에스테르」라고 한다.) 등을 들 수 있다.다른 (메타)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 상기 일반식 (1) 중의 R1이 수소 원자 또는 메틸기이고, R2가 탄소수 8 초과의 알킬기 또는 알콕시알킬기인 단량체; R1이 수소 원자 또는 메틸기이며, R2가 분기쇄 알킬기 또는 알콕시알킬기인 단량체; R2의 알킬기 또는 알콕시알킬기에 있어서의 임의의 수소 원자가 히드록시기로 치환된 단량체 등을 들 수 있다. 구체적으로는, (메타)아크릴산노닐, (메타)아크릴산데실, (메타)아크릴산이소프로필, (메타)아크릴산이소부틸, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산시클로헥실, (메타)아크릴산이소보르닐, (메타)아크릴산t-부틸 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.블록 (B)를 구성하는 모든 구성 단위를 100질량%로 했을 때, 임의 단량체 단위의 함유율은, 30질량% 이하이며, 20질량% 이하가 바람직하고, 10질량% 이하가 보다 바람직하다.블록 (B)의 유리 전이점은, -30℃ 이하인 것이 바람직하고, -40℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 유리 전이점이 -30℃ 이하이면, 점착력을 충분히 발현할 수 있다.블록 (B)의 유리 전이점은, 블록 (B)를 구성하는 단량체의 종류나 그 배합량에 따라 조정할 수 있다.블록 (B)의 유리 전이점은, 하기 식 (ii)로 표시되는 Fox의 식으로부터 구해지는 값이다.1/(TgB＋273.15)=∑［Wb/(Tgb＋273.15)］···(ii)식 (ii) 중, TgB는 블록 (B)의 유리 전이점(℃)이고, Wb는 블록 (B)를 구성하는 단량체 b의 질량 분율이며, Tgb는 단량체 b의 단독 중합체(호모폴리머)의 유리 전이점(℃)이다.또한, Tgb는 호모폴리머의 특성값으로서 널리 알려져 있으며, 예를 들어, 「POLYMER HANDBOOK, THIRD EDITION」에 기재되어 있는 값이나, 제조회사의 카탈로그값을 이용하면 된다.＜블록 공중합체 (X)＞블록 공중합체 (X)는, 상술한 블록 (A)와 블록 (B)로 형성된다.블록 (A)와 블록 (B)의 비율(블록 (A)/블록 (B))은, 10/90~30/70이며, 15/85~25/75인 것이 바람직하다. 블록 (A)의 비율이 많아지면, 점착력이 저하하여, 박리 시에 있어서의 지핑 현상이 일어나기 쉬워진다. 한편, 블록 (A)의 비율이 적어지면, 내열 크리프성이 저하한다.블록 공중합체 (X)의 적어도 한쪽의 말단(제 1 말단)에는, 블록 (A)가 위치한다. 또, 한쪽의 말단(제 1 말단)에서는, 블록 (B)를 블록 (A)가 끼우고 있다. 블록 공중합체 (X)의 적어도 한쪽의 말단에 블록 (A)가 위치하고 있으면, 내열 크리프성이 뛰어난 점착제 조성물이 얻어진다. 또, 이 한쪽의 말단에 있어서, 블록 (B)를 블록 (A)가 끼우고 있으면, 상술한 미크로상 분리가 일어나기 쉬워져, 내열 크리프성이 보다 향상한다. 특히, 블록 공중합체 (X)는 블록 (A)-블록 (B)-블록 (A)로 나타내지는 트리블록체인 것이 바람직하다.블록 공중합체 (X)의 산가는 8mgKOH/g 이상이다. 산가가 8mgKOH/g 미만이면, 블록 공중합체 (X)가 상술한 유사적인 가교 구조를 형성하기 어렵고, 내열 크리프성이 저하한다. 블록 공중합체 (X)의 산가는, 저장 안정성이 보다 향상하는 점에서, 50mgKOH/g 이하인 것이 바람직하고, 40mgKOH/g 이하인 것이 보다 바람직하다.여기서, 블록 공중합체 (X)의 산가란, 블록 공중합체 (X) 1g 중에 포함되는 산을 중화하는데 요하는 수산화칼륨의 mg수이다.블록 공중합체 (X)의 질량 평균 분자량은, 10만~55만인 것이 바람직하다.질량 평균 분자량이 10만 이상이면, 내열 크리프성이 보다 향상한다. 한편, 질량 평균 분자량이 55만 이하이면, 코팅성이 보다 향상한다.블록 공중합체 (X)의 질량 평균 분자량은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피법으로 측정되는 값이다. 구체적으로는, 이동상으로서 테트라히드로푸란(THF)을 이용하고, 유속 1.0mL/분의 조건으로, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피로 측정하여, 폴리스티렌 환산한 값을 질량 평균 분자량으로 한다.(블록 공중합체 (X)의 제조 방법)블록 공중합체 (X)는, 예를 들어 리빙 중합에 의해 얻어진다. 리빙 중합으로서는, 리빙 음이온 중합, RAFT 중합 등을 들 수 있는데, 특히 RAFT 중합이 바람직하다.RAFT 중합에 의해 블록 공중합체 (X)를 제조하는 경우, RAFT제를 이용하여 블록 (A)를 구성하는 단량체를 중합 또는 공중합하여 블록 (A)를 얻는다. 그 후, 얻어진 블록 (A)의 존재 하에서, 블록 (B)를 구성하는 단량체를 중합 또는 공중합하여 블록 공중합체 (X)를 제조한다.RAFT 중합에 이용되는 RAFT제로서는, 디티오에스테르, 디티오카보네이트, 트리티오카보네이트, 크산테이트 등의 황계 화합물 등을 이용할 수 있다.RAFT 중합에 이용되는 중합 개시제로서는, 기존의 아조계 중합 개시제나 과산화물계 중합 개시제를 이용할 수 있다.RAFT 중합에 이용되는 용매에 대해서는 특별히 한정되지 않고, 공지의 용매를 이용할 수 있다.RAFT 중합의 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 공지의 방법을 채용할 수 있으며, 예를 들어 용액 중합법, 유화 중합법, 괴상 중합법, 현탁 중합법 등을 들 수 있다.＜다른 성분＞본 실시형태에 따른 점착제 조성물은, 필요에 따라, 자외선 흡수제, 산화 방지제, 방부제, 방미제, 가소제, 소포제, 젖음성 조제제, 점착 부여제 등의 첨가제를 함유해도 된다. 또한, 저장 안정성을 양호하게 유지하는 관점으로부터, 이소시아네이트나 실란 커플링제는 함유하지 않는 것이 바람직하다.＜작용 효과＞이상 설명한 본 발명의 일 실시형태에 따른 점착제 조성물은, 블록 (A)와 블록 (B)로 이루어지는 블록 공중합체 (X)를 함유하므로, 점착력 및 고온 환경 하에서의 크리프성이 뛰어나다. 상술한 바와 같이, 블록 공중합체 (X)는 블록 (A)와 블록 (B)의 상용성의 차에 의해 미크로상 분리를 일으킨다. 그 결과, 블록 (A)는 블록 공중합체 (X)끼리의 유사 가교점이 된다. 게다가, 분자간의 미크로상 분리 구조가 보다 명확해짐으로써 유사 가교점이 유지된다. 따라서, 블록 공중합체 (X)의 구조가 유사적인 가교 구조가 되어, 고온 환경 하에 있어서도 점착제의 성능이 유지되고, 점착력 및 내열 크리프성이 뛰어나게 된다고 생각할 수 있다.또, 본 실시형태에 따른 점착제 조성물은, 유사적인 가교 구조를 형성하고 있는 것에 지나지 않는다. 즉, 실제는 가교하고 있지 않으므로 저분자량(구체적으로는 질량 평균 분자량이 10만~55만 정도가 바람직하다)이며, 코팅성도 뛰어나다. 따라서, 용매로 필요 이상으로 희석하여 이용할 필요가 없으므로, 적은 코팅 횟수로 두껍게 코팅하는 것이 가능하다.따라서, 본 실시형태에 따른 점착제 조성물은, 점착제층에 두툼함이 요구되는 분야(예를 들어 터치 패널 등)의 점착제로서도 적절하다.게다가, 본 실시형태에 따른 점착제 조성물은 내열 크리프성이 뛰어나므로, 특허문헌 3에 기재된 점착제와 같이 실란 커플링제나 이소시아네이트 첨가제를 배합할 필요가 없다. 따라서, 본 실시형태에 따른 점착제 조성물은, 저장 안정성도 뛰어나다.실시예이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다.＜제조예 1：RAFT제 (R-1)의 제조＞1,6-헥산디티올 0.902g(6.00mmol)과, 이황화탄소 1.83g(24.0mmol)과, 디메틸포름아미드 11mL를 2구 플라스크에 투입하고, 마그네틱 스터러를 이용하여 25℃에서 교반했다. 이것에, 트리에틸아민 2.49g(24.6mmol)을 15분 걸쳐 적하하고, 또한 25℃에서 3시간 교반했다. 적하 종료 후, 플라스크 내의 반응액의 색이 무색 투명으로부터 황색으로 변화한 것을 확인했다.계속해서, 메틸-α-브로모페닐아세트산 2.75g(12.0mmol)을 15분 걸쳐 적하하고, 또한 25℃에서 4시간 교반했다. 적하 도중에, 플라스크 내에 침전물을 확인했다.이어서, 반응액에, 추출 용매(n-헥산/아세트산에틸=50/50) 100mL와, 물 50mL를 더해 분액 추출했다. 얻어진 수상에 앞서와 같은 추출 용매 50mL를 더해 또한 분액 추출했다. 1회째와 2회째의 분액 추출로 얻어진 유기상을 혼합하고, 이것을 1M 염산 50mL, 물 50mL, 포화 식염수 50mL 순으로 세정했다. 세정 후의 유기상에 황산나트륨을 더해 건조시킨 후, 황산나트륨을 여과시키며, 여과액을 에바포레이터로 농축하여, 유기 용매를 감압 증류 제거했다. 얻어진 농축물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(전개 용매：n-헥산/아세트산에틸=80/20)로 정제하여, RAFT제 (R-1) 2.86g(수율 80%)을 황색 유상물로서 얻었다.얻어진 RAFT제 (R-1)의 1H-NMR 스펙트럼의 귀속을 하기에 나타낸다. 또한, 1H-NMR의 측정에는, 핵자기 공명 분석 장치(주식회사 히타치 제작소 제조, 「R-1200」)를 이용했다.1H-NMR(60MHz in CDCl3)：δ7.50-7.05(m, 10H, ArH), δ5.82(s, 2H, CH-COO), δ3.73(s, 6H, CH3), δ3.33(brt, 4H, S-CH2), δ1.85-1.22(m, 8H, CH2).1H-NMR 스펙트럼으로부터, 메틸-α-페닐아세트산 및 디티올 유래의 알킬기의 구조를 확인할 수 있었다. 따라서, 제조예 1에서는, RAFT제 (R-1)로서 하기 일반식 (2)로 표시되는 화합물(화합물 (2))이 얻어진다고 판단했다.＜제조예 2：RAFT제 (R-2)의 제조＞1,6-헥산디티올 0.902g(6.00mmol)을 1-도데칸티올 1.214g(6.00mmol)으로 변경하고, 이황화탄소의 양을 1.83g(24.0mmol)으로부터 0.915g(12.0mmol)으로 변경하며, 트리에틸아민의 양을 2.49g(24.6mmol)으로부터 1.25g(12.3mmol)으로 변경하고, 메틸-α-브로모페닐아세트산 2.75g(12.0mmol)을 (1-브로모에틸)벤젠 1.11g(6.00mmol)으로 변경한 이외는, 제조예 1과 마찬가지로 하여 RAFT제 (R-2) 2.25g(수율 98%)을 황색 유상물로서 얻었다.얻어진 RAFT제 (R-2)의 1H-NMR 스펙트럼의 귀속을 하기에 나타낸다.1H-NMR(60MHz in CDCl3)：δ7.60-7.12(m, 5H, ArH), δ5.34(q, J=6.9Hz, 1H, S-CH), δ3.34(brt, 2H, S-CH2), δ1.76(d, J=6.9Hz, 3H, CH3), δ1.70-1.05(m, 20H, -CH2-), δ0.89(brt, 3H, CH3).1H-NMR 스펙트럼으로부터, (1-브로모에틸)벤젠 및 도데칸티올 유래의 알킬기의 구조를 확인할 수 있었다. 따라서, 제조예 2에서는, RAFT제 (R-2)로서 하기 일반식 (3)으로 표시되는 화합물(화합물 (3))이 얻어졌다고 판단했다.＜측정·평가＞(유리 전이점의 산출)블록 (A)의 유리 전이점을 상기 식 (i)로 표시되는 Fox의 식으로부터 구하고, 블록 (B)의 유리 전이점을 상기 식 (ii)로 표시되는 Fox의 식으로부터 구했다.(분자량의 측정)수 평균 분자량(Mn) 및 질량 평균 분자량(Mw)은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피법(GPC법)에 의해 하기 조건에서 측정했다. 또한, 수 평균 분자량(Mn) 및 질량 평균 분자량(Mw)은, 폴리스티렌 환산한 값이다.GPC의 측정 조건：GPC 장치：GPC-101(쇼코 통상 주식회사 제조)컬럼：Shodex A-806M×2개 직렬 연결(쇼와덴코 주식회사 제조)검출기：Shodex RI-71(쇼와덴코 주식회사 제조)이동상：테트라히드로푸란유속：1mL/분(산가의 측정)수산화칼륨을 0.1 규정이 되도록 메탄올에 용해시켜 조제한 용액을 적정함으로써 산가를 측정했다.(점착력의 측정)30mm×40mm 사이즈의 스테인레스판 상의 대략 중앙에, 건조 후의 막두께가 25㎛가 되도록 점착제 조성물을 코팅하여, 25mm×25mm 사이즈의 점착제층을 형성했다. 이 점착제층을 통해, 스테인레스판과 25mm×100mm 사이즈의 폴리에틸렌텔레프탈레이트(PET) 필름을 접합하여, 시험편으로 했다.시험편의 PET 필름에 대해, JIS Z 0237：2009의 8. 3. 1 「180도 박리법」에 준거하여 점착력을 측정했다.(내열 크리프성의 평가)점착력의 측정의 경우와 마찬가지로 하여, 시험편을 제작했다.JIS Z 0237：2009에 준거하여, 시험편의 PET 필름측으로부터 압착롤로 1회 왕복한 후, 이 시험편을 40℃로 조절한 크리프 시험기에 설치했다. 100℃ 또는 150℃의 환경 하에 있어서, 1kg의 추를 장착한 PET 필름이 스테인레스판으로부터 낙하할 때까지의 시간을 측정했다. 또한, 1시간 경과해도 PET 필름이 스테인레스판으로부터 낙하하지 않는 경우는, 1시간 경과 후에 있어서의 PET 필름의 어긋남(시험 전의 위치로부터의 거리)을 측정했다. 낙하 시간(분) 또는 어긋남(mm)을 내열 크리프성의 지표로 하고, 어긋남(mm)이 작을수록 내열 크리프성이 뛰어난 것을 의미한다. 또, PET 필름이 스테인레스판으로부터 낙하한 경우는, 낙하 시간(분)이 길수록 내열 크리프성이 뛰어난 것을 의미한다. PET 필름이 낙하하지 않는, 혹은 낙하 시간이 30분 이상을 합격으로 했다.(코팅성의 평가)아세트산에틸을 이용하여 점착제 조성물을 희석해 희석액을 조제했다. 희석액 중의 점착제 조성물의 농도는 5%씩으로 했다. 바코터 No.26을 이용하여, 농도가 높은 희석액으로부터 차례로 PET 필름 상에 코팅했다. 도막에 자국, 거품의 소용돌이, 도막 표면의 흔들림이 보이지 않게 되었을 때의 희석액 중의 점착제 조성물의 농도를 구하고, 이것을 코팅성의 평가로 했다. 점착제 조성물의 농도가 높을수록 코팅성이 뛰어난 것을 의미한다.「실시예 1」＜블록 공중합체 (X)의 제조＞(블록 (A)의 제조)스티렌(St) 84.6g과, 아크릴산2-히드록시에틸(HEA) 1.4g과, 아크릴산(AA) 14g과, RAFT제 (R-1) 1.9g과, 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴)(ABN-E) 0.35g을 2구 플라스크에 투입하고, 플라스크 내부를 질소 가스로 치환하면서 85℃로 승온했다. 그 후, 85℃에서 6시간 교반하여 중합 반응을 행했다(제 1 단계 반응).반응 종료 후, 플라스크 내에 n-헥산 4000g을 투입하고, 교반하여 반응물을 침전시킨 후, 미반응의 모노머(St, HEA, AA), 및 RAFT제를 여과시키며, 반응물을 70℃에서 감압 건조하여 공중합체(블록 (A))를 얻었다.얻어진 공중합체(블록 (A))의 유리 전이점, 수 평균 분자량(Mn) 및 질량 평균 분자량(Mw)을 표 1에 기재한다.(블록 공중합체 (X)의 제조)아크릴산부틸(BA) 100g, ABN-E 0.027g, 및 아세트산에틸 50g을 포함하는 혼합물과, 먼저 얻어진 공중합체(블록 (A))를 2구 플라스크에 투입하고, 플라스크 내부를 질소 가스로 치환하면서 85℃로 승온했다. 그 후, 85℃에서 6시간 교반하여 중합 반응을 행해(제 2 단계 반응), 블록 (A)와 블록 (B)로 형성되는 블록 공중합체 (X)를 포함하는 반응액을 얻었다. 또한, 혼합물과 블록 (A)의 배합량은, 얻어지는 블록 공중합체 (X)에 있어서의 블록 (A)와 블록 (B)의 질량 비율이 25/75가 되는 양으로 설정했다.반응액의 일부를 채취하여, 이것에 n-헥산 4000g을 투입하고, 교반하여 반응물을 침전시킨 후, 미반응의 모노머(BA), 및 용매를 여과시키며, 반응물을 70℃에서 감압 건조해 블록 공중합체 (X)를 반응액으로부터 꺼냈다.블록 (B)의 유리 전이점을 표 1에 기재한다. 또, 블록 공중합체 (X)의 수 평균 분자량(Mn), 질량 평균 분자량(Mw), 및 산가를 표 1에 기재한다.또, 블록 공중합체 (X)를 포함하는 반응액을 점착제 조성물로서 이용하여, 점착력을 측정해, 내열 크리프성 및 코팅성을 평가했다. 이들의 결과를 표 1에 기재한다.「실시예 2~9」블록 (A) 및 블록 (B)를 구성하는 단량체 조성을 표 1에 기재하는 바와 같이 변경하고, 제 1 단계 반응 및 제 2 단계 반응의 중합 조건을 표 1에 기재하는 바와 같이 변경하며, 블록 (A)와 블록 (B)의 질량 비율을 표 1에 기재하는 바와 같이 변경한 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 블록 공중합체 (X)를 제조하고, 각종 측정 및 평가를 행했다. 결과를 표 1에 기재한다.또한, 실시예 7, 8에서는, 제 1 단계 반응에 있어서 용매로서 아세트산에틸 67.7g을 이용했다.「비교예 1~16」블록 (A) 및 블록 (B)를 구성하는 단량체 조성을 표 2, 3에 기재하는 바와 같이 변경하고, 제 1 단계 반응 및 제 2 단계 반응의 중합 조건을 표 2, 3에 기재하는 바와 같이 변경하며, 블록 (A)와 블록 (B)의 질량 비율을 표 2, 3에 기재하는 바와 같이 변경한 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 블록 공중합체 (X)를 제조하고, 각종 측정 및 평가를 행했다. 결과를 표 2, 3에 기재한다.「비교예 17」St를 18.2g과, AA를 1.8g과, BA를 80g과, ABN-E를 0.5g과, 아세트산에틸 200g을 2구 플라스크에 투입하고, 플라스크 내부를 질소 가스로 치환하면서 85℃로 승온했다. 그 후, 85℃에서 6시간 교반하여 중합 반응을 행해, 랜덤 공중합체를 포함하는 반응액을 얻었다.플라스크 내에 채취한 반응물의 일부와 n-헥산 4000g을 투입하고, 교반하여 반응물을 침전시켰다. 그 후, 미반응의 모노머(St, AA, BA), 및 용매를 여과시키며, 반응물을 70℃에서 감압 건조하여 랜덤 공중합체를 반응액으로부터 꺼냈다.얻어진 랜덤 공중합체의 수 평균 분자량(Mn), 질량 평균 분자량(Mw), 및 산가를 표 4에 기재한다.또, 랜덤 공중합체를 포함하는 반응액을 점착제 조성물로서 이용하여, 점착력을 측정해, 내열 크리프성 및 코팅성을 평가했다. 이들의 결과를 표 4에 기재한다.「비교예 18」메타크릴산메틸(MMA)을 18.2g과, AA를 1.8g과, BA를 80g과, ABN-E를 0.02g과, 아세트산에틸 66.7g을 2구 플라스크에 투입하고, 플라스크 내부를 질소 가스로 치환하면서 85℃로 승온했다. 그 후, 85℃에서 6시간 교반하여 중합 반응을 행한 이외는 비교예 17과 마찬가지로 하여 랜덤 공중합체를 제조하고, 각종 측정 및 평가를 행했다. 결과를 표 4에 기재한다.표 1~4 중의 약호는 하기 화합물을 나타낸다. 또, 각 단량체의 괄호 안의 Tg(유리 전이점)는, 호모폴리머의 Tg이다. 또, 표 1~3 중의 「단위 (1)의 비율」이란, 블록 (B)를 구성하는 모든 구성 단위를 100질량%로 한 경우의, 상기 일반식 (1)로 표시되는 (메타)아크릴산에스테르 단위의 함유율(질량%)이다.「St」：스티렌(Tg：100℃),「CHMA」：메타크릴산시클로헥실(Tg：66℃),「MMA」：메타크릴산메틸(Tg：105℃),「MA」：아크릴산메틸(Tg：10℃),「EMA」：메타크릴산에틸(Tg：65℃),「HEA」：아크릴산2-히드록시에틸(Tg：-15℃),「HEMA」：메타크릴산2-히드록시에틸(Tg：55℃),「MAA」：메타크릴산(Tg：228℃),「AA」：아크릴산(Tg：106℃),「BA」：아크릴산부틸(Tg：-54℃),「EHA」：아크릴산2-에틸헥실(Tg：-70℃).표 1로부터 명백하듯이, 각 실시예의 점착제 조성물은, 점착력, 코팅성, 및 내열 크리프성이 뛰어나다. 또, 각 실시예의 점착제 조성물은 내열 크리프성이 뛰어나므로, 이소시아네이트나 실란 커플링제를 배합할 필요가 없으며, 저장 안정성도 뛰어나다.또한, 각 실시예의 최종 생성물이 블록 공중합체인지의 여부는, 이하와 같이 하여 판단했다.예를 들어, 실시예 1에서 얻어진 공중합체(블록 (A))의 수 평균 분자량(Mn)은 19000이고, 질량 평균 분자량(Mw)은 30000이며, 이들의 비(Mw/Mn)는 1.6이었다. 한편, 실시예 1에서 얻어진 블록 공중합체 (X)의 수 평균 분자량(Mn)은 75000이고, 질량 평균 분자량(Mw)은 140000이며, 이들의 비(Mw/Mn)는 1.9였다.이들의 결과로부터, 공중합체(블록 (A))의 분자량 피크는 소실하고, 공중합체(블록 (A))의 분자량보다 블록 공중합체 (X)의 분자량이 높은 것을 안다.따라서, 실시예 1에서는, St 단위, HEA 단위, 및 AA 단위를 구성 단위로 하는 공중합체 블록(블록 (A))과, BA 단위를 구성 단위로 하는 중합체 블록(블록 (B))으로 형성되는 블록 공중합체가 얻어졌다고 판단했다.실시예 2~9, 비교예 1~16에 대해서도, 마찬가지로 하여 판단했다.또, RAFT제 (R-1)는 트리티오카보네이트의 이량체이기 때문에, 실시예 1~9, 및 비교예 1~11, 14~16에서 얻어진 블록 공중합체 (X)는, 블록 (A)-블록 (B)-블록 (A)로 구성되는 트리블록 공중합체라고 생각할 수 있다.한편, RAFT제 (R-2)는 트리티오카보네이트의 단량체이기 때문에, 비교예 12, 13에서 얻어진 블록 공중합체 (X)는, 블록 (A)-블록 (B)로 구성되는 디블록 공중합체라고 생각할 수 있다.한편, 표 2~4로부터 명백하듯이, 블록 (A)와 블록 (B)의 비율(블록 (A)/블록 (B))이 35/65인 블록 공중합체를 포함하는 비교예 1의 점착제 조성물은, 점착력이 약했다.산가가 8mgKOH/g 미만인 블록 공중합체를 포함하는 비교예 2~4의 점착제 조성물은, 내열 크리프성이 뒤떨어져 있었다.블록 (A)의 유리 전이점이 75℃ 미만이며, 블록 (A)가 환상 구조를 갖는 단량체 단위를 포함하지 않는 블록 공중합체를 포함하는 비교예 5, 6의 점착제 조성물은, 내열 크리프성이 뒤떨어져 있었다.블록 (B)가 상기 일반식 (1)로 표시되는 아크릴산에스테르 단위를 포함하지 않는 블록 공중합체를 포함하는 비교예 7, 8의 점착제 조성물은, 점착력이 약했다.블록 (A)가 카르복시기 함유 단량체 단위를 포함하지 않는 블록 공중합체를 포함하는 비교예 9, 10의 점착제 조성물은, 내열 크리프성이 뒤떨어져 있었다.블록 (B) 중의 상기 일반식 (1)로 표시되는 아크릴산에스테르 단위의 함유율이 70질량% 미만인 블록 공중합체를 포함하는 비교예 11의 점착제 조성물은, 점착력이 약했다.블록 (B)를 블록 (A)가 끼우고 있지 않은 블록 공중합체를 포함하는 비교예 12, 13의 점착제 조성물은, 내열 크리프성이 뒤떨어져 있었다.블록 (A)가 환상 구조를 갖는 단량체 단위를 포함하지 않는 블록 공중합체를 포함하는 비교예 14~16의 점착제 조성물은, 내열 크리프성이 뒤떨어져 있었다. 특히, 블록 (A)가 카르복시기 함유 단량체 단위를 포함하지 않는 비교예 14의 경우, 점착력도 약했다.랜덤 공중합체를 포함하는 비교예 17의 점착제 조성물은, 내열 크리프성이 뒤떨어져 있었다.랜덤 공중합체를 포함하는 비교예 18의 점착제 조성물은, 내열 크리프성 및 코팅성이 뒤떨어져 있었다.	본 발명의 점착제 조성물은, 유리 전이점이 75℃ 이상이고, 환상 구조를 갖는 단량체 단위 및 카르복시기 함유 단량체 단위를 포함하는 블록 (A)와, 하기 일반식 (1)로 표시되는 아크릴산에스테르 단위를 70질량% 이상 포함하는 블록 (B)를 가지며, 산가가 8mgKOH/g 이상인 블록 공중합체 (X)를 포함하고, 상기 블록 (A)와 상기 블록 (B)의 질량 비율(블록 (A)/블록 (B))이 10/90~30/70이며, 상기 블록 공중합체 (X)의 적어도 한쪽의 말단에 상기 블록 (A)가 위치하고, 또한 상기 한쪽의 말단에서는 상기 블록 (B)를 상기 블록 (A)가 끼우고 있는, 점착제 조성물. CH2=CR1-COOR2 ···(1) 식 (1) 중, R1은 수소 원자이고, R2는 탄소수 8 이하의 직쇄 알킬기 또는 알콕시알킬기이다.
[ 발명의 명칭 ] 게놈의 표적화된 변형을 위한 방법 및 조성물METHODS AND COMPOSITIONS FOR THE TARGETED MODIFICATION OF A GENOME [ 기술분야 ] 관련 출원에 대한 교차 참조본 출원은 2013년 12월 11일자로 제출된 U.S. 가특허출원 번호 61/914,768, 2014년 6월 26일자로 제출된 U.S. 가특허출원 번호 62/017,416, 2014년 7월 25일자로 제출된 U.S. 가특허출원 번호 62/029,261, 2014년 9월 19일자로 제출된 U.S. 가특허출원 번호 62/052,906, 2014년 10월 3일자로 제출된 U.S. 가특허출원 번호 62/059,527, 그리고 2014년 10월 15일자로 제출된 U.S. 가특허출원 번호 62/064,384을 우선권으로 청구하며, 이들 각각은 모든 목적을 위하여 이의 전문이 본 명세서에 편입된다. EFS WEB을 통하여 텍스트 화일로 제출된 서열 목록에 대한 언급서열 목록의 공식 복사본은 2014년 10월 15일자로 만들어진, 27.5 킬로바이트 크기의, 화일 명 453460SEQLIST.TXT을 가진, ASCII 포멧화된 서열 목록으로써, EFS-Web을 통하여 전자적으로 제공되며, 본 출원과 동시에 제출된다. ASCII 형식의 서류 안에 포함된 상기 서열 목록은 본 명세서의 일부이며, 이의 전문이 본 명세서에 편입된다. [ 배경기술 ] 발명의 배경렛(rat)은 심혈관 질환(가령, 고혈압), 대사성 질환(가령, 비만, 당뇨병), 신경학적 질환(가령, 통증 병리학), 그리고 다양한 암을 포함하나, 이에 국한되지 않은 다양한 인간 질환의 병리를 다시 정리할 수 있는 중요한 동물 모델 시스템으로 간주되어 왔지만, 인간 질환을 모델링함에 있어서 마우스(mice)와 비교하였을 때, 부분적으로 가령, 일회 또는 그 이상의 일련의 전기천공(electroporations)과 같은 시험관내 일련의 유전적 변형(modifications)이후 이들의 다능성이 지속될 수 있는 생식계열-유전가능한 다능성(pluripotent) 렛 세포들의 이용불가능으로 인하여, 그리고 부분적으로 다능성 렛 세포 안에서 큰 게놈 DNA 서열의 도입 또는 결손, 또는 큰 내생성 게놈 DNA 서열을 외생성 핵산 서열로 대체를 허용하는 효과적인 표적화 기술의 부재로 인하여, 렛의 사용은 제한되어 왔었다. 유기체 게놈의 정확하게 표적화된 변화를 허용하는 조성물 및 방법들이 당분야에 필요하며, 이는 표적 발견의 현재 영역을 개방 또는 확장시킬 수 있으며, 좀더 신속하고, 용이하게 치료제를 인증할 수 있다. 요약 표적화된 유전적 변형을 통하여 진핵 세포 안에서 관심 대상의 게놈 좌(locus)를 변형시키는 방법들이 제공된다. 이러한 방법은 다음을 포함한다: (a) 상기 진핵 세포 안으로 다음의 것들을 도입시키고: (i) 5' 상동성 아암(arm) 및 3' 상동성 아암이 측면에 있는 제 1 핵산을 포함하는 큰 표적화 벡터 (LTVEC), 이때 LTVEC는 최소한 10 kb이며; (ii) 제 2 Cas 단백질을 인코드하는 제 2 핵산에 작동가능하도록 연결된 제 1 프로모터가 포함된 제 1 발현 구조체(expression construct), (iii) 표적 서열과 트란스-활성화 CRISPR RNA (tracrRNA)에 혼성화되는 뉴클레오티드 서열이 포함된 가이드 RNA (gRNA)가 인코드된 제 3 핵산에 작동가능하도록 연결된 제 2 프로모터가 포함된 제 2 발현 구조체, 이때 제 1 및 제 2 프로모터들은 상기 진핵 세포 안에서 활성이며; 그리고 (b) 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 표적화된 유전적 변형이 포함된 변형된 진핵 세포를 식별해낸다.한 구체예에서, 상기 표적화된 유전적 변형은 이중대립형질(biallelic) 유전적 변형이다. 한 구체예에서, LTVEC는 최소한 15 kb, 최소한 20 kb, 최소한 30 kb, 최소한 40 kb, 최소한 50 kb, 최소한 60 kb, 최소한 70 kb, 최소한 80 kb, 또는 최소한 90 kb이다. 또다른 구체예에서, LTVEC는 최소한 100 kb, 최소한 150 kb, 또는 최소한 200 kb이다.한 구체예에서, 상기 진핵 세포는 포유류 세포다. 한 구체예에서, 상기 포유류 세포는 섬유아세포다.한 구체예에서, 상기 진핵 세포는 다능성 세포다. 한 구체예에서, 상기 다능성 세포는 인간 다능성 세포다. 한 구체예에서 상기 인간 다능성 세포는 인간 배아 줄기 (ES) 세포 또는 인간 성인 줄기 세포다. 또다른 구체예에서, 상기 인간 다능성 세포는 발생학적으로 제한된 인간 선조(progenitor) 세포다. 또다른 구체예에서, 상기 인간 다능성 세포는 인간 유도화된 다능성 줄기 (iPS) 세포다. 한 구체예에서, Cas 단백질은 Cas9이다.한 구체예에서, 상기 표적 서열은 프로토스페이스 인접 모티프 (PAM) 서열의 측면에 있다. 한 구체예에서, 상기 표적 서열은 3' 단부 상에 프로토스페이스 인접 모티프 (PAM) 서열의 바로 측면에 있다.일부 구체예들에서, 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 약 10 kb 내지 약 150 kb이다. 일부 구체예들에서, LTVEC의 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 120 kb, 또는 약 120 kb 내지 150 kb이다.상기 방법들은 (a) 내생성 핵산 서열을 상동성 또는 이종상동성(orthologous) 핵산 서열로 대체; (b) 내생성 핵산 서열의 결손; (c) 내생성 핵산 서열의 결손, 이때 상기 결손은 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 또는 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 400 kb, 약 400 kb 내지 약 500 kb, 약 500 kb 내지 약 1 Mb, 약 1 Mb 내지 약 1.5 Mb, 약 1.5 Mb 내지 약 2 Mb, 약 2 Mb 내지 약 2.5 Mb, 또는 약 2.5 Mb 내지 약 3 Mb 범위가 되며; (d) 외생성 핵산 서열의 삽입; (e) 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 250 kb, 약 250 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 350 kb, 또는 약 350 kb 내지 약 400 kb 범위의 외생성 핵산 서열의 삽입; (f) 상동성 또는 이종상동성 핵산 서열이 포함된 외생성 핵산 서열의 삽입; (g) 인간 및 비-인간 핵산 서열이 포함된 키메라 핵산 서열의 삽입; (h) 부위-특이적 재조합효소 표적 서열이 측면에 있는 조건 조건부 대립인자(a conditional allele)의 삽입; (i) 상기 다능성 세포 안에서 활성인 제 3 프로모터에 작동가능하도록 연계된 선택성 표지 또는 리포터 유전자의 삽입; 또는 (j) 이의 조합을 포함하는 표적화된 유전적 변형을 추가 제공한다.한 구체예에서, 상기 관심 대상의 게놈 좌는 (i) 5' 상동성 아암에 상동성인 5' 표적 서열; 그리고 (ii) 3' 상동성 아암에 상동성인 3' 표적 서열을 포함한다. 일부 구체예들에서, 5' 표적 서열과 3' 표적 서열은 최소한 5 kb 그러나 3 Mb 미만에 의해 분리된다. 일부 구체예들에서, 5' 표적 서열과 3' 표적 서열은 최소한 5 kb 그러나 10 kb 미만, 최소한 10 kb 그러나 20 kb 미만의, 최소한 20 kb 그러나 40 kb 미만의, 최소한 40 kb 그러나 60 kb 미만의, 최소한 60 kb 그러나 80 kb 미만의, 최소한 약 80 kb 그러나 100 kb 미만의, 최소한 100 kb 그러나 150 kb미만의, 또는 최소한 150 kb 그러나 200 kb미만의, 최소한 약 200 kb 그러나 약 300 kb미만의, 최소한 약 300 kb 그러나 약 400 kb미만의, 최소한 약 400 kb 그러나 약 500 kb미만의, 최소한 약 500 kb 그러나 약 1 Mb미만의, 최소한 약 1 Mb 그러나 약 1.5 Mb미만의, 최소한 약 1.5 Mb 그러나 약 2 Mb미만의, 최소한 약 2 Mb 그러나 약 2.5 Mb미만의, 또는 최소한 약 2.5 Mb 그러나 약 3 Mb미만으로 분리된다.한 구체예에서, 상기 관심 대상의 게놈 좌는 인터루킨-2 수용체 감마 좌, ApoE 좌, Rag1 좌, Rag2 좌, 또는 Rag1 및 Rag2 좌 모두를 포함한다.한 구체예에서, 제 1 및 제 2 발현 구조체들은 단일 핵산 분자 상에 있다.게놈을 변형시키는 방법이 더 제공되는데, 이 방법은 최소한 10 kb의 핵산 서열이 포함된 큰 표적화 벡터 (LTVEC) 존재하에 Cas 단백질 및 CRISPR RNA에 노출시키는 것을 포함하며, 이때 Cas 단백질, CRISPR RNA, 그리고 LTVEC에 노출된 후, 상기 게놈은 최소한 10 kb 핵산 서열이 포함되도록 변형된다.이러한 일부 방법들에 있어서, LTVEC는 최소한 20 kb, 최소한 30 kb, 최소한 40 kb, 최소한 50 kb, 최소한 60 kb, 최소한 70 kb, 최소한 80 kb, 또는 최소한 90 kb의 핵산 서열을 포함한다. 이러한 일부 방법들에 있어서, LTVEC는 최소한 100 kb, 최소한 150 kb, 또는 최소한 200 kb의 핵산 서열을 포함한다.게놈을 변형시키는 방법을 더 제공하는데, 이 방법은 상기 게놈을 큰 표적화 벡터 (LTVEC) 존재하에 Cas 단백질, 표적 서열에 혼성화되는 CRISPR RNA, 그리고 tracrRNA에 접촉시키는 것을 포함하고, 이때 LTVEC는 최소한 10 kb이며, 그리고 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 측면에 있는 제 1 핵산을 포함하고, 이때 LTVEC 존재하에서 Cas 단백질, CRISPR RNA, 및 tracrRNA에 접촉된 후, 상기 게놈은 관심 대상의 게놈 좌에서 제 1 핵산을 포함하도록 변형된다. 상기 표적 서열은 상기 관심 대상의 게놈 좌에 또는 이 부근에 존재할 수 있다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 게놈은 진핵 세포 안에 있으며, 그리고 Cas 단백질, CRISPR RNA, tracrRNA, 및 LTVEC가 상기 진핵 세포 안으로 도입된다. 이러한 일부 방법들은 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 표적화된 유전적 변형이 포함된 변형된 진핵 세포를 식별해내는 것을 더 포함한다.이러한 일부 방법들에 있어서, CRISPR RNA 및 tracrRNA는 단일 가이드 RNA (gRNA) 형태로 함께 도입된다. 다른 방법들에 있어서, CRISPR RNA 및 tracrRNA는 별도로 도입된다.이러한 일부 방법들에 있어서 (a) Cas 단백질은 단백질 형태, Cas 단백질을 인코드하는 메신져 RNA (mRNA), 또는 Cas 단백질을 인코드하는 DNA 형태로 상기 진핵 세포 안으로 도입되며; (b) CRISPR RNA는 RNA 또는 CRISPR RNA를 인코드하는 DNA 형태로 상기 진핵 세포 안으로 도입되며; 그리고 (c) tracrRNA는 RNA 또는 tracrRNA를 인코드하는 DNA 형태로 상기 진핵 세포 안으로 도입된다. 일부 방법들에서 (a) Cas 단백질을 인코드하는 DNA는 Cas 단백질을 인코드하는 제 2 핵산에 작동가능하도록 연계된 제1 프로모터가 포함된 제 1 발현 구조체 형태 안에 있고; (b) CRISPR RNA를 인코드하는 DNA는 CRISPR RNA를 인코드하는 제 3 핵산에 작동가능하도록 연계된 제 2 프로모터가 포함된 제 2 발현 구조체 형태 안에 있으며; 그리고 (c) tracrRNA를 인코드하는 DNA는 tracrRNA를 인코드하는 제 4 핵산에 작동가능하도록 연계된 제 3 프로모터가 포함된 제 3 발현 구조체 형태 안에 있고, 이때 제 1, 제 2, 및 제 3 프로모터들은 상기 진핵 세포안에서 활성이다. 임의선택적으로, 제 1, 제 2, 및/또는 제 3 발현 구조체들은 단일 핵산 분자 상에 있다.일부 방법들에서 (a) Cas 단백질을 인코드하는 DNA는 Cas 단백질을 인코드하는 제 2 핵산에 작동가능하도록 연계된 제1 프로모터가 포함된 제 1 발현 구조체 형태 안에 있고; 그리고 (b) CRISPR RNA를 인코드하는 DNA와 tracrRNA를 인코드하는 DNA는 CRISPR RNA 및 tracrRNA가 포함된 gRNA를 인코드하는 제 3 핵산에 작동가능하도록 연계된 제 2 프로모터가 포함된 제 2 발현 구조체 형태 안에 있고; 이때 제 1 및 제 2 프로모터들은 상기 진핵 세포 안에서 활성이다. 임의선택적으로, 제 1 및 제 2 발현 구조체들은 단일 핵산 분자 상에 있다.일부 방법들에서, Cas 단백질, CRISPR RNA, 및 tracrRNA는 상기 진핵 세포 안에 단백질-RNA 복합체로 도입된다. 일부 방법들에서, 상기 표적화된 유전적 변형은 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손과 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 제 1 핵산의 삽입을 동시에 포함한다. 일부 방법들에서, 상기 결손된 내생성 핵산 서열은 약 30 kb 내지 약 110 kb이며, 상기 삽입된 제 1 핵산은 약 40 kb 내지 약 140 kb이다. 일부 방법들에서, 상기 결손된 내생성 핵산 서열은 약 38 kb 내지 약 110 kb이며, 상기 삽입된 제 1 핵산은 약 43 kb 내지 약 134 kb이다.일부 방법들에서, 상기 표적화된 유전적 변형은 이중대립형질 유전적 변형이다. 임의선택적으로, 상기 이중대립형질 유전적 변형은 2개의 상동성 염색체 안에 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손과 제 1 핵산의 삽입을 포함한다.일부 방법들에서, 상기 변형된 진핵 세포는 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 컴파운드 이형접합성(compound heterozygous)이다. 일부 방법들에서, 상기 변형된 진핵 세포는 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 반접합성(hemizygous)이다. 임의선택적으로, 하나의 염색체 안에 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형은 내생성 핵산 서열의 결손과 제 1 핵산의 삽입을 포함한다. 임의선택적으로, 상기 표적화된 유전적 변형은 다음을 포함한다: (1) 2개의 상동성 염색체 안에 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손; 그리고 (2) 제 1 염색체 안에 관심 대상의 게놈 좌에 제 1 핵산의 삽입과 제 2 염색체 안에 관심 대상의 게놈 좌의 붕괴(disruption). 상기 제 1 염색체는 2개의 상동성 염색체중에 하나일 수 있고, 제 2 염색체는 나머지 하나의 상동성 염색체일 수 있다.일부 방법들에서, LTVEC는 최소한 15 kb, 최소한 20 kb, 최소한 30 kb, 최소한 40 kb, 최소한 50 kb, 최소한 60 kb, 최소한 70 kb, 최소한 80 kb, 또는 최소한 90 kb이다. 임의선택적으로, LTVEC는 최소한 100 kb, 최소한 150 kb, 또는 최소한 200 kb이다.일부 방법들에서, 제 1 핵산은 최소한 20 kb, 최소한 30 kb, 최소한 40 kb, 최소한 50 kb, 최소한 60 kb, 최소한 70 kb, 최소한 80 kb, 최소한 90 kb, 최소한 100 kb, 최소한 150 kb, 최소한 200 kb, 최소한 250 kb, 또는 최소한 300 kb이다. 일부 방법들에서, 제 1 핵산은 약 40 kb 내지 약 140 kb이다. 일부 방법들에서, 제 1 핵산은 약 43 kb 내지 약 134 kb이다.일부 방법들에서, 상기 진핵 세포는 포유류 세포, 섬유아세포, 다능성 세포, 비-인간 다능성 세포, 설치류 다능성 세포, 마우스 또는 렛 배아 줄기 (ES) 세포, 인간 다능성 세포, 인간 배아 줄기 (ES) 세포, 인간 성인 줄기 세포, 발생학적으로 제한된 인간 선조 세포, 또는 인간 유도화된 다능성 줄기 (iPS) 세포다. 일부 방법들에서, Cas 단백질은 Cas9이다. 일부 방법들에서, 상기 표적 서열은 프로토스페이스 인접 모티프 (PAM) 서열의 바로 측면에 있다. 일부 방법들에서, LTVEC의 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 약 10 kb 내지 약 150 kb이다. 임의선택적으로, LTVEC의 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 120 kb, 또는 약 120 kb 내지 150 kb이다.일부 방법들에서, 상기 표적화된 유전적 변형은 다음을 포함한다: (a) 내생성 핵산 서열이 상동성 또는 이종상동성 핵산 서열로 대체; (b) 내생성 핵산 서열의 결손; (c) 내생성 핵산 서열의 결손, 이때 상기 결손은 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 또는 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 400 kb, 약 400 kb 내지 약 500 kb, 약 500 kb 내지 약 1 Mb, 약 1 Mb 내지 약 1.5 Mb, 약 1.5 Mb 내지 약 2 Mb, 약 2 Mb 내지 약 2.5 Mb, 또는 약 2.5 Mb 내지 약 3 Mb 범위이며; (d) 외생성 핵산 서열의 삽입; (e) 약 5kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 250 kb, 약 250 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 350 kb, 또는 약 350 kb 내지 약 400 kb 범위의 외생성 핵산 서열의 삽입; (f) 상동성 또는 이종상동성 핵산 서열이 포함된 외생성 핵산 서열의 삽입; (g) 인간 및 비-인간 핵산 서열이 포함된 키메라 핵산 서열의 삽입; (h) 부위-특이적 재조합효소 표적 서열의 측면에 있는 조건부 대립인자의 삽입; (i) 상기 다능성 세포 안에서 활성인 제 3 프로모터에 작동가능하도록 연계된 선택성 표지 또는 리포터 유전자의 삽입; 또는 (j) 이의 조합.일부 방법들에서, 상기 관심 대상의 게놈 좌는 (i) 5' 상동성 아암에 상동성인 5' 표적 서열; 그리고 (ii) 3' 상동성 아암에 상동성인 3' 표적 서열을 포함한다. 임의선택적으로, 5' 표적 서열과 3' 표적 서열은 최소한 5 kb 그러나 3 Mb 미만에 의해 분리된다. 임의선택적으로, 5' 표적 서열과 3' 표적 서열은 최소한 5 kb 그러나 10 kb 미만, 최소한 10 kb 그러나 20 kb 미만, 최소한 20 kb 그러나 40 kb 미만, 최소한 40 kb 그러나 60 kb 미만, 최소한 60 kb 그러나 80 kb 미만, 최소한 약 80 kb 그러나 100 kb 미만, 최소한 100 kb 그러나 150 kb 미만, 또는 최소한 150 kb 그러나 200 kb 미만, 최소한 약 200 kb 그러나 약 300 kb 미만, 최소한 약 300 kb 그러나 약 400 kb 미만, 최소한 약 400 kb 그러나 약 500 kb 미만, 최소한 약 500 kb 그러나 약 1Mb 미만, 최소한 약 1 Mb 그러나 약 1.5 Mb 미만, 최소한 약 1.5 Mb 그러나 약 2 Mb 미만, 최소한 약 2 Mb 그러나 약 2.5 Mb 미만, 또는 최소한 약 2.5 Mb 그러나 약 3 Mb 미만에 의해 분리된다. 임의선택적으로, 5' 표적 서열과 3' 표적 서열은 최소한 20 kb, 최소한 30 kb, 최소한 40 kb, 최소한 50 kb, 최소한 60 kb, 최소한 70 kb, 최소한 80 kb, 최소한 90 kb, 최소한 100 kb, 최소한 110 kb, 최소한 120 kb, 최소한 130 kb, 최소한 140 kb, 최소한 150 kb, 최소한 160 kb, 최소한 170 kb, 최소한 180 kb, 최소한 190 kb, 또는 최소한 200 kb에 의해 분리된다. 일부 방법들에서, 5' 표적 서열과 3' 표적 서열은 약 30 kb 내지 약 110 kb에 의해 분리된다. 일부 방법들에서, 5' 표적 서열과 3' 표적 서열은 약 38 kb 내지 약 110 kb에 의해 분리된다.일부 방법들에서, 상기 관심 대상의 게놈 좌는 인터루킨-2 수용체 감마 좌, ApoE 좌, Rag1 좌, Rag2 좌, 또는 Rag1과 Rag2 좌 모두를 포함한다. 다른 방법들에 있어서, 상기 관심 대상의 게놈 좌는 Adamts5 좌, Trpa1 좌, Folh1 좌, 또는 Erbb4 좌를 포함한다. 여전히 다른 방법들에서, 상기 관심 대상의 게놈 좌는 Lrp5 좌를 포함한다. 여전히 다른 방법들에서, 상기 관심 대상의 게놈 좌는 C5 (Hc) 좌, Ror1 좌, 또는 Dpp4 좌를 포함한다.관심 대상의 게놈 좌에서 표적화된 유전적 변형이 포함된, F0 세대 비-인간 동물을 만드는 방법을 더 제공하는데, 이 방법은 다음을 포함한다: (a) 큰 표적화 벡터 (LTVEC) 존재 하에서 비-인간 ES 세포 안의 게놈에 Cas 단백질, CRISPR RNA, 및 tracrRNA를 접촉시켜, 변형된 비-인간 ES 세포를 만들고, 이때 LTVEC는 최소한 10 kb이며, 그리고 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 측면에 있는 제 1 핵산을 포함하고; (b) 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형이 포함된 상기 변형된 비-인간 ES 세포를 식별해내고; (c) 상기 변형된 비-인간 ES 세포를 비-인간 숙주 배아 안으로 도입시키고; 그리고 (d) 상기 대리모에게 비-인간 숙주 배아를 임신시키고, 이때 상기 대리모는 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형이 포함된 F0 세대 비-인간 동물을 출산한다.이러한 일부 방법들에 있어서, CRISPR RNA와 tracrRNA는 단일 가이드 RNA (gRNA) 형태로 함께 도입된다. 이러한 다른 방법들에서, CRISPR RNA와 tracrRNA는 별도로 도입된다.이러한 일부 방법들에 있어서, (a) Cas 단백질은 단백질 형태, Cas 단백질을 인코드하는 메신져 RNA (mRNA), 또는 Cas 단백질을 인코드하는 DNA 형태로 상기 비-인간 ES 세포 안으로 도입되며; (b) CRISPR RNA는 RNA 또는 CRISPR RNA를 인코드하는 DNA 형태로 상기 비-인간 ES 세포 안으로 도입되며; 그리고 (c)tracrRNA는 RNA 또는 tracrRNA를 인코드하는 DNA 형태로 상기 비-인간 ES 세포 안으로 도입된다.이러한 일부 방법들에 있어서, (a) Cas 단백질을 인코드하는 DNA는 Cas 단백질을 인코드하는 제 2 핵산에 작동가능하도록 연계된 제1 프로모터가 포함된 제 1 발현 구조체 형태 안에 있고; (b) CRISPR RNA를 인코드하는 DNA는 CRISPR RNA를 인코드하는 제 3 핵산에 작동가능하도록 연계된 제 2 프로모터가 포함된 제 2 발현 구조체 형태 안에 있으며; 그리고 (c) tracrRNA를 인코드하는 DNA는 tracrRNA를 인코드하는 제 4 핵산에 작동가능하도록 연계된 제 3 프로모터가 포함된 제 3 발현 구조체 형태 안에 있고, 이때 제 1, 제 2, 및 제 3 프로모터들은 상기 비-인간 ES 세포안에서 활성이다. 임의선택적으로, 제 1, 제 2, 및 제 3 발현 구조체들은 단일 핵산 분자 상에 있다.이러한 일부 방법들에 있어서, (a) Cas 단백질을 인코드하는 DNA는 Cas 단백질을 인코드하는 제 2 핵산에 작동가능하도록 연계된 제1 프로모터가 포함된 제 1 발현 구조체 형태 안에 있고; 그리고 (b) CRISPR RNA를 인코드하는 DNA와 tracrRNA를 인코드하는 DNA는 CRISPR RNA 및 tracrRNA가 포함된 gRNA를 인코드하는 제 3 핵산에 작동가능하도록 연계된 제 2 프로모터가 포함된 제 2 발현 구조체 형태 안에 있고; 이때 제 1 및 제 2 프로모터들은 상기 비-인간 ES 세포 안에서 활성이다. 임의선택적으로, 제 1 및 제 2 발현 구조체들은 단일 핵산 분자 상에 있다.이러한 일부 방법들에 있어서, Cas 단백질, CRISPR RNA, 및 tracrRNA는 상기 비-인간 ES 세포 안에 단백질-RNA 복합체로 도입된다.이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 표적화된 유전적 변형은 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손과 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 제 1 핵산의 삽입을 동시에 포함한다.이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 표적화된 유전적 변형은 이중대립형질 유전적 변형이다. 임의선택적으로, 상기 이중대립형질 유전적 변형은 2개의 상동성 염색체 안에 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손과 제 1 핵산의 삽입을 포함한다.이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 변형된 비-인간 ES 세포는 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 컴파운드 이형접합성이다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 변형된 비-인간 ES 세포는 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 반접합성이다. 임의선택적으로, 하나의 염색체 안에 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형은 내생성 핵산 서열의 결손과 제 1 핵산의 삽입을 포함한다. 임의선택적으로, 상기 표적화된 유전적 변형은 다음을 포함한다: (1) 2개의 상동성 염색체 안에 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손; 그리고 (2) 제 1 염색체 안에 관심 대상의 게놈 좌에 제 1 핵산의 삽입과 제 2 염색체 안에 관심 대상의 게놈 좌의 붕괴. 상기 제 1 염색체는 2개의 상동성 염색체중에 하나일 수 있고, 제 2 염색체는 나머지 하나의 상동성 염색체일 수 있다. 이러한 일부 방법들에 있어서, Cas 단백질은 Cas9이다.진핵 세포, 마우스 세포, 또는 인간 세포 안에서 관심 대상의 게놈 좌에서 게놈을 변형시키는 방법들을 더 제공하는데, 이 방법은 큰 표적화 벡터 (LTVEC) 존재 하에서 상기 게놈에 Cas 단백질, 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 표적 서열에 혼성화되는 CRISPR RNA 및 tracrRNA를 접촉시키고, 이때 LTVEC는 최소한 10 kb이며, 상기 관심 대상의 게놈에서 5'표적 서열에 상동성인 5' 상동성 아암과 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 3' 표적 서열에 상동성인 3' 상동성 아암에서 3' 표적 서열에 상동성인 3' 상동성 아암의 측면에 있는 제 1 핵산을 포함하고, 이때 제 1 핵산은 최소한 30 kb이며 및/또는 5' 표적 서열과 3' 표적 서열은 최소한 30 kb에 의해 분리되며, 이때 LTVEC 존재하에서 Cas 단백질, CRISPR RNA, 및 tracrRNA에 접촉된 후, 상기 게놈은 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 제 1 핵산의 삽입이 포함된 표적화된 유전적 변형이 포함되도록 변형된다.상기 방법들중 임의의 방법은 Cas 단백질, CRISPR RNA, tracrRNA, 및 LTVEC가 상기 진핵 세포, 마우스 세포, 또는 상기 인간 세포 안으로 도입되는 것을 더 포함할 수 있다. 상기 방법들중 임의의 방법은 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형이 포함된 변형된 진핵 세포, 변형된 마우스 세포, 또는 변형된 인간 세포를 식별해내는 것을 더 포함할 수 있다.이러한 일부 방법들에 있어서, CRISPR RNA 및 tracrRNA는 단일 전사체 형태로 함께 도입된다. 이러한 일부 방법들에 있어서, CRISPR RNA 및 tracrRNA는 별도로 도입된다.이러한 일부 방법들에 있어서, (a) Cas 단백질은 상기 진핵 세포, 마우스 세포, 또는 상기 인간 세포 안으로 단백질 형태, Cas 단백질을 인코드하는 메신져 RNA (mRNA), 또는 Cas 단백질을 인코드하는 DNA 형태로 도입되며; (b) CRISPR RNA는 상기 진핵 세포, 마우스 세포, 또는 상기 인간 세포 안으로 RNA 또는 CRISPR RNA를 인코드하는 DNA 형태로 도입되며; 그리고 (c) tracrRNA는 상기 진핵 세포, 마우스 세포, 또는 상기 인간 세포 안으로 RNA 또는 tracrRNA를 인코드하는 DNA 형태로 도입된다. 이러한 일부 방법들에 있어서, Cas 단백질, CRISPR RNA, 및 tracrRNA는 상기 진핵 세포, 마우스 세포, 또는 상기 인간 세포 안에 단백질-RNA 복합체로 도입된다.이러한 일부 방법들에 있어서, (a) Cas 단백질을 인코드하는 DNA는 Cas 단백질을 인코드하는 제 2 핵산에 작동가능하도록 연계된 제1 프로모터가 포함된 제 1 발현 구조체 형태 안에 있고; (b) CRISPR RNA를 인코드하는 DNA는 CRISPR RNA를 인코드하는 제 3 핵산에 작동가능하도록 연계된 제 2 프로모터가 포함된 제 2 발현 구조체 형태 안에 있으며; 그리고 (c) tracrRNA를 인코드하는 DNA는 tracrRNA를 인코드하는 제 4 핵산에 작동가능하도록 연계된 제 3 프로모터가 포함된 제 3 발현 구조체 형태 안에 있고, 이때 제 1, 제 2, 및 제 3 프로모터들은 상기 진핵 세포, 마우스 세포, 또는 상기 인간 세포 안에서 활성이다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 제 1, 제 2, 및/또는 제 3 발현 구조체들은 단일 핵산 분자 상에 있다.이러한 일부 방법들에 있어서, (a) Cas 단백질을 인코드하는 DNA는 Cas 단백질을 인코드하는 제 2 핵산에 작동가능하도록 연계된 제1 프로모터가 포함된 제 1 발현 구조체 형태 안에 있고; 그리고 (b) CRISPR RNA를 인코드하는 DNA와 tracrRNA를 인코드하는 DNA는 단일 전사체 안에 CRISPR RNA 및 tracrRNA가 포함된 gRNA를 인코드하는 제 3 핵산에 작동가능하도록 연계된 제 2 프로모터가 포함된 제 2 발현 구조체 형태 안에 있고; 이때 제 1 및 제 2 프로모터들은 상기 진핵 세포, 마우스 세포, 또는 상기 인간 세포 안에서 활성이다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 제 1 및 제 2 발현 구조체들은 단일 핵산 분자 상에 있다.이러한 일부 방법들에 있어서, LTVEC는 최소한 15 kb, 최소한 20 kb, 최소한 30 kb, 최소한 40 kb, 최소한 50 kb, 최소한 60 kb, 최소한 70 kb, 최소한 80 kb, 또는 최소한 90 kb이다. 이러한 일부 방법들에 있어서, LTVEC는 최소한 100 kb, 최소한 150 kb, 또는 최소한 200 kb이다.이러한 일부 방법들에 있어서, 제 1 핵산은 최소한 20 kb, 최소한 30 kb, 최소한 40 kb, 최소한 50 kb, 최소한 60 kb, 최소한 70 kb, 최소한 80 kb, 최소한 90 kb, 최소한 100 kb, 최소한 150 kb, 최소한 200 kb, 최소한 250 kb, 또는 최소한 300 kb이다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 제 1 핵산은 약 40 kb 내지 약 140 kb이다.이러한 일부 방법들에 있어서, LTVEC의 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 약 10 kb 내지 약 150 kb이다. 이러한 일부 방법들에 있어서, LTVEC의 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 120 kb, 또는 약 120 kb 내지 150 kb이다.이러한 일부 방법들에 있어서, 5' 표적 서열과 3' 표적 서열은 최소한 5 kb 그러나 3 Mb 미만에 의해 분리된다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 5' 표적 서열과 3' 표적 서열은 최소한 5 kb 그러나 10 kb 미만, 최소한 10 kb 그러나 20 kb 미만, 최소한 20 kb 그러나 40 kb 미만, 최소한 40 kb 그러나 60 kb 미만, 최소한 60 kb 그러나 80 kb 미만, 최소한 약 80 kb 그러나 100 kb 미만, 최소한 100 kb 그러나 150 kb 미만, 또는 최소한 150 kb 그러나 200 kb 미만, 최소한 약 200 kb 그러나 약 300 kb 미만, 최소한 약 300 kb 그러나 약 400 kb 미만, 최소한 약 400 kb 그러나 약 500 kb 미만, 최소한 약 500 kb 그러나 약 1Mb 미만, 최소한 약 1 Mb 그러나 약 1.5 Mb 미만, 최소한 약 1.5 Mb 그러나 약 2 Mb 미만, 최소한 약 2 Mb 그러나 약 2.5 Mb 미만, 또는 최소한 약 2.5 Mb 그러나 약 3 Mb미만에 의해 분리된다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 5' 표적 서열과 3' 표적 서열은 최소한 20 kb, 최소한 30 kb, 최소한 40 kb, 최소한 50 kb, 최소한 60 kb, 최소한 70 kb, 최소한 80 kb, 최소한 90 kb, 최소한 100 kb, 최소한 110 kb, 최소한 120 kb, 최소한 130 kb, 최소한 140 kb, 최소한 150 kb, 최소한 160 kb, 최소한 170 kb, 최소한 180 kb, 최소한 190 kb, 또는 최소한 200 kb에 의해 분리된다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 5' 표적 서열과 3' 표적 서열은 약 30 kb 내지 약 110 kb에 의해 분리된다.이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 진핵 세포는 렛 세포는 아니다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 진핵 세포는 다능성 세포, 비-다능성 세포, 포유류 세포, 인간 세포, 비-인간 포유류 세포, 설치류 세포, 마우스 세포, 헴스터 세포, 비-인간 다능성 세포, 인간 다능성 세포, 설치류 다능성 세포, 또는 섬유아세포다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 진핵 세포는 일차(primary) 세포 또는 불사화된(immortalized) 세포다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 설치류 다능성 세포는 마우스 또는 렛 배아 줄기 (ES) 세포다.이러한 일부 방법들에 있어서, 마우스 세포, 또는 상기 인간 세포는 일차 세포 또는 불사화된 세포다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 마우스 세포, 또는 상기 인간 세포는 다능성 세포다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 마우스 다능성 세포는 마우스 배아 줄기 (ES) 세포다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 인간 다능성 세포는 인간 배아 줄기 (ES) 세포, 인간 성인 줄기 세포, 발생학적으로 제한된 인간 선조 세포, 또는 인간 유도화된 다능성 줄기 (iPS) 세포다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 인간 iPS 세포는 기본 배지와 보충물이 포함된 배지 안에서 유지되며, 이때 상기 배지는 (a) 백혈병 억제 인자 (LIF) 폴리펩티드; (b) 글리코겐 합성효소 키나제 (GSK3) 억제제; 그리고 (c) MEK 억제제를 포함하며; 이때 상기 배지는 약 175 mOsm/kg 내지 약 280 mOsm/kg의 오스몰농도를 갖는다.이러한 일부 방법들에 있어서, Cas 단백질은 Cas9이다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 표적 서열은 프로토스페이스 인접 모티프 (PAM) 서열의 바로 측면에 있다.이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 표적화된 유전적 변형은 단일 단계에서 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손과 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 제 1 핵산의 삽입을 동시에 포함한다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 결손된 내생성 핵산 서열은 약 30 kb 내지 약 110 kb이며, 상기 삽입된 제 1 핵산은 약 40 kb 내지 약 140 kb이다.이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 표적화된 유전적 변형은 이중대립형질 유전적 변형이다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 이중대립형질 유전적 변형은 2개의 상동성 염색체 안에 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손과 제 1 핵산의 삽입을 포함한다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 변형된 진핵 세포, 상기 변형된 마우스 세포, 또는 상기 변형된 인간 세포는 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 컴파운드 이형접합성이다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 변형된 진핵 세포, 상기 변형된 마우스 세포, 또는 상기 변형된 인간 세포는 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 반접합성이다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 하나의 염색체 안에 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형은 내생성 핵산 서열의 결손과 제 1 핵산의 삽입을 포함한다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 표적화된 유전적 변형은 다음을 포함한다: (1) 제 1 및 제 2 상동성 염색체 안에 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손; 그리고 (2) 제 1 상동성 염색체 안에 관심 대상의 게놈 좌에 제 1 핵산의 삽입과 제 2 상동성 염색체 안에 관심 대상의 게놈 좌의 붕괴.이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 표적화된 유전적 변형은 다음을 포함한다 : (a) 내생성 핵산 서열이 상동성 또는 이종상동성 핵산 서열로 대체; (b) 내생성 핵산 서열의 결손; (c) 내생성 핵산 서열의 결손, 이때 상기 결손은 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 또는 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 400 kb, 약 400 kb 내지 약 500 kb, 약 500 kb 내지 약 1 Mb, 약 1 Mb 내지 약 1.5 Mb, 약 1.5 Mb 내지 약 2 Mb, 약 2 Mb 내지 약 2.5 Mb, 또는 약 2.5 Mb 내지 약 3 Mb 범위가 되며; (d) 외생성 핵산 서열의 삽입; (e) 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 250 kb, 약 250 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 350 kb, 또는 약 350 kb 내지 약 400 kb 범위의 외생성 핵산 서열의 삽입; (f) 상동성 또는 이종상동성 핵산 서열이 포함된 외생성 핵산 서열의 삽입; (g) 인간 및 비-인간 핵산 서열이 포함된 키메라 핵산 서열의 삽입; (h) 부위-특이적 재조합효소 표적 서열의 측면에 있는 조건부 대립인자의 삽입; (i) 상기 다능성 세포 안에서 활성인 프로모터에 작동가능하도록 연계된 선택성 표지 또는 리포터 유전자의 삽입; 또는 (j) 이의 조합.이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 관심 대상의 게놈 좌는 인터루킨-2 수용체 감마 좌, ApoE 좌, Rag1 좌, Rag2 좌, Rag1 및 Rag2 좌 둘 모두, Adamts5 좌, Trpa1 좌, Folh1 좌, Erbb4 좌, Lrp5 좌, C5 (Hc) 좌, Ror1 좌, 또는 Dpp4 좌를 포함한다. 이러한 일부 방법들에 있어서, 상기 관심 대상의 게놈 좌는 염색체외(extrachromosomal) DNA를 포함한다.관심 대상의 게놈 좌에서 표적화된 유전적 변형이 포함된, F0 세대 비-인간 동물 또는 마우스를 생산하는 방법들을 또한 제공하는데, 이 방법은 다음을 포함한다: (a) 상기 방법들중 임의의 방법을 이용하여 비-인간 또는 마우스 ES 세포를 변형시키고; (b) 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 표적화된 유전적 변형이 포함된 상기 변형된 비-인간 또는 마우스 ES 세포를 식별해내고; (c) 상기 변형된 비-인간 또는 마우스 ES 세포를 비-인간 또는 마우스 숙주 배아 안으로 도입시키고; 그리고 (d) 비-인간 또는 마우스 숙주 배아를 대리모에 임신시키고, 이때 대리모는 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형을 포함하는 F0 세대 비-인간 동물 또는 마우스를 출산한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 배양접시에서 통상적으로 분리되고, 부유되는 조밀한 구형 콜로니로 성장된 렛 ESCs를 나타낸다.도 2a~d는 렛 ESCs에 의해 발현된 다양한 전분화능(pluripotency) 표지들을 나타낸다. a는 Oct-4 (녹색)를 나타내고; b는 Sox-2 (적색)를 나타내고; c는 DAPI (청색)를 나타내고; d는 rESCs에 의해 발현된 전분화능 표지들의 오버레이를 나타낸다.도 3은 렛 ESCs가 소규모(light level)의 알칼리 포스파타제 (전분화능 표지)를 발현시킨다는 것을 나타낸다. 도 4는 계통 DA.2B의 핵형(karyotype), 즉 42X,Y를 나타낸다. 렛 ESCs는 흔히 사배수체(tetraploid)가 되기 때문에 핵형분석이 실행되었고; 따라서 계통들은 중기 염색체 스프레드(spreads)를 카운팅하여 사전-선별되었고, 주로 정상적인 카운트를 가진 계통들이 정식으로 핵형화되었다.도 5a-b는 ACI.G1 렛 ES 세포 계통의 염색체 수 분석을 나타내는 사진을 제공한다.도 6a-b는 DA.2B 렛 ES 세포 계통의 염색체 수 분석을 나타내는 사진을 제공한다.도 7a-b는 DA.2C 렛 ES 세포 계통의 염색체 수 분석을 나타내는 사진을 제공한다.도 8은 도 1의 렛 ESC를 더 세밀하게 나타낸다.도 9는 낭포 주사 및 생식계열을 통하여 렛 ESC 게놈의 전달에 의한 키메라 생산을 나타낸다. 부계 ACI.G1 렛 ESCs를 이용하여 낭포 주사에 의해 키메라가 만들어졌다. 고백분율의 키메라는 백색증 코(albino snouts)를 항상 가진다. 도 10은 도 9에서 별표()로 표시된 ACI/SD 키메라에 의해 아비가 된 백색증 한배새끼와 F1 아구티 새끼를 나타낸다. 도 11은 렛 ApoE 좌를 도식한 것으로, 아연 핑거 뉴클레아제의 절단 부위를 나타내는 회색 막대 (ZFN1 및 ZFN2)를 나타낸다. 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 5 kb 및 5.4 kb)에 대응하는 게놈 영역은 짙은 회색 상자로 표시된다. ApoE 유전자의 엑손은 넌-코딩(non-coding)이며, 5' 상동성 아암에 가장 가까운 개방 상자로 나타낸다. ApoE 유전자의 3개 인트론은 선으로 표시된다. 엑손 2와 3은 코딩 영역을 포함하고, 반점 회색 상자로 나타낸다. 엑손 4는 코딩 서열과 넌-코딩 서열을 모두 포함하며, 반점 회색 음영 및 개방 상자로 나타낸다.도 12는 렛 Rosa26 좌의 표적화를 나타내는데, 마우스에서 동일한 공간을 가자고, Setd5와 Thumpd3 유전자 사이에 있다. 패널 a는 마우스 Rosa26 좌의 구조를 나타낸다. 마우스 Rosa26 전사체는 2 또는 3개의 엑손으로 구성된다. 패널 b는 렛 Rosa26 좌의 구조를 나타내며; 상기 렛 좌는 마우스 엑손1 (Ex1a)에 대한 상동성 엑손에 추가하여 제 2 엑손 1 (Ex1b)을 포함하며; 렛에서 제 3 엑손은 확인되지 않았다. 패널 c는 표적화된 렛 Rosa26 대립유전자를 나타내는데; 각각 5 kb의 상동성 아암은 DA rESC의 게놈 DNA를 이용한 PCR에 의해 클론되었다; 상기 표적화된 대립유전자는 상기 렛 Rosa26 인트론 안에서 117 bp 결손을 대체하는 Splicing Acceptor (SA)-lacZ-hUB-neo 카세트를 포함한다.도 13a는 X-gal로 착색된 14-주령의 야생형 렛의 대조 뇌를 나타낸다. 상기 대조 뇌는 LacZ에 대한 배경 착색 수준이 낮은 것으로 나타났다 (전면도). 도 13b는 rRosa26 이형접합성 렛 (14-주령)의 뇌에서 LacZ 발현을 나타낸다. 상기 lacZ 리포터는 rRosa26 이형접합체의 뇌를 통하여 편재되어 발현된다.도 13c는 X-gal로 처리된 14-주령의 야생형 렛의 대조 심장 및 흉선(삽입도)를 나타낸다. 대조 심장 및 흉선은 LacZ에 대한 배경 착색 수준이 낮은 것으로 나타났다. 도 13d는 14주령 rRosa26 이형접합성 렛의 심장 및 흉선(삽입도)에서 LacZ 발현을 나타낸다. 상기 lacZ 리포터는 rROSA26 이형접합체의 심장 및 흉선을 통하여 편재되어 발현되었다.도 13e는 X-gal로 착색된 14-주령의 야생형 렛의 대조 폐를 나타낸다. 상기 대조 폐는 LacZ에 대한 배경 착색 수준이 낮은 것으로 나타났다. 도 13f는 14주령 rRosa26 이형접합체 렛의 폐에서 LacZ 발현을 나타낸다. 상기 lacZ 리포터는 rRosa26 이형접합체의 폐를 통하여 편재되어 발현된다.도 13g와 h는 E12.5 렛 배아에서 LacZ 발현을 나타낸다. 낮은 수준의 배경 LacZ 착색을 보이는 야생형 대조 배아 (h)와 대조적으로, rRosa26 이형접합성 배아는 배아를 통하여 LacZ 리포터의 편재된 발현을 나타내었다. 도 13i 및 j는 E14.5 렛 배아에서 LacZ 발현을 나타낸다. 낮은 수준의 배경 LacZ 착색을 보이는 야생형 대조 배아 (j)와 대조적으로, rRosa26 이형접합성 렛 배아는 배아를 통하여 LacZ 리포터의 편재된 발현을 나타내었다. 도 14는 선별 카세트 (lacZ-neo 카세트)가 포함된 표적화 벡터의 전기천공 후, 렛 ES 세포 안에서 발생되는 상동성 또는 비-상동성 재조합 이벤트를 설명한다.도 15는 게놈-편집(editing) 엔도뉴클레아제 (가령, ZFNs 및 TALENs)가 표적 게놈 서열 안으로 이중 가닥 틈 (DSB)을 도입시키고, ES 세포 안에서 비-상동성 단부-연결 (NHEJ)을 활성화시키는 기전을 설명한다.도 16은 표적화 벡터의 상동성 재조합 효과를 개선시키기 위하여, ZFN/TALENs를 이용하여 유전자 표적화 기술을 설명한다. DSB는 이중 가닥 틈을 나타낸다.도 17은 상기 변형된 렛 ApoE 좌의 생식계열 유전에 의해 생산된 ApoE-ZFN-AB5 키메라를 나타낸다. 상기 표적화된 변형은 아연 핑거 뉴클레아제에 의해 지원을 받았다. 도 18은 ZFN U 및 ZFN D를 표적으로 하는 아연 핑거 뉴클레아제와 복합되어 IL2r-γ 표적화 이벤트를 도식화한 것이다. ZFN U 및 ZFN D에 의해 표적화되는 렛 IL2r-γ 좌의 영역이 표시된다(서열 번호: 93). ZFN 절단 부위들이 이 도면에서 표시된다. 도 19는 ZFN U 및 ZFN D를 표적으로 하는 아연 핑거 뉴클레아제와 복합되어, 또는 gRNAs (gRNA1, gRNA2, gRNA3, gRNA4)와 복합되어 IL2r-γ 표적화 이벤트를 도식화한 것이다. ZFN U 및 ZFN D 또는 gRNAs1-4에 의해 표적화되는 렛 IL2r-γ 좌의 영역을 나타내며, ZFN 절단 부위가 표시된다. 도 20은 렛 ApoE 좌 및 표적화 플라스미드를 도식화한다. 상위 그림은 렛 ApoE 좌의 게놈 구조와 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 5 kb 및 5.4 kb; 짙은 회색 상자)에 대응하는 게놈 영역을 나타낸다. ApoE 유전자의 엑손 1은 넌-코딩(non-coding)이며, 5' 상동성 아암에 가장 가까운 개방 상자로 나타낸다. ApoE 유전자의 3개 인트론은 선으로 표시된다. 엑손 2와 3은 코딩 영역을 포함하고, 반점 회색 상자로 나타낸다. 엑손 4는 코딩 서열과 넌-코딩 서열을 모두 포함하며, 반점 회색 음영 및 개방 상자로 나타낸다. 아래 패널은 표적화 플라스미드를 나타낸다. 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 5 kb 및 5.4 kb)은 짙은 회색 상자로 표시된다. 상기 표적화 벡터는 리포터 유전자 (lacZ)와 loxP 부위들의 측면에 있는 자가-결손 카세트 (개방 화살표)를 포함한다. 상기 자가-결손 카세트는 Crei 유전자에 작동가능하도록 연계된 마우스 Prm1 프로모터와 네오마이신 저항성 유전자에 작동가능하도록 연계된 인간 유비퀴틴 프로모터를 포함하는 약물 선별 카세트를 포함한다. 도 21a는 아연-핑거 뉴클레아제와 리포터 유전자 (LacZ)가 포함된 표적화 벡터 그리고 Crei 유전자에 작동가능하도록 연계된 마우스 Prm1 프로모터가 포함된 자가-결손 카세트 그리고 네오마이신 저항성 유전자에 작동가능하도록 연계된 인간 유비퀴틴 프로모터가 포함된 약물 선별 카세트를 이용하여, 렛 ES 세포 안에서 ApoE 좌를 표적화하는 과정을 도식한 것이다. 도 21b는 동형접합성(homozygous) 표적화된 ApoE 좌를 나타낸다. 도 22는 렛 ApoE 좌와 큰 표적화 벡터 (LTVEC)를 도식화한 것을 제공한다. 상위 패널은 렛 ApoE 좌와 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 45 kb 및 23 kb; 짙은 회색 상자)에 대응하는 게놈 영역의 게놈 조직을 나타낸다. ApoE의 엑손 1은 넌-코딩이며, 5' 상동성 아암에 가장 가까운 개방 상자로 나타낸다. ApoE 유전자의 3개 인트론은 선으로 표시되며, 엑손 2와 3은 코딩 영역을 포함하고, 반점 회색 상자로 나타낸다. 엑손 4는 코딩 서열과 넌-코딩 서열을 모두 포함하며, 반점 회색 음영 및 개방 상자로 나타낸다. 아래 패널은 렛 ApoE 좌를 변경시키기 위한 LTVEC를 보여준다. 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 45 kb 및 23 kb)은 짙은 회색 상자로 표시된다. LTVEC는 리포터 유전자 (lacZ)와 loxP 부위들 (개방 화살표)의 측면에 있는 자가-결손 카세트를 포함하는데, 이 카세트는 Crei 유전자에 작동가능하도록 연계된 마우스 Prm1 프로모터와 네오마이신 저항성 유전자에 작동가능하도록 연계된 인간 유비퀴틴 프로모터를 포함하는 약물 선별 카세트를 포함한다. 도 23은 렛 ApoE 좌를 도식한 것으로써, 상기 표적화 벡터와 상기 표적 동족(cognate) 염색체 영역 사이에 상동성 재조합을 강화시키기 위하여, 큰 표적화 벡터 (LTVEC)와 함께 이용된, 아연 핑거 뉴클레아제의 절단 부위를 나타내는 회색 막대 (ZFN1 및 ZFN2)를 나타낸다. 도 24는 리포터 유전자 (eGFP)의 삽입, 그리고 약물 선별 카세트 (hUb-neo)와 마우스 Prm1 프로모터에 작동가능하도록 연계된 Crei 유전자를 포함하는 자가-결손 카세트의 삽입에 의해 파괴된 렛 IL2r-γ 좌를 나타낸다. 도 25는 3.2 kb 결손, 그리고 리포터 유전자 (eGFP) 및 마우스 Prm1 프로모터에 작동가능하도록 연계된 Crei 유전자, 그리고 약물 선별 카세트 (hUb-Neo)를 포함하는 자가-결손 카세트의 삽입에 의해 파괴된 렛 IL2r-γ 좌의 또다른 도식을 나타낸다.도 26은 렛 Rag2 좌를 변형시키기 위한 렛 Rag2 좌와 큰 표적화 벡터 (LTVEC)를 도식화한 것이다. 상부 패널은 렛 Rag2 좌와 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 48 kb 및 84 kb; 짙은 회색 상자)에 대응하는 동족 게놈 영역의 게놈 조직을 나타낸다. Rag2는 반점 회색 음영으로 표시된 단일 엑손을 포함한다. 하부 패널은 LTVEC이다. 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 48 kb 및 84 kb)은 짙은 회색 상자로 표시된다. LTVEC는 리포터 유전자 (lacZ)와 loxP 부위들 (개방 화살표)의 측면에 있는 자가-결손 카세트를 포함하는데, 이 카세트는 Crei 유전자에 작동가능하도록 연계된 렛 Prm1 프로모터와 네오마이신 저항성 유전자에 작동가능하도록 연계된 인간 유비퀴틴 프로모터를 보유하는 약물 선별 카세트를 보유한다. 도 27은 렛 Rag1/Rag2 좌의 게놈 구조와 Rag2 표적화 (Rag2 결손) 또는 Rag2/Rag1 이중 표적화 (Rag2/Rag1 결손)에 의해 결손된 게놈 영역을 제공한다. 도 28은 상기 좌를 변형시키는데 이용된 렛 Rag2 및 Rag1 좌와 큰 표적화 벡터 (LTVEC)를 도식화한 것이다. 상부 패널은 Rag1 및 Rag2 좌 그리고 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 48 kb 및 15 kb; 짙은 회색 상자)에 대응하는 동족 게놈 영역의 게놈 조직을 나타낸다. Rag2 및 Rag1은 각각 반점 회색 음영으로 표시된 단일 엑손을 포함한다. 하부 패널은 LTVEC이다. 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 48 kb 및 15 kb)은 짙은 회색 상자로 표시된다. LTVEC는 리포터 유전자 (lacZ)와 loxP 부위들 (개방 화살표)의 측면에 있는 자가-결손 카세트를 포함하는데, 이 카세트는 Crei 유전자에 작동가능하도록 연계된 렛 Prm1 프로모터와 네오마이신 저항성 유전자에 작동가능하도록 연계된 인간 유비퀴틴 프로모터를 포함하는 약물 선별 카세트를 포함한다. 도 29는 II2rg-/y 키메라 렛 (패널 a-c) 및 WT DA렛 (패널 d-f)의 말초 혈액 단핵 세포 (PBMCs)에서 GFP 발현 및 T-세포 표지 CD3 (패널 a 및 d), B-세포 표지 B220 (패널 b 및 e), 및 NK 세포 표지 CD161a (패널c 및 f)에 대한 유동 세포 분석을 나타낸다. 이중-양성 세포는 사분면 R8에 나타낸다. 도 29는 II2rg-/y PBMC가 성숙한 림프구 표지들을 발현하지 않음을 보여준다. 도 30은 GFP-양성 림프구가 3 II2rg-/y 키메라중 2개에서 말초 혈액에서 탐지되었음을 보여준다.도 31은 렛 Il2rg 좌의 완전한 인간화(humanization)를 위하여 렛 Il2rg 좌와 표적화 플라스미드를 도식화한 것을 제공한다. 상부 패널은 렛 Il2rg 좌와 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 4.3 kb 및 4.0 kb; 회색 상자)에 대응하는 동족 게놈 영역의 게놈 조직을 나타낸다. 하부 패널은 상기 표적화 플라스미드다. 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 4.3 kb 및 4.0 kb)은 회색 상자로 표시된다. 상기 표적화 플라스미드는 상기 인간 IL-2rg 게놈 영역과 loxP 부위들 (개방 화살표)의 측면에 있는 결손 카세트를 포함하는데, 이 카세트는 네오마이신 저항성 유전자에 작동가능하도록 연계된 인간 유비퀴틴 프로모터를 보유하는 약물 선별 카세트를 보유한다. 도 32는 렛 Il2rg 좌와 렛 Il2rg 좌의 엑토(ecto)-도메인을 위한 표적화 플라스미드를 도식화한 것을 제공한다. 상부 패널은 렛 Il2rg 좌와 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 4.3 kb 및 4.0kb; 회색 상자)에 대응하는 동족 게놈 영역의 게놈 조직을 나타낸다. 하부 패널은 상기 표적화 플라스미드다. 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 4.3 kb 및 4.0 kb)은 회색 상자로 표시된다. 상기 표적화 플라스미드는 IL-2Rg 게놈 영역의 상기 인간 엑토-도메인과 loxP 부위들 (개방 화살표)의 측면에 있는 자가-결손 카세트를 포함하는데, 이 카세트는 Crei 유전자에 작동가능하도록 연계된 렛 Prm1 프로모터와 네오마이신 저항성 유전자에 작동가능하도록 연계된 인간 유비퀴틴 프로모터를 보유하는 약물 선별 카세트를 보유한다. 도 33은 상기 인간 IL-2rg 단백질 (서열 번호: 20; NP_000197.1); 상기 렛 IL-2rg 단백질 (서열 번호: 21; NP_543165.1); 그리고 상기 렛 IL-2rg 단백질의 나머지에 융합된 IL-2rg의 상기 인간 엑토-도메인이 포함된 키메라 IL-2rg 단백질 (서열 번호: 22)의 서열 배열을 제공한다. 상기 인간과 렛 IL-2rg 사이의 교점(junction)은 수직 선으로 표시된다.도 34는 마우스 Lrp5 유전자의 CRISPR/Cas9-지원된 인간화를 도식한 것으로; LTVEC는 상부 패널에 나타내고, 마우스 Lrp5 좌는 하부 패널에 나타낸다. 인간화된 영역은 엑토도메인이다. 화살표들은 gRNA (gA, gB, gB2, gC, gD, gE2, gE, gF) 및 ZFN (a-d) 각각의 표적 부위를 나타낸다.도 35는 결손 크기 증가에 따른 LTVECs 표적화 유전자의 표적화 효과 백분율 (도 35a)과 인간 유전자 삽입 크기 증가에 따른 LTVECs의 표적화 효과 백분율 (도 35b)을 나타낸다. 상기 LTVECs가 단독으로 이용되거나 (회색 사각형 또는 삼각형), 또는 ZFNs와 복합되어 이용되었다 (검정 사각형 또는 삼각형). 도 36은 마우스 Trpa1 유전자의 전체 코딩 영역의 CRISPR/Cas9-지원된 인간화를 도식한 것으로써; LTVEC는 상부 패널에 나타내고, 마우스 Trpa1 좌는 하부 패널에 나타낸다. 화살표들은 gRNA (gA, gA2, gB, gC, gD, gE2, gE, gF) 각각의 표적 부위를 나타낸다.도 37은 마우스 Folh1 유전자의 엑토도메인 (엑손 2에서부터 중지 코돈까지) CRISPR/Cas9-지원된 인간화를 도식한 것으로; LTVEC는 상부 패널에 나타내고, 마우스 Folh1 좌는 하부 패널에 나타낸다. 화살표들은 gRNA (gA, gA2, gB, gC, gD, gE, gE2, gF) 각각의 표적 부위를 나타낸다.도 38은 마우스 C5 (Hc) 유전자의 엑손 2에서부터 중지 코돈까지 영역의 CRISPR/Cas9-지원된 인간화를 도식한 것으로; LTVEC는 상부 패널에 나타내고, 마우스 C5 (Hc) 좌는 하부 패널에 나타낸다. 화살표들은 gRNA (gA, gB, gB2, gC, gD, gE2, gE, gF) 각각의 표적 부위를 나타낸다.도 39는 마우스 Adamts5 유전자의 전체 코딩 영역의 CRISPR/Cas9-지원된 인간화를 도식한 것으로써; LTVEC는 상부 패널에 나타내고, 마우스 Adamts5 좌는 하부 패널에 나타낸다. 화살표들은 gRNA (gA, gA2, gB, gC, gD, gE2, gE, gF) 각각의 표적 부위를 나타낸다.도 40은 마우스 Erbb4 유전자의 엑손 4-15의 CRISPR/Cas9-지원된 인간화를 도식한 것으로; LTVEC는 상부 패널에 나타내고, 마우스 Erbb4 좌는 하부 패널에 나타낸다. 화살표들은 gRNA (gA, gB, gB2, gC, gD, gE2, gE, gF) 각각의 표적 부위를 나타낸다.도 41은 마우스 Ror1 유전자의 엑손 2-7의 CRISPR/Cas9-지원된 인간화를 도식한 것으로; LTVEC는 상부 패널에 나타내고, 마우스 Ror1 좌는 하부 패널에 나타낸다. 화살표들은 gRNA (gA, gB, gC, gD, gE, gF) 각각의 표적 부위를 나타낸다.도 42는 마우스 Dpp4 유전자의 엑손 2에서부터 중지 코돈까지 영역의 CRISPR/Cas9-지원된 인간화를 도식한 것으로; LTVEC는 상부 패널에 나타내고, 마우스 Dpp4 좌는 하부 패널에 나타낸다. 화살표들은 gRNA (gA, gB, gB2, gC, gD, gE2, gE, gF) 각각의 표적 부위를 나타낸다.도 43은 X-gal로 착색된 12-주령의 암컷 렛의 뇌를 보여준다. 도 43a-c는 야생형 렛의 뇌를 보여주며, 도 43d-f는 ApoE +/-렛의 뇌를 보여준다. 도 43a 및 d는 전면도이며, 도 43b 및 e는 복면도이고, 도 43c 및 f는 근접도(close-up view)이다.도 44는 X-gal로 착색된 12-주령의 암컷 렛 심장 (a 및 c) 그리고 혈액 혈관의 대응하는 근접도 (b 및 d)를 보여준다. 도 44 a 및 b는 야생형 렛의 심장 및 혈액 혈관을 차례로 보여주며, 도 44c 및 d는 ApoE +/-렛의 심장 및 혈액 혈관을 차례로 보여준다. 착색은 심장의 심방과 일부 혈관 (가령, 대정맥)에 존재한다.도 45는 X-gal로 착색된 12-주령의 암컷 렛의 간을 보여준다. 도 45a 및 b는 야생형 렛의 간을 보여주며, 도 45c 및 d는 ApoE +/-렛의 간을 보여준다. 도 45b 및 d는 간의 근접도다.도 46은 동형접합성 ApoE-표적화된 렛, 이형접합성 ApoE-표적화된 렛, 그리고 야생형 렛에서 6 주, 9 주, 12 주, 및 15 주 시점에서 콜레스테롤, LDL, HDL, 및 트리글리세리드 수준의 탐지(도 46a-d, 차례로)를 나타낸다. 도 47은 상기 렛 ApoE 좌 (상부 패널)과 상기 렛 ApoE 좌를 표적으로 하는 큰 표적화 벡터 (LTVEC) (하부 패널)를 도식화한 것을 제공한다. 상위 패널은 렛 ApoE 좌와 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 45 kb 및 23 kb; 짙은 회색 상자)에 대응하는 게놈 영역의 게놈 조직을 나타낸다. ApoE의 엑손 1은 넌-코딩이며, 5' 상동성 아암에 가장 가까운 개방 상자로 나타낸다. ApoE 유전자의 3개 인트론은 선으로 표시되며, 엑손 2와 3은 코딩 영역을 포함하고, 반점 회색 상자로 나타낸다. 엑손 4는 코딩 서열과 넌-코딩 서열을 모두 포함하며, 반점 회색 음영 및 개방 상자로 나타낸다. ApoE gRNA2 (서열 번호: 87) 및 gRNA3 (서열 번호: 88)에 대한 표적 부위들이 표시된다. 아래 패널은 렛 ApoE 좌를 변경시키기 위한 LTVEC를 보여준다. 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 45 kb 및 23 kb)은 짙은 회색 상자로 표시된다. LTVEC는 리포터 유전자 (lacZ)와 loxP 부위들 (개방 화살표)의 측면에 있는 자가-결손 카세트를 포함하는데, 이 카세트는 Crei 유전자에 작동가능하도록 연계된 마우스 Prm1 프로모터와 네오마이신 저항성 유전자에 작동가능하도록 연계된 인간 유비퀴틴 프로모터를 포함하는 약물 선별 카세트를 포함한다. 도 48은 상기 렛 Rag2 좌 (상부 패널)와 상기 렛 Rag2 좌를 표적으로 하는 큰 표적화 벡터 (LTVEC) (하부 패널)를 도식화한 것을 제공한다. 상부 패널은 렛 Rag2 좌와 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 48 kb 및 84 kb; 짙은 회색 상자)에 대응하는 동족 게놈 영역의 게놈 조직을 나타낸다. Rag2는 반점 회색 음영으로 표시된 단일 엑손을 포함한다. Rag2 gRNA1 (서열 번호: 89) 및 gRNA4 (서열 번호: 90)에 대한 표적 부위들이 표시된다. 하부 패널은 LTVEC이다. 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 48 kb 및 84 kb)은 짙은 회색 상자로 표시된다. 상기 LTVEC는 리포터 유전자 (lacZ)와 loxP 부위들 (개방 화살표)의 측면에 있는 자가-결손 카세트를 포함하는데, 이 카세트는 Crei 유전자에 작동가능하도록 연계된 렛 Prm1 프로모터와 히그로마이신 저항성 유전자에 작동가능하도록 연계된 인간 유비퀴틴 프로모터를 보유하는 약물 선별 카세트를 보유한다.도 49는 상기 렛 Il2rg 좌 (상부 패널)와 상기 렛 Il2rg 좌의 엑토도메인을 위한 표적화 플라스미드(하부 패널)를 도식화한 것을 제공한다. 상부 패널은 렛 Il2rg 좌와 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 4.3 kb 및 4.0kb; 회색 상자)에 대응하는 동족 게놈 영역의 게놈 조직을 나타낸다. Il2rg gRNA2 (서열 번호: 91) 및 gRNA4 (서열 번호: 92)에 대한 표적 부위들이 표시된다. 하부 패널은 상기 표적화 플라스미드다. 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 4.3 kb 및 4.0 kb)은 회색 상자로 표시된다. 상기 표적화 플라스미드는 IL-2Rg 게놈 영역의 상기 인간 엑토-도메인과 loxP 부위들 (개방 화살표)의 측면에 있는 자가-결손 카세트를 포함하는데, 이 카세트는 Crei 유전자에 작동가능하도록 연계된 렛 Prm1 프로모터와 네오마이신 저항성 유전자에 작동가능하도록 연계된 인간 유비퀴틴 프로모터를 보유하는 약물 선별 카세트를 보유한다. 도 50은 상기 렛 Rag2 및 Rag1 좌 그리고 Il2rg-표적화된 렛 ES 세포 (클론 Il2rg-CG12)에서 상기 좌를 변형시키는데 이용된 큰 표적화 벡터 (LTVEC)를 도식화한 것을 제공한다. 상부 패널은 Rag1 및 Rag2 좌 그리고 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 48 kb 및 15 kb; 회색 상자)에 대응하는 동족 게놈 영역의 게놈 조직을 나타낸다. Rag2 및 Rag1은 각각 비음영 화살표에 의해 표시된 단일 엑손을 포함한다. 하부 패널은 LTVEC이다. 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 48 kb 및 15 kb)은 회색 상자로 표시된다. 상기 LTVEC는 액틴 프로모터에 작동가능하도록 연계된, 리포터 유전자 (eGFP)와 내부 리보솜 진입 부위 (IRES)에 의해 분리된 퓨로마이신 저항성 유전자를 포함한다. 상기 LTVEC는 loxP 부위들 (개방 화살표)의 측면에 있는 자가-결손 카세트를 포함하는데, 이 카세트는 Crei 유전자에 작동가능하도록 연계된 렛 Prm1 프로모터와 네오마이신 저항성 유전자에 작동가능하도록 연계된 인간 유비퀴틴 프로모터를 포함하는 약물 선별 카세트를 더 포함한다.도 51은 인간 ADAM6 좌의 일부분을 인간 iPS 세포 안에서 LTVEC 및 가이드 RNA를 이용하여 마우스 Adam6a 및 마우스 Adam6b 좌들이 포함된 핵산으로 대체를 도식으로 나타낸다. 상기 가이드 RNA의 표적 부위는 화살표로 나타낸다. 도 52a는 2i 배지에서 8일 동안 배양된 인간 iPS 세포에 의해 나타나는 형태를 나타낸다. 도 52b는 2i 배지에서 12일 동안 배양된 인간 iPS 세포에 의해 나타나는 형태를 나타낸다.도 53a-53d는 6일 동안 mTeSR™ -hLIF 배지 또는 낮은 오스몰농도 VG2i 배지에서 배양된 인간 iPS 세포에 의해 나타나는 형태를 나타낸다. 도 53a 및 53b는 6일 동안 mTeSR™ -hLIF 배지 (도 3a) 또는 VG2i 배지 (도 53b)에서 배양된 인간 iPS 세포에 의해 나타나는 형태를 나타낸다. 도 53c 및 53d는 mTeSR™ -hLIF 배지 (도 53c) 또는 VG2i 배지 (도 53d)에서 6일 동안 신생 인간 포피 섬유아세포 (NuFF) 먹이공급(feeder) 세포 상에서 인간 iPS 세포에 의해 나타나는 형태를 나타낸다.도 54a는 VG2i 배지에서 배양되고, 알칼리 포스파타제로 착색된, 재프로그램된(reprogrammed) 인간 iPS 세포를 나타낸다. 도 54b 및 54c는 VG2i 배지에서 배양되고, NANOG의 발현에 대하여 면역착색된, 재프로그램된 인간 iPS 세포를 나타낸다.도 55a-55c는 VG2i 배지에서 배양된 재프로그램된 인간 iPS 세포의 효소적 분리(enzymatic dissociation) 및 계대배양(subculture)을 설명한다. 도 55a는 ROCK 억제제 부재하에 트립신에 의한 효소적 분리에 앞서, VG2i 배지에서 배양된, 재프로그램된 인간 iPS 세포를 나타낸다. 도 55b는 계대배양 후 1일 동안 VG2i 배지에서 배양된 인간 iPS 세포를 나타낸다. 도 55c는 계대배양 후 1일 동안 VG2i 배지에서 배양된 인간 iPS 세포를 나타낸다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 발명의 상세한 설명원핵 세포 안에서 세균성 상동성 재조합 (BHR)을 통하여 렛 진핵, 렛이 아닌(non-rat) 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스, 또는 헴스터 관심 대상의 게놈 좌를 변형시키는 조성물 및 방법들이 제공된다. 엔도뉴클레아제와 복합하여, 큰 표적화 벡터 (LTVEC)를 이용하여 관심 대상의 게놈 좌, 예를 들면, 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 또는 마우스 관심 대상의 게놈 좌를 변형시키는 조성물 및 방법들이 제공된다. 하나 또는 그 이상의 표적화된 유전적 변형이 포함된, 유전적으로 변형된 비-인간 동물, 예를 들면, 렛 마우스, 설치류, 또는 렛이 아닌 설치류를 생산하는 조성물 및 방법들이 제공된다. 시험관에서 하나 또는 그 이상의 일련의 유전적 변형 후 전분화능을 유지할 수 있고, 그리고 생식계열을 통하여 후세대로 상기 표적화된 유전적 변형을 유전시킬 수 있는, 인간 및 비-인간 분화전능성(totipotent) 또는 다능성(pluripotent)의 단리된 줄기 세포, 특히 렛 배아 줄기 세포가 또한 제공된다.용어(Glossary)용어 "배아 줄기 세포" 또는 "ES 세포"는 본 명세서에서 이용된 바와 같이, 배아 안으로 도입될 때 발달되는 배아의 임의의 조직에 기여될 수 있는 배아-유도된 분화전능성 또는 다능성 세포를 포함한다. 용어 "다능성 세포"는 본 명세서에서 이용된 바와 같이, 하나 이상의 분화된 세포 유형으로 발달될 수 있는 능력을 보유한 미분화 세포를 포함한다. 용어 "비-다능성 세포"는 다능성 세포가 아닌 세포를 포함한다.용어 "상동성 핵산"은 본 명세서에서 이용된 바와 같이, 공지의 기준 서열과 동일 또는 실질적으로 유사한 핵산 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 용어 "상동성 핵산"은 공지의 기준 서열에 대하여 최소한 70%, 최소한 75%, 최소한 80%, 최소한 85%, 최소한 90%, 최소한 95%, 최소한 96%, 최소한 97%, 최소한 98%, 최소한 99%, 또는 심지어 100% 동일한 아미노산 서열을 보유한 서열을 특징화하는데 이용된다. 용어 "이종상동성 핵산"은 본 명세서에서 이용된 바와 같이, 한 종에서 공지의 기준 서열에 대하여 기능적으로 등가인 다른 종의 핵산 서열을 포함한다. 용어 "큰 표적화 벡터" 또는 "LTVEC"는 본 명세서에서 이용된 바와 같이, 진핵 세포 안에서 상동성 유전자 표적화를 실행하기 위하여 의도된 방법에 의해 전형적으로 이용되는 것보다 훨씬 큰 클론된 게놈 DNA 단편들로부터 유도된, 진핵 세포용 큰 표적화 벡터를 포함한다. LTVEC의 예로는 세균성 상동성 염색체 (BAC) 및 효모 인공 염색체 (YAC)가 포함되나, 이에 국한되지 않는다. 용어 "대립유전자의 변형" (MOA)은 본 명세서에서 이용된 바와 같이, 게놈에서 유전자(들) 또는 염색체 좌(들) 의 하나의 대립유전자의 정확한 DNA 서열의 변형을 포함한다. 본 명세서에서 설명된 바와 같이, "대립유전자의 변형 (MOA)"은 단일 뉴클레오티드의 결손, 치환, 또는 삽입 또는 관심대상의 유전자(들) 또는 염색체 좌(들)에 이어지는 긴 킬로베이스의 결손 뿐만아니라 이들 양단 사이에 있는 임의의 그리고 모든 가능한 변형이 포함되나, 이에 국한되지 않는다. 용어 "재조합 부위"는 본 명세서에서 이용된 바와 같이, 부위-특이적 재조합효소가 인지하고, 그리고 재조합 이벤트의 기질로 기능을 할 수 있는 뉴클레오티드 서열을 포함한다."일련의(Serial)" 유전적 변형은 세포 (가령, 진핵 세포, 렛이 아닌 진핵 세포, 포유류 세포, 인간 세포, 비-인간 포유류 세포, 다능성 세포, 비-다능성 세포, 비-인간 다능성 세포, 인간 다능성 세포, 인간 ES 세포, 인간 성인 줄기 세포, 발생학적으로-제한된 인간 선조 세포, 인간 iPS 세포, 인간 세포, 설치류 세포, 렛이 아닌 설치류 세포, 렛 세포, 마우스 세포, 헴스터 세포, 섬유아세포, 또는 중국 헴스터 난소 (CHO) 세포)에 독립적으로 실행되는 2가지 또는 그 이상의 변형을 포함한다. 상기 제 1 변형은 전기천공, 또는 당분야에 공지된 임의의 다른 방법에 의해 이루어질 수 있다. 그 다음 제 2 변형은 적합한 제 2 핵산 구조체를 이용하여 상기 동일한 세포 게놈에 만들어진다. 상기 제 2 변형은 제 2 전기천공, 또는 당분야에 공지된 임의의 방법에 의해 이루어질 수 있다. 다양한 구체예들에서, 동일한 세포의 제 1 및 제 2 유전적 변형 후, 제 3, 제 4, 제 5, 제 6, 및 기타 등등의, 일련의(하나에 이어서 또다른) 유전적 변형은 가령, 일련의 전기천공 또는 당분야에 공지된 임의의 다른 적합한 방법을 이용하여(연속적으로) 이루어질 수 있다. 용어 "부위-특이적 재조합효소"는 본 명세서에서 이용된 바와 같이, "재조합 부위들" 사이에서 재조합을 실행시킬 수 있는 일군의 효소를 포함하는데, 여기에서 두개의 재조합 부위는 단일 핵산 분자 안에서 물리적으로 떨어져 있거나, 또는 별도의 핵산 분자 상에 있다. "부위-특이적 재조합효소"의 예로는 Cre, Flp, 및 Dre 재조합효소를 포함하나, 이에 한정되지 않는다.핵산 서열과 관련하여, 용어 "생식계열"은 후손으로 전달될 수 있는 핵산 서열을 포함한다. 구절 "중쇄", 또는 "면역글로블린 중쇄"는 임의의 유기체로부터 면역글로블린 중쇄 불변 영역 서열이 포함된, 면역글로블린 중쇄 서열을 포함한다. 중쇄 가변 도메인은 다른 언급이 없는 한, 3개의 중쇄 CDRs과 4개의 FR 영역을 포함한다. 중쇄의 단편들은 CDRs, CDRs 및 FRs, 그리고 이의 조합을 포함한다. 전형적인 중쇄는 가변 도메인 (N-말단으로부터 C-말단 방향으로)에 이어서, CH1 도메인, 힌지, CH2 도메인, 및 CH3 도메인을 갖는다. 중쇄의 기능적 단편은 에피토프 (가령, 마이크로몰, 나노몰, 또는 피코몰 범위의 KD로 에피토프를 인지하는)를 특이적으로 인지할 수 있고, 세포로부터 발현 및 분비될 수 있고, 그리고 최소한 하나의 CDR을 포함하는 단편을 포함한다. 중쇄 가변 도메인은 가변 영역 뉴클레오티드 서열에 의해 인코드되며, 생식계열에 존재하는 VH, DH, 및 JH 세그먼트 레퍼토리로부터 유도된 VH, DH, 및 JH 세그먼트를 일반적으로 포함한다. 다양한 유기체들에 대한 V, D, 및 J 중쇄 세그먼트에 대한 서열, 위치 및 명명은 IMGT 데이터베이스에서 찾아볼 수 있으며, 이는 URL "imgt.org."에서 인터넷 월드와이드웹(www)상에서 접근가능하다.구절 "경쇄"는 임의의 유기체의 면역글로블린 경쇄 서열을 포함하며, 다른 언급이 없는 한, 인간 카파 (κ)와 람다 (λ) 경쇄 그리고 VpreB, 뿐만 아니라 대용(surrogate) 경쇄를 포함한다. 경쇄 가변 도메인은 다른 언급이 없는 한, 전형적으로 3개의 경쇄 CDRs와 4개의 틀구조 (FR) 영역을 포함한다. 일반적으로, 전장 경쇄는 아미노 말단으로부터 카르복시 말단방향으로, FR1-CDR1-FR2-CDR2-FR3-CDR3-FR4를 포함하는 가변 도메인과 경쇄 불변 영역 아미노산 서열을 포함한다. 경쇄 가변 도메인은 경쇄 가변 영역 뉴클레오티드 서열에 의해 인코드되며, 생식계열에 존재하는 경쇄 V 및 J 유전자 세그먼트 레퍼토리로부터 유도된 경쇄 VL 및 경쇄 JL 유전자 세그먼트를 일반적으로 포함한다. 경쇄 V 및 J 유전자 세그먼트에 대한 서열, 위치 및 명명은 IMGT 데이터베이스에서 찾아볼 수 있으며, 이는 URL "imgt.org."에서 인터넷 월드와이드웹(www)상에서 접속가능하다. 경쇄는 가령, 이들이 나타나는 에피토프-결합 단백질에의해 선택적으로 결합된 제 1 또는 제 2 에피토프에 선택적으로 결합되지 않는 것들을 포함한다. 경쇄는 이들이 나타나는 에피토프-결합 단백질에 의해 선택적으로 결합된 하나 또는 그 이상의 에피토프에 결합하고, 인지하는 중쇄에 결합하고, 인지하거나 또는 지원하는 것들을 또한 포함한다.구절 "작동가능하도록 연계된(operably linked)"이란 의도된 방식으로 성분들이 기능을 하도록 연계된 상관관계를 포함한다. 한 예로써, 단백질을 인코딩하는 핵산 서열은 적절한 전사 조절이 유지되도록, 조절 서열 (가령, 프로모터, 인헨서, 침묵 서열, 등등)에 작동가능하도록 연계될 수 있다. 한 예로써, 면역글로블린 가변 영역 (또는 V(D)J 세그먼트)의 핵산 서열은 서열 사이에서 면역글로블린 중쇄 서열 또는 경쇄 서열로의 적절한 재조합이 허용되도록 하기 위하여, 면역글로블린 불변 영역의 핵산 서열에 작동가능하도록 연계될 수 있다.1. 핵산이 포함된 표적 좌표적 좌에서 최소한 하나의 삽입(insert) 핵산의 통합을 허용하는 다양한 방법 및 조성물들이 제공된다. 본 명세서에서 이용된 바와 같이, "관심 대상의 게놈 좌"는 삽입 핵산을 통합시키기를 원하는 게놈 안에 DNA의 임의의 세그먼트 또는 영역을 포함한다. 용어 "관심 대상의 게놈 좌" 및 "표적 관심 대상의 게놈 좌"는 호환사용될 수 있다. 관심 대상의 게놈 좌는 상기 세포에 고유(native)한 것일 수 있거나, 또는 대안으로 상기 세포의 게놈 안에 통합된 DNA의 이종성 또는 외생성 세그먼트를 포함할 수 있다. 이러한 DNA의 이종성 또는 외생성 세그먼트는 이식유전자, 발현 카세트, 선별 표식들이 인코등된 폴리뉴클레오티드, 또는 게놈 DNA의 이종성 또는 외생성 영역을 포함할 수 있다. 용어 "좌"는 본 명세서에서 상기 게놈 DNA 안에 DNA의 세그먼트로써 정의된다. 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 유전적 변형은 관심대상의 좌로부터 하나 또는 그 이상의 결손, 관심대상의 좌에 추가, 관심대상의 좌의 대체, 및/또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 상기 관심대상의 좌는 코딩 영역 또는 넌-코딩 조절 영역을 포함한다. 상기 관심 대상의 게놈 좌는 예를 들면, 인지 부위, 선별 표지, 이미 통합된 삽입 핵산, 뉴클레아제 물질들이 인코딩된 폴리뉴클레오티드, 프로모터, 등등이 포함된 표적화된 통합 시스템의 임의의 성분을 더 포함할 수 있다. 대안으로, 상기 관심 대상의 게놈 좌는 상기 세포 안에 염색체외 DNA, 이를 테면 효모 인공 염색체 (YAC), 세균성 인공 염색체 (BAC), 인간 인공 염색체, 또는 적절한 숙주 세포 안에 포함된 임의의 기타 조작된 게놈 영역에 위치될 수 있다. 다양한 구체예들에서, 상기 표적화된 좌는 원핵, 진핵, 렛이 아닌 진핵, 효모, 세균, 비-인간 포유류, 비-인간 세포, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 인간, 렛 마우스, 헴스터, 토끼, 돼지, 소, 사슴, 양, 염소, 닭, 고양이, 개, 흰족제비, 영장류 (가령, 마모셋, 붉은털원숭이), 길들여진 포유류 또는 농사용 포유류 또는 임의의 관심대상의 다른 유기체 또는 이의 조합으로부터 고유의, 이종성 또는 외생성 핵산 서열을 포함할 수 있다. 일부 구체예들에서, 상기 관심 대상의 게놈 좌는 인간, 마우스, 또는 이의 조합의 핵산 서열을 포함한다.특정 구체예들에서, 상기 표적 좌는 예를 들면, 진핵 세포, 렛이 아닌 진핵 세포, 포유류 세포, 인간 세포, 비-인간 포유류 세포, 다능성 세포, 비-다능성 세포, 비-인간 다능성 세포, 인간 다능성 세포, 인간 ES 세포, 인간 성인 줄기 세포, 발생학적으로-제한된 인간 선조 세포, 인간 iPS 세포, 인간 세포, 설치류 세포, 렛이 아닌 설치류 세포, 렛 세포, 마우스 세포, 헴스터 세포, 섬유아세포, 또는 CHO 세포에 있다.특정 구체예들에서, 상기 관심 대상의 게놈 좌는 "렛 핵산"의 표적 좌를 포함한다. 이러한 영역은 세포의 게놈 안에 통합된 렛의 핵산을 포함한다. 상기 표적 좌의 비-제한적 예로는 B 세포에서 발현된 단백질을 인코드하는 게놈 좌, 미성숙 B 세포에서 폴리펩티드를 발현시키는 게놈 좌, 성숙한 B 세포에서 폴리펩티드를 발현시키는 게놈 좌, 면역글로블린 (Ig) 좌들, 또는 예를 들면, T 세포 수용체 알파 좌가 포함된 T 세포 수용체 좌들을 포함한다. 표적 게놈 좌의 추가 예로는 Fcer1a 좌, Tlr4 좌, Prlr 좌, Notch4 좌, Accn2 좌, Adamts5 좌, Trpa1 좌, Folh1 좌, Lrp5 좌, 예를 들면, IL2 수용체 감마 (Il2rg) 좌가 포함된 IL2 수용체 좌, ApoE 좌, Rag1 좌, Rag2 좌, Rag1/Rag2 좌, 그리고 Erbb4 좌를 포함한다. 임의의 이러한 표적 좌는 렛에 있거나 또는 진핵 세포, 렛이 아닌 진핵 세포, 포유류 세포, 인간 세포, 또는 비-인간 포유류 세포에 있을 수 있다. 한 구체예에서, 상기 표적 좌는 포유류 면역글로블린 중쇄 가변 영역 아미노산 서열을 인코드한다. 한 구체예에서, 상기 표적 좌는 렛 면역글로블린 중쇄 가변 영역 아미노산 서열을 인코드한다. 한 구체예에서, 상기 표적 좌는 면역글로블린 중쇄 불변 영역 핵산 서열에 작동가능하도록 연계된 재배열안된 렛 마우스, 또는 인간 면역글로블린 중쇄 가변 영역 핵산 서열이 포함된 게놈 DNA 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 면역글로블린 중쇄 불변 영역 핵산 서열은 CH1, 힌지, CH2, CH3, 및 이의 조합으로부터 선택된 렛 마우스, 또는 인간 면역글로블린 중쇄 불변 영역 핵산 서열이다. 한 구체예에서, 상기 중쇄 불변 영역 핵산 서열은 CH1-힌지-CH2-CH3을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 표적 좌는 면역글로블린 중쇄 불변 영역 핵산 서열에 작동가능하도록 연계된 재배열된 렛 마우스, 또는 인간 면역글로블린 중쇄 가변 영역 핵산 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 면역글로블린 중쇄 불변 영역 핵산 서열은 CH1, 힌지, CH2, CH3, 및 이의 조합으로부터 선택된 렛 마우스, 또는 인간 면역글로블린 중쇄 불변 영역 핵산 서열이다. 한 구체예에서, 상기 중쇄 불변 영역 핵산 서열은 CH1-힌지-CH2-CH3을 포함한다.한 구체예에서, 상기 표적 좌는 포유류 면역글로블린 경쇄 가변 영역 아미노산 서열이 인코드된 게놈 DNA 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 DNA 서열은 재배열안된 포유류 λ 및/또는 κ 경쇄 가변 영역 핵산 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 DNA 서열은 재배열된 포유류 λ 및/또는 κ 경쇄 가변 영역 핵산 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 재배열안된 λ 또는 κ 경쇄 가변 영역 핵산 서열은 λ 경쇄 불변 영역 핵산 서열 및 κ 경쇄 불변 영역 핵산 서열에서 선택된 포유류 면역글로블린 경쇄 불변 영역 핵산 서열에 작동가능하도록 연계된다. 한 구체예에서, 상기 포유류 면역글로블린 경쇄 불변 영역 핵산 서열은 렛 면역글로블린 경쇄 불변 영역 핵산 서열이다. 한 구체예에서, 상기 포유류 면역글로블린 경쇄 불변 영역 핵산 서열은 마우스 면역글로블린 경쇄 불변 영역 핵산 서열이다. 한 구체예에서, 상기 포유류 면역글로블린 경쇄 불변 영역 핵산 서열은 인간 면역글로블린 경쇄 불변 영역 핵산 서열이다. 본 명세서에서 이용된 바와 같이, ApoE 좌, 인터루킨-2 수용체 감마 (Il2rg) 좌, Rag2 좌, Rag1 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌는 상기 게놈 (가령, 포유류 게놈, 인간 게놈 또는 비-인간 포유류 게놈)의 해당 영역을 포함하는데, 여기에 이들 유전자 또는 유전자 조합이 위치된다. ApoE 좌, 인터루킨-2 수용체 감마 (Il2rg) 좌, Rag2 좌, Rag1 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌 (가령, 포유류, 인간, 또는 비-인간 포유류 ApoE 좌, 인터루킨-2 수용체 감마 좌, Rag2 좌, Rag1 좌 및/또는 복합된 Rag2/Rag1 좌)중 임의의 하나의 변형은 주어진 좌에 임의의 원하는 변경을 포함할 수 있다. 주어진 좌에 변형(가령, 포유류, 인간, 또는 비-인간 포유류 좌)의 비-제한적인 예는 본 명세서에서 추가 논의된다. 예를 들면, 특정 구쳉예들에서, 하나 또는 그 이상의 ApoE 좌, 인터루킨-2 수용체 감마 (Il2rg) 좌, Rag2 좌, Rag1 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌 (가령, 포유류, 인간, 또는 비-인간 포유류 ApoE 좌, 포유류, 인간, 또는 비-인간 포유류 인터루킨-2 수용체 감마 좌, 포유류, 인간, 또는 비-인간 포유류 Rag2 좌, 및/또는 Rag2/Rag1 좌)는 인코드된 ApoE 단백질 또는 인터루킨-2 수용체 감마 단백질 또는 Rag1 단백질 또는 Rag2 단백질 또는 Rag1과 Rag2 단백질의 조합의 활성 및/또는 수준이 감소되도록 변형된다. 다른 구체예들에서, ApoE 단백질, 인터루킨-2 수용체 감마 단백질, Rag1 단백질, 또는 Rag2 단백질, 또는 Rag1과 Rag2 단백질의 조합의 활성은 없다."감소된"이란 관심대상의 좌에서 인코드된 유전자/단백질의 수준 또는 활성의 임의의 감소를 의미한다. 예를 들면,활성의 감소는 (1) 주어진 단백질 (가령, ApoE, 인터루킨-2 수용체 감마, Rag2, Rag2 또는 Rag1과 Rag2의 조합)의 전체 수준 또는 활성의 통계학적으로 유의적인 감소를 포함하는데, 예를 들면, 적절한 대조와 비교하였을 때, 0.5%, 1%, 5%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 60%, 70%, 80%, 90%, 100%, 120% 또는 그 이상으로 감소된 수준 또는 활성을 포함할 수 있다. ApoE, 인터루킨-2 수용체 감마, Rag1과 Rag2중 임의의 것의 농도 및/또는 활성의 감소에 대한 분석 방법은 당분야에 공지되어 있다. 다른 구체예들에서, 하나 또는 그 이상의 상기 포유류, 인간, 또는 비-인간 포유류 ApoE 좌, 포유류, 인간, 또는 비-인간 포유류 인터루킨-2 수용체 감마 좌, 포유류, 인간, 또는 비-인간 포유류 Rag2 좌, 포유류, 인간, 또는 비-인간 포유류 Rag1 좌 및/또는 포유류, 인간, 또는 비-인간 포유류 Rag2/Rag1 좌는 인코드된 ApoE 폴리펩티드, 인터루킨-2 수용체 감마 폴리펩티드, Rag2 폴리펩티드, Rag1 폴리펩티드, 또는 Rag1과 Rag2 폴리펩티드 둘 모두의 활성 및/또는 수준이 감소되는 변형을 포함한다. "증가된"이란 관심대상의 좌에서 인코드된 유전자/폴리펩티드의 수준 또는 활성의 임의의 증가를 의미한다. 예를 들면,활성의 증가는 (1) 주어진 단백질 (가령, ApoE, 인터루킨-2 수용체 감마, Rag1, Rag2 또는 Rag1와 Rag2)의 전체 수준 또는 활성의 통계학적으로 유의적인 감소를 포함하는데, 예를 들면, 적절한 대조와 비교하였을 때, 0.5%, 1%, 5%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 60%, 70%, 80%, 90%, 100%, 120% 또는 그 이상으로 증가된 수준 또는 활성을 포함할 수 있다. ApoE, Rag1, Rag2 및 인터루킨-2 수용체 감마 단백질중 임의의 것의 농도 및/또는 활성의 감소에 대한 분석 방법은 당분야에 공지되어 있다. 포유류, 인간, 또는 비-인간 포유류 ApoE 좌, 포유류, 인간, 또는 비-인간 포유류 인터루킨-2 수용체 감마 좌, 포유류, 인간, 또는 비-인간 포유류 Rag2 좌, 포유류, 인간, 또는 비-인간 포유류 Rag1 좌 및/또는 포유류, 인간, 또는 비-인간 포유류 Rag2/Rag1 좌에 대한 유전적 변형은 상기 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손, 상기 게놈 좌에서 외생성 핵산의 삽입, 또는 이의 조합을 포함할 수 있다. 상기 결손 및/또는 삽입은 본 명세서의 도처에서 논의된 바와 같이, 주어진 좌 안에 임의의 장소에서 일어날 수 있다. 본 명세서에서 제공되는 추가 구체예들은 ApoE 좌, 인터루킨-2 수용체 감마 (Il2rg) 좌, Rag2 좌, Rag1 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌의 일부분을 또다른 유기체의 ApoE 좌, 인터루킨-2 수용체 감마 좌, Rag2 좌, Rag1 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌의 대응하는 상동성 또는 이종상동성 부분으로 대체를 통하여 상기 포유류, 인간, 또는 비-인간 포유류 ApoE 좌, 인터루킨-2 수용체 감마 좌, Rag2 좌, Rag1 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌의 하나 또는 그 이상의 변형을 포함한다. 여전히 다른 구체예들에서, 상기 포유류, 인간, 또는 비-인간 포유류 ApoE 좌, 인터루킨-2 수용체 감마 좌, Rag2 좌, Rag1 좌, 및/또는 Rag2/Rag1 좌의 하나 또는 그 이상의 변형은 ApoE 좌, 인터루킨-2 수용체 감마 (Il2rg) 좌, Rag2 좌, Rag1 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌의 일부를 ApoE 좌, 인터루킨-2 수용체 감마 좌, Rag2 좌, Rag1 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌의 일부분에 대하여 이의 전체 길이를 통하여 대체되는 최소한 80%, 85%, 90%, 91%, 92%, 93%, 94%, 95%, 96%, 97%, 98%, 99%를 공유하는 삽입 폴리뉴클레오티드로 대체를 통하여 실행된다. 주어진 삽입 폴리뉴클레오티드 및/또는 결손되는 좌의 대응하는 영역은 코딩 영역, 인트론, 엑손, 비해독 영역, 조절 영역, 프로모터, 또는 인헨서 또는 이의 임의의 조합 또는 이의 임의의 부분일 수 있다. 더욱이, 주어진 삽입 폴리뉴클레오티드 및/또는 예를 들면, 좌의 결손되는 영역은 임의의 원하는 길이가 될 수 있는데 예를 들면, 10-100 뉴클레오티드 길이, 100-500 뉴클레오티드 길이, 500-1 kb 뉴클레오티드 길이, 1 Kb 내지 1.5 kb 뉴클레오티드 길이, 1.5 kb 내지 2 kb 뉴클레오티드 길이, 2 kb 내지 2.5 kb 뉴클레오티드 길이, 2.5 kb 내지 3 kb 뉴클레오티드 길이, 3 kb 내지 5 kb 뉴클레오티드 길이, 5 kb 내지 8 kb 뉴클레오티드 길이, 8 kb 내지 10 kb 뉴클레오티드 길이 또는 그 이상을 포함한다. 다른 경우들에 있어서, 삽입 또는 대체 크기는 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 250 kb, 약 250 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 350 kb, 약 350 kb 내지 약 400 kb, 약 400 kb 내지 약 800 kb, 약 800 kb 내지 1 Mb, 약 300 kb 내지 약 400 kb, 약 400 kb 내지 약 500 kb, 약 500 kb 내지 1 Mb, 약 1 Mb 내지 약 1.5 Mb, 약 1.5 Mb 내지 약 2 Mb, 약 2 Mb 내지 약 2.5 Mb, 약 2.5 Mb 내지 약 2.8 Mb, 약 2.8 Mb 내지 약 3 Mb이다. 다른 구체예들에서, 주어진 삽입 폴리뉴클레오티드 및/또는 좌의 결손되는 영역은 최소한 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 또는 900개 뉴클레오티드 또는 최소한 1 kb, 2 kb, 3 kb, 4 kb, 5 kb, 6 kb, 7 kb, 8 kb, 9 kb, 10 kb, 11 kb, 12 kb, 13 kb, 14 kb, 15 kb, 16 kb 또는 그 이상이다. 다른 구체예들에서, 주어진 삽입 폴리뉴클레오티드 및/또는 좌의 결손되는 영역은 최소한 10 kb, 최소한 20 kb, 최소한 30 kb, 최소한 40 kb, 최소한 50 kb, 최소한 60 kb, 최소한 70 kb, 최소한 80 kb, 최소한 90 kb, 최소한 100 kb, 최소한 150 kb, 최소한 200 kb, 최소한 250 kb, 또는 최소한 300 kb 또는 그 이상이다.주어진 삽입 폴리뉴클레오티드는 예를 들면, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 렛 마우스, 헴스터, 포유류, 비-인간 포유류, 진핵생물, 렛이 아닌 진핵생물, 인간, 농사용 동물 또는 길들여진 동물이 포함된 임의의 유기체로부터 유래될 수 있다. 본 명세서에서 더 상세하게 논의되는 바와 같이, 임의의 관심대상의 좌의 표적화된 변형, 예를 들면, ApoE 좌, 인터루킨-2 수용체 감마 (Il2rg) 좌, Rag2 좌, Rag1 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌에서 표적화된 변형을 생성시키는 다양한 방법들이 제공된다. 유전적으로 변형된 비-인간 동물, 유전적으로 변형된 비-인간 포유류, 유전적으로 변형된 렛이 아닌 진핵생물, 유전적으로 변형된 비-다능성 세포, 또는 유전적으로 변형된 다능성 세포 (가령, 다능성 세포, 비-인간 다능성 세포, 인간 다능성 세포, 인간 ES 세포, 인간 성인 줄기 세포, 발생학적으로-제한된 인간 선조 세포, 또는 인간 iPS 세포)가 더 제공되는데, 인터루킨-2 수용체 감마 좌, ApoE 좌, Rag2 좌, Rag1 좌, 및/또는 Rag2/Rag1 좌에서 결손, 삽입, 대체 및/또는 이의 임의의 조합을 포함한다. 이러한 유전적 변형 (상기 표적 좌의 활성 부재, 감소, 증가 또는 조절을 야기하는 것들을 포함)은 생식계열을 통하여 전달될 수 있다. 특정 구체예들에서, 상기 유전적 변형으로 원하는 표적 좌의 녹아웃을 야기한다. 이러한 비-인간 동물은 본 명세서 도처에서 논의되는 바와 같이, 예를 들면, 다양한 실험 시스템에 이용된다. 예를 들면, ApoE (아포리포단백질 E) 녹아웃은 플락 형성, 전사 변화 (전체 전사체 쇼트건 서열화 (RNA-Seq), 및 생체외 기능을 포함하나, 이에 국한되지 않은 내피 기능을 연구하는 동물 모델을 제공한다. ApoE는 중요한 운반 분자이며, 혈류를 통하여 지질, 이를 테면 콜레스테롤을 운반할 수 있다. ApoE는 예를 들면, 뇌로부터 β-아밀로이드를 청소하기 위하여 신경계에서 또한 기능을 할 수 있다. ApoE에서 변형은 예를 들면, 죽상경화증, 고지질혈증, 및 알츠하이머 질환이 포함된 다양한 상태와 연관되어 있다. ApoE 녹아웃 동물은 혈액으로부터 지단백질의 손상된 클리어링(clearing)을 나타내고, 죽상경화증이 발생된다. 따라서, ApoE 녹아웃 동물은 이를 테면, 예를 들면, 내종피 기능, 플락 형성, 전사 변화 (RNA-Seq), 고지질혈증, 죽상경화증 및 알츠하이머 질환 상태를 연구하고 및/또는 진행을 위한 모델을 제공한다. ApoE 활성을 측정하는 분석은 당분야에 공지되어 있다. 예를 들면, ApoE 활성의 감소는 면역분석, 이를 테면 ELISA 또는 면역블랏팅 기술에 의해 대상으로부터 획득한 혈액 시료 안에 ApoE 수준의 감소를 분석함으로써 측정될 수 있다. 더욱이, 렛의 큰 체구는 이들 모든 분석을 용이하게 하고, 데이터의 질을 개선시킨다. RAG1 (재조합-활성화 유전자 1) 및 RAG2 (재조합-활성화 유전자 2)는 VDJ 재조합 활성을 갖는 다중-소단위 복합체의 일부분이며, 림프구에서 면역글로블린과 T-세포 수용체 유전자의 재배열 및 재조합에 중요한 역할을 하는 효소들이다. RAG1 및 RAG2는 T 세포 수용체와 B 세포 수용체 (가령, 면역글로블린) 유전자의 세그먼트의 재조합 및 연결을 촉진시키기 위하여 이중 가닥으로 된 DNA 절단을 유도한다. RAG1 및/또는 RAG2의 녹아웃은 동물에서 B 세포와 T 세포가 상실되며, 이는 심각한 면역결핍을 초래한다. RAG1 및/또는 RAG2 녹아웃 동물은 예를 들면, 이종이식편 (가령, 렛에서 인간 세포 이종이식편), 암, 백신 개발, 자가면역 질환, 감염성 질환 및 이식편 대 숙주 질환 (GVHD)의 연구에 용도를 찾는다. RAG1 및/또는 RAG2 활성을 측정하기 위한 다양한 분석이 당분야에 공지되어 있고, 예를 들면, 대상에서 재조합 효과를 측정 또는 B 세포 및/또는 T 세포의 존재 또는 부재의 분석하는 것을 포함한다. IL-2 수용체 (IL-2R)는 특정 면역 세포의 표면 상에 발현되며, 사이토킨 인터루킨-2 (IL-2)에 결합한다. IL-2R는 알파 쇄 (IL-2Ra, CD25), 베타 쇄 (IL-2Rb, CD122) 및 감마 쇄 (IL2-Rg, CD132)를 포함하는, 최소한 3개의 별도의 하부단위(subunit) 쇄들을 포함하는 내장된(integral) 막 단백질이다. IL-2 수용체 감마 (IL2r-γ 또는 IL2Rg라고도 불림) 쇄는 예를 들면, IL-2, IL-4, IL-7, IL-9, IL-15 및 IL-21에 대한 수용체들이 포함된 다양한 사이토킨 수용체에 의해 공유되는 공통적인 감마 쇄다. IL-2Rg는 상기 세포의 세포외 표면 상에 있는 엑토도메인을 포함하는데, 리간드, 막통과 도메인, 및 세포내 도메인의 결합에 기여하며, 다양한 분자들과 상호작용하여 세포내 신호 전달 경로를 유도할 수 있다. Il2rg 유전자는 포유류의 X-염색체 상에서 발견되며, 인간의 감마 쇄 유전자에서 특정 돌연변이는 심각한 T-세포 결함에 의해 특징화되는 인간 X-연계된 심각한 복합된 면역결핍 (XSCID)을 야기할 수 있다. 추가적으로, 감마 쇄 엑토-도메인은 막통과 수용체로부터 탈락될 수 있으며, 가용성 감마 쇄 수용체로 방출될 수 있다. 상기 가용성 감마 쇄 수용체는 대상의 혈액에서 탐지될 수 있으며, 사이토킨 신호생성을 조절하는 기능을 할 수 있다. 일부 구체예들에서, 비-인간 IL-2Rg 쇄는 상기 인간 IL2-Rg 쇄로 대체되어, 유전적으로 변형된 동물은 완전한 인간 IL-2Rg 쇄를 발현시킨다. 다른 경우들에 있어서, 비-인간 IL-2Rg 쇄의 오직 엑토도메인만을 상기 인간 IL-2Rg 쇄의 엑토도메인으로 대체시키는 것이 유용할 수 있다. 이러한 경우, 비-인간에서 발현된 생성된 인간화된 IL-2Rg 쇄는 인간 엑토도메인을 포함하며, 이 분자의 나머지는 고유 고유체로부터 기인된 것이다. IL-2Rg의 전장(full-length)의 인간화는 이러한 변형된 좌를 가진 비-인간 포유류가 인간 IL-2Rg를 생산하기 때문에 유용하다. 이는 인간 IL-2Rg에 특이적인 항체를 가진 비-인간 포유류에서 인간 IL-2Rg를 탐지할 수 있도록 할 것이다. 상기 엑토-인간화(가령, 비-인간 포유류의 IL-2Rg 엑토-도메인이 인간 IL-2Rg엑토-도메인으로 대체됨)는 IL2-Rg에 대한 인간 리간드에 결합하는 IL-2Rg 폴리펩티드를 만들 것이며, 그러나, 세포질 도메인은 여전히 비-인간 포유류의 것이기 때문에, IL-2Rg의 엑토-인간화된 형태는 비-인간 포유류 신호생성 기전과 또한 상호작용하게 될 것이다.2. 표적 좌의 변형 A. 표적화 벡터 및 삽입 핵산 i. 삽입 핵산본 명세서에서 이용된 바와 같이, 상기 "삽입 핵산"은 상기 표적 좌에 통합시키고자 하는 DNA 세그먼트를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 관심대상의 하나 또는 그 이상의 폴리뉴클레오티드를 포함한다. 다른 구체예들에서, 상기 삽입 핵산은 하나 또는 그 이상의 발현 카세트를 포함할 수 있다. 주어진 발현 카세트는 관심 대상의 폴리뉴클레오티드, 선별 표지 및/또는 리포터 유전자가 인코딩된 폴리뉴클레오티드 그리고 발현을 유도하는 다양한 조절 성분들을 포함할 수 있다. 상기 삽입 핵산 안에 포함될 수 있는 관심 대상의 폴리뉴클레오티드, 선별 표지들, 그리고 리포터 유전자들의 비-제한적인 예들은 본원 명세서의 도처에서 논의된다. 특정 구체예들에서, 상기 삽입 핵산은 렛으로부터 게놈 DNA의 세그먼트, cDNA, 조절 영역, 또는 임의의 부분 또는 이의 조합을 포함할 수 있는 핵산을 포함할 수 있다. 다른 구체예들에서, 상기 삽입 핵산은 진핵생물, 렛이 아닌 진핵생물, 포유류, 인간, 비-인간 포유류, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 인간, 렛 마우스, 헴스터, 토끼, 돼지, 소, 사슴, 양, 염소, 닭, 고양이, 개, 흰족제비, 영장류 (가령, 마모셋, 붉은털원숭이), 길들여진 포유류, 또는 농사용 포유류 또는 관심대상의 임의의 다른 유기체로부터 핵산을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 추가 상세하게 보여주는 바와 같이, 다양한 방법 및 조성물에서 이용되는 삽입 핵산으로 상기 관심대상의 표적 좌의 "인간화(humanization)"를 초래할 수 있다.한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 내생성 유전자의 최소한 하나의 엑손의 녹인(knock-in) 대립유전자를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 전체 내생성 유전자의 녹-인 대립유전자(가령, "유전자-스왑(swap) 녹-인")를 포함한다.한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 예를 들면, 프로모터, 인헨서, 또는 전사 억제물질-결합 요소가 포함된, 조절 요소를 포함한다. 추가 구체예들에서, 상기 삽입 핵산은 조건부 대립인자를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 조건부 대립인자는 US 2011/0104799에서 설명된 바와 같이(이는 전문이 참고자료에 편입됨), 다중기능적 대립유전자이다. 특정 구체예들에서, 상기 조건부 대립인자는 다음을 포함한다: (a) 표적 유전자의 전사에 대하여 센스 방향으로(sense orientation) 방향으로 작동(actuating) 서열, 및 센스 또는 안티센스 방향으로 약물 선별 카세트; (b) 안티센스 방향(antisense orientation)의 관심대상의 뉴클레오티드 서열 (NSI) 및 조건적 역전 모듈 (COIN, 이는 엑손-분열성 인트론 및 역전 유전자트랩-유사 모듈을 이용한다; 예를 들면, US 2011/0104799 참고, 이는 전문이 참고자료에 편입됨); 그리고 (c) 조건부 대립인자를 형성하기 위하여 제 1 재조합효소에 노출시 재결합되고, (i) 작동 서열 및 DSC가 결여되고, 그리고 (ii) 센스 방향의 NSI 및 안티센스 방향의 COIN를 포함하는 재결합 단위. 상기 삽입 핵산은 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 250 kb, 약 250 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 350 kb, 또는 약 350 kb 내지 약 400 kb 범위다.한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 예를 들면, 약 1 kb 내지 약 200 kb, 약 2 kb 내지 약 20 kb, 또는 약 0.5 kb 내지 약 3 Mb 범위의 진핵 세포, 렛이 아닌 진핵 세포, 포유류 세포, 인간 세포 또는 비-인간 포유류 세포 게놈 DNA 서열의 결손을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 DNA 서열의 결손 정도는 5' 상동성 아암 및 3' 상동성 아암의 총 길이보다 더 크다. 한 구체예에서, 상기 게놈 DNA 서열의 결손 크기는 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 20 kb 내지 약 30 kb, 약 30 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 50 kb, 약 50 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 70 kb, 약 70 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 90 kb, 약 90 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 110 kb, 약 110 kb 내지 약 120 kb, 약 120 kb 내지 약 130 kb, 약 130 kb 내지 약 140 kb, 약 140 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 160 kb, 약 160 kb 내지 약 170 kb, 약 170 kb 내지 약 180 kb, 약 180 kb 내지 약 190 kb, 약 190 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 250 kb, 약 250 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 350 kb, 약 350 kb 내지 약 400 kb, 약 400 kb 내지 약 800 kb, 약 800 kb 내지 1 Mb, 약 1 Mb 내지 약 1.5 Mb, 약 1.5 Mb 내지 약 2 Mb, 약 2 Mb, 내지 약 2.5 Mb, 약 2.5 Mb 내지 약 2.8 Mb, 약 2.8 Mb 내지 약 3 Mb, 약 200 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 400 kb, 약 400 kb 내지 약 500 kb, 약 500 kb 내지 약 1 Mb, 약 1 Mb 내지 약 1.5 Mb, 약 1.5 Mb 내지 약 2 Mb, 약 2 Mb 내지 약 2.5 Mb, 또는 약 2.5 Mb 내지 약 3 Mb 범위가 된다.한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 인간 또는 비-인간 포유류 핵산 서열이 상동성 또는 이종상동성 인간 핵산 서열로 삽입 또는 대체를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 내생성 좌에서 DNA 서열이 대응하는 DNA 서열이 포함된 상동성 또는 이종상동성 인간 핵산 서열로 삽입 또는 대체를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 핵산 서열의 추가다. 한 구체예에서, 상기 추가된 뉴클레오티드 서열은 5 kb 내지 200 kb 범위다.한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 코딩 서열 안에 유전적 변형을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 코딩 서열의 결손 돌연변이를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 2개의 내생성 코딩 서열의 융합을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 인간 또는 비-인간 포유류 핵산 서열이 상동성 또는 이종상동성 인간 핵산 서열로 삽입 또는 대체를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 내생성 렛 좌에서 렛 DNA 서열이 대응하는 렛 DNA 서열이 포함된 상동성 또는 이종상동성 인간 핵산 서열로 삽입 또는 대체를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 비-단백질-코딩 서열의 결손을 포함하지만, 그러나 단백질-코딩 서열의 결손은 포함하지 않는다. 한 구체예에서, 비-단백질-코딩 서열의 결손은 조절 요소의 결손을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 프로모터의 결손을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 프로모터 또는 조절 요소의 추가를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 프로모터 또는 조절 요소의 대체를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 표적화 벡터의 핵산 서열은 상기 게놈 안에 통합될 때 포유류, 인간, 또는 비-인간 포유류 ApoE 좌의 영역의 유전적 변형을 만들게 되는 폴리뉴클레오티드를 포함할 수 있는데, 이때 ApoE 좌에서 상기 유전적 변형으로 인하여 ApoE 활성의 감소, ApoE 활성의 증가, 또는 ApoE 활성의 조절이 야기된다. 한 구체예에서, ApoE 녹아웃 ("무효(null) 대립유전자)이 생성된다.한 구체예에서, 상기 표적화 벡터의 핵산 서열은 상기 게놈 안에 통합될 때포유류, 인간 세포, 또는 비-인간 포유류 인터루킨-2 수용체 좌의 영역의 유전적 변형을 만들게 되는 폴리뉴클레오티드를 포함할 수 있는데, 이때 인터루킨-2 수용체 좌에서 유전적 변형은 인터루킨-2 수용체 활성을 감소시킨다. 한 구체예에서, 인터루킨-2 수용체 녹아웃 ("무효 대립유전자")이 생성된다. 추가 구체예들에서, 상기 삽입 핵산은 상기 포유류, 인간 세포, 또는 비-인간 포유류 ApoE 좌, 인터루킨-2 수용체 감마 좌 및/또는 Rag2 좌, 및/또는 Rag1 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌의 일부를 또다른 유기체의 ApoE 좌, 인터루킨-2 수용체 감마 좌, Rag2 좌, Rag1 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌의 대응하는 상동성 또는 이종상동성 부분으로 대체시킨다. 여전히 다른 구체예들에서, 상기 삽입 핵산은 대체되는 ApoE 좌, 인터루킨-2 수용체 감마 좌, Rag2 좌, Rag1 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌의 일부분에 대하여 이의 전체 길이를 통하여 대체되는 최소한 80%, 85%, 90%, 91%, 92%, 93%, 94%, 95%, 96%, 97%, 98%, 99%를 공유하는 폴리뉴클레오티드를 포함한다. 주어진 삽입 폴리뉴클레오티드와 대체되는 상기 포유류, 인간 세포, 또는 비-인간 포유류 좌의 대응하는 영역은 코딩 영역, 인트론, 엑손, 비해독 영역, 조절 영역, 프로모터, 또는 인헨서 또는 이의 임의의 조합일 수 있다. 더욱이, 주어진 삽입 폴리뉴클레오티드 및/또는 결손되는 상기 포유류, 인간 세포, 또는 비-인간 포유류 좌의 영역은 임의의 원하는 길이, 예를 들면, 10-100개 뉴클레오티드 길이, 100-500개 뉴클레오티드 길이, 500-1 kb 뉴클레오티드 길이, 1 Kb to 1.5 kb 뉴클레오티드 길이, 1.5 kb 내지 2 kb 뉴클레오티드 길이, 2 kb 내지 2.5 kb 뉴클레오티드 길이, 2.5 kb 내지 3 kb 뉴클레오티드 길이, 3 kb 내지 5 kb 뉴클레오티드 길이, 5 kb 내지 8 kb 뉴클레오티드 길이, 8 kb 내지 10 kb 뉴클레오티드 길이 또는 그 이상이 포함된, 길이일 수 있다. 다른 경우들에 있어서, 상기 삽입 또는 대체 크기는 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 250 kb, 약 250 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 350 kb, 약 350 kb 내지 약 400 kb, 약 400 kb 내지 약 800 kb, 약 800 kb 내지 1 Mb, 약 1 Mb 내지 약 1.5 Mb, 약 1.5 Mb 내지 약 2 Mb, 약 2 Mb, 내지 약 2.5 Mb, 약 2.5 Mb 내지 약 2.8 Mb, 약 2.8 Mb 내지 약 3 Mb이다. 다른 구체예들에서, 주어진 삽입 폴리뉴클레오티드 및/또는 결손되는 상기 포유류, 인간 세포, 또는 비-인간 포유류 좌의 영역은 최소한 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 또는 900 뉴클레오티드 또는 최소한 1 kb, 2 kb, 3 kb, 4 kb, 5 kb, 6 kb, 7 kb, 8 kb, 9 kb, 10 kb, 11 kb, 12 kb, 13 kb, 14 kb, 15 kb, 16 kb 또는 그 이상이다. 한 구체예에서, 상기 프로모터는 구성적으로 활성 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 프로모터는 유도성 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 유도성 프로모터는 화학적으로-조절된 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 화학적으로-조절된 프로모터는 알코올-조절된 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 알코올-조절된 프로모터는 알코올 탈수소효소 (alcA) 유전자 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 화학적으로-조절된 프로모터는 테트라사이클린-조절된 프로모터다. 한 구체예에서, 테트라사이클린-조절된 프로모터는 테트라사이클린-반응성 프로모터다. 한 구체예에서, 테트라사이클린-조절된 프로모터는 테트라사이클린 작동유전자 서열 (tetO)이다. 한 구체예에서, 테트라사이클린-조절된 프로모터는 tet-On 프로모터다. 한 구체예에서, 테트라사이클린-조절된 프로모터 tet-Off 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 화학적으로-조절된 프로모터는 스테로이드 조절된 프로모터다. 한 구체예에서, 스테로이드 조절된 프로모터는 렛의 글루코코르티코이드 수용체의 프로모터다. 한 구체예에서, 스테로이드 조절된 프로모터는 에스트로겐 수용체의 프로모터다. 한 구체예에서, 스테로이드-조절된 프로모터는 엑디손(ecdysone) 수용체의 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 화학적으로-조절된 프로모터는 금속-조절된 프로모터다. 한 구체예에서, 금속-조절된 프로모터는 메탈로단백질 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 유도성 프로모터는 물리적으로-조절된 프로모터다. 한 구체예에서, 물리적으로-조절된 프로모터는 온도-조절된 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 온도-조절된 프로모터는 열쇼크 프로모터다. 한 구체예에서, 물리적으로-조절된 프로모터는 빛-조절된 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 빛-조절된 프로모터는 빛-유도성 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 빛-조절된 프로모터는 빛-억제성 프로모터다.한 구체예에서, 상기 프로모터는 조직-특이적 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 프로모터는 뉴런-특이적 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 프로모터는 신경교-특이적 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 프로모터는 근육 세포-특이적 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 프로모터는 심장 세포-특이적 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 프로모터는 신장 세포-특이적 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 프로모터는 골 세포-특이적 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 프로모터는 내피 세포-특이적 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 프로모터는 면역 세포-특이적 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 면역 세포 프로모터는 B 세포 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 면역 세포 프로모터는 T 세포 프로모터다.한 구체예에서, 상기 프로모터는 발생학적으로-조절된 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 발생학적으로-조절된 프로모터는 배아 발생 단계 동안에만 활성이 있다. 한 구체예에서, 상기 발생학적으로-조절된 프로모터는 성인 세포에서만 활성이 있다. 특정 구체예들에서, 상기 프로모터는 상기 세포 유형에 근거하여 선택될 수 있다. 따라서, 상기 다양한 프로모터는 진핵 세포, 렛이 아닌 진핵 세포, 포유류 세포, 비-인간 포유류 세포, 다능성 세포, 비-다능성 세포, 비-인간 다능성 세포, 인간 다능성 세포, 인간 ES 세포, 인간 성인 줄기 세포, 발생학적으로-제한된 인간 선조 세포, 인간 iPS 세포, 인간 세포, 설치류 세포, 렛이 아닌 설치류 세포, 렛 세포, 마우스 세포, 헴스터 세포, 섬유아세포 또는 CHO 세포에서 용도를 가진다.일부 구체예들에서, 상기 삽입 핵산은 부위-특이적 재조합 표적 서열의 측면에 있는 핵산을 포함한다. 전체 삽입 핵산은 이러한 부위-특이적 재조합 표적 서열의 측면에 있을 수 있지만, 상기 삽입 핵산 안에 임의의 영역 또는 개별 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 이러한 부위들의 측면에 또한 있을 수 있음이 인지된다. 상기 부위-특이적 재조합효소는 재조합효소 폴리펩티드를 상기 세포 안으로 도입시키거나 또는 부위-특이적 재조합효소가 인코드된 폴리뉴클레오티드를 숙주 세포 안으로 도입시키는 것이 포함된, 임의의 수단에 의해 상기 세포 안으로 도입될 수 있다. 상기 부위-특이적 재조합효소가 인코드된 폴리뉴클레오티드는 상기 삽입 핵산 또는 별도의 폴리뉴클레오티드 안에 위치될 수 있다. 상기 부위-특이적 재조합효소는 상기 세포 안에 활성인 프로모터, 예를 들면, 유도성 프로모터, 상기 세포에 대해 내생성인 프로모터, 상기 세포에 대해 이종성인 프로모터, 세포-특이적 프로모터, 조직-특이적 프로모터, 또는 발생 단계-특이적 프로모터에 작동가능하도록 연계될 수 있다. 상기 삽입 핵산의 측면에 있을 수 있거나 또는 상기 삽입 핵산 안에 임의의 관심 대상의 폴리뉴클레오티드의 측면에 있을 수 있는 부위-특이적 재조합 표적 서열은 loxP, lox511, lox2272, lox66, lox71, loxM2, lox5171, FRT, FRT11, FRT71, attp, att, FRT, rox, 및 이의 조합을 포함하나, 이에 국한되지 않는다.일부 구체예들에서, 상기 부위-특이적 재조합 부위들은 상기 삽입 핵산 안에 포함된 선별 표지 및/또는 리포터 유전자를 인코드하는 폴리뉴클레오티드 측면에 있다. 이러한 경우, 상기 표적화된 좌에 상기 삽입 핵산을 통합시킨 후, 상기 부위-특이적 재조합 부위들 사이의 서열은 제거될 수 있다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 선별 표지가 인코드된 폴리뉴클레오티드를 포함한다. 상기 선별 표지는 선별 카세트 안에 포함될 수 있다. 이러한 선별 표지들은 네오마이신 포스포트란스퍼라제 (neor), 히그로마이신 B 포스포트란스퍼라제 (hygr), 퓨로마이신-N-아세틸트란스퍼라제 (puror), 블라시티딘 S 데아미나제 (bsrr), 산틴/구아닌 포스포리보실 트란스퍼라제 (gpt), 또는 헤르페스 단순 바이러스 티미딘 키나제 (HSV-k), 또는 이의 조합을 포함하나, 이에 국한되지 않는다. 한 구체예에서, 상기 선별 표지가 인코드된 폴리뉴클레오티드는 상기 세포, 렛 세포, 다능성 렛 세포, ES 렛 세포, 진핵 세포, 렛이 아닌 진핵 세포, 다능성 세포, 비-다능성 세포, 비-인간 다능성 세포, 인간 다능성 세포, 인간 ES 세포, 인간 성인 줄기 세포, 발생학적으로-제한된 인간 선조 세포, 인간 iPS 세포, 포유류 세포, 비-인간 포유류 세포, 인간 세포, 설치류 세포, 렛이 아닌 설치류 세포, 마우스 세포, 헴스터 세포, 섬유아세포, 또는 CHO 세포 안에서 활성인 프로모터에 작동가능하도록 연계된다. 관심 대상의 폴리뉴클레오티드를 표적화된 좌 안으로 연속적으로 갈이할 때(tilling), 상기 선별 표지는 상기에서 나타낸 바와 같이, 뉴클레아제 물질에 대한 인지 부위를 포함할 수 있다. 한 구체예에서, 상기 선별 표지가 인코드된 폴리뉴클레오티드는 부위-특이적 재조합 표적 서열의 측면에 있다. 상기 삽입 핵산은 프로모터에 작동가능하도록 연계된 리포터 유전자를 더 포함할 수 있는데, 이때 상기 리포터 유전자는 LacZ, mPlum, mCherry, tdTomato, mStrawberry, J-Red, DsRed, mOrange, mKO, mCitrine, Venus, YPet, 강화된 황색 형광 단백질 (eYFP), Emerald, 강화된 녹색 형광 단백질 (EGFP), CyPet, 시안 형광 단백질 (CFP), Cerulean, T-Sapphire, 루시퍼라제, 알칼리 포스파타제, 및/또는 이의 조합로 구성된 또는 포함하는 집단에서 선택된 리포터 단백질을 인코드한다. 이러한 리포터 유전자는 상기 세포에서 활성인 프로모터에 작동가능하도록 연계된다. 이러한 프로모터들은 유도성 프로모터, 리포터 유전자 또는 상기 세포에 대해 내생성인 프로모터, 리포터 유전자 또는 상기 세포에 이종성인 프로모터, 세포-특이적 프로모터, 조직-특이적 프로모터, 또는 발생 단계-특이적 프로모터일 수 있다.한 구체예에서, 핵산 삽입은 신경계, 골격계, 소화계, 순환계, 근육계, 호흡계, 심혈관계, 림프계, 내분비계, 비뇨계, 생식계, 또는 이의 조합에서 발현되는 단백질이 인코드된 게놈 좌를 포함하는 포유류 핵산을 포함할 수 있다. 한 구체예에서, 상기 포유류 핵산은 골수 또는 골수-유도된 세포에서 발현되는 단백질이 인코드된 게놈 좌를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 핵산은 비장 세포에서 발현되는 단백질이 인코드된 게놈 좌를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 포유류 핵산은 신경계, 골격계, 소화계, 순환계, 근육계, 호흡계, 심혈관계, 림프계, 내분비계, 비뇨계, 생식계, 또는 이의 조합에서 발현되는 단백질이 인코드된 게놈 좌를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 포유류 핵산은 골수 또는 골수-유도된 세포에서 발현되는 단백질이 인코드된 게놈 좌를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 핵산은 비장 세포에서 발현되는 단백질이 인코드된 게놈 좌를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 좌는 마우스 게놈 DNA 서열, 렛 게놈 DNA 서열, 진핵 게놈 DNA 서열, 렛이 아닌 진핵 게놈 DNA 서열, 포유류 게놈 DNA 서열, 인간 게놈 DNA 서열, 또는 비-인간 DNA 서열 포유류, 또는 이의 조합을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 좌는 임의의 순서로, 렛과 인간 게놈 DNA 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 좌는 임의의 순서로, 마우스 및 인간 게놈 DNA 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 좌는 임의의 순서로, 마우스 및 렛 게놈 DNA 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 좌는 임의의 순서로, 렛 마우스, 및 인간 게놈 DNA 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 좌는 마우스 게놈 DNA 서열, 렛 게놈 DNA 서열, 헴스터 게놈 DNA 서열, 인간 게놈 DNA 서열, 진핵 게놈 DNA 서열, 렛이 아닌 진핵 게놈 DNA 서열, 포유류 게놈 DNA 서열, 또는 비-인간 DNA 서열 포유류, 또는 이의 조합을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 좌는 임의의 순서로, 렛과 인간 게놈 DNA 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 좌는 임의의 순서로, 마우스 및 인간 게놈 DNA 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 좌는 임의의 순서로, 마우스 및 렛 게놈 DNA 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 좌는 임의의 순서로, 렛 마우스, 및 인간 게놈 DNA 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 인간 유전자의 최소한 하나의 인간 질환 대립유전자를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 인간 질환은 신경학적 질환이다. 한 구체예에서, 상기 인간 질환은 심혈관 질환이다. 한 구체예에서, 상기 인간 질환은 신장 질환이다. 한 구체예에서, 상기 인간 질환은 근육 질환이다. 한 구체예에서, 상기 인간 질환은 혈액 질환이다. 한 구체예에서, 상기 인간 질환은 암이다. 한 구체예에서, 상기 인간 질환은 면역계 질환이다. 한 구체예에서, 상기 인간 질환 대립유전자는 우성 대립유전자다. 한 구체예에서, 상기 인간 질환 대립유전자는 열성 대립유전자다. 한 구체예에서, 상기 인간 질환 대립유전자는 단일 뉴클레오티드 다형 (SNP) 대립유전자를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 변경된 결합 특징, 변경된 국소화, 변경된 발현, 및/또는 변경된 발현 패턴을 가진 단백질의 돌연변이 형태를 만든다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 선별 카세트를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 선별 카세트는 선별 표지가 인코드된 핵산 서열을 포함하고, 이때 상기 핵산 서열은 렛 ES 세포 안에서 활성인 프로모터에 작동가능하도록 연계된다. 한 구체예에서, 상기 선별표지는 히그로마이신 저항성 유전자 또는 네오마이신 저항성 유전자로부터 선택되거나, 또는 이를 포함한다.한 구체예에서, 상기 핵산은 B 세포에서 발현되는 단백질이 인코드된 게놈 좌를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 핵산은 미성숙 B 세포에서 발현되는 단백질이 인코드된 게놈 좌를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 핵산은 성숙한 B 세포에서 발현되는 단백질이 인코드된 게놈 좌를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 조절 요소를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 조절 요소는 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 조절 요소는 인헨서다. 한 구체예에서, 상기 조절 요소는 전사 억제물질-결합 요소다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 비-단백질-코딩 서열의 결손을 포함하지만, 그러나 단백질-코딩 서열의 결손은 포함하지 않는다. 한 구체예에서, 비-단백질-코딩 서열의 결손은 조절 요소의 결손을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 조절 요소의 결손을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 프로모터 또는 조절 요소의 추가를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 프로모터 또는 조절 요소의 대체를 포함한다. ii. 발현 카세트 본 명세서에서 제공되는 표적화된 게놈 통합 시스템에 이용되는 다양한 성분들이 포함된 폴리뉴클레오티드 또는 핵산 분자들이 제공된다 (가령, 뉴클레아제 물질들, 인지 부위들, 삽입 핵산, 관심 대상의 폴리뉴클레오티드, 표적화 벡터, 선별 표지들, 및 기타 성분중 임의의 하나 또는 임의의 조합). 용어 "폴리뉴클레오티드", "폴리뉴클레오티드 서열", "핵산 서열", 및 "핵산 단편"은 본 명세서에서 호환사용된다. 이들 용어는 뉴클레오티드 서열 및 이와 유사한 것을 포괄한다. 폴리뉴클레오티드는 단일-또는 이중-가닥으로 된, RNA 또는 DNA의 중합체일 수 있으며, 이들은 임의선택적으로 합성, 비-천연 또는 변경된 뉴클레오티드 염기를 포함한다. DNA 중합체 형태의 폴리뉴클레오티드는 cDNA, 게놈 DNA, 합성 DNA의 하나 또는 그 이상의 세그먼트, 또는 이의 혼합물을 포함할 수 있다. 폴리뉴클레오티드는 데옥시리보뉴클레오티드 및 리보뉴클레오티드를 포함할 수 있는데, 이들은 모두 자연적으로 생성되는 분자 및 합성 유사체, 및 이들의 임의의 조합을 포함한다. 본 명세서에서 제공되는 폴리뉴클레오티드는 단일-가닥으로 된 형태, 이중-가닥으로 된 형태, 헤어핀, 스템-및-루프-구조, 그리고 이와 유사한 것들이 포함되나, 이에 국한되지 않는 모든 형태의 서열을 또한 포괄한다.상기 표적화된 게놈 통합 시스템의 다양한 성분들이 포함된 재조합 폴리뉴클레오티드를 더 제공한다. 용어 "재조합 폴리뉴클레오티드" 및 "재조합 DNA 구조체"는 본 명세서에서 호환이용된다. 재조합 구조체는 핵산 서열의 인공 또는 이종성 조합, 가령, 자연에서 함께 볼 수 없는 조절서열과 코딩 서열을 포함한다. 다른 구체예들에서, 재조합 구조체는 상이한 원천으로부터 유도된 조절 서열과 코딩 서열, 또는 동일한 원천으로부터 유도되었는지만, 자연상태에서 발현되는 것과는 상이한 방식으로 배열된 조절 서열과 코딩 서열을 포함할 수 있다. 이러한 구조체는 자체로 이용되거나, 벡터와 병용하여 이용될 수 있다. 벡터가 이용되는 경우, 벡터의 선택은 숙주 세포를 형질변환시키는데 이용되는, 당분야에 공지된 방법에 따라 달라진다. 예를 들면, 플라스미드 벡터가 이용될 수 있다. 단리된 핵산 단편들중 임의의 것이 포함된 숙주 세포를 성공적으로 형질변환시키고, 선별하고, 그리고 증식시키는데 요구되는 유전적 요소들이 또한 제공된다. 면역탁본법, 그중에서도 DNA의 Southern 분석, mRNA의 Northern 분석, 단백질 발현의 면역블랏팅(immunoblotting) 분석, 또는 표현형 분석에 의해 스크리닝이 실행될 수 있다.특정 구체예들에서, 본 명세서에서 설명된 상기 표적화된 게놈 통합 시스템의 하나 또는 그 이상의 성분들은 원핵 세포, 진핵 세포, 렛이 아닌 진핵 세포, 세균성, 효모 세포, 또는 포유류 세포 또는 관심대상의 다른 유기체 또는 세포 유형 안에서 발현을 위한 발현 카세트 안에 제공될 수 있다. 상기 카세트는 본 명세서에서 제공된 폴리뉴클레오티드에 작동가능하도록 연계된 5' 및 3' 조절 서열을 포함할 수 있다. "작동가능하도록 연계된"이란 의도된 방식으로 성분들이 기능을 하도록 연계된 상관관계를 포함한다. 예를 들면, 관심 대상의 폴리뉴클레오티드와 조절 서열 (가령, 프로모터) 사이에 작동가능한 연계는 관심 대상의 폴리뉴클레오티드의 발현을 허용하는 기능적 연계다. 작동가능하도록 연계된 요소들은 연속성 또는 비-연속성일 수 있다. 2개의 단백질 코딩 영역의 연결을 언급할 때 이용되면, 작동가능하도록 연계된이란 동일한 리딩 프레임안에 코딩 영역이 있다는 것을 의미한다. 또다른 경우에서, 단백질을 인코딩하는 핵산 서열은 적절한 전사 조절이 유지되도록, 조절 서열 (가령, 프로모터, 인헨서, 침묵 서열, 등등)에 작동가능하도록 연계될 수 있다. 한 예로써, 면역글로블린 가변 영역 (또는 V(D)J 세그먼트)의 핵산 서열은 서열 사이에서 면역글로블린 중쇄 서열 또는 경쇄 서열로의 적절한 재조합이 허용되도록 하기 위하여, 면역글로블린 불변 영역의 핵산 서열에 작동가능하도록 연계될 수 있다.상기 카세트는 유기체 안으로 공동-도입될 수 있는 최소한 하나의 추가적인 관심 대상의 폴리뉴클레오티드를 더 포함할 수 있다. 대안으로, 상기 추가적인 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 다중 발현 카세트 상에 제공될 수 있다. 이러한 발현 카세트는 상기 조절 영역의 전사 조절하에 재조합 폴리뉴클레오티드의 삽입을 위한 제한 부위들 및/또는 재조합 부위들이 다수 포함된다. 상기 발현 카세트는 추가적으로 선별 표지 유전자를 포함할 수 있다. 상기 발현 카세트는 포유류 세포 또는 관심 대상의 숙주 세포 안에서 기능을 하는 전사의 5'-3' 방향에서, 전사 및 해독 개시 영역 (가령, 프로모터), 본 명세서에서 제공되는 재조합 폴리뉴클레오티드, 그리고 전사 및 해독 종료 영역 (가령, 종료 영역)을 포함할 수 있다. 상기 조절 영역 (가령, 프로모터, 전사 조절 영역, 및 해독 종료 영역) 및/또는 본 명세서에서 제공되는 폴리뉴클레오티드는 숙주 세포에 대하여 또는 서로에 대하여 고유한 것이거나/유사한 것일 수 있다. 대안으로, 상기 조절 영역 및/또는 본 명세서에서 제공되는 폴리뉴클레오티드는 숙주 세포에 대하여 또는 서로에 대하여 이종성일 수 있다. 예를 들면, 이종성 폴리뉴클레오티드에 작동가능하도록 연계된 프로모터는 상기 폴리뉴클레오티드가 유도된 종과는 상이한 종으로부터 기인되거나, 또는 동일한/유사한 종으로부터 기인된 경우, 하나 또는 둘 모두 이들의 고유 형태 및/또는 게놈 좌로부터 실질적으로 변형되거나, 또는 상기 프로모터는 상기 작동가능하도록 연계된 폴리뉴클레오티드에 대한 고유 프로모터는 아니다. 대안으로, 상기 조절 영역 및/또는 재조합 본 명세서에서 제공되는 폴리뉴클레오티드는 전체적으로 합성일 수 있다.종료 영역은 전사 개시 영역과 함께 고유한 것일 수 있고, 상기 작동가능하도록 연계된 재조합 폴리뉴클레오티드와 함께 고유한 것일 수 있고, 상기 숙주 세포와 함께 고유한 것일 수 있고, 또는 상기 프로모터, 상기 재조합 폴리뉴클레오티드, 상기 숙주 세포, 또는 이의 임의의 조합에 대하여 또다른 원천(가령, 외래성, 또는 이종성)으로부터 유도될 수 있다. 상기 발현 카세트를 준비함에 있어서, 적절한 방향의 DNA 서열을 제공하기 위하여, 다양한 DNA 단편들이 조작될 수 있다. 이를 위하여, 어뎁터(adapters) 또는 링커가 상기 DNA 단편들을 연결시키는데 이용될 수 있거나, 또는 편리한 제한 부위들을 제공, 잉여 DNA의 제거, 제한 부위들, 또는 이와 유사한 것들을 위하여 다른 조작이 관련될 수 있다. 이를 위하여, 시험관 돌연변이생성, 프라이머 복구, 제한, 어닐링, 재치환, 가령, 천이(transitions) 및 전위(transversions)가 관련될 수 있다.본 명세서에서 제공되는 발현 카세트 안에 다수의 프로모터가 이용될 수 있다. 상기 프로모터는 원하는 결과에 근거하여 선택될 수 있다. 관심 대상의 폴리뉴클레오티드의 발현 시기, 위치 및/또는 수준을 조절하기 위하여 발현 카세트 안에 상이한 프로모터의 사용으로 상이한 적용이 강화될 수 있음이 인지된다. 이러한 발현 구조체들은 필요한 경우, 프로모터 조절 영역 (가령, 유도성, 구성적, 환경적으로-또는 발생학적으로-조절된, 또는 세포-또는 조직-특이적/선택성 발현을 부여하는 것), 전사 개시 시작 부위, 리보솜 결합 부위, RNA 프로세싱 신호, 전사 종료 부위, 및/또는 폴리아데닐화 신호를 또한 포함할 수 있다. 본 명세서에서 제공되는 폴리뉴클레오티드가 포함된 발현 카세트는 형질변환된 세포의 선별을 위한 선별 표지 유전자를 또한 포함할 수 있다. 선별가능한 표지 유전자는 형질변환된 세포 또는 조직의 선별에 이용된다. 적절한 경우, 상기 방법 및 조성물에 이용되는 서열 (가령, 관심 대상의 폴리뉴클레오티드, 뉴클레아제 물질, 등등)은 상기 세포 안에서 발현의 증가를 위하여 최적화될 수 있다. 즉, 상기 유전자는 개선된 발현을 위하여 관심대상의 주어진 세포에서 선호되는 코돈, 예를 들면, 포유류-선호되는 코돈, 인간-선호되는 코돈, 설치류-선호되는 코돈, 렛이 아닌-설치류-선호되는 코돈, 마우스-선호되는 코돈, 렛-선호되는 코돈, 헴스터-선호되는 코돈, 등등을 이용하여 합성될 수 있다. 본 명세서에서 제공되는 다양한 방법들과 조성물은 선별 표지들을 이용할 수 있다. 본 명세서에서 제공되는 다양한 방법들과 조성물에 다양한 선별 표지들이 이용될 수 있다. 이러한 선별 표지들은 예를 들면, 항생제, 이를 테면 G418, 히그로마이신, 블라시티딘, 네오마이신, 또는 퓨로마이신에 대하여 저항성을 부여한다. 이러한 선별 표지들은 네오마이신 포스포트란스퍼라제 (neor), 히그로마이신 B 포스포트란스퍼라제 (hygr), 퓨로마이신-N-아세틸트란스퍼라제 (puror), 및 블라시티딘 S 데아미나제 (bsrr)를 포함한다. 여전히 다른 구체예들에서, 상기 선별 표지은 유도성 프로모터에 작동가능하도록 연계되고, 상기 선별 표지의 발현은 상기 세포에 독성이 된다. 이러한 선별 표지들의 비-제한적인 예로는 산틴/구아닌 포스포리보실 트란스퍼라제 (gpt), 하이포산틴-구아닌 포스포리보실트란스퍼라제 (HGPRT) 또는 헤르페스 단순 바이러스 티미딘 키나제 (HSV-TK)를 포함한다. 상기 선별 표지들이 인코딩된 폴리뉴클레오티드는 상기 세포에서 활성인 프로모터에 작동가능하도록 연계된다. iii. 표적화 벡터표적화 벡터는 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 핵산의 표적 좌 안으로 삽입 핵산을 도입시키는데 이용된다. 상기 표적화 벡터는 상기 삽입 핵산을 포함하고, 상기 삽입 핵산을 측면에 둔 5' 및 3' 상동성 아암을 더 포함한다. 상기 삽입 핵산의 측면에 있는 상동성 아암은 렛, 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 핵산 진핵의 표적 좌 안에 영역에 상응한다. 참고의 용이성을 위하여, 상기 표적화된 게놈 좌 안에 대응하는 동족 게놈 영역은 본 명세서에서 "표적 부위들"로 지칭된다. 예를 들면, 표적화 벡터는 제 1 및 제 2 표적 부위에 상보적인 제 1 및 제 2 상동성 아암의 측면에 있는 제 1 삽입 핵산을 포함할 수 있다. 이와 같이, 상기 표적화 벡터는 상동성 아암과 상기 세포의 게놈 안에 있는 상보적인 표적 부위들 사이에서 발생되는 상동성 재조합 이벤트를 통하여 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 핵산의 표적 좌 안으로 삽입 핵산의 통합을 지원한다. 한 구체예에서, 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 핵산의 표적 좌는 5' 상동성 아암에 상보적인 제 1 핵산 서열과 3' 상동성 아암에 상보적인 제 2 핵산 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 제 1 및 제 2 핵산 서열은 최소한 5 kb 떨어져 있다. 또다른 구체예에서, 제 1 및 제 2 핵산 서열은 최소한 5 kb 그러나 200 kb 미만으로 떨어져 있다. 한 구체예에서, 제 1 및 제 2 핵산 서열은 최소한 10 kb 떨어져 있다. 한 구체예에서, 제 1 및 제 2 핵산 서열은 최소한 20 kb, 최소한 30 kb, 최소한 40 kb, 최소한 50 kb, 최소한 60 kb, 최소한 70 kb, 최소한 80 kb, 최소한 90 kb, 최소한 100 kb, 최소한 110 kb, 최소한 120 kb, 최소한 130 kb, 최소한 140 kb, 최소한 150 kb, 최소한 160 kb, 최소한 170 kb, 최소한 180 kb, 최소한 190 kb, 또는 최소한 200 kb에 의해 떨어져 있다. 여전히 추가 구체예들에서, 제 1 및 제 2 핵산 서열은 최소한 5 kb 그러나 10 kb 미만의, 최소한 5 kb 그러나 3 Mb 미만의, 최소한 10 kb 그러나 20 kb 미만의, 최소한 20 kb 그러나 40 kb 미만의, 최소한 40 kb 그러나 60 kb 미만의, 최소한 60 kb 그러나 80 kb 미만의, 최소한 약 80 kb 그러나 100 kb 미만의, 최소한 100 kb 그러나 150 kb 미만의, 또는 최소한 150 kb 그러나 200 kb 미만의, 최소한 약 200 kb 그러나 약 300 kb 미만의, 최소한 약 300 kb 그러나 약 400 kb 미만의, 최소한 약 400 kb 그러나 약 500 kb 미만의, 최소한 약 500 kb 그러나 약 1 Mb 미만의, 최소한 약 1.5 Mb 그러나 약 2 Mb 미만의, 최소한 약 1 Mb 그러나 약 1.5 Mb 미만의, 최소한 약 2 Mb 그러나 2.5 Mb 미만의, 최소한 약 2.5 Mb 그러나 3 Mb 미만의, 또는 최소한 약 2 Mb 그러나 약 3 Mb 미만으로 떨어져 있다. 상기 표적화 벡터의 상동성 아암은 대응하는 표적 부위와 함께 상동성 재조합 이벤트를 촉진시키는데 충분한 임의의 길이, 예를 들면, 최소한 5-10 kb, 5-15 kb, 10-20 kb, 20-30 kb, 30-40 kb, 40-50 kb, 50-60 kb, 60-70 kb, 70-80 kb, 80-90 kb, 90-100 kb, 100-110 kb, 110-120 kb, 120-130 kb, 130-140 kb, 140-150 kb, 150-160 kb, 160-170 kb, 170-180 kb, 180-190 kb, 190-200 kb의 길이 또는 그 이상일 수 있다. 하기에서 더 상세하게 제시되는 바와 같이, 큰 표적화 벡터는 더 큰 길이의 표적화 아암을 이용할 수 있다. 특이적 구체예에서, 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 최소한 10 kb이거나 또는 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총합은 최소한 약 16 kb 내지 약 100 kb 또는 약 30 kb 내지 약 100 kb이다. 다른 구체예들에서, LTVEC의 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합 크기는 약 10 kb 내지 약 150 kb, 약 10 kb 내지 약 100 kb, 약 10 kb 내지 약 75 kb, 약 20 kb 내지 약 150 kb, 약 20 kb 내지 약 100 kb, 약 20 kb 내지 약 75 kb, 약 30 kb 내지 약 150 kb, 약 30 kb 내지 약 100 kb, 약 30 kb 내지 약 75 kb, 약 40 kb 내지 약 150 kb, 약 40 kb 내지 약 100 kb, 약 40 kb 내지 약 75 kb, 약 50 kb 내지 약 150 kb, 약 50 kb 내지 약 100 kb, 또는 약 50 kb 내지 약 75 kb, 약 10 kb 내지 약 30 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 120 kb, 또는 약 120 kb 내지 약 150 kb이다. 한 구체예에서, 상기 결손의 크기는 LTVEC의 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합 크기와 동일하거나 또는 유사하다.한 구체예에서, 상기 관심 대상의 게놈 좌는 (i) 5' 상동성 아암에 상동성인 5' 표적 서열; 그리고 (ii) 3' 상동성 아암에 상동성인 3' 표적 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 5' 표적 서열과 3' 표적 서열은 최소한 5 kb 그러나 3 Mb 미만에 의해 분리된다. 여전히 추가 구체예들에서, 5' 표적 서열과 3' 표적 서열은 최소한 5 kb 그러나 10 kb 미만의, 최소한 5 kb 그러나 3 Mb 미만의, 최소한 10 kb 그러나 20 kb 미만의, 최소한 20 kb 그러나 40 kb 미만의, 최소한 40 kb 그러나 60 kb 미만의, 최소한 60 kb 그러나 80 kb 미만의, 최소한 약 80 kb 그러나 100 kb 미만의, 최소한 100 kb 그러나 150 kb 미만의, 또는 최소한 150 kb 그러나 200 kb 미만의, 최소한 약 200 kb 그러나 약 300 kb 미만의, 최소한 약 300 kb 그러나 약 400 kb 미만의, 최소한 약 400 kb 그러나 약 500 kb 미만의, 최소한 약 500 kb 그러나 약 1 Mb 미만의, 최소한 약 1.5 Mb 그러나 약 2 Mb 미만의, 최소한 약 1 Mb 그러나 약 1.5 Mb 미만의, 최소한 약 2 Mb 그러나 2.5 Mb 미만의, 최소한 약 2.5 Mb 그러나 약 3 Mb 미만의, 또는 최소한 약 2 Mb 그러나 약 3 Mb 미만에 의해 분리된다.뉴클레아제 물질들이 이용될 때, 표적화 벡터의 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암에 대응하는 동족 게놈 영역은 인지 부위에서 닉(nick) 또는 이중-가닥 파괴(break)시 동족 게놈 영역과 상동성 아암 사이에 상동성 재조합 이벤트의 발생을 촉진시키기 위하여 뉴클레아제 표적 부위에 "충분히 근접되도록" 위치한다. 예를 들면, 상기 뉴클레아제 표적 부위들은 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암에 대응하는 동족 게놈 영역 사이에 임의의 위치에 위치될 수 있다. 특정 구체예들에서, 인지 부위는 동족 게놈 영역중 최소한 하나 또는 모두에 바로 인접한다. 본 명세서에서 이용된 바와 같이, 상동성 아암과 표적 부위 (가령, 동족 게놈 영역)는 상동성 재조합 반응을 위한 기질로 작용하기 위하여 서로에 대해 충분한 수준의 서열 동일성을 공유할 때, 서로에 대해 "보체(complement) 또는 "상보적(complementary)"이다. "상동성(homology)"이란 대응하는 또는 "상보적" 서열과 동일하거나 또는 서열 동일성을 공유하는 DNA 서열을 의미한다. 주어진 표적 부위와 표적화 벡터 상에서 발견되는 대응하는 상동성 아암 사이의 서열 동일성은 상동성 재조합의 발생을 허용하는 임의 수준의 서열 동일성일 수 있다. 예를 들면, 상기 표적화 벡터 (또는 이의 단편)의 상동성 아암과 상기 표적 부위 (또는 이의 단편)에 의해 공유되는 서열 동일성 양은 최소한 50%, 55%, 60%, 65%, 70%, 75%, 80%, 81%, 82%, 83%, 84%, 85%, 86%, 87%, 88%, 89%, 90%, 91%, 92%, 93%, 94%, 95%, 96%, 97%, 98%, 99% 또는 100% 서열 동일성일 수 있고, 상기 서열은 상동성 재조합을 겪는다. 더욱이, 상동성 아암과 상보적 표적 부위 사이의 상동성의 상보적 영역은 쪼개진(cleaved) 인지 부위에서 상동성 재조합을 촉진시키는데 충분한 임의의 길이일 수 있다. 예를 들면, 상기 상동성 아암은 상기 세포의 에놈 안에 있는 대응하는 표적 부위들과 상동성 재조합을 겪는데 충분한 상동성을 가지도록 하기 위하여, 주어진 상동성 아암 및/또는 상보적 표적 부위는 최소한 5-10 kb, 5-15 kb, 10-20 kb, 20-30 kb, 30-40 kb, 40-50 kb, 50-60 kb, 60-70 kb, 70-80 kb, 80-90 kb, 90-100 kb, 100-110 kb, 110-120 kb, 120-130 kb, 130-140 kb, 140-150 kb, 150-160 kb, 160-170 kb, 170-180 kb, 180-190 kb, 190-200 kb, 200 kb 내지 300 kb의 길이 또는 그 이상이 되는 상동성의 상보적 영역을 포함할 수 있다 (이를 테면, 본 명세서의 도처에서 설명된 LTVEC 벡터에서 설명된). 참조의 용이성을 위하여, 상기 상동성 아암은 본 명세서에서 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암으로 지칭된다. 이 용어는 상기 표적화 벡터 안에서 삽입 핵산에 대한 상동성 아암의 상대적인 위치와 관련된다. 따라서, 표적화 벡터의 상동성 아암은 상기 표적화된 좌를 가진 표적 부위에 상보적이 되도록 기획된다. 따라서, 상기 상동성 아암은 상기 세포에 고유한 좌에 상보적일 수 있고, 또는 대안으로 상기 상동성 아암은 이식유전자, 발현 카세트, 또는 게놈 DNA의 이종성 또는 외생성 영역이 포함되나, 이에 국한되지 않는 상기 세포의 게놈안에 통합된 DNA의 이종성 또는 외생성 세그먼트의 영역에 상보적일 수 있다. 대안으로, 상기 표적화 벡터의 상동성 아암은 인간 인공 염색체의 영역 또는 적절한 숙주 세포 안에 포함된 임의의 다른 조작된 게놈 영역에 상보적일 수 있다. 더욱이, 상기 표적화 벡터의 상동성 아암은 BAC 라이브러리, 코스미드 라이브러리, 또는 P1 파아지 라이브러리의 영역에 상보적이거나 또는 이로부터 유도될 수 있다. 따라서, 특정 구쳉예들에서, 상기 표적화 벡터의 상동성 아암은 주어진 세포에 고유한, 이종성 또는 외생성인, 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 게놈 좌에 상보적이다. 추가 구체예들에서, 상기 상동성 아암은 통상적인 방법을 이용하여 표적화불가능한 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 게놈 좌에 상보적이거나, 또는 뉴클레아제 물질에 의해 유도된 닉 또는 이중-가닥 파괴 없이 단지 부정확하게 또는 상당히 낮은 효과로 표적화될 수 있다. 한 구체예에서, 상기 상동성 아암은 합성 DNA로부터 유도된다.여전히 다른 구체예들에서, 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암은 상기 표적화된 게놈과 동일한 게놈에 상보적이다. 한 구체예에서, 상기 상동성 아암은 관련된 게놈으로부터 유래되는데, 가령, 상기 표적화된 게놈은 제 1 균주의 렛 게놈이며, 상기 표적화 아암은 제 2 균주의 렛 게놈으로부터 유래되며, 이때 제 1 균주와 제 2 균주는 상이하다. 다른 구체예들에서, 상기 상동성 아암은 동일한 동물의 게놈으로부터 유래되거나, 동일한 균주의 상기 게놈으로부터 유래되며, 가령, 상기 표적화된 게놈은 제 1 균주의 렛 게놈이며, 상기 표적화 아암은 동일한 렛의 렛 게놈 또는 동일한 균주로부터 유래된다. 상기 표적화 벡터 (이를 테면 큰 표적화 벡터)는 본 명세서의 도처에서 논의된 바와 같은 선별 카세트 또는 리포터 유전자를 또한 포함할 수 있다. 상기 선별 카세트는 선별 표지가 인코드된 핵산 서열을 포함할 수 있고, 이때 상기 핵산 서열은 프로모터에 작동가능하도록 연계된다. 상기 프로모터는 관심 대상의 원핵 세포 및/또는 관심대상의 진핵 세포에서 활성이 있을 수 있다. 이러한 프로모터들은 유도성 프로모터, 리포터 유전자 또는 상기 세포에 대해 내생성인 프로모터, 리포터 유전자 또는 상기 세포에 이종성인 프로모터, 세포-특이적 프로모터, 조직-특이적 프로모터, 또는 발생 단계-특이적 프로모터일 수 있다. 한 구체예에서, 상기 선별 표지는 네오마이신 포스포트란스퍼라제 (neor), 히그로마이신 B 포스포트란스퍼라제 (hygr), 퓨로마이신-N-아세틸트란스퍼라제 (puror), 블라시티딘 S 데아미나제 (bsrr), 산틴/구아닌 포스포리보실 트란스퍼라제 (gpt), 및 헤르페스 단순 바이러스 티미딘 키나제 (HSV-k), 및/또는 이의 조합으로부터 선택되거나, 또는 이를 포함할 수 있다. 상기 표적화 벡터의 선별 표지는 5' 및 3' 상동성 아암의 측면에 있을 수 있거나, 또는 상기 상동성 아암의 5' 또는 3'에서 발견될 수 있다. 한 구체예에서, 상기 표적화 벡터 (이를 테면, 큰 표적화 벡터)는 프로모터에 작동가능하도록 연계된 리포터 유전자를 포함하는데, 이때 상기 리포터 유전자는 LacZ, mPlum, mCherry, tdTomato, mStrawberry, J-Red, DsRed, mOrange, mKO, mCitrine, Venus, YPet, 강화된 황색 형광 단백질 (EYFP), Emerald, 강화된 녹색 형광 단백질 (EGFP), CyPet, 시안 형광 단백질 (CFP), Cerulean, T-Sapphire, 루시퍼라제, 알칼리 포스파타제, 및/또는 이의 조합로 구성된 또는 포함하는 집단에서 선택된 리포터 단백질을 인코드한다. 이러한 리포터 유전자는 상기 세포에서 활성인 프로모터에 작동가능하도록 연계된다. 이러한 프로모터들은 유도성 프로모터, 리포터 유전자 또는 상기 세포에 대해 내생성인 프로모터, 리포터 유전자 또는 상기 세포에 이종성인 프로모터, 세포-특이적 프로모터, 조직-특이적 프로모터, 또는 발생 단계-특이적 프로모터일 수 있다.한 구체예에서, 뉴클레아제 물질과 상기 표적화 벡터 (예를 들면, 큰 표적화 벡터 포함)의 복합 사용으로 상기 표적화 벡터 단독 사용과 비교하였을 때, 표적화 효과가 증가된다. 한 구체예에서, 상기 표적화 벡터가 뉴클레아제 물질과 병용 이용되면, 상기 표적화 벡터의 표적화 효과는 상기 표적화 벡터가 단독으로 이용될 때와 비교하여, 최소한 2-배, 최소한 3-배, 또는 최소한 4-배 증가된다. 표적화 벡터가 이용될 때, 상기 벡터 디자인은 이를 테면 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 약 5 kb 내지 약 200 kb의 주어진 서열의 삽입을 허용할 것이다. 한 구체예에서, 상기 삽입은 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 30 kb, 약 30 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 50 kb, 약 50 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 70 kb, 약 80 kb 내지 약 90 kb, 약 90 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 110 kb, 약 110 kb 내지 약 120 kb, 약 120 kb 내지 약 130 kb, 약 130 kb 내지 약 140 kb, 약 140 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 160 kb, 약 160 kb 내지 약 170 kb, 약 170 kb 내지 약 180 kb, 약 180 kb 내지 약 190 kb, 또는 약 190 kb 내지 약 200 kb, 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 250 kb, 약 250 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 350 kb, 또는 약 350 kb 내지 약 400 kb이다.표적화 벡터가 이용될 때, 상기 벡터 디자인은 이를 테면 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 약 5 kb 내지 약 200 kb 또는 약 5 kb 내지 약 3.0 Mb의 주어진 서열의 대체를 허용할 것이다. 한 구체예에서, 상기 대체는 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 30 kb, 약 30 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 50 kb, 약 50 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 70 kb, 약 80 kb 내지 약 90 kb, 약 90 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 110 kb, 약 110 kb 내지 약 120 kb, 약 120 kb 내지 약 130 kb, 약 130 kb 내지 약 140 kb, 약 140 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 160 kb, 약 160 kb 내지 약 170 kb, 약 170 kb 내지 약 180 kb, 약 180 kb 내지 약 190 kb, 약 190 kb 내지 약 200 kb, 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 또는 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 400 kb, 약 400 kb 내지 약 500 kb, 약 500 kb 내지 약 1 Mb, 약 1 Mb 내지 약 1.5 Mb, 약 1.5 Mb 내지 약 2 Mb, 약 2 Mb 내지 약 2.5 Mb, 또는 약 2.5 Mb 내지 약 3 Mb이다.한 구체예에서, 상기 표적화 벡터는 부위-특이적 재조합효소 유전자를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 부위-특이적 재조합효소 유전자는 Cre 재조합효소를 인코드한다. 한 구체예에서, Cre 재조합효소 유전자는 Crei이며, 이때 Cre 재조합효소를 인코드하는 2개의 엑손은 원핵 세포 안에서 이의 발현을 방지하기 위하여 인트론에 의해 분리되어 있다.　한 구체예에서, Cre 재조합효소 유전자는 핵으로 Cre (또는 임의의 재조합효소 또는 뉴클레아제 물질)의 국소화를 촉진시키기 위하여 핵 국소화 신호를 더 포함한다 (가령, 상기 유전자는 NL-Cre 유전자이다). 특이적 구체예에서, Cre 재조합효소 유전자는 핵 국소화 신호 및 인트론 (가령, NL-Crei)을 더 포함한다.다양한 구체예들에서, 상기 뉴클레아제 물질 (상기에서 논의되는 Cre 또는 Crei 재조합효소 포함)의 발현을 위한 적절한 프로모터는 Prm1, Blimp1, Gata6, Gata4, Igf2, Lhx2, Lhx5, 및/또는 Pax3로부터 선택되거나, 이를 포함한다. 특이적 구체예에서, 상기 프로모터는 Gata6 또는 Gata4 프로모터이다. 상기 다양한 프로모터는 예를 들면, 설치류 이를 테면 마우스 또는 렛 렛이 아닌 설치류, 진핵생물, 렛이 아닌 진핵생물, 비-인간 포유류, 포유류, 인간 또는 헴스터가 포함된, 임의의 유기체로부터 유래될 수 있다. 또다른 특이적 구체예에서, 상기 프로모터는 Prm1 프로모터이다. 또다른 특이적 구체예에서, 상기 프로모터는 렛 Prm1 프로모터이다. 또다른 특이적 구체예에서, 상기 프로모터는 마우스 Prm1 프로모터이다. 또다른 특이적 구체예에서, 상기 프로모터는 Blimp1 프로모터 또는 이의 단편, 가령, Blimp1 프로모터의 1 kb 또는 2 kb 단편이다. 예를 들면, U.S. 특허 8,697,851 및 U.S. 출원 공개 2013-0312129 참고하며, 이들의 내용은 본 명세서에 전문이 참고자료에 편입된다. iv. 큰 표적화 벡터용어 "큰 표적화 벡터" 또는 "LTVEC"는 본 명세서에서 이용된 바와 같이 세포 안에서 상동성 표적화를 실행하기 위하여 의도된 다른 방법들에서 전형적으로 이용되는 것보다 더 큰 핵산 서열로부터 유도되고, 이에 상응하는 상동성 아암이 포함된 큰 표적화 벡터를 포함하고 및/또는 세포 안에서 상동성 표적화를 실행하기 위하여 의도된 다른 방법들에서 전형적으로 이용되는 것보다 더 큰 핵산 서열이 포함된 삽입 핵산이 포함된 큰 표적화 벡터를 포함한다. 예를 들면, LTVEC는 이들의 크기 제한으로 인하여 통상적인 플라스미드-기반 표적화 벡터에 의해 수용될 수 없는 큰 좌들의 변형을 가능하게 한다. 특정 구체예들에서, LTVEC의 상동성 아암 및/또는 상기 삽입 핵산은 진핵 세포 또는 렛이 아닌 진핵 세포의 게놈 서열을 포함한다. LTVEC의 크기는 너무 커서 통상적인 분석, 가령, 서던 블랏팅 및 긴-범위 (가령, 1 kb-5 kb) PCR에 의해 표적화 이벤트 스크리닝을 할 수 없다. LTVEC의 예로는 세균성 인공 염색체 (BAC), 인간 인공 염색체 또는 효모 인공 염색체 (YAC)로부터 유도된 벡터가 포함되나, 이에 국한되지 않는다. LTVEC의 비제한적인 예들과 이를 만드는 방법들은 가령, US 특허 번호 6,586,251, 6,596,541, 7,105,348, 및 WO 2002/036789 (PCT/US01/45375), 그리고 US 2013/0137101에서 설명되며, 이들 각각은 본 명세서의 참고자료에 편입된다.상기 LTVEC는 약 20 kb 내지 약 400 kb, 약 20 kb 내지 약 30 kb, 약 30 kb 내지 40 kb, 약 40 kb 내지 약 50 kb, 약 50 kb 내지 약 75 kb, 약 75 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 125 kb, 약 125 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 175 kb, 약 175 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 225 kb, 약 225 kb 내지 약 250 kb, 약 250 kb 내지 약 275 kb 또는 약 275 kb 내지 약 300 kb, 약 200 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 350 kb, 약 350 kb 내지 약 400 kb, 약 350 kb 내지 약 550 kb가 포함되나, 이에 국한되지 않는 임의의 길이를 가질 수 있다. 한 구체예에서, LTVEC는 약 100 kb이다. 일부 구체예들에서, LTVEC는 최소한 10 kb이며, 최소한 15 kb, 최소한 20 kb, 최소한 30 kb, 최소한 40 kb, 최소한 50 kb, 최소한 60 kb, 최소한 70 kb, 최소한 80 kb, 최소한 90 kb, 최소한 100 kb, 최소한 150 kb 또는 최소한 200 kb이다.일부 구체예들에서, LTVEC는 최소한 20 kb, 최소한 30 kb, 최소한 40 kb, 최소한 50 kb, 최소한 60 kb, 최소한 70 kb, 최소한 80 kb, 최소한 90 kb, 최소한 100 kb, 최소한 150 kb 또는 최소한 200 kb의 핵산 서열을 포함한다.한 구체예에서, LTVEC는 약 5 kb 내지 약 200 kb, 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 30 kb, 약 0.5 kb 내지 약 30 kb, 약 0.5 kb 내지 약 40 kb, 약 30 kb 내지 약 150 kb, 약 0.5 kb 내지 약 150 kb, 약 30 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 50 kb, 약 60 kb 내지 약 70 kb, 약 80 kb 내지 약 90 kb, 약 90 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 110 kb, 약 120 kb 내지 약 130 kb, 약 130 kb 내지 약 140 kb, 약 140 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 160 kb, 약 160 kb 내지 약 170 kb, 약 170 kb 내지 약 180 kb, 약 180 kb 내지 약 190 kb, 또는 약 190 kb 내지 약 200 kb, 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 250 kb, 약 250 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 350 kb, 또는 약 350 kb 내지 약 400 kb 범위의 삽입 핵산을 포함한다.한 구체예에서, LTVEC는 최소한 100 kb, 최소한 150 kb, 또는 최소한 200 kb의 핵산 서열을 포함한다.LTVEC가 이용될 때, 상기 벡터 디자인은 이를 테면 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 약 5 kb 내지 약 200 kb 또는 약 5 kb 내지 약 3 Mb의 주어진 서열의 대체를 허용할 것이다. 한 구체예에서, 상기 대체는 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 30 kb, 약 30 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 50 kb, 약 50 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 70 kb, 약 80 kb 내지 약 90 kb, 약 90 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 110 kb, 약 110 kb 내지 약 120 kb, 약 120 kb 내지 약 130 kb, 약 130 kb 내지 약 140 kb, 약 140 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 160 kb, 약 160 kb 내지 약 170 kb, 약 170 kb 내지 약 180 kb, 약 180 kb 내지 약 190 kb, 약 190 kb 내지 약 200 kb, 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 또는 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 400 kb, 약 400 kb 내지 약 500 kb, 약 500 kb 내지 약 1 Mb, 약 1 Mb 내지 약 1.5 Mb, 약 1.5 Mb 내지 약 2 Mb, 약 2 Mb 내지 약 2.5 Mb, 또는 약 2.5 Mb 내지 약 3 Mb이다.한 구체예에서, LTVEC의 상동성 아암은 BAC 라이브러리, 코스미드 라이브러리, 또는 P1 파아지 라이브러리로부터 유도된다. 다른 구체예들에서, 상기 상동성 아암은 상기 세포의 표적화된 게놈 좌로부터 유도되며, 일부 경우에서 상기 표적 게놈 좌로부터 유도되며, 표적화되도록 기획된 LTVEC는 통상적인 방법에 의해 표적화될 수 없다. 여전히 다른 구체예들에서, 상기 상동성 아암은 합성 DNA로부터 유도된다. 한 구체예에서, LTVEC에서 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 최소한 10 kb이다. 다른 구체예들에서, LTVEC의 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 약 10 kb 내지 약 30 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 100 kb 내지 약 120 kb, 약 120 kb 내지 약 140 kb, 약 140 kb 내지 약 160 kb, 약 160 kb 내지 약 180 kb, 약 180 kb 내지 약 200 kb이다. 한 구체예에서 LTVEC의 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 약 30 kb 내지 약 100 kb이다. 다른 구체예들에서, LTVEC의 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합 크기는 약 10 kb 내지 약 150 kb, 약 10 kb 내지 약 100 kb, 약 10 kb 내지 약 75 kb, 약 20 kb 내지 약 150 kb, 약 20 kb 내지 약 100 kb, 약 20 kb 내지 약 75 kb, 약 30 kb 내지 약 150 kb, 약 30 kb 내지 약 100 kb, 약 30 kb 내지 약 75 kb, 약 40 kb 내지 약 150 kb, 약 40 kb 내지 약 100 kb, 약 40 kb 내지 약 75 kb, 약 50 kb 내지 약 150 kb, 약 50 kb 내지 약 100 kb, 또는 약 50 kb 내지 약 75 kb, 약 10 kb 내지 약 30 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 120 kb, 또는 약 120 kb 내지 약 150 kb이다. 한 구체예에서, 상기 결손의 크기는 LTVEC의 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합 크기와 동일하거나 또는 유사하다.다른 구체예들에서, 5' 상동성 아암은 약 5 kb 내지 약 100 kb의 범위다. 한 구체예에서, 3' 상동성 아암은 약 5 kb 내지 약 100 kb 범위다. 다른 구체예들에서, 5' 및 3' 상동성 아암의 총 합은 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 30 kb, 약 30 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 50 kb, 약 50 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 70 kb, 약 70 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 90 kb, 약 90 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 110 kb, 약 110 kb 내지 약 120 kb, 약 120 kb 내지 약 130 kb, 약 130 kb 내지 약 140 kb, 약 140 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 160 kb, 약 160 kb 내지 약 170 kb, 약 170 kb 내지 약 180 kb, 약 180 kb 내지 약 190 kb, 약 190 kb 내지 약 200 kb, 또는 약 30 kb 내지 약 100 kb, 약 10 kb 내지 약 30 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 120 kb, 또는 약 120 kb 내지 약 150 kb이다. 한 구체예에서, LTVEC는 LTVEC 상동성 아암의 측면 렛 핵산 서열에 대하여 상동성 또는 이종상동성인 삽입 핵산을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산 서열은 렛이 아닌 종으로부터 유래된 것이다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산 서열은 진핵생물로부터 유래된 것이다. 한 구체예에서, 상기 렛 핵산 서열에 대하여 상동성 또는 이종상동성인 삽입 핵산은 포유류 핵산이다. 한 구체예에서, 상기 렛 핵산 서열에 대하여 상동성 또는 이종상동성인 삽입 핵산은 비-인간 포유류 핵산이다. 한 구체예에서, 상기 포유류 핵산은 마우스 핵산이다. 한 구체예에서, 상기 포유류 핵산은 인간 핵산이다. 한 구체예에서, 상기 포유류 핵산은 헴스터 핵산이다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 게놈 DNA다. 한 구체예에서, 상기 삽입은 상기에서 설명된 바와 같이, 5 kb 내지 200 kb이다.한 구체예에서, LTVEC는 선별 카세트 또는 리포터 유전자를 포함한다. 이용될 수 있는 다양한 형태의 상기 선별 카세트와 리포터 유전자는 본 명세서의 도처에서 논의된다. 본 명세서의 도처에서 설명된 바와 같이, LTVEC는 상기 표적화 벡터와 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 다능성 또는 비-다능성 렛 진핵에서 마우스 또는 헴스터 핵산, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 세포에서 표적 좌 사이에 상동성 재조합을 촉진시키는 뉴클레아제 물질과 복합되어, 본 명세서에서 제공되는 방법에 또한 이용될 수 있다. 한 구체예에서, 상기 큰 표적화 벡터 (LTVEC)는 부위-특이적 재조합효소 유전자를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 부위-특이적 재조합효소 유전자는 Cre 재조합효소를 인코드한다. 한 구체예에서, Cre 재조합효소 유전자는 Crei이며, 이때 Cre 재조합효소를 인코드하는 2개의 엑손은 원핵 세포 안에서 이의 발현을 방지하기 위하여 인트론에 의해 분리되어 있다.　 한 구체예에서, Cre 재조합효소 유전자는 핵으로 Cre (또는 임의의 재조합효소 또는 뉴클레아제 물질)의 국소화를 촉진시키기 위하여 핵 국소화 신호를 더 포함한다 (가령, 상기 유전자는 NL-Cre 유전자이다). 특이적 구체예에서, Cre 재조합효소 유전자는 핵 국소화 신호와 인트론 (가령, NL-Crei)을 더 포함한다.다양한 구체예들에서, 상기 뉴클레아제 물질 (상기에서 논의되는 Cre 또는 Crei 재조합효소 포함)의 발현을 위한 적절한 프로모터는 Prm1, Blimp1, Gata6, Gata4, Igf2, Lhx2, Lhx5, 및/또는 Pax3로부터 선택되거나, 이를 포함한다. 특이적 구체예에서, 상기 프로모터는 Gata6 또는 Gata4 프로모터이다. 상기 다양한 프로모터는 예를 들면, 설치류 이를 테면 마우스 또는 렛 렛이 아닌 설치류, 진핵생물, 렛이 아닌 진핵생물, 비-인간 포유류, 포유류, 인간 또는 헴스터가 포함된, 임의의 유기체로부터 유래될 수 있다. 또다른 특이적 구체예에서, 상기 프로모터는 Prm1 프로모터이다. 또다른 특이적 구체예에서, 상기 프로모터는 렛 Prm1 프로모터이다. 또다른 특이적 구체예에서, 상기 프로모터는 마우스 Prm1 프로모터이다. 또다른 특이적 구체예에서, 상기 프로모터는 Blimp1 프로모터 또는 이의 단편, 가령, Blimp1 프로모터의 1 kb 또는 2 kb 단편이다. 예를 들면, U.S. 특허8,697,851 및 U.S. 출원 공개 2013-0312129 참고하며, 이들의 내용은 본 명세서에 전문이 참고자료에 편입된다. 한 구체예에서, 본 명세서의 도처에서 상세하게 논의되는 바와 같이, LTVEC는 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 ApoE 좌, Il2rg 좌, Rag2 좌, Rag1 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌의 영역의 결손, 추가, 대체 또는 이의 조합을 만들 수 있는 삽입 핵산을 포함한다. 특정 구체예들에서, ApoE 좌에서 유전적 변형에 의해 ApoE 활성, IL-2Rg 활성, Rag2 활성, Rag1 활성 및/또는 Rag2와 Rag1 활성에서 감소, 증가 또는 조절된다. 한 구체예에서, ApoE 녹아웃, 및 Il2rg 녹아웃, Rag2 녹아웃, Rag1 녹아웃, Rag2/Rag1 녹아웃이 생성된다. 하기에서 논의되는 바와 같이, 뉴클레아제 물질들은 임의의 관심 대상의 게놈 좌를 표적으로 하기 위하여 임의의 LTVEC 표적화 시스템과 함께 이용될 수 있다. 또다른 구체예에서, 상기 게놈은 최소한 10 kb의 핵산 서열이 포함된 큰 표적화 벡터 (LTVEC) 존재하에서 Cas 단백질 및 CRISPR RNA에 노출된다. 이러한 경우, Cas 단백질, CRISPR RNA, 및 LTVEC에 노출된 후, 상기 게놈은 최소한 10 kb 핵산 서열이 포함되도록 변형된다. 특정 구체예들에서, LTVEC는 최소한 20 kb, 최소한 30 kb, 최소한 40 kb, 최소한 50 kb, 최소한 60 kb, 최소한 70 kb, 최소한 80 kb, 최소한 90 kb, 최소한 100 kb, 최소한 150 kb 또는 최소한 200 kb의 핵산 서열을 포함한다. v. 뉴클레아제 물질 및 뉴클레아제 물질에 대한 인지 부위상기에서 상세하게 제시된 바와 같이, 뉴클레아제 물질들은 원핵 세포 또는 다능성 또는 비-다능성 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류 ,마우스 또는 헴스터 세포안에 있는 표적 좌의 변형을 지원하기 위하여, 본 명세서에서 개시된 방법 및 조성물에 이용될 수 있다. 이러한 뉴클레아제 물질은 상기 표적화 벡터와 상기 표적 좌 사이의 상동성 재조합을 촉진시킬 수 있다. 한 구체예에서, 상기 뉴클레아제 물질은 엔도뉴클레아제 물질을 포함한다.본 명세서에서 이용된 바와 같이, 용어 "뉴클레아제 물질에 대한 인지 부위"는 뉴클레아제 물질에 의해 닉 또는 이중-가닥 파괴가 유도되는 DNA 서열을 포함한다. 상기 뉴클레아제 물질에 대한 인지 부위는 상기 세포에 대하여 내생성(또는 고유한)이거나 또는 인지 부위는 상기 세포에 대하여 외생성일 수 있다. 특정 구체예들에서, 인지 부위는 상기 세포에 대하여 외생성이며, 그리고 이로 인하여,상기 세포의 게놈에서 자연적으로 생성되지 않는다. 여전히 추가 구체예들에서, 인지 부위는 상기 세포에 대하여 외생성이며, 그리고 상기 표적 게놈 좌에 위치되기를 원하는 관심 대상의 폴리뉴클레오티드에 외생성이다. 추가 구체예들에서, 상기 외생성 또는 내생성 인지 부위는 숙주 세포의 게놈에 단지 한번만 존재한다. 특정 구체예들에서, 상기 게놈 안에서 오직 한번만 발생되는 내생성 또는 고유 부위가 식별된다. 그 다음 이러한 부위는 상기 내생성 인지 부위에서 닉 또는 이중-가닥 파괴를 만들게 되는 뉴클레아제 물질을 기획하는데 이용될 수 있다. 인지 부위의 길이는 다양할 수 있으며, 예를 들면, 최소한 4, 6, 8, 10, 12, 14, 16, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70개 또는 그 이상의 뉴클레오티드 길이를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 뉴클레아제 물질의 각 모노머는 최소한 9개 뉴클레오티드의 인지 부위를 인지한다. 다른 구체예들에서, 인지 부위는 약 9 내지 약 12개 뉴클레오티드 길이, 약 12 내지 약 15개 뉴클레오티드 길이, 약 15 내지 약 18개 뉴클레오티드 길이, 또는 약 18 내지 약 21개 뉴클레오티드 길이, 그리고 이러한 하위 범위의 조합 (가령, 9-18개 뉴클레오티드)이다. 상기 인지 부위는 팔린드롬성(palindromic)일 수 있는데, 즉, 한 가닥에 있는 서열은 상보적 가닥에서 반대 방향으로 동일한 것이 판독된다. 주어진 뉴클레아제 물질은 인지 부위에 결합하고, 이 결합 부위를 절단하거나, 또는 대안으로, 상기 뉴클레아제 물질은 인지 부위와 상이한 서열에 결합할 수 있다는 것이 인지된다. 더욱이, 용어 인지 부위는 상기 뉴클레아제 물질 결합 부위 안에 또는 외부에 있는지에 무관하게, 상기 뉴클레아제 물질 결합 부위와 닉/절단 부위를 모두 포함한다. 또다른 변이에서, 상기 뉴클레아제 물질에 의한 절단은 블런트(blunt) 단부 컷이 만들어지도록 서로에 대해 바로 반대 부위에 뉴클레오티드 위치에서 일어날 수 있고, 다른 경우들에서, 절개(incision)는 소위 "점착성(sticky) 단부"로 불리는 단일-가닥으로 된 오버행(overhangs)을 만들도록 스태그럴될 수 있는데(staggered), 5' 오버행, 또는 3' 오버행이 될 수 있다. 원하는 인지 부위 안에 닉 또는 이중-가닥 파괴를 유도하는 임의의 뉴클레아제 물질이 본 명세서에서 공개된 방법 및 조성물에 이용될 수 있다. 상기 뉴클레아제 물질이 원하는 인지 부위 안에 닉 또는 이중-가닥 파괴를 유도하는 한, 자연-발생적 또는 고유 뉴클레아제 물질이 이용될 수 있다. 대안으로, 변형된 또는 공작된(engineered) 뉴클레아제 물질이 이용될 수 있다. "공작된 뉴클레아제 물질"은 원하는 인지 부위를 특이적으로 인지하고, 이 인지 부위 안에 닉 또는 이중-가닥 파괴를 유도하기 위하여 이의 고유 형태로부터 공작되는(변형된 또는 유도된) 뉴클레아제를 포함한다. 따라서, 공작된 뉴클레아제 물질은 고유, 자연-발생적 뉴클레아제 물질로부터 유도될 수 있거나, 또는 인공적으로 만들어지거나 또는 합성될 수 있다. 상기 뉴클레아제 물질의 변형은 단백질 절단 물질에서 하나의 아미노산 또는 핵산 절단 물질에서 하나의 뉴클레오티드와 같이 아주 작을 수 있다. 일부 구체예들에서, 상기 공작된 뉴클레아제는 인지 부위에서 닉 또는 이중-가닥 파괴를 유도하며, 이때 인지 부위는 고유 (비-공작된 또는 비-변형된) 뉴클레아제 물질에 의해 인지될 수 있는 서열은 아니었다. 인지 부위 또는 다른 DNA에 닉 또는 이중-가닥 파괴의 생성은 본 명세서에서 인지 부위 또는 다른 DNA의 "컷팅(cutting)" 또는 "쪼갬(cleaving)"으로 언급될 수 있다.구체화된 인지 부위들의 활성 변이체(variants) 및 단편들이 또한 제공된다. 이러한 활성 변이체는 상기 주어진 인지 부위에 대하여 최소한 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 91%, 92%, 93%, 94%, 95%, 96%, 97%, 98%, 99% 또는 그 이상의 서열 동일성을 포함할 수 있으며, 이때 상기 활성 변이체는 생물학적 활성을 유지하고, 따라서 서열-특이적 방식으로 뉴클레아제 물질에 의해 인지되고, 쪼개질 수 있다. 뉴클레아제 물질에 의한 인지 부위의 이중-가작 파괴를 측정하는 방법은 당분야에 공지되어 있으며, 일반적으로 인지 부위를 컷팅하는 뉴클레아제의 능력을 측정한다. 상기 뉴클레아제 물질의 인지 부위는 상기 표적 좌 안에 또는 부근 임의의 위치에 있을 수 있다. 상기 인지 부위는 유전자의 코딩 영역 안에, 또는 조절 영역 안에 위치할 수 있으며, 이는 상기 유전자의 발현에 영향을 준다. 따라서, 상기 뉴클레아제 물질의 인지 부위는 인트론, 엑손, 프로모터, 인헨서, 조절 영역, 또는 임의의 비-단백질 코딩 영역 안에 위치될 수 있다. 한 구체예에서, 상기 뉴클레아제 물질은 전사 활성화물질-유사 작동체 뉴클레아제 (TALEN)이다. TAL 작동체 뉴클레아제는 원핵 또는 진핵 유기체의 게놈 안에 특이적 표적 서열에서 이중-가닥 파괴를 만드는데 이용될 수 있는 서열-특이적 뉴클레아제 부류다. TAL 작동체 뉴클레아제는 고유 또는 공작된 전사 활성화물질-유사 (TAL) 작동체, 또는 이의 기능적 부분을 엔도뉴클레아제, 이를 테면, 예를 들면, FokI의 촉매 도메인에 융합시킴으로써 만들어진다. 이러한 독특한 모듈러 TAL 작동체 DNA 결합 도메인은 잠재적으로 임의의 주어진 DNA 인지 특이성을 가진 단백질을 기획할 수 있도록 한다. 따라서, TAL 작동체 뉴클레아제의 DNA 결합 도메인은 특이적 DNA 표적 부위들을 인지하도록 공작될 수 있고, 따라서 원하는 표적 서열에 이중-가닥 파괴를 만드는데 이용될 수 있다. WO 2010/079430; Morbitzer et al. (2010) PNAS 10.1073/pnas.1013133107; Scholze 0026# Boch (2010) Virulence 1:428-432; Christian et al. Genetics (2010) 186:757-761; Li et al. (2010) Nuc. Acids Res. (2010) doi:10.1093/nar/gkq704; 그리고 Miller et al. (2011) Nature Biotechnology 29:143-148 참고; 이들 모두 본 명세서의 참고자료에 편입된다. 적합한 TAL 뉴클레아제의 예시들, 그리고 적합한 TAL 뉴클레아제를 제조하는 방법들은 가령, US 특허 출원 번호 2011/0239315 A1, 2011/0269234 A1, 2011/0145940 A1, 2003/0232410 A1, 2005/0208489 A1, 2005/0026157 A1, 2005/0064474 A1, 2006/0188987 A1, 및 2006/0063231 A1에서 교시되고 있다 (각각 본 명세서의 참고자료에 편입된다). 다양한 구체예들에서, TAL 작동체 뉴클레아제는 가령, 관심 대상의 게놈 좌에 있는 표적 핵산 서열 안에 또는 부근을 절단하도록 공작되며, 이때 상기 표적 핵산 서열은 표적화 벡터에 의해 변형되는 서열에서 또는 이 서열 부근이다. 본 명세서에서 제공되는 방법 및 조성물에 이용되는 적합한 TAL 뉴클레아제는 본 명세서에서 설명된 표적화 벡터에 의해 변형되는 표적 핵산 서열에 또는 이 부근에 결합하도록 특이적으로 기획된 것들을 포함한다. 한 구체예에서, TALEN의 각 모노머는 12-25 TAL 반복부(repeats)를 포함하고, 이때 각 TAL 반복부는 1 bp 하위부위에 결합한다. 한 구체예에서, 상기 뉴클레아제 물질은 독립적인 뉴클레아제에 작동가능하도록 연계된 TAL 반복부-기반의 DNA 결합 도메인이 포함된 키메라 단백질이다. 한 구체예에서, 상기 독립적인 뉴클레아제는 FokI 엔도뉴클레아제다. 한 구체예에서, 상기 뉴클레아제 물질은 제 1 TAL-반복부-기반의 DNA 결합 도메인과 제 2 TAL-반복부-기반의 DNA 결합 도메인을 포함하며, 이때 각각의 제 1 및 제 2 TAL-반복부-기반의 DNA 결합 도메인은 FokI 뉴클레아제에 작동가능하도록 연계되며, 이때 제 1 및 제 2 TAL-반복부-기반의 DNA 결합 도메인은 상기 표적 DNA 서열의 각 가닥에서 약 6 bp 내지 약 40 bp 절단 부위에 의해 떨어져 있는 2개의 연속 표적 DNA를 인지하며, 이때 FokI 뉴클레아제는 표적 서열을 이량체화시키고, 표적 서열에서 이중 가닥 틈을 만든다. 한 구체예에서, 상기 뉴클레아제 물질은 제 1 TAL-반복부-기반의 DNA 결합 도메인과 제 2 TAL-반복부-기반의 DNA 결합 도메인을 포함하며, 이때 각각의 제 1 및 제 2 TAL-반복부-기반의 DNA 결합 도메인은 FokI 뉴클레아제에 작동가능하도록 연계되며, 이때 제 1 및 제 2 TAL-반복부-기반의 DNA 결합 도메인은 상기 표적 DNA 서열의 각 가닥에서 약 5 bp 또는 6 bp 절단 부위에 의해 떨어져 있는 2개의 연속 표적 DNA를 인지하며, 이때 FokI 뉴클레아제는 이량체화시키고, 이중 가닥 틈을 만든다. 본 명세서에서 공개된 다양한 방법 및 조성물에 이용되는 뉴클레아제 물질은 아연-핑거 뉴클레아제 (ZFN)를 더 포함할 수 있다. 한 구체예에서, ZFN의 각 모노머는 3개 또는 그 이상의 아연 핑거-기반의 DNA 결합 도메인을 포함하며, 이때 각 아연 핑거-기반의 DNA 결합 도메인은 3 bp 하위부위에 결합한다. 다른 구체예들에서, ZFN은 독립적인 뉴클레아제에 작동가능하도록 연계된 아연 핑거-기반의 DNA 결합 도메인이 포함된 키메라 단백질이다. 한 구체예에서, 상기 독립적인 엔도뉴클레아제는 FokI 엔도뉴클레아제다. 한 구체예에서, 상기 뉴클레아제 물질은 제 1 ZFN과 제 2 ZFN을 포함하며, 이때 각각의 제 1 ZFN 및 제 2 ZFN은 FokI 뉴클레아제에 작동가능하도록 연계되며, 이때 제 1 및 제 2 ZFN은 상기 표적 DNA 서열의 각 가닥에서 약 6 bp 내지 약 40 bp 절단 부위 또는 약 5 bp 내지 약 6 bp 절단 부위에 의해 떨어져 있는 2개의 연속 표적 DNA를 인지하며, 이때 FokI 뉴클레아제는 이량체화시키고, 이중 가닥 틈을 만든다. 예를 들면, US20060246567; US20080182332; US20020081614; US20030021776; WO/2002/057308A2; US20130123484; US20100291048; 그리고, WO/2011/017293A2를 참고하며, 이들 각각은 본 명세서의 참고자료에 편입된다. 본 명세서에서 제공되는 방법들의 한 구체예에서, 상기 뉴클레아제 물질은 (a) FokI 엔도뉴클레아제에 융합된 아연 핑거-기반의 DNA 결합 도메인이 포함된 키메라 단백질; 또는 (b) FokI 엔도뉴클레아제에 융합된 전사 활성화물질-유사 작동체 뉴클레아제 (TALEN)가 포함된 키메라 단백질을 포함한다. 여전히 또다른 구체예에서, 상기 뉴클레아제 물질은 메가뉴클레아제다. 메가뉴클레아제는 보존된 서열 모티프에 근거하여 4개의 패밀리로 분류되는데, 이 패밀리는 LAGLIDADG (서열 번호: 16), GIY-YIG, H-N-H, 및 His-Cys 박스 패밀리들이다. 이들 모티프는 금속 이온들의 배위(coordination)와 포스포디에스테르 결합의 가수분해에 참여한다. HEases는 이들의 긴 인지 부위들에 대해 주목되며, 이들의 DNA 기질에서 일부 서열 다형을 표적화한다. 메가뉴클레아제 도메인, 구조 및 기능은 공지되어 있고, 예를 들면, Guhan and Muniyappa (2003) Crit Rev Biochem Mol Biol 38:199-248; Lucas et al., (2001) Nucleic Acids Res 29:960-9; Jurica and Stoddard, (1999) Cell Mol Life Sci 55:1304-26; Stoddard, (2006) Q Rev Biophys 38:49-95; 그리고 Moure et al., (2002) Nat Struct Biol 9:764를 참고한다. 일부 실시예들에서 자연적으로 생성되는 변이체, 및/또는 공작된 유도체 메가뉴클레아제가 이용된다. 역학, 보조인자 상호작용, 발현, 최적 조건, 및/또는 인지 부위 특이성을 변형시키는 방법들, 그리고 활성을 스크리닝하는 방법들은 공지되어 있으며, 예를 들면, Epinat et al., (2003) Nucleic Acids Res 31:2952-62; Chevalier et al., (2002) Mol Cell 10:895-905; Gimble et al., (2003) Mol Biol 334:993-1008; Seligman et al., (2002) Nucleic Acids Res 30:3870-9; Sussman et al., (2004) J Mol Biol 342:31-41; Rosen et al., (2006) Nucleic Acids Res 34:4791-800; Chames et al., (2005) Nucleic Acids Res 33:e178; Smith et al., (2006) Nucleic Acids Res 34:e149; Gruen et al., (2002) Nucleic Acids Res 30:e29; Chen and Zhao, (2005) Nucleic Acids Res 33:e154; WO2005105989; WO2003078619; WO2006097854; WO2006097853; WO2006097784; 그리고 WO2004031346을 참고한다.본 명세서에서 I-SceI, I-SceII, I-SceIII, I-SceIV, I-SceV, I-SceVI, I-SceVII, I-CeuI, I-CeuAIIP, I-CreI, I-CrepsbIP, I-CrepsbIIP, I-CrepsbIIIP, I-CrepsbIVP, I-TliI, I-PpoI, PI-PspI, F-SceI, F-SceII, F-SuvI, F-TevI, F-TevII, I-AmaI, I-AniI, I-ChuI, I-CmoeI, I-CpaI, I-CpaII, I-CsmI, I-CvuI, I-CvuAIP, I-DdiI, I-DdiII, I-DirI, I-DmoI, I-HmuI, I-HmuII, I-HsNIP, I-LlaI, I-MsoI, I-NaaI, I-NanI, I-NcIIP, I-NgrIP, I-NitI, I-NjaI, I-Nsp236IP, I-PakI, I-PboIP, I-PcuIP, I-PcuAI, I-PcuVI, I-PgrIP, I-PobIP, I-PorI, I-PorIIP, I-PbpIP, I-SpBetaIP, I-ScaI, I-SexIP, I-SneIP, I-SpomI, I-SpomCP, I-SpomIP, I-SpomIIP, I-SquIP, I-Ssp6803I, I-SthPhiJP, I-SthPhiST3P, I-SthPhiSTe3bP, I-TdeIP, I-TevI, I-TevII, I-TevIII, I-UarAP, I-UarHGPAIP, I-UarHGPA13P, I-VinIP, I-ZbiIP, PI-MtuI, PI-MtuHIP PI-MtuHIIP, PI-PfuI, PI-PfuII, PI-PkoI, PI-PkoII, PI-Rma43812IP, PI-SpBetaIP, PI-SceI, PI-TfuI, PI-TfuII, PI-ThyI, PI-TliI, PI-TliII, 또는 임의의 활성 변이체 또는 이의 단편들이 포함된, 임의의 메가뉴클레아제가 이용될 수 있지만, 이에 국한되지 않는다. 한 구체예에서, 상기 메가뉴클레아제는 12 내지 40개 염기쌍의 이중-가닥으로 된 DNA 서열을 인지한다. 한 구체예에서, 상기 메가뉴클레아제는 게놈에서 하나의 완전하게 정합되는(matched) 표적 서열을 인지한다. 한 구체예에서, 상기 메가뉴클레아제는 호밍(homing) 뉴클레아제다. 한 구체예에서, 상기 호밍(homing) 뉴클레아제는 LAGLIDADG (서열 번호: 16) 패밀리의 호밍(homing) 뉴클레아제다. 한 구체예에서, LAGLIDADG (서열 번호: 16) 패밀리의 호밍(homing) 뉴클레아제는 I-SceI, I-CreI, 및 I-Dmol에서 선택된다. 뉴클레아제 물질들은 타입 I, 타입 II, 타입 III, 및 타입 IV 엔도뉴클레아제를 포함하는 제한 엔도뉴클레아제를 더 포함할 수 있다. 타입 I 및 타입 III 제한 엔도뉴클레아제는 특이적 인지 부위들을 인지하지만, 전형적으로 상기 뉴클레아제 결합 부위로부터 가변 위치에서 절단하며, 이는 상기 절단 부위 (인지 부위)로부터 수백 염기쌍 떨어진 거리일 수 있다. 타입 II 시스템에서, 상기 제한 활성은 임의의 메틸라제 활성과 독립적이며, 절단은 전형적으로 결합 부위 안 또는 부근의 특정 부위들에서 일어난다. 대부분의 타입 II 효소들은 팔린드롬성 서열을 컷트하지만, 그러나 타입 IIa 효소들은 비-팔린드롬성 인지 부위들을 인지하고, 이 인지 부위 외부를 절단하고, 타입 IIb 효소들은 이 인지 부위 외부의 양쪽 부위를 2회 컷트하고, 타입 IIs 효소들은 비대칭 인지 부위를 인지하고, 그리고 이 인지 부위로부터 약 1-20개의 뉴클레오티드의 한정된 거리에서 한쪽 측면만 절단한다. 타입 IV 제한 효소들은 메틸화된 DNA를 표적으로 한다. 제한 효소들은 예를 들면 REBASE 데이터베이스 (webpage at rebase.neb.com; Roberts et al., (2003) Nucleic Acids Res 31:418-20), Roberts et al., (2003) Nucleic Acids Res 31:1805-12, 및 Belfort et al., (2002) in Mobile DNA II, pp. 761-783, Eds. Craigie et al., (ASM Press, Washington, DC)에서 더 설명되고, 분류된다.본 명세서에서 공개된 다양한 방법 및 조성물에 이용되는 뉴클레아제 물질은 CRISPR/Cas 시스템을 또한 포함할 수 있다. 이러한 시스템은 예를 들면, Cas9 뉴클레아제를 이용할 수 있는데, 일부 경우에서, 이들이 발현되는 원하는 세포 유형에 대하여 코돈-최적화된다. 이러한 시스템은 별도의 2개 분자를 포함하는 가이드 RNA (gRNA)를 또한 이용할 수 있다. 예시적인 2개-분자 gRNA는 crRNA-유사 ("CRISPR RNA" 또는 "타켓터-RNA" 또는 "crRNA" 또는 "crRNA 반복부") 분자와 대응하는 tracrRNA-유사 ("트란스-작용 CRISPR RNA" 또는 "활성화물질-RNA" 또는 "tracrRNA" 또는 "스캐폴드(scaffold)") 분자를 포함한다. crRNA는 gRNA의 DNA-표적화 세그먼트 (단일 가닥으로 된)와 이 gRNA의 단백질-결합 세그먼트의 이중 가닥으로 된 RNA (dsRNA) 듀플렉스중 하나의 절반을 형성하는 뉴클레오티드 스트레치 모두를 포함한다. 대응하는 tracrRNA (활성화물질-RNA)는 이 gRNA의 단백질-결합 세그먼트의 이중 가닥으로 된 RNA (dsRNA) 듀플렉스중 나머지 절반을 형성하는 뉴클레오티드 스트레치 모두를 포함한다. 따라서, crRNA의 뉴클레오티드 스트레치는 tracrRNA의 뉴클레오티드 스트레치에 상보적이며, 이와 혼성화되어, 상기 gRNA의 단백질-결합 도메인의 dsRNA 듀플렉스를 형성한다. 이와 같이, 각 crRNA는 대응하는 tracrRNA를 갖는다고 말할 수 있다. 상기 crRNA는 추가적으로 단일 가닥으로 된 DNA-표적화 세그먼트를 제공한다. 따라서, gRNA는 표적 서열에 혼성화되는 서열, 그리고 tracrRNA를 포함한다. 따라서, crRNA 및 tracrRNA (대응하는 쌍으로써)는 혼성화되어 gRNA를 형성한다. 세포 안에서 변형에 이용되는 경우, 주어진 crRNA 또는 tracrRNA 분자의 정확한 서열 및/또는 길이는 RNA 분자들이 이용되는 종에 특이적이 되도록 기획될 수 있다. 3개의 요소 (Cas9, tracrRNA 및 crRNA)를 인코딩하는 자연 발생적 유전자는 오페론(들)에서 전형적으로 조직화된다. 자연 발생적 CRISPR RNAs는 Cas9 시스템 및 유기체에 따라 상이하지만, 21 내지 46개의 뉴클레오티드의 2개 직접 반복부(DR)의 측면에 있는 21 내지 72개의 뉴클레오티드 길이의 표적화 세그먼트을 대개 포함한다 (가령, WO2014/131833 참고). S. 피요젠(S. pyogenes)의 경우, DRs 길이는 36개 뉴클레오티드이며, 상기 표적화 세그먼트의 길이는 30개 뉴클레오티드다. 3' 위치된 DR은 대응하는 tracrRNA에 상보적이며, 이에 혼성화되고, 다시 Cas9 단백질에 결합한다. 대안으로, 상기 시스템은 코돈-최적화 Cas9와 함께 기능하는 융합된 crRNA-tracrRNA 구조체 (가령, 단일 전사체)를 더 이용한다. 이 단일 RNA는 대개 가이드 RNA 또는 gRNA로 지칭된다. gRNA 안에, crRNA 부분은 주어진 인지 부위에 대한 '표적 서열'로 식별되며, tracrRNA는 대개 '스캐폴드"로 지칭된다. 간략하게 설명하자면, 표적 서열이 포함된 짧은 DNA 단편이 가이드 RNA 발현 플라스미드에 삽입된다. gRNA 발현 플라스미드는 상기 표적 서열 (일부 구체예들에서 대략 20개 뉴클레오티드), tracrRNA 서열의 형태(스캐폴드) 뿐만 아니라 뿐만 아니라 상기 세포에 활성이 있는 적합한 프로모터 그리고 진행 세포 안에서 적절한 프로세싱을 위한 필수 요소들을 포함한다. 많은 시스템들이 이중 가닥으로 된 DNA를 형성하기 위하여 어닐되고, 그 다음 gRNA 발현 플라스미드로 클론되는 맞춤, 상보적 올리고에 의존적이다. 상기 gRNA 발현 카세트 및 Cas9 발현 카세트는 그 다음 상기 세포 안으로 도입된다. 예를 들면, Mali P et al. (2013) Science 2013 Feb 15;339(6121):823-6; Jinek M et al. Science 2012 Aug 17;337(6096):816-21; Hwang WY et al. Nat Biotechnol 2013 Mar;31(3):227-9; Jiang W et al. Nat Biotechnol 2013 Mar;31(3):233-9; 그리고 Cong L et al. Science 2013 Feb 15;339(6121):819-23을 참고하며, 이들 각각은 본 명세서의 참고자료에 편입된다. 또한, 예를 들면, WO/2013/176772A1, WO/2014/065596A1, WO/2014/089290A1, WO/2014/093622A2, WO/2014/099750A2, 및 WO/2013142578A1을 참고하며, 이들 각각은 본 명세서의 참고자료에 편입된다. 일부 구체예들에서, Cas9 뉴클레아제는 단백질 형태로 제공될 수 있다. 일부 구체예들에서, Cas9 단백질은 gRNA와 복합체 형태로 제공될 수 있다. 다른 구체예들에서, Cas9 뉴클레아제는 단백질을 인코드하는 핵산 형태로 제공될 수 있다. Cas9 뉴클레아제를 인코딩하는 핵산은 RNA (가령, 메신져 RNA (mRNA)) 또는 DNA일 수 있다. 일부 구체예들에서, gRNA는 RNA 형태로 제공될 수 있다. 다른 구체예들에서, gRNA는 RNA가 인코딩된 DNA 형태로 제공될 수 있다. 일부 구체예들에서, gRNA는 별도의 crRNA 및 tracrRNA 분자, 또는 crRNA 및 tracrRNA를 각각 인코딩하는 별도의 DNA 분자 형태로 제공될 수 있다.한 구체예에서, 세포 안에서 관심 대상의 게놈 좌를 변형시키는 방법은 상기 세포 안으로 다음을 도입시키는 것을 더 포함한다: (a) 클러스트화된 규칙적으로 사이공간을 둔 짧은 팔린드롬성 반복부 (CRISPR)-연합된 (Cas) 단백질을 인코드하는 제 1 핵산 서열에 작동가능하도록 연계된 제 1 프로모터가 포함된 제1 발현 구조체; (b) 가이드 RNA (gRNA)에 연계된 게놈 표적 서열에 작동가능하도록 연계된 제 2 프로모터가 포함된 제 2 발현 구조체, 이때 상기 게놈 표적 서열은 프로토스페이스 인접 모티프(Protospacer Adjacent Motif)의 측면에 있다. 임의선택적으로, 상기 게놈 표적 서열은 3'단부에서 프로토스페이스 인접 모티프 (PAM) 서열의 측면에 있다. 한 구체예에서, 상기 세포는 진핵 세포, 렛이 아닌 진핵 세포, 포유류 세포, 인간 세포, 비-인간 포유류 세포, 다능성 세포, 비-다능성 세포, 비-인간 다능성 세포, 인간 다능성 세포, 인간 ES 세포, 인간 성인 줄기 세포, 발생학적으로-제한된 인간 선조 세포, 인간 iPS 세포, 인간 세포, 설치류 세포, 렛이 아닌 설치류 세포, 렛 세포, 마우스 세포, 헴스터 세포, 섬유아세포, 또는 CHO 세포를 포함한다.한 구체예에서, 상기 게놈 표적 서열은 뉴클레오티드 서열 GNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNGG (GN1-20 GG; 서열 번호: 1)을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 표적 서열은 서열 번호: 23을 포함하고, 이때 N은 1 내지 20개의 뉴클레오티드 길이가 된다. 또다른 구체예에서, 상기 게놈 표적 서열은 서열 번호: 1의 14 내지 20개의 뉴클레오티드 길이를 포함한다.한 구체예에서, gRNA는 클러스트화된 규칙적으로 사이공간을 둔 짧은 팔린드롬성 반복부 (CRISPR) RNA (crRNA) 및 트란스-활성화 CRISPR RNA (tracrRNA)를 인코드하는 제 3 핵산 서열을 포함한다. 특정 구체예들에서, Cas 단백질은 Cas9이다.일부 구체예들에서, gRNA는 (a) 핵산 서열 5'-GUUUUAGAGCUAGAAAUAGCAAGUUAAAAU AAGGCUAGUCCGUUAUCAACUUGAAAAAGUGGCACCGAGUCGGUGCUUUU-3' (서열 번호: 2)의 키메라 RNA; 또는 (b) 핵산 서열 5'-GUUUUAGAGCUAGAAAUAGCAAGUUAAAAUAAGGCUAGUCCG-3' (서열 번호: 3)의 키메라 RNA를 포함한다.또다른 구체예에서, crRNA는 5'-GUUUUAGAGCUAGAAAUAGCAAGUUAAAAU-3' (서열 번호: 4); 5'-GUUUUAGAGCUAGAAAUAGCAAGUUAAAAUAAG (서열 번호: 5); 또는 5'-GAGUCCGAGCAGAAGAAGAAGUUUUA-3' (서열 번호: 6)을 포함한다.여전히 다른 구체예들에서, tracrRNA는 5'-AAGGCUAGUCCG-3' (서열 번호: 7) 또는 5'-AAGGCUAGUCCGU UAUCAACUUGAAAAAGUGGCACCGAGUCGGUGCUUUU-3' (서열 번호: 8)를 포함한다.한 구체예에서, Cas 단백질은 유형 I Cas 단백질이다. 한 구체예에서, Cas 단백질은 유형 II Cas 단백질이다. 한 구체예에서, 유형 II Cas 단백질은 Cas9이다. 한 구체예에서, 제 1 핵산 서열은 인간 코돈-최적화 Cas 단백질을 인코드한다. 특정 구체예들에서, Cas 단백질은 이중 가닥으로 된 DNA (dsDNA)의 양쪽 가닥 모두의 커팅없이, 표적 부위에서 단일 가닥 파괴(가령, "닉")을 만들 수 있는 "닉카제(nickase)"다. 예를 들면, Cas9는 2개의 뉴클레아제 도메인-RuvC-유사 뉴클레아제 도메인과 HNH-유사 뉴클레아제 도메인-반대 DNA 가닥의 절단을 담당-을 포함한다. 이들 도메인중 임의의 돌연변이에 의해 닉카제가 만들어질 수 있다. 닉카제를 만드는 돌연변이의 예들은 예를 들면, WO/2013/176772A1 및 WO/2013/142578A1에서 찾아볼 수 있으며, 이들 각각은 본 명세서의 참고자료에 편입된다. 특정 구체예들에서, dsDNA의 각 가닥에 있는 표적 부위에 특이적인 별도의 2개 Cas 단백질 (가령, 닉카제)은 또다른 핵산 또는 동일한 핵산의 별도의 영역 상의 오버행잉 서열에 상보적인 오버행잉 서열을 만들 수 있다. dsDNA의 양쪽 가닥 상에서 표적 부위들에 특이적인 2개 닉카제와 핵산의 접촉에 의해 만들어지는 오버행잉 단부는 5' 또는 3' 오버행잉 단부일 수 있다. 예를 들면, 제 1 닉카제는 dsDNA의 제 1 가닥 상에 단일 가닥 파괴를 만들 수 있고, 한편 제 2 닉카제는 dsDNA의 제 2 가닥 상에 단일 가닥 파괴를 만들 수 있고, 따라서 오버행잉 서열이 만들어진다. 만들어진 오버행잉 단부 서열이 상이한 핵산 분자 상에 있는 오버행잉 단부 서열에 상보적이 되도록 단일 가닥 파괴를 만드는 닉카제의 표적 부위들이 선택될 수 있다. 2개의 상이한 핵산 분자의 상보적 오버행잉 단부들은 본 명세서에서 공개된 방법에 의해 어닐될 수 있다. 일부 구체예들에서, 제 1 가닥 상의 닉카제의 표적 부위는 제 2 가닥 상의 닉카제의 표적 부위와 상이하다. 한 구체예에서, 제 1 핵산은 Cas 단백질에서 뉴클레아제 활성 부위들의 최소한 하나의 아미노산 잔기를 파괴하는 돌연변이를 포함하며, 이때 돌연변이 Cas 단백질은 상기 표적 DNA 영역의 오직 하나의 가닥에만 파괴를 만들고, 그리고 이때 상기 돌연변이는 상기 표적 DNA 영역에서 비상동성 재조합을 감소시킨다. 한 구체예에서, Cas 단백질을 인코드하는 제 1 핵산은 핵 국소화 신호 (NLS)를 더 포함한다. 한 구체예에서, 상기 핵 국소화 신호는 SV40 핵 국소화 신호다. 한 구체예에서, 상기 게놈 표적 서열과 가이드 RNA (gRNA)의 발현을 유도하는 제 2 프로모터는 RNA 중합효소 III 프로모터다. 한 구체예에서, RNA 중합효소 III 프로모터는 인간 U6 프로모터다. 한 구체예에서, RNA 중합효소 III 프로모터는 렛 U6 중합효소 III 프로모터다. 한 구체예에서, RNA 중합효소 III 프로모터는 마우스 U6 중합효소 III 프로모터다.한 구체예에서, crRNA 및 tracrRNA를 인코드하는 핵산 서열은 합성 루프를 통하여 연계되며, 이때, 발현 시, crRNA 및 tracrRNA는 crRNA:tracrRNA 듀플렉스를 형성한다. 상기에서 설명된 바와 같이, CRISPR/Cas 시스템은 다음의 세포 유형중 임의의 것과 함께 큰 표적화 벡터와 복합되어 이용될 수 있다: 진핵 세포, 렛이 아닌 진핵 세포, 포유류 세포, 비-인간 포유류 세포, 다능성 세포, 비-다능성 세포, 비-인간 다능성 세포, 인간 다능성 세포, 인간 ES 세포, 인간 성인 줄기 세포, 발생학적으로-제한된 인간 선조 세포, 인간 iPS 세포, 인간 세포, 설치류 세포, 렛이 아닌 설치류 세포, 렛 세포, 마우스 세포, 헴스터 세포, 섬유아세포 또는 CHO 세포.한 구체예에서, 제 1 발현 구조체와 제 2 발현 구조체는 동일한 플라스미드로부터 발현된다.한 구체예에서, 제 1 및 제 2 발현 구조체들은 LTVEC와 함께 도입된다. 한 구체예에서, 제 1 및 제 2 발현 구조체들은 일정 기간에 걸쳐 LTVEC와 별도로 도입된다. 한 구체예에서, 상기 방법은 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 구별되는 별개의 표적 좌들의 다중(multiplex) 편집을 위하여 다수의 제 2 구조체와 다수의 LTVEC를 도입시키는 것을 포함한다.뉴클레아제 물질들의 활성 변이체 및 단편들(가령, 공작된 뉴클레아제 물질)이 또한 제공된다. 이러한 활성 변이체는 고유 뉴클레아제 물질에 대하여 최소한 65%, 70%, 75%, 80%, 85%, 90%, 91%, 92%, 93%, 94%, 95%, 96%, 97%, 98%, 99% 또는 그 이상 서열 동일성을 포함하며, 이때 활성 변이체는 원하는 인지 부위를 절단하는 능력을 유지하며, 따라서 닉 또는 이중-가닥-파괴-유도 활성을 유지한다. 예를 들면, 본 명세서에서 설명된 임의의 상기 뉴클레아제 물질들은 고유 엔도뉴클레아제 서열로부터 변형될 수 있고, 고유 뉴클레아제 물질에 의해 인지되지 않았던 인지 부위를 인지하고, 이 인지 부위에 닉 또는 이중-가닥 파괴를 유도하도록 기획된다. 따라서 일부 구체예들에서, 상기 공작된 뉴클레아제는 대응하는 고유 뉴클레아제 물질 인지 부위와는 상이한 인지 부위에서 닉 또는 이중-가닥 파괴를 유도하기 위한 특이성을 갖는다. 닉 또는 이중-가닥-파괴-유도 활성에 대한 분석은 공지되어 있으며, 인지 부위가 포함된 DNA 기질 상에 엔도뉴클레아제의 전반적인 활성 및 특이성을 일반적으로 측정한다. 상기 뉴클레아제 물질은 당분야에 공지된 임의의 수단에 의해 상기 세포 안으로 도입될 수 있다. 상기 뉴클레아제 물질이 인코딩된 폴리펩티드는 상기 세포 안으로 직접적으로 도입될 수 있다. 대안으로, 상기 뉴클레아제 물질이 인코딩된 폴리뉴클레오티드는 상기 세포 안으로 도입될 수 있다. 상기 뉴클레아제 물질이 인코딩된 폴리뉴클레오티드가 상기 세포로 도입될 때, 상기 뉴클레아제 물질은 상기 세포 안에서 일시적으로, 조건적으로 또는 구성적으로 발현될 수 있다. 따라서, 상기 뉴클레아제 물질이 인코딩된 폴리뉴클레오티드는 발현 카세트 안에 포함될 수 있고, 조건적 프로모터, 유도성 프로모터, 구성적 프로모터, 또는 조직-특이적 프로모터에 작동가능하도록 연계될 수 있다. 관심대상의 이러한 프로모터는 본 명세서의 도처에서 더 상세하게 논의된다. 대안으로, 상기 뉴클레아제 물질은 뉴클레아제 물질이 인코딩된 또는 포함하는 mRNA로 상기 세포 안으로 도입된다. 한 구체예에서, crRNA 및 tracrRNA는 별도의 RNA 전사체로 발현된다.특정 구체예들에서, 상기 뉴클레아제 물질이 인코딩된 폴리뉴클레오티드는 상기 세포의 게놈에 안정적으로 통합되며, 상기 세포에서 활성인 프로모터에 작동가능하도록 연계된다. 다른 구체예들에서, 상기 뉴클레아제 물질이 인코딩된 폴리뉴클레오티드는 상기 삽입 핵산이 포함된 동일한 표적화 벡터 안에 있고, 한편 다른 경우들에서, 상기 뉴클레아제 물질이 인코딩된 폴리뉴클레오티드는 상기 삽입 핵산이 포함된 표적화 벡터와 별도의 벡터 또는 플라스미드 안에 있다. 상기 뉴클레아제 물질이 상기 뉴클레아제 물질이 인코딩된 폴리뉴클레오티드의 도입을 통하여 세포 안에 제공될 때, 이러한 뉴클레아제 물질이 인코딩된 폴리뉴클레오티드는 상기 뉴클레아제 물질이 인코딩된 자연적으로 생성되는 폴리뉴클레오티드 서열과 비교하였을 때, 관심 세포 안에서 더 빈번한 용도를 가지는 코돈으로 대체시키기 위하여 변형될 수 있다. 예를 들면 상기 뉴클레아제 물질이 인코딩된 폴리뉴클레오티드는 자연적으로 생성되는 폴리뉴클레오티드 서열과 비교하였을 때, 세균성 세포, 효모 세포, 인간 세포, 비-인간 세포, 렛이 아닌 진핵 세포, 포유류 세포, 설치류 세포, 렛이 아닌 설치류 세포, 마우스 세포, 렛 세포, 헴스터 세포 또는 관심 대상의 임의의 다른 숙주 세포를 포함하는, 관심 대상의 주어진 원핵 또는 진핵 세포에서 더 빈번한 용도를 가지는 코돈으로 대체시키기 위하여 변형될 수 있다.한 구체예에서, 상기 엔도뉴클레아제 물질은 LTVEC와 함께 도입된다. 한 구체예에서, 상기 엔도뉴클레아제 물질은 일정 기간에 걸쳐 LTVEC와 별도로 도입된다. 한 구체예에서, 상기 엔도뉴클레아제 물질은 LTVEC 전에 도입된다. 한 구체예에서, 상기 엔도뉴클레아제 물질은 LTVEC 도입 후, 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 ES 세포로 도입된다.한 구체예에서, 상기 엔도뉴클레아제 물질은 엔도뉴클레아제가 인코드된 핵산 서열을 포함하는 발현 구조체이며, 이때 상기 핵산 서열은 프로모터에 작동가능하도록 연계된다. 한 구체예에서, 상기 프로모터는 구성적으로 활성 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 프로모터는 유도성 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 프로모터는 상기 다능성 또는 비-다능성 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 세포에서 활성이 있다. 한 구체예에서, 상기 엔도뉴클레아제 물질은 엔도뉴클레아제가 인코드된 mRNA이다. B. 표적 좌 안으로 관심 대상의 폴리뉴클레오티드를 통합시키는 방법 관심대상의 표적 좌를 변형시키는 방법들이 제공된다. 한 구체예에서, 다능성 또는 비-다능성 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 세포 안에 표적 좌는 유전적 변형에 대해 표적화된다. 이러한 방법은 다음을 포함한다: (a) 다능성 또는 비-다능성 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 세포 안으로 5' 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 상동성 아암과 3' 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 상동성 아암의 측면에 있는 삽입 핵산이 포함된 표적화 벡터를 도입시키고; 그리고 (b) 상기 표적 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형을 포함하는 유전적으로 변형된 다능성 또는 비-다능성 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 세포를 식별해내고, 이때 상기 표적화된 유전적 변형은 생식계열을 통하여 유전될 수 있다. 특정 구체예들에서, 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 최소한 10 kb이며 및/또는 큰 표적화 벡터가 이용된다. 다른 구체예들에서, LTVEC의 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합 크기는 약 10 kb 내지 약 150 kb, 약 10 kb 내지 약 100 kb, 약 10 kb 내지 약 75 kb, 약 20 kb 내지 약 150 kb, 약 20 kb 내지 약 100 kb, 약 20 kb 내지 약 75 kb, 약 30 kb 내지 약 150 kb, 약 30 kb 내지 약 100 kb, 약 30 kb 내지 약 75 kb, 약 40 kb 내지 약 150 kb, 약 40 kb 내지 약 100 kb, 약 40 kb 내지 약 75 kb, 약 50 kb 내지 약 150 kb, 약 50 kb 내지 약 100 kb, 또는 약 50 kb 내지 약 75 kb, 약 10 kb 내지 약 30 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 120 kb, 또는 약 120 kb 내지 약 150 kb이다. 한 구체예에서, 상기 결손의 크기는 LTVEC의 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합 크기와 동일하거나 또는 유사하다.다능성 세포, 예를 들면, 렛 세포는 배아 줄기 세포, 예를 들면, 렛 배아 줄기 세포일 수 있다. 특이적 구체예에서, (a) 상기 렛 ES 세포는 DA 균주 또는 ACI 균주로부터 유도되며; 또는 (b) 상기 렛 ES 세포는 Oct-4, Sox-2, 알칼리 포스파타제, 또는 이의 조합이 포함된 전분화능 표지의 발현을 특징으로 한다. 다른 경우들에 있어서, 이용된 렛 배아 줄기 세포는 2014년 2월 20일자로 제출된 U.S. 특허 출원 번호 14/185,103(본 명세서에 전문이 참고자료에 편입됨)에서 설명된 바와 같은, 렛 ES 세포를 포함한다. 본 명세서에서 제공된 방법들에서 임의의 다능성 또는 비-다능성 세포가 이용될 수 있다. 예를 들면, 상기 다능성 또는 비-다능성 세포는 진핵생물, 렛이 아닌 진핵생물, 비-인간 포유류, 포유류, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 렛 마우스, 인간 또는 헴스터로부터 유래될 수 있다.본 명세서의 도처에서 설명된 바와 같이, 상기 삽입 핵산은 임의의 핵산 서열일 수 있다. 비-제한적인 구체예들에서, (a) 상기 삽입 핵산은 내생성 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 핵산 서열이 상동성 또는 이종상동성 포유류 핵산 서열로 대체를 포함하며; (b) 상기 삽입 핵산은 내생성 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 핵산 서열의 결손을 포함하며; (c) 상기 삽입 핵산은 내생성 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 핵산 서열의 결손을 포함하며, 이때 상기 결손은 5 kb 내지 200 kb 또는 5 kb 내지 3 Mb (본 명세서의 도처에서 상세하게 논의된 바와 같이) 범위가 되며; (d) 상기 삽입 핵산은 외생성 핵산 서열 (예를 들면, 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 250 kb, 약 250 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 350 kb, 또는 약 350 kb 내지 약 400 kb 범위의 외생성 핵산 서열포함)의 추가를 포함하고; (e) 상기 삽입 핵산은 상동성 또는 이종상동성 핵산 서열이 포함된 외생성 핵산 서열을 포함하고; (f) 상기 (a)의 상동성 또는 이종상동성 핵산 서열, 이때 상기 핵산 서열은 인간 핵산 서열이며; (g) 상기 삽입 핵산은 (a)의 상동성 또는 이종상동성 핵산 서열을 포함하며, 이때 상기 핵산 서열은 인간과 렛 핵산 서열을 포함하는 키메라 핵산 서열이며; (h) 상기 삽입 핵산은 (e)의 외생성 핵산 서열을 포함하며, 이때 상기 삽입 핵산은 약 5 kb 내지 약 200 kb 범위가 되며; (i) 상기 삽입 핵산은 부위-특이적 재조합효소 표적 서열의 측면에 있는 조건부 대립인자를 포함하며; (j) 상기 삽입 핵산은 프로모터에 작동가능하도록 연계된 리포터 유전자를 포함하고; (k) 상기 삽입 핵산은 하나 또는 그 이상의 재배열안된 인간 면역글로블린 중쇄 VH 유전자 세그먼트, 하나 또는 그 이상의 재배열안된 인간 면역글로블린 중쇄 D 유전자 세그먼트, 그리고 하나 또는 그 이상의 재배열안된 인간 면역글로블린 중쇄 JH 유전자 세그먼트를 포함하며, 이들은 설치류 중쇄 불변 영역 핵산 서열에 작동가능하도록 연계되며; (l) 상기 삽입 핵산은 설치류 중쇄 불변 영역 핵산 서열에 작동가능하도록 연계된 재배열된 인간 면역글로블린 중쇄 가변 영역 핵산 서열을 포함하며; (m) 상기 삽입 핵산은 하나 또는 그 이상의 재배열안된 인간 면역글로블린 Vκ 또는 Vλ 유전자 세그먼트 그리고 하나 또는 그 이상의 재배열안된 인간 면역글로블린 Jκ 또는 Jλ 유전자 세그먼트를 포함하며, 이들은 포유류 면역글로블린 λ 또는 κ 경쇄 경쇄 불변 영역 핵산 서열에 작동가능하도록 연계되며; (n) 상기 삽입 핵산은 포유류 면역글로블린 λ 또는 κ 경쇄 경쇄 불변 영역 핵산 서열에 작동가능하도록 연계된 재배열된 인간 면역글로블린 λ 또는 κ 경쇄 가변 영역 핵산 서열을 포함하며; (o) (k) 및/또는 (l)의 포유류 중쇄 불변 영역 핵산 서열은 렛 불변 영역 핵산 서열, 인간 불변 영역 핵산 서열, 또는 이의 조합을 포함하고; 또는 (p) (m) 및/또는 (n)의 포유류 면역글로블린 λ 또는 κ 경쇄 불변 영역 핵산은 렛 불변 영역 핵산 서열, 인간 불변 영역 핵산 서열, 또는 이의 조합을 포함한다.한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 VH1-2, VH1-3, VH1-8, VH1-18, VH1-24, VH1-45, VH1-46, VH1-58, VH1-69, VH2-5, VH2-26, VH2-70, VH3-7, VH3-9, VH3-11, VH3-13, VH3-15, VH3-16, VH3-20, VH3-21, VH3-23, VH3-30, VH3-30-3, VH 3-30-5, VH3-33, VH3-35, VH3-38, VH3-43, VH3-48, VH3-49, VH3-53, VH3-64, VH3-66, VH3-72, VH3-73, VH3-74, VH4-4, VH4-28, VH4-30-1, VH4-30-2, VH4-30-4, VH4-31, VH4-34, VH4-39, VH4-59, VH4-61, VH5-51, VH6-1, VH7-4-1, VH7-81, 또는 이의 조합이 포함된, 하나 또는 그 이상의 기능적 인간 VH 유전자 세그먼트를 포함한다.한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 D1-1, D1-7, D1-14, D1-20, D1-26, D2-2, D2-8, D2-15, D2-21, D3-3, D3-9, D3-10, D3-16, D3-22, D4-4, D4-11, D4-17, D4-23, D5-12, D5-5, D5-18, D5-24, D6-6, D6-13, D6-19, D6-25, D7-27, 또는 이의 조합이 포함된, 하나 또는 그 이상의 기능적 인간 D 유전자 세그먼트를 포함한다.한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 JH1, JH2, JH3, JH4, JH5, JH6, 또는 이의 조합이 포함된, 하나 또는 그 이상의 기능적 JH 유전자 세그먼트를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 Vκ4-1, Vκ5-2, Vκ 7-3, Vκ 2-4, Vκ1-5, Vκ1-6, Vκ3-7, Vκ1-8, Vκ1-9, Vκ2-10, Vκ3-11, Vκ1-12, Vκ1-13, Vκ2-14, Vκ3-15, Vκ1-16, Vκ1-17, Vκ2-18, Vκ2-19, Vκ3-20, Vκ6-21, Vκ1-22, Vκ1-23, Vκ2-24, Vκ3-25, Vκ2-26, Vκ1-27, Vκ2-28, Vκ2-29, Vκ2-30, Vκ3-31, Vκ1-32, Vκ1-33, Vκ3-34, Vκ1-35, Vκ2-36, Vκ1-37, Vκ2-38, Vκ1-39, Vκ2-40, 또는 이의 조합이 포함된, 하나 또는 그 이상의 인간 Vκ 유전자 세그먼트를 포함한다.한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 Vλ3-1, Vλ4-3, Vλ2-8, Vλ3-9, Vλ3-10, Vλ2-11, Vλ3-12, Vλ2-14, Vλ3-16, Vλ2-18, Vλ3-19, Vλ3-21, Vλ3-22, Vλ2-23, Vλ3-25, Vλ3-27, 또는 이의 조합이 포함된, 하나 또는 그 이상의 인간 Vλ 유전자 세그먼트를 포함한다.한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 Jκ1, Jκ2, Jκ3, Jκ4, Jκ5, 또는 이의 조합이 포함된, 하나 또는 그 이상의 인간 Jκ 유전자 세그먼트를 포함한다.특정 구체예들에서, 다능성 또는 비-다능성 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 세포에서 표적 좌의 변형 시, 상기 유전적 변형은 생식계열을 통하여 유전된다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산 서열은 상기 게놈 안에 통합될 때, 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 ApoE 좌의 영역의 유전적 변형을 만들게 되는 폴리뉴클레오티드를 포함하며, 이때 ApoE 좌에서 상기 유전적 변형으로 인하여 ApoE 활성의 감소, ApoE 활성의 증가, 또는 ApoE 활성의 조절이 야기된다. 한 구체예에서, ApoE 녹아웃이 생성된다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산 서열은 상기 게놈 안에 통합될 때, 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 인간, 비-인간 포유류, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 인터루킨-2 수용체 감마 좌의 영역의 유전적 변형을 만들게 되는 폴리뉴클레오티드를 포함하며, 이때 인터루킨-2 수용체 감마 좌에서 유전적 변형으로 인터루킨-2 수용체 활성의 감소, 인터루킨-2 수용체 감마 활성의 증가, 또는 인터루킨-2 수용체 활성의 조절이 초래된다. 한 구체예에서, 인터루킨-2 수용체 녹아웃이 생성된다. 여전히 또다른 구체예에서, 상기 삽입 핵산 서열은 상기 게놈 안에 통합될 때, 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 Rag1 좌, 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 비-인간 포유류, 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 Rag2 좌 및/또는 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 Rag2/Rag1 좌의 영역의 유전적 변형을 만들게 되는 폴리뉴클레오티드를 포함하며, 이때 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 Rag1, Rag2 및/또는 Rag2/Rag1 좌에서 유전적 변형에 의해 Rag1, Rag2 또는 Rag1과 Rag2 단백질 활성의 감소, Rag1, Rag2 또는 Rag1과 Rag2 단백질 활성의 증가, 또는 Rag1, Rag2 또는 Rag 1 및 Rag2 단백질 활성의 조절이 초래된다. 한 구체예에서, Rag1, Rag2 또는 Rag2/Rag1 녹아웃이 생성된다. 추가 구체예들에서, 상기 삽입 핵산은 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 ApoE 좌, 인터루킨-2 수용체 감마 좌 및/또는 Rag2 좌, 및/또는 Rag1 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌의 부분이 또다른 유기체의 ApoE 좌, 인터루킨-2 수용체 감마 좌, Rag2 좌, Rag1 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌의 대응하는 이종상동성 부분으로 대체를 야기한다. 여전히 다른 구체예들에서, 상기 삽입 핵산은 대체되는 ApoE 좌, 인터루킨-2 수용체 감마 좌, Rag2 좌, Rag1 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌의 부분에 대하여 이의 전체 길이를 통하여 대체되는 최소한 80%, 85%, 90%, 91%, 92%, 93%, 94%, 95%, 96%, 97%, 98%, 99%를 공유하는 폴리뉴클레오티드를 포함한다. 주어진 삽입 폴리뉴클레오티드와 대체되는 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 좌의 대응하는 영역은 코딩 영역, 인트론, 엑손, 비해독 영역, 조절 영역, 프로모터, 또는 인헨서 또는 이의 임의의 조합일 수 있다. 더욱이, 주어진 삽입 폴리뉴클레오티드 및/또는 대체되는 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 인간, 비-인간 포유류, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 좌의 영역은 예를 들면, 10-100 뉴클레오티드 길이, 100-500 뉴클레오티드 길이, 500-1 kb 뉴클레오티드 길이, 1 kb 내지 1.5 kb 뉴클레오티드 길이, 1.5 kb 내지 2 kb 뉴클레오티드 길이, 2 kb 내지 2.5 kb 뉴클레오티드 길이, 2.5 kb 내지 3 kb 뉴클레오티드 길이, 3 kb 내지 5 kb 뉴클레오티드 길이, 5 kb 내지 8 kb 뉴클레오티드 길이, 8 kb 내지 10 kb 뉴클레오티드 길이 또는 그 이상이 포함된, 임의의 원하는 길이가 될 수 있다. 다른 경우들에 있어서, 상기 삽입 또는 대체 크기는 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 250 kb, 약 250 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 350 kb, 약 350 kb 내지 약 400 kb, 약 400 kb 내지 약 800 kb, 약 800 kb 내지 1 Mb, 약 1 Mb 내지 약 1.5 Mb, 약 1.5 Mb 내지 약 2 Mb, 약 2 Mb, 내지 약 2.5 Mb, 약 2.5 Mb 내지 약 2.8 Mb, 약 2.8 Mb 내지 약 3 Mb이다. 다른 구체예들에서, 주어진 삽입 폴리뉴클레오티드 및/또는 대체되는 렛 진핵, 렛이 아닌 진핵, 비-인간 포유류, 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스 또는 헴스터 좌의 영역은 최소한 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 또는 900 뉴클레오티드 또는 최소한 1 kb, 2 kb, 3 kb, 4 kb, 5 kb, 6 kb, 7 kb, 8 kb, 9 kb, 10 kb, 11 kb, 12 kb, 13 kb, 14 kb, 15 kb, 16 kb 또는 그 이상이다. i. 세균성 상동성 재조합 (BHR)을 통하여 핵산의 표적 좌를 변형시키는 방법들원핵 세포 안에서 세균성 상동성 재조합 (BHR)을 통하여 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 인간 또는 비-인간 포유류 핵산의 표적 좌를 변형시키는 방법 및 조성물들이 제공된다. 이러한 방법은 표적화 벡터를 만들기 위하여, 진핵, 렛이 아닌 진핵, 포유류, 인간 또는 비-인간 포유류 핵산의 표적 좌를 유전적으로 변형시키기 위하여 원핵 세포 안에서 세균성 상동성 재조합을 이용하는데 용도를 찾는다. 유전적으로 변형된 표적 좌가 포함된 이러한 표적화 벡터는 진핵 세포, 예를 들면, 진핵 세포, 렛이 아닌 진핵 세포, 포유류 세포, 인간 세포, 비-인간 포유류 세포, 다능성 세포, 비-다능성 세포, 비-인간 다능성 세포, 인간 다능성 세포, 인간 ES 세포, 인간 성인 줄기 세포, 발생학적으로-제한된 인간 선조 세포, 인간 iPS 세포, 인간 세포, 설치류 세포, 렛이 아닌 설치류 세포, 렛 세포, 마우스 세포, 헴스터 세포, 섬유아세포, 또는 CHO 세포 안으로 도입될 수 있다. "상동성 재조합"은 2개의 DNA 분자들 사이에서 상동성 영역 안에 교차 부위에서 DNA 단편들의 교환을 포함한다. 따라서, "세균성 상동성 재조합" 또는 "BHR"은 세균 안에서 일어나는 상동성 재조합을 포함한다. 세균성 상동성 재조합 (BHR)을 통하여 진핵 세포, 렛이 아닌 진핵 세포, 포유류 세포, 인간 세포, 비-인간 포유류 세포, 다능성 세포, 비-다능성 세포, 비-인간 다능성 세포, 인간 다능성 세포, 인간 ES 세포, 인간 성인 줄기 세포, 발생학적으로-제한된 인간 선조 세포, 인간 iPS 세포, 인간 세포, 설치류 세포, 렛이 아닌 설치류 세포, 렛 세포, 마우스 세포, 헴스터 세포, 섬유아세포, 또는 CHO 세포로부터 핵산의 표적 좌를 변형시키는 방법들이 제공된다. 상기 방법들은 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 측면에 있는 삽입 핵산이 포함된 표적화 벡터를 원핵 세포 안으로 도입시키는 것을 포함하며, 이때 상기 원핵 세포는 핵산의 표적 좌를 포함하고, 상기 표적 좌에서 BHR을 중재하는 재조합 효소를 발현시킬 수 있다. 이러한 표적화 벡터는 본 명세서에서 논의된 임의의 큰 표적화 벡터를 포함할 수 있다.한 구체예에서, 상기 방법은 원핵 세포 안으로 다음을 도입시키는 것을 포함한다: (i) 관심 DNA 서열을 갖는 핵산이 포함된 제 1 구조체; (ii) 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 측면에 있는 삽입 핵산이 포함된 제 2 표적화 구조체, 그리고 (iii) 세균성 상동성 재조합을 중재하는 재조합효소가 인코딩된 제 3 구조체. 한 구체예에서, 제 1, 제 2, 및 제 3 구조체는 일정 시간에 걸쳐 별도로 원핵 세포 안으로 도입된다. 한 구체예에서, 상기 원핵 세포는 재조합효소가 인코드된 핵산을 포함하며, 이 방법은 제 3 구조체의 도입을 필요로 하지 않는다. 한 구체예에서, 상기 재조합효소는 유도성 프로모터의 조절 하에 발현된다.한 구체예에서 상기 핵산이 포함된 제 1 구조체는 세균성 인공 염색체 (BAC) 또는 효모 인공 염색체 (YAC)로부터 유도된다. 상기 표적 게놈 좌에서 삽입 핵산이 포함된 원핵 세포가 선별될 수 있다. 이 방법은 원핵 세포 안에서 표적화된 좌에 다중 삽입 핵산이 도입되도록 본 명세서에서 공개된 바와 같이 연속적으로 반복될 수 있다. 일단, 상기 표적 핵산 좌가 원핵 세포 안에서 "구축(built)"되면, 상기 변형된 표적 좌가 포함된 표적화 벡터는 진핵 세포, 렛이 아닌 진핵 세포, 포유류 세포, 인간 세포, 비-인간 포유류 세포, 다능성 세포, 비-다능성 세포, 비-인간 다능성 세포, 인간 다능성 세포, 인간 ES 세포, 인간 성인 줄기 세포, 발생학적으로-제한된 인간 선조 세포, 인간 iPS 세포, 인간 세포, 설치류 세포, 렛이 아닌 설치류 세포, 렛 세포, 마우스 세포, 헴스터 세포, 섬유아세포, 또는 CHO 세포 안에 표적 게놈 좌로 도입될 수 있다.표적화 벡터를 회수하는데 바람직한 렛 세포는 2014년 2월 20일자로 제출된 U.S. 출원 14/185,703에 공개되어 있으며, 이의 내용은 본 명세서에서 요약된다. 이들 렛 세포는 시험관에서 하나 또는 그 이상의 표적화된 유전적 변형 후, 이들의 전분화능을 유지할 수 있고, 생식계열을 통하여 상기 표적화된 유전적 변형을 유전시킬 수 있다. 예를 들면, 전기천공된 다능성 세포는 상기 표적화 벡터가 포함된 약물-저항성 세포의 선별을 위하여 고밀도로 도말된다. 상기 약물 선별 공정은 상기 도말된 세포의 대부분(~99%)을 제거하며, 개별 콜로니를 남겨두며, 이때 콜로니 각각은 단일 세포로부터 유도된 클론이다. 남아있는 세포 중에서, 대부분 세포 (~ 80-100%)는 상기 게놈에서 무작위 위치에 통합된 상기 표적화 벡터 (약물 선별 카세트가 포함된)를 보유한다. 따라서, 상기 콜로니은 개별적으로 떼어내고, 정확한 게놈 위치에서 상기 표적화 벡터를 품고 있는 ES 세포를 식별해내기 위하여 유전자유형분석된다 (가령, 하기에서 설명된 대립유전자의 변형 분석). 유전자형분석(genotyping)을 위하여 고처리량 정량적 분석, 이름하여, 대립유전자의 변형 (MOA) 분석이 이용될 수 있다. 이러한 분석은 유전적 변형 후, 부계 염색체에서 변형된 대립유전자(들)의 대규모 스크리닝(screening)을 허용한다. MOA 분석은 정량적 PCR, 가령, 실시간 PCR (qPCR)을 포함하나, 이에 국한되지 않은 다양한 분석 기술을 통하여 실행될 수 있다. 예를 들면, 실시간 PCR은 상기 표적 좌를 인지하는 제 1 프라이머 세트와 비-표적화된 참고 좌를 인지하는 제 2 프라이머 세트를 포함한다. 추가적으로, 상기 프라이머 세트는 증폭된 서열을 인지하는 형광 프로브를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 정량적 분석은 Invader Probes�潁� 통하여 실행된다. 한 구체예에서, 상기 정량적 분석은 MMP 분석�瑛� 통하여 실행된다. 한 구체예에서, 상기 정량적 분석은 TaqMan�� Molecular Beacon을 통하여 실행된다. 한 구체예에서, 상기 정량적 분석은 Eclipse™ 프로브 기술을 통하여 실행된다. (예를 들면, US2005/0144655 참고하며, 이의 전문이 참고자료에 편입됨).표적화된 유전적 변형이 포함된 선별된 다능성 세포 (가령, 비-인간 다능성 세포, 비-인간 ES 세포)는 그 다음 숙주 배아, 예를 들면, 상실배-전(pre-morula) 단계 또는 낭포 단계 배아로 도입될 수 있고, 시조(founder) 비-인간 동물 (F0 동물)을 만들기 위하여 대리모의 자궁 안에 이식된다. 차후, 상기 시조 동물은 예를 들면, 상기 유전적 변형을 위한 F1 자손을 만들기 위하여 야생형 동물로 사육될 수 있다. 이형접합성 F1 동물의 짝짓기는 유전적 변형을 위한 동형접합성 자손을 생산한다. 이형접합성 F1 동물의 짝짓기는 유전적 변형을 위한 동형접합성 자손을 생산한다. 일부 구체예들에서, 본 명세서에서 설명된 상기 표적 좌들의 다양한 유전적 변형은 본 명세서의 도처에서 상세하게 설명된 바와 같이, 큰 표적화 벡터 (LTVEC)를 이용하여 실행될 수 있다. 예를 들면, LTVEC는 VELOCIGENE�� 유전 공학적 기술 (가령, US 특허 번호 6,586,251 및 Valenzuela, D. M. et al. (2003), High-throughput engineering of the mouse genome coupled with high-resolution expression analysis, Nature Biotechnology 21(6): 652-659, 이들은 전문이 본 명세서의 참고자료에 편입됨)을 이용하여 세균성 인공 염색체(BAC) DNA로부터 유도될 수 있다. 큰 표적화 벡터 (LTVEC)를 만들기 위하여 세균성 상동성 재조합 (BHR)의 사용은 큰 게놈 DNA 단편을 수용함에 있어서 플라스미드의 제약과, 다능성 또는 비-다능성 세포에서 내생성 좌 안으로 표적화된 변형을 도입함에 있어서 결과되는 낮은 효과를 회피한다. LTVEC를 생성하는데 있어서 하나 또는 그 이상의 표적화된 유전적 변형이 실행될 수 있다. 원핵 세포에서 생산된 예시적인 LTVEC는 상동성 아암의 측면에 있는, 특이적 게놈 영역에 상보적인 하나 또는 그 이상의 유전적 변형 또는 외생성 핵산(가령, 렛 핵산의 동족체(homolog) 또는 오르소로그(ortholog))와 함께, 게놈 서열을 운반하는 삽입 핵산을 포함할 수 있다.본 명세서에서 설명된 다양한 표적화 벡터가 포함된 숙주 원핵 세포가 또한 제공된다. 이러한 원핵 세포는 세균, 이를 테면, 대장균(E. coli)을 포함하나, 이에 국한되지 않는다. 한 구체예에서, 숙주 원핵 세포는 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 측면에 있는 삽입 핵산이 포함된 표적화 벡터를 포함하며, 이때 상기 삽입 핵산은 약 5 kb 내지 약 200 kb 범위가 된다. 상기 숙주 원핵 세포는 재조합효소 폴리펩티드를 인코드하는 핵산을 더 포함할 수 있고 또는 재조합효소 폴리펩티드가 인코드된 핵산은 유도성 프로모터에 작동가능하도록 연계된다.표적화된 유전적 변형을 만들기 위하여 원핵 세포와 복합되어, 본 명세서에서 설명된 LTVEC를 이용하는 다양한 방법 및 조성물들이 더 제공된다. 이러한 조성물 및 방법들은 본 명세서의 도처에서 논의된다.세균성 상동성 재조합 (BHR)을 통하여 핵산의 표적 좌를 변형시키는 방법은 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 측면에 있는 삽입 핵산이 포함된 표적화 벡터를 원핵 세포 안으로 도입시키는 것을 포함하며, 이때 상기 원핵 세포는 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암에 대응하는 핵산을 포함하고, 상기 원핵 세포는 상기 표적 좌에서 BHR을 중재하는 재조합 효소를 발현시킬 수 있다. 이러한 표적화 벡터는 본 명세서에서 논의된 임의의 큰 표적화 벡터를 포함할 수 있다. 이러한 방법은 본 명세서에서 상세하게 논의되는 LTVEC를 이용할 수 있고, 본 명세서의 도처에서 논의된 바와 같은 CRISPR/Cas 시스템을 더 이용한다. 한 구체예에서, CRISPR/Cas 시스템은 원핵 세포, 이를 테면, 예를 들면, 대장균(E.coli)에서 활성인 프로모터에 의해 조절될 수 있다.ii. 다분화능 세포 또는 비-다분화능 세포에서 관심대상의 표적 좌를 변형시키는 방법표적화된 유전적 변형을 통하여 다능성 세포 또는 비-다능성 세포 안에서 관심대상의 표적 좌를 변형시키는 방법이 더 제공되는데, 이 방법은 (a) 상기 다능성 세포 또는 비-다능성 세포 안으로 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 측면에 있는 삽입 핵산이 포함된 표적화 벡터를 도입시키고, 이때 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 최소한 10 kb이며; 그리고 (b) 상기 관심대상의 표적 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형이 포함된 유전적으로 변형된 다능성 또는 비-다능성 세포를 식별해내는 것을 포함한다. 한 구체예에서, 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 최소한 약 16 kb 내지 약 30 kb이다. 특정 구체예들에서, 상기 표적화된 유전적 변형은 생식계열을 통하여 유전될 수 있다. 이러한 표적화 벡터는 본 명세서에서 논의된 임의의 큰 표적화 벡터를 포함할 수 있다.본 명세서에서 제공된 관심대상의 표적 좌를 변형시키는 방법에 다양한 세포들이 또한 이용될 수 있다. 특정 구체예들에서, 상기 세포는 진핵 세포, 렛이 아닌 진핵 세포, 다능성 세포, 비-다능성 세포, 비-인간 다능성 세포, 인간 다능성 세포, 인간 ES 세포, 인간 성인 줄기 세포, 발생학적으로 제한된 인간 선조 세포, 인간 유도화된 다능성 세포 (iPS) 세포, 포유류 세포, 인간 세포, 섬유아세포, 설치류 세포, 렛이 아닌 설치류 세포, 마우스 세포, 헴스터 세포 또는 CHO 세포이다.한 측면에서, 표적화된 유전적 변형을 통하여 다능성 세포 안에서 관심 대상의 게놈 좌를 변형시키는 방법이 제공되는데, 이 방법은 다음을 포함한다: (a) 게놈의 최소한 하나의 표적화된 유전적 변형 후, 이의 전분화능을 지속할 수 있고, F1 세대의 생식계열로 상기 표적화된 변형을 유전시킬 수 있는 다능성 세포가 제공되며; (b) 큰 표적화 벡터 (LTVEC)를 상기 다능성 세포 안으로 도입시키고, 이때 LTVEC는 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 측면에 있는 삽입 핵산을 포함하고, 이때 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암은 게놈 DNA 단편을 포함하며; 그리고 (c) 상기 표적화된 유전적 변형이 포함된 유전적으로 변형된 다능성 세포를 식별해낸다. 상기 관심대상의 표적 좌에 통합된 삽입 핵산을 보유하는 세포를 식별해내는데 다양한 방법들이 이용될 수 있다. 상기 관심대상의 표적 좌에 삽입 핵산으로 삽입으로 "대립유전자의 변형"이 초래된다. 용어 "대립유전자의 변형"과 상기 변형된 대립유전자의 탐지 방법은 본 명세서에서 더 상세하게 논의된다. 한 측면에서, 엔도뉴클레아제-중개된 유전자 표적화를 통하여 비-다능성 세포 또는 다능성 세포에서 관심 대상의 게놈 좌를 변형시키는 방법이 제공되는데, 상기 방법은 다음을 포함한다: (a) 상기 유전적으로 변형된 게놈을 F1 세대의 생식계열로 유전시킬 수 있는 단리된 비-다능성 세포 또는 단리된 다능성 세포를 제공하고; (b) 상기 비-다능성 세포 또는 상기 다능성 세포 안으로 엔도뉴클레아제 물질을 도입시키고; 이때 상기 엔도뉴클레아제 물질은 상기 관심 대상의 게놈 좌 안에 위치된 표적 DNA 서열에 닉 또는 이중 가닥 틈을 만들고, 그리고 이때 비-다능성 세포 또는 상기 다능성 세포의 상기 표적 DNA 서열에서 닉 또는 이중 가닥 틈은 (i) 닉 또는 이중 가닥 틈의 비-상동성 단부 연결 (NHEJ)-중개된 DNA 복구를 유도하고, 이때 상기 NHEJ-중개된 DNA 복구는 상기 표적 DNA 서열에서 핵산 서열의 삽입 또는 결손이 포함된 돌연변이 대립유전자를 만들고; 또는 (ii) 상동성 재조합-중개된 DNA 복구는 야생형 핵산 서열의 복원을 초래하며; 그리고 (c) 상기 변형된 관심 대상의 게놈 좌를 식별해낸다.한 측면에서, 단리된 배아 줄기 세포 (ES)에서 뉴클레아제 물질을 통하여 관심 대상의 게놈 좌를 변형시키는 방법이 제공되는데, 이 방법은 다음을 포함한다: (a) 상기 유전적으로 변형된 게놈을 F1 세대의 생식계열로 유전시킬 수 있는 단리된 ES 세포를 제공하고; (b) ES 세포 안으로 다음을 도입시키고: (i) LTVEC는 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 측면에 있는 삽입 핵산을 포함하는 큰 표적화 벡터 (LTVEC), 이때 상기 삽입은 최소한 5 kb인 핵산 서열이며; 그리고 (ii) 엔도뉴클레아제 물질, 이때 상기 엔도뉴클레아제 물질은 상기 관심 대상의 게놈 좌 안에 위치된 표적 DNA 서열에 닉 또는 이중 가닥 틈을 만들고, 그리고 이때 상기 표적 서열은 상기 삽입 핵산에 존재하지 않고; 그리고 (c) 상기 배아 줄기 (ES) 세포에서 상기 표적화된 유전적 변형을 식별해낸다.한 측면에서, RNA-안내된 게놈 공학을 통하여 비-다능성 세포 또는 다능성 세포에서 관심 대상의 게놈 좌를 변형시키는 방법이 제공되며, 상기 방법은 다음을 포함한다: (a) 상기 유전적으로 변형된 게놈을 F1 세대의 생식계열로 유전시킬 수 있는 비-다능성 세포 또는 다능성 세포를 제공하고; (b) 상기 비-다능성 세포 또는 상기 다능성 세포 안으로 다음을 도입시킨다: (i) 클러스트화된 규칙적으로 사이공간을 둔 짧은 팔린드롬성 반복부 (CRISPR)-연합된 (Cas) 단백질이 인코드된 제 1 핵산 서열에 작동가능하도록 연계된 제 1 프로모터가 포함된 제 1 발현 구조체, (ii) 가이드 RNA (gRNA)에 게놈 표적 서열에 작동가능하도록 연계된 제 2 프로모터가 포함된 제 2 발현 구조체, 이때 상기 게놈 표적 서열은 프로토스페이스 인접 모티프 (PAM) 서열의 측면에 있다. 임의선택적으로 상기 게놈 표적 서열은 3'단부 상에서 프로토스페이스 인접 모티프 (PAM) 서열의 측면에 있다. 한 구체예에서, Cas 단백질 및 CRISPR RNA 및/또는 tracrRNA는 자연적으로 함께 생성되지 않는다 (가령, Cas 단백질 및 CRISPR RNA는 자연적으로 함께 생성되지 않는다). 한 구체예에서, 상기 게놈 표적 서열은 상기 뉴클레오티드 서열 GNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNGG (GN1-20GG; 서열 번호: 1)를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 표적 서열은 서열 번호: 1을 포함하고, 이때 N은 14 내지 20개의 뉴클레오티드 길이가 된다. 한 구체예에서, gRNA는 클러스트화된 규칙적으로 사이공간을 둔 짧은 팔린드롬성 반복부 (CRISPR) RNA (crRNA)를 인코드하는 제 3 핵산 서열과 트란스-활성화 CRISPR RNA (tracrRNA)를 인코드하는 제 4 핵산 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 발현 시, Cas 단백질 형태 CRISPR-Cas 복합체는 crRNA 및 tracrRNA를 포함하며, 그리고 CRISPR-Cas 복합체는 관심 대상의 게놈 좌에 위치된 표적 DNA 서열에 닉 또는 이중가닥 틈을 만들고, 그리고 이때 상기 비-다능성 세포 또는 상기 다능성 세포안 상기 표적 DNA 서열에서 닉 또는 이중 가닥 틈은 (i) CRISPR-Cas 복합체에 의해 만들어진 닉 또는 이중 가닥 틈의 비-상동성 단부 연결 (NHEJ)-중개된 DNA 복구를 유도하고, 이때 NHEJ는 상기 표적 DNA 서열에서 핵산 서열의 삽입 또는 결손이 포함된 돌연변이 대립유전자를 만들고; 또는 (ii) 상동성 재조합-중개된 DNA 복구는 야생형 핵산 서열의 복원을 초래하며; 그리고 (c) 상기 변형된 상기 관심 대상의 게놈 좌를 식별해된다.한 측면에서, RNA-안내된 게놈 공학을 통하여 비-다능성 세포 또는 다능성 세포에서 관심 대상의 게놈 좌를 변형시키는 방법이 제공되며, 상기 방법은 생식계열을 통하여 상기 변형된 게놈을 유전시킬 수 있는 비-다능성 세포 또는 상기 다능성 세포 안으로 다음을 도입시키는 것을 포함한다: (i) 클러스트화된 규칙적으로 사이공간을 둔 짧은 팔린드롬성 반복부 (CRISPR)-연합된 (Cas) 단백질 또는 Cas 단백질이 인코드된 핵산; 그리고 (ii) gRNA 또는 gRNA인코딩된 DNA, 이때 gRNA는 게놈 표적 서열에 혼성화되는 뉴클레오티드 서열과 트란스-활성화 CRISPR RNA (tracrRNA)를 포함하며; 이때 상기 게놈 표적 서열은 프로토스페이스 인접 모티프 (PAM) 서열의 측면에 있다. 일부 구체예들에서, Cas 단백질은 상기 비-다능성 세포 또는 상기 다능성 세포 안에 단리된 단백질로 도입될 수 있다. 일부 구체예들에서, Cas 단백질은 이 단백질의 세포 취입을 촉진시키는 세포-침투성 도메인을 더 포함할 수 있다. 다른 구체예들에서, Cas 단백질은 Cas 단백질이 인코드된 메신져 RNA (mRNA) 분자 형태로 상기 세포 안으로 도입될 수 있다. 다른 구체예들에서, Cas 단백질은 Cas 단백질이 인코드된 DNA 분자 형태로 상기 세포 안으로 도입될 수 있다. 예를 들면, Cas 단백질이 인코드된 DNA 분자는 구조체 안에 제공되며, 상기 비-다능성 세포 또는 상기 다능성 세포에서 발현시킬 수 있는 프로모터에 작동가능하도록 연계될 수 있다. 특정 구체예들에서, Cas 단백질이 인코드된 핵산은 상기 비-다능성 세포 또는 상기 다능성 세포 안에서 발현을 위하여 코돈 최적화된다.일부 구체예들에서, gRNA는 RNA 분자 형태로 상기 비-다능성 세포 또는 상기 다능성 세포 안으로 도입될 수 있다. 예를 들면, gRNA 분자는 시험관에서 전사될 수 있다. 다른 구체예들에서, gRNA는 gRNA가 인코딩된 DNA 분자 형태로 비-다능성 세포 또는 상기 다능성 세포 안으로 도입될 수 있다. 예를 들면, 상기 gRNA가 인코딩된 분자는 구조체 안에 제공되며, 상기 비-다능성 세포 또는 상기 다능성 세포에서 gRNA를 발현시킬 수 있는 프로모터에 작동가능하도록 연계될 수 있다. 다른 구체예들에서, gRNA는 화학적으로 합성될 수 있다. 일부 구체예들에서, gRNA는 융합된 crRNA-tracrRNA 분자 (가령, 단일 전사체) 로써 비-다능성 세포 또는 상기 다능성 세포 안으로 도입될 수 있다. 다른 구체예들에서, gRNA는 별도의 crRNA 및 tracrRNA 분자 (가령, 별도의 전사체)로써 비-다능성 세포 또는 상기 다능성 세포 안으로 도입될 수 있다. 다른 구체예들에서, gRNA는 crRNA 및 tracrRNA를 각각 인코드하는 별도의 DNA 분자로써 비-다능성 세포 또는 상기 다능성 세포 안으로 도입될 수 있다. 예를 들면, crRNA 및 tracrRNA를 인코드하는 별도의 DNA 분자는 별도의 구조체 안에 제공되며, 비-다능성 세포 또는 상기 다능성 세포에서 발현시킬 수 있는 프로모터에 작동가능하도록 연계될 수 있다. 상기 구체예들중 임의의 것에서, 상기 구조체들의 임의의 조합은 별도의 핵산 분자에 있을 수 있거나 또는 단일 핵산 분자에 함께 있을 수 있다.일부 구체예들에서, Cas 단백질과 gRNA는 비-다능성 세포 또는 상기 다능성 세포 안으로 동시에 또는 순차적으로 도입될 수 있다. 유사하게, gRNA의 crRNA 및 tracrRNA는 비-다능성 세포 또는 상기 다능성 세포 안으로 동시에 또는 순차적으로 도입될 수 있다. gRNA (또는 DNA를 인코딩하는)에 대한 Cas 단백질 (또는 핵산을 인코딩하는)의 비율 및/또는 tracrRNA에 대한 crRNA 비율은 대략 화학량론적일 수 있고, 이들은 RNA-단백질 복합체를 형성할 수 있다. 특정 구체예들에서, Cas 단백질은 gRNA와의 복합체 형태로 비-다능성 세포 또는 상기 다능성 세포 안으로 도입될 수 있다. 한 구체예에서, 상기 다능성 세포는 유도화된 다능성 줄기 세포 (iPS)다. 한 구체예에서, 상기 다능성 세포는 발생학적으로 제한된 선조 세포다. 다양한 구체예들에 있어서, 선별 표지내 인지 부위에서 닉 또는 이중-가닥 파괴가 존재한다면, 표적화 벡터 (이를 테면 LTVEC)와 상기 표적화된 관심대상의 좌 사이의 재조합 효과 및/또는 빈도가 증가된다. 한 구체예에서, 상기 재조합은 상동성 재조합이다. 또다른 구체예에서, 상기 재조합은 비-상동성 단부 연결에 의한 삽입이다. 다양한 구체예들에서, 닉 또는 이중 가닥 틈 존재하에서, 상기 표적 게놈 좌에서 표적화 벡터 (이를 테면 LTVEC)의 표적화 효과는 닉 또는 이중-가닥 파괴 없는 경우(가령, 동일한 표적화 벡터와 동일한 상동성 아암 그리고 관심 대상의 게놈 좌에서 대응하는 표적 부위들을 이용하지만, 닉 또는 이중 가닥 틈을 만드는 추가된 뉴클레아제 물질이 없는)보다 최소한 약 2-배 더 높고, 최소한 약 3-배 더 높고, 최소한 약 4-배 높다. 한 구체예에서, 상기 표적 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형은 이중대립형질이다. "이중대립형질"이란 유전자의 양쪽 대립유전자는 상기 표적화된 유전적 변형을 포함한다는 것을 의미한다. 상기 표적화된 유전적 변형은 각 대립유전자에서 동일한 또는 상이할 수 있다. 예를 들면, 이중대립형질 변형은 대응하는 상동성 염색체에서 대응하는 대립유전자에 대해 만들어진 동일한 변형으로부터 기인될 수 있거나, 또는 대응하는 상동성 염색체상에 대응하는 대립유전자에 대하여 만들어진 상이한 변형으로부터 기인될 수 있다. 따라서, 이중대립형질 변형은 예를 들면, 관심 대상의 게놈 좌에서 특이적 변형에 대하여 동형접합성(homozygosity) (가령, 양쪽 대립유전자에서 특이적 변형), 관심 대상의 게놈 좌에서 컴파운드 이형접합성(compound heterozygosity) (가령, 하나의 대립유전자에는 특이적 변형을, 그리고 다른 대립유전자는 비활성화 또는 붕괴), 또는 관심 대상의 게놈 좌에서 이형접합성 (가령, 하나의 대립유전자에는 특이적 변형을, 그리고 다른 대립유전자는 상실)을 초래할 수 있다. 특정 구체예들에서, 뉴클레아제 물질과 함께 표적화 벡터 (예를 들면, LTVEC를 포함)의 복합된 사용은 상기 표적화 벡터 단독 사용과 비교하였을 때, 세포에서 상기 관심 대상의 게놈 좌의 이중대립형질 표적화된 유전적 변형을 초래한다. 상기 표적화 벡터가 뉴클레아제 물질과 병행이용될 때, 이중대립형질 표적화 효과는 상기 표적화 벡터가 단독으로 이용될 경우와 비교하였을 때, 2-배, 최소한 3개의-배, 최소한 4-배 또는 그 이상 증가된다. 추가 구체예들에서, 상기 이중대립형질 표적화 효과는 최소한 0.2%, 0.3%, 0.4%, 0.5%, 0.6%, 0.7%, 0.8%, 0.9%, 1%, 2%, 3%, 4% 또는 5% 또는 더 높다. 상기 표적 좌에서 이중대립형질 표적화된 유전적 변형은 동형접합성으로 유전적으로 변형된 세포를 초래한다. "동형접합성"이란 상기 표적 좌의 양쪽 대립유전자 (가령, 양쪽 상동성 염색체상의 대립유전자)들이 동일한 방식으로 변형되었다는 것을 의미한다. 특정 구체예들에서, 뉴클레아제 물질과 함께 표적화 벡터 (예를 들면, LTVEC를 포함)의 복합된 사용은 세포에서 상기 관심 대상의 게놈 좌의 이중대립형질 표적화된 동형접합성 유전적 변형을 초래한다. 한 구체예에서, 상기 이중대립형질 유전적 변형은 2개의 상동성 염색체 (가령, 제 1 및 제 2 상동성 염색체의 쌍)의 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손과 2개의 상동성 염색체 (가령, 제 1 및 제 2 상동성 염색체의 쌍)의 관심 대상의 게놈 좌에서 삽입 핵산의 삽입을 포함한다. 일부 구체예들에서, 상기 삽입 핵산은 양쪽 상동성 염색체의 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열을 대체한다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 상기 결손된 내생성 핵산 서열에 대하여 상동성 또는 이종상동성이다.한 구체예에서, 상기 표적 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형은 반접합성 유전적으로 변형된 세포를 초래한다. "반접합성"이란 표적 좌의 오직 하나의 대립유전자 (가령, 2개의 상동성 염색체중 하나에 있는 대립유전자)만 존재하거나, 또는 오직 하나의 대립유전자만 발현되고 기능을 할 수 있음을 의미한다. 다른 구체예들에서, 상기 표적화된 유전적 변형은 더욱 일반적으로 컴파운드 이형접합성을 초래한다. 컴파운드 이형접합성은 상기 표적 좌의 양쪽 대립유전자 (가령, 양쪽 상동성 염색체 상의 대립유전자들)들이 변형되었는지만, 상이한 방식으로 변형된 상황 (가령, 하나의 대립유전자에서 삽입과, 다른 대립유전자의 비활성화 또는 붕괴)을 포함한다. 특정 구체예들에서, 뉴클레아제 물질과 함께 표적화 벡터 (예를 들면, LTVEC를 포함)의 복합된 사용은 세포에서 상기 관심 대상의 게놈 좌의 반접합성 표적화된 유전적 변형을 초래한다. 특정 구체예들에서, 뉴클레아제 물질과 함께 표적화 벡터 (예를 들면, LTVEC를 포함)의 복합된 사용은 세포에서 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 컴파운드 이형접합성을 만드는 표적화된 유전적 변형을 초래한다. 한 구체예에서, 하나의 염색체 안에 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형은 내생성 핵산 서열의 결손과 삽입 핵산을 포함한다. 다른 구체예들에서, 상기 표적화된 유전적 변형은 다음을 포함한다: (1) 2개의 상동성 염색체 안에 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손; 그리고 (2) 제 1 염색체 안에 관심 대상의 게놈 좌에 삽입 핵산의 삽입과 제 2 염색체 안에 관심 대상의 게놈 좌의 붕괴. 상기 제 1 염색체는 2개의 상동성 염색체의 첫번째일 수 있고, 제 2 염색체는 2개의 상동성 염색체의 두번째일 수 있다. 다른 구체예들에서, 상기 표적화된 변형은 다음을 포함한다: (1) 제 1 상동성 염색체에서 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손과 상기 관심 대상의 게놈 좌 안으로 상기 삽입 핵산의 삽입; 그리고 (2) 제 2 상동성 염색체에서 상기 관심 대상의 게놈 좌의 붕괴 예를 들면, 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 상기 뉴클레아제 물질에 의해 만들어진 이중-가닥 파괴가 비-상동성 단부 연결 (NHEJ)-중개된 DNA 복구에 의해 복구될 때, 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 핵산 서열의 삽입 또는 결손이 포함된 돌연변이 대립유전자가 생성되고, 이로 인하여 상기 관심 대상의 게놈 좌가 붕괴되어, 내생성 핵산 서열의 붕괴가 일어난다. 붕괴의 예로는 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 조절 요소 (가령, 프로모터 또는 인헨서)의 변경, 미스센스 돌연변이, 절두 돌연변이, 무효 돌연변이, 또는 소수의 뉴클레오티드의 삽입 또는 결손(가령, 틀이동(frameshift) 돌연변이를 일으키는)을 포함한다. 붕괴의 또다른 예는 넌센스 돌연변이다. 붕괴는 대립유전자의 비활성화 (가령, 기능의 상실) 또는 대립유전자의 상실을 초래할 수 있다.동형접합성 및 반접합성 표적화된 유전적 변형은 이러한 돌연변이가 포함된 유전적으로 변형된 세포들이 하기에서 논의되는 바와 같이 유전적으로 변형된 동물을 생성하는데 이용될 때, 의도된 표적화된 유전적 변형에 대하여 비-이형접합성 (가령, 동형접합성 또는 반접합성)인 유전적으로 변형된 동물을 만들기 위한 공정은 더 효과적이며, 번식 단계가 더 적게 요구되기 때문에 시간 소모가 작아서 유익하다. 컴파운드 이형접합성 또는 반접합성(가령, 하나의 대립유전자에는 삽입, 다른 대립유전자의 비활성화, 붕괴, 또는 상실)을 야기하는 표적화된 유전자 변형이 동일한 이유로 유익할 수 있다. 뉴클레아제 물질을 통하여 게놈 좌를 변형시키기 위하여 상기 본 명세서에서 설명된 다양한 방법들중 임의의 것에 다양한 세포 유형이 또한 이용될 수 있다. 특정 구체예들에서, 상기 세포는 진핵 세포, 렛이 아닌 진핵 세포, 다능성 세포, 비-다능성 세포, 비-인간 다능성 세포, 인간 다능성 세포, 인간 ES 세포, 인간 성인 줄기 세포, 발생학적으로 제한된 인간 선조 세포, 인간 유도화된 다능성 세포 (iPS) 세포, 포유류 세포, 인간 세포, 섬유아세포, 설치류 세포, 렛이 아닌 설치류 세포, 마우스 세포, 헴스터 세포 또는 CHO 세포이다.인터루킨-2 수용체 감마 좌 또는 ApoE 좌 안에 표적화된 유전적 변형을 갖는 유전적으로 변형된 비-인간 동물이 포함된 조성물이 제공된다. 본 명세서에서 제공되는 다양한 방법들과 조성물은 이들 변형된 좌들이 생식계열을 통하여 유전되는 것을 허용한다. 특정 구체예들에서, 유전적으로 변형된 비-인간 동물, 또는 유전적으로 변형된 다능성 또는 비-다능성 세포는 인터루킨-2 감마 수용체 좌에 표적화된 유전적 변형을 갖는 또는 ApoE 좌에 표적화된 유전적 변형을 갖는 게놈 좌를 포함하며, 이때 인터루킨-2 감마 수용체 게놈 좌 또는 ApoE 좌는 다음을 포함한다: (i) 인터루킨-2 감마 수용체 좌의 최소한 한 부분 또는 ApoE 좌의 최소한 한 부분의 결손; (ii) ApoE 좌 또는 인터루킨-2 감마 수용체 좌 안으로 이종성 핵산 서열의 삽입; 또는 (iii) 이의 조합, 이때 상기 유전적으로 변형된 게놈 좌는 생식계열을 통하여 유전될 수 있다. 이러한 유전적으로 변형된 비-인간 동물을 허용하고, 그리고 이러한 유전적으로 변형된 다능성 세포가 만들어지는 것을 허용하는 방법들이 더 제공된다. 이러한 방법들은 표적화된 유전적 변형을 통하여 다능성 세포에서 ApoE 게놈 좌 또는 인터루킨-2 감마 수용체 좌를 변형시키는 방법을 포함한다. 상기 방법은 (a) 상기 다능성 세포 안으로 ApoE 좌에 대하여 5' 상동성 아암 측면에 그리고 ApoE 좌에 대하여 3' 상동성 아암 측면에 있는 삽입 핵산이 포함된 표적화 벡터를 도입시키고, (b) ApoE 관심 대상의 게놈 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형이 포함된 유전적으로 변형된 다능성 세포를 식별해내는 것을 포함하며, 이때 상기 표적화된 유전적 변형은 생식계열을 통하여 유전될 수 있다. 추가 방법들은 (a) 상기 다능성 세포 안으로 인터루킨-2 수용체 감마 좌에 대하여 5' 상동성 아암의 측면에, 그리고 인터루킨-2 수용체 감마 좌에 대하여 3' 상동성 아암 측면에 있는 삽입 핵산이 포함된 표적화된 벡터를 도입시키고, (b)인터루킨-2 수용체 감마 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형이 포함된 유전적으로 변형된 다능성 세포를 식별해내는 것을 포함하며, 이때 상기 표적화된 유전적 변형은 생식계열을 통하여 유전될 수 있다.iii. 표적화된 좌에 관심대상의 다중 폴리뉴클레오티드를 통합시키는 방법.본 명세서에서 제공되는 다양한 방법 및 조성물은 주어진 표적 좌에 다수의 관심 대상의 폴리뉴클레오티드의 표적화된 통합을 허용한다. 상기에서 제시하는 다양한 방법은 주어진 표적화된 좌 안으로 임의의 갯수의 삽입 핵산의 표적화된 통합을 위하여 순차적으로 반복될 수 있다. 따라서, 상기 다양한 방법은 상기 표적 좌 안으로 최소한 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20개 또는 그 이상의 삽입 핵산의 삽입을 제공한다. 특정 구체예들에서, 이러한 순차적 타일링(tiling) 방법은 표적화된 좌 안으로 진핵 세포, 예를 들면, 렛이 아닌 진핵 세포, 포유류 세포 (가령, 인간, 비-인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스, 원숭이, 렛 헴스터, 길들여진 포유류 또는 농사용 동물)의 큰 게놈 영역의 재구성을 허용한다. 이러한 경우들에서, 코딩 영역과 넌-코딩 영역이 모두 포함된 게놈 영역의 이전 및 재구성은 주어진 영역은 코딩 영역, 넌-코딩 영역이 최소한 일부분 유지됨으로써 보존되고, 그리고 고유 게놈 영역 안에서 발견되는 복제 수 변이의 복합을 허용한다. 따라서, 상기 다양한 방법이 제공되는데, 예를 들면, 임의의 진핵 세포, 임의의 렛이 아닌 진핵 세포, 임의의 포유류 세포 또는 관심 대상 동물 안에, 구체적으로 원핵 숙주 세포 또는 비-다능성 세포, 다능성 세포 또는 ES 세포 안에 "이종성" 또는 "외생성" 게놈 영역을 만드는 방법들이 제공된다. 한 가지 비-제한적인 예에서, 비-인간 동물 (가령, 렛 안에) 안에 "인간화된" 게놈 영역이 생성된다. 임의의 세포 안에 게놈 영역을 만드는 방법들이 본 명세서에서 제공된다. 특정 구체예들에서, 상기 세포는 진핵 세포, 렛이 아닌 진핵 세포, 다능성 세포, 비-다능성 세포, 비-인간 다능성 세포, 인간 다능성 세포, 인간 ES 세포, 인간 성인 줄기 세포, 발생학적으로 제한된 인간 선조 세포, 인간 유도화된 다능성 세포 (iPS) 세포, 포유류 세포, 인간 세포, 섬유아세포, 설치류 세포, 렛이 아닌 설치류 세포, 마우스 세포, 헴스터 세포 또는 CHO 세포다.3. 인간화된 게놈 좌인간화된 게놈 좌가 포함된 조성물과 다양한 방법들이 본 명세서에서 제공된다. 본 명세서에서 이용된 바와 같이, "인간화된" 게놈 좌란 최소한 하나의 인간 핵산 서열이 포함된 비-인간 게놈 영역을 의미한다. 상기 인간화된 게놈 좌는 유기체 내에 삽입된 인간 DNA 서열을 갖는 임의의 유기체로부터 기인된 DNA 영역을 포함할 수 있다. 특정 구체예들에서, 상기 유기체는 진핵생물, 렛이 아닌 진핵생물, 비-인간 포유류, 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 렛 마우스 또는 헴스터다. 예를 들면, "인간화된 렛 좌"는 유기체 안에 삽입된 인간 DNA 서열을 갖는 렛의 DNA 영역을 포함한다. 상기 인간 DNA 서열은 자연적으로 생성되는 인간 DNA 서열이거나 또는 고유한 형태에서 변형된 것일 수 있다. 특정 구체예들에서, 상기 인간 DNA는 고유 인간 서열과 최소한 85%, 90%, 91%, 92%, 93%, 94%, 95%, 96%, 97%, 98%, 또는 99% 서열 동일성을 공유한다. 인간 서열이 고유 인간 서열이 아닌 경우, 이 서열은 이종상동성 비-인간 서열과 비교하여, 고유 인간 서열에 대해 최소한 더 큰 서열 동일성을 갖는다. 더욱이, 상기 인간 DNA 서열은 cDNA, 인간 게놈 DNA의 영역, 넌-코딩 조절 영역, 또는 인간 DNA의 코딩, 게놈, 또는 조절 영역의 임의의 부분을 포함할 수 있다. 비-인간 좌 안으로 삽입된 인간 DNA 서열 삽입은 본 명세서의 도처에서 설명된 바와 같이, 임의의 상기 삽입 폴리뉴클레오티드를 포함할 수 있다. 특정 구체예들에서, 상기 인간 DNA 서열은 비-인간 표적 좌에 대하여 이종상동성이며, 한편 다른 경우들에서, 상기 인간 DNA 서열은 비-인간 표적 좌에 대하여 상동성이다. 한 구체예에서, 상기 표적화된 유전적 변형은 내생성 핵산 서열의 삽입, 상동성 또는 이종상동성 인간 핵산 서열로의 대체가 된다. 한 구체예에서, 상기 표적화된 유전적 변형은 대응하는 비-인간 핵산 서열을 포함하는 내생성 좌에서 내생성 핵산 서열의 삽입 또는 상동성 또는 이종상동성 인간 핵산 서열로의 대체를 포함한다. 인간화된 좌를 만드는 방법은 핵산이 포함된 표적 좌 안으로 인간 핵산 서열을 도입시키는 것을 포함한다. 한 구체예에서, 인간화된 비-인간 동물을 만드는 방법이 제공된다. 이러한 방법은 (a) 비-인간 다능성 세포 또는 비-다능성 세포의 게놈은 인간 핵산 서열이 포함된 삽입 핵산을 포함하는 표적화 벡터로 변형시켜, 공유 세포를 만들고; (b) 상기 공여 세포를 숙주 배아 안으로 도입시키고; 그리고 (c) 대리모에게 숙주 배아를 임신시키고; 이때 대리모는 상기 인간 핵산 서열이 포함된 자손을 생산한다. 특정 구체예들에서, 상기 인간화된 좌는 생식계열을 통하여 유전될 수 있다. 추가 구체예에서, 상기 표적화 벡터는 큰 표적화 벡터 (LTVEC)를 포함하고, 인간 핵산 서열이 포함된 삽입 핵산은 최소한 5 kb이다.다른 방법들에 있어서, 상기 인간화된 게놈 좌는 세균성 상동성 재조합 (BHR)을 통하여 핵산의 표적 좌를 변형시켜 만들어진다. 상기 방법은 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 측면에 있는 삽입 핵산이 포함된 표적화 벡터를 원핵 세포 안으로 도입시키는 것을 포함하며, 이때 상기 삽입 핵산은 인간 핵산 서열을 포함하고, 그리고 이때 상기 원핵 세포는 핵산을 포함하고, 상기 표적 좌에서 BHR을 중재하는 재조합 효소를 발현시킬 수 있다.상기 인간화된 게놈 좌는 (a) 상동성 또는 이종상동성 인간 핵산 서열의 삽입; (b) 내생성 핵산 서열을 상동성 또는 이종상동성 인간 핵산 서열로 대체, 또는 (c) 이의 조합을 포함할 수 있다. 특정 구체예들에서, 상기 인간화된 게놈 좌는 생식계열을 통하여 유전될 수 있다. 여전히 다른 구체예들에서, 상기 인간 이종상동성 서열은 비-인간 좌에서 발견되는 대응하는 서열을 대체한다. 본 명세서에서 제공되는 방법들과 조성물에 임의의 인간 핵산 서열이 이용될 수 있다. 상기 방법에서 이용될 수 있는 인간 핵산 서열의 비-제한적인 예들은 본 명세서의 도처에서 상세하게 논의된다.관심대상의 좌 안으로 삽입되는 인간 핵산 서열은 임의의 크기일 수 있다. 한 구체예에서, 상기 인간 핵산 서열은 약 500개 뉴클레오티드 내지 약 200 kb, 약 500개 뉴클레오티드 내지 약 5 kb, 약 5 kb 내지 약 200 kb, 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 30 kb, 약 30 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 50 kb, 약 60 kb 내지 약 70 kb, 약 80 kb 내지 약 90 kb, 약 90 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 110 kb, 약 120 kb 내지 약 130 kb, 약 130 kb 내지 약 140 kb, 약 140 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 160 kb, 약 160 kb 내지 약 170 kb, 약 170 kb 내지 약 180 kb, 약 180 kb 내지 약 190 kb, 또는 약 190 kb 내지 약 200 kb 범위 일 수 있다. 특이적 구체예에서, 상기 인간 핵산 서열은 최소한 5 kb이다.한 구체예에서, 게놈 좌가 제공되는데, 이때 상기 상동성 또는 이종상동성 인간 핵산 서열은 (a) 하나 또는 그 이상의 재배열안된 인간 면역글로블린 중쇄 VH 유전자 세그먼트, 하나 또는 그 이상의 재배열안된 인간 면역글로블린 중쇄 D 유전자 세그먼트, 그리고 하나 또는 그 이상의 재배열안된 인간 면역글로블린 중쇄 JH 유전자 세그먼트, 이들은 포유류 중쇄 불변 영역 핵산 서열에 작동가능하도록 연계되며; (b) 포유류 면역글로블린 중쇄 불변 영역 핵산 서열에 작동가능하도록 연계된 재배열된 인간 면역글로블린 중쇄 가변 영역 핵산 서열; (c) 하나 또는 그 이상의 재배열안된 인간 면역글로블린 Vκ 또는 Vλ 유전자 세그먼트 그리고 하나 또는 그 이상의 재배열안된 인간 면역글로블린 Jκ 또는 Jλ 유전자 세그먼트, 이들은 포유류, 면역글로블린 λ 또는 κ 경쇄 경쇄 불변 영역 핵산 서열에 작동가능하도록 연계되며; 또는 (d) 포유류 면역글로블린 λ 또는 κ 경쇄 경쇄 불변 영역 핵산 서열에 작동가능하도록 연계된 재배열된 인간 면역글로블린 λ 또는 κ 경쇄 가변 영역 핵산 서열을 포함한다.또다른 구체예에서, 게놈 좌가 제공되는데, 이때 (a) 상기 포유류 면역글로블린 중쇄 불변 영역 핵산 서열은 불변 영역 핵산 서열, 인간 불변 영역 핵산 서열, 또는 이의 조합이며; 또는 (b) 상기 포유류 면역글로블린 λ 또는 κ 경쇄 경쇄 불변 영역 핵산 서열은 렛 불변 영역 핵산 서열, 인간 불변 영역 핵산 서열, 또는 이의 조합이다.특이적 구체예에서, 게놈 좌가 제공되는데, 이때 상기 면역글로블린 중쇄 불변 영역 핵산 서열은 선별된 CH1, 힌지, CH2, CH3, 및/또는 이의 조합으로부터 선별되거나, 또는 이를 포함한다.한 구체예에서, 상기 게놈 좌는 VH1-2, VH1-3, VH1-8, VH1-18, VH1-24, VH1-45, VH1-46, VH1-58, VH1-69, VH2-5, VH2-26, VH2-70, VH3-7, VH3-9, VH3-11, VH3-13, VH3-15, VH3-16, VH3-20, VH3-21, VH3-23, VH3-30, VH3-30-3, VH 3-30-5, VH3-33, VH3-35, VH3-38, VH3-43, VH3-48, VH3-49, VH3-53, VH3-64, VH3-66, VH3-72, VH3-73, VH3-74, VH4-4, VH4-28, VH4-30-1, VH4-30-2, VH4-30-4, VH4-31, VH4-34, VH4-39, VH4-59, VH4-61, VH5-51, VH6-1, VH7-4-1, VH7-81, 또는 이의 조합이 포함된, 하나 또는 그 이상의 기능적 인간 VH 유전자 세그먼트를 포함한다.한 구체예에서, 상기 게놈 좌는 D1-1, D1-7, D1-14, D1-20, D1-26, D2-2, D2-8, D2-15, D2-21, D3-3, D3-9, D3-10, D3-16, D3-22, D4-4, D4-11, D4-17, D4-23, D5-12, D5-5, D5-18, D5-24, D6-6, D6-13, D6-19, D6-25, D7-27, 또는 이의 조합이 포함된, 하나 또는 그 이상의 기능적 인간 D 유전자 세그먼트를 포함한다.한 구체예에서, 상기 게놈 좌는 JH1, JH2, JH3, JH4, JH5, JH6, 및/또는 이의 조합이 포함된, 하나 또는 그 이상의 기능적 JH 유전자 세그먼트를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 Vκ4-1, Vκ5-2, Vκ 7-3, Vκ 2-4, Vκ1-5, Vκ1-6, Vκ3-7, Vκ1-8, Vκ1-9, Vκ2-10, Vκ3-11, Vκ1-12, Vκ1-13, Vκ2-14, Vκ3-15, Vκ1-16, Vκ1-17, Vκ2-18, Vκ2-19, Vκ3-20, Vκ6-21, Vκ1-22, Vκ1-23, Vκ2-24, Vκ3-25, Vκ2-26, Vκ1-27, Vκ2-28, Vκ2-29, Vκ2-30, Vκ3-31, Vκ1-32, Vκ1-33, Vκ3-34, Vκ1-35, Vκ2-36, Vκ1-37, Vκ2-38, Vκ1-39, Vκ2-40, 또는 이의 조합이 포함된, 하나 또는 그 이상의 인간 Vκ 유전자 세그먼트를 포함한다.한 구체예에서, 상기 게놈 좌는 Vλ3-1, Vλ4-3, Vλ2-8, Vλ3-9, Vλ3-10, Vλ2-11, Vλ3-12, Vλ2-14, Vλ3-16, Vλ2-18, Vλ3-19, Vλ3-21, Vλ3-22, Vλ2-23, Vλ3-25, Vλ3-27, 또는 이의 조합이 포함된, 하나 또는 그 이상의 인간 Vλ 유전자 세그먼트를 포함한다.한 구체예에서, 상기 게놈 좌는 Jκ1, Jκ2, Jκ3, Jκ4, Jκ5, 또는 이의 조합이 포함된, 하나 또는 그 이상의 인간 Jκ 유전자 세그먼트를 포함한다.여전히 또다른 구체예에서, 인간 인터루킨-2 수용체 (IL2R) 핵산 서열 또는 변이체 또는 이의 단편이 포함된 인간화된 게놈 좌를 포함하는 게놈 좌가 제공된다. 특정 구체예들에서, IL2R 핵산 서열은 인터루킨-2 수용체 알파, 인터루킨-2 수용체 베타, 또는 인터루킨-2 수용체 감마 핵산 서열 또는 변이체 또는 이의 단편들을 포함한다. 추가 구체예들에서, 게놈 좌는 대응하는 비-인간 ApoE 좌, 인터루킨-2 수용체 감마 좌, Rag2 좌, Rag1 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌의 대응하는 상동성 또는 이종상동성 부분을 대체하는, 상기 인간 ApoE 좌, 상기 인간 인터루킨-2 수용체 감마 좌, 인간 Rag2 좌, 인간 Rag1 좌 및/또는 인간 Rag2/Rag1 좌의 일부분을 포함하는 인간화된 게놈좌를 포함한다. 한 구체예에서, IL-2Rg의 비-인간 엑토-도메인은 인간 IL-2Rg의 엑토-도메인으로 대체되며, 이 분자의 나머지 부분은 상기 비-인간으로부터 유래된다. 또다른 구체예에서, 인간화된 게놈 좌가 포함된 유전적으로 변형된 비-인간 동물이 제공된다. 이러한 유전적으로 변형된 비-인간 동물은 (a) 상동성 또는 이종상동성 인간 핵산 서열의 삽입; (b) 내생성 게놈 좌에서 핵산 서열이 상동성 또는 이종상동성 인간 핵산 서열로 대체; 또는 (c) 이의 조합을 포함하며, 이때 상기 인간화된 게놈 좌는 생식계열을 통하여 유전될 수 있다.본 명세서에서 제공되고, 상기에서 설명된 임의의 상기 다양한 인간화된 게놈 좌들이 포함된, 비-인간 동물)을 포함하는 유전적으로 변형된 동물이 또한 제공된다.4. 관심대상의 폴리뉴클레오티드임의의 관심 대상의 폴리뉴클레오티드가 상기 다양한 삽입 핵산 안에 포함될 수 있으며, 이로 인하여 상기 표적 좌에 통합될 수 있다. 본 명세서에 공개된 방법들은 상기 표적화된 게놈 좌 안에 통합되는 최소한 1, 2, 3, 4, 5, 6개 또는 그 이상의 관심 대상 폴리뉴클레오티드를 제공한다.상기 표적 게놈 좌에 통합될 때 상기 삽입 핵산 내의 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 상기 세포로 하나 또는 그 이상의 유전적 변형을 유도할 수 있다. 상기 유전적 변형은 상기 표적 게놈 좌 안에 내생성 핵산 서열의 결손 및/또는 외생성 또는 이종성 또는 이종상동성 폴리뉴클레오티드의 추가를 포함할 수 있다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 표적 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열이 외생성 관심 대상의 폴리뉴클레오티드로 대체되는 것을 포함한다. 따라서, 본 명세서에서 제공된 방법들은 녹아웃, 결손, 삽입, 대체 ("녹-인"), 점 돌연변이, 도메인 스왑, 엑손 스왑, 인트론 스왑, 조절 서열 스왑, 유전자 스왑, 또는 이의 조합이 포함된 유전적 변형을 허용한다. 이러한 변형은 상기 표적 게놈 좌 안으로 삽입 핵산의 제 1 차, 제 2 차, 제 3 차, 제 4 차, 제 5 차, 제 6 차, 제 7 차, 또는 임의의 후속적 삽입 핵산의 통합시에 발생될 수 있다. 상기 삽입 핵산내의 및/또는 상기 표적 좌에 통합된 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 이것이 도입되는 세포에 대하여 고유한 서열을 포함할 수 있고; 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 이것이 도입되는 세포에 대하여 이종성일 수 있고; 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 이것이 도입되는 세포에 대하여 외생성성일 수 있고; 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 이것이 도입되는 세포에 대하여 이종상동성일 수 있고; 또는 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 이것이 도입되는 세포가 아닌 상이한 종으로부터 유래될 수 있다. 본 명세서에서 이용된 바와 같이, 표적 좌에 삽입되는 서열이 언급될 때, "고유(native)"한 이란 상기 표적 좌를 갖는 세포에 있어서 고유한 서열 또는 상기 표적 좌가 유도된 세포 (가령, 렛으로부터 유도된)에 있어서 고유한 서열이다. 본 명세서에서 이용된 바와 같이, 서열과 관련하여 "이종성(heterologous)"이란 이질 종으로부터 유래된 서열; 또는 동일한 종인 경우 조성물에서 및/또는 게놈 좌에서 정교한 인간의 중재에 의하여 이의 고유한 형태와 실질적으로 상이한 또는 변형된 서열을 포함한다. 본 명세서에서 이용된 바와 같이, 서열과 관련하여 "외생성(exogenous)"이란 이질 종으로부터 유래된 서열을 포함한다. 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 비-인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 헴스터, 마우스, 렛 인간, 원숭이, 농사용 포유류 또는 비-농사용 포유류가 포함되나, 이에 국한되지 않는 관심 대상의 임의의 유기체로부터 유래될 수 있다. 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 코딩 영역, 넌-코딩 영역, 조절 영역, 또는 게놈 DNA를 더 포함할 수 있다. 따라서, 제 1 차, 제 2 차, 제 3 차, 제 4 차, 제 5 차, 제 6 차, 제 7 차, 또는 임의의 후속적 삽입 핵산은 이러한 서열을 포함할 수 있다.한 구체예에서, 상기 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 통합된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 마우스 핵산 서열, 인간 핵산, 비-인간 핵산, 진핵 핵산, 렛이 아닌 진핵 핵산, 비-인간 포유류 핵산, 포유류 핵산, 설치류 핵산, 렛이 아닌 설치류 핵산, 렛 핵산, 헴스터 핵산, 원숭이 핵산, 농사용 포유류 핵산, 또는 비-농사용 포유류 핵산에 대하여 고유하다. 여전히 추가 구체예들에서, 상기 표적 좌에 통합된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 게놈 핵산의 단편의 단편이다. 한 구체예에서, 상기 게놈 핵산은 마우스 게놈 핵산, 인간 게놈 핵산, 비-인간 핵산, 진핵 핵산, 렛이 아닌 진핵 핵산, 비-인간 포유류 핵산, 포유류 핵산, 설치류 핵산, 렛이 아닌 설치류 핵산, 렛 핵산, 헴스터 핵산, 원숭이 핵산, 농사용 포유류 핵산 또는 비-농사용 포유류 핵산 또는 이의 조합이다. 한 구체예에서, 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 상기에서 설명된 바와 같이 약 500개 뉴클레오티드 내지 약 200 kb 범위일 수 있다. 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 약 500개 뉴클레오티드 내지 약 5 kb, 약 5 kb 내지 약 200 kb, 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 30 kb, 약 30 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 50 kb, 약 60 kb 내지 약 70 kb, 약 80 kb 내지 약 90 kb, 약 90 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 110 kb, 약 120 kb 내지 약 130 kb, 약 130 kb 내지 약 140 kb, 약 140 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 160 kb, 약 160 kb 내지 약 170 kb, 약 170 kb 내지 약 180 kb, 약 180 kb 내지 약 190 kb, 또는 약 190 kb 내지 약 200 kb, 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 250 kb, 약 250 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 350 kb, 또는 약 350 kb 내지 약 400 kb 범위일 수 있다.상기 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 삽입된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 폴리펩티드를 인코드할 수 있고, miRNA를 인코드할 수 있거나, 또는 이 뉴클레오티드는 임의의 조절 영역 또는 넌-코딩 영역, 예를 들면, 조절 서열, 프로모터 서열, 인헨서 서열, 전사 억제물질-결합 서열, 또는 비-단백질-코딩 서열의 결손이 포함된 관심대상의 임의의 조절 영역 또는 넌-코딩 영역을 포함할 수 있지만, 단백질-코딩 서열의 결손을 포함하지는 않는다. 추가적으로, 상기 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 삽입된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 신경계, 골격계, 소화계, 순환계, 근육계, 호흡계, 심혈관계, 림프계, 내분비계, 비뇨계, 생식계, 또는 이의 조합에서 발현되는 단백질을 인코드할 수 있다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 삽입된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 골수 또는 골수-유도된 세포에서 발현되는 단백질을 인코드한다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 통합된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 비장 세포에서 발현되는 단백질을 인코드한다. 여전히 추가 구체예들에서, 상기 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 삽입된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 B 세포에서 발현되는 단백질을 인코드하고, 미성숙 B 세포에서 발현되는 단백질을 인코드하고 또는 성숙한 B 세포에서 발현되는 단백질을 인코드한다. 상기 삽입 핵산 안에 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 ApoE 좌, Il2rg 좌, Rag1 좌, Rag2 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌의 일부분을 포함할 수 있다. 주어진 좌들의 이러한 부분들은 본 명세서의 도처에서 논의되며, 이용될 수 있는 관심대상의 임의의 유기체로부터 유래된 다양한 상동성 및 이종상동성 영역들이다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 삽입된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 면역글로블린 중쇄 가변 영역 아미노산 서열이 인코드된 게놈 핵산 서열을 포함한다. 구절 "중쇄", 또는 "면역글로블린 중쇄"는 본 명세서의 도처에서 설명된다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 통합된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 중쇄 가변 영역 아미노산 서열이 인코드된 게놈 핵산 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 핵산 서열은 하나 또는 그 이상의 재배열안된 인간 면역글로블린 중쇄 VH 유전자 세그먼트, 하나 또는 그 이상의 재배열안된 인간 면역글로블린 중쇄 D 유전자 세그먼트, 그리고 하나 또는 그 이상의 재배열안된 인간 면역글로블린 중쇄 JH 유전자 세그먼트를 포함하며, 이들은포유류 중쇄 불변 영역 핵산 서열에 작동가능하도록 연계된다. 한 구체예에서, 상기 게놈 핵산 서열은 포유류 중쇄 불변 영역 핵산 서열에 작동가능하도록 연계된 재배열된 인간 면역글로블린 중쇄 가변 영역 핵산 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 핵산 서열은 하나 또는 그 이상의 재배열안된 인간 면역글로블린 Vκ 또는 Vλ 유전자 세그먼트 그리고 하나 또는 그 이상의 재배열안된 인간 면역글로블린 Jκ 또는 Jλ 유전자 세그먼트를 포함하며, 이들은 포유류 면역글로블린 λ 또는 κ 경쇄 경쇄 불변 영역 핵산 서열에 작동가능하도록 연계된다. 한 구체예에서, 상기 게놈 핵산 서열은 포유류 면역글로블린 λ 또는 κ 경쇄 경쇄 불변 영역 핵산 서열에 작동가능하도록 연계된 재배열된 인간 면역글로블린 λ 또는 κ 경쇄 가변 영역 핵산 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 중쇄 불변 영역 핵산 서열은 렛 불변 영역 핵산 서열, 인간 불변 영역 핵산 서열, 또는 이의 조합을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 면역글로블린 λ 또는 κ 경쇄 불변 영역 핵산은 렛 불변 영역 핵산 서열, 인간 불변 영역 핵산 서열, 또는 이의 조합을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 면역글로블린 중쇄 불변 영역 핵산 서열은 선별된 CH1, 힌지, CH2, CH3, 및/또는 이의 조합으로부터 선별되거나, 또는 이를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 중쇄 불변 영역 핵산 서열은 CH1-힌지-CH2-CH3을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 통합된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 면역글로블린 경쇄 가변 영역 아미노산 서열이 인코드된 게놈 핵산 서열을 포함한다. "경쇄"는 임의의 유기체의 면역글로블린 경쇄 서열을 포함하며, 그리고 본 명세서의 도처에서 설명된다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 통합된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 인간 면역글로블린 경쇄 가변 영역 아미노산 서열이 인코드된 게놈 핵산 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 핵산 서열은 하나 또는 그 이상의 재배열안된 인간 면역글로블린 Vκ 또는 Vλ 유전자 세그먼트 및 하나 또는 그 이상의 재배열안된 인간 면역글로블린 Jκ 또는 Jλ 유전자 세그먼트를 포함하며, 이들은 설치류 면역글로블린 λ 또는 κ 경쇄 경쇄 불변 영역 핵산 서열에 작동가능하도록 연계된다. 한 구체예에서, 상기 게놈 핵산 서열은 설치류 면역글로블린 λ 또는 κ 경쇄 경쇄 불변 영역 핵산 서열에 작동가능하도록 연계된 재배열된 인간 면역글로블린 λ 또는 κ 경쇄 가변 영역 핵산 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 경쇄 불변 영역 핵산 서열은 렛 불변 영역 핵산 서열, 인간 불변 영역 핵산 서열, 또는 이의 조합을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 면역글로블린 λ 또는 κ 경쇄 불변 영역 핵산은 렛 불변 영역 핵산 서열, 인간 불변 영역 핵산 서열, 또는 이의 조합을 포함한다.상기 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 통합된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 세포외 단백질 또는 수용체용 리간드를 인코드할 수 있다. 특정 구체예들에서, 인코드된 리간드는 사이토킨이다. 관심대상의 사이토킨은 CCL, CXCL, CX3CL, 및/또는 XCL로부터 선별된 또는 이를 포함하는 케모킨을 포함한다. 상기 사이토킨은 종양 괴사 인자 (TNF)를 또한 포함할 수 있다. 여전히 다른 구체예들에서, 상기 사이토킨은 인터루킨 (IL)이다. 한 구체예에서, 인터루킨은 IL-1, IL-2, IL-3, IL-4, IL-5, IL-6, IL-7, IL-8, IL-9, IL-10, IL-11, IL-12, IL-13, IL-14, IL-15, IL-16, IL-17, IL-18, IL-19, IL-20, IL-21, IL-22, IL-23, IL-24, IL-25, IL-26, IL-27, IL-28, IL-29, IL-30, IL-31, IL-32, IL-33, IL-34, IL-35, 및/또는 IL-36로부터 선별되거나 또는 이를 포함한다. 한 구체예에서, 인터루킨은 IL-2이다. 특정 구체예들에서, 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 통합된 이러한 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 인간으로부터 유래되며, 그리고 더욱 특이적인 구체예들에서, 인간 게놈 서열을 포함할 수 있다.상기 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 통합된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 아포리포단백질 E (ApoE)를 인코드할 수 있다.상기 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 통합된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 세포질 단백질 또는 막 단백질을 인코드할 수 있다. 한 구체예에서, 상기 막 단백질은 수용체, 이를 테면, 사이토킨 수용체, 인터루킨 수용체, 인터루킨 2 수용체-알파, 인터루킨-2 수용체 베타, 인터루킨-2 수용체 감마 또는 수용체 티로신 키나제다. 다른 경우들에 있어서, 상기 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 통합된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 상기 표적 좌의 이종상동성 또는 상동성 영역을 포함할 수 있다. 상기 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 통합된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 T 세포 수용체 알파가 포함된 T 세포 수용체의 최소한 영역이 인코딩된 폴리뉴클레오티드를 포함할 수 있다. 특정 방법들에서 각각의 상기 삽입 핵산은 T 세포 수용체 좌의 게놈 영역 (가령, T 세포 수용체 알파 좌)을 포함하고, 상기 게놈 T 세포 수용체 좌의 부분 또는 전체가 상기 표적 좌에 통합되었다. 이러한 삽입 핵산은 최소한 하나 또는 그 이상의 가변 세그먼트 또는 T 세포 수용체 좌(가령, T 세포 수용체 알파 좌)의 연결 세그먼트를 포함할 수 있다. 여전히 추가 구체예들에서, T 세포 수용체의 영역이 인코딩된 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 예를 들면, 진핵생물, 렛이 아닌 진핵생물, 포유류, 비-인간 포유류, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스, 렛 인간, 원숭이, 헴스터, 농사용 포유류 또는 길들여진 포유류의 돌연변이 단백질이 인코딩된 폴리뉴클레오티드로부터 유래될 수 있다. 다른 구체예들에서, 상기 표적 좌에 통합된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 핵 단백질을 인코드한다. 한 구체예에서, 상기 핵 단백질은 핵 수용체다. 특정 구체예들에서, 이러한 상기 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 통합된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 인간으로부터 유래되며, 그리고 더욱 특이적인 구체예들에서, 인간 게놈 서열을 포함할 수 있다.상기 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 통합된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 코딩 서열 안에 유전적 변형을 포함할 수 있다. 이러한 유전적 변형은 코딩 서열의 결손 돌연변이 또는 2개의 코딩 서열의 융합이 포함되나, 이에 국한되지 않는다.상기 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 통합된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 돌연변이 단백질, 예를 들면, 인간 돌연변이 단백질이 인코딩된 폴리뉴클레오티드를 포함할 수 있다. 한 구체예에서, 상기 돌연변이 단백질은 변경된 결합 특징, 변경된 국소화, 변경된 발현, 및/또는 변경된 발현 패턴에 의해 특징화된다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 통합된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 예를 들면, 신경학적 질환의 대립유전자, 심혈관 질환의 대립유전자, 신장 질환의 대립유전자, 근육 질환의 대립유전자, 혈액 질환의 대립유전자, 암-유발 유전자의 대립유전자, 또는 면역계 질환의 대립유전자가 포함된, 최소한 하나의 질환 대립유전자를 포함한다. 이러한 경우들에서, 상기 질환 대립유전자는 우성 대립유전자 또는 상기 질환 대립유전자는 열성 대립유전자일 수 있다. 더욱이, 상기 질환 대립유전자는 단일 뉴클레오티드 다형 (SNP) 대립유전자를 포함할 수 있다. 상기 돌연변이 단백질이 인코딩된 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 진핵생물, 렛이 아닌 진핵생물, 포유류, 비-인간 포유류, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스, 렛 인간, 헴스터, 원숭이, 농사용 포유류 또는 길들여진 포유류가 포함되나, 이에 국한되지 않는 임의의 유기체의 돌연변이 단백질이 인코딩된 폴리뉴클레오티드로부터 유래될 수 있다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 변경된 결합 특징, 변경된 국소화, 변경된 발현, 및/또는 변경된 발현 패턴을 가진 단백질의 돌연변이 형태를 만든다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 ApoE 좌, 예를 들면, 상기 렛 ApoE 좌의 영역의 결손, 추가, 대체 또는 이의 조합을 만들고, 이때 ApoE 좌에서 상기 유전적 변형으로 ApoE 활성의 감소가 초래된다. 한 구체예에서, ApoE 녹아웃이 생성된다.한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 Rag1 좌, 예를 들면, 상기 렛 Rag1 좌의 영역의 결손, 추가, 대체 또는 이의 조합을 만들고, 이때 Rag1 좌에서 상기 유전적 변형으로 Rag1 활성의 감소가 초래된다. 한 구체예에서, Rag1 녹아웃이 생성된다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 Rag2 좌, 예를 들면, 상기 렛 Rag2 좌의 영역의 결손, 추가, 대체 또는 이의 조합을 만들고, 이때 Rag2 좌에서 상기 유전적 변형으로 Rag2 활성의 감소가 초래된다. 한 구체예에서, Rag2 녹아웃이 생성된다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 Rag1/Rag2 좌, 예를 들면, 상기 렛 Rag1/Rag2 좌의 영역의 결손, 추가, 대체 또는 이의 조합을 만들고, 이때 Rag1/Rag2 좌에서 상기 유전적 변형으로 Rag1 활성의 감소와 Rag2 활성의 감소가 초래된다. 한 구체예에서, Rag1/Rag2 녹아웃이 생성된다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 인터루킨-2 수용체 감마 좌의 영역의 결손, 추가, 대체 또는 이의 조합을 만들고, 예를 들면, 상기 렛 인터루킨-2 수용체 감마 좌, 이때 인터루킨-2 수용체 감마 좌에서 상기 유전적 변형으로 인터루킨-2 수용체 감마의 감소가 초래된다. 한 구체예에서, 인터루킨-2 수용체 감마 녹아웃이 생성된다. 본 명세서의 도처에서 논의되는 바와 같이, 본 명세서에서 제공되는 추가 구체예들은 하나 이상의 ApoE 좌, 인터루킨-2 수용체 감마 좌, Rag2 좌, Rag1 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌, 예를 들면, 상기 렛 ApoE 좌, 상기 렛 인터루킨-2 수용체 감마 좌, Rag2 좌, Rag1 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌를 포함하는데, 이들은 중 하나 이상은 상기 렛 ApoE 좌, 인터루킨-2 수용체 감마 좌, Rag2 좌, Rag1 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌의 일부분이 또다른 유기체의 ApoE 좌, 인터루킨-2 수용체 감마 좌, Rag2 좌, Rag1 좌 및/또는 Rag2/Rag1 좌의 대응하는 이종상동성 부분으로 대체된다. 한 구체예에서, 다중 유전적 변형이 생성된다. 한 구체예에서, 유전적 변형은 인터루킨-2 수용체 감마 좌의 영역의 결손, 추가, 대체 또는 이의 조합을 만들고, 예를 들면, 상기 렛 인터루킨-2 수용체 감마 좌, 이때 인터루킨-2 수용체 감마 좌에서 상기 유전적 변형으로 인터루킨-2 수용체 감마의 감소가 초래되며, 제 2 유전적 변형은 상기 렛 Rag2 좌의 영역의 결손, 추가, 대체 또는 이의 조합을 만드는데, 이때 Rag2 좌에서 상기 유전적 변형으로 Rag2 활성의 감소가 초래된다. 한 구체예에서, 인터루킨-2 수용체 감마/Rag2 녹아웃이 생성된다. 이러한 렛은 SCID 표현형을 갖는다. 한 구체예에서, 상기 포유류 핵산은 신경계, 골격계, 소화계, 순환계, 근육계, 호흡계, 심혈관계, 림프계, 내분비계, 비뇨계, 생식계, 또는 이의 조합에서 발현되는 단백질이 인코드된 게놈 좌를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 포유류 핵산은 골수 또는 골수-유도된 세포에서 발현되는 단백질이 인코드된 게놈 좌를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 핵산은 비장 세포에서 발현되는 단백질이 인코드된 게놈 좌를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 좌는 마우스 게놈 DNA 서열, 렛 게놈 DNA 서열, 인간 게놈 DNA 서열, 또는 이의 조합을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 좌는 임의의 순서로, 렛과 인간 게놈 DNA 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 좌는 임의의 순서로, 마우스 및 인간 게놈 DNA 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 좌는 임의의 순서로, 마우스 및 렛 게놈 DNA 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 게놈 좌는 임의의 순서로, 렛 마우스, 및 인간 게놈 DNA 서열을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 삽입 핵산은 유전자의 코딩 서열에 유전적 변형을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 코딩 서열의 결손 돌연변이를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 2개의 내생성 코딩 서열의 융합을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 비-단백질-코딩 서열의 결손을 포함하지만, 그러나 단백질-코딩 서열의 결손은 포함하지 않는다. 한 구체예에서, 비-단백질-코딩 서열의 결손은 조절 요소의 결손을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 프로모터의 추가를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 프로모터 또는 조절 요소의 대체를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 조절 요소는 인헨서다. 한 구체예에서, 상기 조절 요소는 전사 억제물질-결합 요소다.한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 돌연변이 인간 단백질이 인코드된 인간 핵산 서열의 대체를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 유전적 변형은 인간 유전자의 최소한 하나의 인간 질환 대립유전자를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 인간 질환은 신경학적 질환이다. 한 구체예에서, 상기 인간 질환은 심혈관 질환이다. 한 구체예에서, 상기 인간 질환은 신장 질환이다. 한 구체예에서, 상기 인간 질환은 근육 질환이다. 한 구체예에서, 상기 인간 질환은 혈액 질환이다. 한 구체예에서, 상기 인간 질환은 암이다. 한 구체예에서, 상기 인간 질환은 면역계 질환이다. 한 구체예에서, 상기 인간 질환 대립유전자는 우성 대립유전자다. 한 구체예에서, 상기 인간 질환 대립유전자는 열성 대립유전자다. 한 구체예에서, 상기 인간 질환 대립유전자는 단일 뉴클레오티드 다형 (SNP) 대립유전자를 포함한다. 상기 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 통합된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 예를 들면, 프로모터 서열, 인헨서 서열, 또는 전사 억제물질-결합 서열이 포함된 조절 서열을 또한 포함할 수 있다. 특정 구체예들에서, 상기 삽입 핵산 안에 및/또는 상기 표적 좌에 통합된 상기 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 비-단백질-코딩 서열의 결손을 갖는 폴리뉴클레오티드를 포함하지만, 그러나 단백질-코딩 서열의 결손은 포함하지 않는다. 한 구체예에서, 비-단백질-코딩 서열의 결손은 조절 서열의 결손을 포함한다. 또다른 구체예에서, 상기 조절 요소의 결손은 프로모터 서열의 결손을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 조절 요소의 결손은 인헨서 서열의 결손을 포함한다. 이러한 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 진핵생물, 렛이 아닌 진핵생물, 포유류, 비-인간 포유류, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 마우스, 렛 인간, 원숭이, 농사용 포유류 또는 길들여진 포유류가 포함되나, 이에 국한죄지 않는 임의의 유기체의 돌연변이 단백질이 인코딩된 폴리뉴클레오티드로부터 유래될 수 있다. 5. 서열의 도입 방법 및 유전자삽입 동물을 만드는 방법.이상기에서 서술된 바와 같이, 표적 좌 안으로 하나 또는 그 이상의 관심 대상의 폴리뉴클레오티드의 표적화된 통합을 허용하기 위한 방법 및 조성물들이 제공된다. 이러한 시스템은 다양한 성분들을 이용하며, 참고의 용이성을 위하여, 본 명세서에서 용어 "표적화된 통합 시스템"은 통합 이벤트에 요구되는 모든 성분들을 일반적으로 포함한다 (가령, 비-제한적인 실시예들에서, 상기 다양한 뉴클레아제 물질들, 인지 부위들, 삽입 DNA 폴리뉴클레오티드, 표적화 벡터, 표적 게놈 좌, 및/또는 관심 대상의 폴리뉴클레오티드). 본 명세서에서 제공된 방법들은 세포 안으로 상기 표적화된 게놈 통합 시스템의 다양한 성분들이 포함된 하나 또는 그 이상의 폴리뉴클레오티드 또는 폴리펩티드 구조체를 도입시키는 것을 포함한다. "도입하다(Introducing)"란 한 서열이 세포의 내부에 접근할 수 있는 방식으로 상기 세포에 이 서열(폴리펩티드 또는 폴리뉴클레오티드)을 제공한다는 것을 의미한다. 본 명세서에서 제공된 방법들은 상기 세포 안으로 상기 표적화된 게놈 통합 시스템의 임의의 성분을 도입시키기 위한 특정 방법에 의존적이지 않으며, 오직 해당 폴리뉴클레오티드가 최소한 하나의 세포의 내부에 접근하는데 달려있다. 폴리뉴클레오티드를 다양한 세포 유형 안으로 도입시키는 방법은 당분야에 공지되어 있는데, 안정적인 트랜스펙션 방법, 일시적인 트랜스펙션 방법, 및 바이러스-중개된 방법이 포함되나, 이에 국한되지 않는다. 임의의 유기체에서 유래된 임의의 세포가 상기 본 명세서에서 제공된 방법들에서 이용될 수 있다. 특정 구체예들에서 상기 세포는 진핵생물, 렛이 아닌 진핵생물, 포유류, 비-인간 포유류, 인간, 설치류, 렛이 아닌 설치류, 렛 마우스 또는 헴스터의 세포다. 특정 구체예들에서, 상기 세포는 진핵 세포, 렛이 아닌 진핵 세포, 다능성 세포, 비-다능성 세포, 비-인간 다능성 세포, 비-인간 포유류 세포, 인간 다능성 세포, 인간 ES 세포, 인간 성인 줄기 세포, 발생학적으로 제한된 인간 선조 세포, 인간 유도화된 다능성 세포 (iPS) 세포, 포유류 세포, 인간 세포, 섬유아세포, 설치류 세포, 렛이 아닌 설치류 세포, 렛 세포, 마우스 세포, 헴스터 세포 또는 CHO 세포다.일부 구체예들에서, 상기 방법 및 조성물에서 이용된 세포는 이들의 게놈 안에 안정적으로 통합된 DNA 구조체를 갖는다. "안정적으로 통합된" 또는 "안정적으로 도입된"이란 상기 뉴클레오티드 서열이 상기 세포의 게놈 안으로 통합되고, 이의 자손으로 유전될 수 있도록 상기 세포 안으로 폴리뉴클레오티드가 통합된다는 것을 의미한다. DNA 구조체의 안정적인 통합 또는 상기 표적화된 게놈 통합 시스템의 상기 다양한 성분들의 안정적인 통합을 위하여 임의의 프로토콜이 이용될 수 있다.트랜스펙션 프로토콜 뿐만 아니라 폴리펩티드 또는 폴리뉴클레오티드 서열을 세포 안으로 도입시키기 위한 프로토콜은 다양할 수 있다. 비-제한적 트랜스펙션 방법은 화학-기반의 트랜스펙션 방법을 포함하는데, 리포좀; 나노입자; 인산칼슘 (Graham et al. (1973). Virology 52 (2): 456-67, Bacchetti et al. (1977) Proc Natl Acad Sci USA 74 (4): 1590-4 and, Kriegler, M (1991). Transfer and Expression: A Laboratory Manual. New York: W. H. Freeman and Company. pp.　96-97); 덴드리머; 또는 양이온 폴리머 이를 테면 DEAE-덱스트란 또는 폴리에틸렌이민의 사용을 포함한다. 비 화학 방법은 전기천공; 음향-천공(Sono-poration); 그리고 광학적 트랜스펙션을 포함한다. 입자-기반의 트랜스펙션은 유전자 총, 자석 지원된 트랜스펙션 (Bertram, J. (2006) Current Pharmaceutical Biotechnology 7, 277-28)의 사용을 포함한다. 바이러스 방법 또한 트랜스펙션에 이용될 수 있다.한 구체예에서, 세포 안으로 하나 또는 그 이상의 폴리뉴클레오티드의 도입은 전기천공, 세포질내 주사, 바이러스 감염, 아데노바이러스, 렌티바이러스, 레트로바이러스, 트랜스펙션, 지질-중개된 트랜스펙션에 의해 중개되거나 또는 Nucleofection™를 통하여 중개된다. 한 구체예에서, 세포 안으로 하나 또는 그 이상의 폴리뉴클레오티드의 도입은 프로모터에 작동가능하도록 연계된 관심 핵산 서열이 포함된 발현 구조체를 도입시키는 것을 더 포함한다. 한 구체예에서, 상기 프로모터는 구성적으로-활성 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 프로모터는 유도성 프로모터다. 한 구체예에서, 상기 프로모터는 줄기 세포, 예를 들면, 배아 줄기 세포에서 활성이 있다. 한 구체예에서, 상기 발현 구조체는 LTVEC와 함께 도입된다. 한 구체예에서, 상기 발현 구조체는 일정 기간에 걸쳐 LTVEC와 별도로 도입된다. 한 구체예에서, 상기 세포 안으로 하나 또는 그 이상의 폴리뉴클레오티드의 도입은 일정 기간에 걸쳐 여러차례 실행될 수 있다. 한 구체예에서, 상기 세포 안으로 하나 또는 그 이상의 폴리뉴클레오티드의 도입은 일정 기간에 걸쳐 최소한 2회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 3회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 4회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 5회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 6회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 7회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 8회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 9회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 10회, 일정 기간에 걸쳐 일정 기간에 걸쳐 최소한 11회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 12회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 13회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 14회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 15회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 16회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 17회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 18회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 19회, 또는 일정 기간에 걸쳐 최소한 20회 실행된다.한 구체예에서, 상기 뉴클레아제 물질은 상기 표적화 벡터 또는 큰 표적화 벡터 (LTVEC)와 동시에 세포 안으로 도입된다. 대안으로, 상기 뉴클레아제 물질은 일정 기간에 걸쳐 상기 표적화 벡터 또는 LTVEC와 별도로 도입된다. 한 구체예에서, 상기 뉴클레아제 물질은 상기 표적화 벡터 또는 LTVEC 도입 전에 도입되지만, 한편 다른 구체예들에서, 상기 뉴클레아제 물질은 상기 표적화 벡터 또는 LTVEC의 도입 후 도입된다.한 구체예에서, 스크리닝 단계는 부계 염색체의 대립유전자의 변형 (MOA)을 평가하기 위한 정량적 분석을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 정량적 분석은 정량적 PCR을 통하여 실행된다. 한 구체예에서, 상기 정량적 PCR은 실시간 PCR (qPCR)이다. 한 구체예에서, 실시간 PCR은 상기 표적 좌를 인지하는 제 1 프라이머 세트와 비-표적화된 참고 좌를 인지하는 제 2 프라이머 세트를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 프라이머 세트는 증폭된 서열을 인지하는 형광 프로브를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 정량적 분석은형광물질-중개된 제자리(in situ) 혼성화 (FISH)를 통하여 실행된다. 한 구체예에서, 상기 정량적 분석은 상대적 게놈 혼성화를 통하여 실행된다. 한 구체예에서, 상기 정량적 분석은 등온선(isothermic) DNA 증폭을 통하여 실행된다. 한 구체예에서, 상기 정량적 분석은 등온선 DNA 증폭을 통하여 실행된다. 한 구체예에서, 상기 정량적 분석은 고정된 프로브(들)에 대한 정량적 혼성화를 통하여 실행된다. 한 구체예에서, 상기 정량적 분석은 Invader Probes�潁� 통하여 실행된다. 한 구체예에서, 상기 정량적 분석은 MMP 분석�瑛� 통하여 실행된다. 한 구체예에서, 상기 정량적 분석은 TaqMan�� Molecular Beacon을 통하여 실행된다. 한 구체예에서, 상기 정량적 분석은 Eclipse™ 프로브 기술을 통하여 실행된다. (예를 들면, US2005/0144655 참고하며, 이의 전문이 참고자료에 편입됨).인간화된 비-인간 동물을 만드는 방법이 더 제공되는데, 이 방법은 다음을 포함한다: (a) 다능성 세포의 게놈을 인간 핵산 서열이 포함된 삽입 핵산을 포함하는 표적화 벡터로 변형시켜, 공유 세포를 만들고; (b) 상기 공여 세포를 숙주 배아 안으로 도입시키고; 그리고 (c) 대리모에게 숙주 배아를 임신시키고; 이때 대리모는 상기 인간 핵산 서열이 포함된 자손을 생산한다. 한 구체예에서, 상기 공여 세포는 낭포 단계 또는 상실배-전 단계 (가령, 4 세포 단계 또는 8 세포 단계)에 있는 숙주 배아 안으로 도입된다. 더욱이, 단계 (a)는 큰 표적화 벡터 (LTVEC) 및/또는 최소한 5 kb의 길이의 인간 핵산 서열과 함께 또한 실행될 수 있다. 여전히 추가 구체예들에서, 상기 유전적 변형은 생식계열을 통하여 유전될 수 있다.유전적으로 변형된 비-인간 동물은 본 명세서에서 공개된 다양한 방법을 이용하여 만들어질 수 있다. 이러한 방법은 (1) 본 명세서에서 공개된 방법을 이용하여, 표적화된 게놈 좌 안에 삽입 핵산이 포함된 유전적으로 변형된 다능성 세포를 만들기 위하여, 다능성 세포의 표적 좌에 하나 또는 그 이상의 관심 대상의 폴리뉴클레오티드를 통합시키고; (2) 상기 표적 게놈 좌에 하나 또는 그 이상의 관심 대상의 폴리뉴클레오티드를 갖는 유전적으로 변형된 다능성 세포를 선별해내고; (3) 상기 유전적으로 변형된 다능성 세포를 숙주 배아 안으로 도입시키고; 그리고 (4) 상기 유전적으로 변형된 다능성 세포가 포함된 숙주 배아를 대리모에게 이식하는 것을 포함한다. 상기 유전적으로 변형된 다능성 세포로부터 자손이 생성된다. 한 구체예에서, 상기 공여 세포는 낭포 단계 또는 상실배-전 단계 (가령, 4 세포 단계 또는 8 세포 단계)에 있는 숙주 배아 안으로 도입된다. 생식계열을 통하여 유전자 변형을 유전시킬 수 있는 후손이 생성된다. 본 명세서의 도처에서 논의된 바와 같, 다능성 세포는 ES 세포일 수 있다.상기 유전적으로 변형된 비-인간 동물을 만드는데 핵 이전 기술이 또한 이용될 수 있다. 간략하게 설명하자면, 핵 이전을 위한 방법은 다음의 단계들을 포함한다: (1) 난모세포의 핵을 빼내고; (2) 상기 핵이 적출된 난모세포와 복합되는 공여 세포 또는 핵을 단리시키고; (3) 상기 세포 또는 핵을 핵이 적출된 난모세포 인에 삽입시켜 재구성된 세포가 형성되고; (4) 상기 재구성된 세포는 동물의 자궁 안에 이식시켜 배아를 만들고; 그리고 (5) 배아가 발달되도록 한다. 이러한 방법에서 살아있는 동물의 난관 및/또는 난소로부터 난모 세포가 단리될 수 있지만, 일반적으로 난모세포는 죽은 동물로부터 회수된다. 난모세포는 핵 적출에 앞서, 당분에 공지된 다양한 배지에서 숙성될 수 있다. 난모세포의 핵 적출은 당분야의 숙련자들에게 공지된 방식으로 실행될 수 있다. 재구성된 세포를 만들기 위하여, 핵이 적출된 난모세포 안으로 공여 세포 또는 핵의 삽입은 보통 융합 전, 투명대(zona pellucida)에서 공여세포의 현미주사에 의해 이루어진다. 융합은 접촉/융합 면을 가로질러 DC 전기적 펄스를 제공함으로써 (전기융합), 융합-촉진 화학물질, 이를 테면 폴리에틸렌 글리콜에 세포를 노출시키거나, 또는 비활성화된 바이러스, 이를 테면, 센다이 바이러스를 통하여, 유도화될 수 있다. 재구성된 세포는 상기 핵 공여와 수용 난모세포의 융합전, 융합 동안 및/또는 융합 후, 전기적 및/또는 비-전기적 수단에 의해 전형적으로 활성화된다. 활성화 방법은 전기적 펄스, 화학적으로 유도화된 쇼크, 정자에 의한 침투, 난모세포에서 이가 양이온 수준 증가, 그리고 난모세포 안에서 세포 단백질의 인산화 감소 (키나제 억제제를 통하여)를 포함한다. 활성화된 재구성된 세포, 또는 배아는 당업자들에게 공지된 배지에서 전형적으로 배양되고, 그 다음 동물의 자궁으로 이전된다. 예를 들면, US20080092249, WO/1999/005266A2, US20040177390, WO/2008/017234A1, 및 US 특허 번호 7,612,250 참고하며, 이들 각각은 본 명세서의 참고자료에 편입된다.한 측면에서, 유전적으로 변형된 비-인간 동물을 만드는 방법이 제공되는데, 이 방법은 변형된 다능성 세포를 만들기 위하여 관심 대상의 게놈 좌에 변형을 도입하기 위한 엔도뉴클레아제-중개된 유전자 표적화를 이용하여 다능성 세포 안에서 관심 대상의 게놈 좌를 변형시키고, 전분화능이 유지되는데 충분한 조건하에서 상기 변형된 다능성 세포를 유지시키고, 상기 변형된 다능성 세포는 숙주 배아에서 공여 세포로 이용되고, 그리고 상기 변형된 다능성 세포가 포함된 숙주 배아를 대리모에 임신시키는 것을 포함하고, 이때 대리모가 상기 숙주 배아를 잉태하고, 유전적으로 변형된 자손이 태어난다. 한 구체예에서, 상기 표적 서열은 인트론에 위치한다. 한 구체예에서, 상기 표적 서열은 엑손에 위치한다. 한 구체예에서, 상기 표적 서열은 프로모터에 위치한다. 한 구체예에서, 상기 표적 서열은 프로모터 조절 영역에 위치한다. 한 구체예에서, 상기 표적 서열은 인헨서 영역에 위치한다. 한 구체예에서, 구별되는 별개의 표적 서열을 인지하는 다수의 엔도뉴클레아제를 이용하여 일정 기간에 걸쳐 여러차례 도입 단계가 실행된다. 한 구체예에서, 단계는 구별되는 별개의 표적 서열을 인지하는 다수의 엔도뉴클레아제를 이용하여 최소한 2회, 구별되는 별개의 표적 서열을 인지하는 다수의 엔도뉴클레아제를 이용하여 최소한 3회, 구별되는 별개의 표적 서열을 인지하는 다수의 엔도뉴클레아제를 이용하여 최소한 4회, 구별되는 별개의 표적 서열을 인지하는 다수의 엔도뉴클레아제를 이용하여 최소한 5회, 구별되는 별개의 표적 서열을 인지하는 다수의 엔도뉴클레아제를 이용하여 최소한 6회, 구별되는 별개의 표적 서열을 인지하는 다수의 엔도뉴클레아제를 이용하여 최소한 7회, 구별되는 별개의 표적 서열을 인지하는 다수의 엔도뉴클레아제를 이용하여 최소한 8회, 구별되는 별개의 표적 서열을 인지하는 다수의 엔도뉴클레아제를 이용하여 최소한 9회, 구별되는 별개의 표적 서열을 인지하는 다수의 엔도뉴클레아제를 이용하여 최소한 10회, 구별되는 별개의 표적 서열을 인지하는 다수의 엔도뉴클레아제를 이용하여 최소한 11회, 구별되는 별개의 표적 서열을 인지하는 다수의 엔도뉴클레아제를 이용하여 최소한 12회, 구별되는 별개의 표적 서열을 인지하는 다수의 엔도뉴클레아제를 이용하여 최소한 13회, 구별되는 별개의 표적 서열을 인지하는 다수의 엔도뉴클레아제를 이용하여 최소한 14회, 구별되는 별개의 표적 서열을 인지하는 다수의 엔도뉴클레아제를 이용하여 최소한 15회, 구별되는 별개의 표적 서열을 인지하는 다수의 엔도뉴클레아제를 이용하여 최소한 16회, 구별되는 별개의 표적 서열을 인지하는 다수의 엔도뉴클레아제를 이용하여 최소한 17회, 구별되는 별개의 표적 서열을 인지하는 다수의 엔도뉴클레아제를 이용하여 최소한 18회, 구별되는 별개의 표적 서열을 인지하는 다수의 엔도뉴클레아제를 이용하여 최소한 19회, 또는 구별되는 별개의 표적 서열을 인지하는 다수의 엔도뉴클레아제를 이용하여 최소한 20회 실행된다.한 구체예에서, 도입 단계는 전기천공, 세포질내 주사, 아데노바이러스, 렌티바이러스, 레트로바이러스, 트랜스펙션, 지질-중개된 트랜스펙션에 의해 중개되거나 또는 Nucleofection™를 통하여 중개된다.한 구체예에서, 상기 방법은 외생성 핵산을 상기 유전적으로 변형된 다능성 세포 안으로 도입시키는 것을 더 포함한다. 한 구체예에서, 상기 외생성 핵산은 이식유전자다. 한 구체예에서, 상기 외생성 핵산은 내생성 좌 안으로 도입된다. 한 구체예에서, 상기 외생성 핵산은 자궁외적으로 도입된다(가령, 이의 내생성 좌와 상이한 좌에서).한 측면에서, 유전적으로 변형된 비-인간 동물을 만드는 방법이 제공되는데, 이 방법은 변형된 다능성 세포를 만들기 위하여 관심 대상의 게놈 좌에 변형을 도입하기 위한 RNA-안내된 게놈 공학을 이용하여 다능성 세포 안에서 관심 대상의 게놈 좌를 변형시키고, 전분화능이 유지되도록 충분한 조건하에서 상기 변형된 다능성 세포를 유지시키고, 상기 변형된 다능성 세포는 숙주 배아에서 공여 세포로 이용되고, 그리고 상기 변형된 다능성 세포가 포함된 숙주 배아를 대리모에 임신시키는 것을 포함하고, 이때 대리모가 상기 숙주 배아를 잉태하고, 유전적으로 변형된 자손이 태어난다. 한 구체예에서, 상기 방법은 약 2% 내지 약 80% 범위의 표적화율을 갖는다. 한 구체예에서, 상기 방법은 구별되는 별개의 게놈 좌의 다중 편집을 위하여 구별되는 별개의 게놈 표적 서열이 포함된 다수의 제 2 발현 구조체를 공동-도입시키는 것을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 방법은 일정 기간에 걸쳐 구별되는 별개의 게놈 좌의 다중 편집을 위하여 구별되는 별개의 게놈 표적 서열이 포함된 다수의 제 2 발현 구조체를 도입시키는 것을 포함한다.한 구체예에서, 일정 기간에 걸쳐 여러차례 도입 단계가 실행된다. 한 구체예에서, 도입 단계 (b)는 일정 기간에 걸쳐 최소한 2회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 3회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 4회, 일정 기간에 걸쳐 5회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 6회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 7회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 8회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 9회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 10회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 11회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 12회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 13회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 14회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 15회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 16회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 17회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 18회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 19회, 일정 기간에 걸쳐 최소한 20회 실행된다.한 구체예에서, 제 1 발현 구조체와 제 2 발현 구조체는 동일한 플라스미드로부터 발현된다.한 구체예에서, 도입 단계는 전기천공, 세포질내 주사, 아데노바이러스, 렌티바이러스, 레트로바이러스, 트랜스펙션, 지질-중개된 트랜스펙션에 의해 중개되거나 또는 Nucleofection™를 통하여 중개된다.한 구체예에서, 상기 방법은 외생성 핵산을 상기 돌연변이 대립유전자가 포함된 상기 다능성 세포 안으로 도입시키는 것을 더 포함한다. 한 구체예에서, 상기 외생성 핵산은 이식유전자다. 한 구체예에서, 상기 외생성 핵산은 내생성 좌 안으로 도입된다. 한 구체예에서, 상기 외생성 핵산은 자궁외에 위치한다 (가령, 이의 내생성 좌와 상이한 좌에서).한 구체예에서, 상기 방법은 외생성 핵산을 상기 유전적으로 변형된 다능성 세포 안으로 도입시키는 것을 더 포함한다. 한 구체예에서, 상기 외생성 핵산은 이식유전자다. 한 구체예에서, 상기 외생성 핵산은 내생성 좌 안으로 도입된다. 한 구체예에서, 상기 외생성 핵산은 자궁외적으로 도입된다(가령, 이의 내생성 좌와 상이한 좌에서).한 측면에서, 인간화된 비-인간 동물을 만드는 방법이 더 제공되는데, 이 방법은 최소한 5 kb의 인간 서열이 포함된 삽입을 포함하는 LTVEC로 다능성 세포의 게놈을 변형시키고, 그리고 상기 다능성 세포를 공여 세포로 이용하여, 상기 공여 세포를 숙주 배아 안으로 도입시키고, 그리고 대리모에게 숙주 배아를 임신시키는 것을 포함하고, 이때 대리모는 인간화가 포함된 자손을 낳는다.본 명세서에서 공개된 바와 같이, 동물의 생식계열의 하나 또는 그 이상의 유전적 변형이 이의 생식계열에 포함된 유전적으로 변형된 비-인간 동물을 만드는 다른 방법이 제공되는데, 이 방법은 다음을 포함한다: (a) 원핵 세포 안에 포함된 표적화된 좌를 본 명세서에서 기술된 다양한 방법을 이용하여 변형시키고; (b) 상기 표적화된 좌에서 상기 유전적 변형이 포함된 변형된 원핵 세포를 선별하고; (c) 상기 변형된 원핵 세포의 게놈으로부터 상기 유전적으로 변형된 표적화 벡터를 단리하고; (d) 상기 표적화된 게놈 좌에 상기 삽입 핵산이 포함된 유전적으로 변형된 다능성 세포를 만들기 위하여 다능성 세포 안으로 상기 유전적으로 변형된 표적화 벡터를 도입시키고; (e) 상기 유전적으로 변형된 다능성 세포를 선별하고; (f) 상실배-전 단계에서 숙주 배아 안으로 상기 유전적으로 변형된 다능성 세포를 도입시키고; 그리고 (g) 상기 유전적으로 변형된 다능성 세포가 포함된 숙주 배아를 대리모에게 이식하여 상기 유전적으로 변형된 다능성 세포로부터 유도된 F0 세포를 만든다. 이러한 방법에서 상기 표적화 벡터는 큰 표적화 벡터를 포함할 수 있다. 다능성 세포는 ES 세포일 수 있다. 추가 방법에서, 단리 단계 (c)는 상기 유전적으로 변형된 표적화 벡터 (가령, 상기 유전적으로 변형된 LTVEC)를 직선으로 만드는 것(c1)을 더 포함한다 여전히 추가 구체예들에서, 도입 단계 (d)는 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 뉴클레아제 물질을 상기 다능성 세포 안으로 도입시키는 것(d1) 을 더 포함한다. 한 구체예에서, 선별 단계 (b) 및/또는 (e)는 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 선별가능한 물질을 상기 원핵 세포 또는 상기 다능성 세포에 적용함으로써 실행된다. 한 구체예에서, 선별 단계 (b) 및/또는 (e)는 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 대립유전자의 변형 (MOA) 분석을 통하여 실행된다.원핵 세포에서 세균성 상동성 재조합 (BHR)을 통하여 포유류 세포의 표적 게놈 좌를 변형시키는 추가 방법들이 제공되는데, 이 방법은 다음을 포함한다: (a) 핵산이 포함된 표적 좌를 포함하는 원핵 세포를 제공하고, (b) 상기 원핵 세포 안으로 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 측면에 있는 삽입 핵산이 포함된 표적화 벡터를 도입시키고, 이때 상기 삽입 핵산은 포유류 영역 (예를 들면, 인간으로부터 유래된 DNA 삽입을 포함)을 포함하며, 그리고 (c) 상기 표적 좌에서 상기 삽입 핵산을 포함하는 표적화된 원핵 세포를 선별하고, 이때 상기 원핵 세포는 BHR을 중개하는 재조합 효소를 발현시킬 수 있다. 단계 (a1)는 제 1 뉴클레아제 물질에 대한 제 1 인지 부위가 포함된 제 1 폴리뉴클레오티드를 포함하는 핵산이 포함된 표적 좌를 포함하는 원핵 세포를 제공하는 것을 포함할 수 있고, 그리고 단계 (b1)는 상기 원핵 세포에서 제 1 인지 부위에서 또는 이 부근에서 닉 또는 이중-가닥 파괴를 만드는 뉴클레아제 물질을 발현시키는 것을 더 포함할 수 있다. 단계 (a)-(c)는 원핵 세포 안에서 표적화된 좌에 다중 삽입 핵산이 도입되도록 본 명세서에서 공개된 바와 같이 연속적으로 반복될 수 있다. 상기 표적화된 게놈 좌가 원핵 세포 안에서 "구축(built)"되면, 상기 변형된 표적 좌가 포함된 표적화 벡터는 상기 원핵 세포로부터 단리될 수 있고, 그리고 다능성 세포 안의 표적 게놈 좌 안으로 도입될 수 있다. 상기 변형된 게놈 좌가 포함된 다분화능 세포 (가령, ES 세포)는 그 다음 유전적으로 변형된 비-인간 동물로 만들어질 수 있다.일부 구체예들에서, 본 명세서에서 설명된 표적 게놈 좌들의 다양한 유전적 변형은 VELOCIGENE�� 유전 공학적 기술 (가령, US 특허 번호 6,586,251 및 Valenzuela, D. M. et al. (2003), High-throughput engineering of the mouse genome coupled with high-resolution expression analysis, Nature Biotechnology 21(6): 652-659, 이들은 전문이 본 명세서의 참고자료에 편입됨)을 이용하여 세균성 인공 염색체(BAC) DNA로부터 유도된 LTVEC를 이용하여 세균성 세포 안에서 일련의 상동성 재조합 반응 (BHR)에 의해 실시될 수 있다. 일부 구체예들에서, 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 다양한 유전적 변형이 포함된 표적화된 ES 세포는 삽입 ES 세포로 이용되고, 그리고 대응하는 유기체의 상실배-전 단계 배아, 가령, 8-세포 단계 마우스 배아 안으로 VELOCIMOUSE�� 방법을 이용하여 도입시킨다 (가령, US 7,576,259, US 7,659,442, US 7,294,754, 및 US 2008-0078000 A1 참고하며, 이들 모두는 전문이 본 명세서의 참고자료에 통합된다). 상기 유전적으로 변형된 ES 세포가 포함된 배아는 낭포단계까지 배양되고, 그 다음 대리모에게 이식되어 F0을 생산한다. 상기 유전적으로 변형된 게놈 좌를 출산하는 동물은 본 명세서에서 설명된 대립유전자의 변형 (MOA) 분석을 통하여 식별될 수 있다. 상기 유전적으로 변형된 ES 세포로부터 유도된 생성된 F0 세대 비-인간 동물은 야생형 비-인간 동물과 교배되어, F1 세대 후손을 얻는다. 특이적 프라이머 및/또는 프로브를 이용한 유전자형분석 후, 유전적으로 변형된 게놈 좌에 대하여 이형접합성인 F1 비-인간 동물은 유전적으로 변형된 게놈 좌에 대하여 동형접합성인 동물을 생산하기 위하여 서로 교배된다. 대안으로, 유전자 변형을 갖는 각각의 F0 암컷 비-인간 동물과 F0 수컷 비-인간 동물이 교배되어 유전적 변형에 대하여 동형접합성인 F1 비-인간 동물을 얻을 수 있다. 한 측면에서, 예를 들면, 또다른 유기체의 상동성 또는 이종상동성 핵산 서열과 함께, 내생성 핵산 서열의 표적화된 변형을 포함하는, 유전적으로 변형된 렛 게놈이 제공된다.한 구체예에서, 상기 상동성 또는 이종상동성 핵산 서열의 길이는 약 5 kb 내지 약 200 kb이다. 한 구체예에서, 상기 상동성 또는 이종상동성 렛이 아닌 핵산 서열의 범위는 약 5 kb 내지 약 10 kb이다. 한 구체예에서, 상기 상동성 또는 이종상동성 렛이 아닌 핵산 서열의 범위는 약 10 kb 내지 약 20 kb이다. 한 구체예에서, 상기 상동성 또는 이종상동성 렛이 아닌 핵산 서열의 범위는 약 20 kb 내지 약 30 kb이다. 한 구체예에서, 상기 상동성 또는 이종상동성 렛이 아닌 핵산 서열의 범위는 약 30 kb 내지 약 40 kb이다. 한 구체예에서, 상기 상동성 또는 이종상동성 렛이 아닌 핵산 서열의 범위는 약 40 kb 내지 약 50 kb이다. 한 구체예에서, 상기 상동성 또는 이종상동성 렛이 아닌 핵산 서열의 범위는 약 50 kb 내지 약 60 kb이다. 한 구체예에서, 상기 상동성 또는 이종상동성 렛이 아닌 핵산 서열의 범위는 약 60 kb 내지 약 70 kb이다. 한 구체예에서, 상기 상동성 또는 이종상동성 렛이 아닌 핵산 서열의 범위는 약 70 kb 내지 약 80 kb이다. 한 구체예에서, 상기 상동성 또는 이종상동성 렛이 아닌 핵산 서열의 범위는 약 80 kb 내지 약 90 kb이다. 한 구체예에서, 상기 상동성 또는 이종상동성 렛이 아닌 핵산 서열의 범위는 약 90 kb 내지 약 100 kb이다. 한 구체예에서, 상기 상동성 또는 이종상동성 렛이 아닌 핵산 서열의 범위는 약 100 kb 내지 약 110 kb이다. 한 구체예에서, 상기 상동성 또는 이종상동성 렛이 아닌 핵산 서열의 범위는 약 110 kb 내지 약 120 kb이다. 한 구체예에서, 상기 상동성 또는 이종상동성 렛이 아닌 핵산 서열의 범위는 약 120 kb 내지 약 130 kb이다. 한 구체예에서, 상기 상동성 또는 이종상동성 렛이 아닌 핵산 서열의 범위는 약 140 kb 내지 약 150 kb이다. 한 구체예에서, 상기 상동성 또는 이종상동성 렛이 아닌 핵산 서열의 범위는 약 150 kb 내지 약 160 kb이다. 한 구체예에서, 상기 상동성 또는 이종상동성 렛이 아닌 핵산 서열의 범위는 약 160 kb 내지 약 170 kb이다. 한 구체예에서, 상기 상동성 또는 이종상동성 렛이 아닌 핵산 서열의 범위는 약 170 kb 내지 약 180 kb이다. 한 구체예에서, 상기 상동성 또는 이종상동성 렛이 아닌 핵산 서열의 범위는 약 180 kb 내지 약 190 kb이다. 한 구체예에서, 상기 상동성 또는 이종상동성 렛이 아닌 핵산 서열의 범위는 약 190 kb 내지 약 200 kb이다. 삽입 핵산에 이용되는 다양한 관심 대상의 폴리뉴클레오티드는 본 명세서의 도처에서 설명된다.비-인간 동물의 표적화된 게놈 변형의 추가 방법들이 제공된다. 이러한 방법은 다음을 포함할 수 있다: (a) 관심 대상의 게놈 좌의 변형을 위하여 본 명세서에서 제공된 다양한 임의의 방법들을 이용하여 비-인간 다능성 세포의 관심 대상의 게놈 좌를 변형시키고, 이로 인하여 표적화된 게놈 변형이 포함된 유전적으로 변형된 비-인간 다능성 세포가 생산되고; (b) 단계 (a)의 상기 변형된 비-인간 다능성 세포를 비-인간 숙주 배아 안으로 도입시키고; 그리고 (c) 상기 비-인간 상기 변형된 다능성 세포가 포함된 숙주 배아를 대리모에게 임신시키고, 이때 대리모는 상기 표적화된 게놈 변형을 포함하는 F0 자손을 낳고, 그리고 이때 상기 표적화된 게놈 변형은 생식계열을 통하여 유전될 수 있다.일부 구체예들에서, 상기 표적화된 게놈 변형은 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손을, 그리고 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 외생성 핵산의 삽입을 동시에 포함한다 (가령, 한 단계에서 결손과 삽입). 일부 구체예들에서, 상기 표적화된 게놈 변형은 이중대립형질 유전적 변형을 포함한다. 상기 이중대립형질 유전적 변형은 2개의 상동성 염색체(가령, 제 1 및 제 2 상동성 염색체의 쌍)의 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손과 외생성 핵산의 삽입을 포함할 수 있다.다른 구체예들에서, 상기 표적화된 게놈 변형은 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 컴파운드 이형접합성인, 변형된 다능성 세포를 창출한다. 다른 구체예들에서, 상기 표적화된 게놈 변형은 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 반접합성인, 변형된 다능성 세포를 창출한다. 일부 구체예들에서, 하나의 염색체 안에 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형은 내생성 핵산 서열의 결손과 외생성 핵산의 삽입을 포함한다. 예를 들면, 상기 표적화된 유전적 변형은 다음을 포함할 수 있다: (1) 2개의 상동성 염색체 안에 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손; 그리고 (2) 제 1 염색체 안에 관심 대상의 게놈 좌에 외생성 핵산의 삽입과 제 2 염색체 안에 관심 대상의 게놈 좌의 붕괴. 상기 제 1 염색체는 2개의 상동성 염색체의 첫번째일 수 있고, 제 2 염색체는 2개의 상동성 염색체의 두번째일 수 있다.6. 세포본 명세서에서 설명된 다양한 방법 및 조성물은 세포에서 게놈 좌 표적화 시스템 을 이용한다. 한 구체예에서, 상기 세포는 다능성 세포다. 한 구체예에서, 상기 세포는 비-다능성 세포다. 한 구체예에서, 상기 다능성 세포는 비-인간 다능성 세포다. 한 구체예에서, 상기 비-인간 다능성 세포는 포유류 다능성 세포다. 한 구체예에서, 상기 다능성 세포는 인간 유도화된 다능성 줄기 (iPS) 세포다. 다른 구체예들에서, 상기 세포는 진핵 세포, 렛이 아닌 진핵 세포, 인간 다능성 세포, 인간 ES 세포, 인간 성인 줄기 세포, 발생학적으로 제한된 인간 선조 세포, 비-인간 포유류 세포, 포유류 세포, 인간 세포, 섬유아세포, 설치류 세포, 렛이 아닌 설치류 세포, 렛 세포, 마우스 세포, 헴스터 세포 또는 CHO 세포다.한 구체예에서, 진핵 세포는 일차 세포다. 일차 세포는 유기체, 장기, 또는 조직으로부터 직접적으로 단리된 세포 또는 세포의 배양물을 포함한다. 일차 세포는 형질변환안된 또는 불사화(immortal)안된 세포를 포함한다. 조직 배양에서 기존에 계대되지 않았거나 또는 조직 배양에서 기존에 계대되었는지만, 조직 배양에서 무기한으로 계대될 수 없는, 유기체, 장기 또는 조직으로부터 획득된 임의의 세포를 포함한다. 이러한 세포는 통상적인 기술에 의해 단리될 수 있으며, 그리고 예를 들면, 조혈 세포, 내종피 세포, 상피 세포, 섬유아세포, 중간엽 세포, 각질세포, 멜라닌세포, 단핵구, 단핵 세포, 지방세포, 사전지방세포, 뉴런, 신경아교 세포, 간세포, 골근육모세포, 및 평활근 근육 세포를 포함한다. 일부 구체예들에서, 일차 세포는 결합 조직, 근육 조직, 신경계 조직, 또는 상피 조직으로부터 유도된다.또다른 구체예에서, 진핵 세포는 불사화된 세포다. 불사화된 세포는 다중세포 유기체로부터 정상적으로는 무한정으로 증식될 수 없지만, 그러나 돌연변이 또는 변경으로 인하여, 정상적인 세포 노화를 회피하고, 대신 분화를 지속할 수 있는 세포를 포함한다. 이러한 돌연변이 또는 변경은 자연적으로 발생되거나 또는 의도적으로 유도될 수 있다. 불사화된 세포의 예로는 중국 헴스터 난소 (CHO) 세포, 인간 배아의 신장 세포 (가령, HEK 293 세포), 그리고 마우스 배아의 섬유아세포 세포 (가령, 3T3 세포)를 포함한다. 다양한 유형의 불사화된 세포들이 당분야에 잘 공지되어 있다. 일부 구체예들에서, 불사화된 세포는 암 세포로부터 유도된다. 또다른 구체예에서, 일차 또는 불사화된 세포는 재조합 유전자 또는 단백질의 배양 또는 발현에 전형적으로 이용되는 것이다.다른 구체예들에서, 상기 다능성 세포는 이의 게놈의 최소한 하나의 표적화된 유전적 변형 후 전분화능을 지속할 수 있고, 상기 표적화된 변형을 F1 세대의 생식계열로 유전시킬 수 있다.한 구체예에서, 상기 다능성 세포는 단일 세포 단계에서 비-인간 수정란이다. 한 구체예에서, 상기 비-인간 수정란은 포유류 수정란이다. 한 구체예에서, 상기 포유류 수정란은 단일 세포 단계에서 설치류 수정란이다. 한 구체예에서, 상기 포유류 수정란은 단일 세포 단계에서 렛 또는 마우스 수정란이다.본 명세서에서 설명된 방법 및 조성물에 이용되는 다양한 세포는 원핵 세포, 이를 테면 대장균(E. coli)을 포함하는, 세균성 세포를 또한 포함할 수 있다. 특정 구체예들에서, 상기 원핵 세포는 대장균(E. coli)의 재조합-수행능력(competent) 균주다. 한 구체예에서, 상기 원핵 세포는 상기 재조합효소가 인코드된 핵산을 포함하며, 한편 다른 경우들에서, 상기 원핵 세포는 재조합효소가 인코드된 핵산을 포함하지 않고, 재조합효소가 인코드된 핵산은 상기 원핵 세포 안으로 도입된다. 한 구체예에서, 재조합효소가 인코드된 핵산은 DNA 또는 mRNA를 포함한다. 일부 구체예들에서, 재조합효소가 인코드된 핵산은 pABG이다. 한 구체예에서, 상기 재조합효소는 유도성 프로모터의 조절 하에 발현된다. 한 구체예에서, 상기 재조합효소의 발현은 아라비노스에 의해 조절된다.A. 인간 유도된 다분화능 줄기 세포를 만들고 유지하기 위한 저삼투질 배지본 발명의 방법 및 조성물에 사용을 위한 세포 배양 배지가 제공된다. 한 구체예에서, 상기 배지는 인간 iPS 세포 집단을 만드는데 적합하다. 또다른 구체예에서, 상기 배지는 배양에서 인간 iPS 세포를 유지시키는데 적합하다. 일부 구체예들에서, 상기 인간 iPS 세포는 순수한 또는 순수-외양(-looking)이다.본 명세서에서 제공된 배지는 최소한 기본 배지, 보충물, 백혈병 억제 인자 (LIF) 폴리펩티드, 글리코겐 합성효소 키나제 3 (GSK3) 억제제, 및 MEK 억제제를 포함한다.본 배지는 오스몰농도가 낮은 배지다. 한 실시예에서, 상기 오스몰농도는 약 175-280 mOsm/kg이다. 추가 실시예들에서, 상기 배지의 오스몰농도는 약 180-270 mOsm/kg, 약 200-250 mOsm/kg, 약 220-240 mOsm/kg, 또는 약 225-235 mOsm이다. 특정 구체예에서, 상기 배지의 오스몰농도는 약 233　mOsm/kg이다.본 발명에서 제공되는 기본 배지는 오스몰농도가 낮은 기본 배지이며, 이 배지에 보충물이 추가된다. 본 기본 배지는 다양한 형태 (가령, Invitrogen DMEM, Cat. No. 1 1971 -025)의 Dulbecco 변형된 Eagle 배지(DMEM) 및 KO-DMEM™ (Invitrogen Cat. No. 10829-018)로 시판되는 이용가능한 저염 DMEM 배지가 포함된 배양물에서 인간 iPS 세포를 유지하는데 전형적으로 이용되는 기본 배지와 상이하다.본 발명에서 제공되는 기본 배지는 오스몰농도가 낮는 배지이지만, 낮은 오스몰 농도에 제한되지 않는 특징들을 나타낸다. 예를 들면, 표 A에 나타낸 DMEM 제제는 본 명세서에서 제공되는 바와 같이, 염화나트륨 및/또는 중탄산나트륨염 농도를 변경시키고, 이로 인하여 표 A에 나타낸 표준 DMEM 기본 배지 또는 저염 DMEM 기본 배지 (KO-DMEM)와 비교하였을 때 상이한 오스몰농도를 가지게 됨으로써 본 발명의 목적에 적합하도록 만들 수 있다.본 기본 배지는 알칼리 금속 및 할로겐화물의 염, 이를 테면 염화나트륨 (NaCl)을 포함할 수 있다. 기본 배지에서 NaCl의 예시적인 농도는 50 ± 5 mM 또는 약 3 mg/mL을 포함한다.또다른 구체예에서, 상기 기본 배지는 탄산염의 농도를 나타낸다. 탄산염은 나트륨 염일 수 있다. 이러한 실시예에서, 상기 나트륨염은 중탄산나트륨염일 수 있다. 특정 구체예에서, 중탄산나트륨염은 약 26 ± 5 mM 또는 약 2.2 mg/mL의 농도로 기본 배지 안에 존재한다.여전히 또다른 구체예에서, 상기 기본 배지는 오스몰농도가 낮은 기본 배지다. 상기 기본 배지의 오스몰농도는 약 175-280 mOsm/kg, 약 180-250 mOsm/kg, 약 190-225 mOsm/kg, 또는 약 195-205 mOsm/kg 범위 내에 있을 수 있다. 상기 기본 배지의 예시적인 오스몰농도는 200, 214, 216, 또는 218 mOsm/kg일 수 있다. 특정 실시예에서, 상기 배지의 오스몰농도는 200 mOsm/kg이다. 상기 오스몰농도는 상이한 CO2 농도에서 세포가 배양될 때 측정될 수 있다. 일부 실시예들에서, 세포는 3% CO2 또는 5% CO2에서 배양된다.바람직한 구체예에서, 상기 기본 배지는 NaCl 3.0 mg/mL, 중탄산나트륨염 약 2.2 mg/mL를 포함하며, 그리고 오스몰농도 200 mOsm/kg를 갖는다.인간 iPS 세포를 만들고, 유지시키고, 또는 이의 집단을 농축시키는데 적합하도록 본 발명의 기본 배지와 함께 제형화되는 보충물이 본 명세서에서 공개된다. 이러한 보충물은 본 명세서에서 "보충물" 또는 "+ 보충물"로 표시된다. 용어 "보충물" 또는 구절 "+ 보충물"은 표 A에서 설명된 기본 배지 성분들에 추가되는 하나 또는 그 이상의 추가적인 요소를 포함한다. 예를 들면, 보충물은 F-12�� 배지 (Gibco), N2�� 보충물 (Gibco; 100X 용액), NEUROBASAL�� 배지 (Gibco), B-27�� 보충물 (Gibco; 50X 용액), L-글루타민, 포도당, 2-멀캅토에탄올, 백혈병 저해 인자 (LIF) 폴리펩티드, 글리코겐 합성효소 키나제 3 억제제, MEK 억제제, 또는 이의 임의의 조합을 포함하나, 이에 국한되지 않는다.특정 구체예에서, LIF 폴리펩티드는 인간 LIF (hLIF) 폴리펩티드다. 일부 실시예들에서, hLIF 폴리펩티드는 약 1-1000 유닛/mL, 약 20-800 유닛/mL, 약 50-500 유닛/mL, 약 75-250 유닛/mL, 또는 약 100 유닛/mL의 농도로 사용된다.또다른 특정 구체예에서, GSK3 억제제는 CHIR99021을 포함한다. 일부 실시예들에서, CHIR99021은 약 0.1 내지 10 μM, 약 1-5 μM, 약 2-4 μM, 또는 약 3 μM의 농도로 이용된다.또다른 특정 구체예에서, MEK 억제제는 PD0325901을 포함한다. 일부 실시예들에서, PD0325901은 약 0.1-5 μM, 약 0.2-1 μM, 약 0.3-0.7 μM, 또는 약 0.5 μM의 농도로 이용된다.예시적인 배지는 낮은 오스몰농도 기본 배지 약 24.75% (v/v), F-12 배지 약 24.75% (v/v), N2 보충물 약 0.5% (v/v), NEUROBASAL 배지 약 49% (v/v), B-27 보충물 약 1% (v/v), L-글루타민 약 2 mM, 2-멀캅토에탄올 약 0.1 mM, hLIF 약 100 유닛/mL, CHIR99021 약 3 μM, 그리고 PD0325901 약 0.5 μM을 포함한다.또다른 특정 구체예에서, 상기 배지는 염기성 섬유아세포 성장 인자 (bFGF, 또한 FGF2 또는 FGF-β로도 알려짐)를 포함할 수 있거나 또는 포함하지 않을 수 있다. 바람직하게는 본 배지는 bFGF를 포함하지 않는다.B. 인간 유도화된 다분화능 줄기 세포인간 iPS 세포 집단을 만들기 위한 방법 및 조성물이 본 명세서에서 제공된다. 배양물에서 인간 iPS 세포를 유지시키기 위한 방법 및 조성물이 본 명세서에서 제공된다. 배양물에서 만들어진 또는 유지된 인간 iPS 세포가 또한 제공된다. 용어 "다능성 세포" 또는 "다능성 줄기 세포"는 하나 이상의 분화된 세포 유으로 발달될 수 있는 능력을 보유한 미분화된 세포를 포함한다. 이러한 다능성 세포는 예를 들면, 포유류 배아 줄기 (ES 세포) 세포 또는 포유류 유도화된 다능성 줄기 세포 (iPS 세포)일 수 있다. 다능성 세포의 예로는 인간 iPS 세포를 포함한다.용어 "배아 줄기 세포" 또는 "ES 세포"는 적합한 조건하에 시험관 배양물에서 유지될 수 있는 낭포의 내부 세포 덩어리로부터 유도된 배아-유도된 분화전능성 또는 다능성 줄기 세포를 말한다. ES 세포는 3개의 척추동물 배엽층, 가령, 내배엽, 외배엽, 또는 중배엽중 임의의 세포로 분화될 수 있다. ES 세포는 적합한 시험관 배양 조건하에서 무한정으로 분화되는 능력으로 특징화될 수 있다. 예를 들면, Thomson et al. (Science (1998) Vol. 282(5391), pp. 1145-1147) 참고.용어 "유도화된 다능성 줄기 세포" 또는 "iPS 세포"는 분화된 성숙 세포로부터 직접적으로 유도될 수 있는 다능성 줄기 세포를 포함한다. 인간 iPS 세포는 예를 들면, Oct3/4, Sox 패밀리 전사 인자 (가령, Sox1, Sox2, Sox3, Sox15), Myc 패밀리 전사 인자 (가령, c-Myc, l-Myc, n-Myc), -유사 패밀리 (KLF) 전사 인자 (가령, KLF1, KLF2, KLF4, KLF5), 및/또는 관련된 전사 인자, 이를 테면 NANOG, LIN28, 및/또는 Glis1들이 포함될 수 있는 특이적 재프로그래밍 인자들을 비-다능성 세포 안으로 도입시킴으로써 생성될 수 있다. 인간 iPS 세포는 miRNAs, 전사인자의 작용을 모방하는 소분자, 또는 계통 지정자(lineage specifiers)의 이용에 의해 또한 생성될 수 있다. 인간 iPS 세포는 3개의 척추동물 배엽층, 가령, 내배엽, 외배엽, 또는 중배엽중 임의의 세포로 분화되는 능력에 의해 특징화된다. 인간 iPS 세포는 적합한 시험관 배양 조건하에서 무한정으로 분화되는 능력으로 특징화될 수 있다. 예를 들면, Takahashi and Yamanaka (Cell (2006) Vol. 126(4), pp. 663-676) 참고.용어 "순수" 및 "프라임된(primed)"는 인간 iPS 세포의 상이한 전분화능 상태를 식별한다. 용어 "순수-외양(-looking)"은 순수 다능성 세포의 하나 또는 그 이상의 특징을 나타내는 다능성 상태를 발현시키는 세포를 식별한다. 순수-외양 인간 iPS 세포는 "순수-유사(-like)" 인간 iPS 세포로 또한 지칭될 수 있다. 일부 구체예들에서, 순수-외양 인간 iPS 세포는 순수 인간 iPS 세포의 하나 또는 그 이상의 형태학적 특징, 이를 테면 조밀한 돔(dome)-모양의 콜로니로 특징화되는 형태를 나타낸다. 일부 구체예들에서, 순수-외양 인간 iPS 세포는 본 명세서에서 공개된 하나 또는 그 이상의 전분화능 표지들을 발현시킨다. 일부 구체예들에서, 순수 또는 순수-외양 인간 iPS 세포는 순수 인간 iPS 세포다. 다른 구체예들에서, 순수 또는 순수-외양 인간 iPS 세포는 순수-외양 인간 iPS 세포다.순수 및 프라임된 iPS 세포의 특징은 당분야에서 설명된다. 예를 들면, Nichols and Smith (Cell Stem Cell (2009) Vol. 4(6), pp. 487-492) 참고. 순수 인간 iPS 세포는 사전-착상 배아의 세포내 물질의 ES 세포와 유사한 전분화능 상태를 나타낸다. 이러한 순수 세포는 계통 특이성 및 책무에 대하여 프라임되지 않는다. 암컷 순수 iPS 세포는 2개의 활성 X 염색체를 특징으로 한다. 배양에서, 순수 인간 iPS 세포의 자체-재생은 백혈병 억제 인자 (LIF) 및 다른 억제제들에 의존적이다. 배양된 순수 인간 iPS 세포는 둥근 돔-모양의 콜로니를 특징으로 하는 클론 형태를 나타내며, 정점-기반 극성(apico-base polarity)의 결여된다. 배양된 순수 세포는 본 명세서의 도처에서 설명된 바와 같이, 하나 또는 그 이상의 전분화능 표식들을 더 나타낼 수 있다. 적절한 조건하에서 배양물에서 순수 인간 iPS 세포의 배가 시간(doubling time)은 16 내지 24 시간이다.프라임된 인간 iPS 세포는 착상 후 낭배의 외피(epiblast) 세포의 것과 유사한 전분화능 상태를 나타낸다. 이러한 세포는 계통 특이성 및 책무에 대하여 프라임된다. 암컷 프라임된 iPS 세포는 하나의 활성 X 염색체와 하나의 비활성 X 염색체를 특징으로 한다. 배양에서 프라임된 인간 iPS 세포의 자체-재생은 섬유하세포 성장 인자 (FGF)와 액티빈에 의존적이다. 배양된 프라임된 인간 iPS 세포는 상피 단층에 의해 특징화된 클론 형태를 나타내고, 정점-기반 극성을 나타낸다. 적절한 조건하에서 배양물에서 프라임된 인간 iPS 세포의 배가 시간은 24 시간 또는 그 이상이 될 수 있다.한 구체예에서, 인간 iPS 세포는 다능성 상태를 발현시키도록 형질변환되 비-다능성 세포로부터 유도될 수 있다. 이러한 형질변환된 세포는 예를 들면, 전분화능을 유도하는 재프로그래밍 유전자를 발현시키도록 형질변환된 세포를 포함한다. 다능성 상태는 예를 들면, 본 명세서에서 설명된 하나 또는 그 이상의 전분화능 표지의 발현을 포함할 수 있다. 이러한 세포 (이를 테면 인간 포피 섬유아세포)는 당분야에 공지된 임의의 수단에 의해 재프로그래밍 유전자, 또는 관심 대상의 임의의 추가적인 유전자를 발현시키도록 형질변환될 수 있다. 예를 들면, Takahashi and Yamanaka (Cell (2006) Vol. 126(4), pp. 663-676) 참고. 예를 들면, 이들은 하나 또는 그 이상의 플라스미드, 렌티바이러스 벡터, 또는 레트로바이러스 벡터를 이용하여 상기 세포 안으로 도입될 수 있다. 일부 경우에서, 상기 벡터는 게놈 안에 통합되며, 그리고 재프로그래밍이 완료된 후 제거될 수 있다. 특정 구체예들에서, 상기 비-다능성 세포는 Oct4, Sox2, Klf4, Myc, 또는 이의 임의의 조합을 포함하는 재프로그래밍 유전자로 형질변환된다. 일부 실시예들에서, 상기 형질변환된 세포는 프라임된 인간 iPS 세포를 포함한다.일부 구체예들에서, 본 명세서에서 설명된 오스몰농도가 낮은 배지에서 배양된 상기 인간 iPS 세포는 하나 또는 그 이상의 표현형, 유전자 발현 프로파일, 또는 순수 상태의 표지들 특징을 발현한다. 한 실시예에서, 상기 인간 iPS 세포는 하나 또는 그 이상의 전분화능 표지들을 발현시키고, 이의 발현은 순수 상태를 나타낸다. 이러한 전분화능 표지들은 알칼리 포스파타제, NANOG, 5T4, ABCG2, 액티빈 RIB/ALK-4, 액티빈 RIIB, E-캐드헤린, Cbx2, CD9, CD30/TNFRSF8, CD117/c-kit, CDX2, CHD1, 크립토, DNMT3B, DPPA2, DPPA4, DPPA5/ESG1, EpCAM/TROP1, ERR 베타/NR3B2, ESGP, F-박스 단백질 15/FBXO15, FGF-4, FGF-5, FoxD3, GBX2, GCNF/NR6A1, GDF-3, Gi24/VISTA/B7-H5, 인테그린 알파 6/CD49f, 인테그린 알파 6 베타 1, 인테그린 알파 6 베타 4, 인테그린 베타 1/CD29, KLF4, KLF5, L1TD1, Lefty, Lefty-1, Lefty-A, LIN-28A, LIN-28B, LIN-41, cMaf, cMyc, Oct-3/4, Oct-4A, 포도칼리신, Rex-1/ZFP42, Smad2, Smad2/3, SOX2, SSEA-1, SSEA-3, SSEA-4, STAT3, Stella/Dppa3, SUZ12, TBX2, TBX3, TBX5, TERT, TEX19, TEX19.1, THAP11, TRA-1-60(R), TROP-2, UTF1, 및/또는 ZIC3을 포함할 수 있다. 특정 실시예에서, 발현된 전분화능 표지는 알칼리 포스파타제, NANOG, 또는 이 둘 모두가 된다.또다른 구체예에서, 본 명세서에서 설명된 오스몰농도가 낮은 배지에서 배양된 상기 인간 iPS 세포는 순수 상태를 암시하는 형태학적 특징들을 나타낸다. 예시적인 형태는 배양물에서 조밀한 돔-모양의 콜로니를 가지는 세포에 의해 특징화된다. 또다른 구체예에서, 본 명세서에서 설명된 오스몰농도가 낮은 배지에서 배양된 상기 인간 iPS 세포는 단일-세포 현탁액으로 기계적으로 또는 효소적으로 분리되고, 계대되며, 및/또는 계대배양될 수 있다. 한 실시예에서, 효소적 분리는 트립신을 이용하여 실행될 수 있다. 본 발명의 오스몰농도가 낮은 배지에 배양될 때, 인간 iPS 세포는 단일-세포 현탁액으로의 강화된 분리로 인하여 더 큰 형질변환 효과를 제공할 수 있다. 배양물에서 인간 iPS 세포를 유지시키는데 전형적으로 이용되는 다른 유형의 배지 (가령, mTeSR™ 배지 또는 2i 배지)의 경우, 인간 iPS 세포의 분리는 기계적으로 또는 효소, 이를 테면 콜라게나제를 이용하여 실시되어야 한다. 결과적으로, 상기 세포는 효과적으로 또는 완벽하게 분리되지 않는다. 대조적으로, 본 발명의 오스몰농도가 낮은 배지의 경우, 트립신을 이용하여 상기 세포를 분리시킬 수 있고, 이러한 강화된 분리에 의해 형질변환 효과는 증가된다. 더욱이, 배양물에서 인간 iPS 세포를 유지시키는데 전형적으로 이용되는 다른 유형의 배지(가령, mTeSR™ 배지 또는 2i 배지)와 달리, 본 발명의 오스몰농도가 낮은 배지(바람직하게는 bFGF가 포함되지 않은 오스몰농도가 낮은 배지)에서 배양된 인간 iPS 세포의 효소적 분리는 이러한 세포의 계대에 일반적으로 필수적인 하나 또는 그 이상의 억제제 없이 실행될 수 있다. 생략될 수 있는 예시적인 억제제는 Rho-연합된 단백질 키나제 (ROCK) 억제제다. 사전-자가사멸성 경로 활성을 저해하기 위하여 인간 iPS 세포를 계대할 때, ROCK 억제제는 일반적으로 필수적이다.추가 구체예에서, 본 명세서에서 설명된 오스몰농도가 낮은 배지에서 배양된 계대배양된 인간 iPS 세포는 효소적 분리 및 계대배양 후, 순수 또는 순수-외양 상태를 유지할 수 있다. 일부 실시예들에서, 계대배양된 인간 iPS 세포는 조밀한 돔-모양 콜로니를 특징으로 하는 형태를 지속적으로 나타낼 수 있다. 계대배양된 인간 iPS 세포는 본 명세서에서 설명된 바와 같이 하나 또는 전분화능 표지들을 지속적으로 또한 발현시킬 수 있다.C. 인간 유도된 다분화능 줄기 세포를 만들고 유지하기 위한 방법들시험관 배양물에서 인간 iPS 세포를 유지시키기 위한 방법 및 조성물이 제공된다. 시험관 배양물에서 인간 iPS 세포를 유지시키기 위한 방법 및 조성물이 본 명세서에서 제공된다.용어 "만들고(making)"란 세포 표현형, 유전자 발현, 또는 이 둘 모두에서 변화를 유도하는데 적합한 조건하에서 본 명세서에서 설명된 하나 또는 그 이상의 재프로그래밍 인자를 발현시키기 위하여 형질변화된 비-다능성 세포를 배양시키는 것을 포함하며, 상기 세포는 순수 또는 순수-외양 상태를 나타내는데, 가령, 순수 인간 iPS 세포의 하나 또는 그 이상의 특징들을 발현시킨다. 순수 또는 순수-외양 상태는 특정 배양 상태에 반응하여 발현될 수 있는데, 가령, 본 명세서에서 설명된 오스몰농도가 낮은 배지에서 배양되어 발현될 수 있다. 일부 실시예들에서, 순수 또는 순수-외양 상태를 발현시키는 세포의 비율은 배양물에서 세포의 최소한 약 30%, 40%, 50%, 60%, 70%, 80%, 90%, 95%, 그리고 최대 100%가 된다. 한 구체예에서, 상기 방법은 순수 또는 순수-외양 인간 iPS 세포의 집단에 대하여 시험관 배양물을 풍부하게 한다(enriches). 이러한 구체예에서, 순수 또는 순수-외양 인간 iPS 세포는 순수 또는 순수-외양 상태를 발현시키지 않는 세포보다 선호적으로 배양물에서 증식될 수 있다. 또다른 구체예에서, 순수 또는 순수-외양 인간 iPS 세포는 배양물로부터 선별되고, 효소적으로 분리되고, 그리고 계대배양되어 순수 또는 순수-외양 인간 iPS 세포의 농축된 집단이 생산될 수 있다.한 구체예에서, 다능성 상태를 발현시키기 위하여 형질변환된 비-다능성 세포는 최소한 1, 2, 5, 7, 10, 14, 21, 또는 28 일, 또는 배양물에서 순수 또는 순수-외양 상태의 발현을 유도하는데 충분한 임의의 기간 동안 순수 또는 순수-외양 상태의 발현을 유도하는데 적합한 본 명세서에서 제공되는 배지에서 시험관내 배양된다. 형질변환된 세포는 최소한 1, 2, 3, 또는 4 주 동안 본 배지에서 배양될 수 있다. 때로 형질변환된 세포는 1-4 주 동안 배양된다. 순수 또는 순수-외양 상태의 발현은 본 명세서의 도처에서 설명된 형태학적 특징 또는 전분화능 표지들의 발현, 순수 또는 순수-외양 상태의 특징을 관찰함으로써 결정될 수 있다. 한 구체예에서, 다능성 상태를 발현시키기 위하여 형질변환된 비-다능성 세포는 본 발명의 오스몰농도가 낮은 배지에서 순수 또는 순수-외양 상태의 특징들이 발현될 때까지 배양된다. 그 다음 세포들은 순수 또는 순수-외양 상태가 유지되도록 하기 위하여 본 배지에 배양될 수 있다. 또다른 구체예에서, 다능성 상태를 발현시키기 위하여 형질변환된 비-다능성 세포는 본 발명의 오스몰농도가 낮은 배지에서 배양되기 전, 오스몰농도가 높은 배지에서 일차 배양된다. 이러한 오스몰농도가 높은 배지는 본 발명의 오스몰농도가 낮은 배지보다 오스몰농도 더 높고, 그리고 bFGF를 포함할 수 있다. 일부 오스몰농도가 높은 배지는 소 혈청 알부민, bFGF, 형질변환 성장 인자 β (TGFβ), 염화리튬, 피페콜산, 및 감마-아미노부틸산 (GABA)중 하나 또는 그 이상을 포함한다. 오스몰농도가 높은 배지의 예로는 mTeSR™ 배지 (Stemcell Technologies)를 포함한다.일부 구체예들에서, 다능성 상태를 발현시키기 위하여 형질변환된 비-다능성 세포는 본 발명의 오스몰농도가 낮은 배지에서 상기 세포가 배양되어 순수 또는 순수-외양 상태의 특징들을 발현하기 시작할 때까지 bFGF가 포함된 오스몰농도가 높은 배지에서 일차 배양된다. 한 실시예에서, 세포는 최소한 1, 2, 5, 10, 30, 60, 또는 90 일의 기간, 1, 2, 4, 8, 또는 12 주의 기간, 또는 1 일 내지 3 개월의 기간 동안 bFGF가 포함된 오스몰농도가 높은 배지에서 일차 배양될 수 있다. bFGF가 포함된 오스몰농도가 높은 배지에서 배양을 위한 예시적인 기간은 2 개월이다.다른 구체예들에서, 다능성 상태를 발현시키기 위하여 형질변환된 비-다능성 세포는 본 발명의 오스몰농도가 낮은 배지에서 상기 세포가 배양되어 3차원적 세포 덩어리(clumps)에 의해 특징화되는 형태를 나타내기 시작할 때까지 bFGF가 포함된 오스몰농도가 높은 배지에서 일차 배양된다. 이러한 구체예들에서, 3차원적 덩어리를 나타내는 세포가 선별되고, 분리되고 (가령, 트립신에 의해), 그리고 본 명세서에서 설명된 오스몰농도가 낮은 배지에서 새로운 배양물로 이전될 수 있다.용어 "유지하다(maintain)", "유지하는(maintaining)", 및 "유지(maintenance)"는 본 명세서에서 설명된 상기 인간 iPS 세포의 최소한 하나 또는 그 이상의 특징 및 표현형의 보전을 포함한다. 이러한 특징들은 순수 세포의 전분화능, 세포 형태, 유전자 발현 프로파일, 및/또는 다른 기능적 특징들의 유지를 포함할 수 있다. 용어 "유지하다(maintain)", "유지하는(maintaining)", 및 "유지(maintenance)"는 세포의 증식 및/또는 배양된 순수 세포 수의 증가를 또한 포괄할 수 있다. 상기 용어는 세포가 프라임된 또는 비-다능성 상태로의 전환을 막는 배양 조건을 포함한다. 상기 용어는 상기 세포가 다능성 및/또는 순수를 유지하도록 하는 배양 조건을 더 포함하고, 한편 상기 세포는 분할 또는 수의 증가를 지속하거나 또는 지속하지 않을 수 있다. 한 구체예에서, 인간 iPS 세포는 순수 또는 순수-외양 상태로 세포를 유지시키는데 적합한 본 명세서에서 제공된 배지에서 시험관 배양된다. 특정 실시예에서, 인간 iPS 세포는 상기 배양된 세포가 순수 또는 순수-외양 상태를 유지하는 한, 1, 2, 5, 7, 10, 14, 21, 또는 28 일의 기간 동안, 또는 약 2 주, 약 3 주, 약 4 주, 또는 그 이상의 기간 동안 적합한 배지에서 배양될 수 있다. 세포는 최소한 1, 2, 3 또는 4 주 동안 배양될 수 있다. 때로 세포는 1-4 주 동안 배양된다. 인간 iPS 세포는 예를 들면, 배양물에서 세포의 증식, 상기 세포의 유전적 변형, 및/또는 세포의 계대배양을 위한 임의의 충분한 기간 동안 유지될 수 있다.또다른 구체예에서, 인간 iPS 세포 또는 다능성 상태를 발현시키기 위하여 형질변환된 비-다능성 세포는 시험관 배양에 적합한 기질 또는 먹이공급 세포 층 상에서 배양될 수 있다. 특정 실시예에서, 세포는 MATRIGEL™ (BD Biosciences)에서 배양된다. 또다른 실시예에서, 세포는 신생 인간 포피 섬유아세포 (NuFF) 먹이공급 세포 상에서 배양된다. 또다른 실시예에서, 세포는 GELTREX™ (Life Technologies)에서 배양된다.추가 구체예에서, 본 발명의 오스몰농도가 낮은 배지에서 배양된 인간 iPS 세포의 배가 시간은 프라임된 인간 iPS 세포 또는 다능성 상태를 발현시키기 위하여 형질변환된 비-다능성 세포와 비교하였을 때 감소된다. 특정 실시예에서, 인간 iPS 세포의 배가 시간은 약 16-24 시간이다.7. 서열 동일성본 명세서에서 제공되는 방법 및 조성물은 상기 표적화된 게놈 통합 시스템 (가령, 뉴클레아제 물질들, 인지 부위들, 삽입 핵산, 관심 대상의 폴리뉴클레오티드, 표적화 벡터, 선별 표지들 및 다른 성분들)의 다양한 상이한 성분들을 이용한다. 설명을 통하여 상기 표적화된 게놈 통합 시스템의 일부 성분들은 활성 변이체와 단편들을 보유할 수 있음이 인지된다. 이러한 성분들은 예를 들면, 뉴클레아제 물질들 (가령, 공작된 뉴클레아제 물질들), 뉴클레아제 물질 인지 부위들, 관심 대상의 폴리뉴클레오티드, 상기 표적화 벡터의 표적 부위들 및 대응하는 상동성 아암을 포함한다. 각각의 이들 성분들의 생물학적 활성은 본 명세서의 도처에서 설명된다. 본 명세서에서 이용된 바와 같이, 2개의 폴리뉴클레오티드 또는 폴리펩티드 서열 내용에서 "서열 동일성(sequence identity)" 또는 "동일성(identity)"은 특정 비교 창을 통하여 최대 상응이 허용되도록 배열될 때, 두 서열에서 동일한 잔기를 지칭한다. 단백질에 관하여 서열 동일성 비율이 이용될 때, 동일하지 않은 잔기 위치들은 보존적 아미노산 치환에 의해 흔히 상이하게 되며, 이때 아미노산 잔기들은 유사한 화학 성질 (가령, 전하 또는 소수성)을 가진 다른 아미노산 잔기로 대체되며, 따라서, 이 분자의 기능적 성질은 변화되지 않음이 인지된다. 보존적 치환으로 서열이 상이할 때, 서열 동일성 백분율은 치환의 보존적 성질에 대하여 정확하게 상향 조정될 수 있다. 이러한 보존적 치환에 의해 상이한 서열은 "서열 유사성(sequence similarity)" 또는 "유사성(similarity)"을 갖는다고 말한다. 이러한 조정을 만드는 방법은 당업자들에게 잘 알려져 있다. 일반적으로, 보존적 치환을 완전한 불일치로 기록하기 보다는 부분적인 불일치로 기록하고, 이로 인하여 서열 동일성 백분율은 증가된다. 따라서, 예를 들면, 동일한 아미노산은 점수 1로 기록되고, 비-보존적 치환은 점수 0으로 기록될 때, 보존적 치환은 0과 1 사이의 점수로 기록된다. 보존적 치환의 점수는 가령, 프로그램 PC/GENE (Intelligenetics, Mountain View, California)에서 이행된 것과 같이, 산출될 수 있다.본 명세서에서 이용된 바와 같이, "서열 동일성의 백분율"은 비교 창을 통하여 최적으로 배열된 2개 서열을 비교함으로써 측정된 값을 말하는데, 이때 비교 창에 있는 폴리뉴클레오티드 서열의 일부는 2개 서열의 최적 배열 위한 기준 서열(추가 또는 결손을 포함하지 않은)과 비교하였을 때 추가 또는 결손 (가령, 갭)을 포함할 수 있다. 상기 백분율은 양쪽 서열에서 동일한 핵산 기본 또는 아미노산 잔기에 의해 정합되는 위치의 수를 얻고, 정합되는 위치의 수를 비교 창에서 총 위치 수로 나누고, 그리고 그 결과에 100을 곱하여 서열 동일성 백분율을 얻음으로써, 산출된다.다른 언급이 없는 한, 본 명세서에서 제공되는 동일성/유사성 값은 다음의 매개변수를 이용하여, GAP 버젼 10에 의해 획득된 값을 지칭한다: GAP Weight 50 및 Length Weight 3 그리고 nwsgapdna.cmp 득점 매트릭스를 이용하여 뉴클레오티드 서열의 동일성 %와 유사성 %; GAP Weight 8 및 Length Weight 2, 및 BLOSUM62 득점 매트릭스를 이용한 아미노산 서열의 동일성 %와 유사성 %; 또는 임의의 등가 프로그램. "등가 프로그램"이란 GAP Version 10에 의해 생성된 대응하는 배열 유전자와 비교하였을 때, 임의의 문제의 2개 서열의 경우, 동일한 뉴클레오티드 또는 아미노산 잔기 일치 및 동일한 서열 동일성 백분율을 갖는 배열을 만드는 임의의 서열 비교 프로그램을 의미한다. 명시적으로 다른 언급이 없는 한, 본 명세서에서 이용된 모든 기술적 그리고 과학적 용어는 본 발명이 속하는 당업계 숙련자들에 의해 공통적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 비록 본 발명의 실시 또는 테스트에 있어서 본 명세서에서 설명된 것들과 유사한 또는 대등한 임의의 방법 및 재료들이 이용될 수 있지만, 바람직한 방법들과 재료들이 지금 설명된다. 본 명세서에서 언급된 모든 공개는 이들의 언급과 연계된 방법 및/또는 재료의 공개 및 설명을 하기 위하여 이 참고자료에 편입된다.본 명세서에서 및 첨부된 청구범위에서 이용된 바와 같이, 단수("a", "그리고" 및 "the")는 다른 명시적인 언급이 없는 한 복수 개념을 포함한다. 본 명세서에서 이용된 모든 기술적 그리고 과학적 용어는 동일한 의미를 가진다. 본 명세서에서 논의된 공개는 본 출원 출원일 이전에 이들의 공개만을 위하여 제공된다. 본 명세서에서 설명된 발명자들은 선행 발명에의해 이러한 공개를 선행자격이 없는 것을 인정하는 것으로 간주되는 것은 없다. 더욱이, 제공되는 공개 일은 실제 공개일자와 상이할 수 있으며, 이는 개별적으로 확인해볼 필요가 있을 수 있다. 설명된 발명은 이의 사상 또는 필수적인 기여와 벗어나지 않고, 다른 특이적 형태로 구체화될 수 있으며, 따라서, 본 발명의 범위는 전술한 명세서보다는 첨부된 청구범위를 참고해야 한다. 비-제한적인 구체예들은 다음을 포함한다: 1. 다능성 렛 세포에서 관심 대상의 게놈 좌의 표적화된 변형을 위한 방법에 있어서, 이 방법은 (a) 상기 다능성 렛 세포 안으로 5' 렛 상동성 아암과 3' 렛 상동성 아암의 측면에 있는 삽입 핵산이 포함된 큰 표적화 벡터 (LTVEC)를 도입시키고, 이때 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 최소한 10 kb이지만 그러나 150 kb보다는 적고; 그리고 (b) 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형이 포함된 유전적으로 변형된 다능성 렛 세포를 식별해내는 것을 포함하고, 이때 상기 표적화된 유전적 변형은 생식계열을 통하여 유전될 수 있는, 방법.2. 구체예 1의 방법에 있어서, 이때 상기 표적화된 유전적 변형은 이중대립형질인, 방법. 3. 구체예 1 또는 2의 방법에 있어서, 이때 상기 다능성 렛 세포는 렛 배아 줄기 (ES) 세포인, 방법. 4. 구체예 1, 2 또는 3의 방법에 있어서, 이때 상기 다능성 렛 세포는 DA 균주 또는 ACI 균주로부터 유도된, 방법.5. 구체예 1-4중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 다능성 렛 세포는 Dnmt3L, Eras, Err-베타, Fbxo15, Fgf4, Gdf3, Klf4, Lef1, LIF 수용체, Lin28, Nanog, Oct4, Sox15, Sox2, Utf1, 또는 이의 조합이 포함된 최소한 하나의 전분화능 표지의 발현에 의해 특징화되는, 방법.6. 구체예 1-4중 임의의 하나의 방법에 있어서 이때 상기 다능성 렛 세포는 다음중 하나 또는 그이상에 의해 특징화되는 방법:(a) c-Myc, Ecat1, 및/또는 Rexo1을 포함하는 하나 또는 그 이상의 전분화능 표지들의 발현 결핍; (b) Brachyury 및/또는 Bmpr2를 포함하는 중배엽 표지들의 발현 결핍; (c) Gata6, Sox17 및/또는 Sox7을 포함하는 하나 또는 그 이상의 내배엽 표지들의 발현 결핍; 또는 (d) Nestin 및/또는 Pax6을 포함하는 하나 또는 그 이상의 신경 표지들의 발현 결핍.7. 구체예 1-6중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 LTVEC의 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 약 10 kb 내지 약 30 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 120 kb, 또는 약 120 kb 내지 150 kb인, 방법.8. 구체예 1-6중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 LTVEC의 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 약 16 kb 내지 약 150 kb인, 방법. 9. 구체예 1-8중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 표적화된 유전적 변형은 다음을 포함하는, 방법: (a) 내생성 렛 핵산 서열은 상동성 또는 이종상동성 핵산 서열로 대체; (b) 내생성 렛 핵산 서열의 결손; (c) 내생성 렛 핵산 서열의 결손, 이때 상기 결손 범위은 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 또는 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 400 kb, 약 400 kb 내지 약 500 kb, 약 500 kb 내지 약 1 Mb, 약 1 Mb 내지 약 1.5 Mb, 약 1.5 Mb 내지 약 2 Mb, 약 2 Mb 내지 약 2.5 Mb, 또는 약 2.5 Mb 내지 약 3 Mb이며; (d) 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 250 kb, 약 250 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 350 kb, 또는 약 350 kb 내지 약 400 kb의 외생성 핵산 서열; (e) 상동성 또는 이종상동성 핵산 서열이 포함된 외생성 핵산 서열; (f) 인간 및 렛 핵산 서열이 포함된 키메라 핵산 서열; (g) 부위-특이적 재조합효소 표적 서열의 측면에 있는 조건부 대립인자; 또는 (h) 렛 세포 안에서 활성인 프로모터에 작동가능하도록 연계된 리포터 유전자.10. 구체예 1-9중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 관심 대상의 게놈 좌는 (i) 5' 렛 상동성 아암에 상보적인 제 1 핵산 서열; 그리고 (ii) 3' 렛 상동성 아암에 상보적인 제 2 핵산 서열을 포함하는, 방법.11. 구체예 10의 방법에 있어서, 이때 제 1과 제 2 핵산 서열은 최소한 5 kb 그러나 3 Mb 미만으로 떨어져 있는, 방법. 12. 구체예 10의 방법에 있어서, 이때 제 1 및 제 2 핵산 서열은 최소한 5 kb 그러나 10 kb 미만, 최소한 10 kb 그러나 20 kb 미만, 최소한 20 kb 그러나 40 kb 미만, 최소한 40 kb 그러나 60 kb 미만, 최소한 60 kb 그러나 80 kb 미만, 최소한 약 80 kb 그러나 100 kb 미만, 최소한 100 kb 그러나 150 kb 미만, 또는 최소한 150 kb 그러나 200 kb 미만, 최소한 약 200 kb 그러나 약 300 kb 미만, 최소한 약 300 kb 그러나 약 400 kb 미만, 최소한 약 400 kb 그러나 약 500 kb 미만, 최소한 약 500 kb 그러나 약 1 Mb 미만, 최소한 약 1 Mb 그러나 약 1.5 Mb 미만, 최소한 약 1.5 Mb 그러나 약 2 Mb 미만, 최소한 약 2 Mb 그러나 약 2.5 Mb 미만, 또는 최소한 약 2.5 Mb 그러나 약 3 Mb 미만으로 떨어져 있는, 방법.13. 구체예 1-12중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 도입 단계는 (a) 상기 다능성 렛 세포에서 상기 표적화 구조체와 상기 관심 대상의 게놈 좌 사이에 상동성 재조합을 촉진시키는 뉴클레아제 물질이 인코딩된 제 2 핵산을 도입시키는 것을 더 포함하는, 방법. 14. 구체예 13의 방법에 있어서, 이때 상기 뉴클레아제 물질은 (a) FokI 엔도뉴클레아제에 융합된 아연 핑거-기반의 DNA 결합 도메인이 포함된 키메라 단백질; 또는 (b) FokI 엔도뉴클레아제에 융합된 전사 활성화물질-유사 작동체 뉴클레아제 (TALEN)가 포함된 키메라 단백질을 포함하는, 방법. 15. 구체예 1-12중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 도입 단계는 (a) 상기 다능성 렛 세포 안으로 다음을 도입시키는 것을 더 포함하는 방법: (i) 클러스트화된 규칙적으로 사이공간을 둔 짧은 팔린드롬성 반복부 (CRISPR)-연합된 (Cas) 단백질을 인코드하는 제 1 핵산 서열에 작동가능하도록 연계된 제 1 프로모터가 포함된 제1 발현 구조체, (ii) 가이드 RNA (gRNA)에 연계된 게놈 표적 서열에 작동가능하도록 연계된 제 2 프로모터가 포함된 제 2 발현 구조체, 이때 상기 게놈 표적 서열은 3' 단부 상에 프로토스페이스 인접 모티프(Protospacer Adjacent Motif) 서열의 측면에 바로 있다.16. 구체예 15의 방법에 있어서, 이때 상기 관심 대상의 게놈 좌는 서열 번호: 1의 뉴클레오티드 서열을 포함하는, 방법. 17. 구체예 15 또는 16의 방법에 있어서, 이때 gRNA는 클러스트화된 규칙적으로 사이공간을 둔 짧은 팔린드롬성 반복부 (CRISPR) RNA (crRNA) 및 트란스-활성화 CRISPR RNA (tracrRNA)를 인코드하는 제 3 핵산 서열을 포함하는, 방법. 18. 구체예 15, 16 또는 17의 방법에 있어서, 이때 Cas 단백질은 Cas9인, 방법.19. 구체예 15, 16, 17, 또는 18의 방법에 있어서, 이때 gRNA는 다음을 포함하는, 방법: (a) 서열 번호: 2의 핵산 서열의 키메라 RNA; 또는 (b) 서열 번호: 3의 핵산 서열의 키메라 RNA.20. 구체예 17의 방법에 있어서, 이때 crRNA는 서열 번호: 4; 서열 번호: 5; 또는 서열 번호: 6을 포함하는, 방법.21. 구체예 17의 방법에 있어서, 이때 tracrRNA는 서열 번호: 7 또는 서열 번호: 8을 포함하는, 방법.22. 다음을 포함하는 변형된 렛 게놈 좌: (i) 상동성 또는 이종상동성 인간 핵산 서열의 삽입; (ii) 내생성 렛 핵산 서열은 상기 상동성 또는 이종상동성 인간 핵산 서열로 대체; 또는 (iii) 이의 조합, 이때 상기 변형된 렛 게놈 좌 생식계열을 통하여 유전될 수있다. 23. 구체예 22의 변형된 렛 게놈 좌에 있어서, 이때 상기 삽입 또는 대체 크기는 약 5 kb 내지 약 400 kb인, 변형된 렛 게놈 좌. 24. 구체예 22의 변형된 렛 게놈 좌에 있어서, 이때 상기 삽입 또는 대체의 크기는 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 250 kb, 약 250 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 350 kb, 또는 약 350 kb 내지 약 400 kb인, 변형된 렛 게놈 좌.25. 인간화된 렛을 만드는 방법에 있어서, 다음을 포함하는 방법: (a) 유전적으로 변형된 다능성 렛 세포가 형성되도록 하기 위하여, 다능성 렛 세포 안에 관심 대상의 게놈 좌에 인간 핵산이 포함된 표적화 구조체를 표적화시키고; (b) 상기 유전적으로 변형된 다능성 렛 세포를 숙주 렛 배아 안으로 도입시키고; 그리고 (c) 상기 숙주 렛 배아를 대리모에 임신시키고; 이때 대리모는 (i) 인간 핵산 서열의 삽입; (ii) 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 상기 렛 핵산 서열이 상동성 또는 이종상동성 인간 핵산 서열로 대체; (iii) 인간과 렛 핵산 서열을 포함하는 키메라 핵산 서열; 또는 (iv) 이의 조합이 포함된 변형된 게놈 좌를 렛 자손을 낳고, 이때 상기 변형된 게놈 좌 생식계열을 통하여 유전될 수 있다.26. 구체예 25의 방법에 있어서, 이때 상기 표적화 구조체는 큰 표적화 벡터 (LTVEC)이며, LTVEC의 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 최소한 10 kb 그러나 150 kb 미만인, 방법.27. 구체예 26의 방법에 있어서, 이때 상기 표적화 구조체의 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 약 10 kb 내지 약 30 kb, 약 20 kb 내지 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 또는 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 120 kb, 또는 약 120 kb 내지 150 kb인, 방법. 28. 구체예 25, 26 또는 27의 방법에 있어서, 이때 상기 인간 핵산 서열은 최소한 5 kb 그러나 400 kb 미만인, 방법.29. 구체예 25, 26, 또는 27의 방법에 있어서, 이때 상기 인간 핵산 서열은 최소한 5 kb 그러나 10 kb 미만, 최소한 10 kb 그러나 20 kb 미만, 최소한 20 kb 그러나 40 kb 미만, 최소한 40 kb 그러나 60 kb 미만, 최소한 60 kb 그러나 80 kb 미만, 최소한 약 80 kb 그러나 100 kb 미만, 최소한 100 kb 그러나 150 kb 미만, 최소한 150 kb 그러나 200 kb 미만, 최소한 200 kb 그러나 250 kb 미만, 최소한 250 kb 그러나 300 kb 미만, 최소한 300 kb 그러나 350 kb 미만, 또는 최소한 350 kb 그러나 400 kb 미만인, 방법.30. 구체예 25-29중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 다능성 렛 세포는 렛 배아 줄기 (ES) 세포인, 방법. 31. 구체예 25-30중 어느 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 다능성 렛 세포는 DA 균주 또는 ACI 균주로부터 유도된, 방법. 32. 구체예 25-31중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 다능성 렛 세포는 Dnmt3L, Eras, Err-베타, Fbxo15, Fgf4, Gdf3, Klf4, Lef1, LIF 수용체, Lin28, Nanog, Oct4, Sox15, Sox2, Utf1, 또는 이의 조합이 포함된 최소한 하나의 전분화능 표지의 발현에 의해 특징화되는, 방법.33. 구체예 25-31중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 다능성 렛 세포는 다음의 특징중 하나 또는 그 이상에 의해 특징화되는, 방법: (a) c-Myc, Ecat1, 및/또는 Rexo1을 포함하는 하나 또는 그 이상의 전분화능 표지들의 발현 결핍; (b) Brachyury 및/또는 Bmpr2를 포함하는 하나 또는 그 이상의 중배엽 표지들의 발현 결핍; (c) Gata6, Sox17 및/또는 Sox7을 포함하는 하나 또는 그 이상의 내배엽 표지들의 발현 결핍; 또는 (d) Nestin 및/또는 Pax6을 포함하는 하나 또는 그 이상의 신경 표지들의 발현 결핍.34. 인간화된 게놈 좌를 포함하는 변형된 렛에 있어서, 다음을 포함하는 상기 인간화된 게놈 좌: (i) 상동성 또는 이종상동성 인간 핵산 서열의 삽입; (ii) 내생성 게놈 좌에서 렛 핵산 서열이 상동성 또는 이종상동성 인간 핵산 서열로 대체; (iii) 인간과 렛 핵산 서열이 포함된 키메라 핵산 서열 또는 (iv) 이의 조합을 포함하고, 이때 상기 인간화된 게놈 좌 생식계열을 통하여 유전될 수 있다.35. 게놈 좌에서 이의 표적화된 유전적 변형이 포함된 렛 또는 렛 세포에 있어서, 이때 상기 게놈 좌는 인터루킨-2 수용체 감마 좌, ApoE 좌, Rag1 좌, Rag2 좌, 또는 Rag2/Rag1 좌이며, 이때 상기 표적화된 유전적 변형은 다음을 포함하는, 렛 또는 렛 세포: (a) 상기 게놈 좌에서 내생성 렛 핵산 서열의 결손; (b) 상동성 핵산, 이종상동성 핵산, 또는 인간과 렛 핵산 서열이 포함된 키메라 핵산의 삽입, 또는 (c) 이의 조합, 이때 상기 표적화된 유전적 변형은 상기 렛의 생식계열 또는 상기 렛 세포로부터 증식된 렛의 생식계열을 통화여 유전될 수 있다.36. 구체예 35의 렛 또는 렛 세포에 있어서, 이때 (a) 상기 게놈 좌에서 내생성 렛 핵산의 결손은 최소한 약 10 kb이며; 또는 (b) 상기 게놈 좌에서 내생성 렛 핵산의 결손은 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 또는 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 400 kb, 약 400 kb 내지 약 500 kb, 약 500 kb 내지 약 1 Mb, 약 1 Mb 내지 약 1.5 Mb, 약 1.5 Mb 내지 약 2 Mb, 약 2 Mb 내지 약 2.5 Mb, 또는 약 2.5 Mb 내지 약 3 Mb이며; (c) 상기 게놈 좌에서 외생성 핵산 핵산의 삽입은 최소한 약 5 kb이며; 또는 (d) 상기 게놈 좌에서 외생성 핵산 핵산의 삽입은 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 250 kb, 약 250 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 350 kb, 또는 약 350 kb 내지 약 400 kb인, 방법.37. 구체예 35 또는 36의 렛 또는 렛 세포에 있어서, 이때 (a) 인터루킨-2 수용체 감마 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형에 의해 인터루킨-2 수용체 감마 단백질 활성의 감소 또는 부재가 초래되며; (b) ApoE 좌에서 표적화된 유전적 변형에 의해 ApoE 단백질 활성의 감소 또는 부재가 초래되며; (c) Rag1 좌에서 표적화된 유전적 변형에 의해 Rag1 단백질 활성의 감소 또는 부재가 초래되며; (d) Rag2 좌에서 표적화된 유전적 변형에 의해 Rag2 단백질 활성의 감소 또는 부재가 초래되며; 또는 (e) Rag2/Rag1 좌에서 표적화된 유전적 변형에 의해 Rag2 단백질 활성 및 Rag1 활성의 감소 또는 부재가 초래되는, 방법.38. 구체예 35, 36, 또는 37의 렛 또는 렛 세포에 있어서, 이때 인터루킨-2 수용체 감마 좌의 표적화된 유전적 변형은 다음을 포함하는, 렛 또는 렛 세포: (a) 전체 렛 인터루킨-2 수용체 감마 코딩 영역 또는 이의 부분의 결손; (b) 전체 렛 인터루킨-2 수용체 감마 코딩 영역 또는 이의 부분이 인간 인터루킨-2 수용체 감마 코딩 영역 또는 이의 부분으로 대체; (c) 상기 렛 인터루킨-2 수용체 감마 코딩 영역의 엑토-도메인이 인간 인터루킨-2 수용체 감마의 엑토-도메인으로 대체; 또는 (d) 인터루킨-2 수용체 감마 좌의 최소한 3kb 결손.39. 구체예 35-37중 임의의 하나의 렛 또는 렛 세포에 있어서, 이때 ApoE 좌의 표적화된 유전적 변형은 (a) 전체 ApoE 코딩 영역 또는 이의 부분의 결손; 또는 (b) ApoE 코딩 영역이 포함된 ApoE 좌의 최소한 1.8 kb 결손을 포함하는 렛 또는 렛 세포.40. 구체예 35-37중 임의의 하나의 렛 또는 렛 세포에 있어서, 이때 Rag2 좌의 표적화된 유전적 변형은 (a) 전체 Rag2 코딩 영역 또는 이의 부분의 결손; 또는 (b) Rag2 코딩 영역이 포함된 Rag2 좌의 최소한 5.7 kb 결손을 포함하는 렛 또는 렛 세포.41. 구체예 35-37중 임의의 하나의 렛 또는 렛 세포에 있어서, 이때 Rag2/Rag1 좌의 표적화된 유전적 변형은 (a) 전체 Rag2 코딩 영역 또는 이의 부분의 결손과 전체 Rag1 코딩 영역 또는 이의 부분의 결손; 또는 (b) Rag2 코딩 영역이 포함된 Rag2/Rag1 좌의 최소한 16kb의 결손을 포함하는 렛 또는 렛 세포.42. 구체예 35-41중 임의의 하나의 렛 또는 렛 세포에 있어서, 이때 상기 표적화된 유전적 변형은 인터루킨-2 수용체 감마 좌, ApoE 좌, Rag1 좌, Rag2 좌, 또는 Rag2/Rag1 좌에서 선별 표지가 포함된 발현 카세트의 삽입을 포함하는, 렛 또는 렛 세포.43. 구체예 42중 임의의 하나의 렛 또는 렛 세포에 있어서, 이때 상기 발현 카세트는 상기 게놈 좌에서 내생성 프로모터에 작동가능하도록 연계된 lacZ 유전자와 선별 표지에 작동가능하도록 연계된 인간 유비퀴틴 프로모터를 포함하는, 렛 또는 렛 세포. 44. 구체예 35-43중 임의의 하나의 렛 또는 렛 세포에 있어서, 이때 인터루킨-2 수용체 감마 좌, ApoE 좌, Rag1 좌, Rag2 좌 또는 Rag2/Rag1 좌에서 표적화된 유전적 변형은 자가-결손 선별 카세트의 삽입을 포함하는, 렛 또는 렛 세포. 45. 구체예 44의 렛 또는 렛 세포에 있어서, 이때 자가-결손 선별 카세트는 상기 렛 세포에서 활성인 프로모터에 작동가능하도록 연계된 선별 표지 유전자 와 수컷 생식 세포-특이적 프로모터에 작동가능하도록 연계된 재조합효소 유전자를 포함하고, 이때 상기 자가-결손 카세트는 상기 재조합효소에 의해 인지되는 재조합 인지 부위들의 측면에 있는, 렛 또는 렛 세포. 46. 구체예 45의 렛 또는 렛 세포에 있어서, 이때 (a) 상기 수컷 생식 세포-특이적 프로모터는 Protamine-1 프로모터이며; 또는 (b) 상기 재조합효소 유전자는 Cre를 인코드하고, 그리고 상기 재조합 인지 부위들은 loxP 부위들인, 렛 또는 렛 세포.47. 구체예 35-46중 임의의 하나의 렛 또는 렛 세포에 있어서, 이때 상기 게놈 좌에서 외생성 핵산 서열의 삽입은 내생성 인터루킨-2 수용체 감마 프로모터, 내생성 ApoE 프로모터, 내생성 Rag1 프로모터, 또는 내생성 Rag2 프로모터에 작동가능하도록 연계된 리포트 핵산을 포함하는, 렛 또는 렛 세포.48. 구체예 47의 렛 또는 렛 세포에 있어서, 이때 상기 리포터 핵산은 β-갈락토시다제, mPlum, mCherry, tdTomato, mStrawberry, J-Red, DsRed, mOrange, mKO, mCitrine, Venus, YPet, 강화된 황색 형광 단백질 (EYFP), Emerald, 강화된 녹색 형광 단백질 (EGFP), CyPet, 시안 형광 단백질 (CFP), Cerulean, T-Sapphire, 루시퍼라제, 알칼리 포스파타제, 또는 이의 조합이 포함된 리포터를 포함하는, 렛 또는 렛 세포.49. 구체예 35-48중 임의의 하나의 렛 또는 렛 세포에 있어서, 이때 상기 렛 세포는 다능성 렛 세포 또는 렛 배아 줄기 (ES) 세포인, 렛 또는 렛 세포. 50. 구체예 49의 렛 세포에 있어서, 이때 상기 다능성 렛 세포 또는 상기 렛 배아 줄기 (ES) 세포는 (a) DA 균주 또는 ACI 균주로부터 유도되고; (b) Dnmt3L, Eras, Err-베타, Fbxo15, Fgf4, Gdf3, Klf4, Lef1, LIF 수용체, Lin28, Nanog, Oct4, Sox15, Sox2, Utf1, 또는 이의 조합이 포함된 최소한 하나의 전분화능 표지의 발현에 의해 특징화되며; 또는 (c) 다음 특징중 하나 또는 그 이상에 의해 특징화되는, 렛 세포: (i) c-Myc, Ecat1, 및/또는 Rexo1을 포함하는 하나 또는 그 이상의 전분화능 표지들의 발현 결핍; (ii) Brachyury 및/또는 Bmpr2를 포함하는 중배엽 표지들의 발현 결핍; (iii) Gata6, Sox17 및/또는 Sox7을 포함하는 하나 또는 그 이상의 내배엽 표지들의 발현 결핍; 또는 (iv) Nestin 및/또는 Pax6을 포함하는 하나 또는 그 이상의 신경 표지들의 발현 결핍.51. 다능성 렛 세포에서 인터루킨-2 수용체 감마 좌, ApoE 좌, Rag1 좌, Rag2 좌 또는 Rag2/Rag1 좌에서 표적 게놈 좌를 변형시키는 방법에 있어서, 다음을 포함하는 방법: (a) 상기 표적 게놈 좌에 상동성인 5' 상동성 아암과 3' 렛 상동성 아암의 측면에 삽입 핵산이 포함된 표적화 벡터를 다능성 렛 세포 안으로 도입시키고, (b) 상기 표적 게놈 좌에서 표적화된 유전적 변형이 포함된 유전적으로 변형된 다능성 렛 세포를 식별해내고, 이때 상기 표적화된 유전적 변형은 상기 다능성 렛 세포로부터 증식된 렛의 생식계열을 통하여 유전될 수 있다.52. 구체예 51의 방법에 있어서, 이때 상기 표적화 벡터는 큰 표적화 벡터 (LTVEC)이며, 이때 5' 상동성 아암과 3' 렛 상동성 아암의 총 합은 최소한 약 10 kb 그러나 약 150 kb미만인, 방법.53. 구체예 51 또는 52의 방법에 있어서, 이때 상기 표적화 벡터를 상기 다능성 렛 세포로 도입에 의해 (i) 상기 표적 게놈 좌에서 내생성 렛 핵산 서열의 결손; (ii) 상기 표적 게놈 좌에서 외생성 핵산 서열의 삽입; 또는 (iii) 이의 조합이 유도되는, 방법.54. 구체예 53의 방법에 있어서, 이때 (a) 상기 게놈 좌에서 내생성 렛 핵산의 결손은 최소한 약 10 kb이며; 또는 (b) 상기 게놈 좌에서 내생성 렛 핵산의 결손은 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 또는 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 400 kb, 약 400 kb 내지 약 500 kb, 약 500 kb 내지 약 1 Mb, 약 1 Mb 내지 약 1.5 Mb, 약 1.5 Mb 내지 약 2 Mb, 약 2 Mb 내지 약 2.5 Mb, 또는 약 2.5 Mb 내지 약 3 Mb이며; (c) 상기 게놈 좌에서 외생성 핵산 핵산의 삽입은 최소한 약 5 kb이거나; 또는 (d) 상기 게놈 좌에서 외생성 핵산 핵산의 삽입은 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 250 kb, 약 250 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 350 kb, 또는 약 350 kb 내지 약 400 kb인, 방법.55. 구체예 51-54중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 (a) 인터루킨-2 수용체 감마 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형에 의해 인터루킨-2 수용체 감마 단백질 활성의 감소 또는 부재가 초래되며; (b) ApoE 좌에서 표적화된 유전적 변형에 의해 ApoE 단백질 활성의 감소 또는 부재가 초래되며; (c) Rag1 좌에서 표적화된 유전적 변형에 의해 Rag1 단백질 활성의 감소 또는 부재가 초래되며; (d) Rag2 좌에서 표적화된 유전적 변형에 의해 Rag2 단백질 활성의 감소 또는 부재가 초래되며; 또는 (e) Rag2/Rag1 좌에서 표적화된 유전적 변형에 의해 Rag2 단백질 활성 및 i Rag1 단백질 활성의 감소 또는 부재가 초래되는, 방법.56. 구체예 51-54중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 인터루킨-2 수용체 감마 좌의 표적화된 유전적 변형은 다음을 포함하는, 렛 또는 렛 세포: (a) 전체 렛 인터루킨-2 수용체 감마 코딩 영역 또는 이의 부분의 결손; (b) 전체 렛 인터루킨-2 수용체 감마 코딩 영역 또는 이의 부분이 인간 인터루킨-2 수용체 감마 코딩 영역 또는 이의 부분으로 대체; (c) 상기 렛 인터루킨-2 수용체 감마 코딩 영역의 엑토-도메인이 인간 인터루킨-2 수용체 감마의 엑토-도메인으로 대체; 또는 (d) 인터루킨-2 수용체 감마 코딩 영역이 코딩된 인터루킨-2 수용체 감마 좌의 최소한 3kb 결손.57. 구체예 51-55중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 ApoE 좌의 표적화된 유전적 변형은 (a) 전체 ApoE 코딩 영역 또는 이의 부분의 결손; 또는 (b) ApoE 코딩 영역이 포함된 ApoE 좌의 최소한 1.8 kb 결손을 포함하는 방법.58. 구체예 51-55중 임의의 방법에 있어서, 이때 Rag2 좌의 표적화된 유전적 변형은 (a) 전체 Rag2 코딩 영역 또는 이의 부분의 결손; 또는 (b) Rag2 코딩 영역이 포함된 Rag2 좌의 최소한 5.7 kb 결손을 포함하는 방법.59. 구체예 51-55중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 Rag1/Rag2 좌의 표적화된 유전적 변형은 (a) 전체 Rag2 코딩 영역 또는 이의 부분의 결손과 전체 Rag1 코딩 영역 또는 이의 부분의 결손; 또는 (b) Rag2 및 Rag1 코딩 영역이 포함된 Rag2/Rag1 좌의 최소한 16kb의 결손을 포함하는 방법.60. 구체예 51-59중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 삽입 핵산은 선별 표지가 인코드된 폴리뉴클레오티드가 포함된 발현 카세트를 포함하는, 방법.61. 구체예 60 방법에 있어서, 상기 발현 카세트는 상기 게놈 좌에서 내생성 프로모터에 작동가능하도록 연계된 lacZ 유전자와 선별 표지 유전자에 작동가능하도록 연계된 인간 유비퀴틴 프로모터를 포함하는, 방법. 62. 구체예 51-60중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 삽입 핵산은 자가-결손 선별 카세트를 포함하는, 방법. 63. 구체예 62의 방법에 있어서, 이때 자가-결손 선별 카세트는 상기 렛 다능성 세포에서 활성인 프로모터에 작동가능하도록 연계된 선별 표지와 수컷 생식 세포-특이적 프로모터에 작동가능하도록 연계된 재조합효소를 인코드하는 폴리뉴클레오티드를 포함하고, 이때 상기 자가-결손 카세트는 상기 재조합효소에 의해 인지되는 재조합 인지 부위들의 측면에 있는, 방법.64. 구체예 63의 방법에 있어서, 이때 (a) 상기 수컷 생식 세포-특이적 프로모터는 Protamine-1 프로모터이며; 또는 (b) 상기 재조합효소 유전자는 Cre를 인코드하고, 그리고 상기 재조합 인지 부위들은 loxP 부위들인, 방법. 65. 구체예 53의 방법에 있어서, 이때 상기 게놈 좌에서 외생성 핵산 서열의 삽입은 내생성 인터루킨-2 수용체 감마 프로모터, 내생성 ApoE 프로모터, 내생성 Rag1 프로모터, 또는 내생성 Rag2 프로모터에 작동가능하도록 연계된 리포트 핵산 서열을 포함하는, 방법.66. 구체예 65의 방법에 있어서, 이때 상기 리포터 핵산은 β-갈락토시다제, mPlum, mCherry, tdTomato, mStrawberry, J-Red, DsRed, mOrange, mKO, mCitrine, Venus, YPet, 강화된 황색 형광 단백질 (EYFP), Emerald, 강화된 녹색 형광 단백질 (EGFP), CyPet, 시안 형광 단백질 (CFP), Cerulean, T-Sapphire, 루시퍼라제, 알칼리 포스파타제, 또는 이의 조합이 포함된 리포터를 포함하는, 방법. 67. 구체예 51-66중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 다능성 렛 세포는 렛 배아 줄기 (ES) 세포인, 방법. 68. 구체예 51-67중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 다능성 렛 세포는 (a) DA 균주 또는 ACI 균주로부터 유도되며; 또는 (b) Oct-4, Sox-2, 알칼리 포스파타제, 또는 이의 조합이 포함된 전분화능 표지의 발현에 의해 특징화되거나; 또는 (c) 다음 특징중 하나 또는 그 이상에 의해 특징화되는, 방법. (i) c-Myc, Ecat1, 및/또는 Rexo1이 포함된 하나 또는 그 이상의 전분화능 표지들 발현 결핍(ii) Brachyury 및/또는 Bmpr2가 포함된 중배엽 표지들의 발현 결핍, iii) Gata6, Sox17 및/또는 Sox7이 포함된 하나 또는 그 이상의 내배엽 표지들의 발현 결핍; 또는 (iv) Nestin 및/또는 Pax6이 포함된 하나 또는 그 이상의 신경 표지들의 발현 결핍.69. 구체예 51-68중 임의의 하나의 방법에 있어서, 상기 표적 게놈 좌에서 표적화된 유전적 변형을 식별해내는 것을 더 포함하며, 이때 상기 식별 단계는 상기 표적 게놈 좌에서 대립유전자의 변형 (MOA)을 평가하기 위한 정량적 분석을 이용하는, 방법.70. 구체예 51-69중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 도입 단계는 (a) 상기 다능성 렛 세포에서 상기 표적화 벡터와 표적 게놈 좌 사이에 상동성 재조합을 촉진시키는 뉴클레아제 물질이 인코딩된 제 2 핵산을 도입시키는 것을 더 포함하는, 방법. 71. 구체예 70의 방법에 있어서, 이때 상기 뉴클레아제 물질은 FokI 엔도뉴클레아제에 융합된 아연 핑거-기반의 DNA 결합 도메인이 포함된 키메라 단백질을 포함하는, 방법.72. 구체예 71의 방법에 있어서, 이때 상기 방법은 상기 표적 게놈 좌의 이중-대립형질 변형을 야기하는, 방법.73. 구체예 51-70중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 도입 단계는 (a) 상기 다능성 렛 세포 안으로 다음을 도입시키는 것을 더 포함하는 방법: (i) 클러스트화된 규칙적으로 사이공간을 둔 짧은 팔린드롬성 반복부 (CRISPR)-연합된 (Cas) 단백질을 인코드하는 제 1 핵산 서열에 작동가능하도록 연계된 제 1 프로모터가 포함된 제1 발현 구조체, (ii) 가이드 RNA (gRNA)에 연계된 게놈 표적 서열에 작동가능하도록 연계된 제 2 프로모터가 포함된 제 2 발현 구조체, 이때 상기 게놈 표적 서열은 3' 단부 상에 프로토스페이스 인접 모티프(Protospacer Adjacent Motif)의 측면에 바로 있다.74. 구체예 73의 방법에 있어서, 이때 상기 관심 대상의 게놈 좌는 서열 번호: 1의 뉴클레오티드 서열을 포함하는, 방법. 75. 구체예 73 또는 74의 방법에 있어서, 이때 gRNA는 클러스트화된 규칙적으로 사이공간을 둔 짧은 팔린드롬성 반복부 (CRISPR) RNA (crRNA) 및 트란스-활성화 CRISPR RNA (tracrRNA)를 인코드하는 제 3 핵산 서열을 포함하는, 방법. 76. 구체예 73의 방법에 있어서, 이때 Cas 단백질은 Cas9인, 방법.77. 구체예 73, 74, 또는 75의 방법에 있어서, 이때 gRNA는 다음을 포함하는, 방법: (a) 서열 번호: 2의 핵산 서열의 키메라 RNA; 또는 (b) 서열 번호: 3의 핵산 서열의 키메라 RNA.78. 구체예 75의 방법에 있어서, 이때 crRNA는 서열 번호: 4; 서열 번호: 5; 또는 서열 번호: 6을 포함하는, 방법.79. 구체예 75의 방법에 있어서, 이때 tracrRNA는 서열 번호: 7 또는 서열 번호: 8을 포함하는, 방법.80. 구체예 35-50중 임의의 하나의 렛 또는 렛 세포에 있어서, 이때 상기 렛 또는 렛 세포는 인터루킨-2 수용체 감마 좌, ApoE 좌, Rag1 좌, Rag2 좌, 및/또는 Rag2/Rag1 좌에서 표적화된 유전적 변형을 포함하는, 렛 또는 렛 세포.81. 구체예 80의 렛 또는 렛 세포에 있어서, 이때 상기 렛 또는 렛 세포는 인터루킨-2 수용체 감마 좌와 Rag2/Rag1 좌에서 유전적 변형을 포함하는, 렛 또는 렛 세포.추가적인 비-제한적인 구체예들은 다음을 포함한다::1. 진핵 세포에서 관심 대상의 게놈 좌를 변형시키는 방법에 있어서, 다음을 포함하는 방법:(a) 상기 진핵 세포 안으로 다음의 것들을 도입시키고: (i) 5' 상동성 아암(arm) 및 3' 상동성 아암이 측면에 있는 제 1 핵산을 포함하는 큰 표적화 벡터 (LTVEC), 이때 LTVEC는 최소한 10 kb이며; (ii) 제 2 Cas 단백질을 인코드하는 제 2 핵산에 작동가능하도록 연결된 제 1 프로모터가 포함된 제 1 발현 구조체(expression construct), (iii) 표적 서열과 트란스-활성화 CRISPR RNA (tracrRNA)에 혼성화되는 뉴클레오티드 서열이 포함된 가이드 RNA (gRNA)이 인코드된 제 3 핵산에 작동가능하도록 연결된 제 2 프로모터가 포함된 제 2 발현 구조체, 이때 제 1 및 제 2 프로모터들은 상기 진핵 세포 안에서 활성이며; 그리고 (b) 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 표적화된 유전적 변형이 포함된 변형된 진핵 세포를 식별해낸다.2. 구체예 1의 방법에 있어서, 이때 상기 표적화된 유전적 변형은 이중대립형질 유전적 변형인, 방법. 3. 구체예 1의 방법에 있어서, 이때 LTVEC는 최소한 15 kb, 최소한 20 kb, 최소한 30 kb, 최소한 40 kb, 최소한 50 kb, 최소한 60 kb, 최소한 70 kb, 최소한 80 kb, 또는 최소한 90 kb인, 방법. 4. 구체예 1의 방법에 있어서, 이때 LTVEC는 최소한 100 kb, 최소한 150 kb, 또는 최소한 200 kb인, 방법.5. 구체예 1의 방법에 있어서, 이때 상기 진핵 세포는 포유류 세포인, 방법.6. 구체예 5의 방법에 있어서, 이때 상기 포유류 세포는 섬유아 세포인, 방법.7. 구체예 1의 방법에 있어서, 이때 상기 진핵 세포는 다능성 세포인, 방법.8. 구체예 7의 방법에 있어서, 이때 상기 다능성 세포는 인간 다능성 세포인, 방법.9. 구체예 8의 방법에 있어서, 이때 상기 인간 다능성 세포는 인간 배아 줄기 (ES) 세포 또는 인간 성인 줄기 세포인, 방법.10. 구체예 8의 방법에 있어서, 이때 상기 인간 다능성 세포는 발생학적으로 제한된 인간 선조 세포인, 방법.11. 구체예 8의 방법에 있어서, 이때 상기 인간 다능성 세포는 인간 유도화된 다능성 줄기 (iPS) 세포인, 방법. 12. 구체예 1의 방법에 있어서, 이때 Cas 단백질은 Cas9인, 방법.13. 구체예 1의 방법에 있어서, 상기 표적 서열은 3' 단부 상에 프로토스페이스 인접 모티프(Protospacer Adjacent Motif (PAM)) 서열의 바로 측면에 있는, 방법.14. 구체예 1의 방법에 있어서, 이때 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 약 10 kb 내지 약 150 kb인, 방법. 15. 구체예 1의 방법에 있어서, 이때 LTVEC의 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 120 kb, 또는 약 120 kb 내지 150 kb인, 방법.16. 구체예 1의 방법에 있어서, 이때 상기 표적화된 유전적 변형은 다음을 포함하는, 방법:(a) 내생성 핵산 서열이 상동성 또는 이종상동성 핵산 서열로 대체; (b) 내생성 핵산 서열의 결손; (c) 내생성 핵산 서열의 결손, 이때 상기 결손은 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 또는 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 400 kb, 약 400 kb 내지 약 500 kb, 약 500 kb 내지 약 1 Mb, 약 1 Mb 내지 약 1.5 Mb, 약 1.5 Mb 내지 약 2 Mb, 약 2 Mb 내지 약 2.5 Mb, 또는 약 2.5 Mb 내지 약 3 Mb이며; (d) 외생성 핵산 서열의 삽입; (e) 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 250 kb, 약 250 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 350 kb, 또는 약 350 kb 내지 약 400 kb 범위의 외생성 핵산 서열의 삽입; (f) 상동성 또는 이종상동성 핵산 서열이 포함된 외생성 핵산 서열의 삽입; (g) 인간 및 비-인간 핵산 서열이 포함된 키메라 핵산 서열의 삽입; (h) 부위-특이적 재조합효소 표적 서열의 측면에 있는 조건부 대립인자의 삽입; (i) 상기 다능성 세포 안에서 활성인 제 3 프로모터에 작동가능하도록 연계된 선택성 표지 또는 리포터 유전자의 삽입; 또는 (j) 이의 조합.17. 구체예 1의 방법에 있어서, 이때 상기 관심 대상의 게놈 좌는 (i) 5' 상동성 아암에 상동성인 5' 표적 서열; 그리고 (ii) 3' 상동성 아암에 상동성인 3' 표적 서열을 포함하는, 방법.18. 구체예 17의 방법에 있어서, 이때 5' 표적 서열과 3' 표적 서열은 최소한 5 kb 그러나 3 Mb 미만에 의해 분리되는, 방법. 19. 구체예 17의 방법에 있어서, 이때 5' 표적 서열과 3' 표적 서열은 최소한 5 kb 그러나 10 kb 미만, 최소한 10 kb 그러나 20 kb 미만, 최소한 20 kb 그러나 40 kb 미만, 최소한 40 kb 그러나 60 kb 미만, 최소한 60 kb 그러나 80 kb 미만, 최소한 약 80 kb 그러나 100 kb 미만, 최소한 100 kb 그러나 150 kb 미만, 또는 최소한 150 kb 그러나 200 kb 미만, 최소한 약 200 kb 그러나 약 300 kb 미만, 최소한 약 300 kb 그러나 약 400 kb 미만, 최소한 약 400 kb 그러나 약 500 kb 미만, 최소한 약 500 kb 그러나 약 1 Mb 미만, 최소한 약 1 Mb 그러나 약 1.5 Mb 미만, 최소한 약 1.5 Mb 그러나 약 2 Mb 미만, 최소한 약 2 Mb 그러나 약 2.5 Mb 미만, 또는 최소한 약 2.5 Mb 그러나 약 3 Mb 미만에 의해 떨어져 있는, 방법.20. 구체예 1의 방법에 있어서, 이때 상기 관심 대상의 게놈 좌는 인터루킨-2 수용체 감마 좌, ApoE 좌, Rag1 좌, Rag2 좌, 또는 Rag1과 Rag2 좌 모두를 포함하는, 방법.21. 구체예 1의 방법에 있어서, 이때 제 1 및 제 2 발현 구조체들은 단일 핵산 분자 상에 있는, 방법.22. 게놈을 변형시키는 방법에 있어서, 이 방법은 최소한 10 kb의 핵산 서열이 포함된 큰 표적화 벡터 (LTVEC) 존재하에 Cas 단백질 및 CRISPR RNA에 노출시키는 것을 포함하며, 이때 Cas 단백질, CRISPR RNA, 그리고 LTVEC에 노출된 후, 상기 게놈은 최소한 10 kb 핵산 서열이 포함되도록 변형되는 것을 포함하는, 방법.23. 구체예 22의 방법에 있어서, 이때 LTVEC는 최소한 20 kb, 최소한 30 kb, 최소한 40 kb, 최소한 50 kb, 최소한 60 kb, 최소한 70 kb, 최소한 80 kb, 또는 최소한 90 kb의 핵산 서열을 포함하는, 방법. 24. 구체예 22의 방법에 있어서, 이때 최소한 100 kb, 최소한 150 kb, 또는 최소한 200 kb의 핵산 서열을 포함하는, 방법.25. 게놈을 변형시키는 방법에 있어서, 이 방법은 상기 게놈을 큰 표적화 벡터 (LTVEC) 존재하에 Cas 단백질, 표적 서열에 혼성화되는 CRISPR RNA, 그리고 tracrRNA에 접촉시키는 것을 포함하고, 이때 LTVEC는 최소한 10 kb이며, 그리고 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 측면에 있는 제 1 핵산을 포함하고, 이때 LTVEC 존재하에서 Cas 단백질, CRISPR RNA, 및 tracrRNA에 접촉된 후, 상기 게놈은 관심 대상의 게놈 좌에서 제 1 핵산을 포함하도록 변형되는 것을 포함하는, 방법.26. 구체예 25의 방법에 있어서, 이때 상기 게놈은 진핵 세포 안에 있으며, 그리고 Cas 단백질, CRISPR RNA, tracrRNA, 및 LTVEC가 상기 진핵 세포 안으로 도입되는, 방법.27. 구체예 26의 방법에 있어서, 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 표적화된 유전적 변형이 포함된 변형된 진핵 세포를 식별해내는 것을 더 포함하는, 방법.28. 구체예 26 또는 27의 방법에 있어서, 이때 CRISPR RNA와 tracrRNA는 단일 가이드 RNA (gRNA) 형태로 함께 도입되는, 방법.29. 구체예 26 또는 27의 방법에 있어서, 이때 CRISPR RNA 및 tracrRNA는 별도로 도입되는, 방법.30. 구체예 26-29중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때: (a) Cas 단백질은 단백질 형태, Cas 단백질을 인코드하는 메신져 RNA (mRNA), 또는 Cas 단백질을 인코드하는 DNA 형태로 상기 진핵 세포 안으로 도입되며; (b) CRISPR RNA는 RNA 또는 CRISPR RNA를 인코드하는 DNA 형태로 상기 진핵 세포 안으로 도입되며; 그리고 (c)tracrRNA는 RNA 또는 tracrRNA를 인코드하는 DNA 형태로 상기 진핵 세포 안으로 도입되는, 방법.31. 구체예 30의 방법에 있어서, 이때 Cas 단백질, CRISPR RNA, 및 tracrRNA는 상기 진핵 세포 안에 단백질-RNA 복합체로 도입되는, 방법.32. 구체예 30의 방법에 있어서, 이때: (a) Cas 단백질을 인코드하는 DNA는 Cas 단백질을 인코드하는 제 2 핵산에 작동가능하도록 연계된 제1 프로모터가 포함된 제 1 발현 구조체 형태 안에 있고; (b) CRISPR RNA를 인코드하는 DNA는 CRISPR RNA를 인코드하는 제 3 핵산에 작동가능하도록 연계된 제 2 프로모터가 포함된 제 2 발현 구조체 형태 안에 있으며; 그리고 (c) tracrRNA를 인코드하는 DNA는 tracrRNA를 인코드하는 제 4 핵산에 작동가능하도록 연계된 제 3 프로모터가 포함된 제 3 발현 구조체 형태 안에 있고, 이때 제 1, 제 2, 및 제 3 프로모터들은 상기 진핵 세포안에서 활성인, 방법.33. 구체예 32의 방법에 있어서, 이때 제 1, 제 2, 및/또는 제 3 발현 구조체들은 단일 핵산 분자 상에 있는, 방법.34. 구체예 30의 방법에 있어서, 이때: (a) Cas 단백질을 인코드하는 DNA는 Cas 단백질을 인코드하는 제 2 핵산에 작동가능하도록 연계된 제1 프로모터가 포함된 제 1 발현 구조체 형태 안에 있고; 그리고 (b) CRISPR RNA를 인코드하는 DNA와 tracrRNA를 인코드하는 DNA는 CRISPR RNA 및 tracrRNA가 포함된 gRNA를 인코드하는 제 3 핵산에 작동가능하도록 연계된 제 2 프로모터가 포함된 제 2 발현 구조체 형태 안에 있고; 이때 제 1 및 제 2 프로모터들은 상기 진핵 세포 안에서 활성인, 방법.35. 구체예 34의 방법에 있어서, 이때 제 1 및 제 2 발현 구조체들은 단일 핵산 분자 상에 있는, 방법.36. 구체예 27-35중 임의의 하나의 방법에 있어서, 상기 표적화된 유전적 변형은 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손과 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 제 1 핵산의 삽입을 동시에 포함하는, 방법.37. 구체예 27-36중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 표적화된 유전적 변형은 이중대립형질 유전적 변형인, 방법.38. 구체예 37의 방법에 있어서, 이때 상기 이중대립형질 유전적 변형은 2개의 상동성 염색체 안에 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손과 제 1 핵산의 삽입을 포함하는, 방법.39. 구체예 27-36중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 변형된 진핵 세포는 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 반접합성인, 방법.40. 구체예 39의 방법에 있어서, 이때 하나의 염색체 안에 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형은 내생성 핵산 서열의 결손과 제 1 핵산의 삽입을 포함하는, 방법.41. 구체예 39의 방법에 있어서, 이때 상기 표적화된 유전적 변형은 다음을 포함하는, 방법: (1) 2개의 상동성 염색체 안에 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손; 그리고 (2) 제 1 염색체 안에 관심 대상의 게놈 좌에 제 1 핵산의 삽입과 제 2 염색체 안에 관심 대상의 게놈 좌의 붕괴.42. 구체예 25-41중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 LTVEC는 최소한 15 kb, 최소한 20 kb, 최소한 30 kb, 최소한 40 kb, 최소한 50 kb, 최소한 60 kb, 최소한 70 kb, 최소한 80 kb, 또는 최소한 90 kb인, 방법.43. 구체예 25-42중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 LTVEC는 최소한 100 kb, 최소한 150 kb, 또는 최소한 200 kb인, 방법.44. 구체예 25-43중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 제 1 핵산은 최소한 20 kb, 최소한 30 kb, 최소한 40 kb, 최소한 50 kb, 최소한 60 kb, 최소한 70 kb, 최소한 80 kb, 최소한 90 kb, 최소한 100 kb, 최소한 150 kb, 최소한 200 kb, 최소한 250 kb, 또는 최소한 300 kb인, 방법.45. 구체예 26-44중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 진핵 세포는 포유류 세포인, 방법.46. 구체예 45의 방법에 있어서, 이때 상기 포유류 세포는 섬유아세포인, 방법.47. 구체예 26-43중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 진핵 세포는 다능성 세포인, 방법.48. 구체예 47의 방법에 있어서, 이때 상기 다능성 세포는 비-인간 다능성 세포인, 방법.49. 구체예 48의 방법에 있어서, 이때 상기 비-인간 다능성 세포는 설치류 다능성 세포.50. 구체예 49의 방법에 있어서, 이때 상기 설치류 다능성 세포는 마우스 또는 렛 배아 줄기 (ES) 세포인, 방법.51. 구체예 47의 방법에 있어서, 이때 상기 다능성 세포는 인간 다능성 세포인, 방법.52. 구체예 51의 방법에 있어서, 이때 상기 인간 다능성 세포는 인간 배아 줄기 (ES) 세포 또는 인간 성인 줄기 세포인, 방법.53. 구체예 51의 방법에 있어서, 이때 상기 인간 다능성 세포는 발생학적으로 제한된 인간 선조 세포인, 방법.54. 구체예 51의 방법에 있어서, 이때 상기 인간 다능성 세포는 인간 유도화된 다능성 줄기 (iPS) 세포인, 방법.55. 구체예 25-54중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 Cas 단백질은 Cas9인, 방법.56. 구체예 25-55중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 표적 서열은 프로토스페이스 인접 모티프 (PAM) 서열의 바로 측면에 있는, 방법.57. 구체예 25-56중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 LTVEC의 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 약 10 kb 내지 약 150 kb인, 방법.58. 구체예 25-57중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 LTVEC의 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 총 합은 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 120 kb, 또는 약 120 kb 내지 150 kb인, 방법.59. 구체예 27-58중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 표적화된 유전적 변형은 다음을 포함하는 방법: (a)내생성 핵산 서열이 상동성 또는 이종상동성 핵산 서열로 대체; (b) 내생성 핵산 서열의 결손; (c) 내생성 핵산 서열의 결손, 이때 상기 결손은 약 5 kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 또는 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 400 kb, 약 400 kb 내지 약 500 kb, 약 500 kb 내지 약 1 Mb, 약 1 Mb 내지 약 1.5 Mb, 약 1.5 Mb 내지 약 2 Mb, 약 2 Mb 내지 약 2.5 Mb, 또는 약 2.5 Mb 내지 약 3 Mb 범위이며; (d) 외생성 핵산 서열의 삽입; (e) 약 5kb 내지 약 10 kb, 약 10 kb 내지 약 20 kb, 약 20 kb 내지 약 40 kb, 약 40 kb 내지 약 60 kb, 약 60 kb 내지 약 80 kb, 약 80 kb 내지 약 100 kb, 약 100 kb 내지 약 150 kb, 약 150 kb 내지 약 200 kb, 약 200 kb 내지 약 250 kb, 약 250 kb 내지 약 300 kb, 약 300 kb 내지 약 350 kb, 또는 약 350 kb 내지 약 400 kb 범위의 외생성 핵산 서열의 삽입; (f) 상동성 또는 이종상동성 핵산 서열이 포함된 외생성 핵산 서열의 삽입; (g) 인간 및 비-인간 핵산 서열이 포함된 키메라 핵산 서열의 삽입; (h) 부위-특이적 재조합효소 표적 서열의 측면에 있는 조건부 대립인자의 삽입; (i) 상기 다능성 세포 안에서 활성인 제 3 프로모터에 작동가능하도록 연계된 선택성 표지 또는 리포터 유전자의 삽입; 또는 (j) 이의 조합.60. 구체예 25-59중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 관심 대상의 게놈 좌는 (i) 5' 상동성 아암에 상동성인 5' 표적 서열; 그리고 (ii) 3' 상동성 아암에 상동성인 3' 표적 서열을 포함하는, 방법.61. 구체예 60의 방법에 있어서, 이때 5' 표적 서열과 3' 표적 서열은 최소한 5 kb 그러나 3 Mb 미만에 의해 분리되는, 방법.62. 구체예 60의 방법에 있어서, 이때 5' 표적 서열과 3' 표적 서열은 최소한 5 kb 그러나 10 kb 미만, 최소한 10 kb 그러나 20 kb 미만, 최소한 20 kb 그러나 40 kb 미만, 최소한 40 kb 그러나 60 kb 미만, 최소한 60 kb 그러나 80 kb 미만, 최소한 약 80 kb 그러나 100 kb 미만, 최소한 100 kb 그러나 150 kb 미만, 또는 최소한 150 kb 그러나 200 kb 미만, 최소한 약 200 kb 그러나 약 300 kb 미만, 최소한 약 300 kb 그러나 약 400 kb 미만, 최소한 약 400 kb 그러나 약 500 kb 미만, 최소한 약 500 kb 그러나 약 1Mb 미만, 최소한 약 1 Mb 그러나 약 1.5 Mb 미만, 최소한 약 1.5 Mb 그러나 약 2 Mb 미만, 최소한 약 2 Mb 그러나 약 2.5 Mb 미만, 또는 최소한 약 2.5 Mb 그러나 약 3 Mb 미만으로 떨어져 있는, 방법.63. 구체예 60의 방법에 있어서, 이때 5' 표적 서열과 3' 표적 서열은 최소한 20 kb, 최소한 30 kb, 최소한 40 kb, 최소한 50 kb, 최소한 60 kb, 최소한 70 kb, 최소한 80 kb, 최소한 90 kb, 최소한 100 kb, 최소한 110 kb, 최소한 120 kb, 최소한 130 kb, 최소한 140 kb, 최소한 150 kb, 최소한 160 kb, 최소한 170 kb, 최소한 180 kb, 최소한 190 kb, 또는 최소한 200 kb에 의해 분리되는, 방법.64. 구체예 25-63중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 관심 대상의 게놈 좌는 인터루킨-2 수용체 감마 좌, ApoE 좌, Rag1 좌, Rag2 좌, 또는 Rag1과 Rag2 좌 모두를 포함하는, 방법.65. 구체예 25-63중 임의의 하나의 방법에 있어서, 상기 관심 대상의 게놈 좌는 Adamts5 좌, Trpa1 좌, Folh1 좌, 또는 Erbb4 좌를 포함하는, 방법. 66. 구체예 25-63중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 관심 대상의 게놈 좌는 Lrp5 좌를 포함하는, 방법.67. 관심 대상의 게놈 좌에서 표적화된 유전적 변형이 포함된, F0 세대 비-인간 동물을 만드는 방법에 있어서, 이 방법은 (a) 큰 표적화 벡터 (LTVEC) 존재 하에서 비-인간 ES 세포 안의 게놈에 Cas 단백질, CRISPR RNA, 및 tracrRNA를 접촉시켜, 변형된 비-인간 ES 세포를 만들고, 이때 LTVEC는 최소한 10 kb이며이며, 그리고 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 측면에 있는 제 1 핵산을 포함하고; (b) 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형이 포함된 상기 변형된 비-인간 ES 세포를 식별해내고; (c) 상기 변형된 비-인간 ES 세포를 비-인간 숙주 배아 안으로 도입시키고; 그리고 (d) 상기 대리모에게 비-인간 숙주 배아를 임신시키고, 이때 상기 대리모는 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형이 포함된 F0 세대 비-인간 동물을 출산하는 것을 포함하는, 방법.68. 구체예 67의 방법에 있어서, 이때 CRISPR RNA와 tracrRNA는 단일 가이드 RNA (gRNA) 형태로 함께 도입되는, 방법. 69. 구체예 67의 방법에 있어서, 이때 CRISPR RNA 및 tracrRNA는 별도로 도입되는, 방법.70. 구체예 67-69중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때: (a) Cas 단백질은 단백질 형태, Cas 단백질을 인코드하는 메신져 RNA (mRNA), 또는 Cas 단백질을 인코드하는 DNA 형태로 상기 비-인간 ES 세포 안으로 도입되며; (b) CRISPR RNA는 RNA 또는 CRISPR RNA를 인코드하는 DNA 형태로 상기 비-인간 ES 세포 안으로 도입되며; 그리고 (c)tracrRNA는 RNA 또는 tracrRNA를 인코드하는 DNA 형태로 상기 비-인간 ES 세포 안으로 도입되는, 방법.71. 구체예 70의 방법에 있어서, 이때 Cas 단백질, CRISPR RNA, 및 tracrRNA는 상기 비-인간 ES 세포 안에 단백질-RNA 복합체로 도입되는, 방법.72. 구체예 70의 방법에 있어서, 이때: (a) Cas 단백질을 인코드하는 DNA는 Cas 단백질을 인코드하는 제 2 핵산에 작동가능하도록 연계된 제1 프로모터가 포함된 제 1 발현 구조체 형태 안에 있고; (b) CRISPR RNA를 인코드하는 DNA는 CRISPR RNA를 인코드하는 제 3 핵산에 작동가능하도록 연계된 제 2 프로모터가 포함된 제 2 발현 구조체 형태 안에 있으며; 그리고 (c) tracrRNA를 인코드하는 DNA는 tracrRNA를 인코드하는 제 4 핵산에 작동가능하도록 연계된 제 3 프로모터가 포함된 제 3 발현 구조체 형태 안에 있고, 이때 제 1, 제 2, 및 제 3 프로모터들은 상기 진핵 세포안에서 활성인, 방법.73. 구체예 72의 방법에 있어서, 이때 제 1, 제 2, 및 제 3 발현 구조체들은 단일 핵산 분자 상에 있는, 방법.74. 구체예 70의 방법에 있어서, 이때: (a) Cas 단백질을 인코드하는 DNA는 Cas 단백질을 인코드하는 제 2 핵산에 작동가능하도록 연계된 제1 프로모터가 포함된 제 1 발현 구조체 형태 안에 있고; 그리고 (b) CRISPR RNA를 인코드하는 DNA와 tracrRNA를 인코드하는 DNA는 CRISPR RNA 및 tracrRNA가 포함된 gRNA를 인코드하는 제 3 핵산에 작동가능하도록 연계된 제 2 프로모터가 포함된 제 2 발현 구조체 형태 안에 있고; 이때 제 1 및 제 2 프로모터들은 상기 진핵 세포 안에서 활성인, 방법.75. 구체예 74의 방법에 있어서, 이때 제 1 및 제 2 발현 구조체들은 단일 핵산 분자 상에 있는, 방법.76. 구체예 67-75중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 표적화된 유전적 변형은 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손과 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 제 1 핵산의 삽입을 동시에 포함하는, 방법.77. 구체예 67-76중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 표적화된 유전적 변형은 이중대립형질 유전적 변형인, 방법.78. 구체예 77의 방법에 있어서, 이때 상기 이중대립형질 유전적 변형은 2개의 상동성 염색체 안에 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손과 제 1 핵산의 삽입을 포함하는, 방법.79. 구체예 67-76중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 상기 변형된 비-인간 ES 세포는 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 반접합성인, 방법.80. 구체예 79의 방법에 있어서, 이때 하나의 염색체 안에 상기 관심 대상의 게놈 좌에서 상기 표적화된 유전적 변형은 내생성 핵산 서열의 결손과 제 1 핵산의 삽입을 포함하는, 방법.81. 구체예 79의 방법에 있어서, 이때 상기 표적화된 유전적 변형은 다음을 포함하는, 방법: (1) 2개의 상동성 염색체 안에 관심 대상의 게놈 좌에서 내생성 핵산 서열의 결손; 그리고 (2) 제 1 염색체 안에 관심 대상의 게놈 좌에 제 1 핵산의 삽입과 제 2 염색체 안에 관심 대상의 게놈 좌의 붕괴.82. 구체예 67-81중 임의의 하나의 방법에 있어서, 이때 Cas 단백질은 Cas9인, 방법.실시예들다음의 실시예들은 본 발명이 어떻게 만들어지고, 이용되는지에 대한 완벽한 공개 및 설명을 당업계 숙련자들에게 제시하기 위하여 제공되는 것이며, 발명자들이 이들의 발명으로 간주하는 본 발명의 범위를 제한하려는 의도는 아니며, 하기 실험등이 실행할 수 있는 모든 또는 유일한 실험으로 제시하려는 의도도 아니다. 이용된 수치(가령, 양, 온도, 등)에 있어서 정확성을 보장하기 위한 노력이 있었지만, 일부 실험적 오류 및 편차들은 고려되어야 한다. 다른 언급이 없는 한, 부분은 중량부이며, 분자량은 중량 평균 분자량이며, 온도는 섭씨 또는 실온이며, 압력은 대기압 또는 그 주변값이다. 실시예 1. 렛 ES 세포 유도 및 특징화1.1. 렛 ES 세포 특징화도 1에 나타낸 것과 같이, 렛 ESCs는 치밀한 나선형 콜로니로 성장하며, 접시 안에서 통상적으로 분리되고, 부유한다 (근접 촬영, 도 8). 렛 ESCs는 Oct-4 (도 2a) 및 Sox2 (도 2b)가 포함된 전분화능 표지들을 발현시키고, 그리고 높은 수준의 알칼리 포스파타제 (도 3)를 발현시킨다. 계통 DA.2B의 핵형은 42X,Y (도 4)이다. 렛 ESCs는 흔히 사배수체(tetraploid)가 되고; 따라서 계통들은 중기 염색체 스프레드(spreads)를 카운팅하여 사전-선별되었고, 주로 정상적인 카운트를 가진 계통들이 정식으로 핵형화되었다.ACI 낭포들은 시중에 판매되는 과-배란 암컷으로부터 수거되었다. DA 낭포들은 시판되는 냉동된 8-세포 배아로부터 배양되었다. 투명대는 산 Tyrodes에 의해 제거되었고; 그리고 낭포들은 유사분열적으로 비활성화된 MEFs 상에 도말되었다. 증식물을 찍어내고, 표준 방법에 의해 확장시켰다. 모든 낭포가 2i 배지를 이용하여 도말되었고, 배양되었고, 확장되었다 (Li et al. (2008) Germline competent embryonic stem cells derived from rat blastocysts, Cell 135:1299-1310; 이의 전문이 본 명세서에 참고자료에 통합됨).1.2. : 렛 생산(Rat Production)낭포 주사 및 렛 ESC 게놈의 전달에 의한 키메라 렛이 생산된다. 부계 ACI.G1 렛 ESCs을 이용하여 낭포 현미주사에의해 생산된 키메라는 도 9에 나타낸다. 도 9에서 별표()로 표시된 라벨된 ACI/SD 키메라에 의해 아비가 된 F1 아구티 새끼와 백색증 한배새끼는 도 10에 나타낸다. 부계 렛 ESC의 생식계열 유전. 3가지 정배수체 (euploid) 렛 ESC 계통들은 백색증 SD 낭포 안으로 현미주사에 의해 전분화능에 대하여 평가되었다. 키메라는 아구티 털 색깔로 식별되었으며, 이는 렛 ESC 때문인임을 나타낸다 (도 10 참고). 각 계통의 경우, 대부분의 키메라는 rESC 게놈이 F1 후손으로 전달되었다 (표 2).1.3. : 렛 배아 줄기세포의 유도 과배란 프로토콜, 렛0 일차: 임신한 암말 혈청이 주사됨: IP, 20 U (0.4 ml).1 일차: 활동 없음2 일차: (46 hr. 후): hCG, IP, 50 U (1 ml) 주사됨. -한마리 암컷 짝짓기 준비.3 일차: 플러그 점검. 암컷에 플러그를 끼웠다(plugged). 이때가 0.5일차다.6 일차 (e3.5): 암컷을 안락사시키고, 배아를 빼내었다.ES 세포 유도 프로토콜 (과배란)0 일차: 1) 암컷 렛은 CO2를 이용하여 안락사시켰다. 2) 70% 에탄올을 이용하여 배 복부를 닦고; 가위를 이용하여 신체 배벽을 개복하여 내장이 노출되도록 한다. 3) 난관과 자궁각을 해부하고, 이것들을 따뜻한 N2B27 배지가 담겨있는 조직 배양 접시에 두었다. 가능한 한 많은 혈액을 씻어내고, N2B27가 있는 새로운 접시로 옮겼다. 4) 1 ml 주사기와 뭉툭한 27g 바늘을 이용하여, 자궁각과 난관을 통하여 배지를 쏟아부어 낭포들이 배지안으로 방출되도록 하였다. 5) 마우스 피펫을 이용하여 낭포들을 수집하고, KSOM + 2i (1μMPD0325901, 3 μM CHIR99021)이 포함된 배아 배양 접시로 옮겼다. KSOM는 Millipore에서 생산되는 배양 배지다. 카탈로그 번호는 MR-106-D이다. 6) 37°; 7.5% CO2에서 하룻밤 동안 배양되었다.ES 세포 유도 프로토콜 (냉동된 배아)0 일차: 1) 냉동된 8-세포 배아 (시판되는 것을 구입)를 M2 배지에 해동시켰다. 실온에서 10분간 배양되었다. 2) KSOM + 2i로 옮기고, 하룻밤 동안 배양한다.ES 세포 유도 프로토콜 (양쪽 동일)1 일차: 1) 공동이 형성된(cavitated) 배아를 2i 배지로 옮기고, 하룻밤 동안 배양한다. 2) 공동이 형성안된 배아는 KSOM +2i에서 배양을 지속하였다.2 일차: 1) 모든 남아있는 배아는 2i 배지로 옮겼다 (공동이 형성되었는지 여부와는 무관하게). 2) 하룻밤 동안 배양되었고; 2i 배지에서 초기 배아의 배양을 지속하였다.3 일차: 1) 배아는 30 -60 초동안 산 티로이드에 옮겨 투명대(zona pellucida)를 제거하였다. 2) 산 티로이드를 제어하기 위하여 2i 배지에서 배아를 세척하였다. 3) 96-웰 먹이공급 플레이트의 별도 웰에 예치되었다 (상기 웰은 단층의 유사분열적으로 비활성화된 마우스 배아의 섬유아세포 (MEFs)를 포함한다. 4) 2i 배지에서 하룻밤 동안 배양되었다.4 -5 일차: 1) 증식(세포의 무정형 미분화된 덩어리)이 있었는지에 대하여 도말된 배아를 관찰하였다. 증식물이 도말된 배아 크기의 대략 두 배가 될 때 이들은 이전 준비가 된 것이다. 2) 매일: 마이크로 피펫으로 사용된 배지를 제거하고, 새로운 2i 배지를 대체시킨다. 3) 증식물은 새로운 먹이공급 웰로 이전시켰다: a. 사용된 배지를 제거하였고, PBS로 웰을 가볍게 세척한다. b.PBS를 제거하였고, 30 μl 0.05% 트립신을 추가하고; 10 분 동안 항온처리한다. c. 30μl 2i + 10% FBS를 추가함으로써 트립신 반응이 중단되었다. d. 상기 세포는 미량피펫터로 가볍게 분리시키고, 웰의 전체 내용물은 24-웰 먹이공급 플레이트의 새로운 웰로 옮겼다. 이것이 계대 1 (P1)이다. e. 2i 배지에서 하룻밤 동안 배양되었다 5 -8 일차: (시기는 얼마나 빨리 각 계통이 확장되는지에 따라 달라진다) 1) 매일 배지 (2i 배지)가 교환되었고, ESC 형태를 가진 콜로니가 존재하는지에 대하여 관찰되었다. 2) 콜로니가 나타날 때, 콜로니가 ~ 50% 합류로 확장될 때까지 배양을 지속하였다. 3) 콜로니는 트립신처리되었고, 이전과 같이 계대되며; 먹이공급 상에서 도말되고, 6-웰 접시에서 계통당 1개 웰. 이것이 계대 2 (P2)이다.진행중: 1) 대략적으로 50% 합류가 될 때까지 각 계통에 영양 공급 및 관찰을 지속하였다. 2) 종전과 같이 세포를 트립신처리하였다. 3) 트립신은 2i + 10% FBS로 중단되었고; 상기 세포는 원심분리 (Beckman-Coulter 테이블탑 원심분리기에서 5', 1200 rpm)에 의해 펠렛화되었다. 4) 상층액은 흡출해내고, 그리고 400 μl 냉동 배지(Freezing Medium) (70% 2i, 20% FBS, 10% DMSO)에서 세포를 가볍게 재현탁시켰다. 5) 상기 세포를 2개 바이알에 분배하였고, -80°에서 냉동시켰다. 이것이 계대 3 (P3)이다. 6) 장기 보관을 위하여, 이 바이알은 액체 N2 창고로 이전된다. 2i 배지는 표 3과 같이 준비되었다 재료: 임신한 암말의 혈청 고나도트로핀 (PMSG) 인간 임신 소변 융모생식선자극호르몬 (HCG) 암컷 렛 (5-12 주령) 수컷 렛 (12 주령 내지 8 개월령), 우리당 한 마리 주사기/바늘 동물의 방에는 6:00-18:00 동안 채광절차:1 일차: 8:00-10:00 AM 암컷에게 20 IU PMSG (0.4 ml), IP로 주사한다. 사용안된 PMSG를 폐기한다.3 일차: 8:00-10:00 AM (PMSG 주사 후 48시간) 암컷에게 50 IU HCG (1 ml), IP로 주사한다. 교배 우리 안에 수컷 한 마리당 암컷 한마리를 넣는다. 사용안된 HCG는 폐기한다.4 일차: 8:00-10:00 AM (HCG 주사 후 24시간) 플러그에 대해 암컷을 점검한다.호르몬 공급처PMSG: Sigma #G-4877 (1000 IU). PBS에서 최종 [ ] 50 IU/ml이 되도록 재현탁시킨다. -20°에서 1 ml 분액으로 보관된다. HCG: Sigma #CG-5 (5000 IU). PBS에서 최종 [ ] 50 IU/ml이 되도록 재현탁시킨다. -20°에서 1 ml 분액으로 보관된다. 1.4.: 렛 배아 줄기 세포계통의 핵형결정 생성된 렛 ES 세포 계통의 핵형이 결정되었고, 그 결과는 표 4-7에서 요약된다. 1.5.: 벡터를 렛 배아 줄기 세포로 전기천공1. 전기천공 이전에 렛 ES 세포를 24-48 시간 동안 계대하였다. 2. 전기천공 24시간 전에 배지는 RVG2i + ROCKi (10μM Y-27632)로 교체되었다. 3. 트립신처리되기 30' 전, 배지를 교체하였다.4. 전기영동되는 DNA를 분획하였다. 5. DNA는 003e#10 분 동안 실온에서 따뜻해지도록 하였다.6. DNA는 5' 동안 62℃에서 가열되었다. 얼음 위에 DNA를 둔다.7. 세포를 트립신처리하였다: a. 부유 콜로니를 수거하였다. 가능한 많은 부유물을 수거하기 위하여 플레이트를 세척하였다. b. 3' 동안 750 rpm에서 콜로니를 펠렛화하였다. c. 펠렛은 1x 5-10ml PBS로 세척되었고, 그리고 재-회전/펠렛화 되었다. d. 상층액은 흡출되었고; 500λ 트립신, 0.05% + 1% 닭 혈청이 추가되었따. i. 튜브당 10 cm 콜로니 플레이트에서 1개 이상으로 모으지(pool) 않았다. 트립신처리 동안 튜브 바막으로 너무 많은 콜로니가 쌓여 있는 경우, 응괴(clump)될 것이고, 세포의 대부분이 상실될 것이다. e. 37°에서 4'. 응괴를 최소화시키기 위하여 콜리니를 몇 차례 피페팅하였다. f. 37°에서 4' 동안 X 단계 1-2를 반복하였다. g. 트립신은 500λ RVG2i + 10% FBS로 중단시켰다. 8. 1200 rpm에서 5' 동안 세포를 펠렛화시켰다.9. 세포는 10 ml PBS에서 재현탁된다. 총 세포 수를 결정하기 위하여 2개의 20λ 분취액을 카운트한다.10. 세포를 펠렛화시키고 (5'/1200rpm); 정확한 세포 농도 (표적 #/75 μl EP 완충액)를 얻기 위하여 총 세포 수와 총 재현탁 용적을 산출한다.11. 최소 용적의 EP 완충액에 재현탁시키고; 총 용적을 측정하고, 그리고 EP 완충액을 이용하여 표적 용적으로 조정한다. 전기천공 완충액은 Millipore에서 시판한다. 카탈로그 번호 #는 ES-003-D이다. Valenzuela et al. (2003) Nature Biotechnology 21:652-659을 참고하며, 이는 본 명세서에서 참고자료에 편입된다. 12. 75λ 세포를 50λ DNA에 추가하고; 125λ 세포/DNA 용액은 BTX 48-웰 큐벳중 하나의 웰로 옮긴다. a. 동일한 컬럼에 비어있는 웰은 125λ EP 완충액으로 채워넣었다.13. BTX 전기천공기에서 한번 큐벳에 펄스를 제공하였다: a. 세팅: 400V; Ω; 100 μF (세팅은 변화될 수 있다)14. 회복을 위하여 15' 동안 큐벳은 얼음위에 둔다. 15. 세포는 5 ml RVG2i + 10 μM ROCKi로 보냈다. 16. 15 cm 플레이트에 20 ml RVG2i + 10μM ROCKi를 추가하였다. 플레이트는 2x neoR MEFs (또는 프로젝트에 따라 다른 MEFs)를 갖는다. neoR 선택성 표지는 Beck et al. (1982) Gene, 19:327-36 또는 US 특허 번호 7,205,148 또는 6,596,541(이들 각각은 본 명세서의 참고자료에 편입된다)의 네오마이신 포스포트란스퍼라제 (neo) 유전자다. 17. 37°에서 항온처리되었다. 48시간 후에 선별을 시작한다.이용된 ROCK 억제제는 Y-27632이었다. 1.6: 렛 배아 줄기 세포에서 표적화된 유전적 변형의 선별 1. 전기천공 전, 세포를 24-48 시간 동안 계대하였다. 2. 전기천공 24시간 전에 배지는 RVG2i + ROCKi (10μM Y-27632)로 교체되었다. 3. 트립신처리되기 30' 전, 배지를 교체하였다.4. 전기영동되는 DNA를 분획하였다. 5. DNA는 003e#10 분 동안 실온에서 따뜻해지도록 하였다.6. DNA는 5' 동안 62℃에서 가열되었다. 얼음 위에 DNA를 둔다.7. 세포를 트립신처리하였다: a. 부유 콜로니를 수거하였다. 가능한 많은 부유물을 수거하기 위하여 플레이트를 세척하였다. b. 3' 동안 750 rpm에서 콜로니를 펠렛화하였다. c. 펠렛은 1x 5-10ml PBS로 세척되었고, 그리고 재-회전/펠렛화 되었다. d. 상층액은 흡출되었고; 500λ 트립신, 0.05% + 1% 닭 혈청이 추가되었다. i. 튜브당 10 cm 콜로니 플레이트에서 1개 이상으로 모으지(pool) 않았다. 트립신처리 동안 튜브 바막으로 너무 많은 콜로니가 쌓여 있는 경우, 응괴(clump)될 것이고, 세포의 대부분이 상실될 것이다. e. 37°에서 4'. 응괴를 최소화시키기 위하여 콜리니를 몇 차례 피페팅하였다. f. 37°에서 4' 동안 X 단계 1-2를 반복하였다. g. 트립신은 500λ RVG2i + 10% FBS로 중단시켰다. 8. 1200 rpm에서 5' 동안 세포를 펠렛화시켰다.9. 세포는 10 ml PBS에서 재현탁된다. 총 세포 수를 결정하기 위하여 2개의 20λ분취액을 카운트한다.10. 세포를 펠렛화시키고 (5'/1200rpm); 정확한 세포 농도 (표적 #/75 μl EP 완충액)를 얻기 위하여 총 세포 수와 총 재현탁 용적을 산출한다.11. 최소 용적의 EP 완충액에 재현탁시키고; 총 용적을 측정하고, 그리고 EP 완충액을 이용하여 표적 용적으로 조정한다. 12. 75λ 세포를 50λ DNA에 추가하고; 125λ 세포/DNA 용액은 BTX 48-웰 큐벳중 하나의 웰로 옮긴다. a. 동일한 컬럼에 비어있는 웰은 125λ EP 완충액으로 채워넣었다.13. BTX 전기천공기에서 한번 큐벳에 펄스를 제공하였다: a. 세팅: 400V; 100 μF (세팅은 변화될 수 있다).14. 회복을 위하여 15' 동안 큐벳은 얼음위에 둔다. 15. 세포는 5 ml RVG2i + 10μM ROCKi로 보냈다. 16. 15 cm 플레이트에 20 ml RVG2i + 10μM ROCKi를 추가하였다. 플레이트는 2x neoR MEFs (또는 프로젝트에 따라 다른 MEFs)를 갖는다.17. 37°에서 항온처리되었다. 48시간 후에 선별을 시작하였다.18. G418 선별 프로토콜은 다음과 같았다: a. 2일차 (EP후 둘째 날): 2i 배지 + G418, 75 μg/ml에서 세포는 항온처리되었다. b. 3일차: G418 없이, 2i 배지에서 세포는 항온처리되었다. c. 4일차: 2i 배지 + G418, 75 μg/ml에서 세포는 항온처리되었다. d. 5일차: G418 없이, 2i 배지에서 세포는 항온처리되었다. e. 6일차: 2i 배지 + G418, 75 μg/ml에서 세포는 항온처리되었다. f. 7일차: G418 없이, 2i 배지에서 세포는 항온처리되었다. g. 8일차: 2i 배지 + G418, 75 μg/ml에서 세포는 항온처리되었다. h. 9일차: G418 없이, 2i 배지에서 세포는 항온처리되었다. i. 10일차: 2i 배지 + G418, 75 μg/ml세포는 항온처리되었다. j. 11일차: G418 없이, 2i 배지에서 세포는 항온처리되었다. k. 12일차: 콜로니를 찍어내어, 스크리닝을 위해 확장시켰다. 각 콜로니는 10분 동안 0.05% 트립신 + 1% 닭 혈청에서 분리되었고, 그 다음 96-웰 먹이공급 플레이트의 1개 웰 안에 도달되었다.19. 3 일 동안 2i 배지에서 콜로니는 확장되었다.20. 새로운 96-웰 먹이공급 플레이트에 클론은 1:1로 계대되었다.21. 3 일 동안 2i 배지에서 클론은 확장되었다. 22. 각 클론의 경우, 콜로니는 트립신에서 분리되었다. 각 클론의 2/3은 냉동시키고, -80°에 보관하고; 남아있는 1/3은 라미닌 플레이트 상에 도말된다 (10 μg/ml 라미닌이 피복된 96-웰 플레이트).23. 상기 라미닌 플레이트가 합류될 때, 클론의 유전자형분석을 위하여 스크리닝 랩으로 넘겼다. 1.7. 렛 배아 줄기 세포의 분자 특징표 8에 열거된 유전자는 마우스 ES 세포에서 대응하는 유전자들보다 렛 ES 세포에서 20-배 더 낮게 발현되었다. 표 9에 열거된 유전자는 마우스 ES 세포에서 대응하는 유전자들보다 렛 ES 세포에서 20-배 더 높은 수준에서 발현되었다. 표 8 및 9의 마이크로어래이 데이터는 다음과 같이 생성되었다. 렛 ES 세포 (ACI.G2 및 DA.2B)와 마우스 ES 세포 (F1H4)는 합류까지 3계대 동안 2i 배지에서 배양되었다. F1H4 세포는 먹이공급자 없이 젤라틴-피복된 플레이트 상에서 배양되었다. F1H4 마우스 ES 세포는 129S6/SvEvTac 및 C57BL/6NTac 이형접합성 배아로부터 유도되었다 (가령, US Pat. No. 7,294,754 and Poueymirou, W.T., Auerbach, W., Frendewey, D., Hickey, J.F., Escaravage, J.M., Esau, L., Dore, A.T., Stevens, S., Adams, N.C., Dominguez, M.G., Gale, N.W., Yancopoulos, G.D., DeChiara, T.M., Valenzuela,D.M. (2007), 이의 전문이 본 명세서의 참고자료에 통합됨).시료 준비에 다음의 프로토콜이 이용되었다: 1.5mL Eppendorf 튜브에 시료 ID를 표시하였다. 플레이트 상에서 성장된 세포들은 37℃ 인산염 완충된 염수 (PBS)로 세척되었다. 　 PBS를 제거하였고, 300 ul의 Trizol�怜� 추가되었다. 　Trizol�� (Life Technology)에서 상기 세포를 파괴하는데 스크레이퍼가 이용되었다. 　해리된 세포는 1.5mL Eppendorf 튜브안에 Trizol�� 에 수집되었다. 현탁액 상에서 성장된 세포의 경우, 상기 세포는 37℃ PBS에서 헹구고, 1.5mL 튜브에 수집되었다. 상기 세포를 회전시켰고, PBS를 제거하였고; 그리고 300 ul의 Trizol�怜� 상기 세포에 추가되었다. 　세포 막은 피펫팅에 의해 파괴되었다. 시료는 FACS를 위하여 10 내지 105개 세포로 분류되었고, 용적은 100uL 미만으로 농축되었다. 4 용적의 RNA 용해 완충액이 추가되었고, 피펫팅에 의해 혼합되었다. 시료의 경우, 320uL RNA 용해 완충액이 80uL 시료에 추가되었다. 시료는 -20℃에서 보관되었다.RNA-Seq를 이용하여 마우스 및 렛 유전자의 발현 수준이 측정되었다. 서열화 판독(Sequencing reads)은 Tophat 및 RPKM에 의해 마우스와 렛 기준 게놈에 메핑되었고 (메핑된 백만개 단편당 엑손 킬로베이스당 단편들) 마우스 및 렛 유전자에 대해 산출되었다. 유전자 기호에 근거하여 상동성 유전자들이 선별되었고, 그 다음 t-테스트를 이용하여 마우스와 렛 사이에서 각 유전자의 발현 수준이 비교되었다. 렛 ESCs에서 miR-32는 상위 최대 발현된 10개 유전자 안에 있었지만, 마우스 ES 세포에서는 발현되지 않았다. miR-632에 대한 상대적인 자료는 없지만, 렛 ESCs에서 발현된 다른 유전자와 비교하여 이의 발현 수준과 배아의 발달에서 이들의 공지된 기능에 근거하여, miR-632는 렛 ES 세포의 표지로 선별되었다. 상기 렛 ES 세포를 위한 전분화능 표지들/유전자를 이용하는 추가 분자 특징 또한 개발되었다. 표 11은 RNA 프로파일링 데이타로부터 유전자 목록 및 이들의 발현 등급을 제공한다. mRNA는 렛 ES 세포로부터 단리되었으며, 다양한 표지들의 발현 수준이 서로 비교되었다. 용어 "등급(rank)"이란 개별 유전자의 상대적 발현을 의미하는 것으로, 등급이 높을 수록(최고 등급은 1임), 발현이 더 높다. 예를 들면, Oct4이 등급 13이란, 분석된 모든 유전자중에서 12개 유전자를 제외하고 다른 모든 것보다 발현이 더 높다는 것을 의미한다. 이 실험에서 배경은 30이하의 임의의 발현 값이며; 6107개 유전자는 30 또는 더 높는 발현 값을 가지고 있었다.　실시예 2: 렛에서 게놈 좌의 비활성화 2.1: 엔도클레아제 물질을 이용하여 내생성 게놈 좌의 비활성화내생성 렛 게놈 좌에 돌연변이 대립유전자를 도입시키기 위하여, 본 명세서에서 설명된 렛 ES 세포에 ZFNs 1 및 2 (또는 TALENs 1 및 2)를 발현시키는 발현 벡터 (또는 mRNA)를 전기천공하였다. 이들 단백질은 반대 가닥상의 약 6 bp 내지 약 40 bp 떨어져 있는 표적 서열에 결합된다. 이중-가닥으로 된 파괴가 상기 표적 좌 안에 형성되며, 상기 세포는 비-상동성 말단-연결(NHEJ)을 통하여 복구를 시도한다. 많은 경우에 있어서, NHEJ는 결손을 만들게 되며, 대개 유전자의 기능이 파괴된다(가장 흔하게는 틀이동 돌연변이를 만듦으로써). 돌연변이 대립유전자가 포함된 양성 클론을 식별해내기 위하여, the 전기천공된 세포는 저밀도로 도말되는데, 그 이유는 약물 선별이 실행되지 않기 때문이다. 돌연변이가 만들어졌는지를 보기 위하여 표적 부위에서 콜로니를 찍어내어 분석한다 (가령, 상기에서 설명된 대립유전자의 변형 (MOA) 분석 이용). 그 다음 상기 돌연변이 대립유전자가 포함된 선별된 ES 세포는 숙주 렛 배아, 예를 들면, 상실배-전 단계 또는 낭포 단계 렛 배아 안으로 도입되고,시조 렛(F0 동물)을 만들기 위하여 대리모의 자궁 안에 이식된다. 차후, 상기 시조 렛은 예를 들면, 돌연변이 대립유전자에 대한 이형접합성 F1 자손을 만들기 위하여 야생형 렛으로 사육된다. 이형접합성 F1 동물의 짝짓기는 상기 돌연변이 대립유전자에 동형접합성 자손을 생산할 수 있다.2.2.: 아연 핑거 뉴클레아제를 이용한 렛 아포리포단백질 E (ApoE) 유전자 의 비활성화를 위한 렛 ESC 표적화아연 핑거 뉴클레아제는 상기 게놈에서 독특한 표적 서열에 대해 엔도뉴클레아제 활성을 겨냥하기 위하여 서열 특이적 모듈러 DNA 결합 도메인을 이용한다. ZFNs는 한 쌍의 모노머로 공작된다. 각 모노머는 3개 또는 그 이상 아연 핑거 DNA-결합 도메인에 융합된 FokI 엔도뉴클레아제의 비특이적 절단 도메인을 포함한다. 각 아연 핑거는 3 bp 하위부위에 결합하고, 양쪽 모노머의 복합된 표적 부위에 의해 특이성이 획득된다. ZFNs는 DNA에서 이중-가닥으로 된 파괴 (DSBs)를 만들고, 비-상동성 단부 연결 (NHEJ) 동안 돌연변이 (삽입 또는 결손)가 빈번히 발생된다. 도 15는 게놈-편집 엔도뉴클레아제 (가령, ZFNs 및 TALENs)가 표적 게놈 서열 안으로 이중 가닥 틈을 도입시키고, 세포 안에서 NHEJ을 활성화시키는 기전을 설명한다. ZFN과 함께 공여 서열이 제공된다면, 상동성 재조합에 의해 DSBs는 또한 상동성-지향된 복구 (HDR) 이러한 ZFNs는 표적화된 효과를 개선시키기 위하여 본 명세서에서 설명된 다양한 방법 및 조성물과 복합되어 이용되었다. ZFNs 1 및 2를 발현시키는 발현 벡터가 또한 상기 렛 ES 세포 안으로 도입된 것을 제외하고, 실시예 3.2(a)(i)에서 설명된 바와 같이, 렛 아포리포단백질 E (ApoE) 좌가 표적화되었다. rTZFN1P 및 rTZFN2P와 복합되어, ApoE 표적화 이벤트의 도식을 제공하는, 도 11 참고. 상기 표적화 효과는 하기 실시예 5에서 설명되는 것과 같이 측정되었고, 그 결과는 표 12에 나타낸다. 이형접합성 표적화, 동형접합성 표적화, 그리고 "혼합된" 이중 (가령, 컴파운드 이형접합성 표적화)을 스크리닝하기 위하여, 특이적 프라이머 및 프로브를 이용하여 유전자유형을 결정하였다. 놀랍게도, 표적화 효과가 8-10 배 상승되었다.플라스미드 표적화 벡터는 자가-결손 약물 선별 카세트와 리포터 유전자로 lacZ 유전자와 함께 구축되었다 (선별 카세트가 포함된 표적화 벡터의 전기천공시 발생될 수 있는 상동성 및 비-상동성 재조합 이벤트를 설명하는 도 14 참고). 양호한 표적화 효과가 획득되었고, 높은 %의 키메라가 생산되었다. 표적화 효과 개선에 있어서 효과를 검사하기 위하여 표적화 벡터와 복합되어 아연 핑거 뉴클레아제 (ZFNs)가 또한 테스트되었다 (표적화 벡터의 상동성 재조합 효과를 개선시키기 위하여 ZFNs 또는 TALENs를 이용하는 유전자 표적화 기술 설명은 도 16 참고). 상기 표적화 벡터는 ApoE 좌를 절단하는 2개의 ZFN 쌍에 대한 발현 벡터와 함께 공동-발현된다. 상기 두 표적화 벡터와 ZFNs 세트와 함께 전기 천공된 렛 ESC 클론들은 표적화 벡터 단독으로 전기천공된 렛 ESC 클론보다 8-10배 더 높은 표적화 효과를 나타내었다. 더욱이, 우리 클론중 약 2%에서 이중-대립유전자 동형접합성 표적화가 탐지되었다. 이들 표적화된 클론중 2개로부터 높은 %의 키메라가 획득되었다. ApoE-표적화된 (ZFN 지원된) 렛 ESC 클론은 SD 낭포로 현미주사되었고, 그 다음 표준 기술을 이용하여 가상임신된 SD 수용 암컷으로 이송되었다. 털 색으로 키메라가 식별되었고 (도 17 참고하며, ApoE-ZFN-AB5 키메라 (가령, ApoE-/-키메라); 수컷 F0 키메라는 SD 암컷으로 사육되었다. 상기 표적화된 ApoE 대립유전자의 존재에 대하여 생식계통 F1 새끼들의 유전자유형을 확인하였다 (표 13). 이들 표적화된 클론중 2개로부터 높은 %의 키메라가 획득되었다. ApoE 녹아웃 렛은 다양한 유형의 장애 및 질환을 연구하는 수단을 제공한다. 인간에서 아포리포단백질은 킬로미크론(chylomicron), HDL, LDL 및 VLDL에서 발현된다. ApoE는 트리글리세리드-풍부 지질단백질 성분들의 정상 분해대사에 필수적이다. APOE에서 결함은 수많은 질환 상태, 예를 들면, 가족성 고콜레스테롤혈증, 고지질혈증, 베타지방단백혈증, 가족성 이상베타지방단백혈증, 유형 III 고지방단백혈증 (HLP III), 관상 동맥 질환 위험의 원인이 된다. 하나의 이소폼 (ApoE4)은 후기-개시 가족성 및 특발성 알츠하이머 질환, 그리고 뿐만 아니라 MS와도 연합된다. 마우스에서 ApoE는 HDL에서 주로 발현되며; 인간과 마찬가지로 콜레스테롤을 운반한다. ApoE-결핍 마우스 (2개 독립적인 KOs)는 정상 혈장 콜레스테롤의 5배를 가지며; 3월령쯤 전단 대동맥에서 거품-세포가 풍부한 침착물로 발달된다(인간 증후군과 필적됨).렛에서 ApoE 녹아웃은 플락 형성, 전사 변화 (RNA-Seq), 생체외 기능을 포함하나, 이에 국한되지 않는 내피 기능을 연구하는 동물 모델을 제공한다. 더욱이, 더 큰 크기의 렛은 이들 모든 분석을 용이하게 할 것이며, 잠재적으로 RNA-Seq 데이타의 질을 개선시킬 것이다. 2.3. 아연 핑거 뉴클레아제를 이용하여 렛 인터루킨-2 수용체 감마 (IL2r-γ) 좌의 비활성화 ZFN U (ZFN 상류) 및 ZFN D (ZFN 하류)를 발현시키는 발현 벡터를 상기 렛 ES 세포 안으로 도입시키는 것을 제외하고, 실시예 3.2(a)(i)에서 설명된 바와 같이, 렛 인터루킨-2 수용체 감마 (IL2r-γ 또는 Il2rg) 좌가 표적화되었다. 도 18은 ZFN U 및 ZFN D와 복합되어 IL2r-γ 표적화 이벤트를 도식화한 것이다. 도 18에서 아연 핑거가 결합하는 IL2r-γ 좌의 서열은 서열 번호: 93로 표시된다. 상기 표적화 효과는 하기 실시예 3.3(a)에서 설명되는 것과 같이 측정되었고, 그 결과는 표 14에 나타낸다. 간략하게 설명하자면, 동형접합성 표적화된 클론은 PCR에 의해 확인되었다. ZFN1 쌍의 경우: 스크리닝된 192개중 173개 돌연변이 클론(90%), 그리고 스크리닝된 192개중 162개 클론(84%). IL2r-γ -표적화된(ZFN 지원된) 렛 ESC 클론은 SD 낭포로 현미주사되었고, 그 다음 표준 기술을 이용하여 가상임신된 SD 수용 암컷으로 이송되었다. 털 색으로 키메라가 식별되었고; 수컷 F0 키메라는 SD 암컷으로 사육되었다. 상기 표적화된 IL2r-γ 대립유전자의 존재에 대하여 생식계통 F1 새끼들의 유전자유형을 확인하였다.2.4.: CRISPR/Cas9를 이용하여 렛 인터루킨-2 수용체 감마 (IL2r-γ) 좌의 비활성화 표적화 효과를 지원하기 위하여, CRISPR/Cas9 시스템이 또한 상기 렛 ES 세포 안으로 도입시키는 것을 제외하고, 실시예 3.2(a)(i)에서 설명된 바와 같이, 렛 IL2r-γ 좌가 표적화되었다. SBI: System Biosciences Cas9 "SmartNuclease" 올-인-원 벡터를 이용하였고, Cas9 발현은 CAG, EF1a, PGK, 또는 CMV 프로모터에 의해 구동되었다. 커스텀 gRNA가 벡터에 결찰되었고, H1 프로모터에 의해 발현되었다. Il2rg 에 대항하는 4개 RNAs가 기획되었다. gRNAs1-4에 의해 표적화된 렛 IL2r-γ 좌의 영역은 도 19에 나타낸다. 표적화 (가령, 이형접합성 표적화, 동형접합성 표적화, 및 컴파운드 이형접합성 표적화)을 스크리닝하기 위하여, 특이적 프라이머 및 프로브를 이용하여 유전자유형을 결정하였다. 상기 다양한 가이드 RNAs를 이용할 때 표적화 결과는 표 15에 나타낸다. "강함" 및 "약함"은 상기 콜로니가 표적화된 변형을 보유하지의 스크리닝에 근거하여 증거의 강도를 지칭한다.2.5.: CRISPR/Cas9를 이용하여 마우스 하이포산틴 구아닌 포스포리보실 전달효소(Hprt)의 비활성화LTVECs 단독 또는 CRISPR/Cas9와 복합하여 마우스 ES 세포에서 마우스 Hprt 좌가 표적화되었다. 32.9 kb의 완전한 Hprt 코딩 서열은 결손 및 pCAGG-Puro 퓨로마이신 저항성 선별 카세트로의 대체에 대하여 표적화되는데, 이 카세트는 또한 eGFP를 발현시켰다. 결손 단부 점들은 시작 및 종료 코돈이었다. 이용된 가이드 RNA 서열은 5'-GACCCGCAGUCCCAGCGUCG-3´ (서열 번호: 84)이었고, 이는 마우스 Hprt 유전자의 엑손 1을 표적으로 하였다. 예상되는 표적 부위 절단 위치는 상기 결손의 5' 단부로부터 22bp이다. ES 세포에서 관찰된 Cas9/gRNA 적중(on-target) 절단 효과는 ≥ 93%이었다. 표 16에 요약을 나타낸다. 완전한 32.9 kb Hprt 좌의 표적화를 지원하기 위하여 CRISPR/Cas9를 이용하면LTVEC 단독을 이용한 것보다 표적화가 5배 강화되었다.실시예 3: 렛 게놈 좌의 표적화된 변형 3.1: 렛 ESC 표적화: 렛 Rosa26 좌.렛 Rosa26 좌는 마우스에서와 같인 동일한 공간을 가지고, Setd5와 Thumpd3 유전자 사이에 있다. 렛 Rosa26 좌 (도 12, 패널 b)는 마우스 Rosa26 좌 (도 12, 패널 a)와 상이하다. 마우스 Rosa26 전사체는 2 또는 3개의 엑손으로 구성된다. 렛 좌는 마우스 엑손1 (Ex1a)에 대하여 상동성 엑손에 추가하여 두번째 엑손 1(Ex1b)를 함유한다. 렛에서 3번째 엑손은 확인되지 않았다. 렛 Rosa26 대립유전자의 표적화는 도 12c에서 도시되는데, 이때 D렛 ESC의 게놈 DNA를 이용하여 PCR에 의해 각 5kb의 상동성 아암이 클론되었다. 상기 표적화된 대립유전자는 상기 렛 Rosa26 인트론에서 117bp 결손을 대체하는 SA (접합 수용자)-lacZ-hUb-neo 카세트를 함유한다.상기 렛 Rosa26 좌에서 표적화 효과가 측정되었다 (표 17). 선형화된 벡터는 DA 또는 ACI 렛 ESCs 안으로 전기천공되었고, 표준 기술을 이용하여 2i 배지 + G418에서 형질감염된 콜로니가 배양되었다. 개별 콜로니를 찍어내어, 대립유전자 상실 분석(LOA)을 이용하여 스크리닝되었다 (Valenzuela, D. et al. (2003) High-throughput engineering of the mouse genome coupled with high-resolution expression analysis, Nature Biotech. 21:652-660, 본명세서 참고자료에 통합됨). Rosa26-표적화된 렛 ESC 클론을 이용하여 키메라 생산 및 생식계열 유전. 재확인된 Rosa26-표적화된 렛 ESC 클론은 SD 낭포로 현미주사되었고, 그 다음 표준 기술을 이용하여 가상임신된 SD 수용 암컷으로 이송되었다. 털 색으로 키메라가 식별되었고; 수컷 F0 키메라는 SD 암컷으로 사육되었다. 상기 표적화된 Rosa26 대립유전자의 존재에 대하여 생식계통 (아구티) F1 새끼들의 유전자유형이 확인되었고; 22마리 아구티 새끼중 9마리가 Rosa26 좌에서 이형접합성으로 유전자형이 확인되었다 (표 18).Rosa26 좌에서 유전적으로 변형된 대립유전자가 생식계열을 통하여 전달되었음을 확인하기 위하여, 이형접합성 Rosa26-표적화된 렛에서 X-gal 착색에 의해 lacZ 발현이 확인되었다. 14주령의 이형접합성 Rosa26-표적화된 렛의 뇌, 심장 및 흉선 그리고 폐의 X-gal 착색에서 lacZ의 발현이 나타났고 (차례로 도 13b, d, 그리고 f), 반면 연령대가 일치되는 야생형 대조는 낮은 수준의 배경 X-gal 착색 (차례로 도 13a, c, 및 e)을 나타내었다. E12.5 및 E 14.5 이형접합성 Rosa26-표적화된 렛 배아의 X-gal 착색에서 lacZ의 편재적 발현이 나타났고 (차례로 도 13g 및 i), 반면 대조 렛 배아는 낮은 수준의 배경 X-gal 착색 (차례로 도 13h 및 j)을 나타내었다.3.2.(a)(i) : 렛 아포리포단백질 E (ApoE) 좌의 표적화.렛 아포리포단백질 E (ApoE) 좌는 ApoE 기능을 파괴하기 위하여 표적화되었다. ApoE 좌에 상동성인 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 측면에 있는 lacZ-hUb-neo 카세트가 포함된 표적화된 벡터를 이용하여, ApoE 좌 표적화가 실행되었다. 도 20은 1.8 kb 결손 및 lacZ-hUb-neo 카세트의 삽입에 의해 파괴된 유전적으로 변형된 렛 ApoE 좌를 나타내는데, 이 카세트는 Protamine 프로모터에 의해 구동된 Crei 유전자가 포함된 자가-결손 Cre 카세트를 더 포함한다. 전기천공 조건은 다음과 같다: 6 ug DNA; 2.05 x 106 개의 세포; 400V; 200 uF: 342 V, 593 usec; 2i + 10 uM ROCKi에서 2x 밀도 neoR MEFs상에 도말. ApoE 좌에서 표적화 효과가 측정되었고, 표 19에 나타낸다. 선형화된 벡터는 DA 균주로부터 유도된 DA.2B 렛 ESCs 안으로 전기천공되었고, 표준 기술을 이용하여 형질감염된 콜로니가 배양되었다. 개별 콜로니를 찍어내어, 대립유전자 상실 분석(LOA)을 이용하여 스크리닝되었다. ApoE-표적화된 렛 ESC 클론을 이용하여 키메라 생산 및 생식계열 전달이 실행되었다. ApoE-표적화된 렛 ESC 클론은 SD 낭포로 현미주사되었고, 그 다음 표준 기술을 이용하여 가상임신된 SD 수용 암컷으로 이송되었다. 털 색으로 키메라가 식별되었고; 수컷 F0 키메라는 SD 암컷으로 사육되었다. 생식계통 전달이 이루어졌다. 상기 표적화된 ApoE 대립유전자의 존재에 대하여 F1 새끼들의 유전자유형을 확인하였다 (표 20).내생성 ApoE 프로모터에 의해 구동된 LacZ 발현은 12-주령의 ApoE +/-암컷 렛의 뇌, 혈액 혈관, 및 간에서 X-gal 착색에 의해 확인되었다 (차례로 도 43-45). 도 43-45에서는 내생성 ApoE의 발현 패턴이 반영된 lacZ의 발현 패턴을 보여준다. 연령-일치되는 야생형 대조는 낮은 수준의 배경 X-gal 착색을 보여준다. ApoE-결손된 렛의 표현형이 추가 연구되었다. 종단 혈청 화학 연구를 실행하여 3주 간격으로 콜레스테롤, LDL, HDL, 및 트리글리세리드 수준을 측정하였다. 도 46a-d는 표적화된 동형접합성, 표적화된 이형접합성, 및 야생형 렛의 6 주, 9 주, 12 주, 및 15 주령에서 혈청 콜레스테롤, LDL, HDL, 그리고 트리글리세리드 수준을 보여준다. 2마리 야생형 렛, 7마리 이형접합성 렛, 그리고 8마리 동형접합성 렛으로 구성된 연령-일치된 코호트에서 눈 출혈을 실시하였다. 수컷과 암컷 간의 유의적인 차이는 없었다. 동형접합성 ApoE-결손된 렛은 상승된 콜레스테롤 및 LDL 수준과 감소된 HDL 수준을 보여주었다. ApoE -/-마우스와는 달리, ApoE-결손된 렛에서 트리글리세리드의 유의적인 증가는 관찰되지 않았다. 실시된 추가 표현형 분석은 대동맥 활 플락 형성에 관한 조직학/생체외 영상촬영, 대동맥 활 플락 형성에 대한 생체내 영상촬영, 그리고 대동맥 활 내피에 대한 전사 변화 (전체 전사체 쇼트건 서열화 (RNA-Seq))를 포함한다. 이들 분석 시기는 플락 형성 시기에 따라 달라진다. ApoE -/-마우스의 경우 24 주 시점에 플락이 탐지가능하다.ApoE의 경우 추가 표적화 데이터는 표 22에서 제공된다.3.2.(a)(ii). 표적화 벡터와 함께 렛에서 ApoE 표적화도 20은 렛 ApoE 좌 및 표적화 플라스미드를 도식화한다. 도 20의 상위 그림은 렛 ApoE 좌의 게놈 구조와 5' 및 3' 상동성 아암 (각각 차례로 5 kb 및 5.4 kb; 짙은 회색 상자)에 대응하는 게놈 영역을 나타낸다. ApoE의 엑손은 넌-코딩이며, 5' 상동성 아암에 가장 가까운 개방 상자로 나타낸다. ApoE의 3개 인트론은 선으로 표시되며, 엑손 2와 3은 코딩 영역을 포함하고, 반점 회색 상자로 나타낸다. 엑손 4는 코딩 서열과 넌-코딩 서열을 모두 포함하며, 반점 회색 음영 및 개방 상자로 나타낸다. 도 20의 하부 도식은 상기 표적화 벡터다. 5' 및 3' 상동성 아암 (각각 차례로 5 kb 및 5.4 kb)은 짙은 회색 상자로 표시된다. 상기 표적화 벡터는 리포터 유전자 (lacZ)와 loxP 부위들의 측면에 있는 자가-결손 카세트 (개방 화살표)를 포함한다. 자가-결손 카세트는 마우스 Prm1 프로모터에 작동가능하도록 연계된 Crei 유전자와 인간 유비퀴틴 프로모터에 작동가능하도록 네오마이신 저항성 유전자가 포함된 선별 카세트를 포함한다. Crei 유전자는 2개의 엑손을 포함하는데, 이들은 원핵 세포 안에서 이의 발현을 방지하기 위하여 인트론(Crei)에 의해 분리되어 있다.　 예를 들면, 자가-결손 카세트를 상세하게 설명하는 U.S. 특허 8,697,851 및 U.S. 출원 공개 2013-0312129 참고하며, 이들의 내용은 본 명세서에 전문이 참고자료에 편입된다. Prm1 프로모터를 이용하여, F0 렛의 수컷 생식 세포에서 상기 자가-결손 카세트는 특이적으로 결손될 수 있다. 상기 표적화 벡터는 실시예 1에서 획득된 렛 ES 세포 안으로 전기천공되었고, 상기 세포는 2i + 10 uM ROCKi에서 15 cm 2x 밀도 네오마이신-저항성 MEFs에 도말되었다. 상기 형질변환된 렛 ES 세포는 실시예 1에서 설명된 바와 같이 배양되고, 선별되고, 그리고 유지되었다. 표 44에 나타난 바와 같이, 384개 콜로니가 스크리닝되었고, 23개의 표적화된 클론이 획득되었다. 상기 표적화 효과는 5.99%이었다. 실시예 1에서 설명된 바와 같이 3개 클론이 낭포 안으로 주사되었다. 키메라를 생산하는 3개 클론이 획득되었고, 이들 클론중 1개가 생식계열을 통하여 상기 표적화된 변형을 전달하였다. 3.2.(a)(iii). 아연 핑커 뉴클레아제와 복합하여 표적화 벡터를 이용한 렛에서의 ApoE 표적화렛 ApoE 좌를 표적화하기 위하여 실시예 3.2(a)(ii)에서 이용된 표적화 벡터는 아연 핑거 뉴클레아제와 복합 이용되었다. 표 21은 상기 렛 ApoE 좌의 게놈 조직의 요약을 제공한다. 표 21에 나타낸 위치는 상기 렛 게놈 (ENSMBL)의 참고 서열 빌드(build) 5.0에서 취한 것이다. ApoE는 염색체 1의 (-) 가닥에 있다. 도 11은 렛 ApoE 좌를 도식한 것으로, ZFN1 및 ZFN2의 절단 부위를 나타내는 회색 막대를 나타낸다. ZFN1의 컷팅 부위는 엑손 3에 있고, ZNF2의 컷팅 부위는 인트론 3에 있다. ZFN 양쪽 부위들의 정확한 위치는 표 21에서 제시된다. 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 5 kb 및 5.4 kb)에 대응하는 게놈 영역은 짙은 회색 상자로 표시된다. ApoE의 엑손은 넌-코딩이며, 5' 상동성 아암에 가장 가까운 개방 상자로 나타낸다. ApoE 유전자의 3개 인트론은 선으로 표시되며, 엑손 2와 3은 코딩 영역을 포함하고, 반점 회색 상자로 나타낸다. 엑손 4는 코딩 서열과 넌-코딩 서열을 모두 포함하며, 반점 회색 음영 및 개방 상자로 나타낸다. 이용된 표적화 벡터는 실시예 3.2(a)(ii)의 것과 동일하고, 도 20에 나타내며, 도 21a는 아연-핑거 뉴클레아제와 도 20에 나타낸 상기 표적화 벡터를 이용하여 렛 ES 세포에서 ApoE 좌의 표적화를 도식으로 제공한다. ZFNs는 2개의 발현 플라스미드로 도입되었는데, 한 개의 플라스미드는 ZFN 쌍의 각 절반이 된다. ZFN1용 플라스미드 20 ug과 ZFN2용 플라스미드 20 ug이 이용되었다. ZFNs는 Sigma로부터 구입하였다. 각 ZFN의 발현은 CMV 프로모터에 의해 구동되었다. 상기 표적화 벡터는 실시예 1에서 획득된 렛 ES 세포 안으로 전기천공되었고, 상기 세포는 2i + 10 uM ROCKi에서 15 cm 2x 밀도 neoR MEFs에 도말되었다. 상기 형질변환된 렛 ES 세포는 실시예 1에서 설명된 바와 같이 배양되고, 선별되고, 그리고 유지되었다. 표 22와 표 44에 나타난 바와 같이, 384개 콜로니가 스크리닝되었고, 290개의 표적화된 클론이 획득되었다. 상기 표적화 효과는 75.52%이었다. 실시예 1에서 설명된 바와 같이 2개 클론이 낭포 안으로 주사되었다 키메라를 생산하는 2개 클론이 획득되었고, 이들 클론중 1개가 생식계열을 통하여 상기 표적화된 변형을 전달하였다. 더욱이, ZFN1 및 ZFN2를 이용하여 8개 이중대립형질 표적화된 클론을 만들었으며, 효과는 2.08%이었다. 3.2.(b)(i): 큰 표적화 벡터(LTC)를 이용하여 렛 아포리포단백질 E (ApoE) 좌의 표적화된 변형ApoE 좌에 약 45 kb의 5' 상동성 아암과 약 23 Kb의 ApoE 좌에 약 23 Kb의 3' 상동성 아암의 측면에 있는 lacZ-마우스 Prm1-Crei 카세트가 포함된 큰 표적화 벡터 (LTVEC)를 이용하여 ApoE 좌의 표적화가 실행된다. 도 22는 1.83 kb 결손과 lacZ 유전자 및 mPrm1-Crei 카세트와 hUb-neo 선별 카세트가 포함된 자가-결손 카세트의 삽입에 의해 ApoE 좌가 파괴된 렛 ApoE 좌를 나타낸다. 실시예 3.2(a)(i)에 이용된 방법을 이용하여 이 벡터를 렛 ES 세포 안으로 도입시킬 수 있다. 실시예 3.2.(b)(ii). 큰 표적화 벡터 (LTVEC)를 이용한 렛 ApoE 좌의 표적화 도 22는 렛 ApoE 좌와 큰 표적화 벡터 (LTVEC)를 도식화한 것을 제공한다. 도 22의 상위 도식은 렛 ApoE 좌와 5' 및 3' 상동성 아암 (각각 차례로 45 kb 및 23 kb; 짙은 회색 상자)에 대응하는 게놈 영역의 게놈 조직을 나타낸다. ApoE의 엑손은 넌-코딩이며, 5' 상동성 아암에 가장 가까운 개방 상자로 나타낸다. ApoE의 3개 인트론은 선으로 표시되며, 엑손 2와 3은 코딩 영역을 포함하고, 반점 회색 상자로 나타낸다. 엑손 4는 코딩 서열과 넌-코딩 서열을 모두 포함하며, 반점 회색 음영 및 개방 상자로 나타낸다. 도 22의 하부 도식은 LTVEC이다. 5' 및 3' 상동성 아암 (각각 차례로 45 kb 및 23 kb)은 짙은 회색 상자로 표시된다. 상기 표적화 벡터는 리포터 유전자 (lacZ)와 loxP 부위들 (개방 화살표)의 측면에 있는 자가-결손 카세트를 포함하는데, 이 카세트는 마우스 Prm1 프로모터에 작동가능하도록 연계된 Crei 유전자, 그리고 인간 유비퀴틴 프로모터에 작동가능하도록 연계된 네오마이신 저항성 유전자가 포함된 약물 선별 카세트를 포함한다. Crei는 2개의 엑손을 포함하는데, 이들은 원핵 세포 안에서 이의 발현을 방지하기 위하여 인트론(Crei)에 의해 분리되어 있다.　 예를 들면, 자가-결손 카세트를 상세하게 설명하는 U.S. 특허 8,697,851 및 U.S. 출원 공개 2013-0312129 참고하며, 이들의 내용은 본 명세서에 전문이 참고자료에 편입된다. 마우스 Prm1 프로모터를 이용하여, F0 렛의 수컷 생식 세포에서 상기 자가-결손 카세트는 특이적으로 결손될 수 있다. 상기 LTVEC는 실시예 1에서 획득된 렛 ES 세포 안으로 전기천공되었고, 상기 세포는 2i + 10 uM ROCKi에서 15 cm 2x 밀도 neoR MEFs에 도말되었다. 상기 형질변환된 렛 ES 세포는 실시예 1에서 설명된 바와 같이 배양되고, 선별되고, 그리고 유지되었다. 표 44에 나타난 바와 같이, 288개 콜로니가 스크리닝되었고, 8개의 표적화된 클론이 획득되었다. 상기 표적화 효과는 2.78%이었다. 키메라 렛 (F0)을 생산하기 위하여, 실시예 2에서 설명된 바와 같이 낭포 단계에서 숙주 배아로 3개 클론이 주사되었다. 더욱이, 한 개의 이중대립형질 표적화된 클론이 생산되었고, 이중대립형질 효과는 0.35%이었다. 3.2.(b)(iii). 아연 핑커 뉴클레아제와 복합하여 큰표적화 벡터(LTVEC)를 이용한 렛에서의 ApoE 표적화 렛 ApoE 좌를 표적화하기 위하여 실시예 3.2.(b)(ii)에서 이용된 LTVEC는 아연 핑거 뉴클레아제와 복합 이용되었다. 표 21은 렛 ApoE 좌의 게놈 조직을 요약한 것이고, 나타낸 위치는 상기 렛 게놈 (ENSMBL)의 참고 서열 빌드(build) 5.0에서 취한 것이다. 도 23은 렛 ApoE 좌를 도식한 것으로, ZFN1 및 ZFN2의 절단 부위를 나타내는 회색 막대를 나타낸다. ZFN1의 컷팅 부위는 t 엑손 3에 있고, ZNF2의 컷팅 부위는 인트론 3에 있다. ZFN 양쪽 부위들의 정확한 위치는 표 21에서 제시된다. 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 (각각 차례로 45 kb 및 23 kb)은 짙은 회색 상자로 표시된다. ApoE 유전자의 엑손은 넌-코딩(non-coding)이며, 5' 상동성 아암에 가장 가까운 개방 상자로 나타낸다. ApoE 유전자의 3개 인트론은 선으로 표시된다. 엑손 2와 3은 코딩 영역을 포함하고, 반점 회색 상자로 나타낸다. 엑손 4는 코딩 서열과 넌-코딩 서열을 모두 포함하며, 반점 회색 음영 및 개방 상자로 나타낸다. 이용된 LTVEC는 실시예 3.2(b)(ii)의 것과 같고, 도 22에 나타낸다. ZFNs는 2개의 발현 플라스미드로 도입되었는데, 한 개의 플라스미드는 ZFN 쌍의 각 절반이 된다. ZFN1용 플라스미드 20 ug과 ZFN2용 플라스미드 20 ug이 이용되었다. ZFNs는 Sigma로부터 구입하였다. 각 ZFN의 발현은 CMV 프로모터에 의해 구동되었다.상기 표적화 벡터는 실시예 1에서 획득된 렛 ES 세포 안으로 전기천공되었고, 상기 세포는 2i + 10 uM ROCKi에서 15 cm 2x 밀도 neoR MEFs에 도말되었다. 상기 형질변환된 렛 ES 세포는 실시예 1에서 설명된 바와 같이 배양되고, 선별되고, 그리고 유지되었다. 표 44에 나타난 바와 같이, 288개 콜로니가 스크리닝되었고, 16개의 표적화된 클론이 획득되었다. 상기 표적화 효과는 5.56%이었다. 실시예 2에서 설명된 바와 같이 1개 클론이 낭포 안으로 주사되었다. 더욱이, ZFN1 및 ZFN2를 이용하여 1개 이중대립형질 표적화된 클론을 만들었으며, 효과는 0.35%이었다. 3.2.(b)(iv). CRISPR/Cas9와 복합하여 큰표적화 벡터(LTVEC)를 이용한 렛에서의 ApoE 표적화 렛 ApoE 좌를 표적화하기 위하여 실시예 3.2.(b)(ii)에서 이용된 LTVEC는 CRISPR/Cas9와 복합 이용되었다. 표 23은 실험 결과 비교를 나타내는데, 이때 ApoE LTVEC는 단독으로 상기 렛 ApoE 좌를 표적화시키데 이용되거나, 또는 CRISPR/Cas9 뉴클레아제와 복합되어 상기 렛 ApoE 좌를 표적화시키는데 이용되었다. 각 실험에서, 전기천공된 세포는 고밀도로 도말되었고, 약물-저항성인 콜로니를 찾기 위하여 약물 선별을 받게 되었다. 약물-저항성 콜로니를 찍어내었고, 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 상기 대립유전자의 변형 (MOA) 분석을 이용하여 상기 표적화된 변형에 대해 스크리닝되었다. 특이적으로, 4 x 106개의 세포는 400V 전압, 100 uF 전기용량, 저항성 0에서 2 ug의 ApoE LTVEC로 전기천공되었다. 나중 실험에서, 6 ug의 Cas9 발현 플라스미드와 3 ug의 ApoE gRNA2 또는 3 ug의 ApoE gRNA3가 또한 전기천공되었다. 75 ug/mL의 G418를 이용하여 선별이 실행되었다. ApoE gRNA2는 서열 GCAGGCCCTGAACCGCTTCTTGG (서열 번호: 87) 을 보유하며, 렛 ApoE 엑손 3의 시작의 3' 67bp 영역을 표적으로 한다. ApoE gRNA3은 서열 CCTGCGCTGGGTGCAGACGCTTT (서열 번호: 88)을 보유하며, 렛 ApoE 엑손 3의 시작의 3' 97bp 영역을 표적으로 한다(도 47 참고). 표 23에서 나타낸 바와 같이, Cas9와 어느 쪽이던 gRNAs가 ApoE LTVEC와 함께 상기 세포 안으로 도입되었을 때, 표적화 효과는 증가되었다(43%에서 53% 또는 47%로). 이중대립형질 표적화는 ApoE gRNA2 또는 3과 복합된 ApoE LTVEC로 표적화된 5개 콜로니에서 관찰되었는지만, ApoE LTVEC 단독에서는 이중대립형질 표적화가 관찰되지 않았다.3.3(a): 렛 인터루킨-2 수용체 감마 (IL2r-γ) 좌의 표적화IL2r-γ 기능을 파괴시키기 위하여, 렛 인터루킨-2 수용체 감마 (IL2r-γ 또는 Il2rg) 좌가 표적화되었다. IL2r-γ는 IL-2, IL-4, IL-7, IL-9, IL-15, IL-21에 의한 신호생성에 중요한 역할을 하며, IL2r-γ에서 돌연변이는 T, B 및 NK 세포 개발에서 몇 가지 결함과 연합된다. 도 24에서 나타낸 것과 같이, IL2r-γ 좌에 대한 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암 상동성의 측면에 있는 eGFP-hUb-neo 카세트가 포함된 표적화 벡터를 이용하여 IL2r-γ 좌의 표적화가 실행되었다. 도 25는 상기 렛 IL2r-γ 좌의 게놈 구조를 나타내는데, 이때 IL2r-γ 좌는 3.2 kb 결손에 의해 파괴되었다. 상기 표적화된 IL2r-γ 좌는 또한 eGFP 유전자, 마우스 Protamine1 프로모터에 작동가능하도록 연계된 Crei를 내포하는 자가-결손 카세트, 그리고 네오마이신 저항성 유전자에 작동가능하도록 연계된 hUb 프로모터가 포함된 약물 선별 카세트를 포함하였다.IL2r-γ 좌에서 표적화 효과를 측정하였고, 표 24에 나타낸다. 선형화된 벡터는 DA.2B 렛 ESCs 안으로 전기천공되며, 표준 기술을 이용하여 형질감염된 콜로니가 배양되었다. 개별 콜로니를 찍어내어, 대립유전자 상실 분석(LOA)을 이용하여 스크리닝되었다. IL2r-γ-표적화된 렛 ESC 클론을 이용하여 키메라 생산 및 생식계열 전달이 실행되었다. IL2r-γ-표적화된 렛 ESC 클론은 SD 낭포로 현미주사되었고, 그 다음 표준 기술을 이용하여 가상임신된 SD 수용 암컷으로 이송되었다. 털 색으로 키메라가 식별되었고; 수컷 F0 키메라는 SD 암컷으로 사육되었다. 상기 표적화된 IL2r-γ 대립유전자의 존재에 대하여 생식계통 F1 새끼들의 유전자유형을 확인하였다(표 25). 클론 Il2rg-CG12의 또다른 현미 주사 실험에서, 생식계열 전달은 털 색깔 및 유전자형분석에 의해 또한 확인되었다.Il2rg -/Y 키메라 #3이 더 연구되었다. 말초 혈액 단핵 세포 (PBMCs)는 몇 가지 림프구 계통에서 항원을 인지하는 항체로 착색되었다. 도 30에서 나타낸 것과 같이, 상기 키메라중 2개에서 GFP-양성 PBMCs가 탐지되었다. 더욱이, GFP+ 세포는 T-세포 표지 CD3에 대하여 음성이었으며 (도 29a), 그리고 B-세포 표지 B220 및 NK 세포 표지 CD161a에 대하여 대부분 음성이었다 (차례로 도 29b 및 c). 야생형 렛의 PBMCs는 GFP 발현에 대하여 음성 대조군으로 이용되었다. 도 29d-f 참고. 작은 이중-양성 집단은 마우스에서 공개된 Il2rg 녹아웃 표현형과 일치한다. IL2 수용체 감마-양성 세포를 포함하는 키메라 렛으로부터 데이터를 얻었으며, 이는 표현형 분석을 복합하게 할 수 있다. 림프구 수의 대응하는 감소를 밝히기 위하여 골수 및 비장의 세포 집단에 유동세포 분석이 또한 실행될 수 있다. Mashimo et al. (2010) PLoS One 5(1):e8870 참고.3.3(b): 렛 인터루킨-2 수용체 감마(IL2r-γ) 좌의 표적화된 변형IL2r-γ 기능을 파괴시키기 위하여 렛 인터루킨-2 수용체 감마 (IL2r-γ) 좌가 표적화되었다. 도 25는 렛 Il2rg 좌 (도 25의 상부 패널)의 게놈 구조와 좌 안으로 도입된 표적화 벡터 (도 25의 하부 패널)를 나타낸다. eGFP가 리포터로 선택되어, FACS를 이용하여 상기 유전적으로 변형된 렛의 면역표현형이 검사될 것이다. 자가-결손 카세트 (hUb-Neo; Prm1-Cre)를 이용하여 상기 F0 렛의 수컷 생식 세포에서 특이적으로 약물 선별 카세트와 Cre 유전자를 결손시켰다. 추가적으로, 렛 Il2rg 유전자의 전체 코딩 영역 (약 3.2 kb)을 제거하기 위하여 표적화된 벡터가 기획되었다. 렛 ESCs에서 결손 크기는 상기 렛 Il2rg 좌에 특이적인 프라이머를 이용한 PCR에 의해 확인되었다. 낭포 단계에서 숙주 배아 안으로 표적화된 클론의 현미주사시에, 높은 비율읜 키메라가 획득되었다. 출혈용으로 이들 키메라가 준비되었다. 상기 표적화가 예상과 같이 작용했는지를 판단하기 위하여, 출혈 전에 키메라의 말초 혈액을 수거하였고, 말초 혈액에서 면역 세포의 표현형은 FACS를 통하여 분석되었다. 도 30에 나타낸 것과 같이, 검사된 3개 키메라중 2개의 말초 혈액에서 GFP-양성 세포가 탐지되었고, 상기 키메라 렛은 GFP (가령, Il2rg KO 세포) 에 대하여 양성인 1% 미만의 T 세포, 1% 미만의 B 세포, 그리고 1% 미만의 NK-세포를 내포하였다. (도 29a-c). 3.4(a)(i). 큰 표적화벡터(LTVEC)를 이용한 렛에서의 Rag2 좌의 표적화표 26은 렛 Rag2 좌의 게놈 조직을 요약한 것이고, 나타낸 위치는 상기 렛 게놈 (ENSMBL)의 참고 서열 빌드(build) 5.0에서 취한 것이다. Rag2는 염색체 3의 (+) 가닥에 있다. 도 26은 렛 Rag2 좌와 큰 표적화 벡터 (LTVEC)를 도식화한 것을 제공한다. 상기 LTVEC는 140 kb이며, 결손에 대하여 상기 렛 Rag2 좌의 대략적으로 5.7 kb 부분을 표적으로 한다. 도 26의 상위 도식은 렛 ApoE 좌와 5' 및 3' 상동성 아암 (각각 차례로 48 kb 및 84 kb; 짙은 회색 상자)에 대응하는 게놈 영역의 게놈 조직을 나타낸다. Rag2는 반점 회색 음영으로 표시된 단일 엑손을 포함한다. 도 26의 하부 도식은 LTVEC이다. 5' 및 3' 상동성 아암 (각각 차례로 48 kb 및 84 kb)은 짙은 회색 상자로 표시된다. 상기 LTVEC는 리포터 유전자 (lacZ)와 loxP 부위들의 측면에 있는 자가-결손 카세트 (개방 화살표)를 포함한다. 상기 자가-결손 카세트는 Crei 유전자에 작동가능하도록 연계된 마우스 Prm1 프로모터와 네오마이신 저항성 유전자에 작동가능하도록 연계된 인간 유비퀴틴 프로모터를 포함하는 약물 선별 카세트를 포함한다. 또다른 형태의 LTVEC가 생성되었는데, 이때 네오마이신 저항성 유전자는 히그로마이신 저항성 유전자로 대체되어, Il2rg-표적화된 렛 ES 세포의 재표적화를 가능하게 하였다. Crei는 2개의 엑손을 포함하는데, 이들은 원핵 세포 안에서 이의 발현을 방지하기 위하여 인트론(Crei)에 의해 분리되어 있다. 예를 들면, 자가-결손 카세트를 상세하게 설명하는 U.S. 특허 8,697,851 및 U.S. 출원 공개 2013-0312129 참고하며, 이들의 내용은 본 명세서에 전문이 참고자료에 편입된다. 마우스 Prm1 프로모터를 이용하여, F0 렛의 수컷 생식 세포에서 상기 자가-결손 카세트는 특이적으로 결손될 수 있다. 상기 LTVEC는 실시예 1에서 획득된 렛 ES 세포 안으로 전기천공되었고, 상기 세포는 2i + 10 uM ROCKi에서 15 cm 2x 밀도 neoR MEFs에 도말되었다. 상기 형질변환된 렛 ES 세포는 실시예 1에서 설명된 바와 같이 배양되고, 그리고 유지되었다. 콜로니는 본 명세서의 도처에서 설명된 바와 같이 스크리닝되고, 표적화된 클론이 획득된다. 그 다음 본 명세서의 도처에서 설명된 바와 같이 상기 표적화된 클론은 숙주 배아로 주사되어 F0 렛이 생산된다. 3.4(a)(ii). 큰 표적화벡터(LTVEC) 및 CRISPR/Cas9를 이용한 렛에서의 Rag2 좌의 표적화표 27은 실험 결과 비교를 나타내는데, 이때 히그로마이신 저항성 유전자를 갖는 Rag2 LTVEC 형태 (도 48)를 단독으로 이용하여 렛 Rag2 좌를 표적화시키거나, 또는 CRISPR/Cas9 뉴클레아제와 복합되어 이용되어 상기 렛 Rag2 좌를 표적화시켰다. 각 실험에서, 전기천공된 세포는 고밀도로 도말되었고, 약물-저항성인 콜로니를 찾기 위하여 약물 선별을 받게 되었다. 약물-저항성 콜로니를 찍어내었고, 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 상기 대립유전자의 변형 (MOA) 분석을 이용하여 상기 표적화된 변형에 대해 스크리닝되었다. 특이적으로, 4 x 106개의 세포는 400V 전압, 100 uF 전기용량, 저항성 0에서 2 ug의 Rag2 LTVEC로 전기천공되었다. 나중 실험에서, 6 ug의 Cas9 발현 플라스미드와 Rag2 gRNA1 또는 3 ug의 Rag2 gRNA4가 또한 전기천공되었다. 75 ug/mL의 G418를 이용하여 선별이 실행되었다. Rag2 gRNA1은 서열 CCAGCTACTTGCTCGTACAA (서열 번호: 89)을 보유하며, 상기 렛 Rag2 시작 코돈 (ATG)의 3' 219bp 영역을 표적으로 한다. Rag2 gRNA4는 서열 CCCCTCAGATTCACGTGCGT (서열 번호: 90)을 갖고, 상기 렛 Rag2 정지 코돈 (TAG)의 3' 12bp 영역을 표적으로 한다(도 48 참고). 표 27에서 나타낸 바와 같이, Cas9와 어느쪽이던 gRNAs가 Rag2 LTVEC와 함께 상기 세포 안으로 도입되었을 때, 표적화 효과는 증가되었다(0%에서 10% 또는 38%로). 한개 콜로니에서 이중대립형질 표적화가 관찰되었다. 3.4.(b)(i): 렛에서 Rag1 및 Rag 2 좌의 표적화도 27은 상기 렛 Rag1/Rag2 좌의 게놈 구조를 제공한다. CDS는 코딩 서열을 나타내고, 회색 상자는 엑손을 나타낸다. Rag2는 우측으로 전사되는 "플러스" 가닥 상에 있다. Rag1는 좌측으로 전사되는 "마이너스" 가닥 상에 있다. Mbp = 백만 염기 쌍.표 28은 렛 Rag2 좌 및 Rag1 좌의 놈 조직을 요약한 것이고, 나타낸 위치는 상기 렛 게놈 (ENSMBL)의 참고 서열 빌드(build) 5.0에서 취한 것이다. Rag1은 염색체 3의 (-) 가닥에 있다. 도 28은 렛 Rag2 좌 및 Rag1 좌와 큰 표적화 벡터 (LTVEC)를 도식화한 것을 제공한다. 상기 LTVEC는 약 70 kb이며, 결손에 대하여 Rag1 및 Rag2 좌를 포함하는 대략적으로 16.6 kb 렛 게놈 좌를 표적으로 한다. 도 28의 상위도식은 렛 Rag1 및 Rag2 좌와 5' 및 3' 상동성 아암 (각각 차례로 48 kb 및 15 kb; 짙은 회색 상자)에 대응하는 게놈 영역의 게놈 조직을 나타낸다. Rag2 및 Rag 1은 각각 반점 회색 음영으로 표시된 단일 엑손을 포함한다. 도 28의 하부 도식은 LTVEC이다. 5' 및 3' 상동성 아암 (각각 차례로 48 kb 및 15 kb)은 짙은 회색 상자로 표시된다. 상기 LTVEC는 리포터 유전자 (lacZ)와 loxP 부위들의 측면에 있는 자가-결손 카세트 (개방 화살표)를 포함한다. 상기 자가-결손 카세트는 Crei 유전자에 작동가능하도록 연계된 렛 Prm1 프로모터와 네오마이신 저항성 유전자에 작동가능하도록 연계된 인간 유비퀴틴 프로모터를 포함하는 약물 선별 카세트를 포함한다. 또다른 형태의 LTVEC가 생성되었는데, 이때 네오마이신 저항성 유전자는 히그로마이신 저항성 유전자로 대체되어, Il2rg-표적화된 렛 ES 세포의 재표적화를 가능하게 하였다. Crei는 2개의 엑손을 포함하는데, 이들은 원핵 세포 안에서 이의 발현을 방지하기 위하여 인트론(Crei)에 의해 분리되어 있다.　 예를 들면, 자가-결손 카세트를 상세하게 설명하는 U.S. 특허 8,697,851 및 U.S. 출원 공개 2013-0312129 참고하며, 이들의 내용은 본 명세서에 전문이 참고자료에 편입된다. 수컷 생식 세포에서 특이적으로 Crei의 발현을 구동시키는 렛 Prm1 프로모터를 이용함으로써, F0 렛의 수컷 생식 세포에서 상기 자가-결손 카세트는 특이적으로 결손될 수 있다.상기 LTVEC는 실시예 1에서 획득된 렛 ES 세포 안으로 전기천공되었고, 상기 세포는 2i + 10 uM ROCKi에서 15 cm 2x 밀도 neoR MEFs에 도말되었다. 상기 형질변환된 렛 ES 세포는 실시예 1에서 설명된 바와 같이 배양되고, 그리고 유지되었다. 콜로니는 본 명세서의 도처에서 설명된 바와 같이 스크리닝되고, 표적화된 클론이 획득된다. 그 다음 본 명세서의 도처에서 설명된 바와 같이 상기 표적화된 클론은 숙주 배아로 주사되어 F0 렛이 생산된다.3.4.(b)(ii): Il2rg 좌가 이미 표적화된 렛 ES 세포에서 Rag1과 Rag2 좌의 재표적화결손용으로 Rag1 및 Rag2 좌를 표적으로 하기 위하여, 도 50에서와 같은 LTVEC를 준비하였다. LTVEC의 전체 길이는 72 kb이었다. 실시예 3.3에서와 같이, Il2rg 좌 결손에 대해 이미 표적화된 렛 ES 세포로 LTVEC는 전기천공되었다. 구체적으로, 클론 Il2rg-CG12으로부터 렛 ES 세포를 얻었고, 이의 생식계열 전달은 실시예 3.3(a)에서 확인되었다. 상기 형질변환된 렛 ES 세포는 실시예 1에서 설명된 바와 같이 배양되고, 그리고 유지되었다. 이중 표적화된 클론은 본 명세서의 도처에서 설명된 바와 같이 스크리닝되고, 표적화된 클론이 획득되었다. Il2rg-CG12 세포는 85%의 효과에서 재표적화되었고, Il2rg 돌연변이는 상기 표적화된 클론에 여전히 존재하였다. 전기천공은 본 명세서의 도처에서 설명된 바와 같이 실시되었고, 항생제 선별은 1.5 ug/ml의 퓨로마이신을 이용하여 실시하였다. 그 다음 본 명세서의 도처에서 설명된 바와 같이 상기 표적화된 클론은 숙주 배아로 주사되어 F0 렛이 생산될 것이다. 재표적화는 Rag1/Rag2-표적화된 렛과 Il2rg-표적화된 렛의 상호교배보다 더 신속하기 때문에 유익하다. 실시예 4. 인간화(Humanization) 4.1. 렛 게놈 좌의인간화 렛 게놈 좌들의 인간화는 본 명세서에서 설명된 렛 ES 세포를 이용하여 실시되는데, 이 세포들은 시험관에서 하나 또는 그 이상의 전기천공 후 이들의 전분화능을 지속할 수 있고, 후세대로 상기 표적화된 유전적 변형을 유전시킬 수 있다. 추가적으로, 큰 게놈 DNA 단편을 수용하는데 있어서 플라스미드의 한계를 회피하고, 그리고 렛 ES 세포의 내생성 좌 안으로 표적화된 유전적 변형을 도입시키는데 있어서 낮은 효과를 극복하기 위하여, 하나 또는 그 이상의 표적화된 유전적 변형은 세균, 가령, 대장균(E. coli)에서 세균성 상동성 재조합 (BHR)을 이용하고, 큰 표적화 벡터 (LTVEC)를 사용함으로써 실행된다 본 명세서에서 설명된 LTVEC는 예를 들면, 하나 또는 그 이상의 변형을 가진 내생성 렛 게놈 서열의 큰 단편을 포함하거나, 또는 특이적 게놈 영역에 상보적인 렛 상동성 아암 측면에 있는 외생성 핵산 (가령, 상동성 또는 이종상동성 인간 핵산)을 포함한다. 4.2. 렛 면역글로블린 좌의 인간화내생성 렛 면역글로블린 중쇄 좌의 인간화는 하나 또는 그 이상의 내생성 렛 면역글로블린 중쇄 핵산 서열 (가령, 하나 또는 그 이상의 내생성 VH 유전자 세그먼트, 하나 또는 그 이상의 인간 D 유전자 세그먼트, 및 하나 또는 그 이상의 인간 JH 유전자 세그먼트)을 제거하고; 그리고 상기 변형된 면역글로블린 좌 안으로 표적화 벡터, 가령, 다음을 포함하는 큰 표적화 벡터 (LTVEC)를 도입시킴으로써 실행된다: (i) 하나 또는 그 이상의 재배열안된 인간 가변 영역 핵산 서열 (가령, 하나 또는 그 이상의 인간 VH 유전자 세그먼트, 하나 또는 그 이상의 인간 D 유전자 세그먼트, 그리고 하나 또는 그 이상의 인간 JH 유전자 세그먼트), 또는 하나 또는 그 이상의 재배열된 인간 가변 영역 핵산 서열 (가령, 하나 또는 그 이상의 인간 재배열된 V-D-J 유전자 세그먼트); (ii) 선별 카세트 (가령, loxP 부위들을 측면에 가진 네오마이신 저항성 유전자); 그리고 (iii) 5' 상동성 아암과 3' 렛 상동성 아암. 간략하게 설명하자면, 렛 BAC 클론에서 하나 또는 그 이상의 내생성 렛 면역글로블린 중쇄 가변 영역 유전자 세그먼트 (가령, 하나 또는 그 이상의 VH 유전자 세그먼트, 하나 또는 그 이상의 인간 D 유전자 세그먼트, 그리고 하나 또는 그 이상의 인간 JH 유전자 세그먼트)는 렛 상동성 아암의 측면에 있는 선별 카세트를 가진 내생성 렛 면역글로블린 중쇄 좌를 표적화시킴으로써, 제거되거나 또는 비활성화된다. 더욱 구체적으로, 표적 렛 게놈 서열에 상보적인 5' 상동성 아암과 3' 렛 상동성 아암의 측면에 있는 선별 카세트 (가령, loxP 부위들의 측면에 있는 네오마이신 저항성 유전자)를 포함하도록 표적화 벡터가 구축된다 (가령, 상류 및 하류 렛 게놈 DNA 서열은 하나 또는 그 이상의 렛 VH 유전자 세그먼트, 하나 또는 그 이상의 인간 D 유전자 세그먼트, 그리고 하나 또는 그 이상의 인간 JH 유전자 세그먼트를 포괄한다). 그 다음, 렛 면역글로블린 중쇄 좌를 포괄하는 렛 게놈 큰 DNA 단편을 가진 세균성 세포가 선별되고, 일시적 유도성 프로모터에 작동가능하도록 연계된 재조합효소를 인코드하는 플라스미드 (가령, pABG)에 의해 도입된다. 그 다음 상기와 같이 구축된 표적화 벡터는 상기 재조합-수행능력 세균성 세포 안으로 도입된다. 전기천공 후, 상기 세균성 세포는 유도인자 (가령, 아라비노시드)로 처리되어, BAC 클론 하에서 상기 표적화 벡터와 상기 표적 렛 게놈 서열간에 상동성 재조합이 시작된다. 형질변환된 세포는 고밀도로 도말되었고, 약물-저항성인 콜로니를 찾기 위하여 약물 선별을 받게 되었다. 약물-저항성 콜로니를 찍어내었고, 상기 표적화된 변형에 대해 스크리닝되었다. 상기 표적화된 유전적 변형의 식별을 촉진시키기 위하여, a 고처리량 정량적 분석, 이름하여, 대립유전자의 변형 (MOA) 분석이 이용되는데, 이는 부계 염색체에서 변형된 대립유전자(들)의 대규모 스크리닝을 허용한다. MOA 분석은 정량적 PCR, 가령, 실시간 PCR (qPCR)을 포함하나, 이에 국한되지 않은 다양한 분석 기술을 통하여 실행될 수 있다. 예를 들면, 실시간 PCR은 상기 표적 좌를 인지하는 제 1 프라이머 세트와 비-표적화된 참고 좌를 인지하는 제 2 프라이머 세트를 포함한다. 추가적으로, 상기 프라이머 세트는 증폭된 서열을 인지하는 형광 프로브를 포함한다. 대안으로, 상기 정량적 분석은 형광물질-중개된 제자리(in situ) 혼성화 (FISH), 상대적 게놈 혼성화, 등온선 DNA 증폭, 고정된 프로브(들)에 대한 정량적 혼성화, Invader Probes��, MMP 분석��, TaqMan�� Molecular Beacon, 그리고 Eclipse™ 프로브 기술이 포함되나, 이에 국한되지 않은 다양한 분석 기술을 통하여 실시될 수 있다. (예를 들면, US2005/0144655 참고하며, 이의 전문이 참고자료에 편입됨).상기 변형된 렛 BAC 클론, 가령, BAC 클론 내포 렛 게놈 DNA 서열을 포함하는 세균성 세포, 이때 하나 또는 그 이상의 내생성 중쇄 가변 영역 유전자 세그먼트 (VH, D, 및/또는 JH 유전자 세그먼트)는 결손되거나 또는 비활성화되는데, 이 세포는 그 다음 다음을 포함하는 큰 표적화 벡터 (LTVEC)로 전기천공된다: (i) 하나 또는 그 이상의 재배열안된 인간 가변 영역 핵산 서열 (가령, 하나 또는 그 이상의 재배열안된 인간 VH 유전자 세그먼트, 하나 또는 그 이상의 인간 D 유전자 세그먼트, 그리고 하나 또는 그 이상의 인간 JH 유전자 세그먼트), 또는 하나 또는 그 이상의 재배열된 인간 가변 영역 핵산 서열 (가령, 하나 또는 그 이상의 재배열된 인간 V-D-J 유전자 세그먼트). 세균성 세포에서 상동성 재조합의 시작 및 양성 클론의 선별은 상기에서 설명된 바와 같이 실행되었다. 내생성 면역글로블린 중쇄 좌 안으로 표적화될 때, 재배열안된 또는 재배열된 인간 면역글로블린 중쇄 가변 영역 핵산 서열은 내생성 렛 면역글로블린 중쇄 불변 영역 핵산 서열에 작동가능하도록 연계된다. 대안으로, 내생성 렛 중쇄 불변 영역 좌는 내생성 중쇄 불변 영역 좌로부터 하나 또는 그 이상의 렛 중쇄 불변 영역 유전자 세그먼트 (CH)를 결손시킴으로써 비활성화될 수 있고, 인간 중쇄 불변 영역 핵산 서열로 대체될 수 있다.유사하게, 내생성 렛 면역글로블린 κ 또는 λ 경쇄 좌의 인간화는 하나 또는 그 이상의 내생성 렛 면역글로블린 κ 및/또는 λ 경쇄 가변 영역 핵산 서열 (가령, 하나 또는 그 이상의 내생성 렛 Vκ 유전자 세그먼트 및 하나 또는 그 이상의 내생성 렛 Jκ 유전자 세그먼트)을 제거하고; 그리고 표적화 벡터, 가령, 다음을 포함하는 큰 표적화 벡터 (LTVEC)로 상기 변형된 면역글로블린 경쇄 좌를 표적화시킴으로써 실행될 수 있다: (i) 하나 또는 그 이상의 재배열안된 인간 면역글로블린 경쇄 가변 영역 핵산 서열 (가령, 하나 또는 그 이상의 인간 Vκ 유전자 세그먼트 및 하나 또는 그 이상의 인간 Jκ 유전자 세그먼트), 또는 하나 또는 그 이상의 재배열된 인간 가변 영역 핵산 서열 (가령, 하나 또는 그 이상의 인간 재배열된 Vκ-Jκ 유전자 세그먼트); (ii) 선별 카세트 (가령, loxP 부위들을 측면에 가진 네오마이신 저항성 유전자); 그리고 (iii) 5' 상동성 아암과 3' 렛 상동성 아암. 내생성 면역글로블린 경쇄 좌 안으로 표적화될 때, 재배열안된 또는 재배열된 인간 면역글로블린 경쇄 가변 영역 핵산 서열은 내생성 렛 면역글로블린 경쇄 불변 영역 핵산 서열에 작동가능하도록 연계된다.세균성 세포 안에서 이렇게 생성된 LTVEC는 예를 들면, 인간화된 렛 면역글로블린 중쇄 또는 경쇄 좌가 포함된 삽입 핵산과 특이적 게놈 표적 서열에 상보적인 렛 상동성 아암 (가령, 5 kb 내지 150 kb 범위)을 포함하는데, 이때 하나 또는 그 이상의 내생성 렛 중쇄 또는 경쇄 가변 영역 유전자 세그먼트는 하나 또는 그 이상의 인간 중쇄 또는 경쇄 가변 영역 유전자 세그먼트로 대체된다. 상기에서 설명된 유전적 변형이 포함된 LTVEC는 그 다음 선형화되고, 상기 렛 ES 세포 안으로 전기천공된다. 전기천공된 렛 ES 세포는 상기 표적화 벡터가 포함된 약물-저항성 세포의 선별을 위하여 고밀도로 도말된다. 상기 약물 선별 공정은 상기 도말된 세포의 대부분(~99%)을 제거하며, 개별 콜로니를 남겨두며, 이때 콜로니 각각은 단일 세포로부터 유도된 클론이다. 남아있는 세포 중에서, 대부분 세포 (~ 80-100%)는 상기 게놈에서 무작위 위치에 통합된 상기 표적화 벡터를 보유한다. 따라서, 상기 콜로니은 개별적으로 떼어내고, 정확한 게놈 위치에서 상기 표적화 벡터를 품고 있는 렛 ES 세포를 식별해내기 위하여 유전자유형분석된다 (가령, 상기에서 설명된 대립유전자의 변형(MOA) 분석).상기 표적화된 유전적 변형의 효과를 증가시키기 위하여, 상기 렛 ES 세포는 LTVEC와 함께 ZFNs 1 및 2 (또는 TALENs 1 및 2)를 발현시키는 발현 벡터 (또는 mRNA)로 전기천공되었다. 상기 표적화 벡터의 상동성 아암은 ZFN 표적 부위의 외부에 위치하며, 따라서 상기 표적화 벡터는 ZFNs에 의해 쪼개지지 않는다. ZFNs에 의해 생성된 이중 가닥 틈은 상동성-지향된 복구 (HDR)를 촉진시키는데, 이것은 포유류 세포에서 정상적으로 발생되는 매우 작은 비율의 복구에 해당된다 (비-상동성 단부-연결; NHEJ과 비교하여). 대안으로, 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 발현 벡터 내포 유형 II CRISPR-연합된 뉴클레아제 (가령, Cas9), 가이드 RNA (CRISPR-RNA (cr-RNA) 및 트란스-활성화 CRISPR RNA (tracrRNA) 포함)는 LTVEC와 함께 세균성 세포 안으로 도입되어, 상기 표적 게놈 좌에서 상동성 재조합 효과를 증가시킬 수 있다. 전기천공된 세포는 고밀도로 도말되었고, 약물-저항성인 콜로니를 찾기 위하여 약물 선별을 받게 되었다. 약물-저항성 콜로니를 찍어내고, 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 상기 대립유전자의 변형 (MOA) 분석을 이용하여 상기 표적화된 변형에 대해 스크리닝된다. 이 과정에 따라, 표적화 효과의 개선이 이루어질 수 있다. 예를 들면, 개선 정도는 작거나 (가령, 10% 내지 15%) 또는 클 것이다 (가령, 10% 내지 80%의 개선). 상기 표적화된 유전적 변형이 포함된 선별된 렛 ES 세포는 숙주 렛 배아, 예를 들면, 상실배-전 단계 또는 낭포 단계 렛 배아 안으로 도입되고, 시조 렛(F0 동물)을 만들기 위하여 대리모의 자궁 안에 이식된다. 차후, 상기 시조 렛은 예를 들면, 유전적 변형에 대한 이형접합성 F1 자손을 만들기 위하여 야생형 렛으로 사육된다. 이형접합성 F1 렛의 짝짓기는 상기 유전적 변형에 동형접합성 자손을 생산할 수 있다. 4.3(a). 렛 IL2rg를 HumIL2 수용체 감마로 대체표 29는 렛 렛 인터루킨 2 수용체 감마 좌의 게놈 조직을 요약한 것이고, 나타낸 위치는 상기 렛 게놈 (ENSMBL)의 참고 서열 빌드(build) 5.0에서 취한 것이다. Il2rg는 염색체 X의 (-) 가닥에 있다. 도 25의 하부 도식은 Il2rg 3.2 kb 결손에 대한 상기 표적화 벡터다. 상기 표적화 벡터는 내생성 프로모터에 작동가능하도록 연계된 리포터 유전자 (eGFP)와 loxP 부위들의 측면에 있는 자가-결손 카세트 (개방 화살표)를 포함한다. 자가-결손 카세트는 마우스 Prm1 프로모터에 작동가능하도록 연계된 Crei 유전자와 인간 유비퀴틴 프로모터에 작동가능하도록 네오마이신 저항성 유전자가 포함된 선별 카세트를 포함한다. Crei 유전자는 2개의 엑손을 포함하는데, 이들은 원핵 세포 안에서 이의 발현을 방지하기 위하여 인트론(Crei)에 의해 분리되어 있다.　 예를 들면, 자가-결손 카세트를 상세하게 설명하는 U.S. 특허 8,697,851 및 U.S. 출원 공개 2013-0312129 참고하며, 이들의 내용은 본 명세서에 전문이 참고자료에 편입된다. 마우스 Prm1 프로모터를 이용하여, Cre 발현 카세트 및 약물 선별 카세트는 F0 렛의 수컷 생식 세포에서 특이적으로 결손될 수 있다. 상기 표적화 벡터는 실시예 1에서 획득된 렛 ES 세포 안으로 전기천공되었고, 상기 세포는 2i + 10 uM ROCKi에서 15 cm 2x 밀도 네오마이신-저항성 MEFs에 도말되었다. 상기 형질변환된 렛 ES 세포는 실시예 1에서 설명된 바와 같이 배양되고, 선별되고, 그리고 유지되었다. 도 31에 나타낸 것과 같이, 전장 렛 인터루킨 2 수용체 감마 코딩 영역이 전장 인간 인터루킨 2 수용체 감마 코딩 영역으로 대체되도록, 플라스미드 표적화 벡터가 구축되었다. 상기 표적화 벡터는 실시예 1에서 획득된 렛 ES 세포 안으로 전기천공되었고, 상기 세포는 2i + 10 uM ROCKi에서 15 cm 2x 밀도 네오마이신-저항성 MEFs에 도말되었다. 구체적으로, 4 x 106 세포는 400V 전압, 100 uF 전기용량, 저항성 0에서 2 ug의 Il2rg 전장 인간화 벡터로 전기천공되었다. 75 ug/mL의 G418를 이용하여 선별이 실행되었다. 상기 형질변환된 렛 ES 세포는 실시예 1에서 설명된 바와 같이 배양되고, 선별되고, 그리고 유지되었다. 표 44에 나타난 바와 같이, 168개 콜로니가 스크리닝되었고, 6개의 표적화된 클론이 획득되었다. 상기 표적화 효과는 3.57%이었다. 실시예 1에서 설명된 바와 같이 1개 클론이 낭포 안으로 주사되었고, 키메라를 생산하는 한 개의 클론이 획득되었다.실시예 1에서 설명된 바와 같이 2개 클론이 낭포 안으로 주사되었다. F0 키메라 렛을 생산하는 클론이 획득되었다. 표준 기술을 이용하여 낭포는 가상임신 수용 암컷으로 이전되었고, 키메라 F0 렛이 획득되었다. 생식계열을 통하여 상기 표적화된 변형을 전달하는 F0 렛이 획득된다. 4.3(b)(i). 렛 IL2rg 엑토-도메인을 HumIL2rg 엑토-도메인으로 대체IL 2 수용체 감마의 전장 인간화는 이런 변형된 좌를 가진 렛이 인간 Il2rg를 생산하기 때문에 유용하며; 그리고 인간 Il2rg에 특이적인 항체로 렛에서 인간 Il2rg의 탐지를 허용할 것이다. 엑토-인간화 (가령, 상기 Il2rg의 렛 엑토-도메인이 Il2rg의 인간 엑토-도메인으로 대체)에 의해 Il2rg 폴리펩티드는 Il2rg에 대한 인간 리간드에 결합하게 될 것이지만, 세포질 도메인은 여전히 렛이기 때문에 Il2rg의 엑토-인간화된 형태는 여전히 상기 렛 신호생성 기전과 상호작용 또한 할 것이다. 도 33은 상기 인간 IL-2rg 단백질 (서열 번호: 20; NP_000197.1); 상기 렛 IL-2rg 단백질 (서열 번호: 21; NP_543165.1); 그리고 상기 렛 IL-2rg 단백질의 나머지에 융합된 IL-2rg의 상기 인간 엑토-도메인이 포함된 키메라 IL-2rg 단백질 (서열 번호: 22)의 서열 배열을 제공한다. 상기 인간과 렛 IL-2rg 사이의 교점(junction)은 수직 선으로 표시된다.표 30은 렛 렛 인터루킨 2 수용체 감마 좌의 게놈 조직을 요약한 것이고, 나타낸 위치는 상기 렛 게놈 (ENSMBL)의 참고 서열 빌드(build) 5.0에서 취한 것이다. Il2rg는 염색체 X의 (-) 가닥에 있다. Il2rg의 엑토-도메인의 위치가 더 표시된다.도 32에 나타낸 것과 같이, 인터루킨 2 수용체 감마 코딩 영역의 렛 엑토-도메인이 인간 엑토 도메인으로 대체되도록, 플라스미드 표적화 벡터가 구축되었다. 상기 표적화 벡터는 실시예 1에서 획득된 렛 ES 세포 안으로 전기천공되었고, 상기 세포는 2i + 10 uM ROCKi에서 15 cm 2x 밀도 네오마이신-저항성 MEFs에 도말되었다. 상기 형질변환된 렛 ES 세포는 실시예 1에서 설명된 바와 같이 배양되고, 선별되고, 그리고 유지되었다. 표 44에 나타난 바와 같이, 192개 콜로니가 스크리닝되었고, 13개의 표적화된 클론이 획득되었다. 상기 표적화 효과는 6.77%이었다. 실시예 1에서 설명된 바와 같이, 2개 클론이 낭포 안으로 주사되었고, 키메라를 생산하는 2개 클론을 얻었다. F0 렛을 생산하는 클론이 획득되었다. 생식계열을 통하여 상기 표적화된 변형을 전달하는 F0 렛이 획득된다. 4.3(b)(ii). CRISPR/Cas9과 복합된 플라스미드를 이용하여 렛 IL2rg 엑토-도메인을 HumIL2rg 엑토-도메인으로 대체표 31은 실험 결과 비교를 나타내는데, 이때 도 32에 나타낸 Il2rg 엑토-도메인 인간화 벡터 형태 단독으로 이용하여 상기 렛 Il2rg 좌를 표적화시키거나 또는 CRISPR/Cas9 뉴클레아제와 복합되어 이용되어 렛 Il2rg 좌를 표적화시켰다. 각 실험에서, 전기천공된 세포는 고밀도로 도말되었고, 약물-저항성인 콜로니를 찾기 위하여 약물 선별을 받게 되었다. 약물-저항성 콜로니를 찍어내었고, 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 상기 대립유전자의 변형 (MOA) 분석을 이용하여 상기 표적화된 변형에 대해 스크리닝되었다. 구체적으로, 4 x 106 세포는 400V 전압, 100 uF 전기용량, 저항성 0에서 2 ug의 Il2rg 엑토-도메인 인간화 벡터로 전기천공되었다. 나중 실험에서, 6 ug의 Cas9 발현 플라스미드와 3 ug의 Il2rg gRNA2 또는 3 ug의 Il2rg gRNA4가 또한 전기천공되었다. 75 ug/mL의 G418를 이용하여 선별이 실행되었다. Il2rg gRNA2는 서열 GAAGCTCTTTCTATACAATCTGG (서열 번호: 91)을 갖고, 상기 렛 Il2rg 엑손 1의 3' 190bp 영역을 표적으로 한다. Il2rg gRNA4는 서열 CCCCCGAAAGGAGGAGCCCTAGG (서열 번호: 92)을 갖고, 렛 Il2rg 정지 코돈 (TGA)의 5' 80bp 영역을 표적으로 한다 (도 49 참고). 4.4(a). CRISPR/Cas9 엔도뉴클레아제에 의한 비-인간 동물 큰 유전자의 결손과 함께 동시에 인간 유전자의 대체에 의한 강화된 표적화인간 질환 상태를 위하여 새로 개발된 약물, 이를 테면 완전한 인간 항체는 인간 세포 및 조직에서 이들의 표적에 대하여 매우 특이적이지만, 설치류에 있는 상동성 표적은 인지하지 못한다. 이러한 높은 수준의 선택성은 인간에서 이를 사용하기에 앞서 설치류에서 약물의 작용 효과 및 기전을 테스트하는 것을 불가능하게 만든다.이 문제에 대한 매우 효과적인 해결책은 약물 표적을 인코드하는 인간 유전자를 설치류 동족체로 대체시킨, 유전적으로 변형된 마우스 또는 렛을 만드는 것이다. 설치류에서 이러한 인간화된 대립유전자를 만드는 한 가지 방법은 배아 줄기 (ES) 세포에서 설치류 유전자를 우선 제거하고, 그 다음 제 2 유전자 변형 이벤트에서 상기 결손된 좌에 정확하게 인간 유전자를 삽입시키는 것이다. 그 다음 이 ES 세포를 설치류 배아 안으로 주사하고, 대리모 설치류의 자궁에 이식시켜, 후속적으로 상기 인간화된 대립유전자를 가지는 유전적으로 변형된 새끼를 낳는 것이다.상기 인간화된 유전자 변형을 만드는 더 효과적인 방법은 상기 설치류 유전자의 결손과 동시에 이의 인간 대응부로의 치환을 지휘하는 큰 표적화 벡터 (LTVEC)를 이용하는 것이다. VELOCIGENE�� 유전 공학적 방법을 이용함으로써, 상기 설치류 유전자 결손과 인간 유전자 삽입이 약 20 킬로베이스 쌍(kb) 보다 더 작을 때 상대적으로 높은 효과를 가지면서 단일-단계 인간화가 이루어질 수 있다. 100 kb 이상의 결손과 대체를 수반하는 더 큰 단일-단계 인간화는 LTVECs 및 유전 공학적 방법 이를 테면 VELOCIGENE�� 유전 공학적 방법을 이용하면 가능하지만, 때로 매우 큰 변형에서 부닥치는 감소된 표적화 효과로 인하여, 원하는 유전자 변형을 가진 것을 성공적으로 찾아내기 위하여 수십만개의 ES 세포 클론 또는 스크리닝이 대개 요구된다.큰 인간화의 효과를 개선시키기 위하여, 우리는 LTVEC 유전자 표적화와 클러스트화된 규칙적 간극을 가진 짧은 팔린드롬성 반복부 RNA-안내된 Cas9 엔도뉴클레아제 (CRISPR/Cas9)와 복합시키는 방법을 개발하였다. CRISPR/Cas9 뉴클레아제는 가이드 RNA와 상기 표적 DNA중 하나 사이에 왓슨-크릭 염기쌍 형성에 의해 특정 DNA 서열에 Cas9 절단을 유도하는, CRISPR RNA에 결합된 세균성 Cas9 DNA 엔도뉴클레아제를 포함하는 리보핵산단백질 효소들이다. 상기 표적화 기전의 단순성으로 인하여, 거의 임의의 게놈 좌에서 이중 가닥 틈을 지시하는 CRISPR/Cas9 엔도뉴클레아제를 기획하는 것은 용이하다. 이중 가닥 파괴는 상기 비-상동성 단부 연결 (NHEJ) 경로에 의한 세포 게놈 복구를 유도하는데, 이것은 오류발생이 쉬워서, 흔히 이중 가닥 틈 부위에 결손 또는 삽입을 초래한다. 이중 가닥 틈을 복구하는 대체 기전은 상동성-지향된 복구 (HDR)이며, 이때 절단된 부위와 서열 동일성 유사성을 공유하는 DNA의 내생성 또는 외생성 조각은 상기 세포 상동성 재조합 기전 작용에 의해 절단된 단부를 이음매없이 복구시킨다. HDR은 절단된 부위에서 원래 서열로 복구되는 완벽한 복구를 초래할 수 있고, 또는 기획된 변형, 이를 테면 이중 가닥 틈의 부위에서 서열의 결손, 삽입 또는 대체를 지시하는데 이용될 수 있다. CRISPR/Cas9 뉴클레아제는 상기 부위들에서 의도된 유전자 변형의 정확한 이중 가닥 절단을 지시함으로써, 공작된 HDR 이벤트 비율을 상당히 개선시킬 수 있다.설치류 유전자의 전부 또는 일부분의 정확한 단일-단계 결손과 함께 이의 인간 동족체의 전부 또는 일부로의 동시 대체의 효과를 평가하기 위하여, 설치류 ES 세포 3개의 핵산 분자를 전기천공에 의해 도입시켰다. (1) LTVEC; (2) Cas9 엔도뉴클레아제를 인코드하는 플라스미드 또는 mRNA; 그리고 (3) CRISPR 단일 가이드 RNA (sgRNA) 또는 sgRNA 자체를 인코드하는 플라스미드. 상기 LTVEC는 상기 설치류 유전자를 결손시키고, 상기 인간 유전자를 삽입시키는 HR 이벤트를 지시하도록 기획된, 설치류 DNA의 상동성 아암의 측면에 있는 유전자 산물(단백질 또는 RNA)를 인코드하는 인간 유전자의 모두 또는 일부분을 포함한다. 상기 인간화 LTVEC는 또한 항생제 약물 (예를 들면, G418)에 대한 저항성을 부여하는 효소 (가령, 네오마이신 포스포트란스퍼라제)의 발현을 지시하는 약물 선별 카세트를 운반하였다. LTVEC를 취입하고, 이를 이들의 게놈 안으로 통합시킨 ES 세포는 배양 접시내 항생제 약물이 내포된 성장 배지 상에서 성장하고 콜로니를 형성할 수 있었다. LTVEC 분자보다 500 내지 1,000 배 더 많은 CRISPR/Cas9-인코딩 핵산 분자를 도입하였기 때문에, 대부분의 LTVEC-내포 약물 저항성 콜로니는 최소한 일시적으로, CRISPR/Cas9 성분들을 포함하였다. 우리는 약물 저항성 콜로니를 선택하였고, 정확하게 표적화된 인간화된 대립유전자를 보유하는 클론을 식별해내기 위하여 대립유전자-상실 방법(loss-of-allele method)에 의해 이를 스크리닝하였다 (Valenzuela, D. et al. (2003) High-throughput engineering of the mouse genome coupled with high-resolution expression analysis, Nature Biotech. 21:652-660; Frendewey, D. et al. (2010) The loss-of-allele assay for ES cell screening and mouse genotyping, Methods Enzymol. 476:295-307; 이의 전문이 본 명세서의 참고자료에 통합됨). 한 특정 구체예에서, 마우스 Lrp5 (저-밀도 지질단백질 수용체-관련된 단백질 5) 유전자의 68 kb 결손과 상기 상동성 인간 LRP5 유전자의 91kb 단편이 동시에 대체되도록 LTVEC가 기획되었다 (도 34). 상기 LTVEC는 결손될 마우스 Lrp5 유전자 68kb의 측면에 있는 마우스 Lrp5 좌의 일부분으로부터 유도된 게놈 DNA의 7 kb 및 33 kb를 포함하는 상동성 아암의 측면에 위치한 인간 LRP5 유전자의 91-kb 단편을 포함하였다. 별도의 실험에서, Lrp5 인간화 LTVEC와 Cas9를 인코드하는 플라스미드와 8개 sgRNAs (gA, gB, gB2, gC, gD, gE2, gE, gF)중 하나를 인코드하는 제 2 플라스미드를 복합시켜, 결손에 대하여 표적화된 마우스 Lrp5 유전자의 영역 안에 이중 가닥 틈을 만들었다. 상기 sgRNAs는 상기 인간 LRP5 유전자의 삽입된 부분내 임의의 서열 인지를 회피하도록 기획되었다.Lrp5 유전자의 CRISPR/Cas9-지원된 인간화의 결과는 표 32에 나타낸다. LTVEC만을 단독으로 ES 세포 안으로 도입시켰을 때, 스크린된 약물 저항성 클론의 1.0%는 정확하게 표적화된 단일-대립형질 이형접합성 인간화된 대립유전자를 가지는 것으로 밝혀졌다. 대조적으로, 테스트된 8개 sgRNAs (sgRNA-5´A, sgRNA-5´B, sgRNA-5´B2, sgRNA-C, sgRNA-D, sgRNA-3´E2, 및 sgRNA-3´F; 표 33에 서열 제공)중 7개에 의해 안내된 Cas9 엔도뉴클레아제와 LTVEC의 조합으로 정확하게 표적화된 단일대립형질 이형접합성 돌연변이가 2.1 내지 7.3% 범위의 효과를 가지고 생성되었는데, 이는 도움을 받지 않은 LTVEC와 비교하였을 때 2-내지 9-배 강화된 단일-단계 인간화된 유전자 표적화를 나타낸다. 단일대립형질 표적화에 추가하여, sgRNA-5´B2에 의한 Cas9-안내된 절단의 경우, 1% 빈도의 이중대립형질 동형접합성 인간화가 탐지되었다. VELOCIMOUSE�� 유전 공학적 방법 (Poueymirou, W. T. et al. (2007) F0 generation mice fully derived from gene-targeted embryonic stem cells allowing immediate phenotypic analyses, Nature Biotech. 25:91-99, 이의 전문이 참고자료에 편입됨)에 의해 동형접합성 Lrp5 인간화된 ES 세포는 표현형 및 약물 효과 연구를 위한 완전한 ES 세포-유도된 마우스로 직접적으로 전환될 수 있다.아연 핑거 뉴클레아제 (ZFNs)로 실행된 등가의 실험과 비교하였을 때, CRISPR/Cas9 엔도뉴클레아제에 의한 큰 Lrp5 인간화의 강화된 표적화가 두드러진다. 결손에 대해 표적화된 마우스 Lrp5 유전자의 영역내 부위들에서 이중 가닥 틈을 만들기 위하여 기획된 4개의 ZFNs을 구하였다(도 34). 한 가지 ZFN은 상기 결손의 5' 단부 부근 서열을 표적으로 하고(a), 하나는 상기 결손 중앙 서열을 표적으로 하고 (b), 그리고 나머지 2개는 상기 결손의 3' 단부 부근 서열을 표적으로 하였다 (c, d). 별도의 실험에서, 별도의 실험에서, Lrp5 인간화 LTVEC와 4개의 ZFNs (a-d)중 하나는 인코드하는 플라스미드를 복합시켜, 결손에 대하여 표적화된 마우스 Lrp5 유전자의 영역 안에 이중 가닥 틈을 만들었다. 모든 ZFNs는 활성이 있었고, Lrp5 유전자에서 NHEJ 돌연변이를 유도할 수 있었지만 (데이타는 제시되지 않음), LTVEC와 복합되었을 때, LTVEC 단독과 비교하여, HDR-중개된 유전자 표적화가 강화되지는 않았던 것으로 판단하였다. ZFN-지원된 일련의 인간화 실험과 비교하였을 때, CRISPR/Cas9 엔도뉴클레아제에 의한 큰 Lrp5 인간화의 강화된 표적화 효과 또한 현저하다. 이들 실험에서, 일련의 ZFN-지원된 인간화가 실행되었는데, 이때 마우스 표적 유전자 결손과 상기 인간 유전자 삽입은 일반적으로 크기가 증가되었다 (표 34; 도 35). 도 35a는 결손에 대한 크기가 증가되는 LTVECs 표적화 유전자의 표적화 효과 백분율을 나타낸다. 상기 LTVECs가 단독으로 이용되거나 (회색 사각형), 또는 ZFNs와 복합되어 이용되었다 (검정 사각형). 도 35b는 크기가 증가되는 인간 유전자 삽입을 갖는 LTVECs 표적화 효과 백분율을 나타낸다. 다시, LTVECs가 단독으로 이용되거나 (회색 삼각형), 또는 ZFNs와 복합되어 이용되었다 (검정 삼각형). 표 34 및 도 35에 나타낸 것과 같이, LTVEC 표적화 효과를 강화시키는 ZFN-중개된 DNA 절단 능력은 마우스 표적 유전자 결손의 크기가 24.7 kb 이상일 때 그리고 상기 인간 유전자 삽입의 크기가 22.2 kb 이상일 때 사라졌다 (표 34; 도 35a). 대조적으로, CRISPR/Cas9는 Lrp5 유전자의 LTVEC 표적화 효과를 강화시킬 수 있었는데, 이는 68.3 kb의 마우스 유전자 결손과 91.0 kb의 인간 유전자 삽입이 관련되었다 (표 32; 도 34). 이는 CRISPR/Cas9 엔도뉴클레아제는 다른 뉴클레아제 (가령, 아연 핑거 뉴클레아제)가 작용하지 않는 상황에서 LTVEC 표적화 효과를 강화시킬 수 있음을 나타낸다. 다른 마우스 유전자의 인간화에 대한 비교 실험이 실행되었다. 한 실험에서, 마우스 Trpa1 (일시적인 수용체 전위 양이온 채널 하위패밀리 A 멤버 1) 유전자의 45 kb 결손과 함께 상동성 인간 TRPA1 유전자의 55 kb 단편이 동시에 대체되도록 LTVEC가 기획되었다(도 36). 상기 LTVEC는 결손된 마우스 Trpa1 유전자 45 kb 서열의 측면에 있는 마우스 Trpa1 좌의 일부분으로부터 유도된 게놈 DNA 41 kb 및 58 kb을 포함하는 상동성 아암의 측면에 위치한 인간 TRPA1 유전자의 55kb 단편을 포함하였다. 별도의 실험에서, Trpa1 인간화 LTVEC와 Cas9를 인코드하는 플라스미드와 8개 sgRNAs (gA, gA2, gB, gC, gD, gE, gE2, 및 gF)중 하나를 인코드하는 제 2 플라스미드를 복합시켜, 결손에 대하여 표적화된 마우스 Trpa1 유전자의 영역 안에 이중 가닥 틈을 만들었다. 상기 sgRNAs는 상기 인간 TRPA1 유전자의 삽입된 부분내 임의의 서열 인지를 회피하도록 기획되었다.Trpa1 유전자의 CRISPR/Cas9-지원된 인간화의 결과는 표 35에 나타낸다. LTVEC만을 단독으로 ES 세포 안으로 도입시켰을 때, 스크린된 약물 저항성 클론의 1.0%는 정확하게 표적화된 단일대립형질 이형접합성 인간화된 대립유전자를 가지는 것으로 밝혀졌다. 대조적으로, 테스트된 8개의 sgRNAs (A, A2, B, C, D, 및 F; 표 43에 서열 제공됨)중 6개에 의해 안내된 Cas9 엔도뉴클레아제와 LTVEC의 조합으로 정확하게 표적화된 단일대립형질 이형접합성 돌연변이 또는 이중대립형질 컴파운드 이형접합성 또는 동형접합성 돌연변이가 1.0 내지 3.1% 범위의 효과를 가지고 생성되었다. gRNA A 및 gRNA F에 의한 Cas9-안내된 절단의 경우, 우리는 1.0%의 빈도로 컴파운드 이형접합성 돌연변이가 탐지되었다. 또다른 실험에서, 마우스 Folh1 (글루탐산염 카르복시펩티다제 2) 유전자의 55 kb 결손과 함께 상동성 인간 FOLH1 유전자의 61 kb 단편이 동시에 대체되도록 LTVEC가 기획되었다 (도 37). 상기 LTVEC는 결손된 마우스 Folh1 유전자 55 kb 서열의 측면에 있는 마우스 Folh1 좌의 일부분으로부터 유도된 게놈 DNA 22 kb 및 46 kb을 포함하는 상동성 아암의 측면에 위치한 인간 FOLH1유전자의 61kb 단편을 포함하였다. 별도의 실험에서, Folh1 인간화 LTVEC와 Cas9를 인코드하는 플라스미드와 6개 sgRNAs (gA, gA2, gC, gD, gE, 및 gE2)중 하나를 인코드하는 제 2 플라스미드를 복합시켜, 결손에 대하여 표적화된 마우스 Folh1 유전자의 영역 안에 이중 가닥 틈을 만들었다. 상기 sgRNAs는 상기 인간 FOLH1 유전자의 삽입된 부분내 임의의 서열 인지를 회피하도록 기획되었다. Folh1 유전자의 CRISPR/Cas9-지원된 인간화의 결과는 표 36에 나타낸다.. LTVEC만을 단독으로 ES 세포 안으로 도입시켰을 때, 96가지 스크린된 약물 저항성 클론중 정확하게 표적화된 단일대립형질 이형접합성 인간화된 대립유전자를 가지는 것은 하나도 없는 것으로 밝혀졌다. 대조적으로, 테스트된 6개의 sgRNAs중 3개(A, D, 및 E2; 표 43에 서열 제공됨) 의해 안내된 Cas9 엔도뉴클레아제와 LTVEC의 조합으로 정확하게 표적화된 단일대립형질 이형접합성 돌연변이가 1.0 내지 3.1% 범위의 효과를 가지고 생성되었다. 또다른 실험에서, 보체 성분 5에 대한 마우스 유전자(C5 또는 Hc)의 76 kb 결손과 함께, 상동성 인간 C5 유전자의 97 kb 단편이 동시에 대체되도록 LTVEC가 기획되었다 (도 38). 상기 LTVEC는 결손된 마우스 C5 (Hc) 유전자 76 kb 서열의 측면에 있는 마우스 C5 (Hc) 좌의 일부분으로부터 유도된 게놈 DNA 34.1 kb 및 31.2 kb을 포함하는 상동성 아암의 측면에 위치한 인간 C5 유전자의 97kb 단편을 포함하였다. 별도의 실험에서, C5 (Hc) 인간화 LTVEC와 Cas9를 인코드하는 플라스미드와 6개 sgRNAs (gA, gB, gC, gD, gE, 및 gE2)중 하나를 인코드하는 제 2 플라스미드를 복합시켜, 결손에 대하여 표적화된 마우스 C5 (Hc) 유전자의 영역 안에 이중 가닥 틈을 만들었다. 상기 sgRNAs는 상기 인간 C5 유전자의 삽입된 부분내 임의의 서열 인지를 회피하도록 기획되었다. C5 (Hc) 유전자의 CRISPR/Cas9-지원된 인간화의 결과는 표 37에 나타낸다. LTVEC만을 단독으로 ES 세포 안으로 도입시켰을 때, 스크린된 약물 저항성 클론의 1.0%는 정확하게 표적화된 단일대립형질 이형접합성 인간화된 대립유전자를 가지는 것으로 밝혀졌다. 대조적으로, 테스트된 6개의 sgRNAs (A, B, C, D, E, 및 E2; 표 43에 서열 제공됨) 모두에 의해 안내된 Cas9 엔도뉴클레아제와 LTVEC의 조합으로 정확하게 표적화된 단일대립형질 이형접합성 돌연변이 또는 이중대립형질 컴파운드 이형접합성 또는 동형접합성 돌연변이가 4.2 내지 16.7% 범위의 효과를 가지고 생성되었다. gRNAs A 및 E에 의한 Cas9-안내된 절단의 경우, 우리는 차례로 5.2% 및 4.2%의 빈도로 컴파운드 이형접합성 돌연변이가 탐지되었다.또다른 실험에서, 마우스 Adamts5 (트롬보스폰딘 모티프 5와 함께 디스인테그린과 메탈로프로타나제) 유전자의 38 kb 결손과 함께 상동성 인간 ADAMTS5 유전자의 43 k 단편이 동시에 대체되도록 LTVEC가 기획되었다 (도 39). 상기 LTVEC는 결손된 마우스 Adamts5 유전자 38 kb 서열의 측면에 있는 마우스 Adamts5 좌의 일부분으로부터 유도된 게놈 DNA 22 kb 및 46 kb을 포함하는 상동성 아암의 측면에 위치한 인간 ADAMTS5 유전자의 43kb 단편을 포함하였다. 별도의 실험에서, Adamts5 인간화 LTVEC와 Cas9를 인코드하는 플라스미드와 8개 sgRNAs (gA, gA2, gB, gC, gD, gE, gE2, 및 gF)중 하나를 인코드하는 제 2 플라스미드를 복합시켜, 결손에 대하여 표적화된 마우스 Adamts5 유전자의 영역 안에 이중 가닥 틈을 만들었다. 상기 sgRNAs는 상기 인간 ADAMTS5 유전자의 삽입된 부분내 임의의 서열 인지를 회피하도록 기획되었다. Adamts5 유전자의 CRISPR/Cas9-지원된 인간화의 결과는 표 38에 나타낸다. LTVEC만을 단독으로 ES 세포 안으로 도입시켰을 때, 96가지 스크린된 약물 저항성 클론중 정확하게 표적화된 단일대립형질 이형접합성 인간화된 대립유전자를 가지는 것은 하나도 없는 것으로 밝혀졌다. 대조적으로, 테스트된 8개의 sgRNAs 중 2개(B, 및 F; 표 43에 서열 제공됨)에 의해 안내된 Cas9 엔도뉴클레아제와 LTVEC의 조합으로 정확하게 표적화된 단일대립형질 이형접합성 돌연변이 또는 이중대립형질 컴파운드 이형접합성 또는 동형접합성 돌연변이가 1.0 % 의 효과를 가지고 생성되었다. gRNA E2에 의한 Cas9-안내된 절단의 경우, 우리는 1.0%의 빈도로 컴파운드 이형접합성 돌연변이가 탐지되었다. 또다른 실험에서, 마우스 Erbb4 (수용체 티로신-단백질 키나제 erbB-4) 유전자 유전자의 102 kb 결손과 함께 상동성 인간 ERBB4 유전자의 127 kb 단편이 동시에 대체되도록 LTVEC가 기획되었다 (도 40). 상기 LTVEC는 결손된 마우스 Erbb4 유전자 102 kb 서열의 측면에 있는 마우스 Erbb4 좌의 일부분으로부터 유도된 게놈 DNA 48 kb 및 26 kb을 포함하는 상동성 아암의 측면에 위치한 인간 ERBB4 유전자의 127 kb 단편을 포함하였다. 별도의 실험에서, Erbb4 인간화 LTVEC와 Cas9를 인코드하는 플라스미드와 8개 sgRNAs (gA, gB, gB2, gC, gD, gE, gE2, 및 gF)중 하나를 인코드하는 제 2 플라스미드를 복합시켜, 결손에 대하여 표적화된 마우스 Erbb4 유전자의 영역 안에 이중 가닥 틈을 만들었다. 상기 sgRNAs는 상기 인간 ERBB4 유전자의 삽입된 부분내 임의의 서열 인지를 회피하도록 기획되었다. Erbb4 유전자의 CRISPR/Cas9-지원된 인간화의 결과는 표 39에 나타낸다. LTVEC만을 단독으로 ES 세포 안으로 도입시켰을 때, 96가지 스크린된 약물 저항성 클론중 정확하게 표적화된 단일대립형질 이형접합성 인간화된 대립유전자를 가지는 것은 하나도 없는 것으로 밝혀졌다. 대조적으로, 테스트된 8개의 sgRNAs 중 1개(D; 표 43에 서열 제공됨)에 의해 안내된 Cas9 엔도뉴클레아제와 LTVEC의 조합으로 정확하게 표적화된 단일대립형질 이형접합성 돌연변이 또는 이중대립형질 컴파운드 이형접합성 또는 동형접합성 돌연변이가 1.0 % 의 효과를 가지고 생성되었다. gRNA D에 의한 Cas9-안내된 절단의 경우, 우리는 1%의 빈도로 컴파운드 이형접합성 돌연변이가 탐지되었다. 또다른 실험에서, 마우스 Ror1 (티로신-단백질 키나제 막통과 수용체 ROR1) 유전자 유전자의 110 kb 결손과 함께 상동성 인간 ROR1 유전자의 1347 kb 단편이 동시에 대체되도록 LTVEC가 기획되었다 (도 41). 상기 LTVEC는 결손된 마우스 Ror1 유전자 110 kb 서열의 측면에 있는 마우스 Ror1 좌의 일부분으로부터 유도된 게놈 DNA 41.8 kb 및 96.4 kb을 포함하는 상동성 아암의 측면에 위치한 인간 ROR1 유전자의 134 kb 단편을 포함하였다. 별도의 실험에서, Ror1 인간화 LTVEC와 Cas9를 인코드하는 플라스미드와 6개 sgRNAs (gA, gB, gC, gD, gE, 및 gF)중 하나를 인코드하는 제 2 플라스미드를 복합시켜, 결손에 대하여 표적화된 마우스 Ror1 유전자의 영역 안에 이중 가닥 틈을 만들었다. 상기 sgRNAs는 상기 인간 ROR1 유전자의 삽입된 부분내 임의의 서열 인지를 회피하도록 기획되었다. Ror1 유전자의 CRISPR/Cas9-지원된 인간화의 결과는 표 40에 나타낸다. LTVEC만을 단독으로 ES 세포 안으로 도입시켰을 때, 96가지 스크린된 약물 저항성 클론중 정확하게 표적화된 단일대립형질 이형접합성 인간화된 대립유전자를 가지는 것은 하나도 없는 것으로 밝혀졌다. 대조적으로, 테스트된 6개의 sgRNAs중 2개(D 및 F; 표 43에 서열 제공됨) 의해 안내된 Cas9 엔도뉴클레아제와 LTVEC의 조합으로 정확하게 표적화된 단일대립형질 이형접합성 또는 이중대립형질 돌연변이가 1.0%의 효과를 가지고 생성되었다. gRNA F에 의한 Cas9-안내된 절단의 경우, 1%의 빈도로 컴파운드 이형접합성 돌연변이가 또한 탐지되었다. 또다른 실험에서, 마우스 Dpp4 (디펩티딜 펩티다제 4) 유전자의 79 kb 결손과 함께 상동성 인간 DPP4 유전자의 82 kb 단편이 동시에 대체되도록 LTVEC가 기획되었다 (도 42). 상기 LTVEC는 5' 상동성 아암과 3' 상동성 아암의 측면에 있는 인간 DPP4 유전자의 82 kb 단편을 포함하며, 이들 각 아암은 결손된 마우스 Dpp4 유전자의 79kb 서열의 측면에 있는 마우스 Dpp4 좌의 일부분으로부터 유도된 게놈 DNA 46kb을 포함한다. 별도의 실험에서, Dpp4 인간화 LTVEC와 Cas9를 인코드하는 플라스미드와 8개 sgRNAs (gA, gB, gB2, gC, gD, gE, gE2, 및 gF)중 하나를 인코드하는 제 2 플라스미드를 복합시켜, 결손에 대하여 표적화된 마우스 Dpp4 유전자의 영역 안에 이중 가닥 틈을 만들었다. 상기 sgRNAs는 상기 인간 DPP4 유전자의 삽입된 부분내 임의의 서열 인지를 회피하도록 기획되었다. Dpp4 유전자의 CRISPR/Cas9-지원된 인간화의 결과는 표 41에 나타낸다. LTVEC만을 단독으로 ES 세포 안으로 도입시켰을 때, 스크린된 약물 저항성 클론의 2.1%는 정확하게 표적화된 단일대립형질 이형접합성 인간화된 대립유전자를 가지는 것으로 밝혀졌다. 대조적으로, 테스트된 8개의 sgRNAs (A, B, B2, C, D, E, E2, 및 F; 표 43에 서열 제공됨)중 임의의 하나에 의해 안내된 Cas9 엔도뉴클레아제와 LTVEC의 조합으로 정확하게 표적화된 단일대립형질 이형접합성 돌연변이가 2.1 내지 7.3% 범위의 효과를 가지고 생성되었다. 상기 다양한 마우스 유전자의 CRISPR/Cas9-지원된 인간화에 대한 결과를 요약한 표가 표 42에 제공된다. 제 1 열은 표적화된 유전자 좌를 나타낸다. 제 2 열은 내생성 마우스 좌의 결손 크기(Del)과 대응하는 인간 좌의 삽입 크기 (Ins)를 나타낸다. 나머지 열은 정확하게 표적화된 단일대립형질 이형접합성 돌연변이, 이중대립형질 컴파운드 이형접합성 돌연변이, 또는 이중대립형질 동형접합성 돌연변이를 갖는 각 조건에 대한 콜로니의 수(96개 중에서)를 나타낸다. "gRNA 없음"은 LTVEC 단독을 나타내며, 다른 줄은 LTVEC + 대응하는 gRNAs 를 나타낸다(상기 결손 좌 안에 상대적 위치를 나타냄). 실시예 5. 렛 게놈 좌의 표적화된 변형 요약표 45는 플라스미드 또는 CRISPR/Cas9와 복합된 LTVECs으로 렛 ES 세포의 표적화의 요약을 나타낸다. 2개의 gRNAs는 각 표적화된 좌: Rag2, ApoE, 및 Il2rg에 대해 별도로 테스트되었다 3개 좌 모두에서 CRISPR/Cas9의 절단 효과는 003e# 20% 이었다. CRISPR/Cas9가 표적화 플라스미드 및 LTVECs와 복합되어 이용될 때, 효적화 효과가 증가되고, 이중대립형질 표적화도 증가된 것으로 관찰되었다.표 46은 렛 게놈 좌의 표적화된 변형을 위한 생식계열 전달 데이터의 요약을 나타낸다. ApoE-표적화된 렛 및 Il2rg-표적화된 렛에 대한 생식계통 전달이 확인되었다. 렛 ES 세포는 XY (수컷)이었고, 표적화된 이형접합성이었다. 따라서, 상기 표적화된 ES 세포가 생식계열이 기여할 때, ES 세포로부터 유도된 정자의 대략 50%는 상기 돌연변이 대립유전자를 품고 있을 것이며 이형접합성 F1 새끼를 낳을 것이다.실시예 6. 인간 유도된 다분화능 줄기 세포의 생성, 유지 및 표적화 6.1. 인간 iPS 세포의 생성이 실시예는 비-다능성 인간 세포로부터 인간 iPS 세포 생성을 설명한다. CM7 프로모터에 작동가능하도록 연계된 4개의 재프로그래밍 인자 (hOct4, hSox2, hKLF-4, hMYC)를 인코드하는 유전자를 포함하는 PiggyBac (System Biosciences) 벡터 (PB-600A_CAGGS Bst XI (0.64 μg/μL) 및 PB-200 (0.99μg/μL)은 RED 및 BLUE GeneIn™ 트랜스펙션 시약 (GlobalStem)을 이용하여 신생 인간 포피 섬유아세포 안으로 도입되었다. 형질감염된 세포는상기 벡터의 통합 및 재프로그래밍 인자의 발현을 허용하기 위하여, E7 배지내 NuFF1 먹이공급 세포상에서 항온처리되었다. E7 배지는 DMEM/F-12, NaHCO3, L-아스코르빈산, 인슐린, 트랜스페린, 셀레니움, 및 FGF-2를 포함한다.E7 배지에서 2 μg/mL 퓨로마이신을 이용하여 트랜스펙션 후 10일에 퓨로마이신 선별이 시작되었다. 21일 차에, 콜로니가 선별되었고, DMEM/F-12, NaHCO3, L-아스코르빈산, 인슐린, 트랜스페린, 셀레니움, FGF-2, TGF-β1, 글루타티온, L-글루타민, 확정된(defined) 지질, 티아민, 미량 원소 B 및 C, β-멀캅토에탄올, 소 혈청 알부민, 피페콜산, 염화리튬, 및 GABA이 포함된 mTeSR™ 배지에서 배양되었다. 29일에서 57일 시점까지, 세포는 6 웰 플레이트에서 ~50% 합류될 때까지 mTeSR™ 배지에서 증식되고, 계대되었다. 65일 내지 73일 시점까지, mTeSR™ 배지 및 Gentle Cell Dissociation Reagent (Stem Cell Technologies)을 이용하여 증식 및 계대가 지속되었다. 76일 시점에서, 배지는 순수 또는 순수-외양 hiPSCs가 포함된 세포의 추가 증식, 계대 및 유지를 위하여 오스몰농도가 낮은 VG2i 배지로 교체되었다.6.2. 인간 iPS 세포에서 LTVEC 표적화이 실시예는 인간 iPS 세포에서 LTVEC 표적화의 용도를 설명한다. 도 51에서 나타난 바와 같이, VG2i 배지에서 증식된 인간 iPS 세포 안으로 다음의 핵산 분자가 전기 천공에 의해 도입되었다: (1) LTVEC (0.67 μg); (2) Cas9 엔도뉴클레아제 (5 μg)를 인코딩하는 플라스미드; 그리고 (3) CRISPR 단일 가이드 RNA (gRNA) (10 μg)를 인코딩하는 플라스미드. 시료 한 세트에서, Cas9와 gRNA는 배제되었다. 특이적으로, 3 x 106개 세포는 700V 전압, 25 uF 전기용량 그리고 400 ohms 저항에서 전기천공되었다. 상기 LTVEC는 결손될 인간 ADAM6 좌 4.1 kb 서열 측면에 있는 게놈 영역으로부터 유도된 게놈 DNA 34 kb 및 105 kb를 포함하는 상동성 아암 측면에 있는 마우스 Adam6a 및 Adam6b 유전자가 포함된 16.7 kb 핵산을 포함하였다. 상기 LTVEC는 또한 항생제 약물 (히그로마이신)에 대한 저항성을 부여하는 효소의 발현을 지시하는 약물 선별 카세트를 운반하였다. 이용된 인간 ADAM6 gRNA는 다음의 서열을 갖는다: GTATAGCCCTGTTACACATT (서열 번호: 94).LTVEC를 취입하고, 이를 이들의 게놈 안으로 통합시킨 세포는 GELTREX™-피복된 조직 배양 접시내 항생제 약물이 내포된 성장 배지 상에서 성장하고 콜로니를 형성할 수 있었다. LTVEC 분자보다 500 내지 1,000 배 더 많은 CRISPR/Cas9-인코딩 핵산 분자를 도입하였기 때문에, 대부분의 LTVEC-내포 약물 저항성 콜로니는 최소한 일시적으로, CRISPR/Cas9 성분들을 포함하였다. 우리는 약물 저항성 콜로니를 선택하였고, 정확하게 표적화된 인간화된 대립유전자를 보유하는 클론을 식별해내기 위하여 대립유전자-상실 방법(loss-of-allele method)에 의해 이를 스크리닝하였다 (Valenzuela et al. (2003) Nat. Biotech. 21:652-660; Frendewey et al. (2010) Methods Enzymol. 476:295-307; 이의 전문이 본 명세서의 참고자료에 통합됨) ADAM6 좌의 CRISPR/Cas9-지원된 LTVEC 표적화 결과는 표 47에 나타낸다.LTVEC 단독으로 인간 iPS 세포 안으로 도입된 경우, 3.1%의 표적화 효과가 관찰되었다. 대조적으로, ADAM6 gRNA에 의해 안내된 Cas9와 LTVEC가 복합되면 표적화 효과는 7.3%가 되었다.6.3. 인간 iPS 세포 형태에서 오스놀농도가 낮은 배지의 효과본 실시예는 배양에서 인간 iPS 세포의 전분화능 상태에 있어서, 염 농도, 이온 강도 및/또는 오스몰농도의 효과를 설명한다. 인간 iPS 세포는 표 48에서 설명된 배지 또는 mTeSR™ -hLIF 배지에서 MATRIGEL™ 또는 GELTREX™ 기질 상에서 배양되었다.이용된 기본 배지가 DMEM일 때, 이 배지는 2i 배지로 지칭되었다. 이용된 기본 배지가 VG-DMEM일 때, 이 오스몰농도가 낮은 배지는 VG2i 배지로 지칭되었다. VG2i 배지 (233 mOsm/kg)의 오스몰농도는 전통적인 2i　배지 (261 mOsm/kg)의 오스몰농도보다 낮다.도 52에 나타낸 바와 같이, 8 일 (도 52a) 또는 12 일 (도 52b)의 기간 동안 2i 배지에서 MATRIGEL™ 상에서 배양된 인간 iPS 세포는 프라임된 상태의 iPS 세포의 형태 특징을 나타내었고, 구체적으로 상피 단층에서 성장 및 정점-기반 극성의 출현을 나타낸다.인간 iPS 세포의 형태 및 전분화능 상태에 있어서 mTeSR-hLIF 배지 및 VG2i 배지의 효과를 더 평가하였다. 본 연구에서, 인간 iPS 세포는 6일의 기간 동안 mTeSR™ -hLIF 배지 (도 53a 및 53c) 또는 VG2i 배지 (도 53b 및 53d) MATRIGEL™ 또는 NuFF 먹이공급 세포 상에서 배양되었다. mTeSR™ -hLIF 배지에서 MATRIGEL™ 또는 NuFF 먹이공급 세포 상에서 배양되었을 때, 인간 iPS 세포는 프라임된 전분해능 상태의 iPS 세포의 형태 특징을 나타내었고, 구체적으로 상피 단층에서 성장 및 정점-기반 극성의 출현을 나타낸다. mTeSR™ -hLIF 배지에서 배양된 일부 세포는 3차원적 응괴형성을 특징으로 하는 형태를 나타내기 시작하였다. 대조적으로, VG2i 배지에서 MATRIGEL™ 또는 NuFF 먹이공급 세포 상에서 배양되었을 때, 상기 인간 iPS 세포는 순수 전분화능 상태의 형태 특징, 구체적으로 둥근 돔-모양 콜로니를 나타내었고, 정점-기반 극성은 부족하였다.6.4. 인간 iPS 세포에서 전분화능 표지의 발현에 있어서 오스몰 농도가 낮은 배지의 효과본 실시예는 프라임된 상태에서 순수 상태로 재프로그됨된 인간 iPS 세포에서 전분화능 표지들의 발현에 있어서, 염 농도, 이온 강도 및/또는 오스몰농도의 효과를 설명한다. VG2i 배지에서 MATRIGEL™ 기질상에서 24일 배양 후, 재프로그램된 순수 인간 iPS 세포는 알칼리 포스파타제 또는 NANOG의 발현에 대하여 착색되었다. 재프로그램된 세포는 알칼리 포스파타제 (도 54a) 및 NANOG (도 54b 및 54c) 모두를 강력하게 발현시킨 것으로 관찰되었고, 이는 순수 전분화능 상태를 나타낸다.6.5. 인간 iPS 세포의 효소적 해리 및 준배양에서 낮은 오스몰농도 배지의 효과본 실시예에서, 오스몰농도가 낮은 VG2i 배지를 이용하여 순수 상태로 재프로그램된 인간 iPS 세포는 트립신을 이용하여 해리시켜 단일 세포 현탁액을 만들었다 (도 55a). 상기 세포 현탁액은 VG2i 배지에서 계대배양을 위하여 GELTREX™-피복된 새 플레이트 상에 계대되었다. 1　일 (도 55b)과 4 일 (도 55c) 후, 상기 계대배양된 세포는 순수 전분화능 상태의 세포 형태 특징을 지속적으로 나타낸 것으로 관찰되었다. 구체적으로, 상기 세포는 둥근 돔-모양 콜로니로 성장되며, 정점-기반 극성은 나타내지 않았다. 사전-자가사멸 경로의 활성화를 방지하는데 전형적으로 요구되는 ROCK 억제제 없이 효소적 분리가 실행될 수 있음이 자명하다. 이는 사전-자가사멸 경로는 본 명세서에서 확인된 조건하에 배양된 순수 인간 iPS 세포의 효소적 분리 및 계대 배양 동안 강력하게 활성화되지 않음을 암시한다. 본 명세서에서 언급된 공개 및 특허 출원은 본 발명이 속하는 당업자의 수준을 나타낸다. 모든 공개물, 특허 출원들은 각 개별 공개, 또는 특허 출원이 특이적으로 그리고 개별적으로 참고문헌에 통합된 것과 동일한 수준으로 참고자료에 통합된다. 임의의 구체예의 내용으로부터 자명하지 않는 한, 본 발명의 측면, 단계 또는 특징은 임의의 다른 것과 복합될 수 있다. 범위와 관련하여, 이 범위내의 임의의 수, 그리고 이 범위의 임의의 하위 범위의 정수를 포함한다. 다중 범위의 언급에는 이러한 범위의 복합이 포함된다.	본 명세서에서 설명된 바와 같이, 다양한 내생성 또는 외생성 핵산 서열이 큰 표적화 벡터 (LTVEC)를 이용하여, 진핵 세포, 포유류 세포, 인간 세포 또는 비-인간 포유류 세포 내 관심 대상의 게놈 좌의 변형을 위한 조성물 및 방법이 제공된다. 추가 방법은 LTVEC와 CRISPR/Cas 시스템의 이용을 복합한다. 생식계통에서 하나 또는 그 이상의 표적화된 유전적 변형이 포함된 유전적으로 변형된 비-인간 동물을 만들기 위한 조성물 및 방법이 또한 제공된다.
[ 발명의 명칭 ] 절삭가공방법 및 공구경로 생성장치Cutting Method and Tool Path Generating Device [ 기술분야 ] 본 발명은, 절삭가공방법 및 공구경로 생성장치에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 종래의 기술에 있어서는, 회전공구를 회전시켜서, 워크의 가공을 행하는 공작기계가 알려져 있다. 또한, 이와 같은 공작기계에 있어서 회전공구의 경로를 소정의 축의 좌표 등에 의하여 지정하고, 워크에 대하여 회전공구를 자동적으로 상대이동시키면서 가공을 행하는 수치제어식의 공작기계가 알려져 있다. 이와 같은 공작기계에 있어서, 공구로서 프라이스 공구를 사용함으로써 워크를 절삭하는 가공을 행할 수 있다.워크를 절삭하면 절삭한 영역의 외주부에 가공면으로부터 돌출되는 작은 돌출부가 발생하는 경우가 있다. 이와 같은 돌출부는 버(burr)라고 불리며, 가공면을 절삭한 후에 원하는 형상으로 하기 위하여 제거할 필요가 있다.일본공개특허공보 2013-151030호에 있어서는, 절삭공구를 회전시키면서 이동시켜서 금형을 절삭가공하는 방법으로서, 절삭공구를 소정의 방향으로 이동시킨 후에, 절삭공구를 소정의 방향과 반대 방향으로 이동시키는 금형의 절삭가공방법이 개시되어 있다. 이러한 가공방법에 의하여 금형을 절삭가공할 때에 발생하는 버를 제거할 수 있는 것이 개시되어 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 특허문헌 1: 일본공개특허공보 2013-151030호 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 공작기계에 의한 워크의 가공방법에는, 서로 평행한 복수의 공구경로를 따라서 공구를 이동시켜 가공을 행하는 방법이 있다. 예를 들어, 공작기계의 주축의 축방향(Z축 방향)에 있어서의 위치를 일정하게 유지하면서 XY 평면에 평행한 평면 상에서 공구를 이동시켜서 가공하는 등고선 가공을 행하는 경우가 있다. 이와 같은 절삭 가공을 행하는 경우에도, 워크의 모서리부에 버가 발생하는 경우가 있다. 다수의 모서리부가 존재하는 워크에서는, 다수의 모서리부에 있어서 버가 발생하는 경우가 있다. 상기 일본공개특허공보 2013-151030호에는, 워크의 모서리부에 발생하는 버를 효과적으로 제거하는 방법에 대하여는 개시되어 있지 않다.워크를 절삭하였을 때에 발생하는 버는, 작업자가 수작업으로 제거할 수 있다. 그런데, 작업자의 작업량이 많아져서 워크의 가공시간이 길어지기 때문에, 워크의 생산성이 저하된다. 특히, 다수의 모서리부를 가지는 목표 형상으로 워크를 가공하는 경우에는, 각각의 모서리부에 발생하는 버를 제거할 필요가 있어, 긴 시간을 필요로 한다.또는, 버의 발생을 억제하기 위하여 워크에 대한 공구의 상대속도를 작게 할 수 있다. 즉, 절삭 속도를 작게 함으로써 버의 발생을 억제할 수 있다. 하지만, 이 방법에서도 워크의 가공시간이 길어진다는 문제가 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 절삭가공방법은, 서로 평행한 복수의 공구경로에 근거하여 워크를 절삭하고, 외측으로 돌출되는 모서리부를 가지는 형상으로 워크를 가공하는 공작기계의 절삭가공방법으로서, 1개의 공구경로에 근거하여 워크를 가공하는 가공공정과, 1개의 공구경로에 근거하는 가공공정의 종료 후에, 1개의 공구경로에 평행한 다른 공구경로에 근거하는 가공공정의 시점으로 이동하는 이동공정을 반복하여 실시하는 공정을 포함한다. 가공공정은, 1개의 공구경로로 워크를 절삭하는 절삭공정과, 모서리부를 형성하는 영역에 있어서, 절삭공정과 동일한 공구경로 및 동일한 방향으로 워크에 대하여 공구를 상대이동시키서, 모서리부에 발생하는 버를 제거하는 제거공정을 포함하고, 1개의 공구경로에 근거하는 절삭공정 및 제거공정을 연속하여 실시한다.상기 발명에 있어서는, 제거공정은, 1개의 공구경로의 전체와 동일한 공구경로로 워크에 대하여 공구를 상대이동시켜서 버를 제거하는 공정을 포함할 수 있다.상기 발명에 있어서는, 1개의 공구경로는, 워크에 대하여 공구가 직선적으로 상대이동하는 직선영역과 모서리부를 형성하는 곡선영역을 포함하고, 제거공정은, 직선영역에 있어서의 워크에 대한 공구의 상대속도를 곡선영역에 있어서의 워크에 대한 공구의 상대속도보다 빠르게 하는 공정을 포함할 수 있다.상기 발명에 있어서는, 제거공정은, 1개의 공구경로 중 모서리부를 형성하는 영역 이외의 영역에 있어서, 1개의 공구경로로부터 일탈한 공구경로로 상대이동하는 공정을 포함할 수 있다.상기 발명에 있어서는, 가공공정은, 공작기계의 주축의 축방향에 있어서의 워크에 대한 공구의 상대위치를 일정하게 유지하면서 공구의 측면에서 가공하는 공정을 포함할 수 있다.상기 발명에 있어서는, 가공공정은, 공작기계의 주축의 축방향으로부터 워크를 보았을 때에 워크에 대하여 공구를 직선 형상으로 상대이동시켜서 공구의 바닥면에서 가공하는 공정을 포함할 수 있다.본 발명의 공구경로 생성장치는, 워크를 절삭하는 서로 평행한 복수의 공구경로를 포함하고, 외측으로 돌출되는 모서리부를 가지는 형상으로 워크를 가공하는 공구경로를 생성하는 공구경로 생성장치로서, 1개의 공구경로에 근거하여 워크를 가공하는 가공공구경로와, 1개의 공구경로에 근거하는 가공의 종료 후에, 1개의 공구경로에 평행한 다른 공구경로에 근거하는 가공공구경로의 시점으로 이동하는 이동공구경로를 생성하는 경로생성부를 구비한다. 가공공구경로는, 워크를 절삭하는 1개의 공구경로를 포함하는 절삭공구경로와, 모서리부가 형성되는 영역에 있어서, 절삭공구경로와 동일한 공구경로 및 동일한 방향으로, 워크에 대하여 공구를 상대이동시키고, 모서리부에 발생하는 버를 제거하는 제거공구경로를 포함한다. 경로생성부는, 1개의 공구경로에 근거하는 절삭공구경로에 연속하여 1개의 공구경로에 근거하는 제거공구경로를 생성한다.상기 발명에 있어서는, 경로생성부는, 모서리부가 형성되는 영역을 설정하고, 모서리부가 형성되는 영역 이외의 영역에 있어서는 1개의 공구경로로부터 일탈하는 제거공구경로를 생성할 수 있다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 따르면, 워크를 가공하였을 때에 버의 잔존을 억제하는 절삭가공방법, 및 버의 잔존을 억제하는 공구경로를 생성하는 공구경로 생성장치를 제공할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 실시형태에 있어서의 제1 워크를 가공하는 공구경로를 설명하는 워크의 개략 사시도이다.도 2는 실시형태에 있어서의 수치제어식의 공작기계의 개략 정면도이다.도 3은 실시형태에 있어서의 제1 워크의 모서리부의 확대 개략 단면도이다.도 4는 제1 워크를 절삭하는 절삭공구경로를 설명하는 개략 단면도이다.도 5는 제1 워크의 모서리부에 발생하는 버를 제거하는 제거공구경로를 설명하는 개략 단면도이다.도 6은 실시형태에 있어서의 절삭가공방법의 플로차트이다.도 7은 제1 워크의 모서리부에 발생하는 버를 제거하는 다른 제거공구경로를 설명하는 개략 단면도이다.도 8은 실시형태에 있어서의 제2 워크를 가공하는 공구경로를 설명하는 워크의 개략 사시도이다.도 9는 실시형태에 있어서의 제2 워크의 모서리부의 확대 개략 단면도이다.도 10은 실시형태에 있어서의 가공 시스템의 블록도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1 내지 도 10을 참조하여, 실시형태에 있어서의 절삭가공방법 및 공구경로 생성장치에 대하여 설명한다. 본 실시형태의 가공은, 워크의 일부를 절삭함으로써 원하는 형상으로 가공하는 절삭가공이다. 워크의 절삭가공은 수치제어식의 공작기계로 실시할 수 있다.도 1은, 실시형태에 있어서의 제1 절삭가공방법에 의하여 워크를 목표 형상까지 가공한 후의 워크의 개략 사시도이다. 제1 절삭가공방법에서는, 직육면체의 워크(1)의 측면을 절삭함으로써, 평면 형상이 십자의 워크(1)를 형성한다.도 2는, 본 실시형태에 있어서의 공작기계의 개략 정면도이다. 공작기계(11)는, 베이스대가 되는 베드(13)와, 베드(13)의 상면에 세워 설치된 칼럼(15)을 구비한다. 베드(13)의 상측에는, 캐리지(27)가 배치되어 있다. 캐리지(27)의 상면에는, 워크(1)를 보유하는 테이블(35)이 배치되어 있다. 워크(1)는, 보유부재를 통하여 테이블(35)에 고정된다.칼럼(15)의 앞면에는, 새들(17)이 배치되어 있다. 더욱이, 새들(17)의 앞면에는, 주축 헤드(21)가 배치되어 있다. 주축 헤드(21)의 내부에는 주축(25)이 배치되어 있다. 주축(25)에는, 워크(1)를 가공하는 공구(41)가 설치된다. 공구(41)는, 주축(25)의 축선둘레로 회전한다.본 실시형태에 있어서의 공작기계(11)는, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축의 3개의 직선 이송축을 가진다. 공작기계(11)는, 공구(41)와 워크(1)와의 상대위치를 변경하는 이동장치를 구비하고 있다. 본 실시형태에 있어서는, 주축(25)의 축방향(도 2에 있어서 상하방향)으로 연장되는 축을 Z축이라고 한다. 새들(17)의 이동방향(도 2에 있어서 좌우방향)으로 연장되는 축을 X축이라고 한다. 또한, 캐리지(27)의 이동방향(도 2에 있어서 지면에 수직인 방향)으로 연장되는 축을 Y축이라고 한다. 이동장치는, X축 이동장치, Y축 이동장치 및 Z축 이동장치를 구비한다. 각각의 축방향으로 워크(1)에 대하여 공구(41)를 상대적으로 이동시킬 수 있다.X축 이동장치는, 칼럼(15)의 앞면에 형성되어 있는 한 쌍의 X축 레일(19a, 19b)을 포함한다. 새들(17)은, X축 레일(19a, 19b)을 따라서 왕복이동이 가능하게 형성되어 있다. X축 이동장치는, 새들(17)을 이동시키기 위한 X축 서보모터를 포함한다. 주축 헤드(21) 및 공구(41)는, 새들(17)과 함께 X축 방향으로 이동한다.Y축 이동장치는, 베드(13)의 상면에 배치되어 있는 한 쌍의 Y축 레일(29a, 29b)을 포함한다. 캐리지(27)는, Y축 레일(29a, 29b)을 따라서 왕복이동이 가능하게 형성되어 있다. 칼럼(15)에는, 캐리지(27)가 Y축 방향으로 이동 가능하도록 공동부(15a)가 형성되어 있다. 캐리지(27)는, 이동할 때에 공동부(15a)의 내부에 진입한다. Y축 이동장치는, 캐리지(27)를 이동시키기 위한 Y축 서보모터를 포함한다. 테이블(35) 및 워크(1)는, 캐리지(27)와 함께 Y축 방향으로 이동한다.Z축 이동장치는, 새들(17)의 앞면에 형성되어 있는 한 쌍의 Z축 레일(23a, 23b)을 포함한다. 주축 헤드(21)는, Z축 레일(23a, 23b)을 따라서 왕복 이동이 가능하게 형성되어 있다. Z축 이동장치는, 주축 헤드(21)를 이동시키기 위한 Z축 서보모터를 포함한다. 공구(41)는, 주축 헤드(21)와 함께 Z축 방향으로 이동한다. 더욱이, 주축 헤드(21)의 내부에는, 주축(25)을 축둘레로 회전시키는 회전구동모터가 배치되어 있다.본 실시형태에 있어서의 공작기계(11)는, 제어장치(45)를 포함한다. 제어장치(45)는, 연산처리장치를 포함한다. 연산처리장치는, 연산처리 등을 행하는 마이크로 프로세서(CPU), 기억장치로서의 ROM(Read Only Memory)이나 RAM(Random Access Memory), 및 그 밖의 주변회로를 가진다. 제어장치(45)는, 이동장치의 각 축 서보모터나 주축 헤드(21)의 내부의 회전구동모터에 접속되어 있다. 제어장치(45)가 이동장치를 제어함으로써 워크(1)에 대하여 공구(41)를 상대적으로 이동시킬 수 있다. 또한, 제어장치(45)가 회전구동모터를 구동함으로써, 공구(41)를 원하는 회전속도로 회전시킬 수 있다.도 1 및 도 2를 참조하여, 제1 절삭가공방법에서는, 공구(41)로서 플랫엔드밀을 이용할 수 있다. 제1 절삭가공방법에 있어서는, Z축 방향에 있어서의 공구(41)의 높이를 일정하게 유지하면서, X축 방향 및 Y축 방향으로, 워크(1)에 대하여 공구(41)를 상대적으로 이동시켜서 가공을 행한다. 소정의 방향에 있어서의 워크에 대한 공구의 상대위치를 일정하게 유지하면서 행하는 가공을 등고선 가공이라고 하며, 제1 절삭가공방법에서는 등고선 가공을 실시한다.도 1에는, 워크(1)를 가공하기 위한 복수의 공구경로(p1~p9)가 나타나 있다. 여기에서, 공구경로란, 워크에 대하여 공구가 상대이동하는 경로이다. 예를 들어, 공구경로는, 워크(1)에 대하여 공구(41)가 상대이동할 때에 공구 중심이 이동하는 경로이다. 각각의 공구경로(p1~p9)는, 서로 평행하여 연장되어 있다. 공구경로(p1~p9)는, XY 평면에 평행한 평면 내에 존재한다. 즉, 제1 절삭가공방법에서는, Z축 방향에 있어서의 워크(1)에 대한 공구(41)의 상대위치를 일정하게 유지하면서 공구(41)의 측면에서 절삭가공을 행한다.등고선 가공에서는, 복수의 공구경로 중 1개의 공구경로에 근거하는 가공이 종료되면, 인접하는 다른 공구경로로 이동할 수 있다. 이때의 이동량을 피크피드(pf)라고 한다. 서로 평행한 공구경로가 복수 존재하므로, 피크피드(pf)씩 공구경로를 어긋나게 하면서 복수회 가공을 행한다. 예를 들어, 공구경로(p1)에 근거하여 공구(41)를 상대이동하여 워크(1)를 절삭한다. 공구경로(p1)에 의한 절삭가공이 종료되면, 다음으로, 공구경로(p2)를 따라서 공구(41)를 상대이동하여 워크(1)를 절삭한다. 이와 같이, 공구경로(p1)에서 공구경로(p9)까지 절삭가공을 반복함으로써, 목표 형상으로 워크(1)를 가공할 수 있다.도 1에 나타내는 워크(1)의 예에서는, 서로 평행한 공구경로가 9개 존재한다. 워크를 절삭하는 가공은, 워크(1)의 상부(1a)에서 하부(1b)를 향하여 서서히 행하여진다. 여기에서, 워크(1)의 목표 형상에는, 평면에서 볼 때에 외측으로 돌출되는 복수의 모서리부(1c)가 존재한다. 즉, 볼록한 형상의 모서리부(1c)가 존재한다.도 3에, 워크의 모서리부의 확대 개략 단면도를 나타낸다. 워크(1)의 모서리부(1c)를 형성하는 경우에는, 모서리부(1c)의 형상을 따라서 공구(41)를 상대이동한다. 화살표(92)는, 절삭가공을 행하는 공구경로에 대응하고 있다. 공구중심(41a)은, 화살표(92)를 따라서 이동한다. 절삭가공에서는, 목표 형상이 내측으로 오목한 모서리부(1d)에서는 버(5)가 발생하지 않는 것에 대하여, 외측으로 돌출되는 모서리부(1c)를 형성하면 목표 형상으로부터 돌출되는 버(5)가 발생하는 경우가 있다.도 1을 참조하여, 특히 가공 후의 워크(1)의 형상은, 상부(1a)보가 하부(1b) 쪽이 두껍게 되어 있다. 워크(1)의 목표 형상은, 하부(1b)를 향할수록 외측으로 경사져 있다. 이와 같은 목표 형상의 절삭가공은, 예를 들어 금형에 발구배(draft angle)를 형성하기 위하여 실시한다.워크(1)의 상부(1a)에서 하부(1b)까지 두께가 일정한 경우에는, 평면에서 보았을 때, 서로 이웃하는 공구경로끼리 겹친다. 이 경우에는, 예를 들어 공구경로(p1)로 절삭 가공하였을 때에 발생한 버는, 공구경로(p2)를 따라서 절삭 가공을 행할 때에 공구의 섕크에 가까운 영역의 절삭날에 의하여 제거되는 경우가 있다. 그런데, 평면에서 보았을 때에, 공구경로끼리 어긋나는 경우에는 발생한 버가 잔존한다. 그래서, 본 실시형태의 절삭가공방법에서는, 워크(1)를 절삭하는 절삭공정에 더하여, 모서리부(1c)에 발생하는 버(5)를 제거하는 제거공정을 실시한다.본 실시형태의 절삭가공방법은, 1개의 공구경로에 근거하여 워크를 가공하는 가공공정을 포함한다. 예를 들어, 도 1을 참조하여, 공구경로(p1)에 근거하여 워크를 가공하는 가공공정을 실시한다. 다음으로, 1개의 공구경로에 근거하는 가공공정의 종점에서 소정의 이동량으로 워크(1)에 대한 공구(41)의 상대위치를 변경하는 이동공정을 실시한다. 이동공정에서는, 1개의 공구경로에 평행한 다른 공구경로에 근거하는 가공공정의 시점으로 이동한다. 그리고, 다음의 가공공정을 실시한다. 예를 들어, 공구경로(p1)에 근거하는 가공공정이 종료되면, 피크피드(pf)의 이동량으로 공구(14)를 상대이동한다. 그리고, 공구경로(p2)에 근거하여 워크(1)를 가공하는 가공공정을 실시한다. 이와 같은 가공공정 및 이동공정을 반복하여 실시한다.도 4에, 1개의 공구경로로 워크를 절삭하는 절삭공정을 설명하는 워크의 개략 단면도를 나타낸다. 화살표(92)로 1개의 공구경로가 나타나 있다. 화살표(92)는, 예를 들어 공구경로(p1)에 상당한다. 처음으로, 화살표(91)로 나타내는 바와 같이, 공구(41)를 소정의 위치에서 가공공정의 시점으로 이동한다. 가공공정은, 1개의 공구경로로 워크를 절삭하는 절삭공정을 포함한다. 절삭공정에서는, 화살표(92)로 나타내는 바와 같이, 워크(1)의 목표 형상을 따라서 공구(41)를 상대이동시켜서 워크(1)를 절삭한다. 여기에서, 절삭공정의 공구경로를 절삭공구경로라고 한다.도 5는, 버를 제거하는 제거공정을 설명하는 워크의 개략 단면도이다. 가공공정은, 모서리부(1c)에 발생하는 버를 제거하는 제거공정을 포함한다. 제거공정에 있어서는, 절삭공정과 동일한 공구경로 및 동일한 방향으로, 워크(1)에 대하여 공구(41)를 상대이동시킨다. 제거공정에서는, 화살표(93)로 나타내는 바와 같이, 워크(1)의 목표 형상을 따라서 공구(41)를 상대이동시킨다. 화살표(93)는, 예를 들어 공구경로(p1)에 상당한다. 이와 같은 제거공정의 공구경로를 제거공구경로라고 한다. 제거공정에서는, 모서리부(1c)를 형성하는 영역을 공구(41)가 통과할 때에, 모서리부(1c)에 발생한 버(5)를 제거할 수 있다. 제거공정이 종료되면, 화살표(94)로 나타내는 바와 같이, 공구(41)를 제거공구경로로부터 떼어낸다.도 5에 나타내는 제거공정에서는, 1개의 공구경로의 전체와 동일한 공구경로로, 워크(1)에 대하여 공구(41)를 상대이동시키고 있다. 즉, 동일한 공구경로를 2회 연속하여 이동하고 있다. 1회째 상대이동은 워크(1)를 절삭하는 절삭공정이고, 2회째 상대이동은 모서리부(1c)에 발생하는 버를 제거하는 제거공정이 된다. 이와 같은 1회의 가공공정에 있어서의 절삭공구경로와 제거공구경로를 포함하는 공구경로를 가공공구경로라고 한다.다음으로, 이동공정으로 다른 공구경로에 근거하는 가공공정의 시점으로 이동한다. 예를 들어, 공구경로(p2)에 근거하는 가공공정의 시점으로 이동한다. 그리고, 절삭공정 및 제거공정을 실시한다. 이와 같이, 각각의 공구경로(p1~p9)에 근거하는 가공공정을 실시하면서 워크(1)의 상부(1a)에서 하부(1b)까지 절삭할 수 있다.도 6에, 본 실시형태에 있어서의 절삭가공방법의 플로차트를 나타낸다. 변수(k)는, 복수의 공구경로의 번호를 나타내고 있다. 처음으로, 스텝 81에 있어서, 변수(k)에 1을 대입한다. 스텝 82에 있어서는, 1번째 가공공구경로의 시점으로 이동한다. 도 1에 나타내는 예에서는, 공구경로(p1)의 시점으로 이동한다.다음으로, 스텝 83 및 스텝 84에서는, 1번째 가공공정을 실시한다. 스텝 83에 있어서는, 1번째 절삭공구경로로 공구(41)를 상대이동하여 워크(1)를 절삭하는 1번째 절삭공정을 실시한다. 예를 들어, 1번째 공구경로(p1)로 워크(1)를 절삭한다. 다음으로, 스텝 84에 있어서는, 1번째 제거공구경로로 공구(41)를 상대이동하고, 1번째 제거공정을 실시한다. 예를 들어, 1번째 공구경로(p1)로 버를 제거한다. 1번째 절삭공정으로 절삭한 영역에 발생하는 버를 제거할 수 있다.다음으로, 스텝 85에 있어서는, 변수(k)가 미리 정해진 가공공정의 횟수(n)인지 아닌지를 판별한다. 도 1에 나타내는 예에서는, 가공공정의 횟수(n)는 9이기 때문에, 변수(k)가 9인지 아닌지를 판별한다. 스텝 85에 있어서, 변수(k)가 횟수(n)에 도달하지 않았다면, 스텝 86으로 이행한다.스텝 86에 있어서는, 변수(k)에 1을 가산한다. 그리고, 스텝 82로 되돌아가서, 2번째 가공공구경로의 시점으로 이동한다. 즉, 다음의 가공공구경로의 시점으로 이동한다. 도 1에 나타내는 예에서는, 2번째 공구경로(p2)의 시점으로 이동하고, 그 후에 스텝 83 및 스텝 84에 있어서 2번째 가공공정을 실시한다.이와 같이, 변수(k)가 횟수(n)에 도달할 때까지 스텝 82에서 스텝 84까지 반복한다. 즉, 절삭공정 및 제거공정을 포함하는 가공공정을 n회 반복한다. 스텝 85에 있어서, 변수(k)가 횟수(n)에 도달한 경우에는, 이 제어를 종료한다. 도 1에 나타내는 예에서는, 변수(k)가 9가 된 경우에는, 이 제어를 종료한다.여기에서, 비교예의 절삭가공방법을 설명한다. 도 1을 참조하여, 비교예의 절삭가공방법은, 처음으로, 각각의 공구경로(p1)에서 공구경로(p9)에 대하여, 1회의 공구(41)의 상대이동을 실시하여 절삭가공한다. 그 후에, 다시 공구경로(p1)로 되돌아가서 버를 제거하는 공정을 실시한다. 즉, 워크(1)를 상부(1a)에서 하부(1b)까지 절삭한 후에, 버를 제거하기 위하여, 다시 공구경로(p1~p9)에 근거하여 가공한다. 비교예의 절삭가공방법에 있어서도, 모서리부(1c)에 발생하는 버를 제거할 수 있다. 하지만, 비교예의 절삭가공방법에서는, 절삭가공에 있어서의 공구의 마모, 공작기계의 열변형으로서는, 예를 들어 주축을 지지하는 베어링의 온도 상승에 따른 열변형을 예시할 수 있다. 이와 같은 공구의 마모나 열변형의 결과, 가공 정밀도가 저하된다.이에 대하여, 본 실시형태의 절삭가공방법에서는, 워크를 절삭하는 절삭공정에 이어 버를 제거하는 제거공정을 실시하고 있다. 1개의 공구경로에 근거하여 절삭공정 및 제거공정을 연속하여 실시함으로써, 열변형이나 공구의 마모의 영향을 작게 억제할 수 있다. 이 결과, 가공 정밀도의 저하를 억제할 수 있다.또한, 제1 절삭가공방법에 있어서는, 절삭공정에 있어서의 1개의 공구경로의 전체와 동일한 공구경로로 워크에 대하여 공구를 상대이동시키는 제거공정을 실시하고 있다. 즉, 제거공구경로가 절삭공구경로와 동일해진다. 이 때문에, 제거공구경로를 쉽게 생성할 수 있다.본 실시형태에 있어서는, 워크에 대한 공구의 이동속도를 절삭공정과 제거공정에서 동일하게 하고 있는데, 이러한 형태로 한정되지 않으며, 절삭공정에 있어서의 이동속도와 제거공정에 있어서의 이동속도를 변화시켜도 상관없다.예를 들어, 제거공구경로는, 워크에 대하여 공구가 직선적으로 이동하는 직선영역과, 모서리부를 형성하기 위하여, 워크에 대하여 공구가 곡선 형상으로 이동하는 곡선영역을 포함하는 경우가 있다. 버는, 모서리부에 발현하고 평면 형상의 부분에는 발현하지 않는다. 이 때문에, 제거공정에서는, 직선영역에 있어서의 이동속도를 곡선영역에 있어서의 이동속도보다 빠르게 할 수 있다.도 7에, 본 실시형태의 다른 제거공정을 설명하는 워크의 개략 단면도를 나타낸다. 화살표(93a) 및 화살표(93b)는, 제거공구경로를 나타내고 있다. 화살표(93a)는, 버(5)가 발생할 가능성이 있는 곡선영역의 공구경로를 나타내고 있다. 곡선영역은, 모서리부(1c)의 전후의 직선적으로 이동하는 영역을 약간 포함하는 것이 바람직하다. 화살표(93b)는, 버가 발생하지 않는 직선영역의 공구경로를 나타내고 있다. 이 경우에는, 화살표(93b)로 나타내는 영역의 이동속도를 화살표(93a)로 나타내는 영역의 이동속도보다 빠르게 할 수 있다.이 방법에 의하여, 버가 발생하는 모서리부(1c) 부분에서는, 확실하게 버를 제거할 수 있다. 한편으로, 직선영역의 상대속도가 빠르기 때문에 가공시간의 단축을 도모할 수 있다. 이와 같이, 버의 제거 성능을 높게 유지하면서 단시간으로 가공할 수 있다. 한편, 도 7에 나타내는 예에서는, 내측으로 오목한 모서리부(1d) 부분을 직선영역에 설정하고 있는데, 이러한 형태로 한정되지 않으며, 내측으로 오목한 모서리부(1d)를 형성하는 영역도 곡선영역으로 하여도 상관없다.더욱이, 상기 제거공구경로는, 절삭공정에 있어서의 1개의 공구경로의 전체와 동일한 공구경로로, 공구(41)의 상대이동을 실시하고 있는데, 이러한 형태로 한정되지 않으며, 1개의 공구경로 중, 모서리부(1c)를 형성하는 영역 이외의 영역에 있어서는, 1개의 공구경로로부터 일탈한 공구경로로 상대이동을 실시하여도 상관없다. 즉, 제거공구경로는, 모서리부(1c)를 형성하는 영역에서 절삭공구경로와 동일한 공구경로라면, 그 밖의 영역에서는 임의의 공구경로를 채용할 수 있다.도 7을 참조하여, 제거공구경로로서 화살표(93a)로 나타내는 공구경로를 채용하는데, 화살표(93b)로 나타내는 공구경로는 채용하지 않아도 상관없다. 예를 들어, 제거공구경로는, 화살표(93c)로 나타내는 바와 같이, 1개의 모서리부(1c)의 가공이 종료되면, 근접하는 다른 모서리부(1c)의 가공을 실시하기 위하여 직선적으로 이동하는 공구경로를 포함할 수 있다. 즉, 모서리부(1c)를 형성하지 않은 영역에서는, 공구경로를 단락하여도 상관없다. 이 방법에 의하여, 가공시간의 단축을 도모할 수 있다.다음으로, 서로 평행한 복수의 공구경로에 근거하여 워크를 절삭하는 제2 절삭가공방법으로서 스캔 가공을 들어 설명한다. 스캔 가공은, 주사선 가공이라고도 한다. 스캔 가공에서는, 공작기계의 주축의 축방향으로부터 워크를 보았을 때에 워크에 대하여 공구를 직선 형상으로 상대이동시킨다. 워크를 평면에서 보았을 때에 각각의 공구경로가 직선 형상이 된다. 예를 들어, 스캔 가공에서는, 공구경로를 XY 평면에 투영하였을 때, 투영한 선이 직선이 된다.도 8은, 실시형태에 있어서의 제2 절삭가공방법에 의하여 워크를 목표 형상까지 가공한 후의 워크의 개략 사시도이다. 제2 절삭가공방법에서는, 워크(2)의 꼭대기면을 절삭한다. 공구(41)로서는, 예를 들어 볼엔드밀을 이용할 수 있다. 공구(41)의 바닥면에서 가공을 행한다. 워크(2)를 가공하기 위하여, 복수의 공구경로(p11~p17)가 설정되어 있다. 공구경로(p11~p17)는, 피크피드(pf)의 간격을 두고 서로 평행하다. 목표 형상까지 절삭한 워크(2)에는, 외측으로 돌출되는 모서리부(2c)가 존재한다.도 9에, 워크의 모서리부의 확대 개략 단면도를 나타낸다. 화살표(92)는, 1개의 공구경로에 상당한다. 예를 들어, 화살표(92)는, 공구경로(p11)에 상당한다. 모서리부(2c)를 형성하기 위하여, 공구경로는, 화살표(92)로 나타내는 바와 같이 외측을 향하여 휘어진다. 이 때문에, 모서리부(2c)에서는 버(5)가 발생하고 있다. 그래서, 제2 절삭가공방법에 있어서도, 제1 절삭가공방법과 마찬가지의 가공공정을 실시한다.도 8을 참조하여, 제2 절삭가공방법에 있어서도, 1개의 공구경로에 근거하는 가공공정을 실시한다. 그리고, 복수 회의 가공공정을 실시한다. 가공공정에서는, 절삭공구경로로 절삭공정을 실시한 후, 제거공구경로로 제거공정을 실시한다. 예를 들어, 공구경로(p11)로 워크(2)를 절삭하는 절삭공정을 실시한 후에, 공구경로(p21)에 나타내는 바와 같이 이동하여 공구경로(p11)의 시점으로 되돌아간다. 그리고, 공구경로(p11)로 공구(41)를 상대이동시키고, 모서리부(2c)에 발생하는 버를 제거하는 제거공정을 실시한다. 제거공정에 있어서는, 절삭공정과 동일한 공구경로 및 동일한 방향으로, 워크(2)에 대하여 공구(41)를 상대이동시킬 수 있다. 이와 같은 공구경로(p11)에 근거하는 가공공정이 종료되면, 다음의 공구경로(p12)에 근거하는 가공공정의 시점으로 이동하는 이동공정을 실시한다. 그리고, 공구경로(p12)에 근거하는 가공공정을 실시한다. 더욱이, 공구경로(p17)까지 마찬가지의 가공공정 및 이동공정을 실시한다.한편, 도 8에 나타내는 공구경로(p11~p17)는, 모두 동일한 방향을 향하고 있는데, 이러한 형태로 한정되지 않으며, 일부의 공구경로가 반대 방향을 향하고 있어도 상관없다. 예를 들어, 공구경로(p12)에 근거하는 가공공정에 있어서의 절삭공구경로의 방향이, 공구경로(p11)에 근거하는 가공공정에 있어서의 절삭공구경로의 방향과 반대 방향으로 되어 있어도 상관없다. 1회의 가공공정에 있어서, 절삭공정의 이동방향과 제거공정의 이동방향이 동일하면 상관없다.제2 절삭가공방법은, 제1 절삭가공방법과 마찬가지로, 절삭공정에 있어서의 1개의 공구경로의 전체와 동일한 공구경로로 제거공정을 실시할 수 있다. 또한, 제거공정에서는, 직선영역에 있어서의 공구의 상대이동속도를, 곡선영역에 있어서의 공구의 상대이동속도보다 빠르게 하여도 상관없다. 더욱이, 제거공정에 있어서는, 모서리부가 형성되어 있는 영역 이외의 영역에 대하여는, 절삭공정에 있어서의 공구경로와는 다른 공구경로를 채용하여도 상관없다. 이와 같이, 스캔 가공을 실시하는 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다.한편, 제2 절삭가공방법에서는, 평면에서 볼 때에 워크에 대하여 공구를 직선 형상으로 상대이동시키고 있는데, 이러한 형태로 한정되지 않으며, 평면에서 볼 때에 공구를 곡선 형상으로 상대이동시켜도 상관없다. 이러한 가공방법은, 경로가공이라고 한다. 경로가공에 있어서도 본 발명을 적용할 수 있다.다음으로, 공구경로 생성장치에 대하여 설명한다. 본 실시형태의 공구경로 생성장치는, 상술한 제1 절삭가공방법 및 제2 절삭가공방법에 있어서의 가공공구경로를 생성할 수 있다.도 10에, 본 실시형태에 있어서의 공작기계 및 공구경로 생성장치를 구비하는 가공 시스템의 개략도를 나타낸다. 본 실시형태에 있어서는, CAD(computer aided design) 장치(51)로 워크(1, 2)의 형상을 설계한다. CAD 장치(51)는, 워크(1, 2)의 형상 데이터(52)를 공구경로 생성장치(75)에 공급한다. 형상 데이터(52)에는 워크(1, 2)의 목표 형상의 데이터가 포함되어 있다.공구경로 생성장치(75)는, CAM(computer aided manufacturing) 장치의 기능을 가진다. 공구경로 생성장치(75)는, 형상 데이터(52) 및 입력 데이터(74)에 근거하여, 공작기계(11)의 제어장치(45)에 입력하기 위한 입력수치 데이터, 즉 가공 프로그램(62)을 생성한다. 입력 데이터(74)에는, 예를 들어 사용하는 공구의 종류나 공작기계의 종류 등의 가공조건에 관한 정보를 포함할 수 있다.본 실시형태에 있어서의 공구경로 생성장치(75)는, 형상 데이터 판독부(76)와, 경로생성부(77)를 구비한다. 본 실시형태에 있어서의 형상 데이터 판독부(76)는, 워크(1)를 가공한 후의 목표 형상을 포함하는 형상 데이터(52)를 판독한다. 경로생성부(77)는, 워크(1)의 형상 데이터(52) 및 입력 데이터(74)에 근거하여 가공 프로그램(62)을 생성한다.공작기계(11)의 제어장치(45)는, 가공 프로그램(62)에 근거하여 각 축 서보모터(64)를 구동한다. 워크(1, 2)에 대하여 공구(41)를 상대적으로 이동시킬 수 있다. 각 축 서보모터(64)에는, X축 서보모터, Y축 서보모터, 및 Z축 서보모터가 포함된다.다음으로, 제1 절삭가공방법에 의한 공구경로를 생성하는 예를 들어, 보다 상세하게 공구경로 생성장치를 설명한다. 한편, 공구경로 생성장치는, 제2 절삭가공방법에 의한 공구경로를 생성하는 경우도 마찬가지로 공구경로를 생성할 수 있다.경로생성부(77)는, 1개의 공구경로에 근거하여 워크(1)를 가공하는 가공공구경로와, 1개의 공구경로에 근거하는 가공의 종료 후에, 1개의 공구경로에 평행한 다른 공구경로에 근거하는 가공공구경로의 시점으로 이동하는 이동공구경로를 생성한다.도 1, 도 4 및 도 5를 참조하여, 경로생성부(77)는, 워크(1)의 목표 형상에 근거하여 공구경로(p1)를 생성한다. 다음으로, 경로생성부(77)는, 공구경로(p1)에 근거하여, 도 4의 화살표(92)로 나타내는 워크를 절삭하기 위한 절삭공구경로를 생성한다. 또한, 경로생성부(77)는, 도 5의 화살표(93)로 나타내는 버를 제거하기 위한 제거공구경로를 생성한다. 경로생성부(77)는, 이와 같이 절삭공구경로 및 제거공구경로를 포함하는 가공공구경로를 생성한다.다음으로, 경로생성부(77)는, 공구경로(p1) 이외의 공구경로(p2~p9)에 근거하는 가공공구경로를 생성한다. 그리고, 각각의 가공공구경로를 접속하는 이동공구경로를 생성한다. 본 실시형태의 공구경로 생성장치(75)는, 버의 잔존을 억제하는 공구경로를 생성할 수 있다.공구경로 생성장치(75)로 생성되는 가공공구경로에서는, 1개의 공구경로에 근거하는 절삭공구경로에 연속하여 1개의 공구경로에 근거하는 제거공구경로가 생성되어 있다. 즉, 도 4에 나타내는 절삭공구경로에 이어서, 도 5에 나타내는 제거공구경로가 설정되어 있다. 이 때문에, 열변형이나 공구의 마모의 영향을 억제하여, 가공 정밀도의 저하를 억제하는 공구경로를 생성할 수 있다.도 10을 참조하여, 작업자는, 예를 들어 입력 데이터(74)에 있어서 버를 제거하는 제거공정을 실시하도록 설정한다. 경로생성부(77)는, 제거공정을 실시하는 그래프를 판독하면, 절삭공구경로에 더하여 제거공구경로를 생성한다. 버(5)가 발생하는지 아닌지는, 모서리부(1c)의 각도, 워크(1)의 재질, 공구(41)의 회전속도, 및 워크(1)에 대한 공구(41)의 상대이동속도 등에 의존한다. 작업자는, 이번 회의 가공에 있어서 버(5)가 발생할 것으로 예상한 경우에는, 본 발명의 제거공구경로를 생성하도록 공구경로 생성장치를 조작하는 것이 바람직하다.상술한 바와 같이, 제거공구경로로서는, 절삭공구경로의 전체와 동일한 공구경로를 채용할 수 있다. 또는, 경로생성부(77)는, 모서리부(1c)가 형성되는 영역을 설정하고, 이 모서리부(1c)가 형성되는 영역 이외의 영역에 있어서는 절삭공구경로로부터 일탈하는 제거공구경로를 생성하여도 상관없다. 예를 들어, 모서리부(1c)가 형성되지 않은 영역에서는, 제거공구경로를 단락하여도 상관없다.본 실시형태의 절삭가공방법에서는, 1개의 공구경로에 근거하는 가공공정이 종료된 후에, 1개의 공구경로에 인접하는 다른 공구경로에 근거하는 가공공정을 실시하고 있는데, 이러한 형태로 한정되지 않으며, 1개의 공구경로로부터 떨어진 다른 공구경로에 근거하는 가공공정을 실시하여도 상관없다. 즉, 서로 평행한 복수의 공구경로에 근거하는 절삭가공은 임의의 순서로 실시할 수 있다.상술한 실시형태에서는, 공구로서 엔드밀을 예시하여 설명하였는데, 이러한 형태로 한정되지 않으며, 절삭이 가능한 임의의 프라이스 공구를 채용할 수 있다.또한, 공작기계로서는, 상기 형태로 한정되지 않으며, 워크에 대하여 공구가 상대이동 가능하고, 워크를 절삭 가능한 임의의 기계를 채용할 수 있다. 예를 들어, 엔드밀 등의 공구에 의하여 절삭을 행하는 머시닝센터 및 프라이스반(盤) 등의 공작기계를 사용할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 수치제어식의 공작기계는, 복수의 직선 이송축에 의하여 구성되어 있는데, 이러한 형태로 한정되지 않으며, 회전 이송축을 포함하고 있어도 상관없다.상기 실시형태는, 적절히 조합할 수 있다. 상술한 각각의 도면에 있어서, 동일 또는 상등하는 부분에는 동일한 부호를 붙이고 있다. 한편, 상기 실시형태는 예시이며 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 실시형태에 있어서는, 청구범위에 나타나는 변경이 포함되어 있다. [ 부호의 설명 ] 1, 2: 워크1c, 2c: 모서리부5: 버41: 공구45: 제어장치74: 입력 데이터75: 공구경로 생성장치77: 경로생성부p1~p9, p11~p17: 공구경로	절삭가공방법은, 서로 평행한 복수의 공구경로(p1~p9)에 근거하여 워크(1)를 절삭하고, 외측으로 돌출되는 모서리부(1c)를 가지는 형상으로 가공한다. 1개의 공구경로에 근거하여 워크(1)를 가공하는 가공공정과, 1개의 가공공정의 종료 후에 다음 가공공정의 시점으로 이동하는 이동공정을 반복한다. 가공공정에서는, 1개의 공구경로로 워크(1)를 절삭하는 절삭공정과, 모서리부(1c)를 형성하는 영역에 있어서, 절삭공정과 동일한 공구경로로 공구(41)를 상대이동시키고, 버(5)를 제거하는 제거공정을 연속하여 실시한다.
[ 발명의 명칭 ] 인간 피부의 외관 및 감촉을 개선하기 위한 다단계 요법A MULTI-STEP REGIMEN FOR IMPROVING THE APPEARANCE AND FEEL OF HUMAN SKIN [ 기술분야 ] 본 발명은 인간 피부의 외관 및 감촉을 개선하는 다단계 방법에 관한 것이다. 본 방법은 인간 피부에 먼저 도포된 피부 케어 조성물 위에 고농도의 분말을 함유하는 수중유 에멀전을 도포하는 단계를 포함한다. [ 배경기술 ] 개인 케어 제품은 잘 알려져 있으며 널리 사용된다. 이러한 제품은 세정 및 보습하고, 활성제를 전달하고, 결점을 감추고, 각질 표면 상의 기름기 및 번들거림을 감소시키기 위해 오랫동안 사용되어 왔다. 개인 케어 제품은 피부 및 모발의 색 및 외관을 변화시키는 데 또한 사용되어 왔다. 다양한 개인 케어 조성물이 피부 케어 효과를 제공하기 위해, 및 미세한 선(fine line), 주름, 및 고르지 않은 피부 텍스처(skin texture)와 같이, 많은 이들이 바람직하지 않은 "피부 노화의 징후"로서 간주하는 것을 상쇄시키기 위해 이용가능하다. 이들 효과 중에서, 인간 피부의 외관 및 감촉은 거의 틀림없이 소비자가 원하는 두 가지 가장 중요한 효과이다. 많은 제품이 인간 피부의 외관을 개선하도록 설계되며 많은 제품이 감촉을 개선하는 것과 관련된다. 전통적으로, 소비자에게 다양한 효과를 전달하려는 시도로, 매우 다양한 상이한 기능성 재료들이 단일 피부 케어 제품에서 조합된다. 예를 들어, 전형적인 피부 케어 제품은, 피부의 상태 및 건강을 개선하기 위한 습윤제 및 기타 피부 활성제; 피부를 매끄럽게 하기 위한 연화제; 및 피부 감촉 및 즉각적인 피부 외관 효과를 제공하기 위한 매우 다양한 분말을 함유할 수 있다. 그러나, 하나의 제품 내에 조성물들을 조합하는 것은 종종 어렵다. 더욱이, 하나의 효과를 전달하는 제품이 일반적으로 단일 도포 제품으로서 의도된다. 상이한 효과를 전달하지만 개별적으로 사용되도록 의도된 다수의 제품을 피부 상에 레이어링(layering)하는 것은, 너무 많은 성분들을 하나의 조성물에 혼합하는 것과 동일한 단점 및 복잡성을 가질 수 있다. 따라서, 상이한 조성물로 다수의 효과를 전달하지만 조절된 요법으로 함께 사용되도록 의도된 제품 및 요법이 필요하다. 예를 들어, 미립자 재료는 제품의 피부 감촉을 개선하기 위한 것과 같은 다양한 이유로 소비자 제품에 첨가될 수 있다. 미립자 재료는 또한 광을 확산 반사하여 즉각적인 가시적 효과를 피부에 제공할 수 있는데, 이는 피부에 매팅 효과(matting effect)를 제공한다. 그러나, 많은 미립자 재료가 불투명화제로서 작용하도록 첨가되며, 이는 소비자 제품을 메이크-업 또는 메이크-업 유사 제품으로 효과적으로 변화시킨다. 불투명화제를 포함하는 개인 케어 조성물의 단기 및 장기 효과는 불투명화제가 제공하는 차폐 효과를 인정할 뿐인 사용자에게서는 흔히 상실된다. 이들의 예에는 피부 색 효과를 제공하기 위한 고굴절률 안료, 예를 들어 이산화티타늄 및 산화철이 포함된다. 미분화 또는 구형 중합체 입자가 감촉 및 가시적 텍스처, 주름 감소 효과를 제공하기 위해 사용된다. 그러나, 이들 재료에 대해, 이러한 감촉 및 외관 효과를 증가시키려고 시도하는 경우 상충관계(tradeoff)가 존재한다. 높은 수준의 분말을 사용하는 것은 전형적으로 피부 상에 펴 바르기 어렵고 시간 경과에 따라 외관 효과를 상실하는 제품으로 이어진다. 이러한 제품은 전형적으로 현저하게 백색으로 되고 피부로부터 박리(flake off)될 수 있다. 마찬가지로, 습윤제는 다수의 피부 건강 및 외관 효과, 예를 들어, 더 적은 표면 산란 및 각질층에서의 굴절률 구배 감소에 의해 입증되는 바와 같은, 피부 투명성(translucency)의 증가, 가시적 텍스처, 즉 각질층의 플럼핑(plumping)의 감소, 및 일반적으로 더 잘 기능하며 더 강한 피부를 제공한다. 글리세린이 그의 화학 구조로 인해 이용가능한 가장 효율적인 습윤제이다. 그러나 글리세린은 매우 진하고, 끈적끈적한 재료이며, 높은 수준의 글리세린은 피부 상에서 매우 끈적끈적하고 무거운 감촉을 줄 수 있다. 더욱이, 글리세린이 피부에 흡수되는 것이 느리다는 것을 고려하면, 피부 상의 높은 수준의 글리세린은 피부가 매우 번들거리고 기름져 보이게 할 수 있다. 그러므로, 높은 수준의 습윤제를 함유하는 하나 이상의 개인 케어 조성물 위에 도포될 수 있는, 낮은 굴절률을 갖는 높은 백분율의 미립자 재료를 갖는 개인 케어 조성물이 필요하다. 이러한 레이어링 효과는 "올인원"(all-in-one) 조성물을 조합하는 것의 단점과, 함께 사용하도록 의도되지 않은 제품들을 레이어링하는 것의 단점을 피한다. 즉, 제품을 특정 방식으로 둘 이상의 층으로 분리하고 이들 층을 특성 순서로 피부에 도포하여, 피부 감촉 및 피부 외관 효과를 크게 향상시킬 수 있다. 더욱 구체적으로, 처음에 제품의 습윤제 및 피부 활성제를 갖는 수성 층, 및 마지막에 제품의 분말을 함유하는 수성 층을 포함하는 요법 및 다층 제품이 필요하다. [ 발명의 개요 ] 피부 케어 조성물인 제1 층을 피부에 도포하는 단계; 및 제1 층에 및 그 위에 분말 층을 도포하는 단계를 포함하는, 인간 피부의 외관을 개선하는 방법이 제공된다. 분말 층은, 분말 층의 약 10 중량%, 바람직하게는 약 12 중량%, 더욱 더 바람직하게는 약 15 중량% 내지 약 30 중량%, 바람직하게는 약 25 중량%의 실질적으로 구형 입자를 함유한다. 이 입자는 코팅된 전분, 코팅되지 않은 전분, 실리콘 탄성중합체 입자, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 바람직하게는 입자는 타피오카 전분, 옥수수 전분, 감자 전분, 글리세릴 전분, 알루미늄 전분 옥테닐석시네이트, 칼슘 전분 옥테닐석시네이트, 및 폴리메틸실세스퀴옥산 코팅된 타피오카 전분, 가교결합된 전분, 실리콘 탄성중합체 입자, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 추가로, 분말 층은, 비휘발성 오일 대 미립자 재료의 중량 비가 약 1:10 내지 약 3:2, 바람직하게는 약 1:4 내지 약 1:1, 더욱 바람직하게는 약 1:4 내지 약 3:4가 되도록 하는 농도 수준으로 존재하는 비휘발성 오일을 포함하는 수중유 에멀전인 수계 조성물이다. 제1 층 및 분말 층 중 적어도 하나 또는 둘 모두는 각각 약 20 미만, 바람직하게는 약 10 미만, 더욱 더 바람직하게는 약 6 미만의 콘트라스트 비(contrast ratio)를 갖는다. 제1 층은, 바람직하게는 제1 층의 약 5 중량%, 바람직하게는 약 10 중량%, 바람직하게는 약 12 중량% 내지 약 30 중량%, 바람직하게는 약 25 중량%, 더욱 바람직하게는 약 20 중량%의 습윤제를 포함할 수 있으며, 바람직하게는 습윤제의 약 50 중량% 이상, 바람직하게는 약 75 중량% 이상은 글리세린이다. 본 발명의 다단계 요법을 달성하기 위한 조성물이 추가로 제공된다. 본 발명의 방법, 요법, 및 조성물은 종래의 개인 케어 조성물 및 요법의 다수의 문제를 극복한다. 상이한 피부 케어 성분을 상이한 조성물에 넣고, 이어서 다단계 과정으로 특정 순서로 도포함으로써, 습윤제의 끈적끈적하고 무거운 감촉이 크게 감소되고, 분말의 매끄럽고 보송보송한(powdery) 감촉이 향상되고, 분말로부터의 외관 효과가 현저히 증가된다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명의 개인 케어 제품은 피부 케어 및 화장품에 사용될 수 있으며, 그의 비제한적 사용은 보습제, 컨디셔너, 노화 방지 화합물, 피부 미백 화합물, 및 이들의 조합을 포함한다. 본 조성물은 얼굴, 목, 손, 팔 및 다른 신체 부위의 각질 조직에 도포된다. 달리 명시되지 않는다면, 백분율은 기재된 개인 케어 조성물 또는 특정 상(phase)의 중량을 기준으로 한다. 달리 구체적으로 언급되지 않는다면, 모든 비는 중량 비이다. 모든 수치 범위는 더 좁은 범위들을 포함한다. 유효 자릿수의 개수는 표시된 양을 제한하지도 않고 측정의 정확도를 제한하지도 않는다. 모든 측정은 주위 조건에서 이루어지는 것으로 이해되며, 여기서, "주위 조건"은 약 25℃에서, 약 0.1 MPa (1 기압)의 압력 하에서, 및 약 50%의 상대 습도에서의 조건을 의미한다. "개인 케어 제품"은 포유류 각질 조직 상에 국소 도포하기에 적합한 조성물을 갖는 제품을 의미한다. "각질 조직"은 피부, 모발, 손발톱, 큐티클 등을 포함하지만 이에 한정되지 않는, 포유류의 최외측 보호 외피로서 배치되는 각질-함유 층을 지칭한다. "유도체"는 다른 분자와 유사하지만 소정 작용성 모이어티(moiety)에 대해서는 그와 상이한 분자를 지칭한다. 유도체는 공지의 반응 경로에 의해 형성될 수 있다. 적합한 작용성 모이어티에는 에스테르, 에테르, 아미드, 아민, 카르복실산, 하이드록실, 할로겐, 티올, 및/또는 관련 분자의 염 유도체가 포함된다. "치환된"은 하나 이상의 헤테로원자성 치환체(substituent)를 포함함을 의미한다. 치환체의 비제한적인 예에는 산소 원자 및 질소 원자와 같은 원자뿐만 아니라, 작용기, 예를 들어, 하이드록실 기, 에테르 기, 알콕시 기, 아실옥시알킬 기, 옥시알킬렌 기, 폴리옥시알킬렌 기, 카르복실산 기, 아민 기, 아실아미노 기, 아미드 기, 할로겐 함유 기, 에스테르 기, 티올 기, 설포네이트 기, 티오설페이트 기, 실록산 기, 및 폴리실록산 기가 포함된다. "도포한다" 또는 "도포"는, 조성물과 관련하여 사용되는 바와 같이, 각질 조직 표면 상에 조성물을 도포하거나 펴 바르는 것을 의미한다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이 "실질적으로 부재하는"은, 조성물이 조성물의 약 3 중량% 미만, 바람직하게는 약 1 중량% 미만, 더욱 바람직하게는 약 0.5 중량% 미만, 더욱 더 바람직하게는 약 0.25 중량% 미만, 및 가장 바람직하게는 약 0.1 중량% 미만의 언급된 성분을 포함한다는 것을 의미한다. "피부 상태를 조절하는"은, 예를 들어, 더 매끄러운 외관 및/또는 감촉과 같은 효과를 제공함으로써 피부 외관 및/또는 감촉을 개선하는 것을 의미한다. 본 명세서에서, "피부 상태를 개선하는"은 피부 외관 및 감촉에 대해 시각적으로 및/또는 촉각적으로 지각할 수 있는 긍정적인 변화를 달성하는 것을 의미한다. 효과는 장기 또는 단기 효과일 수 있으며 하기 중 하나 이상을 포함할 수 있다: 주름 및 굵고 깊은 선(coarse deep line), 미세한 선, 틈(crevice), 범프(bump), 및 큰 모공의 외관을 감소시키는 것; 각질 조직을 두껍게 하는 것(예를 들어, 피부의 표피 및/또는 진피 및/또는 진피 아래 층, 및 적용가능한 경우, 손발톱 및 모간의 각질 층을 구축하여, 피부, 모발 또는 손발톱 위축을 감소시키는 것); 진피-표피 경계(표피 능선(rete ridge)으로도 알려져 있음)의 컨볼루션(convolution)을 증가시키는 것; 탄력섬유증, 처짐, 변형에 의한 피부 또는 모발 반동(recoil)의 손실과 같은 상태를 야기하는, 예를 들어, 기능성 피부 엘라스틴의 손실, 손상 및/또는 불활성화로 인한, 피부 또는 모발 탄성(elasticity)의 손실을 방지하는 것; 셀룰라이트의 감소; 피부, 모발, 또는 손발톱의 색 변화, 예를 들어, 다크 서클(under-eye circle), 얼룩덜룩함(예를 들어, 주사(rosacea)로 인한, 예를 들어, 고르지 않은 붉은 색), 병적인 혈색(sallowness), 과색소침착으로 인한 변색 등. "피부 노화의 징후"는, 모든 외부의 가시적으로 및 촉각적으로 지각할 수 있는 징후뿐만 아니라, 각질 조직 노화로 인한, 임의의 거시적 또는 미시적 영향을 포함하지만 이에 한정되지 않는다. 이러한 징후는, 주름 및 굵고 깊은 주름, 미세한 선, 피부 선, 틈, 범프, 큰 모공, 고르지 않음(unevenness) 또는 거침(roughness)과 같은 텍스처 불균일성의 발달; 피부 탄력의 손실; (다크 서클을 포함하는) 변색; 얼룩덜룩함; 병적인 혈색; 검버섯 및 주근깨와 같이 과색소침착된 피부 영역; 각화증; 이상 분화(abnormal differentiation); 과각화(hyperkeratinization); 탄력섬유증; 각질층, 진피, 표피, 혈관계 및 하부 조직(예를 들어, 지방 및/또는 근육), 특히 피부에 가까운 것에서의 콜라겐 파괴 및 다른 조직학적 변화(예를 들어, 모세혈관확장증 또는 거미혈관증)를 포함하지만 이에 한정되지 않는 과정으로부터 생길 수 있다. "비휘발성"은 0.1 MPa (1 기압)에서 25℃에서 약 0.03 ㎪ (0.2 mmHg) 이하의 증기압을 나타내는 재료 및/또는 비등점이 0.1 MPa (1 기압)에서 약 300℃ 이상인 재료를 의미한다. "휘발성"은 20℃에서 0.03 ㎪ (약 0.2 mmHg) 이상의 증기압을 나타내는 재료를 의미한다. "안전하고 유효한 양"은 긍정적인 효과를 유도하기에 충분하지만 심각한 부작용을 피하기에 충분히 낮은(즉, 숙련자의 판단 내에서 합리적인 효과 대 위험 비를 제공하는) 화합물 또는 조성물의 양을 의미한다. 다단계 요법에 사용하기 위한 개인 케어 조성물 본 발명의 개인 케어 조성물은 피부 케어 제품 또는 화장품일 수 있다. 개인 케어 조성물은, 예를 들어, 보습제, 컨디셔너, 노화 방지 화합물, 또는 피부 미백 화합물로서 사용될 수 있다. 소정 실시 형태에서, 본 조성물은 얼굴, 목, 손, 팔 및 다른 전형적으로 노출되는 신체 부위에 도포된다. 본 발명의 조성물은 피부 외관 및 감촉을 개선하는 데 유용하다. 본 발명의 조성물은 피부 상태를 조절하고 피부 상태를 개선하는 데 유용할 수 있다. 소정 실시 형태에서, 본 조성물은 피부 노화의 징후를 조절 및 개선하는 데 유용하다. 본 조성물은 도포 후 피부 외관 및 감촉의 본질적으로 즉각적인 (즉, 단기) 개선을 제공할 수 있다. 단기 개선이 조성물의 단일 도포 또는 제한된 횟수의 도포로 달성될 수 있는 것으로 여겨진다. 그러나, 본 조성물은 피부 외관 및 감촉의 점진적인 (즉, 장기) 개선을 제공하는 성분을 포함할 수 있다. 장기 개선은 조성물의 다회 도포, 반복적 도포, 또는 주기적 도포를 포함할 수 있는 것으로 여겨진다. 본 발명의 조성물은 소비자 제품 내에 혼입될 수 있다. 소정 실시 형태에서, 소비자 제품은 피부의 제한된 부위에 걸쳐 스팟 트리트먼트(spot treatment)로서 본 조성물이 도포되는 것을 허용한다. 일 실시 형태에서, 본 발명의 조성물은 피부 상의 주름 또는 범프의 가시적으로 뚜렷한 감소를 가져온다. 본 발명의 조성물의 제1 층은 임의의 피부 케어 조성물일 수 있으며, 비제한적인 예에는 리퀴드, 크림 및 로션이 포함된다. 바람직하게는, 제1 층은 수계, 더욱 바람직하게는, 수 연속 형성물(water continuous formation)이다. 더욱 구체적으로, 본 발명의 제1 층 조성물은 수용액, 수성 겔, 수성 분산액, 수중유 에멀전, 또는 수중유중수 에멀전의 형태일 수 있다. 한편 분말 층은 바람직하게는 수중유 에멀전이다. 본 발명의 오일상은, 존재하는 경우, 실리콘 오일을 포함할 수 있다. 그러나, 오일상은 또한 탄화수소 오일, 에스테르, 에테르 등과 같은 비-실리콘 오일을 포함할 수 있다. 제1 층 또는 분말 층 중 어느 하나의 수성 상은 전형적으로 물을 포함한다. 제1 층은 약 20% 내지 약 99%, 바람직하게는 약 40% 내지 약 90%, 더욱 바람직하게는 약 50% 내지 약 85%의 물을 포함할 수 있다. 분말 층은 약 20% 내지 약 85%, 바람직하게는 약 30% 내지 약 80%, 더욱 바람직하게는 약 40% 내지 약 75%의 물을 포함할 수 있다. 제1 층 또는 분말 층 중 어느 하나의 수성 상은 각질 조직에 증가된 효과를 부여하기 위하여, 수용성 보습제, 컨디셔닝제, 항미생물제, 습윤제 및 다른 수용성 피부 케어 활성제를 포함하지만 이에 한정되지 않는, 물 이외의 성분(물이 아닌 성분)을 포함할 수 있다. 다단계 조성물을 사용하는 방법 본 발명은 인간 피부에 효과, 특히 인간 피부의 외관 및 감촉을 동시에 개선하는 효과를 제공하는 방법을 기재한다. 더욱 더 구체적으로, 본 조성물은 피부 노화의 징후를 나타내는 피부에 도포되어, 예를 들어, 주름의 외관을 감소시킬 수 있는데, 이는 주름의 외관을 감소시키는 것, 깊은 선의 외관을 감소시키는 것, 미세한 선의 외관을 감소시키는 것, 피부 상의 큰 모공 및 범프의 외관을 감소시키는 것을 포함한다. 추가로, 피부가 수화되고 보습된다. 필요한 것 및 선택적인 것 둘 모두의, 본 발명의 조성물의 개별 성분들뿐만 아니라, 그들의 특성 및 농도 수준이 하기에서 더욱 상세하게 정의된다. 다단계 과정이 본 명세서에서 제공되는데, 제1 단계는 피부 케어 제품인 제1 층을 도포하는 단계이다. 제2 단계는 분말 층, 즉 높은 수준의 미립자 재료를 포함하는 조성물을 도포하는 단계이다. 피부 케어 제품은 바람직하게는 보습 조성물이며, 더욱 더 바람직하게는, 높은 수준의 습윤제를 포함하는 조성물이다. 분말 층은 미립자 농도에 대한 특정 비로 비휘발성 오일을 함유한다. 본 발명의 조성물의 층들은, 적절한 순서로 도포될 수 있도록 보장하기 위해서, 사용될 때까지 개별적으로 유지되는데, 이는 비교예에서 예시되는 바와 같이 본 발명의 중요한 측면이다. 그러나, 본 조성물은 다양한 방식으로 판매될 수 있다. 분배될 때까지 분리되어 있다면, 다수의 층이 동일 패키지로 판매될 수 있다. 본 조성물은 개별적으로 또는 함께 판매되는 개별 용기로 판매될 수 있다. 비제한적인 예에는 각각 상이한 층을 포함하고 있는 다수의 병을 포함하는 하나의 박스가 포함되거나, 또는 이들 층은 일련의 패키지로 개별적으로 판매될 수 있으며 이 경우 소비자는 각각의 층의 다양한 상이한 버전에서 선택할 수 있다. 본 조성물은 손 또는 손가락으로, 또는 도구(implement) 및/또는 전달 향상 장치에 의해 문지르거나(rubbing), 닦아내거나(wiping), 가볍게 두드리는(dabbing) 것을 포함하는 다양한 수단에 의해 도포될 수 있다. 도구의 비제한적 예에는 스펀지 또는 스펀지가 끝에 달린(sponge-tipped) 어플리케이터, 솜막대(swab)(예를 들어, 면봉(cotton-tipped swab)), 폼(foam) 또는 스펀지 어플리케이터를 선택적으로 포함하는 펜, 브러시, 와이프(wipe) 및 이들의 조합이 포함된다. 전달 향상 장치의 비제한적 예에는 기계, 전기, 초음파 및/또는 기타 에너지 장치가 포함된다. 도포 후, 조성물은 피부 상에 남아있게 할 수 있다. 도포되는 조성물의 양, 도포 빈도, 및 사용 기간은 주어진 조성물의 성분들의 수준 및 원하는 조절 수준에 따라 광범위하게 달라질 것이다. 예를 들어, 피부 1 ㎠ 당 조성물 약 0.1 mg 내지 피부 1 ㎠ 당 조성물 약 50 mg, 및 대안적으로 피부 1 ㎠ 당 조성물 약 2 mg이 적용될 수 있다. 일 실시 형태에서, 본 조성물은 매일 1회 이상 도포되며, 여기서, "매일" 및 "일"은 24시간의 기간을 의미한다. 사용자는 일정 기간이 흐른 후에, 예를 들어 매시간, 및 대안적으로 조성물이 피부로부터 세척되었거나 헹구어졌을 때, 예를 들어 손 또는 얼굴을 씻은 후에 또는 수영, 목욕 및 샤워 후에 조성물을 재도포하도록 지시 받을 수 있다. 본 조성물은 트리트먼트 요법의 일부로서, 예를 들어 연속 30일 동안, 대안적으로 연속 14일 동안, 대안적으로 연속 7일 동안 및 대안적으로 연속 2일 동안 일일 1회 도포될 수 있다. 성분 습윤제 본 발명의 제1 층은 하나 이상의 습윤제를 포함할 수 있다. 바람직하게는 분말 층은 약 10% 미만의 습윤제, 바람직하게는 약 5% 미만의 습윤제를 갖고, 더욱 바람직하게는 분말 층에는 습윤제가 실질적으로 부재한다. 본 발명의 제1 층은, 존재하는 경우, 약 0% 내지 약 30%, 대안적으로 약 5% 내지 약 25%, 또는 약 10% 내지 약 20%의 습윤제를 포함할 수 있다. 글리세린이 바람직한 습윤제이며, 사용되는 유일한 습윤제일 수 있다. 바람직하게는, 습윤제는, 습윤제의 약 50 중량% 이상, 더욱 바람직하게는 약 75 중량% 이상의 글리세린을 포함한다. 예시적인 부류의 습윤제는 다가 알코올이다. 적합한 다가 알코올에는 프로필렌 글리콜, 다이프로필렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜, 폴리에틸렌 글리콜 및 이들의 유도체를 포함하는 폴리알킬렌 글리콜 및 알킬렌 폴리올 및 이들의 유도체; 소르비톨; 하이드록시프로필 소르비톨; 에리트리톨; 트레이톨; 펜타에리트리톨; 자일리톨; 글루시톨; 만니톨; 부틸렌 글리콜(예를 들어, 1,3-부틸렌 글리콜); 펜틸렌 글리콜; 헥산 트라이올(예를 들어, 1,2,6-헥산트라이올); 글리세린; 에톡실화 글리세린; 및 프로폭실화 글리세린이 포함된다. 다른 적합한 습윤제에는 소듐 2-피롤리돈-5-카르복실레이트, 구아니딘; 글리콜산 및 글리콜레이트 염(예를 들어, 암모늄 및 4차 알킬 암모늄); 락트산 및 락테이트 염(예를 들어, 암모늄 및 4차 알킬 암모늄); 임의의 다양한 형태의 알로에 베라(aloe vera)(예를 들어, 알로에 베라 겔); 히알루론산 및 이의 유도체(예를 들어, 히알루론산나트륨과 같은 염 유도체); 락트아미드 모노에탄올아민; 아세트아미드 모노에탄올아민; 우레아; 소듐 피로글루타메이트, 수용성 글리세릴 폴리(메트)아크릴레이트 윤활제(예를 들어, 히스파겔(Hispagel)(등록상표)) 및 이들의 혼합물이 포함된다. 미립자 재료 본 발명의 조성물은 미립자 재료를 포함한다. 미립자 재료는 조성물 중에 분산 및 현탁될 수 있다. 미립자 재료는 소비자가 원하는 외관 및 감촉 특성을 조성물에 제공하는 데 사용될 수 있다. 이러한 입자는 조성물에 실크 같은 또는 매끄러운 감촉을 제공하며, 이는 오일과 관련된 무거운 기름기 및/또는 다수의 습윤제의 끈적끈적한 감촉을 상쇄시킬 수 있다. 미립자 재료는 약 1 μm 내지 약 40 μm; 약 2 μm 내지 약 30 μm; 약 5 μm 내지 약 30 μm; 약 5 μm 내지 약 25 μm; 또는, 대안적으로, 약 5 μm 내지 약 20 μm의 중간 입자 크기를 나타낼 수 있다. 중간 입자 크기는 본 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 방법에 의해, 예를 들어, 콜터-계수기(coulter-counter) 장비를 사용하여 또는 본 명세서에 참고로 포함된 ASTM 명칭 E20-85(문헌["Standard Practice for Particle Size Analysis of Particulate Substances in the Range of 0.2 to 75 Micrometers by Optical Microscopy," ASTM Volume 14.02, 1993])에 의해 결정될 수 있다. 본 발명의 분말 층은 바람직하게는 약 10 중량% 내지 약 30 중량%, 또는 약 12 중량% 내지 약 25 중량%의 미립자 재료를 포함한다. 미립자 재료가 순수(neat) 형태(즉, 본 발명의 담체와 조합하기 전의, 본질적으로 순수한 분말 형태)일 때, 중간 입자 크기를 측정하고 농도 수준을 계산한다. 다양한 실시 형태에서, 미립자는 바람직하게는 구형이다. 본 발명에서, "구형" 및 "구체"는 실제 구체를 의미할 뿐만 아니라, 평균적으로 장축/단축(종횡비)이 전형적으로 1 내지 4, 바람직하게는 1 내지 2, 더욱 바람직하게는 1 내지 1.6, 더욱 더 바람직하게는 1 내지 1.4의 범위인 변형된 구체를 또한 포함한다. 미세 입자의 형상은 광학 현미경 또는 전자 현미경으로 미세 입자를 관찰함으로써 확인할 수 있다. 바람직하게는, 분말 층은, 분말 층의 약 1 중량% 미만, 바람직하게는 약 0.5 중량% 미만의 TiO2 및 산화철 입자, 또는 분말 층에 색, 또는 채도(chroma), 또는 불투명도를 부여하는 다른 입자를 포함한다. 게다가, 분말 층은, 분말 층의 약 4 중량% 미만, 바람직하게는 약 3 중량% 미만, 더욱 더 바람직하게는 약 1 중량% 미만의 운모, 활석, 간섭 안료 및 다른 실질적으로 비구형 입자를 포함한다. 전분 입자 본 발명에서의 전분 입자는 전분, 가교결합된 전분, 전분 유도체, 또는 이들의 혼합물로 구성되며, 선택적으로 이러한 입자는 그의 표면 특성을 변경하기 위해 부분적으로 또는 완전히 코팅될 수 있다. 이러한 전분 입자는 본 발명의 분말 층 제형 중에 이산된 입자로서 남아있는 것이 중요하며, 따라서 이러한 전분은 일반적으로 임의의 장기간 동안 고온을 겪지 않는다. 분말 층 내의 전분 입자는 평균 직경이 약 5 μm 내지 약 30 μm, 바람직하게는 약 8 μm 내지 약 25 μm, 약 10 μm 내지 약 20 μm이다. 구매가능한 전분 입자의 예에는 타피오카 전분(악조노벨(AkzoNobel)로부터 타피오카 퓨어(Tapioca Pure)로 입수가능함), 옥수수 전분(악조노벨로부터 퓨리티(Purity) 21C로 입수가능함), 감자 전분, 글리세릴 전분(악조노벨로부터 드라이-플로(Dry-Flo) GS로 입수가능함), 알루미늄 전분 옥테닐석시네이트(로디아 인코포레이티드(Rhodia, Inc.)로부터 막카덤 ASTO-드라이(Mackaderm ASTO-Dry)로, 및 악조노벨로부터 드라이-플로 PC로 입수가능함), 칼슘 전분 옥테닐석시네이트(엠지피 인그레디언츠 인코포레이티드(MGP Ingredients, Inc.)로부터 스킨 플로(Skin Flow) C로, 및 로디아 인코포레이티드로부터 막카덤 CSTO-드라이로 입수가능함), 및 폴리메틸실세스퀴옥산 코팅된 타피오카 전분(악조노벨로부터 드라이-플로 TS로 입수가능함)이 포함된다. 구형 실리콘 탄성중합체 입자 본 발명의 입자는 구형 실리콘 탄성중합체 입자를 포함할 수 있으며, 이는 선택적으로 폴리유기실세스퀴옥산이 표면 상에 부착되어 있을 수 있다. 구형 실리콘 탄성중합체 입자를 구성하는 실리콘 탄성중합체는 바람직하게는 점착성을 갖지 않으며, JIS K 6253에 정의된 경도계 A에 의해 측정된 고무 경도가 바람직하게는 10 내지 90, 더욱 바람직하게는 20 내지 80, 더욱 더 바람직하게는 25 내지 75의 범위이다. 고무 경도가 5 미만인 경우, 생성되는 실리콘 입자는 응집되는 경향이 있으며, 건조함의 감소에 따라 일차 입자로의 분산이 어려울 것이다. 90을 초과하는 고무 경도는 부드러운 텍스처의 손실을 가져올 것이다. 본 발명에 적합한 실리콘 탄성중합체 입자는 실리콘 수지-코팅된 실리콘 고무 입자를 포함한다. 분말 층 내의 구형 실리콘 탄성중합체 입자는 평균 직경이 약 1 μm 내지 약 40 μm, 바람직하게는 약 2 μm 내지 약 30 μm, 약 5 μm 내지 약 15 μm이다. 경화된 실리콘 고무 및 폴리(유기실세스퀴옥산) 수지를 포함하는 몇몇 실리콘 재료, 즉, 유기폴리실록산으로부터 실리콘 입자가 제조될 수 있음이 종래 기술에 공지되어 있다. 본 발명에 사용하기에 적합한 구매가능한 실리콘 입자에는 모두 신 에츠(Shin Etsu)로부터의 KSP-100, -101, -102, -103, -104, 및 -105; 및 다우 코닝(Dow Corning)으로부터의 DC 9506, 및 DC 9701이 포함된다. 비휘발성 오일 비휘발성 오일이 본 발명에 사용된다. 이러한 오일은 본 발명의 임의의 조성물, 층에 사용될 수 있지만, 가장 바람직하게는 분말 층에 사용된다. 분말 층에 사용될 때, 오일의 농도는 사용된 미립자 재료의 양과 관련되며, 구체적으로 비휘발성 오일 대 미립자 재료의 비는 1:10 내지 3:2, 바람직하게는, 1:4 내지 1:1, 더욱 바람직하게는 1:4 내지 3:4의 범위 이내이다. 적합한 비휘발성 오일에는 탄화수소, 에스테르, 아미드, 에테르, 실리콘 및 이들의 혼합물이 포함된다. 적합한 비휘발성 탄화수소 오일에는 직선형, 분지형, 또는 환형 알칸 및 알켄이 포함된다. 사슬 길이는 점도와 같은 원하는 기능적 특성에 기초하여 선택될 수 있다. 적합한 비휘발성 에스테르에는 지방산 또는 알코올로부터 유도되는 하이드로카르빌 사슬을 갖는 에스테르(예를 들어, 모노-에스테르, 다가 알코올 에스테르, 및 다이- 및 트라이-카르복실산 에스테르)가 포함된다. 이러한 에스테르의 하이드로카르빌 라디칼은 다른 상용성(compatible) 작용기, 예를 들어 아미드 및 알콕시 모이어티를 포함하거나 그에 공유 결합되어 있을 수 있다(예를 들어, 에톡시 또는 에테르 결합 등). 예시적인 에스테르에는 아이소프로필 아이소스테아레이트, 헥실 라우레이트, 아이소헥실 라우레이트, 아이소헥실 팔미테이트, 아이소프로필 팔미테이트, 데실 올레에이트, 아이소데실 올레에이트, 헥사데실 스테아레이트, 데실 스테아레이트, 아이소프로필 아이소스테아레이트, 다이헥실데실 아디페이트, 라우릴 락테이트, 미리스틸 락테이트, 세틸 락테이트, 올레일 스테아레이트, 올레일 올레에이트, 올레일 미리스테이트, 라우릴 아세테이트, 세틸 프로피오네이트, C12-15 알킬 벤조에이트, 부틸옥틸 살리실레이트, 페닐에틸 벤조에이트, 다이카프릴릴 카르보네이트, 다이옥틸 말레이트, 다이카프릴릴 말레에이트, 아이소노닐 아이소노나노에이트, 프로필렌 글리콜 다이카프레이트, 다이아이소프로필 아디페이트, 다이부틸 아디페이트, 및 올레일 아디페이트가 포함되지만 이에 한정되지 않는다. 다른 적합한 에스테르가 문헌[Personal Care Product Council's International Cosmetic Ingredient Dictionary and Handbook, Thirteenth Edition, 2010, under the functional category of "Esters"]에 추가로 기재되어 있다. 적합한 비휘발성 아미드에는, 25℃에서 액체이고 물에 불용성인 한편, 아미드 작용기를 갖는 화합물이 포함된다. 적합한 아미드에는, N-아세틸-N-부틸아미노프로피오네이트, 아이소프로필 N-라우로일사르코시네이트, 부틸프탈이미드, 아이소프로필프탈이미드, 및 N,N,-다이에틸톨루아미드가 포함되지만 이에 한정되지 않는다. 다른 적합한 아미드는 미국 특허 제6,872,401호에 개시되어 있다. 적합한 비휘발성 에테르에는 다가 알코올의 포화 및 불포화 지방 에테르, 및 이의 알콕실화 유도체가 포함된다. 예시적인 에테르에는, 폴리프로필렌 글리콜의 C4-20 알킬 에테르, 및 다이-C8-30 알킬 에테르가 포함되지만 이에 한정되지 않는다. 이러한 재료의 적합한 예에는 PPG-14 부틸 에테르, PPG-15 스테아릴 에테르, PPG-11 스테아릴 에테르, 다이옥틸 에테르, 도데실 옥틸 에테르, 및 이들의 혼합물이 포함된다. 적합한 비휘발성 실리콘 오일에는 폴리실록산이 포함된다. 비휘발성 폴리실록산은 점도가 25℃에서 약 10 내지 약 1,000,000 ㎟/s (10 내지 약 1,000,000 센티스토크)일 수 있다. 그러한 폴리실록산은 하기 화학식으로 표시될 수 있다: R3SiO[R2SiO]xSiR3 상기 식에서, R은 독립적으로 수소 또는 C1-30 직쇄 또는 분지쇄, 포화 또는 불포화 알킬, 페닐, 또는 아릴, 트라이알킬실록시로부터 선택되고; x는 0 내지 약 10,000의 정수이다. 소정 실시 형태에서, R은 메틸 또는 에틸이다. 구매가능한 폴리실록산은 다이메티콘으로도 공지된 폴리다이메틸실록산을 포함하며, 이의 예에는 신-에츠로부터의 DM-플루이드(Fluid) 시리즈, 모멘티브 퍼포먼스 머티리얼즈 인코포레이티드(Momentive Performance Materials Inc.)에 의해 판매되는 비카실(Vicasil)(등록상표) 시리즈, 및 다우 코닝 코포레이션(Dow Corning Corporation)에 의해 판매되는 다우 코닝(등록상표) 200 시리즈가 포함된다. 적합한 폴리다이메틸실록산의 구체적인 예에는 다우 코닝(등록상표) 200 플루이드(지아미터(Xiameter)(등록상표) PMX-200 실리콘 플루이드로도 판매됨)가 포함된다. 적합한 다이메티콘은 하기 화학식으로 표시되는 것을 포함한다: R3SiO[R2SiO]x[RR'SiO]ySiR3 상기 식에서, R 및 R'은 각각 독립적으로 수소 또는 C1-30 직쇄 또는 분지쇄, 포화 또는 불포화 알킬, 아릴, 또는 트라이알킬실록시이고; x 및 y는 각각 1 내지 1,000,000의 정수이다. 예에는, 적어도 R'이 지방 알킬(예를 들어, C12-22)인, 알킬 다이메티콘이 포함된다. 적합한 알킬 다이메티콘은, 다우 코닝으로부터 2502 코스메틱 플루이드(Cosmetic Fluid)로 구매가능한, R'이 C16 직쇄이고 R이 메틸인, 세틸 다이메티콘이다. 바람직한 비휘발성 오일에는, 바람직하게는 10 ㎟/s 내지 1000 ㎟/s (10 cst 내지 1000 cst), 더욱 바람직하게는 15 ㎟/s 내지 400 ㎟/s (15 cst 내지 400 cst), 가장 바람직하게는 20 ㎟/s 내지 200 ㎟/s (20 cst 내지 200 cst)의 점도를 갖는 다이메티콘(폴리다이메틸실록산)이 포함된다. 이러한 바람직한 다이메티콘 재료의 평균 사슬 길이는 약 12 내지 약 375개의 다이메틸실록산 단위, 더욱 바람직하게는 약 20 내지 약 200개의 다이메틸실록산 단위이고, 가장 바람직하게는 평균 사슬 길이는 약 27 내지 약 125개의 다이메틸실록산 단위이다. 선택 성분 유화제 본 조성물은 유화제를 포함할 수 있다. 조성물이 에멀전의 형태일 때 또는 비혼화성 재료들이 조합되는 경우, 유화제가 특히 적합하다. 본 조성물은 약 0.05%, 0.1%, 0.2%, 0.3%, 0.5%, 또는 1% 내지 약 20%, 10%, 5%, 3%, 2%, 또는 1%의 유화제를 포함할 수 있다. 유화제는 비이온성, 음이온성 또는 양이온성일 수 있다. 유화제의 비제한적인 예가 미국 특허 제3,755,560호, 미국 특허 제4,421,769호, 및 문헌[McCutcheon's, Emulsifiers and Detergents, 2010 Annual Ed., published by M. C. Publishing Co.]에 개시되어 있다. 다른 적합한 유화제가 문헌[the Personal Care Product Council's International Cosmetic Ingredient Dictionary and Handbook, Thirteenth Edition, 2006, under the functional category of "Surfactants - Emulsifying Agents"]에 추가로 기재되어 있다. 적합한 유화제는 하기 부류의 에테르 및 에스테르를 포함한다: 폴리글리콜의 및 지방 알코올의 에테르, 폴리글리콜의 및 지방산의 에스테르, 글리코실화된, 폴리글리콜의 및 지방 알코올의 에테르, 글리코실화된, 폴리글리콜의 및 지방산의 에스테르, C12-30 알코올의 및 글리세롤의 또는 폴리글리세롤의 에테르, C12-30 지방산의 및 글리세롤의 또는 폴리글리세롤의 에스테르, 옥시알킬렌-개질된 C12-30 알코올의 및 글리세롤 또는 폴리글리세롤의 에테르, 수크로스 또는 글루코스를 포함하는 및 이들로 이루어진 C12-30 지방 알코올의 에테르, 수크로스의 및 C12-30 지방산의 에스테르, 펜타에리트리톨의 및 C12-30 지방산의 에스테르, 소르비톨의 및/또는 소르비탄의 및 C12-30 지방산의 에스테르, 소르비톨의 및/또는 소르비탄의 및 알콕실화된 소르비탄의 에테르, 폴리글리콜의 및 콜레스테롤의 에테르, C12-30 지방산의 및 소르비톨 및/또는 소르비탄의 알콕실화된 에테르의 에스테르, 및 이들의 조합. 실리콘 유화제가 본 발명의 조성물에 사용될 수 있다. 선형 또는 분지형 유형의 실리콘 유화제가 또한 사용될 수 있다. 특히 유용한 실리콘 유화제에는 폴리에테르 개질된 실리콘, 예를 들어 KF-6011, KF-6012, KF-6013, KF-6015, KF-6015, KF-6017, KF-6043, KF-6028, 및 KF-6038 및 폴리글리세롤화된(polyglycerolated) 선형 또는 분지형 실록산 유화제, 예를 들어 KF-6100, KF-6104, 및 KF-6105가 포함되며; 모두 신 에츠로부터의 것이다. 휘발성 오일 본 발명의 조성물은 약 0% 내지 약 30%, 또는 대안적으로, 약 5% 내지 약 20%의 하나 이상의 휘발성 오일을 포함할 수 있다. 적합한 휘발성 오일에는 휘발성 실리콘 및 휘발성 탄화수소 오일이 포함된다. 적합한 휘발성 실리콘에는 환형 및 선형 휘발성 실리콘이 포함된다. 다양한 휘발성 실리콘의 설명이 문헌[Todd, et al. "Volatile Silicone Fluids for Cosmetics", 91 Cosmetics and Toiletries 27-32 (1976)]에 나타나 있다. 적합한 환형 휘발성 실리콘은 평균 약 3 내지 약 5개의 규소 원자, 바람직하게는 약 4 내지 약 5개의 규소 원자를 함유하는 환형 다이메틸 실록산 사슬을 포함한다. 다양한 점도의 예시적인 환형 휘발성 실리콘에는 다우 코닝 DC 244, DC 245, DC 344, 및 DC 345; GE 실리콘즈-OSi 스페셜티즈(GE Silicones-OSi Specialties) 휘발성 실리콘 7207 및 휘발성 실리콘 7158; 및 GE 실리콘즈 SF1202가 포함된다. 적합한 휘발성 선형 실리콘은 평균 약 2 내지 약 8개의 규소 원자를 함유하는 폴리다이메틸실록산을 포함한다. 예시적인 선형 휘발성 실리콘에는 0.65 ㎟/s (0.65 cst), 1.0 ㎟/s (1.0 cst), 및 2.0 ㎟/s (2.0 cst)의 점도를 갖는 다우 코닝 DC 200 시리즈가 포함된다. 소정 실시 형태에서, 선형 휘발성 실리콘은 일반적으로 점도가 25℃에서 약 4 ㎟/s (4 센티스토크) 이하이고, 환형 재료는 일반적으로 점도가 25℃에서 약 6 ㎟/s (6 센티스토크) 미만이다. 또한 적합한 휘발성 오일은 휘발성 탄화수소이다. 적합한 휘발성 탄화수소 오일의 예에는 아이소도데칸(예를 들어, 프레스퍼스 인코포레이티드(Presperse Inc.)로부터 입수가능한 퍼메틸(Permethyl)-99A), 아이소데칸, 및 C7-C8 내지 C12-C15 아이소파라핀(예를 들어, 엑손 케미칼스(Exxon Chemicals)로부터 입수가능한 아이소파르(Isopar) 시리즈)이 포함되지만 이에 한정되지 않는다. 증점제 본 발명의 조성물은 하나 이상의 증점제를 포함할 수 있다. 본 발명의 조성물은, 존재하는 경우, 약 0.1% 내지 약 5%, 또는 대안적으로, 약 0.3% 내지 약 3%의 증점제를 포함할 수 있다. 적합한 부류의 증점제에는 카르복실산 중합체, 폴리아크릴아미드 중합체, 설폰화 중합체, 이들의 공중합체, 이들의 소수성으로 개질된 유도체 및 이들의 혼합물이 포함되지만 이에 한정되지 않는다. 적합한 증점제에는 카보머(예를 들어, 카보폴(CARBOPOL)(등록상표) 900 시리즈, 예를 들어 카보폴(등록상표) 954)와 같은 카르복실산 중합체, 및 울트레즈(Ultrez) 10 및 울트레즈 30이 포함된다. 다른 적합한 카르복실산 중합체성 제제에는 아크릴산, 메타크릴산, 또는 하나의 그들의 단쇄(즉, C1-4 알코올) 에스테르의 하나 이상의 단량체와 C10-30 알킬 아크릴레이트의 공중합체가 포함되며, 여기서 가교결합제는 수크로스 또는 펜타에리트리톨의 알릴 에테르이다. 이들 공중합체는 아크릴레이트/C10-30 알킬 아크릴레이트 가교중합체로 알려져 있으며, 카보폴(등록상표) 1342, 카보폴(등록상표) 1382, 울트레즈 20, 울트레즈 21, 페물렌(PEMULEN) TR-1, 및 페물렌 TR-2로 노베온 인코포레이티드(Noveon, Inc.)로부터 구매가능하다. 다른 적합한 증점제에는 폴리아크릴아미드 중합체 및 공중합체가 포함된다. 예시적인 폴리아크릴아미드 중합체는 CTFA 명칭 "폴리아크릴아미드 및 아이소파라핀과 라우레쓰-7"을 가지며 세픽 코포레이션(Seppic Corporation; 미국 뉴저지주 페어필드 소재)으로부터 상표명 세피겔(SEPIGEL) 305로 입수가능하다. 본 발명에 유용한 다른 폴리아크릴아미드 중합체는 아크릴아미드 및 치환된 아크릴아미드와 아크릴산 및 치환된 아크릴산의 다중-블록 공중합체를 포함한다. 이러한 다중-블록 공중합체의 구매가능한 예에는 리포 케미칼스 인코포레이티드(Lipo Chemicals, Inc.; 미국 뉴저지주 패터슨 소재)의 하이판(HYPAN) SR150H, SS500V, SS500W, SSSA100H가 포함된다. 본 발명에서 유용한 다른 적합한 증점제는 상표명 시물겔(Simulgel) 800으로 세픽 코포레이션으로부터 입수가능하고 비스콜람 앳(Viscolam At) 100 P로 람베르티 에스피에이(Lamberti S.p.A.; 이탈리아 갈라라테 소재)로부터 입수가능한, CTFA 명칭 소듐 폴리아크릴로일다이메틸 타우레이트와 같은 설폰화 중합체이다. 설폰화 중합체를 포함하는 다른 구매가능한 재료는 세픽 코포레이션으로부터 입수가능한 세피플러스(Sepiplus) 400이다. 추가로, 적합한 증점제는 초흡수성(superabsorbent) 중합체를 포함할 수 있다. 이러한 초흡수성 중합체는 하기로부터 선택될 수 있다: 가교결합된 소듐 폴리아크릴레이트, 예를 들어 아베시아(Avecia)에 의해 명칭 옥타케어(Octacare) X100, X110 및 RM100으로 판매되는 것, 에스엔에프(SNF)에 의해 명칭 플로케어(Flocare) GB300 및 플로소르브(Flosorb) 500으로 판매되는 것, 바스프(BASF)에 의해 명칭 루쿠아소르브(Luquasorb) 1003, 루쿠아소르브 1010, 루쿠아소르브 1280 및 루쿠아소르브 1100으로 판매되는 것, 그레인 프로세싱(Grain Processing)에 의해 명칭 워터 록(Water Lock) G400 및 G430(INCI명: 아크릴아미드/아크릴산나트륨 공중합체)으로 판매되는 것, 또는 스미토모 세이카(Sumitomo Seika)에 의해 제공되는 아쿠아 킵(Aqua Keep) 10 SH NF, 아쿠아 킵 10 SH NFC, 소듐 아크릴레이트 가교중합체-2, 산요 케미칼 인더스트리즈(Sanyo Chemical Industries)에 의해 명칭 산프레쉬(Sanfresh) ST-100C, ST100MC 및 IM-300MC로 판매되는 것(INCI명: 소듐 폴리아크릴레이트 전분)과 같은, 아크릴 중합체(단일중합체 또는 공중합체), 및 특히 소듐 폴리아크릴레이트로 그래프팅된 전분, 그레인 프로세싱에 의해 명칭 워터 록 A-240, A-180, B-204, D-223, A-100, C-200 및 D-223으로 판매되는 것(INCI명: 전분/아크릴아미드/아크릴산나트륨 공중합체)과 같은, 아크릴 중합체(단일중합체 또는 공중합체), 특히 아크릴로아크릴아미드/소듐 아크릴레이트 공중합체로 그래프팅된 가수분해된 전분. 바람직한 초흡수성 중합체에는 코보 프로덕츠 인코포레이티드(Kobo Products Inc.)에 의해 공급되는 마키무스(Makimousse) 12 및 마키마우스(Makimouse) 25가 포함된다. 본 발명에 사용하기에 적합한 증점제에는 검이 포함된다. "검"은 본 기술 분야에서 널리 정의된 용어이다. 검에는 아카시아, 한천, 알긴, 알긴산, 알긴산암모늄, 아밀로펙틴, 알긴산칼슘, 칼슘 카라기난, 카르니틴, 카라기난, 덱스트린, 젤라틴, 젤란 검, 구아 검, 구아 하이드록시프로필트라이모늄 클로라이드, 헥토라이트, 히알루론산, 수화 실리카, 하이드록시프로필 키토산, 하이드록시프로필 구아, 카라야 검, 켈프, 로커스트 빈 검, 나토 검, 알긴산칼륨, 포타슘 카라기난, 프로필렌 글리콜 알기네이트, 스클레로티움 검, 소듐 카르복시메틸 덱스트란, 소듐 카라기난, 트래거캔스 검, 잔탄 검, 이들의 유도체 및 이들의 혼합물이 포함된다. 천연 검은 심지어 작은 농도로도 용액에서 큰 점도 증가를 야기할 수 있는 천연 기원의 다당류이다. 천연 검은 증점제, 겔화제, 유화제 및 안정제로서 사용될 수 있다. 가장 흔히는, 이들 검은 식물의 목질 요소에서 또는 종자 코팅에서 발견된다. 천연 검은 그 기원에 따라 분류될 수 있다. 천연 검은 또한 하전되지 않은 또는 이온성인 중합체(고분자 전해질(polyelectrolyte))로 분류될 수 있으며, 이의 예에는 하기가 포함된다. 해조류로부터 얻어지는 천연 검, 예를 들어, 한천; 알긴산; 알긴산나트륨; 및 카라기난. 비-해양 식물 자원으로부터 얻어지는 천연 검에는 아카시아(Acacia) 나무의 수액으로부터의 아라비아 검; 아노게이수스(Anogeissus) 나무의 수액으로부터의 가티 검; 아스트라갈루스(Astragalus) 관목의 수액으로부터의 트래거캔스 검; 스테르쿨리아(Sterculia) 나무의 수액으로부터의 카라야 검이 포함된다. 하전되지 않은 검의 예에는, 구아 빈으로부터의 구아 검, 캐럽(carob) 나무의 종자로부터의 로커스트 빈 검; 귀리 또는 보리 겨로부터의 베타-글루칸; 치클 나무로부터 얻어지는 오래된 츄잉검용 베이스인 치클 검; 딥테로카르파세아에(Dipterocarpaceae) 나무의 수액으로부터의 담마 검; 곤약 식물로부터의 글루코만난; 매스틱(mastic) 나무로부터 얻어지는 고대 그리스로부터의 츄잉검인, 매스틱 검; 플란타고(Plantago) 식물로부터의 차전자피(psyllium seed husk); 스프루스(spruce) 나무로부터 얻어지는 아메리칸 인디언의 츄잉검인, 스프루스 검; 타라(tara) 나무의 종자로부터의 타라 검이 포함된다. 박테리아 발효에 의해 생성되는 천연 검에는 젤란 검 및 잔탄 검이 포함된다. 비구형 실리콘 탄성중합체 본 발명의 조성물은 비구형 실리콘 탄성중합체를 포함할 수 있다. 실리콘 탄성중합체는 조성물의 점착성을 감소시키고 도포 시에 기분 좋은 감촉을 제공하는데 유용하다. 적합한 부류의 실리콘 탄성중합체의 한 가지 비-제한적인 예는 미국 특허 출원 공개 제2003/0049212A1호에 일반적으로 기재되어 있는, 가교결합된 유기폴리실록산 (또는 실록산) 탄성중합체이다. 본 발명의 조성물은 약 0.1% 내지 약 5% 또는, 대안적으로 약 0.5% 내지 약 2%의 하나 이상의 실리콘 탄성중합체를 포함할 수 있다. 표시된 백분율은, 탄성중합체 및 용매의 총량이 아니라, 예를 들어, 저장 및 운송을 위해 사용되는 건조 탄성중합체의 양을 지칭하는 것으로 이해된다. 예시적인 비구형 가교결합된 실록산 탄성중합체에는 다우 코닝™, 제너럴 일렉트릭(General Electric)™, 신 에츠™(KSG 15 및 16), 및 그랜트 인더스트리즈(Grant Industries)를 포함하는 다양한 공급처에 의해 공급되는 CTFA(Cosmetic, Toiletry, and Fragrance Association International Cosmetic Ingredient Dictionary and Handbook, 11th ed.) 명칭 다이메티콘/비닐 다이메티콘 가교중합체가 포함된다. 다른 예시적인 비유화 가교결합된 실록산 탄성중합체에는, 다우 코닝™으로부터의 것(예를 들어 사이클로다이메티콘 중 12.5% 탄성중합체로 공급되는 DC 9040 및 DC 9045, 및 다이메티콘 중 16% 탄성 중합체로 공급되는 DC 9041)을 포함하는 CTFA 명칭 다이메티콘 가교중합체가 포함된다. 활성제 본 발명의 조성물은 포유류 피부의 상태를 조절 및/또는 개선하는 데 유용한 적어도 하나의 피부 케어 활성제("활성제")를 포함할 수 있다. 활성제는 오일 또는 물에 용해성일 수 있으며, 오일 상 및/또는 수성 상에 주로 존재할 수 있다. 물 및 오일에서의 용해도는 당업자의 지식 이내이며, 공지된 분석 방법을 사용하여 결정될 수 있다. 당업자는 용해도가 조성물 내의 다른 성분의 유형 및 농도, 및 pH, 이온 강도 등과 같은 다른 조건에 의해 영향을 받을 수 있음을 또한 이해할 것이다. 다수의 피부 케어 활성제가 하나를 초과하는 효과를 제공할 수 있거나, 또는 하나를 초과하는 방식의 작용을 통해 작동할 수 있으며; 따라서, 본 명세서에서의 분류는 편의를 위한 것이고 열거된 그러한 특정 응용 또는 응용들에 활성제를 제한하고자 하는 것은 아니다. 적합한 활성제에는 비타민, 펩티드, 당 아민, 유분 조절제(oil control agent), 포토스테롤(photosterol), 헥사미딘 화합물, 타이트닝제(tightening agent), 태닝 활성제(tanning active), 항여드름 활성제, 박리(desquamation) 활성제, 항셀룰라이트(anti-cellulite) 활성제, 킬레이팅제, 피부 미백제, 식물 추출물, 플라보노이드, 프로테아제 억제제, 비-비타민(non-vitamin) 산화방지제 및 라디칼 제거제, 모발 성장 조절제, 주름 방지 활성제, 위축 방지 활성제(anti-atrophy active), 미네랄, 피토스테롤 및/또는 식물 호르몬, 티로시나아제 억제제, 항염증제, N-아실 아미노산 화합물, 항미생물제, 항균 활성제, 센세이트(sensate), 및 항진균제가 포함되지만 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 조성물은 약 0.001% 내지 약 10%, 대안적으로 약 0.01% 내지 약 5%의 하나 이상의 비타민을 포함할 수 있다. 본 명세서에서, "비타민"은 비타민, 프로-비타민과, 그의 염, 이성체 및 유도체를 의미한다. 적합한 비타민의 비제한적인 예에는, 비타민 B 화합물(B1 화합물, B2 화합물, B3 화합물, 예를 들어 나이아신아미드, 나이아신니코틴산, 토코페릴 니코티네이트, C1-C18 니코틴산 에스테르, 및 니코티닐 알코올; B5 화합물, 예를 들어 판텐올 또는 "프로-B5", 판토텐산, 판토테닐; B6 화합물, 예를 들어 피록시딘, 피리독살, 피리독사민; 카르니틴, 티아민, 리보플라빈을 포함함); 비타민 A 화합물, 및 비타민 A의 모든 천연 및/또는 합성 유사체(레티노이드, 레티놀, 레티닐 아세테이트, 레티닐 팔미테이트, 레틴산, 레틴알데히드, 레티닐 프로피오네이트, 카로티노이드(프로-비타민 A), 및 비타민 A의 생물학적 활성을 보유하는 기타 화합물을 포함함); 비타민 D 화합물; 비타민 K 화합물; 비타민 E 화합물, 또는 토코페롤(토코페롤 소르베이트, 토코페롤 아세테이트, 토코페롤의 기타 에스테르 및 토코페릴 화합물을 포함함); 비타민 C 화합물(아스코르베이트, 지방산의 아스코르빌 에스테르, 및 아스코르브산 유도체, 예를 들어 아스코르빌 포스페이트, 예를 들어 마그네슘 아스코르빌 포스페이트 및 소듐 아스코르빌 포스페이트, 아스코르빌 글루코사이드 및 아스코르빌 소르베이트를 포함함); 및 비타민 F 화합물, 예를 들어 포화 및/또는 불포화 지방산이 포함된다. 일 실시 형태에서, 본 조성물은 비타민 B 화합물, 비타민 C 화합물, 비타민 E 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 비타민을 포함한다. 대안적으로, 비타민은 나이아신아미드, 토코페릴 니코티네이트, 피록시딘, 판텐올, 비타민 E, 비타민 E 아세테이트, 아스코르빌 포스페이트, 아스코르빌 글루코사이드, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 본 발명의 조성물은 하나 이상의 펩티드를 포함할 수 있다. 본 명세서에서, "펩티드"는 10개 이하의 아미노산을 함유하는 펩티드, 그의 유도체, 이성체, 및 금속 이온(예를 들어, 구리, 아연, 망간 및 마그네슘)과 같은 다른 화학종과의 복합체를 지칭한다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 펩티드는 천연 펩티드와 합성 펩티드 둘 모두를 지칭한다. 일 실시 형태에서, 펩티드는 다이-, 트라이-, 테트라-, 펜타-, 및 헥사-펩티드, 그의 염, 이성체, 유도체, 및 이들의 혼합물이다. 유용한 펩티드 유도체의 예에는 대두 단백질로부터 유도된 펩티드, 카르노신(베타-알라닌-히스티딘), 팔미토일-라이신-트레오닌(pal-KT) 및 팔미토일-라이신-트레오닌-트레오닌-라이신-세린(pal-KTTKS, 매트릭실(MATRIXYL)(등록상표)로 공지된 조성물로 입수가능), 팔미토일-글리신-글루타민-프롤린-아르기닌(pal-GQPR, 리긴(RIGIN)(등록상표)으로 공지된 조성물로 입수가능)(상기 세 가지는 프랑스 소재의 세더마(Sederma)로부터 입수가능), 아세틸-글루타메이트-글루타메이트-메티오닌-글루타민-아르기닌-아르기닌(Ac-EEMQRR; 아기렐린(Argireline)(등록상표)), 및 Cu-히스티딘-글리신-글리신(Cu-HGG, 이아민(IAMIN)(등록상표)으로도 공지됨)이 포함되지만 이에 한정되지 않는다. 본 조성물은 약 1×10-7% 내지 약 20%, 대안적으로 약 1×10-6% 내지 약 10%, 및 대안적으로 약 1×10-5% 내지 약 5%의 펩티드를 포함할 수 있다. 시험 방법 채도 방법 본 명세서에서, "채도"는 색 및 색 강도를 기술한다. 본 발명의 목적상, 색은 CIELAB 색 시스템 상에서의 값에 따라 정의되며, 상기 색 시스템은 지각되는 색 및 색의 차이를 객관적으로 나타내는 방식을 제공하기 위하여 국제 조명 위원회(Commission Internationale de l'Eclairage)에 의해 규정되는 XYZ 색 시스템(CIE 시스템)을 기반으로 한다. X, Y 및 Z는 다양한 방식 또는 "스케일"(scale)로 표현될 수 있으며, 상기 스케일 중 하나로는 헌터(Hunter) 스케일이 있다. 헌터 스케일은, X, Y 및 Z와 수학적으로 상관 관계가 있는 3개의 변수, L, a, 및 b를 가지며, 문헌[Robertson, A.R. in "The CIE 1976 Color Difference Formulas," Color Research Applications, vol. 2, pp. 7-11 (1977)]에 기재되어 있다. 본 발명의 조성물의 색을 측정하기 위해, 표준 백그라운드(standard background) 상에 조성물의 두꺼운 균일한 필름을 우선 생성한다. 구체적으로, 표준 불투명도 차트(예를 들어, 미국 뉴저지주 만와 소재의 레네타 컴퍼니(Leneta Company)로부터의 폼(Form) N2A 또는 이의 등가물, 그 상반부는 흑색이고 하반부는 백색임) 상에 제품을 도포하고, 이어서 필름 어플리케이터(예를 들어, 미국 메릴랜드주 콜럼비아 소재의 비와이케이 가드너(BYK Gardner)로부터 구매가능한 것 또는 이의 등가물)를 사용하여 대략 0.03 센티미터 (0.01 인치)의 두께를 갖는 필름으로 불투명도 차트의 흑색 영역 상에 펴 바른다. 이어서, 정반사를 배제하도록 선택된 설정으로 분광광도계를 사용하여 제품 필름의 색(L, a, 및 b 값)을 측정한다. "a"의 값은 적색-녹색(수평) 축에 따른 값과 상관 관계가 있으며, "b"의 값은 청색-황색(수직) 축에 따른 값과 상관 관계가 있다. 예를 들어, 청색 샘플은 음의 b-값을 가질 것인 반면, 적색 샘플은 양의 a-값을 가질 것이다. 더 큰 양의 값 또는 음의 값은 더 강렬한 색을 나타낸다. "L"의 값은 밝음 및/또는 어둠의 척도이며, 수평 및 수직 축 둘 모두에 수직인 z-축에 따른 값과 상관 관계가 있다. 적색-녹색 축과 청색-황색 축의 교차점에 원점을 가지며 CIELAB 색 시스템의 수평 축 및 수직 축에 의해 정의되는 색공간 내로 연장되는 벡터에 의해 "채도"를 측정한다. 벡터의 길이는 채도를 나타내고, 벡터의 방향은 음영, 또는 색조(hue)를 나타낸다. 벡터가 짧을수록, 조성물이 덜 착색되며, 채도가 더 낮다. 본 발명의 개개의 층에 대한 채도, 즉, 제1 층 또는 분말 층에 대한 채도 값은 약 10 미만, 바람직하게는 약 6 미만, 더욱 더 바람직하게는 약 3 미만이다. 콘트라스트 비 본 명세서에서, "콘트라스트 비"는 조성물의 불투명도, 또는 광 투과를 감소시키거나 방지하는 조성물의 능력을 지칭하며, 이는 조성물을 불투명도 차트(미국 뉴저지주 만와 소재의 레네타 컴퍼니로부터의 폼 N2A 또는 이의 등가물) 상에 드로잉한 후에 및 정반사를 배제하도록 선택된 설정으로 분광광도계를 사용하여 결정한다. 조성물을 불투명도 차트 위에 도포하고, 이어서, 필름 어플리케이터(예를 들어, 미국 메릴랜드주 콜럼비아 소재의 비와이케이 가드너로부터 구매가능한 것 또는 이의 등가물)를 사용하여 대략 0.03 센티미터 (0.01 인치)의 두께를 갖는 필름으로 드로잉한다. 필름을 22℃ +/- 1℃, 0.1 MPa (1 기압)의 조건 하에 2시간 동안 건조되게 둔다. 분광광도계를 사용하여, 제품 필름의 Y 삼자극 값(tristimulus value)(즉, 필름의 XYZ 색 공간)을 측정하고 기록한다. Y 삼자극 값은, 불투명도 차트의 흑색 부분 위의 제품 필름의 3개의 상이한 영역, 및 또한 불투명도 차트의 백색 부분 위의 제품 필름의 3개의 상이한 영역에서 측정한다. 본 발명의 개개의 층에 대한 콘트라스트 비, 즉, 제1 층 또는 분말 층에 대한 콘트라스트 비는 약 20 미만, 바람직하게는 약 10 미만, 더욱 더 바람직하게는 약 6 미만이다. 흑색 영역 위의 3개의 Y 삼자극 값의 수학적 평균을, 백색 영역 위의 3개의 Y 삼자극 값의 수학적 평균으로 나누고 100을 곱하여, 콘트라스트 비를 계산한다: 시각적 속성 시험(Visual Attribute Test; VAT) 시각적 속성 시험(VAT)은, 얼굴 피부에 도포될 때의 본 발명의 조성물의 가시적 효과를 정량화하기 위해 사용되는 기술적 패널(technical panel)이다. 중간 또는 더 높은 기본(baseline) 수준의 얼굴 속성, 예를 들어, 미세한 선, 주름, 울퉁불퉁한 표면 텍스처, 및 모공을 가지도록 사전-스크리닝된 15명 내지 30명의 여성 참가자(panelist)가 각각의 VAT 연구에 참여한다. 이어서, 기본에서의 각 참가자의 얼굴뿐만 아니라 얼굴 한쪽에의 0.45 그램의 제품을 도포한 후 10분에서의 각 참가자의 얼굴 상의 다양한 속성을 2명의 훈련된 전문 채점자가 채점한다. 이어서, 처리 전 등급에서 처리 후 등급을 뺀 것으로서 얼굴 속성의 감소를 계산하고, ANOVA 절차(투키(Tukey)의 LSD 검정)를 사용하여 차이의 유의도를 결정한다. 울퉁불퉁한 표면 텍스처에 대한 전형적인 VAT 데이터 계산을 나타내는 가정된 데이터 표가 하기에 나타나 있다. 미세한 선, 주름, 울퉁불퉁한 표면 텍스처 및/또는 모공의 경우, 대략 0.4 초과의 차이가 소비자의 눈에 띄는 변화를 제공한다. 전문 채점자에 의해 평가된 얼굴 속성은 하기를 포함한다: 선/주름 - 미세한 선 및 주름에 의해 유발되는 뺨 영역 상의 피부의 문제(severity). 뺨 영역은 광대뼈의 상부 아래에 있는 것을 포함하지만 입 주위의 피부는 배제한다. 이러한 속성의 특징은 선 및 주름의 수, 길이, 깊이, 및 커버율(percent coverage)을 포함한다. 모공을 직접 포함하지는 않지만, 서로 연결된 모공에 의해 형성되는 것으로 보이는 선은 포함한다. 이러한 속성의 각각의 특징은 동일하게 가중된다. 울퉁불퉁한 표면 - "오톨도톨한"(pebble) 또는 "오렌지 껍질같은"(orange peel) 표면과 관련된 피부의 고르지 않음 또는 거침. 높이 및 근접성으로서 정의되는 거침의 정도 및 표면화된 외관에 의해 덮이는 얼굴의 백분율 둘 모두에 기초한다. 거침 및 커버율은 최종 등급에서 동일하게 가중된다. 명백하게 융기된 갈색 점(brown mole)은 포함하지 않는다. 모공 - 얼굴 모공의 커버율 및 강도. 커버율은 가시적인 모공(개방된 구멍)을 갖는 전체 뺨 영역의 백분율로서 정의된다. "강도"는 모공의 양 및 평균 모공 크기로서 정의되는데, 더 큰 모공이 더 높은 점수를 받는다. 이러한 속성의 둘 모두의 요소가 최종 등급에서 동일하게 가중된다. 명도 - 명도 특성은 얼굴의 밝기(lightness) 및 발광(luminescence)을 증가시킨다. 이것은 적색 톤 및 갈색 톤의 감소에 의해 달성될 수 있다. 전문 채점자는 하기에 나타나 있는 5점 연속 선 척도(5 point continuous line scale)를 사용하여 처리 전 및 처리 후 둘 모두에 상기 속성들 각각을 평가한다: 실시예 실시예 1 내지 실시예 10 본 발명에 따른 제1 층 조성물의 하기 실시예는, 수상 성분들을 우선 조합하고, 균일해질 때까지 혼합하고, 필요하다면 가온하여 제조한다. 다음으로, 증점제를 첨가하고, 조성물을 다시 균일해질 때까지 혼합한다. 마지막으로, 존재하는 경우, pH 조정제를 첨가하고 조성물을 균일해질 때까지 혼합한다. 실시예 11 내지 실시예 25 본 발명에 따른 분말 층 조성물의 하기 실시예는, 용기에서 수상 성분들을 우선 조합하고 균일해질 때까지 혼합하여 제조한다. 증점제를 첨가하고 수상을 균일해질 때까지 혼합하고, 이어서, 존재하는 경우, pH 조정제를 첨가하고, 수상을 다시 균일해질 때까지 혼합한다. 별도의 용기에서 오일상 성분들을 조합하고 균일해질 때까지 혼합한다. 다음으로 오일상에 분말을 첨가하고 조합물을 균일해질 때까지 혼합한다. 마지막으로, 오일/분말 상을 수상에 첨가하고 생성된 에멀전을 고전단 혼합한다(예를 들어, 플랙테크 스피드믹서(Flacktek Speedmixer), 또는 회전자-고정자 밀(rotor-stator mill)). 실시예 번호 26 내지 29는 의도적으로 비워 둔다. 비교예 하기에 제공되는 모든 데이터는 상기에 기재된 VAT 시험에 따라 측정하며, 80% 신뢰 수준(알파 = 0.20, 투키 검정)에서 통계적으로 유의하다. 각각의 비교예에서, VAT 방법에 따라 등급을 매긴 참가자의 수가 하기 표에 주어져 있다. 비교예 30 및 비교예 31 - 글리세린의 영향 하기의 두 가지 예는 고도의 보습 조성물과 고도의 미립자 조성물을 "올인원" 조성물로 조합하는 것의 부정적인 영향을 입증한다. 따라서, 이러한 비교는, 단일("올인원") 조성물로 조합할 때, 구형 분말의 광학 효과에 대한 높은 수준의 습윤제의 부정적인 영향을 입증한다. 조성물 30 및 조성물 31 둘 모두는 동일한 높은 수준의 실리콘 탄성중합체 입자 및 비휘발성 실리콘 오일을 함유하며, 예 30은 5% 글리세린을 함유하지만 예 31은 25% 글리세린을 함유하는 점을 제외하고는 다른 것은 동일하다. 조성물 30 및 조성물 31은, 용기에서 수상 성분들 및 증점제를 우선 조합하고 균일해질 때까지 혼합하여 제조한다. 별도의 용기에서 오일상 성분들을 조합하고 균일해질 때까지 혼합한다. 다음으로 오일상에 미립자를 첨가하고 조합물을 균일해질 때까지 혼합한다. 마지막으로, 오일/미립자 상을 수상에 첨가하고 생성된 에멀전을 고전단 혼합한다(예를 들어, 플랙테크 스피드믹서, 또는 회전자-고정자 밀). 이어서, 조성물 30 및 조성물 31에 대해 시각적 속성 시험(VAT)을 수행하여, 다양한 얼굴 속성의 외관을 감소시키는 것에 대한 그들의 유효성을 비교한다. 하기 표에 요약되어 있는, 이러한 시험의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 글리세린의 수준을 5%로부터 25%로 증가시키는 것은 이러한 제품에서 탄성중합체 입자 및 비휘발성 실리콘 오일 조합에 의해 제공되는 광학 효과를 현저하게 감소시켰다. 뺨 미세 선, 울퉁불퉁한 표면, 및 모공에 대한 더 큰 VAT 점수는 이들 속성의 외관의 더 큰 가시적 감소에 상응한다. 따라서, 이러한 데이터는, "올인원" 조성물에서 입자 및 비휘발성 오일 시스템과 조합될 때 높은 수준의 글리세린이 광학 효과에 미치는 부정적인 영향을 분명하게 입증한다. 비교예 32 내지 비교예 36 - 층의 영향 예 32, 예 33, 및 예 36은 상기 예 30 및 예 31에 사용된 것과 동일한 공정을 사용하여 제조한다. 예 34 및 예 35는 수상 성분들 전부 및 pH 조정제를 조합하고, 균일해질 때까지 혼합하고 필요하다면 가온하여 제조한다. 다음으로, 증점제를 첨가하고, 조성물을 다시 균일해질 때까지 혼합한다. 조성물 32는, 조성물 34인 제1 층 후에 조성물 36인 분말 층으로 이루어진 2층 시스템과 동일한 글리세린 및 피부 활성제 수준뿐만 아니라 동일한 전분 분말 및 비휘발성 실리콘 오일을 함유하는 올인원 또는 단일 단계 제형이다. 유사하게, 올인원 또는 단일 단계 조성물 34는 조성물 35인 제1 층과, 이어지는 조성물 36인 분말 층으로 이루어진 2층 시스템과 유사하다. 조성물 32 및 조성물 34와 그와 비교되는 조성물 33 및 조성물 35 사이의 차이점은 후자의 조성물이 추가적인 피부 활성제 성분(세피화이트 MSH, 글리코-리페어, 바이오미옥스, 페일스트리나, 및 이노시톨)을 함유한다는 것임에 유의한다. 조성물 32 내지 조성물 36 사이의 이러한 관계가 하기 표에 요약되어 있다. 올인원 대 2 단계 조성물의 비교를 위해, 적당한 안정성 및 물리적 특성을 보장하도록 몇몇 매우 사소한 제형 조정이 이루어졌음에 또한 유의한다. 그러나, 이러한 사소한 제형 조정은 이들 제형의 광학 효과에 크게 영향을 줄 것으로 예상되지 않는다. 이어서, 상기 올인원 조성물(예 32, 예 33) 및 그의 상응하는 2 단계 조성물(예 34/예 36, 예 35/예 36)에 대해 시각적 속성 시험(VAT)을 수행하여, 다양한 얼굴 속성의 외관을 감소시키는 것에 대한 그들의 유효성을 비교하였다. 간단함을 위해 및 통계적 검정력(statistical power)을 증가시키기 위해, 이러한 올인원 조성물 대 2 단계 조성물 둘 모두의 비교 결과가 하기 표에 조합되어 있다. 이러한 시험의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 올인원 및 2 단계 시스템 둘 모두가 동일한 전분 분말 및 비휘발성 실리콘을 함유함에도 불구하고, 본 발명에 따라 생성되는 2 단계 시스템은 그의 상응하는 올인원 시스템보다 현저하게 더 큰 가시적 효과를 제공한다(명도에 대한 음의 값은 얼굴 피부의 명도의 증가에 상응함에 유의한다). 따라서, 이러한 결과는 본 발명의 2 단계 접근법의 효과를 입증한다. 비교예 37 및 비교예 38 - 비휘발성 오일 대 분말 비의 영향 하기는 본 발명에 따른 분말 층 조성물의 예인데, 이러한 예 둘 모두는 상기 예 36과 유사한 20% 전분 입자를 함유한다. 상기의 예 36과 하기의 예 37 및 예 38 사이의 중요한 차이점은, 비휘발성 오일(50 ㎟/s (50 cst) 다이메티콘) 대 분말 비이다. 유사한 물리적 특성 및 안정성을 갖도록 보장하기 위해 이들 제형에 대해 몇몇 매우 사소한 조정이 이루어졌지만, 이러한 조정은 제품 성능에 영향을 줄 것으로 예상되지 않음에 유의하기 바란다. 예 37 및 예 38은 예 30 및 예 31과 동일한 방식으로 제조한다. 이어서, 각각의 시험에 대해 제1 단계로서 예 34의 조성물을 사용하여, 2 단계 요법의 일부로서 예 36, 예 37, 및 예 38 조성물에 대해 VAT 연구를 수행하였다. 하기 표에 요약되어 있는, 이러한 시험의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 비휘발성 오일-대-분말 비가 증가함에 따라, 이들 조성물에 의해 제공되는 광학 효과가 크게 감소하였다. 따라서, 이러한 데이터는 본 발명의 조성물에서의 바람직한 오일 대 분말 비의 효과를 분명하게 나타낸다. 비교예 39 - 층의 순서의 영향 하기 조성물, 예 39는 수상 성분들을 우선 조합하고 균일해질 때까지 혼합하여 제조한다. 다음으로, 증점제를 첨가하고 조성물을 다시 균일해질 때까지 혼합한다. 본 발명의 2 단계 시스템의 층들이 피부에 도포되는 순서의 영향을 이해하기 위해, 앞선 예 34 및 예 36의 조성물과 함께, 예 39의 조성물을 사용하여 VAT 연구를 행하였다. 구체적으로, 하기 2 단계 시스템에 대해 VAT 연구를 수행하였다: 예 34 및 예 39는 사용된 증점제만 상이하며, 이러한 차이점은 이들 2 단계 시스템의 광학 효과에 크게 영향을 줄 것으로 예상되지 않음에 유의한다. 하기 VAT 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따라 사용되는 2 단계 시스템은 다양한 가시적 속성에 대해 큰 효과를 전달한 반면, 단계들의 순서가 반대로 된 2 단계 조성물은 현저하게 더 적은 가시적 효과를 제공하였다. 따라서, 이러한 결과는 본 발명의 도포 단계의 순서의 중요성을 확증한다. 비교예 40 및 비교예 41 - 불투명도 증가의 영향 하기의 두 가지 예 모두는 동일한 높은 수준의 실리콘 탄성중합체 구형 입자 및 비휘발성 실리콘 오일을 함유하며, 예 41은 3.43% 안료를 함유하는 반면, 예 40은 안료를 함유하지 않는 점을 제외하고는 동일하다. 예 41에 사용된 안료는 예 40과 비교하여 증가된 불투명도를 가져왔다. 불투명도는 콘트라스트 비를 측정하여 평가한다(콘트라스트 비가 높을수록, 불투명도의 수준이 더 높다). 예 41은 콘트라스트 비가 34인 반면, 예 40은 콘트라스트 비가 4.3이다. 예 40 및 예 41은 상기 예 30 및 예 31에 사용된 것과 동일한 공정을 사용하여 제조한다. 이어서, 예 40 및 예 41의 조성물에 대해 시각적 속성 시험(VAT)을 수행하여, 다양한 얼굴 속성의 외관을 감소시키는 것에 대한 그들의 유효성을 비교하였다. 하기 표에 요약되어 있는, 이러한 시험의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 고굴절률 안료를 사용하여 불투명도를 증가시키는 것(더 높은 콘트라스트 비)은 이러한 제품에서 탄성중합체 분말 및 실리콘 오일 조합에 의해 제공되는 광학 효과를 현저하게 감소시켰다. 따라서, 이러한 데이터는, 증가된 불투명도가 본 발명의 분말 및 오일 시스템의 광학 효과에 주는 부정적인 영향을 분명하게 입증한다. 본 명세서에 개시된 치수 및 값은 열거된 정확한 수치 값으로 엄격하게 제한되는 것으로 이해되어서는 안 된다. 대신에, 달리 명시되지 않는 한, 각각의 그러한 치수는 언급된 값, 및 그 값 부근의 기능적으로 동등한 범위 둘 모두를 의미하는 것으로 의도된다. 예를 들어, "40 mm"로 개시된 치수는 "약 40 mm"를 의미하는 것으로 의도된다. 임의의 상호 참조된 또는 관련된 특허 또는 출원을 포함하는, 본 명세서에 인용된 모든 문헌은, 명시적으로 배제되거나 달리 제한되지 않는 한, 전체적으로 본 명세서에 참고로 포함된다. 어떠한 문헌의 인용도 본 명세서에 개시되거나 청구된 임의의 발명에 대한 종래 기술인 것으로 인정되거나, 또는 단독으로 또는 임의의 다른 참조 문헌 또는 참조 문헌들과의 임의의 조합으로 임의의 그러한 발명을 교시, 제안 또는 개시하는 것으로 인정되지 않는다. 또한, 본 명세서의 용어의 임의의 의미 또는 정의가 참고로 포함된 문헌의 동일한 용어의 임의의 의미 또는 정의와 상충되는 경우, 본 명세서의 그 용어에 부여된 의미 또는 정의가 우선할 것이다. 본 발명의 특정한 실시 형태가 예시되고 설명되었지만, 다양한 다른 변경과 수정이 본 발명의 사상과 범주로부터 벗어남이 없이 이루어질 수 있음이 당업자에게 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 범주 내에 있는 모든 그러한 변경 및 수정을 첨부된 특허청구범위에 포함하고자 한다.	피부 케어 조성물인 제1 층을 피부에 도포하는 단계; 및 제1 층에 및 그 위에 분말 층을 도포하는 단계에 의해 인간 피부의 외관을 개선하는 방법. 분말 층은, 분말 층의 약 10 중량% 내지 약 30 중량%의, 코팅된 전분, 코팅되지 않은 전분, 실리콘 탄성중합체 입자, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 실질적으로 구형 입자를 갖는다. 분말 층은, 비휘발성 오일 대 미립자 재료의 중량 비가 약 1:10 내지 약 3:2가 되도록 하는 농도 수준으로 존재하는 비휘발성 오일을 포함하는 수중유 에멀전인 수계 조성물이다. 제1 층 및 분말 층 중 적어도 하나 또는 둘 모두는 콘트라스트 비가 약 20 미만이다.
[ 발명의 명칭 ] 디스플레이 작동 제어 유닛 및 디스플레이 유닛 위에 추가 지침을 표시하는 방법DISPLAY OPERATOR CONTROL UNIT AND METHOD FOR DISPLAYING ADDITIONAL INSTRUCTIONS ON A DISPLAY UNIT [ 기술분야 ] 본 발명은 교통수단용 디스플레이 조작 유닛 및 디스플레이 조작 유닛 위에 표시된 표시 요소들에 관한 추가 지침을 표시하기 위한 방법에 관한 것이다. 특히 본 발명은 디스플레이 유닛과 접촉이 없는 영역들에서 제스처를 이용함으로써 디스플레이 유닛을 조작하는 사용자를 위한 안내를 개선하는 것에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 종래 기술에서 스크린을 포함한 인간-기계 인터페이스(영문, Human-Machine-Interface, HMI)에 대한 조작 구상안이 공지되어 있다. 현재의 구현 방식에서는 입력 수단(예컨대 사용자의 손가락)이 근접하는 것이 인식되고, 조작 지침이 출력되고 있다. 새로운 센서 장치들은 디스플레이를 영역들로 분할하여 사용자에게 중요하거나/사용자가 원하는 영역들만을 두드러지게 만든다. 입력 수단의 인식을 위해, 예컨대 적외선 센서 및 카메라 기반 센서가 적용된다.EP 2 121 372 B1은 디스플레이 면 앞에 배치되는 활성화 영역을 개시하는데, 구동 모드가 활성화 영역들 중 일 영역에 있으면 이를 변경할 수 있다. 운전자의 자리 앞에서의 조작 또는 승객의 자리 앞에서의 조작은 구분된다.종래 기술에 공지된 장치 및 시스템에서는 사용자를 지원하는 물리적 방법들이 만족할 만한 수준이 아니었다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 따라서 본 발명의 과제는 전술한 니즈를 충족하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명은 추가 지침을 표시하는 방법 및 디스플레이 유닛과 교통수단을 통하여 전술한 과제를 해결한다. 본 발명에 따르는 방법은 디스플레이 유닛 위에 표시된 표시 요소들에 관한 추가 지침을 표시하기에 적합하다. 표시 요소들은 소프트웨어 기반으로 디스플레이 유닛으로서의 스크린상에 나타내질 수 있다. 종래 기술에서 그러한 표시 요소들은 "타일"이라고도 한다. 추가 지침은 일시적으로 표시 유닛의 사용자를 위한 추가 정보로 기능한다. 바꾸어 말하면, 본 발명에 따르면, 표시 요소들 위에 포함된 지침/정보는 사용자 행위에 따르는 추가 지침에 의해 표시되거나 사라진다. 우선, 이를 위해 입력 수단이 디스플레이 유닛 앞의 제1 입력 영역 내에서 인식된다. 입력 수단은 예컨대 사용자의 손가락, 스타일러스 등 일 수 있다. 제1 입력 영역은 본 발명에 따르면 디스플레이 유닛 앞에 위치하며, 이로 인해 생성되는 용적의 경계면은 디스플레이 유닛의 표면과 일치하지 않는다. 입력 수단의 인식에 대한 응답으로, 제1 표시 요소에 관한 제1 추가 지침 및 제2 표시 요소에 관한 제2 추가 지침이 표시된다. 예컨대, 추가 지침들은 표시 요소들의 표현을 변형하거나 표시 요소들과 중첩되는 추가적 시각 정보를 형성한다. 이후, 입력 수단은 디스플레이 유닛 앞의 제2 입력 영역 내에서 인식된다. 제2 입력 영역도, 디스플레이 유닛의 표면과 일치하지 않는 경계면으로 둘러쳐진 용적을 형성한다. 그러나 제1 입력 영역 및 제2 입력 영역의 경계면은 각각 동일할 수 있어서, 입력 영역들은 서로 직접적으로 접해 있다. 바람직하게는, 제2 입력 영역은 제1 입력 영역으로부터 오는 입력 수단이 디스플레이 유닛으로 더 근접하면서 비로소 도달할 수 있다. 제2 입력 영역 내에서 입력 수단의 인식에 대한 응답으로, 제2 표시 요소에 대한 제2 지침이 제거되고, 이때 제1 지침은 계속 표시된다. 이는 예컨대, 입력 수단이 제1 표시 요소의 방향으로 이동하나 제2 표시 요소의 방향으로 이동하지 않으면서 야기될 수 있다. 제2 지침이 사라짐으로써, 사용자는 자신의 현재 입력과 연관되는 것이 어떤 표시 요소인가를 알게 된다. 특히 주행 상황을 인지하는 동안, 사용자는 적합한 방식으로 차량과의 상호 작용의 결과에 따라 안내를 받게 될 수 있다.종속항들은 본 발명의 바람직한 발전 형태들을 나타낸다.바람직하게는, 제1 입력 영역 및 제2 입력 영역은 각각, 이들이 디스플레이 유닛의 방향으로 배향된 경계면들에서 실질적으로 디스플레이 유닛의 표면에 대해 평행하도록 배치된다. 그러한 배향은 사용자에게 매우 간단하게 연상되는 것이며, 이에 따라 조작은 간단하게 학습될 수 있다. 디스플레이 유닛 앞에 위치하는 2개의 입력 영역들을 사용함으로써, 디스플레이 유닛과의 접촉은 이미 제3 입력을 나타낼 수 있으며, 제3 입력을 이용하여 예컨대 제1 표시 요소의 선택 또는 작동이 수행될 수 있다. 이러한 선택은 디스플레이 유닛의 표면과 접촉함으로써 이루어지고(디스플레이 유닛과의 거리 = 0 mm), 이러한 디스플레이 유닛의 표면은 압력 감지 표면("터치스크린")이라고도 한다. 이러한 방식으로, 단일 동작("제스처")에 의해 복수의 상호 작용들이 이루어지고, 이러한 상호 작용은 종결적 상호 작용, 즉 스위치면의 선택 또는 작동을 준비한다. 이로써 방법은 효율적이고 직관적인 조작을 구현하기에 적합하다.제1 지침 및/또는 제2 지침은 심볼 및/또는 텍스트의 표시를 포함할 수 있다. 부가적 또는 대안적으로, 제1 지침 및/또는 제2 지침은 언어 출력을 포함할 수 있고, 언어 출력은 사용자에게 표시 요소들에 지정된 기능들에 관하여 알려준다.언어 출력의 사용 시, 지침들의 출력은 예컨대 차례로 수행될 수 있어서, 사용자는, 디스플레이 유닛에 집중하지 않고도, 나타내진 표시 요소들에 대해 알게 된다. 머무는 시간이 더 길면, 언어 출력은 반복될 수 있고, 입력 수단이 제1 입력 영역을 벗어날 때까지 반복될 수 있다. 입력 수단이 제2 입력 영역으로 넘어가면, 예컨대 제1 지침에 상응하는 언어 출력만이 여전히 표시되거나 주기적으로 반복될 수 있다. 이러한 방식으로, 사용자가 디스플레이에 주의를 기울이지 않고도 사용자 인터페이스를 조작할 수 있다. 더욱 바람직하게는, 본 발명에 따른 방법은 제1 표시 요소에 편입된 제2 입력 영역 일부로부터 제2 표시 요소에 편입된 제2 영역의 부분으로 입력 수단이 이행하는 것을 인식하는 단계를 포함한다. 바꾸어 말하면, 제1 입력 영역을 벗어나지 않고도, 사용자는 예컨대 제1 표시 요소 앞의 영역으로부터 제2 표시 요소의 영역으로 전환한다. 이에 대한 응답으로, 제2 표시 요소에 지정된 제2 추가 지침이 출력될 수 있는 반면, 제1 표시 요소에 지정된 제1 추가 지침이 억제된다. 이러한 억제는, 상기 지침이 주기적으로 출력되는 정보인 경우에 한하여 일반적으로 "출력 안함"을 포함할 수 있다. 지침이 지속적으로 출력되면, 상기 억제는 표시 안함 또는 더 이상 출력 안함을 포함할 수 있다.바람직하게는, 추가 지침들의 표시는 최소 지속 시간 동안 각각의 입력 영역 내에 입력 수단이 머무른 이후에 비로소 수행될 수 있다. 이는 예컨대 타이머에 의해 수행될 수 있고, 타이머는 입력 수단이 최초로 각각의 입력 영역에 도달하자마자 시작된다. 입력 수단이 타이머의 경과 전에 각각의 입력 영역을 벗어나지 않으면, 추가 지침들은 전술한 바와 같이 출력되거나 표시된다. 특히 이러한 형성예는 제1 입력 영역을 이용하는 것이어서, 본 발명에 따른 방법의 시작은 사용자의 손이 입력 영역 내에서 비고의적으로 (단시간동안만) 머무를 때에는 수행되지 않는다.바람직하게는, 입력 수단의 인식은 방향 선택적으로 수행됨으로써, 디스플레이 유닛에 대해 상대적인 사용자의 위치가 산출된다. 이에 상응하여, 추가 지침으로서 나타내지는 내용은 인식된 위치에 따라 선택될 수 있다. 대안적으로, 각 지침의 출력은 억제될 수 있다. 이는 예컨대, 사용자가 승객일 때 이 사용자에게 특정한 기능의 액세스를 허용하지 않으려 할 때, 유리할 수 있다. 물론, 상이하게 인식되는 위치들에 대해 상이한 기능들 및 이에 상응하는 상이한 지침들이 출력될 수 있다.본 발명의 범위 내에서 제1 표시 요소 또는 제2 표시 요소로 지칭되는 스크린 내용은 상이한 기능 범위에 편입될 수 있다. 예컨대, 내비게이션 지도, 루트 산정을 위한 목적지 정보, 외부 온도, 에어컨/난방 조절에 대한 개요, 좌석 설정, 후방 카메라 영상 및/또는 라이트 설정 및/또는 현위치 날씨 정보 및/또는 목적지 날씨 정보 및/또는 특히 라디오와 같은 현재 미디어 소스의 미디어 정보 및/또는 조작 지침/팁 ("...을 알고 계신가요") 및/또는 예컨대 슬라이드 쇼와 같은 영상들 및/또는 달력 정보 및/또는 연료 절감 팁 및/또는 오프로드 설정은 각각의 표시 요소에 편입될 수 있다. 이러한 방식으로, 상이한 기능들은 동시에 디스플레이 유닛 위에서 선택되고 사용자는 본 발명에 따르는 방식으로 그 조작을 지원받을 수 있다.본 발명의 제2 양태에 따르면, 디스플레이 유닛, 조작 유닛 및 처리 유닛을 포함하는 디스플레이 조작 유닛이 제안된다. 디스플레이 유닛은 특히 표시 요소 및 지침을 표시하도록 설비된다. 조작 유닛은, 디스플레이 유닛 앞의 제1 입력 영역 및 제2 입력 영역 내에서 입력 수단을 인식하도록 설비된다. 조작 유닛은 예컨대 적외선 영역에서 방출하는 적외선 발광 다이오드(LED) 및 이에 대응하는 센서를 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 조작 유닛은 사용된 입력 수단의 접촉과 무관하게 제스처들을 인식하고, 평가를 위해 처리 유닛으로 전달할 수 있다. 처리 유닛은 예컨대 프로그래밍 가능한 프로세서를 포함할 수 있고, 이러한 프로세서는 디스플레이 유닛 및 조작 유닛과 정보 기술적으로 연결되어 있다. 전술한 구성 요소에 의해 디스플레이 조작 유닛은 앞에서 처음으로 언급한 본 발명의 양태와 결부되어 설명된 바와 같은 방법을 수행하도록 설비된다. 특징들, 특징 조합들 및 이로부터 얻어지는 이점들은 서두에 언급한 발명의 양태와 연계하여 설명된 바에 명백하게 상응하며, 반복을 피하기 위해 앞의 실시예를 참조한다.바람직하게는, 디스플레이 조작 유닛은 교통수단의 사용자 인터페이스일 수 있다. 일반적으로, 이에 상응하는 디스플레이 유닛은 교통수단의 대시 보드 내에 고정적으로 내장되어 있다. 이는 조작 유닛에 대해서도 동일하게 적용될 수 있다.본 발명의 제3 양태에 따르면, 교통수단, 특히 도로 주행용 차량(예컨대 승용차, 화물차)이 제안되고, 이러한 차량은 두번째로 언급한 본 발명의 양태에 따른 디스플레이 조작 유닛을 포함한다. 특징들, 특징 조합들 및 이로부터 얻어지는 이점들과 관련하여 처음에 언급한 발명의 양태를 참조한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면의 참조 번호와 함께 더 상세히 설명된다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 교통수단의 개략도이다.도 2는 일 실시예에 따른 디스플레이 조작 유닛을 이용한 조작 단계의 개략도이다.도 3 내지 도 8은 본 발명에 따른 방법을 실시할 때의 조작 단계들을 나타내는 개략도이다.도 9는 본 발명에 따른 방법의 일 실시예의 단계들을 나타내는 흐름도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1은 교통수단으로서의 차량(20)을 도시하고, 이러한 차량 내에서 디스플레이 유닛으로서의 스크린(1), 조작 유닛으로서의 발광다이오드 어레이(2) 및 처리 유닛으로서의 프로그래밍 가능한 프로세서(18)를 포함하는 사용자 인터페이스가 구비된다. 사용자 인터페이스의 구성 요소들은 데이터 라인을 통해 서로 연결되어, 본 발명에 따른 방법을 실시할 수 있고, 이는 이하에서 도 2 내지 도 9와 관련하여 세부적으로 설명된다.도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 조작 유닛과의 사용자 상호 작용을 나타내는 원리도를 도시한다. 스크린(1) 앞에 파선으로 표시된 직육면체(4a, 4b)로서 제1 입력 영역 및 제2 입력 영역이 표시되어 있다. 직육면체(4b)는 직접적으로 제1 직육면체(4a)와 스크린(1) 사이에 배치된다. 양쪽의 직육면체들(4a, 4b)은 서로 직접 이음새 없이 이웃하여 있는 반면, 제2 직육면체(4b)는 스크린(1)으로부터 0 mm와 1 mm 사이의 거리를 가진다. 또한, 사용자의 손(3)은 입력 수단으로 도시되어 있고, 이는 직육면체들(4a, 4b) 밖의 영역으로부터 화살표(P)를 따라 직육면체(4a) 안으로까지 이동한다. 손(3)이 머무르는 것은 스크린(1) 아래의 발광다이오드 어레이(2)에 의해 인식되고, (도 2에 미도시된) 처리 유닛으로 전달된다. 이하, 도시된 장치의 조작 단계들은 이와 관련한 스크린 화면 내용과 연계하여 스크린 샷의 형태로 설명된다.도 3은 스크린(1) 앞의 감지 영역(4)의 밖에서 사용자의 손(3)이 위치해 있는 사용 시나리오를 도시한다(도면에서 우측 상부). 이와 관련한 스크린 내용(5)은 6개의 섹션(6 내지 11)으로 구분되고, 이 중 제1 섹션은 목전의 경로의 지도 일부(6), 제2 섹션은 인접한 볼거리에 관한 정보 및 사진(7), 제3 섹션은 실내 공간 구성을 보여주는 표현물(9), 제4 섹션은 이제까지 내용(8)이 없음을 표시하고, 제5 섹션은 인포테인먼트 시스템에서 메뉴 콘텍스트 위의 단축키(shortcut), 제6 섹션은 차량의 설정된 실내 온도(11)를 표시한다.도 4에서 사용자의 손(3)은 (화살표(P)의 끝부분 참조) 제1 입력 영역(4a)에 도달한다. 사용자 지원을 위해, 다음과 같이 추가 지침들(12 내지 17)이 스크린 화면 내용(5)의 전술한 섹션들(6 내지 11)에 표시된다: 제1 섹션(6)의 상부 좌측 변에는 청색으로 표시된 텍스트 필드(12)가 "내비게이션"이란 문자와 함께 표시된다. 이에 상응하여 제2 섹션(7)에 편입된 텍스트 필드(13)는 "볼거리"로 기재되어 있다. 텍스트 필드들(12, 13)의 색상은 내비게이션 또는 경로 가이드에 알맞은 것끼리 사용자를 위한 대응 정보를 그룹화한다. 제3 섹션(9)에서 제1 입력 영역(4a)의 도달과 함께 황색으로 표시된 텍스트 필드(15)는 추가 지침으로서 섹션(9)의 상부 좌측 변에 표시되고, 이는 "주변광"이란 문자로 표시된다. 이는 제3 섹션(9)의 아래에 배치된 섹션들(10. 11)에도 동일하게 적용되며, 이러한 섹션들은 마찬가지로 황색으로 표시된 텍스트 필드들(16, 17)을 포함하고, "메뉴" 또는 "에어컨"이란 명칭으로 표시되어 있다. 제3, 제5 및 제6 섹션(9, 10, 11)을 위한 추가 지침들의 황색이란 색상은 차량과 관련한 기본적 정보 유닛으로 알맞은 것끼리 정보들을 시각적으로 그룹화한다. 제4 섹션(8)은 제1 입력 영역(4a)의 도달 시 "신규"라는 문자와 함께 텍스트 필드(14)의 형태로 추가 지침을 추가로 획득하였다. 그러나 시각적인 그룹화가 수행될 수 없으므로, 텍스트 필드(14)는 이제까지 회색으로 표시된다.도 5는 사용자의 손(3)이 제2 입력 영역(4b)에 도달할 때의 조작 단계를 도시한다. 이제, 사용자의 손(3)은 약간의 간격을 두고 스크린 화면(5)의 제1 섹션(6) 앞에 도달한다. 텍스트 필드(12) 형태의 추가 지침은 본 발명에 따라 여전히 표시된다. 반면 여타의 추가 지침들(13 내지 17)은 사라짐으로써, 내비게이션 지도에 더욱 집중할 수 있다. 이때 사용자에게는, 시간상 이후에 수행된 입력이 항상 제1 섹션(6) 또는 이와 결부된 기능과 관련한다는 것을 알게 된다. 사용자는, 도시된 조작 단계에서 터치 제스처(제1 섹션(6)의 영역 내에서 디스플레이 유닛(1)을 클릭하기) 또는 제2 섹션(7)이나 제5 섹션(8)으로 전환하기를 수행할 수 있다.도 6에 도시된 예시에서, 사용자는 제1 옵션을 선택하는데, 사용자가 손(3)을 제1 섹션(6)에 편입된 제2 입력 영역(4b)의 일부로부터 제2 섹션(7)에 편입된 입력 영역(4b)의 일부 안으로 움직이면서 그러하다. 이에 대한 응답으로, 제2 지침의 출력은 텍스트 필드(13)의 형태로 수행되는 반면, 텍스트 필드(12)의 출력은 억제된다.이에 상응하여, 사용자는 그의 손(3)을 도 7에서 제2 입력 영역(4b)의 2개의 부분 영역들로 가져가고, 이러한 부분 영역은 제3 섹션(9) 및 제5 섹션(10)에 편입된다. 이에 대한 응답으로, 이에 편입된 추가 지침은 텍스트 필드(15, 16)의 형태로 표시되는 반면, 이제 텍스트 필드(13)의 출력은 제2 섹션(7) 내에서 취소 또는 억제된다.도 8에서 사용자는 그의 손(3)을 제2 입력 영역(4b)으로부터 떼는데, 그의 손(3)과 스크린(1)과의 거리를 늘리면서 그러하다. 이러한 방법으로, 사용자는 제1 입력 영역(4a)을 횡단하게 되고, 이에 따라 전체 추가 지침들(12 내지 17)은 다시 또는 지속적으로 표시된다. 이러한 방식으로, 사용자는 그의 입력이 스크린 화면 내용(5) 위에서 특정한 기능 영역에 편입되지 않는다는 회신을 획득한다. 도 9는 본 발명에 따른 방법의 일 실시예의 단계들을 나타내는 흐름도를 도시한다. 단계 100에서 입력 수단은 디스플레이 유닛 앞의 제1 입력 영역 내에서 인식된다. 또한, 단계 200에서 입력 수단의 사용자의 추정 위치가 디스플레이 유닛에 대해 상대적으로 또는 발광다이오드 어레이에 대해 상대적으로 인식된다. 이때 제1 실시예에서, 사용자가 차량의 운전자인지 또는 승객인지가 분류된다. 단계 300에서 제1 지침을 위한 내용은 분류된 위치에 따라 선택된다. 위치가 차량의 운전자에 편입된 것이면, 승객이 사용자로 산출된 경우에 비하여, 더 광범위한 접속 권한이 편입되거나 이용 가능한 기능에 대한 더 많은 지침이 표현될 수 있다. 단계 400에서 제1 표시 요소에 대한 제1 지침 및 제2 표시 요소에 대한 제2 지침이 출력된다. 이러한 지침들을 통하여 사용자는 선택할 기능에 관하여 알게 된다. 사용자가 그의 손가락을 디스플레이 유닛에 근접시켜 기능들 중 하나를 더 정확하게 보기 위해 선택하면, 단계 500에서 이러한 손은 입력 수단으로서 디스플레이 유닛 앞의 제2 입력 영역 내에서 인식된다. 이에 대한 응답으로, 단계 600에서 제1 표시 요소에 속하는 지침을 제외하고, 모든 추가 지침들이 억제되거나 더 이상 출력되지 않는다. 이후, 단계 700에서, 제1 표시 요소에 편입된 제2 입력 영역 일부로부터 제2 표시 요소에 편입된 제2 입력 영역의 부분으로 입력 수단이 이행하였음이 인식된다. 바꾸어 말하면, 사용자는 단계 700에서 그의 손을 제1 섹션 앞의 영역으로부터 이에 이웃한 제2 섹션 앞의 영역으로 움직이되, 그의 손이 제2 입력 영역을 벗어나지 않은 상태에서 그러하다. 이후 단계 800에서 제2 표시 요소에 대한 제2 지침이 출력된다. 바꾸어 말하면, 사용자가 이제 제2 표시 요소에 집중하고 있음이 인식됨으로써, 단계 900에서 제1 표시 요소에 대한 제1 지침의 출력은 억제된다. 이러한 방식으로 본 발명은 디스플레이 유닛에 대해 각각 집중하는 것을 지원할 수 있다.본 발명에 따른 양태들 및 유리한 실시 형태들은 첨부 도면과 연관하여 설명된 실시예들에 따라 상세하게 설명되었으나, 당업자에게는 첨부 청구항에 의해 그 보호 범위가 정의되는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 설명된 실시예들의 특징들의 수정 및 조합이 가능하다. [ 부호의 설명 ] 1 스크린 2 조작 유닛 3 손 4 입력 영역 4a 제1 입력 영역/직육면체 4b 제2 입력 영역/직육면체 5 스크린 내용 6, 7, 8 섹션들 9, 10, 11, 12, 13, 14 추가 지침들, 텍스트 필드들 15, 16, 17, 18 프로세서 20 승용차 100-900 방법 단계들 P 화살표	본 발명은 디스플레이 조작 유닛, 디스플레이 유닛(1) 위에 표시된 표시 요소들에 관한 추가 지침을 표시하기 위한 방법에 관한 것이다. 방법은 디스플레이 유닛(1) 앞의 제1 입력 영역(4a) 내에서 입력 수단(3)을 인식하는 단계 및 이에 대한 응답으로 제1 표시 요소에 관한 제1 지침 및 제2 표시 요소에 관한 제2 지침을 출력하는 단계, 그리고 디스플레이 유닛(1) 앞의 제2 입력 영역(4b) 내에서 입력 수단(3)을 인식하는 단계 및 이에 대한 응답으로 제2 표시 요소에 관한 제2 지침을 억제하는 단계로, 이때 특히 제1 지침은 계속 표시되는 것인 단계를 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 진공 열처리를 이용한 그래핀 전사방법 및 그래핀 전사 장치GRAPHENE TRANSFER METHOD AND GRAPHENE TRANSFER APPARATUS USING VACUUM HEAT TREATMENT [ 기술분야 ] 본 발명은 그래핀의 전사방법 및 그래핀 전사 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 진공 열처리를 통해 그래핀을 전사하는 방법 및 이를 위한 그래핀 전사 장치에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 그래핀(Graphene)은 탄소 원자들이 2차원 상에서 벌집모양의 배열을 가진 원자 한 층을 말하는 것으로, 두께는 0.2nm로 매우 얇으면서 물리적·화학적으로 안정성이 높은 특징을 가진다. 구체적으로, 상기 그래핀은 높은 전하의 이동, 뛰어난 투과도, 훌륭한 유연성 및 강도를 지니고 있어 차세대 전자소자 및 광전자소자에 매우 유망한 물질이다. 또한, 그래핀의 좋은 휨 특성, 빛에 대한 고 민감도의 특성은 태양전지, LED와 같은 소자들의 효율을 향상시킬 수 있고, 터치스크린이나 광 검출기(photodetectors)와 같은 소자에도 적용될 수 있어 점차 그 활용범위가 확대되고 있다.이러한 그래핀의 제조는 일반적으로 금속층 상에 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)을 이용하여 합성하는 방법으로 제작될 수 있다. 이는, 화학 기상 증착법으로 제작된 그래핀의 특성이 가장 우수하고 대량 생산이 가능할 수 있어서이다. 하지만, 화학 기상 증착법으로 그래핀 제조시, 먼저, 금속 촉매층을 형성한 실리콘 웨이퍼 기판이나 금속 기판 상에 합성하므로, 상기 그래핀을 소자에 적용하기 위해 금속층 상에 합성된 그래핀을 원하는 기판으로 옮기는 전사(transfer) 공정이 요구된다.일반적으로 그래핀의 전사 공정은, 금속층 상에 형성된 그래핀을 열 방출 테이프(Thermal Releasing Tape), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS), 또는 폴리메틸 메타아크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA)등의 접착지지층을 이용하여 원하는 기판(substrate)으로 전사시키는 방법이 알려져 있다.그러나, 이러한 전사방법을 통해 그래핀을 전사시 습식 에칭 공정 중에 생기는 수분 또는 그래핀 전사시의 공기중의 산소 및 불순물에 의해 그래핀과 기판 사이에 이물질이 존재하게 되어 그래핀 전사상태가 좋지 않은 단점이 있다. 또한, 그래핀과 상기 기판과의 접착력이 약해 전사된 그래핀을 적용한 소자 제조시 그래핀의 품질이 쉽게 손상되는 문제점이 있다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 그래핀의 전사 공정 수행시 그래핀의 품질 저하에 영향을 주는 요인들을 최소화하는 데에 있다.또한, 그래핀과 기판의 접착력을 향상시켜 그래핀의 전사상태를 개선하는 데에 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은, 지지기판과 그래핀이 결합된 그래핀 적층체를 준비하는 단계, 및 상기 그래핀 적층체와 전사 대상 기판을 진공 열처리하여 상기 그래핀 적층체의 그래핀을 상기 전사 대상 기판으로 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 전사방법을 제공한다.본 발명의 다른 측면은, 진공 챔버 내에, 그래핀이 일측에 배치된 지지기판을 제공하는 그래핀 공급부, 상기 그래핀 공급부와 이격하여 위치하며 상기 그래핀이 전사될 전사 대상 기판을 제공하는 전사 대상 기판 공급부, 및 상기 전사 대상 기판 공급부의 하부에 위치하며 상기 전사 대상 기판에 열을 제공하는 열 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전사장치를 제공한다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 따르면, 진공 분위기하에 그래핀의 전사 공정을 수행함으로써 그래핀과 전사 대상 기판 사이의 도핑(doping)을 일으키는 요소들을 제거할 수 있어 그래핀 고유의 특성을 확보할 수 있다.또한, 열처리를 통해 그래핀을 전사함으로써 그래핀과 전사 대상 기판과의 접합력을 증가시켜 그래핀 전사상태를 향상시킬 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀의 전사방법을 나타낸 플로우 챠트이다.도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 전사장치의 개략적인 모식도이다.도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 그래핀 전사장치의 개략적인 모식도이다.도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 그래핀 전사장치의 개략적인 모식도이다.도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 그래핀 전사장치의 개략적인 모식도이다.도 6(a)는 본 발명의 실시예1에 따라 전사된 그래핀, 도 6(b)는 실시예1의 그래핀과 진공 열처리 없이 전사된 그래핀에 대한 라만 맵핑(Raman mapping)을 비교한 이미지이다.도 7은 본 발명의 실시예1에 따라 진공열처리를 통해 전사된 그래핀 및 진공열처리를 수행하지 않고 전사된 그래핀을 각각 증류수(DI Water)에 접촉시킨 상태를 비교한 이미지이다.도 8(a) 및 도 8(b)는 본 발명의 실시예1에 따라 그래핀이 전사되는 과정을 보여 주고 있는 이미지들이다.도 9는 본 발명의 실시예1 내지 실시예5에 따라 전사된 그래핀들의 이미지이다.도 10은 본 발명의 실시예4에 따라 초음파 분쇄(sonication)를 진행한 그래핀과 초음파 분쇄 전 그래핀을 비교한 이미지이다.도 11은 초음파 분쇄를 진행하지 않은 실시예4와 초음파 분해를 진행한 실시예4의 각각의 그래핀의 라만 분광법의 결과를 비교한 그래프이다.도 12는 상기 실시예6에 따라 제조된 FET장치의 전기적 특성을 분석결과를 나타낸 도표이다.도 13은 본 발명의 실시예7에 따라 제작된 광 검출기(photo detector)의 시간에 따른 전류의 흐름을 나타낸 도표이다.도 14는 본 발명의 실시예8에 따라 전사된 그래핀과 진공 열처리 없이 헥사메틸디실라잔(hexamethyldisilazane; HMDS) 기판에 전사된 그래핀을 비교한 이미지이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 발명의 실시를 위한 최선의 형태이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시 예를 상세히 설명하면 다음과 같다.본 발명이 여러 가지 수정 및 변형을 허용하면서도, 그 특정 실시 예들이 도면들로 예시되어 나타내어지며, 이하에서 상세히 설명될 것이다. 그러나 본 발명을 개시된 특별한 형태로 한정하려는 의도는 아니며, 오히려 본 발명은 청구항들에 의해 정의된 본 발명의 사상과 합치되는 모든 수정, 균등 및 대용을 포함한다.도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 그래핀의 전사방법을 나타낸 플로우 챠트이다. 지지기판과 그래핀이 결합된 그래핀 적층체를 준비한다(S10).상기 그래핀의 형성과정은 다음과 같다. 상기 그래핀 적층체의 그래핀의 일면에 촉매금속이 배치되는 것을 포함하고, 상기 촉매금속 상에서 상기 그래핀이 형성된 것일 수 있다. 상기 그래핀은 촉매금속 상에 일정 두께를 가진 단층 또는 다층으로 형성된 것일 수 있으나, 이를 특별히 한정하지는 않는다. 상기 촉매금속은 그래핀 합성에 쓰이는 것으로, 금속으로만 이루어진 단일 금속기판인 촉매금속이거나, 다른 부재와 결합된 촉매금속일 수 있다. 상기 다른 부재와 결합된 촉매금속은, 예를 들어, 산화 실리콘을 갖는 실리콘 웨이퍼(SiO2/Si) 기판에 금속층으로 구리(Cu)가 형성된 것일 수 있으며, 이는 상기 다른 부재 상에 전자빔이나 스퍼터(Sputter) 방식으로 금속층을 형성하여 구성될 수 있다. 상기 촉매 금속은 일정 크기를 갖는 판상으로 구성될 수 있으며, 상기 촉매금속은 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 백금(Pt), 금(Au), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 및 규소(Si) 중 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.상기 촉매금속 상에 합성된 그래핀은 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD) 공정으로 증착시킬 수 있다. 상기　화학기상 증착법은, 예를 들어, 고온 화학기상증착(rapid thermal chemical vapor deposition, RTCVD), 유도결합플라즈마 화학기상증착(inductively coupled plasma-chemical vapor deposition, ICP-CVD), 저압 화학기상증착(low pressur chemical vapor deposition, LPCVD), 상압 화학 기상증착(atmospheric pressure chemical vapor deposition, APCVD), 금속 유기화학기상증착(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD) 또는 플라즈마 화학기상증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD) 을 포함할 수 있다. 상기 화학기상 증착법으로 상기 촉매금속 상에 탄소 공급원을 포함하는 반응가스를 공급하여 그래핀을 형성할 수 있다. 상기 탄소 공급원은, 예를 들어, 일산화탄소, 이산화탄소, 메탄, 에탄, 에틸렌, 에탄올, 아세틸렌, 프로판, 부탄, 부타디엔, 펜탄, 펜텐, 벤젠, 또는 톨루엔을 포함할 수 있다.상기 촉매금속 상에 그래핀을 형성하는 것은, 300℃ 내지 2000℃의 온도로 열처리하거나, 또는 촉매금속의 융점보다 낮은 온도에서 열처리하여 수행할 수 있고, 10-7Torr 내지 상압에서 수행할 수 있다. 상기와 같은 공정으로 촉매금속 상에 형성된 그래핀은 소정의 냉각 공정을 거칠 수 있다. 이는, 형성된 그래핀이 균일하게 성장하여 일정하게 배열될 수 있도록 하기 위한 것으로서, 예를 들어, 초당 1℃ 내지 50℃의 속도로 냉각시킬 수 있고, 자연 냉각의 방법을 사용할 수도 있다. 상기 열처리 및 상기 냉각과정을 반복해서 수행하여 그래핀의 결정성을 향상시킬 수 있다.상기 지지기판은 하나 이상의 이격 공간을 가지고 있으며, 상기 그래핀은 상기 지지기판의 이격 공간에 배치되는 것일 수 있다. 상기 이격 공간의 형태는 원 또는 다각형으로 구성되는 것일 수 있다. 상기 지지기판은 pH 3 이하의 내산성 또는 pH 10 이상의 내염기성 및 100℃ 내지 300℃에서의 내열성을 갖는 기판일 수 있다. 즉, 상기 지지기판이 촉매금속의 식각 공정 및 그래핀 세정 공정 수행시 상기 공정들에 의해 손상되지 않을 수 있도록, 상기 지지기판은 pH 3 이하의 산성 또는 pH 10 이상의 염기성 물질에 대해 각각 내산성 또는 내염기성을 가지는 기판일 수 있다. 또한, 상기 지지기판은 본 발명의 진공 열처리를 이용한 그래핀 전사 수행시 100℃ 내지 300℃의 온도에서도 지지기판의 특성을 유지할 수 있는 내열성을 가지는 기판일 수 있다. 상기 지지기판은, 예를 들어, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌설폰(PES), 폴리다이메틸실론세인(PDMS), 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드 (PI), 폴리프로필렌테레프탈레이트(PPT), 폴리에테르이미드(PEI), 또는 폴리아릴레이트(PAR)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.상기 지지기판과 상기 그래핀을 결합시키는 접착부재를 포함할 수 있다. 상기 촉매금속 상에 형성된 그래핀과 지지기판의 이격 공간의 사이를 결합시키는 접착부재를 형성하는 것은, 상기 접착부재를 상기 그래핀 일면 또는 상기 지지기판의 일면에 도포한 후, 상기 접착부재를 경화시켜 수행할 수 있다. 상기 접착부재를 상기 그래핀 상부 또는 상기 지지기판의 이격 공간 주위의 지지기판 영역에 도포하여 상기 그래핀과 상기 지지기판의 이격 공간의 사이에 접착부재를 형성할 수 있다. 상기 접착부재는 1종의 물질로 형성할 수 있으나, 필요에 따라 2종 이상의 물질로 다층을 형성할 수 도 있다. 상기 접착부재를 경화시키는 것은, 예를 들어, 대류 오븐 또는 UV경화기를 이용할 수 있으나, 특별히 한정하지는 않는다. 상기 접착부재는 pH 3 이하의 내산성 또는 pH 10 이상의 내염기성 및 100℃ 내지 300℃에서의 내열성을 갖는 접착부재일 수 있다. 즉, 상기 접착부재는 본 발명의 진공열처리를 이용한 그래핀 전사 수행 중에 접촉될 수 있는 pH 3 이하의 산성 또는 pH 10 이상의 염기성 물질에 대해 각각 내산성 또는 내염기성을 가질 수 있다. 또한, 상기 접착 부재는 본 발명의 진공 열처리를 이용한 그래핀 전사 수행시 100℃ 내지 300℃의 온도에서도 접착부재의 특성을 유지할 수 있는 내열성을 가지는 것일 수 있다. 상기 접착부재는 그래핀이 공정 중에 손상되지 않기 위해 상기 그래핀이 지지기판에 의해 지지할 수 있도록 형성하는 것일 수 있다. 상기 접착부재는, 예를 들어, 폴리이미드(Polyimide), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethylmethacrylate, PMMA), 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리비닐이딘 플루오라이드(Polyvinylidene fluoride, PVDF), 또는 UV 경화성 폴리머를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 상기 접착부재를 상기 그래핀 상에 도포하는 공정은, 예를 들면, 스핀 코팅법, 딥 코팅법, 테이프 캐스팅법, 스크린 프린팅법, 잉크젯 프린팅법, 노즐 프린팅법, 전기영동증착법, 또는 닥터 블레이드 코팅법을 포함할 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 접착부재를 상기 그래핀 상에 도포하는 공정은 스핀 코팅법을 이용할 수 있으며, 상기 그래핀 상부에 스핀 코팅법을 이용하여 회전 속도와 도포시간을 조절하면서 상기 접착부재를 적절한 두께로 도포할 수 있다. 상기 접착부재의 두께가 너무 두꺼울 경우, 접착부재의 표면이 충분히 유연하지 못하여, 전사 대상 기판의 표면 굴곡을 따라 상기 그래핀이 정확하게 전사되기 어려울 수 있다. 또한, 상기 접착부재의 두께가 너무 얇을 경우, 촉매금속 제거 공정 및 그래핀 세정(cleaning) 공정과 같은 습식 공정 수행시 수용액과의 접착력 또는 중력 등에 의해 힘을 받게 되어 찢어질 수 있다.상기 경화된 접착부재를 지지기판의 이격 공간의 주위에 부착시키면 지지기판/접착부재/그래핀/촉매금속으로 이루어진 그래핀 적층체를 제조할 수 있다. 이는, 이격 공간을 가진 지지기판을 이용하여 상기 그래핀 적층체를 상기 지지기판의 이격 공간의 주위에 부착시킴으로써, 상기 그래핀이 지지기판에 직접적으로 지지되지 않게 할 수 있어 지지기판의 표면 굴곡의 영향을 최소화할 수 있다. 상기 지지기판과 상기 그래핀을 접착시켜 그래핀 적층체를 제조하는 단계 이후에, 상기 그래핀 적층체의 그래핀 일면에 배치된 촉매금속을 제거할 수 있다. 상기 촉매금속은 그래핀의 형성을 위해 사용된 것으로, 후술하는 상기 그래핀의 전사 공정을 위해 제거할 수 있다. 상기 그래핀 적층체의 그래핀 일면에 배치된 촉매금속을 제거하는 단계는 CuCl2, KOH, FeCl3, HCl, HF, 또는 이들의 2종 이상의 조합을 포함하는 에칭 용액을 이용한 에칭 공정에 의해 수행할 수 있다. 상기 촉매금속을 제거한 이후에 증류수(DI water) 등을 이용하여 세정시킬 수 있다.상기 그래핀 적층체와 상기 전사 대상 기판을 진공 열처리하여 상기 그래핀 적층체의 그래핀을 상기 전사 대상 기판으로 전사한다(S20).상기 그래핀 적층체 및 전사 대상 기판을 진공 분위기하에 150℃ 내지 250℃의 온도에서 열처리를 가하여 수행할 수 있다. 상기 열처리의 온도가 150℃ 미만인 경우, 상기 그래핀 적층체의 그래핀과 상기 전사 대상 기판 사이에 상기 그래핀이 전사되기 위한 충분한 에너지가 형성되지 않아, 전사 대상 기판으로 상기 그래핀이 전사가 잘 이루어지지 않을 수 있다. 또한, 상기 열처리의 온도가 250℃ 초과인 경우 상기 그래핀 적층체의 지지기판과 그래핀 사이에 형성되어 있는 접착부재가 잘 제거되지 않거나 250℃이상의 온도에서 상기 지지기판이 녹는 결함이 발생할 수 있으며, 이로 인한 가스(gas) 생성으로 진공 챔버(vacuum chamber) 또는 그래핀 및 전사 대상 기판의 오염을 야기시킬 수 있다. 상기 진공 열처리에 의해 상기 그래핀과 상기 전사 대상 기판의 접착력이 강화될 수 있다. 이는, 진공 분위기 하에서 열처리 하여 전사시 그래핀과 전사 대상 기판 사이에 존재했던 분자들이 제거되고, 전사 대상 기판과의 접합력이 향상되는 것일 수 있다. 상기 진공 분위기는, 예를 들어, 10-7Torr 내지 10-2Torr일 수 있다.상기 전사 대상 기판은 그래핀 전사를 원하는 모든 기판에 적용될 수 있다. 상기 전사 대상 기판은, 예를 들어, 폴리이미드 (PI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리카보네이트(PC), 실리콘 웨이퍼, 유리, 이온 교환 필름, 또는 멤브레인을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.상기 그래핀 적층체와 전사 대상 기판을 진공 열처리하여 상기 그래핀 적층체의 그래핀을 상기 전사 대상 기판으로 전사하는 단계 이후에, 상기 전사 대상 기판 상의 그래핀 표면의 접착부재 잔류물을 세정할 수 있다. 상기 전사 대상 기판 상의 그래핀 표면의 접착부재 잔류물을 세정하는 단계는, 아세톤, 이소프로필알코올, 질산 식각액, 과산화수소 식각액, 및 탈이온수 중 적어도 어느 하나를 포함하는 에칭용액을 이용하여 수행할 수 있다. 상기 에칭용액에 의해 상기 그래핀의 접착부재 잔류물, 예를 들어, 아세톤에 의해 접착부재인 PMMA가 제거되면서 그래핀의 품질을 유지할 수 있다.상기 그래핀이 전사된 전사 대상 기판은 각종 전기 소자에 적용될 수 있다. 예를 들면, 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diode: OLED), 무기 발광 소자 (InorganicLight Emitting Diodes), 무기 박막 트랜지스터(Inorganic Thin Film Transistors), 전계 효과 트랜지스터(Field-effect transistor), 무기 태양 전지 (Inorganic Solar Cells), 유기 태양 전지 소자(Organic Photovoltaic diode: OPV), 메모리, 전기화학/바이오 센서, RF 소자, 광 검출기(photodetector), 광 도파로(Optical waveguide), CMOS 소자, 또는 리튬 배터리나 연료전지 등의 전극으로 활용할 수 있다. 예를 들어, 본 발명에 따라 전사 대상 기판 상에 전사된 그래핀을 채널로 사용하고, 소스 전극 및 드레인 전극과 게이트 전극을 더 포함하여 광 검출기(photodector)를 제작할 수 있다. 상기 광 검출기는 광 신호를 검출하여 전기적인 신호로 바꾸어주는 역할을 하는 소자로서, 일반적으로 Si를 기반으로 제조되고 있으나, Si의 에너지 밴드 갭의 크기가 작아 소자 수명이 단축되는 한계가 있다. 이러한 광 검출기에 본 발명에 따라 전사된 품질이 향상된 그래핀을 적용함으로써 그래핀의 우수한 전기 전도도의 특성을 활용할 수 있다. 또한, 그래핀은 한 개 층이 약 2.3 %의 입사 빛을 흡수하고, 입사 빛의 0.1% 이하(가시광선 대역)를 반사하며, UV 대역에서부터 THz 대역까지 흡수할 수 있으므로, 그래핀 기반의 광 검출기는 보다 넓은 파장대역에서 작동될 수 있는 효과를 가질 수 있다.또한, 예를 들어, 본 발명에 따라 전사 대상 기판 상에 전사된 그래핀을 적용한 전계 효과 트랜지스터(Field-effect transistor)를 제작할 수 있다. 상기 그래핀을 채널층에 포함하고, 양측 기재에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성시켜, 상기 그래핀의 채널층과 전기적으로 연결되는 형태로 구성할 수 있다. 이에, 그래핀 고유의 우수한 전하 이동도 특성을 적용시킬 수 있어 이를 채용한 전계 효과 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.본 발명의 다른 측면은, 진공 챔버 내에, 그래핀이 일측에 배치된 지지기판을 제공하는 그래핀 공급부, 상기 그래핀 공급부와 이격하여 위치하며 상기 그래핀이 전사될 전사 대상 기판을 제공하는 전사 대상 기판 공급부, 및 상기 전사 대상 기판 공급부의 하부에 위치하며 상기 전사 대상 기판에 열을 제공하는 열 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전사장치를 제공한다.상기 진공 챔버는 본 발명의 그래핀 전사장치를 이용한 그래핀 전사시 진공 분위기 조성을 위한 구성으로써, 상기 그래핀 공급부, 전사 대상 기판 공급부, 및 열 공급부를 포함할 수 크기로 구성될 수 있다. 상기 진공 챔버의 구성을 통해 상기 전사 대상 기판 공급부와 상기 그래핀 공급부가 접촉 및 전사가 수행되는 과정 상에 진공 분위기를 조성함으로써, 그래핀 전사 과정시 도펀트(dophant)로 작용되며, 그래핀의 품질을 영향을 줄 수 있는 물이나 산소 등의 다른 기체 성분들을 원천적으로 제거할 수 있다.상기 그래핀 공급부는, 상기 그래핀이 접착부재에 의해 상기 지지기판에 부착되어 그래핀/접착부재/지지기판으로 구성될 수 있다. 상기 그래핀 공급부는 그래핀 전사를 위한 그래핀을 제공하는 구성으로써, 상기 그래핀이 상기 전사 대상 기판 공급부와 잘 접촉될 수 있는 형태로 구성될 수 있다. 상기 그래핀 공급부는 상기 진공 챔버 내에 지속적으로 공급하는 형태로 구성될 수 있으며, 일정 크기 단위로 공급하는 형태로도 구성될 수 있다. 상기 그래핀 공급부와 상기 전사 대상 기판 공급부의 접촉이 향상될 수 있도록 가압을 진행할 수 있는 가압기나 롤러 등을 더 포함할 수 있다. 상기 그래핀 전사 수행 이전에 그래핀 공급부를 배치함에 있어서, 상기 전사 대상 기판 공급부와 이격하여 배치될 수 있는 위치제어장치를 더 포함할 수 있다. 상기 위치제어장치는 예를 들어, 물질대상을 상하, 좌우로 위치를 변경시킬 수 있는 로봇 암(arm)일 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.상기 전사 대상 기판 공급부는 그래핀 전사를 위한 전사 대상 기판을 제공하는 구성으로써, 상기 전사 대상 기판이 상기 그래핀 공급부와 잘 접촉될 수 있는 형태로 구성될 수 있다. 상기 전사 대상 기판 공급부의 하단에 상기 전사 대상 기판에 열을 공급하는 열 공급부가 배치되는 경우, 상기 열 공급부의 열을 견딜 수 있는 소재로 구성될 수 있다. 상기 전사 대상 기판 공급부는 상기 진공 챔버 내에 지속적으로 공급하는 형태로 구성될 수 있으며, 일정 크기 단위로 공급하는 형태로도 구성될 수 있다. 상기 전사 대상 기판 공급부는 상기 그래핀 공급부와 상기 전사 대상 기판의 이격 거리를 제어할 수 있는 별도의 장치를 더 포함할 수 있다.상기 열 공급부는 상기 전사 대상 기판 공급부의 전사 대상 기판에 열을 제공하는 구성으로써, 예를 들어, 핫플레이트(hotplate) 등의 가열기(heater)를 포함할 수 있다. 상기 열 공급부는 상기 진공 챔버 내의 하단에 배치될 수 있으며, 그래핀 전사 과정에 상기 전사 대상 기판 또는 상기 전사 대상 기판 및 상기 전사 대상 기판과 접촉하고 있는 상기 그래핀에 열을 공급하여 상기 그래핀과 상기 전사 대상 기판의 접착력이 증가될 수 있는 효과를 제공할 수 있다.본 발명의 그래핀 전사 장치는 상기 열 공급부 및 상기 전사 대상 기판 공급부의 측면에 위치 제어 장치가 배치되는 것을 더 포함할 수 있고, 상기 위치 제어 장치에 의해 상기 그래핀 공급부와 상기 전사 대상 기판 공급부의 이격 거리가 조절되는 것일 수 있다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 전사장치의 개략적인 모식도이다.도 2를 참조하면, 본 발명의 그래핀 전사장치는 진공 챔버(100)와, 상기 진공 챔버(100) 내에 위치 제어 장치인 로봇 암(robot arm)(500)을 구성할 수 있다. 상기 로봇 암(500)에 팔(arm) 영역에 그래핀(220)이 배치된 지지기판(210)을 포함하는 그래핀 공급부(200)가 구성될 수 있으며, 상기 로봇 암(500)에 의해 상기 그래핀 공급부(200)의 위치가 제어될 수 있다. 상기 로봇 암(500)의 측면에 열 공급부(400)인 가열기(410)를 구성할 수 있으며, 상기 가열기(410)의 일정영역에 Z axis mover(420)를 추가적으로 구성할 수 있다. 상기 Z axis mover(420)는 상기 로봇 암(500)에 의해 위치가 제어되는 상기 그래핀 공급부(200)의 이격 거리 제어가 정밀하게 이뤄질 수 있는 역할을 도울 수 있다. 상기 가열기(410) 위에 전사 대상 기판 공급부(300)인 전사 대상 기판(310)을 구성할 수 있다.상기 진공 챔버(100) 내에 상기 그래핀 공급부(200) 및 상기 전사 대상 기판 공급부(300)가 배치되면서, 그래핀 전사를 수행하기 위한 진공 분위기가 조성될 수 있다. 이에, 상기 그래핀(220)과 상기 전사 대상 기판(310) 표면 상의 물 또는 산소 등의 그래핀 전사에 영향을 미칠 수 있는 요소들을 제거할 수 있다. 상기 로봇 암(500)을 통해 상기 그래핀 공급부의 위치를 제어하여 상기 그래핀 공급부(200)를 상기 전사 대상 기판 공급부(300)가 접촉될 수 있다. 상기 그래핀 공급부(200)와 상기 전사 대상 기판 공급부(300)가 접촉된 상태에서 상기 가열기(410)를 통해 열을 공급하여 본 발명의 진공 열처리를 이용한 그래핀 전사 방법을 수행할 수 있다.본 발명의 그래핀 전사 장치는 상기 그래핀 공급부의 일면을 가압하여 상기 그래핀 공급부와 상기 전사 대상 기판 공급부를 접착시키는 제1 롤러를 더 포함할 수 있다.도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 그래핀 전사장치의 개략적인 모식도이다.도 3을 참조하면, 본 발명의 그래핀 전사장치는 진공 챔버(100)와, 상기 진공 챔버(100) 내에 위치제어장치인 로봇 암(500)을 구성할 수 있다. 상기 로봇 암(500)에 팔(arm)영역에 그래핀(220)이 배치된 지지기판(210)을 포함하는 그래핀 공급부(200)가 구성될 수 있으며, 상기 로봇 암(500)에 의해 상기 그래핀 공급부(200)의 위치가 제어될 수 있다. 상기 로봇 암(500)의 측면에 열 공급부(400)인 가열기(410)를 구성할 수 있다. 상기 가열기(410) 위에 전사 대상 기판 공급부(300)인 전사 대상 기판(310)을 구성할 수 있다. 상기 그래핀 공급부(200)의 일면에 상기 그래핀 공급부(200)가 상기 전사 대상 기판 공급부(300)에 접근하는 반대 방향으로 상기 그래핀 공급부(200)를 가압하여 상기 그래핀 공급부(200)와 상기 전사 대상 기판 공급부(300)를 접합시키는 제1 롤러(600)를 더 구성할 수 있다. 상기 제1 롤러(600)가 일측에서 다른측 방향으로 상기 그래핀 공급부(200)를 가압하여 상기 그래핀 공급부(200)와 상기 전사 대상 기판 공급부(300)를 일직선으로 접합시킴으로써 상기 그래핀 공급부(200)와 상기 전사 대상 기판 공급부(300)의 순차적인 접촉이 진행될 수 있다. 이는, 상기 그래핀 공급부(200)와 상기 전사 대상 기판 공급부(300)의 각각의 전체 면적이 동시에 접합될 때 발생될 수 있는 마이크로 버블(micro bubble)이나 도핑(doping)을 일으킬 수 있는 물질들을 더 효과적으로 제거할 수 있게 함으로써, 본 발명의 진공 열처리를 이용한 그래핀 전사 방법의 효과와 더불어, 그래핀 전사 수행시 그래핀과 전사 대상 기판 사이의 접합력을 더욱 향상시키며, 그래핀 고유의 특성을 확보할 수 있다.본 발명의 그래핀 전사 장치는 상기 그래핀 공급부 및 상기 전사 대상 기판 공급부를 연속적으로 공급하는 컨베이어 벨트를 더 포함할 수 있다. 상기 컨베이어 벨트에 의해 상기 그래핀 공급부 및 상기 전사 대상 기판 공급부가 상기 진공 챔버 내에서 일측 방향으로 이동하며 전사되는 것일 수 있다.상기 그래핀 공급부의 일면을 가압하여 상기 그래핀 공급부와 상기 전사 대상 기판 공급부를 접합시키는 제1 롤러(610) 및 상기 전사 대상 기판 공급부의 일면을 가압하는 제2 롤러(620)를 더 포함하는 것일 수 있다.도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 그래핀 전사장치의 개략적인 모식도이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 그래핀 전사장치는 진공 챔버(100)와, 상기 진공 챔버(100) 내에 그래핀(220)이 배치된 지지기판(210)을 포함하는 그래핀 공급부(200)가 구성되고, 상기 그래핀 공급부(200) 상부에 상기 그래핀 공급부(200)가 상기 진공 챔버(100) 내에서 일측 방향으로 이동되며 상기 그래핀 공급부(200)를 연속적으로 공급할 수 있는 제1 컨베이어 벨트(700)가 더 구성될 수 있다. 상기 제1 컨베이어 벨트(700)에 의해 상기 그래핀 공급부(200)의 그래핀(220)이 지속적으로 공급되면서 대면적의 그래핀 전사가 가능할 수 있다. 상기 그래핀 공급부(200)와 이격하여 전사 대상 기판(310)을 포함하는 전사 대상 기판 공급부(300)가 구성될 수 있다. 상기 전사 대상 기판 공급부(300)의 하부에 상기 전사 대상 기판 공급부(300)가 상기 진공 챔버(100) 내에서 일측 방향으로 이동되며 상기 전사 대상 기판 공급부(300)를 연속적으로 공급할 수 있는 제2 컨베이어 벨트(710) 및 제3 컨베이어 벨트(720)를 더 구성될 수 있다. 상기 제2 컨베이어 벨트(710) 및 제3 컨베이어 벨트(720)에 의해 상기 전사 대상 기판 공급부(300)의 전사 대상 기판(310)이 지속적으로 공급되면서 앞서 상술한 바와 같이 대면적의 그래핀 전사가 가능할 수 있다.상기 그래핀 공급부(200)가 상기 전사 대상 기판 공급부(300)에 접근하는 방향으로 상기 그래핀 공급부(200)의 일면을 가압하여 상기 그래핀 공급부(200)와 상기 전사 대상 기판 공급부(300)를 접합시키는 제1 롤러(610)가 상기 그래핀 공급부(200) 상부에 구성될 수 있다. 또한, 상기 그래핀 공급부(200)가 상기 전사 대상 기판 공급부(300)에 접근하는 방향으로 상기 전사 대상 기판 공급부(300)를 가압하는 제2 롤러(620)가 상기 전사 대상 기판 공급부(300) 상부에 구성될 수 있다. 상기 제1 롤러(610) 및 제2 롤러(620)에 의해 상기 그래핀 공급부(200)와 상기 전사 대상 기판 공급부(300)가 일직선으로 접합되면서 그래핀 전사 수행시 상기 그래핀(220)과 상기 전사 대상 기판(310)의 접합력을 더욱 향상시킬 수 있다.일반적인 롤투롤(roll-to-roll)방식의 그래핀 전사 장치에 있어서 열 방출 테이프(thermal release tape)의 사용을 위해 낮은 온도를 인가하거나, 기계적인 압력을 가하여 그래핀 전사를 수행하는 바가 있었다. 하지만, 이와 달리 본 발명에서는 진공 열처리를 위한 그래핀 전사 장치를 구성하여, 그래핀 전사시 진공분위기 조성으로 그래핀과 전사 대상 기판 사이의 불순물을 원천적으로 제거할 수 있게 하고, 가열기를 구성하여 그래핀 전사 과정시 열을 공급함으로써 그래핀과 전사 대상 기판 사이의 자발적인 본딩(bonding)에 의해 그래핀이 전사 대상 기판에 전사될 수 있게 할 수 있다. 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 그래핀 전사장치의 개략적인 모식도이다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 그래핀 전사장치는 진공 챔버(100)와, 상기 진공 챔버(100) 내에 전사 대상 기판(310)으로 이루어진 전사 대상 기판 공급부(300) 상부에 그래핀(220)이 배치된 지지기판(210)을 포함하는 그래핀 공급부(200)가 구성되어 있으며, 제1 롤러(600)에 의해 상기 그래핀 공급부(200)와 상기 전사 대상 기판 공급부(300)를 접착시킬 수 있다. 또한, 상기 전사 대상 기판 공급부(300) 하부에 상기 전사 대상 기판(310)에 열을 제공하는 가열기(410)을 포함하는 열공급부가 위치한다. 상기 가열기(410)의 하부에는 스테이지 이동 장치(440)가 배치되어, 상기 스테이지 이동 장치(440)에 의해 상기 전사 대상 기판 공급부(300)의 XYZ축 방향의 3차원 이동이 이루어질 수 있다. 상기 제1 롤러(600)의 상하 이동 및 상기 스테이지 이동 장치(440)의 3차원 이동을 통하여 상기 전사 대상 기판과 그래핀 공급부 간의 간격 및 위치를 조절하여 대면적 그래핀 전사 공정을 최적화할 수 있다. 이에, 본 발명의 그래핀 전사 장치에 따른 그래핀의 전사는, 그래핀과 전사 대상 기판의 접착력을 증가시키는 효과를 가질 수 있으며, 그래핀의 고유 특성을 그대로 확보할 수 있는 장점을 가질 수 있다. 이는, 종래의 롤투롤 방식의 그래핀 전사 장치에 있어, 낮은 온도로 인해 그래핀과 전사 대상 기판 사이의 접착력이 충분하지 않고, 상압에서 진행되는 그래핀 전사 과정 중에 불순물에 의해 그래핀이 손상될 수 있는 요인들을 최소화하여 그래핀 전사 상태를 개선한 것을 의미할 수 있다.발명의 실시를 위한 형태[실시예] 003c#실시예1003e# 촉매금속인 구리박(Cu foil) 상에 합성된 그래핀 상부에 스핀코팅(spin coating) 방법을 이용하여 접착층인 PMMA를 코팅하였다. 상기 접착층인 PMMA를 오븐 등에서 경화시킨 뒤 이격 공간(프레임(FRAME))을 가진 PEN기판에 접착시켰다. 상기 PEN기판/PMMA/그래핀/촉매금속으로 이루어진 그래핀 적층체에 120℃의 온도에서 20분간 열처리했다. 이 후, 상기 그래핀 적층체의 촉매금속인 구리를 제거하기 위해 50℃의 온도에서 FeCl3, HCl 및 DI water(증류수)가 혼합된 에천트(etchant)에 5분간 접촉시켜 상기 구리를 제거한 뒤, 그래핀에 남아있는 잔류물을 세정하기 위해 HCl용액에서 20분간 담군 후, 다시 DI water용액에 1시간 정도 담갔다. 전사 대상 기판으로 준비한 Hydrophilic한 SiO2 기판에 상기 촉매금속이 제거된 그래핀 적층체를 접촉시켜 10-2torr의 진공 분위기에서 200℃의 온도로 진공 열처리를 수행하여 그래핀을 전사시켰다. 이 후, 상기 PEN기판을 제거했고, 아세톤(Acetone)으로 상기 PMMA를 제거하여 전사 대상 기판 상에 전사된 그래핀을 얻었다. 또한, 비교를 위해 진공 열처리 없이 그래핀을 전사대상 기판 상에 전사시켜 비교예를 만들었다.도 6(a)는 본 발명의 실시예1에 따라 전사된 그래핀의 라만 스펙트럼을 나타낸 이미지이며, 도 6(b)는 실시예1의 그래핀과 진공열처리 없이 전사된 그래핀의 라만 맵핑(Raman mapping)을 비교한 이미지이다.도 6(a)를 참조하면, 본 발명의 실시예1에 따라 전사된 그래핀의 표면은 주름이나 크랙(crack)없이 깨끗하게 전사된 것을 확인할 수 있다. 상기 그래핀의 point1 내지 point5로 구분하여 각 영역에 대한 라만 분광법을 통한 라만 스펙트럼을 보면, point의 구분 없이 전반적으로, 1350cm-1 부근에서 D피크(peak), 1580cm-1부근에서 G피크, 2680cm-1부근에서 2D 피크가 관찰되는 것을 확인할 수 있다. 이는, 일반적인 그래핀의 라만 스펙트럼에서 발견되는 것과 유사하며, 이를 통해 본 발명의 실시예1에 따라 낮은 진공 분위기하에 열처리하여 전사를 진행한 그래핀이 그래핀의 원래 가지고 있던 결정성을 유지하며 전사가 잘 진행되었음을 알 수 있다.상기 D 피크와 G피크의 세기 비(ID/G)를 통해 그래핀의 결함 정도를 알 수 있으며, 이 값이 낮을수록 좋은 품질의 그래핀을 의미할 수 있다. 도 6(a)에서 D피크의 강도는 매우 약하게 나타나고 있어, 본 발명의 실시예1에 따라 진공 열처리를 이용하여 전사된 그래핀은 그래핀 결정 내의 결함이 적고 품질이 좋다는 것을 알 수 있다. 이는 그래핀의 전사과정에서 진공 분위기하에 열처리를 수행하면서 진공조성으로 인해 수분 또는 산소와의 접촉을 막아, 그래핀 표면에 영향을 줄 수 있는 불순물들을 제거함으로써 그래핀의 전사상태가 향상된 것을 알 수 있다.도 6(b)를 참조하면, 좌측 이미지는 진공열처리 없이 전사된 그래핀의 라만 맵핑 결과로, G피크의 위치가 1590 cm-1 ~ 1602 cm-1으로 변화된 것을 확인할 수 있다. 이는, 상기 그래핀의 전사 과정 중 촉매금속의 에칭을 위해 증류수를 기반으로 한 습식공정을 거치면서 물과 같은 도펀트(dopant)들이 잔류할 수 있고, 이에, 그래핀이 도핑(doping)되면서 G피크의 위치가 변화된 것을 의미할 수 있다. 오른쪽 이미지는 본 발명의 실시예1의 그래핀의 라만 맵핑 결과로, 일반적인 그래핀의 G피크 영역인 1580 cm-1 ~ 1590 cm-1을 유지하고 있어, 진공 열처리를 통해 그래핀을 전사함으로써 그래핀의 특성을 그대로 유지시킨 것을 알 수 있다. 도 7은 본 발명의 실시예1에 따라 진공 열처리를 통해 전사된 그래핀 및 진공 열처리를 수행하지 않고 전사된 그래핀을 증류수(DI Water)에 접촉시킨 상태를 비교한 이미지이다.도 7을 참조하면, 이미지의 오른쪽 영역은 진공 열처리를 수행하지 않고 전사된 그래핀으로 증류수(DI Water)에 접촉시키고 난 후, 전사된 그래핀이 거의 떨어져 나간 것을 확인할 수 있다. 이에, 진공 열처리 없이 전사된 그래핀은 기판과의 접착력이 높지 않아 쉽게 손상될 수 있다는 것을 알 수 있다. 이와 달리, 이미지의 좌측 영역은 본 발명의 실시 예1에 따라 진공열처리를 통해 전사된 그래핀으로, 증류수(DI Water)에 접촉시킨 이후에도 전사된 그래핀의 상태의 변화가 없는 것을 확인할 수 있다. 이를 통해, 본 발명의 진공열처리를 통해 전사된 그래핀은 기판과의 접착력이 높아 그래핀의 특성 및 품질이 그대로 유지될 수 있는 것을 알 수 있고, 전사된 그래핀의 높은 접착력은 상기 그래핀을 이용한 소자 제작에도 유리할 수 있다.003c#실시예2003e#진공열처리 수행시 열처리를 175℃의 온도에서 수행한 점을 제외하고는 실시 예1과 동일하게 실험을 진행하여 전사된 그래핀을 얻었다.003c#실시예3003e#진공열처리 수행시 열처리를 190℃의 온도에서 수행한 점을 제외하고는 실시 예1과 동일하게 실험을 진행하여 전사된 그래핀을 얻었다.003c#실시예4003e#진공열처리 수행시 열처리를 195℃의 온도에서 수행한 점을 제외하고는 실시 예1과 동일하게 실험을 진행하여 전사된 그래핀을 얻었다.도 8(a) 및 도 8(b)는 본 발명의 실시예1에 따라 그래핀이 전사되는 과정을 보여 주고 있는 이미지들이다.도 8(a) 및 도 8(b)를 참조하면, 도 8(a)은 본 발명의 실시예1에 따라 10-2torr 진공분위기하에 전사된 그래핀으로, 진공 열처리하에 전사가 수행되는 과정 중 175℃ 온도에서의 전사 대상 기판 상의 그래핀의 접촉면적(attached area)을 나타낸 이미지이다. 상기 그래핀의 접촉 면적이 전사 대상 기판 상의 일부분에만 형성되어 있는 것을 확인할 수 있다. 도 8(b)는 10-2torr 진공분위기하에 실시 예1에 따라 온도가 200℃까지 올라가는 과정에서, 전사대상 기판 상의 그래핀의 접촉면적(attached area)이 더 확대된 것을 확인할 수 있다. 이는, 진공 열처리를 이용하여 그래핀 전사를 수행함으로써, 열처리에 의해 그래핀과 전사 대상 기판 사이에 그래핀과 전사대상 기판간의 자발적인 결합(bonding)이 유도되어, 그래핀과 전사 대상 기판과의 접착력을 높여 그래핀의 전사상태를 향상시킨 것을 알 수 있다. 또한, 진공 분위기에 의해 그래핀이 전사 대상 기판에 전사되기 직전 그래핀과 전사 대상 기판 사이에 있는 물이나 산소 등의 수분이나 그래핀에 도핑(doping)을 일으킬 수 있는 불순물들을 원천적으로 제거될 수 있어, 그래핀 전사 시 그래핀의 품질의 영향을 주는 요인을 최소화할 수 있다.도 9는 본 발명의 실시예1 내지 실시예5에 따라 전사된 그래핀들의 이미지이다.도 9를 참조하면, 전사 시 진공열처리의 열처리 온도가 높아질수록 그래핀과 전사대상 기판 사이의 이물감이 없이 그래핀이 기판 상에 고르게 전사되어 있는 것을 확인할 수 있다. 이는, 앞서 상술한 바와 같이 그래핀 전사 시 진공열처리에 의해 그래핀과 전사대상 기판간의 자발적인 결합이 유도되어, 그래핀의 전사 대상 기판으로의 접합력을 증가된 것을 알 수 있다.003c#실시예5003e# 상기 실시예1에 따라 전사된 그래핀을 아세톤(acetone)에 접촉시키며 1분간 초음파 분쇄(sonication)를 진행했다. 상기 초음파 분쇄는 10kHz 내지 20kHz의 음파를 사용하여 세정이나 세포 또는 세포 내 구조체 등을 파괴하는 방법으로 사용하는 것으로 초음파 분쇄 장치를 이용할 수 있다.도 10은 본 발명의 실시예4에 따라 초음파 분쇄(sonication)를 진행한 그래핀과 초음파 분쇄 전 그래핀을 비교한 이미지이다.도 10을 참조하면, 아세톤과 함께 초음파 분쇄를 진행하면서 아세톤이 분산되며 전사된 그래핀의 표면이 더 깨끗해진 것을 확인할 수 있다. 이는 분산된 아세톤에 의해 그래핀에 잔류되어 있던 접착부재인 PMMA의 잔류물이 제거되면서 그래핀의 품질이 향상된 것을 의미할 수 있다. 또한, 초음파 분쇄시 접착부재의 잔류물만 제거되고 그래핀의 결정에는 변화가 없는 것을 통해, 본 발명의 진공 열처리에 의해 그래핀과 전사 대상 기판의 접착력이 높아진 것을 알 수 있다. 즉, 기존의 습식공정을 이용한 그래핀 전사방법의 경우 그래핀과 전사 대상 기판 간의 접착이 좋지 않아, 초음파를 이용하는 공정을 적용할 수 없었던 것과 달리 본 발명은 진공열처리를 통해 그래핀과의 접착력을 높일 뿐만 아니라, 그래핀의 품질을 향상될 수 있는 초음파공정이 가능해짐으로써 그래핀 전사 과정에서의 그래핀의 특성을 유지시킬 수 있는 효과를 가질 수 있다.도 11은 초음파 분쇄를 진행하지 않은 실시예4과 초음파 분해를 진행한 실시 예4의 각각의 그래핀의 라만 분광법의 결과를 비교한 그래프이다.도 11을 참조하면, 초음파 분쇄 전후의 point1 내지 point2에서의 그래핀의 이미지에는 큰 변화가 없고, 실시예4의 초음파 분쇄에 따른 라만 스펙트럼 또한 큰 변화는 없다는 것을 확인할 수 있다. 도 4에서 상술한 바와 같이, 초음파 분쇄 이후에도 상기 그래핀의 결정성이 잘 유지되고 있으므로, 이를 통해 그래핀과 전사 대상 기판과의 접합력이 높다는 것을 알 수 있다.003c#실시예6003e# 상기 실시예1에 따라 전사된 그래핀을 채널층으로 적용시키고, 소스 전극 및 드레인 전극과 전기적으로 연결된 field effect transistor(FET)를 제작했다. 실시 예1에서 비교예로 진공 열처리 없이 전사된 그래핀을 적용한 FET도 제작했다.도 12는 상기 실시예6에 따라 제조된 FET장치의 전기적 특성을 분석결과를 나타낸 도표이다.도 12를 참조하면, 본 발명의 진공 열처리를 이용하여 전사된 그래핀이 적용된 FET 장치의 경우, Dirac point가 거의 0V의 근처에서 측정되며, Dirac point를 기준으로 좌우 대칭인 데이터를 보여주는 것을 확인할 수 있다. 이와 달리, 비교예로 제조된 진공 열처리 없이 전사된 그래핀이 적용된 FET 장치의 경우 홀 도핑(hole doping)으로 인하여 Dirac point의 데이터가 변화된 것을 알 수 있다. 즉, 진공 열처리 없이 전사된 그래핀의 전사 공정 수행시 그래핀과 전사 대상 기판 사이의 물이나 산소와 같은 도펀트(dophant)들에 의해 전사 상태(condition)의 변화를 주게 되어 그래핀의 특성이 유지되지 않게 됨으로써, 이를 적용한 FET 장치의 전기적 특성에도 영향을 미치는 것을 알 수 있다.003c#실시예7003e# 상기 실시예1에 따라 전사된 그래핀을 채널층으로 포함시키고 드레인 전극, 소스 전극, 및 게이트 전극을 포함하는 광 검출기(photo detector)를 제작했다. 실시 예1에서 비교예로 진공열처리 없이 전사된 그래핀을 적용한 광 검출기도 제작했다.도 13은 본 발명의 실시예7에 따라 제작된 광 검출기(photo detector)의 시간에 따른 전류의 흐름을 나타낸 도표이다.도 13을 참조하면, 본 발명의 실시예1에 따라 진공 열처리를 이용하여 전사된 그래핀이 적용된 광검출기의 경우, 동일한 전계(electric field) 조건에서 1395.9nA로 진공열처리 없이 전사된 비교예 그래핀이 적용된 광 검출기의 385.9nA보다 4배 이상의 광 전류(photo current)가 발생되는 것으로 측정되었다. 이는, 도 9에서 상술한 바와 같이 진공 열처리 없이 전사된 그래핀의 전사시 홀 도핑(hole doping)에 의해 그래핀의 전자 이동도(mobility)가 감소된 것으로 추정할 수 있고, 이로 인해 광 전류 발생 역시 감소하게 된 것을 알 수 있다. 이를 통해, 본 발명의 진공 열처리를 이용하여 전사된 그래핀의 경우 진공에 의해 도핑(doping)의 영향을 미치는 요소를 제거하여 그래핀의 고유(intrinsic)의 특성을 확보하여 이를 적용한 장치의 성능 역시 향상된 것을 알 수 있다.003c#실시예8003e#전사 대상 기판을 소수성(hydrophobic) 기판인 헥사메틸디실라잔(hexamethyldisilazane; HMDS) 기판을 사용한 점을 제외하고는 실시예1과 동일하게 실험을 진행하여 전사된 그래핀을 얻었다. 비교예를 위해 상기 전사 대상 기판과 동일한 HMDS 기판에 진공 열처리를 이용하지 않고 전사된 그래핀을 준비했다.도 14는 본 발명의 실시예8에 따라 전사된 그래핀과 진공 열처리 없이 HMDS기판에 전사된 그래핀을 비교한 이미지이다.도 14를 참조하면, 좌측 이미지는 진공 열처리 없이 HMDS기판 상에 전사된 그래핀으로, 그래핀이 찢어지거나 주름이 생긴 것을 확인할 수 있다. 이는, 소수성 기판의 특성으로 인해, 전사시 기판과 그래핀 사이에 존재하는 DI water (증류수)로 인하여 그래핀이 균일하게 기판과 접착하지 않게 되어 건조 과정을 거치면서 그래핀이 손상된 것임을 알 수 있다. 이와 달리, 우측 이미지는 진공 열처리를 이용하여 소수성 기판인 HMDS 기판상에 전사된 그래핀으로, 주름이나 크랙(crack)없이 그래핀이 깨끗하게 전사되어 있는 것을 확인할 수 있다. 이를 통해, 본 발명의 소수성 기판 상에서도 진공 열처리에 의해 그래핀과 기판의 자발적인 본딩에 의해 접착이 진행되므로, 기판의 기질적인 특성에 영향을 받지 않고 균일하게 그래핀이 전사된 것을 알 수 있다.한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.	그래핀의 전사 방법 및 그래핀 전사 장치가 제공된다. 상세하게는, 지지기판과 그래핀이 결합된 그래핀 적층체를 제조하는 단계, 및 상기 그래핀 적층체와 전사 대상 기판을 진공 열처리하여 상기 그래핀 적층체의 그래핀을 상기 전사 대상 기판으로 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 전사방법 및 이를 수행할 수 있는 그래핀 전사장치를 제공한다. 이에, 진공 분위기하에 그래핀의 전사 공정을 수행함으로써 그래핀과 전사 대상 기판 사이의 도핑(doping)을 일으키는 요소들을 제거함으로써 그래핀의 특성을 유지하며 전사될 수 있다. 또한, 그래핀 전사 시 열처리를 수행하여 그래핀과 전사 대상 기판과의 접합력을 증가시켜 그래핀 전사 상태를 향상시킬 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 구리-함유 흡착제에 의한 액체 탄화수소 스트림의 세정 CLEANING OF LIQUID HYDROCARBON STREAMS BY MEANS OF COPPER-CONTAINING SORBENTS [ 기술분야 ] 본 발명은 탄소수 3 내지 8 의 탄화수소를 포함하는 오염된 탄화수소 혼합물이 이를 고체 흡착제와 접촉시킴으로써 오염물이 적어도 일부 제거되고, 상기 탄화수소 혼합물이 흡착제와의 접촉 동안 오로지 액체 상태인, 탄화수소 혼합물의 정제 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 탄화수소는 배타적으로 탄소 및 수소로 이루어지는 화합물이다. 탄화수소의 명명법은 탄화수소 분자 당 존재하는 탄소 원자의 수를 기준으로 한다. 약술 표기법에서, 접두어 Cn 이 통상 사용되고, 여기서 n 은 상기 숫자이다.C4 탄화수소는 이에 따라 배타적으로 탄소 및 수소로 이루어지는 화합물이고, 여기서 분자 당 탄소 원자의 수는 4 이다. C4 탄화수소의 중요한 대표물은 4 개의 탄소 원자를 갖는 알켄 및 알칸이다.C4 탄화수소의 혼합물은 다운스트림 석유화학으로부터의 원료 물질이다. 이는 예를 들어 스팀크래커 (소위 "크랙 C4"), 촉매 크래커 (소위 "FCC C4" (FCC: "유동 촉매 크래킹") 또는 "DCC C4" (DCC: "딥 촉매 크래킹"), 열분해 ("열분해 C4"), MTO 또는 MTP 공정 (MTO: "메탄올 올레핀화", MTP: 메탄올 프로필렌화) 또는 이소부탄 및 n-부탄의 탈수소화로부터 기원한다. 가장 통상적인 것은 스팀크래커 (크랙 C4) 및 촉매적 크래커 (FCC C4) 로부터의 C4 탄화수소이다. 상이한 기원의 C4 혼합물의 혼합물, 소위 "C4 컷" 이 또한 거래된다. 개별적 성분을 이용할 목적으로, C4 혼합물은 최대 순도로 이의 구성성분으로 나뉘어져야 한다.스팀크래커 또는 촉매적 크래커로부터의 C4 스트림의 워크업 (workup) 은 이론적으로 [K.-D. Wiese, F. Nierlich, DGMK-Tagungsbericht [German Society for Petroleum and Coal Science and Technology, Conference Report] 2004-3, ISBN 3-936418-23-3] 에 기재되어 있다. 포괄적인 전체 공정의 상세한 설명은 DE102008007081A1 에서 찾을 수 있다.본 발명과 관련된 C4 워크업 (workup) 의 양상은 이하 간략하게 개괄된다.상기 기재된 공급원으로부터의 공업용 C4 탄화수소 혼합물은 전형적으로 포화 및 단일불포화 화합물 뿐만 아니라 다불포화 화합물을 함유한다. 개별적 화합물이 이러한 혼합물로부터 단리될 수 있기 전에, 흔히 최대 가능한 정도로 다른 화합물을 제거하는 것이 필요하다. 이는 물리적 방법, 예를 들어 증류, 추출 증류 또는 추출에 의해, 또한 제거하고자 하는 성분의 선택적 화학적 전환에 의해 실행될 수 있다. 특히 C4 탄화수소 혼합물에 존재하는 산소-, 질소- 및 황-함유 성분과 같은 오염물의 최대 가능한 제거에 대하여 관심이 집중되는데, 이는 촉매 독으로서 개별적 공정 단계에 대한 역효과를 가질 수 있기 때문이다. 이러한 불순물이 전형적으로는 크랙 C4 에 미량으로만 존재하는 한편, 이는 또한 예를 들어 FCC C4 스트림에 더 높은 농도로 존재할 수 있다.스팀크래커 또는 유동화 촉매적 크래커로부터의 C4 탄화수소 혼합물은 전형적으로 아래 표 0 에 열거된 주요 성분을 갖는다 (오염물은 나타내지 않음).표 0: 크랙 C4 및 FCC C4 의 전형적 조성원료 물질의 조성은 물질의 기원에 따라 상당히 변화할 수 있다. 열거된 C4 성분은 더 적거나 더 많은 탄소 원자를 갖는 탄화수소, 및 소량의 오염물 예컨대 메르캅탄, 술파이드, 디술파이드, 질소- 및 산소-함유 화합물에 의해 보충된다.한 변형에서, FCC C4 의 워크업은 이소부탄의 농도가 먼저 증류에서 증류 단계에 의해 5 중량% 미만, 더 바람직하게는 3 중량% 미만의 값으로 저하되는 방식으로 실행될 수 있다. 동시에, 혼합물 (예를 들어 C3 탄화수소, 경질 산소-, 질소- 및 황-함유 화합물) 에 존재하는 저비등물은 제거 또는 최소화된다. 후속 단계에서, 컬럼 내의 모든 고비등물 (예를 들어 C5 탄화수소, 중질 산소-, 질소- 및 황-함유 화합물) 은 하부를 통해 제거된다. 다음 단계에서, 이소부텐은 예를 들어 이를 메탄올과 반응시켜 메틸 tert-부틸 에테르 (MTBE) 를 산출함으로써 제거되고, 후자는 증류에 의해 제거된다. 순수한 이소부텐이 수득되는 경우, 메틸 tert-부틸 에테르는 이후 또다시 이소부텐 및 메탄올로 분해된다.C4 혼합물의 추가 워크업의 경우, 여전히 남아 있는 다불포화 화합물은 선택적 수소화 공정의 도움으로 상응하는 단일 불포화 및 포화 화합물로 전환되어야 한다. 이제 1-부텐 및 남은 이소부탄은 충분한 순도로 증류에 의해 제거될 수 있고, 남은 2-부텐 및 n-부탄은 추가 워크업에 적용될 수 있다. 흔히, 2-부텐은 올리고머화, 더욱 특히 이량체화에 의해 옥텐으로 전환된다. 이는 각각 4 개의 탄소 원자를 갖는 2 개의 분자로부터 8 개의 탄소 원자를 갖는 하나의 분자를 형성한다. 옥텐은 이후 히드로포르밀화에 의해 PVC 가소제 알코올로 전환될 수 있다. 올레핀이 결핍된 이후에 남은 포화 C4 탄화수소는 특히 에어로졸용 추진제로서 사용될 수 있다.올리고머화는 탄소수 6-20 의 고급 알켄이 올레핀, 예컨대 더욱 특히 프로펜 및 부텐으로부터 형성되는 방법을 의미하는 것으로 이해된다. 산업적으로 사용된 방법의 예는 니켈-촉매작용 OCTOL�� 공정이고, 이는 [Hydrocarbon Process., Int. Ed. (1986) 65 (2. Sect.1), pages 31 내지 33], 및 DE3914817, EP1029839 및 DE102004018753 에 상세하게 기재되어 있다.개별적 공정 단계에 사용된 인풋 스트림은 일반적으로는 불순물이 계속해서 제거되는 선행 공정을 통해 높은 순도를 이미 획득하였다. 그러나, 잔여 불순물은 가역적으로 또는 심지어 비가역적으로 촉매를 탄활성화시킬 수 있다. 이러한 탈활성화는 당연히 경제적 이유에서 최소한으로 감소되어야 한다. 따라서, 가능한 많은 촉매 독은 추가 정제 단계에 의해 촉매로부터 멀어져야 한다.공업용 C4 혼합물에 존재하는 다양한 촉매 독은 상이한 방식으로 중독 효과를 갖는다. 예를 들어, 산성 촉매계 또는 계 구성성분 예컨대 조촉매는 염기성 그 자체이거나 적어도 추가 반응의 결과로서 염기를 방출하는 성분에 의해 거의 배타적으로 중독된다. 상기 성분의 특히 전형적인 예는 매우 약한 염기로서 흡착 공정에 의해 제거하기 비교적 어려운 아세토니트릴이다. 그러나, 이는 강한 루이스 산을 가역적으로 중독시킨다. 미량의 물의 존재 하에, 이는 아세트아미드를 통해 강한 베이스 암모니아로 가수분해되고, 이는 이후 또한 암모늄 이온의 형성을 통해 브뢴스테드 산을 비가역적으로 탈활성화시킨다. 그런데, 심지어 물 자체는 항상 부분적 촉매 독이지만, 이의 효과는 일반적으로 가역적이고, 단 이는 추가 반응을 통해 더 강한 촉매 독의 형성에 기여하지 않는다. OCTOL�� 촉매를 통한 부텐의 니켈-촉매작용 올리고머화의 경우, 심지어 약 5 ppm 의 물 함량은 측정가능한 탈활성화를 야기한다. 그러나, 물은 많은 시스템에 의해 올레핀에 첨가되고, 형성된 알코올은 동역학적 평형이 획득될 때까지 다른 불포화 성분의 수소화와 함께 이동 수소화를 통한 표준 촉매 시스템에 의해 산성화된다.금속 착물 촉매는 또한 염기성 성분에 민감하다. 중독 효과는 일반적으로 먼저 산성 조촉매의 탈활성화를 통해 드러난다.대조적으로, 촉매의 금속 성분은 특정 화합물의 형태의 황과 같은 성분에 의해 특히 강하게 공격받고, 이는 특정 환경 하에 약간 가용성인 술파이드의 형성을 통해 금속 히드라이드 또는 금속 착물을 비가역적으로 파괴한다. 금속은 일반적으로 매우 낮은 산화 상태이기 때문에, 금속을 비교적 높은 산화 상태, 예를 들어 디- 및 폴리술파이드로 산화시킬 수 있는 황 화합물이 특히 효과적이다. 상이한 황 화합물은 이에 따라 상당히 상이한 1차 효과를 가질 수 있다. 예를 들어 디술파이드는 극히 효과적으로 반응하여 티오에테르 및 황 (이는 이후 금속 히드라이드를 산화시켜 술파이드를 형성함) 을 산출하는 한편, 티오에테르 자체의 1차적 효과는 처음에 가능하게는 전적으로 루이스 염기로서이다. 그러나 일반적으로 심지어 상세하게 공지되지 않은, 시스템에서의 추가 미량 성분에 의한 추가 공정 및 반응을 통해, 이는 또한 궁극적으로는 -비록 훨씬 더 느릴지라도- 금속 술파이드의 형성을 또한 야기한다.상기 서술에 따르면, 촉매적 반응 장치의 도움에 의한 탄화수소 혼합물의 이의 가치있는 구성성분으로의 분별을 위한 설비 작동의 최대 경제적 상업성을 위해, 이에 따라 촉매 독 및 특히 황 화합물로부터 최대 효율로 촉매를 보호하는 것이 과제이다. 더 많은 반응물질 촉매가 확실하게 전환되면, 더 강하게 이것이 적용되고, 이에 따라 이는 특히 불균일 촉매 예컨대 OCTOL�� 공정의 불균일 촉매에 적용된다.황-함유 독은 일반적으로 논의되는 프로펜 및 부텐 스트림에서 알칼리성 스크럽에 의해 제거된다. 이러한 스크럽에서, 수소 술파이드 및 메르캅탄은 특히 효과적으로 반응한다. 일반적으로, 알칼리성 스크러빙 용액은 공기에 의한 산화에 의해 재생된다.상기 스크러빙 공정은 명칭 MEROX�� 로 UOP LLC 에 의해 산업적 용도로 제공된다 (G. A. Dziabis, "UOP MEROX PROCESS" in Robert Meyers, Handbook of Petroleum Refining Processes, 3rd Edition, 2004 McGraw-Hill).MEROX�� 공정에서, 메르캅탄은 수성 스크러빙 용액에서 디- 및 폴리술파이드로 산화되고, 이는 오일성 상으로서 제거된다. 그러나, 이러한 디- 및 폴리술파이드의 적은 분획은 수성 알칼리 금속 히드록시드 용액에 용해 또는 현탁되고, 흔히 심지어 이러한 수성 상을 스크러빙 오일 등에 의해 스크러빙하는 것에 의해서도 이러한 잔여물을 스크러빙에 재순환하기 전에 정량적으로 제거하는 것이 불가능하여, 메르캅탄은 실질적으로 제거되지만 다른 한 편으로는 소량의 디- 및 폴리술파이드가 다시 스트림에 도입된다. 상기 언급된 바와 같이, 이는 반응에 필수적인 금속 히드라이드를 약간 가용성인 금속 술파이드로 전환하고 이에 따라 촉매를 비가역적으로 탈활성화하는 황 성분이다. 전형적으로, 예를 들어 FCC C4 의 스트림은 약 100 내지 200 ppm 의 황을 함유한다. MEROX�� 스크럽 이후, 이러한 함량은 이후 전형적으로 10 ppm 미만의 값으로 저하되고, 황 화합물은 이후 주로 언급된 디- 및 폴리술파이드, 또한 고급 메르캅탄으로 이루어진다.실제로, 별도의 작업, 예를 들어 증류의 노련한 배열을 통해, 독의 분획은 또한 이것이 더이상 감응성 촉매와 접촉되지 않는 분획에 보내질 수 있다. 그러나, 종종 이는 스트림의 순도와 관련하여 바람직한 것으로 보이는 정도로는 불가능하여, 흡착제는 원하는 순도를 보장하기 위해 촉매층의 업스트림에 삽입되어야 한다.흡착제는 이것이 흡착질 (sorbate) 과 접촉되는 경우 또다른 성분, 소위 흡착질을 결합시킬 수 있는 고체 성분이다. 결합은 물리적 및/또는 화학적 효과를 통해 흡착제의 표면에서 실행된다. 이와 관련하여, 물리적 흡착과 화학적 흡착 사이의 구별이 이루어진다. 흡착제의 작용 방식이 항상 분명하게 명백하지는 않기 때문에, 여기서 효과의 원인으로 보지 않고 흡착제에 대한 참조가 이루어진다.기술적 관점에서, 흡착제는 일반적으로 재생성인 흡착제와 촉매 독을 비가역적으로 전환하거나 화학적으로 결합시키는 흡착제로 구별되어야 한다.사용된 재생성 흡착제는 흔히 분자체 및 제올라이트이다. 재생성 흡착제는 오염 물질을 오로지 중간 강도로만 결합한다. 흡착제의 재생 과정에서, 흡착제가 흡착질을 또다시 방출하는 조건 예를 들어 높은 온도 및 낮은 압력이 확립된다. 이러한 특성은 파과 전에 비교적 낮은 용량을 야기한다. 또한, 높은 작업 비용은, 흔히 흡착제의 방출 및 플러슁을 통해 및 생성된 가스 또는 그밖에 액체 스트림의 공급 및 처분을 통해 발생한다.대조적으로, 비가역적 흡착제는 재생되지 않고 파과 후에 처분된다. 따라서 이는 저렴하게 이용가능하고 처분가능해야 한다. 비가역적 흡착제는 흡착질을 화학적으로 결합하므로, 흡수되는 성분에 대한 이의 투과성은 재생성 흡착제의 경우보다 낮다. 따라서 비가역적 흡착제는 재생성 흡착제보다 더 양호한 순도 수준을 달성한다.EP 0 064 464 A1 은 특히 탄화수소 배치의 탈황화에 이용가능한 촉매 물질을 기재한다. 촉매 물질은 구리 산화물을 함유하고 알루미늄 또는 유형 X 또는 Y 제올라이트로 구성된 지지체를 기반으로 한다. 우려되는 점은 카드뮴이 발암성으로 분류되기 때문에 카드뮴 산화물의 필수적 함량이다. 발암성 성분은 오로지 높은 비용 및 불편함과 함께 취급 및 처분될 수 있고, 이에 따라 특히 상기 촉매 물질의 비가역적 사용은 비경제적이다.EP 0 354 316 B1 은 구리, 은 및 아연을 함유하는 제올라이트를 통한 액체 C4 탄화수소 혼합물의 무(無)-카드뮴 정밀 탈황화 (fine desulphurization) 를 기재한다. 바람직한 온도 범위는 50 내지 130 ℃ 이고, 바람직한 압력은 1 내지 50 bar 이다. 중량 시공 속도는 1 내지 40 h-1 로 보고된다. 심지어 여기서 기재된 흡착제는 임의의 잠재적으로 해로운 카드뮴을 함유하지 않음에도 불구하고, 이러한 물질은 또한 이의 2 중량% 이상의 높은 은 함량으로 인해 비경제적이다.니켈-함유 올리고머화 촉매는 특히 촉매 독의 경향이 있다. 탄소수 2 내지 4 의 탄화수소 혼합물은 OCTOL�� 공정과 같은 올리고머화를 위한 기판으로서 역할을 한다. 촉매 독을 효과적으로 제거하기 위해, 올리고머화를 시작하기 전에 분자체 위에 상기 스트림을 통과시키는 것이 유용하다는 것이 밝혀졌다. 예를 들어, EP0395857B1 은 이러한 유형의 방법을 기재하고 있는데, 여기서 정제 프로펜의 탈황화는 이의 올리고머화 전에 120 ℃ 의 온도, 50 bar abs. 의 압력 및 0.75 h-1 의 중량 시공 속도에서 구리-교환 X 제올라이트를 통해 실행된다. 이러한 조건 하에, 프로펜은 초임계이다.이러한 단순 분자체는 쉽게 이용가능하고 건강에 대한 임의의 잠재적 해로움을 나타내지 않기 때문에, 이는 현재 C3 내지 C8 탄화수소 혼합물의 정밀 탈황화의 산업적 실시에서 선택되는 흡착제이다. 분자체는 오로지 물리적 방식에 의해서 오염물을 결합하기 때문에, 이러한 유형의 흡착제는 재생될 수 있다. 그러나, 이의 흡착 용량은 화학적 흡착제에 비해 낮아, 오로지 중간 순도만이 제올라이트를 통한 정밀 탈황화에 의해 달성될 수 있다.이러한 선행 기술과 관련하여, 본 발명과 관련된 과제는 쉽게 이용가능하지만 발암성이 아닌 흡착제를 기반으로 하고 통상적인 분자체에 비해 더 우수한 순도 수준을 달성하는, 액체 C3 내지 C8 탄화수소 혼합물을 정제하는 방법을 구체화하는 것이다.동시에, 방법은 하기 특성을 또한 가져야 한다:● 사용된 흡착제는 황 화합물에 대해 최대 결합 용량을 갖고 이를 오염된 탄화수소 혼합물로부터 실질적으로 완전히 제거하여야 함;● 방법은 낮은 작업 비용을 발생시켜야하고; 더욱 특히 이는 추가적 작업 물질, 예를 들어 수소의 영구적 공급 없이 작동가능해야 함;● 흡착제는 임의의 전처리, 예컨대 수소화 또는 산화 없이 "개봉후 바로 (out of box)" 이용가능해야 함;● 위험성 없이 흡착제를 취급할 수 있어야 함; 더욱 특히 이는 임의의 발화 특성을 나타내지 않아야 함;● 부반응 예컨대 올리고머화, 이성질체화 또는 수소화를 통해 흡착제에 의한 가치있는 올레핀계 물질의 손실이 없어야 함.이러한 문제는 놀랍게도 흡착제로서 하기 조성의 고체 물질을 사용함으로써 해결된다:● 구리 산화물: 10 중량% 내지 60 중량% (CuO 로서 계산됨);● 아연 산화물: 10 중량% 내지 60 중량% (ZnO 로서 계산됨);● 알루미늄 산화물: 10 중량% 내지 30 중량% (Al2O3 로서 계산됨);● 기타 성분: 0 중량% 내지 5 중량%. [ 발명의 개요 ] [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 따라서 본 발명은 탄소수 3 내지 8 의 탄화수소를 포함하는 오로지 액체 상태인 오염된 탄화수소 혼합물이 이를 하기 조성 (이는 더해서 100 중량% 가 됨) 의 고체 흡착제와 접촉시킴으로써 오염물이 일부 이상 제거되는, 탄화수소 혼합물의 정제 방법을 제공한다:● 구리 산화물: 10 중량% 내지 60 중량% (CuO 로서 계산됨);● 아연 산화물: 10 중량% 내지 60 중량% (ZnO 로서 계산됨);● 알루미늄 산화물: 10 중량% 내지 30 중량% (Al2O3 로서 계산됨);● 기타 성분: 0 중량% 내지 5 중량%.본 발명에 따라 사용된 흡착제는 단순한 방식으로, 즉 메탄올 합성용 촉매로서 시판된다:메탄올 합성 분야에서, 구리/아연/알루미늄 촉매는 산업에서 유용한 것으로 밝혀졌다. 메탄올은 일산화탄소 및 수소로부터 합성되고, 또는 부반응으로서 이산화탄소 및 수소로부터 (이는 추가적으로 물을 산출함) 합성된다. 따라서 모든 반응은 반응물질 수소의 존재 하에 수행된다. 구리/아연/알루미늄 촉매가 사용되는 경우, 메탄올 합성은 220 ℃ 내지 230 ℃ 의 온도 및 약 5 MPa (50 bar) 의 압력에서 수행된다. 이러한 조건 하에, 반응물질 및 생성물은 기체 상에 있다.메탄올 합성을 위한 구리/아연/알루미늄 촉매는 특허 문헌에서 여러 번 기재되었다:예를 들어, DE2846614C3 은 38.3% Cu, 48.8% Zn 및 12.9% Al 을 함유하는 촉매의 존재 하에 200 내지 350 ℃ 의 온도에서 CO, CO2 및 H2 의 가스 혼합물로부터 메탄올을 제조하는 방법을 개시하고 있다.DE1568864C3 은 구리 촉매가 황에 의해 쉽게 중독될 수 있기 때문에 메탄올 제조를 위해 탈황화되어야 한다는 것을 지적하고 있다. 여기서 기재된 구리/아연/알루미늄 촉매는 35 중량% 초과의 구리를 함유하고; 아연 함량은 15 중량% 내지 50 중량% 이다. 알루미늄 함량은 4 중량% 내지 20 중량% 로서 보고된다.EP0125689B2 는 촉매적 활성 성분으로서 구리 산화물 및 아연 산화물, 및 또한 -열적 안정화 성분으로서- 알루미늄 산화물을 포함하는, 메탄올 합성을 위한 촉매를 기재하고 있다. 비환원 상태에서, 예로써 제조된 촉매 전구체는 예를 들어 65 중량% 내지 68 중량% 의 CuO, 21 중량% 내지 23 중량% 의 ZnO 및 10 중량% 내지 12 중량% 의 Al2O3 를 갖는다. 비표면적은 100 내지 130 g/m2 이다. 메탄올 합성은 250 ℃ 및 50 bar 에서 실행된다.63 중량% 내지 65 중량% 의 CuO, 24 중량% 내지 27 중량% 의 ZnO 및 10 중량% 내지 11 중량% 의 Al2O3 을 갖는 유사한 메탄올 촉매는 DE10160486A1 에 기재되어 있다.비교적 낮은 구리 함량 및 높은 아연 함량을 갖는 촉매 (43.2 중량% 의 CuO, 47.0 중량% 의 ZnO 및 10.2 중량% 의 Al2O3) 는 US4279781 에서 제조되었다. 그러나, 메탄올 합성에서 이의 촉매적 활성은 비교적 불량한 것으로 평가되었다.메탄올의 합성의 큰 산업적 유의성으로 인해, 상품 화학물질, 구리/아연/알루미늄 촉매는 특허 문헌에 이론적 용어로 기재될 뿐만 아니라 또한 쉽게 시판된다. 이의 처분은 비교적 문제가 되지 않는데, 이는 발암성 성분이 존재하지 않기 때문이다. 그런데, 상기 흡착제의 재순환은 이러한 물질이 다량의 가치있는 구리를 함유하기 때문에 경제적으로 매력적이다.본 발명은 시판되는 메탄올 촉매가 다운스트림 석유화학에서 전형적 원료 물질 스트림의 정제에 적합하다는 발견을 일부 기반으로 한다. 이는 이러한 유형의 촉매가 이것이 사용된 흡착제로서 액체 탄화수소 혼합물과 접촉될 때 심지어 수소의 공급 없이도 황 성분과 잘 반응한다는 것이 밝혀졌기 때문이다. 이는 특히 메르캅탄과 빠르게 반응한다.따라서 본 발명은 또한 탄소수 3 내지 8 의 탄화수소를 포함하는 액체 탄화수소 혼합물의 정제를 위한, 하기 조성을 갖는 고체의 용도를 제공한다:● 구리 산화물: 10 중량% 내지 60 중량% (CuO 로서 계산됨);● 아연 산화물: 10 중량% 내지 60 중량% (ZnO 로서 계산됨);● 알루미늄 산화물: 10 중량% 내지 30 중량% (Al2O3 로서 계산됨);● 기타 성분: 0 중량% 내지 5 중량%.탄화수소 혼합물로부터의 독의 제거를 위한 본 발명에 따라 인식되는 CuO/ZnO/Al2O3 기반의 메탄올 촉매의 이용가능성은, 메탄올 합성이 항상 수소의 존재 하에 실행되는 반면, 수소는 일반적으로 독이 제거되는 스트림에 유의한 정도로 존재하지 않기 때문에 놀랍다. 따라서, 시장에서 통상적인 크랙 C4 및 FCC C4 스트림은 수소를 포함하지 않는다 (003c# 1 중량ppm). 상기 스트림으로부터 독의 제거는 이에 따라 수소의 부재 하에 효과적으로 실행된다.또한, C3 내지 C8 탄화수소 혼합물의 워크업은 일반적으로 액체 상에서 실행되는데, 이는 탄소수 2 초과의 탄화수소가 낮은 수준의 비용으로 액화되고, 이후 높은 공정 강도로 가공될 수 있기 때문이다. 그러나, 메탄올 합성은 오로지 기체 상에서 실행된다. 기체 상 촉매 작용이 의도된 물질은 또한 액체 상 흡착에 적합할 것임은 예상되지 않았다.이론적으로, 임의의 시판되는 Cu/Zn/Al 촉매는 C3 내지 C8 탄화수소 혼합물의 정제용 흡착제로서 적합하다. 그러나, 하기 조성을 갖는 촉매를 사용하는 것이 바람직하다:● 구리 산화물: 30 중량% 내지 45 중량% (CuO 로서 계산됨);● 아연 산화물: 30 중량% 내지 50 중량% (ZnO 로서 계산됨);● 알루미늄 산화물: 10 중량% 내지 15 중량% (Al2O3 로서 계산됨);● 추가 금속 산화물: 0 중량% 내지 2 중량%;● 흑연: 0 중량% 내지 3 중량%;● 기타 성분: 0 중량% 내지 1 중량%.이러한 맥락에서 유용한 추가 금속 산화물은 예를 들어 철 산화물 또는 마그네슘 산화물이다. 건강에 해로운 것으로 공지된 중금속 산화물, 예를 들어 카드뮴 또는 납 또는 크롬은 가능하다면 존재하지 않아야 한다. 소량의 흑연 또는 마그네슘 스테아레이트는 흡착제의 더 양호한 형상화를 위한 결합제로서 역할한다. 이러한 맥락에서 "기타 성분" 은 흡착제의 생산-관련 오염물을 의미하는 것으로 이해된다.형상화와 관련하여, 흡착제는 분말 형태 또는 과립 형태로 존재할 수 있다. 또한, 흡착제는 육안으로 보이는 형태, 예를 들어 구형, 또는 펠릿 또는 고리로 가압될 수 있다.흡착제의 적합한 제조 방법은 이론적으로 취급하기에 충분한 안정성을 갖는 고체를 야기하는 모든 기술적 방법이다. 이는 필수적으로 하기 두 단계를 포함한다:y) 알루미늄 산화물 및/또는 흑연으로 구성된 다공성 골격 물질을 제공하는 단계;z) 구리 산화물 및 아연 산화물과 골격 물질을 배합하는 단계.구리 산화물 분말, 구리 카르보네이트 분말 또는 히드록시드-함유 구리 화합물 및 이의 혼합물을 사용할 수 있다. 구리의 경우, 또한 암모니아 용액에 의해 구리 카르보네이트-함유 화합물을 출발 물질로서 역할하는 구리 테트라아민 카르보네이트 용액으로 완전히 또는 일부 전환할 수 있다. 이러한 성분은 본 발명의 혼합 비율에 따라 아연 산화물, 아연 카르보네이트 또는 아연 히드록시드 및 Al2O3-함유 분말과 함께 혼합된다. Al2O3 대신에, 또한 SiO2 를 일부 사용할 수 있다. Al2O3-함유 분말로서, Al2O3 의 다형체 모두를 사용할 수 있고, 또한 알루미늄 산화물 히드레이트 또는 알루미늄 히드록시 산화물 및 알루미늄 히드록시드를 사용할 수 있다. 개별적 고체 성분은 적합한 혼합기, 집중 혼합기 또는 혼련기에서 배합 및 균질화될 수 있다. 이러한 공정에서, 탈미네랄수를 사용해 습윤화를 하는 것이 통상적이다. 적절한 혼합에 이후 임의의 적합한 형상화 작업이 뒤따를 수 있다. 일부 상황 하에서, 혼합물의 완전한 또는 부분적인 건조 및/또는 분쇄가 사전에 필요하다. 형상화를 위해, 예를 들어 압출기 또는 정제화 프레스가 적합하다. 팬 펠릿화기 (pan pelletizer) 는 이러한 목적에 적절할 수 있다. 정제화의 경우, 윤활 보조제 예컨대 흑연이 흔히 혼합물에 첨가된다. 압출의 경우, 혼합물의 필요한 가소화도 (plasticizability) 를 확립하는데 적합한 다른 유기 첨가제가 흔히 선택된다. 이는 예를 들어 셀룰로오스-형 성분, 폴리에테르, 폴리에틸렌 글리콜 및 기타를 포함하는데, 이는 성분이 형상화 작업이 일반적으로 뒤따르는 열처리에 의해 완전히 또는 일부 제거되는 경우에 일부 상황 하에서 기공 형성제로서 작용할 수 있다. 상응하는 팬 펠릿화기에서의 펠릿화의 경우에, 구축 응집화는 적합한 양의 물의 점진적 첨가에 의해 달성된다.열처리는 하나의 단계 또는 순차적 단계로 수행된다. 물 성분 또는 그밖에 유기 성분은 여기서 제거되고, 형체의 기계적 강도는 일반적으로 공정에서 증가된다. 또한, 필요한 산화물 상은 전구체 물질이 아직 이러한 형태가 아닌 경우에 형성된다.또다른 제조 방식에서, 니트레이트 염은 수용액에서 사용되거나 산화 화합물이 질산에 의해 완전히 또는 부분적으로 용해된다. 특히 알루미늄 산화물-유형 화합물의 경우에, 완전한 용해는 흔히 실행되지 않고; 대신에 물질은 산에 의해 개질되고, 이러한 작업은 해교 (petization) 로 나타내어진다. 펩티드는 이후 상기 기재된 바와 같은 다른 용해된 성분과 혼합되고 형체로 가공된다. 열처리의 효과는 각각의 산화물이 온도가 적절히 선택되는 경우에 니트레이트로부터 형성될 수 있다는 것이다.니트레이트-함유 염 용액의 사용의 또다른 효과는 고체 혼합물에 도달하기 위해 침전 반응이 수행되어야 한다는 것이다. pH 는 나트륨 히드록시드 또는 나트륨 카르보네이트 용액에 의해 조절된다. 이의 예는 US4535071 에서 밝혀질 수 있다.또한, 니트레이트 염 용액은 분무 건조에 의해 고채 형태의 산화 생성물 혼합물로 전환할 수 있다. 일반적으로, 이후 상기 기재된 바와 같은 분쇄 작업 및 형상화 작업이 뒤따른다. 성분의 분무 건조 또는 분쇄 이후 바로 또한 수행될 수 있는 최종 열처리는 필요한 잔여 니트레이트 파괴를 야기하고, 성분을 산화물로 전환하고 형체를 굳힌다.상기 기재된 흡착제의 특수한 제조는 시판되는 메탄올 촉매의 사용을 통해 제공될 수 있다. 적합한 예는 MegaMax�� 700 및 800 (Clariant) (이전에 Sued-Chemie) 및 Haldor Topsoe 의 Mk-101 및 Mk-121 이다. 이러한 촉매는 [Nitrogen + Syngas 290, November-December 2007, page 36] 에 기재되어 있다.메탄올 합성과 대조적으로, 본 발명에 따른 정제 방법은 수소의 부재 하에 수행된다. 수소의 100% 부재는 당연히 산업에서 보장되지 않을 수 있다. "수소의 부재" 는 따라서 오염된 탄화수소 혼합물의 총 질량을 기준으로 1 중량ppm 미만의 수소 함량을 의미하는 것으로 이해되어야 한다.흡착제는 바람직하게는 보호하고자 하는 촉매의 업스트림에 바로 정제층으로서 침착된다. 이는 동일한 용기에 보호하고자 하는 촉매로서 (즉, 반응기 내에) 또는 이의 업스트림에 별도로 배열된 용기에 존재할 수 있다. 반응기 내의 정제층의 배열은, 반응열이 흡착제로부터 제거되거나 이에 공급될 필요가 없기 때문에 가능하다. 환경에 따르면, 0.01 내지 0.2 시간의 체류 시간이 전형적으로 정제층에서 예상되지만, 필요하다면 또한 더 길다. 상승된 온도에서의 작업은 고갈을 가속화하고 황 용량을 증가시키기 때문에, 이를 일반적으로 존재하는 예비가열기의 다운스트림에 배열하는 것이 유리하다. 흡착제의 특정 온도의 관찰은 이의 정제 용량에 결정적이다. 실험은 접촉이 이에 따라 10 ℃ 내지 150 ℃, 바람직하게는 20 ℃ 내지 130 ℃, 가장 바람직하게는 30 ℃ 내지 120 ℃ 에서 이루어져야 함을 나타낸다. 최적 접촉 온도는 약 80 ℃ 이다. 시판되는 메탄올 촉매는 훨씬 더 높은 온도에서 사용되므로, 열 안정성은 이러한 범위 내에 존재한다. 보호하고자 하는 촉매가 상이한 온도에서 작업되는 경우, 흡착제는 별도의 용기, 즉 반응기 외부에 배치되어야 한다.중요한 것은 오염된 탄화수소 혼합물이 흡착제와의 접촉 동안 오로지 액체 상태라는 것이다. 특정 온도 범위에서, 이는 0.5 내지 3.5 MPa (5 내지 35 bar) 의 압력에 의해 보장된다. 그러나, 압력은 극히 중요하지 않고, 단 탄화수소는 액체 상태이다. 중량 시공 속도 (WHSV) 는 이후 바람직하게는 0.5 내지 7 h-1 로부터 선택된다. 이는 시간 당, 흡착제 1 kg 당 0.5 내지 7 kg 의 오염된 탄화수소 혼합물이 정제층을 통과해 나가는 것을 의미한다. 정제층은 0.7 내지 1.5 kg/m3, 바람직하게는 약 1.15 kg/m3 범위의 벌크 밀도를 갖는 흡착제의 층으로 이루어진다.흡착제는 전형적으로 산화 상태로 공급되고, 이는 공기 하에 실온에서의 취급을 허용한다. 반응기가 충전된 이후, 후속-환원에 의해 흡착제를 활성화하는 것이 필요하지 않다. 심지어 사용 이후, 흡착제는 공기에 의한 산화에 의해 안정화되지 않는 것이 필요하고, 이에 따라 이는 단순한 방식으로 반응기로부터 제거될 수 있다.특히 효과적인 정제를 달성하고 흡착제의 교환으로부터 야기되는 작업에 대한 중단을 피하기 위해, 최고 로딩을 갖는 용기가 항상 인렛에 배치되고 최저 로딩을 갖는 용기가 아웃렛에 배치되는 순환 방식으로 일렬로 배열될 수 있는 복수의 용기를 사용하는 것이 추천될 수 있다. 이러한 경우, 정제되는 스트림의 중단 없이, 하나 이상의 용기가 꺼내질 수 있고, 그 안에 존재하는 물질이 헹궈지고 제거될 수 있고, 이후 유사한 방식으로의 재충전이 뒤따른다.높은 구리 산화물 표면적을 갖는 물질의 사용은, 흡착 및 전환의 반응 속도가 이와 연관되고 이러한 물질이 또한 더 높은 흡착 용량을 갖기 때문에 유리하다. 바람직하게는, 흡착제는 이의 구리 산화물 함량을 기준으로 50 m2/g, 바람직하게는 100 m2/g 의 구리 산화물 표면적을 갖는다. 이는 흡착 작용을 증진시킨다. 표면적은 질소 흡착에 의해 결정된다.본 발명의 맥락에서 중요한 것은, 흡착제가 수소화, 에테르화, 올리고머화 또는 추가 올레핀 반응에 대하여 촉매적 활성을 본질적으로 갖지 않는다는 것이다. 이러한 탄화수소의 반응은, 이를 위해 의도되고 정제층에 있지 않은 촉매를 통해 배타적으로 진행된다. 보호하고자 하는 촉매는 이에 따라 정제층의 외부, 적어도 또다른 층 또는 다른 장치에 있다.본 발명에 따른 방법은 이론적으로 모든 탄화수소 혼합물, 바람직하게는 탄소수 3 내지 8 의 탄화수소의 정제에 적합하다. 산업적 타당성의 탄화수소 혼합물은 예를 들어 프로펜, n-부텐, n-펜텐, 헥센, 네오헥센 등 및 이의 포화 동족체인 것으로 여겨진다. 이들 중에서, 프로판/프로펜 및 부탄/부텐은 절대적으로 가장 중요하다.본 발명의 흡착제는 특히 유리하게는 여기에 존재하는 부텐의 전환 직전에 워크업의 상태에서 전형적 C4 탄화수소 스트림의 정제에 사용될 수 있다. "오염물" 은 황-함유 화합물 이외에 또한 염기 예컨대 아민 또는 니트릴을 비록 이것이 검출 한계 미만일 지라도 포함한다.방법은 상기 혼합물에 대해 특히 양호한 이용가능성의 방법인데, 이는 불균일 알루미늄-, 규소- 또는 니켈-함유 올리고머화 촉매에 대한 독으로서 작용하는 오염물을 효과적으로 제거하기 때문이다.오염된 탄화수소 혼합물로부터 본 발명에 따라 제거되는 불순물은 바람직하게는 탄화수소 혼합물의 후속 워크업에서 촉매 독으로서 작용하는 유기 황 화합물이다. 전형적으로 수득될 수 있는 원료 물질 스트림에 존재하고 촉매에 해로운 유기 황 화합물은 특히 하기를 포함한다:a) 화학식 R-SH 의 티올b) 화학식 R-S-S-R' 의 디술파이드c) 화학식 R-S-R' 의 술파이드 및d) 치환 또는 비치환 황-함유 헤테로사이클, 예컨대 특히 티오펜 및/또는 티올란.상기 명시된 구조식에서, R 및 R' 은 동일 또는 상이한 알킬, 아릴, 시클로알킬 또는 알케닐 라디칼일 수 있고, 여기서 R 및 R' 은 특히 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 페닐, 시클로헥실 또는 부테닐 라디칼이다.본 발명에 따라 사용된 흡착 물질의 특정 이점은 이것이 특히 흡착제의 표면에 오염물로서 존재하는 티올을 구속함으로써 오염물을 화학적으로 흡착한다는 것이다. 임의의 디술파이드는 흡착제를 통해 티올로 전환되고 이후 구속된다. 화학흡착은 특히 높은 수준의 정제를 산출하여, 탄화수소 혼합물에서 사실상 완전히 티올 및 디술파이드가 제거된다.촉매 독의 화학흡착은 비가역적이다. 이러한 이유로, 본 발명에 따라 사용된 흡착제는 재생될 수 없다. 이는 매우 오염된 탄화수소 스트림은 흡착제를 빠르게 소진시켜, 이것이 교환되어야 함을 의미한다. 정제 공정의 경제적으로 실현가능한 작업의 관심 대상에서, 그 총 중량을 기준으로 오염된 탄화수소 혼합물 중 오염물의 중량에 의한 비율은 0.2 중량% 미만이어야 한다. 더 바람직하게는, 오염된 탄화수소 혼합물은 각 경우에 황으로서 계산된 100 중량ppm 미만, 더 바람직하게는 10 중량ppm 미만의 불순물을 함유한다. 상기 낮은 오염 수준의 경우에, 흡착제는 매우 긴 기간 동안 작업될 수 있고, 또한 촉매 독의 사실상 완전한 제거를 가능하게 한다.미네랄 오일 정제소로부터 기원되는 전형적 원료 물질 혼합물은 0.2 중량% 훨씬 초과의 황 함량을 갖는다. 이러한 이유로, 흡착 정제의 업스트림에서 예비정제 단계에서 원료 물질 혼합물을 예비정제하는 것이 필요하다. 예비정제 단계에서, 더 많이 오염된 원료 물질 혼합물은 예비정제되어, 0.2 중량% 미만의 오염 수준을 갖는 탄화수소 혼합물을 수득한다.적합한 예비정제 단계는 특히 상기 기재된 MEROX�� 스크럽 또는 티오에테르화 (본 출원의 선행일에 아직 공개되지 않은 DE102012212317A1 에 개시됨) 이다.본 발명의 정제 형태는 특히 MEROX�� 스크럽 이후에 안전망 필터로서 흐름에 삽입되는데 적합하다.이러한 맥락에서, 안전망 필터는, 제 1 정제 사례 이후에 배열되고 결정적으로 다운스트림 반응 단계를 떠나서 제 1 정제 사례에 의해 포획되지 않은 촉매 독의 잔여량을 유지하거나 제 1 사례에서 중단된 작업의 경우에 다운스트림 반응 단계에 대한 즉각적 손상을 배제하는 기능을 갖는 제 2 정제 사례를 의미하는 것으로 이해된다.바람직하게는, MEROX�� 스크럽은 제 1 정제 사례로서 역할하고, 이는 사전에 비교적 다량으로 촉매 독의 대부분을 분리한다. MEROX�� 스크럽에 의해 포획되지 않는 메르캅탄 및 디술파이드만이 이후 본 발명에 따라 흡착층에서 유지된다. MEROX�� 설비에서 중단된 작업의 경우에, 흡착제는 이의 완전한 정제 기능을 취하고 즉각적 비가역적 손상으로부터 올리고머화를 보호한다. 정상적 작업 상태에서 안전망 필터는 오로지 소량의 흡착질을 받아들이므로, 이는 MEROX�� 스크럽보다 훨씬 더 작은 용량을 갖도록 설계될 수 있다. 이는 이것이 결함 발생시에 소진되는 속도에 해당한다. 안전망 필터의 적합한 치수는 얼마나 빠르게 유입 혼합물이 분류될 수 있는지에 가변적이다.비교적 비반응성 성분인 티오에테르는 MEROX�� 스크럽에서 약간 제거된다. 흡착층에의 장입시에 과도하게 큰 농도를 피하기 위해, 이는 바람직하게는 흡착층의 업스트림에서 공정 과정의 적합한 지점에서 높은 비등물로서 증류에서 제거된다.예비정제 단계 예컨대 MEROX�� 스크럽과 함께, 본원에 기재된 흡착제는 주저 없이 비가역적으로 사용될 수 있다. 이러한 맥락에서 비가역적 사용은 직접적 재생, 즉 활성 흡착제의 회수가 이것이 탈활성화되자마자 실행되지 않음을 의미하는 것으로 이해된다. 이는 여기에 존재하는 금속, 예컨대 특히 구리를 야금 방식 (metallurgical mean) 에 의해 회수하는 것에 의한 소비된 흡착제의 재순환을 배제하지 않는다. 이는 상기 야금 처리에서 흡착제의 본래 조성이 상실되므로 이러한 맥락에서 재생을 말할 수 없기 때문이다.본 발명에 따른 방법은 기본적으로 탄소수 3 내지 8 의 탄화수소 스트림의 탈황화에 적합하다. 그러나, 이는 미네랄 오일의 정제에서 크랙 C4 또는 FCC C4 로서 수득되는 C4 스트림 또는 이의 상응하는 라핀이트로부터 독을 제거하는데 특히 바람직하게 사용된다. 따라서, 오염된 탄화수소 혼합물은 바람직하게는 하기 사양 A, B, C 및 D 중 하나를 완수하고, 이들 각각은 더해서 100 중량% 가 되고, 나타낸 중량에 의한 비율은 각각 오염된 탄화수소 혼합물의 총 중량을 기준으로 한다:사양 A:● 이소부탄 20중량% 내지 40중량%, 바람직하게는 30중량% 내지 37중량%;● n-부탄 5중량% 내지 18중량%, 바람직하게는 8중량% 내지 10중량%;● 1-부텐 5중량% 내지 15중량%, 바람직하게는 12중량% 내지 14중량%;● 이소부텐 12중량% 내지 25중량%, 바람직하게는 15중량% 내지 20중량%;● 2-부텐 9중량% 내지 40중량%, 바람직하게는 20중량% 내지 30중량%;● 1,3-부타디엔 0중량% 내지 3중량%, 바람직하게는 0.5중량% 내지 0.8중량%;● 물 0중량% 내지 1중량%, 바람직하게는 0.1중량% 미만;● 오염물, 특히 황-함유 탄화수소, 0.5중량% 미만, 바람직하게는 0.2중량% 미만;사양 B:● 이소부탄 0.6중량% 내지 8중량%, 바람직하게는 1중량% 내지 7중량%;● n-부탄 0.5중량% 내지 8중량%, 바람직하게는 4중량% 내지 7중량%;● 1-부텐 9중량% 내지 25중량%, 바람직하게는 10중량% 내지 20중량%;● 이소부텐 10중량% 내지 35중량%, 바람직하게는 20중량% 내지 30중량%;● 2-부텐 3중량% 내지 15중량%, 바람직하게는 5중량% 내지 10중량%;● 1,3-부타디엔 25중량% 내지 70중량%, 바람직하게는 40중량% 내지 50중량%;● 물 0중량% 내지 1중량%, 바람직하게는 0.5중량% 미만;● 오염물, 특히 황-함유 탄화수소, 0.5중량% 미만, 바람직하게는 0.2중량% 미만;사양 C:● 이소부탄 0.6중량% 내지 8중량%, 바람직하게는 1중량% 내지 7중량%;● n-부탄 0.5중량% 내지 15중량%, 바람직하게는 4중량% 내지 13중량%;● 1-부텐 9중량% 내지 40중량%, 바람직하게는 10중량% 내지 35중량%;● 이소부텐 10중량% 내지 55중량%, 바람직하게는 20중량% 내지 50중량%;● 2-부텐 3중량% 내지 25중량%, 바람직하게는 5중량% 내지 20중량%;● 1,3-부타디엔 0중량% 내지 1중량%, 바람직하게는 0.8중량% 미만;● 물 0중량% 내지 1중량%, 바람직하게는 0.5중량% 미만;● 오염물, 특히 황-함유 탄화수소, 0.5중량% 미만, 바람직하게는 0.2중량% 미만;사양 D:● n-부탄 10중량% 내지 30중량%, 바람직하게는 25중량% 내지 30중량%;● 1-부텐 0.2중량% 내지 45중량%, 바람직하게는 5중량% 내지 30중량%;● 2-부텐 35중량% 내지 85중량%, 바람직하게는 50중량% 내지 75중량%;● 물 0중량% 내지 1중량%, 바람직하게는 0.1중량% 미만;● 오염물, 특히 황-함유 탄화수소, 0.5중량% 미만, 바람직하게는 0.1중량% 미만.사양 A 는 전형적 FCC C4 를 기재하는 한편, 사양 B 는 전형적 크랙 C4 를 기재한다. 사양 C 는 크랙 C4 로부터의 전형적 라피네이트 I 을 기재한다. 사양 D 는 FCC 또는 CC4 로부터의 라피네이트 III 을 기재한다.오염된 탄화수소 혼합물에서 본 발명에 따른 이의 촉매 독이 제거된 이후, 상기 혼합물의 통상적 워크업은 다운스트림에서 사용된 촉매를 중독시킬 임의의 위험성 없이 실행될 수 있다. 여기서 기재된 정제가 뒤따를 수 있는 전형적 워크업 단계는 하기를 포함한다:a) 탄화수소 혼합물에 존재하는 1,3-부타디엔의 추출 단계;b) 탄화수소 혼합물에 존재하는 디올레핀 및/또는 아세틸렌의 올레핀으로의 선택적 수소화 단계;c) 탄화수소 혼합물에 존재하는 올레핀의 상응하는 올리고머로의 올리고머화 단계;d) 특히 높은 순도로 1-부텐 및/또는 이소부탄을 수득할 목적으로, 탄화수소 혼합물에 존재하는 1-부텐 및/또는 이소부탄을 증류 제거하는 단계;e) 물에 의한 이소부텐의 tert-부탄올로의 전환 및/또는 메탄올에 의한 이소부텐의 메틸 tert-부틸 에테르로의 전환에 의한, 탄화수소 혼합물에 존재하는 이소부텐의 제거 단계;f) 탄화수소 혼합물에 존재하는 부탄의 부텐으로의 탈수소화 단계;g) 탄화수소 혼합물에 존재하는 부텐의 부타디엔으로의 산화적 탈수소화 단계;h) 탄화수소 혼합물에 존재하는 n-부텐의 또한 존재하는 이소부탄에 의한 알킬화 단계;i) 말레산 무수물의 제조를 위한 탄화수소 혼합물에 존재하는 탄소수 4 의 탄화수소의 산화 단계.열거된 워크업 단계 a) 내지 i) 모두가 수행될 필요는 없고; 또한 오로지 개별적 워크업 단계를 수행할 수 있음이 이해될 것이다. 열거된 순서는 또한 고정적이지 않다.또한, 열거된 것 중 개별적 워크업 단계는 또한 본 발명의 정제의 업스트림에 배열될 수 있고, 단 이는 촉매 독에 민감하지 않다. 적어도 니켈-촉매 작용 올리고머화는 본 발명의 흡착제에 의해 보호되어야 하는데, 이는 유기 황 화합물이 심지어 매우 적은 농도로도 니켈 촉매를 중독시키기 때문이다.사용된 탄화수소 혼합물이 또한 물에 의해 오염되는 경우, 정제층에 장입하기 전에 물-오염된 탄화수소 혼합물에서 물을 제거하는 것, 즉 이를 건조시키는 것이 추천될 수 있다. 물의 제거에 관한 동기는 하기와 같다: 혼합물에 균질하게 용해된 물이 흡착제의 작용을 다소 약화시키므로, 스트림은 바람직하게는 예를 들어 공비 증류 (건조 증류) 에 의해 정제층에 장입하기 전에 건조된다.본 발명의 독 제거를 혼입하는 상기 가치 부가 사슬 (value addition chain) 의 기본 구조는 이하에 상세하게 예시된다. 도면은 하기와 같이 도식의 형태로 나타낸다:도 1: 시작에서 조 탈황화 (coarse desulphurization) 및 정밀 탈황화 (fine desulphurization) 를 갖는 C4 라인;도 2: 올리고머화의 업스트림에 바로 흡착 정제를 갖는 C4 라인.도 1 은 도식 형태로 C4 탄화수소 혼합물의 워크업을 위한 라인을 나타낸다.원료 물질 공급원 (0) 은 탄소수 4 의 탄화수소 (부텐 및 부탄) 를 주로 포함하는 원료 물질 혼합물 (1) 을 공급한다. 원료 물질 공급원 (0) 은 예를 들어 미네랄 오일 정제소일 수 있다. 크래커가 유동 촉매작용에 의해 작업되는지 또는 스팀크래커로서 작업되는지에 따라, 생성된 원료 물질 혼합물 (1) 은 FCC C4 또는 크랙 C4 로서 나타내어진다.대안적 원료 물질 공급원 (0) 또는 원료 물질 혼합물 (1) 은 또한 DCC C4 (DCC: "딥 촉매 크래킹"), 열분해 C4, MTO ("메탄올 올레핀화") 또는 MTP ("메탄올 프로필렌화") 공정으로부터의 C4 또는 n-부탄의 탈수소화로부터의 C4 를 포함한다.원료 C4 스트림은 이의 공급원 (0) 에 따라 높은 황 함량을 가질 수 있으므로, 원료 물질 혼합물 (1) 은 먼저 예비정제 단계 (2) 에서 비교적 다량으로 황-함유 구성성분 (3) 을 제거함으로써 개략적으로 예비정제된다. 예비-정제 단계 (2) 는 예를 들어 MEROX�� 스크럽 또는 티오에테르화일 수 있다. 대안적으로, 또한 여기서 주기적으로 재생되는 가역성 흡착제를 사용할 수 있다. 그러나, MEROX�� 스크럽 또는 티오에테르화의 분리 성능은 훨씬 더 크므로, 이러한 예비정제 단계는 흡착 개략적 정제보다 바람직하다.예비정제 단계 (2) 로부터 이후 취출되는 탄화수소 혼합물 (4) 는 여전히 오염되어 있다 (오염 최대 수준 0.2 중량%, 바람직하게는 100 중량ppm 미만). 그 안에 존재하는 촉매 독의 제거를 완료하기 위한 오염된 탄화수소 혼합물 (4) 는 정제층 (5) 에 들어간다. 정제층 (5) 는 구리 산화물, 아연 산화물 및 알루미늄 산화물, 흡착제로 구성된 고체의 층이다. 정제층 (5) 는 공지된 용기 자체에 존재한다. 액체, 오염된 탄화수소 혼합물 (4) 는 용기를 통해 흘러가서, 그 안에 존재하는 흡착제가 탄화수소 혼합물 (4) 에 존재하는 오염물을 흡착하고 이에 따라 이를 정제층 (5) 에 구속시킨다. 이러한 방식으로, 정제된 탄화수소 혼합물 (6) 이 수득되고, 이는 사실상 완전히 촉매 독이 제거된다.가치 있는 조성물의 이의 물질에 따라, 공지된 워크업 자체는 이후 원료 물질 혼합물 (1) 에 존재하는 가치있는 물질에 대해 실행된다. 원료 물질 혼합물 (1) 이 크랙 C4 인 경우, 이는 높은 함량의 부타디엔 (7) 을 갖고, 이는 부타디엔 제거 (8) 에서 추출에 의해 제거된다.비추출 부타디엔의 잔여물은 선택적으로 수소화 (나타내지 않음) 된다. 이는 "라피네이트 I" (9) 로 불리는 것을 산출한다.라피네이트 I 에 존재하는 이소부텐 (10) 은 이소부텐 제거 (11) 에서 제거된다. 이소부텐 제거 (10) 은 일반적으로 이소부텐이 메탄올과 반응되어 메틸 tert-부틸 에테르 (MTBE) 및 다운스트림 MTBE 분해물을 산출하고, 여기서 MTBE 가 다시 이소부텐 (10) 으로 분해되는 MTBE 합성을 포함한다.이소부텐이 제거된 혼합물은 "라피네이트 II" (12) 로 나타내어진다. 그 안에 존재하는 가치있는 물질, 1-부텐 (13) 은 1-부텐 제거 (14) 에서 증류 제거된다. 이는 "라피네이트 III" (15) 로 불리는 것을 산출한다.라피네이트 III (15) 는 가치있는 물질로서 본질적으로 오로지 2 개의 2-부텐을 함유하고, 이는 올리고머화 (16) 에서 C8 올레핀으로 전환된다. 올리고머화물 (17) 은 증류에 의해 분리되고 이후 히드로포르밀화 및 수소화에 의해 가공되어 가소제 알코올 (나타내지 않음) 을 산출한다.도 2 는 정제층 (5) 가 올리고머화 (17) 의 업스트림에 바로 배열되는 C4 라인의 한 변형을 나타낸다. 이는 특히 수소의 존재 하에 작업되는 티오에테르화가 예비정제 단계 (2) 로서 사용되는 경우의 옵션이다. 수소 중 일부는 또한 제거되지 않은 부타디엔을 선택적으로 수소화하기 위해 부타디엔 제거 (8) 이후에 요구된다. 수소는 이소부텐 제거 (11) 또는 1-부텐 제거 (14) 보다 늦지 않은 단계에서 C4 라인으로부터 배출되기 때문에, 정밀 탈활성화가 이후 수소의 부재 하에 정제층 (5) 에서 이루어진다.대안적으로는, 정제층 (5) 는 또한 라피네이트 I (9) 로 충전될 수 있다. 이 경우에, 이는 부타디엔 제거 (8) 이후 및 이소부텐 제거 (11) 의 업스트림에 배열될 것이다 (나타내지 않음). 이는 특히 사용된 원료 물질 혼합물 (1) 이 사양 B 에 따라 다량의 1,3-부타디엔을 함유하는 크랙 C4 인 경우에 유리하다. 1,3-부타디엔은 너무 빠르게 흡착제를 탈활성화시킬 수 있다. 따라서 정제층은 가능하다면 부타디엔-결핍 탄화수소 혼합물, 즉 적어도 라피네이트 I 또는 FCC C4 로 충전되어야 한다.실시예제 1 실험: 본 발명에 따른 에탄티올의 제거사용된 흡착제는 Clariant AG 사제의 고체 (메탄올 촉매로서 이용가능함) 이다. 흡착제는 약 42중량% 의 CuO, 약 44중량% 의 ZnO, 약 12중량% 의 Al2O3 및 약 2중량% 의 흑연을 함유하고, 정제의 형태 (5 x 3 mm) 이다. 질소 흡착에 의해 측정된 구리 산화물 비표면적은 구리 산화물 함량 1 g 당 100 m2 이다.120 g 의 흡착제는 직경 1 cm 의 2 개의 반응 튜브 각각에 도입된다. 벌크 밀도는 약 1.2 kg/dm3 이다. 충전된 튜브는 일렬로 연결되는데, 하나의 샘플링 밸브는 튜브들 사이에 탑재되고 (방출 1) 하나는 끝에 탑재된다 (방출 2). 정제층은 튜브 벽을 가열함으로써 80 ℃ 의 온도가 되고, 약 33 중량% 의 1-부텐, 약 23 중량% 의 트랜스-2-부텐, 약 15 중량% 의 시스-2-부텐 및 약 27 중량% 의 n-부탄을 함유하는 액체 혼합물은 24 bar의 압력에서 이를 통과해 흐르게 한다. 오염물로서, 물질은 평균 5.4 mg/kg 의 황을 주로 에탄티올의 형태로 함유한다. 정제층의 로딩은 600 g/h 이고, 이에 따른 황 인풋은 약 3.2 mg/h 이다.분석에 의해 나타난 바와 같이, 황은 처음에 이미 사실상 정량적으로 제 1 정제층에서 혼합물로부터 제거된다. 이후 480 시간의 작업 시간으로부터, 황 함량은 방출 1 에서 급격하게 상승한다. 이러한 날카로운 파과는 약 1.7 g 의 구속된 황의 양 또는 약 1.4 중량% 의 정제층에서 황 흡착에 해당한다. 제 2 정제층의 다운스트림 (방출 2) 에서 파과는 약 1200 시간에 이루어진다. 이때, 정제층은 새로 도입된 흡착제를 기준으로 1.7 중량% 의 평균 흡착에 상응하는 총 약 3.9 g 의 황을 흡착하였다.개별적 C4 성분의 방출 값은 전체 실험 기간에 걸쳐 상응하는 공급 값에 비해 바뀌지 않고 유지된다.이러한 실험의 종료 이후, 층은 질소로 퍼징된다. 흡착제는 온전하고 충분한 안정성과 함께 제거될 수 있다.실험 결과는 아래 표 1 에 기록되어 있다.표 1: 실험 1 의 결과제 2 실험: 본 발명에 따른 메탄티올의 제거사용된 흡착제 및 실험 절정은 제 1 실험에 상응한다.실험 1 과 유사하게, 5 mg/kg 의 황은 주로 메탄티올의 형태로 불순물로서 공급된다. 각각 28 g 으로 충전되는 두 정제층의 로딩은 380 g/h 이고, 즉 황 인풋은 1.9 mg/h 이다. 접촉 온도는 100 ℃ 로 설정되었다.분석에 의해 나타나는 바와 같이, 황은 처음에 이미 제 1 정제층에서 혼합물로부터 사실상 정량적으로 제거된다. 이후 약 410 시간의 작업 시간으로부터 방출 1 에서 황 함량이 상승한다. 이러한 날카로운 파과는 약 0.5 g 의 구속된 황의 양 또는 약 1.9 중량% 의 흡착제에 의한 황 흡착에 해당한다. 제 2 정제층의 다운스트림 (방출 2) 에서 파과는 약 720 시간에 이루어진다. 동시에, 정제층은 새로 도입된 흡착제를 기준으로 1.7 중량% 의 평균 흡착에 상응하는 총 약 1.9 g 의 황을 흡착하였다.개별적 C4 성분의 방출 값은 전체 실험 기간에 걸쳐 상응하는 공급 값에 비해 바뀌지 않고 유지된다.이러한 실험의 종료 이후, 층은 질소에 의해 퍼징된다. 흡착제는 온전하고 충분한 안정성과 함께 제거될 수 있다.실험 결과는 아래 표 2 에 나타나 있다.표 2: 실험 2 로부터의 결과제 3 실험: 본 발명에 따른 디에틸 디술파이드의 제거사용된 흡착제 및 실험 설정은 제 1 및 제 2 실험에 상응한다.실험 1 과 유사하게, 1 mg/kg 의 황은 주로 디에틸 디술파이드의 형태로 불순물로서 공급된다. 각각 28 g 의 흡착제를 함유하는 정제층의 로딩은 360 g/h 이고, 이에 따른 황 인풋은 약 0.4 mg/h 이다. 작업 온도는 100 ℃ 이다.분석에 의하여 나타난 바와 같이, 황은 처음에 이미 제 1 정제층에서 혼합물로부터 사실상 정량적으로 제거된다. 이후 600 시간의 작업 시간으로부터, 방출 1 에서 황 함량은 급격하게 상승한다. 이러한 날카로운 파과는 약 0.3 g 의 구속된 황의 양 또는 약 1.2 중량% 의 흡착제에 의한 황 흡착에 해당한다. 제 2 정제층의 다운스트림 (방출 2) 에서 파과는 약 1080 시간에 이루어진다. 이때, 정제층은 새로 도입된 흡착제를 기준으로 1.2 중량% 의 평균 흡착에 상응하는 총 약 0.6 g 의 황을 흡수하였다.개별적 C4 성분의 방출 값은 전체 실험 기간에 걸쳐 상응하는 공급 값에 비해 바뀌지 않고 유지된다.이러한 실험의 종료 이후에, 층은 질소에 의해 퍼징된다. 흡착제는 온전하고 충분한 안정성과 함께 제거될 수 있다.실험 결과는 아래 표 3 에 나타나있다.표 3: 실험 3 으로부터의 결과제 4 실험: 제올라이트에 의한 디메틸 디술파이드의 제거 (본 발명이 아님)흡착제는 EP0354316 에 따라 제조된다. 이는 유형 X 제올라이트를 기반으로 하고 오로지 10 중량% 의 Cu 를 함유한다. 각각 50 g 의 물질로 충전된 2 개의 튜브는 일렬로 연결되는데, 하나의 샘플링 밸브는 정제 층들 사이에 탑재되고 (방출 1) 하나는 끝에 있다 (방출 2). 층은 튜브 벽을 가열함으로써 120 ℃ 의 온도가 되고, 약 33 중량% 의 1-부텐, 약 23 중량% 의 트랜스-2-부텐, 약 15 중량% 의 시스-2-부텐 및 약 27 중량% 의 n-부탄을 함유하는 액체 혼합물은 30 bar 의 압력에서 이를 통과해 흐르도록 허용된다. 오염물로서, 물질은 주로 디메틸 디술파이드의 형태로 평균 2.0 mg/kg 의 황을 함유한다. 정제층의 로딩은 375 g/h 이고, 이에 따라 황 인풋은 약 0.75 mg/h 이다.분석에 의해 나타나는 바와 같이, 황은 처음에 이미 제 1 반응기에서 혼합물로부터 사실상 정량적으로 제거된다. 그러나, 이후 48 시간의 작업 시간으로부터, 방출 1 에서 황 함량은 급격하게 상승한다. 이러한 날카로운 파과는 오로지 약 0.036 g 의 황의 흡착된 양 또는 약 0.036 중량% 의 흡착제에 의한 황 흡착에 해당한다. 제 2 정제층의 다운스트림 (방출 2) 에서 파과는 약 96 시간에 이루어진다. 이때, 정제층은 새로 도입된 흡착제를 기준으로 0.07 중량% 의 평균 흡착에 해당하는 총 약 0.07 g 의 황을 흡수하였다.본 발명이 아닌 물질에 의해서, 이에 따라 뚜렷한 탈황화는 매우 짧은 시간 동안만 달성될 수 있고, 사용된 물질은 정제 성능과 어떠한 관련도 없다.결과는 아래 표 4 에 나타나 있다.표 4: 실험 4 로부터의 결과결론: 상기 실험은 본 발명에 따라 사용된 흡착제가 하기 특성을 가짐을 증명하였다:● 이는 사실상 완전히 황 화합물로부터 황을 결합함;● 이는 수소 스트림에서 임의의 활성화 또는 임의의 기타 추가 작업 물질을 필요로 하지 않음;● 이는 이것이 비가역성 흡착제이므로, 스트림의 임의의 주기적 정제 및 탈착을 필요로 하지 않음;● 이는 전형적으로 다운스트림 반응기의 공급을 위한 임의의 경우에 흔히 필요한 것과 같이, 바람직하게는 약간 상승된 온도에서 그를 통해 혼합물이 단순히 흐르는 단순한 용기에 수용될 수 있음;● 이는 사실상 올레핀의 부반응, 예컨대 올리고머화, 이성질체화 및 수소화를 야기하지 않고, 또한 이에 따른 손실이 없음;● 이는 다운스트림 가공 단계에 대해 전혀 어떠한 영향도 주지 않는 농도로도 임의의 성분을 배출하지 않음;● 5 ppmw 미만의 전형적 황 농도에서의 긴 수명 및 1 중량% 이상의 황의 용량의 관점에서, 이는 심지어 이것이 바로 재생될 수 없음에도 불구하고 작업하기 매우 저렴하고, 대신에 용량이 소진된 이후에 원료 물질 이용에 보내질 수만 있음;● 이는 이것이 발암성으로 분류되거나 발화 특성을 나타내지 않으므로, 임의의 문제 없이 취급 및 처분될 수 있음. [ 부호의 설명 ] 0 원료 물질 공급원1 원료 물질 혼합물2 예비정제 단계3 황-함유 구성성분4 오염된 탄화수소 혼합물5 정제층6 정제된 탄화수소 혼합물7 부타디엔8 부타디엔 제거9 라피네이트 I10 이소부텐11 이소부텐 제거 (MTBE 합성/MTBE 분해)12 라피네이트 II13 1-부텐14 1-부텐 제거15 라피네이트 III16 올리고머화17 올리고머화물	본 발명은 탄소수 3 내지 8 의 탄화수소를 포함하는 오염된 탄화수소 혼합물이 고체 흡착제와 접촉됨으로써 불순물이 적어도 일부 제거되고, 탄화수소 혼합물이 흡착제와의 접촉 동안 오로지 액체 상태인, 탄화수소 혼합물의 세정 방법에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 쉽게 이용가능하지만 비발암성 흡착제를 기반으로 하고 전통적 분자체에 비해 더 양호한 순도를 달성하는 액체 C3 내지 C8 탄화수소 혼합물의 세정 방법을 구체화하는 것이다. 이러한 목적은 하기 조성의 고체 물질을 흡착제로서 사용함으로써 달성된다: ● 구리 산화물: 10 중량% 내지 60 중량% (CuO 로서 계산됨); ● 아연 산화물: 10 중량% 내지 60 중량% (ZnO 로서 계산됨); ● 알루미늄 산화물: 10 중량% 내지 30 중량% (Al2O3 로서 계산됨); ● 기타 성분: 0 중량% 내지 5 중량%. 이러한 유형의 물질은 다르게는 메탄올 합성에서 촉매로서 사용된다.
[ 발명의 명칭 ] 방송 수신 장치 및 방송 수신 장치의 동작 방법BROADCAST RECEPTION DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF [ 기술분야 ] 본 발명은 방송 수신 장치 및 방송 수신 장치의 동작 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 디지털 방송 환경 및 통신 환경의 발전에 따라 기존 방송망뿐만 아니라 통신망(broadband)을 이용하는 하이브리드 방송이 각광 받고있다. 또한 이러한 하이브리드 방송은 스마트폰 이나 태블릿 등의 단말 장치와 연동하는 어플리케이션이나 방송 서비스를 제공하고 있다. 스마트폰 이나 태블릿 등의 단말 장치의 사용이 늘어남에 따라 스마트폰 이나 태블릿 등의 단말 장치와 효율적으로 연동할 수 있는 방송 서비스를 제공할 필요가 있다.특히, 방송 서비스의 속성이나 방송을 통해 전송 되는 긴급 경보 등의 정보를 스마트폰이나 태블릿 등의 단말 장치에게 효율적으로 제공할 수 있는 방송 서비스가 필요하다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명의 일 실시예는 단말 장치와 효율적으로 연동할 수 있는 방송 서비스를 제공하는 방송 수신 장치 및 방송 수신 장치의 동작 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.특히, 본 발명의 일 실시예는 단말 장치에게 정보를 효율적으로 전송하도록하는 방송 서비스를 제공하는 방송 수신 장치 및 방송 수신 장치의 동작 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 일 실시예에 따른 연동 장치와 연동하는 방송 서비스를 수신하는 방송 수신 장치는 상기 연동 장치와의 페어링 세션을 형성하는 IP 통신부; 상기 방송 서비스에 기초하여 비실시간(Non-Real Time, NRT) 서비스의 컨텐츠인 NRT 데이터를 시그널링하는 제1 NRT 데이터 시그널링 정보를 수신하는 방송 통신부; 및 상기 연동 장치에게 상기 제1 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 상기 연동 장치를 위한 제2 NRT 시그널링 데이터를 전송하는 제어부를 포함한다.상기 제어부는 상기 제1 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 상기 제2 NRT 데이터 시그널링 정보를 생성할 수 있다.상기 제2 NRT 데이터 시그널링 정보는 상기 NRT 데이터를 식별하는 식별자, 상기 NRT 데이터의 소비 모델(consumption model)을 나타내는 소비 모델 정보, 상기 방송 수신 장치가 상기 NRT 데이터를 다운로딩하는 상태를 나타내는 다운로딩 상태 정보 및 상기 NRT 데이터를 구성하는 컨텐츠 아이템에 관한 정보 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.상기 컨텐츠 아이템에 관한 정보는 상기 컨텐츠 아이템을 식별하는 식별자, 상기컨텐츠 아이템의 이름을 나타내는 컨텐츠 아이템 이름, 상기 컨텐츠 아이템의 크기를 나타내는 크기 정보, 상기 컨텐츠 아이템의 재생 시간을 나타내는 재생 길이 정보 및 컨텐츠 서버에서 상기 컨텐츠 아이템을 다운로딩할 수 있는 URL을 나타내는 URL 정보 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.상기 제어부는 상기 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 상기 NRT 데이터를 다운로드하고, 상기 NRT 데이터의 다운로드가 완료되기 전에, 상기 연동 장치에게 상기 제2 NRT 시그널링 데이터를 전송할 수 있다.상기 제어부는 상기 NRT 데이터의 다운로드 상태를 상기 연동 장치에게 전송할 수 있다.상기 NRT 데이터의 다운로드 상태는 다운로드 중, 다운로드 완료 및 다운로드 실패 중 어느 하나를 나타낼 수 있다.상기 제어부는 상기 NRT 데이터의 다운로드 상태를 주기적으로 상기 연동 장치에게 전송할 수 있다.상기 제어부는 상기 NRT 데이터의 다운로드 비율에 따라 상기 NRT 데이터의 다운로드 상태를 상기 연동 장치에게 전송할 수 있다.IP 통신부는 상기 연동 장치의 어플리케이션과 상기 방송 수신 장치의 어플리케이션의 호환 여부에 기초하여 페어링 세션을 생성할 수 있다.상기 IP 통신부는 상기 연동 장치의 어플리케이션 버전 및 상기 연동 장치의 어플리케이션 식별자 중 적어도 어느 하나에 기초하여 페어링 세션을 생성할 수 있다.본 발명의 일 실시예에 따른 연동 장치와 연동하는 방송 서비스를 수신하는 방송 수신 장치의 동작 방법은 상기 연동 장치와의 페어링 세션을 형성하는 단계; 상기 방송 서비스에 기초하여 비실시간(Non-Real Time, NRT) 서비스의 컨텐츠인 NRT 데이터를 시그널링하는 제1 NRT 데이터 시그널링 정보를 수신하는 단계; 및 상기 연동 장치에게 상기 제1 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 상기 연동 장치를 위한 제2 NRT 시그널링 데이터를 전송하는 단계를 포함한다.상기 제2 시그널링 데이터를 전송하는 단계는 상기 제1 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 상기 제2 NRT 데이터 시그널링 정보를 생성하는 단계를 포함할 수 있다.상기 제2 NRT 데이터 시그널링 정보는 상기 NRT 데이터를 식별하는 식별자, 상기 NRT 데이터의 소비 모델(consumption model)을 나타내는 소비 모델 정보, 상기 방송 수신 장치가 상기 NRT 데이터를 다운로딩하는 상태를 나타내는 다운로딩 상태 정보 및 상기 NRT 데이터를 구성하는 컨텐츠 아이템에 관한 정보 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.상기 컨텐츠 아이템에 관한 정보는 상기 컨텐츠 아이템을 식별하는 식별자, 상기컨텐츠 아이템의 이름을 나타내는 컨텐츠 아이템 이름, 상기 컨텐츠 아이템의 크기를 나타내는 크기 정보, 상기 컨텐츠 아이템의 재생 시간을 나타내는 재생 길이 정보 및 컨텐츠 서버에서 상기 컨텐츠 아이템을 다운로딩할 수 있는 URL을 나타내는 URL 정보 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.동작 방법은 상기 제2 NRT 데이터 시그널링 정보를 연동 장치로 전송하는 단계 및 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 NRT 데이터를 다운로드하는 단계를 더 포함할 수 있다.동작 방법은 상기 NRT 데이터의 다운로드 상태를 상기 연동 장치에게 전송하는 단계를 더 포함할 수 있다.상기 NRT 데이터의 다운로드 상태는 다운로드 중, 다운로드 완료 및 다운로드 실패 중 어느 하나를 나타낼 수 있다.NRT 데이터의 다운로드 상태를 전송하는 단계는 상기 NRT 데이터의 다운로드 상태를 주기적으로 상기 연동 장치에게 전송하는 단계를 더 포함할 수 있다.NRT 데이터의 다운로드 상태를 전송하는 단계는 상기 NRT 데이터의 다운로드 비율에 따라 상기 NRT 데이터의 다운로드 상태를 상기 연동 장치에게 전송하는 단계를 더 포함할 수 있다. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 일 실시예는 단말 장치와 효율적으로 연동할 수 있는 방송 서비스를 제공하는 방송 수신 장치 및 방송 수신 장치의 동작 방법을 제공한다.특히, 본 발명의 일 실시예는 단말 장치에게 정보를 효율적으로 전송하도록하는 방송 서비스를 제공하는 방송 수신 장치 및 방송 수신 장치의 동작 방법을 제공한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 차세대 방송 서비스에 대한 방송 신호 송신 장치의 구조를 나타낸다.도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 인풋 포맷팅(Input formatting, 입력 포맷) 모듈을 나타낸다.도 3는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 인풋 포맷팅(Input formatting, 입력 포맷) 블록을 나타낸다.도 4은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 인풋 포맷팅(Input formatting, 입력 포맷) 블록을 나타낸다.도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 BICM (bit interleaved coding 0026# modulation) 블록을 나타낸다.도 6는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 BICM 블록을 나타낸다.도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 빌딩(Frame Building, 프레임 생성) 블록을 나타낸다.도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 OFDM (orthogonal frequency division multiplexing) 제너레이션(generation, 생성) 블록을 나타낸다.도 9은 본 발명의 일 실시예에 따른 차세대 방송 서비스에 대한 방송 신호 수신 장치의 구조를 나타낸다.도 10는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 구조를 나타낸다.도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임의 시그널링 계층 구조를 나타낸다.도 12은 본 발명의 일 실시예에 따른 프리앰블 시그널링 데이터를 나타낸다.도 13는 본 발명의 일 실시예에 따른 PLS1 데이터를 나타낸다.도 14은 본 발명의 일 실시예에 따른 PLS2 데이터를 나타낸다.도 15는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 PLS2 데이터를 나타낸다.도 16는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임의 로지컬(logical, 논리) 구조를 나타낸다.도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 PLS (physical layer signalling) 매핑을 나타낸다.도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 EAC (emergency alert channel) 매핑을 나타낸다.도 19은 본 발명의 일 실시예에 따른 FIC (fast information channel) 매핑을 나타낸다.도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 DP 타입을 나타낸다.도 21은 본 발명의 일 실시 예에 따른 DP 매핑을 나타낸다.도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 FEC (forward error correction) 구조를 나타낸다.도 23은 본 발명의 일 실시 예에 따른 비트 인터리빙을 나타낸다.도 24는 본 발명의 일 실시예에 따른 셀-워드(cell-word) 디멀티플렉싱을 나타낸다.도 25은 본 발명의 일 실시예에 따른 타임 인터리빙을 나타낸다.도 26은 본 발명의 일 실시예에 따른 트위스트된 행-열 블록 인터리버의 기본 동작을 나타낸다.도 27는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 트위스트된 행-열 블록 인터리버의 동작을 나타낸다.도 28은 본 발명의 일 실시예에 따른 트위스트된 행-열 블록 인터리버의 대각선 방향 읽기 패턴을 나타낸다.도 29는 본 발명의 일 실시예에 따른 각 인터리빙 어레이(array)로부터 인터리빙된 XFECBLOCK을 나타낸다.도 30은 본 발명의 일 실시예에 따른 방송 서비스 제공을 위한 프로토콜 스택(protocol stack)을 보여준다.도 31은 본 발명의 일 실시예에 따른 방송 서비스 제공을 위한 프로토콜 스택(protocol stack)에 따라 방송 서비스를 동기화 하는 것을 보여준다.도 32는 본 발명의 일 실시예에 따른 방송 서비스 제공을 위한 프로토콜 스택(protocol stack)에 따라 방송 서비스를 동기화 하는 것을 보여준다.도 33은 본 발명의 일 실시예에 따른 방송 수신 장치의 구성을 보여준다.도 34는 본 발명의 일 실시예에 따른 연동 장치와 연동하는 방송 서비스를 제공하는 방송 시스템을 보여준다.도 35는 본 발명의 일 실시예에 따라 시그널링되는 방송 서비스의 속성을 보여준다.도 36은 본 발명의 일 실시예에 따라 시그널링되는 방송 서비스 속성의 상태를 나타내는 변수를 보여준다.도 37은 본 발명의 일 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 방송 서비스 속성을 시그널링하는 동작을 보여주는 래더다이그램이다.도 38은 본 발명의 일 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 시그널링하는 방송 서비스 속성의 데이터 형식을 보여준다.도 39는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 시그널링하는 방송 서비스 속성의 상태를 나타내는 변수, 방송 서비스 속성을 위한 액션 및 액션의 인수(argument)를 보여준다.도 40은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 방송 서비스 속성을 시그널링하는 동작을 보여주는 래더다이그램이다.도 41은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 시그널링하는 방송 서비스 속성 변경 여부의 데이터 형식을 보여준다.도 42는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 시그널링하는 방송 서비스 속성의 상태를 나타내는 변수들을 보여준다.도 43은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 시그널링하는 방송 서비스 속성 변경 여부의 데이터 형식을 보여준다.도 44는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 시그널링하는 방송 서비스 속성의 상태를 나타내는 변수들을 보여준다.도 45는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 방송 서비스 속성을 시그널링하는 동작을 보여주는 래더다이그램이다.도 46은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 시그널링하는 방송 서비스 속성의 상태를 나타내는 변수, 방송 서비스 속성을 위한 액션 및 액션의 인수(argument)를 보여준다.도 47은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 방송 서비스 속성을 시그널링하는 동작을 보여주는 래더다이그램이다.도 48은 본 발명의 일 실시예에 따라 긴급 경보가 생성되어 방송망을 통해서 전송되는 과정을 보여준다.도 49는 본 발명의 일 실시예에 따라 방송 수신 장치가 방송망을 통해 시그널링되는 긴급 경보를 추출하여 표시하는 것을 보여준다.도 50은 본 발명의 일 실시예에 따른 긴급 경보 메시지 형식을 보여준다.도 51은 본 발명의 일 실시예에 따라 방송 수신 장치가 시그널링하는 긴급 경보의 상태를 나타내는 변수, 긴급 경보를 위한 액션 및 액션의 인수(argument)를 보여준다.도 52는 본 발명의 일 실시예에 따라 방송 수신 장치가 시그널링하는 긴급 경보를 포함하는 메시지에 대한 정보를 보여준다.도 53은 본 발명의 일 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 긴급 경보를 시그널링하는 동작을 보여주는 래더다이어그램이다.도 54는 본 발명의 일 실시예에 따라 방송 수신 장치가 긴급 경보의 우선 순위를 판단하는 기준을 보여준다.도 55는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 긴급 경보의 우선 순위를 판단하는 기준을 보여준다.도 56은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 긴급 경보의 우선 순위를 판단하는 기준을 보여준다.도 57은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 시그널링하는 긴급 경보의 상태를 나타내는 변수, 긴급 경보를 위한 액션 및 액션의 인수(argument)를 보여준다.도 58은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 긴급 경보를 시그널링하는 동작을 보여주는 래더다이어그램이다.도 59는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 긴급 경보를 시그널링하는 동작을 보여주는 래더다이어그램이다.도 60은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 긴급 경보를 시그널링하는 동작을 보여주는 래더다이어그램이다.도 61은 본 발명의 일 실시예에 따른 연동 장치를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보를 보여준다.도 62는 본 발명의 일 실시예에 따라 방송 수신 장치가 방송 수신 장치를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 연동 장치를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보를 생성하는 것을 보여준다.도 63은 본 발명의 일 실시예에 따른 NRT 데이터에 관한 변수, NRT 데이터 획득을 위한 액션 및 액션의 인자를 보여준다.도 64는 본 발명의 일 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 NRT 데이터를 시그널링하는 것을 보여준다.도 65는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 NRT 데이터를 시그널링하는 것을 보여준다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.본 발명의 일 실시 예에 따른 방송 전송 장치 및 그 방법은 지상파 방송 서비스를 위한 베이스 프로파일, 모바일 방송 서비스를 위한 핸드헬드 프로파일 및 UHDTV 서비스를 위한 어드벤스 프로파일로 구분될 수 있다. 이 경우, 베이스 프로파일은 지상파 방송 서비스 및 모바일 방송 서비스 모두를 위한 프로파일로 사용될 수 있다. 이때, 베이스 프로파일은 모바일 프로파일을 포함하는 프로파일의 컨셉으로 정의될 수 있다. 이는 디자이너의 의도에 따라 변경될 수 있다.본 발명은 일 실시예에 따라 비-MIMO (non-Multiple Input Multiple Output) 또는 MIMO 방식을 통해 차세대 방송 서비스에 대한 방송 신호를 처리할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 비-MIMO 방식은 MISO (Multiple Input Single Output) 방식, SISO (Single Input Single Output) 방식 등을 포함할 수 있다.이하에서는 설명의 편의를 위해 MISO 또는 MIMO 방식은 두 개의 안테나를 사용하지만, 본 발명은 두 개 이상의 안테나를 사용하는 시스템에 적용될 수 있다. 본 발명은 특정 용도에 요구되는 성능을 달성하면서 수신기 복잡도를 최소화하기 위해 최적화된 세 개의 피지컬 프로파일(PHY profile) (베이스(base), 핸드헬드(handheld), 어드벤스(advanced) 프로파일)을 정의할 수 있다. 피지컬 프로파일은 해당하는 수신기가 구현해야 하는 모든 구조의 서브셋이다.세 개의 피지컬 프로파일은 대부분의 기능 블록을 공유하지만, 특정 블록 및/또는 파라미터에서는 약간 다르다. 추후에 추가로 피지컬 프로파일이 정의될 수 있다. 시스템 발전을 위해, 퓨처 프로파일은 FEF (future extension frame)을 통해 단일 RF (radio frequency) 채널에 존재하는 프로파일과 멀티플렉싱 될 수도 있다. 각 피지컬 프로파일에 대한 자세한 내용은 후술한다.1. 베이스 프로파일베이스 프로파일은 주로 루프 톱(roof-top) 안테나와 연결되는 고정된 수신 장치의 주된 용도를 나타낸다. 베이스 프로파일은 어떤 장소로 이동될 수 있지만 비교적 정지된 수신 범주에 속하는 휴대용 장치도 포함할 수 있다. 베이스 프로파일의 용도는 약간의 개선된 실행에 의해 핸드헬드 장치 또는 차량용으로 확장될 수 있지만, 이러한 사용 용도는 베이스 프로파일 수신기 동작에서는 기대되지 않는다.수신의 타겟 신호 대 잡음비 범위는 대략 10 내지 20 dB인데, 이는 기존 방송 시스템(예를 들면, ATSC A/53)의 15 dB 신호 대 잡음비 수신 능력을 포함한다. 수신기 복잡도 및 소비 전력은 핸드헬드 프로파일을 사용할 배터리로 구동되는 핸드헬드 장치에서만큼 중요하지 않다. 베이스 프로파일에 대한 중요 시스템 파라미터가 아래 표 1에 기재되어 있다.LDPC 코드워드 길이16K, 64K 비트컨스텔레이션 사이즈4~10 bpcu (bits per channel use)타임 디인터리빙 메모리 사이즈≤ 219 데이터 셀파일럿 패턴고정 수신에 대한 파일럿 패턴FFT 사이즈16K, 32K points2. 핸드헬드 프로파일핸드헬드 프로파일은 배터리 전원으로 구동되는 핸드헬드 및 차량용 장치에서의 사용을 위해 설계된다. 해당 장치는 보행자 또는 차량 속도로 이동할 수 있다. 수신기 복잡도뿐만 아니라 소비 전력은 핸드헬드 프로파일의 장치의 구현을 위해 매우 중요하다. 핸드헬드 프로파일의 타겟 신호 대 잡음비 범위는 대략 0 내지 10 dB이지만, 더 낮은 실내 수신을 위해 의도된 경우 0 dB 아래에 달하도록 설정될 수 있다.저 신호 대 잡음비 능력뿐만 아니라, 수신기 이동성에 의해 나타난 도플러 효과에 대한 복원력은 핸드헬드 프로파일의 가장 중요한 성능 속성이다. 핸드헬드 프로파일에 대한 중요 시스템 파라미터가 아래 표 2에 기재되어 있다.LDPC 코드워드 길이16K 비트컨스텔레이션 사이즈2~8 bpcu타임 디인터리빙 메모리 사이즈≤ 218 데이터 셀파일럿 패턴이동 및 실내 수신에 대한 파일럿 패턴FFT 사이즈8K, 16K points3. 어드벤스 프로파일어드벤스 프로파일은 더 큰 실행 복잡도에 대한 대가로 더 높은 채널 능력을 제공한다. 해당 프로파일은 MIMO 송신 및 수신을 사용할 것을 요구하며, UHDTV 서비스는 타겟 용도이고, 이를 위해 해당 프로파일이 특별히 설계된다. 향상된 능력은 주어진 대역폭에서 서비스 수의 증가, 예를 들면, 다수의 SDTV 또는 HDTV 서비스를 허용하는 데도 사용될 수 있다.어드벤스 프로파일의 타겟 신호 대 잡음비 범위는 대략 20 내지 30 dB이다. MIMO 전송은 초기에는 기존의 타원 분극 전송 장비를 사용하고, 추후에 전출력 교차 분극 전송으로 확장될 수 있다. 어드벤스 프로파일에 대한 중요 시스템 파라미터가 아래 표 3에 기재되어 있다.LDPC 코드워드 길이16K, 64K 비트컨스텔레이션 사이즈8~12 bpcu타임 디인터리빙 메모리 사이즈≤ 219 데이터 셀파일럿 패턴고정 수신에 대한 파일럿 패턴FFT 사이즈16K, 32K points이 경우, 베이스 프로파일은 지상파 방송 서비스 및 모바일 방송 서비스 모두에 대한 프로파일로 사용될 수 있다. 즉, 베이스 프로파일은 모바일 프로파일을 포함하는 프로파일의 개념을 정의하기 위해 사용될 수 있다. 또한, 어드벤스 프로파일은 MIMO을 갖는 베이스 프로파일에 대한 어드벤스 프로파일 및 MIMO을 갖는 핸드헬드 프로파일에 대한 어드벤스 프로파일로 구분될 수 있다. 그리고 해당 세 프로파일은 설계자의 의도에 따라 변경될 수 있다.다음의 용어 및 정의는 본 발명에 적용될 수 있다. 다음의 용어 및 정의는 설계에 따라 변경될 수 있다.보조 스트림: 퓨처 익스텐션(future extension, 추후 확장) 또는 방송사나 네트워크 운영자에 의해 요구됨에 따라 사용될 수 있는 아직 정의되지 않은 변조 및 코딩의 데이터를 전달하는 셀의 시퀀스베이스 데이터 파이프(base data pipe): 서비스 시그널링 데이터를 전달하는 데이터 파이프베이스밴드 프레임 (또는 BBFRAME): 하나의 FEC 인코딩 과정 (BCH 및 LDPC 인코딩)에 대한 입력을 형성하는 Kbch 비트의 집합셀(cell): OFDM 전송의 하나의 캐리어에 의해 전달되는 변조값코딩 블록(coded block): PLS1 데이터의 LDPC 인코딩된 블록 또는 PLS2 데이터의 LDPC 인코딩된 블록들 중 하나데이터 파이프(data pipe): 하나 또는 다수의 서비스 또는 서비스 컴포넌트를 전달할 수 있는 서비스 데이터 또는 관련된 메타데이터를 전달하는 물리 계층(physical layer)에서의 로지컬 채널데이터 파이프 유닛(DPU, data pipe unit): 데이터 셀을 프레임에서의 데이터 파이프에 할당할 수 있는 기본 유닛데이터 심볼(data symbol): 프리앰블 심볼이 아닌 프레임에서의 OFDM 심볼 (프레임 시그널링 심볼 및 프레임 엣지(edge) 심볼은 데이터 심볼에 포함된다.)DP_ID: 해당 8비트 필드는 SYSTEM_ID에 의해 식별된 시스템 내에서 데이터 파이프를 유일하게 식별한다.더미 셀(dummy cell): PLS (physical layer signalling) 시그널링, 데이터 파이프, 또는 보조 스트림을 위해 사용되지 않은 남아 있는 용량을 채우는 데 사용되는 의사 랜덤값을 전달하는 셀FAC (emergency alert channel, 비상 경보 채널): EAS 정보 데이터를 전달하는 프레임 중 일부프레임(frame): 프리앰블로 시작해서 프레임 엣지 심볼로 종료되는 물리 계층(physical layer) 타임 슬롯프레임 리피티션 유닛(frame repetition unit, 프레임 반복 단위): 슈퍼 프레임(super-frame)에서 8회 반복되는 FEF를 포함하는 동일한 또는 다른 피지컬 프로파일에 속하는 프레임의 집합FIC (fast information channel, 고속 정보 채널): 서비스와 해당 베이스 데이터 파이프 사이에서의 매핑 정보를 전달하는 프레임에서 로지컬 채널FECBLOCK: 데이터 파이프 데이터의 LDPC 인코딩된 비트의 집합FFT 사이즈: 기본 주기 T의 사이클로 표현된 액티브 심볼 주기 Ts와 동일한 특정 모드에 사용되는 명목상의 FFT 사이즈프레임 시그널링 심볼(frame signaling symbol): PLS 데이터의 일부를 전달하는, FFT 사이즈, 가드 인터벌(guard interval), 및 스캐터(scattered) 파일럿 패턴의 특정 조합에서 프레임의 시작에서 사용되는 더 높은 파일럿 밀도를 갖는 OFDM 심볼프레임 엣지 심볼(frame edge symbol): FFT 사이즈, 가드 인터벌, 및 스캐터 파일럿 패턴의 특정 조합에서 프레임의 끝에서 사용되는 더 높은 파일럿 밀도를 갖는 OFDM 심볼프레임 그룹(frame-group): 슈퍼 프레임에서 동일한 피지컬 프로파일 타입을 갖는 모든 프레임의 집합퓨쳐 익스텐션 프레임(future extention frame, 추후 확장 프레임): 프리앰블로 시작하는, 추후 확장에 사용될 수 있는 슈퍼 프레임 내에서 물리 계층(physical layer) 타임 슬롯퓨처캐스트(futurecast) UTB 시스템: 입력이 하나 이상의 MPEG2-TS 또는 IP (Internet protocol) 또는 일반 스트림이고 출력이 RF 시그널인 제안된 물리 계층(physical layer) 방송 시스템인풋 스트림(input stream, 입력 스트림): 시스템에 의해 최종 사용자에게 전달되는 서비스의 조화(ensemble)를 위한 데이터의 스트림노멀(normal) 데이터 심볼: 프레임 시그널링 심볼 및 프레임 엣지 심볼을 제외한 데이터 심볼피지컬 프로파일(PHY profile): 해당하는 수신기가 구현해야 하는 모든 구조의 서브셋PLS: PLS1 및 PLS2로 구성된 물리 계층(physical layer) 시그널링 데이터PLS1: PLS2를 디코딩하는 데 필요한 파라미터뿐만 아니라 시스템에 관한 기본 정보를 전달하는 고정된 사이즈, 코딩, 변조를 갖는 FSS (frame signalling symbol)로 전달되는 PLS 데이터의 첫 번째 집합NOTE: PLS1 데이터는 프레임 그룹의 듀레이션(duration) 동안 일정하다.PLS2: 데이터 파이프 및 시스템에 관한 더욱 상세한 PLS 데이터를 전달하는 FSS로 전송되는 PLS 데이터의 두 번째 집합PLS2 다이나믹(dynamic, 동적) 데이터: 프레임마다 다이나믹(dynamic, 동적)으로 변화하는 PLS2 데이터PLS2 스태틱(static, 정적) 데이터: 프레임 그룹의 듀레이션 동안 스태틱(static, 정적)인 PLS2 데이터프리앰블 시그널링 데이터(preamble signaling data): 프리앰블 심볼에 의해 전달되고 시스템의 기본 모드를 확인하는 데 사용되는 시그널링 데이터프리앰블 심볼(preamble symbol): 기본 PLS 데이터를 전달하고 프레임의 시작에 위치하는 고정된 길이의 파일럿 심볼NOTE: 프리앰블 심볼은 시스템 신호, 그 타이밍, 주파수 오프셋, 및 FFT 사이즈를 검출하기 위해 고속 초기 밴드 스캔에 주로 사용된다.추후 사용(future use)을 위해 리저브드(reserved): 현재 문서에서 정의되지 않지만 추후에 정의될 수 있음슈퍼 프레임(superframe): 8개의 프레임 반복 단위의 집합타임 인터리빙 블록(time interleaving block, TI block): 타임 인터리버 메모리의 하나의 용도에 해당하는, 타임 인터리빙이 실행되는 셀의 집합타임 인터리빙 그룹(time interleaving group, TI group): 정수, 다이나믹(dynamic, 동적)으로 변화하는 XFECBLOCK의 수로 이루어진, 특정 데이터 파이프에 대한 다이나믹(dynamic, 동적) 용량 할당이 실행되는 단위NOTE: 타임 인터리빙 그룹은 하나의 프레임에 직접 매핑되거나 다수의 프레임에 매핑될 수 있다. 타임 인터리빙 그룹은 하나 이상의 타임 인터리빙 블록을 포함할 수 있다.타입 1 데이터 파이프(Type 1 DP): 모든 데이터 파이프가 프레임에 TDM (time division multiplexing) 방식으로 매핑되는 프레임의 데이터 파이프타입 2 데이터 파이프(Type 2 DP): 모든 데이터 파이프가 프레임에 FDM 방식으로 매핑되는 프레임의 데이터 파이프XFECBLOCK: 하나의 LDPC FECBLOCK의 모든 비트를 전달하는 Ncells 셀들의 집합도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 차세대 방송 서비스에 대한 방송 신호 송신 장치의 구조를 나타낸다.본 발명의 일 실시예에 따른 차세대 방송 서비스에 대한 방송 신호 송신 장치는 인풋 포맷 블록 (Input Format block) (1000), BICM (bit interleaved coding 0026# modulation) 블록(1010), 프레임 빌딩 블록 (Frame building block) (1020), OFDM (orthogonal frequency division multiplexing) 제너레이션 블록 (OFDM generation block)(1030), 및 시그널링 생성 블록(1040)을 포함할 수 있다. 방송 신호 송신 장치의 각 블록의 동작에 대해 설명한다.IP 스트림/패킷 및 MPEG2-TS은 주요 입력 포맷이고, 다른 스트림 타입은 일반 스트림으로 다루어진다. 이들 데이터 입력에 추가로, 관리 정보가 입력되어 각 입력 스트림에 대한 해당 대역폭의 스케줄링 및 할당을 제어한다. 하나 또는 다수의 TS 스트림, IP 스트림 및/또는 일반 스트림 입력이 동시에 허용된다.인풋 포맷 블록(1000)은 각각의 입력 스트림을 독립적인 코딩 및 변조가 적용되는 하나 또는 다수의 데이터 파이프로 디멀티플렉싱 할 수 있다. 데이터 파이프는 견고성(robustness) 제어를 위한 기본 단위이며, 이는 QoS (Quality of Service)에 영향을 미친다. 하나 또는 다수의 서비스 또는 서비스 컴포넌트가 하나의 데이터 파이프에 의해 전달될 수 있다. 인풋 포맷 블록(1000)의 자세한 동작은 후술한다.데이터 파이프는 하나 또는 다수의 서비스 또는 서비스 컴포넌트를 전달할 수 있는 서비스 데이터 또는 관련 메타데이터를 전달하는 물리 계층(physical layer)에서의 로지컬 채널이다.또한, 데이터 파이프 유닛은 하나의 프레임에서 데이터 셀을 데이터 파이프에 할당하기 위한 기본 유닛이다.인풋 포맷 블록(1000)에서, 패리티(parity) 데이터는 에러 정정을 위해 추가되고, 인코딩된 비트 스트림은 복소수값 컨스텔레이션 심볼에 매핑된다. 해당 심볼은 해당 데이터 파이프에 사용되는 특정 인터리빙 깊이에 걸쳐 인터리빙 된다. 어드벤스 프로파일에 있어서, BICM 블록(1010)에서 MIMO 인코딩이 실행되고 추가 데이터 경로가 MIMO 전송을 위해 출력에 추가된다. BICM 블록(1010)의 자세한 동작은 후술한다.프레임 빌딩 블록(1020)은 하나의 프레임 내에서 입력 데이터 파이프의 데이터 셀을 OFDM 실볼로 매핑할 수 있다. 매핑 후, 주파수 영역 다이버시티를 위해, 특히 주파수 선택적 페이딩 채널을 방지하기 위해 주파수 인터리빙이 이용된다. 프레임 빌딩 블록(1020)의 자세한 동작은 후술한다.프리앰블을 각 프레임의 시작에 삽입한 후, OFDM 제너레이션 블록(1030)은 사이클릭 프리픽스(cyclic prefix)을 가드 인터벌로 갖는 기존의 OFDM 변조를 적용할 수 있다. 안테나 스페이스 다이버시티를 위해, 분산된(distributed) MISO 방식이 송신기에 걸쳐 적용된다. 또한, PAPR (peak-to-average power ratio) 방식이 시간 영역에서 실행된다. 유연한 네트워크 방식을 위해, 해당 제안은 다양한 FFT 사이즈, 가드 인터벌 길이, 해당 파일럿 패턴의 집합을 제공한다. OFDM 제너레이션 블록(1030)의 자세한 동작은 후술한다.시그널링 생성 블록(1040)은 각 기능 블록의 동작에 사용되는 물리 계층(physical layer) 시그널링 정보를 생성할 수 있다. 해당 시그널링 정보는 또한 관심 있는 서비스가 수신기 측에서 적절히 복구되도록 전송된다. 시그널링 생성 블록(1040)의 자세한 동작은 후술한다.도 2, 3, 4는 본 발명의 실시예에 따른 인풋 포맷 블록(1000)을 나타낸다. 각 도면에 대해 설명한다.도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 인풋 포맷 블록을 나타낸다. 도 2는 입력 신호가 단일 입력 스트림(single input stream)일 때의 인풋 포맷 블록을 나타낸다.도 2에 도시된 인풋 포맷 블록은 도 1을 참조하여 설명한 인풋 포맷 블록(1000)의 일 실시예에 해당한다.물리 계층(physical layer)으로의 입력은 하나 또는 다수의 데이터 스트림으로 구성될 수 있다. 각각의 데이터 스트림은 하나의 데이터 파이프에 의해 전달된다. 모드 어댑테이션(mode adaptaion, 모드 적응) 모듈은 입력되는 데이터 스트림을 BBF (baseband frame)의 데이터 필드로 슬라이스한다. 해당 시스템은 세 가지 종류의 입력 데이터 스트림, 즉 MPEG2-TS, IP, GS (generic stream)을 지원한다. MPEG2-TS는 첫 번째 바이트가 동기 바이트(0x47)인 고정된 길이(188 바이트)의 패킷을 특징으로 한다. IP 스트림은 IP 패킷 헤더 내에서 시그널링 되는 가변 길이 IP 데이터그램 패킷으로 구성된다. 해당 시스템은 IP 스트림에 대해 IPv4와 IPv6을 모두 지원한다. GS는 캡슐화 패킷 헤더 내에서 시그널링되는 가변 길이 패킷 또는 일정 길이 패킷으로 구성될 수 있다.(a)는 신호 데이터 파이프에 대한 모드 어댑테이션(mode adaptaion, 모드 적응) 블록(2000) 및 스트림 어댑테이션(stream adaptation, 스트림 적응)(2010)을 나타내고, (b)는 PLS 데이터를 생성 및 처리하기 위한 PLS 생성 블록(2020) 및 PLS 스크램블러(2030)를 나타낸다. 각 블록의 동작에 대해 설명한다.입력 스트림 스플리터는 입력된 TS, IP, GS 스트림을 다수의 서비스 또는 서비스 컴포넌트(오디오, 비디오 등) 스트림으로 분할한다. 모드 어댑테이션(mode adaptaion, 모드 적응) 모듈(2010)은 CRC 인코더, BB (baseband) 프레임 슬라이서, 및 BB 프레임 헤더 삽입 블록으로 구성된다.CRC 인코더는 유저 패킷 (user packet, UP)레벨에서의 에러 검출을 위한 세 종류의 CRC 인코딩, 즉 CRC-8, CRC-16, CRC-32를 제공한다. 산출된 CRC 바이트는 UP 뒤에 첨부된다. CRC-8은 TS 스트림에 사용되고, CRC-32는 IP 스트림에 사용된다. GS 스트림이 CRC 인코딩을 제공하지 않으면, 제안된 CRC 인코딩이 적용되어야 한다.BB 프레임 슬라이서는 입력을 내부 로지컬 비트 포맷에 매핑한다. 첫 번째 수신 비트는 MSB라고 정의한다. BB 프레임 슬라이서는 가용 데이터 필드 용량과 동일한 수의 입력 비트를 할당한다. BBF 페이로드와 동일한 수의 입력 비트를 할당하기 위해, UP 스트림이 BBF의 데이터 필드에 맞게 슬라이스된다.BB 프레임 헤더 삽입 블록은 2바이트의 고정된 길이의 BBF 헤더를 BB 프레임의 앞에 삽입할 수 있다. BBF 헤더는 STUFFI (1비트), SYNCD (13비트), 및 RFU (2비트)로 구성된다. 고정된 2바이트 BBF 헤더뿐만 아니라, BBF는 2바이트 BBF 헤더 끝에 확장 필드(1 또는 3바이트)를 가질 수 있다.스트림 어댑테이션(stream adaptation, 스트림 적응)(2010)은 스터핑(stuffing) 삽입 블록 및 BB 스크램블러로 구성된다. 스터핑 삽입 블록은 스터핑 필드를 BB 프레임의 페이로드에 삽입할 수 있다. 스트림 어댑테이션(stream adaptation, 스트림 적응)에 대한 입력 데이터가 BB 프레임을 채우기에 충분하면, STUFFI는 0으로 설정되고, BBF는 스터핑 필드를 갖지 않는다. 그렇지 않으면, STUFFI는 1로 설정되고, 스터핑 필드는 BBF 헤더 직후에 삽입된다. 스터핑 필드는 2바이트의 스터핑 필드 헤더 및 가변 사이즈의 스터핑 데이터를 포함한다.BB 스크램블러는 에너지 분산을 위해 완전한 BBF를 스크램블링한다. 스크램블링 시퀀스는 BBF와 동기화된다. 스크램블링 시퀀스는 피드백 시프트 레지스터에 의해 생성된다.PLS 생성 블록(2020)은 PLS 데이터를 생성할 수 있다. PLS는 수신기에서 피지컬 레이어(physical layer) 데이터 파이프에 접속할 수 있는 수단을 제공한다. PLS 데이터는 PLS1 데이터 및 PLS2 데이터로 구성된다.PLS1 데이터는 PLS2 데이터를 디코딩하는 데 필요한 파라미터뿐만 아니라 시스템에 관한 기본 정보를 전달하는 고정된 사이즈, 코딩, 변조를 갖는 프레임에서 FSS로 전달되는 PLS 데이터의 첫 번째 집합이다. PLS1 데이터는 PLS2 데이터의 수신 및 디코딩을 가능하게 하는 데 요구되는 파라미터를 포함하는 기본 송신 파라미터를 제공한다. 또한, PLS1 데이터는 프레임 그룹의 듀레이션 동안 일정하다.PLS2 데이터는 데이터 파이프 및 시스템에 관한 더욱 상세한 PLS 데이터를 전달하는 FSS로 전송되는 PLS 데이터의 두 번째 집합이다. PLS2는 수신기가 원하는 데이터 파이프를 디코딩하는 데 충분한 정보를 제공하는 파라미터를 포함한다. PLS2 시그널링은 PLS2 스태틱(static, 정적) 데이터(PLS2-STAT 데이터) 및 PLS2 다이나믹(dynamic, 동적) 데이터(PLS2-DYN 데이터)의 두 종류의 파라미터로 더 구성된다. PLS2 스태틱(static, 정적) 데이터는 프레임 그룹의 듀레이션 동안 스태틱(static, 정적)인 PLS2 데이터이고, PLS2 다이나믹(dynamic, 동적) 데이터는 프레임마다 다이나믹(dynamic, 동적)으로 변화하는 PLS2 데이터이다.PLS 데이터에 대한 자세한 내용은 후술한다.PLS 스크램블러(2030)는 에너지 분산을 위해 생성된 PLS 데이터를 스크램블링 할 수 있다.전술한 블록은 생략될 수도 있고 유사 또는 동일 기능을 갖는 블록에 의해 대체될 수도 있다.도 3은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 인풋 포맷 블록을 나타낸다.도 3에 도시된 인풋 포맷 블록은 도 1을 참조하여 설명한 인풋 포맷 블록(1000)의 일 실시예에 해당한다.도 3은 입력 신호가 멀티 인풋 스트림(multi input stream, 다수의 입력 스트림)에 해당하는 경우 인풋 포맷 블록의 모드 어댑테이션(mode adaptaion, 모드 적응) 블록을 나타낸다.멀티 인풋 스트림(multi input stream, 다수의 입력 스트림)을 처리하기 위한 인풋 포맷 블록의 모드 어댑테이션(mode adaptaion, 모드 적응) 블록은 다수 입력 스트림을 독립적으로 처리할 수 있다.도 3을 참조하면, 멀티 인풋 스트림(multi input stream, 다수의 입력 스트림)을 각각 처리하기 위한 모드 어댑테이션(mode adaptaion, 모드 적응) 블록은 인풋 스트림 스플리터 (input stream splitter) (3000), 인풋 스트림 싱크로나이저 (input stream synchronizer) (3010), 컴펜세이팅 딜레이(compensatin delay, 보상 지연) 블록(3020), 널 패킷 딜리션 블록 (null packet deletion block) (3030), 헤더 컴프레션 블록 (header compression block) (3040), CRC 인코더 (CRC encoder) (3050), BB 프레임 슬라이서(BB frame slicer) (3060), 및 BB 헤더 삽입 블록 (BB header insertion block) (3070)을 포함할 수 있다. 모드 어댑테이션(mode adaptaion, 모드 적응) 블록의 각 블록에 대해 설명한다.CRC 인코더(3050), BB 프레임 슬라이서(3060), 및 BB 헤더 삽입 블록(3070)의 동작은 도 2를 참조하여 설명한 CRC 인코더, BB 프레임 슬라이서, 및 BB 헤더 삽입 블록의 동작에 해당하므로, 그 설명은 생략한다.인풋 스트림 스플리터(3000)는 입력된 TS, IP, GS 스트림을 다수의 서비스 또는 서비스 컴포넌트(오디오, 비디오 등) 스트림으로 분할한다.인풋 스트림 싱크로나이저(3010)는 ISSY라 불릴 수 있다. ISSY는 어떠한 입력 데이터 포맷에 대해서도 CBR (constant bit rate) 및 일정한 종단간 전송(end-to-end transmission) 지연을 보장하는 적합한 수단을 제공할 수 있다. ISSY는 TS를 전달하는 다수의 데이터 파이프의 경우에 항상 이용되고, GS 스트림을 전달하는 다수의 데이터 파이프에 선택적으로 이용된다.컴펜세이팅 딜레이(compensatin delay, 보상 지연) 블록(3020)은 수신기에서 추가로 메모리를 필요로 하지 않고 TS 패킷 재결합 메커니즘을 허용하기 위해 ISSY 정보의 삽입에 뒤따르는 분할된 TS 패킷 스트림을 지연시킬 수 있다.널 패킷 딜리션 블록(3030)은 TS 입력 스트림 경우에만 사용된다. 일부 TS 입력 스트림 또는 분할된 TS 스트림은 VBR (variable bit-rate) 서비스를 CBR TS 스트림에 수용하기 위해 존재하는 많은 수의 널 패킷을 가질 수 있다. 이 경우, 불필요한 전송 오버헤드를 피하기 위해, 널 패킷은 확인되어 전송되지 않을 수 있다. 수신기에서, 제거된 널 패킷은 전송에 삽입된 DNP(deleted null-packet, 삭제된 널 패킷) 카운터를 참조하여 원래 존재했던 정확한 장소에 재삽입될 수 있어, CBR이 보장되고 타임 스탬프(PCR) 갱신의 필요가 없어진다.헤더 컴프레션 블록(3040)은 TS 또는 IP 입력 스트림에 대한 전송 효율을 증가시키기 위해 패킷 헤더 압축을 제공할 수 있다. 수신기는 헤더의 특정 부분에 대한 선험적인(a priori) 정보를 가질 수 있기 때문에, 이 알려진 정보(known information)는 송신기에서 삭제될 수 있다.TS에 대해, 수신기는 동기 바이트 구성(0x47) 및 패킷 길이(188 바이트)에 관한 선험적인 정보를 가질 수 있다. 입력된 TS가 하나의 PID만을 갖는 콘텐트를 전달하면, 즉, 하나의 서비스 컴포넌트(비디오, 오디오 등) 또는 서비스 서브 컴포넌트(SVC 베이스 레이어, SVC 인헨스먼트 레이어, MVC 베이스 뷰, 또는 MVC 의존 뷰)에 대해서만, TS 패킷 헤더 압축이 TS에 (선택적으로) 적용될 수 있다. TS 패킷 헤더 압축은 입력 스트림이 IP 스트림인 경우 선택적으로 사용된다. 상기 블록은 생략되거나 유사 또는 동일 기능을 갖는 블록으로 대체될 수 있다.도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 인풋 포맷팅 블록을 나타낸다.도 4에 개시된 인풋 포맷팅 블록은 도 1을 참조하여 설명된 인풋 포맷팅 블록(1000)에 대응된다.도 4는 인풋 시그널이 복수의 인풋 스트림들에 대응될 때, 인풋 포맷팅 모듈의 스트림 적응 블록을 나타낸다.도 4를 참조하면, 복수의 인풋 스트림들을 각각 처리하기 위한 모드 적응 블록은 스케쥴러(400), 1-프레임 딜레이 블록(4010), 스터핑 삽입 블록(4020), 인-밴드 시그널링(4030), BB 프레임 스크램블러(4040), PLS 생산 블록(4050), 및 PLS 스크램블러(4060)을 포함할 수 있다. 설명은 스트림 적응 블록의 각각의 블록에 대하여 제공될 수 있다.스터핑 데이터 블록(4020), BB 프레임 스크램블러(4040), PLS 생산 블록(4050) 및 PLS 스크램블러(4060)은 도 2에 도시된 스터핑 삽입 블록, BB 스크램블러, PLS 생산 블록 및 PLS 스크램블러에 대응된다. 따라서, 그에 관한 설명은 생략한다. 스케쥴러(4000)은 각각의 DP의 FECBLOCK의 양으로부터 전체 프레임을 거치는 전체적인 셀 할당을 결정할 수 있다. PLS, EAC 및 FIC를 위한 할당을 포함하여 스케쥴러는 프레임의 FSS내 PLS 셀 또는 인-밴드 시그널링으로 전송되는 PLS2-DYN 데이터의 값을 생산한다. FECBLOCK, EAC 및 FIC에 관한 자세한 설명은 후술한다.1-프레임 딜레이 블록(4010)은 DP내에 삽입되는 인-밴드 시그널링 정보를 위한 현재 프레임을 통해 전송될 수 있는 다음 프레임에 대한 스케쥴링 정보와 같은 하나의 전송 프레임에 의한 인풋 데이터를 딜레이할 수 있다.인-밴드 시그널링(4030)은 프레임의 DP 내 PLS2 데이터의 딜레이되지 않는 부분에 삽입될 수 있다.상술한 블록들은 비슷하거나 동일한 기능을 갖는 블록들에 의해 생략되거나 대체될 수 있다.도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 BICM 블록을 나타낸다.도 5에 도시된 BICM 블록은 도 1을 참조하여 설명한 BICM 블록(1010)의 일 실시예에 해당한다.전술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 차세대 방송 서비스에 대한 방송 신호 송신 장치는 지상파 방송 서비스, 모바일 방송 서비스, UHDTV 서비스 등을 제공할 수 있다.QoS가 본 발명의 일 실시예에 따른 차세대 방송 서비스에 대한 방송 신호 송신 장치에 의해 제공되는 서비스의 특성에 의존하므로, 각각의 서비스에 해당하는 데이터는 서로 다른 방식을 통해 처리되어야 한다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 BICM 블록은 SISO, MISO, MIMO 방식을 각각의 데이터 경로에 해당하는 데이터 파이프에 독립적으로 적용함으로써 각데이터 파이프를 독립적으로 처리할 수 있다. 결과적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 차세대 방송 서비스에 대한 방송 신호 송신 장치는 각각의 데이터 파이프를 통해 전송되는 각 서비스 또는 서비스 컴포넌트에 대한 QoS를 조절할 수 있다.(a)는 베이스 프로파일 및 핸드헬드 프로파일에 의해 공유되는 BICM 블록을 나타내고, (b)는 어드벤스 프로파일의 BICM 블록을 나타낸다.베이스 프로파일 및 핸드헬드 프로파일에 의해 공유되는 BICM 블록 및 어드벤스 프로파일의 BICM 블록은 각각의 데이터 파이프를 처리하기 위한 복수의 처리 블록을 포함할 수 있다.베이스 프로파일 및 핸드헬드 프로파일에 대한 BICM 블록 및 어드벤스 프로파일에 대한 BICM 블록의 각각의 처리 블록에 대해 설명한다.베이스 프로파일 및 핸드헬드 프로파일에 대한 BICM 블록의 처리 블록(5000)은 데이터 FEC 인코더(5010), 비트 인터리버(5020), 컨스텔레이션 매퍼(mapper)(5030), SSD (signal space diversity) 인코딩 블록(5040), 타임 인터리버(5050)를 포함할 수 있다.데이터 FEC 인코더(5010)는 외부 코딩(BCH) 및 내부 코딩(LDPC)을 이용하여 FECBLOCK 절차를 생성하기 위해 입력 BBF에 FEC 인코딩을 실행한다. 외부 코딩(BCH)은 선택적인 코딩 방법이다. 데이터 FEC 인코더(5010)의 구체적인 동작에 대해서는 후술한다.비트 인터리버(5020)는 효율적으로 실현 가능한 구조를 제공하면서 데이터 FEC 인코더(5010)의 출력을 인터리빙하여 LDPC 코드 및 변조 방식의 조합으로 최적화된 성능을 달성할 수 있다. 비트 인터리버(5020)의 구체적인 동작에 대해서는 후술한다.컨스텔레이션 매퍼(5030)는 QPSK, QAM-16, 불균일 QAM (NUQ-64, NUQ-256, NUQ-1024) 또는 불균일 컨스텔레이션 (NUC-16, NUC-64, NUC-256, NUC-1024)을 이용해서 베이스 및 핸드헬드 프로파일에서 비트 인터리버(5020)로부터의 각각의 셀 워드를 변조하거나 어드벤스 프로파일에서 셀 워드 디멀티플렉서(5010-1)로부터의 셀 워드를 변조하여 파워가 정규화된 컨스텔레이션 포인트 el을 제공할 수 있다. 해당 컨스텔레이션 매핑은 데이터 파이프에 대해서만 적용된다. NUQ가 임의의 형태를 갖는 반면, QAM-16 및 NUQ는 정사각형 모양을 갖는 것이 관찰된다. 각각의 컨스텔레이션이 90도의 배수만큼 회전되면, 회전된 컨스텔레이션은 원래의 것과 정확히 겹쳐진다. 회전 대칭 특성으로 인해 실수 및 허수 컴포넌트의 용량 및 평균 파워가 서로 동일해진다. NUQ 및 NUC는 모두 각 코드 레이트(code rate)에 대해 특별히 정의되고, 사용되는 특정 하나는 PLS2 데이터에 보관된 파라미터 DP_MOD에 의해 시그널링 된다.타임 인터리버(5050)는 데이터 파이프 레벨에서 동작할 수 있다. 타임 인터리빙의 파라미터는 각각의 데이터 파이프에 대해 다르게 설정될 수 있다. 타임 인터리버(5050)의 구체적인 동작에 관해서는 후술한다.어드벤스 프로파일에 대한 BICM 블록의 처리 블록(5000-1)은 데이터 FEC 인코더, 비트 인터리버, 컨스텔레이션 매퍼, 및 타임 인터리버를 포함할 수 있다.단, 처리 블록(5000-1)은 셀 워드 디멀티플렉서(5010-1) 및 MIMO 인코딩 블록(5020-1)을 더 포함한다는 점에서 처리 블록(5000)과 구별된다.또한, 처리 블록(5000-1)에서의 데이터 FEC 인코더, 비트 인터리버, 컨스텔레이션 매퍼, 타임 인터리버의 동작은 전술한 데이터 FEC 인코더(5010), 비트 인터리버(5020), 컨스텔레이션 매퍼(5030), 타임 인터리버(5050)의 동작에 해당하므로, 그 설명은 생략한다.셀 워드 디멀티플렉서(5010-1)는 어드벤스 프로파일의 데이터 파이프가 MIMO 처리를 위해 단일 셀 워드 스트림을 이중 셀 워드 스트림으로 분리하는 데 사용된다. 셀 워드 디멀티플렉서(5010-1)의 구체적인 동작에 관해서는 후술한다.MIMO 인코딩 블록(5020-1)은 MIMO 인코딩 방식을 이용해서 셀 워드 디멀티플렉서(5010-1)의 출력을 처리할 수 있다. MIMO 인코딩 방식은 방송 신호 송신을 위해 최적화되었다. MIMO 기술은 용량 증가를 얻기 위한 유망한 방식이지만, 채널 특성에 의존한다. 특별히 방송에 대해서, 서로 다른 신호 전파 특성으로 인한 두 안테나 사이의 수신 신호 파워 차이 또는 채널의 강한 LOS 컴포넌트는 MIMO로부터 용량 이득을 얻는 것을 어렵게 한다. 제안된 MIMO 인코딩 방식은 MIMO 출력 신호 중 하나의 위상 랜덤화 및 회전 기반 프리코딩을 이용하여 이 문제를 극복한다.MIMO 인코딩은 송신기 및 수신기 모두에서 적어도 두 개의 안테나를 필요로 하는 2x2 MIMO 시스템을 위해 의도된다. 두 개의 MIMO 인코딩 모드는 본 제안인 FR-SM (full-rate spatial multiplexing) 및 FRFD-SM (full-rate full-diversity spatial multiplexing)에서 정의된다. FR-SM 인코딩은 수신기 측에서의 비교적 작은 복잡도 증가로 용량 증가를 제공하는 반면, FRFD-SM 인코딩은 수신기 측에서의 큰 복잡도 증가로 용량 증가 및 추가적인 다이버시티 이득을 제공한다. 제안된 MIMO 인코딩 방식은 안테나 극성 배치를 제한하지 않는다.MIMO 처리는 어드벤스 프로파일 프레임에 요구되는데, 이는 어드벤스 프로파일 프레임에서의 모든 데이터 파이프가 MIMO 인코더에 의해 처리된다는 것을 의미한다. MIMO 처리는 데이터 파이프 레벨에서 적용된다. 컨스텔레이션 매퍼 출력의 페어(pair, 쌍)인 NUQ (e1,i 및 e2,i)는 MIMO 인코더의 입력으로 공급된다. MIMO 인코더 출력 페어(pair, 쌍)(g1,i 및 g2,i)은 각각의 송신 안테나의 동일한 캐리어 k 및 OFDM 심볼 l에 의해 전송된다.전술한 블록은 생략되거나 유사 또는 동일 기능을 갖는 블록으로 대체될 수 있다.도 6는 본 발명의 다른 실시예에 따른 BICM 블록을 나타낸다.도 6에 도시된 BICM 블록은 도 1을 참조하여 설명한 BICM 블록(1010)의 일 실시예에 해당한다.도 6는 PLS, EAC, 및 FIC의 보호를 위한 BICM 블록을 나타낸다. EAC는 EAS 정보 데이터를 전달하는 프레임의 일부이고, FIC는 서비스와 해당하는 베이스 데이터 파이프 사이에서 매핑 정보를 전달하는 프레임에서의 로지컬 채널이다. EAC 및 FIC에 대한 상세한 설명은 후술한다.도 6를 참조하면, PLS, EAC, 및 FIC의 보호를 위한 BICM 블록은 PLS FEC 인코더(6000), 비트 인터리버(6010), 및 컨스텔레이션 매퍼(6020)를 포함할 수 있다.또한, PLS FEC 인코더(6000)는 스크램블러, BCH 인코딩/제로 삽입 블록, LDPC 인코딩 블록, 및 LDPC 패리티 펑처링(puncturing) 블록을 포함할 수 있다. BICM 블록의 각 블록에 대해 설명한다.PLS FEC 인코더(6000)는 스크램블링된 PLS 1/2 데이터, EAC 및 FIC 섹션을 인코딩할 수 있다.스크램블러는 BCH 인코딩 및 쇼트닝(shortening) 및 펑처링된 LDPC 인코딩 전에 PLS1 데이터 및 PLS2 데이터를 스크램블링 할 수 있다.BCH 인코딩/제로 삽입 블록은 PLS 보호를 위한 쇼트닝된 BCH 코드를 이용하여 스크램블링된 PLS 1/2 데이터에 외부 인코딩을 수행하고, BCH 인코딩 후에 제로 비트를 삽입할 수 있다. PLS1 데이터에 대해서만, 제로 삽입의 출력 비트가 LDPC 인코딩 전에 퍼뮤테이션(permutation) 될 수 있다.LDPC 인코딩 블록은 LDPC 코드를 이용하여 BCH 인코딩/제로 삽입 블록의 출력을 인코딩할 수 있다. 완전한 코딩 블록을 생성하기 위해, Cldpc 및 패리티 비트 Pldpc는 각각의 제로가 삽입된 PLS 정보 블록 Ildpc로부터 조직적으로 인코딩되고, 그 뒤에 첨부된다.[수학식 1]PLS1 및 PLS2에 대한 LDPC 코드 파라미터는 다음의 표 4와 같다.시그널링 타입KsigKbchNbch_parityKldpc(=Nbch)NldpcNldpc_parity코드 레이트(code rate)QldpcPLS13421020601080432032401/436PLS2003c#1021003e#102021002160720050403/1056LDPC 패리티 펑처링 블록은 PLS1 데이터 및 PLS2 데이터에 대해 펑처링을 수행할 수 있다.쇼트닝이 PLS1 데이터 보호에 적용되면, 일부 LDPC 패리티 비트는 LDPC 인코딩 후에 펑처링된다. 또한, PLS2 데이터 보호를 위해, PLS2의 LDPC 패리티 비트가 LDPC 인코딩 후에 펑처링된다. 이들 펑처링된 비트는 전송되지 않는다.비트 인터리버(6010)는 각각의 쇼트닝 및 펑처링된 PLS1 데이터 및 PLS2 데이터를 인터리빙할 수 있다.컨스텔레이션 매퍼(6020)는 비트 인터리빙된 PLS1 데이터 및 PLS2 데이터를 컨스텔레이션에 매핑할 수 있다.전술한 블록은 생략되거나 유사 또는 동일 기능을 갖는 블록으로 대체될 수 있다.도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 빌딩 블록(frame building block)을 나타낸다.도 7에 도시한 프레임 빌딩 블록은 도 1을 참조하여 설명한 프레임 빌딩 블록(1020)의 일 실시예에 해당한다.도 7을 참조하면, 프레임 빌딩 블록은 딜레이 컴펜세이션(delay compensation, 지연보상) 블록(7000), 셀 매퍼 (cell mapper) (7010), 및 프리퀀시 인터리버 (frequency interleaver) (7020)를 포함할 수 있다. 프레임 빌딩 블록의 각 블록에 관해 설명한다.딜레이 컴펜세이션(delay compensation, 지연보상) 블록(7000)은 데이터 파이프와 해당하는 PLS 데이터 사이의 타이밍을 조절하여 송신기 측에서 데이터 파이프와 해당하는 PLS 데이터 간의 동시성(co-time)을 보장할 수 있다. 인풋 포맷 블록 및 BICM 블록으로 인한 데이터 파이프의 지연을 다룸으로써 PLS 데이터는 데이터 파이프만큼 지연된다. BICM 블록의 지연은 주로 타임 인터리버(5050)로 인한 것이다. 인 밴드(In-band) 시그널링 데이터는 다음 타임 인터리빙 그룹의 정보를 시그널링될 데이터 파이프보다 하나의 프레임 앞서 전달되도록 할 수 있다. 딜레이 컴펜세이션(delay compensation, 지연보상) 블록은 그에 맞추어 인 밴드(In-band) 시그널링 데이터를 지연시킨다. 셀 매퍼(7010)는 PLS, EAC, FIC, 데이터 파이프, 보조 스트림, 및 더미 셀을 프레임 내에서 OFDM 심볼의 액티브(active) 캐리어에 매핑할 수 있다. 셀 매퍼(7010)의 기본 기능은 각각의 데이터 파이프, PLS 셀, 및 EAC/FIC 셀에 대한 타임 인터리빙에 의해 생성된 데이터 셀을, 존재한다면, 하나의 프레임 내에서 각각의 OFDM 심볼에 해당하는 액티브(active) OFDM 셀의 어레이에 매핑하는 것이다. (PSI(program specific information)/SI와 같은) 서비스 시그널링 데이터는 개별적으로 수집되어 데이터 파이프에 의해 보내질 수 있다. 셀 매퍼는 프레임 구조의 구성 및 스케줄러에 의해 생성된 다이나믹 인포메이션(dynamic information, 동적 정보)에 따라 동작한다. 프레임에 관한 자세한 내용은 후술한다.주파수 인터리버(7020)는 셀 매퍼(7010)로부터 의해 수신된 데이터 셀을 랜덤하게 인터리빙하여 주파수 다이버시티를 제공할 수 있다. 또한, 주파수 인터리버(7020)는 단일 프레임에서 최대의 인터리빙 이득을 얻기 위해 다른 인터리빙 시드(seed) 순서를 이용하여 두 개의 순차적인 OFDM 심볼로 구성된 OFDM 심볼 페어(pair, 쌍)에서 동작할 수 있다.전술한 블록은 생략되거나 유사 또는 동일 기능을 갖는 블록으로 대체될 수 있다.도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 OFDM 제너레이션 블록을 나타낸다.도 8에 도시된 OFDM 제너레이션 블록은 도 1을 참조하여 설명한 OFDM 제너레이션 블록(1030)의 일 실시예에 해당한다.OFDM 제너레이션 블록은 프레임 빌딩 블록에 의해 생성된 셀에 의해 OFDM 캐리어를 변조하고, 파일럿을 삽입하고, 전송을 위한 시간 영역 신호를 생성한다. 또한, 해당 블록은 순차적으로 가드 인터벌을 삽입하고, PAPR 감소 처리를 적용하여 최종 RF 신호를 생성한다.도 8을 참조하면, OFDM 제너레이션 블록은 파일럿 및 리저브드 톤 삽입 블록 (pilot and revserved tone insertion block) (8000), 2D-eSFN (single frequency network) 인코딩 블록(8010), IFFT (inverse fast Fourier transform) 블록(8020), PAPR 감소 블록(8030), 가드 인터벌 삽입 블록 (guard interval insertion block)(8040), 프리앰블 삽입 블록 (preamble insertion block)(8050), 기타 시스템 삽입 블록(8060), 및 DAC 블록(8070)을 포함할 수 있다. 디스크립션은 프레임 빌딩 블록의 각각의 블록에 대하여 주어질 것이다.파일럿 및 리저브드 톤 삽입 블록(8000)은 파일럿들에 삽입하거나, 리저브드 톤에 삽입할 수 있다.OFDM 심볼 내 복수의 셀들은 수신기에 선험적으로 알려진 값들을 전송하는 파일럿들로 알려진 참조 정보와 함께 모듈레이션된다. 파일럿 셀들의 정보는 스캐터드 파일럿, 컨티뉴얼 파일럿, 엣지 파일럿, FSS(frame signaling symbol) 파일럿 및 FES(frame edge symbol) 파일럿으로 구성된다. 각각의 파일럿은 파일럿 타입 및 파일럿 패턴에 따른 특정 부스티드 파워 레벨로 전송된다. 파일럿 정보의 값은 주어진 어느 심볼의 전달자를 전송하기 위한 값들의 시리즈인 참조 시퀀스로부터 유도된다. 파일럿들은 프레임 동기화, 프리퀀시 동기화, 타임 동기화, 채널 측정, 및 전송 모드 식별을 위해 사용될 수 있으며, 또한, 다음의 페이즈 노이즈에 사용될 수 있다.참조 시퀀스로부터 획득되는 참조 정보는 프레임의 FSS, FES 및 프리엠블을 제외한 모든 심볼 내 스캐터드 파일럿 셀들을 통해 전송된다. 컨티뉴얼 파일럿들은 프레임의 모든 심볼에 삽입된다. 컨티뉴얼 파일럿들의 위치 및 수는 FFT 크기 및 스캐터드 파일럿 패턴 모두에 의존한다. 엣지 캐리어들은 프리앰블 심볼을 제외한 모든 심볼 내 엣지 파일럿들이다. 그들은 스펙트럼의 엣지까지의 주파수 보간을 허용하기 위해 삽입된다. FSS 파일럿들은 FSS에 삽입되고, FES 파일럿들은 FES에 삽입된다. 그들은 프레임의 엣지까지의 타임 보간을 허용하기 위해 삽입된다.본 발명의 일 실시 예에 따른 시스템은 분산된 MISO 방식을 선택적으로 매우 강력한 전송 모드를 지원하기 위해 사용되는 SFN 네트워크를 지원한다. 2D-eSFN은 SFN 네트워크에서 다른 트랜스미터 사이트에 위치한 각각의 멀티플 Tx 안테나들을 사용하는 분산된 MISO 방식이다.2D-eSFN 인코딩 블록(8010)은 SFN 구성에서 타임 및 주파수 상이 모두를 창조하기 위한 복수의 전송기들로부터 전송되는 신호들의 페이즈를 왜곡하기 위한 2D-eSFN 프로세싱을 처리할 수 있다. 따라서, 롱 타임을 위한 로우 플랫 페이딩 또는 딥-페이딩에 기인하는 버스트 에러가 완화될 수 있다.IFFT 블록(8020)은 2D-eSFN 인코딩 블록(8010)으로부터의 출력을 변조할 수 있다. 파일럿으로(또는 리저브드 톤으로) 설계된 데이터 심볼의 하나의 셀은 주파수 인터리버로부터 데이터 셀 중 하나를 운반한다. 셀들은 OFDM 캐리어들에 매핑된다.PAPR 리덕션 블록(8030)은 타임 도메인에서 다양한 PAPR 리덕션 알고리즘을 사용하는 인풋 시그널의 PAPR 리덕션을 수행한다.가드 인터벌 삽입 블록(8040)은 가드 인터벌에 삽입될 수 있고, 프리앰블 삽입 블록은 시그널의 앞 프리앰블에 삽입될 수 있다. 프리앰블의 구조에 관한 자세한 설명은 후술한다. 기타 시스템 삽입 블록(8060)은 방송 서비스를 제공하는 둘 이상의 서로 다른 방송 송신/수신 시스템의 데이터가 동일한 RF 신호 대역에서 동시에 전송될 수 있도록 시간 영역에서 복수의 방송 송신/수신 시스템의 신호를 멀티플렉싱 할 수 있다. 이 경우, 둘 이상의 서로 다른 방송 송신/수신 시스템은 서로 다른 방송 서비스를 제공하는 시스템을 말한다. 서로 다른 방송 서비스는 지상파 방송 서비스, 모바일 방송 서비스 등을 의미할 수 있다. 각각의 방송 서비스와 관련된 데이터는 다른 프레임을 통해 전송될 수 있다.DAC 블록(8070)은 인풋 디지털 시그널을 아날로그 시그널로 변환하고, 아날로그 시그널을 출력할 수 있다. DAC 블록(8070)으로부터의 시그널 출력은 피지컬 레리어 프로파일들에 따른 멀티 출력 안테나들을 통해 전송될 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 Tx 안테나는 수직 또는 수평의 폴라리티를 가질 수 있다.상술한 블록들은 디자인에 따른 동일한 또는 비슷한 기능을 가지는 블록들에 의해 대체되거나 생략될 수 있다.도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 차세대 방송 서비스에 대한 방송 신호 수신 장치의 구조를 나타낸다.본 발명의 일 실시예에 따른 차세대 방송 서비스에 대한 방송 신호 수신 장치는 도 1을 참조하여 설명한 차세대 방송 서비스에 대한 방송 신호 송신 장치에 대응할 수 있다.본 발명의 일 실시예에 따른 차세대 방송 서비스에 대한 방송 신호 수신 장치는 동기 및 복조 모듈 (synchronization 0026# demodulation module) (9000), 프레임 파싱 모듈 (frame parsing module) (9010), 디매핑 및 디코딩 모듈 (demapping 0026# decoding module) (9020), 출력 프로세서 (output processor) (9030), 및 시그널링 디코딩 모듈 (signaling decoding module) (9040)을 포함할 수 있다. 방송 신호 수신 장치의 각 모듈의 동작에 대해 설명한다.동기 및 복조 모듈(9000)은 m개의 수신 안테나를 통해 입력 신호를 수신하고, 방송 신호 수신 장치에 해당하는 시스템에 대해 신호 검출 및 동기화를 실행하고, 방송 신호 송신 장치에 의해 실행되는 절차의 역과정에 해당하는 복조를 실행할 수 있다.프레임 파싱 모듈(9010)은 입력 신호 프레임을 파싱하고, 사용자에 의해 선택된 서비스가 전송되는 데이터를 추출할 수 있다. 방송 신호 송신 장치가 인터리빙을 실행하면, 프레임 파싱 모듈(9010)은 인터리빙의 역과정에 해당하는 디인터리빙을 실행할 수 있다. 이 경우, 추출되어야 하는 신호 및 데이터의 위치가 시그널링 디코딩 모듈(9040)로부터 출력된 데이터를 디코딩함으로써 획득되어, 방송 신호 송신 장치에 의해 생성된 스케줄링 정보가 복원될 수 있다.디매핑 및 디코딩 모듈(9020)은 입력 신호를 비트 영역 데이터로 변환한 후, 필요에 따라 비트 영역 데이터들을 디인터리빙할 수 있다. 디매핑 및 디코딩 모듈(9020)은 전송 효율을 위해 적용된 매핑에 대한 디매핑을 실행하고, 디코딩을 통해 전송 채널에서 발생한 에러를 정정할 수 있다. 이 경우, 디매핑 및 디코딩 모듈(9020)은 시그널링 디코딩 모듈(9040)로부터 출력된 데이터를 디코딩함으로써 디매핑 및 디코딩을 위해 필요한 전송 파라미터를 획득할 수 있다.출력 프로세서(9030)는 전송 효율을 향상시키기 위해 방송 신호 송신 장치에 의해 적용되는 다양한 압축/신호 처리 절차의 역과정을 실행할 수 있다. 이 경우, 출력 프로세서(9030)는 시그널링 디코딩 모듈(9040)로부터 출력된 데이터에서 필요한 제어 정보를 획득할 수 있다. 출력 프로세서(8300)의 출력은 방송 신호 송신 장치에 입력되는 신호에 해당하고, MPEG-TS, IP 스트림 (v4 또는 v6) 및 GS일 수 있다.시그널링 디코딩 모듈(9040)은 동기 및 복조 모듈(9000)에 의해 복조된 신호로부터 PLS 정보를 획득할 수 있다. 전술한 바와 같이, 프레임 파싱 모듈(9010), 디매핑 및 디코딩 모듈(9200), 출력 프로세서(9300)는 시그널링 디코딩 모듈(9040)로부터 출력된 데이터를 이용하여 그 기능을 실행할 수 있다.도 10는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 구조를 나타낸다.도 10는 프레임 타임의 구성예 및 슈퍼 프레임에서의 FRU (frame repetition unit, 프레임 반복 단위)를 나타낸다. (a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 슈퍼 프레임을 나타내고, (b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 FRU를 나타내고, (c)는 FRU에서의 다양한 피지컬 프로파일(PHY profile)의 프레임을 나타내고, (d)는 프레임의 구조를 나타낸다.슈퍼 프레임은 8개의 FRU로 구성될 수 있다. FRU는 프레임의 TDM에 대한 기본 멀티플렉싱 단위이고, 슈퍼 프레임에서 8회 반복된다.FRU에서 각 프레임은 피지컬 프로파일(베이스, 핸드헬드, 어드벤스 프로파일) 중 하나 또는 FEF에 속한다. FRU에서 프레임의 최대 허용수는 4이고, 주어진 피지컬 프로파일은 FRU에서 0회 내지 4회 중 어느 횟수만큼 나타날 수 있다(예를 들면, 베이스, 베이스, 핸드헬드, 어드벤스). 피지컬 프로파일 정의는 필요시 프리앰블에서의 PHY_PROFILE의 리저브드 값을 이용하여 확장될 수 있다.FEF 부분은 포함된다면 FRU의 끝에 삽입된다. FEF가 FRU에 포함되는 경우, FEF의 최대수는 슈퍼 프레임에서 8이다. FEF 부분들이 서로 인접할 것이 권장되지 않는다.하나의 프레임은 다수의 OFDM 심볼 및 프리앰블로 더 분리된다. (d)에 도시한 바와 같이, 프레임은 프리앰블, 하나 이상의 FSS, 노멀 데이터 심볼, FES를 포함한다.프리앰블은 고속 퓨처캐스트 UTB 시스템 신호 검출을 가능하게 하고, 신호의 효율적인 송신 및 수신을 위한 기본 전송 파라미터의 집합을 제공하는 특별한 심볼이다. 프리앰블에 대한 자세한 내용은 후술한다.FSS의 주된 목적은 PLS 데이터를 전달하는 것이다. 고속 동기화 및 채널 추정을 위해, 이에 따른 PLS 데이터의 고속 디코딩을 위해, FSS는 노멀 데이터 심볼보다 고밀도의 파일럿 패턴을 갖는다. FES는 FSS와 완전히 동일한 파일럿을 갖는데, 이는 FES에 바로 앞서는 심볼에 대해 외삽(extrapolation) 없이 FES 내에서의 주파수만의 인터폴레이션(interpolation, 보간) 및 시간적 보간(temporal interpolation)을 가능하게 한다.도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임의 시그널링 계층 구조(signaling hierarchy structure) 를 나타낸다.도 11은 시그널링 계층 구조를 나타내는데, 이는 세 개의 주요 부분인 프리앰블 시그널링 데이터(11000), PLS1 데이터(11010), 및 PLS2 데이터(11020)로 분할된다. 매 프레임마다 프리앰블 신호에 의해 전달되는 프리앰블의 목적은 프레임의 기본 전송 파라미터 및 전송 타입을 나타내는 것이다. PLS1은 수신기가 관심 있는 데이터 파이프에 접속하기 위한 파라미터를 포함하는 PLS2 데이터에 접속하여 디코딩할 수 있게 한다. PLS2는 매 프레임마다 전달되고, 두 개의 주요 부분인 PLS2-STAT 데이터와 PLS2-DYN 데이터로 분할된다. PLS2 데이터의 스태틱(static, 정적) 및 다이나믹(dynamic, 동적) 부분에는 필요시 패딩이 뒤따른다.도 12은 본 발명의 일 실시예에 따른 프리앰블 시그널링 데이터를 나타낸다.프리앰블 시그널링 데이터는 수신기가 프레임 구조 내에서 PLS 데이터에 접속하고 데이터 파이프를 추적할 수 있게 하기 위해 필요한 21비트의 정보를 전달한다. 프리앰블 시그널링 데이터에 대한 자세한 내용은 다음과 같다.PHY_PROFILE: 해당 3비트 필드는 현 프레임의 피지컬 프로파일 타입을 나타낸다. 서로 다른 피지컬 프로파일 타입의 매핑은 아래 표 5에 주어진다.값피지컬 프로파일000베이스 프로파일001핸드헬드 프로파일010어드벤스 프로파일011~110리저브드111FEFFFT_SIZE: 해당 2비트 필드는 아래 표 6에서 설명한 바와 같이 프레임 그룹 내에서 현 프레임의 FFT 사이즈를 나타낸다.ValueFFT 사이즈008K FFT0116K FFT1032K FFT11리저브드GI_FRACTION: 해당 3비트 필드는 아래 표 7에서 설명한 바와 같이 현 슈퍼 프레임에서의 가드 인터벌 일부(fraction) 값을 나타낸다.값GI_FRACTION0001/50011/100101/200111/401001/801011/160110~111리저브드EAC_FLAG: 해당 1비트 필드는 EAC가 현 프레임에 제공되는지 여부를 나타낸다. 해당 필드가 1로 설정되면, EAS가 현 프레임에 제공된다. 해당 필드가 0으로 설정되면, EAS가 현 프레임에서 전달되지 않는다. 해당 필드는 슈퍼 프레임 내에서 다이나믹(dynamic, 동적)으로 전환될 수 있다.PILOT_MODE: 해당 1비트 필드는 현 프레임 그룹에서 현 프레임에 대해 파일럿 모드가 모바일 모드인지 또는 고정 모드인지 여부를 나타낸다. 해당 필드가 0으로 설정되면, 모바일 파일럿 모드가 사용된다. 해당 필드가 1로 설정되면, 고정 파일럿 모드가 사용된다.PAPR_FLAG: 해당 1비트 필드는 현 프레임 그룹에서 현 프레임에 대해 PAPR 감소가 사용되는지 여부를 나타낸다. 해당 필드가 1로 설정되면, 톤 예약(tone reservation)이 PAPR 감소를 위해 사용된다. 해당 필드가 0으로 설정되면, PAPR 감소가 사용되지 않는다.FRU_CONFIGURE: 해당 3비트 필드는 현 슈퍼 프레임에서 존재하는 FRU의 피지컬 프로파일 타입 구성을 나타낸다. 현 슈퍼 프레임에서 모든 프리앰블에서의 해당 필드에서, 현 슈퍼 프레임에서 전달되는 모든 프로파일 타입이 식별된다. 해당 3비트 필드는 아래 표 8에 나타낸 바와 같이 각각의 프로파일에 대해 다르게 정의된다.커런트(current) PHY_PROFILE = '000' (베이스)커런트(current)PHY_PROFILE = '001' (핸드헬드)커런트(current) PHY_PROFILE = '010' (어드벤스)커런트(current) PHY_PROFILE = '111' (FEF)FRU_CONFIGURE = 000베이스 프로파일만 존재핸드헬드 프로파일만 존재어드벤스 프로파일만 존재FEF만 존재FRU_CONFIGURE = 1XX핸드헬드 프로파일 존재베이스 프로파일 존재베이스 프로파일 존재베이스 프로파일 존재FRU_CONFIGURE = X1X어드벤스 프로파일 존재어드벤스 프로파일 존재핸드헬드 프로파일 존재핸드헬드 프로파일 존재FRU_CONFIGURE = XX1FEF 존재FEF 존재FEF 존재어드벤스 프로파일 존재RESERVED: 해당 7비트 필드는 추후 사용을 위해 리저브드(reserved)된다.도 13는 본 발명의 일 실시예에 따른 PLS1 데이터를 나타낸다.PLS1 데이터는 PLS2의 수신 및 디코딩을 가능하게 하기 위해 필요한 파라미터를 포함한 기본 전송 파라미터를 제공한다. 전술한 바와 같이, PLS1 데이터는 하나의 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 변화하지 않는다. PLS1 데이터의 시그널링 필드의 구체적인 정의는 다음과 같다.PREAMBLE_DATA: 해당 20비트 필드는 EAC_FLAG를 제외한 프리앰블 시그널링 데이터의 카피이다.NUM_FRAME_FRU: 해당 2비트 필드는 FRU당 프레임 수를 나타낸다.PAYLOAD_TYPE: 해당 3비트 필드는 프레임 그룹에서 전달되는 페이로드 데이터의 포맷을 나타낸다. PAYLOAD_TYPE은 표 9에 나타낸 바와 같이 시그널링 된다.값페이로드 타입1XXTS가 전송됨X1XIP 스트림이 전송됨XX1GS가 전송됨NUM_FSS: 해당 2비트 필드는 현 프레임에서 FSS의 수를 나타낸다.SYSTEM_VERSION: 해당 8비트 필드는 전송되는 신호 포맷의 버전을 나타낸다. SYSTEM_VERSION은 주 버전 및 부 버전의 두 개의 4비트 필드로 분리된다.주 버전: SYSTEM_VERSION 필드의 MSB인 4비트는 주 버전 정보를 나타낸다. 주 버전 필드에서의 변화는 호환이 불가능한 변화를 나타낸다. 디폴트 값은 0000이다. 해당 표준에서 서술된 버전에 대해, 값이 0000으로 설정된다.부 버전: SYSTEM_VERSION 필드의 LSB인 4비트는 부 버전 정보를 나타낸다. 부 버전 필드에서의 변화는 호환이 가능하다.CELL_ID: 이는 ATSC 네트워크에서 지리적 셀을 유일하게 식별하는 16비트 필드이다. ATSC 셀 커버리지는 퓨처캐스트 UTB 시스템당 사용되는 주파수 수에 따라 하나 이상의 주파수로 구성될 수 있다. CELL_ID의 값이 알려지지 않거나 특정되지 않으면, 해당 필드는 0으로 설정된다.NETWORK_ID: 이는 현 ATSC 네트워크를 유일하게 식별하는 16비트 필드이다.SYSTEM_ID: 해당 16비트 필드는 ATSC 네트워크 내에서 퓨처캐스트 UTB 시스템을 유일하게 식별한다. 퓨처캐스트 UTB 시스템은 입력이 하나 이상의 입력 스트림(TS, IP, GS)이고 출력이 RF 신호인 지상파 방송 시스템이다. 퓨처캐스트 UTB 시스템은 존재한다면 FEF 및 하나 이상의 피지컬 프로파일을 전달한다. 동일한 퓨처캐스트 UTB 시스템은 서로 다른 입력 스트림을 전달하고 서로 다른 지리적 영역에서 서로 다른 RF를 사용할 수 있어, 로컬 서비스 삽입을 허용한다. 프레임 구조 및 스케줄링은 하나의 장소에서 제어되고, 퓨처캐스트 UTB 시스템 내에서 모든 전송에 대해 동일하다. 하나 이상의 퓨처캐스트 UTB 시스템은 모두 동일한 피지컬 구조 및 구성을 갖는다는 동일한 SYSTEM_ID 의미를 가질 수 있다.다음의 루프(loop)는 각 프레임 타입의 길이 및 FRU 구성을 나타내는 FRU_PHY_PROFILE, FRU_FRAME_LENGTH, FRU_GI_FRACTION, RESERVED로 구성된다. 루프(loop) 사이즈는 FRU 내에서 4개의 피지컬 프로파일(FEF 포함)이 시그널링되도록 고정된다. NUM_FRAME_FRU가 4보다 작으면, 사용되지 않는 필드는 제로로 채워진다.FRU_PHY_PROFILE: 해당 3비트 필드는 관련된 FRU의 (i+1)번째 프레임(i는 루프(loop) 인덱스)의 피지컬 프로파일 타입을 나타낸다. 해당 필드는 표 8에 나타낸 것과 동일한 시그널링 포맷을 사용한다.FRU_FRAME_LENGTH: 해당 2비트 필드는 관련된 FRU의 (i+1)번째 프레임의 길이를 나타낸다. FRU_GI_FRACTION와 함께 FRU_FRAME_LENGTH를 사용하면, 프레임 듀레이션의 정확한 값이 얻어질 수 있다.FRU_GI_FRACTION: 해당 3비트 필드는 관련된 FRU의 (i+1)번째 프레임의 가드 인터벌 일부 값을 나타낸다. FRU_GI_FRACTION은 표 7에 따라 시그널링 된다.RESERVED: 해당 4비트 필드는 추후 사용을 위해 리저브드(reserved)된다.다음의 필드는 PLS2 데이터를 디코딩하기 위한 파라미터를 제공한다.PLS2_FEC_TYPE: 해당 2비트 필드는 PLS2 보호에 의해 사용되는 FEC 타입을 나타낸다. FEC 타입은 표 10에 따라 시그널링 된다. LDPC 코드에 대한 자세한 내용은 후술한다.콘텐트PLS2 FEC 타입004K-1/4 및 7K-3/10 LDPC 코드01 ~ 11리저브드(reserved)PLS2_MOD: 해당 3비트 필드는 PLS2에 의해 사용되는 변조 타입을 나타낸다. 변조 타입은 표 11에 따라 시그널링 된다.값PLS2_MODE000BPSK001QPSK010QAM-16011NUQ-64100~111리저브드(reserved)PLS2_SIZE_CELL: 해당 15비트 필드는 현 프레임 그룹에서 전달되는 PLS2에 대한 모든 코딩 블록의 사이즈(QAM 셀의 수로 특정됨)인 Ctotal_partial_block를 나타낸다. 해당 값은 현 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다.PLS2_STAT_SIZE_BIT: 해당 14비트 필드는 현 프레임 그룹에 대한 PLS2-STAT의 사이즈를 비트수로 나타낸다. 해당 값은 현 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다.PLS2_DYN_SIZE_BIT: 해당 14비트 필드는 현 프레임 그룹에 대한 PLS2-DYN의 사이즈를 비트수로 나타낸다. 해당 값은 현 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다.PLS2_REP_FLAG: 해당 1비트 플래그는 PLS2 반복 모드가 현 프레임 그룹에서 사용되는지 여부를 나타낸다. 해당 필드의 값이 1로 설정되면, PLS2 반복 모드는 활성화된다. 해당 필드의 값이 0으로 설정되면, PLS2 반복 모드는 비활성화된다.PLS2_REP_SIZE_CELL: 해당 15비트 필드는 PLS2 반복이 사용되는 경우 현 프레임 그룹의 매 프레임마다 전달되는 PLS2에 대한 부분 코딩 블록의 사이즈(QAM 셀의 수로 특정됨)인 Ctotal_partial_block를 나타낸다. 반복이 사용되지 않는 경우, 해당 필드의 값은 0과 동일하다. 해당 값은 현 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다.PLS2_NEXT_FEC_TYPE: 해당 2비트 필드는 다음 프레임 그룹의 매 프레임에서 전달되는 PLS2에 사용되는 FEC 타입을 나타낸다. FEC 타입은 표 10에 따라 시그널링 된다.PLS2_NEXT_MOD: 해당 3비트 필드는 다음 프레임 그룹의 매 프레임에서 전달되는 PLS2에 사용되는 변조 타입을 나타낸다. 변조 타입은 표 11에 따라 시그널링 된다.PLS2_NEXT_REP_FLAG: 해당 1비트 플래그는 PLS2 반복 모드가 다음 프레임 그룹에서 사용되는지 여부를 나타낸다. 해당 필드의 값이 1로 설정되면, PLS2 반복 모드는 활성화된다. 해당 필드의 값이 0으로 설정되면, PLS2 반복 모드는 비활성화된다.PLS2_NEXT_REP_SIZE_CELL: 해당 15비트 필드는 PLS2 반복이 사용되는 경우 다음 프레임 그룹의 매 프레임마다 전달되는 PLS2에 대한 전체 코딩 블록의 사이즈(QAM 셀의 수로 특정됨)인 Ctotal_full_block를 나타낸다. 다음 프레임 그룹에서 반복이 사용되지 않는 경우, 해당 필드의 값은 0과 동일하다. 해당 값은 현 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다.PLS2_NEXT_REP_STAT_SIZE_BIT: 해당 14비트 필드는 다음 프레임 그룹에 대한 PLS2-STAT의 사이즈를 비트수로 나타낸다. 해당 값은 현 프레임 그룹에서 일정하다.PLS2_NEXT_REP_DYN_SIZE_BIT: 해당 14비트 필드는 다음 프레임 그룹에 대한 PLS2-DYN의 사이즈를 비트수로 나타낸다. 해당 값은 현 프레임 그룹에서 일정하다.PLS2_AP_MODE: 해당 2비트 필드는 현 프레임 그룹에서 PLS2에 대해 추가 패리티가 제공되는지 여부를 나타낸다. 해당 값은 현 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다. 아래의 표 12는 해당 필드의 값을 제공한다. 해당 필드의 값이 00으로 설정되면, 현 프레임 그룹에서 추가 패리티가 PLS2에 대해 사용되지 않는다.값PLS2-AP 모드00추가 패리티가 제공되지 않음01AP1 모드10~11리저브드(reserved)PLS2_AP_SIZE_CELL: 해당 15비트 필드는 PLS2의 추가 패리티 비트의 사이즈(QAM 셀의 수로 특정됨)를 나타낸다. 해당 값은 현 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다.PLS2_NEXT_AP_MODE: 해당 2비트 필드는 다음 프레임 그룹의 매 프레임마다 PLS2 시그널링에 대해 추가 패리티가 제공되는지 여부를 나타낸다. 해당 값은 현 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다. 표 12는 해당 필드의 값을 정의한다.PLS2_NEXT_AP_SIZE_CELL: 해당 15비트 필드는 다음 프레임 그룹의 매 프레임마다 PLS2의 추가 패리티 비트의 사이즈(QAM 셀의 수로 특정됨)를 나타낸다. 해당 값은 현 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다.RESERVED: 해당 32비트 필드는 추후 사용을 위해 리저브드(reserved)된다.CRC_32: 전체 PLS1 시그널링에 적용되는 32비트 에러 검출 코드도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 PLS2 데이터를 나타낸다.도 14는 PLS2 데이터의 PLS2-STAT 데이터를 나타낸다. PLS2-STAT 데이터는 프레임 그룹 내에서 동일한 반면, PLS2-DYN 데이터는 현 프레임에 대해 특정한 정보를 제공한다.PLS2-STAT 데이터의 필드에 대해 다음에 구체적으로 설명한다.FIC_FLAG: 해당 1비트 필드는 FIC가 현 프레임 그룹에서 사용되는지 여부를 나타낸다. 해당 필드의 값이 1로 설정되면, FIC는 현 프레임에서 제공된다. 해당 필드의 값이 0으로 설정되면, FIC는 현 프레임에서 전달되지 않는다. 해당 값은 현 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다.AUX_FLAG: 해당 1비트 필드는 보조 스트림이 현 프레임 그룹에서 사용되는지 여부를 나타낸다. 해당 필드의 값이 1로 설정되면, 보조 스트림은 현 프레임에서 제공된다. 해당 필드의 값이 0으로 설정되면, 보조 프레임은 현 프레임에서 전달되지 않는다. 해당 값은 현 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다.NUM_DP: 해당 6비트 필드는 현 프레임 내에서 전달되는 데이터 파이프의 수를 나타낸다. 해당 필드의 값은 1에서 64 사이이고, 데이터 파이프의 수는 NUM_DP+1이다.DP_ID: 해당 6비트 필드는 피지컬 프로파일 내에서 유일하게 식별한다.DP_TYPE: 해당 3비트 필드는 데이터 파이프의 타입을 나타낸다. 이는 아래의 표 13에 따라 시그널링 된다.값데이터 파이프 타입000타입 1 데이터 파이프001타입 2 데이터 파이프010~111리저브드(reserved)DP_GROUP_ID: 해당 8비트 필드는 현 데이터 파이프가 관련되어 있는 데이터 파이프 그룹을 식별한다. 이는 수신기가 동일한 DP_GROUP_ID를 갖게 되는 특정 서비스와 관련되어 있는 서비스 컴포넌트의 데이터 파이프에 접속하는 데 사용될 수 있다.BASE_DP_ID: 해당 6비트 필드는 관리 계층에서 사용되는 (PSI/SI와 같은) 서비스 시그널링 데이터를 전달하는 데이터 파이프를 나타낸다. BASE_DP_ID에 의해 나타내는 데이터 파이프는 서비스 데이터와 함께 서비스 시그널링 데이터를 전달하는 노멀 데이터 파이프이거나, 서비스 시그널링 데이터만을 전달하는 전용 데이터 파이프일 수 있다.DP_FEC_TYPE: 해당 2비트 필드는 관련된 데이터 파이프에 의해 사용되는 FEC 타입을 나타낸다. FEC 타입은 아래의 표 14에 따라 시그널링 된다.값FEC_TYPE0016K LDPC0164K LDPC10 ~ 11리저브드(reserved)DP_COD: 해당 4비트 필드는 관련된 데이터 파이프에 의해 사용되는 코드 레이트(code rate)을 나타낸다. 코드 레이트(code rate)은 아래의 표 15에 따라 시그널링 된다.값코드 레이트(code rate)00005/1500016/1500107/1500118/1501009/15010110/15011011/15011112/15100013/151001 ~ 1111리저브드(reserved)DP_MOD: 해당 4비트 필드는 관련된 데이터 파이프에 의해 사용되는 변조를 나타낸다. 변조는 아래의 표 16에 따라 시그널링 된다.값변조0000QPSK0001QAM-160010NUQ-640011NUQ-2560100NUQ-10240101NUC-160110NUC-640111NUC-2561000NUC-10241001~1111리저브드(reserved)DP_SSD_FLAG: 해당 1비트 필드는 SSD 모드가 관련된 데이터 파이프에서 사용되는지 여부를 나타낸다. 해당 필드의 값이 1로 설정되면, SSD는 사용된다. 해당 필드의 값이 0으로 설정되면, SSD는 사용되지 않는다.다음의 필드는 PHY_PROFILE가 어드벤스 프로파일을 나타내는 010과 동일할 때에만 나타난다.DP_MIMO: 해당 3비트 필드는 어떤 타입의 MIMO 인코딩 처리가 관련된 데이터 파이프에 적용되는지 나타낸다. MIMO 인코딩 처리의 타입은 아래의 표 17에 따라 시그널링 된다.값MIMO 인코딩000FR-SM001FRFD-SM010~111리저브드(reserved)DP_TI_TYPE: 해당 1비트 필드는 타임 인터리빙의 타입을 나타낸다. 0의 값은 하나의 타임 인터리빙 그룹이 하나의 프레임에 해당하고 하나 이상의 타임 인터리빙 블록을 포함하는 것을 나타낸다. 1의 값은 하나의 타임 인터리빙 그룹이 하나보다 많은 프레임으로 전달되고 하나의 타임 인터리빙 블록만을 포함하는 것을 나타낸다.DP_TI_LENGTH: 해당 2비트 필드(허용된 값은 1, 2, 4, 8뿐이다)의 사용은 다음과 같은 DP_TI_TYPE 필드 내에서 설정되는 값에 의해 결정된다.DP_TI_TYPE의 값이 1로 설정되면, 해당 필드는 각각의 타임 인터리빙 그룹이 매핑되는 프레임의 수인 PI를 나타내고, 타임 인터리빙 그룹당 하나의 타임 인터리빙 블록이 존재한다 (NTI=1). 해당 2비트 필드로 허용되는 PI의 값은 아래의 표 18에 정의된다.DP_TI_TYPE의 값이 0으로 설정되면, 해당 필드는 타임 인터리빙 그룹당 타임 인터리빙 블록의 수 NTI를 나타내고, 프레임당 하나의 타임 인터리빙 그룹이 존재한다 (PI=1). 해당 2비트 필드로 허용되는 PI의 값은 아래의 표 18에 정의된다.2비트 필드PINTI0011012210431184DP_FRAME_INTERVAL: 해당 2비트 필드는 관련된 데이터 파이프에 대한 프레임 그룹 내에서 프레임 간격(IJUMP)을 나타내고, 허용된 값은 1, 2, 4, 8 (해당하는 2비트 필드는 각각 00, 01, 10, 11)이다. 프레임 그룹의 모든 프레임에 나타나지 않는 데이터 파이프에 대해, 해당 필드의 값은 순차적인 프레임 사이의 간격과 동일하다. 예를 들면, 데이터 파이프가 1, 5, 9, 13 등의 프레임에 나타나면, 해당 필드의 값은 4로 설정된다. 모든 프레임에 나타나는 데이터 파이프에 대해, 해당 필드의 값은 1로 설정된다.DP_TI_BYPASS: 해당 1비트 필드는 타임 인터리버(5050)의 가용성을 결정한다. 데이터 파이프에 대해 타임 인터리빙이 사용되지 않으면, 해당 필드 값은 1로 설정된다. 반면, 타임 인터리빙이 사용되면, 해당 필드 값은 0으로 설정된다.DP_FIRST_FRAME_IDX: 해당 5비트 필드는 현 데이터 파이프가 발생하는 슈퍼 프레임의 첫 번째 프레임의 인덱스를 나타낸다. DP_FIRST_FRAME_IDX의 값은 0에서 31 사이다.DP_NUM_BLOCK_MAX: 해당 10비트 필드는 해당 데이터 파이프에 대한 DP_NUM_BLOCKS의 최대값을 나타낸다. 해당 필드의 값은 DP_NUM_BLOCKS와 동일한 범위를 갖는다.DP_PAYLOAD_TYPE: 해당 2비트 필드는 주어진 데이터 파이프에 의해 전달되는 페이로드 데이터의 타입을 나타낸다. DP_PAYLOAD_TYPE은 아래의 표 19에 따라 시그널링 된다.값페이로드 타입00TS.01IP10GS11리저브드(reserved)DP_INBAND_MODE: 해당 2비트 필드는 현 데이터 파이프가 인 밴드(In-band) 시그널링 정보를 전달하는지 여부를 나타낸다. 인 밴드(In-band) 시그널링 타입은 아래의 표 20에 따라 시그널링 된다.값인 밴드 모드(In-band mode)00인 밴드(In-band) 시그널링이 전달되지 않음01INBAND-PLS만 전달됨10INBAND-ISSY만 전달됨11INBAND-PLS 및 INBAND-ISSY가 전달됨DP_PROTOCOL_TYPE: 해당 2비트 필드는 주어진 데이터 파이프에 의해 전달되는 페이로드의 프로토콜 타입을 나타낸다. 페이로드의 프로토콜 타입은 입력 페이로드 타입이 선택되면 아래의 표 21에 따라 시그널링 된다.값DP_PAYLOAD_TYPE이 TS인 경우DP_PAYLOAD_TYPE이 IP인 경우DP_PAYLOAD_TYPE이 GS인 경우00MPEG2-TSIPv4(Note)01리저브드(reserved)IPv6리저브드(reserved)10리저브드(reserved)리저브드(reserved)리저브드(reserved)11리저브드(reserved)리저브드(reserved)리저브드(reserved)DP_CRC_MODE: 해당 2비트 필드는 CRC 인코딩이 인풋 포맷 블록에서 사용되는지 여부를 나타낸다. CRC 모드는 아래의 표 22에 따라 시그널링 된다.값CRC 모드00사용되지 않음01CRC-8 10CRC-1611CRC-32 DNP_MODE: 해당 2비트 필드는 DP_PAYLOAD_TYPE이 TS ('00')로 설정되는 경우에 관련된 데이터 파이프에 의해 사용되는 널 패킷 삭제 모드를 나타낸다. DNP_MODE는 아래의 표 23에 따라 시그널링 된다. DP_PAYLOAD_TYPE이 TS ('00')가 아니면, DNP_MODE는 00의 값으로 설정된다.값널 패킷 삭제 모드00사용되지 않음01DNP-NORMAL10DNP-OFFSET 11리저브드(reserved)ISSY_MODE: 해당 2비트 필드는 DP_PAYLOAD_TYPE이 TS ('00')로 설정되는 경우에 관련된 데이터 파이프에 의해 사용되는 ISSY 모드를 나타낸다. ISSY_MODE는 아래의 표 24에 따라 시그널링 된다. DP_PAYLOAD_TYPE이 TS ('00')가 아니면, ISSY_MODE는 00의 값으로 설정된다.값ISSY 모드00사용되지 않음01ISSY-UP 10ISSY-BBF 11리저브드(reserved)HC_MODE_TS: 해당 2비트 필드는 DP_PAYLOAD_TYPE이 TS ('00')로 설정되는 경우에 관련된 데이터 파이프에 의해 사용되는 TS 헤더 압축 모드를 나타낸다. HC_MODE_TS는 아래의 표 25에 따라 시그널링 된다.값헤더 압축 모드00HC_MODE_TS 101HC_MODE_TS 210HC_MODE_TS 311HC_MODE_TS 4HC_MODE_IP: 해당 2비트 필드는 DP_PAYLOAD_TYPE이 IP ('01')로 설정되는 경우에 IP 헤더 압축 모드를 나타낸다. HC_MODE_IP는 아래의 표 26에 따라 시그널링 된다.값헤더 압축 모드00압축 없음01HC_MODE_IP 110~11리저브드(reserved)PID: 해당 13비트 필드는 DP_PAYLOAD_TYPE이 TS ('00')로 설정되고 HC_MODE_TS가 01 또는 10으로 설정되는 경우에 TS 헤더 압축을 위한 PID 수를 나타낸다.RESERVED: 해당 8비트 필드는 추후 사용을 위해 리저브드(reserved)된다.다음 필드는 FIC_FLAG가 1과 동일할 때만 나타난다.FIC_VERSION: 해당 8비트 필드는 FIC의 버전 넘버를 나타낸다.FIC_LENGTH_BYTE: 해당 13비트 필드는 FIC의 길이를 바이트 단위로 나타낸다.RESERVED: 해당 8비트 필드는 추후 사용을 위해 리저브드(reserved)된다.다음 필드는 AUX_FLAG가 1과 동일할 때만 나타난다.NUM_AUX: 해당 4비트 필드는 보조 스트림의 수를 나타낸다. 제로는 보조 스트림이 사용되지 않는 것을 나타낸다.AUX_CONFIG_RFU: 해당 8비트 필드는 추후 사용을 위해 리저브드(reserved)된다.AUX_STREAM_TYPE: 해당 4비트는 현 보조 스트림의 타입을 나타내기 위한 추후 사용을 위해 리저브드(reserved)된다.AUX_PRIVATE_CONFIG: 해당 28비트 필드는 보조 스트림을 시그널링 하기 위한 추후 사용을 위해 리저브드(reserved)된다.도 15는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 PLS2 데이터를 나타낸다.도 15는 PLS2 데이터의 PLS2-DYN을 나타낸다. PLS2-DYN 데이터의 값은 하나의 프레임 그룹의 듀레이션 동안 변화할 수 있는 반면, 필드의 사이즈는 일정하다.PLS2-DYN 데이터의 필드의 구체적인 내용은 다음과 같다.FRAME_INDEX: 해당 5비트 필드는 슈퍼 프레임 내에서 현 프레임의 프레임 인덱스를 나타낸다. 슈퍼 프레임의 첫 번째 프레임의 인덱스는 0으로 설정된다.PLS_CHANGE_COUNTER: 해당 4비트 필드는 구성이 변화하기 전의 슈퍼 프레임의 수를 나타낸다. 구성이 변화하는 다음 슈퍼 프레임은 해당 필드 내에서 시그널링 되는 값에 의해 나타낸다. 해당 필드의 값이 0000으로 설정되면, 이는 어떠한 예정된 변화도 예측되지 않는 것을 의미한다. 예를 들면, 1의 값은 다음 슈퍼 프레임에 변화가 있다는 것을 나타낸다.FIC_CHANGE_COUNTER: 해당 4비트 필드는 구성(즉, FIC의 콘텐츠)이 변화하기 전의 슈퍼 프레임의 수를 나타낸다. 구성이 변화하는 다음 슈퍼 프레임은 해당 필드 내에서 시그널링 되는 값에 의해 나타낸다. 해당 필드의 값이 0000으로 설정되면, 이는 어떠한 예정된 변화도 예측되지 않는 것을 의미한다. 예를 들면, 0001의 값은 다음 슈퍼 프레임에 변화가 있다는 것을 나타낸다.RESERVED: 해당 16비트 필드는 추후 사용을 위해 리저브드(reserved)된다.다음 필드는 현 프레임에서 전달되는 데이터 파이프와 관련된 파라미터를 설명하는 NUM_DP에서의 루프(loop)에 나타난다.DP_ID: 해당 6비트 필드는 피지컬 프로파일 내에서 데이터 파이프를 유일하게 나타낸다.DP_START: 해당 15비트 (또는 13비트) 필드는 DPU 어드레싱(addressing) 기법을 사용하여 데이터 파이프의 첫 번째의 시작 위치를 나타낸다. DP_START 필드는 아래의 표 27에 나타낸 바와 같이 피지컬 프로파일 및 FFT 사이즈에 따라 다른 길이를 갖는다.DP_NUM_BLOCK: 해당 10비트 필드는 현 데이터 파이프에 대한 현 타임 인터리빙 그룹에서 FEC 블록의 수를 나타낸다. DP_NUM_BLOCK의 값은 0에서 1023 사이에 있다.RESERVED: 해당 8비트 필드는 추후 사용을 위해 리저브드(reserved)된다.다음의 필드는 EAC와 관련된 FIC 파라미터를 나타낸다.EAC_FLAG: 해당 1비트 필드는 현 프레임에서 EAC의 존재를 나타낸다. 해당 비트는 프리앰블에서 EAC_FLAG와 같은 값이다.EAS_WAKE_UP_VERSION_NUM: 해당 8비트 필드는 자동 활성화 지시의 버전 넘버를 나타낸다.EAC_FLAG 필드가 1과 동일하면, 다음의 12비트가 EAC_LENGTH_BYTE 필드에 할당된다. EAC_FLAG 필드가 0과 동일하면, 다음의 12비트가 EAC_COUNTER에 할당된다.EAC_LENGTH_BYTE: 해당 12비트 필드는 EAC의 길이를 바이트로 나타낸다.EAC_COUNTER: 해당 12비트 필드는 EAC가 도달하는 프레임 전의 프레임의 수를 나타낸다.다음 필드는 AUX_FLAG 필드가 1과 동일한 경우에만 나타난다.AUX_PRIVATE_DYN: 해당 48비트 필드는 보조 스트림을 시그널링 하기 위한 추후 사용을 위해 리저브드(reserved)된다. 해당 필드의 의미는 설정 가능한 PLS2-STAT에서 AUX_STREAM_TYPE의 값에 의존한다.CRC_32: 전체 PLS2에 적용되는 32비트 에러 검출 코드.도 16는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임의 로지컬(logical) 구조를 나타낸다.전술한 바와 같이, PLS, EAC, FIC, 데이터 파이프, 보조 스트림, 더미 셀은 프레임에서 OFDM 심볼의 액티브(active) 캐리어에 매핑된다. PLS1 및 PLS2는 처음에 하나 이상의 FSS에 매핑된다. 그 후, EAC가 존재한다면 EAC 셀은 바로 뒤따르는 PLS 필드에 매핑된다. 다음에 FIC가 존재한다면 FIC 셀이 매핑된다. 데이터 파이프는 PLS 다음에 매핑되거나, EAC 또는 FIC가 존재하는 경우, EAC 또는 FIC 이후에 매핑된다. 타입 1 데이터 파이프가 처음에 매핑되고, 타입 2 데이터 파이프가 다음에 매핑된다. 데이터 파이프의 타입의 구체적인 내용은 후술한다. 일부 경우, 데이터 파이프는 EAS에 대한 일부 특수 데이터 또는 서비스 시그널링 데이터를 전달할 수 있다. 보조 스트림 또는 스트림은 존재한다면 데이터 파이프를 다음에 매핑되고 여기에는 차례로 더미 셀이 뒤따른다. 전술한 순서, 즉, PLS, EAC, FIC, 데이터 파이프, 보조 스트림, 및 더미 셀의 순서로 모두 함께 매핑하면 프레임에서 셀 용량을 정확히 채운다.도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 PLS 매핑을 나타낸다.PLS 셀은 FSS의 액티브(active) 캐리어에 매핑된다. PLS가 차지하는 셀의 수에 따라, 하나 이상의 심볼이 FSS로 지정되고, FSS의 수 NFSS는 PLS1에서의 NUM_FSS에 의해 시그널링된다. FSS는 PLS 셀을 전달하는 특수한 심볼이다. 경고성 및 지연 시간(latency)은 PLS에서 중대한 사안이므로, FSS는 높은 파일럿 밀도를 가지고 있어 고속 동기화 및 FSS 내에서의 주파수만의 인터폴레이션(interpoloation, 보간)을 가능하게 한다.PLS 셀은 도 17의 예에 나타낸 바와 같이 하향식으로 FSS의 액티브(active) 캐리어에 매핑된다. PLS1 셀은 처음에 첫 FSS의 첫 셀부터 셀 인덱스의 오름차순으로 매핑된다. PLS2 셀은 PLS1의 마지막 셀 직후에 뒤따르고, 매핑은 첫 FSS의 마지막 셀 인덱스까지 아래방향으로 계속된다. 필요한 PLS 셀의 총 수가 하나의 FSS의 액티브(active) 캐리어의 수를 초과하면, 매핑은 다음 FSS로 진행되고 첫 FSS와 완전히 동일한 방식으로 계속된다.PLS 매핑이 완료된 후, 데이터 파이프가 다음에 전달된다. EAC, FIC 또는 둘 다 현 프레임에 존재하면, EAC 및 FIC는PLS와 노멀 데이터 파이프 사이에 배치된다.도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 EAC 매핑을 나타낸다.EAC는 EAS 메시지를 전달하는 전용 채널이고 EAS에 대한 데이터 파이프에 연결된다. EAS 지원은 제공되지만, EAC 자체는 모든 프레임에 존재할 수도 있고 존재하지 않을 수도 있다. EAC가 존재하는 경우, EAC는 PLS2 셀의 직후에 매핑된다. PLS 셀을 제외하고 FIC, 데이터 파이프, 보조 스트림 또는 더미 셀 중 어느 것도 EAC 앞에 위치하지 않는다. EAC 셀의 매핑 절차는 PLS와 완전히 동일하다.EAC 셀은 도 18의 예에 나타낸 바와 같이 PLS2의 다음 셀부터 셀 인덱스의 오름차순으로 매핑된다. EAS 메시지 크기에 따라, 도 18에 나타낸 바와 같이 EAC 셀은 적은 심볼을 차지할 수 있다.EAC 셀은 PLS2의 마지막 셀 직후에 뒤따르고, 매핑은 마지막 FSS의 마지막 셀 인덱스까지 아래방향으로 계속된다. 필요한 EAC 셀의 총 수가 마지막 FSS의 남아 있는 액티브(active) 캐리어의 수를 초과하면, EAC 매핑은 다음 심볼로 진행되며, FSS와 완전히 동일한 방식으로 계속된다. 이 경우 EAC의 매핑이 이루어지는 다음 심볼은 노멀 데이터 심볼이고, 이는 FSS보다 더 많은 액티브(active) 캐리어를 갖는다.EAC 매핑이 완료된 후, 존재한다면 FIC가 다음에 전달된다. FIC가 전송되지 않으면(PLS2 필드에서 시그널링으로), 데이터 파이프가 EAC의 마지막 셀 직후에 뒤따른다.도 19은 본 발명의 일 실시예에 따른 FIC 매핑을 나타낸다.(a)는 EAC 없이 FIC 셀의 매핑의 예를 나타내고, (b)는 EAC와 함께 FIC 셀의 매핑의 예를 나타낸다.FIC는 고속 서비스 획득 및 채널 스캔을 가능하게 하기 위해 계층간 정보(cross-layer information)를 전달하는 전용 채널이다. 해당 정보는 주로 데이터 파이프 사이의 채널 바인딩 (channel binding) 정보 및 각 방송사의 서비스를 포함한다. 고속 스캔을 위해, 수신기는 FIC를 디코딩하고 방송사 ID, 서비스 수, BASE_DP_ID와 같은 정보를 획득할 수 있다. 고속 서비스 획득을 위해, FIC뿐만 아니라 베이스 데이터 파이프도 BASE_DP_ID를 이용해서 디코딩 될 수 있다. 베이스 데이터 파이프가 전송하는 콘텐트를 제외하고, 베이스 데이터 파이프는 노멀 데이터 파이프와 정확히 동일한 방식으로 인코딩되어 프레임에 매핑된다. 따라서, 베이스 데이터 파이프에 대한 추가 설명이 필요하지 않다. FIC 데이터가 생성되어 관리 계층에서 소비된다. FIC 데이터의 콘텐트는 관리 계층 사양에 설명된 바와 같다.FIC 데이터는 선택적이고, FIC의 사용은 PLS2의 스태틱(static, 정적)인 부분에서 FIC_FLAG 파라미터에 의해 시그널링 된다. FIC가 사용되면, FIC_FLAG는 1로 설정되고, FIC에 대한 시그널링 필드는 PLS2의 스태틱(static, 정적)인 부분에서 정의된다. 해당 필드에서 시그널링되는 것은 FIC_VERSION이고, FIC_LENGTH_BYTE. FIC는 PLS2와 동일한 변조, 코딩, 타임 인터리빙 파라미터를 사용한다. FIC는 PLS2_MOD 및 PLS2_FEC와 같은 동일한 시그널링 파라미터를 공유한다. FIC 데이터는 존재한다면 PLS2 후에 매핑되거나, EAC가 존재하는 경우 EAC 직후에 매핑된다. 노멀 데이터 파이프, 보조 스트림, 또는 더미 셀 중 어느 것도 FIC 앞에 위치하지 않는다. FIC 셀을 매핑하는 방법은 EAC와 완전히 동일하고, 이는 다시 PLS와 동일하다.PLS 후의 EAC가 존재하지 않는 경우, FIC 셀은 (a)의 예에 나타낸 바와 같이 PLS2의 다음 셀부터 셀 인덱스의 오름차순으로 매핑된다. FIC 데이터 사이즈에 따라, (b)에 나타낸 바와 같이, FIC 셀은 수 개의 심볼에 대해서 매핑된다.FIC 셀은 PLS2의 마지막 셀 직후에 뒤따르고, 매핑은 마지막 FSS의 마지막 셀 인덱스까지 아래방향으로 계속된다. 필요한 FIC 셀의 총 수가 마지막 FSS의 남아 있는 액티브(active) 캐리어의 수를 초과하면, 나머지 FIC 셀의 매핑은 다음 심볼로 진행되며 이는 FSS와 완전히 동일한 방식으로 계속된다. 이 경우, FIC가 매핑되는 다음 심볼은 노멀 데이터 심볼이며, 이는 FSS보다 더 많은 액티브(active) 캐리어를 갖는다.EAS 메시지가 현 프레임에서 전송되면, EAC는 FIC 보다 먼저 매핑되고 (b)에 나타낸 바와 같이 EAC의 다음 셀부터 FIC 셀은 셀 인덱스의 오름차순으로 매핑된다.FIC 매핑이 완료된 후, 하나 이상의 데이터 파이프가 매핑되고, 이후 존재한다면 보조 스트림, 더미 셀이 뒤따른다.도 20은 본 발명의 일 실시 예에 따른 DP 타입을 나타낸다.(a)는 type 1 DP를 나타내고, (b)는 type 2 DP를 나타낸다.앞의 채널, 즉, PLS, EAC, 및 FIC가 매핑되고, DP들의 셀들이 매핑된다. DP는 매핑 방법에 따라 두개 타입 중 하나로 카테고리화된다.Type 1 DP : DP는 TDM에 의해 매핑된다.Type 2 DP : DP는 FDM에 의해 매핑된다.PLS의 정적인 파트내 DP_TYPE 필드에 의해 DP의 타입이 지시된다. 도 20은 Type 1 DP들 및 Type 2 DP들의 매핑 순서를 나타낸다. Type 1 DP들은 먼저 셀 인덱스의 오름차순으로 매핑된고, 마지막 셀 인덱스에 도달하면, 심볼 인덱스는 1 증가된다. 다음 심볼에서, DP는 p = 0부터 시작하여 셀 인덱스의 오름차순으로 매핑이 계속된다. 하나의 프레임에서 다수의 DP들이 함께 매핑되고, Type 1 DP들 각각은 DP들의 TDM 멀티플렉싱과 비슷하게 시간에 따라 그룹핑된다. Type 2 DP들은 먼서 심볼 인덱스의 오름차순으로 매핑되고, 프레임의 마지막 OFDM 심볼에 도달한 뒤, 셀 인덱스는 1 증가하고, 심볼 인덱스는 처음 이용가능한 심볼로 돌아가고, 심볼 인섹스를 증가시킨다. 하나의 프레임 내 다수의 DP들을 매핑한 뒤, Type 2 DP들 각각은 DP들의 FMD 멀티플렉싱과 비슷하게 주파수에 따라 그룹핑된다.Type 1 DP들 및 Type 2 DP들은 하나의 제한이 필요로되면, 하나의 프레임에 공존할 수 있다. Type 1 DP들은 항상 Type 2 DP에 앞선다. Type 1 및 Type 2를 전송하는 OFDM 셀의 전체 수는 DP들의 전송을 위한 OFDM 셀들의 전체 수를 초과할 수 없다.[수학식 2]DDP1는 Type 1 DP들에 의해 점유된 OFDM 셀들의 숫자이다. DDP2는 Type 2 DP들에 의해 점유된 셀들의 숫자이다. PLS, EAC, FIC는 모두 Type 1 DP에 따라 동일한 방법으로 모두 매핑되기 때문에, 그들은 모두 "Type 1 매핑 룰"을 따르고, Type 1 매핑은 항상 Type 2 매핑에 선행된다.도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 DP 매핑을 나타낸다.(a)는 type 1 DP들 매핑을 위한 OFDM 셀의 주소지정을 나타내고, (b)는 type 2 DP를 위한 매핑을 위한 OFDM 셀들의 주소지정을 나타낸다.Type 1 DP들(0, …, DDP11) 매핑을 위한 OFDM 셀들의 주소지정은 type 1 DP들의 액티브 데이터 셀들을 위해 정의된다. 주소지정 스킴은 액티브 데이터 셀들에 의해 할다된 Type 1 DP들 각각을 위한 Tls로부터 셀들의 순서를 정의한다. 또한, 이것은 PLS2의 동적 부분 내 DP들의 위치를 시그널하는데 사용된다.EAC 및 FIC없이, 주소 0은 마지막 FSS내 PLS를 전송하는 마지막 셀을 즉시 따르는 셀을 참조한다. 만약, EAC가 전송되고, FIC가 대응되는 프레임내에 없다면, 주소 0은 EAC를 전송하는 마지막 셀을 즉시 따르는 셀을 참조한다. Type 1 DP들을 위한 주소 0은 (a)에 나타났듯이, 두개의 다른 케이스를 고려하여 계산될 수 있다. (a)를 예를 들면, PLS, EAC 및 FIC는 모두 전송되는 것으로 가정된다. EAC 및 FIC 중 하나 또는 모두가 생략된 경우에 확장이 쉽다. 만약 FIC로 모든 셀들을 매핑한뒤 FSS내 남아있는 셀들이 있다면 (a)의 왼쪽과 같이 나타낼 수 있다.Type 2 DP들(0, …, DDP21) 매핑을 위한 OFDM 셀들의 주소지정은 type 2 DP들의 액티브 데이터 셀들을 위해 정의된다. 주소지정 스킴은 액티브 데이터 셀들에 의해 할다된 Type 2 DP들 각각을 위한 Tls로부터 셀들의 순서를 정의한다. 또한, 이것은 PLS2의 동적 부분 내 DP들의 위치를 시그널하는데 사용된다.세가지 약간 다른 경우는 (b)에 나타난 것처럼 가능하다. (b)의 왼쪽에 나타난 첫번째 케이스의 경우, 마지막 FSS내 셀들은 type 2 매핑에 이용가능하다. 중간에 나타난 두번째 케이스의 경우, FIC는 일반적인 심볼의 셀들에 할당되나, FIC 셀들의 수는 CFSS보다 크지 않다. (b)의 오른쪽에 나타난 세번째 케이스의 경우, 심볼에 매핑된 FIC 셀들의 숫자가 CFSS를 초과한다는 것을 제외하고 두번째 케이스와 같다.PLS, EAC 및 FIC가 Type 1 예들 처럼 "type 1 매핑 룰"과 같기 때문에 Type 2 DP들을 선행하는 type 1 DP들의 케이스는 확장이 쉽다.DPU는 프레임내 DP들은 할당하기 위한 시그널링 유닛과 같이 정의된다. 셀 매퍼(7010)은 DP들 각각을 위한 TIs에 의해 생산된 셀들을 매핑할 수 있다. 타임 인터리버(5050)은 TI-블록의 시리즈 및 셀의 세트로 구성되는 XFECBLOCK들의 가변 숫자를 포함하는 TI-블록 각각을 출력한다. XFECBLOCK내 셀들의 숫자 Ncells는 FECBLOCK 크기, Nldpc,및 배치된 심볼당 전송된 비트의 수에 종속된다.DPU는 PHY 프로필에 지지되는 XFECBLOCK내 셀들의 숫자의 모든 가능한 값들의 최대 공약수로 정의된다. 셀 내 DPU의 길이는 LDPU로 정의된다. PHY 프로필 각각은 다른 FECBLOCK 크기의 결합 및 배치된 PHY 프로필에 기초하여 정의되는 LDPU , 심볼당 비트의 다른 수를 지지한다. 도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 FEC 구조를 나타낸다.도 22는 비트 인터리빙 전의 본 발명의 일 실시예에 따른 FEC 구조를 나타낸다. 전술한 바와 같이, 데이터 FEC 인코더는 외부 코딩(BCH) 및 내부 코딩(LDPC)을 이용하여 FECBLOCK 절차를 생성하기 위해 입력 BBF에 FEC 인코딩을 실행할 수 있다. 도시된 FEC 구조는 FECBLOCK에 해당한다. 또한, FECBLOCK 및 FEC 구조는 LDPC 코드워드의 길이에 해당하는 동일한 값을 갖는다.도 22에 도시된 바와 같이, BCH 인코딩이 각각의 BBF(Kbch 비트)에 적용된 후, LDPC 인코딩이 BCH - 인코딩된 BBF(Kldpc 비트 = Nbch 비트)에 적용된다.Nldpc의 값은 64800 비트 (롱 FECBLOCK) 또는 16200 비트 (쇼트 FECBLOCK)이다.아래의 표 28 및 표 29는 롱 FECBLOCK 및 쇼트 FECBLOCK 각각에 대한 FEC 인코딩 파라미터를 나타낸다.LDPC 비율NldpcKldpcKbchBCH 에러 정정 능력Nbch-Kbch5/15648002160021408121926/1525920257287/1530240300488/1534560343689/15388803868810/15432004300811/15475204732812/15518405164813/155616055968LDPC 비율NldpcKldpcKbchBCH 에러 정정 능력Nbch-Kbch5/151620054005232121686/15648063127/15756073928/15864084729/159720955210/15108001063211/15118801171212/15129601279213/151404013872BCH 인코딩 및 LDPC 인코딩의 구체적인 동작은 다음과 같다.12-에러 정정 BCH 코드가 BBF의 외부 인코딩에 사용된다. 쇼트 FECBLOCK 및 롱 FECBLOCK에 대한 BBF 생성 다항식은 모든 다항식을 곱함으로써 얻어진다.LDPC 코드는 외부 BCH 인코딩의 출력을 인코딩하는 데 사용된다. 완성된 Bldpc (FECBLOCK)를 생성하기 위해, Pldpc (패리티 비트)가 각각의 Ildpc (BCH - 인코딩된 BBF)로부터 조직적으로 인코딩되고, Ildpc에 첨부된다. 완성된 Bldpc (FECBLOCK)는 다음의 수학식으로 표현된다.[수학식 3]롱 FECBLOCK 및 쇼트 FECBLOCK에 대한 파라미터는 위의 표 28 및 29에 각각 주어진다.롱 FECBLOCK에 대해 Nldpc - Kldpc 패리티 비트를 계산하는 구체적인 절차는 다음과 같다.1) 패리티 비트 초기화[수학식 4]2) 패리티 체크 매트릭스의 어드레스의 첫 번째 행에서 특정된 패리티 비트 어드레스에서 첫 번째 정보 비트 i0 누산(accumulate). 패리티 체크 매트릭스의 어드레스의 상세한 내용은 후술한다. 예를 들면, 비율 13/15에 대해,[수학식 5]3) 다음 359개의 정보 비트 is, s=1, 2, …, 359에 대해, 다음의 수학식을 이용하여 패리티 비트 어드레스에서 is 누산(accumulate).[수학식 6]여기서, x는 첫 번째 비트 i0에 해당하는 패리티 비트 누산기의 어드레스를 나타내고, Qldpc는 패리티 체크 매트릭스의 어드레서에서 특정된 코드 레이트(code rate) 의존 상수이다. 상기 예인, 비율 13/15에 대한, 따라서 정보 비트 i1에 대한 Qldpc = 24에 계속해서, 다음 동작이 실행된다.[수학식 7]4) 361번째 정보 비트 i360에 대해, 패리티 비트 누산기의 어드레스는 패리티 체크 매트릭스의 어드레스의 두 번째 행에 주어진다. 마찬가지 방식으로, 다음 359개의 정보 비트 is, s= 361, 362, …, 719에 대한 패리티 비트 누산기의 어드레스는 수학식 6을 이용하여 얻어진다. 여기서, x는 정보 비트 i360에 해당하는 패리티 비트 누산기의 어드레스, 즉 패리티 체크 매트릭스의 두 번째 행의 엔트리를 나타낸다.5) 마찬가지 방식으로, 360개의 새로운 정보 비트의 모든 그룹에 대해, 패리티 체크 매트릭스의 어드레스로부터의 새로운 행은 패리티 비트 누산기의 어드레스를 구하는 데 사용된다.모든 정보 비트가 이용된 후, 최종 패리티 비트가 다음과 같이 얻어진다.6) i=1로 시작해서 다음 동작을 순차적으로 실행[수학식 8]여기서 pi, i=0,1,...Nldpc - Kldpc - 1의 최종 콘텐트는 패리티 비트 pi와 동일하다.코드 레이트(code rate)Qldpc5/151206/151087/15968/15849/157210/156011/154812/153613/1524표 30을 표 31로 대체하고, 롱 FECBLOCK에 대한 패리티 체크 매트릭스의 어드레스를 쇼트 FECBLOCK에 대한 패리티 체크 매트릭스의 어드레스로 대체하는 것을 제외하고, 쇼트 FECBLOCK에 대한 해당 LDPC 인코딩 절차는 롱 FECBLOCK에 대한 t LDPC 인코딩 절차에 따른다.코드 레이트(code rate)Qldpc5/15306/15277/15248/15219/151810/151511/151212/15913/156도 23은 본 발명의 일 실시 예에 따른 비트 인터리빙을 나타낸다.LDPC 인코더의 출력은 그룹내 인터리빙 및 QCB(Quasi-Cyclic Block)에 따른 패리티 인터리빙으로 구성되는 비트-인터리브된다.(a)는 QCB 인터리빙을 (b)는 그룹내 인터리빙을 나타낸다.FECBLOCK은 패리티 인터리브될 수 있다. 패리티 인터리빙의 출력에서, LDPC 코드워드는 180 롱 FECBLOCK내 이웃 QC 블록 및 숏 FECBLOCK내 45 이웃 QC 블록들로 구성된다. 롱 또는 숏 FECBLOCK 중 하나의 QC 블록 각각은 360 비트로 구성된다. 패리티 인터리브된 LDPC 코드워드는 QCB 인터리빙에 의해 인터리브된다. QCB 인터리빙의 유닛은 QC 블록이다. 패리티 인터리빙의 출력에 대한 QC 블록들은 FECBLOCK 길이를 따르는 Ncells =64800/ or 16200/에서 도 23에 도시된 QCB 인터리빙에 의해 변경된다. QCB 인터리빙 패턴은 모듈레이션 타입의 결합 및 LDPC 코드율 각각에 대하여 유일하다.QCB 인터리빙 후, 그룹내 인터리빙은 이하 테이블 32에 정의된 순서() 및 모듈레이션 타입에 따라 수행된다. 하나의 그룹내 QC 블록들의 수, NQCB_IG, 또한 정의된다.Modulation typeNQCB_IGQAM-1642NUC-1644NUQ-6463NUC-6466NUQ-25684NUC-25688NUQ-1024105NUC-10241010그룹내 인터리빙 프로세스는 QCB 인터리빙 출력의 QC 블록 NQCB_IG 과 함께 수행된다. 그룹내 인터리빙은 360열 및 NQCB_IG 행을 사용한 그룹내의 비트를 읽거나 쓰는 프로세스를 갖는다. 쓰기 동작에서, QCB 인터리빙 출력부터 비트들은 행-방향으로 쓰여진다. 읽기 동작이 수행되면 각각의 행으로부터 m 비트를 열-방향으로 읽는 것이 수행된다. M은 NUC의 1 및 NUQ의 2와 같다.도 24는 본 발명의 일 실시 예에 따른 셀-워드 디멀티플렉싱을 나타낸다.(a)는 8 및 12 bpcu MIMO에 대한 셀-워드 디멀티플렉싱을 나타내고, (b)는 10 bpcu MIMO를 위한 셀-워드 디멀티플렉싱을 나타낸다.각각의 비트 인터리빙 출력의 각각의 셀 워드(c0,l, c1,l, …, cnmod-1,l)는 하나의 XFECBLOCK을 위한 셀-워드 디멀티플렉싱 처리를 설명한 (a)에 도시된 바와 같이, (d1,0,m, d1,1,m…, d1,nmod-1,m) 및 (d2,0,m, d2,1,m…, d2,nmod-1,m)로 디멀티플렉싱된다.MIMO 인코딩을 위한 NUQ의 다른 타입을 이용하는 10 bpcu MIMO 케이스를 위하여, NUQ-1024를 위한 비트 인터리버가 재사용된다. 비트 인터리버 출력의 각각의 셀 워드 (c0,l, c1,l, …, c9,l)는 (b)에 도시된 바와 같이 (d1,0,m, d1,1,m…, d1,3,m) 및 (d2,0,m, d2,1,m…, d2,5,m)으로 디멀티플렉싱된다.도 25은 본 발명의 일 실시예에 따른 타임 인터리빙을 나타낸다.(a) 내지 (c)는 타임 인터리빙 모드의 예를 나타낸다.타임 인터리버는 데이터 파이프 레벨에서 동작한다. 타임 인터리빙의 파라미터는 각각의 데이터 파이프에 대해 다르게 설정될 수 있다.PLS2-STAT 데이터의 일부에 나타나는 다음의 파라미터는 타임 인터리빙을 구성한다.DP_TI_TYPE (허용된 값: 0 또는 1): 타임 인터리빙 모드를 나타낸다. 0은 타임 인터리빙 그룹당 다수의 타임 인터리빙 블록(하나 이상의 타임 인터리빙 블록)을 갖는 모드를 나타낸다. 이 경우, 하나의 타임 인터리빙 그룹은 하나의 프레임에 (프레임간 인터리빙 없이) 직접 매핑된다. 1은 타임 인터리빙 그룹당 하나의 타임 인터리빙 블록만을 갖는 모드를 나타낸다. 이 경우, 타임 인터리빙 블록은 하나 이상의 프레임에 걸쳐 확산된다(프레임간 인터리빙).DP_TI_LENGTH: DP_TI_TYPE = '0'이면, 해당 파라미터는 타임 인터리빙 그룹당 타임 인터리빙 블록의 수 NTI이다. DP_TI_TYPE = '1'인 경우, 해당 파라미터는 하나의 타임 인터리빙 그룹으로부터 확산되는 프레임의 수 PI이다.DP_NUM_BLOCK_MAX (허용된 값: 0 내지 1023): 타임 인터리빙 그룹당 XFECBLOCK의 최대 수를 나타낸다.DP_FRAME_INTERVAL (허용된 값: 1, 2, 4, 8): 주어진 피지컬 프로파일의 동일한 데이터 파이프를 전달하는 두 개의 순차적인 프레임 사이의 프레임의 수 IJUMP를 나타낸다.DP_TI_BYPASS (허용된 값: 0 또는 1): 타임 인터리빙이 데이터 프레임에 이용되지 않으면, 해당 파라미터는 1로 설정된다. 타임 인터리빙이 이용되면, 0으로 설정된다.추가로, PLS2-DYN 데이터로부터의 파라미터 DP_NUM_BLOCK은 데이터 그룹의 하나의 타임 인터리빙 그룹에 의해 전달되는 XFECBLOCK의 수를 나타낸다.타임 인터리빙이 데이터 프레임에 이용되지 않으면, 다음의 타임 인터리빙 그룹, 타임 인터리빙 동작, 타임 인터리빙 모드는 고려되지 않는다. 그러나 스케줄러부터의 다이나믹(dynamic, 동적) 구성 정보를 위한 딜레이 컴펜세이션(delay compensation, 지연보상) 블록은 여전히 필요하다. 각각의 데이터 파이프에서, SSD/MIMO 인코딩으로부터 수신한 XFECBLOCK은 타임 인터리빙 그룹으로 그루핑된다. 즉, 각각의 타임 인터리빙 그룹은 정수 개의 XFECBLOCK의 집합이고, 다이나믹(dynamic, 동적)으로 변화하는 수의 XFECBLOCK을 포함할 것이다. 인덱스 n의 타임 인터리빙 그룹에 있는 XFECBLOCK의 수는 NxBLOCK_Group(n)로 나타내고, PLS2-DYN 데이터에서 DP_NUM_BLOCK으로 시그널링된다. 이때, NxBLOCK_Group(n)은 최소값 0에서 가장 큰 값이 1023인 최대값 NxBLOCK_Group_MAX (DP_NUM_BLOCK_MAX에 해당)까지 변화할 수 있다.각각의 타임 인터리빙 그룹은 하나의 프레임에 직접 매핑되거나 PI개의 프레임에 걸쳐 확산된다. 또한 각각의 타임 인터리빙 그룹은 하나 이상(NTI개)의 타임 인터리빙 블록으로 분리된다. 여기서 각각의 타임 인터리빙 블록은 타임 인터리버 메모리의 하나의 사용에 해당한다. 타임 인터리빙 그룹 내의 타임 인터리빙 블록은 약간의 다른 수의 XFECBLOCK을 포함할 수 있다. 타임 인터리빙 그룹이 다수의 타임 인터리빙 블록으로 분리되면, 타임 인터리빙 그룹은 하나의 프레임에만 직접 매핑된다. 아래의 표 32에 나타낸 바와 같이, 타임 인터리빙에는 세 가지 옵션이 있다(타임 인터리빙을 생략하는 추가 옵션 제외).모드설명옵션 1(a)에 나타낸 바와 같이 각각의 타임 인터리빙 그룹은 하나의 타임 인터리빙 블록을 포함하고 하나의 프레임에 직접 매핑된다. 해당 옵션은 DP_TI_TYPE = '0' 및 DP_TI_LENGTH = '1'(NTI=1)에 의해 PLS2-STAT에서 시그널링된다.옵션 2각각의 타임 인터리빙 그룹은 하나의 타임 인터리빙 블록을 포함하고 하나 이상의 프레임에 매핑된다. (b)는 하나의 타임 인터리빙 그룹이 두 개의 프레임, 즉 DP_TI_LENGTH ='2' (PI=2) 및 DP_FRAME_INTERVAL (IJUMP = 2)에 매핑되는 예를 나타낸다. 이것은 낮은 데이터율 서비스에 더 높은 시간 다이버시티를 제공한다. 해당 옵션은 DP_TI_TYPE ='1'에 의해 PLS2-STAT에서 시그널링된다.옵션 3(c)에 나타낸 바와 같이 각각의 타임 인터리빙 그룹은 다수의 타임 인터리빙 블록으로 분리되고 하나의 프레임에 직접 매핑된다. 각각의 타임 인터리빙 블록은 데이터 파이프에 대해 최대의 비트율(bit rate)을 제공하도록 풀(full) 타임 인터리빙 메모리를 사용할 수 있다. 해당 옵션은 PI=1이면서 DP_TI_TYPE = '0' 및 DP_TI_LENGTH = NTI에 의해 PLS2-STAT에서 시그널링된다.각각의 DP에서, TI 메모리는 인풋 XFECBLOCK들을 저장한다(SSD/MIMI 인코딩 블록으로부터 출력 XFECBLOCK들은 다음과 같이 정의 된다.여기서, 은 n번째 TI 그룹의 s번째 TI 블록 내 r번째 XFECBLOCK의 q번째 셀이고, SSD의 출력 및 MIMO 인코딩을 다음과 같이 나타낸다.게다가, 타임 인터리버로부터 XFECBLOCL들의 출력을 가정하는 것은 다음과 을 다음과 같이 정의된다.,여기서, 는 n번째 TI 그룹의 s번째 TI 블록 내 i번째 출력 셀(for) 이다. 일반적으로, 타임 인터리버는 프레임 생성 과정 이전에 데이터 파이프 데이터에 대한 버퍼로도 작용할 것이다. 이는 각각의 데이터 파이프에 대해 2개의 메모리 뱅크로 달성된다. 첫 번째 타임 인터리빙 블록은 첫 번째 뱅크에 기입된다. 첫 번째 뱅크에서 판독되는 동안 두 번째 타임 인터리빙 블록이 두 번째 뱅크에 기입된다.타임 인터리빙은 트위스트된 행-열 블록 인터리버이다. n번째 타임 인터리빙 그룹의 s번째 타임 인터리빙 블록에 대해, 열의 수 가 와 동일한 반면, 타임 인터리빙 메모리의 행의 수 는 셀의 수 와 동일하다 (즉, ).도 26은 본 발명의 일 실시예에 따른 트위스트된 행-열 블록 인터리버의 기본 동작을 나타낸다.도 26 (a)는 타임 인터리버에서 기입 동작을 나타내고, 도 36 (b)는 타임 인터리버에서 판독 동작을 나타낸다. (a)에 나타낸 바와 같이, 첫 번째 XFECBLOCK은 타임 인터리빙 메모리의 첫 번째 열에 열 방향으로 기입되고, 두 번째 XFECBLOCK은 다음 열에 기입되고, 이러한 동작이 이어진다. 그리고 인터리빙 어레이에서, 셀이 대각선 방향으로 판독된다. (b)에 나타낸 바와 같이 첫 번째 행으로부터 (가장 왼쪽 열을 시작으로 행을 따라 오른쪽으로) 마지막 행까지 대각선 방향 판독이 진행되는 동안, 개의 셀이 판독된다. 구체적으로, 이 순차적으로 판독될 타임 인터리빙 메모리 셀 위치라고 가정하면, 이러한 인터리빙 어레이에서의 판독 동작은 아래 식에서와 같이 행 인덱스 , 열 인덱스 , 관련된 트위스트 파라미터 를 산출함으로써 실행된다.[수학식 9]여기서, 는 에 상관없이 대각선 방향 판독 과정에 대한 공통 시프트 값이고, 시프트 값은 아래 식에서와 같이 PLS2-STAT에서 주어진 에 의해 결정된다.[수학식 10]결과적으로, 판독될 셀 위치는 좌표 에 의해 산출된다.도 27는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 트위스트된 행-열 블록 인터리버의 동작을 나타낸다.더 구체적으로, 도 37는 , , 일 때 가상 XFECBLOCK을 포함하는 각각의 타임 인터리빙 그룹에 대한 타임 인터리빙 메모리에서 인터리빙 어레이를 나타낸다.변수 는 보다 작거나 같을 것이다. 따라서, 에 상관없이 수신기 측에서 단일 메모리 디인터리빙을 달성하기 위해, 트위스트된 행-열 블록 인터리버용 인터리빙 어레이는 가상 XFECBLOCK을 타임 인터리빙 메모리에 삽입함으로써 의 크기로 설정되고, 판독 과정은 다음 식과 같이 이루어진다.[수학식 11]타임 인터리빙 그룹의 수는 3으로 설정된다. 타임 인터리버의 옵션은 DP_TI_TYPE='0', DP_FRAME_INTERVAL='1', DP_TI_LENGTH='1', 즉 NTI=1, IJUMP=1, PI=1에 의해 PLS2-STAT 데이터에서 시그널링된다. 각각 Ncells = 30인 XFECBLOCK의 타임 인터리빙 그룹당 수는 각각의 NxBLOCK_TI(0,0) = 3, NxBLOCK_TI(1,0) = 6, NxBLOCK_TI(2,0) = 5에 의해 PLS2-DYN 데이터에서 시그널링된다. XFECBLOCK의 최대 수는 NxBLOCK_Group_MAX에 의해 PLS2-STAT 데이터에서 시그널링 되고, 이는 로 이어진다.도 28은 본 발명의 일 실시예에 따른 트위스트된 행-열 블록 인터리버의 대각선 방향 판독 패턴을 나타낸다.더 구체적으로, 도 28은 파라미터 및 Sshift=(7-1)/2=3을 갖는 각각의 인터리빙 어레이로부터의 대각선 방향 판독 패턴을 나타낸다. 이때 위에 유사 코드로 나타낸 판독 과정에서, 이면, Vi의 값이 생략되고, Vi의 다음 계산값이 사용된다.도 29는 본 발명의 일 실시예에 따른 각각의 인터리빙 어레이로부터의 인터리빙된 XFECBLOCK을 나타낸다.도 29는 파라미터 및 Sshift=3을 갖는 각각의 인터리빙 어레이로부터 인터리빙된 XFECBLOCK을 나타낸다.도 30은 본 발명의 일 실시예에 따른 방송 서비스 제공을 위한 프로토콜 스택(protocol stack)을 보여준다.본 발명의 일 실시예에 따른 방송 서비스는 시청각 데이터(Auido/Video, A/V)뿐만 아니라 HTML5 어플리케이션, 양방향 서비스, ACR 서비스, 세컨드 스크린(second screen) 서비스, 개인화(personalization) 서비스 등의 부가 서비스를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 방송 서비스는 실시간(Real Time, RT) 서비스뿐만 아니라 비실시간(Non-Real Time, NRT) 서비스를 함께 제공할 수 있다. 실시간 서비스는 서비스를 위한 컨텐츠가 실시간으로 전송된다. 비실시간 서비스는 서비스를 위한 컨텐츠가 비실시간으로 전송된다. 구체적으로 실시간 서비스를 위한 컨텐츠는 실시간 서비스를 위한 컨텐츠가 사용(use)되는 시간에 맞추어 전송될 수 있다. 비실시간 서비스를 위한 컨텐츠는 비실시간 서비스를 위한 컨텐츠가 가 사용되는 시점보다 먼저 전송될 수 있다. 구체적인 실시예에서 방송 수신 장치는 비실시간 서비스를 위한 컨텐츠를 미리 수신하여 저장하였다가 비실시간 서비스를 제공하면서 저장한 비실시간 서비스를 위한 컨텐츠를 사용할 수 있다. 예컨대, 방송 수신 장치는 비실시간 서비스를 위한 컨텐츠를 미리 수신하여 저장하고, 비실시간 서비스에 대한 사용자 입력을 수신하는 경우 미리 저장한 비실시간 서비스를 위한 컨텐츠 이용하여 비실시간 서비스를 제공할 수 있다. 비실시간 서비스와 실시간 서비스는 전송 특징을 달리하므로 서로 다른 전송 프로토콜을 통해 전송될 수 있다. 또한, 비실시간 서비스를 위한 컨텐츠는 NRT 데이터라할 수 있다.이러한 방송 서비스는 지상파, 케이블 위성 등의 방송 신호인 물리 계층(physical layer)을 통해 전송될 수 있다. 또한 구체적인 실시예에서 비실시간 서비스가 방송 신호인 물리 계층을 통해 전송되는 경우, 비실시간 서비스를 위한 컨텐츠는 데이터 주기(Data Carousel) 전송을 통해 전송될 수 있다. 구체적으로 방송 전송 장치는 비실시간 컨텐츠를 일정 간격을 두고 주기적으로 반복하여 전송하고, 방송 수신 장치는 데이터 회전 주기만큼 기다린 후에 데이터를 수신할 수 있다. 이를 통해 방송 수신 장치는 컨텐츠의 전송이 이루어지는 도중 방송 서비스를 수신하더라도 방송 서비스를 수신하기 전 전송된 컨텐츠를 다음 주기에 수신할 수 있다. 따라서 방송 수신 장치는 단방향 통신인 방송망을 통해서도 비실시간 서비스를 제공할 수 있다. 또한 본 발명의 일 실시예에 따른 방송 서비스는 인터넷 통신망(broadband)을 통하여 전송될 수 있다.방송 서비스가 지상파, 케이블 위성 등의 방송 신호인 물리 계층(physical layer)을 통해 전송되는 경우, 방송 수신 장치는 링크 레이어 프레임을 방송 신호를 디모듈레이션하여 추출할 수 있다. 방송 수신 장치는 링크 레이어 프레임로부터 인켑슐레이션된 IP 데이터그램을 추출할 수 있다. 방송 수신 장치는 IP 데이터그램으로부터 사용자 데이터그램 프로토콜(User Datagram Protocol, UDP) 데이터그램을 추출할 수 있다. 방송 수신 장치는 UDP 데이터그램으로부터 실시간 전송 프로토콜(Realtime Transport Protocol, RTP) 패킷을 추출할 수 있다. 또한 방송 수신 장치는 UDP 데이터그램으로부터 비동기 계층 코딩/ 계층 코딩 전송(Asynchronous Layered Coding/ Layered Coding Transport, ALC/LCT) 패킷을 추출할 수 있다. 방송 수신 장치는 ALC/LCT 패킷으로부터 단방향 파일 전송(File Delivery over Unidirectional Transport, FLUTE) 패킷을 추출할 수 있다. 이때, 방송 수신 장치는 FLUTE 패킷으로부터 비실시간(Non-Real Time, NRT) 데이터와 전자 서비스 가이드(Electronic Service Gudie, ESG) 데이터를 추출할 수 있다. 또한, 방송 수신 장치는 ALC/LCT 패킷으로부터 ISO 베이스 미디어 파일 포맷(ISO Base Media File Format, ISO BMFF) 패킷을 추출할 수 있다. 방송 수신 장치는 RTP 패킷 및 ISO BMFF와 같은 실시간 전송 패킷으로부터 A/V 데이터 및 부가 데이터를 추출할 수 있다.방송 서비스가 인터넷 통신망(broadband)을 통하여 전송되는 경우, 방송 전송 장치는 방송 서비스를 멀티캐스트(multicast) 또는 유니캐스트(unicast)로 전송할 수 있다. 이때, 방송 수신 장치는 인터넷 통신망으로부터 IP 패킷을 수신할 수 있다. 방송 전송 장치가 방송 서비스를 유니캐스트로 전송하는 경우, 방송 수신 장치는 IP 패킷으로부터 TCP 패킷을 추출할 수 있다. 방송 수신 장치는 TCP 패킷으로부터 HTTP 패킷을 추출할 수 있다. 방송 수신 장치는 HTTP 패킷으로부터 NRT 데이터를 추출할 수 있다. 또한 방송 수신 장치는 HTTP 패킷으로부터 HTTP를 이용한 적응적 스트리밍(Dynamic Adaptive Streaming over HTTP, DASH)에 기반한 ISO BMFF 패킷을 수신할 수 있다. 이때, 방송 수신 장치는 ISO BMFF 패킷으로부터 A/V 및 부가 데이터 중 적어도 어느 하나를 추출할 수 있다.방송 전송 장치가 방송 서비스를 멀티캐스트로 전송하는 경우, 방송 수신 장치는 IP 패킷으로부터 UDP 패킷을 추출할 수 있다. 방송 수신 장치는 UDP 데이터그램으로부터 실시간 전송 프로토콜(Realtime Transport Protocol, RTP) 패킷을 추출할 수 있다. 또한, 방송 수신 장치는 UDP 데이터그램으로부터 ALC/LCT 패킷을 추출할 수 있다. 방송 수신 장치는 ALC/LCT 패킷으로부터 단방향 파일 전송(File Delivery over Unidirectional Transport, FLUTE) 패킷을 추출할 수 있다. 이때, 방송 수신 장치는 FLUTE 패킷으로부터 NRT 데이터와 전자 서비스 가이드(Electronic Service Guide, ESG) 데이터를 추출할 수 있다. 또한, 방송 수신 장치는 ALC/LCT 패킷으로부터 DASH에 기반한 ISO BMFF 패킷을 추출할 수 있다. 방송 수신 장치는 RTP 패킷 및 ISO BMFF와 같은 실시간 전송 패킷으로부터 A/V 데이터 및 부가 데이터를 추출할 수 있다.도 31과 도 32는 본 발명의 일 실시예에 따른 방송 서비스 제공을 위한 프로토콜 스택(protocol stack)에 따라 방송 서비스를 동기화 하는 것을 보여준다.도 30에서 설명한바와 같이 방송 수신 장치는 방송망 또는 인터넷망을 통하여 방송 서비스를 수신할 수 있다. 이때, 방송 수신 장치는 방송망을 통해 수신한 컨텐츠와 인터넷망을 통하여 수신한 컨텐츠를 동기화할 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치는 도 31의 실시예와 같이 네트워크 타임 프로토콜(Network Time Protocol, NTP)에 기반한 기준 시간(timeline)에 기초하여 복수의 컨텐츠를 동기화할 수 있다. 예컨대, 방송 수신 장치는 매핑정보를 이용하여 DASH에 기반한 컨텐츠를 NTP에 기반한 기준 시간에 매핑(mapping)하고, 실시간 전송 제어 프로토콜(Realtime Transport Control Protocol, RTCP) 패킷을 이용하여 RTP 패킷을 통해 전송되는 컨텐츠를 NTP에 기반한 기준시간에 매핑할 수 있다. 또 다른 구체적인 실시예에서 방송 수신 장치는 도 32의 실시예와 같이 방송 기준 시간(Broadcast Timeline)에 기초하여 복수의 컨텐츠를 동기화할 수 있다. 예컨대, 방송 수신 장치는 매핑정보를 이용하여 DASH에 기반한 컨텐츠를 방송 기준 시간에 매핑하여 방송망의 ALC/LCT 패킷에 기반한 컨텐츠들과 동기화할 수 있다. 방송 기준 시간은 프로그램 클락 리퍼런스(Program Clock Reference, PCR) 패킷에 기반한 것일 수 있다.또한, 방송 수신 장치는 NRT 데이터를 실시간 연속(continuous) 컨텐츠와 동기화할 수 있다.도 33은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 방송 수신 장치의 구성을 보여준다.도 33의 실시예에서 방송 수신 장치(100)는 방송 수신부(110), 인터넷 프로토콜(Internet Protocol, IP) 통신부(130) 및 제어부(150)를 포함한다.방송 수신부(110)는 방송 수신부(110)가 수행하는 복수의 기능 각각을 수행하는 하나 또는 복수의 프로세서. 하나 또는 복수의 회로 및 하나 또는 복수의 하드웨어 모듈을 포함할 수 있다. 구체적으로 방송 수신부(110)는 여러가지 반도체 부품이 하나로 집적되는 시스템 온 칩(System On Chip, SOC)일 수 있다. 이때, SOC는 그래픽, 오디오, 비디오, 모뎀 등 각종 멀티미디어용 부품과 프로세서와 D램 등 반도체가 하나로 통합된 반도체일 수 있다. 방송 수신부(110)는 물리 계층 모듈(119) 물리 계층 IP 프레임 모듈(117)을 포함할 수 있다. 물리 계층 모듈(119)는 방송망의 방송 채널을 통하여 방송 관련 신호를 수신하고 처리한다. 물리 계층 IP 프레임 모듈(117)은 물리 계층 모듈(119)로부터 획득한 IP 데이터 그램 등의 데이터 패킷을 특정 프레임으로 변환한다. 예컨대, 물리 계층 모듈(119)은 IP 데이터 그램 등을 RS Fraem 또는 GSE 등으로 변환할 수 있다.IP 통신부(130)는 IP 통신부(130)가 수행하는 복수의 기능 각각을 수행하는 하나 또는 복수의 프로세서. 하나 또는 복수의 회로 및 하나 또는 복수의 하드웨어 모듈을 포함할 수 있다. 구체적으로 IP 통신부(130)는 여러가지 반도체 부품이 하나로 집적되는 시스템 온 칩(System On Chip, SOC)일 수 있다. 이때, SOC는 그래픽, 오디오, 비디오, 모뎀 등 각종 멀티미디어용 부품과 프로세서와 D램 등 반도체가 하나로 통합된 반도체일 수 있다. IP 통신부(130)는 인터넷 접근 제어 모듈(131)을 포함할 수 있다. 인터넷 접근 제어 모듈(131)은 인터넷 통신망(broad band)을 통하여 서비스, 컨텐츠 및 시그널링 데이터 중 적어도 어느 하나를 획득하기 위한 방송 수신 장치(100)의 동작을 제어한다.제어부(150)는 제어부(150)가 수행하는 복수의 기능 각각을 수행하는 하나 또는 복수의 프로세서. 하나 또는 복수의 회로 및 하나 또는 복수의 하드웨어 모듈을 포함할 수 있다. 구체적으로 제어부(150)는 여러가지 반도체 부품이 하나로 집적되는 시스템 온 칩(System On Chip, SOC)일 수 있다. 이때, SOC는 그래픽, 오디오, 비디오, 모뎀 등 각종 멀티미디어용 부품과 프로세서와 D램 등 반도체가 하나로 통합된 반도체일 수 있다. 제어부(150)는 시그널링 디코더(151), 서비스 맵 데이터 베이스(161), 서비스 시그널링 채널 파서(163), 어플리케이션 시그널링 파서(166), 얼러트 시그널링 파서(168), 타겟팅 시그널링 파서(170), 타겟팅 프로세서(173), A/V 프로세서(161), 얼러팅 프로세서(162), 어플리케이션 프로세서(169), 스케쥴드 스트리밍 디코더(181), 파일 디코더(182), 사용자 요청 스트리밍 디코더(183), 파일 데이터베이스(184), 컴포넌트 동기화부(185), 서비스/컨텐츠 획득 제어부(187), 재분배 모듈(189), 장치 관리자(193) 및 데이터 쉐어링부(191) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.서비스/컨텐츠 획득 제어부(187)는 방송망 또는 인터넷 통신망을 통해 획득한 서비스, 컨텐츠, 서비스 또는 컨텐츠와 관련된 시그널링 데이터 획득을 위한 수신기의 동작을 제어한다.시그널링 디코더(151)는 시그널링 정보를 디코딩한다.서비스 시그널링 파서(163)는 서비스 시그널링 정보를 파싱한다.어플리케이션 시그널링 파서(166)는 서비스와 관련된 시그널링 정보를 추출하고 파싱한다. 이때, 서비스와 관련된 시그널링 정보는 서비스 스캔과 관련된 시그널링 정보일 수 있다. 또한 서비스와 관련된 시그널링 정보는 서비스를 통해 제공되는 컨텐츠와 관련된 시그널링 정보일 수 있다.얼러트 시그널링 파서(168)는 얼러팅 관련된 시그널링 정보를 추출하고 파싱한다.타겟팅 시그널링 파서(170)는 서비스 또는 컨텐츠를 개인화(personalization)하기 위한 정보 또는 타겟팅 정보를 시그널링하는 정보를 추출하고 파싱한다.타겟팅 프로세서(173)는 서비스 또는 컨텐츠를 개인화하기 위한 정보를 처리한다.얼러팅 프로세서(162)는 긴급 경보(emergency alert)와 관련된 시그널링 정보를 처리한다.어플리케이션 프로세서(169)는 어플리케이션 관련 정보 및 어플리케이션의 실행을 제어한다. 구체적으로 어플리케이션 프로세서(169)는 다운로드된 어플리케이션의 상태 및 디스플레이 파라미터를 처리한다.A/V 프로세서(161)는 디코딩된 오디오 또는 비디오, 어플리케이션 데이터 등에 기초하여 오디오/비디오의 렌더링 관련 동작을 처리한다.스케쥴드 스트리밍 디코더(181)는 미리 방송사 등의 컨텐츠 제공업자가 정한 일정 대로 스트리밍 되는 컨텐츠인 스케쥴드 스트리밍을 디코딩한다.파일 디코더(182)는 다운로드된 파일을 디코드한다. 특히 파일 디코더(182)는 인터넷 통신망을 통하여 다운로드된 파일을 디코드한다.사용자 요청 스트리밍 디코더(183)는 사용자 요청에 의하여 제공되는 컨텐츠(On Demand Content)를 디코드한다.파일 데이터베이스(184)는 파일을 저장한다. 구체적으로 파일 데이터베이스(184)는 인터넷 통신망을 통하여 다운로드한 파일을 저장할 수 있다.컴포넌트 동기화부(185)는 컨텐츠 또는 서비스를 동기화한다. 구체적으로 컴포넌트 동기화부(185)는 스케쥴드 스트리밍 디코더(181), 파일 디코더(182) 및 사용자 요청 스트리밍 디코더(183) 중 적어도 어느 하나가 디코딩한 컨텐츠를 동기화할 수 있다.서비스/컨텐츠 획득 제어부(187)는 서비스, 컨텐츠, 서비스 또는 컨텐츠와 관련된 시그널링 정보 중 적어도 어느 하나를 획득하기 위한 수신기의 동작을 제어한다.재분배 모듈(189)은 방송망을 통하여 서비스 또는 컨텐츠를 수신하지 못하는 경우, 서비스, 컨텐츠, 서비스와 관련 정보 및 컨텐츠 관련 정보 중 적어도 어느 하나의 획득을 지원하기 위한 동작을 수행한다. 구체적으로 외부의 관리 장치(300)에게 서비스, 컨텐츠, 서비스와 관련 정보 및 컨텐츠 관련 정보 중 적어도 어느 하나를 요청할 수 있다. 이때 외부의 관리 장치(300)는 컨텐츠 서버일 수 있다.장치 관리자(193)는 연동 가능한 외부 장치를 관리한다. 구체적으로 장치 관리자(193)는 외부 장치의 추가, 삭제 및 갱신 중 적어도 어느 하나를 수행할 수 있다. 또한 외부 장치는 방송 수신 장치(100)와 연결 및 데이터 교환이 가능할 수 있다.데이터 쉐어링부(191)는 방송 수신 장치(100)와 외부 장치 간의 데이터 전송 동작을 수행하고, 교환 관련 정보를 처리한다. 구체적으로 데이터 쉐어링부(191)는 외부 장치에 A/V 데이터 또는 시그널링 정보를 전송할 수 있다. 또한 데이터 쉐어링부(191)는 외부 장치에 A/V 데이터 또는 시그널링 정보를 수신할 수 있다.스마트 폰이나 태블릿과 같은 단말 장치의 사용이 늘어나면서 이러한 단말 장치와 연동할 수 있는 방송 서비스들이 늘어나고 있다. 이에 따라 단말 장치는 방송 서비스와 연동하여 동작하기 위하여 방송 서비스에 관한 정보를 나타내는 방송 서비스의 속성을 필요로한다. 다만, 연동 장치가 방송 서비스를 직접적으로 수신하지 않는 경우가 많다. 이러한 경우 연동 장치는 방송 전송 장치를 통해 방송 서비스의 속성을 획득해야 한다. 따라서 방송 서비스의 속성을 효율적으로 전송할 수 있는 방송 수신 장치와 방송 수신 장치의 동작 방법이 필요하다. 이에 대해서 도 34 내지 도 46을 통하여 설명하도록 한다.도 34는 본 발명의 일 실시예에 따른 연동 장치와 연동하는 방송 서비스를 제공하는 방송 시스템을 보여준다.본 발명의 일 실시예에 따른 방송 시스템은 방송 수신 장치(100), 연동(Companion) 장치(200), 방송 전송 장치(300), 컨텐츠/시그널링 서버(400) 및 ACR 서버(500)를 포함한다.방송 전송 장치(300)는 방송 서비스를 전송하는 방송 서버를 나타낸다. 이때, 방송 수신 장치(100)는 방송 전송 장치(300)로부터 방송망(Broadcast channel)을 통하여 방송 서비스를 수신한다. 또한 방송 수신 장치(100)는 방송망을 통하여 방송 전송 장치(300)로부터 방송 서비스를 시그널링하는 정보를 수신할 수 있다. 또한 방송 수신 장치(100)는 방송망을 통하여 방송 전송 장치(300)로부터 트리거, 트리거 파라미터 테이블(Trigger Parameter Table, TPT), 트리거 선언적 오브젝트(Trigger Declarative Object, TDO)와 같은 방송 서비스를 위한 부가 정보를 수신할 수 있다.컨텐츠/시그널링 서버(400)는 방송 서비스에관한 컨텐츠를 생성하고 관리한다. 이때, 방송 수신 장치(100)는 통신망(Broadband channel)을 통해 컨텐츠/시그널링 서버(400)로부터 방송 서비스에관한 부가 정보 및 방송 서비스의 시그널링 정보 중 적어도 어느 하나를 수신할 수 있다.자동 컨텐츠 인식(Automatic Content Recogntion, ACR) 서버(300)는 방송 서비스에 관한 ACR 관련 데이터를 관리한다. 이때, 방송 수신 장치(100)는 통신망(Broadband channel)을 통해 ACR 서버(300)로부터 트리거(trigger) 및 방송 서비스에 관한 어플리케이션 중 적어도 어느 하나를 수신할 수 있다.연동 장치(200)는 홈 네트워크를 통해 방송 수신 장치(100)와 연동하여 방송 서비스와 관련된 부가 기능을 실행한다. 구체적으로 연동 장치(200)는 방송 서비스와 관련된 어플리케이션 및 파일 중 적어도 어느 하나를 획득할 수 있다. 또한 연동 장치(200)는 방송 서비스와 관련된 어플리케이션 및 파일을 실행할 수 있다. 이때, 연동 장치(200)는 홈 네트워크 대신 3GPP와 같은 이동 통신망이나 HTTP 프록시(Proxy) 서버를 이용할 수 있다. 또한 구체적인 실시예에서 방송 서비스와 관련된 어플리케이션이나 파일이 단방향 파일 전송 세션(File Delivery over Unidirectional Transport, FLUTE)을 통하여서 전송되는 경우, 연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)로부터 방송 서비스에 관련한 어플리케이션 및 파일 중 적어도 어느 하나를 수신할 수 있다. 또한 연동 장치(200)는 세컨드 스크린 장치(second screen device)라 할 수 있다. 또한 연동 장치(200)는 스마트 폰, 태블릿 및 랩탑 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 방송망을 통한 방송 수신 기능을 갖지 않고 네트워크 등의 통신 기능을 갖는 단말 장치일 수 있다. 또한 연동 장치(200)는 하나 또는 복수개가 존재할 수 있다. 연동 장치(200)는 연동 장치(200)의 전체적인 동작을 제어하는 제어부 및 외부 장치와의 통신을 수행하는 통신부(2통신부를 포함할 수 있다. 제어부는 제어부가 수행하는 복수의 기능 각각을 수행하는 하나 또는 복수의 프로세서. 하나 또는 복수의 회로 및 하나 또는 복수의 하드웨어 모듈을 포함할 수 있다. 구체적으로 제어부는 여러가지 반도체 부품이 하나로 집적되는 시스템 온 칩(System On Chip, SOC)일 수 있다. 이때, SOC는 그래픽, 오디오, 비디오, 모뎀 등 각종 멀티미디어용 부품과 프로세서와 D램 등 반도체가 하나로 통합된 반도체일 수 있다. 또한 통신부는 통신부가 수행하는 복수의 기능 각각을 수행하는 하나 또는 복수의 프로세서. 하나 또는 복수의 회로 및 하나 또는 복수의 하드웨어 모듈을 포함할 수 있다. 구체적으로 통신부는 여러가지 반도체 부품이 하나로 집적되는 시스템 온 칩(System On Chip, SOC)일 수 있다. 이때, SOC는 그래픽, 오디오, 비디오, 모뎀 등 각종 멀티미디어용 부품과 프로세서와 D램 등 반도체가 하나로 통합된 반도체일 수 있다.또한, 방송 수신 장치(100)는 주 장치(Primary Device)로 일컬어질 수 있다.또한, 구체적인 실시예에 따라서 방송 전송 장치(300), 컨텐츠/시그널링 서버(400) 및 ACR 서버(500) 중 적어도 어느 두개가 하나의 서버로 통합되어 사용될 수 있다.앞서 설명한 바와 같이 방송 수신 장치(100)는 방송 전송 장치(300)로부터 방송 서비스의 시그널링 정보를 수신할 수 있다. 또는 방송 수신 장치(100)는 컨텐츠/시그널링 서버(400)로부터 방송 서비스의 시그널링 정보를 수신할 수 있다. 이때 방송 서비스의 시그널링 정보는 방송 서비스의 속성을 포함할 수 있다. 이에 대해서는 도 35를 통하여 자세히 설명하도록 한다.도 35는 본 발명의 일 실시예에 따라 시그널링되는 방송 서비스의 속성을 보여준다.방송 수신 장치(100)가 수신하는 방송 서비스의 시그널링 정보는 방송 서비스의 속성을 포함할 수 있다. 이때, 방송 서비스의 속성은 방송 서비스를 식별하는 방송 서비스 식별자, 방송 서비스의 이름, 방송 서비스의 채널 번호, 방송 서비스에 대한 설명, 방송 서비스의 장르, 방송 서비스를 나타내는 아이콘, 방송 서비스의 주 언어, 방송 서비스에 관련한 사용 보고 정보, 방송 서비스를 제공할 수 있는 장치의 정보를 나타내는 타겟팅 속성, 방송 서비스의 보호(protection)에 관한 속성, 권장 등급, 방송 서비스가 포함하는 미디어 컴포넌트에 관한 정보 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 타겟팅 속성은 서비스가 제공되는 장치를 나타내는 것으로 주 장치 또는 연동 장치(200) 중 적어도 어느 하나를 나타낼 수 있다. 방송 서비스의 채널 번호는 메이저 채널 번호 및 마이너 채널 번호를 포함할 수 있다. 미디어 컴포넌트에 관한 정보는 미디어 컴포넌트를 식별하는 식별자, 미디어 컴포넌트의 종류, 미디어 컴포넌트의 이름, 미디어 컴포넌트의 시작 시간, 미디어 컴포넌트의 재생 시간(duration), 미디어 컴포넌트가 타켓팅하는 스크린을 나타내는 정보, 미디어 컴포넌트를 수신할 수 있는 URL, 미디어 컴포넌트의 권장 등급 및 미디어 컴포넌트의 장르 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 이때, 미디어 컴포넌트가 타겟팅하는 스크린은 연동 장치(200)를 나타낼 수 있다.방송 서비스의 속성은 도 36과 같이 XML 형식으로 시그널링 될 수 있다. 다만, 방송 서비스의 속성의 시그널링 형식은 이에 제한되지 않고 비트 스트림과 같이 다른 형식으로 시그널링될 수 있다.구체적으로 방송 서비스의 속성을 시그널링하는 정보는 ServiceID, ServiceName, MajorChanNum, MinorChanNum, Description, Genre, Icon, Language, UsageReportingInfo, Targeting, ServiceProtection, AdvisoryRating 및 ComponentItem 중 적어도 어느 하나를 엘리먼트(element)로 포함할 수 있다.ServiceID는 서비스를 식별하는 방송 서비스 식별자를 나타낸다. 이때 ServiceID는 한 개만 존재할 수 있다. 또한 구체적인 실시예에서 SerivceID는 언사인드 숏(unsigned short) 데이터 타입을 가질 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 ServiceID에 기초하여 방송 서비스를 식별할 수 있다.ServiceName은 방송 서비스의 이름을 나타낸다. ServiceName은 없거나 단수 또는 복수개 존재할 수 있다. 구체적인 실시예에서 ServiceName은 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 ServiceName에 기초하여 방송 서비스의 이름을 표시할 수 있다.MajorChanNum과 MinorChanNum은 방송 서비스의 채널 번호의 메이저 번호와 마이너 번호를 각각 나타낸다. 구체적인 실시예에서 MajorChanNum과 MinorChanNum은 없거나, 1개 존재할 수 있다. 또한 MajorChanNum과 MinorChanNum은 0부터 15사이의 숫자 중 어느 하나의 정수 값을 가질 수 있다. MajorChanNum과 MinorChanNum은 사용자의 방송 서비스 선택을 용이하도록 하기 위해 사용될 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 MajorChanNum과 MinorChanNum에 기초하여 방송 서비스의 채널 번호를 표시할 수 있다.Description은 방송 서비스에 대한 설명을 나타낸다. Description은 없거나 단수 또는 복수개 존재할 수 있다. Description은 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다. 사용자는 Description을 통해 방송 서비스의 내용을 짐작할 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 Description에 기초하여 방송 서비스에 관한 설명을 표시할 수 있다.Genre는 방송 서비스의 장르를 나타낸다. Genre는 없거나 단수 또는 복수개 존재할 수 있다. 구체적인 실시예에서 Genre는 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다. 사용자는 Genre를 통해 방송 서비스의 장르를 알 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 Genre에 기초하여 방송 서비스의 장르를 표시할 수 있다.Icon은 방송 서비스를 나타내는 아이콘을 나타낸다. Icon은 없거나 단수 또는 복수개 존재할 수 있다. Icon은 베이스 64 바이너리 데이터 타입(Base64Binary data type)을 가질 수 있다. 사용자는 방송 서비스를 대표하는 아이콘을 통해 방송 서비스의 내용을 용이하게 파악할 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 Icon에 기초하여 방송 서비스를 나타내는 아이콘을 표시할 수 있다.Language는 방송 서비스의 주 언어를 나타낸다. Lagugage는 없거나 1개 존재할 수 있다. Lagnguage는 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 Language에 기초하여 방송 서비스의 주 언어를 표시할 수 있다.UsageReportingInfo는 방송 서비스에 관련한 사용 보고 정보를 나타낸다. UsageReportingInfo는 없거나 단수 또는 복수개 존재할 수 있다. UsageReportingInfo는 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다. 구체적으로 UsageReportingInfo는 사용 정보 보고를 위한 파라미터로 사용될 수 있다. 예컨대, UsageReportingInfo는 사용 정보 보고를 위한 URL 및 보고 주기 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 이러한 사용 정보 보고를 통해 방송 서비스 제공자는 방송 서비스의 사용 정보와 방송 서비스에 대한 과금 정보를 획득할 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 UsageReportingInfo에 기초하여 방송 서비스의 사용 정보를 보고할 수 있다.Targeting은 방송 서비스의 타겟팅 속성을 나타낸다. Targeting은 없거나 단수 또는 복수개 존재할 수 있다. 구체적으로 Targeting은 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다. 구체적으로 Targeting은 해당 방송 서비스가 방송 수신 장치(100)와 같은 주 디바이스를 위한 것인 것 연동 장치(200)를 위한 것인지 나타낼 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 Targeting에 기초하여 방송 서비스의 표시여부를 결정할 수 있다.ServiceProtection은 방송 서비스의 보호(protection)에 관한 속성을 나타낸다. ServiceProtection은 없거나 1개 존재할 수 있다. 구체적으로 ServiceProtection은 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다.AdvisoryRating 권장 등급은 서비스의 권장 등급을 나타낸다. AdvisoryRating은 없거나 단수 또는 복수개 존재할 수 있다. AdvisoryRating은 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다. 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(100)는 권장 등급과 개인화 정보에 기초하여 방송 서비스를 차단할 수 있다.ComponentItem은 방송 서비스가 포함하는 미디어 컴포넌트에 관한 정보를 나타낸다. 구체적으로 ComponentItem은 componentId, ComponentType, ComponentName, StartTime, Duration, TargetScreen, URL, ContentAdvisory 및 Genre 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.ComponentId는 해당 미디어 컴포넌트를 식별하는 식별자를 나타낸다. 구체적으로 ComponentId는 1개 존재할 수 있다. 구체적으로 ComponentId는 언사인드 데이터 타입을 가질 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 ComponentId에 기초하여 미디어 컴포넌트를 식별할 수 있다.CmponentType은 해당 미디어 컴포넌트의 종류를 나타낸다. 구체적으로 CmponentType은 1개 존재할 수 있다. CmponentType은 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 CmponentType에 기초하여 미디어 컴포넌트의 종류를 표시할 수 있다.ComponentName은 해당 미디어 컴포넌트의 이름을 나타낸다. 구체적으로 ComponentName은 없거나 단수 또는 복수개 존재할 수 있다. ComponentName은 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 ComponentName에 기초하여 미디어 컴포넌트의 이름을 표시할 수 있다.StartTime은 해당 미디어 컴포넌트의 시작 시간을 나타낸다. 구체적으로 StartTime은 없거나 1개 존재할 수 있다. 구체적으로 StartTime은 언사인드 숏 데이터 타입을 가질 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 StartTime에 기초하여 미디어 컴포넌트의 시작 시간을 판단할 수 있다.Duration은 해당 미디어 컴포넌트의 재생 길이를 나타낸다. 구체적으로 Duration은 없거나 1개 존재할 수 있다. 구체적으로 Duration은 언사인드 숏 데이터 타입을 가질 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 Duration에 기초하여 미디어 컴포넌트의 재생 길이를 판단할 수 있다.TargetScreen은 해당 미디어 컴포넌트가 타겟팅하는 스크린을 나타낸다. 구체적으로 TargetScreen은 없거나 단수 또는 복수개 존재할 수 있다. 구체적으로 TargetScreen은 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 TargetScreen에 기초하여 해당 미디어 컴포넌트의 재생 필요 여부를 판단할 수 있다.URL은 미디어 컴포넌트를 수신하기 위한 주소를 나타낼 수 있다. 구체적으로 URL은 없거나 단수 또는 복수개 존재할 수 있다. 구체적으로 URL은 URI 데이터 타입을 가질 수 있다. 구체적으로 URL은 컨텐츠/시그널링 서버(400)의 주소를 나타낼 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 URL에 기초하여 미디어 컴포넌트를 수신할 수 있다.ContentAdvisory는 해당 미디어 컴포넌트의 권장 등급을 나타낸다. ContentAdvisory의 값이 AdvisoryRating과 충돌(conflict)하는 경우, ContentAdvisory의 값이 우선할 수 있다. 구체적으로 ContentAdvisory은 단수 또는 복수개 존재할 수 있다. 구체적으로 ContentAdvisory은 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 ContentAdvisory에 기초하여 미디어 컴포넌트의 재생 여부를 결정할 수 있다.Genre는 미디어 컴포넌트의 장르를 나타낸다. 구체적으로 Genre는 단수개 또는 복수개 존재할 수 있다. Genre는 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다. 앞서 설명한 서비스의 장르를 나타내는 Genre와 충돌할 경우, 미디어 컴포넌트의 장르를 나타내는 Genre가 우선할 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 Genre에 기초하여 미디어 컴포넌트의 장르를 표시할 수 있다.앞서 설명한 바와 같이 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 홈 네트워크, 3GPP와 같은 이동 통신망 및 HTTP 프록시 서버 중 적어도 어느 하나를 통해 방송 수신 장치(200)와 연동할 수 있다. 이때, 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)간의 통신은 다양한 방식을 통해서 이루어질 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(100)간의 통신은 범용 플러그 및 플레이(Universal Plug and Play, UPnP) 방식을 통해 이루어질 수 있다.UPnP는 컨트롤 포인트(Control Point, CP)와 컨트롤되는 장치들(Controlled Deivcies, CDs)로 장치를 구별한다. 컨트롤 포인트는 UPnP 프로토콜을 이용하여 컨트롤되는 장치들을 제어한다. 구체적인 실시예에서는 방송 수신 장치(100)가 컨트롤 되는 장치들중 하나에 해당할 수 있다. 또한, 연동 장치(200)는 컨트롤 포인트에 해당할 수 있다. UPnP에서는 디스커버리(discovery), 디스크립션(description), 컨트롤(control) 및 이벤팅(eventing) 프로토콜을 정의한다. 디스커버리 프로토콜은 컨트롤 포인트가 컨트롤되는 장치를 찾기위한 프로토콜이다. 디스크립션 프로토콜은 컨트롤 포인트가 컨트롤되는 장치의 정보를 획득하기위한 프로토콜이다. 컨트롤 프로토콜은 컨트롤 포인트가 컨트롤되는 장치에게 일정한 동작을 유발(invoke)하기 위한 것이다. 이벤팅 프로토콜은 컨트롤되는 장치가 비동기화된 알림(notifications)을 컨트롤 포인트에게 전송(delivery)하기위한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 UPnP 프로토콜의 디스커버리(discovery), 디스크립션(description), 컨트롤(control) 및 이벤팅(eventing) 프로토콜 중 적어도 어느 하나를 사용하여 연동할 수 있다. 예컨대, 방송 수신 장치(100)가 디스커버리 프로토콜을 이용하여 연동 장치(200)를 찾을 수 있다. 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)의 동작에 대해서는 도 36 내지 도 46을 통해서 구체적으로 설명하도록 한다.도 36은 본 발명의 일 실시예에 따라 시그널링되는 방송 서비스 속성의 상태를 나타내는 변수를 보여준다.방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성을 방송 서비스의 속성을 나타내는 하나의 변수를 이용해 전송할 수 있다. 방송 서비스의 속성을 나타내는 하나의 변수는 현재 방송 서비스의 속성을 포함할 수 있다. 구체적으로 도 36의 실시예에서와 같이 ServiceProperty라는 변수를 통해 전송할 수 있다. 구체적인 실시예에서 ServiceProperty는 필수 변수이고, 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다. 또한 구체적인 실시예에서 ServiceProperty는 관련된 액션을 가지지 않을 수 있다. ServiceProperty에 대한 구독(subscription) 요청을 하는 경우, 방송 수신 장치(100)는 ServiceProperty를 연동 장치에게 전송할 수 있다. 방송 수신 장치(100)가 방송 서비스의 속성을 전송하는 구체적인 과정에 대해서는 도 34를 통해서 설명하도록 한다.도 37은 본 발명의 일 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 방송 서비스 속성을 시그널링하는 동작을 보여주는 래더다이그램이다.방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 페어링(pairing) 세션을 생성한다(S2001). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 IP 통신부(130)를 통하여 연동 장치(200)와의 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 통신부를 통하여 방송 수신 장치(100)와의 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 양방향 통신을 위한 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 UPnP 프로토콜을 이용하여 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적인 실시예에서 방송 수신 장치(100)가 UPnP의 디스커버리 프로토콜을 이용하여 연동 장치(200)를 찾을 수 있다. 예컨대, 방송 수신 장치(100)가 웰 노운(well know) 아이피 주소를 통해 연동을 위한 연동 장치를 찾는다는 디스커버리 메시지를 멀티캐스트할 수 있다. 이때, 멀티캐스트된 메시지를 수신한 연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 디스크립션을 요청할 수 있다. 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)의 디스크립션 요청에 기초하여 연동 장치(200)에게 디스크립션을 제공할 수 있다. 연동 장치(200)는 디스크립션에 기초하여 방송 수신 장치(200)에 접속할 수 있다. 또 다른 구체적인 실시예에서 연동 장치(100)가 UPnP의 디스커버리 프로토콜을 이용하여 방송 수신 장치(100)를 찾을 수 있다. 예컨대, 연동 장치(200)는 웰 노운(well know) 아이피 주소를 통해 연동을 위한 방송 수신 장치(100)를 찾는다는 메시지를 멀티캐스트할 수 있다. 이때, 방송 수신 장치는 멀티캐스된 메시지에 기초하여 디스커버리 메시지로 응답할 수 있다. 이에 따라 디스커버리 메시지를 수신한 연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 디스크립션을 요청할 수 있다. 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)의 디스크립션 요청에 기초하여 연동 장치(200)에게 디스크립션을 제공할 수 있다. 연동 장치(200)는 디스크립션에 기초하여 방송 수신 장치(200)에 접속할 수 있다.연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 방송 서비스의 속성 알림을 요청한다(S2003). 구체적으로 연동 장치(200)는 제어부를 통하여 방송 수신 장치(100)에게 방송 서비스의 속성 알림을 요청할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 UPnP 프로토콜을 이용하여 방송 수신 장치(100)에게 방송 서비스의 속성 알림을 요청할 수 있다. 구체적인 실시예에서 연동 장치(200)는 이벤팅 프로토콜에 기초하여 방송 수신 장치(100)에게 방송 서비스의 속성에 대한 이벤트의 구독(subscription) 요청을 할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 방송 서비스에 기초하여 방송 서비스 속성을 시그널링하는 정보를 수신한다(S2005). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 방송 수신부(110)를 통하여 방송 전송 장치(300)로부터 방송 서비스 속성을 시그널링하는 정보를 수신할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성을 시그널링하는 정보에 기초하여 방송 서비스 속성을 알린다(notify)(S2007). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 제어부(150)를 통하여 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성을 시그널링하는 정보에 기초하여 방송 서비스 속성을 알린다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 방송 서비스의 속성이 이전과 변경되었는지 판단할 수 있다. 방송 서비스의 속성이 이전과 변경된 경우, 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성을 알릴 수 있다. 구체적인 실시예에서 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성의 상태를 나타내는 변수를 통하여 방송 서비스의 속성을 알릴 수 있다. 구체적인 실시예에서 방송 서비스의 속성의 상태를 나타내는 변수는 도 36의 ServiceProperty일 수 있다. 방송 서비스의 속성의 상태를 나타내는 변수의 데이터 형식에 대해서는 도 38을 통하여 구체적으로 설명하도록 한다.도 38은 본 발명의 일 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 시그널링하는 방송 서비스 속성의 데이터 형식을 보여준다.방송 서비스 속성의 데이터는 도 38과 같이 XML 형식일 수 있다. 다만, 방송 서비스 속성의 데이터의 형식은 이에 제한되지 않는다. 도 38의 실시예에서 방송 서비스 속성의 데이터 형식은 도 35에서 설명한 방송 서비스의 속성을 모두 포함한다. 따라서 방송 서비스의 속성 중 일부만 변경된 경우에도 방송 수신 장치(100)는 방송 서비스의 속성 전체를 전송하여야하고, 연동 장치(200)는 방송 서비스의 속성 전체를 수신하여야한다. 이러한 경우, 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)사이에서 교환되는 데이터양이 커지게된다. 또한, 연동 장치(200)는 어떠한 방송 서비스의 속성이 변경되었는지 다시 확인해야한다. 따라서 방송 수신 장치(100)가 연동 장치(200)에게 방송 서비스 속성을 효율적으로 시그널링할 수 있는 방법이 필요하다. 이에 대해서는 도 39 내지 도 41을 통하여 설명하도록 한다.도 39는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 시그널링하는 방송 서비스 속성의 상태를 나타내는 변수, 방송 서비스 속성을 위한 액션 및 액션의 인수(argument)를 보여준다.본 발명의 또 다른 실시예에서 방송 서비스의 속성을 나타내는 변수는 방송 서비스의 속성을 포함하는 변수, 방송 서비스의 속성의 이름을 나타내는 변수 및 방송 서비스 속성의 변경 여부를 나타내는 변수 중 적어도는 어느 하나를 포함할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)가 방송 서비스의 특정 속성을 요청하는 경우, 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)의 요청에 기초하여 방송 서비스의 속성을 전송할 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)가 요청한 방송 서비스의 특정 속성을 전송할 수 있다. 예컨대, 방송 수신 장치(100)가 방송 서비스 속성의 변경 여부를 나타내는 변수를 통하여 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성 변경 여부를 알릴수 있다. 이때, 연동 장치(200)는 필요한 방송 서비스의 속성을 방송 서비스의 속성의 이름을 나타내는 변수를 통해 방송 서비스의 속성을 요청할 수 있다. 방송 수신 장치(100)는 연동 장치에게 방송 서비스의 속성을 나타내는 변수를 통하여 방송 서비스의 속성을 알릴 수 있다.구체적인 실시예에서 방송 서비스의 속성을 나타내는 변수는 ServiceProperty, ServicePropertyName 및 ServicePropertyChangeFlag 중 어느 하나를 포함할 수 있다. ServiceProperty는 방송 서비스의 속성을 포함한다. 구체적인 실시예에서 ServiceProperty는 필수 변수이고, 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다. ServicePropertyName은 방송 서비스의 속성의 이름을 나타낸다. ServicePropertyName은 필수 변수이고, 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다. 변수 ServicePropertyChangeFlag는 방송 서비스 속성의 변경 여부를 나타낸다. 구체적인 실시예에서 ServicePropertyChangeFlag는 필수 변수이고, 불리언 데이터 타입을 가질 수 있다. 또한 연동 장치(200)가 ServicePropertyChangeFlag에 대한 구독(subscription) 요청을 하는 경우, 방송 수신 장치(100)는 ServicePropertyChangeFlag를 연동 장치에게 전송할 수 있다.연동 장치(200)는 방송 서비스의 속성의 이름을 나타내는 변수를 통해 방송 서비스의 속성을 요청하기 위해 GetServiceProperty라는 액션을 사용할 수 있다. GetServiceProperty는 필수 액션이다. 이때, GetServiceProperty는 입력을 위한 인자로 ServiceProgpertyName을 가질 수 있다. 또한 GetServiceProperty는 출력을 위한 인자로 ServiceProperty를 가질 수 있다. 구체적인 실시예에서 연동 장치(200)가 방송 수신 장치(100)에게 획득하고자 하는 방송 서비스의 속성을 SevicePropertyName으로 설정하고 GetServiceProperty 액션을 전송하는 경우, 연동 장치(200)는 ServicePropertyName에 해당하는 방송 서비스의 속성을 ServiceProperty로 수신할 수 있다. 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)의 동작에 대해서는 도 40을 통해 자세히 설명하도록 한다.도 40은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 방송 서비스 속성을 시그널링하는 동작을 보여주는 래더다이그램이다.방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 페어링(pairing) 세션을 생성한다(S2021). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 IP 통신부(130)를 통하여 연동 장치(200)와의 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 통신부를 통하여 방송 수신 장치(100)와의 페어링 세션을 생성할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 양방향 통신을 위한 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적인 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)의 동작은 도 37의 실시예와 같을 수 있다.연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 방송 서비스의 속성 변경 알림을 요청한다(S2023). 구체적으로 연동 장치(200)는 제어부를 통하여 방송 수신 장치(100)에게 방송 서비스의 속성 변경 알림을 요청할 수 있다. 구체적인 연동 장치(200)의 동작은 도 37의 실시예와 같을 수 있다.방송 수신 장치(100)는 방송 서비스에 기초하여 방송 서비스 속성을 시그널링하는 정보를 수신한다(S2025). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 방송 수신부(110)를 통하여 방송 전송 장치(300)로부터 방송 서비스 속성을 시그널링하는 정보를 수신할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성을 시그널링하는 정보에 기초하여 방송 서비스 속성 변경 여부를 알린다(notify)(S2027). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 제어부(150)를 통하여 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성을 시그널링하는 정보에 기초하여 방송 서비스 속성 변경 여부를 알릴 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 방송 서비스의 속성이 이전과 변경되었는지 판단할 수 있다. 방송 서비스의 속성이 이전과 변경된 경우, 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성 변경을 알릴 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 방송 서비스의 속성을 시그널링하는 정보의 버전이 이전과 변경되었는지에 기초하여 방송 서비스의 속성 변경 여부를 판단할 수 있다. 또한, 구체적인 실시예에서 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성의 변경 여부를 나타내는 변수를 통하여 방송 서비스의 속성 변경 여부를 알릴 수 있다. 구체적인 실시예에서 방송 서비스의 속성 변경 여부를 나타내는 변수는 도 39의 ServicePropertyChangedFlag일 수 있다. 이때, 방송 서비스의 속성 변경 여부를 나타내는 데이터 형식에 대해서는 도 41을 통해서 구체적으로 설명하도록 한다.도 41은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 시그널링하는 방송 서비스 속성 변경 여부의 데이터 형식을 보여준다.방송 서비스 속성 변경 여부의 데이터의 형식은 XML 형식일 수 있다. 다만, 방송 서비스 속성 변경 여부의 데이터 형식은 이에 제한되지 않는다. 구체적인 실시예에서 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성 변경 여부만을 알릴 수 있다. 도 41의 실시예에서와 같이 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성 변경 여부를 트루(TRUE) 값 또는 폴스(FALSE) 값을 갖는 불리안 변수로 표시할 수 있다. 예컨대, 방송 서비스의 속성이 변경된 경우, 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성 변경 여부를 나타내는 변수가 트루 값을 갖는 데이터를 전송할 수 있다. 다만, 이러한 실시예에서 연동 장치(200)는 방송 서비스의 어떤 속성이 변경 되었는지를 알 수 없고, 방송 서비스의 속성 중 하나라도 변경 되었는지만을 알 수 있다. 따라서 연동 장치(200)는 자신이 필요로하지 않는 방송 서비스의 속성이 변경된 경우에도 방송 서비스의 속성을 요청하게된다. 따라서 이러한 실시예는 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)의 불필요한 동작과 불필요한 데이터 교환을 유발할 수 있다. 이를 해결하기 위해서 방송 수신 장치(100)는 변경된 방송 서비스의 속성 연동 장치(200)에게 알려줄 필요가 있다. 이에 대해서는 도 42 내지 도 43을 통하여 설명하도록 한다.도 42는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 시그널링하는 방송 서비스 속성의 상태를 나타내는 변수들을 보여준다.방송 서비스의 속성이 변경된 경우, 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 변경된 속성과 방송 서비스 속성의 변경 여부를 같이 알릴 수 있다. 이를 위해 방송 서비스의 속성 변경 여부를 나타내는 변수가 변경된 서비스의 속성을 나타내는 정보를 포함할 수 있다. 이를 위해 방송 서비스의 속성 변경 여부를 나타내는 변수는 바이너리 헥사 타입을 가질 수 있다. 따라서 다른 변수, 액션 및 액션의 아규먼트는 동일하고, 도 39의 실시예에서 방송 서비스의 속성 변경 여부를 나타내는 변수인 ServicePropertyChangedFlag는 바이너리 헥사 타입일 수 있다. ServicePropertyChangedFlag에 대한 구독(subscription) 요청을 하는 경우, 방송 수신 장치(100)는 ServicePropertyChangedFlag를 연동 장치에게 전송할 수 있다. 방송 수신 장치(100)가 연동 장치(200)에게 시그널링하는 방송 서비스 속성 변경 여부의 데이터 형식에 대해서는 도 43을 통해서 설명하도록 한다.도 43은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 시그널링하는 방송 서비스 속성 변경 여부의 데이터 형식을 보여준다.방송 서비스 속성 변경 여부의 데이터는 XML 형식일 수 있다. 다만, 방송 서비스 속성 변경 여부의 데이터 형식은 이에 제한되지 않는다. 방송 수신 장치(100)는 방송 서비스의 속성 각각에 대하여 특정 비트를 할당하고, 방송 서비스의 속성이 변경된 경우 해당 비트를 1로 표시할 수 있다. 도 43의 실시예에서 십육진수 90080004는 이진수 1001 0000 0000 1000 0000 0000 0100이다. 이때, 처음 4자리 비트가 각각 방송 서비스의 주 언어, 장르, 권장 등급 및 타게팅 속성을 각각 나타낸다고 할 수 있다. 이 경우, 연동 장치(200)는 방송 서비스의 주 언어 및 타겟팅 속성이 변경된 것을 알 수 있다.다시 도 40을 통하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치(100)가 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성을 시그널링하는 것을 설명하도록 한다.연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 방송 서비스의 특정 속성을 요청한다(S2029). 방송 서비스의 특정 속성은 방송 서비스의 속성을 시그널링하는 정보에 포함된 방송 서비스의 속성 중 어느 하나 또는 복수의 속성일 수 있다. 연동 장치(200)는 제어부를 통하여 방송 수신 장치(100)에게 방송 서비스의 특정 속성을 요청할 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)가 방송 서비스의 속성 변경 알림을 전송한 경우, 연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 방송 서비스의 특정 속성을 요청할 수 있다. 이때, 방송 서비스의 특정 속성은 연동 장치(200)가 방송 서비스와 관련된 부가 서비스를 제공하기 위해 필요한 방송 서비스의 속성일 수 있다. 또한, 도 44 내지 도 45와 같이 방송 수신 장치(100)가 방송 서비스의 속성들 중 변경된 부분을 시그널링한 경우, 연동 장치(100)는 변경된 방송 서비스의 속성의 종류에 기초하여 방송 서비스의 특정 속성을 요청할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 방송 서비스의 특정 속성이 변경된 경우 방송 서비스의 특정 속성을 요청할 수 있다. 방송 서비스의 특정 속성은 연동 장치(200)가 방송 서비스와 관련한 부가 서비스를 제공하기 위해 필요한 속성일 수 있다. 예컨대, 연동 장치(200)가 방송 서비스의 타겟팅 속성에 기초하여 방송 서비스의 재생 여부를 결정하는 경우, 연동 장치(200) 방송 서비스의 타겟팅 속성이 변경된 경우에 방송 서비스의 타겟팅 속성을 요청할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 특정 속성을 알린다(S2031). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 제어부(150)를 통하여 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 특정 속성을 알릴 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)의 요청에 기초하여 방송 서비스의 특정 속성을 알릴 수 있다. 예컨대 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 연동 장치(200)가 요청한 방송 서비스의 특정 속성을 전송할 수 있다.다만, 이러한 실시예은 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)간의 지속적인 통신을 필요로할 수 있다. 특히, 방송 수신 장치(100)가 복수의 연동 장치(200)와 연동하는 경우 지속적인 통신은 방송 수신 장치(100)의 동작의 과부하를 유발할 수 있다. 연동 장치(100)가 방송 서비스의 속성을 컨텐츠/시그널링 서버(400)로부터 수신하도록 하는 경우 이러한 문제를 해결할 수 있다. 이에 대해서는 도 44 내지 도 45를 통하여 설명하도록 한다.도 44는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 시그널링하는 방송 서비스 속성의 상태를 나타내는 변수들을 보여준다.방송 서비스의 속성이 변경된 경우, 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 변경 여부와 방송 서비스의 속성을 수신할 수 있는 URL 주소를 같이 알릴 수 있다. 이를 위해 방송 수신 장치(100)가 연동 장치(200)에게 시그널링하는 방송 서비스 속성의 상태를 나타내는 변수는 방송 서비스의 속성을 수신할 수 있는 URL 주소를 나타내는 정보를 포함할 수 있다. 구체적인 실시예에서 시그널링하는 방송 서비스 속성의 상태를 나타내는 변수는 송 서비스의 속성을 수신할 수 있는 URL 주소를 나타내는 ServicePropertyChangeFlag를 포함할 수 있다. 구체저인 실시예에서 ServicePropertyChangeFlag는 선택 변수이고, 스트링 타입을 가질 수 있다. 구체적인 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)의 동작에 대해서는 도 45를 통해 설명하도록 한다.도 45는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 방송 서비스 속성을 시그널링하는 동작을 보여주는 래더다이그램이다.방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 페어링(pairing) 세션을 생성한다(S2041). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 IP 통신부(130)를 통하여 연동 장치(200)와의 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 통신부를 통하여 방송 수신 장치(100)와의 페어링 세션을 생성할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 양방향 통신을 위한 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적인 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)의 동작은 도 40의 실시예와 같을 수 있다.연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 방송 서비스의 속성 변경 알림을 요청한다(S2043). 구체적으로 연동 장치(200)는 제어부를 통하여 방송 수신 장치(100)에게 방송 서비스의 속성 알림을 요청할 수 있다. 구체적인 연동 장치(200)의 동작은 도 40의 실시예와 같을 수 있다.방송 수신 장치(100)는 방송 서비스에 기초하여 방송 서비스 속성을 시그널링하는 정보를 수신한다(S2045). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 방송 수신부(110)를 통하여 방송 전송 장치(300)로부터 방송 서비스 속성을 시그널링하는 정보를 수신할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성을 시그널링하는 정보에 기초하여 방송 서비스 속성 변경 여부 및 방송 서비스의 속성을 획득할 수 있는 URL을 알린다(notify)(S2047). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 제어부(150)를 통하여 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성을 시그널링하는 정보에 기초하여 방송 서비스 속성 변경 여부 및 방송 서비스의 속성을 획득할 수 있는 URL을 알릴 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 방송 서비스의 속성이 이전과 변경되었는지 판단할 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 방송 서비스의 속성을 시그널링하는 정보의 버전이 이전과 변경되었는지에 기초하여 방송 서비스의 속성 변경 여부를 판단할 수 있다. 또한, 방송 서비스의 속성이 이전과 변경된 경우, 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성 변경 및 방송 서비스의 속성을 획득할 수 있는 URL을 알릴 수 있다. 구체적인 실시예에서 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성의 변경 여부를 나타내는 변수를 통하여 방송 서비스의 속성 변경 여부를 알릴 수 있다. 구체적인 실시예에서 방송 서비스의 속성 변경 여부를 나타내는 변수는 도 44의 ServicePropertyChangeFlag일 수 있다. 또한 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성을 획득할 수 있는 URL을 나타내는 변수를 통하여 방송 서비스의 속성 변경 여부를 알릴 수 있다. 구체적인 실시예에서 방송 서비스의 속성을 획득할 수 있는 URL을 나타내는 변수는 도 44의 ServicePropertyURL일 수 있다.연동 장치(200)는 방송 서비스의 속성을 획득할 수 있는 URL에 기초하여 방송 서비스의 속성을 획득한다(S2049). 구체적으로 연동 장치(200)는 제어부를 통하여 방송 서비스의 속성을 획득할 수 있는 URL에 기초하여 방송 서비스의 속성을 획득할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 방송 서비스의 속성을 획득할 수 있는 URL에 기초하여 컨텐츠/시그널링 서버(400)로부터 방송 서비스의 속성을 획득할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 방송 서비스의 속성을 획득할 수 있는 URL에 기초하여 방송 서비스의 속성을 컨텐츠/시그널링 서버에 요청하고, 컨텐츠/시그널링 서버(400)로부터 방송 서비스의 속성을 획득할 수 있다. 이를 통해 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)의 간의 통신으로 발생할 수 있는 방송 통신 장치(100)의 부하를 줄일 수 있다. 다만, 이러한 실시예에서 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)가 필요로 하지 않는 방송 서비스의 속성이 변경될 경우에도 방송 서비스 속성의 변경을 알려야한다. 따라서 방송 수신 장치(100)는 필요없는 동작을 수행해야하는 문제가 있다. 연동 장치(200)가 방송 수신 장치(100)에게 알림 변경을 요청할 때 미리 필요한 방송 서비스의 속성을 설정하는 경우 방송 수신 장치(100)의 불필요한 동작을 줄일 수 있다. 이에 대해서는 도 46 내지 도 47을 통해 설명하도록 한다.도 46은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 시그널링하는 방송 서비스 속성의 상태를 나타내는 변수, 방송 서비스 속성을 위한 액션 및 액션의 인수(argument)를 보여준다.연동 장치(200)가 방송 수신 장치(100)에게 방송 서비스의 속성 변경 알림을 요청하면서 알림받기를 원하는 방송 서비스의 속성을 지정할 수 있다. 이를 위해 연동 장치(200)는 알림받기를 원하는 방송 서비스의 속성을 지정하는 액션을 포함할 수 있다. 이때 액션은 알림받기를 원하는 방송 서비스의 속성을 나타내는 변수를 입력 인자로 가질 수 있다. 이러한 액션은 도 46의 실시예의 SetServiceProperty일 수 있다. 구체적인 실시예에서 SetServiceProperty는 필수 액션일 수 있다. 또한 SetServiceProperty는 방송 서비스의 속성의 종류를 나타내는 ServicePropertyName을 입력 인자(argument)로 가질 수 있다. 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)의 구체적인 동작은 도 47을 통해서 설명하도록 한다.도 47은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 방송 서비스 속성을 시그널링하는 동작을 보여주는 래더다이그램이다.방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 페어링(pairing) 세션을 생성한다(S2061). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 IP 통신부(130)를 통하여 연동 장치(200)와의 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 통신부를 통하여 방송 수신 장치(100)와의 페어링 세션을 생성할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 양방향 통신을 위한 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적인 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)의 동작은 도 45의 실시예와 같을 수 있다.연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 방송 서비스의 특정 속성 변경 알림을 요청한다(S2063). 구체적으로 연동 장치(200)는 제어부를 통하여 방송 수신 장치(100)에게 방송 서비스의 특정 속성 변경 알림을 요청할 수 있다. 연동 장치(200)는 방송 서비스와 연관된 부가 정보를 제공하기 위해 필요한 방송 서비스의 특정 속성의 변경 알림만을 요청할 수 있다. 구체적인 실시예에서 연동 장치(200)는 특정 속성의 변경 알림만을 요청하기 위한 액션을 통해 방송 서비스의 특정 속성 변경 알림을 요청할 수 있다. 이때, 특정 속성의 변경 알림만을 요청하기 위한 액션은 도 46에서 설명한 SetServiceProperty일 수 있다. 연동 장치(200)가 방송 수신 장치(100)에게 방송 서비스의 특정 속성 변경 알림을 요청하는 동작은 다음과 같은 동작들을 포함할 수 있다. 연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 서비스의 속성에 관한 변경 알림을 구독(subscribe)을 요청할 수 있다. 방송 수신 장치(100)는 서비스의 속성에 관한 변경 알림 구독(subscribe) 요청에 대하여 수락할 경우, 연동 장치(200)에게 수락 메시지와 구독 요청을 식별하는 구독 식별자(Subscription ID, SID)를 함께 전송할 수 있다. 연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 SID에 기초하여 방송 서비스의 특정 속성의 변경 알림만을 요청할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 SID와 함께 변경 여부를 알림받고자 하는 방송 서비스의 특정 속성을 전송할 수 있다. 또한 연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 방송 서비스의 복수의 특정 속성들의 변경에 대하여 알림 요청할 수 있다. 이때, 연동 장치(200)는 방송 서비스의 복수의 특정 속성들을 리스트 형태로 요청할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 방송 서비스에 기초하여 방송 서비스 속성을 시그널링하는 정보를 수신한다(S2065). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 방송 수신부(110)를 통하여 방송 전송 장치(300)로부터 방송 서비스 속성을 시그널링하는 정보를 수신할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 방송 서비스의 특정 속성의 변경 여부를 확인한다(S2067). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 제어부(150)를 통하여 방송 서비스의 특정 속성의 변경 여부를 확인할 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 방송 서비스의 특정 속성이 이전과 변경되었는지 판단할 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 방송 서비스의 특정 속성의 이전 값과 현재 값을 비교하여 방송 서비스의 특정 속성 변경 여부를 판단할 수 있다.방송 서비스의 특정 속성이 변경된 경우, 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성을 시그널링하는 정보에 기초하여 방송 서비스의 특정 속성 변경 여부를 알린다(notify)(S2069). 구체적으로 방송 서비스의 특정 속성이 변경된 경우, 방송 수신 장치(100)는 제어부(150)를 통하여 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성을 시그널링하는 정보에 기초하여 방송 서비스의 특정 속성 변경 여부를 알릴 수 있다.연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 방송 서비스의 특정 속성을 요청한다(S2071). 구체적으로 연동 장치(200)는 제어부를 통하여 방송 수신 장치(100)에게 방송 서비스의 특정 속성을 요청할 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)가 방송 서비스의 특정 속성 변경 알림을 전송한 경우, 연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 방송 서비스의 특정 속성을 요청할 수 있다. 구체적인 연동 장치(200)의 동작은 도 40의 실시예와 동일할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 특정 속성을 알린다(S2073). 방송 수신 장치(100)는 제어부(150)를 통하여 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 특정 속성을 알릴 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)의 요청에 기초하여 방송 서비스의 특정 속성을 알릴 수 있다. 예컨대 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 연동 장치(200)가 요청한 방송 서비스의 특정 속성을 전송할 수 있다.또한, 연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)로부터 반송 서비스의 특정 속성을 획득하는 것이 아니라 도 45에서 설명한 것과 같이 방송 서비스 속성을 획득할 수 있는 URL에 획득하고, 방송 서비스 속성을 획득할 수 있는 URL에 기초하여 방송 서비스의 특정 속성을 획득할 수 있다. 이와 같은 동작을 통해 방송 수신 장치(100)가 불필요하게 연동 장치(200)에게 방송 서비스의 속성 변경을 알리는 동작을 줄일 수 있다.방송 수신 장치(100)는 자연 재해, 테러, 전쟁 등 재난 상황에 대한 긴급 경보를 방송망을 통해 수신할 수 있다. 또한, 방송 수신 장치(100)는 이를 사용자에게 알릴 수 있다. 이를 통해 국가 재난 상황에 대해 여러 사람들이 신속하고 효율적으로 파악할 수 있다. 다만, 사용자가 방송 수신 장치(100)를 계속 주시하는 상황이 아니라면 이러한 긴급 경보를 알아차릴 수 없는 상황이될 수 있다. 사용자가 방송 수신 장치(100)를 계속 주시하는 상황이 아니더라도 사용자는 휴대폰, 태블릿 등의 연동 장치(200)를 항상 소지하고 있을 확률이 크다. 따라서 방송 수신 장치(100)가 연동 장치(200)에게 긴급 경보를 전송하고 연동 장치(200)가 긴급 경보를 표시할 수 있다면 국가적 재난 상황을 사용자에게 신속하고 효율적으로 알릴 수 있다. 이에 대해서는 도 48 내지 도 60을 통하여 설명하도록 한다.도 48은 본 발명의 일 실시예에 따라 긴급 경보가 생성되어 방송망을 통해서 전송되는 과정을 보여준다.방송 서비스를 통한 긴급 경보를 관리하는 경보 시스템은 긴급 경보를 발령할 권한이 있는 정부 당국(authorities)이 IPWS(Integrated Public Alert 0026# Warning System)를 통해 긴급 상황을 입력하거나 다른 출처들을 통해 공통 경보 프로토콜(Common Alerting Protocol, CAP)에 따른 메시지를 수신한다. 경보 시스템은 CAP 메시지가 현재 지역에 해당하는지 판단한다. CAP 메시지가 현재 지역에 해당하는 경우, 방송 신호에 CAP 메시지를 삽입한다. 따라서 CAP 메시지는 방송 신호를 통해 전송되게된다. 방송 수신 장치(100)가 방송 신호를 수신하여 긴급 경보를 사용자에게 전송하는 동작에 대해서는 도 49를 통해 설명하도록 한다.도 49는 본 발명의 일 실시예에 따라 방송 수신 장치가 방송망을 통해 시그널링되는 긴급 경보를 추출하여 표시하는 것을 보여준다.방송 전송 장치(200)는 방송 신호에 기초하여 긴급 경보 테이블(Emergency Alter Table, EAT)을 추출하고, EAT로부터의 CAP 메시지를 추출할 수 있다. 또한 방송 전송 장치(200)는 긴급 경보와 관련된 추가 정보를 EAT가 포함하는 비실시간 서비스 식별자에 기초하여 획득할 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(200)는 EAT가 포함하는 EAS_NRT_service_id 필드에 기초하여 긴급 경보와 관련한 추가 정보를 획득할 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(200)는 EAT에 포함된 비실시간 서비스 식별자에 기초하여 비실시간 서비스를 시그널링하는 테이블로부터 긴급 경보와 관련된 추가 정보를 전송하는 FLUTE 세션을 정보를 획득할 수 있다. 이때, 비실시간 서비스를 시그널링하는 테이블은 서비스 맵 테이블(Service Map Table, SMT)일 수 있다. 방송 수신 장치(200)는 FLUTE 세션에 관한 정보에 기초하여 해당 FLUTE 세션으로부터 긴급 경보와 관련된 추가 정보를 수신할 수 있다. 방송 수신 장치(200)는 긴급 경보를 수신하여 방송 서비스 및 방송 서비스의 프로그램에 대한 정보를 표시하는 서비스 가이드에 긴급 경보를 표시할 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(200)는 가이드 접근 테이블(Guide Acess Table, GAT)로부터 서비스 식별자를 추출하고, 서비스 식별자에 해당하는 정보를 비실시간 서비스를 시그널링하는 테이블로부터 추출하여 긴급 경보를 수신할 수 있다. 구체적인 실시예에서 방송 수신 장치(200)는 GAT에서 추출한 서비스 식별자에 해당하는 서비스의 FLUTE 세션에 관한 정보를 획득할 수 있다. 이후 방송 수신 장치(200)는 FLUTE 세션에 관한 정보에 기초하여 긴급 경고 메시지를 수신하고, 긴급 경고 메시지를 서비스 가이드에 표시할 수 있다. 구체적인 CAP 메시지의 형식은 도 50과 같을 수 있다.방송 수신 장치(100) 연동 장치(200)에게 전송하는 구체적인 동작에 대해서는 도 51 내지 도 60을 통하여 설명하도록 한다.도 51은 본 발명의 일 실시예에 따라 방송 수신 장치가 시그널링하는 긴급 경보의 상태를 나타내는 변수, 긴급 경보를 위한 액션 및 액션의 인수(argument)를 보여준다.본 발명의 일 실시예에서 긴급 경보의 상태를 나타내는 변수는 긴급 경보를 포함하는 긴급 경보 메시지에 대한 정보를 나타내는 변수 및 긴급 경보 메시지를 모두 포함하는 긴급 경보에 대한 정보를 나타내는 변수 중 적어도는 어느 하나를 포함할 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)가 긴급 경보를 수신한 경우, 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(100)에게 긴급 경보 메시지에 대한 정보를 알릴 수 있다. 긴급 경보 메시지에 대한 정보에 대해서는 도 52를 참조하여 설명하도록 한다.도 52는 본 발명의 일 실시예에 따라 방송 수신 장치가 시그널링하는 긴급 경보 메시지에 대한 정보를 보여준다.긴급 경보를 메시지에 대한 정보는 긴급 경보의 버전, 긴급 경보 메시지의 형식(format), 긴급 경보 메시지를 수신한 날짜 및 긴급 경보 메시지를 수신한 시간 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 구체적으로 긴급 경보 메시지의 형식을 나타내는 messageType, 긴급 경보 메시지를 수신한 날짜 및 긴급 경보 메시지를 수신한 시간을 나타내는 dateTime 및 긴급 경보 메시지의 버전을 나타내는 version 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 구체적인 실시예에서 긴급 경보를 포함하는 메시지에 대한 정보는 도 52와 같이 XML 형식일 수 있다. 다만, 긴급 경보를 포함하는 메시지의 형식이 이에 제한되는 것은 아니다.다시 도 51을 통하여 본 발명의 일 실시예에 따라 방송 수신 장치가 시그널링하는 긴급 경보의 상태를 나타내는 변수, 긴급 경보를 위한 액션 및 액션의 인수(argument)를 설명하기로 한다.또한 연동 장치(200)는 긴급 경보 메시지를 모두 포함하는 긴급 경보에 대한 정보를 액션을 통해서 요청할 수 있다. 이때, 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(100)에게 긴급 경보에 대한 정보를 포함하는 변수를 통하여 긴급 경보 메시지를 모두 포함하는 긴급 경보에 대한 정보를 시그널링할 수 있다. 구체적인 실시예에서 긴급 경보의 상태를 나타내는 변수는 EmergencyAlert 및 EmergencyAlertProperty 중 어느 하나를 포함할 수 있다. EmergencyAlert은 긴급 경보를 포함하는 메시지에 대한 정보를 포함한다. 구체적인 실시예에서 EmergencyAlert은 필수 변수이고, 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다. 방송 수신 장치(100)는 EmergencyAlert을 UPnP의 이벤팅 프로토콜을 이용해 전송할 수 있다. 구체적인 실시예에서 방송 수신 장치(100)는 긴급 경보를 수신하는 경우, EmergencyAlertProperty는 긴급 경보에 대한 정보를 포함한다. EmergencyAlertProperty은 필수 변수이고, 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다. 구체적인 실시예에서 긴급 경보 메시지를 모두 포함하는 긴급 경보에 대한 정보를 요청하는 액션은 GetAllEmergencyAlertMessage일 수 있다. 구체적인 실시예에서 GetAllEmergencyAlertMessage는 필수 액션일 수 있다. 또한 GetAllEmergencyAlertMessage는 EmergencyAlertProperty를 출력 인자로 가질 수 있다.방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)의 동작에 대해서는 도 53을 통해 자세히 설명하도록 한다.도 53은 본 발명의 일 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 긴급 경보를 시그널링하는 동작을 보여주는 래더다이어그램이다.방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 페어링(pairing) 세션을 생성한다(S2101). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 IP 통신부(130)를 통하여 연동 장치(200)와의 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 통신부를 통하여 방송 수신 장치(100)와의 페어링 세션을 생성할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 양방향 통신을 위한 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적인 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)의 동작은 도 37의 실시예와 같을 수 있다.연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 긴급 경보 수신 알림을 요청한다(S2103). 구체적으로 연동 장치(200)는 제어부를 통하여 방송 수신 장치(100)에게 긴급 경보 수신 알림을 요청할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 UPnP 프로토콜을 이용하여 방송 수신 장치(100)에게 긴급 경보 수신 알림을 요청할 수 있다. 구체적인 실시예에서 연동 장치(200)는 이벤팅 프로토콜에 기초하여 방송 수신 장치(100)에게 긴급 경보 수신 알림에 대한 이벤트의 구독(subscription) 요청을 할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 방송 전송 장치(300)로부터 긴급 경보를 포함하는 메시지를 수신한다(S2105). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 방송 수신부(110)를 통하여 방송 전송 장치(300)로부터 긴급 경보 메시지를 수신할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 긴급 경보 메시지에 기초하여 긴급 경보 메시지에 대한 정보를 알린다(notify)(S2107). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 제어부(150)를 통하여 연동 장치(200)에게 긴급 정보 메시지에 기초하여 방송 긴급 경보 메시지에 대한 정보를 알릴 수 있다. 구체적인 실시예에서 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 긴급 경보 메시지에 대한 정보를 나타내는 변수를 통하여 긴급 경보 메시지에 대한 정보를 알릴 수 있다. 구체적인 실시예에서 긴급 경보 메시지에 대한 정보를 나타내는 변수는 도 52의 EmergencyAlert일 수 있다.연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 긴급 경보에 대한 정보를 요청한다(S2109). 구체적으로 연동 장치(200)는 제어부를 통해 방송 수신 장치(100)에게 긴급 경보를 요청할 수 있다. 구체적인 실시예에서 연동 장치(200)는 긴급 경보를 요청하는 액션을 통해서 긴급 경보를 요청할 수 있다. 구체적인 실시예에서 긴급 경보를 요청하는 액션은 도 52의 GetEmergencyAlertMessage일 수 있다.방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 긴급 경보 메시지를 모두 포함하는 긴급 경보에 대한 정보를 알린다(S2111). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 제어부(150)를 통해 연동 장치(200)에게 긴급 경보 메시지를 모두 포함하는 긴급 경보에 대한 정보를 알릴 수 있다. 다만, 이러한 경우 긴급 경보 메시지를 모두 전송 받아야하므로 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)의 동작에 부하로 작용할 수 있다. 따라서 연동 장치(200)에게 긴급 경보 메시지를 효율적으로 전송하는 방법이 필요하다.방송 수신 장치(100)는 긴급 경보 메시지로부터 연동 장치(200)에게 필요한 정보를 추출하여 전송할 수 있다. 구체적인 실시예에서 방송 수신 장치(100)는 긴급 경보 메시지로부터 긴급 경보를 식별하는 식별자, 긴급 경보의 카테고리를 나타내는 정보, 긴급 경보에 대한 설명을 나타내는 정보, 긴급 경보에 해당하는 지역을 나타내는 정보, 긴급 경보의 긴급도를 나타내는 정보, 긴급 경보를 유발한 재난의 심각성을 나타내는 정보 및 긴급 경보를 유발한 재난의 발생 확률을 나타내는 정보 중 적어도 어느 하나를 추출할 수 있다. 구체적인 실시예에서 방송 수신 장치(100)는 긴급 경보 메시지로부터 긴급 경보를 식별하는 엘리먼트인 identifier, 긴급 경보의 카테고리를 나타내는 엘리먼트인 category, 긴급 경보에 대한 설명을 나타내는 엘리먼트인 description, 긴급 경보에 해당하는 지역을 나타내는 엘리먼트인 areaDesc, 긴급 경보의 긴급도를 나타내는 엘리먼트인 urgency, 긴급 경보를 유발한 재난의 심각성을 나타내는 엘리먼트인 severity 및 긴급 경보를 유발한 재난의 발생 확률을 나타내는 엘리먼트인 certainity 중 적어도 어느 하나를 추출할 수 있다.연동 장치(200)는 긴급 경보의 우선도(priority)를 판단하고, 긴급 경보의 우선도에 기초하여 동작할 수 있다. 긴급 경보의 우선도를 판단하는 방법에 대해서는 도 54 내지 도 56을 통하여 설명하도록 한다.도 54 내지 56은 본 발명의 일 실시예에 따라 방송 수신 장치가 긴급 경보의 우선 순위를 판단하는 기준을 보여준다.연동 장치(200)는 긴급 경보의 우선도를 긴급 경보의 긴급도를 나타낸는 정보, 긴급 경보를 유발한 재난의 심각성을 나타내는 정보 및 긴급 경보를 유발한 재난의 발생 확률을 나타내는 정보 각각의 값에 기초하여 우선도를 구분할 수 있다. 이때, 연동 장치(200)는 긴급 경보의 우선도를 긴급 경보의 긴급도를 나타내는 정보, 긴급 경보를 유발한 재난의 심각성을 나타내는 정보 및 긴급 경보를 유발한 재난의 발생 확률을 나타내는 정보 중 가장 높은 우선도를 가지는 값에따라 긴급 경보의 우선도를 판단할 수 있다. 구체적인 실시예에서 연동 장치(200)는 긴급 경보의 우선도를 긴급 경보의 긴급도를 나타낸는 정보, 긴급 경보를 유발한 재난의 심각성을 나타내는 정보 및 긴급 경보를 유발한 재난의 발생 확률을 나타내는 정보가 가지는 값에 따라 3개의 긴급도로 구분할 수 있다. 예컨대, 연동 장치(200)는 도 54의 실시예와 같이 Urgency 엘리먼트가 Immediate 또는 Expected에 해당 하는 경우 가장 높은 우선도, Future에 해당하는 경우 가장 높은 우선도보다 우선도가 낮고 가장 낮은 우선도 보다 우선도가 높은 중간 우선도, Past에 해당하는 경우 가장 낮은 우선도, Unknown에 해당하는 경우 초기 값에 해당하는 우선도를 가지는 것으로 판단할 수 있다. 이때 초기 값은 가장 높은 우선보다 우선도가 낮고 가장 낮은 우선도 보다 우선도가 높은 중간 우선도일 수 있다. 또한, 연동 장치(200)는 도 54의 실시예와 같이 Severity 엘리먼트가 Extreme 또는 Severe에 해당 하는 경우 가장 높은 우선도, Moderate에 해당하는 경우 가장 높은 우선도보다 우선도가 낮고 가장 낮은 우선도 보다 우선도가 높은 중간 우선도, Minor에 해당하는 경우 가장 낮은 우선도, Unknown에 해당하는 경우 초기 값에 해당하는 우선도를 가지는 것으로 판단할 수 있다. 이때, 초기 값은 가장 높은 우선보다 우선도가 낮고 가장 낮은 우선도 보다 우선도가 높은 중간 우선도일 수 있다. 또한, 연동 장치(200)는 도 54의 실시예와 같이 Certainty 엘리먼트가 Very likely 또는 likely에 해당 하는 경우 가장 높은 우선도, Possible에 해당하는 경우 가장 높은 우선도보다 우선도가 낮고 가장 낮은 우선도 보다 우선도가 높은 중간 우선도, Unlikely에 해당하는 경우 가장 낮은 우선도, Unknown에 해당하는 경우 초기 값에 해당하는 우선도를 가지는 것으로 판단할 수 있다. 이때 초기 값은 가장 높은 우선보다 우선도가 낮고 가장 낮은 우선도 보다 우선도가 높은 중간 우선도일 수 있다.또 다른 실시예에서 연동 장치(200)는 긴급 경보의 우선도를 긴급 경보의 긴급도를 나타내는 정보, 긴급 경보를 유발한 재난의 심각성을 나타내는 정보 및 긴급 경보를 유발한 재난의 발생 확률을 나타내는 정보 각각의 값에 기초하여 포인트를 부여하고 포인트 합에 따라 긴급 경보의 우선도를 판단할 수 있다. 구체적인 실시예에서 연동 장치(200)는 긴급 경보의 긴급도를 나타내는 정보, 긴급 경보를 유발한 재난의 심각성을 나타내는 정보 및 긴급 경보를 유발한 재난의 발생 확률을 나타내는 정보에 동일한 비중으로 포인트를 부여할 수 있다. 예컨대, 연동 장치(200)는 도 55의 실시예와 같이 Urgency 엘리먼트가 Immediate에 해당하는 경우 5, Expected에 해당 하는 경우 4, Future에 해당하는 경우 3, Past에 해당하는 경우 2, Unknown에 해당하는 경우 1의 포인트를 부여할 수 있다. 또한, 연동 장치(200)는 도 55의 실시예와 같이 Severity 엘리먼트가 Extreme에 해당하는 경우 5, Severe에 해당 하는 경우 4, Moderate에 해당하는 경우 3, Minor에 해당하는 경우 2, Unknown에 해당하는 경우 1의 포인트를 부여할 수 있다. 또한, 연동 장치(200)는 도 55의 실시예와 같이 Certainty 엘리먼트가 Very likely에 해당하는 경우 5, likely에 해당 하는 경우 4, Possible에 해당하는 경우 3, Unlikely에 해당하는 경우 2, Unknown에 해당하는 경우 1 포인트를 부여할 수 있다. 이때, 연동 장치(200)는 포인트의 합이 10보다 크거나 15보다 작거나 같은 경우 긴급 경보가 가장 높은 우선도를 갖는 것으로 결정할 수 있다. 또한, 연동 장치(200)는 포인트의 합이 5보다 크거나 10보다 작거나 같은 경우 긴급 경보가 가장 높은 우선도 보다 낮고 가장 낮은 우선도 보다 높은 중간 우선도를 갖는 것으로 결정할 수 있다. 또한, 연동 장치(200)는 포인트의 합이 0보다 크거나 5보다 작거나 같은 경우 긴급 경보가 가장 낮은 우선도를 갖는 것으로 결정할 수 있다.또 다른 구체적인 실시예에서 연동 장치(200)는 긴급 경보의 긴급도를 나타내는 정보, 긴급 경보를 유발한 재난의 심각성을 나타내는 정보 및 긴급 경보를 유발한 재난의 발생 확률을 나타내는 정보에 서로 다른 비중으로 포인트를 부여할 수 있다. 예컨대, 연동 장치(200)는 예컨대, 연동 장치(200)는 도 56의 실시예와 같이 Urgency 엘리먼트가 Immediate에 해당하는 경우 9, Expected에 해당 하는 경우 8, Future에 해당하는 경우 7, Past에 해당하는 경우 5, Unknown에 해당하는 경우 0의 포인트를 부여할 수 있다. 또한, 연동 장치(200)는 도 56의 실시예와 같이 Severity 엘리먼트가 Extreme에 해당하는 경우 5, Severe에 해당 하는 경우 4, Moderate에 해당하는 경우 3, Minor에 해당하는 경우 2, Unknown에 해당하는 경우 0의 포인트를 부여할 수 있다. 또한, 연동 장치(200)는 도 56의 실시예와 같이 Certainty 엘리먼트가 Very likely에 해당하는 경우 6, likely에 해당 하는 경우 5, Possible에 해당하는 경우 4, Unlikely에 해당하는 경우 3, Unknown에 해당하는 경우 0 포인트를 부여할 수 있다. 이때, 연동 장치(200)는 포인트의 합이 10보다 크거나 15보다 작거나 같은 경우 긴급 경보가 가장 높은 우선도를 갖는 것으로 결정할 수 있다. 또한, 연동 장치(200)는 포인트의 합이 5보다 크거나 10보다 작거나 같은 경우 긴급 경보가 가장 높은 우선도 보다 낮고 가장 낮은 우선도 보다 높은 중간 우선도를 갖는 것으로 결정할 수 있다. 또한, 연동 장치(200)는 포인트의 합이 0보다 크거나 5보다 작거나 같은 경우 긴급 경보가 가장 낮은 우선도를 갖는 것으로 결정할 수 있다.연동 장치(200)는 긴급 경보의 우선도에 기초하여 긴급 경보를 표시할 수 있다. 구체적인 실시예에서 연동 장치(200) 긴급 경보의 우선도에 기초하여 긴급 경보에 따른 알람의 소리, 알람의 지속 시간, 알람의 횟수 및 긴급 경보 표시 시간 중 적어도 어느 하나를 달리할 수 있다. 예컨대, 연동 장치(200)는 긴급 경보의 우선도가 높을수록 알람의 소리를 크게할 수 있다. 또한, 연동 장치(200)는 긴급 경보의 우선도가 높을수록 알람을 오랜 시간 유지할 수 있다.도 51 내지 도 53을 통해 설명한 본 발명으 일 실시예에 따를 경우, 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 긴급 경보 메시지를 모두 전송해야한다. 그러나 연동 장치(200)는 긴급 경보 메시지 중 일부 정보만을 필요로할 수 있다. 따라서 방송 수신 장치(200)는 긴급 경보 메시지 중 연동 장치(200)가 필요로하는 일부 정보만을 전송하는 방송 수신 장치(200)의 동작 방법이 필요하다. 이에 대해서는 도 57 내지 도 58을 통해 구체적으로 설명하도록 한다.도 57은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 시그널링하는 긴급 경보의 상태를 나타내는 변수, 긴급 경보를 위한 액션 및 액션의 인수(argument)를 보여준다.연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 긴급 경보에 대한 정보를 요청하면서 획득하기를 원하는 긴급 경보의 특정 정보를 지정할 수 있다. 긴급 경보의 특정 정보는 긴급 경고 메시지에 포함된 복수의 정보 중 하나 또는 복수의 정보일 수 있다. 이때, 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 긴급 경보에 대한 특정 정보를 전송할 수 있다. 이를 위해 연동 장치(200)는 긴급 경보에 대한 특정 정보를 요청하는 액션을 이용할 수 있다. 이때, 액션은 긴급 경보에 대한 특정 정보를 식별하는 변수를 입력 인자로 가질 수 있다. 구체적인 실시예에서 연동 장치(200)가 획득하기를 원하는 긴급 경보의 특정 정보를 나타내는 변수는 EmergencyAlertField일 수 있다. 구체적인 실시예에서 EmergencyAlertField는 필수 변수이고, 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다. 긴급 경보에 대한 특정 정보를 요청하는 액션은 GetEmergencyAlerMessage일 수 있다. GetEmergencyAlerMessage은 필수 액션이고, EmergencyAlertField를 입력 인자로 가질 수 있다. 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)의 구체적인 동작은 도 58을 통해서 설명하도록 한다.도 58은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 긴급 경보를 시그널링하는 동작을 보여주는 래더다이어그램이다.방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 페어링(pairing) 세션을 생성한다(S2121). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 IP 통신부(130)를 통하여 연동 장치(200)와의 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 통신부를 통하여 방송 수신 장치(100)와의 페어링 세션을 생성할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 양방향 통신을 위한 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적인 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)의 동작은 도 53의 실시예와 같을 수 있다.연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 긴급 경보 수신 알림을 요청한다(S2123). 구체적으로 연동 장치(200)는 제어부를 통하여 방송 수신 장치(100)에게 긴급 경고 수신 알림을 요청할 수 있다. 구체적인 연동 장치(200)의 동작은 도 53의 실시예와 같을 수 있다.방송 수신 장치(100)는 방송 서비스에 기초하여 긴급 경보를 포함하는 긴급 경보 메시지를 수신한다(S2125). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 방송 수신부(110)를 통하여 방송 전송 장치(300)로부터 긴급 경보를 포함하는 긴급 경보 메시지를 수신할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 긴급 경보 메시지에 기초하여 긴급 경보 메시지에 대한 정보를 알린다(notify)(S2127). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 제어부(150)를 통하여 연동 장치(200)에게 급 경보 메시지에 기초하여 긴급 경보 메시지에 대한 정보를 알릴 수 있다. 또한, 구체적인 실시예에서 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 긴급 경고 메시지에 대한 정보를 나타내는 변수를 통하여 긴급 경고 메시지 정보를 알릴 수 있다. 구체적인 실시예에서 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 긴급 경보 메시지에 대한 정보를 나타내는 변수를 통하여 긴급 경고 메시지에 대한 정보를 알릴 수 있다. 구체적인 실시예에서 긴급 경고 메시지를 나타내는 변수는 도 52의 EmergencyAlert일 수 있다.연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 긴급 경보에 대한 특정 정보를 요청한다(S2129). 연동 장치(200)는 제어부를 통하여 방송 수신 장치(100)에게 긴급 경보에 대한 특정 정보를 요청할 수 있다. 이때, 긴급 경보에 대한 특정 정보는 연동 장치(200)가 긴급 경보에 관한 부가 기능을 제공하기 위해 필요한 긴급 경보에 대한 정보일 수 있다. 구체적인 실시예에서 연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 긴급 경보 메시지로부터 긴급 경보를 식별하는 식별자, 긴급 경보의 카테고리를 나타내는 정보, 긴급 경보에 대한 설명을 나타내는 정보, 긴급 경보에 해당하는 지역을 나타내는 정보, 긴급 경보의 긴급도를 나타내는 정보, 긴급 경보를 유발한 재난의 심각성을 나타내는 정보 및 긴급 경보를 유발한 재난의 발생 확률을 나타내는 정보 중 적어도 어느 하나를 요청할 수 있다. 예컨대, 연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 긴급 경보 메시지로부터 긴급 경보를 식별하는 엘리먼트인 identifier, 긴급 경보의 카테고리를 나타내는 엘리먼트인 category, 긴급 경보에 대한 설명을 나타내는 엘리먼트인 description, 긴급 경보에 해당하는 지역을 나타내는 엘리먼트인 areaDesc, 긴급 경보의 긴급도를 나타내는 엘리먼트인 urgency, 긴급 경보를 유발한 재난의 심각성을 나타내는 엘리먼트인 severity 및 긴급 경보를 유발한 재난의 발생 확률을 나타내는 엘리먼트인 certainity 중 적어도 어느 하나를 요청할 수 있다. 구체적인 실시예에서 연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 도 57의 GetEmergencyAlertMessage 액션과 EmergencyAlertField를 이용하여 긴급 경보에 대한 특정 정보를 요청할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 긴급 경보 메시지에 기초하여 긴급 경보에 대한 특정정보를 추출한다(S2131). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 제어부(150)를 통하여 긴급 경보 메시지에 기초하여 긴급 경보에 대한 특정 정보를 추출할 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 제어부(150)를 통하여 긴급 경보 메시지로부터 긴급 경보에 대한 특정 정보를 추출할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 긴급 경고에 대한 특정 속성을 알린다(S2133). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 제어부(150)를 통하여 연동 장치(200)에게 긴급 경고에 대한 특정 속성을 알릴 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)의 요청에 기초하여 긴급 경고에 대한 특정 속성을 알릴 수 있다.다만, 방송 수신 장치(100)가 복수의 연동 장치(200)와 연동하는 경우, 방송 수신 장치(100)가 연동 장치(200)가 필요로하는 긴급 경보에 대한 특정 정보를 직접 전송하는 것은 방송 수신 장치(100)의 동작에 과부하를 유발할 수 있다. 따라서 방송 수신 장치(100)의 부하를 줄여줄 수 있는 연동 장치(200)에 대한 긴급 경고 시그널링 방법이 필요하다. 이에 대해서는 도 59를 통해서 설명하도록 한다.도 59는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 긴급 경보를 시그널링하는 동작을 보여주는 래더다이어그램이다.방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 페어링(pairing) 세션을 생성한다(S2141). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 IP 통신부(130)를 통하여 연동 장치(200)와의 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 통신부를 통하여 방송 수신 장치(100)와의 페어링 세션을 생성할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 양방향 통신을 위한 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적인 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)의 동작은 도 58의 실시예와 같을 수 있다.연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 긴급 경보 수신 알림을 요청한다(S2143). 구체적으로 연동 장치(200)는 제어부를 통하여 방송 수신 장치(100)에게 긴급 경고 수신 알림을 요청할 수 있다. 구체적인 연동 장치(200)의 동작은 도 58의 실시예와 같을 수 있다.방송 수신 장치(100)는 방송 서비스에 기초하여 긴급 경보를 포함하는 긴급 경보 메시지를 수신한다(S2145). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 방송 수신부(110)를 통하여 방송 전송 장치(300)로부터 긴급 경보를 포함하는 긴급 경보 메시지를 수신할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 긴급 경보 메시지에 기초하여 긴급 경보 메시지에 대한 정보 및 긴급 경보에 대한 정보를 획득할 수 있는 URL을 알린다(notify)(S2147). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 제어부(150)를 통하여 연동 장치(200)에게 긴급 경보 메시지에 기초하여 긴급 경보 메시지에 대한 정보 및 긴급 경보에 대한 정보를 획득할 수 있는 URL을 알릴 수 있다연동 장치(200)는 긴급 경보에 대한 정보를 획득할 수 있는 URL에 기초하여 긴급 경보에 대한 정보를 획득한다(S2149). 구체적으로 연동 장치(200)는 제어부를 통하여 긴급 경보에 대한 정보를 획득할 수 있는 URL에 기초하여 긴급 경보에 대한 정보를 획득할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 긴급 경보에 대한 정보를 획득할 수 있는 URL에 기초하여 컨텐츠/시그널링 서버(400)로부터 긴급 경보에 대한 정보를 획득할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 긴급 경보에 대한 정보를 획득할 수 있는 URL에 기초하여 긴급 경보에 대한 정보를 컨텐츠/시그널링 서버에 요청하고, 컨텐츠/시그널링 서버(400)로부터 긴급 경보에 대한 정보를 획득할 수 있다. 이를 통해 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)의 간의 통신으로 발생할 수 있는 방송 통신 장치(100)의 부하를 줄일 수 있다.방송 수신 장치(100)가 연동 장치(200)에게 긴급 경보를 표시할 수 있는 사용자 인터페이스(User Interface, UI)를 전송하는 경우, 연동 장치(200)의 긴급 경고를 처리하기 위한 부하를 줄일 수 있다. 이에 대해서는 도 60을 통하여 설명하도록 한다.도 60은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 긴급 경보를 시그널링하는 동작을 보여주는 래더다이어그램이다.방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 페어링(pairing) 세션을 생성한다(S2161). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 IP 통신부(130)를 통하여 연동 장치(200)와의 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 통신부를 통하여 방송 수신 장치(100)와의 페어링 세션을 생성할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 양방향 통신을 위한 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적인 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)의 동작은 도 59의 실시예와 같을 수 있다.연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 긴급 경보 수신 알림을 요청한다(S2163). 구체적으로 연동 장치(200)는 제어부를 통하여 방송 수신 장치(100)에게 긴급 경고 수신 알림을 요청할 수 있다. 구체적인 연동 장치(200)의 동작은 도 59의 실시예와 같을 수 있다.방송 수신 장치(100)는 방송 서비스에 기초하여 긴급 경보를 포함하는 긴급 경보 메시지를 수신한다(S2165). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 방송 수신부(110)를 통하여 방송 전송 장치(300)로부터 긴급 경보를 포함하는 긴급 경보 메시지를 수신할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 긴급 경보 메시지에 기초하여 긴급 경보 메시지에 대한 정보 및 긴급 경보에 대한 UI 정보를 알린다(notify)(S2167). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 제어부(150)를 통하여 연동 장치(200)에게 긴급 경보 메시지에 기초하여 긴급 경보 메시지에 대한 정보 및 긴급 경보에 대한 UI 정보를 알릴 수 있다. 이때, 긴급 경보에 대한 UI 정보는 긴급 경보에 대한 UI의 목록을 포함할 수 있다.연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 긴급 경보에 대한 UI 정보에 기초하여 긴급 경보에 대한 UI를 요청한다(S2169). 구체적으로 연동 장치(200)는 제어부를 통하여 방송 수신 장치(100)에게 긴급 경보에 대한 UI 정보에 기초하여 긴급 경보에 대한 UI를 요청할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)의 요청에 기초하여 연동 장치(200)에게 긴급 경보에 대한 UI를 획득할 수 있는 URI를 전송한다(S2171). 방송 수신 장치(100)는 제어부(150)를 통하여 연동 장치(200)의 요청에 기초하여 연동 장치(200)에게 긴급 경보에 대한 UI를 획득할 수 있는 URI를 전송할 수 있다.연동 장치(200)는 긴급 경보에 대한 UI를 획득할 수 있는 URI에 기초하여 긴급 경보에 대한 UI를 표시한다(S2173). 연동 장치(200)는 제어부를 통하여 긴급 경보에 대한 UI를 획득할 수 있는 URI에 기초하여 긴급 경보에 대한 UI를 표시할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 긴급 경보에 대한 UI를 획득할 수 있는 URI에 기초하여 UI를 획득할 수 있다. 이때, 연동 장치(200)는 외부의 서버로부터 긴급 경보에 대한 UI를 획득할 수 있다. 예컨대, 연동 장치(200)는 긴급 경보에 대한 UI를 위한 이미지 파일 및 HTML 파일 및 XML 파일 중 적어도 어느 하나를 외부의 서버로부터 수신할 수 있다. 이때, 외부의 서버는 컨텐츠/시그널링 서버(400)일 수 있다. 또 다른 구체적인 실시예에서 연동 장치(200)는 긴급 경보에 대한 UI를 미리 저장 하고 있고, 저장한 UI 중 URI에 해당하는 UI를 불러올 수 있다. 또한, 연동 장치(200)는 이러한 동작을 통해 획득한 긴급 경보에 대한 UI를 표시할 수 있다. 이러한 동작을 통해 연동 장치(200)가 긴급 경보를 처리하므로 발생하는 연동 장치(200)의 부하를 줄일 수 있다.연동 장치(100)는 방송 서비스와 연관된 부가 서비스를 제공할 수 있다. 이를 위해 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 NRT 데이터를 전송할 수 있다. 특히, 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 NRT 서비스를 위한 컨텐츠 아이템을 시그널링하는 정보를 전송할 수 있다. 컨텐츠 아이템은 NRT 서비스 재생(presentation)을 위해 필요한 하나 또는 복수의 파일들의 집합(set)이다. 구체적으로 컨텐츠 아이템은 NRT 서비스 제공자가 NRT 서비스의 재생을 위해 하나의 단위(single unit)로 처리(treat)되기를 의도한 하나 또는 복수의 파일 집합일 수 있다. 연동 장치(200)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보에 대해서는 도 61을 통하여 설명하도록 한다.도 61은 본 발명의 일 실시예에 따른 연동 장치를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보를 보여준다.연동 장치(200)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보는 NRT 데이터를 식별하는 식별자, NRT 데이터의 소비 모델(consumption model)을 나타내는 소비 모델 정보, 방송 수신 장치(100)가 NRT 데이터를 다운로딩하는 상태를 나타내는 다운로딩 상태 정보 및 NRT 데이터를 구성하는 컨텐츠 아이템에 관한 정보 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 컨텐츠 아이템에 관한 정보는 컨텐츠 아이템을 식별하는 식별자, 컨텐츠 아이템의 이름을 나타내는 컨텐츠 아이템 이름, 컨텐츠 아이템의 크기를 나타내는 크기 정보, 컨텐츠 아이템의 재생 시간을 나타내는 재생 길이 정보 및 컨텐츠 서버에서 컨텐츠 아이템을 다운로딩할 수 있는 URL을 나타내는 URL 정보 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 연동 장치(200)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보는 XML 형식일 수 있다.연동 장치(200)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보는 도 61의 실시예에서 같이 XML 형식일 수 있다. 또한, 도 61의 실시예와 같이 연동 장치(200)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보는 정보는 DataId, ConsumptionModel, DownloadingStatut ContentItem 중 적어도 어느 하나를 어트리뷰트로 포함할 수 있다.DataId는 NRT 데이터의 고유한 식별자를 나타낸다. 구체적인 실시예에서 DataId는 하나만 존재할 수 있다. 구체적인 실시예에서 DataId 1개 존재할 수 있다. DataId 는 언사인드 숏(unsigned short) 데이터 타입을 가질 수 있다.ConsumptionModel은 NRT 데이터의 소비 모델을 나타낸다. ConsumptionModel은 브라우즈0026# 다운로드(Browse 0026# Download), 포탈(portal), 푸쉬(push), 트리거드(Triggered), 푸쉬 스크립티드(Push Scripted), 포탈(Portal Scripted), 전자 프로그램 가이드(Electoric Program Guide, EPG) 중 어느 하나를 나타낼 수 있다. 구체적으로 Browse 0026# Download는 NRT 서비스가 다운로드는 될 수 있는 컨텐츠를 제공하는 것을 나타낸다. 또한 포털은 NRT 서비스가 웹 브라우저와 유사한 경험을 제공하는 것을 나타낸다. 또한, 푸쉬는 NRT 서비스가 사용자 요청에 기초한 컨텐츠를 제공하는 것을 나타낸다. 트리거드는 NRT 서비스가 A/V 프로그램 동기화되는 어플리케이션을 제공하는 것을 나타낸다. 푸쉬 스크립티드는 사용자 요청에 기초한 컨텐츠를 제공하면서 NRT 서비스의 어플리케이션을 나타내는 선언적 오브젝트(declarative object, DO)가 특정 UI를 제공하는 것을 나타낸다. 포탈 스크립트는 NRT 서비스가 웹 브라우저와 유사한 경험을 제공하면서 DO가 특정 UI를 제공하는 것을 나타낸다. EPG는 NRT 서비스가 방송 수신 장치(100)의 EPG 어플리케이션에 의하여 소비되는 컨텐츠를 제공하는 것을 나타낸다. 구체적인 실시예에서 ConsumptionModel은 1개 존재할 수 있다. 구체적인 실시예에서 ConsumptionModel은 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다.DownloadingStatus는 방송 수신 장치(100)의 NRT 데이터의 다운로딩 상태를 나타낸다. NRT 데이터의 다운로딩 상태는 다운로드가 진행중임을 나타내는 다운로딩중, 다운로딩 완료를 나타내는 완료 및 다운로드 실패를 나타나내는 에러 중 적어도 하나를 나타낼 수 있다. 구체적인 실시예에서 DownloadingStatus는 1개 존재할 수 있다. 구체적인 실시예에서 DownloadingStatus는 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다.ContentItem은 NRT 데이터가 포함하는 컨텐츠 아이템을 나타낸다. 구체적인 실시예에서 NRT 데이터는 하나 또는 복수의 컨텐츠 아이템을 포함할 수 있다. 따라서 ContentItem은 하나 또는 복수가 존재할 수 있다.ContentItem은 ContentItemId, ContentItemName, ContentItemSize, PlaybackLength 및 URL 중 적어도 어느 하나를 어트리뷰트로 포함할 수 있다.ContentItemId는 컨테츠 아이템을 식별하는 식별자이다. 구체적인 실시예에서 ContentItemId는 하나 존재할 수 있다. 구체적인 실시예에서 contentItemId)는 언사인드 숏의 데이터 타입을 가질 수 있다.ContentItemName은 컨텐츠 아이템의 이름을 나타낸다. 구체적인 실시예에서 ContentItemName은 하나 또는 복수개 존재할 수 있다. 구체적인 실시예에서 ContentItemName은 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다.ContentItemSize는 컨텐츠 아이템의 크기를 나타낸다. 구체적인 실시예에서 ContentItemSize는 바이트(byte) 단위로 표시될 수 있다. 구체적인 실시예에서 ContentItemSize는 하나 존재할 수 있다. 또한 구체적인 실시예에서 ContentItemSize는 언사인드 숏의 데이터 타입을 가질 수 있다.PlaybackLength는 컨텐츠 아이템의 재생 길이를 나타낸다. PlaybackLength는 컨텐츠 아이템이 비디오 또는 오디오 일때만 존재할 수 있다. 구체적인 실시예에서 PlaybackLength는 하나 또는 복수개 존재할 수 있다. 구체적인 실시예에서 PlaybackLength는 언사인드 숏의 데이터 타입을 가질 수 있다.URL은 컨텐츠 서버로부터 컨텐츠 아이템을 받을 수 있는 URL을 나타낸다.방송 수신 장치(100)는 방송 신호에 기초하여 방송 수신 장치(100)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보를 수신할 수 있다. 방송 수신 장치(100)는 방송 수신 장치(100)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 연동 장치(200)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보를 전송할 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 방송 수신 장치(100)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 연동 장치(200)를 위한 NRT 시그널링 정보를 생성할 수 있다. 방송 수신 장치(100)는 생성한 NRT 데이터 시그널링 정보를 연동 장치(200)에게 전송할 수 있다. 이때, 방송 수신 장치(100)는 방송 수신 장치(100)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보로부터 NRT 데이터를 식별하는 식별자, NRT 데이터의 소비 형태를 나타내는 소비 모델 정보 및 NRT 데이터가 포함하는 컨텐츠 아이템에 관한 정보 중 적어도 어느 하나를 추출할 수 있다. 컨텐츠 아이템에 관한 정보는 컨텐츠 아이템의 이름을 나타내는 컨텐츠 아이템 이름, 컨텐츠 아이템을 식별하는 컨텐츠 아이템 식별자, 컨텐츠 아이템의 재생 길이를 나타내는 재생 길이 및 컨텐츠 아이템의 크기를 나타내는 컨텐츠 아이템 크기 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.구체적인 실시예에서 방송 수신 장치(100)를 위한 시그널링 정보는 NRT 데이터를 시그널링하는 정보와 NRT 데이터가 포함하는 컨텐츠 아이템을 시그널링하는 정보로 구분할 수 있다. 구체적으로 NRT 데이터를 시그널링하는 정보는 ATSC 표준의 SMT(Service Map Table)일 수 있다. 또한, 컨텐츠 아이템을 시그널링하는 정보는 ATSC 표준의 NRT-IT(Non-Real-Time Information Table)일 수 있다. 예컨대, 방송 수신 장치(100)는 SMT로부터 NRT 데이터에 해당하는 서비스 식별자를 추출하여 NRT 데이터의 식별자에 매핑할 수 있다. 또한, 방송 수신 장치(100)는 SMT로부터 NRT 데이터에 해당하는 소비 모델을 추출하여 소비 모델 정보에 매핑할 수 있다. 또한, 방송 수신 장치(100)는 NRT IT로부터 컨텐츠 이름을 추출하여 컨텐츠 아이템 이름에 매핑할 수 있다. 또한, 방송 수신 장치(100)는 NRT IT로부터 컨텐츠 링키지(linkage)를 추출하여 컨텐츠 식별자에 매핑할 수 있다. 또한, 방송 수신 장치(100)는 NRT IT로부터 재생 길이를 추출하여 재생 길이에 매핑할 수 있다. 또한, 방송 수신 장치(100)는 NRT IT로부터 컨텐츠 길이를 추출하여 컨텐츠 아이템 크기에 매핑할 수 있다. 또한, 방송 수신 장치(100)는 NRT IT로부터 인터넷 위치를 추출하여 URL에 매핑할 수 있다.또한, 구체적인 실시예에서 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)의 요청에기초하여 연동 장치(200)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보를 생성할 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)가 요청한 NRT 데이터의 속성을 포함하는 연동 장치(200)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보를 생성할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 방송 수신 장치(100)를 위한 NRT 시그널링 정보 중 연동 장치(200)에게 필요한 정보만을 추출하여 연동 장치(200)를 위한 NRT 시그널링 정보를 생성함으로써 연동 장치(200)와의 통신 트래픽을 줄일 수 있다. 또한, 이를 통해 방송 수신 장치(100)는 NRT 데이터 시그널링 정보 처리를 위한 연동 장치(200)의 부하를 줄일 수 있다.도 63은 본 발명의 일 실시예에 따른 NRT 데이터에 관한 변수, NRT 데이터 획득을 위한 액션 및 액션의 인자를 보여준다.방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 NRT 데이터의 속성을 나타내는 변수와 NRT 데이터를 식별하는 변수를 이용하여 NRT 데이터를 시그널링할 수 있다. 방송 수신 장치(100)는 NRT 데이터에 변동이 있는 경우 NRT 데이터의 속성을 나타내는 변수를 연동 장치(200)에게 전달할 수 있다. 또한, 연동 장치(200)는 획득하고자 하는 NRT 데이터의 속성을 NRT 데이터를 식별하는 변수를 이용하여 방송 수신 장치(100)에게 요청할 수 있다.구체적인 실시예에서 NRT 데이터의 속성을 나타내는 변수는 도 63과 같이 NRTDataProperty라 할 수 있다. NRTDataProerty는 필수 변수로 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다. 연동 장치(200)가 방송 수신 장치(100)에게 NRT 데이터 시그널링 알림 요청을 하는 경우, 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 NRTDataProerty를 전송할 수 있다. NRT 데이터를 식별하는 변수는 도 63과 같이 NRTDataID라 할 수 있다. NRTDataID는 필수 변수이고 스트링 데이터 타입을 가질 수 있다.연동 장치(100)는 방송 수신 장치(100)에게 NRT 데이터의 시그널링 정보를 요청하기 위해 NRT 데이터 시그널링 정보를 요청하는 액션을 사용할 수 있다. NRT 데이터 시그널링 정보를 요청하는 액션은 NRT 데이터를 식별하는 변수를 입력 인자로 할 수 있고, NRT 데이터의 속성을 나타내는 변수를 출력 인자로 할 수 있다. 이때, NRT 데이터 시그널링 정보를 요청하는 액션은 도 63과 같이 GetNRTDataProperty라할 수 있다. GetNRTDatProperty의 입력 인자는 NRTDataID일 수 있다 GetNRTDatProperty의 출력 인자는 NRTDataProperty일 수 있다. 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)의 동작에 대해서는 도 64 내지 도 65를 통하여 구체적으로 설명하도록 한다.도 64는 본 발명의 일 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 NRT 데이터를 시그널링하는 것을 보여준다. 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 페어링 세션을 생성한다(S2181). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 IP 통신부(130)를 통하여 연동 장치(200)와의 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 통신부를 통하여 방송 수신 장치(100)와의 페어링 세션을 생성할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 양방향 통신을 위한 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적인 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)의 동작은 도 60의 실시예와 같을 수 있다. 또한, 방송 수신 장치(100)는 페어링 세션을 생성하는 과정에서 연동 장치(200)의 어플리케이션과 호환 여부에 기초하여 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)의 어플리케이션과 호환이 가능한 경우 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적으로 호환 여부를 확인하기 위해 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)의 어플리케이션의 버전 및 어플리케이션 식별자 중 적어도 어느 하나를 확인할 수 있다. 또 다른 구체적인 실시예에서 연동 장치(200)는 페어링 세션을 생성하는 과정에서 방송 수신 장치(100)의 어플리케이션과 호환 여부를 확인할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(100)는 방송 수신 장치(100)의 어플리케이션과 호환이 가능한 경우 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적으로 호환 여부를 확인하기 위해 연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100) 어플리케이션의 버전 및 어플리케이션 식별자 중 적어도 어느 하나를 확인할 수 있다.연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 NRT 데이터 시그널링 정보 알림을 요청한다(S2183). 구체적으로 연동 장치(200)는 제어부를 통하여 방송 수신 장치(100)에게 NRT 데이터 시그널링 정보 알림을 요청할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 UPnP 프로토콜을 이용하여 방송 수신 장치(100)에게 NRT 데이터 시그널링 정보 알림을 요청할 수 있다. 구체적인 실시예에서 연동 장치(200)는 이벤팅 프로토콜에 기초하여 방송 수신 장치(100)에게 NRT 데이터의 속성에 대한 이벤트의 구독(subscription) 요청을 할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 방송 서비스에 기초하여 방송 수신 장치(100)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보를 수신한다(S2185). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 방송 수신부(110)를 통하여 방송 전송 장치(300)로부터 NRT 데이터 시그널링 정보를 수신할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 NRT 데이터를 수신한다(S2187, S2189). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 방송 수신부(110)를 통해 방송망으로부터 NRT 데이터를 수신할 수 있다. 또한, 방송 수신 장치(100)는 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 IP 통신부(130)를 통해 인터넷망으로부터 NRT 데이터를 수신할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 방송 수신 장치(100)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 연동 장치(200)에 대한 NRT 데이터 시그널링 정보를 알린다(notify)(S2191). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 제어부(150)를 통하여 연동 장치(200)에게 방송 수신 장치(100)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 연동 장치(200)에 대한 NRT 데이터 시그널링 정보를 알릴 수 있다. 방송 수신 장치(100)는 앞서 도 62를 통하여 설명한 바와 같이 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 연동 장치(200)에 대한 NRT 데이터 시그널링 정보를 생성할 수 있다. 방송 수신 장치(100)는 생성한 연동 장치(200)에 대한 NRT 데이터 시그널링 정보를 연동 장치(200)에게 전송할 수 있다. 또한, 앞서 설명한 바와 같이 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)가 요청한 NRT 데이터 속성을 포함하는 연동 장치(200)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보를 생성할 수 있다.앞서 설명한 바와 같이 연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 연동 장치(200)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보를 요청하여 연동 장치(200)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보를 획득할 수 있다(S2193, S2195). 구체적으로 연동 장치(200)는 NRT 데이터를 식별하는 식별자를 전송하여 식별자에 해당하는 NRT 데이터 시그널링 정보를 수신할 수 있다. 이때, 방송 전송 장치(100)와 연동 장치(200)는 도 63을 통해 설명한 액션과 변수를 사용할 수 있다.연동 장치(200)는 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 NRT 데이터를 수신할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 인터넷망을 통하여 NRT 데이터를 수신할 수 있다. 또 다른 구체적인 실시예에서 연동 장치(200)는 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 방송 수신 장치(100)로부터 NRT 데이터를 수신할 수 있다. 이를 통해 연동 장치(200)가 방송 서비스를 직접 수신할 수 없고, 인터넷망을 통하여 NRT 데이터를 제공하는 서버에 접속할 수 없는 경우에도 연동 장치(200)는 NRT 데이터를 수신할 수 있다.도 64에서는 NRT 데이터를 모두 수신한 후, 연동 장치(200)에게 연동 장치(200)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보를 전송한다. 도 65에서는 방송 수신 장치(100)가 NRT 데이터를 모두 수신하기 전에 NRT 데이터 시그널링 정보를 전송하는 것에 대해 설명한다.다만, 이러한 동작에 의할 경우 연동 장치(200)는 연동 장치(200)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 방송망 또는 인터넷망을 통하여 NRT 데이터를 수신하여야 한다.도 65는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 방송 수신 장치가 연동 장치에게 NRT 데이터를 시그널링하는 것을 보여준다.방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 페어링 세션을 생성한다(S2201). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 IP 통신부(130)를 통하여 연동 장치(200)와의 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 통신부를 통하여 방송 수신 장치(100)와의 페어링 세션을 생성할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)는 양방향 통신을 위한 페어링 세션을 생성할 수 있다. 구체적인 방송 수신 장치(100)와 연동 장치(200)의 동작은 도 64의 실시예와 같을 수 있다.연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 NRT 데이터 시그널링 정보 알림을 요청한다(S2203). 구체적으로 연동 장치(200)는 제어부를 통하여 방송 수신 장치(100)에게 NRT 데이터 시그널링 정보 알림을 요청할 수 있다. 구체적으로 연동 장치(200)는 UPnP 프로토콜을 이용하여 방송 수신 장치(100)에게 NRT 데이터 시그널링 정보 알림을 요청할 수 있다. 구체적인 실시예에서 연동 장치(200)는 이벤팅 프로토콜에 기초하여 방송 수신 장치(100)에게 NRT 데이터의 속성에 대한 이벤트의 구독(subscription) 요청을 할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 방송 서비스에 기초하여 방송 수신 장치(100)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보를 수신한다(S2205). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 방송 수신부(110)를 통하여 방송 전송 장치(300)로부터 NRT 데이터 시그널링 정보를 수신할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 방송 수신 장치(100)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 연동 장치(200)에 대한 NRT 데이터 시그널링 정보를 알린다(S2207, S2209). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 제어부(150)를 통하여 연동 장치(200)에게 방송 수신 장치(100)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 연동 장치(200)에 대한 NRT 데이터 시그널링 정보를 알릴 수 있다. 방송 수신 장치(100)는 앞서 도 62를 통하여 설명한 바와 같이 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 연동 장치(200)에 대한 NRT 데이터 시그널링 정보를 생성할 수 있다. 방송 수신 장치(100)는 생성한 연동 장치(200)에 대한 NRT 데이터 시그널링 정보를 연동 장치(200)에게 전송할 수 있다. 또한, 앞서 설명한 바와 같이 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)가 요청한 NRT 데이터 속성을 포함하는 연동 장치(200)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보를 생성할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 NRT 데이터를 수신을 시작한다(S2211). 구체적으로 방송 수신 장치(100)는 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 방송 수신부(110)를 통해 방송망으로부터 NRT 데이터를 수신을 시작할 수 있다. 또한, 방송 수신 장치(100)는 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 IP 통신부(130)를 통해 인터넷망으로부터 NRT 데이터를 수신을 시작할 수 있다.방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 NRT 데이터의 다운로드 상태를 알린다(S2213). 방송 수신 장치(100)는 제어부(150)를 통하여 연동 장치(200)에게 NRT 데이터의 다운로드 상태를 알릴 수 있다. 방송 수신 장치(100)는 NRT 데이터의 다운로드 상태를 다운로드가 진행중임을 나타내는 다운로딩중, 다운로딩 완료를 나타내는 완료 및 다운로드 실패를 나타내는 에러로 표시할 수 있다. 이때, 방송 수신 장치(100)는 NRT 데이터의 다운로드가 진행중인 경우 다운로드 완료된 비율을 함께 표시할 수 있다. 예컨대, 방송 수신 장치(100)는 "다운로딩 중, 30% 완료"로 다운로드 상태를 표시할 수 있다. 또한, 방송 수신 장치(100)는 일정한 시간 간격으로 연동 장치(200)에게 NRT 데이터의 다운로드 상태를 알릴 수 있다. 예컨대, 방송 수신 장치(100)는 10초마다 연동 장치(200)에게 NRT 데이터의 다운로드 상태를 알릴 수 있다. 이때, 알림 주기는 연동 장치(200)의 요청에 기초하여 결정될 수 있다. 예컨대, 연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100) NRT 데이터 시그널링 정보 알림 요청을 하면서 알림 주기를 전송할 수 있다. 또한, 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)가 요청한 알림 주기에 따라 NRT 데이터의 다운로드 상태를 알릴 수 있다. 또한, 방송 수신 장치(100)는 다운로드 완료된 비율을 기준으로 연동 장치(200)에게 NRT 데이터의 다운로드 상태를 알릴 수 있다. 예컨대, NRT 데이터의 다운로드가 30%, 60% 및 100% 완료된 때, 방송 수신 장치(100)는 연동 장치(200)에게 NRT 데이터의 다운로드 상태를 알릴 수 있다.연동 장치(200)는 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 NRT 데이터를 수신할 수 있다. 구체적인 실시예에서 방송 수신 장치(100)로부터 NRT 데이터 다운로드가 완료됨을 수신한 때, 연동 장치(200)는 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 방송 수신 장치(100)로부터 NRT 데이터를 수신할 수 있다. 이를 통해 연동 장치(200)가 방송 서비스를 직접 수신할 수 없고, 인터넷망을 통하여 NRT 데이터를 제공하는 서버에 접속할 수 없는 경우에도 연동 장치(200)는 NRT 데이터를 수신할 수 있다. 또한, 이를 통해 방송 수신 장치(100)의 NRT 데이터 다운로딩이 완료되자마자 연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)에게 NRT 데이터를 요청할 수 있다.도 65의 실시예에서는 도 64에 비해 연동 장치(200)가 연동 장치(200)를 위한 NRT 데이터 시그널링 정보를 빨리 수신할 수 있다. 다만, 연동 장치(200)는 방송 수신 장치(100)가 NRT 데이터의 다운로딩을 완료했는지 알수 없는 문제가 있다. 이는 방송 수신 장치(100)가 NRT 데이터의 다운로딩 상태를 연동 장치(200)에게 전송하므로써 해결할 수 있다.이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.	연동 장치와 연동하는 방송 서비스를 수신하는 방송 수신 장치가 개시된다. 방송 수신 장치는 상기 연동 장치와의 페어링 세션을 형성하는 IP 통신부; 상기 방송 서비스에 기초하여 비실시간(Non-Real Time, NRT) 서비스의 컨텐츠인 NRT 데이터를 시그널링하는 제1 NRT 데이터 시그널링 정보를 수신하는 방송 통신부; 및 상기 연동 장치에게 상기 제1 NRT 데이터 시그널링 정보에 기초하여 상기 연동 장치를 위한 제2 NRT 시그널링 데이터를 전송하는 제어부를 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 스크러버의 해수량 제어장치, 스크러버의 해수량 제어방법 및 알칼리량 제어장치SEAWATER AMOUNT CONTROL APPARATUS FOR SCRUBBER, SEAWATER AMOUNT CONTROL METHOD FOR SCRUBBER AND ALKALI AMOUNT CONTROL APPARATUS [ 기술분야 ] [0001] 본 발명은, 배기가스 중의 유황산화물(특히, 이산화유황(SO2))의 농도를 저감하기 위한 스크러버(scrubber)에 대하여, 흡수액으로서 공급하는 해수의 해수량 제어장치, 해수량 제어방법 및 알칼리량 제어장치에 관한 것이다. [ 배경기술 ] [0002] 국제 해사 기관(IMO)은, 선박의 배기가스 중에 포함되는 유황산화물(SOx)을 저감시키기 위하여, 연료유의 유황분(硫黃分) 규제를 단계적으로 강화할 방침으로, 최종적으로는 전(全) 해역을 대상으로 유황분 0.5% 이하로 하는 규제가 적용되게 되어 있다. 이 때문에, 선박 운항자는, 저(低)유황분 연료를 사용하거나, 혹은, 주(主) 기관에 배기가스 처리장치를 장착하는 등의 대응이 필요하게 된다.[0003] 선박에 있어서의 배기가스 처리장치로서는, 배기가스를 해수에 통과시킴으로써, 배기가스 중의 유해 물질의 농도를 저감시키는 스크러버가 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조). [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] [0004] 일본 특허공개공보 제2004-081933호 일본 특허공보 제2993891호 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] [0005] 스크러버에 공급하는 해수량은 처리할 유황산화물 양에 알맞은 양을 주입할 필요가 있으며, 과잉으로 해수를 공급한 경우에는 압력 손실이 커지는 동시에 해수 펌프의 동력이 증대되어 문제가 되는 한편, 해수량이 부족하면 배기가스 중의 유황산화물 농도가 규제치를 초과하여 문제가 된다.[0006] 또, 특허문헌 2에 기재된 배기가스 처리장치에 있어서는, 스크러버를 구성하는 흡수탑(吸收塔)의 탑저액(塔底液)의 pH 제어를 행하여, 흡수탑의 탑저로부터 세정액을 반환 급송(給送)하여 배기가스를 세정하고 있다. pH 측정에 이용되는 pH 미터는 일반적으로 유리 전극식이 이용된다. 스크러버에 의한 배기가스 세정 후의 탑저액에는 PM(매연(smoke)) 등이 혼입(混入)되어 있으며, 탑저액을 측정하는 pH 미터의 전극부를 오염시키기 때문에, 세정 등의 유지관리(maintenance)가 높은 빈도로 필요하게 된다는 문제가 있다.[0007] 본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로서, 처리 후의 배기가스 중의 유황산화물 농도가 규제치를 초과하는 일이 없도록, 스크러버에 적절한 해수량을 공급하여 안정된 운전을 할 수 있으며, 알칼리도의 측정 빈도를 낮게 할 수 있는 스크러버의 해수량 제어장치, 스크러버의 해수량 제어방법 및 알칼리량 제어장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] [0008] 본 발명의 스크러버의 해수량 제어장치는, 배기가스 중에 포함되는 유황산화물을 해수와 접촉시켜 세정하는 스크러버에 공급할 해수량을 제어하는 스크러버의 해수량 제어장치로서, 엔진 출력 및 연료유의 유황분 및 해수의 알칼리도로부터, 해수에 의한 유황산화물의 흡수 반응에 최저로 필요한 해수량인 최저 해수량을 산출하는 최저 해수량 환산기와, 상기 스크러버로부터 대기 중으로 배기되는 배기가스에 포함되는 유황산화물이 설정치 이하가 되는 해수량인 보정 해수량을 산출하는 해수량 보정 환산기와, 상기 최저 해수량과 상기 보정 해수량을 가산하여 설정 해수량을 산출하는 가산 요소와, 상기 설정 해수량 분(分)의 해수를 상기 스크러버에 공급하도록 제어하는 펌프 제어장치와, 운행 해역에 따라 해수의 알칼리도를 설정하는 알칼리도 설정기를 구비하며, 상기 최저 해수량 환산기는, 상기 운행 해역에 따른 상기 알칼리도에 근거하여, 상기 스크러버에 공급하는 해수량을 조정하는 것을 특징으로 한다.[0009] 상기 스크러버의 해수량 제어장치에 의하면, 엔진 출력과 사용하는 중유(重油)의 유황분으로부터, 소비한 중유에 포함되는 유황산화물의 흡수에 필요한 알칼리 성분을 최저 해수량으로서 산출하고, 나아가, 스크러버로부터 대기 중으로 배기되는 처리가 끝난 배기가스에 포함되는 유황산화물 농도가 배출 규제치를 초과하지 않도록 보정 해수량을 산출하여, 이들을 모두 더한 설정 해수량을 스크러버에 공급하도록 제어하고 있다. 이 구성에 의해, 스크러버에 공급되는 해수량이 과잉이 되는 경우나 부족한 경우가 없고, 처리 후의 배기가스 중의 유황산화물 농도가 규제치를 초과하는 일이 없도록, 스크러버에 적절한 해수량을 공급하여 안정된 운전을 할 수 있게 된다. 또한, 운행 해역에 따라 해수의 알칼리도를 설정하며, 이 알칼리도에 근거하여 스크러버에 공급하는 해수량을 조정하기 때문에, 스크러버에 공급하는 해수량을 보다 적절하게 할 수가 있다. 또, 운행 해역에 따라 해수의 알칼리도를 설정할 수 있으므로, 그 운행 해역에서는, 해수의 pH의 측정을 생략할 수가 있다. 이로써, 전부 또는 일부의 운행 해역에서 pH 측정을 행하지 않아도 되게 되어, 해수의 pH를 측정하는 빈도를 낮추어, pH 미터의 세정 등의 부담을 경감할 수가 있다.[0010] 본 발명의 스크러버의 해수량 제어방법은, 배기가스 중에 포함되는 유황산화물을 해수와 접촉시켜 세정하는 스크러버에 공급할 해수량을 제어하는 스크러버의 해수량 제어방법으로서, 엔진 출력과 연료유의 유황분과 운행 해역에 따른 해수의 알칼리도로부터, 해수에 의한 유황산화물의 흡수 반응에 최저로 필요한 해수량인 최저 해수량을 산출하는 공정과, 상기 스크러버로부터 대기 중으로 배기되는 배기가스에 포함되는 유황산화물이 설정치 이하가 되는 해수량인 보정 해수량을 산출하는 공정과, 상기 최저 해수량과 상기 보정 해수량을 가산하여 설정 해수량을 산출하는 공정과, 상기 설정 해수량 분의 해수를 상기 스크러버에 공급하도록 제어하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.[0011] 본 발명의 알칼리량 제어장치는, 배기가스 중에 포함되는 유황산화물을 해수와 접촉시켜 세정하는 스크러버에 공급하는 해수에 주입할 알칼리량을 제어하는 알칼리량 제어장치로서, 엔진 출력 및 연료유의 유황분 및 해수의 알칼리도로부터, 해수에 의한 유황산화물의 흡수 반응에 최저로 필요한 해수량인 최저 해수량을 산출하는 최저 해수량 환산기와, 상기 스크러버로부터 대기 중으로 배기되는 배기가스에 포함되는 유황산화물이 설정치 이하가 되는 해수량인 보정 해수량을 산출하는 해수량 보정 환산기와, 상기 최저 해수량과 상기 보정 해수량을 가산하여 설정 해수량을 산출하는 가산 요소와, 상기 설정 해수량 분의 해수를 상기 스크러버에 공급하도록 제어하는 펌프 제어장치와, 운행 해역에 따라 해수의 알칼리도를 설정하는 알칼리도 설정기와, 상기 설정 해수량 분의 해수 중에 포함되는 알칼리 성분량으로부터 알칼리 주입량을 산출하는 알칼리량 연산기와, 상기 알칼리량 주입량에 대응하는 알칼리제를 상기 스크러버에 공급하는 해수에 주입하도록 제어하는 알칼리 펌프 제어장치를 구비하며, 상기 알칼리량 연산기는, 상기 운행 해역에 따른 상기 알칼리도에 근거하여, 상기 알칼리 주입량을 조정하는 것을 특징으로 한다.[0012] 상기 알칼리량 제어장치에 의하면, 엔진 출력과 사용하는 중유의 유황분으로부터, 소비한 중유에 포함되는 유황산화물의 중화에 필요한 알칼리 성분을 최저 해수량으로서 산출하고, 나아가, 스크러버로부터 대기 중으로 배기되는 처리가 끝난 배기가스에 포함되는 유황산화물 농도가 배출 규제치를 초과하지 않도록 보정 해수량을 산출하며, 이들을 모두 더한 설정 해수량에 근거하여 해수에 주입할 알칼리 주입량을 산출하고 있다. 또한, 운행 해역에 따라 해수의 알칼리도를 설정하고, 이 알칼리도에 근거하여 스크러버에 공급하는 알칼리 주입량을 조정하기 때문에, 알칼리 주입량을 보다 적절하게 할 수가 있다. 또, 운행 해역에 따라 해수의 알칼리도를 설정할 수 있으므로, 그 운행 해역에서는, 해수의 pH의 측정을 생략할 수가 있다. 이로써, 전부 또는 일부의 운행 해역에서 pH 측정을 행하지 않아도 되게 되며, 해수의 pH를 측정하는 빈도를 낮추어, pH 미터의 세정 등의 부담을 경감할 수가 있다. [ 발명의 효과 ] [0013] 본 발명에 의하면, 처리 후의 배기가스 중의 유황산화물 농도가 규제치를 초과하는 일이 없도록, 스크러버에 적절한 해수량을 공급하여 안정된 운전을 할 수 있으며, 알칼리도의 측정 빈도를 낮게 할 수가 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] [0014] 도 1은 제 1 실시형태에 관한 스크러버를 중심으로 하는 배기가스 처리 시스템을 나타내는 개략도이다.도 2는 표준적인 해수 조성을 나타내는 표이다.도 3은 스크러버의 단면 모식도이다.도 4는 스크러버에 공급하는 해수량과 이산화유황(SO2)의 제거율 간의 관계를 나타내는 그래프이다.도 5는 제 1 실시형태에 관한 배기가스 처리 시스템에 있어서의 해수량 제어 시스템의 구성을 나타내는 블록도이다.도 6은 알칼리도 설정기에 있어서의 처리의 흐름을 나타내는 플로우 차트이다.도 7은 복수의 펌프를 구비하는 경우의, 펌프 운전대 수와 설정 해수량 간의 관계를 나타내는 도면이다.도 8은 제 1 실시형태에 관한 펌프 제어장치가 인버터를 구비하는 경우의 구성을 나타내는 블록도이다.도 9는 제 1 실시형태에 관한 복수의 펌프를 구비하는 경우의, 펌프 1대당의 유량 설정치와 설정 해수량 간의 관계를 나타내는 도면이다.도 10은 제 2 실시형태에 관한 스크러버를 중심으로 하는 배기가스 처리 시스템을 나타내는 개략도이다.도 11은 제 2 실시형태에 관한 배기가스 처리 시스템에 있어서의 알칼리량 제어 시스템의 구성을 나타내는 블록도이다.도 12는 제 2 실시형태에 관한 펌프 제어장치가 인버터를 구비하는 경우의 구성을 나타내는 블록도이다.도 13은 제 2 실시형태에 관한 복수의 펌프를 구비하는 경우의, 펌프 1대당의 유량 설정치와 설정 해수량 간의 관계를 나타내는 도면이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] [0015] 이하, 본 발명의 제 1 실시형태에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 1은, 제 1 실시형태에 관한 스크러버를 중심으로 하는 배기가스 처리 시스템을 나타내는 개략도이다. 또한, 제 1 실시형태에 관한 배기가스 처리 시스템으로서는, 선박에 사용되는 엔진으로부터 배출되는 배기가스 중에 포함되는 이산화유황(SO2)을 제거하는 시스템을 생각한다. 단, 이것으로 한정되지 않으며, 본 실시형태에 관한 배기가스 처리 시스템은, 질소산화물(NOx)이나 유황산화물(SOx) 등의 물질을 포함하는 다양한 배기가스의 처리에 적용 가능하다.[0016] 도 1에 나타내는 바와 같이, 배기가스 처리 시스템은, 엔진(20)으로부터 배기가스가 공급되는 스크러버(10)와, 해수 가압 펌프 및 해수 인발(引拔, suction) 펌프를 구비하는 해수 펌프 유닛(30)과, 배수 탱크(40)와, 배수를 여과하는 여과기 유닛(50)으로 주로 구성된다.[0017] 엔진(20)으로부터 배출된 배기가스는, 스크러버(10)에 도입된다. 이 배기가스에는, 이산화유황(SO2)이 50~1500 ppm 포함된다. 이 배기가스가 스크러버(10) 내에서 상승하는 과정에서, 해수 펌프 유닛(30)을 통해 스크러버(10)에 도입된 해수를 분무하여, 기액(氣液) 접촉시킨다.[0018] 배기가스 내의 이산화유황(SO2)은, 하기 식 (1)에 나타내는 바와 같이, 해수에 녹아, 수소 이온과 아황산 이온으로 해리(解離)된다.[화학식 1][0019] 수소 이온은, 하기 식 (2)에 나타내는 바와 같이, 해수 중의 알칼리 성분(NaHCO3)과 반응한다.[화학식 2][0020] 아황산 이온은, 하기 식 (3)에 나타내는 바와 같이, 공기에 의해 황산이온까지 산화된다.[화학식 3][0021] 또한, 식 (2), (3)의 반응에 필요한 해수 중의 알칼리 성분이 부족하면, 수소 이온의 증가에 따라 해수의 수소 이온 지수(pH)가 저하되어 아황산 이온의 흡수 반응이 저해된다. 따라서, 해수에 의한 이산화유황(SO2)의 흡수 반응에 최저로 필요한 해수량은, 식 (2), (3)에 나타내는 알칼리 성분과의 반응 분(分)을 만족하는 양으로 결정된다. 이와 같이 하여 이산화유황(SO2)이 제거된 배기가스는, 스크러버(10)의 상부로부터 대기 중으로 배기된다.[0022] 스크러버(10) 내에 분무된 해수는, 스크러버(10)의 내벽면을 따라 자중(自重)으로 낙하하여, 스크러버(10) 하방의 저류부(貯留部)에 저류된다. 저류된 해수는, 해수 펌프 유닛(30)을 통해 배수 탱크(40)로 배수된 후, 여과기 유닛(50)에 의해 여과되어 해양으로 배수된다. 또한, 여과기 유닛(50)에서는, 배수되는 해수의 pH를 측정할 수도 있다. [0023] 여기서, 해수의 알칼리도(총 알칼리도, M 알칼리도를 포함하는 것으로서 이용함. 이하 동일)의 산출방법에 대하여, 도 2를 참조하여 이하에 설명한다. 도 2는, 표준적인 해수 조성을 나타내는 표로서, TEOS-10(Thermodynamic Equation Of Seawater 2010)의 표 1(Table 1.)을 인용한 것이다. 특별히 한정되는 것은 아니지만, 본 실시형태에서는, 해수의 알칼리도를 산출함에 있어서, 도 2의 표 1에 나타내는 조성, 질량(g)을 사용한다.[0024] 도 2의 질량(g)의 합계치로부터, 해수 1 kg 중의 염류(鹽類)의 합계를 31.4 g/kg로 한다. 또, HCO3－의 분자량, CaCO3의 분자량을 하기와 같이 각각 산출한다.HCO3－의 분자량=1.008＋12.01＋16.00×3=61.018CaCO3의 분자량=40.08＋12.01＋16.00×3=100.09[0025] 이어서, 해수 1 kg 중, SO2와 반응하는 알칼리 분(分)(HCO3－, CO32－, B(OH)4－, OH－)의 총량을, HCO3－환산으로, 도 2의 알칼리 성분의 당량(當量)으로부터, 하기와 같이 산출한다.(15340＋2134×2＋900＋71)/1000000061.0181000=125.5689≒125.6 mg/kg[0026] 해수의 밀도를 1.024 kg/L로 한다. 해수의 CaCO3 환산으로의 알칼리도는, 상기의 각 산출결과와 해수의 밀도로부터, 하기와 같이 산출한다.해수의 CaCO3 환산으로의 알칼리도=125.6×1.024×(100.09/2)/61.018=105.49≒105 mg/L[0027] 계속해서, 스크러버(10)의 구성에 대하여 설명한다. 도 3은, 스크러버(10)의 일례를 나타내는 단면(斷面) 모식도이다.[0028] 도 3에 나타내는 바와 같이, 스크러버(10)는, 상하방향으로 내부 공간이 형성된 스크러버 본체(11)와, 스크러버 본체(11)의 내부 공간의 상하방향의 소정 영역에 있어서 해수(액체)를 미스트(mist) 상태로 하여 분사(분무)하는 스프레이 장치(12)와, 스프레이 장치(12)가 해수를 분무하는 영역보다 하방 위치로부터 스크러버 본체(11)에 엔진 배기가스(기체)를 도입하는 가스 공급 장치(13)와, 스프레이 장치(12)보다 하방 위치에 설치된 배플(baffle; 14)을 구비하고 있다. 여기서, 스프레이 장치(12)는, 도 1에 나타내는 해수 펌프 유닛(30)에 접속되고, 가스 공급 장치(13)는, 도 1에 나타내는 엔진(20)에 접속되어 있다.[0029] 스크러버 본체(11)는, 원통 형상의 주벽부(周壁部; 11a)와 원 형상의 저벽부(底壁部; 11b)로 구성된다. 주벽부(11a)는, 어느 부분이나 동일 지름으로 구성되어 있다. 주벽부(11a)의 상단부는 개구되어 있어, 개구부(11c)가 형성되어 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서 스크러버 본체(11)는 원통 형상을 가지고 있지만, 스크러버 본체(11)의 형상은 이것으로 한정되지 않으며, 예컨대, 각통(角筒) 형상(square cylinder shape)이어도 무방하다.[0030] 스프레이 장치(12)는, 스크러버 본체(11)의 중심축 상에 설치된다. 스프레이 장치(12)는, 스크러버 본체(11) 외부로부터 스크러버 본체(11) 내부로 삽입되며, 스크러버 본체(11)의 중심 위치까지 연장되는 급수관(給水管; 12a)과, 상기 급수관(12a)의 삽입 단부(端部)에 연결되며, 스크러버 본체(11)의 내부 공간의 상하방향의 소정 영역에 걸쳐 연장되는 본관(幹管, trunk pipe)으로서의 수도관(12b)과, 이 수도관(12b)에 연결되며 스크러버 본체(11)의 주벽부(11a)를 향해 연장되는 지관(12c; 枝管, branch pipes)과, 각 지관(12c)의 선단에 설치되어, 지관(12c)으로부터 공급되는 액체를 소정 범위에 분무하는 도시되지 않은 스프레이 노즐을 포함하여 구성된다. 지관(12c)은, 상하방향으로 복수 단(段) 나란히 배치되는 동시에, 상하방향으로 인접하는 지관(12c)이 직교하도록 교차되어 있다.[0031] 가스 공급 장치(13)는, 스크러버 본체(11)의 주벽부(11a)의 접선 방향을 가스 분출 방향이 따르도록 설치되어 있다. 따라서, 가스 공급 장치(13)로부터 도입되는 배기가스는, 주벽부(11a)의 내주면을 따라 수평 방향으로 분사된다.[0032] 배플(14)은, 원반부(14a)와, 원반부(14a)와 스크러버 본체(11)의 주벽부(11a)를 연결하는 레그부(14b, leg sections)로 구성된다. 원반부(14a)의 외주 부분과 스크러버 본체(11)의 주벽부(11a)의 사이에는, 액적(液滴)을 흘리기 위한 틈새가 형성되어 있다. 배플(14)은, 스크러버 본체(11) 내부를, 스프레이 장치(12)에 의해 액체가 분무되는 영역과, 스크러버 본체(11) 외부로 배수하기 위한 액체를 저류하는 영역으로 구획하고 있다. 배플(14)의 하방에는, 스크러버 본체(11) 외부로 액체를 배수하기 위한 배수관(15)이 설치되어 있다.[0033] 스크러버 본체(11)의 개구부(11c) 근방에는, 처리가 끝난 배기가스의 일부를 스크러버 본체(11) 외부로 꺼내기 위한 배기관(16)이 설치되어 있다. 배기관(16)은, 처리가 끝난 배기가스를 샘플링하기 위한, 분석계에 접속되어 있다.[0034] 이와 같이 구성된 스크러버(10)에 있어서의 배기가스 처리에 대하여 설명한다. 엔진으로부터 배출된 배기가스는, 가스 공급 장치(13)에 의해, 스프레이 장치(12)가 액체를 분무하는 영역보다 하방 위치에 도입된다. 이 배기가스는, 주벽부(11a)를 따르도록 주회(周回)하면서 스크러버 본체(11) 내부를 상승한다.[0035] 한편, 해수는, 급수관(12a)을 통해 수도관(12b)에 도입된다. 그리고, 해수는, 복수 단의 지관(12c)의 선단에 설치된 스프레이 노즐로부터, 스크러버 본체(11)의 주벽부(11a)를 향해 분무된다.[0036] 따라서, 스크러버 본체(11) 내를 선회(旋回) 상승하는 배기가스는, 각 단(段)에 설치된 지관(12c)에 설치된 스프레이 노즐로부터 분무되는 해수와 기액 접촉하여, 배기가스 내의 이산화유황(SO2)이 흡수 제거된다. 이산화유황(SO2)이 제거된 배기가스는, 스크러버 본체(11)의 상부에 형성된 개구부(11c)로부터 대기 중으로 배기된다. 또, 배기가스의 일부는, 배기관(16)을 통해 분석계로 보내진다.[0037] 액적이 된 해수는, 선회류에 의한 원심력에 의해 주벽부(11a)에 밀어붙여져 자중(自重)으로 낙하한다. 낙하한 액적은, 스크러버 본체(11)의 하방에 설치된 배플(14)에 의해 그 선회가 정지된 후, 배플(14) 및 주벽부(11a)를 따라 이동하여, 스크러버 본체(11)의 저벽부(11b)와 그 주위의 주벽부(11a)로 구성되는 저류부에 저류된다. 저류된 액체는, 배수관(15)을 통해 스크러버 본체(11)의 밖으로 배수된다.[0038] 도 4는, 스크러버(10)에 공급하는 해수량과 이산화유황(SO2)의 제거율 간의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 4에 있어서, 횡축(橫軸)은 해수량(L/min)을 나타내고, 종축(縱軸)은 이산화유황 제거율(%)을 나타낸다.[0039] 도 4에 나타내는 바와 같이, 스크러버(10)에 공급하는 해수량을 늘려, 스프레이 장치(12)에 의해 분무하는 해수량을 많게 할수록, 이산화유황(SO2)의 제거율은 향상된다. 이는, 분무하는 해수량이 증대됨에 따라 액적의 표면적이 증대되어, 배기가스와 해수 간의 접촉 면적이 증대되기 때문이다.[0040] 도 4에 나타내는 해수량과 이산화유황(SO2)의 제거율 간의 관계에 의해, 스크러버 본체(11)의 개구부(11c)로부터 대기 중으로 배기되는 배기가스에 포함되는 이산화유황(SO2)의 농도(출구 SO2 농도)가 높은 경우에는, 스프레이 장치(12)에 의해 분무되는 해수량을 많게 함으로써, 출구 SO2 농도를 낮출 수가 있다.[0041] 계속해서, 스크러버(10)의 스프레이 장치(12)에 공급하는 해수량 제어에 대하여 설명한다. 도 5는, 본 실시형태에 관한 배기가스 처리 시스템에 있어서의 해수량 제어 시스템의 구성을 나타내는 블록도이다.[0042] 도 5에 나타내는 바와 같이, 본 해수량 제어 시스템은, 중유 유황 농도 설정기(60)와, 최저 해수량 환산기(61)와, GPS(62)와, 배출 비율 설정기(63)와, CO2 분석계(64)와, SO2 분석계(65)와, SO2 농도 환산기(66)와, PID 컨트롤러(67)와, 해수량 보정 환산기(68)와, 가산 요소(69)와, 펌프 제어장치(70)를 구비하고 있다. 또한, 해수량 제어 시스템은, 알칼리도 설정기(81)와, 알칼리도 측정기(82)와, 알칼리 계수 환산기(83)를 구비하고 있다.[0043] 이러한 해수량 제어 시스템의 구성과 동작에 대하여 설명한다.[0044] 해수량 제어 시스템은, 최저 해수량을 산출하는 최저 해수량 환산기(61)와, 보정 해수량을 산출하는 해수량 보정 환산기(68)와, 이들을 모두 더한 설정 해수량을 스크러버(10)에 공급하도록 해수 펌프 유닛(30)(도 1 참조)을 제어하는 펌프 제어장치(70)를 포함하여 구성된다.[0045] 최저 해수량 환산기(61)에는, 엔진(20)의 출력치와 중유 유황 농도 설정기(60)의 설정치가 입력된다. 엔진(20)의 출력치는, 선박 엔진의 출력(0%에서 100%)이다. 중유 유황 농도 설정기(60)의 설정치는, 선박이 사용하는 연료유(중유)의 유황분(0%에서 5%)이다.[0046] 최저 해수량 환산기(61)에는, 미리 운용할 엔진(20)의 출력과 중유 소비량 간의 관계 데이터가 입력되어 있으며, 엔진(20)의 출력치가 입력되면, 이것을 중유 소비량으로 환산한다. 그리고, 최저 해수량 환산기(61)는, 중유 소비량과, 중유 유황 농도 설정기(60)의 설정치인 중유의 유황분으로부터 최저 해수량을 산출한다. 또, 후술하는 알칼리 계수를 곱하여, 최저 해수량을 조정한다. 나아가, 운행 해역에 있어서의 이산화유황의 배출 비율에 대응하여 최저 해수량을 환산한다. 또, 최저 해수량이란, 상기 식 (1) 내지 (3)으로 나타낸, 해수에 의한 이산화유황(SO2)의 흡수 반응에 최저로 필요한 해수량을 가리킨다. 최저 해수량의 환산 및 조정 방법의 구체적인 예에 대해서는, 후술한다.[0047] GPS(62)는, 선박의 현재 위치를 측정하고, 그 위치에 근거한 운행 해역 정보를 배출 비율 설정기(63) 및 알칼리도 설정기(81)에 출력한다.[0048] 알칼리도 설정기(81)는, 복수의 운행 해역에 대한 알칼리도를 기억하고 있으며, GPS(62)로부터 신호로서 출력된 운행 해역 정보에 근거하여, 선박의 현재 위치에 있어서의 해수의 알칼리도를 설정한다. 여기서, 알칼리도 설정기(81)에 의한 해수의 알칼리도의 설정 방법에 대하여, 도 6을 참조하여 설명한다. 도 6은, 알칼리도 설정기에 있어서의 처리의 흐름을 나타내는 플로우 차트이다. 또한, 도 6의 처리의 흐름은, 일례에 지나지 않는 것이며, 적절히 변경하여도 무방하다.[0049] 도 6에 나타내는 바와 같이, 먼저, 알칼리도 설정기는, GPS(62)로부터 출력된 운행 해역 정보를 입력한다(단계 ST1). 이어서, 입력한 운행 해역 정보가, 상술한 표준적인 해수 조성(TEOS-10)을 적용할 수 있는 해역인지 여부를 판정한다(단계 ST2). 이 판정에 있어서, 운행 해역이 TEOS-10을 적용할 수 있는 해역인 경우(단계 ST2：YES), 위에서 설명한 바와 같이 TEOS-10을 참조하여 산출한 알칼리도 105 mg/L로 설정하고, 알칼리 계수 환산기(83)에 출력한다(단계 ST3).[0050] 한편, 운행 해역이 TEOS-10을 적용할 수 있는 해역이 아닌 경우(단계 ST2：NO), 입력한 운행 해역 정보의 알칼리도(해수 조성)의 데이터를 기억하고 있는지 여부를 판정한다(단계 ST4). 이 판정에 있어서, 운행 해역의 알칼리도의 데이터를 기억하고 있는 경우(단계 ST4：YES), 그 데이터를 알칼리도(예컨대, 기수역(汽水域)에서는 52.5 mg/L 등)로서 설정하여, 알칼리 계수 환산기(83)에 출력한다(단계 ST5). 또한, 단계 ST4에 있어서, 기억되어 있는 데이터로서, 그 운행 해역에 있어서 이미 측정한 데이터를 이용할 수 있다.[0051] 운행 해역에 있어서의 알칼리도의 데이터의 기억이 없는 경우(단계 ST4：NO), 알칼리도 측정기(82)에 대하여, 해수의 알칼리도를 측정하도록 동작 지령을 출력한다(단계 ST6). 이상과 같이, 알칼리도 설정기에서는, 운행 해역에 따라 해수의 알칼리도를 선택적으로 설정할 수 있으며, 알칼리도의 데이터의 기억이 없는 운행 해역에서는, 해수의 알칼리도를 측정하는 지령을 출력하여 대응할 수 있게 된다.[0052] 도 5로 돌아와서, 알칼리도 측정기(82)는, 알칼리도 설정기(81)로부터 출력된 동작 지령에 따라, 해수의 알칼리도의 측정을 개시한다. 이 측정하는 해수는, 스크러버(10)(도 1 참조)에 의한 배기가스 세정을 행하기 전의 깨끗한 것으로 한다.[0053] 알칼리도 측정기(82)에 의한 측정방법은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 본 실시형태에서는, JIS K0102 공장배수 시험방법 15.1 산(酸) 소비량(pH 4.8)에 준하는 방법을 채용한다.[0054] 알칼리도 측정기(82)의 사용 기구 및 약품은, 자석 교반기(magnetic stirrer), 교반자(攪拌子), 100 mL 톨 비커(tall beaker), pH계, 2 mL 정도의 뷰렛(burette) 또는 1 mL 메스 피펫(mess pipette), 50 mL의 홀 피펫(whole pipette), 0.1 mol/L, 500 mL의 HCl(와코우 쥰야쿠 가부시키가이샤 제조)를 이용한다.[0055] 측정 준비로서, 미리 pH계를 pH 표준액(pH 7과 pH 4)으로 교정해 둔다. 교정 빈도는, 측정 개시 전 또는, 연속해서 측정할 경우에는 주 1회로 한다. 측정 순서는, 맨 먼저, 50 mL의 홀 피펫으로 해수 샘플을 100 mL의 톨 비커에 넣는다. 이어서, 교반기 상에서 교반자를 회전시켜, 초순수(超純水)로 세정한 pH계를 해수 샘플에 침지한다(이때, 교반자가 pH계의 전극에 닿지 않게 주의한다). 계속해서, 해수 샘플의 초기 pH 값을 기록하고, 뷰렛(또는 메스 피펫)으로 HCl를 서서히 적하(滴下)한다. pH계를 보면서 pH 4.80±0.02가 될 때까지 HCl를 적하하여, 그 때의 pH 값과 HCl의 적하량을 기록한다. 그 후, pH 계를 꺼내어 초순수로 세정해 두고, 비커, 교반자도 물로 씻어 둔다.[0056] 알칼리도는, 측정으로 얻어진 결과를 아래의 식에 대입함으로써 산출한다. B=a×f×(1000/V)×5.004·B：알칼리도〔pH 4.8〕(mg/L(CaCO3 환산))·a：적하한 HCl의 양(mL)·f：적하한 HCl의 농도(0.1 mol/L)·V：해수 샘플링 양(50 mL)·5.004：계수[0057] 알칼리 계수 환산기(83)는, 알칼리도 설정기(81)로부터의 출력치(알칼리도) 또는 알칼리도 측정기(82)로부터 출력된 측정치(알칼리도)에 근거하여, 알칼리 계수를 환산한다. 그리고, 알칼리 계수 환산기(83)는, 환산한 알칼리 계수를 최저 해수량 환산기(61)에 출력한다. 알칼리 계수는, 예컨대, 알칼리도를 B(mg/L)로 한 경우, 하기의 식에 의해 환산할 수 있다.알칼리 계수=105/B[0058] 상술한 바와 같이, 운행 해역 정보가 표준적인 해수 조성(TEOS-10)을 적용할 수 있는 해역인 경우, 알칼리도 설정기(81)로부터 알칼리 계수 환산기(83)로 입력되는 알칼리도는 105 mg/L가 된다. 따라서, 환산되는 알칼리 계수=105/105=1이 된다.[0059] TEOS-10을 적용할 수 있는 해역이 아닌 알칼리도가 낮은 기수역에서는, 표준적인 해수 조성보다 알칼리도가 낮아져(105 mg/L보다 작아져), 알칼리 계수는, 1보다 크고, 1000 이하가 된다. 1000 이하로 한 이유는, 알칼리 계수가 1000이 될 때, 알칼리도가 표준적인 해수의 0.1% 정도가 되어, 알칼리도가 거의 없는 호수나 하천수 등의 담수(淡水)에 대응시키기 위함이다.[0060] TEOS-10을 적용할 수 있는 해역이 아니며, 표준적인 해수 조성보다 알칼리도가 높은(105 mg/L보다 큰) 경우, 알칼리 계수는, 0.05 이상 1.0 미만이 된다. 알칼리도가 높은 해역으로서는, 사해(死海)를 상정하며, 사해의 염분 농도는 약 30%로 표준적인 해수(약 3%)의 10배 정도가 된다. 이를 고려하여, 표준적인 해수의 최대 20배의 알칼리도를 가정하고, 이에 대응하도록, 알칼리 계수를 0.05 이상으로 하고 있다. 또한, 알칼리도가 높은 해역에서는 사용 해수량을 삭감할 수 있기 때문에, 펌프 동력을 삭감할 수 있다는 장점이 있다.[0061] 배출 비율 설정기(63)는, GPS(62)로부터의 신호 또는 수동으로 입력된 운행 해역 정보에 근거하여, 해당 해역에 있어서의 이산화유황(SO2)의 배출 비율을 SO2 농도 환산기(66)에 출력한다.[0062] 여기서, 배출 비율이란, 연료 중의 유황분에 의해 결정되는 수치이다. 또, 연료 중의 유황분은, 배기가스 중의 이산화탄소(CO2) 및 이산화유황(SO2)의 배출 비율을 측정함으로써 확인된다.[0063] 또, 배출 비율 설정기(63)는, GPS(62)로부터의 신호 또는 수동으로 입력된 운행 해역 정보에 근거하여, 최저 해수량 환산기(61)에 지령을 출력한다. 예컨대, GPS(62)의 운행 해역 정보에 따라, 「배출 규제 해역(ECA)」이면 「연료 중 0.1% 유황 농도 이하」의 규제(이하, 『0.1% 규제』라 칭함)에 대응하여 환산하도록 지령을 출력한다. 또, 「ECA 이외」이면 「연료 중 0.5% 유황 농도 규제(이하, 『0.5% 규제』라 칭함. 2025년경에 규제 개시 예정)」에 대응하여 환산하도록 지령을 출력한다. 사용하는 연료의 유황 농도에 따르는데, 해당 유황 농도를 표준적인 2.7%로 하면, 0.1% 규제의 경우, 2.6%분(分)을 제거할 필요가 있으며, 0.5% 규제의 경우, 2.2%분을 제거할 필요가 있다.[0064] 여기서, 최저 해수량 환산기(61)에 있어서의 최저 해수량의 환산방법에 대하여, 이하에 구체적인 예를 들어 설명한다.[0065] 최저 해수량 환산기(61)에는, 미리 하기의 데이터가 입력되어 있는 것으로 한다.·엔진(20)(도 1 참조)의 정격 출력：10 MW·엔진(20)의 출력당 연료 소비량：0.2 kg/kWh·유황의 분자량：32.07 g/mol·탄산칼슘(CaCO3)의 분자량：100.09 g/mol·해수의 알칼리도：105 mg/L(상기 표준 조성 TEOS-10 참조) 또, 중유 유황 농도 설정기(60)에는, 미리 연료 중의 유황 농도：3 wt%가 입력되어 있는 것으로 한다.[0066] 최저 해수량 환산기(61)에, 엔진(20)의 출력치로서 50%가 입력되면, 하기와 같이 연료 소비량(중유 소비량)이 산출된다.연료 소비량=0.5×10, 000 kW×0.2 kg/kWh=1, 000 kg/h이 연료 소비량의 산출 결과와, 연료 중의 유황 농도(3 wt%)로부터, 유황분의 질량 유량으로서 30 kg/h가 산출된다.[0067] 한편, 탄산칼슘은 유황을 흡수하는 알칼리이며, 각각의 분자량으로부터, 유황 1 g에 대해, 황산까지의 산화·흡수에 소비되는 알칼리도가 하기와 같이 산출된다.100.09/32.07=3.12 g또, 유황 1 g에 대해, 아황산까지의 산화·흡수에 소비되는 알칼리도가 하기와 같이 산출된다.3.12/2=1.56 g[0068] 따라서, 상기 유황분의 질량 유량(30 kg/h)을 아황산으로서 흡수하기 위해서는, 30×1.56=46.8 kg/h의 알칼리(CaCO3 환산)가 필요하게 된다. 흡수 반응 후의 배출 해수(排海水, waste seawater)의 잔류 알칼리도를 5 mg/L로 하면, 해수로부터 공급하는 알칼리는, 105－5=100 mg/L=0.1 kg/m3로 산출된다. 이들 산출 결과로부터, 최저 해수량이 하기와 같이 산출된다.최저 해수량=46.8/0.1=468 m3/h[0069] 상기 최저 해수량의 환산에 있어서는, 연료 중의 모든 유황을 제거할 필요가 있는 경우의 환산방법이다. 따라서, 배출 비율 설정기(63)로부터 0.5% 규제에 대응하여 환산하도록 지령이 출력되면, 연료 중의 유황 농도 3.0 wt% 중의 2.5 wt%분을 제거하면 되기 때문에, 제거해야 할 유황의 질량 유량은 25 kg/h가 된다. 그리고, 상기 환산에 있어서의 유황의 질량 유량 30 kg/h를, 25 kg/h로 바꾸어, 최저 해수량 390 m3/h가 산출된다. 이로써, 운행 해역의 유황 농도의 규제치에 따라, 유황의 질량 유량이 변경되어, 이것에 대응된 최저 해수량이 산출된다.[0070] 또, 상기 최저 해수량의 환산은, 알칼리 계수 환산기(83)가 출력하는 알칼리 계수=1인 경우(운행 해역이 TEOS-10을 적용할 수 있는 표준적인 해역인 경우)의 환산방법이다. 알칼리 계수≠1인 경우에는, 위에서 설명한 바와 같이 산출된 최저 해수량에 대해서 알칼리 계수가 승산(乘算)된다. 표준적인 해역보다 알칼리도가 낮은 기수역에서는, 알칼리 계수가 1보다 커지므로, 알칼리 계수의 승산에 의해 최저 해수량이 증가하도록 조정된다. 한편, 표준적인 해역보다 알칼리도가 높은 수역에서는, 알칼리 계수가 1보다 작아지므로, 알칼리 계수의 승산에 의해 최저 해수량이 감소하도록 조정된다. 이와 같이, 운행 해역에 따른 알칼리도에 근거하여, 최저 해수량이 조정된다.[0071] CO2 분석계(64)는, 스크러버(10)로부터 대기 중으로 배기되는 처리가 끝난 배기가스에 포함되는 CO2의 농도(출구 CO2 농도)를 측정한다. CO2 분석계(64)의 출력치는, SO2 농도 환산기(66)에 입력된다. SO2 농도 환산기(66)는, 출구 CO2 농도(%)에 배출 비율을 곱하여 정화해야 할 SO2 농도(ppm)를 산출하고, 나아가 안전율 0.8을 곱하여 출구 SO2 농도의 설정치(SV)를 산출한다. 이 출구 SO2 농도의 설정치(SV)는, SO2 농도 환산기(66)로부터 PID 컨트롤러(67)로 출력된다.[0072] 예컨대, 0.1% 규제의 해역에 있어서, 정해진 배출 비율은 4.3이다. CO2 분석계(64)가 측정한 출구 CO2 농도가 5%였을 경우, SO2 농도는 21.5 ppm(=4.3×5) 이하까지 정화해야 하며, 이 값에 안전율 0.8을 곱한 17.2 ppm이 출구 SO2 농도 설정치가 된다.[0073] SO2 분석계(65)는, 스크러버(10)로부터 대기 중으로 배기되는 처리가 끝난 배기가스에 포함되는 SO2의 농도(출구 SO2 농도)를 측정한다. 이 출구 SO2 농도의 측정치(PV)는, SO2 분석계(65)로부터 PID 컨트롤러(67)로 출력된다.[0074] PID 컨트롤러(67)는, SV값으로서 입력된 출구 SO2 농도 설정치와 PV값으로서 입력된 출구 SO2 농도 측정치의 편차에 근거하여 PID 제어 연산을 행하여 조작량(MV)을 산출하고 해수량 보정 환산기(68)에 출력한다. 또한, PID 컨트롤러(67)는, SV값, PV값 및 MV값의 입력 또는 출력에 대하여, 자동과 수동을 전환하여 대응하는 기능을 가지고 있다. 이로써, 고장 또는 유지관리 등에 의해, 예컨대 SO2 분석계(65)로부터 입력이 얻어지지 않을 경우에는, 자동 입력으로부터 수동 입력으로 전환하여 대응할 수가 있다.[0075] 해수량 보정 환산기(68)는, PID 컨트롤러(67)의 출력인 조작량(MV)을, 최저 해수량에 비례한 해수량 보정치로 설정하여, 보정 해수량을 산출한다. 예컨대, 최저 해수량 환산기(61)에서 산출된 최저 해수량이 100 t/h이고, MV값이 100%이며, 비례 정수(定數)가 0.5인 경우, 해수량 보정 환산기(68)에서는 보정 해수량 50 t/h가 산출된다. 또, 비례 정수는, 고정치는 아니며 최저 해수량과의 관계에서 변동치로서 부여하여도 무방하다. 또, 해수량 보정 환산기(68)에서는, 최저 해수량에 대해 상기 승산을 행하여 보정 해수량을 산출하므로, 보정 해수량에 있어서도 알칼리도에 근거하여 조정된 것이 된다.[0076] 그리고, 가산 요소(69)에서는, 최저 해수량 환산기(61)에서 산출된 최저 해수량과, 해수량 보정 환산기(68)에서 산출된 보정 해수량을 가산함으로써, 설정 해수량이 산출된다. 가산 요소(69)에서 산출된 설정 해수량은, 펌프 제어장치(70)에 입력된다. 펌프 제어장치(70)는, 해수 펌프 유닛(30)을 제어하여, 그 설정 해수량 분(分)의 해수를 스크러버(10)에 공급한다. 스크러버(10)에 공급하는 설정 해수량은, 알칼리도에 근거하여 각각 조정된 최저 해수량과 보정 해수량을 가산하여 산출되기 때문에, 스크러버(10)에 공급하는 설정 해수량도, 알칼리도에 근거하여 조정된 것이 된다.[0077] 해수 펌프 유닛(30)으로부터 스크러버(10)에 공급되는 실제 해수량은, 해수 펌프 유닛(30)에 유량계를 설치함으로써 측정할 수 있다. 이 경우, 펌프 제어장치(70)에 있어서 측정한 실제 해수량과 설정 해수량을 비교하여, 피드백 제어를 행하여도 무방하다. 단, 해수 펌프 유닛(30)으로부터 스크러버(10)에 공급되는 실제 해수량이 부족하여 스크러버(10)에 있어서의 출구 SO2 농도가 높아졌다 하더라도, 해수량 제어 시스템에 있어서의 PID 컨트롤러(67)에 의해 보정 해수량이 증가되는 방향으로 작용한다.[0078] 스크러버(10)에 해수를 공급하기 위한 펌프는, 단수여도 복수여도 무방하다. 복수의 펌프를 구비하는 경우에는, 설정 해수량의 증가에 따라 펌프의 운전대 수를 늘리고, 설정 해수량의 감소에 따라 펌프의 운전대 수를 줄이도록, 펌프 제어장치(70)에 의해 복수의 펌프를 제어하면 된다.[0079] 도 7은, 복수의 펌프를 구비하는 경우의, 펌프 운전대 수와 설정 해수량 간의 관계를 나타내는 도면이다. 도 7에 있어서는, 스크러버(10)에 해수를 공급하기 위한 3대의 펌프를 구비하고 있으며, 실선(實線)은 펌프의 운전 상태를 나타내고, 파선(破線)은 펌프의 정지 상태를 나타낸다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 설정 해수량이 (F1)에서 (F2)의 사이는 펌프가 1대만 운전하고 있으며, 설정 해수량이 (F2)를 초과하면 2대째의 펌프도 운전을 개시한다. 나아가, 설정 해수량이 (F3)을 초과하면 3대째의 펌프도 운전을 개시한다. 또, 설정 해수량이 (F3)보다 감소하면 3대째의 펌프는 운전을 정지하고, 설정 해수량이 (F2)보다 감소하면 2대째의 펌프도 운전을 정지한다.[0080] 또한, 도 7에 나타내는 바와 같이 복수의 펌프를 제어하는 경우에는, 펌프가 빈번하게 운전 상태와 정지 상태를 반복하는 것을 피하기 위하여, 해수량 제어 시스템에 있어서의 PID 컨트롤러(67)는 비례 제어로 한정하고, 적분(積分) 제어를 행하지 않도록 하는 것이 필요하다.[0081] 또, 도 8, 도 9에 나타내는 바와 같이, 복수의 펌프를 펌프 제어장치(70)에 있어서의 인버터로 제어하는 구성으로 하여도 무방하다. 이 경우에는, 인버터(inverter)에 의한 제어를 하지 않는 경우에 비해, 정밀한 펌프의 제어를 행할 수가 있다.[0082] 도 8은, 펌프 제어장치(70)가 인버터를 구비하는 경우의 구성을 나타내는 블록도이다. 예컨대, 스크러버(10)에 해수를 공급하기 위한 2대의 펌프를 구비하는 경우, 도 8에 나타내는 바와 같이, 펌프 제어장치(70)는, 펌프 유량 설정기(70a)와, 제 1 인버터(70b)와, 제 2 인버터(70c)를 구비한다. 펌프 유량 설정기(70a)는, 펌프 1대당에 대한 유량을 설정한다. 제 1 인버터(70b)는 제 1 펌프(31)를 제어하고, 제 2 인버터(70c)는 제 2 펌프(32)를 제어한다.[0083] 도 9는, 도 8에 나타내는 구성에 의한, 펌프 1대당의 유량 설정치와 설정 해수량 간의 관계를 나타내는 도면이다. 도 9에 있어서, 실선은 펌프의 운전 상태를 나타내고, 파선은 펌프의 정지 상태를 나타낸다.[0084] 도 9에 나타내는 바와 같이, 설정 해수량 (F1)에서 (F2)의 사이는 제 1 펌프(31)만이 운전하고 있고, 설정 해수량이 (F1)로부터 (F2)로 증대함에 따라, 제 1 펌프(31)에 있어서의 유량 설정치도 증대되어 간다. 설정 해수량이 (F2)를 초과하면, 제 2 펌프(32)도 운전을 개시한다. 이때, 제 2 펌프(32)의 운전에 수반하여, 제 1 펌프(31)의 유량 설정치는 감소한다. 설정 해수량이 (F2)로부터 (F3)으로 증대됨에 따라, 제 1 펌프(31) 및 제 2 펌프(32)에 있어서의 유량 설정치도 증대되어 간다.[0085] 또, 설정 해수량이 (F3)으로부터 감소됨에 따라, 제 1 펌프(31) 및 제 2 펌프(32)에 있어서의 유량 설정치도 감소되어 간다. 설정 해수량이 (F2)보다 감소되면, 제 2 펌프(32)는 운전을 정지한다. 그리고, 제 2 펌프(32)의 운전 정지에 수반하여, 제 1 펌프(31)의 유량 설정치는 증가한다.[0086] 도 8, 도 9에 나타내는 것과 같은 인버터에 의한 복수의 펌프의 제어는, 설정 해수량이 취할 수 있는 값을 넓게 설정하는 경우, 즉, 엔진 부하 변동의 범위나 연료유의 유황분의 범위를 넓게 설정하는 경우 등에 유효하다.[0087] 또한, 도 5에 나타내는 각 설정기, 환산기 및 PID 컨트롤러(67)는, 개개의 기기의 조합으로 구성되어 있어도, 프로그래머블 로직 컨트롤러(programmable logic controller; PLC)로 구성되어 있어도 무방하다.[0088] 이러한 해수량 제어 시스템에 의하면, 엔진 출력과 사용하는 중유의 유황분으로부터, 소비한 중유에 포함되는 유황산화물(특히, 이산화유황(SO2))의 흡수에 필요한 알칼리 성분을 최저 해수량으로서 산출하며, 나아가, 스크러버(10)로부터 대기 중으로 배기되는 처리가 끝난 배기가스에 포함되는 유황산화물 농도가 배출 규제치를 초과하지 않도록 보정 해수량을 산출하여, 이들을 모두 더한 설정 해수량을 스크러버(10)에 공급하도록 제어하고 있다. 이 구성에 의해, 스크러버(10)에 공급되는 해수량이 과잉이 되는 경우나 부족한 경우가 없고, 처리 후의 배기가스 중의 유황산화물 농도가 규제치를 초과하는 일이 없도록, 스크러버(10)에 적절한 해수량을 공급하여 안정된 운전을 할 수 있게 된다.[0089] 또, 본 실시형태의 해수량 제어 시스템에서는, GPS(62)의 운행 해역 정보에 따라, 알칼리도 설정기(81)에 의해 해수의 알칼리도를 설정할 수 있으며, 이 알칼리도에 근거하여 스크러버(10)에 공급하는 설정 해수량을 증감시켜 조정할 수 있다. 이로써, 스크러버(10)에 공급하는 설정 해수량을 보다 적절히 할 수 있으며, 또한, 해수 펌프 유닛(30)의 동력을 삭감할 수가 있다.[0090] 또, 도 6에 있어서, 단계 ST3, ST5를 실시하는 선택을 한 경우에는, 이미 기억된 데이터를 알칼리도로 설정할 수 있으므로, 알칼리도 측정기(82)에 의한 측정을 생략할 수가 있다. 바꾸어 말하면, 단계 ST6을 실시하는 선택을 한 경우에만, 알칼리도 측정기(82)에 의한 측정을 행하기 때문에, 알칼리도의 측정 빈도 및 pH 미터의 사용 빈도를 낮게 할 수 있으며, pH 미터 등의 유지관리 빈도를 길게 할 수가 있다.[0091] 또, 알칼리도 측정기(82)에서는, 스크러버(10)에 의한 배기가스 세정을 행하기 전의 해수를 측정하기 때문에, 배기가스 세정 후의 탑저액(塔底液)을 측정하는 경우에 비해, 측정하는 해수에 매연 등이 혼입하는 것을 억제할 수가 있다. 이로써, pH 미터의 세정 등의 유지관리의 부담을 경감할 수가 있다.[0092] 또, 알칼리도 설정기(81)에 있어서 알칼리도를 기억하고 있는 운행 해역이 복수가 되기 때문에, 이러한 운행 해역을 늘림으로써 알칼리도 측정기(82)에 의한 측정을 생략할 수 있는 해역을 넓게 할 수 있으며, pH 미터의 사용 빈도를 보다 낮게 할 수가 있다. 또, 알칼리도를 기억하고 있는 운행 해역을 늘리면서, 각각의 운행 해역을 좁게 함으로써, 알칼리도의 정밀도를 높일 수 있고, 환산하는 해수량을 보다 한층 최적화할 수가 있다.[0093] 또, 표준적인 해수 조성(TEOS-10)을 적용할 수 있는 해역인 경우에는, 해수의 알칼리도가 일정치가 되는 것을 전제로 할 수 있으며, 알칼리 계수도 일정하게 하여 해수량을 환산하는 처리 부담의 경감을 도모할 수가 있다. 이때, 엔진 출력과 연료유의 유황분만으로, 최저 해수량을 환산할 수가 있다.[0094] 다음으로, 이하, 본 발명의 제 2 실시형태에 대해 첨부 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 제 2 실시형태에 있어서, 제 1 실시형태와 공통되는 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 붙이고, 그 도시, 설명을 생략한다.[0095] 도 10은, 제 2 실시형태에 관한 스크러버를 중심으로 하는 배기가스 처리 시스템을 나타내는 개략도이다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 배기가스 처리 시스템은, 엔진(200)으로부터 배기가스가 공급되는 스크러버(10)와, 스크러버(10)에 해수를 공급하는 해수 펌프(300)와, 스크러버(10)로부터 배출된 배수를 여과하는 여과기 유닛(400)으로 주로 구성된다. 스크러버(10)는, 세정에 이용한 해수를 순환시킨 순환 해수와, 세정에 이용하지 않은 신선 해수를 공급할 수 있게 구성되어 있다.[0096] 엔진(200)으로부터 배출된 배기가스는, 스크러버(10)에 도입된다. 이 배기가스에는, 이산화유황(SO2)이 50~1500 ppm 포함된다. 이 배기가스가 스크러버(10) 내부를 상승하는 과정에서, 해수 펌프(300)를 통해 스크러버(10)에 도입된 해수를 분무하여, 기액 접촉시킨다.[0097] 제 1 실시형태에 있어서의 식 (1)~(3)에 나타내는 바와 같이 반응이 행해져, 이산화유황(SO2)이 제거된 배기가스는, 스크러버(10)의 상부로부터 대기 중으로 배기된다.[0098] 스크러버(10) 내에 분무된 해수는, 스크러버(10)의 내벽면을 따라 자중으로 낙하하여, 스크러버(10) 하방의 저류부에 저류된다. 저류된 해수는, 스크러버(10)로부터 배수된 후, 여과기 유닛(400)에 의해 여과되어 해양으로 배수된다.[0099] 또, 선박의 운행 해역에 따라서는, 규제에 의해, 스크러버(10)에 저류된 해수를 해양으로 배수할 수 없는 경우가 있다. 이러한 경우에는, 스크러버(10)의 저류부 또는 별도로 설치한 탱크에 저류된 해수를, 순환량 제어 밸브(310)를 통해 다시 해수 펌프(300)에 공급함으로써, 스크러버(10)에 있어서의 배기가스 처리에 사용한다.[0100] 순환량 제어 밸브(310)는, 완전 폐쇄(全閉, fully closed)시에는 신선 해수만을 해수 펌프(300)에 공급하고, 완전 개방(全開, fully open)시에는 순환 해수만을 해수 펌프(300)에 공급하도록 구성되어 있다. 순환량 제어 밸브(310)의 밸브 개방도(開度)는, 운행 해역에서 허용되는 배수량에 따라 설정된다. 또한, 배수량은, 미리 얻어진 밸브 개방도와 해수 펌프 능력으로부터 산출하여도 되며, 신선 해수의 입구에 유량계를 설치하여 측정하여도 된다.[0101] 엔진(200)의 배기가스는, 200℃에서 400℃의 고온이기 때문에, 순환 해수는 흡수한 배기가스의 열에 의해 온도가 상승되어 있다. 따라서, 스크러버(10)로부터 순환량 제어 밸브(310)를 통해 해수 펌프(300)로 공급된 순환 해수는, 열 교환기(320)에 있어서 냉각수에 의해 냉각된 후, 다시 스크러버(10)에 공급된다.[0102] 또, 순환 해수는, 스크러버(10)에 있어서 이산화유황(SO2)을 흡수함으로써 해수 중의 알칼리 성분이 소비되어 있다. 해수 중의 알칼리 성분이 부족한 경우에는, 해수에 의한 배기가스 중의 이산화유황(SO2)의 흡수 반응이 저해되어, 스크러버(10)로부터 대기 중으로 배기되는 처리가 끝난 배기가스에 포함되는 이산화유황(SO2) 농도가 배출 규제치를 초과할 우려가 있다.[0103] 이 때문에, 스크러버(10)로부터 순환량 제어 밸브(310)를 통해 해수 펌프(300)로 공급된 순환 해수는, 알칼리 펌프(340)를 통해 알칼리 탱크(330)로부터 알칼리제가 주입된 후, 다시 스크러버(10)에 공급된다. 이때의 알칼리량 제어에 대해서는, 상세한 내용을 후술(後述)한다. 또, 알칼리제로서는, 가성(苛性) 소다(NaOH) 용액을 이용할 수 있다.[0104] 스크러버(10)의 구성에 대해서는, 도 3에 나타내는 스프레이 장치(12)가 해수 펌프(300)에 접속되고, 가스 공급 장치(13)가 엔진(200)에 접속되는 점을 제외하고, 제 1 실시형태의 스크러버(10)와 동일한 구성이 되므로, 도시 설명을 생략한다.[0105] 도 4에 나타내는 바와 같이, 스크러버(10)에 공급하는 해수량을 늘려, 스프레이 장치(12)에 의해 분무하는 해수량을 많게 할수록, 이산화유황(SO2)의 제거율은 향상된다. 이는, 분무하는 해수량이 증대됨에 따라 액적의 표면적이 증대되어, 배기가스와 해수 간의 접촉 면적이 증대하는 것에 추가하여, 해수에 포함되는 알칼리 성분의 총량이 증가하기 때문이다.[0106] 도 4에 나타내는 해수량과 이산화유황(SO2)의 제거율 간의 관계에 의해, 스크러버 본체(11)의 개구부(11c)로부터 대기 중으로 배기되는 배기가스에 포함되는 이산화유황(SO2)의 농도(출구 SO2 농도)가 높은 경우에는, 스프레이 장치(12)에 의해 분무되는 해수량을 많게 함으로써, 출구 SO2 농도를 낮출 수가 있다.[0107] 계속해서, 스크러버(10)의 스프레이 장치(12)에 공급하는 순환 해수에 알칼리제를 주입하는 경우에 있어서의 알칼리량 제어에 대하여 설명한다. 도 11은, 본 실시형태에 관한 배기가스 처리 시스템에 있어서의 알칼리량 제어 시스템의 구성을 나타내는 블록도이다.[0108] 도 11에 나타내는 바와 같이, 상기 알칼리량 제어 시스템은, 제 1 실시형태와 마찬가지가 되는 중유 유황 농도 설정기(60)와, 최저 해수량 환산기(61)와, GPS(62)와, 배출 비율 설정기(63)와, CO2 분석계(64)와, SO2 분석계(65)와, SO2 농도 환산기(66)와, PID 컨트롤러(67)와, 해수량 보정 환산기(68)와, 가산 요소(69)와, 알칼리도 설정기(81)와, 알칼리도 측정기(82)에 추가하여, 가감산(加減算) 요소(75)와, 알칼리량 연산기(71)와, 알칼리 펌프 제어장치(72)와, 상하한(上下限) 리미터(limiter)(73)와, 해수 펌프 제어장치(74)를 구비하고 있다.[0109] 이러한 알칼리량 제어 시스템의 구성과 동작에 대하여 설명한다. 또한, 제 1 실시형태와 동일하거나 또는 마찬가지인 구성, 동작에 대해서는 설명을 생략하거나 또는 간략하게 한다.[0110] 알칼리 제어 시스템은, 최저 해수량을 산출하는 최저 해수량 환산기(61)와, 보정 해수량을 산출하는 해수량 보정 환산기(68)와, 이들을 모두 더한 설정 해수량과 신선 해수량 간의 차분(差分)의 해수량에 근거하여 순환 해수에 대한 알칼리 주입량을 산출하는 알칼리량 연산기(71)를 포함하여 구성된다.[0111] 그리고, 가산 요소(69)에 있어서, 최저 해수량 환산기(61)에 의해 산출된 최저 해수량과, 해수량 보정 환산기(68)에 의해 산출된 보정 해수량을 가산함으로써, 설정 해수량이 산출된다. 다음으로, 가감산 요소(75)에 있어서, 설정 해수량으로부터 신선 해수량을 감산한 차분(差分)의 해수량이 산출된다. 가감산 요소(75)에 의해 산출된 해수량은, 알칼리량 연산기(71)에 입력된다.[0112] 알칼리도 설정기(81) 및 알칼리도 측정기(82)는, 출력처가 알칼리량 연산기(71)가 되는 점을 제외하고, 상기 제 1 실시형태와 마찬가지의 구성이 된다. 알칼리량 연산기(71)는, 제 1 실시형태의 알칼리 계수 환산기(83)와 마찬가지로, 알칼리도 설정기(81)로부터의 출력치(알칼리도) 또는 알칼리도 측정기(82)로부터 출력된 측정치(알칼리도)에 근거하여, 알칼리 계수를 환산한다.[0113] 알칼리량 연산기(71)는, 가감산요소(75)에 의해 산출된 해수량 분(分)의 해수 중에 포함되는 알칼리 성분량을 산출하는 동시에, 이 알칼리 성분량에 상당하는 알칼리 주입량을 산출한다. 해수의 알칼리도는, CaCO3 환산으로 105(ppm), 즉 105(mg/L)이기 때문에(상기 표준 조성 TEOS-10 참조), 예컨대 해수량이 100(t/h)인 경우에는, 이 해수량 분의 해수 중에 포함되는 알칼리 성분은, 105(g/m3)×100(m3/h)=10500(g/h)=10.5(kg/h)로 산출된다. 이것을 NaOH로 환산하면, 8.4(kg/h)가 되기 때문에, 알칼리제로서 25(%), 비중 1.27의 가성 소다 용액을 이용하는 경우의 알칼리 주입량은, 8.4/0.25/1.27≒26.5(L/h)로 산출된다.[0114] 또, 상기 알칼리 주입량의 환산은, 알칼리 계수 연산기(71)에서 산출하는 알칼리 계수=1인 경우(운행 해역이 TEOS-10을 적용할 수 있는 표준적인 해역인 경우)의 환산방법이다. 알칼리 계수의 산출방법은, 제 1 실시형태와 마찬가지로 「알칼리 계수=105/B」로서 산출된다. 알칼리 계수≠1인 경우에는, 위에서 설명한 바와 같이 산출된 알칼리 주입량에 대하여 알칼리 계수가 승산된다. 표준적인 해역보다 알칼리도가 낮은 기수역에서는, 알칼리 계수가 1보다 커지므로, 알칼리 계수의 승산에 의해 알칼리 주입량이 증가하도록 조정된다. 한편, 표준적인 해역보다 알칼리도가 높은 수역에서는, 알칼리 계수가 1보다 작아지므로, 알칼리 계수의 승산에 의해 알칼리 주입량이 감소하도록 조정된다. 이와 같이, 운행 해역에 따른 알칼리도에 근거하여, 알칼리 주입량이 조정된다.[0115] 알칼리량 연산기(71)는, 산출한 알칼리 주입량을 알칼리 펌프 제어장치(72)에 출력한다. 알칼리 펌프 제어장치(72)는, 알칼리 펌프(340)를 제어하여, 그 알칼리 주입량 분의 알칼리제를 스크러버(10)에 공급되는 순환 해수에 주입한다.[0116] 또, 가산 요소(69)에 있어서 산출된 설정 해수량은, 상하한 리미터(73)에 입력된다. 상하한 리미터(73)는, 해수 펌프(300)를 통해 스크러버(10)에 공급할 해수량의 상하한 리미터 값을 정하고 있으며, 입력된 설정 해수량이 상한 리미터 값을 초과하고 있는 경우에는, 그 상한 리미터 값을 스크러버(10)에 공급할 해수량으로서 출력한다. 마찬가지로, 상하한 리미터(73)는, 입력된 설정 해수량이 하한 리미터 값을 초과하고 있는 경우에는, 그 하한 리미터 값을 스크러버(10)에 공급할 해수량으로서 출력한다. 즉, 상하한 리미터(73)는, 스크러버(10)에 공급할 해수량을 상하한치의 범위 내로 규제한다.[0117] 본 발명에 있어서는, 배기가스 중의 이산화유황(SO2)의 흡수 제거에 이용하는 알칼리 성분은, 해수 중의 알칼리 성분에만 의존하지 않고, 별도로 알칼리제를 주입할 수 있기 때문에, 스크러버(10)에 공급하는 해수량은, 알칼리 성분을 보상하는 양은 아니며, 배기가스와 해수 간의 접촉에 의해 배기가스 중의 이산화유황(SO2)을 흡수 제거할 수 있는 양을 확보하면 된다. 따라서, 설정 해수량이, 배기가스와 해수 간의 접촉에 의해 배기가스 중의 이산화유황(SO2)을 흡수 제거할 수 있는 해수량을 초과하고 있는 경우에는, 이 해수량을 상한 리미터 값으로 하여, 스크러버(10)에 공급할 해수량으로서 설정한다.[0118] 스크러버(10)에 공급하는 알칼리량은 처리할 이산화유황(SO2)의 양에 알맞는 양을 주입할 필요가 있으며, 알칼리량이 부족하면 배기가스 중의 이산화유황(SO2) 농도가 규제치를 초과하여 문제가 된다. 따라서, 상하한 리미터(73)에 의해, 스크러버(10)에 공급할 해수량의 상한 리미터 값 및 하한 리미터 값을 정함으로써, 해수 펌프(300)의 동력을 삭감하면서, 가산 요소(69)에 있어서 산출된 설정 해수량과 신선 해수량 간의 차에 비례하여 알칼리량을 공급하기 때문에, 스크러버(10)에 적절한 알칼리량을 공급할 수 있어, 안정된 운전을 할 수 있게 된다.[0119] 상하한 리미터(73)에 의해 설정된 해수량은, 해수 펌프 제어장치(74)에 입력된다. 해수 펌프 제어장치(74)는, 해수 펌프(300)를 제어하여, 이 해수량 분의 해수를 스크러버(10)에 공급한다.[0120] 해수 펌프(300)로부터 스크러버(10)에 공급되는 실제 해수량은, 해수 펌프(300)에 유량계를 설치함으로써 측정할 수 있다. 이 경우, 해수 펌프 제어장치(74)에 있어서 측정한 실제 해수량과 설정 해수량을 비교하여, 피드백 제어를 행하여도 무방하다. 다만, 해수 펌프(300)로부터 스크러버(10)로 공급되는 알칼리량이 부족하여 스크러버(10)에 있어서의 출구 SO2 농도가 높아졌다 하더라도, 알칼리량 제어 시스템에 있어서의 PID 컨트롤러(67)에 의해 보정 해수량이 증가되는 방향으로 작용하기 때문에, 알칼리 주입량은 증가한다.[0121] 스크러버(10)에 해수를 공급하기 위한 펌프는, 단수여도 복수여도 무방하다. 복수의 펌프를 구비하는 경우에는, 설정 해수량의 증가에 따라 펌프의 운전대 수를 늘리고, 설정 해수량의 감소에 따라 펌프의 운전대 수를 줄이도록, 해수 펌프 제어장치(74)에 의해 복수의 펌프를 제어하면 된다(도 7 참조).[0122] 또한, 도 7에 나타내는 바와 같이 복수의 펌프를 제어하는 경우에는, 펌프가 빈번하게 운전 상태와 정지 상태를 반복하는 것을 피하기 위하여, 알칼리량 제어 시스템에 있어서의 PID 컨트롤러(67)는 비례 제어로 한정하고, 적분 제어를 행하지 않도록 하는 것이 필요하다.[0123] 또, 도 12, 도 13에 나타내는 바와 같이, 복수의 펌프를 해수 펌프 제어장치(74)에 있어서의 인버터로 제어하는 구성으로 하여도 무방하다. 이 경우에는, 인버터에 의한 제어를 하지 않는 경우에 비해, 정밀한 펌프의 제어를 행할 수가 있다.[0124] 도 12는, 해수 펌프 제어장치(74)가 인버터를 구비하는 경우의 구성을 나타내는 블록도이다. 예컨대, 스크러버(10)에 해수를 공급하기 위한 2대의 펌프를 구비하는 경우, 도 12에 나타내는 바와 같이, 해수 펌프 제어장치(74)는, 펌프 유량 설정기(74a)와, 제 1 인버터(74b)와, 제 2 인버터(74c)를 구비한다. 펌프 유량 설정기(74a)는, 펌프 1대당에 대한 유량을 설정한다. 제 1 인버터(74b)는 제 1 펌프(300a)를 제어하고, 제 2 인버터(74c)는 제 2 펌프(300b)를 제어한다.[0125] 도 13은, 도 12에 나타내는 구성에 의한, 펌프 1대당의 유량 설정치와 설정 해수량 간의 관계를 나타내는 도면이다. 도 13에 있어서, 실선은 펌프의 운전 상태를 나타내고, 파선은 펌프의 정지상태를 나타낸다.[0126] 도 13에 나타내는 바와 같이, 설정 해수량 (F1)에서 (F2)의 사이는 제 1 펌프(300a)만 운전하고 있으며, 설정 해수량이 (F1)로부터 (F2)로 증대됨에 따라, 제 1 펌프(300a)에 있어서의 유량 설정치도 증대되어 간다. 설정 해수량이 (F2)를 초과하면, 제 2 펌프(300b)도 운전을 개시한다. 이때, 제 2 펌프(300b)의 운전에 수반하여, 제 1 펌프(300a)의 유량 설정치는 감소한다. 설정 해수량이 (F2)로부터 (F3)으로 증대됨에 따라, 제 1 펌프(300a) 및 제 2 펌프(300b)에 있어서의 유량 설정치도 증대되어 간다.[0127] 또, 설정 해수량이 (F3)으로부터 감소됨에 따라, 제 1 펌프(300a) 및 제 2 펌프(300b)에 있어서의 유량 설정치도 감소되어 간다. 설정 해수량이 (F2)보다 감소되면, 제 2 펌프(300b)는 운전을 정지한다. 그리고, 제 2 펌프(300b)의 운전 정지에 수반하여, 제 1 펌프(300a)의 유량 설정치는 증가한다.[0128] 도 12, 도 13에 나타내는 것과 같은 인버터에 의한 복수의 펌프의 제어는, 설정 해수량이 취할 수 있는 값을 넓게 설정하는 경우, 즉, 엔진 부하 변동의 범위나 연료유의 유황분의 범위를 넓게 설정하는 경우 등에 유효하다.[0129] 이상 설명한 바와같이, 제 2 실시형태에 관한 알칼리량 제어 시스템에 의하면, 엔진 출력과 사용하는 중유의 유황분으로부터, 소비한 중유에 포함되는 유황산화물(특히, 이산화유황(SO2))의 흡수에 필요한 알칼리 성분을 최저 해수량으로서 산출하고, 나아가, 스크러버(10)로부터 대기 중으로 배기되는 처리가 끝난 배기가스에 포함되는 유황산화물 농도가 배출 규제치를 초과하지 않도록 보정 해수량을 산출하여, 이들을 모두 더한 설정 해수량에 근거하여 해수에 주입할 알칼리 주입량을 산출하고 있다. 이러한 구성에 의해, 스크러버에 공급하는 해수의 알칼리 제어를 행할 수 있기 때문에, 안정적이고 신뢰성이 높은 유황산화물의 제거율을 얻을 수 있게 된다.[0130] 또, 제 2 실시형태에 관한 알칼리량 제어 시스템에 의하면, 알칼리도 설정기(81), 알칼리도 측정기(82)로 설정한 알칼리도에 근거하여, 스크러버(10)에 공급할 알칼리 주입량을 증감하여 조정할 수가 있다. 이로써, 스크러버(10)에 공급하는 알칼리 주입량을 보다 적절히 할 수 있으며, 또한, 알칼리 펌프(340)의 동력을 삭감할 수가 있다.[0131] 또한, 본 발명은 상기 실시형태로 한정되지 않으며, 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. 상기 실시형태에 있어서, 첨부 도면에 도시되어 있는 크기나 형상 등에 대해서는, 그것으로 한정되지 않으며, 본 발명의 효과를 발휘하는 범위 내에서 적절히 변경이 가능하다. 그 밖에, 본 발명의 목적의 범위를 벗어나지 않는 한에 있어서 적절히 변경하여 실시할 수 있다.[0132] 예컨대, 상기 실시형태에서는, 배출 비율 설정기(63)로부터 최저 해수량 환산기(61)에 대하여 지령을 출력하였으나, 이러한 지령의 출력을 생략하여도 무방하다. 이 경우, SO2 농도 환산기(66)에 있어서, 배출 비율 설정기(63)로부터의 배출 비율에 따라, 출구 SO2 농도의 설정치(SV)를 바꾸는 연산을 행함으로써 해수량을 조정하는 것을 생각할 수 있다. 단, 상기 실시형태와 같이, 배출 비율 설정기(63)로부터 최저 해수량 환산기(61)로 지령을 출력하여 운행 해역마다의 규제치에 대응시키는 편이, 해수량의 산출을 보다 용이하게 하여 해수량의 제어 부담을 가볍게 할 수가 있다.[0133] 또, 알칼리도 설정기(81)가 알칼리도를 설정하는 운행 해역은, 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니며 변경하여도 무방하다. 예컨대, 상기 실시형태에 있어서, 표준적인 해수 조성(TEOS-10)을 적용할 수 있는 해역, 및, 이미 측정한 알칼리도의 데이터를 기억하고 있는 해역의 어느 일방(一方)에 대하여, 알칼리도를 설정하지 않는 것으로 하여도 무방하다. 이 경우, 운행 해역 정보에 근거하여 알칼리도를 설정할지, 혹은, 알칼리도 측정기(82)에 의한 측정을 개시할지를 선택하도록 한다. 단, 표준적인 해수 조성(TEOS-10)을 적용할 수 있는 해역의 판정을 포함하는 편이 IMO(국제 해사 기관)에 의한 배출 가스 규제에 대응할 수 있는 점에서 유리하게 되며, 복수의 운행 해역에서 알칼리도를 설정 가능하도록 하는 것이 알칼리도의 측정 빈도를 낮게 할 수 있는 점에서 유리하게 된다.[0134] 또, 알칼리도 설정기(81)가 모든 운행 해역에 대하여, 알칼리도의 데이터를 가질 경우에는, 알칼리도 측정기(82) 및 그 측정을 생략하여도 무방하다.[0135] 또, 본 발명의 해수량의 제어는, 배수 금지 해역에 있어서의 폐쇄 루프(Closed loop)(순환) 운전에 있어서, 염류의 석출 방지를 위한 순환수 추출(拔取)이나, 대기로의 비산(飛散), 증발 등에 의한 순환수의 감소 분(分)을 해수로 보충하는 경우에 행하여도 무방하다.[0136] GPS(62)는, 현재 위치를 측정하여 운행 해역 정보를 출력하는 한에 있어서, 다른 장치나 구성으로 바꾸어도 무방하다.	본 발명은 처리 후의 배기가스 중의 유황산화물 농도가 규제치를 초과하는 일이 없도록, 스크러버에 적절한 해수량을 공급하여 안정된 운전을 할 수 있으며, 알칼리도의 측정 빈도를 낮게 할 수 있도록 하는 것이다. 본 발명의 스크러버의 해수량 제어장치는, 엔진 출력과 연료유의 유황분(硫黃分)으로부터, 해수에 의한 유황산화물의 흡수 반응에 최저로 필요한 해수량인 최저 해수량을 산출하는 최저 해수량 환산기(61)와, 스크러버로부터 배기되는 배기가스에 포함되는 유황산화물이 설정치 이하가 되는 해수량인 보정 해수량을 산출하는 해수량 보정 환산기(68)와, 최저 해수량과 보정 해수량을 가산하여 설정 해수량을 산출하는 가산 요소(69)와, 설정 해수량분(分)의 해수를 상기 스크러버에 공급하도록 제어하는 펌프 제어장치(70)와, 운행 해역에 따라 해수의 알칼리도를 설정하는 알칼리도 설정기(81)를 구비하며, 알칼리도에 근거하여, 스크러버에 공급할 해수량을 조정한다.
[ 발명의 명칭 ] 하중 지지 적용 지오셀GEOCELL FOR LOAD SUPPORT APPLICATIONS [ 기술분야 ] 본 발명은 하중을 지지하는 데에 적당한, 예를 들면 도로, 철도, 주차 지역 및 포장도로상에 존재하는 것인 CCS 또는 지오셀로 알려져 있는 셀룰러 구속 시스템(cellular confinement system)에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 지오셀은 많은 하중 반복 및 온도 반복 후 그 치수를 유지하고; 상기 지오셀의 설계 수명 주기 동안 요구되는 충전재의 구속 특성을 유지한다. [ 배경기술 ] 셀룰러 구속 시스템(CCS)은 점착성이 없는 토양, 모래, 자갈, 밸러스트, 파쇄석, 또는 임의의 그외의 형태의 입자상 응집물일 수 있는 입자상 충전재로 채워진 "허니컴" 구조와 유사한 억제 셀(containment cell)의 배열이다. 지오셀로 알려진 바와 같이, CCS는 경사 보호(침식방지용) 또는 경사의 측면 지지 제공과 같은 기계적 강도 및 경도가 거의 요구되지 않는 토목공학 적용에서 주로 사용된다.CCS는 지오그리드(geogrid) 또는 지오텍스타일(geotextile)과 같은 그외의 지오신세틱(geosynthetic)과 다른데, 지오그리드/지오텍스타일은 평평하며(즉, 2차원), 평면 강화로서 사용된다. 지오그리드/지오텍스타일은 매우 한정된 수직 거리(통상 입자상 물질의 평균크기의 1-2배)에 대해서만 구속 특성(confinement)을 제공하고 평균크기가 약 20mm를 초과하는 입자상 물질로 한정된다. 이들이 낮은 품질 입자상 물질, 예를 들면 재순환 아스팔트, 파쇄 콘크리트, 비산재 및 석재 웨이스트에 대해서 임의의 구속 또는 강화를 거의 제공하지 않기 때문에 이것이 비교적 고가의 입자상 물질(밸러스트, 파쇄석 및 자갈)에 대해서 이러한 2차원 지오신세틱의 이용을 제한한다. 반면, CCS는 모든 방향으로(즉, 각각의 셀의 전체 단면적을 따라서) 구속을 제공하는 3차원 구조이다. 또한, 다수의 셀 기하는 지반지지력을 증가시키는 소극적 저항(passive resistance)을 제공한다. 2차원 지오신세틱과 달리, 지오셀은 약 20mm 미만의 평균 입자크기를 갖는 입자상 물질, 일부 경우에 약 10 mm 이하의 평균 입자크기를 갖는 물질에 대해서 구속 및 강화 특성을 제공한다. 지오셀은 전세계적으로 Presto. Presto's 지오셀 포함한 몇몇 회사에 의해서 제조되고, 대부분의 유사품은 폴리에틸렌(PE)으로 이루어진다. 상기 폴리에틸렌(PE)은 고밀도의 폴리에틸렌(HDPE) 또는 중간 밀도의 폴리에틸렌(MDPE)일 수 있다. 이하, "HDPE"는 0.940 g/㎤를 초과한 밀도를 특징으로 하는 폴리에틸렌을 칭한다. 중간 밀도의 폴리에틸렌(MDPE)은 0.925 g/㎤ 내지 0.940 g/㎤을 초과한 밀도를 특징으로 하는 폴리에틸렌을 칭한다. 저밀도의 폴리에틸렌(LDPE)은 0.91 g/㎤ 내지 0.925 g/㎤의 밀도를 특징으로 하는 폴리에틸렌을 칭한다.HDPE 및 MDPE로 제조된 지오셀은 부드럽거나 결이 있다. 이러한 결(texture)은 충전재에 대한 지오셀 벽의 일부 추가적인 마찰을 제공하기 때문에 결이 있는 지오셀이 시판품 중 가장 일반적이다. 이론적으로, HDPE는 15 MPa를 초과한 인장강도(항복 또는 파괴시에 인장 응력)를 갖는다고 하지만, 실제로, 지오셀 벽으로부터 시료를 꺼내서 ASTM D638에 따라서 시험할 때 하중 지지 적용, 예를 들면 도로 및 철도의 강도가 불충분하고, 150%/min의 높은 변형률에서도 겨우 14 MPa에 도달할 것이다.HDPE 및 MDPE의 부족한 특성은 ASTM D4065에 따르는 동적기계분석법(DMA)에 의해 분석될 때 현저하게 나타난다: 23℃에서 저장 모듈러스는 약 400 MPa 미만이다. 저장 모듈러스는 온도가 증가할 때 상당히 열화하고, 약 75℃의 온도에서 유용한 수준보다 떨어지므로, 하중 지지체 강화로서의 용도를 한정한다. 이들의 적당한 기계적인 특성은 경사 보호에 대해서는 충분하지만, 5년을 초과한 서비스에 대해서 설계된 장기간 하중 지지 적용에 대해서는 충분하지 않다.폴리머의 장기간, 크리프-관련 거동을 예상하는 또 다른 방법은 ASTM 6992에 따라서 단계등온법(SIM)에 의해서 가속된 크리프 시험이다. 이 방법에서, 폴리머 표본에 단계 온도 프로그램에서 일정한 하중이 가해진다. 상승된 온도 단계는 크리프를 가속시킨다. 이 방법은 장기간, 100년에 걸쳐서 표본 특성의 외삽이 가능하다. 통상, PE 및 PP를 시험할 때에, 10%의 소성 변형을 일으키는 하중을 "장기간 설계 강도"라고 부르고 설계 허용 강도로서 지오신세틱에서 사용된다. PE 및 PP에 10% 소성 변형을 초과하는 2차 크리프를 가하기 때문에, 10%를 초과한 소성 변형을 일으키는 하중은 회피된다. 2차 크리프는 예상되지 않고 PE 및 PP는 이러한 모드에서 "크레이즈(craze)"의 경향이 있다.도로, 철도 및 중하중 스토리지(heavily loaded storage) 및 주차 지역과 같은 적용에 대해서, 겨우 14 MPa의 강도는 불충분하다. 특히, 이들의 적당한 기계적 특성을 갖는 지오셀은 비교적 낮은 경도(stiffness)를 갖는 경향이 있고 8% 만큼 낮은 변형에서 소성 변형하는 경향이 있다. 소성 변형은 단시간 또는 소수의 차량 통행(소수의 반복적인 하중) 후에 셀의 구속 포텐셜(confining potential), 특히 주요한 강화 메카니즘의 손상을 유발한다. 예를 들면, 일반적인 지오셀로부터 기계 방향으로(접합면에 수직으로) 하는 스트립이 20%/min 또는 150%/min의 변형률에서 ASTM D638에 따라서 시험되는 경우, 6% 변형에서 응력은 13 MPa 미만이고, 8% 변형에서 응력은 13.5 MPa 미만이고, 12% 변형에서 응력은 14 MPa 미만이다. 따라서, HDPE 지오셀은 이들이 작은 하중하에 있고 내하중성(load-bearing) 충전재의 구속이 필수항목 (예를 들면 토양 안정)이 아닌 적용으로 한정된다. 지오셀은 작은 변형에서 소성 변형 경향이 높기 때문에 하중 지지 적용, 예를 들면 도로, 철도, 주차 지역 또는 무거운 용기 저장 영역에서 널리 허용되지 않는다.수직 하중이 입자상 물질의 기판에 인가되면, 그 수직 하중의 일부가 수평 하중 또는 압력으로 변환된다. 수평 하중의 크기가 입자상 물질의 수평 토압 계수(또한 측방향 토압 계수 또는 LEPC로 알려짐)를 곱한 수직 하중과 같다. LEPC는 자갈 및 파쇄석과 같은 양호한 물질에 대해서 약 0.2로부터 석재 웨이스트 또는 재순환 아스팔트와 같은 플라스틱 물질(세립자 함량 및 높은 가소성을 갖는 물질)에 대해서 약 0.3 내지 0.4까지 변화할 수 있다. 입자상 물질이 웨트(예를 들면, 도로의 노반(base course) 및 기부(sub-base)를 포화시키는 비 또는 홍수)인 경우, 그 가소성이 증가하고 높은 수평 하중이 발현되어 셀 벽내에 후프 응력(hoop stress)이 증가한다.입자상 물질이 지오셀에 의해 구속되고 정적 또는 동적 응력(예를 들면 차량 휠 또는 기차 레일에 의해 제공된 압력)에 의해서 상부로부터 수직 하중이 인가되면, 수평 압력이 지오셀 벽내에서 후프 응력으로 변환된다. 후프 응력이 수평압력 및 평균 셀 반경에 비례하고 셀 벽의 두께에 반비례한다.여기서, HS는 지오셀 벽 내의 평균 후프 응력이고, VP는 하중에 의해서 입자상 물질상에 외부에서 인가된 수직 압력이고, LEPC는 측방향 토압 계수이고, r은 평균 셀반경이고 d는 명목상 셀벽 두께이다예를 들면, 1.5 mm의 셀벽 두께(결을 포함하고, 이하, 상기 "벽 두께"는 셀 벽 단면적 상에 피크로부터 피크까지의 거리를 말한다); 230 mm의 평균 직경(입자상 물질로 충전되는 경우); 모래 또는 석재 웨이스트로 채워진 200 mm의 높이(LEPC 0.3); 및 700 kPa의 수직 하중을 갖는 HDPE 또는 MDPE로 이루어진 지오셀은 약 16 MPa의 후프 응력을 갖는다. 후프 응력식으로부터 알 수 있듯이, 더 큰 직경 또는 더 얇은 벽이 제조 비용의 관점에서 바람직하고, 이들에 상당히 높은 후프 응력이 가해지므로 HDPE 또는 MDPE로 이루어질 때 강화재로서 잘 작동하지 않는다.550 kPa의 수직 하중은 비포장 도로에 대해서 일반적이다. 무거운 트럭용 도로(포장 및 비포장), 산업용 서비스 도로 또는 주차 지역에서 700 kPa 이상의 상당히 높은 하중을 겪을 수 있다.하중 지지 적용, 특히 도로 및 철도가 일반적으로 수백만의 반복 하중이 가해지기 때문에, 지오셀 벽은 매우 낮은 소성 변형을 갖는 반복 하중하에서 그 원래의 크기를 유지하는 것이 필요하다. 시판 HDPE 지오셀은 HDPE가 일반적으로 약 8% 변형 및 하중 지지 적용에서 일반적으로 발견되는 일반적인 응력 미만의 응력에서 소성 한계에 도달하기 때문에 비-내하중성(non load-bearing) 적용으로 한정된다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 경도 및 강도가 증가되고; 상승된 온도에서 변형될 경향이 적고; 실내 온도(23℃)를 초과한 온도에서 탄성을 양호하게 유지하고; 반복되고 연속적인 하중하에서 소성 변형을 겪는 경향이 적고; 및/또는 긴 서비스 기간을 갖는 지오셀을 제공하는 것이 바람직하다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 실시형태에는 충분한 경도를 제공하고 소성 변형없이 높은 응력을 견딜 수 있는 지오셀이 기재되어 있다. 이러한 지오셀은 포장 도로, 도로, 철도, 주차 지역, 공항 활주로 및 저장 영역과 같은 하중 지지 적용에 적당하다. 이러한 지오셀을 제조하고 사용하는 방법이 기재되어 있다.일부 실시형태에서, 폴리머 스트립으로부터 형성되고, 적어도 하나의 폴리머 스트립은 23℃, 1 Hz 주파수에서 ASTM D4065에 따르는 동적기계분석법(Dynamic Mechanical Analysis)에 의해서 기계 방향으로 측정되었을 때 저장 모듈러스가 500 MPa 이상인 지오셀이 기재되어 있다.상기 적어도 하나의 폴리머 스트립은 저장 모듈러스가 700 MPa 이상이고, 1000 MPa 이상의 저장 모듈러스를 포함할 수 있다.상기 적어도 하나의 폴리머 스트립은 23℃에서 이즈하르 절차(Izhar Procedure)에 따라서 측정되었을 때 12% 변형에서 응력이 14.5 MPa 이상이고, 12% 변형에서 응력이 16 MPa 이상이고, 12% 변형에서 응력이 18 MPa 이상일 수 있다.상기 적어도 하나의 폴리머 스트립은 ASTM D696에 따라서 25℃에서 열팽창 계수가 120×10-6/℃ 이하일 수 있다.상기 지오셀은 포장 도로, 도로, 철도, 또는 주차 지역의 층에서 사용될 수 있다. 상기 지오셀은 모래, 자갈, 파쇄석, 밸러스트, 석재 웨이스트, 파쇄 콘크리트, 재순환 아스팔트, 파쇄 벽돌, 건물 파편 및 잔해, 파쇄 유리, 발전소 재, 비산재, 석탄재, 철 블래스트 퍼니스 슬래그, 시멘트 제조 슬래그, 강 슬래그(steel slag), 및 그 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 입자상 물질로 채워질 수 있다.다른 실시형태에서, 폴리머 스트립으로 형성되고, 적어도 하나의 폴리머 스트립은 63℃, 1 Hz 주파수에서 ASTM D4065에 따르는 동적기계분석법(Dynamic Mechanical Analysis)에 의해서 기계 방향으로 측정되었을 때 저장 모듈러스가 150 MPa 이상인 지오셀이 기재되어 있다.상기 적어도 하나의 폴리머 스트립은 저장 모듈러스가 250 MPa 이상이고, 저장 모듈러스가 400 MPa 이상일 수 있다.더욱 다른 실시형태에서, 폴리머 스트립으로부터 형성되고, 적어도 하나의 폴리머 스트립은 PRS SIM 절차에 따라서 측정되었을 때 장기간 설계 응력이 2.6 MPa 이상인 지오셀이 기재되어 있다.상기 적어도 하나의 폴리머 스트립은 장기간 설계 응력이 3 MPa 이상이고, 장기간 설계 응력이 4 MPa 이상일 수 있다.이하, 이들 및 그외의 실시형태가 보다 상세하게 기재된다. [ 발명의 효과 ] 본 발명은 23℃에서 500 MPa 이상의 저장 모듈러스; 1 Hz 주파수에서 동적기계분석법(Dynamic Mechanical Analysis)에 의해서 기계 방향으로 측정되었을 때 63℃에서 150 MPa 이상의 저장 모듈러스; 23℃에서 14.5 MPa 이상의 12% 변형에서 인장 응력; 25℃에서 120×10-6/℃ 이하의 열팽창 계수 및 2.6 MPa 이상의 장기간 설계 응력을 갖도록 하는, 고강도 및 고경도의 지오셀을 제공한다. 상기 지오셀은 하중 지지 적용, 특히 도로, 포장도로, 저장 영역 및 철도의 노반 및/또는 기부의 강화에 적당하다. [ 도면의 간단한 설명 ] 이하, 본원에 기재된 예시의 실시형태를 설명하기 위해서 제공된 도면의 간단한 설명이 기재되어 있지만, 이들에 의해서 본 발명을 한정하는 것은 아니다.도 1은 지오셀의 투시도이다.도 2는 본 발명의 지오셀에 사용된 폴리머 스트립의 예시의 실시형태를 도시한 도면이다.도 3은 본 발명의 지오셀에 사용된 폴리머 스트립의 또 다른 예시의 실시형태를 도시한 도면이다.도 4는 본 발명의 지오셀에 사용된 폴리머 스트립의 또 다른 예시의 실시형태를 도시한 도면이다.도 5는 비교예에 대해서 본 발명의 각종 셀의 응력-변형 결과를 비교한 그래프이다.도 6은 본 발명의 지오셀에 대해서 응력-변형을 도시한 그래프이다.도 7은 비교예에 대해서 본 발명의 예시의 셀에 대해서 수직 하중 시험 결과를 도시한 그래프이다.도 8은 대조 스트립에 대해서 저장 모듈러스 및 탄 델타(Tan delta) 대 온도의 그래프이다.도 9는 본 발명의 지오셀에 사용된 폴리머 스트립에 대해서 저장 모듈러스 및 탄 델타 대 온도의 그래프이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 하기의 상세한 설명은 당업자가 본원에 기재된 실시형태를 제조하고 사용할 수 있도록 제공하고 이들 실시형태를 실시하는 데에 고려된 최선의 형태를 기재한다. 각종 변경은 당업자에게 명백한 것으로 본 발명의 범위 내에 있는 것으로 고려된다.본원에 기재된 성분, 공정 및 장치의 더욱 완전한 이해는 수반된 도면을 참조하여 얻어질 수 있다. 이들 도면은 본 발명을 나타내는 편리함과 용이함을 기초로 하여서 단지 개략적으로 도시되고, 따라서 장치 또는 이것의 구성품의 상대적인 크기 및 치수를 지시하거나, 및/또는 예시적인 실시형태의 범위를 한정하거나 또는 제한하는 의도는 아니다.도 1은 단층 지오셀의 투시도이다. 지오셀(10)은 다수의 폴리머 스트립(14)을 포함한다. 인접한 스트립은 개개의 물리적 조인트(16)에 의해 함께 결합한다. 결합은 접합, 재봉, 또는 용접에 의해서 실시될 수 있지만, 일반적으로 용접에 의해서 실시된다. 2개의 조인트(16) 사이의 각각의 스트립의 일부는 개개의 셀(20)의 셀 벽(18)을 형성한다. 각각의 셀(20)은 2개의 다른 폴리머 스트립으로 이루어진 셀 벽을 갖는다. 스트립(14)은 서로 결합되어 다수의 스트립으로부터 허니컴 패턴을 형성한다. 예를 들면, 외측 스트립(22) 및 내측 스트립(24)은 스트립(22 및 24)의 길이에 따라서 규칙적으로 간격을 띄우는 물리적 조인트(16)에 의해서 함께 결합된다. 한 쌍의 내측 스트립(24)은 물리적 조인트(32)에 의해서 결합된다. 각각의 조인트(32)는 2개의 조인트(16) 사이에 있다. 따라서, 다수의 스트립(14)이 스트립 면에 수직하는 방향으로 연신되면, 스트립은 사인곡선과 같이 구부려서 지오셀(10)을 형성한다. 2개의 폴리머 스트립(22, 24)의 말단이 만나는 지오셀의 에지에서, 말단 용접(26)(또한 조인트라고 고려된다)은 말단(28)으로부터 짧은 거리로 해서 2개의 폴리머 스트립(22, 24)을 안정화시키는 쇼트 테일(short tail)(30)을 형성한다.본 발명의 지오셀은 특정한 물성을 갖는 폴리머 스트립으로 이루어진다. 특히, 폴리머 스트립은 폴리머 스트립이 20%/min 또는 150%/min의 변형률에서 기계 방향(지오셀에서 접합 면과 수직)으로 측정될 때, 항복시 또는 폴리머 스트립이 항복점을 가지지않을 때 12% 변형에서 14.5 MPa 이상의 응력을 갖는다. 다른 실시형태에서, 폴리머 스트립은 기재된 바와 같이 측정될 때 14.5MPa의 응력에서 10% 이하의 변형을 갖는다. 즉, 폴리머 스트립은 항복점에 도달하는 일없이 14 MPa 이상의 응력을 견딜 수 있다. 항복점에 대한 다른 유의어는 항복시의 응력, 탄성 한계 또는 소성 한계를 포함한다. 폴리머 스트립이 항복점을 가지지 않을 때, 12% 변형시의 응력이 고려된다. 이들의 측정은 휨특성 없이 23℃에서 기계 방향으로 폴리머 스트립의 인장 특성에 관한 것이다 많은 지오셀이 구멍이 뚫려있기 때문에, 일반적으로 ASTM D638 또는 ISO 527 규격에 따라서 응력 및 변형을 측정하는 것은 불가능하다. 따라서, 상기 규격의 수정 버전인 하기의 절차에 따라서 측정하고, 이것을 "이즈하르 절차"라고 칭한다. 50 mm 길이 및 10 mm 폭의 스트립은 지반 수준에 평행하고 셀의 접합면에 수직한 방향(즉 기계 방향)으로 샘플링한다. 스트립은 클램프 사이의 거리가 30 mm가 되도록 클램핑한다. 스트립은 45mm/min의 속도로 서로 멀리 떨어져서 클램프를 이동시킴으로써 연신되고, 23℃에서 150%/min의 변형률로 변환된다. 상기 변형에 따라서 스트립에 의해서 제공되는 하중은 하중 셀로 관리한다. 응력(N/㎟)은 다른 변형(변형은 원래의 길이로 나눈, 길이의 증분이다)에서 산출된다. 응력은 특정 변형에서 하중을 원래의 명목상의 단면적(스트립의 두께를 곱한 스트립의 폭)으로 나눔으로써 산출된다. 지오셀 스트립의 표면이 통상 결이 있기 때문에, 시료의 두께를 간단히 스트립 상의 3개의 점에서 평균을 낸 "피크 대 피크(peak-to-peak)"거리로서 측정된다. (예를 들면, 결(texture)과 같이 엠보싱된 다이아몬드를 갖고 상부측의 최상의 결 및 1.5 mm의 하부측의 최하의 결 사이의 거리를 갖는 스트립은 1.5mm 두께로서 간주된다). 150%/min의 변형률이 포장 도로 및 철도에 관계되고, 각각의 하중 반복이 매우 짧다.그외의 실시형태에서, 폴리머 스트립은 하기를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다:8 MPa의 응력에서 1.9% 이하의 변형;10.8 MPa의 응력에서 3.7% 이하의 변형;12.5 MPa의 응력에서 5.5% 이하의 변형;13.7 MPa의 응력에서 7.5% 이하의 변형;14.5 MPa의 응력에서 10% 이하의 변형;15.2 MPa의 응력에서 11% 이하의 변형;15.8 MPa의 응력에서 12.5% 이하의 변형;폴리머 스트립은 16.5 MPa의 응력에서 14% 이하의 변형; 및/또는 17.3 MPa의 응력에서 17% 이하의 변형을 가질 수 있다.그외의 실시형태에서, 폴리머 스트립은 12%의 변형에서 적어도 14.5 MPa의 응력을 갖고; 12%의 변형에서 적어도 15.5 MPa의 응력을 갖고; 및/또는 12%의 변형에서 적어도 16.5 MPa의 응력을 갖는 것을 특징으로 한다.그외의 실시형태에서, 폴리머 스트립은 1 Hz의 주파수에서 동적기계분석법(DMA)에 의해서 기계 방향으로 측정된, 23℃에서 500 MPa 이상의 저장 모듈러스를 갖는 것을 특징으로 한다. 인장 응력-변형 측정에 대해서, DMA 분석에 대한 두께는 3점 사이에서 평균을 낸 "피크 대 피크"거리로서 한다. 본 발명에 기재된 DMA 측정은 ASTM D4065에 따라서 행해진다.그외의 실시형태에서, 폴리머 스트립은 1 Hz의 주파수에서 동적기계분석법(DMA)에 의해서 기계 방향으로 측정된, 50℃에서 250 MPa 이상의 저장 모듈러스를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다. 그외의 실시형태에서, 폴리머 스트립은 1 Hz의 주파수에서 동적기계분석법(DMA)에 의해서 기계 방향으로 측정된, 63℃에서 150 MPa 이상의 저장 모듈러스를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.그외의 실시형태에서, 폴리머 스트립은 1 Hz의 주파수에서 동적기계분석법(DMA)에 의해서 기계 방향으로 측정된, 75℃에서 0.32 이하의 탄 델타를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다. 이들 신규한 특성은 일반적인 HDPE 또는 MDPE 지오셀의 특성보다 뛰어나다.동적기계분석법(DMA)은 폴리머의 점탄성을 연구하고 특징을 부여하기 위해서 사용되는 방법이다. 일반적으로, 진동력을 시료 물질에 인가하고 얻어진 시료의 반복 변위는 반복 하중에 대해서 측정된다. 탄성이 높을수록, 하중과 변위 사이의 시간차(상)가 작아진다. 이것으로부터, 시료의 전체 경도(pure stiffness)(저장 모듈러스), 또한 방산 메카니즘(손실 모듈러스) 및 이들 사이의 비율(탄 델타)을 결정할 수 있다. DMA는 ASTM에서 검토된다.또 다른 실시형태의 본 발명의 지오셀은 현재의 HDPE 또는 MDPE에 대해서 낮은 열팽창 계수(CTE)를 갖는다. CTE는 열 반복중에 팽창/수축이 추가의 후프 응력을 제공하는 또 다른 메카니즘이기 때문에 중요하다. HDPE 및 MDPE는 실내온도(23℃)에서 약 200×10-6/℃의 CTE를 갖고 CTE는 실내 온도보다 훨씬 높은 온도이다. 본 발명의 지오셀은 ASTM D696에 따라서 측정되었을 때, 23℃에서 약 150×10-6/℃ 이하의 CTE를 갖고 특정한 실시형태에서 23℃에서 약 120×10-6/℃ 이하의 CTE를 갖는다. 본 발명의 지오셀의 CTE는 상승된 온도에서 증가하는 경향이 적다.또 다른 형태의 본 발명의 지오셀은 일정 하중하에서 크리프 경향이 낮다. 낮은 크리프 경향은 ASTM 6992에 기재된, 단계등온법(SIM)에 의해서 가속 크리프 시험에 따라서 측정된다. 본 방법에서, 폴리머 표본에 단계 등온 프로그램에서 일정한 하중을 가한다(즉, 온도가 증가되고 소정의 기간 동안 일정하게 유지된다). 상승된 온도 단계는 크리프를 가속시킨다. SIM 시험 절차는 폭 100mm 및 순길이(클램프 사이의 거리) 50 mm의 시료에 대해 실시된다. 시료는 정적 하중에 의해서 하중을 받고 하기 단계를 포함한 절차에 따라서 가열된다:SIM 절차는 본원에서 "PRS SIM 절차"라고 칭한다. 상기 절차 끝에 소성 변형(초기 길이로 나눈 길이의 비가역 증가)을 측정한다. 소성 변형은 다른 하중에 대해서 측정하고, 10% 이하의 소성 변형을 일으키는 하중은 "장기간 설계 하중"이라고 칭한다. 장기간 설계 하중에 관련된 응력(원래의 길이를 곱한 원래의 폭으로 나눈 상기 하중)은 "장기간 설계 응력"이고 허용 후프 응력을 제공하고, 상기 지오셀은 정적 하중하에서 장기간 동안 견딜 수 있다.PRS SIM 절차를 실시할 때의 일반적인 HDPE 지오셀은 단지 2.2MPa의 장기간 설계 응력을 제공할 수 있다.일부 실시형태에서 본 발명에 따른 폴리머 스트립은 2.6 MPa 이상의 장기간 설계 응력, 3 MPa 이상의 장기간 설계 응력, 또는 4 MPa 이상의 장기간 설계 응력을 특징으로 한다.HDPE 지오셀과 달리, 본 발명의 지오셀은 16% 변형까지, 일부 실시형태에서 22% 변형까지 상당히 양호한 특성을 제공할 수 있다. 특히, 상기 지오셀은 14.5 MPa 보다 큰 응력에 대해 탄성적으로 반응할 수 있으므로, 하중 지지 적용에 대해서 필요한 특성을 제공할 수 있다. 탄성 반응은 하중이 제거되었을 때 원래의 크기로 완전한 회복을 보장한다. 상기 지오셀은 반복 하중하에서 원래의 직경으로의 반발 증가 및 높은 내하중성을 갖는 충전재를 제공할 것이다. 또한, 본 발명의 지오셀은 본원에 기재된 바와 같이 노반 및 기부에 사용될 수 없는 입자상 물질과 함께 사용될 수 있다. 본 발명의 지오셀은 특히 미립자상 물질이 사용될 때 습한 조건하에서 양호한 내하중성 및 피로 저항을 가질 수 있다.폴리머 스트립은 후술된 바와 같이 변경될 수 있는 폴리에틸렌(PE) 폴리머, 예를 들면 HDPE, MDPE 또는 LDPE를 포함할 수 있다.폴리머 스트립은 폴리프로필렌(PP) 폴리머를 포함할 수 있다. 하중 지지 적용에 대해서, 대부분의 PP 호모폴리머는 너무 깨지기 쉽고, 대부분의 PP 코폴리머는 너무 유연하지만, 일부 등급의 PP 폴리머는 유용하다. 이러한 PP 폴리머는 하중 지지 적용에 대해서 충분히 단단하지만, 지오셀이 접혀질 수 있도록 충분히 유연하다. 본 발명에 적당한 예시의 폴리프로필렌 폴리머는 폴리프로필렌 랜덤 코폴리머, 폴리프로필렌 임팩트 코폴리머, 에틸렌-프로필렌-디엔-모노머(EPDM) 또는 에틸렌 알파-올레핀 코폴리머계 엘라스토머 중의 하나와 폴리프로필렌의 혼합물, 및 폴리프로필렌 블록 코폴리머를 포함한다.이러한 PP 폴리머는 Dow Chemical Company로부터 R338-02N; SABIC Innovative Plastics으로부터 PP 71EK71PS grade 임팩트 코폴리머; 및 SABIC Innovative Plastics으로부터 PP RA1E10 랜덤 코폴리머가 시판되고 있다. 예시의 에틸렌 알파-올레핀 코폴리머계 엘라스토머는 Exxon Mobil에 의해 제조된 Exact�� 엘라스토머 및 Mitsui에 의해 제조된 Tafmer�� 엘라스토머를 포함한다. PP 폴리머는 저온(-20℃ 보다 낮다)에서 깨지기 쉽고, 정적 또는 반복 하중하에서 크리프하는 경향이 있기 때문에, PP를 혼합한 본 발명의 지오셀은 HDPE를 혼합한 본 발명의 지오셀보다 작동 온도에 대해서 더욱 한정되고 내하중성이 감소될 수 있다.PP 및/또는 PE 폴리머 또는 본 발명에 따른 임의의 그외의 폴리머 조성물은 일반적으로 각종 처리 공정 및/또는 첨가물을 통해서 변경되어 필요한 물성을 얻는다. 가장 효율적인 처리는 압출기로부터 하류 또는 나중의 별도의 공정에서 포스트 압출 처리이다. 통상, LDPE, MDPE 및 일부의 PP 폴리머와 같은 낮은 결정성 폴리머는 배향성, 가교 및/또는 써멀 어닐링과 같은 포스트-압출 공정을 필요로 하면서, 높은 결정성 폴리머는 스트립으로서 압출되고 함께 용접하여 포스트 압출 처리를 실시할 필요 없이 지오셀을 형성할 수 있다.일부 실시형태에서, 폴리머 스트립은 (i)고성능 폴리머 및 (ii)폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 폴리머의 혼합물(통상 상용되는 합금)을 포함한다. 이 혼합물은 일반적으로 비혼합성 혼합물(합금)이고, 고성능 폴리머는 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 폴리머에 의해 형성된 매트릭스 내에 분산되어 있다. 고성능 폴리머는 (1)ASTM D4065에 따라서 1Hz 주파수에서 동적기계분석법(DMA)에 의해 기계 방향으로 측정된, 23℃에서 1400 MPa 이상의 저장 모듈러스 또는 (2)적어도 25 MPa의 최종적인 인장 강도를 갖는 폴리머이다. 예시의 고성능 폴리머는 폴리아미드 수지, 폴리에스테르 수지 및 폴리우레탄 수지를 포함한다. 특히 적당한 고성능 폴리머는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리아미드 6, 폴리아미드 66, 폴리아미드 6/66, 폴리아미드 12 및 이들의 코폴리머를 포함한다. 고성능 폴리머는 일반적으로 폴리머 스트립의 약5 내지 약85중량%를 포함한다. 특별한 실시형태에서, 고성능 폴리머는 폴리머 스트립의 약 5내지 약 30중량%이고, 약 7 내지 약 25중량%이다.폴리머 스트립의 특성은 지오셀의 형성(스트립 용접) 전 또는 후에 변경될 수 있다. 폴리머 스트립은 일반적으로 폴리머 물질의 시트를 압출하고 폴리머 물질의 시트로부터 스트립을 절단함으로써 제조되고 효율을 위해서 일반적으로 시트에 개질을 실시한다. 개질은 시트에 용융물을 성형하고 시트를 용융온도보다 낮은 온도로 냉각한 후에 압출공정 또는 시트를 압출 다이로부터 분리한 후에 2차 공정으로서 일렬로(in-line) 행해질 수 있다. 개질은 시트, 스트립 및/또는 지오셀을 가교, 결정화, 어닐링, 배향 및 이들의 조합에 의해 처리함으로써 행해질 수 있다.예를 들면, 5 내지 500 cm 폭의 시트는, 상기 시트를 제조하기 위해서 사용된 폴리머 수지의 피크 용융 온도(Tm) 미만의 약 25℃ 내지 약10℃의 온도 범위에서 연신(즉 배향)될 수 있다. 배향 공정은 스트립 길이를 변화시켜서 스트립이 그 원래의 길이에 대해서 2% 내지 500%의 길이로 증가시킬 수 있다. 연신 후, 시트를 어닐링할 수 있다. 어닐링은 시트를 제조하는 데에 사용되는 폴리머 수지의 피크 용융 온도(Tm) 보다 낮은 2 내지 60℃인 온도에서 발생할 수 있다. 예를 들면, HDPE, MDPE, 또는 PP 시트가 얻어지면, 연신 및/또는 어닐링은 약 24℃ 내지 150℃의 온도에서 행해진다. 폴리머 합금을 어닐링하면, 어닐링 온도는 HDPE, MDPE 또는 PP 상의 피크 용융 온도(Tm)보다 낮은 2 내지 60℃이다.일부 구체적인 실시형태에서, 폴리머 시트 또는 스트립은 연신하여 그 길이를 50%까지 증가시킨다(즉, 최종길이가 원래 길이의 150%이다). 연신은 폴리머 시트 또는 스트립의 표면상에 약 100 내지 125℃의 온도에서 행해진다. 두께는 연신에 의해서 10% 내지 20%까지 감소된다.*그외의 실시형태에서, 폴리머 시트 또는 스트립은 압출 후 전자빔 조사 또는 압출기내에서 용융 전 또는 용융 혼련 중에 폴리머 조성물에 자유 라디컬 소스의 첨가에 의해서 가교된다.그외의 실시형태에서, 지오셀의 필요한 특성은 다층 폴리머 스트립을 제공함으로써 얻어질 수 있다. 일부 실시형태에서, 폴리머 스트립은 적어도 2, 3, 4 또는 5층을 갖는다.일부 실시형태에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 폴리머 스트립(100)은 적어도 2개의 층(110, 120)을 갖고, 2개의 층은 동일한 또는 다른 조성물로 이루어지고 적어도 1층은 고성능 폴리머 또는 (1) ASTM D4065에 따라서 1Hz의 주파수에서 동적기계분석법(DMA)에 의해서 기계 방향으로 측정된 23℃에서 1400 MPa 이상의 저장 모듈러스; 또는 (2) 적어도 25 MPa의 최종 인장강도를 갖는 폴리머 화합물로 이루어진다. 실시형태에서, 일층은 고성능 폴리머를 포함하고 다른 층은 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 폴리머를 포함하고, 이들은 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 폴리머와 그외의 폴리머, 충전재, 첨가물, 섬유 및 엘라스토머의 혼합물 또는 합금이어도 좋다. 예시의 고성능 수지는 폴리아미드, 폴리에스테르, 폴리우레탄; (1)폴리아미드, 폴리에스테르 또는 폴리우레탄과 (2) LDPE, MDPE, HDPE 또는 PP의 합금; 및 코폴리머, 블록 코폴리머, 3개의 폴리머 (폴리아미드, 폴리에스테르, 폴리우레탄) 중 임의의 2개의 폴리머 혼합물 또는 조합을 포함한다.그외의 실시형태에서, 도 3에 도시된 바와 같이, 폴리머 스트립(200)은 5개의 층을 갖는다. 2개의 층은 외층(210)이고, 1층은 코어층(230)이고, 2개의 중간층(220)은 상기 코어층을 각각의 외층에 결합시킨다(즉, 중간층은 타이 층으로서 작용한다). 이 5층 스트립은 공압출에 의해서 형성될 수 있다.그외의 실시형태에서, 폴리머 스트립(200)은 3개의 층만을 갖는다. 2개의 층은 외층(210)이고, 세번째 층은 코어층(230)이다. 이 실시형태에서, 중간층(220)은 존재하지 않는다. 이 3개의 층의 스트립은 공압출에 의해서 형성될 수 있다.외층은 자외선 광 열화 및 가수분해에 의한 저항을 제공할 수 있고 양호한 용접성을 갖는다. 외층은 HDPE, MDPE, LDPE, 폴리프로필렌 및 그외의 화합물 및 폴리머와 이들의 혼합물 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 폴리머로부터 제조될 수 있다. 이들 폴리머는 엘라스토머, 특히 EPDM 및 에틸렌-알파 올레핀 코폴리머와 혼합할 수 있다. 코어 및/또는 외층은 (1)HDPE, MDPE, LDPE 또는 PP와 (2) 폴리아미드 또는 폴리에스테르의 합금으로 제조될 수 있다. 각각의 외층은 약50 내지 약 1500 마이크론의 두께를 가질 수 있다.중간의 (타이)층은 기능성 HDPE 코폴리머 또는 테르폴리머, 기능성 PP 코폴리머 또는 테르폴리머, 극성 에틸렌 코폴리머 또는 극성 에틸렌 테르폴리머로 제조될 수 있다. 일반적으로, HDPE 및 PP 코폴리머/테르폴리머는 반응성 말단기 및/또는 측쇄기를 함유하고, 이것은 중간의 층(타이 층)과 외층 사이의 화학적 결합 형성을 가능하게 한다. 예시의 반응성 측쇄기는 카르복실, 무수물, 옥시란, 아미노, 아미도, 에스테르, 옥사졸린, 이소시아네이트 또는 이들의 조합을 포함한다. 각각의 중간층은 약 5 내지 약 500 마이크론의 두께를 가질 수 있다. 예시의 중간의 층은 Arkema에 의해 제조된 Lotader�� 수지 및 DuPont에 의해 제조된 Elvaloy��, Fusabond�� 또는 Surlyn�� 수지를 포함한다.코어 및/또는 외층은 폴리에스테르 및 PE 또는 PP와 이들의 합금, 폴리아미드 및 PE 또는 PP와 이들의 합금, 및 폴리에스테르와 폴리아미드의 혼합물 및 PE 또는 PP와 이들의 합금을 포함할 수 있다. 예시의 폴리아미드는 폴리아미드 6, 폴리아미드 66 및 폴리아미드 12를 포함한다. 예시의 폴리에스테르는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 및 폴리부틸렌 테레부탈레이트(PBT)를 포함한다. 코어 및/또는 외층은 약 50 내지 약2000 마이크론의 두께를 가질 수 있다.그외의 실시형태에서, 도 4에 도시된 바와 같이, 폴리머 스트립(300)은 3개의 층:상부 층(310), 중심층(320) 및 하부층(330)을 갖는다. 상부층은 상술한 외층과 동일하고; 중심층은 상술한 중간층과 동일하고; 하부층은 상술한 코어층과 동일하다.지오셀은 일반적으로 엠보싱되어(결이 있는 롤에 의해서 압출 후에 반고체 덩어리를 압축시킴으로써 결이 있는) 입자상 충전재 또는 토양에 의해 마찰을 증가시킨다. 지오셀에 구멍을 뚫어서 입자상 충전재 및 물 배수에 의해 마찰을 향상시킨다. 그러나, 엠보싱 및 천공은 지오셀의 경도 및 강도를 감소시킨다. 이들 마찰 조제가 통상 존재하기 때문에, 폴리머 조성물 및/또는 모폴로지를 변경함으로써 지오셀에 대해 향상된 강도 및 경도를 제공하는 것이 필요하다.폴리머 스트립은 더욱 첨가물을 포함하여 필요한 물성을 얻을 수 있다. 이러한 첨가물은 다른 것 중에서 핵제, 충전재, 섬유, 나노입자, 힌더드 아민 광안정제(HALS), 항산화제, UV 광흡수제 및 탄소블랙으로부터 선택될 수 있다.충전재는 분말, 섬유, 또는 휘스커의 형태로 존재할 수 있다. 예시의 충전재는 금속 산화물, 예를 들면 알루미늄 옥사이드; 금속 카르보네이트, 예를 들면 칼슘 카르보네이트, 마그네슘 카르보네이트 또는 칼슘-마그네슘 카르보네이트; 금속 설페이트, 예를 들면 칼슘 설페이트; 금속 포스페이트; 금속 실리케이트, 특히 탈크, 카올린, 마이카, 또는 월래스토나이트; 금속 보레이트; 금속 하이드록사이드; 실리카; 실리케이트; 알루모-실리케이트; 초크; 탈크; 돌로마이트; 유기 또는 무기 섬유 또는 휘스커; 금속; 금속-도포 무기물 입자; 클레이; 카올린; 산업 재; 콘크리트 분말; 시멘트; 또는 이들의 혼합물을 포함한다. 이들 실시형태에서, 충전재는 10 마이크론 미만의 평균 입자 크기, 일부 실시형태에서 1 보다 큰 가로세로비를 갖는다. 구체적인 실시형태에서, 충전재는 마이카, 탈크, 카올린, 및/또는 월래스토나이트이다. 그외의 실시형태에서, 섬유는 1 마이크론 미만의 직경을 갖는다.나노입자는 다양한 목적을 위해서 폴리머 조성물에 첨가할 수 있다. 예를 들면, 무기 UV 흡수 고형분 나노입자가 실제로 이동성을 갖지 않고 따라서 침출 및/또는 증발에 대해서 매우 저항성이 있다. UV-흡수 고형분 나노입자는 가시 스펙트럼에서 투명하고 매우 균일하게 분포한다. 따라서, 이들이 폴리머의 색깔이나 음영에 대한 기여 없이 보호를 제공한다. 예시의 UV-흡수 나노입자는 티타늄 염, 티타늄 옥사이드, 아연 옥사이드, 아연 할라이드 및 아연 염으로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함한다. 구체적인 실시형태에서, UV-흡수 나노입자는 티타늄 디옥사이드이다. 시판 UV-흡수 입자는 Sachtleben에 의한 SACHTLEBEN™ Hombitec RM 130F TN, Umicore에 의한 ZANO™ 아연 옥사이드, Advanced Nanotechnology Limited에 의한 NanoZ™ 아연 옥사이드, 및 Degussa에 의한 AdNano Zinc Oxide™을 포함한다. 지오셀을 형성하는 폴리머 스트립은 다양한 공정에 의해 제조된다. 일반적으로, 상기 공정은 폴리머 조성물을 용융하는 단계; 용융된 시트로서 압출기 다이를 통해서 조성물을 압출하는 단계; 얻어진 시트를 형성하고 선택적으로 결을 형성하는 단계; 필요에 따라서 상기 시트를 처리하여 소망의 특성을 얻는 단계; 시트를 스트립으로 절단하고 시트로부터 형성된 스트립을 지오셀로 함께 용접, 재봉, 접합 또는 고정하는 단계를 포함한다. 우선, 각종 성분, 예를 들면 폴리머 수지 및 임의의 소망의 첨가물을 일반적으로 압출기 또는 공혼련기에서 용융 혼련한다. 이것은, 예를 들면 충분한 혼합 요소와 함께 압출기, 예를 들면 2축 압출기 또는 1축 압출기에서 행해질 수 있고, 이것은 폴리머에 대한 최소의 열화를 갖는 필요한 열 및 전단을 제공한다. 이 조성물은 용융 혼련되어 임의의 첨가물을 완전히 분산시킨다. 조성물은 다이를 통해서 압출되고 금속 캘린더 사이에서 시트 형태로 압축된다. 압출기 다이의 하류에 제공된 처리는 시트의 표면에 결을 형성하고, 시트를 천공하고, 배향(일방향 또는 이방향)하고, 전자선 또는 x선으로 조사 및 써멀 어닐링을 포함한다. 일부 실시형태에서, 시트를 열처리하여 결정성을 증가시키고 내부의 응력을 감소시킨다. 그외의 실시형태에서, 시트를 처리하여 폴리머 수지 내의 가교를 전자선, x선, 열처리 및 이들의 조합에 의해 일으킨다. 상기 처리들의 조합이 고려된다.스트립은 얻어진 시트로부터 형성되고, 용접하거나, 재봉하거나 또는 접합하여 지오셀을 형성한다. 이러한 방법이 공지되어 있다. 얻어진 지오셀은 장기간에 걸쳐서 지속된 하중 반복하에서 그 경도를 유지할 수 있다. 본 발명의 지오셀은 현재의 지오셀에는 사용할 수 없는 하중 지지 적용에 대해서 유용하다. 특히, 본 발명의 지오셀은 노반, 기부 및 및 노상에 대해서 하중 지지 적용에 적당하지 않은 충전재를 사용할 수 있다.특히, 본 발명의 지오셀은 불충분한 경도 및 비교적 부족한 피로 저항 때문에 노반 및 기부와 같은 하중 지지 적용에서 사용하는데 이전에 부적당했었던 충전재의 이용이 가능하다(입자상 재료에서, 피로 저항이 탄성계수로서 알려져 있다). 현재 사용될 수 있는 예시의 입자상 충전재는 석재 웨이스트(양호한 품질의 입자상 물질의 분류 후에 잔류하는 세립분), 파쇄 콘크리트, 재순환 아스팔트, 파쇄 벽돌, 건물 파편 및 잔해, 파쇄 유리, 발전소 재, 비산재, 석탄재, 철 블래스트 퍼니스 슬래그, 시멘트 제조 슬래그, 강 슬래그 및 이들의 혼합물을 포함한다.본 발명은 하기 비제한 작용예에서 도시되어 있고 이들 실시예는 단지 설명되는 것으로 본원에 인용된 물질, 조건, 공정 파라미터 등으로 한정되는 것은 아니다.실시예약간의 지오셀을 제조하고 이들의 응력-변형 반응, DMA 특성 및 입자상 물질 지반지지력에 대한 충격량에 대해서 시험하였다.일반적으로, 인장 응력-변형 특성은 상술한 이즈하르 절차에 의해서 측정하였다.다른 휨에서 하중을 측정하거나 뉴톤(N)으로 변환할 수 있다. 휨을 측정하거나 mm로 변환한다. 응력은 특정한 휨에서 하중을 상기 스트립의 원래의 단면적으로 나눔으로써 산출하였다.(원래의 두께를 곱한 원래의 폭, 여기서 두께는 상면과 하면 사이에서 명목상 피크 대 피크 거리이다). 변형(%)은 특정한 휨(mm)을 원래의 길이(mm)로 나누고 100을 곱함으로써 산출하였다. 비교예 1Presto Geosystems (Wisconsin, USA)으로부터 시판된 고밀도의 폴리에틸렌 (HDPE)로부터 제조된 지오셀을 얻고 그 특성을 시험하였다. 평균 셀 벽 두께는 1.5mm이고 스트립은 다이아몬드형 수직 셀의 결을 갖는다. 지오셀은 천공되지 않았다. 응력-변형은 이즈하르 절차에 따라서 반응하고 표1에 도시한다.약8%의 변형 및 약13.4 MPa의 응력에서, 비교예는 심각한 소성 변형을 겪고 실제로 약 8% 변형에서 항복점에 도달하였다. 즉, 응력 해소 후에, 시료는 그 원래의 길이를 회복하지 못하고 영구적으로 더 길게 유지되었다(영구적인 잔류 변형). 이 현상은 하중 지지 적용에 대한 셀룰러 구속 시스템-특히 많은 (제품 수명 주기 동안 10,000-1,000,000 이상의 반복)을 가하는 것에 대해 바람직하지 않고 포장도로 및 철도에 대한 하중 지지체로서 HDPE 지오셀의 부족한 성능에 대한 이유이다.실시예 1HDPE 스트립을 압출하고 엠보싱 가공하여 비교예 1과 같이 결을 제공했다. 스트립은 두께 1.7mm이었고 100℃의 온도에서 (상기 스트립 표면상에) 연신하여 길이는 50% 증가되고 두께는 25% 감소되었다. 이러한 HDPE 스트립의 응력-변형 반응은 이즈하르 절차에 따라서 측정하고 표2에 도시된다.실시예 1의 스트립은 17 MPa 초과한 응력에서 항복점 없이 그 소성 한계에 도달하지 않고 12% 변형을 통해서 탄성 반응을 유지하였다. 하중의 해소 후에 초기 치수의 회복은 거의 100%이었다. 실시예 212 wt% 폴리아미드 12, 10 wt% 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 말레산 무수물 상용화제(Polyram에 의해 제조된 Bondyram��5001)에 의해 그래프트 중합된 5 wt% 폴리에틸렌, 및 73% HDPE를 포함한 고성능 폴리머 합금 조성물을 압출하여 1.5mm 두께의 결이 있는 시트를 형성했다. 상기 조성물로부터 형성된 스트립의 응력-변형 반응은 이즈하르 절차에 따라서 측정하고 표 3에 도시된다.실시예 2의 스트립은 17MPa 를 초과한 응력에서 항복점 없이 소성 한계에 도달하지 않고 14% 변형을 통해서 탄성 반응을 유지했다. 하중 해소 후에 초기의 치수 회복은 거의 100%이었다.도 5는 비교예 1, 실시예 1 및 실시예 2의 응력-변형 결과를 도시하는 그래프이다. (0,0)에서 추가의 점은 각각의 결과에 대해서 첨가했다. 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1 및 실시예 2는 급격한 항복점을 갖지 않고 17 MPa를 초과한 응력에서 12-14% 변형까지 항복 없이 응력 증가를 유지하는 반면, 비교예 1은 약14MPa의 응력 및 8-10% 변형에서 항복점에 도달했다. 이것은 탄성 반응이 유지된 더 큰 범위로 변화된다. 반복 하중이 예상되고 원래의 치수로 회복할 가능성(충전재의 최대 구속)이 중요할 때에 실시예 1 및 실시예 2에 대해 항복점이 관찰되지 않았던 사실이 중요하다.도 6은 8 MPa의 응력에서 1.9% 이하의 변형; 10.8 MPa의 응력에서 3.7% 이하의 변형; 12.5 MPa의 응력에서 5.5% 이하의 변형; 13.7 MPa의 응력에서 7.5% 이하의 변형; 14.5 MPa의 응력에서 10% 이하의 변형; 15.2 MPa의 응력에서 11% 이하의 변형; 15.8 MPa의 응력에서 12.5% 이하의 변형; 16.5 MPa의 응력에서 14% 이하의 변형; 17.3 MPa의 응력에서 17% 이하의 응력을 갖는 것을 특징으로 하는 본 발명의 폴리머 스트립과 비교예 1의 응력-변형 결과 사이의 차이를 도시한 그래프이다. 점선의 왼쪽 영역은 본 발명에 따라서 응력-변형의 조합을 정의한다.실시예 32개의 셀을 시험하여 입자상 물질 강화의 향상 및 하중 지지력의 증가를 증명하였다. 이들의 셀은 하나의 셀이었지만 완전한 지오셀을 아니었다. 대조군으로서 비교예 1에 상응하는 하나의 셀을 사용하였다. 비교에 대해서, 실시예 2에 따르는 조성물로부터 셀을 제조하고 결을 형성하고 1.5 mm 두께를 가졌다.각각의 셀의 벽은 높이 10cm, 접합면 사이 33 cm이었고 엠보싱가공하고 천공하지 않았으며 두께는 1.5mm이었다. 셀을 개방하여 긴“반경”은 약 260 mm이었고 그 짧은 반경은 185 mm이었다. 길이 800 mm 및 폭 800 mm의 모래통을 20 mm 깊이까지 모래로 채웠다. 모래 그라데이션 분포는 표 4에 제공된다.셀을 이러한 모래의 표면상에 배치하고 동일한 모래를 채웠다. 확장된 셀은 장축으로 약 260 mm 및 단축으로 180mm인 대략 타원형이었다. 추가의 모래를 모래통에 채워서 상층 25 mm가 셀을 덮도록 셀을 둘러싸서 셀을 묻었다. 모래는 70% 상대 밀도까지 압축했다.직경 150 mm의 피스톤을 셀의 중심에 배치하고 하중을 가해서 모래 표면상의 압력을 50 kPa 증분으로 제공했다(즉, 압력은 1분 당 50kPa씩 증가시켰다). 휨(구속된 모래로 피스톤 침투) 및 압력(피스톤 면적으로 나눈 수직 하중)을 측정했다.피스톤은 (1)모래만; (2) 비교예 1의 셀; 및 (3)실시예 2의 셀에 대해서 사용되었다. 결과는 표 5에 도시된다.실시예 2의 셀은 400 kPa를 초과하는 압력에서 탄성적으로 행해지는 반면, 비교예 1의 셀은 탄성적으로 행해지지 않았다. HDPE 벽의 항복 때문에, 비교예 1의 셀에서 부족한 구속이 관찰되었다. 비교예 1에 대한 항복점은 약 250 kPa의 수직 압력에서 존재하고 평균 후프 응력이 수직 압력에서 산출되면(셀의 평균 직경 225 mm)이고, 약 13.5 MPa의 값이 얻어진다. 이 값은 이즈하르 절차에 따라서 응력-변형 인장 측정에 의해서 얻어진 항복점을 갖고 매우 양호했다. 이러한 결과는 경도와 항복 저항 사이의 강하고 상당한 상관관계가 있고(14 MPa를 초과하는 후프 응력을 갖는 능력) 및 큰 수직 하중을 지지하는 능력이 있는 것을 나타낸다. 이러한 시험은 단지 하나의 하중을 제공하는 반면, 실제의 적용에서, 지지될 하중은 반복되는 것을 유의할 필요가 있다. 따라서, 소성 변형에 대한 저항은 매우 중요하고 비교예 1의 셀에서 존재하지 않는다.도 7은 표 5의 결과를 도시한 그래프이다. 침투 저항의 차이(즉, 셀이 얼마나 잘 수직 하중을 지지하는가)가 매우 명확하다.실시예 4폴리머 스트립은 실시예 2에 따라서 제조되었다.대조군으로서, 비교예 1에 따르는 두께 1.5mm의 HDPE 스트립이 제공되었다.2개의 스트립은 ASTM D4065에 따라서 1 Hz의 주파수에서 동적기계분석법(DMA)에 의해서 분석되었다. 대조의 HDPE 스트립은 약 -150℃ 내지 약 91℃의 온도범위에서 시험하였다. 대조의 스트립은 5℃/min으로 가열되고, 힘, 변위, 저장 모듈러스 및 탄 델타를 측정했다. 실시예 2의 폴리머 스트립은 약 -65℃ 내지 약 120℃의 온도 범위에서 시험하였다. 대조의 스트립은 약 5℃/min으로 가열하고, 힘, 변위, 저장 모듈러스 및 탄 델타를 측정하였다.도 8은 대조의 HDPE 스트립에 대해서 저장(탄성) 모듈러스 및 탄 델타 대 온도의 그래프이다.도 9는 실시예 2의 폴리머 스트립에 대해서 저장(탄성) 모듈러스 및 탄 델타 대 온도의 그래프이다.HDPE의 저장 모듈러스는 실시예 2의 저장 모듈러스 보다 더 급속도로 감소하였다. 실시예 2의 스트립에 대한 저장 모듈러스는 23℃에서 HDPE 스트립의 저장 모듈러스 보다 거의 3배 높았다. 23℃에서 HDPE 스트립과 동일한 저장 모듈러스를 얻기 위해서, 실시예 2의 스트립은 거의 60℃까지 가열되고, 즉 실시예 2의 스트립은 더 양호한 저장 모듈러스를 유지하였다.HDPE 스트립의 탄 델타는 탄성 손실을 나타내는 약 75℃에서 시작하여 지수함수적으로 증가해서(즉, 물질이 너무 유연해서 충분한 경도 및 탄성을 유지하지 못한다), 스트립은 점성이 있고 유연하였다. 이것은 지오셀이 지반(예를 들면 도로)에 배치하였을 때에 가열될 수 있기 때문에 바람직하지 않다. 실시예 2에서 스트립에 대한 탄 델타는 100℃만큼 높은 온도에서 그 특성을 유지했다. 이 특성은 추가의 안전성 요소를 제공하기 때문에 바람직하다. 상승된 온도에서 성능은 (ASTM 6992에서 기재된)적당한 온도에서 장기간 성능을 예상하는 방법이기 때문에 HDPE가 약 75℃에서 그 하중 지지 포텐셜이 수초 내에 그 탄성을 잃기 시작한다는 사실은 부족한 크리프 저항 및 소성 변형 경향을 제공한다. HDPE와 달리, 본 발명의 조성물은 매우 높은 온도에서 그 탄성(낮은 탄 델타)를 유지하므로 수년동안 및 많은 하중 반복동안 그 특성을 유지하기 위한 포텐셜을 갖는 것을 제안한다.실시예 53개의 스트립은 PRS SIM 절차에 따라서 시험하여 그 장기간 설계 응력(LTDS)을 결정하였다. 대조군으로서, 하나의 HDPE 스트립을 비교예 1에 따라서 제조하였다. 제 1의 시험 스트립은 실시예 2에 따라서 제조하였다. 제 2의 시험 스트립은 실시예 2에 따라서 제조하였고, 115℃에서 배향하여 그 원래의 길이를 40%까지 증가시켰다. 결과는 하기의 표 6에 도시한다.본원에서 알 수 있는 바와 같이, 실시예 2 및 배향된 실시예 2는 둘 다 비교예 1에 비해서 높은 LTDS를 가졌다.구체적인 실시형태를 기재하면서, 대안, 변형, 변경, 개선 및 예상되거나 예상되지 않는 실질적인 동등물은 출원인 또는 당업자가 생각해 낼 수 있다. 따라서, 출원되고 보정될 수 있는 첨부된 청구항은 이러한 모든 대안, 변형, 변경, 개선 및 실질적인 동등물을 포함하는 것을 의미한다.	본 발명은 23℃에서 500 MPa 이상의 저장 모듈러스; 1 Hz 주파수에서 동적기계분석법(Dynamic Mechanical Analysis)에 의해서 기계 방향으로 측정되었을 때 63℃에서 150 MPa 이상의 저장 모듈러스; 23℃에서 14.5 MPa 이상의 12% 변형에서 인장 응력; 25℃에서 120×10-6/℃ 이하의 열팽창 계수 및 2.6 MPa 이상의 장기간 설계 응력을 갖도록 하는, 고강도 및 고경도의 지오셀이 기재되어 있다. 상기 지오셀은 하중 지지 적용, 특히 도로, 포장도로, 저장 영역 및 철도의 노반 및/또는 기부의 강화에 적당하다.
[ 발명의 명칭 ] 업링크 데이터 전송 확인 장치, 기기 및 방법UPLINK DATA TRANSMISSION CONFIRMATION APPARATUS, DEVICE AND METHOD [ 기술분야 ] 본 발명은 통신 기술에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 업링크 데이터 전송 확인 장치, 기기 및 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 현재, 3GPP의 LTE 프로젝트가 단말의 특별한 응용 시나리오에 적합한 커버리지 향상 리서치 토픽을 제안하고 있다. 즉, 지하에 있는 단말과 같이, 비교적 큰 손실(loss)을 가진 단말에 대해 커버리지 향상 지원을 제공하여, 단말이 네트워크에 액세스하고 서비스를 얻을 수 있도록 한다. 시그널 반복은 커버리지 향상을 위한 한 방법이다. 상이한 단말이 상이한 환경에 있으면 상이한 정도의 커버리지 향상이 있어야 한다. 즉, 상이한 단말은 상이한 커버리지 향상 요구를 가진다. 시그널 반복을 예로 하면, 상이한 단말은 또한 상이한 횟수의 시그널 반복이 있어야 한다. 단말이 업링크 데이터는 기지국에 전송한 후, 단말은 그 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지, 즉 그 업링크 데이터가 기지국에 의해 정확하게 수신되었는지를 알 필요가 있다. 기존의 프로토콜에 따르면, 기지국은 물리 하이브리드 자동 반복 요청(ARQ:Automatic Repeat Request) 지시자 채널(Physical Hybrid ARQ Indicator Channel, 이하 'PHICH'로 약칭함) 시그널링을 단말에 전송하여, 단말이 업링크 데이터의 전송 상태를 알도록 한다. 커버리지 향상 시나리오에서, 기지국은 반복적으로 PHICH 시그널링을 전송하여야 하고, 이로써 단말은 PHICH 시그널링을 정확하게 수신하고 이 PHICH 시그널링에 따라 이전 업링크 데이터가 기지국에 의해 정확하게 수신되었는지 결정하여 이전 업링크 데이터가 기지국으로 다시 전송되어야 하는지를 결정한다.종래 기술에서는, PHICH의 반복적인 송신에 의해 야기되는 자원 소비를 줄이기 위해, 물리 다운링크 제어 채널(Physical Downlink Control Channel: 'PDCCH'로 약칭함) 시그널링 내의 새로운 데이터 지시자(New Data Indicator, 'NDI'로 약칭함) 필드를 이용하여 업링크 데이터의 수신확인(confirmation)을 나타낸다. 만일 NDI 필드가 PDCCH 시그널링이 새로운 데이터의 전송을 스케줄링하는 것을 나타내면, 그것은, 이전에 전송된 단말의 데이터가 성공적으로 수신되었음을 나타낸다. 또는 만일 NDI 필드가 PDCCH 시그널링이 구 데이터의 전송을 스케줄링하는 것을 나타내면, 그것은, 단말의 이전 데이터가 성공적으로 수신되지 않았고 그래서 단말이 이전 업링크 데이터를 기지국에 재전송해야 한다는 것을 나타낸다.그러나 종래 기술에서, 단말에 의해 전송된 업링크 데이터가 수신확인되면, 만일 그 업링크 데이터가, 비(non)-랜덤 액세스 응답 메시지(Message3, 'Msg3'로 약칭함)이면서 또한 PDCCH에 의해 스케줄링된 것에 따라 전송되고 정확하게 기지국에 의해 수신된 마지막 업링크 데이터이면, 기지국은 여전히 PDCCH 시그널링을 단말에 전송하여야 하고, 이로써 단말은 업링크 데이터가 기지국에 의해 성공적으로 수신되었다는 것을 확인할 수 있다. 추가적으로, 커버리지 향상 시나리오에서, PDCCH 시그널링은 또한 단말에 반복적으로 전송될 필요가 있는데, 이것은 자원의 낭비를 초래한다. 업링크 데이터가 PDCCH 시그널링에 의해 스케줄링되지 않고 전송된 Msg3인 경우, 그 Msg3가 정확하게 전송되었는지 여부는 종래 기술에서는 확인될 수 없다. [ 발명의 개요 ] 본 발명의 실시예는 업링크 데이터 전송 확인 장치, 기기, 및 방법을 제공하며, 이것은 종래 기술에서 단말이 전송된 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 확인하는 경우에 발생되는 자원의 낭비 그리고 Msg3 메시지가 성공적으로 전송되었는지 종래에 확인할 수 없다는 것의 기술적 문제를 해결하기 위해 사용된다.본 발명의 실시예의 제1 측면은 업링크 데이터 전송 확인 장치를 제공하며, 이 장치는,업링크 데이터를 기지국에 전송하도록 구성된 송수신 모듈;제1의 미리 설정된 기간 내에, 상기 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지 검지하고 검지 결과를 획득하도록 구성된 검지 모듈; 및상기 검지 결과에 따라, 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 판정하도록 구성된 판정 모듈을 포함한다.제1 측면을 참조하면, 제1 측면의 제1 가능한 구현 방식에서, 상기 업링크 데이터가 비-랜덤 액세스 응답 메시지(Msg3)이면, 상기 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 상기 업링크 데이터를 재전송하도록 상기 송수신 모듈에 지시하는 데 사용된다.제1 측면의 제1 가능한 구현 방식을 참조하면, 제1 측면의 제2 가능한 구현 방식에서, 상기 판정 모듈이 구체적으로, 만일 상기 검지 결과가, 상기 검지 모듈이, 상기 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전혀 검지하지 못하였다는 것이면, 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송된 것으로 판정하거나; 또는 만일 상기 검지 결과가, 상기 검지 모듈이, 상기 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 검지하였다는 것이면, 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않았다고 판정하도록 구성된다.제1 측면을 참조하면, 제1 측면의 제3 가능한 구현 방식에서, 상기 업링크 데이터가 비-랜덤 액세스 응답 메시지(Msg3)이면, 상기 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 상기 기지국에 의해 전송된 랜덤 액세스 경쟁 해결 메시지(Msg4)를 수신하도록 상기 송수신 모듈에 지시하는 데 사용된다.제1 측면의 제3 가능한 구현 방식을 참조하면, 제1 측면의 제4 가능한 구현 방식에서, 상기 판정 모듈은 추가로, 만일 상기 검지 결과가, 상기 검지 모듈이, 상기 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 검지하였다는 것이면, 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송된 것으로 판정하거나; 또는 만일 상기 검지 결과가, 상기 검지 모듈이, 상기 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전혀 검지하지 못하였다는 것이면, 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않은 것으로 판정하도록 구성된다.제1 측면의 제1 측면 내지 제2 가능한 구현 방식 중 어느 하나를 참조하면, 제1 측면의 제5 가능한 구현 방식에서, 상기 송수신 모듈은 추가로, 상기 업링크 데이터를 전송하기 전에, 기지국에 의해 전송된 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 수신하도록 구성되고, 상기 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 상기 업링크 데이터를 전송하도록 상기 송수신 모듈에 지시하는 데 사용된다.제1 측면 내지 제1 측면의 제5 가능한 구현 방식 중 어느 하나를 참조하면, 제1 측면의 제6 가능한 구현 방식에서, 상기 제1의 미리 설정된 기간은, 상기 업링크 데이터 전송 확인 장치에 의해 구성되거나 또는 상기 업링크 데이터 전송 확인 장치 및 상기 기지국에 의해 미리 정의된 규칙에 따라 상기 업링크 데이터 전송 확인 장치에 의해 결정된다.제1 측면의 제6 가능한 구현 방식을 참조하면, 제1 측면의 제7 가능한 구현 방식에서, 상기 제1의 미리 설정된 기간은, 상기 업링크 데이터 전송 확인 장치의 커버리지 향상 요건 레벨(coverage enhancement requirement level)에 따라 기지국에 의해 구성되거나, 또는 상기 업링크 데이터 전송 확인 장치와 상기 기지국에 의해 미리 정의된 커버리지 향상 요건 레벨과 상기 제1의 미리 설정된 기간 간의 매핑 관계에 따라 상기 업링크 데이터 전송 확인 장치에 의해 결정된다.본 발명의 실시예의 제2 측면은 업링크 데이터 전송 확인 장치를 제공하며, 이 장치는,제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말에 의해 전송된 업링크 데이터가 수신되었는지 검지하고 검지 결과를 획득하도록 구성된 검지 및 수신 모듈; 및상기 검지 결과에 따라 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 상기 단말에 전송할지 결정하도록 구성된 결정 모듈을 포함한다.제2 측면을 참조하면, 제2 측면의 제1 가능한 구현 방식에서, 상기 업링크 데이터가 비-랜덤 액세스 응답 메시지(Msg3)이면, 상기 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 상기 업링크 데이터를 재전송하도록 상기 단말에 지시하는 데 사용된다.제2 측면의 제1 가능한 구현 방식을 참조하면, 제2 측면의 제2 가능한 구현 방식에서, 상기 업링크 데이터 전송 확인 장치가 제1 전송 모듈을 더 포함하고, 상기 결정 모듈은 구체적으로, 만일 상기 검지 결과가, 상기 검지 및 수신 모듈이, 상기 제2의 미리 정해진 기간 내에, 단말에 의해 전송된 업링크 데이터를 수신하였다는 것이면, 상기 단말에게 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송하지 않도록 상기 제1 전송 모듈에 지시하여, 상기 단말이 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었다고 판정할 수 있게 하거나; 또는 만일 상기 검지 결과가, 상기 검지 및 수신 모듈이, 상기 제2의 미리 정해진 기간 내에, 단말에 의해 전송된 업링크 데이터를 전혀 수신하지 않았다는 것이면, 상기 단말에게 상기 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송하도록 상기 제1 전송 모듈에 지시하여, 상기 단말이 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않았다고 판정할 수 있게 한다.제2 측면을 참조하면, 제2 측면의 제3 가능한 구현 방식에서, 상기 업링크 데이터가 비-랜덤 액세스 응답 메시지(Msg3)이면, 상기 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 랜덤 액세스 경쟁 해결 메시지(Msg4)를 수신하도록 상기 단말에 지시하는 데 사용된다.제2 측면의 제3 가능한 구현 방식을 참조하면, 제2 측면의 제4 가능한 구현 방식에서, 상기 업링크 데이터 전송 확인 장치가 제2 전송 모듈을 더 포함하고, 상기 결정 모듈은 추가로, 만일 상기 검지 결과가, 상기 검지 및 수신 모듈이, 상기 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말에 의해 전송된 업링크 데이터를 수신하였다는 것이면, 상기 단말에게 상기 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송하도록 상기 제2 전송 모듈에 지시하여, 상기 단말이 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었다고 판정할 수 있게 하거나; 또는 만일 상기 검지 결과가, 상기 검지 및 수신 모듈이, 상기 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말에 의해 전송된 업링크 데이터를 전혀 수신하지 않았다는 것이면, 상기 단말에게 상기 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송하지 않도록 상기 제2 전송 모듈에 지시하여, 상기 단말이 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않았다고 판정할 수 있게 한다.제2 측면 내지 제2 측면의 제2 가능한 구현 방식 중 어느 하나를 참조하면, 제2 측면의 제5 가능한 구현 방식에서, 상기 제1 전송 모듈이 추가로, 상기 검지 및 수신 모듈이, 상기 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말에 의해 전송된 업링크 데이터를 검지하기 전에, 상기 단말에게 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송하도록 구성되고, 상기 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 상기 업링크 데이터를 전송하도록 상기 단말에 지시하는 데 사용된다.제2 측면 내지 제2 측면의 제5 가능한 구현 방식을 참조하면, 제2 측면의 제6 가능한 구현 방식에서, 상기 제2의 미리 설정된 기간은, 상기 업링크 데이터 전송 확인 장치에 의해 구성되거나, 또는 상기 업링크 데이터 전송 확인 장치 및 상기 단말에 의해 미리 정의된 규칙에 따라 상기 업링크 데이터 전송 확인 장치에 의해 구성된다.제2 측면의 제6 가능한 구현 방식을 참조하면, 제2 측면의 제7 가능한 구현 방식에서, 상기 제2의 미리 설정된 기간은 상기 단말의 커버리지 향상 요건 레벨에 따라 상기 업링크 데이터 전송 확인 장치에 의해 구성되거나, 또는 상기 업링크 데이터 전송 확인 장치 및 상기 단말에 의해 미리 정의된 커버리지 향상 요건 레벨과 상기 제2의 미리 설정된 기간 간의 매핑 관계에 따라 상기 업링크 데이터 전송 확인 장치에 의해 결정된다.본 발명의 제3 측면은 업링크 데이터 전송 확인 기기를 제공하며, 이 기기는, 업링크 데이터를 기지국에 전송하도록 구성된 송수신기; 및제1의 미리 설정된 기간 내에, 상기 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지 검지하고 검지 결과를 획득하며, 그리고 상기 검지 결과에 따라, 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 판정하도록 구성된 프로세서를 포함한다.제3 측면을 참조하면, 제3 측면의 제1 가능한 구현 방식에서, 상기 업링크 데이터가 비-랜덤 액세스 응답 메시지(Msg3)이면, 상기 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 상기 업링크 데이터를 재전송하도록 상기 송수신기에 지시하는 데 사용된다.제3 측면의 제1 가능한 구현 방식을 참조하면, 제3 측면의 제2 가능한 구현 방식에서, 상기 프로세서가 구체적으로, 만일 상기 검지 결과가, 상기 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 전혀 검지되지 않았다는 것이면, 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송된 것으로 판정하거나; 또는 만일 상기 검지 결과가, 상기 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 검지되었다는 것이면, 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않았다고 판정하도록 구성된다.제3 측면을 참조하면, 제3 측면의 제3 가능한 구현 방식에서, 상기 업링크 데이터가 비-랜덤 액세스 응답 메시지(Msg3)이면, 상기 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 상기 기지국에 의해 전송된 랜덤 액세스 경쟁 해결 메시지(Msg4)를 수신하도록 상기 송수신기에 지시하는 데 사용된다.제3 측면의 제3 가능한 구현 방식을 참조하면, 제3 측면의 제4 가능한 구현 방식에서, 상기 프로세서는 추가로, 만일 상기 검지 결과가, 상기 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 검지되었다는 것이면, 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송된 것으로 판정하거나; 또는 만일 상기 검지 결과가, 상기 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 전혀 검지되지 않았다는 것이면, 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않은 것으로 판정하도록 구성된다.제3 측면 내지 제3 측면의 제2 가능한 구현 방식 중 어느 하나를 참조하면, 제3 측면의 제5 가능한 구현 방식에서, 상기 송수신기가 추가로, 상기 업링크 데이터를 전송하기 전에, 기지국에 의해 전송된 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 수신하도록 구성되고, 상기 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 상기 업링크 데이터를 전송하도록 상기 송수신 모듈에 지시하는 데 사용된다.제3 측면 내지 제3 측면의 제5 가능한 구현 방식 중 어느 하나를 참조하면, 제3 측면의 제6 가능한 구현 방식에서, 상기 제1의 미리 설정된 기간은, 상기 업링크 데이터 전송 확인 장치에 의해 구성되거나 또는 상기 업링크 데이터 전송 확인 기기 및 상기 기지국에 의해 미리 정의된 규칙에 따라 상기 업링크 데이터 전송 확인 기기에 의해 결정된다.제3 측면의 제6 가능한 구현 방식을 참조하면, 제3 측면의 제7 가능한 구현 방식에서, 상기 제1의 미리 설정된 기간은, 상기 업링크 데이터 전송 확인 기기의 커버리지 향상 요건 레벨(coverage enhancement requirement level)에 따라 기지국에 의해 구성되거나, 또는 상기 업링크 데이터 전송 확인 기기와 상기 기지국에 의해 미리 정의된 커버리지 향상 요건 레벨과 상기 제1의 미리 설정된 기간 간의 매핑 관계에 따라 상기 업링크 데이터 전송 확인 기기에 의해 결정된다.본 발명의 제4 측면은 업링크 데이터 전송 확인 기기를 제공하며, 이 기기는, 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말에 의해 전송된 업링크 데이터가 수신되었는지 검지하고 검지 결과를 획득하며, 상기 검지 결과에 따라 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 상기 단말에 전송할지 결정하도록 구성된 프로세서를 포함한다.제4 측면을 참조하면, 제4 측면의 제1 가능한 구현 방식에서, 상기 업링크 데이터가 비-랜덤 액세스 응답 메시지(Msg3)이면, 상기 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 상기 업링크 데이터를 재전송하도록 상기 단말에 지시하는 데 사용된다.제4 측면을 참조하면, 제4 측면의 제2 가능한 구현 방식에서, 상기 업링크 데이터 전송 확인 기기가 전송기를 더 포함하고, 상기 프로세서는 구체적으로, 만일 상기 검지 결과가, 상기 제2의 미리 정해진 기간 내에, 단말에 의해 전송된 업링크 데이터가 수신되었다는 것이면, 상기 단말에게 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송하지 않도록 상기 전송기에 지시하여, 상기 단말이 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었다고 판정할 수 있게 하거나; 또는 만일 상기 검지 결과가, 상기 제2의 미리 정해진 기간 내에, 단말에 의해 전송된 업링크 데이터가 전혀 수신되지 않았다는 것이면, 상기 단말에게 상기 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송하도록 상기 전송기에 지시하여, 상기 단말이 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않았다고 판정할 수 있게 한다.제4 측면을 참조하면, 제4 측면의 제3 가능한 구현 방식에서, 상기 업링크 데이터가 비-랜덤 액세스 응답 메시지(Msg3)이면, 상기 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 랜덤 액세스 경쟁 해결 메시지(Msg4)를 수신하도록 상기 단말에 지시하는 데 사용된다.제4 측면의 제3 가능한 구현 방식을 참조하면, 제4 측면의 제4 가능한 구현 방식에서, 상기 업링크 데이터 전송 확인 기기가 전송기를 더 포함하고, 상기 프로세서는 추가로, 만일 상기 검지 결과가, 상기 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말에 의해 전송된 업링크 데이터가 수신되었다는 것이면, 상기 단말에게 상기 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송하도록 상기 전송기에 지시하여, 상기 단말이 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었다고 판정할 수 있게 하거나; 또는 만일 상기 검지 결과가, 상기 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말에 의해 전송된 업링크 데이터가 전혀 수신되지 않았다는 것이면, 상기 단말에게 상기 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송하지 않도록 상기 전송기에 지시하여, 상기 단말이 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않았다고 판정할 수 있게 한다.제4 측면 내지 제4 측면의 제2 가능한 구현 방식 중 어느 하나를 참조하면, 제4 측면의 제5 가능한 구현 방식에서, 상기 전송기가 추가로, 상기 프로세서가, 상기 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말에 의해 전송된 업링크 데이터를 검지하기 전에, 상기 단말에게 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송하도록 구성되고, 상기 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 상기 업링크 데이터를 전송하도록 상기 단말에 지시하는 데 사용된다.제4 측면 내지 제4 측면의 제5 가능한 구현 방식 중 어느 하나를 참조하면, 제4 측면의 제6 가능한 구현 방식에서, 상기 제2의 미리 설정된 기간은, 상기 업링크 데이터 전송 확인 기기에 의해 구성되거나, 또는 상기 업링크 데이터 전송 확인 기기 및 상기 단말에 의해 미리 정의된 규칙에 따라 상기 업링크 데이터 전송 확인 기기에 의해 구성된다.제4 측면의 제6 가능한 구현 방식을 참조하면, 제4 측면의 제7 가능한 구현 방식에서, 상기 제2의 미리 설정된 기간은 상기 단말의 커버리지 향상 요건 레벨에 따라 상기 업링크 데이터 전송 확인 기기에 의해 구성되거나, 또는 상기 업링크 데이터 전송 확인 기기 및 상기 단말에 의해 미리 정의된 커버리지 향상 요건 레벨과 상기 제2의 미리 설정된 기간 간의 매핑 관계에 따라 상기 업링크 데이터 전송 확인 기기에 의해 결정된다.본 발명의 실시예의 제5 측면은 업링크 데이터 전송 확인 방법을 제공하며, 이 방법은, 단말이, 업링크 데이터를 기지국에 전송하는 단계;상기 단말이, 제1의 미리 설정된 기간 내에, 상기 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지 검지하고 검지 결과를 획득하는 단계; 및상기 단말이, 상기 검지 결과에 따라, 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 판정하는 단계를 포함한다.제5 측면을 참조하면, 제5 측면의 제1 가능한 구현 방식에서, 상기 업링크 데이터가 비-랜덤 액세스 응답 메시지(Msg3)이면, 상기 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 상기 업링크 데이터를 재전송하도록 상기 단말에 지시하는 데 사용된다.제5 측면의 제1 가능한 구현 방식을 참조하면, 제5 측면의 제2 가능한 구현 방식에서, 상기 단말이, 상기 검지 결과에 따라, 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 판정하는 단계는,만일 상기 단말이, 상기 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전혀 검지하지 못하면, 상기 단말이 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송된 것으로 판정하는 단계; 또는 만일 상기 단말이, 상기 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 검지하면, 상기 단말이 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않았다고 판정하는 단계를 포함한다.제5 측면을 참조하면, 제5 측면의 제3 가능한 구현 방식에서, 상기 업링크 데이터가 비-랜덤 액세스 응답 메시지(Msg3)이면, 상기 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 상기 기지국에 의해 전송된 랜덤 액세스 경쟁 해결 메시지(Msg4)를 수신하도록 상기 단말에 지시하는 데 사용된다.제5 측면의 제3 가능한 구현 방식을 참조하면, 제5 측면의 제4 가능한 구현 방식에서, 상기 단말이, 상기 검지 결과에 따라, 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 판정하는 단계는,만일 상기 단말이, 상기 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 검지하면, 상기 단말이 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송된 것으로 판정하는 단계; 또는 만일 상기 단말이, 상기 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전혀 검지하지 못하면, 상기 단말이 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않은 것으로 판정하는 단계를 포함한다.제5 측면 내지 제5 측면의 제2 가능한 구현 방식 중 어느 하나를 참조하면, 제5 측면의 제5 가능한 구현 방식에서, 상기 단말이, 업링크 데이터를 기지국에 전송하는 단계 전에, 상기 단말이, 기지국에 의해 전송된 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 수신하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 상기 업링크 데이터를 전송하도록 상기 송수신 모듈에 지시하는 데 사용된다.제5 측면 내지 제5 측면의 제5 가능한 구현 방식 중 어느 하나를 참조하면, 제5 측면의 제6 가능한 구현 방식에서, 상기 제1의 미리 설정된 기간은, 상기 기지국에 의해 구성되거나 또는 상기 기지국 및 상기 단말에 의해 미리 정의된 규칙에 따라 상기 단말에 의해 결정된다.제5 측면의 제6 가능한 구현 방식을 참조하면, 제5 측면의 제7 가능한 구현 방식에서, 상기 제1의 미리 설정된 기간은, 상기 단말의 커버리지 향상 요건 레벨(coverage enhancement requirement level)에 따라 기지국에 의해 구성되거나, 또는 상기 단말과 상기 기지국에 의해 미리 정의된 커버리지 향상 요건 레벨과 상기 제1의 미리 설정된 기간 간의 매핑 관계에 따라 상기 단말치에 의해 결정된다.본 발명의 실시예의 제6 측면은 업링크 데이터 전송 확인 방법을 제공하고, 이 방법은, 기지국이, 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말에 의해 전송된 업링크 데이터가 수신되었는지 검지하고 검지 결과를 획득하는 단계; 및상기 기지국이, 상기 검지 결과에 따라 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 상기 단말에 전송할지 결정하는 단계를 포함한다.제6 측면을 참조하면, 제6 측면의 제1 가능한 구현 방식에서, 상기 업링크 데이터가 비-랜덤 액세스 응답 메시지(Msg3)이면, 상기 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 상기 업링크 데이터를 재전송하도록 상기 단말에 지시하는 데 사용된다.제6 측면의 제1 가능한 구현 방식을 참조하면, 제6 측면의 제2 가능한 구현 방식에서, 상기 기지국이, 상기 검지 결과에 따라 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 상기 단말에 전송할지 결정하는 단계는,만일 상기 기지국이, 상기 제2의 미리 정해진 기간 내에, 단말에 의해 전송된 업링크 데이터를 수신하였다면, 상기 단말에게 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송하지 않음으로써 상기 단말이 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었다고 판정할 수 있게 하는 단계; 또는만일 상기 기지국이, 상기 제2의 미리 정해진 기간 내에, 단말에 의해 전송된 업링크 데이터를 전혀 수신하지 않았다면, 상기 단말에게 상기 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송하여 상기 단말이 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않았다고 판정할 수 있게 하는 단계를 포함한다.제6 측면을 참조하면, 제6 측면의 제3 가능한 구현 방식에서, 상기 업링크 데이터가 비-랜덤 액세스 응답 메시지(Msg3)이면, 상기 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 랜덤 액세스 경쟁 해결 메시지(Msg4)를 수신하도록 상기 단말에 지시하는 데 사용된다.제6 측면의 제3 가능한 구현 방식을 참조하면, 제6 측면의 제4 가능한 구현 방식에서, 상기 기지국이, 상기 검지 결과에 따라 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 상기 단말에 전송할지 결정하는 단계는,만일 상기 기지국이, 상기 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말에 의해 전송된 업링크 데이터를 수신하였다면, 상기 단말에게 상기 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송하여 상기 단말이 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었다고 판정할 수 있게 하는 단계; 또는만일 상기 기지국이, 상기 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말에 의해 전송된 업링크 데이터를 전혀 수신하지 않았다면, 상기 단말에게 상기 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송하지 않음으로써 상기 단말이 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않았다고 판정할 수 있게 하는 단계를 포함한다.제6 측면 내지 제6 측면의 제2 가능한 구현 방식 중 어느 하나를 참조하면, 제6 측면의 제5 가능한 구현 방식에서, 상기 기지국이, 제2의 미리 설정된 기간 내에, 기지국에 의해 전송된 업링크 데이터가 수신되었는지 검지하기 전에, 상기 기지국이, 상기 단말에게 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 상기 업링크 데이터를 전송하도록 상기 단말에 지시하는 데 사용된다.제6 측면 내지 제6 측면의 제5 가능한 구현 방식 중 어느 하나를 참조하면, 제6 측면의 제6 가능한 구현 방식에서, 상기 제2의 미리 설정된 기간은, 상기 기지국에 의해 구성되거나, 또는 상기 기지국 및 상기 단말에 의해 미리 정의된 규칙에 따라 상기 기지국에 의해 구성된다.제6 측면의 제6 가능한 구현 방식을 참조하면, 제6 측면의 제7 가능한 구현 방식에서, 상기 제2의 미리 설정된 기간은 상기 단말의 커버리지 향상 요건 레벨에 따라 상기 기지국에 의해 구성되거나, 또는 상기 기지국 및 상기 단말에 의해 미리 정의된 커버리지 향상 요건 레벨과 상기 제2의 미리 설정된 기간 간의 매핑 관계에 따라 상기 기지국에 의해 결정된다.본 발명의 실시예에서 제공된 업링크 데이터 전송 확인 장치, 기기, 및 방법에 따르면, 송수신 모듈이 업링크 데이터를 기지국으로 전송한 후, 검지 모듈이 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지 검지하고 검지 결과를 획득하며, 판정 모듈이 그 검지 결과에 따라 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 판정한다. 본 발명의 실시예에 따르면, 검지 모듈이, 제1의 미리 설정된 기간 내에, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지 판정하고, 그런 다음 판정 모듈이, 그 검지 결과에 따라, 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 판정함으로써, 업링크 데이터가 성공적으로 수신된 때에는, 기지국이, 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지를 확인 장치가 확인할 수 있게 하기 위해 특별히 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송할 필요가 없고, 따라서 물리 다운링크 제어 채널 시그널링의 오버헤드가 감소되고, 확인 장치는 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 이용하여 Msg3가 성공적으로 전송되었는지를 확인할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 발명의 실시예에서의 기술적 해결수단을 보다 명확하게 설명하기 위해, 해당 실시예를 설명하기 위한 첨부 도면을 이하에서 간단하게 설명한다. 분명한 것은, 이하의 설명에서 첨부 도면은 본 발명의 일부 실시예를 보여주는 것이며, 통상의 기술자라면 창작 노력 없이도 첨부 도면으로부터 다른 도면을 생각해 낼 수 있다.도 1은, 본 발명에 따른 업링크 데이터 전송 확인(confirmation) 장치의 실시예 1의 개략 구성도이다.도 2는, 본 발명에 따른 업링크 데이터 전송 확인 장치의 실시예 2의 개략 구성도이다.도 3은, 본 발명에 따른 업링크 데이터 전송 확인 장치의 실시예 3의 개략 구성도이다.도 4는, 본 발명에 따른 업링크 데이터 전송 확인 장치의 실시예 4의 개략 구성도이다.도 5는, 본 발명에 따른 업링크 데이터 전송 확인 기기의 실시예 1의 개략 구성도이다.도 6은, 본 발명에 따른 업링크 데이터 전송 확인 기기의 실시예 2의 개략 구성도이다.도 7은, 본 발명에 따른 업링크 데이터 전송 확인 기기의 실시예 3의 개략 구성도이다.도 8은, 본 발명에 따른 업링크 데이터 전송 확인 방법의 실시예 1의 흐름도이다.도 9는, 본 발명에 따른 업링크 데이터 전송 확인 방법의 실시예 2의 흐름도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명의 실시예의 목적, 기술적 해결수단, 장점을 명확히 하기 위해, 이하에서는 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에서의 기술적 해결 수단을 명확하게 설명한다. 분명한 것은, 이하에 설명된 실시예는 본 발명의 실시예의 일부이면 전부가 아니다는 것이다. 통상의 기술자가 창작 노력 없이 본 발명의 실시예에 기초하여 생각해 낼 수 있는 다른 모든 실시예는 본 발명의 보호 범위 내에 속한다.본 출원에서의 단말, 즉, 사용자 장치는 무선 단말 또는 유선 단말일 수 있다. 무선 단말이란, 음성 및/또는 데이터 연결성을 사용자에게 제공하는 장치, 무선 접속 기능을 가진 핸드헬드 장치, 또는 무선 모뎀에 접속된 다른 처리 장치를 말한다. 무선 단말은 무선 액세스 네트워크(RAN: Radio Access Network)를 이용하여 하나 이상의 코어 네트워크와 통신한다. 무선 단말은, 모바일 폰("셀룰러" 폰이라고도 함)과 같은 모바일 단말, 및 예컨대 휴대 가능하거나, 포켓 크기이거나, 핸드헬드형이거나, 도는 차량용 모바일 장치와 같이 무선 액세스 네트워크와 언어 및/또는 데이터를 교환하는, 모바일 장치를 가진 컴퓨터 및 머신형 통신 장치(Machine Type Communication: MTC)일 수 있다. 예컨대, PCS(Personal Communication Service) 폰, 코드리스 전화기 세트, SIP(Session Initiation Protocol) 폰, WLL(Wireless Local Loop) 스테이션, 또는 PDA(Personal Digital Assistant)와 같은 장치일 수도 있다. 무선 단말은 또한, 시스템, 가입자 유닛(Subscriber Unit), 가입자 스테이션(Subscriber Station), 이동국(Mobile Station), 모바일(Mobile), 원격 스테이션(Remote Station), 액세스 지점(Access Point), 원격 단말(Remote Terminal), 액세스 단말(Access Terminal), 사용자 단말(User Termincal), 사용자 에이전트(User Agent), 사용자 기기(User Device) 또는 사용자 장비(User Equipment)일 수 있다.본 출원에서의 기지국(예컨대, 액세스 지점)은 액세스 네트워크에서 무선 인터페이스에서 하나 이상의 섹터를 이용하여 무선 단말과 통신하는 장치를 말한다. 기지국은 수신된 무선 프레임(over-the-air frame) 및 IP 패킷 간의 변환을 수행하고, 무선 단말과 액세스 네트워크의 다른 부분 간의 라우터로서 역할을 하도록 구성된다. 액세스 네트워크의 다른 부분은 인터넷 프로토콜(IP) 네트워크를 포함한다. 기지국은 또한 무선 인터페이스의 속성 관리를 조정한다. 예컨대, 기지국은 GSM 또는 CDMA에서의 BTS(Base Transceiver Station)일 수도 있고, WCDMA에서의 NodeB일 수도 있고, 또는 LTE에서 진화된 NodeB(NodeB, eNodeB, e-NodeB, evolved NodeB)일 수 있지만, 본 출원에서 이들에 한정되는 것은 아니다.본 발명의 실시예는 PHICH 채널 향상 없이 커버리지 향상 시나리오로 단말에 의해 전송된 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지를 단말이 확인하는 처리의 시나리오에 관한 것이다. 도 1은, 본 발명에 따른 업링크 데이터 전송 확인 장치의 실시예 1의 개략 구성도이다. 이 장치는 단말 또는 단말에 집적된 것일 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 이 확인 장치(50)는, 업링크 데이터를 기지국에 전송하도록 구성된 송수신 모듈(10); 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지 검지하고, 검지 결과를 획득하도록 구성된 검지 모듈(11); 및 검지 결과에 따라, 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 결정하도록 구성된 판정 모듈(12)을 포함한다.구체적으로, 송수신 모듈(10)은, 기지국에 의한 스케줄링에 따라, 업링크 데이터를 전송하기 위해 기지국에 의해 할당된 업링크 자원을 인지하고, 송수신 모듈(10)은 이 업링크 자원에서 기지국으로 업링크 데이터를 전송한다. 여기서, 업링크 데이터는 비-Msg3일 수도 있고 Msg3일 수도 있다. 추가로, 송수신 모듈(10)에 의해 전송된 업링크 데이터가 비-Msg3이면, 기지국은 PDCCH 시그널링을 이용하여 스케줄링을 수행할 필요가 있고; 다르게는 만일 송수신 모듈(10)에 의해 전송된 업링크 데이터가 Msg3이면, 기지국은 PDCCH 시그널링을 이용하여 스케줄링을 수행할 필요가 없고 대신 랜덤 액세스 응답(RAR: Random Access Response) 메시지를 이용하여 스케줄링을 행한다. 그러면, 업링크 데이터 전송 확인 장치(50)는 제1 타이머를 시작한다. 제1 타이머는 제1의 미리 설정된 기간에 대응한다. 선택적으로, 제1의 미리 설정된 기간의 길이는 기지국에 의해 구성될 수도 있고, 또는 확인 장치(50) 및 기지국에 의해 미리 정의된 규칙에 따라 결정될 수 있으며, 제1의 미리 설정된 기간의 길이는 단말의 커버리지 향상 요건에 관련된다.검지 모듈(11)은, 제2의 미리 설정된 기간 내에 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지, 제1의 미리 설정된 기간 내에 검지하고, 검지 결과를 획득한다. 여기서, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 PDCCH 시그널링 또는 ePDCCH(enhanced PDCCH) 시그널링이고, 이것은 본 발명의 본 실시예에 한정되는 것은 아니다. 제2의 미리 설정된 기간은 구체적으로, 비-Msg3의 경우에는 기지국이 업링크 데이터를 전송하도록 확인 장치(50)를 스케줄링한 후 제2 타이머를 시작하고, Msg3의 경우에는 기지국이 확인 장치(50)에게 RAR 메시지를 전송한 후에 제2 타이머를 시작한다. 대응하는 제2의 미리 설정된 기간은 여기 설명한 모든 제2 타이머에 대해 설정되고, 업링크 데이터가 비-Msg3이건 Msg3이건 상관없이, 제2의 미리 설정된 기간은, 기지국이 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송하는 한, 확인 장치(50)가 제1의 미리 설정된 기간 만료 전에 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 정확하게 수신하는 것을 보장할 수 있도록 설정된다. 선택적으로, 제2의 미리 설정된 기간은 기지국에 의해 구성될 수도 있고, 또는 기지국과 확인 장치(50)에 의해 미리 정의된 규칙에 따라 기지국에 의해 구성될 수도 있다. 선택적으로, 제2의 미리 설정된 기간은 확인 장치(50)의 커버리지 향상 요건 레벨에 따라 기지국에 의해 구성될 수도 있고, 또는 기지국 및 확인 장치(50)에 의해 미리 정의된 커버리지 향상 요건 레벨과 제2의 미리 설정된 기간 사이의 매핑 관계에 따라 기지국에 의해 결정될 수 있다. 확인 장치(50)의 커버리지 향상 요건 레벨은 단말의 커버리지 향상 요건이거나 또는 단말과 기지국 사이에 전송된 메시지의 커버리지 향상 요건일 수도 있다. 예컨대, 만일 단말의 커버리지 향상 요건이 서로 다르거나, 또는 단말과 기지국 간에 전송된 메시지의 커버리지 향상 요건이 상이한 경우, 향상 요건을 만족시기키 위해 필요한 신호 반복의 횟수가 서로 다를 수 있고, 따라서 업링크 데이터를 전송한 후 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 위해 단말이 대기하는 시간, 또는 업링크 데이터를 전송하도록 단말을 스케줄링한 후에 단말에 의해 전송된 업링크 데이터를 수신하기 위해 기지국이 대기하는 시간, 또는 기지국이 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송한 후에 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 단말에 도착하는 데 걸리는 시간에 차이가 존재한다. 그러므로 제1의 미리 설정된 기간 또는 제2의 미리 설정된 기간은 커버리지 향상 요건에 관련되어 있다.마지막으로, 판정 모듈(12)은, 검지 모듈(11)에 의해 획득된 검지 결과에 따라, 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지를 판정한다.본 발명의 본 실시예에 제공된 업링크 데이터 전송 확인 장치에 따르면, 송수신 모듈이 기지국으로 업링크 데이터를 전송한 후, 검지 모듈은 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지를 검지하고, 검지 결과를 획득한다. 판정 모듈은, 검지 모듈의 검지 결과에 따라, 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지를 판정한다. 본 발명의 본 실시예에 따르면, 검지 모듈은, 제1의 미리 정해진 기간 내에, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지를 결정하고, 판정 모듈은 검지 결과에 따라 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지를 판정하며, 이로써 업링크 데이터가 성공적으로 수신된 경우, 기지국은 확인 장치가 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지를 확인하도록 하기 위해 특별히 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송할 필요가 없고, 따라서 물리 다운링크 제어 채널 시그널링의 오버헤드가 감소되고, 확인 장치는 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 이용하여 Msg3가 성공적으로 전송되었는지를 확인할 수 있다.도 1에 도시된 실시예에 기초하여, 추가적으로, 송수신 모듈(10)은 추가적으로, 업링크 데이터를 전송하기 전에, 기지국에 의해 전송된 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 수신하도록 구성되고, 여기서 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 송수신 모듈(10)에게 업링크 데이터를 전송하도록 지시하는 데 사용된다.구체적으로, 송수신 모듈(10)이 업링크 데이터를 기지국으로 전송하는 때, 업링크 데이터는 통상 기지국에 의해 할당된 업링크 자원에서 전송되어야 한다. 따라서 기지국은 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 이용하여 업링크 데이터가 전송되어야 하는 자원을 확인 장치(50)에게 통지하고, 이로써 기지국은 그 자원에서 송수신 모듈(10)이 전송한 업링크 데이터를 수신할 수 있다.도 1의 실시예에 기초하여, 본 발명의 본 실시예의 실현 가능한 구현 방식으로서, 본 실시예는, 업링크 데이터가 비-Msg3일 때 확인 장치(50)에 의해 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 확인하는 과정에 관한 것이다. 또한, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 업링크 데이터를 재전송하도록 송수신 모듈(10)에 지시하기 위해 사용된다. 판정 모듈(12)은 구체적으로, 검지 결과가 검지 모듈(11)이 제1의 미리 설정된 기간 내에 기지국에 의해 어떠한 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 전송되지 않았다는 것을 검지한 것이면, 업링크 데이터가 성공적으로 전송된 것으로 판정하거나; 또는 검지 결과가 검지 모듈(11)이 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 제1의 미리 설정된 기간 내에 검지하였다는 것이면, 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않았다고 판정한다.구체적으로, 송수신 모듈(10)에 의해 기지국으로 전송된 업링크 데이터가 성공적으로 전송된 때, 종래에는, 기지국이 PDCCH 시그널링을 전송하여 확인 장치(50)에게 기지국이 업링크 데이터를 성공적으로 수신했다는 것을 통지했다. 그러나 본 실시예에서는, 기지국이 특별히 PDCCH 시그널링을 확인 장치(50)에게 보낼 필요가 없고, 대신 확인 장치(50) 내의 검지 모듈(11)이 제1의 미리 설정된 기간 내에, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지를 검지한다. 여기서 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 이전에 전송한 업링크 데이터를 재전송하도록 송수신 모듈(10)에 지시하는 데 사용된다. 검지 결과가, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 검지되었다는 것이면, 판정 모듈(12)은 기지국이 업링크 데이터를 성공적으로 수신하지 않았다고 판정한다. 즉, 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않았다는 것을 확인하고, 송수신 모듈(10)은 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링에 따라 기지국으로 이전에 전송한 업링크 데이터를 전송한다. 검지 결과가, 아무런 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 검지되지 않았다는 것이면, 판정 모듈(12)은 기지국이 업링크 데이터를 성공적으로 수신한 것으로 판정하고, 따라서 업링크 성공적으로 수신된 경우, 기지국은 기지국이 성공적으로 업링크 데이터를 수신했다는 것을 통지하기 위해 확인 장치(50)에게 PDCCH 시그널링 또는 ePDCCH 시그널링을 특별히 전송할 필요가 없고, 이로써 물리 다운링크 제어 채널 시그널링의 오버헤드가 감소된다.본 발명의 본 실시예에서 제공된 업링크 데이터 전송 확인 장치에 따르면, 송수신 모듈이, 송수신 모듈에게 업링크 데이터를 기지국으로 전송하도록 지시하기 위해 사용되고 기지국으로부터 전송된 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 수신한 후에, 송수신 모듈은 비-Msg3인 업링크 데이터를 기지국으로 전송한다. 검지 모듈은 기지국이 전송한 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지 검지하고 검지 결과를 획득한다. 판정 모듈은, 검지 모듈의 검지 결과에 따라, 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지를 판정한다. 본 발명의 본 실시예에 따르면, 업링크 데이터가 성공적으로 수신된 때, 기지국은 확인 장치가 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 확인할 수 있도록 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 특별히 보낼 필요가 없고, 이로써 물리 다운링크 제어 채널 시그널링의 오버헤드가 감소된다.도 1에 도시된 실시예에 기초하여, 본 발명의 본 실시예의 다른 가능한 구현 방식으로서, 본 실시예는, 업링크 데이터가 Msg3인 때 확인 장치(50)에 의해, 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지를 확인하는 과정에 관한 것이다. 또한, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 기지국이 전송한 랜덤 액세스 경쟁 해결 메시지(random access contention resolution message)(Message4, 이하 "Msg4"라 함)를 수신하도록 송수신 모듈(10)에 지시하는 데 사용된다. 판정 모듈(12)은 추가로, 검지 결과가, 검지 모듈(11)이 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국이 전송한 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 검지하였다는 것이면, 업링크 데이터가 성공적으로 전송된 것으로 판정하거나; 또는 검지 결과가, 검지 모듈(11)이 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국에 의해 전송된 어떠한 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링도 검지하지 않았다는 것이면, 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 못했다고 판정한다.구체적으로, 랜덤 액세스 응답 프로세스에서, 확인 장치(50)는 기지국에 랜덤으로 액세스한다. 즉, 송수신 모듈(10)이 업링크 데이터를 전송한 때, 기지국은 PDCCH 시그널링을 이용하여 스케줄링을 수행할 필요가 없고, 대신 RAR 메시지를 이용하여 스케줄링을 수행한다.업링크 데이터가 Msg3인 경우, 업링크 데이터가 정확하게 송신되었는지 여부는 종래 기술에서는 확인될 수 없었다. 그러나 본 실시예에서는, 송수신 모듈(10)에 의해 전송된 업링크 데이터가 성공적으로 전송된 때, 기지국은 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 확인 장치(50)에 전송한다. 여기서 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 대응하는 자원에서 기지국이 전송한 Msg4를 수신하도록 송수신 모듈(10)에 지시하는 데 사용된다. 즉, 확인 장치(50) 내의 검지 모듈(11)이 제1의 미리 설정된 기간 내에, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지를 검지하고, 만일 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 검지되면, 판정 모듈(12)은 기지국이 성공적으로 업링크 데이터를 수신한 것으로 판정한다. 이 경우, 송수신 모듈(10)은 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링에 따라 기지국이 전송한 Msg4를 수신한다.송수신 모듈(10)에 의해 전송된 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않은 경우, 검지 모듈(11)은 제1의 미리 설정된 기간 내에, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지를 검지하고, 만일 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 제1의 미리 설정된 기간 내에 전혀 검지되지 않으면, 판정 모듈(12)은 기지국이 업링크 데이터를 성공적으로 수신하지 않은 것으로 판정한다.또한, 제1의 미리 설정된 기간은 확인 장치(50)의 커버리지 향상 요건 레벨에 따라 기지국에 의해 구성되거나, 또는 확인 장치(50) 및 기지국에 의해 미리 정의된 커버리지 향상 요건 레벨과 제1의 미리 설정된 기간 간의 매핑 관계에 따라 확인 장치(50)에 의해 결정된다.본 발명의 본 실시예에서 제공된 업링크 데이터 전송 확인 장치에 따르면, 송수신 모듈이 Msg3를 기지국에 전송하고, 검지 모듈이 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운로드 제어 채널 시그널링이 수신되었는지를 검지하고 검지 결과를 획득한다. 그리고 판정 모듈인, 검지 모듈의 검지 결과에 따라, 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 판정한다. 본 발명의 본 실시예에 의하면 기지국이 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링 및 언제 업링크 데이터가 성공적으로 수신되었는지 또는 수신되지 않았는지를 이용하여 Msg3가 성공적으로 전송되었는지를 확인할 수 있다.도 2는 본 발명에 따른 업링크 데이터 전송 확인 장치의 실시예 2의 개략적인 구성도이다. 확인 장치(60)는 기지국일 수도 있고 또는 기지국에 내장된 것일 수도 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 확인 장치(60)는, 제2의 미리 설정된 기간 내에 단말이 전송한 업링크 데이터가 수신되었는지 검지하고 그 검지 결과를 획득하도록 구성된 검지 및 수신 모듈(20), 그리고 검지 결과에 따라 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송할지를 결정하는 결정 모듈(21)을 포함한다.구체적으로, 단말은 업링크 데이터를 확인 장치(60)에게 전송하는데, 업링크 데이터는 비-Msg3일 수도 있고 또는 Msg3일 수도 있다. 추가로, 단말이 전송한 업링크 데이터가 비-Msg3인 경우, 확인 장치(60)는 PDCCH 시그널링을 이용하여 스케줄링을 수행할 필요가 있다. 단말이 전송한 업링크 데이터가 Msg3인 경우, 확인 장치(60)는 PDCCH 시그널링을 이용하여 스케줄링을 수행할 필요가 없고, 대신 RAR 메시지를 이용하여 스케줄링을 수행한다. 게다가, 단말이 확인 장치(60)에게 업링크 데이터를 전송한 후, 제1 타이머가 시작된다. 제1 타이머는 제1의 미리 설정된 기간에 대응한다. 선택적으로, 제1의 미리 설정된 기간의 길이는 확인 장치(60)에 의해 구성될 수도 있고 또는 단말과 확인 장치(60)에 의해 미리 정의된 규칙에 따라 결정될 수도 있다. 제1의 미리 설정된 기간의 길이는 단말의 커버리지 향상 요구에 관계된다. 선택적으로, 제1의 미리 설정된 기간은 단말의 커버리지 향상 요구 레벨에 따라 확인 장치(60)에 의해 구성되거나 또는 확인 장치(60) 및 단말에 의해 미리 정의된 커버리지 향상 요건 레벨과 제1의 미리 설정된 기간 간의 매핑 관계에 따라 확인 장치(60)에 의해 결정된다. 확인 장치(60)의 커버리지 향상 요건 레벨은 단말의 커버리지 향상 요건일 수도 있고 또는 단말과 기지국 간에 전송된 메시지의 커버리지 향상 요건일 수도 있다.단말이 전송한 업링크 데이터가 비-Msg3인 경우, 확인 장치(60)는 단말을 스케줄링한다. 즉, 단말에게 확인 장치(60)로 업링크 데이터를 전송해야 할 자원을 통지하고, 그런 다음 확인 장치(60) 내의 제2 타이머를 시작한다. 제2 타이머는 제2의 미리 설정된 기간에 대응한다. 단말이 전송한 업링크 데이터가 Msg3인 경우, 확인 장치(60)는 RAR 메시지를 단말에 전송한 후 제2 타이머를 시작하고, 마찬가지로 제2 타이머는 제2의 미리 설정된 기간에 대응한다.검지 및 수신 모듈(20)은, 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말이 전송한 업링크 데이터가 수신되었는지를 검지하고, 검지 결과를 획득한다. 확인 장치(60) 내의 결정 모듈(21)은 검지 결과에 따라 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송할지 여부를 결정한다. 예컨대, 검지 결과가, 확인 장치(60)가 성공적으로 비-Msg3를 수신하였다는 것이면, 확인 장치(60)는 단말에게 확인 장치(60)가 성공적으로 업링크 데이터를 수신했다는 것을 통지하기 위해 단말에게 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 특별히 전송할 필요가 없다. 대신, 단말이 스스로 제1의 미리 설정된 기간 내에 대응하는 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지를 판정하여, 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지를 결정한다. 또는 검지 결과가, 확인 장치(60)가 Msg3를 성공적으로 수신하지 않았다는 것이면, 단말은 제1의 미리 설정된 기간 내에 대응하는 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지 판정하여 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지를 결정한다. 그러므로 확인 장치(60)는 대응하는 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 줄여서 Msg3가 성공적으로 전송되었는지 확인할 수 있다.업링크 데이터가 비-Msg3인지 Msg3인지 여부에 관계없이, 제2의 미리 설정된 기간은, 기지국이 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송하는 한, 단말이 제1의 미리 설정된 기간이 만료되기 전에 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 정확하게 수신하는 것을 보장할 수 있도록 설정된다. 선택적으로, 제2의 미리 설정된 기간은 확인 장치(60)에 의해 구성되거나 또는 확인 장치(60)와 단말에 의해 미리 정의진 규칙에 따라 확인 장치(60)에 의해 구성된다.본 발명의 본 실시예에서 제공된 업링크 데이터 전송 확인 장치에 따르면, 확인 장치의 검지 및 수신 모듈이 단말이 전송한 업링크 데이터가 수신되었는지 검지하고 검지 결과를 획득하며, 결정 모듈은 그 검지 결과에 따라 단말에게 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송할지를 결정한다. 이로써 업링크 데이터가 성공적으로 수신된 때, 확인 장치는, 단말이 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지를 확인할 수 있게 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 특별히 전송할 필요가 없다. 따라서 물리 다운링크 제어 채널 시그널링의 오버헤드가 감소하고 단말은 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 이용하여 Msg3가 성공적으로 전송되었는지를 확인할 수 있다.도 3은 본 발명에 따른 업링크 데이터 전송 확인 장치의 실시예 3의 개략적인 구성도이다. 도 2에 도시된 실시예에 기초하여, 추가로, 확인 장치(60)는, 검지 및 수신 모듈(20)이, 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말이 전송한 업링크 데이터가 수신되었는지를 검지하기 전에, 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말로 전송하도록 구성된 제1 전송 모듈(22)을 추가로 포함한다. 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 업링크 데이터를 전송하도록 단말에 지시하는 데 사용된다.구체적으로, 단말이 업링크 데이터를 전송하는 때, 업링크 데이터는 대응하는 자원에서 전송되어야 한다. 따라서 확인 장치(60)는 대응하는 자원을 단말에 할당하고 그 자원에서 업링크 데이터를 전송하도록 단말에 통지해야 한다. 즉, 확인 장치(60) 내의 제1 전송 모듈(22)은 제2의 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송한다. 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 업링크 데이터를 전송하도록 단말에 지시하는 데 사용된다.도 3에 도시된 실시예에 기초하여, 본 발명의 본 실시예의 가능한 구현 방식으로서, 본 실시예는 업링크 데이터가 비-Msg3인 때 확인 장치(60)와 함께 단말이 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었다는 것을 확인하는 프로세스에 관한 것이다. 또한, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 단말에게 업링크 데이터를 재전송하라고 지시하는 데 사용된다. 결정 모듈(21)은 구체적으로, 검지 결과가, 검지 및 수신 모듈(20)이, 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말이 전송한 업링크 데이터를 수신하였다는 것이면, 제1 전송 모듈(22)에게 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송하지 않도록 지시하여 단말이 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었다고 판정하도록 하고, 또는 검지 결과가, 검지 및 수신 모듈(20)이, 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말이 전송한 업링크 데이터를 전혀 수신하지 않았다는 것이면, 제1 전송 모듈(22)에게 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송하도록 지시하여 단말이 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않았다고 판정하도록 한다.구체적으로, 확인 장치(60)가 단말이 전송한 업링크 데이터를 성공적으로 수신하지 않은 경우, 본 실시예에서는, 단말로 하여금 업링크 데이터를 재전송하도록 지시하는 데 사용되는 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 단말에 전송된다. 이것은 종래 기술과 동일하다. 그러나 확인 장치(60)가 성공적으로 단말이 전송한 업링크 데이터를 수신한 경우, 종래에는 확인 장치(60)가 PDCCH 시그널링을 전송하여 단말에게 확인 장치(60)가 성공적으로 업링크 데이터를 수신했다는 것을 통지하고, 커버리지 향상 시나리오에서는, 추가로 반복하여 PDCCH 시그널링을 전송한다. 그러나 본 실시예에서는, 확인 장치(60)가 단말에게 PDCCH 시그널링을 특별히 전송할 필요가 없다. 대신, 단말은, 제1의 미리 설정된 기간 내에, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지를 검지한다. 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 이전에 전송한 업링크 데이터를 재전송하도록 단말에 지시하는 데 사용된다. 단말이 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 제1의 미리 설정된 기간 내에 검지하면, 단말은, 확인 장치(60)가 업링크 데이터를 성공적으로 수신하지 못했다고, 즉 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않았다고 확인하고, 단말은 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링에 따라 이전에 전송한 업링크 데이터를 확인 장치(60)에게 재전송한다. 단말이 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전혀 감지하지 못하면, 단말은 확인 장치(60)가 성공적으로 업링크 데이터를 수신했다고 판정한다. 이 경우에는 확인 장치(60) 내의 제1 전송 모듈(22)이 기지국이 성공적으로 업링크 데이터를 수신했다는 것을 통지하기 위해 단말에게 PDCCH 시그널링 또는 ePDCCH 시그널링을 특별히 전송할 필요가 없고, 이로써 물리 다운링크 제어 채널 시그널링의 오버헤드가 감소된다.본 발명의 본 실시예에서 제공된 업링크 데이터 전송 확인 장치에 따르면, 확인 장치의 검지 및 수신 모듈이 단말이 전송한 비-Msg3가 수신되었는지 검지하고 검지 결과를 획득한다. 결정 모듈은, 검지 결과에 따라, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송하도록 제1 전송 모듈에 지시할지를 결정한다. 이로써, 업링크 데이터가 성공적으로 수신된 경우, 확인 장치는 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 특별히 전송할 필요가 없고, 대신 단말은 스스로 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 확인한다. 따라서 물리 다운링크 제어 채널 시그널링의 오버헤드가 감소된다.도 4는 본 발명에 따른 업링크 데이터 전송 확인 장치의 실시예 4의 개략적인 구성도이다. 본 발명의 본 실시예의 다른 가능한 구현 방식으로서, 본 실시예는 업링크 데이터가 Msg3인 경우 확인 장치(60)와 함께 단말에 의해 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지를 확인하는 프로세스에 관한 것이다. 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 Msg4를 수신하도록 단말에 지시하는 데 사용된다. 도 3에 도시된 실시예에 기초하여, 추가로, 확인 장치(60)는 제2 전송 모듈(23)을 더 포함한다. 결정 모듈(21)은 추가적으로, 검지 결과가, 검지 및 수신 모듈(20)이, 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말이 전송한 업링크 데이터를 수신하였다는 것이면, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송하도록 제2 전송 모듈(23)에 지시하여 단말이 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었다고 판정할 수 있게 하거나, 또는 검지 결과가, 검지 및 수신 모듈(20)이, 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말이 전송한 업링크 데이터를 전혀 수신하지 않았다는 것이면, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송하지 않도록 제2 전송 모듈(23)에 지시하여, 단말이 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 안았다고 판정할 수 있게 한다.구체적으로, 랜덤 액세스 응답 프로세서에서, 확인 장치(60)는 통상 PDCCH 시그널링을 이용하여 단말을 스케줄링할 필요가 없다. 대신 RAR 메시지를 이용하여 스케줄링을 수행한다. 그러므로 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 단말에 전송될 필요가 없다. 단말은 랜덤으로 확인 장치(60)에 액세스한다.업링크 데이터가 Msg3인 경우, Msg3가 정확하고 성공적으로 전송되었는지 여부가 종래에는 확인될 수 없었다. 그러나 본 실시예에서는, 확인 장치(60)가 단말이 전송한 업링크 데이터를 성공적으로 수신한 때, 제2 전송 모듈(23)이 바로 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송한다. 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은, 대응하는 자원에서, 확인 장치(60)에 의해 전송된 Msg4를 수신하도록 단말에 지시하는 데 사용된다. 즉, 단말은, 제1의 미리 설정된 기간 내에, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지 검지하고, 만일 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 검지되면, 확인 장치(60)가 성공적으로 업링크 데이터를 수신한 것으로 판정되고, 이 경우, 단말은 기지국이 전송한 Msg4를 수신한다.확인 장치(60)가 단말이 전송한 업링크 데이터를 성공적으로 수신하지 않은 경우, 확인 장치(60) 내의 제2 전송 모듈(23)은 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송하지 않는다. 대신, 단말은, 제1의 미리 설정된 기간 내에, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지를 검지하고, 만일 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 제1의 미리 설정된 기간 내에 검지되지 않으면, 확인 장치(60)가 업링크 데이터를 성공적으로 수신하지 못한 것으로 판정된다.또한, 제2의 미리 설정된 기간이 단말의 커버리지 향상 요건 레벨에 따라 확인 장치(60)에 의해 구성되거나 또는 확인 장치(60)와 단말에 의해 미리 정의된 커버리지 향상 요건 레벨과 제2의 미리 설정된 기간 간의 매핑 관계에 따라 확인 장치(60)에 의해 결정된다.본 발명의 본 실시예에서 제공된 업링크 데이터 확인 장치에 따르면, 확인 장치의 검지 및 수신 모듈은 단말이 전송한 Msg3가 수신되었는지를 검지하고 검지 결과를 획득한다. 제2 전송 모듈은, 검지 결과에 따라, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송할지 결정한다. 이로써 단말은 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 이용하여 Msg3가 성공적으로 전송되었는지를 확인할 수 있다.도 5는, 본 발명에 따른 업링크 데이터 전송 확인 기기의 실시예 1의 개략적인 구성도이다. 확인 기기(70)는 단말 또는 단말에 내장된 것일 수 있다. 확인 기기(70)는, 기지국에 업링크 데이터를 전송하도록 구성된 송수신기(30), 및 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국이 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지를 검지하고, 검지 결과에 따라 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 판정하도록 구성된 프로세서(31)를 포함한다. 구체적으로, 확인 기기(70)는, 기지국에 의한 스케줄링에 따라, 업링크 데이터를 전송하기 위해 기지국에 의해 확인 기기에 할당된 업링크 자원을 지득하고, 송수신기(30)는 그 업링크 자원에서 업링크 데이터를 기지국에 전송한다. 업링크 데이터는 비-Msg3 또는 Msg3일 수 있다. 추가로, 송수신기(30)가 전송한 업링크 데이터가 비-Msg3인 경우, 기지국은 PDCCH 시그널링을 이용하여 스케줄링을 수행할 필요가 있다. 또는 송수신기가 전송한 업링크 데이터가 Msg3인 경우, 기지국은 PDCCH 시그널링을 이용하여 스케줄링을 수행할 필요가 없고, 대신 RAR 메시지를 이용하여 스케줄링을 수행한다. 그러면, 확인 기기(70)가 제1 타이머를 시작한다. 제1 타이머는 제1의 미리 설정된 기간에 대응한다. 선택적으로, 제1의 미리 설정된 기간의 길이는 기지국에 의해 구성되거나, 또는 확인 기기(70)와 기지국에 의해 미리 정의된 규칙에 따라 결정될 수 있다. 제1의 미리 설정된 기간의 길이는 단말의 커버리지 향상 요건에 관련된다. 확인 기기(70)의 커버리지 향상 요건 레벨은 단말의 커버리지 향상 요건이거나 또는 단말과 기지국 간에 전송된 메시지의 커버리지 향상 요건일 수 있다.프로세서(31)는, 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국이 제2의 미리 설정된 기간 내에 전송한 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지 검지하고, 검지 결과를 획득한다. 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 PDCCH 시그널링 또는 ePDCCH 시그널링일 수 있으며, 본 발명의 본 실시예에 한정되지 않는다. 제2의 미리 설정된 기간에 대해서는 구체적으로, 비-Msg3의 경우, 기지국은 업링크 데이터를 전송하기 위해 확인 기기(70)를 스케줄링한 후에 제2 타이머를 시작하거나, 또는 Msg3의 경우, 기지국이 RAR 메시지를 확인 기기(70)에 전송한 후에 제2 타이머를 개시한다. 제2 타이머는 제2의 미리 설정된 기간에 대응한다. 업링크 데이터가 비-Msg3이건 Msg3이건 관계없이, 제2의 미리 설정된 기간은, 기지국이 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송하는 한, 확인 기기(70)가 제1의 미리 설정된 기간이 만료하기 전에 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 정확하게 수신할 수 있는 것을 보장하도록 설정된다. 선택적으로, 제2의 미리 설정된 기간 또한 기지국에 의해 구성될 수도 있고 또는 기지국과 확인 기기(70)에 의해 미리 정의된 규칙에 따라 기지국에 의해 구성될 수도 있다. 선택적으로, 제2의 미리 설정된 기간은 확인 기기(70)의 커버리지 향상 요건 레벨에 따라 기지국에 의해 구성되거나, 또는 기지국과 확인 기기(70)에 의해 미리 정의된 커버리지 향상 요건 레벨과 제2의 미리 설정된 기간 간의 매핑 관계에 따라 기지국에 의해 결정된다. 마지막으로, 프로세서(31)는 검지 결과에 따라 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 판정한다.본 발명의 본 실시예에서 제공된 업링크 데이터 전송 확인 기기에 따르면, 송수신기가 업링크 데이터를 기지국으로 전송한 후, 프로세서가 기지국이 전송한 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지 검지하고 검지 결과를 획득하며, 그런 다음 그 검지 결과에 따라 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 판정한다. 본 발명의 본 실시예에 따르면, 프로세서는, 제1의 미리 설정된 기간 내에, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지 판정하고, 그 검지 결과에 따라, 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지를 판정한다. 이로써 업링크 데이터가 성공적으로 수신된 경우, 기지국은 확인 기기가 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지를 확인할 수 있도록 특별히 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송할 필요가 없으므로, 물리 다운링크 제어 채널 시그널링의 오버헤드가 감소되고 확인 기기는 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 이용하여 Msg3 가 성공적으로 전송되었는지 확인할 수 있다.도 5에 도시된 실시예에 기초하여, 추가로, 송수신기(30)는, 업링크 데이터를 전송하기 전에, 기지국이 전송한 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 수신하도록 추가로 구성되고, 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 송수신기(30)에게 업링크 데이터를 전송하도록 지시하는 데 사용된다.구체적으로, 송수신기(30)가 업링크 데이터를 기지국으로 전송하는 때, 업링크 데이터는 통상 기지국에 의해 할당된 업링크 자원에서 전송되어야 한다. 따라서, 기지국은 제2의 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 이용하여 확인 기기(70)에게 업링크 데이터가 전송되어야 하는 자원을 통지하고, 이로써 기지국은 그 자원에서 송수신기(30)가 전송한 업링크 데이터를 수신할 수 있다.도 3에 도시된 실시예에 기초하여, 본 발명의 본 실시예의 가능한 구현 방식으로서, 본 실시예는, 업링크 데이터가 비-Msg3인 경우, 확인 기기(70)가 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 확인하는 프로세스에 관한 것이다. 또한, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 업링크 데이터를 재전송하도록 송수신기(30)에 지시하는 데 사용된다. 프로세서(31)는 구체적으로, 검지 결과가, 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 제1의 미리 설정된 기간 내에 전혀 검지되지 않았다는 것이면, 업링크 데이터가 성공적으로 전송된 것으로 판정하고, 또는 검지 결과가, 기지국이 전송한 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 제1의 미리 설정된 기간 내에 검지되었다는 것이면, 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않은 것으로 판정한다.구체적으로, 송수신기(30)에 의해 기지국에 전송된 업링크 데이터가 성공적으로 전송되면, 종래 기술에서는, 기지국이 PDCCH 시그널링을 전송하여 확인 기기(70)에게 기지국이 성공적으로 업링크 데이터를 수신했다는 것을 통지한다. 그러나 본 실시예에서는, 기지국이 확인 기기(70)에게 PDCCH 시그널링을 특별히 전송할 필요가 없고, 대신 확인 기기(70) 내의 프로세서(31)는, 제1의 미리 설정된 기간 내에, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지 검지한다. 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 송수신기(30)에게 이전에 전송한 업링크 데이터를 재전송하도록 지시하는 데 사용된다. 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 검지되면, 프로세서(31)는 기지국이 업링크 데이터를 성공적으로 수신하지 못한 것으로 판정한다. 즉, 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않은 것으로 확인하고, 송수신기(30)가 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링에 따라 이전에 전송한 업링크 데이터를 기지국으로 재전송한다. 만일 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 전혀 검지되지 않으면, 프로세서(31)는, 기지국이 성공적으로 업링크 데이터를 수신한 것으로 판정하고, 따라서 업링크 데이터가 성공적으로 수신된 때, 기지국은, 기지국이 업링크 데이터를 성공적으로 수신했다는 것을 통지하기 위해 확인 기기(70)에게 PDCCH 시그널링 또는 ePDCCH 시그널링을 특별히 전송할 필요가 없다. 이로써 물리 다운링크 제어 채널 시그널링의 오버헤드가 감소된다.본 발명의 본 실시예에서 제공된 업링크 데이터 전송 확인 기기에 따르면, 업링크 데이터를 기지국으로 전송하도록 송수신기에 지시하는 데 사용되고, 기지국에 의해 전송되는 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신된 후, 송수신기는 비-Msg3인 업링크 데이터를 기지국으로 전송한다. 프로세서는 기지국이 전송한 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지 검지하고 검지 결과를 획득하며, 그런 다음 검지 결과에 따라 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 판정한다. 본 발명의 본 실시예에 따르면, 업링크 데이터가 성공적으로 수신된 경우, 기지국은 확인 기기가 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지를 확인할 수 있도록 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 특별히 전송할 필요가 없다. 따라서 물리 다운링크 제어 채널 시그널링의 오버헤드가 감소된다.도 5에 도시된 실시예에 기초하여, 본 발명의 본 실시예의 다른 가능한 구현 방식으로서, 본 실시예는, 업링크 데이터가 Msg3인 경우, 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 확인 기기(70)가 확인하는 프로세스에 관한 것이다. 또한, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 송수신기(30)로 하여금 기지국이 전송한 Msg4를 수신하도록 지시하는 데 사용된다. 프로세서(31)는 추가로, 검지 결과가, 기지국이 전송한 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 제1의 미리 설정된 기간 내에 검지되었다는 것이면, 업링크 데이터가 성공적으로 전송된 것으로 판정하고, 또는 검지 결과가, 기지국이 전송한 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 제1의 미리 설정된 기간 내에 전혀 검지되지 않으면 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않은 것으로 판정한다.구체적으로, 랜덤 액세스 응답 프로세스에서, 확인 기기(70)는 기지국에 랜덤으로 액세스할 수 있다. 즉, 송수신기(30)가 업링크 데이터를 보내는 때, 기지국은 PDCCH 시그널링을 이용하여 스케줄링을 수행할 필요가 없으며 대신 RAR 메시지를 이용하여 스케줄링을 수행한다.업링크 데이터가 Msg3인 경우, 업링크 데이터가 정확하게 송신되었는지 여부는 종래 기술에서는 확인될 수 없었다. 그러나 본 실시예에서는, 송수신기(30)에 의해 전송된 업링크 데이터가 성공적으로 전송된 때, 기지국은 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 확인 기기(70)에 전송한다. 여기서 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 대응하는 자원에서 기지국이 전송한 Msg4를 수신하도록 송수신기(30)에 지시하는 데 사용된다. 즉, 확인 기기(70) 내의 프로세서(31)가, 제1의 미리 설정된 기간 내에, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지를 검지하고, 만일 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 검지되면, 프로세서(31)는 기지국이 성공적으로 업링크 데이터를 수신한 것으로 판정한다. 이 경우, 송수신기(30)는 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링에 따라 기지국이 전송한 Msg4를 수신한다.송수신기(30)에 의해 전송된 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않은 경우, 프로세서(31)는, 제1의 미리 설정된 기간 내에, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지를 검지하고, 만일 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 제1의 미리 설정된 기간 내에 전혀 검지되지 않으면, 프로세서(31)는 기지국이 업링크 데이터를 성공적으로 수신하지 않은 것으로 판정한다.또한, 제1의 미리 설정된 기간은 확인 기기(70)의 커버리지 향상 요건 레벨에 따라 기지국에 의해 구성되거나, 또는 확인 기기(70) 및 기지국에 의해 미리 정의된 커버리지 향상 요건 레벨과 제1의 미리 설정된 기간 간의 매핑 관계에 따라 확인 기기(70)에 의해 결정된다.본 발명의 본 실시예에서 제공된 업링크 데이터 전송 확인 기기에 따르면, 송수신기가 Msg3를 기지국에 전송하고, 프로세서가 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운로드 제어 채널 시그널링이 수신되었는지를 검지하고 검지 결과를 획득하며, 그리고 그 검지 결과에 따라, 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 판정한다. 본 발명의 본 실시예에 의하면 기지국이 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링 및 언제 업링크 데이터가 성공적으로 수신되었는지 또는 수신되지 않았는지를 이용하여 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지를 확인할 수 있다.도 6은 본 발명에 따른 업링크 데이터 전송 확인 기기의 실시예 2의 개략적인 구성도이다. 확인 기기(80)는 기지국일 수도 있고 또는 기지국에 내장된 것일 수도 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 확인 기기(80)는, 제2의 미리 설정된 기간 내에 단말이 전송한 업링크 데이터가 수신되었는지 검지하고 그 검지 결과를 획득하고, 그리고 검지 결과에 따라 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송할지를 결정하는 프로세서(40)을 포함한다.구체적으로, 단말은 업링크 데이터를 확인 기기(80)에게 전송하는데, 업링크 데이터는 비-Msg3일 수도 있고 또는 Msg3일 수도 있다. 추가로, 단말이 전송한 업링크 데이터가 비-Msg3인 경우, 확인 기기(80)는 스케줄링을 수행할 필요가 있다. 단말이 전송한 업링크 데이터가 Msg3인 경우, 확인 기기(80)는 PDCCH 시그널링을 이용하여 스케줄링을 수행할 필요가 없고, 대신 RAR 메시지를 이용하여 스케줄링을 수행한다. 게다가, 단말이 확인 기기(80)에게 업링크 데이터를 전송한 후, 제1 타이머가 시작된다. 제1 타이머는 제1의 미리 설정된 기간에 대응한다. 선택적으로, 제1의 미리 설정된 기간의 길이는 확인 기기(80)에 의해 구성될 수도 있고 또는 단말과 확인 기기(80)에 의해 미리 정의된 규칙에 따라 결정될 수도 있다. 제1의 미리 설정된 기간의 길이는 단말의 커버리지 향상 요구에 관계된다. 선택적으로, 제1의 미리 설정된 기간은 단말의 커버리지 향상 요구 레벨에 따라 확인 기기(80)에 의해 구성되거나 또는 확인 기기(80) 및 단말에 의해 미리 정의된 커버리지 향상 요건 레벨과 제1의 미리 설정된 기간 간의 매핑 관계에 따라 확인 기기(80)에 의해 결정된다. 확인 기기(80)의 커버리지 향상 요건 레벨은 단말의 커버리지 향상 요건일 수도 있고 또는 단말과 기지국 간에 전송된 메시지의 커버리지 향상 요건일 수도 있다.단말이 전송한 업링크 데이터가 비-Msg3인 경우, 확인 기기(80)는 단말을 스케줄링한다. 즉, 단말에게 확인 기기(80)로 업링크 데이터를 전송해야 할 자원을 통지하고, 그런 다음 확인 기기(80) 내의 제2 타이머를 시작한다. 제2 타이머는 제2의 미리 설정된 기간에 대응한다. 단말이 전송한 업링크 데이터가 Msg3인 경우, 확인 기기(80)는 RAR 메시지를 단말에 전송한 후 제2 타이머를 시작하고, 마찬가지로 제2 타이머는 제2의 미리 설정된 기간에 대응한다.프로세서(40)는, 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말이 전송한 업링크 데이터가 수신되었는지를 검지하고, 검지 결과를 획득하며, 검지 결과에 따라 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송할지 여부를 결정한다. 예컨대, 확인 기기(80)가 성공적으로 비-Msg3를 수신하였다면, 확인 기기(80)는 단말에게 확인 기기(80)가 성공적으로 업링크 데이터를 수신했다는 것을 통지하기 위해 단말에게 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 특별히 전송할 필요가 없다. 대신, 단말이 스스로 제1의 미리 설정된 기간 내에 대응하는 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지를 판정하여, 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지를 결정한다. 또는 확인 기기(80)가 Msg3를 성공적으로 수신하지 않았다면, 단말은 제1의 미리 설정된 기간 내에 대응하는 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지 판정하여 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지를 결정한다. 그러므로 확인 기기(80)는 대응하는 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 줄여서 Msg3가 성공적으로 전송되었는지 확인할 수 있다.업링크 데이터가 비-Msg3인지 Msg3인지 여부에 관계없이, 제2의 미리 설정된 기간은, 기지국이 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송하는 한, 단말이 제1의 미리 설정된 기간이 만료되기 전에 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 정확하게 수신하는 것을 보장할 수 있도록 설정된다. 선택적으로, 제2의 미리 설정된 기간은 확인 기기(80)에 의해 구성되거나 또는 확인 기기(80)와 단말에 의해 미리 정의된 규칙에 따라 확인 기기(80)에 의해 구성된다. 확인 기기(80)의 커버리지 향상 요건 레벨은 단말의 커버리지 향상 요건일 수도 있고 단말과 기지국 간에 전송되는 메시지의 커버리지 향상 요건일 수도 있다.본 발명의 본 실시예에서 제공된 업링크 데이터 전송 확인 기기에 따르면, 확인 기기의 프로세서가 단말이 전송한 업링크 데이터가 수신되었는지 검지하고 검지 결과를 획득하며, 그 검지 결과에 따라 단말에게 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송할지를 결정한다. 이로써 업링크 데이터가 성공적으로 수신된 때, 확인 기기는, 단말이 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지를 확인할 수 있게 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 특별히 전송할 필요가 없다. 따라서 물리 다운링크 제어 채널 시그널링의 오버헤드가 감소하고 단말은 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 이용하여 Msg3가 성공적으로 전송되었는지를 확인할 수 있다.도 7은 본 발명에 따른 업링크 데이터 전송 확인 기기의 실시예 3의 개략적인 구성도이다. 도 6에 도시된 실시예에 기초하여, 추가로, 확인 기기(80)는, 프로세서(40)가, 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말이 전송한 업링크 데이터가 수신되었는지를 검지하기 전에, 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말로 전송하도록 구성된 전송기(41)를 추가로 포함한다. 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 업링크 데이터를 전송하도록 단말에 지시하는 데 사용된다.구체적으로, 단말이 업링크 데이터를 전송하는 때, 업링크 데이터는 대응하는 자원에서 전송되어야 한다. 따라서 확인 기기(80)는 대응하는 자원을 단말에 할당하고 그 자원에서 업링크 데이터를 전송하도록 단말에 통지해야 한다. 즉, 확인 기기(80) 내의 전송기(41)는 추가로 제2의 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송한다. 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 업링크 데이터를 전송하도록 단말에 지시하는 데 사용된다.도 7에 도시된 실시예에 기초하여, 본 발명의 본 실시예의 가능한 구현 방식으로서, 본 실시예는 업링크 데이터가 비-Msg3인 때 확인 기기(80)와 함께 단말이 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었다는 것을 확인하는 프로세스에 관한 것이다. 또한, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 단말에게 업링크 데이터를 재전송하라고 지시하는 데 사용된다. 프로세서(40)는 구체적으로, 검지 결과가, 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말이 전송한 업링크 데이터가 수신되었다는 것이면, 전송기(41)에게 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송하지 않도록 지시하여 단말이 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었다고 판정하도록 하고, 또는 검지 결과가, 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말이 전송한 업링크 데이터가 전혀 수신되지 않았다는 것이면, 전송기(41)에게 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송하도록 지시하여 단말이 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않았다고 판정하도록 한다.구체적으로, 확인 기기(80)가 단말이 전송한 업링크 데이터를 성공적으로 수신하지 않은 경우, 본 실시예에서는, 단말로 하여금 업링크 데이터를 재전송하도록 지시하는 데 사용되는 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 단말에 전송된다. 이것은 종래 기술과 동일하다. 그러나 확인 기기(80)가 성공적으로 단말이 전송한 업링크 데이터를 수신한 경우, 종래에는 확인 기기(80)가 PDCCH 시그널링을 전송하여 단말에게 확인 기기(80)가 성공적으로 업링크 데이터를 수신했다는 것을 통지하고, 커버리지 향상 시나리오에서는, 추가로 반복하여 PDCCH 시그널링을 전송한다. 그러나 본 실시예에서는, 확인 기기(80)가 단말에게 PDCCH 시그널링을 특별히 전송할 필요가 없다. 대신, 단말은, 제1의 미리 설정된 기간 내에, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지를 검지한다. 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 이전에 전송한 업링크 데이터를 재전송하도록 단말에 지시하는 데 사용된다. 단말이 전송기(41)가 전송한 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 제1의 미리 설정된 기간 내에 검지하면, 단말은, 확인 기기(80)가 업링크 데이터를 성공적으로 수신하지 못했다고 판정한다. 즉 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않았다고 확인하고, 단말은 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링에 따라 이전에 전송한 업링크 데이터를 확인 기기(80)에게 재전송한다. 단말이 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전혀 감지하지 못하면, 단말은 확인 기기(80)가 성공적으로 업링크 데이터를 수신했다고 판정한다. 이 경우에는 확인 기기(80)는 기지국이 성공적으로 업링크 데이터를 수신했다는 것을 통지하기 위해 단말에게 PDCCH 시그널링 또는 ePDCCH 시그널링을 특별히 전송할 필요가 없고, 이로써 물리 다운링크 제어 채널 시그널링의 오버헤드가 감소된다.본 발명의 본 실시예에서 제공된 업링크 데이터 전송 확인 기기에 따르면, 확인 기기의 프로세서가 단말이 전송한 비-Msg3가 수신되었는지 검지하고 검지 결과를 획득하며, 그 검지 결과에 따라, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송하도록 전송기에 지시할지를 결정한다. 이로써, 업링크 데이터가 성공적으로 수신된 경우, 확인 기기는 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 특별히 전송할 필요가 없고, 대신 단말은 스스로 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 확인한다. 따라서 물리 다운링크 제어 채널 시그널링의 오버헤드가 감소된다.도 7에 도시된 실시예에 기초하여, 본 발명의 본 실시예의 다른 가능한 구현 방식으로서, 본 실시예는, 업링크 데이터가 Msg3인 때 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지를 확인 기기(80)와 함께 단말에 의해 확인하는 프로세스에 관한 것이다. 본 실시예에서의 전송기는 도 7의 실시예에서의 전송기(41)로서 함께 사용될 수 있다. 그러나 업링크 데이터가 Msg3인 경우, 전송기(41)는 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에게 보낼 필요가 없다(왜냐하면, Msg3는 RAR 메시지를 이용하여 스케줄링되므로). 또한, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 기지국이 전송한 Msg4를 수신하도록 단말에 지시하는 데 사용된다. 프로세서(40)는 추가로, 만일 검지 결과가, 단말이 전송한 업링크 데이터가 제2의 미리 설정된 기간 내에 수신되었다는 것이면, 전송기(41)에게 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송하도록 지시하여, 단말이 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었다고 판정할 수 있게 하고, 또는 검지 결과가, 단말에 의해 전송된 업링크 데이터가 제2의 미리 설정된 기간 내에 전혀 수신되지 않았다는 것이면, 전송기(41)에게 단말로 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송하지 않도록 지시하여, 단말이 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않았다고 판정할 수 있게 한다.구체적으로, 랜덤 액세스 응답 프로세스에서는, 확인 기기(80)는 통상 PDCCH 시그널링을 이용하여 스케줄링을 수행할 필요가 없으며 대신 RAR 메시지를 이용하여 스케줄링을 수행한다. 그러므로 단말은 확인 기기(80)에 랜덤으로 액세스할 수 있다.본 실시예에서, 확인 기기(80)가 단말이 전송한 업링크 데이터를 성공적으로 수신한 때, 전송기(41)가 바로 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말로 전송하고, 여기서 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 단말로 하여금 확인 기기(80)에 의해 전송된 Msg4를 대응하는 자원에서 수신하도록 지시하는 데 사용된다. 즉, 단말은, 제1의 미리 설정된 기간 내에, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지를 검지하고, 만일 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었으면, 확인 기기(80)가 성공적으로 업링크 데이터를 수신한 것으로 판정하고, 이 경우, 단말은 기지국이 전송한 Msg4를 수신한다.확인 기기(80)가 단말이 전송한 업링크 데이터를 성공적으로 수신하지 않은 경우, 확인 기기(80)는 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송하지 않는다. 대신, 단말은, 제1의 미리 설정된 기간 내에, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지 검지하고, 만일 제1의 미리 설정된 기간 내에 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 전혀 검지되지 않으면, 확인 기기(80)가 업링크 데이터를 성공적으로 수신하지 못했다고 판정한다.또한, 제2의 미리 설정된 기간이 단말의 커버리지 향상 요건 레벨에 따라 확인 기기(80)에 의해 구성되거나, 또는 확인 기기(80)와 단말에 의해 미리 정의된 커버리지 향상 요건 레벨 및 제2의 미리 설정된 기간 간의 맵핑 관계에 따라 확인 기기(80)에 의해 결정된다.본 발명의 본 실시예에서 제공된 업링크 데이터 전송 확인 기기에 따르면, 확인 기기의 프로세서는 단말이 전송한 Msg3가 수신되었는지 검지하고, 검지 결과를 획득하면, 그 검지 결과에 따라 전송기는 단말에게 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전송할지를 결정한다. 이로써, 단말은 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 이용하여 Msg3가 성공적으로 전송되었은지 확인할 수 있다.도 8은 본 발명에 따른 업링크 데이터 전송 확인 방법의 실시예 1의 흐름도이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 이 방법은 다음 단계를 포함한다:S101: 단말이 기지국에 업링크 데이터를 전송한다.S102: 단말이, 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국이 전송한 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지 검지하고, 검지 결과를 획득한다.S103: 단말이 검지 결과에 따라 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지를 판정한다.본 발명의 본 실시예에서 제공된 업링크 데이터 전송 확인 방법에 대해, 상술한 업링크 데이터 전송 확인 장치 또는 업링크 데이터 전송 확인 기기의 실행 프로세스를 참조할 수 있다. 이들의 구현 원리 및 기술적 효과는 유사하면 따라서 여기서 반복하여 설명하지는 않는다.또한, 도 8에 도시된 실시예에 기초하여, 단계 S101 전에, 이 방법은 추가로, 단말이 기지국이 전송한 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 수신하는 단계를 더 포함하고, 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 단말에게 업링크 데이터를 전송하도록 지시하는 데 사용된다.상기 실시예에 기초하여, 본 발명의 본 실시예의 가능한 구현 방식으로서, 본 실시예는 업링크 데이터가 비-Msg3인 경우 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 단말이 확인하는 구체적인 프로세스에 관한 것이다. 구체적으로, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 업링크 데이터를 재전송하도록 단말에 지시하는 데 사용된다. 단말이, 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전혀 감지하지 못하면, 단말은 업링크 데이터가 성공적으로 전송된 것으로 판정하고, 또는 단말이, 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 검지하면, 단말은 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않은 것으로 판정한다.본 발명의 본 실시예에서 제공된 업링크 데이터 전송 확인 방법에 대해, 상술한 업링크 데이터 전송 확인 장치 또는 업링크 데이터 전송 확인 기기의 실행 프로세스를 참조할 수 있다. 구현 원리 및 기술적 효과는 서로 유사하며 따라서 여기서 다시 설명하지 않는다.도 8에 도시된 실시예에 기초하여, 본 발명의 본 실시예의 다른 가능한 구현 방식으로서, 본 실시예는, 업링크 데이터가 Msg3인 경우 단말에 의해 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 확인하는 구체적인 프로세스에 관한 것이다. 구체적으로, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 단말로 하여금 기지국이 보낸 Msg4를 수신하도록 지시하는 데 사용된다. 단말이, 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국이 전송한 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 검지하면, 단말은 업링크 데이터가 성공적으로 전송된 것으로 판정하고, 또는 만일 단말이, 제1의 미리 설정된 기간 내에, 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전혀 검지하지 못하면, 단말은 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 못한 것으로 판정한다.또한, 제1의 미리 설정된 기간은 기지국에 의해 구성될 수도 있고, 또는 단말과 기지국에 의해 미리 정의된 규칙에 따라 단말에 의해 결정될 수도 있다. 또한, 제1의 미리 설정된 기간은 단말의 커버리지 향상 요건 레벨에 따라 기지국에 의해 구성될 수도 있고 또는 단말과 기지국에 의해 미리 정의된 커버리지 향상 요건 레벨과 제1의 미리 설정된 기간 간의 매핑 관계에 따라 단말에 의해 결정될 수도 있다.본 발명의 본 실시예에서 제공된 업링크 데이터 전송 확인 방법에 대해, 이사에서 설명한 업링크 데이터 전송 확인 장치 또는 업링크 데이터 전송 확인 기기의 실행 프로세스를 참조할 수 있다. 구현 원리 및 기술적 효과는 서로 유사하며 따라서 여기서 다시 설명하지 않는다.도 9는 본 발명에 따른 업링크 데이터 전송 확인 방법의 실시예 2의 흐름도이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 이 방법은 다음 단계를 포함한다:S201: 기지국이, 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말이 전송한 업링크 데이터가 수신되었는지 검지하고 검지 결과를 획득한다.S202: 기지국이, 검지 결과에 따라, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에게 전송할지 결정한다.본 발명의 본 실시예에서 제공된 업링크 데이터 전송 확인 방법에 대해, 상술한 업링크 데이터 전송 확인 장치 또는 업링크 데이터 전송 확인 기기의 실행 프로세스를 참조할 수 있다. 구현 원리 및 기술적 효과는 서로 유사하면, 따라서 여기서 다시 설명하지 않는다.도 9에 도시된 실시예에 기초하여, 추가로, S201 전에, 이 방법은 기지국에 의해 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에게 전송하는 단계를 더 포함하고, 제2 물리 다운링크 제어 채널 시그널링은 업링크 데이터를 전송하도록 단말에 지시하는 데 사용된다.상술한 실시예에 기초하여, 추가로, 본 발명의 본 실시예의 구현 방식으로서, 본 실시예의 방법은, 업링크 데이터가 비-Msg3인 경우, 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 단말이 기지국과 함께 확인하는 구체적인 프로세스에 관한 것이다. 구체적으로, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이, 업링크 데이터를 재전송하도록 단말에 지시하는 데 사용된다. 기지국이 단말에 의해 전송된 업링크 데이터를 제2의 미리 설정된 기간 내에 수신하면, 기지국은 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송하지 않으며, 따라서 단말은 업링크 데이터가 성공적으로 전송된 것으로 판정한다. 또는 기지국이 단말이 전송한 업링크 데이터를 제2의 미리 설정된 기간 내에 전혀 수신하지 않으면, 기지국은 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송하여 단말이 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않았다고 판정할 수 있게 한다.본 발명의 본 실시예에서 제공된 업링크 데이터 전송 확인 방법에 대해, 상술한 업링크 데이터 전송 확인 장치 또는 업링크 데이터 전송 확인 기기의 실행 프로세스를 참조할 수 있다. 구현 원리 및 기술적 효과는 서로 유사하면, 따라서 여기서 반복하여 설명하지 않는다.도 9에 도시된 실시예에 기초하여, 추가로, 본 발명의 본 실시예의 다른 가능한 구현 방식으로서, 본 실시예의 방법은, 업링크 데이터가 Msg3인 경우, 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 단말이 기지국과 함께 확인하는 구체적으로 프로세스에 관한 것이다. 구체적으로, 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 기지국에 의해 전송된 Msg4를 수신하도록 단말에 지시하는 데 사용된다. 기지국이, 제2의 미리 설정된 기간 내에, 단말이 전송한 업링크 데이터를 수신하면, 기지국은 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 단말에 전송하여, 단말이 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었다고 판정할 수 있게 한다. 또는 기지국이 제2의 미리 설정된 기간 내에 단말에 의해 전송된 업링크 데이터를 전혀 수신하지 않았으면, 기지국은 단말에게 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링을 전혀 전송하지 않으며, 이로써 단말은 업링크 데이터가 성공적으로 전송되지 않았다고 판정한다.또한, 제2의 미리 설정된 기간은 기지국에 의해 구성되거나 또는 기지국과 단말에 의해 미리 정의된 규칙에 따라 기지국에 의해 구성된다. 더구나, 제2의 미리 설정된 기간은 단말의 커버리지 향상 요건 레벨에 따라 기지국에 의해 구성되거나 또는 기지국과 단말에 의해 미리 정의된 커버리지 향상 요건 레벨과 제2의 미리 설정된 기간 간의 매핑 관계에 따라 기지국에 의해 결정된다.본 발명의 본 실시예에서 제공된 업링크 데이터 전송 확인 방법에 대해, 상술한 업링크 데이터 전송 확인 장치 또는 업링크 데이터 전송 확인 기기를 참조할 수 있다. 구현 원리 및 기술적 효과는 서로 유사하면, 따라서 여기서 반복 설명하지 않는다.통상의 기술자라면 방법 실시예의 모든 또는 일부 단계가 프로그램에 의해 지시하는 관련 하드웨어에 의해 구현될 수 있다는 것을 알 것이다. 프로그램은 컴퓨터 판독 가능 저장 매체에 저장된다. 프로그램이 실행된 때, 방법 실시예의 단계들이 수행된다. 상술한 저장 매체는, 예컨대 ROM, RAM 자기 디스크 또는 광 디스크와 같은 프로그램 코드를 저장할 수 있는 것이라면 어떤 매체라도 좋다.마지막으로, 상술한 실시예들은 본 발명의 기술적 해결수단을 기술하기 위한 것일 뿐이며, 본 발명을 한정하려는 것이 아니다. 본 발명이 상술한 실시예를 참조하여 상세하게 기술되었지만, 통상의 기술자라면, 본 발명의 실시예에 있는 기술적 해결수단의 범위로부터 벗어나지 않으면서, 상술한 실시예에서 기술된 기술적 해결수단을 변형할 수 있고 또는 일부 또는 전체의 기술적 특징을 균등물로 치환할 수 있다.	본 발명은 업링크 데이터 전송 확인 장치, 기기, 및 방법을 제공한다. 본 장치는, 업링크 데이터를 기지국에 전송하도록 구성된 송수신 모듈, 제1의 미리 설정된 기간 내에, 상기 기지국에 의해 전송된 제1 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 수신되었는지 검지하고 검지 결과를 획득하도록 구성된 검지 모듈, 및 상기 검지 결과에 따라, 상기 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 판정하도록 구성된 판정 모듈을 포함한다. 본 발명의 실시예에서 제공된 장치에 따르면, 커버리지 향상 시나리오에서, 단말이 업링크 데이터가 성공적으로 전송되었는지 확인하는 프로세스에서 물리 다운링크 제어 채널 시그널링이 감소되고, Msg3가 성공적으로 전송되었는지가 확인될 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 인플루엔자 A RNA-의존성 RNA 폴리머라제의 저분자 저해제SMALL MOLECULE INHIBITORS OF INFLUENZA A RNA-DEPENDENT RNA POLYMERASE [ 기술분야 ] 본 발명의 분야는 항바이러스 화합물 및 조성물이다. [ 배경기술 ] 인플루엔자 A 바이러스는 (-)-센스 RNA 바이러스의 오르토믹소바이러스과(orthomyxoviridae) 바이러스 패밀리의 구성원이다. 인플루엔자 A 바이러스 게놈은 11개 단백질을 인코딩하는 8개 단편(segment) 또는 염색체로 구성된다. 감염이 일어나는 동안, 바이러스-인코딩된 RNA-의존성 RNA 폴리머라제(RdRP)는 (-)-나선 RNA를 (+)-나선 전령(messenger) RNA 및 게놈 복제를 위한 주형으로서의 역할을 하는 전장 상보적 게놈 RNA (또는 cRNA) 세트로 전환시킨다. (+) 나선 전령 RNA로부터 발현된 바이러스 단백질은 감염을 일으키거나 또는 바이러스 복제, 증폭을 끝내는 과정, 조립, 및 상기 감염 주기를 반복하는 개시적 8개 (-) 나선 염색체를 함유하는 바이러스 입자(particle)의 방출을 촉진시키는 일을 수행한다.인플루엔자 A 게놈의 전사 및 복제와 관련된 과정은 수십년간 조사 중에 있다. 모든 인플루엔자 A 계열(계절성 H1N1, "돼지" H1N1, H3N2, 및 "조류" H5N1를 포함)의 모든 8개 염색체는 별개로 특이적인 단백질을 인코딩하는 서열의 단백질-코딩 부분 옆에 배치되는 동일한 5' 및 거의 동일한 3' 비번역 영역(UTR)을 포함한다. 실험적 결과는 상기 UTR이 프로모터 요소로서 RdRP에 의해서 인식된다는 것과 두 구성성분 모두 바이러스 유전자 발현 및 복제에 중요하다는 것을 증명한다. 따라서, 상기 바이러스 폴리머라제 및 이것의 관련된 UTR RNA 리간드는 바이러스 생존 주기를 제어하는 것으로 생각되고 치료적 조정을 위해 중요한 표적이다.바이러스 복제에 대한 그러한 상대적으로 상세한 지식에도 불구하고, 최근에 존재하면서 임상적으로 입증된 항-인플루엔자 A 치료적 분자는 바이러스 코팅 단백질인 뉴라미니다제(Neuraminidase; NA) 및 매트릭스 2(M2)의 두 표적 분류 중 하나를 저해하는 저분자로 제한된다. NA는 비리온 및 숙주 세포 수용체 단백질로부터 말단 시알산 잔기를 잘라버리는 글리코시드 가수분해 효소 (또한 시알리다제로 알려진 것으로서, N- 또는 O-연결된 뉴라민산은 총괄적으로 시알산이라 불림)의 넓은 분류에 속한다. 인플루엔자 A 감염이 일어나는 동안, NA 활성은 기도의 점액 분비를 통한 바이러스 수송에 관여할 뿐만 아니라 복제 부위인 감염된 세포로부터 분비된 바이러스의 생화학적 분리/방출에 관여하여 근처의 건강한 세포를 감염시킬 수 있다. 최근에, 오셀타미비르 (상품명 타미플루��) 및 자나미비르 (상품명 레렌자��)는 NA의 저해를 통해 인플루엔자 감염의 치료를 위한 두 가지 임상적으로 입증된 약제인 반면, 라니나미비르 (이나비르) 및 페라미비르는 최근에 차세대 인플루엔자 NA 저해제로서 임상시험의 후기 단계에 있다.NA와 달리, 인플루엔자 M2는 바이러스 구조적 단백질인, 매트릭스 (또는 M)을 인코딩하는 mRNA의 대체적인 스플라이싱에 의해서 생산된다. 감염에서 가장 매우 풍부한 바이러스 단백질 중 하나이면서 바이러스 코팅 단백질 및 리보뉴클레오단백질 입자가 결합하는 스캐폴드로서 역할을 하는 M과 반대로, M2는 비리온에 극미한 양으로 존재하고 복제에서 중요한 단계인 바이러스성 탈각(uncoating) 및 엔도솜적 구획으로부터 세포적 세포질로의 탈출을 가능하게 하는 이온 채널로서 역할을 한다. M2의 임상적으로 입증된 저해제는 아만타딘 (상품명 심메트렐��) 및 리만타딘 (상품명 플루마딘��)을 포함한다.NA 및 M2 저해제는 인플루엔자 바이러스 감염 주기에서 결정적인 단계의 저분자 저해제 컨셉의 성공적인 증거이다. 그러나 이들의 초기 성공에도 불구하고, 약물 내성을 보이는 바이러스 변이체의 등장으로 인해 NA 및 M2 저해제 둘 모두를 사용하여 인플루엔자 감염을 치료하는데 최근 도전에 부딪쳤다. 예를 들어, 타미플루에 대한 바이러스 내성의 증거는 2009 유행병5, H3N26, H5N17, 및 2008년에 내성이 순환하는 단리체의 99.6%에 존재했던 계절적 H1N18를 포함하여 수많은 임상적으로 관련된 인플루엔자 A 단리체에서 보고되었다. 자나미비르에 대한 인플루엔자 A 내성이 아직 보고되지 않아야 함에도 불구하고, 이 제제에 내성인 인플루엔자 B 바이러스 단리체의 보고9는 인플루엔자 감염을 치료하는데 광범위하게 사용하는 경우 이 약물에 대한 내성이 보다 만연한 장래 가능성을 나타낼 수 있으나, 이 연구에서 설명된 상기 내성 바이러스가 상기 가능성을 상당히 줄이는 HA 단백질에서 추가적인 보상적 돌연변이를 얻었다. M2 저해제에 관하여, 질병 통제 예방 센터는 2009년 가을 동안 거의 모든 순환적 H3N2 및 유행성 H1N1 바이러스 단리체가 아만타딘에 대해 내성이라는 것을 보여주었다10.불행하게도, 감시적 노력은 듀얼 오셀타미비르/아다만탄 저항 단리체11의 최근 등장을 확인하였는데, 이는 또한 다른 중요한 바이러스 표적을 표적하는 추가적인 저분자 저해제의 발견 및 활용의 필요성을 나타낸다. 따라서, 치료 내성 바이러스 변이체를 덜 생산할 것으로 보이는 새롭거나 및/또는 개선된 항 바이러스제를 제공할 필요성이 여전히 있다. 특히, 바이러스 복제, 및 특히 RNA-바이러스 복제에 요구되는 필수적이고 보존적인 구조를 표적하는 약물 또는 약물 조성물을 갖는 것이 바람직할 것이다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명자들은 인플루엔자 A의 감염적 생존 주기를 방해하고, 바이러스 복제를 가장 방해할 것 같은 다양한 조성물 및 방법을 발견하였다. 따라서, 본 발명자들은 또한 바이러스 감염 (및 특히 RNA 바이러스에 의한 바이러스 감염)의 치료를 위한 그러한 화합물의 용도 및/또는 바이러스 감염 (및 특히 RNA 바이러스에 의한 바이러스 감염)을 치료하는 약물의 제조를 위한 그러한 화합물의 용도를 고려한다.본 발명의 일 양상에서, 선택된 화합물은 항바이러스 특성을 제공한다. 특히 바람직한 화합물 (A0435)은 두 가지 상이한 혈청형(serotype)의 바이러스를 대표하는 세 가지 상이한 인플루엔자 A 계열을 활용하는 인 비트로 바이러스성 증식 시스템에서 평가되었고, 저 μM 농도에서 모든 세가지 바이러스를 저해하여 숙주 세포가 바이러스-유도된 세포변성(cytopathic) 효과 (CPE)를 보이는 것을 방지하는 것으로 확인되었다. 이러한 결과에 일치하여, 특정 화합물, 특히 A0435는 또한 인플루엔자 A의 생감염 (live infection) 포유동물 모델에서 항바이러스 활성을 보여주었다.예를 들어, 본 발명에서 검토되는 화합물은 화학식 I에 따른 구조를 가질 것이다.[화학식 I]상기 식에서, X 및 Y는 독립적으로 O, S, 또는 NR이고, R, R1, R2, R3, R4, 및 R5는 독립적으로 H, 선택적으로 치환된 저급 알킬, 선택적으로 치환된 저급 알케닐, 또는 NR1R2, OH, 또는 할로겐이고; Q는 선택적으로 치환된 아릴 또는 선택적으로 치환된 헤테로아릴이다. 특히 바람직한 화합물에서, 상기 식에서 X 및 Y는 산소이거나, 및/또는 R1 및 R2는 독립적으로 에틸, 메틸, 또는 트리플루오로메틸이거나, 및/또는 R1 및 R2는 독립적으로 에틸, 메틸, 또는 트리플루오로메틸이거나, 및/또는 R3 및 R4는 독립적으로 저급 알킬이거나, 및/또는 R5는 저급 알킬이거나, 및/또는 Q는 선택적으로 치환된 페닐, 또는 선택적으로 치환된 피리디닐이다.다른 예에서, 본 발명에서 검토되는 화합물은 또한 화학식 II에 따른 구조를 가질 수 있다.[화학식 II]상기 식에서, R1 및 R2는 독립적으로 H, 할로겐 또는 알콕시기이고; R3 및 R4는 독립적으로 H 또는 저급 알킬이거나, 또는 함께 5- 또는 6-원 시클로알킬 또는 헤테로시클릭 고리를 형성하고; R5는 H, 치환된 포화 알킬, 또는 저급 지방족 단편에 의해 -NH-에 연결된 선택적으로 치환된 아릴 또는 헤테로아릴이고; X는 독립적으로 C, CH, 또는 헤테로원소이다. 특히 바람직한 화합물은 상기 식에서, R2는 F 또는 Cl이거나, 및/또는 R1 및 R2는 독립적으로 에톡시, 메톡시, 또는 트리플루오로메톡시이거나, 및/또는 R1 및 R2는 함께 5-원 시클로알킬 또는 헤테로시클릭 고리를 형성하거나, 및/또는 R1 및 R2는 함께 6-원 시클로알킬 또는 헤테로시클릭 고리를 형성하거나, 및/또는 R5는 페닐에 의해서 선택적으로 치환된, 저급 알킬 또는 치환된 피리디닐이거나, 및/또는 R5는 H인 것을 포함한다.게다가, 본 발명자들은 또한 항바이러스 특성을 갖는 저분자 화합물을 동정하는 세포 분석을 위한 구성성분 및 방법을 발견하였다. 특히 바람직한 양상에서, 상기 분석은 다른 인플루엔자 A 구성성분에 독립적인 포유동물 세포에서 인플루엔자 A RNA-의존적 RNA 폴리머라제 활성을 검출할 수 있도록 하고, 정상적인 세포 활성에 지장을 주지 않는 바이러스성 증식 저해제를 동정할 수 있도록 한다. 본 발명의 다양한 대상, 특징, 양상 및 이점은 본 발명의 바람직한 구체예의 하기의 상세한 설명으로부터 보다 명확해질 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] RdRP-기반 리포터 시스템을 활용하는 새로이 개발된 극-민감성 세포 기반 분석에 기반하여, 몇가지 화합물(예를 들어, A0435 및 A0439)가 명백히 보존된 바이러스 표적(특히 바이러스성 증식 및/또는 유전자 발현 기관)에 대하여 상당히 항-바이러스 활성을 갖는 것으로 발견되었다.세포 기반 분석 시스템을 이용하여 RdRP 활성의 신규한 저분자 저해제의 고출력 동정을 할 수 있도록, 본 발명자들은 인플루엔자 RdRP 서브유닛 단백질(PB2, PB1, 및 PA 및 부수적인 NP 단백질) 및 포유동물 세포에서의 발현을 위한 리포터 RNA를 코딩하는 구조물의 판넬을 생성하였고, 전형적인 분석 시스템은 도 1에 도식적으로 기재되어 있다. 상기 리포터 RNA를 인코딩하는 구조물은 마우스 RNA 폴리머라제 I 프로모터 발현 카세트를 활용하여 적당한 바이러스성 RNA 도메인 옆에 배치된 반딧불 루시퍼라제를 인코딩하는 안티-센스 RNA의 전사를 유도하도록 디자인되었다. 이 구조물들의 마우스 B16-F10 세포로의 형질주입은 모든 다섯개 플라스미드(예를 들어, PA, PB1, PB2, NP, 및 RNA 폴리머라제 I-유래 루시퍼라제 RNA 구조물을 인코딩하는)로 형질도입된 세포에서의 강력한 신호를 보여주었으나, 도 2에서 설명된 바와 같이 이 구성성분 중 임의의 하나가 제거될 때나 UTR-기반 프로모터 요소가 없는 리포터 RNA의 존재에서 발현이 검출되지 않았다. 인간 발현 카세트 및 상이한 바이러스 혈청형을 이용한 동일한 접근은 이전에 보고된바 있다2.특히 바람직한 변형에서, 여섯개의 구조물은 바이러스성 비-구조적 1 (NS1) 단백질의 발현을 유도하는데 동시적으로 포함된다. NS1 및 NS2는 상기 인플루엔자 A 바이러스의 8개 단편에 의해 인코딩되는 상호적(alternate) mRNA 스플라이스 아형(isoform)이다. NS1은 바이러스 RNA 합성의 조절을 포함하고 바이러스 단백질 번역3을 증가시키는 바이러스 감염이 일어나는 동안 광범위한 다양한 기능을 수행하는 반면 NS2는 숙주 세포 핵으로부터 바이러스 RNA 방출(export)에 중요하다4. 본 발명자들은 NS1의 발현이 운동학적 연구에서 상기 시스템의 배경 "노이즈"를 변경하지 않고 대략 10배의 신호적 세기의 증폭을 유발한다는 것을 발견하였다. 본 발명자들은 또한 잠재적 저해제의 첨가에 대한 바람직한 기대 시간이 검출가능한 리포터 활성의 등장 전에 형질주입 DNA/리포솜 복합체 (또는 "리포플렉스")의 제거 후 첫번째 6시간 내에 있다는 것을 발견하였다. 민감도에서의 증가를 설명하는 예시적 데이터가 도 3으로 보여진다.물론, 본 발명은 도면 및 하기의 설명에 보여지는 바와 같은 특이적인 구성요소에 제한될 필요는 없으나 하나 이상의 변형된 핵산을 포함할 수 있다는 것이 이해될 것이다. 예를 들어, 상기 RdRP 서브유닛 단백질은 상이한 바이러스로부터일 수 있거나, 및/또는 약물 내성 돌연변이 계열을 반영하거나 또는 다양한 추가의 이점을 부여하기 위해 변형될 수 있다. 유사하게, 상기 리포터 유전자는 루시퍼라제에 제한될 필요는 없으나, 임의의 다른 리포터 유전자 또는 시스템일 수 있다. 따라서, 상기 신호는 최적의 신호 (발광, 형광, 퀸칭(quenching) 등), 화학적으로 인식가능한 신호 (예를 들어, 프로테아제 활성 또는 항원 생성을 통함), 및/또는 생물학적 신호 (예를 들어, 세포 사멸, 또는 표현형 변화)로서 생성될 수 있다. 유사하게, 상기 핵산은 형질주입을 위한 하나의 핵산에 적어도 부분적으로 통합될 수 있거나, 또는 세포가 상기 RdRP 서브유닛 단백질을 발현시키기 위해 일시적이거나 영구적으로 형질주입(세포주 또는 트란스유전자로서)될 수 있다.특정 구성에 관계없이, 생물학적 스크린으로서, 그러한 분석 시스템을 사용하여 크고 다양한 화학적 라이브러리가 용이하게 얻어질 수 있다는 것이 이해될 것이다. 동시적인 카운터 스크린으로서, 본 발명자들은 특이적으로 바이러스 RdRP를 저해하는 화합물과 포유동물 유전자 전사를 비특이적으로 저해하거나 및/또는 어떤 결과든 바람직하지 않은 하류 독성의 지시일 수 있는 인간 세포에서의 일반적인 세포 사멸 경로를 대안적으로 활성화시키는 화합물을 동정하기 위해 세포 사멸-활성화된 리포터 구조물을 활용하여 분리된 리포터 시스템에서 상기 동일한 스크린된 시료를 평가하였다.이러한 분석 및 검색 조건을 이용하여, 본 발명자들은 그 중에서도 저분자 A0435를 확인하였다 (도 4a, b 참조). 상기 분석 시스템 상에서의 A0435의 용량 적정 연구는 약 3μM의 50% 저해 농도(IC50)를 증명하였고, 상기 카운터-스크린 분석에 의해 제공된 연속적인 유전자 발현의 정도상에 눈에 띄는 저해적 영향이 없었다 (도 4c 참조). 두번째로, 구조적으로 유사한 화합물인 A0439가 또한 리포터 분석에서 테스트되었고 비록 IC50이 약 5μM지만 (도 5 a, b 참조) 상기 리포터 시스템의 유사한 저해를 보이는 것으로 보였고 침전 때문에 더 높은 용량에서 독성이 증가되었다.물론 피라졸로피리미딘(또는 하기의 표 1에서 보여지는 바와 같은 유사한 구조)을 포함하는 스캐폴드를 갖는 수많은 다른 화합물이 또한 적절해 보였고, 그러한 스캐폴트는 하기에 설명된 바와 같은 다양한 치환기를 포함할 것이 이해될 것이다. 가장 바람직하게는, 특히 화합물 A0435 및 A439에 대해, 피라졸로피리미딘 코어 (또는 대안적인 스캐폴드)가 알콕시아릴 또는 디알콕시아릴 모이어티를 포함할 것이고, 이는 추가로 선택적으로 치환될 수 있을 것으로 생각된다. 이러한 화합물에서, 하나 이상의 산소 원자는 또한 일차, 이차, 또는 삼차 아민, 또는 황 또는 셀레늄 원자로 대체될 수 있다. 보다 전형적으로, 상기 아릴은 페닐 또는 헤테로아릴 (바람직하게는 질소 헤테로원소)이다. 이처럼, 상기 에틸피리딘 모이어티는 임의의 알킬헤테로아릴 또는 알킬아릴으로 대체될 수 있고, 상기 피라졸로피리미딘 코어에서의 알킬 모이어티 중 하나 또는 둘 모두는 치환된 알킬, 헤테로아릴로 대체될 수 있고, 또는 상기 두개의 알킬기가 고리를 형성할 수 있다. 그러나 현저하게는 상기 스캐폴드에서의 몇몇 위치는 저해 활성에서 수반되는 손실 또는 상당한 감소 없이 변형되지 않을 수 있거나 및/또는 표 1에 나열된 화합물로부터 쉽게 알 수 있는 바와 같이 독성이 증가될 수 있다.예를 들어, 적절한 대안적인 화합물은 화학식 I에 따른 구조를 가질 것이다.[화학식 I]상기 식에서, X 및 Y는 독립적으로 O, S, 또는 NR이고, R, R1, R2, R3, R4, 및 R5는 독립적으로 H, 선택적으로 치환된 저급 알킬, 선택적으로 치환된 저급 알케닐, 또는 NR1R2, OH, 또는 할로겐이고; Q는 선택적으로 치환된 아릴 또는 선택적으로 치환된 헤테로아릴이다. 보다 바람직하게는, 본 발명에서 검토되는 화합물에서 X 및 Y는 산소이거나, 및/또는 R1 및 R2는 독립적으로 에틸, 메틸, 또는 트리플루오로메틸이다. R3 및 R4는 독립적으로 저급 알킬, 및 특히 각각 메틸 및 에틸인 것이 더 일반적으로 바람직하다. 훨씬 더 바람직한 양상에서 R5는 저급 알킬 (및 특히 에틸)이거나, 및/또는 Q는 선택적으로 치환된 페닐, 또는 선택적으로 치환된 피리디닐이다. 특히 바람직한 화합물은 하기에 추가로 보여지는 바와 같이 A0435 및 A0439를 포함한다.마찬가지로, 하기에 더 상세한 바와 같이, 추가적으로 본 발명에서 검토되는 화합물은 또한 화학식 II에 따른 구조를 가질 수 있다.[화학식 II]상기 식에서, R1 및 R2는 독립적으로 H, 할로겐 또는 알콕시기이고; R3 및 R4는 독립적으로 H 또는 저급 알킬이거나, 또는 함께 5- 또는 6-원 시클로알킬 또는 헤테로 시클릭고리를 형성하고; R5는 H, 치환된 포화 알킬, 또는 저급 지방족 단편에 의해 -NH-에 연결된 선택적으로 치환된 아릴 또는 헤티로아릴이고; X는 독립적으로 C, CH, 또는 헤테로원소이다. 특히 바람직한 화합물은 R2는 F 또는 Cl이거나, 및/또는 R1 및 R2는 독립적으로 에톡시, 메톡시 또는 트리플루오로메톡시이거나, 및/또는 R1 및 R2는 함께 5-원 시클로알킬 또는 헤테로시클릭 고리를 형성하거나, 및/또는 R1 및 R2는 함께 6-원 시클로알킬 또는 헤테로시클릭 고리를 형성하거나, 및/또는 R5는 페닐에 의해서 선택적으로 치환된, 저급 알킬 또는 치환된 피리디닐이거나, 및/또는 R5는 H인 것을 포함한다.인 비트로에서 A0435 및 A0439의 상기 항바이러스성 잠재력을 추가로 평가하기 위해, 살아있는(live) MDCK-개조된 인플루엔자 A/Puerto Rico/8/34 (H1N1) 바이러스의 추가 전 1시간 동안 지시된 농도의 화합물과 함께 MDCK 세포를 프리-인큐베이션하였다. 18 내지 20시간 인큐베이션 후, 상등액을 수집하여 닭 적혈구 세포 헤마글루틴화 분석을 이용하여 성공적인 바이러스성 복제를 나타내는 바이러스성 헤마글루티닌 활성의 존재를 평가하였다. 이러한 타입의 분석에서, 헤마글루티닌 활성은 U-모양 웰의 바닥 상에 침전된 적혈구 세포에 의해서 형성된 특징적인 붉은색 "버튼(button)"의 부재를 발생시킨다. 흥미롭게도, A0435는 003e#4 μM 농도에서 상당한 항바이러스성 활성을 보여준 반면, A0435는 도 6 a,b로 부터 볼 수 있는 바와 같이 상기 논의된 형질주입 저해 실험에서 관찰된 값과 일치하여 003e#7.5 μM에서 동일한 활성을 보였다. 상기 A0435의 관찰된 항바이러스성 활성이 다른 바이러스 단리체/혈청형으로 확장시킬지 결정하기 위하여 유사한 인비트로 감염 실험을 수행하자, 인플루엔자 A/WS/1933 (H1N1) 및 H3N2 혈청형 A/Aichi/2/68 바이러스를 이용시, 이들이 A0435에 의해 또한 유의하게 저해되었으며, 그 결과를 도 7 a 및 b로 나타내었다. 약물 개발에 동등하게 중요한 것으로서, 도 8 a, b 및 c로부터 알 수 있는 바와 같이 살아있는 바이러스에 감염된 세포는 인플루엔자 A 감염의 특징인 세포 변성 효과의 흔적을 거의 보이지 않았다. 이러한 결과와 일치하여, 본 발명자들은 도 9 a 및 b에서 알 수 있는 바와 같이 넓은 범위의 농도에 걸쳐 A0435가 간-유래의 HepG2 세포 및 일차성 근위 세뇨관 상피 세포 (또는 RPTEC)에 의해서 제공되는 것과 같은 독성의 전통적인 세포 모델에서 내성이 좋은 것을 발견하였다.이러한 결과에 힘입어, 본 발명자들은 인플루엔자 A/Puerto Rico/8/34의 치사량 50%의 두 배 (2×LD50)로 감염된 동물에서 생감염(live infection)과 싸우는 A0435의 항바이러스 효능을 측정하는 연구를 개시하였다. 도 10에서 보여지는 바와 같이, 3.17 mg/kg 투여용법 그룹에서 감염 후 7일 째에 3/5의 동물이 생존하였고, 1 mg/kg 용량에서 2/5의 동물이 생존하였고, 담체(1xPBS, 3% W/V 마우스 혈청 알부민)만 주사한 경우 0/5의 동물이 생존하였다. 결과적으로, 본 발명에서 검토되는 화합물은 도 1에서 예시적으로 보여지는 바와 같이 저해 분석에서 확인할 수 있는 모든 것들을 포함한다. 더 바람직하게는, 그러한 화합물이 10 μM 이하, 보다 더 바람직하게는 1 μM 이하, 가장 바람직하게는 100 nM 이하의 IC50을 가질 것이고, 상기에 측정된 바와 같이 그 IC50에서 명백한 독성을 갖지 않을 것이다. 따라서, 본 발명에서 검토되는 화합물을 확인하는 방법은 도 1의 분석 시스템이 저해적 화합물에 대한 화합물 라이브러리를 스크린하기 위해 채용되는 단계를 포함할 것이다. 후보 화합물 (전형적으로 10 μM 이하의 IC50을 가짐)이 확인되면, 그러한 화합물은 SAR을 알아내어 더 높은 효능, 감소된 독성, 및/또는 증가된 생체이용률을 갖는 화합물을 생산하기 위해 추가로 변형된다.게다가 본 명세서에서 고려된 화합물은 전구약물로서 제조될 수 있는 것을 상기해야 한다. 본 명세서에서 사용된 용어 "전구약물(prodrug)"은 본 발명에서 고려된 화합물의 변형을 의미하고, 상기 변형된 화합물은 (상기 변형된 화합물과 비교하여) 더 적은 약리 활성을 보이며, 상기 변형된 화합물은 표적 세포 (예를 들어, B-세포) 또는 표적 기관/해부학적 구조 (예를 들어, 관절) 내에서 상기 변형된 형태로 되돌아가도록 전환된다. 예를 들어, 상기 활성 약물이 안전상 전신 투여하기에 너무 독성일 경우, 또는 상기 검토되는 화합물이 소화관 또는 다른 구획 또는 세포에 의해 저조하게 흡수될 때, 또는 표적에 도달하기 전에 신체에서 상기 검토되는 화합물이 분해될 때 고려된 약물을 전구약물로 전환하는 것이 유용할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 상기 화합물은 수많은 방식으로 변형될 수 있고, 특히 바람직한 변형은 하나 이상의 약동학적 및/또는 약력학적 파라미터를 개선시키는 것을 포함한다는 것을 인지할 것이다. 예를 들어, 하나 이상의 치환기가 혈청에서 더 높은 AUC를 달성하기 위해 첨가되거나 대체될 수 있다.반면에, 증가된 용해도가 바람직한 경우 친수성기가 첨가될 수 있다. 추가로, 본 발명에서 검토되는 화합물이 가수분해 될 수 있는 (또는 그 반대로 절단되거나) 하나 이상의 결합을 함유하는 경우, 반응 생성물이 또한 특별히 고려될 수 있다. 본 발명에서 검토되는 화합물이 해당 전구약물 형태로의 전환에 대한 예시적인 적절한 프로토콜을 본 명세서에 참조로서 통합된 Kenneth B. Sloan (ISBN: 0824786297)에 의한 "Prodrugs (Drugs and the Pharmaceutical Sciences: a Series of Textbooks and Monographs)" 및 Bernard Testa, Joachim M. Mayer (ISBN: 390639025X)에 의한 "Hydrolysis in Drug and Prodrug Metabolism: Chemistry, Biochemistry, and Enzymology"에서 찾을 수 있다. 게다가, 특히 본 발명에서 검토되는 화합물이 상기 화합물이 대사될 때 (예를 들어, 가수분해, 수화, 글루쿠로닌화 등) 더 높은 활성을 가지는 경우, 검토되는 화합물의 대사체가 특별히 본 명세서에서 또한 고려될 것을 이해할 것이다.추가적으로, 본 발명에서 검토되는 화합물이 하나 이상의 다른 약학적으로 활성인 성분과 함께 조합될 수 있고 (인 비보 또는 약제학적 제형 또는 투여 용법), 특히 고려된 다른 성분은 다양한 항바이러스제 (및 특히 바이러스 복제, 세포 도입, 및/또는 바이러스성 단백질 조립을 저해하거나 감소시키는 것들), 다양한 면역조절제 (및 특히 다양한 인터페론으로서 예를 들어, 타입 I, 타입 II, 및/또는 타입 III), 및/또는 항-염증제 (예를 들어, 스테로이드 및 NSAIDS) 등을 포함할 것으로 생각된다. 두번째 약학적으로 활성인 성분의 농도는 전형적으로 단독(stand-alone) 투여로 추천되는 용량이거나 바람직하게는 그 이하이나, 더 높은 농도가 또한 본 명세서의 용도로 적절할 것으로 보인다.따라서, 본 발명에서 고려되는 약학 조성물은 특히 본 발명에서 검토되는 화합물 (및 추가적인 약학적으로 활성인 성분)이 적절한 담체와 함께 제공되는 것을 포함할 것이고, 바람직하게는 상기 검토되는 화합물은 유기체 및/또는 표적 기관에서의 바이러스성 증식을 바이러스 감염에 관련된 질병의 징후 또는 증상을 감소시키고 보다 바람직하게는 치료하는데 효과적인 정도로 감소시키는데 효과적인 농도에서 존재한다. 상이한 관점에서 보면, 고려된 화합물은 바이러스 감염, 및 특히 RNA 바이러스 (및 구체적으로 인플루엔자 바이러스)에 의한 바이러스 감염을 치료하는데 효과적인 양으로 조성물 중에 존재한다.예를 들어, 본 발명에서 검토되는 화합물(및 특히 A0435/A043)로의 치료를 위해 적절한 바이러스 감염은 RNA 바이러스(및 특히 음성 나선 RNA 바이러스), 및 구체적으로는 인플루엔자 A에 가장 가까이 닮은 바이러스에 의한 감염에 의해서 생산되는 것이다. 따라서, 고려되는 바이러스는 인플루엔자 B (A0435에 의해서 저해될 수 있는 바와 같이 본 발명자들에 의해서 확인됨), 및 인플루엔자 C를 포함한다. 본 발명에서 검토되는 화합물에 의한 치료에 적합한 계통발생학적으로 관련된 추가적인 바이러스는 파라믹소바이러스과 [뉴캐슬병 바이러스; 헨드라 바이러스; 니파 바이러스; 우역(rinderpest) 바이러스; 센다이 바이러스; 소 파라인플루엔자 바이러스 3; 인간 파라인플루엔자 바이러스 1 및 3; 홍역 바이러스; 파라인플루엔자 바이러스 2, 4a, 및 4b; 메타뉴모바이러스; 호흡기 합포체성(syncytial) 바이러스를 포함], 랍도바이러스과 [포유동일 감염성 수포성 구내염 바이러스 및 광견병 바이러스; 식물 감염성인 스트로우베리 주름 시토랍도바이러스, 상추 괴저성 황색 바이러스, 시노돈 백화 줄무늬 바이러스, 옥수수(Maize) 모자이크 바이러스, 노던 시리얼 모자이크 바이러스, 난초 반점(fleck) 바이러스, 쌀 황색 얼룩 바이러스, 방가지똥(sonchus) 황색 네트 바이러스 및 타로 맥 백화 바이러스; 물고기 감염성인 히람 랍도바이러스, 감염성 조혈성 괴사 바이러스, 바이러스성 출혈성 패혈증 바이러스 및 가물치 바이러스 뿐만 아니라 소 임시열 바이러스 및 애들레이드 리버 바이러스를 포함]; 필로바이러스과 [출혈성 에볼라바이러스 및 마르부르크 바이러스를 포함] 및 보르나바이러스를 포함한다. 본 발명자들은 이러한 바이러스를 서포트할 실질적인 데이터를 갖고 있지 않으나, RSV-기반 발현 시스템이 이러한 바이러스의 적절성을 결정짓는데 사용될 수 있고, 그러한 시스템은 과도한 실험 없이 PHOSITA에 의해서 만들어질 수 있다는 것을 상기해야 한다.따라서 구체적인 용도 및 구조에 의존하여, 본 발명에 따른 상기 화합물이 단일 용량 당 1 마이크로그램 내지 1000밀리그램, 보다 전형적으로 10 마이크로그램 내지 500 밀리그램, 및 가장 전형적으로는 50 마이크로그램 내지 500 밀리그램의 양으로 상기 조성물 중에 존재하는 것이 이해될 것이다. 따라서, 인 비보 또는 인 비트로에서 검토되는 화합물의 바람직한 농도는 일반적으로 0.1 nM 내지 500 μM, 보다 전형적으로는 50 nM 내지 400 μM, 및 가장 전형적으로는 100 nM 내지 200 μM일 것이다.게다가, 모든 제형이 본 명세서의 용도에 적절할 것으로 보이고 특히 경구 또는 비경구 제형을 포함한다는 것이 인식될 것이다. 예를 들어, 경구 투여를 위해, 고려되는 조성물은 정제, 캡슐, 현탁액, 또는 액체의 형태일 수 있다. 상기 약학 조성물은 바람직하게는 특정 양의 활성 성분을 함유하는 투여용법 단위의 형태로 만들어진다. 그러한 투여용법 단위의 예는 정제 또는 캡슐이다. 상기 활성인 성분은 또한 조성물로서 주사함으로써 투여될 수 있는데, 예를 들어 염수(saline), 덱스트로스 또는 물이 적절한 담체로서 이용될 수 있다. 특히 바람직한 양상에서, 상기 제형은 국소 투여, 에어로졸을 통한 투여, 및 척수관 투여에 적절할 것이 이해될 것이다. 결과적으로, 특히 바람직한 제형은 국소적 스프레이 또는 적가(drop) 투여 또는 틴크로서의 적용을 위한 불활성 수성 용액이다. 대체적으로, 적절한 국소 제형은 크림, 연고, 폼, 로션, 일루션 등을 포함한다. 게다가, 상기 화합물이 척수관 투여(예를 들어, 척수 외상의 치료에서)를 위해 제형화되는 경우, 상기 화합물이 주사가능한 용액, 현탁액 또는 일루션으로서 제조되는 것이 바람직하다. 다른 고려되는 제형에서, 본 발명에서 검토되는 화합물은 에어로졸 전달을 위해 제형화 (예를 들어, 미분화, 분산가능한 담체상에 코팅, 세분화된 용매에 용해 등)될 수 있다.상기 특정 제형 및 담체는 화합물의 특이적인 용도 및 타입에 적어도 부분적으로 의존할 것이 이해될 것이다. 당업계에 알려진 다양한 방식의 약물 제형이 있고, 이들 모두 본 명세서의 용도에 적절할 것으로 보인다 (예를 들어, Pharmaceutical Preformulation and Formulation: A Practical Guide from Candidate Drug Selection to Commercial Dosage Form by Mark Gibson; Informa HealthCare, ISBN: 1574911201; or Advanced Drug Formulation Design to Optimize Therapeutic Outcomes by Robert O. Williams, David R. Taft, and Jason T. McConville; Informa HealthCare; ISBN: 1420043870 참조).본 발명의 화합물 및/또는 조성물로 질병 증세를 치료하기 위해 투여된 치료적으로 활성인 화합물의 양 및 용법은 연령, 몸무게, 성별 및 개체의 의학적 상태, 질병의 심각성, 투여 경로 및 빈도, 및 채용된 특정 화합물을 포함한 다양한 인자에 의존하므로, 매우 다양할 수 있다. 그러나, 특히 적절한 양은 상기에 제공되어 있고, 따라서 약 0.001 (심지어 그 이하) 내지 100 mg/kg 몸무게, 바람직하게는 약 0.01 및 약 50 mg/kg 몸무게 및 가장 바람직하게는 약 0.1 내지 20 mg/kg 몸무게의 하루 용량이 허용될 수 있다. 전형적으로, 하루 용량은 하루에 1회 내지 4회 용량으로 투여될 수 있다. 치료 또는 예방 목적으로, 본 발명에서 검토되는 화합물은 일반적으로 지시된 투여경로에 적당한 하나 이상의 부형제와 조합된다. 경구로 투여되는 경우, 상기 화합물은 락토스, 수크로스, 전분 분말, 알칸산의 셀룰로스 에스테르, 셀룰로스 알킬 에스테르, 탈크, 스테아르산, 마그네슘 스테아레이트, 마그네슘 옥시드, 인산 및 황산의 나트륨 및 칼슘 염, 젤라틴, 아카시아검, 소듐 알기네이트, 폴리비닐피롤리돈, 및/또는 폴리비닐 알코올과 함께 혼합되어 편리한 투여를 위해 정제 또는 캡슐화될 수 있다. 그러한 캡슐 또는 정제는 히드록시프로필-메틸 셀루로스 중에 활성 화합물의 분산으로 제공되는 바와 같이 제어된-방출형 제제를 함유할 수 있다. 비경구 투여를 위한 제형은 수성 또는 비수성 등장 멸균 주사 용액 또는 현탁액의 형태일 수 있다. 이러한 용액 및 현탁액은 경구 투여를 위한 제형으로의 용도를 위해 언급된 하나 이상의 담체 또는 희석제를 갖는 멸균 분말 또는 과립으로부터 제조될 수 있다. 상기 화합물은 물, 폴리에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 에탄올, 콩유, 면실유, 피넛오일, 참기름, 벤질 알코올, 염화나트륨 및/또는 다양한 완충액 중에 용해될 수 있다. 다른 부형제 및 투여 방식이 약제학 분야에 광범위하게 잘 알려져 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 인플루엔자 A 리포터 분석 구조물의 도시한 것이다.도 2는 루시퍼라제 분석에서 구성성분의 요건을 나타내는 그래프이다.도 3은 루시퍼라제 분석에서 발현의 증대에 대한 예시적 결과를 묘사하는 그래프이다.도 4A는 예시적 화합물에 의한 리포터 시스템의 특이적인 저해를 보여주는 고출력 스크린으로부터의 미가공 데이터의 도시한 것이고, 도 4B는 상기 예시적 화합물의 구조를 나타내고, 도 4C는 상기 예시적 화합물에 대한 상기 리포터 시스템의 용량 반응을 설명하는 그래프이다.도 5A는 다른 예시적 화합물의 구조를 설명하고, 도 5B는 도 5A의 상기 예시적 화합에 대한 리포터 시스템의 용량 반응을 설명하는 그래프이다.도 6A는 예시적 화합물을 이용한 헤마글루틴화 분석의 사진이고, 도 6B는 상기 동일한 분석에서의 상기 예시적 화합물에 대한 용량 반응을 설명하는 사진이다.도 7A 및 7B는 예시적 화합물을 사용한 선택된 세포에서의 바이러스성 증식의 저해를 설명하는 사진이다.도 8A 내지 8C는 예시적 화합물에 의한 선택된 세포에서의 세포 변성 효과의 저해를 설명하는 사진이다.도 9A 및 9B는 예시적 화합물을 이용하여 선택된 세포에서의 세포독성 활성을 설명하는 사진이다.도 10은 예시적 화합물을 이용하여 생감염에 따른 생존에서의 증가를 설명하는 사진이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 물질 및 방법세포 기반 리포터 분석: RdRP의 저해를 확인하기 위하여, 본 발명자들은 바이러스 생물학에 기반된 마우스 세포-기반 분석 시스템을 변경하였다. 이 시스템을 생성시키기 위하여, PA, PB1, PB2, NP, 및 NS1을 인코딩하는 바이러스 유전자를 유전자-특이적인 올리고뉴클레오티드를 이용하여 인플루엔자 A/Puerto Rico/8/34 바이러스 cDNA 주형의 리버스 전사효소-폴리머라제 사슬 반응 (RT-PCR)에 의해 증폭시켰다. 생성된 PCR 생성물을 순차적으로 RNA 폴리머라제 II 발현 카세트를 활용하여 포유동물 발현 벡터 (pVAX)로 클로닝하고, 상기 삽입물의 서열을 DNA 시퀀싱에 의해 확인하였다. RNA 폴리머라제 I-의존성 발현 카세트를 생성시키기 위해, 마우스 45S rRNA 전사 개시 부위의 상류 255 bp 서열로부터 얻은 RNA 폴리머라제 I 프로모터 서열을 이어서 다중 클로닝 사이트로 연결시키고, 공개된 보고서12와 동일한 방식으로 오버랩핑 올리고뉴클레오티드를 이용하여 PCR에 의해 생성되고 pBluescript로 클로닝된 33bp 마우스 RNA 폴리머라제 I 말단 서열로 연결시켰다. 그런 다음 pPolI로 불리는 이 구조물을 다중 클로닝 사이트 내로 절단시켜 방향적으로 5'UTR/루시퍼라제/3'UTR로 연결하여 pPolI-Luc를 생성하였다. 상기 pPolI-Luc-DelUTR (즉, UTR이 결실됨) 및 pPolI-GFP (UTR를 가지지만 루시퍼라제 대신 녹색 형광 단백질을 인코딩함) 구조물을 유사한 방식으로 생성하였다.형질주입을 마우스 B16-F10 흑색종 세포 및 상기 시스템 활성을 확인하기 위하여 제조사의 지침에 따라 시판 형질주입 시약을 이용하여 수행하였다. 요약하면, 2㎍의 플라스미드 (에를 들어, PA, PB1, PB2, NP, 및 pPolI-Luc를 인코딩하는 각 구조물 400ng)를 대수적으로 분열하는 흑색종 세포에 첨가하기 전에 15㎕ 시약으로 복합체화 시켰다. 형질주입 복합체를 4시간 후에 제거하고 다른 지시가 없으면, 루시퍼라제 활성을 형질주입 후 20시간 째에 분석하였다. NS1을 포함하는 실험은 플라스미드 DNA 총량이 2 ㎍로 고정되어 남아 있으나 여섯개 플라스미드를 필요로 하기 때문에 각 플라스미드의 333ng만이 사용되는 유사한 방식으로 수행하였다.바이러스 및 인 비트로 바이러스 증식; 인플루엔자 A/Puerto Rico/8/34(H1N1), A/WSN/1933(H1N1), 및 A/Aichi/2/68(H3N2)을 개의 MDCK 세포에서 증식시켰다. 감염 전날에, MDCK 세포를 10% V/V 태아 소 혈청으로 보충된 Dulbecco 변형 이글 배지 (D-MEM) 중에 플레이팅하고 다음 날에 70 내지 90% 콘플루언스가 되는 농도에서 5% CO2, 37℃에서 인큐베이션하였다. 감염 당일에, 세포를 완전한 DMEM/7.5% BSA/25mM HEPES/(2ug/mL) TPCK-트립신을 이용하여 3회 세척하고, 바이러스를 희석시켰다.A0435 저해 연구: B16-F10 형질주입 시스템을 포함하는 연구를 위해, 세포를 DNA/지방 복합체의 제거 후 5시간 동안 회복되도록 하고 지정된 양의 A0435를 첨가하였다. 루시퍼라제 발현을 14시간 후에 결정하였다. 바이러스 증식의 억제를 포함하는 연구를 위하여, 세포는 지정된 양의 A0435를 받았고 30분 후 바이러스 제제를 첨가하고 2시간 동안 감염되도록 한 다음 상기 바이러스 제제를 제거하고 상기 수득된 세포에서 비결합한 바이러스를 씻어내고 상기 배지를 상응하는 양의 A0435로 교체하였다.헤마글루틴화 분석: 헤마글루틴 분석을 하기와 같이 수행하였다.요약하여, 첫 감염 18 내지 20시간 후, 상등액을 다른 지시가 없으면 U-바닥 웰에 1:1 비율로 (V/V) 0.50% 닭 적혈구 세포와 함께 인큐베이션하고 반응물을 사진으로 모니터링하였다.인 비보 생존 연구: 5 Balb/C (연령/성별) 마우스 그룹을 연구 시작 전에 몸무게를 측정하고 3% w/v 마우스 혈청 알부민을 함유하는 인산 완충 염수 중에 3.17, 1, 또는 0 mg/kg의 용량으로 A0435를 함유하는 제형으로 꼬리 기저에 정맥 주사하였다. 4시간 후, 이 마우스들을 마취하여 인플루엔자 A/Puerto Rico/8/34의 2xLD50으로 비강 감염(challenge)시켰다. 동일한 용량의 A0435를 개시 용량 투여 후 24 시간 및 48시간 째에 투여하고, 동물 몸무게를 매일 모니터링하였다. 생존한 동물은 이들의 개시 몸무게의 70% 이상을 유지하는 것들로 정의하였다.참고자료1) Fields Virology 5th edition. Edited by David M Knipe and Peter M Howley, Lippincott-Raven, Philadelphia, USA, 2007.2) Lutz A, Dyall J, Olivo PD, Pekosz A. Virus-inducible reporter genes as a tool for detecting and quantifying influenza A virus replication. J Virol Methods. 2005 Jun; 126(1-2):13-20.3) Hale BG, Randall RE, Ortin J, Jackson D. The multifunctional NS1 protein of influenza A viruses. J Gen Virol. 2008 Oct; 89(Pt 10):2359-76.4) Robb NC, Smith M, Vreede FT, Fodor E. NS2/NEP protein regulates transcription and replication of the influenza virus RNA genome. J Gen Virol. 2009 Jun; 90(Pt 6):1398-407.5) "Update on oseltamivir resistance to influenza H1N1 (2009) viruses". World Health Organization (WHO). December 15, 2010.6) Kiso M, Mitamura K; Sakaitagawa Y, Shiraishi K, Kawakami C, Kimura K, Hayden F, Sugaya N, Kawaoka Y. (2004). Resistant influenza A viruses in children treated with oseltamivir: descriptive study. The Lancet 364: 759-7657) Le M, Kiso M, Someya K, Sakai T, Nguyen H, Nguyen H, Pham D, Ngyen H, Yamada S, Muramoto Y, Horimoto T, Takada A, Goto H, Suzuki T, Suzuki Y, Kawaoka Y. Avian flu: isolation of drug-resistant H5N1 virus. Nature 2005, 437(7062): 11088) Dharan NJ, Infections with oseltamivir-resistant influenza A(H1N1) virus in the United States. JAMA, 2009. 301(10): p. 1034-41.9) Gubareva LV, Matrosovich MN, Brenner MK, Bethell RC, Webster RG. Evidence for zanamivir resistance in an immunocompromised child infected with influenza B virus. J Infect Dis. 1998 Nov; 178(5):1257-62.10) http://www.cdc.gov/flu/weekly/weeklyarchives2008-2009/weekly35.htm11) Sheu TG, Fry AM, Garten RJ, Deyde VM, Shwe T, Bullion L, Peebles PJ, Li Y, Klimov AI, Gubareva LV. Dual resistance to adamantanes and oseltamivir among seasonal influenza A(H1N1) viruses: 2008-2010. J Infect Dis. 2011 Jan 1; 203(1):13-7.12) Neumann G, Zobel A, Hobom G. RNA polymerase I-mediated expression of influenza viral RNA molecules. Virology. 1994 Jul; 202(1):477-9.따라서, 인플루엔자 A RNA-의존성 RNA 폴리머라제의 저분자 저해제의 특이적인 구체예 및 적용을 공개하였다. 그러나 당업계 숙련된 자에게 이미 기재된 것들 외에 더 많은 변형이 본 명세서에 발명적 컨셉을 벗어나지 않고 가능할 것이라는 것이 명백할 것이다. 따라서 본 발명은 첨부된 청구범위의 사상에 의해서만 제한되지 않는다.	인플루엔자 A 바이러스의 치료 및 예방에 특히 효과적인 항바이러스성 조성물 및 방법이 고려된다. 또한 항바이러스성 특성을 갖는 저분자 화합물을 동정하는, 특히 다른 인플루엔자 A 구성성분에 독립적인 포유동물 세포에서의 인플루엔자 RNA-의존성 RNA 폴리머라제 활성을 검출하는 것과 관련된 것으로서의 세포 분석이 공개된다. 바람직한 분석은 정상적인 세포 활성에 지장을 주지 않는 바이러스 증식 저해제를 식별하도록 한다.
[ 발명의 명칭 ] 내화금고의 수동식 개폐장치와 수동식 개폐장치의 부착위치의 변경 및 내화금고 문짝의 외장 제작과정Fireproof Safe Manually Opening/Closing Device, Change of Attachment Position of Manually Opening/Closing Device, and Process of Manufacturing Exterior of Fireproof Safe Door [ 기술분야 ] [0001] 가치 있는 물품을 보관하는 강철로 제작한 내화금고의 제작과정에서 일반적인 내화금고의 수동식 개폐장치는 문짝 전면 중앙에 위치하는 것을 수동식 개폐장치를 문짝 최 상부로 위치를 변경할 수 있도록 새롭게 발명하여 내화성능과 도난에 대한 안전성을 더욱 높일 수 있다.[0002] 개폐장치들이 위치 변경하면서 넓고 평탄해진 문짝 전면부에 작은 사이즈의 금고는 문짝 전면에 수작업으로 자개, 금박, 은박을 부치거나 손으로 직접 그림을 그려 넣은 후에 외장 도포 및 도장방법으로 광택이 나게하고 그리고 큰 사이즈의 금고는 별도의 철판에 수작업으로 자개, 금박, 은박을 부치거나 손으로 직접 그림을 그려 넣은 후에 외장 도포 및 도장방법으로 광택이 나게하여 강철의 딱딱한 금고 문짝을 옻칠 가구와 같은 외관의 금고로 제작한다. [ 배경기술 ] [0003] 일반적인 내화금고는 1.2 mm 강철로 제작하고 몸통의 전면 우측에 수 경첩을 부착하고 문짝 전면의 우측에 암 경첩을 부착하여 문짝을 몸통에 끼워 조립하고 개폐하도록 설계되어 있어서 몸통과 문짝의 틈새가 전면으로 나있어서 화재 발생시 직화열이 문틈 사이로 침투하기 쉽고 내화성능이 외부열 1,010도에서 1 시간 동안 내부온도를 150도 이하로 유지시켜는 정도로 제한되어 있으나 실재 화재들은 더 온도가 높고 오래갈 수 있는 경우가 있기에 내화성능을 더욱 보강할 필요가 있다.[0004] 또한 문짝의 전면 중앙 위치에 수동식 L자형 손잡이와 열쇠 그리고 전자 락 등을 부착하여 개폐하는 형태인데 이 L자형 손잡이에 긴 쇠파이프를 끼우고 강하게 제키면 손잡이가 지레대 역할을 하여 커다란 힘이 내부로 전달되어 내부 장금 장치들이 파손될 수 있어서 안전성이 떨어지는 요인을 없애야 한다. [ 발명의 개요 ] [0005] 내화금고 문짝 전면 중앙 위치의 수동식 개폐장치를 새롭게 설계 제작하여 수동식 개폐장치를 문짝의 최 상단부로 올려 조립함으로써 내화성능과 안전성이 보강된 금고로 제작한다.[0006] 내화금고 문짝에 도장하는 유성 페인트 도장 방법을 배제하고작은 사이즈의 금고는 문짝 전면에 수작업으로 자개, 금박, 은박을 부치거나 손으로 직접 그림을 그려 넣은 후에 외장 도포 및 도장방법으로 광택이 나게하고 그리고 큰 사이즈의 금고는 별도의 철판에 수작업으로 자개, 금박, 은박을 부치거나 손으로 직접 그림을 그려 넣은 후에 외장 도포 및 도장방법으로 광택이 나게하여 옻칠 가구와 같은 외관의 금고로 제작한다.[0007] 금고 전면으로 난 문짝 틈새를 없애기 위하여 문짝을 열고 닫는데 지장이 없게 문짝 두께를 33mm 더 두껍게 제작(내화제가 더욱 두껍게 충전됨)하여 문짝 내부에 암 경첩이 포함되도록 제작하여 몸통의 수 경첩과 체결하면 몸통과 문짝이 일체식이 되면서 틈새가 옆면으로 위치하여 화재 시 직화열이 직접 침투할 수 없으며 손잡이와 전자식 개폐장치를 새롭게 설계 제작하여 문짝의 최 상단부로 위치를 변경하면서 문짝 전면 전체를 2.2mm 강철로 막으므로써 직화열이 직접 쏘여도 철판이 두꺼워져 강하게 버텨주며 높은 열은 내화제 충전이 더욱 두꺼워져서 내화 성능이 더욱 강화시킨다.[0008] 문짝의 최 상부로 위치를 변경하여 조립되는 수동식 계폐장치는 원형 손잡이 또는 미닫이식 손잡이로 작동하도록 조립되어 손만 넣어서 돌릴 수 있는 크기의 문짝 상판 덮개 통 내부에 돌출되게하여 일반적인 공구를 사용하여 커다란 힘을 가할 수 없어서 내부의 장금 장치들을 보호하여 안전성 또한 강화시킨다. [ 도면의 간단한 설명 ] [0009] 도면의 명칭도면 1: 금고 우측면 투시도도면 2: 금고 상판도도면 3: 금고 좌측면 투시도도면 4: 도면 3의 상단부 상세 투시도도면 5: 금고 문짝 내부 투시도도면 6: 내화금고의 일예를 도시하는 도면도면 7: 내화금고의 일예를 도시하는 도면도면 8: 내화금고의 일예를 도시하는 도면도면 9: 내화금고의 일예를 도시하는 도면 [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] [0010] 상기의 [0005] 수동식 개폐장치를 실시하기 위한 구체적인 내용은 다음과 같다:[0011] 금고 몸통에 부착된 도면1의 번호 1 경첩에 상기 [0006]의 내용에 따라 제작 완료한 문짝을 삽입하고 도면 5의 번호 2, 3, 4, 5 문짝 보호 테두리(문짝 전면과 같은 외장 도포 및 도장방법을 사용하여 광택나게함)을 부착한 후 문짝 후면에서 각 각의 보호 테두리 안에 타공된 구멍에 볼트를 삽입하고 조여서 고정시킨다.[0012] 문짝을 연 상태에서 도면 3, 4, 5의 번호 7번 손잡이 회전 작동 연결대(이하 "와이퍼"라 칭함)의 하단부에 있는 긴 쇠 봉을 우선 볼트 풀림식으로 돌려서 빼낸 후 문짝 상부에서 문짝 내부로 타공된 구멍을 통하여 와이퍼를 삽입한 후 와이퍼에서 빼낸 긴 쇠 봉을 다시 볼트 조임식으로 돌려서 체결한다.[0013] 도면 3, 4의 번호 28번 문짝 상판 지지대 철판을 문짝 상부에 맞추어 볼트로 조여서 결합한다.[0014] 도면 3, 4의 번호 28번 문짝 상판 지지대 철판에 타공된 구멍에 번호 11 원형 손잡이에 접합된 볼트 봉을 28번 문짝 상판 지지대 철판의 타공된 구멍에 삽입과 동시에 12번 손잡이 연결 고리 날개도 함께 삽입한 후에 13번 스프링 너트(너트가 한 번 조여지면 풀리지 않는 재질임)를 손잡이의 좌우 회전이 가능하도록 유격을 유지하면서 조인다.[0015] 상기 [0014]에 기 체결된 번호 11, 28, 12, 13 중 12번 손잡이 연결 고리 날개의 아래로 돌출한 쇠 봉을 번호 7 와이퍼 상단부 도면 5의 번호 10 에 타공된 10x20mm 구멍에 맞추어 끼운다.[0016] 체결이 완료된 와이퍼의 중간 하단부에 타공된 구멍과 문짝에 기 용접되어 돌출된 원형 돈보대에 1차적으로 끼워 체결하고 손잡이를 문짝 전면에서 우측으로 돌리면 와이퍼는 좌측으로 밀리고 손잡이를 좌측으로 돌리면 와이퍼는 우측으로 밀리는 작동이 완전하면 도면 5의 번호 9번 와이퍼 지지대를 돈보대와 와이퍼를 함께 덮어 씌우고 와이퍼 지지대 양 옆으로 타공된 구멍에 볼트를 끼워 문짝과 일체가 되도록 조여주고 와이퍼 지지대 중앙에 타공된 구멍으로 돌출되는 돈보대에 원형 쇠 링을 끼우고 돈보대를 관통하여 타공된 구멍에 쇠 핀을 가로로 끼워 와이퍼가 작동하면서 이탈하지 못하게 잡아준다.[0017] 도면 5의 번호 6 빗장 판을 문짝 옆면으로 타공된 도면3의 번호 24 빗장 알 문짝 구멍에 삽입한 후 빗장 판 위에 기 용접 고정된 도면 5의 번호 8 빗장 판 당김 고리대의 타공된 구멍에 번호 7 와이퍼 하단의 긴 쇠 봉을 끼우는 동시에 빗장 판의 좌우 작동을 잡아주는 중간부위에 타공된 타원형 구멍과 문짝에 기 용접된 원형 돈보대의 돌출부에 맞추어 끼우고 돈보대 돌출부에 원형 쇠 링을 끼우고 돈보대를 관통하여 타공된 구멍에 쇠 핀을 가로로 끼워 문짝과 빗장 판을 조립 고정시킨다.[0018] 새롭게 설계 제작한 수동식 개폐장치의 모든 조립과정이 완료되었고 수동식 개폐장치의 작동방법은 다음과 같다:[0019] 금고 문짝을 개방하는 과정은 오른 손 또는 왼손으로 문짝 상단에 있는 원형 손잡이를 잡고 우측 방향으로 돌리면 와이퍼 상단부는 좌측으로 밀리고 와이퍼 하단 부는 우측으로 밀리면서 빗장 판에 용접 결합된 빗장 판 당김 고리가 빗장 판을 우측으로 끌어 잡아당겨 빗장 판이 우측으로 이동하면서 빗장 알이 금고 몸통에서 이탈하면서 문을 연다.[0020] 금고 문짝을 잠그는 과정은 오른 손 또는 왼손으로 문짝 상단에 있는 원형 손잡이를 잡고 좌측 방향으로 돌리면 와이퍼 상단부는 우측으로 밀리고 와이퍼 하단 부는 좌측으로 밀리면서 빗장 판에 용접 결합된 빗장 판 당김 고리가 빗장 판을 좌측으로 끌어 잡아당겨 빗장 판이 좌측으로 이동하면서 빗장 알이 금고 몸통으로 삽입되면서 문을 잠근다.[0021] 이하의 조립과정은 자동식 계폐장치(이하 "전자 락"이라 칭함)와 연계하여 수동식 계폐장치로 문을 열고 잠기게 조립하는 구체적인 과정이다.[0022] 도면 5의 번호 6 빗장 판 최 좌측 하단부의 절단된 홈에 맞추어 번호 17 전자 락 부속 Solenoid(전자 신호에 따라 자석 쇠 봉이 상하로 작동하면서 빗장 판의 좌우 이동을 막아주고 열어줌)를 부착한다.[0023] ABS 프라스틱 사출 금형으로 제작한 도면 3의 번호 15 문짝 상판 덮개 통(문짝과 같은 외장 도포 및 도장방법을 사용하여 광택나게함)에 사출 타공된 구멍에 도면 2 의 번호 14 전자 락을 끼워 볼트로 조여 조립한다.[0024] 도면 2 의 번호 14 전자 락으로부터 나온 전선을 문짝 상판으로부터 문짝 내부로 통하는 도면 5 번호 16 전자 락 전선 통로로 삽입하여 기 조립한 번호 17 전자 락 부속 Solenoid의 잭과 프로그램 통을 함께 결합시킨다.[0025] 문짝 내부로 통하는 모든 타공된 구멍들은 문짝 외부와 내부에서 2중으로 특수 단열 섬유로 막아 내화성능을 유지한다.[0026] 문짝 상판에 기 체결된 도면 3, 4의 번호 28 문짝 상판 지지대 철판 위에 번호 15 문짝 상판 덮개 통 내부에 사출로 타공 된 구멍을 통하여 볼트를 삽입하고 조여 결합시킨다.[0027] 문짝 상판과 체결이 완료된 도면 3의 번호 15 문짝 상판 덮개 통 위에 별도로 디자인하여 프린트한 두께 1mm 아크릴 판을 덮어 씌워 부착하여 번호 28 문짝 상판 지지대 철판과의 체결용 볼트구멍들이 보이지 않게 표면을 마무리 하고 번호 11원형 손잡이는 초기에 보이지 않도록 미닫이 식 덮개를 번호 15문짝 상판 덮개 통에 끼워 조립하여 열고 닫는다.[0028] 상기의 조립과정을 통하여 전자 락과 새롭게 발명한 수동식 개폐장치를 연계 작동하여 문짝을 열고 잠그는 구체적인 방법은 다음과 같다.[0029] 도면 3, 4의 번호 15 문짝 상판 덮개 통의 좌측 단에 통과 일체형으로 부착된 건전지 함의 덮개를 당겨서 열고 1.5V 건전지 4개를 삽입한다.[0030] 문짝 상판 덮개 프라스틱 통 상단 중앙부에 있는 도면 2의 번호 11 미닫이 식 수동식 개폐장치의 덮개를 우측으로 밀어 원형 손잡이를 출현토록 하고 도면 2의 번호 14 전자 락 판(초기에는 아무런 표식이 없음)을 손가락으로 가볍게 터치하면 디지탈 번호판과 숫자들이 출현된다.[0031] 출현한 숫자판에 소정의 비밀번호를 손가락으로 터치하면 전자 락 판 좌측의 디지털 숫자판에 비밀번호가 표시되면서 소정의 비밀번호와 일치하면 녹색 등이 켜지면서 "MATCH" 단어가 디지털 숫자판에 나타나면서 내부의 Solenid의 자석 쇠 봉이 아래로 3초간 떨어졌다가 3초가 지나면 녹색 등이 점멸되면서 자석 쇠 봉이 다시 올라온다.[0032] 녹색 등이 점멸되기 전에 원형 손잡이를 우측으로 돌리면 빗장 판이 우측으로 이동하며 빗장 알이 몸통에서 이탈되면서 문짝을 열 수 있고 소정의 비밀번호와 다른 번호를 입력하여 일치하지 않으면 "ERROR" 단어가 나타나면서 적색 등이 깜빡거리고 손잡이를 우측 또는 좌측으로 돌려도 문짝을 열 수 없다.[0033] 만약 비밀번호가 3회까지 입력하여 일치하지 않으면 전자 락은 3분간 작동하지 않으면서 동시에 문짝 내부에 부착한 도면 1 번호 22 경보기가 경보음(100 데시벨의 싸이렌 음이 발생함)을 3분간 울린다.[0034] 또한 금고의 몸통이나 문짝에 손 바닥 또는 주먹으로 때리는 정도의 충격을 가해도 경보기가 작동하고 금고를 이동시키려고 20도 이상 기우려도 경보기가 작동한다(경보기 내부의 조그만 유리통에 공기방울이 센서에 걸려있음).[0035] 상기 [0006]의 수작업으로 자개, 금박, 은박을 문짝에 부치거나 손으로 직접 그림을 그려 넣은 후에 외장 도포 및 도장방법으로 옻 칠과 같은 광택이 나도록 실시하기 위한 구체적인 내용은 다음과 같다:[0036] 작은 사이즈의 금고 문짝에 직접 내화 충전과 사상이 완료하고 보호 프라이밍 페인트(에폭시 2성분 페인트)로 하도 도장하고 큰 사이즈의 금고는 별도의 철판에 내화 충전없이 표면 사상 처리한 후 보호 프라이밍페인트(에폭시 2성분 페인트)로 하도 도장한 후 접착 프라이밍 페인트로 모두 중도 도장한다.[0037] 하도와 중도 도장작업이 완료된 문짝 전면과 큰 사이즈 금고에 부착할 별도의 철판을 외장 1차 도포 접착(NAVA 캐쉬넛 기름과 접착유 사용) 도장하고 2일간 자연 건조시킨다.[0038] 자개를 문짝과 큰 사이즈 금고에 부착할 철판위에 부착하고외장 도포 및 도장방법으로 옻칠과 같은 광택이 나게하는 작업은 다음과 같다:[0039] 자개들을 그림의 이미지에 맞추어 톱으로 잘라내어 조각들을 접착제로 부쳐 큰 그림으로 맞추고 표면을 고운 사포로 사상하여 표면을 평탄하고 곱게 다듬은 후에 표면 처리가 완료된 자개의 뒷면에 자연 접착제를 발라 상기의[0038] 작업이 완료된 문짝 전면과 큰 사이즈 금고에 부착할 철판 위에 붙인다.[0040] 외장 2차 도포 겸 바탕 채색(NAVA 캐쉬넛 기름과 다양한 색소를 혼합 사용함) 도장을 하고 2일간 자연 건조시킨 후 건조가 완료되면 물로 씻어내면서 얇은 사포로 도포된 표면을 사상하면서 자개가 출현될 때까지 사상작업을 실시하여 자개가 완전히 출현되면 사상작업을 멈추고 1일간 건조시킨다.[0041] 건조가 완료되면 자개의 표면을 조각도로 세부 그림을 그려넣고 외장 3차 도포 (투명NAVA 캐쉬넛 기름 사용함) 도장을하고 2일간 자연 건조시킨 후에 물로 씻어내면서 얇은 사포로 표면을 사상하고 1일간 건조 시킨다.[0042] 건조가 완료되면 외장 4차 도포(투명 NAVA 캐쉬넛 기름 사용함) 도장을 하고 최종 3일간 자연 건조시킨 후에 최종 왁스를 사용하여 표면을 닦아내면 옻 칠과 같이 유리같은 광택이 난다.[0043] 금박, 은박 또는 그림을 문짝 전면과 큰 사이즈 금고에 부착할 철판위에 부착하고 외장 도포 및 도장방법으로 옻 칠과 같은 광택이 나도록 실시하기 위한 구체적인 내용은 다음과 같다:[0044] 하도와 중도 도장작업이 완료된 문짝 전면과 큰 사이즈 금고에 부착할 철판위에 금박, 은박 부착하거나 또는 그림을 직접 손으로 그려 넣은 후에 금박, 은박 위에 외장 2차 도포(투명 NAVA 캐쉬넛 기름 사용함) 도장하고 그림을 그려넣은 판은 다양한 채색 외장 도포 및 도장을하고 각 각 2일간 자연 건조시킨다.[0045] 건조가 완료되면 물로 씻어내면서 얇은 사포로 표면을 사상하고 1일간 건조시킨 후에 금박, 은박의 표면위에 그림을 다시 그려 넣고 외장 3차 도포 (투명 NAVA 캐쉬넛 기름 사용함) 도장을하고 2일간 자연 건조시킨 후에 다시 물로 씻어내면서 얇은 사포로 표면을 사상하고 1일간 건조 시킨다.[0046] 건조가 완료되면 외장 4차 도포(투명 NAVA 캐쉬넛 기름 사용함) 도장을 하고 최종 3일간 자연 건조시킨 후에 최종 왁스를 사용하여 표면을 닦아내면 옻 칠과 같이 유리같은 광택이 난다.[0047] 상기의 발명 실현 예 및 내용은 발명을 설명하는데 목적이 있는데 발명 정보의 간단한 수정, 변경은 발명 목적과 유사한 효과를 가져오는 경우에는 이 발명 범위내에 있다. [ 부호의 설명 ] [0048] 도면 각 번호의 명칭은 다음과 같다:1) 경첩2) 문짝 우측 보호 테두리3) 문짝 상부 보호 테두리4) 문짝 좌측 보호 테두리5) 문짝 하단 보호 테두리6) 빗장 판7) 손잡이 회전 작동 연결대(와이퍼)8) 빗장 판 당김 고리대9) 와이퍼 지지대10) 와이퍼 상단 타공된 10x20mm 구멍11) 원형 손잡이12) 손잡이 연결 고리 날개13) 스프링 볼트14) 전자식 개폐장치(전자 락)15) 문짝 상판 덮개 통16) 전자 락 전선 통로17) 전자 락 부속 Solenoid18) 빗장 고리19) 빗장 고리 홈20) 빗장 고리 스프링21) 자동 닫힘 봉22) 경보기23) 강음 작동 내부 등24) 빗장 알 문짝 구멍25) 상부 빗장 판26) 상하부 빗장 연결 고리27) 몸통 상부 가죽판 또는 원목판 부착 테두리28) 문짝 상판 지지대 철판	본 발명 특허 신청의 취지는 내화금고의 수동식 개폐장치를 개량하고 수동식 개폐장치의 위치를 변경하여 가치 있는 물품을 보관하는 내화금고의 내화성능을 향상시키고 도난 방지에 대한 안전성을 보강하기 위함이며, 사용자에게 강철로 제작하여 딱딱한 금고의 외관을 수려하고 고급스러운 옻칠 공방가구와 같은 외관을 제공하기 위함이다.
[ 발명의 명칭 ] 열 및 전력 관리THERMAL AND POWER MANAGEMENT [ 기술분야 ] 본 출원은 2013 년 12 월 20 일에 출원된 미국 가출원 제 61/919,543 호의 혜택을 주장한다.기술분야본 개시물은 컴퓨팅 디바이스로 비디오 데이터를 렌더링하기 위한 기법들에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 모바일 디바이스들은 모바일 전화기들, 태블릿 컴퓨터들, 랩탑 컴퓨터들, 무선 통신 카드들을 갖는 휴대용 컴퓨터들, 개인용 휴대 정보 단말기 (personal digital assistant; PDA) 들, 디지털 카메라들, 비디오 게이밍 디바이스들, 휴대용 미디어 재생기들, 무선 통신 능력들을 갖는 플래시 메모리 디바이스들, 이른바 "스마트" 폰들 및 "스마트" 패드들 또는 태블릿들을 포함하는 무선 통신 디바이스들, 전자책 단말기들, 또는 다양한 다른 형태의 휴대용 디바이스들의 다른 것의 형태를 취할 수도 있다. 모바일 디바이스들은 고-전력 프로세서들, 미디어 컨텐트를 프로세싱하는 능력, 및 클라우드에서 네트워크들과 상호작용하는 역량으로 점점 더 강력해지고 있다. 프로세싱 전력 및 디바이스들의 능력들에서의 진보들은 또한 디바이스들로 하여금 전력을 소비하고/하거나 열기를 발생시키게 할 수도 있다. [ 발명의 개요 ] [ 과제의 해결 수단 ] 본 개시물의 기법들은 사용자 경험의 추정에 응답하여 전자 디바이스의 하나 이상의 동작 파라미터들을 조정하는 것을 포함한다. 예를 들어, 전자 디바이스는 동작 중에 에너지를 소비하고 열기를 생성할 수도 있다. 본 개시물의 양태들에 따르면, 디바이스는 사용자 경험의 추정을 제공하는 사용자 경험 메트릭을 결정할 수도 있다. 디바이스는 목표 전력 이용 제한 또는 온도 제한 아래로 디바이스 동작을 유지하나, 사용자 경험에 대한 영향을 최소화하도록 사용자 경험 메트릭에 기초하여 하나 이상의 동작 파라미터들을 전략적으로 조정할 수 있다.일 예에서, 방법은, 전자 디바이스에 의해, 전자 디바이스의 적어도 하나의 카메라에 의해 캡쳐된 컨텐트와 연관된 사용자 경험 메트릭을 결정하는 단계, 동작 특성 목표를 생성하도록 디바이스의 적어도 하나의 동작 파라미터를 조정하는 단계를 포함하며, 여기서 조정은 조정으로 인한 결정된 사용자 경험 메트릭에 대한 추정된 변화에 기초한다.다른 예에서, 전자 디바이스는 적어도 하나의 카메라, 및 전자 디바이스의 적어도 하나의 카메라에 의해 캡쳐된 컨텐트와 연관된 사용자 경험 메트릭을 결정하고, 동작 특성 목표를 생성하도록 디바이스의 적어도 하나의 동작 파라미터를 조정하도록 구성된 하나 이상의 프로세서들을 포함하며, 여기서 조정은 조정으로 인한 결정된 사용자 경험 메트릭에 대한 추정된 변화에 기초한다.다른 예에서, 장치는 전자 디바이스의 적어도 하나의 카메라에 의해 캡쳐된 컨텐트와 연관된 사용자 경험 메트릭을 결정하는 수단, 및 동작 특성 목표를 생성하도록 디바이스의 적어도 하나의 동작 파라미터를 조정하는 수단을 포함하며, 여기서 조정은 조정으로 인한 결정된 사용자 경험 메트릭에 대한 추정된 변화에 기초한다.다른 예에서, 비일시적 컴퓨터-판독가능 매체는, 실행되는 경우, 하나 이상의 프로세서들로 하여금, 전자 디바이스의 적어도 하나의 카메라에 의해 캡쳐된 컨텐트와 연관된 사용자 경험 메트릭을 결정하고, 동작 특성 목표를 생성하도록 디바이스의 적어도 하나의 동작 파라미터를 조정하게 하는 저장된 명령들을 가지며, 조정은 조정으로 인한 결정된 사용자 경험 메트릭에 대한 추정된 변화에 기초한다.본 개시물의 하나 이상의 양태들의 세부 사항들이 첨부 도면들 및 아래의 상세한 설명에 개시된다. 본 개시물에서 설명되는 기법들의 다른 특징들, 목적들, 및 이점들은 설명 및 도면들로부터, 그리고 청구항들로부터 명백히 알 수 있을 것이다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1 은 본 개시물의 기법들을 구현할 수도 있는 예시적인 디바이스들을 도시한다.도 2 는 본 개시물의 기법들을 구현하도록 구성될 수 있는 디바이스의 예를 도시하는 블록도이다.도 3 은 본 개시물의 기법들을 구현할 수도 있는 디바이스의 관리 시스템의 일 예를 도시한다.도 4a 및 도 4b 는 전력 소비, 프레임 레이트, 및 사용자 경험 사이의 관계의 예를 도시한다.도 5a 및 도 5b 는 전력 소비, 해상도, 및 사용자 경험 사이의 예시적인 관계를 도시한다.도 6 은 다양한 동작 파라미터들에 대한 사용자 경험의 예시적인 모델을 도시한다.도 7 은, 본 개시물의 양태들에 따른, 사용자 경험 메트릭에 기초하여 디바이스의 동작 파라미터를 조정하기 위한 예시적인 프로세스를 도시하는 플로차트이다.도 8 은, 본 개시물의 양태들에 따른, 사용자 경험 메트릭에 기초하여 디바이스의 동작 파라미터를 조정하기 위한 다른 예시적인 프로세스를 도시하는 플로차트이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 개시물의 기법들은 사용자 경험의 추정에 응답하여 전자 디바이스의 하나 이상의 동작 파라미터들을 조정하는 것을 포함한다. 예를 들어, 전자 디바이스는 동작 중에 에너지를 소비하고 열기를 생성할 수도 있다. 본 개시물의 양태들에 따르면, 디바이스는 사용자 경험의 추정을 제공하는 사용자 경험 메트릭을 결정할 수도 있다. 디바이스는 목표 전력 이용 제한 또는 온도 제한 아래로 디바이스 동작을 유지하면서, 사용자 경험에 대한 영향을 최소화하도록 사용자 경험 메트릭에 기초하여 하나 이상의 동작 파라미터들을 전략적으로 조정할 수도 있다.도 1 은 본 개시물의 기법들을 구현할 수도 있는 예시적인 디바이스들을 도시한다. 일반적으로, 본 개시물의 기법들은 (고 해상도 화상들 및/또는 비디오를 위해 구성될 수도 있는) 적어도 하나의 이미지 센서 및 이미지 프로세서들, 및 전력 및/또는 열 (thermal) 제한을 디바이스들로 구현될 수도 있다. 예를 들어, 디바이스 (20A) 는 전면 이미지 센서 (22A), 후면 이미지 센서 (24A), 디스플레이 (26A), 및 화상-내-화상 (picture-in-picture; PIP) 윈도우 (28A) 를 포함한다. 또한, 디바이스 (20B) 는 전면 이미지 센서 (22B), 후면 이미지 센서 (24B), 디스플레이 (26B), 제 1 PIP 윈도우 (28B), 및 제 2 PIP 윈도우 (30B) 를 포함한다.디바이스들 (20A 및 20B) 은, 예를 들어, 이른바 "스마트" 폰들과 같은 전화기 핸드셋들, 태블릿 컴퓨터들, 카메라들, 노트북 (즉, 랩탑) 컴퓨터들, 디지털 미디어 재생기들, 비디오 게이밍 콘솔들, 비디오 스트리밍 디바이스들 등을 포함하는 광범위한 디바이스들 중 임의의 것을 포함할 수도 있다. 디바이스들 (20A 및 20B) 이 휴대용 디바이스들이긴 하나, 본 개시물의 기법들은 이러한 방식으로 제한되지 않는다. 예를 들어, 다른 양태들에 따르면, 기법들은 데스크탑 컴퓨터들, 셋-탑 박스들, 텔레비젼들, 또는 다른 디바이스들과 함께 이용될 수도 있다.전면 이미지 센서들 (22A 및 22B) 및 후면 이미지 센서들 (24A 및 24B) 은 이미지들을 캡쳐하도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 전면 이미지 센서들 (22A 및 22B) 및 후면 이미지 센서들 (24A 및 24B) 은 광학 이미지를 전자 신호로 컨버팅하기 위한 임의의 컴포넌트들을 포함할 수도 있다. 예시적인 이미지 센서들은 전하-결합 소자 (charge-coupled device; CCD) 들, 상보성 금속-산화막-반도체 (complementary metal-oxide-semiconductor; CMOS), N-형 금속-산화막-반도체 (N-type metal-oxide-semiconductor; NMOS) 등을 포함한다. 일부 예들에서는, 아래에서 보다 상세히 설명된 바와 같이, 전면 이미지 센서들 (22A 및 22B) 및 후면 이미지 센서들 (24A 및 24B) 은 하나 이상의 카메라 시스템들 또는 서브-시스템들에 포함될 수도 있다.디스플레이들 (26A 및 26B) 은 액정 디스플레이 (liquid crystal display; LCD), 발광 다이오드 (light emitting diode; LED), 유기 발광 다이오드 (organic light emitting diode; OLED), 또는 사용자에 대한 출력을 발생시킬 수 있는 임의의 다른 유형의 디바이스를 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 디스플레이들 (26A 및 26B) 은 터치-감응 및/또는 존재-감응 디스플레이들로서 구성될 수도 있다.도 1 에 도시된 예에서, 디바이스 (20A) 는 PIP 윈도우 (28A) 를 포함하고, 디바이스 (20B) 는 PIP 윈도우들 (28B 및 30B) 을 포함한다. 일부 예들에서, PIP 윈도우들은 디스플레이들 (26A 및 26B) 에서 디스플레이되고 있는 다른 컨텐트와 독립적으로 컨텐트를 디스플레이하기 위한 영역들을 제공할 수 있다. 예를 들어, 디바이스들 (20A 및/또는 20B) 은 화상-내-화상 비디오 레코딩을 수행하도록 구성될 수 있다. 이러한 예에서, 디바이스 (20A) 는 디스플레이 (26A) 에 디스플레이되고 있는 이미지들을 레코딩할 수도 있고, 한편 PIP 윈도우 (28A) 는 레코딩된 이미지들을 캡쳐하는 사용자의 이미지를 디스플레이할 수도 있다. 다른 예에서, 디바이스들 (20A 및/또는 20B) 은 게이밍과 연계하여 비디오 화상회의를 수행할 수도 있다. 예를 들어, 디바이스 (20B) 는 디스플레이 (26B) 에 비디오 게임을 출력하면서 또한 PIP 윈도우 (28B) 에 비디오 게임을 하고 있는 사용자의 이미지를 그리고 PIP 윈도우 (30B) 에 (역시 비디오 게임을 하고 있는) 상대방 또는 친구의 이미지를 출력할 수도 있다. 다른 예들이 또한 가능하다.일부 예들에서, 디바이스들 (20A 및 20B) 은 동작 파라미터들에 근접하거나 동작 파라미터들을 초과할 수도 있다. 예로서, 디바이스들 (20A 및 20B) 이 증가하는 개수의 기능들 (예를 들어, 비디오 캡쳐, 그래픽들 렌더링, 비디오 인코딩/디코딩, 비디오 디스플레이 등) 을 수행함에 따라, 디바이스들 (20A 및 20B) 에 의해 소비되는 전력은 올라갈 수도 있다. 또한, 일부 예들에서, 디바이스들 (20A 및 20B) 의 하나 이상의 컴포넌트들 (예를 들어, 도 2 에 대해 상세히 설명된 바와 같은, 예를 들어, 중앙 프로세싱 유닛 (central processing unit; CPU), 그래픽 프로세싱 유닛 (graphics processing unit; GPU), 카메라 서브-시스템, 디스플레이들 (26A 및 26B) 등) 은 부산물로서 열기를 발생시킬 수도 있다. 일부 예시적인 기능들은 와이드 쿼드 고화질 (wide quad high definition; WQHD) 화상-내-화상 (picture-in-picture; PIP) 비디오 레코딩, 울트라 고화질 (ultra high definition; UHD) 비디오 레코딩, 게이밍 및 비디오 화상회의, 비디오 화상회의와 함께 고-해상도 3-차원 (3D) 그래픽들 렌더링 등을 포함한다.디바이스들 (20A 및 20B) 은 전력 버짓 (예를 들어, 2 와트) 또는 온도 제한과 같은 동작 파라미터들에 근접하거나 초과할 수도 있다. 일부 예들에서, 예를 들어, 하나 이상의 이미지 프로세서들, 전면 이미지 센서들 (22A 및 22B) 및 후면 이미지 센서들 (24A 및 24B), 및 이미지들을 캡쳐하는 것과 연관된 다른 컴포넌트들의 임의의 조합을 포함하는 카메라 서브-시스템은 전력의 소비 및/또는 열기의 발생에 기여할 수도 있다. 예를 들어, 품질, 성능, 및/또는 동시실행에서의 향상들은 보다 높은 전력 및/또는 온도 비용을 초래할 수도 있다.본 개시물의 기법들은 사용자 경험의 추정에 응답하여, 디바이스 (20A) 또는 디바이스 (20B) 와 같은 전자 디바이스의 하나 이상의 동작 파라미터들을 조정하는 것을 포함한다. 예를 들어, 본 개시물의 양태들에 따르면, 디바이스들 (20A 또는 20B) 은 사용자 경험의 추정을 제공하는 사용자 경험 메트릭을 결정할 수도 있다. 디바이스들 (20A 또는 20B) 은 목표 전력 이용 제한 또는 온도 제한 아래로 디바이스 동작을 유지하도록 사용자 경험 메트릭에 기초하여 하나 이상의 동작 파라미터들을 전략적으로 조정할 수도 있다. 예를 들어, 본 개시물의 양태들에 따르면, 디바이스들 (20A 또는 20B) 은 사용자 경험 메트릭을 사용하여 여전히 목표 전력 이용 제한 또는 온도 제한을 만족시키면서 사용자 경험에 대한 영향을 최소화하는 방식으로 하나 이상의 동작 파라미터들을 조정할 수도 있다.도 2 는 본 개시물의 기법들을 구현하도록 구성될 수 있는 디바이스 (40) 의 일 예를 도시하는 블록도이다. 일부 예들에서, 디바이스 (40) 에 대해 도시되고 설명된 하나 이상의 컴포넌트들은 디바이스 (20A) 및/또는 디바이스 (20B) (도 1) 에 포함될 수도 있다.도 2 에 도시된 예에서, 디바이스 (40) 는 하나 이상의 프로세서들 (44), 프레임 버퍼 (233) 를 가지고 하나 이상의 애플리케이션들 (50) 을 저장하는 메모리 (48), 디스플레이 프로세서 (54), 로컬 디스플레이 (56), 오디오 프로세서 (60), 스피커들 (62), 전송 모듈 (66), 무선 모뎀 (68), 입력 디바이스들 (72), 카메라 시스템(들) (76), 및 열/전력 관리기 (80) 를 포함한다. 다른 예들은 도 2 에 도시된 것보다 많거나 적은 컴포넌트들을 포함할 수도 있다. 또한, 소정의 컴포넌트들이 논의의 목적으로 별도로 설명되나, 도 2 에 대해 도시되고 설명된 일부 컴포넌트들은 고도로 집적되거나 결합되어 단일 컴포넌트를 형성할 수도 있다는 것이 이해되어야 한다.컴포넌트들 (44, 48, 54, 60, 66, 72, 76, 및 80) 의 각각은 통신 채널들 (82) 을 통해 컴포넌트-간 통신들을 위해 (물리적으로, 통신가능하게, 및/또는 동작가능하게) 상호접속될 수도 있다. 일부 예들에서, 통신 채널들 (82) 은 시스템 버스, 네트워크 접속부, 프로세스간 통신 데이터 구조물, 또는 데이터를 통신하기 위한 임의의 다른 채널을 포함할 수도 있다.하나 이상의 프로세서들 (44) 은 저장 디바이스 메모리 (48) 에 저장된 명령들을 프로세싱하는 것이 가능할 수도 있다. 프로세서들 (44) 중 하나 이상은 디바이스 (40) 에 대한 중앙 프로세싱 유닛 (CPU) 을 형성할 수도 있다. 프로세서들 (44) 은, 예를 들어, 하나 이상의 프로세서들, DSP 들, ASIC 들, FPGA 들, 이산 로직, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 프로세서들 (44) 은 고정 기능 로직 및/또는 프로그램가능 로직을 포함할 수도 있고, 소프트웨어 및/또는 펌웨어를 실행할 수도 있다. 상기 기술이 부분적으로 소프트웨어로 구현되는 경우, 디바이스는 그 소프트웨어에 대한 명령들을 적절한 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체에 저장할 수도 있고, 본 개시물의 기술들을 수행하기 위해 하나 이상의 프로세서들을 이용하는 하드웨어에서 그 명령들을 실행할 수도 있다.일부 예들에서, 프로세서들 (44) 은 전송, 저장, 및 디스플레이를 위해 A/V 데이터를 인코딩 및/또는 디코딩하도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 프로세서들 (44) 중 하나 이상은 비디오 인코더 또는 비디오 디코더로 동작할 수도 있으며, 둘 중 하나는 결합된 비디오 인코더/디코더 (코덱) 의 일부로서 통합될 수도 있다. 일부 예들에서, 코덱은 다르게는 MPEG-4 라고도 지칭되는 ITU-T H.264 표준, Part 10, 고급 비디오 코딩 (Advanced Video Coding; AVC) 과 같은 비디오 압축 표준, 또는 그러한 표준들의 확장안들에 따라 동작할 수도 있다. 비디오 압축 표준들의 다른 예들은 MPEG-2 및 ITU-T H.263 및 고효율 비디오 코딩 (High Efficiency Video Coding; HEVC) 표준을 포함한다.HEVC 에 대해, 비디오 화상은 루마 샘플 및 크로마 샘플 양자 모두를 포함하는 트리블록들 또는 최대 코딩 유닛 (largest coding units; LCU) 들의 시퀀스로 나눠질 수도 있다. 비트스트림 내의 구문 데이터는 픽셀들의 수의 면에서 최대 코딩 유닛인 LCU 를 정의할 수도 있다. 슬라이스는 코딩 순서에서 다수의 연속적인 트리블록들을 포함한다. 비디오 화상은 하나 이상의 슬라이스들로 파티셔닝될 수도 있다. 각각의 트리블록은 쿼드트리에 따라 코딩 유닛 (coding unit; CU) 들로 스플릿될 수도 있다.CU 가 사이즈 구별을 갖지 않는다는 점을 제외하면, CU 는 H.264 표준의 매크로 블록과 유사한 목적을 갖는다. CU 는 코딩 노드 및 코딩 노드와 관련된 변환 유닛 (transform unit; TU) 들 및 예측 유닛 (prediction unit; PU) 들을 포함한다. 일반적으로, PU 는 대응 CU 의 전부 또는 일부에 대응하는 공간 영역을 나타내며, PU 에 대한 기준 샘플을 취출하기 위한 데이터를 포함할 수도 있다.예를 들어, 공간 또는 시간 예측은 코딩될 블록에 대한 예측 블록을 초래한다. 잔차 데이터는 코딩될 원래의 블록과 예측 블록 사이의 픽셀 차이들을 나타낸다. 인터-코딩된 블록은 예측 블록을 형성하는 기준 샘플들의 블록을 가리키는 모션 벡터, 및 코딩된 블록과 예측 블록 사이의 차이를 나타내는 잔차 데이터에 따라 코딩된다. 인트라-코딩된 블록은 공간적으로 이웃하는 샘플들 및 잔차 데이터로부터 블록이 예측되는 방식을 표시하는 인트라-코딩 모드에 따라 인코딩된다.HEVC 에서, PU 는 예측과 관련된 데이터를 포함한다. 예를 들어, PU 가 인트라-모드 인코딩되는 경우, PU 에 대한 데이터는 PU 에 대응하는 TU 에 대한 인트라-예측 모드를 서술하는 데이터를 포함할 수도 있는, 잔차 쿼드트리 (residual quadtree; RQT) 에 포함될 수도 있다. 다른 예로서, PU 가 인터-모드 인코딩되는 경우, PU 는 PU 에 대한 모션 벡터들을 정의하는 데이터를 포함할 수도 있다.TU 는 잔차 비디오 데이터에 대해 변환, 예를 들어, 이산 코사인 변환 (discrete cosine transform; DCT), 정수 변환, 웨이블릿 변환, 또는 개념적으로 유사한 변환의 적용에 후속하는 변환 도메인에서의 계수들을 포함할 수도 있다. 잔차 데이터는 PU 들에 대응하는 예측 값들과 인코딩되지 않은 화상의 픽셀들 사이의 픽셀 차이들에 대응할 수도 있다. 비디오 인코더 (20) 는 CU 에 대한 잔차 데이터를 포함하는 TU 를 형성하고, 그 다음에 TU 들을 변환하여 CU 에 대한 변환 계수들을 생성할 수도 있다.변환 다음에, 코덱은 변환 계수들의 양자화를 수행할 수도 있다. 양자화는, 변환 계수 블록의 계수들을 나타내기 위해 이용되는 데이터의 양을 최대한 줄이기 위해 변환 계수들이 양자화되어 추가적인 압축을 제공하는 프로세스를 일반적으로 지칭한다. 양자화 프로세스는 그 계수들의 일부 또는 모두와 연관되는 비트 심도를 감소시킬 수도 있다. 예를 들어, n-비트 값은 양자화 중에 m-비트 값으로 라운드 다운 (round down) 될 수도 있는데, 여기서 n 은 m 보다 더 크다.코덱은 그 다음에 비디오 인코더는 변환 계수들을 스캐닝하여, 양자화된 변환 계수들을 포함하는 2-차원 매트릭스로부터 1-차원 벡터를 생성할 수도 있다. 스캔은 어레이의 전방에 높은 에너지 (및 이에 따라 낮은 주파수) 계수들을 배치하고, 어레이의 후방에 낮은 에너지 (및 이에 따라 높은 주파수) 계수들을 배치하도록 설계될 수도 있다. 1-차원 벡터를 형성하기 위해 양자화된 변환 계수들을 스캔한 후에, 코덱은 1-차원 벡터를 엔트로피 인코딩할 수도 있다. 코덱이 비디오 데이터를 디코딩하는 예들에서, 코덱은 일반적으로 위에서 설명된 프로세스에 역인 프로세스에 따라 비디오 디코딩을 수행할 수도 있다.도 2 에 도시되지는 않았으나, 일부 양태들에서, 코덱은 오디오 인코더 및 디코더와 함께 제공될 수도 있다. 적절한 MUX-DEMUX 유닛들, 또는 다른 하드웨어 및 소프트웨어가 또한 제공되어 공통 데이터 스트림 또는 별도의 데이터 스트림들에서 오디오 및 비디오 양자 모두의 인코딩을 처리할 수도 있다. 적용가능하다면, MUX-DEMUX 유닛들은 ITU H.223 멀티플렉서 프로토콜, 또는 다른 프로토콜들, 예컨대, 사용자 데이터그램 프로토콜 (user datagram protocol; UDP) 에 따를 수도 있다.도 2 의 메모리 (48) 는, 이로 제한되지는 않으나, 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리 (SDRAM) 와 같은 랜덤 액세스 메모리 (RAM), 판독 전용 메모리 (ROM), 비휘발성 랜덤 액세스 메모리 (NVRAM), 전기적으로 소거가능한 프로그램가능 판독 전용 메모리 (EEPROM), 자기 랜덤 액세스 메모리 (MRAM), 플래시 메모리 등을 포함한 매우 다양한 휘발성 또는 비휘발성 메모리 중 임의의 메모리를 포함할 수도 있다. 메모리 (48) 는 오디오/비디오 데이터, 뿐만 아니라 다른 종류들의 데이터를 저장하기 위한 컴퓨터-판독가능 저장 매체를 포함할 수도 있다.일부 예들에서, 메모리 (48) 는 본 개시물에서 설명된 다양한 기법들을 수행하는 것의 일부로서 프로세서 (44) 에 의해 실행되는 애플리케이션들 (50) 을 저장할 수도 있다. 메모리 (48) 는 또한 디바이스 (40) 에 의한 프레젠테이션을 위한 소정의 A/V 데이터를 저장할 수도 있다. 예를 들어, 메모리 (48) 는 전체 A/V 파일을 저장할 수도 있고, 예를 들어, 다른 디바이스 또는 소스로부터 스트리밍된 A/V 파일의 일부분을 단순히 저장하는 보다 작은 버퍼를 포함할 수도 있다. 아무튼, 메모리 (48) 는 데이터가 디바이스 (40) 에 의해 프레젠테이션되기 전에 A/V 데이터를 버퍼링할 수도 있다.일부 예들에서, 디바이스 (40) 는 A/V 데이터를 로컬로 프로세싱하고 디스플레이할 수도 있다. 특히, 디스플레이 프로세서 (54) 는 로컬 디스플레이 (56) 상에 디스플레이될 비디오 데이터를 프로세싱하기 위한 플랫폼의 일부분을 형성할 수도 있다. 이와 관련하여, 디스플레이 프로세서 (54) 는 (프로세서들 (44) 에 대해 위에서 설명된 바와 같은) 코덱을 포함할 수도 있다. 디스플레이 (56) 는 액정 디스플레이 (LCD), 발광 다이오드 (LED), 유기 발광 다이오드 (OLED), 또는 사용자에게 이해할 수 있는 출력을 발생시킬 수 있는 임의의 다른 유형의 디바이스를 포함할 수도 있다. 또한, 오디오 프로세서 (60) 는 하나 이상의 스피커들 (62) 에 출력하기 위한 오디오 데이터를 프로세싱할 수도 있다.전송 모듈 (66) 은 네트워크 전송을 위해 인코딩된 A/V 데이터를 프로세싱할 수도 있다. 예를 들어, 인코딩된 A/V 데이터는 네트워크에 걸친 통신을 위해 프로세서들 (44) 에 의해 프로세싱되고 전송 모듈 (66) 에 의해 네트워크 액세스 계층 (Network Access Layer; NAL) 유닛들로 캡슐화될 수도 있다. NAL 유닛들은 네트워크 접속을 통해 다른 디바이스로 모뎀 (68) 에 의해 보내질 수도 있다. 이와 관련하여, 모뎀 (68) 은, 예를 들어, 직교 주파수 분할 멀티플렉싱 (orthogonal frequency division multiplexing; OFDM) 기법들, 시분할 멀티 액세스 (time division multi access; TDMA), 주파수 분할 멀티 액세스 (frequency division multi access; FDMA), 코드 분할 멀티 액세스 (code division multi access; CDMA), 또는 OFDM, FDMA, TDMA 및/또는 CDMA, WiFi, Bluetooth, Ethernet, IEEE 802.11 패밀리 표준들, 또는 임의의 다른 무선 혹은 유선 통신 기법의 임의의 조합을 포함하는 임의의 개수의 통신 기법들에 따라 동작할 수도 있다. 일부 예들에서, 디바이스 (40) 의 모뎀 (68) 은 캡슐화된 데이터 패킷들을 수신할 수도 있고, 캡슐화해제를 위해 캡슐화된 데이터 유닛들을 전송 유닛 (66) 으로 보낸다. 예를 들어, 전송 유닛 (66) 은 NAL 유닛들로부터 데이터 패킷들을 추출할 수도 있고, 프로세서들 (44) 은 데이터 패킷들을 파싱하여 사용자 입력 커맨드들을 추출할 수 있다.하나 이상의 입력 디바이스들 (72) 은 촉각, 오디오, 또는 비디오 피드백을 통해 사용자로부터 입력을 수신하도록 구성될 수도 있다. 입력 디바이스 (72) 의 예들은 터치 및/또는 존재 감응 스크린, 마우스, 키보드, 음성 반응 시스템, 마이크로폰, 또는 사용자로부터 커맨드를 검출하기 위한 임의의 다른 유형의 디바이스를 포함한다.그래픽들 프로세싱 유닛 (GPU) (74) 은 그래픽 동작들을 수행하기 위한 하나 이상의 전용 프로세서들을 나타낸다. 즉, 예를 들어, GPU (74) 는 그래픽들을 렌더링하고 GPU 애플리케이션들을 실행하기 위한 고정 기능부 및 프로그램가능한 컴포넌트들을 갖는 전용 하드웨어 유닛일 수도 있다. GPU (74) 는 또한 DSP, 범용 마이크로프로세서, ASIC, FPGA, 또는 다른 등가의 통합 혹은 이산 로직 회로부를 포함할 수도 있다. GPU (74) 가 도 2 의 예에서는 별도의 유닛으로 도시되나, 일부 예들에서, GPU (74) 는 (CPU 와 같은) 하나 이상의 다른 프로세서들 (44) 과 단일 유닛으로 통합될 수도 있다.카메라 시스템 (76) 은 하나 이상의 이미지 프로세서들, 하나 이상의 이미지 센서들 (예를 들어, CCD 센서들, CMOS 센서들, NMOS 센서들 등), 뿐만 아니라 이미지들을 캡쳐하기 위한 다수의 다른 컴포넌트들을 포함할 수도 있다. 카메라 시스템 (76) 은 이른바 카메라 폰들 또는 비디오 폰들에 대한 하나 이상의 컴포넌트들을 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 카메라 시스템 (76) 은 다수의 이미지 센서들 (예를 들어, 카메라 폰 또는 비디오 폰의 전면 이미지 센서 및 후면 이미지 센서) 을 지원할 수도 있다. 카메라 시스템 (76) 의 그러한 이미지 센서들에 의해 발생된 이미지 스트림들은 하나 이상의 프로세서들에 의해 프로세싱될 수도 있다. 일부 예들에서, 카메라 시스템 (76) 은 GPU (74) 와 연계하여 동작해 소스 비디오로서 컴퓨터 그래픽들-기반 데이터, 또는 라이브 비디오, 아카이브된 비디오, 및/또는 컴퓨터-발생된 비디오의 조합을 발생시킬 수도 있다. 캡쳐된, 사전-캡쳐된, 또는 컴퓨터-발생된 비디오는 (위에서 설명된) 비디오 인코더에 의해 인코딩될 수도 있다.열/전력 관리기 (80) 는 하나 이상의 컴포넌트들이 하나 이상의 동작 특성 목표들에서 또는 그 아래에서 동작하는 것을 유지하도록 디바이스 (40) 의 하나 이상의 컴포넌트들을 관리할 수도 있다. 일 예에서, 동작 특성 목표는 디바이스 (40) 의 동작 온도를 표시하는 (열 제한 또는 열 임계치라고도 지칭될 수도 있는) 열 목표일 수도 있으며, 동작 특성 목표를 생성하도록 디바이스의 적어도 하나의 동작 파라미터를 조정하는 것은 디바이스 (40) 의 적어도 하나의 컴포넌트들의 온도를 열 목표와 동일하게 또는 그보다 적게 유지하도록 디바이스의 적어도 하나의 동작 파라미터를 조정하는 것을 포함한다. 다른 예에서, 동작 특성 목표는 디바이스를 동작시킴으로써 소비된 전력의 양을 표시하는 (전력 버짓 또는 전력 임계치라고도 지칭될 수도 있는) 전력 목표를 포함하며, 동작 특성 목표를 생성하도록 디바이스 (40) 의 적어도 하나의 동작 파라미터를 조정하는 것은 디바이스 (40) 의 하나 이상의 컴포넌트들의 전력 목표와 동일하게 또는 그보다 적게 전력 소비를 유지하도록 디바이스 (40) 의 적어도 하나의 동작 파라미터를 조정하는 것을 포함한다.하기에서 보다 상세히 설명되는 바와 같이, 열/전력 관리기 (80) 는 사용자 경험 메트릭에 기초하여 디바이스 (40) 의 하나 이상의 동작 파라미터들을 조정할 수도 있다. 예를 들어, 본 개시물의 양태들에 따르면, 디바이스 (40) 는 사용자 경험 메트릭을 사용하여 사용자 경험에 대한 영향을 최소화하나, 동작 특성 목표를 만족시키는 방식으로 하나 이상의 동작 파라미터들을 조정할 수도 있다.도 3 은 본 개시물의 기법들을 구현할 수도 있는 디바이스의 관리 시스템 (100) 의 일 예를 도시한다. 도 3 의 예에서, 관리 시스템은 시스템 레벨 열 엔진 (102), 시스템 하드웨어 또는 하드웨어 및/또는 소프트웨어의 조합 (104), 프레임 레이트 스케일링 유닛 (108) 및 해상도 스케일링 유닛 (110) 을 갖는 카메라 시스템 (106), 사용자 경험 모델 (112), 전력 모델 (114), 및 열/전력 관리기 (116) 를 포함한다. 하기에서 언급된 바와 같이, 일부 예들에서, 사용자 경험 모델 (112) 및/또는 전력 모델 (114) 은 열/전력 관리기 (116) 또는 관리 시스템 (100) 의 다른 프로세서에 의한 이용을 위한 모델들을 정의하는 메모리에 저장된 데이터일 수도 있다. 다른 예들에서, 관리 시스템 (100) 은 도 3 에 도시된 것들보다 많거나 적은 컴포넌트들을 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 관리 시스템 (100) 은 디바이스 (20A), 디바이스 (20B), 디바이스 (40), 또는 임의의 개수의 다른 전자 디바이스들에 포함될 수도 있다.시스템 레벨 열 엔진 (102) 은 온도 임계치 아래로 디바이스 (또는 디바이스의 하나 이상의 컴포넌트들) 의 온도를 유지하는 것을 책임질 수도 있다. 일부 예들에서, 시스템 레벨 열 엔진 (102) 은 열/전력 관리기 (116) 에 열 완화 요청 (예를 들어, 디바이스의 하나 이상의 컴포넌트들의 온도를 감소시키기 위한 요청), 및/또는 전력 버짓 제한 (예를 들어, 미리 결정된 전력 소비 제한) 을 발행할 수도 있다 (열 완화 요청 또는 전력 버짓 제한). 시스템 레벨 열 엔진 (102) 은 또한 열/전력 관리기 (116) 로부터 전력 버짓에 대한 증가에 대한 확인응답, 거절, 및/또는 요청을 수신할 수도 있다.시스템 하드웨어 (시스템 HW) 또는 하드웨어와 소프트웨어의 조합 (104) 은 디바이스의 하드웨어 또는 하드웨어 컴포넌트와 소프트웨어 컴포넌트의 조합을 나타낸다. 하드웨어 및/또는 소프트웨어 (104) 의 예들은 이미지들을 캡쳐하거나 프로세싱하기 위한 하드웨어 및/또는 소프트웨어 (예를 들어, 자동-백색 밸런싱 (Auto-White Balancing, AWB) 피쳐, 자동 초점 (Auto Focus; AF) 피쳐, 얼굴 검출 피쳐, 이미지 센서 프로세서 (Image Sensor Processor; ISP), 얼굴 검출 소프트웨어, 코덱, (고역 통과 필터와 같은) 이미지 프로세싱을 위한 하나 이상의 필터들 등) 를 포함한다. 하드웨어 및/또는 소프트웨어 (104) 는, 일부 예들에서, 열/전력 관리기 (116) 에 이미지 컨텍스트와 같은 정보를 제공할 수도 있다. 이미지 컨텍스트는, 예들로서, 얼굴 또는 피부의 존재를 표시하는 데이터, 캡쳐된 이미지들 또는 비디오에서의 디테일의 레벨을 표시하는 데이터, 캡쳐된 이미지들 또는 비디오에서의 모션을 표시하는 데이터, 캡쳐된 이미지들 또는 비디오의 밝기를 표시하는 데이터, 캡쳐되고 있는 컨텐트에 대한 카메라의 거리 등을 포함할 수도 있다.일부 예들에서, 카메라 시스템 (106) 은 디바이스 (40) (도 2) 의 카메라 시스템 (76) 과 유사하게 구성될 수 있다. 예를 들어, 카메라 시스템 (106) 은 이미지들을 캡쳐하기 위한 하나 이상의 이미지 프로세서들, 하나 이상의 이미지 센서들 (예를 들어, CCD 센서들, CMOS 센서들, NMOS 센서들 등), 뿐만 아니라 다수의 다른 하드웨어 또는 하드웨어 컴포넌트와 소프트웨어 컴포넌트의 조합을 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 카메라 시스템 (106) 은 다수의 이미지 센서들 (예를 들어, 카메라 폰 또는 비디오 폰의 전면 이미지 센서 및 후면 이미지 센서) 을 지원할 수도 있다. 카메라 시스템 (106) 의 그러한 이미지 센서들은, 일부 예들에서, 관리 시스템 (100) 을 구현하는 디바이스의 컴포넌트들과 물리적으로 분리될 수도 있다 (예를 들어, 디바이스의 시스템 온 칩 (system on chip; SOC) 과 분리될 수도 있다). 카메라 시스템 (106) 의 그러한 이미지 센서들에 의해 발생된 이미지 스트림들은 카메라 시스템 (106) 의 하나 이상의 프로세서들에 의해 프로세싱될 수도 있다.도 3 의 예에서, 카메라 시스템 (106) 은 또한 프레임 레이트 스케일링 유닛 (108) 및 해상도 스케일링 유닛 (110) 을 포함한다. 프레임 레이트 스케일링 유닛 (108) 은 카메라 시스템 (106) 에 의해 캡쳐되고 있는 비디오의 프레임 레이트를 변화시키도록 동작가능할 수도 있다. 해상도 스케일링 유닛 (110) 은 카메라 시스템 (106) 에 의해 캡쳐된 이미지들의 해상도를 변화시키도록 동작가능할 수도 있다. 일부 예들에서, 하기에서 보다 상세히 설명된 바와 같이, 프레임 레이트 스케일링 유닛 (108) 및 해상도 스케일링 유닛 (110) 은 열/전력 관리기 (116) 로부터 커맨드들을 수신할 수도 있다. 예를 들어, 프레임 레이트 스케일링 유닛 (108) 은 열/전력 관리기 (116) 로부터 특정 프레임 레이트를 표시하는 제어 커맨드들을 수신할 수도 있다. 또한, 해상도 스케일링 유닛 (110) 은 열/전력 관리기 (116) 로부터 특정 해상도를 표시하는 제어 커맨드들을 수신할 수도 있다. 일부 예들에서, 이러한 제어 신호들은, 예를 들어, 다른 프로세서 또는 제어 유닛에 의해 설정된, 기존의 프레임 레이트 및/또는 해상도 설정들을 무효로 하는데 이용될 수도 있다.사용자 경험 모델 (112) 은 지각된 사용자 경험의 추정치를 제공하는 모델의 일 예를 나타낼 수도 있다. 예를 들어, 사용자 경험 모델 (112) 은 사용자가 카메라 시스템 (76) 에 의해 캡쳐된 이미지들 또는 비디오를 보는 경우 사용자 경험의 경험적 표시를 제공할 수도 있다. 일부 예들에서, 사용자 경험 모델 (112) 은 상대적 사용자 경험의 수치 표시를 발생시킬 수도 있다. 예시의 목적을 위한 예에서, 사용자 경험 모델 (112) 은 미리 결정된 범위의 값들로 수치 스코어를 반환할 수도 있으며, 여기서 범위 내의 가장 낮은 스코어는 최소의 허용 사용자 경험을 나타내고 범위 내의 가장 높은 스코어는 최상의 사용자 경험을 나타낸다. 일부 예들에서, 가장 높은 스코어는 디바이스 및/또는 카메라 시스템 (76) 의 능력들 또는 제한들의 대상이 될 수도 있다 (예를 들어, 일부 디바이스들은 다른 디바이스들보다 높은 스코어를 달성하는 것이 가능할 수도 있다).이러한 방식으로, 사용자 경험 모델 (112) 은 카메라 시스템 (106) 에 의해 캡쳐되고 있고/있거나 (디바이스 (40) 의 로컬 디스플레이 (56) (도 2) 와 같은) 디바이스의 디스플레이에 프레젠테이션된 이미지들 또는 비디오의 품질 (또는 지각된 품질) 의 추정치를 제공할 수도 있다. 예를 들어, 하기에서 보다 상세히 설명된 바와 같이, 상대적으로 높은 해상도로 캡쳐된 이미지들 또는 비디오는 사용자 경험 모델 (112) 로부터 상대적으로 높은 결과를 초래할 수도 있다. 마찬가지로, 다른 예로서, 상대적으로 높은 프레임 레이트 (예를 들어, 초당 60 프레임 (frames per second; fps), 30 fps, 15 fps 등) 로 캡쳐된 비디오는 사용자 경험 모델로부터 상대적으로 높은 스코어를 초래할 수도 있다.일부 예들에서는, 하기에서 보다 상세히 설명된 바와 같이, 사용자 경험 모델 (112) 은 사용자 경험에서의 변화를 결정하여 카메라 시스템 (106) 의 하나 이상의 동작 파라미터들과 같은 디바이스의 하나 이상의 동작 파라미터들에 대한 변화들을 초래하도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 사용자 경험 모델 (112) 은 사용자 경험에 대한 예상되는 증가 또는 저하를 결정하여 디바이스의 하나 이상의 동작 파라미터들에 대한 변화를 초래하도록 구성될 수도 있다. 이러한 사용자 경험에서의 변화는, 하기에서 보다 상세히 설명된 바와 같이, 사용자 경험 모델 (112) 델타라고 지칭될 수도 있다.예시의 목적을 위한 예로서, 사용자 경험 모델 (112) 은 카메라 시스템 (106) 에 의해 캡쳐된 비디오의 프레임 레이트를 변화시킴으로써 생성되는 사용자 경험에서의 변화 (예를 들어, 디바이스의 사용자에 의해 지각되는 바와 같은 품질에서의 변화) 를 결정하도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 카메라 시스템 (106) 의 프레임 레이트를 증가시키는 것은 사용자 경험 모델 (112) 의 결과에서의 증가를 생성할 수도 있다. 다른 예로서, 사용자 경험 모델 (112) 은 카메라 시스템 (106) 에 의해 캡쳐된 비디오의 해상도를 변화시킴으로써 생성되는 사용자 경험에서의 변화 (예를 들어, 디바이스의 사용자에 의해 지각되는 바와 같은 품질에서의 변화) 를 결정하도록 구성될 수도 있다. 이러한 예에서, 카메라 시스템 (106) 의 해상도를 증가시키는 것은 사용자 경험 모델 (112) 의 결과에서의 증가를 생성할 수도 있다.일부 예들에서, 디바이스의 컴포넌트들과 연관된 동작 파라미터들은 "노브 (knob) 들" 로 지칭될 수도 있다. 예를 들어, 다수의 제어 "노브들" 은 특정 사용자 경험을 제공하는 것과 연관될 수도 있다. 위에서 설명된 프레임 레이트 스케일링 및 해상도 스케일링 노브들에 더해, 다른 노브들은 (예를 들어, 하기의 표 1 에 대해 보다 상세히 설명된 바와 같이) 디바이스의 카메라 시스템 (106) 및/또는 하드웨어 컴포넌트들과 연관된 소프트웨어 기능성을 포함할 수도 있다.일부 예들에서, 열/전력 관리기 (116) 는 동작 조건들 및/또는 파라미터들의 벡터에 기초하여 사용자 경험 모델 (112) 을 결정할 수도 있다. 예를 들어, 동작 파라미터 벡터 (S) 는 카메라 시스템 (106) 의 프레임 레이트, 카메라 시스템 (106) 의 해상도, 및/또는 다음의 등식들에 따라 사용자 경험 모델이 결정될 수도 있는 다수의 다른 노브들을 포함하여 다수의 동작 파라미터들을 포함할 수도 있다: S = [FPS, 해상도, 노브1, 노브2, ... 노브N] Ux = Ux모델(S) 여기서 S 는 동작 파라미터들의 벡터이고, Ux 는 사용자 경험 결과를 나타내고, Ux모델은 동작 파라미터들의 벡터 (S) 에 적용되는 사용자 경험 모델을 나타낸다.카메라 시스템 (106) 이 하나를 초과하는 이미지 스트림을 발생시키는 하나를 초과하는 이미지 센터를 포함하는 예들에서, 열/전력 관리기 (116) 는 이미지 센서들의 각각에 대한 동작 조건들 및/또는 파라미터들의 벡터에 기초하여 사용자 경험 모델 (112) 을 결정할 수도 있다. 예를 들어, 카메라 시스템 (106) 의 각각의 이미지 스트림은 그 자체의 연관된 노브들의 세트를 가질 수도 있고, 각각의 스트림은 노브들을 이용하여 별도로 제어될 수도 있다. 사용자 경험 모델 (112) 은 이미지 스트림들 모두와 연관된 동작 파라미터들 모두에 기초하여 단일의 사용자 경험 추정치를 결정할 수도 있다.예시의 목적인 예에서, 카메라 시스템 (106) 의 2 개의 이미지 센서들 (IS1 및 IS2) 은 카메라 시스템 (106) 에 의해 프로세싱되는 각각의 이미지 스트림들을 발생시킨다고 가정한다. 이러한 예에서, 각각의 이미지 스트림 (예를 들어, IS1 과 연관된 제 1 스트림 및 IS2 와 연관된 제 2 이미지 스트림) 은, 하기에서 예시적인 벡터 (S) 로 도시된 바와 같이, 별도의 노브들로 별도로 제어될 수 있다.S = [IS1 에 대한 FPS, IS1 에 대한 해상도, IS1 에 대한 노브1, IS1 에 대한 노브2, ... IS1 에 대한 노브N, IS2 에 대한 FPS, IS2 에 대한 해상도, IS2 에 대한 노브1, IS2 에 대한 노브2, ... IS2 에 대한 노브N]또한, 단일 사용자 경험 모델 (112) 은 벡터 (S) 의 파라미터들에 기초하여 결정될 수도 있다. 이러한 예에서, 사용자 경험 (Ux) 은 위의 등식에 대해 설명된 것과 동일한 방식으로 결정될 수도 있다:Ux = Ux모델(S) 여기서 S 는 이미지 센서들 (IS1 및 IS2) 양자 모두에 대한 동작 파라미터들을 포함하는 동작 파라미터들의 벡터이고, Ux 는 사용자 경험 결과를 나타내고, Ux모델은 동작 파라미터들의 벡터 (S) 에 적용되는 사용자 경험 모델을 나타낸다.전력 모델 (114) 은 디바이스에 의해 소비되는 전력의 양의 표시를 제공할 수도 있다. 예를 들어, 전력 모델 (114) 은 (예를 들어, CPU, GPU, 카메라 시스템 (106) 등과 같은) 디바이스의 하나 이상의 컴포넌트들에 의해 이용되는 전력의 양의 수치 표시를 제공할 수도 있다. 일부 예들에서는, 하기에서 보다 상세히 설명된 바와 같이, 전력 모델 (114) 은 카메라 시스템 (106) 의 하나 이상의 동작 파라미터들과 같은, 디바이스의 하나 이상의 동작 파라미터들에 대한 변화들로부터 기인하는 디바이스에 의해 소비될 전력의 양에서의 변화를 결정하도록 구성될 수도 있다.예시의 목적들을 위한 예로서, 전력 모델 (114) 은 전력 절감들의 양 (또는 전력에서의 증가), 예를 들어, 카메라 시스템 (106) 에 의해 캡쳐된 비디오의 프레임 레이트를 변화시킴으로써 생성된, 카메라 시스템 (106) 및/또는 디바이스에 의해 소비된 전력의 양에서의 감소 또는 증가를 결정하도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 카메라 시스템 (106) 의 프레임 레이트를 감소시키는 것은 카메라 시스템 (106) 및/또는 디바이스의 다른 컴포넌트들 (예를 들어, CPU, GPU, 메모리 등) 에 의해 소비된 전력의 양에서의 하락을 초래할 수도 있다. 다른 예에서, 전력 모델 (114) 은 카메라 시스템 (106) 에 의해 캡쳐된 비디오의 해상도를 변화시킴으로써 생성된 전력 절감들 (또는 전력에서의 증가) 의 양을 결정하도록 구성될 수도 있다. 이러한 예에서, 카메라 시스템 (106) 의 해상도를 감소시키는 것은 카메라 시스템 (106) 및/또는 디바이스의 다른 컴포넌트들 (예를 들어, CPU, GPU, 메모리 등) 에 의해 소비된 전력의 양에서의 하락을 초래할 수도 있다.본원에서 설명된 소정의 예들이 카메라 시스템 (106) 에 대한 변화들에 대해 설명되나, 카메라 시스템 (106) 과 같은 디바이스의 특정 컴포넌트의 하나 이상의 동작 파라미터들을 변화시키는 것은 디바이스의 다수의 컴포넌트들 (예를 들어, CPU, GPU, 메모리 등) 에 영향을 주는 연속적 변화를 초래할 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 이에 따라, 단지 일 예로서, 카메라 시스템 (106) 과 연관된 프레임 레이트를 줄이는 것은 카메라 시스템 (106) 에 의해 소비된 전력의 양에서의 감소를 초래할 뿐만 아니라, CPU 및/또는 메모리와 같은 디바이스의 다른 컴포넌트들에 의해 소비된 전력의 양에서의 감소도 초래할 수도 있다.전력 모델 (114) 은 또한 디바이스에 의해 발생된 열기의 표시를 제공할 수도 있다. 예를 들어, 통상적으로, 디바이스가 보다 많은 전력을 소비함에 따라, 디바이스에 의해 생성되는 열 에너지 또는 열기의 양은 올라간다. 예를 들어, (CPU, GPU, 카메라 시스템 (106) 등과 같은) 디바이스의 하나 이상의 컴포넌트들이 보다 많은 전력을 인출함에 따라, 부산물로서 하나 이상의 컴포넌트들에 의해 발생되는 열기의 양이 또한 증가한다. 이에 따라, 전력 모델 (114) 은 컴포넌트들의 동작 특성을 변화시킬 시에 디바이스의 컴포넌트들에 의해 생성될 일 양의 열기의 제거를 제공하도록 구성될 수도 있다.열/전력 관리기 (116) 는 위에서 설명된 정보를 이용하여 카메라 시스템 (106) 을 포함하는 디바이스의 하나 이상의 동작 파라미터들을 조정할 수도 있다. 예를 들어, 하기에서 보다 상세히 설명된 바와 같이, 열/전력 관리기 (116) 는 프레임 레이트 스케일링 유닛 (108) 에 커맨드를 발행함으로써 카메라 시스템 (106) 에 의해 캡쳐된 비디오의 프레임 레이트를, 해상도 스케일링 유닛 (110) 에 커맨드를 발행함으로써 카메라 시스템 (106) 에 의해 캡쳐된 비디오의 해상도를, (도 3 의 예에서 타원으로 나타내어진) 카메라 시스템 (106) 의 다른 유닛들에 커맨드를 발행함으로써 다수의 다른 동작 파라미터들을 조정할 수도 있다.열/전력 관리기 (116) 는 특정 전력 버짓 및/또는 열 임계치를 유지하도록 하나 이상의 제어 "노브들" 을 조정할 수도 있다. 위에서 설명된 프레임 레이트 스케일링 및 해상도 스케일링 노브들에 더해, 표 1 (하기) 은 열/전력 관리기 (116) 에 의해 조정될 수도 있는 다수의 다른 노브들 (또는 동작 파라미터들) 을 포함한다. 카메라 시스템 (106) 이 하나를 초과하는 센서 및/또는 이미지 프로세서를 포함하는 예들에서, 각각의 이미지 센서 및/또는 이미지 프로세서는 노브들의 세트에 대한 상이한 파라미터 설정들을 가질 수도 있다.목표기능"노브"인에이블먼트메모SW(애플리케이션들)3A 제어총 3A 통계 프로세싱을 감소시킨다통계의 입도를 감소시키는 것은 프로세서 부하를 감소시켜 보다 낮은 전력에 기여할 것이다3A 제어프로세싱 FPS 를 감소시킨다SW 제어 0026# 통계에 있어서, 통계 프로세싱을 위해 프레임들을 드롭함으로써, 프로세서 전력을 감소시킨다부가 피쳐들열 완화 트리거 중의 턴-오프 피쳐들안면 검출, 또는 깜박거림 감소 등과 같은 추가적인 사용자 선택가능한 피쳐들 및 이미지 품질 향상들을 위한 임의의 다른 프로세싱-후 피쳐가 프로세서 전력 감소를 위해 선택적으로 턴-오프될 수도 있다HWISP 블록 프로세서 FPS 감소ISP 오프라인 블록 프로세서 클록을 감소시킨다본래의 센서 레이트로 ISP 0026# 센서 제어의 스트리밍 프런트-엔드를 계속하며, 메모리 트래픽 0026# 코어 전력을 절감한다ISP 스트리밍 프로세서 레이트 제어프레임 드롭들을 통한 출력 레이트 제어센서 레이트로 구동하는데 요구되는 통계 0026# 3AISP 스트리밍 프로세서 출력 제어출력에서 프레임들을 드롭한다버스 상에서 전력을 감소시키며, 완화 중에 다운스트림 FPS 를 매칭시킨다ISP 모듈 제어핫 모듈들을 턴-오프한다식별된 "핫-모듈들" 은 감소된 기능성 또는 품질의 대가로 코어 전력을 절감하도록 선택적으로 턴 오프될 수 있다.클록 제어적당히 빠르게 코어들을 구동한다ISP 스트리밍 프로세서는 예를 들어 터보 모드들에서보다 느리게 구동할 수 있다듀얼 ISP (ISP 스트리밍 프로세서) 동작듀얼-ISP 로 보다 낮은 클록들을 이용한다프로세싱되는 단일 센서를 갖는 경우, 최상의 토폴로지를 선택적으로 이용하여 보다 낮은 코어 전력을 달성한다.센서센서 레이트 제어자동 프레임 레이트 제어 또는 모드 변화를 통해서본 개시물에서 설명됨.본 개시물의 양태들에 따르면, 열/전력 관리기 (116) 는 열 완화 요청 시스템 레벨 열 엔진 (102) 으로부터 (예를 들어, 디바이스 및/또는 디바이스의 하나 이상의 컴포넌트들의 온도를 감소시키기 위한 요청) 을 수신할 수도 있다. 열/전력 관리기 (116) 는 시스템 레벨 열 엔진 (102) 으로부터 디바이스의 컴포넌트들에 대한 전력 이용 제한을 표시하는 전력 버짓 제한 (예를 들어, 전력 이용 임계치) 을 추가적으로 또는 대안으로 수신할 수도 있다.열/전력 관리기 (116) 는 (카메라 시스템 (106) 과 같은) 디바이스의 컴포넌트들의 하나 이상의 동작 파라미터들을 변화시켜 수신된 열 목표 또는 전력 버짓을 충족시킬 수도 있다. 예를 들어, 열/전력 관리기 (116) 는 디바이스의 하나 이상의 컴포넌트들의 (카메라 시스템 (106) 에 의해 캡쳐된 비디오의 프레임 레이트 또는 해상도, 또는 다양한 다른 "노브들" 과 같은) 하나 이상의 동작 파라미터들을 조정하여 수신된 열 목표 또는 전력 버짓을 충족시킬 수도 있다.일부 예들에서, 열/전력 관리기 (116) 의 동작은 사용자 경험 모델 (112) 및/또는 전력 모델 (114) 에 의해 영향을 받을 수도 있다. 예를 들어, 하기에서 보다 상세히 설명된 바와 같이, 열/전력 관리기 (116) 는 디바이스의 카메라에 의해 캡쳐된 컨텐트와 연관된 사용자 경험 메트릭을 결정할 수도 있다. 일부 예들에서, 사용자 경험 메트릭은 사용자 경험 모델 (112) 로부터 하나 이상의 결과들을 포함할 수도 있다. 또한, 열/전력 관리기 (116) 는, 결정된 사용자 경험 메트릭에 대한 추정된 변화에 기초하여, 동작 특성 목표 (예를 들어, 열 목표 또는 전력 버짓) 를 생성하도록 디바이스의 적어도 하나의 동작 파라미터를 조정할 수도 있다.본 개시물의 양태들에 따르면, 열/전력 관리기 (116) 는 하나 이상의 동작 파라미터들을 선택함으로써 동작 파라미터들을 조정하여 다른 동작 파라미터들을 선택하는 것에 대해 (사용자 경험 모델 (112) 을 이용하여 결정된 바와 같은) 사용자 경험을 최소화하거나 적어도 감소시킬 수도 있다. 또한 또는 대안으로, 열/전력 관리기 (116) 는 하나 이상의 동작 파라미터들을 선택함으로써 동작 파라미터들을 조정하여 동작 파라미터들에서의 변화를 최소화하거나 적어도 증가시킬 수도 있으며, 그렇게 함으로써 다른 동작 파라미터들을 선택하는 것에 대해 (전력 모델 (114) 을 이용하여 결정된 바와 같은) 전력 이용에서의 변화를 증가시키거나 잠재적으로 최대화한다.일부 예들에서, 열/전력 관리기 (116) 는 사용자 경험에서 가장 작은 변화 (예를 들어, 사용자 경험에서의 감소) 및 전력 소비에서 가장 큰 변화 (예를 들어, 동작 전력에서의 감소) 를 초래하는 최적의 동작 파라미터 조정치를 결정할 수도 있다. 일부 예들에서, 도 7 에 대해 보다 상세히 설명된 바와 같이, (조정에 대한 변화 및 양에 대한 하나 이상의 동작 파라미터들을 식별하는) 최적의 동작 파라미터 조정치는 동작 특성에서의 추정된 변화에 대한 결정된 사용자 경험에서의 추정된 변화의 비율에 기초하여 결정될 수도 있다.즉, 예시의 목적들을 위한 예에서, 열/전력 관리기 (116) 는 전력 모델 (114) 에서의 델타에 대한 사용자 경험 모델 (112) 에서의 델타의 비율을 결정할 수도 있다. 이러한 예에서, 열/전력 관리기 (116) 는 상대적으로 가장 작은 비율을 생성하는 동작 파라미터(들) 및 조정 양들을 결정할 수도 있다.일부 예들에서, 열/전력 관리기 (116) 는 카메라 시스템 (106) 에 의해 캡쳐되고 있는 컨텐트와 연관된 컨텍스트에 의해 영향을 받을 수도 있다. 예를 들어, 열/전력 관리기 (116) 는 시스템 하드웨어 또는 하드웨어와 소프트웨어의 조합 (104) 으로부터 카메라 시스템 (106) 에 의해 캡쳐되고 있는 컨텐트에 관한 컨텍스트 정보를 수신할 수도 있다. 예시적인 컨텍스트는 컨텐트에 포함된 얼굴이 있는지 여부, 컨텐트의 색조 및/또는 색상이 있는지 여부 (예를 들어, 컨텐트에 포함된 적어도 일부 피부 톤들이 있는지 여부), 컨텐트가 이동하는지 여부 (예를 들어, 컨텐트와 연관된 움직임의 양), 컨텐트의 밝기, 카메라 시스템 (106) 의 이미지 센서와 컨텐트 사이의 거리, 또는 다양한 다른 컨텐트를 포함할 수도 있다.열/전력 관리기 (116) 는 컨텍스트에 기초하여 양 (예를 들어, 프레임 레이트, 해상도 등) 을 조정할 뿐만 아니라 선택된 동작 파라미터를 조정하도록 동작 파라미터를 선택할 수도 있다. 단지 예시의 목적들을 위한 예로서, 열/전력 관리기 (116) 는 디바이스와 연관된 전력 소비 및/또는 온도를 감소시키기 위한 요청을 수신한다고 가정한다. 열/전력 관리기 (116) 는 요청을 충족시키기 위해 카메라 시스템 (106) 의 프레임 레이트 및 해상도를 조정한다고 또한 가정한다. 이러한 예에서, 얼굴이 컨텐트에서 검출되면, 열/전력 관리기 (116) 는 (프레임 레이트와 연관된) 부드러운 움직임을 캡쳐하는 것보다 (표현과 같은) 얼굴의 세부사항들을 캡쳐하는 것이 사용자 경험에 더 중요하다는 가정 하에 카메라 시스템 (106) 의 해상도보다 상대적으로 더 많이 카메라 시스템 (106) 의 프레임 레이트를 조정할 수도 있다. 다른 예들이 위에서 언급된 컨텍스트의 임의의 조합을 이용하여 가능하다.일부 예들에서, 본 개시물의 양태들에 따르면, 열/전력 관리기 (116) 는 컨텍스트에 기초하여 사용자 경험 모델에서의 하나 이상의 동작 파라미터들에 가중 팩터 (예를 들어, FPS 및 해상도에 대한 가중치들) 를 적용할 수도 있다. 예를 들어, 열/전력 관리기 (116) 는 하기의 등식들에 기초하여 사용자 경험 모델 (112) 을 결정할 수도 있다: S = [FPS, 해상도, 노브1, 노브2, ... 노브N] Ux = Ux모델(S) Ux = 가중된합(Ux모델_1(FPS), Ux모델_2(해상도), Ux모델_3(노브1) ...)여기서 S 는 동작 파라미터들의 벡터이고, Ux 는 사용자 경험 결과를 표현하고, Ux모델은 동작 파라미터들의 벡터 (S) 에 적용되는 사용자 경험 모델을 표현한다. 또한, Ux 는 동작 파라미터들의 가중된 합의 함수이며, 이들의 각각은 그것들의 각각의 사용자 경험 모델들 (Ux모델_1, Ux모델_2, Ux모델_3 등) 과 연관된 가중 팩터를 포함한다.위에서 언급된 바와 같이, 일부 예들에서, 카메라 시스템 (106) 은 각각의 스트림에 대한 별도의 노브들로 하나를 초과하는 이미지 센서 및 연관된 이미지 스트림을 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 벡터 (S) 는 이미지 스트림들 모두에 대한 노브들을 포함할 수도 있다 (예를 들어, S = [IS1 에 대한 FPS, IS1 에 대한 해상도, IS1 에 대한 노브1, IS1 에 대한 노브2, ...IS1 에 대한 노브N, IS2 에 대한 FPS, IS2 에 대한 해상도, IS2 에 대한 노브1, IS2 에 대한 노브2, ...IS2 에 대한 노브N]). 또한, Ux 는 동작 파라미터들의 가중된 합의 함수일 수도 있으며, 이들의 각각은 그것들 각각의 사용자 경험 모델들과 연관된 가중 팩터를 포함한다 (예를 들어, Ux = 가중된합(UxModel_1(IS1 에 대한 FPS), Ux모델_2(IS1 에 대한 해상도), Ux모델_3(IS1 에 대한 노브1) ... Ux모델_1(IS2 에 대한 FPS), Ux모델_2(IS2 에 대한 해상도), Ux모델_3(IS2 에 대한 노브1) ...).하기에 보여진 표 2 는 다양한 컨텍스트들에 대한 프레임 레이트 동작 파라미터 및 해상도 동작 파라미터에 대한 잠재적인 가중 팩터들을 예시한다.예시적인 이미지 컨텍스트 (정보를 제공하는 HW 블록)FPS 에 대한 가중 팩터해상도에 대한 가중 팩터(얼굴 검출 블록으로부터) 사용자의 얼굴이 검출됨낮음높음이미지의 상당한 부분이 피부이다낮음높음(HPF 블록으로부터의) 많은 세부사항들낮음높음(비디오 인코더로부터의) 많은 움직임높음낮음낮은 밝기높음낮음(자동-초점으로부터) 가까운 거리 - 팔을 뻗으면 닿는 거리낮음높음위의 예들에서, 가중 팩터들은 사용자 경험에서 상대적으로 작은 저하를 제공하는 한편 또한 동작 파라미터 (및 연관된 전력 인출) 에서의 변화를 최대화하도록 선택될 수도 있다. 컨텍스트가 얼굴의 검출을 포함하는 위의 예들로 돌아가면, 열/전력 관리기 (116) 는 (표현과 같은) 얼굴의 세부사항들을 캡쳐하는 것이 (프레임 레이트와 연관된) 부드러운 움직임을 캡쳐하는 것보다 사용자 경험에 상대적으로 더 중요하다는 가정 하에 카메라 시스템 (106) 의 해상도보다 상대적으로 높게 카메라 시스템 (106) 의 프레임 레이트를 조정할 수도 있다. 이러한 예에서는, 위의 표 1 의 예에서 보여진 바와 같이, 열/전력 관리기 (116) 는 해상도에 대해서는 상대적으로 높은 가중치를 그리고 프레임 레이트에 대해서는 상대적으로 낮은 가중치를 둘 수도 있다. 다른 예들이 위에서 언급된 컨텍스트의 임의의 조합을 이용하여 가능하다.이에 따라, 동작 시에, 시스템 레벨 열 엔진 (102) 은 열/전력 관리기 (116) 에 열 완화 요청 및/또는 전력 버짓 제한을 발행할 수도 있다. 열/전력 관리기 (116) 는 메시지에 확인응답하거나, 요청을 거절하거나, 추가적인 전력 버짓을 요청할 수도 있다 (확인응답/거절/보다 많은 전력버짓 요청). 또한, 열/전력 관리기 (116) 는 프레임 레이트 (프레임 레이트 스케일링 유닛 (108) 에 발행되는 커맨드), 해상도 (해상도 스케일링 유닛 (110) 에 발행되는 커맨드), 또는 (타원으로 나타내어진) 다른 제어 파라미터들과 같은 동작 파라미터들을 제어하기 위한 커맨드들을 포함하여, 카메라 시스템 (106) 에 제어들 및/또는 무시 명령들을 발행할 수도 있다.카메라 시스템은 시스템 레벨 열 엔진 (102) 에 온도 피드백 (카메라 시스템 온도 (cam. sys. temp.)) 을, 뿐만 아니라 사용자 경험 모델 (112) 및 전력 모델 (114) 에 동작 파라미터들의 표시를 제공할 수도 있다.사용자 경험 모델 (112) 은 카메라 시스템 (106) 으로부터의 동작 파라미터들에 기초하여 사용자 경험의 추정치를 나타내는 사용자 경험 메트릭을 결정하는데 이용될 수도 있다. 설명의 목적들을 위해 도 3 의 예에서 별도의 유닛으로 도시되긴 하였으나, 일부 예들에서, 사용자 경험 모델 (112) 은 사용자 경험의 추정치를 제공하기 위해 열/전력 관리기 (116) 에 의해 이용되는 (예를 들어, 하나 이상의 사용자 경험 알고리즘을 포함하는) 데이터일 수도 있다. 다른 예들에서, 사용자 경험 모델 (112) 은 프로그램가능한 또는 고정 기능 하드웨어와 같은 별도의 프로세싱 하드웨어를 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 사용자 경험 메트릭은 수치 값일 수도 있다. 또한, 사용자 경험 모델 (112) 은 열/전력 관리기 (116) 에 사용자 경험의 추정치를 제공할 수도 있고, 동작 파라미터들과 연관된 가중 팩터들을 수신할 수도 있다.전력 모델 (114) 은 카메라 시스템 (106) 으로부터의 동작 파라미터들에 기초하여 디바이스에 의해 소비되는 전력의 양을 결정할 수도 있다. 다시, 설명의 목적들을 위해 도 3 의 예에서 별도의 유닛으로 도시되긴 했으나, 일부 예들에서, 전력 모델 (114) 은 디바이스에 의해 소비되는 전력의 양의 표시를 제공하기 위해 열/전력 관리기 (116) 에 의해 이용되는 (예를 들어, 전력 소비를 결정하기 위해 하나 이상의 알고리즘을 포함하는) 데이터일 수도 있다. 다른 예들에서, 전력 모델 (114) 은 프로그램가능한 또는 고정 기능 하드웨어와 같은 별도의 프로세싱 하드웨어를 포함할 수도 있다. 전력 모델 (114) 은 카메라 시스템 (106) 의 동작에 기초하여 (예를 들어, CPU, GPU, 카메라 시스템 (106) 등과 같은) 디바이스의 하나 이상의 컴포넌트들에 의해 이용되는 전력의 양의 수치 표시를 제공할 수도 있다. 전력 모델 (114) 은 또한 (또는 대안적으로) 디바이스에 의해 발생된 열기의 표시를 제공할 수도 있다. 전력 모델 (114) 은 열/전력 관리기 (116) 에 전력 (또는 열) 추정치를 제공할 수도 있고, 열/전력 관리자 (116) 로부터 카메라 시스템 설정들의 표시를 수신할 수도 있다.본 개시물의 양태들에 따르면, 열/전력 관리기 (116) 는, (사용자 경험 모델 (112) 로부터의) 사용자 경험 메트릭 및/또는 (전력 모델 (114) 로부터의) 전력 추정치에 기초하여 카메라 시스템 (106) 의 하나 이상의 동작 파라미터들을 포함하여, 디바이스의 하나 이상의 동작 파라미터들을 조정할 수도 있다. 위에서 언급된 바와 같이, 일부 예들에서, 열/전력 관리기 (116) 는 사용자 경험에 상대적으로 낮은 영향을 주고 전력 소비에는 상대적으로 높은 영향을 주는 하나 이상의 동작 파라미터들을 조정할 수도 있다. 일부 예들에서, 열/전력 관리기 (116) 는, 동작 파라미터들을 조정하는 경우, 시스템 하드웨어 또는 하드웨어와 소프트웨어의 조합 (104) 으로부터 수신된 바와 같은 컨텍스트를 고려할 수도 있다.위에서 언급된 바와 같이, 본 개시물의 양태들은 어떤 동작 파라미터들이 사용자 경험에 감소된 영향을 주나 전력 소비에는 증가된 영향을 줄 것인지에 기초하여 조정을 위한 동작 파라미터들을 결정하는 것을 포함한다. 일부 예들에서, 열/전력 관리기 (116) 는 사용자 경험에 가장 낮은 영향을 주나 전력 소비에는 가장 높은 영향을 주는 최적의 트레이드오프를 달성하려고 시도할 수도 있다. 일부 예들에서, 사용자 경험 메트릭은 결정을 보조할 수도 있다.위에서 설명된 사용자 경험 메트릭에 대한 근거는 수확 체감의 원리에서 찾을 수도 있다. 예를 들어, 인간의 감각들은 한계들을 갖는다. 인간은 소정의 지각 한계를 넘어서 이미지들 또는 비디오에 대한 변화들을 지각할 수 없을 수도 있다. 따라서, 일 예로서, 사용자는 시간 프레임 속도 지각 한계 이상으로 프레젠테이션되는 비디오에서의 차이들은 지각할 수 없을 수도 있다. 마찬가지로, 다른 예로서, 사용자는 공간 해상도 지각 한계 이상으로 프레젠테이션되는 비디오에서의 차이들을 지각할 수 없을 수도 있다.이에 따라, 사용자 경험과 특정 동작 파라미터 사이의 관계는 선형적이지 않을 수도 있다. 즉, 특정 지각적 임계치 이상으로, 프레임 레이트, 해상도, 또는 다양한 다른 동작 파라미터들과 같은 동작 파라미터를 증가시키는 것은 향상된 사용자 경험을 초래하지 않을 수도 있다.본 개시물의 양태들은 이러한 수학 체감의 원리를 활용한다. 예를 들어, 사용자 경험의 추정치를 결정함으로써, 동작 파라미터들은 사용자 경험에 대한 영향에 기초하여 선택되고 조정될 수도 있다. 이에 따라, 사용자 경험에 대한 영향을 최소화하면서 전력 및/또는 열 절감들이 달성될 수도 있다.도 4a 및 도 4b 는 전력 소비, 프레임 레이트, 및 사용자 경험 사이의 관계의 일 예를 도시한다. 도 4a 및 도 4b 에 도시된 관계는 해상도 스케일링을 통해 전력 밀도 감소를 초래하도록 구성될 수도 있다. 일반적으로, 도 4a 및 도 4b 에 도시된 점들은 (화살표들로 표시되는) 관계 플롯들에 따른 특정 샘플 지점들을 나타낸다.예를 들어, 도 4a 는 프레임 레이트 (FPS) 와 전력 소비 (전력) 사이의 관계를 도시한다. 이러한 예에서, (도 1a 내지 도 3 에 대해 위에서 설명된 디바이스들과 같은) 디바이스가 카메라에 의해 캡쳐된 비디오의 프레임 레이트를 증가시킴에 따라, 디바이스의 전력 소비가 또한 증가한다.도 4b 에 도시된 바와 같이, 디바이스가 프레임 레이트 (FPS) 를 증가시킴에 따라, 사용자 경험이 또한 증가한다. 그러나, 소정의 지점을 넘어서 프레임 레이트 (FPS) 를 증가시키는 것은 사용자 경험에 있어서 거의 이득을 야기하지 않거나 이득이 아예 없다.감소된 프레임 레이트는 카메라 코어들에서의 활성 전력을 직접적으로 절감할 수도 있다. 또한, 감소된 프레임 레이트는 버스 트래픽으로 인한 전력을 감소시킬 수도 있다. 일부 예들에서, 프레임 레이트를 감소시키는 것은 또한 프로세서 부하 및 디바이스 (예를 들어, 시스템 온 칩 (SoC) 체인) 를 통한 전력 소실을 감소시킬 수도 있다.본 개시물의 양태들에 따르면, 프레임 레이트는 훌륭한 전력 밀도 관리를 제공하도록 동적으로 제어될 수도 있다. 즉, 프레임 레이트는, 사용자 경험을 고려하여, 프레임 레이트와 전력 소비 사이에 최적의 균형을 이루도록 제어될 수도 있다. 전력 절감들과 프레임 레이트 성능 사이에 맞춤 트레이드오프가 이뤄질 수도 있다.일부 예들에서, 활성 전력은 카메라 코어 FPS 스케일링 (예를 들어, 프레임 스킵핑) 으로 감소될 수도 있으며, 이는 중간 레벨의 전력 밀도 제어를 제공할 수도 있다. 일부 예들에서, 상대적으로 복잡한 프로그래밍 및 동기화 시퀀스들은 FPS 스케일링과 연관될 수도 있다. 입도 (granular) FPS 제어가 양자화된 단계들에서 수행될 수도 있다 (예를 들어, 해상도: 30 FPS, 29 FPS, 28 FPS, 27 FPS, 또는 보다 작은 입상).다른 예들에서, 활성 전력은 센서 모드 제어로 감소될 수도 있다 (그러나 센서들이 이러한 피쳐를 지원하지 않을 수도 있다). 일부 예들에서, 센서 모드 제어는 위에서 설명된 FPS 스케일링보다 상대적으로 좋은 전력 밀도 절감들을 제공할 수도 있다.일부 다른 예들에서, 활성 전력은 센서 FPS (frames per second) 제어 (예를 들어, 자동-프레임 레이트 제어) 로 감소될 수도 있다. 센서들은 블랭킹 간격 스트레치 (blanking interval stretch) 를 통해 자동 프레임 레이트 제어를 지원할 수도 있다. 일부 예들에서, FPS 제어는 위의 예들보다 상당히 높은 전력 밀도 절감들을 제공할 수도 있다. FPS 제어는 간단한 센서 프로그래밍을 통해 평활하고 선형적인 FPS 제어를 제공할 수도 있다.도 5a 및 도 5b 는 전력 소비, 해상도, 및 사용자 경험 사이의 예시적인 관계를 도시한다. 도 5a 및 도 5b 에 도시된 관계는 해상도 스케일링을 통해 전력 밀도 감소를 초래하도록 구성될 수도 있다. 일반적으로, 도 5a 및 도 5b 에 도시된 점들은 (화살표들로 표시되는) 관계 플롯들에 따른 특정 샘플 지점들을 나타낸다.예를 들어, 도 5a 는 해상도 (내부 해상도) 와 전력 소비 (전력) 사이의 관계를 도시한다. 이러한 예에서, (도 1a 내지 도 3 에 대해 위에서 설명된 디바이스들과 같은) 디바이스가 카메라에 의해 캡쳐된 비디오의 프레임 레이트를 증가시킴에 따라, 디바이스의 전력 소비가 또한 증가한다.도 5b 에 도시된 바와 같이, 디바이스가 해상도 (내부 해상도) 를 증가시킴에 따라, 사용자 경험이 또한 증가한다. 그러나, 소정의 지점을 넘어서 해상도를 증가시키는 것은 사용자 경험에서 거의 이득을 야기하지 않거나 어떠한 이득도 야기하지 않는다.(이미지/비디오 프로세싱 및/또는 코딩과 같은 디바이스 내부의 동작들에 대한) 감소된 중간의 출력 해상도들은 카메라 코어들에서의 활성 전력을 직접적으로 절감할 수도 있다. 중간 해상도 제어는 카메라 파이프라인 내의 흐름들을 활용하고, 내부 버퍼 및/또는 버스 트래픽, 뿐만 아니라 하드웨어 또는 하드웨어와 소프트웨어의 조합의 프로세싱 부하들을 감소시킬 수도 있다. 일부 예들에서, 해상도를 감소시키는 것은 활성 프로세싱 듀티 사이클들 및/또는 대역폭을 감소시킴으로써 전력을 절감하고 전력 밀도를 감소시킬 수도 있다.완전 동적 해상도 제어는 훌륭한 전력 밀도 관리를 가능하게 할 수도 있다. 즉, 해상도 제어는 전력 절감들 대 성능 (예를 들어, 품질) 에 대한 맞춤 트레이드오프를 제공할 수도 있다.일부 예들에서, 활성 전력은 카메라 중간 해상도를 조정함으로써 감소될 수도 있다. 내부 카메라 해상도는 애플리케이션 및/또는 사용자가 알기 쉬울 수도 있다. 이미지 품질은 내부 프로세싱을 통해 지각할 수 없는 손실로 복구될 수도 있다. 내부 해상도를 감소시키는 것은 보다 가벼운 트래픽 부하들 및 코어 활성 듀티 사이클들로 인해 상대적으로 큰 전력 절감들을 제공할 수도 있다. 크로마 다운스케일 다음에 크로마 업스케일을 이용하여 보상이 달성될 수도 있다. 일부 예들에서, 이러한 다운스케일 및 업스케일 프로세스는 낮고-가벼운 크로마 잡음 감소에 이용될 수도 있다. 그러나, 본 개시물의 양태들에 따르면, 동일하거나 유사한 프로세스가 전력/열 관리에 이용될 수도 있다.추가적으로 또는 대안적으로, 활성 전력은 카메라 출력 해상도를 조정함으로써 감소될 수도 있다. 일부 예들에서, 카메라 출력 해상도를 조정하는 것은 출력 해상도를 변화시키기 위한 애플리케이션 개입을 포함할 수도 있다. 카메라 출력 해상도는 전체 이미징 파이프라인 (예를 들어, 카메라-구성-디스플레이 또는 카메라-인코딩) 을 통해 관리될 수도 있다.도 6 은 다양한 동작 파라미터들에 대한 사용자 경험의 예시적인 모델들을 도시한다. 예를 들어, 위에서 언급된 바와 같이, 사용자 경험과 특정 동작 파라미터 사이의 관계는 선형적이지 않을 수도 있다. 즉, 특정 지각적 임계치 이상으로, 프레임 레이트 (FPS), 해상도, 또는 다양한 다른 동작 파라미터들 (예를 들어, 다른 노브) 과 같은 동작 파라미터를 증가시키는 것은 향상된 사용자 경험을 초래하지 않을 수도 있다.도 6 의 예는 프로세싱 양 증가에 대한 줄어드는 사용자 경험 리턴을 도시한다. 동작 파라미터들과 줄어드는 사용자 경험 사이의 관계는 (플롯들에 따른 샘플 지점들을 나타내는 점들 및 화살표들을 갖는) 곡선 플롯들로 모델링될 수도 있다. 예를 들어, 도 6 에 도시된 점들은 동작 지점들일 수도 있고, 한편 플롯들은 현재의 동작 지점들에 따라 사용자 경험 (UX) 에 대한 다양한 영향들을 모델링할 수도 있다. 본 개시물의 양태들에 따르면, (도 1 내지 도 3 에 대해 위에서 설명된 디바이스들과 같은) 디바이스는 모델들에 기초하여 사용자 경험 메트릭을 결정할 수도 있다. 위에서 언급된 바와 같이, 일부 예들에서, 디바이스는 사용자 경험 팩터들의 가중된 합을 결정할 수도 있다. 팩터들은, 일부 예들에서, 디바이스의 카메라에 의해 캡쳐되고 있는 컨텐트와 연관된 컨텍스트에 기초하여 가중될 수도 있다.도 7 은, 본 개시물의 양태들에 따른, 사용자 경험 메트릭에 기초하여 디바이스의 동작 파라미터를 조정하기 위한 예시적인 프로세스를 도시하는 플로차트이다. 도 7 에 도시된 프로세스는 위에서 도 1 내지 도 3 에 대해 도시되고 설명된 디바이스들 및 시스템들에 의해, 또는 다양한 다른 전자 디바이스들에 의해 이행될 수도 있다. 도 7 은 예시의 목적들을 위해 디바이스 (40) (도 2) 에 대해 설명된다.도 7 에서의 프로세스는 전력 및/또는 온도를 제어하는 것을 언급한다. 일부 예들에서, 도 7 의 프로세스는 (하기에서 언급되는 바와 같이, 대응하는 전력 소비 산출치들 및 전력 버짓과 함께) 전력 소비에만 기초하여 구현될 수도 있다. 다른 예들에서, 도 7 의 프로세스는 (하기에서 언급된 바와 같이, 대응하는 온도 측정치(들) 및 온도 버짓과 함께) 온도에만 기초하여 구현될 수도 있다. 또 다른 예들에서, 도 7 의 프로세스는 전력 소비 및 온도의 조합에 기초하여 구현될 수도 있다. 그러한 예들에서는, 전력 소비 및 온도 양자 모두가 모니터링될 수도 있다. 또한, 전력 버짓 및 온도 버짓 양자 모두가 동작 파라미터들을 조정할 때를 결정하는데 이용될 수도 있다. 즉, 미리 결정된 알고리즘이 전력 소비를 제어하는 것과 온도를 제어하는 것 사이의 우선순위를 명시할 수도 있다.디바이스 (40) 는 (동작 파라미터라고도 지칭되는) 동작 조건 벡터 (S) 에 디폴트 설정을 적용할 수도 있다 (140). 디바이스 (40) 는 그 다음에 (예를 들어, 이미지 프로세서 또는 카메라 시스템 (76) 의 다른 컴포넌트들과 같은) 디바이스 (40) 의 하나 이상의 컴포넌트들의 전력 소비 (P), 및/또는 디바이스 (40) 의 시스템 온도 (T) 를 결정할 수도 있다 (142). 일부 예들에서, 전력 소비는 디바이스 (40) 의 개개의 컴포넌트들로부터의 다수의 전력 측정치들로 구성될 수도 있다. 마찬가지로, 일부 예들에서, 시스템 온도는 디바이스 (40) 의 개개의 컴포넌트들로부터의 다수의 온도 측정치들로 구성될 수도 있다.디바이스 (40) 는 전력 소비 (P) 가 미리 결정된 전력 버짓을 초과하는지 여부 및/또는 온도가 미리 결정된 온도 제한 (T) 을 초과하는지 여부를 결정할 수도 있다 (144). 전력 소비 (P) 가 전력 버짓을 초과하고/하거나 온도 (T) 가 온도 제한을 초과하면 (단계 144 의 '예' 분기), 디바이스 (40) 는, 예를 들어, 디바이스 (40) 의 열/전력 관리기 (80) 는, 조정되는 경우에, 최소의 사용자 경험 비율 (델타 UX/델타 P (또는 델타 T)) 을 초래하는, 벡터 (S) 에서의 하나 이상의 동작 파라미터들을 결정할 수도 있다 (146). 예를 들어, 디바이스 (40) 는 사용자 경험에서의 추정된 변화 (델타 사용자 경험), 뿐만 아니라 전력 소비에서의 추정된 변화 (델타 전력, 또는 온도의 경우에는, 델타 온도) 에 기초하여 사용자 경험 비율을 결정할 수도 있다.위에서 언급된 바와 같이, 디바이스 (40) 는 사용자 경험 메트릭을 이용하여 사용자 경험에서의 변화를 추정할 수도 있으며, 사용자 경험 메트릭은 하나 이상의 사용자 경험 모델들로 구성될 수도 있다. 또한, 디바이스 (40) 는 하나 이상의 전력 또는 온도 모델들을 이용하여 전력 소비 (또는 온도) 에서의 변화를 추정할 수도 있다. 사용자 경험 비율 (예를 들어, 델타 전력 (또는 델타 온도) 으로 나눠지는 델타 사용자 경험) 을 감소시키고 일부 경우들에서는 최소화함으로써, 디바이스 (40) 는 사용자 경험에 상대적을 낮은 영향 (예를 들어, 최소의 영향) 을 주나 전력 (또는 온도) 절감들에는 상대적으로 높은 영향 (예를 들어, 최대 영향) 을 주는 동작 파라미터(들)를 선택할 수도 있다.디바이스 (40) 는 그 다음에 벡터 (S) 에서 결정된 파라미터(들)를 감소시킬 수도 있다 (148). 또한, 디바이스 (40) 는 시스템에 새로운 동작 조건 벡터 (S) 를 적용함으로써, 디바이스의 하나 이상의 동작 파라미터들을 조정할 수도 있다 (150).단계 144 로 돌아가서, 전력 소비 (P) 가 전력 버짓보다 낮고/낮거나 온도 (T) 가 온도 제한보다 낮으면 (단계 144 에서 '아니오' 분기), 디바이스 (40) 는, 조정되는 경우, 보다 큰 (예를 들어, 최대) 사용자 경험 비율 (델타 UX/델타 P (또는 델타 T)) 을 초래하는, 벡터 (S) 에서의 하나 이상의 동작 파라미터들을 결정할 수도 있다 (152). 예를 들어, 디바이스 (40) 는 사용자 경험에서의 추정된 변화 (델타 사용자 경험), 뿐만 아니라 전력 소비에서의 추정된 변화 (델타 전력, 또는 온도의 경우에는, 델타 온도) 에 기초하여 사용자 경험 비율을 결정할 수도 있다.다시, 디바이스 (40) 는 사용자 경험 메트릭을 이용하여 사용자 경험에서의 변화를 추정할 수도 있으며, 사용자 경험 메트릭은 하나 이상의 사용자 경험 모델들로 구성될 수도 있다. 또한, 디바이스 (40) 는 하나 이상의 전력 또는 온도 모델들을 이용하여 전력 소비 (또는 온도) 에서의 변화를 추정할 수도 있다. 사용자 경험 비율 (예를 들어, 델타 전력 (또는 델타 온도) 으로 나눠지는 델타 사용자 경험) 을 증가시킴으로써 (예를 들어, 최대화함으로써), 디바이스는 사용자 경험에는 상대적으로 큰 (예를 들어, 최대) 영향을 주고 전력 (또는 온도) 변화에는 상대적으로 낮은 (예를 들어, 최소의) 영향을 주는 동작 파라미터(들)를 선택할 수도 있다. 즉, 디바이스 (40) 는, 조정되는 경우, 사용자 경험에서의 증가를 초래하나, 디바이스 (40) 의 전력 소비 또는 온도를 대폭적으로 증가시키지는 않는 하나 이상의 동작 파라미터들을 선택한다.디바이스 (40) 는 그 다음에 벡터 (S) 에서 결정된 파라미터(들)를 증가시킬 수도 있다 (154). 또한, 디바이스 (40) 는 시스템에 새로운 동작 조건 벡터 (S) 를 적용함으로써, 디바이스의 하나 이상의 동작 파라미터들을 조정할 수도 있다 (150).예를 들어, 시스템에 새로운 동작 조건 벡터 (S) 를 적용함으로써, 디바이스의 하나 이상의 동작 파라미터들을 조정한 후에 (150), 디바이스 (40) 는 사용자 경험 (UX) 이 최소 사용자 경험 임계치보다 큰 지 여부를 결정할 수도 있다 (156). 사용자 경험 (UX) 이 최소치보다 작으면 (단계 156 에서 '아니오' 분기), 디바이스 (40) 는 사용자 경험을 증가시키도록 동작 파라미터들의 추가적인 조정을 위해 단계 142 로 되돌아갈 수도 있다. 사용자 경험 (UX) 이 최소치 이상이면 (단계 156 의 '예' 분기), 디바이스 (40) 는 시스템 레벨 열 엔진으로부터의 추가적인 전력 버짓 또는 온도 제한 증가를 요청하고 허락된다면 버짓 또는 제한을 업데이트할 수도 있다 (158). 다른 예들에서, 디바이스 (40) 는 사용자 경험이 최소 사용자 경험 임계치 아래로 떨어질 때까지 사용자 경험 (UX) 을 계속 모니터링할 수도 있다.도 7 에 대해 도시되고 설명된 단계들은 단지 일 예로서 제공된다는 것으로 이해되어야 한다. 즉, 도 7 의 방법의 단계들은 반드시 도 7 에 도시된 순서로 수행될 필요는 없고, 보다 적거나, 추가적이거나, 대안적인 단계들이 수행될 수도 있다.도 8 은, 본 개시물의 양태들에 따른, 사용자 경험 메트릭에 기초하여 디바이스의 동작 파라미터를 조정하기 위한 다른 예시적인 프로세스를 도시하는 플로차트이다. 도 8 에 도시된 프로세스는 위에서 도 1 내지 도 3 에 대해 도시되고 설명된 디바이스들 및 시스템들에 의해, 또는 다양한 다른 전자 디바이스들에 의해 이행될 수도 있다. 도 8 은 예시의 목적들을 위해 디바이스 (40) (도 2) 에 대해 설명된다.디바이스 (40) 는 전자 디바이스의 카메라에 의해 캡쳐된 컨텐트와 연관된 사용자 경험 메트릭을 결정할 수도 있다 (166). 본 개시물의 양태들에 따르면, 디바이스 (40) 는 사용자 경험 메트릭을 자동적으로 결정할 수도 있다. 예를 들어, 디바이스 (40) 는 사용자로부터의 입력 없이 사용자 경험 메트릭을 자동적으로 결정할 수도 있다.디바이스 (40) 는, 일부 예들에서, 하나 이상의 사용자 경험 팩터들을 발생시키기 위해 디바이스 (40) 의 각각의 동작 파라미터에 사용자 경험 모델을 적용함으로써 사용자 경험 메트릭을 결정할 수도 있다. 디바이스 (40) 는 하나 이상의 사용자 경험 팩터들의 합을 계산할 수도 있다. 일부 예들에서, 합계 사용자 경험 팩터들을 계산하는 것은, 컨텐트와 연관된 컨텍스트에 기초하여, 사용자 경험 팩터들 중 하나 이상에 하나 이상의 가중 팩터들을 적용하여 하나 이상의 가중된 사용자 경험 팩터들을 생성하는 것을 포함할 수도 있다. 디바이스 (40) 는 그 다음에 가중된 사용자 경험 팩터들의 가중된 합을 계산할 수도 있다.디바이스 (40) 는 또한, 결정된 사용자 경험 메트릭에 대한 추정된 변화에 기초하여, 디바이스의 적어도 하나의 동작 파라미터를 조정하여 동작 특성 목표를 생성한다 (168). 도 3 에 대해 위에서 언급된 바와 같이, 예시적인 동작 파라미터들은 프레임 레이트, 해상도, 디바이스에서 동작하는 소프트웨어 애플리케이션, 카메라, 카메라가 컨텐트를 캡쳐하기 위한 센서 등을 포함하는 카메라 서브-시스템의 하나 이상의 하드웨어 컴포넌트들과 연관된 하나 이상의 동작 파라미터들 중 하나 이상을 포함한다.본 개시물의 양태들에 따르면, 디바이스 (40) 는 카메라에 의해 캡쳐된 컨텐트의 컨텍스트에 기초하여 동작 파라미터를 조정할 수도 있다. 디바이스 (40) 는 컨텐트가, 예들로서, 컨텐트 내의 얼굴의 존재, 컨텐트 내의 피부 색조의 존재, 컨텐트의 주파수, 컨텐트와 연관된 움직임의 추정치, 컨텐트의 밝기, 컨텐트의 초점 거리 등을 포함하는지 여부에 기초하여 동작 파라미터를 조정할 수도 있다. 예시의 목적들을 위한 예에서는, 조정되고 있는 동작 파라미터들이 해상도 및 프레임 레이트를 포함하는 것으로 가정한다. 이러한 예에서, 디바이스 (40) 는 캡쳐되고 있는 컨텐트에 따라 프레임 레이트보다 많이 (또는 적게) 해상도를 조정할 수도 있다.일 예에서, 디바이스 (40) 는 컨텍스트로서 얼굴이 캡쳐된 컨텐트 내에 존재하는지 여부를 결정할 수도 있다. 이러한 예에서, 디바이스 (40) 는 프레임 레이트에 사용자 경험 모델을 적용하여 프레임 레이트 사용자 경험 팩터를 발생시킬 수도 있고, 해상도에 사용자 경험 모델을 적용하여 해상도 사용자 경험 팩터를 발생시킬 수도 있다. 디바이스 (40) 는 프레임 레이트 사용자 경험 팩터에는 제 1 가중 팩터를 그리고 해상도 사용자 경험 팩터에는 제 2 가중 팩터를 적용할 수도 있으며, 여기서 제 1 가중 팩터는 제 2 가중 팩터보다 작다.다른 예에서, 디바이스 (40) 는 컨텍스트로서 피부 톤과 연관된 색조가 캡쳐된 컨텐트 내에 존재하는지 여부를 결정할 수도 있다. 이러한 예에서, 디바이스 (40) 는 프레임 레이트에 사용자 경험 모델을 적용하여 프레임 레이트 사용자 경험 팩터를 발생시킬 수도 있고, 해상도에 사용자 경험 모델을 적용하여 해상도 사용자 경험 팩터를 발생시킬 수도 있다. 디바이스 (40) 는 프레임 레이트 사용자 경험 팩터에는 제 1 가중 팩터를 그리고 해상도 사용자 경험 팩터에는 제 2 가중 팩터를 적용할 수도 있으며, 여기서 제 1 가중 팩터는 제 2 가중 팩터보다 작다.다른 예에서, 디바이스 (40) 는 컨텍스트로서 캡쳐된 컨텐트의 주파수를 결정할 수도 있다. 이러한 예에서, 디바이스 (40) 는 프레임 레이트에 사용자 경험 모델을 적용하여 프레임 레이트 사용자 경험 팩터를 발생시킬 수도 있고, 해상도에 사용자 경험 모델을 적용하여 해상도 사용자 경험 팩터를 발생시킬 수도 있다. 디바이스 (40) 는 프레임 레이트 사용자 경험 팩터에는 제 1 가중 팩터를 그리고 해상도 사용자 경험 팩터에는 제 2 가중 팩터를 적용할 수도 있으며, 여기서 주파수가 미리 결정된 임계치를 초과하는 경우 제 1 가중 팩터는 제 2 가중 팩터보다 작다.다른 예에서, 디바이스 (40) 는 컨텍스트로서 캡쳐된 컨텐트에서 움직임의 추정치를 결정할 수도 있다. 이러한 예에서, 디바이스 (40) 는 프레임 레이트에 사용자 경험 모델을 적용하여 프레임 레이트 사용자 경험 팩터를 발생시킬 수도 있고, 해상도에 사용자 경험 모델을 적용하여 해상도 사용자 경험 팩터를 발생시킬 수도 있다. 디바이스 (40) 는 프레임 레이트 사용자 경험 팩터에는 제 1 가중 팩터를 그리고 해상도 사용자 경험 팩터에는 제 2 가중 팩터를 적용할 수도 있으며, 여기서 움직임의 추정치가 미리 결정된 임계치를 초과하는 경우 제 1 가중 팩터는 제 2 가중 팩터보다 크다.다른 예에서, 디바이스 (40) 는 컨텍스트로서 캡쳐된 컨텐트에서 움직임의 추정치를 결정할 수도 있다. 이러한 예에서, 디바이스 (40) 는 프레임 레이트에 사용자 경험 모델을 적용하여 프레임 레이트 사용자 경험 팩터를 발생시킬 수도 있고, 해상도에 사용자 경험 모델을 적용하여 해상도 사용자 경험 팩터를 발생시킬 수도 있다. 디바이스 (40) 는 프레임 레이트 사용자 경험 팩터에는 제 1 가중 팩터를 그리고 해상도 사용자 경험 팩터에는 제 2 가중 팩터를 적용할 수도 있으며, 여기서 밝기의 추정치가 미리 결정된 임계치를 초과하는 경우 제 1 가중 팩터는 제 2 가중 팩터보다 크다.다른 예에서, 디바이스 (40) 는 컨텍스트로서 컨텐트의 초점 거리를 결정할 수도 있다. 이러한 예에서, 디바이스 (40) 는 프레임 레이트에 사용자 경험 모델을 적용하여 프레임 레이트 사용자 경험 팩터를 발생시킬 수도 있고, 해상도에 사용자 경험 모델을 적용하여 해상도 사용자 경험 팩터를 발생시킬 수도 있다. 디바이스 (40) 는 프레임 레이트 사용자 경험 팩터에는 제 1 가중 팩터를 그리고 해상도 사용자 경험 팩터에는 제 2 가중 팩터를 적용할 수도 있으며, 여기서 초점 거리가 미리 결정된 임계치보다 작은 경우 제 1 가중 팩터는 제 2 가중 팩터보다 작다.일부 예들에서는, 본 개시물의 양태들에 따라, 디바이스는 사용자 경험에 대한 영향을 최소화하도록 동작 파라미터들을 조정할 수도 있다. 또한, 디바이스는 사용자 경험에 대한 파라미터들의 영향에 기초하여 다른 파라미터들에 상대적으로 파라미터들 중 하나 이상을 지능적으로 선택할 수도 있다. 예를 들어, 디바이스는 동작 파라미터들 중 다른 것을 선택하는 것에 상대적으로 사용자 경험 메트릭에서의 감소를 최소화하도록 복수의 동작 파라미터들로부터 하나 이상의 동작 파라미터들을 선택할 수도 있다.따라서, 일부 예들에서, 동작 특성 목표는 (전력 제한 또는 전력 임계치라고도 지칭될 수도 있는) 미리 결정된 전력 버짓일 수도 있다. 그러한 예들에서, 디바이스 (40) 의 하나 이상의 컴포넌트들의 전력 인출이 미리 결정된 전력 버짓을 초과하는 경우, 디바이스 (40) 는, 조정되는 경우, 복수의 다른 동작 파라미터들에 비해 디바이스 (40) 의 전력 인출에서 가장 큰 변화를 그리고 사용자 경험 메트릭에서는 가장 작은 변화를 초래하는, 복수의 파라미터들 중의 하나 이상의 동작 파라미터들을 결정함으로써 적어도 하나의 동작 파라미터들을 조정할 수도 있다.마찬가지로, 일부 예들에서, 동작 특성 목표는 (열 제한 또는 열 임계치라고도 지칭될 수도 있는) 미리 결정된 온도 제한일 수도 있다. 그러한 예들에서, 디바이스 (40) 의 하나 이상의 컴포넌트들의 온도가 미리 결정된 온도 제한을 초과하는 경우, 디바이스 (40) 는, 조정되는 경우, 복수의 다른 동작 파라미터들에 비해 디바이스 (40) 의 온도에서 가장 큰 변화를 그리고 사용자 경험 메트릭에서는 가장 작은 변화를 초래하는, 복수의 파라미터들 중의 하나 이상의 동작 파라미터들을 결정함으로써 적어도 하나의 동작 파라미터들을 조정할 수도 있다.일부 예들에서는, 본 개시물의 양태들에 따라, 디바이스 (40) 는 동작 특성에서의 추정된 변화 대 결정된 사용자 경험에 대한 추정된 변화의 비율에 기초하여 적어도 하나의 동작 파라미터를 조정할 수도 있다.디바이스 (40) 는, 일부 예들에서, 위에서 언급된 바와 같이, 사용자 경험 팩터들의 가중된 합에 기초하여 적어도 하나의 동작 파라미터를 조정할 수도 있다. 예시의 목적들을 위한 예에서는, 동작 파라미터들이 프레임 레이트 및 해상도를 포함하는 것으로 가정한다. 컨텐트와 연관된 컨텍스트는 컨텐트 내의 얼굴의 존재, 컨텐트 내의 피부 색조의 존재, 컨텐트의 주파수, 컨텐트와 연관된 움직임의 추정치, 컨텐트의 밝기, 컨텐트의 초점 거리 중 적어도 하나를 포함하는 것으로 더 가정된다. 이러한 예에서, 동작 파라미터들의 각각에 사용자 경험 모델을 적용하는 것은 프레임 레이트에 사용자 경험 모델을 적용하여 프레임 레이트 사용자 경험 팩터를 발생시키는 것 및 해상도에 사용자 경험 모델을 적용하여 해상도 사용자 경험 팩터를 발생시키는 것을 포함할 수도 있다. 디바이스 (40) 는 컨텍스트에 기초하여 프레임 레이트 사용자 경험 팩터에는 제 1 가중 팩터를 그리고 해상도 사용자 경험 팩터에는 제 2 의 상이한 가중 팩터를 적용할 수도 있다.도 8 에 대해 도시되고 설명된 단계들은 단지 일 예로서 제공된다는 것으로 이해되어야 한다. 즉, 도 8 의 방법의 단계들은 반드시 도 8 에 도시된 순서로 수행될 필요는 없고, 보다 적거나, 추가적이거나, 대안적인 단계들이 수행될 수도 있다.이러한 방식으로, 본 개시물의 기법들은 다른 전력 및/또는 온도 제어 기법들에 비해 하나 이상의 이점들을 제공할 수도 있다. 예를 들어, 디바이스는 통상적으로 온도가 임계치보다 높게 되는 경우 클록 조절 (주파수 제한) 을 수행할 수도 있다. 본 개시물의 양태들에 따르면, 디바이스는 단지 클록 제어 대신에 이미지 캡쳐 해상도/프레임 레이트/다른 제어들 (이미지 작업부하 제어) 을 제어할 수도 있다. 디바이스는 통상적으로 다양한 기능 블록들에 대한 많은 상이한 클록들을 가질 수도 있다. 클록 조절은 몇몇 기능 블록들에 적용되어 오직 부분적 클록 조절 및 부분적 전력 감소만을 달성할 수도 있다 (그리고 일부 기능 블록들에 대해서는 적용되지 않을 수도 있다). 본 개시물의 양태들에 따르면, 디바이스는, 예를 들어, 외부 카메라 센서 모듈, 이미지 프로세싱 컴포넌트들, 및 메모리 판독부/기록부를 포함하는 전체 카메라 시스템 흐름에 비해 복잡한 제어를 가질 수도 있다.디바이스는 통상적으로 프레임 스킵을 통해 프레임 레이트 제어를 수행할 수도 있다. 본 개시물의 양태들에 따르면, 디바이스는 (예를 들어, 블랭킹 간격 스트레치를 통해 자동 프레임 레이트 제어를 이용하여) 사용자 경험 인식 열 관리기에 대한 보다 간단한 인터페이스들을 통해 보다 미세한 프레임 레이트를 제어할 수도 있으며, 이는 상당히 높은 전력 절감들을 초래할 수도 있다.디바이스는 통상적으로 전력 또는 온도 과잉들을 조정하는 경우에 사용자 경험에 대한 영향을 고려하지 않을 수도 있다. 본 개시물의 양태들에 따르면, 위에서 설명된 바와 같이, 디바이스는 사용자 경험에 대한 영향을 고려하는 사용자 경험 모델에 기초하여 이미지 해상도/프레임 레이트, 다른 동적 변수들에 대한 저하의 균형을 맞출 수도 있다.디바이스는 통상적으로 전력 버짓에 대해 소극적으로 제어할 수도 있다 (예를 들어, 전력 버짓 협상이 없을 수도 있다). 본 개시물의 양태들에 따르면, 수량화된 이미지 품질 (예를 들어, 사용자 경험) 해상도/프레임 레이트/다른 동작 파라미터들이 임계치보다 낮아지면, 디바이스는 열 엔진으로부터의 전력 감소 요청을 거절하거나 엘 엔진으로부터 보다 많은 전력 버짓을 요청할 수도 있다.예에 따라, 본원에서 설명된 임의의 방법들의 소정의 행위들 또는 이벤트들은 상이한 시퀀스로 수행될 수도 있거나, 추가되거나 합병될 수도 있거나, 또는 함께 제거될 수도 있다 (예를 들어, 설명된 모든 행위들 또는 이벤트들이 방법의 실시에 반드시 필요한 것은 아니다) 는 것이 또한 이해되어야 한다. 또한, 소정의 예들에서, 작용들 및 이벤트들은, 순차적으로 수행되는 대신에, 예를 들어, 멀티 스레드 프로세싱, 인터럽트 프로세싱, 또는 멀티 프로세서들을 통해 동시에 수행될 수도 있다.또한, 하나 이상의 예들에서, 설명된 기능들은 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어, 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수도 있다. 소프트웨어로 구현되는 경우, 기능들은 하드웨어 기반 프로세싱 유닛에 의해 실행되는 하나 이상의 명령들 또는 코드로서 컴퓨터 판독가능 매체 상에 저장되거나 송신될 수도 있다. 컴퓨터-판독가능 매체들은 데이터 저장 매체들과 같은 유형의 매체에 대응하는 컴퓨터-판독가능 저장 매체들, 또는 예를 들어, 통신 프로토콜에 따라 한 장소로부터 다른 장소로 컴퓨터 프로그램의 전송을 용이하게 하는 임의의 매체를 포함하는 통신 매체들을 포함할 수도 있다.이러한 방식으로, 컴퓨터-판독가능 매체는 일반적으로 (1) 비일시적인 유형의 컴퓨터 판독가능 저장 매체들 또는 (2) 신호 또는 반송파와 같은 통신 매체에 대응할 수도 있다. 데이터 저장 매체는 본 개시물에 설명된 기법들의 구현을 위한 명령들, 코드, 및/또는 데이터 구조들을 검색하기 위해 하나 이상의 컴퓨터들 또는 하나 이상의 프로세서들에 의해 액세스될 수 있는 임의의 이용가능한 매체들일 수도 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 컴퓨터-판독가능 매체를 포함할 수도 있다. 비제한적인 예로서, 이러한 컴퓨터-판독가능 저장 매체는 RAM, ROM, EEPROM, CD-ROM 또는 다른 광학 디스크 스토리지, 자기 디스크 스토리지 또는 다른 자기 스토리지 디바이스들, 플래시 메모리, 또는 소망의 프로그램 코드를 명령들 또는 데이터 구조들의 형태로 저장하기 위해 사용될 수 있으며 컴퓨터에 의해 액세스될 수 있는 임의의 다른 매체를 포함할 수 있다.또한, 임의의 접속이 통신 매체를 적절히 칭한다. 예를 들어, 소프트웨어가 동축 케이블, 광섬유 케이블, 연선, 디지털 가입자 회선 (DSL), 또는 적외선, 무선, 및 마이크로파와 같은 무선 기술들을 이용하여 웹사이트, 서버, 또는 다른 원격 소스로부터 명령들이 송신되면, 동축 케이블, 광섬유 케이블, 연선, DSL, 또는 적외선, 무선, 및 마이크로파와 같은 무선 기술들은 통신 매체의 정의 내에 포함된다.그러나, 컴퓨터-판독가능 저장 매체들 및 데이터 저장 매체들은 접속들, 반송파들, 신호들, 또는 다른 일시적 매체들을 포함하지 않고, 대신에 비일시적, 유형의 저장 매체들이다. 본원에서 사용된 디스크 (disk) 와 디스크 (disc) 는, 컴팩트 디스크 (CD), 레이저 디스크, 광학 디스크, 디지털 다기능 디스크 (DVD), 플로피 디스크 및 블루-레이 디스크를 포함하며, 여기서 디스크 (disk) 는 통상 자기적으로 데이터를 재생하고, 디스크 (disc) 는 레이저를 이용하여 광학적으로 데이터를 재생한다. 상기의 조합들도 컴퓨터-판독가능 매체들의 범위 내에 또한 포함되어야 한다.명령들은 하나 이상의 DSP 들, 범용 마이크로프로세서들, ASIC 들, FPGA 들, 또는 다른 등가의 집적 또는 이산 로직 회로부와 같은 하나 이상의 프로세서들에 의해 실행될 수도 있다. 이에 따라, 본원에서 사용된 용어 "프로세서" 는 임의의 앞서 설명된 구조 또는 본원에서 설명된 기술들의 구현에 적합한 임의의 다른 구조를 지칭할 수도 있다. 또한, 일부 양태들에서, 본원에서 설명된 기능성은 인코딩 및 디코딩을 위해 구성된 전용 하드웨어 및/또는 소프트웨어 모듈 내에 제공되거나, 또는 통합 코덱에 통합될 수도 있다. 또한, 기법들은 하나 이상의 회로들 또는 로직 소자들에서 완전히 구현될 수 있다.본 개시물의 기법들은 무선 핸드셋, 집적 회로 (integrated circuit; IC), 또는 IC 들의 세트 (예를 들어, 칩셋) 를 포함하여, 매우 다양한 디바이스들 또는 장치들로 구현될 수도 있다. 개시된 기술들을 수행하도록 구성된 디바이스들의 기능적 양태를 강조하기 위해 다양한 컴포넌트들, 모듈들, 또는 유닛들이 본 개시물에서 설명되었지만, 반드시 상이한 하드웨어 유닛들에 의해 실현될 필요는 없다. 대신, 상술한 바와 같이, 다양한 유닛들은, 적절한 소프트웨어 및/또는 펌웨어와 연계하여, 코덱 하드웨어 유닛에 통합되거나 또는 상술한 하나 이상의 프로세서들을 포함하여 상호 동작적인 하드웨어 유닛들의 집합에 의해 제공될 수도 있다.본 개시물의 여러 양태들이 설명되었다. 이들 및 다른 실시형태들은 하기의 청구항들의 범위 내에 있다.	일 예에서, 방법은, 전자 디바이스에 의해, 전자 디바이스의 적어도 하나의 카메라에 의해 캡쳐된 컨텐트와 연관된 사용자 경험 메트릭을 결정하는 단계를 포함한다. 방법은 또한 동작 특성 목표를 생성하도록 디바이스의 적어도 하나의 동작 파라미터를 조정하는 단계를 포함하며, 여기서 조정은 조정으로 인한 결정된 사용자 경험 메트릭에 대한 추정된 변화에 기초한다.
[ 발명의 명칭 ] 물품 및 활성 에너지선 경화성 수지 조성물ARTICLE AND ACTIVE ENERGY RAY-CURABLE RESIN COMPOSITION [ 기술분야 ] 본 발명은 물품 및 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 관한 것이다. 이 출원은, 2012년 6월 15일에 출원된 일본출원 특원 2012-135982, 2012년 6월 19일에 출원된 일본출원 특원 2012-138147, 2012년 11월 7일에 출원된 일본출원 특원 2012-245231, 및 2012년 11월 27일에 출원된 일본출원 특원 2012-258346을 기초로 하는 우선권을 주장하며, 그 개시 모두를 여기에 도입한다. [ 배경기술 ] 가시광의 파장 이하의 주기의 미세 요철 구조를 표면에 갖는 물품은, 해당 미세 요철 구조에 있어서의 연속적인 굴절률의 변화에 의해서, 반사 방지 성능을 갖는다는 것이 알려져 있다. 또한, 미세 요철 구조는, 로터스 효과에 의해서 초발수 성능을 발현한다는 것도 알려져 있다. 미세 요철 구조를 표면에 갖는 물품의 제조 방법으로서는, 예컨대, 하기 방법이 제안되어 있다. (i) 미세 요철 구조의 반전 구조를 표면에 갖는 스탬퍼를 이용하여, 열가소성 수지를 사출 성형 또는 프레스 성형할 때에, 열가소성 수지에 미세 요철 구조를 전사하는 방법. (ii) 미세 요철 구조의 반전 구조를 표면에 갖는 스탬퍼와 투명 기재 사이에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 충전하고, 활성 에너지선의 조사에 의해서 경화시킨 후, 스탬퍼를 이형하여 경화물에 미세 요철 구조를 전사하는 방법. 또는, 상기 스탬퍼와 투명 기재 사이에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 충전한 후, 스탬퍼를 이형하여 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 미세 요철 구조를 전사하고, 그 후, 활성 에너지선의 조사에 의해서 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 경화시키는 방법. 이들 방법 중, 미세 요철 구조의 전사성이 좋고, 물품 표면의 조성의 자유도가 높으며, 또한, 스탬퍼가 벨트 형상이나 롤 형상인 경우에 연속 생산이 가능하여, 생산성이 우수하다는 관점에서, (ii)의 방법이 주목받고 있다. (ii)의 방법에 이용되는 활성 에너지선 경화성 수지 조성물로서는, 예컨대, 하기의 조성물이 제안되어 있다. (1) 우레탄 아크릴레이트 등의 아크릴레이트 올리고머와, 라디칼 중합성의 작용기를 갖는 아크릴계 수지와, 이형제와, 광 중합 개시제를 포함하는 광경화성 수지 조성물(특허문헌 1). (2) 에톡시화 비스페놀 A 다이(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴레이트와, N-바이닐피롤리돈 등의 반응성 희석제와, 광 중합 개시제와, 불소계 계면활성제를 포함하는 광경화성 수지 조성물(특허문헌 2). (3) 트라이메틸올프로페인 트라이(메트)아크릴레이트 등의 다작용 (메트)아크릴레이트와, 광 중합 개시제와, 폴리에터 변성 실리콘 오일 등의 레벨링제를 포함하는 자외선 경화성 수지 조성물(특허문헌 3). 또한, 특허문헌 4에서는, 무용제계의 활성 에너지선 경화성 수지 조성물이 제안되어 있다. 그러나, 이 경화성 수지 조성물로 형성된 광투과성 물품은, 내찰상성의 점에서 아직 개선의 여지가 있다. 또, 내찰상성을 향상시키는 일반적인 수법으로서, 경화성 수지 조성물에 표면 조정제로서 실리콘 오일을 배합하여 슬립성을 부여하는 방법(예컨대, 특허문헌 5), 다작용 아크릴레이트 모노머를 사용하는 방법(예컨대, 특허문헌 6) 등을 들 수 있다. 또한, 미세 요철 구조를 표면에 갖는 물품은, 적어도 투명 기체(基體)와, 그 위에 형성되는 미세 요철 구조가 전사된 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물에 의해서 형성되는 층의 2층을 갖는 것이 개시되어 있다(특허문헌 7). 또, 투명 기체와 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물에 의해서 형성되는 층의 밀착성, 및 고경도화 등의 기능성을 가지게 하기 위해서, 기능층을 추가하는 검토가 이루어져 있다(특허문헌 8). [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특허 제4156415호 공보일본 특허공개 2007-84625호 공보일본 특허공개 2000-71290호 공보국제 공개 제2008/096872호일본 특허공개 2000-234073호 공보일본 특허 제4318577호 공보일본 특허공개 2011-33892호 공보일본 특허공개 2011-856호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 그러나, (1)의 광경화성 수지 조성물에는 하기의 과제가 있다. · 스침에 의해 흠집이 나기 쉽다. · 경화물의 친수성이 불충분하기 때문에, 경화물(미세 요철 구조)에 부착된 지문 등의 오염을 물걸레질하려 해도, 오염이 물로 떠오르지 않아, 지문 등을 닦아내기 곤란하다. 또한, (2)의 광경화성 수지 조성물에는, 하기의 과제가 있다. · 경화물의 친수성이 불충분하기 때문에, 경화물(미세 요철 구조)에 부착된 지문 등의 오염을 물걸레질하려 해도, 오염이 물로 떠오르지 않아, 지문 등을 닦아내기 곤란하다. 또한, (3)의 자외선 경화성 수지 조성물은, 경화물의 소수성이 충분히 높기 때문에 지문 등의 오염은 부착되기 어렵지만, 하기의 과제가 있다. · 중합성 성분이 저분자량이기 때문에, 경화물이 딱딱하고 취성이 되어, 스침에 의해서 흠집이 나기 쉽다. 또한, 나노 요철 구조체는 특이한 표면 구조를 가지기 때문에, 평활면과 동일한 방법으로 내찰상성을 부여하는 것은 곤란하다. 예컨대, 특허문헌 5와 같이 실리콘 오일 등의 표면 조정제를 배합하는 방법에서는, 요구되는 내찰상성을 충분히 만족시킬 수 없다. 더구나, 표면 조정제의 영향에 의해서 부착된 오염이 떨어지기 어려워지는 경우도 있다. 또한, 특허문헌 6의 다작용 모노머의 에틸렌 옥사이드 변성 화합물을 사용하는 방법에서는, 금형으로부터 박리할 때에 금이 가는 등의 박리 불량이 발생하는 경우가 있다. 또한, 딱딱한 부재와의 접촉에 의해서 나노 요철 구조의 돌기가 꺾여 반사 방지 성능이 저하되는 경우도 있다. 또, 에틸렌 옥사이드가 지나치게 많으면 나노 요철 구조의 돌기끼리가 바싹 달라붙는 현상이 생겨, 필름이 백탁(白濁)되는 경우도 있다. 또한, 특허문헌 7에 기재된 바와 같이 투명 기체와 그 위에 형성되는 미세 요철 구조가 전사된 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물에 의해서 형성되는 층의 2층 구조로 한 경우, 2층간의 밀착성을 높이는 것이 어렵다고 하는 문제, 2층간의 굴절률차에 의해서 생기는 계면 반사에 의한 반사 방지 성능 저하, 또한 기재 비용이 높아지는 등의 문제가 있었다. 미세 요철 구조를 표면에 갖는 필름 형상의 반사 방지 물품을 화상 표시 장치 용도로 사용하는 경우에 투명 기체로서 많이 사용되는 트라이아세틸셀룰로스나 아크릴계 고분자를 주성분으로 하는 것은, 비교적 고가인 경우가 많다. 또한, 트라이아세틸셀룰로스나 아크릴계 고분자를 주성분으로 하는 투명 기체는 필름으로서의 취급성을 향상시키기 위해서 부드럽기 때문에, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물에 의해서 물품 전체에서의 경도를 높이기 곤란했다. 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)제의 필름은 얇은 것을 선택하면 비교적 저렴하기는 하지만, 유리나 아크릴의 전면판과의 굴절률차가 커서, 반사 방지 필름용의 투명 기체로서는 바람직하지 않았다. 또한, 폴리에틸렌 테레프탈레이트는 아크릴계의 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물과의 굴절률차가 크기 때문에, 계면 반사가 생겨 반사 방지 성능이 크게 저하된다고 하는 문제가 있었다. 한편, 아크릴계의 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물이나 점착제, 아크릴판, 유리판은 서로의 굴절률차가 매우 작다. 또한, 특허문헌 8에 기재된 바와 같이 투명 기체와 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물에 의해서 형성되는 층의 사이에 새로운 기능층을 추가하는 방법은, 처리 공정수의 증가에 의해 비용이 높아진다고 하는 문제가 있다. 본 발명은, 내찰상성이 높고, 지문 닦임성이 양호한 물품 및 해당 물품의 제조에 이용되는 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명은, 이하의 [1] 내지 [19]에 관한 발명이다. [1] 수지 조성물의 경화물을 포함하는 미세 요철 구조를 표면에 갖는 물품으로서, 상기 경화물의 압입 탄성률(X)[MPa] 및 크립 변형률(Y)[%]이 하기 식(1) 및 (2)를 만족시키는 물품. 80≤X≤560 (1) Y≤(0.00022X-0.01)×100 (2). [2] 상기 경화물의 압입 탄성률(X)[MPa] 및 크립 변형률(Y)[%]이 하기 식(1')를 만족시키는 [1]에 기재된 물품. 120≤X≤360 (1'). [3] 상기 미세 요철 구조의 이웃하는 볼록부끼리의 평균 간격이 120∼380nm이며, 해당 미세 요철 구조의 볼록부의 평균 높이가 100∼300nm인 [1] 또는 [2]에 기재된 물품. [4] 상기 물품이, 추가로 기재를 구비하고, 해당 기재의 적어도 한쪽 표면에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 미세 요철 구조층을 구비하는 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 물품. [5] 상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 아크릴 당량이 200 이상 320 이하인 [4]에 기재된 물품. [6] 상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 아크릴 당량이 230 이상 310 이하인 [4]에 기재된 물품. [7] 상기 경화물에 있어서의 옥시에틸렌기가 차지하는 비율이 55.0질량% 이상 74.0질량% 이하인 [4] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 물품. [8] 상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물이, 분자 내에 3개 이상의 아크릴로일기를 갖고, 또한 해당 아크릴로일기 1개당 분자량이 110 미만인 다작용 아크릴레이트(A1) 0∼20질량%와, 분자 내에 3개 이상의 아크릴로일기를 갖고, 또한 해당 아크릴로일기 1개당 분자량이 110 이상인 다작용 아크릴레이트(B1) 15∼75질량%와, 분자 내에 2개의 아크릴로일기를 갖고, 또한 분자량이 300 이상인 폴리에틸렌 글리콜 구조를 포함하는 2작용 아크릴레이트(C1) 20∼85질량%를 포함하는 중합성 성분(Z)과, 광 중합 개시제(D)를 포함하는 [4] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 물품. [9] 상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물이, 분자 내에 3개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖고 또한 해당 (메트)아크릴로일기 1개당 옥시에틸렌기수의 평균치가 5 이상인 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)를 포함하는 중합성 성분(Z), 및 광 중합 개시제(D)를 포함하는 [4] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 물품. [10] 상기 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)가, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 [9]에 기재된 물품. (식 중, X는 유기 잔기이고, R은 수소 원자 또는 메틸기이며, m≥5, n≥3이다.)[11] 상기 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)가, (폴리)펜타에리트리톨, (폴리)글리세린 및 (다이)트라이메틸올프로페인의 에틸렌 옥사이드 변성 (폴리)(메트)아크릴레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종류 이상의 화합물인 [9]에 기재된 물품. [12] 상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물이, 다작용 (메트)아크릴레이트(A2) 25∼100질량%와, 분자 내에 3개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖고 또한 해당 (메트)아크릴로일기 1개당 옥시에틸렌기수의 평균치가 5 미만인 다작용 (메트)아크릴레이트(B2) 0∼75질량%를 포함하는 중합성 성분(Z), 및 광 중합 개시제(D)를 포함하는 [4] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 물품. [13] 상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 함유되는 중합성 화합물이, 하기 식(a)로 표시되는 (메트)아크릴 모노머(A3) 중의 폴리알킬렌 글리콜 함유율(PAG)이 50% 이상 87% 이하인 4작용 이상의 (메트)아크릴 모노머(A3)인 [4] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 물품. PAG=M(PAG)/[M(ACR)+M(PAG)]×100 (a) M(PAG): 폴리알킬렌 글리콜 구조 부분의 합계 화학식량 M(ACR): (메트)아크릴로일 구조 부분의 합계 화학식량. [14] 분자 내에 3개 이상의 아크릴로일기를 갖고, 또한 해당 아크릴로일기 1개당 분자량이 110 미만인 다작용 아크릴레이트(A1) 0∼20질량%와, 분자 내에 3개 이상의 아크릴로일기를 갖고, 또한 해당 아크릴로일기 1개당 분자량이 110 이상인 다작용 아크릴레이트(B1) 15∼75질량%와, 분자 내에 2개의 아크릴로일기를 갖고, 또한 분자량이 300 이상인 폴리에틸렌 글리콜 구조를 포함하는 2작용 아크릴레이트(C1) 20∼85질량%를 포함하는 중합성 성분(Z)과, 광 중합 개시제(D)를 포함하는 활성 에너지선 경화성 수지 조성물. [15] 분자 내에 3개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖고 또한 해당 (메트)아크릴로일기 1개당 옥시에틸렌기수의 평균치가 5 이상인 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)를 포함하는 중합성 성분(Z), 및 광 중합 개시제(D)를 포함하는 활성 에너지선 경화성 수지 조성물. [16] 다작용 (메트)아크릴레이트(A2) 25∼100질량%와, 분자 내에 3개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖고 또한 해당 (메트)아크릴로일기 1개당 옥시에틸렌기수의 평균치가 5 미만인 다작용 (메트)아크릴레이트(B2) 0∼75질량%를 포함하는 중합성 성분(Z), 및 광 중합 개시제(D)를 포함하는 광투과성 물품 활성 에너지선 경화성 수지 조성물. [17] 하기 식(a)로 표시되는 (메트)아크릴 모노머(A3) 중의 폴리알킬렌 글리콜 함유율(PAG)이 50% 이상 87% 이하인 4작용 이상의 (메트)아크릴 모노머(A3)와, (메트)아크릴 모노머(A3) 이외의 3작용 이상의 (메트)아크릴 모노머(B3)를 포함하는 중합성 화합물을 함유하고, 또한 상기 중합성 화합물의 (메트)아크릴 모노머(A3) 및/또는 (메트)아크릴 모노머(B3)가, 알킬렌 글리콜에서 유래하는 구조의 평균 반복수가 5 이상인 폴리알킬렌 글리콜 구조를 분자 중에 1개 이상 갖는 활성 에너지선 경화성 수지 조성물. PAG=M(PAG)/[M(ACR)+M(PAG)]×100 (a) M(PAG): 폴리알킬렌 글리콜 구조 부분의 합계 화학식량 M(ACR): (메트)아크릴로일 구조 부분의 합계 화학식량. [18] [1] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 물품을 구비하는 반사 방지 물품. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 의하면, 내찰상성이 높고, 지문 닦임성이 양호한 물품 및 해당 물품의 제조에 이용되는 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 제공할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명에 따른 물품의 일례를 나타내는 단면도이다. 도 2는 양극 산화 알루미나를 표면에 구비하는 스탬퍼의 제조 공정을 나타내는 단면도이다. 도 3은 본 발명에 따른 물품의 제조 장치의 일례를 나타내는 단면도이다. 도 4는 본 발명의 광투과성 물품의 일례를 나타내는 모식적 단면도이다. 도 5는 실시예 A 및 비교예 A에서의 압입 탄성률(X)과 크립 변형률(Y)의 관계를 나타내는 그래프이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명의 각 실시형태에 대하여 설명하지만, 본 발명은 이들 실시형태에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명에 따른 물품은 광투과성 물품에 한정되지 않고, 다른 물품도 포함할 수 있다. [제 1 실시형태]본 발명에 따른 광투과성 물품은, 광투과성 기재의 적어도 한쪽 표면에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 미세 요철 구조층을 구비하는 광투과성 물품으로서, 상기 미세 요철 구조층의 이웃하는 볼록부끼리의 간격이 140∼260nm, 상기 미세 요철 구조의 볼록부의 어스펙트비가 0.7∼1.4이며, 또한 상기 경화물의 압입 탄성률(X)[MPa] 및 크립 변형률(Y)[%]이 하기 식(1) 및 (2)을 만족시킨다. 80≤X≤560 (1) Y≤(0.00022X-0.01)×100 (2). 본 발명에 따른 반사 방지 물품은, 본 발명에 따른 광투과성 물품을 구비한다. 본 발명에 의하면, 내찰상성이 높고, 지문 닦임성이 양호한 광투과성 물품을 제공할 수 있다. 본 발명에 따른 광투과성 물품은, 미세 요철 구조층의 내찰상성이 높고, 지문 닦임성이 양호하다. 또한, 본 발명에 따른 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 의하면, 내찰상성이 높고, 지문 닦임성이 양호한 경화물을 형성할 수 있다. 본 발명에 따른 광투과성 물품이 구비하는 미세 요철 구조층의 미세 요철 구조로서는, 대략 원추 형상, 각추 형상 등의 돌기(볼록부)가 복수 정렬된, 이른바 모스 아이 구조가 바람직하다. 돌기 사이의 간격이 가시광의 파장(400nm) 이하인 모스 아이 구조는, 공기의 굴절률로부터 재료의 굴절률로 연속적으로 굴절률이 증대되어 가기 때문에, 반사 방지의 수단으로서 유효하다는 것이 알려져 있다. 상기 미세 요철 구조층에 있어서, 반사 방지 성능과 내찰상성을 양립시키기 위해서는, 이웃하는 볼록부끼리의 간격, 및 이웃하는 볼록부끼리의 간격과 볼록부의 높이의 균형인 어스펙트비(볼록부의 높이/이웃하는 볼록부끼리의 간격)가 특정한 범위 내인 것이 중요하다. 이웃하는 볼록부끼리의 간격은, 가시광의 파장(400nm) 이하이면 반사 방지 성능이 얻어진다. 해당 간격이 400nm를 초과하면, 가시광의 산란이 일어나기 때문에, 반사 방지 물품 등의 광학 용도에 적합하지 않다. 본 발명에 따른 광투과성 물품이 구비하는 미세 요철 구조층의 이웃하는 볼록부끼리의 간격은, 140∼260nm이며, 150∼240nm인 것이 바람직하고, 155nm∼220nm인 것이 보다 바람직하고, 160nm∼200nm가 더 바람직하다. 140nm∼260nm이면 이웃하는 볼록부끼리가 돌기 합일되는 경우도 없어 바람직하다. 한편, 이웃하는 볼록부끼리의 간격은, 전자 현미경(상품명: JSM7400F, 니혼전자제)에 의해서 이웃하는 볼록부끼리의 간격(볼록부의 중심으로부터 인접하는 볼록부의 중심까지의 거리)을 50점 측정하여, 이들의 값을 평균한 값이다. 이웃하는 볼록부끼리의 간격이 상기 범위 내인 경우, 광투과성 물품의 반사 방지 성능은 대략 돌기의 높이에 의해서 결정된다. 양호한 반사 방지 성능을 얻기 위해서는, 볼록부의 높이는, 120∼250nm가 바람직하고, 150∼220nm가 보다 바람직하고, 180∼190nm가 더 바람직하다. 볼록부의 높이가 120nm 이상이면, 반사율이 충분히 낮아지고, 또한 반사율의 파장 의존성이 적다. 볼록부의 높이가 250nm 이하이면, 볼록부 선단끼리가 밀착되는 현상을 억제하기 쉬워진다. 한편, 볼록부의 높이는, 상기 전자 현미경에 의해서 배율 30000배로 관찰했을 때에 있어서의, 볼록부의 최정부(最頂部)와, 볼록부 사이에 존재하는 오목부의 최저부(最底部) 사이의 거리를 50점 측정하여, 이들의 값을 평균한 값이다. 본 발명에 따른 광투과성 물품이 구비하는 미세 요철 구조층의, 미세 요철 구조의 볼록부의 어스펙트비(볼록부의 높이/이웃하는 볼록부끼리의 간격)는, 0.7∼1.4이며, 0.8∼1.3이 바람직하고, 0.85∼1.25가 보다 바람직하고, 0.9∼1.2가 더 바람직하다. 어스펙트비가 0.7 미만인 경우, 충분히 반사율이 저하되지 않는다. 어스펙트비가 1.4를 초과하는 경우, 볼록부의 충분한 내찰상성이 얻어지지 않는다. 본 발명에 따른 활성 에너지선 경화성 수지 조성물은, 활성 에너지선을 조사함으로써, 중합 반응이 진행되어, 경화되는 수지 조성물이다. 본 발명에 있어서, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물의 압입 탄성률(X)은 80MPa 이상 560MPa 이하이며, 100MPa 이상 550MPa 이하가 바람직하고, 120MPa 이상 500MPa 이하가 보다 바람직하고, 140MPa 이상 400MPa 이하가 더 바람직하고, 160MPa 이상 360MPa 이하가 특히 바람직하다. 압입 탄성률(X)이 80MPa 미만인 경우, 경화물이 지나치게 부드러워, 밖에서 힘이 가해졌을 때에 미세 요철 구조가 없는 부분까지 경화물이 크게 깎이거나, 패이거나 하여 흠집나는 등, 내찰상성이 저하된다. 한편, 압입 탄성률(X)이 560MPa을 초과하는 경우, 외부에서 힘이 가해지는 것에 의해 미세 요철 구조가 변형되었을 때에, 볼록부가 꺾이거나 깎이거나 하여 원상 회복될 수 없다. 본 발명에 있어서, 압입 탄성률(X)과 크립 변형률(Y)은 상기 식(2)의 관계를 만족시킨다. 압입 탄성률(X)이 상기 식(1)의 범위 내에 있는 경우에도, 크립 변형률(Y)이 상기 식(2)를 만족시키지 않는 경우, 외부에서 가해지는 힘에 대한 미세 요철 구조 및 경화물의 추종성이 낮아, 돌기 부분이 견뎌내지 못하고 꺾이거나 깎이거나 한다. 한편, 압입 탄성률(X)과 크립 변형률(Y)은 이하의 방법에 의해 측정한 값이다. 미세 요철 구조층에 대하여, 비커스 압자(사면 다이아몬드 추체)와 미소 경도계(상품명: 피셔 스코프 HM2000XYp, 피셔 인스트루먼츠제)를 이용하여, 항온실(온도 23℃, 습도 50%) 내에서 측정을 행한다. 측정 프로그램은 [압입(50mN/10초)]→[크립(50mN, 60초)]→[서하(徐荷)(50mN/10초)]로 한다. 이와 같은 방법으로 측정한 결과로부터, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물의 압입 탄성률(X)을 해석 소프트웨어(상품명: WIN-HCU, 피셔 인스트루먼츠사제)에 의해 산출한다. 또는, 대형 슬라이드 유리(상품명: S9213, 마츠나미유리공업(주)제)를 기재로서 이용하여, 해당 기재에 도막의 두께가 약 500㎛가 되도록, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 도포하고, 고압 수은등을 이용하여 약 3000mJ/cm2로 해당 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 자외선을 조사한 것을 압입 탄성률(X) 및 크립 변형률(Y)의 측정용 샘플로서 이용해도 된다. 또한, 상기 측정 프로그램에 있어서, 크립 개시 시에 있어서의 압입 깊이를 h0, 크립 종료 시의 압입 깊이를 h1로 하고, 이들 h0 및 h1을 바탕으로 크립 변형률(Y)을 다음 식으로 구한다. 크립 변형률(%)=(h0+h1)/h0×100. 활성 에너지선 경화성 수지 조성물은, 그 아크릴 당량을 조정하는 것에 의해 경화물의 압입 탄성률(X)을 적절한 범위로 조정할 수 있다. 아크릴 당량이란, 활성 (메트)아크릴로일기수 1몰당 분자량으로 표시되는 수치이다. 아크릴 당량이 작을수록 (메트)아크릴로일기의 농도가 커져, 가교 밀도가 높은 경화물이 얻어진다. 한편, 아크릴 당량이 클수록 (메트)아크릴로일기의 농도는 작아져, 가교 밀도가 낮은 경화물이 얻어진다. 본 발명에 따른 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 아크릴 당량은, 200 이상 320 이하가 바람직하고, 215 이상 310 이하가 보다 바람직하고, 230 이상 285 이하가 더 바람직하고, 240 이상 280 이하가 특히 바람직하다. 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 아크릴 당량이 200 이상인 것에 의해, 가교 밀도가 지나치게 높아지는 것에 의한 돌기의 파손을 막을 수 있어, 내찰상성이 향상된다. 한편, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 아크릴 당량이 320 이하인 것에 의해, 가교 밀도가 낮은 것에 의한 경화물의 연화를 막을 수 있어, 미세 요철 구조가 없는 부분까지 경화물이 크게 깎이거나, 패이거나 하여 흠집나는 일이 없어, 내찰상성이 향상된다. 미세 요철 구조층의 돌기를 꺾이기 어렵게 하는 것과, 경화물이 깎이거나 패이거나 하기 어렵게 하는 것은 서로 트레이드오프의 관계가 되기 쉽다. 이 상반하는 두 개의 특성을 아울러 가지는 경화물을 설계하기 위해서는, 압입 탄성률(X)을 적정한 범위로 조정하면서, 또한 외부로부터의 응력에 의한 변형과 회복의 균형을 유지하는 것이 긴요하다. 본 발명자들은 예의 검토한 결과, 미세 요철 구조를 특정한 구조로 조정하고, 또한 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물의 압입 탄성률(X)과 크립 변형률(Y)을 특정한 범위 내로 조정하는 것에 의해, 미세 요철 구조층에 높은 내찰상성을 부여한다는 것을 발견했다. 또한, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 아크릴 당량뿐만이 아니라, 경화물이 특정한 구조를 특정한 비율로 포함하는 것에 의해, 압입 탄성률(X)과 크립 변형률(Y)의 값을 상기 식(1) 및 (2)의 범위로 조정할 수 있다. 본 발명자들은 예의 검토한 결과, 옥시에틸렌기(-CH2CH2O-)를 분자 중에 많이 갖는 모노머를, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 포함되는 모노머로서 사용함으로써, 내찰상성이 우수한 본 발명의 물성을 실현할 수 있다는 것을 발견했다. 구체적으로는, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물에 있어서의 옥시에틸렌기가 차지하는 비율은, 55.0질량% 이상 74.0질량% 이하가 바람직하고, 58.0질량% 이상 72.0질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 60.0질량% 이상 70.0질량% 이하인 것이 더 바람직하고, 62.0질량% 이상 68.0질량% 이하인 것이 특히 바람직하다. 경화물이 옥시에틸렌기를 특정한 비율로 포함하는 것에 의해, 가교 구조 중에서도 분자의 운동성이 유지되고, 미세 요철 구조의 변형과 회복을 조정하는 것이 가능해져, 결과로서 높은 내찰상성이 발현된다. 003c#활성 에너지선 경화성 수지 조성물003e#본 발명에 따른 활성 에너지선 경화성 수지 조성물은, 후술하는 중합성 성분(Z)과, 광 중합 개시제(D)를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 따른 활성 에너지선 경화성 수지 조성물은, 필요에 따라, 자외선 흡수제 및/또는 산화 방지제(E) 등의 다른 성분을 포함할 수 있다. 본 명세서에 있어서, 라디칼 중합성의 작용기란, (메트)아크릴로일기, 바이닐기 등을 의미한다. 또한, (메트)아크릴로일기는 아크릴로일기 및/또는 메타크릴로일기를 의미한다. 또한, (메트)아크릴레이트는 아크릴레이트 및/또는 메타크릴레이트를 의미한다. 또한, 활성 에너지선은 가시광선, 자외선, 전자선, 플라즈마, 열선(적외선 등) 등을 의미한다. (중합성 성분(Z))중합성 성분(Z)은, 중합성을 갖는 화합물이며, 특정한 다작용 아크릴레이트(A1), 특정한 다작용 아크릴레이트(B1) 및 특정한 2작용 아크릴레이트(C1)를 포함한다. 또한, 중합성 성분(Z)은, 필요에 따라, 단작용 모노머(F), 다른 중합성 성분(다작용 아크릴레이트(A1), 다작용 아크릴레이트(B1), 2작용 아크릴레이트(C1) 및 단작용 모노머(F)를 제외한다)을 포함한다. (다작용 아크릴레이트(A1))다작용 아크릴레이트(A1)는, 분자 내에 3개 이상의 아크릴로일기를 갖고, 또한 해당 아크릴로일기 1개당의 분자량이 110 미만인 화합물이다. 아크릴로일기 1개당의 분자량이란, 다작용 아크릴레이트(A1)의 분자량을 1분자 중의 아크릴로일기의 수로 나눈 값이다. 예컨대, 대표적인 3작용 아크릴레이트인 트라이메틸올프로페인 트라이아크릴레이트는, 그 분자량은 296이며, 아크릴로일기의 수는 3이기 때문에, 아크릴로일기 1개당의 분자량은 98.67이다. 따라서, 트라이메틸올프로페인 트라이아크릴레이트의 아크릴로일기 1개당의 분자량은 110 미만이다. 분자 내에 3개 이상의 아크릴로일기를 갖고, 또한 해당 아크릴로일기 1개당의 분자량이 110 미만인 다작용 아크릴레이트를 이용함으로써, 중합성 성분(Z) 전체로서의 가교 밀도를 확보하여, 경화물의 탄성률이나 경도를 향상시킬 수 있다. 다작용 아크릴레이트(A1)의 아크릴로일기 1개당의 분자량은 110 미만이며, 100 미만이 바람직하다. 또한, 다작용 아크릴레이트(A1)의 아크릴로일기 1개당의 분자량은 85 이상이 바람직하다. 다작용 아크릴레이트(A1)는, 중합성 성분(Z)에 포함되지 않아도 된다. 다작용 아크릴레이트(A1)로서는, 예컨대, 펜타에리트리톨 트라이아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인 트라이아크릴레이트, 다이트라이메틸올프로페인 테트라아크릴레이트 등을 들 수 있다. 다작용 아크릴레이트(A1)는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 중합성 성분(Z)에 포함되는 다작용 아크릴레이트(A1)의 비율은, 중합성 성분(Z) 전체를 100질량%로 하는 경우, 0∼20질량%이며, 0∼15질량%가 바람직하고, 0∼10질량%가 보다 바람직하고, 0∼5질량%가 더 바람직하다. 다작용 아크릴레이트(A1)의 비율이 20질량% 이하인 것에 의해, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 아크릴 당량을 적합한 범위로 조정할 수 있다. (다작용 아크릴레이트(B1))다작용 아크릴레이트(B1)는, 분자 내에 3개 이상의 아크릴로일기를 갖고, 또한 해당 아크릴로일기 1개당의 분자량이 110 이상인 화합물이다. 다작용 아크릴레이트(B1)는, 기타 성분과의 균형으로 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 아크릴 당량을 적정한 범위로 조정할 수 있다. 다작용 아크릴레이트(B1)의 아크릴로일기 1개당의 분자량은 110 이상이며, 150 이상이 바람직하다. 다작용 아크릴레이트(B1)의 아크릴로일기 1개당의 분자량은 300 이하가 바람직하고, 200 이하가 보다 바람직하다. 또한, 분자 내의 아크릴로일기수는, 3개 이상이 바람직하고, 4개 이상이 보다 바람직하고, 5개 이상이 더 바람직하다. 또한, 다작용 아크릴레이트(B1)가 분자 내에 옥시에틸렌기를 갖는 것에 의해, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 포함되는 옥시에틸렌기의 양을 적정한 범위로 조정하기 쉬워진다. 다작용 아크릴레이트(B1)로서는, 예컨대, 알킬렌 옥사이드 변성 펜타에리트리톨 트라이아크릴레이트, 알킬렌 옥사이드 변성 아이소사이아누르산 트라이아크릴레이트, 알킬렌 옥사이드 변성 글리세린 트라이아크릴레이트, 알킬렌 옥사이드 변성 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 알킬렌 옥사이드 변성 다이펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트, 알킬렌 옥사이드 변성 다이펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트, 카프로락톤 변성 펜타에리트리톨 트라이아크릴레이트, 카프로락톤 변성 아이소사이아누르산 트라이아크릴레이트, 카프로락톤 변성 글리세린 트라이아크릴레이트, 카프로락톤 변성 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 카프로락톤 변성 다이펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트, 카프로락톤 변성 다이펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트 등을 들 수 있다. 여기서, 알킬렌 옥사이드 변성으로서는, 에틸렌 옥사이드 변성, 프로필렌 옥사이드 변성 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 옥시에틸렌기를 부여할 수 있는 점에서 에틸렌 옥사이드 변성이 바람직하다. 다작용 아크릴레이트(B1)는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 중합성 성분(Z)에 포함되는 다작용 아크릴레이트(B1)의 비율은, 중합성 성분(Z) 전체를 100질량%로 하는 경우, 15질량% 이상이며, 25질량% 이상이 바람직하고, 30질량% 이상이 보다 바람직하고, 35질량% 이상이 더 바람직하다. 또한, 75질량% 이하이며, 65질량% 이하가 바람직하고, 60질량% 이하가 보다 바람직하고, 55질량% 이하가 더 바람직하다. 다작용 아크릴레이트(B1)의 비율이 15∼75질량%인 것에 의해, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 아크릴 당량과, 그 경화물에 있어서의 옥시에틸렌기가 차지하는 비율을 적합한 범위로 조정할 수 있다. (2작용 아크릴레이트(C1))2작용 아크릴레이트(C1)는, 분자 내에 2개의 아크릴로일기를 갖고, 분자 내에 옥시에틸렌기가 연속해 있는 폴리에틸렌 글리콜 구조를 포함하는 화합물이다. 폴리에틸렌 글리콜 구조 부분의 분자량은 300 이상이며, 400 이상이 바람직하다. 또한, 폴리에틸렌 글리콜 구조 부분의 분자량이 크면 결정화되어 취급성이 저하되는 경우가 있기 때문에, 폴리에틸렌 글리콜 구조 부분의 분자량은 1000 이하가 바람직하다. 중합성 성분(Z)에 포함되는 2작용 아크릴레이트(C1)의 비율은, 중합성 성분(Z) 전체를 100질량%로 하는 경우, 20질량% 이상이며, 30질량% 이상이 바람직하고, 35질량% 이상이 보다 바람직하고, 40질량% 이상이 더 바람직하다. 또한, 85질량% 이하이며, 80질량% 이하가 바람직하고, 75질량% 이하가 보다 바람직하고, 70질량% 이하가 더 바람직하다. 2작용 아크릴레이트(C1)의 비율이 20∼85질량%인 것에 의해, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 아크릴 당량과, 그 경화물에 있어서의 옥시에틸렌기가 차지하는 비율을 바람직한 범위로 조정할 수 있다. 또한, 미세 요철 구조층의 표면을 충분히 친수화할 수 있어, 지문 등의 기름 오염을 물걸레질로 제거할 수 있다. (단작용 모노머(F))단작용 모노머(F)는, 분자 내에 1개의 라디칼 중합성의 작용기를 갖고, 다작용 아크릴레이트(A1), 다작용 아크릴레이트(B1) 및 2작용 아크릴레이트(C1)와 공중합 가능한 화합물이다. 단작용 모노머(F)는 필요에 따라 중합성 성분(Z)에 첨가된다. 통상, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 단독으로 경화시키는 경우는 적고, 후술하는 바와 같이 기재 상에서 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 경화시켜, 기재와 일체화시켜 이용한다. 광투과성 기재와 경화물의 밀착성을 향상시키기 위해서, 분자량이 작고, 광투과성 기재로의 침투성이 높은 단작용 모노머(F)를 첨가할 수 있다. 단작용 모노머(F)로서는, 광투과성 기재의 재료에 따라, 적절히 첨가하는 모노머가 선택된다. 단작용 모노머(F)로서는, 경화물의 지문 닦임성의 관점에서, 친수성의 모노머가 바람직하다. 친수성의 모노머란, 25℃의 물 100g에 1g 이상 용해될 수 있는 모노머이다. 단작용 모노머(F)로서는, 예컨대, 알킬 (메트)아크릴레이트(메틸 (메트)아크릴레이트, 에틸 (메트)아크릴레이트, n-뷰틸 (메트)아크릴레이트, i-뷰틸 (메트)아크릴레이트, t-뷰틸 (메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메트)아크릴레이트, 라우릴 (메트)아크릴레이트 등), 벤질 (메트)아크릴레이트, 지환 구조를 갖는 (메트)아크릴레이트(아이소보닐 (메트)아크릴레이트, 테트라하이드로퍼푸릴 (메트)아크릴레이트, 아다만틸 (메트)아크릴레이트, 다이사이클로펜탄일 (메트)아크릴레이트, 다이사이클로펜텐일 (메트)아크릴레이트 등), 아미노기를 갖는 (메트)아크릴레이트(다이메틸아미노에틸 (메트)아크릴레이트, 다이메틸아미노프로필 (메트)아크릴레이트 등), 하이드록실기를 갖는 (메트)아크릴레이트(하이드록시에틸 (메트)아크릴레이트, 하이드록시프로필 (메트)아크릴레이트 등), (메트)아크릴아마이드 유도체((메트)아크릴로일모폴린, N,N-다이메틸(메트)아크릴아마이드 등), 2-바이닐피리딘, 4-바이닐피리딘, N-바이닐피롤리돈, N-바이닐폼아마이드, 아세트산 바이닐 등을 들 수 있다. 단작용 모노머(F)는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 단작용 모노머(F)로서는, 중합 반응성의 관점에서, 그다지 벌키(bulky)하지 않은 모노머가 바람직하다. 또한, 방오성의 관점에서, 소수성이 낮은 모노머가 바람직하다. 구체적으로는, 단작용 모노머(F)로서는, 아크릴로일모폴린, 하이드록시에틸 아크릴레이트, N,N-다이메틸아크릴아마이드, N-바이닐피롤리돈, N-바이닐폼아마이드, 메틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트 등이 바람직하다. 광투과성 기재의 재료가 아크릴계 수지인 경우, 단작용 모노머(F)로서는, 메틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트가 특히 바람직하다. 중합성 성분(Z)에 포함되는 단작용 모노머(F)의 비율은, 중합성 성분(Z) 전체를 100질량%로 하는 경우, 0∼15질량%가 바람직하고, 0∼10질량%가 보다 바람직하고, 0∼5질량%가 더 바람직하다. 단작용 모노머(F)의 비율이 15질량% 이하인 것에 의해, 기재와의 밀착성을 향상시키고, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물이 충분히 경화되어, 경화가 완결된 미세 요철 구조를 표면에 갖는 광투과성 물품이 얻어진다. 또한, 경화물 내에 미반응 단작용 모노머(F)가 잔존하지 않기 때문에, 미반응 단작용 모노머(F)가 가소제로서 작용하여, 경화물의 탄성률을 저하시켜, 내찰상성을 손상시키는 것을 막을 수 있다. (다른 중합성 성분)중합성 성분(Z)은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위로, 다작용 아크릴레이트(A1), 다작용 아크릴레이트(B1), 2작용 아크릴레이트(C1) 및 단작용 모노머(F) 이외의 다른 중합성 성분을 포함해도 된다. 다른 중합성 성분으로서는, 다작용 아크릴레이트(A1), 다작용 아크릴레이트(B1) 및 2작용 아크릴레이트(C1) 이외의 2작용 이상의 모노머, 라디칼 중합성의 작용기를 갖는 올리고머나 폴리머 등을 들 수 있다. 다른 중합성 성분으로서는, 예컨대, 우레탄 올리고머, 우레탄 아크릴레이트, 폴리에스터 아크릴레이트, 에폭시 아크릴레이트, 바이닐에터류 등을 들 수 있다. 다른 중합성 성분은, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 중합성 성분(Z)에 포함되는 다른 중합성 성분의 비율은, 중합성 성분(Z) 전체를 100질량%로 하는 경우, 30질량% 이하가 바람직하고, 20질량% 이하가 보다 바람직하고, 10질량% 이하가 더 바람직하다. (광 중합 개시제(D))광 중합 개시제(D)란, 활성 에너지선을 조사함으로써 개열(開裂)되어, 중합 반응을 개시시키는 라디칼을 발생시키는 화합물이다. 활성 에너지선으로서는, 장치 비용이나 생산성의 점에서, 자외선이 바람직하다. 자외선에 의해서 라디칼을 발생시키는 광 중합 개시제(D)로서는, 예컨대, 벤조페논, 4,4-비스(다이에틸아미노)벤조페논, 2,4,6-트라이메틸벤조페논, 메틸오쏘벤조일벤조에이트, 4-페닐벤조페논, t-뷰틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 싸이옥산톤류(2,4-다이에틸싸이옥산톤, 아이소프로필싸이옥산톤, 2,4-다이클로로싸이옥산톤 등), 아세토페논류(다이에톡시아세토페논, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 벤질다이메틸케탈, 1-하이드록시사이클로헥실-페닐케톤, 2-메틸-2-모폴리노(4-싸이오메틸페닐)프로판-1-온, 2-벤질-2-다이메틸아미노-1-(4-모폴리노페닐)-뷰탄온 등), 벤조인 에터류(벤조인 메틸 에터, 벤조인 에틸 에터, 벤조인 아이소프로필 에터, 벤조인 아이소뷰틸 에터 등), 아실포스핀 옥사이드류(2,4,6-트라이메틸벤조일다이페닐포스핀 옥사이드, 비스(2,6-다이메톡시벤조일)-2,4,4-트라이메틸펜틸포스핀 옥사이드, 비스(2,4,6-트라이메틸벤조일)-페닐포스핀 옥사이드 등), 메틸벤조일포메이트, 1,7-비스아크리딘일헵테인, 9-페닐아크리딘 등을 들 수 있다. 광 중합 개시제는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 병용하는 경우는, 흡수 파장이 상이한 2종 이상을 병용하는 것이 바람직하다. 또한, 필요에 따라, 과황산염(과황산칼륨, 과황산암모늄 등), 과산화물(벤조일 퍼옥사이드 등), 아조계 개시제 등의 열 중합 개시제를 병용해도 된다. 광 중합 개시제(D)의 배합량은, 중합성 성분(Z) 전체 100질량부에 대하여, 0.01∼10질량부가 바람직하고, 0.1∼5질량부가 보다 바람직하고, 0.2∼3질량부가 더 바람직하다. 광 중합 개시제(D)의 비율이 0.01질량부 이상인 것에 의해, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물이 충분히 경화되어, 충분한 기계 물성을 갖는 광투과성 물품이 얻어진다. 또한, 광 중합 개시제(D)의 비율이 10질량부 이하인 것에 의해, 경화물 내에 미반응 광 중합 개시제(D)가 잔존하지 않기 때문에, 잔존한 광 중합 개시제(D)가 가소제로서 작용하여, 경화물의 탄성률을 저하시켜, 내찰상성을 손상시키는 것을 막을 수 있다. 또한, 착색의 발생을 억제할 수 있다. (자외선 흡수제 및/또는 산화 방지제(E))본 발명에 따른 활성 에너지선 경화성 수지 조성물은, 자외선 흡수제 및/또는 산화 방지제(E)를 포함해도 된다. 자외선 흡수제로서는, 예컨대, 벤조페논계, 벤조트라이아졸계, 힌더드 아민계, 벤조에이트계, 트라이아진계의 자외선 흡수제를 들 수 있다. 시판품으로서는, BASF사제의 「티누빈 400」 및 「티누빈 479」, 교도약품(주)제의 「Viosorb110」 등을 들 수 있다. 산화 방지제로서는, 예컨대, 힌더드 페놀계, 벤즈이미다졸계, 인계, 황계, 힌더드 아민계의 산화 방지제를 들 수 있다. 시판품으로서는, BASF사제의 「IRGANOX」 시리즈 등을 들 수 있다. 이들 자외선 흡수제 및/또는 산화 방지제는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 자외선 흡수제 및/또는 산화 방지제(E)의 배합량은, 중합성 성분(Z) 전체 100질량부에 대하여, 합계로 0.01∼5질량부가 바람직하다. (다른 성분)본 발명에 따른 활성 에너지선 경화성 수지 조성물은, 필요에 따라, 계면활성제, 이형제, 활제, 가소제, 대전방지제, 광안정제, 난연제, 난연 조제, 중합 금지제, 충전제, 실레인 커플링제, 착색제, 강화제, 무기 필러, 내충격성 개질제 등의 공지된 첨가제를 포함해도 된다. 또한, 본 발명에 따른 활성 에너지선 경화성 수지 조성물은, 필요에 따라, 라디칼 중합성의 작용기를 갖지 않는 올리고머나 폴리머, 미량의 유기 용매 등을 포함해도 된다. 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 점도는, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 스탬퍼 표면의 미세 요철 구조로의 유입 용이성의 관점에서, 지나치게 높지 않은 것이 바람직하다. 구체적으로는, 25℃에서, 회전식 B형 점도계로 측정한 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 점도는, 10000mPa·s 이하가 바람직하고, 5000mPa·s 이하가 보다 바람직하고, 2000mPa·s 이하가 더 바람직하다. 단, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 점도가 10000mPa·s를 초과하는 경우에도, 스탬퍼와의 접촉 시에 미리 가온하여 점도를 낮추는 것이 가능하면 특별히 문제는 없다. 이 경우, 70℃에서, 회전식 B형 점도계로 측정한 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 점도는, 5000mPa·s 이하가 바람직하고, 2000mPa·s 이하가 보다 바람직하다. 한편, 10mPa·s 이상이면, 젖어 퍼지지 않고서, 광투과성 물품을 효율적으로 제조할 수 있기 때문에 바람직하다. 이상 설명한 본 발명에 따른 활성 에너지선 경화성 수지 조성물은, 특정한 다작용 아크릴레이트(A1), 특정한 다작용 아크릴레이트(B1) 및 특정한 2작용 아크릴레이트(C1)를 특정한 비율로 포함하는 것에 의해, 높은 내찰상성을 나타낸다. 또한, 특정한 2작용 아크릴레이트(C1)를 특정한 비율로 포함하는 것에 의해, 지문 닦임성이 양호한 경화물을 얻을 수 있다. (광투과성 물품)본 발명에 따른 광투과성 물품은, 광투과성 기재의 적어도 한쪽 표면에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 미세 요철 구조층을 구비한다. 본 발명에 따른 광투과성 물품의 미세 요철 구조의 형성 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을, 미세 요철 구조의 반전 구조를 표면에 갖는 스탬퍼와 접촉, 경화시키는 것에 의해 형성할 수 있다. 도 1은 본 발명에 따른 광투과성 물품의 일례를 나타내는 단면도이다. 광투과성 물품(40)은, 광투과성 기재(42)와, 광투과성 기재(42)의 표면에 형성된 미세 요철 구조층(44)을 갖는다. 광투과성 기재(42)로서는, 광을 투과하는 성형체가 바람직하다. 광투과성 기재(42)의 재료로서는, 예컨대, 아크릴계 수지(폴리메틸 메타크릴레이트 등), 폴리카보네이트, 스타이렌 (공)중합체, 메틸 메타크릴레이트-스타이렌 공중합체, 셀룰로스 다이아세테이트, 셀룰로스 트라이아세테이트, 셀룰로스 아세테이트 뷰티레이트, 폴리에스터(폴리에틸렌 테레프탈레이트 등), 폴리아마이드, 폴리이미드, 폴리에터설폰, 폴리설폰, 폴리올레핀(폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등), 폴리메틸펜텐, 폴리염화바이닐, 폴리바이닐아세탈, 폴리에터케톤, 폴리우레탄, 유리 등을 들 수 있다. 이들 재료는 1종만을 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 광투과성 기재(42)는, 사출 성형체여도 되고, 압출 성형체여도 되고, 캐스팅 성형체여도 된다. 광투과성 기재(42)의 형상은, 시트 형상이어도 되고, 필름 형상이어도 된다. 광투과성 기재(42)의 표면은, 밀착성, 대전 방지성, 내찰상성, 내후성 등의 개량을 위해, 코팅 처리, 코로나 처리 등이 실시되어 있어도 된다. 미세 요철 구조층(44)은, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 막이며, 표면에 미세 요철 구조를 갖는다. 후술하는 양극 산화 알루미나의 스탬퍼를 이용하여 미세 요철 구조를 형성하는 경우, 광투과성 물품(40)의 표면의 미세 요철 구조는, 양극 산화 알루미나의 표면의 미세 요철 구조를 전사하여 형성된 것이다. 또한, 미세 요철 구조층(44)은, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 복수의 볼록부(46)를 갖는다. 볼록부의 형상은, 높이 방향과 직교하는 방향의 볼록부 단면적이 최표면으로부터 깊이 방향으로 연속적으로 증가하는 형상, 즉, 볼록부의 높이 방향의 단면 형상이, 삼각형, 사다리꼴, 조종(釣鐘)형 등의 형상이 바람직하다. 미세 요철 구조층(44)의 굴절률과 광투과성 기재(42)의 굴절률의 차는, 0.2 이하가 바람직하고, 0.1 이하가 보다 바람직하고, 0.05 이하가 더 바람직하다. 굴절률차가 0.2 이하이면, 미세 요철 구조층(44)과 광투과성 기재(42)의 계면에 있어서의 반사가 억제된다. (스탬퍼)전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 미세 요철 구조층의 미세 요철 구조는, 예컨대, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을, 미세 요철 구조의 반전 구조를 표면에 갖는 스탬퍼와 접촉, 경화시키는 것에 의해 형성할 수 있다. 스탬퍼는, 미세 요철 구조의 반전 구조를 표면에 갖는다. 스탬퍼의 재료로서는, 금속(표면에 산화 피막이 형성된 것을 포함한다), 석영, 유리, 수지, 세라믹스 등을 들 수 있다. 스탬퍼의 형상으로서는, 롤 형상, 원관(圓管) 형상, 평판 형상, 시트 형상 등을 들 수 있다. 스탬퍼의 제작 방법으로서는, 예컨대, 하기 방법(I-1), 방법(I-2) 등을 들 수 있다. 그러나, 대면적화가 가능하고, 또한 제작이 간편한 관점에서, 방법(I-1)이 바람직하다. (I-1) 알루미늄 기재의 표면에, 복수의 세공(오목부)을 갖는 양극 산화 알루미나를 형성하는 방법. (I-2) 스탬퍼 기재의 표면에, 전자빔 리소그래피법, 레이저광 간섭법 등에 의해서 미세 요철 구조의 반전 구조를 형성하는 방법. 방법(I-1)로서는, 하기의 공정(a)∼(f)를 포함하는 방법이 바람직하다. (a) 알루미늄 기재를 전해액 중, 정전압 하에서 양극 산화시켜 알루미늄 기재의 표면에 산화 피막을 형성하는 공정, (b) 산화 피막을 제거하여, 알루미늄 기재의 표면에 양극 산화의 세공 발생점을 형성하는 공정, (c) 공정(b) 후, 알루미늄 기재를 전해액 중, 다시 양극 산화시켜, 세공 발생점에 세공을 갖는 산화 피막을 형성하는 공정, (d) 공정(c) 후, 세공의 직경을 확대시키는 공정, (e) 공정(d) 후, 전해액 중, 다시 양극 산화시키는 공정, (f) 공정(d)와 공정(e)를 반복해서 행하여, 복수의 세공을 갖는 양극 산화 알루미나가 알루미늄 기재의 표면에 형성된 스탬퍼를 얻는 공정. 003c#공정(a)003e# 도 2에 나타내는 바와 같이, 알루미늄 기재(10)를 양극 산화시키는 것에 의해, 세공(12)을 갖는 산화 피막(14)이 형성된다. 알루미늄 기재의 형상으로서는, 롤 형상, 원관 형상, 평판 형상, 시트 형상 등을 들 수 있다. 알루미늄 기재는, 소정의 형상으로 가공할 때에 이용한 기름이 부착되어 있는 경우가 있기 때문에, 미리 탈지 처리되는 것이 바람직하다. 또한, 알루미늄 기재는, 표면 상태를 평활하게 하기 위해서, 전해 연마 처리(에칭 처리)되어 있는 것이 바람직하다. 알루미늄의 순도는, 99% 이상이 바람직하고, 99.5% 이상이 보다 바람직하고, 99.8% 이상이 더 바람직하다. 알루미늄의 순도가 낮으면, 양극 산화되었을 때에, 불순물의 편석에 의해 가시광을 산란하는 크기의 요철 구조가 형성되거나, 양극 산화로 얻어지는 세공의 규칙성이 저하되거나 하는 경우가 있다. 전해액으로서는, 황산, 옥살산, 인산 등을 들 수 있다. 옥살산을 전해액으로서 이용하는 경우: 옥살산의 농도는 0.8M 이하가 바람직하다. 옥살산의 농도가 0.8M 이하인 것에 의해, 전류치의 상승을 막아, 산화 피막의 표면이 거칠어지는 것을 억제할 수 있다. 화성 전압이 30∼100V일 때, 주기가 100nm∼200nm인 규칙성이 높은 세공을 갖는 양극 산화 알루미나를 얻을 수 있다. 화성 전압이 이 범위보다 높더라도 낮더라도 규칙성이 저하되는 경향이 있다. 전해액의 온도는, 60℃ 이하가 바람직하고, 45℃ 이하가 보다 바람직하다. 전해액의 온도가 60℃ 이하인 것에 의해, 이른바 「버닝」이라고 불리는 현상의 발생을 막을 수 있어, 세공의 파손이나, 표면이 녹아 세공의 규칙성이 흐트러지는 것을 억제할 수 있다. 황산을 전해액으로서 이용하는 경우: 황산의 농도는 0.7M 이하가 바람직하다. 황산의 농도가 0.7M 이하인 것에 의해, 전류치의 상승을 막아, 정전압을 유지할 수 있다. 화성 전압이 25∼30V일 때, 주기가 63nm인 규칙성이 높은 세공을 갖는 양극 산화 알루미나를 얻을 수 있다. 화성 전압이 이 범위보다 높더라도 낮더라도 규칙성이 저하되는 경향이 있다. 전해액의 온도는, 30℃ 이하가 바람직하고, 20℃ 이하가 보다 바람직하다. 전해액의 온도가 30℃ 이하인 것에 의해, 이른바 「버닝」이라고 불리는 현상의 발생을 막을 수 있어, 세공의 파손이나, 표면이 녹아 세공의 규칙성이 흐트러지는 것을 억제할 수 있다. 003c#공정(b)003e#도 2에 나타내는 바와 같이, 산화 피막(14)을 일단 제거하여, 이것을 양극 산화의 세공 발생점(16)으로 하는 것에 의해, 세공의 규칙성을 향상시킬 수 있다. 산화 피막(14)을 제거하는 방법으로서는, 알루미늄을 용해시키지 않고, 산화 피막(14)을 선택적으로 용해시킬 수 있는 용액에 산화 피막(14)을 용해시켜 제거하는 방법을 들 수 있다. 이와 같은 용액으로서는, 예컨대, 크로뮴산/인산 혼합액 등을 들 수 있다. 003c#공정(c)003e#도 2에 나타내는 바와 같이, 산화 피막(14)을 제거한 알루미늄 기재(10)를 다시, 양극 산화시키는 것에 의해, 원기둥 형상의 세공(12)을 갖는 산화 피막(14)이 형성된다. 양극 산화는, 공정(a)과 마찬가지의 조건에서 행할 수 있다. 양극 산화의 시간을 길게 할수록 깊은 세공을 얻을 수 있다. 003c#공정(d)003e#도 2에 나타내는 바와 같이, 세공(12)의 직경을 확대시키는 처리(이하, 세공 직경 확대 처리라고 기재한다)를 행한다. 세공 직경 확대 처리는, 산화 피막(14)을 용해시킬 수 있는 용액에 침지하여 양극 산화로 얻어진 세공의 직경을 확대시키는 처리이다. 이와 같은 용액으로서는, 예컨대, 5질량% 정도의 인산 수용액 등을 들 수 있다. 세공 직경 확대 처리의 시간을 길게 할수록 세공 직경은 커진다. 003c#공정(e)003e#도 2에 나타내는 바와 같이, 다시, 양극 산화를 행하는 것에 의해, 원기둥 형상의 세공(12)의 저부로부터 더욱 아래로 연장되는, 직경이 작은 원기둥 형상의 세공(12)이 추가로 형성된다. 양극 산화는, 공정(a)과 마찬가지 조건에서 행할 수 있다. 양극 산화의 시간을 길게 할수록 깊은 세공을 얻을 수 있다. 003c#공정(f)003e#도 2에 나타내는 바와 같이, 공정(d)의 세공 직경 확대 처리와, 공정(e)의 양극 산화를 반복하는 것에 의해, 직경이 개구부로부터 깊이 방향으로 연속적으로 감소하는 형상의 세공(12)을 갖는 산화 피막(14)이 형성된다. 이것에 의해, 알루미늄 기재(10)의 표면에 양극 산화 알루미나(알루미늄의 다공질의 산화 피막(알루마이트))를 갖는 스탬퍼(18)가 얻어진다. 최후는 공정(d)로 끝나는 것이 바람직하다. 반복 횟수는, 합계로 3회 이상이 바람직하고, 5회 이상이 보다 바람직하다. 반복 횟수가 3회 이상인 것에 의해, 연속적으로 세공의 직경이 감소하여, 충분한 반사율 저감 효과를 갖는 모스 아이 구조가 얻어진다. 세공(12)의 형상으로서는, 대략 원추 형상, 각추 형상, 원기둥 형상 등을 들 수 있다. 원추 형상, 각추 형상 등과 같이, 깊이 방향과 직교하는 방향의 세공 단면적이 최표면으로부터 깊이 방향으로 연속적으로 감소하는 형상이 바람직하다. 세공(12) 사이의 간격은, 가시광의 파장 이하, 즉 400nm 이하이다. 세공(12) 사이의 평균 간격은 140∼260nm이며, 150∼240nm인 것이 바람직하고, 155nm∼220nm인 것이 보다 바람직하고, 160nm∼200nm가 더 바람직하다. 한편, 세공(12) 사이의 간격은, 전자 현미경(상품명: JSM7400F, 니혼전자제)에 의해서 인접하는 세공(12) 사이의 간격(세공(12)의 중심으로부터 인접하는 세공(12)의 중심까지의 거리)을 50점 측정하여, 이들의 값을 평균한 값이다. 세공(12)의 깊이는, 120∼250nm가 바람직하고, 150∼220nm가 보다 바람직하고, 180∼190nm가 더 바람직하다. 한편, 세공(12)의 깊이는, 상기 전자 현미경 관찰에 의해서 배율 30000배로 관찰했을 때에 있어서의, 세공(12)의 최저부와, 세공(12) 사이에 존재하는 볼록부의 최정부 사이의 거리를 측정한 값이다. 세공(12)의 어스펙트비(세공(12)의 깊이/세공(12) 사이의 간격)는, 0.7∼1.4이며, 0.8∼1.3이 바람직하고, 0.85∼1.25가 보다 바람직하고, 0.9∼1.2가 더 바람직하다. 스탬퍼의 미세 요철 구조가 형성된 측의 표면은, 이형제로 처리되어 있어도 된다. 이형제로서는, 실리콘 수지, 불소 수지, 불소 화합물, 인산 에스터 등을 들 수 있고, 인산 에스터가 바람직하다. 인산 에스터로서는, (폴리)옥시알킬렌알킬인산 화합물이 바람직하다. 시판품으로서는, JP-506H(상품명, 죠호쿠화학공업(주)제), 몰드위즈 INT-1856(상품명, 악셀사제), TDP-10, TDP-8, TDP-6, TDP-2, DDP-10, DDP-8, DDP-6, DDP-4, DDP-2, TLP-4, TCP-5, DLP-10(이상, 상품명, 닛코케미칼즈(주)제) 등을 들 수 있다. 이형제는 1종만을 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. (광투과성 물품의 제조 방법)본 발명에 따른 미세 요철 구조층을 구비하는 광투과성 물품은, 예컨대, 도 3에 나타내는 제조 장치를 이용하여, 하기와 같이 하여 제조된다. 표면에 미세 요철 구조의 반전 구조(도시 생략)를 갖는 롤 형상 스탬퍼(20)와, 롤 형상 스탬퍼(20)의 표면을 따라 이동하는 띠 형상 필름인 광투과성 기재(42) 사이에, 탱크(22)로부터 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 공급한다. 롤 형상 스탬퍼(20)와, 공기압 실린더(24)에 의해서 닙압이 조정된 닙 롤(26) 사이에서, 광투과성 기재(42) 및 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 니핑한다. 이것에 의해, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을, 광투과성 기재(42)와 롤 형상 스탬퍼(20) 사이에 균열 하게 널리 퍼지게 함과 동시에, 롤 형상 스탬퍼(20)의 미세 요철 구조의 오목부 내에 충전한다. 롤 형상 스탬퍼(20)의 하방에 설치된 활성 에너지선 조사 장치(28)로부터, 광투과성 기재(42)를 개재하여 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 활성 에너지선을 조사하여, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 경화시킨다. 이것에 의해, 롤 형상 스탬퍼(20)의 표면의 미세 요철 구조가 전사된 미세 요철 구조층(44)을 형성한다. 박리 롤(30)에 의해, 표면에 미세 요철 구조층(44)이 형성된 광투과성 기재(42)를 롤 형상 스탬퍼(20)로부터 박리하는 것에 의해, 도 1에 나타내는 바와 같은 광투과성 물품(40)을 얻는다. 활성 에너지선 조사 장치(28)로서는, 고압 수은 램프, 메탈 할라이드 램프 등이 바람직하다. 광 조사 에너지량은, 100∼10000mJ/cm2가 바람직하다. 광투과성 기재(42)로서는, 광투과성 필름을 이용할 수 있다. 광투과성 필름의 재료로서는, 아크릴계 수지, 폴리카보네이트, 스타이렌계 수지, 폴리에스터, 셀룰로스계 수지(트라이아세틸셀룰로스 등), 폴리올레핀, 지환식 폴리올레핀 등을 들 수 있다. 이들 재료는 1종만을 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. (용도)본 발명에 따른 광투과성 물품은, 반사 방지 물품(반사 방지 필름, 반사 방지막 등), 광학 물품(광도파로, 릴리프 홀로그램, 렌즈, 편광 분리 소자 등), 세포 배양 시트로서의 용도 전개를 기대할 수 있다. 이를 중에서도, 본 발명에 따른 광투과성 물품은, 특히 반사 방지 물품으로서의 용도에 적합하다. 반사 방지 물품으로서는, 예컨대, 화상 표시 장치(액정 표시 장치, 플라즈마 디스플레이 패널, 전기발광 디스플레이, 음극관 표시 장치 등), 렌즈, 쇼윈도, 안경 등의 표면에 설치되는 반사 방지막, 반사 방지 필름, 반사 방지 시트 등을 들 수 있다. 반사 방지 물품을 화상 표시 장치에 이용하는 경우에는, 화상 표시면에 반사 방지 필름을 직접 부착해도 되고, 화상 표시면을 구성하는 부재의 표면에 반사 방지막을 직접 형성해도 되고, 전면판에 반사 방지막을 형성해도 된다. 이상 설명한 본 발명에 따른 광투과성 물품은, 특정한 미세 요철 구조층을 구비하기 때문에, 미세 요철 구조층의 내찰상성이 높고, 지문 닦임성이 양호하다. [제 2 실시형태]돌기가 꺾이기 어렵게 하는 것과, 수지 자체가 깎이거나 패이거나 하기 어렵게 하는 것은 서로 트레이드오프의 관계가 되기 쉽다. 이 상반하는 두 개의 특성을 아울러 가지는 수지의 설계에는, 사용하는 모노머의 분자 설계가 중요하다. 본 발명자들은, 옥시에틸렌기(-CH2CH2O-)를 분자 중에 많이 갖는 모노머를 사용함으로써 내찰상성이 우수한 미세 요철 구조가 얻어지는 것을 발견하여, 폴리에틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트에 관한 검토를 계속했다. 그리고, 폴리에틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트는, 그 분자 중의 폴리에틸렌 글리콜 쇄의 평균 분자량이 300∼1000 정도(에틸렌 옥사이드의 몰수가 7∼23 정도)인 것이 내찰상성의 점에서 바람직하다는 것을 알았다. 또한 본 발명자들은, 예의 검토한 결과, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물 중의 중합성 성분(Z)에, 분자 내에 3개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖고, 또한 해당 (메트)아크릴로일기 1개당 옥시에틸렌기수의 평균이 5 이상인 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)를 사용하는 것에 의해, 미세 요철 구조에 종래에 없는 높은 내찰상성을 부여하는 것에 성공하여, 본 발명을 완성했다. 즉 본 발명은, 광투과성 기재의 적어도 한쪽 표면에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 미세 요철 구조층을 구비하는 광투과성 물품으로서, 상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물이, 분자 내에 3개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖고 또한 해당 (메트)아크릴로일기 1개당 옥시에틸렌기수의 평균치가 5 이상인 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)를 포함하는 중합성 성분(Z), 및 광 중합 개시제(D)를 포함하는 것을 특징으로 하는 광투과성 물품이다. 본 발명에 있어서는, (메트)아크릴레이트(A2)의 작용기수와 (메트)아크릴로일기 1개당 에틸렌 옥사이드 변성의 몰수를 최적화함으로써, 미세 요철 구조에 유연성을 부여하여 돌기의 꺽임을 방지하는 것과, 마찰을 받았을 때에 경화물 자신이 크게 파괴되는 것을 방지하는 것을 양립시키는 것에 성공했다. 또한 (메트)아크릴로일기 1개당 옥시에틸렌기수의 평균치가 크기 때문에, 미세 요철 구조 표면을 충분히 친수화할 수 있어, 지문 등의 기름 오염을 물걸레질로 제거 가능하게 할 수 있다. 따라서 본 발명에 의하면, 내찰상성이 높고, 지문 닦임성이 양호한 미세 요철 구조층을 구비하는 광투과성 물품을 제공할 수 있다. 003c#활성 에너지선 경화성 수지 조성물003e#활성 에너지선 경화성 수지 조성물은, 활성 에너지선을 조사함으로써 중합 반응이 진행되어, 경화되는 수지 조성물이다. 본 발명에 이용하는 활성 에너지선 경화성 수지 조성물은, 특정한 중합성 성분(Z)과 광 중합 개시제(D)를 포함하는 것을 특징으로 한다. (중합성 성분(Z))본 발명에 이용하는 중합성 성분(Z)은, 특정한 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)를 필수 성분으로서 포함하고, 필요에 따라 특정한 다작용 (메트)아크릴레이트(B2), 특정한 2작용 (메트)아크릴레이트(C), 단작용 모노머(F), 및 다른 중합성 성분을 포함하고 있어도 된다. 한편, 본 발명에 있어서 (메트)아크릴레이트는, 아크릴레이트 및/또는 메타크릴레이트를 의미한다. (다작용 (메트)아크릴레이트(A2))본 발명에 이용하는 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)는, 분자 내에 3개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖고 또한 해당 (메트)아크릴로일기 1개당 옥시에틸렌기수의 평균치가 5 이상인 화합물이다. 한편, 본 발명에 있어서 (메트)아크릴로일기는, 아크릴로일기 및/또는 메타크릴로일기를 의미한다. 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)가 분자 내에 3개 이상의 (메트)아크릴로일기를 가짐으로써, 마찰을 받았을 때에 경화물 자신이 깊게 패어져 파괴되는 것을 막을 수 있다. 내찰상성의 한층 더한 향상의 점에서는, 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)의 (메트)아크릴로일기의 수는 4개 이상이 바람직하다. 단 (메트)아크릴로일기의 수가 많아지면, 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)의 점도가 높아지는 경향이 있다. 따라서, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 점도가 낮을 것이 요구되는 경우는, 그 (메트)아크릴로일기의 수는, 바람직하게는 9개 이하, 보다 바람직하게는 6개 이하이다. 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)의 (메트)아크릴로일기 1개당 옥시에틸렌기수의 평균치가 5 이상임으로써, 미세 요철 구조에 충분한 유연성을 부여할 수 있다. 또한, 그 평균치가 16 이하이면, 옥시에틸렌기의 반복 부분의 결정성이 지나치게 높아져 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)가 왁스상이나 고체로 되어 버리는 일이 없기 때문에, 액체로서 취급성이 양호해져 바람직하다. 따라서, 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)의 (메트)아크릴로일기 1개당 옥시에틸렌기수의 평균치는, 바람직하게는 5∼16, 보다 바람직하게는 7∼14, 특히 바람직하게는 8.37∼14이다. 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)의 (메트)아크릴로일기 1개당 옥시에틸렌기수의 평균치란, 대표적으로는, (메트)아크릴로일기와 결합하는 폴리옥시에틸렌쇄 중의 옥시에틸렌기의 수(반복 단위의 수)의 평균치이다. 또한, 옥시에틸렌기의 반복 도중에 옥시프로필렌기나 옥시뷰틸렌기 등을 공중합 성분으로서 가할 수도 있다. 이 경우, 결정성의 개선 등을 기대할 수 있다. 그러나, 옥시프로필렌기나 옥시뷰틸렌기는 메틸기를 갖기 때문에 친수성을 저해하는 경향이 있다. 따라서, 옥시프로필렌기나 옥시뷰틸렌기를 포함하지 않고, 옥시에틸렌기만을 포함하는 화합물쪽이 우수하다. 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)가, 옥시에틸렌기가 연속해 있는 구조를 갖는 경우는, 하기 화학식 1로 나타낼 수 있다. [화학식 1][식 중, X는 유기 잔기이고, R은 수소 원자 또는 메틸기이며, m≥5, n≥3이다.] 화학식 1 중, X는 유기 잔기이고, 본 발명에서는 특별히 한정되지 않는다. X의 대표예로서는, 3개 이상의 하이드록실기를 갖는 알코올 화합물의 하이드록실기 부분이 변성된 경우의 잔기, 3개 이상의 아이소사이아네이트기를 갖는 폴리아이소사이아네이트 화합물의 아이소사이아네이트기 부분이 변성된 경우의 잔기를 들 수 있다. m은, 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)에 있어서의 (메트)아크릴로일기 1개당 옥시에틸렌기수의 평균치에 상당한다. m은 5 이상이며, 바람직하게는 5∼16, 보다 바람직하게는 7∼14, 특히 바람직하게는 8.37∼14이다. n은, 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)에 있어서의 (메트)아크릴로일기의 수에 상당한다. n은 3 이상이며, 내찰상성 향상의 점에서는 4 이상이 바람직하다. 한편, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 저점도화가 요구되는 경우에는, n은 바람직하게는 9 이하, 보다 바람직하게는 6 이하이다. 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)는, 예컨대, 3개 이상의 하이드록실기를 갖는 알코올 화합물을 에틸렌 옥사이드 변성시켜, (메트)아크릴에스터화함으로써 얻어진다. 3개 이상의 하이드록실기를 갖는 알코올 화합물로서는, 예컨대, 펜타에리트리톨, 다이펜타에리트리톨, 트라이펜타에리트리톨, 폴리펜타에리트리톨, 글리세린, 다이글리세린, 폴리글리세린, 트라이메틸올프로페인, 다이트라이메틸올프로페인, 소르비톨, 폴리바이닐알코올을 들 수 있다. 또한 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)는, 예컨대, 편말단에 하이드록실기를 갖는 폴리에틸렌 글리콜 모노(메트)아크릴레이트와, 3개 이상의 아이소사이아네이트기를 갖는 폴리아이소사이아네이트 화합물을 반응시킴으로써 얻어진다. 이 경우의 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)는, 다작용 우레탄 (메트)아크릴레이트이다. 편말단에 하이드록실기를 갖는 폴리에틸렌 글리콜 모노(메트)아크릴레이트로서는, 예컨대, 폴리에틸렌 글리콜(EO 반복 수≒10) 모노아크릴레이트(니치유사제, 제품명 블렘머 시리즈: AE-400)를 들 수 있다. 3개 이상의 아이소사이아네이트기를 갖는 폴리아이소사이아네이트 화합물로서는, 예컨대, 헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트의 뷰렛(아사히화성케미칼즈사제, 제품명 듀라네이트 시리즈: 24A-100), 헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트의 아이소사이아누레이트(동(同) TPA-100), 헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트의 애덕트(동 P301-75E)를 들 수 있다. 한편, 「EO」는 에틸렌 옥사이드의 약호이다. 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)로서 사용할 수 있는 시판품으로서는, 예컨대, 신나카무라화학공업사제의 제품명 NK 시리즈: AT-20E(트라이메틸올프로페인 EO 변성 (20몰) 트라이아크릴레이트), A-GLY-20E(글리세린 EO 변성 (20몰) 트라이아크릴레이트), ATM-35E(펜타에리트리톨 EO 변성 (35몰) 테트라아크릴레이트), A-PG5054E(폴리글리세린(7량체) EO 변성 (54몰) 폴리아크릴레이트(9작용))를 들 수 있다. 또한, 도호화학공업사제의 제품명 T-200EA(트라이메틸올프로페인 EO 변성 (45몰) 트라이아크릴레이트), S-130EA(소르비톨 EO 변성 (30몰) 헥사아크릴레이트)를 들 수 있다. 또한 다이이치공업제약사제의 제품명 DPEA-30(다이펜타에리트리톨 EO 변성 (30몰) 헥사아크릴레이트, DPEA-36(다이펜타에리트리톨 EO 변성 (36몰) 헥사아크릴레이트, DPEA-42(다이펜타에리트리톨 EO 변성 (42몰) 헥사아크릴레이트, DPEA-48(다이펜타에리트리톨 EO 변성 (48몰) 헥사아크릴레이트, DPEA-54(다이펜타에리트리톨 EO 변성 (54몰) 헥사아크릴레이트, PETA-32(펜타에리트리톨 EO 변성 (32몰) 테트라아크릴레이트, PETA-36(펜타에리트리톨 EO 변성 (36몰) 테트라아크릴레이트, PETA-40(펜타에리트리톨 EO 변성 (40몰) 테트라아크릴레이트, PETA-48(펜타에리트리톨 EO 변성 (48몰) 테트라아크릴레이트, PETA-56(펜타에리트리톨 EO 변성 (56몰) 테트라아크릴레이트를 들 수 있다. 이상의 화합물 중, 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)로서는, 특히, (폴리)펜타에리트리톨, (폴리)글리세린 및 (다이)트라이메틸올프로페인의 에틸렌 옥사이드 변성 (폴리)(메트)아크릴레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종류 이상의 화합물이 바람직하다. 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)의 비율은, 중합성 성분(Z) 100질량% 중, 바람직하게는 25∼100질량%, 보다 바람직하게는 50∼90질량%, 특히 바람직하게는 60∼86질량%이다. 이들 범위의 하한치는, 내찰상성의 점에서 의의가 있다. (다작용 (메트)아크릴레이트(B2))본 발명에 필요에 따라 이용하는 다작용 (메트)아크릴레이트(B2)는, 분자 내에 3개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖고, 또한 그 (메트)아크릴로일기 1개당 옥시에틸렌기수의 평균치가 5 미만인 다작용 (메트)아크릴레이트이다. 다작용 (메트)아크릴레이트(B2)를 사용하는 주목적은, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 (메트)아크릴 당량을 최적의 범위로 조정하는 것에 있다. 구체적으로는, (메트)아크릴 당량이 큰 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)와, (메트)아크릴 당량이 작은 다작용 (메트)아크릴레이트(B2)를 조합함으로써 (메트)아크릴 당량을 최적의 범위로 조정한다. 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)가 많은 편이 내찰상성이 우수한 미세 요철 구조가 얻어지기 때문에, 다작용 (메트)아크릴레이트(B2)는 그 첨가량이 적게 끝나도록 (메트)아크릴 당량이 작은 편이 바람직하다. 그 때문에, 다작용 (메트)아크릴레이트(B2)는, (메트)아크릴 당량 320[g/eq] 이하가 바람직하고, 200[g/eq] 이하가 보다 바람직하고, 150[g/eq] 이하가 더 바람직하다. 다작용 (메트)아크릴레이트(B2)의 구체예로서는, 펜타에리트리톨 (트라이)테트라아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 (펜타)헥사아크릴레이트, 트라이펜타에리트리톨 폴리아크릴레이트, 폴리펜타에리트리톨 폴리아크릴레이트, 글리세린 트라이아크릴레이트, 글리세린 테트라아크릴레이트, 폴리글리세린 폴리아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인 트라이아크릴레이트, 다이트라이메틸올프로페인 테트라아크릴레이트, 소르비톨 헥사아크릴레이트, 아이소사이아누르산 EO 변성 트라이아크릴레이트를 들 수 있다. 또한, 이들 화합물의 알킬렌 옥사이드 변성체, 카프로락톤 변성체를 들 수 있다. 또한, 이들 화합물 중에서 하이드록실기를 갖는 화합물(예컨대 펜타에리트리톨 트라이아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트)을, 헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트나 아이소포론 다이아이소사이아네이트 등의 아이소사이아네이트 화합물과 반응시켜 합성한 우레탄 아크릴레이트를 들 수 있다. 그 중에서도, 아크릴 당량이 특히 작기 때문에, 펜타에리트리톨 (트라이)테트라아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 (펜타)헥사아크릴레이트, 트라이펜타에리트리톨 폴리아크릴레이트가 바람직하다. 다작용 (메트)아크릴레이트(B2)로서 사용할 수 있는 시판품으로서는, 예컨대, 도아합성사제의 제품명 아로닉스 시리즈: M-309, M-310, M-321, M-350, M-360, M-313, M-315, M-327, M-306, M-305, M-451, M-450, M-408, M-403, M-400, M-402, M-404, M-406, M-405를 들 수 있다. 또한, 신나카무라화학공업사제의 제품명 NK 시리즈: A-9300, A-9300-1CL, A-GLY-9E, A-TMM-3, A-TMM-3L, A-TMM-3LM-N, A-TMPT, AD-TMP, A-TMMT, A-9550, A-DPH, A-PG5009E, A-PG5027E를 들 수 있다. 또한, 오사카유기화학공업사제의 제품명 비스코트 시리즈: V#295, V#300, V#400, V#360, V#3PA, V#3PMA, V#802, V#1000, V#1020, STAR-501을 들 수 있다. 또한, 닛폰카야쿠사제의 제품명 카야라드 시리즈: GPO-303, TMPTA, THE-330, TPA-330, PET-30, T-1420(T), RP-1040, DPHA, DPEA-12, DPHA-2C, D-310, DPCA-20, DPCA-60을 들 수 있다. 또한, 교에이샤화학사제의 제품명 UA-306H, UA-306T, UA-306I, UA-510H를 들 수 있다. 다작용 모노머(B2)는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 다작용 (메트)아크릴레이트(B2)의 비율은, 중합성 성분(Z) 100질량% 중, 0∼75질량%가 바람직하고, 5∼40질량%가 보다 바람직하고, 10∼30질량%가 특히 바람직하다. 다작용 (메트)아크릴레이트(B2)의 비율이 0∼75질량%임으로써, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 아크릴 당량을 적합한 범위로 조정할 수 있다. (2작용 (메트)아크릴레이트(C))본 발명에 필요에 따라 이용하는 2작용 아크릴레이트(C)는, 분자 내에 2개의 (메트)아크릴로일기를 갖고, 또한 분자 내에 옥시에틸렌기가 연속해 있는 폴리에틸렌 글리콜 구조를 갖는 화합물이다. 2작용 (메트)아크릴레이트(C)의 (메트)아크릴로일기 1개당 옥시에틸렌기수의 평균치는 4∼12가 바람직하고, 5∼8이 보다 바람직하다. 이것을 폴리에틸렌 글리콜 구조 부분의 평균 분자량으로 나타내면, 350 이상 1000 이하가 바람직하고, 400 이상 700 이하가 보다 바람직하다. 폴리에틸렌 글리콜 구조 부분의 분자량이 작으면, 경화물이 취성이 되어 미세 요철 구조의 내찰상성이 저하되기 때문에, 평균 분자량은 350 이상이 바람직하다. 또한, 분자량이 크면 결정화되어 취급성이 악화되기 때문에, 폴리에틸렌 글리콜 부분의 평균 분자량은 1000 이하가 바람직하다. 2작용 (메트)아크릴레이트(C)로서 사용할 수 있는 시판품으로서는, 예컨대, 신나카무라화학공업사제의 제품명 NK 시리즈: A-400, A-600, A-1000을 들 수 있다. 또한, 다이이치공업제약사제의 제품명 뉴프론티어 시리즈: PE-400, PE-600을 들 수 있다. 2작용 모노머(C)는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 2작용 (메트)아크릴레이트(C)의 비율은, 중합성 성분(Z) 100질량% 중, 0∼50질량%가 바람직하고, 0∼35질량%가 보다 바람직하다. 2작용 (메트)아크릴레이트(C)는, 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)가 발휘하는 내찰상성을 저해하지 않는 범위로 첨가할 수 있다. 따라서, 첨가량은 적은 편이 내찰상성의 점에서는 바람직하다. 2작용 (메트)아크릴레이트(C)는, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 점도 조정이나, 첨가제 등과의 상용성 확보, 기재 필름과의 밀착성 부여, 친수성의 부여 등의 효과를 발휘한다. 친수성을 부여함으로써, 지문 등의 기름 오염을 물걸레질로 제거 가능하게 할 수 있다. (단작용 모노머(F))단작용 모노머(F)로서는, 상기 제 1 실시형태에 있어서의 단작용 모노머(F)와 마찬가지의 화합물을 마찬가지의 배합량으로 이용할 수 있다. (다른 중합성 성분)다른 중합성 성분으로서는, 상기 제 1 실시형태에 있어서의 다른 중합성 성분과 마찬가지의 화합물을 이용할 수 있다. (광 중합 개시제(D))광 중합 개시제(D)로서는, 상기 제 1 실시형태에 있어서의 광 중합 개시제(D)와 마찬가지의 화합물을 이용할 수 있다. (자외선 흡수제 및/또는 산화 방지제(E))자외선 흡수제 및/또는 산화 방지제(E)로서는, 상기 제 1 실시형태에 있어서의 자외선 흡수제 및/또는 산화 방지제(E)와 마찬가지의 화합물을 이용할 수 있다. (다른 성분)활성 에너지선 경화성 수지 조성물은, 필요에 따라, 계면 활성제, 이형제, 활제, 가소제, 대전 방지제, 광안정제, 난연제, 난연 조제, 중합 금지제, 충전제, 실레인 커플링제, 착색제, 강화제, 무기 필러, 내충격성 개질제 등의 공지된 첨가제를 포함하고 있어도 된다. 또한, 본 발명의 활성 에너지선 경화성 수지 조성물은, 필요에 따라, 라디칼 중합성의 작용기를 갖지 않는 올리고머나 폴리머, 미량의 유기 용매 등을 포함하고 있어도 된다. 이상 설명한 본 발명을 구성하는 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 있어 서는, 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)를 포함하고 있기 때문에, 내찰상성이 높다. 또한, 추가로 2작용 (메트)아크릴레이트(C)를 특정한 비율로 포함하면, 더욱 지문 닦임성이 양호한 경화물을 형성할 수 있다. 활성 에너지선 경화성 수지 조성물은, 그 아크릴 당량을 조정함으로써 경화물의 경도를 적절한 범위로 조정할 수 있다. 아크릴 당량이란, (메트)아크릴로일기 1개당 분자량으로 표시되는 수치이다. 아크릴 당량이 작을수록 (메트)아크릴로일기의 농도가 커져, 가교 밀도가 높은 경화물이 얻어진다. 반대로, 아크릴 당량이 클수록 (메트)아크릴로일기의 농도는 작아져, 가교 밀도가 낮은 경화물이 얻어진다. 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 아크릴 당량은, 각 성분의 중량비[질량%] W1, W2, W3,···과 각 성분의 분자량[g/mol] M1, M2, M3,···, 각 성분의 작용기수 F1, F2, F3,···을 이용하면 다음 식 1로 표시된다. 아크릴 당량[g/eq]=1/(F1×W1/M1/100+F2×W2/M2/100+···) (식 1)활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 아크릴 당량은, 220[g/eq] 이상이 바람직하고, 220∼320[g/eq]이 보다 바람직하고, 230∼300[g/eq]이 특히 바람직하다. 미세 요철 구조를 형성하는 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 아크릴 당량이 지나치게 작으면 가교 밀도가 높기 때문에 돌기가 취성이 되어 꺾이거나, 깎이거나 하기 쉬워지기 때문에 내찰상성이 저하된다. 한편, 아크릴 당량이 지나치게 크면 가교 밀도가 낮기 때문에 경화물 자체가 지나치게 부드러워져, 미세 요철 구조가 없는 부분까지 경화물이 크게 깎이거나 패이거나 하여 흠집이 나서, 내찰상성이 저하되거나, 미세 요철 구조에 따라서는 돌기(볼록부)끼리가 접촉하여 합일되기 쉬워진다. 돌기끼리가 합일되면, 광을 산란하여 표면이 백탁되게 보이는 경우가 있다. 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 점도는, 스탬퍼의 표면의 미세 요철 구조로의 유입 용이성의 점에서, 지나치게 높지 않은 것이 바람직하다. 따라서, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의, 25℃에서의 회전식 B형 점도계에서의 점도는, 10000mPa·s 이하가 바람직하고, 5000mPa·s 이하가 보다 바람직하고, 2000mPa·s 이하가 더 바람직하다. 단, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 점도가 10000mPa·s를 초과해도, 스탬퍼와의 접촉 시에 미리 가온하여 점도를 낮추는 것이 가능하면 특별히 문제는 없다. 이 경우, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의, 70℃에서의 회전식 B형 점도계에서의 점도는, 5000mPa·s 이하가 바람직하고, 2000mPa·s 이하가 보다 바람직하다. 점도가 너무나 지나치게 낮으면, 젖어 퍼져 버려, 제조에 지장을 가져오는 경우도 있다. 10mPa·s 이상이면 바람직하다. 003c#광투과성 물품003e#본 발명의 광투과성 물품은, 광투과성 기재의 적어도 한쪽 표면에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 미세 요철 구조층을 구비하는 광투과성 물품이다. 미세 요철 구조층은, 예컨대 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을, 미세 요철 구조의 반전 구조를 표면에 갖는 스탬퍼와 접촉, 경화시키는 것에 의해 형성할 수 있다. 도 1은, 본 발명의 미세 요철 구조층을 구비하는 광투과성 물품의 일례를 나타내는 모식적 단면도이다. 이 광투과성 물품(40)은, 광투과성 기재(42)와, 광투과성 기재(42)의 표면에 형성된 미세 요철 구조층(44)을 갖는다. 광투과성 기재(42)로서는, 광을 투과하는 성형체가 바람직하다. 기재의 재료로서는, 전술한 제 1 실시형태에 있어서의 재료를 이용할 수 있다. 광투과성 기재(42)는, 사출 성형체여도 되고, 압출 성형체여도 되고, 캐스팅 성형체여도 된다. 기재(42)의 형상은, 시트 형상이어도 되고, 필름 형상이어도 된다. 광투과성 기재(42)의 표면은, 밀착성, 대전 방지성, 내찰상성, 내후성 등 개량을 위해서, 코팅 처리, 코로나 처리 등이 실시되어 있어도 된다. 미세 요철 구조층(44)은, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 막이며, 표면에 미세 요철 구조를 갖는다. 후술하는 양극 산화 알루미나의 스탬퍼를 이용한 경우의 광투과성 물품(40)의 표면의 미세 요철 구조는, 양극 산화 알루미나의 표면의 미세 요철 구조를 전사하여 형성된 것이며, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 복수의 볼록부(46)를 갖는다. 미세 요철 구조로서는, 대략 원추 형상, 각추 형상 등의 돌기(볼록부)가 복수 정렬된, 이른바 모스 아이 구조가 바람직하다. 돌기 사이의 간격이 가시광의 파장 이하인 모스 아이 구조는, 공기의 굴절률로부터 재료의 굴절률로 연속적으로 굴절률이 증대되어 감으로써 유효한 반사 방지의 수단이 된다는 것이 알려져 있다. 이 모스 아이 구조라고 불리는 미세 요철 구조에 있어서 반사 방지 성능과 내찰상성을 양립하기 위해서는, 볼록부 사이의 평균 간격과 볼록부의 높이의 균형인 요철의 어스펙트비(볼록부의 높이/볼록부 사이의 평균 간격)를 특정한 범위로 하는 것이 중요하다. 볼록부 사이의 평균 간격은, 가시광의 파장 이하, 즉 400nm 이하가 바람직하다. 평균 간격이 400nm를 초과하면, 가시광의 산란이 일어나기 때문에, 반사 방지 물품 등의 광학 용도에 적합하지 않다. 볼록부 사이의 평균 간격은 120∼380nm가 보다 바람직하고, 140∼260nm 이하가 특히 바람직하고, 160nm∼200nm가 가장 바람직하다. 볼록부 사이의 평균 간격은, 전자 현미경 관찰에 의해서 인접하는 볼록부 사이의 간격(볼록부의 중심으로부터 인접하는 볼록부의 중심까지의 거리)을 50점 측정하여, 이들의 값을 평균한 것이다. 볼록부 사이의 평균 간격이 상기의 바람직한 범위에 있는 경우, 반사 방지 성능은 대략 돌기(볼록부)의 높이에 의해서 결정된다. 양호한 반사 방지 성능을 얻기 위해서는, 볼록부의 평균 높이는, 100∼300nm가 바람직하고, 120∼250nm가 보다 바람직하고, 150∼220nm가 특히 바람직하고, 160∼190nm가 가장 바람직하다. 볼록부의 높이가 100nm 이상이면, 반사율이 충분히 낮아지고, 또한 반사율의 파장 의존성이 적다. 볼록부의 높이가 300nm 이하이면, 요철끼리가 접촉하여 합일되는 현상을 억제하기 쉬워진다. 볼록부의 높이는, 전자 현미경에 의해서 배율 30000배로 관찰했을 때에 있어서의, 볼록부의 최정부와, 볼록부 사이에 존재하는 오목부의 최저부 사이의 거리를 측정한 값이다. 볼록부의 어스펙트비(볼록부의 높이/볼록부 사이의 평균 간격)는, 0.7∼1.4가 바람직하고, 0.8∼1.2가 보다 바람직하다. 볼록부의 어스펙트비가 0.7 이상이면, 반사율이 충분히 낮아진다. 볼록부의 어스펙트비가 1.4 이하이면, 볼록부의 내찰상성이 양호해진다. 볼록부의 형상은, 높이 방향과 직교하는 방향의 볼록부 단면적이 최표면으로부터 깊이 방향으로 연속적으로 증가하는 형상, 즉, 볼록부의 높이 방향의 단면 형상이, 삼각형, 사다리꼴, 조종형 등의 형상이 바람직하다. 미세 요철 구조층(44)의 굴절률과 기재(42)의 굴절률의 차는 0.2 이하가 바람직하고, 0.1 이하가 보다 바람직하고, 0.05 이하가 특히 바람직하다. 굴절률차가 0.2 이하이면, 미세 요철 구조층(44)과 기재(42)의 계면에 있어서의 반사가 억제된다. (스탬퍼)스탬퍼 및 그의 제작 방법은, 상기 제 1 실시형태와 마찬가지일 수 있다. (광투과성 물품의 제조 방법)광투과성 물품의 제조 방법은, 상기 제 1 실시형태와 마찬가지일 수 있다. (용도)본 발명의 용도는, 상기 제 1 실시형태와 마찬가지일 수 있다. [제 3 실시형태]본 발명자들은, (메트)아크릴로일 구조를 갖는 다작용 (메트)아크릴 모노머의 가교 구조에서 유래하는 경화물의 내찰상성과, 폴리알킬렌 글리콜 구조를 갖는 (메트)아크릴 모노머의 경화물의 유연성에 주목하여, 이들 2개의 구조를 특정 비율로 갖는 모노머를 사용하는 것이 내찰상성 및 유연성의 부여에 매우 효과적이라는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 즉 본 발명은, 광투과성 기재와, 해당 광투과성 기재의 적어도 한쪽 표면에 형성된 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 미세 요철 구조층을 갖는 광투과성 물품으로서, 상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 함유되는 중합성 화합물이, 하기 식(a)로 표시되는 (메트)아크릴 모노머(A3) 중의 폴리알킬렌 글리콜 함유율(PAG)이 50% 이상 87% 이하인 4작용 이상의 (메트)아크릴 모노머(A3)를 포함하는 광투과성 물품이다. PAG=M(PAG)/[M(ACR)+M(PAG)]×100 (a) PAG: 폴리알킬렌 글리콜 함유율(%), M(PAG): 폴리알킬렌 글리콜 구조 부분의 합계 화학식량, M(ACR): (메트)아크릴로일 구조 부분의 합계 화학식량또 본 발명은, 상기 광투과성 물품을 이용한 반사 방지 물품이다. 본 발명에 의하면, (메트)아크릴로일 구조와 폴리알킬렌 글리콜 구조를 특정비율로 갖는 특정한 모노머를 사용하는 것에 의해, 내찰상성 및 반사 방지 성능이 우수한 미세 요철 구조층을 갖는 광투과성 물품을 제공할 수 있다. 이 광투과성 물품은, 가시광의 파장 영역 전체에서 반사율이 낮고, 또한 스틸 울 찰상 시험에서도 흠집이 나지 않는 우수한 내찰상성을 나타내기 때문에, 당해 성능이 필요해지는 반사 방지 물품으로서, 예컨대 각종 디스플레이, 렌즈, 창재(窓材) 등의 용도에 매우 유용하다. 본 발명에 이용하는 활성 에너지선 경화성 수지 조성물은, 예컨대, 전자선, 자외선, 가시광선 등의 활성 에너지선을 조사함으로써 중합 반응이 진행되어, 경화되는 수지 조성물이다. 이 활성 에너지선 경화성 수지 조성물은, (메트)아크릴로일기나 바이닐기 등의 라디칼 중합성 부위를 갖는 중합성 화합물, 중합 반응을 개시시키는 중합 개시제, 그 밖에 필요에 따라 유기 용매나 계면활성제 등의 조제로 구성된다. 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 함유되는 중합성 화합물은, 폴리알킬렌 글리콜 구조를 분자 중에 1개 이상 갖는 4작용 이상의 (메트)아크릴 모노머(A3)이며, (메트)아크릴 모노머(A3) 중의 폴리알킬렌 글리콜 함유율(PAG)이 50% 이상 87% 이하이다. 여기서, 폴리알킬렌 글리콜 구조란, 알킬렌 글리콜의 분자 구조의 반복 단위 (-R-O-)[R은 알킬렌기]로 이루어지는 분자 구조 (-R-O-)n[n은 평균 반복수]을 의미한다. 폴리알킬렌 글리콜 구조 (-R-O-)n은, 단일 종류의 반복 단위가 복수 연결되는 분자 구조여도 되고, 복수 종류의 반복 단위가 혼재하여 연결되는 분자 구조여도 된다. 평균 반복수란, 반복수가 상이한 폴리알킬렌 글리콜 구조가 1분자 중에 복수 존재하는 경우, 그 반복수의 합계를 폴리알킬렌 글리콜 구조의 수로 나누어 얻어지는 평균치를 의미한다. 이 (메트)아크릴 모노머(A3)는, 적어도 1개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖고, 또한 (메트)아크릴로일기나 바이닐기 등의 라디칼 중합성 부위를 1분자 중에 4개 이상 갖는 화합물이다. 특히, 분자 중의 모든 중합성 부위가 (메트)아크릴로일기인 것, 즉 4개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 것이 바람직하다. 한편, 「(메트)아크릴로일기」는 「아크릴로일기 및/또는 메타크릴로일기」를 의미하고, 「(메트)아크릴레이트」는 「아크릴레이트 및/또는 메타크릴레이트」를 의미한다. (메트)아크릴 모노머(A3)는, 전술한 식(a)로 표시되는 PAG가 50% 이상 87% 이하이다. 또한 PAG는 55% 이상 83% 이하가 바람직하고, 70% 이상 80% 이하가 보다 바람직하다. PAG를 50% 이상으로 함으로써 높은 내찰상성을 발현할 수 있다. 또한, PAG가 87% 이하이면, 광투과성 물품의 가교 밀도에서 유래하는 마르텐스 경도 및 탄성률을 양호하게 유지할 수 있고, 또한, 요철 구조의 돌기끼리가 바싹 달라붙는 현상에 의한 백탁을 방지하여, 광투과성을 향상시킬 수 있다. (메트)아크릴 모노머(A3)로서는, 4개 이상의 하이드록실기를 갖는 폴리올 화합물의 당해 하이드록실기 부분에 폴리알킬렌 글리콜 구조를 개재하여 (메트)아크릴로일기가 결합한 화합물, 이른바 (메트)아크릴 모노머의 알킬렌 옥사이드 변성 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 우레탄(메트)아크릴레이트의 알킬렌 옥사이드 변성 화합물, 에폭시 (메트)아크릴레이트의 알킬렌 옥사이드 변성 화합물도 사용할 수 있다. (메트)아크릴 모노머(A3)는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 특히 부착된 오염을 물걸레질에 의해서 제거하기 쉬워지는 점에서, 에틸렌 옥사이드 변성 화합물(폴리에틸렌 글리콜 구조를 갖는 화합물)이 바람직하다. (메트)아크릴 모노머(A3)의 알킬렌 글리콜의 분자 구조의 단위(-R-O-)는 폴리알킬렌 글리콜 구조의 유연성을 부여하는 점에서 반복수는 5 이상이 바람직하다. 가교 밀도와 유연성을 양립시키는 관점에서는 반복수가 2∼4가 바람직하다. 4작용의 (메트)아크릴 모노머(A3)의 적합한 구체예로서는, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트의 EO 변성 화합물, PO 변성 화합물, EO·PO 변성 화합물, 뷰틸렌 옥사이드 변성 화합물, 다이트라이메틸올프로페인 테트라(메트)아크릴레이트의 EO 변성 화합물, PO 변성 화합물, EO·PO 변성 화합물, 뷰틸렌 옥사이드 변성 화합물을 들 수 있다. 5작용 이상의 (메트)아크릴 모노머(A3)의 적합한 구체예로서는, 다이펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트의 EO 변성 화합물, PO 변성 화합물, EO·PO 변성 화합물, 뷰틸렌 옥사이드 변성 화합물을 들 수 있다. 한편, 「EO」란 「에틸렌 옥사이드」를 의미하고, 「PO」는 「프로필렌 옥사이드」를 의미한다. 또한, 「EO 변성 화합물」이란 에틸렌 옥사이드 유닛의 블록 구조 (-CH2-CH2-O-)n을 갖는 화합물을 의미하고, 「PO 변성 화합물」이란 프로필렌 옥사이드 유닛의 블록 구조 (-CH2-CH(CH3)-O-)n을 갖는 화합물을 의미한다. (메트)아크릴 모노머(A3)는, 특히, 하기 화학식(1)로 표시되는 화합물(다이펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트의 EO 변성 화합물) 및/또는 하기 화학식(2)로 표시되는 화합물(펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트의 EO 변성 화합물)인 것이 바람직하다. [화학식(1)][화학식(1) 중, R1∼R6은 H 또는 CH3이며, l∼q는 12≤l+m+n+o+p+q≤48을 만족시키는 정수이다.][화학식(2)][화학식(2) 중, R7∼R10은 H 또는 CH3이며, r∼u는 8≤r+s+t+u≤32를 만족시키는 정수이다.]활성 에너지선 경화성 수지 조성물은, 이상 설명한 (메트)아크릴 모노머(A3)와 함께, 추가로 (메트)아크릴 모노머(A3) 이외의 3작용 이상의 (메트)아크릴 모노머(B3)를 포함하는 것이 바람직하다. 이 (메트)아크릴 모노머(B3)를 병용하는 것에 의해, 내찰상성이 더욱 향상된다. 이 (메트)아크릴 모노머(B3)는, 적어도 1개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖고, 또한 (메트)아크릴로일기나 바이닐기 등의 라디칼 중합성 부위를 1분자 중에 3개 이상 갖는 화합물이고, (메트)아크릴 모노머(A3) 이외의 화합물이다. 특히, 분자 중의 모든 중합성 부위가 (메트)아크릴로일기인 것, 즉 3개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 3작용∼9작용의 (메트)아크릴 모노머가 바람직하다. (메트)아크릴 모노머(B3)로서는, 3개 이상의 하이드록실기를 갖는 폴리올 화합물의 당해 하이드록실기 부분에 (메트)아크릴로일기가 결합된 (메트)아크릴 모노머를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 우레탄 (메트)아크릴레이트, 에폭시 (메트)아크릴레이트도 사용할 수 있다. (메트)아크릴 모노머(B3)는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상 병용해도 된다. 또한, (메트)아크릴 모노머의 알킬렌 옥사이드 변성 화합물도 사용할 수 있다. 광투과성 물품의 가교 밀도에서 유래하는 마르텐스 경도 및 탄성률을 양호하게 유지하는 점, 또한 요철 구조의 돌기끼리가 바싹 달라붙는 현상에 의한 백탁을 방지하여, 광투과성을 향상시키는 점에서, (메트)아크릴 모노머(B3)의 알킬렌 글리콜의 분자 구조의 단위(-R-O-)는 반복 구조를 형성하지 않는 것, 즉 반복수는 1인 것이 바람직하다. 한편, 폴리알킬렌 글리콜 구조의 유연성을 부여하는 점에서, (메트)아크릴 모노머(B3)의 알킬렌 글리콜 구조의 평균 반복수는 5 이상이 바람직하다. (메트)아크릴 모노머(B3)는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 3작용의 (메트)아크릴 모노머(B3)의 구체예로서는, 트라이메틸올프로페인 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 아이소사이아누르산 트라이(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 4작용의 (메트)아크릴 모노머(B3)의 구체예로서는, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 다이트라이메틸올프로페인 테트라(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 5작용 이상의 (메트)아크릴 모노머(B3)의 구체예로서는, 다이펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 또한, 폴리올 화합물과 아이소사이아네이트 화합물과 하이드록실기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시켜 얻은 우레탄(메트)아크릴레이트를 이용해도 된다. 또한, 트라이메틸올에테인과 석신산과 아크릴산을 2/1/4의 몰비로 반응시켜 얻은 혼합물을 이용해도 된다. 그 중에서도, 중합 반응성의 점에서, 트라이메틸올프로페인 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 다이트라이메틸올프로페인 (메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트 및 그들의 EO 변성 화합물이 바람직하다. 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 함유되는 중합성 화합물 100질량부 중, (메트)아크릴 모노머(A3)의 함유량은, 50질량부 이상 100질량부 이하가 바람직하고, 50질량부 이상 95질량부 이하가 보다 바람직하고, 55질량부 이상 80질량부 이하가 특히 바람직하고, 60질량부 이상 75질량부 이하가 가장 바람직하다. 50질량부 이상이면, 광투과성 물품의 내찰상성 및 투명성을 양호하게 할 수 있다. (메트)아크릴 모노머(B3)를 병용하는 경우, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 포함되는 중합성 화합물 100질량부 중, (메트)아크릴 모노머(B3)의 함유량은, 5질량부 이상 50질량부 이하가 바람직하고, 20질량부 이상 45질량부 이하가 보다 바람직하고, 25질량부 이상 40질량부 이하가 특히 바람직하다. 5질량부 이상이면, (메트)아크릴 모노머(B3) 자체의 하드 코팅성에 기인하는 내찰상성의 향상 효과나 폴리알킬렌 글리콜 구조의 유연성을 얻을 수 있다. 또한 50질량부 이하이면, 경화물의 인성이 유지되어, 경도가 지나치게 높아지는 것에 의한 스탬퍼로부터의 박리 불량이나, 요철 부분의 돌기가 꺾여 반사율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 함유되는 중합성 화합물은, 전술한 (메트)아크릴 모노머(A3), 또는 (메트)아크릴 모노머(A3) 및 (메트)아크릴 모노머(B3)로 실질적으로 구성된다. 여기서, 실질적으로 구성된다란, (메트)아크릴 모노머(A3) 및/또는 (메트)아크릴 모노머(B3) 이외의 성분을 전혀 포함하지 않는 것을 의미하는 것은 아니고, 수 질량부 정도이면 다른 모노머 성분을 함유해도 된다. 바람직하게는 (메트)아크릴 모노머(A3)의 단독 사용 또는 (메트)아크릴 모노머(A3) 및 (메트)아크릴 모노머(B3)의 2개만의 사용이다. 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에는, 통상, 활성 에너지선을 조사함으로써 개열되어 중합 반응을 개시시키는 라디칼을 발생하는 중합 개시제를 첨가한다. 활성 에너지선으로서는, 예컨대, 전자선, 자외선, 가시광선을 들 수 있다. 장치 비용이나 생산성의 점에서 자외선을 이용하는 것이 일반적이다. 이 중합 개시제의 종류에 특별히 제한은 없다. 그 구체예로서는, 벤조페논, 4,4-비스(다이에틸아미노)벤조페논, 2,4,6-트라이메틸벤조페논, 메틸오쏘벤조일벤조에이트, 4-페닐벤조페논, t-뷰틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2,4-다이에틸싸이옥산톤, 아이소프로필싸이옥산톤, 2,4-다이클로로싸이옥산톤 등의 싸이옥산톤류, 다이에톡시아세토페논, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 벤질다이메틸케탈, 1-하이드록시사이클로헥실-페닐케톤, 2-메틸-2-모폴리노(4-싸이오메틸페닐)프로판-1-온, 2-벤질-2-다이메틸아미노-1-(4-모폴리노페닐)-뷰탄온 등의 아세토페논류, 벤조인 메틸 에터, 벤조인 에틸 에터, 벤조인 아이소프로필 에터, 벤조인 아이소뷰틸 에터 등의 벤조인 에터류, 2,4,6-트라이메틸벤조일다이페닐포스핀 옥사이드, 비스(2,6-다이메톡시벤조일)-2,4,4-트라이메틸펜틸포스핀 옥사이드, 비스(2,4,6-트라이메틸벤조일)-페닐포스핀 옥사이드 등의 아실 포스핀 옥사이드류, 메틸 벤조일 포메이트, 1,7-비스아크리딘일헵테인, 9-페닐아크리딘을 들 수 있다. 중합 개시제는 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 특히, 흡수 파장이 상이한 2종 이상을 병용하는 것이 바람직하다. 또한, 필요에 따라 과황산칼륨, 과황산암모늄 등의 과황산염, 벤조일 퍼옥사이드 등의 과산화물, 아조계 개시제 등의 열 중합 개시제를 병용해도 된다. 중합 개시제의 비율은, 중합성 화합물 100질량부에 대하여, 0.01질량부 이상10질량부 이하가 바람직하고, 0.1질량부 이상 5질량부 이하가 보다 바람직하고, 0.2질량부 이상 3질량부 이하가 특히 바람직하다. 0.01질량부 이상이면, 수지 조성물의 경화성 및 그 경화성에 기인하는 경화물의 기계 물성을 양호하게 할 수 있다. 10질량부 이하이면, 잔존하는 미반응 개시제에 의한 경화물의 탄성률 및 내찰상성에 대한 영향이나 착색을 방지할 수 있다. 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에는, 필요에 따라, 이형제, 활제, 가소제, 산화 방지제, 대전 방지제, 광안정제, 자외선 흡수제, 난연제, 난연 조제, 중합 금지제, 충전제, 실레인 커플링제, 착색제, 강화제, 무기 필러, 내충격성 개질제 등의 공지된 첨가제를 배합해도 된다. 중합성 화합물과 중합 개시제, 및 필요에 따라 첨가제를 혼합할 때의 혼합 조건은, 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 교반 시간은 1시간 이상 10시간 이하, 교반 온도는 실온 이상 80℃ 이하로 하면 된다. 본 발명의 광투과성 물품의 미세 요철 구조층의 마르텐스 경도는, 15N/mm2 이상이 바람직하다. 보다 바람직하게는 20N/mm2 이상, 더 바람직하게는 30N/mm2 이상이다. 15N/mm2 이상이면, 미세 요철 구조의 돌기끼리가 바싹 달라붙는 현상이 일어나기 어렵기 때문에, 광투과성 물품 표면에 백화나 백탁이 보이지 않는다. 본 발명의 광투과성 물품은, 온도 23℃, 습도 50% Rh의 환경 하에서 20mm각(角)의 압자와 스틸 울 #0000을 이용하여, 하중 25gf/cm2의 조건에서, 광투과성 물품을 10왕복 문지르는 내찰상성 시험을 행한 경우에 생기는 흠집이 0∼10개 이내인 것이 바람직하다. 이 범위이면 내찰상성을 충분히 구비할 수 있다. 본 발명의 광투과성 물품은, 이상 설명한 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 미세 요철 구조층을, 광투과성 기재의 적어도 한쪽 표면에 형성한 것이다. 광투과성 기재는 광을 투과하는 것이면 되고, 그 재질은 특별히 한정되지 않는다. 광투과성 기재의 재질로서는, 예컨대, 메틸 메타크릴레이트 (공)중합체, 폴리카보네이트, 스타이렌 (공)중합체, 메틸 메타크릴레이트-스타이렌 공중합체, 셀룰로스 다이아세테이트, 셀룰로스 트라이아세테이트, 셀룰로스 아세테이트 뷰티레이트, 폴리에스터, 폴리아마이드, 폴리이미드, 폴리에터설폰, 폴리설폰, 폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐, 폴리염화바이닐, 폴리바이닐아세탈, 폴리에터케톤, 폴리우레탄, 유리를 들 수 있다. 활성 에너지선 경화성 수지 조성물은, 단독으로 경화시킬 수도 있지만, 광투과성 기재 상에서 경화시켜, 광투과성 기재와 일체화시켜 이용하는 것이 일반적이다. 기재의 형상이나 제조 방법은, 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 사출 성형체, 압출 성형체, 캐스팅 성형체를 사용할 수 있다. 또한 형상은, 시트 형상, 필름 형상, 그 밖의 입체 형상이어도 된다. 또한, 밀착성, 대전 방지성, 내찰상성, 내후성 등의 특성의 개량을 목적으로 하여, 기재의 표면에 코팅이나 코로나 처리가 실시되어 있어도 된다. 특히, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물과 광투과성 기재의 밀착성을 좋게 하기 위하여, 표면에 이(易)접착층이 설치된 광투과성 기재를 이용하는 것이 바람직하다. 도 4는 본 발명의 광투과성 물품의 일례를 나타내는 모식적 단면도이다. 이 도면에 나타내는 광투과성 물품은, 광투과성 기재(50)와, 그 광투과성 기재(50)의 상측의 표면에 형성된 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 미세 요철 구조층(51)을 갖는다. 미세 요철 구조층(51)에는 가시광의 파장 이하의 사이즈의 미세한 볼록부(52)와 오목부(53)가 교대로 반복된 나노 요철 구조가 형성되어 있다. 가시광이란, 일반적으로 파장이 380∼780nm인 광을 가리키고, 가시광 파장 이하의 사이즈란, 이웃하는 볼록부(52) 또는 오목부(53)의 간격(도면 중의 돌기 폭(55))이 380nm 이하인 것을 의미한다. 요철의 높이(54)는 특별히 한정되지 않지만, 반사 방지 특성의 점에서 60nm 이상이 바람직하고, 90nm 이상이 보다 바람직하다. 이 미세 요철 구조층(51)은, 광투과성 기재(50)의 편면 또는 양면의 전체 또는 일부에 형성하면 바람직하다. 미세 요철 구조층의 요철 형상은 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 공기로부터 재료 표면까지 연속적으로 굴절률을 증대시켜 저반사율과 저파장의존성을 양립시킨 반사 방지 기능을 얻기 위해서는, 원추 형상, 각추 형상, 조종 형상 등, 막면에서 절단했을 때의 단면적의 점유율이 연속적으로 증대하는 구조가 바람직하다. 또한, 보다 미세한 돌기가 합일되어 상기의 미세 요철 구조층을 형성하고 있어도 된다. 미세 요철 구조층을 형성하는 방법으로서는, 예컨대, 미세 요철 구조를 갖는 스탬퍼와 광투과성 기재 사이에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 배치하고, 활성 에너지선 조사에 의해서 경화시켜, 그 경화물층으로부터 스탬퍼를 박리하는 것에 의해, 미세 요철 구조가 전사된 경화물층(미세 요철 구조층)을 얻는 방법이 바람직하다. 이상의 방법에 사용하는 스탬퍼의 제조 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 전자빔 리소그래피법, 레이저광 간섭법, 양극 산화법 등을 이용할 수 있다. 예컨대 적당한 지지 기판 상에 포토레지스트막을 도포하고, 자외선 레이저, 전자선, X선 등의 광을 이용하여 노광하고, 현상하는 것에 의해 미세 요철 구조층을 갖는 형(型)을 제작할 수 있다. 이 형을 그대로 스탬퍼로서 사용할 수도 있다. 또한, 포토레지스트층을 개재하여 지지 기판을 드라이 에칭에 의해 선택적으로 에칭하고, 레지스트층을 제거함으로써 지지 기판 표면에 직접 미세 요철 구조를 형성하여 사용하는 것도 가능하다. 양극 산화 포러스 알루미나를 스탬퍼로서 이용하는 것도 가능하다. 예컨대, 알루미늄을 옥살산, 황산, 인산 등을 전해액으로 하여 소정의 전압에서 양극 산화시켜 20∼200nm의 세공 구조를 형성하여, 이것을 스탬퍼로서 사용해도 된다. 이 방법에서는, 고순도 알루미늄을 정전압에서 장시간 양극 산화시키고, 그 후 일단 산화 피막을 제거하고, 다시 양극 산화시킴으로써, 매우 높은 규칙성의 세공이 자기 조직화적으로 형성된다는 것이 알려져 있다. 또한 2회째에 양극 산화시키는 공정에서, 양극 산화 처리와 구멍 직경 확대 처리를 조합함으로써, 단면이 직사각형이 아니고 삼각형이나 조종형인 미세 요철 구조도 형성 가능하다. 또한, 미세 요철 구조를 갖는 원형(原型)으로부터 전주법(電鑄法) 등으로 복제형을 제작하고, 이것을 스탬퍼로서 사용해도 된다. 스탬퍼의 형상은 특별히 한정되지 않고, 평판 형상이라도 롤 형상이라도 된다. 특히, 롤 형상의 스탬퍼는, 연속적으로 미세 요철 구조층을 전사할 수 있기 때문에 생산성의 점에서 바람직하다. 중합·경화에 이용하는 활성 에너지선으로서는, 예컨대, 전자선, 자외선, 가시광선을 들 수 있다. 특히 자외선이 바람직하다. 자외선을 조사하는 램프로서는, 예컨대, 고압 수은등, 메탈 할라이드 램프, 퓨전사제의 무전극 UV 램프(각종 벌브)를 들 수 있다. 자외선 조사량은, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물 중의 중합 개시제의 흡수 파장이나 첨가량에 따라 적절히 결정하면 된다. 경화가 불충분하면 미세 요철 구조층의 내찰상성이 손상되는 경우가 있다. 또한 조사량이 지나치게 많으면 경화물의 착색이나 광투과성 기재의 열화를 야기하는 경우가 있다. 특히, 400∼4000mJ/cm2의 적산 광량으로 경화시키는 것이 바람직하고, 400∼2000mJ/cm2의 적산 광량으로 경화시키는 것이 보다 바람직하다. 조사 강도에 대해서도 특별히 제한되지 않지만, 광투과성 기재의 열화 등을 초래하지 않을 정도의 출력으로 억제하는 것이 바람직하다. 본 발명의 광투과성 성형품은, 예컨대, 반사 방지 물품(반사 방지 필름, 반사 방지막, 반사 방지 시트, 및 그 밖의 반사 방지 부재), 광도파로, 릴리프 홀로그램, 렌즈, 편광 분리 소자 등의 광학 물품이나, 세포 배양 시트의 용도에 사용 가능하다. 특히, 반사 방지 물품의 용도에 적합하다. 반사 방지 물품으로서는, 예컨대, 액정 표시 장치, 플라즈마 디스플레이 패널, 전기발광 디스플레이, 냉음극관 표시 장치 등의 화상 표시 장치, 렌즈, 쇼윈도, 안경 렌즈 등의 표면에서 사용되는 반사 방지막, 반사 방지 필름, 반사 방지 시트를 들 수 있다. 화상 표시 장치에 이용하는 경우는, 최표면 상에 반사 방지 필름을 부착해도 되고, 최표면이 되는 부재로서 성형해도 되고, 전면판으로서 성형해도 된다. [제 4 실시형태]본 발명에 의하면, 미세 요철 구조의 이웃하는 볼록부끼리의 간격이 가시광의 파장 이하이며, 물품이 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 필름 형상의 형상이고, 또한 지지체를 갖지 않는 것을 특징으로 하는, 미세 요철 구조를 표면에 갖는 물품이 제공된다. 본 발명의 다른 바람직한 태양에 의하면, 상기 물품의 두께가 40㎛ 이상 500㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 상기 미세 요철 구조를 표면에 갖는 물품이 제공된다. 본 발명의 다른 바람직한 태양에 의하면, 상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 아크릴 당량이 200 이상인 것을 특징으로 하는, 미세 요철 구조를 표면에 갖는 물품이 제공된다. 본 발명의 다른 바람직한 태양에 의하면, 반사 방지 물품인, 미세 요철 구조를 표면에 갖는 물품이 제공된다. 본 발명의 다른 바람직한 태양에 의하면, 하기 (공정 1)∼(공정 3)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 미세 요철 구조를 표면에 갖는 물품의 제조 방법이 제공된다. (공정 1) 상기 미세 요철 구조의 반전 구조를 적어도 한쪽 표면에 갖는 스탬퍼 상에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 배치하는 공정 (공정 2) 활성 에너지선을 조사하여 상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 경화시키는 공정(공정 3) 상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물을 상기 스탬퍼로부터 박리하는 공정. 본 발명의 다른 바람직한 태양에 의하면, 상기 (공정 1)에 있어서의 스탬퍼가 롤 형상인 것을 특징으로 하는, 미세 요철 구조를 표면에 갖는 물품의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 미세 요철 구조를 표면에 갖는 물품은 표면 경도가 높고, 또한 저비용으로 제조 가능하다. 003c#미세 요철을 표면에 갖는 물품의 구성003e#본 발명의 미세 요철 구조를 표면에 갖는 물품은 필름 형상이며, 지지체를 갖지 않고, 단독으로 취득 가능하다. 단독으로 취득 가능하다고 하는 것은, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물에 의해서 형성되는 표면에 미세 요철 구조를 갖는 물품이, 다른 지지체 없이 취급 가능한 상태이다. 구체적으로는, 예컨대, 단면이 직경 10mm 정도의 원인 원기둥 형상의 막대에 본 발명의 미세 요철 구조를 표면에 갖는 물품을 권취했을 때에 균열 등이 생기지 않는 것을 확인하는 것 등으로 단독으로 취급 가능하다는 것을 판단 가능하다. 본 발명에 있어서는, 미세 요철 구조를 표면에 갖는 물품이 단독으로 취득 가능하기 때문에, 광투과성 기체 등으로 구성되는 지지체는 불필요하다. 그 때문에, 미세 요철 구조를 갖는 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물과 지지체의 계면 반사에 기인하는 문제가 없다. 또한, 보다 저렴하게 미세 요철 구조를 표면에 갖는 물품이 얻어진다. 게다가, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물이 광학적인 등방성이 우수하여, 높은 광투과성을 갖기 때문에, 영상 표시 장치 등에 적합한 물품이 얻어진다. 본 발명의 물품은 단층이어도 되고, 복수층이어도 된다. 단층이면 물품 내부에 있어서 재료간의 굴절률차에 기인하는 반사 방지 성능의 저하가 일어나지 않기 때문에 높은 광투과성을 갖는 물품이 된다. 복수층인 경우, 복수의 층은 모두 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어진다. 복수층은, 예컨대, 복수의 미경화 상태의 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 적층한 후에 경화시키는 것에 의해 얻을 수 있다. 미경화 상태로 적층시킴으로써 각 층간의 접촉부를 상용시켜, 밀착성을 확보함과 함께, 계면 반사를 최소한으로 억제하는 것이 가능해진다. 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물에 의해서 형성된 미세 요철 구조를 표면에 갖는 물품은, 점착제 등을 개재하여 대상물에 부착할 수 있다. 또한, 본 발명의 미세 요철을 표면에 갖는 물품의 두께는, 40㎛ 이상 500㎛ 이하가 바람직하고, 60㎛ 이상 250㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 두께가 40㎛ 이상 500㎛ 이하이면, 필름으로서의 취급성이 양호하다. 두께가 40㎛보다 두꺼우면 물품은 파손되기 어렵고, 두께가 500㎛보다 얇으면 물품에 균열이 생기기 어렵다. 또한, 막 두께는 지나치게 두꺼워지면 재료 비용의 면에서도 바람직하지 않다. 003c#활성 에너지선 경화성 수지 조성물003e#본 명세서에 있어서, 라디칼 중합성의 작용기란, (메트)아크릴로일기, 바이닐기 등을 의미한다. 또한, (메트)아크릴로일기는 아크릴로일기 및/또는 메타크릴로일기를 의미한다. 또한, (메트)아크릴레이트는 아크릴레이트 및/또는 메타크릴레이트를 의미한다. 또한, 활성 에너지선은 가시광선, 자외선, 전자선, 플라즈마, 열선(적외선 등) 등을 의미한다. 활성 에너지선 경화성 수지 조성물이란, 활성 에너지선을 조사함으로써 중합 반응이 진행되어, 경화되는 수지 조성물이다. 본 발명에 바람직하게 이용하는 활성 에너지선 경화성 수지 조성물은, 중합성 성분(Z)과 광 중합 개시제(D)를 필수 성분으로 하고, 필요에 따라, 자외선 흡수제 및/또는 산화 방지제(E) 등의 다른 성분 등을 포함하는 것이다. (중합성 성분(Z))활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 있어서의 중합성 성분(Z)으로서는, 라디칼 중합성기를 갖는 모노머나 양이온 중합성기를 갖는 모노머를 들 수 있다. 그 중에서도, 중합 속도의 점에서 라디칼 중합성기를 갖는 모노머가 바람직하다. 라디칼 중합성기로서는, (메트)아크릴로일기, 바이닐에터기, 바이닐기 등을 들 수 있지만, 반응성이 높은 점이나 재료의 선택지가 넓은 점에서 (메트)아크릴로일기가 바람직하다. 여기서, 아크릴 당량이란, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물 1g당에 포함되는 (메트)아크릴로일기수로 표시되는 수치이다. 아크릴 당량이 작을수록 (메트)아크릴로일기의 농도가 커져, 가교 밀도가 높은 경화물이 얻어진다. 반대로, 아크릴 당량이 클수록 (메트)아크릴로일기의 농도는 작아져, 가교 밀도가 낮은 경화물이 얻어진다. 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 아크릴 당량은, 200 이상이 바람직하다. 200 이상 400 이하가 더 바람직하고, 220 이상 300 이하가 특히 바람직하다. 미세 요철 구조를 형성하는 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 아크릴 당량이 지나치게 작으면 경화 수축률이 커져, 경화물이 컬(curl)하거나, 생긴 변형에 의해서 균열이 발생하거나 하는 원인이 된다. 그 때문에, 경화물의 후막화가 곤란해진다. 또한, 가교 밀도가 높기 때문에 표면의 미세 요철 구조의 돌기가 취성이 되어 꺾이기 쉬워져, 내찰상성이 저하된다. 한편, 아크릴 당량이 지나치게 크면 가교 밀도가 낮기 때문에 경화물 자체가 지나치게 부드러워져, 필름의 경도가 낮아진다. 또한, 내찰상성의 면에서는, 표면에 갖는 미세 요철 구조가 없는 부분까지 경화물이 크게 깎이거나 패이거나 하기 쉬워진다. 단, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 중합성 성분(Z) 이외의 바인더 폴리머나 가소제 등을 사용하는 경우는, 그들 성분의 특성에 따라 아크릴 당량을 최적화할 필요가 있어, 아크릴 당량의 최적 범위가 상기의 바람직한 범위 밖으로 되는 경우도 있다. 중합성 성분(Z)은, 상기의 아크릴 당량을 만족시키는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예컨대 하기의 특정한 다작용 모노머(A), 특정한 다작용 모노머(B), 특정한 2작용 모노머(C), 및 단작용 모노머(F)의 조합을 들 수 있다. (다작용 모노머(A))다작용 모노머(A)는, 분자 내에 3개 이상의 라디칼 중합성의 작용기를 갖고, 또한 해당 작용기 1개당의 분자량이 110 미만인 화합물이다. 작용기 1개당의 분자량이란, 다작용 모노머(A)의 분자량을 1분자 중의 라디칼 중합성의 작용기의 수로 나눈 값이다. 예컨대, 대표적인 3작용 모노머인 트라이메틸올프로페인 트라이아크릴레이트의 경우, 그 분자량은 296이며, 라디칼 중합성의 작용기의 수는 3이기 때문에, 작용기 1개당의 분자량이 110 미만인 98.67이 된다. 분자 내에 3개 이상의 라디칼 중합성의 작용기를 갖고, 또한 해당 작용기 1개당의 분자량이 110 미만인 다작용 모노머를 이용함으로써, 중합성 성분(Z) 전체로서의 가교 밀도를 확보하여, 강하물의 탄성률이나 경도를 높이는 역할을 한다. 다작용 모노머(A)의 작용기 1개당의 분자량은 110 미만이 바람직하고, 100 미만이 보다 바람직하다. 다작용 모노머(A)로서는, 작용기 1개당의 분자량이 110 미만인 3작용 이상의 (메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 활성 에너지선으로 경화시켰을 때의 경화 속도의 점에서 메타크릴레이트보다도 아크릴레이트가 우수하기 때문에, 아크릴레이트를 이용하는 것이 바람직하다. 다작용 모노머(A)로서 이용할 수 있는 아크릴레이트로서는, 예컨대, 펜타에리트리톨 트라이아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인 트라이아크릴레이트, 다이트라이메틸올프로페인 테트라아크릴레이트 등을 들 수 있다. 다작용 모노머(A)는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 다작용 모노머(A)의 비율은, 중합성 성분(Z) 100질량% 중, 0∼30질량%이며, 0∼20질량%가 바람직하고, 이용하지 않아도 된다. 다작용 모노머(A)의 비율이 30질량% 이하임으로써, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 아크릴 당량을 적합한 범위로 조정할 수 있다. (다작용 모노머(B))다작용 모노머(B)는, 분자 내에 3개 이상의 라디칼 중합성의 작용기를 갖고, 또한 해당 작용기 1개당의 분자량이 110 이상인 화합물이다. 이 다작용 모노머(B)는, 그 밖의 균형으로 활성 에너지선 경화물의 아크릴 당량을 적정한 범위로 조정한다. 다작용 모노머(B)의 작용기 1개당의 분자량은 110 이상이 바람직하고, 150 이상이 보다 바람직하다. 또한, 분자 내의 라디칼 중합성의 작용기수는, 3작용 이상이 바람직하고, 4작용 이상이 보다 바람직하고, 5작용 이상이 더 바람직하다. 다작용 모노머(B)가 분자 내에 옥시에틸렌기를 갖는 편이 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 포함되는 옥시에틸렌기의 양을 적정한 범위로 조정하기 쉽다. 다작용 모노머(B)로서 이용할 수 있는 아크릴레이트로서는, 예컨대, 알콕시화 펜타에리트리톨 트라이아크릴레이트, 알콕시화 아이소사이아누르산 트라이아크릴레이트, 알콕시화 글리세린 트라이아크릴레이트, 알콕시화 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 알콕시화 다이펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트, 알콕시화 다이펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트, 카프로락톤 변성 펜타에리트리톨 트라이아크릴레이트, 카프로락톤 변성 아이소사이아누르산 트라이아크릴레이트, 카프로락톤 변성 글리세린 트라이아크릴레이트, 카프로락톤 변성 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 카프로락톤 변성 다이펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트, 카프로락톤 변성 다이펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트 등을 들 수 있다. 여기서, 알콕시화로서는, 에톡시화, 뷰톡시화 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 옥시에틸렌기를 부여할 수 있는 점에서 에톡시화가 바람직하다. 다작용 모노머(B)는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 다작용 모노머(B)의 비율은, 중합성 성분(Z) 100질량% 중, 15∼90질량%이며, 25∼65질량%가 보다 바람직하다. 다작용 모노머(B)의 비율이 15∼90질량%임으로써, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 아크릴 당량과 옥시에틸렌기의 비율을 적합한 범위로 조정할 수 있다. (2작용 모노머(C))특정한 2작용 모노머(C)로서는, 폴리에틸렌 글리콜 다이아크릴레이트가 적합하게 이용된다. 폴리에틸렌 글리콜 다이아크릴레이트는 분자 내에 2개의 아크릴로일기를 갖고, 또한 분자 내에 옥시에틸렌기가 연속해 있는 폴리에틸렌 글리콜을 갖는 화합물이다. 폴리에틸렌 글리콜 구조 부분의 분자량은 300 이상이 바람직하고, 400 이상이 보다 바람직하다. 또한, 폴리에틸렌 글리콜 구조 부분의 분자량이 크면 결정화되어 취급성이 저하되기 때문에, 폴리에틸렌 글리콜 부분의 분자량은 1000 이하가 바람직하다. 2작용 모노머(C)의 비율은, 중합성 성분(Z) 100질량% 중, 0∼85질량%이며, 35∼75질량%가 보다 바람직하다. 2작용 모노머(C)로서 폴리에틸렌 글리콜 다이아크릴레이트를 이용하는 경우, 그 비율이 0∼85질량%임으로써, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 아크릴 당량과 옥시에틸렌기의 비율을 적합한 범위로 조정할 수 있다. 또한, 폴리에틸렌 글리콜 다이아크릴레이트를 상기의 비율로 사용함으로써 미세 요철 표면을 충분히 친수화할 수 있어, 지문 등의 기름 오염을 물걸레질로 제거할 수 있다. (단작용 모노머(F))단작용 모노머(F)로서는, 상기 제 1 실시형태에 있어서의 단작용 모노머(F)와 마찬가지의 화합물을 마찬가지의 배합량으로 이용할 수 있다. (다른 중합성 성분)중합성 성분(Z)은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위로, 다작용 모노머(A), 다작용 모노머(B), 2작용 모노머(C) 및 단작용 모노머(F) 이외의 다른 중합성 성분을 포함하고 있어도 된다. 다른 중합성 성분으로서는, 다작용 모노머(A), 다작용 모노머(B), 2작용 모노머(C) 및 단작용 모노머(F) 이외의 모노머, 라디칼 중합성의 작용기를 갖는 올리고머나 폴리머 등을 들 수 있다. 다른 중합성 성분의 비율은, 중합성 성분(Z) 100질량% 중, 30질량% 이하가 바람직하고, 20질량% 이하가 더 바람직하고, 10질량% 이하가 특히 바람직하다. 즉, 다작용 모노머(A), 다작용 모노머(B), 2작용 모노머(C) 및 단작용 모노머(F)의 합계는, 중합성 성분(Z) 100질량% 중, 70질량% 이상이 바람직하다. (광 중합 개시제(D))광 중합 개시제(D)로서는, 상기 제 1 실시형태에 있어서의 광 중합 개시제(D)와 마찬가지의 화합물을 마찬가지의 배합량으로 이용할 수 있다. (자외선 흡수제 및/또는 산화 방지제(E))자외선 흡수제 및/또는 산화 방지제(E)로서는, 상기 제 1 실시형태에 있어서의 자외선 흡수제 및/또는 산화 방지제(E)와 마찬가지의 화합물을 마찬가지의 배합량으로 이용할 수 있다. (다른 성분)본 발명의 활성 에너지선 경화성 수지 조성물은, 필요에 따라, 계면활성제, 이형제, 활제, 가소제, 대전 방지제, 광안정제, 난연제, 난연 조제, 중합 금지제, 충전제, 실레인 커플링제, 착색제, 강화제, 무기 필러, 내충격성 개질제 등의 공지된 첨가제를 포함하고 있어도 된다. 또한, 본 발명의 활성 에너지선 경화성 수지 조성물은, 필요에 따라, 라디칼 중합성의 작용기를 갖지 않는 올리고머나 폴리머, 미량의 유기 용매 등을 포함하고 있어도 된다. 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 점도는, 스탬퍼의 표면의 미세 요철 구조로의 유입 용이성의 점에서, 지나치게 높지 않은 것이 바람직하다. 따라서, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의, 25℃에서의 E형 점도계에서의 점도는, 10000mPa·s 이하가 바람직하고, 5000mPa·s 이하가 보다 바람직하고, 2000mPa·s 이하가 더 바람직하다. 단, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 점도가 10000mPa·s를 초과해도, 스탬퍼와의 접촉 시에 미리 가온하여 점도를 낮추는 것이 가능하면 특별히 문제는 없다. 이 경우, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의, 70℃에서의 회전식 B형 점도계에서의 점도는, 5000mPa·s 이하가 바람직하고, 2000mPa·s 이하가 보다 바람직하다. 점도가 너무나 지나치게 낮으면, 젖어 퍼져 버려, 제조에 지장을 가져오는 경우도 있다. 10mPa·s 이상이면 바람직하다. 이상 설명한, 본 발명의 물품의 표면에 이용하는 데 적합한 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 있어서는, 아크릴 당량이 특정한 범위 내에 있기 때문에, 그 경화물은 지지체를 갖지 않는 필름 형상의 형태여도 컬이나 균열이 없어 후막화가 가능하고, 또한 높은 표면 경도를 갖는다. 또한, 특정한 다작용 모노머(A), 특정한 다작용 모노머(B) 및 특정한 2작용 모노머(C)를 특정한 비율로 포함하고 있기 때문에, 미세 요철 구조의 내찰상성이 높다. 또한, 특정한 2작용 모노머(C)를 특정한 비율로 포함하고 있기 때문에, 미세 요철 구조의 지문 닦임성도 양호한 경화물을 형성할 수 있다. 003c#미세 요철 구조를 표면에 갖는 물품003e#본 발명의 물품은, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을, 미세 요철 구조의 반전 구조를 표면에 갖는 스탬퍼와 접촉, 경화시키는 것에 의해 형성되는 미세 요철 구조를 표면에 갖는 물품이다. 도 1은 본 발명의 물품의 일례를 나타내는 단면도이다. 물품(40)은, 필요에 따라 추가되는 커버 필름(42)과, 미세 요철 구조층(44)을 갖는다. 물품(40)은 미세 요철 구조층(44)만으로 구성되어도 된다. 미세 요철 구조층(44)은, 표면에 미세 요철 구조를 갖는다. 후술하는 양극 산화 알루미나의 스탬퍼를 이용한 경우의 물품(40)의 표면의 미세 요철 구조는, 양극 산화 알루미나의 표면의 미세 요철 구조를 전사하여 형성된 것이고, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 복수의 볼록부(46)를 갖는다. 미세 요철 구조로서는, 대략 원추 형상, 각추 형상 등의 돌기(볼록부)가 복수 정렬된, 이른바 모스 아이 구조가 바람직하다. 돌기 사이의 간격이 가시광의 파장 이하인 모스 아이 구조는, 공기의 굴절률로부터 재료의 굴절률로 연속적으로 굴절률이 증대되어 감으로써 유효한 반사 방지의 수단이 된다는 것이 알려져 있다. 이 모스 아이 구조라고 불리는 미세 요철 구조에 있어서, 반사 방지 성능과 내찰상성을 양립시키기 위해서는, 볼록부 사이의 평균 간격과 볼록부의 높이의 균형인 요철의 어스펙트비(볼록부의 높이/볼록부 사이의 평균 간격)를 특정한 범위로 하는 것이 중요하다. 볼록부 사이의 평균 간격은, 가시광의 파장 이하, 즉 400nm 이하가 바람직하다. 평균 간격이 400nm를 초과하면, 가시광의 산란이 일어나기 때문에, 반사 방지 물품 등의 광학 용도에 적합하지 않다. 볼록부 사이의 평균 간격은 140∼260nm가 보다 바람직하고, 160nm∼200nm가 특히 바람직하다. 볼록부 사이의 평균 간격은, 전자 현미경 관찰에 의해서 인접하는 볼록부 사이의 간격(볼록부의 중심으로부터 인접하는 볼록부의 중심까지의 거리)을 50점 측정하여, 이들의 값을 평균한 것이다. 볼록부 사이의 평균 간격이 상기의 바람직한 범위에 있는 경우, 반사 방지 성능은 대략 돌기의 높이에 의해서 결정된다. 양호한 반사 방지 성능을 얻기 위해서는, 볼록부의 높이는, 120∼250nm가 바람직하고, 150∼220nm가 보다 바람직하고, 180∼190nm가 특히 바람직하다. 볼록부의 높이가 120nm 이상이면, 반사율이 충분히 낮아지고, 또한 반사율의 파장 의존성이 적다. 볼록부의 높이가 250nm 이하이면, 볼록부 선단끼리가 밀착되는 현상을 억제하기 쉬워진다. 볼록부의 높이는, 전자 현미경에 의해서 배율 30000배로 관찰했을 때에 있어서의, 볼록부의 최정부와, 볼록부 사이에 존재하는 오목부의 최저부 사이의 거리를 측정한 값이다. 볼록부의 어스펙트비(볼록부의 높이/볼록부 사이의 평균 간격)는, 0.7∼1.4가 바람직하고, 0.8∼1.2가 보다 바람직하다. 볼록부의 어스펙트비가 0.7 이상이면, 반사율이 충분히 낮아진다. 볼록부의 어스펙트비가 1.4 이하이면, 볼록부의 내찰상성이 양호해진다. 볼록부의 형상은, 높이 방향과 직교하는 방향의 볼록부 단면적이 최표면으로부터 깊이 방향으로 연속적으로 증가하는 형상, 즉, 볼록부의 높이 방향의 단면형상이, 삼각형, 사다리꼴, 조종형 등의 형상이 바람직하다. (스탬퍼)스탬퍼 및 그의 제작 방법은, 상기 제 1 실시형태와 마찬가지일 수 있다. (물품의 제조 방법)미세 요철 구조를 표면에 갖는 물품은, 하기 (공정 1)∼(공정 3)을 포함하는 공정으로 제조된다. (공정 1) 상기 미세 요철 구조의 반전 구조를 적어도 한쪽 표면에 갖는 스탬퍼 상에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 배치하는 공정, (공정 2) 활성 에너지선을 조사하여 상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 경화시키는 공정, (공정 3) 상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물을 상기 스탬퍼로부터 박리하는 공정. 또한, 상기 (공정 1)에 있어서의 스탬퍼가 롤 형상인 것이 바람직하다. 예컨대, 도 3에 나타내는 제조 장치를 이용하여, 하기와 같이 하여 제조된다. 표면에 미세 요철 구조의 반전 구조(도시 생략)를 갖는 롤 형상 스탬퍼(20)와, 롤 형상 스탬퍼(20)의 표면을 따라 이동하는 띠 형상 필름의 커버 필름(42) 사이에, 탱크(22)로부터 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 공급한다. 롤 형상 스탬퍼(20)와, 공기압 실린더(24)에 의해서 닙압이 조정된 닙 롤(26) 사이에서, 커버 필름(42) 및 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 니핑하여, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을, 커버 필름(42)과 롤 형상 스탬퍼(20) 사이에 균일하게 널리 퍼지게 하는 동시에, 롤 형상 스탬퍼(20)의 미세 요철 구조의 오목부 내에 충전한다. 롤 형상 스탬퍼(20)의 하방에 설치된 활성 에너지선 조사 장치(28)로부터, 커버 필름(42)을 개재하여 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 활성 에너지선을 조사하여, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 경화시키는 것에 의해, 롤 형상 스탬퍼(20)의 표면의 미세 요철 구조가 전사된 미세 요철 구조층(44)을 형성한다. 박리 롤(30)에 의해, 미세 요철 구조층(44)과 커버 필름(42)을 롤 형상 스탬퍼(20)로부터 박리하는 것에 의해, 도 1에 나타내는 바와 같은 물품(40)을 얻는다. 물품(40)의 커버 필름(42)은, 미세 요철 구조층(44)으로부터 박리 가능하며, 미세 요철 구조층(44)은 단독으로 취급 가능하다. 활성 에너지선 조사 장치(28)로서는, 고압 수은 램프, 메탈 할라이드 램프 등이 바람직하고, 이 경우의 광 조사 에너지량은, 100∼10000mJ/cm2가 바람직하다. 커버 필름(42)은, 광투과성 필름이 바람직하다. 필름의 재료로서는, 아크릴계 수지, 폴리카보네이트, 스타이렌계 수지, 폴리에스터, 셀룰로스계 수지(트라이아세틸셀룰로스 등), 폴리올레핀, 지환식 폴리올레핀 등을 들 수 있다. 또한, 이 커버 필름(42)은, 미세 요철 구조층(44)과 적층된 상태에서는 보호 필름으로서 기능한다. 또한, 커버 필름(42)은 필수적인 구성 부재는 아니다. 예컨대, 도공 장치를 사용하여 롤 형상 스탬퍼(20)에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 직접 도공하고, 이어서 활성 에너지선을 조사하여 경화시킨 후, 미세 요철 구조층(44)을 롤 형상 스탬퍼(20)로부터 박리함으로써, 필름 형상의 미세 요철 구조층(44)을 얻는 것이 가능하다. 이 경우, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물은, 활성 에너지선을 조사할 때에 주변으로부터 산소가 추방된 상태인 것이 바람직하다. 그 방법으로서는, 예컨대, 질소나 이산화탄소 등의 불활성 가스를 충전, 또는 유동(flow)시켜 사용하는 것을 들 수 있다. 롤 형상 스탬퍼(20)에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 도공하는 장치로서는, 다이 코터, 그라비어 코터, 리버스 코터 등을 들 수 있다. 그 밖의 제조 방법으로서는, 예컨대, 금속 벨트 상에 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 도공하고, 롤 형상 스탬퍼(20)로 형상을 전사한 후에, 활성 에너지선을 조사하여 미세 요철 구조층(44)을 얻는 방법 등을 들 수 있다. (용도)본 발명의 용도는, 상기 제 1 실시형태와 마찬가지일 수 있다. 실시예이하, 실시예 A에 의해 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. (내찰상성)내찰상성의 평가에는, 마모 시험기(상품명: HEiDON TRIBOGEAR TYPE-30S, 신토과학(주)제)를 이용했다. 광투과성 물품의 표면에 놓인 2cm 사방의 스틸 울(상품명: 본스타 #0000, 닛폰스틸울사제)에 400g의 하중을 걸어, 왕복 거리: 30mm, 헤드 스피드: 30mm/초로 10회 왕복 마모를 행했다. 그 후, 광투과성 물품의 표면의 외관을 평가했다. 외관 평가에 있어서는, 투명한 2.0mm 두께의 흑색 아크릴판(상품명: 아크릴라이트, 미쓰비시레이온(주)제)의 편면에 해당 광투과성 물품을 부착하여, 옥내에서 형광등에 비추어 육안으로 평가했다. 평가는 이하의 기준으로 행했다. A: 흠집이 확인되지 않는다. B: 확인할 수 있는 흠집이 5개 미만이며, 찰상 부위가 희게 흐려지지 않는다. C: 확인할 수 있는 흠집이 5개 이상 20개 미만이며, 찰상 부위가 조금 희게 흐려진다. D: 확인할 수 있는 흠집이 20개 이상이며, 찰상 부위가 명확히 희게 흐려져 보인다. (지문 닦임성)수돗물을 1.0cc 스미게 한 와이퍼(상품명: 에리엘 프로와이프, 다이오제지(주)제)를 이용하여, 표면에 지문이 부착된 광투과성 물품의 표면을 한 방향으로 닦아냈다. 그 후, 상기 광투과성 물품의 표면의 외관을 평가했다. 평가는 이하의 기준으로 행했다. A: 2회 이하의 닦아내기로 지문을 완전히 제거할 수 있다. B: 3회 이상 10회 미만의 닦아내기로 지문을 완전히 제거할 수 있다. C: 10회 닦아내기 후에도 지문이 남는다. (내수성)상기 지문 닦임성과 마찬가지의 시험을 행하여, 이하의 기준으로 평가했다. A: 양호한 반사 방지 성능과 투명성을 유지하고 있다. B: 경사 방향으로 백색 LED 광원을 조사했을 때, 약간 필름이 희게 안개가 낀다. C: 분명히 필름이 백탁된다. (이웃하는 볼록부끼리의 간격 및 볼록부의 높이의 측정)이웃하는 볼록부끼리의 간격은, 전자 현미경(상품명: JSM7400F, 니혼전자제)에 의해서 이웃하는 볼록부끼리의 간격(볼록부의 중심으로부터 인접하는 볼록부의 중심까지의 거리)을 50점 측정하여, 이들의 값을 평균한 값으로 했다. 또한, 볼록부의 높이는, 상기 전자 현미경에 의해서 배율 30000배로 관찰했을 때에 있어서의, 볼록부의 최정부와, 볼록부 사이에 존재하는 오목부의 최저부 사이의 거리를 50점 측정하여, 이들의 값을 평균한 값으로 했다. (압입 탄성률(X), 크립 변형률(Y)의 측정)대형 슬라이드 유리(상품명: S9213, 마츠나미유리공업(주)제)를 기재로서 이용했다. 해당 기재에 도막의 두께가 약 500㎛가 되도록, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 도포하고, 고압 수은등을 이용하여 약 3000mJ/cm2로 상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물에 자외선을 조사했다. 이것을 압입 탄성률(X) 및 크립 변형률(Y)의 평가용 샘플로서 이용했다. 비커스 압자(사면 다이아몬드 추체)와 미소 경도계(상품명: 피셔 스코프 HM2000XYp, 피셔 인스트루먼츠제)를 이용하여 도막의 물성 평가를 행했다. 평가는 항온실(온도 23℃, 습도 50%) 내에서 행했다. 평가 프로그램은 [압입(50mN/10초)]→[크립(50mN, 60초)]→[서하(50mN/10초)]로 했다. 이와 같은 방법으로 측정한 결과로부터, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물의 압입 탄성률(X)을 해석 소프트웨어(상품명: WIN-HCU, 피셔 인스트루먼츠사제)에 의해 산출했다. 또한, 상기 평가 프로그램에 있어서, 크립 개시 시에 있어서의 압입 깊이를 h0, 크립 종료 시의 압입 깊이를 h1로 하고, 이들 h0 및 h1을 바탕으로 크립 변형률(Y)을 다음 식으로 구했다. 크립 변형률(%)=(h0+h1)/h0×100. (스탬퍼의 제조)순도 99.99질량%, 전해 연마된 두께 2mm의 φ65mm 알루미늄 원반(圓盤)을 알루미늄 기재로서 이용했다. 0.3M 옥살산 수용액을 15℃로 조정하고, 해당 알루미늄 기재를 침지했다. 직류 안정화 장치의 전원의 ON/OFF를 반복함으로써 알루미늄 기재에 간헐적으로 전류를 흘려 양극 산화시켰다. 30초 간격으로 80V의 정전압을 5초간 인가하는 조작을 60회 반복했다. 이것에 의해, 해당 알루미늄 기재에 세공을 갖는 산화 피막을 형성했다. 계속해서, 산화 피막이 형성된 알루미늄 기재를, 6질량%의 인산과 1.8질량% 크로뮴산을 혼합한 70℃의 수용액 중에 6시간 침지했다. 이것에 의해, 산화 피막을 용해 제거했다. 산화 피막이 용해 제거된 알루미늄 기재를, 16℃로 조정한 0.05M의 옥살산 수용액에 침지하여 80V에서 7초간 양극 산화를 실시했다. 계속해서, 32℃로 조정한 5질량% 인산 수용액 중에 20분간 침지하여 산화 피막의 세공을 확대하는 세공 직경 확대 처리를 실시했다. 이와 같이 양극 산화와 세공 직경 확대 처리를 교대로 반복하여, 합계 5회씩 실시했다. 얻어진 몰드를, TDP-8(상품명, 닛코케미칼즈(주)제)의 0.1질량% 수용액에 10분간 침지했다. 이것을 끌어올려 밤새 풍건(風乾)하는 것에 의해, 몰드에 이형 처리를 실시했다. 이상에 의해, 스탬퍼를 제조했다. (중합성 성분(Z))중합성 성분(Z)으로서, 표 1에 나타내는 화합물을 이용했다. (광 중합 개시제(D))광 중합 개시제(D)로서, 중합성 성분(Z) 100질량%에 대하여, IRGACURE184(BASF사제)를 1.0질량% 및 IRGACURE819(BASF사제)를 0.5질량% 이용했다. [실시예 A1] DPHA-12E를 70질량%, 14EGDA를 30질량% 혼합하여, 중합성 성분(Z)을 조제했다. 해당 중합성 성분(Z) 100질량%에 대하여, 광 중합 개시제(D)로서, IRGACURE184를 1.0질량%, IRGACURE819를 0.5질량% 혼합하여 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 조제했다. 상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 상기 스탬퍼의 표면에 몇 방울 떨어뜨렸다. 두께: 80㎛의 트라이아세틸셀룰로스 필름(상품명: TD80ULM, 후지필름(주)제, 이하 필름으로도 나타낸다)으로 상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 눌러 펴면서, 상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 필름에 피복했다. 그 후, 필름측으로부터 고압 수은등을 이용하여 2000mJ/cm2의 에너지로 자외선을 조사하여, 상기 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 경화시켰다. 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물로부터 스탬퍼를 이형하여, 이웃하는 볼록부끼리의 간격: 180nm, 볼록부의 높이: 180nm(어스펙트비: 1.0)의 미세 요철 구조층을 구비하는 광투과성 물품을 얻었다. 내찰상성, 지문 닦임성 및 내수성의 평가 결과를 표 2에 나타낸다. [실시예 A2∼A12, 비교예 A1∼A12]활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 조성을 표 2와 표 3에 나타내는 조성으로 변경한 것 이외에는, 실시예 A1과 마찬가지로 하여 미세 요철 구조층을 구비하는 광투과성 물품을 얻었다. 평가 결과를 표 2와 표 3에 나타낸다. 한편, 표 2 및 표 3에 있어서, 실시예 1∼12 및 비교예 1∼12는 각각 실시예 A1∼A12 및 비교예 B1∼B12를 나타낸다. 표 2와 도 5의 그래프의 결과로부터 분명하듯이, 실시예 A1∼A12에서 얻어진 광투과성 물품은 압입 탄성률(X)과 크립 변형률(Y)의 값이 상기 식(1) 및 상기 식(2)를 만족시키기 때문에, 양호한 내찰상성, 지문 닦임성, 내수성을 나타냈다. 또한, 아크릴 당량이 215∼300[g/eq]의 범위 내이며, 옥시에틸렌기가 차지하는 비율도 55.0∼74.0질량%의 범위 내였다. 한편, 표 3과 도 5의 그래프의 결과로부터 분명하듯이, 비교예 A1∼A12에서 얻어진 광투과성 물품은 압입 탄성률(X)과 크립 변형률(Y)의 값이 상기 식(1) 및/또는 상기 식(2)의 범위 밖이었다. 그 때문에, 양호한 내찰상성이 얻어지지 않았다. 구체적으로는, 압입 탄성률(X)이 100[MPa] 미만인 비교예 A2, A6 및 A9에서는, 경화물이 지나치게 부드러웠기 때문에, 내찰상성 평가에 있어서, 스틸 울에 의해서 수지 자체가 패어지도록 흠집이 났다. 또한, 미세 요철 구조층의 돌기가 지나치게 부드러웠기 때문에, 내수성 평가에 있어서, 물걸레질 후에 돌기끼리가 합일되는 현상이 확인되어, 전체적으로 안개가 낀 것 같은 외관이 되어, 내수성이 낮았다. 한편, 압입 탄성률(X)이 560[MPa]보다 큰 비교예 A1, A3, A7, A8 및 A12에서는, 경화물이 지나치게 딱딱했기 때문에, 내찰상성 평가에 있어서 미세 요철 구조층의 돌기가 도중부터 꺾이거나, 깎이거나 하는 현상이 확인되었다. 또한, 비교예 A4, A5, A10 및 A11에서는, 압입 탄성률(X)이 80≤X≤560[MPa]의 범위 내이기는 하지만, 크립 변형률(Y)이 상기 식(2)의 범위 밖이기 때문에, 내찰상성 평가에 있어서 미세 요철 구조층의 돌기가 도중부터 꺾이거나, 깎이거나 하는 현상이 확인되었다. 또한, 이하, 실시예 B에 의해 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 이하의 기재에 있어서 「부」는 질량부를 나타낸다. (내찰상성: 내스틸울)마모 시험기(신토과학사제, 제품명 HEiDON TRIBOGEAR TYPE-30S)를 이용하여, 물품의 표면에 놓인 2cm2로 절단한 스틸 울(닛폰스틸울사제, 제품명 본스타 #0000)에 400g(100gf/cm2) 및 1kg(250gf/cm2)의 하중을 걸고, 왕복 거리: 30mm, 헤드 스피드: 평균 100mm/초로 10회 왕복시켜, 물품의 표면의 외관을 평가했다. 외관 평가에 있어서는, 2.0mm 두께의 흑색 아크릴판(미쓰비시레이온사제, 제품명 아크릴라이트)의 편면에 물품을 부착하고, 옥내에서 형광등에 비추어 육안으로 평가했다. · 「AA」: 흠집을 확인할 수 없다. · 「A」: 확인할 수 있는 흠집이 10개 미만. · 「B」: 확인할 수 있는 흠집이 10개 이상 30개 미만. · 「C」: 확인할 수 있는 흠집이 30개 이상. · 「D」: 찰상 부분의 50% 이상의 면적에서 반사 방지 성능이 소실된다. (지문 닦임성)수돗물을 1.0cc 스미게 한 와이퍼(다이오제지사제, 제품명 에리엘 프로와이프)를 이용하여, 표면에 지문이 부착된 물품의 표면을 한 방향으로 닦은 후, 물품의 표면의 외관을 평가했다. · 「A」: 2회 이하의 닦아내기로 지문을 완전히 제거할 수 있다. · 「B」: 3회 이상 10회 이하의 닦아내기로 지문을 완전히 제거할 수 있다. · 「C」: 10회 닦아내기 후에도 지문이 남는다. (내수성)수돗물을 1.0cc 스미게 한 와이퍼(다이오제지사제, 제품명 에리엘 프로와이프)를 이용하여, 표면에 지문이 부착된 물품의 표면을 한 방향으로 닦은 후, 물품의 표면의 외관을 평가했다. 닦은 부분이 백탁된 샘플을 전자 현미경으로 관찰한 바, 어느 샘플에서도 미세 요철 구조의 돌기끼리가 합일되어 있는 것이 확인되었다. · 「A」: 양호한 반사 방지 성능과 투명성을 유지하고 있다. · 「B」: 닦아낸 부분이 백탁된다. (압입 탄성률(X), 크립 변형률(Y)의 측정)상기와 마찬가지의 방법에 의해, 압입 탄성률(X), 크립 변형률(Y)의 측정을 행했다. (스탬퍼의 제조)순도 99.99질량%, 전해 연마한 두께 2mm의 φ65mm 알루미늄 원반을 알루미늄 기재로서 이용했다. 0.3M 옥살산 수용액을 15℃로 조정하고, 알루미늄 기재를 침지하여, 직류 안정화 장치의 전원의 ON/OFF를 반복함으로써 알루미늄 기재에 간헐적으로 전류를 흘려 양극 산화시켰다. 30초 간격으로 80V의 정전압을 5초간 인가하는 조작을 60회 반복하여, 세공을 갖는 산화 피막을 형성했다. 계속해서, 산화 피막을 형성한 알루미늄 기재를, 6질량%의 인산과 1.8질량% 크로뮴산을 혼합한 70℃의 수용액 중에 6시간 침지하여, 산화 피막을 용해 제거했다. 산화 피막을 용해 제거한 알루미늄 기재를, 16℃로 조정한 0.05M의 옥살산 수용액에 침지하여 80V에서 7초간 양극 산화를 실시했다. 계속해서, 32℃로 조정한 5질량% 인산 수용액 중에 20분간 침지하여 산화 피막의 세공을 확대하는 구멍 직경 확대 처리를 실시했다. 이와 같이 양극 산화와 구멍 직경 확대 처리를 교대로 반복하여, 합계 5회씩 실시했다. 얻어진 몰드를, TDP-8(닛코케미칼즈사제)의 0.1질량% 수용액에 10분간 침지하고, 끌어올려 밤새 풍건하는 것에 의해 이형 처리를 실시했다. [실시예 B1]중합 성분(Z) 중, 성분(A2)로서 글리세린 EO 변성 트라이아크릴레이트(옥시에틸렌기=약 20몰, 신나카무라화학공업사제, 제품명 NK 에스테르 A-GLY-20E) 80부, 성분(B2)로서 펜타에리트리톨 (트라이)테트라아크릴레이트(다이이치공업제약사제, 제품명 뉴프론티어 PET-3) 20부를 사용하고, 중합 성분(Z) 100부에 대하여, 광 중합 개시제(D)로서 BASF사제의 IRGACURE184(제품명) 1.0부, IRGACURE819(제품명) 0.5부, 이형제로서 닛코케미칼즈사제의 NIKKOL TDP-2(제품명) 0.1부를 혼합하여, 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 얻었다. 이 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 스탬퍼의 표면에 몇 방울 떨어뜨리고, 두께 80㎛의 트라이아세틸셀룰로스 필름(후지필름사제, 제품명 TD80ULM)으로 눌러 펴면서 피복하고, 이어서 필름측으로부터 고압 수은등을 이용하여 1000mJ/cm2의 에너지로 자외선을 조사하여 경화시켰다. 필름으로부터 스탬퍼를 이형하여, 볼록부의 평균 간격 180nm, 높이 180nm의 미세 요철 구조를 표면에 갖는 광투과성 물품을 얻었다. 평가 결과를 표 4에 나타낸다. [실시예 B2∼B19, 비교예 B1∼B6]활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 조성과 금형을 표 4∼6에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 B1과 마찬가지로 하여 미세 요철 구조를 표면에 갖는 광투과성 물품을 얻었다. 평가 결과를 표 4∼6에 나타낸다. 한편, 표 4∼6에 있어서, 실시예 1∼19 및 비교예 1∼6은 각각 실시예 B1∼B19 및 비교예 B1∼B6을 나타낸다. 또한, 각 성분의 옥시에틸렌기의 몰수, (메트)아크릴로일기 1개당 옥시에틸렌기수의 평균치, 아크릴 당량을 표 7에 나타낸다. [평가]실시예 B1∼B19에서는, 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)를 포함하기 때문에 양호한 내스틸울 찰상성이 얻어졌다. 특히, 실시예 B6, B8, B9, B16, B17, B18, B19에서는, 내스틸울 찰상성의 시험 결과가 100gf/cm2로 AA(흠집 없음), 250gf/cm2로 A(확인할 수 있는 흠집이 10개 미만)으로, 특히 높은 내찰상성을 갖고 있었다. 단, 실시예 B9에서는 금형의 피치가 100nm이기 때문에, 어스펙트비가 커져 돌기끼리가 합일되는 현상이 확인되었기 때문에, 내수성이 뒤떨어지는 결과가 되었다. 비교예 B1∼B6에서는, 다작용 (메트)아크릴레이트(A2)를 포함하지 않기 때문에, 실시예보다도 내스틸울 찰상성이 뒤떨어지고 있었다. 비교예 B2에서는, 아크릴 당량이 크기 때문에 경화물이 부드럽고, 내수성이 뒤떨어지고 있었다. 비교예 B3에서는, (메트)아크릴로일기 1개당 옥시에틸렌기수의 평균이 작기 때문에, 충분한 내찰상성이 얻어지지 않고, 친수성도 불충분하여 지문 닦임성도 좋지 않았다. 또한, 이하, 실시예 C에 의해 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 이하의 기재에 있어서 「부」는 「질량부」를 의미한다. 또한, 각 물성의 평가는 이하의 방법에 따라서 실시했다. 003c#내찰상성: 스틸 울 시험003e#왕복 마모 시험기(신토과학사제, 형명 HEIDON Type: 30S)를 사용하여, 20mm각의 압자에 스틸 울(#0000)을 부착하고, 온도 23℃, 습도 50% Rh의 환경 하에서, 하중 25gf/cm2의 조건에서 광투과성 물품을 10왕복 문질렀다. 그 후, 광투과성 물품의 이면에 검은 종이를 놓고, 광투과성 물품에 생긴 흠집의 수를 확인하여, 이하의 기준에 따라서 육안으로 평가했다. 평가가 A인 경우에 내찰상성이 충분히 있음, B의 경우에 내찰상성 양호라고 판단했다. 「A」: 흠집이 0∼10개 이내. 「B」: 흠집이 10 초과 20개 이내. 「C」: 압자가 닿은 전체면에 흠집 있음, 또는 전체면이 희게 흐려져 있음(흠집 이외의 광투과성 저하 등의 외관 변화도 포함한다). 003c#반사 방지성: 반사율003e#투명 아크릴 수지판에 부착된 광투과성 물품을, 히타치사제 분광 광도계 U-3300을 이용하여, 입사각 5°의 조건에서 파장 380nm∼780nm 사이의 상대 반사율을 측정하여, 파장 550nm의 반사율을 이하의 기준에 따라서 평가했다. 「A」: 4.9% 이하. 「B」: 4.9%를 초과한다. 003c#지문 닦임성: 물걸레질 003e#미세 요철 구조층의 미세 요철 구조면(표면)의 반대측의 면을, 광학 점착층을 개재하여 흑색 아크릴 수지판(미쓰비시레이온주식회사제, 아크릴라이트 EX#502, 50mm×60mm)에 부착하고, 미세 요철 구조면에 인공 지문액(일본 특허 제3799025호에 기재된 평가용 분산액)을 부착시킨 물품을 작성했다. 손끝으로 약 1kgf/cm2의 힘을 가하면서, 수돗물을 1.0cc 스미게 한 와이퍼(닛폰제지크레시아주식회사, 케이드라이와이퍼 132-S)로 미세 요철 구조면을 10왕복시킨 후, 물품 표면의 외관을 평가했다. A: 지문이 완전히 제거되었다. B: 거의 지문은 눈에 띄지 않지만, 형광등을 비추어 넣었을 때의 색감이 약간 다르다(지문이 완전히는 제거되어 있지 않다). C: 확실하게 지문이 남는다. 003c#지문 닦임성: 마른 걸레질003e#미세 요철 구조층의 미세 요철 구조면(표면)의 반대측의 면을, 광학 점착층을 개재하여 흑색 아크릴 수지판(미쓰비시레이온주식회사제, 아크릴라이트 EX#502, 50mm×60mm)에 부착하고, 미세 요철 구조면에 인공 지문액(일본 특허 제3799025호에 기재된 평가용 분산액)을 부착시킨 물품을 작성했다. 손끝으로 힘을 가하면서(약 3kgf/cm2), 건조한 와이퍼(닛폰제지크레시아주식회사, 케이드라이와이퍼 132-S)로 미세 요철 구조면을 40왕복시킨 후, 물품 표면의 외관을 평가했다. A: 지문이 완전히 제거되었다. B: 거의 지문은 눈에 띄지 않지만, 형광등을 비추어 넣었을 때의 색감이 약간 다르다(지문이 완전히는 제거되어 있지 않다). C: 확실하게 지문이 남는다. 003c#외관: 투명성(백탁)003e#미세 요철 구조층의 미세 요철 구조면(표면)의 반대측의 면을, 광학 점착층을 개재하여 흑색 아크릴 수지판(미쓰비시레이온주식회사제, 아크릴라이트 EX#502, 50mm×60mm)에 부착하고, 다음에 기재된 바와 같이 물품의 외관을 평가했다. A: 경사 방향으로부터 백색 LED 광원을 조사한 경우에, 표면이 균일하며, 약간의 백화나 백탁 등이 확인되지 않는다. B: 실내의 형광등 하에서는 표면이 균일하고 백탁은 확인되지 않지만, 경사 방향으로부터 백색 LED 광원을 조사한 경우에는, 백화나 백탁이 확인된다. C: 실내의 형광등 하에서도 백화나 백탁이 확인된다. 003c#수지 물성: 마르텐스 경도 및 탄성률003e#실시예 C 및 비교예 C에 이용한 수지 조성물을, 두께 약 200㎛의 스페이서를 삽입한 2장의 슬라이드 유리(76×52mm, 두께 약 1mm)로 끼우고, 고압 수은등을 이용하여 적산 광량 1200mJ/cm2의 에너지로 자외선을 조사하여 경화시켰다. 편면의 슬라이드 유리를 벗기고, 경화된 수지 표면의 마르텐스 경도 및 탄성률을, 초미소 경도 시험 장치(피셔 인스트루먼츠사, 상품명: 피셔 스코프 HM2000)를 이용하여, ISO-14577-1에 준거한 방법에 의해, 다음에 기재된 측정 조건에서 측정했다. 압자 형상: 비커스 압자(a=136°), 측정 환경: 온도 23℃·상대 습도 50%, 최대 시험 하중: 100mN, 하중 속도: 100mN/10초, 최대 하중 크립 시간: 10초, 서하 속도: 100mN/10초. 003c#수지 조성물의 PAG 함유율003e#PAG 함유율[%]=[P(모노머 1)×PAG(모노머 1)+P(모노머 2)×PAG(모노머 2)+···+ P(모노머 n)×PAG(모노머 n)]/100, PAG 함유율: 폴리알킬렌 글리콜 함유율(%), PAG(모노머 1): 모노머 1의 PAG(%), P(모노머 1): 조성 중에서의 모노머 1의 질량 분율(%). (단, 모노머 1, 모노머 2···모노머 n은, (메트)아크릴 모노머(A3) 및 (메트)아크릴 모노머(B3), 그 밖의 모노머를 포함하는 수지 조성물을 구성하는 모든 모노머이다.). 003c#압입 탄성률(X), 크립 변형률(Y)의 측정003e#상기와 마찬가지의 방법에 의해, 압입 탄성률(X), 크립 변형률(Y)의 측정을 행했다. (스탬퍼의 제작)순도 99.99%의 알루미늄을, 우포(羽布) 연마 및 과염소산/에탄올 혼합 용액(1/4 체적비) 중에서 전해 연마하여 경면화했다. (a) 공정: 이 알루미늄판을, 0.3M 옥살산 수용액 중에서, 직류 40V, 온도 16℃의 조건에서 30분간 양극 산화를 행했다. (b) 공정: 상기 공정에서 산화 피막이 형성된 알루미늄판을, 6질량% 인산/1.8질량% 크로뮴산 혼합 수용액에 6시간 침지하여, 산화 피막을 제거했다. (c) 공정: 이 알루미늄판을, 0.3M 옥살산 수용액 중, 직류 40V, 온도 16℃의 조건에서 30초 양극 산화를 행했다. (d) 공정: 상기 공정에서 산화 피막이 형성된 알루미늄판을, 32℃의 5질량% 인산에 8분간 침지하여, 세공 직경 확대 처리를 행했다. (e) 공정: 상기 (c) 공정 및 (d) 공정을 합계로 5회 반복하여, 주기 100nm, 깊이 180nm의 대략 원추 형상의 세공을 갖는 양극 산화 포러스 알루미나를 얻었다. 얻어진 양극 산화 포러스 알루미나는 탈이온수로 세정하고, 이어서 표면의 수분을 에어 블로우로 제거하고, 불소계 박리재(다이킨공업사제, 상품명 옵툴 DSX)를 고형분 0.1질량%가 되도록 희석제(하베스사제, 상품명 HD-ZV)로 희석한 용액에 10분간 침지하고, 20시간 풍건하여, 표면 상에 세공이 형성된 스탬퍼를 얻었다. 003c#참고예 1003e#(A3) 성분으로서, 다이펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트의 EO 변성 화합물[다이이치공업제약(주)제, 상품명 DPHA-12 EO] 70부, (B3) 성분으로서, 에톡시화 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트(신나카무라화학공업(주)제, 상품명 NK 에스테르 ATM-4E) 30부, 중합 개시제로서, 1-하이드록시-사이클로헥실-페닐-케톤(치바·재팬(주)제, 상품명 IRGACURE184) 1.0부 및 비스(2,4,6-트라이메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드(치바·재팬(주)제, 상품명 IRGACURE819) 0.5부, 이형제(도모에공업(주)제, 상품명 몰드위즈 INT-1856) 0.1부로 이루어지는 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 조제했다. 여기서 사용한 (A3) 성분 중의 폴리알킬렌 글리콜 구조 (-C2H4O-)n 부분의 합계 화학식량(M(PAG))은 44×12=528이고, 아크릴로일 구조 (CH2=CHCO-) 부분의 합계 화학식량(M(ACR))은 55×6=330이며, 그 폴리알킬렌 글리콜 함유율(PAG)은 528/(330+528)×100≒61.5(%)이다. 이상의 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 스탬퍼 상에 몇 방울 떨어뜨리고, 두께 188㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도요방적(주)제, 상품명 A-4300)으로 눌러 펴면서 표면을 피복했다. 이어서, 필름측으로부터 고압 수은등을 이용하여 1200mJ/cm2의 에너지로 자외선을 조사하여 경화시켰다. 이어서, 필름과 스탬퍼를 박리하여, 이웃하는 볼록부 또는 오목부의 간격 100nm, 높이 180nm의 미세 요철 구조층을 갖는 광투과성 물품을 얻었다. 003c#실시예 C1∼C10, 비교예 C1∼C4, 참고예 2∼10003e#중합성 화합물로서 표 8 및 표 9에 나타내는 화합물을 이용한 것 이외에는, 실시예 C1과 마찬가지로 하여 광투과성 물품을 제조했다. 이상의 각 실시예, 비교예 및 참고예의 평가 결과를 표 8 및 표 9에 나타낸다. 한편, 표 8 및 표 9에 있어서, 실시예 1∼10 및 비교예 1∼4는 각각 실시예 C1∼C10 및 비교예 C1∼C4를 나타낸다. 표 중의 약호는 하기와 같다. · 「a」: 아크릴로일기의 수, · 「n」: 알킬렌 글리콜에서 유래하는 구조의 평균 반복수, · 「PAG」: 폴리알킬렌 글리콜 함유율(%), · 「DPHA-12EO」:다이펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트의 EO 변성 화합물[다이이치공업제약(주)제, 상품명 DPHA-12EO 변성, 화학식(1)의 R1∼R6은 모두 H, 또한 에틸렌 글리콜의 분자 구조의 반복 단위의 총수(l+m+n+o+p+q)가 12인 화합물 이며, 폴리에틸렌 글리콜 구조의 평균 반복수는 2(=12/6)], · 「DPHA-18EO」: 다이펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트의 EO 변성 화합물[다이이치공업제약(주)제, 상품명 DPHA-18EO 변성, 화학식(1)의 R1∼R6은 모두 H, 또한 에틸렌 글리콜의 분자 구조의 반복 단위의 총수(l+m+n+o+p+q)가 18인 화합물, 폴리에틸렌 글리콜 구조의 평균 반복수는 3(=18/6)], · 「DPHA-24EO」: 다이펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트의 EO 변성 화합물[다이이치공업제약(주)제, 상품명 DPHA-24EO 변성, 화학식(1)의 R1∼R6은 모두 H, 또한 에틸렌 글리콜의 분자 구조의 반복 단위의 총수(l+m+n+o+p+q)가 24인 화합물 이며, 폴리에틸렌 글리콜 구조의 평균 반복수는 4(=24/6)], · 「DPHA-30EO」: 다이펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트의 EO 변성 화합물[다이이치공업제약(주)제, 상품명 DPHA-30EO 변성, 화학식(1)의 R1∼R6은 모두 H, 또한 에틸렌 글리콜의 분자 구조의 반복 단위의 총수(l+m+n+o+p+q)가 30인 화합물 이며, 폴리에틸렌 글리콜 구조의 평균 반복수는 5(=30/6)], · 「ATM-4E」: 에톡시화 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트(신나카무라화학공업(주)제, 상품명 ATM-4E), · 「DPHA」: 다이펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트(도아합성(주)제), · 「A-TMPT-6EO」: 트라이메틸올프로페인 트라이아크릴레이트의 EO 변성 화합물(신나카무라화학공업(주)제, 폴리에틸렌 글리콜 구조의 평균 반복수=2), · 「PE-4A」: 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트(교에이샤화학(주)제, 상품명: 라이트아크릴레이트 PE-4A), · 「ATM-35E」: 에톡시화 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트(신나카무라화학공업(주)제, 에틸렌 글리콜의 분자 구조의 반복 단위의 총수가 35인 화합물이며, 폴리에틸렌 글리콜 구조의 평균 반복수=8.75(=35/4)), · 「A-GLY-20E」: 에톡시화 글리세린 트라이아크릴레이트(신나카무라화학공업(주)제, 에틸렌 글리콜의 분자 구조의 반복 단위의 총수가 20인 화합물이며, 폴리에틸렌 글리콜 구조의 평균 반복수=6.67(20/3)), · 「M260」: 폴리에틸렌 글리콜(n=약 13) 다이아크릴레이트(도아합성(주)제), · 「A-1000」: 폴리에틸렌 글리콜(n=23) 다이아크릴레이트(신나카무라화학공업(주)제, 상품명: NK-에스테르 A-1000), · 「9EG-A」: 폴리에틸렌 글리콜(n=9) 다이아크릴레이트(교에이샤화학(주)제, 상품명: 라이트아크릴레이트 9EG-A), · 「HEA」: 하이드록시에틸 아크릴레이트, · 「A-SA」: 2-아크릴로일옥시에틸 석시네이트(신나카무라화학공업(주)제). 003c#평가003e#표 8의 결과로부터 분명하듯이, 참고예 1∼7, 실시예 C1∼C3, C5, C8∼C10의 광투과성 물품은 양호한 내찰상성과 저반사율을 갖고 있었다. 또한, 마르텐스 경도가 15N/mm2 미만인 실시예 C4, C7, C8의 광투과성 물품은, 내찰상성 시험에 의해 시험 부분의 일부에 육안으로는 눈에 띄지 않을 정도의, 20개 이내의 잔 흠집이 생겼다. 한편, (메트)아크릴 모노머(A3)를 포함하지 않는 참고예 8의 광투과성 물품은 내찰상성 시험에 의해 20개를 초과하는 흠집이 생겨, 내찰상성 시험 부분의 전체면이 희게 흐려져 있었다. 마찬가지로 (메트)아크릴 모노머(A3)를 포함하지 않는 비교예 C1, C3, C4 및 참고예 9, 10, (메트)아크릴 모노머(A3) 성분 및 (메트)아크릴 모노머(B3) 이외의 성분을 포함하는 비교예 C2, PAG 함유율이 50% 미만인 비교예 C3, 및 (메트)아크릴 모노머(B3)의 작용기수가 3인 비교예 C4의 광투과성 물품은 압자가 닿은 전체면에 다수의 흠집이 생겼다. 또한, 알킬렌 글리콜에서 유래하는 구조의 평균 반복수가 적은 (메트)아크릴 모노머(B3)만을 포함하는 비교예 C3 및 C4의 광투과성 물품은 지문을 물걸레질로 제거할 수 없었다. 또한, 마르텐스 경도가 비교적 부드러운 실시예 C4∼C7에서는, 내찰상성은 양호하지만, 미세 요철 구조의 돌기끼리가 바싹 달라붙는 현상에 의한 백탁이 관찰되었다. 또한, 실시예 C1∼C10 및 참고예 1∼7의 광투과성 물품은, 물걸레질 및 마른 걸레질로, 흠집이 나는 일 없이, 지문을 눈에 띄지 않는 레벨로 제거할 수 있었다. 참고예 8, 10 및 비교예 C1∼C4의 광투과성 물품은, 내찰상성이 뒤떨어지지만, 마른 걸레질 또는 물걸레질로 지문을 눈에 띄지 않는 레벨로 제거할 수 있었다. 또한, 이하, 실시예 D에 의해 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. (내찰상성)마모 시험기(신토과학사제, 「HEIDON TRIBOGEAR TYPE-30S」)를 이용하여, 물품의 표면에 놓인 2cm 사방의 스틸 울(닛폰스틸울사제, 본스타 #0000)에 400g의 하중을 걸고, 왕복 거리: 30mm, 헤드 스피드: 30mm/초로 10회 왕복시켜, 물품의 표면의 외관을 평가했다. 외관 평가에 있어서는, 투명한 2.0mm 두께의 흑색 아크릴판(미쓰비시레이온사제, 아크릴라이트)의 편면에 점착제를 개재하여 물품을 부착하고, 옥내에서 형광등에 비추어 육안으로 평가했다. A: 흠집을 확인할 수 없다. B: 확인할 수 있는 흠집이 5개 미만이고 찰상 부위가 희게 흐려지지 않는다. C: 확인할 수 있는 흠집이 5개 이상 20개 미만이고 찰상 부위가 조금 희게 흐려진다. D: 확인할 수 있는 흠집이 20개 이상이고 찰상 부위가 명확히 희게 흐려져 보인다. (지문 닦임성)수돗물을 1.0cc 스미게 한 와이퍼(다이오제지주식회사제, 에리엘 프로와이프)를 이용하여, 표면에 지문이 부착된 물품의 표면을 한 방향으로 닦아낸 후, 물품의 표면의 외관을 평가했다. A: 2회 이하의 닦아내기로 지문을 완전히 제거할 수 있다. B: 3회 이상 10회 미만의 닦아내기로 지문을 완전히 제거할 수 있다. C: 10회 닦아내기 후에도 지문이 남는다. (내수성)수돗물을 1.0cc 스미게 한 와이퍼(다이오제지주식회사제, 에리엘 프로와이프)를 이용하여, 표면에 지문이 부착된 물품의 표면을 한 방향으로 닦아낸 후, 물품의 표면의 외관을 평가했다. A: 양호한 반사 방지 성능과 투명성을 유지하고 있다. B: 경사 방향으로부터 백색 LED 광원을 조사했을 때, 약간 필름이 희게 안개가 낀다. C: 분명히 필름이 백탁된다. (연필 경도)연필 경도 시험을 JIS K5600-5-4(1999)에 기초하여 실시했다. 연필은 미쓰비시연필(주)제의 유니 시리즈를 사용하고, 하중은 500g으로 했다. 판정은, 압흔(壓痕)을 포함하는 흠집을 육안으로 인지하지 않는 한계로 했다. (스탬퍼의 제조)순도 99.99질량%, 전해 연마한 두께 2mm의 φ65mm 알루미늄 원반을 알루미늄 기재로서 이용했다. 0.3M 옥살산 수용액을 15℃로 조정하고, 알루미늄 기재를 침지하고, 직류 안정화 장치의 전원의 ON/OFF를 반복함으로써 알루미늄 기재에 간헐적으로 전류를 흘려 양극 산화시켰다. 30초 간격으로 80V의 정전압을 5초간 인가하는 조작을 60회 반복하여, 세공을 갖는 산화 피막을 형성했다. 계속해서, 산화 피막을 형성한 알루미늄 기재를, 6질량%의 인산과 1.8질량% 크로뮴산을 혼합한 70℃의 수용액 중에 6시간 침지하여, 산화 피막을 용해 제거했다. 산화 피막을 용해 제거한 알루미늄 기재를, 16℃로 조정한 0.05M의 옥살산 수용액에 침지하여 80V에서 7초간 양극 산화를 실시했다. 계속해서, 32℃로 조정한 5질량% 인산 수용액 중에 20분간 침지하여 산화 피막의 세공을 확대하는 구멍 직경 확대 처리를 실시했다. 이와 같이 양극 산화와 구멍 직경 확대 처리를 교대로 반복하여, 합계 5회씩 실시했다. 얻어진 몰드를, TDP-8(닛코케미칼즈주식회사제)의 0.1질량% 수용액에 10분간 침지하고, 끌어올려 밤새 풍건하는 것에 의해 이형 처리를 실시했다. (중합성 성분(Z))실시예 D에서 이용한 중합성 성분(Z)은 하기와 같다. DPHA-12EO: 에톡시화 다이펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트(옥시에틸렌기: 12몰), 14EGDA: 폴리에틸렌 글리콜 다이아크릴레이트(폴리에틸렌 글리콜의 분자량=600, 옥시에틸렌기: 약 14몰). (광 중합 개시제(D))실시예 D 및 비교예 D에서 이용한 광 중합 개시제(D)는, 중합성 성분(Z) 100질량%에 대하여, IRGACURE184(BASF사제)를 1.0질량%, IRGACURE819(BASF사제)를 0.5질량% 첨가했다. [실시예 D1]DPHA-12EO를 50질량%, 14EGDA를 50질량%, IRGACURE184를 1.0질량%, IRGACURE819를 0.5질량% 혼합하여 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 조제했다. 이 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 경화물은, 탄성률(X)이 220MPa이며, 크립 변형률(Y)이 2.9%였다. 활성 에너지선 경화성 수지 조성물을 스탬퍼의 표면에 1.0cc 정도 떨어뜨리고, 두께 100㎛의 심 테이프를 스페이서로서 끼우고, 커버 필름으로서 두께 38㎛의 PET 필름(미쓰비시수지(주)제: T600)으로 눌러 펴면서 피복한 후, 커버 필름측으로부터 고압 수은등을 이용하여 1000mJ/cm2의 에너지로 자외선을 조사하여 경화시켰다. 커버 필름을 박리하고, 계속해서 스탬퍼로부터 경화물층을 이형하여, 볼록부의 평균 간격: 180nm, 높이: 180nm의 미세 요철 구조를 표면에 갖고, 경화물의 두께가 100㎛인 필름 형상의 물품을 얻었다. 또, 단면이 직경 10mm의 원인 원기둥 형상의 막대에 얻어진 물품을 권취하여, 균열이 생기지 않는 것을 확인했다. 단독으로 취득 가능한 필름 형상의 물품을 얻었다. 평가 결과는, 내찰상성이 A, 지문 닦임성이 A, 내수성이 A, 연필 경도가 2H였다. [실시예 D2]스페이서의 두께를 200㎛로 한 것 이외에는 실시예 D1과 마찬가지로 하여 미세 요철 구조를 갖는 물품을 얻었다. 얻어진 물품은, 볼록부의 평균 간격: 180nm, 높이: 180nm의 미세 요철 구조를 표면에 갖고, 경화물의 두께가 200㎛인 필름 형상이었다. 또한, 단면이 직경 10mm의 원인 원기둥 형상의 막대에 얻어진 물품을 권취하여, 균열이 생기지 않는 것을 확인했다. 평가 결과는, 내찰상성이 A, 지문 닦임성이 A, 내수성이 A, 연필 경도가 2H였다. [ 산업상 이용가능성 ] 본 발명에 따른 광투과성 물품은, 우수한 광학 성능을 유지하면서, 높은 내찰상성을 갖고, 또한 양호한 지문 닦임성도 갖기 때문에, 텔레비전, 휴대 전화, 휴대 게임기 등의 각종 디스플레이에 이용 가능하여, 공업적으로 유용하다. 또한, 본 발명의 광투과성 물품은, 나노 요철 구조체로서 우수한 반사 방지 성능과 높은 내찰상 성능을 양립시키기 때문에 옥외에서 사용될 가능성이 있는 각종 디스플레이 패널, 렌즈, 쇼윈도, 자동차 미터 커버, 로드 렌즈 어레이, FAX, 복사기, 스캐너 등의 이미지 센서의 커버 유리, 복사기의 원고를 놓는 콘택트 유리, 안경 렌즈나 태양 전지의 광취출률 향상 부재 등의 광학 용도에 이용 가능하여, 공업적으로 극히 유용하다. 또한, 물방울이 부착됨으로써 시인성이 나빠지는 거울이나 창재 등에도 이용 가능하다. [ 부호의 설명 ] 10: 알루미늄 기재12: 세공(미세 요철 구조의 반전 구조)14: 산화 피막16: 세공 발생점18: 스탬퍼20: 롤 형상 스탬퍼22: 탱크24: 공기압 실린더26: 닙 롤28: 활성 에너지선 조사 장치30: 박리 롤40: 광투과성 물품(물품)42: 광투과성 기재(커버 필름)44: 미세 요철 구조층46: 볼록부50: 광투과성 기재51: 미세 요철 구조층52: 볼록부53: 오목부54: 요철의 높이55: 돌기 폭	내찰상성이 높고, 지문 닦임성이 양호한 물품을 제공한다. 수지 조성물의 경화물을 포함하는 미세 요철 구조를 표면에 갖는 물품으로서, 상기 경화물의 압입 탄성률(X)[MPa] 및 크립 변형률(Y)[%]이 하기 식(1) 및 (2)을 만족시키는 물품. 80≤X≤560 (1) Y≤(0.00022X-0.01)×100 (2)
[ 발명의 명칭 ] 마이크로 드릴비트 및 그 가공방법 MINIATURE DRILL BIT AND MACHINING METHOD THEREFOR [ 기술분야 ] 본 발명은 마이크로 절삭공구 분야에 관한 것으로, 구체적으로는 마이크로 드릴비트(miniature drill bit) 및 그 가공방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 마이크로 비아홀(micro-via)는 PCB의 중요한 구성 중 하나이며, 전기 도금을 거친 마이크로비아는 PCB에서 전기설비들을 연결시키고 부재들을 지지하는 역할을 한다. 마이크로비아는 두가지 종류, 즉 쓰루 홀(Through Hole), 블라인드 비아홀(Blind hole)(배리드 비아홀(buried hole)은 쓰루 홀의 일종이라고 볼 수 있음)로 나뉠 수 있다. 블라인드 비아홀은 주로 HDI 기판에 존재하고; 쓰루 홀은 주로 단면/양면 기판, 다층 기판, 플렉시블 기판(flexible board) 및 패키지 기판에 존재한다. 최근에 패키지 기판은 멀티핀(Multi-pin)화, 패키지 제품 면적 축소, 전기적 성능 및 열 발산의 개선, 고밀도화 등을 실현할 수 있는 특출한 장점으로 하여, FC 패키지 기판의 고속발전을 선명한 특징으로 하고, 고수준 MCM (멀티칩패키지(Multi Chip Package)) 및 SIP (시스템 패키지(System in Package))용 CSP 패키지 기판이 크게 발전하고 있으며 신속히 확장 및 널리 유행되고 있다. 특히 애플, 삼성회사에서 생산한 스마트폰, 태블릿 컴퓨터를 대표로 하는 패키지 기판에 대한 응용은 소비성 전자제품 분야에서 화려한 판매실적을 거두었다. 주요 생산국가와 지역에서는 IC 패키지에 고밀도 다층기판을 충분히 응용하는 기술측면 및 패키기 기판의 제조비용을 절감하는 측면(패키지 기판의 성본은, BGA를 예로 할 때 약 40%~50% 차지하고, FC 기판 제조비용에 있어서는 약 70%~80% 차지함)에서 치열한 경쟁을 벌리고 있다. 각 국가와 각 지역에서 마이크로 전자 산업을 발전함에 있어서, 패키지 기판은 이미 중요한 "무기" 중의 하나로 발전되었다.일반적인 기판재료와 비교할 때, 패키지 기판은 기계적 드릴링가공 홀크기(Hole size)가 더 미세하고, 드릴링 밀도가 더 높으며, 홀위치 정밀도(　hole　location　accuracy)에 대한 요구가 더 높으며, 적층판 수량이 더 많으므로 드릴링에 대하여 주로 아래와 같은 영향을 주게 된다:1) 먼지 방출이 원활하지 않고 드릴팁(drill tip)이 과도하게 발열하여 드릴 브레이크(drill break)를 초래한다; 2) 홀위치 정밀도가 불량하다.중국특허출원: ZL200510105356에서는 제 1 나선홈과 제 2 나선홈을 포함하는 드릴 구조에 대하여 개시하였으며, 상기 제 1 나선홈과 제 2 나선홈은 　드릴회전중심에 대해서 비중심대칭 위치에 설치되고(두개의 나선홈이 회전중심에 대한 협각은 40°이상 180° 미만이 되도록 설정됨), 제 1 나선홈의 칼날부 길이는 제 2 나선홈보다 크며 제 2 나선홈은 블라인드 홈(blind groove)이다. 즉 제 2 나선홈은 드릴링 끝단까지 연장되지 않는다.상기 디자인은 아래와 같은 두가지 문제가 있다: 1) 나선홈은 회전중심에 대하여 비중심대칭되고 드릴팁 부분은 질량중심(centre of mass)이 축선으로부터 많이 벗어나므로, 드릴비트가 공작기계(machine tool)에 고정되어 고속으로 회전할 경우 대폭 흔들림을 야기할 수 있기에 홀위치 정밀도를 향상시키는데 영향을 준다; 2) 제 2 나선홈은 제 1 나선홈에 비해 짧고, 또한 블라인드 홈이기에 칩(chips)이 블라인드 홈에 모여질 수 있으며, 따라서 홀 내벽(Hole wall)과 건조 마찰되어 발열하게 되며 제 1 나선홈이 많은 칩 배출을 부담해야 하는 동시에 드릴링 기계의 청소기가 홈내의 공기를 흡입해가는 공간이 더 작아지므로 드릴팁의 열 발산에 영향을 준다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명에서 해결하려는 기술적 과제는 먼지 방출이 양호하고 홀위치 정밀도가 높은 마이크로 드릴비트 및 그 가공방법을 제공하기 위한 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 목적은 아래와 같은 기술방안을 통해 실현된다: 마이크로 드릴비트에 있어서, 드릴팁 위치에 설치된 제 1 경사면(rake face), 제 1 플랭크면(flank surface), 제 2 경사면, 제 2 플랭크면; 드릴팁으로부터 드릴 말단 방향으로 연장되는 제 1 나선홈 및 상기 제 1 나선홈과 대칭되게 설치되는 제 2 나선홈(상기 제 1 나선홈과 상기 제 1 경사면이 접하여 제 1 절삭날을 형성하고 상기 제 2 나선홈과 상기 제 2 경사면이 접하여 제 2 절삭날을 형성); 및드릴비트의 전단영역에 설치된 바이어스 홈(biased groove) (상기 바이어스 홈은 상기 제 2 절삭날의 길이가 상기 제 1 절삭날의 길이보다 작게 형성되도록 상기 제 2 경사면과 접하고, 상기 바이어스 홈은 상기 제 2 나선홈과 접함), 을 포함한다. 바람직하게, 상기 바이어스 홈은, 또한 상기 제 2 플랭크면과 드릴 바디의 접하는 부분의 길이가 절삭 공구의 폭보다 작게 형성되도록 상기 제 2 플랭크면과 접할 수 있다. 이는 바이어스 홈의 면적 및 공간을 더 확대하여 열 발산율 및 집진장치의 공기 흡입 효율을 더 높힌다.바람직하게, 상기 제 2 플랭크면과 드릴 바디의 접하는 부분의 길이는 0보다 크거나 같다. 접하는 부분이 0일 경우, 즉 바이어스 홈과 제 1 나선홈이 접하므로 집진장치의 공기 흡입 능력은 제 1 나선홈 영역까지 확장되어 뜨거운 공기가 가능한 빠르게 흡입되어 나갈 수 있어 열 발산율을 높힐 수 있다. 물론 드릴비트의 구체적 모델에 따라, 예를 들면 직경 크기에 있어서, 드릴팁 강도를 확보한 전제하에 접하는 부분의 길이를 해당되게 조절하여 드릴팁의 강도가 낮아지는 것을 방지할 수 있다.바람직하게, 상기 제 2 절삭날의 길이는 0보다 크거나 같다. 제 2 절삭날의 길이가 0일 경우, 제 2 절삭날은 절삭기능을 완전히 상실하게 되므로 제 2 나선홈의 공기 흡입 효율이 가장 높은 상태로 되고, 열 발산율이 더 좋게 될 수 있다.바람직하게, 상기 바이어스 홈은 상기 제 2 나선홈의 외부로부터 상기 제 2 나선홈의 내부로 연장되며, 바이어스 홈과 제 2 나선홈의 접하는 부분의 폭은 상기 제 2 나선홈의 폭보다 작게 형성되고, 바이어스 홈의 깊이는 제 2 나선홈의 깊이보다 크게 형성될 수 있다. 이로 하여 집진장치가 드릴비트 영역의 공기를 신속히 흡입해 갈 수 있어 열 발산율을 높일 수 있다.바람직하게, 상기 바이어스 홈의 폭은 상기 제 2 나선홈의 폭보다 크며 제 2 나선홈 영역을 커버할 수 있다. 이는 집진장치의 드릴비트 영역의 공기를 흡입하는 능력을 높일 수 있어 열 발산율을 높일 수 있다.바람직하게, 상기 바이어스 홈의 가장자리와 제 2 나선홈의 가장자리의 협각 α은 180°≥α 003e# 90°일 수 있다.바람직하게, 상기 바이어스 홈의 나선각은 제 2 나선홈의 나선각과 같을 수 있다. 드릴 바디 구조의 강도 요구에 따라 이런 구조는 드릴팁 영역의 심후(웨브 두께)가 상대적으로 일치하게 될 수 있다.바람직하게, 상기 바이어스 홈의 나선각은 제 2 나선홈의 나선각과 다르다. 부동한 가공요구에 따라 강도를 확보하는 상황에서, 예를 들면 홀위치 정밀도 요구가 부동할 경우 상기 구조를 사용하여 절삭 정밀도의 요구를 만족할 수 있다.청구범위의 마이크로 드릴비트의 가공방법에 있어서,:단계 (S1), 드릴팁의 구조, 제 1 나선 홈 및 제 2 나선홈을 갈아내는 단계;단계 (S2), 바이어스 홈을 갈아내는 단계, 를 포함한다. [ 발명의 효과 ] 본 발명은 드릴 비트의 전단영역에 바이어스 홈을 설치함으로써, 상기 바이어스 홈은 상기 제 2 절삭날의 길이가 상기 제 1 절삭날의 길이보다 작게 형성되도록 상기 제 2 경사면과 접하고, 상기 바이어스 홈은 상기 제 2 나선홈과 접한다. 제 2 절삭날의 길이가 제 1 절삭날의 길이보다 작게 설치되면 제 2 절삭날의 절삭능력이 감소되거나 심지어 상실되므로, 제 2 나선홈의 절삭이 감소되거나 심지어 없어지게 된다. 이렇게 집진장치는 제 2 나선홈의 드릴팁 구역의 공기를 신속히 흡입하여 열 발산율을 높일 수 있다. 또한, 바이어스 홈은 비교적 큰 열 발산면이 형성되어 드릴팁과 공기의 열교환 효율을 높이고, 집진장치의 신속한 공기 흡입 작용하에 열 발산율을 더 높일 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1는 본 발명의 실시예 1의 드릴팁 구조를 보여주는 개략도 이다.도 2는 본 발명의 실시예 1의 드릴 바디 전단 구조를 보여주는 개략도 이다.도 3는 본 발명의 실시예 1의 드릴 바디 전단 구조를 보여주는 개략도 이다.도 4는 본 발명의 실시예 1의 드릴 바디 전단 구조를 보여주는 개략도 이다.도 5는 본 발명의 실시예 1의 드릴 바디 전단 구조를 보여주는 개략도 이다.도 6는 본 발명의 실시예 2의 드릴팁 구조를 보여주는 개략도 이다.도 7는 본 발명의 실시예 2의 드릴 바디 전단 구조를 보여주는 개략도 이다.도 8는 본 발명의 실시예 3의 드릴팁 구조를 보여주는 개략도 이다.도 9는 본 발명의 실시예 3의 드릴 바디 전단 구조를 보여주는 개략도 이다.도 10는 본 발명의 실시예 4의 드릴팁 구조를 보여주는 개략도 이다.도 11는 본 발명의 실시예 4의 드릴 바디 전단 구조를 보여주는 개략도 이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1-10과 같은 본 발명에서 제공한 여러 실시예에서 마이크로 드릴비트는, 드릴팁 위치에 설치된 제 1 경사면(111), 제 1 플랭크면(112), 제 2 경사면(121), 제 2 플랭크면(122); 드릴팁으로부터 드릴 말단 방향으로 연장되는 제 1 나선홈(10) 및 상기 제 1 나선홈과 대칭되게 설치되는 제 2 나선홈(20)(이중, 상기 제 1 나선홈(10)과 상기 제 1 경사면(111)이 접하여 제 1 절삭날(110)을 형성하고, 상기 제 2 나선홈(20)과 상기 제 2 경사면(121)이 접하여 제 2 절삭날(120)을 형성); 및 드릴비트의 전단영역에 설치된 바이어스 홈(30)(상기 바이어스 홈(30)은 상기 제 2 절삭날(120)의 길이가 상기 제 1 절삭날(110)의 길이보다 작게 형성되도록 상기 제 2 경사면(121)과 접하고, 또한 상기 바이어스 홈(30)은 상기 제 2 나선홈(20)과 접한다)을 포함한다. 제 2 절삭날(120)의 길이가 제 1 절삭날(110)의 길이보다 작게 형성되면 제 2 절삭날(120)의 절삭능력이 하강되거나 심지어 상실되므로, 제 2 나선홈의 절삭 칩이 감소되거나 심지어 없어지게 된다. 이렇게 집진장치는 제 2 나선홈의 드릴팁 구역의 공기를 신속히 흡입하여 열 발산율을 높일 수 있다. 또한, 바이어스 홈(30)은 비교적 큰 열 발산면을 형성하여 드릴팁과 공기의 열교환 효율을 높일 수 있고, 집진장치(Dust Collecting apparatus)의 공기 흡입 작용하에 열 발산율을 더 높일 수 있다.또한, 본 발명은 상기 드릴비트의 가공방법을 제공하며 구체적으로 아래와 같은 단계를 포함한다: (S1), 기존의 드릴비트 구조에 따라 드릴팁의 구조(제 1 경사면(111), 제 1 플랭크면(112), 제 2 경사면(121), 제 2 플랭크면(122)을 포함) 및 제 1 나선 홈 및 제 2 나선홈을 갈아낸다; (S2), (S1) 단계의 기초상 바이어스 홈을 갈아낸다.이하, 도면과 바람직한 실시예를 결합하여 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.실시예 1도 1 내지 도 3과 같이, 마이크로 드릴비트는, 드릴팁 위치에 설치된 제 1 경사면(111), 제 1 플랭크면(112), 제 2 경사면(121), 제 2 플랭크면(122); 드릴팁으로부터 드릴 말단 방향으로 연장되는 제 1 나선홈(10) 및 상기 제 1 나선홈과 대칭되게 설치되는 제 2 나선홈(20); 및 드릴비트의 전단영역에 설치된 바이어스 홈(30)을 포함하되,상기 제 1 나선홈(10)과 상기 제 1 경사면(111)이 접하여 제 1 절삭날(110)을 형성하고, 상기 제 2 나선홈(20)과 상기 제 2 경사면(121)이 접하여 제 2 절삭날(120)을 형성하며, 도 5와 같이 상기 바이어스 홈(30)은 상기 제 2 절삭날(120)의 길이(L1)가 상기 제 1 절삭날(110)의 길이(L2)보다 작게 형성되도록 상기 제 2 경사면(121)과 접하며, 상기 바이어스 홈(30)은 상기 제 2 나선홈(20)과 접한다. 바이어스 홈(30)의 깊이는 제 2 나선홈(20)의 깊이보다 크게 형성되며, 이는 드릴비트 영역의 바이어스 홈의 공간을 확대하여 집진효율을 높일 수 있으며 드릴비트 영역의 공기를 보다 빨리 환기시킬 수 있다. 도 3과 같이, 본 실시예에서 바이어스 홈(30)은 또한 제 2 플랭크면(122)과도 접한다. 이로 하여 제 2 플랭크면(122)과 드릴 바디의 접하는 부분의 길이(L3)가 절삭 공구의 폭(L4)보다 작게 형성되어 바이어스 홈의 면적과 공간을 더 확대할 수 있으며 열 발산율 및 집진장치의 공기 흡입 효율을 더 높일 수 있다. 본 실시예의 접하는 부분의 값은 0보다 크며, 접하는 부분의 구체적인 값은 드릴비트의 구체적 모델에 따라 설정될 수 있다. 예를 들면 직경 크기에 있어서, 드릴팁 강도를 확보한 전제하에 접하는 부분의 크기를 해당되게 조절하여 드릴팁의 강도가 낮아지는 것을 방지할 수 있다.본 실시예에서 상기 제 2 절삭날(120)의 길이가 아주 작으므로 절삭능력을 거의 상실한다. 따라서 집진장치의 공기 흡입 저항력이 낮아지므로 공기 흡입 효율이 높아지고 열 발산율도 해당하게 높아질 수 있다.도 4에서 도시한 바와 같이, 본 실시예에서 상기 바이어스 홈(30)의 가장자리와 제 2 나선홈(20)의 가장자리의 협각 α은 180°≥α 003e# 90°이다.본 실시예에서 상기 제 2 절삭날(120)의 길이는 0보다 크거나 같으며, 제 2 절삭날(120)의 길이가 0일 경우 제 2 절삭날(120)은 절삭기능을 완전히 상실하게 되므로 제 2 나선홈의 공기 흡입 효율이 가장 높은 상태로 되고 열 발산율이 더 우수하게 된다.실시예 2도 6 내지 도 7에서 도시한 바와 같이, 실시예 2에서 실시예 1과의 다른 점은, 실시예 2의 제 2 플랭크면(122)과 드릴 바디는 접하지 않는다. 결과적으로 바이어스 홈(30)과 제 1 나선홈(10)이 접하므로 집진장치의 공기 흡입 능력은 제 1 나선홈(10)의 영역까지 확장되어 뜨거운 공기가 가능한 빠르게 흡입되어 나갈 수 있어 열 발산율을 높일 수 있다.본 실시예의 일종 설계 구조로서, 상기 바이어스 홈(30)의 나선각은 제 2 나선홈의 나선각과 다르다. 이는 부동한 가공요구에 따라 드릴비트 강도, 홀위치 정밀도에 대한 요구가 부동하므로 필요에 따라 바이어스 홈(30)의 나선각을 선택할 수 있다.실시예 3도 8 내지 도 9에서 도시한 바와 같이, 실시예 3에서 실시예 2와의 다른 점은, 본 실시예에서 제 1 나선홈(10)과 제 2 나선홈(20)은 대칭되게 설치되고 바이어스 홈(30)은 제 2 나선홈의 외부로부터 해당 제 2 나선홈(20)의 내부로 연장되며, 바이어스 홈(30)과 제 2 나선홈(20)의 접하는 부분의 폭은 상기 제 2 나선홈(20)의 폭보다 작게 형성되고 바이어스 홈(30)의 깊이는 제 2 나선홈(20)의 깊이보다 크게 형성되는 것이다. 이렇게 설치함으로써 집진장치는 드릴팁 영역의 공기를 신속히 흡입할 수 있으므로 열 발산율을 더 높일 수 있다. 또한, 바이어스 홈(30)의 나선각과 제 2 나선홈(20)의 나선각은 같으며, 드릴 바디 구조의 강도 요구에 따라 이런 구조는 드릴팁 영역의 심후(web thickness)가 상대적으로 일치하도록 확보하여 그 강도를 상대적으로 증가할 수 있다.실시예 4도 10 내지 도11에서 도시한 바와 같이, 본 실시예에서 상기 제 2 플랭크면(122)과 드릴 바디가 접하는 부분의 길이는 아주 작으며 0에 가깝다. 이런 구조에 따라 바이어스 홈(30)의 면적 공간은 최대화되어 열 발산면적 및 공기 흡입 효율은 더 높을 수 있다. 본 실시예에서 상기 바이어스 홈(30)의 폭은 상기 제 2 나선홈(20)의 폭보다 크며 제 2 나선홈(20) 영역을 커버한다.상기 내용에서 구체적인 바람직한 실시예를 결합하여 본 발명에 대하여 더 상세하게 설명하였으나 본 발명의 구체적 실시예는 상기 설명에 한정된다고 이해하여서는 안된다. 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자들에게 있어서, 본 발명의 구상을 벗어나지 않는 전제하에 여러가지 간단한 추정 혹은 교체를 실현할 수 있으며, 이는 전부 본 발명의 보호범위에 속하는 것으로 이해하여야 한다.	마이크로 드릴비트에 있어서, 드릴팁 위치에 설치된 제 1 경사면(rake face), 제 1 플랭크면(flank surface), 제 2 경사면, 제 2 플랭크면; 드릴팁으로부터 드릴 말단 방향으로 연장되는 제 1 나선홈 및 상기 제 1 나선홈과 대칭되게 설치되는 제 2 나선홈; 및 드릴비트의 전단영역에 설치된 바이어스 홈을 포함하되, 상기 제 1 나선홈과 상기 제 1 경사면이 접하여 제 1 절삭날을 형성하고 상기 제 2 나선홈과 상기 제 2 경사면이 접하여 제 2 절삭날을 형성하며, 상기 바이어스 홈은 상기 제 2 절삭날의 길이가 상기 제 1 절삭날의 길이보다 작게 형성되도록 상기 제 2 경사면과 접하고 상기 바이어스 홈은 상기 제 2 나선홈과 접하는 마이크로 드릴비트를 제공한다.
[ 발명의 명칭 ] 플러그 커넥터용 보유 프레임HOLDING FRAME FOR A PLUG CONNECTOR [ 기술분야 ] 본 발명은 주(主) 독립 청구항 1의 전제부에 따른 플러그 커넥터용 보유 프레임에 관한 것이다.또한, 본 발명은 대등한 독립 청구항 14의 전제부에 따른 보유 프레임 제조 방법과도 관련이 있다.또한, 본 발명은 대등한 독립 청구항 15의 전제부에 따른, 보유 프레임 내부로 모듈을 삽입하기 위한 방법과도 관련이 있다.또한, 본 발명은 대등한 독립 청구항 16의 전제부에 따른, 보유 프레임 내부로 모듈을 삽입하기 위한 방법과도 관련이 있다.또한, 본 발명은 대등한 독립 청구항 17의 전제부에 따른, 플러그 커넥터용 금속성 보유 프레임과도 관련이 있다.또한, 본 발명은 대등한 독립 청구항 35의 전제부에 따른, 금속성 보유 프레임을 제조하기 위한 방법과도 관련이 있다. [ 배경기술 ] 상기와 같은 보유 프레임은, 복수의 동종 모듈들 및/또는 이종 모듈들을 수용하기 위해 필요하다. 이와 같은 모듈은, 예를 들어 전자식 및 전기식 접촉, 그리고 가능하다면 광학식 및/또는 압축 공기식 접촉을 위한 접촉 캐리어(contact carrier)로서 제공되는 절연체일 수 있다. 특히 중요한 점은, 보유 프레임이 종래 방식에 따라 금속 재료로 제조된다는 것인데, 그 이유는 예를 들어 모듈이 장착된 보유 프레임을 금속성 플러그 커넥터 하우징 내부로 삽입하기 위해서는 규정에 따라 플러그 커넥터 규격 EN61984에 따른 보호 접지(protective earthing)를 제조하기 위해서 그러한 금속 재료가 필요하기 때문이다.EP 0 860 906 B1호로부터, 플러그 커넥터 모듈을 보유하고, 플러그 커넥터 하우징 내부에 설치하거나 벽면에 나사 연결하기 위한 보유 프레임이 공지되어 있으며, 이 경우 플러그 커넥터 모듈은 보유 프레임 내부로 삽입되고, 플러그 커넥터 모듈들에 있는 보유 수단이 보유 프레임의 마주 놓인 벽부들(측면들)에 제공된 리세스들과 상호 작용하며, 이 경우 리세스들은 보유 프레임의 측면에 전면이 폐쇄된 개구로서 형성되며, 이 경우 보유 프레임은 서로 조인트로 연결된 2개의 절반부로 구성되며, 이 경우 보유 프레임의 분리는 프레임의 측면들에 대해 횡방향으로 수행되고, 이 경우 조인트는 보유 프레임의 고정 단부들 내에서, 보유 프레임을 고정면 위에 나사 결합할 때, 보유 프레임의 측면들이 상기 고정면에 대해 직각으로 정렬되는 방식으로 프레임 부분들이 정렬되고, 플러그 커넥터 모듈은 보유 수단을 통해 보유 프레임과 형상 결합 방식으로 연결되도록 배치된다. 실제로 이러한 보유 프레임은 통상 다이캐스팅 방법으로, 특히 아연 다이캐스팅 방법으로 제조된다.EP 2 581 991 A1호는 2개의 프레임 절반부를 갖는 플러그 커넥터 모듈용 보유 프레임을 개시하며, 상기 프레임 절반부들은 하나의 프레임 절반부를 다른 프레임 절반부에 대해 상대적으로 하나의 슬라이딩 방향으로 선형 이동시킴으로써 서로 체결될 수 있고, 이 경우 이들 프레임 절반부에는 각각 서로 상보적인 체결 수단들이 제공되며, 이들 체결 수단은 선형 운동 시 양측 프레임 절반부가 2개의 상이한 체결 위치에서 서로 체결되도록 하며, 상기 체결 위치에서는 프레임 절반부들이 상이한 간격으로 서로 이격되어 있다.하지만 사실상 이와 같은 보유 프레임은 조립 시 복잡한 조작을 필요로 하는 것으로 밝혀졌다. 예를 들어, 이와 같은 보유 프레임은, 단 하나의 모듈만 교체하면 되는 경우에도, 플러그 커넥터로부터 나사 결합을 풀어야 하고, 그리고/또는 체결 해제되어야 한다. 이 경우, 전혀 제거하지 않아도 되는 다른 모듈들도 보유 프레임으로부터 이탈될 가능성이 있고, 차후 프레임 절반부들을 나사 결합하기 전에 그리고/또는 체결하기 전에 다시 보유 프레임 내에 삽입되어야 할 수 있다. 결국, 프레임 절반부들의 결합 시 최종적으로 보유 프레임 내부에 고정되도록 하기 위해서는, 프레임 절반부들을 결합하기 전에 미리 모든 모듈이 동시에 이들 모듈을 위해 제공된 위치에 있어야 하며, 이는 조립을 어렵게 만든다.EP 1 801 927 B1호는, 일체형의 플라스틱 사출 성형부로 형성된 보유 프레임을 개시한다. 이 보유 프레임은 주변을 둘러싸는 칼라(collar)로서 형성되고, 자신의 삽입측에 슬롯들에 의해 분리된 복수의 벽 세그먼트를 갖는다. 서로 마주 놓인 2개의 벽 세그먼트 각각은 플러그 모듈을 위한 삽입 영역을 형성하며, 이 경우 벽 세그먼트는 윈도우 형상의 개구를 가지고, 이들 개구는 모듈의 좁은 측에 형성된 돌출부를 파지하는 데 이용된다. 또한, 벽 세그먼트 내에는 가이드 홈(guide groove)이 각각 하나씩 제공되어 있다. 가이드 홈은 개구 상부에서 외부로 변위된 윈도우 웨브(window web)를 이용하여 형성되고, 이 윈도우 웨브는 내부면에 삽입 경사면을 갖는다. 추가로, 플러그 모듈이 체결 암을 가지며, 이들 체결 암이 좁은 측에서 케이블 단자의 방향으로 작용하도록 일체로 형성되고, 측방 칼라 벽(collar wall) 아래에서 체결됨으로써, 2개의 독립적인 체결 수단이 플러그 커넥터 모듈들을 보유 프레임 내부에 고정시킨다.상기 선행 기술에서의 단점은, 한 편으로는 종래 방식에 따라 예를 들어 PE-접촉에 의한 보호 접지를 위해, 즉, 예를 들어 금속성 플러그 커넥터 하우징 내부에 설치하기에 적합하지 않은, 플라스틱으로 형성된 보유 프레임이 사용된다는 것이다. 하지만, 금속성 플러그 커넥터 하우징의 사용은 이와 같은 보호 접지를 전제로 하고, 예를 들어 보호 접지의 기계적인 강인성, 온도 안정성 및 보호 접지의 전기적 차폐 특성 때문에 여러 용례에서 필요하므로 고객들의 수요가 존재한다. 또한, 이러한 유형으로 형성된 플라스틱 보유 프레임을 사출 성형 방법으로 제조하는 것은 적어도 어렵기도 하고, 실현하기가 간단하지 않다는 사실도 밝혀졌다. 마지막으로, 예를 들어 용광로 가까이에서 사용되는 경우와 같은 특별한 용도에 있어서 상기와 같은 보유 프레임의 내열성도 항상 불충분하다. 최종적으로, 플라스틱 재료 및 형상, 특히 관련 지점들에서의 보유 프레임의 강도는 우선적으로 가요성에 대한 요건에 의해 결정되고, 온도 안정성에 대한 요건에 의해서 결정되지는 않는다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명의 과제는, 한 편으로는 양호한 내열성 및 높은 기계적 강인성을 가지며, 특히 금속성 플러그 커넥터 하우징 내부에 장착될 때에도 상응하는 보호 접지, 특히 PE("Protection Earth")-보호 접지를 가능하게 하고, 다른 한 편으로는 특히 개별 모듈의 교체 중에 편안한 조작 가능성도 보장하는, 보유 프레임을 위한 구조적 형상 및 제조 방법을 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 과제는, 서문에 언급된 유형의 보유 프레임에 의해, 독립 주 청구항 1의 특징부의 특징들에 의해 해결된다.또한, 상기 과제는, 서문에 언급된 유형의 제조 방법에 의해, 대등한 독립 청구항 14의 특징부의 특징들에 의해 해결된다.또한, 상기 과제는, 보유 프레임 내부에 모듈을 삽입하기 위한 서문에 언급된 방법에 의해, 대등한 독립 청구항 15의 특징부의 특징들에 의해 해결된다.또한, 상기 과제는, 보유 프레임 내부에 모듈을 삽입하기 위한 서문에 언급된 방법에 의해, 대등한 독립 청구항 16의 특징부의 특징들에 의해 해결된다.또한, 상기 과제는, 서문에 언급된 유형의 금속성 보유 프레임에 의해, 대등한 독립 청구항 17의 특징부의 특징들에 의해 해결된다.또한, 상기 과제는, 금속성 보유 프레임을 제조하기 위한 서문에 언급된 방법에 의해, 대등한 독립 청구항 35의 특징부의 특징들에 의해 해결된다.상기와 같은 보유 프레임은 중공업 플러그 커넥터 분야에서 사용될 수 있고, 적어도 부분적으로 금속 재료, 즉 판금으로 이루어지며, 이로써 판금은 보호 접지, 특히 PE-보호 접지를 가능하게 하고, 그와 동시에 판금의 탄성으로 인해 모듈을 개별적으로 매우 용이하게 삽입 또는 제거할 수 있게 한다. 또한, 재료로서 판금을 사용하는 것은 높은 온도 안정성 및 더 나아가서는 보유 프레임의 특히 큰 기계적인 강인성도 보장해준다.이때, 탄성 판금이란, 특히 예를 들어 상응하는 복원력이 제공되는 경우의 가역적인 변형 가능성과 같은 탄성을 갖는 판금, 즉, 예를 들어 스프링 강 또는 그와 대등한 재료로 제조된 판금으로 이해될 수 있다.본 발명의 바람직한 실시예들은 종속 청구항들에 기재되어 있다.이로써, 본 발명의 한 가지 장점은, 모듈들이 개별적으로 그리고 매우 용이하게 보유 프레임 내부로 삽입될 수 있고, 다시 보유 프레임으로부터 제거될 수 있다는 데 있다.특히, 모듈이 예컨대 나사 결합, 크림핑(crimping), 납땜 등에 의해 케이블에 연결되도록 하기 위해 제공된 케이블 단자 측을 구비하는 경우, 그리고 모듈이 자신의 케이블 단자 측의 방향으로부터 보유 프레임 내부로 삽입되는 것이 특별한 장점이 되는데, 그 이유는 모듈이 이로 인해 또한 케이블에 연결된 상태에서도 보유 프레임으로부터 재차 자신의 케이블 단자 측의 방향으로 완전히 제거될 수 있기 때문이다. 이와 같은 상황은 특히 설치된 상태에서도 적용되는데, 더 상세하게 말하자면 보유 프레임이 이미 플러그 커넥터 하우징 내부에, 예를 들어 플랜지 장착 하우징 내부에 설치된 경우에도 적용된다. 따라서 또 다른 한 가지 장점은, 케이블이 모듈과 사전에 조립될 수 있고, 사전 조립 과정과 무관하게 추후에 비로소 보유 프레임 내부로 삽입될 수 있다는 데에 있다. 또한, 예컨대 보유 프레임이 마모 및/또는 손상되는 경우에는, 삽입의 목적을 위해 모듈이 케이블로부터 분리될 필요 없이, 보유 프레임이 상기와 같은 방식으로 교체될 수 있다.본 발명의 또 다른 한 가지 장점은, 보유 프레임이 전기적인 안전을 위해 보호 접지를 가능하게 한다는 것, 특히 보유 프레임이 삽입될 금속성 플러그 커넥터 하우징의 PE-보호 접지를 가능하게 한다는 것이다. 이와 같은 상황은 또한 추가 장점으로서 플러그 커넥터를 통해 전송되는 신호의 차폐도 보장해준다. 이 차폐는 외부로부터의 간섭 자기장을 막는 것일 수 있다. 그러나 또한 이 차폐는, 간섭파 방출을 피하거나 줄이기 위한, 다시 말해 플러그 커넥터의 간섭 자기장으로부터 환경을 보호하기 위한 차폐일 수도 있다. 다른 말로 하면, 모듈을 통해 전송되는 신호가 외부 간섭 자기장으로부터 보호될 뿐만 아니라, 모듈을 통해 흐르는 전류에 의해 생성되는 간섭으로부터 주변을 보호하는 상황도 제공된다.특히 큰 한 가지 추가의 장점은, 보유 프레임이 한 편으로는 특히 열에 강하다는 것이고, 다른 한 편으로는 그럼에도 불구하고 모듈들을 개별적으로 용이하게 보유 프레임 내부에 삽입하고 다시 제거하기 위해, 필요한 지점에서 충분히 높은 탄성을 갖는다는 것이다. 이때에는, 전체 보유 프레임(또는 적어도 모듈의 수용 및 고정을 위해 기능을 하는 보유 프레임의 부분)이 탄성 판금으로 이루어지는 경우가 특히 큰 장점이 되는데, 그 이유는 이로 인해 보유 프레임이, 적어도 탄성의 크기가 동일한 상황에서는, 기계적인 관점에서 그 외에는 기능적으로 대등한 플라스틱 프레임보다 열에 훨씬 더 강하기 때문이다. 이와 관련된 모듈들이 구조적 형상에 있어서 그에 상응하게 콤팩트하게 구현될 수 있음으로써, 결과적으로 이들 모듈은 또한 플라스틱으로부터 제조될 수도 있고, 그럼에도 비교적 열에 강하다.이때 특별한 장점은, 이들 모듈의 재료뿐만 아니라 구조적 형상도 약간의 탄성만을 가지면 된다는 데 있는데, 그 이유는 보유 프레임이 이미 탄성 판금으로 이루어져 있고, 그렇기 때문에 모듈이 예를 들어 이로 인해 근본적으로 변경됨이 없이, 더 상세하게 말하자면 예를 들어 모듈에 대한 보유 프레임의 보유력 및/또는 예를 들어 매칭 플러그에 대한 압착력 및 그와 더불어 플러그 커넥터의 최적의 기능이 문제될 정도로 심하게 모듈이 비가역적으로 변형됨이 없이, 그리고 특히 기계적인 그리고 열적인 부하를 연속적으로 받는 상태에서 모듈에 대한 보유 프레임의 보유력 및/또는 예를 들어 매칭 플러그에 대한 압착력 및 그와 더불어 플러그 커넥터의 최적의 기능이 문제될 정도로 강한 크리프(creep) 현상이 발생함이 없이, 모듈이 더 긴 시간 간격에 걸쳐서도 일정한 기본 장력을 유지할 수 있기 때문이다. 다른 말로 하면, 모듈이 클램핑을 위해 자체적으로 탄력적인 부분 및/또는 재료 특성을 가질 필요 없이, 모듈이 보유 프레임 내부에 탄성적으로 클램핑될 수 있다.그렇기 때문에 특히 바람직한 경우는, 보유 프레임이 적어도 부분적으로 탄성 판금으로 제조된 경우, 더 상세하게 말하자면 적어도 부분적으로 하나 또는 복수의 탄성 판금부로 이루어지는 경우이다. 특히, 보유 프레임이 펀칭 굽힘 기술로 제조될 수 있음으로써, 결과적으로 판금부 또는 판금부들은 펀칭 굽힘 부분(들)이다. 이와 같은 제조 방식은 바람직하게 펀칭 굽힘 기술을 위해서 통상적으로 사용되는 공구를 이용한 제조를 가능하게 함으로써, 결과적으로 상기와 같은 보유 프레임의 제조를 위해서는 특별한 공구가 필요치 않게 된다. 보유 프레임이 복수의 펀칭 굽힘 부분으로 이루어지면, 이들 펀칭 굽힘 부분은 동일한 판금으로 이루어질 수 있게 되고, 그에 따라 동일한 재료 특성, 특히 서로에 대해 동일한 탄성을 가질 수 있게 된다. 그러나 이들 펀칭 굽힘 부분은 또한 상이한 판금으로부터 펀칭될 수도 있고, 상이한 재료 특성, 특히 상이한 강도 및/또는 탄성을 가질 수도 있다.특히 바람직한 경우는, 보유 프레임이 서로에 대해 상이한 탄성을 갖는 복수의 상이한 영역을 구비하는 경우인데, 그 이유는 보유 프레임이 이 경우에는 최고의 굽힘 하중 영역에서 의도한 바대로 더 높은 탄성 계수를 제공할 수 있기 때문이다. 이로써, 더 높은 탄성 계수를 갖는 제1 영역은 기본 섹션일 수 있다. 더 낮은 탄성 계수를 갖는 제2 영역은 변형 섹션일 수 있다.상기와 같은 상황은 단 하나의 판금부로 형성된 보유 프레임에 의해 실현될 수 있을 뿐만 아니라, 복수의 판금부로 형성된 보유 프레임에 의해서도 실현될 수 있으며, 이 경우 판금부들은 서로 동일하거나 상이한 재료 특성, 특히 동일하거나 상이한 탄성을 가질 수 있다.예를 들어, 하나의 보유 프레임은 오로지 동일한 재료로 이루어지고 또한 동일한 두께를 갖는 판금부들로만 이루어질 수 있는데, 더 상세하게 말하자면 예를 들어 동일한 펀칭 판금으로부터 펀칭된다. 이를 위해, 상기 영역들 중 제1 영역, 다시 말해 예를 들어 기본 섹션은 주변을 둘러싸는 기본 프레임으로 이루어진다. 이 기본 프레임은 횡단면으로 볼 때 실질적으로 직사각형으로 형성될 수 있는데, 더 상세하게 말하자면 서로 평행하게 놓여 있는 2개의 단부 및 이들 단부에 대해 직각으로 서로 평행하게 놓여 있는 2개의 측부를 가지며, 이 경우 단부는 측부보다 짧다. 정사각형 횡단면의 특수한 경우에는 단부와 측부의 길이가 같을 수도 있다.상기와 같은 폐쇄 형상에 의해서는, 기본 프레임의 기하학적인 구조 및 이와 더불어 전체 보유 프레임의 기하학적인 구조도 이미 상기 제1 영역, 즉 기본 프레임이 예를 들어 슬롯에 의해 상호 분리되어 독립적인 탄성 탭(tab)을 갖는 뺨 영역(cheek region)으로 이루어지는 제2 영역보다 적은 탄성 및 이로써 그보다 큰 강성을 갖도록 기여한다. 특히, 이는, 보유 프레임이 플러그 커넥터 하우징 내부에 단단히 장착되어 있는 경우, 예를 들어 4개의 나사 구멍(screw bore)에서 플러그 커넥터 하우징 내부에 조여져 있는 경우에 적용된다. 추가로, 동일 판금부의 상이한 층들이 예를 들어 접음 공정에 의해 서로 편평하게 놓이거나 하나 이상의 다른 판금부의 또 다른 층들이 접합 및 고정 공정에 의해서, 다시 말해 소위 접합 연결에 의해 서로 편평하게 놓임으로써, 보유 프레임의 판금은 제1 영역에서, 즉 기본 프레임에서 적어도 한 지점에서, 특히 측부에서 그리고 가능하다면 단부에서도 의도한 바대로 보강될 수 있다. 간략히 "접합"으로도 명명되는 접합 연결의 경우에는, 이들 판금부가 하나 또는 복수의 적합한 지점에서 예를 들어 접착, 용접, 납땜, 리벳 체결(riveting) 또는 임의의 다른 적합한 고정 방법에 의해 서로 고정된다.상기와 같은 목적에 적합한 모듈은 실질적으로 정방형으로 형성될 수 있고, 서로 마주 놓인 2개의 종방향 측면에 체결 러그를 각각 하나씩 가지며, 이들 체결 러그도 마찬가지로 실질적으로 정방형으로 구현될 수 있다. 보유 프레임의 각각의 탄성 탭은 바람직하게 실질적으로 직사각형으로 형성될 수 있는 체결 윈도우를 가지고, 이 체결 윈도우는 상기와 같은 체결 러그를 바람직하게 형상 결합 방식으로 수용하기 위해 제공되어 있다.한 모듈의 2개의 체결 러그는 특히 이들의 길이에 의해 예를 들어 이들의 형상 및/또는 이들의 크기에 있어서 서로 상이할 수 있고, 보유 프레임의 양측에 있는 탭은 이를 위해 상응하는 (예컨대 직사각형의) 윈도우를 구비할 수 있으며, 이들 윈도우도 마찬가지로 서로 상이하고, 이들의 크기 및/또는 이들의 형상에 있어서 체결 러그들 중 각각 하나의 체결 러그에 매칭된다. 이와 같은 형상이 갖는 장점은, 이로 인해 보유 프레임 내에서의 각 모듈의 배향이 결정된다는 것이다. 다른 말로 하면, 체결 윈도우 및 체결 러그는 이들의 형상 및/또는 크기에 의하여 보유 프레임 내에서 모듈의 방향을 설정하기 위한 코딩 수단(coding means)으로 사용될 수 있다.보유 프레임의 탭들은 바람직하게 독립 단부 영역에서 보유 프레임으로부터 약간 벌어져서 구부러지며, 이는 모듈의 삽입 안내를 간소화한다. 이 경우 보유 프레임 내부로의 모듈의 삽입은 특히 조작에 친숙한 방식으로 이루어진다. 이를 위해, 모듈은 말하자면 먼저 한 보유 프레임의 2개의 탭 사이에 삽입되고, 그 다음에 자신의 2개의 종방향 측면을 이용해서 그리고 특히 이들 종방향 측면에 일체로 형성된 체결 러그를 이용해서 이들 탭의 상호 떨어져서 구부러진 단부 영역을 따라 슬라이딩된다. 그럼으로써, 2개의 탭은, 개별 체결 러그가 개별 탭의 관련 체결 윈도우에 의해 수용되어 특히 그 내부에 체결된 소리가 들릴 때까지, 잠시 서로 벌어져 있다. 체결 러그가 개별 체결 윈도우 내에 파지되면, 탭들은 바람직하게 자신의 출발 위치로 탄성적으로 복귀한다. 이와 같은 방식으로, 모듈들은 보유 프레임 내부에 개별적으로, 바람직하게는 귀로 들을 수 있게, 체결될 수 있다.그와 동시에, 특히 보유 프레임이 플러그 커넥터 하우징 내부에 고정 장착된 경우, 예를 들어 4개의 나사 구멍에 나사 결합된 경우, 삽입된 모듈이 안정적인 기본 프레임 내에서 비교적 큰 힘으로 보유된다. 모듈의 체결 상태를 다시 해제하기 위해서는, 서로 마주 놓인 2개의 탄성 탭을 다시 서로 벌어지도록 구부리기만 하면 된다. 그 다음에, 각각의 모듈이 개별적으로 보유 프레임으로부터 제거될 수 있는 한편, 다른 모듈은 계속해서 체결 상태를 유지한다. 또한, 상기와 같은 방식에 의해서는, 특히 상이한 영역의 상이한 탄성에 의해 작동력이 비교적 작은 경우에도 높은 보유력이 보장되며, 이는 조작 가능성을 위해 특히 바람직하다.체결 러그가 체결 윈도우 내부에 체결되는 과정에서 잡음이 발생하는 경우에는, 또 다른 조작 용이성이 주어지는데, 그 이유는 이로 인해 모듈의 정확한 위치 설정이 신호화 되어 사용자에게 음향적으로도 전달되기 때문이다.또 다른 특별한 장점은, 모듈이 전술된 구성에 의해 이미 충분한 보유력으로 보유 프레임 내부에 보유되어 있고, 그에 상응하게 자신의 체결 러그 외에는 또 다른 체결 수단, 예를 들어 체결 암을 필요로 하지 않는다는 것인데, 그 이유는 상기와 같은 구성이 모듈의 구조적 형상을 간단하게 하고, 이로써 모듈을 제조하기 위한 노력을 현저히 줄여주며, 그와 동시에 콤팩트한 구조적 형상 그리고 이로써 모듈 및 그와 더불어 전체 플러그 커넥터의 높은 내열성까지도 보장해주기 때문이다.보유 프레임을 제조할 때의 특히 큰 장점은, 보유 프레임의 영역들 중 몇몇 영역이 서로 위,아래로 적층되도록 그리고 이로 인해서 보유 프레임 영역이 이를 위해 제공된 기능들을 위해 자신의 스프링력 및 경우에 따라서는 자신의 보유력을 보강하도록, 판금부 또는 판금부들이 형성되어 있다는 것, 특히 펀칭되어 있고 구부러져 있으며 그리고/또는 서로 접합되어 있다는 것이다.이로써, 판금은 몇몇 지점에서 예를 들어 한 판금부를 접음으로써 그리고/또는 복수의 개별 판금부를 서로 접합함으로써 보강될 수 있는데, 예를 들어 판금의 강도가 2배, 3배, 4배, ... 등과 같이 배가될 수 있다. 그럼으로써, 그렇지 않으면 실현되기 어려운, 특히 원래부터 일정한 강도를 갖는 동일한 펀칭 판금이 사용되는 경우에는 실현되기 어려운 탄성의 의도된 영향과 펀칭 굽힘 기술의 제조 기술적인 장점들이 조합될 수 있다. 더 상세하게 말하자면, 절첩 및/또는 접합에 의해서는, 한 편으로는 탄성 판금이 보유 프레임을 위한 특히 양호하게 적합한 재료로서 사용될 수 있으며, 다른 한 편으로는 제조를 용이하게 하는 단 하나의 펀칭 판금을 사용하는 경우에도 보유 프레임의 개별 영역의 탄성이 전술된 방식으로 의도한 바대로 영향을 받을 수 있다.한 바람직한 실시예에서는, 예를 들어 기본 프레임의 측부가 보강될 수 있다. 이를 위해, 개별 측면에는 뺨 영역이 인접해서 각각 하나씩 추가로 제공될 수 있으며, 이 뺨 영역은 보강 영역, 및 이 보강 영역 위로 돌출하거나 이 보강 영역에 연결되거나 이 보강 영역과 중첩되는 탭을 구비한다. 뺨 영역의 보강 영역은 굽힘 과정에서 180°만큼 구부러질 수 있고, 이로써 측면 위로 접힐 수 있으며, 이로써 이 측면을 외부로 작용하는 힘에 대하여 보강할 수 있다. 그 결과, 뺨 영역은, 측부를 따라 등거리의 간격을 두고 상기 뺨 영역을 세분하는 슬롯을 전체적으로 또는 국부적으로 구비할 수 있으며, 이 경우 이들 간격의 폭은 바람직하게 모듈의 폭에 상응한다. 슬롯은 보강 영역 내부까지 뻗을 수 있다. 슬롯에 의해서는, 한 가지 방향으로 기본 프레임 위로 돌출하는 탭이 형성되어 있다. 반대 방향으로는, 상기와 같은 방식으로 보강된 기본 프레임의 측부가 마찬가지로 자신의 개별 굽힘 에지에 의해 단부면 위로 돌출할 수 있다. 이로써, 측부는 단부면보다 큰 폭을 갖게 된다. 이와 같은 상황이 갖는 장점은, 모듈이 더 큰 면에 걸쳐서 그리고 특히 상응하는 레버 작용을 통해서 증가된 보유력으로 보유 프레임 내부에 지지된다는 것이다.따라서, 접힌 뺨 영역의 독립 단부는 보강되지 않은 상태에서 기본 프레임 위로 돌출하게 되고, 이로써 예를 들어 변형 섹션으로서 간주될 수 있는 훨씬 더 탄력적인 제2 영역을 형성하게 된다. 이와 같은 상황은 뺨 영역의 슬롯으로 인해 특히 독립 탄성적인 개별 탭에 의해 이루어지며, 이들 탭은 이미 자체 형상에 의해 비교적 큰 탄성을 갖는다. 탭은 또한 기본 프레임과 달리 바람직하게는 단 하나의 보강되지 않은 판금으로부터 형성되어 있는데, 더 상세하게 말하자면 제2 판금에 의해 보강되지 않았으며, 이로써 다만 상기 단 하나의 판금과 동일한 두께를 갖게 되고, 또한 이로 인해 제1 영역보다 큰 탄성을 갖게 된다. 추가로, 탭은 자신의 슬롯의 영역에서는 바람직하게 심지어 측면에 고정되어 있지 않고 오히려 다만 보강 영역의 굽힘 에지를 통해서만 측면과 연결되어 있다. 이와 같은 상황이 갖는 장점은, 탭이 외부로 작용하는 힘에 대하여 높은 탄성을 갖는 한편, 측부는 기본 프레임의 영역에서 외부로 작용하는 힘에 대항해서 큰 안정성을 갖는다는 것인데, 그 이유는 이들 측부가 보강 영역에 의해 보강되었기 때문이다. 탭이 보강 영역에 의해서만 공동의 굽힘 에지를 통해 측면과 연결되어 있기 때문에, 탭은 자신의 전체 길이에 걸쳐 보강되지 않은 상태에서 외부로 복원되는 한편, 측면은 외부로 작용하는 힘에 대하여 보강 영역에 의해 그리고 이로써 특히 탭의 상응하는 중첩 영역에 의해서도 보강되어 있다.한 바람직한 실시예에서는, 보유 프레임을 제조하기 위해 단 하나의 판금이 사용된다. 이 경우에는, 단부면을 보강하고 이로써 기본 프레임을 추가로 안정시키기 위해, 예를 들어 판금을 펀칭할 때에 특히 각각의 단부면에 대해 반사 대칭으로 상기 단부면에 인접해서 보강면이 각각 하나씩 추가로 펀칭되고, 그 다음에 180°만큼 구부러지며, 이로 인해 단부면 위로 접힘으로써, 각각의 단부면이 보강될 수 있다. 더 나아가, 그 다음에는 상기 보강면이 단부면 위로 돌출하는 한 단부에서 직각으로 구부러질 수 있음으로써, 결과적으로 단부면의 단부에서는 독립 플랜지가 생성되며, 이 플랜지는 예를 들어 플러그 커넥터 내부에 고정시킬 목적으로 나사 구멍을 구비할 수 있다. 안정화를 위해, 상기 플랜지는 또한 유사한 방식으로, 다시 말해 접음 또는 접합에 의해 보강될 수 있다.상기 실시예에 대안적인 한 바람직한 실시예에서는, 플랜지가 보강되지 않은 단부면에 직접 연결될 수 있고, 이 단부면으로부터 직각으로 구부러질 수 있다. 이때, 한 편으로 단부면은 보강되지 않았지만, 이로 인해 다른 한 편으로는 재료뿐만 아니라 제조시의 상응하는 작업 과정도 줄어든다. 더 나아가서는, 그럼에도 그와 상관없이 측면이 보강될 수 있으며, 이는 궁극적으로 모듈을 지지하기 위해 우선적으로 중요하다.더 나아가서는, 보유 프레임이 복수의 동일한 그리고/또는 상이한 탄성 판금부로부터 형성되고, 이들 판금부가 예를 들어 접착, 용접, 납땜, 나사 결합 및/또는 리벳 체결에 의해 서로 고정되는 수많은 또 다른 실시예들도 생각할 수 있다. 특히, 이들 판금부가 펀칭 굽힘 기술로 제조될 수 있음으로써, 결과적으로 판금부는 펀칭 굽힘부이다. 바람직하게, 보유 프레임은 기본 프레임의 횡단면으로 볼 때 실질적으로 U자 모양인 2개의 판금부로 형성될 수 있으며, 이들 판금부는 각각 2개의 단부면, 즉 제1 및 제2 단부면을 구비한다. 그 다음에 2개의 판금부는 보유 프레임을 제조할 때 자신의 제1 단부면과 제2 단부면이 각각 겹쳐져서 예를 들어 접착, 용접, 납땜, 나사 결합 및/또는 리벳 체결에 의해 서로 고정되도록 변위되고, 특히 판금 두께만큼 오프셋되어 서로의 내부로 슬라이딩된다. 특히, 이 경우에는 판금부들 중 한 판금부의 제1 단부면이 각각 다른 판금부의 제2 단부면 위에 놓여 이곳에 고정된다. 이와 같은 실시예는, 단부면의 영역에서 판금이 보강된다는 결과에 추가하여, 보유 프레임이 자신의 기본 프레임의 영역에서 상기와 같은 방식에 의해 큰 면에 걸쳐 그리고 그로 인해 매우 안정적인 방식으로 폐쇄된다는 또 다른 장점을 갖는다.보유 프레임이 자체 플랜지의 나사 구멍에서, 예를 들어 플러그 커넥터 하우징 내에 또는 플러그 커넥터 하우징 상에 나사 결합됨으로써, 기본 프레임은 더욱 안정화된다.따라서, 각각 외부에 놓이게 되는 제1 단부면의 한 에지에서는, 그 다음에 재차 나사 구멍을 가질 수 있는 플랜지가 전술된 바와 유사하게 직각으로 구부러질 수 있다. 그 다음에, 또 다른 한 바람직한 실시예에서는, 추가로 제2 단부면도 보강 플랜지를 구비할 수 있으며, 이 보강 플랜지는 서로 접합할 때 제1 단부면의 플랜지 상에 놓이게 되고, 보강을 위해 예를 들어 접착, 용접, 납땜, 나사 결합 및/또는 리벳 체결에 의해 제1 단부면에 고정된다. 그럼으로써, 보유 프레임의 플랜지가 특히 안정적으로 구현된다.한 바람직한 실시예에서는, 2개의 판금부가 동일한 유형이며, 다시 말하자면 보유 프레임이 2개의 부재로 형성되더라도 동종의 판금부들만 제조하면 되고, 이는 제조 복잡성을 더욱 완화한다.다른 한 바람직한 실시예에서는, 2개의 판금부가 적어도 자신의 체결 윈도우의 크기 및/또는 형상으로써 서로 구별된다. 이와 같은 실시예가 갖는 장점은, 이로 인해 그에 상응하게 2개의 상이한 체결 러그도 구비한 개별 모듈의 배향이 결정된다는 것이다. 다른 말로 하면, 이로써 체결 윈도우 및 체결 러그는 자체 형상에 의해 모듈의 방향을 설정하기 위한 코딩 수단으로서 이용될 수 있다.또 다른 한 바람직한 실시예에서는, 보유 프레임이 2개 이상의 판금부로, 특히 펀칭 굽힘부로 형성될 수 있으며, 이들 펀칭 굽힘부는 예를 들어 접착, 용접, 납땜, 나사 결합 및/또는 리벳 체결에 의해 서로 고정된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 발명의 실시예는 도면에 도시되어 있고, 이하에서 상세하게 설명될 것이다.도 1a는 제1 판금부의 비절곡 상태를 도시한 도이다.도 1b는 제2 판금부의 비절곡 상태를 도시한 도이다.도 2a 및 도 2b는 각각 추가 판금부의 비절곡 상태를 도시한 도이다.도 2c 및 도 2d는 각각 보강 플랜지를 구비한 추가 판금부를 도시한 도이다.도 3a는 2개의 다른 판금부를 서로 접합할 때의 절곡 상태를 도시한 도이다.도 3b는 보강 플랜지를 구비한 2개의 다른 판금부를 서로 접합할 때의 절곡 상태를 도시한 도이다.도 4a 및 도 4b는 관련 모듈을 2개의 상이한 관찰 방향에서 도시한 도이다.도 5는 모듈이 장착된 보유 프레임을 도시한 도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1a는 제1 실시예에서 일체형의 제1 판금부(1)의 비절곡 상태를 보여준다.제1 판금부(1)는,- 2개의 단부면(11, 11'), 즉, 제1 단부면(11) 및 제2 단부면(11')과,- 2개의 측면(12, 12'), 즉, 제1 측면(12) 및 제2 측면(12')으로서, 단부면(11, 11')보다 더 넓을 뿐만 아니라 더 길기도 하며, 이로써 각각의 제1 굽힘선(A, A', A")의 방향으로 이들 굽힘선에 인접하는 단부면(11, 11')을 넘어 돌출하는 측면들(12, 12')과,- 체결 윈도우(131, 131')를 각각 하나씩 갖는 8개의 독립 탭(13, 13')으로서, 이들 탭(13, 13')은 슬롯(18, 18')에 의해 상호 분리되어 있고, 상기 탭(13, 13')의 개수 및 그에 상응하는 슬롯(18, 18')의 개수는 예로서 선택된 것이며, 이 경우 4개의 탭(13)에 형성된 체결 윈도우(131)가 다른 4개의 탭(13')에 형성된 체결 윈도우(131')보다 더 넓은, 탭들과,- 일측은 제한선(E, E')에 접하고, 타측은 제2 굽힘선(B, B')에서 각각의 측면(12, 12')에 접하는 2개의 보강 영역(14, 14')과,- 제3 굽힘선(C, C')에서 각각의 단부면(11, 11')에 접하는 2개의 보강면(15, 15')과,- 제4 굽힘선(D, D')에서 개별 보강면(15, 15')에 접하고, 나사 구멍(171, 171')을 갖는 각각 하나의 플랜지(17, 17')를 포함한다.파선으로 도시된 제2 및 제3 굽힘선(B, B', C, C')에서는, 제1 판금부(1)가 180°만큼 접힌다. 그럼으로써, 각각의 측면(12, 12') 또는 단부면(11, 11')을 상응하게 보강하기 위해, 2개의 보강 영역(14, 14') 각각이 측면들(12, 12') 중 각각 하나에 놓이고, 2개의 보강면(15, 15') 각각은 단부면들(11, 11') 중 각각 하나에 놓이게 된다. 이로써, 파선으로 도시된 제한선(E, E')은, 탭(13, 13')이 차후 개별 측부(12, 12')를 넘어 돌출하기 시작하는 한계점을 형성한다. 이때, 개별 보강 영역(14, 14')은 공통된 제2 굽힘선(B, B')에서만 관련 측면(12, 12')과 연결되며, 다시 말해 다른 방식으로는, 즉, 접착, 납땜, 용접, 리벳 체결, 나사 결합 등의 방식으로는, 관련 측면에 고정되지 않는다.그럼으로써, 탭들(13, 13')이 상응하게 높은 유연성을 갖게 되는데, 그 이유는 이들 탭이 자신의 전체 길이에 걸쳐, 다시 말해 보강 영역(14, 14') 안쪽으로, 측면(12, 12')으로부터 각자 구부러질 수 있기 때문이다. 따라서, 슬롯(18, 18')의 길이에 의해 탭(13, 13')의 길이 및 이와 더불어 원하는 탄성도 조정될 수 있다.탭(13, 13')과 추가 보강 영역(14, 14')을 통틀어 뺨 영역이라 지칭하며, 상기 뺨 영역에는 편의상 도면 부호가 부여되어 있지 않다. 뺨 영역은 6개의 슬롯(18, 18')에 의해 대체로 동일한 크기의 간격으로 분할되고, 이로 인해 탭들(13, 13')이 형성됨에 따라, 상기 탭들(13, 13')의 길이는 슬롯들(18, 18')의 길이에 상응하게 된다. 이와 연계하여, "대체로"라는 개념은, 슬롯(18, 18') 및 이와 더불어 탭(13, 13')도 제한선(E, E')을 초과하여 개별 보강 영역(14, 14') 내부까지 연장되긴 하나 바람직하게는 제2 굽힘선(B, B') 앞에서 끝난다는 의미로 이해될 수 있다. 다른 말로 하면, 보강 영역(14, 14')의 적어도 일부가 탭(13, 13')으로 형성된다. 그럼으로써, 탭(13, 13') 뿐만 아니라 보강 영역(14, 14')에도 귀속될 수 있는 중첩 영역, 즉, 제한선(E, E')과 제2 굽힘선(B, B') 사이에 놓인 탭(13, 13')의 영역이 존재하게 된다. 따라서 상기 중첩 영역이 2중 기능을 갖게 되는데, 그 이유는 상기 중첩 영역이 한 편으로는 기본 프레임의 안정성을 증대시키고, 다른 한 편으로는 외부로 작용하는 힘에 대한 탭(13, 13')의 탄성을 증대하는 역할을 하기 때문이다. 특히 이는, 보유 프레임이 플러그 커넥터 하우징 내부에 고정 장착된 경우, 예를 들어 플러그 커넥터 하우징의 4개의 나사 구멍(171, 171')에 나사결합된 경우에 적용된다.측면들(12, 12')은 제2 굽힘선(B, B')에 상응하는 각자의 굽힘 에지에 의해 접힌 상태에서도 단부면(11, 11') 위로 돌출한다.마찬가지로 파선으로 도시된 제1 및 제4 굽힘선(A, A', A", D, D')에서는 제1 판금부(1)가 직각으로 구부러진다. 제4 굽힘선(D, D')에서 직각으로 구부러짐으로써 개별 플랜지(17, 17')가 형성되고, 이들 플랜지는 예를 들어 도면에 도시되지 않은 플러그 커넥터 하우징 상에 또는 그 내부에 고정하는 데 이용될 나사 구멍(171, 171')을 갖는다. 판금부(1)가 제1 굽힘선(A, A', A")을 중심으로 직각으로 절곡됨으로써 기본 프레임의 폐쇄 형상이 제공되고, 이로써 기본 프레임은 단부면들(11, 11') 및 측면들(12, 12')에 의해, 보강면(15, 15') 및 보강 영역(14, 14')에 의해 보강되면서, 즉 2개의 단부 및 2개의 측부로 형성된다. 이러한 직각 절곡 과정은, 뺨 영역이 기본 프레임 외부에, 즉, 기본 프레임의 측면들(12, 12')의 외부면에 배치되도록 수행된다.기본 프레임의 폐쇄 형상을 고정하기 위해서는, 마지막으로 제2 측면(12')이 추가로 제1 단부면(11)에, 예를 들면 접착, 용접, 납땜, 나사 결합, 리벳 체결 등에 의해 고정되어야 한다. 바람직하게, 이러한 고정은 복수의 용접점을 설정함으로써 실행된다.이로써, 제1 보강면(15)에 의해 보강된 제1 단부면(11)이 기본 프레임의 제1 단부를 형성한다. 제2 보강면(15')에 의해 보강된 제2 단부면(11')은 또한 기본 프레임의 제2 단부를 형성한다. 상기 두 단부는, 그로부터 직각으로 구부러지며, 각각 관련 보강 영역(14, 14')에 의해 보강된 양 측면들(12, 12')로 형성된 양 측부와 함께, 기본 프레임을 형성한다.도 1b는, 제1 실시예의 한 변형예에서 제2 판금부(1')의 비절곡 상태를 보여준다.제2 판금부(1')는, 보강면(15, 15')이 없고, 그에 상응하게 관련 제3 굽힘선(C, C')도 없음으로써, 개별 플랜지(17, 17')의 나사 구멍(171, 171')이 제4 굽힘선(D, D')에 의해 상응하는 단부면(11, 11')에 접한다는 점에서, 제1 판금부와 구별된다. 따라서, 제2 판금부(1')는,- 2개의 단부면(11, 11'), 즉, 제1 단부면(11) 및 제2 단부면(11')과,- 2개의 측면(12, 12'), 즉, 제1 측면(12) 및 제2 측면(12')으로서, 단부면(11, 11')보다 더 넓을 뿐만 아니라 더 길기도 하며, 이로써 각각의 제1 굽힘선(A, A', A")의 방향으로 이들 굽힘선에 인접하는 단부면(11, 11')을 넘어 돌출하는 측면들(12, 12')과,- 체결 윈도우(131, 131')를 각각 하나씩 갖는 8개의 독립 탭(13, 13')으로서, 이들 탭(13, 13')은 슬롯(18, 18')에 의해 상호 분리되어 있고, 상기 탭(13, 13')의 개수 및 그에 상응하는 슬롯(18, 18')의 개수는 예로서 선택된 것이며, 이 경우 4개의 탭(13)에 형성된 체결 윈도우(131)가 다른 4개의 탭(13')에 형성된 체결 윈도우(131')보다 더 넓은, 탭들과,- 일측은 제한선(E, E')에 접하고, 타측은 제2 굽힘선(B, B')에 접하는 2개의 보강 영역(14, 14')과,- 굽힘선(D, D')에서 각각의 단부면(11, 11')에 접하고, 나사 구멍(171, 171')을 갖는 각각 하나의 전술한 플랜지(17, 17')를 포함한다.파선으로 도시된 제2 굽힘선(B, B')에서는, 제2 판금부(1')가 180°만큼 접힌다. 그럼으로써, 각각의 측면(12, 12')을 상응하게 보강하기 위해, 각각의 보강 영역(14, 14')이 측면들(12, 12') 중 각각 하나에 놓이게 된다. 이로써, 파선으로 도시된 제한선(E, E')은, 탭(13, 13')이 차후 개별 측면(12, 12')을 넘어 돌출하기 시작하는 한계점을 형성한다. 이때, 개별 보강 영역(14, 14')은 공통된 굽힘선에서만, 말하자면 제2 굽힘선(B, B')에서만 관련 측면(12, 12')과 연결되며, 그에 상응하게 다른 방식으로는, 즉, 접착, 납땜, 용접, 리벳 체결 등의 방식으로는 관련 측면에 고정되지 않는다. 그럼으로써, 탭들(13, 13')이 상응하게 높은 유연성을 갖게 되는데, 그 이유는 이들 탭이 자신의 전체 길이에 걸쳐, 다시 말해 보강 영역(14, 14') 안쪽으로, 측면(12, 12')으로부터 각자 구부러질 수 있기 때문이다. 따라서, 슬롯(18, 18')의 길이에 의해 탭(13, 13')의 길이 및 이와 더불어 원하는 탄성도 조정될 수 있다.탭(13, 13')과 추가 보강 영역(14, 14')을 통틀어 뺨 영역이라 지칭하며, 상기 뺨 영역에는 편의상 도면 부호가 부여되어 있지 않다. 따라서 뺨 영역은 6개의 슬롯(18, 18')에 의해 대체로 동일한 크기의 간격으로 분할되고, 이로 인해 탭들(13, 13')이 형성됨에 따라, 상기 탭들(13, 13')의 길이는 슬롯들(18, 18')의 길이에 상응하게 된다. 이와 연계하여, "대체로"라는 개념은, 슬롯(18, 18') 및 이와 더불어 탭(13, 13')도 제한선(E, E')을 초과하여 개별 보강 영역(14, 14') 내부까지 연장되긴 하나 바람직하게는 제2 굽힘선(B, B') 앞에서 끝난다는 의미로 이해될 수 있다. 다른 말로 하면, 보강 영역(14, 14')의 적어도 일부가 탭(13, 13')으로 형성된다. 그럼으로써, 탭(13, 13') 뿐만 아니라 보강 영역(14, 14')에도 귀속될 수 있는 중첩 영역, 즉 제한선(E, E')과 제2 굽힘선(B, B') 사이에 놓인 탭(13, 13')의 영역이 존재하게 된다. 따라서 상기 중첩 영역이 2중 기능을 갖게 되는데, 그 이유는 상기 중첩 영역이 한 편으로는 기본 프레임의 안정성을 증대시키고, 다른 한 편으로는 외부로 작용하는 힘에 대한 탭(13, 13')의 탄성을 증대하는 역할을 하기 때문이다. 특히 이는, 보유 프레임이 플러그 커넥터 하우징 내부에 고정 장착된 경우, 예를 들어 플러그 커넥터 하우징의 4개의 나사 구멍(171, 171')에 나사 결합된 경우에 적용된다.측면들(12, 12')은 제2 굽힘선(B, B')에 상응하는 각자의 굽힘 에지에 의해 접힌 상태에서도 단부면(11, 11') 위로 돌출한다.마찬가지로 파선으로 도시된 제1 및 제4 굽힘선(A, A', A", D, D')에서는 판금부(1')가 직각으로 구부러진다. 제4 굽힘선(D, D')에서 직각으로 구부러짐으로써 각각 플랜지(17, 17')가 형성되고, 이들 플랜지는 예를 들어 도면에 도시되지 않은 플러그 커넥터 하우징 상에 또는 그 내부에 고정하는 데 이용될 나사 구멍(171, 171')을 갖는다. 판금부(1')가 제1 굽힘선(A, A', A")을 중심으로 직각으로 절곡됨으로써 기본 프레임의 폐쇄 형상이 제공되고, 이로써 기본 프레임은 보강 영역(14, 14')에 의해 보강되면서 단부면(11, 11') 및 측면(12, 12')으로 형성된다. 이러한 직각 절곡 과정은, 뺨 영역이 기본 프레임 외부에, 즉, 기본 프레임의 측면들(12, 12')의 외부면에 배치되도록 수행된다.기본 프레임의 폐쇄 형상을 고정하기 위해서는, 제2 측면(12')이 제1 단부면(11)에, 예를 들면 접착, 용접, 납땜, 나사 결합, 리벳 체결 등에 의해 고정되어야 한다. 특히, 이와 같은 고정은 복수의 용접점을 설정함으로써 실행된다.본 실시예에 따른 보유 프레임은 오로지 단 하나의 일체형 펀칭 굽힘부로부터 형성될 수 있기 때문에, 제1 또는 제2 판금부(1, 1')는 보유 프레임(4)의 기계적 제조에 특히 적합하다.본 실시예에서, 보강되지 않은 제1 단부면(11)이 기본 프레임의 제1 단부를 형성한다. 보강되지 않은 제2 단부면(11)은 또한 기본 프레임의 제2 단부를 형성한다. 상기 양 단부는, 이들로부터 직각으로 구부러지며 각각 관련 보강 영역(14, 14')에 의해 보강되는 2개의 측면(12, 12')과 함께 기본 프레임을 형성한다.도 2a 및 도 2b는, 제2 실시예에서 2개의 또 다른 판금부(2, 2'), 다시 말해 제3 판금부(2) 및 제4 판금부(2')를 보여준다. 본 실시예에서 상기 두 추가 판금부(2, 2')는 윈도우(231, 231')의 크기를 제외하고는 서로 동일한 형태일 수 있으며, 이는 또한 상기 판금부의 제조 공정을 간소화한다.상기 2개의 또 다른 판금부(2, 2')는 각각,- 제1 굽힘선(A, A')에 의해 제1 단부면(21, 21')과 경계를 이루고, 상기 제1 굽힘선(A, A')의 방향으로 단부면(21, 21')을 넘어 돌출하는 하나의 측면(22, 22')과,- 일측은 제2 굽힘선(B, B')에서 측면(22, 22')에 인접하고, 타측은 제한선(E, E')에 의해 제한되는 보강 영역(24, 24')과,- 제3 굽힘선(C, C')에서 상기 측면(22, 22')에 인접하는 제2 단부면(25, 25')과,- 체결 윈도우(231, 231')를 각각 하나씩 갖는 4개의 독립 탭(23, 23')으로서, 이들 탭(23, 23')은 슬롯(28, 28')에 의해 상호 분리되어 있고, 이들 탭(23, 23')의 개수 및 그에 상응하는 슬롯(28, 28')의 개수는 예로서 선택된 것이며, 이 경우 제3 판금부(2)에 속하는 4개의 탭(23)에 형성된 체결 윈도우(231)가 제4 판금부(2')에 속하는 다른 4개의 탭(23')에 형성된 체결 윈도우(231')보다 더 크고, 특히 더 넓은, 탭들과,- 제4 굽힘선(D, D')에 의해 제1 단부면(21, 21')에 인접하고, 나사 구멍(271, 271')을 갖는 플랜지(27, 27')를 포함한다.파선으로 도시된 제2 굽힘선(B, B')에서는, 제3 또는 제4 판금부(2, 2')가 각각 180°만큼 제1 방향으로 접힌다. 그럼으로써, 각각의 측면(22, 22')을 상응하게 보강하기 위해, 각각의 보강 영역(24, 24')이 측면들(22, 22') 중 각각 하나에 놓이게 된다. 이로써, 파선으로 도시된 제한선(E, E')은, 탭(23, 23')이 차후 개별 측면(22, 22')을 넘어 돌출하기 시작하는 한계점을 형성한다.이때, 개별 보강 영역(24, 24')은 공통된 굽힘선에서만, 다시 말해 제2 굽힘선(B, B')에서만 관련 측면(22, 22')과 연결되며, 그에 상응하게 다른 방식으로는,즉, 접착, 납땜, 용접, 리벳 체결 등의 방식으로는 관련 측면에 고정되지 않는다. 그럼으로써, 탭들(23, 23')이 상응하게 높은 유연성을 갖게 되는데, 그 이유는 이들 탭이 자신의 전체 길이에 걸쳐, 다시 말해 보강 영역(24, 24') 안쪽으로 측면(12, 12')으로부터 각자 구부러질 수 있기 때문이다. 따라서, 슬롯(28, 28')의 길이에 의해 탭(23, 23')의 길이 및 이와 더불어 원하는 탄성도 조정될 수 있다.탭(23, 23')과 보강 영역(24, 24')을 통틀어 뺨 영역이라 지칭하며, 상기 뺨 영역에는 편의상 도면 부호가 부여되어 있지 않다. 따라서, 뺨 영역은 6개의 슬롯(28, 28')에 의해 대체로 동일한 크기의 간격으로 분할되고, 이로 인해 탭들(23, 23')이 형성됨에 따라, 상기 탭들(23, 23')의 길이는 슬롯들(28, 28')의 길이에 상응하게 된다. 이와 연계하여, "대체로"라는 개념은, 슬롯(28, 28') 및 이와 더불어 탭(23, 23')도 제한선(E, E')을 초과하여 개별 보강 영역(24, 24') 내부까지 연장되지긴 하나 바람직하게는 제2 굽힘선(B, B') 앞에서 끝난다는 의미로 이해될 수 있다. 다른 말로 하면, 보강 영역(24, 24')의 적어도 일부가 탭(23, 23')으로 형성된다. 그럼으로써, 탭(23, 23') 뿐만 아니라 보강 영역(24, 24')에도 귀속될 수 있는 중첩 영역, 즉 제한선(E, E')과 제2 굽힘선(B, B') 사이에 놓인 탭(23, 23')의 영역이 존재하게 된다. 따라서 상기 중첩 영역이 2중 기능을 갖게 되는데, 그 이유는 이 중첩 영역이 한 편으로는 기본 프레임의 안정성을 증대시키고, 다른 한 편으로는 외부로 작용하는 힘에 대한 탭(23, 23')의 탄성을 증대하는 역할을 하기 때문이다. 특히 이는, 보유 프레임이 플러그 커넥터 하우징 내부에 고정 장착된 경우, 예를 들어 플러그 커넥터 하우징의 4개의 나사 구멍(271, 271')에 다사 결합된 경우에 적용된다.측면들(22, 22')은 제2 굽힘선(B, B')에 상응하는 각자의 굽힘 에지에 의해 접힌 상태에서도 각각의 제1 단부면(21, 21') 위로 돌출한다.마찬가지로 파선으로 도시된 제1, 제3 및 제4 굽힘선(A, A', C, C', D, D')에서는, 상기 두 판금부(2, 2')가 직각으로 구부러진다. 제1 굽힘선(A, A') 및 제3 굽힘선(C, C')을 중심으로 하는 상기 두 판금부(2, 2')의 직각 절곡은 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 실시되며, 각각 측면(22, 22'), 제1 단부면(21, 21') 및 제2 단부면(25, 25')으로 형성되는, 판금부(2, 2')의 U자 형상을 보장한다. 그럼으로써, 뺨 영역은 하나의 외부면에, 다시 말해 각각의 측면(22, 22')에서 구부러진 단부면(21, 25, 21', 25')으로부터 먼 쪽을 향하는 면에 배치된다. 제4 굽힘선(D, D')에서 직각으로 구부러짐으로써 각각 플랜지(27, 27')가 형성되고, 이들 플랜지는 예를 들어 도면에 도시되지 않은 플러그 커넥터 하우징 상에 또는 그 내부에 고정하는 데 이용될 나사 구멍(271, 271')를 갖는다.도 2c 및 도 2d는, 2개의 변형된 판금부(2", 2'''), 즉 제5 판금부(2") 및 제6 판금부(2''')를 도시한다. 상기 2개의 변형된 판금부(2", 2''')는, 이들 판금부가 자신의 각각의 제2 단부면(25, 25')에서 각각 또 다른 관련 제5 굽힘선(F, F')에 걸쳐 상응하는 나사 구멍(291, 291')을 갖는 추가 보강 플랜지(29, 29')를 구비한 점에서 제3 판금부(2) 또는 제4 판금부(2')와 상이하다.도 3a는, 2개의 또 다른 판금부(2, 2'), 즉 제3 판금부(2) 및 제4 판금부(2')가 절곡된 상태를 보여주며, 이로써 상기 판금부들은 각각 전술한 U자 형상을 가지고, 이로 인해, 예를 들어 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 판금부들이 서로에 대해 판금 두께만큼 오프셋되어, 상기 판금부의 제1 단부면(21, 21')과 제2 단부면(25', 25)이 각각 적층되고 서로 넓은 면에 걸쳐 접착, 납땜, 용접, 리벳 체결 또는 나사 결합 또는 다른 방식으로 고정될 수 있도록, 서로에게 슬라이딩됨으로써, 함께 하나의 보유 프레임으로 합쳐질 수 있다.한 편으로는 이러한 방식으로 보유 프레임이 단부면(21, 21')의 영역에서 보강된다. 보강된 제1 단부면(21)은 제1 단부를 형성한다. 보강된 제2 단부면(25)은 제2 단부를 형성한다. 다른 한 편으로는, 양측 단부들과, 개별 보강 영역(24, 24')에 의해 보강된 양측 측면(22, 22')으로 기본 프레임이 형성되고, 이 기본 프레임은, 제1 단부면들(21', 21)에 제2 단부면들(25, 25')이 넓은 면에 걸쳐 고정되고 그로 인해 매우 안정적으로 폐쇄됨으로써 뛰어난 강도를 갖게 된다. 특히 이는, 보유 프레임이 플러그 커넥터 하우징 내부에 고정 장착된 경우, 예를 들어 플러그 커넥터 하우징의 4개의 나사 구멍(271, 271')에 나사 결합된 경우에 적용된다. 또한, 상기 기본 프레임은 자신의 측면들(22, 22')의 영역에서, 특히 외부로 작용하는 힘에 대하여 개별 보강 영역(24, 24')에 의해 안정화된다.다시 말해, 특히 보유 프레임이 플러그 커넥터 하우징 내부에 고정 장착된 경우, 예를 들어 플러그 커넥터 하우징의 4개의 나사 구멍(271, 271')에 나사 결합된 경우, 상기와 같이 형성된 기본 프레임은 자신의 폐쇄 형상뿐만 아니라 자체 재료의 보강에 의해서도, 단부면 및 측면(22, 22', 21, 21')에서 매우 큰 강도를 갖는다. 그에 반해, 탭들(23, 23')은 관련 슬롯(28, 28')의 길이에 상응하는 자신의 전체 길이에 걸쳐, 보강되지 않은 상태에서 관련 측면(22, 22')으로부터 벌어지도록 구부러질 수 있고, 이로 인해 기본 프레임을 기준으로 외부로 작용하는 힘에 대해 매우 큰 탄성을 갖는다. 예를 들어, 특히 플러그 커넥터 하우징 내부에 장착되거나 다른 방식으로 자신의 나사 구멍(271, 271')에 고정된 보유 프레임의 경우, 측면(22')을 특정 경로 길이만큼 외부로 가압하기 위해서는, 탭(23')에서보다 더 큰 힘이 측면(22')에 작용해야 한다.더 나아가, 보유 프레임이 2개 초과의 부재로 구성되는, 도면에 도시되지 않은 또 다른 실시예도 고려될 수 있다. 예를 들어, 상기 부재는 플랜지 및 보강면으로 구성될 수 있으며, 이 경우 플랜지는 차후 보강면으로부터 직각으로 구부러진다. 상기 보강면은 차후 바람직하게 일체형 기본 프레임의 일 단부면에, 예를 들면접착, 납땜, 용접, 리벳 체결 또는 나사 결합에 의해 고정된다. 또 다른 한 부재는 차후 예를 들어 뺨 영역을 형성할 수 있다. 이 추가 부재는 차후 기본 프레임의 한 쪽 측면에 고정될 수 있다. 하지만 이 경우, 상기와 같은 고정에도 불구하고 탭들은 자신의 전체 길이에 걸쳐 관련 측면으로부터 벌어지도록 구부러질 수 있는 점에 최대한 주의해야 한다.도 3b는, 도 3a와 비교할 수 있도록, 2개의 변형된 판금부(2", 2'''), 즉 제5 판금부(2") 및 제6 판금부(2''')가 각각 절곡된 상태를 보여준다. 상기 2개의 변형된 판금부(2", 2''')는, 이들 2개의 변형된 판금부(2", 2''')가 이들의 제2 단부면(25, 25')에서 각각 관련 나사 구멍(291, 291')을 가지며 직각으로 꺾인 보강 플랜지(29, 29')를 구비한 점에서, 다른 절곡 모듈(2, 2')과 상이하다.본 도면에서는, 상기 두 변형 절곡 판금부(2", 2''')의 결합 시, 각각의 플랜지(27, 27')와 보강 플랜지(29, 29')가 제1 및 제2 단부면(21, 21', 25, 25')과 마찬가지로 서로 편평하게 중첩되어, 예를 들어 접착, 납땜, 용접, 리벳 체결 또는 나사 결합에 의해 서로 고정될 수 있다는 점을 쉽게 알 수 있다.도 4a 및 도 4b는, 보유 프레임 내부에 삽입될 수 있는 모듈(3)의 한 가능한 구조적 형상을, 상이한 관찰 방향에서, 그러나 각각 모듈의 삽입측을 바라보고 도시한 것이다. 물론 유사한 구조 형상의 다른 모듈들도 가능하다.모듈(3)은 제1 종방향 측면(32)에, 제1 체결 윈도우(131, 231, 431) 내에 체결되기 위해 제공된 제1 체결 러그(31)를 갖는다. 모듈(3)은 상기 제1 종방향 측면(32)의 반대편에 놓인 제2 종방향 측면(32')에 제1 체결 러그보다 좁은 제2 체결 러그(31')를 갖는다. 또한, 모듈은 매우 콤팩트하게 형성되며, 이는 모듈의 내열성을 개선한다. 체결 러그(31, 31')의 형상 및 윈도우(131, 131', 231, 231', 431, 431')의 형상에 의해, 보유 프레임 내에서의 모듈(3)의 배향이 결정된다.도 5는 도 2a, 도 2b 및 도 3에 도시된 바와 같이, 2개의 또 다른 판금부(2, 2'), 즉 제3 판금부(2) 및 제4 판금부(2')로 형성된 보유 프레임을 보여준다. 이 보유 프레임은 다른 실시예에서는 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이 단 하나의 제1 판금부(1, 1')로도 형성될 수 있고, 또는 대안적으로 복수의 개별 부재, 즉 2개 이상의 개별 부재로 형성될 수도 있다.상기 보유 프레임은, 횡단면으로 볼 때 직사각형인 기본 프레임으로 형성된 제1 영역(B1)과, 외부에 놓인 2개의 뺨 영역으로 형성된 제2 영역(B2)을 갖는다. 제1 영역(B1)은 기본 섹션으로서 간주될 수 있다. 제2 영역(B2)은 변형 섹션으로서 간주될 수 있다.뺨 영역들이 이들의 개별 보강 영역(24, 24')으로써 기본 프레임을 외부로 작용하는 힘에 대항하여 보강하지만, 외부를 향해 보강되지 않더라도 벌어지도록 구부러질 수 있음을 쉽게 알 수 있다. 특히, 탭들(23, 23')은 이들의 중첩 영역을 포함해서 서로 독립적으로 비교적 적은 힘으로 바깥쪽으로 벌어지게 구부러질 수 있다.바람직하게, 플러그 커넥터 하우징 내부에 장착된, 다시 말해 플러그 커넥터 하우징의 나사 구멍(271, 271')에 고정된 기본 프레임이, 예를 들어 그의 측면들(22, 22')의 중앙에서는, 탭(23, 23')을 상기 기본 프레임의 윈도우 영역에서 동일한 경로 길이만큼 바깥쪽으로 이동시키기 위해 필요한 힘보다 더 큰 힘으로, 바깥쪽으로 편향된 부분에 맞설 수 있다. 도면에 도시된 관점에서는 제2 측면(22')만을 볼 수 있는데, 그 이유는 보강 영역(24) 및 상응하는 탭(23)을 갖는 뺨 영역에 의해 제1 측면(22)이 가려져 있기 때문이다. 그와 달리, 양측 단부면(21, 21')은 적어도 부분적으로 볼 수 있다. 개별 단부면(21, 21')의 끝에서 각각 2개의 나사 구멍(271, 271')을 가진 플랜지(27, 27')가 구부러져 있다. 이로써, 각각의 측면(22, 22')은 관련 보강 영역(24, 24')에 의해, 제2 굽힘 에지(B, B')에서 수행된 절첩에 의해 보강된다. 따라서, 보강 영역(24, 24')의 일부는 탭들(23, 23')의 중첩 영역으로 형성된다. 측면(22, 22') 및 보강 영역(24, 24')은 제2 굽힘선(B, B')에 상응하는 자신들의 굽힘 에지에 의해 각각 단부면(21') 끝을 넘어 돌출한다.도 3으로부터도 알 수 있는 바와 같이, 제1 단부면(21, 21')은 각각 다른 판금부(2, 2')의 제2 단부면(25, 25')과 서로 결합됨으로써 보강되며, 이로써 각각 제1 또는 제2 단부를 형성한다. 그 대안으로 보유 프레임이 일체형인 경우, 다시 말해 단 하나의 판금부(1)로 형성된 경우에는, 예를 들어 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 제1 단부면은 각각 인접하는 보강면(15, 15')으로부의 절첩에 의해서도 형성될 수 있다. 이를 위해, 한 대안적인 실시예에서는, 하나의 보강면도 별도의 부품으로서 단부면에 접합될 수 있으며, 이 경우 플랜지는 바람직하게 보강면으로부터 직각으로 꺾일 수 있다.따라서, 제1 영역(B1), 즉 기본 프레임은 여러 가지 이유에서 제2 영역(B2)보다 큰 강도를 갖는다. 제1 영역(B1)은, 한 편으로는 양측 판금부(2, 2')의 제1 및 제2 단부면(21, 25', 21', 25)의 넓은 면에 걸친 연결에 의해 구현된 자신의 폐쇄 형상으로 인해, 다른 한 편으로는 적어도 부분적으로 제2 영역(B2)을 이용하여, 즉 탭들(23, 23')의 중첩 영역을 이용하여 수행되는 상기 제1 영역(B1)의 보강에 의해, 상기와 같은 강도를 갖는다. 특히, 제1 영역(B1)과 제2 영역(B2)이 서로 상이한 경우에는 이들의 기능에도 주목해야 한다. 기본 프레임, 즉 제1 영역(B1)은 보강 영역에 의해서, 그리고 이와 더불어 탭들(23, 23')의 중첩 영역에 의해서도, 즉, 제2 영역(B2)의 일부분에 의해서도, 즉 상기 제2 영역의 보강 영역(24, 24')에 의해서도 안정화된다. 특히 기본 프레임은 자신에 제공된 기능, 즉 모듈(3)을 지지하는 기능에 상응하게, 외부로 작용하는 힘에 대하여 상기 보강에 의해 매우 큰 힘으로 맞선다. 특히 이는, 보유 프레임이 플러그 커넥터 하우징 내부에 고정 장착된 경우, 예를 들어 4개의 나사 구멍(271, 271')에 나사 결합된 경우, 또는 다른 방식으로 플러그 커넥터 하우징의 나사 구멍(271, 271')에 고정된 경우에 적용된다.제2 영역(B2)은 뺨 영역으로 형성되고, 보강되지 않은 탭들(23, 23')을 포함하며, 이로 인해 프레임을 기준으로 바깥쪽을 향해 탭(23, 23')에 작용하는 힘에 대하여 제2 영역, 즉 기본 프레임보다 훨씬 더 작은 탄성 계수로 맞선다. 이로써, 제2 영역(B2)은 제1 영역(B1)보다 훨씬 더 높은 탄성을 가질 수 있다. 다른 말로 하면, 보유 프레임은 예를 들어 내부로부터 탭들(23') 중 하나를 향해 가압하는 힘보다, 내부로부터 자신의 제2 측면(22')을 향해 작용하는 힘에 대해 훨씬 더 큰 탄성 계수를 갖는다. 이는 특히, 내부로부터 측면(22, 22')을 향해 가압하는 힘에 대하여, 개별 측면(22, 22')의 탄성 계수 및 외부에 놓인 뺨 영역의 보강 영역(24, 24')의 탄성 계수가 가산되어 총 탄성 계수가 된다는 사실에 의해 설명된다. 따라서, 상기 총 탄성 계수는 당연히 각각의 개별 측면(22, 22')의 탄성 계수보다 더 크다.이때, 탭(23, 23')의 개수, 즉 본 경우에 8개는 예시로서 선택된 것이며, 보유 프레임은 예를 들어 6개, 10개, 12개 혹은 14개 또는 다른 짝수개의 탭(23, 23')을 가질 수 있다. 절반의 탭, 즉 본 경우에는 보유 프레임의 제1 측에 놓인 4개의 탭(23)이 보유 프레임의 다른 측에 있는 다른 4개의 탭(23')보다 더 큰, 특히 더 긴 윈도우(231)를 가지며, 상기 탭의 윈도우(231')는 처음에 언급한 윈도우(231)보다 비교적 더 작고, 특히 더 좁으며, 그에 상응하게 다른 형상도 갖는다. 특히, 모듈(3)의 제1 체결 러그(31)는 도 4a에 예로서 도시되어 있는 바와 같이, 더 큰 윈도우(231) 내에 형상 결합 방식으로 삽입될 수 있고, 제2 체결 러그(31')는 도 4b에 예로서 도시되어 있는 바와 같이 더 작은 윈도우(231') 내로 삽입될 수 있다. 그럼으로써, 보유 프레임 내에서의 개별 모듈(3)의 배향이 결정된다.다시 말해, 체결 러그(31, 31')는 형상 결합 방식으로 개별 체결 윈도우(231, 231') 내부에 매칭되거나, 적어도 모듈(3)이 체결 윈도우에 의해 보유 프레임 내에 고정될 수 있도록 개별 체결 윈도우(231, 231') 내부로 삽입될 수 있다.예를 들어, 도 5에는 모듈(3)을 상기 모듈의 케이블 단자를 바라보고 도시한 모습이 도시되어 있다. 모듈(3)의 체결 러그(31)가 체결 윈도우(231)에 의해 파지됨으로써, 모듈(3)이 보유 프레임 내에 체결된다. 또한, 탭들(23, 23')이 이들의 독립 단부 쪽으로 가면서 약간 벌어져서 구부러져 있는 점도 알 수 있으며, 이는 상기와 같은 모듈(3)의 삽입 안내를 더욱 용이하게 한다.따라서, 모듈(3)은 매우 단단하고 안정적인 제1 영역(B1), 즉, 기본 프레임에 의해 자신의 자리에 매우 안정적으로 보유된다. 또한, 기본 프레임이 자신의 측면(22, 22') 영역에서 굽힘 에지(B)로써 단부면(21, 21')의 끝을 넘어 돌출하여 특히 강한 레버 작용을 유도함으로써, 모듈이 안정화된다. 이로 인해, 보유 프레임은 모듈(3)을 상기 모듈의 종방향 측면(32, 32')의 넓은 면에 걸쳐 보유한다.또한, 이로 인해 모듈(3)은 매우 쉽게 조작할 수 있게 탭들(23, 23') 내부에 체결되는데, 이 경우 탭들은 자체 탄성으로 인해 체결뿐만 아니라 체결 해제를 위해서도 매우 적은 힘만으로도 용이하게 벌어질 수 있다. 특히, 모듈을 체결하는 탭들(23, 23')은, 개별 모듈을 다시 다른 모듈들과 무관하게 체결 해제하여 다시 릴리스하기 위해, 각자 서로 벌어지도록 구부러질 수 있다.보유 프레임의 탭들(23, 23')이 이들의 독립 단부 영역에서 보유 프레임으로부터 용이하게 벌어지면서 구부러지기 때문에, 모듈(3)은 매우 편안하게 보유 프레임 내부로 삽입 안내될 수 있다. 이를 위해, 모듈(3)이 먼저 보유 프레임의 2개의 탭(231, 231') 사이로 삽입되고, 그 다음에 상기 모듈의 양측 종방향 측면(32, 32') 및 특히 상기 종방향 측면들에 일체로 형성된 체결 러그(31, 31')에 의해, 탭(23, 23')의 서로 벌어지는 단부 영역을 따라 슬라이딩된다. 그럼으로써, 양측 탭(23, 23')은, 개별 체결 러그(31, 31')가 개별 탭(23, 23')의 관련 체결 윈도우(231, 231')에 의해 파지되어 그 내부에 체결될 때까지, 잠시 서로 벌어져 있게 된다. 체결 러그(31, 31')가 개별 체결 윈도우(231, 231') 내에 파지되면, 탭들(23, 23')은 바람직하게 이들의 출발 위치로 복귀한다. 이와 같은 방식으로, 모듈(3)은 보유 프레임 내에서 개별적으로 체결되거나 제거될 수 있다. 그와 동시에, 개별 모듈(3)은 보유 프레임 내에서 특히 안정적이고 단단한 제1 영역(B1), 즉 보강된 기본 프레임에 의해 큰 힘으로 보유된다. 따라서, 보유력과 작동력 간의 매우 양호한 비율이 달성된다. [ 부호의 설명 ] 1: 제1 판금부1': 제2 판금부2: 제3 판금부2': 제4 판금부2": 제5 판금부2''': 제6 판금부11, 11': 단부면21, 21': 제1 단부면25, 25': 제2 단부면12, 12', 22, 22': 측면13, 13', 23, 23': 탭131, 131', 231, 231': 체결 윈도우14, 14', 24, 24': 보강 영역15, 15', 45': 보강면17, 17', 27, 27': 플랜지29, 29': 보강 플랜지171, 171', 271, 271': 나사 구멍18, 18', 28, 28': 슬롯3: 모듈31, 31': 제1, 제2 체결 러그32, 32': 제1, 제2 종방향 측면A, A', B, B', C, C', C", C''', D, D', F, F': 굽힘선E, E': 제한선	본 발명은 플러그 커넥터용 보유 프레임에 관한 것으로서, 이 보유 프레임은 양호한 내열성 및 높은 기계적인 강인성을 가져야 하며, 금속성 플러그 커넥터 하우징 내부에 장착될 때 보호 접지(protective earthing)를 가능하게 해야 하는 동시에, 특히 개별 모듈(3)의 교체 중에 편안한 조작 가능성도 보장해야 한다. 이를 위해, 보유 프레임을 적어도 부분적으로 탄성 판금으로 제작하는 점이 제안된다. 판금의 탄성으로 인해, 모듈(3)을 개별적으로 매우 용이하게 삽입하거나 제거할 수 있다. 보유력과 작동력의 매우 바람직한 조합을 달성하기 위해, 판금을 특정 영역에서 구부릴 수 있고, 그리고/또는 접을 수 있으며, 그럼으로써 국부적으로 목적에 맞게 보강할 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 플러그 타입 커넥터용 보유 프레임HOLDING FRAME FOR A PLUG-TYPE CONNECTOR [ 기술분야 ] 본 발명은 주(主) 독립 청구항 1의 전제부에 따른 보유 프레임에 관한 것이다.또한, 본 발명은 대등한 독립 청구항 9의 전제부에 따른 방법과도 관련이 있다.상기와 같은 보유 프레임은, 복수의 동종 모듈들 및/또는 이종 모듈들을 수용하기 위해 필요하다. 이와 같은 모듈은, 예를 들어 전자식 및 전기식 접촉, 그리고 가능하다면 광학식 및/또는 압축 공기식 접촉을 위한 접촉 캐리어(contact carrier)로서 제공되는 절연체일 수 있다. 특히 중요한 사실은, 보유 프레임이 예를 들어 모듈이 장착된 보유 프레임을 금속성 플러그 타입 커넥터 하우징 내부로 삽입하기 위하여 플러그 타입 커넥터 규격 EN61984의 규정에 따른 보호 접지(protective earthing)를 가능하게 한다는 것이다. [ 배경기술 ] EP 0 860 906 B1호로부터, 플러그 커넥터 모듈을 보유하고, 플러그 커넥터 하우징 내부에 설치하거나 벽면에 나사 연결하기 위한 보유 프레임이 공지되어 있으며, 이 경우 플러그 커넥터 모듈은 보유 프레임 내부로 삽입되고, 플러그 커넥터 모듈들에 있는 보유 수단이 보유 프레임의 마주 놓인 벽부들(측면들)에 제공된 리세스들과 상호 작용하며, 이 경우 리세스들은 보유 프레임의 측면에 전면이 폐쇄된 개구로서 형성되며, 이 경우 보유 프레임은 서로 조인트로 연결된 2개의 절반부로 구성되며, 이 경우 보유 프레임의 분리는 프레임의 측면들에 대해 횡방향으로 수행되고, 이 경우 조인트는 보유 프레임의 고정 단부들 내에서, 보유 프레임을 고정면 위에 나사 결합할 때, 보유 프레임의 측면들이 상기 고정면에 대해 직각으로 정렬되는 방식으로 프레임 부분들이 정렬되고, 플러그 커넥터 모듈은 보유 수단을 통해 보유 프레임과 형상 결합 방식으로 연결되도록 배치된다. 실제로 이러한 보유 프레임은 통상 다이캐스팅 방법으로, 특히 아연 다이캐스팅 방법으로 제조된다.EP 2 581 991 A1호는 2개의 프레임 절반부를 갖는 플러그 커넥터 모듈용 보유 프레임을 개시하며, 상기 프레임 절반부들은 하나의 프레임 절반부를 다른 프레임 절반부에 대해 상대적으로 하나의 슬라이딩 방향으로 선형 이동시킴으로써 서로 체결될 수 있고, 이 경우 이들 프레임 절반부에는 각각 서로 상보적인 체결 수단들이 제공되며, 이들 체결 수단은 선형 운동 시 양측 프레임 절반부가 2개의 상이한 체결 위치에서 서로 체결되도록 하며, 상기 체결 위치에서는 프레임 절반부들이 상이한 간격으로 서로 이격되어 있다.하지만 사실상 이와 같은 보유 프레임은 조립 시 복잡한 조작을 필요로 하는 것으로 밝혀졌다. 예를 들어, 이와 같은 보유 프레임은, 단 하나의 모듈만 교체하면 되는 경우에도, 플러그 커넥터로부터 나사 결합을 풀어야 하고, 그리고/또는 체결 해제되어야 한다. 이 경우, 전혀 제거하지 않아도 되는 다른 모듈들도 보유 프레임으로부터 이탈될 가능성이 있고, 차후 프레임 절반부들을 나사 결합하기 전에 그리고/또는 체결하기 전에 다시 보유 프레임 내에 삽입되어야 할 수 있다. 결국, 프레임 절반부들의 결합 시 최종적으로 보유 프레임 내부에 고정되도록 하기 위해서는, 프레임 절반부들을 결합하기 전에 미리 모든 모듈이 동시에 이들 모듈을 위해 제공된 위치에 있어야 하며, 이는 조립을 어렵게 만든다.EP 1 801 927 B1호는, 일체형의 플라스틱 사출 성형부로 형성된 보유 프레임을 개시한다. 이 보유 프레임은 주변을 둘러싸는 칼라(collar)로서 형성되고, 자신의 삽입측에 슬롯들에 의해 분리된 복수의 벽 세그먼트를 갖는다. 서로 마주 놓인 2개의 벽 세그먼트 각각은 플러그 모듈을 위한 삽입 영역을 형성하며, 이 경우 벽 세그먼트는 윈도우 형상의 개구를 가지고, 이들 개구는 모듈의 좁은 측에 형성된 돌출부를 파지하는 데 이용된다. 또한, 벽 세그먼트 내에는 가이드 홈(guide groove)이 각각 하나씩 제공되어 있다. 가이드 홈은 개구 상부에서 외부로 변위된 윈도우 웨브(window web)를 이용하여 형성되고, 이 윈도우 웨브는 내부면에 삽입 경사면을 갖는다. 추가로, 플러그 모듈이 체결 암을 가지며, 이들 체결 암이 좁은 측에서 케이블 단자의 방향으로 작용하도록 일체로 형성되고, 측방 칼라 벽(collar wall) 아래에서 체결됨으로써, 2개의 독립적인 체결 수단이 플러그 커넥터 모듈들을 보유 프레임 내부에 고정시킨다.상기 선행 기술에서의 단점은, 한 편으로는 종래 방식에 따라 예를 들어 PE-접촉에 의한 보호 접지를 위해, 그래서 금속성 플러그 커넥터 하우징 내부에 설치하기에 적합하지 않은, 플라스틱으로 형성된 보유 프레임이 사용된다는 것이다. 하지만, 금속성 플러그 커넥터 하우징의 사용은 이와 같은 보호 접지를 전제로 하고, 예를 들어 보호 접지의 기계적인 강인성, 온도 안정성 및 보호 접지의 전기적 차폐 특성 때문에 여러 용례에서 필요하므로 고객들의 수요가 존재한다. 또한, 전술한 플라스틱 보유 프레임을 사출 성형 방법으로 제조하는 것은 적어도 어렵기도 하고, 실현하기가 간단하지 않다는 사실도 밝혀졌다. 마지막으로, 예를 들어 용광로 가까이에서 사용되는 경우와 같은 특별한 용도에 있어서 상기와 같은 플라스틱 보유 프레임의 내열성도 항상 불충분하다. 최종적으로, 플라스틱 재료 및 형상, 특히 관련 지점들에서의 보유 프레임의 강도는 우선적으로 가요성에 대한 요건에 의해 결정되고, 온도 안정성에 대한 요건에 의해서 결정되지는 않는다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명의 과제는, 한 편으로는 양호한 내열성 및 높은 기계적 강인성을 가지며, 특히 금속성 플러그 커넥터 하우징 내부에 장착될 때에도 상응하는 보호 접지, 특히 PE("Protection Earth")-보호 접지를 가능하게 하고, 다른 한 편으로는 특히 개별 모듈의 교체 중에 편안한 조작 가능성도 보장하는, 보유 프레임을 위한 구조적 형상을 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 과제는, 서문에 언급된 유형의 보유 프레임을 구비하는 제1 양태에서, 주 독립 청구항 1의 특징부의 특징들에 의해서 해결된다.제2 양태에서, 상기 과제는, 서문에 언급된 유형의 방법에서 대등한 독립 청구항 9의 특징부의 특징들에 의해서 해결된다.상기와 같은 보유 프레임은 중공업 플러그 타입 커넥터 분야에서 사용될 수 있고, 적어도 부분적으로 전기 전도성 재료로 이루어질 수 있다. 그럼으로써, 경우에 따라서는, 예를 들어 보유 프레임이 PE-접촉부를 구비하거나 보유 프레임에 적어도 이와 같은 PE-접촉부가 장착됨으로써 실현될 수 있는 보호 접지가 가능해진다.보유 프레임은, 적어도 부분적으로 상이한 재료로 형성된 기본 섹션 및 변형 섹션을 구비한다. 기본 섹션은 수용된 모듈을 하나의 평면에 고정시키기 위해서 이용된다. 변형 섹션은 삽입 상태 및 보유 상태를 취할 수 있으며, 이 경우 삽입 상태는 하나 이상의 모듈이 평면에 대해 횡 방향으로 보유 프레임 내부로 삽입될 수 있게 하며, 이 경우 수용된 모듈은 보유 상태에서 고정된다.보유 프레임은 예를 들어 기본 섹션으로서의 기본 프레임 및 하나 이상의, 바람직하게는 2개의 뺨 부분을 변형 섹션으로서 구비할 수 있다. 이때, 기본 프레임은 뺨 부분들과 다른 재료로 형성될 수 있고, 이로써 바람직하게는 뺨 부분들보다 더 낮은 탄성 및 이로써 더 큰 강도를 갖게 된다.변형 섹션, 특히 뺨 부분 또는 뺨 부분들은, 자신의 응력/팽창-그래프에 상응하게 기본 섹션, 특히 기본 프레임을 형성하는 재료보다 더 탄성적인, 다시 말해 더 작은 탄성 계수를 갖는 재료로 형성될 수 있다. 반대로 표현하자면, 기본 섹션의 재료는 변형 섹션을 형성하는 재료보다 더 강성일 수 있다. 예를 들어, 기본 프레임의 재료는 자신의 응력/팽창-그래프에 상응하게, 뺨 부분들을 형성하는 재료의 탄성 계수보다 더 큰 탄성 계수를 가질 수 있다.이 경우에는, 한 가지 재료가 더 많은 저항으로 자신의 탄력적인 변형에 맞설수록, 탄성 계수의 값은 그만큼 더 커진다.더 나아가, 변형 섹션을 형성하는 재료는 자신의 응력/팽창-그래프에 상응하게 기본 섹션을 형성하는 재료보다 더 큰 탄력적인 영역을 가질 수 있다.특별히, 기본 섹션, 특히 기본 프레임은 강성으로 구현될 수 있는데, 특히 이상적으로 간주 된 바로는 휘지 않게 구현될 수 있다.더 나아가, 변형 섹션, 특히 뺨 부분 또는 뺨 부분들은 탄성적으로 구현될 수 있고, 바람직하게는 탄성 판금으로 제조될 수 있다.이때, 탄성 판금이란, 특히 상응하는 복원력이 제공되는 경우의 예를 들어 가역적인 변형 가능성과 같은 탄력적인 특성을 갖는 판금, 더 상세하게 말하자면 예를 들어 스프링 강 또는 그와 대등한 재료로부터 제조된 판금으로 이해될 수 있다.본 발명의 바람직한 실시예들은 종속 청구항들에 기재되어 있다.이로써, 본 발명의 한 가지 장점은, 모듈들이 개별적으로 그리고 매우 적은 노력만을 들여서 보유 프레임 내부로 삽입될 수 있고 재차 보유 프레임으로부터 제거될 수 있다는 데 있으며, 이와 같은 장점은 특히 수동 장착을 수월하게 한다. 다시 말해, 변형 섹션, 특히 뺨 부분 또는 뺨 부분들의 탄력적인 특성은, 모듈들을 개별적으로 매우 적은 노력만을 들여서 삽입 또는 제거할 수 있게 한다. 그와 동시에, 기본 프레임은 자신의 강성에 의해서, 삽입된 모듈을 지지할 때에 반드시 필요한 기계적인 안정성을 보증해줄 수 있다.바람직하게, 하나 또는 복수의 금속 재료를 사용함으로써는, 기본 섹션, 특히 기본 프레임을 위해서뿐만 아니라 변형 섹션, 특히 뺨 부분들을 위해서도, 예를 들어 플라스틱에 비해 높은 보유 프레임의 온도 안정성 및 더 나아가서는 보유 프레임의 특히 큰 기계적인 강인성도 보증된다.하나 또는 복수의 금속 재료를 사용하는 것의 또 다른 한 가지 장점은, 보유 프레임이 전기적인 안전을 위해 보호 접지를 가능하게 한다는 것, 특히 보유 프레임이 삽입될 금속성 플러그 타입 커넥터 하우징의 PE-보호 접지를 가능하게 한다는 것이다. 이와 같은 상황은 또한 추가 장점으로서 플러그 타입 커넥터를 통해 전송되는 신호의 차폐도 보증해준다. 이 차폐는 외부로부터의 간섭 자기장을 막는 것일 수 있다. 그러나 또한 이 차폐는, 간섭파 방출을 피하거나 줄이기 위한, 다시 말해 플러그 타입 커넥터의 간섭 자기장으로부터 환경을 보호하기 위한 차폐일 수도 있다. 다른 말로 표현하자면, 모듈을 통해 전송되는 신호가 외부 간섭 자기장으로부터 보호될 뿐만 아니라, 모듈을 통해 흐르는 전류에 의해서 생성되는 간섭으로부터 주변을 보호하는 상황도 제공된다.더 나아가, 하나 또는 복수의 금속 재료를 사용하는 것의 특히 큰 한 가지 추가의 장점은, 보유 프레임이 한 편으로는 특히 열에 강하다는 것이고, 다른 한 편으로는 그럼에도 불구하고, 예를 들어 탄성 판금을 사용함으로써, 모듈들을 개별적으로 그리고 적은 노력을 들여서 보유 프레임 내부에 삽입하고 재차 제거하려는 목적을 위해 필요한 장소에서 충분히 높은 탄성을 갖는다는 것이다. 그렇기 때문에, 보유 프레임이 적합한 장소에서 탄성 판금을 구비하는 경우가 특히 큰 장점이 되는데, 그 이유는 이로 인해 보유 프레임이, 적어도 탄성의 크기가 동일한 상황에서는, 기계적인 관점에서 그 외에는 기능적으로 대등한 플라스틱 프레임보다 열에 훨씬 더 강하기 때문이다. 이와 관련된 모듈들이 구조적 형상에 있어서 그에 상응하게 콤팩트하게 구현될 수 있음으로써, 결과적으로 이들 모듈은 또한 플라스틱으로부터 제조될 수도 있고, 그럼에도 비교적 열에 강하다.특히 바람직한 경우는, 보유 프레임이 서로에 대해 상이한 탄성을 갖는 복수의 상이한 영역, 예를 들어 제1 및 제2 영역을 구비하는 경우인데, 그 이유는 보유 프레임이 이 경우에는 최고의 굽힘 하중 영역에서 의도한 바대로 더 높은 탄성 계수(section modulus)를 제공할 수 있기 때문이다. 제1 영역은 기본 섹션에 상응할 수 있다. 제2 영역은 변형 섹션에 상응할 수 있다.상기 상이한 영역들, 특히 기본 섹션 및 변형 섹션은 예를 들어 상이한 재료로 형성될 수 있고, 그에 따라 바람직하게는 상이한 재료 특성, 특히 상이한 탄성 계수를 가질 수 있다.그럼으로써, 제2 영역, 특히 변형 섹션은 특히 기본 섹션에 상응하는 제1 영역보다 높은 탄성을 가질 수 있다. 따라서, 반대로 표현하자면, 제1 영역은 제2 영역보다 큰 강성을 가질 수 있다. 특히, 제1 영역은 강성으로 형성될 수 있고, 제2 영역은 탄성적으로 형성될 수 있다. 상기와 같은 탄성 또는 강성은 한 편으로는 앞에서 이미 언급된 바와 같이 개별적으로 사용되는 재료에 의해서 달성될 수 있고/달성될 수 있거나, 다른 한 편으로는 상기 영역들, 특히 기본 섹션 및 변형 섹션의 기하학적인 형성에 의해서도 달성될 수 있다.이 목적을 위해, 제1 영역, 특히 기본 섹션은 강성의 재료로 형성될 수 있는데, 예를 들면 아연 합금 또는 알루미늄 합금 또는 구리 합금으로 형성될 수 있다. 제2 영역, 특히 변형 섹션은 탄성적인 재료로 형성될 수 있고, 이로써 예를 들어 탄성적인 강철판으로 이루어질 수 있다.제1 영역, 특히 기본 섹션은 캐스팅(casting) 방법으로, 예를 들어 아연 다이캐스팅(die casting) 방법 또는 알루미늄 다이캐스팅 방법으로 제조될 수 있거나 또한 예를 들어 구리 합금으로부터 밀링(milling)에 의해서도 제조될 수 있다. 예를 들어 제1 영역, 특히 기본 섹션은 바람직하게 주변을 둘러싸는 기본 프레임일 수 있다. 이로써, 기본 프레임은 특히 아연 다이캐스팅 부분일 수 있다. 기본 프레임은 횡단면상으로 볼 때 실질적으로 직사각형으로 형성될 수 있는데, 더 상세하게 말하자면 서로 평행하게 마주 놓인 2개의 단부면 및 상기 단부면에 대해 직각으로 서로 평행하게 마주 놓인 2개의 측면을 구비하며, 이 경우 2개의 단부면은 2개의 측면보다 짧다. 이 경우에는, 단부면뿐만 아니라 측면도 실질적으로 직사각형의 형상을 가질 수 있다.더 나아가, 제2 영역, 특히 변형 섹션은 예를 들어 하나 이상의, 바람직하게는 2개의 별도의 뺨 부분으로 형성될 수 있으며, 이들 2개의 뺨 부분 중에 각각의 뺨 부분은 바람직하게 각각 하나의 탄성 판금부로 이루어진다. 2개의 뺨 부분은 경우에 따라 동일한 재료, 특히 탄성 판금으로 이루어질 수 있고, 또한 동일한 두께를 가질 수도 있다. 예를 들어, 바람직하게 2개의 뺨 부분은 동일한 펀칭 판금으로부터 펀칭될 수 있다.각각의 뺨 부분은 실질적으로 편평하게 형성될 수 있고, 바람직하게는 직사각형의 기본 형상을 가질 수 있다. 이로써, 뺨 부분은 서로 마주 놓인 2개의 긴 에지, 즉 제1 및 제2 에지, 그리고 이들 에지에 대해 직각으로 서로 마주 놓인 2개의 짧은 에지, 즉 제3 및 제4 에지를 구비한다. 뺨 부분은 특히 규칙적인 간격을 두고 자신의 제1 에지에서 시작하는 그리고 바람직하게는 상기 제1 에지에 대해 직각으로 제2 에지의 방향으로 뺨 부분 내부로 뻗는, 바람직하게 직선의 슬롯을 구비하며, 이로써 뺨 부분 내에서는 자유롭게 돌출하는 탭이 형성된다. 더 나아가, 이들 탭 각각의 내부에는 체결 요소로서의 체결 윈도우가 배치될 수 있다. 이 체결 윈도우는, 모듈을 보유 프레임 내부에 체결하기 위하여, 삽입된 모듈의 체결 러그를 수용하기 위해 제공되어 있다. 더 나아가, 각각의 뺨 부분은 기본 프레임에 고정시키기 위하여 복수의 고정 요소, 특히 바람직하게 원 형상의 고정 리세스를 구비할 수 있다.2개의 뺨 부분 각각이 바람직하게는 기본 프레임에서 2개 측면 중 한 측면의 외부 면에 각각 고정될 수 있음으로써, 결과적으로 2개 뺨 부분의 2개의 탄성적인 탭 각각은 서로 대칭으로 서게 된다. 더 나아가, 모듈의 삽입을 용이하게 하기 위하여, 이들 탭은 자신의 단부에 이르기까지 약간 외부로, 다시 말하자면 기본 프레임으로부터 멀어지도록 그리고 이로써 상호 멀어지도록 구부러질 수 있다.기본 프레임은 상응하는 측부에, 바람직하게는 2개의 측부에 고정 수단, 예를 들어 원형의 고정 핀(fastening pin)을 구비할 수 있다. 이들 고정 수단은 관련 뺨 부분의 고정 리세스 내부에 맞물릴 수 있고, 따라서 뺨 부분은 예를 들어 체결에 의해서 그리고/또는 형상 결합 방식의 그리고 강제 결합 방식의 연결에 의해서 기본 프레임에 지지될 수 있다. 추가로 또는 그에 대해 대안적으로, 뺨 부분은 기본 프레임에서 접착, 용접, 납땜, 리벳 체결 및/또는 나사 결합에 의해서 또는 임의의 다른 고정 방식에 의해서 기본 프레임에 고정될 수 있다.관련 모듈은 실질적으로 정방형으로 형성될 수 있고, 서로 마주 놓인 2개의 단부면에서 각각 하나의 탭의 폭에 상응하는 폭을 가질 수 있다. 각각의 모듈은 바람직하게 자신의 2개의 단부면에 체결 러그를 각각 하나씩 구비하며, 이 체결 러그도 마찬가지로 실질적으로 정방형으로 구현될 수 있다. 보유 프레임의 탄성적인 탭 각각은 바람직하게 실질적으로 직사각형으로 형성될 수 있는 체결 윈도우를 구비할 수 있으며, 이 체결 윈도우는 바람직하게 상기와 같은 체결 러그를 형상 결합 방식으로 수용하기 위해서 제공되어 있다.하나의 모듈의 2개의 체결 러그는 특히 자체 길이에 의해 예를 들어 자체 형상 및/또는 자체 크기에 있어서 서로 상이할 수 있고, 보유 프레임의 양측에 있는 탭은 그에 상응하는 윈도우를 구비할 수 있으며, 이들 윈도우도 마찬가지로 서로 상이하고, 자체 크기 및/또는 자체 형상에 있어서 체결 러그들 중 각각 하나의 체결 러그에 매칭된다. 이와 같은 형상이 갖는 장점은, 이로 인해 보유 프레임 내부에서의 개별 모듈의 배향이 결정된다는 것이다. 다른 말로 표현하자면, 체결 윈도우 및 체결 러그는 자체 형상 및/또는 크기에 의해, 보유 프레임 내부에서 모듈의 방향을 설정하기 위한 코딩 수단(coding means)으로, 특히 분극 수단으로 사용될 수 있다.바람직하게, 보유 프레임의 탭들은 자유롭게 돌출하는 단부 영역에서 보유 프레임으로부터 약간 떨어져서 구부러져 있으며, 이와 같은 상황은 모듈의 삽입을 간단하게 한다. 이 경우에 보유 프레임 내부로 모듈을 삽입하는 과정은 특히 조작에 친숙한 방식으로 이루어진다. 이 목적을 위해, 모듈은 말하자면 먼저 한 보유 프레임의 2개의 탭 사이에 삽입되고, 그 다음에 자신의 2개의 단부면을 이용해서 그리고 특히 이들 단부면에 일체로 형성된 체결 러그를 이용해서 이들 탭의 상호 떨어져서 구부러진 단부 영역을 따라 슬라이딩 된다. 그럼으로써, 2개의 탭은, 개별 체결 러그가 개별 탭의 관련 체결 윈도우에 의해 수용되어 그 내부에 체결될 때까지, 짧은 시간 안에 서로 벌어지도록 구부러진다. 체결 러그를 개별 체결 윈도우 내부에 수용하는 경우에는, 탭들이 바람직하게 자신의 출발 위치로 탄성 복원된다. 이와 같은 방식으로, 모듈들은 보유 프레임 내부에 개별적으로 체결될 수 있다.그와 동시에, 모듈은 바람직하게 강성의 기본 프레임 내부에서 단단히 지지된다. 모듈의 체결 상태를 재차 해제하기 위해서는, 다만 2개의 관련 탭만 재차 서로 벌어지도록 구부러지면 된다. 그 다음에, 각각의 모듈이 개별적으로 보유 프레임으로부터 제거될 수 있는 한편, 다른 모듈은 계속해서 체결 상태를 유지한다. 이로써, 상기와 같은 방식에 의해서는, 작동력이 비교적 작은 경우에도 보유 프레임 내부에서의 모듈의 단단한 지지가 보증되며, 이와 같은 사실은 조작 가능성을 위해 특히 바람직하다.또 다른 특별한 장점은, 모듈이 전술된 구성에 의해서 이미 충분한 지지력으로 보유 프레임 내부에 지지되어 있고, 그에 상응하게 자신의 체결 러그 외에는 또 다른 체결 수단, 예를 들어 체결 암을 필요로 하지 않는다는 것인데, 그 이유는 상기와 같은 구성이 모듈의 구조적 형상을 간단하게 하고, 이로써 모듈을 제조하기 위한 노력을 현저히 줄여주며, 그와 동시에 콤팩트한 구조적 형상 그리고 이로써 모듈 및 그와 더불어 전체 플러그 타입 커넥터의 높은 내열성까지도 보증해주기 때문이다.한 실시예에서는, 상기 2개의 뺨 부분이 동일한 형태인 경우가 바람직한데, 다시 말하자면 보유 프레임이 2개의 부분으로 구현되었음에도 한 종류의 뺨 부분만 제조되면 되는 경우가 특히 바람직하며, 이와 같은 상황은 제조 노력을 더욱 줄여준다.다른 한 바람직한 실시예에서는, 2개의 뺨 부분이 자체 체결 윈도우의 크기 및/또는 형상에 의해서 서로 상이하다. 이와 같은 실시예가 갖는 장점은, 이로 인해 그에 상응하게 또한 2개의 상이한 체결 러그를 구비하는 개별 모듈의 배향이 결정되어 있다는 것이다. 다른 말로 표현하자면, 이로써 체결 윈도우 및 체결 러그는 자체 형상에 의해서 모듈의 방향을 설정하기 위한 코딩 수단으로서 이용될 수 있다.보호 접지(PE)를 위해 보유 프레임에는 상응하는 PE-모듈이 장착될 수 있으며, 이 PE-모듈은 예를 들어 전기 전도성 접지 클립을 통해서, 상기 접지 클립에 연결된 접지 케이블과 적어도 부분적으로 전기 전도성인, 특히 금속 보유 프레임 간에 전기 접촉을 만들어준다. 그럼으로써, 보유 프레임에는 PE-접촉부가 장착될 수 있다.그에 대해 대안적으로, 보유 프레임 자체가 접지 케이블용 PE-접촉부, 예를 들어 나사 접촉부를 구비할 수 있다. 예를 들어, 이와 같은 PE-접촉부는 기본 프레임에 일체로 형성될 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 발명의 실시예는 도면에 도시되어 있고, 이하에서 상세하게 설명될 것이다.도 1은 기본 프레임을 도시하고,도 2a 및 도 2b는 제1 뺨 부분을 두 가지 상이한 관점으로부터 도시하며,도 2c 및 도 2d는 제2 뺨 부분을 두 가지 상이한 관점으로부터 도시하고,도 3a 및 도 3b는 하나의 모듈을 두 가지 상이한 관점으로부터 도시하며,도 4a 및 도 4b는 PE-모듈이 삽입된 보유 프레임을 두 가지 상이한 관점으로부터 도시한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1은 기본 프레임(1)을 보여준다. 이 기본 프레임(1)은 횡단면상으로 볼 때 실질적으로 직사각형으로 형성되어 있으며, 더 상세하게 말하자면 서로 평행하게 마주 놓인 2개의 단부면(11, 11') 및 이들 단부면에 대해 직각으로 서로 평행하게 마주 놓인 2개의 측면(12, 12')을 구비하며, 이 경우 2개의 단부면(11, 11')은 2개의 측면(12, 12')보다 짧다. 단부면(11, 11') 뿐만 아니라 측면(12, 12')도 자신의 측에서 실질적으로 직사각형의 형상을 가지며, 이 경우 단부면(11, 11')에는 이들 단부면에 대해 직각으로 돌출하는 플랜지(13, 13')가 각각 하나씩 일체로 형성되어 있으며, 이 경우에는 이들 2개의 플랜지(13, 13') 각각이 2개의 나사 구멍(131, 131')를 구비함으로써, 결과적으로 기본 프레임(1)은 총 4개의 나사 구멍(131, 131')를 구비한다.2개의 측면(12, 12')은 각각 제1 에지에 본 실시예에서는 상대적으로 짧게 구현된, 서로 대칭으로 마주 놓이도록 배치된 복수의 웨브(122, 122')을 구비하며, 이 경우 이와 같은 관계에서 "짧게"라는 표현은, 도면에서 위로 뻗는 웨브(122, 122')의 길이가 이들의 폭과 상이하다는 것을 의미한다. 그러나 약간 다른 한 실시예에서는 웨브(122, 122')이 명확하게 더 길 수도 있다. 예를 들어, 웨브의 길이는 이들 웨브의 폭에 상응할 수 있거나 심지어 폭을 초과할 수 있다. 따라서, 이들 웨브(122, 122') 사이에는 개방된 리세스(123, 123')가 형성되어 있다.본 실시예에서는, 각각의 뺨 부분(2, 2')에 상기와 같이 개방된 4개의 리세스(123, 123')가 제공되어 있지만, 당연히 다른 개수의 리세스, 예를 들어 3개, 5개, 7개 또는 8개의 리세스도 생각할 수 있다. 각각의 측부(12, 12')에 있는 개방된 리세스(132, 132')의 개수는, 상응하는 보유 프레임이 수용할 수 있는 모듈(3)의 개수에 상응한다.또한, 각각의 측부(12, 12')는 관련 뺨 부분(2, 2')을 고정시키기 위한 복수의 고정 핀(124, 124')을 구비한다. 본 경우에, 고정 핀(124, 124')은 횡단면상으로 볼 때 원형의 형상을 갖지만, 임의의 다른 형상도 생각할 수 있는데, 더 상세하게 말하자면 예를 들어 타원형, 직사각형, 정방형, 삼각형, 오각형, n-각형 또는 다른 모든 편평한 형상으로 형성될 수도 있다.이로써, 보유 프레임을 위해서는 2개의 뺨 부분(2, 2'), 즉 제1 뺨 부분(2) 및 제2 뺨 부분(2')이 제공되어 있다.도 2a 및 도 2c는 각각 상기 뺨 부분(2, 2') 중 하나를 제1 관점에서 보여주며, 이때 관찰 방향은 상기 관점에 대해 직각으로 진행한다. 도 2b 및 도 2d는 개별 뺨 부분(2, 2')을 비스듬한 시각에서 보여준다. 본 실시예에서는 바람직하게 펀칭 굽힘부인 각각의 뺨 부분(2, 2')은 3개의 슬롯(21, 21')을 구비하며, 이들 슬롯에 의해서 4개의 동일한 크기의 탭(22, 22')이 형성되어 있다. 개별 뺨 부분(2, 2')의 탭(22, 22')의 개수는, 기본 프레임(1)의 2개 측부(12, 12') 중 각각 하나에 있는 개방된 리세스(123, 123')의 개수에 상응한다.개별 뺨 부분(2, 2')의 각각의 탭(22, 22') 내부에는 체결 윈도우(23, 23')가 각각 하나씩 제공되어 있다. 제1 뺨 부분(2)의 체결 윈도우(23)는 제2 뺨 부분(2')의 체결 윈도우(23')보다 크다. 이로써, 2개의 뺨 부분(2, 2')은 자체 체결 윈도우(23, 23')의 크기에 의해서 서로 상이하다. 더 나아가, 뺨 부분(2, 2') 내부에는 추가의 고정 리세스(24, 24')도 제공되어 있으며, 이들 추가의 고정 리세스는 본 실시예에서 원형의 형상을 갖지만, 당연히 임의의 다른 형상도 가질 수 있는데, 더 상세하게 말하자면 예를 들어 타원형, 직사각형, 정방형, 삼각형, 오각형, n-각형 또는 다른 모든 편평한 형상으로 형성될 수도 있다.기본 프레임(1)의 고정 핀(124, 124')이 관련 뺨 부분(2, 2')의 개별 고정 리세스(24, 24') 내부에 형상 결합 방식으로 매칭됨으로써, 결과적으로 개별 뺨 부분(2, 2')은 관련 측부(12, 12') 상에 삽입될 수 있다. 추가로, 개별 뺨 부분(2, 2')은 또 다른 방식으로 상응하는 측부(12, 12')에 고정될 수 있는데, 예를 들면 접착, 용접, 납땜, 리벳 체결 및/또는 나사 결합에 의해서 고정될 수 있다.도 2b 및 도 2d에서는, 개별 뺨 부분(2, 2')이 하단부 영역 내 굽힘선(B, B')에서 180°만큼 접혀져서 상기 영역 내부에 보강되어 있다는 것을 알 수 있다. 이때에는, 관련 판금의 하부 에지(K, K')가 고정 리세스(24)와 관련 굽힘선(B, B') 사이에 놓임으로써, 결과적으로 고정 리세스(24, 24')는 은폐되어 있지 않으며, 고정 핀(124, 124')은 아무런 방해도 받지 않고 고정 리세스 내부로 삽입될 수 있다.도 3a 및 도 3b는, 보유 프레임 내부로 삽입될 수 있는 모듈(3)을 한 가지 가능한 구조적 형상에서 두 가지 상이한 시각으로부터 보여준다. 당연히, 유사한 구조적 형상의 다른 모듈들도 사용될 수 있다.모듈(3)은 제1 종방향 측면(32)에, 제1 뺨 부분(2)의 체결 윈도우(23) 내에 체결되기 위해 제공된 제1 체결 러그(31)를 갖는다. 모듈(3)은 상기 제1 종방향 측면(32)의 반대편에 놓인 제2 종방향 측면(32')에, 제1 체결 러그보다 좁고 제2 뺨 부분(2')의 체결 윈도우(23') 내에 체결되기 위해 제공된 제2 체결 러그(31')를 갖는다. 또한, 모듈은 매우 콤팩트하게 형성되며, 이는 모듈의 내열성을 개선한다.체결 러그(31, 31')의 형상 및 윈도우(23, 23')의 형상에 의해, 보유 프레임 내에서의 모듈(3)의 배향이 결정된다.도 4는, 완전히 장착된 상태의 보유 프레임, 다시 말해 2개의 뺨 부분(2, 2')이 기본 프레임에 고정되어 있는 상태의 보유 프레임을 보여준다. 이때에는, 기본 프레임의 고정 핀(124, 124')이 상응하는 뺨 부분(2, 2')의 고정 리세스(24, 24') 내부에 맞물린다. 그에 대해 추가로, 뺨 부분(2, 2')의 개별 판금의 전술된 하부 에지(K, K')가 기본 프레임(1)의 상응하는 측부(12, 12')에 의해서 직접 종료됨으로써, 상기와 같은 고정 방식에 특별한 안정성이 부여된다. 고정 핀(124, 124')에 의한 그리고 고정 리세스(24, 24')에 의한 고정 방식에 추가로 또는 대안적으로, 뺨 부분(2, 2')은 기본 프레임(1)과 납땜, 용접, 나사 결합, 리벳 체결되거나 다른 방식으로 상기 기본 프레임에 고정될 수도 있다.뺨 부분(2, 2')은 특히 자신의 탭(22, 22') 영역에서 기본 프레임(1)보다 높은 탄성을 갖는다. 반대로 표현하자면, 다이캐스팅 방법으로, 특히 아연 다이캐스팅 방법으로 제조될 수 있는 기본 프레임(1)은 예를 들어 탄성적인 강철판으로 이루어질 수 있는 2개의 탄성적인 뺨 부분(2, 2')보다 큰 강성을 갖는다.상기와 같은 내용이 의미하는 바는, 보유 프레임을 기준으로 내부로부터 외부로 향하여, 뺨 부분(2)의 표면에 대해 직각으로, 상기 뺨 부분의 체결 윈도우(23)의 높이에 있는 하나의 뺨 부분(2)의 임의의 한 탭(22)에서 가해지는 예를 들어 10 N에 해당하는 소정의 힘이 자체 체결 윈도우(23)의 높이에서 측정될 상기 탭(22)의 곡률을 야기하며, 이 곡률은, 동일한 크기의 힘, 다시 말해 예를 들어 마찬가지로 10 N에 해당하는 힘이 임의의 한 점에서, 기본 프레임을 기준으로 내부로부터 외부로 향하여, 자체 단부면(11, 11') 또는 자체 측면(12, 12')에 대해 수직으로 가해지는 경우에 기본 프레임(1)이 상기 임의의 한 점에서 경험하는 곡률보다 더 크다.다시 말해, 기본 프레임(1)은 뺨 부분(2, 2')보다 큰 강성을 갖는다. 반대로 표현하자면, 뺨 부분(2, 2')이 기본 프레임보다 높은 탄성을 갖는다.이하의 기술 내용에서는, 보유 프레임이 4개의 꼭지점에 고정되어 있다는 사실이 토대가 된다. 예를 들어, 보유 프레임은 자체 플랜지(13, 13')의 4개의 나사 구멍(131, 131')에서, 나사 결합에 의해 금속성 플러그 타입 커넥터 하우징 내부에 또는 금속성 플러그 타입 커넥터 하우징 상에 고정될 수 있다.그 다음에 예를 들어 10 N의 힘이 자체 체결 윈도우(23)의 높이에 있는 하나의 뺨 부분(2)의 탭(22)에서 상기 뺨 부분(2)의 표면에 대해 직각으로 가해지면, 상기 탭(22)은 예를 들어 적어도 0.2 mm, 바람직하게는 적어도 0.4 mm, 특히 적어도 0.8 mm, 더 상세하게 말하자면 예를 들어 1.6 mm 이상의 경로 길이만큼 가역적으로 휘어진다. 10 N에 해당하는 동일한 크기의 힘이 예를 들어 자체 측부(12)의 중앙에서 측부(12)의 표면에 대해 직각으로, 기본 프레임(1)을 기준으로 내부로부터 외부로 작용하도록 가해지면, 기본 프레임(1)은 심지어 자체 강성이 최소인 상기 영역에서는 다만 0.2 mm 미만, 바람직하게는 0.1 mm 미만, 특히 0.05 mm 미만, 더 상세하게 말하자면 예를 들어 0.025 mm 미만의 경로 길이만큼만 휘어진다. 따라서, 기본 프레임(1)은 뺨 부분(2, 2')보다 더 강성이다. 특히, 기본 프레임(1)은 강성으로 간주 될 수 있고, 뺨 부분(2, 2')은 각각 탄성적으로 표시될 수 있다.그럼으로써, 모듈의 지지 및 특히 체결은 높은 지지력에 의해서 이루어지는 동시에 작동력이 낮은 상태에서 이루어지며, 이와 같은 상황은 조작, 특히 개별 모듈(3)의 삽입 및 제거 과정을 현저히 수월하게 한다. 마지막으로, 뺨 부분(2)은 탄성적이며, 뺨 부분(2)의 탄성은 특히 전술된 값에 따라, 모듈(3)이 수동으로 삽입될 수 있도록 그리고 수동으로 제거될 수 있도록 선택되었다. 그와 동시에, 기본 프레임(1)은 강성이며, 특히 기본 프레임(1)의 강도는 특히 전술된 값에 따라, 관련 플러그 타입 커넥터의 규정에 따른 기능을 보증하기 위해, 삽입된 모듈(3)이 충분한 강성으로 상기 기본 프레임 내부에 고정될 정도로 높다. 그럼으로써, 모듈(3) 및 그와 더불어 모듈(3) 내부에 존재하는 접촉부는, 대등한 대응 플러그의 상응하는 대응 접촉부와 신뢰할만하게 전기적으로 접촉하도록 하기 위해, 말하자면 기하학적으로 정확하게 그리고 기계적으로 충분히 안정적으로 위치 설정된다.도면에 도시되어 있지 않은 상기와 같은 플러그 타입 커넥터 및 그에 상응하는 대응 플러그는 바람직하게 금속 하우징을 추가로 구비할 수 있으며, 상기 금속 하우징 내부에는 모듈(3)을 전체적으로 또는 부분적으로 장착한 보유 프레임이 각각 하나씩 삽입되어 있다.도 4a 및 도 4b에 도시된 보유 프레임 내부에는 특별하게 구현된 PE-모듈(3')이 지지되어 있으며, 이 PE-모듈은 자체 형상에 있어서 도 3a 및 도 3b에 도시된 모듈(3)에 상응한다. 추가로, PE-모듈(3')은 전기 전도성 PE-접촉부(33')를 구비하며, 이 PE-접촉부는 PE-모듈(3')을 통해서 마찬가지로 PE-모듈(3')에 속하는 전기 전도성 접지 클립(34')과 전기 전도성으로 연결되어 있다. PE-접촉부(33')는 예를 들어 나사 접촉부일 수 있는데, 다시 말해 PE-접촉부(33')는 접지 케이블을 PE-접촉부(33')와 연결하기에 적합한 그리고 상기 PE-접촉부(33')에 기계식으로 고정시키기에 적합한 접지 나사(35')를 구비한다. 상기 접지 케이블은 PE-모듈(3')에 의해, 보유 프레임의 단부면(11') 중 한 단부면에 클램핑 된 상기 PE-모듈(3')의 접지 클립(34')을 통해서 기본 프레임(1)과 전기 전도성으로 연결된다.그에 대해 대안적으로, 보유 프레임은 예를 들어 자신의 기본 프레임(1)에 자체적으로 상기와 같은 PE-접촉부, 예를 들어 PE-나사 접촉부를 구비할 수 있다. PE-접촉부는 예를 들어 기본 프레임(1)에 일체로 형성될 수 있다. 이와 같은 일체형의 형성은 기본 프레임(1)을 제조할 때에 미리 예를 들어 사출 성형 방법으로 이루어질 수 있다.하지만, 본 발명은 절대로 상기와 같은 실시예에 한정되지 않는다. 오히려, 다수의 또 다른 실시예가 특히 다음과 같은 특징에 의해서 그리고 이와 같은 특징의 합리적인 조합에 의해서도 개시되어 있다.보유 프레임은 서로 동일한 형태의 그리고/또는 상이한 모듈(3)을 수용하기 위해서 이용되며, 이 경우 보유 프레임은 두 가지 이상의 상이한 재료로 형성될 수 있고, 그 중에서 한 가지 이상의 재료는 전기 전도성이다. 바람직하게, 보유 프레임은 적어도 부분적으로 탄성적인 특성을 갖는다. 특히, 보유 프레임은 부분적으로 강성의 재료로 이루어질 수 있고, 부분적으로 탄성적인 재료로 이루어질 수 있다.예를 들어, 보유 프레임은 여러 부분으로 구현될 수 있다. 보유 프레임은 2개 이상의 부분으로 이루어질 수 있는데, 그 중에서 제1 부분은 제1 재료로 형성되어 있고, 제2 부분은 제2 재료로 형성되어 있으며, 이 경우 제1 재료의 탄성 계수는 제2 재료의 탄성 계수보다 크다.예를 들어, 제1 부분은 기본 프레임(1)으로서 형성될 수 있고, 제2 부분은 뺨 부분(2, 2')으로서 형성될 수 있다. 기본 프레임(1)은 횡단면상으로 볼 때 직사각형의 형상을 가질 수 있고, 서로 평행하게 마주 놓인 2개의 측부(12, 12') 그리고 상기 측부에 대해 수직으로 배치되어 있고 서로 평행하게 마주 놓인 2개의 단부면(11, 11')을 구비할 수 있다. 특히, 기본 프레임(1)은 강성으로 형성될 수 있다. 기본 프레임(1)은 일체형으로 구현될 수 있다. 기본 프레임(1)은 다이캐스팅 부분으로서 구현될 수 있다. 하나 이상의 뺨 부분(2, 2')은 탄성적일 수 있다. 하나 이상의 뺨 부분(2, 2')은 전기 전도성일 수 있고, 또한 탄성 판금으로 이루어질 수도 있다.하나 이상의 뺨 부분(2, 2')은 예를 들어 접착, 용접, 납땜, 리벳 체결, 체결 및/또는 나사 결합에 의해서 기본 프레임(1)에 고정될 수 있다. 하나 이상의 뺨 부분(2, 2')은 복수의 슬롯(21, 21')을 구비할 수 있으며, 이들 슬롯에 의해서 개별 뺨 부분(2, 2') 내부에 탭(22, 22')이 형성되어 있다. 이때, 탭(22, 22')의 폭은 모듈(3)의 폭에 상응한다. 특히, 전체 탭(22, 22')이 동일한 폭을 가질 수 있다. 각각의 탭(22, 22')은 체결 수단을 구비할 수 있다. 체결 수단은 개별 탭(22, 22') 내부에 배치된 체결 윈도우(23, 23') 내에 존재할 수 있다. 하나 이상의 뺨 부분(2, 2')은 특히 펀칭 굽힘부일 수 있다. 하나 이상의 뺨 부분(2, 2')은 2개의 뺨 부분(2, 2')일 수 있다. 보유 프레임이 보호 접지 접촉부(PE-접촉부)를 구비할 수 있거나, 적어도 이와 같은 접촉부가 보유 프레임에 장착될 수 있다.플러그 타입 커넥터용으로 제공되었고 서로 동일한 형상의 그리고/또는 상이한 모듈(3)을 수용하기에 적합한 보유 프레임을 제조할 때에, 이 보유 프레임은 두 가지 이상의 상이한 재료로 형성될 수 있다.이때, 보유 프레임의 하나 이상의 제1 부분, 즉 기본 프레임(1)은 다이캐스팅 방법으로, 특히 아연 다이캐스팅 방법으로 제조될 수 있다.하나 이상의 뺨 부분(2, 2')은 탄성 판금으로 펀칭될 수 있고, 특히 하나 이상의 굽힘 에지(B, B')에서 180°만큼 접힐 수 있다.하나 이상의 뺨 부분(2, 2')은 특히 접착, 용접, 납땜, 리벳 체결, 체결 및/또는 나사 결합에 의해서 기본 프레임(1)에 고정될 수 있다.특히 모듈(3)이 자체 탭(22, 22')에 체결됨으로써, 보유 프레임은 자체 기본 프레임에 의해서 그 내부에 수용된 모듈(3)을 한 가지 방향으로 지지할 수 있고, 그와 동시에 상기 모듈(3)을 개별 뺨 부분(2, 2')에 속하는 탭(13, 13', 23, 23')에 의해서 상기 탭에 대해 수직으로 고정시킬 수 있다. [ 부호의 설명 ] 1: 기본 프레임11, 11': 단부면12, 12': 측부122, 122': 웨브123, 123': 개방된 리세스124, 124': 고정 핀13, 13': 플랜지131, 131': 나사 구멍2, 2': 뺨 부분21, 21': 슬롯22, 22': 탭23, 23': 체결 윈도우24, 24': 고정 리세스B, B': 굽힘선K, K': 하부 에지3: 모듈3': PE-모듈31, 31': 체결 러그32, 32': 전방 면33': PE-접촉부34': 접지 클립35': 접지 나사	본 발명은 플러그 커넥터용 보유 프레임에 관한 것으로서, 이 보유 프레임은 양호한 내열성 및 높은 기계적인 강인성을 가져야 하며, 금속성 플러그 커넥터 하우징 내부에 장착될 때 보호 접지(protective earthing)를 가능하게 해야 하는 동시에, 특히 개별 모듈(3)의 교체 중에 편안한 조작 가능성도 보장해야 한다. 이를 위해, 보유 프레임을 적어도 부분적으로 탄성 판금으로 제작하는 점이 제안된다. 이 목적을 위해, 보유 프레임은 상이한 재료로 형성된 기본 섹션(1) 및 변형 섹션(2)을 갖는다. 기본 섹션(1)은 수용된 모듈을 하나의 평면에 고정하기 위해 이용된다. 변형 섹션(2)은 삽입 상태 및 보유 상태를 취할 수 있으며, 이 경우 삽입 상태는 하나 이상의 모듈(3)이 평면에 대해 횡방향으로 보유 프레임 내부로 삽입될 수 있게 하며, 이때 수용된 모듈(3)은 보유 상태에 고정되어 있다.
[ 발명의 명칭 ] 점착제 조성물 및 광학부재ADHESIVE COMPOSITION, AND OPTICAL MEMBER [ 기술분야 ] 본 발명은 점착제 조성물 및 광학부재에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 평판 디스플레이 패널은 CRT의 경우와 마찬가지로, 표면에 정전기가 대전되기 쉽다. 패널 표면에 정전기가 대전되면, 평판 디스플레이 패널의 표시면에 공기 중의 먼지가 끌어 당겨질 수 있는 경우가 있다. 또한, 정전기가 평판 디스플레이 패널을 구성하는 기판의 표시 회로에 악영향을 미칠지 또는 액정 디스플레이 패널에 있어서 액정분자의 배향성에 악영향을 미침으로써, 표시 불량을 야기하는 원인으로도 될 수 있다.또한, 평판 디스플레이 패널의 표시 성능을 검사할 때에는, 광학적인 저해 요인이 되는 표면보호필름을 제거한 뒤에 검사를 행할 필요가 있다. 표면보호필름을 제거하는 때에는, 공정시간을 단축하기 위해서, 10m/분 정도의 속도로 표면보호필름을 박리하고 있다. 이러한 비교적 빠른 속도로 표면보호필름을 박리하면, 표시면에 정전기가 대전되기 쉬워진다.따라서, 종래부터, 광학 필름이나 표면보호필름의 점착층에 대전방지제를 함유시키거나, 광학 필름이나 표면보호필름과는 별도로 대전방지층을 평판 디스플레이 패널에 적층하거나 하는 것이 행해지고 있다.예를 들어, 종래기술로 콜레스테릭 액정층의 한쪽 또는 양쪽에 1/4 파장판, 이색성 편광판 및 대전방지층을 가진 편광부재가 있고, 또한 다른 종래기술로는 기재 필름과, 이 기재 필름에 적층된 제4급 암모늄염을 함유하는 대전방지층과, 해당 대전방지층에 적층된 점착제층으로 이루어진 대전방지성 점착 시트가 존재하였다.그러나, 전자에 기재된 기술에서는, 대전방지층과 점착층을 별개로 형성하기 위해서, 대전방지층을 형성하기 위한 공정이 필요하여, 생산성을 저하시켜 버릴 우려가 있었다.또한, 후자와 같이 광학 필름이나 표면보호필름의 점착층에 대전방지제를 함유시켰을 경우에는, 대전방지성능을 가진 점착층으로 되므로 점착층과 별개로 대전방지층을 형성할 필요는 없지만, 광학 필름이나 보호 필름에 점착제 조성물을 도포해서 점착층으로 했을 때에, 충분한 대전방지성능을 얻을 수 없을 경우나, 점착층을 형성하기 위한 에이징 시간이 길어, 생산성을 저하시켜 버릴 경우가 있었다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 에이징(aging) 시간이 짧아 생산성이 우수하며, 양호한 대전방지성능을 가진 점착층을 형성할 수 있는 점착제 조성물 및 이것을 구비한 광학부재를 제공하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 이하의 구성을 채용하였다.본 발명의 점착제 조성물은 수산기를 가진 아크릴 아마이드와 수산기를 가진 메타아크릴 아마이드 중에서 단독 또는 2종이상 선택되는 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마디드(a1)과, 아크릴산 에스터, 메타크릴산 에스터 중에서 단독 또는 2개 이상선택되는 (메타)아크릴레이트(a2)가 공중합되어 이루어진 공중합체 폴리머(A); 및 이온성 화합물로 이루어진 대전방지제(B)가 함유되어 이루어진 것을 특징으로 한다.또, 본 발명의 점착제 조성물에 있어서는, 상기 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드(a1)는 H2C=C(R1)ACONHCH2CH20H(단, R1은 H 또는 CH3이며, A는 (COOCH2CH2)n, COOCH2CH200C-CH2CH2, 단결합 및 하기 화학식 1로 표시되는 화합물(1)로부터 선택된 1종이고, n은 1 내지 2의 자연수임)인 것으로 할 수 있다.[화학식 1]또한, 본 발명의 점착제 조성물은 상기 공중합체 폴리머(A)가 가교되어 있는 것이 바람직하다.또, 본 발명의 광학부재는 앞에 기재된 어느 하나의 점착제 조성물이 광학 시트의 한 면 또는 양면에 도포되어서 이루어진 것을 특징으로 한다. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 점착제 조성물은 에이징 시간이 짧아 생산성이 우수하며, 양호한 대전방지성능을 가진 점착층을 형성할 수 있는 점착제 조성물을 제공할 수 있다.또, 본 발명의 광학부재는 본 발명의 점착제 조성물이 광학 시트의 한 면 또는 양면에 도포되어서 이루어진 것이므로, 에이징 시간이 짧아 생산성이 우수하며, 양호한 대전방지성능을 갖는다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명의 점착제 조성물은 수산기를 가진 아크릴 아마이드와 수산기를 가진 메타아크릴 아마이드 중에서 단독 또는 2종이상 선택되는 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마디드(a1)과, 아크릴산 에스터, 메타크릴산 에스터 중에서 단독 또는 2개 이상선택되는 (메타)아크릴레이트(a2)가 공중합되어 이루어진 공중합체 폴리머(A); 및 이온성 화합물로 이루어진 대전방지제(B)가 함유되어 이루어진 것을 특징으로 한다.또, 본 발명의 점착제 조성물에 있어서는, 상기 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드(a1)는 H2C=C(R1)ACONHCH2CH20H(단, R1은 H 또는 CH3이며, A는 (COOCH2CH2)n, COOCH2CH200C-CH2CH2, 단결합 및 하기 화학식 1로 표시되는 화합물(1)로부터 선택된 1종이고, n은 1 내지 2의 자연수임)인 것으로 할 수 있다.[화학식 1]또한, 본 발명의 점착제 조성물은 상기 공중합체 폴리머(A)가 가교되어 있는 것이 바람직하다.또, 본 발명의 광학부재는 앞에 기재된 어느 하나의 점착제 조성물이 광학 시트의 한 면 또는 양면에 도포되어서 이루어진 것을 특징으로 한다.또한, 본 발명의 표면보호시트는 보호 필름과, 상기 보호 필름의 한 면 또는 양면에 형성된 점착층을 구비해서 이루어지고, 상기 점착층이 앞에 기재된 어느 하나의 점착제 조성물로 이루어진 것을 특징으로 한다.발명의 실시를 위한 형태이하, 본 발명의 실시형태에 관하여 설명한다.「점착제 조성물」본 실시형태의 점착제 조성물은 수산기를 가지는 아크릴 아마이드, 수산기를 가지는 메타아크릴 아마이드 중에서 선택되는 단독 또는 2종이상의 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드(a1)와, 아크릴산 에스터, 메타크릴산 에스터 중에서 선택되는 단독 또는 2종이상의 (메타)아크릴레이트(a2)가 공중합되어 이루어진 공중합체 폴리머(A); 및 이온성 화합물로 이루어진 대전방지제(B)를 포함한다.베이스 폴리머(A)는 가교제에 의해 가교되어 있는 것이 바람직하다. 베이스 폴리머(A)에 대전방지제가 첨가됨으로써, 광학 시트나 보호 필름 등의 기재에 점착제 조성물을 도포해서 점착층으로 했을 경우의 점착층의 표면저항값이 예를 들어 1×108 내지 1×1011(Ω/□) 정도로 된다.「베이스 폴리머(공중합체 폴리머)」본 실시형태의 베이스 폴리머는 수산기를 가진 아크릴 아마이드, 수산기를 가진 메타아크릴 아마이드 중에서 단독 또는 2종이상 선택되며(이하 "수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드(a1)"라 칭함)와, 아크릴산 에스터, 메타크릴산 에스터 중에서 단독 또는 2종이상(이하 "(메타)아크릴레이트"라 칭함)이 공중합(co-polymerization)되어 이루어진 것이다.본 실시형태의 점착제 조성물을 광학부재에 이용할 경우, 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드(a1)는 베이스 폴리머(A) 전체 질량 중에 0.1 내지 5 질량％ 함유되는 것이 바람직하다. 베이스 폴리머(A) 전체 질량 중에 있어서의 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드(a1)의 함유량이 0.1 질량％ 미만이면, 대전방지성능을 향상시키는 효과가 충분히 얻어질 수 없는 우려가 있다. 또, 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드(a1)의 함유량이 5 질량％를 초과하면, 내구성이 불충분해질 우려가 있다.또한, 본 실시형태의 점착제 조성물을 표면보호시트에 이용할 경우에는, 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드(a1)는 베이스 폴리머(A) 전체 질량 중에 0.1 내지 10 질량％ 함유되는 것이 바람직하다.베이스 폴리머(A) 전체 질량 중에 있어서의 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드(a1)의 함유량이 0.1 질량％ 미만이면, 대전방지성능을 향상시키는 효과가 충분히 얻어질 수 없는 우려가 있다. 또, 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드(a1)의 함유량이 10 질량％를 초과하면, 보호 필름에 대한 밀착성이 불충분해지거나, 점착층의 투명성이 불충분해지거나 할 경우가 있다.수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드(a1)로서는, 예를 들어, H2C=C(R1)ACONHCH2CH20H(단, R1은 H 또는 CH3이며, A는 (COOCH2CH2)n, COOCH2CH200C-CH2CH2, 단결합 및 하기 화학식 1로 표시되는 화합물(1)로부터 선택된 1종이고, n은 1 내지 2의 자연수임)인 것 등을 들 수 있다:[화학식 1]수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드(a1)로서는, 더 구체적으로는, 하이드록시에틸아크릴 아마이드(HEAA) 등을 들 수 있다.또, (메타)아크릴레이트(a2)는 베이스 폴리머(A)의 주성분이며, 베이스 폴리머(A) 전체 질량 중에 50 내지 99.1 질량％ 함유되는 것이 바람직하다. 또한, (메타)아크릴레이트(a2)는 1종뿐이어도 되지만, 2종 이상 함유되어 있어도 된다.(메타)아크릴레이트(a2)의 구체적인 예로서는,메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트,t-부틸 (메타)아크릴레이트, 아이소부틸 (메타)아크릴레이트,헥실 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트,n-옥틸 (메타)아크릴레이트, 아이소옥틸 (메타)아크릴레이트,n-노닐 (메타)아크릴레이트, 아이소노닐 (메타)아크릴레이트,n-데실 (메타)아크릴레이트, 아이소데실 (메타)아크릴레이트,n-도데실 (메타)아크릴레이트, n-트라이데실 (메타)아크릴레이트,n-테트라데실 (메타)아크릴레이트, 메톡시에틸 (메타)아크릴레이트,에톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 부톡시에틸 (메타)아크릴레이트,사이클로헥실 (메타)아크릴레이트, t-부틸사이클로헥실 (메타)아크릴레이트,페녹시에틸 (메타)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글라이콜 (메타)아크릴레이트,벤질 (메타)아크릴레이트, 아이소보닐 (메타)아크릴레이트,테트라하이드로퍼퓨릴(furfuryl) (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.광학부재용의 점착제 조성물의 베이스 폴리머에는 (메타)아크릴레이트로서 n-부틸아크릴레이트를 주성분으로서 함유하는 것이 높은 점착성을 발휘할 수 있는 점에서 특히 바람직하다.또한, 표면보호시트용의 점착제 조성물의 베이스 폴리머(A)에는 (메타)아크릴레이트(a2)로서 2-에틸헥실아크릴레이트를 주성분으로서 함유하는 것이 용이하게 박리가능한 정도의 점착성을 발휘할 수 있는 점에서 특히 바람직하다.베이스 폴리머(A)는 이온성 화합물과의 상용성이 우수하고, 또한, 우수한 점착 특성을 얻을 수 있는 점으로부터 (메타)아크릴레이트(a2)의 1종 이상을 주성분으로 하는 아크릴계 폴리머인 것이 바람직하다.본 실시형태의 점착제 조성물을 광학 부재에 이용할 경우에는, 베이스 폴리머(A)의 중량평균 분자량은 100만 이상 200만 이하의 범위가 바람직하다. 중량평균 분자량이 100만 내지 200만의 범위이면, 광학부재의 점착층을 구성하는 점착제 조성물로서 충분한 점착력을 얻을 수 있다.또한, 베이스 폴리머(A)의 중량평균 분자량은 겔침투크로마토그래피에 의해 폴리스타이렌 환산으로 구해진다.또, 베이스 폴리머(A)는 0℃ 이하의 유리전이온도(Tg)를 가진 것이 바람직하고, Tg가 -100℃ 내지 -5℃인 것이 보다 바람직하며, Tg가 -80℃ 내지 -10℃인 것이 더욱 바람직하다. 유리전이온도(Tg)가 0℃ 이하이면, 이온성 화합물을 함유할 경우에 높은 점착력을 얻을 수 있다.또한, 베이스 폴리머(A)에는 상기 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드(a1)와, (메타)아크릴레이트(a2) 이외의 성분으로서 그 밖의 성분을 함유시켜도 된다.그 밖의 성분으로서는 설폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머, 사이아노기 함유 모노머, 비닐에스터류, 방향족 비닐 화합물 등의 응집력·내열성 향상 성분이나, 카복실기 함유 모노머, 산무수물기 함유 모노머, 하이드록실기 함유 모노머, 아마이드기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머, N-아크릴로일몰폴린, 비닐에터류 등의 접착력 향상이나 가교화 기점으로서 작용하는 작용기를 가진 성분 등을 이용할 수 있다. 그 밖의 성분은 1종 또는 2종 이상 병용해서 이용할 수 있다.설폰산기 함유 모노머로서는 스타이렌설폰산, 알릴설폰산, 2-(메타)아크릴아미도-2-메틸프로페인설폰산, (메타)아크릴아미도프로페인설폰산, 설포프로필 (메타)아크릴레이트, (메타)아크릴로일옥시나프탈렌설폰산 등을 예시할 수 있다.인산기 함유 모노머로서는 2-하이드록시에틸아크릴로일 포스페이트를 예시할 수 있다.사이아노기 함유 모노머로서는 아크릴로나이트릴을 예시할 수 있다.비닐 에스터류로서는 아세트산 비닐을 예시할 수 있다.방향족 비닐 화합물로서는 스타이렌을 예시할 수 있다.카복실기 함유 모노머로서는 (메타)아크릴산, 카복시에틸 (메타)아크릴레이트, 카복시펜틸 (메타)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸말산, 크로톤산, 2-카복시에틸 아크릴레이트 등을 예시할 수 있다.산무수물기 함유 모노머로서는 무수 말레산, 무수 이타콘산 등을 예시할 수 있다.하이드록실기 함유 모노머로서는2-하이드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필 (메타)아크릴레이트,4-하이드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 6-하이드록시헥실 (메타)아크릴레이트,8-하이드록시옥틸 (메타)아크릴레이트, 10-하이드록시데실 (메타)아크릴레이트,12-하이드록시라우릴 (메타)아크릴레이트,(4-하이드록시메틸사이클로헥실)메틸 아크릴레이트,N-메틸올 (메타)아크릴아마이드, 비닐알코올, 알릴알코올,2-하이드록시에틸비닐에터, 4-하이드록시부틸비닐에터,다이에틸렌글라이콜모노비닐에터 등을 예시할 수 있다.아마이드기 함유 모노머로서는 아크릴아마이드, 다이에틸 아크릴아마이드를 들 수 있다.아미노기 함유 모노머로서는 N,N-다이메틸아미노에틸 (메타)아크릴레이트, N,N-다이메틸아미노프로필 (메타)아크릴레이트를 들 수 있다.에폭시기 함유 모노머로서는 글리시딜 (메타)아크릴레이트, 알릴글리시딜에터 등을 예시할 수 있다.비닐에터류로서는 비닐에틸에터를 예시할 수 있다.베이스 폴리머(A)를 중합하는 방법으로서는 용액 중합, 유화중합, 괴상 중합, 현탁중합 등 아크릴계 폴리머의 합성 수법으로서 일반적으로 이용될 수 있는 중합방법을 이용할 수 있다.베이스 폴리머(A)의 중합에는 중합개시제를 이용할 수 있다. 중합개시제로서는, 예를 들어, 벤조일 퍼옥사이드, 라우로일 퍼옥사이드 등의 과산화물, 아조비스아이소부티로나이트릴(AIBN), 아조비스발레로나이트릴 등의 아조비스 화합물 등을 사용할 수 있다.「가교제」본 실시형태의 점착제 조성물은 베이스 폴리머(A), 특히 베이스 폴리머(A)의 주성분인 아크릴계 폴리머(a2)를 적당하게 가교시킴으로써 내열성이 우수한 점착층을 얻을 수 있다. 가교 방법의 구체적인 수단으로서는 아이소사이아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 금속 킬레이트 등 아크릴계 폴리머에 적당하게 가교화 기점으로서 함유시킨 카복실기, 하이드록실기, 아미노기, 아마이드기 등과 반응할 수 있는 기를 갖는 화합물을 첨가해서 반응시키는 소위 가교제를 이용하는 방법이 있다.아이소사이아네이트 화합물로서는 톨릴렌 다이아이소사이아네이트, 자일렌 다이아이소사이아네이트 등의 방향족 아이소사이아네이트, 아이소포론 다이아이소사이아네이트 등의 지환족 아이소사이아네이트, 헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트 등의 지방족 아이소사이아네이트 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 주로 적당한 응집력을 수득하는 관점에서, 아이소사이아네이트 화합물이나 에폭시 화합물이 특히 바람직하게 사용된다. 이들 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 또 2종 이상을 조합해서 사용해도 무방하다.더욱 구체적으로는, 아이소사이아네이트 화합물로서는 예를 들어부틸렌 다이아이소사이아네이트, 헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트 등의 저급 지방족 폴리아이소사이아네이트류;사이클로펜틸렌 다이아이소사이아네이트, 사이클로헥실렌 다이아이소사이아네이트, 아이소포론 다이아이소사이아네이트 등의 지환족 아이소사이아네이트류;2,4-톨릴렌 다이아이소사이아네이트, 4,4'-다이페닐메테인 다이아이소사이아네이트, 자일릴렌 다이아이소사이아네이트 등의 방향족 다이아이소사이아네이트류;트라이메틸올프로페인/톨릴렌 다이아이소사이아네이트 삼량체 부가물(상품명 코로네이트 L), 트라이메틸올프로페인/헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트 삼량체 부가물(상품명 코로네이트 HL), 헥사메틸렌 다이아이소사이아네이트의 아이소시아누레이트체(상품명 코로네이트 HX)[모두 니혼폴리우레탄코교(주) 제품] 등의 아이소사이아네이트 부가물 등을 들 수 있다.에폭시 화합물로서는 N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-자일렌 다이아민(상품명 TETRAD-X)이나 1,3-비스(N,N-다이글리시딜아미노메틸)사이클로헥세인(상품명 TETRAD-C)[모두 미쓰비시가스카가쿠(주) 제품] 등을 들 수 있다.이들 가교제는 단독으로 또는 2종 이상의 혼합계로 사용된다. 가교제의 사용량은 가교해야 할 베이스 폴리머와의 밸런스에 따라서, 나아가서는 광학 부재의 사용용도에 따라서 적당하게 선택된다. 아크릴 점착제의 응집력에 의해 충분한 내열성을 수득하기 위해서는 일반적으로는 상기 베이스 폴리머 100 질량부에 대하여 0.01 질량부 이상 배합하는 것이 바람직하다. 또 유연성, 접착성의 점에서 상기 베이스 폴리머 100 질량부에 대하여, 5 질량부 이하로 배합하는 것이 바람직하다.본 실시형태의 점착제 조성물을 광학부재에 이용할 경우, 점착제 조성물에 있어서의 베이스 폴리머(A)의 가교도는 겔 분율로 50 내지 80％의 범위가 바람직하고, 70％ 정도가 더욱 바람직하다.겔 분율이 이 범위이면, 점착제 조성물의 점착력을 높이는 것이 가능하다. 또한, 본 실시형태의 점착제 조성물을 표면보호시트에 이용할 경우, 점착제 조성물에 있어서의 베이스 폴리머의 가교도는 겔 분율로 90 내지 100％의 범위가 바람직하다. 겔 분율이 이 범위이면, 점착제 조성물의 점착력을 박리가 용이한 정도로 약화시킬 수 있다.또, 겔 분율은 점착제 조성물을 25℃의 아세트산 에틸에 1일간 침지했을 경우의, 초기 질량(침지 전)과 침지 건조 후의 질량으로부터「겔 분율 = 침지 건조 후의 질량/초기 질량×100」의 식으로 구할 수 있다.[대전방지제]대전방지제(B)는 이온성 화합물로 구성되어 있는 것이 바람직하다.이온성 화합물은 베이스 폴리머에 대한 상용성을 가진 동시에, 점착제 조성물의 조제시 사용하는 유기용매에 대한 상용성을 가지며, 또한, 베이스 폴리머에 첨가되었을 경우에 점착제 조성물의 투명성을 유지할 수 있는 것으로부터 선택된다. 또한, 광학 시트나 보호 필름 등의 기재에 점착제 조성물을 도포해서 점착층으로 했을 경우의 점착층의 표면저항값을 1×1011(Ω/□) 이하로 할 수 있는 것으로부터 선택된다.이온성 화합물은 이미다졸륨염, 피리디늄염, 알킬암모늄염, 알킬피롤리듐염, 알킬포스포늄염 중의 어느 1종 이상이 바람직하다.이미다졸륨염으로서는 예를 들어,1,3-다이메틸이미다졸륨 클로라이드, 1-부틸-2,3-다이메틸이미다졸륨 클로라이드,1-부틸-3-메틸이미다졸륨 브로마이드, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 클로라이드,1-부틸-3-메틸이미다졸륨 메테인설포네이트,1-부틸-1-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-트라이데카플루오로옥틸)-이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트,1-에틸-3-메틸이미다졸륨 브로마이드, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 클로라이드,1-에틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 아이오다이드,1-에틸-2,3-다이메틸이미다졸륨 클로라이드, 1-메틸이미다졸륨 클로라이드,1,2,3-트라이메틸이미다졸륨 메틸설페이트,1-메틸-3-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-트라이데카플루오로옥틸)-이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트,1-아릴-3-메틸이미다졸륨 클로라이드, 1-벤질-3-메틸이미다졸륨 클로라이드,1-벤질-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트,1-벤질-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트 등을 예시할 수 있다.또, 피리디늄염으로서는1-부틸-3-메틸피리디늄 브로마이드, 1-부틸-4-메틸피리디늄 브로마이드,1-부틸-4-메틸피리디늄 클로라이드, 1-부틸피리디늄 브로마이드,1-부틸피리디늄 클로라이드, 1-부틸피리디늄 헥사플루오로포스페이트,1-에틸피리디늄 브로마이드, 1-에틸피리디늄 클로라이드 등을 예시할 수 있다.또한, 알킬암모늄염으로서는사이클로헥실트라이메틸암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,테트라-n-부틸암모늄 클로라이드, 테트라부틸암모늄 브로마이드,트라이부틸메틸암모늄 메틸설페이트,테트라부틸암모늄 비스(트라이플루오로메틸설포닐)이미드,테트라에틸암모늄 트라이플루오로메테인설포네이트,테트라부틸암모늄 벤조에이트, 테트라부틸암모늄 메테인설페이트,테트라부틸암모늄 노나플루오로부테인설포네이트,테트라-n-부틸암모늄 헥사플루오로포스페이트, 테트라부틸암모늄 트라이플루오로아세테이트,테트라헥실암모늄 테트라플루오로보레이트, 테트라헥실암모늄 브로마이드,테트라헥실암모늄 아이오다이드, 테트라옥틸암모늄 클로라이드,테트라옥틸암모늄 브로마이드, 테트라헵틸암모늄 브로마이드,테트라펜틸암모늄 브로마이드, n-헥사데실트라이메틸암모늄 헥사플루오로포스페이트 등을 예시할 수 있다.또, 알킬피롤리듐염으로서는1-부틸-1-메틸피롤리듐 브로마이드, 1-부틸-1-메틸피롤리듐 클로라이드,1-부틸-1-메틸피롤리듐 테트라플루오로보레이트 등을 예시할 수 있다.또한, 알킬포스포늄염으로서는테트라부틸포스포늄 브로마이드, 테트라부틸포스포늄 클로라이드,테트라부틸포스포늄 테트라플루오로보레이트, 테트라부틸포스포늄 메테인설포네이트,테트라부틸포스포늄 p-톨루엔설포네이트, 트라이부틸헥사데실포스포늄 브로마이드 등을 예시할 수 있다.또, 이온성 화합물로서는, 질소함유 오늄염, 황함유 오늄염 또는 인함유 오늄염을 바람직하게 이용할 수 있다. 구체적인 예로서는,1-부틸피리디늄 테트라플루오로보레이트, 1-부틸피리디늄 헥사플루오로포스페이트,1-부틸-3-메틸피리디늄 테트라플루오로보레이트,1-부틸-3-메틸피리디늄 트라이플루오로메테인설포네이트,1-부틸-3-메틸피리디늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,1-부틸-3-메틸피리디늄 비스(펜타플루오로에테인설포닐)이미드,1-헥실피리디늄 테트라플루오로보레이트, 2-메틸-1-피롤린 테트라플루오로보레이트,1-에틸-2-페닐인돌 테트라플루오로보레이트, 1,2-다이메틸인돌 테트라플루오로보레이트,1-에틸카바졸 테트라플루오로보레이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트,1-에틸-3-메틸이미다졸륨 아세테이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 트라이플루오로아세테이트,1-에틸-3-메틸이미다졸륨 헵타플루오로부티레이트,1-에틸-3-메틸이미다졸륨 트라이플루오로메테인설포네이트,1-에틸-3-메틸이미다졸륨 퍼플루오로부테인설포네이트,1-에틸-3-메틸이미다졸륨 다이사이아나미드,1-에틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,1-에틸-3-메틸이미다졸륨 비스(펜타플루오로에테인설포닐)이미드,1-에틸-3-메틸이미다졸륨 트리스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,1-부틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트,1-부틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트,1-부틸-3-메틸이미다졸륨 트라이플루오로아세테이트,1-부틸-3-메틸이미다졸륨 헵타플루오로부티레이트,1-부틸-3-메틸이미다졸륨 트라이플루오로메테인설포네이트,1-부틸-3-메틸이미다졸륨 퍼플루오로부테인설포네이트,1-부틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,1-헥실-3-메틸이미다졸륨 브로마이드, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨 클로라이드,1-헥실-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트,1-헥실-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트,1-헥실-3-메틸이미다졸륨 트라이플루오로메테인설포네이트,1-옥틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트,1-옥틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트,1-헥실-2,3-다이메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트,1,2-다이메틸-3-프로필이미다졸륨 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,1-메틸피라졸륨 테트라플루오로보레이트, 3-메틸피라졸륨 테트라플루오로보레이트,테트라헥실암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,다이알릴다이메틸암모늄 테트라플루오로보레이트,다이알릴다이메틸암모늄 트라이플루오로메테인설포네이트,다이알릴다이메틸암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,다이알릴다이메틸암모늄 비스(펜타플루오로에테인설포닐)이미드,N,N-다이에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄 테트라플루오로보레이트,N,N-다이에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄 트라이플루오로메테인설포네이트,N,N-다이에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄 비스(펜타플루오로에테인설포닐)이미드,글리시딜트라이메틸암모늄 트라이플루오로메테인설포네이트,글리시딜트라이메틸암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,글리시딜트라이메틸암모늄 비스(펜타플루오로에테인설포닐)이미드,1-부틸피리디늄 (트라이플루오로메테인설포닐)트라이플루오로아세트아마이드,1-부틸-3-메틸피리디늄 (트라이플루오로메테인설포닐)트라이플루오로아세트아마이드,1-에틸-3-메틸이미다졸륨 (트라이플루오로메테인설포닐)트라이플루오로아세트아마이드,다이알릴다이메틸암모늄 (트라이플루오로메테인설포닐)트라이플루오로아세트아마이드,글리시딜트라이메틸암모늄 (트라이플루오로메테인설포닐)트라이플루오로아세트아마이드,N,N-다이메틸-N-에틸-N-프로필암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이메틸-N-에틸-N-부틸암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이메틸-N-에틸-N-펜틸암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이메틸-N-에틸-N-헥실암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이메틸-N-에틸-N-헵틸암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이메틸-N-에틸-N-노닐암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이메틸-N,N-다이프로필암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이메틸-N-프로필-N-부틸암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이메틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이메틸-N-프로필-N-헥실암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이메틸-N-프로필-N-헵틸암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이메틸-N-부틸-N-헥실암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이메틸-N-부틸-N-헵틸암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이메틸-N-펜틸-N-헥실암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이메틸-N,N-다이헥실암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,트라이메틸헵틸암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이에틸-N-메틸-N-프로필암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이에틸-N-메틸-N-펜틸암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이에틸-N-메틸-N-헵틸암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이에틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,트라이에틸프로필암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,트라이에틸펜틸암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,트라이에틸헵틸암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이프로필-N-메틸-N-에틸암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이프로필-N-메틸-N-펜틸암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이프로필-N-부틸-N-헥실암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이프로필-N,N-다이헥실암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이부틸-N-메틸-N-펜틸암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N,N-다이부틸-N-메틸-N-헥실암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,트라이옥틸메틸암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드,N-메틸-N-에틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드 등을 들 수 있다.「베이스 폴리머(A)와 대전방지제(B)의 배합비」베이스 폴리머(A)와 대전방지제(B)와의 합계량에 대한 대전방지제(B)의 배합비는 0.01 질량％ 이상 2 질량％ 이하의 범위가 바람직하다. 배합비가 0.01 질량％ 미만이면 충분한 대전방지효과를 얻을 수 없고, 2 질량％를 초과하면 피착체에의 오염성이 증대할 우려가 있다.「기타 첨가 성분」또한, 본 실시형태의 점착제 조성물에는 종래 공지된 각종 점착 부여제나 표면윤활제, 레벨링제, 산화방지제, 부식 방지제, 광안정제, 자외선 흡수제, 중합금지제, 실레인 커플링제(silane coupling agent), 무기 또는 유기의 충전제, 금속분, 안료 등의 분체, 입자형상, 박(箔) 형상물 등의 종래 공지의 각종 첨가제를 사용하는 용도에 따라 적당하게 첨가할 수 있다.「점착제 조성물의 제조 방법」본 실시형태의 점착제 조성물의 제조 방법으로서는 예를 들어 이하의 2가지 제조 방법을 예시할 수 있다.제1 방법으로서 예를 들어 베이스 폴리머(A)의 원료인 각종 단량체를 아세트산 에틸, 톨루엔, 아세톤, 헥세인류, 케톤류, 알코올류 등의 비점이 120℃ 이하 정도인 유기용매에 혼합하고, 더욱 중합개시제 등을 첨가해서 단량체를 중합반응시킴으로써 베이스 폴리머를 조제한다. 얻어진 베이스 폴리머는 유기용매에 용해된 상태이거나 혹은 유기용매에 팽윤된 상태로 얻을 수 있다.다음에, 베이스 폴리머가 함유되는 유기용매에 이온성 화합물로 이루어진 대전방지제를 첨가하고, 베이스 폴리머와 대전방지제를 혼합한다.이어서, 가교제를 첨가해서 베이스 폴리머를 가교시키고, 더욱 필요에 따라 실레인 커플링제 등의 각종 첨가제를 첨가한다. 이와 같이 해서, 점착제 조성물을 얻을 수 있다.얻어진 점착제 조성물은 예를 들어 광학 시트나 보호필름 등의 기재 위에 도포한 후에 건조시킴으로써 점착층으로 된다.제2 방법으로서 예를 들어 베이스 폴리머의 원료인 각종 단량체를 아세트산 에틸 등의 유기용매에 혼합하는 동시에, 이온성 화합물로 이루어진 대전방지제를 첨가하고, 더욱 중합개시제 등을 첨가해서 단량체를 중합반응시킴으로써 대전방지제를 함유하는 베이스 폴리머를 조제한다. 얻어진 베이스 폴리머는 제1 방법과 마찬가지로, 유기용매에 용해된 상태이거나 혹은 유기용매에 팽윤된 상태로 얻을 수 있다.다음에, 베이스 폴리머 및 대전방지제가 함유되는 유기용매에 가교제를 첨가해서 베이스 폴리머를 가교시키고, 더욱 필요에 따라 실레인 커플링제 등의 각종 첨가제를 첨가한다. 이와 같이 해서, 점착제 조성물을 얻을 수 있다.얻어진 점착제 조성물은, 제1 방법과 마찬가지로, 예를 들어 광학 시트나 보호필름 등의 기재 위에 도포한 후에 건조시킴으로써 점착층으로 된다.이상과 같이, 본 실시형태의 점착제 조성물을 제조할 때에는, 베이스 폴리머를 조제하고 나서 대전방지제를 첨가해도 되며, 베이스 폴리머의 조제와 동시에 대전방지제를 첨가해도 무방하다. 베이스 폴리머에 대전방지제를 균질하게 첨가하기 위해서는, 대전방지제가 아세트산 에틸 등의 유기용매에 대해서 가용인 것이 무방하다.「광학부재」본 실시형태의 광학부재는, 본 실시형태의 점착제 조성물이 광학 시트의 한 면 또는 양면에 도포되어서 이루어진 것이다. 본 실시형태의 광학부재는, 본 실시형태의 점착제 조성물을 함유하는 점착층을 통상 두께 3 내지 200㎛, 바람직하게는 10 내지 100㎛ 정도로 되도록, 광학 시트의 한 면 또는 양면에 형성함으로써 얻을 수 있다. 점착층의 형성은, 광학시트에 직접 도포하는 방법이나, 일단 별도의 기재(예를 들어, 박리 라이너 등)에 도포 형성한 것을 전사하는 방법 등에 의해 행할 수 있다.점착층의 도포 형성 방법으로서는 점착테이프의 제조에 이용될 수 있는 공지의 방법을 이용할 수 있고, 구체적으로는 롤 코트, 그라비아 코트, 리버스 코트, 롤 브러쉬, 스프레이 코트, 에어나이프 코트, 다이 코트법 등을 들 수 있다.광학 시트로서는, 각종 표시장치 등의 제조에 이용할 수 있는 것이 사용되고, 그 종류는 특히 제한되지 않지만, 예를 들어 편광판, 위상차판, 휘도 향상판,또는 방현시트 등을 포함하는 것이다. 또한, 광학 시트는 편광판과 위상차판을 적층한 것이나 위상차판의 적층체, 편광판과 휘도 향상판 또는 방현시트의 적층체 등, 광학소재를 2층 이상 적층한 것이어도 된다.광학 시트에 형성된 점착층(점착제 조성물)의 점착력은 1(N/25mm) 내지 15(N/25mm) 정도가 바람직하며, 5(N/25mm) 내지 10(N/25mm) 정도가 보다 바람직하다. 점착력이 1 내지 15(N/25mm)의 범위이면, 광학 부재의 점착층의 점착력으로서 충분한 강도로 된다. 또한, 점착력은 JIS Z0237의 점착테이프·점착 시트 시험 방법에 준해서 측정함으로써 구할 수 있다. 구체적으로는, 점착제층을 구비한 광학부재를 온도 23℃, 상대 습도 50％의 분위기 하에서 7일간 방치한 후에, 25mm 폭으로 재단하고, 예를 들어 편광판에 붙여, 온도 50℃에서 5kg/㎠×20분의 오토클레이브 처리를 행하고, 그 후에 인장 시험기를 이용해서, 온도 23℃, 상대 습도 50％ 분위기 하에서 박리각 180도, 박리 속도 0.3 m/분에서 JIS Z0237에 준해서 점착력의 측정을 행하여, 점착력을 평가하면 된다.「표면보호시트」본 실시형태의 광학부재용의 표면보호시트는, 보호 필름과, 상기 보호 필름의 한 면 또는 양면에 형성된 점착층이 구비되어 이루어지고, 상기 점착층이 본 실시형태의 점착제 조성물로 이루어진 것이다. 점착제 조성물인 점착층은 통상 두께 3 내지 200㎛, 바람직하게는 10 내지 100㎛ 정도가 되도록, 보호 필름의 한 면 또는 양면에 형성되어 있다.보호 필름으로서는, 예를 들어 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 폴리에스터, 폴리염화비닐, 폴리카보네이트, 폴리아마이드, 폴리스타이렌 등의 필름 혹은 이들의 복합 필름 등의 수지 필름을 이용할 수 있지만, 특히, 폴리에틸렌 테레프탈레이트가 바람직하다. 또한, 보호 필름은 예를 들어 15 내지 50㎛ 정도의 두께를 갖는 것을 이용할 수 있다.보호 필름에의 점착층의 형성은, 보호 필름에 직접 도포하는 방법이나, 일단 별도의 기재(예를 들어, 박리 라이너 등)에 도포 형성한 것을 전사하는 방법 등에 의해 행할 수 있다.점착층의 도포 형성 방법으로서는 점착테이프의 제조에 이용할 수 있는 공지의 방법을 이용할 수 있어, 구체적으로는 롤 코트, 그라비아 코트, 리버스 코트, 롤 브러쉬, 스프레이 코트, 에어 나이프 코트, 다이 코트법 등을 들 수 있다.본 실시형태의 표면보호시트는 액정 디스플레이 패널이나 플라즈마 디스플레이 패널 등의 소위 평판 디스플레이 패널에 붙여진 광학부재를 보호하는 용도에 이용할 수 있다.또한, 본 실시형태의 표면보호시트는 광학부재가 단독으로 유통될 경우뿐만 아니라, 광학부재가 평판 디스플레이 패널에 붙여진 상태에서 유통될 경우에도 사용된다.보호 필름에 형성된 점착층(점착제 조성물)의 점착력은 0.05(N/25mm) 내지 0.2(N/25mm) 정도가 바람직하며, 0.1(N/25mm) 정도가 보다 바람직하다. 점착력이 0.05 내지 0.2(N/25mm)의 범위이면, 표면보호시트를 편광판 등의 광학부재로부터 비교적 용이하게 박리시킬 수 있고, 예를 들어 10 m/분 정도의 속도로 박리하는 것이 가능해진다. 또한, 점착력은 JIS Z0237의 점착테이프·점착 시트 시험 방법에 준해서 측정함으로써 구할 수 있다. 구체적으로는, 점착제층을 구비한 광학부재를온도 23℃, 상대 습도 50％의 분위기 하에서 7일간 방치한 후에, 25mm 폭으로 재단하고, 예를 들어 편광판에 붙여, 온도 50℃에서 5kg/㎠×20분의 오토클레이브 처리를 행하고, 그 후에 인장 시험기를 이용해서, 온도 23℃, 상대 습도 50％의 분위기 하에서 박리각 180도, 박리 속도 0.3 m/분에서 JIS Z0237에 준해서 점착력의 측정을 행하여, 점착력을 평가하면 된다.본 실시형태의 점착제 조성물에 의하면, 수산기를 가진 아크릴 아마이드, 수산기를 가진 메타아크릴 아마이드 중에서 단독 또는 2종이상 선택되는 (메타)아크릴 아마이드(a1)와, 아크릴산 에스터, 메타크릴산 에스터 중에서 단독 또는 2종이상 선택되는 (메타)아크릴레이트가 공중합되어 이루어진 공중합체 폴리머(A)와, 이온성 화합물로 이루어진 대전방지제(B)가 함유되어 이루어진 것이므로, 에이징 시간이 짧고 생산성이 우수하며, 양호한 대전방지성능을 가진 점착층을 형성할 수 있는 점착제 조성물을 제공할 수 있다.구체적으로는, 본 실시형태의 점착제 조성물을 광학 시트나 보호 필름 등의 기재에 도포해서 점착층으로 한 경우, 얻어진 점착층의 시트저항은 1×108 내지 1×1011(Ω/□) 정도로 되고, 양호한 대전방지성능을 얻을 수 있다. 본 실시형태의 점착제 조성물에 있어서, 대전방지성능을 향상시키는 효과는 수산기를 가진 아크릴 아마이드 및/또는 메타아크릴 아마이드에 포함되는 질소 원자의 고립 전자쌍의 존재에 의해 이온성 화합물이 점착층 속을 이동하기 쉬워짐으로써 얻어진다.또, 본 실시형태의 점착제 조성물의 에이징 시간이 단시간인 것은, 수산기를 가진 아크릴 아마이드 및/또는 메타아크릴 아마이드에 의해서 공중합체 폴리머의 말단의 수산기가 활성화되어서 공중합체 폴리머의 반응성이 높아진 것에 의한 것으로 추정된다.또한, 본 실시형태의 점착제 조성물은 베이스 폴리머가 (메타)아크릴레이트의 1종 이상을 주성분으로 하는 것이므로, 점착제 조성물의 투명성이 매우 높은 것으로 된다.또, 점착제 조성물을 구성하는 베이스 폴리머의 중량평균 분자량이 100만 내지 200만의 범위이며, 겔 분율이 50 내지 80％의 범위일 경우에는, 점착제 조성물을 광학부재의 점착층으로 했을 때에, 높은 점착력을 얻을 수 있어, 광학부재의 점착층으로서 적합하게 이용할 수 있다.또한, 점착제 조성물을 구성하는 베이스 폴리머의 중량평균 분자량이 30만 내지 100만의 범위이며, 겔 분율이 90 내지 100％의 범위일 경우에는, 점착제 조성물을 표면보호시트의 점착층으로 했을 때의 점착층의 점착력을 약화시킬 수 있다. 이러한 표면보호시트로 했을 경우에는, 평판 디스플레이 패널 등에 붙여진 편광판 등의 표시면으로부터 비교적 용이하게 박리시킬 수 있고, 예를 들어 10m/분 정도의 속도로 용이하게 박리할 수 있는 것으로 할 수 있다.[실시예]다음에, 본 발명의 시험예 1 내지 16에 관하여 설명한다. 먼저, 최초에, 시험예 1 내지 16에 대응하는 점착제 조성물을 조제하고, 이어서, 점착제 조성물을 편광판에 도포함으로써 시험예 1 내지 16의 광학부재를 제조하였다. 그리고, 각 광학부재에 대해서 성능시험을 행하였다. 이하에 상세를 설명한다.(시험예 1에 대응하는 공중합체 조성물의 제조)수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드로서 하이드록시에틸아크릴 아마이드 1 질량부와, 부틸아크릴레이트 98.99 질량부와, 용매로서 아세트산 에틸 120 질량부를, 환류기 및 교반기가 장착된 플라스크에 주입하고, 질소치환을 행하면서 65℃까지 가열하였다. 이어서, 중합개시제로서 AIBN을 0.04 질량부 가하고, 65℃를 유지하면서 6시간에 걸쳐서 중합반응을 행하였다. 중합반응 종료 후, 이온성 화합물로서 1-헥실-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트를 0.01 질량부 첨가하고, 점도조정을 위해서 아세트산 에틸을 더욱 280 질량부 첨가하고, 실온까지 냉각함으로써, 시험예 1의 점착제 조성물을 함유하는 공중합체 조성물 용액을 얻었다.공중합체 조성물 용액 중의 점착제 조성물의 농도는 20 질량％이며, 공중합체 조성물 용액의 점도는 4500mPa·s였다. 표 1에 점착제 조성물의 배합비와, 공중합체 조성물 용액 중의 점착제 조성물의 농도와, 공중합체 조성물 용액의 점도를 나타낸다.또한, 베이스 폴리머의 평균 중량분자량을 GPC법에 의해 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.(시험예 2 내 16에 대응하는 공중합체 조성물 용액의 제조)수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드로서 하이드록시에틸아크릴 아마이드를 배합해서(또는 배합하지 않고), 부틸아크릴레이트와, 2-에틸헥실아크릴레이트와, N,N-디에틸아크릴아미드와, 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 4-하이드록시부틸아크릴레이트와, 아크릴산과, 아크릴 아마이드 중 어느 1종 또는 2종 이상과, 용매로서 아세트산 에틸을 적당하게 배합하는 동시에, 이온성 화합물로서 1-헥실-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트와, N-메틸-N-프로필피페리디늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드와, 1-에틸피리디늄 브로마이드와, 1-부틸-3-메틸피리디늄 트라이플루오로메테인설포네이트와, 1-부틸-3-메틸피리디늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드 중 어느 1종을 배합한(또는 배합하지 않은) 것 이외에는, 상기 시험예 1의 경우와 마찬가지로 해서, 시험예 2 내지 10의 점착제 조성물을 함유하는 공중합체 조성물 용액을 얻었다. 표 1 표 2에 시험예 2 내지 16의 점착제 조성물의 배합비와, 각 공중합체 조성물 용액의 점도와, 각 공중합체 조성물 용액 중의 점착제 조성물의 농도와, 베이스 폴리머의 평균 중량분자량을 함께 나타낸다.(시험예 1 내지 16의 광학부재의 제조)표 1 및 표 2에 나타낸 시험예 1 내지 16의 공중합체 조성물 용액 중의 점착제 조성물 100 질량부에 대하여, 가교제(B)로서 트라이메틸올프로페인/톨릴렌다이아이소사이아네이트형 가교제(니혼폴리우레탄코교(주) 제품, 상품명 코로네이트 L)와, 실레인 커플링제(C)로서 3-글리시독시프로필트라이메톡시실레인(신에츠카가쿠코교(주) 제품, 상품명 신에츠 실리콘 KBM-403)을 표 3 및 표 4에 나타낸 배합비로 되도록 첨가하고, 충분히 혼합해서 점착제 조성물 용액으로 하였다. 얻어진 점착제 조성물 용액을 박리 PET 필름(미쓰비시카가쿠 폴리에스테르필름(주) 제품, 상품명 MRF 38)에 건조 후의 두께가 25㎛로 되도록 도포하고, 90℃에서 3분간 건조시켜서, 점착제 조성물로 이루어진 점착층을 형성하였다. 그리고, 점착층 및 박리 PET 필름을 편광판((주)미관 이미징 제품, 상품명 MLPH)에 붙임으로써, 시험예 1 내지 15의 광학부재를 제조하였다.얻어진 광학부재에 대해서, 표면저항값, 금속부식성, 광누설, 내구성, 점착력, 기재에 대한 밀착성, 피착체 오염성, 저온안정성, 리워크성(rework) 등의 성능 시험을 행하였다. 또, 성능 시험의 순서는 다음과 같다.또한, 점착제 조성물 용액에 있어서의 점착제 조성물의 농도와, 점착제 조성물 용액의 점도를 측정하였다. 또, 이하에 나타낸 바와 같이 해서, 겔 분율과, 겔 분율이 안정될 때까지의 일수를 조사하였다. 이들 결과를 표 3 및 표 4에 나타낸다.「겔 분율」시험예 1 내지 16의 광학부재에서 이용한 편광판 대신에 박리 처리한 폴리에스터 필름을 사용해서 시험예 1 내지 16의 시험체를 제작하고, 온도 23℃, 상대습도 50％의 분위기 하에 방치하여, 도공후 1, 3, 5, 7, 10, 15일 경과한 시험체의 겔 분율을 측정하였다.겔 분율은 다음 식에 의해 산출하였다.겔 분율(중량％) =[(W3-W2)/W1] ×100상기 식에 있어서, W1은 시험체로부터 채취한 점착층의 중량(g)이다. W2는 후술하는 스테인레스제의 철망의 중량(g)이다. W3는 시험체로부터 채취한 점착층을 넣은 샘플 병에 아세트산 에틸을 약 30g 가하고, 채취한 점착층을 하룻밤 침지시킨 후, 샘플 병의 내용물을 200 메쉬의 스테인레스제의 철망을 이용해서 여과하고, 90℃에서 1시간 건조시켜서 얻어진 철망 상의 막(여과물)과 스테인레스제의 철망의 중량(g)이다.「겔 분율이 안정될 때까지의 일수」전술한 바와 같이, 도공후 일정 기간 경과한 시험체의 겔 분율을 측정하고, 겔 분율에 변화가 보이지 않게 된 일수를 겔 분율이 안정될 때까지의 일수로 하였다.＜성능 시험의 시험 방법＞「표면저항값」온도 23℃, 상대습도 50％의 분위기 하에서 7일간 방치 후의 광학부재의 점착제층의 표면저항값을, 마이크로엘렉트로미터((주) 카와구치덴키세이사큐쇼 제품)를 사용해서 온도 23℃, 상대습도 50％의 분위기 하에서 측정하였다.「금속부식성」온도 23℃, 상대습도 50％의 분위기 하에서 7일간 방치 후의 광학부재의 점착제층에 알루미늄 호일을 붙여서 온도 60℃, 상대습도 90％의 분위기 하에서 2일간 방치했을 때의 부식성을 관찰하였다. 알루미늄 호일에 변화가 없는 경우에는 ○로 하고, 알루미늄 호일이 백화한 경우를 ×로 하였다.「광누설」온도 23℃, 상대습도 50％의 분위기 하에서 7일간 방치 후의 광학부재를 120mm(편광판 MD 방향)×60mm 및 120mm(편광판 TD 방향)×60mm의 크기로 각각 재단하고, 유리판의 양면에 겹치도록 붙이고, 온도 50℃에서 5kg/㎠×20분의 오토클레이브 처리를 행하였다. 그 후에 온도 80℃의 분위기 하에서 120시간 방치 후의 외관을 관찰하였다. 광누설이 관찰되지 않은 경우에는 ○로 하고, 광누설이 관찰된 경우를 ×로 하였다.「내구성」온도 23℃, 상대습도 50％의 분위기 하에서 7일간 방치 후의 광학부재를 120mm(편광판 MD 방향)×60mm의 크기로 재단하고, 유리판에 붙이고, 온도 50℃에서 5kg/㎠×20분의 오토클레이브 처리를 행하였다. 그 후, 온도 80℃ 분위기 하 및 온도 60℃, 상대습도 90％의 분위기 하에서 120시간 방치한 후의 외관을 관찰하였다. 발포, 들뜸 또는 벗겨짐이 관찰되지 않은 경우를 ○로 하고, 발포, 들뜸 또는 벗겨짐이 관찰된 경우를 ×로 하였다.「점착력 및 기재에 대한 밀착성」온도 23℃, 상대습도 50％의 분위기 하에서 7일간 방치 후의 광학부재를 25mm 폭으로 재단하고, 이것을 유리판에 붙이고, 온도 50℃에서 5kg/㎠×20분의 오토클레이브 처리를 행하였다. 그 후에 인장 시험기를 이용하여, 온도 23℃, 상대습도 50％의 분위기 하에서, 박리 각 180도, 박리 속도 0.3m/분의 조건으로 JIS ZO237(점착테이프·점착 시트 시험 방법)에 준해서 점착력의 측정을 행하였다. 그리고, 편광판(기재)에 대한 밀착성을 평가하였다. 점착층이 편광판으로부터 완전히 벗겨지지 않은 경우를 ○로 하고, 점착층이 편광판으로 벗겨진 경우를 ×로 하였다.「피착체 오염성」상기 점착력 측정 전후의 유리판면의 접촉각을 측정하였다. 점착력 측정 전후의 유리면의 접촉각에 변화가 없을 경우를 ○로 하고, 점착력 측정 전후의 유리면의 접촉각에 변화가 있었던 경우를 ×로 하였다. 한편, 접촉각의 측정은 JIS R3257(기판 유리 표면의 젖은 성분시험 방법)에 준해서 행하였다.「저온안정성」온도 23℃, 상대습도 50％의 분위기 하에서 7일간 방치 후의 광학부재를 120mm(편광판 MD 방향)×60mm의 크기로 재단하고, 이것을 유리판에 붙여서, 온도 50℃에서 5kg/㎠×20분의 오토클레이브 처리를 행하였다. 그 후에 온도 -40℃분위기 하에서 120시간 방치한 후의 외관을 관찰하였다. 발포, 들뜸, 벗겨짐 또는 석출물이 관찰되지 않은 경우를 ○로 하고, 발포, 들뜸, 벗겨짐 또는 석출물이 관찰된 경우를 ×로 하였다.「리워크성」상기 점착력 측정시 박리 상태를 관찰하였다. 계면파괴가 관찰된 경우를 ○로 하고, 유리판(피착체)에 전착 및/또는 응집파괴가 관찰된 경우를 ×로 하였다.표 3에 나타낸 바와 같이 시험예 1 내지 10의 점착층의 표면저항값은 1011Ω/□ 이하이며 양호한 대전방지성을 나타냈다. 또, 시험예 1 내지 10에 대해서는, 겔 분율이 안정될 때까지의 일수가 3일로 짧았다. 또한, 시험예 1 내지 10의 광학부재에 대해서는, 점착력이 4 내지 8(N/25mm)로 적당한 강도였다.나아가서는, 시험예 1 내지 10의 광학부재에 대해서는, 금속부식성, 광누설, 내구성, 기재에 대한 밀착성, 피착체 오염성, 저온안정성 및 리워크성이 모두 양호하였다.또한, 표 4에 나타낸 바와 같이, 시험예 11에 대해서는, 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드도 대전방지제도 첨가되어 있지 않기 때문에, 표면저항값이 1015(Ω/□)을 나타내, 대전방지성능이 시험예 1 내지 10에 비해서 뒤떨어지는 결과가 되었다. 또, 시험예 11에 대해서는, 겔 분율이 안정될 때까지의 일수가 10일로 시험예 1 내지 10에 비해서 길었다.또한, 시험예 12에 대해서는, 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드가 첨가되어 있지 않기 때문에, 겔 분율이 안정될 때까지의 일수가 10일로 시험예 1 내지 10에 비해서 길었다.또, 시험예 13에 대해서는, 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드의 첨가량이 적기 때문에, 표면저항값이 1014(Ω/□)을 나타내, 대전방지성능이 시험예 1 내지 10에 비해서 뒤떨어지는 결과가 되었다. 또한, 내구성 및 리워크성의 평가가 ×였다.또한, 시험예 14에 대해서는, 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드의 첨가량이 많기 때문에, 내구성의 평가가 ×로 되었다.또, 시험예 15에 대해서는, 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드의 첨가량이 적기 때문에, 내구성 및 리워크성의 평가가 ×였다.또, 시험예 16에 대해서는, 수산기를 갖지 않은 질소기 함유 모노머인, N,N-디에틸아크릴아미드를 사용했기 때문에, 겔분율이 안정될 때가지의 일수가 10일로 시험예 1∼10에 비해 길었고, 광누설 및 내구성의 평가가 ×였다.다음에, 시험예 17 내지 32에 대하여 설명한다. 우선, 최초에, 시험예 17 내지 32에 대응하는 점착제 조성물을 조제하고, 이어서, 점착제 조성물을 보호 필름에 도포함으로써 시험예 17 내지 32의 표면보호시트를 제조하였다. 그리고, 각 표면보호시트에 대해서 성능시험을 행하였다. 이하에 상세를 설명한다.(시험예 17에 대응하는 공중합체 조성물의 제조)수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드로서 하이드록시에틸아크릴 아마이드 1 질량부와, 부틸아크릴레이트 40 질량부와, 2-에틸헥실아크릴레이트 58.99 질량부와, 용매로서 아세트산 에틸 150 질량부를, 환류기 및 교반기가 장착된 플라스크에 주입하고, 질소치환을 행하면서 65℃까지 가열하였다. 이어서, 중합개시제로서 AIBN을 0.1 질량부 가해서, 더욱 1시간후 AIBN을 0.05 질량부 가하고, 65℃를 유지하면서 6시간에 걸쳐서 중합반응을 행하였다. 중합반응 종료 후, 이온성 화합물로서 1-헥실-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트를 0.01 질량부 첨가하고, 점도조정을 위해서 아세트산 에틸을 더욱 36 질량부 첨가하고, 실온까지 냉각함으로써, 시험예 16의 점착제 조성물을 함유하는 공중합체 조성물 용액을 얻었다.공중합체 조성물 용액 중의 점착제 조성물의 농도는 35 질량％이며, 공중합체 조성물 용액의 점도는 3500mPa·s였다. 표 5에 점착제 조성물의 배합비와, 공중합체 조성물 용액 중의 점착제 조성물의 농도와, 공중합체 조성물 용액의 점도를 나타낸다.또한, 베이스 폴리머의 평균 중량분자량을 GPC법에 의해 측정하였다. 결과를 표 5에 나타낸다.(시험예 18 내지 32에 대응하는 공중합체 조성물 용액의 제조)수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드로서 하이드록시에틸아크릴 아마이드를 배합하고(또는 배합하지 않고), 부틸아크릴레이트와, 2-에틸헥실아크릴레이트와, 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 4-하이드록시부틸아크릴레이트와, 아크릴산과, 아크릴 아마이드 중 어느 1종 또는 2종 이상과, 용매로서 아세트산 에틸을 적당하게 배합하는 동시에, 이온성 화합물로서 1-헥실-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트와, N-메틸-N-프로필피페리디늄 비스(트라이플루오로메테인설포닐)이미드, 1-에틸피리디늄 브로마이드와, 1-부틸-3-메틸피리디늄 트라이플루오로메테인설포네이트 중 어느 1종을 배합한(또는 배합하지 않은) 것 이외에는, 상기 시험예 17의 경우와 마찬가지로 해서, 시험예 18 내지 32의 점착제 조성물을 함유하는 공중합체 조성물 용액을 얻었다. 표 5 및 표 6에 시험예 18 내지 32의 점착제 조성물의 배합비와, 각 공중합체 조성물 용액의 점도와, 각 공중합체 조성물 용액 중의 점착제 조성물의 농도와, 베이스 폴리머의 평균 중량분자량을 종합해서 나타낸다.(시험예 17 내지 32의 표면보호시트의 제조)표 5 및 표 6에 나타낸 시험예 17 내지 32의 공중합체 조성물 용액 중의 점착제 조성물 100 질량부에 대하여, 가교제(B)로서 헥사메틸렌다이아이소사이아네이트(아이소사이아네이트형 가교제, 니혼폴리우레탄코교(주) 제품, 상품명 코로네이트 HX)를 표 7 및 표 8에 나타낸 배합비가 되도록 첨가하고, 충분히 혼합해서 점착제 조성물 용액으로 하였다.얻어진 점착제 조성물 용액을 박리 PET 필름(미쓰비시화학 폴리에스터 필름(주)제, 상품명 MRF 38)에 건조 후의 두께가 25㎛로 되도록 도포하고, 90℃에서 3분간 건조시켜서, 점착제 조성물로 이루어진 점착층을 형성하였다. 그리고, 점착층 및 박리 PET 필름을 보호 필름인 PET 필름(토레(주) 제품, 상품명 루미러 S10#25)에 붙임으로써, 시험예 17 내지 32의 표면보호시트를 제조하였다.얻어진 표면보호시트에 대해서, 시험예 1과 마찬가지로 해서, 표면저항값, 금속부식성, 피착체 오염성, 저온안정성 등의 성능시험을 행하였다. 단, 피착체를 유리판에서 편광판으로 변경해서 성능시험을 행하였다. 또, 점착력, 기재에 대한 밀착성, 점착제층의 투명성에 대해서, 이하에 나타낸 바와 같이 성능시험을 행하였다.또한, 시험예 1과 마찬가지로 해서, 점착제 조성물 용액에 있어서의 점착제 조성물의 농도와, 점착제 조성물 용액의 점도와, 겔 분율과, 겔 분율이 안정될 때까지의 일수를 조사하였다. 이들 결과를 표 7 및 표 8에 나타낸다.「점착력 및 기재에 대한 밀착성」온도 23℃, 상대습도 50％의 분위기 하에서 7일간 방치 후의 광학부재를 25mm 폭으로 재단하고, 이것을 편광판에 붙여, 온도 50℃에서 5kg/㎠×20분의 오토클레이브 처리를 행하였다. 그 후에 인장 시험기를 이용하여, 온도 23℃, 상대습도 50％의 분위기 하에서, 박리 각 180도, 박리 속도 0.3m/분의 조건으로 JIS ZO237(점착테이프·점착 시트 시험 방법)에 준해서 점착력의 측정을 행하였다. 그리고, 보호 필름(기재)에 대한 밀착성을 평가하였다. 점착층이 보호 필름으로부터 완전히 벗겨지지 않은 경우를 ○로 하고, 점착층이 보호 필름으로부터 벗겨진 경우를 ×로 하였다.「점착제층의 투명성」온도 23℃, 상대습도 50％의 분위기 하에서 7일간 방치한 후의 표면보호시트의 점착제층의 투명성을, 육안으로 확인하였다. 점착제층의 투명성이 양호한 경우를 ○로 하고, 점착제층에 백탁이 보인 것을 ×로 하였다.표 7에 나타낸 바와 같이 시험예 16 내지 25의 표면보호시트는, 점착층의 표면저항값이 108 내지 1011Ω/□으로, 양호한 대전방지성을 나타냈다. 또, 시험예 16 내지 25의 표면보호시트에 대해서는, 점착력이 0.1 내지 0.15(N/25mm)로 적당한 강도였다. 또한, 시험예 17 내지 26의 표면보호시트에 대해서는, 금속부식성, 기재에 대한 밀착성, 피착체 오염성, 저온안정성 및 점착제층의 투명성이 모두 양호하였다.한편, 표 8에 나타낸 바와 같이 시험예 26의 표면보호시트에 대해서는, 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드도 대전방지제도 첨가되어 있지 않기 때문에, 표면저항값이 1015(Ω/□)을 나타내, 대전방지성능이 시험예 17 내지 26에 비해서 뒤떨어지는 결과가 되었다. 또, 시험예 27에 대해서는, 겔 분율이 안정될 때까지의 일수가 10일로, 시험예 17 내지 26에 비해서 길었다.또한, 시험예 28에 대해서는, 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드가 첨가되어 있지 않기 때문에, 겔 분율이 안정될 때까지의 일수가 10일로, 시험예 17내지 26에 비해서 길었다.또, 시험예 29에 대해서는, 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드의 첨가량이 적기 때문에, 표면저항값이 1014(Ω/□)을 나타내, 대전방지성능이 시험예 16 내지 25에 비해서 뒤떨어지는 결과가 되었다.또한, 시험예 30에 대해서는, 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드의 첨가량이 많기 때문에, 기재에 대한 밀착성 및 점착제층의 투명성의 평가가 ×로 되었다.또, 시험예 31에 대해서는, 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드의 첨가량이 적기 때문에, 피착체 오염성의 평가가 × 였다.또, 시험예 32에 대해서는, 수산기를 갖지 않는 질소기 함유 모노머인 N,N-디에틸아크릴아미드를 사용했기 때문에, 겔분율이 안정되기까지 일수가 10일로 시험례 1∼10에 비해 길고, 기재에 대한 밀착성 및 피착체 오염성의 평가가 ×였다.	본 발명은 에이징 시간이 짧고 생산성이 우수하며, 양호한 대전방지성능을 가진 점착층을 형성할 수 있는 점착제 조성물 및 이것을 구비한 광학부재를 제공하는 것을 과제로 하고 있다. 상기 과제를 해결하기 위하여, 수산기를 가지는 아크릴 아마이드, 수산기를 가지는 메타아크릴 아마이드 중에서 선택되는 단독 또는 2종이상의 수산기를 가진 (메타)아크릴 아마이드(a1)와, 아크릴산 에스터, 메타크릴산 에스터 중에서 선택되는 단독 또는 2종이상의 (메타)아크릴레이트(a2)가 공중합되어 이루어진 공중합체 폴리머(A); 및 이온성 화합물로 이루어진 대전방지제(B)를 포함하는 점착제 조성물이 제공된다.
[ 발명의 명칭 ] 타이어 미끄럼 방지 장치TIRE ANTI-SLIP DEVICE [ 기술분야 ] 본 발명은, 강설시 등에 차량의 타이어에 장착하는 타이어 미끄럼 방지 장치에 관련된 것으로서, 특히 미끄럼 방지 본체가 고무나 플라스틱 등의 비금속에 의해 형성되어 있는 타이어 미끄럼 방지 장치에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 본 발명에 관한 종래의 타이어 미끄럼 방지 장치로서, 일본 공개특허공보 2001-71728호에서는, 도 43에 나타내는 바와 같이, 네트상의 타이어 미끄럼 방지 본체(601)와, 이들의 양단을 서로 타이어의 내측 위치에서 연결하는 연결구(602a, 602b)와, 양단을 서로 타이어의 외측 위치에서 연결하는 연결구(603a, 603b)를 갖고, 상기 미끄럼 방지 장치는, 상기 타이어 미끄럼 방지 본체(601)의 타이어의 외측 위치로의 배치 부분에, 양단간의 거리를 축소하여, 상기 미끄럼 방지 장치를 타이어에 밀착시키기 위하여 조임 록 기구(604)가 배치되도록 구성되어 있다. 그러나, 상기 종래의 타이어 미끄럼 방지 장치에서는, 타이어에 대한 장착시, 타이어 미끄럼 방지 본체의 양단을 서로 연결하는 연결구(602a, 602b, 603a, 603b)가, 타이어의 내측 위치와 타이어의 외측 위치에 각각 설치되어 있고, 특히 팔이 들어갈 틈이 좁아, 진흙 등의 오염이 부착되기 쉬운 타이어의 내측 위치에서의 상기 연결구(602a, 602b)의 접속은, 작업성이 나쁘고, 또한 의복을 더럽히는 문제가 있었다. 상기 문제를 해결 가능한 구성으로서, 일본 공개특허공보 평4-238704호에서는, 도 44에 나타내는 바와 같이 차량 등의 타이어 외주를 따라 접촉 배치하는 미끄럼 방지 본체(701)와, 이 미끄럼 방지 본체(701)의 타이어 폭 방향의 내측의 단부에 소정 간격을 두고 설치한 관통 부재(702)와, 상기 미끄럼 방지 본체(701)의 타이어 폭 방향의 외측의 단부에 소정 간격을 두고 설치한 걸림 고정 부재(703)와, 상기 각 관통 부재(702)끼리의 간격을 가변 가능하게 연결함과 함께 상기 미끄럼 방지 본체 내부의 중공부(705)를 타이어 폭 방향으로 관통하여 상기 걸림 고정 부재 측방으로 도출한 끈상을 나타내는 이장(弛張) 부재(704)와, 이 이장 부재(704)의 단부에 설치한 고무 혹은 스프링 등의 인장 부재(706)를 갖고, 타이어의 외측으로부터 이장 부재(704)의 양단부를 당김으로써 타이어의 내측의 관통 부재(702)를 조이는 타이어 미끄럼 방지 장치가 개시되어 있다. 이 타이어 미끄럼 방지 장치는 타이어의 내측 부분의 장착 작업이 타이어의 외측에서 가능하기 때문에, 장착 작업의 간략화 및 장착 시간의 단축화를 도모할 수 있고, 타이어의 내측으로의 걸어 맞춤 작업을 없앴기 때문에 의복이 잘 더러워지지 않게 할 수 있고, 또한 신축성을 갖지 않는 끈상을 나타내는 이장 부재(704)에 의해 타이어의 내측을 조이기 때문에, 타이어 외주에 대한 밀착력을 향상시킬 수 있으며, 나아가 구성 부품의 일체화에 의해 분실 부품의 방지가 가능하다는 취지가 기재되어 있다. 그러나, 일본 공개특허공보 평4-238704호에서 개시되는 타이어 미끄럼 방지 장치는, 이장 부재(704)의 양단부를 당김으로써, 미끄럼 방지 본체(701)의 길이 방향의 일방의 단부와 타방의 단부가 가까이 당겨지는 위치는, 타이어의 내측에 배치되는 관통 부재(702)의 부분뿐이기 때문에, 이장 부재(704)의 양단부를 당겨, 미끄럼 방지 본체(701)의 일방의 단부(701a)와 타방의 단부(701b)를 가까이 당길 때에 미끄럼 방지 본체(701)가 타이어의 내측 방향으로 가까이 당겨져 버리기 때문에, 이장 부재(704)의 양단부를 당긴 후에, 상기 이장 부재(704)의 타이어의 외측으로 인출된 부분을 각 걸림 고정 부재(703)에 걸어 맞추고, 단부에 설치한 고무 혹은 스프링 등의 인장 부재(706)를 상기 걸림 고정 부재(703)의 임의의 위치에 걸어 맞추어, 한번 타이어의 내측으로 가까이 당겨진 미끄럼 방지 본체(701)를, 타이어 외측으로 이동시켜, 타이어의 외측 부분의 상기 일방의 단부(701a)와 타방의 단부 사이(702b)의 거리를 근접시킬 필요가 있었다. 또한, 타이어 폭 방향으로 관통하여 상기 이장 부재(704)를 상기 걸림 고정 부재(703)의 측방으로 도출하는 중공부(705)가, 상기 미끄럼 방지 본체(701)의 길이 방향의 일방의 단부(701a)와 타방의 단부(701b)의 위치로부터 떨어진 위치에 형성되어 있기 때문에, 상기 이장 부재(704)의 양단부를 당겼을 때에는, 미끄럼 방지 본체(701)의 타이어 폭 방향의 타이어의 내측의 단부에 소정 간격을 두면서 설치한 관통 부재(702)와 이장 부재(704) 사이의 마찰 저항에 의해, 미끄럼 방지 본체(701)의 길이 방향의 일방의 단부(701a)와 타방의 단부(701b)를 가까이 당기는 힘이 약해져 버리는 결점이 있었다. 또한, 다른 종래 기술로서, 일본 공개실용신안공보 평4-125906호에서는, 도 45에 나타내는 바와 같이, 타이어 미끄럼 방지 장치에 있어서, 복수의 미끄럼 방지편(801)의 끝(타이어의 내측 방향의 끝)을 삽입 통과하는 윤상체(802)의 양단말이 도출부(803)로서 통과편(804)에 의해 타이어의 이면측으로부터 표면측으로 유도되는 구성으로, 상기 윤상체(802)의 양단말의 도출부(803)는, 상기 통과편(804)의 일단(타이어의 내측면)에 형성된 대략 T자 형상부에 대하여 좌우 방향으로부터 각각 유도되고, 상기 통과편(804)의 내부를 지나, 롤러(805)에 의해 타이어의 외면측으로 유도되는 구조가 개시되어 있으나, 이 종래 기술에서는, 상기 통과편(804)의 내부를 지난 상기 윤상체(802)의 양단말의 도출부(803)가 타이어의 표면측으로 유도될 때에, 롤러(805)에 의해 상기 윤상체(802)와의 마찰 저항을 경감할 수 있으나, 상기 통과편(804)의 일단(타이어의 내측면)에 형성된 대략 T자 형상부는, 상기 윤상체(802)의 삽입 통과 부분이, 상기 통과편(804)의 내부 공간의 단말부에 형성된 횡혈(橫穴)에 의해 구성되어 있기 때문에, 충분히 마찰 저항을 경감할 수 있는 구조가 되어 있지 않고, 또한, 미끄럼 방지 본체의 길이 방향의 일방의 단부와 타방의 단부에 해당하는 구조를 갖고 있지 않아, 상기 윤상체(802)의 양단말의 도출부(803)를 당겨 윤상체(802)를 조일 때에, 좌우 한 쌍의 도출부(803a, 803b)를 각각 상기 통과편(804)에 대하여 반대 방향으로 당길 필요가 있었다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 특허문헌 1 : 일본 공개특허공보 2001-71728호 특허문헌 2 : 일본 공개특허공보 평4-238704호 특허문헌 3 : 일본 공개실용신안공보 평4-125906호 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명의 타이어 미끄럼 방지 장치는, 타이어 원주 방향에 대하여 장착하는 적어도 1세트의 띠상의 미끄럼 방지 본체를 갖고, 상기 미끄럼 방지 본체는, 지면과의 접지부가 표면에 형성되는 트레드부와, 상기 미끄럼 방지 본체의 트레드부로부터 타이어의 내측의 폭 방향으로 형성되는 복수의 내측 레그부와, 상기 미끄럼 방지 본체의 트레드부로부터 타이어의 외측의 폭 방향으로 형성되는 복수의 외측 레그부와, 조임 수단용 와이어를 조여 미끄럼 방지 본체를 타이어에 밀착시키기 위한 조임 수단을 갖는 타이어 미끄럼 방지 장치에 있어서, 상기 조임 수단의 조작이 타이어의 외측에서 가능하고, 타이어 미끄럼 방지 장치의 타이어에 밀착시키기 위한 작업시에 타이어의 내측 혹은 외측 방향으로 상기 미끄럼 방지 본체가 빠지는 일이 없고, 간단한 조작으로 타이어의 최적의 위치에 타이어 미끄럼 방지 장치를 장착할 수 있는 타이어 미끄럼 방지 장치를 얻는 것을 과제로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 타이어 미끄럼 방지 장치는, 타이어 원주 방향에 대하여 장착하는 적어도 1세트의 띠상의 미끄럼 방지 본체를 갖고, 상기 미끄럼 방지 본체는, 지면과의 접지부가 표면에 형성되는 트레드부와, 상기 트레드부로부터 타이어의 내측의 폭 방향으로 형성되는 복수의 내측 레그부와, 상기 트레드부로부터 타이어의 외측의 폭 방향으로 형성되는 복수의 외측 레그부와, 적어도 하나의 조임 수단용 와이어를 조여, 상기 미끄럼 방지 본체를 타이어에 밀착시키기 위한 조임 수단을 갖는 타이어 미끄럼 방지 장치에 있어서, 상기 미끄럼 방지 장치의 조임 수단은, 타이어의 폭 방향을 향하여 조임 수단용 와이어가 통과 가능한 와이어 가이드부가 형성된 와이어 가이드 부재를 갖고, 상기 와이어 가이드 부재의 타이어의 원주 방향의 일방의 측면이 상기 미끄럼 방지 본체의 단부와 근접한 위치를 유지하도록 구성되거나, 혹은, 상기 와이어 가이드 부재의 타이어의 원주 방향의 일방의 위치에 상당하는 부분이 상기 미끄럼 방지 본체와 일체로 구성되고, 상기 와이어 가이드 부재는, 지면과의 접지부가 표면에 형성되는 트레드부와, 상기 와이어 가이드 부재의 트레드부로부터 타이어의 내측의 폭 방향으로 형성되는 내측 레그부와, 상기 와이어 가이드 부재의 트레드부로부터 타이어의 외측의 폭 방향으로 형성되는 외측 레그부를 갖고, 상기 와이어 가이드부는 내측 레그부 및 외측 레그부의 위치에 각각 와이어 출입구가 형성되고, 타이어에 대한 상기 미끄럼 방지 장치의 장착시에 있어서, 미끄럼 방지 본체는 상기 와이어 가이드 부재의 타방의 측면과 대향하는 위치에, 미끄럼 방지 본체의 대향 단부가 배치되고, 상기 조임 수단에 의한 조임 동작시에, 상기 와이어 가이드 부재의 내측 레그부와 상기 미끄럼 방지 본체의 대향 단부의 위치의 내측 레그부 사이의 거리와, 상기 와이어 가이드 부재의 외측 레그부와 상기 미끄럼 방지 본체의 대향 단부의 위치의 외측 레그부 사이의 거리가, 모두 근접하도록 구성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 와이어 가이드부는 내측 레그부 및 외측 레그부의 위치에 상기 와이어 가이드 부재의 타방의 측면 방향을 향하는 만곡부가 형성됨으로써 상기 와이어 가이드부의 와이어 출입구의 방향이, 상기 와이어 가이드 부재의 타방의 측면 방향을 향하여 형성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 미끄럼 방지 본체 혹은 상기 와이어 가이드 부재의 내측 레그부에는 상기 조임 수단용 와이어의 단부를 고정하는 조임 수단용 와이어 단부 고정부가 형성되고, 상기 조임 수단용 와이어 단부 고정부에 단부가 고정된 상기 조임 수단용 와이어는, 상기 미끄럼 방지 본체의 내측 레그부에 배치된 조임 수단용 와이어 통과부 내를 통과하여, 상기 미끄럼 방지 본체의 대향 단부 위치의 내측 레그부에 배치된 조임 수단용 와이어 통과부로부터 인출되고, 또한 상기 조임 수단용 와이어는, 상기 와이어 가이드 부재의 내측 레그부에 형성된 와이어 출입구를 경유하여, 상기 와이어 가이드부를 통과하여 상기 미끄럼 방지 본체의 외측 레그부의 와이어 출입구로부터 인출되고, 상기 미끄럼 방지 본체 혹은 상기 와이어 가이드 부재의 외측 레그부에 와이어 권취 기구가 접속됨으로써 조임 수단이 구성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 조임 수단용 와이어는, 상기 미끄럼 방지 본체의 각각의 내측 레그부에 배치된 상기 조임 수단용 와이어 통과부에 의해 유지되고, 상기 조임 수단에 의해, 상기 미끄럼 방지 본체의 복수의 내측 레그부 사이에 배치된 상기 조임 수단용 와이어가 인출됨으로써, 상기 미끄럼 방지 본체의 복수의 내측 레그부 사이의 거리가 축소되도록 구성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 조임 수단용 와이어는, 상기 와이어 가이드 부재의 내측 레그부와, 상기 미끄럼 방지 본체의 내측 레그부의 대향 단부 사이의 위치에, 상기 조임 수단용 와이어의 상기 미끄럼 방지 본체의 내측 레그부 내로의 복귀 방향의 이동을 규제하는 복귀 방지 부재가 고정되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 미끄럼 방지 본체의 각각의 내측 레그부에 형성된 상기 조임 수단용 와이어 통과부 사이에는 튜브상 부재가 배치되고, 상기 조임 수단용 와이어가 상기 튜브상 부재 내를 통과함으로써, 각각의 내측 레그부의 상기 조임 수단용 와이어 통과부 사이의 최소 거리가 규제되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 미끄럼 방지 본체의 대향 단부 위치의 내측 레그부에는 상기 조임 수단용 와이어의 단부를 고정하는 조임 수단용 와이어 단부 고정부가 형성되고, 상기 조임 수단용 와이어 단부 고정부에 단부가 고정된 상기 조임 수단용 와이어는, 상기 와이어 가이드 부재의 내측 레그부에 형성된 와이어 출입구를 경유하여, 상기 와이어 가이드부를 통과하여 상기 와이어 가이드부의 외측 레그부의 와이어 출입구로부터 인출되고, 상기 미끄럼 방지 본체 혹은 상기 와이어 가이드 부재의 외측 레그부 위치에 배치된 와이어 권취 기구에 접속됨으로써 조임 수단을 구성해도 된다. 또한, 상기 미끄럼 방지 본체의 적어도 일부의 내측 레그부에는 내측 거리 규제용 와이어가 통과하는 내측 거리 규제용 와이어 통과부가 배치되고, 상기 내측 거리 규제용 와이어는, 상기 미끄럼 방지 본체의 각각의 상기 내측 레그부에 배치된 내측 거리 규제용 와이어 통과부에 의해 유지되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 미끄럼 방지 본체의 내측 레그부에 형성된 내측 거리 규제용 와이어 통과부 사이에는 튜브상 부재가 배치되고, 상기 내측 거리 규제용 와이어가 상기 튜브상 부재 내를 통과함으로써, 각각의 내측 레그부의 내측 거리 규제용 와이어 통과부 사이의 최소 거리가 규제되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 와이어 가이드 부재의 내측 레그부 및, 혹은, 적어도 일부의 상기 미끄럼 방지 본체의 내측 레그부 사이에는 내측 거리 규제용 고리상 부재가 접속 가능한 고리상 부재 접속 구멍이 형성되고, 상기 고리상 부재 접속 구멍에 상기 내측 거리 규제용 고리상 부재가 접속됨으로써, 상기 와이어 가이드 부재의 내측 레그부 및, 혹은, 적어도 일부의 상기 미끄럼 방지 본체의 각각의 내측 레그부 사이의 거리가 규제되도록 구성해도 된다. 또한, 상기 와이어 권취 기구가, 상기 미끄럼 방지 본체의 외측 레그부 혹은 상기 와이어 가이드 부재의 외측 레그부의 어느 하나의 위치의 외측 레그부 사이에 배치되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 와이어 권취 기구가, 상기 미끄럼 방지 본체의 대향 단부 위치의 외측 레그부와, 상기 미끄럼 방지 본체의 대향 단부 위치와 인접하는 외측 레그부 사이에 배치되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 와이어 권취 기구가, 상기 미끄럼 방지 본체의 일방의 단부 위치의 외측 레그부와, 상기 미끄럼 방지 본체의 일방의 단부 위치와 인접하는 외측 레그부 사이에 배치되도록 구성해도 된다. 또한, 상기 와이어 권취 기구가 접속 부재를 갖고, 상기 접속 부재의 적어도 일단이, 상기 미끄럼 방지 본체의 외측 레그부 혹은 상기 와이어 가이드 부재의 외측 레그부에 고정되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 와이어 가이드 부재의 외측 레그부에 형성된 와이어 출입구와, 상기 와이어 권취 기구 사이에 있어서, 상기 미끄럼 방지 본체의 외측 레그부의 적어도 하나에, 상기 조임 수단용 와이어 통과부가 배치되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 미끄럼 방지 본체의 적어도 일부의 외측 레그부에는 외측 거리 규제용 와이어가 통과하는 외측 거리 규제용 와이어 통과부가 배치되고, 상기 외측 거리 규제용 와이어는, 상기 미끄럼 방지 본체의 각각의 외측 레그부에 배치된 외측 거리 규제용 와이어 통과부에 의해 유지되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 외측 거리 규제용 와이어의 일단이, 상기 와이어 가이드 부재의 외측 레그부에 고정되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 외측 거리 규제용 와이어의 타단이, 상기 와이어 권취 기구의 접속 부재의 일단 혹은 타단이 고정된 상기 미끄럼 방지 본체의 외측 레그부에 고정되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 외측 거리 규제용 와이어의 타단이, 상기 와이어 권취 기구의 접속 부재에 고정되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 미끄럼 방지 본체의 외측 레그부에 배치된 외측 거리 규제용 와이어 통과부 사이의 적어도 일부에는 튜브상 부재가 배치되고, 상기 외측 거리 규제용 와이어가 상기 튜브상 부재 내를 통과함으로써, 상기 미끄럼 방지 본체의 각각의 외측 레그부의 외측 거리 규제용 와이어 통과부 사이의 최소 거리가 규제되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 와이어 가이드 부재의 외측 레그부 및, 혹은 적어도 일부의 상기 미끄럼 방지 본체의 외측 레그부 사이에는 외측 거리 규제용 고리상 부재가 접속 가능한 고리상 부재 접속 구멍이 형성되고, 상기 고리상 부재 접속 구멍에 상기 외측 거리 규제용 고리상 부재가 접속됨으로써, 각각의 상기 와이어 가이드 부재의 외측 레그부 및, 혹은 적어도 일부의 상기 미끄럼 방지 본체의 각각의 외측 레그부 사이의 거리가 규제되도록 구성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 타이어 미끄럼 방지 장치는, 상기 타이어 미끄럼 방지 장치가, 제1 미끄럼 방지 본체와 제2 미끄럼 방지 본체를 갖고, 상기 제1 미끄럼 방지 본체의 타이어의 원주 방향의 일방의 단부에는, 제1 와이어 가이드 부재가 배치되고, 상기 제1 미끄럼 방지 본체의 타이어의 원주 방향의 타방의 단부에는, 제2 와이어 가이드 부재가 배치되고, 상기 제1 와이어 가이드 부재의 일방의 측면 및 제2 와이어 가이드 부재의 일방의 측면이 항상 상기 제1 미끄럼 방지 본체의 단부와 근접한 위치를 유지하도록 구성되거나, 혹은, 상기 제1 와이어 가이드 부재의 일방의 위치에 상당하는 부분 및 상기 제2 와이어 가이드 부재의 일방의 위치에 상당하는 부분이 상기 제1 미끄럼 방지 본체와 일체로 구성되고, 상기 미끄럼 방지 장치의 타이어에 대한 장착시에 있어서, 상기 제1 미끄럼 방지 본체의 제1 와이어 가이드 부재의 타방의 측면 및 제2 와이어 가이드 부재의 타방의 측면과 대향하는 위치에는 상기 제2 미끄럼 방지 본체의 일방의 대향 단부 및 타방의 대향 단부가 각각 배치되고, 상기 제1 미끄럼 방지 본체의 제1 와이어 가이드 부재의 타방의 측면과 대향하여 배치되는 상기 제2 미끄럼 방지 본체의 일방의 대향 단부 사이의 거리와, 상기 제1 미끄럼 방지 본체의 제2 와이어 가이드 부재의 타방의 측면과 대향하여 배치되는 상기 제2 미끄럼 방지 본체의 타방의 대향 단부 사이의 거리의 적어도 어느 1지점의 거리가 가변으로 구성되고, 상기 제2 미끄럼 방지 본체의 내측 레그부에는 각각, 상기 조임 수단용 와이어 통과부가 배치되고, 상기 조임 수단용 와이어는, 상기 제2 미끄럼 방지 본체의 내측 레그부에 배치된 상기 조임 수단용 와이어 통과부 내를 통과하고, 상기 조임 수단용 와이어의 일단이 상기 제2 미끄럼 방지 본체의 일방의 대향 단부의 내측 레그부에 배치된 상기 조임 수단용 와이어 통과부로부터 인출되고, 상기 제1 미끄럼 방지 본체의 제1 와이어 가이드 부재의 내측 레그부의 와이어 출입구로부터 들어가 상기 와이어 가이드부를 통과하여 외측 레그부의 와이어 출입구로부터 인출되고, 대향하여 배치되는 상기 제2 미끄럼 방지 본체의 일방의 대향 단부의 위치의 외측 단부에 배치된 상기 조임 수단용 와이어 통과부 내를 통과하여, 상기 제2 미끄럼 방지 본체의 외측 레그부 위치에 배치된 제1 와이어 권취 기구에 접속되고, 상기 조임 수단용 와이어의 타단이 상기 제2 미끄럼 방지 본체의 타방의 대향 단부의 내측 레그부에 배치된 상기 조임 수단용 와이어 통과부로부터 인출되고, 상기 제1 미끄럼 방지 본체의 제2 와이어 가이드 부재의 내측 레그부의 와이어 출입구로부터 들어가 상기 와이어 가이드부를 통과하여 외측 레그부의 와이어 출입구로부터 인출되고, 대향하여 배치되는 상기 제2 미끄럼 방지 본체의 타방의 대향 단부의 위치의 외측 단부에 배치된 상기 조임 수단용 와이어 통과부 내를 통과하여, 상기 제2 미끄럼 방지 본체의 외측 레그부 위치에 배치된 제2 와이어 권취 기구에 접속됨으로써 조임 수단이 구성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 제2 미끄럼 방지 본체의 내측 레그부에 배치된 상기 조임 수단용 와이어 통과부 사이의 적어도 일부에는 튜브상 부재가 배치되고, 상기 조임 수단용 와이어가 상기 튜브상 부재 내를 통과함으로써, 상기 제2 미끄럼 방지 본체의 각각의 내측 레그부의 조임 수단용 와이어 통과부 사이의 최소 거리가 규제되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 제1 와이어 가이드 부재 및 제2 와이어 가이드 부재의 내측 레그부에는, 각각 내측 거리 규제용 와이어의 단부를 고정하는 내측 거리 규제용 와이어 단부 고정부가 형성되고, 상기 제1 미끄럼 방지 본체의 내측 레그부에는, 각각 상기 내측 거리 규제용 와이어가 통과하는 내측 거리 규제용 와이어의 통과부가 배치되고, 상기 내측 거리 규제용 와이어는, 상기 제1 미끄럼 방지 본체의 각각의 내측 레그부에 형성된 내측 거리 규제용 와이어의 통과부에 의해 유지되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 제1 미끄럼 방지 본체의 내측 레그부에 배치된 내측 거리 규제용 와이어 통과부 사이의 적어도 일부에는 튜브상 부재가 배치되고, 상기 내측 거리 규제용 와이어가 상기 튜브상 부재 내를 통과함으로써, 상기 제1 미끄럼 방지 본체의 각각의 내측 레그부의 내측 거리 규제용 와이어 통과부 사이의 최소 거리가 규제되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 제1 와이어 가이드 부재의 내측 레그부 및, 혹은, 상기 제2 와이어 가이드 부재의 내측 레그부 및, 혹은, 적어도 일부의 상기 제1 미끄럼 방지 본체의 내측 레그부 사이에는 내측 거리 규제용 고리상 부재가 접속 가능한 고리상 부재 접속 구멍이 형성되고, 상기 고리상 부재 접속 구멍에 상기 내측 거리 규제용 고리상 부재가 접속됨으로써, 상기 제1 와이어 가이드 부재 및, 혹은, 상기 제2 와이어 가이드 부재 및, 혹은, 적어도 일부의 상기 제1 미끄럼 방지 본체의 내측 레그부 사이의 거리가 규제되도록 구성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 제1 와이어 가이드 부재 및 상기 제2 와이어 가이드 부재의 외측 레그부에는, 각각 제1 외측 거리 규제용 와이어의 단부를 고정하는 제1 외측 거리 규제용 와이어 단부 고정부가 형성되고, 상기 제1 미끄럼 방지 본체의 외측 레그부에는, 각각 상기 제1 외측 거리 규제용 와이어가 통과하는 제1 외측 거리 규제용 와이어의 통과부가 형성되고, 상기 제1 외측 거리 규제용 와이어는, 상기 제1 미끄럼 방지 본체의 각각의 외측 레그부에 배치된 제1 외측 거리 규제용 와이어의 통과부에 의해 유지되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 제1 미끄럼 방지 본체의 외측 레그부에 배치된 제1 외측 거리 규제용 와이어 통과부 사이의 적어도 일부에는 튜브상 부재가 배치되고, 상기 제1 외측 거리 규제용 와이어가 상기 튜브상 부재 내를 통과함으로써, 상기 제1 미끄럼 방지 본체의 각각의 외측 레그부의 제1 외측 거리 규제용 와이어 통과부 사이의 최소 거리가 규제되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 제1 와이어 가이드 부재의 외측 레그부 및, 혹은, 상기 제2 와이어 가이드 부재의 외측 레그부 및, 혹은, 적어도 일부의 상기 제1 미끄럼 방지 본체의 외측 레그부 사이에는 제1 외측 거리 규제용 고리상 부재가 접속 가능한 고리상 부재 접속 구멍이 형성되고, 상기 고리상 부재 접속 구멍에 상기 제1 외측 거리 규제용 고리상 부재가 접속됨으로써, 상기 제1 와이어 가이드 부재 및, 혹은, 상기 제2 와이어 가이드 부재 및, 혹은, 적어도 일부의 상기 제1 미끄럼 방지 본체의 외측 레그부 사이의 거리가 규제되도록 구성해도 된다. 또한, 상기 제2 미끄럼 방지 본체의 적어도 일부의 외측 레그부에는 제2 외측 거리 규제용 와이어가 통과하는 제2 외측 거리 규제용 와이어의 통과부가 형성되고, 상기 제2 외측 거리 규제용 와이어는, 상기 제2 미끄럼 방지 본체의 각각의 상기 외측 레그부에 배치된 제2 외측 거리 규제용 와이어의 통과부에 의해 유지되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 제2 외측 거리 규제용 와이어의 일단이, 상기 제1 와이어 권취 기구의 접속 부재에 고정되고, 상기 제2 외측 거리 규제용 와이어의 타단이, 상기 제2 와이어 권취 기구의 접속 부재에 고정되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 제2 외측 거리 규제용 와이어의 일단이, 상기 제1 와이어 권취 기구의 접속 부재가 고정된 외측 레그부에 고정되고, 상기 제2 외측 거리 규제용 와이어의 타단이, 상기 제2 와이어 권취 기구의 접속 부재가 고정된 외측 레그부에 고정되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 제2 미끄럼 방지 본체의 외측 레그부에 형 배치된 제2 외측 거리 규제용 와이어 통과부 사이의 적어도 일부에는 튜브상 부재가 배치되고, 상기 제2 외측 거리 규제용 와이어가 상기 튜브상 부재 내를 통과함으로써, 상기 제2 미끄럼 방지 본체의 각각의 상기 외측 레그부의 제2 외측 거리 규제 와이어 통과부 사이의 최소 거리가 규제되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 제2 미끄럼 방지 본체의 적어도 일부의 외측 레그부 사이에는 제2 외측 거리 규제용 고리상 부재가 접속 가능한 고리상 부재 접속 구멍이 형성되고, 상기 고리상 부재 접속 구멍에 상기 제2 외측 거리 규제용 고리상 부재가 접속됨으로써, 상기 제2 미끄럼 방지 본체의 각각의 외측 레그부 사이의 거리가 규제되도록 구성해도 된다. 또한, 상기 와이어 가이드부가, 상기 와이어 가이드 부재에 설치된 구멍에 의해 구성되는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 와이어 가이드 부재에 설치된 구멍은, 상기 와이어 가이드 부재에 대하여 인서트 성형된 튜브상의 와이어 통과 부재에 의해 구성해도 된다. 또한, 상기 와이어 가이드 부재에 설치된 구멍은, 상기 와이어 가이드 부재에 형성된 오목부와, 상기 오목부 내에 배치된 튜브상의 와이어 통과 부재로부터 구성해도 된다. 또한, 상기 와이어 가이드부가, 상기 와이어 가이드 부재에 형성된 오목부와, 상기 오목부를 적어도 부분적으로 막아 와이어의 이탈을 방지하는 빠짐 방지부를 갖도록 구성해도 된다. 또한, 와이어 가이드 부재를 튜브상의 와이어 가이드부만으로 구성해도 된다. 또한, 상기 조임 수단용 와이어의 선경(線徑)을 Amm로 한 경우에, 와이어 가이드부에 각각 형성된 만곡부의 곡률 반경은 3A2mm 이상으로 형성되는 것을 특징으로 한다. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 타이어 미끄럼 방지 장치는, 상기 미끄럼 방지 본체의 일방의 단부의 위치에 상기 미끄럼 방지 본체의 폭 방향을 향하여 조임 수단용 와이어가 삽입 통과하는 와이어 가이드부가 형성된 와이어 가이드 부재가 배치되고, 상기 와이어 가이드부는, 내측 레그부 및 외측 레그부의 위치에 각각 와이어 출입구가 형성되고, 외측 레그부의 위치에 배치된 조임 수단의 조작부의 조작에 의해 조임 수단용 와이어를 조였을 때에, 상기 미끄럼 방지 본체의 일방의 단부의 위치(상기 와이어 가이드 부재)와 상기 타방의 단부의 위치가, 내측 레그부 위치와 외측 레그부 위치의 양방의 위치에서, 근접하도록 가까이 당겨지는 구성이기 때문에, 타이어 미끄럼 방지 장치의 타이어에 밀착시키기 위한 작업시에 타이어의 내측 혹은 외측 방향으로 상기 미끄럼 방지 본체가 빠지는 일이 없고, 간단한 조작으로 타이어의 최적의 위치에 타이어 미끄럼 방지 장치를 장착할 수 있는 효과를 갖는다. 또한 상기 와이어 가이드부의 와이어 출입구가 상기 와이어 가이드 부재의 내측 레그부 및 외측 레그부의 위치에 각각 형성되고, 상기 와이어 가이드부는 상기 내측 레그부 및 외측 레그부의 위치에 상기 타이어 미끄럼 방지 본체의 타방의 단부 방향을 향하는 만곡부가 형성되고, 상기 와이어 출입구의 방향이 각각 상기 미끄럼 방지 본체의 타방의 단부 방향을 향하여 형성됨으로써, 상기 조임 수단의 동작시의 조임 수단용 와이어와 와이어 가이드부의 마찰 저항이 저감되고, 또한 타이어에 대한 타이어 미끄럼 방지 장치의 밀착 동작시에, 상기 조임 수단용 와이어가 삽입 통과하는 와이어 가이드부가 형성된 와이어 가이드 부재가, 상기 미끄럼 방지 본체의 타방의 단부에 대하여 직접 가까이 당겨지기 때문에, 상기 조임 수단용 와이어의 조임력이, 상기 타이어 미끄럼 방지 장치의 변형이나 마찰에 의해 흡수되는 것을 최소한으로 억제할 수 있어, 타이어에 대한 타이어 미끄럼 방지 장치의 장착과 조임 동작을 효율적으로 행할 수 있는 효과를 갖는다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명의 제1 실시예의 장착 상태를 타이어의 내측면에서 본 이면도이다. 도 2는 본 발명의 제1 실시예의 장착 상태를 타이어의 외측면에서 본 정면도이다. 도 3은 본 발명의 제1 실시예의 장착 상태를 타이어의 좌측면에서 본 좌측면도이다. 도 4는 본 발명의 제1 실시예의 장착 상태를 타이어의 상면에서 본 평면도이다. 도 5는 도 1의 요부 확대도이다. 도 6은 도 2의 요부 확대도이다. 도 7은 도 1의 AA 단면 확대도이다. 도 8은 도 1의 BB 단면 확대도이다. 도 9는 도 2의 CC 단면 확대도이다. 도 10은 도 2의 DD 단면 확대도이다. 도 11은 도 2의 EE 단면 확대도이다. 도 12는 도 2의 FF 단면 확대도이다. 도 13은 도 2의 GG 단면 확대도이다. 도 14는 본 발명의 제1 실시예의 변형예를 나타내는 타이어의 외측면에서 본 정면도이다. 도 15는 도 14의 요부 확대도이다. 도 16은 본 발명의 제1 실시예의 다른 변형예를 나타내는 타이어의 외측면에서 본 요부 확대도이다. 도 17은 본 발명의 제1 실시예의 다른 변형예를 나타내는 타이어의 내측면에서 본 요부 확대도이다. 도 18은 본 발명의 제1 실시예의 다른 변형예를 나타내는 타이어의 외측면에서 본 요부 확대도이다. 도 19는 본 발명의 제1 실시예의 타이어에 대한 장착 행정을 나타내는 참고도이다. 도 20은 본 발명의 제1 실시예의 타이어에 대한 장착 행정을 나타내는 참고도이다. 도 21은 본 발명의 제1 실시예의 타이어에 대한 장착 행정을 나타내는 참고도이다. 도 22는 본 발명의 제1 실시예의 타이어에 대한 장착 행정을 나타내는 참고도이다. 도 23은 본 발명의 제2 실시예의 장착 상태를 타이어의 내측면에서 본 이면도이다. 도 24는 본 발명의 제2 실시예의 장착 상태를 타이어의 외측면에서 본 정면도이다. 도 25는 본 발명의 제2 실시예의 장착 상태를 타이어의 좌측면에서 본 좌측면도이다. 도 26은 본 발명의 제2 실시예의 장착 상태를 타이어의 상면에서 본 평면도이다. 도 27은 도 23의 요부 확대도이다. 도 28은 도 24의 요부 확대도이다. 도 29는 본 발명의 제3 실시예의 장착 상태를 타이어의 내측면에서 본 이면도이다. 도 30은 본 발명의 제3 실시예의 장착 상태를 타이어의 외측면에서 본 정면도이다. 도 31은 본 발명의 제3 실시예의 장착 상태를 타이어의 좌측면에서 본 좌측면도이다. 도 32는 본 발명의 제3 실시예의 장착 상태를 타이어의 상면에서 본 평면도이다. 도 33은 도 29의 요부 확대도이다. 도 34는 도 30의 요부 확대도이다. 도 35는 본 발명의 제4 실시예의 장착 상태를 타이어의 내측면에서 본 이면도이다. 도 36은 본 발명의 제4 실시예의 장착 상태를 타이어의 외측면에서 본 정면도이다. 도 37은 본 발명의 제4 실시예의 장착 상태를 타이어의 좌측면에서 본 좌측면도이다. 도 38은 본 발명의 제4 실시예의 장착 상태를 타이어의 상면에서 본 평면도이다. 도 39는 도 35의 요부 확대도이다. 도 40은 도 35의 요부 확대도이다. 도 41은 도 36의 요부 확대도이다. 도 42는 도 36의 요부 확대도이다. 도 43은 종래 기술을 나타내는 평면도이다. 도 44는 종래 기술을 나타내는 사시도이다. 도 45는 종래 기술을 나타내는 정면도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명의 실시형태에 대해, 도면에 입각하여 구체적으로 설명한다. 실시예 1 도 1 내지 도 13은 본 발명의 바람직한 실시형태의 일례를 나타내는 것으로서, 도 1은 본 발명의 제1 실시예의 장착 상태를 타이어의 내측면에서 본 이면도, 도 2는 본 발명의 제1 실시예의 장착 상태를 타이어의 외측면에서 본 정면도, 도 3은 본 발명의 제1 실시예의 장착 상태를 타이어의 좌측면에서 본 좌측면도, 도 4는 본 발명의 제1 실시예의 장착 상태를 타이어의 상면에서 본 평면도, 도 5는 도 1의 요부 확대도, 도 6은 도 2의 요부 확대도이다. 본 발명의 제1 실시예의 타이어 미끄럼 방지 장치는, 차량의 타이어(500)의 원주 방향에 대하여 장착하는 1세트의 띠상의 미끄럼 방지 본체(1)를 갖고, 상기 미끄럼 방지 본체(1)는 폴리우레탄 엘라스토머 또는 고무 등의 가요성 재료로 형성되고, 지면과의 접지부가 표면에 형성되는 트레드부(4)와, 상기 트레드부(4)로부터 타이어(500)의 내측의 폭 방향으로 돌출 설치하여 형성되는 복수의 내측 레그부(5)와, 상기 트레드부(4)로부터 타이어(500)의 외측의 폭 방향으로 돌출 설치하여 형성되는 복수의 외측 레그부(6)와, 조임 수단용 와이어(71)를 조여 상기 미끄럼 방지 본체(1)를 타이어(500)에 밀착시키기 위한 조임 수단(7)을 갖는다. 상기 미끄럼 방지 장치의 조임 수단(7)은, 타이어(500)의 폭 방향을 향하여 조임 수단용 와이어(71)가 통과 가능한 와이어 가이드부(21)가 형성된 와이어 가이드 부재(2)를 갖고, 상기 와이어 가이드 부재(2)는, 타이어의 원주 방향에 대한 일방의 측면(2a)이 항상 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 일방의 단부(11)와 근접한 위치를 유지하도록 구성된다. 한편, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 일방의 위치에 상당하는 부분을 상기 미끄럼 방지 본체(1)와 일체로 구성해도 된다.(도시 생략) 상기 와이어 가이드 부재(2)는, 지면과의 접지부가 표면에 형성되는 트레드부(22)와, 상기 트레드부(22)로부터 타이어의 내측의 폭 방향으로 형성되는 내측 레그부(23)와, 상기 트레드부(22)로부터 타이어의 외측의 폭 방향으로 형성되는 외측 레그부(24)를 갖고 상기 와이어 가이드부(21)는 내측 레그부(23) 및 외측 레그부(24)의 위치에 각각 와이어 출입구(21a, 21b)가 형성된다. 상기 미끄럼 방지 장치의 타이어(500)에 대한 장착시에 있어서, 상기 미끄럼 방지 본체(1)는 상기 와이어 가이드 부재(2)의 타방의 측면(2b)과 대향하는 위치에, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 대향 단부(12)가 배치되고, 상기 조임 수단(7)에 의한 조임 동작시에, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 내측 레그부(23)와 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 대향 단부(12)의 위치의 내측 레그부(5) 사이의 거리와, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 외측 레그부(24)와 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 대향 단부(12)의 위치의 외측 레그부(6a) 사이의 거리가 동시에 근접하도록 구성된다. 상기 와이어 가이드부(21)는 내측 레그부(23) 및 외측 레그부(24)의 위치에 상기 와이어 가이드 부재(2)의 타방의 측면(2b) 방향을 향하는 만곡부(21c, 21d)가 형성됨으로써 상기 와이어 가이드부(21)의 와이어 출입구(21a, 21b)의 방향이, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 타방의 측면 방향(2b)(상기 미끄럼 방지 장치의 타이어(500)에 대한 장착시에 있어서의 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 타방의 단부(12) 방향)을 향하여 형성된다. 한편, 상기 대향 단부(12)의 방향을 향하는 상기 와이어 출입구(21a, 21b)의 방향은, 상기 미끄럼 방지 본체(1)를 타이어(500)에 장착한 상태에서 타이어의 원주 상의 방향에 대하여, 0도(원주 방향)부터, 타이어 외주 방향으로 45도 경사진 방향의 범위 내이면, 상기 와이어 출입구(21a, 21b)에 대해 상기 조임 수단용 와이어(71)를 넣고 꺼낼 때의 마찰 저항이 과도하게 높아지는 것을 방지할 수 있다. 상기 와이어 가이드 부재(2)의 내측 레그부(23)에는 상기 조임 수단용 와이어(71)의 단부에 형성된 직경 확대부(72)를 유지함으로써 조임 수단용 와이어(71)의 단부의 위치를 내측 레그부(23)로부터 용이하게 이탈하지 않도록 고정 가능한 조임 수단용 와이어 단부 고정부(25)가 형성되고, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 내측 레그부(23)에 단부가 고정된 상기 조임 수단용 와이어(71)는, 미끄럼 방지 본체(1)의 인접하는 내측 레그부(5)에 배치된 조임 수단용 와이어 통과부(51) 내를 순서대로 통과하고, 모든 상기 내측 단부(5)에 배치된 조임 수단용 와이어 통과부(51) 내를 통과한 상기 조임 수단용 와이어(71)는, 상기 미끄럼 방지 장치 본체(1)의 대향 단부(12)의 위치에 형성된 내측 레그부(5)의 조임 수단용 와이어 통과부(51)로부터 인출되도록 구성된다. 또한 상기 조임 수단용 와이어(71)는, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 내측 레그부(23)에 형성된 와이어 출입구(21a)를 경유하여, 상기 와이어 가이드부(21)를 통과하여 상기 외측 레그부(24)의 와이어 출입구(21b)로부터 인출되고, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 상기 대향 단부(12)의 위치의 외측 레그부(6a)와, 상기 대향 단부(12) 위치와 인접하는 외측 레그부(6b) 사이에 배치된 와이어 권취 기구(74)에 접속됨으로써 조임 수단이 구성되고, 상기 와이어 권취 기구(74)는 이면에 접속 부재(75)가 나사 부재(79)에 의해 고정되지만, 상기 와이어 권취 기구(74)와 상기 접속 부재(75)를 일체로 구성해도 된다 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 내측 레그부(5)에 배치되는 조임 수단용 와이어 통과부(51)는, 상기 미끄럼 방지 장치의 타이어 장착시에 있어서의 상기 내측 레그부(5)의 대략 동일 원주 상의 위치에 배치되고, 도 7에 나타내는 바와 같이 상기 내측 레그부(5)에 형성되는 상기 조임 수단용 와이어(71)의 와이어 직경보다 큰 내부 공간으로 이루어지는 오목부(52)와, 상기 오목부(52)를 덮도록 배치되는 대략 U자형의 커버 부재(53)와, 상기 커버 부재(53)를 상기 내측 레그부(5)에 고정하기 위한 핀상 부재(54)로 이루어지고, 상기 내측 레그부(5)에 형성된 구멍(55)과, 상기 커버 부재(53)의 양단부에 형성된 구멍(56)을 상기 핀상 부재(54)로 고정함으로써, 상기 내측 레그부(5)에 대하여 상기 커버 부재(53)가 이탈 곤란하도록 접속된다. 한편, 상기 핀상 부재(54)는, 예를 들어, 그로밋(쇠고리)류, 리벳, 나사와 너트의 조합 등, 기존의 핀상 고정구를 사용할 수 있고, 상기 조임 수단(7)에 의해, 상기 복수의 조임 수단용 와이어 통과부(51) 사이에 배치된 상기 조임 수단용 와이어(71)가 인출됨으로써, 상기 복수의 내측 레그부(5) 사이의 거리가 축소되도록 구성된다. 한편, 상기 조임 수단용 와이어(71)는, 각각의 상기 내측 레그부(5)에 형성된 조임 수단용 와이어 통과부(51)의 적어도 일부에 대하여 고정(협지)되도록 구성해도 된다. 상기 미끄럼 방지 장치의 타이어(500)에 대한 장착시에 있어서의, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 대향 단부(12)의 위치에 형성된 내측 레그부(5)와, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 내측 레그부(23)에 형성된 와이어 출입구(21a) 사이의 위치에 있어서, 상기 조임 수단용 와이어(71)에는 복귀 방지 부재(73)가 고정되어, 상기 조임 수단(7)의 해제시에 있어서의 상기 복수의 조임 수단용 와이어 통과부(51) 방향으로의 상기 조임 수단용 와이어(71)의 이동량이 규제되도록 구성된다. 한편, 본 실시예에 있어서는, 각각의 상기 내측 레그부(5)에 배치된 조임 수단용 와이어 통과부(51) 사이에는 튜브상 부재(57)가 배치되고, 도 8에 나타내는 바와 같이, 상기 조임 수단용 와이어(71)가 상기 튜브상 부재(57) 내를 통과함으로써, 각각의 조임 수단용 와이어 통과부(51) 사이의 최소 거리가 규제되기 때문에, 상기 조임 수단(7)에 의해 상기 조임 수단용 와이어(71)를 조였을 때에, 상기 조임 수단용 와이어 통과부(51) 사이의 최소 거리의 편차를 없애, 미끄럼 방지 본체(1)를 타이어(500)에 대하여 균등하게 배치할 수 있다. 한편, 본 실시예에 있어서, 상기 튜브상 부재(57)는 각각의 상기 조임 수단용 와이어 통과부(51) 사이에 있어서 이동이 자유롭게 배치되지만, 상기 튜브상 부재(57)를 상기 조임 수단용 와이어 통과부(51)에 고정해도 되고(도시 생략), 또한 튜브상 부재(57)는 반드시 사용하지 않아도 된다.(도시 생략) 한편, 상기 와이어 권취 기구(74)는, 내부에 상기 조임 수단용 와이어의 권취부를 구비함과 함께, 상기 권취부를 조임 수단용 와이어(71)의 권취 방향으로 회전하기 위한 가압 수단과, 상기 권취부의 회전 동작의 제어 수단을 구비하고, 상기 권취부의 회전 동작의 제어 수단은, 상기 권취부로부터의 조임 수단용 와이어(71)의 인출이 가능한 인출 상태와, 상기 권취부에 조임 수단용 와이어(71)가 자동적으로 권취되는 권취 상태와, 상기 권취부의 회전이 록(고정)되는 록 상태가 선택 가능하게 구성되어 있고, 또한 상기 권취부에 조임 수단용 와이어(71)가 자동적으로 권취되는 권취 상태에서는, 권취부의 조임 수단용 와이어(71)의 인출 방향의 회전을 방지하는 걸림 기구를 포함하는 구성의 내부 구조로 되어 있다(와이어 권취 기구(74)의 내부 구조는 도시 생략). 한편, 상기 와이어 권취 기구(74)는, 기존의 타이어 미끄럼 방지 장치에서 사용되고 있는 와이어 권취 기구의 기술을 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 와이어 권취 기구(74)는, 조임 수단용 와이어의 권취부를 수동으로 회전 동작시키는 구성이어도 되고(도시 생략), 또한 인출한 상기 조임 수단용 와이어(71)를 와이어 권취 기구로 권취하는 대신, 복수의 외측 레그부에 설치한 걸림 돌기에 걸어 고정해도 된다.(도시 생략) 본 실시예에 있어서, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 외측 레그부(24)에 형성된 와이어 출입구(21b)와, 상기 와이어 권취 기구(74) 사이에 있어서, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 외측 레그부(6)(6a)에는, 조임 수단용 와이어 통과부(61)가 배치되고, 상기 조임 수단용 와이어 통과부(61)의 구조는, 도 9에 나타내는 바와 같이, 상기 외측 레그부(6)(6a)에 형성되는 상기 조임 수단용 와이어(71)의 와이어 직경보다 큰 내부 공간으로 이루어지는 오목부(62)와, 상기 오목부(62)를 덮도록 배치되는 대략 U자형의 커버 부재(63)와, 상기 커버 부재(63)를 상기 외측 레그부(6)(6a)에 고정하기 위한 핀상 부재(64)로 이루어지고, 상기 외측 레그부(6)에 형성된 구멍(65)과, 상기 커버 부재(63)의 양단부에 형성된 구멍(66)을 상기 핀상 부재(64)로 고정함으로써, 상기 외측 레그부(6)에 대하여 상기 커버 부재(63)가 이탈 곤란하도록 접속된다. 한편, 상기 핀상 부재(64)는, 예를 들어, 그로밋(쇠고리)류, 리벳, 나사와 너트의 조합 등, 기존의 핀상 고정구를 사용할 수 있다. 한편, 와이어 가이드 부재(2)의 와이어 출입구(23)와, 상기 와이어 권취 기구(74) 사이에 상기 미끄럼 방지 본체의 외측 레그부(6)가 복수 배치되는 경우에는, 미끄럼 방지 본체(1)의 타이어 장착시에 있어서의 상기 외측 레그부(6)의 대략 동일 원주 상에 상기 조임 수단용 와이어 통과부(61) 배치되지만, 반드시 모든 외측 레그부(6)에 상기 조임 수단용 와이어 통과부(61)를 형성하지 않아도 된다.(도시 생략) 또한, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 외측 레그부(6) 사이에 있어서, 상기 조임 수단용 와이어 통과부(61)를 배치하지 않은 외측 레그부(6)에는, 외측 거리 규제용 와이어(8)가 통과하는 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)가 배치되고, 상기 외측 거리 규제용 와이어(8)의 양단부에는 각각 직경 확대부(80)가 형성되고, 상기 외측 거리 규제용 와이어(8)의 직경 확대부의 일단(80a)이, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 외측 레그부(24)에 형성된 외측 거리 규제용 와이어 단부 고정부(26)에 고정됨과 함께, 상기 외측 거리 규제용 와이어(8)의 직경 확대부의 타단(80b)이, 상기 접속 부재(75)의 타단이 고정된 상기 외측 레그부(6b)에 배치된 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)에 고정된다. 한편, 직경 확대부의 타단(80b)은, 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)에 고정된 접속 부재(75)에 고정해도 되고, 상기 외측 레그부(6b)와 접속 부재(75) 사이에 직경 확대부의 타단(80b)을 협지해도 된다.(본 실시예 이외의 본 발명에 있어서도 동일) 상기 외측 거리 규제용 와이어(8)는, 상기 외측 레그부(6)에 배치된 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)에 고정 상태로 유지되고, 상기 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)는, 미끄럼 방지 본체(1)의 타이어 장착시에 있어서의 상기 외측 레그부(6)의 대략 동일 원주 상에 배치되고, 도 11에 나타내는 바와 같이, 상기 외측 레그부(6)에 형성되는 상기 외측 거리 규제용 와이어(8)의 와이어 직경보다 큰 내부 공간으로 이루어지는 오목부(82)와, 상기 오목부(82)의 내부 공간을 축소하는 스페이서부(82b)와, 상기 오목부(82)와 스페이서부(82b)를 덮도록 배치되는 대략 U자형의 커버 부재(83)와, 상기 커버 부재(83)를 상기 외측 레그부(6)에 고정하기 위한 핀상 부재(84)로 이루어지고, 상기 외측 레그부(6)에 형성된 구멍(85)과, 상기 커버 부재(83)의 양단부에 형성된 구멍(86)을 상기 핀상 부재(84)로 고정함으로써, 상기 외측 레그부(6)에 대하여 상기 커버 부재(83)가 이탈 곤란하도록 접속된다. 한편, 상기 핀상 부재(84)는, 예를 들어, 그로밋(쇠고리)류, 리벳, 나사와 너트의 조합 등, 기존의 핀상 고정구를 사용할 수 있다. 한편, 적어도 일부의 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)의 오목부(82)를 상기 외측 거리 규제용 와이어(8)의 와이어 직경보다 큰 내부 공간으로 함으로써 외측 거리 규제용 와이어(8)를 이동 가능하게 유지해도 된다. 또한, 각각의 상기 외측 레그부(6)에 형성된 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81) 사이에는 튜브상 부재(87)가 배치되고, 도 12에 나타내는 바와 같이, 상기 외측 거리 규제용 와이어(8)가 상기 튜브상 부재(87) 내를 통과함으로써, 각각의 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81) 사이의 최소 거리가 규제되기 때문에, 상기 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)에 고정되는 상기 거리 규제용 와이어(8)의 고정 위치의 어긋남을 방지하여, 미끄럼 방지 본체(1)를 타이어(500)에 대하여 균등하게 배치할 수 있다. 본 실시예에 있어서, 상기 튜브상 부재(87)는 각각의 상기 외측 레그부(6) 사이에 있어서 이동이 자유롭게 배치되어 있으나, 상기 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)에 고정해도 되고(도시 생략), 또한 튜브상 부재(87)를 사용하지 않아도 된다.(도시 생략) 본 실시예에서는, 도 9, 도 10에 나타내는 바와 같이, 상기 와이어 권취 기구(74)의 이면에 고정된 접속 부재(75)의 연장부의 일단 및 타단에는 구멍(76, 77)이 형성되고, 상기 핀상 부재(64)에 의해 상기 커버 부재(63)를 고정할 때에, 상기 와이어 권취 기구(74)의 이면에 고정된 접속 부재(75)의 연장부의 일단의 구멍(76)이 상기 핀상 부재(64)에 의해 외측 레그부(6a)에 고정되도록 구성되고, 상기 핀상 부재(84)에 의해 상기 커버 부재(83)를 고정할 때에, 상기 와이어 권취 기구(74)의 이면에 고정된 접속 부재(75)의 연장부의 타단의 구멍(77)이 상기 핀상 부재(84)에 의해 외측 레그부(6b)에 고정되도록 구성된다. 또한, 본 실시예의 변형예로서, 상기 외측 거리 규제용 와이어(8)를 사용하지 않고, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 외측 레그부(24) 및 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 외측 레그부(6)에 외측 거리 규제용 고리상 부재(68)가 접속 가능한 고리상 부재 접속 구멍(69)이 형성되고, 상기 고리상 부재 접속 구멍(69)에 상기 외측 거리 규제용 고리상 부재(68)가 접속됨으로써, 각각의 상기 외측 레그부 사이의 거리가 규제되도록 구성해도 된다.(실시예 2의 도 24, 도 28 참조) 또한, 나아가 상기 외측 거리 규제용 와이어(8)와, 상기 외측 거리 규제용 고리상 부재(68)를 병용하여 상기 외측 레그부 사이의 거리를 규제하도록 구성해도 된다.(도시 생략) 또한, 와이어 가이드(21)는, 도 13에 나타내는 바와 같이, 와이어 가이드 부재(2)에 대하여 인서트 성형된 튜브상의 부품에 의해 구성되는데, 예를 들어 미끄럼 방지 본체에 형성된 오목부(표면이어도 되고 이면이어도 된다)와, 상기 오목부 내에 배치된 와이어 삽입 통과 부재에 의해 상기 와이어 가이드부를 구성해도 된다(도시 생략). 또한, 그 경우에는 상기 오목부의 가장자리를 적어도 부분적으로 막아 와이어의 이탈을 방지하는 복수의 빠짐 방지 부재를 설치하면 좋다(도시 생략). 또한, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 일방의 단부(2)의 위치의 상기 내측 레그부 및 상기 외측 레그부의 위치의 와이어 출입구의 적어도 일방이, 상기 미끄럼 방지 본체로부터 돌출된, 상기 미끄럼 방지 본체와는 별체의 와이어 가이드체를 배치해도 된다.(도시 생략) 또한, 상기 와이어 가이드부(21)에 있어서, 상기 조임 수단용 와이어(71)의 선경을 Amm로 한 경우에, 상기 와이어 가이드부(21)에 형성되는 만곡부(21c, 21d)의 곡률 반경은 3A2mm 이상으로 형성하면, 상기 와이어 가이드부(21)에 대한 상기 조임 수단용 와이어(71)의 마찰 저항이 과도하게 높아지는 것을 방지할 수 있어, 조임 수단(7)에 의한 상기 조임 수단용 와이어(71)의 조임 동작을 원활하게 행할 수 있다. 한편, 본 실시예에서는 조임 수단용 와이어(71)는 선경 A=2.5mm의 스틸 와이어를 사용하고 있기 때문에 만곡부(21c, 21d)의 곡률 반경은 각각 18.75mm 이상으로 형성하는 것이 바람직하다.(본 실시예에서는 조임 수단용 와이어의 만곡부의 곡률 반경은 35mm) 한편, 와이어의 선경이나 재질은 본 실시예에 한정되지 않고, 예를 들어 케플러 섬유에 의한 로프 등, 비금속의 와이어를 사용해도 된다. 또한 본 실시예의 외측 거리 규제용 와이어(8)는 선경 A=3.0mm의 스틸 와이어를 사용하고 있으나, 와이어의 선경이나 재질은 본 실시예에 한정되지 않고, 예를 들어 케플러 섬유에 의한 로프 등, 비금속의 와이어를 사용해도 된다. 한편, 본 실시예의 변형예로서, 도 14, 도 15에 나타내는 바와 같이, 상기 와이어 권취 기구(74)를, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 상기 일방의 단부(11) 위치의 외측 레그부(6z)와, 상기 외측 레그부(6z)와 인접하는 위치의 외측 레그부(6y) 사이에 배치하고, 상기 와이어 권취 기구(74)의 이면에 고정된 접속 부재(75)의 연장부의 일단이, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 외측 레그부(6z)와 와이어 가이드 부재(2)의 외측 레그부(24)에 고정되고, 상기 접속 부재(75)의 연장부의 타단이, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 외측 레그부(6y)에 고정되도록 구성해도 된다. 한편, 상기 와이어 권취 기구(74)의 배치 위치는, 상기 실시예 및 변형예에 한정되지 않고, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 상기 외측 레그부(6a)와, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 외측 레그부(24) 사이의 어느 하나의 위치에 배치되고, 상기 접속 부재(75)의 연장부의 일단 및 타단이 각각, 상기 외측 레그부(6a)와 외측 레그부(24) 사이의 어느 하나의 외측 레그부에 고정되도록 구성해도 된다.(도시 생략) 한편, 상기 외측 레그부(6)에 대한 상기 커버 부재(63)의 고정 구조와는 별도의 고정 수단에 의해 상기 접속 부재(75)를 외측 레그부(6)에 고정해도 된다.(도시 생략) 또한, 본 발명의 추가적인 변형예로서, 상기 와이어 권취 기구(74)는, 예를 들어 도 16에 나타내는 바와 같이, 상기 접속 부재(75)의 일방에 연장부를 설치하지 않고 상기 외측 단부(6)에 고정하지 않고, 상기 조임 수단용 와이어(71)에 의해 배치 위치가 규제되도록 구성해도 되고, 또한 상기 외측 거리 규제용 와이어(8)의 타단(80b)이, 상기 와이어 권취 기구(74)의 이면에 고정된 접속 부재(75)에 고정되도록 구성해도 된다. 또한, 추가적인 변형예로서 와이어 가이드 부재(2)에 고강도, 내마모성이 높은 재료에 의해 구성되는 구성 부품을 사용함으로써, 도 17, 도 18에 나타내는 바와 같이, 상기 와이어 가이드 부재(2)를 튜브상의 와이어 가이드부(21)만으로 구성해도 된다. 본 발명의 타이어 미끄럼 방지 장치를 타이어(500)에 장착할 때에는, 먼저, 도 19에 나타내는 바와 같이, 먼저 와이어 권취 기구(74)의 제어 수단을 인출 상태로 하여, 상기 와이어 권취 기구(74)로부터 조임 수단용 와이어(71)를 인출한 후, 와이어 권취 기구(74)의 제어 기구를 록 상태로 한다. 다음으로, 도 20에 나타내는 바와 같이, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 타방의 측면(2b)과, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 대향 단부(12) 사이에 있어서 내측 단부(5)에 배치되어 있는 조임 수단용 와이어(71)를 미끄럼 방지 본체(1)의 외측 단부(6)(와이어 가이드 부재의 외측 단부(24))의 방향을 향하여 인출하고, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 타방의 측면(2b)과, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 대향 단부(12) 사이의 이간 부분을 하방을 향하고, 상기 조임 수단용 와이어(71)가, 타이어(500)의 외측면을 통과하도록, 미끄럼 방지 장치를 상방으로부터 타이어(500)에 씌운다. 다음으로, 도 21에 나타내는 바와 같이, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 타방의 측면(2b)과, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 대향 단부(12) 사이가, 지면으로부터 이간되는 위치까지 차량을 이동시킨다. 다음으로, 도 22에 나타내는 바와 같이, 와이어 권취 기구(74)의 제어 기구를 권취 상태로 전환함으로써, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 내측 레그부(23)와 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 대향 단부(12)의 위치의 내측 레그부(5) 사이의 거리와, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 외측 레그부(24)와 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 대향 단부(12)의 위치의 외측 레그부(6) 사이의 거리가 동시에 근접하도록 가까이 당겨진다. 또한, 조임 수단용 와이어(71)의 권취 상태에서 차량이 주행함으로써, 타이어(500)에 대한 미끄럼 방지 장치의 밀착 상태가 진행되어 타이어(500)에 대하여 미끄럼 방지 장치가 확실히 고정된다. 실시예 2 도 23 내지 도 28은 본 발명의 바람직한, 다른 실시형태의 일례를 나타내는 것으로서, 도 23은 본 발명의 제2 실시예의 장착 상태를 타이어의 내측면에서 본 이면도, 도 24는 본 발명의 제2 실시예의 장착 상태를 타이어의 외측면에서 본 정면도, 도 25는 본 발명의 제2 실시예의 장착 상태를 타이어의 좌측면에서 본 좌측면도, 도 26은 본 발명의 제2 실시예의 장착 상태를 타이어의 상면에서 본 평면도, 도 27은 도 23의 요부 확대도, 도 28은 도 24의 요부 확대도이다. 본 발명의 제2 실시예의 타이어 미끄럼 방지 장치는, 차량의 타이어(500)의 원주 방향에 대하여 장착하는 1세트의 띠상의 미끄럼 방지 본체(1)를 갖고, 상기 미끄럼 방지 본체(1)는 폴리우레탄 엘라스토머 또는 고무 등의 가요성 재료로 형성되고, 지면과의 접지부가 표면에 형성되는 트레드부(4)와, 상기 트레드부(4)로부터 타이어(500)의 내측의 폭 방향으로 돌출 설치하여 형성되는 복수의 내측 레그부(5)와, 상기 트레드부(4)로부터 타이어(500)의 외측의 폭 방향으로 돌출 설치하여 형성되는 복수의 외측 레그부(6)와, 조임 수단용 와이어(71)를 조여 상기 미끄럼 방지 본체(1)를 타이어(500)에 밀착시키기 위한 조임 수단(7)을 갖는다. 상기 미끄럼 방지 장치의 조임 수단(7)은, 타이어(500)의 폭 방향을 향하여 조임 수단용 와이어(71)가 통과 가능한 와이어 가이드부(21)가 형성된 와이어 가이드 부재(2)를 갖고, 상기 와이어 가이드 부재(2)는, 타이어의 원주 방향에 대한 일방의 측면(2a)이 항상 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 일방의 단부(11)와 근접한 위치를 유지하도록 구성된다. 한편, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 일방의 위치에 상당하는 부분을 상기 미끄럼 방지 본체(1)와 일체로 구성해도 된다.(도시 생략) 상기 와이어 가이드 부재(2)는, 지면과의 접지부가 표면에 형성되는 트레드부(22)와, 상기 트레드부(22)로부터 타이어의 내측의 폭 방향으로 형성되는 내측 레그부(23)와, 상기 트레드부(22)로부터 타이어의 외측의 폭 방향으로 형성되는 외측 레그부(24)를 갖고 상기 와이어 가이드부(21)는 내측 레그부(23) 및 외측 레그부(24)의 위치에 각각 와이어 출입구(21a, 21b)가 형성된다. 상기 미끄럼 방지 장치의 타이어(500)에 대한 장착시에 있어서, 상기 미끄럼 방지 본체(1)는 상기 와이어 가이드 부재(2)의 타방의 측면(2b)과 대향하는 위치에, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 대향 단부(12)가 배치되고, 상기 조임 수단(7)에 의한 조임 동작시에, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 내측 레그부(23)와 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 대향 단부(12)의 위치의 내측 레그부(5) 사이의 거리와, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 외측 레그부(24)와 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 대향 단부(12)의 위치의 외측 레그부(6a) 사이의 거리가 동시에 근접하도록 구성된다. 상기 와이어 가이드부(21)는 내측 레그부(23) 및 외측 레그부(24)의 위치에 상기 와이어 가이드 부재(2)의 타방의 측면(2b) 방향을 향하는 만곡부(21c, 21d)가 형성됨으로써 상기 와이어 가이드부(21)의 와이어 출입구(21a, 21b)의 방향이, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 타방의 측면 방향(2b)(상기 미끄럼 방지 장치의 타이어(500)에 대한 장착시에 있어서의 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 타방의 단부(12) 방향)을 향하여 형성된다. 한편, 상기 대향 단부(12)의 방향을 향하는 상기 와이어 출입구(21a, 21b)의 방향은, 상기 미끄럼 방지 본체(1)를 타이어(500)에 장착한 상태에서 타이어의 원주 상의 방향에 대하여, 0도(원주 방향)부터, 타이어 외주 방향으로 45도 경사진 방향의 범위 내이면, 상기 와이어 출입구(21a, 21b)에 대해 상기 조임 수단용 와이어(71)를 넣고 꺼낼 때의 마찰 저항이 과도하게 높아지는 것을 방지할 수 있다. 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 상기 대향 단부(12)의 위치의 상기 내측 레그부(5)에는 상기 조임 수단용 와이어(71)의 단부에 형성된 직경 확대부(72)를 유지함으로써 조임 수단용 와이어(71)의 단부의 위치를 내측 레그부(5)에 고정 가능한 조임 수단용 와이어 단부 고정부(13)가 형성되고, 상기 조임 수단용 와이어 단부 고정부(13)에 단부가 고정된 상기 조임 수단용 와이어(71)는, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 내측 레그부(23)에 형성된 와이어 출입구(21a)를 경유하여, 상기 와이어 가이드부(21)를 통과하여 상기 외측 레그부(24)의 와이어 출입구(21b)로부터 인출되고, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 상기 대향 단부(12)의 위치의 외측 레그부(6a)와, 상기 대향 단부(12) 위치와 인접하는 외측 레그부(6b) 사이에 배치된 와이어 권취 기구(74)에 접속됨으로써 조임 수단이 구성된다. 한편, 상기 와이어 권취 기구(74)는, 내부에 상기 조임 수단용 와이어의 권취부를 구비함과 함께, 상기 권취부를 조임 수단용 와이어(71)의 권취 방향으로 회전하기 위한 가압 수단과, 상기 권취부의 회전 동작의 제어 수단을 구비하고, 상기 권취부의 회전 동작의 제어 수단은, 상기 권취부로부터의 조임 수단용 와이어(71)의 인출이 가능한 인출 상태와, 상기 권취부에 조임 수단용 와이어(71)가 자동적으로 권취되는 권취 상태와, 상기 권취부의 회전이 록(고정)되는 록 상태가 선택 가능하게 구성되어 있고, 또한 상기 권취부에 조임 수단용 와이어(71)가 자동적으로 권취되는 권취 상태에서는, 권취부의 조임 수단용 와이어(71)의 인출 방향의 회전을 방지하는 걸림 기구를 포함하는 구성의 내부 구조로 되어 있다.(와이어 권취 기구(74)의 내부 구조는 도시 생략) 한편, 상기 와이어 권취 기구(74)는, 기존의 타이어 미끄럼 방지 장치에서 사용되고 있는 와이어 권취 기구의 기술을 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 와이어 권취 기구(74)는, 조임 수단용 와이어의 권취부를 수동으로 회전 동작시키는 구성이어도 되고(도시 생략), 또한 인출한 상기 조임 수단용 와이어(71)를 와이어 권취 기구로 권취하는 대신에, 복수의 외측 레그부에 설치한 걸림 돌기에 걸어 고정해도 된다.(도시 생략) 한편, 본 실시예의 변형예로서, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 외측 레그부(24)에 형성된 와이어 출입구(21b)와, 상기 와이어 권취 기구(74) 사이에 있어서, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 외측 레그부(6)(6a)에는, 조임 수단용 와이어 통과부(61)를 배치하고, 상기 조임 수단용 와이어 통과부(61)의 구조를, 실시예 1과 마찬가지로 구성해도 된다.(도시 생략) 한편, 본 실시예에 있어서는, 상기 와이어 권취 기구(74)의 이면에 고정된 접속 부재(75)의 연장부의 일단 및 타단에는 구멍(76, 77)이 형성되고, 상기 핀상 부재(78)에 의해, 외측 레그부(6a) 및 외측 레그부(6b)에 형성된 구멍(55)에 고정되도록 구성되지만, 상기 와이어 권취 기구(74)와 상기 접속 부재(75)를 일체로 구성해도 된다. 본 실시예에 있어서, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 내측 레그부(23) 및, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 각각의 내측 레그부(5)에는 내측 거리 규제용 고리상 부재(58)가 접속 가능한 고리상 부재 접속 구멍(29, 59)이 형성되고, 상기 고리상 부재 접속 구멍(29, 59)에 상기 내측 거리 규제용 고리상 부재(58)가 접속됨으로써, 각각의 상기 내측 레그부(5 및 23) 사이의 거리가 규제되도록 구성되고, 상기 내측 레그부(5)의 일부에는 인접하는 내측 레그부를 향하여 연장되는 내측 팔부(50)가 형성되고, 내측 팔부(50)가 형성된 내측 레그부(5)의 고리상 부재 접속 구멍(59)은, 상기 내측 팔부(50)의 단부에 형성된다. 한편, 본 발명에 있어서, 상기 고리상 부재 접속 구멍(59)에 상기 내측 거리 규제용 고리상 부재(58)가 접속됨으로써, 각각의 상기 내측 레그부(5 및 23) 사이의 거리가 규제하는 대신에, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 적어도 일부의 상기 내측 레그부(5)에는 내측 거리 규제용 와이어가 통과하는 내측 거리 규제용 와이어 통과부가 배치되고, 상기 내측 거리 규제용 와이어는, 각각의 상기 내측 레그부에 배치된 내측 거리 규제용 와이어 통과부에 의해 유지되도록 구성해도 된다.(도시 생략) 그 경우, 상기 내측 거리 규제용 와이어는 양단부에 각각 직경 확대부가 형성되고, 일방의 직경 확대부는 상기 와이어 가이드 부재의 내측 레그부에 형성된 내측 거리 규제용 와이어 단부 고정부에 고정되고, 타방의 직경 확대부는 상기 미끄럼 방지 본체의 상기 대향 단부 위치의 상기 내측 레그부에 형성된 내측 거리 규제용 와이어 단부 고정부에 고정되도록 구성해도 된다.(도시 생략) 한편, 상기 내측 거리 규제용 와이어 통과부는, 실시예 1에 있어서의 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)와 동일하게 구성된다. 본 실시예에 있어서, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 외측 레그부(24) 및, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 조임 수단용 와이어 통과부(61)가 배치되지 않은 외측 레그부(6)에는, 외측 거리 규제용 고리상 부재(68)가 접속 가능한 고리상 부재 접속 구멍(29, 69)이 형성되고, 상기 고리상 부재 접속 구멍(29, 69)에 상기 외측 거리 규제용 고리상 부재(68)가 접속됨으로써, 각각의 상기 외측 레그부(6) 사이의 거리가 규제되도록 구성되고, 상기 외측 레그부(6)의 일부에는 인접하는 외측 레그부(6)를 향하여 연장되는 외측 팔부(60)가 형성되고, 외측 팔부(60)가 형성된 외측 레그부(6)의 고리상 부재 접속 구멍(69)은, 상기 외측 팔부(60)의 단부에 형성된다. 한편, 본 발명에 있어서, 상기 고리상 부재 접속 구멍(69)에 상기 외측 거리 규제용 고리상 부재(68)가 접속됨으로써, 각각의 상기 외측 레그부(6) 사이의 거리가 규제하는 대신에, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 적어도 일부의 상기 외측 레그부(6)에는 외측 거리 규제용 와이어가 통과하는 외측 거리 규제용 와이어 통과부가 배치되고, 상기 외측 거리 규제용 와이어는, 각각의 상기 외측 레그부에 배치된 외측 거리 규제용 와이어 통과부에 의해 유지되고, 상기 외측 거리 규제용 와이어의 양단부에는 각각 직경 확대부가 형성되고, 상기 외측 거리 규제용 와이어의 일단이, 상기 와이어 가이드 부재의 외측 레그부에 형성된 외측 거리 규제용 와이어 단부 고정부에 고정됨과 함께, 상기 외측 거리 규제용 와이어의 타단이, 상기 와이어 권취 기구의 이면에 고정된 접속 부재의 타단이 고정된 상기 외측 레그부에 형성된 외측 거리 규제용 와이어 단부 고정부에 고정되도록 구성해도 된다.(도시 생략) 한편, 상기 외측 거리 규제용 와이어 통과부는, 실시예 1에 있어서의 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)와 동일하게 구성된다. 본 실시예의 와이어 가이드부(21)의 구성 및, 본 실시예의 타이어 미끄럼 방지 장치를 타이어에 장착할 때의 순서는, 실시예 1과 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 실시예 3 도 29 내지 도 34는 본 발명의 바람직한, 다른 실시형태의 일례를 나타내는 것으로서, 도 29는 본 발명의 제3 실시예의 장착 상태를 타이어의 내측면에서 본 이면도, 도 30은 본 발명의 제3 실시예의 장착 상태를 타이어의 외측면에서 본 정면도, 도 31은 본 발명의 제3 실시예의 장착 상태를 타이어의 좌측면에서 본 좌측면도, 도 32는 본 발명의 제3 실시예의 장착 상태를 타이어의 상면에서 본 평면도, 도 33은 도 29의 요부 확대도, 도 34는 도 30의 요부 확대도이다. 본 발명의 제3 실시예의 타이어 미끄럼 방지 장치는, 실시예 1에서 설명한 구성의 타이어 미끄럼 방지 장치 2세트를 조합한 구성으로 이루어지고, 차량의 타이어(500)의 원주 방향에 대하여 장착하는 띠상의 미끄럼 방지 본체(1)는 폴리우레탄 엘라스토머 또는 고무 등의 가요성 재료로 형성되고, 지면과의 접지부가 표면에 형성되는 트레드부(4)와, 상기 트레드부(4)로부터 타이어(500)의 내측의 폭 방향으로 돌출 설치하여 형성되는 복수의 내측 레그부(5)와, 상기 트레드부(4)로부터 타이어(500)의 외측의 폭 방향으로 돌출 설치하여 형성되는 복수의 외측 레그부(6)와, 조임 수단용 와이어(71)를 조여 상기 미끄럼 방지 본체(1)를 타이어(500)에 밀착시키기 위한 조임 수단(7)을 갖는다. 각각의 상기 미끄럼 방지 장치의 조임 수단(7)은, 타이어(500)의 폭 방향을 향하여 조임 수단용 와이어(71)가 통과 가능한 와이어 가이드부(21)가 형성된 와이어 가이드 부재(2)를 갖고, 상기 와이어 가이드 부재(2)는, 타이어의 원주 방향에 대한 일방의 측면(2a)이 항상 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 일방의 단부(11)와 근접한 위치를 유지하도록 구성된다. 한편, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 일방의 위치에 상당하는 부분을 상기 미끄럼 방지 본체(1)와 일체로 구성해도 된다.(도시 생략) 상기 와이어 가이드 부재(2)는, 지면과의 접지부가 표면에 형성되는 트레드부(22)와, 상기 트레드부(22)로부터 타이어의 내측의 폭 방향으로 형성되는 내측 레그부(23)와, 상기 트레드부(22)로부터 타이어의 외측의 폭 방향으로 형성되는 외측 레그부(24)를 갖고 상기 와이어 가이드부(21)는 내측 레그부(23) 및 상기 외측 레그부(24)의 위치에 각각 와이어 출입구(21a, 21b)가 형성된다. 상기 미끄럼 방지 장치의 타이어(500)에 대한 장착시에 있어서, 각각의 상기 미끄럼 방지 본체(1)는 상기 와이어 가이드 부재(2)의 타방의 측면(2b)과 대향하는 위치에, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 대향 단부(12)가 배치되고, 상기 조임 수단(7)에 의한 조임 동작시에, 각각의 상기 와이어 가이드 부재(2)의 내측 레그부(23)와 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 대향 단부(12)의 위치의 내측 레그부(5) 사이의 거리와, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 외측 레그부(24)와 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 대향 단부(12)의 위치의 외측 레그부(6) 사이의 거리가 동시에 근접하도록 구성된다. 상기 와이어 가이드부(21)는 내측 레그부(23) 및 외측 레그부(24)의 위치에 상기 와이어 가이드 부재(2)의 타방의 측면(2b) 방향을 향하는 만곡부(21c, 21d)가 형성됨으로써 상기 와이어 가이드부(21)의 와이어 출입구(21a, 21b)의 방향이, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 타방의 측면 방향(2b)(상기 미끄럼 방지 장치의 타이어(500)에 대한 장착시에 있어서의 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 타방의 단부(12) 방향)을 향하여 형성된다. 한편, 상기 대향 단부(12)의 방향을 향하는 상기 와이어 출입구(21a, 21b)의 방향은, 상기 미끄럼 방지 본체(1)를 타이어(500)에 장착한 상태에서 타이어의 원주 상의 방향에 대하여, 0도(원주 방향)부터, 타이어 외주 방향으로 45도 경사진 방향의 범위 내이면, 상기 와이어 출입구(21a, 21b)에 대해 상기 조임 수단용 와이어(71)를 넣고 꺼낼 때의 마찰 저항이 과도하게 높아지는 것을 방지할 수 있다. 상기 와이어 가이드 부재(2)의 내측 레그부(23)에는 상기 조임 수단용 와이어(71)의 단부에 형성된 직경 확대부(72)를 유지함으로써 조임 수단용 와이어(71)의 단부의 위치를 내측 레그부(23)에 고정 가능한 조임 수단용 와이어 단부 고정부(25)가 형성되고, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 내측 레그부(23)에 단부가 고정된 상기 조임 수단용 와이어(71)는, 미끄럼 방지 본체(1)의 인접하는 내측 레그부(5)에 배치된 조임 수단용 와이어 통과부(51) 내를 순서대로 통과하고, 모든 상기 내측 단부(5)에 배치된 조임 수단용 와이어 통과부(51) 내를 통과한 상기 조임 수단용 와이어(71)는, 상기 미끄럼 방지 장치 본체(1)의 대향 단부(12)의 위치에 형성된 내측 레그부(5)의 조임 수단용 와이어 통과부(51)로부터 인출되도록 구성된다. 또한 상기 조임 수단용 와이어(71)는, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 내측 레그부(23)에 형성된 와이어 출입구(21a)를 경유하여, 상기 와이어 가이드부(21)를 통과하여 상기 외측 레그부(24)의 와이어 출입구(21b)로부터 인출되고, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 상기 대향 단부(12)의 위치의 외측 레그부(6a)와, 상기 대향 단부(12) 위치와 인접하는 외측 레그부(6b) 사이에 배치된 와이어 권취 기구(74)에 접속됨으로써 조임 수단이 구성된다. 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 내측 레그부(5)에 배치되는 조임 수단용 와이어 통과부(51)는, 상기 미끄럼 방지 장치의 타이어 장착시에 있어서의 상기 내측 레그부(5)의 대략 동일 원주 상의 위치에 배치되고, 상기 내측 레그부(5)에 형성되는 상기 조임 수단용 와이어(71)의 와이어 직경보다 큰 내부 공간으로 이루어지는 오목부(52)와, 상기 오목부(52)를 덮도록 배치되는 대략 U자형의 커버 부재(53)와, 상기 커버 부재(53)를 상기 내측 레그부(5)에 고정하기 위한 핀상 부재(54)로 이루어지고, 상기 내측 레그부(5)에 형성된 구멍(55)과, 상기 커버 부재(53)의 양단부에 형성된 구멍(56)을 상기 핀상 부재(54)로 고정함으로써, 상기 내측 레그부(5)에 대하여 상기 커버 부재(53)가 이탈 곤란하도록 접속된다. 한편, 상기 핀상 부재(54)는, 예를 들어, 그로밋(쇠고리)류, 리벳, 나사와 너트의 조합 등, 기존의 핀상 고정구를 사용할 수 있고, 상기 조임 수단(7)에 의해, 상기 복수의 조임 수단용 와이어 통과부(51) 사이에 배치된 상기 조임 수단용 와이어(71)가 인출됨으로써, 상기 복수의 내측 레그부(5) 사이의 거리가 축소되도록 구성된다.(상기 조임 수단용 와이어 통과부(51)는, 실시예 1에 있어서 도 7에 나타내는 조임 수단용 와이어 통과부(51)와 동일하게 구성된다.) 한편, 상기 조임 수단용 와이어(71)는, 각각의 상기 내측 레그부(5)에 형성된 조임 수단용 와이어 통과부(51)의 적어도 일부에 대하여 고정(협지)되도록 구성해도 된다. 상기 미끄럼 방지 장치의 타이어(500)에 대한 장착시에 있어서의, 상기 미끄럼 방지 본체의 대향 단부(12)의 위치에 형성된 내측 레그부(5)와, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 내측 레그부(23)에 형성된 와이어 출입구(21a) 사이의 위치에 있어서, 상기 조임 수단용 와이어(71)에는 복귀 방지 부재(73)가 고정되고, 상기 조임 수단(7)의 해제시에 있어서의 상기 복수의 조임 수단용 와이어 통과부(51) 방향으로의 상기 조임 수단용 와이어(71)의 이동량이 규제되도록 구성된다. 한편, 본 실시예에 있어서는, 각각의 상기 내측 레그부(5)에 배치된 조임 수단용 와이어 통과부(51) 사이에는 튜브상 부재(57)가 배치되고, 상기 조임 수단용 와이어(71)가 상기 튜브상 부재(57) 내를 통과함으로써, 각각의 조임 수단용 와이어 통과부(51) 사이의 최소 거리가 규제되기 때문에, 상기 조임 수단(7)에 의해 상기 조임 수단용 와이어(71)를 조였을 때에, 상기 조임 수단용 와이어 통과부(51) 사이의 최소 거리의 편차를 없애, 미끄럼 방지 본체(1)를 타이어(500)에 대하여 균등하게 배치할 수 있다. 한편, 본 실시예에 있어서, 상기 튜브상 부재(57)는 각각의 상기 조임 수단용 와이어 통과부(51) 사이에 있어서 이동이 자유롭게 배치되지만, 상기 튜브상 부재(57)를 상기 조임 수단용 와이어 통과부(51)에 고정해도 되고(도시 생략), 또한 튜브상 부재(57)는 반드시 사용하지 않아도 된다.(도시 생략) 한편, 상기 와이어 권취 기구(74)는, 내부에 상기 조임 수단용 와이어의 권취부를 구비함과 함께, 상기 권취부를 조임 수단용 와이어(71)의 권취 방향으로 회전하기 위한 가압 수단과, 상기 권취부의 회전 동작의 제어 수단을 구비하고, 상기 권취부의 회전 동작의 제어 수단은, 상기 권취부로부터의 조임 수단용 와이어(71)의 인출이 가능한 인출 상태와, 상기 권취부에 조임 수단용 와이어(71)가 자동적으로 권취되는 권취 상태와, 상기 권취부의 회전이 록(고정)되는 록 상태가 선택 가능하게 구성되어 있고, 또한 상기 권취부에 조임 수단용 와이어(71)가 자동적으로 권취되는 권취 상태에서는, 권취부의 조임 수단용 와이어(71)의 인출 방향의 회전을 방지하는 걸림 기구를 포함하는 구성의 내부 구조로 되어 있다.(와이어 권취 기구(74)의 내부 구조는 도시 생략) 한편, 상기 와이어 권취 기구(74)는, 기존의 타이어 미끄럼 방지 장치에서 사용되고 있는 와이어 권취 기구의 기술을 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 와이어 권취 기구(74)는, 조임 수단용 와이어의 권취부를 수동으로 회전 동작시키는 구성이어도 되고(도시 생략), 또한 인출한 상기 조임 수단용 와이어(71)를 와이어 권취 기구로 권취하는 대신에, 복수의 외측 레그부에 설치한 걸림 돌기에 걸어 고정해도 된다.(도시 생략) 본 실시예에 있어서, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 외측 레그부(24)에 형성된 와이어 출입구(21b)와, 상기 와이어 권취 기구(74) 사이에 있어서, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 외측 레그부(6)(6a)에는, 조임 수단용 와이어 통과부(61)가 배치되고, 상기 조임 수단용 와이어 통과부(61)의 구조는, 상기 조임 수단용 와이어(71)의 와이어 직경보다 큰 내부 공간으로 이루어지는 오목부(62)와, 상기 오목부(62)를 덮도록 배치되는 대략 U자형의 커버 부재(63)와, 상기 커버 부재(63)를 상기 외측 레그부(6)에 고정하기 위한 핀상 부재(64)로 이루어지고, 상기 외측 레그부(6)에 형성된 구멍(65)과, 상기 커버 부재(63)의 양단부에 형성된 구멍(66)을 상기 핀상 부재(64)로 고정함으로써, 상기 외측 레그부(6)에 대하여 상기 커버 부재(63)가 이탈 곤란하도록 접속된다.(상기 조임 수단용 와이어 통과부(61)는, 실시예 1에 있어서 도 9에 나타내는 조임 수단용 와이어 통과부(61)와 동일하게 구성된다.) 한편, 상기 핀상 부재(64)는, 예를 들어, 그로밋(쇠고리)류, 리벳, 나사와 너트의 조합 등, 기존의 핀상 고정구를 사용할 수 있다. 한편, 와이어 가이드 부재(2)의 와이어 출입구(23)와, 상기 와이어 권취 기구(73) 사이에 상기 미끄럼 방지 본체의 외측 레그부(6)가 복수 배치되는 경우에는, 미끄럼 방지 본체(1)의 타이어 장착시에 있어서의 상기 외측 레그부(6)의 대략 동일 원주 상에 상기 조임 수단용 와이어 통과부(61) 배치되지만, 반드시 모든 외측 레그부(6)에 상기 조임 수단용 와이어 통과부(61)를 형성하지 않아도 된다.(도시 생략) 또한, 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 외측 레그부(6) 사이에 있어서, 상기 조임 수단용 와이어 통과부(61)를 배치하지 않은 외측 레그부(6)에는, 외측 거리 규제용 와이어(8)가 통과하는 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)가 배치되고, 상기 외측 거리 규제용 와이어(8)의 양단부에는 각각 직경 확대부(80)가 형성되고, 상기 외측 거리 규제용 와이어(8)의 일단(80a)이, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 외측 레그부(24)에 형성된 외측 거리 규제용 와이어 단부 고정부(26)에 고정됨과 함께, 상기 외측 거리 규제용 와이어(8)의 타단(80b)이, 상기 접속 부재(75)의 타단이 고정된 상기 외측 레그부(6b)에 배치된 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)에 고정된다. 상기 외측 거리 규제용 와이어(8)는, 상기 외측 레그부(6)에 배치된 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)에 고정 상태로 유지되고, 상기 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)는, 미끄럼 방지 본체(1)의 타이어 장착시에 있어서의 상기 외측 레그부(6)의 대략 동일 원주 상에 배치되고, 상기 외측 레그부(6)에 형성되는 상기 외측 거리 규제용 와이어(8)의 와이어 직경보다 큰 내부 공간으로 이루어지는 오목부(82)와, 상기 오목부(82)의 내부 공간을 축소하는 스페이서부(82b)와, 상기 오목부(82)와 스페이서부(82b)를 덮도록 배치되는 대략 U자형의 커버 부재(83)와, 상기 커버 부재(83)를 상기 외측 레그부(6)에 고정하기 위한 핀상 부재(84)로 이루어지고, 상기 외측 레그부(6)에 형성된 구멍(85)과, 상기 커버 부재(83)의 양단부에 형성된 구멍(86)을 상기 핀상 부재(84)로 고정함으로써, 상기 외측 레그부(6)에 대하여 상기 커버 부재(83)가 이탈 곤란하도록 접속된다.(상기 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)는, 실시예 1에 있어서 도 11에 나타내는 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)와 동일하게 구성된다.) 한편, 상기 핀상 부재(84)는, 예를 들어, 그로밋(쇠고리)류, 리벳, 나사와 너트의 조합 등, 기존의 핀상 고정구를 사용할 수 있다. 한편, 적어도 일부의 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)의 오목부(82)를 상기 외측 거리 규제용 와이어(8)의 와이어 직경보다 큰 내부 공간으로 함으로써 외측 거리 규제용 와이어(8)를 이동 가능하게 유지해도 된다. 또한, 각각의 상기 외측 레그부(6)에 형성된 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81) 사이에는 튜브상 부재(87)가 배치되고, 상기 외측 거리 규제용 와이어(8)가 상기 튜브상 부재(87) 내를 통과함으로써, 각각의 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81) 사이의 최소 거리가 규제되기 때문에, 상기 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)에 고정되는 상기 거리 규제용 와이어(8)의 고정 위치의 어긋남을 방지하여, 미끄럼 방지 본체(1)를 타이어(500)에 대하여 균등하게 배치할 수 있다. 본 실시예에 있어서, 상기 튜브상 부재(66)는 각각의 상기 외측 레그부 사이에 있어서 이동이 자유롭게 배치되어 있으나, 상기 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)에 고정해도 되고(도시 생략), 또한 튜브상 부재(66)를 사용하지 않아도 된다.(도시 생략) 또한, 실시예 1의 도 9, 도 10과 마찬가지로, 상기 와이어 권취 기구(74)는 이면에 접속 부재(75)가 나사 부재(79)에 의해 고정되고, 상기 와이어 권취 기구(74)의 이면에 고정된 접속 부재(75)의 연장부의 일단 및 타단에는 구멍(76, 77)이 형성되고, 상기 핀상 부재(64)에 의해 상기 커버 부재(63)를 고정할 때에, 상기 와이어 권취 기구(74)의 이면에 고정된 접속 부재(75)의 연장부의 일단의 구멍(76)이 상기 핀상 부재(64)에 의해 외측 레그부(6a)에 고정되도록 구성되고, 상기 핀상 부재(84)에 의해 상기 커버 부재(83)를 고정할 때에, 상기 와이어 권취 기구(74)의 이면에 고정된 접속 부재(75)의 연장부의 타단의 구멍(77)이 상기 핀상 부재(84)에 의해 외측 레그부(6b)에 고정되도록 구성되지만, 상기 와이어 권취 기구(74)와 상기 접속 부재(75)를 일체로 구성해도 된다. 또한, 본 실시예의 변형예로서, 상기 외측 거리 규제용 와이어(8)를 사용하지 않고, 상기 와이어 가이드 부재(2)의 외측 레그부(24) 및 상기 미끄럼 방지 본체(1)의 외측 레그부(6)에 외측 거리 규제용 고리상 부재가 접속 가능한 고리상 부재 접속 구멍이 형성되고, 상기 고리상 부재 접속 구멍에 상기 외측 거리 규제용 고리상 부재가 접속됨으로써, 각각의 상기 외측 레그부 사이의 거리가 규제되도록 구성해도 된다.(도시 생략) 본 실시예의 와이어 가이드부(21)의 구성 및, 본 실시예의 타이어 미끄럼 방지 장치를 타이어에 장착할 때의 순서는, 실시예 1과 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 실시예 4 도 35 내지 도 42는 본 발명의 바람직한 실시형태의 일례를 나타내는 것으로서, 도 35는 본 발명의 제4 실시예의 장착 상태를 타이어의 내측면에서 본 이면도, 도 36은 본 발명의 제4 실시예의 장착 상태를 타이어의 외측면에서 본 정면도, 도 37은 본 발명의 제4 실시예의 장착 상태를 타이어의 좌측면에서 본 좌측면도, 도 38은 본 발명의 제4 실시예의 장착 상태를 타이어의 상면에서 본 평면도, 도 39는 도 35의 요부 확대도, 도 40은 도 35의 요부 확대도, 도 41은 도 36의 요부 확대도, 도 42는 도 36의 요부 확대도이다. 본 발명의 제4 실시예의 타이어 미끄럼 방지 장치는, 차량의 타이어(500)의 원주 방향에 대하여 장착하는 띠상의 제1 미끄럼 방지 본체(101)와 제2 미끄럼 방지 본체(201)를 갖고, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)와 제2 미끄럼 방지 본체(201)는 각각 폴리우레탄 엘라스토머 또는 고무 등의 가요성 재료로 형성되고, 지면과의 접지부가 표면에 형성되는 트레드부(104, 204)와, 상기 트레드부(104, 204)로부터 타이어의 내측의 폭 방향으로 돌출 설치하여 형성되는 복수의 내측 레그부(105, 205)와, 상기 트레드부(104, 204)로부터 타이어의 외측의 폭 방향으로 돌출 설치하여 형성되는 복수의 외측 레그부(106, 206)와, 조임 수단용 와이어(171)를 조여, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)와 제2 미끄럼 방지 본체(201)를 타이어에 밀착시키기 위한 조임 수단(107)을 갖는다. 상기 미끄럼 방지 장치의 조임 수단(107)은, 타이어의 폭 방향을 향하여 조임 수단용 와이어(171)가 통과 가능한, 와이어 가이드부(121)가 형성된 제1 와이어 가이드 부재(102) 및, 와이어 가이드부(131)가 형성된 제2 와이어 가이드 부재(103)를 갖고, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)의 타이어의 원주 방향의 일방의 단부(111)에는, 제1 와이어 가이드 부재(102)가 배치되고, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)의 타이어의 원주 방향의 타방의 단부(112)에는, 제2 와이어 가이드 부재(103)가 배치되고, 상기 제1 와이어 가이드 부재(102)의 일방의 측면(102a)이 항상, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)의 일방의 단부(111)와 근접한 위치를 유지하도록 접속되고, 상기 제2 와이어 가이드 부재(103)의 일방의 측면(103a)이 항상, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)의 타방의 단부(112)와 근접한 위치를 유지하도록 접속된다. 한편, 제1 와이어 가이드 부재(102)의 일방의 위치에 상당하는 부분 및 제2 와이어 가이드 부재(103)의 일방의 위치에 상당하는 부분을, 각각, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)와 일체로 구성하고, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)의 단부에, 각각, 상기 제1 와이어 가이드 부재(102)의 타방의 측면(102b)과, 상기 제2 와이어 가이드 부재(103)의 타방의 측면(103b)이 형성되도록 구성해도 된다.(도시 생략) 상기 제1 와이어 가이드 부재(102)는, 지면과의 접지부가 표면에 형성되는 트레드부(122)와, 상기 트레드부(122)로부터 타이어의 내측의 폭 방향으로 형성되는 내측 레그부(123)와, 상기 트레드부(122)로부터 타이어의 외측의 폭 방향으로 형성되는 외측 레그부(124)를 갖고, 상기 와이어 가이드부(121)는 상기 내측 레그부(123) 및 상기 외측 레그부(124)의 위치에 각각 와이어 출입구(121a, 121b)가 형성되고, 상기 제2 와이어 가이드 부재(103)도 마찬가지로, 지면과의 접지부가 표면에 형성되는 트레드부(132)와, 상기 트레드부(132)로부터 타이어의 내측의 폭 방향으로 형성되는 내측 레그부(133)와, 상기 트레드부(132)로부터 타이어의 외측의 폭 방향으로 형성되는 외측 레그부(134)를 갖고, 상기 와이어 가이드부(131)는 상기 내측 레그부(133) 및 상기 외측 레그부(134)의 위치에 각각 와이어 출입구(131a, 131b)가 형성된다. 상기 미끄럼 방지 장치의 타이어(500)에 대한 장착시에 있어서, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)와 접속되는 제1 와이어 가이드 부재(102)의 타방의 측면(102b) 및 제2 와이어 가이드 부재(103)의 타방의 측면(103b)과 대향하는 위치에는, 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 일방의 대향 단부(211) 및 타방의 대향 단부(212)가 각각 배치되고, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)와 접속되는 제1 와이어 가이드 부재(102)의 타방의 측면(102b)과 대향하여 배치되는 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 일방의 대향 단부(211) 사이의 거리와, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)와 접속되는 제2 와이어 가이드 부재(103)의 타방의 측면(103b)과 대향하여 배치되는 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 타방의 대향 단부(212) 사이의 거리가 가변으로 구성된다. 그리고, 상기 조임 수단(107)에 의한 조임 동작시에, 상기 제1 와이어 가이드 부재(102)의 내측 레그부(123)와 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 일방의 대향 단부(211)의 위치의 내측 레그부(205) 사이의 거리와, 상기 제1 와이어 가이드 부재(102)의 외측 레그부(124)와 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 일방의 대향 단부(211)의 위치의 외측 레그부(206) 사이의 거리가 동시에 근접 가능하게 구성되고, 또한, 상기 조임 수단(107)에 의한 조임 동작시에, 상기 제2 와이어 가이드 부재(103)의 내측 레그부(133)와 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 타방의 대향 단부(212)의 위치의 내측 레그부(205) 사이의 거리와, 상기 제2 와이어 가이드 부재(103)의 외측 레그부(134)와 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 타방의 대향 단부(212)의 위치의 외측 레그부(206) 사이의 거리가 동시에 근접 가능하게 구성된다. 상기 제1 와이어 가이드부(121)는 내측 레그부(123) 및 외측 레그부(124)의 위치에 상기 제1 와이어 가이드 부재(102)의 타방의 측면(102b) 방향을 향하는 만곡부(121c, 121d)가 각각 형성됨으로써 상기 와이어 가이드부(121)의 와이어 출입구(121a, 121b)의 방향이, 상기 제1 와이어 가이드 부재(102)의 타방의 측면 방향(102b)을 향하여 형성된다. 상기 제2 와이어 가이드부(131)는 내측 레그부(133) 및 외측 레그부(134)의 위치에 상기 제2 와이어 가이드 부재(103)의 타방의 측면(103b) 방향을 향하는 만곡부(131c, 131d)가 각각 형성됨으로써 상기 와이어 가이드부(131)의 와이어 출입구(131a, 131b)의 방향이, 상기 제2 와이어 가이드 부재(103)의 타방의 측면 방향(103b)을 향하여 형성된다. 한편, 상기 와이어 출입구(121a, 121b, 131a, 131b)의 방향은, 상기 미끄럼 방지 본체 장치를 타이어(500)에 장착한 상태에서 타이어의 원주 상의 방향(501)에 대하여, 0도(원주 방향)부터, 타이어 외주 방향으로 45도 경사진 방향의 범위 내이면, 상기 와이어 출입구(121a, 121b, 131a, 131b)에 대해 상기 조임 수단용 와이어(171)를 넣고 꺼낼 때의 마찰 저항이 과도하게 높아지는 것을 방지할 수 있다. 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 내측 레그부(205)에는 각각, 상기 조임 수단용 와이어 통과부(251)가 배치되고, 상기 조임 수단용 와이어 통과부(251)는, 상기 미끄럼 방지 장치의 타이어(500)에 대한 장착시에 있어서의 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 내측 레그부(205)의 대략 동일 원주 상의 위치에 배치되고, 상기 조임 수단용 와이어(171)의 와이어 직경보다 큰 내부 공간으로 이루어지는 오목부(도시 생략)와, 상기 오목부를 덮도록 배치되는 대략 U자형의 커버 부재(253)와, 상기 커버 부재(253)를 상기 내측 레그부에 고정하기 위한 핀상 부재(254)로 이루어지고, 상기 내측 레그부(205)에 형성된 구멍과, 상기 커버 부재의 양단부에 형성된 구멍(256)을 상기 핀상 부재(254)로 고정함으로써, 상기 내측 레그부(205)에 대하여 상기 커버 부재(253)가 이탈 곤란하도록 접속된다. 한편, 상기 핀상 부재(254)는, 예를 들어, 그로밋(쇠고리)류, 리벳, 나사와 너트의 조합 등, 기존의 핀상 고정구를 사용할 수 있고, 상기 조임 수단(107)에 의해, 상기 복수의 조임 수단용 와이어 통과부(251) 사이에 배치된 상기 조임 수단용 와이어(171)가 인출됨으로써, 상기 복수의 내측 레그부(205) 사이의 거리가 축소되도록 구성된다. 한편, 상기 조임 수단용 와이어 통과부(251)는, 실시예 1에 있어서의 조임 수단용 와이어 통과부(51)와 동일하게 구성된다. 한편, 상기 조임 수단용 와이어(171)는, 각각의 상기 내측 레그부(205)에 형성된 조임 수단용 와이어 통과부(251)의 적어도 일부에 대하여 고정(협지)되도록 구성해도 된다. 상기 조임 수단용 와이어(171)는, 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 내측 레그부(205)에 배치된 상기 조임 수단용 와이어 통과부(251) 내를 통과하고, 상기 조임 수단용 와이어(171)의 일단은 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 일방의 대향 단부(211) 위치의 내측 레그부(205)에 배치된 상기 조임 수단용 와이어 통과부(251)로부터 인출되고, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)와 접속된 제1 와이어 가이드 부재(102)의 내측 레그부(123)에 형성된 와이어 출입구(121a)로부터 들어가 상기 제1 와이어 가이드부(121)를 통과하여 외측 레그부(124)에 형성된 와이어 출입구(121b)로부터 인출되고, 대향하여 배치되는 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 일방의 대향 단부(211)의 위치의 외측 단부(206)에 배치된 조임 수단용 와이어 통과부(261) 내를 통과하여, 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 일방의 대향 단부(211)측의 외측 레그부(206)의 위치에 배치된 제1 와이어 권취 기구(174a)에 접속되고, 상기 조임 수단용 와이어(171)의 타단이 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 타방의 대향 단부(212) 위치의 내측 레그부(205)에 배치된 상기 조임 수단용 와이어 통과부(251)로부터 인출되고, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)와 접속된 제2 와이어 가이드 부재(103)의 내측 레그부(133)에 형성된 와이어 출입구(131a)로부터 들어가 상기 제2 와이어 가이드부(131)를 통과하여 외측 레그부(134)에 형성된 와이어 출입구(131b)로부터 인출되고, 대향하여 배치되는 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 타방의 대향 단부(212)의 위치의 외측 단부(206)에 배치된 상기 조임 수단용 와이어 통과부(261) 내를 통과하여, 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 타방의 대향 단부(212)측의 외측 레그부(206)의 위치에 배치된 제2 와이어 권취 기구(174b)에 접속됨으로써 조임 수단이 구성된다. 한편, 상기 조임 수단용 와이어 통과부(261)의 구성은, 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 외측 레그부(206)에 형성되는, 상기 조임 수단용 와이어(171)의 와이어 직경보다 큰 내부 공간으로 이루어지는 오목부(도시 생략)와, 상기 오목부를 덮도록 배치되는 대략 U자형의 커버 부재(263)와, 상기 커버 부재(263)를 상기 외측 레그부(206)에 고정하기 위한 핀상 부재(264)로 이루어지고, 상기 외측 레그부(206)에 형성된 구멍과, 상기 커버 부재(263)의 양단부에 형성된 구멍(266) 상기 핀상 부재(264)로 고정함으로써, 상기 외측 레그부(206)에 대하여 상기 커버 부재(263)가 이탈 곤란하도록 접속된다. 한편, 상기 조임 수단용 와이어 통과부(261)는, 실시예 1에 있어서의 조임 수단용 와이어 통과부(61)와 동일하게 구성된다. 한편, 상기 핀상 부재는, 예를 들어, 그로밋(쇠고리)류, 리벳, 나사와 너트의 조합 등, 기존의 핀상 고정구를 사용할 수 있다. 한편, 본 실시예에 있어서는, 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 내측 레그부(205)에 배치된 상기 조임 수단용 와이어 통과부(251) 사이의 적어도 일부에는 튜브상 부재(257)가 배치되고, 상기 조임 수단용 와이어(171)가 상기 튜브상 부재(257) 내를 통과함으로써, 각각의 상기 내측 레그부(205)의 조임 수단용 와이어 통과부(251) 사이의 최소 거리가 규제되기 때문에, 상기 조임 수단(107)에 의해 상기 조임 수단용 와이어(171)를 조였을 때에, 상기 조임 수단용 와이어 통과부(251) 사이의 최소 거리의 편차를 없애, 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)를 타이어(500)에 대하여 균등하게 배치할 수 있다. 상기 제1 와이어 가이드 부재(102)의 내측 레그부(123) 및 제2 와이어 가이드 부재(103)의 내측 레그부(133)에는, 각각, 내측 거리 규제용 와이어(109)의 단부를 고정하는 내측 거리 규제용 와이어 단부 고정부(125, 135)가 형성되고, 상기 내측 거리 규제용 와이어(109)의 양단부에 각각 형성된 직경 확대부(190)를 유지함으로써, 상기 내측 거리 규제용 와이어(109)의 각각의 단부가 상기 제1 와이어 가이드 부재(102)의 내측 레그부(123) 및 제2 와이어 가이드 부재(103)의 내측 레그부(133)에 각각 고정되고, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)의 내측 레그부(105)에는, 각각, 상기 내측 거리 규제용 와이어(109)가 통과하는 내측 거리 규제용 와이어 통과부(191)가 배치되고, 상기 내측 거리 규제용 와이어(109)는, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)의 각각의 상기 내측 레그부(105)에 배치된 내측 거리 규제용 와이어(1) 통과부(191)에 의해 유지되도록 구성된다. 한편, 상기 내측 거리 규제용 와이어 통과부(191)의 구조는, 상기 내측 레그부(105)에 형성된 상기 내측 거리 규제용 와이어(109)의 와이어 직경보다 큰 내부 공간으로 이루어지는 오목부(도시 생략)와, 상기 오목부를 덮도록 배치되는 대략 U자형의 커버 부재(193)와, 상기 커버 부재(193)를 상기 내측 레그부(105)에 고정하기 위한 핀상 부재(194)로 이루어지고, 상기 내측 레그부(105)에 형성된 구멍과, 상기 커버 부재(193)의 양단부에 형성된 구멍(196)을 상기 핀상 부재(194)로 고정함으로써, 상기 내측 레그부(105)에 대하여 상기 커버 부재(193)가 이탈 곤란하도록 접속된다. 한편, 상기 내측 거리 규제용 와이어 통과부(191)는, 실시예 1에 있어서의 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)와 동일하게 구성된다. 한편, 상기 핀상 부재는, 예를 들어, 그로밋(쇠고리)류, 리벳, 나사와 너트의 조합 등, 기존의 핀상 고정구를 사용할 수 있다. 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)의 내측 레그부(105)에 배치된 내측 거리 규제용 와이어 통과부(191) 사이의 적어도 일부에는 튜브상 부재(197)가 배치되고, 상기 내측 거리 규제용 와이어(109)가 상기 튜브상 부재(197) 내를 통과함으로써, 각각의 상기 내측 레그부(105)의 내측 거리 규제용 와이어 통과부(191) 사이의 최소 거리가 규제되기 때문에, 상기 내측 거리 규제용 와이어 통과부(191) 사이의 최소 거리의 편차를 없애, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)를 타이어(500)에 대하여 균등하게 배치할 수 있다. 한편, 상기 내측 거리 규제용 와이어(109)를 사용하는 대신에, 상기 제1 와이어 가이드 부재(102)의 내측 레그부(123) 및, 상기 제2 와이어 가이드 부재(103)의 내측 레그부(133) 및, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)의 내측 레그부(105)에, 각각 내측 거리 규제용 고리상 부재가 접속 가능한 고리상 부재 접속 구멍을 형성하고, 상기 고리상 부재 접속 구멍에 상기 내측 거리 규제용 고리상 부재가 접속함으로써, 상기 제1 와이어 가이드 부재(103) 및, 상기 제2 와이어 가이드 부재(103) 및, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)의 내측 레그부(105) 사이의 거리를 규제하도록 구성해도 된다.(도시 생략) 한편, 상기 내측 거리 규제용 고리상 부재와, 내측 거리 규제용 고리상 부재가 접속 가능한 고리상 부재 접속 구멍의 구성은, 본 발명의 실시예 2에서 기재된 내측 거리 규제용 고리상 부재(58)와 고리상 부재 접속 구멍(59)의 구성과 동일하다. 또한, 상기 제1 와이어 가이드 부재(102)의 외측 레그부(124) 및 제2 와이어 가이드 부재(103)의 외측 레그부(134)에는, 각각, 제1 외측 거리 규제용 와이어(108)의 단부를 고정하는 제1 외측 거리 규제용 와이어 단부 고정부(126, 136)가 형성되고, 상기 제1 외측 거리 규제용 와이어 단부 고정부(126, 136)가 상기 제1 외측 거리 규제용 와이어(108)의 양단부에 각각 형성된 직경 확대부(180)를 유지함으로써, 상기 제1 외측 거리 규제용 와이어(108)의 각각의 단부가 상기 제1 와이어 가이드 부재(102)의 외측 단부(124) 및 제2 와이어 가이드 부재(103)의 외측 레그부(134)에 각각 고정되고, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)의 외측 레그부(106)에는, 각각 상기 제1 외측 거리 규제용 와이어(108)가 통과하는 제1 외측 거리 규제용 와이어 통과부(181)가 형성되고, 상기 제1 외측 거리 규제용 와이어(108)는, 각각의 상기 외측 레그부(106)에 배치된 제1 외측 거리 규제용 와이어 통과부(181)에 의해 유지되도록 구성된다. 한편, 상기 제1 외측 거리 규제용 와이어 통과부(181)의 구조는 상기 제1 외측 거리 규제용 와이어(108)의 와이어 직경보다 큰 내부 공간으로 이루어지는 오목부(도시 생략)와, 상기 오목부를 덮도록 배치되는 대략 U자형의 커버 부재(183)와, 상기 커버 부재(183)를 상기 외측 레그부(106)에 고정하기 위한 핀상 부재(184)로 이루어지고, 상기 외측 레그부(106)에 형성된 구멍과, 상기 커버 부재(183)의 양단부에 형성된 구멍(186)을 상기 핀상 부재(184)로 고정함으로써, 상기 외측 레그부(106)에 대하여 상기 커버 부재(183)가 이탈 곤란하도록 접속된다. 한편, 상기 제1 외측 거리 규제용 와이어 통과부(181)는, 실시예 1에 있어서의 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)와 동일하게 구성된다. 한편, 상기 핀상 부재(184)는, 예를 들어, 그로밋(쇠고리)류, 리벳, 나사와 너트의 조합 등, 기존의 핀상 고정구를 사용할 수 있다. 또한, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)의 외측 레그부(106)에 배치된 제1 외측 거리 규제용 와이어 통과부(181) 사이의 적어도 일부에는 튜브상 부재(187)가 배치되고, 상기 제1 외측 거리 규제용 와이어(108)가 상기 튜브상 부재(187) 내를 통과함으로써, 각각의 상기 외측 레그부(106)의 제1 외측 거리 규제용 와이어 통과부(181) 사이의 최소 거리가 규제되기 때문에, 상기 제1 외측 거리 규제용 와이어 통과부(181) 사이의 최소 거리의 편차를 없애, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)를 타이어(500)에 대하여 균등하게 배치할 수 있다. 한편, 제1 외측 거리 규제용 와이어(108)를 사용하는 대신에, 상기 제1 와이어 가이드 부재(102)의 외측 레그부(124) 및, 상기 제2 와이어 가이드 부재(103)의 외측 레그부(134) 및, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)의 외측 레그부(106) 사이에 제1 외측 거리 규제용 고리상 부재가 접속 가능한 고리상 부재 접속 구멍을 형성하고, 상기 고리상 부재 접속 구멍에 상기 제1 외측 거리 규제용 고리상 부재가 접속됨으로써, 상기 제1 와이어 가이드 부재(102) 및, 상기 제2 와이어 가이드 부재(103) 및, 상기 제1 미끄럼 방지 본체(101)의 외측 레그부 사이의 거리가 규제되도록 구성해도 된다.(도시 생략) 한편, 상기 제1 외측 거리 규제용 고리상 부재와, 제1 외측 거리 규제용 고리상 부재가 접속 가능한 고리상 부재 접속 구멍의 구성은, 본 발명의 실시예 2에서 기재된 외측 거리 규제용 고리상 부재(68)와 고리상 부재 접속 구멍(69)의 구성과 동일하다. 또한, 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 상기 외측 레그부(206)에는 제2 외측 거리 규제용 와이어(208)가 통과하는 제2 외측 거리 규제용 와이어 통과부(281)가 형성되고, 상기 제2 외측 거리 규제용 와이어(208)는, 각각의 상기 외측 레그부(206)에 배치된 제2 외측 거리 규제용 와이어 통과부(281)에 의해 유지되도록 구성된다. 한편, 상기 제2 외측 거리 규제용 와이어(208)의 통과부의 구조는, 상기 제2 외측 거리 규제용 와이어(208)의 와이어 직경보다 큰 내부 공간으로 이루어지는 오목부(도시 생략)와, 상기 오목부를 덮도록 배치되는 대략 U자형의 커버 부재(283)와, 상기 커버 부재(283)를 상기 외측 레그부(206)에 고정하기 위한 핀상 부재(284)로 이루어지고, 상기 외측 레그부(206)에 형성된 구멍과, 상기 커버 부재(283)의 양단부에 형성된 구멍(286)을 상기 핀상 부재(284)로 고정함으로써, 상기 외측 레그부(206)에 대하여 상기 커버 부재(283)가 이탈 곤란하도록 접속된다. 한편, 상기 제2 외측 거리 규제용 와이어 통과부(281)는, 실시예 1에 있어서의 외측 거리 규제용 와이어 통과부(81)와 동일하게 구성된다. 한편, 상기 핀상 부재(284)는, 예를 들어, 그로밋(쇠고리)류, 리벳, 나사와 너트의 조합 등, 기존의 핀상 고정구를 사용할 수 있다. 또한, 상기 제1 와이어 권취 기구(174a)의 이면에는 접속 부재(175a)가 고정되고, 상기 접속 부재(175a)의 일단은 상기 조임 수단용 와이어 통과부(261)에 고정되고, 상기 접속 부재(175a)의 타단은 상기 제2 외측 거리 규제용 와이어 통과부(281)에 고정된다. 마찬가지로 상기 제2 와이어 권취 기구(174b)의 이면에는 접속 부재(175b)가 고정되고, 상기 접속 부재(175b)의 일단은 상기 조임 수단용 와이어 통과부(261)에 고정되고, 상기 접속 부재(175b)의 타단은 상기 제2 외측 거리 규제용 와이어 통과부(281)에 고정되지만, 상기 와이어 권취 기구(174a)와 상기 접속 부재(175a)를, 상기 와이어 권취 기구(174b)와 상기 접속 부재(175b)를 각각 일체로 구성해도 된다. 상기 제2 외측 거리 규제용 와이어(208)의 양단부에 각각 형성된 직경 확대부(280)가 형성되고, 상기 접속 부재(175a) 및 접속 부재(175b)가 고정된 제2 외측 거리 규제용 와이어 통과부(281)에 의해, 상기 제2 외측 거리 규제용 와이어(208)의 단부에 형성된 직경 확대부(280)가 고정되도록 구성된다. 한편, 상기 제2 외측 거리 규제용 와이어(208)의 양단부가, 각각 상기 접속 부재(175a)와 접속 부재(175b)에 고정되도록 구성해도 된다.(도시 생략) 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 외측 레그부(206)에 배치된 제2 외측 거리 규제용 와이어 통과부(281) 사이의 적어도 일부에는 튜브상 부재(287)가 배치되고, 상기 제2 외측 거리 규제용 와이어(208)가 상기 튜브상 부재(287) 내를 통과함으로써, 각각의 상기 외측 레그부(206)의 제2 외측 거리 규제 와이어 통과부(281) 사이의 최소 거리가 규제되기 때문에, 상기 제2 외측 거리 규제용 와이어 통과부(281) 사이의 최소 거리의 편차를 없애, 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)를 타이어(500)에 대하여 균등하게 배치할 수 있다. 한편, 상기 제2 외측 거리 규제용 와이어(208)를 사용하는 대신에, 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 적어도 일부의 외측 레그부(206) 사이에는 제2 외측 거리 규제용 고리상 부재가 접속 가능한 고리상 부재 접속 구멍이 형성하고, 상기 고리상 부재 접속 구멍에 상기 제2 외측 거리 규제용 고리상 부재가 접속됨으로써, 상기 제2 미끄럼 방지 본체(201)의 각각의 상기 외측 레그부(206) 사이의 거리가 규제되도록 구성해도 된다.(도시 생략) 한편, 상기 제2 외측 거리 규제용 고리상 부재와, 제2 외측 거리 규제용 고리상 부재가 접속 가능한 고리상 부재 접속 구멍의 구성은, 본 발명의 실시예 2에서 기재된 외측 거리 규제용 고리상 부재(68)와 고리상 부재 접속 구멍(69)의 구성과 동일하다. [ 산업상 이용가능성 ] 본 발명의 구조는 강설시나 노면 동결시 등에 차량의 타이어에 장착하는 타이어 미끄럼 방지 장치로서 유효하게 이용할 수 있다. [ 부호의 설명 ] 1: 미끄럼 방지 본체, 2: 와이어 가이드 부재, 2a: 일방의 측면, 2b: 타방의 측면, 4: 트레드부, 5: 내측 레그부, 6: 외측 레그부, 6a: 외측 레그부, 6b: 외측 레그부, 6y: 외측 레그부, 6z: 외측 레그부, 7: 조임 수단, 8: 외측 거리 규제용 와이어, 11: 일방의 단부, 12: 대향 단부, 13: 조임 수단용 와이어 단부 고정부, 21: 와이어 가이드부, 21a: 와이어 출입구, 21b: 와이어 출입구, 21c: 만곡부, 21d: 만곡부, 22: 트레드부, 23: 내측 레그부, 24: 외측 레그부, 25: 조임 수단용 와이어 단부 고정부, 26: 외측 거리 규제용 와이어 단부 고정부, 29: 고리상 부재 접속 구멍, 50: 내측 팔부, 51: 조임 수단용 와이어 통과부, 52: 오목부, 53: 커버 부재, 54: 핀상 부재, 55: 구멍, 56: 구멍, 57: 튜브상 부재, 58: 내측 거리 규제용 고리상 부재, 59: 고리상 부재 접속 구멍, 60: 외측 팔부, 61: 조임 수단용 와이어 통과부, 62: 오목부, 63: 커버 부재, 64: 핀상 부재, 65: 구멍, 66: 구멍, 68: 외측 거리 규제용 고리상 부재, 69: 고리상 부재 접속 구멍, 71: 조임 수단용 와이어, 72: 직경 확대부, 73: 복귀 방지 부재, 74: 와이어 권취 기구, 75: 접속 부재, 76: 구멍, 77: 구멍, 78: 핀상 부재, 79: 나사 부재, 80: 직경 확대부, 80a: 일단, 80b: 타단, 81: 외측 거리 규제용 와이어 통과부, 82: 오목부, 82b: 스페이서부, 83: 커버 부재, 84: 핀상 부재, 85: 구멍, 86: 구멍, 87: 튜브상 부재, 101: 제1 미끄럼 방지 본체, 102: 제1 와이어 가이드 부재, 102a: 일방의 측면, 102b: 타방의 측면, 103: 제2 와이어 가이드 부재, 103a: 일방의 측면, 103b: 타방의 측면, 104: 트레드부, 105: 내측 레그부, 106: 외측 레그부, 107: 조임 수단, 108: 제1 외측 거리 규제용 와이어, 109: 내측 거리 규제용 와이어, 111: 일방의 단부, 112: 타방의 단부, 120a: 방향, 120b: 방향, 121: 와이어 가이드부, 121a: 와이어 출입구, 121b: 와이어 출입구, 121c: 만곡부, 121d: 만곡부, 122: 트레드부, 123: 내측 레그부, 124: 외측 레그부, 125: 내측 거리 규제용 와이어 단부 고정부, 126: 제2 외측 거리 규제용 와이어 단부 고정부, 130a: 방향, 130b: 방향, 131: 와이어 가이드부, 131a: 와이어 출입구, 131b: 와이어 출입구, 131c: 만곡부, 131d: 만곡부, 132: 트레드부, 133: 내측 레그부, 134: 외측 레그부, 135: 내측 거리 규제용 와이어 단부 고정부, 136: 제2 외측 거리 규제용 와이어 단부 고정부, 171: 조임 수단용 와이어, 174a: 제1 와이어 권취 기구, 174b: 제2 와이어 권취 기구, 175a: 접속 부재, 175b: 접속 부재, 180: 직경 확대부, 181: 내측 거리 규제용 와이어 통과부, 183: 커버 부재, 184: 핀상 부재, 186: 구멍, 187: 튜브상 부재, 190: 직경 확대부, 191: 내측 거리 규제용 와이어 통과부, 193: 커버 부재, 194: 핀상 부재, 196: 구멍, 197: 튜브상 부재, 201: 제2 미끄럼 방지 본체, 204: 트레드부, 205: 내측 레그부, 206: 외측 레그부, 208: 제2 외측 거리 규제용 와이어, 211: 일방의 대향 단부, 212: 타방의 대향 단부, 251: 조임 수단용 와이어 통과부, 253: 커버 부재, 254: 핀상 부재, 256: 구멍, 257: 튜브상 부재, 261: 조임 수단용 와이어 통과부, 263: 커버 부재, 264: 핀상 부재, 266: 구멍, 280: 직경 확대부, 281: 제2 외측 거리 규제용 와이어 통과부, 283: 커버 부재, 284: 핀상 부재, 186: 구멍, 287: 튜브상 부재, 500: 타이어	[과제] 타이어 미끄럼 방지 장치가, 지면과 접지하는 트레드부와, 상기 트레드부로부터 타이어의 내측으로 형성되는 내측 레그부와, 상기 트레드부로부터 타이어의 외측으로 형성되는 외측 레그부를 갖는 미끄럼 방지 본체와, 상기 미끄럼 방지 본체를 타이어에 밀착시키는 조임 수단을 갖고, 상기 조임 수단의 작동시에 타이어의 내측 혹은 외측 방향으로 상기 미끄럼 방지 본체가 빠지는 일이 없고, 간단한 조작으로 타이어의 최적의 위치에 타이어 미끄럼 방지 장치를 장착할 수 있는 타이어 미끄럼 방지 장치를 얻는 것을 과제로 한다. [해결 수단] 상기 미끄럼 방지 본체의 일방의 단부의 위치에는, 상기 미끄럼 방지 본체의 폭 방향을 향하여 조임 수단용 와이어가 삽입 통과 가능한 와이어 가이드부가 형성되고, 조임 수단용 와이어의 조임 동작에 의해 상기 미끄럼 방지 본체의 일방의 단부의 위치(와이어 가이드 부재)와 상기 타방의 단부의 위치가, 상기 내측 레그부 위치와 상기 외측 레그부 위치의 양방의 위치에서, 근접하도록 구성된다.
[ 발명의 명칭 ] 포일내에 형성된 공동내부의 제 위치에 인서트를 배열하기 위한 방법 및 장치METHOD AND DEVICE FOR PUTTING IN PLACE AN INSERT IN A CAVITY FORMED IN A FOIL PRODUCT [ 기술분야 ] 본 발명은, 전형적으로 2mm 미만 특히 300μm 미만의 두께를 가진 포일 제품내에 형성된 공동 내부에 인서트를 제 위치에 배열하기 위한 새로운 방법 및 장치에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 본 발명은, 인쇄 회로 기판 또는 스마트카드 또는 일부 여권에서 이용되는 데이터 면(data page)과 같이 한 개이상의 전자 회로를 포함하고 플라스틱 재질, 전형적으로 폴리카보네이트로 형성된 다른 미세 문서(fine documents) 분야에 관한 것이지만 상기 분야로 한정되지 않는다. 스마트카드 분야에서, 카드 몸체를 형성하는 층내에 형성된 카드의 슬롯 및 상기 모듈사이에서 가능한 작은 간격을 가지며 상기 카드 몸체내에 상기 카드의 전자 모듈들을 삽입하기 위해 카드 제조업체들은 어려움에 부딪히는 것으로 알려져 있다. 최근에, 투명한 인서트와 같은 서로 다른 인서트들의 측부들 중 한 개상에 새겨지거나 인쇄된 정보를 가질 수 있는 상기 인서트를 카드 몸체의 두께부내에서 제 위치에 배열하는 문제가 발생한다. 상기 인서트들은 상기 카드 내에 배열되어야 하고, 인서트의 재료가 가지는 투명한 특성에 의해 시각적으로 상기 정보에 접근할 수 있고 복제로부터 보호된다. 상기 정보는 예를 들어, 이미지, 사진 또는 레이저 감지 잉크 등에 의해서 인쇄되고 특수 판독기에 의해서만 판독될 수 있는 정보이다. 상기 인서트는, 마이크로 칩, RFID 안테나 등과 같은 능동 또는 수동식 전자 장치를 포함할 수 있다.일반적으로, 이를 위해 인서트 자체내에 포함된 삽입 기능 요소가 수용 카드 몸체내에 형성된 공동 및 상기 인서트의 주변부사이에서 공간 없이 최종 카드의 두께부내에 일체 구성된다.슬롯을 형성하는 공동내에 상기 인서트를 제 위치에 배열하기 위한 최신 기술은, 우선 상기 인서트를 절단하고 다음에 카드 몸체내에 공동을 형성하는 작업을 포함한다. 상기 작업들은 몰딩, 기계가공, 레이저 커팅 또는 펀칭에 의해 수행된다. 다음에, 상기 공동과 마주보게 배열된 각각의 인서트를 정확하게 배열하기 위해 로봇으로 작동되는 고정밀 다축 기계를 이용하여 각각의 인서트는 공동내에 배열된다. 대부분의 상기 기계들은 보조적인 시각(vision) 제어 시스템을 추가로 포함한다.특히, 상기 공동이 형성되고 최근에 폴리카보네이트로 제조된 층이 가지는 미세한 두께 및 단지 약 50μm 또는 미만일 수 있는 두께를 가진 상기 인서트의 미세 두께 때문에 상기 삽입 작업은 상당한 어려움을 가진다. 이용되는 기계가 정밀(sophistication)할지라도, 상기 인서트 및 공동사이의 간격은 0.05 내지 0.10mm아래로 감소될 수 없다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명의 목적은 우선, 상기 간격을 완전히 제거하고 다음에 현재 이용되는 기계장비의 복잡한 구조를 감소시켜서 인서트를 포함한 카드 또는 유사한 미세 제품의 제조비용을 감소시키는 것이다.상기 목적을 감안할 때, 본 발명은 인서트가 필름으로부터 절단되고 다음에 공동 내부에 배열되는 포일(foil) 제품내에 형성된 공동내에 인서트를 제 위치에 배열하기 위한 방법을 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명에 의하면, 상기 방법은 상기 포일이 지지 표면위에 배열된 후에,내부 푸셔를 포함한 관형 절단 펀치에 의해 상기 포일을 펀칭하여 공동이 형성되고, 상기 내부 푸셔는 상기 공동 및 인서트에 형성되는 형상을 가진 절단 변부를 포함하며, 상기 펀치의 변부가 상기 포일의 두께를 통과하여 포일로부터 슬러그를 절단하도록 상기 펀치가 상기 포일과 직각으로 하강하는 단계(a),상기 포일의 상측부 및 상기 펀치사이에서 상기 필름을 배열하기 위한 공간을 제거하기 위해 상기 펀치내에 고정된 슬러그와 함께 상기 펀치가 상승되는 단계(b),상기 필름은 상기 포일을 이동시키지 않고 상기 포일 및 상기 펀치의 변부 사이로 이동하고 상기 필름은 상기 포일에 대해 설정되는 단계(c),상기 펀치는 상기 필름으로부터 상기 인서트를 절단하기 위해 다시 한번 하강하고 다음에 푸셔에 의해 상기 인서트를 상기 공동속으로 가압하는 단계(d),상기 펀치가 제거되고 다음에 푸셔가 제거되며, 상기 인서트는 상기 공동내에서 제 위치에 고정되는 단계(e)가 순차적으로 수행되는 것을 특징으로 한다.단계(d)에서, 상기 인서트는 상기 공동과 동일한 형상과 치수를 가지며 정확하게 절단되는 데, 두 개의 절단이 동일한 펀치에 의해 연속적으로 형성되기 때문이다. 또한, 공동을 절단하는 단계 및 상기 인서트를 절단하는 단계사이에서 상기 펀치에 대해 공동이 절단되는 포일을 상기 펀치의 중심선에 대해 횡 방향으로 이동시키지 않기 때문에, 고정밀 기구 또는 보조 시야 및 제어 수단 없이도 상기 공동에 대한 인서트의 정확한 위치가 자동으로 형성된다.따라서 본 발명에 의하면, 인서트 및 공동사이에서 주변 간격 없이 그리고 고정밀 장비 및 기계에 대한 고비용 투자 없이 인서트를 공동내부의 제 위치에 매우 정밀하게 배열할 수 있다.상기 방법을 산업적인 규모로 적용하기 위한 선호적인 방법에 의하면, 여러 개의 인서트들을 각각의 공동내부의 제 위치에 배열하기 위해 상기 단계(e) 이후에 상기 펀치와 마주보는 절단위치에서 새로운 공동을 형성하기 위해 상기 필름을 이동시키지 않고 상기 포일이 이동하는 단계(f)가 수행되고,다음에 단계(a) 내지 단계(f)가 순차적으로 다시 수행되며, 상기 인서트가 단계(d)에서 절단될 때 상기 필름내에 형성된 구멍을 단계(a)에서 상기 펀치가 통과한다.산업적인 적용을 위해, 단계(a) 동안 상기 펀치를 통과시키기 위한 구멍을 형성하기 위해 상기 필름으로부터 제1 인서트를 절단하는 예비 단계가 제1 사이클 동안 수행되고 다음에 상기 제1 인서트는 이용되지 않고 제거된다. 푸셔는 단계(d) 동안 상기 인서트에 직접 작용하여 인서트가 공동속에 가압되도록 단계(b) 및 단계 (d) 사이에서 상기 슬러그가 상기 펀치로부터 제거될 수 있다.그러나 선호되는 실시예에 의하면, 상기 펀치가 단계(b)에서 상승될 때 상기 펀치내에 슬러그가 고정되고 상기 슬러그는 상기 푸셔 및 인서트사이에서 중간요소로서 작동하여 단계(e) 동안 인서트를 공동속으로 가압한다. 상기 슬러그는 푸셔에 대한 진공에 의해 상기 펀치내에 고정되며, 상기 고정 작용에 의하면 슬러그가 펀치로부터 배출될 때까지 상기 슬러그가 중간 요소로서 작동하여 상기 인서트를 공도의 바닥속으로 가압하는 단계 동안 상기 슬러그는 상기 푸셔의 전방 벽에 대하여 제 위치에 유지될 수 있다. 선호되는 실시예에 의하면, 상기 슬러그는 단계(e) 이후에 상기 펀치로부터 배출되고 제거된다. 포일과 지지가 단계(f) 에서 이동할 때 상기 포일로부터 절단된 슬러그가 배출되고 제거되는 작업이 수행되어 사이클 시간이 감소될 수 있다.본 발명의 실시예에 의하면, 특히 포일과 인서트가 미세할 때 상기 포일의 지지 표면은 상기 포일과 고정된 상태로 연결된 지지 기질로 형성되고, 따라서 상기 기질 과 포일은 동시에 이동하고 적층화에 의해 연결될 수 있다. 상기 실시예는, 예를 들어, 100μm 미만의 두께를 가진 미세 포일을 가진 스마트카드 등을 제조하기 위한 발명을 실시하는 경우에 적용된다. 상대적으로 두꺼운 포일 또는 인서트에 있어서, 지지 기질을 이용하지 않을 수 있다. 왜냐하면, 상기 공동내에 상기 인서트를 정밀하게 조립(fit)하여 상기인서트는 공동내부에서 변부들에 의해 적절하게 차단되고 고정되며, 특히 상기 포일을 포함한 서로 다른 층들을 조립하고 서로 카드 몸체를 형성하며 상기 층들을 적층화하여 상기 인서트를 포함한 카드 몸체를 형성하는 연속적인 단계를 수행하기 전에 인서트를 가진 포일을 최소 조정할 수 있기 때문이다. 상기 포일과 연결된 지지 기질을 이용하여 상기 방법이 수행될 때, 단계(d)에서 상기 푸셔는 상기 인서트를 지지 기질에 대하여 상기 공동의 바닥속에 가압하여 상기 인서트 및 상기 지지 기질이 면 대 면(face to face) 접촉하는 효과만으로 상기 인서트가 상기 기질과 결합하게 된다. 상기 결합을 용이하게 하고 강화하기 위해, 상기 단계(d)는 상기 인서트의 재료를 가열하여 수행되어 결합을 더욱 접착성을 가지게 하거나 푸셔(pusher)를 통해 열을 공급하고 이를 위해 푸셔는 가열 수단을 포함할 수 있다.카드 특히, 동일한 치수를 가진 기질 요소와 포일 요소의 조립체를 포함하는 스마트 카드내에 인서트를 제 위치에 배열하기 위해, 상기 지지 기질 및 포일은 복수 개의 카드들을 형성하도록 정해지는 횡 방향 치수를 가지고, 인서트를 절단하고 제 위치에 배열하기 위해 횡 방향을 따라 배열된 다수의 스테이션들위에서 서로 다른 단계들이 동시에 수행된다. 선택적으로, 횡 방향으로 배열된 카드들의 갯수보다 적은 갯수의 인서트들을 절단하고 제 위치에 배열하기 위한 다수의 스테이션들이 복수 개의 카드 갯수로 이용될 수 있고, 절단하고 제 위치에 배열하기 위한 스테이션들이 횡 방향으로 이동한다. 이와 무관하게, 스트립(strip)인 것이 선호되는 상기 필름으로부터 폭을 따라 단지 한 개의 인서트가 절단되고, 절단하고 제 위치에 배열하기 위한 각각의 스테이션은 다른 스테이션들과 독립적으로 상기 스트립을 공급받는다. 선택적으로, 상기 지지 기질과 포일의 폭과 동일한 폭을 가진 필름이 이용될 수 있고, 절단하고 제 위치에 배열하기 위한 모든 스테이션들이 상기 폭을 따라 배열된 모든 카드 몸체들의 인서트를 동시에 절단하고 제 위치에 배열하도록 제공될 수 있다. 따라서 본 발명의 방법에 의하면 해당 공동들에 대해 인서트들을 매우 고도로 정밀하게 배열할 필요가 없기 때문에 상기 절단 및 삽입 작을 특히 신속하고 경제적으로 수행할 수 있고 동시에 상기 인서트와 공동사이에 주변 간격이 존재하지 않는다.본 발명은 또한, 상기 방법에 의해 필름으로부터 절단된 인서트를 포일내에 형성된 공동내부의 제 위치에 배열하기 위한 장치에 관한 것이고, 상기 장치는,축 방향으로 이동하는 관형 절단 펀치 및 상기 펀치내에서 미끄럼 운동하는 푸셔를 포함하고 절단 및 배열을 위한 한 개이상의 조립체,상기 포일을 지지 테이블 위에 공급하기 위한 공급 수단,상기 펀치 전방의 포일을 상기 펀치의 중심선에 대해 수직으로 이동시키기 위한 이동 수단,상기 펀치 및 포일사이에 상기 필름을 공급하고 상기 포일의 이동과 독립적으로 상기 필름을 이동시키기 위한 제2 공급 및 이송 수단,상기 펀치와 푸셔의 이동 및 상기 포일과 필름의 이동을 조절하여 제어하기 위한 제어수단을 포함한다.본 발명의 실시예에 의하면, 상기 장치는 포일의 공급과 조절되어 지지 기질을 공급하기 위한 제3 공급수단을 포함하고, 상기 이동수단은 상기 기질 및 상기 기질에 도포된 포일로 구성된 조립체를 동시에 이동시키도록 배열된다. [ 발명의 효과 ] 선호되거나 보조적인 실시예에 의하면,- 상기 푸셔는 상기 펀치에 의해 절단된 슬러그를 펀치내에 일시적으로 고정하기 위한 고정 수단을 포함하고,-상기 고정 수단은 상기 푸셔내에 형성되고 푸셔의 전방 측부에서 개방되는 진공 구멍을 포함하며,-상기 푸셔는 가열 수단을 포함한다.다른 특징들과 장점들이 인서트를 포함한 스마트 카드를 제조하기 위한 본 발명의 장치 및 이를 실시하기 위한 방법에 관련되고 본 발명을 제한하지 않는 하기 설명으로부터 이해된다.첨부된 도면들을 참고한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명을 따르는 기계의 사시도.도 2는 본 발명을 따르는 방법의 실시에 관한 사이클 중 최초 위치에 있는 본 발명의 장치를 도시한 도면.도 3 내지 도 10은, 본 발명의 방법을 구성하는 단계(b) 내지 단계(g)의 하기 시퀀스를 따르는 본 발명의 장치를 도시한 도면들. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이동식 캐리지(mobile carriage)에 헤드(head)(10)가 장착되고 상기 이동식 캐리지는 프레임(11)위에서 기질(1) 및 관련 포일(2)의 이동 방향(F)과 횡 방향으로 이동한다. 도 1에 도시된 기계는, 프레임(11)위에서 이동하는 이동식 캐리지 위에 장착된 두 개의 인서트 절단 및 배열 헤드(10)를 포함하고, 상기 이동식 캐리지는 상기 프레임 아래에서 이동하는 테이블(12)의 이동 방향(F)과 횡 방향으로 이동할 수 있다. 각각의 헤드는 도 2 및 이어지는 도면들에 도시된 펀치(50) 및 푸셔(pusher)(51)를 포함한다. 상기 기계는 지지 기질(1)을 지지하여 상기 테이블(12)위에 내려놓기 위한 제1 공급 수단(13) 및, 상기 인서트를 수용해야 하는 포일을 공급하고 상기 포일을 상기 기질 위에 배열하기 위한 제2 공급 수단(14)을 포함한다.도 1에 도시된 실시예에서, 필름으로부터 인서트가 절단되고 상기 필름은 압연된 스트립(rolled strip)(3) 형태를 가지고, 상기 필름의 폭내에서 단지 한 개의 인서트(30)가 절단되며, 각각의 헤드(10)는 상기 스트립(3)을 공급하기 위한 수단을 포함한다.도시된 실시예에서, 상기 기질(1) 및 필름(2)은 두 개의 조립체 형태를 가지며 상기 테이블(12)위에 배열(deposit)되고, 각각 조립체는 기질(1) 및 포일(2)을 포함하며 직사각형 형태로 미리 절단되고 공지된 방법에 따라 미리 조립되고, 상기 조립체의 치수는 기질(1)과 포일(2)로 이루어진 각각의 조립체내에서 카드 몸체를 형성하도록 결정된다. 물론 다른 형태가 원하는 대로 이용될 수 있다.전형적으로 상기 기질(1)은 100μm의 두께를 가진 백색 폴리카보네이트와 같은 불투명한 폴리카보네이트의 판이며, 상기 포일(2)은 50μm의 두께를 가진 불투명한 폴리카보네이트이며, 상기 두께들은 예를 위해 주어지며 이들로 제한되지 않는다.미세한 스트립(3)으로부터 인서트(30)들이 절단되고 상기 미세한 스트립은 한쪽 측부에서 코팅(31)을 가진 투명한 폴리카보네이트 필름에 의해 형성되며, 상기 코팅은 상기 인서트가 제 위치에 삽입된 후에 카드 몸체의 두께부내에 일체 구성되지만 눈에 보이는 모든 패턴을 가질 수 있다. 그러나 본 발명은, 예를 들어, RFID 안테나를 카드 몸체내에 일체 구성하기 위해 다른 기능을 수행하도록 투명하거나 다른 특성을 가진 다른 재료로 형성된 다른 형태의 인서트에 의해 실시될 수 있다. 상기 스트립(3)의 두께 및 상기 인서트의 두께 및 인쇄는 전형적으로 포일(2)과 동일하지만 다르거나 특히 상대적으로 작을 수도 있다. 일반적으로 이것은 상기 인서트(30)가 제 위치에 삽입된 후에 한 개이상의 추가적인 보호층들을 상기 포일위에 배열하기 위한 것이고, 상기 모든 층들, 기질, 인서트를 가진 포일 및 다른 보호시트들은 나중에 서로 적층화되어 최종 가공된 카드의 몸체를 구성한다.인서트를 절단하고 배열하기 위한 각각의 조립체(10)는, 축 방향으로 운동하는 관형 절단 펀치(50) 및 상기 펀치내에서 미끄럼 운동하는 푸셔(51)를 포함한다. 상기 관형 펀치의 내부 섹션이 가지는 형상 및 치수는 구성되어야 하는 공동(21) 내에서 제 위치에 삽입되어야 하는 인서트(30)의 형상 및 치수와 동일하다. 상기 펀치의 하측 단부는 공지된 방법에 따라 경사진 절삭 변부(52)를 형성한다. 상기 푸셔(51)의 운동은 축 방향을 따라 상기 펀치(50) 내부에서 안내된다. 상기 푸셔(51)는 상기 푸셔(51)의 전방부(54)위에서 개방되는 통과 진공 도관(53)들을 포함하고, 상기 통과 진공 도관은 도면에 도시되지 않은 진공 유닛과 다른 단부들에 의해 연결된다.도 2 내지 도 10과 관련하여, 서로 다른 절단 및 배열 단계들이 설명되며, 상기 모든 단계들이 각각의 카드 몸체를 위해 반복되고, 상기 단계들은 동일한 기계내에서 실시되는 여러 개의 전단 및 배열 조립체들을 위해 동기화(synchronised)될 수 있다.도 2는 사이클을 시작하는 장치를 도시하고, 지지 기질(1)은 상기 테이블(12)위에 배열되고, 포일(2)은 기질(1)위에 배열되며, 펀치(50)는 상승된 위치에 배열되고, 펀치의 변부(52)는 상기 스트립(3)으로부터 인서트(30)를 미리 절단하여 형성된 구멍(32)과 정렬된다. 인서트를 배열하는 작업이 개시될 때, 상기 스트립(3)으로부터 제1 인서트를 절단하기 위한 예비 단계가 수행되고, 제1단계에서 상기 펀치(50)를 통과시키기 위한 구멍(32)을 형성할 수 있고, 다음에 제1 인서트는 사용되지 않고 분리된다.도 3에 도시된 제1 단계(a) 동안, 상기 펀치(50)는 하강하고 앞서 수행된 사이클 또는 상기 예비 단계 동안 인서트를 절단하여 형성된 구멍(32)을 통과한다. 상기 펀치(50)는, 펀치의 변부가 지지 기질(1)의 표면에 도달하고 포일(2)로부터 슬러그(slug)(20)를 절단하며 상기 슬러그의 형상 및 치수는 펀치의 변부가 가지는 형상 및 치수와 정확하게 동일하다. 상기 펀치(51)는 동시에 상기 슬러그와 접촉하고 도관(53)을 통한 진공이 상기 푸셔의 전방 표면에 대해 상기 슬러그(20)를 고정한다.도 4에 도시된 제2 단계(b)에서, 상기 펀치(50) 및 푸셔(51)는 동시에 충분한 거리를 가지며 상승되어 상기 펀치와 포일(2)사이에서 상기 스트립(3)은 적어도 상기 포일(2)과 스트립(3)의 두께 합에 해당하는 거리를 미끄럼 운동할 수 있다. 상기 펀치가 상승함에 따라 상기 푸셔(51)는 상기 펀치의 몸체내에서 상기 슬러그(20)를 고정한다.도 5에 도시된 제3 단계(c) 동안, 절단되는 인서트에 해당하는 영역이 상기 펀치 바로 아래로 이동할 때까지 상기 스트립(3)은 상기 펀치(50) 및 포일(2)사이에서 미끄럼 운동한다. 상기 스트립이 이렇게 이동하는 동안 상기 펀치는 상기 기질과 포일과 같이 고정된 상태로 제거된다.제4 단계(d) 동안, 도 6에 도시된 제1단계에서 상기 펀치(50)는 하강하여 상기 스트립(3)으로부터 상기 인서트(30)를 절단하며 상기 푸셔(51)는 후방으로 유지되어 상기 절단된 인서트를 가압하지 않고, 도 7에 도시된 제2단계에서 상기 펀치(50)는 기질(1)에 도달하지 않고 일정 거리에 걸쳐서 계속 하강하며 동시에 상기 푸셔(51)는 사전에 깨끗하게 형성된 상기 포일(2)의 공동(21)속으로 절단된 인서트(30)를 들어가게 만들며, 상기 슬러그(20)는 상기 삽입과정 동안 상기 인서트 및 상기 푸셔사이에서 중간요소(intermediary)로서 작동한다. 상기 운동이 종료할 때 가해지는 압력이 작용할 때, 상기 인서트(30)는 상기 공동(21)의 바닥을 형성하는 기질(1)의 측부와 결합된다. 앞서 설명한 것처럼, 이전 단계에서 상기 포일내에 공동(21)을 형성하는 동일한 공구에 의해 상기 인서트(30)가 상기 펀치(50)에 대해 상기 포일(2)을 이동시키지 않고 절단되기 때문에, 미리 절단된 슬러그(20)와 정확하게 동일한 치수를 가지는 인서트(30)가 주변 간격을 가지지 않고 정밀하게 삽입된다.도 8에 도시된 제5 단계(e) 동안 펀치(50)가 상승되고 다음에 푸셔(51)가 상승되며 아직까지 진공에 의해 고정된 슬러그(20)를 제거한다. 상기 인서트(30)는 포일(2)의 공동(21)내에서 고정된 상태로 유지된다.다음에 상기 슬러그(20)는, 푸셔내에 진공을 중지시키고 푸셔의 구멍들을 통해 반대방향으로 공기를 불어넣어 펀치로부터 배출되고 콜렉터(collector(55)내에 수집되고 제거된다.마지막으로, 도 10에 도시된 단계(f) 동안, 상기 기질(1) 및 포일(2)이 운동하여 인서트를 제 위치에 배열하기 위한 다음 위치를 상기 펀치(50) 전방으로 이동시키고 도 2의 위치로 귀환하며 다른 인서트를 절단하고 제 위치에 배열하는 또 다른 사이클을 개시한다. 상기 기질과 포일이 이동하는 동안 상기 슬러그(20)가 수집되고 제거되어 전체 사이클 시간을 감소시킬 수 있다는 것을 주목해야 한다.본 발명은, 단지 예로서 설명된 상기 출원 및 실시예로 한정되지 않는다. 특히 본 발명은, 투명한 디스플레이 윈도우(display window), 전자 모듈, 인쇄 회로, 스크린 또는 상기 포일 등의 재료 또는 색상과 다른 재료 또는 색상을 가지는 요소와 같은 다수 형태의 인서트를 배열하기 위해 이용될 수 있다. 포일내에 형성된 공동내에서 인서트와 공동사이에 간격이 존재하지 않는다. 상기 포일은, 테이블 위에 설치되기 전에 상기 지지 기질과 조립될 수 있다. 인서트들이 절단되는 필름은 또한 단순 스트립은 아니지만 예를 들어, 모든 절단 헤드들에 대해 공통적으로 포일과 동일한 폭을 가진 넓은 필름일 수 있다. 시트 재료의 여러 층들이 인서트를 수용하는 포일아래에 배열되고 한 개이상의 층들이 상기 인서트를 배열한 후에 상기 포일위에 배열될 수도 있다. 본 발명은 특히, 스마트 카드, 은행 카드, 신분증 카드 등과 같이 즉, 전형적으로 1mm 미만의 두께를 가진 폴리카보네이트 재질의 카드내에 인서트를 제 위치에 배열하기 위한 것이다. 또한, 본 발명은, 일부 여권 또는 예를 들어 2mm 또는 심지어 2mm보다 큰 두께를 가지며 다른 플라스틱 재료 또는 다른 재료로 형성되는 상대적으로 두꺼운 시트 재료로 형성된 제품들에서 이용되는 데이터 페이지(data page)와 같이 플라스틱 재료 또는 전형적으로 폴리카보네이트로 제조된 미세 문서(fine documents)내에 인서트를 제 위치에 배열하기 위해 이용될 수도 있다. [ 부호의 설명 ] 3......필름,30......인서트,2......포일,51......내부 푸셔,50......펀치,52......변부,20......슬러그,21......공동.	필름(3)으로부터 절단된 인서트(30)를 포일내에 형성된 공동내에 간격없이 배열하기 위해, 상기 포일(2)을 지지 표면위에 배열한 후에, 내부 푸셔(51)를 포함한 관형 절단 펀치(50)에 의해 상기 포일(2)을 펀칭하여 공동(21)이 형성되고, 상기 내부 푸셔(51)는 상기 공동 및 인서트에 형성되는 형상을 가진 절단 변부(52)를 포함하며, 상기 펀치의 변부가 상기 포일의 두께를 통과하여 포일로부터 슬러그(20)를 절단하도록 상기 펀치(50)가 상기 포일과 직각으로 하강하는 단계(a), 상기 포일의 상측부 및 상기 펀치사이에서 상기 필름(3)을 배열하기 위한 공간을 제거하기 위해 상기 펀치내에 고정된 슬러그(20)와 함께 상기 펀치(50)가 상승되는 단계(b), 상기 필름(3)은 상기 포일(2)을 이동시키지 않고 상기 포일(2) 및 상기 펀치의 변부(52) 사이로 이동하고 상기 필름은 상기 포일에 대해 설정되는 단계(c), 상기 펀치(50)는 상기 필름(3)으로부터 상기 인서트(30)를 절단하기 위해 다시 한번 하강하고 다음에 푸셔(51)에 의해 상기 인서트를 상기 공동(21)속으로 가압하는 단계(d), 상기 펀치(50)가 제거되고 다음에 푸셔(51)가 제거되며, 상기 인서트(30)는 상기 공동(21)내에서 제 위치에 고정되는 단계(e)가 순차적으로 수행된다.
[ 발명의 명칭 ] 석탄의 자연 발화 예측 방법SPONTANEOUS COMBUSTION PREDICTION METHOD FOR COAL [ 기술분야 ] 본 발명은, 석탄의 자연 발화 예측 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 종래부터 석탄 저장 시설 내에서 석탄층(석탄의 산, 파일)으로서 석탄이 저장되는 경우가 있다. 예를 들어, 해외로부터 석탄이 수입되는 경우에는, 일반적으로 2주일 내지 1개월 정도, 파일로서 석탄이 저장된다. 석탄은, 상온에서도 발열(자연 발열)한다. 이 발열은, 대기 중의 산소에 의해 일어나는 완만한 산화 반응(저온 산화 반응)에 따라 발생한다. 이 발열이 진행되어, 석탄의 발화 온도에 도달하면, 석탄이 발화(자연 발화)하여, 화재 사고가 일어날 우려가 있다.석탄의 발열 용이함(자연 발화의 용이함)은, 석탄의 품목에 따라 상이하다. 구체적으로는, 석탄 중의 산소와 탄소의 원자수의 비율(O/C비)이 높은 석탄일수록, 발열하기 쉽다. 최근, 석탄의 품목의 다양화가 현저해지고 있다. 또한, 종래 일반적으로 이용되어 온 석탄에 비하여 O/C비가 높은 석탄도, 최근에는 많이 이용되고 있다. 그로 인해, 석탄의(파일 내의) 발열의 거동을 예측하는 것이 중요하다. 더 상세하게는, 석탄이, 언제, 파일 내의 어느 부위에서, 어떤 온도가 될지(발화 온도에 도달할지)를 예측하는 것이 중요하다. 이 예측은, 발열의 거동이 미지의 석탄(새롭게 사용하는 품목의 석탄)을 저장하는 경우에 특히 중요하다.특허문헌 1 내지 3에는, 파일 내의 온도 등(발열, 자연 발화)을 예측하는 기술이 기재되어 있다.특허문헌 1(청구항 1)에는, 「석탄 저장 시설의 석탄층 내…에 복수의 가스 채취관을 삽입하고, 상기 채취관을 통해서 채취된 석탄으로부터의 발생 가스의 조성을 계측함으로써, 석탄의 자연 발화의 징후를 검지한다」는 것이 기재되어 있다.특허문헌 2(청구항 1, 단락 [0014], [0015] 등)에는, 다음과 같은 기술이 기재되어 있다. 석탄 저장 시설에 저장되는 석탄(3)에 탄산암모늄 일수염 등의 물질을 혼입한다. 저장 석탄(3)이 산화해서 석탄층 내부의 온도가 상승하여 약 60℃를 초과하면, 혼입되어 있던 탄산암모늄 일수염이 분해하여 암모니아 가스가 발생한다. 이에 의해 저장 석탄(3) 내부의 축열 온도를 알 수 있다.특허문헌 3(요약)에는, 「저탄장 내에 복수 개의 온도 계측 로봇(1)을 소정의 간격으로 규칙적으로 배치하고, … 온도가 자연 발화 온도에 도달한 경우에는 그 포인트를 특정하고, 그 포인트에 미리 설치되어 있는 주수 노즐로부터 … 주수해서 냉각하고, 자연 발화를 미연에 방지한다」는 것이 기재되어 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특허 제3241233호 공보일본 특허 제3212451호 공보일본 특허공개 평8-84782호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 특허문헌 1 내지 3에 기재된 기술로는, 파일을 세운 후(파일링 후)에, 파일 내의 온도나 가스를 측정함으로써, 파일 내의 온도를 예측하고 있다. 그로 인해, 파일 내의 온도를 예측하기 위해서, 파일을 세울 필요가 있다. 파일의 높이는 예를 들어 10m 내지 15m 등이기 때문에, 파일을 세우기 위해서는 비용과 노력이 들어간다.따라서 본 발명은, 석탄이 자연 발화 온도에 도달하는 때 및 위치를, 실물의 파일을 세울 필요 없이 예측할 수 있는, 석탄의 자연 발화 예측 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명은, 석탄 저장 시설 내의 석탄층을 구성하는 석탄의 자연 발화 예측 방법이다. 상기 자연 발화 예측 방법은, 상기 석탄의 물성값을 결정하는 물성값 결정 스텝과, 상기 물성값 결정 스텝에서 결정된 상기 물성값에 기초하여, 상기 석탄층 내의 온도 분포의 경시 변화의 예측값인 온도 분포 예측값을 해석에 의해 결정하는 온도 분포 예측값 결정 스텝을 갖는다. [ 발명의 효과 ] 상기 구성에 의해, 석탄이 자연 발화 온도에 도달하는 때 및 위치를, 실물의 파일을 세울 필요 없이 예측할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은, 파일(1)의 단면도이다.도 2는, 자연 발화 예측 방법 S1의 플로우를 나타내는 도면이다.도 3은, 유속과 압력 손실과의 관계(석탄 B의 경우)를 나타내는 그래프이다.도 4는, 산소 소비 속도의 실측값(석탄 A의 경우)을 나타내는 그래프이다.도 5는, 산소 소비 속도의 실측값(석탄 B의 경우)을 나타내는 그래프이다.도 6은, 상대압과 평형 수분과의 관계(석탄 A의 경우)를 나타내는 그래프이다.도 7은, 상대압과 평형 수분과의 관계(석탄 B의 경우)를 나타내는 그래프이다.도 8은, 저탄일수와 온도와의 관계(석탄 A의 경우)를 나타내는 그래프이다.도 9는, 저탄일수와 온도와의 관계(석탄 B의 경우)를 나타내는 그래프이다.도 10은, 24일째의 산소 농도 분포(석탄 A의 경우)의 해석 결과를 나타내는 도면이다.도 11은, 24일째의 산소 농도 분포(석탄 B의 경우)의 해석 결과를 나타내는 도면이다.도 12는, 24일째의 온도 분포(석탄 A의 경우)의 해석 결과를 나타내는 도면이다.도 13은, 24일째의 온도 분포(석탄 B의 경우)의 해석 결과를 나타내는 도면이다.도 14는, 24일째의 온도 분포(석탄 B의 경우)의 실측 결과를 나타내는 도면이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1 내지 도 14를 참조하여, 도 1에 도시한 파일(1)(석탄 저장 시설 내의 석탄층)을 구성하는 석탄의 자연 발화 예측 방법 S1(도 2 참조)에 대하여 설명한다.파일(1)은, 석탄이 쌓아 올려진 것(석탄이 쌓아 올려진 것, 석탄이 파일링된 것, 석탄의 충전층)이다. 파일(1)은, 석탄의 저장 시(석탄 저장 시)에 형성되는, 저탄 파일이다. 파일(1)은 스태커 설비에 의해 세워진다(형성된다). 스태커 설비는, 석탄을 저탄부지에 쌓기 위한 설비이며, 저탄부지에 석탄을 낙하시켜서 석탄을 쌓아 올리기 위한 설비이다. 파일(1)은, 석탄을 이용하는 사업소 내 등의 석탄 저장 시설 내에 설치된다.이 파일(1)은, 석탄의 산화 반응에 의해 발열한다. 발열의 상세는 다음의 (a) 내지 (d)와 같다. (a) 파일(1) 내에 공기(대기)가 유입된다. (b) 공기 중의 산소와 석탄에 의해, 상온에서도 산화 반응(저온 산화 반응)이 일어난다. (c) 이 산화 반응에 의해, 석탄의 온도가 상승한다. (d) 석탄의 온도가 발화 온도(250℃ 등)까지 상승하면, 석탄이 발화한다.이 파일(1)이 어느 정도 발열했을 때(석탄이 발화하기 전)에, 파일(1)의 불출이 행해진다. 파일(1)의 불출은, 예를 들어 석탄을 사용하기 위해서 파일(1)을 무너뜨리는 것이며, 또한 예를 들어, 석탄을 사용하지 않고 파일(1)을 일단 무너뜨리는 것이다[그 후 파일(1)이 다시 세워진다]. 파일(1)의 불출이 행해지는 온도는, 예를 들어 약 60℃ 등이다. 파일(1)의 불출 일수[파일(1)이 세워지고 나서 불출이 행해질 때까지의 일수]는, 예를 들어 약 2주일 내지 약 1개월 등이다.이 파일(1)의 형상은, 산형이다. 파일(1)의 형상은, 예를 들어 뿔 형상(원추 형상이나 각뿔 형상 등)이며, 또한 예를 들어 사다리꼴 형상(원뿔 사다리꼴 형상이나 각뿔 사다리꼴 형상 등)이며, 또한 예를 들어 산맥 형상 등이다. 파일(1)의 단면 형상은, 산형이다. 파일(1)의 단면 형상은, 예를 들어 삼각형이며, 또한 예를 들어 사다리꼴 등이다. 상기 「단면」은, 수평면과 수직인 면이며, 파일(1)의 가장 높은 부분을 통과하는 면이다. 이하에서는, 파일(1)의 형상이 원추 형상[파일(1)의 단면 형상이 삼각형]인 경우에 대하여 설명한다. 파일(1)의 단면의 저변과 평행한 방향을 좌우 방향 X라 한다. 파일(1)의 높이 h는, 약 10m 내지 15m 등이다.이 파일(1)의 단면에는, 부위(1a 내지 1e)가 있다.부위(1a)는, 파일(1)의 끝단부이다. 부위(1a)는, 파일(1)의 단면의 하단부이고, 또한 좌우 방향 X 외측단부이다.부위(1b)는, 파일(1)의 중간부이다. 부위(1b)는, 파일(1)의 단면의 상하 방향 중앙부이고, 또한 좌우 방향 X 외측단부이다.부위(1c)는, 파일(1)의 정상부이다. 부위(1c)는, 파일(1)의 단면의 상단부이다.부위(1d)는, 파일(1)의 단면의 중앙부이다. 부위(1d)는, 파일(1)의 단면의 상하 방향 중앙부이고, 또한 좌우 방향 X 중앙부이다.부위(1e)는, 파일(1)의 단면의 저부이다. 부위(1e)는, 파일(1)의 단면의 하단부이고, 또한 좌우 방향 X 중앙부이다.이 파일(1)은 석탄에 의해 구성된다. 석탄에는, 다양한 품목이 있다. 석탄의 품목에 따라서, 석탄을 구성하는 물질의 비율이 상이하다. 석탄은, 탄소, 산소, 수소, 질소, 황, 수분, 및 무기분(재) 등으로 구성된다. 석탄 중의 산소와 탄소의 원자수의 비율(O/C비)이 높은 석탄일수록 발열하기 쉽다. 석탄의 예로서, 표 1에 나타내는 석탄 A 및 석탄 B가 있다. 석탄 B는, 석탄 A보다도 O/C비가 높다(발열성이 높다). 석탄 B는, 석탄 A보다도 고수분이다. 또한, 표 1 중의 수분[%]는, 석탄의 질량에 대한 수분의 질량 비율이다.석탄 A석탄 B품위역청탄아역청탄O/C비0.050.14수분11%27%자연 발화 예측 방법 S1(도 2 참조)은, 파일(1)을 구성하는 석탄의 발열을 예측하는 방법이다. 이하에서는, 파일(1)에 대해서는 도 1을 참조하고, 자연 발화 예측 방법 S1에 대해서는 도 2를 참조하여 설명한다. 자연 발화 예측 방법 S1은, 해석(수치 해석, 계산, 시뮬레이션)에 의해, 파일(1) 내의 온도 분포의 경시 변화(발열 특성)를 예측함으로써, 석탄의 자연 발화를 예측하는 방법이다. 자연 발화 예측 방법 S1은, 파일(1) 내의, 언제, 어느 부위가, 어떻게 발열할지를 예측하는 방법이다. 자연 발화 예측 방법 S1은, 석탄의 물성값에 기초하여(후술하는 물성값 결정 스텝 Sp 참조), 상기 예측을 행한다. 자연 발화 예측 방법 S1에서는, 파일(1)의 정보(온도나 가스의 성분 등)를 직접 측정할 필요는 없다. 그로 인해, 자연 발화 예측 방법 S1은, 파일(1)을 세운 후에 행해질 필요는 없다. 자연 발화 예측 방법 S1은, 파일(1)을 세우기 전에 행해진다. 자연 발화 예측 방법 S1은, 한창 파일을 세우고 있는 중이나, 파일(1)을 세운 후에 행해져도 된다. 파일(1) 내의 온도(온도 상승)는, 석탄의 산화 반응에 의한 발열과, 파일(1) 내의 열전도와, 물의 탈착(증발)에 의해 석탄으로부터 빼앗기는 열에 의존한다. 따라서, 자연 발화 예측 방법 S1에서는, 발열 속도의 결정 S10과, 유효 열전도율의 결정 S40과, 증발열량의 결정 S50이 행해진다.발열 속도의 결정 S10에서는, 산화 반응에 의한 석탄의 발열 속도가 결정(추산)된다. 산화 반응에 의한 석탄의 발열 속도는, 산화 반응의 반응 속도로부터 도출된다. 또한, 이 반응 속도는, 파일(1) 내의 산소 농도에 의존한다. 따라서, 발열 속도의 결정 S10에서는, 산소 농도의 결정 S20과, 반응 속도 등의 결정 S30이 행해진다.산소 농도의 결정 S20에서는, 파일(1) 내의 산소 농도 분포가 결정된다. 파일(1) 내의 산소 농도 분포는, 파일(1) 내의 각 부위의 압력 손실(상세는 후술)로부터 도출된다. 압력 손실은, 석탄의 입자 직경에 의존한다. 또한, 압력 손실은, 석탄의 입자군을 통과하는 공기의 유속에 의존한다. 따라서, 산소 농도의 결정 S20에서는, 입자 직경 분포 결정 스텝 S21과, 통기 저항 계수 결정 스텝 S22와, 압력 손실 결정 스텝 S23과, 산소 농도 결정 스텝 S24가 행해진다.입자 직경 분포 결정 스텝 S21은, 파일(1) 내의 석탄 입자 직경 분포를 결정하는 스텝이다. 도 2에서는 「스텝」을 생략하고「입자 직경 분포 결정」이라 기재하였다(다른 스텝도 마찬가지). 입자 직경 분포 결정 스텝 S21에서는, 파일(1) 내의 석탄 입자의 충전 상태가 파악된다. 석탄의 입자 직경은, 파일(1) 내의 부위에 따라 서로 다르다(넓은 입자 직경 분포를 갖는다). 예를 들어 파일(1)이 원추 형상의 경우, 입자 직경이 큰 석탄은, 끝단부[부위(1a)]에 모이는 경향이 있다. 또한, 입자 직경 분포를 결정할 필요성은 다음과 같다. 충전층 내의 압력 손실을 예측하는 경험식으로서 Ergun 식이 있다. Ergun 식은, 입자 직경이 균일한 경우에는 적용할 수 있다. 그러나, 파일(1)과 같이 넓은 입자 직경 분포를 갖는 것에 대해서는 Ergun 식은 적용할 수 없다. 따라서, 입자 직경 분포 결정 스텝 S21에서 입자 직경 분포를 결정하고, 이 입자 직경 분포에 기초하여, 후술하는 압력 손실 결정 스텝 S23에서 압력 손실을 결정한다. 입자 직경 분포 결정 스텝 S21에서의 입자 직경 분포의 결정 방법에는, 실험(실험적 방법)에 의한 것과, 해석(해석 방법)에 의한 것이 있다.실험에 의한 입자 직경 분포 결정 스텝 S21에서는, 미니 파일의 입자 직경 분포를 실측함으로써, 파일(1)의 입자 직경 분포가 결정된다. 미니 파일은, 파일(1)(실물)을 모방한 시험 파일이다. 미니 파일의 크기는, 파일(1)보다도 작으며, 예를 들어 실험실 내에서 제작할 수 있을 정도이다. 미니 파일의 높이는, 파일(1)의 높이 h의 예를 들어 1/10 등이다[예를 들어, 파일(1)의 높이 h가 15m인 경우, 미니 파일의 높이는 1.5m임]. 미니 파일과 파일(1)을 비교하면, 동일한 입자 직경 분포가 됨을 알 수 있다. 따라서, 미니 파일의 입자 직경 분포를 실측함으로써, 파일(1)의 입자 직경 분포를 추측한다.(측정 방법 및 결과)입자 직경 분포의 측정은, 예를 들어 다음과 같이 행해진다. 파일(1)의 부위(1a 내지 1e)에 대응하는 미니 파일의 각 부위[부위(1a 내지 1e)로 함]로부터, 석탄의 입자군을 채취한다. 그리고, 채취한 입자군 각각에 대하여, 평균 입자 직경을 측정한다.(측정 결과)석탄 B의 미니 파일의 부위(1a 내지 1e)에서의, 50% 입자 직경[㎜]은 다음과 같이 되었다.부위(1a): 29.8 부위(1b): 6.2 부위(1c): 6.3부위(1d): 4.2 부위(1e): 2.2이 결과로부터, 입자 직경이 큰 석탄이, 파일(1)의 끝단부[부위(1a)]에 모이는 사실을 알게 되었다.또한, 상기의 예에서는, 입자 직경이 채취 및 측정되는 부위는, 미니 파일의 부위(1a 내지 1e)였다. 그러나, 측정 등이 행해지는 부위는, 부위(1a 내지 1e)일 필요는 없다. (α) 측정 등이 행해지는 부위는, 예를 들어 부위(1a 내지 1e)의 일부만어도 되고, 또한 예를 들어 부위(1a 내지 1e) 이외의 부위이어도 된다. (β) 또한, 측정 등이 행해지는 부위의 수는, 4 이하나 6 이상이어도 된다. (γ) 또한, 측정이 행해진 부위[예를 들어 부위(1a 내지 1e)]의 결과를 기초로, 측정이 행해지지 않는 부위[예를 들어, 부위(1a 내지 1e)끼리 사이의 부위나, 부위(1a 내지 1e) 주변의 부위]에서의 추산값이 산출되어도 된다. 상기 (α) 내지 (γ)에 대해서는, 입자 직경 분포 결정 스텝 S21 이외의 스텝에 있어서 측정이나 해석 등을 행하는 경우에 대해서도 마찬가지이다.해석에 의한 입자 직경 분포 결정 스텝 S21에서는, 해석에 의해 파일(1) 내의 입자 직경 분포가 결정된다. 입자 직경 분포를 결정하기 위한 해석에는, 예를 들어 DEM 시뮬레이션(DEM; Discrete Element Method)이 있다.이와 같이 입자 직경 분포 결정 스텝 S21에는, 실험에 의한 것과, 해석에 의한 것이 있다. 이와 마찬가지로, 이하에서 설명하는 각 스텝에 대해서도 다음의 것을 말할 수 있다. 이하의 설명에 있어서 해석에 의해 결정되는 것(값, 특성, 분포 등)에 대하여, 실험에 의한 결정이 가능하면, 실험에 의해 결정되어도 된다. 이하의 설명에 있어서 실험에 의해 결정되는 것(값, 특성, 분포 등)에 대하여, 해석에 의한 결정이 가능하면, 해석에 의해 결정되어도 된다. 이하의 설명에 있어서 실험 또는 해석에 의해 결정되는 것(값, 특성, 분포 등)에 대하여, 기지의 정보(다른 사람이 미리 조사한 것 등)를 이용 가능한 경우 등에는, 실험도 해석도 행하지 않고 결정되어도 된다. 단, 후술하는 온도 분포 예측값 결정 스텝 S60에서 결정되는 온도 분포 예측값은, 반드시 해석에 의해 결정된다.통기 저항 계수 결정 스텝 S22는, 통기 저항 계수 k를 결정하는 스텝이다. 통기 저항 계수 k는, 어떤 입자 직경의(어떤 부위의) 석탄 입자군을 통과하는 기체(공기)의 유속과 압력 손실과의 관계로부터 결정된다. 통기 저항 계수 k는, 유속과 압력 손실과의 관계식에 있어서의 계수(상수)이다. 통기 저항 계수 k는, 파일(1) 내의 부위에 따라 서로 다르다. 통기 저항 계수 k가 결정되는 부위는, 예를 들어 부위(1a 내지 1e)이다. 통기 저항 계수 k는, 실험에 의한 측정에 따라 결정된다.(측정 방법)통기 저항 계수 k의 측정 및 결정은, 예를 들어 다음의 (S22-a) 내지 (S22-e)와 같이 행해진다. (S22-a) 어떤 입자 직경의 석탄[어떤 부위의 석탄, 예를 들어 미니 파일의 부위(1a)의 석탄]을 충전시킨 계를 준비한다. 이 계는, 통과, 통 내의 충전층(석탄 입자를 충전시킨 것, 석탄 입자군)을 구비한다. 통은 원통이 바람직하다. (S22-b) 통의 축 방향 일단(입구, 예를 들어 하단부)으로부터 건조 공기를 유입시켜서, 타단부(출구, 예를 들어 상단부)로부터 건조 공기를 배출시킨다. 이에 의해, 충전층 내를 건조 공기가 통과한다. (S22-c) 입구와 출구와의 압력차(ΔP)와 충전층의 길이(L)로부터, 충전층에서의 공기의 압력 손실(압력 손실 ΔP/L)을 구한다. (S22-d) 충전층 내를 통과하는 건조 공기의 유속(유속 u)의 값을 파라미터로 하여, 복수의 압력 손실 ΔP/L을 구한다. 이 측정 결과로부터, 통기 저항 계수 k가 구해진다. (S22-e) 또한, 통기 저항 계수 k를, 복수의 입자 직경 각각에 대하여[예를 들어 미니 파일의 부위(1b) 내지 (1e)에 대하여] 측정한다.(측정 결과)도 3은, 석탄 B의 미니 파일의 부위(1a, 1b, 1c) 각각의, 유속 u와 압력 손실 ΔP/L와의 관계를 나타내는 그래프이다. 이 그래프에 나타낸 바와 같이, 유속 u와 압력 손실 ΔP/L과의 사이에는 다음의 관계가 성립한다.여기에서 k는 통기 저항 계수 [Pa/㎡/s]이며, 도 3의 그래프의 기울기이다.압력 손실 결정 스텝 S23은, 압력 손실 ΔP/L을 결정하는 스텝이다. 압력 손실 결정 스텝 S23에서는, 복수의 입자 직경[복수의 부위, 예를 들어 부위(1a 내지 1e)] 각각에 대하여, 압력 손실 ΔP/L이 결정된다. 압력 손실 결정 스텝 S23에서는, 통기 저항 계수 결정 스텝 S22에서 결정된 통기 저항 계수 k와, 석탄의 온도 변화에 수반되어 경시 변화하는 유속 u에 기초하여 압력 손실 ΔP/L이 결정된다. 상기 「경시 변화하는 유속 u」의 상세는 다음과 같다. 예를 들어, 파일(1) 내의 온도가 상승하면 공기의 체적이 팽창한다. 그로 인해, 파일(1) 표면에서의 공기의 유속이 동일하여도, 온도 상승이 있는 경우에는, 온도 상승이 없는 경우에 비해, 파일(1) 내의 공기 유속 u가 커진다. 이와 같이, 파일(1) 내의 온도 경시 변화에 수반되어, 파일(1) 내를 통과하는 공기의 유속 u도 경시 변화한다. 따라서, 압력 손실 결정 스텝 S23에서는, 통기 저항 계수 k를 사용해서 압력 손실 ΔP/L을 결정한다. 이에 의해, 유속 u의 경시 변화에 따른, 압력 손실 ΔP/L의 경시 변화를 추산할 수 있다. 또한, 상기 「경시 변화하는 유속 u」는, 다음과 같이 예측할 수 있다. 파일(1)의 온도와 대기의 온도와의 온도차에 의해, 공기의 밀도차가 발생한다(저온보다 고온 쪽이 저밀도). 이 밀도차에 의해, 파일(1)이 형성된 초기에 있어서는, 파일(1) 밖으로부터 파일(1) 내로 공기가 유입된다. 따라서, 이 밀도차와, 압력 손실 ΔP/L(경시 변화하는 유속 u를 고려하지 않는 압력 손실 ΔP/L, 입자 직경에 기초하는 압력 손실 ΔP/L)의 관계로부터, 파일(1)이 형성된 초기에 있어서의 파일(1) 내의 공기 유속 u(초기의 유속 u)를 예측할 수 있다. 이 초기의 유속 u에 기초하여, 파일(1)이 형성되고 나서 「어떤 시간」이 경과한 후의 유속 u의 예측을 행한다. 그리고, 상기 「어떠 시간」을 바꾸면서 유속 u의 예측을 반복하여 행한다. 이에 의해, 상기 「경시 변화하는 유속 u」를 예측할 수 있다.산소 농도 결정 스텝 S24는, 파일(1) 내의 산소 농도 분포(공기의 상태)를 결정하는 스텝이다. 산소 농도 결정 스텝 S24에서는, 해석에 의해 산소 농도 분포가 예측(추산)된다. 파일(1) 내의 산소 농도는, 파일(1) 내의 압력 손실 ΔP/L로부터 도출된다. 전술한 바와 같이, 압력 손실 ΔP/L은, 석탄의 입자 직경에 의해[파일(1) 내의 부위에 따라] 서로 다르다. 따라서, 산소 농도 결정 스텝 S24에서는, 입자 직경 분포 결정 스텝 S21에서 결정된 입자 직경 분포와, 압력 손실 결정 스텝 S23에서 결정된 압력 손실 ΔP/L(어떤 입자 직경에서의 압력 손실 ΔP/L)에 기초하여 산소 농도 분포가 결정된다.반응 속도 등의 결정 S30에서는, 파일(1) 내의 석탄 산화 반응의 반응 속도가 결정된다. 산화 반응의 반응 속도로부터 석탄의 발열 속도가 도출된다. 또한, 산화 반응은 실활한다(후술). 따라서, 반응 속도 등의 결정 S30에서는, 실활 특성 결정 스텝 S31과, 각종 물성값 결정 스텝 S32와, 반응 속도 결정 스텝 S33과, 발열 속도 결정 스텝 S34가 행해진다.실활 특성 결정 스텝 S31은, 석탄의 산화 반응의 반응 속도의 실활 특성을 결정하는(실활 거동을 파악하는) 스텝이다. 실활은 다음과 같이 일어난다. 산화 반응에 의해, 석탄의 표면에 산화막이 형성된다. 그 결과, 산화 반응이 진행됨에 따라서, 산화 반응의 반응 속도가 저하된다. 또한, 이 실활은, 석탄의 풍화와 마찬가지의 현상이다. 산화 반응은 석탄에 의한 산소의 소비에 의해 진행되므로, 산화 반응의 반응 속도는, 산소 소비 속도(OCR; Oxygen Consumption Rate)로 정리할 수 있다. 산소 소비 속도는, 실험에 의해 측정된다.(측정 방법)산소 소비 속도는, 예를 들어 다음의 (S31-a) 내지 (S31-d)와 같이 측정 및 결정된다. (S31-a) 용기(예를 들어 플라스틱 용기) 내에, 석탄(석탄 시료)과 건조 공기를 넣고, 이 용기를 밀봉한다. (S31-b) 용기 내를, 30℃에서, 1시간 유지한다. (S31-c) 그 후, 용기 내의 산소 농도(가스 조성)를 측정한다. (S31-d) 산소 농도의 저하량에 기초하는 산소 감소량, 석탄 시료 중량 및 측정 시간으로부터, 다음의 식에 의해 산소 소비 속도(산소 소비 속도의 실측값) OCR0을 구한다.OCR0=산소 감소량[㎎]/(석탄 시료 중량[g]·측정 시간[day])(측정 결과)도 4 및 도 5는, 산소 소비 속도와 적산 산소량의 관계를 나타내는 그래프이다. 그래프의 횡축 적산 산소량은, 산소 감소량의 적산량이며, 또한 산화 반응에 의한 석탄에 대한 산소의 축적량이다. 도 4는 석탄 A의 측정 결과이며, 도 5는 석탄 B의 측정 결과이다. 도 4 및 도 5의 그래프로부터, 다음의 사실을 알게 되었다. 적산 산소량이 커질수록, 산소 소비 속도가 작아진다. 석탄의 품목에 따라서(예를 들어 석탄 A와 석탄 B에서), 산소 소비 속도가 서로 다르다. O/C비가 높을수록(석탄 A보다도 석탄 B의 쪽이), 산소 소비 속도가 빠른 경향이 있다.각종 물성값 결정 스텝 S32는, 반응 속도 결정 스텝 S33 및 발열 속도 결정 스텝 S34에서 사용되는 석탄의 물성값(실활 특성 이외의 물성값)을 결정하는 스텝이다. 각종 물성값 결정 스텝 S32에서 결정되는 석탄의 물성값은, 활성화 에너지 ΔE, 반응차수 n, 고체 밀도 ρs, 발열량 H 및 파일(1) 내의 공극률 ε이다. 이들 물성값은, 석탄이나 미니 파일의 측정 등에 의해 결정된다.반응 속도 결정 스텝 S33은, 석탄의 산화 반응의 반응 속도(저온 산화 반응 속도 OCR)를 결정(해석에 의해 추산)하는 스텝이다. 저온 산화 반응 속도 OCR은, 산소 농도 C 및 온도 T 등에 의존한다. 이들 관계는 다음의 식(아레니우스식)으로 표현할 수 있다.OCR0: 산소 소비 속도의 실측값[㎎-O2/(g·day)]ΔE: 활성화 에너지[kJ/mol]R: 기체 상수[kJ/(mol·K)]T: 온도[K]T0: 초기 온도[K] C: 산소 농도[mol%] n: 반응차수[-]발열 속도 결정 스텝 S34는, 석탄의 산화 반응에 의한 발열 속도(발열 속도 Q)를 결정(해석에 의해 추산)하는 스텝이다. 발열 속도 결정 스텝 S34에서는, 반응 속도 결정 스텝 S33에서 결정된 저온 산화 반응 속도 OCR에 기초하여 발열 속도 Q가 결정된다. 더욱 상세하게는, 발열 속도 결정 스텝 S34에서는, 산소 농도 C(산소 농도 분포) 및 산소 소비 속도의 실측값 OCR0(실활 특성)에 기초하여 결정된 저온 산화 반응 속도 OCR에 기초하여, 발열 속도 Q가 결정된다. 발열 속도 Q는 다음의 식에 의해 도출된다.Q: 발열 속도(산화 반응에 의한 석탄의 발열 속도)[kcal/(㎥·day)]ΔH: 발열량(산화 반응에 의한 석탄의 발열량)[kcal/㎎-O2]ε: 파일(1) 내의 공극률[-]ρs: 석탄의 고체 밀도[㎏/㎥]유효 열전도율의 결정 S40에서는, 파일(1) 내의 유효 열전도율이 결정된다. 유효 열전도율을 결정하는 이유는 다음과 같다. 석탄의 산화에 의해 발생한 열(더욱 상세하게는, 산화에 의해 발생한 열로부터, 물의 증발에 의해 빼앗긴 열을 차감한 열)은, 주위에 전열된다. 파일(1) 내의 석탄 입자 간에는 공극이 있어서, 이 전열의 거동은, 파일(1)의 유효 열전도율에 의존한다. 따라서, 유효 열전도율의 결정 S40에서는, 석탄 열전도율 결정 스텝 S41과, 유효 열전도율 결정 스텝 S42가 행해진다.석탄 열전도율 결정 스텝 S41은, 석탄의 열전도율(석탄 열전도율 ks)을 결정하는 스텝이다.유효 열전도율 결정 스텝 S42는, 파일(1)의 공극률에 기초하는 유효 열전도율(유효 열전도율 keff[W/(m·K)])을 결정하는 스텝이다. 유효 열전도율 keff는, 공기(유체)의 열전도율과 석탄(고체)의 열전도율과의 체적 평균으로서 정리할 수 있다. 유효 열전도율 keff는, 다음의 식으로 표현된다.ε: 파일(1) 내의 공극률[-]kf: 공기의 열전도율 [W/(m·K)]ks: 석탄의 열전도율[W/(m·K)] 증발열량의 결정 S50에서는, 석탄으로부터 물이 증발(탈착)함으로써 석탄으로부터 빼앗기는 열량이 결정된다. 증발의 상세는 다음과 같다. 석탄에 대한 수분의 흡착량(수분 흡착량, 수증기 흡착량)은, 상대압(수증기압/포화 수증기압)에 의존한다(상대 습도에 의존함). 예를 들어, 석탄이 온도 상승하면, 석탄으로부터 물이 증발하고, 증발된 물이 파일(1) 외(계 외)로 방출된다. 석탄으로부터 물이 증발될 때 석탄으로부터 열이 빼앗긴다. 이 열은, 석탄의 산화 반응의 발열에 의한 열량으로부터 조달된다. 석탄으로의 수분 흡착량은, 흡탈착 특성(후술)에 의존한다. 따라서, 증발열량의 결정 S50에서는, 흡탈착 특성 결정 스텝 S51과, 대기 조건 결정 스텝 S52와, 증발열량 결정 스텝 S53이 행해진다.흡탈착 특성 결정 스텝 S51은, 석탄에 대한 물의 흡탈착 특성을 결정하는 스텝이다. 흡탈착 특성 결정 스텝 S51에서는, 상대압과 수분 흡착량과의 관계가 결정된다. 흡탈착 특성은, 석탄의 품목에 따라 서로 다르다.(측정 방법)석탄에 대한 물의 흡탈착 특성은, 예를 들어 다음의 (S51-a) 내지 (S51-d)와 같이 측정된다. (S51-a) 석탄 시료를 107℃에서 6시간, 감압 건조시킨다. (S51-b) 그 후, 압력 조작을 행할 수 있는 용기 내에, 이 석탄 시료를 넣는다. (S51-c) 이 용기 내에 수증기를 공급한다. (S51-d) 용기 내의 온도를 일정하게 유지하고, 상대압과 수분 흡착량과의 관계를 측정한다. 수분 흡착량은, 기체 상태 방정식(PV=nRT)으로 구할 수 있다. 더욱 상세하게는, 측정 중에, 용기 내의 수증기 체적 V, 기체 상수 R, 용기 내의 온도 T는 일정하다. 따라서, 용기 내의 수증기압 P의 변화로부터, 석탄 시료에 흡착된 물 분자의 몰수 n을 구할 수 있다. 그 결과, 석탄 시료 중의 수분[%]를 도출할 수 있다.(측정 결과)도 6 및 도 7에, 40℃에서의 흡탈착 특성의 측정 결과를 나타내었다. 도 6 및 도 7은, 상대압과 평형 수분(석탄에 대한 물의 흡탈착이 평형 상태일 때의 석탄 시료 중의 수분)과의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 6은 석탄 A의 측정 결과이며, 도 7은 석탄 B의 측정 결과이다.대기 조건 결정 스텝 S52는, 파일(1) 부근[파일(1)의 주변, 또는 파일(1) 내]의, 공기의 조건(대기 조건)을 결정하는 스텝이다. 결정되는 대기 조건은, 예를 들어 대기의 온도 및 습도 등이다.증발열량 결정 스텝 S53은, 석탄으로부터 물이 증발할 때의 증발열량을 결정하는 스텝이다. 증발열량 결정 스텝 S53에서는, 흡탈착 특성 결정 스텝 S51에서 결정된 흡탈착 특성과, 대기 조건 결정 스텝 S52에서 결정된 대기 조건에 기초하여 증발열량을 결정한다. 증발열량은, 석탄으로부터 증발하는 수분량[g]과, 증발 잠열(2259[J/g])로 구해진다.온도 분포 예측값 결정 스텝 S60은, 파일(1) 내의 온도 분포의 경시 변화의 예측값(온도 분포 예측값)을 해석에 의해 결정하는 스텝이다. 온도 분포 예측값 결정 스텝 S60에서는, 물성값 결정 스텝 Sp(후술)에서 결정된 석탄의 물성값에 기초하여, 온도 분포 예측값이 결정된다. 온도 분포 예측값 결정 스텝 S60에서는, 발열 속도 결정 스텝 S34(발열 속도의 결정 S10)에서 결정된 발열 속도 Q에 기초하여, 온도 분포 예측값이 결정된다. 온도 분포 예측값 결정 스텝 S60에서는, 유효 열전도율 결정 스텝 S42(유효 열전도율의 결정 S40)에서 결정된 유효 열전도율 keff에 기초하여, 온도 분포 예측값이 결정된다. 온도 분포 예측값 결정 스텝 S60에서는, 증발열량 결정 스텝 S53(증발열량의 결정 S50)에서 결정된 증발열량에 기초하여, 온도 분포 예측값이 결정된다. 온도 분포 예측값 결정 스텝 S60에서는, 화학 반응, 유체, 전열 및 가스 확산이 고려되어서, 온도 분포 예측값이 결정된다. 온도 분포 예측값 결정 스텝 S60에서는, 전술한 각 스텝에서 사용된 조건(관계식이나 값) 이외의 조건이 해석에 이용되어도 된다.이 온도 분포 예측값 결정 스텝 S60에서 예측되는 「온도 분포」에는, 파일(1) 내의 「복수의 부위」 각각의 위치 및 온도의 정보가 포함된다. 상기 「복수의 부위」는, 예를 들어 파일(1)의 단면에 있어서의 상하 및 좌우 각각 수 ㎝ 간격(예를 들어 1㎝ 간격)으로 설정된다. 또한 예를 들어, 「복수의 부위」는, 실험에 의한 입자 직경 분포 결정 스텝 S21에 있어서 미니 파일로부터 석탄을 채취한 부위(1a 내지 1e)에 대응하는 파일(1)의 부위(1a 내지 1e)(예를 들어 5개소)이다. 또한 예를 들어, 「복수의 부위」는, 부위(1a 내지 1e)끼리의 사이나, 부위(1a 내지 1e)의 주변 등이다. 상기 「경시 변화의 예측값」은, 복수의 시각 각각의 예측값이다. 상기 「복수의 시각」끼리의 간격은, 예를 들어 수 시간, 또한 예를 들어 1일, 또한 예를 들어 복수 일 등이다.물성값 결정 스텝 Sp는, 파일(1)을 구성하는 석탄의 물성값을 결정하는 스텝이다. 물성값 결정 스텝 Sp에는, 입자 직경 분포 결정 스텝 S21, 통기 저항 계수 결정 스텝 S22, 실활 특성 결정 스텝 S31, 각종 물성값 결정 스텝 S32, 석탄 열전도율 결정 스텝 S41, 및 흡탈착 특성 결정 스텝 S51이 포함된다.(해석 결과 1)자연 발화 예측 방법 S1을 이용하여, 파일(1) 내의 온도 경시 변화를 예측(해석)하였다. 석탄 A 및 석탄 B 각각에 대하여 해석을 행하였다. 파일(1)을 세웠을 때부터 30일간에 대하여 해석을 행하였다. 부위(1a)(끝단부), 부위(1b)(중간부) 및 부위(1c)(정상부)에 대하여 해석을 행하였다. 이 해석에서는, 높이 h=15[m]의 원추 형상의 파일(1)을 대상으로 하였다. 해석 결과를 도 8(석탄 A의 결과) 및 도 9(석탄 B의 결과)에 나타내었다. 도 8 및 도 9는, 저탄일수와 온도와의 관계를 나타내는 그래프이다. 이 결과로부터, 다음의 사실을 알게 되었다. 석탄 A와 석탄 B를 비교하면, 고 O/C탄인 석탄 B(석탄 A보다도 O/C비가 높은 석탄 B) 쪽이, 석탄 A보다도 온도가 올라가기 쉽다. 특히 석탄 B에서는, 부위(1a)(다른 부위에 비해 대입자 직경의 석탄이 많은 부위)에 있어서, 다른 부위에 비해 온도 상승이 현저하다. 구체적으로는, 석탄 B에 있어서, 저탄일수: 0일째 내지 6일째에서는, 부위(1a)에서 온도 상승이 현저하다. 석탄 B에 있어서, 저탄일수: 13일째 내지 30일째에서는, 부위(1b)의 온도가 다른 부위에 비해 높다. 석탄 B에 있어서, 저탄일수: 30일째에서는, 부위(1b)와 부위(1c)에서 거의 동일한 온도이다.(해석 결과 2)자연 발화 예측 방법 S1을 이용하여, 저탄일수: 24일째의, 파일(1) 내의 산소 농도 분포 및 온도 분포를 예측(해석)하였다. 해석 결과를 도 10 내지 도 13에 나타내었다. 도 10 내지 도 13에 도시한 삼각형은, 좌우 대칭의 파일(1)의 단면 우측 절반 부분이다(후술하는 도 14에 대해서도 마찬가지). 산소 농도 분포의 해석 결과를, 도 10(석탄 A의 결과) 및 도 11(석탄 B의 결과)에 나타내었다. 이 결과로부터, 파일(1)의 끝단부[도 1의 부위(1a) 부근]의 산소 농도가 다른 부분에 비해 높다는 사실을 알게 되었다. 온도 분포의 해석 결과를, 도 12(석탄 A의 결과) 및 도 13(석탄 B의 결과)에 나타내었다. 도 13으로부터 다음의 사실을 알게 되었다. 고온 스폿[파일(1) 중에서 가장 온도가 높아지는 부위]의 온도(온도 레벨)는 약 70℃이다. 고온 스폿의 위치는, 중간부[도 1의 부위(1b)]의 근방이다. 더욱 상세하게는, 고온 스폿의 위치는, 파일(1)의 하단부(0m)로부터 위로 약 5m의 위치, 또한 파일(1)의 좌우 방향 X의 중앙(0m)으로부터 외측(도 13에 있어서의 우측)으로 약 11m의 위치이다.(실측 결과)상기한 해석의 신뢰성을 검증하기 위해서, 파일(1) 내의 온도 분포에 대하여, 해석 결과와 실측 결과를 비교하였다. 구체적으로는, 도 13의 해석 결과에 대응하는 파일(1)(실물)에 대하여, 온도 분포를 실측하였다. 실측에 사용한 파일(1)은, 석탄 B에 의해 구성되고, 높이 h=15[m]이며, 원추 형상의 것이며, 저탄일수는 24일째이다. 또한, 온도의 측정 개소의 수는 15이며, 측정 개소의 간격은, 상하 방향은 2.5m, 좌우 방향 X(도 1 참조)는, 약 2 내지 3m이다[파일(1)의 하부보다도 상부에서 간격을 크게 함]. 파일 내의 온도 분포의 실측 결과를 도 14에 나타내었다. 도 13에 도시한 해석 결과와, 도 14에 도시한 실측 결과를 비교하면, 고온 스폿의 위치(상세는 전술) 및 온도 레벨(약 70℃)이 양호하게 일치하고 있음을 알게 되었다.(효과 1)다음으로, 도 2에 도시한 자연 발화 예측 방법 S1에 의한 효과를 설명한다. 자연 발화 예측 방법 S1은, 파일(1)(석탄 저장 시설 내의 석탄층)을 구성하는 석탄의 자연 발화를 예측하는 방법이다. 자연 발화 예측 방법 S1은, 석탄의 물성값을 결정하는 물성값 결정 스텝 Sp와, 온도 분포 예측값 결정 스텝 S60을 갖는다.[구성 1]온도 분포 예측값 결정 스텝 S60은, 물성값 결정 스텝 Sp에서 결정된 물성값에 기초하여, 파일(1) 내의 온도 분포의 경시 변화의 예측값인 온도 분포 예측값을 해석에 의해 결정하는 스텝이다. 상기 [구성 1]에서는, 온도 분포 예측값 결정 스텝 S60에서 결정되는 온도 분포 예측값은, 석탄의 물성값에 기초하여 결정된다. 석탄의 물성값을 결정하기 위해서는, 석탄이 있으면 되며, 실물의 파일(1)을 세울 필요는 없다. 따라서, 파일(1)을 세우는데 필요한 비용이나 노동력을 삭감할 수 있다.상기 [구성 1]과 같이, 온도 분포 예측값이란, 파일(1) 내의 온도 분포의 경시 변화의 예측값이다. 따라서, 온도 분포 예측값을 결정하면, 석탄이 자연 발화 온도에 도달하는 때(예를 들어 저탄일수), 및 자연 발화 온도에 도달하는 위치(부위)를 예측할 수 있다. 그 결과, 석탄을 자연 발화시키지 않고 석탄 저장할 수 있는 저탄일수의 상한(불출 일수의 상한)을 결정할 수 있다.(효과 2)자연 발화 예측 방법 S1은, 석탄의 산화 반응에 의한 발열 속도 Q를 결정하는 발열 속도 결정 스텝 S34를 갖는다.[구성 2]온도 분포 예측값 결정 스텝 S60에서는, 발열 속도 결정 스텝 S34에서 결정된 발열 속도 Q에 기초하여 온도 분포 예측값이 결정된다.파일(1) 내의 온도 변화는, 석탄의 산화 반응에 의한 발열에 크게 의존한다. 따라서, 상기 [구성 2]에서는, 산화 반응에 의한 발열 속도 Q에 기초하여, 온도 분포 예측값이 결정된다. 따라서, 온도 분포 예측값을 보다 확실하게 예측할 수 있다.(효과 3)자연 발화 예측 방법 S1은, 파일(1) 내의 산소 농도 분포를 결정하는 산소 농도 결정 스텝 S24를 갖는다.[구성 3]발열 속도 결정 스텝 S34에서는, 산소 농도 결정 스텝 S24에서 결정된 산소 농도 분포에 기초하여 발열 속도 Q가 결정된다.석탄의 산화 반응에 의한 발열 속도 Q는, 파일(1) 내의 산소 농도 분포에 크게 의존한다. 따라서, 상기 [구성 3]에서는, 산소 농도 분포에 기초하여 발열 속도가 결정된다. 따라서, 발열 속도 Q를 확실하게 예측할 수 있어, 그 결과, 온도 분포 예측값을 보다 확실하게 예측할 수 있다.(효과 4)자연 발화 예측 방법 S1은, 입자 직경 분포 결정 스텝 S21과, 압력 손실 결정 스텝 S23을 갖는다.[구성 4-1]입자 직경 분포 결정 스텝 S21은, 파일(1) 내의 석탄 입자 직경 분포를 결정하는 스텝이다.[구성 4-2]압력 손실 결정 스텝 S23은, 어떤 입자 직경의(어떤 부위의) 석탄 입자군을 통과하는 기체의 압력 손실 ΔP/L을, 복수의 입자 직경 각각에 대하여[예를 들어 부위(1a 내지 1e)에 대하여] 결정하는 스텝이다.[구성 4-3]산소 농도 결정 스텝 S24는, 입자 직경 분포 결정 스텝 S21에서 결정된 입자 직경 분포 및 압력 손실 결정 스텝 S23에서 결정된 압력 손실 ΔP/L에 기초하여 산소 농도 분포를 결정하는 스텝이다.파일(1) 내의 산소 농도 분포는, 파일(1) 내의 압력 손실 ΔP/L에 의존한다. 압력 손실 ΔP/L은, 석탄의 입자 직경에 의존한다. 따라서, 상기 [구성 4-1] 내지 [구성 4-3]에서는, 복수의 입자 직경 각각의 압력 손실 ΔP/L과, 입자 직경 분포에 기초하여 산소 농도 분포가 결정된다. 따라서, 산소 농도 분포를 확실하게 예측할 수 있어, 그 결과, 발열 속도 Q 및 온도 분포 예측값을 보다 확실하게 예측할 수 있다.(효과 5)[구성 5-1]자연 발화 예측 방법 S1은, 어떤 입자 직경의(어떤 부위의) 석탄 입자군을 통과하는 기체의 유속 u와 압력 손실 ΔP/L의 관계로부터 통기 저항 계수 k를 결정하는 통기 저항 계수 결정 스텝 S22를 갖는다.[구성 5-2]압력 손실 결정 스텝 S23은, 통기 저항 계수 결정 스텝 S22에서 결정된 통기 저항 계수 k 및 석탄의 온도 변화에 수반되어 경시 변화하는 유속 u에 기초하여 압력 손실 ΔP/L을 결정한다.어떤 입자 직경의 석탄 입자군을 통과하는 기체의 압력 손실 ΔP/L은, 이 기체의 유속 u에 의존한다. 이 유속은, 경시 변화한다. 따라서, 상기 [구성 5-1]에서는, 유속 u와 압력 손실 ΔP/L과의 관계로부터 통기 저항 계수 k가 결정된다. 그리고, 상기 [구성 5-2]에서는, 경시 변화하는 유속 u와 통기 저항 계수 k에 기초하여 압력 손실 ΔP/L이 결정된다. 따라서, 압력 손실 ΔP/L을 확실하게 예측할 수 있어, 그 결과, 산소 농도 분포, 발열 속도 Q, 및 온도 분포 예측값을 보다 확실하게 예측할 수 있다.(효과 6)자연 발화 예측 방법 S1은, 석탄의 산화 반응의 반응 속도의 실활 특성을 결정하는 실활 특성 결정 스텝 S31을 갖는다.[구성 6]발열 속도 결정 스텝 S34는, 실활 특성 결정 스텝 S31에서 결정된 실활 특성에 기초하여 발열 속도 Q를 결정한다.전술한 바와 같이, 석탄의 산화 반응에는 실활 특성이 있다. 따라서, 상기 [구성 6]에서는, 실활 특성에 기초하여 발열 속도 Q가 결정된다. 따라서, 발열 속도를 확실하게 예측할 수 있어, 그 결과, 온도 분포 예측값을 보다 확실하게 예측할 수 있다.(효과 7)자연 발화 예측 방법 S1은, 파일(1) 내의 공극률에 기초하는 유효 열전도율 keff를 결정하는 유효 열전도율 결정 스텝 S42를 갖는다.[구성 7]온도 분포 예측값 결정 스텝 S60은, 유효 열전도율 결정 스텝 S42에서 결정된 유효 열전도율 keff에 기초하여 온도 분포 예측값을 결정한다.파일(1)을 구성하는 석탄은 입자이므로, 파일(1) 내에는 공극이 있다. 그로 인해, 파일(1) 내의 열전도는 파일(1) 내의 공극률에 기초하는 유효 열전도율 keff에 의존한다. 따라서, 상기 [구성 7]에서는, 유효 열전도율 keff에 기초하여 온도 분포 예측값이 결정된다. 따라서, 온도 분포 예측값을 보다 확실하게 예측할 수 있다.(효과 8)자연 발화 예측 방법 S1은, 석탄에 대한 물의 흡탈착 특성을 결정하는 흡탈착 특성 결정 스텝 S51과, 파일(1) 부근의 대기 조건을 결정하는 대기 조건 결정 스텝 S52와, 증발열량 결정 스텝 S53을 갖는다.[구성 8-1]증발열량 결정 스텝 S53은, 흡탈착 특성 결정 스텝 S51에서 결정된 흡탈착 특성, 및 대기 조건 결정 스텝 S52에서 결정된 대기 조건에 기초하여 석탄으로 물이 증발할 때의 증발열량을 결정하는 스텝이다.[구성 8-2]온도 분포 예측값 결정 스텝 S60은, 증발열량 결정 스텝 S53에서 결정된 증발열량에 기초하여 온도 분포 예측값을 결정한다.석탄 중의 물이 증발할 때 석탄으로부터 빼앗기는 열량(증발열량)은, 전술한 바와 같이, 흡탈착 특성 및 대기 조건에 의존한다. 따라서, 상기 [구성 8-1] 및 [구성 8-2]에서는, 흡탈착 특성 및 대기 조건에 기초하여 온도 분포 예측값이 결정된다. 따라서, 온도 분포 예측값을 보다 확실하게 예측할 수 있다.(변형예)상기 실시 형태는 다양하게 변형할 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시한 각 스텝의 순서를, 도 2에 도시한 순서 이외의 순서로 변경해도 된다(온도 분포 예측값 결정 스텝 S60에서 온도 분포 예측값을 결정할 수 있는 범위 내이면, 변경해도 된다). 예를 들어, 발열 속도의 결정 S10과, 유효 열전도율의 결정 S40과, 증발열량의 결정 S50은, 도 2에 도시한 순서대로 행할 필요는 없다. 또한, 예를 들어 각종 물성값 결정 스텝 S32는, 자연 발화 예측 방법 S1의 최초(예를 들어 입자 직경 분포 결정 스텝 S21의 앞)에 행해져도 된다.본 발명을 특정한 형태를 참조하여 상세히 설명하였지만, 본 발명의 정신과 범위를 벗어나지 않고 다양한 변경 및 수정이 가능한 것은, 당업자에 있어서 명백하다.또한, 본 출원은, 2014년 1월 15일자로 출원된 일본 특허출원(특원 제2014-005154)에 기초하고 있으며, 그 전체가 인용에 의해 원용된다. [ 부호의 설명 ] 1: 파일(석탄 저장 시설 내의 석탄층)S1: 자연 발화 예측 방법S10: 발열 속도의 결정S20: 산소 농도의 결정S21: 입자 직경 분포 결정 스텝S22: 통기 저항 계수 결정 스텝S23: 압력 손실 결정 스텝S24: 산소 농도 결정 스텝S30: 반응 속도 등의 결정S31: 실활 특성 결정 스텝S32: 각종 물성값 결정 스텝S33: 반응 속도 결정 스텝S34: 발열 속도 결정 스텝S40: 유효 열전도율의 결정S41: 석탄 열전도율 결정 스텝S42: 유효 열전도율 결정 스텝S50: 증발열량의 결정S51: 흡탈착 특성 결정 스텝S52: 대기 조건 결정 스텝S53: 증발열량 결정 스텝S60: 온도 분포 예측값 결정 스텝 Sp: 물성값 결정 스텝	본 발명의 석탄 자연 발화 예측 방법은, 파일(석탄 저장 시설 내의 석탄층)을 구성하는 석탄의 자연 발화를 예측하는 방법이다. 본 발명의 자연 발화 예측 방법은, 석탄의 물성값을 결정하는 물성값 결정 스텝과, 온도 분포 예측값 결정 스텝을 갖는다. 온도 분포 예측값 결정 스텝은, 물성값 결정 스텝에서 결정된 물성값에 기초하여, 파일 내의 온도 분포의 경시 변화의 예측값인 온도 분포 예측값을 해석에 의해 결정하는 스텝이다. 본 발명의 방법에 의하면, 석탄이 자연 발화 온도에 도달하는 때 및 위치를, 실물의 파일을 세울 필요없이 예측할 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 박막 트랜지스터 THIN-FILM TRANSISTOR [ 기술분야 ] 본 발명은, 액정 디스플레이나 유기 EL 디스플레이 등의 표시 장치에 사용되는 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 산화물 반도체는, 범용의 아몰퍼스 실리콘(a-Si)에 비해 이동도가 높고, 광학 밴드 갭이 크고, 저온에서 성막할 수 있다. 그로 인해, 대형·고해상도·고속 구동이 요구되는 차세대 디스플레이나, 내열성이 낮은 수지 기판 등에의 적용이 기대되고 있다. 예를 들어, 상기 산화물 반도체로서, 인듐, 갈륨, 아연 및 산소로 이루어지는 아몰퍼스 산화물 반도체(In-Ga-Zn-O, 이하 「IGZO」라고 칭하는 경우가 있음)가 범용되고 있다(특허문헌 1).최근, 산화물 반도체에 있어서, 가일층의 고이동도화에의 요구 특성이 강해지고 있다. 예를 들어, 산화물 반도체의 이동도를, 저온 폴리실리콘 반도체(Low-temperature PolySilicon, LTPS)의 이동도 레벨(대체로, 40∼100㎠/Vs 정도)까지 높일 수 있으면, PMOS(Positive channel Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터나, CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터를 상기 산화물 반도체로 제작할 수 있다. 그 결과, 액정 패널을 둘러싸는 프레임의 폭을 더욱 좁게 할 수 있는 프레임 폭 협소화, 패널의 저비용화 등이 얻어지는 등, 매우 유용하다.또한, 산화물 반도체를 사용한 TFT에는, 전압 인가나 광 조사 등의 스트레스 인가 전후의 역치 전압의 변화량이 적은 것, 즉, 스트레스 내성이 우수한 것이 요구된다. 예를 들어, 게이트 전극에 전압을 계속해서 인가하였을 때나, 광 흡수가 시작되는 청색대를 계속해서 조사하였을 때, TFT의 게이트 절연막과 산화물 반도체층의 계면에 차지가 트랩되어, 산화물 반도체층 내부의 전하의 변화로부터, 역치 전압이 마이너스 측으로 대폭 변화(시프트)되고, 이에 의해 TFT의 스위칭 특성이 변화되는 것이 지적되어 있다. 또한, 액정 패널 구동 시나, 게이트 전극에 부 바이어스를 가하여 화소를 점등시킬 때 등에 액정 셀로부터 누설된 광이 TFT에 조사되지만, 이 광이 TFT에 스트레스를 부여하여, 화상 불균일이나 TFT 특성 열화의 원인이 된다. 실제로 TFT를 사용할 때, 광 조사나 전압 인가에 의한 스트레스에 의해 스위칭 특성이 변화되면, 표시 장치 자체의 신뢰성 저하를 초래한다.또한, 유기 EL 디스플레이에 있어서도 마찬가지로, 발광층으로부터의 누설 광이 반도체층에 조사되어, 역치 전압 등의 값이 변동된다고 하는 문제가 발생한다.이와 같이 특히 역치 전압의 시프트는, TFT를 구비한 액정 디스플레이나 유기 EL 디스플레이 등의 표시 장치 자체의 신뢰성 저하를 초래하므로, 스트레스 내성의 향상이 강하게 요망되고 있다.또한, 산화물 반도체 박막과, 그 위에 소스－드레인 전극을 구비한 TFT 기판을 제작할 때, 산화물 반도체 박막은 다양한 약액에 노출되므로, 이들 약액에 대해 내성을 갖는 것도 요구된다. 예를 들어 산화물 반도체 박막 상에 소스－드레인 전극을 형성할 때, 건식 에칭 또는 습식 에칭에 의한 에칭 및 포토리소그래피가 행해진다. 습식 에칭에서는, 습식 에칭액이 사용된다. 또한, 포토리소그래피에서는, 레지스트의 제거, 세정을 위해 레지스트 박리액이 사용된다.예를 들어, 습식 에칭을 이용하여 산화물 반도체 박막 및 소스－드레인 전극을 형성하는 경우, 상기 산화물 반도체 박막에는, 하기 (A) 및 (B1)의 2가지의 특성이 요구된다.(A) 산화물 반도체 박막은, 산화물 반도체 가공용 습식 에칭액에 대해 우수한 가용성을 갖는 것즉, 산화물 반도체 박막을 가공할 때에 사용되는 옥살산 등의 유기산계 습식 에칭액에 의해, 상기 산화물 반도체 박막이 적절한 속도로 에칭되어, 잔사 없이 패터닝할 수 있는 것이 요구된다.(B1) 산화물 반도체 박막은, 소스－드레인 전극용 습식 에칭액에 대해 불용성인 것즉, 산화물 반도체 박막 상에 성막되는 소스－드레인 전극용 배선막을 가공할 때에 사용되는 습식 에칭액(예를 들어, 인산, 질산, 아세트산 등을 포함하는 무기산)에 의해, 소스－드레인 전극은 적절한 속도로 에칭된다. 그 때, 상기 산화물 반도체 박막의 표면(백 채널) 측이 상기 습식 에칭액에 의해 깎이거나, 손상이 발생하여 TFT 특성이나 스트레스 내성이 저하되지 않도록 하는 것이 요구된다.습식 에칭액에 의한 에칭의 정도(에칭 속도)는, 습식 에칭액의 종류에 따라서도 상이하다. 전술한 IGZO는, 옥살산 등의 유기산계 습식 에칭액에 대해 우수한 가용성을 갖지만, 예를 들어 인산, 질산, 아세트산 등과 같은 무기산계 습식 에칭액에 대한 가용성도 높아, 무기산계 습식 에칭액에 의해 극히 용이하게 에칭되어 버린다. 즉, IGZO는, 상기 (A)의 산화물 반도체 박막 가공 시의 습식 에칭성이 우수하지만, 상기 (B1)의 소스－드레인 전극 가공 시의 습식 에칭 내성이 떨어진다. 그로 인해, 소스－드레인 전극의 습식 에칭액에 의한 가공 시에, IGZO막이 소실되어 TFT의 제작이 곤란하거나, TFT 특성 등이 저하된다고 하는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해, 소스－드레인 전극용 습식 에칭액으로서, IGZO를 에칭하지 않는 약액, 예를 들어 NH4F와 H2O2의 혼합액을 사용하는 것도 검토되고 있지만, 상기 약액의 수명은 짧고, 불안정하므로, 양산성이 떨어진다.상술한 (B1)의 소스－드레인 전극의 습식 에칭에 수반되는 TFT 특성 등의 저하는, 특히 도 1에 도시하는 바와 같은 에치 스토퍼층을 갖지 않는 백 채널 에치(Back Channel Etch, BCE) 구조의 TFT에서 보인다.즉, 산화물 반도체를 사용한 보텀 게이트 TFT의 구조는, 도 1에 도시하는, 에치 스토퍼층을 갖지 않는 백 채널 에치형(이하, BCE형 TFT라고 칭함)과, 도 2에 도시하는, 에치 스토퍼층(8)을 갖는 에치 스톱형(Etch Stop Layer형, 이하, ESL형 TFT라고 칭함)의 2종류로 크게 구별된다.도 2의 ESL형 TFT에 있어서의 에치 스토퍼층(8)은, 소스－드레인 전극(5)에 에칭을 실시할 때에 산화물 반도체층(4)이 손상을 받아 트랜지스터 특성이 저하되는 것을 방지할 목적으로 형성된다. 도 2에 의하면, 소스－드레인 전극 가공 시에 반도체층 표면에의 손상이 적으므로, 양호한 TFT 특성이 얻어지기 쉽다. 상기 에치 스토퍼층으로서는, 일반적으로 SiO2 등의 절연막이 사용된다.이에 반해, 도 1의 BCE형 TFT에서는, 에치 스토퍼층을 갖지 않으므로, 공정 수를 간략화할 수 있어, 생산성이 우수하다. 즉, 제조 방법에 따라서는 에칭 시에 에치 스토퍼층을 형성하지 않아도 산화물 반도체층(4)에 손상을 주지 않는 경우도 있다. 예를 들어, 리프트 오프법에 의해 소스－드레인 전극(5)을 가공하는 경우는, 산화물 반도체층(4)에의 손상이 없으므로, 에치 스토퍼층은 불필요하다. 그 경우는, 도 1의 BCE형 TFT가 사용된다. 혹은, 에치 스토퍼층 없이도 양호한 TFT 특성을 발휘할 수 있도록 개발된 특별한 습식 에칭액을 사용하는 경우, 도 1의 BCE형 TFT를 사용할 수 있다.상술한 바와 같이 TFT의 제작 비용 저감이나 공정 간략화의 관점에서는, 에치 스토퍼층을 갖지 않는 도 1의 BCE형 TFT의 사용이 권장되지만, 전술한 습식 에칭 시의 문제가 강하게 우려된다. 물론, 도 2의 ESL형 TFT에 있어서도, 습식 에칭액의 종류에 따라서는, 상기 문제가 발생할 우려가 있다.또한, 상기 (B1)에서는 소스－드레인 전극을 습식 에칭액으로 습식 에칭할 때의 문제를 기재하였지만, 상기와 동일한 문제는, 소스－드레인 전극을 건식 에칭으로 에칭하였을 때에도 보인다. 또한, 소스－드레인 전극은 포토리소그래피 및 에칭에 의해 형성되지만, 레지스트 박리액(예를 들어, 아민을 포함하는 알칼리성의 수계 레지스트 박리액이나, 비수계의 레지스트 박리액)을 사용하여 레지스트를 제거하거나, 세정할 때에도 보인다.BCE형 TFT에 있어서, 산화물 반도체층의 손상을 억제하는 기술로서, 예를 들어 하기의 특허문헌 2∼4의 기술이 제안되어 있다. 이들 기술에서는, 산화물 반도체층과 소스－드레인 전극 사이에, 희생층 또는 오목부를 형성함으로써, 산화물 반도체층에의 손상을 억제하고 있다. 그러나, 상기 희생층 또는 오목부를 형성하기 위해서는, 공정을 증가시킬 필요가 있다. 또한, 비특허문헌 1에는, 산화물 반도체층 표면의 손상층을 제거하는 것이 개시되어 있지만, 손상층을 균일하게 제거하는 것은 곤란하다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특허 제4568828호 공보일본 특허 공개 제2012-146956호 공보일본 특허 공개 제2011-54812호 공보일본 특허 공개 제2009-4787호 공보 [ 비특허문헌 ] C.-J. Kim et.al, Electrochem. Solid-State Lett. 12(4), H95-H97(2009) [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은, 상기 사정에 비추어 이루어진 것이며, 그 목적은, 에치 스토퍼층을 갖지 않는 BCE형의 TFT에 있어서, 극히 높은 이동도를 갖고, 또한 광이나 바이어스 스트레스 등에 대해 역치 전압의 변화량이 작아 스트레스 내성이 우수한 동시에, (A) 산화물 반도체 가공용 습식 에칭액에 대해서는 우수한 가용성을 갖고, (B) 소스－드레인 전극을, 에칭(습식 에칭, 건식 에칭 모두를 포함함) 및 포토리소그래피법에 의해 형성할 때, 에칭 내성 및 레지스트 박리액에 대한 내성 모두 우수한 반도체층용 산화물을 구비한 TFT를 제공하는 것에 있다.또한, 에치 스토퍼층을 갖는 ESL형의 TFT에 있어서도, 극히 높은 이동도를 갖고, 또한 스트레스 내성이 우수한 동시에, (A) 산화물 반도체 가공용 습식 에칭액에 대해서는 우수한 가용성을 갖는 반도체층용 산화물을 구비한 TFT를 제공하는 것에 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 과제를 해결할 수 있었던 본 발명에 관한 제1 BCE형 TFT는, 기판 상에 적어도 게이트 전극, 게이트 절연막, 산화물 반도체층, 소스－드레인 전극 및 상기 소스－드레인 전극을 보호하는 보호막을 이 순서로 갖는 TFT이며, 상기 산화물 반도체층은, In, Ga, Zn, Sn 및 O로 구성되는 제1 산화물 반도체층과, In, Ga, Sn 및 O로 구성되는 제2 산화물 반도체층을 갖는 적층체이고, 상기 제2 산화물 반도체층은, 상기 게이트 절연막 상에 형성되어 있음과 함께, 상기 제1 산화물 반도체층은, 상기 제2 산화물 반도체층과 상기 보호막 사이에 형성되어 있고, 또한 상기 제1 산화물 반도체층 중, 전체 금속 원소의 함유량에 대한 각 금속 원소의 함유량의 비(원자비, 이하 동일함)는,Ga/(In＋Ga)＝0.50 이상 0.80 이하,Ga/(In＋Ga＋Zn＋Sn)＝0.15 이상 0.45 이하,Sn/(In＋Ga＋Zn＋Sn)＝0.05 이상 0.25 이하를 만족시킴과 함께,상기 제2 산화물 반도체층 중, 전체 금속 원소의 함유량에 대한 각 금속 원소의 함유량의 비는,In/(In＋Ga)＝0.60 이상 0.75 이하,In/(In＋Ga＋Sn)＝0.30 이상 0.58 이하,Sn/(In＋Ga＋Sn)＝0.15 이상 0.38 이하를 만족시키는 것에 요지를 갖는다.또한, 상기 과제를 해결할 수 있었던 본 발명에 관한 제2 ESL형 TFT는, 기판 상에 적어도 게이트 전극, 게이트 절연막, 산화물 반도체층, 에치 스토퍼층, 소스－드레인 전극 및 상기 소스－드레인 전극을 보호하는 보호막을 이 순서로 갖는 TFT이며, 상기 산화물 반도체층은, In, Ga, Zn, Sn 및 O로 구성되는 제1 산화물 반도체층과, In, Ga, Sn 및 O로 구성되는 제2 산화물 반도체층을 갖는 적층체이며, 상기 제2 산화물 반도체층은, 상기 게이트 절연막 상에 형성되어 있음과 함께, 상기 제1 산화물 반도체층은, 상기 제2 산화물 반도체층과 상기 에치 스토퍼층 사이에 형성되어 있고, 또한 상기 제1 산화물 반도체층 중, 전체 금속 원소의 함유량에 대한 각 금속 원소의 함유량의 비는,Ga/(In＋Ga)＝0.50 이상 0.80 이하,Ga/(In＋Ga＋Zn＋Sn)＝0.15 이상 0.45 이하,Sn/(In＋Ga＋Zn＋Sn)＝0.05 이상 0.25 이하를 만족시킴과 함께,상기 제2 산화물 반도체층 중, 전체 금속 원소의 함유량에 대한 각 금속 원소의 함유량의 비는,In/(In＋Ga)＝0.60 이상 0.75 이하,In/(In＋Ga＋Sn)＝0.30 이상 0.58 이하,Sn/(In＋Ga＋Sn)＝0.15 이상 0.38 이하를 만족시키는 것에 요지를 갖는다.본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 제2 산화물 반도체층의 두께는 5㎚ 이상이다.본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 소스－드레인 전극을, 상기 소스－드레인 전극용 막의 에칭 및 포토리소그래피법에 의해 형성할 때, 레지스트 박리액을 사용하는 것이다.본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 에칭을, 습식 에칭 또는 건식 에칭으로 행하는 것이다.본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 에칭을, 산계 에칭액을 사용한 습식 에칭으로 행하는 것이다.본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 소스－드레인 전극용 막은, Mo, Mo 합금, Ti, Ti 합금으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속막으로 이루어진다.본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 소스－드레인 전극용 막은, 산화물 반도체층 측으로부터 차례로 Mo, Mo 합금, Ti, Ti 합금으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속막과; Al, Al 합금, Cu 및 Cu 합금으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속막의 적층 구조를 포함하는 적층막이다.본 발명에는, 상기 중 어느 하나에 기재된 TFT를 구비한 표시 장치도 포함된다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 따르면, 에치 스토퍼층을 갖지 않는 BCE형 TFT에 있어서, 이동도가 40㎠/Vs 이상으로 극히 높고, 또한 스트레스 내성(광 조사 및 부 바이어스 인가 전후의 역치 전압의 시프트량이 적은 것)이 우수한 동시에, (A) 산화물 반도체 가공용 습식 에칭액에 대해서는 우수한 가용성(습식 에칭성)을 갖고, (B) 소스－드레인 전극용 습식 에칭액을 사용한 습식 에칭 또는 건식 에칭에 의한 에칭, 나아가 포토리소그래피 시에 사용되는 레지스트 박리액에 대해 우수한 내성(에칭 내성, 포토레지스트 박리액 내성)을 갖는 반도체층용 산화물을 구비한 TFT를 제공할 수 있다.또한, 에치 스토퍼층을 갖는 ESL형의 TFT에 있어서도, 이동도가 40㎠/Vs 이상으로 극히 높고, 또한 TFT의 스위칭 특성 및 스트레스 내성이 우수한 동시에, 습식 에칭 특성, 즉, (A) 산화물 반도체 가공용 습식 에칭액에 대해서는 우수한 가용성(습식 에칭성)을 갖는 반도체층용 산화물을 구비한 TFT를 제공할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 종래의 산화물 반도체층(단층)을 구비한 BCE형 TFT를 설명하기 위한 개략 단면도이다.도 2는 종래의 산화물 반도체층(단층)을 구비한 ESL형 TFT를 설명하기 위한 개략 단면도이다.도 3은 본 발명에 사용되는 산화물 반도체층으로서 제2 산화물 반도체층(기판 측으로부터 보아 하측)과 제1 산화물 반도체층의 적층체(기판 측으로부터 보아 상측)를 구비한 BCE형 TFT를 설명하기 위한 개략 단면도이다.도 4는 본 발명에 사용되는 산화물 반도체층으로서 제2 산화물 반도체층(기판 측으로부터 보아 하측)과 제1 산화물 반도체층의 적층체(기판 측으로부터 보아 상측)를 구비한 ESL형 TFT를 설명하기 위한 개략 단면도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 검토를 거듭해 왔다. 그 결과, 게이트 절연막과, 소스－드레인 전극을 보호하는 보호막 또는 에치 스토퍼층 사이에 형성되는 산화물 반도체층의 재료로서, 게이트 절연막 측으로부터 차례로 소정의 금속비 조성으로 이루어지는 In, Ga 및 Sn의 산화물(이하, 「IGTO」라고 약기하거나, 「제2 산화물 반도체층」이라고 표기하는 경우가 있음)과, 소정의 금속비 조성으로 이루어지는 In, Ga, Zn 및 Sn의 산화물(이하, 「IGZTO」라고 약기하거나 또는 「제1 산화물 반도체층」이라고 표기하는 경우가 있음)이 이 순서로 적층된 적층체를 사용하면 소기의 목적이 달성되는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하였다.본 명세서에 있어서, 제1 또는 제2 산화물 반도체층 중, 전체 금속 원소의 함유량에 대한 각 금속 원소의 함유량의 비(원자비)를 단순히 「금속 원소비」라고 약기하는 경우가 있다.또한, 본 명세서에서는, 소스 전극과 드레인 전극을 합쳐, 소스－드레인 전극이라고 칭한다.본 명세서에 있어서 「이동도가 높은」이라 함은, 후기하는 실시예에 기재된 방법으로 이동도를 측정하였을 때, 이동도가 40㎠/Vs 이상인 것을 의미한다.본 명세서에 있어서 「스트레스 내성이 우수한」이라 함은, 후기하는 실시예에 기재된 방법으로, 시료에 백색광을 조사하면서, 게이트 전극에 부 바이어스를 계속 인가하는 스트레스 인가 시험을 2시간 행하였을 때, 스트레스 인가 시험 전후의 역치 전압(Vth)의 시프트량 ΔVth(절대값)이 5.0V 이하인 것을 의미한다.본 명세서에 있어서 「습식 에칭 특성이 우수한」이라 함은, 에치 스토퍼층을 갖지 않는 BCE형 TFT의 경우, 하기 (A) 습식 에칭성이 우수한 것, 및 (B1) 습식 에칭 내성이 우수한 것, 모두를 의미한다. 또한, 에치 스토퍼층을 갖는 ESL형 TFT의 경우는, 하기 (A) 습식 에칭성이 우수한 것을 의미한다. 또한, 이하에서는, 습식 에칭성과 습식 에칭 내성을 「습식 에칭 특성」이라고 총칭하는 경우가 있다.(A) 산화물 반도체 가공용 습식 에칭액에 대해 우수한 가용성을 갖는 것(습식 에칭성이 우수함)구체적으로는, 산화물 반도체 박막을 가공할 때에 사용되는 옥살산 등의 유기산계 습식 에칭액에 의해, 본 발명의 적층 구조를 갖는 산화물 반도체 박막의 제1, 제2 산화물 반도체층이 거의 동일 정도(0.1∼4배)의 에칭 레이트로 에칭되어, 잔사 없이 패터닝할 수 있는 것을 의미한다. 산화물 반도체 가공용 습식 에칭액으로서는, 상기 외에, 염산 및 질산의 혼합계 습식 에칭액 등이 예시된다. 이들은 시판품을 사용해도 되고, 예를 들어, 간또 가가꾸사제 「ITO-07N」(옥살산과 물의 혼합액) 등이 예시된다.(B1) 소스－드레인 전극을 습식 에칭액으로 패터닝하였을 때, 소스－드레인 전극은 에칭되지만, 산화물 반도체층은 상기 습식 에칭액에 대해 불용성인 것(습식 에칭 내성이 우수함)본 명세서에서는, 측정의 간편화를 위해, 기판에 제1 산화물 반도체 박막만을 성막하고, 소스－드레인 전극용 습식 에칭액으로 패터닝하였을 때의 에칭 속도를 측정하여, 이때의 제1 산화물 반도체층의 에칭 속도가 소스－드레인 전극의 에칭 속도의 1/2 이하이면, 소스－드레인 전극용 습식 에칭액에 대해 습식 에칭 내성이 우수하다고 평가한다. 상기 범위의 에칭 속도를 갖는 것은, 산화물 반도체 박막이 상기 습식 에칭액에 의해 에칭되기 어렵기 때문에, 산화물 반도체층의 표면(백 채널) 측이 상기 습식 에칭액에 의해 깎이거나, 손상이 발생하여 TFT 특성이나 스트레스 내성이 저하되지 않는다.본 발명에 사용되는 소스－드레인 전극용 습식 에칭액의 종류는 특별히 한정되지 않고, 산계의 에칭액(예를 들어, 인산, 질산, 아세트산 등을 포함하는 무기산; 황산, 질산 등을 포함하는 무기산; 과산화수소계의 에칭액) 등이 예시된다. 예를 들어 후기하는 실시예에 나타내는 바와 같이, 인산:질산:아세트산:물의 혼산액(PAN계)을 사용할 수도 있다. 이들의 조성은 적절하게 조정할 수 있다. 이들은 시판품을 사용해도 되고, 예를 들어 간또 가가꾸사제의 혼산 에천트(인산, 질산 및 아세트산의 혼합액) 등이 예시된다.본 명세서에 있어서 「에칭 내성이 우수한」이라 함은, 습식 에칭법, 건식 에칭법 모두에 대한 에칭 내성이 우수한 것을 의미한다. 후기하는 실시예에서 실증한 바와 같이 본 발명의 BCE형 TFT는, 습식 에칭 내성이 우수할 뿐만 아니라, 건식 에칭법으로 에칭하였을 때에도 막 감소가 발생하지 않는다. 따라서, 에칭에 의한 TFT 특성의 열화는 발생하지 않는다.본 명세서에 있어서 「레지스트 박리액 내성이 우수한」이라 함은, 포토리소그래피법 시, 레지스트의 박리, 세정에 사용되는 레지스트 박리액에 대한 내성이 우수한 것을 의미한다. 후기하는 실시예에서 실증한 바와 같이 본 발명의 BCE형 TFT는, 산화물 반도체층이 범용의 레지스트 박리액에 노출되어도, 소정의 제1 산화물 반도체층을 형성하고 있으므로, 산화물 반도체층은 용출되지 않아, 산화물 반도체층의 막 두께가 균일한 TFT를 얻을 수 있다. 그 결과, TFT 특성의 열화를 방지할 수 있다.본 발명에 사용되는 레지스트 박리액의 종류는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 알칼리성 수계 레지스트 박리액, 비수계 레지스트 박리액, 레지스트 박리 후의 수세 린스(세정 공정)에 사용되는 현상액 등이 예시된다. 알칼리성 수계 레지스트 박리액은, 아민을 포함하는 것이 바람직하게 사용되고, 예를 들어 모노에탄올아민, 테트라메틸암모늄히드록시드(TMAH) 등을 들 수 있다. 이들은 시판품을 사용해도 된다. 시판품으로서, 예를 들어 이하의 것이 예시된다. 알칼리성 수계 레지스트 박리액을 사용하는 경우, 이들 시판품을, 예를 들어 pH11∼14 정도의 알칼리 용액으로 되도록 조정하여 사용할 수 있다. 물론, 이것에 한정되지 않는다.비수계 레지스트 박리액으로서, 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤제의 「TOK106」 및 「PRS2000」(모두, 모노에탄올아민과 디메틸술폭시드(DMSO)의 혼합 용액)알칼리성 수계 레지스트 박리액으로서, 나가세 켐텍스제의 N-321, 도쿄 오카제의 「NMD-W」, AZ 일렉트로닉 머티리얼즈사제의 「AZ-300MIF」, Dongwoo Finechem사제의 「PRS2000」이하, 본 발명에 이른 경위를 설명하면서, 본 발명에 대해 상세하게 설명한다.전술한 바와 같이, 특허문헌 1 등에 기재된 IGZO는, 높은 이동도를 갖는 산화물 반도체층 재료로서 유용하다. 그러나, 본 발명자들은, 범용의 IGZO보다 더욱 이동도가 높은 재료를 제공하기 위해, 검토를 거듭해 왔다. 그 결과, 소정의 금속 원소비로 구성되는 IGTO를 사용하면, 40㎠/Vs 이상의 고이동도를 달성할 수 있는 것을 발견하였다.단, 상기 IGTO는, 프로세스 조건에 따라서는, 스트레스 내성이 IGZO보다 낮아져, 스트레스 내성의 안정성이 저하될 우려가 있다. 따라서, 본 발명자들은, 상기 IGTO의 사용에 의한 극히 높은 이동도를 유지하면서, 또한 프로세스 조건의 영향을 받기 어렵고, 스트레스 내성이 안정되는 산화물 반도체층 재료를 제공하기 위해, 더욱 검토를 거듭하였다.그 결과, 상기 IGTO를, SiO2, Al2O3, HfO2 등의 절연체로 구성되어 있는 보호막(BCE형 TFT의 경우), 혹은 에치 스토퍼층(ESL형 TFT의 경우)(이하, 이들을 통합하여 「산화물계 절연체」라고 하는 경우가 있음)에 직접 접촉시키는 구조로 한 경우, IGTO와 산화물계 절연체의 계면은 이종 재료의 접촉에 기인하여, IGZO와의 계면에 산소 결함에 의한 포획 준위가 형성되기 쉬운 것을 알 수 있었다.따라서 더 검토한 결과, IGTO와 산화물 절연체 사이에, 소정 금속 원소비의 IGZTO를 개재시켜, IGTO와 IGZTO의 적층 구조로 하면, IGZTO는 산화물계 절연체와의 계면에서 산소 결손을 발생하기 어렵기 때문에, 상기한 문제를 해결할 수 있는 것을 밝혀냈다.즉, 본 발명은, 산화물계 절연체와 상기 IGTO(제2 산화물 반도체층) 사이에, 당해 IGTO의 보호층으로서, 소정 금속 원소비의 IGZTO(제1 산화물 반도체층)를 형성한 점에 특징이 있다. 특히 다양한 약액 등에 직접 노출되는 산화물 반도체층으로서, 상기 제1 산화물 반도체층을 형성한 결과, 상기 IGTO는 산화물계 절연체와 직접 접촉하지 않게 되어, 산소 결손에 기인하는 포획 준위의 형성을 억제할 수 있는 것이 확인되었다.또한, 제1 산화물 반도체층을 구성하는 IGZTO와, 제2 산화물 반도체층을 구성하는 IGTO는, Zn의 유무의 점에서 구성 원소는 엄밀하게는 상이하지만, Zn을 제외한 원소는 중복되어 있다. 본 발명에서는, 이하에 상세하게 서술하는 바와 같이, IGZTO의 금속 원소비를 적절하게 제어함으로써, 상술한 IGTO와 산화물계 절연체의 접촉 계면에서의 포획 준위의 형성을 억제할 수 있다. 그 결과, IGTO의 계면 구조가 안정화된다.또한, 산화물 반도체층 전체의 이동도는, 제2 산화물 반도체층을 구성하는 IGTO에 의해 충분히 확보할 수 있으므로, 상기 IGZTO의 사용에 의해, 산화물 반도체층 전체의 이동도 등의 TFT 특성을 거의 저감시키는 일은 없다. 따라서, 상술한 IGTO(제2 산화물 반도체층)와 IGZTO(제1 산화물 반도체층)의 적층 구조로 하면, IGTO의 사용에 의한 고이동도를 유지하면서, 또한 IGZTO의 존재에 의해 스트레스 내성도 향상된다고 생각된다.또한 본 발명에서는, 상기 적층 구조에 의해 산화물 반도체층의 습식 에칭 특성을 저해하는 일은 없어, 습식 에칭 특성도 우수하다. 즉, BCE형 TFT, ESL형 TFT 모두, 본 발명의 산화물 반도체층은, 산화물 반도체 가공용 습식 에칭액에 대해 우수한 가용성을 갖는다(습식 에칭성이 우수하다). 산화물 반도체층을 적층 구조로 하면, 금속의 종류나 함유량의 상이에 기인하여 배선 패턴을 형성할 때, 제1층과 제2층에서 사이드 에칭량이 상이하거나 하여 원하는 형상으로 패터닝할 수 없게 되는 등의 문제가 발생한다. 그러나, 본 발명에서는, 제1 산화물 반도체층으로서 사용되는 IGZTO와, 제2 산화물 반도체층으로서 사용되는 IGTO 각각에 대해, 금속 원소비를 적절하게 제어하고 있으므로, 제1 산화물 반도체층과 제2 산화물 반도체층의 에칭 레이트를 동등하게 할 수 있다. 그 결과, 산화물 가공용 습식 에칭액에 대해 가용이며, 상기 적층 구조를 일괄적으로 에칭하는 것이 가능하다.또한, BCE형 TFT의 경우, 소스－드레인 전극에 직접 접촉하는 상기 제1 산화물 반도체층(IGZTO)은, 소스－드레인 전극용 습식 에칭액에 대해 불용성이 높다(습식 에칭 내성이 우수하다). 즉, 상기 제1 산화물 반도체층은, 무기산계 습식 에칭액에 의해 에칭되기 어렵기 때문에, 산화물 반도체층의 표면(백 채널) 측이 상기 습식 에칭액에 의해 깎이거나, 손상이 발생하여 TFT 특성이나 스트레스 내성이 저하되지 않는다.또한 BCE형 TFT의 경우, 상기 제1 산화물 반도체층(IGZTO)은, 에칭의 종류에 관계없이 에칭 내성이 우수하여, 소스－드레인 전극을 건식 에칭법으로 에칭하였을 때에도 우수한 TFT 특성이 얻어진다. 또한 BCE형 TFT의 경우, 상기 제1 산화물 반도체층(IGZTO)은 레지스트 박리액 내성도 우수하다.이하, 본 발명에 사용되는 제1 및 제2 산화물 반도체층에 대해, 상세하게 설명한다.1. 제1 산화물 반도체; IGZTO에 대해제1 산화물 반도체층을 구성하는 각 금속 원소(In, Ga, Zn, Sn)의 각 금속 원소비(원자비)는 이하와 같다. 여기서는, 주로 스트레스 내성, 습식 에칭성, 에칭 내성, 레지스트 박리 내성의 확보라고 하는 관점에서, 각 비가 설정되어 있다.(1)Ga/(In＋Ga)＝0.50 이상 0.80 이하(2)Ga/(In＋Ga＋Zn＋Sn)＝0.15 이상 0.45 이하(3)Sn/(In＋Ga＋Zn＋Sn)＝0.05 이상 0.25 이하먼저, 상기 식 (2)의 설정 이유에 대해 설명한다.Ga는, 산소 결손의 발생을 억제하여, 스트레스 내성의 향상에 유효한 원소이다. 이러한 작용을 유효하게 발휘시키기 위해, 전체 금속 원소에 대한 Ga비의 하한을 상기 식 (2)와 같이 0.15 이상으로 한다. 바람직하게는 0.20 이상, 더욱 바람직하게는 0.25 이상이다. 단, Ga가 과잉으로 되면, 성막 시에 사용되는 스퍼터링 타깃의 전기 전도율이 저하되어, 직류 스퍼터에서의 방전이 곤란해져, 방전 불량이나 이상 방전의 원인이 된다. 또한, Ga량이 지나치게 많으면, 상대적으로 전자의 전도 패스를 담당하고 있는 In량이나 Sn량이 저하되어, 결과적으로 이동도가 저하될 우려가 있다. 그로 인해, Ga비의 상한을 0.45 이하로 한다. 바람직하게는 0.40 이하이다.다음으로, 상기 식 (3)의 설정 이유에 대해 설명한다.Sn은, 습식 에칭 특성, 에칭 내성 및 레지스트 박리액 내성의 향상, 나아가 이동도의 증가에 유용한 원소이다. 특히 BCE형 TFT에의 적용을 고려하면, 소스－드레인 전극용 습식 에칭액에 대해 불용성이 높은 것이 요구된다. 나아가 소스－드레인 전극을 건식 에칭법에 의해 에칭하였을 때의 내성, 레지스트 박리액에 대한 내성도 우수한 것이 요구된다. 본 발명에서는, 에칭 선택성 등을 고려하여 전체 금속 원소에 대한 Sn비의 하한을 0.05 이상으로 한다. 바람직하게는 0.10 이상, 더욱 바람직하게는 0.15 이상이다. 단, Sn이 과잉으로 되면, 에칭 내성, 레지스트 박리액 내성이 저하되어, 예를 들어 산화물 반도체 가공용 습식 에칭액에 대한 습식 에칭 레이트가 저하되는 경우가 있다. 특히 산화물 반도체 가공용 습식 에칭액으로서 범용되는 옥살산 등의 유기산에 불용으로 되어, 산화물 반도체층의 가공을 할 수 없게 된다. 따라서, Sn비의 상한을 0.25 이하로 한다. 바람직하게는 0.20 이하이다.다음으로, 상기 식 (1)의 설정 이유에 대해 설명한다.본 발명에서는, 제1 산화물 반도체층으로서 사용되는 IGZTO 중의 Ga에 대해, 상기 식 (2)를 만족시킴과 함께, Sn 및 Zn을 제외한 In과 Ga에 대한 Ga의 비가 상기 식 (1)을 만족시킬 필요가 있다. 이에 의해, 높은 이동도와 양호한 스트레스 내성이 확보된다.즉, In은 산화물 반도체층의 도전성 향상에 유효한 원소이며, 이동도의 증가에 기여한다. 도전성은 In 및 Ga의 영향을 강하게 받아, Sn이나 Zn의 함유량에 관계없이, In이 많아지면 도전성이 높아지고, Ga가 많으면 도전성이 저하된다. 그로 인해, 본 발명에서는, 상기 식 (2)의 좌변에 나타내어지는 Ga/(In＋Ga)의 비의 상한을 0.80 이하로 한다. 바람직하게는 0.75 이하, 더욱 바람직하게는 0.72 이하이다. 한편, 스트레스 내성에 대해서도, Ga 및 In의 영향을 강하게 받아, Ga가 많아지면 스트레스 내성이 향상되고, In이 많으면 스트레스 내성이 저하된다. 그로 인해, 본 발명에서는, 상기 식 (2)의 좌변에 나타내어지는 Ga/(In＋Ga)의 비의 하한을 0.50 이상으로 한다. 바람직하게는 0.60 이상이다.본 발명에서는, 상기 식 (1)∼(3)을 만족시키는 것을 전제로 하여, 전체 금속 원소에 대한 In 및 Zn의 비는 이하의 범위를 만족시키는 것이 바람직하다.In/(In＋Ga＋Zn＋Sn): 바람직하게는 0.10 이상, 0.25 이하; 더욱 바람직하게는 0.15 이상, 0.20 이하Zn/(In＋Ga＋Zn＋Sn): 바람직하게는 0.20 이상, 0.60 이하; 더욱 바람직하게는 0.25 이상, 0.50 이하2. 제2 산화물 반도체; IGTO에 대해제2 산화물 반도체층을 구성하는 각 금속 원소(In, Ga, Sn)의 각 금속 원소비(원자비)는 이하와 같다. 여기서는 주로, 본 발명에서 규정하는 고이동도의 확보라고 하는 관점에서, 각 비가 설정되어 있다.(4) In/(In＋Ga)＝0.60 이상 0.75 이하,(5) In/(In＋Ga＋Sn)＝0.30 이상 0.58 이하,(6) Sn/(In＋Ga＋Sn)＝0.15 이상 0.38 이하먼저, 상기 식 (5)의 설정 이유에 대해 설명한다.상술한 바와 같이 In은 이동도의 향상에 기여하는 원소이다. 본 발명에서 규정하는 고이동도를 얻기 위해, 전체 금속 원소에 대한 In비의 하한을 0.30 이상으로 한다. 바람직하게는 0.35 이상, 더욱 바람직하게는 0.40 이상이다. 단, In의 함유량이 지나치게 많으면 도체화되어 버리므로, In비의 상한을 0.58 이하로 한다. 바람직하게는 0.55 이하, 더욱 바람직하게는 0.50 이하이다.다음으로, 상기 식 (6)의 설정 이유에 대해 설명한다.먼저, Sn의 함유량이 지나치게 많으면, In량이 상대적으로 저하되어, 고이동도가 얻어지지 않게 되므로, 전체 금속 원소에 대한 Sn비의 상한을 0.38 이하로 한다. 바람직하게는 0.35 이하, 더욱 바람직하게는 0.30 이하이다. 한편, Sn비의 하한은, 주로 습식 에칭 특성 및 이동도와의 관계로 결정된다. 전술한 바와 같이Sn은 습식 에칭성의 향상에 기여하는 원소이며, Sn량이 많으면 에칭 가공성(에칭 속도)은 저하된다. 그러나, 본 발명의 산화물 반도체층은, 제2 산화물 반도체층(IGTO)을 상층, 전술한 제1 산화물 반도체층(IGZTO)을 그 하층으로 하여 구성되므로, 제1 산화물 반도체의 에칭 속도＞제2 산화물 반도체층의 에칭 속도를 만족시키면, 에칭 형상은 순 테이퍼 형상으로 되어, 습식 에칭 특성이 저해되는 일은 없다. 건식 에칭의 경우도 마찬가지이다. 이들을 고려하여, Sn비의 하한을 0.15 이상으로 한다. 바람직하게는 0.18 이상이다.다음으로, 상기 식 (4)의 설정 이유에 대해 설명한다.본 발명에서는, 제2 산화물 반도체층으로서 사용되는 IGTO 중의 In에 대해, 상기 식 (5)를 만족시킴과 함께, Sn을 제외한 In과 Ga에 대한 In의 비가 상기 식 (4)를 만족시키는 것이 필요하다. In량은 높은 이동도를 확보하기에 유용하지만, Ga량이 많아지면, 이동도가 저하될 우려가 있어, In과 Ga에 대한 In의 비를 적절하게 제어하는 것도 극히 중요하기 때문이다.높은 이동도를 안정적으로 확보하기 위해, 상기 식 (4)의 좌변에 나타내어지는 In/(In＋Ga)의 비의 하한을 0.60 이상으로 한다. 바람직하게는 0.62 이상, 더욱 바람직하게는 0.65 이상이다. 한편, 과잉의 In량에 의한 도체화를 억제하기 위해, 상기 In의 비를 0.75 이하로 한다. 바람직하게는 0.73 이하, 더욱 바람직하게는 0.71 이하이다.본 발명에서는, 상기 식 (4)∼(6)을 만족시키는 것을 전제로 하여, 전체 금속 원소에 대한 Ga의 비는 이하의 범위를 만족시키는 것이 바람직하다.Ga/(In＋Ga＋Sn): 바람직하게는 0.20 이상, 0.35 이하; 보다 바람직하게는 0.24 이상, 0.30 이하; 더욱 바람직하게는 0.27 이하이상, 본 발명을 특징짓는 제1 및 제2 산화물 반도체층의 금속 원소비에 대해 설명하였다.본 발명에 있어서, 상기 제2 산화물 반도체층의 두께는 BCE형 TFT, ESL형 TFT 모두, 특별히 한정되지 않지만, 제2 산화물 반도체층이 지나치게 얇으면 기판면 내의 특성(이동도, S값, Vth 등의 TFT 특성)에 변동이 발생할 우려가 있다. 따라서, 특성의 변동을 충분히 억제하는 관점에서는, 제2 산화물 반도체층의 두께를, 바람직하게는 5㎚ 이상, 보다 바람직하게는 10㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 20㎚ 이상으로 한다. 한편, 지나치게 두꺼우면 산화물 반도체층의 가공성이 나빠지거나, 에칭 성막에 시간을 필요로 하여 생산 비용이 증가하는 경우가 있으므로, 바람직하게는 100㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎚ 이하로 한다.또한, 상기 제1 산화물 반도체층의 두께도 BCE형 TFT, ESL형 TFT 모두 특별히 한정되지 않지만, 제1 산화물 반도체층의 두께가 지나치게 얇으면 상기 제1 산화물 반도체층을 형성한 효과가 충분히 발휘되지 않는 경우가 있다. 그로 인해, 어느 경우도, 바람직하게는 20㎚ 이상, 더욱 바람직하게는 30㎚ 이상으로 한다. 한편, 지나치게 두꺼우면 이동도가 저하될 우려가 있으므로, 어느 경우도, 바람직하게는 50㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 40㎚ 이하로 한다.상술한 제2 산화물 반도체층과 제1 산화물 반도체층의 합계의 막 두께는, BCE형 TFT, ESL형 TFT 모두, 상기 범위 내에서 적절하게 조합하면 된다. 단, 산화물 반도체층 전체의 막 두께가 지나치게 두꺼워지면 생산 비용이 증가하거나, TFT의 박형화를 저해하므로, 어느 경우도, 바람직하게는 100㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎚ 이하이다. 합계 막 두께의 하한은 특별히 한정되지 않고, 상기 각 산화물 반도체층의 효과를 발휘할 수 있을 정도의 막 두께를 채용하면 된다.다음으로, 상기 제1 산화물 반도체층(IGZTO)과 제2 산화물 반도체층(IGTO)의 적층 구조로 이루어지는 산화물 반도체층을 구비한 TFT의 바람직한 실시 형태에 대해, 종래예와 대비하면서 설명한다. 도 1 및 도 2는 종래예, 도 3 및 도 4는 본 발명예이다.먼저, 종래예에서는 도 1(에치 스토퍼층이 없는 BCE형 TFT), 도 2(에치 스토퍼층이 있는 ESL형 TFT)에 도시하는 바와 같이 IGTO로 이루어지는 제2 산화물 반도체층(4)(단층)으로 구성되어 있고, 제2 산화물 반도체층(4)이 보호막(6)(도 1), 또는 에치 스토퍼층(8)(도 2), 및 게이트 절연막(3)과 직접 접촉하는 구성이었다.도 3은, 본 발명의 BCE형의 바람직한 실시 형태의 일례이다. 전술한 바와 같이 제2 산화물 반도체층(4)(IGTO)은 보호막(6)과의 계면에서 산소 결손에 의한 포획 준위를 형성하기 쉽다. 그로 인해, 본 발명에서는, 제1 산화물 반도체층(4A)(IGZTO)을 제2 산화물 반도체층(IGTO)과 보호막(6) 사이에 형성함으로써, 산소 결손에 의한 문제, 소스－드레인 전극의 에칭(소스－드레인 전극용 에칭액을 사용한 습식 에칭법 및 건식 에칭법 모두를 포함함) 및 그 후의 레지스트 박리액에 노출되는 것에 의한 막 감소 등의 문제로부터 제2 산화물 반도체층을 보호한다.도시 예에서는, 제1 산화물 반도체층(4A)이 보호막(6)과 직접 접촉하도록 구성되어 있지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제1 산화물 반도체층(4A)과 보호막(6) 사이에 다른 층을 개재시킬 수도 있다.도 4는, 본 발명의 ESL형의 바람직한 실시 형태의 다른 일례이다. 제1 산화물 반도체층(4A)은, 제2 산화물 반도체층(4)과 에치 스토퍼층(8) 사이에 형성되어 있다. 도시 예에서는, 제1 산화물 반도체층(4A)이 에치 스토퍼층(8)과 직접 접촉하도록 구성되어 있지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제1 산화물 반도체층(4A)과 에치 스토퍼층(8) 사이에 다른 층을 개재시킬 수도 있다. 제2 산화물 반도체층(4)(IGTO)은, 에치 스토퍼층(8)과의 계면에서 산소 결손에 의한 포획 준위를 형성하기 쉽지만, 제1 산화물 반도체층(4A)(IGZTO)을 제2 산화물 반도체층(4)(IGTO)과 에치 스토퍼층 사이에 형성함으로써, 이러한 문제를 해소할 수 있다. 또한, 제2 산화물 반도체층(4)은 이동도가 극히 높으므로, 에치 스토퍼층(8) 측이 아니라, 전류가 많이 흐르는 게이트 절연막(3) 측에 배치함으로써, 고이동도를 실현할 수 있다.다음으로, 본 발명의 산화물 반도체층의 제조 방법에 대해 설명한다.상기 IGTO로 이루어지는 제2 산화물 반도체층과 IGZTO로 이루어지는 제1 산화물 반도체층은, 스퍼터링법으로 스퍼터링 타깃(이하, 「타깃」이라고 하는 경우가 있음)을 사용하여 성막하는 것이 바람직하다. 스퍼터링법에 의하면, 성분이나 막 두께의 막 면내 균일성이 우수한 박막을 용이하게 형성할 수 있다. 또한, 도포법 등의 화학적 성막법에 의해 산화물을 형성해도 된다.스퍼터링법에 사용되는 타깃으로서, 전술한 원소를 포함하여, 원하는 산화물과 동일한 조성의 스퍼터링 타깃을 사용하는 것이 바람직하고, 이에 의해 조성 어긋남이 적어, 원하는 성분 조성의 박막을 형성할 수 있다. 구체적으로는, 제2 산화물 반도체층을 성막하는 타깃으로서, In, Ga 및 Sn으로 구성되는 산화물 타깃(IGTO 타깃)을 사용할 수 있다.또한, 제1 산화물 반도체층을 성막하는 타깃으로서, In, Ga, Zn 및 Sn으로 구성되는 산화물 타깃(IGZTO 타깃)을 사용할 수 있다.혹은, 조성이 상이한 2개의 타깃을 동시 방전하는 코-스퍼터법(Co-Sputter법)을 이용하여 성막해도 된다. 또는 상기 원소 중 적어도 2종 이상을 포함하는 혼합물의 산화물 타깃을 사용할 수도 있다.상기 타깃은, 예를 들어 분말 소결법에 의해 제조할 수 있다.제2 산화물 반도체층과 제1 산화물 반도체층을 스퍼터링법으로 성막하는 경우, 진공 상태를 유지한 채 연속적으로 성막하는 것이 바람직하다. 제2 산화물 반도체층과 제1 산화물 반도체층을 성막할 때에 대기 중에 폭로하면, 공기 중의 수분이나 유기 성분이 박막 표면에 부착되어, 오염(품질 불량)의 원인이 되기 때문이다.상기 타깃을 사용하여 스퍼터링법으로 성막하는 경우, 스퍼터링 성막 시에 박막 중으로부터 이탈하는 산소를 보간하여, 산화물 반도체층의 밀도를 가능한 한 높게 하기 위해서는, 성막 시의 가스압, 산소 첨가량(산소의 분압), 스퍼터링 타깃에의 투입 파워, 기판 온도, T-S간 거리(스퍼터링 타깃과 기판의 거리) 등을 적절하게 제어하는 것이 바람직하다.구체적으로는, 예를 들어 하기 스퍼터링 조건으로 성막하는 것이 바람직하다.상기 타깃을 사용하여 스퍼터링함에 있어서는, 기판 온도를 대체로, 실온∼200℃ 정도로 제어하고, 산소 첨가량을 적절하게 제어하여 행하는 것이 바람직하다.산소 첨가량은, 반도체로서 동작을 나타내도록, 스퍼터링 장치의 구성이나 타깃 조성 등에 따라서 적절하게 제어하면 되지만, 대체로 반도체 캐리어 농도가 1015∼1016㎝-3으로 되도록 산소량을 첨가하는 것이 바람직하다.또한, 스퍼터링 성막 시의 가스압, 스퍼터링 타깃에의 투입 파워, T-S간 거리(스퍼터링 타깃과 기판의 거리) 등을 적절하게 제어하여, 산화물 반도체층의 밀도를 조정하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 성막 시의 전체 가스압은, 스퍼터 원자끼리의 산란이 억제되기 위해 낮을수록 좋으며, 치밀(고밀도)한 막을 성막할 수 있다. 바람직한 가스압은, 대체로 1∼3mTorr의 범위 내이다. 또한, 투입 파워도 높을수록 좋으며, 대체로 200W 이상으로 설정하는 것이 권장된다.또한, 산화물 반도체층의 밀도는, 성막 후의 열처리 조건에 의해서도 영향을 받으므로, 성막 후의 열처리 조건도 적절하게 제어하는 것이 바람직하다. 성막 후의 열처리는, 예를 들어 대기 분위기 및 수증기 분위기하에서, 대체로 250∼400℃로 10분∼3시간 정도 행하는 것이 바람직하다. 이러한 열처리는, 예를 들어 TFT의 제조 과정에 있어서의 열이력에 있어서도 제어하는 것이 가능하다. 예를 들어, 프리어닐링 처리(산화막 반도체층을 습식 에칭한 후의 패터닝 후의 열처리)를 행함으로써 밀도를 높일 수 있다.본 발명에는, 상기 산화물을 TFT의 반도체층으로서 구비한 TFT도 포함된다. TFT의 반도체층에서는, 본 발명에서 규정하는 상기 제2 산화물 반도체층과 제1 산화물 반도체층의 적층 구조를 구비하고 있으면 되고, 게이트 절연막을 포함하여 다른 구성에 대해서는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 기판 상에, 게이트 전극, 게이트 절연막, 상기 산화물 반도체층, 소스 전극, 드레인 전극, 보호막 및 에치 스토퍼층을 형성하는 경우는 에치 스토퍼층(ESL형)을 적어도 갖고 있으면 되고, 그 구성은 통상 사용되는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 또한, 보호막은, 상기 도면에 있어서도 도시되는 바와 같이 소스－드레인 전극의 상측에 형성되지만, 게이트 절연막, 상기 산화물 반도체층, 소스－드레인 전극을 보호하는 취지로 형성되는 것이다.이하, 도 3을 참조하면서, 에치 스토퍼층을 갖지 않는 BCE형 TFT의 제조 방법의 실시 형태를 설명한다. 도 3 및 이하의 제조 방법은, 본 발명의 바람직한 실시 형태의 일례를 나타내는 것이며, 이것에 한정하는 취지는 아니다. 예를 들어 도 3에는, 보텀 게이트형 구조의 TFT를 나타내고 있지만 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 산화물 반도체층 상에 게이트 절연막과 게이트 전극을 차례로 구비하는 톱 게이트형 TFT여도 된다.도 3에서는, 기판(1) 상에 게이트 전극(2) 및 게이트 절연막(3)이 형성되고, 그 위에 제2 산화물 반도체층(4)이 형성되어 있다. 제2 산화물 반도체층(4) 상에는 제1 산화물 반도체층(4A)이 형성되고, 또한 그 위에는 소스－드레인 전극(5)이 형성되고, 그 위에 보호막(절연막)(6)이 형성되고, 콘택트 홀(7)을 통해 투명 도전막(도시하지 않음)이 드레인 전극(5)에 전기적으로 접속되어 있다.기판(1) 상에 게이트 전극(2) 및 게이트 절연막(3)을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 통상 이용되는 방법을 채용할 수 있다. 또한, 게이트 전극(2) 및 게이트 절연막(3)의 종류도 특별히 한정되지 않고, 범용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어 게이트 전극으로서, 전기 저항률이 낮은 Al이나 Cu의 금속이나, 내열성이 높은 Mo, Cr, Ti 등의 고융점 금속이나, 이들 합금을 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 게이트 절연막(3)으로서는, 실리콘 질화막(SiN), 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 산질화막(SiON) 등이 대표적으로 예시된다. 그 밖에, Al2O3이나 Y2O3 등의 산화물이나, 이들을 적층한 것을 사용할 수도 있다.이어서 산화물 반도체층(기판 측으로부터 차례로 제2 산화물 반도체층(4), 제1 산화물 반도체층(4A))을 형성한다. 제2 산화물 반도체층(4)도 IGTO 타깃을 사용한 DC 스퍼터링법 또는 RF 스퍼터링법에 의해 성막할 수 있다. 마찬가지로 제1 산화물 반도체층(4A)은, 제1 산화물 반도체층(4A)을 구성하는 IGZTO 타깃을 사용한 DC 스퍼터링법 또는 RF 스퍼터링법에 의해 성막할 수 있다.제2 산화물 반도체층(4), 제1 산화물 반도체층(4A)을 순차, 진공 일관으로 연속 성막하는 것이 바람직하다. 이때, 제1 산화물 반도체를 상기한 조성을 만족시키도록 제어하면, 스퍼터링 레이트가 향상됨과 함께 습식 에칭 특성도 향상된다.산화물 반도체층을 습식 에칭한 후, 패터닝한다. 상술한 바와 같이, 산화물 반도체층의 습식 에칭에 사용되는 에칭액은 표시 장치 등의 분야에서 범용되고 있는 것을 사용할 수 있고, 예를 들어 옥살산 등의 유기산계 습식 에칭액이 사용된다.패터닝 직후에, 산화물 반도체층의 막질 개선을 위해 열처리(프리어닐링)를 행하는 것이 바람직하고, 이에 의해, 트랜지스터 특성의 온 전류 및 전계 효과 이동도가 상승하여, 트랜지스터 성능이 향상되게 된다. 프리어닐링 조건으로서는, 예를 들어 온도: 약 250∼400℃, 시간: 약 10분∼1시간 등을 들 수 있다.프리어닐링 후, 소스－드레인 전극을 형성한다. 소스－드레인 전극(5)의 종류는 특별히 한정되지 않고, 범용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극과 마찬가지로, Mo, Ti, Al, Cu 등의 금속 또는 이들의 합금(Mo 합금, Ti 합금, Al 합금, Cu 합금)을 사용해도 된다. 구체적으로는, 상기 금속 또는 합금 중 적어도 1종의 금속막(단층)을 사용할 수 있다. 혹은, 산화물 반도체층 측으로부터 차례로 Mo, Mo 합금, Ti, Ti 합금으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속막과; Al, Al 합금, Cu 및 Cu 합금으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속막의 적층 구조를 포함하는 적층막을 사용할 수도 있다. 후자의 적층막을 사용하면, 전기 저항의 저감 효과가 얻어진다.상기 적층막의 층수는, 상기 적층 구조를 갖는 한 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 상기한 2층 구조여도 되고, 혹은, 그 위(Al, Al 합금, Cu 및 Cu 합금으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속막)에, Mo, Mo 합금, Ti, Ti 합금으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속막을 갖는 3층 구조여도 된다.소스－드레인 전극(5)의 형성 방법으로서는, 스퍼터링법이 널리 이용되고 있다. 구체적으로는, 예를 들어 마그네트론 스퍼터링법에 의해 금속 박막을 성막한 후, 포토리소그래피에 의해 패터닝하고, 습식 에칭 또는 건식 에칭을 행하여 전극을 형성할 수 있다. 소스－드레인 전극의 습식 에칭에 사용되는 에칭액의 종류는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 산계의 에칭액(예를 들어, 인산, 질산, 아세트산 등을 포함하는 무기산)이 사용된다.다음으로, 산화물 반도체층(4A), 소스－드레인 전극(5) 상에 보호막(6)을 CVD(Chemical Vapor Deposition)법에 의해 성막한다. 보호막(6)은, SiO2나 SiON, SiN 등이 사용된다. 또한, 스퍼터링법을 이용하여 보호막(6)을 형성해도 된다. 산화물 반도체층(4A)의 표면은, CVD에 의한 플라즈마 손상에 의해 용이하게 도통화되어 버리므로(아마 제1 산화물 반도체 표면에 생성되는 산소 결손이 전자 도너가 되기 때문이라고 추정됨), 보호막(6)의 성막 전에 N2O 플라즈마 조사를 행해도 된다. N2O 플라즈마의 조사 조건은, 예를 들어 하기 문헌에 기재된 조건을 채용하면 된다.J.Park 외, Appl. Phys. Lett., 1993, 053505(2008)다음으로, 통상의 방법에 기초하여, 콘택트 홀(7)을 통해 투명 도전막을 드레인 전극(5)에 전기적으로 접속한다. 투명 도전막 및 드레인 전극의 종류는 특별히 한정되지 않고, 통상 이용되는 것을 사용할 수 있다. 드레인 전극으로서는, 예를 들어 전술한 소스－드레인 전극에서 예시한 것을 사용할 수 있다.이하, 도 4를 참조하면서, 에치 스토퍼층을 갖는 ESL형 TFT의 제조 방법의 실시 형태를 설명한다. 도 4 및 이하의 제조 방법은, 본 발명의 바람직한 실시 형태의 일례를 나타내는 것이며, 이것에 한정되는 취지는 아니다. 예를 들어 도 4에는, 보텀 게이트형 구조의 TFT를 나타내고 있지만 이것에 한정되지 않고, 산화물 반도체층 상에 게이트 절연막과 게이트 전극을 차례로 구비하는 톱 게이트형의 TFT여도 된다. 톱 게이트형 TFT에 있어서도, 제2 산화물 반도체층과 에치 스토퍼층의 사이에 제1 산화물 반도체층을 개재시키면 된다.도 4에서는, 기판(1) 상에 게이트 전극(2) 및 게이트 절연막(3)이 형성되고, 그 위에 제2 산화물 반도체층(4)이 형성되어 있다. 제2 산화물 반도체층(4) 상에는 제1 산화물 반도체층(4A)이 형성되고, 또한 그 위에는 에치 스토퍼층(8), 소스－드레인 전극(5)이 형성되고, 그 위에 보호막(절연막)(6)이 형성되고, 콘택트 홀(7)을 통해 투명 도전막(도시하지 않음)이 드레인 전극(5)에 전기적으로 접속되어 있다.기판(1) 상에 게이트 전극(2) 및 게이트 절연막(3)을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 통상 이용되는 방법을 채용할 수 있다. 또한, 게이트 전극(2) 및 게이트 절연막(3)의 종류도 특별히 한정되지 않고, 범용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어 게이트 전극으로서, 전기 저항률이 낮은 Al이나 Cu 금속이나, 내열성이 높은 Mo, Cr, Ti 등의 고융점 금속이나, 이들의 합금을 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 게이트 절연막(3)으로서는, 실리콘 질화막(SiN), 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 산질화막(SiON) 등이 대표적으로 예시된다. 그 밖에, Al2O3이나 Y2O3 등의 산화물이나, 이들을 적층한 것을 사용할 수도 있다.이어서 산화물 반도체층(기판 측으로부터 차례로 제2 산화물 반도체층(4), 제1 산화물 반도체층(4A))을 형성한다. 제2 산화물 반도체층(4)도 IGTO 타깃을 사용한 DC 스퍼터링법 또는 RF 스퍼터링법에 의해 성막할 수 있다. 마찬가지로 제1 산화물 반도체층(4A)은, 제1 산화물 반도체층(4A)을 구성하는 IGZTO 타깃을 사용한 DC 스퍼터링법 또는 RF 스퍼터링법에 의해 성막할 수 있다.제2 산화물 반도체층(4), 제1 산화물 반도체층(4A)을 순차, 진공 일관으로 연속 성막하는 것이 바람직하다. 이때, 제1 산화물 반도체를 상기한 조성을 만족시키도록 제어하면, 스퍼터링 레이트가 향상됨과 함께 습식 에칭 특성도 향상된다.산화물 반도체층을 습식 에칭한 후, 패터닝한다. 패터닝 직후에, 산화물 반도체층의 막질 개선을 위해 열처리(프리어닐링)를 행하는 것이 바람직하고, 이에 의해 트랜지스터 특성의 온 전류 및 전계 효과 이동도가 상승하여, 트랜지스터 성능이 향상되게 된다. 프리어닐링 조건으로서는, 예를 들어 온도: 약 250∼400℃, 시간: 약 10분∼1시간 등을 들 수 있다.프리어닐링 후, 에치 스토퍼층(8)을 형성한다. 에치 스토퍼층(8)은, 일반적으로 SiO2 등의 절연막이 사용된다. 에치 스토퍼층(8)을 형성하지 않고, 소스－드레인 전극(5)을 형성하면, 소스－드레인 전극(5)에 에칭을 실시할 때, 산화물 반도체층이 손상을 받아 트랜지스터 특성이 저하될 우려가 있다. 에치 스토퍼층(8)의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 범용되고 있는 것을 사용하면 되고, 예를 들어 보호막과 마찬가지로, SiO2 등으로 형성하면 된다.소스－드레인 전극(5)의 종류는 특별히 한정되지 않고, 전술한 것을 사용할 수 있다.소스－드레인 전극(5)의 형성 방법으로서는, 스퍼터링법이 널리 이용되고 있다. 구체적으로는, 예를 들어 마그네트론 스퍼터링법에 의해 금속 박막을 성막한 후, 포토리소그래피에 의해 패터닝하고, 습식 에칭 또는 건식 에칭을 행하여 전극을 형성할 수 있다.다음으로, 산화물 반도체층(4A), 소스－드레인 전극(5) 상에 보호막(6)을 CVD(Chemical Vapor Deposition)법에 의해 성막한다. 보호막(6)은 SiO2나 SiON, SiN 등이 사용된다. 또한, 스퍼터링법을 이용하여 보호막(6)을 형성해도 된다.다음으로, 통상의 방법에 기초하여, 콘택트 홀(7)을 통해 투명 도전막을 드레인 전극(5)에 전기적으로 접속한다. 투명 도전막 및 드레인 전극의 종류는 특별히 한정되지 않고, 통상 이용되는 것을 사용할 수 있다. 드레인 전극으로서는, 예를 들어 전술한 소스－드레인 전극에서 예시한 것을 사용할 수 있다.본원은, 2014년 1월 15일에 출원된 일본 특허 출원 제2014-005363호에 기초하는 우선권의 이익을 주장하는 것이다. 2014년 1월 15일에 출원된 일본 특허 출원 제2014-005363호의 명세서의 전체 내용이, 본원에 참고를 위해 원용된다.실시예이하, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기 실시예에 의해 제한되지 않고, 전기·후기하는 취지에 적합한 범위에서 개변하여 실시하는 것도 가능하고, 그들은 모두 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.실시예 1(ESL형 TFT)본 실시예에서는, 다양한 산화물 반도체층을 갖는 ESL형 TFT(도 4)를 제작하여, 각 특성을 평가하였다.본 실시예에서는, 제1 산화물 반도체층으로서, 표 1에 기재된 A 및 B의 2종류의 IGZTO를 사용하였다. 이들은 모두, 본 발명에서 규정하는 금속 원소비를 만족시키는 예이다.또한, 본 실시예에서는, 제2 산화물 반도체층으로서, 표 2에 기재된 a∼k의 합계 11종류의 IGZTO를 사용하였다. 이들 중, a∼c, k는, 본 발명에서 규정하는 금속 원소비를 만족시키는 예이고, d∼j는, 본 발명에서 규정하는 금속 원소비 중 어느 하나를 만족시키지 않는 예이다.먼저, 유리 기판(1)(코닝사제 이글 2000, 직경 100㎜×두께 0.7㎜) 상에, 게이트 전극(2)으로서 Mo 박막을 100㎚, 및 게이트 절연막(3)으로서 SiO2(200㎚)를 순차 성막하였다. 게이트 전극(2)은, 순 Mo의 스퍼터링 타깃을 사용하고, DC 스퍼터법에 의해, 성막 온도: 실온, 성막 파워: 300W, 캐리어 가스: Ar, 가스압: 2mTorr, Ar 가스 유량: 20sccm으로 성막하였다. 또한, 게이트 절연막(3)은, 플라즈마 CVD법을 이용하고, 캐리어 가스: SiH4와 N2O의 혼합 가스, 성막 파워: 1.27W/㎠, 성막 시의 가스압: 133Pa, 성막 온도: 320℃로 성막하였다.다음으로, 게이트 절연막(3) 상에, 직류 방전을 이용한 스퍼터링법에 의해, 제2 산화물 반도체층(4)(IGTO, 표 2에 기재된 a∼k)을 성막하였다(막 두께 10㎚). 구체적으로는, In2O3, Ga2O3 및 SnO2의 3개의 타깃을 기판의 주위에 배치하고, 정지하고 있는 기판에, 상술한 제2 산화물 반도체층을, DC 스퍼터링법에 의해 성막하였다.이러한 성막 방법에 의하면, IGTO의 조성비를 기판 상의 위치에 따라 바꿀 수 있다. 즉, 타깃으로부터 멀어짐에 따라서 막 중의 타깃 구성 원소의 비율이 저하된다. 예를 들어, In2O3 타깃에 가까운 위치에서는, 조성은 In:Ga:Sn＝65:30:5로 되지만(표 4의 No.7), 기판 중앙에서는 In:Ga:Sn＝43:27:30으로 된다(표 4의 No.1).또한, 이러한 성막 방법은 종래부터 최적의 조성비를 조사하는 방법으로서 확립되어 있다.이어서, 연속해서, 직류 방전을 이용한 스퍼터링법에 의해, 제1 산화물 반도체층(4)(IGZTO, 표 1에 기재된 A, B)을 성막하였다(막 두께 30㎚). 구체적으로는, In2O3, Ga2O3, ZnO 및 SnO2의 4개의 타깃을 기판의 주위에 배치하고, 정지하고 있는 기판에, 상술한 제1 산화물 반도체층을, DC 스퍼터링법에 의해 성막하였다.이러한 성막 방법에 의하면, IGZTO의 조성비를 기판 상의 위치에 따라 바꿀 수 있다. 즉, 타깃으로부터 멀어짐에 따라서 막 중의 타깃 구성 원소의 비율이 저하된다. 예를 들어, Ga2O3 타깃에 가까운 위치에서는, 조성은 In:Ga:Zn:Sn＝17:40:33:10으로 된다(표 1의 No.A). 또한 ZnO 타깃에 가까운 위치에서는, 조성은 In:Ga:Zn:Sn＝17:17:47:19로 된다(표 1의 No.B).상술한 제1 및 제2의 어느 산화물 반도체층을 성막하는 경우에 있어서도, 각 스퍼터링에 사용한 장치는 (주)알박제 「CS-200」이며, 스퍼터링 조건은 이하와 같다.기판 온도: 실온가스압: 1mTorr산소 분압: O2/(Ar＋O2)＝4％성막 파워 밀도: 2.55W/㎠상기 제2 산화물 반도체층(4)과 제1 산화물 반도체층(4A)의 성막에 있어서는, 도중에 챔버를 대기 개방하지 않고, 연속적으로 성막을 행하였다.이와 같이 하여 얻어진 산화물 반도체층 중의 금속 원소의 각 함유량은, XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)법에 의해 분석하였다. 제1, 제2 산화물 반도체층의 금속 원소비는, 성막에 사용한 각 산화물 스퍼터링 타깃 중의 금속 원소의 금속 원소비와 동일하였다.제2 산화물 반도체층(4), 제1 산화물 반도체층(4A)의 성막은 모두 DC 스퍼터링법을 이용하여 성막하였다. 스퍼터링에 사용한 장치는 (주)알박사제 「CS-200」이며, 스퍼터링 조건은 이하와 같다.기판 온도: 실온가스압: 1mTorr산소 분압: O2/(Ar＋O2)×100＝4％성막 파워 밀도: 2.55W/㎠상기한 바와 같이 하여 산화물 반도체층을 성막한 후, 포토리소그래피 및 습식 에칭에 의해 패터닝을 행하였다. (A) 웨트 에천트액으로서는, 간또 가가꾸사제 「ITO-07N」을 사용하였다.산화물 반도체층을 패터닝한 후, 막질을 향상시키기 위해 프리어닐링 처리를 행하였다. 프리어닐링은, 대기 분위기에서 350℃로 1시간 행하였다.다음으로, 채널층(산화물 반도체층) 상에, 에치 스토퍼층(8)으로서, 실리콘 산화막(SiO2)을 100㎚ 성막하였다. 구체적으로는, 플라즈마 CVD법을 이용하여, 기판 온도: 200℃, 성막 파워: 100W, 캐리어 가스: SiH4와 N2O의 혼합 가스로 성막하였다. 또한, 에치 스토퍼층(8)은, 게이트 절연막과 동일한 장치를 사용하여 성막하였다.다음으로, 산화물 반도체층 상에, 소스－드레인 전극(5)으로서 순 Mo(막 두께 200㎚)를 성막하였다. 구체적으로는, 순 Mo의 스퍼터링 타깃을 사용하고, DC 스퍼터법에 의해, 성막 온도: 실온, 성막 파워: 300W, 캐리어 가스: Ar, 가스압: 2mTorr, Ar 가스 유량: 20sccm, 기판 온도: 실온에서 성막하였다. 이어서, 포토리소그래피 및 습식 에칭에 의해, 상기 Mo 전극을 패터닝하였다. 웨트 에천트액으로서는, 간또 가가꾸사제의 혼산 에천트(인산, 질산 및 아세트산의 혼합액)를 사용하였다. 이어서, 도쿄 오카제 박리액(106)을 사용하여 불필요한 포토레지스트를 제거하고, TFT의 채널 길이를 20㎛, 채널 폭을 210㎛로 하였다.이와 같이 하여 소스－드레인 전극(5)을 형성한 후, 산화물 반도체 TFT를 보호하기 위한 보호막(6)을 형성하였다. 보호막(6)으로서, SiO2(막 두께 100㎚) 및 SiN(막 두께 100㎚)을 순차 형성하였다. 상기 SiO2 및 SiN의 형성은, 사무코사제 「PD-220NL」을 사용하고, 플라즈마 CVD법을 이용하여 행하였다. 본 실시예에서는, N2O 가스에 의해 플라즈마 처리를 행한 후, SiO2막 및 SiN막을 순차 형성하였다.SiO2막의 형성에는 N2O 및 SiH4의 혼합 가스를 사용하고, SiN막의 형성에는 SiH4, N2, NH3의 혼합 가스를 사용하였다. 어느 경우도 성막 파워를 100W, 성막 온도를 150℃로 하였다.다음으로 포토리소그래피 및 건식 에칭에 의해, 보호막(6)에 트랜지스터 특성 평가용 프로빙을 위한 콘택트 홀(7)을 형성하였다.이와 같이 하여 얻어진 각 TFT에 대해, 이하의 조건으로 트랜지스터 특성(역치 전압 Vth, 전계 효과 이동도(μFE), 광 조사와 부 바이어스에 의한 스트레스 내성)을 평가하였다.(1) 트랜지스터 특성의 측정트랜지스터 특성은, Agilent Technology사제 「HP4156C」의 반도체 파라미터 애널라이저를 사용하여 측정하였다. 상세한 측정 조건은 이하와 같다.소스 전압: 0V드레인 전압: 10V게이트 전압: -30∼30V(측정 간격: 0.25V)기판 온도: 실온(2) 전계 효과 이동도 μFE전계 효과 이동도 μFE는, TFT 특성으로부터 Vd＞Vg-VT인 포화 영역에서 도출하였다. 포화 영역에서는 Vg, VT를 각각 게이트 전압, 역치 전압, Id를 드레인 전류, L, W를 각각 TFT 소자의 채널 길이, 채널 폭, Ci를 게이트 절연막의 정전 용량, μFE를 전계 효과 이동도로 하였다(1식). μFE는 이하의 식으로부터 도출된다. 본 실시예에서는, 포화 영역을 만족시키는 게이트 전압 부근에 있어서의 드레인 전류－게이트 전압 특성(Id－Vg 특성)으로부터 전계 효과 이동도 μFE를 도출하였다. 본 실시예에서는, 이동도≥40㎠/Vs인 것을 고이동도(표에서는 「고」라고 기재)로 하고, 상기 기준을 하회하는 것을 불합격(표에서는 「저」라고 기재)이라고 평가하였다.(3) 스트레스 내성본 실시예에서는, 게이트 전극에 부 바이어스를 가하면서 광(백색광)을 조사하는 스트레스 인가 시험을 행하였다. 스트레스 인가 조건은 이하와 같다. 광의 파장으로서는, 산화물 반도체의 밴드 갭에 가깝고, 트랜지스터 특성이 변동되기 쉬운 400㎚ 정도를 선택하였다.게이트 전압: -20V기판 온도: 60℃광 스트레스 파장: 400nm 조도(TFT에 조사되는 광의 강도): 0.1μW/㎠ 광원: OPTOSUPPLY사제 LED(ND 필터에 의해 광량을 조정) 스트레스 인가 시간: 2시간본 실시예에서는, 2시간의 스트레스 인가에 있어서의 역치 전압의 변동값을 역치 전압 시프트량 ΔVth로 하고, TFT 특성에 있어서의 스트레스 내성의 지표로 하였다. 본 발명에서는 ΔVth(절대값)가 5.0V 이하인 것을 스트레스 내성이 우수하다고 평가하였다.또한 본 실시예에서는, 이하와 같이 하여 습식 에칭 특성을 평가하였다.(4) 습식 에칭 특성의 평가본 실시예에서는, 측정의 간략화를 위해, 상술한 TFT의 제조 방법에 있어서, 산화물 반도체층을 적층 구조로 하지 않고, 제1 또는 제2 산화물 반도체층(단층 구조)을 성막하고, 이하와 같이 하여 습식 에칭 특성을 평가하였다.상세하게는, 상술한 본 실시예 TFT의 제조 방법에 있어서, 유리 기판에, 제1 산화물 반도체층(표 1의 A 또는 B), 또는 제2 산화물 반도체층(표 2의 a∼k)을 성막하였다. 이어서, 이와 같이 하여 얻어진 각 산화물 반도체층을, 산화물 반도체 가공용 에칭액(간또 가가꾸사제 「ITO-07N」, 액온: 실온) 중에 침지하여 에칭을 행하였다. 각 산화물 반도체층에 대해, 에칭 전후의 산화물 반도체층의 막 두께의 변화(깎임량)를 측정하고, 에칭 시간과의 관계에 기초하여, 에칭 속도를 산출하였다.그 결과, 제1 산화물 반도체층(IGZTO)으로서, 표 1의 A를 사용하였을 때의 에칭 속도는 26㎚/분이고, 표 1의 B를 사용하였을 때의 에칭 속도는 27㎚/분이었다.그리고, 상기 제1 산화물 반도체층(표 1의 A 또는 B의 IGZTO)에 대한, 상기 제2 산화물 반도체층(표 2의 a∼k의 IGTO)의 에칭 속도의 비(에칭 레이트 비)가 0.1∼4배인 경우, 산화물 반도체 가공용 습식 에칭액에 대한 습식 에칭성은 양호하다고 평가하고, 상기 에칭 레이트 비가 상기 범위 밖인 경우를 불량이라고 평가하였다.이들의 결과를 표 3∼표 5에 나타낸다. 또한, 표 4 및 표 5에는, 종합 판정의 란을 마련하여, 상기 특성 전부가 양호한 것을 「합격」, 상기 특성 중 어느 하나라도 불량인 것을 [불합격]이라고 판정하였다. 또한, 표 4 및 표 5의 일부의 예에 대해서는, 이동도의 값을 병기하였다.먼저, 표 3에 대해 고찰한다.표 3의 No.1은, 산화물 반도체층으로서, 제2 산화물 반도체층(표 2의 a)만(단층)을 이용한 예이다(막 두께 40㎚). 표 3에 나타내는 바와 같이, 이동도는 높지만, 스트레스 내성이 저하되었다.이에 반해, 표 3의 No.2는, 산화물 반도체층으로서, 제2 산화물 반도체층(표 2의 a) 상에 제1 산화물 반도체층(표 1의 A)을 적층시킨 적층 구조를 이용한 예이다. 표 3에 나타내는 바와 같이, No.1에 비해 이동도는 약간 저하되었지만, 여전히 40㎠/Vs 이상의 고이동도는 유지되고, 게다가 스트레스 내성은 현저하게 향상되었다.다음으로, 표 4에 대해 고찰한다.표 4는, 제2 산화물 반도체층으로서 표 2의 a∼k의 각 산화물을 이용하고, 그 위에 제1 산화물 반도체층(표 1의 A)을 적층시킨 적층 구조를 이용한 예이다.표 4의 No.1∼3, 11은, 본 발명에서 규정하는 제2 산화물 반도체층 a∼c, k를 이용한 예이며, 이동도, 스트레스 내성, 습식 에칭성 모두 양호하였다.이에 반해, 표 4의 No.4∼10은 이하의 문제를 갖고 있다.표 4의 No.4는, 제2 산화물 반도체층으로서, 전체 금속 원소에 대한 In의 비가 본 발명의 상한을 초과하는 표 2의 d를 사용한 예이다. 그 결과, 이동도는 표 4의 No.1에 비해 높아졌지만, 스트레스 내성이 저하되었다.표 4의 No.5는, 제2 산화물 반도체층으로서, In과 Ga에 대한 In의 비가 본 발명의 하한을 하회하는 표 2의 e를 이용한 예이다. In의 비가 작으므로, 이동도가 저하되었다.표 4의 No.6은, 제2 산화물 반도체층으로서, In과 Ga에 대한 In의 비, 및 전체 금속 원소에 대한 Sn의 비가 본 발명의 하한을 하회하는 표 2의 f를 이용한 예이다. 그 결과, 이동도가 저하되었다.표 4의 No.7은, 제2 산화물 반도체층으로서, 전체 금속 원소에 대한 In의 비가 본 발명의 상한을 초과하고, 또한 전체 금속 원소에 대한 Sn의 비의 하한이 본 발명의 하한을 하회하는 표 2의 g를 이용한 예이다. 그 결과, 스트레스 내성이 저하되었다.표 4의 No.8은, 제2 산화물 반도체층으로서, In과 Ga에 대한 In의 비가 본 발명의 상한을 초과하고, 또한 전체 금속 원소에 대한 Sn의 비가 본 발명의 상한을 초과하는 표 2의 h를 이용한 예이다. 그 결과, 이동도, 스트레스 내성 및 습식 에칭성 모두 저하되었다.표 4의 No.9는, 제2 산화물 반도체층으로서, 전체 금속 원소에 대한 Sn의 비가 본 발명의 상한을 초과하는 표 2의 i를 이용한 예이다. 그 결과, 이동도 및 습식 에칭성이 저하되었다.표 4의 No.10은, 제2 산화물 반도체층으로서, In과 Ga에 대한 In의 비가 본 발명의 상한을 초과하고, 또한 전체 금속 원소에 대한 In의 비가 본 발명의 상한을 초과하는 표 2의 j를 이용한 예이다. 그 결과, 스트레스 내성이 저하되었다.다음으로, 표 5에 대해 고찰한다.표 5는, 제2 산화물 반도체층으로서 표 2의 a, c∼e, j, k의 각 산화물을 이용하고, 그 위에 제1 산화물 반도체층(표 1의 B)을 적층시킨 적층 구조를 이용한 예이다.표 5의 No.1, 2, 6은, 본 발명에서 규정하는 제2 산화물 반도체층 a, c, k를 이용한 예이며, 이동도, 스트레스 내성, 습식 에칭성 모두 양호하였다.이에 반해, 표 5의 No.3∼5는, 이하의 문제를 갖고 있다.표 5의 No.3은, 제2 산화물 반도체층으로서, 전체 금속 원소에 대한 In의 비가 본 발명의 상한을 초과하는 표 2의 d를 이용한 예이다. 그 결과, 스트레스 내성이 저하되었다.표 5의 No.4는, 제2 산화물 반도체층으로서, 전체 금속 원소에 대한 In의 비가 본 발명의 하한을 하회하는 표 2의 e를 이용한 예이다. 그 결과, 이동도는 표 4의 No.1에 비해 높아졌지만, 스트레스 내성이 저하되었다.표 5의 No.5는, 제2 산화물 반도체층으로서, In과 Ga에 대한 In의 비가 본 발명의 상한을 초과하고, 또한 전체 금속 원소에 대한 In의 비가 본 발명의 상한을 초과하는 표 2의 j를 이용한 예이다. 그 결과, 스트레스 내성이 저하되었다.실시예 2(BCE형 TFT)본 실시예에서는, 레지스트 박리액에 대한 각 산화물 반도체층의 에칭 레이트를 측정하고, 레지스트 박리 내성을 평가하였다. 여기서는, 측정의 간략화를 위해, 산화물 반도체층을 적층 구조로 하지 않고, 제1 산화물 반도체층(단층 구조)을 성막하고, 이하와 같이 하여 에칭 레이트를 측정하였다.본 실시예에서는, 제1 산화물 반도체층으로서, 표 6에 기재된 A 및 B의 2종류의 IGZTO를 사용하였다. 이들은 모두, 본 발명에서 규정하는 금속 원소비를 만족시키는 예이며, 전술한 표 1의 A 및 B와 동일하다. 비교를 위해, 표 6에 기재된 C의 IGZO(Sn 없음, 원자비는 In:Ga:Zn＝1:1:1)도 이용하였다.또한, 레지스트 박리액으로서는, 하기의 2종류를 사용하였다.레지스트 박리액 A: 유기계의 비수계 레지스트 박리액으로서, 도쿄 오카제 TOK106을 사용. 사용 시의 액온은 70℃로 하였다.레지스트 박리액 B: 알칼리성의 수계 레지스트 박리액으로서, pH13으로 조정한 나가세 켐텍스제의 N-321을 사용. 사용 시의 액온은 40℃로 하였다.먼저, 유리 기판(코닝사제 이글 XG, 직경 100㎜×두께 0.7㎜) 상에, 상기 제1 산화물 반도체층(상기 표 6의 A∼C)을 성막하였다(막 두께: 40㎚). 구체적인 성막 조건은 이하와 같다.성막 방법: 직류 방전을 이용한 스퍼터링법스퍼터링 장치: (주)알박사제 「CS-200」(스퍼터링 조건)기판 온도: 실온가스압: 1mTorr산소 분압: O2/(Ar＋O2)＝4％성막 파워 밀도: 2.55W/㎠다음으로, 각 산화물 반도체층의 막질을 향상시키기 위해, 프리어닐링 처리를 행하였다. 프리어닐링 처리는, 대기 분위기에서 350℃로 60분간 행하였다. 그 후, 마스킹 테이프(캡톤 테이프)를 사용하여, 레지스트 박리액의 침지 영역과 비침지 영역을 형성하였다. 이와 같이 하여 처리한 각 산화물 반도체층을 상기 레지스트 박리액 A 또는 B에 침지한 후, 일정 에칭 시간에 대한, 각 산화물 반도체층의 에칭된 막 두께(막 두께의 감소량, 막 감소)를 촉침식 단차계(KLA-Tencor제 Alpha-Step 장치)를 사용하여 측정하였다. 구체적으로는, 이하와 같이 하여 각 산화물 반도체층의 에칭 레이트[Etching rate(㎚/min); 이하, E/R이라고 약기하는 경우가 있음]를 측정하였다.본 실시예에서는, 이와 같이 하여 측정된 각 산화물 반도체층의 에칭 레이트 [Etching rate(㎚/min); 이하, E/R이라고 약기하는 경우가 있음]가 1.0㎚/min 미만인 것을 합격(레지스트 박리액 내성이 우수함)이라고 평가하였다. 포토리소그래피에서는 통상, 레지스트 박리액에 10분 정도 이상 침지하지만, 에칭 레이트(E/R)＝1.0㎚/min이면 막 감소가 10㎚ 이상 발생하여, TFT 특성의 저하를 초래할 우려가 있기 때문이다.이들의 결과를 표 7에 나타낸다.표 7의 No.1∼4는 모두, 산화물 반도체층으로서 본 발명의 요건을 만족시키는 제1 산화물 반도체층(표 6의 A 및 B)을 이용한 예이다. 레지스트 박리액의 종류에 관계없이, 이들의 에칭 레이트(E/R)는 낮아, 레지스트 박리액 내성이 우수한 것을 알 수 있다.이에 반해, 표 7의 No.5, 6은 모두, 산화물 반도체층으로서 종래의 IGZO를 (표 6의 C)를 사용한 예이다. IGZO를 사용하면, 레지스트 박리액의 종류에 따라 레지스트 박리액 내성이 상이하여, 레지스트 박리액 A를 사용하였을 때의 에칭 레이트(E/R)는 낮았지만, 레지스트 박리액 B를 사용하면 에칭 레이트(E/R)는 현저하게 증가하였다.상기한 결과로부터, 레지스트 박리액에 노출되는 산화물 반도체층 부분으로서 본 발명에서 규정하는 제1 산화물 반도체층을 사용하면, IGZO와 달리, 레지스트 박리액의 종류에 관계없이, 양호한 레지스트 박리액 내성이 발휘되는 것이 실증되었다.실시예 3(BCE형 TFT)본 실시예에서는, 다양한 산화물 반도체층을 갖는 BCE형 TFT를 제작하여, 각 특성을 평가하였다. 본 실시예에서는, 제1 산화물 반도체층으로서 상기 표 7에 기재된 A∼C를 사용함과 함께, 제2 산화물 반도체로서, 상기 표 2의 a에 기재된 IGTO를 사용하였다. 여기서는, 습식 에칭액을 사용하여 소스－드레인 전극을 에칭하였다.먼저, 유리 기판(1)(코닝사제 이글 XG, 직경 100㎜×두께 0.7㎜) 상에, 게이트 전극(2)으로서 Mo 박막을 100㎚, 및 게이트 절연막(3)으로서 SiO2막(막 두께 250㎚)을 순차 성막하였다. 상기 게이트 전극(2)은, 순 Mo의 스퍼터링 타깃을 사용하고, DC 스퍼터링법에 의해, 성막 온도: 실온, 성막 파워: 300W, 캐리어 가스: Ar, 가스압: 2mTorr의 조건으로 성막하였다. 또한, 상기 게이트 절연막(3)은, 플라즈마 CVD법을 이용하여, 캐리어 가스: SiH4와 N2O의 혼합 가스, 성막 파워: 1.27W/㎠, 성막 시의 가스압: 133Pa, 성막 온도: 320℃로 성막하였다.다음으로, 게이트 절연막(3) 상에, 직류 방전을 이용한 스퍼터링법에 의해, 제2 산화물 반도체층(4)(IGTO, 표 2에 기재된 a)을 성막하였다(막 두께 10㎚). 이어서, 연속해서, 직류 방전을 이용한 스퍼터링법에 의해, 제1 산화물 반도체층(표 1에 기재된 A, B, C)을 성막하였다(막 두께 30㎚). 상기 산화물 반도체층(4)은, DC 스퍼터링법을 이용하여 성막하였다. 스퍼터링에 사용한 장치는 (주)알박사제 「CS-200」이며, 스퍼터링 조건은 하기와 같다.(스퍼터링 조건)기판 온도: 실온가스압: 1mTorr산소 분압: O2/(Ar＋O2)＝4％성막 파워 밀도: 2.55W/㎠상기 제2 산화물 반도체층과 제1 산화물 반도체층의 성막에 있어서는, 도중에 챔버를 대기 개방하지 않고, 연속적으로 성막을 행하였다. 이와 같이 하여 얻어진 산화물 반도체층 중의 금속 원소의 각 함유량은, XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)법에 의해 분석하였다. 제1, 제2 산화물 반도체층의 금속 원소비는, 성막에 사용한 각 산화물 스퍼터링 타깃 중의 금속 원소의 금속 원소비와 동일하였다.상기한 바와 같이 하여 산화물 반도체층(4)을 성막한 후, 포토리소그래피 및 습식 에칭에 의해 패터닝을 행하였다. 습식 에칭에는, 간또 가가꾸사제 「ITO-07N」(옥살산과 물의 혼합액)의 산계 에칭액(웨트 에천트액)을 사용하였다. 본 실시예에서는, 실험을 행한 모든 산화물 박막에 대해, 습식 에칭에 의한 잔사는 없고, 적절하게 에칭할 수 있었던 것을 확인하고 있다.상기한 바와 같이 산화물 반도체층을 패터닝한 후, 산화물 반도체층의 막질을 향상시키기 위해, 프리어닐링 처리를 행하였다. 프리어닐링 처리는, 대기 분위기에서 350℃로 60분간 행하였다.다음으로 소스－드레인 전극(S/D 전극)을 형성하였다. 여기서는, 순 Mo막을 형성하였다. 전술한 게이트 전극과 마찬가지로 DC 스퍼터링법에 의해 성막(막 두께는 100㎚)하고, 그 후, 포토리소그래피 및 습식 에칭에 의해 패터닝을 행하였다. 습식 에칭에는, 인산:질산:아세트산:물＝70:1.9:10:12(체적비)의 혼산(PAN계)의 산계 에칭액을 사용하고, 에칭 시의 액온은 액온으로 하였다. 패터닝에 의해 TFT의 채널 길이를 10㎛, 채널 폭을 200㎛로 하였다. 소스－드레인 전극의 단락을 방지하여 패터닝을 확실하게 행하기 위해, 소스－드레인 전극의 막 두께에 대해 50％ 상당의 시간만큼, 상기 산계 에칭액에 더 침지(오버에치)시켰다. 그 후, 레지스트 박리액 A 또는 레지스트 박리액 B를 사용하여, 레지스트를 제거하였다.그 후, 보호막으로서, SiO2(막 두께 100㎚) 및 SiN(막 두께 100㎚)을 순차 형성하였다. 당해 보호막의 형성은, 사무코제 「PD-220NL」을 사용하여, 플라즈마 CVD법으로 행하였다. 본 실시예에서는, 전처리로서 N2O 가스에 의해 플라즈마 처리를 60초 행한 후에 상기 SiO2막을 형성하였다. 이때의 N2O 가스에 의한 플라즈마 조건은, 파워 100W, 가스압 133Pa, 처리 온도 200℃, 처리 시간: 1분으로 하였다. SiO2막의 형성에는 SiH4 및 N2O의 혼합 가스를 사용하였다. 또한 성막 파워를 100W, 성막 온도를 200℃로 하였다. 상기 SiH4와 N2O의 가스 비율은, SiH4:N2O＝40:100(수소량 4.3at％), 20:100 또는 10:100으로 하였다(40:100을 표준). 그 후, 제2 보호막으로서, SiN막(막 두께 150㎚)을 형성하였다. 당해 SiN막의 형성은, 사무코제 「PD-220NL」을 사용하고, 플라즈마 CVD법을 이용하여 행하였다. SiN막의 형성에는 SiH4, N2 및 NH3의 혼합 가스를 사용하였다. 또한, 성막 파워를 100W, 성막 온도를 150℃로 하였다.다음으로, 포토리소그래피 및 건식 에칭에 의해, 보호막에 트랜지스터 특성 평가용 프로빙을 위한 콘택트 홀(7)을 형성하여 TFT를 얻었다.이와 같이 하여 얻어진 TFT를 사용하여, 이하와 같이 정특성[전계 효과 이동도(이동도), S값] 및 스트레스 내성을 평가하였다.[정특성(이동도, S값)의 평가]상기 TFT를 사용하여 Id-Vg 특성을 측정하였다. Id-Vg 특성은, 게이트 전압, 소스－드레인 전극의 전압을 이하와 같이 설정하고, 프로버 및 반도체 파라미터 애널라이저(Keithley 4200SCS)를 사용하여 측정을 행하였다.게이트 전압: -30∼30V(스텝 0.25V)소스 전압: 0V드레인 전압: 10V측정 온도: 실온측정한 Id-Vg 특성으로부터, 상기 실시예 1과 마찬가지로 하여 전계 효과 이동도(이동도) μFE 및 S값을 산출하였다.본 실시예에서는, 하기 기준에 기초하여, 이동도 및 S값을 평가하였다. 본 실시예에서는 ○을 합격으로 하였다.(이동도에 대해)○(높음): 이동도가 40㎠/Vs 이상△(약간 낮음): 이동도가 20㎠/Vs 초과 40㎠/Vs 이하×(낮음): 이동도가 20㎠/Vs 미만(S값에 대해)○: S값이 0.5V/dec 이하△: S값이 0.5V/dec 초과 1.0V/dec 이하×: S값이 1.0V/dec 초[스트레스 내성의 평가]다음으로, 상기 TFT를 사용하여, 이하와 같이 하여 스트레스 내성의 평가를 행하였다. 스트레스 내성은, 게이트 전극에 부 바이어스를 가하면서 광을 조사하는 스트레스 인가 시험을 행하여 평가하였다. 스트레스 인가 조건은 이하와 같다.·게이트 전압: -20V·소스/드레인 전압: 10V·기판 온도: 60℃·광 스트레스 조건 스트레스 인가 시간: 2시간 광강도: 25000NIT 광원: 백색 LED스트레스 인가 전후의 역치 전압(Vth)의 차 ΔVth(V)를 측정하였다. 이와 같이 하여 산출된 ΔVth에 대해, 하기 판정 기준으로 평가하였다. 본 실시예에서는 ○인 경우를 스트레스 내성이 우수하다고 평가하였다.(판정 기준)○: ΔVth(절대값)가 4.5V 이하△: ΔVth(절대값)가 4.5V 초과 6.0 이하×: ΔVth(절대값)가 6.0V 초과이들의 결과를 표 8에 나타낸다. 표 8 중, SD 전극은 소스－드레인 전극을 의미한다.표 8의 No.1∼4는, 본 발명에서 규정하는 제1 및 제2 산화물 반도체층을 사용한 예이며, 레지스트 박리액의 종류에 관계없이, 정적 특성(이동도 및 S값) 및 스트레스 내성 모두 우수하였다.한편, 제1 산화물 반도체층으로서 표 6의 B를 사용한 표 8의 No.3(레지스트 박리액 A를 사용)과 No.4(레지스트 박리액 B를 사용)를 대비하면, 레지스트 박리액의 종류에 관계없이 에칭 레이트(E/R) 비는 0과 동일(상기 표 7의 No.3, 4를 참조)하므로, 이들의 이동도 및 S값은 모두 동등하였다.이에 반해, 제1 산화물 반도체층으로서 표 6의 C(IGZO)를 사용한 경우, 습식 에칭액에 의한 막 감소가 발생하였으므로(본 실시예에서는 나타내지 않음), 표 8의 No.5(레지스트 박리액 A를 사용) 및 No.6(레지스트 박리액 B를 사용)은 모두 스트레스 내성이 크게 저하되고, S값이 크게 증가함과 함께, 이동도도 약간 저하되었다. 또한, No.6에서는, 상기 표 7의 No.6에 나타내는 바와 같이, 레지스트 박리액 B의 사용에 의한 막 감소의 증가도 보였으므로(에칭 레이트(E/R) 비＝1.0), 이동도, S값, ΔVth의 어느 특성도, No.5에 비해 저하되었다.또한, 본 실시예에서는 소스－드레인 전극으로서 Mo의 단층막을 사용하였을 때의 결과를 나타냈지만, 소스－드레인 전극의 종류는 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 Mo와 Al의 2층 구조로 이루어지는 적층 구조, Mo와 Al과 Mo의 3층 구조로 이루어지는 전극을 사용해도 마찬가지의 결과가 얻어지는 것을 확인하고 있다.실시예 4(BCE형 TFT)본 실시예에서는, 건식 에칭법을 이용하여 소스－드레인 전극을 에칭한 것 이외에는 상기 실시예 3과 마찬가지로 하여 BCE형 TFT를 제작하여, 각 특성을 평가하였다.이하에서는, 상기 실시예 3과 상이한, 건식 에칭 공정만 설명한다. 본 실시예에서는, 소스－드레인 전극(S/D 전극)을 형성하기 위해, 순 Ti막을 형성하였다. 전술한 게이트 전극과 마찬가지로 DC 스퍼터링법에 의해 성막(막 두께는 100㎚)한 후, 포토리소그래피 및 건식 에칭에 의해 패터닝을 행하였다.건식 에칭에는, 일본 특허 공개 제2004-55842호 공보에 기재된 ICP(유도 결합 플라즈마)식 건식 에칭 장치를 사용하였다. 상기 공보에 기재된 플라즈마 발생 장치는, 유도창이 평판 타입인 소위 TCP(Transfer-Coupled Plosma) 타입의 플라즈마 처리 장치(에쳐)이다. 평판의 석영 유도창 위에 1턴의 13.56㎒의 RF 안테나가 정합기를 통해 설치되고, 석영 유도창 바로 아래에 유도 결합에 의해 고밀도 플라즈마가 생성된다. 기판을 적재하는 기판 서셉터에는 400㎑의 기판 바이어스용 저주파를 인가한 것을 사용하였다. 이 장치를 사용하여 에칭을 행하였다. 에칭 조건은, 가스 유량: Ar/Cl2＝300/200sccm, 가스압: 1.9Pa, 안테나에 인가한 전력(소스 RF): 500W, 기판 바이어스: 60W, 기판 온도(서셉터 온도): 20℃로 하였다. 패터닝에 의해 TFT의 채널 길이를 10㎛, 채널 폭을 200㎛로 하였다. 소스－드레인 전극의 단락을 방지하여 패터닝을 확실하게 행하기 위해, 소스－드레인 전극의 막 두께에 대해 50％ 상당의 시간만큼, 상기 건식 에칭 시간을 다시 조정(오버에치)하였다. 건식 에칭 후에는, 레지스트나 S/D 배선 패턴에 부착된 반응 생성물과 공기 중의 수분이 반응하여, 염산(HCl)을 발생함으로써, Al 등이 부식되는 애프터 부식을 방지하기 위해, 챔버로부터 대기 개방하지 않고 진공 일관에 있어서, 산소 플라즈마에 의한 회화 처리(애시)에 의한 레지스트 표면의 경화층 제거를 행하였다. 그 후, 레지스트 박리액 A 및 레지스트 박리액 B를 사용하여, 레지스트를 제거하였다.그 후, 상기 실시예 3과 마찬가지로 하여 보호막, 콘택트 홀(7)을 형성하여 TFT를 얻었다. 그리고 상기 실시예 3과 마찬가지로 하여 각종 특성을 평가하였다.이들의 결과를 표 9에 나타낸다.표 9의 No.1∼4는, 본 발명에서 규정하는 제1 및 제2 산화물 반도체층을 사용한 예이며, 레지스트 박리액의 종류에 관계없이, 정적 특성(이동도 및 S값) 및 스트레스 내성 모두 우수하였다.한편, 제1 산화물 반도체층으로서 표 6의 B를 사용한 표 9의 No.3(레지스트 박리액 A를 사용)과 No.4(레지스트 박리액 B를 사용)를 대비하면, 상기 표 7에 나타내는 바와 같이, 레지스트 박리액의 종류에 관계없이 에칭 레이트(E/R) 비는 동일하므로, 이들의 이동도 및 S값은 모두 동등하였다.이에 반해, 제1 산화물 반도체층으로서 표 6의 C(IGZO)를 사용한 경우, 습식 에칭액에 의한 막 감소가 발생하였으므로, 표 9의 No.5(레지스트 박리액 A를 사용) 및 No.6(레지스트 박리액 B를 사용)에서는, 스트레스 내성이 크게 저하되었다. 또한, 이동도 및 S값의 정적 특성에 대해서는, 본 실시예에서는 건식 에칭에 의한 막 감소는 경미하였으므로(본 실시예에서는 나타내지 않음) 정적 특성의 저하 폭은 적고, No.5에서는, S값 및 이동도는 양호하였다. 단, No.6에서는, 레지스트 박리액 B의 사용에 의해 막 감소의 증가가 보였으므로, 이동도가 크게 저하되고, 또한 S값도 크게 증가하였다.또한, 본 실시예에서는 소스－드레인 전극으로서 Ti의 단층막을 사용하였을 때의 결과를 나타냈지만, 소스－드레인 전극의 종류는 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 Ti와 Al의 2층 구조로 이루어지는 적층 구조, Ti와 Al과 Ti의 3층 구조로 이루어지는 전극을 사용해도 마찬가지의 결과가 얻어지는 것을 확인하고 있다. [ 부호의 설명 ] 1 : 기판2 : 게이트 전극 3 : 게이트 절연막4 : 제2 산화물 반도체층4A : 제1 산화물 반도체층5 : 소스－드레인 전극6 : 보호막(절연막)7 : 콘택트 홀8 : 에치 스토퍼층	극히 높은 이동도를 갖고, 또한 스트레스 내성도 우수한 동시에, 습식 에칭 특성 등도 양호한 박막 트랜지스터를 제공한다. 본 발명의 박막 트랜지스터는, 기판 상에 게이트 전극, 게이트 절연막, 산화물 반도체층, 소스－드레인 전극 및 소스－드레인 전극을 보호하는 보호막을 이 순서로 갖고 있고, 산화물 반도체층은, In, Ga, Zn, Sn 및 O의 제1 산화물 반도체층과, In, Ga, Sn 및 O의 제2 산화물 반도체층의 적층 구조를 갖고, 제2 산화물 반도체층은 게이트 절연막 상에 형성되고, 제1 산화물 반도체층은, 제2 산화물 반도체층과 보호막 사이에 형성되어 있고, 또한 제1 산화물 반도체층 및 제2 산화물 반도체층을 구성하는 각 금속 원소의 함유량의, 전체 금속 원소의 함유량에 대한 원자비는 모두 소정의 비율로 제어되어 있다.
[ 발명의 명칭 ] 주행차량TRAVELING VEHICLE [ 기술분야 ] 본 발명은 포장에 식립한 곡간(穀稈)을 예취하여 곡립(穀粒)을 수집하는 콤바인, 또는 사료용 곡간을 예취하여 사료로서 수집하는 사료 콤바인, 또는 부정지를 주행하는 운반차 등의 주행차량에 관한 것이고, 보다 상세하게는 좌우 한쌍의 주행 크롤러 등의 주행부를 구비한 주행차량에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 종래, 콤바인 등의 주행차량은 엔진을 탑재한 주행기체를 구비하고, 주행기체에 좌우 한쌍의 주행 크롤러를 장착하고, 좌우 한쌍의 주행 크롤러를 구동 제어해서 포장(圃場) 등을 이동하도록 구성하고 있다. 또한, 콤바인은 포장에 식립한 미예취 곡간의 밑둥을 예취날 장치에 의해 절단하고, 곡간 반송수단으로서의 곡간 반송장치에 의해 탈곡장치에 그 곡간을 반송하고, 탈곡장치에 의해 그 곡간을 탈곡하여 곡립을 수집하도록 구성되어 있다(예를 들면 특허문헌 1 참조). 또한, 종래 주행기체의 좌우방향의 경사자세를 수정하는 롤링 액츄에이터와 주행기체의 전후방향의 경사자세를 수정하는 피칭 액츄에이터를 구비하고, 주행 크롤러를 장착하는 트랙 프레임을 구비하고, 평행 링크 형상의 전방측 암 및 후방측 암을 통해서 주행기체에 트랙 프레임을 연결시키며, 전후의 좌우 경동 암을 통하여 전방측 암 및 후방측 암에 연결 로드를 통해서 롤링 액츄에이터를 연결시키고, 롤링 액츄에이터의 작동에 의해 주행기체의 좌우방향의 경사자세를 변경시키도록 구성하고 있었다(예를 들면 특허문헌 1, 특허문헌 2 참조). [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 실용신안 공개 평 6-28387호 공보일본 특허 공개 2000-106740호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 상기 종래 기술(특허문헌 1)은, 전후의 좌우 경동 암의 연결 도중에 피칭 액츄에이터를 설치하고, 피칭 액츄에이터의 작동에 의해 주행기체의 전후방향의 경사자세를 변경시키도록 구성하고 있었기 때문에, 피칭 액츄에이터의 작동 스트로크에 비하여 전후의 좌우 경동 암의 연결 길이가 상당히 길어져 피칭 액츄에이터에 신축방향 이외의 비틀림력이 작용하기 쉬운 등의 내구성 문제가 있다. 또한, 종래 기술(특허문헌 1)에서는 롤링 액츄에이터보다 하방의 주행기체의 하면측에 피칭 액츄에이터가 배치되어 있었기 때문에, 좌우의 주행 크롤러 사이에 피칭 액츄에이터 또는 유압 배관 등이 지지되도록 구성되어 좌우 주행 크롤러 사이의 주행기체의 하면측 공간이 좁아져 습전 작업 등에 있어서 진흙 등이 고이기 쉬운 등의 취급상의 문제가 있다. 피칭 액츄에이터에 의해 후방측 암과 후방의 좌우 경동 암을 상하동시켜서 주행기체의 전후방향의 경사자세를 변경시키도록 구성하고 있었기 때문에, 주행기체의 상면측에 피칭 액츄에이터가 지지되게 되어 주행기체의 상면측 구조 또는 피칭 액츄에이터의 지지 위치가 서로 제한되는 등의 구조상의 문제가 있다.상기 종래 기술(특허문헌 1)은, 전후의 좌우 경동 암을 연결하는 전후 연결 롤링 프레임을 구비하고, 전후 연결 롤링 프레임의 전후방향의 연장 도중에 피칭 액츄에이터를 설치하고, 피칭 액츄에이터의 작동에 의해 주행기체의 전후방향의 경사자세를 변경시키도록 구성하고 있었기 때문에, 피칭 액츄에이터의 작동 스트로크에 비하여 전후의 좌우 경동 암의 연결 길이가 상당히 길어져 주행기체의 전후방향의 경사자세를 변경시킬 때에 전후 연결 롤링 프레임에 신축방향 이외의 비틀림력(압축력)이 작용해서 전후 연결 롤링 프레임이나 그 연결부를 손상시키기 쉬운 등의 구조상의 문제가 있다. 또한, 종래 기술(특허문헌 2)에서는 피칭 액츄에이터에 의해 트랙 프레임의 후방부를 상하동시켜서 주행기체의 전후방향의 경사자세를 변경시킬 때에 롤링 액츄에이터도 작동시키도록 구성하고 있었기 때문에, 주행기체의 전후방향의 경사자세를 변경시키는 조작이 번거로운 등의 취급상의 문제가 있다.본 발명의 목적은 피칭 액츄에이터의 내구성을 향상시킬 수 있고, 피칭 액츄에이터를 컴팩트하게 배치할 수 있으며, 주행기체 등을 간단하게 구성할 수 있게 한 주행차량을 제공하는 것이다. 또한, 주행기체와 트랙 프레임의 지지구조의 내구성을 향상시킬 수 있는 것이면서 피칭 액츄에이터의 제어에 의해 주행기체의 전후방향의 경사자세를 간단하게 변경할 수 있게 한 주행차량을 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 목적을 달성하기 위하여 제 1 발명의 콤바인은, 주행기체의 좌우방향의 경사자세를 수정하는 롤링 액츄에이터와, 주행기체의 전후방향의 경사자세를 수정하는 피칭 액츄에이터를 구비한 콤바인으로서, 상기 주행기체가 최하강 위치에 지지되어 있을 때에 상기 롤링 액츄에이터를 차고 상승 동작시켜서 상기 주행기체를 소정 높이 위치에 지지한 상태에서 상기 피칭 액츄에이터를 전경 동작 또는 후경 동작시키도록 구성한 것을 특징으로 한다.제 2 발명은 상기 제 1 발명의 콤바인에 있어서, 상기 피칭 액츄에이터에 의한 상기 주행기체의 최대 후경 각도에 대하여 상기 피칭 액츄에이터에 의한 상기 주행기체의 최대 전경 각도를 크게 설정한 것을 특징으로 한다. [ 발명의 효과 ] 제 1 발명에 의하면, 종래 구조에 비해 주행기체와 주행 크롤러(트랙 프레임 등)의 연결 구조를 간단하게 구성할 수 있다. 또한, 주행 크롤러(트랙 프레임에 장착한 주행 크롤러 등)의 주행기체가 간섭하는 것을 간단하게 방지할 수 있다. 예를 들면, 롤링 액츄에이터의 차고 조절 범위의 하한을 설정하는 최하강 스토퍼 등에 규제되는 일 없이 주행기체를 전방 경동시킬 수 있다. 또한, 피칭 액츄에이터를 후경 작동시킬 때에 주행기체에 주행 크롤러 등이 간섭하는 것을 방지할 수 있고, 주행기체를 후경 자세로 원활하게 작동할 수 있다.제 2 발명에 의하면, 예를 들어, 주행부가 크게 침하하기 쉬운 초습전에서 주행기체의 차고를 높게 해서 수확 작업을 했을 때에, 주행기체의 차고를 낮춰서 주행 저항을 증대시키거나, 또는 예취 장치를 하강시켜서 그 하부(예취날 장치 등)를 땅 속에 돌입시키거나 하지 않고 주행기체를 전경시켜서 미예취 곡간의 밑둥을 소정 높이로 원활하게 예취할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명의 제 1 실시형태의 6조 예취용 콤바인의 측면도이다.도 2는 동 평면도이다.도 3은 예취장치의 측면 설명도이다.도 4는 예취장치의 평면 설명도이다.도 5는 도 1의 콤바인의 구동 계통도이다.도 6은 미션 케이스 등의 구동 계통도이다.도 7은 카운터 케이스 등의 구동 계통도이다.도 8은 도 1의 콤바인의 유압 회로도이다.도 9는 주행기체 및 주행 크롤러부의 측면도이다.도 10은 동 평면도이다.도 11은 주행기체를 위로 이동시킨 측면 설명도이다.도 12는 주행기체를 위로 이동시켜서 전경시킨 앞이 내려가는 측면 설명도이다.도 13은 주행기체를 전경시킨 앞이 내려가는 측면 설명도이다.도 14는 주행기체를 위로 이동시켜서 후경시킨 뒤가 내려가는 측면 설명도이다.도 15는 주행기체를 후경시킨 뒤가 내려가는 측면 설명도이다.도 16은 주행 크롤러부의 배면으로 볼 때의 사시도이다.도 17은 주행기체의 대지 높이와 주행기체의 전후 경사각도의 관계를 나타내는 선도이다.도 18은 자세 제어 수단의 제어회로의 기능 블럭도이다.도 19는 자세 제어의 플로우챠트이다. 도 20은 곡간 예취 높이 제어의 플로우챠트이다.도 21은 좌우방향 및 전후방향의 경사 제어의 플로우챠트이다.도 22는 주행기체와 트랙 프레임과 미션 케이스를 나타내는 측면 설명도이다.도 23은 차고 조절 유압실린더와 전후 경사용 유압실린더와 롤링 링크기구와 피칭 링크기구를 나타내는 측면 설명도이다.도 24는 도 23의 상면으로 볼 때의 사시도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하에, 본 발명을 구체화한 실시형태를 도면에 의거하여 설명한다. 도 1은 콤바인의 좌측면도, 도 2는 콤바인의 평면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하여 콤바인의 전체 구조에 대하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에서는 주행기체(1)의 전진방향을 향해서 좌측을 단지 좌측이라고 칭하고, 마찬가지로 전진방향을 향해서 우측을 단지 우측이라고 칭한다. 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 주행부로서의 좌우 한쌍의 주행 크롤러(2)로 지지된 주행기체(1)를 구비한다. 주행기체(1)의 전방부에는 곡간을 예취하면서 끌어넣는 6조 예취용의 예취장치(3)가 단동식의 승강용 유압실린더(4)에 의해 예취 회동 지점축(4a) 둘레로 승강 조절 가능하게 장착된다. 주행기체(1)에는 피드체인(6)을 갖는 탈곡장치(5)와, 상기 탈곡장치(5)로부터 인출된 곡립을 저장하는 곡립 탱크(7)가 횡배열 형상으로 탑재된다. 또한, 탈곡장치(5)가 주행기체(1)의 전진방향 좌측에, 곡립 탱크(7)가 주행기체(1)의 전진방향 우측에 배치된다. 주행기체(1)의 후방부에 선회 가능한 배출 오거(8)가 설치되고, 곡립 탱크(7) 내부의 곡립이 배출 오거(8)의 벼 투입구(9)로부터 트랙의 짐받이 또는 컨테이너 등에 배출되도록 구성되어 있다. 예취장치(3)의 우측방이며 곡립 탱크(7)의 전방 측방에는 운전 캐빈(10)이 설치되어 있다.운전 캐빈(10) 내에는 조종 핸들(11)과, 운전 좌석(12)과, 주변속 레버(43)와, 부변속 스위치(44)와, 탈곡 클러치 및 예취 클러치를 접속/차단하는 작업 클러치 레버(45)를 배치하고 있다. 또한, 운전 캐빈(10)에는 오퍼레이터가 탑승하는 계단(도시생략)과, 조종 핸들(11)을 설치한 핸들 칼럼(46)과, 상기 각 레버(43, 45) 및 스위치(44) 등을 설치한 레버 칼럼(47)이 배치되어 있다. 운전 좌석(12) 하방의 주행기체(1)에는 동력원으로서의 엔진(14)이 배치되어 있다.도 1에 나타내는 바와 같이, 주행기체(1)의 하면측에 좌우의 트랙 프레임(21)을 배치하고 있다. 트랙 프레임(21)에는 주행 크롤러(2)에 엔진(14)의 동력을 전달하는 구동 스프로킷(22)과, 주행 크롤러(2)의 텐션을 유지하는 텐션 롤러(23)와, 주행 크롤러(2)의 접지측을 접지 상태로 유지하는 복수의 트랙 롤러(24)와, 주행 크롤러(2)의 비접지측을 유지하는 중간 롤러(25)를 설치하고 있다. 구동 스프로킷(22)에 의해 주행 크롤러(2) 전방측을 지지하고, 텐션 롤러(23)에 의해 주행 크롤러(2)의 후방측을 지지하고, 트랙 롤러(24)에 의해 주행 크롤러(2)의 접지측을 지지하고, 중간 롤러(25)에 의해 주행 크롤러(2)의 비접지측을 지지한다.도 1, 도 2에 나타내는 바와 같이, 예취장치(3)의 예취 회동 지점축(4a)에 연결한 예취 프레임(221)의 하방에는 포장에 식립된 미예취 곡간의 밑둥을 절단하는 바리캉식의 예취날 장치(222)가 설치되어 있다. 예취 프레임(221)의 전방에는 포장에 식립된 미예취 곡간을 일으켜 세우는 6조분의 곡간 일으킴 장치(223)가 배치되어 있다. 곡간 일으킴 장치(223)와 피드체인(6)의 전단부(이송 시단측) 사이에는 예취날 장치(222)에 의해 예취된 예취 곡간을 반송하는 곡간 반송장치(224)가 배치된다. 또한, 곡간 일으킴 장치(223)의 하부 전방에는 포장에 식립된 미예취 곡간을 분초(分草)하는 6조분의 분초체(225)가 돌출되어 있다. 엔진(14)으로 주행 크롤러(2)를 구동해서 포장 내를 이동하면서 예취장치(3)에 의해 포장에 식립된 미예취 곡간을 연속적으로 예취한다. 이어서, 도 3 및 도 4를 참조해서 예취장치(3)의 구조를 설명한다. 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 예취 프레임(221)은 주행기체(1)의 전단측의 베어링 대(bearing stand; 15)에 회동 가능하게 지지한 예취 입력 케이스(16)와, 예취 입력 케이스(16)로부터 전방을 향해서 연장되는 종전동케이스(18)와, 종전동케이스(18)의 전단측에서 좌우방향을 향해서 연장되는 횡전동케이스(19)와, 횡전동케이스(19)에 연결되는 6조분의 분초 프레임(20)에 의하여 형성되어 있다. 분초 프레임(20)의 전단측에 6조분의 분초체(225)가 배치되어 있다. 기체 좌우방향에 수평으로 횡가설된 예취 입력 케이스(16) 내에는 엔진(14)으로부터의 동력이 전달되는 예취 입력축(17)이 장착되어 있다.곡간 일으킴 장치(223)는 분초판(225)에 의해 분초된 미예취 곡간을 기립시키는 복수의 일으킴 타인(128)을 갖는 6조분의 일으킴 케이스(129)를 갖는다. 곡간 반송장치(224)는 우측 2조분의 일으킴 케이스(129)로부터 도입되는 우측 2조분의 곡간 밑둥측을 긁어넣는 좌우의 우측 스타휠(130R) 및 좌우의 우측 레이킹 벨트(raking belt)(131R)와, 좌측 2개의 일으킴 케이스(129)로부터 도입되는 좌측 2조분의 곡간의 밑둥측을 긁어넣는 좌우의 좌측 스타휠(130L) 및 좌우의 좌측 레이킹 벨트(131L)와, 중앙 2개의 일으킴 케이스(129)로부터 도입되는 중앙 2조분의 곡간의 밑둥측을 긁어넣는 좌우의 중앙 스타휠(130C) 및 좌우의 중앙 레이킹 벨트(131C)를 갖는다.예취날 장치(222)는 우측 스타휠(130R) 및 좌우의 우측 레이킹 벨트(131R), 좌측 스타휠(130L) 및 좌우의 좌측 레이킹 벨트(131L), 중앙 스타휠(130C) 및 좌우의 중앙 레이킹 벨트(131C)에 의해 긁어넣어진 6조분의 곡간 밑둥을 절단하는 바리캉형의 좌우의 예취날(132)을 갖는다.또한, 곡간 반송장치(224)는 우측 2조분의 스타휠(130R) 및 레이킹 벨트(131R)에 의해 긁어넣어진 우측 2조분의 예취곡간의 밑둥측을 후방으로 반송하는 우측 밑둥 반송체인(133R)과, 좌측 2조분의 스타휠(130L) 및 레이킹 벨트(131L)에 의해 긁어넣어진 좌측 2조분의 예취곡간의 밑둥측을 우측 밑둥 반송체인(133R)의 반송 종단부에 합류시키는 좌측 밑둥 반송체인(133L)과, 중앙 2조분의 중앙 스타휠(130C) 및 레이킹 벨트(131C)에 의해 긁어넣어진 중앙 2조분의 예취곡간의 밑둥측을 후방으로 반송해서 우측 밑둥 반송체인(133R)의 반송 도중에 합류시키는 중앙 밑둥 반송체인(133C)을 갖는다. 좌우 및 중앙의 밑둥 반송체인(133R, 133L, 133C)에 의해 우측 밑둥 반송체인(133R)의 반송 종단부에 6조분의 예취곡간의 밑둥측을 합류시킨다.곡간 반송장치(224)는 우측 밑둥 반송체인(133R)으로부터 6조분의 예취곡간의 밑둥측을 이어받는 곡간 반송수단으로서의 종반송체인(134)과, 종반송체인(134)의 반송 종단부로부터 피드체인(6)의 반송 시단부에 6조분의 예취곡간의 밑둥측을 반송하는 보조 반송수단으로서의 보조 밑둥 반송체인(135, 136)을 갖는다. 종반송체인(134)으로부터 보조 밑둥 반송체인(135, 136)을 통해서 피드체인(6)의 반송 시단부에 6조분의 예취곡간의 밑둥측을 반송한다.곡간 반송장치(224)는 우측 밑둥 반송체인(133R)으로 반송되는 우측 2조분의 예취곡간의 이삭끝측을 반송하는 우측 이삭끝 반송타인(137R)과, 좌측 밑둥 반송체인(133L)으로 반송되는 좌측 2조분의 예취곡간의 이삭끝측을 반송하는 좌측 이삭끝 반송타인(137L)과, 중앙 밑둥 반송체인(133C)으로 반송되는 중앙 2조분의 예취곡간의 이삭끝측을 반송하는 중앙 이삭끝 반송타인(137C)과, 종반송체인(134)으로 반송되는 6조분의 예취곡간의 이삭끝측을 반송하는 후방 이삭끝 반송타인(138)을 갖는다. 탈곡장치(5)의 급동(扱胴)(226) 설치실 내에 예취장치(3)에 의해 예취된 6조분의 예취곡간의 이삭끝측을 반송한다.이어서, 도 5를 참조해서 콤바인의 구동 구조를 설명한다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 예취 입력축(17)에 종전동축(140) 및 횡전동축(141) 및 좌측 반송 구동축(142)을 통해서 일으킴 횡전동축(143)을 연결한다. 일으킴 횡전동축(143)은 6조분의 각 일으킴 케이스(29)의 일으킴 타인 구동축(144)에 각각 연결되어 있다. 분초체(225)의 후방에서 분초 프레임(20)의 상방으로 일으킴 케이스(129)가 세워서 설치되고, 일으킴 케이스(129)의 상단측의 배면으로부터 일으킴 타인 구동축(144)을 돌출시키고 있다. 일으킴 타인 구동축(144) 및 일으킴 횡전동축(143)을 통해서 복수의 일으킴 타인(128)을 설치한 일으킴 타인 체인(128a)이 구동된다.도 5에 나타내는 바와 같이, 횡전동축(141)에 좌우의 크랭크축(145)을 통해서 좌우의 예취날(132)을 연결한다. 횡전동축(141)을 통해서 좌우의 예취날(132)을 동기시켜서 구동하도록 구성하고 있다. 또한, 예취날 장치(222)는 6조분의 예취폭의 중앙부에서 분할해서 좌우의 예취날(132)을 형성하고, 좌우의 예취날(132)을 상반되는 방향으로 왕복 이동시키고, 왕복 이동에 의해 발생하는 좌우의 예취날(132)의 진동(관성력)을 상쇄 가능하게 구성하고 있다.도 5에 나타내는 바와 같이, 예취 입력축(17)에 종전동케이스(18) 내의 종전동축(140)의 일단측을 연결한다. 종전동축(140)의 타단측에 횡전동케이스(19) 내의 횡전동축(141)을 연결한다. 종전동축(140) 및 횡전동축(141)으로부터 곡간 반송장치(224)의 각 구동부에 예취 입력축(17)의 회전력을 전달한다. 즉, 종전동축(140)에는 우측 반송 구동축(146)을 연결하고 있다. 종전동축(140) 및 우측 반송 구동축(146)을 통해서 우측 밑둥 반송체인(133R) 및 우측 이삭끝 반송타인(137R)과, 우측 스타휠(130R) 및 우측 레이킹 벨트(131R)를 구동하도록 구성하고 있다. 또한, 종전동축(140) 및 후방 반송 구동축(147)을 통하여 보조 밑둥 반송체인(135, 136) 및 후방 이삭끝 반송타인(138)을 구동하도록 구성하고 있다.또한, 횡전동축(141)의 좌단측에 좌측 반송 구동축(142)을 연결하고 있다. 좌측 반송 구동축(142)을 통해서 좌측 밑둥 반송체인(133L) 및 좌측 이삭끝 반송타인(137L)과, 좌측 스타휠(130L) 및 좌측 레이킹 벨트(131L)를 구동하도록 구성되어 있다. 또한, 횡전동축(141)에 중앙 반송 구동축(148)을 연결하고, 중앙 반송 구동축(148)을 통해서 중앙 밑둥 반송체인(133C) 및 중앙 이삭끝 반송타인(137C)과, 중앙 스타휠(130C) 및 중앙 레이킹 벨트(131C)를 구동하도록 구성되어 있다.이어서, 도 1 및 도 2를 참조하여 탈곡장치(5)의 구조를 설명한다. 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 탈곡장치(5)에는 곡간 탈곡용의 급동(226)과, 급동(226)의 하방으로 낙하하는 탈립물을 선별하는 요동 선별반(227) 및 풍구 팬(228)과, 급동(226)의 후방부으로부터 인출되는 탈곡 배출물을 재처리하는 처리동(229)과, 요동 선별반(227)의 후방부의 배진을 배출하는 배진 팬(230)을 구비하고 있다. 또한, 급동(226)의 회전축심선은 피드체인(6)에 의한 곡간의 반송방향[환언하면 주행기체(1)의 진행방향]을 따라 연장되어 있다. 예취장치(3)로부터 곡간 반송장치(224)에 의해 반송된 곡간의 밑둥측은 피드체인(6)에 이어받아져서 협지 반송된다. 그리고, 이 곡간의 이삭끝측이 탈곡장치(5)의 급실 내에 반입되어서 급동(226)에서 탈곡된다.도 1에 나타내는 바와 같이, 요동 선별반(227)의 하방측에는 요동 선별반(227)에서 선별된 곡립(1번물)을 인출하는 1번 컨베이어(231)와, 지경부착립 등의 2번물을 인출하는 2번 컨베이어(232)가 설치되어 있다. 본 실시형태의 양 컨베이어(231, 232)는 주행기체(1)의 진행방향 전방측으로부터 1번 컨베이어(231), 2번 컨베이어(232)의 순서로 측면으로 볼 때에 있어서 주행 크롤러(2)의 후방부 상방의 주행기체(1)의 상면측에 횡으로 설치되어 있다.도 1에 나타내는 바와 같이, 요동 선별반(227)은 급동(226)의 하방에 펼쳐져 설치된 수용망(237)으로부터 누하된 탈곡물이 피드 팬(238) 및 채프 시브(239)에 의해 요동 선별(비중 선별)되도록 구성하고 있다. 요동 선별반(227)으로부터 낙하된 곡립은 그 곡립 중의 분진이 풍구 팬(228)으로부터의 선별풍에 의해 제거되어 1번 컨베이어(231)에 낙하하게 된다. 1번 컨베이어(231) 중 탈곡장치(5)에 있어서의 곡립 탱크(7) 근처의 일측벽(실시형태에서는 우측벽)으로부터 바깥 방향으로 돌출된 종단부에는 상하방향으로 연장되는 양곡(揚穀) 컨베이어(233)가 연통 접속되어 있다. 1번 컨베이어(231)로부터 인출된 곡립은 양곡 컨베이어(233)를 통해서 곡립 탱크(7)에 반입되어 곡립 탱크(7)에 수집된다.또한, 도 1에 나타내는 바와 같이, 요동 선별반(227)은 요동 선별(비중 선별)에 의해 채프 시브(239)로부터 지경부착립 등의 2번물을 2번 컨베이어(232)에 낙하시키도록 구성하고 있다. 채프 시브(239)의 하방으로 낙하하는 2번물을 바람으로 선별하는 선별 팬(241)을 구비한다. 채프 시브(239)로부터 낙하한 2번물은 그 곡립 중의 분진 및 짚부스러기가 선별 팬(241)으로부터의 선별풍에 의해 제거되어 2번 컨베이어(232)에 낙하된다. 2번 컨베이어(232) 중 탈곡장치(5)에 있어서의 곡립 탱크(7) 근처의 일측벽으로부터 바깥방향으로 돌출된 종단부는 환원 컨베이어(236)를 통해서 피드 팬(238)의 후방부[채프 시브(239)의 전방부]의 상면측에 연통 접속되고, 2번물을 요동 선별반(227)의 상면측으로 리턴시켜 재선별하도록 구성하고 있다.한편, 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이 피드체인(6)의 후단측(이송 종단측)에는 배고(排藁) 체인(234)과 배고 커터(235)가 배치되어 있다. 피드체인(6)의 후단측으로부터 배고 체인(234)에 이어받아진 배고(곡립이 탈립된 짚)는 긴 상태로 주행기체(1)의 후방으로 배출되거나, 또는 탈곡장치(5)의 후방부에 설치된 배고 커터(235)에 의해 적당한 길이로 짧게 절단된 뒤 주행기체(1)의 후방 하방으로 배출된다.이어서, 5를 참조하면서 예취장치(3), 탈곡장치(5), 피드체인(6), 배고 체인(234), 배고 커터(235) 등의 구동 구조에 대하여 설명한다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 엔진(14)의 좌측에 그 출력축(150)을 돌출시킨다. 엔진(14)의 출력축(150)에 주행 구동벨트(151)를 통해서 미션 케이스(50)의 주행 입력축(152)을 연결하고, 엔진(14)의 회전 구동력이 전방측의 출력축(150)으로부터 미션 케이스(50)에 전달되어서 변속된 후, 좌우의 차축(153)을 통해서 좌우의 주행 크롤러(2)에 전달되고, 좌우의 주행 크롤러(2)가 엔진(14)의 회전력에 의해 구동되도록 구성하고 있다.도 5에 나타내는 바와 같이, 엔진(14)을 냉각하기 위한 라디에이터용의 냉각 팬(154)이 엔진(14)의 우측으로 돌출된 출력축(150)에 설치되어 있다. 또한, 엔진(14) 우측의 출력축(150)에 배출 오거 구동축(157)을 연결하고, 엔진(14)의 회전 구동력에 의해 배출 오거 구동축(157)을 통해서 배출 오거(8)가 구동되어 곡립 탱크(7) 내의 곡립이 컨테이너 등에 배출되도록 구성하고 있다.또한, 도 5, 도 7에 나타내는 바와 같이, 탈곡장치(5)의 각 부에 엔진(14)의 회전 구동력을 전달하는 탈곡 선별작업 입력축(165)과, 급동(226) 및 처리동(230)에 탈곡 선별작업 입력축(165)의 회전 구동력을 전달하는 탈곡 구동축(160)을 구비한다. 엔진(14)의 좌측 출력축(150)에는 텐션 롤러형 탈곡 클러치(161) 및 탈곡 구동벨트(162)를 개재하여 탈곡 선별작업 입력축(165)을 연결한다. 탈곡 구동축(160) 상에 급동 저속기어(115) 및 급동 고속기어(115)를 배치한다. 탈곡 선별작업 입력축(165)의 회전력이 급동 저속기어(115) 또는 급동 고속기어(115)를 통해서 탈곡 구동축(160)에 전달된다.탈곡 구동축(160)에는 급동 구동벨트(117)를 통해서 급동(226)을 축지지한 급동축(163)과, 처리동(230)을 축지지한 처리동축(164)을 연결한다. 엔진(14)의 대략 일정 회전수의 회전력에 의해 급동(226) 및 처리동(230)이 소정 회전수(저속회전수 또는 고속 회전수)로 회전하도록 구성하고 있다. 또한, 엔진(14)의 대략 일정 회전수의 회전력에 의해 탈곡 선별작업 입력축(165)을 통해서 요동 선별반(227), 풍구 팬(228), 1번 컨베이어(231), 2번 컨베이어(232), 선별 팬(241), 배진 팬(230)이 대략 일정 회전수로 회전하도록 구성하고 있다.도 5, 도 6에 나타내는 바와 같이, 미션 케이스(50)에 1쌍의 직진용 제 1 유압펌프(55) 및 직진용 제 1 유압모터(56)를 갖는 직진(주행 주변속)용의 유압식 무단 변속기구(53)와, 1쌍의 선회용 제 2 유압펌프(57) 및 선회용 제 2 유압모터(58)를 갖는 선회용의 유압식 무단 변속기구(54)를 설치하고 있다. 제 1 유압펌프(55)와 제 2 유압펌프(57)에 미션 케이스(50)의 주행 입력축(152)을 각각 연결시켜서 구동하도록 구성하고 있다. 미션 케이스(50)에 PTO축(99)을 배치한다. PTO축(99)은 제 1 유압모터(56)에 의해 구동된다. 미션 케이스(50)로부터 이 좌측 외측에 PTO축(99)의 일단측을 돌출시키고 있다.도 5에 나타내는 바와 같이, 엔진(14)의 좌측방이고 탈곡장치(5)의 전방 측방의 주행기체(1) 상에 카운터기어 케이스(89)를 설치하고 있다. 카운터기어 케이스(89)에는 상술한 탈곡 구동축(160)과, 탈곡 구동축(160)에 연결되는 탈곡 선별작업 입력축(165)과, PTO축(99)에 연결되는 차속 동조축(100)과, 탈곡 선별작업 입력축(165) 또는 차속 동조축(100)에 연결되는 예취 전동축(101)과, 예취 입력축(17)에 연결되는 예취 구동축(102)과, 피드체인(6)을 구동하는 피드체인 구동축(103)을 배치하고 있다.도 7에 나타내는 바와 같이, 카운터기어 케이스(89) 내의 차속 동조축(100) 상에 차속 동조축(100)의 차속 동조 회전력을 전달하는 일방향 클러치(105)를 설치한다. 차속 동조축(100)에 예취 변속기구(108)와 일방향 클러치(105)를 통해서 예취 전동축(101)을 연결한다. 예취 변속기구(108)는 저속측 변속기어(106)와 고속측 변속기어(107)를 갖는다. 저속 및 중립(0회전) 및 고속의 각 예취 변속을 행하는 예취 변속 조작수단(도시생략)에 의해 저속측 변속기어(106) 또는 고속측 변속기어(107)를 예취 전동축(101)에 택일적으로 맞물리게 하고, 차속 동조축(100)으로부터 예취 변속기구(108)를 통해서 예취 전동축(101)에 예취 변속 출력을 전달하도록 구성하고 있다.도 7에 나타내는 바와 같이, 탈곡 선별작업 입력축(165)에 일정 회전기구(111)를 개재해서 예취 전동축(101)을 연결한다. 일정 회전기구(111)는 저속측 일정 회전기어(109)와 고속측 일정 회전기어(110)를 갖는다. 예취 전동축(101)에 토크 리미터(114)를 개재해서 예취 구동축(102)을 연결한다. 예취 작업의 유지에 필요한 일정 회전수의 회전출력이 저속측 일정 회전기어(109)를 통해서 탈곡 선별작업 입력축(165)으로부터 예취 전동축(101)에 전달된다. 따라서, 주행기체(1)의 이동 속도에 관계없이 저속측 일정 회전기어(109)로부터의 일정 회전수로 예취 입력축(17)을 작동시켜서 예취 작업을 유지할 수 있고, 포장의 개자리에서의 방향전환 작업성 등을 향상시킬 수 있다.또한, 차속 동조축(100) 및 고속측 변속기어(107)로부터의 차속 동조 출력의 최고속보다 빠른 일정 회전수의 회전출력이 고속측 일정 회전기어(110)를 통해서 탈곡 선별작업 입력축(165)으로부터 예취 전동축(101)에 전달된다. 따라서, 차속 동조 출력의 최고속보다 빠른 고속측 일정 회전기어(110)로부터의 일정 회전수로 예취 입력축(17)을 작동시킬 수 있고, 도복 곡간의 예취 작업성 등을 향상시킬 수 있다. 또한, 토크 리미터(114)에 의해 설정한 토크 이하의 회전력으로 예취 입력축(17)이 작동하여 예취날(132) 등이 손상되는 것을 방지하고 있다.카운터기어 케이스(89)에는 탈곡 선별작업 입력축(165)에 피드체인 구동축(103)을 연결하는 유성기어형 변속구조의 피드체인 동조기구(112)가 설치되어 있다. 탈곡 선별작업 입력축(165)의 회전출력이 피드체인 동조기구(112)에 의해 예취 전동축(101)의 회전수에 비례해서 변속되어서 피드체인 구동축(103)에 전달된다. 즉, 피드체인 동조기구(112)를 통해서 피드체인(6)을 작동시킴으로써 곡간의 반송에 필요한 최저 회전수[저속측 일정 회전기어(109)로부터의 일정 회전수]를 확보하면서 피드체인(6)의 곡간 반송속도를 차속과 동조시켜서 변경 가능하게 구성하고 있다.도 6에 나타내는 바와 같이, 엔진(14)의 출력축(150)으로부터 출력되는 구동력은 주행 구동벨트(151) 및 주행 입력축(152)을 통해서 제 1 유압펌프(55)의 펌프축(59) 및 제 2 유압펌프(57)의 펌프축(59)에 각각 전달된다. 직진용 유압식 무단 변속기구(53)에서는 펌프축(59)에 전달된 동력으로 제 1 유압펌프(55)로부터 제 1 유압모터(56)를 향해서 작동유가 적당하게 송입된다. 마찬가지로, 선회용 유압식 무단 변속기구(54)에서는 펌프축(59)에 전달된 동력으로 제 2 유압펌프(57)로부터 제 2 유압모터(58)를 향해서 작동유가 적당하게 송입된다. *또한, 펌프축(59)에는 유압펌프(55, 57) 및 유압모터(56, 58)에 작동유를 공급하기 위한 작업펌프(91)가 설치되어 있다. 작업펌프(91)는 펌프축(59)과 연동해서 구동하도록 구성되어 있다. 직진용 유압식 무단 변속기구(53)는 조종부(9)에 배치된 주변속 레버(43)나 조종 핸들(11)의 조작량에 따라 제 1 유압펌프(55)에 있어서의 회전 경사판의 경사각도를 변경 조절해서 제 1 유압모터(56)에의 작동유의 토출방향 및 토출량을 변경함으로써 제 1 유압모터(56)로부터 돌출된 직진용 모터축(60)의 회전방향 및 회전수를 임의로 조절하도록 구성되어 있다.직진용 모터축(60)의 회전동력은 직진 전달 기어 기구(62)로부터 부변속 기어 기구(51)에 전달된다. 부변속 기어 기구(51)는 부변속 시프터(64)에 의해 스위칭되는 부변속 저속기어(62) 및 부변속 고속기어(63)를 갖는다. 레버 칼럼(47)에 배치된 부변속 스위치(44)의 조작으로 직진용 모터축(60)의 출력 회전수를 저속 또는 고속이라는 2단계의 변속단으로 스위칭하도록 구성되어 있다. 또한, 부변속의 저속과 고속 사이에는 중립(부변속의 출력이 0이 되는 위치)을 갖고 있다. 부변속 기어 기구(51)의 출력측에 설치된 주차 브레이크축(65)에는 습식 다판 디스크식의 주차 브레이크(66)가 설치되어 있다.부변속 기어 기구(51)로부터의 회전동력은 주차 브레이크축(65)에 고착된 부변속 출력기어(67)로부터 차동기구(52)에 전달된다. 차동기구(52)는 좌우 대칭 형상으로 배치된 한쌍의 유성기어기구(68)와, 유성기어기구(68)와 주차 브레이크축(65) 사이에 위치한 중계축(69)을 구비하고 있다. 주차 브레이크축(65)의 부변속 출력기어(67)는 중계축(69)에 설치된 중간기어(70a)에 맞물린다.좌우 각 유성기어기구(68)는 1개의 태양기어(71)와, 태양기어(71)에 맞물리는 복수의 유성기어(72)와, 유성기어(72)에 맞물리는 링기어(73)와, 복수의 유성기어(72)를 동일 원주 상에 회전 가능하게 배치하는 캐리어(74)를 각각 구비하고 있다. 좌우의 유성기어기구(68)의 캐리어(74)는 동일 축선 상에 있어서 적당하게 간격을 두고 서로 대향시켜서 배치되어 있다. 좌우의 태양기어(71)가 설치된 태양기어축(75)에 센터 기어(76)를 고착하고 있다.좌우의 각 링기어(73)는 그 내주면의 내치를 복수의 유성기어(72)에 맞물리게 한 상태에서 태양기어축(75)에 동심상으로 배치되어 있다. 또한, 좌우의 각 링기어(73)는 그 외주면의 외치를 좌우 중간기어(70b)에 맞물리게 해서 중계축(69)에 연결시키고 있다. 각 링기어(73)는 캐리어(74)의 외측면에서 좌우 외향으로 돌출된 좌우의 차축(153)에 회전 가능하게 축지지되어 있다. 좌우의 차축(153)에는 좌우의 구동 스프로킷(22)이 설치되어 있다. 따라서, 부변속 기어 기구(51)로부터 좌우의 유성기어기구(68)에 전달된 회전동력은 각 캐리어(74)의 차축(153)으로부터 좌우의 구동 스프로킷(22)에 같은 방향의 동일 회전수로 전달되어 좌우의 주행 크롤러(2)를 구동시킨다.선회용 유압식 무단 변속기구(54)는 조종부(9)에 배치된 주변속 레버(43)나 조종 핸들(11)의 회동 조작량에 따라 제 2 유압펌프(57)에 있어서의 회전 사판의 경사각도를 변경 조절하고, 제 2 유압모터(58)로의 작동유의 토출방향 및 토출량을 변경함으로써 제 2 유압모터(58)로부터 돌출된 선회용 모터축(61)의 회전방향 및 회전수를 임의로 조절하도록 구성되어 있다.또한, 미션 케이스(50) 내에 선회용 모터축(61)(조향 브레이크축) 상에 설치하는 조향 브레이크(79)와, 조향 클러치(81)를 갖는 조향 클러치축(80)과, 좌측 센터 기어(76)에 연결하는 좌측 입력 기어 기구(82)와, 역전 기어(84)를 통해서 우측 센터 기어(76)에 맞물리는 우측 입력 기어 기구(83)를 구비하고 있다. 선회용 모터축(61)의 회전동력은 조향 클러치(81)를 통해서 조향 클러치축(80)에 전달된다. 조향 클러치축(80)에 전달된 회전동력은 이것에 대응하는 좌우의 입력 기어 기구(82, 83)에 전달된다.부변속 기어 기구(51)를 중립으로 한 경우에는 제 1 유압모터(56)로부터 좌우의 유성기어기구(68)로의 동력 전달이 저지된다. 부변속 기어 기구(51)로부터 중립 이외의 부변속 출력시에 부변속 저속기어(62) 또는 부변속 고속기어(63)를 통해서 제 1 유압모터(56)로부터 좌우의 유성기어기구(68)에 동력 전달된다. 한편, 조향 브레이크(79)를 접속 상태로 하고 또한 조향 클러치(81)를 차단 상태로 한 경우에는 제 2 유압모터(58)로부터 좌우의 유성기어기구(68)로의 동력전달이 저지된다. 조향 브레이크(79)를 차단 상태로 하고 또한 조향 클러치(81)를 접속 상태로 한 경우에는 제 2 유압모터(58)의 회전동력이 좌측 입력 기어 기구(82) 및 역전 기어(84)를 통해서 좌측 센터 기어(76)에 전달되는 한편, 우측 입력 기어 기구(83)를 통해서 우측 센터 기어(76)에 전달된다. 그 결과, 제 2 유압모터(58)의 정회전(역회전)시는 서로 역방향의 동일 회전수로 좌측 센터 기어(76)가 역전(정회전)하고, 우측 센터 기어(76)가 정전(역전)한다.이상의 구성에서 알 수 있는 바와 같이, 각 모터축(60, 61)으로부터의 변속 출력은 부변속 기어 기구(51) 및 차동기구(52)를 경유해서 좌우의 주행 크롤러(2)의 구동 스프로킷(22)(구동 스프로킷)에 각각 전달된다. 그 결과, 주행기체(1)의 차속(주행속도) 및 진행방향이 결정된다.즉, 제 2 유압모터(58)를 정지시켜서 좌우 태양기어(71)[센터 기어(76)]를 정지(靜止) 고정시킨 상태에서 제 1 유압모터(56)가 구동되면 직진용 모터축(60)으로부터의 회전출력은 좌우 링기어(73)에 좌우 동일 회전수로 전달되고, 유성기어(72) 및 캐리어(74)를 통해서 좌우의 주행 크롤러(2)가 같은 방향의 동일 회전수로 구동되어 주행기체(1)가 직진 주행한다.반대로, 제 1 유압모터(56)를 정지(停止)시켜서 좌우 링기어(73)를 정지(靜止) 고정시킨 상태에서 제 2 유압모터(58)를 구동시키면 선회용 모터축(61)으로부터의 회전동력에 의해 좌측의 태양기어(71)가 정회전 또는 역회전하고, 우측의 태양기어(71)는 역회전 또는 정회전한다. 그 결과, 좌우의 주행 크롤러(2)의 구동 스프로킷(22) 중 한쪽이 전진 회전하고, 다른쪽이 후퇴 회전하여 주행기체(1)는 그자리에서 신지 선회(스핀턴)한다.또한, 제 1 유압모터(56)에 의해 좌우 링기어(73)를 구동시키면서 제 2 유압모터(58)에 의해 좌우 태양기어(71)를 구동시키면 좌우의 주행 크롤러(2)의 속도에 차가 생기고, 주행기체(1)는 전진 또는 후퇴하면서 신지 선회 반경보다 큰 선회 반경으로 좌측 또는 우측으로 선회(유턴)한다. 이 때의 선회 반경은 좌우의 주행 크롤러(2)의 속도차에 따라 결정된다.이어서, 도 8을 참조하여 콤바인의 유압회로 구조에 대하여 설명한다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 유압회로(250)에는 상술한 제 1 유압펌프(55)와, 제 1 유압모터(56)와, 제 2 유압펌프(57)와, 제 2 유압모터(58)와, 챠치펌프(251)를 구비한다. 제 1 유압펌프(55)와 제 1 유압모터(56)가 폐루프 형상 직진유로(252)에 의해 접속된다. 제 2 유압펌프(57)와 제 2 유압모터(58)가 폐루프 형상 선회유로(253)에 의해 접속된다. 엔진(14)에 의해 제 1 유압펌프(55)와 제 2 유압펌프(57)가 구동되고, 제 1 유압펌프(55)의 사판각 제어 또는 제 2 유압펌프(57)의 사판각 제어에 의해 제 1 유압모터(56) 또는 제 2 유압모터(58)를 정전 또는 역전 작동시키도록 구성하고 있다.또한, 도 8에 나타내는 바와 같이, 상술한 승강용 유압실린더(4)와, 배출 오거(8)의 벼 투입구(9)측을 승강시키는 오거 승강 유압실린더(254)와, 주행기체(1)의 좌우 단부를 승강시켜서 주행기체(1)를 좌우로 경동시키는 좌우의 차고 조절 유압실린더(38)와, 상술한 작업펌프(91)와, 주행기체(1)의 전후부를 승강시켜서 주행기체(1)를 전후로 경동시키는 좌우의 전후 경사용 유압실린더(177)를 구비한다. 작업펌프(91)의 토출측에 분류(分流) 밸브(255)와 릴리프 밸브(256)를 접속한다. 분류 밸브(255)에 제 1 고압유로(257)와 제 2 고압유로(258)를 접속한다. 릴리프 밸브(256)에 저압의 탱크유로(259)를 접속한다.제 1 고압유로(257)에는 승강용 유압실린더(4)를 작동하는 예취 승강 전자밸브(260)와, 좌측의 차고 조절 유압실린더(38)를 작동하는 좌경 전자밸브(261)와, 우측의 차고 조절 유압실린더(38)를 작동하는 우경 전자밸브(262)와, 오거 승강 유압실린더(254)를 작동하는 곡립 배출 전자밸브(263)가 접속되어 있다. 또한, 예취 승강 전자밸브(260)를 1그룹으로 하고, 좌경 전자밸브(261)와 우경 전자밸브(262)와 곡립 배출 전자밸브(263)를 2그룹으로 하며, 각 그룹별로 우선 작동 전자밸브(264)에 접속한다. 차고 조절 유압실린더(38) 또는 오거 승강 유압실린더(254)의 작동을 금지한 상태에서 예취 상승용의 우선 작동 전자밸브(264)를 통해서 승강용 유압실린더(4)를 상승 작동시키도록 구성하고 있다. 한편, 승강용 유압실린더(4)의 작동을 금지한 상태에서 우선 작동 전자밸브(264)를 통해서 차고 조절 유압실린더(38) 또는 오거 승강 유압실린더(254)를 작동시키도록 구성하고 있다.또한, 탱크유로(259)에 예취장치(3)가 하강하는 측에 승강용 유압실린더(4)를 작동시키는 예취 하강 전자밸브(265)가 접속되어 있다. 예취 승강 전자밸브(260)를 스위칭하는 예취장치(3)의 승강 이동과는 별도로 우선 작동 전자밸브(264)를 스위칭하여 예취장치(3)를 상승시키는 한편, 예취 하강 전자밸브(265)를 스위칭하여 예취장치(3)를 하강시키도록 구성하고 있다.제 2 고압유로(258)에는 좌우의 전후 경사용 유압실린더(177)를 작동하는 전후 경동 전자밸브(266)가 접속되어 있다. 승강용 유압실린더(4) 또는 차고 조절 유압실린더(38) 또는 오거 승강 유압실린더(254)의 작동 상황에 관계없이 분류 밸브(255)의 분류 작용에 의해 좌우의 전후 경사용 유압실린더(177)의 작동에 필요한 고압유가 항상 확보되어 있다. 즉, 좌우의 전후 경사용 유압실린더(177)의 작동에 의해 주행기체(1)를 앞이 올라가게 경동시키고, 주행기체(1)의 전방부의 지상 높이를 높게 해서, 예를 들면 포장에 들어갈 때에 선두의 예취장치(3)를 준민하게 들어 올려서 논바닥 등의 장해물에 예취장치(3)가 충돌하는 것을 회피할 수 있게 구성하고 있다.이어서, 도 9 내지 도 16을 참조하면서 주행기체(1)의 좌우방향의 경사각의 조절 구조에 대하여 설명한다. 도 9 내지 도 16에 나타내는 바와 같이, 주행기체(1)의 하면측에 설치하는 좌우 한쌍의 롤링 지점 프레임(26)과, 좌우 한쌍의 전방측 베어링체(27)와, 좌우 한쌍의 후방측 베어링체(28)를 구비한다. 주행기체(1)의 하면측에 고착된 롤링 지점 프레임(26)의 전단측에 좌우 한쌍의 전방측 베어링체(27)를 배치하고 있다. 좌우 한쌍의 롤링 지점 프레임(26)의 후단측에 좌우 한쌍의 후방측 베어링체(28)를 배치하고 있다. 좌우의 전방측 베어링체(27)에 좌우 한쌍의 전방부 롤링 지점축(29)을 각각 관통시키고, 좌우의 후방측 베어링체(28)에 좌우 한쌍의 후방부 롤링 지점축(30)을 각각 관통시키고 있다. 또한, 주행기체(1)의 하면측에 주행 섀시(1a)를 통해서 구동 스프로킷(22)[미션 케이스(88)]이 배치되어 있다. 주행기체(1)의 전방부에 미션 케이스(88)의 배면측이 체결되어 있다.좌우방향으로 연장시킨 좌우 한쌍의 전방부 롤링 지점축(29)의 일단측에는 상하방향으로 연장된 좌우 한쌍의 상측 전방부 롤링 암(31)의 기단측을 일체적으로 각각 고착하고 있다. 좌우 한쌍의 전방부 롤링 지점축(29)의 타단측에는 전후방향으로 연장된 좌우 한쌍의 하측 전방부 롤링 암(33)의 기단측을 일체적으로 각각 고착하고 있다. 즉, 좌우 한쌍의 상측 전방부 롤링 암(31)과, 좌우 한쌍의 하측 전방부 롤링 암(33)은 좌우 한쌍의 전방부 롤링 지점축(29) 둘레에서 일체적으로 각각 회동한다. 또한, 하측 전방부 롤링 암(33)의 선단측에 연결축체(40)를 개재해서 트랙 프레임(21)의 전방부를 연결하고 있다.또한, 좌우방향으로 연장시킨 후방부 롤링 지점축(30)의 일단측에는 좌우 한쌍의 상측 후방부 롤링 암(32)의 기단측을 회동 가능하게 피감시키고 있다. 도 7 및 도 15에 나타내는 바와 같이, 신축 조절 가능한 턴버클(turnbuckle)이 부착된 좌우 한쌍의 전후 연결 롤링 프레임(36)을 구비한다. 긴 로드형상의 전후 연결 롤링 프레임(36)은 주행기체(1)의 상면보다 낮은 위치에서 주행기체(1)와 평행하게 전후방향으로 연장되어 있다. 좌우 한쌍의 상측 전방부 롤링 암(31)의 선단측에 축체(35)를 통하여 전후 연결 롤링 프레임(36)의 전단측을 연결하고 있다. 상측 후방부 롤링 암(32)의 상단측에 축체(37)를 통하여 전후 연결 롤링 프레임(36)의 후단측을 연결하고 있다.도 9 내지 도 16에 나타내는 바와 같이, 주행기체(1)의 좌우방향의 경사각도를 변경시키는 좌우 한쌍의 차고 조절 유압실린더(38)를 구비한다. 주행기체(1)에 좌우 한쌍의 실린더 지지 브래킷(39)을 설치한다. 좌우 한쌍의 실린더 지지 브래킷(39)에 기부 축체(48)를 개재해서 좌우 한쌍의 차고 조절 유압실린더(38)를 각각 연결시키고 있다. 좌우 한쌍의 상측 후방부 롤링 암(32)의 상단측에 선단측 축체(42)를 개재해서 좌우 한쌍의 차고 조절 유압실린더(38)의 피스톤 로드(41)를 각각 연결시키고 있다.좌우 한쌍의 후방부 롤링 지점축(30)의 타단측에는 좌우 한쌍의 하측 후방부 롤링 암(34)의 기단측을 일체적으로 각각 고착하고 있다. 즉, 좌우 한쌍의 후방부 롤링 지점축(30)과 좌우 한쌍의 하측 후방부 롤링 암(34)은 좌우 한쌍의 후방부 롤링 지점축(30)의 축선 둘레에서 일체적으로 각각 회동하도록 구성하고 있다. 또한, 하측 후방부 롤링 암(34)의 선단측에 연결 축체(174)를 개재해서 종동 링크체(175)의 일단측을 연결한다. 종동 링크체(175)의 타단측에 연결 축체(179)를 개재해서 트랙 프레임(21)의 후방부를 연결하고 있다.도 9 내지 도 16에 나타내는 바와 같이, 주행기체(1)의 전후방향의 경사각도를 변경시키는 전후 경사용 유압실린더(177)를 구비한다. 좌우 한쌍의 후방부 롤링 지점축(30)의 일단측에는 좌우 한쌍의 피칭 암(176)의 기단측이 고착되어 있다. 좌우 한쌍의 피칭 암(176)과 좌우 한쌍의 하측 후방부 롤링 암(34)은 좌우 한쌍의 후방부 롤링 지점축(30)의 축선 둘레에서 일체적으로 각각 회동하도록 구성하고 있다. 또한, 좌우 한쌍의 상측 후방부 롤링 암(32)에 연결 축체(180)를 개재해서 좌우 한쌍의 전후 경사용 유압실린더(177)를 각각 연결하고 있다. 전후 경사용 유압실린더(177)의 피스톤 로드(178)에 연결 축체(181)를 개재해서 피칭 암(176)의 선단측을 연결하고 있다.도 9, 도 10에 나타내는 바와 같이, 좌우 한쌍의 차고 조절 유압실린더(38)와 전후 경사용 유압실린더(177)는 측면으로 볼 때 또는 평면으로 볼 때에 전후로 일렬 형상으로 배치되어 있다. 좌우 한쌍의 차고 조절 유압실린더(38)의 작동에 의해 주행기체(1)의 좌우방향의 경사각도를 변경하는 좌우 한쌍의 롤링 링크기구(R1)는 상측 전방부 롤링 암(좌우 경동 암)(31), 상측 후방부 롤링 암(좌우 경동 암)(32), 하측 전방부 롤링 암(전방측 암)(33), 하측 후방부 롤링 암(후방측 암)(34), 전후 연결 롤링 프레임(36), 종동 링크체(피칭 링크)(175)를 갖는다. 차고 조절 유압실린더(38)가 작동했을 때에 상측 전방부 롤링 암(31)과 하측 전방부 롤링 암(33)이 전방부 롤링 지점축(29) 둘레에서 일체적으로 회동함과 동시에, 상측 후방부 롤링 암(32), 하측 후방부 롤링 암(34), 피칭 암(176), 전후 경사용 유압실린더(177)가 후방부 롤링 지점축(30) 둘레에서 일체적으로 회동한다.즉, 도 9, 도 11에 나타내는 바와 같이, 차고 조절 유압실린더(38)가 작동했을 때에 트랙 프레임(21)에 대하여 주행기체(1)의 전후방향 경사각도를 유지하면서 주행기체(1)와 트랙 프레임(21)의 상대 간격을 변화시킨다. 좌우의 주행 크롤러(2)의 침하량이 변화되어서 주행기체(1)가 좌우로 경동했을 경우, 또는 오퍼레이터가 주행기체(1)를 좌우로 경동시키고 싶을 경우, 차고 조절 유압실린더(38)의 자동 제어 또는 수동 제어에 의해 주행기체(1)의 좌우방향 경사각도를 변화시켜서 주행기체(1)의 좌우방향의 대지 경사각도를 설정 각도(대략 수평자세)로 유지할 수 있다.좌우 한쌍의 전후 경사용 유압실린더(177)의 작동에 의해 주행기체(1)의 전후방향의 경사각도를 변경하는 좌우 한쌍의 피칭 링크기구(P1)는 하측 후방부 롤링 암(후방측 암)(34), 종동 링크체(피칭 링크)(175), 피칭 암(전후 경동 암)(176)을 갖는다. 전후 경사용 유압실린더(177)가 작동했을 때에 하측 후방부 롤링 암(34) 및 피칭 암(176)이 후방부 롤링 지점축(30) 둘레에서 일체적으로 회동하여 종동 링크체(175)를 통해서 전방부 롤링 지점축(29) 둘레에서 트랙 프레임(21)을 회동시킨다.즉, 도 12 내지 도 15에 나타내는 바와 같이, 전후 경사용 유압실린더(177)가 작동했을 때에 주행기체(1)의 좌우방향의 대지 경사각도를 유지하면서 트랙 프레임(21)에 대하여 주행기체(1)의 전후방향 경사각도를 변화시킨다. 좌우의 주행 크롤러(2)를 이동시키는 주행 노면이 오르막 경사 또는 내리막 경사의 사면인 경우, 또는 좌우의 주행 크롤러(2)의 전방부(또는 후방부)의 침하량이 변화되어서 주행기체(1)가 전후로 경동했을 경우, 또는 오퍼레이터가 주행기체(1)를 전후로 경동시키고 싶을 경우에, 전후 경사용 유압실린더(177)의 자동 제어 또는 수동 제어에 의해 주행기체(1)의 전후방향 경사각도를 변화시켜서 주행기체(1)의 전후방향의 대지 경사각도를 설정 각도(대략 수평자세)로 유지할 수 있다.또한, 주행 크롤러(2)의 비접지측을 유지하는 중간 롤러(25)는 주행기체(1)로부터 횡방향으로 돌출시킨 롤러축(64)에 회전 가능하게 축지지되어 있다. 즉, 구동 스프로킷(22)과 중간 롤러(25) 사이의 주행 크롤러(2)의 비접지측은 차고 조절 유압실린더(38) 또는 전후 경사용 유압실린더(177)에 의해 주행기체(1)의 좌우방향 또는 전후방향의 경사각도가 변경되었다고 해도 주행기체(1)의 하면과의 간격이 항상 대략 일정하게 유지된다.상기 구성에 의해 도 11에 나타내는 바와 같이, 좌우 한쌍의 차고 조절 유압실린더(38) 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 작동해서 좌우 한쌍의 차고 조절 유압실린더(38) 중 어느 한쪽 또는 양쪽의 피스톤 로드(41)를 진출시켰을 경우, 좌우 한쌍의 트랙 프레임(21) 중 어느 한쪽 또는 양쪽이 아래로 이동하고, 좌우 한쌍의 주행 크롤러(2) 중 어느 한쪽 또는 양쪽의 접지측을 밀어내려서 주행기체(1)의 좌측 또는 우측 또는 양측의 차고를 높게 하도록 구성하고 있다.또한, 도 9에 나타내는 바와 같이, 좌우 한쌍의 차고 조절 유압실린더(38) 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 작동하여 좌우 한쌍의 차고 조절 유압실린더(38) 중 어느 한쪽 또는 양쪽의 피스톤 로드(41)를 진출시킨 경우, 좌우 한쌍의 트랙 프레임(21) 중 어느 한쪽 또는 양쪽이 위로 이동하고, 좌우 한쌍의 주행 크롤러(2) 중 어느 한쪽 또는 양쪽의 접지측을 밀어올려서 주행기체(1)의 좌측 또는 우측 또는 양쪽의 차고를 낮게 하도록 구성하고 있다. 즉, 좌우 한쌍의 차고 조절 유압실린더(38)를 각각 작동시켜서 주행기체(1)에 대하여 좌우의 주행 크롤러(2)의 접지면 높이를 각각 변경함으로써 주행기체(1)의 좌우방향의 경사각이 조절되어 주행기체(1)가 대략 수평(좌우 경사각 0도)하게 지지되도록 구성하고 있다.도 12(도 13)에 나타내는 바와 같이, 차고가 높은 피스톤 로드(41) 진출 상태[또는 차고가 낮은 피스톤 로드(41) 퇴입 상태]에서 전후 경사용 유압실린더(177)를 작동시켜서 좌우 한쌍의 전후 경사용 유압실린더(177)의 피스톤 로드(178)를 각각 퇴입시켰을 경우, 좌우 한쌍의 피칭 암(176)이 각각 작동하여 좌우 한쌍의 종동 링크체(175)가 하방으로 각각 밀어내려져 좌우 한쌍의 트랙 프레임(21)의 양쪽 후단측이 동시에 각각 아래로 이동한다.그 결과, 하측 전방부 롤링 암(33)에 대하여 하측 후방부 롤링 암(34)의 평행 자세가 변경되어 좌우 한쌍의 주행 크롤러(2)의 후방부의 접지측이 밀어내려지고, 주행기체(1)의 후단측의 차고가 높아져서 주행기체(1)가 앞으로 내려가게 경사지도록 구성하고 있다. 즉, 전방부 롤링 지점축(29) 둘레에서 주행기체(1)의 후단측을 위로 이동시켜서 주행기체(1)의 후단측이 전단측보다 높아지는 전방 경사자세(앞으로 내려가는 경사자세)로 경동시키도록 구성하고 있다. 그 결과, 앞으로 내려가게 졍사진 주행 노면을 이동할 때에 주행기체(1)의 전후방향의 경사를 대략 수평으로 유지할 수 있다.또한, 도 14, 도 15에 나타내는 바와 같이, 좌우 한쌍의 전후 경사용 유압실린더(177)의 피스톤 로드(178)를 각각 퇴입시킴으로써 상기와는 반대로, 좌우 한쌍의 트랙 프레임(21)의 양쪽 후단측이 동시에 각각 위로 이동하고, 주행기체(1)의 후단측의 차고가 낮아져 주행기체(1)가 뒤로 내려가게 경사지는 것은 말할 필요도 없다.도 17은 콤바인의 차고[주행기체(1)의 대지 높이]를 종축으로 하고, 콤바인 기체의 전후방향의 경사각도[주행기체(1)의 전후 경사각도]를 횡축으로 하며, 주행기체(1)의 대지 높이(좌우방향의 경사 제어)와 주행기체(1)의 전후 경사각도 (전후방향의 경사 제어)의 관계(자세 제어 동작 범위)를 나타내는 선도이다. 도 17에 굵은 실선으로 나타낸 범위(변형 육각형 형상의 프레임) 내에서 전후 경사 센서(381)의 검출 결과 등에 의거하여 차고 조절 유압실린더(38)와 전후 경사용 유압실린더(177)를 작동시키고, 차고 조절 유압실린더(38)의 좌우방향의 경사 제어 동작을 소정 범위로 유지해서 전후 경사용 유압실린더(177)의 전후방향의 경사 제어가 실행되도록 구성하고 있다.예를 들면, 차고 조절 유압실린더(38)의 좌우방향의 경사 제어동작 중, 최고 차고(D)에 대하여 약 60퍼센트(약 3분의 2)의 차고(C)와, 최고 차고(D)에 대하여 약 10퍼센트(약 10분의 1)의 차고(A) 사이에서 주행기체(1)의 전후 경사각도가 0도로부터 최대 전경 각도(F)(예를 들면 약 5도)까지, 전후 경사용 유압실린더(177)의 앞방향의 경사 제어가 실행되고, 주행기체(1)가 전경 자세(앞이 내려간 경사자세)로 지지되도록 구성하고 있다. 최고 차고(D)일 때에는 최대 전경 각도(F)에 대하여 약 60퍼센트(약 3분의 2) 전경 각도(F1) 이하의 범위에서 전후 경사용 유압실린더(177)의 앞방향의 경사 제어(전경 작동)가 실행된다. 또한 차고(A) 이하일 때, 또는 차고(C) 이상일 때에는 최대 전경 각도(F) 이하의 범위에서 전후 경사용 유압실린더(177)의 앞방향의 경사 제어가 실행된다. 차고(A) 이하의 전경 작동 규제 영역(E1)(사선 표시 범위)과, 차고(C) 이상의 전경 작동 규제 영역(E3)(사선 표시 범위)이 형성된다. 차고(C) 이하일 때, 또는 차고(A) 이상일 때에는 주행기체(1)의 전후 경사각도가 0도로부터 최대 전경 각도(F)(예를 들면 약 5도)의 범위에서 전후 경사용 유압실린더(177)의 앞방향의 경사 제어가 실행된다.즉, 최고 차고(D)일 때에는 최대 전경 각도(F)에 대하여 약 60퍼센트(약 3분의 2)의 전경 각도(F1) 이하로 주행기체(1)의 전경 작동이 규제된다. 차고(C) 이상의 차고가 높은 상태에서는 최대 전경 각도(F) 이하로 주행기체(1)의 전경 작동이 규제되고, 예취장치(3)의 전단측이 낮게 지지되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 승강용 유압실린더(4)에 의해 예취장치(3)가 비작업 위치(고위치)로 상승되어 있을 경우이여도 주행기체(1)를 적정하게 전경 작동시킬 수 있다. 예를 들면 포장으로의 출입이나 트랙 짐받이로의 하역 등의 작업에 있어서 주행기체(1)가 크게 앞으로 내려가게 경사진 자세로 이동해도 논바닥이나 노면에 예취장치(3)의 전단측이 충돌하는 것을 방지할 수 있다.한편, 도 17에 나타내는 바와 같이, 차고 조절 유압실린더(38)의 좌우방향의 경사 제어동작 중, 차고가 최고 차고(D)와 최고 차고(D)에 대하여 약 25퍼센트(약 4분의 1)의 차고(B) 사이에서 주행기체(1)의 전후 경사각도가 0도로부터 최대 후경 각도(R)(예를 들면 약 3도)까지, 전후 경사용 유압실린더(177)의 후방향의 경사 제어(후경 작동)이 실행되고, 주행기체(1)가 후경 자세(뒤로 내려가는 경사자세)로 지지되도록 구성하고 있다. 또한, 차고(B) 이하일 때에는, 최대 후경 각도(R) 이하의 범위에서 전후 경사용 유압실린더(177)의 후방향의 경사 제어가 실행된다. 차고(B) 이하의 후경 작동 규제 영역(E2)(사선 표시 범위)이 형성된다. 즉, 차고(B)(최고 차고(D)의 약 25퍼센트) 이상을 유지하면서 최대 후경 각도(R)까지 주행기체(1)를 후경시킬 수 있기 때문에 승강용 유압실린더(4)에 의해 예취장치(3)가 비작업 위치(고위치)에 상승되어 있어도 주행기체(1)를 스무스하게 후경 작동시켜서 예취장치(3)를 더욱 상승시킬 수 있고, 장해물에 대하여 예취장치(3)를 상방으로 준민하게 회피시킬 수 있다.또한, 차고(C) 이상의 높은 차고일 때, 또는 차고(A) 또는 차고(B) 이하의 낮은 차고일 때에 전후 경사용 유압실린더(177)를 작동시키기 전에 차고 조절 유압실린더(38)가 작동해서 차고 조절 유압실린더(38)의 차고 상승(좌우방향의 경사) 제어동작을 우선하여 주행기체(1)의 차고를 소정 차고 이상으로 유지하고나서 전후 경사용 유압실린더(177)의 전후방향의 경사 제어를 실행할 수 있다. 그 결과, 포장 또는 두렁 등의 땅 속에 예취장치(3)의 전방부가 돌입(突入)되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 최고 차고(D)의 약 25퍼센트(약 4분의 1) 이하의 낮은 차고[차고(A) 또는 차고(B) 이하]일 때에는 주행기체(1)의 전경 작동이 규제되는 차고에 비하여 주행기체(1)의 후경 작동이 규제되는 차고가 높아지게 된다[차고(A)003c#차고(B)]. 최대 후경 각도(R)(예를 들면 약 3도)와 최대 전경 각도(F)에 대하여 약 60퍼센트(약 3분의 2) 전경 각도(F1)를 대략 같게 형성하고 있다. 즉, 최대 전경 각도(F)에 대하여 약 60퍼센트의 경사각도의 크기로 최대 후경 각도(R)를 형성하고 있다.도 17에 나타내는 바와 같이, 최대 후경 각도(R)에 대하여 최대 전경 각도(F)를 크게 함으로써 초습전에서 주행 크롤러(2)가 크게 침하하여 주행기체(1)의 차고를 높게 해서 예취작업을 하고 있을 때에 주행기체(1)의 차고를 낮춰서 주행저항을 증대시키지 않고, 또는 예취장치(3)를 하강시켜서 예취날 장치(222) 등을 땅 속에 돌입시키지 않고 주행기체(1)를 전경시킴으로써 미예취 곡간의 밑둥을 소정 높이에서 예취날 장치(222)에 의해 절단할 수 있다.도 1, 도 9 내지 도 16에 나타내는 바와 같이, 좌우의 주행부로서의 주행 크롤러(2)를 갖는 주행기체(1)와, 주행기체(1)의 좌우방향의 경사자세를 수정하는 롤링 액츄에이터로서의 차고 조절 유압실린더(38)와, 주행기체의 전후방향의 경사자세를 수정하는 피칭 액츄에이터로서의 전후 경사용 유압실린더(177)를 구비한 주행차량에 있어서, 차고 조절 유압실린더(38)와 전후 경사용 유압실린더(177)를 평면으로 볼 때에 일렬 형상으로 배치하고 있기 때문에, 전후 경사용 유압실린더(177)의 설치 길이(연결 지지 길이)를 종래보다 단축할 수 있고, 전후 경사용 유압실린더(177)에 작용하는 신축방향 이외의 비틀림력을 저감할 수 있어 내구성을 향상시킬 수 있다. 또한, 좌우 주행 크롤러(2)간의 주행기체(1)의 하면측 공간을 넓게 형성할 수 있고, 주행기체(1)의 하면측에 진흙이 쌓이는 것을 저감할 수 있어 습전 작업성 등을 향상시킬 수 있다. 또한, 주행기체(1)의 상면측 구조 또는 전후 경사용 유압실린더(177)의 지지 위치가 서로 제한되는 것을 방지할 수 있고, 주행기체(1) 등을 간단하게 구성할 수 있다.도 9 내지 도 16에 나타내는 바와 같이, 차고 조절 유압실린더(38)와 전후 경사용 유압실린더(177)를 측면으로 볼 때에 일렬 형상으로 배치한 것이기 때문에, 전후 경사용 유압실린더(177)의 설치 길이(연결 지지 길이)를 종래보다 단축할 수 있고, 전후 경사용 유압실린더(177)에 작용하는 신축방향 이외의 비틀림력을 저감할 수 있어 내구성을 향상시킬 수 있다. 또한, 좌우 주행 크롤러(2)간의 주행기체(1)의 하면측 공간을 넓게 형성할 수 있고, 주행기체(1)의 하면측에 진흙이 쌓이는 것을 저감할 수 있어 습전 작업성 등을 향상시킬 수 있다. 또한, 주행기체(1)의 상면측 구조 또는 전후 경사용 유압실린더(177)의 지지 위치가 서로 제한되는 것을 방지할 수 있어 주행기체(1) 등을 간단하게 구성할 수 있다.도 9 내지 도 16에 나타내는 바와 같이, 차고 조절 유압실린더(38)에 연결하는 좌우 경동 암으로서의 상측 전방부 롤링 암(31) 및 상측 후방부 롤링 암(32)과, 전후 경사용 유압실린더(177)에 연결하는 전후 경동 암으로서의 피칭 암(176)을 동일 지점축(29, 30) 상에 배치하고 있기 때문에, 전후 경사용 유압실린더(177) 등의 전후 경사기구의 유무에 관계없이 동일 사영의 주행기체(1)를 사용할 수 있다. 주행기체(1) 등을 저비용으로 구성할 수 있다.도 9 내지 도 16에 나타내는 바와 같이, 차고 조절 유압실린더(38)에 의해 작동시키는 평행 링크 형상 전방측 암으로서의 하측 전방부 롤링 암(33) 및 후방측 암으로서의 하측 후방부 롤링 암(34)을 설치한 구조로서, 하측 전방부 롤링 암(33) 또는 하측 후방부 롤링 암(34) 중 어느 한쪽에 피칭 암(176)을 연결하고 있기 때문에 좌우 경사자세의 주행기체(1)의 차고를 유지하면서 주행기체(1)를 전후 경동할 수 있다. 주행기체(1)의 좌우방향의 경사자세를 수정하는 차고 조절 유압실린더(38)의 제어 성능을 유지할 수 있고, 또한 주행기체(1)의 전후방향의 경사자세를 수정하는 전후 경사용 유압실린더(177)의 제어 성능을 향상시킬 수 있다.도 1, 도 9 내지 도 16에 나타내는 바와 같이, 좌우의 주행부로서의 주행 크롤러(2)를 갖는 주행기체(1)와, 주행기체(1)의 좌우방향의 경사자세를 수정하는 롤링 액츄에이터로서의 차고 조절 유압실린더(38)와, 주행기체(1)의 전후방향의 경사자세를 수정하는 피칭 액츄에이터로서의 전후 경사용 유압실린더(177)를 구비하고, 좌우의 트랙 프레임(21)에 좌우의 링크기구(R1, P1)를 개재해서 주행기체(1)를 승강시킬 수 있도록 탑재하고, 주행기체(1)의 좌우방향의 경사자세와 주행기체(1)의 전후방향의 경사자세를 수정 가능하게 구성한 주행차량에 있어서, 링크기구(R1, P1)는 평행 링크 형상 전방측 암으로서의 하측 전방부 롤링 암(33) 및 후방측 암으로서의 하측 후방부 롤링 암(34)을 갖는 구조이며, 트랙 프레임(21)에 피칭 링크로서의 종동 링크체(175)를 개재해서 하측 전방부 롤링 암(33) 또는 하측 후방부 롤링 암(34) 중 어느 한쪽을 연결하고 있다.따라서, 평행 링크 형상의 하측 전방부 롤링 암(33) 및 하측 후방부 롤링 암(34)의 동작[차고 조절 유압실린더(38) 제어]에 의해 상기 주행기체(1)를 좌우 경동할 수 있는 것이면서 하측 전방부 롤링 암(33) 또는 하측 후방부 롤링 암(34) 중 어느 한쪽과 종동 링크체(175)를 개재해서 트랙 프레임(21)의 전방측 또는 후방측을 승강 이동시켜서[전후 경사용 유압실린더(177) 제어] 주행기체(1)를 전후 경동시킬 수 있다. 좌우 경사자세의 주행기체(1)의 차고를 유지한 상태[차고 조절 유압실린더(38) 제어를 정지한 상태]에서 주행기체(1)를 전후 경동시킬 수 있다. 주행기체(1)와 트랙 프레임(21)의 연결 구조를 간단하게 구성할 수 있고, 또는 전후 경사용 유압실린더(177)의 제어를 간단하게 실행할 수 있다. 주행기체(1)의 전후방향의 경사자세를 변경시키는 피칭 구조를 저비용으로 장착할수 있거나, 또는 주행기체(1)의 전후방향의 경사자세를 변경시키는 피칭 제어 기능을 향상시킬 수 있다.도 9 내지 도 16에 나타내는 바와 같이, 차고 조절 유압실린더(38)에 하측 전방부 롤링 암(33) 및 하측 후방부 롤링 암(34)의 양쪽을 연결하고, 종동 링크체(175)에 연결하는 하측 후방부 롤링 암(34) 또는 하측 전방부 롤링 암(33) 중 어느 한쪽에 전후 경사용 유압실린더(177)를 연결하고 있다. 따라서, 차고 조절 유압실린더(38)에 근접시켜서 전후 경사용 유압실린더(177)를 컴팩트하게 장착시킬 수 있다. 또한, 주행기체(1)의 좌우방향의 경사자세를 변경시키는 롤링 기능이 복잡화되는 것을 저지할 수 있는 것이면서 주행기체(1)의 전후방향의 경사자세를 변경시키는 피칭 기능을 향상시킬 수 있다.도 9 내지 도 16에 나타내는 바와 같이, 주행기체(1)의 전방부에 미션 케이스(88)를 배치하는 구조로서, 하측 후방부 롤링 암(34)에 전후 경사용 유압실린더(177)를 연결하고, 트랙 프레임(21)에 종동 링크체(175)를 개재해서 하측 후방부 롤링 암(34)을 연결하고 있다. 따라서, 미션 케이스(88)의 지지부에 트랙 프레임(21)의 전방부을 근접시켜서 설치함으로써 주행기체(1)의 전후방향의 경사자세를 변경시킬 때에 주행기체(1)의 하면측과 주행 크롤러(2)의 상면측이 간섭하는 것을 방지할 수 있다. 트랙 프레임(21)의 중간 내지 후방부 근처의 위치에서 대략 동일 높이 위치에 일렬 형상으로 차고 조절 유압실린더(38)에 근접시켜서 전후 경사용 유압실린더(177)를 컴팩트하게 장착시킬 수 있다. 예를 들면, 주행기체(1)의 전후방향의 경사 변경 범위의 확보, 또는 주행기체(1)와 트랙 프레임(21)의 연결 구조의 간략화 등을 간단하게 꾀할 수 있다.도 9 내지 도 16에 나타내는 바와 같이, 차고 조절 유압실린더(38)에 연결하는 상측 후방부 롤링 암(32)과 전후 경사용 유압실린더(177)에 연결하는 피칭 암(176)을 동일 지점축 상에 배치시키는 한편, 차고 조절 유압실린더(38)에 연결하는 상측 후방부 롤링 암(32)에 전후 경사용 유압실린더(177)를 설치하고, 차고 조절 유압실린더(38)와 전후 경사용 유압실린더(177)를 전후를 향해서 일렬로 배치하고 있다. 따라서, 전후 경사용 유압실린더(177)를 설치하는 사양과, 전후 경사용 유압실린더(177)를 설치하지 않는 사양에 동일 사양의 주행기체(1)를 간단하게 공용할 수 있다. 또한, 주행기체(1)의 하면측 중 좌우의 주행 크롤러(2)간의 공간을 넓게 형성하여 주행 크롤러(2)가 크게 침하하기 쉬운 습전 등의 작업성, 또는 선회 주행에 의해 논바닥 등의 진흙이 크게 도드라지기 쉬운 포장 개자리 등의 주파성을 향상시킬 수 있다.도 9 내지 도 15, 도 22 내지 도 24에 나타내는 바와 같이, 주행 섀시(1a)에 전방측 최하강 스토퍼(185)를 고정한다. 하측 전방부 롤링 암(33)의 상면측에 전방측 최하강 스토퍼(185)의 일단측을 연장시킨다. 주행기체(1) 전방측 차고가 가장 낮은 상태(도 9 또는 도 22의 상태), 즉 주행기체(1) 전방측과 트랙 프레임(21)이 가장 접근했을 때에 하측 전방부 롤링 암(33)의 상면에 전방측 최하강 스토퍼(185)의 하면이 접촉하여 주행기체(1) 전방측이 최하강 위치에 지지된다. 하측 전방부 롤링 암(33)과 전방측 최하강 스토퍼(185)의 접촉에 의해 주행기체(1) 전방측 하면에 주행 크롤러(2)의 전방측 상면이 간섭하는 것을 방지하고 있다.또한, 후방측 베어링체(28)의 하면에 후방측 최하강 스토퍼(186)를 고착한다. 트랙 프레임(21)에 수용체(187)를 고착한다. 주행기체(1)의 후방측 차고가 가장 낮은 상태(도 9 또는 도 22의 상태), 즉 주행기체(1)의 후방측과 트랙 프레임(21)이 가장 접근했을 때에 수용체(187)의 상면에 후방측 최하강 스토퍼(186)의 하면이 접촉하여 주행기체(1)의 후방측이 최하강 위치에 지지된다. 수용체(187)와 후방측 최하강 스토퍼(186)의 접촉에 의해 주행기체(1)의 후방측 하면에 주행 크롤러(2)의 후방측 상면이 간섭하는 것을 방지하고 있다.이어서, 도 18을 참조하면서 콤바인[주행기체(1)]의 좌우방향의 경사 제어와, 전후방향의 경사 제어와, 예취장치(3)의 승강 제어에 대하여 설명한다. 도 18은 콤바인[주행기체(1)]의 좌우방향의 경사 제어 수단, 및 전후방향의 경사 제어 수단, 및 예취장치(3)의 승강 제어 수단의 기능 블럭도이며, 마이크로컴퓨터 등에 의해 형성한 작업 컨트롤러(371)를 구비한다. 작업 컨트롤러(371)는 제어 프로그램을 기억한 ROM과 각종 데이터를 기억한 RAM을 갖는다.도 18에 나타내는 바와 같이, 작업 컨트롤러(371)에는 입력계의 각종 센서 및 스위치류, 즉 예취장치(3)에 의해 예취된 예취 곡간을 검출하는 작물 센서(372)와, 예취장치(3)의 작동을 검출하는 작업 스위치(373)와, 주행기체(1)의 좌우방향의 경사각도를 검출하는 진자식의 좌우 경사 센서(374)와, 주행기체(1)와 좌측의 트랙 프레임(21)의 상대 간격(차고)을 검출하는 포텐셔미터형의 좌측 차고 센서(375)와, 주행기체(1)와 우측의 트랙 프레임(21)의 상대 간격(차고)을 검출하는 포텐셔미터형의 우측 차고 센서(376)와, 주행기체(1)의 좌우방향의 경사각도의 기준값을 초기 설정하는 수동 다이얼 전환식 포텐셔미터형의 좌우 경사 설정기(377)가 접속되어 있다.또한, 작업 컨트롤러(371)에는 출력계의 각종 전자 유압밸브, 즉 좌경 전자밸브(261)와 우경 전자밸브(262)가 접속되어 있다. 이 구성에 의해, 좌우 경사 센서(374)의 검출값과, 좌측 차고 센서(375)의 검출값과, 우측 차고 센서(376)의 검출값에 의거하여 좌경 전자밸브(261) 또는 우경 전자밸브(262)를 스위칭하여 좌측 차고 조절 유압실린더(38) 또는 우측 차고 조절 유압실린더(38)를 작동시키고, 주행기체(1)의 좌우방향의 경사를 수정하여 주행기체(1)가 대략 수평해지도록 자동제어한다.또한, 도 18에 나타내는 바와 같이, 작업 컨트롤러(371)에는 주행기체(1)의 전후방향의 경사각도를 검출하는 진자식의 전후 경사 센서(381)와, 주행기체(1)의 후방부와 트랙 프레임(21)의 후단측의 상대 간격[트랙 프레임(21)의 전후방향의 대본기 경사각도]을 검출하는 포텐셔미터형의 본기(本機) 경사 센서(382)와, 주행기체(1)의 전후방향의 경사각도의 기준값을 초기 설정하는 수동 다이얼 전환식 포텐셔미터형의 전후 경사 설정기(383)가 접속되어 있다.또한, 작업 컨트롤러(371)에는 전후 경동 전자밸브(266)가 접속되어 있다. 이 구성에 의해 전후 경사 센서(381)의 검출값과, 본기 경사 센서(382)의 검출값과, 전후 경사 설정기(383)의 설정값에 의거하여 전후 경동 전자밸브(266)를 스위칭하여 전후 경사용 유압실린더(177)를 작동시키고, 주행기체(1)의 전후방향의 경사를 수정해서 주행기체(1)가 대략 수평해지도록 자동 제어한다.한편, 도 18에 나타내는 바와 같이, 작업 컨트롤러(371)에는 주행 크롤러(2)의 회전속도(차속)를 검출하는 차속 센서(385)와, 예취장치(3)의 대지 높이를 검출하는 포텐셔미터형의 예취 높이 센서(386)와, 예취장치(3)의 대지 높이의 기준값을 초기 설정하는 수동 다이얼 전환식 포텐셔미터형의 예취 높이 설정기(387)가 접속되어 있다.또한, 작업 컨트롤러(371)에는 예취 승강 전자밸브(260)가 접속되어 있다. 이 구성에 의해 차속 센서(385)의 검출값과, 예취 높이 센서(386)의 검출값과, 예취 높이 설정기(387)의 설정값에 의거하여 예취 승강 전자밸브(260)를 스위칭하여 예취 상승용 유압실린더(4)를 작동시키고, 예취장치(3)의 대지 높이를 수정하여 예취장치(3)의 곡간 예취 높이가 대략 일정해지도록 자동 제어한다.이어서, 도 17에 나타내는 자세 제어 설명도, 도 18에 나타내는 기능 블럭도, 도 19 내지 도 21에 나타내는 플로우챠트를 참조하면서 예취장치(3)의 곡간 예취 높이 제어 상태, 및 콤바인[주행기체(1)]의 좌우방향 및 전후방향의 경사 제어 상태를 설명한다. 도 19의 플로우챠트에 나타내는 바와 같이, 엔진(20)이 시동되었을 경우 작물 센서(372) 값, 좌우 경사 센서(374) 값, 좌측 차고 센서(375) 값, 우측 차고 센서(376) 값, 좌우 경사 설정기(377) 값, 전후 경사 센서(381) 값, 본기 경사 센서(382) 값, 전후 경사 설정기(383) 값, 차속 센서(385) 값, 예취 높이 센서(386) 값, 예취 높이 설정기(387) 값이 판독된다. 작업 스위치(373)가 온인 예취작업 중, 도 20의 플로우챠트에 나타내는 예취 높이 제어가 실행된다. 또한, 작업 스위치(373)가 온 또는 오프 중 어느 것이어도 도 21의 플로우챠트에 나타내는 경사 제어가 실행된다.도 20의 플로우챠트에 나타내는 바와 같이, 작업 스위치(373)가 온인 예취작업 중에 작물 센서(372)가 온으로 되어 있으면 차속 센서(385) 값과, 예취 높이 센서(3386) 값과, 예취 높이 설정기(87) 값에 의거하여 예취장치(3)의 곡간 예취 높이가 낮다고 판단되었을 경우, 예취 승강 전자밸브(260)가 스위칭해서 예취 상승용 유압실린더(4)를 작동시켜서 예취장치(3)를 상승 제어해서 예취장치(3)의 대지높이를 수정한다. 한편, 예취장치(3)의 곡간 예취 높이가 높다고 판단되었을 경우, 예취 승강 전자밸브(260)가 스위칭되고, 예취 상승용 유압실린더(4)를 작동시켜서 예취장치(3)를 하강 제어하여 예취장치(3)의 대지 높이를 수정한다. 도 20의 예취 높이 제어에 의해 예취 높이 설정기(387)에 의해 설정된 예취장치(3)의 곡간 예취 높이를 자동적으로 유지할 수 있다. 또한, 예취 높이 설정기(87)가 오퍼레이터에 의해 조작되었을 경우, 예취 높이 설정기(387)에 의해 설정된 곡간 예취 높이에 예취장치(3)가 수동 조작으로 지지된다.도 21의 플로우챠트에 나타내는 바와 같이, 좌우 경사 센서(374) 값과, 좌측 차고 센서(375) 값과, 우측 차고 센서(376) 값과, 좌우 경사 설정기(377) 값에 의거하여 주행기체(1)가 좌측으로 경사져 있다고 판단된 경우에는, 좌경 전자밸브(261) 또는 우경 전자밸브(262)가 스위칭되고, 좌측 차고 조절 유압실린더(38) 또는 우측 차고 조절 유압실린더(38)를 작동시켜서 주행기체(1)의 좌측을 상승시키거나, 또는 주행기체(1)의 우측을 하강시킨다. 한편, 주행기체(1)가 우측으로 경사져 있다고 판단된 경우에는, 좌경 전자밸브(261) 또는 우경 전자밸브(262)가 스위칭되고, 좌측 차고 조절 유압실린더(38) 또는 우측 차고 조절 유압실린더(38)를 작동시켜서 주행기체(1)의 우측을 상승시키거나, 또는 주행기체(1)의 좌측을 하강시킨다. 도 21의 콤바인[주행기체(1)]의 좌우방향의 경사 제어에 의해 주행기체(1)의 좌우방향의 경사각도가 자동적으로 수정된다. 좌우 경사 설정기(377) 값에 의거하여 주행기체(1)의 좌우방향의 경사자세를 유지할 수 있다. 또한, 좌우 경사 설정기(377)가 오퍼레이터에 의해 조작되었을 경우, 좌우 경사 설정기(377)에 의해 설정된 좌우 경사각도 자세(대지 수평 자세)에 주행기체(1)가 수동 조작으로 지지된다.또한, 도 21의 플로우챠트에 나타내는 바와 같이, 전후 경사 센서(381) 값과, 본기 경사 센서(382) 값과, 전후 경사 설정기(383) 값에 의거하여 주행기체(1)가 전방 측방으로 낮아지게 경사져 있는 전경 자세라고 판단된 경우에는, 도 17의 차고 범위(전후 경사각도의 수정이 가능한 차고 범위) 내일 때에는 전후 경동 전자밸브(266)가 스위칭되고, 좌우의 전후 경사용 유압실린더(177)를 작동시켜서 주행기체(1)의 후단측을 하강시킨다. 한편, 도 17의 차고 범위(전후 경사각도의 수정이 가능한 차고 범위) 내가 아닐 때, 즉 도 17의 차고 범위 밖일 때에는 좌측 차고 조절 유압실린더(38) 또는 우측 차고 조절 유압실린더(38)를 작동시켜서 주행기체(1)의 우측 또는 좌측을 승강시켜서 도 17의 차고 범위(전후 경사각도의 수정이 가능한 차고 범위) 내에 주행기체(1)의 차고를 변경한 후 전후 경동 전자밸브(266)가 스위칭되고, 좌우의 전후 경사용 유압실린더(177)를 작동시켜서 주행기체(1)의 후단측을 하강시킨다. 그 결과, 도 21의 콤바인[주행기체(1)]의 후경사 제어에 의해 주행기체(1)의 후경 각도가 자동적으로 수정된다. 전후 경사 설정기(383) 값에 의거하여 주행기체(1)의 후경 자세(대지 수평 자세)를 유지할 수 있다.또한, 주행기체(1)가 후측방으로 낮아지게 경사져 있는 후경 자세라고 판단된 경우에는, 도 17의 차고 범위(전후 경사각도의 수정이 가능한 차고 범위) 내의 때에는 전후 경동 전자밸브(266)가 스위칭되고, 좌우의 전후 경사용 유압실린더(177)를 작동시켜서 주행기체(1)의 후단측을 상승시킨다. 한편, 도 17의 차고 범위(전후 경사각도의 수정이 가능한 차고 범위) 내가 아닐 때, 즉 도 17의 차고 범위 밖일 때에는 좌측 차고 조절 유압실린더(38) 또는 우측 차고 조절 유압실린더(38)를 작동시켜서 주행기체(1)의 우측 또는 좌측을 상승시키고, 도 17의 차고 범위(전후 경사각도의 수정이 가능한 차고 범위) 내에 주행기체(1)의 차고를 변경한 후 전후 경동 전자밸브(266)가 스위칭되고, 좌우의 전후 경사용 유압실린더(177)를 작동시켜서 주행기체(1)의 후단측을 상승시킨다. 즉, 도 21의 콤바인[주행기체(1)]의 전후방향의 경사 제어에 의해 주행기체(1)의 전후방향의 경사각도가 자동적으로 수정된다. 전후 경사 설정기(383) 값에 의거하여 주행기체(1)의 전후방향의 경사자세를 유지할 수 있다. 또한, 전후 경사 설정기(383)가 오퍼레이터에 의해 조작되었을 경우, 전후 경사 설정기(383)에 의해 설정된 전후 경사각도 자세에 주행기체(1)가 수동 조작으로 지지된다.곡간의 예취작업 중은 도 21의 콤바인[주행기체(1)]의 좌우방향의 경사 제어 또는 전후방향의 경사 제어에 우선해서 도 20의 예취 높이 제어가 실행됨으로써 분초체(225)가 논바닥의 진흙에 꽂히는 것을 방지할 수 있다. 도 20의 예취 높이 제어가 실행된 후에 도 21의 콤바인[주행기체(1)]의 좌우방향의 경사 제어 또는 전후방향의 경사 제어가 실행됨으로써 포장의 개자리 등의 흐트러진 논바닥의 진흙에 분초체(225)가 꽂히는 것을 방지할 수 있다. 도 21의 콤바인[주행기체(1)]의 좌우방향의 경사 제어 또는 전후방향의 경사 제어가 실행됨으로써 주행기체(1)의 대지 높이가 높아진 경우에도(도 9 내지 도 16 참조), 텐션 롤러(23)와 최후부의 트랙 롤러(24)에 의해 지지된 주행 크롤러(2)의 대지 받음각(angle of attack)이 적정 크기로 유지되어 주행 크롤러(2)의 주파 성능이 유지된다.또한, 도 21의 콤바인[주행기체(1)]의 전후방향의 경사 제어에 우선하여 도 21의 콤바인[주행기체(1)]의 좌우방향의 경사 제어가 실행됨으로써, 예취장치(3)의 좌측 또는 우측의 분초체(225)의 대지 높이를 소정 이상으로 유지하면서 콤바인[주행기체(1)]의 전후방향의 경사 제어를 실행할 수 있다. 그 결과, 주행기체(1)의 대지 높이를 높게 한 상태에서 지지 분초체(225)의 대지 높이를 낮게 지지하는 습전에 있어서의 예취작업시에도 전후방향의 경사 제어에 의해 예취장치(3)의 분초체(225) 또는 예취날 장치(222) 등이 논바닥의 진흙 속에 꽂히는 것을 방지할 수 있는 것이면서, 미예취 곡간의 밑둥을 낮은 위치에서 절단할 수 있어 예취 후의 그루터기의 길이를 짧게 형성할 수 있다.도 17, 도 18, 도 21에 나타내는 바와 같이, 주행부로서의 주행 크롤러(2)를 갖는 주행기체(1)와, 주행기체(1)의 좌우방향의 경사자세를 수정하는 롤링 액츄에이터로서의 차고 조절 유압실린더(38)와, 주행기체(1)의 전후방향의 경사자세를 수정하는 피칭 액츄에이터로서의 전후 경사용 유압실린더(177)를 구비한 주행차량에 있어서, 주행기체(1)가 최하강 위치에 지지되어 있을 때에 차고 조절 유압실린더(38)를 차고 상승 동작시켜서 주행기체(1)를 소정 높이 위치에 지지한 상태에서, 전후 경사용 유압실린더(177)를 전경 동작 또는 후경 동작시키도록 구성하고 있다. 따라서, 종래 구조에 비하여 주행기체(1)와 주행 크롤러(2)(트랙 프레임 등)의 연결 구조를 간단하게 구성할 수 있다. 또한, 주행 크롤러(2)(트랙 프레임에 장착한 주행 크롤러 등)와 주행기체(1)가 간섭하는 것을 간단하게 방지할 수 있다. 예를 들면, 차고 조절 유압실린더(38)의 차고 조절 범위의 하한을 설정하는 최하강 스토퍼(185, 186) 등에 규제되지 않고 주행기체(1)를 전방 경동시킬 수 있다. 또한, 전후 경사용 유압실린더(177)를 후경 작동시킬 때에 주행기체(1)에 상기 주행 크롤러(2) 등이 간섭하는 것을 방지할 수 있고, 주행기체(1)를 후경 자세로 스무스하게 작동할 수 있다.도 17, 도 18, 도 21에 나타내는 바와 같이, 주행기체(1)의 좌우방향의 경사를 검출하는 좌우 경사 센서(374)와, 주행기체의 좌측 대지 높이 및 우측 대지 높이를 검출하는 좌측 차고 센서(375) 및 우측 차고 센서(376)와, 주행기체(1)의 전후방향의 경사를 검출하는 전후 경사 센서(381)를 구비하고, 차고 조절 유압실린더(38)를 차고 상승 또는 차고 하강 동작시켜서 주행기체(1)의 좌우방향의 경사를 변경 가능하게 구성한 구조로서, 좌측 차고 센서(375) 및 우측 차고 센서(376)의 검출 결과와 전후 경사 센서(381)의 검출 결과에 의거하여 전후 경사용 유압실린더(177)를 전후 경사 동작 가능하게 구성하고 있다. 따라서, 전후 경사용 유압실린더(177)를 전경 작동 또는 후경 작동시킬 때에 주행기체(1)에 주행 크롤러(2) 등이 간섭하는 것을 방지할 수 있고, 주행기체(1)를 스무스하게 전후 경동시킬 수 있다.도 17, 도 18, 도 21에 나타내는 바와 같이, 주행기체(1)이 최상승 위치에 지지되어 있을 때에 전후 경사용 유압실린더(177)를 전경 동작 가능하게 구성하고 있다. 따라서, 주행기체(1)를 최상승 위치에 유지하면서 주행기체(1)를 소정의 전경 자세로 간단하게 변경할 수 있다. 즉, 차고를 낮추지 않고 주행기체(1)를 전경 자세로 스무스하게 작동시킬 수 있다.도 17, 도 18, 도 21에 나타내는 바와 같이, 주행기체(1)가 최상승 위치에 지지되어 있을 때에 차고 조절 유압실린더(38)를 차고 하강 동작시켜서 주행기체(1)를 소정 높이 위치에 지지한 상태에서 전후 경사용 유압실린더(177)를 후경 동작 가능하게 구성하고 있다. 따라서, 전후 경사용 유압실린더(177)를 후경 작동시킬 때에 주행기체(1)에 상기 주행 크롤러(2) 등이 간섭하는 것을 방지할 수 있고, 주행기체(1)를 후경 자세로 스무스하게 작동시킬 수 있다. [ 부호의 설명 ] 1 : 주행기체2 : 주행 크롤러(주행부)29 : 전방부 롤링 지점축30 : 후방부 롤링 지점축31 : 상측 전방부 롤링 암(좌우 경동 암)32 : 상측 후방부 롤링 암(좌우 경동 암)33 : 하측 전방부 롤링 암(전방측 암)34 : 하측 후방부 롤링 암(후방측 암)38 : 차고 조절 유압실린더(롤링 액츄에이터)176 : 피칭 암(전후 경동 암)177 : 전후 경사용 유압실린더(피칭 액츄에이터)	피칭 액츄에이터(177)의 내구성을 향상시킬 수 있고, 피칭 액츄에이터(177)를 컴팩트하게 배치할 수 있으며, 주행기체(1) 등을 간단하게 구성할 수 있게 한 콤바인을 제공하는 것이다. 좌우의 주행부로서의 주행 크롤러(2)를 갖는 주행기체(1)와, 주행기체(1)의 좌우방향의 경사자세를 수정하는 롤링 액츄에이터(38)와, 주행기체의 전후방향의 경사자세를 수정하는 피칭 액츄에이터(177)를 구비한 주행차량에 있어서, 롤링 액츄에이터(38)와 피칭 액츄에이터(177)를 평면으로 볼 때에 일렬 형상으로 배치한 것이다.
[ 발명의 명칭 ] 반도체 장치 및 그 제조 방법SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME [ 기술분야 ] 본 발명은, 박막 트랜지스터(이하, TFT라 언급됨)를 이용하여 형성된 회로를 구비한 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 예를 들어, 본 발명은, 액정 표시 패널로 대표되는 전기 광학 장치, 또는 유기 발광 소자를 부품으로서 포함하는 발광 표시 장치를 구비한 전자 장치에 관한 것이다.본 명세서에서, 반도체 장치란, 반도체 특성을 이용함으로써 기능할 수 있는 모든 장치를 말한다는 점에 유의해야 한다. 전기 광학 장치, 반도체 회로, 및 전자 기기는 모두 반도체 장치이다. [ 배경기술 ] 전기 광학 소자의 투명 전극에 대한 금속 보조 배선을 제공하기 위한 방법으로서, 투명 전극의 상하면 중 임의의 면과 중첩하고 투명 전극과 전기적으로 접속되도록 금속 보조 배선을 제공하는 방법이 알려져 있다는 점에 유의한다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조).액티브 매트릭스 기판에 제공되는 추가 커패시터 전극을 ITO, SnO2 등의 투광성을 갖는 도전막으로 형성하고 추가 커패시터 전극의 전기 저항을 작게 하기 위하여 금속막으로 형성된 보조 배선을 추가 커패시터 전극에 접하여 제공하는 구조가 알려져 있다(특허 문헌 2 참조).아몰퍼스 산화물 반도체막을 이용하여 형성된 전계 효과형 트랜지스터의 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 각각으로서, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물, ZnO, SnO2등의 투명 전극이나, Al, Ag, Cr, Ni, Mo, Au, Ti, Ta 등의 금속 전극이나, 이들을 포함한 합금의 금속 전극 등을 사용할 수 있고, 이들 층을 2층 이상 적층해 접촉 저항을 저감하여 계면 강도를 향상시키는 것이 알려져 있다는 점에 유의한다(특허 문헌 3 참조).아몰퍼스 산화물 반도체를 이용하여 형성된 트랜지스터의 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극, 보조 커패시터 전극 각각의 재료로서, 인듐(In), 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag)과 같은 금속이나, 산화 인듐(In2O3), 산화 주석(SnO2), 산화 아연(ZnO), 산화 카드뮴(CdO), 산화 인듐 카드뮴(CdIn2O4), 산화 카드뮴 주석(Cd2SnO4), 산화 아연 주석(Zn2SnO4)과 같은 산화물 재료를 사용할 수가 있고, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극에 대해 동일하거나 상이한 재료를 사용할 수 있는 것이 알려져 있다는 점에 유의한다(특허 문헌 4 및 특허 문헌 5 참조). [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 공개 특허 출원 제H02-82221일본 공개 특허 출원 제H02-310536 일본 공개 특허 출원 제2008-243928 일본 공개 특허 출원 제2007-109918 일본 공개 특허 출원 제2007-115807 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 그러나, 산화물 반도체를 이용한 종래의 표시 패널에서는 단지 전극 재료로서 투광성을 갖는 도전막이 이용되었기 때문에, 개구율은 개선될 수 없었다. 또한, 금속 산화물을 이용하여 표시 장치를 제조할 때, 그 신뢰성은 고려되지 않았다.전술된 사항에 비추어, 본 발명의 한 목적은, 금속 산화물을 이용하여 형성된 표시 장치의 개구율과 신뢰성 모두를 향상시키는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 산화물 반도체막을 이용하여 채널 형성 영역을 포함한 반도체층을 형성하는 박막 트랜지스터를 갖는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 산화물 반도체막의 순도를 높이고 불순물인 수분 등을 저감하기 위한 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)를 수행한다. 또한, 산화물 반도체막내 뿐만이 아니라, 게이트 절연층내, 및 접하여 형성되는 상부막 및 하부막과 산화물 반도체막 사이의 계면들에 존재하는 수분 등의 불순물이 저감된다.본 명세서에서 개시되는 본 발명의 한 실시예는, 절연 표면을 갖는 기판 위에 금속 산화물을 포함하는 게이트 전극층을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극층 위에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연층 위에 산화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 산화물 반도체층을 탈수화 또는 탈수소화하는 단계; 상기 탈수화 또는 탈수소화된 산화물 반도체층 위에 금속 산화물을 포함하는 소스 전극층 및 드레인 전극층을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연층, 상기 산화물 반도체층, 상기 소스 전극층, 및 상기 드레인 전극층 위에 상기 산화물 반도체층의 일부와 접하여 보호 절연층을 형성하는 단계; 상기 보호 절연층 위에 금속 산화물을 포함하는 화소 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이다.탈수화 또는 탈수소화의 경우, 열 처리는, 산소 분위기하, 질소 또는 희가스(아르곤, 헬륨 등)의 불활성 기체 분위기하, 또한 감압하에서, 350℃ 이상, 바람직하게는 400℃ 이상, 기판의 변형점 미만의 온도에서 수행되어, 산화물 반도체층에 포함된 수분과 같은 불순물을 저감한다.산화물 반도체의 탈수화 또는 탈수소화는, 탈수화 또는 탈수소화된 산화물 반도체층에 대해서 승온 이탈 가스 분석법(TDS：Thermal Desorption Spectroscopy)으로 450℃까지 측정을 수행할 때 물의 2개의 피크들 중 적어도 300℃부근에 나타나는 1개의 피크는 검출되지 않는 정도의 열처리 조건으로 수행된다. 따라서, 탈수화 또는 탈수소화된 산화물 반도체층을 이용한 박막 트랜지스터에 대해서 TDS로 450℃까지 측정을 수행해도 적어도 300℃ 부근에 나타나는 물의 피크는 검출되지 않는다.그 다음, 산화물 반도체층이 탈수화 또는 탈수소화되는 가열 온도 T로부터, 다시 물이 들어가지 않도록 방지하기에 충분한 온도까지, 구체적으로는, 가열 온도 T보다 100℃ 이상, 바람직하게는 100℃ 이하까지 서랭한다.가열 온도 T로부터 온도를 내릴 때의 가스 분위기는, 가열 온도 T까지 온도를 상승시킬 때의 가스 분위기와는 상이한 가스 분위기로 전환될 수도 있다.탈수화 또는 탈수소화를 실시하는 열 처리에 의해 막 내의 함유 수분을 저감시킨 다음, 수분을 포함하지 않는 분위기(이슬점이 -40℃ 이하, 바람직하게는 -60℃ 이하) 하에서 서랭(또는 냉각)하여 형성된 산화물 반도체막을 이용함으로써, 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시키고 양산성 및 고성능을 실현한다.본 명세서에서는, 산소 분위기 하에서, 질소 또는 희가스(아르곤, 헬륨 등)와 같은 불활성 기체 분위기 하에서, 또는 감압하에서의 열 처리를, 탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리라고 부른다. 편의상, 본 명세서에서의 탈수화 또는 탈수소화란, 열 처리에 의한 H2의 제거뿐만 아니라, 열 처리에 의한 H, OH 등의 제거를 말하는 것이다.질소, 또는 희가스(아르곤, 헬륨 등)와 같은 불활성 기체 분위기 하에서 또는 감압 하에서 열 처리를 수행하는 경우, i형인 산화물 반도체층은, 열 처리에 의해 산소 결핍형 층이 되어, 저저항, 즉 n형(n- , n＋등)이 되고, 그 후, 산화물 반도체층에 접하는 산화물 절연막을 형성함으로써 산화물 반도체층을 산소 과잉인 상태로 두어, 고저항, 즉 i형화된다고 말할 수 있다. 따라서, 양호한 전기적 특성과 높은 신뢰성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치를 제조 및 제공할 수 있다.질소, 또는 희가스(아르곤, 헬륨 등)와 같은 불활성 기체 분위기하에서 또는 감압하에서 열 처리를 수행한 다음, 분위기를 바꾸어 산소 분위기로 서랭을 수행하는 경우, 산화물 반도체층은 열 처리에 의해 산소 결핍형 층이 되어 저저항, 즉 n형(n- , n＋등)이 되고, 그 후, 산소 분위기에서의 서랭에 의해 산화물 반도체층을 산소 과잉인 상태로 두어, 고저항, 즉 i형화된다고 말할 수 있다.또한, 산소 분위기에서 탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리를 수행하는 경우, 산화물 반도체층 내의 수분이 빠짐으로써, 산화물 반도체층은 산소 과잉 상태가 될 수 있다.본 명세서에서 사용되는 용어 "산화물 반도체"는, InMO3(ZnO)m (m＞0)로 표기되고, 산화물 반도체의 박막을 산화물 반도체층으로서 이용하는 박막 트랜지스터가 제조된다. 게다가, M은, Ga, Fe, Ni, Mn 및 Co로부터 선택된 하나 이상의 금속 원소를 나타낸다는 점에 유의해야 한다. 예를 들어, M은 Ga이거나, Ga에 추가하여 상기 금속 원소를 포함할 수 있다. 예를 들어, M은 Ga 및 Ni이거나, Ga 및 Fe일 수 있다. 게다가, 상기 산화물 반도체에 있어서, 일부 경우에는, M으로서 포함되는 금속 원소 외에, 불순물 원소로서 Fe, Ni와 같은 천이 금속, 또는 천이 금속의 산화물이 포함된다. 본 명세서에 있어서, InMO3(ZnO)m (m＞0)로 표기되는 구조의 산화물 반도체 중에서, M으로서 Ga를 포함하는 산화물 반도체를 In-Ga-Zn-O계 산화물 반도체라고 부르며, In-Ga-Zn-O계 산화물 반도체의 박막을 In-Ga-Zn-O계 비-단결정 막이라고 부른다.산화물 반도체층에 적용되는 금속 산화물로서 상기 외에도, In-Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-O-계의 금속 산화물; Sn-O-계의 금속 산화물; Zn-O-계의 금속 산화물을 적용할 수 있다. 대안으로서, 상기 금속 산화물을 이용하여 형성된 산화물 반도체층에는 산화 규소가 포함될 수도 있다.산화물 반도체는, 바람직하게는 In을 포함하고, 더 바람직하게는, In 및 Ga를 포함한다. 산화물 반도체층을 i형(진성)으로 변화시키는데 있어서, 탈수화 또는 탈수소화가 효과적이다.산화물 반도체층을 형성한 후 탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리를 수행하는 경우, 열 처리의 조건 또는 산화물 반도체층의 재료에 따라, 산화물 반도체층이 아몰퍼스 상태로부터 미정질막 또는 다결정막이 된다. 또한, 몇몇 경우, 산화물 반도체층은 부분적으로 결정화된다. 예를 들어 아몰퍼스 구조 내에 결정립(나노 크리스탈)이 포함될 수도 있다. 산화물 반도체층이 미정질막 또는 다결정막으로 변하는 경우에도, 산화물 반도체층을 산소 과잉 상태로 두어 고저항, 즉, i형화할 수 있는 한, 박막 트랜지스터는 스위칭 특성을 얻을 수 있다.그러나, TFT의 오프 전류를 저감하고 낮은 소비 전력을 달성하기 위해서는, 산화물 반도체층이 아몰퍼스 상태인 것이 바람직하다.산화물 반도체층의 형성 후에 탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리를 수행한 후에도 아몰퍼스 상태가 되기 위해서는, 산화물 반도체층이 50 nm 이하의 얇은 두께를 갖는 것이 바람직하다. 산화물 반도체층의 두께를 얇게 함으로써, 산화물 반도체층의 형성 후 열 처리시 산화물 반도체층의 결정화를 억제할 수 있다.대안으로서, 산화물 반도체층의 형성 후에 탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리를 수행해도 산화물 반도체층을 아몰퍼스 상태로 하기 위해서는, 결정화를 저해하는 산화 규소(SiOx (X＞0))를 산화물 반도체층에 포함시켜, 제조 공정에 있어 산화물 반도체층의 형성 후 열 처리할 때 결정화되는 것을 억제할 수 있다.본 명세서에서, 오프 전류란, 트랜지스터가 오프 상태일 때 소스 전극과 드레인 전극 사이에 흐르는 전류를 말한다는 점에 유의한다. 예를 들어, n 채널 트랜지스터에서, 오프 전류는, 게이트 전압이 트랜지스터의 임계 전압보다 낮을 때 소스 전극과 드레인 전극 사이에 흐르는 전류이다.또한, 게이트 전극층, 소스 전극층, 드레인 전극층, 화소 전극층, 또는 그 외의 전극층이나, 그 외의 배선층은, 스퍼터링법이나 진공 증착법(전자빔 증착법등)이나, 아크 방전 이온 도금법이나, 스프레이법을 이용해 가시광 투광성을 갖는 도전 재료, 예를 들어 In-Sn-Zn-O계의 금속 산화물; In-Al-Zn-O계의 금속 산화물; Sn-Ga-Zn-O계의 금속 산화물; Al-Ga-Zn-O계의 금속 산화물; Sn-Al-Zn-O계의 금속 산화물; In-Zn-O계의 금속 산화물; Sn-Zn-O계의 금속 산화물; Al-Zn-O계의 금속 산화물; In-O계의 금속 산화물; Sn-O계의 금속 산화물; Zn-O계의 금속 산화물을 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 금속 산화물로 형성되는 배선층 또는 전극층에는 산화 규소가 포함될 수도 있다.게이트 전극층, 소스 전극층, 드레인 전극층, 화소 전극층, 또는 그 외의 전극층이나, 그 외의 배선층에 사용될 수 있는 다른 재료로서, 질소를 포함하는 Al-Zn-O계 비-단결정 막, 즉 Al-Zn-O-N계 비-단결정 막이나, 질소를 포함하는 Zn-O-N계 비-단결정 막이나, 질소를 포함하는 Sn-Zn-O-N계 비-단결정 막을 이용할 수도 있다. Al-Zn-O-N계 산화물 반도체막에서의 아연의 상대적 비율(원자%)은 47 원자% 이하이고, 산화물 반도체막 내의 알루미늄의 상대적 비율(원자%)보다 크다는 점에 유의한다. 산화물 반도체막 내의 알루미늄의 상대적 비율(원자%)은, 투광성을 갖는 도전막 내의 질소의 상대적 비율(원자%)보다 크다. 투광성을 갖는 도전막의 상대적 비율의 단위는 원자%이고, 전자선 마이크로 애널라이저(EPMA：Electron Probe X-ray MicroAnalyzer)를 이용한 분석에 의해 평가된다는 점에 유의한다.게이트 전극층, 소스 전극층, 드레인 전극층, 화소 전극층, 또는 그 외의 전극층이나, 그 외의 배선층에 대해 가시광 투광성을 갖는 도전막을 이용함으로써, 표시 장치의 개구율을 향상시킬 수 있다. 또한, 산화물 반도체층에 대해서도 투광성을 갖는 재료를 이용하면, 개구율을 더욱 향상시킬 수 있다. 박막 트랜지스터의 구성요소들(배선 및 반도체층)에 대해 투광성을 갖는 막을 사용함으로써, 특히 소형의 액정 표시 장치에서, 주사선의 개수를 늘리는 등의 표시 화상의 고품질화를 실현하기 위해 화소 크기를 미세화해도, 높은 개구율을 달성할 수 있다. 또한, 박막 트랜지스터의 구성요소들에 대해 투광성을 갖는 막을 이용함으로써, 광시야각을 달성하기 위해 하나의 화소를 복수의 부화소로 분할하는 경우에도 높은 개구율을 달성할 수 있다. 즉, 박막 트랜지스터군을 고밀도로 배치해도 개구율을 높일 수 있고 표시 영역의 면적을 충분히 확보할 수 있다. 예를 들어, 하나의 화소가 2 내지 4개의 부화소를 갖는 경우, 박막 트랜지스터 뿐만 아니라 각각의 스토리지 커패시터도 투광성을 가지기 때문에, 개구율을 향상시킬 수 있다.또한, 발광 표시 장치에서, 박막 트랜지스터의 구성요소들(배선 및 반도체층)에 대해 투광성을 갖는 막을 이용함으로써, 1개의 화소에 복수의 박막 트랜지스터를 배치해도 높은 개구율을 실현할 수 있다. 발광 소자를 이용한 발광 표시 장치에서, 복수의 박막 트랜지스터가 화소부에 포함되고, 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 다른 트랜지스터의 소스 배선 또는 드레인 배선을 전기적으로 접속시키는 부분도 역시 화소부에 포함된다. 예를 들어, 발광 표시 장치에서 하나의 화소에 2 내지 7개의 박막 트랜지스터 및 스토리지 커패시터가 포함되어도, 박막 트랜지스터 및 스토리지 커패시터가 투광성을 가지고 있기 때문에, 높은 개구율을 달성할 수 있다.또한, 게이트 전극층, 소스 전극층, 드레인 전극층, 화소 전극층, 또는 그 외의 전극층이나, 그 외의 배선층을 동일한 재료를 이용하여 형성하면, 공통의 스퍼터링 타겟이나 공통의 제조 장치를 이용할 수가 있어서, 이들 층들의 재료 및 에칭시에 사용하는 에칭제(또는 에칭 가스)의 비용을 저감하게 되어, 결과적으로 제조 비용을 절감할 수 있다.본 명세서에 있어서, 가시광 투광성을 갖는 막이란, 가시광 투과율이 75% 내지 100%인 두께를 갖는 막을 말한다. 이와 같은 막은 투명 도전막이라고도 불린다. 또한, 게이트 전극층, 소스 전극층, 드레인 전극층, 화소 전극층, 또는 그 외의 전극층이나, 그 외의 배선층에 대한 금속 산화물로서, 가시광선에 대해서 반투명의 도전막을 이용할 수도 있다. 도전막이 가시광선에 대해 반투명인 경우, 그 도전막의 가시광선 투과율은 50% 내지 75%이다.게이트 전극층, 소스 전극층, 드레인 전극층, 화소 전극층, 또는 그 외의 전극층이나, 그 외의 배선층 각각의 두께는, 30 nm이상, 200 nm이하로 설정된다. 각각의 층이 투광성을 갖거나 가시광에 대해 반투명이 되도록 하는 두께를 선택할 수 있다.또한, 게이트 절연층 및 산화물 반도체막은, 대기에 노출되지 않고 연속적으로 처리(연속 처리, 인 시츄(in situ) 공정, 연속 성막이라고도 부름)될 수도 있다. 게이트 절연층 및 산화물 반도체막을 대기에 노출시키지 않고 연속 처리할 때, 게이트 절연층 및 산화물 반도체막의 계면이, 습기나 하이드로 카본등의, 대기 성분이나 대기중에 부유하는 불순물 원소에 오염되지 않고, 게이트 절연층 및 산화물 반도체막을 형성할 수 있다. 따라서, 박막 트랜지스터들간의 특성 격차를 저감할 수 있다.본 명세서에서 "연속 처리"란, PCVD법 또는 스퍼터링법에 의한 제1 처리 단계로부터 PCVD법 또는 스퍼터링법에 의한 제2 처리 단계까지의 일련의 공정 동안에, 피처리 기판이 놓여 있는 분위기가 대기등의 오염 분위기에 오염되지 않고, 진공, 불활성 가스 분위기(질소 분위기 또는 희가스 분위기), 또는 산소 분위기에 있도록 항상 제어됨을 말한다는 점에 유의해야 한다. 연속 처리에 의해, 세정된 피처리 기판에 수분 등이 재부착되는 것을 피하면서 막 형성 등이 수행될 수 있다.동일한 챔버에서 제1 처리 단계로부터 제2 처리 단계까지의 공정을 수행하는 것은, 본 명세서에서의 연속 처리의 범위 내에 있다.또한, 상이한 챔버에서 제1 처리 단계로부터 제2 처리 단계까지의 공정을 수행하는 경우, 제1 처리 단계를 끝낸 후, 대기에 접하지 않고 또 다른 챔버로 기판을 반송하여 제2 처리를 가하는 것도 본 명세서에서의 연속 처리의 범위 내에 있다.제1 처리 단계와 제2 처리 단계 사이에, 기판 반송 단계, 정렬 단계, 서랭 단계, 또는 제2 단계에 필요한 온도로 기판을 가열 또는 냉각하는 단계 등이 제공될 수 있다는 점에 유의한다. 이와 같은 공정도 역시 본 명세서에서의 연속 처리의 범위 내에 있다.세정 단계, 습식 에칭, 저항 형성과 같은 액체를 이용하는 공정이 제1 처리 단계와 제2 처리 단계 사이에 제공될 수 있다. 이와 같은 경우는, 본 명세서에서의 연속 처리의 범위 내에 있지 않다.또한, 상기 제조 방법으로 얻을 수 있는 구조를 갖는 반도체 장치는, 절연 표면을 갖는 기판 위의 게이트 전극층; 상기 게이트 전극층 위의 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 위의 산화물 반도체층; 상기 산화물 반도체층 위의 소스 전극층 및 드레인 전극층; 상기 게이트 절연층, 상기 산화물 반도체층, 상기소스 전극층, 및 상기 드레인 전극층 위의, 상기 산화물 반도체층의 일부와 접하는 보호 절연층; 상기 보호 절연층 위의 금속 산화물을 포함하는 화소 전극층을 포함한다. 상기 구조에서, 게이트 전극층, 게이트 절연층, 산화물 반도체층, 소스 전극층, 드레인 전극층, 보호 절연층, 및 화소 전극층은 투광성을 갖는다. 화소 전극층은, 산화물 반도체층 및 게이트 전극층과 중첩한다.상기 구조를 통해, 전술된 문제점들 중 적어도 하나가 해결된다.상기 구조에서, 화소 전극층은, 산화물 반도체층 및 게이트 전극층과 중첩되지만, 중첩하는 영역도 표시 영역으로서 이용할 수가 있어, 높은 개구율을 실현할 수 있다. 산화물 반도체층 및 게이트 전극층과 중첩하는 화소 전극층은, 인접 화소의 화소 전극층이 될 수도 있다. 즉, 소스 전극층 및 드레인 전극층이 사이에 개재된 채 산화물 반도체층에 전기적으로 접속된 화소 전극층이, 산화물 반도체층의 채널 형성 영역과 중첩하지 않고 인접 화소의 화소 전극층과 중첩하는 구조를 이용할 수 있다.FPC와 같은 외부 단자에 접속된 복수의 단자 전극이 배치되는 단자부에서, 단자 전극은 게이트 전극층, 소스 전극층, 드레인 전극층, 또는 화소 전극층과 동일한 재료 및 공정으로 형성될 수 있다.또한, 액정 표시 장치 또는 발광 표시 장치의 화소부의 스토리지 커패시터는, 가시광 투광성을 갖는 도전 재료로 형성된 커패시터 배선층과, 가시광 투광성을 갖는 도전 재료로 형성된 커패시터 전극층과, 유전체로서 사용되는 게이트 전극층을 포함한다. 이 경우 커패시터 배선층은, 게이트 전극층과 동일한 재료 및 공정을 이용하여 형성될 수가 있음에 유의한다. 또한, 커패시터 전극층은, 소스 전극층 또는 드레인 전극층과 동일한 재료 및 공정을 이용하여 형성될 수 있다.대안으로서, 액정 표시 장치 또는 발광 표시 장치의 화소부의 스토리지 커패시터는, 가시광 투광성을 갖는 도전 재료로 형성된 커패시터 배선층과, 가시광 투광성을 갖는 도전 재료로 형성된 화소 전극층과, 유전체로서 사용되는 보호 절연층을 포함할 수 있다. 이 경우 커패시터 배선층은, 소스 전극층 또는 드레인 전극층과 동일한 재료 및 공정을 이용하여 형성될 수 있다.게다가, 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치로서, 액정 표시 장치 외에도, 발광 소자를 이용하는 발광 표시 장치, 및 전기 영동(electrophoretic) 표시 소자를 이용하는 전자 페이퍼라고도 칭해지는 표시 장치를 들 수 있다.전술한 액정 표시 장치에는 특별한 제한이 없으며, TN 액정, IPS 액정, OCB 액정, STN 액정, VA 액정, ECB 액정, GH 액정, 고분자 분산형 액정, 디스코텍 액정 등을 이용할 수 있다. 그 중에서, 수직 배향(VA) 모드를 이용하는 투과형 액정 표시 장치와 같은 노멀리-블랙 액정 패널이 바람직하다. 수직 배향 모드로서 몇가지 예가 있다. 예를 들어, MVA(Multi- Domain Vertical Alignment) 모드, PVA(Patterned Vertical Alignment) 모드, ASV 모드 등을 이용할 수 있다. 구체적으로는, 하나의 화소가 복수의 부화소로 분할되고, 각 부화소의 중앙에 대응하는 대향 기판의 위치에 볼록부가 제공되어, 멀티-도메인 화소가 형성된다. 한 개 화소를 복수의 부화소로 분할하고 각 부화소의 중앙에 대응하는 대향 기판의 위치에 볼록부를 제공하여, 한 개 화소의 배향 분할(멀티-도메인)이 행해지고 광시야각을 달성하는 구동 방법은, 부화소 구동이라 불린다. 볼록부는, 대향 기판 및 소자 기판 중 하나 또는 양쪽 모두에 제공될 수 있다. 볼록부는, 액정 분자를 방사상으로 배향시켜, 배향 제어력을 개선시킨다.또한, 액정 구동용 전극, 즉, 화소 전극은, 전압이 인가되는 방향이 변동될 수 있도록 빗살 모양이나 지그재그 모양과 같은 상부면 형상을 가질 수도 있다. 또한, 멀티-도메인 화소는, 광배향을 이용하여 형성될 수도 있다.박막 트랜지스터는 정전기 등으로 인해 파괴되기 쉽기 때문에, 화소부의 박막 트랜지스터를 보호하기 위한 보호 회로를 게이트선 또는 소스선에 대해 동일한 기판 위에 제공하는 것이 바람직하다. 보호 회로는, 산화물 반도체를 포함하는 비선형 소자로 형성하는 것이 바람직하다.표시 장치의 화소부에 있어서, 박막 트랜지스터의 구성요소들에 대해 투광성을 갖는 막을 사용함으로써, 주사선의 개수를 늘리는 등의 표시 화상의 고품질화를 실현하기 위해 화소 크기를 미세화해도, 높은 개구율을 달성할 수 있다. 또한, 박막 트랜지스터의 구성요소들에 대해 투광성을 갖는 막을 이용함으로써, 광시야각을 달성하기 위해 하나의 화소를 복수의 부화소로 분할하는 경우에도 높은 개구율을 달성할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 첨부된 도면에서, 도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 한 실시예의 제조 단계들을 도시하는 단면도.도 2a 및 도 2b는 각각 본 발명의 한 실시예를 도시하는 평면도 및 단면도.도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 한 실시예의 제조 단계들을 도시하는 단면도.도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 한 실시예의 제조 단계들을 도시하는 단면도.도 5a 내지 5c는 본 발명의 한 실시예의 제조 단계들을 도시하는 단면도.도 6a 및 도 6b는 각각 본 발명의 한 실시예를 도시하는 평면도 및 단면도.도 7a 및 도 7b는 본 발명의 한 실시예의 제조 단계들을 도시하는 단면도이고, 도 7c는 본 발명의 한 실시예를 도시하는 평면도.도 8의 (A) 내지 (D)는, 본 발명의 한 실시예의 제조 단계들을 도시하는 단면도.도 9의 (A) 내지 (C)는, 본 발명의 한 실시예의 제조 단계들을 도시하는 단면도.도 10은 본 발명의 한 실시예를 도시하는 평면도.도 11은 본 발명의 한 실시예를 도시하는 평면도.도 12a 및 도 12c는 본 발명의 한 실시예를 도시하는 단면도이고, 도 12b 및 도 12d는 본 발명의 한 실시예를 도시하는 평면도. 도 13a 내지 13c는 본 발명의 한 실시예를 도시하는 사시도.도 14a 및 도 14b는 본 발명의 한 실시예를 도시하는 블록도.도 15는 본 발명의 한 실시예를 도시하는 타이밍도.도 16은 반도체 장치에서 화소의 등가 회로도.도 17a 내지 도 17c는 각각 반도체 장치를 도시하는 단면도.도 18a 및 도 18b는 각각 반도체 장치를 도시하는 도면.도 19a 및 도 19b는 각각 반도체 장치를 도시하는 도면.도 20은 반도체 장치를 도시하는 도면. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명의 실시를 위한 최상의 모드 이하에서는, 본 발명의 실시예들이 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명될 것이다. 그러나, 본 발명은 이하의 설명으로만 제한되는 것은 아니며, 당업자라면 본 명세서에서 개시된 모드들과 세부사항들이 다양한 방식으로 수정될 수 있다는 것을 용이하게 이해할 것이다. 따라서, 본 발명은 실시예들의 설명으로만 제한되는 것으로 해석되어서는 안된다.[실시예 1] 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을, 도 1a 내지 도 1c, 및 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명한다. 도 2b에는, 채널-에칭형이라 불리는 구조의 한 유형인 박막 트랜지스터(470)가 예시되어 있다. 도 2a는 반도체 장치에 포함된 박막 트랜지스터(470)의 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 라인 C1-C2를 따라 취해진 단면도이다. 박막 트랜지스터(470)는 바텀 게이트 박막 트랜지스터(bottom gate thin film transistor)이며, 절연 표면을 갖는 기판(400) 위에, 게이트 전극층(401), 게이트 절연층(402), 산화물 반도체층(403), 소스 전극층(405a), 및 드레인 전극층(405b)을 포함한다. 또한, 박막 트랜지스터(470)를 피복하고 산화물 반도체층(403)과 접하도록 산화물 절연막(407)이 제공된다. 절연 표면을 갖는 기판(400), 게이트 전극층(401), 게이트 절연층(402), 산화물 반도체층(403), 소스 전극층(405a), 드레인 전극층(405b), 및 산화물 절연막(407)은 모두 가시광 투과성을 갖는 재료를 이용하여 형성된다. 따라서, 박막 트랜지스터(470)는 투광성을 가지며, 박막 트랜지스터(470)가 디스플레이 장치의 화소부에 위치하는 경우 개구율이 개선될 수 있다. 산화물 반도체층(403)에 관한 한, 적어도 산화물 반도체막이 형성된 후에, 불순물인 수분 등을 저감시키기 위한 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열처리)가 수행된다. 탈수화 또는 탈수소화를 위한 열처리 및 서랭(slow cooling)이, 산화물 반도체층 등과 접하는 산화물 절연막의 형성에 뒤따른다. 따라서, 산화물 반도체층의 캐리어가 감소되어 박막 트랜지스터(470)의 신뢰성이 개선된다. 산화물 반도체층(403)내 뿐만 아니라, 게이트 절연층(402)내, 및 산화물 반도체층(403)의 상하에 접해 설치되는 막과 산화물 반도체층(403)의 계면들, 구체적으로는 게이트 절연층(402)과 산화물 반도체층(403)의 계면, 및 산화물 절연막(407)과 산화물 반도체층(403)의 계면에 존재하는 수분 등의 불순물을 저감한다. 이하, 도 2b에 도시된 박막 트랜지스터(470)의 제작 공정을 설명하는 단면도가 도 1a 내지 도 1c에 있다. 도 1a에서, 절연 표면을 갖는 기판(400) 위에 게이트 전극층(401)이 제공된다. 절연 표면을 갖는 기판(400)으로서 사용될 수 있는 기판에 관해 특별한 제한은 없지만, 적어도, 이후에 수행되는 열 처리를 견딜만한 내열성(heat resistance)을 갖는 것이 필요하다. 절연 표면을 갖는 기판(400)으로서, 바륨 보로실리케이트 유리(barium borosilicate glass), 알루미노보로실리케이트 유리(aluminoborosilicate glass) 등으로 형성된 유리 기판을 이용할 수 있다. 유리 기판이 이용되고, 이후에 수행될 열 처리의 온도가 높은 경우에는, 바람직하게는, 변형점(strain point)이 730℃ 이상인 유리 기판이 이용된다. 유리 기판으로서, 예를 들어, 알루미노실리케이트 유리(aluminosilicate glass), 알루미노보로실리케이트 유리, 바륨 보로실리케이트 유리와 같은 유리 재료가 이용된다. 붕산(boric acid)보다 산화 바륨(BaO)을 더 많이 포함함으로써, 보다 실용적인 내열 유리를 얻을 수 있다는 점에 유의한다. 따라서, B2O3보다 BaO를 더 많이 포함한 유리 기판을 이용하는 것이 바람직하다. 상기의 유리 기판에 대신에, 세라믹 기판, 석영 기판, 사파이어 기판과 같은 절연체로 형성된 기판을 이용해도 좋다는 점에 유의한다. 대안으로서, 결정화된 유리 등을 이용할 수 있다. 또한, 기초막(base film) 역할을 하는 절연막을, 기판(400)과 게이트 전극층(401)의 사이에 제공할 수도 있다. 기초막은, 기판(400)으로부터의 불순물 원소의 확산을 방지하는 기능을 갖고 있어, 질화 규소막, 산화 규소막, 질화 산화 규소막, 또는 산화 질화 규소막 중 하나 이상을 단층으로 또는 적층하여 형성할 수 있다. 게이트 전극층(401)의 재료로서, 가시광 투광성을 갖는 도전 재료, 예를 들어 In-Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물, Sn-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-O-계의 금속 산화물; Sn-O-계의 금속 산화물; Zn-O-계의 금속 산화물을 사용할 수 있다. 게이트 전극층(401)의 두께는 30 nm 내지 200 nm의 범위내에서 적절하게 선택한다. 게이트 전극층(401)에 대해 이용되는 금속 산화물의 피착 방법으로서, 스퍼터링법, 진공 증착법(전자빔 증착법등), 아크 방전 이온 도금법, 스프레이법이 이용된다. 그 다음, 게이트 전극층(401) 위에 게이트 절연층(402)을 형성한다. 게이트 절연층(402)은, 플라스마 CVD법 또는 스퍼터링법등에 의해, 산화 규소층, 질화 규소층, 산화 질화 규소층 또는 질화 산화 규소층을 단층으로 또는 적층해 형성할 수 있다. 예를 들어, 막 형성 가스(film formation gas)로서 SiH4, 산소 및 질소를 이용해 플라스마 CVD법에 의해 산화 질화 규소층(silicon oxynitride layer)을 형성할 수도 있다. 그 다음, 게이트 절연층(402) 위에, 막두께 2 nm 이상, 200 nm이하의 산화물 반도체막을 형성한다. 스퍼터링법에 의해 산화물 반도체막을 형성하기 전에, 아르곤 가스를 도입해 플라스마를 발생시키는 역스퍼터링에 의해, 게이트 절연층(402) 표면의 먼지를 제거하는 것이 바람직하다는 점에 유의한다. 역스퍼터링이란, 타겟 측에 전압을 인가하지 않고, RF 전원을 이용해 아르곤 분위기에서 기판측에 전압을 인가해 기판 근방에 플라스마를 생성해 표면을 바꾸는 방법이다. 아르곤 대신에, 질소, 헬륨, 산소 등을 이용할 수도 있다는 점에 유의한다. 산화물 반도체막은, In-Ga-Zn-O-계 산화물 반도체 타겟을 이용한 스퍼터링법에 의해 형성한다. 대안으로서, 산화물 반도체막은, 희가스(대표적으로는 아르곤) 분위기, 산소 분위기, 또는 희가스(대표적으로는 아르곤) 및 산소 분위기 하에서 스퍼터링법에 의해 형성할 수 있다.게이트 절연층(402) 및 산화물 반도체막을 대기에 노출시키지 않고 연속적으로 형성할 수도 있다. 게이트 절연층(402) 및 산화물 반도체막을 대기에 노출시키지 않고 연속적으로 형성할 때, 게이트 절연층(402) 및 산화물 반도체막의 계면이, 습기나 하이드로 카본등의, 대기 성분이나 대기중에 부유하는 불순물 원소에 오염되지 않고, 게이트 절연층(402) 및 산화물 반도체막을 형성할 수 있다. 따라서, 박막 트랜지스터들간의 특성 격차를 저감할 수 있다.그 다음, 산화물 반도체막을, 포토리소그래피 단계에 의해 섬-형상의 산화물 반도체층인 산화물 반도체층(제1 산화물 반도체층(430))으로 가공한다(도 1a 참조). 그 다음, 제1 산화물 반도체층(430)을 탈수화 또는 탈수소화한다. 탈수화 또는 탈수소화를 수행하는 제1 열 처리의 온도는, 350℃ 이상, 기판의 변형점 미만이며, 바람직하게는 400℃ 이상이다. 여기서는, 열 처리 장치들 중 하나인 전기로(electric furnace) 내에 기판을 도입해, 제1 산화물 반도체층(430)에 대해 산소 분위기 하에서 열 처리를 수행한 다음, 산소 분위기 하에서 서랭을 수행하여, 제2 산화물 반도체층(431)을 형성한다(도 1b 참조). 산화물 반도체층을 탈수화 또는 탈수소화하는 가열 온도 T로부터, 다시 물이 들어가지 않도록 방지하기에 충분한 온도까지, 구체적으로는, 가열 온도 T보다 100℃ 이상 내릴 때까지 서랭한다. 대안으로서, 이후에 수행되는 제2 열 처리 온도보다 낮은 온도까지 서랭을 수행한 다음, 열 처리 장치로부터 기판을 꺼낸다. 산화물 반도체층을 산소 분위기에서 열 처리함으로써, 산화물 반도체층에 포함되는 수분 등의 불순물을 제거할 수가 있는 동시에 제2 산화물 반도체층(431)을 산소 과잉 상태로 두게 된다. 제1 열 처리의 조건 또는 산화물 반도체층의 재료에 따라, 산화물 반도체층이 결정화되어, 미정질막(microcrystalline film) 또는 다결정막(polycrystalline film)이 된다. 제1 열 처리에 있어서, 산소 가스에는, 물, 수소 등이 포함되지 않는 것이 바람직하다는 점에 유의한다. 대안으로서, 열 처리 장치 내에 도입하는 산소 가스의 순도는, 바람직하게는 6 N(99.9999%) 이상, 더욱 바람직하게는 7 N(99.99999%) 이상, (즉 산소중의 불순물 농도를 1 ppm 이하, 바람직하게는 0.1 ppm 이하)이다.제1 열 처리는, 0.5시간 이상, 10시간 이하 동안 수행되고, 전기로(electric furnace)의 승온율은 바람직하게는 0.1℃／min 이상, 20℃／min 이하이다. 또한, 전기로의 온도 감소율은, 바람직하게는 0.1℃／min 이상, 15℃／min 이하이다.그 결과, 이후에 형성되는 박막 트랜지스터의 신뢰성을 높일 수 있다.또한, 제1 열 처리에 대해, 전기로를 이용한 가열 방법 대신에, 가열된 기체를 이용하는 GRTA(Gas Rapid Thermal Anneal) 법 또는 램프광을 이용하는 LRTA(Lamp Rapid Thermal Anneal)법과 같은 순간 가열 방법을 이용할 수 있다.열 처리 장치가 멀티-챔버 방식인 경우, 제1 열 처리를 위한 챔버는 냉각 처리를 위한 챔버와 상이할 수 있다. 전형적으로는, 산소 가스로 충전되고 400℃ 이상, 기판의 변형점 미만의 온도로 가열된 제1 챔버에서, 기판 위의 산화물 반도체층을 가열한다. 다음으로, 산소 가스가 도입된 반송 챔버(transfer chamber)를 거쳐, 산소로 충전되고 100℃ 이하, 바람직하게는 실온인 제2 챔버로, 상기 제1 열 처리를 한 기판을 이동하여, 냉각 처리를 수행한다. 전술된 단계들을 통해, 처리율을 향상시킬 수 있다.대안으로서, 섬-형상의 산화물 반도체층으로 가공하기 이전의 산화물 반도체막에, 산소 분위기 하에서 제1 열 처리를 실시할 수도 있다. 그 경우에는, 산화물 반도체막의 제1 열 처리와 냉각 처리의 후에, 가열 장치로부터 기판을 꺼내, 포토리소그래피 단계를 수행한다.산화물 반도체막의 형성 이전에, 불활성 가스(질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤등의 희가스) 분위기에서, 산소 분위기에서, 또는 감압하에서, 게이트 절연층에 열 처리(400℃ 이상, 기판의 변형점 미만의 온도에서)를 수행하여, 층내의 수소 및 물과 같은 불순물을 제거할 수도 있다.그 다음, 게이트 절연층(402) 및 제2 산화물 반도체층(431) 위에 도전막을 형성한다. 도전막의 피착 방법으로서, 스퍼터링법, 진공 증착법(전자빔 증착법등), 아크 방전 이온 도금법, 또는 스프레이법을 이용한다.도전막의 재료로서, 가시광 투광성을 갖는 도전 재료, 예를 들어 In-Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물, Sn-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-O-계의 금속 산화물; Sn-O-계의 금속 산화물; Zn-O-계의 금속 산화물을 사용할 수 있다. 도전막의 두께는 30 nm 내지 200 nm의 범위내에서 적절하게 선택한다.그 다음, 제2 산화물 반도체층(431) 및 도전막을 포토리소그래피 단계에 의해 선택적으로 에칭하여, 산화물 반도체층(403), 소스 전극층(405a), 및 드레인 전극층(405b)을 형성한다. 산화물 반도체층의 일부만이 에칭되어 그루브(함몰부)를 갖는 산화물 반도체층이 된다는 점에 유의한다. 이 포토리소그래피 단계에서 이용되는 저항 마스크(resist mask)를 제거할 때 산소 애싱(ashing)을 수행하면, 산화물 반도체층의 노출된 영역에 산소가 도입된다.그 다음, 보호 절연층의 역할을 하는 산화물 절연막(407)을 산화물 반도체층(403)의 일부와 접하게 형성하여, 박막 트랜지스터(470)를 제조할 수 있다(도 1c 참조). 산화물 절연막(407)은, 적어도 1 nm 이상의 두께를 갖도록 형성되고, 산화물 절연막(407)에 물, 수소와 같은 불순물을 혼입시키지 않는 방법, 예를 들어, CVD법, 스퍼터링법을 적절하게 이용해 형성될 수 있다. 여기서는, 산화물 절연막(407)은, 스퍼터링법을 이용해 형성한다. 저저항 산화물 반도체층에 접하여 형성되는 산화물 절연막(407)은, 수분이나, 수소 이온이나, OH- 와 같은 불순물을 포함하지 않으며, 이것들이 외부로부터 침입하지 못하게 하는 무기 절연막을 이용해 형성된다. 전형적으로는, 산화 규소막, 질화 산화 규소막, 산화 알루미늄막, 또는 산화 질화 알루미늄막을 이용한다. 대안으로서, 질화 규소막이나 질화 알루미늄막을 산화물 절연막(407) 위에 접하여 형성할 수도 있다. 질화 규소막은, 수분이나, 수소 이온이나, OH-와 같은 불순물을 포함하지 않으며, 이것들이 외부로부터 침입하는 것을 방지한다.본 실시예에서는, 산화물 절연막(407)으로서 두께 300 nm의 산화 규소막을 형성한다. 막 형성시의 기판 온도는, 실온 이상, 300℃ 이하일 수 있으며; 이 실시예에서는, 기판 온도는 100℃이다. 산화 규소막은, 희가스(대표적으로는 아르곤) 분위기하, 산소 분위기하, 또는 희가스(대표적으로는 아르곤) 및 산소를 포함하는 분위기 하에서 스퍼터링법에 의해 형성할 수도 있다. 타겟으로서, 산화 규소 타겟 또는 규소 타겟을 이용할 수 있다. 예를 들어, 규소 타겟을 이용해, 산소 및 질소를 포함하는 분위기 하에서 스퍼터링법에 의해 산화 규소막을 형성할 수 있다.또한, 산화물 절연막(407)의 형성 후, 질소 분위기 하에서 또는 산소 분위기 하에서 박막 트랜지스터(470)에 제2 열 처리(바람직하게는 150℃ 이상, 350℃ 미만)를 수행할 수도 있다. 예를 들어, 질소 분위기에서 250℃, 1시간의 제2 열 처리를 수행할 수 있다. 제2 열 처리에 의해, 산화물 반도체층(403)이 산화물 절연막(407)에 접한 상태로 가열되어, 박막 트랜지스터(470)의 전기적 특성의 격차를 저감할 수 있다.[실시예 2] 실시예 1과 상이한 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을 도 3a 내지 도 3d를 참조하여 설명한다. 실시예 1과 동일하거나 유사한 기능을 가지는 부분은, 실시예 1에서 설명된 방식과 유사한 방식으로 형성할 수 있다. 따라서, 반복 설명은 생략한다.도 3a 내지 도 3d는 박막 트랜지스터(480)의 제조 공정을 나타내는 단면도이다. 도 3d에 도시된 박막 트랜지스터(480)의 구조는 역 코플래너형(바텀-컨택트형)이라고 불린다.실시예 1과 유사하게, 절연 표면을 갖는 기판(400) 위에 게이트 전극층(401)을 제공한다. 또한, 기초막(base film)의 역할을 하는 절연막을, 기판(400)과 게이트 전극층(401) 사이에 제공할 수도 있다.그 다음, 실시예 1과 유사하게, 게이트 전극층(401) 위에 게이트 절연층(402)을 형성한다. 그 다음, 게이트 절연층(402) 위에, 산화물 반도체막을 형성한다.그 다음, 산화물 반도체막이, 포토리소그래피 단계에 의해 섬-형상의 산화물 반도체층인 산화물 반도체층(제1 산화물 반도체층(430))으로 가공된다(도 3a 참조). 도 3a는 도 1a와 동일하다는 점에 유의한다.그 다음, 제1 산화물 반도체층(430)이 탈수화 또는 탈수소화된다. 탈수화 또는 탈수소화를 수행하는 제1 열 처리의 온도는, 350℃ 이상, 기판의 변형점 미만이며, 바람직하게는 400℃ 이상이다. 여기서는, 열 처리 장치들 중 하나인 전기로(electric furnace) 내에 기판을 도입해, 제1 산화물 반도체층(430)에 대해 불활성 가스(질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤등의 희가스) 분위기 하에서 또는 감압 하에서 열 처리를 수행하여, 제2 산화물 반도체층(442)을 형성한다(도 3b 참조). 불활성 가스 분위기 하에서 또는 감압 하에서의 열 처리에 의해, 산화물 반도체층의 저항은 감소되고(캐리어 농도가, 바람직하게는 1×1018/cm3 이상으로 증가), 저저항 산화물 반도체층(제2 산화물 반도체층(442))이 형성될 수 있다.제1 열 처리에 있어서, 질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤등의 희가스에, 물, 수소 등이 포함되지 않는 것이 바람직하다는 점에 유의한다. 대안으로서, 열 처리 장치에 도입되는 질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤등의 희가스의 순도는, 바람직하게는 6 N이상, 더욱 바람직하게는 7 N이상이다(즉, 불순물 농도는 1 ppm 이하, 바람직하게는 0.1 ppm 이하). 본 실시예에서는, 기판이 도입되는 전기로를 질소 분위기하에서, 350℃ 이상, 600℃ 이하, 바람직하게는 400℃ 이상으로 가열하여 탈수화 또는 탈수소화를 수행한 다음; 질소 또는 희가스의 도입을 중단하고 히터를 오프 상태로 한다.가열 후, 산소 분위기 하에서 서랭을 수행하여, 제3 산화물 반도체층(481)을 형성한다(도 3c 참조). 산화물 반도체층이 탈수화 또는 탈수소화되는 가열 온도 T로부터, 다시 물이 들어가지 않도록 방지하기에 충분한 온도까지, 구체적으로는, 가열 온도 T보다 100℃ 이상 내릴 때까지, 산소 분위기에서 서랭한다. 대안으로서, 이후에 수행되는 제2 열 처리의 온도보다 낮은 온도까지 산소 분위기에서 서랭을 수행한 다음, 열 처리 장치로부터 기판을 꺼낸다. 본 실시예에서는, 전기로의 히터를 오프 상태로 한 후, 산소를 전기로 내에 도입한 후에, 서랭한다. 도입되는 산소에, 물, 수소와 같은 불순물이 포함되지 않는 것이 바람직하다. 대안으로서, 가스 공급원으로부터 챔버내에 도입되는 산소의 순도는 6 N이하, 바람직하게는 7 N이하이다(즉, 산소중의 불순물 농도는 1 ppm 이하, 바람직하게는 0.1 ppm 이하).그 결과, 이후에 형성되는 박막 트랜지스터의 신뢰성을 높일 수 있다.감압하에서 제1 열 처리를 수행하는 경우, 열 처리 후에 전기로 내에 산소를 도입하고 압력을 대기압으로 되돌림으로써 냉각할 수 있다는 점에 유의한다.또한, 열 처리 장치가 멀티-챔버 방식인 경우, 제1 열 처리를 위한 챔버는 냉각 처리를 위한 챔버와 상이할 수 있다. 전형적으로, 질소 또는 희가스로 충전되고 400℃ 이상, 기판의 변형점 미만의 온도로 가열된 제1 챔버에서, 기판 위의 산화물 반도체층을 가열한다. 그 다음, 다시 물이 들어가지 않도록 하기에 충분한 온도까지, 구체적으로는, 가열 온도 T보다 100℃ 이상 내릴 때까지 서랭한다. 다음으로, 질소 또는 희가스가 도입된 반송실을 거쳐, 산소로 충전되고 100℃ 이하, 바람직하게는 실온인 제2 챔버 내에 상기 제1 열 처리를 한 기판을 이송하여, 냉각 처리를 수행한다. 전술된 단계들을 통해, 처리율을 향상시킬 수 있다.대안으로서, 섬-형상의 산화물 반도체층으로 가공하기 이전의 산화물 반도체막을, 불활성 가스 분위기 하에서 또는 감압하에서 제1 열 처리할 수도 있다. 그 경우에는, 제1 열 처리와 냉각 처리 후에, 가열 장치로부터 기판을 꺼내, 포토리소그래피 단계를 수행한다.산화물 반도체막의 형성 이전에, 불활성 가스(질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤등의 희가스) 분위기에서, 산소 분위기에서, 또는 감압하에서, 게이트 절연층에 열 처리(400℃ 이상, 기판의 변형점 미만의 온도에서)를 수행하여, 층내의 수소 및 물등의 불순물을 제거할 수 있다.그 다음, 게이트 절연층(402) 및 제3 산화물 반도체층(481) 위에 도전막을 형성한다.도전막의 재료로서, 가시광 투광성을 갖는 도전 재료, 예를 들어 In-Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-O-계의 금속 산화물; Sn-O-계의 금속 산화물; Zn-O-계의 금속 산화물을 사용할 수 있다. 도전막의 두께는 30 nm 내지 200 nm의 범위 내에서 적절하게 선택한다.그 다음, 제3 산화물 반도체층(481) 및 도전막을 포토리소그래피 단계에 의해 선택적으로 에칭하여, 산화물 반도체층(483), 소스 전극층(405a), 및 드레인 전극층(405b)을 형성한다. 산화물 반도체층의 일부만이 에칭되어 그루브(함몰부)를 갖는 산화물 반도체층이 된다는 점에 유의한다. 이 포토리소그래피 단계에서 이용되는 저항 마스크를 제거할 때 산소 애싱(ashing)을 수행하면, 산화물 반도체층의 노출된 영역에 산소가 도입된다.그 다음, 보호 절연층의 역할을 하는 산화물 절연막(407)을 산화물 반도체층(483)의 일부와 접하게 형성하여, 박막 트랜지스터(480)를 제조할 수 있다(도 3d 참조). 산화물 절연막(407)은, 적어도 1 nm 이상의 두께를 갖도록 형성되고, 산화물 절연막(407)에 물, 수소와 같은 불순물을 혼입시키지 않는 방법, 예를 들어, CVD법, 스퍼터링법을 적절하게 이용해 형성될 수 있다. 여기서는, 산화물 절연막(407)은, 스퍼터링법을 이용해 형성한다. 저저항 산화물 반도체층에 접하여 형성하는 산화물 절연막(407)은, 수분이나, 수소 이온이나, OH- 와 같은 불순물을 포함하지 않으며, 이것들이 외부로부터 침입하지 못하게 하는 무기 절연막을 이용해 형성된다. 전형적으로는, 산화 규소막, 질화 산화 규소막, 산화 알루미늄막, 또는 산화 질화 알루미늄막을 이용한다. 대안으로서, 질화 규소막이나 질화 알루미늄막을 산화물 절연막(407) 위에 접하여 형성할 수도 있다. 질화 규소막은, 수분이나, 수소 이온이나, OH-와 같은 불순물을 포함하지 않으며, 이것들이 외부로부터 침입하는 것을 방지한다.본 실시예에서는, 산화물 절연막(407)으로서 두께 300 nm의 산화 규소막을 형성한다. 막 형성시의 기판 온도는, 실온 이상, 300℃ 이하일 수 있으며; 이 실시예에서는, 기판 온도는 100℃이다. 산화 규소막은, 희가스(대표적으로는 아르곤) 분위기하, 산소 분위기하, 또는 희가스(대표적으로는 아르곤) 및 산소를 포함하는 분위기 하에서 스퍼터링법에 의해 형성할 수도 있다. 타겟으로서, 산화 규소 타겟 또는 규소 타겟을 이용할 수 있다. 예를 들어, 규소 타겟을 이용해, 산소 및 질소를 포함하는 분위기 하에서 스퍼터링법에 의해 산화 규소막을 형성할 수 있다.또한, 산화물 절연막(407)의 형성 후, 질소 분위기 하에서 또는 산소 분위기 하에서 박막 트랜지스터(480)에 제2 열 처리(바람직하게는 150℃ 이상, 350℃ 미만)를 수행할 수도 있다. 예를 들어, 질소 분위기에서 250℃, 1시간의 제2 열 처리를 수행할 수 있다. 제2 열 처리에 의해, 산화물 반도체층(483)이 산화물 절연막(407)에 접한 상태로 가열되어, 박막 트랜지스터(480)의 전기적 특성의 격차를 저감할 수 있다.이 실시예는 실시예 1과 자유로이 결합될 수 있다.[실시예 3]실시예 1 및 2와는 상이한 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을, 도 4a 내지 도 4c를 참조하여 설명한다. 실시예 1 및 2와 동일하거나 유사한 기능을 가지는 부분은, 실시예 1 및 2에서 설명된 방식과 유사한 방식으로 형성할 수 있다. 따라서, 반복 설명은 생략한다.도 4a 내지 도 4c는, 박막 트랜지스터(440)의 제조 공정을 나타내는 단면도이다. 도 4c에 도시된 박막 트랜지스터(440)의 구조는 채널 스톱형(channel stop type)이라고 불린다.실시예1과 유사하게, 절연 표면을 갖는 기판(400) 위에 게이트 전극층(401)이 제공된다. 또한, 기초막의 역할을 하는 절연막을, 기판(400)과 게이트 전극층(401)의 사이에 제공할 수도 있다.그 다음, 실시예 1과 유사하게, 게이트 전극층(401) 위에 게이트 절연층(402)을 형성한다. 그 다음, 게이트 절연층(402) 위에, 산화물 반도체막을 형성한다.그 다음, 산화물 반도체막이, 포토리소그래피 단계에 의해 섬-형상의 산화물 반도체층인 산화물 반도체층(제1 산화물 반도체층(430))으로 가공된다(도 4a 참조). 도 4a는 도 1a와 동일하다는 점에 유의한다.그 다음, 제1 산화물 반도체층(430)이 탈수화 또는 탈수소화된다. 탈수화 또는 탈수소화를 수행하는 제1 열 처리의 온도는, 350℃ 이상, 기판의 변형점 미만이며, 바람직하게는 400℃ 이상이다. 여기서는, 열 처리 장치들 중 하나인 전기로(electric furnace) 내에 기판을 도입해, 제1 산화물 반도체층(430)에 대해 불활성 가스(질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤등의 희가스) 분위기 하에서 또는 감압 하에서 열 처리를 수행하여, 제2 산화물 반도체층(444)을 형성한다(도 4b 참조). 제1 열 처리에 있어서, 질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤등의 희가스에, 물, 수소 등이 포함되지 않는 것이 바람직하다는 점에 유의한다. 대안으로서, 열 처리 장치 내에 도입되는 질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤등의 희가스의 순도는, 바람직하게는 6 N((99.9999 %)) 이상, 더욱 바람직하게는 7 N((99.99999 %)) 이상이다(즉, 불순물 농도를 1 ppm 이하, 바람직하게는 0.1 ppm 이하). 본 실시예에서는, 기판이 도입된 전기로를 질소 분위기 하에서, 350℃ 이상, 600℃ 이하, 바람직하게는 400℃ 이상으로 가열해 탈수화 또는 탈수소화를 수행한 후, 히터를 오프 상태로 해, 서랭한다. 불활성 가스 분위기 하에서 또는 감압 하에서의 열 처리 및 서랭에 의해, 산화물 반도체층의 저항은 감소되고(캐리어 농도가, 바람직하게는 1×1018/cm3 이상으로 증가하고), 저저항 산화물 반도체층(제2 산화물 반도체층(444))이 형성될 수 있다.감압하에서 열 처리를 수행하는 경우, 열 처리 후에 전기로 내에 불활성 가스를 도입하고 압력을 대기압으로 되돌림으로써 냉각할 수 있다는 점에 유의한다.또한, 열 처리 장치가 멀티-챔버 방식인 경우, 열 처리를 위한 챔버는 냉각 처리를 위한 챔버와 상이할 수 있다. 전형적으로는, 질소 또는 희가스로 충전되고 200℃ 이상, 600℃ 이하, 바람직하게는 400℃ 이상, 450℃ 이하로 가열된 제1 챔버에서, 기판 위의 산화물 반도체층을 가열한다. 그 다음, 다시 물이 들어가지 않도록 하기에 충분한 온도까지, 구체적으로는, 가열 온도 T보다 100℃ 이상 내릴 때까지 서랭한다. 다음으로, 질소 또는 희가스가 도입된 반송실을 거쳐, 질소 또는 희가스가 충전되고 100℃ 이하, 바람직하게는 실온인 제2 챔버 내에 상기 열 처리를 한 기판을 이송하여, 냉각 처리를 수행한다. 전술된 단계들을 통해, 처리율을 향상시킬 수 있다.대안으로서, 섬-형상의 산화물 반도체층으로 가공하기 이전의 산화물 반도체막을, 불활성 가스 분위기 하에서 또는 감압하에서 열 처리할 수도 있다. 그 경우, 불활성 가스 분위기 하에서 또는 감압 하에서 산화물 반도체막을 열 처리한 후, 실온 이상, 100℃ 미만까지 서랭을 수행한 다음, 가열 장치로부터 기판을 꺼내, 포토리소그래피 단계를 수행한다.산화물 반도체막의 형성 이전에, 불활성 가스(질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤등의 희가스) 분위기에서, 산소 분위기에서, 또는 감압하에서, 게이트 절연층에 열 처리(400℃ 이상, 기판의 변형점 미만의 온도에서)를 수행하여, 층내의 수소 및 물과 같은 불순물을 제거할 수 있다.그 다음, 게이트 절연층(402) 및 제2 산화물 반도체층(444) 위에 도전막을 형성한다.도전막의 재료로서, 가시광 투광성을 가지는 도전 재료, 예를 들어 In-Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-O-계의 금속 산화물; Sn-O-계의 금속 산화물; Zn-O-계의 금속 산화물을 사용할 수 있다. 도전막의 두께는 30 nm 내지 200 nm의 범위 내에서 적절하게 선택한다.그 다음, 제2 산화물 반도체층(444) 및 도전막을 포토리소그래피 단계에 의해 선택적으로 에칭하여, 산화물 반도체층(403), 소스 전극층(405a), 및 드레인 전극층(405b)을 형성한다. 산화물 반도체층의 일부만이 에칭되어 그루브(함몰부)를 갖는 산화물 반도체층이 된다는 점에 유의한다. 이 포토리소그래피 단계에서 이용되는 저항 마스크(resist mask)를 제거할 때 산소 애싱(ashing)을 수행하면, 산화물 반도체층의 노출된 영역에 산소가 도입된다.그 다음, 보호 절연층의 역할을 하는 산화물 절연막(407)을 산화물 반도체층의 일부와 접하게 형성한다. 산화물 절연막(407)은 적어도 1 nm 이상의 두께를 갖도록 형성되고, 산화물 절연막(407)에 물, 수소와 같은 불순물을 혼입시키지 않는 방법, 예를 들어, CVD법, 스퍼터링법을 적절하게 이용해 형성될 수 있다. 여기서는, 산화물 절연막(407)은, 스퍼터링법을 이용해 형성한다. 저저항 산화물 반도체층에 접하여 형성하는 산화물 절연막(407)은, 수분이나, 수소 이온이나, OH- 와 같은 불순물을 포함하지 않으며, 이것들이 외부로부터 침입하지 못하게 하는 무기 절연막을 이용해 형성된다. 전형적으로는, 산화 규소막, 질화 산화 규소막, 산화 알루미늄막, 또는 산화 질화 알루미늄막을 이용한다. 대안으로서, 질화 규소막이나 질화 알루미늄막을 산화물 절연막(407) 위에 접하여 형성할 수도 있다. 질화 규소막은, 수분이나, 수소 이온이나, OH-와 같은 불순물을 포함하지 않으며, 이것들이 외부로부터 침입하는 것을 방지한다.스퍼터링법 또는 PCVD법등에 의해 저저항 제2 산화물 반도체층(444)에 접하게 산화물 절연막(407)을 형성함으로써, 적어도 산화물 절연막(407)과 접하는 저저항 산화물 반도체층(444) 영역의 저항을 증가시켜(캐리어 농도가, 바람직하게는 1×1018/cm3 미만까지 감소됨), 고저항 산화물 반도체 영역을 형성할 수 있다. 또한, 소스 전극층(405a) 및 드레인 전극층(405b)과 중첩하는 저저항 산화물 반도체(444) 영역의 저항은, 여전히 낮은 상태이므로, 이들 사이에 고저항 산화물 반도체 영역을 끼워 2개의 저저항 산화물 반도체 영역을 얻는다. 반도체 장치의 제조 공정 동안에, 불활성 기체 분위기 하에서의(또는 감압 하에서의) 가열, 서랭 및 산화물 절연막의 형성 등에 의해 산화물 반도체층의 캐리어 농도를 증가 및 감소시키는 것이 중요하다. 산화물 반도체층(444)은, 고저항 산화물 반도체 영역 및 저저항 산화물 반도체 영역을 갖는 산화물 반도체층(443)( 제3 산화물 반도체층)이 되어, 박막 트랜지스터(440)가 형성될 수 있다. 고저항 산화물 반도체 영역은 박막 트랜지스터(440)의 채널 형성 영역의 역할을 한다는 점에 유의한다.드레인 전극층 및 소스 전극층과 중첩하는 산화물 반도체층(443)에 저저항 산화물 반도체 영역을 형성함으로써, 구동 회로를 형성할 때 신뢰성을 향상시킬 수 있다는 점에 유의한다. 구체적으로는, 저저항 산화물 반도체 영역을 형성함으로써, 드레인 전극층, 저저항 산화물 반도체 영역, 채널 형성 영역의 도전성을 이 순서대로 변화시킬 수 있는 구조를 실현한다. 드레인 전극층에 고전원 전위 VDD를 공급하는 배선에 접속되어 동작하는 트랜지스터에서, 게이트 전극층과 드레인 전극층 사이에 고전계가 인가되어도 저저항 산화물 반도체 영역이 버퍼로서 역할을 하여 국소적인 고전계가 인가되지 않는다. 이런 식으로, 트랜지스터는 내압을 향상시킨 구조를 가질 수 있다.또한, 드레인 전극층 및 소스 전극층과 중첩하는 산화물 반도체층(443)에서 저저항 산화물 반도체 영역을 형성함으로써, 구동 회로를 형성할 때 채널 형성 영역에서의 누설 전류가 저감될 수 있다는 점에 유의한다. 구체적으로는, 저저항 산화물 반도체 영역을 형성함으로써, 드레인 전극층과 소스 전극층 사이에 흐르는 누설 전류는, 드레인 전극층, 드레인 전극층측의 저저항 산화물 반도체 영역, 채널 형성 영역, 소스 전극층측의 저저항 산화물 반도체 영역, 및 소스 전극층을 통과한다. 이때, 드레인 전극층측의 저저항 산화물 반도체 영역으로부터 채널 형성 영역으로 흐르는 누설 전류는, 트랜지스터 오프시에 고저항을 갖는 게이트 절연층과 채널 형성 영역 사이의 계면 근방에 집중될 수 있어, 백 채널부(게이트 전극층으로부터 멀리 있는 채널 형성 영역의 표면의 일부)에서의 누설 전류가 저감될 수 있다.또한, 산화물 절연막(407)의 형성 후, 질소 분위기 하에서 또는 산소 분위기 하에서 박막 트랜지스터(440)에 제2 열 처리(바람직하게는 150℃ 이상, 350℃ 미만)를 수행할 수도 있다. 예를 들어, 질소 분위기에서 250℃, 1시간의 제2 열 처리를 수행할 수 있다. 제2 열 처리에 의해, 산화물 반도체층(443)이 산화물 절연막(407)에 접한 상태로 가열되어, 박막 트랜지스터(440)의 전기적 특성의 격차를 저감할 수 있다. 이 실시예는 실시예 1 또는 2와 자유로이 결합될 수 있다. [실시예 4] 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을, 도 5a 내지 도 5c와 도 6a 및 도 6b를 참조하여 설명한다.도 6a는, 반도체 장치에 포함된 박막 트랜지스터(460)의 평면도이고, 도 6b는, 도 6a의 라인 D1-D2를 따라 취해진 단면도이다. 박막 트랜지스터(460)는 바텀 게이트 박막 트랜지스터이며, 절연 표면을 갖는 기판(450) 위에, 게이트 전극층(451), 게이트 절연층(452), 소스 전극층(455a), 및 드레인 전극층(455b), 및 산화물 반도체층(453)을 포함한다. 또한, 박막 트랜지스터(460)를 피복하고 산화물 반도체층(453)과 접촉하도록 산화물 절연막(457)이 제공된다. 산화물 반도체층(453)을 위해, In-Ga-Zn-O계 비-단결정 막을 이용한다. 박막 트랜지스터(460)에서, 박막 트랜지스터(460)를 포함한 전체 영역에는 게이트 절연층(452)이 존재하고, 게이트 절연층(452)과, 절연 표면을 갖는 기판인 기판(450) 사이에는 게이트 전극층(451)이 제공되고 있다. 게이트 절연층(452) 위에는 소스 전극층(455a) 및 드레인 전극층(455b)이 제공되고 있다. 또한, 게이트 절연층(452), 소스 전극층(455a) 및 드레인 전극층(455b) 위에는 산화물 반도체층(453)이 제공되고 있다. 도시되지는 않았지만, 게이트 절연층(452) 위에는 소스 전극층(455a) 및 드레인 전극층(455b) 외에도 배선층이 제공되며, 이 배선층은 산화물 반도체층(453)의 외주부를 지나 연장되고 있다. 절연 표면을 갖는 기판(450), 게이트 전극층(451), 게이트 절연층(452), 산화물 반도체층(453), 소스 전극층(455a), 드레인 전극층(455b), 및 산화물 절연막(457)은 모두 가시광 투과성을 갖는 재료를 이용하여 형성된다. 따라서, 박막 트랜지스터(460)는 투광성을 가지며, 박막 트랜지스터(460)가 디스플레이 장치의 화소부에 위치하는 경우 개구율이 개선될 수 있다. 산화물 반도체층(453)은, 적어도 산화물 반도체막이 형성된 후에 불순물인 수분 등을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리) 및 서랭처리된다. 그 다음, 산화물 절연막(457)이 산화물 반도체층(453)과 접하여 형성된다. 이런 식으로, 산화물 반도체막은 채널 형성 영역으로서 이용된다. 도 5a 내지 도 5c는, 도 6b에 도시된 박막 트랜지스터(460)를 제조하는 단계들을 도시하는 단면도이다. 절연 표면을 갖는 기판인 기판(450) 위에 게이트 전극층(451)이 제공된다. 또한, 기초막 역할을 하는 절연막을, 기판(450)과 게이트 전극층(451)의 사이에 제공할 수도 있다. 기초막은, 기판(450)으로부터의 불순물 원소의 확산을 방지하는 기능을 갖고 있어, 질화 규소막, 산화 규소막, 질화 산화 규소막, 또는 산화 질화 규소막 중 하나 이상을 단층으로 또는 적층하여 형성할 수 있다. 게이트 전극층(451)의 재료로서, 가시광 투광성을 갖는 도전 재료, 예를 들어 In-Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물, Sn-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-O-계의 금속 산화물; Sn-O-계의 금속 산화물; Zn-O-계의 금속 산화물을 사용할 수 있다. 게이트 전극층(451)의 두께는 30 nm 내지 200 nm의 범위 내에서 적절하게 선택한다.그 다음, 게이트 전극층(451) 위에 게이트 절연층(452)을 형성한다.게이트 절연층(452)은, 플라스마 CVD법 또는 스퍼터링법등에 의해, 산화 규소층, 질화 규소층, 산화 질화 규소층 또는 질화 산화 규소층을 단층으로 또는 적층해 형성할 수 있다. 예를 들어, 막 형성 가스(film formation gas)로서 SiH4, 산소 및 질소를 이용해, 플라스마 CVD법에 의해, 산화 질화 규소층(silicon oxynitride layer)을 형성할 수도 있다. 그 다음, 게이트 절연층(452) 위에 도전막을 형성해, 포토리소그래피 단계에 의해 섬-형상의 소스 전극층(455a) 및 드레인 전극층(455b)으로 가공한다(도 5a 참조). 도전막의 재료로서, 가시광 투광성을 갖는 도전 재료, 예를 들어 In-Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물, Sn-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-O-계의 금속 산화물; Sn-O-계의 금속 산화물; Zn-O-계의 금속 산화물을 사용할 수 있다. 도전막의 두께는 30 nm 내지 200 nm의 범위내에서 적절하게 선택한다. 그 다음, 게이트 절연층(452), 소스 전극층(455a), 및 드레인 전극층(455b) 위에 산화물 반도체막을 형성해, 포토리소그래피 단계에 의해 섬-형상의 산화물 반도체층(483)(제1 산화물 반도체층)으로 가공한다(도 5b 참조). 이 포토리소그래피 단계에서 이용되는 저항 마스크(resist mask)를 제거할 때 산소 애싱(ashing)을 실시하면, 산화물 반도체층의 노출된 영역에 산소가 도입된다. 산화물 반도체막을 스퍼터링법에 의해 형성하기 전에, 아르곤 가스를 도입해 플라스마를 발생시키는 역스퍼터링에 의해, 게이트 절연층(452) 표면의 먼지를 제거하는 것이 바람직하다는 점에 유의한다. 산화물 반도체층(483)에 대해 탈수화 또는 탈수소화를 위한 제1 열 처리를 수행한다. 탈수화 또는 탈수소화를 수행하는 제1 열 처리의 온도는, 350℃ 이상, 기판의 변형점 미만이며, 바람직하게는 400℃ 이상이다.탈수화 또는 탈수소화를 위한 제1 열 처리로서, 불활성 가스(질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤등의 희가스) 분위기하, 산소 분위기하, 또한 감압하의 열 처리가 수행된다. 산화물 반도체층이 탈수화 또는 탈수소화되는 가열 온도 T로부터, 다시 물이 들어가지 않도록 방지하기에 충분한 온도까지, 구체적으로는, 가열 온도 T보다 100℃ 이상 내릴 때까지 서랭한다. 대안으로서, 이후에 수행되는 제2 열 처리 온도보다 낮은 온도까지 서랭한 다음, 열 처리 장치로부터 기판을 꺼낸다. 본 실시예에서는, 실시예 1과 유사하게, 산소 분위기 하에서 제1 열 처리를 수행하고 산소 분위기하에서 서랭을 수행하여, 층 내의 수분 등의 불순물이 저감된 산화물 반도체층(453)을 형성한다. 제1 열 처리 및 서랭의 조합에는 특별한 제한은 없고, 실시예 1, 실시예 2 내지 실시예 3 중 어느 하나에서 설명된 조합과 순서를 이용할 수 있다. 제1 열 처리에 있어서, 불활성 가스(질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤등의 희가스) 분위기 또는 산소 분위기에, 물, 수소 등이 포함되지 않는 것이 바람직하다는 점에 유의한다. 대안으로서, 열 처리 장치 내에 도입되는 산소 가스의 순도는, 바람직하게는 6 N(99.9999%) 이상, 더욱 바람직하게는 7 N(99.99999%) 이상(즉, 산소중의 불순물 농도를 1 ppm 이하, 바람직하게는 0.1 ppm 이하)이다.그 결과, 이후에 형성되는 박막 트랜지스터의 신뢰성을 높일 수 있다.대안으로서, 섬-형상의 산화물 반도체층으로 가공하기 이전의 산화물 반도체막에, 산소 분위기 하에서의 제1 열 처리를 실시할 수도 있다. 그 경우에는, 산화물 반도체막의 제1 열 처리와 냉각 처리 후에, 가열 장치로부터 기판을 꺼내, 포토리소그래피 단계를 수행한다. 산화물 반도체막의 형성 이전에, 불활성 가스(질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤등의 희가스) 분위기에서, 산소 분위기에서, 또는 감압하에서, 게이트 절연층에 열 처리(400℃ 이상, 기판의 변형점 미만의 온도에서)를 수행하여, 층내의 수소 및 물과 같은 불순물을 제거할 수 있다. 그 다음, 스퍼터링법 또는 PCVD법에 의해 산화물 반도체층(453)에 접하여 산화물 절연막(457)을 형성함으로써 박막 트랜지스터(460)을 제조할 수 있다(도 5c 참조). 본 실시예에서는, 산화물 절연막(457)으로서 두께 300 nm의 산화 규소막을 형성한다. 막 형성시의 기판 온도는, 실온 이상, 300℃ 이하일 수 있으며; 이 실시예에서는, 기판 온도는 100℃이다. 또한, 산화물 절연막(457)의 형성 후, 질소 분위기 하에서 또는 산소 분위기 하에서 박막 트랜지스터(460)에 제2 열 처리(바람직하게는 150℃ 이상, 350℃ 미만)를 수행할 수도 있다. 예를 들어, 질소 분위기 하에서 250℃, 1시간의 제2 열 처리를 수행한다. 제2 열 처리에 의해, 산화물 반도체층(453)이 산화물 절연막(457)에 접한 상태로 가열되어, 박막 트랜지스터(460)의 전기적 특성의 변동을 저감할 수 있다. 이 실시예는 실시예 1, 2 또는 3과 자유로이 결합될 수 있다.[실시예 5] 본 실시예에서는, 채널 스톱형의 박막 트랜지스터(1430)의 일례를 도 7a 내지 도 7c를 참조하여 설명한다. 박막 트랜지스터의 평면도의 일례가 도 7c에 도시되어 있고, 점선 Z1-Z2를 따라 취해진 단면도가 도 7b에 해당한다. 본 실시예는 박막 트랜지스터(1430)의 산화물 반도체층에 갈륨이 포함되지 않는 일례이다.우선, 게이트 전극층(1401)이 기판(1400) 위에 제공된다.또한, 기초막 역할을 하는 절연막을, 기판(1400)과 게이트 전극층(1401) 사이에 제공할 수 있다. 기초막은, 기판(1400)으로부터의 불순물 원소의 확산을 방지하는 기능을 갖고 있어, 질화 규소막, 산화 규소막, 질화 산화 규소막, 또는 산화 질화 규소막 중 하나 이상을 단층으로 또는 적층하여 형성할 수 있다. 게이트 전극층(1401)의 재료로서, 가시광 투광성을 갖는 도전 재료, 예를 들어 In-Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물, Sn-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-O-계의 금속 산화물; Sn-O-계의 금속 산화물; Zn-O-계의 금속 산화물을 사용할 수 있다. 게이트 전극층(1401)의 두께는 30 nm 내지 200 nm의 범위내에서 적절하게 선택한다. 그 다음, 게이트 전극층(1401)을 피복하도록 게이트 절연층(1402)을 형성한다. 게이트 절연층(1402) 위에 산화물 반도체층을 형성한다.본 실시예에서는, Sn-Zn-O계의 산화물 반도체를 이용하여 스퍼터링법에 의해 산화물 반도체층을 형성한다. 산화물 반도체층에 대해 갈륨을 이용하지 않을 경우, 산화물 반도체층의 형성에 값비싼 타겟을 이용하지 않을 수 있어서, 비용이 절감될 수 있다. 산화물 반도체막의 피착 직후 또는 산화물 반도체층을 섬-형상으로 가공한 후에, 탈수화 또는 탈수소화를 수행한다. 탈수화 또는 탈수소화를 위한 제1 열 처리로서, 불활성 가스(질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤등의 희가스) 분위기하, 산소 분위기하, 또한 감압하의 열 처리가 수행된다. 제1 열 처리를 수행하는 온도는, 350℃ 이상, 기판의 변형점 미만이며, 바람직하게는 400℃ 이상이다. 그 후, 산화물 반도체층이 탈수화 또는 탈수소화되는 가열 온도 T로부터, 다시 물이 들어가지 않도록 방지하기에 충분한 온도까지, 구체적으로는, 가열 온도 T보다 100℃ 이상 내릴 때까지 서랭한다. 대안으로서, 이후에 수행되는 제2 열 처리 온도보다 낮은 온도까지 서랭을 수행한 다음, 열 처리 장치로부터 기판을 꺼낸다. 본 실시예에서는, 실시예 1과 유사하게, 산소 분위기 하에서 제1 열 처리를 수행하고 산소 분위기 하에서 서랭을 수행하여, 층 내의 수분 등의 불순물이 저감된 산화물 반도체층(1403)을 형성한다(도 7a 참조). 제1 열 처리 및 서랭의 조합에는 특별한 제한은 없고, 실시예 1 내지 실시예 3 중 어느 하나에서 설명된 조합과 순서를 이용할 수 있다. 제1 열 처리에 있어서, 불활성 가스(질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤등의 희가스) 분위기, 또는 산소 분위기에, 물, 수소 등이 포함되지 않는 것이 바람직하다는 점에 유의한다. 대안으로서, 열 처리 장치에 도입되는 산소 가스의 순도는, 바람직하게는 6 N(99.9999%) 이상, 더욱 바람직하게는 7 N(99.99999%) 이상(즉, 분위기 중의 불순물 농도를 1 ppm 이하, 바람직하게는 0.1 ppm 이하)이다.그 결과, 이후에 형성되는 박막 트랜지스터의 신뢰성을 높일 수 있다.대안으로서, 섬-형상의 산화물 반도체층으로 가공하기 이전의 산화물 반도체막에, 산소 분위기 하에서의 제1 열 처리를 실시할 수도 있다. 그 경우에는, 산화물 반도체막의 제1 열 처리와 냉각 처리 후에, 가열 장치로부터 기판을 꺼내, 포토리소그래피 단계를 수행한다.산화물 반도체막의 형성 이전에, 불활성 가스(질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤등의 희가스) 분위기에서, 산소 분위기에서, 또는 감압하에서, 게이트 절연층에 열 처리(400℃ 이상, 기판의 변형점 미만의 온도에서)를 수행하여, 층내의 수소 및 물과 같은 불순물을 제거할 수 있다.그 다음, 산화물 반도체층(1403) 위에 접하여 채널 보호층(1418)을 제공한다. 채널 보호층(1418)을 제공함으로써, 제조 공정시에 산화물 반도체층(1403)의 채널 형성 영역에 대한 손상(예를 들어, 에칭시의 플라스마나 에칭제에 의한 두께 감소)를 방지할 수 있다. 따라서, 박막 트랜지스터(1430)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리 후, 대기에 노출시키지 않고 연속적으로 채널 보호층(1418)을 형성할 수 있다. 대기에 노출시키지 않고 연속적으로 막을 형성함으로써, 물이나 하이드로 카본과 같은 대기 성분이나 대기중에 부유하는 불순물 원소에 그 계면이 오염되지 않고, 산화물 반도체층(1403) 및 채널 보호층(1418)을 형성할 수 있다. 따라서, 박막 트랜지스터들간의 특성 격차를 저감할 수 있다. 채널 보호층(1418)은, 산소를 포함한 무기 재료(산화 규소, 산화 질화 규소, 질화 산화 규소등)를 이용하여 형성될 수 있다. 채널 보호층(1418)의 형성 방법으로서, 플라스마 CVD법이나 열 CVD법과 같은 증착법, 또는 스퍼터링법을 이용할 수 있다. 채널 보호층(1418)의 형성 후, 그 형상을 에칭에 의해 가공한다. 여기서는, 스퍼터링법에 의해 산화 규소막을 형성하고 포토리소그래피에 의해 형성된 마스크를 이용한 에칭에 의해 가공하는 방식으로, 채널 보호층(1418)을 형성한다. 이 포토리소그래피 단계에서 이용되는 저항 마스크를 제거할 때 산소 애싱(ashing)을 수행하면, 산화물 반도체층의 노출된 영역에 산소가 도입된다.그 다음, 채널 보호층(1418) 및 산화물 반도체층(1403) 위에 도전막을 형성한다.도전막의 재료로서, 가시광 투광성을 갖는 도전 재료, 예를 들어 In-Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물, Sn-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-O-계의 금속 산화물; Sn-O-계의 금속 산화물; Zn-O-계의 금속 산화물을 사용할 수 있다. 도전막의 두께는 30 nm 내지 200 nm의 범위 내에서 적절하게 선택한다.그 다음, 채널 보호층(1418) 및 산화물 반도체층(1403) 위에 소스 전극층(1405a) 및 드레인 전극층(1405b)을 형성하도록, 포토리소그래피에 의해 형성된 마스크를 이용해 도전막을 선택적으로 에칭한다. 따라서, 박막 트랜지스터(1430)가 제조된다(도 7b 참조). 이 실시예는 실시예 1, 2 또는 3과 자유로이 결합될 수 있다.[실시예 6] 본 실시예에서는, 실시예 1에 설명된 박막 트랜지스터를 화소부에 배치하는 액정 표시 장치의 제조예를, 도 8의 (A) 내지 (D), 도 9의 (A) 내지 (C), 도 10, 도 11, 도 12a 내지 12d, 도 13a 내지 도 13c, 도 14a 및 도 14b, 및 도 15를 참조하여 설명한다. 도 8의 (A)에서, 투광성을 갖는 기판(100)으로서 바륨 보로실리케이트 유리, 알루미노보로실리케이트 유리 등을 이용할 수 있다. 투광성을 갖는 기판(100)으로서, 예를 들어, 1000 mm×1200 mm, 1100 mm×1250 mm, 1150 mm×1300 mm의 크기를 갖는 대면적 기판을 사용할 수도 있다. 이와 같은 대면적 기판을 사용할 때, 한개의 기판을 이용해 복수의 액정 표시 장치를 제조할 수 있어서, 제조 비용을 저감할 수 있다. 본 실시예에서는, 600 mm×720 mm의 크기를 갖는 유리 기판을 이용한다. 그 다음, 가시광 투광성을 갖는 도전막을 기판(100)의 전체 표면 위에 형성한 후, 제1 포토리소그래피 단계를 수행하여 저항 마스크를 형성하고, 에칭에 의해 도전막의 불필요한 부분을 제거하여, 배선 및 전극(게이트 전극층(101)을 포함한 게이트 배선, 커패시터 배선(108), 및 제1 단자(121))을 형성한다. 이때, 적어도 게이트 전극층(101)의 단부가 점점 가늘어지는 형상(tapered shape)을 갖도록 에칭을 수행한다. 대면적 기판을 이용하는 경우, 포토리소그래피를 위한 값비싼 포토마스크를 이용하는 것 대신에, 잉크젯법으로 저항 마스크를 형성할 수도 있다. 저항 마스크를 잉크젯법으로 형성하면, 제조 비용을 저감할 수 있다. 제조 비용을 절감하기 위하여, 이후의 포토리소그래피 공정 중 적어도 한 단계에서 잉크젯법에 의해 저항 마스크를 형성할 수도 있다는 점에 유의한다. 게이트 전극층(101)을 포함하는 게이트 배선, 커패시터 배선(108), 및 단자부의 제1 단자(121)의 재료로서, 가시광 투광성을 갖는 도전 재료, 예를 들어 In-Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-O-계의 금속 산화물; Sn-O-계의 금속 산화물; Zn-O-계의 금속 산화물을 사용할 수 있다. 게이트 전극층(101)을 포함하는 게이트 배선, 커패시터 배선(108), 및 단자부의 제1 단자(121) 각각의 두께는, 30 nm이상, 200 nm이하의 범위 내에서 적절하게 선택한다. 도전막의 피착 방법으로서, 스퍼터링법, 진공 증착법(전자빔 증착법등), 아크 방전 이온 도금법, 스프레이법, 또는 잉크젯법을 이용한다. 도전막을 잉크젯법으로 형성하는 경우에는, 포토리소그래피 단계가 불필요해져 추가의 비용 절감을 달성할 수 있다. 본 실시예에서는, 스퍼터링법에 의해 In-Sn-O계 타겟을 이용하여 In-Sn-O계 도전막을 도전막으로서 형성한다. 도전막을 형성한 후, 저저항을 갖도록 도전막에 열 처리를 수행할 수도 있다. 타겟은, 백킹 플레이트(타겟을 부착하기 위한 기판)에 타겟 재료를 부착함으로써 형성된다. 백킹 플레이트에 타겟을 부착할 때, 타겟을 분할하여 하나의 백킹 플레이트에 부착할 수도 있다. 타겟을 분할하면, 백킹 플레이트에 타겟을 부착할 때 타겟의 뒤틀림을 완화할 수 있다. 특히, 대형 기판 위에 박막을 형성하는 경우, 이러한 분할된 타겟은, 대형 기판의 크기에 따라 대형화하는 타겟에 대해 적합하게 이용될 수 있다. 물론, 하나의 백킹 플레이트에 하나의 타겟을 부착할 수도 있다. 스퍼터링법의 예로서, 스퍼터링용 전원으로서 고주파 전원을 이용하는 RF 스퍼터링법과, DC 스퍼터링법, 바이어스가 펄스화된 방식으로 인가되는 펄스 DC 스퍼터링법이 포함된다. RF 스퍼터링법은 주로 절연막을 형성하는 경우에 이용되고, DC 스퍼터링법은 주로 금속막을 형성하는 경우에 이용된다. 또한, 상이한 재료의 복수개 타겟이 셋팅될 수 있는 멀티-소스 스퍼터링 장치도 있다. 멀티-소스 스퍼터링 장치를 이용하여, 동일한 챔버에서 상이한 재료의 막을 적층하여 형성하거나, 동일한 챔버에서 복수 종류의 재료를 동시에 방전시켜 형성할 수도 있다. 또한, 챔버 내부에 자석 시스템을 갖추고 마그네트론 스퍼터링에 이용되는 스퍼터링 장치와, 글로우 방전을 사용하지 않고 마이크로파를 이용해 발생시킨 플라스마를 이용하는 ECR 스퍼터링에 이용되는 스퍼터링 장치가 있다.또한, 스퍼터링에 의한 피착 방법으로서, 피착 동안에 타겟 물질과 스퍼터링 가스 성분을 화학반응시켜 그 화합물 박막을 형성하는 리액티브 스퍼터링법과, 피착 동안에 기판에도 전압을 인가하는 바이어스 스퍼터링법도 있다.그 다음, 게이트 전극층(101)의 전체 표면 위에 게이트 절연층(102)을 형성한다. 게이트 절연층(102)을, 스퍼터링법, 또는 PCVD법등에 의해 50 nm이상, 250 nm이하의 두께로 형성한다. 산화 실리콘막, 산화 질화 실리콘막, 질화 산화 실리콘막, 질화 실리콘막, 산화 탄 탈막과 같은 무기 절연막을 이용한 단층 또는 적층 구조를 갖도록 게이트 절연층(102)을 형성한다. 본 실시예에서는, 게이트 전극층(101) 위에 두께 100 nm의 두께를 갖는 게이트 절연층(102)을 다음과 같은 방식으로 형성한다. 고밀도 플라스마 장치의 챔버 내에 재료 가스로서 모노실란 가스(SiH4)와 아산화 질소(N2O)와 희가스를 도입하여, 10 Pa 내지 30 Pa의 압력하에서 고밀도 플라스마를 발생시킨다. 게이트 절연층(102)은, 산화 질화 실리콘막이다. 본 실시예에서는, 고밀도 플라스마 장치란, 1×1011/cm3 이상의 플라스마 밀도를 달성할 수 있는 장치를 말한다. 예를 들어, 3 kW 내지 6 kW의 마이크로파 전력을 인가해 플라스마를 발생시켜, 절연막을 형성한다. 절연막의 형성때, 챔버에 도입되는 모노실란 가스(SiH4)와 아산화 질소(N2O)의 유량비는, 1：10 내지 1：200의 범위 내에 있다. 또한, 챔버에 도입되는 희가스로서, 헬륨, 아르곤, 크립톤, 크세논 등을 이용할 수 있다. 특히, 바람직하게는, 값이 비싸지 않은 아르콘이 사용된다.또한, 고밀도 플라스마 장치로 형성된 게이트 절연층(102)은 균일한 두께를 갖기 때문에, 그러한 게이트 절연층(102)은 뛰어난 단차 피복성(step coverage)을 갖는다. 또한, 고밀도 플라스마 장치를 이용하여 절연막을 형성함으로써, 절연막의 두께를 정밀하게 제어할 수 있다. 고밀도 플라스마 장치로 얻어지는 절연막은, 종래의 평행 평판형의 PCVD 장치로 얻을 수 있는 절연막과는 크게 다르다. 동일한 에칭제를 이용한 에칭 속도를 서로 비교하는 경우, 고밀도 플라즈마 장치로 얻어지는 절연막은, 종래의 평행 평판형의 PCVD 장치로 얻을 수 있는 절연막보다, 10% 이상 또는 20% 이상 낮은 에칭 속도를 갖는다. 따라서, 고밀도 플라스마 장치에 의해 얻어지는 절연막은 치밀한 막(dense film)이라고 말할 수 있다.그 다음, 게이트 절연층(102) 위에, 산화물 반도체막(In-Ga-Zn-O계 비-단결정 막)을 형성한다. 플라스마 처리 후 대기에 노출하지 않고 In-Ga-Zn-O계 비-단결정 막을 형성하는 것은, 게이트 절연층과 반도체막 사이의 계면에 먼지나 수분이 부착되는 것을 방지하기 때문에 유용하다. 여기서는, 직경 8 인치의 In, Ga, 및 Zn을 포함한 산화물 반도체 타겟(In-Ga-Zn-O계 산화물 반도체 타겟(In2O3：Ga2O3：ZnO=1：1：1))을 이용해, 기판과 타겟의 사이의 거리를 170 mm, 압력 0.4 Pa, 직류(DC) 전원 0.5 kW의 조건에서, 산소, 아르곤, 또는 아르곤 및 산소 분위기 하에서 산화물 반도체막을 형성한다. 펄스 직류(DC) 전원을 이용하면, 먼지를 경감할 수 있어 막두께를 균일하게 할 수 있기 때문에 바람직하다는 점에 유의한다. In-Ga-Zn-O계 비-단결정 막은, 2 nm 내지 200 nm의 두께를 갖도록 형성된다. 산화물 반도체막으로서 In-Ga-Zn-O계 산화물 반도체 타겟을 이용해 스퍼터링법에 의해 두께 50 nm의 In-Ga-Zn-O계 비-단결정 막을 형성한다. 아몰퍼스 상태를 유지하기 위해서 산화물 반도체막은 50 nm이하의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 특히 채널-에칭형 박막 트랜지스터에서는, 산화물 반도체막이 더욱 더 에칭되어 얇은 두께의 영역, 즉 채널 형성 영역의 막두께는 30 nm이하가 되어, 최종적으로 제조된 박막 트랜지스터의 얇은 영역의 막두께는 5 nm 이상 20 nm 이하가 된다. 또한, 완성된 박막 트랜지스터의 채널폭은 0.5 μm이상, 10 μm 이하로 하는 것이 바람직하다. 타겟은, 백킹 플레이트(타겟을 부착하기 위한 기판)에 타겟 재료를 부착하고 진공 팩킹함으로써 형성된다. 산화물 반도체층의 형성에 있어서, 박막 트랜지스터의 양호한 전기적 특성을 얻기 위해서는, 가능한 한 대기의 수분 등에 접하게 하지 않으면서 타겟재를 부착한 백킹 플레이트를 스퍼터링 장치에 제공하는 것이 바람직하다. 스퍼터링 장치에의 타겟재의 제공시 뿐만 아니라, 진공 팩킹할 때나, 타겟 제조때나, 타겟재를 백킹 플레이트에 부착할 때, 가능한 한 대기의 수분 등에 타겟이 접하지 않게 하는 것이 바람직하다. 다음으로, 제2 포토리소그래피 단계를 수행하여 저항 마스크를 형성한 다음, 산화물 반도체막을 에칭한다. 예를 들어, 인산과 초산과 질산을 혼합한 용액을 이용한 습식 에칭에 의해 불필요한 부분들을 제거하여, 제1 산화물 반도체층(133)을 형성한다(도 8의 (A) 참조). 여기서의 에칭은 습식 에칭으로 한정되지 않고 건식 에칭을 이용해도 좋다는 점에 유의한다. 건식 에칭을 위한 에칭 가스로서, 염소를 포함하는 가스(염소(Cl2), 염화 붕소(BCl3), 염화 규소(SiCl4), 사염화탄소(CCl4)와 같은 염소계 가스)가 바람직하게 사용된다. 대안으로서, 불소를 포함하는 가스(4 불화 탄소(CF4), 6 불화 유황(SF6), 3 불화 질소(NF3), 3 불화 메탄(CHF3)과 같은 불소계 가스); 산소(O2); 이러한 가스에 헬륨(He)이나 아르곤(Ar)등의 희가스를 첨가한 가스 등을 이용할 수 있다. 건식 에칭법으로서, 평행 평판형 RIE(Reactive Ion Etching) 법이나, ICP(Inductively Coupled Plasma：유도 결합형 플라스마) 에칭법을 이용할 수 있다. 희망하는 형상으로 막을 에칭하기 위하여, 에칭 조건(코일형의 전극에 인가되는 전력량, 기판측의 전극에 인가되는 전력량, 기판측의 전극 온도등)을 적절하게 조절한다. 습식 에칭을 위해 이용하는 에칭제로서는, 인산과 초산과 질산을 혼합한 용액 등을 이용할 수 있다. 대안으로서, (KANTO CHEMICALCO., INC에 의해 생산되는) ITO07N을 이용할 수도 있다.습식 에칭에서 사용되는 에칭제는, 에칭된 재료와 함께 세정에 의해 제거된다. 에칭제 및 제거된 재료를 포함하는 폐수를 정제하여, 폐수에 포함된 재료를 재이용할 수도 있다. 에칭후의 폐수로부터 산화물 반도체층에 포함된 인듐과 같은 재료를 회수해 재이용하면, 자원을 효율적으로 사용하여 비용을 절감할 수 있다.희망하는 형상으로 막을 에칭할 수 있도록 재료에 따라 에칭 조건(에칭제, 에칭 시간, 온도)을 적절하게 조절한다.제1 산화물 반도체층(133)에 대해 탈수화 또는 탈수소화를 위한 제1 열 처리를 수행한다. 제1 산화물 반도체층(133)에 대해 산소 분위기 하에서 제1 열 처리를 수행한 후, 산소 분위기하에서 서랭한다.제1 열 처리는, 예를 들어, 산소 분위기 하에서 650℃의 온도에서 1시간 동안 수행된다. 산화물 반도체층이 탈수화 또는 탈수소화되는 가열 온도 T로부터, 다시 물이 들어가지 않도록 방지하기에 충분한 온도까지, 구체적으로는, 가열 온도 T보다 100℃ 이상 내릴 때까지 서랭하여, 제2 산화물 반도체층(134)을 형성한다. 대안으로서, 이후에 수행되는 제2 열 처리 온도보다 낮은 온도까지 서랭한 다음, 열 처리 장치로부터 기판을 꺼낸다. 산화물 반도체층을 산소 분위기에서 열 처리함으로써, 산화물 반도체층에 포함된 물과 같은 불순물을 제거할 수가 있는 동시에, 제2 산화물 반도체층(134)을 산소 과잉 상태로 두게 된다(도 8의 (B) 참조). 제1 열 처리의 조건 또는 산화물 반도체층의 재료에 따라, 산화물 반도체층이 결정화되어, 미정질막(microcrystalline film) 또는 다결정막(polycrystalline film)이 된다.그 다음, 제2 산화물 반도체층(134) 위에 투광성을 갖는 도전막(132)을, 스퍼터링법, 진공 증착법(전자빔 증착법등), 아크 방전 이온 도금법, 스프레이법, 또는 잉크젯법으로 형성한다(도 8의 (C) 참조).가시광 투광성을 갖는 도전 재료로는, 예를 들어, In-Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Ga-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-Zn-O-계의 금속 산화물; Sn-Zn-O-계의 금속 산화물; Al-Zn-O-계의 금속 산화물; In-O-계의 금속 산화물; Sn-O-계의 금속 산화물; Zn-O-계의 금속 산화물을, 투광성을 갖는 도전막(132)의 재료로서 사용할 수 있다. 가시광 투광성을 갖는 도전막(132)의 두께는 30nm 내지 200nm의 범위 내에서 적절하게 선택한다.본 실시예에서는, 투광성을 갖는 도전막(132)을 형성하기 이전에 탈수화 또는 탈수소화를 위한 제1 열 처리를 수행하는 예를 설명하였지만; 본 발명은 이것으로만 한정되지 않고, 투광성을 갖는 도전막(132)을 형성한 이후에 제1 열 처리를 수행할 수도 있다. 투광성을 갖는 도전막(132)의 형성 후에 제1 열 처리를 수행할 때, 산화물 반도체층의 탈수화 또는 탈수소화와 동시에, 투광성을 갖는 도전막(132)의 결정성을 개선하고 저저항화하는 열처리를 할 수 있다.그 다음, 제3 포토리소그래피 단계를 수행하여 저항 마스크를 형성한 다음 에칭에 의해 불필요한 부분을 제거해, 소스 전극층(105a), 드레인 전극층(105b), 커패시터 전극(135), 및 제2 단자(122)를 형성한다. 이 때의 에칭 방법으로서 습식 에칭 또는 건식 에칭을 이용한다. 이 에칭 단계에서, 산화물 반도체층의 노출 영역이 부분적으로 에칭되어 함몰부를 갖는 산화물 반도체층(103)이 형성된다. 따라서, 소스 전극층(105a) 및 드레인 전극층(105b)과 중첩되지 않는 산화물 반도체층(103)의 영역은 얇은 두께를 갖는다. 도 8의 (D)에서, 소스 전극층(105a), 드레인 전극층(105b), 및 산화물 반도체층을 형성하기 위한 에칭은 건식 에칭에 의해 한 번에 수행된다. 따라서, 산화물 반도체층(103) 및 소스 전극층(105a)의 단부가 서로 정렬되고 연속적으로 되는 한편, 산화물 반도체층(103) 및 드레인 전극층(105b)의 단부(게이트 전극층(101) 윗쪽에 위치하는 단부)가 서로 정렬되고 연속적으로 된다.제3 포토리소그래피 단계에 있어서, 소스 전극층(105a) 또는 드레인 전극층(105b)과 동일한 재료를 이용하여 형성된 제2 단자(122)를 단자부에 남긴다. 제2 단자(122)는 소스 배선(소스 전극층(105a)을 포함한 소스 배선)과 전기적으로 접속되고 있다는 점에 유의한다.또한, 제3 포토리소그래피 단계에 있어서, 소스 전극층(105a) 또는 드레인 전극층(105b)과 동일한 재료를 이용하여 형성된 커패시터 전극(135)과 커패시터 배선(108)에 의해, 게이트 절연층(102)을 유전체로서 이용하는 스토리지 커패시터를 형성한다. 또한, 다계조 마스크(multi-tone)에 의해 형성한 복수 두께(전형적으로는 2개의 상이한 두께)의 영역을 갖는 저항 마스크를 이용하면, 저항 마스크의 수를 줄일 수가 있기 때문에, 공정 간략화, 저비용화를 꾀할 수 있다.그 다음, 저항 마스크가 제거된다. 저항 마스크를 제거할 때 산소 애싱을 수행하면, 산화물 반도체층(103)의 노출된 영역 내에 산소가 도입된다. 그 다음, 보호 절연층 역할을 하는 제1 보호 절연층(107)을 산화물 반도체층(103)의 일부와 접하게 형성한다. 제1 보호 절연층(107)은, 전형적으로는 산화 규소막, 산화 질화 규소막, 산화 알루미늄막, 또는 산화 질화 알루미늄막 등을 이용하여 형성된다. 물론, 제1 보호 절연층(107)은 투광성을 갖는 절연막이다.그 다음, 제1 보호 절연층(107)을 형성한 후, 열 처리를 수행할 수도 있다. 열 처리는, 산소 분위기 하에서 또는 질소 분위기 하에서, 150℃ 이상, 350℃ 미만에서 수행할 수 있다. 열 처리에 의해, 산화물 반도체층(103)이 제1 보호 절연층(107)과 접한 상태로 가열되어, 산화물 반도체층(103)을 더욱 고저항화함으로써, 트랜지스터의 전기적 특성이 향상될 수 있고 트랜지스터의 전기적 특성의 격차를 저감할 수 있다. 이 열 처리(바람직하게는 150℃ 이상, 350℃ 미만)의 타이밍은, 제1 보호 절연층(107)의 형성 이후라면, 특별히 제한되지 않는다. 이 열 처리가, 또 다른 단계에서의 열처리, 예를 들어 수지막 형성시의 열 처리나 투광성을 갖는 도전막을 저저항화하기 위한 열 처리로서 기능할 때, 공정 수를 늘리는 일 없이 실시할 수 있다.이상의 단계들을 통해 박막 트랜지스터(170)를 완성할 수 있다.그 후, 제2 보호 절연층(131)을 형성한다(도 9의 (A) 참조). 제2 보호 절연층(131)은, 수분, 수소 이온, OH- 와 같은 불순물을 포함하지 않고, 이것들이 외부로부터 침입하는 것을 차단하는 무기 절연막을 이용하여 형성된다. 전형적으로는, 질화 규소막, 질화 알루미늄막, 질화 산화 규소막, 산화 질화 알루미늄막 등을 이용한다. 물론, 제2 보호 절연층(131)은 투광성을 갖는 절연막이다.또한, 제2 보호 절연층(131)은, 바람직하게는, 제2 보호 절연층(131)의 하부에 제공되는 게이트 절연층(102) 또는 베이스 역할을 하는 절연막과 접함으로써, 기판의 측면으로부터의 수분이나, 수소 이온이나, OH-와 같은 불순물이 침입하는 것을 차단한다. 상기 구조는, 제2 보호 절연층(131)과 접하는 게이트 절연층(102) 또는 베이스 역할을 하는 절연막에 대해 질화 규소막을 사용할 때 특히 효과적이다.그 다음, 제4 포토리소그래피 단계를 수행하여 저항 마스크를 형성한다. 제1 보호 절연층(107), 제2 보호 절연층(131), 및 게이트 절연층(102)이 에칭되어, 드레인 전극층(105b)에 이르는 컨택트 홀(125)을 형성한다. 또한, 동일한 에칭 단계에서, 제2 단자(122)에 이르는 컨택트 홀(127)과 제1 단자(121)에 이르는 컨택트 홀(126)도 형성한다. 이 단계에서의 단면도를 도 9의 (B)에 나타낸다. 도 10은 이 단계에서의 평면도이며, 라인 A1-A2 및 라인 B1-B2의 점선을 따른 단면도가 도 9의 (B)에 대응한다는 점에 유의한다. 또한, 도 10에 도시된 바와 같이, 동일한 에칭 단계에서, 커패시터 전극(135)에 이르는 컨택트 홀(124)도 형성한다.그 다음, 저항 마스크를 제거한 후, 투광성을 갖는 도전막을 형성한다. 투광성을 갖는 도전막은, 산화 인듐(In2O3)이나 산화 인듐 산화 주석 합금(In2O3-SnO2, ITO로 약기한다) 등을 스퍼터링법이나 진공 증착법등을 이용하여 형성된다. 도전막의 다른 재료로서, 질소를 포함하는 Al-Zn-O-N계 비-단결정 막, Zn-O-N계 비-단결정 막과 같은, 질소를 포함하는 Al-Zn-O계 비-단결정 막과, 질소를 포함하는 Sn-Zn-O-N계 비-단결정막을 이용할 수도 있다. Al-Zn-O-N계 산화물 반도체막에서의 아연의 상대적 비율(원자%)은 47 원자% 이하이고, 산화물 반도체막 내의 알루미늄의 상대적 비율(원자%)보다 크다는 점에 유의한다. 산화물 반도체막 내의 알루미늄의 상대적 비율(원자%)은, 투광성을 갖는 도전막 내의 질소의 상대적 비율(원자%)보다 크다. 이와 같은 재료는 염산계의 용액에 의해 에칭된다. 그러나, 특히 ITO의 에칭시에는 찌꺼기가 발생하기 쉽기 때문에, 에칭 가공성을 개선하기 위해서 산화 인듐 산화 아연 합금(In2O3-ZnO)을 이용할 수도 있다. 또한, 투광성을 갖는 도전막의 저항을 낮추기 위한 열 처리를 수행하는 경우, 이 열 처리는, 산화물 반도체층(103)의 저항을 증가시키는 열 처리로서 역할하여, 그 결과, 트랜지스터의 전기적 특성이 향상되고 전기적 특성의 격차가 저감된다.그 다음, 제5 포토리소그래피 단계를 수행하여 저항 마스크를 형성한다. 그 다음, 불필요한 부분을 에칭 제거하여, 화소 전극층(110)을 형성한다. 화소 전극층(110)은, 제1 보호 절연층(107) 및 제2 보호 절연층(131)에 형성된 컨택트 홀을 통해 커패시터 전극(135)에 전기적으로 접속된다는 점에 유의한다.또한, 제5 포토리소그래피 단계에 있어서, 제1 단자(121) 및 제2 단자(122)를 저항 마스크로 덮고, 투광성을 갖는 도전막(128 및 129)을 단자부에 남긴다. 투광성을 갖는 도전막(128 및 129)은, FPC와의 접속에 이용되는 전극 또는 배선의 역할을 한다. 제1 단자(121) 위에 형성된 투광성을 갖는 도전막(128)은, 게이트 배선의 입력 단자로서 기능하는 접속용 단자 전극이 된다. 제2 단자(122) 위에 형성된 투광성을 갖는 도전막(129)은, 소스 배선의 입력 단자로서 기능하는 접속용 단자 전극이 된다.그 다음, 저항 마스크가 제거된다. 이 단계에서의 단면도를 도 9의 (C)에 나타낸다. 이 단계에서의 평면도가 도 11에 도시되어 있고, 점선 A1-A2 및 B1- B2를 따라 취해진 단면도가 도 9의 (C)에 대응한다. 본 실시예에서는, 화소 전극층(110)이 전기적으로 접속되어 있는 박막 트랜지스터(170)의 채널 형성 영역 및 게이트 전극층(101)과 화소 전극층(110)이 중첩하는 예를 설명하였지만, 본 발명은 특별히 이것으로만 한정되지 않으며, 박막 트랜지스터(170)의 채널 형성 영역은, 채널 형성 영역에 전기적으로 접속되어 있지 않은 근처 화소의 화소 전극층과 중첩할 수도 있다. 박막 트랜지스터(170)의 채널 형성 영역과 중첩하도록, 투광성을 갖는 도전막, 즉, 화소 전극층(110)을 형성할 때, 박막 트랜지스터의 신뢰성을 조사하기 위한 바이어스-온도 스트레스 시험(이하, BT시험이라고 함)에 있어서, BT시험 전과 후 사이에서 박막 트랜지스터(170)의 임계 전압 변화량을 저감할 수 있다.도 12a 및 도 12b는 각각, 이 단계에서의 게이트 배선 단자부의 평면도 및 단면도이다. 도 12a는 도 12b의 라인 E1- E2를 따라 취해진 단면도이다. 도 12a에서, 제1 보호 절연층(154) 및 제2 보호 절연층(157) 위에 형성되는 투광성을 갖는 도전막(155)은, 입력 단자로서 기능하는 접속용 단자 전극이다. 또한, 도 12a의 단자부에 있어서, 게이트 배선과 동일한 재료로 형성되는 제1 단자(151)와, 소스 배선과 동일한 재료로 형성되는 접속 전극층(153)은, 그 사이에 게이트 절연층(152)이 개재된 채 서로 중첩하며, 투광성을 갖는 도전막(155)을 통해 서로 전기적으로 접속된다. 도 9의 (C)에서 투광성을 갖는 도전막(128)이 제1 단자(121)와 접촉하고 있는 부분은, 도 12a에서 투광성을 갖는 도전막(155)이 제1 단자(151)와 접촉하고 있는 부분에 대응하고 있다는 점에 유의한다.도 12c 및 도 12d는 각각, 도 9의 (C)에 도시된 것과는 상이한 소스 배선 단자부의 단면도 및 평면도이다. 도 12c는, 도 12d의 라인 F1-F2를 따라 취해진 단면도이다. 도 12c에서, 제1 보호 절연층(154) 및 제2 보호 절연층(157) 위에 형성된 투광성을 갖는 도전막(155)은, 입력 단자로서 기능하는 접속용 단자 전극이다. 또한, 도 12c의 단자부에서, 게이트 배선과 동일한 재료로 형성되는 전극층(156)이, 소스 배선과 전기적으로 접속되는 제2 단자(150)의 아래에 위치해 있으며, 제2 단자(150)와의 사이에 게이트 절연층(152)이 개재된 채 제2 단자(150)와 중첩된다. 전극층(156)은 제2 단자(150)에 전기적으로 접속되지 않고, 전극층(156)의 전위를 제2 단자(150)와는 상이한 전위, 예를 들어, 플로팅, GND, 0 V 등으로 설정하면, 노이즈 또는 정전기 방지를 위한 커패시터를 형성할 수 있다. 또한, 제2 단자(150)는 투광성을 갖는 도전막(155)에 전기적으로 접속되며, 그 사이에는 제1 보호 절연층(154) 및 제2 보호 절연층(157)이 개재되어 있다.화소 밀도에 따라, 복수의 게이트 배선, 소스 배선, 및 커패시터 배선이 제공된다. 또한, 단자부에서, 게이트 배선과 동일한 전위의 제1 단자, 소스 배선과 동일한 전위의 제2 단자, 커패시터 배선과 동일한 전위의 제3의 단자 등이 각각 복수 배치된다. 단자들 각각의 수는, 임의의 개수일 수 있으며, 단자들의 수는 실시자에 의해 적절하게 결정될 수 있다.이들 5회의 포토리소그래피 단계를 통해, 5개의 포토마스크를 사용해, 바텀-게이트 스태거형 박막 트랜지스터인 박막 트랜지스터(170)을 포함하는 화소 박막 트랜지스터부 및 스토리지 커패시터를 완성할 수 있다. 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 있는 화소부의 각 화소에 박막 트랜지스터 및 스토리지 커패시터를 배치함으로써, 액티브 매트릭스 표시 장치를 제조하기 위한 기판들 중 하나가 얻어진다. 본 명세서에서는, 편의상, 이러한 기판을 액티브 매트릭스 기판이라고 부른다.액티브 매트릭스 액정 표시 장치를 제조하는 경우, 액티브 매트릭스 기판과 대향 전극이 제공된 대향 기판은 서로 접합되며, 그 사이에 액정층이 개재된다. 대향 기판 위의 대향 전극과 전기적으로 접속된 공통 전극은, 액티브 매트릭스 기판 위에 제공되며, 공통 전극과 전기적으로 접속된 제4 단자가 단자부에 제공된다는 점에 유의한다. 이 제4 단자는, 공통 전극을, 예를 들어, GND 또는 0V와 같은 고정 전위로 설정하기 위해 제공된다.대안으로서, 스토리지 커패시터의 구조는, 본 실시예에 설명된 것으로만 한정되지 않고, 예를 들어, 커패시터 배선을 제공하는 것 대신에, 화소 전극층이 인접 화소의 게이트 배선과 중첩하고, 그 사이에 게이트 절연층 및 보호 절연층이 개재되어, 스토리지 커패시터를 형성할 수도 있다.액티브 매트릭스 기판과 대향 기판 사이에 액정층을 제공하기 위한 방법으로서, 액정 적하법(liquid crystal dripping method), 액정 주입법(liquid crystal injection method) 등이 있다. 도 13a 내지 도 13c는, 액티브 매트릭스 기판과 대향 기판 사이에 액정층을 제공하여 FPC 1924를 부착시킨 액정 표시 패널의 예를 도시한다. 도 13a의 표시 패널(1908)에서, 화소 전극층이 제공된 제1 기판(1920)과, 제1 기판(1920)에 대향하는 제2 기판(1923)이 밀폐재(1922)를 이용하여 서로 부착된다. 밀폐재(1922)는 표시부(1921)를 둘러싸도록 형성된다. 제1 기판(1920), 제2 기판(1923), 및 밀폐재(1922)에 의해 둘러싸인 영역에 액정층이 제공된다. 도 13a에 도시된 표시 패널(1908)에서, 액정은, 액정 적하법을 이용해 감압하에서 기판을 부착함으로써 밀폐된다. 한 쌍의 기판들 간의 간격은, 스페이서(spacer), 구체적으로는, 구형 스페이서나 기둥형 스페이서, 또는 밀폐재 내의 필러(filler) 등에 의해 유지된다. 스페이서는, 표시 패널(1908)을 구동시키는 액정 모드(TN 모드, VA 모드, IPS 모드등)에 따라 적절하게 선택될 수 있다는 점에 유의한다. IPS 모드에서 제2 기판에는 항상 전극이 제공되는 것은 아니지만, 그 외의 액정 모드에서 제2 기판에는 종종 대향 전극이 제공되고, 이 경우, 한 쌍의 기판을 부착시킬 때, 대향 전극을 제1 기판 위에 제공된 단자 전극에 전기적으로 접속하기 위한 접속도 역시 수행된다는 점에 유의한다.도 13b는, 도 13a와는 상이한 액정 밀폐 방법을 이용하여 제조한 패널의 구조 예를 도시한다. 도 13b에서, 도 13a와 동일한 부분들에는 도 13a와 동일한 참조 번호를 이용한다는 점에 유의한다. 도 13b에 도시된 표시 패널에서, 액정 주입법 등을 이용하여 제1 밀폐재(1925)에 의해 형성된 액정 주입구를 통해 액정을 주입한 후, 액정 주입구를 제2 밀폐재(1926)로 밀폐한다.도 13c는, 도 13a와는 상이한 패널의 구조 예를 도시한다. 도 13c에서, 도 13a와 동일한 부분들에는 도 13a와 동일한 참조 번호를 이용한다. 도 13c의 패널에서, 표시부를 구동하기 위한 구동 IC(1927)가 제1 기판(1920)에 탑재되어, 회로를 집적화하고 있다.또한, 필요하다면, 편광기, 반사 방지 필름, 칼라 필터와 같은 희망하는 광학 필름을 도 13a 내지 도 13c에 도시된 표시 패널에 대해 적절하게 제공한다.도 14a 및 도 14b의 블록도는, 도 13c에 대응하는 액티브 매트릭스형의 액정 표시 장치의 블럭도의 구성을 도시한다. 도 14a에는, 기판(1300) 위에 제공된 표시부(1301) 및 기판(1300) 외부에 접속된 구동부(1302)의 구조가 도시되어 있다. 구동부(1302)는, 신호선 구동 회로(1303), 주사선 구동 회로(1304) 등을 포함한다. 표시부(1301)에서, 복수의 화소(1305)가 매트릭스로 제공된다.도 14a에서, 주사선 구동 회로(1304)로부터 외부 접속 단자(1309)를 통해 주사선(1306)에 주사 신호가 공급된다. 또한, 신호선 구동 회로(1303)로부터 외부 접속 단자(1309)를 통해 신호선(1308)에 데이터가 공급된다. 주사선(1306)의 첫째 행으로부터 화소(1305)가 순차적으로 선택되는 방식으로, 주사선(1306)으로부터 주사 신호를 공급한다.본 실시예에서, 구동부(1302)는 기판(1300) 외부에 형성되며, TAB(Tape Automated Bonding) 방식에 의해 FPC(Flexible Printed Circuit)에 탑재될 수 있다는 점에 유의한다. 대안으로서, 구동부(1302)는, COG(Chip on Glass) 방식에 의해 기판(1300)에 탑재가능하다.본 실시예에서 구동부(1302)는 기판(1300) 외부에 형성되며, 단결정 반도체를 이용하는 트랜지스터를 이용하여 형성한다는 점에 유의한다. 따라서, 구동부(1302)에서는, 구동 주파수의 향상, 구동 전압의 저감에 의한 낮은 소비 전력, 출력 신호에서의 격차의 억제와 같은 잇점들을 얻을 수 있다. 신호, 전압, 또는 전류 등은, 주사선 구동 회로(1304) 및 신호선 구동 회로(1303)로부터 외부 접속 단자(1309)를 통해 입력된다는 점에 유의한다.도 14a에서, 주사선 구동 회로(1304)는, G1 내지 Gn의 n개 주사선(1306)에 접속된다. 최소 화상 단위를 RGB(R：빨강, G：초록, B：파랑)의 3개의 화소로 구성하는 경우를 고려할 때, 신호선 구동 회로(1303)는, R에 대응하는 신호선 SR1 내지 SRm의 m개 신호선과, G에 대응하는 신호선 SG1 내지 신호선 SGm의 m개 신호선과, B에 대응하는 SB1 내지 SBm의 m개 신호선, 총 3*m개의 신호선에 접속된다. 즉, 도 14b에 도시된 바와 같이, 각각의 색 요소에 신호선이 제공되고, 이 신호선으로부터 각각의 색 요소에 대응하는 화소에 데이터가 공급되어, 화소(1305)는 원하는 색상을 표시할 수 있게 된다.도 15의 타이밍 차트는, 1 프레임 기간의 행 선택 기간(표시 장치의 한개 행의 화소의 주사 기간)에서 주사선(1306)(예를 들어, G1, Gn)을 선택하기 위한 주사 신호, 및 신호선(1308)(예를 들어, SR1)의 데이터 신호를 도시하고 있다.도 14a 및 도 14b의 블록도에서, 각 화소에는, n채널 트랜지스터인 박막 트랜지스터(170)가 제공된다는 점에 유의한다. 또한 도 15에서는, n채널 트랜지스터의 온 또는 오프를 제어하는 경우 화소의 구동에 대해 설명한다.도 15의 타이밍 차트에서, 1 화면 분의 화상이 표시되는 1 프레임 기간을, 관찰자가 잔상감을 느끼지 않게 적어도 1/120초(≒8.3ms)로 (보다 바람직하게는 1/240초) 설정하고 주사선의 개수를 n으로 설정한다는 가정하에, 행 선택 기간은 1/(120×n) 초가 된다. 2000개의 주사선(4096×2160 화소, 3840×2160 화소등의 이른바 4k2k 영상을 상정)을 갖는 표시 장치의 경우, 배선에 기인하는 신호의 지연 등을 고려하지 않는다면, 행 선택 기간은 1/240000초(≒4.2μs)가 된다.주사선의 개수를, 예를 들어, 2000개로 증가시키는 경우에도, 각 화소에 배치되는 박막 트랜지스터(170)는 투광성을 가지고 있기 때문에, 높은 개구율이 실현될 수 있다.액티브 매트릭스형의 액정 표시 장치(예를 들어, TN 방식 액정 표시 장치)에서, 매트릭스 형태로 배치된 화소 전극층은, 화면위에 표시 패턴을 형성하도록 구동된다. 구체적으로는, 선택된 화소 전극층과 그 화소 전극층에 대응하는 대향 전극 사이에 전압이 인가되어, 화소 전극층과 대향 전극 사이에 배치된 액정층이 광학적으로 변조된다. 이러한 광학적 변조는 관찰자에 의해 표시 패턴으로서 인식된다.TN 방식의 액정 표시 장치에서, 액정은 한 쌍의 기판 사이에서 90°로 트위스트된 상태(twisted state)로 배열되고, 편광 소자의 흡수축 방향은 러빙 방향(rubbing direction)과 거의 평행, 또는 거의 직교가 되도록 배열된다. 이러한 TN 방식의 액정 표시 장치에서, 화소 전극층에 전압이 인가되지 않을 때, 백 라이트와 같은 광원으로부터의 입사광은 광원측의 편광 소자에서 직선 편광이 되고, 이 직선 편광은 액정층의 트위스트를 따라 투과된다. 또한, 다른 편광 소자의 투과축이 직선 편광의 방위각과 일치할 때, 직선 편광이 모두 방출되어 흰색을 표시(노멀리-화이트 표시)한다.또한, 풀 컬러 액정 표시 장치의 경우, 칼라 필터가 제공되고 화소 전극층에 전압이 인가되지 않을 때 칼라 표시가 수행된다. 대안으로서, 화소 전극층에 전압을 인가할 때, 광원으로부터의 입사광은 광원측의 편광 소자에서 직선 편광되고, 액정층에 포함되는 액정 분자축의 평균적인 배향 방향을 나타내는 단위 벡터의 방향은 기판면과 거의 수직이 된다. 따라서, 직선 편광은 광원측의 방위각의 변경없이 투과되고, 그 방위각은 다른 편광 소자의 흡수축과 일치하며, 검정 표시가 얻어진다.본 실시예에서는, TN 방식의 액정 표시 장치의 일례를 나타냈지만; 특별히 제한되지 않으며, 본 발명은 다양한 모드의 액정 표시 장치에 적용될 수 있다. 예를 들어, 시야각 특성을 개선하기 위한 방법으로서, 본 발명은, 기판의 주표면에 대해 수평 방향의 전계를 액정층에 인가하는 측면 전계 방식(IPS라고도 부른다)에도 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은, 음의 유전율 이방성을 갖는 네마틱 액정 재료를 액정 재료로서 이용하며 배향막으로서 수직 배향막을 이용하는 방법에도 적용할 수 있다. 이 수직 배향막을 이용하는 방법은, 전압 제어 복굴절(ECB라고도 언급함) 방법들 중 하나이며, 투과율은 액정 분자의 복굴절성을 이용해 제어된다.응답 속도를 개선하기 위한 방법으로서, 강유전성 액정이나 반강유전성 액정을 이용하여 동영상에 대응할 수 있도록 액정층의 응답 속도를 향상시킬 수도 있다.대안으로서, 배향막이 필요하지 않은 블루상(blue phase)을 나타내는 액정을 이용할 수도 있다. 블루상은 액정상들 중 하나로서, 콜레스테릭 액정의 온도를 상승시키는 동안 콜레스테릭상이 등방상으로 전이되기 직전에 나타나는 상이다. 블루상은 좁은 온도 범위에서만 나타나기 때문에, 온도 범위를 개선하기 위해서 액정층에 대해 5 중량% 이상의 카이럴제를 포함하는 액정 조성물이 이용된다. 블루상을 나타내는 액정과 카이럴제를 포함하는 액정 조성물은, 1 msec 이하의 짧은 응답 시간을 가지며, 광학적 등방성이기 때문에, 배향 처리가 불필요하고, 시야각 의존성이 작다.또한, 본 발명은, OCB(Optical Compensate Birefringence) 모드를 채용한 투과형 액정 표시 장치에 적용할 수도 있다. OCB 모드는, 한 쌍의 기판 사이의 액정층을 벤드 배향(bend alignment)이라 불리는 상태로 만듦으로써 액정층의 응답 속도를 향상시킨다. 액정층과 접하는 제1 배향막의 프리틸트각과, 액정층과 접하는 제2 배향막의 프리틸트각이 역전됨으로써, 벤드 배향이 행해진다. 이 OCB 모드에서, 액정층을, 초기의 스플레이 배향(splay alignment)으로부터 벤드 배향이라고 불리는 상태로 전이시킬 필요가 있다.또한, 본 발명은, 수직 배향 모드를 채용한 투과형 액정 표시 장치에 적용할 수도 있다. 수직 배향 모드를 채용한 투과형 액정 표시 장치에서, 1 화소는 복수의 부화소로 설정되고, 각 부화소의 중앙에 위치하는 대향 기판에 볼록부를 제공함으로써, 1 화소의 배향 분할(멀티 도메인화)이 수행된다. 따라서, 광시야각을 달성하기 위한 구동 방법이 채용될 수 있다. 이 구동 방법은 부화소 구동이라 불린다.광시야각을 실현하기 위해서, 부화소 구동을 위해 1 화소를 복수의 부화소로 분할해도 각 화소에 배치하는 박막 트랜지스터(170)는 투광성을 가지고 있기 때문에, 높은 개구율을 실현할 수 있다.동영상 표시에 있어서, 액정 표시 장치는, 액정 분자 자체의 긴 응답 시간 때문에, 동영상의 흐려짐과 잔상의 문제가 있다. 액정 표시 장치의 동영상 특성을 개선하기 위해, 매 한 프레임 걸러 한 프레임마다 전체 화면 위에 검정색이 표시되는 소위, 검정색 삽입이라 불리는 구동 기술을 사용한다.또한, 소위, 배속 구동으로 불리는 구동 기술도 있다. 배속 구동에서, 수직 동기 주파수는 통상의 수직 동기 주파수보다 1.5배 이상, 양호하게는 2배 이상으로 설정됨으로써, 동영상 특성이 개선된다.추가의 대안으로서, 액정 표시 장치의 동영상 특성을 개선하기 위해, 복수의 LED(발광 다이오드) 광원 또는 복수의 EL 광원을 이용해 백 라이트로서 면광원을 형성하고, 면광원의 각 광원을 1 프레임 기간 내에서 펄스화된 방식으로 독립적으로 구동하는 구동 기술도 있다. 면광원으로서, 3 종류 이상의 LED를 이용할 수도 있고, 백색 발광의 LED를 이용할 수도 있다. 복수의 LED를 독립적으로 제어할 수 있기 때문에, LED의 발광 타이밍을, 액정층이 광학적으로 변조되는 타이밍과 동기화할 수 있다. 이 구동 기술에 따르면, LED를 부분적으로 소등할 수가 있기 때문에, 특히, 한 화면 위에서 차지하는 검정색 표시 영역의 비율이 많은 영상을 표시하는 경우, 소비 전력의 저감 효과를 얻을 수 있다.이러한 구동 기술들을 조합함으로써, 액정 표시 장치의 동영상 특성등의 표시 특성을 종래의 액정 표시 장치보다 개선할 수 있다.본 명세서에 개시하는 n채널형의 트랜지스터는, 채널 형성 영역에 대해 산화물 반도체막을 이용하고 있어 양호한 동적 특성을 가지기 때문에, 이러한 구동 기술들과 조합할 수 있다.박막 트랜지스터에 대해 산화물 반도체를 이용함으로써, 제조 비용을 저감할 수 있다. 탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리에 의해 불순물인 수분 등을 저감해 산화물 반도체막의 순도를 높이기 때문에, 피착 챔버 내의 이슬점(dew point)을 낮춘 특별한 스퍼터링 장치나 초고순도의 산화물 반도체 타겟을 이용할 필요가 없다. 따라서, 양호한 전기적 특성과 높은 신뢰성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치를 제조할 수 있다.산화물 반도체층의 채널 형성 영역은 고저항 영역이므로, 박막 트랜지스터의 전기적 특성은 안정화되고, 오프 전류의 증가 등을 방지할 수 있다. 따라서, 양호한 전기적 특성과 높은 신뢰성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치를 제공할 수 있다.본 실시예는, 다른 실시예에서 설명한 구조와 적절하게 조합하여 구현할 수 있다.[실시예 7]반도체 장치로서 발광 표시 장치의 예를 설명할 것이다. 표시 장치에 포함된 표시 소자로서, 여기서는 전계 발광(electroluminescence)을 이용하는 발광 소자를 설명한다. 전계 발광을 이용하는 발광 소자는, 발광 재료가 유기 화합물인지 또는 무기 화합물인지에 따라 분류된다. 일반적으로, 전자는 유기 EL 소자라 불리고, 후자는 무기 EL 소자라 불린다. 유기 EL 소자에서, 발광 소자에 전압을 인가함으로써, 한 쌍의 전극으로부터 발광 유기 화합물을 포함하는 층 내로 전자 및 정공이 주입되어, 전류가 흐른다. 그 다음, 캐리어(전자 및 정공)가 재결합함으로써, 발광 유기 화합물이 여기된다. 발광 유기 화합물이 여기 상태로부터 기저 상태에 돌아옴으로써, 발광한다. 이와 같은 메카니즘 덕택에, 이러한 발광 소자는, 전류 여기형 발광 소자라 불린다.무기 EL 소자는, 그 소자 구성에 따라 분산형 무기 EL 소자와 박막형 무기 EL소자로 분류된다. 분산형 무기 EL 소자는, 발광 재료의 입자를 바인더(binder) 내에 분산시킨 발광층을 가지며, 그 발광 메카니즘은 도너 준위와 억셉터-준위를 이용하는 도너-억셉터-재결합형 발광이다. 박막형 무기 EL 소자는, 유전체층들 사이에 발광층을 끼우고, 이것을 전극들 사이에 더 끼운 구조를 가지며, 그 발광 메카니즘은 금속 이온들 중 내측-쉘 전자 천이를 이용하는 국부형 발광이다. 여기서는 발광 소자로서 유기 EL 소자를 이용해 설명한다는 점에 유의한다.도 16은, 반도체 장치의 예로서, 디지털 시간 계조 구동을 적용할 수 있는 화소 구조의 일례를 나타내는 도면이다.디지털 시간 계조 방법에 의해 구동될 수 있는 화소의 구조 및 동작에 대해 설명한다. 여기서는, 하나의 화소가 2개의 n채널형의 트랜지스터를 포함하고 각 트랜지스터는 채널 형성 영역에 대해 산화물 반도체층을 이용하는 예를 설명한다.화소(6400)는, 스위칭용 트랜지스터(6401), 구동용 트랜지스터(6402), 발광 소자(6404), 및 커패시터 소자(6403)를 포함한다. 스위칭용 트랜지스터(6401)의 게이트는 주사선(6406)에 접속되고, 스위칭용 트랜지스터(6401)의 제1 전극(소스 전극 및 드레인 전극 중 하나)은 신호선(6405)에 접속되며, 스위칭용 트랜지스터(6401)의 제2 전극(소스 전극 및 드레인 전극 중 다른 하나)은 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트에 접속되고 있다. 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트는 커패시터(6403)를 통해 전원선(6407)에 접속되고, 구동용 트랜지스터(6402)의 제1 전극은 전원선(6407)에 접속되며, 구동용 트랜지스터(6402)의 제2 전극은 발광 소자(6404)의 제1 전극(화소 전극층)에 접속되고 있다. 발광 소자(6404)의 제2 전극은 공통 전극(6408)에 대응한다. 공통 전극(6408)은, 동일 기판 위에 제공된 공통 전위선에 전기적으로 접속된다.발광 소자(6404)의 제2 전극(공통 전극 6408)은 저전원 전위가 설정되어 있다는 점에 유의한다. 저전원 전위는, 전원선(6407)에 공급되는 고전원 전위보다 낮다. 예를 들어, 저전원 전위로서 GND, 0V 등이 설정될 수 있다. 고전원 전위와 저전원 전위 사이의 전위차를 발광 소자(6404)에 인가해, 발광 소자(6404)에 전류를 흘림으로써 발광 소자(6404)를 발광시킨다. 따라서, 고전원 전위와 저전원 전위 사이의 전위차가 발광 소자(6404)의 순방향 임계 전압 이상이 되도록 각각의 전위를 설정한다.커패시터(6403) 대신에 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트 커패시턴스를 이용하면, 커패시터(6403)를 생략할 수 있다. 채널 형성 영역과 게이트 전극 사이에 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트 커패시턴스를 형성할 수도 있다.여기서, 전압-입력 전압-구동 방식의 경우, 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트에 비디오 신호를 입력하여 구동용 트랜지스터(6402)를 완전히 턴온 또는 턴오프시킬 수 있다. 즉, 구동용 트랜지스터(6402)는 선형 영역에서 동작하기 때문에, 전원선(6407)의 전압보다 높은 전압이 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트에 인가된다. 신호선(6405)에는, (전원선 전압＋구동용 트랜지스터(6402)의 Vth) 이상이 전압이 인가된다는 점에 유의한다.디지털 시간 계조 방법 대신에, 아날로그 계조 방법을 이용하는 경우, 상이한 방식으로 신호를 입력함으로써, 도 16에서와 동일한 화소 구조를 이용할 수 있다.아날로그 계조 구동 방법을 이용하는 경우, 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트에는 발광 소자(6404)의 "순방향 전압＋구동용 트랜지스터(6402)의 Vth" 이상의 전압이 인가된다. 발광 소자(6404)의 순방향 전압이란, 소망 휘도를 달성하기 위한 전압을 말하며, 적어도 순방향 임계 전압을 포함한다. 구동용 트랜지스터(6402)가 포화 영역에서 동작하는 것을 가능케하는 비디오 신호를 입력함으로써, 발광 소자(6404)에 전류를 흘릴 수 있다. 구동용 트랜지스터(6402)가 포화 영역에서 동작할 수 있도록 하기 위해, 전원선(6407)의 전위는, 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트 전위보다 높다. 아날로그 비디오 신호에 의해, 비디오 신호에 따른 전류를 발광 소자(6404)에 흘려 아날로그 계조 구동 방법을 수행할 수 있다.화소 구조는, 도 16에 도시된 구조만으로 제한되지 않는다는 점에 유의한다. 예를 들어, 도 16의 화소는, 스위치, 저항, 커패시터, 트랜지스터, 논리 회로 등을 더 포함할 수 있다.그 다음, 발광 소자의 구조를 도 17a 내지 도 17c를 참조하여 설명한다. 여기서는, n채널 구동용 TFT를 예로 들어, 화소의 단면 구조를 설명한다. 도 17a, 도 17b 및 도 17c에 도시된 반도체 장치에 이용되는 구동용 TFT(7001, 7011, 및 7021)는, 실시예 1에 설명된 박막 트랜지스터와 유사한 방식으로 제조될 수 있으며, 산화물 반도체층을 포함한 신뢰성이 높은 박막 트랜지스터이다. 대안으로서, 구동용 TFT(7001, 7011, 및 7021)로서, 실시예 2또는 실시예 3에 설명된 박막 트랜지스터를 사용할 수도 있다.발광 소자로부터 방출된 광을 추출하기 위하여, 애노드(anode)와 캐소드(cathode) 중 적어도 하나가 광을 투과시킬 것이 요구된다. 기판 위에 박막 트랜지스터 및 발광 소자를 형성한다. 발광 소자는, 기판의 반대 면을 통해 광을 추출하는 상부면 방출 구조나, 기판측의 면을 통해 광을 추출하는 하부면 방출 구조나, 기판측 및 기판과는 반대측의 면을 통해 광을 추출하는 양면 방출 구조를 가질 수 있다. 화소 구조는 이들 방출 구조들 중 임의의 구조를 갖는 발광 소자에 적용될 수 있다. 도 17a를 참조하여 상부면 방출 구조를 갖는 발광 소자를 설명한다. 도 17a는, 구동용 TFT(7001)가 n형 TFT이고 발광 소자(7002)로부터 애노드(7005) 측으로 광이 방출되는 화소의 단면도이다. 도 17a에서, 발광 소자(7002)의 캐소드(7003)는 구동용 TFT(7001)에 전기적으로 접속되고, 발광층(7004) 및 애노드(7005)가 이 순서로 캐소드(7003) 위에 적층되어 있다. 또한, 구동용 TFT(7001)는 질화 규소막이나 질화 알루미늄막 등인 보호 절연층(7006)으로 피복되고, 한층 더 평탄화 절연막(7007)으로 피복된다. 캐소드(7003)는, 일 함수가 작고 빛을 반사하는 다양한 도전 재료를 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 바람직하게는 Ca, Al, MgAg, AlLi 등이 사용된다. 발광층(7004)은, 단일 층 또는 적층된 복수의 층을 이용하여 형성할 수 있다. 복수의 층을 이용하여 발광층(7004)을 형성하는 경우, 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 홀 수송층, 홀 주입층을 이 순서대로 캐소드(7003) 위에 적층함으로써 발광층(7004)을 형성한다. 그러나, 이러한 층들을 모두 제공할 필요는 없다. 애노드(7005)는, 산화 텅스텐을 포함한 인듐 산화물막, 산화 텅스텐을 포함한 인듐 아연 산화물막, 산화 티탄을 포함한 인듐 산화물막, 산화 티탄을 포함한 인듐 주석 산화물막, 인듐 주석 산화물(이하, ITO라 언급됨)막, 인듐 아연 산화물, 산화 규소를 첨가한 인듐 주석 산화물과 같은 투광성을 갖는 도전막을 이용하여 형성된다. 또한, 캐소드(7003)는, 격벽(7009)에 의해, 인접 화소의 캐소드(7008)로부터 절연되고 있다. 인접 화소의 캐소드(7008)는, 구동용 TFT(7001)의 산화물 반도체층 및 게이트 절연층과 중첩한다. 박막 트랜지스터의 신뢰성을 검사하기 위한 바이어스-온도 스트레스 시험(이하, BT시험이라고 한다)이 실행되는 경우, 구동용 TFT(7001)의 채널 형성 영역과 중첩하는 인접 화소의 캐소드(7008)를 형성함으로써, BT시험 전후에 있어서의 구동용 TFT(7001)의 임계 전압의 변화량을 저감할 수 있다. 발광층(7004)이 캐소드(7003)와 애노드(7005) 사이에 끼어 있는 영역은 발광 소자(7002)에 대응한다. 도 17a에 도시된 화소의 경우, 화살표로 표시된 바와 같이 발광 소자(7002)로부터 애노드(7005) 측으로 광이 방출된다. 그 다음, 하부면 방출 구조를 갖는 발광 소자에 대해 도 17b를 이용해 설명한다. 도 17b는, 구동용 TFT(7011)가 n형 TFT이고 발광 소자(7012)로부터 애노드(7013) 측으로 광이 방출되는 경우의 화소의 단면도이다. 도 17b에서, 구동용 TFT(7011)에 전기적으로 접속된 투광성을 갖는 도전막(7017) 위에, 발광 소자(7012)의 캐소드(7013)가 형성되고, 발광층(7014) 및 애노드(7015)는 이 순서대로 캐소드(7013) 위에 적층되고 있다. 애노드(7015)가 투광성을 가질 때 애노드(7015)를 덮도록 광을 반사 또는 차단하기 위한 차광막(7016) 형성될 수도 있다. 캐소드(7013)의 경우, 일 함수가 작은 도전성 재료로 캐소드(7013)를 형성하기만 한다면, 도 17a의 경우와 마찬가지로, 다양한 재료를 이용할 수 있다. 캐소드(7013)는, 광을 투과시킬 수 있는 두께(바람직하게는, 약 5 nm 내지 30 nm정도)를 갖도록 형성된다. 예를 들어, 20 nm의 두께를 갖는 알루미늄막을 캐소드(7013)로서 이용할 수 있다. 도 17a와 유사하게, 발광층(7014)은 단일층을 이용하여 형성하거나 또는 복수의 층을 적층하여 형성할 수도 있다. 애노드(7015)는 광을 투과시킬 필요는 없지만, 도 17a의 경우에서와 같이, 투광성을 갖는 도전성 재료를 이용해 형성할 수 있다. 차광막(7016)으로서, 예를 들어 광을 반사하는 금속 등을 이용할 수가 있지만, 금속막으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 검정색의 안료를 첨가한 수지 등을 이용할 수도 있다. 또한, 캐소드(7013)는, 격벽(7019)에 의해, 인접 화소의 캐소드(7018)로부터 절연되고 있다. 인접 화소의 캐소드(7018)는, 구동용 TFT(7011)의 산화물 반도체층 및 게이트 절연층과 중첩한다. 박막 트랜지스터의 신뢰성을 검사하기 위한 바이어스-온도 스트레스 시험(이하, BT시험이라고 한다)이 실행되는 경우, 구동용 TFT(7011)의 채널 형성 영역과 중첩하는 인접 화소의 캐소드(7018)를 형성함으로써, BT시험 전후에 있어서의 구동용 TFT(7011)의 임계 전압의 변화량을 저감할 수 있다. 발광층(7014)이 캐소드(7013)와 애노드(7015) 사이에 끼어 있는 영역은 발광 소자(7012)에 대응한다. 도 17b에 도시된 화소의 경우, 화살표로 표시된 바와 같이 발광 소자(7012)로부터 캐소드(7013) 측으로 광이 방출된다. 또한, 구동용 TFT(7011)는 투광성을 가지고 있기 때문에, 발광 소자(7012)에 인접한 화소의 발광 소자로부터 방출된 광은, 화살표로 표시된 바와 같이 구동용 TFT(7011)를 통해 캐소드(7013) 측으로 방출된다. 그 다음, 양면 방출 구조를 갖는 발광 소자에 대해 도 17c를 참조하여 설명한다. 도 17c에서, 구동용 TFT(7021)에 전기적으로 접속된 투광성을 갖는 도전막(7027) 위에, 발광 소자(7022)의 캐소드(7023)가 형성되고, 발광층(7024) 및 애노드(7025)는 이 순서대로 캐소드(7023) 위에 적층되고 있다. 도 17a의 경우에서와 같이, 일 함수가 작은 도전성 재료를 이용하여 캐소드(7023)를 형성하기만 한다면, 캐소드(7023)는 다양한 재료를 이용하여 형성될 수 있다. 캐소드(7023)는, 광을 투과시킬 수 있는 두께를 갖도록 형성된다. 예를 들어, 20 nm의 두께를 갖는 알루미늄막을 캐소드(7023)로서 이용할 수 있다. 발광층(7024)은, 도 17a의 경우에서와 같이 단일 층 또는 적층된 복수의 층을 이용하여 형성할 수 있다. 도 17a의 경우에서와 같이, 애노드(7025)는 투광성을 갖는 도전 재료를 이용하여 형성할 수 있다. 캐소드(7023)는, 격벽(7029)에 의해, 인접 화소의 캐소드(7028)로부터 절연되고 있다. 인접 화소의 캐소드(7028)는, 구동용 TFT(7021)의 산화물 반도체층 및 게이트 절연층과 중첩한다. 박막 트랜지스터의 신뢰성을 검사하기 위한 바이어스-온도 스트레스 시험(이하, BT시험이라고 한다)이 실행되는 경우, 구동용 TFT(7021)의 채널 형성 영역과 중첩하는 인접 화소의 캐소드(7028)를 형성함으로써, BT시험 전후에 있어서의 구동용 TFT(7021)의 임계 전압의 변화량을 저감할 수 있다.캐소드(7023), 발광층(7024), 및 애노드(7025)가 서로 중첩하고 있는 부분이 발광 소자(7022)에 대응한다. 도 17c에 도시된 화소의 경우, 화살표로 표시된 바와 같이 발광 소자(7022)로부터 애노드(7025) 측과 캐소드(7023) 측으로 광이 방출된다.또한, 구동용 TFT(7021)는 투광성을 가지기 때문에, 발광 소자(7022)에 인접한 화소의 발광 소자로부터 방출된 광은, 화살표로 표시된 바와 같이 구동용 TFT(7021)를 통해 캐소드(7023) 측으로 방출된다.본 실시예에서는 화소 전극층에 해당하는 캐소드가 인접 화소의 TFT의 채널 형성 영역과 중첩하는 예를 설명하였지만, 본 발명은 특별히 이 예로만 한정되지 않으며, 캐소드에 전기적으로 접속되어 있는 TFT의 채널 형성 영역과 캐소드가 중첩하는 구조도 역시 이용할 수 있다.여기서는 발광 소자로서 유기 EL 소자를 설명하였지만, 발광 소자로서 무기 EL 소자를 제공할 수도 있다.발광 소자의 구동을 제어하는 박막 트랜지스터(구동용 TFT)가 발광 소자에 전기적으로 접속되어 있는 예를 설명하였지만, 구동용 TFT와 발광 소자 사이에 전류 제어용 TFT가 접속되어 있는 구조를 이용할 수도 있다는 점에 유의한다.반도체 장치의 구조는 도 17a 내지 도 17c에 도시된 구조만으로 제한되는 것은 아니고, 본 명세서에 개시된 기술에 기초하여 다양한 방식으로 변형될 수 있다는 점에 유의한다.이상의 단계들을 통해, 반도체 장치로서 신뢰성이 높은 발광 표시 장치(표시 패널)를 제조할 수 있다.본 실시예는, 다른 실시예에서 설명한 구조와 적절하게 조합하여 구현할 수 있다.[실시예 8] 본 명세서에서 개시된 실시예 1 내지 7 중 임의의 하나에서 설명된 공정에 의해 제조되는 박막 트랜지스터를 포함한 반도체 장치는, 다양한 전자기기(오락 기기 포함)에 적용할 수 있다. 전자 기기의 예로서는, 텔레비전 장치(텔레비전, 또는 텔레비전 수상기라고도 함), 컴퓨터용등의 모니터, 디지털 카메라나 디지털 비디오 카메라와 같은 카메라, 디지털 포토 프레임, 휴대 전화기(휴대 전화, 휴대 전화 장치라고도 함), 휴대형 게임기, 휴대 정보 단말기, 오디오 재생 장치, 파칭코기 등과 같은 대형 게임기 등이 포함된다.도 18a는, 휴대 전화기(1000)의 일례를 나타내고 있다. 휴대 전화기(1000)는, 하우징(1001)에 포함된 표시부(1002), 조작 버튼(1003), 외부 접속 포트(1004), 스피커(1005), 마이크(1006) 등을 포함한다.도 18a에 도시된 휴대 전화기(1000)의 표시부(1002)를 손가락 등으로 터치하면, 휴대 전화기(1000)에 정보를 입력할 수 있다. 또한, 전화를 걸거나 메일을 쓰는 등의 동작은, 표시부(1002)를 손가락등으로 터치함으로써 수행될 수 있다.표시부(1002)에는 주로 3개의 화면 모드가 있다. 제1 모드는 주로 화상을 표시하기 위한 표시 모드이다. 제2 모드는 주로 텍스트와 같은 데이터를 입력하기 위한 입력 모드이다. 제3 모드는 표시 모드와 입력 모드의 2개의 모드가 혼합된 표시 및 입력 모드이다.예를 들어, 전화를 걸거나 메일을 작성하는 경우, 표시부(1002)에 대해 주로 텍스트를 입력하기 위한 텍스트 입력 모드가 선택되어, 화면 위에 표시된 텍스트가 입력될 수 있다. 이 경우, 표시부(1002)의 화면의 대부분에 키보드 또는 번호 버턴을 표시하는 것이 바람직하다.또한, 휴대 전화기(1000) 내부에, 자이로스코프 또는 가속도 센서와 같은 기울기를 검출하는 센서를 포함하는 검출 장치를 제공하면, 휴대 전화기(1000)의 방향(휴대 전화기(1000)가 풍경화 모드 또는 인물화 모드용으로 가로 또는 세로로 배치되어 있는지)을 판단함으로써 표시부(1002)의 화면 표시를 자동적으로 전환할 수 있다.화면 모드는, 표시부(1002)를 터치하거나 하우징(1001)의 조작 버튼(1003)을 작동함으로써 전환된다. 대안으로서, 표시부(1002) 위에 표시되는 화상의 종류에 따라 화면 모드가 전환될 수 있다. 예를 들어, 표시부에 표시되는 화상의 신호가 동영상의 데이터의 신호이면, 화면 모드는 표시 모드로 전환된다. 그 신호가 텍스트 데이터의 신호이면, 화면 모드는 입력 모드로 전환된다.또한, 입력 모드에서, 표시부(1002)의 터치에 의한 입력이 소정 기간 동안 없는 때에는, 표시부(1002)에서 광 센서에 의해 검출되는 신호를 검출하는 동안, 입력 모드로부터 표시 모드로 전환하도록 화면 모드를 제어할 수도 있다.표시부(1002)는, 이미지 센서로서 기능할 수 있다. 예를 들어, 표시부(1002)에 손바닥이나 손가락 등을 터치할 때, 장문, 지문 등을 취하여, 개인 인증을 수행할 수 있다. 또한, 근적외선을 방출하는 백 라이트 또는 근적외선을 방출하는 센싱용 광원을 표시부에 제공함으로써, 손가락 정맥, 손바닥 정맥 등을 취할 수 있다.표시부(1002)에는, 실시예 1에서 설명된 복수의 박막 트랜지스터를 배열한다. 박막 트랜지스터 및 배선은 투광성을 가지고 있기 때문에, 표시부(1002)에 광 센서를 제공하는 경우에는 박막 트랜지스터 및 배선이 입사광을 차단하지 않기 때문에 효과적이다. 또한, 근적외선을 방출하는 백 라이트 또는 근적외선을 방출하는 센싱용 광원을 표시부에 제공하는 경우에도, 박막 트랜지스터 및 배선이 광을 차단하지 않기 때문에 효과적이다.도 18b는 또한, 휴대 전화기의 일례를 나타내고 있다. 도 18b에 도시된 휴대형 정보 단말기 예는, 복수의 기능을 갖출 수 있다. 예를 들어, 전화 기능 외에도, 휴대형 정보 단말기는, 컴퓨터를 병합함으로써 다양한 데이터 처리 기능을 갖출 수 있다.도 18b에 도시된 휴대형 정보 단말기는, 하우징(1800) 및 하우징(1801)을 갖는다. 하우징(1800)은, 표시 패널(1802), 스피커(1803), 마이크로폰(1804), 포인팅 장치(1806), 카메라용 렌즈(1807), 외부 접속 단자(1808) 등을 포함한다. 하우징(1801)은, 키보드(1810), 외부 메모리 슬롯(1811) 등을 포함한다. 또한, 안테나가 하우징(1801) 내에 병합된다.표시 패널(1802)에는 터치 패널이 제공된다. 영상으로서 표시되고 있는 복수의 조작 키(1805)가 도 18b에서 점선으로 도시되어 있다.또한, 상기 구성 외에도, 비접촉 IC 칩, 소형 메모리 장치 등이 병합될 수 있다.본 발명의 표시 장치는 표시 패널(1802)에 대해 이용될 수 있고, 응용 모드에 따라 적절하게 표시 방향이 변경될 수 있다. 또한, 표시 장치는, 표시 패널(1802)과 동일한 표면에 카메라용 렌즈(1807)를 갖추고 있기 때문에, 화상 전화로서 이용될 수 있다. 스피커(1803) 및 마이크로폰(1804)은, 음성 통화 뿐만 아니라, 화상 전화, 녹음, 재생 등을 위해 이용될 수 있다. 게다가, 하우징(1800 및 1801)은, 도 18b에 도시된 바와 같이 슬라이딩에 의해 하나가 다른 하나 위에 겹치도록 움직일 수 있어서, 휴대 정보 단말기의 크기가 줄어들어 휴대하기에 적합하게 된다.외부 접속 단자(1808)는, AC어댑터 및 USB 케이블과 같은 각종 케이블에 접속가능하고, 충전 및 퍼스널 컴퓨터등과의 데이터 통신이 가능하다. 게다가, 외부 메모리 슬롯(1811) 내에 스토리지 매체를 삽입해, 대량의 데이터 보존 및 이동이 가능하다.또한, 상기 기능 외에도, 적외선 통신 기능, 텔레비전 수신 기능 등이 제공될 수 있다.도 19a는, 텔레비전 세트(9600)의 일례를 나타내고 있다. 텔레비전 세트(9600)에서, 표시부(9603)는 하우징(9601) 내에 병합된다. 표시부(9603) 위에는 영상을 표시할 수 있다. 여기서, 하우징(9601)은 스탠드(9605)에 의해 지지된다.텔레비전 세트(9600)는, 하우징(9601)의 조작 스위치 또는 별개의 리모콘(9610)에 의해 작동될 수 있다. 리모콘(9610)의 조작 키(9609)에 의해 채널이나 음량을 제어할 수 있어 표시부(9603) 위에 표시되는 영상을 제어할 수 있다. 또한, 리모콘(9610)에는, 리모콘(9610)으로부터 출력되는 정보를 표시하기 위한 표시부(9607)가 제공될 수 있다.텔레비전 세트(9600)에는, 수신기, 모뎀 등을 제공할 수 있다는 점에 유의한다. 수신기에 의해, 일반적인 텔레비전 방송을 수신할 수 있다. 또한, 텔레비전 세트(9600)가 모뎀을 통해 유선 또는 무선에 의해 통신 네트워크에 접속될 때, 단방향(송신자로부터 수신자) 또는 쌍방향(송신자와 수신자간, 또한 수신자들간 등)의 데이터 통신이 수행될 수 있다.실시예 1에서 설명된 투광성을 갖는 복수의 박막 트랜지스터가 표시부(9603)에 배치되기 때문에, 주사선의 개수를, 예를 들어, 2000개(4096×2160 화소, 3840×2160 화소 등의 이른바 4k2k 영상을 상정)로 증가시킴으로써, 표시 화상의 고품질을 실현하는 경우에 대해서도 개구율을 높힐 수 있다. 그러나, 표시부(9603)의 크기가 10 인치를 넘어 60 인치, 또는 120 인치 등이 되는 경우에는, 투광성을 갖는 배선의 배선 저항이 문제가 될 우려가 있기 때문에, 보조 배선으로서 저저항의 금속 배선을 주사선 또는 소스선에 제공하는 것이 바람직하다.도 19b는, 디지털 포토 프레임(9700)의 일례를 나타내고 있다. 예를 들어, 디지털 포토 프레임(9700)에서, 하우징(9701)에는 표시부(9703)가 병합된다. 표시부(9703)에는, 다양한 화상이 표시될 수 있다. 예를 들어, 표시부(9703)는 디지털 카메라등으로 촬영한 화상 데이터를 표시하여, 통상의 사진 프레임으로서 기능할 수 있다.디지털 포토 프레임(9700)에는, 조작부, 외부 접속용 단자(USB 단자, USB 케이블과 같은 다양한 케이블과 접속 가능한 단자 등), 기록 매체 삽입부 등이 제공된다는 점에 유의한다. 이러한 구성은, 표시부와 동일한 면에 제공될 수 있지만, 디지털 포토 프레임(9700)의 설계를 위해 측면이나 배면 위에 제공하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 디지털 카메라로 촬영한 화상 데이터를 저장하는 메모리를 디지털 포토 프레임의 기록 매체 삽입부 내에 삽입함으로써, 화상 데이타를 전송하여 표시부(9703) 위에 표시할 수 있다.디지털 포토 프레임(9700)은, 무선으로 데이터를 송수신 할 수 있는 구성을 가질 수도 있다. 무선 통신에 의해, 원하는 화상 데이타를 전송하여 표시시킬 수 있다.도 20은, 2개의 하우징, 하우징(9881) 및 하우징(9891)을 포함하는 휴대형 오락 기기를 도시한다. 하우징(9881) 및 하우징(9891)은 개폐될 수 있도록 접속부(9893)와 접속된다. 표시부(9882) 및 표시부(9883)는 각각 하우징(9881) 및 하우징(9891)에 병합된다. 또한, 도 20에 도시된 휴대형 오락 기기는, 스피커부(9884), 기록 매체 삽입부(9886), LED 램프(9890), 입력 수단(조작 키(9885), 접속 단자(9887), 센서(9888)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 광, 액, 자기, 온도, 화학물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경도, 진동, 향기나 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 센서), 마이크로폰(9889) 등을 포함한다. 물론, 휴대형 오락 기기의 구조는 전술된 것만으로 한정되지 않으며, 적어도 본 명세서에 개시된 반도체 장치를 갖춘 다른 구조도 이용할 수 있다. 휴대형 오락 기기는 적절하다면 다른 부속 장비를 포함할 수도 있다. 도 20에 도시된 휴대형 오락 기기는, 기록 매체에 저장된 프로그램 또는 데이터를 판독하여 표시부에 표시하는 기능이나, 무선 통신에 의해 다른 휴대형 오락 기기와 정보를 공유하는 기능을 갖는다. 도 20에 도시된 휴대형 오락 기기는, 전술된 것으로만 제한되지 않고 다양한 기능을 가질 수 있다.전술된 바와 같이, 투광성을 갖는 박막 트랜지스터는, 상기와 같은 다양한 전자 기기의 표시부 또는 표시 패널에 배치될 수 있다. 표시 패널의 스위칭 소자로서 투광성을 갖는 박막 트랜지스터를 이용함으로써, 높은 개구율을 갖는 표시부를 갖춘 신뢰성이 높은 전자 기기를 제공할 수 있다.본 실시예는 다른 실시예에서 설명한 구조와 적절하게 조합하여 구현할 수 있다.본 출원은 2009년 7월 10일자로 일본 특허청에 출원된 출원번호 제2009-164265호에 기초하고 있으며, 그 전체 내용은 본 명세서에 참조용으로 원용된다. [ 부호의 설명 ] 100: 기판 101: 게이트 전극층102: 게이트 절연층 103: 산화물 반도체층105a: 소스 전극층 105b: 드레인 전극층107: 제1 보호 절연층 108: 커패시터 배선110: 화소 전극층 121: 단자122: 단자 124: 컨택트 홀125: 컨택트 홀 126: 컨택트 홀127: 컨택트 홀 128: 투광성을 갖는 도전막129: 투광성을 갖는 도전막 131: 제2 보호 절연층132: 투광성을 갖는 도전막 133: 제1 산화물 반도체층134: 제2 산화물 반도체층 135: 커패시터 전극150: 단자 151: 단자152: 게이트 절연층 153: 접속 전극층154: 제1 보호 절연층 155: 투광성을 갖는 도전막156: 전극층 157: 제2 보호 절연층170: 박막 트랜지스터 400: 기판401: 게이트 전극층 402: 게이트 절연층403: 산화물 반도체층 405a: 소스 전극층405b: 드레인 전극층 407: 산화물 절연막430: 제1 산화물 반도체층 431: 제2 산화물 반도체층440: 박막 트랜지스터 442: 제2 산화물 반도체층443: 산화물 반도체층 444: 제2 산화물 반도체층450: 기판 451: 게이트 전극층452: 게이트 절연층 453: 산화물 반도체층455a: 소스 전극층 455b: 드레인 전극층457: 산화물 절연막 460: 박막 트랜지스터470: 박막 트랜지스터 480: 박막 트랜지스터481: 산화물 반도체층 483: 산화물 반도체층1000: 휴대 전화기 1001: 하우징1002: 표시부 1003: 조작 버튼1004: 외부 접속 포트 1005: 스피커1006: 마이크 1300: 기판1301: 표시부 1302: 구동부1303: 신호선 구동 회로 1304: 주사선 구동 회로1305: 화소 1306: 주사선1308: 신호선 1309: 외부 접속 단자1400: 기판 1401: 게이트 전극층1402: 게이트 절연층 1403: 산화물 반도체층1405a: 소스 전극층 1405b: 드레인 전극층1418: 채널 보호층 1430: 박막 트랜지스터1800: 하우징 1801: 하우징1802: 표시 패널 1803: 스피커1804: 마이크 1805: 조작 키1806: 포인팅 장치 1807: 카메라 렌즈1808: 외부 접속 단자 1810: 키보드1811: 외부 메모리 슬롯 1908: 표시 패널1920: 기판 1921: 표시부1922: 밀폐재 1923: 기판1924: FPC 1925: 제1 밀폐재1926: 제2 밀폐재 1927: 구동 IC 6400: 화소 6401: 스위칭용 트랜지스터6402: 구동용 트랜지스터 6403: 커패시터6404: 발광 소자 6405: 신호선6406: 주사선 6407: 전원선6408: 공통 전극 7001: 구동용 TFT 7002: 발광 소자 7003: 캐소드7004: 발광층 7005: 애노드7006: 보호 절연층 7007: 평탄화 절연막7008: 캐소드 7009: 격벽7011: 구동용 TFT 7012: 발광 소자7013: 캐소드 7014: 발광층7015: 애노드 7016: 차광막7017: 투광성을 갖는 도전막 7018: 캐소드7019: 격벽 7021: 구동용 TFT7022: 발광 소자 7023: 캐소드7024: 발광층 7025: 애노드7027: 투광성을 갖는 도전막 7028: 캐소드7029: 격벽 9600: 텔레비전 세트9601: 하우징 9603: 표시부9605: 스탠드 9607: 표시부9609: 조작 키 9610: 리모콘9700: 디지털 포토 프레임 9701: 하우징9703: 표시부 9881: 하우징9882: 표시부 9883: 표시부9884: 스피커부 9885: 조작 키9886: 기록 매체 삽입부 9887: 접속 단자9888: 센서 9889: 마이크9890: LED 램프 9891: 하우징9893: 접속부	안정적인 전기적 특성을 갖는 높은 개구율의 박막 트랜지스터를 포함하는 고도로 신뢰성있는 표시 장치를 제조하고 제공하는 것이 목적이다. 산화물 반도체막을 이용하여 채널 형성 영역을 포함한 반도체층을 형성하는 박막 트랜지스터를 갖는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 산화물 반도체막의 순도를 높이고 불순물인 수분 등을 저감하기 위한 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)를 수행한다. 또한, 개구율은, 투광성을 갖는 도전막을 이용하여 게이트 전극층, 소스 전극층, 및 드레인 전극층을 형성함으로써 개선된다.
[ 발명의 명칭 ] 신체 기반 통신 보안 기술TECHNIQUES FOR SECURING BODY-BASED COMMUNICATIONS [ 기술분야 ] 본 명세서에서 설명되는 실시예들은 일반적으로 신체를 통한 신체 소지 장치(body-carried device) 간의 통신을 보안하기 위한 생체 측정 특성의 이용에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 사람이 다양한 전자 장치를 소지하는 것이 일반화되었으며, 그러한 전자 장치가 정보를 교환하기 위해 개인 영역 네트워크(PAN)로서 일반적으로 지칭되는 것에서 네트워킹되는 것이 일반화되고 있다. 그러한 장치는 손목시계, 스마트폰, 스마트 시계, 스마트 안경, 보수계와 같은 활동 모니터링 장치, 펄스 모니터와 같은 건강 모니터링 장치, 오디오 통신을 위한 무선 이어셋, 페이스메이커 등을 포함한다. 많은 PAN은 무선 라디오 주파수(RF) 통신을 이용하며, 유사한 다른 형태의 무선 네트워크는 다른 사람이 다른 전자 장치를 이용하여 PAN의 하나 이상의 전자 장치로부터 정보를 훔치는 것과 같은 목적을 위해 그러한 PAN에 대한 액세스를 무선으로 획득하는 보안 침해에 취약한 것으로 입증되었다.그러한 보안 침해에 대응하기 위한 접근법은 통신 매체로서의 무선 RF 시그널링을 인체로 대체하여 신체 영역 네트워크, 즉 BAN을 형성하는 것이었다. 더 정확하게는, 신체의 피부 및/또는 다른 조직을 전도 매체로서 이용하여 신체에 근접 배치된 전자 장치 간에 신호를 운반한다. 그러나, BAN은 또한, 다른 사람이 피부끼리 접촉을 행하거나, 적어도 그의 신체 상의 다른 전자 장치로 하여금 BAN에 일시적으로 추가되는 것을 가능하게 할 만큼 충분히 물리적으로 근접함으로써 발생하는 보안 침해에 취약한 것으로 입증되었다. 그러한 보안 침해는 다수의 사람이 예로서 지하철 또는 승강기를 타는 동안 또는 줄을 서서 기다리는 동안 어쩔 수 없이 서로 일시적으로 근접하게 되는 상황에서 발생하는 것으로 알려졌다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 보안 통신 시스템의 실시예를 나타낸다.도 2는 실시예에 따른 신체 소지 장치가 배치될 수 있는 신체 상의 예시적인 위치를 나타낸다.도 3은 보안 통신 시스템의 대안 실시예를 나타낸다.도 4는 실시예에 따른 2개의 신체 영역 네트워크가 일시적으로 결합되는 예를 나타낸다.도 5는 실시예에 따른 신체 소지 장치의 결합되는 네트워크에 대한 연관성의 예를 나타낸다.도 6은 보안 통신 시스템의 실시예의 일부를 나타낸다.도 7-9는 실시예에 따른 논리 흐름을 나타낸다.도 10은 실시예에 따른 처리 아키텍처를 나타낸다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 다양한 실시예는 일반적으로 신체 영역 네트워크(BAN)를 형성하도록 사람의 신체에 근접 배치되는 2개 이상의 신체 소지 장치 간의 보안 통신을 형성 및 유지하기 위한 기술에 관련된다. 구체적으로, 보안 테스트 신호가 통신 매체로서 사용되는 신체를 통해 2개 이상의 신체 소지 장치 간에 반복 교환되어 신체의 생체 전기 특성을 검사함으로써 신체의 신원을 확인한다. 사전 결정된 변화 레이트 내에서 시간 경과에 따라 발생하는 생체 측정 특성의 변화는 너무 큰 레이트로 발생하는 변화에 응답하는 동안 상이한 메커니즘을 이용하여 신체의 신원을 검증하기 위한 보안 과제를 제시함으로써 반복 적응된다.BAN의 신체 소지 장치는 신체의 하나 이상의 조직을 통해 공지 신호 특성의 보안 테스트 신호를 반복적으로 교환하여 하나 이상의 조직의 생체 전기 특성을 측정함으로써 신체가 신체 소지 장치를 사용하도록 허가된 사람의 신체인 것을 확인한다. 그러한 공지 신호 특성은 공지 진폭, 공지 주파수 조합, 공지 주파수 시프트 패턴, 공지 데이터 패턴 등을 포함할 수 있다. 그러한 생체 전기 특성은 하나 이상의 주파수에서의 저항, 인덕턴스 및/또는 용량을 포함할 수 있다. 본질적으로, 신체의 조직은 보안 테스트 신호가 신체를 통해 운반될 때 이를 변환한다.생체 전기 특성을 측정하기 위한 그러한 신호 교환은 데이터를 교환하기 위한 신호의 교환의 일부로서 발생할 수 있다. 즉, 생체 전기 특성을 결정하기 위해 수신될 때 또한 분석되는 신호 내에서 데이터가 교환될 수 있다. 대안으로서 또는 추가로, 생체 전기 특성을 측정하기 위한 그러한 신호 교환은 데이터를 교환하기 위한 신호의 교환과 무관하게 발생할 수 있으며, 무작위로 그리고/또는 사전 결정된 간격으로 발생할 수 있다. 각각의 그러한 신체 소지 장치는 보안 테스트 신호의 공지 신호 특성의 그리고 신체의 예상 생체 전기 특성의 표시를 저장한다. 수신 시에, 수신된 보안 테스트 신호의 신호 특성을 그의 공지 특성과 비교하여 생체 전기 특성을 도출하고, 이어서 생체 전기 특성을 예상 생체 전기 특성과 비교하여 매치가 존재하는지를 결정한다.일부 실시예에서, 조직의 생체 전기 특성의 차이가 단일 신체의 상이한 부분에서 발견될 수 있다. 즉, 신체의 일부를 통해 통신하는 신체 소지 장치는 신체 상의 그의 위치 사이에서 생체 전기 특성을 만날 수 있으며, 이 생체 전기 특성은 동일 신체 상의 2개의 다른 위치 사이에서 통신하는 2개의 다른 그러한 장치가 만나는 그러한 특성과 다르다. 따라서, 일부 실시예에서, 각각의 그러한 신체 소지 장치는 신체 소지 장치가 신체 상에 배치될 수 있는 상이한 위치로의 또는 그로부터의 통신과 각각 연관된 상이한 예상 생체 전기 특성을 표시하는 특성 데이터를 저장할 수 있다. 예로서, 하나의 신체 소지 장치는 다른 신체 소지 장치가 신체의 어느 사지(limb)에 배치되는지에 따라 그러한 다른 신체 소지 장치와의 그의 통신에서 상이한 생체 전기 특성을 만날 것을 예상할 수 있다.다양한 실시예에서, 신체의 조직의 생체 전기 특성은 더 짧은 기간 및 더 긴 기간 양자에 걸쳐 변할 수 있다. 예로서, 신체의 수화(hydration)의 레벨은 사람이 임의의 다양한 활동에 관여함에 따라, 예로서 쉬거나, 먹거나, 마시거나, 감정 상태가 변하거나, 더 더운 또는 더 추운 환경에 들어가거나, 더 건조한 또는 더 습기찬 환경에 들어가거나, 샤워하거나, 기타 등등을 행함에 따라 한 시간 또는 하루에 걸쳐 변할 수 있다. 또한, 예로서, 피부 조직 및 그의 피하 조직에 대한 결합은 노화의 일부로서 수명에 걸쳐 상당한 변화를 겪는 것으로 알려져 있다. 이 분야의 기술자가 인식할 수 있듯이, 그러한 신체 변화는 적어도 신호가 교환될 수 있는 일부 주파수에 대해 신체 소지 장치 간의 통신에서 만나는 생체 전기 특성의 변화를 유발하기 쉽다. 따라서, 일부 실시예에서, 시간 경과에 따라 사전 결정된 변화 레이트를 초과하지 않는 생체 전기 특성의 변화는 적응될 수 있다. 구체적으로, 예상 생체 전기 특성의 표시를 포함하는 신체 소지 장치 내에 저장된 특성 데이터는 시간 경과에 따라 갱신되는 것이 허용될 수 있고, 그러한 갱신은 그러한 생체 전기 특성이 사전 결정된 임계 변화 레이트를 초과하지 않는 레이트로 변하는 것을 조건으로 할 수 있다.충분히 큰 생체 전기 특성의 변화가 사전 결정된 변화 레이트를 초과할 만큼 충분히 짧은 기간 내에 검출되는 경우, BAN과 연관된 하나 이상의 신체 소지 장치는 보안 과제를 제시할 수 있다. 그러한 보안 과제는 지정된 액션이 하나 이상의 신체 소지 장치가 근접하는 신체의 신원을 검증하기 위해 취해져야 한다는 요구를 포함할 수 있다. 예로서, 패스워드, 지문 등에 대한 요청이 하나 이상의 신체 소지 장치에 의해 청각적으로 또는 시각적으로 제시될 수 있다. 신체 소지 장치가 이전에 배치된 곳과 다른 신체 상의 위치에 배치될 수 있는 다른 예에서, 신체 소지 장치를 이전에 배치된 위치에 배치하여 그 위치에서 생체 전기 특성의 테스트를 가능하게 하도록 신체 소지 장치를 이동시키기 위한 요청이 제시될 수 있다.신체 소지 장치는 부분적으로는 특정 신체의 예상 생체 전기 특성을 표시하는 특성 데이터, BAN 내에 이미 등록된 다른 신체 소지 장치의 신원을 표시하는 네트워크 데이터, 및/또는 암호화 및/또는 다른 보안 조치를 가능하게 하기 위한 인증 데이터를 제공받음으로써 BAN의 일부가 되도록 등록될 수 있다. 데이터의 그러한 제공은 그러한 데이터를 BAN과 연관된 계정의 계정 데이터의 일부로서 저장하는 서버에 의해 수행될 수 있다. 신체 소지 장치의 등록은 신체 소지 장치 및/또는 그러한 서버 내에 저장할 예상 생체 전기 특성의 하나 이상의 초기 표시를 생성하기 위해 신체 소지 장치에 의해 수신될 보안 테스트 신호를 전송하도록 신체의 하나 이상의 위치에 배치되는 등록 장치의 사용을 수반할 수 있다.본 명세서에서 사용되는 표기법 및 명명법과 일반적으로 관련하여, 이어지는 상세한 설명의 일부는 컴퓨터 또는 컴퓨터 네트워크 상에서 실행되는 프로그램 절차와 관련하여 제시될 수 있다. 이러한 절차적 설명 및 표현은 이 분야의 기술자가 그의 연구 내용을 이 분야의 다른 기술자에게 가장 효과적으로 전달하는 데 사용된다. 절차는 본 명세서에서 그리고 일반적으로 원하는 결과를 유도하는 일관된 동작 시퀀스인 것으로 간주된다. 이러한 동작은 물리량의 물리적 조작을 필요로 하는 동작이다. 통상적으로, 반드시 필요한 것은 아니지만, 이러한 양은 저장, 전송, 결합, 비교 및 달리 조작될 수 있는 전기, 자기 또는 광학 신호의 형태를 취한다. 때때로 주로 일반적인 사용의 이유로 그러한 신호를 비트, 값, 요소, 심벌, 문자, 용어, 숫자 등으로서 지칭하는 것이 편리한 것으로 입증된다. 그러나, 이러한 용어 및 유사한 용어 모두는 적절한 물리량과 연관되어야 하며, 그러한 양에 적용되는 편리한 라벨일 뿐이라는 점에 유의해야 한다.또한, 이러한 조작은 종종 사람 운영자에 의해 수행되는 정신적 동작과 일반적으로 연관되는 가산 또는 비교와 같은 용어로 지칭된다. 그러나, 하나 이상의 실시예의 일부를 형성하는 본 명세서에서 설명되는 임의의 동작에서는 사람 운영자의 어떠한 그러한 능력도 필요하지 않거나 대부분의 경우에 바람직하지 않다. 오히려, 이러한 동작은 머신 동작이다. 다양한 실시예의 동작을 수행하기 위한 유용한 머신은 본 명세서에서의 가르침에 따라 작성되는 내부에 저장된 컴퓨터 프로그램에 의해 선택적으로 활성화 또는 구성되는 바와 같은 범용 디지털 컴퓨터를 포함하고/하거나, 필요한 목적을 위해 특별히 구성되는 장치를 포함한다. 다양한 실시예는 이러한 동작을 수행하기 위한 장치 또는 시스템과도 관련된다. 이러한 장치는 필요한 목적을 위해 특별히 구성될 수 있거나, 범용 컴퓨터를 포함할 수 있다. 다양한 이러한 머신을 위한 필요한 구조는 주어지는 설명으로부터 명백할 것이다.이제, 도면이 참조되며, 도면 전반에서 동일한 참조 번호는 동일한 요소를 지칭하는 데 사용된다. 아래의 설명에서는 설명의 목적으로 그의 충분한 이해를 제공하기 위해 다수의 특정 상세가 설명된다. 그러나, 새로운 실시예는 이러한 특정 상세 없이도 실시될 수 있다는 것이 명백할 것이다. 다른 예에서는, 그의 설명을 촉진하기 위해 공지 구조 및 장치는 블록도 형태로 도시된다. 그 의도는 청구항의 범위 내에서 모든 변경, 균등물 및 대안을 커버하는 것이다.도 1은 서버(100), 등록 장치(300) 및 하나 이상의 신체 소지 장치(500) 중 하나 이상을 포함하는 보안 통신 시스템(1000)의 실시예의 블록도이다. 이러한 컴퓨팅 장치(100, 300, 500) 각각은 데스크탑 컴퓨터 시스템, 데이터 입력 단말기, 랩탑 컴퓨터, 넷북 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터, 핸드헬드 개인 휴대 단말기, 스마트폰, 디지털 카메라, 의류 내에 포함되는 신체 착용 컴퓨팅 장치, 차량(예로서, 자동차, 자전거, 휠체어 등) 내에 통합되는 컴퓨팅 장치, 서버, 서버 클러스터, 서버 팜 등을 포함하지만 이에 한정되지 않는 임의의 다양한 타입의 컴퓨팅 장치일 수 있다.도시된 바와 같이, 이러한 컴퓨팅 장치(100, 300, 500) 중 하나 이상은 네트워크(999) 및 신체 영역 네트워크(BAN)(919) 중 하나 또는 양자를 통해 다수의 신체 소지 장치(500) 사이에 보안 통신을 설정하는 것과 연관된 신호를 교환한다. 그러나, 이러한 컴퓨팅 장치 중 하나 이상은 보안 통신과 완전히 무관한 다른 데이터를 네트워크(999) 또는 BAN(919)을 통해 서로 그리고/또는 다른 컴퓨팅 장치(도시되지 않음)와 교환할 수 있다. 다양한 실시예에서, 네트워크(999)는 아마도 단일 빌딩 또는 다른 비교적 제한된 영역 내의 확장으로 제한되는 단일 네트워크, 아마도 상당한 거리로 확장되는 접속 네트워크 조합일 수 있고/있거나, 인터넷을 포함할 수 있다. 따라서, 네트워크(999)는 전기적으로 그리고/또는 광학적으로 전도하는 케이블링을 이용하는 유선 기술 및 적외선, 라디오 주파수 또는 다른 형태의 무선 전송을 이용하여 무선 기술을 포함하지만 이에 한정되지 않는, 신호를 교환할 수 있는 임의의 다양한 (또는 조합의) 통신 기술에 기초할 수 있다.다양한 실시예에서, 신체 소지 장치(500) 각각은 프로세서 컴포넌트(550), 저장소(560), 제어(520), 디스플레이(580), 및 서버(500)를 네트워크(999)에 결합하기 위한 인터페이스(590) 중 하나 이상을 포함한다. 신체 소지 장치(500) 각각은 BAN(919)의 통신 매체로서 사용되는 신체(10)의 조직을 통해 전도되는 신호를 송신 및/또는 수신하기 위한 신체 인터페이스(510)도 포함한다. 저장소(560)는 제어 루틴(540), 특성 데이터(531), 인증 데이터(535), 네트워크 데이터(539), 애플리케이션 루틴(570) 및 데이터(537) 중 하나 이상을 저장한다.신체 인터페이스(510)는 신체(10)의 적어도 피부 조직을 통해 신호를 송신 및/또는 수신하기 위한 임의의 다양한 기술을 이용할 수 있다. 예로서, 신체 인터페이스(510)는 신체(10)의 피부와의 직접적인 전기 전도 접촉(예로서, 전도 표면)을 이용하여, 적어도 피부 조직(예로서, 신호의 교류 컴포넌트를 위한 "피부 효과")을 통해 신호를 송신 및/또는 수신할 수 있다. 신체(10)에 대한 직류(DC) 결합을 방지하기 위해 신체 인터페이스(510)에서 용량성 컴포넌트가 이용될 수 있다. 다른 예로서, 신체 인터페이스(510)는 신체(10)의 피부에 근접하게, 그러나 전도 접촉하지는 않게 배치되는 하나 이상의 플레이트 또는 코일을 이용하여 적어도 피부 조직 및/또는 피하 조직에서 전자기적으로 신호를 유도할 수 있다. 신호의 그러한 유도는 의류의 하나 이상의 층을 통해 달성되어, 적어도 신체 인터페이스(510)가 의류 위에, 포켓 안에, 신체에 근접하게 소지되는 가방(예로서, "패니 팩(fanny pack)" 또는 백팩) 안에, 기타 등등에 배치되는 것을 가능하게 할 수 있다.그러한 전도 표면, 플레이트 또는 코일은 하나 이상의 신체 소지 장치(500)의 케이스 내에 그리고/또는 제어(520) 내에 포함될 수 있다. 더 정확하게는, 신체 인터페이스(510)는 적어도 피부 조직과 물리적으로 접촉하도록 케이스의 또는 제어(520)의 수동 조작 가능 노브, 레버, 터치 감지 표면, 키패드 또는 키보드의 키의 키캡 등의 외면 상에 형성되는 전도 표면을 포함할 수 있다. 대안으로서 또는 추가로, 신체 인터페이스(510)는 전자기장을 감지 및/또는 생성하기 위해 케이스 내에 또는 제어의 수동 조작 가능 노브, 레버, 터치 감지 표면, 키패드 또는 키보드의 키의 키캡 등 내에 포함되는 플레이트 또는 코일을 포함할 수 있다. 따라서, 신체의 "위치에 배치" 또는 유사한 그러한 취지의 단어는 신체의 그러한 위치에서 (예로서, 의류의 하나 이상의 층에 의해 분리되는) 신호의 유도를 가능하게 하기 위해 피부에 대한 전도 접촉을 달성하거나 충분히 근접하도록 피부에 접촉하게 신체 상에 소지되는(또는 신체에 근접하는) 것을 나타내는 것으로 해석되어야 한다는 것을 이해해야 한다.이 분야의 기술자에게 친숙하듯이, 다양한 범위의 신호 주파수는 다른 것에 비해 신체의 소정 부분에 의해 그리고/또는 그를 통해 더 또는 덜 쉽게 전도되며, 더 쉽게 전도되는 주파수의 선택은 신호를 교환하는 데 이용되는 기술에 의존할 수 있다. 따라서, 신체(10)의 위치에의 하나의 신체 소지 장치(500)의 배치는 적어도 신체 인터페이스(510)를 신체(10)의 피부와 전도 접촉하게 또는 그러한 위치에서 신체(10)의 피부에 근접하게 배치하는 것을 수반한다.제어 루틴(540)은 다양한 기능을 수행하기 위한 논리를 구현하기 위해 하나의 신체 소지 장치(500)의 메인 프로세서 컴포넌트로서 역할하는 프로세서 컴포넌트(550) 상에서 동작하는 명령어 시퀀스를 포함한다. 제어 루틴(540)을 실행함에 있어서, 프로세서 컴포넌트(550)는 신체(10)를 통해 신호를 송신 및/또는 수신하도록 신체 인터페이스(510)를 동작시킨다. 이러한 신호는 신체(10)를 통해 신체 소지 장치(500)와 적어도 하나의 다른 장치(예로서, 다른 신체 소지 장치(500)) 사이에서 데이터(537)를 운반할 수 있다. 데이터(537)는 텍스트, 그래픽, 사진, 통계 데이터, 신체(10)에 관한 생체 측정 데이터, 오디오, 모션 비디오 등을 포함하지만 이에 한정되지 않는 임의의 다양한 타입의 데이터일 수 있다. 애플리케이션 루틴(570)은 텍스트 또는 이메일 클라이언트, 웹사이트 브라우저, 건강 모니터, 오디오 및/또는 비주얼 플레이어, 사진 뷰어 등을 포함하지만 이에 한정되지 않는 임의의 다양한 타입의 애플리케이션 루틴일 수 있다. 애플리케이션 루틴(570)의 기능이 무엇일 수 있는지에 관계없이, 데이터(537)는 애플리케이션 루틴(570)과 연관될 수 있으며, 애플리케이션 루틴(570)의 적절한 기능은 신체(10)를 통해 다른 장치로 그리고/또는 그로부터 데이터(537)를 송신 및/또는 수신하는 것을 수반할 수 있다.데이터(537)를 운반할 수 있는 신호를 포함하는 신호의 신체(10)를 통한 교환은 신체(10)를 통해 운반되는 신호가 신체(10)로부터 떨어진 곳에서 무선으로 인터셉트될 수 없으므로 무선 라디오 주파수(RF) 신호 교환의 보안 위험을 방지한다. 그러나, 설명된 바와 같이, 사람이 서로 근접하여 한 사람의 신체(10)를 통해 운반되는 신호조차도 신체(10)에 은밀하게 근접 위치하는 다른 사람에 의해 소지된 장치에 의해 인터셉트될 수 있는 상황이 발생한다. 이러한 문제를 해결하기 위해 다양한 보안 조치 또는 보안 조치 조합이 이용될 수 있다.하나의 그러한 보안 조치로서, BAN(919)의 일부가 되는 것이 허가된 장치(예로서, 하나 이상의 신체 소지 장치(500))의 신원의 표시자가 네트워크 데이터(539) 내에 저장될 수 있다. 또한, BAN(919)의 장치 간에(예로서, 신체 소지 장치(500) 간에) 교환되는 신호는 그를 전송하는 장치의 신원의 표시자를 포함하여 신체 소지 장치(500) 중 수신 신체 소지 장치가 그의 신원을 네트워크 데이터(539)와 비교하는 것을 가능하게 할 것이 요구될 수 있다.다른 그러한 보안 조치로서, 인증 데이터(535)의 보안 인증서를 이용하여, 이 분야의 기술자에게 친숙한 방식으로 신호의 교환을 암호화하고/하거나 달리 제한할 수 있다. 구체적으로, 인증 데이터(535)는 데이터(537)를 운반하기 위한 신호의 교환이 발생하기 전에 데이터(537)를 암호화/해독하거나 다른 장치(예로서, 다른 신체 소지 장치(500))를 검증하는 데 사용되는 임의의 다양한 키, 암호, 해시, 증명서 등을 포함할 수 있다.또 다른 그러한 보안 조치로서, 프로세서 컴포넌트(550)는 신체(10)를 통해 보안 테스트 신호를 송신 및/또는 수신하도록 신체 인터페이스(510)를 동작시킬 수 있다. 더 정확하게는, 하나의 신체 소지 장치(500)의 프로세서 컴포넌트(550)는 보안 테스트 신호를 전송할 수 있고/있거나, 다른 신체 소지 장치(500)의 프로세서 컴포넌트(550)는 그러한 보안 테스트 신호를 수신 및 분석할 수 있다. 보안 테스트 신호의 교환은 다른 장치와 데이터를 교환하기 위한 신호의 교환의 일부로서 수행될 수 있으며, 따라서 데이터(537)를 운반하기 위해 교환되는 신호는 보안 테스트 신호로 사용될 수도 있다. 대안으로서 또는 추가로, 보안 테스트 신호의 교환은 데이터(537)를 운반하기 위한 신호가 교환되지 않을 때 발생할 수 있고, 무작위로 선택된 시간에 발생할 수 있고/있거나, 규칙적인 간격으로 발생할 수 있다.전송되는 바와 같은 보안 테스트 신호는 공지 신호 특성을 가져서, 보안 테스트 신호를 수신하는 하나의 신체 소지 장치(500)가 수신되는 바와 같은 보안 테스트 신호의 신호 특성을 공지 신호 특성과 비교하는 것을 가능하게 한다. 공지 특성은 하나 이상의 공지 데이터 패턴, 공지 타이밍, 공지 주파수 시프트 패턴, 공지 진폭, 공지 변조, 공지 전송 주파수 조합 등을 포함할 수 있다. 수신되는 바와 같은 보안 테스트 신호를 공지 특성과 비교하여 분석함에 있어서, 보안 테스트 신호를 수신하는 하나의 신체 소지 장치(500)의 프로세서 컴포넌트(550)는 그러한 하나의 신체 소지 장치(500)와 그에게 보안 테스트 신호를 전송한 임의의 다른 장치 사이에서 신체(10)의 적어도 일부(들) 내의 조직의 생체 전기 특성을 도출할 수 있다. 이어서, 프로세서 컴포넌트(550)는 도출된 생체 전기 특성을 특성 데이터(531)에 의해 표시되는 예상 생체 전기 특성과 비교하여 생체 전기 특성이 사전 결정된 임계치 내에서 매칭되는지를 결정함으로써 매치의 존재의 결정을 지원한다.이 분야의 기술자에게 친숙하듯이, 보안 테스트 신호의 신체(10) 내로의 전송으로부터 그의 신체(10)로부터의 수신까지의 그의 신호 특성의 변화는 신체(10)의 조직이 보안 테스트 신호를 변환함에 따라 발생한다. 위에 열거된 다양한 신호 특성 중 다수의 신호 특성은 그러한 변환에 의해 변경될 수 있으며, 신호 특성과 공지 신호 특성의 비교로부터 도출된 생체 전기 특성은 그러한 변환의 표시 및/또는 표현을 제공한다. 따라서, 도출된 생체 전기 특성과 예상 생체 전기 특성의 후속 비교는 사실상 도출된 변환과 공지 변환의 비교이다. 사실상, 일부 실시예에서, 신호 특성과 공지 신호 특성의 비교로부터의 생체 전기 특성의 도출은 신체(10)의 신원을 검증하기 위해 예상 변환과 후속 비교되는 변환의 도출을 수반할 수 있다.보안 테스트 신호 및 생체 전기 특성 매칭의 그러한 사용은 상이한 사람의 신체 사이에 형상, 크기, 무게 등의 차이가 또한 존재하는 것처럼 각각의 사람의 신체의 조직의 생체 전기 특성의 고유한 차이에 기초한다. 사람 간의 이러한 생체 전기 특성의 차이의 결과로서, 상이한 사람의 신체를 통해 교환되는 신호는 상이한 방식으로 그리고/또는 사람을 식별하기 위해 의존될 수 있는 상이한 정도로 그러한 신호의 신호 특성에 영향을 주는 상이한 변환을 겪는다. 따라서, 특정인의 신체의 생체 전기 특성에 대한 매치로서 간주되는 생체 전기 특성을 나타내는 보안 테스트 신호가 수신되는 경우, 수신된 보안 테스트 신호는 그러한 신호를 수신한 하나의 신체 소지 장치(500)가 그 특정인의 신체에 틀림없이 근접하였다는 검증을 제공하는 것으로 간주된다. 그러한 검증은 보안 테스트 신호를 수신한 하나의 신체 소지 장치(500)가 그를 조작하도록 허가되지 않은 다른 사람의 신체에 현재 근접하지 않았다(예로서, 손 안에 파지되지 않았다)는 보증으로서 사용된다. 구체적으로, 그러한 검증은 프로세서 컴포넌트(550)가 데이터(537)를 다른 장치로 전송하거나 그렇게 하는 것을 금지하는지의 여부를 결정함에 있어서의 하나의 조건으로서 사용될 수 있다.그러한 검증은 보안 테스트 신호를 수신하는 하나의 신체 소지 장치(500)를 조작하도록 허가되는 특정인의 신체가 다른 신체와 전도 접촉하지 않아서 신호가 그들 사이에서 바람직하지 않게 운반될 수 없다는 보증으로서 더 사용된다. 이 분야의 기술자에게 친숙하듯이, 2개의 신체 간의 물리적 접촉은 접촉점에서 그들 간의 전기 전도를 유발하며, 하나의 신체와 다른 신체의 그러한 전기적 결합은 양 신체의 적어도 일부 생체 전기 특성을 변경할 수 있다. 따라서, 특정인의 신체의 생체 전기 특성에 대한 매치로서 간주되는 생체 전기 특성을 나타내는 보안 테스트 신호가 수신되는 경우, 수신된 보안 테스트 신호는 그 특정인의 신체가 다른 사람의 신체와 전도 접촉하지 않았다는 검증을 제공하는 것으로 간주된다. 본질적으로, 그러한 검증은 전송 매체, 예로서 신체(10)가 다른 신체에 전도 결합되지 않은 결과로서 안전하다는 보증을 제공한다.그러나, 이 분야의 기술자에게 친숙하듯이, 신체(10)의 생체 전기 특성은 시간 경과에 따라 변하기 쉽다. 피부 표면 상의 발한, 및 피부 조직 및/또는 피하 조직 내의 모세 혈관을 통한 혈액 흐름의 부피 변화와 같은 팩터로부터 발생하는 하루에 걸친 단기 변화가 쉽게 존재할 수 있다. 단기 변화는 감정, 물리적 활동, 수화 레벨, 영양, 환경 온도, 환경 습도 등의 변화에 의해 쉽게 유발될 수 있다. 또한, 먹기, 마시기, 잠자기, 샤워 또는 목욕하기 등과 같은 특정 활동도 단기 변화를 유발할 수 있다. 노화로 인한 조직의 생체 전기 특성의 변화로부터 발생하는 장기 변화도 존재한다. 그러한 생체 전기 특성의 항상성의 결여를 수용하기 위해, 프로세서 컴포넌트(550)는 생체 전기 특성 데이터(531) 내의 생체 전기 특성의 표시를 그러한 특성의 변화에 따라 시간에 걸쳐 갱신할 수 있다. 프로세서 컴포넌트(550)는 수신된 보안 테스트 신호를 분석함에 있어서 시간에 걸쳐 관측되는 생체 전기 특성에서 검출되는 변화 레이트를 사전 결정된 생체 전기 특성의 변화 레이트와 비교할 수 있다. 그렇게 하는 것은 하루에 걸쳐 그리고/또는 수명에 걸쳐 신체(10)에서 발생할 것으로 예상되는 생체 전기 특성의 변화로부터 발생하는 변화와, 상이한 신체 상에 배치되는 신체 소지 장치(500)로부터 발생하거나 다른 신체와 전도 접촉하는 신체(10)로부터 발생하는 생체 전기 특성의 변화를 구별할 수 있다.이 분야의 기술자에게 또한 친숙하듯이, 신체(10)의 조직의 생체 전기 특성은 신체(10)의 상이한 부분 사이에서 상이할 수 있다. 결과적으로, 2개의 신체 소지 장치(500) 간의 신호의 교환에서 관측되는 생체 전기 특성은 그들 중 하나 또는 양자가 신체(10)의 한 부분으로부터 다른 부분으로 배치되는 경우에 변할 수 있다. 도 2는 다양한 신체 소지 장치(500)가 배치될 수 있는 신체(10) 상의 다양한 예시적인 위치(19)를 나타낸다. 예로서, 특정인이 언제나 하나의 신체 소지 장치(500)(예로서, 손목시계)를 동일 손목에 배치하고, 다른 신체 소지 장치(500)(예로서, 무선 통신 이어셋)를 동일 귀에 배치하는 경우, 그들 간에 교환되는 신호의 생체 전기 특성의 어떠한 변화도 위치 변화로부터 발생하지 않는다. 그러한 상황에서, 보안 테스트 신호의 수신시에 검출되는 그러한 생체 전기 특성의 변화는 보안 침해의 시도에 기인하거나 (위에서 방금 설명된 바와 같이) 시간에 따라 신체(10) 내에서 발생할 것으로 예상되는 생체 전기 특성의 변화에 기인할 가능성이 더 크다.그러나, 특정인이 하나의 신체 소지 장치(500)가 배치되는 신체(10) 상의 위치(19)를 변경하는 경향이 있는 경우, 그러한 하나의 신체 소지 장치(500)의 프로세서 컴포넌트(550)는 그가 수신하는 신호의 생체 전기 특성의 변화를 자주 검출할 수 있다. 게다가, 신체(10)의 상이한 위치(19) 사이에서 이동되지 않는 하나 이상의 다른 신체 소지 장치(500)의 프로세서 컴포넌트(550)는 자주 이동되는 하나의 신체 소지 장치(500)로부터 수신되는 신호의 생체 전기 특성의 변화를 여전히 검출할 수 있다. 예로서, 사람이 언제나 하나의 신체 소지 장치(500)(예로서, 손목시계)를 동일 손목에 배치할 수 있는 경우에도, 그 신체 소지 장치(500)의 프로세서 컴포넌트(550)는 사람이 다른 신체 소지 장치(500)(예로서, 핸드헬드 스마트폰)를 한 손에 파지하는 것으로부터 다른 손에 파지하는 것으로 전환할 때마다 그 다른 신체 소지 장치로부터 수신되는 신호의 생체 전기 특성의 변화를 여전히 만날 수 있다.도 1을 다시 참조하면, 하나 이상의 신체 소지 장치(500)가 배치될 수 있는 신체(10)의 위치(19) 사이의 그러한 변화로부터 발생하는 생체 전기 특성의 변화를 수용하기 위해, 특성 데이터(531)는 생체 전기 특성의 다수의 표시를 포함할 수 있다. 그러한 표시 각각은 보안 테스트 신호를 송신 및 수신하는 신체 소지 장치(500)가 배치될 수 있는 신체(10)의 위치(19)의 상이한 조합에 대한 생체 전기 특성을 지정할 수 있다. 따라서, 하나의 신체 소지 장치(500)가 동일 위치(19)에 배치되는 경향이 있는 반면, 다른 신체 소지 장치가 2개의 다른 위치(19) 사이에서 자주 이동되는 경우, 각각 내의 특성 데이터(531)는 그들 사이에서 교환되는 신호에서 검출될 것으로 예상되는 생체 전기 특성의 2개의 개별 표시를 가질 수 있다. 표시 중 하나는 하나의 신체 소지 장치(500)가 배치되는 경향이 있는 하나의 비변경 위치와 다른 신체 소지 장치(500)가 배치될 수 있는 2개의 다른 위치(19) 중 하나의 위치 사이에서 예상되는 생체 전기 특성의 표시일 수 있다. 따라서, 표시 중 나머지는 그러한 하나의 비변경 위치(19)와 다른 신체 소지 장치(500)가 배치될 수 있는 2개의 위치(19) 중 나머지 사이에서 예상되는 생체 전기 특성의 표시일 수 있다.보안 테스트 신호가 그를 전송한 장치(예로서, 신체 소지 장치(500) 중 하나)의 신원의 표시를 포함하는 것이 요구되는 실시예에서, 신체(10)의 상이한 위치(19) 또는 위치(19)의 조합과 연관된 상이한 생체 전기 특성의 특성 데이터(531) 내의 상이한 표시는 그러한 위치(19)에 있을 것으로 예상되는 특정 장치와 상관될 수 있다. 따라서, 수신된 테스트 신호에서 만나는 생체 전기 특성과 특성 데이터(531)에서 표시되는 예상 생체 전기 특성 간의 매치의 결정은 수신된 신호와 연관된 생체 전기 특성이 특정 장치로부터 수신된 테스트 신호에 대해 가능한 것으로 표시되는 것 중에 있는지에도 의존할 수 있다.테스트 신호에 의해 만나는 생체 전기 특성과 특성 데이터(531)에서 표시되는 예상 생체 전기 특성 간의 매치가 발견되는지에 영향을 줄 수 있는 다양한 전술한 팩터가 주어질 경우, 프로세서 컴포넌트(550)는 매치가 존재하지 않는다는 결정에 응답하여 다양한 상이한 액션을 취할 수 있다. 테스트 신호가 그를 전송하는 장치의 신원의 표시를 포함하는 실시예에서, 프로세서 컴포넌트(550)는 그러한 신원 표시를 이용하여, 식별된 장치와 연관성을 갖는 특성 데이터(531) 내의 모든 표시를 검사하여, 그 장치와 연관된 매칭 생체 전기 특성을 발견하려고 시도할 수 있다. 그러한 매치가 발견되지 않는 경우, 프로세서 컴포넌트(550)는 테스트 신호를 수신한 하나의 신체 소지 장치(500)가 그를 사용하도록 허가된 사람의 신체(10)에 근접 배치된 것을 검증하려고 시도하기 위한 보안 과제를 제시할 수 있다.보안 과제를 제시하는 신체 소지 장치(500)가 제어(520) 및 디스플레이(580)를 포함하는 실시예에서, 프로세서 컴포넌트(550)는 패스워드의 입력을 위한 요청을 보안 과제로서 시각적으로 제시하도록 디스플레이(580)를 동작시킬 수 있다. 이어서, 프로세서 컴포넌트(550)는 제어(520)(예로서, 키보드, 터치패드, 터치스크린의 터치 요소 등)를 모니터링하여, 요청된 패스워드의 입력을 기다릴 수 있다. 올바른 패스워드가 입력되는 경우, 프로세서 컴포넌트(550)는 수신된 테스트 신호와 함께 만나는 생체 전기 특성의 표시를 특성 데이터(531)에 추가할 수 있다. 이것은, 새로 만난 생체 전기 특성이 사람이 하나 이상의 신체 소지 장치(500)를 전과 다른 신체(10) 상의 위치(19)에 배치한 결과로서 발생하였고, 응답이 새로 만난 생체 전기 특성을 수용하기 위한 적응이어야 한다는 가정에 기초하여 수행될 수 있다.신체 소지 장치(500)가 제어(120), 디스플레이(180) 및/또는 정보(예로서, 패스워드)의 입력을 요구하는 보안 과제를 제시하기 위한 능력을 제공하는 다른 컴포넌트를 갖지 않는 실시예에서, 신체 소지 장치(500)는 더 간단한 컴포넌트(예로서, 단일 발광 다이오드 등)를 이용하여, 더 간단하게 보안 과제를 제시할 수 있다. 보안 과제는 이전에도 사용된 위치(19)에 아마도 배치되는 하나 이상의 다른 장치로부터 추가 테스트 신호를 수신하는 것이 가능하도록 신체 소지 장치(500)가 이전에 사용된 위치(19)에 신체 소지 장치(500)를 배치하는 것일 수 있다. 그 의도는 신체 소지 장치(500)로 하여금 신체 소지 장치(500)가 그를 사용하도록 허가된 사람의 신체(10) 상의 위치에 배치된다는 확인이 존재하도록 예상 생체 전기 특성과 매칭되는 생체 전기 특성을 만나는 BAN(919)의 하나 이상의 다른 장치로부터 테스트 신호를 수신하는 것을 가능하게 하는 것이다. 그러한 테스트 신호의 수신시에 그러한 매치가 발견되는 경우, 신체 소지 장치(500)의 프로세서 컴포넌트(550)는 매치가 발생하지 않은 임의의 새로운 위치(19)로 다시 이동될 수 있다는 표시를 제공할 수 있다. 프로세서 컴포넌트(550)는 또한 매치가 발견되지 않은 생체 전기 특성의 표시를 특성 데이터(531)에 추가한다. 이러한 타입의 보안 과제는 사용자 인터페이스를 제공하기 위한 최소한의 능력을 포함하는 하나의 신체 소지 장치(500)의 적응을 가능하게 하기 위한 메커니즘으로서 이용될 수 있다.다양한 실시예에서, 서버(100)는 프로세서 컴포넌트(150), 저장소(160) 및 서버(100)를 네트워크(999)에 결합하기 위한 인터페이스(190) 중 하나 이상을 포함한다. 저장소(160)는 제어 루틴(140) 및 계정 데이터(133) 중 하나 이상을 저장한다. 계정 데이터(133)는 특성 데이터(131), 인증 데이터(135) 및 네트워크 데이터(139) 중 하나 이상을 포함한다. 제어 루틴(140)은 다양한 기능을 수행하기 위한 논리를 구현하기 위해 하나의 서버(100)의 메인 프로세서 컴포넌트로서 역할하는 프로세서 컴포넌트(150) 상에서 동작하는 명령어 시퀀스를 포함한다.제어 루틴(140)을 실행함에 있어서, 프로세서 컴포넌트(150)는 신체 소지 장치(500)가 BAN(919)을 형성하도록 협력하게 하는 "짝짓기" 동작을 가능하게 하기 위한 장치 등록 서비스를 제공하기 위해 네트워크(999)를 통해 신체 소지 장치(500) 각각과의 통신을 가능하게 하도록 인터페이스(190)를 동작시킬 수 있다. 이 분야의 기술자에게 친숙하듯이, 그러한 장치 짝짓기는 비교적 작은 네트워크(예로서, BAN(919))의 각각 장치에 보안 인증서 및/또는 식별자를 포함하는 다른 장치에 관한 정보를 제공하여 그러한 장치가 그 네트워크 내에서 서로 인식하고 서로 상호작용하는 것을 가능하게 하는 것을 수반한다.서버(100)에 의해 제공되는 그러한 서비스를 이용하기 위해, 하나 이상의 신체 소지 장치(500)는 특성 데이터(531), 인증 데이터(535) 및 네트워크 데이터(539) 중 하나 이상의 적어도 일부를 수신하기 위해 네트워크(999)를 통해 서버(100)와 접촉하도록 동작할 수 있다. 서버(100)의 저장소(160) 내에 저장된 특성 데이터(131), 인증 데이터(135) 및 네트워크 데이터(139) 중 하나 이상은 신체 소지 장치(500) 각각의 저장소(560) 내에 각각 저장된 특성 데이터(531), 인증 데이터(535) 및 네트워크 데이터(539) 내에 포함된 정보의 수퍼세트를 포함할 수 있다. 등록 동안, 프로세서 컴포넌트(150)는 특성 데이터(131), 인증 데이터(135) 및 네트워크 데이터(139) 중 하나 이상의 데이터의 적어도 일부를 검색하고, 검색된 것을 하나 이상의 신체 소지 장치(500)로 전송할 수 있다. 각각의 신체 소지 장치(500)가 BAN(919)에 이미 등록된 것에 추가됨에 따라, 그의 신원의 표시가 네트워크 데이터(139)에 추가되고, 이어서 프로세서 컴포넌트(150)는 그의 신원의 표시를 이미 등록된 나머지 신체 소지 장치(500)에 각각 저장하는 네트워크 데이터(539)에 대한 갱신으로서 제공한다.또한, 하나 이상의 신체 소지 장치(500)의 특성 데이터(531)가 (전술한 바와 같이) 적응을 통해 갱신됨에 따라, 하나 이상의 신체 소지 장치(500)의 프로세서 컴포넌트(550)는 그러한 갱신의 표시를 서버(100)로 전송하여, 프로세서 컴포넌트(150)로 하여금 그러한 갱신으로 특성 데이터(131)를 증대시키는 것을 가능하게 할 수 있다. 이어서, 서버(100)는 그러한 갱신을 네트워크(999)를 통해 다른 신체 소지 장치(500)에 재배포할 수 있다. 대안으로서 또는 추가로, 하나 이상의 신체 소지 장치(500)는 BAN(919)을 통해 그러한 갱신의 표시를 직접 교환할 수 있다. 일부 실시예에서, 하나의 신체 소지 장치(500)는 다수의 신체 소지 장치(500)에 의해 행해진 특성 데이터(531)에 대한 갱신을 수집하고, 그들을 대신하여 그러한 갱신의 표시를 서버(100)로 전송할 수 있다. 또한, 특성 데이터(531)에 대한 그러한 갱신은 시간에 따른 신체(10)의 조직의 생체 전기 특성의 변화에 대한 적응의 결과로서 발생할 수 있다. 대안으로서 또는 추가로, 그러한 갱신은 하나 이상의 신체 소지 장치(500)가 새로운 위치(19)에 배치되어 새로 만난 생체 전기 특성의 표시가 특성 데이터(531)에 추가됨으로써 그러한 새로운 위치에 배치된 바와 같은 그러한 신체 소지 장치(500)로의 그리고 그로부터의 신호의 교환을 지원하는 결과로서 발생할 수 있다.다양한 실시예에서, (존재할 경우) 등록 장치(300)는 프로세서 컴포넌트(350), 저장소(360), 제어(320), 디스플레이(380), 및 등록 장치(300)를 네트워크(999)에 결합하기 위한 인터페이스(390) 중 하나 이상을 포함한다. 저장소(360)는 제어 루틴(340)을 저장한다. 각각의 신체 소지 장치(500)와 같이, 등록 장치(300)는 또한 신체 인터페이스(310)를 포함한다. 제어 루틴(340)은 다양한 기능을 수행하기 위한 논리를 구현하기 위해 등록 장치(300)의 메인 프로세서 컴포넌트로서 역할하는 프로세서 컴포넌트(350) 상에서 동작하는 명령어 시퀀스를 포함한다.제어 루틴(340)을 실행함에 있어서, 프로세서 컴포넌트(350)는 서버(100)가 하나의 신체 소지 장치(500)를 등록하는 것을 돕기 위해 서버(100)와 통신하도록 인터페이스(390)를 동작시킬 수 있다. 등록 장치(300)가 하나의 신체 소지 장치(500)의 매장(point of sale)에 그리고/또는 다른 위치(예로서, 키오스크)에 배치될 수 있는 것이 상상된다. 프로세서 컴포넌트(350)는 제어(320) 및 디스플레이(380)를 이용하여 사용자 인터페이스를 제공할 수 있으며, 그 인터페이스를 통해 프로세서 컴포넌트(350)는 하나의 신체 소지 장치(500)를 서버(100)에 등록하기 위해 다양한 단계를 통해 안내를 제공하여 그를 계정 데이터(133)와 연관된 계정에 추가하고, 따라서 그를 등록하여 BAN(919)에 합류시킨다.하나의 신체 소지 장치(500)가 구매되어 BAN(919)에 이미 등록된 다른 신체 소지 장치(500)에 추가되는 경우, 프로세서 컴포넌트(350)는 디스플레이(380) 및 제어(320)를 동작시킬 수 있으며, 네트워크(999)를 통해 서버(100)와 협력하여 새로 구매된 하나의 신체 소지 장치(500)를 계정에 추가할 수 있다. 그렇게 해서, 새로 구매된 신체 소지 장치(500)의 신원의 표시가 등록 장치(300)를 통해 서버(100)에 제공되며, 다른 신체 소지 장치(500)로 후속 중계되기 위한 준비로서 네트워크 데이터(139)에 추가될 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 새로 구매된 하나의 신체 소지 장치(500)는 그가 그의 저장소(560)에 저장하는 특성 데이터(531), 인증 데이터(535) 및/또는 네트워크 데이터(539)를 서버(100)에 의해 제공받을 수 있다.네트워크(919)를 형성하는 데 사용될 제1 신체 소지 장치(500)가 구매되는 경우, 프로세서 컴포넌트(350)는 디스플레이(380) 및 제어(320)를 동작시킬 수 있고, 네트워크(999)를 통해 서버(100)와 협력하여, 계정 데이터(133)와 연관된 계정의 생성을 가능하게 하는 것은 물론, 계정 데이터(133)도 생성할 수 있다. 그렇게 해서, 새로 구매된 신체 소지 장치(500)의 신원의 표시가 등록 장치(300)를 통해 서버(300)에 제공되고, 네트워크 데이터(139)로서 저장될 수 있다. 이어서, 프로세서 컴포넌트(350)는 새로 구매된 하나의 신체 소지 장치(500)를 그가 사용될 신체(10)의 위치(19)에 배치하고, 등록 장치(300)의 적어도 신체 인터페이스(310)를 다른 신체 소지 장치(500)가 사용될 하나 이상의 위치(19)에 배치하기 위한 명령어를 디스플레이(380) 상에 시각적으로 제공할 수 있다. 이어서, 프로세서 컴포넌트(350)는 신체 인터페이스(310)를 동작시켜 그러한 하나 이상의 위치(19)에서 보안 테스트 신호를 생성하여, 그러한 신호로 하여금 새로 구매된 신체 소지 장치(500)가 사용될 위치(19)에서 수신되는 것을 가능하게 하여, 새로 구매된 신체 소지 장치(500)에 의한 그러한 위치에서의 그러한 신호의 수신을 가능하게 할 수 있다. 그러한 위치(19)에서의 그러한 보안 테스트 신호의 수신시에, 새로 구매된 하나의 신체 소지 장치(500)의 프로세서 컴포넌트(550)는 수신된 신호를 분석하여, 그의 신호 특성이 각각의 다른 위치로부터의 신체(10)를 통한 이동에 의해 어떻게 변경되었는지를 결정함으로써, 각각의 그러한 다른 위치와 연관된 신체(10)의 생체 전기 특성을 도출한다. 이어서, 프로세서 컴포넌트(550)는 그러한 도출된 생체 전기 특성의 그러한 표시를 특성 데이터(531) 내에 저장하여, 매칭에서의 후속 사용을 위해 특성 데이터(531) 내의 예상 생체 전기 특성의 표시를 생성한다.각각의 신체 소지 장치(500)는 네트워크(999)에 결합될 수 있음에도 불구하고 BAN(919)에 합류하고/하거나 서버(100)와의 데이터 교환을 포함하는 BAN(919) 내의 그의 기능의 추가 구성을 가능하게 하기 위한 등록의 목적을 위해서만 네트워크(999)에 결합되도록 의도될 수 있는 것이 상상된다는 점에 유의해야 한다. 정상 동작 동안, 하나 이상의 신체 소지 장치(500)는 BAN(919)의 일부가 되기 위한 그의 등록에 이어서 BAN(919)을 통한 다른 장치(예로서, 다른 신체 소지 장치(500))와의 통신으로 제한될 수 있는 것이 상상된다.도 3은 제3 BAN(919ab)을 형성하도록 일시적으로 결합될 수 있는 통상적으로 분리된 BAN(919a, 919b)을 형성하는 두 세트 이상의 신체 소지 장치(500)를 포함하는 보안 통신 시스템(1000)의 대안 실시예의 블록도를 나타낸다. 도 3의 대안 실시예는 많은 방식에서 도 1의 실시예와 유사하며, 따라서 전반적으로 동일한 컴포넌트를 표시하기 위해 동일한 참조 번호가 사용된다.신체(10)를 통신 매체로서 사용한 도 1의 BAN(919)과 같이, 도 3의 BAN(919a)은 신체(10a)를 통신 매체로서 사용하며, 도 3의 BAN(919b)은 신체(10b)를 통신 매체로서 사용한다. 서버(100)는 도 1의 BAN(919)에 대응하는 계정 데이터(133)의 저장과 매우 유사한 방식으로 BAN(919a, 919b)에 각각 대응하는 계정 데이터(133a, 133b)를 별개로 저장한다. 따라서, 각각의 BAN(919a, 919b)은 도 1의 BAN(919)의 인스턴스로서 간주될 수 있다. 또한, 도 3에는 구체적으로 도시되지 않지만, 도 3의 보안 통신 시스템(1000)의 실시예는 도 1의 실시예와 관련하여 설명된 것과 실질적으로 유사한 방식으로 BAN(919a) 또는 BAN(919b)과 연관된 하나 이상의 신체 소지 장치(500)를 등록하기 위한 등록 장치(300)를 더 포함할 수 있다.그러나, 도 3에 또한 도시된 바와 같이, 서버(100)는 신체(10a, 10b) 간의 전도 접촉의 결과로서 일시적으로 형성될 수 있는 결합된 BAN(919ab)과 연관된 계정 데이터(133ab)를 더 저장한다. 도 4는 BAN(919ab)의 일시적 형성을 유도할 수 있는 그러한 접촉의 예를 나타낸다. 각각의 개별 BAN(919a, 919b)의 신체 소지 장치(500) 간의 데이터 교환을 위해 때때로 BAN(919ab)을 형성하는 것이 바람직할 수 있다. 예로서, 신체(10a, 10b)는 공동 프로젝트의 양상에 대한 정보를 공유하는 것이 때때로 필요한 협력자의 신체일 수 있다. 각자는 그들이 소정 기간에 걸쳐 생성 또는 수집한 데이터에 대한 갱신 및/또는 새로운 데이터를 가질 수 있으며, 때때로 그러한 데이터에 대한 갱신 및/또는 새로운 데이터를 서로 공유하기를 원할 수 있다. BAN(919ab)의 일시적 형성은, 도 4에서 신체(10a) 상에 배치된 신체 소지 장치(500)와 신체(10b) 상에 배치된 신체 소지 장치(500) 간의 데이터(537)의 예시적인 전송과 관련하여 도시된 바와 같이, 신체(10a, 10b) 간의 접촉이 데이터의 공유가 발생할 수 있는 공동 매체를 형성하는 메커니즘을 제공할 수 있다.대안으로서 또는 추가로, 데이터에 액세스하고/하거나 소정의 다른 기능을 수행하기 위한 허가의 부여를 위한 전제로서, 근접한 양 신체(10a, 10b)의 존재를 확인하여 이들 양자가 동일한 방 또는 동일한 다른 위치에 존재하는 것을 확인하는 메커니즘으로서 때로서 BAN(919ab)을 형성하는 것이 바람직할 수 있다. 예로서, 방, 장치 및/또는 민감한 데이터(반드시 하나의 신체 소지 장치(500)에 저장된 데이터는 아님)에 대한 액세스는 두 개인의 동일한 위치에의 존재를 요구할 수 있다. 이것은 한 사람이 예로서 다른 사람에 의한 장비의 조작 또는 위험한 작업의 수행을 감독할 것으로 예상되는 경우의 안전의 이유 때문일 수 있다. 대안으로서 또는 추가로, 이것은 한 사람이 예로서 다른 사람에 의한 민감한 정보의 처리를 감독하여 그러한 정보의 도용을 방지할 것으로 예상되는 경우의 보안의 이유 때문일 수 있다.도 3을 다시 참조하면, 설명된 바와 같이, 각각의 BAN(919a, 919b)에서, 신체 소지 장치(500)는 각각의 그러한 신체 소지 장치(500)가 그들을 사용하도록 허가된 사람의 신체에 근접한(즉, 그의 위치에 배치된) 것을 반복 확인하기 위해 보안 테스트 신호를 반복적으로 송신 및 수신한다. 따라서, BAN(919a)의 신체 소지 장치(500)는 (아마도 그를 사용하는 것이 허가된 사람의) 신체(10a)에 대한 그의 근접을 확인할 수 있으며, BAN(919b)의 신체 소지 장치(500)는 (아마도 그를 사용하는 것이 허가된 사람의) 신체(10b)에 대한 그의 근접을 확인할 수 있다. 결과적으로, BAN(919ab)을 일시적으로 형성하기 위한 BAN(919a, 919b)의 결합시에, 각각의 BAN(919a, 919b)의 하나 이상의 신체 소지 장치(500)는 2개의 신체(10a, 10b)가 접촉하는 동안 그러한 신체를 통해 나머지 BAN(919a, 919b)의 신체 소지 장치(500)에 대한 허가된 사람의 신체에 대한 그들의 근접을 확인할 수 있다.그러나, 전술한 바와 같이, 하나의 신체와 다른 신체의 접촉은 양 신체의 생체 전기 특성을 변경할 수 있으며, 이는 양 BAN(919a, 919b)의 기능을 멈추게 할 수 있다. 또한, 그와 같이 양 신체의 생체 전기 특성이 변경되는 경우, 각각의 BAN(919a, 919b) 내에서 수신된 보안 테스트 신호에 의해 만난 생체 전기 특성과 특성 데이터(531)에서 표시되는 예상 생체 전기 특성의 비교는 더 이상 매치를 산출하지 않는다. 사실상, 전술한 바와 같이, 그러한 생체 전기 특성의 비교는 실제로는 신체가 다른 신체와 전도 접촉한 사례를 검출하여, 그러한 상황이 잠재적 보안 침해로서 응답되는 것을 가능하게 하고, 보안을 유지하기 위해 데이터의 전송을 금지함으로써 발생하는 크게 변경된 생체 전기 특성에 응답하는 것을 의도한다. 따라서, 추가 형태의 보안의 제공의 일부로서 BAN(919a, 919b)을 일시적으로 결합하는 동작은 얄궂게도 양 BAN(919a, 919b)의 신체 소지 장치(500)에 의한 보안 침해의 가능한 시도의 표시로서 간주될 수 있다.각각의 BAN(919a, 919b) 상에서 이러한 결과를 극복하는 것은 물론, 신체(10a, 10b)의 그러한 전도 접촉에 의해 생성되는 BAN(919ab)에서의 통신을 보호하기 위해, 서버(100)는 각각의 신체(10a, 10b) 상의 위치에 배치된 적어도 하나의 신체 소지 장치(500)에 의한 사용을 위해 계정 데이터(133ab)를 유지한다. 도시된 바와 같이, 계정 데이터(133a, 133b)와 유사한 방식으로, 계정 데이터(133ab)는 특성 데이터(131ab), 인증 데이터(135ab) 및 네트워크 데이터(139ab) 중 하나 이상을 포함한다. 도 5는 각각의 BAN(919a, 919b)의 신체 소지 장치(500)의 등록의 예를 나타낸다. 도시된 바와 같이, 다수의 신체 소지 장치(500)의 개별 세트가 각각의 BAN(919a, 919b)에 등록된다. 또한 도시된 바와 같이, 각각의 BAN(919a, 919b)의 신체 소지 장치(500)의 서브세트만이 BAN(919ab)에도 등록되는 것이 가능할 수 있지만, BAN(919a, 919b) 중 하나 또는 양자의 모든 신체 소지 장치(500)가 BAN(919ab)에도 등록되는 것도 가능하다.도 3을 다시 참조하면, 특성 데이터(131ab)는 신체 소지 장치 모두가 BAN(919ab)에도 등록되는지에 관계없이 신체(10a, 10b)가 전도 접촉하는 동안 BAN(919a, 919b) 중 어느 하나에 등록된 신체 소지 장치(500)에 의해 수신된 신호에서 예상되는 생체 전기 특성의 표시를 포함할 수 있다. 따라서, 특성 데이터(131ab)의 적어도 일부가 서버(100)에 의해 양 BAN(919a, 919b)의 모든 신체 소지 장치(500)에 제공되어, 각각의 그러한 신체 소지 장치(500) 내의 저장소(560) 내에 특성 데이터(531)로서 저장된 예상 생체 전기 특성의 표시를 증대시킬 수 있다. 또한, 이것은 BAN(919a 또는 919b) 중 하나 또는 다른 하나에만 등록되고 BAN(919ab)에는 등록되지 않은 신체 소지 장치(500) 사이에서도 계속된 통신을 가능하게 한다.네트워크 데이터(139ab)는 BAN(919ab)에 등록되어 BAN(919a, 919b) 중 나머지 BAN의 신체 소지 장치(500)와의 신호의 교환을 수용하는 각각의 BAN(919a, 919b)의 신체 소지 장치(500)의 신원의 표시를 포함할 수 있다. 따라서, 네트워크 데이터(139ab)의 적어도 일부가 서버(100)에 의해 BAN(919ab)에 등록된 신체 소지 장치(500)에 제공될 수 있다. 보안 인증서(예로서, 키, 암호, 해시, 증명서 등)를 이용하여 신체 소지 장치(500) 간의 데이터의 공유를 암호화하거나 달리 제한하는 실시예에서, 인증 데이터(135ab)는 BAN(919ab)에 등록된 신체 소지 장치(500) 간의 데이터의 전송을 보호하기 위한 인증서를 포함할 수 있다.다양한 실시예에서, 각각의 프로세서 컴포넌트(150, 350, 550)는 임의의 다양한 상용 프로세서를 포함할 수 있다. 또한, 하나 이상의 이러한 프로세서 컴포넌트는 다수의 프로세서, 다중 스레드 프로세서, 다중 코어 프로세서(다수의 코어가 동일 또는 개별 다이 상에 공존하는지에 관계없음), 및/또는 다수의 물리적으로 분리된 프로세서가 소정 방식으로 링크되는 소정의 다른 다양한 다중 프로세서 아키텍처를 포함할 수 있다.다양한 실시예에서, 각각의 저장소(160, 360, 560)는 아마도 전력의 중단 없는 제공을 요구하는 휘발성 기술을 포함하고, 아마도 이동식일 수 있거나 아닐 수 있는 머신 판독 가능 저장 매체의 사용을 수반하는 기술을 포함하는 임의의 다양한 정보 저장 기술에 기초할 수 있다. 따라서, 각각의 이러한 저장소는 판독 전용 메모리(ROM), 랜덤 액세스 메모리(RAM), 동적 RAM(DRAM), 이중 데이터 레이트 DRAM(DDR-DRAM), 동기 DRAM(SDRAM), 정적 RAM(SRAM), 프로그래밍 가능 ROM(PROM), 소거 및 프로그래밍 가능 ROM(EPROM), 전기적으로 소거 및 프로그래밍 가능한 ROM(EEPROM), 플래시 메모리, 폴리머 메모리(예로서, 강유전성 폴리머 메모리), 오보닉 메모리, 상변화 또는 강유전성 메모리, 실리콘-산화물-질화물-산화물-실리콘(SONOS) 메모리, 자기 또는 광학 카드, 하나 이상의 개별 강자성 디스크 드라이브, 또는 하나 이상의 어레이로 구성되는 복수의 저장 장치(예로서, RAID(Redundant Array of Independent Disks) 어레이로 다수의 강자성 디스크 드라이브)를 포함하지만 이에 한정되지 않는 임의의 다양한 타입의 (또는 타입 조합의) 저장 장치를 포함할 수 있다. 각각의 이러한 저장소가 단일 블록으로 도시되지만, 이들 중 하나 이상은 상이한 저장 기술에 기초할 수 있는 다수의 저장 장치를 포함할 수 있다는 점에 유의해야 한다. 따라서, 예로서, 하나 이상의 각각의 이러한 도시된 저장소는 프로그램 및/또는 데이터를 소정 형태의 머신 판독 가능 저장 매체 상에 저장 및 운반할 수 있는 광학 드라이브 또는 플래시 메모리 카드 판독기, 프로그램 및/또는 데이터를 비교적 긴 기간 동안 국지적으로 저장하기 위한 강자성 디스크 드라이브, 및 프로그램 및/또는 데이터에 대한 비교적 빠른 액세스를 가능하게 하는 하나 이상의 휘발성 반도체 메모리 장치(예로서, SRAM 또는 DRAM)의 조합을 나타낼 수 있다. 각각의 이러한 저장소는 동일한 저장 기술에 기초하지만 사용의 특수화(예로서, 일부 DRAM 장치가 메인 저장소로서 사용되는 반면, 일부 DRAM 장치가 그래픽 제어기의 개별 프레임 버퍼로서 사용됨)의 결과로서 개별적으로 유지될 수 있는 다수의 저장 컴포넌트로 구성될 수 있다는 점에도 유의해야 한다.다양한 실시예에서, 각각의 인터페이스(190, 390, 590)는 컴퓨팅 장치가 설명된 바와 같은 다른 장치에 결합되는 것을 가능하게 하는 임의의 다양한 시그널링 기술을 이용할 수 있다. 각각의 이러한 인터페이스는 그러한 결합을 가능하게 하기 위한 필수 기능 중 적어도 일부를 제공하는 회로를 포함할 수 있다. 그러나, 각각의 이러한 인터페이스는 (예로서, 프로토콜 스택 또는 다른 특징을 구현하기 위해) 대응하는 프로세서 컴포넌트에 의해 실행되는 명령어 시퀀스를 이용하여 적어도 부분적으로 구현될 수도 있다. 전기 및/또는 광학적 전도 케이블링이 이용되는 경우, 이러한 인터페이스는 RS-232C, RS-422, USB, 이더넷(IEEE-802.3) 또는 IEEE-1394를 포함하지만 이에 한정되지 않는 임의의 다양한 산업 표준을 따르는 시그널링 및/또는 프로토콜을 이용할 수 있다. 무선 신호 전송의 사용을 수반하는 경우, 이러한 인터페이스는 IEEE 802.11a, 802.11b, 802.11g, 802.16, 802.20(일반적으로 "이동 광대역 무선 액세스"로서 지칭됨); 블루투스; 지그비; 또는 GSM/GPRS(GSM with General Packet Radio Service), CDMA/1xRTT, EDGE(Enhanced Data Rates for Global Evolution), EV-DO(Evolution Data Only/Optimized), EV-DV(Evolution For Data and Voice), HSDPA(High Speed Downlink Packet Access), HSUPA(High Speed Uplink Packet Access), 4G LTE 등과 같은 셀룰러 무선 전화 서비스를 포함하지만 이에 한정되지 않는 임의의 다양한 산업 표준을 따르는 시그널링 및/또는 프로토콜을 이용할 수 있다.도 6은 도 1 또는 3의 보안 통신 시스템(1000)의 실시예의 일부의 블록도를 더 상세하게 나타낸다. 구체적으로, 도 4는 프로세서 컴포넌트(550)가 제어 루틴(540)을 실행함에 있어서 신체 소지 장치(500)가 근접 배치되는(즉, 그의 위치에 배치되는) 신체의 신원을 적어도 검증하기 위해 보안 테스트 신호를 교환 및 분석하는 신체 소지 장치(500)의 동작 환경의 양태를 나타낸다.이 분야의 기술자가 인식할 수 있듯이, 각자 구성 컴포넌트를 포함하는 제어 루틴(540)은 물론, 애플리케이션 루틴(570)은 프로세서 컴포넌트(550)를 구현하도록 선택되는 임의 타입의 프로세서 또는 프로세서들 상에서 동작하도록 선택된다. 다양한 실시예에서, 각각의 이러한 루틴은 운영 체제, 장치 드라이버 및/또는 애플리케이션 레벨 루틴(예로서, 디스크 매체 상에 제공되는 "소프트웨어 스위트", 원격 서버로부터 획득되는 "애플릿" 등) 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 운영 체제가 포함되는 경우, 운영 체제는 프로세서 컴포넌트(550)에 적합한 임의의 다양한 이용 가능 운영 체제일 수 있다. 하나 이상의 장치 드라이버가 포함되는 경우, 그러한 장치 드라이버는 신체 소지 장치(500)의 하드웨어 또는 소프트웨어 컴포넌트인지에 관계없는 임의의 다양한 다른 컴포넌트에 대한 지원을 제공할 수 있다.제어 루틴(540)은 설명된 바와 같이 BAN(919) 및/또는 네트워크(999) 각각을 통해 신호를 송신 및 수신하도록 신체 인터페이스(510) 및/또는 인터페이스(590)를 동작시키기 위해 프로세서 컴포넌트(550)에 의해 실행될 수 있는 통신 컴포넌트(549)를 포함할 수 있다. BAN(919)을 통해 하나 이상의 신체 소지 장치(500) 사이에서 교환되는 신호 중에는 보안 테스트 신호가 존재할 수 있다. 대안으로서 또는 추가로, 교환되는 신호 중에는 BAN(919) 내에 하나 이상의 신체 소지 장치(500)를 등록하는 것을 지원하기 위해 그리고/또는 BAN(919)을 유지하기 위한 데이터 갱신의 일부로서 네트워크(999)를 통해 데이터를 운반하는 신호가 존재할 수 있다. 이 분야의 기술자가 인식할 수 있듯이, 이러한 통신 컴포넌트는 신체 인터페이스(510) 및 인터페이스(590) 중 대응하는 인터페이스를 구현하도록 선택되는 임의 타입의 인터페이스 기술을 이용하여 동작할 수 있도록 선택된다.제어 루틴(540)은 특성 데이터(531), 인증 데이터(535) 및 네트워크 데이터(539) 중 하나 이상의 데이터의 적어도 일부를 교환하기 위해 프로세서 컴포넌트(550)에 의해 실행될 수 있는 교환 컴포넌트(545)를 포함할 수 있다. 교환 컴포넌트(545)는 서버(100) 및/또는 하나 이상의 다른 신체 소지 장치(500)를 이용하여 그렇게 할 수 있으며, 인터페이스(590) 및/또는 신체 인터페이스(510)를 통해 그렇게 할 수 있다. 따라서, (하나 이상의 BAN(919a, 919b 또는 919ab)과 같은) BAN 또는 다른 형태의 네트워크(예로서, 네트워크(999))가 그러한 데이터 교환에서 교환 컴포넌트(545)에 의해 이용될 수 있다. 설명된 바와 같이, 그러한 데이터 교환은 하나 이상의 신체 소지 장치(500)의 등록을 지원할 수 있고/있거나, 서버(100) 및/또는 하나 이상의 신체 소지 장치(500) 사이에서 갱신을 중계할 수 있다.제어 루틴(540)은 보안 테스트 신호를 신체 인터페이스(510)를 통해 그리고 BAN(예로서, BAN(919, 919a, 919b, 919ab) 중 하나)을 통해 하나 이상의 장치(예로서, 하나 이상의 신체 소지 장치(500))로 전송하기 위해 프로세서 컴포넌트(550)에 의해 실행될 수 있는 보안 테스트 컴포넌트(541)를 포함할 수 있다. 전술한 바와 같이, 보안 테스트 신호는 공지 신호 특성과 함께 BAN 상으로 전송된다. 일부 실시예에서, 공지 신호 특성의 표시가 적어도 보안 테스트 컴포넌트(541)에 의한 참조를 위해 특성 데이터의 일부로서 저장될 수 있다. 또한 전술한 바와 같이, 보안 테스트 컴포넌트(541)는 보안 테스트 신호를 데이터를 운반하는 신호의 일부로서 또는 무작위로 또는 간격을 두고 전송되는 완전히 개별적인 신호로서 전송할 수 있다.제어 루틴(540)은 신체 소지 장치(500)에 의해 수신되는 바와 같은 보안 테스트 신호를 분석하여 신체 소지 장치가 근접 배치되는 신체(예로서, 신체(10, 10a 또는 10b) 중 하나)의 신원을 검증하기 위해 프로세서 컴포넌트(550)에 의해 실행될 수 있는 테스트 분석 컴포넌트(542)를 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이, 테스트 분석 컴포넌트(542)는 수신되는 바와 같은 보안 테스트 신호의 신호 특성을 공지 신호 특성과 비교하여 신체의 조직을 통한 보안 테스트 신호의 전송에서 만나는 생체 전기 특성을 도출하기 위한 신호 컴포넌트(5421)를 포함할 수 있다. 전술한 바와 같이, 공지 신호 특성과 수신되는 바와 같은 보안 테스트 신호의 신호 특성 간의 차이는 신체의 조직(예로서, 피부 및/또는 피하 조직)의 생체 전기 특성이 보안 테스트 신호가 신체를 통해 운반될 때 그에 대한 변환에 영향을 주는 결과를 나타낸다. 따라서, 도출된 생체 전기 특성은 그러한 변환을 표시한다. 또한, 공지 신호 특성의 표시가 특성 데이터(531)의 일부로서 저장될 수 있다. 또한 도시된 바와 같이, 테스트 분석 컴포넌트(542)는 신호 컴포넌트(5421)에 의해 도출된 생체 전기 특성을 예상 생체 전기 특성과 비교하여 생체 전기 특성의 차이의 사전 결정된 임계치 내에 매치가 존재하는지를 결정하기 위한 생체 전기 컴포넌트(5422)를 포함할 수 있다.사전 결정된 임계치 내에 매치가 존재하는 경우, 테스트 분석 컴포넌트(542)는 신체 소지 장치(500)가 근접 배치된 신체를 신체 소지 장치(500)를 사용하도록 허가된 사람의 신체인 것으로 간주할 수 있으며, 따라서 신체는 그를 통해 데이터를 교환하기 위한 보안 통신 매체로서 간주될 수 있다. 사실상, 그러한 매치가 존재하는 것에 응답하여, 테스트 분석 컴포넌트(542)는 신체 소지 장치(500)의 하나 이상의 다른 컴포넌트에 시그널링하거나 달리 협력하여, 데이터(예로서, 데이터(537))가 BAN을 통해 전송되게 할 수 있다.사전 결정된 임계치 내에 매치가 존재하지 않지만, 차이의 정도가 사전 결정된 최대 변화 레이트 내에 있는 생체 전기 특성의 변화의 레이트를 표시하는 경우, 신체는 여전히 그를 통해 데이터를 교환하기 위한 보안 통신 매체로서 간주될 수 있다. 또한, 특성 데이터(531)는 도출된 생체 전기 특성의 표시를 매칭에서의 후속 사용을 위한 예상 생체 전기 특성으로서 그 안에 저장하도록 증대될 수 있다.제어 루틴(540)은 신호 컴포넌트(5421)에 의해 도출된 생체 전기 특성과 생체 전기 컴포넌트(5422)에 의한 예상 생체 전기 특성의 비교의 결과에 응답하여 다양한 액션을 취하기 위한 보안 제어 컴포넌트(543)를 포함할 수 있다. 매치의 결여에 응답하여, 보안 제어 컴포넌트(543)는 (존재할 경우) 디스플레이(580)를 동작시켜, 패스워드에 대한 요청과 같은 보안 과제를 신체 소지 장치(500)가 그를 사용하도록 허가된 사람의 신체에 근접 배치된 것을 검증하기 위한 대안 메커니즘으로서 시각적으로 제시할 수 있다. 이어서, 보안 제어 컴포넌트(543)는 (존재할 경우) 제어(520)를 모니터링하여, 보안 과제에 대한 응답(예로서, 요청된 패스워드의 입력)의 제어(520)를 통한 입력의 수신을 기다릴 수 있다. 신체 소지 장치(500)가 그를 사용하도록 허가된 사람의 신체에 근접 배치된 것을 검증하는 보안 과제에 대한 응답이 존재하는 경우, 보안 제어 컴포넌트(543)는 테스트 분석 컴포넌트(542)(또는 그의 컴포넌트)에 그러한 취지를 시그널링할 수 있다. 이것은 매칭되지 않은 도출된 생체 전기 특성의 표시의 특성 데이터(531) 내의 저장을 트리거하여, 후속 매칭에서의 사용을 위해 예상 생체 전기 특성을 증대시킬 수 있다.테스트 분석 컴포넌트(542)는 신체 소지 장치(500)가 수신하는 보안 테스트 신호를 어떠한 장치가 전송하는지의 표시를 특성 데이터(531)에 저장된 특정 예상 생체 전기 특성과 상관시킬 수 있다. 생체 전기 컴포넌트(5422)는 보안 테스트 신호를 전송한 장치의 신원이 달리 매칭되는 예상 생체 전기 특성과 관련된 장치의 신원과 매칭되지 않는 경우에 신호 컴포넌트(5421)에 의해 도출된 생체 전기 특성에 대한 매치가 특성 데이터(531)의 예상 생체 전기 특성 사이에서 발견된 것으로 간주하지 않을 수 있다. 따라서, 테스트 분석 컴포넌트(542)는 다른 신체 상에 배치된 장치(예로서, 다른 신체 소지 장치(500))와 관련된 매치가 발견될 때 보안 제어 컴포넌트(543)에 시그널링할 수 있다. 그에 응답하여, 일부 실시예에서, 보안 제어 컴포넌트(543)는 신체 소지 장치(500)가 근접하는 신체가 다른 신체와 전도 접촉할 것을 요구하는 기능을 수행하는 것이 허가된다는 것을 애플리케이션 루틴(570)에 시그널링할 수 있다.도 7은 논리 흐름(2100)의 일 실시예를 나타낸다. 논리 흐름(2100)은 본 명세서에서 설명되는 하나 이상의 실시예에 의해 실행되는 동작의 일부 또는 전부를 나타낼 수 있다. 구체적으로, 논리 흐름(2100)은 적어도 제어 루틴(540)을 실행함에 있어서 프로세서 컴포넌트(550)에 의해 수행되고/되거나 하나의 신체 소지 장치(500)의 다른 컴포넌트(들)에 의해 수행되는 동작을 나타낼 수 있다.2110에서, 보안 통신 시스템의 신체 소지 장치의 프로세서 컴포넌트(예로서, 보안 통신 시스템(1000)의 신체 소지 장치(500)의 프로세서 컴포넌트(550))는 신체 소지 장치가 등록된 BAN(예로서, BAN(919, 919a 또는 919b) 중 하나)의 신체로부터 보안 테스트 신호를 수신한다. 2120에서, 신체 소지 장치에 의해 수신된 바와 같은 보안 테스트 신호의 신호 특성이 전송된 바와 같은 보안 테스트 신호의 공지 신호 특성과 비교된다. 전술한 바와 같이, 보안 테스트 신호는 공지 신호 특성과 함께 전송되며, 데이터를 운반하기 위한 신호의 일부로서 또는 무작위로 또는 간격을 두고 전송되는 완전 개별 신호로서 전송될 수 있다.2130에서, 도출된 생체 전기 특성을 하나 이상의 저장된 예상 생체 전기 특성과 비교하여, 생체 전기 특성의 차이의 사전 결정된 임계치 내의 매치를 발견하려고 시도한다. 또한, 도출된 생체 전기 특성은 신체의 하나 이상의 조직이 수신된 보안 테스트 신호에 대해 행한 변환을 나타낸다. 그러한 임계치 내의 매치가 2140에서 발견되는 경우, 2142에서 신체를 통한 신체 소지 장치에 의한 데이터의 전송이 발생하는 것이 허가된다.그러나, 2140에서 그러한 매치가 발견되지 않는 경우, 2150에서 그러한 데이터의 그러한 전송은 허가되지 않는다. 대신, 신체 소지 장치가 그를 사용하도록 허가된 사람의 신체에 더 이상 근접 배치되지 않은 것으로 간주되는 것이 가능하며, 2160에서 신체 소지 장치가 그러한 신체에 근접하는지의 여부를 결정하기 위해 다른 메커니즘을 이용하려고 시도하기 위한 보안 과제가 제시된다.도 8은 논리 흐름(2200)의 일 실시예를 나타낸다. 논리 흐름(2200)은 본 명세서에서 설명되는 하나 이상의 실시예에 의해 실행되는 동작의 일부 또는 전부를 나타낼 수 있다. 구체적으로, 논리 흐름(2200)은 적어도 제어 루틴(540)을 실행함에 있어서 프로세서 컴포넌트(550)에 의해 수행되고/되거나 하나의 신체 소지 장치(500)의 다른 컴포넌트(들)에 의해 수행되는 동작을 나타낼 수 있다.2210에서, 보안 통신 시스템의 신체 소지 장치의 프로세서 컴포넌트(예로서, 보안 통신 시스템(1000)의 신체 소지 장치(500)의 프로세서 컴포넌트(550))는 신체 소지 장치가 등록된 BAN(예로서, BAN(919, 919a 또는 919b) 중 하나)의 신체로부터 보안 테스트 신호를 수신한다. 2220에서, 신체 소지 장치에 의해 수신된 바와 같은 보안 테스트 신호의 신호 특성이 전송된 바와 같은 보안 테스트 신호의 공지 신호 특성과 비교된다.2230에서, 도출된 생체 전기 특성을 하나 이상의 저장된 예상 생체 전기 특성과 비교하여, 생체 전기 특성의 차이의 사전 결정된 임계치 내의 매치를 발견하려고 시도한다. 그러한 임계치 내의 매치가 2240에서 발견되는 경우, 2242에서 신체를 통한 신체 소지 장치에 의한 데이터의 전송이 발생하는 것이 허가된다.그러나, 2240에서 그러한 매치가 발견되지 않는 경우, 2250에서 생체 전기 특성의 차이의 정도가 사전 결정된 최대 변화 레이트 내에 있는 신체의 조직의 생체 전기 특성의 변화 레이트와 일치하는지에 관한 검사가 수행된다. 그러한 경우, 2252에서, 도출된 생체 전기 특성과 가장 근접하게 매칭되는 생체 전기 특성의 표시를 도출된 생체 전기 특성으로 갱신하여, 시간 경과에 따라 통상적으로 발생하는 신체의 생체 전기 특성의 변화에 적응한다. 또한, 2242에서, 신체를 통한 신체 소지 장치에 의한 데이터 전송이 발생하는 것이 허가된다.그러나, 2250에서 생체 전기 특성의 차이가 사전 결정된 최대 레이트 내의 변화 레이트와 일치하지 않는 경우, 2260에서 신체를 통한 신체 소지 장치에 의한 데이터 전송이 허가되지 않는다. 그러한 생체 전기 특성의 차이가 주어지는 경우, 신체 소지 장치가 그를 사용하도록 허가된 사람의 신체에 더 이상 근접 배치되지 않은 것으로 간주되는 것이 가능하며, 2262에서 신체 소지 장치가 그러한 신체에 근접하는지의 여부를 결정하기 위해 다른 메커니즘을 이용하려고 시도하기 위한 보안 과제가 제시된다.도 9는 논리 흐름(2300)의 일 실시예를 나타낸다. 논리 흐름(2300)은 본 명세서에서 설명되는 하나 이상의 실시예에 의해 실행되는 동작의 일부 또는 전부를 나타낼 수 있다. 구체적으로, 논리 흐름(2300)은 적어도 제어 루틴(540)을 실행함에 있어서 프로세서 컴포넌트(550)에 의해 수행되고/되거나 하나의 신체 소지 장치(500)의 다른 컴포넌트(들)에 의해 수행되는 동작을 나타낼 수 있다.2330에서, 보안 통신 시스템의 신체 소지 장치의 프로세서 컴포넌트(예로서, 보안 통신 시스템(1000)의 신체 소지 장치(500)의 프로세서 컴포넌트(550))는 신체 소지 장치가 등록된 BAN(예로서, BAN(919, 919a 또는 919b) 중 하나)의 신체로부터 보안 테스트 신호를 수신한다. 2320에서, 신체 소지 장치에 의해 수신된 바와 같은 보안 테스트 신호의 신호 특성이 전송된 바와 같은 보안 테스트 신호의 공지 신호 특성과 비교된다.2330에서, 보안 테스트 신호를 전송한 장치의 신원의 표시가 보안 테스트 신호로부터 검색된다. 전술한 바와 같이, 보안 테스트 신호를 포함하는, BAN에서 전송되는 신호는 그를 전송하는 장치의 신원의 표시를 포함하는 것이 요구될 수 있다.2340에서, 도출된 생체 전기 특성을 식별된 전송 장치와 관련된 하나 이상의 저장된 예상 생체 전기 특성과 비교하여, 생체 전기 특성의 차이의 사전 결정된 임계치 내의 매치를 발견하려고 시도한다. 2350에서 그러한 임계치 내의 매치가 발견되지 않는 경우, 2352에서 신체를 통한 신체 소지 장치에 의한 데이터의 전송이 허가되지 않으며, 2354에서 보안 과제가 제시된다.그러나, 2350에서 그러한 매치가 발견되는 경우, 2360에서, 식별된 전송 장치가 신체 소지 장치가 근접 배치된 신체와 다른 신체의 위치에 배치되는지에 관한 검사가 수행된다. 그렇지 않은 경우, 2362에서, 신체를 통한 신체 소지 장치에 의한 데이터의 전송이 발생하는 것이 허가된다.그러나, 그러한 경우, 2370에서, 상이한 신체의 위치에 배치된 다른 신체 소지 장치(예로서, 식별된 전송 장치)와의 신호의 교환이 발생하는 것이 허가된다. 그러한 신호 교환은 데이터를 운반하는 교환일 수 있거나, 신체와 다른 신체의 전도 결합의 허가를 요구하는 특정 기능이 이제 그렇게 허가된다는 표시를 신체 소지 장치의 애플리케이션 루틴 또는 다른 컴포넌트로 운반하는 교환일 수 있다.도 10은 전술한 바와 같은 다양한 실시예를 구현하는 데 적합한 처리 아키텍처(3000)의 실시예를 나타낸다. 구체적으로, 처리 아키텍처(3000)(또는 그의 변형)는 하나 이상의 컴퓨팅 장치(100, 300 또는 500)의 일부로서 구현될 수 있다. 처리 아키텍처(3000)의 컴포넌트에는 마지막 2개의 숫자가 이러한 컴퓨팅 장치의 일부로서 이전에 도시되고 설명된 컴포넌트 중 적어도 일부의 참조 번호의 마지막 2개의 숫자에 대응하는 참조 번호가 부여된다는 점에 유의해야 한다. 이것은 각자의 컴포넌트의 상관을 돕기 위해 행해진다.처리 아키텍처(3000)는 하나 이상의 프로세서, 다중 코어 프로세서, 코프로세서, 메모리 유닛, 칩셋, 제어기, 주변장치, 인터페이스, 발진기, 타이밍 장치, 비디오 카드, 오디오 카드, 멀티미디어 입출력(I/O) 컴포넌트, 전원 등을 포함하지만 이에 한정되지 않는, 디지털 처리에서 일반적으로 사용되는 다양한 요소를 포함할 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "시스템" 및 "컴포넌트"는 디지털 처리가 수행되는 컴퓨팅 장치의 엔티티를 지칭하는 것을 의도하며, 그러한 엔티티는 하드웨어, 하드웨어와 소프트웨어의 조합, 소프트웨어, 실행 중인 소프트웨어이며, 그 예는 이러한 도시된 예시적인 처리 아키텍처에 의해 제공된다. 예로서, 컴포넌트는 프로세서 컴포넌트 상에서 실행되는 프로세스, 프로세서 컴포넌트 자체, 광학 및/또는 자기 저장 매체를 이용할 수 있는 저장 장치(예로서, 하드 디스크 드라이브, 어레이 내의 다수의 저장 드라이브 등), 소프트웨어 객체, 실행 가능 명령어 시퀀스, 실행 스레드, 프로그램 및/또는 완전한 컴퓨팅 장치(예로서, 완전한 컴퓨터)일 수 있지만 이에 한정되지 않는다. 예로서, 서버 상에서 실행되는 애플리케이션 및 서버는 컴포넌트일 수 있다. 하나 이상의 컴포넌트가 프로세스 및/또는 실행 스레드 내에 존재할 수 있으며, 하나의 컴포넌트가 하나의 컴퓨팅 장치 상에 국지화될 수 있고/있거나 2개 이상의 컴퓨팅 장치 사이에 분산될 수 있다. 또한, 컴포넌트는 다양한 타입의 통신 매체에 의해 서로 통신 결합되어 동작을 조정할 수 있다. 조정은 정보의 단방향 또는 양방향 교환을 포함할 수 있다. 예로서, 컴포넌트는 통신 매체를 통해 통신되는 신호의 형태로 정보를 통신할 수 있다. 정보는 하나 이상의 신호 라인에 할당되는 신호로서 구현될 수 있다. (커맨드, 상태, 어드레스 또는 데이터 메시지를 포함하는) 메시지가 그러한 신호 중 하나일 수 있거나 복수의 그러한 신호일 수 있으며, 임의의 다양한 접속 및/또는 인터페이스를 통해 직렬로 또는 실질적으로 병렬로 전송될 수 있다.도시된 바와 같이, 처리 아키텍처(3000)를 구현함에 있어서, 컴퓨팅 장치는 적어도 프로세서 컴포넌트(950), 저장소(960), 다른 장치에 대한 인터페이스(990) 및 결합(959)을 포함할 수 있다. 설명되는 바와 같이, 그러한 컴퓨팅 장치는 그의 의도된 사용 및/또는 사용 조건을 포함하는, 처리 아키텍처(3000)를 구현하는 컴퓨팅 장치의 다양한 양태에 따라, 디스플레이 인터페이스(985) 또는 신체 인터페이스(910)와 같은, 그러나 이에 한정되지 않는 추가 컴포넌트를 더 포함할 수 있다.결합(959)은 하나 이상의 버스, 점대점 상호접속, 송수신기, 버퍼, 크로스포인트 스위치, 및/또는 적어도 프로세서 컴포넌트(950)를 저장소(960)에 통신 결합하는 다른 도체 및/또는 논리를 포함할 수 있다. 결합(959)은 프로세서 컴포넌트(950)를 (이들 및/또는 다른 컴포넌트 중 어느 것이 또한 존재하는지에 따라) 인터페이스(990), 오디오 서브시스템(970) 및 디스플레이 인터페이스(985) 중 하나 이상에 더 결합할 수 있다. 프로세서 컴포넌트(950)가 결합(959)에 의해 그렇게 결합되는 경우, 프로세서 컴포넌트(950)는 처리 아키텍처(3000)를 구현하는 전술한 컴퓨팅 장치 중 임의의 컴퓨팅 장치(들)에 대해 위에서 상세히 설명된 다양한 작업을 수행할 수 있다. 결합(959)은 신호를 광학적으로 그리고/또는 전기적으로 운반하는 임의의 다양한 기술 또는 기술 조합을 이용하여 구현될 수 있다. 또한, 결합(959)의 적어도 일부는 AGP(Accelerated Graphics Port), CardBus, E-ISA(Extended Industry Standard Architecture), MCA(Micro Channel Architecture), NuBus, PCI-X(Peripheral Component Interconnect (Extended)), PCI-E(PCI Express), PCMCIA(Personal Computer Memory Card International Association) 버스, HyperTransport™, QuickPath 등을 포함하지만 이에 한정되지 않는 임의의 다양한 산업 표준을 따르는 타이밍 및/또는 프로토콜을 이용할 수 있다.전술한 바와 같이, (하나 이상의 프로세서 컴포넌트(150, 350 또는 550)에 대응하는) 프로세서 컴포넌트(950)는 임의의 다양한 기술을 이용하고 임의의 다양한 방식으로 물리적으로 결합되는 하나 이상의 코어로 구현되는 임의의 다양한 상용 프로세서를 포함할 수 있다.전술한 바와 같이, (하나 이상의 저장소(560, 760 또는 860)에 대응하는) 저장소(960)는 임의의 다양한 기술 또는 기술 조합에 기초하는 하나 이상의 개별 저장 장치로 구성될 수 있다. 구체적으로, 도시된 바와 같이, 저장소(960)는 휘발성 메모리(961)(예로서, 하나 이상의 형태의 RAM 기술에 기초하는 반도체 저장소), 비휘발성 메모리(962)(예로서, 그의 내용을 유지하기 위해 전력의 지속적 제공을 요구하지 않는 반도체, 강자성 또는 다른 저장소) 및 이동식 매체 저장소(963)(예로서, 컴퓨팅 장치 사이에서 정보를 운반할 수 있는 이동식 디스크 또는 반도체 메모리 카드 저장소) 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 아마도 다수의 상이한 타입의 저장소를 포함하는 것으로서의 저장소(960)의 이러한 도시는 하나의 타입이 (예로서, 아마도 전력을 지속적으로 요구하는 "휘발성" 기술을 이용하여) 프로세서 컴포넌트(950)에 의한 데이터의 더 빠른 처리를 가능하게 하는 비교적 빠른 판독 및 기록 능력을 제공하는 반면에 다른 타입이 비교적 높은 밀도의 비휘발성 저장을 제공하는(그러나 아마도 비교적 느린 판독 및 기록 능력을 제공하는) 컴퓨팅 장치 내의 2개 이상의 타입의 저장 장치의 일반적인 사용을 인식한 것이다.상이한 기술을 이용하는 상이한 저장 장치의 종종 상이한 특성이 주어지는 경우, 그러한 상이한 저장 장치는 상이한 인터페이스를 통해 그의 상이한 저장 장치에 결합되는 상이한 저장소 제어기를 통해 컴퓨팅 장치의 다른 부분에 결합되는 것도 일반적이다. 예로서, 휘발성 저장소(961)가 존재하고, RAM 기술에 기초하는 경우, 휘발성 저장소(961)는 아마도 행 및 열 어드레싱을 이용하는 휘발성 저장소(961)에 대한 적절한 인터페이스를 제공하는 저장소 제어기(965a)를 통해 결합(959)에 통신 결합될 수 있으며, 저장소 제어기(965a)는 휘발성 저장소(961) 내에 저장된 정보의 유지를 돕기 위해 행 리프레싱 및/또는 다른 유지 작업을 수행할 수 있다. 다른 예로서, 비휘발성 저장소(962)가 존재하고, 하나 이상의 강자성 및/또는 반도체 디스크 드라이브를 포함하는 경우, 비휘발성 저장소(962)는 아마도 정보의 블록의 그리고/또는 실린더 및 섹터의 어드레싱을 이용하는 비휘발성 저장소(962)에 대한 적절한 인터페이스를 제공하는 저장소 제어기(965b)를 통해 결합(959)에 통신 결합할 수 있다. 또 다른 예로서, 이동식 매체 저장소(963)가 존재하고, 하나 이상의 머신 판독 가능 매체(969)를 이용하는 하나 이상의 광학 및/또는 반도체 디스크 드라이브를 포함하는 경우, 이동식 매체 저장소(963)는 아마도 정보의 블록의 어드레싱을 이용하는 이동식 매체 저장소(963)에 대한 적절한 인터페이스를 제공하는 저장소 제어기(965c)를 통해 결합(959)에 통신 결합될 수 있으며, 저장소 제어기(965c)는 머신 판독 가능 저장 매체(969)의 수명의 연장에 고유한 방식으로 판독, 소거 및 기록 동작을 조정할 수 있다.휘발성 저장소(961) 또는 비휘발성 저장소(962) 중 하나 또는 다른 하나는 각자가 기초로 하는 기술에 따라 다양한 실시예를 구현하도록 프로세서 컴포넌트(950)에 의해 실행될 수 있는 명령어 시퀀스를 포함하는 루틴이 저장될 수 있는 머신 판독 가능 저장 매체 형태의 제조물을 포함할 수 있다. 예로서, 비휘발성 저장소(962)가 강자성 기반 디스크 드라이브(예로서, 소위 "하드 드라이브")를 포함하는 경우, 각각의 그러한 디스크 드라이브는 통상적으로 자기적으로 응답하는 입자의 코팅이 플로피 디스켓과 같은 저장 매체와 유사한 방식으로 명령어 시퀀스와 같은 정보를 저장하도록 다양한 패턴으로 침적되고 자기적으로 배향되는 하나 이상의 회전 플래터를 이용한다. 다른 예로서, 비휘발성 저장소(962)는 컴팩트 플래시 카드와 유사한 방식으로 명령어 시퀀스와 같은 정보를 저장하기 위한 반도체 저장 장치의 뱅크로 구성될 수 있다. 또한, 실행 가능 루틴 및/또는 데이터를 저장하기 위해 상이한 시간에 컴퓨팅 장치 내의 상이한 타입의 저장 장치를 이용하는 것이 일반적이다. 따라서, 다양한 실시예를 구현하도록 프로세서 컴포넌트(950)에 의해 실행될 명령어 시퀀스를 포함하는 루틴은 처음에 머신 판독 가능 매체(969) 상에 저장될 수 있고, 이동식 매체 저장소(963)는 그러한 루틴이 실행될 때 프로세서 컴포넌트(950)에 의한 더 빠른 액세스를 가능하게 하기 위한 머신 판독 가능 저장 매체(969) 및/또는 휘발성 저장소(961)의 계속적인 존재를 요구하지 않는 장기 저장을 위해 그러한 루틴을 휘발성 저장소(962)로 복사하는 데에 후속 사용될 수 있다.전술한 바와 같이, (하나 이상의 인터페이스(190, 390 또는 590)에 대응하는) 인터페이스(990)는 컴퓨팅 장치를 하나 이상의 다른 장치에 통신 결합하는 데 이용될 수 있는 임의의 다양한 통신 기술에 대응하는 임의의 다양한 시그널링 기술을 이용할 수 있다. 또한, 다양한 형태의 유선 또는 무선 시그널링 중 하나 또는 양자를 이용하여, 프로세서 컴포넌트(950)가 아마도 네트워크(예로서, 네트워크(999)) 또는 상호접속된 네트워크 세트를 통해 입출력 장치(예로서, 도시된 예시적인 키보드(920) 또는 프린터(925)) 및/또는 다른 컴퓨팅 장치와 상호작용하는 것을 가능하게 할 수 있다. 어느 하나의 컴퓨팅 장치에 의해 종종 지원되어야 하는 다수의 타입의 시그널링 및/또는 프로토콜의 종종 크게 다른 특성을 인식하여, 인터페이스(990)는 다수의 상이한 인터페이스 제어기(995a, 995b, 995c)를 포함하는 것으로 도시된다. 인터페이스 제어기(995a)는 임의의 다양한 타입의 유선 디지털 직렬 인터페이스 또는 라디오 주파수 무선 인터페이스를 이용하여, 도시된 키보드(920)와 같은 사용자 입력 장치로부터 직렬 전송 메시지를 수신할 수 있다. 인터페이스 제어기(995b)는 임의의 다양한 케이블링 기반 또는 무선 시그널링, 타이밍 및/또는 프로토콜을 이용하여, 도시된 네트워크(999)(아마도 하나 이상의 링크로 구성되는 네트워크, 더 작은 네트워크 또는 아마도 인터넷)를 통해 다른 컴퓨팅 장치에 액세스할 수 있다. 인터페이스(995c)는 임의의 다양한 전기 전도 케이블링을 이용하여, 직렬 또는 병렬 신호 전송의 사용을 가능하게 하여 데이터를 도시된 프린터(925)로 운반할 수 있다. 인터페이스(990)의 하나 이상의 인터페이스 제어기를 통해 통신 결합될 수 있는 장치의 다른 예는 마이크, 원격 제어, 스타일러스 펜, 카드 판독기, 지문 판독기, 가상 현실 상호작용 글러브, 그래픽 입력 태블릿, 조이스틱, 다른 키보드, 망막 스캐너, 터치스크린의 터치 입력 컴포넌트, 트랙볼, 다양한 센서, 제스처 및/또는 얼굴 표정을 통해 사람에 의해 시그널링되는 커맨드 및/또는 데이터를 수신하기 위해 그러한 사람의 움직임을 모니터링하기 위한 카메라 또는 카메라 어레이, 레이저 프린터, 잉크젯 프린터, 머신 로봇, 밀링 머신 등을 포함하지만 이에 한정되지 않는다.컴퓨팅 장치가 디스플레이(예로서, 도시된 예시적인 디스플레이(980))에 통신 결합되는 경우(또는 아마도 실제로 포함하는 경우), 처리 아키텍처(3000)를 구현하는 그러한 컴퓨팅 장치는 디스플레이 인터페이스(985)도 포함할 수 있다. 더 일반화된 타입의 인터페이스가 디스플레이에 대한 통신 결합에서 사용될 수 있지만, 디스플레이 상에 다양한 형태의 콘텐츠를 시각적으로 표시하는 데에 종종 필요한 다소 특수화된 추가 처리는 물론, 사용되는 케이블링 기반 인터페이스의 다소 특수화된 특성은 종종 상이한 디스플레이 인터페이스의 제공을 바람직하게 한다. 디스플레이(980)의 통신 결합에서 디스플레이 인터페이스(985)에 의해 이용될 수 있는 유선 및/또는 무선 시그널링 기술은 임의의 다양한 아날로그 비디오 인터페이스, 디지털 비디오 인터페이스(DVI), DisplayPort 등을 포함하지만 이에 한정되지 않는 임의의 다양한 산업 표준을 따르는 시그널링 및/또는 프로토콜을 이용할 수 있다.더 일반적으로, 본 명세서에서 설명되고 도시되는 컴퓨팅 장치의 다양한 요소는 다양한 하드웨어 요소, 소프트웨어 요소 또는 이들 양자의 조합을 포함할 수 있다. 하드웨어 요소의 예는 장치, 논리 장치, 컴포넌트, 프로세서, 마이크로프로세서, 회로, 프로세서 컴포넌트, 회로 요소(예로서, 트랜지스터, 저항기, 커패시터, 인덕터 등), 집적 회로, 주문형 집적 회로(ASIC), 프로그래밍 가능 논리 장치(PLD), 디지털 신호 프로세서(DSP), 필드 프로그래머블 게이트 어레이(FPGA), 메모리 유닛, 논리 게이트, 레지스터, 반도체 장치, 칩, 마이크로칩, 칩셋 등을 포함할 수 있다. 소프트웨어 요소의 예는 소프트웨어 컴포넌트, 프로그램, 애플리케이션, 컴퓨터 프로그램, 애플리케이션 프로그램, 시스템 프로그램, 소프트웨어 개발 프로그램, 머신 프로그램, 운영 체제 소프트웨어, 미들웨어, 펌웨어, 소프트웨어 모듈, 루틴, 서브루틴, 함수, 메소드, 절차, 소프트웨어 인터페이스, 애플리케이션 프로그램 인터페이스(API), 명령어 세트, 컴퓨팅 코드, 컴퓨터 코드, 코드 세그먼트, 컴퓨터 코드 세그먼트, 워드, 값, 심벌 또는 이들의 임의 조합을 포함할 수 있다. 그러나, 실시예를 하드웨어 요소 및/또는 소프트웨어 요소를 이용하여 구현할지에 관한 결정은 주어진 구현에 필요한 바와 같은 원하는 계산 레이트, 전력 레벨, 열 허용 한계, 처리 사이클 예산, 입력 데이터 레이트, 출력 데이터 레이트, 메모리 자원, 데이터 버스 속도 및 다른 설계 또는 성능 제약과 같은 임의 수의 팩터에 따라 달라질 수 있다.일부 실시예는 "일 실시예" 또는 "실시예"라는 표현 및 이들의 파생물을 이용하여 설명될 수 있다. 이러한 용어는 실시예와 관련하여 설명되는 특정 특징, 구조 또는 특성이 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 명세서의 다양한 곳에서의 "일 실시예에서"라는 문구의 출현은 모두가 반드시 동일 실시예를 지칭하지는 않는다. 또한, 일부 실시예는 "결합" 및 "접속"이라는 표현 및 이들의 파생물을 이용하여 설명될 수 있다. 이러한 용어는 반드시 서로에 대한 동의어인 것을 의도하지 않는다. 예로서, 일부 실시예는 2개 이상의 요소가 서로 직접 물리 및 전기적으로 접촉하는 것을 표시하기 위해 "접속" 및/또는 "결합"이라는 용어를 이용하여 설명될 수 있다. 그러나, 용어 "결합"은 2개 이상의 요소가 서로 직접 접촉하지 않지만, 여전히 서로 협력하거나 상호작용한다는 것을 의미할 수도 있다. 더구나, 상이한 실시예로부터의 요소의 양태가 결합될 수 있다.요약서는 독자가 기술 명세서의 특성을 빠르게 확인하는 것을 가능하게 하기 위해 제공된다는 점이 강조된다. 요약서는 청구항의 범위 또는 의미를 해석하거나 제한하는 데 사용되지 않을 것이라는 이해와 함께 제출된다. 게다가, 위의 상세한 설명에서는 개시의 간소화하기 위해 다양한 특징이 단일 실시예 내에 함께 그룹화된다는 것을 알 수 있다. 이러한 개시 방법은 청구되는 실시예가 각각의 청구항 내에 명확히 기재된 것보다 많은 특징을 요구한다는 의도를 반영하는 것으로 해석되지 않아야 한다. 오히려, 아래의 청구항이 보여주듯이, 발명 내용은 단일의 개시되는 실시예의 모든 특징보다 적은 특징 내에 존재한다. 따라서, 아래의 청구항은 상세한 설명 내에 포함되며, 각각의 청구항은 개별 실시예로서 그 자신에 의거한다. 첨부된 청구항에서, 용어 "including" 및 "in which"는 각각의 용어 "comprising" 및 "wherein" 각각의 평문 영어 등가물로서 사용된다. 더욱이, 용어 "제1", "제2", "제3" 등은 라벨로서 사용될 뿐이며, 그의 대상에 대한 수치적 요구를 부과하는 것을 의도하지 않는다.위에서 설명된 것은 개시된 아키텍처의 예를 포함한다. 물론, 모든 상상 가능한 컴포넌트 및/또는 방법의 조합을 설명할 수는 없지만, 이 분야의 통상의 기술자는 많은 추가 조합 및 교환이 가능하다는 것을 인식할 수 있다. 따라서, 새로운 아키텍처는 첨부된 청구항의 사상 및 범위 내에 속하는 모든 그러한 변경, 수정 및 변형을 포함하는 것을 의도한다. 상세한 개시 내용은 이제 추가 실시예와 관련된 예를 제공하는 것으로 전환한다. 아래에 제공되는 예는 한정을 의도하지 않는다.예 1에서, 보안 통신을 설정하기 위한 장치는 프로세서 컴포넌트; 프로세서 컴포넌트에 의해 실행되어, 보안 테스트 신호의 신호 특성을 보안 테스트 신호의 공지 신호 특성과 비교하여 생체 전기 특성을 도출하는 신호 컴포넌트 - 보안 테스트 신호는 조직을 통해 수신됨 -; 및 생체 전기 특성에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 허가할지를 결정하기 위해 프로세서 컴포넌트에 의해 실행하기 위한 생체 전기 컴포넌트를 포함한다.예 1의 내용을 포함하는 예 2에서, 장치는 조직을 포함하는 신체로부터 보안 테스트 신호를 수신하고, 신체를 통해 데이터를 전송하기 위한 신체 인터페이스를 포함할 수 있고, 신체 인터페이스는 전도 표면, 플레이트 또는 코일 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 신체 인터페이스는 케이스 또는 수동 조작 가능 제어 중 적어도 하나 내에 통합될 수 있다.예 1-2 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 3에서, 신체 인터페이스는 프로세서 컴포넌트를 신체에 용량 결합할 수 있다.예 1-3 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 4에서, 보안 테스트 신호의 공지 신호 특성은 공지 진폭, 공지 주파수, 공지 주파수 조합, 공지 주파수 시프트 패턴 또는 공지 데이터 패턴 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.예 1-4 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 5에서, 생체 전기 특성은 적어도 조직에 의해 보안 테스트 신호에 대해 실행되는 변환을 표시할 수 있고, 신호 컴포넌트는 보안 테스트 신호의 신호 특성을 공지 신호 특성과 비교하여 변환을 도출할 수 있고, 생체 전기 컴포넌트는 변환에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 허가할지를 결정할 수 있다.예 1-5 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 6에서, 생체 전기 컴포넌트는 생체 전기 특성이 사전 결정된 임계치 내에서 예상 생체 전기 특성과 매칭되는 것에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 허가할 수 있다.예 1-6 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 7에서, 생체 전기 컴포넌트는 생체 전기 특성이 사전 결정된 임계치를 초과하지만 생체 전기 특성의 사전 결정된 변화 레이트 내에 유지되는 정도로 예상 생체 전기 특성과 다른 것에 기초하여 생체 전기 특성을 이용하여 예상 생체 전기 특성을 갱신할 수 있다.예 1-7 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 8에서, 생체 전기 컴포넌트는 생체 전기 특성이 사전 결정된 임계치를 초과하고 사전 결정된 변화 레이트를 초과하는 정도로 예상 생체 전기 특성과 다른 것에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 불허할 수 있다.예 1-8 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 9에서, 생체 전기 컴포넌트는 생체 전기 특성을 복수의 예상 생체 전기 특성과 비교할 수 있고, 생체 전기 특성이 사전 결정된 임계치 내에서 복수의 예상 생체 전기 특성 중의 예상 생체 전기 특성과 매칭되는 것에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 허가할 수 있으며, 복수의 예상 생체 전기 특성 중 각각의 예상 생체 전기 특성은 보안 테스트 신호를 전송하기 위해 신체 소지 장치가 배치될 수 있는 조직을 포함하는 신체의 상이한 위치와 연관된다.예 1-9 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 10에서, 생체 전기 컴포넌트는 생체 전기 특성을 복수의 예상 생체 전기 특성과 비교할 수 있고, 생체 전기 특성이 사전 결정된 임계치 내에서 복수의 예상 생체 전기 특성 중의 예상 생체 전기 특성과 매칭되는 것에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 허가할 수 있으며, 복수의 예상 생체 전기 특성의 제1 서브세트 중 각각의 예상 생체 전기 특성은 신체 소지 장치가 배치될 수 있는 조직을 포함하는 신체의 상이한 위치와 연관되고, 복수의 예상 생체 전기 특성의 제2 서브세트 중 각각의 예상 생체 전기 특성은 신체 소지 장치가 배치될 수 있는 다른 신체의 상이한 위치와 연관되고, 다른 신체는 신체와 전도 접촉한다.예 1-10 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 11에서, 장치는 생체 전기 특성이 사전 결정된 임계치를 초과하는 정도로 예상 생체 전기 특성과 다른 것에 기초하여 조직을 포함하는 신체의 신원을 검증하기 위한 보안 과제를 제시하기 위해 프로세서 컴포넌트에 의해 실행하기 위한 보안 제어 컴포넌트를 포함할 수 있다.예 1-11 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 12에서, 장치는 디스플레이를 포함할 수 있고, 보안 제어 컴포넌트는 디스플레이 상에 보안 과제를 시각적으로 제시한다.예 1-12 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 13에서, 보안 과제는 이전에 신체 소지 장치가 배치된 신체의 위치에 신체 소지 장치를 배치하기 위한 요청을 포함할 수 있고, 생체 전기 컴포넌트는 신체 소지 장치로부터의 다른 보안 테스트 신호를 기다릴 수 있고, 생체 전기 컴포넌트는 다른 보안 테스트 신호와 연관된 생체 전기 특성에 기초하여 신체의 신원을 검증할 수 있다.예 14에서, 보안 통신을 설정하기 위한 장치는 프로세서 컴포넌트; 프로세서 컴포넌트에 의해 실행되어, 보안 테스트 신호의 신호 특성을 보안 테스트 신호의 공지 신호 특성과 비교하여 적어도 조직에 의해 보안 테스트 신호에 대해 실행되는 변환을 도출하는 신호 컴포넌트 - 보안 테스트 신호는 조직을 통해 수신됨 -; 및 변환에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 허가할지를 결정하기 위해 프로세서 컴포넌트에 의해 실행하기 위한 생체 전기 컴포넌트를 포함할 수 있다.예 14의 내용을 포함하는 예 15에서, 생체 전기 컴포넌트는 변환이 사전 결정된 임계치 내에서 예상 변환과 매칭되는 것에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 허가할 수 있다.예 14-15 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 16에서, 생체 전기 컴포넌트는 변환이 사전 결정된 임계치를 초과하지만 변환의 사전 결정된 변화 레이트 내에 있는 정도로 예상 변환과 다른 것에 기초하여 변환을 이용하여 예상 변환을 갱신할 수 있다.예 14-16 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 17에서, 생체 전기 컴포넌트는 변환이 사전 결정된 임계치를 초과하고 사전 결정된 변화 레이트를 초과하는 정도로 예상 변환과 다른 것에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 불허할 수 있다.예 14-17 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 18에서, 장치는 변환이 사전 결정된 임계치를 초과하는 정도로 예상 변환과 다른 것에 기초하여 조직을 포함하는 신체의 신원을 검증하기 위한 보안 과제를 제시하기 위해 프로세서 컴포넌트에 의해 실행하기 위한 보안 제어 컴포넌트를 포함할 수 있다.예 19에서, 보안 통신을 설정하기 위한 컴퓨터 구현 방법은 조직을 통해 보안 테스트 신호를 수신하는 단계, 보안 테스트 신호의 신호 특성을 조직으로 전송된 바와 같은 보안 테스트 신호의 공지 신호 특성과 비교하여 생체 전기 특성을 도출하는 단계 및 생체 전기 특성에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 허가할지를 결정하는 단계를 포함할 수 있다.예 19의 내용을 포함하는 예 20에서, 보안 테스트 신호의 공지 신호 특성은 공지 진폭, 공지 주파수, 공지 주파수 조합, 공지 주파수 시프트 패턴 또는 공지 데이터 패턴 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.예 19-20 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 21에서, 생체 전기 특성은 적어도 조직에 의해 보안 테스트 신호에 대해 실행되는 변환을 표시할 수 있고, 방법은 보안 테스트 신호의 신호 특성을 공지 신호 특성과 비교하여 변환을 도출하는 단계 및 변환에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 허가할지를 결정하는 단계를 포함할 수 있다.예 19-21 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 22에서, 방법은 생체 전기 특성이 사전 결정된 임계치 내에서 예상 생체 전기 특성과 매칭되는 것에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 허가하는 단계를 포함할 수 있다.예 19-22 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 23에서, 방법은 생체 전기 특성이 사전 결정된 임계치를 초과하지만 생체 전기 특성의 사전 결정된 변화 레이트 내에 유지되는 정도로 예상 생체 전기 특성과 다른 것에 기초하여 생체 전기 특성을 이용하여 예상 생체 전기 특성을 갱신하는 단계를 포함할 수 있다.예 19-23 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 24에서, 방법은 생체 전기 특성이 사전 결정된 임계치를 초과하고 사전 결정된 변화 레이트를 초과하는 정도로 예상 생체 전기 특성과 다른 것에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 불허하는 단계를 포함할 수 있다.예 19-24 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 25에서, 방법은 생체 전기 특성이 사전 결정된 임계치를 초과하는 정도로 예상 생체 전기 특성과 다른 것에 기초하여 조직을 포함하는 신체의 신원을 검증하기 위한 보안 과제를 제시하는 단계를 포함할 수 있다.예 19-25 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 26에서, 방법은 디스플레이 상에 보안 과제를 시각적으로 제시하는 단계를 포함할 수 있다.예 19-26 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 27에서, 보안 과제는 이전에 신체 소지 장치가 배치된 신체의 위치에 신체 소지 장치를 배치하기 위한 요청을 포함할 수 있고, 방법은 신체 소지 장치로부터의 다른 보안 테스트 신호를 기다리는 단계 및 다른 보안 테스트 신호와 연관된 생체 전기 특성에 기초하여 신체의 신원을 검증하는 단계를 포함할 수 있다.예 19-27 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 28에서, 방법은 보안 테스트 신호를 전송한 장치의 신원의 표시를 검색하는 단계, 및 생체 전기 특성 및 보안 테스트를 전송한 장치가 조직을 포함하는 신체에 또는 신체와 전도 접촉하는 다른 신체에 근접 배치되는지에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 허가하는 단계를 포함할 수 있다.예 19-28 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 29에서, 방법은 보안 테스트 신호를 전송한 장치의 신원의 표시를 검색하는 단계, 및 생체 전기 특성 및 보안 테스트를 전송한 장치가 조직을 포함하는 신체에 또는 신체와 전도 접촉하는 다른 신체에 근접 배치되는지에 기초하여 애플리케이션 루틴이 기능을 수행하는 것을 허가하는 단계를 포함할 수 있다.예 30에서, 적어도 하나의 머신 판독 가능 저장 매체는 컴퓨팅 장치에 의해 실행될 때 컴퓨팅 장치로 하여금, 조직을 통해 보안 테스트 신호를 수신하고, 보안 테스트 신호의 신호 특성을 조직으로 전송된 바와 같은 보안 테스트 신호의 공지 신호 특성과 비교하여 생체 전기 특성을 도출하고, 생체 전기 특성에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 허가할지를 결정하게 하는 명령어를 포함한다.예 30의 내용을 포함하는 예 31에서, 보안 테스트 신호의 공지 신호 특성은 공지 진폭, 공지 주파수, 공지 주파수 조합, 공지 주파수 시프트 패턴 또는 공지 데이터 패턴 중 적어도 하나를 포함한다.예 30-31 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 32에서, 생체 전기 특성은 적어도 조직에 의해 보안 테스트 신호에 대해 실행되는 변환을 표시할 수 있고, 컴퓨팅 장치는 보안 테스트 신호의 신호 특성을 공지 신호 특성과 비교하여 변환을 도출하고, 변환에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 허가할지를 결정할 수 있다.예 30-32 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 33에서, 컴퓨팅 장치는 생체 전기 특성이 사전 결정된 임계치 내에서 예상 생체 전기 특성과 매칭되는 것에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 허가할 수 있다.예 30-33 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 34에서, 컴퓨팅 장치는 생체 전기 특성이 사전 결정된 임계치를 초과하지만 생체 전기 특성의 사전 결정된 변화 레이트 내에 유지되는 정도로 예상 생체 전기 특성과 다른 것에 기초하여 생체 전기 특성을 이용하여 예상 생체 전기 특성을 갱신할 수 있다.예 30-34 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 35에서, 컴퓨팅 장치는 생체 전기 특성이 사전 결정된 임계치를 초과하고 사전 결정된 변화 레이트를 초과하는 정도로 예상 생체 전기 특성과 다른 것에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 불허할 수 있다.예 30-35 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 36에서, 컴퓨팅 장치는 생체 전기 특성이 사전 결정된 임계치를 초과하는 정도로 예상 생체 전기 특성과 다른 것에 기초하여 조직을 포함하는 신체의 신원을 검증하기 위한 보안 과제를 제시할 수 있다.예 30-36 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 37에서, 컴퓨팅 장치는 디스플레이 상에 보안 과제를 시각적으로 제시할 수 있다.예 30-37 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 38에서, 보안 과제는 이전에 신체 소지 장치가 배치된 신체의 위치에 신체 소지 장치를 배치하기 위한 요청을 포함할 수 있고, 컴퓨팅 장치는 신체 소지 장치로부터의 다른 보안 테스트 신호를 기다리고, 다른 보안 테스트 신호와 연관된 생체 전기 특성에 기초하여 신체의 신원을 검증할 수 있다.예 30-38 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 39에서, 컴퓨팅 장치는 보안 테스트 신호를 전송한 장치의 신원의 표시를 검색하고, 생체 전기 특성 및 보안 테스트를 전송한 장치가 조직을 포함하는 신체에 또는 신체와 전도 접촉하는 다른 신체에 근접 배치되는지에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 허가할 수 있다.예 30-39 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 40에서, 컴퓨팅 장치는 보안 테스트 신호를 전송한 장치의 신원의 표시를 검색하고, 생체 전기 특성 및 보안 테스트를 전송한 장치가 조직을 포함하는 신체에 또는 신체와 전도 접촉하는 다른 신체에 근접 배치되는지에 기초하여 애플리케이션 루틴이 기능을 수행하는 것을 허가할 수 있다.예 41에서, 커맨드를 수신하기 위한 장치는 조직을 통해 보안 테스트 신호를 수신하기 위한 수단, 보안 테스트 신호의 신호 특성을 조직으로 전송된 바와 같은 보안 테스트 신호의 공지 신호 특성과 비교하여 생체 전기 특성을 도출하기 위한 수단 및 생체 전기 특성에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 허가할지를 결정하기 위한 수단을 포함한다.예 41의 내용을 포함하는 예 42에서, 보안 테스트 신호의 공지 신호 특성은 공지 진폭, 공지 주파수, 공지 주파수 조합, 공지 주파수 시프트 패턴 또는 공지 데이터 패턴 중 적어도 하나를 포함한다.예 41-42 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 43에서, 생체 전기 특성은 적어도 조직에 의해 보안 테스트 신호에 대해 실행되는 변환을 표시하고, 장치는 보안 테스트 신호의 신호 특성을 공지 신호 특성과 비교하여 변환을 도출하고, 변환에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 허가할지를 결정하기 위한 수단을 포함할 수 있다.예 41-43 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 44에서, 장치는 생체 전기 특성이 사전 결정된 임계치 내에서 예상 생체 전기 특성과 매칭되는 것에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 허가하기 위한 수단을 포함할 수 있다.예 41-44 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 45에서, 장치는 생체 전기 특성이 사전 결정된 임계치를 초과하지만 생체 전기 특성의 사전 결정된 변화 레이트 내에 유지되는 정도로 예상 생체 전기 특성과 다른 것에 기초하여 생체 전기 특성을 이용하여 예상 생체 전기 특성을 갱신하기 위한 수단을 포함할 수 있다.예 41-45 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 46에서, 장치는 생체 전기 특성이 사전 결정된 임계치를 초과하고 사전 결정된 변화 레이트를 초과하는 정도로 예상 생체 전기 특성과 다른 것에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 불허하기 위한 수단을 포함할 수 있다.예 41-46 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 47에서, 장치는 생체 전기 특성이 사전 결정된 임계치를 초과하는 정도로 예상 생체 전기 특성과 다른 것에 기초하여 조직을 포함하는 신체의 신원을 검증하기 위한 보안 과제를 제시하기 위한 수단을 포함할 수 있다.예 41-47 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 48에서, 장치는 디스플레이 상에 보안 과제를 시각적으로 제시하기 위한 수단을 포함할 수 있다.예 41-48 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 49에서, 보안 과제는 이전에 신체 소지 장치가 배치된 신체의 위치에 신체 소지 장치를 배치하기 위한 요청을 포함할 수 있고, 장치는 신체 소지 장치로부터의 다른 보안 테스트 신호를 기다리고, 다른 보안 테스트 신호와 연관된 생체 전기 특성에 기초하여 신체의 신원을 검증하기 위한 수단을 포함할 수 있다.예 41-49 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 50에서, 장치는 보안 테스트 신호를 전송한 장치의 신원의 표시를 검색하고, 생체 전기 특성 및 보안 테스트를 전송한 장치가 조직을 포함하는 신체에 또는 신체와 전도 접촉하는 다른 신체에 근접 배치되는지에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 허가하기 위한 수단을 포함할 수 있다.예 41-50 중 어느 하나의 내용을 포함하는 예 51에서, 장치는 보안 테스트 신호를 전송한 장치의 신원의 표시를 검색하는 단계, 및 생체 전기 특성 및 보안 테스트를 전송한 장치가 조직을 포함하는 신체에 또는 신체와 전도 접촉하는 다른 신체에 근접 배치되는지에 기초하여 애플리케이션 루틴이 기능을 수행하는 것을 허가하기 위한 수단을 포함할 수 있다.예 52에서, 적어도 하나의 머신 판독 가능 저장 매체는 컴퓨팅 장치에 의해 실행될 때 컴퓨팅 장치로 하여금 위의 임의의 것을 수행하게 하는 명령어를 포함할 수 있다.예 53에서, 작업 부분을 수행하도록 프로세서 컴포넌트 코어를 할당하기 위한 장치는 위의 임의의 것을 수행하기 위한 수단을 포함할 수 있다.	다양한 실시예는 일반적으로 신체 영역 네트워크(BAN)를 형성하기 위해 사람의 신체에 근접하게 배치된 2개 이상의 신체 소지 장치 사이에 보안 통신을 형성 및 유지하기 위한 기술과 관련된다. 보안 통신을 설정하기 위한 장치는 프로세서 컴포넌트; 프로세서 컴포넌트에 의해 실행되어, 보안 테스트 신호의 신호 특성을 보안 테스트 신호의 공지 신호 특성과 비교하여 생체 전기 특성을 도출하는 신호 컴포넌트 - 보안 테스트 신호는 조직을 통해 수신됨 -; 및 생체 전기 특성에 기초하여 조직을 통한 데이터의 전송을 허가할지를 결정하기 위해 프로세서 컴포넌트에 의해 실행하기 위한 생체 전기 컴포넌트를 포함한다. 다른 실시예가 설명되고 청구된다.
[ 발명의 명칭 ] 가스터빈 발전설비, 가스터빈 냉각공기시스템 건조장치 및 건조방법GAS TURBINE POWER GENERATION EQUIPMENT, AND DEVICE AND METHOD FOR DRYING GAS TURBINE COOLING AIR SYSTEM [ 기술분야 ] 본 발명은 가스터빈 발전설비, 가스터빈 냉각공기시스템 건조장치 및 건조방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 가스터빈 발전설비는 가스터빈에 발전기가 접속되어 가스터빈의 구동력을 발전기에 전달하여 발전한다. 가스 터빈은 압축기와 연소기와 터빈에 의해 구성되어 있다. 압축기는 공기취입구에서 주입된 공기를 압축시킴으로써 고온 및 고압의 압축공기로 한다. 연소기는 압축 공기에 대하여 연료를 공급하여 연소시킴으로써 고온 및 고압의 연소가스로 한다. 터빈은 케이싱 내의 통로에 여러 개의 터빈고정날개 및 터빈운동날개가 번갈아 배치되어 구성되어 있고, 상기 통로에 공급된 연소가스에 의해 터빈운동날개가 구동됨으로써, 발전기에 연결된 터빈축을 회전 구동한다. 터빈을 구동한 연소가스는 배기가스로서 대기에 방출된다.예를 들어 종래 특허문헌 1에 기재된 가스터빈은 압축기로 압축된 압축공기를 추출하여 열교환기(TCA쿨러)에 의해 냉각한 후, 터빈 측의 터빈운동날개에 공급하여 해당 터빈운동날개를 냉각하는 냉각공기시스템(냉각공기 공급수단)이 나타나 있다.또한 예를 들어 특허문헌 2에 기재된 증기터빈 발전설비는 발전설비에 따른 기존에 설치된 제어용 압축공기 공급설비를 이용하고, 이 제어용 압축공기 공급설비로부터의 건조공기를 이용하여 증기터빈과 복수기를 건조 보관하는 것이 나타나 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본특허공개 제2007-146787호 공보일본특허공개 제2013-76356호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 특허문헌 1에 나타내는 냉각공기시스템에서는 그 배관에 탄소강을 사용하고 있으므로, 가스터빈의 정지가 장기간에 이를 경우 대기 중의 습분이 결로하여 배관 내면에 분말상의 녹이 발생할 우려가 있다. 녹의 발생은 배관 내면의 표면적 및 가스터빈의 정지 시간과 비례하여 증가하고, 습도에 대해서는 지수적으로 증가한다. 그리고 장기 정지 후, 가스터빈의 기동 시에 배관 내에 발생한 분말상의 녹이 냉각공기의 흐름에 의해 운반되어 터빈 측에 반입되는 것은 바람직하지 않다.본 발명은 상술한 과제를 해결하는 것으로서, 가스터빈의 냉각공기시스템에 따른 배관 내면의 녹의 발생을 억제하는 것이 가능한 가스터빈 발전설비, 가스터빈 냉각공기시스템 건조장치 및 건조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 가스터빈 발전설비는 발전기에 접속되는 터빈, 상기 터빈에 연소가스를 공급하는 연소기 및 상기 연소기에 압축공기를 공급하는 압축기를 구비하는 가스터빈과, 상기 압축기의 중간단 또는 출구에 일단 측이 접속되고 상기 터빈에 타단 측이 접속되어 상기 압축기에서 추기한 압축공기를 상기 터빈에 공급하는 냉각공기시스템과, 상기 냉각공기시스템에 접속되어 상기 가스터빈의 정지 시에 상기 냉각공기시스템 내에 건조공기를 공급하는 건조공기시스템을 갖는 것을 특징으로 한다.이 가스터빈 발전설비에 의하면 가스터빈의 정지 시, 건조공기가 냉각공기시스템에 공급됨으로써 해당 냉각공기시스템 안이 건조된다. 이 결과 냉각공기시스템에 따른 배관 내면의 녹의 발생을 억제할 수 있다. 게다가 가스터빈의 정지 시 건조공기를 냉각공기시스템에 공급함으로써 해당 냉각공기시스템 안이 건조되므로, 블로운전을 행하지 않아도 되게 되어 연료사용량을 저감할 수 있다.또한 본 발명의 가스터빈 발전설비에서는, 상기 냉각공기시스템은 그 도중에 상기 압축공기를 냉각하는 열교환기를 구비하고, 상기 건조공기시스템은 상기 열교환기보다도 상기 터빈 측에서 상기 냉각공기시스템에 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.일반적으로 가스터빈의 냉각공기시스템에서 냉각공기시스템의 일단 측이 접속되는 압축기 측에서는 추기된 압축공기를 압력손실 없이 터빈 측에 공급할 필요가 있다. 한편 냉각공기시스템의 타단 측이 접속되는 터빈 측은 냉각된 공기를 불필요하게 소비하여 가스터빈 성능을 저하시키게 되는 일이 없도록 실 부분 등에서 누출되는 공기량을 저감할 필요가 있다. 따라서 냉각공기시스템의 일단 측인 압축기 측과 냉각공기시스템의 타단 측인 터빈 측의 CdA값(유로의 유량계수(Cd)와 면적(A)의 곱)을 비교하면 압축기 측이 크고 터빈 측이 작은 관계에 있다. 따라서 가스터빈의 정지 시에 냉각공기시스템에 공급된 건조공기는 냉각공기시스템의 일단 측인 압축기 측을 향하여 많이 흐르게 된다.따라서 본 발명의 가스터빈 발전설비와 같이 건조공기시스템을 열교환기보다도 터빈 측에서 냉각공기시스템에 대하여 접속함으로써, 열교환기에 대하여 보다 많은 건조공기를 흐르게 할 수 있고, 열교환기 내부의 습도를 신속하게 저하시킬 수 있으므로, 열교환기에 따른 녹의 발생을 억제할 수 있다.또한 일반적으로 가스터빈의 냉각공기시스템에 열교환기를 설치하는 경우, 열교환기는 냉각공기시스템의 배관의 전장 중 반 정도의 위치에 설치되는 경우가 많다. 이 경우 본 발명의 가스터빈 발전설비에 의하면 건조공기시스템은 냉각공기시스템의 배관의 전장 중 터빈 측과 가까운 위치에 접속되므로, 냉각공기시스템의 배관의 전장 중 큰 비율을 점하는 접속점에서 압축기 측의 배관에 효과적으로 건조공기를 보낼 수 있다. 따라서 냉각공기시스템에 따른 배관 내면의 녹의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.또한 본 발명의 가스터빈 발전설비에서는, 상기 건조공기시스템은 설비 내에 제어공기를 공급하는 제어공기 공급시스템에서 건조공기를 취득하는 것을 특징으로 한다.제어공기 공급시스템은 설비에 배치된 공기작동밸브의 구동원으로서, 제습된 건조공기를 발생한다. 이 제어공기 공급시스템은 가스터빈의 정지 시에 건조공기의 수요가 적으므로 이 건조공기를 건조공기시스템으로 이용함으로써, 새로운 건조공기 공급원을 준비하는 일 없이 설비 내에서 이용되고 있는 건조공기를 유효하게 이용할 수 있다.상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 가스터빈 냉각공기시스템 건조장치는 가스터빈에 따른 압축기의 중간단 또는 출구와 터빈을 접속하여 상기 압축기에서 추기한 압축공기를 상기 터빈에 공급하는 냉각공기시스템을 건조시키는 가스터빈 냉각공기시스템 건조장치로서, 상기 냉각공기시스템에 접속되어 상기 냉각공기시스템 내에 건조공기를 공급하는 건조공기시스템을 갖는 것을 특징으로 한다.이 가스터빈 냉각공기시스템 건조장치에 의하면 가스터빈의 정지 중에 냉각공기시스템에 대하여 건조공기를 공급함으로써, 해당 냉각공기시스템 안을 건조할 수 있다. 이 결과 냉각공기시스템에 따른 배관 내면의 녹의 발생을 억제할 수 있다. 게다가 가스터빈의 정지 시 건조공기를 냉각공기시스템에 공급함으로써 해당 냉각공기시스템 안이 건조되므로, 블로운전을 행하지 않아도 되게 되어 연료사용량을 저감할 수 있다.또한 본 발명의 가스터빈 냉각공기시스템 건조장치에서는, 상기 냉각공기시스템의 도중에 열교환기가 설치되고, 상기 건조공기시스템은 상기 열교환기보다도 터빈 측에 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.일반적으로 가스터빈의 냉각공기시스템에서 냉각공기시스템의 일단 측이 접속되는 압축기 측에서는 추기된 압축공기를 압력손실 없이 터빈 측에 공급할 필요가 있다. 한편 냉각공기시스템의 타단 측이 접속되는 터빈 측은 냉각된 공기를 불필요하게 소비하여 가스터빈 성능을 저하시키게 되는 일이 없도록 실 부분 등에서 누출되는 공기량을 저감할 필요가 있다. 따라서 냉각공기시스템의 일단 측인 압축기 측과 냉각공기시스템의 타단 측인 터빈 측의 CdA값(유로의 유량계수(Cd)와 면적(A)의 곱)을 비교하면 압축기 측이 크고 터빈 측이 작은 관계에 있다. 따라서 가스터빈의 정지 시에 냉각공기시스템에 공급된 건조공기는 냉각공기시스템의 일단 측인 압축기 측을 향하여 많이 흐르게 된다.따라서 본 발명의 가스터빈 냉각공기시스템 건조장치와 같이 건조공기시스템을 열교환기보다도 터빈 측에서 냉각공기시스템에 대하여 접속함으로써, 열교환기에 대하여 보다 많은 건조공기를 흐르게 할 수 있고, 열교환기 내부의 습도를 신속하게 저하시킬 수 있으므로, 열교환기에 따른 녹의 발생을 억제할 수 있다.또한 일반적으로 가스터빈의 냉각공기시스템에 열교환기를 설치하는 경우, 열교환기는 냉각공기시스템의 배관의 전장 중 반 정도의 위치에 설치되는 경우가 많다. 이 경우 본 발명의 가스터빈 발전설비에 의하면 건조공기시스템은 냉각공기시스템의 배관의 전장 중 터빈 측과 가까운 위치에 접속되므로, 냉각공기시스템의 배관의 전장 중 큰 비율을 점하는 접속점에서 압축기 측의 배관에 효과적으로 건조공기를 보낼 수 있다. 따라서 냉각공기시스템에 따른 배관 내면의 녹의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 가스터빈 냉각공기시스템 건조방법은 가스터빈에 따른 압축기의 중간단 또는 출구와 터빈을 접속하여 상기 압축기에서 추기한 압축공기를 상기 터빈에 공급하는 냉각공기시스템을 건조시키는 가스터빈 냉각공기시스템 건조방법으로서, 상기 가스터빈의 정지 시에 상기 냉각공기시스템 내에 건조공기를 공급하는 것을 특징으로 한다.이 가스터빈 냉각공기시스템 건조방법에 의하면 가스터빈의 정지 중에 냉각공기시스템에 대하여 건조공기를 공급함으로써, 해당 냉각공기시스템 안을 건조할 수 있다. 이 결과 냉각공기시스템에 따른 배관 내면의 녹의 발생을 억제할 수 있다. 게다가 가스터빈의 정지 시 건조공기를 냉각공기시스템에 공급함으로써 해당 냉각공기시스템 안이 건조되므로, 블로운전을 행하지 않아도 되게 되어 연료사용량을 저감할 수 있다.또한 본 발명의 가스터빈 냉각공기시스템 건조방법에서는, 상기 냉각공기시스템의 도중에 열교환기가 설치되어 있고, 상기 열교환기보다도 터빈 측에 건조공기를 공급하는 것을 특징으로 한다.일반적으로 가스터빈의 냉각공기시스템에서 냉각공기시스템의 일단 측이 접속되는 압축기 측에서는 추기된 압축공기를 압력손실 없이 터빈 측에 공급할 필요가 있다. 한편 냉각공기시스템의 타단 측이 접속되는 터빈 측은 냉각된 공기를 불필요하게 소비하여 가스터빈 성능을 저하시키게 되는 일이 없도록 실 부분 등에서 누출되는 공기량을 저감할 필요가 있다. 따라서 냉각공기시스템의 일단 측인 압축기 측과 냉각공기시스템의 타단 측인 터빈 측의 CdA값(유로의 유량계수(Cd)와 면적(A)의 곱)을 비교하면 압축기 측이 크고 터빈 측이 작은 관계에 있다. 따라서 가스터빈의 정지 시에 냉각공기시스템에 공급된 건조공기는 냉각공기시스템의 일단 측인 압축기 측을 향하여 많이 흐르게 된다.따라서 본 발명의 가스터빈 냉각공기시스템 건조방법과 같이 열교환기보다도 터빈 측에 냉각공기를 공급함으로써, 열교환기에 대하여 보다 많은 건조공기를 흐르게 할 수 있고, 열교환기 내부의 습도를 신속하게 저하시킬 수 있으므로, 열교환기에 따른 녹의 발생을 억제할 수 있다.또한 일반적으로 가스터빈의 냉각공기시스템에 열교환기를 설치하는 경우, 열교환기는 냉각공기시스템의 배관의 전장 중 반 정도의 위치에 설치되는 경우가 많다. 이 경우 본 발명의 가스터빈 발전설비에 의하면 건조공기시스템은 냉각공기시스템의 배관의 전장 중 터빈 측과 가까운 위치에 접속되므로, 냉각공기시스템의 배관의 전장 중 큰 비율을 점하는 접속점에서 압축기 측의 배관에 효과적으로 건조공기를 보낼 수 있다. 따라서 냉각공기시스템에 따른 배관 내면의 녹의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 의하면 가스터빈의 냉각공기시스템에 따른 배관 내면의 녹의 발생을 억제할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명의 실시형태에 관한 가스터빈 발전설비의 개략 구성도이다.도 2는 본 발명의 실시형태에 관한 가스터빈 발전설비에 따른 가스터빈의 구성도이다.도 3은 본 발명의 실시형태에 관한 가스터빈 발전설비에 따른 냉각공기시스템의 구성도이다.도 4는 본 발명의 실시형태에 관한 가스터빈 발전설비에 따른 냉각공기시스템의 다른 예의 구성도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하에 본 발명에 관한 실시형태를 도면에 의거하여 상세하게 설명한다. 또한 이 실시형태에 의해 이 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한 하기 실시형태에 따른 구성요소에는 당업자가 치환 가능 및 용이한 것, 혹은 실질적으로 동일한 것이 포함된다.도 1은 본 실시형태에 관한 가스터빈 발전설비의 개략 구성도이고, 도 2는 본 실시형태에 관한 가스터빈 발전설비에 따른 가스터빈의 구성도이며, 도 3은 본 실시형태에 관한 가스터빈 발전설비에 따른 냉각공기시스템의 구성도이다. 또한 도 4는 본 실시형태에 관한 가스터빈 발전설비에 따른 냉각공기시스템의 다른 예의 구성도이다.도 1에 나타낸 바와 같이 가스터빈 발전설비(1)는 발전기(100)와, 가스터빈(200)과, 냉각공기시스템(300)과, 건조공기시스템(400)을 가진다.발전기(100)는 구동축(101)이 후술하는 가스터빈(200)의 터빈축(204)에 접속되고, 터빈축(204)의 회전동력이 부여됨으로써 발전을 행한다. 또한 발전기(100)는 가스터빈(200)의 기동 시에 터빈축(204)에 회전동력을 부여하는 기동용 전동기로서도 이용된다.가스터빈(200)은 압축기(201)와 연소기(202)와 터빈(203)을 구비하고 있다. 이 가스터빈(200)은 압축기(201), 연소기(202) 및 터빈(203)의 중심부에 터빈축(204)이 관통하여 배치되어 있다. 압축기(201), 연소기(202) 및 터빈(203)은 터빈축(204)의 축심(R)을 따라 공기의 흐름의 전측에서 후측을 향하여 순서대로 병설되어 있다. 또한 이하의 설명에서 터빈축방향이란 축심(R)에 평행한 방향을 말하고, 터빈원주방향이란 축심(R)을 중심으로 한 둘레방향을 말한다.압축기(201)는 공기를 압축하여 압축공기로 하는 것이다. 도 2에 나타낸 바와 같이 압축기(201)는 공기를 주입하는 공기취입구(211)를 가진 압축기케이싱(212) 내에 압축기 고정날개(213) 및 압축기 운동날개(214)가 설치되어 있다. 압축기 고정날개(213)는 압축기케이싱(212) 측에 설치되어 터빈원주방향으로 여러 개 병설되어 있다. 또한 압축기 운동날개(214)는 터빈축(204) 측에 설치되어 터빈원주방향으로 여러 개 병설되어 있다. 이들 압축기 고정날개(213)와 압축기 운동날개(214)는 터빈축방향을 따라 번갈아 설치되어 있다.연소기(202)는 도 2에 나타낸 바와 같이 압축기(201)로 압축된 압축공기에 대하여 연료를 공급함으로써, 고온 및 고압의 연소가스를 생성하는 것이다. 연소기(202)는 연소통으로서, 압축공기와 연료를 혼합하여 연소시키는 내통(221)과, 내통(221)에서 연소가스를 터빈(203)으로 인도하는 미통(尾筒)(222)과, 내통(221)의 외주를 덮고 압축기(201)로부터의 압축공기를 내통(221)으로 인도하는 공기통로(225)를 이루는 외통(223)을 갖고 있다. 이 연소기(202)는 터빈차실을 이루는 연소기케이싱(224)에 대하여 터빈원주방향으로 여러 개(예를 들어 16개) 병설되어 있다.터빈(203)은 도 2에 나타낸 바와 같이 연소기(202)에서 연소된 연소가스에 의해 회전 동력을 발생하는 것이다. 터빈(203)은 터빈케이싱(231) 내에 터빈고정날개(232) 및 터빈운동날개(233)가 설치되어 있다. 터빈고정날개(232)는 터빈케이싱(231) 측에 설치되어 터빈원주방향으로 여러 개 병설되어 있다. 또한 터빈 운동날개(233)는 터빈축(204) 측에 설치되어 터빈원주방향으로 여러 개 병설되어 있다. 이들 터빈고정날개(232)와 터빈 운동날개(233)는 터빈축방향을 따라 번갈아 설치되어 있다. 또한 터빈케이싱(231)의 후측에는 터빈(203)에 연속하는 배기확산기(234a)를 가진 배기실(234)이 설치되어 있다.터빈축(204)은 압축기(201) 측 단부가 베어링부(241)에 의해 지지되고, 배기실(234) 측의 단부가 베어링부(242)에 의해 지지되며, 축심(R)을 중심으로 하여 회전 자재로 설치되어 있다. 그리고 터빈축(204)은 압축기(201) 측의 단부에 발전기(100)의 구동축(101)이 연결되어 있다.이와 같은 가스터빈(200)은 압축기(201)의 공기취입구(211)에서 주입된 공기가 여러 개의 압축기 고정날개(213)와 압축기 운동날개(214)를 통과하여 압축됨으로써 고온 및 고압의 압축공기가 된다. 이 압축공기에 대하여 연소기(202)에서 연료가 혼합되어 연소됨으로써 고온 및 고압의 연소가스가 생성된다. 그리고 이 연소가스가 터빈(203)의 터빈고정날개(232)와 터빈운동날개(233)를 통과함으로써 터빈축(204)이 회전 구동되고, 이 터빈축(204)과 연결된 발전기(100)에 회전 동력을 부여함으로써 발전을 행한다. 그리고 터빈축(204)을 회전 구동한 후의 배기가스는 배기실(234)의 배기확산기(234a)를 거쳐 배기가스로서 대기로 방출된다.냉각공기시스템(300)은 상술한 가스터빈(200)에 설치되고, 압축기(201)에서 추기한 압축공기를 터빈(203)으로 공급한다.냉각공기시스템(300)에 관한 구성에 대하여 설명한다. 도 3에 나타낸 바와 같이 상술한 가스터빈(200)에서 터빈축(204)은 중간축(250)에 여러 개의 터빈디스크(251) 등이 연결볼트(252)에 의해 일체로 연결되어 이루어지고, 각 베어링부(241), (242)에 의해 회전 자재로 지지되어 있다. 터빈운동날개(251)는 그 외주부에 터빈운동날개(233)가 설치되어 있다. 터빈운동날개(233)는 터빈디스크(251)의 외주 단부에 터빈원주방향을 따라 고정되는 여러 개의 날개뿌리부(233a)와, 각 날개뿌리부(233a)를 연결하는 플랫폼(233b)과, 플랫폼(233b)의 외주면에 원주방향으로 균등 간격으로 고정되는 여러 개의 운동날개부(233c)로 구성되어 있다.그리고 터빈축(204)의 외주변에 터빈원주방향을 따라 링형상을 이루는 중간축커버(253)가 장착되어 있고, 이 중간축커버(253)의 외주에서, 연소기케이싱(224) 내에서 여러 개의 연소기(202)의 외측에 터빈차실(254)이 구획되어 있다. 한편 연소기(202)는 미통(222)이 터빈(203)에서 터빈원주방향을 따라 환형상으로 형성된 연소가스통로(255)와 연통하고 있다. 연소가스통로(255)는 여러 개의 터빈고정날개(232) 및 여러 개의 터빈운동날개(233)(운동날개부(233c))가 터빈축방향을 따라 교대로 배치되어 있다.터빈축(204)은 터빈디스크(251)에 터빈축방향을 따라 설치되어 압축기(201) 측이 입구부로서 개구된 냉각공기 공급구멍(256)이 형성되어 있다. 냉각공기 공급구멍(256)은 터빈축방향을 따라 형성되어 있음과 동시에, 각 터빈디스크(251)를 개재하여 각 터빈운동날개(233)의 내부에 설치된 냉각구멍(도시하지 않음)을 통하고 있다. 그리고 냉각공기 공급구멍(256)의 입구부의 주변에서 중간축커버(253) 내에 터빈원주방향을 따라 링형상을 이루는 실링지지환(257)이 설치되어 있다. 실링지지환(257)은 그 외주면 측에서 터빈축방향의 각 단부를 중간축커버(253)의 내주부에 밀착하여 장착되고, 터빈축방향의 중앙에서 중간축커버(253) 사이에 터빈원주방향을 따라 공간부(262)가 구획되어 있다. 또한 실링지지환(257)은 그 내주면 측에서 실링지지환(257)의 내주면과 터빈축(204)의 외주면 사이의 틈새를 실링하는 여러 개의 실(258), (259), (260), (261)이 설치되어 있다. 그리고 중간축커버(253)와 실링지지환(257) 사이에 구획된 공간부(262)는 실링지지환(257)에 형성된 관통구멍(263)을 개재하여 냉각공기 공급구멍(256)의 입구부로 통하고 있다.연소기케이싱(224)에는 터빈차실(254)에 대하여 외부로 통하도록 냉각공기시스템(300)을 이루는 냉각공기배관(301)의 일단 측이 접속되어 있다. 구체적으로 냉각공기배관(301)의 일단 측에 도 1에 나타낸 바와 같이 한 개가 되고, 도 3에 나타낸 바와 같이 연소실케이싱(224)에 형성된 하나의 접속부(302)에 대하여 접속된다. 또한 냉각공기배관(301)은 도 1에 나타낸 바와 같이 그 타단 측이 여러 개(도 1에서는 4개)로 분기하여 형성되고, 각각이 연소기케이싱(224)을 관통하여 중간축커버(253)에 설치되고, 공간부(262)를 개재하여 냉각공기 공급구멍(256)에 대하여 통하고 있다. 또한 냉각공기배관(301)은 그 도중에 열교환기인 TCA쿨러(303)가 설치되어 있다. TCA쿨러(303)는 냉각공기배관(301)의 일단 측에 접속되는 입구헤더(303a)와 냉각공기배관(301)의 타단 측에 접속되는 출구헤더(303b)가 열교환부(303c)에 설치되고, 입구헤더(303a)에서 공급되는 압축공기를 열교환부(303c)에서 냉매와 열교환시켜 열교환 후의 압축공기를 출구헤더(303b)에서 배출한다. 일반적으로 이 TCA쿨러(303)는 도 1에 나타낸 바와 같이 가스터빈(200) 등이 수용되어 있는 가스터빈 발전설비(1)의 건물(1a)의 외부에 배치되어 있으므로, 냉각공기배관(301)은 건물(1a)의 외부로 인출되어 TCA쿨러(303)와 접속됨과 동시에 TCA쿨러(303)에서 재차 건물(1a)로 돌아가는 구성을 한다. 또한 도 1에 나타낸 바와 같이 냉각공기배관(301)은 그 도중에 TCA쿨러(303)보다도 타단 측에 필터(304)가 설치되어 있다.가스터빈(200)의 운전 시에는 가스터빈(200)의 압축기(201)로 압축된 압축공기가 터빈차실(254)에 공급된다. 이 압축공기가 터빈차실(254)에서 연소기(202)로 인도되고, 연소기(202)에서 고온 및 고압의 연소가스가 생성되며, 미통(222)을 거쳐 연소가스통로(255)로 흘러들어 터빈(203)으로 보내진다. 냉각공기시스템(300)은 압축기(201)의 출구에 통하는 터빈차실(254)로 공급된 압축공기의 일부가 냉각공기배관(301)의 일단 측에서 추기(抽氣)되고, 냉각공기배관(301)의 타단 측에서 공간부(262)를 거쳐 관통구멍(263)을 통하여 터빈(203) 측인 냉각공기 공급구멍(256)에 공급되고, 각 터빈운동날개(233)의 냉각구멍을 통과한다. 냉각공기배관(301)을 통과하는 압축공기는 TCA쿨러(303)에 의해 냉각되고, 또한 필터(304)에 의해 이물질이 제거되어 각 터빈운동날개(233)에 도달하고 각 터빈운동날개(233)를 냉각한다.이와 같이 냉각공기시스템(300)에서는, 냉각공기배관(301)은 불필요한 압력 손실을 발생하지 않도록 충분한 배관단면적을 가지고 형성되어 있다. 또한 일반적으로 가스터빈(200)의 냉각공기시스템(300)에서 냉각공기배관(301)의 일단 측이 접속되는 압축기(201) 측의 터빈차실(254)에서는 추기된 압축공기를 압력손실 없이 터빈 측으로 공급할 필요가 있다. 한편 냉각공기배관(301)의 타단 측이 접속되는 터빈(203) 측의 냉각공기 공급구멍(256)이나 터빈운동날개(233)의 냉각구멍은 냉각된 공기를 불필요하게 소비하여 가스터빈 성능을 저하시키게 되는 일이 없도록 실 부분 등에서 누출되는 공기량을 저감할 필요가 있다. 따라서 냉각공기배관(301)의 일단 측인 터빈차실(254)과, 냉각공기배관(301)의 타단 측인 냉각공기 공급구멍(256)이나 터빈운동날개(233)의 냉각구멍의 CdA값(유로의 유량계수(Cd)와 면적(A)의 곱)을 비교하면 터빈차실(254) 측이 크고 냉각공기 공급구멍(256)이나 터빈운동날개(233)의 냉각구멍 측이 작은 관계에 있다.그런데 상술한 냉각공기시스템(300)은 압축기(201)의 출구에서 압축공기를 추기하여 터빈(203) 측에 공급하는 것이지만, 기타 냉각공기시스템에 대해서도 본 발명을 적용할 수 있다. 도 4는 본 실시형태에 관한 가스터빈 발전설비의 다른 예의 개략 구성도이고, 냉각공기시스템의 다른 예를 나타내고 있다. 도 4에 나타낸 바와 같이 냉각공기시스템(500)은 압축기(201)의 중간단에서 압축공기를 추기하여 터빈(203) 측으로 공급한다.상술한 가스터빈(200)에서 도 2에 나타낸 바와 같이 압축기(201)는 압축기케이싱(212)에 따른 압축기고정날개(213)의 위치 외측에 압축기케이싱(212)의 내부에 연통함과 동시에 터빈원주방향을 따라 환형상으로 형성된 압축기추기실(215)이 설치되어 있다. 또한 터빈(203)은 연소기케이싱(224)에 따른 터빈고정날개(232)의 위치 외측에 터빈원주방향을 따라 환형상으로 형성된 터빈날개환 캐비티(235)가 설치되어 있다. 터빈날개환 캐비티(235)는 각 터빈고정날개(232)의 내부에 설치된 냉각구멍(도시하지 않음)에 통하고 있다.압축기추기실(215)에는 도 4에 나타낸 바와 같이 냉각공기시스템(500)을 이루는 냉각공기배관(501)의 일단 측이 접속되어 있다. 또한 냉각공기배관(501)은 그 타단 측이 터빈날개환 캐비티(235)에 접속되어 있다. 또한 냉각공기배관(501)은 그 도중에 열교환기인 TCA쿨러(503)가 설치되어 있다. TCA쿨러(503)는 냉각공기배관(501)의 일단 측에 접속되는 입구헤더(503a)와 냉각공기배관(501)의 타단 측에 접속되는 출구헤더(503b)가 열교환부(503c)에 설치되고, 입구헤더(503a)에서 공급되는 냉각대상과 열교환부(503c)에서 열교환을 행하고, 열교환 후의 냉각대상을 출구헤더(503b)에서 배출한다. 이 TCA쿨러(503)는 열교환 효율의 향상을 도모하기 위해 도 4에 나타낸 바와 같이 가스터빈(200) 등이 수용되어 있는 가스터빈 발전설비(1)의 건물(1a)의 외부에 배치되어 있고, 냉각공기배관(501)이 건물(1a)의 외부로 인출되어 TCA쿨러(503)에 접속되어 있다. 또한 도 4에 나타낸 바와 같이 냉각공기배관(501)은 그 도중에 TCA쿨러(503)보다도 타단 측에 필터(504)가 설치되어 있다. 이 필터(504)도 가스터빈 발전설비(1)의 건물(1a)의 외부에 배치되어 있다.따라서 냉각공기시스템(500)은 가스터빈(200)의 압축기(201)로 압축된 압축공기가 압축기추기실(215)에서 냉각공기배관(501)의 일단 측에서 추기되고, 냉각공기배관(501)의 타단 측에서 터빈날개환 캐비티(235)를 거쳐 각 터빈고정날개(232)의 냉각구멍을 통과한다. 냉각공기배관(501)을 통과하는 압축공기는 TCA쿨러(503)에 의해 냉각되고, 또한 필터(504)에 의해 압축기추기실(215)에서 반입되는 이물질이 제거되어 각 터빈고정날개(232)에 도달하여 각 터빈고정날개(232)를 냉각한다.이와 같이 냉각공기시스템(500)에서는, 냉각공기배관(501)은 불필요한 압력 손실을 발생하지 않도록 충분한 배관단면적을 가지고 형성되어 있다. 또한 일반적으로 가스터빈(200)의 냉각공기시스템(500)에서 냉각공기배관(501)의 일단 측이 접속되는 압축기(201) 측의 압축기추기실(215)에서는 추기된 압축공기를 압력손실 없이 터빈 측에 공급할 필요가 있다. 한편 냉각공기배관(501)의 타단 측이 접속되는 터빈(203) 측의 터빈고정날개(232)의 냉각구멍은 냉각된 공기를 불필요하게 소비하여 가스터빈 성능을 저하시키게 되는 일이 없도록 실 부분 등에서 누출되는 공기량을 저감할 필요가 있다. 따라서 냉각공기배관(501)의 일단 측인 압축기추기실(215)과, 냉각공기배관(501)의 타단 측인 터빈고정날개(232)의 냉각구멍의 CdA값(유로의 유량계수(Cd)와 면적(A)의 곱)을 비교하면 압축기추기실(215) 측이 크고 터빈고정날개(232)의 냉각구멍 측이 작은 관계에 있다.건조공기시스템(400)은 가스터빈 냉각공기시스템 건조장치로서, 냉각공기시스템(300), (500) 내에 건조공기를 공급하는 것이다. 건조공기시스템(400)은 도 1이나 도 4에 나타낸 바와 같이 건조공기 공급원(401)에 접속된 건조공기배관(402)이 냉각공기배관(301), (501)에 접속되어 있다. 건조공기 공급원(401)은 건조한 공기를 발생시키는 것이면 되고, 본 실시형태에서는 설비 내에 제어공기를 공급하는 제어공기 공급시스템에서 건조공기를 취득하고 있다. 제어공기 공급시스템은 발전설비에 배치된 공기작동밸브의 구동원으로서, 도에는 명시하지 않지만 공기를 압축기로 압축하고, 제습기로 제습하여 건조공기를 발생시킨다. 제어공기 공급시스템에서 건조공기는 공기조에 비축되고, 그곳에서 발전설비 내의 각처(예를 들어 건물(1a)이나 보일러설비나 물 처리설비)로 공급되고 각종 공기작동밸브의 구동에 이용된다.또한 건조공기시스템(400)은 도 1이나 도 4에 나타낸 바와 같이 건조공기배관(402)이 냉각공기시스템(300), (500)의 냉각공기배관(301), (501)에 대하여, 그 타단 측에 가까이에서 열교환기인 TCA쿨러(303), (503)보다도 터빈(203) 측에 접속되어 있는 것이 바람직하다. 또한 건조공기시스템(400)은 건조공기배관(402)이 냉각공기시스템(300), (500)의 냉각공기배관(301), (501)에 대하여, 그 타단 측에 가까이에서 필터(304), (504)보다도 터빈(203) 측에 접속되어 있는 것이 보다 바람직하다.건조공기시스템(400)은 건조공기배관(402)이 냉각공기배관(301), (501)에 접속되고, 필요에 따라 건조공기 공급원(401)에서 건조공기를 냉각공기시스템(300), (500)으로 공급 가능하게 구성되어 있다. 따라서 건조공기배관(402)은 개폐밸브가 설치되어 있다. 개폐밸브는 하나여도 되지만 안전을 위해 건조공기 공급원(401) 측에서 냉각공기시스템(300), (500)을 향하여 제1개폐밸브(403) 및 제2개폐밸브(404)를 갖는 것이 바람직하다. 각 개폐밸브(403), (404) 사이가 되는 건조공기배관(402)에는 외기에 개방된 블로배관(402a)이 접속되어 있다. 이 블로배관(402a)은 블로개폐밸브(405)에 의해 개폐된다.그리고 건조공기시스템(400)은 가스터빈(200)의 정지 시(주로 터빈정지 또는 터닝상태)에 이용된다. 즉, 가스터빈(200)의 정지 시 개폐밸브인 제1개폐밸브(403) 및 제2개폐밸브(404)를 개방 상태로 하고, 블로개폐밸브(405)를 폐쇄 상태로 한다. 그러면 건조공기 공급원(401)에서 건조공기가 건조공기배관(402)을 개재하여 냉각공기배관(301), (501)에 공급된다. 따라서 냉각공기시스템(300), (500) 내에 건조공기가 보내지고, 해당 냉각공기시스템(300), (500) 안이 건조된다. 이 결과 냉각공기시스템(300), (500)에 따른 냉각공기배관(301), (501)의 내면의 녹의 발생이 억제되게 된다. 또한 냉각공기시스템(300), (500)에 건조공기를 공급하는 타이밍으로는 가스터빈(200)의 정지 시부터 3일 경과했을 때에 행해져도 된다. 가스터빈(200)이 정지하여 3일 이상 경과하면 냉각공기배관(301), (501) 내의 공기온도가 이슬점 이하로 내려가고, 대기 중의 습분이 결로할 가능성이 높아지기 때문이다.또한 건조공기시스템(400)은 가스터빈(200)의 정지 시 또는 정지부터 3일 경과했을 때에 자동적으로 작동하도록 구성해도 된다. 이 경우 건조공기시스템(400)은 가스터빈(200)의 정지나 운전을 검출하고, 제1개폐밸브(403), 제2개폐밸브(404) 및 블로개폐밸브(405)를 제어하는 제어장치(406)를 가진다. 제어장치(406)는 가스터빈(200)의 정지를 검출하기 위해, 예를 들어 가스터빈(200)의 제어장치(도시하지 않음)에 접속된다. 또한 제어장치(406)는 제1개폐밸브(403), 제2개폐밸브(404) 및 블로개폐밸브(405)를 제어하기 위해 제1개폐밸브(403), 제2개폐밸브(404) 및 블로개폐밸브(405)에 접속된다. 그리고 제어장치(406)는 가스터빈(200)의 운전 중 제1개폐밸브(403), 제2개폐밸브(404) 및 블로개폐밸브(405)를 폐쇄 제어한다. 또한 제어장치(406)는 가스터빈(200)의 정지에서 블로개폐밸브(405)를 폐쇄 제어한 상태로 제1개폐밸브(403), 제2개폐밸브(404)의 순서로 개방 제어한다. 또한 제어장치(406)는 가스터빈(200)의 운전 중 제1개폐밸브(403) 및 제2개폐밸브(404)가 폐쇄 상태가 되지 않는 경우 블로개폐밸브(405)를 개방 제어한다.이와 같이 본 실시형태의 가스터빈 발전설비(1)는 발전기(100)에 접속되는 터빈(203), 터빈(203)에 연소가스를 공급하는 연소기(202) 및 연소기(202)에 압축공기를 공급하는 압축기(201)를 구비하는 가스터빈(200)과, 압축기(201)의 중간단 또는 출구에 일단 측이 접속되고 터빈(203)에 타단 측이 접속되어 압축기(201)에서 추기한 압축공기를 터빈(203)에 공급하는 냉각공기시스템(300), (500)과, 냉각공기시스템(300), (500)에 접속되어 가스터빈(200)의 정지 시에 냉각공기시스템(300), (500) 내에 건조공기를 공급하는 건조공기시스템(400)을 가진다.이 가스터빈 발전설비(1)에 의하면 가스터빈(200)의 정지 시, 건조공기가 냉각공기시스템(300), (500)에 공급됨으로써 해당 냉각공기시스템(300), (500) 안이 건조된다. 이 결과 냉각공기시스템(300), (500)에 따른 냉각공기배관(301), (501)의 내면의 녹의 발생을 억제할 수 있다.그런데 가스터빈(200)을 장기(예를 들어, 30일 이상) 정지한 경우에는 냉각공기시스템(300), (500)에 따른 냉각공기배관(301), (501)의 내면의 녹을 배출하는 목적으로 가스터빈(200)을 부하 없이 냉각공기시스템(300), (500)의 블로운전을 행하는 것이 고려되지만, 이 블로운전은 발전에 제공하지 않는 연료를 소모하게 된다. 본 실시형태의 가스터빈 발전설비(1)에 의하면 가스터빈(200)의 정지 시 건조공기가 냉각공기시스템(300), (500)에 공급됨으로써 해당 냉각공기시스템(300), (500) 안이 건조되어 녹의 발생이 억제되므로, 블로운전을 행하지 않아도 되게 되어 연료사용량을 저감할 수 있다.또한 본 실시형태의 가스터빈 발전설비(1)에서는 건조공기시스템(400)은 냉각공기시스템(300), (500)에 대하여 타단 측에 가깝게 접속되어 있다.냉각공기시스템(300)에서 냉각공기배관(301)의 일단 측인 냉각공기배관(301)과 연소기케이싱(224)의 접속부의 개구는 CdA값이 크고, 냉각공기배관(301)의 타단 측에 접속되는 터빈운동날개(233)의 냉각구멍 측의 CdA값이 작으므로, 건조공기는 냉각공기배관(301)의 일단 측인 연소기케이싱(224) 측을 향하여 많이 흐르게 된다. 또한 냉각공기시스템(500)에서 냉각공기배관(501)의 일단 측인 압축기추기실(215) 측의 CdA값이 크고, 냉각공기배관(501)의 타단 측에 접속되는 터빈고정날개(232)의 냉각구멍 측의 CdA값이 작으므로, 건조공기는 냉각공기배관(501)의 일단 측인 압축기추기실(215) 측을 향하여 많이 흐르게 된다. 따라서 본 실시형태의 가스터빈 발전설비(1)와 같이 건조공기시스템(400)을 냉각공기시스템(300), (500)에 대하여 타단 측에 가깝게(바람직하게는 냉각공기배관(301), (501)의 타단부) 접속함으로써, 냉각공기시스템(300), (500) 전체의 분위기를 효율 좋게 건조공기로 치환할 수 있고, 냉각공기시스템(300), (500)에 따른 냉각공기배관(301), (501)의 내면의 녹의 발생을 억제하는 효과를 현저하게 얻을 수 있다.또한 본 실시형태의 가스터빈 발전설비(1)에서는 냉각공기시스템(300), (500)은 그 도중에 압축공기를 냉각하는 TCA쿨러(열교환기)(303), (503)를 구비하고, 건조공기시스템(400)은 TCA쿨러(303), (503)보다도 터빈(203) 측에서 냉각공기시스템(300), (500)과 접속되어 있다.냉각공기시스템(300)에서 냉각공기배관(301)의 일단 측인 냉각공기배관(301)과 연소기케이싱(224)의 접속부의 개구는 CdA값이 크고, 냉각공기배관(301)의 타단 측에 접속되는 터빈운동날개(233)의 냉각구멍 측의 CdA값이 작으므로, 건조공기는 냉각공기배관(301)의 일단 측인 연소기케이싱(224) 측을 향하여 많이 흐르게 된다. 또한 냉각공기시스템(500)에서 냉각공기배관(501)의 일단 측인 압축기추기실(215) 측의 CdA값이 크고, 냉각공기배관(501)의 타단 측에 접속되는 터빈고정날개(232)의 냉각구멍 측의 CdA값이 작으므로, 건조공기는 냉각공기배관(501)의 일단 측인 압축기추기실(215) 측을 향하여 많이 흐르게 된다. 따라서 본 실시형태의 가스터빈 발전설비(1)와 같이 건조공기시스템(400)을 TCA쿨러(303), (503)보다도 터빈(203) 측에서 냉각공기시스템(300), (500)에 대하여 접속함으로써, 냉각공기시스템(300), (500) 전체의 분위기를 효율 좋게 건조공기로 치환할 수 있고, 냉각공기시스템(300), (500)에 따른 냉각공기배관(301), (501)의 내면의 녹의 발생을 억제하는 효과를 현저하게 얻을 수 있다. 게다가 이 가스터빈 발전설비(1)에 의하면 건조공기시스템(400)을 TCA쿨로(303), (503)보다도 터빈(203) 측에서 냉각공기시스템(300), (500)에 대하여 접속함으로써, TCA쿨러(303), (503)에 대하여 보다 많은 건조공기를 흐르게 할 수 있고, TCA쿨러(303), (503) 내부의 습도를 신속하게 저하시킬 수 있으므로, TCA쿨러(303), (503)에 따른 녹의 발생을 억제할 수 있다.또한 일반적으로 가스터빈(200)의 냉각공기배관(301), (501)에 TCA쿨러(303), (503)를 설치하는 경우, TCA쿨러(303), (503)는 냉각공기배관(301), (501)의 배관의 전장 중 반 정도의 위치에 설치되는 경우가 많다. 이 경우 본 실시형태의 가스터빈 발전설비(1)에 의하면 건조공기시스템(400)은 냉각공기배관(301), (501)의 배관의 전장 중 터빈(203) 측(타단 측)과 가까운 위치에 접속되므로, 냉각공기배관(301), (501)의 배관의 전장 중 큰 비율을 점하는 접속점에서 압축기(201) 측의 배관에 효과적으로 건조공기를 보낼 수 있다. 따라서 냉각공기배관(301), (501)에 따른 배관 내면의 녹의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.또한 본 실시형태의 가스터빈 발전설비(1)에서는 냉각공기시스템(300), (500)은 그 도중에 압축공기에서 이물질을 제거하는 필터(304), (504)를 구비하고, 건조공기시스템(400)은 필터(303), (504)보다도 터빈(203) 측에서 냉각공기시스템(300), (500)과 접속되어 있다.상술한 바와 같이 건조공기는 냉각공기배관(501)의 일단 측인 압축기추기실(215) 측을 향하여 많이 흐르게 된다. 따라서 본 실시형태의 가스터빈 발전설비(1)와 같이 건조공기시스템(400)을 필터(304), (504)보다도 터빈(203) 측에서 냉각공기시스템(300), (500)에 대하여 접속함으로써, 냉각공기시스템(300), (500) 전체에 대하여 보다 많은 건조공기를 흐르게 할 수 있고, 냉각공기시스템(300), (500)에 따른 냉각공기배관(301), (501)의 내면의 녹의 발생을 억제하는 효과를 현저하게 얻을 수 있다. 게다가 이 가스터빈 발전설비(1)에 의하면 필터(304), (504)에 대하여 보다 많은 건조공기를 흐르게 할 수 있고, 필터(304), (504)에 따른 녹의 발생을 억제할 수 있다.또한 본 실시형태의 가스터빈 발전설비(1)에서는, 건조공기시스템(400)은 설비 내에 제어공기를 공급하는 제어공기 공급시스템에서 건조공기를 취득한다.제어공기 공급시스템은 설비에 배치된 공기작동밸브의 구동원으로서 제습된 건조공기를 발생한다. 이 제어공기 공급시스템은 가스터빈(200)의 정지 시에 건조공기의 수요가 적으므로 이 건조공기를 건조공기시스템(400)으로 이용함으로써, 새로운 건조공기 공급원을 준비하는 일 없이 설비 내에서 이용되고 있는 건조공기를 유효하게 이용할 수 있다. [ 부호의 설명 ] 1 가스터빈 발전설비100 발전기200 가스 터빈201 압축기203 터빈300, 500 냉각공기시스템301, 501 냉각공기배관303, 503 TCA쿨러(열교환기)400 건조공기시스템	가스터빈의 냉각공기시스템에 따른 배관 내면의 녹의 발생을 억제하는 것. 즉, 발전기(100)에 접속되는 터빈(203), 터빈(203)에 연소가스를 공급하는 연소기(202) 및 연소기(202)에 압축공기를 공급하는 압축기(201)를 구비하는 가스터빈(200)과, 압축기(201)의 중간단 또는 출구에 일단 측이 접속되고 터빈(203)에 타단 측이 접속되어 압축기(201)에서 추기한 압축공기를 터빈(203)에 공급하는 냉각공기시스템(300)과, 냉각공기시스템(300)에 접속되어 가스터빈(200)의 정지 시에 냉각공기시스템(300) 내에 건조공기를 공급하는 건조공기시스템(400)을 가진다.
[ 발명의 명칭 ] 무선 도킹에서 주변 기능 프로토콜들로서 WI―GIG 버스 익스텐션 및 WI―GIG 디스플레이 익스텐션을 지원하기 위한 기술들TECHNIQUES FOR SUPPORTING WI―GIG BUS EXTENSION AND WI―GIG DISPLAY EXTENSION AS PERIPHERAL FUNCTION PROTOCOLS IN WIRELESS DOCKING [ 기술분야 ] [0001] 본 특허 출원은 "Techniques for Supporting Wi-Gig Bus Extension and Wi-Gig Display Extension as Peripheral Function Protocols in Wireless Docking"라는 명칭으로, Xiaolong Huang에 의해 2014년 12월 11일에 출원된 미국 특허 출원 제 14/567,444 호; 및 "Techniques for Supporting Wi-Gig Bus Extension and Wi-Gig Display Extension as Peripheral Function Protocols in Wireless Docking"라는 명칭으로, Xiaolong Huang에 의해 2013년 12월 17일에 출원된 미국 가특허 출원 제 61/917,330 호를 우선권으로 청구하며, 이들 각각은 본 출원의 양수인에게 양도되었다. [ 배경기술 ] [0002] 다음의 설명은 일반적으로 무선 통신에 관한 것으로, 더 구체적으로, 전자 디바이스들에 대한 무선 도킹 센터들에 관한 것이다. [0003] 도킹 센터들, 무선 도킹 스테이션들, 도킹 스테이션들 또는 도크들로 또한 지칭되는 무선 도킹 센터들은 모니터들, 키보드들, 마우스들, 프린터들, 스캐너들, 카메라들 등을 포함하는 다양한 주변 디바이스들에 무선 디바이스들을 무선으로 접속하는데 사용될 수 있다. 무선 도킹 센터들은 컴퓨터들(예를 들면, 랩톱 컴퓨터들, 넷북 컴퓨터들, 태블릿 컴퓨터들), 셀룰러 폰들(스마트폰들을 포함함), PDA들(personal digital assistants), 인터넷 어플라이언스들, 게임 콘솔들, e-판독기들 등과 같은 무선 디바이스들(또는 무선 도키들)에 의해 사용될 수 있다.[0004] 몇몇 경우들에서, 무선 도킹 센터는 무선 도킹 센터에 공지된 다수의 PFP들(peripheral function protocols)을 사용하여 주변기기들과 통신할 수 있다. [ 발명의 개요 ] [0005] 설명된 특징들은 일반적으로 WDC(wireless docking center)와 무선 디바이스(예를 들면, 무선 도키(dockee) 또는 모바일 디바이스) 사이의 무선 통신을 위한 하나 이상의 개선된 방법들, 시스템들 및/또는 장치들에 관한 것이다. 더 상세하게는, 설명된 특징들은 무선 도킹에서 PFP(peripheral function protocol)로서 WBE(Wi-Gig Bus Extension) 및 PFP로서 WDE(Wi-Gig Display Extension)을 지원하기 위한 기술에 관한 것이다.[0006] 제 1 세트의 예시적인 실시예들에서, 무선 통신 방법이 설명된다. 일 구성에서, 상기 방법은 WDC(Wi-Fi docking center)에 의해 지원되는 하나 이상의 PFP들(peripheral function protocols)에 관한 요청을, WDC에서, 수신하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 방법은 또한 WDC가 적어도 PFP로서 WBE(Wi-Gig Bus Extension)를 지원하는지 또는 PFP로서 WDE(Wi-Gig Display Extension)를 지원하는지, 또는 이들의 조합을 지원하는지를 표시하는 응답 메시지를 송신하는 단계를 포함할 수 있다.[0007] 일부 실시예들에서, 응답 메시지는 데이터 타입 필드를 포함할 수 있다. 데이터 타입 필드는 WDC에 의해 지원되는 PFP를 나타내는 값을 포함할 수 있다. 데이터 타입 필드의 값은, WDC가 PFP로서 WBE를 지원한다는 표시를 포함할 수 있고, 및/또는 데이터 타입 필드의 값은, WDC가 PFP로서 WDE를 지원한다는 표시를 포함할 수 있다.[0008] 일부 예들에서, 응답 메시지는 간단한 정보 엘리먼트 또는 상세한 정보 엘리먼트를 포함할 수 있다. 간단한 정보 엘리먼트는 WDC에 의해 지원되는 PFP들의 리스트를 포함할 수 있다. 상세한 정보 엘리먼트는 WDC에 의해 지원되는 PFP들의 리스트 및 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 관한 부가적인 정보를 포함할 수 있다.[0009] 응답 메시지에 포함될 때, 상세한 정보 엘리먼트는 발견 정보 서브엘리먼트를 포함할 수 있다. 발견 정보 서브엘리먼트는 서비스 정보 엘리먼트 및 네트워크 역할 정보 엘리먼트를 포함할 수 있다. 일부 경우들에서 상기 방법은 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP가 WFDS(Wi-Fi direct services) ASP(application services platform)를 사용하여 전개되는지를 결정하는 단계를 포함할 수 있다. WDC에 의해 지원되는 특정 PFP가 WFDS ASP를 사용하여 전개되지 않는다고 결정할 때, 서비스 정보 엘리먼트의 값은 널(null) 값으로 설정될 수 있다. WDC에 의해 지원되는 특정 PFP가 WFDS ASP를 사용하여 전개된다고 결정할 때, 서비스 정보 엘리먼트의 값은 비-널 값으로 설정될 수 있다. 비-널 값은 WFDS ASP의 서비스 정보 속성과 동일한 값일 수 있다. 일부 경우들에서, 발견 정보 서브엘리먼트는 광고 식별 정보 엘리먼트 및 서비스 네임 정보 엘리먼트를 더 포함할 수 있고, WDC에 의해 지원되는 특정 PFP가 WFDS ASP를 사용하여 전개된다고 결정할 때, 광고 식별 정보 엘리먼트의 값은 특정 PFP의 WFDS 광고 식별로 설정될 수 있고, 서비스 네임 정보 엘리먼트의 값은 WFDS ASP의 풀 서비스 네임으로 설정될 수 있다. [0010] 응답 메시지가 네트워크 역할 정보 엘리먼트를 포함할 때, WDC가 특정 PFP를 제공하는 피어-투-피어 세션의 그룹 소유자의 네트워크 역할을 추정하려고 의도할 때, 네트워크 역할 정보 엘리먼트는 제 1 값으로 설정될 수 있고, WDC가 특정 PFP를 제공하는 피어-투-피어 세션에서 클라이언트의 네트워크 역할을 추정하려고 의도할 때, 제 2 값으로 설정될 수 있다. [0011] 제 2 세트의 예시적인 실시예들에서, 무선 통신 장치가 설명된다. 일 구성에서, 상기 장치는 WDC에 의해 지원되는 하나 이상의 PFP들에 관한 요청을, WDC에서, 수신하기 위한 수단을 포함할 수 있다. 상기 장치는 또한 WDC가 적어도 PFP로서 WBE를 지원하는지 또는 PFP로서 WDE를 지원하는지, 또는 이들의 조합을 지원하는지를 표시하는 응답 메시지를 송신하기 위한 수단을 포함할 수 있다. 특정 예들에서, 상기 장치는 제 1 세트의 예시적인 실시예들에 관련하여 앞서 설명된 무선 통신 방법의 하나 이상의 양상들을 구현하기 위한 수단을 더 포함할 수 있다. [0012] 제 3 세트의 예시적인 실시예들에서, 다른 무선 통신 장치가 설명된다. 일 구성에서, 상기 장치는 프로세서, 프로세서와 전자 통신하는 메모리, 및 메모리에 저장된 명령들을 포함할 수 있다. 명령들은 WDC에 의해 지원되는 하나 이상의 PFP들에 관한 요청을, WDC에서, 수신하도록 프로세서에 의해 실행 가능할 수 있다. 명령들은 또한 WDC가 적어도 PFP로서 WBE를 지원하는지 또는 PFP로서 WDE를 지원하는지, 또는 이들의 조합을 지원하는지를 표시하는 응답 메시지를 송신하도록 프로세서에 의해 실행 가능할 수 있다. 특정 예들에서, 명령들은 또한 제 1 세트의 예시적인 실시예들에 관련하여 앞서 설명된 무선 통신 방법의 하나 이상의 양상들을 구현하도록 프로세서에 의해 실행 가능할 수 있다. [0013] 제 4 세트의 예시적인 실시예들에서, 무선 통신을 위한 컴퓨터 프로그램 물건이 설명된다. 일 구성에서, 컴퓨터 프로그램 물건은, WDC에 의해 지원되는 하나 이상의 PFP들에 관한 요청을, WDC에서, 수신하도록 프로세서에 의해 실행 가능한 명령들을 저장한 비일시적인 컴퓨터-판독 가능 매체를 포함할 수 있다. 명령들은 또한 WDC가 적어도 PFP로서 WBE를 지원하는지 또는 PFP로서 WDE를 지원하는지, 또는 이들의 조합을 지원하는지를 표시하는 응답 메시지를 송신하도록 프로세서에 의해 실행 가능할 수 있다. 특정 예들에서, 명령들은 또한 제 1 세트의 예시적인 실시예들에 관련하여 앞서 설명된 무선 통신 방법의 하나 이상의 양상들을 구현하도록 프로세서에 의해 실행 가능할 수 있다. [0014] 제 5 세트의 예시적인 실시예들에서, 다른 무선 통신 방법이 설명된다. 일 구성에서, 상기 방법은 WDC에 의해 지원되는 하나 이상의 PFP들에 관한 요청을 WDC로 송신하는 단계, 및 응답 메시지를 WDC로부터 수신하는 단계를 포함할 수 있다. 요청은 제 1 P2P(peer-to-peer) 접속을 사용하여 송신될 수 있다. 응답 메시지는 WDC가 적어도 PFP로서 WBE를 지원하는지 또는 PFP로서 WDE를 지원하는지, 또는 이들의 조합을 지원하는지를 표시할 수 있다. [0015] 일부 예들에서, 상기 방법은 응답 메시지에 적어도 부분적으로 기초하여 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP를 선택하는 단계, 및 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 접속하는 단계를 포함할 수 있다.[0016] 일부 실시예들에서, 응답 메시지는 네트워크 역할 정보 엘리먼트를 포함할 수 있다. 이들 실시예들에서, 상기 방법은 네트워크 역할 정보 엘리먼트의 값을 식별하는 단계 ― 값은 제 1 P2P 접속을 위해 WDC에 의해 추정될 네트워크 역할을 표시함 ― , 및 네트워크 역할 정보 엘리먼트의 값과 무선 디바이스에 의해 추정된 현재 네트워크 역할의 값을 비교하는 단계를 포함할 수 있다. 네트워크 역할 정보 엘리먼트의 값이 무선 디바이스에 의해 추정된 현재 네트워크 역할의 값과 매칭할 때, 상기 방법은 제 1 P2P 접속으로부터 접속해제하는 단계, 및 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 접속하기 위해 제 2 P2P 접속을 설정하는 단계를 포함할 수 있다. 네트워크 역할 정보 엘리먼트의 값이 무선 디바이스에 의해 추정된 현재 네트워크 역할의 값과 상이할 때, 상기 방법은 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 접속하기 위해 제 1 P2P 접속을 사용하는 단계를 포함할 수 있다.[0017] 제 6 세트의 예시적인 실시예들에서, 다른 무선 통신 장치가 설명된다. 일 구성에서, 상기 장치는 WDC에 의해 지원되는 하나 이상의 PFP들에 관한 요청을 WDC로 송신하기 위한 수단, 및 응답 메시지를 WDC로부터 수신하기 위한 수단을 포함할 수 있다. 요청은 제 1 P2P(peer-to-peer) 접속을 사용하여 송신될 수 있다. 응답 메시지는 WDC가 적어도 PFP로서 WBE를 지원하는지 또는 PFP로서 WDE를 지원하는지, 또는 이들의 조합을 지원하는지를 표시할 수 있다. 특정 예들에서, 상기 장치는 제 5 세트의 예시적인 실시예들에 관련하여 앞서 설명된 무선 통신 방법의 하나 이상의 양상들을 구현하기 위한 수단을 더 포함할 수 있다. [0018] 제 7 세트의 예시적인 실시예들에서, 다른 무선 통신 장치가 설명된다. 상기 장치는 프로세서, 프로세서와 전자 통신하는 메모리, 및 메모리에 저장된 명령들을 포함할 수 있다. 명령들은 WDC에 의해 지원되는 하나 이상의 PFP들에 관한 요청을 WDC로 송신하고, 응답 메시지를 WDC로부터 수신하도록 프로세서에 의해 실행 가능할 수 있다. 요청은 제 1 P2P 접속을 사용하여 송신될 수 있다. 응답 메시지는 WDC가 적어도 PFP로서 WBE를 지원하는지 또는 PFP로서 WDE를 지원하는지, 또는 이들의 조합을 지원하는지를 표시할 수 있다. 특정 예들에서, 명령들은 또한 제 5 세트의 예시적인 실시예들에 관련하여 앞서 설명된 무선 통신 방법의 하나 이상의 양상들을 구현하도록 프로세서에 의해 실행 가능할 수 있다. [0019] 제 8 세트의 예시적인 실시예들에서, 무선 통신을 위한 다른 컴퓨터 프로그램 물건이 설명된다. 컴퓨터 프로그램 물건은 WDC에 의해 지원되는 하나 이상의 PFP들에 관한 요청을 WDC로 송신하고, 응답 메시지를 WDC로부터 수신하도록 프로세서에 의해 실행 가능한 명령들을 저장한 비일시적인 컴퓨터-판독 가능 매체를 포함할 수 있다. 요청은 제 1 P2P 접속을 사용하여 송신될 수 있다. 응답 메시지는 WDC가 적어도 PFP로서 WBE를 지원하는지 또는 PFP로서 WDE를 지원하는지, 또는 이들의 조합을 지원하는지를 표시할 수 있다. 특정 예들에서, 명령들은 또한 제 5 세트의 예시적인 실시예들에 관련하여 앞서 설명된 무선 통신 방법의 하나 이상의 양상들을 구현하도록 프로세서에 의해 실행 가능할 수 있다. [0020] 설명된 방법들 및 장치들의 적용가능성의 추가 범위는 다음 상세한 설명, 청구항들, 및 도면들로부터 명백하게 될 것이다. 상세한 설명 및 특정 예들은 단지 예시에 의해 제공되는데, 그 이유는 설명의 범위 내에서 다양한 변화들 및 수정들이 당업자들에게 명백하게 될 것이기 때문이다. [ 도면의 간단한 설명 ] [0021] 본 개시의 성질 및 장점들의 추가 이해는 다음 도면들을 참조하여 실현될 수 있다. 첨부된 도면들에서, 유사한 컴포넌트들 또는 특징들은 동일한 참조 라벨을 가질 수 있다. 추가로, 동일한 타입의 다양한 컴포넌트들은 참조 라벨과 이에 후속하는 대시(dash) 및 제 2 라벨에 의해 구별될 수 있으며, 제 2 라벨은 유사한 컴포넌트들 사이를 구별한다. 만일 단지 제 1 참조 라벨만이 명세서에서 사용되면, 설명은 제 2 참조 라벨과 관계 없이 동일한 제 1 참조 라벨을 가진 유사한 컴포넌트들 중 임의의 하나에 적용 가능하다.[0022] 도 1은 본 개시의 다양한 양상들에 따른 무선 통신 시스템의 블록도를 도시한다. [0023] 도 2는 본 개시의 다양한 양상들에 따른 무선 통신 장치의 블록도를 도시한다.[0024] 도 3은 본 개시의 다양한 양상들에 따른 무선 통신 장치(예를 들면, WDC)의 블록도를 도시한다. [0025] 도 4는 본 개시의 다양한 양상들에 따른 무선 통신 장치(예를 들면, WDC)의 블록도를 도시한다.[0026] 도 5는 본 개시의 다양한 양상들에 따른 무선 통신 장치(예를 들면, 무선 도키)의 블록도를 도시한다. [0027] 도 6은 본 개시의 다양한 양상들에 따른 무선 통신 장치(예를 들면, 무선 도키)의 블록도를 도시한다. [0028] 도 7은 본 개시의 다양한 양상들에 따른 무선 통신 시스템의 블록도를 도시한다. [0029] 도 8은 본 개시의 다양한 양상들에 따른, 무선 통신을 위해 구성된 무선 디바이스(예를 들면, 모바일 디바이스)의 블록도를 도시한다.[0030] 도 9a는 본 개시의 다양한 양상들에 따른 응답 메시지의 예의 블록도를 도시하고, 응답 메시지는 WDC에 의해 지원되는 하나 이상의 PFP들에 관한 요청을 WDC로 송신한 무선 디바이스로 WDC에 의해 송신될 수 있다. [0031] 도 9b는 본 개시의 다양한 양상들에 따른 응답 메시지의 예의 블록도를 도시하고, 응답 메시지는 WDC에 의해 지원되는 하나 이상의 PFP들에 관한 요청을 WDC로 송신한 무선 디바이스로 WDC에 의해 송신될 수 있다. [0032] 도 10은 본 개시의 다양한 양상들에 따른, WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 무선 디바이스를 접속할 목적으로 WDC와 무선 디바이스 사이의 무선 통신을 도시한 메시지 흐름도이다.[0033] 도 11은 본 개시의 다양한 양상들에 따른 (예를 들면, WDC에 의한) 무선 통신 방법의 예를 예시한 흐름도이다.[0034] 도 12는 본 개시의 다양한 양상들에 따른 (예를 들면, WDC에 의한) 무선 통신 방법의 예를 예시한 흐름도이다.[0035] 도 13은 본 개시의 다양한 양상들에 따른 (예를 들면, 무선 도키에 의한) 무선 통신 방법의 예를 예시한 흐름도이다.[0036] 도 14는 본 개시의 다양한 양상들에 따른 (예를 들면, 무선 도키에 의한) 무선 통신 방법의 예를 예시한 흐름도이다.[0037] 도 15는 본 개시의 다양한 양상들에 따른 (예를 들면, 무선 도키에 의한) 무선 통신 방법의 예를 예시한 흐름도이다.[0038] 도 16은 본 개시의 다양한 양상들에 따른 (예를 들면, 무선 도키에 의한) 무선 통신 방법의 예를 예시한 흐름도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] [0039] 무선 도킹(예를 들면, WLAN 네트워크 또는 Wi-Fi 네트워크를 통한 무선 도킹)에서 PFP로서 WBE 및 PFP로서 WDE를 지원하기 위한 방법들, 시스템들 및 장치들이 설명된다. WBE 및 WDE는 이전에 무선 도킹에서 지원되지 않았지만, WBE 또는 WDE를 사용하는 주변 디바이스들과 무선 디바이스들(예를 들면, 무선 도키들 또는 모바일 디바이스들) 사이의 무선 통신을 지원하는데 유용할 수 있다. [0040] WLAN 네트워크 또는 Wi-Fi 네트워크는, 예를 들어, 다양한 IEEE 802.11 표준들(예를 들어, IEEE 802.11a/g, 802.11n, 802.11ac, 802.11ad, 802.11ah 등)에서 설명되는 프로토콜들에 기초하는 네트워크를 지칭할 수 있다. 그러나, 동일하거나 또는 유사한 기법들은 또한, 다른 타입의 무선 네트워크(예를 들어, 셀룰러 네트워크)과 관련하여 사용될 수 있다. 예를 들어, 동일하거나 또는 유사한 기법들은 셀룰러 네트워크들, 피어-투-피어(P2P) 네트워크들, 애드 혹 네트워크들, 위성 통신 네트워크들 및 다른 네트워크들과 관련하여 사용될 수 있다. "시스템" 및 "네트워크"라는 용어들은 본 명세서에서 종종 상호 교환가능하게 사용된다. 이 무선 통신들 시스템들은 CDMA(Code Division Multiple Access), TDMA(Time Division Multiple Access), FDMA(Frequency Division Multiple Access), OFDMA(Orthogonal FDMA), SC-FDMA(Single-Carrier FDMA) 및/또는 다른 라디오 기술들과 같은 다양한 라디오 통신 기술들을 이용할 수 있다. 일반적으로, 무선 통신들은 RAT(Radio Access Technology)라 칭해지는 적어도 하나의 라디오 통신 기술들의 표준화된 구현에 따라 수행된다. 라디오 액세스 기술을 구현하는 무선 통신 시스템 또는 네트워크는 RAN(Radio Access Network)이라 칭해질 수 있다.[0041] CDMA 기법들을 이용하는 라디오 액세스 기술들의 예들은 CDMA2000, UTRA(Universal Terrestrial Radio Access) 등을 포함한다. CDMA2000은 IS-2000, IS-95 및 IS-856 표준들을 커버한다. IS-2000 릴리즈들 0 및 A는 통상적으로 CDMA2000 1X, 1X 등으로 지칭된다. IS-856(TIA-856)은 통상적으로 CDMA2000 1xEV-DO, HRPD(High Rate Packet Data) 등으로 지칭된다. UTRA는 WCDMA(Wideband CDMA) 및 CDMA의 다른 변형들을 포함한다. TDMA 시스템들의 예들은 GSM(Global System for Mobile Communications)의 다양한 구현들을 포함한다. OFDM 및/또는 OFDMA를 이용하는 라디오 액세스 기술들의 예들은 UMB(Ultra Mobile Broadband), E-UTRA(Evolved UTRA), Wi-Fi, IEEE 802.16(WiMAX), IEEE 802.20, Flash-OFDM 등을 포함한다. UTRA 및 E-UTRA는 UMTS(Universal Mobile Telecommunication System)의 부분이다. 3GPP LTE(Long Term Evolution) 및 LTE-A(LTE-Advanced)는, E-UTRA를 사용하는 UMTS의 새로운 릴리즈들이다. UTRA, E-UTRA, UMTS, LTE, LTE-A 및 GSM은 "3GPP(3rd Generation Partnership Project)"로 명명되는 기구로부터의 문서들에서 설명된다. CDMA2000 및 UMB는 "3GPP2(3rd Generation Partnership Project 2)"로 명명되는 기구로부터의 문서들에서 설명된다. 본원에서 설명된 기법들은, 위에서 언급된 시스템들 및 라디오 기술들뿐만 아니라 다른 시스템들 및 라디오 기술들에 대해 사용될 수 있다.[0042] 다음의 설명은 예들을 제공하며, 청구항들에 기술된 범위, 적용가능성 또는 구성을 제한하지 않는다. 본 개시의 범위로부터 벗어나지 않고도 논의되는 엘리먼트들의 기능 및 배열이 변경될 수 있다. 다양한 실시예들은 다양한 프로시저들 또는 컴포넌트들을 적절하게 생략, 대체 또는 추가할 수 있다. 예를 들어, 설명되는 방법들은 설명된 것과 상이한 순서로 수행될 수 있으며, 다양한 단계들이 추가, 생략 또는 결합될 수 있다. 또한, 특정 실시예들에 대해 설명되는 특징들은 다른 실시예들에서 결합될 수 있다.[0043] 먼저 도 1을 참조하면, 블록도는 본 개시의 다양한 양상들에 따른 무선 통신 시스템(100)을 예시한다. 무선 통신 시스템(100)은 무선 도킹 센터(WDC)(105), 주변 디바이스들(110)(예를 들면, 주변 디바이스 A(110-a), 주변 디바이스 B(110-b), 주변 디바이스 C(110-c) 및/또는 임베딩된 주변 디바이스 D(110-d)) 및 무선 디바이스(115)(예를 들면, 무선 도키 또는 모바일 디바이스)를 포함할 수 있다. 주변 디바이스들(110)은, 각각이 적어도 하나의 주변 기능(예를 들면, 주변 기능 A(120-a-1), 주변 기능 B(120-a-2), 주변 기능 C(120-a-3), 주변 기능 D(120-a-4) 또는 주변 기능 E(120-a-5))을 제공하는 전자 디바이스들일 수 있다. 예를 들어, 주변 디바이스(110-a)는 그래픽 사용자 인터페이스 상에서 포인터를 제어하는 주변 기능을 갖는 마우스일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 주변 디바이스(110-b)는 사용자 입력의 주변 기능을 갖는 키보드이다. 주변 디바이스(110-c)는, 예를 들어, 인쇄 및 스캐닝의 주변 기능을 갖는 멀티-기능 프린터일 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, WDC(105)는 주변 디바이스(110-d)와 같은 임베딩된 주변기기들을 포함할 수 있다. 주변 디바이스들(110)의 전부 또는 그 일부는 WDC(105)에 연결되고 그리고/또는 이와 통신할 수 있다.[0044] 무선 디바이스(115)는, 예를 들어, Wi-Fi 네트워크를 통해 WDC(105)에 무선으로 연결할 수 있다. 무선 디바이스(115)는 WDC(105)를 통해 이용가능한 주변 기능들에 기초하여 WDC(105)를 찾거나 또는 이에 연결할 수 있다. 따라서, WDC(105)는 주변 기능들, 및 이에 따라, 이용가능한 주변 디바이스들을 WDC(105)를 통해 무선 디바이스(115)에 광고할 수 있다. 일단 WDC(105)에 연결(예를 들어, 도킹)되면, 무선 디바이스(115)는 WDC(105)을 통해 이용가능한 주변 기능들을 이용할 수 있다.[0045] 무선 도킹 스테이션(105)은 또한 다양한 PFP들을 지원할 수 있다. 예를 들어, 무선 도킹 스테이션(105)은 미라캐스트(130), Wi-Fi USB(universal serial bus)(125), IEEE 802.11ad(WBE(135) 및/또는 WDE(140)를 비롯하여, "Wi-Gig"), UPnP(Universal Plug and Play) 및/또는 WFDS ASP(Wi-Fi Direct Services Application Service Platform)를 지원할 수 있다. 일부 경우들에서, 무선 디바이스(115)는 WDC(105)에 접속(또는 도킹)하고, 디바이스 WDC(105)를 통해 이용 가능한 주변 기능을 사용하기 위해 WDC(105)의 지원되는 PFP를 사용할 수 있다. 다른 경우들에서, 무선 디바이스(115)는 또한 WDC(105)(예를 들면, WBE(135) 및/또는 WDE(140))에 의해 지원되는 PFP를 발견하고 이에 접속하여, 차례로 WDC(105)를 통해 이용 가능한 주변 기능에 접속할 수 있다. [0046] 도 2는 본 개시의 다양한 양상들에 따른 무선 통신 장치(205)의 블록도(200)를 도시한다. 일부 실시예들에서, 장치(205)는 도 1을 참조하여 설명된 WDC(105) 또는 무선 디바이스(115)의 적어도 하나의 양상의 예일 수 있다. 장치(205)는 또한 프로세서일 수 있다. 장치(205)는 수신기 모듈(210), 무선 통신 관리 모듈(215) 및/또는 송신기 모듈(220)을 포함할 수 있다. 이들 컴포넌트들 각각은 서로 통신할 수 있다.[0047] 장치(205)의 컴포넌트들은 하드웨어에서 적용가능한 기능들의 전부 또는 그 일부를 수행하도록 적응되는 적어도 하나의 주문형 집적 회로(ASIC)를 사용하여 개별적으로 또는 집합적으로 구현될 수 있다. 대안적으로, 기능들은 집적 회로들 상의 다른 프로세싱 유닛들(또는 코어들)에 의해 수행될 수 있다. 다른 실시예들에서, 당해 기술 분야에 알려져 있는 임의의 방식으로 프로그래밍될 수 있는 다른 타입들의 집적 회로들(예를 들어, 구조화된/플랫폼 ASIC들, 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이들(FPGA들) 및 다른 반-주문형(Semi-Custom) IC들)이 사용될 수 있다. 각각의 유닛의 기능들은 또한, 적어도 하나의 일반형 또는 주문형 프로세서들에 의해 실행되도록 포맷된, 메모리 내에 구현되는 명령들로 전체적으로 또는 부분적으로 구현될 수 있다.[0048] 일부 실시예들에서, 수신기 모듈(210)은 Wi-Fi 수신기와 같은 라디오 주파수(RF) 수신기이거나 이를 포함할 수 있다. 수신기 모듈(210)은 또한 WLAN 수신기 및/또는 WWAN 수신기(예를 들면, 셀룰러 수신기)와 같은 다른 수신기들을 포함할 수 있다. 수신기 모듈(210)은 도 1을 참조하여 설명된 무선 통신 시스템(100)과 같은 무선 통신 시스템의 통신 링크들(예를 들면, 물리적 채널들)을 통해 다양한 타입들의 데이터 및/또는 제어 신호들(즉, 송신들)을 수신하는데 사용될 수 있다.[0049] 일부 실시예들에서, 송신기 모듈(220)은 Wi-Fi 송신기와 같은 RF 송신기이거나 이를 포함할 수 있다. 송신기 모듈(220)은 또한 WLAN 송신기 및/또는 WWAN 송신기(예를 들면, 셀룰러 송신기)와 같은 다른 송신기들을 포함할 수 있다. 송신기 모듈(220)은 무선 통신 시스템(100)과 같은 무선 통신 시스템의 통신 링크들(예를 들면, 물리적 채널들)을 통해 다양한 타입들의 데이터 및/또는 제어 신호들(즉, 송신들)을 송신하는데 사용될 수 있다.[0050] 일부 실시예들에서, 무선 통신 관리 모듈(215)은 적어도 하나의 PFP에 대한 접속들을 관리하는데 사용될 수 있다. 일부 경우들에서, 장치(205)는 도 1을 참조하여 설명된 WDC(105)와 같은 WDC일 수 있고, 무선 통신 관리 모듈(215)은 WDC에 의해 지원되는 PFP들 및/또는 주변기기들에 대한 무선 디바이스들(예를 들면, 모바일 디바이스들)의 무선 접속(들)을 관리할 수 있다. 다른 경우들에서, 장치(205)는 도 1을 참조하여 설명된 무선 디바이스들(115) 중 하나와 같은 무선 디바이스일 수 있고, 무선 통신 관리 모듈(215)은 적어도 하나의 WDC에 의해 지원되는 PFP들 및/또는 주변기기들에 대한 무선 디바이스의 무선 접속(들)을 관리할 수 있다. PFP(들)는 일부 경우들에서 PFP로서 WBE 및/또는 PFP로서 WDE를 포함할 수 있다. 각각의 PFP는 무선 서비스가 적어도 하나의 WDC를 통해 적어도 하나의 주변 디바이스(예를 들면, 디스플레이들, 프린터들, 키보드들, 저장 디바이스들 등)을 사용하는 것을 가능하게 할 수 있다.[0051] 도 3은 본 개시의 다양한 양상들에 따른 무선 통신 장치(305)(예를 들면, WDC)의 블록도(300)를 도시한다. 일부 실시예들에서, 장치(305)는 도 1을 참조하여 설명된 WDC(105)의 양상들 및/또는 도 2를 참조하여 설명된 장치(205)의 양상들의 예일 수 있다. 장치(305)는 또한 프로세서일 수 있다. 장치(305)는 수신기 모듈(310), 무선 통신 관리 모듈(315) 및/또는 송신기 모듈(320)을 포함할 수 있다. 이들 컴포넌트들 각각은 서로 통신할 수 있다. [0052] 장치(305)의 컴포넌트들은 하드웨어에서 적용가능한 기능들의 전부 또는 그 일부를 수행하도록 적응되는 적어도 하나의 ASIC를 사용하여 개별적으로 또는 집합적으로 구현될 수 있다. 대안적으로, 기능들은 집적 회로들 상의 다른 프로세싱 유닛들(또는 코어들)에 의해 수행될 수 있다. 다른 실시예들에서, 당해 기술 분야에 알려져 있는 임의의 방식으로 프로그래밍될 수 있는 다른 타입들의 집적 회로들(예를 들어, 구조화된/플랫폼 ASIC들, 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이들(FPGA들) 및 다른 반-주문형 IC들)이 사용될 수 있다. 각각의 유닛의 기능들은 또한, 적어도 하나의 일반형 또는 주문형 프로세서들에 의해 실행되도록 포맷된, 메모리 내에 구현되는 명령들로 전체적으로 또는 부분적으로 구현될 수 있다.[0053] 일부 실시예들에서, 수신기 모듈(310)은 Wi-Fi 수신기(390)와 같은 RF 수신기이거나 이를 포함할 수 있다. 수신기 모듈(310)은 또한 WLAN 수신기 및/또는 WWAN 수신기(예를 들면, 셀룰러 수신기)와 같은 다른 수신기들을 포함할 수 있다. 수신기 모듈(310)은 도 1을 참조하여 설명된 무선 통신 시스템(100)과 같은 무선 통신 시스템의 통신 링크들(예를 들면, 물리적 채널들)을 통해 다양한 타입들의 데이터 및/또는 제어 신호들(즉, 송신들)을 수신하는데 사용될 수 있다.[0054] 일부 실시예들에서, 송신기 모듈(320)은 Wi-Fi 송신기(395)와 같은 RF 송신기이거나 이를 포함할 수 있다. 송신기 모듈(320)은 또한 WLAN 송신기 및/또는 WWAN 송신기(예를 들면, 셀룰러 송신기)와 같은 다른 송신기들을 포함할 수 있다. 송신기 모듈(320)은 무선 통신 시스템(100)과 같은 무선 통신 시스템의 통신 링크들(예를 들면, 물리적 채널들)을 통해 다양한 타입들의 데이터 및/또는 제어 신호들(즉, 송신들)을 송신하는데 사용될 수 있다.[0055] 일부 실시예들에서, 무선 통신 관리 모듈(315)은 도 2를 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215)의 양상들의 예일 수 있고, PFP 요청 분석 모듈(325) 및/또는 PFP 응답 송신 관리 모듈(330)을 포함할 수 있다. 이들 컴포넌트들 각각은 서로 통신할 수 있다.[0056] 일부 예들에서, PFP 요청 분석 모듈(325)은 장치(305)에 의해 지원되는 적어도 하나의 PFP에 관한 요청을 수신하는데 사용될 수 있다. 요청은, 예를 들면, 수신기 모듈(310)의 Wi-Fi 수신기(390)를 통해 수신될 수 있다.[0057] 일부 예들에서, PFP 응답 송신 관리 모듈(330)은, WDC가 PFP로서 적어도 WBE를 지원하는지 또는 PFP로서 WDE를 지원하는지 또는 이들의 조합을 지원하는지를 표시하는 응답 메시지를 송신하는데 사용될 수 있다. 응답 메시지는, 예를 들면, 송신기 모듈(320)의 Wi-Fi 송신기(395)를 통해 송신될 수 있다. [0058] PFP 응답 송신 관리 모듈(330)에 의해 송신되는 응답 메시지는 일부 경우들에서 데이터 타입 필드를 포함할 수 있다. 데이터 타입 필드는 장치(305)에 의해 지원되는 PFP를 나타내는 값을 포함할 수 있다. 장치(305)가 PFP로서 WBE를 지원할 때, 데이터 타입 필드의 값은 장치(305)가 PFP로서 WBE를 지원한다는 것을 표시할 수 있다(예를 들면, 데이터 타입 필드는 003c#peripheralFuncitonProtocolName003e#=wbe의 형태를 취할 수 있음). 장치(305)가 PFP로서 WDE를 지원할 때, 데이터 타입 필드의 값은 장치(305)가 PFP로서 WDE를 지원한다는 것을 표시할 수 있다(예를 들면, 데이터 타입 필드는 003c#peripheralFuncitonProtocolName003e#=wde의 형태를 취할 수 있음). 일부 경우들에서, PFP 응답 송신 관리 모듈(330)에 의해 송신되는 응답 메시지는 하나보다 더 많은 데이터 타입 필드를 포함할 수 있고, 각각의 값들은 장치(305)가 WBE 및 WDE 둘 모두를 지원한다는 것을 표시한다.[0059] PFP 응답 송신 관리 모듈(330)에 의해 송신된 응답 메시지는 일부 경우들에서 간단한 정보 엘리먼트(IE: 예를 들면, 003c#pfpSimpleInfo003e#) 또는 상세한 IE(예를 들면, 003c#pfpDetailedInfo003e#)를 포함할 수 있다. 간단한 IE는 장치(305)에 의해 지원되는 PFP들의 리스트 또는 장치(305)에 의해 지원되는 PFP들의 리스트 대신에 또는 이외의 다른 정보를 포함할 수 있다. 상세한 IE는 간단한 IE와 유사한 정보뿐만 아니라 장치(305)에 의해 지원되는 특정 PFP에 관한 부가적인 정보를 포함할 수 있다. [0060] 일부 실시예들에서, PFP 요청 분석 모듈(325)은 장치(305)에 의해 지원되는 PFP들에 관한 요청을 (예를 들면, 무선 디바이스로부터) 수신하는데 사용될 수 있고, PFP 응답 송신 관리 모듈(330)은 간단한 IE를 포함하는 응답 메시지를 송신하는데 사용될 수 있다. PFP 요청 분석 모듈(325)은 장치(305)에 의해 지원되는 PFP들 중 특정 하나(예를 들면, 특정 PFP)에 관한 요청을 (예를 들면, 무선 디바이스로부터) 후속으로 수신하는데 사용될 수 있고, PFP 응답 송신 관리 모듈(330)은 상세한 IE를 포함하는 응답 메시지를 송신하는데 사용될 수 있다. [0061] 도 4는 본 개시의 다양한 양상들에 따른 무선 통신 장치(405)(예를 들면, WDC)의 블록도(400)를 도시한다. 일부 실시예들에서, 장치(405)는 도 1을 참조하여 설명된 WDC(105)의 양상들 및/또는 도 2 및/또는 3을 참조하여 설명된 장치들(205 및/또는 305) 중 하나의 양상들의 예일 수 있다. 장치(405)는 또한 프로세서일 수 있다. 장치(405)는 수신기 모듈(410), 무선 통신 관리 모듈(415) 및/또는 송신기 모듈(420)을 포함할 수 있다. 이들 컴포넌트들 각각은 서로 통신할 수 있다. [0062] 장치(405)의 컴포넌트들은 하드웨어에서 적용가능한 기능들의 전부 또는 그 일부를 수행하도록 적응되는 적어도 하나의 ASIC를 사용하여 개별적으로 또는 집합적으로 구현될 수 있다. 대안적으로, 기능들은 집적 회로들 상의 다른 프로세싱 유닛들(또는 코어들)에 의해 수행될 수 있다. 다른 실시예들에서, 당해 기술 분야에 알려져 있는 임의의 방식으로 프로그래밍될 수 있는 다른 타입들의 집적 회로들(예를 들어, 구조화된/플랫폼 ASIC들, FPGA들 및 다른 반-주문형 IC들)이 사용될 수 있다. 각각의 유닛의 기능들은 또한, 적어도 하나의 일반형 또는 주문형 프로세서들에 의해 실행되도록 포맷된, 메모리 내에 구현되는 명령들로 전체적으로 또는 부분적으로 구현될 수 있다.[0063] 일부 실시예들에서, 수신기 모듈(410)은 Wi-Fi 수신기(490)와 같은 RF 수신기이거나 이를 포함할 수 있다. 수신기 모듈(410)은 또한 WLAN 수신기 및/또는 WWAN 수신기(예를 들면, 셀룰러 수신기)와 같은 다른 수신기들을 포함할 수 있다. 수신기 모듈(410)은 도 1을 참조하여 설명된 무선 통신 시스템(100)과 같은 무선 통신 시스템의 통신 링크들(예를 들면, 물리적 채널들)을 통해 다양한 타입들의 데이터 및/또는 제어 신호들(즉, 송신들)을 수신하는데 사용될 수 있다.[0064] 일부 실시예들에서, 송신기 모듈(420)은 Wi-Fi 송신기(495)와 같은 RF 송신기이거나 이를 포함할 수 있다. 송신기 모듈(420)은 또한 WLAN 송신기 및/또는 WWAN 송신기(예를 들면, 셀룰러 송신기)와 같은 다른 송신기들을 포함할 수 있다. 송신기 모듈(420)은 무선 통신 시스템(100)과 같은 무선 통신 시스템의 통신 링크들(예를 들면, 물리적 채널들)을 통해 다양한 타입들의 데이터 및/또는 제어 신호들(즉, 송신들)을 송신하는데 사용될 수 있다.[0065] 일부 실시예들에서, 무선 통신 관리 모듈(415)은 도 2 및/또는 3을 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215 및/또는 315)의 양상들의 예일 수 있고, PFP 요청 분석 모듈(425) 및/또는 PFP 응답 송신 관리 모듈(430)을 포함할 수 있다. 이들 컴포넌트들 각각은 서로 통신할 수 있다.[0066] 일부 예들에서, PFP 요청 분석 모듈(425)은 장치(405)에 의해 지원되는 적어도 하나의 PFP에 관한 요청을 수신하는데 사용될 수 있다. 요청은, 예를 들면, 수신기 모듈(410)의 Wi-Fi 수신기(490)를 통해 수신될 수 있다.[0067] PFP 요청 분석 모듈(425)은 일부 경우들에서 PFP 요청 타입 결정 모듈(435)을 포함할 수 있다. PFP 요청 타입 결정 모듈(435)은, 예를 들면, PFP 요청 타입을 결정하는데 사용될 수 있다. PFP 요청 타입은 장치(405)에 의해 지원되는 PFP들에 관한 요청 또는 특정 PFP에 관한 요청일 수 있다. [0068] 일부 예들에서, PFP 응답 송신 관리 모듈(430)은, WDC가 PFP로서 적어도 WBE를 지원하는지 또는 PFP로서 WDE를 지원하는지 또는 이들의 조합을 지원하는지를 표시하는 응답 메시지를 송신하는데 사용될 수 있다. 응답 메시지는, 예를 들면, 송신기 모듈(420)의 Wi-Fi 송신기(495)를 통해 송신될 수 있다. [0069] PFP 응답 송신 관리 모듈(430)은 일부 경우들에서 간단한 IE 포맷팅 모듈(440), 상세한 IE 포맷팅 모듈(445) 및/또는 PFP WFDS(Wi-Fi Direct Services) ASP(Application Services Platform) 전개 결정 모듈(450)을 포함할 수 있다. 이들 컴포넌트들 각각은 서로 통신할 수 있다.[0070] 수신된 PFP 요청이 장치(405)에 의해 지원되는 PFP들에 관한 요청이라고 PFP 요청 타입 결정 모듈(435)이 결정할 때, PFP 응답 송신 관리 모듈(430)은 응답 메시지에 대한 간단한 IE를 포맷하기 위해 간단한 IE 포맷팅 모듈(440)을 사용할 수 있다. 수신된 PFP 요청이 특정 PFP에 관한 요청이라고 PFP 요청 타입 결정 모듈(435)이 결정할 때, PFP 응답 송신 관리 모듈(430)은 응답 메시지에 대한 상세한 IE를 포맷하기 위해 상세한 IE 포맷팅 모듈(445)을 사용할 수 있다. 어느 경우에도, PFP 응답 송신 관리 모듈(430)에 의해 송신된 응답 메시지는 데이터 타입 필드를 포함할 수 있다. 데이터 타입 필드는 장치(405)에 의해 지원되는 PFP를 나타내는 값을 포함할 수 있다. 장치(405)가 PFP로서 WBE를 지원할 때, 데이터 타입 필드의 값은 장치(405)가 PFP로서 WBE를 지원한다는 것을 표시할 수 있다(예를 들면, 데이터 타입 필드는 003c#peripheralFuncitonProtocolName003e#=wbe의 형태를 취할 수 있음). 장치(405)가 PFP로서 WDE를 지원할 때, 데이터 타입 필드의 값은 장치(405)가 PFP로서 WDE를 지원한다는 것을 표시할 수 있다(예를 들면, 데이터 타입 필드는 003c#peripheralFuncitonProtocolName003e#=wde의 형태를 취할 수 있음). 장치(405)에 의해 수신되는 PFP 요청이 장치(405)에 의해 지원되는 PFP들에 관한 요청일 때, PFP 응답 송신 관리 모듈(430)에 의해 송신된 응답 메시지는 하나보다 더 많은 데이터 타입 필드를 포함할 수 있고, 각각의 값들은 장치(405)가 WBE 및 WDE 둘 모두를 지원한다는 것을 표시한다. 장치(405)에 의해 수신된 PFP 요청이 특정 PFP에 관한 요청일 때, PFP 응답 송신 관리 모듈(430)에 의해 송신된 응답 메시지는 특정 PFP에 대응하는 단일의 데이터 타입 필드를 포함할 수 있다. [0071] 일부 예들에서, 간단한 IE 포맷팅 모듈(440)은 응답 메시지에서의 송신을 위해 간단한 IE(예를 들면, 003c#pfpSimpleInfo003e#)를 포맷할 수 있다. 간단한 IE는 장치(405)에 의해 지원되는 PFP들의 리스트를 포함할 수 있다. [0072] 일부 예들에서, 상세한 IE 포맷팅 모듈(445)은 응답 메시지에서의 송신을 위해 상세한 IE(예를 들면, 003c#pfpDetailedInfo003e#)를 포맷할 수 있다. 상세한 IE는 장치(405)에 의해 지원되는 특정 PFP에 관한 부가적인 정보를 포함할 수 있다. 상세한 IE는 일부 경우들에서 서비스 IE(예를 들면, 003c#serviceInfo003e#), 네트워크 역할 IE(예를 들면, 003c#networkRole003e#), 서비스 광고 식별 IE(예를 들면, 003c#advertisementId003e#) 및/또는 서비스 네임 IE(예를 들면, 003c#serviceName003e#)를 비롯하여 발견 정보 서브엘리먼트(예를 들면, 003c#discoveryInfo003e#)를 포함할 수 있다. [0073] PFP 응답 송신 관리 모듈(430)이 상세한 IE를 포함하는 응답 메시지를 송신할 필요가 있을 때, 상세한 IE 포맷팅 모듈(445)은 PFP 요청의 대상인 특정 PFP가 WFDS ASP를 사용하여 전개되는지를 결정하기 위해 PFP WFDS ASP 전개 결정 모듈(450)을 인보크(invoke)할 수 있다. 특정 PFP가 WFDS ASP를 사용하여 전개되지 않는다고 PFP WFDS ASP 전개 결정 모듈(450)이 결정할 때, 응답 메시지의 상세한 IE의 발견 정보 서브엘리먼트의 서비스 IE(예를 들면, 003c#serviceInfo003e#)의 값은 널(null) 값으로 설정될 수 있다. 그러나, 특정 PFP가 WFDS ASP를 사용하여 전개된다고 PFP WFDS ASP 전개 결정 모듈(450)이 결정할 때, 서비스 IE의 값은 비-널 값으로 설정될 수 있다. 비-널 값은 WFDS ASP의 서비스 정보 속성과 동일한 값(예를 들면, 특정 PFP에 대한 WFDS 광고 서비스의 003c#service_information003e# 속성과 동일한 값)일 수 있다.[0074] 특정 PFP가 WFDS ASP를 사용하여 전개된다고 결정될 때, 광고 식별 IE의 값은 특정 PFP의 WFDS 광고 식별로 설정될 수 있고, 서비스 네임 IE의 값은 WFDS ASP의 풀 서비스 네임으로 설정될 수 있다.[0075] PFP 응답 송신 관리 모듈(430)은 일부 경우들에서 장치(405)가 특정 PFP를 제공하는 P2P 세션의 그룹 소유자의 네트워크 역할을 추정하려고 의도하는지를 결정할 수 있다. 장치(405)가 그룹 소유자의 네트워크 역할을 추정하려고 의도할 때, PFP 응답 송신 관리 모듈(430)은 네트워크 역할 IE의 값을 제 1 값(예를 들면, 그룹 소유자의 네트워크 역할에 대응하는 값)으로 설정할 수 있다. 그렇지 않다면, PFP 응답 송신 관리 모듈(430)은 네트워크 역할 IE의 값을 제 2 값(예를 들면, 클라이언트의 네트워크 역할에 대응하는 값)으로 설정할 수 있다. [0076] 일부 실시예들에서, PFP 요청 분석 모듈(425)은 장치(405)에 의해 지원되는 PFP들에 관한 요청을 (예를 들면, 무선 디바이스로부터) 수신하는데 사용될 수 있고, PFP 응답 송신 관리 모듈(430)은 간단한 IE를 포함하는 응답 메시지를 송신하는데 사용될 수 있다. PFP 요청 분석 모듈(425)은 장치(405)에 의해 지원되는 PFP들 중 특정 하나(예를 들면, 특정 PFP)에 관한 요청을 (예를 들면, 무선 디바이스로부터) 후속으로 수신하는데 사용될 수 있고, PFP 응답 송신 관리 모듈(430)은 상세한 IE를 포함하는 응답 메시지를 송신하는데 사용될 수 있다. [0077] 도 5는 본 개시의 다양한 양상들에 따른 무선 통신 장치(505)(예를 들면, 무선 도키)의 블록도(500)를 도시한다. 일부 실시예들에서, 장치(505)는 도 1을 참조하여 설명된 무선 디바이스(115)의 양상들 및/또는 도 2를 참조하여 설명된 장치(205)의 양상들의 예일 수 있다. 장치(505)는 또한 프로세서일 수 있다. 장치(505)는 수신기 모듈(510), 무선 통신 관리 모듈(515) 및/또는 송신기 모듈(520)을 포함할 수 있다. 이들 컴포넌트들 각각은 서로 통신할 수 있다. [0078] 장치(505)의 컴포넌트들은 하드웨어에서 적용가능한 기능들의 전부 또는 그 일부를 수행하도록 적응되는 적어도 하나의 ASIC를 사용하여 개별적으로 또는 집합적으로 구현될 수 있다. 대안적으로, 기능들은 집적 회로들 상의 다른 프로세싱 유닛들(또는 코어들)에 의해 수행될 수 있다. 다른 실시예들에서, 당해 기술 분야에 알려져 있는 임의의 방식으로 프로그래밍될 수 있는 다른 타입들의 집적 회로들(예를 들어, 구조화된/플랫폼 ASIC들, FPGA들 및 다른 반-주문형 IC들)이 사용될 수 있다. 각각의 유닛의 기능들은 또한, 적어도 하나의 일반형 또는 주문형 프로세서들에 의해 실행되도록 포맷된, 메모리 내에 구현되는 명령들로 전체적으로 또는 부분적으로 구현될 수 있다.[0079] 일부 실시예들에서, 수신기 모듈(510)은 Wi-Fi 수신기(590)와 같은 RF 수신기이거나 이를 포함할 수 있다. 수신기 모듈(510)은 또한 WLAN 수신기 및/또는 WWAN 수신기(예를 들면, 셀룰러 수신기)와 같은 다른 수신기들을 포함할 수 있다. 수신기 모듈(510)은 도 1을 참조하여 설명된 무선 통신 시스템(100)과 같은 무선 통신 시스템의 통신 링크들(예를 들면, 물리적 채널들)을 통해 다양한 타입들의 데이터 및/또는 제어 신호들(즉, 송신들)을 수신하는데 사용될 수 있다.[0080] 일부 실시예들에서, 송신기 모듈(520)은 Wi-Fi 송신기(595)와 같은 RF 송신기이거나 이를 포함할 수 있다. 송신기 모듈(520)은 또한 WLAN 송신기 및/또는 WWAN 송신기(예를 들면, 셀룰러 송신기)와 같은 다른 송신기들을 포함할 수 있다. 송신기 모듈(520)은 무선 통신 시스템(100)과 같은 무선 통신 시스템의 통신 링크들(예를 들면, 물리적 채널들)을 통해 다양한 타입들의 데이터 및/또는 제어 신호들(즉, 송신들)을 송신하는데 사용될 수 있다.[0081] 일부 실시예들에서, 무선 통신 관리 모듈(515)은 도 2를 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215)의 양상들의 예일 수 있고, PFP 요청 송신 관리 모듈(525) 및/또는 PFP 응답 분석 모듈(530)을 포함할 수 있다. 이들 컴포넌트들 각각은 서로 통신할 수 있다.[0082] 일부 예들에서, PFP 요청 송신 관리 모듈(525)은 WDC에 의해 지원되는 적어도 하나의 PFP에 관한 요청을 WDC로 송신하는데 사용될 수 있다. 요청은 제 1 P2P 접속을 사용하여 송신될 수 있고, 예를 들면, 송신기 모듈(520)의 Wi-Fi 송신기(595)를 통해 송신될 수 있다. WDC는, 예를 들면, 도 1을 참조하여 설명된 WDC(105) 또는 도 2, 3 또는 4를 참조하여 설명된 장치들(205, 305 또는 405) 중 하나일 수 있다.[0083] 일부 예들에서, PFP 응답 분석 모듈(530)은 WDC로부터 응답 메시지(예를 들면, PFP 요청 송신 관리 모듈(525)을 사용하여 송신된 요청에 대한 응답)를 수신하는데 사용될 수 있다. 응답 메시지는, WDC가 적어도 PFP로서 WBE를 지원하는지 또는 PFP로서 WDE를 지원하는지 또는 이들의 조합을 지원하는지를 표시할 수 있다. 응답 메시지는, 예를 들면, 수신기 모듈(510)의 Wi-Fi 수신기(590)를 통해 수신될 수 있다. [0084] PFP 응답 분석 모듈(530)에 의해 수신된 응답 메시지는 일부 경우들에서 데이터 타입 필드를 포함할 수 있다. 데이터 타입 필드는 WDC에 의해 지원되는 PFP를 나타내는 값을 포함할 수 있다. WDC가 PFP로서 WBE를 지원할 때, 데이터 타입 필드의 값은 WDC가 PFP로서 WBE를 지원한다는 것을 표시할 수 있다(예를 들면, 데이터 타입 필드는 003c#peripheralFuncitonProtocolName003e#=wbe의 형태를 취할 수 있음). WDC가 PFP로서 WDE를 지원할 때, 데이터 타입 필드의 값은 WDC가 PFP로서 WDE를 지원한다는 것을 표시할 수 있다(예를 들면, 데이터 타입 필드는 003c#peripheralFuncitonProtocolName003e#=wde의 형태를 취할 수 있음). 일부 경우들에서, PFP 응답 분석 모듈(530)에 의해 수신되는 응답 메시지는 하나보다 더 많은 데이터 타입 필드를 포함할 수 있고, 각각의 값들은 WDC가 WBE 및 WDE 둘 모두를 지원한다는 것을 표시한다. [0085] PFP 응답 분석 모듈(530)에 의해 수신된 응답 메시지는 일부 경우들에서 간단한 정보 엘리먼트(IE; 예를 들면, 003c#pfpSimpleInfo003e#) 또는 상세한 IE(예를 들면, 003c#pfpDetailedInfo003e#)를 포함할 수 있다. 간단한 IE는 WDC에 의해 지원되는 PFP들의 리스트를 포함할 수 있다. 상세한 IE는 또한 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 관한 부가적인 정보를 포함할 수 있다. [0086] 일부 실시예들에서, PFP 요청 송신 관리 모듈(525)은 WDC에 의해 지원되는 PFP들에 관한 요청을 (예를 들면, WDC로) 송신하는데 사용될 수 있고, 이어서, PFP 응답 분석 모듈(530)은 간단한 IE를 포함하는 응답 메시지를 수신하는데 사용될 수 있다. PFP 요청 송신 관리 모듈(525)은 WDC에 의해 지원되는 PFP들 중 특정 하나(예를 들면, 특정 PFP)에 관한 요청을 후속으로 (예를 들면, WDC로) 송신하는데 사용될 수 있고, 이어서 PFP 응답 분석 모듈(530)은 상세한 IE를 포함하는 응답 메시지를 수신하는데 사용될 수 있다. [0087] 도 6은 본 개시의 다양한 양상들에 따른 무선 통신 장치(605)(예를 들면, 무선 도키)의 블록도(600)를 도시한다. 일부 실시예들에서, 장치(605)는 도 1을 참조하여 설명된 무선 디바이스(115)의 양상들 및/또는 도 2 및/또는 도 5를 참조하여 설명된 장치(205 및/또는 505)의 양상들의 예일 수 있다. 장치(605)는 또한 프로세서일 수 있다. 장치(605)는 수신기 모듈(610), 무선 통신 관리 모듈(615) 및/또는 송신기 모듈(620)을 포함할 수 있다. 이들 컴포넌트들 각각은 서로 통신할 수 있다. [0088] 장치(605)의 컴포넌트들은 하드웨어에서 적용가능한 기능들의 전부 또는 그 일부를 수행하도록 적응되는 적어도 하나의 ASIC를 사용하여 개별적으로 또는 집합적으로 구현될 수 있다. 대안적으로, 기능들은 집적 회로들 상의 다른 프로세싱 유닛들(또는 코어들)에 의해 수행될 수 있다. 다른 실시예들에서, 당해 기술 분야에 알려져 있는 임의의 방식으로 프로그래밍될 수 있는 다른 타입들의 집적 회로들(예를 들어, 구조화된/플랫폼 ASIC들, FPGA들 및 다른 반-주문형 IC들)이 사용될 수 있다. 각각의 유닛의 기능들은 또한, 적어도 하나의 일반형 또는 주문형 프로세서들에 의해 실행되도록 포맷된, 메모리 내에 구현되는 명령들로 전체적으로 또는 부분적으로 구현될 수 있다.[0089] 일부 실시예들에서, 수신기 모듈(610)은 Wi-Fi 수신기(690)와 같은 RF 수신기이거나 이를 포함할 수 있다. 수신기 모듈(610)은 또한 WLAN 수신기 및/또는 WWAN 수신기(예를 들면, 셀룰러 수신기)와 같은 다른 수신기들을 포함할 수 있다. 수신기 모듈(610)은 도 1을 참조하여 설명된 무선 통신 시스템(100)과 같은 무선 통신 시스템의 통신 링크들(예를 들면, 물리적 채널들)을 통해 다양한 타입들의 데이터 및/또는 제어 신호들(즉, 송신들)을 수신하는데 사용될 수 있다.[0090] 일부 실시예들에서, 송신기 모듈(620)은 Wi-Fi 송신기(695)와 같은 RF 송신기이거나 이를 포함할 수 있다. 송신기 모듈(620)은 또한 WLAN 송신기 및/또는 WWAN 송신기(예를 들면, 셀룰러 송신기)와 같은 다른 송신기들을 포함할 수 있다. 송신기 모듈(620)은 무선 통신 시스템(100)과 같은 무선 통신 시스템의 통신 링크들(예를 들면, 물리적 채널들)을 통해 다양한 타입들의 데이터 및/또는 제어 신호들(즉, 송신들)을 송신하는데 사용될 수 있다.[0091] 일부 실시예들에서, 무선 통신 관리 모듈(615)은 도 2 및/또는 도 5를 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215 및/또는 515)의 양상들의 예일 수 있고, PFP 요청 송신 관리 모듈(625), PFP 응답 분석 모듈(630), PFP 선택 모듈(635), PFP WFDS ASP 결정 모듈(640) 및/또는 PFP 접속/접속해제 모듈(645)을 포함할 수 있다. 이들 컴포넌트들 각각은 서로 통신할 수 있다.[0092] 일부 예들에서, PFP 요청 송신 관리 모듈(625)은 WDC에 의해 지원되는 적어도 하나의 PFP에 관한 요청을 WDC로 송신하는데 사용될 수 있다. 요청은 제 1 P2P 접속을 사용하여 송신될 수 있고, 예를 들면, 송신기 모듈(620)의 Wi-Fi 송신기(695)를 통해 송신될 수 있다. WDC는, 예를 들면, 도 1을 참조하여 설명된 WDC(105) 또는 도 2, 3 또는 4를 참조하여 설명된 장치들(205, 305 또는 405) 중 하나일 수 있다.[0093] 일부 예들에서, PFP 응답 분석 모듈(630)은 WDC로부터 응답 메시지(예를 들면, PFP 요청 송신 관리 모듈(625)을 사용하여 송신된 요청에 대한 응답)를 수신하는데 사용될 수 있다. 응답 메시지는, WDC가 적어도 PFP로서 WBE를 지원하는지 또는 PFP로서 WDE를 지원하는지 또는 이들의 조합을 지원하는지를 표시할 수 있다. 응답 메시지는, 예를 들면, 수신기 모듈(610)의 Wi-Fi 수신기(690)를 통해 수신될 수 있다. [0094] PFP 응답 분석 모듈(630)에 의해 수신된 응답 메시지는 일부 경우들에서 데이터 타입 필드를 포함할 수 있다. 데이터 타입 필드는 WDC에 의해 지원되는 PFP를 나타내는 값을 포함할 수 있다. WDC가 PFP로서 WBE를 지원할 때, 데이터 타입 필드의 값은 WDC가 PFP로서 WBE를 지원한다는 것을 표시할 수 있다(예를 들면, 데이터 타입 필드는 003c#peripheralFuncitonProtocolName003e#=wbe의 형태를 취할 수 있음). WDC가 PFP로서 WDE를 지원할 때, 데이터 타입 필드의 값은 WDC가 PFP로서 WDE를 지원한다는 것을 표시할 수 있다(예를 들면, 데이터 타입 필드는 003c#peripheralFuncitonProtocolName003e#=wde의 형태를 취할 수 있음). 일부 경우들에서, PFP 응답 분석 모듈(630)에 의해 수신되는 응답 메시지는 하나보다 더 많은 데이터 타입 필드를 포함할 수 있고, 각각의 값들은 WDC가 WBE 및 WDE 둘 모두를 지원한다는 것을 표시한다. [0095] PFP 응답 분석 모듈(630)에 의해 수신된 응답 메시지는 일부 경우들에서 IE(예를 들면, 003c#pfpSimpleInfo003e#) 또는 상세한 IE(예를 들면, 003c#pfpDetailedInfo003e#)를 포함할 수 있다. 간단한 IE는 WDC에 의해 지원되는 PFP들의 리스트를 포함할 수 있다. 상세한 IE는 또한 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 관한 부가적인 정보를 포함할 수 있다. [0096] 일부 실시예들에서, PFP 요청 송신 관리 모듈(625)은 WDC에 의해 지원되는 PFP들에 관한 요청을 (예를 들면, WDC로) 송신하는데 사용될 수 있고, 이어서, PFP 응답 분석 모듈(630)은 간단한 IE를 포함하는 응답 메시지를 수신하는데 사용될 수 있다. PFP 요청 송신 관리 모듈(625)은 WDC에 의해 지원되는 PFP들 중 특정 하나(예를 들면, 특정 PFP)에 관한 요청을 후속으로 (예를 들면, WDC로) 송신하는데 사용될 수 있고, 이어서 PFP 응답 분석 모듈(630)은 상세한 IE를 포함하는 응답 메시지를 수신하는데 사용될 수 있다. [0097] WDC에 의해 지원되는 PFP들에 관한 요청에 대한 응답으로 응답 메시지를 수신한 후에, PFP 선택 모듈(635)은 응답 메시지에 적어도 부분적으로 기초하여(예를 들면, WDC에 의해 지원되는 PFP들의 리스트에 적어도 부분적으로 기초하여, 리스트는 응답 메시지에 포함된 간단한 IE의 부분일 수 있음) WDC에 의해 지원되는 특정 PFP(예를 들면, WDC에 의해 PFP로서 지원되는 WBE 또는 WDE)를 선택할 수 있다.[0098] WDC에 의해 지원되는 특정 PFP의 선택 후에, PFP 접속/접속해제 모듈(645)은 특정 PFP에 접속하는데 사용될 수 있다. 일부 경우들에서, PFP 접속/접속해제 모듈(645)은 PFP 요청 송신 관리 모듈(625)로 하여금 특정 PFP에 관한 더 상세한 정보에 대한 요청을 WDC로 송신하게 할 수 있다. 이어서, 부가적인 응답 메시지는 WDC로부터 수신되고, PFP 응답 분석 모듈(630)에 의해 분석될 수 있다. 부가적인 응답 메시지는 상세한 IE를 포함할 수 있고, 상세한 IE는 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 관한 부가적인 정보를 포함할 수 있다. 부가적인 정보는 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 접속하는데 사용될 수 있다.[0099] 상세한 IE는 네트워크 역할 IE(예를 들면, 003c#networkRole003e#) 및/또는 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 관한 다른 정보를 포함할 수 있다. PFP 접속/접속해제 모듈(645)은 네트워크 역할 IE의 값을 식별할 수 있다. 값은 PFP 요청 송신 관리 모듈(625)을 사용하여 송신된 요청 및 PFP 응답 분석 모듈(630)을 사용하여 수신된 응답 메시지들이 전송 또는 수신될 수 있는 제 1 P2P 접속에 대해 WDC에 의해 추정된 네트워크 역할을 표시할 수 있다.[0100] PFP 응답 분석 모듈(630)은 네트워크 역할 IE의 값과 장치(605)에 의해 추정된 현재 네트워크 역할의 값을 비교할 수 있다. 네트워크 역할 IE의 값이 장치(605)에 의해 추정된 현재 네트워크 역할의 값과 상이하다는 것을 상기 비교가 드러낼 때, PFP 접속/접속해제 모듈(645)은 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 접속하기 위해 제 1 P2P 접속을 사용할 수 있다. 그러나, 네트워크 역할 IE의 값이 장치(605)에 의해 추정된 현재 네트워크 역할의 값과 매칭한다는 것을 상기 비교가 드러낼 때, PFP 접속/접속해제 모듈(645)은 제 1 P2P 접속으로부터 장치(605)를 접속해제하고, WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 접속하기 위해 제 2 P2P 접속을 설정할 수 있다. [0101] 무선 통신 관리 모듈(615)의 일부 예들에서, PFP WFDS ASP 결정 모듈(640)은 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP가 WFDS ASP를 통해 전개되는지를 결정하는데 사용될 수 있다. WDC에 의해 지원되는 특정 PFP가 WFDS ASP를 통해 전개되지 않을 때, 그리고 네트워크 역할 IE의 값이 장치(605)에 의해 추정된 현재 네트워크 역할의 값과 상이할 때, PFP 접속/접속해제 모듈(645)은 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 접속하기 위해 제 1 P2P 접속을 사용할 수 있다. WDC에 의해 지원되는 특정 PFP가 WFDS ASP에 의해 전개될 때, 그리고, 네트워크 역할 IE의 값이 장치(605)에 의해 추정된 현재 네트워크 역할의 값과 상이할 때, PFP 접속/접속해제 모듈(645)은 ASP 세션 요청 조정 메시지(예를 들면, REQUEST_SESSION ASP 조정 메시지)를 제 1 P2P 접속을 통해 WDC로 전송할 수 있다. ASP 세션 요청 조정 메시지는, WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 접속할 목적으로, WDC에 의해 지원되는 특정 PFP로 지향될 수 있다. [0102] WDC에 의해 지원되는 특정 PFP가 WFDS ASP를 통해 전개되지 않을 때, 및 네트워크 역할 IE의 값이 장치(605)에 의해 추정된 현재 네트워크 역할의 값과 매칭할 때, PFP 접속/접속해제 모듈(645)은 WDC와 새로운 네트워크 역할을 협상하고, 특정 PFP에 접속하기 위해 제 2 P2P 접속 및 새로운 네트워크 역할을 사용할 수 있다. WDC에 의해 지원되는 특정 PFP가 WFDS ASP를 통해 전개될 때, 그리고 네트워크 역할 IE의 값이 장치(605)에 의해 추정된 현재 네트워크 역할의 값과 매칭할 때, PFP 접속/접속해제 모듈(645)은 새로운 프로비전 발견 요청을 개시할 수 있다. 새로운 프로비전 발견 요청은 새로운 네트워크 역할(예를 들면, 'Cli' (0x02) 또는 'GO' (0x03))로 설정된 접속 능력을 가질 수 있고, 새로운 네트워크 역할은 장치(605)에 의해 추정된 현재 네트워크 역할과 상이할 수 있다. PFP 접속/접속해제 모듈(645)은 또한 제 2 P2P 접속을 통해 새로운 ASP 세션을 개시할 수 있고, 새로운 네트워크 역할 및 제 2 P2P 접속은 특정 PFP에 접속하기 위해 사용될 수 있다. [0103] 도 7은 본 개시의 다양한 양상들에 따른 무선 통신 시스템(700)의 블록도를 도시한다. 무선 통신 시스템(700)은 WDC(705), 적어도 하나의 주변 디바이스(710-a 및 710-b) 및 무선 디바이스들(715)을 포함할 수 있다. 주변 디바이스들(710)은 WDC(705) 외부에 있거나 이에 임베딩될 수 있고, (예를 들면, 주변 디바이스(들)(710-a)의 경우에) 무선 통신 및/또는 (예를 들면, 주변 디바이스(들)(710-b)의 경우에) 유선 통신을 사용하여 WDC(705)와 통신할 수 있다. WDC(705)는 도 1을 참조하여 설명된 WDC(105)의 양상들 및/또는 도 2, 3 및/또는 4를 참조하여 설명된 장치들(205, 305 및/또는 405)의 양상들의 예일 수 있다. WDC(705)는 프로세서 모듈(720), 메모리 모듈(725)(소프트웨어 코드(730)를 포함함), 트랜시버들(트랜시버 모듈(들)(735)로 표현됨), 안테나들(안테나(들)(740)로 표현됨), 주변 디바이스 통신 관리 모듈(745), 주변 기능 발견 모듈(750), PFP 발견 모듈(755) 및/또는 무선 도키 통신 관리 모듈(760)을 포함할 수 있다. 이들 컴포넌트들 각각은 버스들(765)을 통해 간접적으로 또는 직접적으로 서로 통신할 수 있다. 무선 디바이스(들)(715) 각각은 도 1을 참조하여 설명된 무선 디바이스(115)의 양상들 및/또는 도 2, 5 및/또는 6을 참조하여 설명된 장치들(205, 505 및/또는 605)의 양상들의 예일 수 있다. 주변 디바이스(들)(710-a 및/또는 710-b)는 도 1을 참조하여 설명된 주변 디바이스들(110)의 양상들의 예들일 수 있다. [0104] 트랜시버 모듈(들)(735)은, 안테나(들)(740)와 관련하여, 무선 디바이스들(715) 및/또는 주변 디바이스들(710-a)과의 무선 통신을 가능하게 할 수 있다. 무선 디바이스(들)(715)와의 무선 통신은 무선 도키 통신 관리 모듈(760)을 사용하여 관리될 수 있다. 주변 디바이스(들)(710-a)와의 무선 통신은 주변 디바이스 통신 관리 모듈(745)을 사용하여 관리될 수 있다. 주변 디바이스 통신 관리 모듈(745)은 또한 적어도 하나의 주변 디바이스(710-b)와의 유선 통신을 관리할 수 있다. [0105] 프로세서 모듈(720)은 지능형 하드웨어 디바이스, 예를 들면, 중앙 프로세싱 유닛(CPU), 마이크로제어기, ASIC 등을 포함할 수 있다. 프로세서 모듈(720)은 트랜시버 모듈(들)(735)을 통해 수신된 정보를 프로세싱하고 및/또는 안테나(들)(740)를 통한 송신을 위해 트랜시버 모듈(들)(735)로 전송될 정보를 프로세싱할 수 있다. 프로세서 모듈(720)은 무선 도키 통신 관리 모듈(760) 및/또는 주변 디바이스 통신 관리 모듈(745)과 관련하여 또는 단독으로 무선 및/또는 유선 통신 시스템을 통해 통신하는 다양한 양상들을 처리할 수 있다.[0106] 메모리 모듈(725)은 랜덤 액세스 메모리(RAM) 및/또는 판독-전용 메모리(ROM)를 포함할 수 있다. 메모리 모듈(725)은, 실행될 때, 프로세서 모듈(720)로 하여금 무선 통신 시스템을 통해 통신하기 위한 본원에 설명된 다양한 기능들을 수행하게 하는 명령들을 포함하는 컴퓨터-판독 가능, 컴퓨터-실행 가능 소프트웨어(SW) 코드(730)를 저장할 수 있다. 대안적으로, 소프트웨어 코드(730)는 프로세서 모듈(720)에 의해 직접적으로 실행 가능하지 않을 수 있지만, WDC(705)로 하여금 (예를 들면, 컴파일링되고 실행될 때) 본원에 설명된 다양한 기능들을 수행하게 할 수 있다. [0107] 주변 기능 발견 모듈(750)은 주변 디바이스(들)(710-a 및/또는 710-b)에 의해 제안된 적어도 하나의 주변 기능(예를 들면, 프린팅, 뷰잉, 저장 등)을 발견하는데 사용될 수 있다. PFP 발견 모듈(755)은 WDC(705)에 의해 지원되는 적어도 하나의 PFP를 발견하는데 사용될 수 있다. PFP들은, 예를 들면, 미라캐스트 PFP, Wi-Fi USB PFP, PFP로서 WBE 및/또는 PFP로서 WDE를 포함할 수 있다. PFP들 중 적어도 하나는 주변 디바이스(들)(710-a 및/또는 710-b)에 의해 제안된 주변 기능들 중 적어도 하나를 액세스하기 위해 무선 디바이스들(715)에 의해 사용될 수 있다.[0108] 무선 도키 통신 관리 모듈(760)은 도 2, 3 및/또는 4를 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 315 및/또는 415)의 양상들의 예일 수 있다. 무선 도키 통신 관리 모듈(760)은 WDC에 의해 지원되는 적어도 하나의 PFP 및 궁극적으로 주변 디바이스(들)(710-a 및/또는 710-b) 중 적어도 하나에 의해 제안된 적어도 하나의 주변 기능에 대한 무선 디바이스들(715)의 무선 접속(들)을 관리하는데 사용될 수 있다. [0109] 일부 실시예들에서, 주변 디바이스 통신 관리 모듈(745), 주변 기능 발견 모듈(750), PFP 발견 모듈(755) 및/또는 무선 도키 통신 관리 모듈(760) 또는 이들의 부분들 중 적어도 하나는 프로세서를 포함할 수 있고, 및/또는 주변 디바이스 통신 관리 모듈(745), 주변 기능 발견 모듈(750), PFP 발견 모듈(755) 및/또는 무선 도키 통신 관리 모듈(760) 중 적어도 하나의 기능 중 일부 또는 전부는 프로세서 모듈(720)에 의해 및/또는 프로세서 모듈(720)과 관련하여 수행될 수 있다. [0110] 도 8은 본 개시의 다양한 양상들에 따른, 무선 통신을 위해 구성된 무선 디바이스(815)(예를 들면, 모바일 디바이스)의 블록도(800)를 도시한다. 무선 디바이스(815)는 다양한 구성들을 가질 수 있고, 컴퓨터(예를 들면, 랩톱 컴퓨터, 넷북 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터 등), 셀룰러 텔레폰, PDA(personal digital assistant), DVR(digital video recorder), 인터넷 어플라이언스, 게임 콘솔, e-판독기 등일 수 있거나 이들의 부분일 수 있다. 무선 디바이스(815)는 일부 경우들에서 모바일 동작을 가능하게 하기 위해 소형 배터리와 같은 내부 전력 공급부(미도시)를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 무선 디바이스(815)는 도 1 및/또는 7을 참조하여 설명된 무선 디바이스(115 및/또는 715)의 양상들 및/또는 도 2, 5 및/또는 6을 참조하여 설명된 장치들(205, 505 및/또는 605) 중 하나의 양상들의 예일 수 있다. 무선 디바이스(815)는 도 1, 2, 5, 6 및/또는 7을 참조하여 설명된 특징들 및 기능들 중 적어도 일부를 구현할 수 있다. 무선 디바이스(815)는 도 1 및/또는 7을 참조하여 설명된 WDC(105 및/또는 705)와 같은 적어도 하나의 WDC 또는 장치들 및/또는 도 2, 3 및/또는 4를 참조하여 설명된 장치(205, 305 및/또는 405)와 통신할 수 있다.[0111] 무선 디바이스(815)는 프로세서 모듈(820), 메모리 모듈(825)(소프트웨어 코드(830)를 포함함), 트랜시버들(트랜시버 모듈(들)(835)로 표현됨), 안테나들(안테나(들)(840)로 표현됨) 및/또는 무선 통신 관리 모듈(845)을 포함할 수 있다. 이들 컴포넌트들 각각은 버스들(850)을 통해 간접적으로 또는 직접적으로 서로 통신할 수 있다.[0112] 트랜시버 모듈(들)(835)은, 안테나(들)(840)와 관련하여, 적어도 하나의 WDC 및/또는 다른 장치들과의 무선 통신을 가능하게 할 수 있다. WDC와의 무선 통신은 무선 통신 관리 모듈(845)을 사용하여 관리될 수 있다. [0113] 프로세서 모듈(820)은 지능형 하드웨어 디바이스, 예를 들면, 중앙 프로세싱 유닛(CPU), 마이크로제어기, ASIC 등을 포함할 수 있다. 프로세서 모듈(820)은 트랜시버 모듈(들)(835)을 통해 수신된 정보를 프로세싱하고 및/또는 안테나(들)(840)를 통한 송신을 위해 트랜시버 모듈(들)(835)로 전송될 정보를 프로세싱할 수 있다. 프로세서 모듈(820)은 무선 통신 관리 모듈(845)과 관련하여 또는 단독으로 무선 및/또는 유선 통신 시스템을 통해 통신하는 다양한 양상들을 처리할 수 있다.[0114] 메모리 모듈(835)은 RAM 및/또는 ROM을 포함할 수 있다. 메모리 모듈(835)은, 실행될 때, 프로세서 모듈(820)로 하여금 무선 통신 시스템을 통해 통신하기 위한 본원에 설명된 다양한 기능들을 수행하게 하는 명령들을 포함하는 컴퓨터-판독 가능, 컴퓨터-실행 가능 소프트웨어(SW) 코드(830)를 저장할 수 있다. 대안적으로, 소프트웨어 코드(830)는 프로세서 모듈(820)에 의해 직접적으로 실행 가능하지 않을 수 있지만, 무선 디바이스(815)로 하여금 (예를 들면, 컴파일링되고 실행될 때) 본원에 설명된 다양한 기능들을 수행하게 할 수 있다. [0115] 무선 통신 관리 모듈(845)은 도 2, 5 및/또는 6을 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 515 및/또는 615)의 양상들의 예일 수 있다. 무선 통신 관리 모듈(845)은 적어도 하나의 WDC에 의해 지원되는 적어도 하나의 PFP 및 궁극적으로 PFP들을 통해 액세스 가능한 적어도 하나의 주변 디바이스(들)에 의해 제안된 주변 기능에 대한 무선 디바이스들(815)의 무선 접속(들)을 관리하는데 사용될 수 있다. [0116] 일부 실시예들에서, 무선 통신 관리 모듈(845) 또는 이들의 부분들은 프로세서를 포함할 수 있고, 및/또는 무선 통신 관리 모듈(845)의 기능 중 일부 또는 전부는 프로세서 모듈(820)에 의해 및/또는 프로세서 모듈(820)과 관련하여 수행될 수 있다. [0117] 도 9a는 본 개시의 다양한 양상들에 따른 응답 메시지(900)의 예의 블록도를 도시하고, 응답 메시지(900)는 WDC에 의해 지원되는 적어도 하나의 PFP에 관한 요청을 WDC로 송신한 무선 디바이스로 WDC에 의해 송신될 수 있다. WDC는 도 1 또는 7에 참조하여 설명된 WDC들(105 또는 705) 중 하나의 양상들, 및/또는 도 2, 3, 또는 4를 참조하여 설명된 장치들(205. 305 또는 405) 중 하나의 양상들의 예일 수 있다. 무선 디바이스는 도 1 또는 도 8을 참조하여 설명된 무선 디바이스들(115 또는 815) 중 하나의 양상들, 및/또는 도 2, 5 또는 6을 참조하여 설명된 장치들(205, 505 또는 605) 중 하나의 양상들의 예일 수 있다. [0118] 예로서, 응답 메시지(900)는 데이터 타입 필드(905) 및 간단한 IE(910)(예를 들면, 003c#pfpSimpleInfo003e#)를 포함할 수 있다. 간단한 IE(910)는 WDC에 의해 지원되는 PFP들의 리스트를 포함할 수 있다. [0119] 응답 메시지(900)는 일부 경우들에서 WDC가 WDC에 의해 지원되는 PFP들에 관한 요청을 수신하는 것에 응답하여 WDC에 의해 무선 디바이스로 송신될 수 있다. [0120] 도 9b는 본 개시의 다양한 양상들에 따른 응답 메시지(950)의 예의 블록도를 도시하고, 응답 메시지(950)는 WDC에 의해 지원되는 적어도 하나의 PFP에 관한 요청을 WDC로 송신한 무선 디바이스로 WDC에 의해 송신될 수 있다. WDC는 도 1 또는 7에 참조하여 설명된 WDC들(105 또는 705) 중 하나의 양상들, 및/또는 도 2, 3, 또는 4를 참조하여 설명된 장치들(205, 305 또는 405) 중 하나의 양상들의 예일 수 있다. 무선 디바이스는 도 1 또는 도 8을 참조하여 설명된 무선 디바이스들(115 또는 815) 중 하나의 양상들, 및/또는 도 2, 5 또는 6을 참조하여 설명된 장치들(205, 505 또는 605) 중 하나의 양상들의 예일 수 있다. [0121] 예로서, 응답 메시지(950)는 데이터 타입 필드(955) 및 상세한 IE 필드(960)(예를 들면, 003c#pfpDetailedInfo003e#)를 포함할 수 있다. 상세한 IE(960)는 발견 정보 서브엘리먼트(965)(예를 들면, 003c#discoveryInfo003e#)를 포함할 수 있다. 발견 정보 서브엘리먼트(965)는 서비스 IE(970)(예를 들면, 003c#serviceInfo003e#), 네트워크 역할 IE(975)(예를 들면, 003c#networkRole003e#), 서비스 광고 식별 IE(980)(예를 들면, 003c#advertisementId003e#) 및/또는 서비스 네임 IE(985)(예를 들면, 003c#serviceName003e#)를 포함할 수 있다. 발견 정보 서브엘리먼트의 IE들은, 예를 들면, 도 4 및/또는 12를 참조하여 설명된 바와 같이 파퓰레이팅될 수 있다.[0122] 응답 메시지(950)는 일부 경우들에서 WDC가 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 관한 요청을 수신하는 것에 응답하여 WDC에 의해 무선 디바이스로 송신될 수 있다.[0123] 도 10은 본 개시의 다양한 양상들에 따른, 무선 디바이스(1015)를 WDC(1005)에 의해 지원되는 특정 PFP에 접속할 목적으로 WDC(1005)와 무선 디바이스(1015) 사이의 무선 통신을 도시한 메시지 흐름도(1000)이다. WDC(1005)는 도 1 또는 7에 관련하여 설명된 WDC들(105 또는 705)의 양상들, 및/또는 도 2, 3, 또는 4를 참조하여 설명된 장치들(205, 305 또는 405)의 양상들의 예일 수 있다. 무선 디바이스(들)(1015)는 도 1, 7 및/또는 도 8을 참조하여 설명된 무선 디바이스(115, 715 및/또는 815) 중 하나의 양상들, 및/또는 도 2, 5 또는 6을 참조하여 설명된 장치들(205, 505 및/또는 605) 중 하나의 양상들의 예일 수 있다. [0124] 예로서, 무선 디바이스(1015)가 요청(1020)을 WDC(1005)로 송신하면서 메시지 흐름이 개시될 수 있다. 요청(1020)은 WDC(1005)에 의해 지원되는 적어도 하나의 PFP에 관한 요청일 수 있다. [0125] 요청(1020)을 수신하는 것에 응답하여, WDC(1005)는, WDC(1005)가 적어도 PFP로서 WBE를 지원하는지 또는 PFP로서 WDE를 지원하는지 또는 이들의 조합을 지원하는지를 표시하는 응답 메시지(1025)를 무선 디바이스(1015)로 송신할 수 있다. 응답 메시지(1025)는 일부 경우들에서 도 9a를 참조하여 설명된 포맷을 가질 수 있고, 간단한 IE(예를 들면, 003c#pfpSimpleInfo003e#)를 포함할 수 있다. 간단한 IE는 WDC(1005)에 의해 지원되는 PFP들의 리스트를 포함할 수 있다. [0126] 블록(1030)에서, 무선 디바이스(1015)는 응답 메시지에 적어도 부분적으로 기초하여 WDC(1005)에 의해 지원되는 특정 PFP를 선택할 수 있다. 이어서, 무선 디바이스(1015)는 WDC(1005)에 의해 지원되는 특정 PFP에 관한 더 상세한 정보에 대한 요청(1035)을 WDC(1005)로 전송할 수 있다. [0127] 요청(1035)을 수신하는 것에 응답하여, WDC(1005)는 부가적인 응답 메시지(1040)를 무선 디바이스(1015)로 송신할 수 있다. 부가적인 응답 메시지(1040)는 상세한 IE(예를 들면, 003c#pfpDetailedInfo003e#)를 포함할 수 있고, 상세한 IE는 WDC(1005)에 의해 지원되는 특정 PFP에 관한 부가적인 정보를 포함할 수 있다. 부가적인 정보는 블록(1045)에서 WDC(1005)에 의해 지원되는 특정 PFP에 접속하는데 사용될 수 있다. [0128] 도 11은 본 개시의 다양한 양상들에 따른 무선 통신 방법(1100)의 예를 예시한 흐름도이다. 명확함을 위해, 방법(1100)은 도 1 및/또는 7을 참조하여 설명된 WDC들(105 또는 705) 중 적어도 하나의 양상들, 및/또는 도 2, 3, 또는 4를 참조하여 설명된 장치들(205, 305 또는 405) 중 적어도 하나의 양상들을 참조하여 아래에 설명된다. 일부 예들에서, WDC(105 또는 705)와 같은 WDC 또는 장치들(205, 305 또는 405) 중 하나와 같은 장치는 아래에 설명된 기능들을 수행하도록 WDC 또는 장치의 기능적 엘리먼트들을 제어하기 위해 적어도 하나의 세트의 코드들을 실행할 수 있다. [0129] 블록(1105)에서, 요청은 WDC에서 수신될 수 있다. 요청은 WDC에 의해 지원되는 적어도 하나의 PFP에 관한 요청일 수 있다. 블록(1105)에서의 동작(들)은 도 2, 3 및/또는 4를 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 315 및/또는 415), 도 7을 참조하여 설명된 무선 도키 통신 관리 모듈(760) 및/또는 도 3 및/또는 4를 참조하여 설명된 PFP 요청 분석 모듈(325 및/또는 425)에 의해 수행될 수 있다.[0130] 블록(1110)에서, WDC가 적어도 PFP로서 WBE를 지원하는지 또는 PFP로서 WDE를 지원하는지 또는 이들의 조합을 지원하는지를 표시하는 응답 메시지(예를 들면, 블록(1105)에서 수신된 요청에 대한 응답)가 송신될 수 있다. 블록(1110)에서의 동작(들)은 도 2, 3 및/또는 4를 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 315 및/또는 415), 도 7을 참조하여 설명된 무선 도키 통신 관리 모듈(760) 및/또는 도 3 및/또는 4를 참조하여 설명된 PFP 응답 송신 관리 모듈(330 및/또는 430)에 의해 수행될 수 있다.[0131] 블록(1110)에서 송신된 응답 메시지는 일부 경우들에서 데이터 타입 필드를 포함할 수 있다. 데이터 타입 필드는 WDC에 의해 지원되는 PFP를 나타내는 값을 포함할 수 있다. WDC가 PFP로서 WBE를 지원할 때, 데이터 타입 필드의 값은 WDC가 PFP로서 WBE를 지원한다는 것을 표시할 수 있다(예를 들면, 데이터 타입 필드는 003c#peripheralFuncitonProtocolName003e#=wbe의 형태를 취할 수 있음). WDC가 PFP로서 WDE를 지원할 때, 데이터 타입 필드의 값은 WDC가 PFP로서 WDE를 지원한다는 것을 표시할 수 있다(예를 들면, 데이터 타입 필드는 003c#peripheralFuncitonProtocolName003e#=wde의 형태를 취할 수 있음). 일부 경우들에서, 블록(1110)에서 송신된 응답 메시지는 하나보다 더 많은 데이터 타입 필드를 포함할 수 있고, 각각의 값들은 WDC가 WBE 및 WDE 둘 모두를 지원한다는 것을 표시한다. [0132] 블록(1110)에서 송신된 응답 메시지는 일부 경우들에서 간단한 IE(예를 들면, 003c#pfpSimpleInfo003e#) 또는 상세한 IE(예를 들면, 003c#pfpDetailedInfo003e#)를 포함할 수 있다. 간단한 IE는 WDC에 의해 지원되는 PFP들의 리스트를 포함할 수 있다. 상세한 IE는 또한 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 관한 부가적인 정보를 포함할 수 있다. [0133] 일부 실시예들에서, 방법(1100)은 제 1 시간에 WDC에 의해 지원되는 PFP들에 관한 요청을 (예를 들면, 무선 디바이스로부터) 수신하는 것에 응답하여 그리고 제 2 시간에 WDC에 의해 지원되는 PFP들 중 특정 하나(예를 들면, 특정 PFP)에 관한 요청을 (예를 들면, 무선 디바이스로부터) 수신하는 것에 응답하여 수행될 수 있다. 간단한 IE를 포함하는 응답 메시지는 WDC에 의해 지원되는 PFP들에 관한 요청에 대한 응답으로 (예를 들면, 무선 디바이스로) 송신될 수 있고, 상세한 IE를 포함하는 응답 메시지는 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 관한 요청에 대한 응답으로 (예를 들면, 무선 디바이스로) 송신될 수 있다. PFP 요청 타입(예를 들면, WDC에 의해 지원되는 PFP들에 관한 요청, 또는 특정 PFP에 관한 요청)은, 예를 들면, 도 2, 3 및/또는 4를 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 315 및/또는 415), 도 7을 참조하여 설명된 무선 도키 통신 관리 모듈(760), 도 3 및/또는 4를 참조하여 설명된 PFP 요청 분석 모듈(325 및/또는 425), 및/또는 도 4를 참조하여 설명된 PFP 요청 타입 결정 모듈(435)에 의해 결정될 수 있다. 간단한 IE는 일부 경우들에서 도 4를 참조하여 설명된 간단한 IE 포맷팅 모듈(440)을 사용하여 포맷될 수 있다. 상세한 IE는 일부 경우들에서 도 4를 참조하여 설명된 상세한 IE 포맷팅 모듈(445)을 사용하여 포맷될 수 있다.[0134] 따라서, 방법(1100)은 무선 통신을 제공할 수 있다. 방법(1100)이 단지 하나의 구현이고 방법(1100)의 동작들이 다른 구현들이 가능하도록 재배열되거나 그렇지 않다면 수정될 수 있다는 것이 유의되어야 한다.[0135] 도 12는 본 개시의 다양한 양상들에 따른 무선 통신 방법(1200)의 예를 예시한 흐름도이다. 명확함을 위해, 방법(1200)은 도 1 및/또는 7을 참조하여 설명된 WDC들(105 및/또는 705) 중 적어도 하나의 양상들, 및/또는 도 2, 3, 또는 4를 참조하여 설명된 장치들(205, 305 및/또는 405) 중 적어도 하나의 양상들을 참조하여 아래에 설명된다. 일부 예들에서, WDC(105 또는 705)와 같은 WDC 또는 장치들(205, 305 또는 405) 중 하나와 같은 장치는 아래에 설명된 기능들을 수행하도록 WDC 또는 장치의 기능적 엘리먼트들을 제어하기 위해 적어도 하나의 세트의 코드들을 실행할 수 있다. [0136] 블록(1205)에서, 요청은 WDC에서 수신될 수 있다. 요청은 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP(예를 들면, WDC에 의해 PFP로서 지원되는 WBE 또는 WDE)에 관한 요청일 수 있다. 블록(1205)에서의 동작(들)은 도 2, 3 및/또는 4를 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 315 및/또는 415), 도 7을 참조하여 설명된 무선 도키 통신 관리 모듈(760) 및/또는 도 3 및/또는 4를 참조하여 설명된 PFP 요청 분석 모듈(325 및/또는 425)에 의해 수행될 수 있다.[0137] 블록들(1210, 1215, 1220, 1225, 1230, 1235, 1240, 1245 및/또는 1250)에서, 응답 메시지(예를 들면, 블록(1205)에서 수신된 요청에 대한 응답)이 준비될 수 있다. 응답 메시지는, 블록(1210)에서, 특정 PFP를 나타내는 값으로 설정될 수 있는 데이터 타입 필드를 포함할 수 있다. 특정 PFP가 WBE일 때, 데이터 타입 필드의 값은 WDC가 PFP로서 WBE를 지원한다는 것을 표시할 수 있다(예를 들면, 데이터 타입 필드는 003c#peripheralFunctionProtocolName003e# = wbe의 형태를 취할 수 있음). 특정 PFP가 WDE일 때, 데이터 타입 필드의 값은, WDC가 PFP로서 WDE를 지원한다는 것을 표시할 수 있다(예를 들면, 데이터 타입 필드는 003c#peripheralFunctionProtocolName003e# = wde의 형태를 취할 수 있음).[0138] 블록(1215)에서, 특정 PFP가 WFDS ASP를 사용하여 전개되는지가 결정될 수 있다. 블록(1215)에서의 동작(들)은 도 2, 3 및/또는 4를 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 315 및/또는 415), 도 7을 참조하여 설명된 무선 도키 통신 관리 모듈(760), 도 3 및/또는 4를 참조하여 설명된 PFP 응답 송신 관리 모듈(330 및/또는 430) 및/또는 도 4를 참조하여 설명된 PFP WFDS ASP 전개 결정 모듈(450)에 의해 수행될 수 있다.[0139] 특정 PFP가 WFDS ASP를 사용하여 전개되지 않는다고 블록(1215)에서 결정될 때, 응답 메시지의 상세한 IE(예를 들면, 003c#pfpDetailedInfo003e#)의 발견 정보 서브엘리먼트(예를 들면, 003c#discoveryInfo003e#)의 서비스 IE(예를 들면, 003c#serviceInfo003e#)의 값은 블록(1220)에서 널 값으로 설정될 수 있다. 특정 PFP가 WFDS ASP를 사용하여 전개된다고 블록(1215)에서 결정될 때, 서비스 IE의 값은 블록(1225)에서 비-널 값으로 설정될 수 있다. 비-널 값은 WFDS ASP의 서비스 정보 속성과 동일한 값(예를 들면, 특정 PFP에 대한 WFDS 광고 서비스의 003c#service_information003e# 속성과 동일한 값)일 수 있다.[0140] 블록(1230)에서, 그리고 특정 PFP가 WFDS ASP를 사용하여 전개된다고 결정될 때, 발견 정보 서브엘리먼트의 광고 식별 IE의 값은 특정 PFP의 WFDS 광고 식별로 설정될 수 있고, 블록(1235)에서, 발견 정보 서브엘리먼트의 서비스 네임 IE의 값은 WFDS ASP의 풀 서비스 네임으로 설정될 수 있다.[0141] 블록(1240)에서, WDC가 특정 PFP를 제공하는 P2P 세션의 그룹 소유자의 네트워크 역할을 추정하려고 의도하는지가 결정될 수 있다. WDC가 그룹 소유자의 네트워크 역할을 추정하려고 의도할 때, 발견 정보 서브엘리먼트의 네트워크 역할 IE(예를 들면, 003c#networkRole003e#)의 값은 블록(1245)에서 제 1 값(예를 들면, 그룹 소유자의 네트워크 역할에 대응하는 값)으로 설정될 수 있다. 그렇지 않다면, 네트워크 역할 IE의 값은 블록(1250)에서 제 2 값(예를 들면, 클라이언트의 네트워크 역할에 대응하는 값)으로 설정될 수 있다.[0142] 블록(1210, 1220, 1225, 1230, 1235, 1240, 1245 및/또는 1250)에서의 동작(들)은 도 2, 3 및/또는 4를 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 315 및/또는 415), 도 7을 참조하여 설명된 무선 도키 통신 관리 모듈(760), 도 3 및/또는 4를 참조하여 설명된 PFP 응답 송신 관리 모듈(330 및/또는 430) 및/또는 도 4를 참조하여 설명된 상세한 IE 포맷팅 모듈(445)에 의해 수행될 수 있다.[0143] 블록(1255)에서, 응답 메시지는 (예를 들면, 요청이 블록(1205)에서 수신되는 무선 디바이스로) 송신될 수 있다. 블록(1255)에서의 동작(들)은 도 2, 3 및/또는 4를 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 315 및/또는 415), 도 7을 참조하여 설명된 무선 도키 통신 관리 모듈(760), 도 3 및/또는 4를 참조하여 설명된 PFP 응답 송신 관리 모듈(330 및/또는 430), 도 2, 3 및/또는 4를 참조하여 설명된 송신기 모듈(220, 320 및/또는 420) 및/또는 도 7을 참조하여 설명된 트랜시버 모듈(735)에 의해 수행될 수 있다. [0144] 따라서, 방법(1200)은 무선 통신을 제공할 수 있다. 방법(1200)이 단지 하나의 구현이고 방법(1200)의 동작들이 다른 구현들이 가능하도록 재배열되거나 그렇지 않다면 수정될 수 있다는 것이 유의되어야 한다. [0145] 일부 실시예들에서, 도 11을 참조하여 설명된 방법(1100) 및 도 12를 참조하여 설명된 방법(1200)의 양상들이 결합될 수 있다. [0146] 도 13은 본 개시의 다양한 양상들에 따른 (예를 들면, 무선 도키에 의한) 무선 통신 방법(1300)의 예를 예시한 흐름도이다. 명확함을 위해, 방법(1300)은 도 1 및/또는 8을 참조하여 설명된 무선 디바이스들(115 및/또는 815)(예를 들면, 모바일 디바이스) 중 적어도 하나의 양상들 및/또는 도 2, 5 및/또는 6을 참조하여 설명된 장치들(205, 505 및/또는 605) 중 적어도 하나의 양상들을 참조하여 아래에 설명된다. 일부 예들에서, 무선 디바이스(115 또는 815)와 같은 무선 디바이스, 또는 장치들(205, 505 또는 605) 중 하나와 같은 장치는 아래에 설명되는 기능들을 수행하도록 무선 디바이스 또는 장치의 기능적 엘리먼트들을 제어하기 위해 적어도 하나의 세트의 코드들을 실행할 수 있다.[0147] 블록(1305)에서, 요청은 WDC로 송신될 수 있다. 요청은 WDC에 의해 지원되는 적어도 하나의 PFP에 관한 요청일 수 있다. 요청은 제 1 P2P 접속을 사용하여 송신될 수 있다. 블록(1305)에서의 동작(들)은 도 2, 5, 6 및/또는 8을 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 515, 615 및/또는 815) 및/또는 도 5 및/또는 6을 참조하여 설명된 PFP 요청 송신 관리 모듈(525 및/또는 625)에 의해 수행될 수 있다.[0148] 블록(1310)에서, WDC가 적어도 PFP로서 WBE를 지원하는지 또는 PFP로서 WDE를 지원하는지 또는 이들의 조합을 지원하는지를 표시하는 응답 메시지(예를 들면, 블록(1305)에서 송신된 요청에 대한 응답)가 수신될 수 있다. 블록(1310)에서의 동작(들)은 도 2, 5, 6 및/또는 8을 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 515, 615 및/또는 815) 및/또는 도 5 및/또는 6을 참조하여 설명된 PFP 응답 분석 모듈(530 및/또는 630)에 의해 수행될 수 있다.[0149] 블록(1310)에서 수신된 응답 메시지는 일부 경우들에서 데이터 타입 필드를 포함할 수 있다. 데이터 타입 필드는 WDC에 의해 지원되는 PFP를 나타내는 값을 포함할 수 있다. WDC가 PFP로서 WBE를 지원할 때, 데이터 타입 필드의 값은 WDC가 PFP로서 WBE를 지원한다는 것을 표시할 수 있다(예를 들면, 데이터 타입 필드는 003c#peripheralFuncitonProtocolName003e#=wbe의 형태를 취할 수 있음). WDC가 PFP로서 WDE를 지원할 때, 데이터 타입 필드의 값은 WDC가 PFP로서 WDE를 지원한다는 것을 표시할 수 있다(예를 들면, 데이터 타입 필드는 003c#peripheralFuncitonProtocolName003e#=wde의 형태를 취할 수 있음). 일부 경우들에서, 블록(1310)에서 수신된 응답 메시지는 하나보다 더 많은 데이터 타입 필드를 포함할 수 있고, 각각의 값들은 WDC가 WBE 및 WDE 둘 모두를 지원한다는 것을 표시한다. [0150] 블록(1310)에서 수신된 응답 메시지는 일부 경우들에서 간단한 IE(예를 들면, 003c#pfpSimpleInfo003e#) 또는 상세한 IE(예를 들면, 003c#pfpDetailedInfo003e#)를 포함할 수 있다. 간단한 IE는 WDC에 의해 지원되는 PFP들의 리스트를 포함할 수 있다. 상세한 IE는 또한 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 관한 부가적인 정보를 포함할 수 있다. [0151] 일부 실시예들에서, 방법(1300)은 제 1 시간에 어떠한 PFP들이 WDC에 의해 지원되는지를 결정하기 위해 그리고 제 2 시간에 WDC에 의해 지원되는 PFP들 중 특정 하나(예를 들면, 특정 PFP)에 관한 더 상세한 정보를 요청하기 위해 수행될 수 있다. 간단한 IE를 포함하는 응답 메시지는 어떠한 PFP들이 WDC에 의해 지원되는지에 관한 요청에 대한 응답으로 WDC로부터 수신될 수 있고, 상세한 IE를 포함하는 응답 메시지는 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 관한 요청에 대한 응답으로 수신될 수 있다. [0152] 따라서, 방법(1300)은 무선 통신을 제공할 수 있다. 방법(1300)이 단지 하나의 구현이고 방법(1300)의 동작들이 다른 구현들이 가능하도록 재배열되거나 그렇지 않다면 수정될 수 있다는 것이 유의되어야 한다.[0153] 도 14는 본 개시의 다양한 양상들에 따른 (예를 들면, 무선 도키에 의한) 무선 통신 방법(1400)의 예를 예시한 흐름도이다. 명확함을 위해, 방법(1400)은 도 1 및/또는 8을 참조하여 설명된 무선 디바이스들(115 및/또는 815)(예를 들면, 모바일 디바이스) 중 적어도 하나의 양상들 및/또는 도 2, 5 및/또는 6을 참조하여 설명된 장치들(205, 505 및/또는 605) 중 적어도 하나의 양상들을 참조하여 아래에 설명된다. 일부 예들에서, 무선 디바이스(115 또는 815)와 같은 무선 디바이스, 또는 장치들(205, 505 또는 605) 중 하나와 같은 장치는 아래에 설명되는 기능들을 수행하도록 무선 디바이스 또는 장치의 기능적 엘리먼트들을 제어하기 위해 적어도 하나의 세트의 코드들을 실행할 수 있다.[0154] 블록(1405)에서, 요청은 WDC로 송신될 수 있다. 요청은 WDC에 의해 지원되는 적어도 하나의 PFP에 관한 요청일 수 있다. 요청은 제 1 P2P 접속을 사용하여 송신될 수 있다. 블록(1405)에서의 동작(들)은 도 2, 5, 6 및/또는 8을 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 515, 615 및/또는 815) 및/또는 도 5 및/또는 6을 참조하여 설명된 PFP 요청 송신 관리 모듈(525 및/또는 625)에 의해 수행될 수 있다.[0155] 블록(1410)에서, WDC가 적어도 PFP로서 WBE를 지원하는지 또는 PFP로서 WDE를 지원하는지 또는 이들의 조합을 지원하는지를 표시하는 응답 메시지(예를 들면, 블록(1405)에서 송신된 요청에 대한 응답)가 수신될 수 있다. 블록(1410)에서의 동작(들)은 도 2, 5, 6 및/또는 8을 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 515, 615 및/또는 815) 및/또는 도 5 및/또는 6을 참조하여 설명된 PFP 응답 분석 모듈(530 및/또는 630)에 의해 수행될 수 있다.[0156] 블록(1410)에서 수신된 응답 메시지는 일부 경우들에서 데이터 타입 필드를 포함할 수 있다. 데이터 타입 필드는 WDC에 의해 지원되는 PFP를 나타내는 값을 포함할 수 있다. WDC가 PFP로서 WBE를 지원할 때, 데이터 타입 필드의 값은 WDC가 PFP로서 WBE를 지원한다는 것을 표시할 수 있다(예를 들면, 데이터 타입 필드는 003c#peripheralFuncitonProtocolName003e#=wbe의 형태를 취할 수 있음). WDC가 PFP로서 WDE를 지원할 때, 데이터 타입 필드의 값은 WDC가 PFP로서 WDE를 지원한다는 것을 표시할 수 있다(예를 들면, 데이터 타입 필드는 003c#peripheralFuncitonProtocolName003e#=wde의 형태를 취할 수 있음). 일부 경우들에서, 블록(1410)에서 수신된 응답 메시지는 하나보다 더 많은 데이터 타입 필드를 포함할 수 있고, 각각의 값들은 WDC가 WBE 및 WDE 둘 모두를 지원한다는 것을 표시한다. [0157] 블록(1410)에서 수신된 응답 메시지는 일부 경우들에서 간단한 IE(예를 들면, 003c#pfpSimpleInfo003e#)를 포함할 수 있다. 간단한 IE는 WDC에 의해 지원되는 PFP들의 리스트를 포함할 수 있다. [0158] 블록(1415)에서, WDC에 의해 지원되는 특정 PFP는 응답 메시지에 적어도 부분적으로 기초하여 선택될 수 있다. 블록(1415)에서의 동작(들)은 도 2, 5, 6 및/또는 8을 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 515, 615 및/또는 815) 및/또는 도 6을 참조하여 설명된 PFP 선택 모듈(635)에 의해 수행될 수 있다.[0159] 블록(1420)에서, WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 대한 접속이 이루어질 수 있다. WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 대한 접속은 일부 경우들에서 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 관한 더 상세한 정보에 대한 요청을 WDC로 송신하는 것을 포함할 수 있다. 이어서, 부가적인 응답 메시지가 WDC로부터 수신될 수 있다. 부가적인 응답 메시지는 상세한 IE(예를 들면, 003c#pfpDetailedInfo003e#)를 포함할 수 있고, 상세한 IE는 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 관한 부가적인 정보를 포함할 수 있다. 부가적인 정보는, 예를 들면, 도 15 및/또는 16을 참조하여 설명된 바와 같이 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 접속하는데 사용될 수 있다.[0160] 블록(1420)에서의 동작(들)은 도 2, 5, 6 및/또는 8을 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 515, 615 및/또는 815) 및/또는 도 6을 참조하여 설명된 PFP 접속/접속해제 모듈(645)에 의해 수행될 수 있다.[0161] 따라서, 방법(1400)은 무선 통신을 제공할 수 있다. 방법(1400)이 단지 하나의 구현이고 방법(1400)의 동작들이 다른 구현들이 가능하도록 재배열되거나 그렇지 않다면 수정될 수 있다는 것이 유의되어야 한다.[0162] 도 15는 본 개시의 다양한 양상들에 따른 (예를 들면, 무선 도키에 의한) 무선 통신 방법(1500)의 예를 예시한 흐름도이다. 명확함을 위해, 방법(1500)은 도 1 및/또는 8을 참조하여 설명된 무선 디바이스들(115 및/또는 815)(예를 들면, 모바일 디바이스) 중 적어도 하나의 양상들 및/또는 도 2, 5 및/또는 6을 참조하여 설명된 장치들(205, 505 및/또는 605) 중 적어도 하나의 양상들을 참조하여 아래에 설명된다. 일부 예들에서, 무선 디바이스(115 또는 815)와 같은 무선 디바이스, 또는 장치들(205, 505 또는 605) 중 하나와 같은 장치는 아래에 설명되는 기능들을 수행하도록 무선 디바이스 또는 장치의 기능적 엘리먼트들을 제어하기 위해 적어도 하나의 세트의 코드들을 실행할 수 있다.[0163] 블록(1505)에서, 요청은 WDC로 송신될 수 있다. 요청은 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP(예를 들면, WDC에 의해 PFP로서 지원되는 WBE 또는 WDE)에 관한 요청일 수 있다. 요청은 제 1 P2P 접속을 사용하여 송신될 수 있다. 블록(1505)에서의 동작(들)은 도 2, 5, 6 및/또는 8을 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 515, 615 및/또는 815) 및/또는 도 5 및/또는 6을 참조하여 설명된 PFP 요청 송신 관리 모듈(525 및/또는 625)에 의해 수행될 수 있다.[0164] 블록(1510)에서, WDC가 특정 PFP를 지원하는지를 표시하는 응답 메시지를 WDC로부터 수신될 수 있다. 블록(1510)에서의 동작(들)은 도 2, 5, 6 및/또는 8을 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 515, 615 및/또는 815) 및/또는 도 5 및/또는 6을 참조하여 설명된 PFP 응답 분석 모듈(530 및/또는 630)에 의해 수행될 수 있다.[0165] 블록(1510)에서 수신된 응답 메시지는 일부 경우들에서 데이터 타입 필드를 포함할 수 있다. 데이터 타입 필드는 특정 PFP를 나타내는 값을 포함할 수 있다. 특정 PFP가 WBE일 때, 데이터 타입 필드의 값은 WDC가 PFP로서 WBE를 지원한다는 것을 표시할 수 있다(예를 들면, 데이터 타입 필드는 003c#peripheralFuncitonProtocolName003e#=wbe의 형태를 취할 수 있음). 특정 PFP가 WDE일 때, 데이터 타입 필드의 값은 WDC가 PFP로서 WDE를 지원한다는 것을 표시할 수 있다(예를 들면, 데이터 타입 필드는 003c#peripheralFuncitonProtocolName003e#=wde의 형태를 취할 수 있음). [0166] 블록(1510)에서 수신된 응답 메시지는 또한 네트워크 역할 IE(예를 들면, 003c#networkRole003e#)를 포함할 수 있다. 네트워크 역할 IE는 일부 경우들에서 상세한 IE(예를 들면, 003c#pfpDetailedInfo003e#)에 포함될 수 있다. 상세한 IE는 또한 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 관한 다른 정보를 포함할 수 있다. [0167] 블록(1515)에서, 네트워크 역할 IE의 값이 식별될 수 있다. 값은 제 1 P2P 접속을 위해 WDC에 의해 추정될 네트워크 역할을 표시할 수 있다. 블록(1520)에서, 네트워크 역할 IE의 값은 무선 디바이스(예를 들면, 방법(1500)을 수행하는 무선 디바이스)에 의해 추정된 현재 네트워크 역할의 값과 비교될 수 있다. 블록(1515) 및/또는 블록(1520)에서의 동작(들)은 도 2, 5, 6 및/또는 8을 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 515, 615 및/또는 815) 및/또는 도 5 및/또는 6을 참조하여 설명된 PFP 응답 분석 모듈(530 및/또는 630)에 의해 수행될 수 있다.[0168] 블록(1525)에서 그리고 블록(1520)에서 이루어진 비교가 네트워크 역할 IE의 값이 무선 디바이스에 의해 추정된 현재 네트워크 역할의 값과 상이하다는 것을 드러낼 때, 제 1 P2P 접속은 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 접속하는데 사용될 수 있다.[0169] 블록(1520)에서 이루어진 비교가 네트워크 역할 IE의 값이 무선 디바이스에 의해 추정된 현재 네트워크 역할의 값과 매칭한다는 것을 드러낼 때, 무선 디바이스는 블록(1530)에서 제 1 P2P 접속으로부터 접속해제하고, 블록(1535)에서 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 접속하기 위해 제 2 P2P 접속을 설정할 수 있다.[0170] 블록(1525, 1530) 및/또는 블록(1535)에서의 동작(들)은 도 2, 5, 6 및/또는 8을 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 515, 615 및/또는 815) 및/또는 도 6을 참조하여 설명된 PFP 접속/접속해제 모듈(645)에 의해 수행될 수 있다.[0171] 따라서, 방법(1500)은 무선 통신을 제공할 수 있다. 방법(1500)이 단지 하나의 구현이고 방법(1500)의 동작들이 다른 구현들이 가능하도록 재배열되거나 그렇지 않다면 수정될 수 있다는 것이 유의되어야 한다.[0172] 도 16은 본 개시의 다양한 양상들에 따른 (예를 들면, 무선 도키에 의한) 무선 통신 방법(1600)의 예를 예시한 흐름도이다. 명확함을 위해, 방법(1600)은 도 1 및/또는 8을 참조하여 설명된 무선 디바이스들(115 및/또는 815)(예를 들면, 모바일 디바이스) 중 적어도 하나의 양상들 및/또는 도 2, 5 및/또는 6을 참조하여 설명된 장치들(205, 505 및/또는 605) 중 적어도 하나의 양상들을 참조하여 아래에 설명된다. 일부 예들에서, 무선 디바이스(115 또는 815)와 같은 무선 디바이스, 또는 장치들(205, 505 또는 605) 중 하나와 같은 장치는 아래에 설명되는 기능들을 수행하도록 무선 디바이스 또는 장치의 기능적 엘리먼트들을 제어하기 위해 적어도 하나의 세트의 코드들을 실행할 수 있다.[0173] 블록(1605)에서, 요청은 WDC로 송신될 수 있다. 요청은 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP(예를 들면, WDC에 의해 PFP로서 지원되는 WBE 또는 WDE)에 관한 요청일 수 있다. 요청은 제 1 P2P 접속을 사용하여 송신될 수 있다. 블록(1605)에서의 동작(들)은 도 2, 5, 6 및/또는 8을 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 515, 615 및/또는 815) 및/또는 도 5 및/또는 6을 참조하여 설명된 PFP 요청 송신 관리 모듈(525 및/또는 625)에 의해 수행될 수 있다.[0174] 블록(1610)에서, WDC가 특정 PFP를 지원하는지를 표시하는 응답 메시지를 WDC로부터 수신될 수 있다. 블록(1610)에서의 동작(들)은 도 2, 5, 6 및/또는 8을 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 515, 615 및/또는 815) 및/또는 도 5 및/또는 6을 참조하여 설명된 PFP 응답 분석 모듈(530 및/또는 630)에 의해 수행될 수 있다.[0175] 블록(1610)에서 수신된 응답 메시지는 일부 경우들에서 데이터 타입 필드를 포함할 수 있다. 데이터 타입 필드는 특정 PFP를 나타내는 값을 포함할 수 있다. 특정 PFP가 WBE일 때, 데이터 타입 필드의 값은 WDC가 PFP로서 WBE를 지원한다는 것을 표시할 수 있다(예를 들면, 데이터 타입 필드는 003c#peripheralFuncitonProtocolName003e#=wbe의 형태를 취할 수 있음). 특정 PFP가 WDE일 때, 데이터 타입 필드의 값은 WDC가 PFP로서 WDE를 지원한다는 것을 표시할 수 있다(예를 들면, 데이터 타입 필드는 003c#peripheralFuncitonProtocolName003e#=wde의 형태를 취할 수 있음). [0176] 블록(1610)에서 수신된 응답 메시지는 또한 네트워크 역할 IE(예를 들면, 003c#networkRole003e#)를 포함할 수 있다. 네트워크 역할 IE는 일부 경우들에서 상세한 IE(예를 들면, 003c#pfpDetailedInfo003e#)에 포함될 수 있다. 상세한 IE는 또한 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 관한 다른 정보를 포함할 수 있다. [0177] 블록(1615)에서, 네트워크 역할 IE의 값이 식별될 수 있다. 값은 제 1 P2P 접속을 위해 WDC에 의해 추정될 네트워크 역할을 표시할 수 있다. 블록(1620)에서, 네트워크 역할 IE의 값은 무선 디바이스(예를 들면, 방법(1600)을 수행하는 무선 디바이스)에 의해 추정된 현재 네트워크 역할의 값과 비교될 수 있다. 블록(1615) 및/또는 블록(1620)에서의 동작(들)은 도 2, 5, 6 및/또는 8을 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 515, 615 및/또는 815) 및/또는 도 5 및/또는 6을 참조하여 설명된 PFP 응답 분석 모듈(530 및/또는 630)에 의해 수행될 수 있다.[0178] 블록(1625)에서 그리고 블록(1620)에서 이루어진 비교가 네트워크 역할 IE의 값이 무선 디바이스에 의해 추정된 현재 네트워크 역할의 값과 상이하다는 것을 드러낼 때, WDC에 의해 지원되는 특정 PFP가 WFDS ASP를 통해 전개되는지가 결정될 수 있다. WDC에 의해 지원되는 특정 PFP가 WFDS ASP를 통해 전개되지 않을 때, 제 1 P2P 접속은 블록(1630)에서 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 접속하는데 사용될 수 있다. WDC에 의해 지원되는 특정 PFP가 WFDS ASP를 통해 전개될 때, ASP 세션 요청 조정 메시지(예를 들면, REQUEST_SESSION ASP 조정 메시지)는 블록(1635)에서 제 1 P2P 접속을 통해 WDC로 전송될 수 있다. ASP 세션 요청 조정 메시지는 WDC에 의해 지원되는 특정 PFP에 접속할 목적으로 특정 PFP로 지향될 수 있다.[0179] 블록(1620)에서 이루어진 비교가 네트워크 역할 IE의 값이 무선 디바이스에 의해 추정된 현재 네트워크 역할의 값과 매칭한다는 것을 드러낼 때, 무선 디바이스는 블록(1640)에서 제 1 P2P 접속으로부터 접속해제할 수 있다. 블록(1645)에서, WDC에 의해 지원되는 특정 PFP가 WFDS ASP를 통해 전개되는지가 결정될 수 있다. WDC에 의해 지원되는 특정 PFP가 WFDS ASP를 통해 전개되지 않을 때, 방법(1600)을 수행하는 무선 디바이스는 블록(1650)에서 WDC와 새로운 네트워크 역할을 협상하고, 블록(1655)에서 특정 PFP에 접속하기 위해 새로운 네트워크 역할 및 제 2 P2P 접속을 사용할 수 있다. WDC에 의해 지원되는 특정 PFP가 WFDS ASP를 통해 전개될 때, 새로운 프로비전 발견 요청이 블록(1660)에서 개시될 수 있다. 새로운 프로비전 발견 요청은 새로운 네트워크 역할(예를 들면, 'Cli' (0x02) 또는 'GO' (0x03))로 설정된 접속 능력을 가질 수 있고, 새로운 네트워크 역할은 무선 디바이스에 의해 추정된 현재 네트워크 역할과 상이할 수 있다. 블록(1665)에서, 새로운 ASP 세션은 제 2 P2P 접속을 통해 개시될 수 있고, 새로운 네트워크 역할 및 제 2 P2P 접속은 특정 PFP에 접속하는데 사용될 수 있다. [0180] 블록(1625) 및/또는 블록(1645)에서의 동작(들)은 도 2, 5, 6 및/또는 8을 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 515, 615 및/또는 815) 및/또는 도 6을 참조하여 설명된 PFP WFDS ASP 결정 모듈(640)에 의해 수행될 수 있다.[0181] 블록들(1630, 1635, 1640, 1650, 1655, 1660 및/또는 1665)에서의 동작(들)은 도 2, 5, 6 및/또는 8을 참조하여 설명된 무선 통신 관리 모듈(215, 515, 615 및/또는 815) 및/또는 도 6을 참조하여 설명된 PFP 접속/접속해제 모듈(645)에 의해 수행될 수 있다.[0182] 따라서, 방법(1600)은 무선 통신을 제공할 수 있다. 방법(1600)이 단지 하나의 구현이고 방법(1600)의 동작들이 다른 구현들이 가능하도록 재배열되거나 그렇지 않다면 수정될 수 있다는 것이 유의되어야 한다.[0183] 일부 실시예들에서, 도 13, 14, 15 및/또는 16을 참조하여 설명된 방법들(1300, 1400, 1500 및/또는 1600)의 양상들은 결합될 수 있다.[0184] 첨부 도면들과 관련하여 앞서 제시된 상세한 설명은 예들을 설명하며, 구현될 수 있거나 또는 청구항들의 범위 내에 있는 예들만을 나타내지 않는다. 본 명세서 전반에 사용된 용어 "예시적인"은 다른 예들에 비해 "바람직하거나" 또는 "유리한" 것인 아니라 "예, 경우 또는 예시"로서의 역할을 하는 것을 의미한다. 상세한 설명은 설명된 기술들의 이해를 제공할 목적으로 특정 세부사항을 포함한다. 그러나, 이들 기술들은 이들 특정 세부사항들 없이 실시될 수 있다. 일부의 경우들에서, 설명된 예들의 개념들을 불명료하게 하는 것을 방지 위하여 공지된 구조들 및 장치들이 블록도 형태로 도시된다.[0185] 정보 및 신호들은 다양한 상이한 기술들 및 기법들 중 임의의 것을 사용하여 표현될 수 있다. 예컨대, 앞의 설명 전반에 걸쳐 참조될 수 있는 데이터, 명령들, 커맨드들, 정보, 신호들, 비트들, 심볼들, 및 칩들은 전압들, 전류들, 전자기파들, 자기장들 또는 자기 입자들, 광 필드들 또는 광 입자들, 또는 이들의 임의의 조합으로 표현될 수 있다.[0186] 본원의 개시내용과 관련하여 설명되는 다양한 예시적인 블록들 및 모듈들은 범용 프로세서, 디지털 신호 프로세서(DSP), ASIC, FPGA 또는 다른 프로그램가능 논리 디바이스, 이산 게이트 또는 트랜지스터 로직, 이산 하드웨어 컴포넌트들 또는 본원에 설명된 기능들을 수행하도록 설계된 이들의 임의의 조합으로 구현 또는 수행될 수 있다. 범용 프로세서는 마이크로프로세서일 수 있지만, 대안적으로, 프로세서는 임의의 종래의 프로세서, 제어기, 마이크로제어기, 또는 상태 머신일 수 있다. 프로세서는 또한 컴퓨팅 디바이스들의 조합, 예컨대 DSP 및 마이크로프로세서의 조합, 다수의 마이크로프로세서들, DSP 코어와 결합된 하나 이상의 마이크로프로세서들, 또는 임의의 다른 이러한 구성으로서 구현될 수 있다.[0187] 본원에서 설명된 기능들은 하드웨어, 프로세서에 의해 실행되는 소프트웨어, 펌웨어 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다. 프로세서에 의해 실행되는 소프트웨어로 구현되는 경우, 기능들은 컴퓨터 판독가능 매체 상에 하나 이상의 명령들 또는 코드로서 저장되거나 이들을 통해 전송될 수 있다. 다른 예들 및 구현들은 첨부된 청구항들 및 개시내용의 범위 내에 있다. 예컨대, 소프트웨어의 특성 때문에, 앞서 설명된 기능들은 프로세서에 의해 실행되는 소프트웨어, 하드웨어, 펌웨어, 하드와이어링, 또는 이들 중 임의의 것의 조합을 사용하여 구현될 수 있다. 기능들을 구현하는 특징들은 또한 기능들 중 일부들이 상이한 물리적 위치들에서 구현되도록 분산된 것을 비롯하여 다양한 위치들에 물리적으로 배치될 수 있다. 또한, 청구항들을 비롯하여 본원에서 설명되는 바와 같이, "중 적어도 하나"에 선행하는 항목들의 리스트에서 사용되는 "또는"은 예컨대 "A, B 또는 C 중 적어도 하나"의 리스트가 A 또는 B 또는 C 또는 AB 또는 AC 또는 BC 또는 ABC(즉, A 및 B 및 C)를 의미하도록 이접적 리스트를 표시한다.[0188] 컴퓨터-판독가능 매체는 컴퓨터 저장 매체를 포함한다. 저장 매체는 범용 컴퓨터 또는 특수 목적 컴퓨터에 의해 액세스될 수 있는 임의의 이용가능 매체일 수 있다. 제한이 아닌 예시로서, 컴퓨터-판독가능 매체는 RAM, ROM, EEPROM, CD-ROM 또는 다른 광학 디스크 저장소, 자기 디스크 저장 또는 다른 자기 저장 디바이스들, 또는 명령들 또는 데이터 구조들의 형태로 원하는 프로그램 코드 수단을 저장 또는 반송하는데 사용될 수 있고, 범용 컴퓨터 또는 특수 목적 컴퓨터 또는 범용 프로세서 또는 특수 목적 프로세서에 의해 액세스될 수 있는 임의의 다른 매체를 포함할 수 있다. 여기에서 사용되는 디스크(disk) 및 디스크(disc)는 컴팩트 디스크(disc)(CD), 레이저 디스크(disc), 광 디스크(disc), 디지털 다기능 디스크(disc)(DVD), 플로피 디스크(disk), 및 블루-레이 디스크(disc)를 포함하며, 여기서 디스크(disk)들은 보통 데이터를 자기적으로 재생하지만, 디스크(disc)들은 레이저들을 이용하여 광학적으로 데이터를 재생한다. 상기한 것의 조합들 또한 컴퓨터 판독가능 매체의 범위 내에 포함되어야 한다.[0189] 본 개시내용의 전술한 설명은 당업자가 본 개시내용을 이용하거나 또는 실시할 수 있도록 제공된다. 본 개시내용에 대한 다양한 변형들은 당업자들에게 쉽게 명백할 것이며, 본원에서 정의된 일반적인 원리들은 본 개시내용의 범위를 벗어남이 없이 다른 변형들에 적용될 수 있다. 본 개시내용 전반에 걸쳐, 용어 "예" 또는 "예시적"은 예 또는 경우를 표시하며 앞서 언급된 예에 대한 임의의 선호도를 암시하거나 또는 요구하는 것이 아니다. 따라서, 본 개시내용은 본원에서 설명된 예들 및 설계들로 한정되는 것이 아니라, 본원에서 개시된 원리들 및 신규한 특징들과 부합하는 가장 넓은 범위에 따르도록 의도된다.	무선 통신을 위한 방법들, 시스템들 및 장치들이 설명된다. 하나의 방법에서, WDC(Wi-Fi docking center)에 의해 지원되는 하나 이상의 PFP들(peripheral function protocols)에 관한 요청이 WDC에서 수신될 수 있고, WDC가 PFP로서 적어도 WBE(Wi-Gig Bus Extension) 또는 PFP로서 WDE(Wi-Gig Display Extension)를 지원하는지를 표시하는 응답 메시지가 송신될 수 있다. 다른 방법에서, WDC에 의해 지원되는 하나 이상의 PFP들에 관한 요청이 WDC로 송신될 수 있고, 응답 메시지가 WDC로부터 수신될 수 있다. 요청은 제 1 P2P(peer-to-peer) 접속을 사용하여 송신될 수 있다. 응답 메시지는 WDC가 적어도 PFP로서 WBE를 지원하는지 또는 PFP로서 WDE를 지원하는지를 표시할 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법 및 장치METHOD AND DEVICE FOR MOVING PAGE CONTENT [ 기술분야 ] 본 발명은 컴퓨터 분야, 특히, 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 터치스크린 기술의 지속적인 개발로 인해, 모바일 단말기의 디스플레이 스크린의 사이즈는 증가하고 있어, 모바일 단말기 상의 콘텐츠의 뷰잉을 용이하게 하지만, 사용자가 모바일 단말기 상의 한-손 동작을 수행하게 하는 것을 더 어렵게 만든다. 종래 기술에 있어서, 대형 터치스크린을 가진 모바일 단말기 상에서, 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출되면, 사용자는 페이지 상의 슬라이드 조작을 더 수행할 수 없고, 사용자가 왼손 또는 오른손 동작을 수행하는 것이 불편하다. 선택적으로, 사용자로부터 트리거 명령을 수신한 후, 모바일 단말기는 사용자가 왼손 또는 오른손 동작을 수행할 수 있도록, 사전 설정된 백분율에 따라 디스플레이 스크린의 좌하 코너 또는 우하 코너로 전체 페이지 상의 콘텐츠를 일정 비율 축소(scale down)할 수 있다. 그러나, 사전 설정된 백분율에 따른 스크린의 코너로 페이지 콘텐츠의 일정 비율 축소는 스크린의 다른 비어 있는 디스플레이 공간의 폐기물의 원인이 될 수 있고, 시각적 미학에 영향을 미친다. 또한, 사전 설정된 백분율에 따라 페이지 콘텐츠가 일정 비율 축소되면, 페이지 콘텐츠는 또한 사전 설정된 백분율에 따라 일정 비율 축소되는데, 이는 뷰잉과 터치 동작을 수행하는 것을 불편하게 하여, 사용자의 한-손 동작 경험을 약화시킨다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 실시예들은 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법과 장치를 제공한다. 대형 터치스크린을 가진 모바일 단말기 상에서, 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출될 때, 페이지 콘텐츠는 한-손 조작 영역으로 이동되어, 사용자가 한-손 조작 영역에서 한-손 동작을 수행할 수 있게 하고; 페이지 콘텐츠는 한-손 조작 영역으로부터 사전 설정된 제1 속도로 초기 디스플레이 위치로 되돌아가도록 이동될 수 있고, 그로 인해 모바일 단말기의 지능을 개선할 수 있다.제1 양태에 따르면, 본 발명의 실시예는 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법을 제공하며, 여기서 상기 방법은,디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출되면 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 명령을 획득하는 단계;상기 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키는 단계; 및상기 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신될 때 사전 설정된 제1 속도로 상기 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키는 단계를 포함한다.제1 양태의 제1의 가능한 구현 방식에 있어서, 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 명령을 획득하는 상기 단계는,상기 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작을 획득하는 단계; 및상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 변위가 사전 설정된 슬라이드 변위보다 더 크다는 것이 검출되면 상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 획득된 슬라이드 조작을 상기 이동 명령으로서 결정하는 단계를 포함한다.제1 양태의 제1의 가능한 구현 방식과 관련하여, 제1 양태의 제2의 가능한 구현 방식에 있어서, 상기 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키는 상기 단계는,상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 상기 변위에 따라 상기 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기를 결정하는 단계; 및상기 사전 설정된 방향과 상기 이동 변위의 상기 크기에 따라 상기 한-손 조작 영역을 결정하는 단계를 포함한다.제1 양태의 제1의 가능한 구현 방식과 관련하여, 제1 양태의 제3의 가능한 구현 방식에 있어서, 상기 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키는 상기 단계는,상기 페이지 콘텐츠의 초기 디스플레이 위치를 획득하는 단계,상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 상기 변위에 따라 상기 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기를 결정하는 단계, 및결정된 사전 설정된 방향과 결정된 이동 변위의 크기에 따라 상기 한-손 조작 영역에서 상기 초기 디스플레이 위치로부터 타겟 디스플레이 위치로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키는 단계를 포함하고; 그리고사전 설정된 제1 속도로 상기 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키는 상기 단계는,상기 페이지 콘텐츠가 상기 초기 디스플레이 위치로 이동되는 것이 검출될 때까지, 상기 사전 설정된 제1 속도로 상기 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키는 단계를 포함한다.제1 양태의 제3의 가능한 구현 방식과 관련하여, 제1 양태의 제4의 가능한 구현 방식에 있어서, 상기 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시킨 후, 그리고 상기 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신될 때 사전 설정된 제1 속도로 상기 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키기 전에, 상기 방법은,상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 해제가 검출되면 상기 타겟 디스플레이 위치에 따라 상기 페이지 콘텐츠를 표시하는 단계를 포함한다.제1 양태의 제3의 가능한 구현 방식과 관련하여, 제1 양태의 제5의 가능한 구현 방식에 있어서, 상기 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시킨 후, 그리고 상기 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신될 때 사전 설정된 제1 속도로 상기 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키기 전에, 상기 방법은,상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 해제가 검출되면 상기 타겟 디스플레이 위치로부터 사전 설정된 제2 속도로 상기 이동 방향과 반대 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키는 단계를 포함하며, 여기서 상기 사전 설정된 제2 속도는 상기 사전 설정된 제1 속도보다 느리다.제1 양태의 제3의 가능한 구현 방식과 관련하여, 제1 양태의 제6의 가능한 구현 방식에 있어서, 결정된 사전 설정된 방향과 결정된 이동 변위의 크기에 따라 상기 한-손 조작 영역에서 상기 초기 디스플레이 위치로부터 타겟 디스플레이 위치로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키는 상기 단계는,결정된 사전 설정된 방향과 결정된 이동 변위의 크기에 따라 타겟 위치를 결정하는 단계, 및상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 해제가 검출되고 목적 디스플레이 위치가 사전 설정된 위치 임계값을 충족하는 것이 검출되면 상기 사전 설정된 위치 임계값에 해당하는 사전 설정된 위치를 상기 타겟 디스플레이 위치로서 결정하는 단계를 포함하고;상기 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키는 상기 단계 후에, 그리고 상기 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신될 때 사전 설정된 제1 속도로 상기 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키는 상기 단계 이전에, 상기 방법은,상기 타겟 디스플레이 위치에 따라 상기 페이지 콘텐츠를 표시하는 단계를 포함한다.제1 양태 또는 제1 양태의 제1 내지 제6의 가능한 구현 방식 중 임의의 하나와 관련하여, 제1 양태의 제7의 가능한 구현 방식에 있어서, 상기 사전 설정된 방향은 수직 방향 또는 수평 방향을 포함하고; 그리고상기 이동 변위의 상기 크기는 사전 설정된 비례 계수와 상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 변위의 곱을 포함한다.제1 양태 또는 제1 양태의 제1 내지 제6의 가능한 구현 방식 중 임의의 하나와 관련하여, 제1 양태의 제8의 가능한 구현 방식에 있어서, 상기 페이지 콘텐츠는 디스플레이 스크린의 사전 설정된 영역의 페이지 콘텐츠 또는 디스플레이 스크린의 모든 영역의 페이지 콘텐츠를 포함한다.제2 양태에 따르면, 본 발명의 실시예는 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 장치를 제공하며, 여기서 상기 장치는,디스플레이 콘텐츠가 상기 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출될 때 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 명령을 획득하도록 구성된 명령 획득 모듈;상기 명령 획득 모듈에 의해 획득된 상기 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키도록 구성된 페이지 이동 모듈; 및상기 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신될 때 사전 설정된 제1 속도로 상기 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키도록 구성된 페이지 복귀 모듈을 포함한다.제2 양태의 제1의 가능한 구현 방식에 있어서, 상기 명령 획득 모듈은,상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작을 획득하도록 구성된 슬라이드 조작 획득 유닛; 및상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 변위가 사전 설정된 슬라이드 변위보다 더 크다는 것이 검출될 때 상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 획득된 슬라이드 조작을 상기 이동 명령으로서 결정하도록 구성된 명령 결정 유닛을 포함한다.제2 양태의 제1의 가능한 구현 방식과 관련하여, 제2 양태의 제2의 가능한 구현 방식에 있어서, 상기 페이지 이동 모듈은,상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 상기 변위에 따라 상기 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기를 결정하도록 구성된 이동 변위 결정 유닛; 및상기 사전 설정된 방향과 상기 이동 변위의 상기 크기에 따라 상기 한-손 조작 영역을 결정하도록 구성된 한-손 영역 결정 유닛을 포함한다.제2 양태의 제1의 가능한 구현 방식과 관련하여, 제2 양태의 제3의 가능한 구현 방식에 있어서, 상기 페이지 이동 모듈은,상기 페이지 콘텐츠의 초기 디스플레이 위치를 획득하도록 구성된 위치 획득 유닛,상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 상기 변위에 따라 상기 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기를 결정하도록 구성된 이동 변위 결정 유닛, 및결정된 사전 설정된 방향과 결정된 이동 변위의 크기에 따라 상기 한-손 조작 영역에서 상기 페이지 콘텐츠를 상기 초기 디스플레이 위치로부터 타겟 디스플레이 위치로 이동시키도록 구성된 이동 유닛을 포함하고; 그리고상기 페이지 복귀 모듈은 구체적으로,상기 페이지 콘텐츠가 상기 초기 디스플레이 위치로 이동되는 것이 검출될 때까지, 상기 사전 설정된 제1 속도로 상기 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키도록 구성된다.제2 양태의 제3의 가능한 구현 방식과 관련하여, 제2 양태의 제4의 가능한 구현 방식에 있어서, 상기 장치는,상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 해제가 검출되면 상기 타겟 디스플레이 위치에 따라 상기 페이지 콘텐츠를 표시하도록 구성된 제1 디스플레이 모듈을 더 포함한다.제2 양태의 제3의 가능한 구현 방식과 관련하여, 제2 양태의 제5의 가능한 구현 방식에 있어서, 상기 페이지 복귀 모듈은,상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 해제가 검출되면 상기 타겟 디스플레이 위치로부터 사전 설정된 제2 속도로 상기 이동 방향과 반대 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키도록 더 구성되고, 여기서 상기 사전 설정된 제2 속도는 상기 사전 설정된 제1 속도보다 느리다.제2 양태의 제3의 가능한 구현 방식과 관련하여, 제2 양태의 제6의 가능한 구현 방식에 있어서, 상기 이동 유닛은 구체적으로,결정된 사전 설정된 방향과 결정된 이동 변위의 크기에 따라 타겟 위치를 결정하고,상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 해제가 검출되고 그리고 상기 타겟 디스플레이 위치가 상기 사전 설정된 위치 임계값을 충족하는 것이 검출될 때 상기 사전 설정된 위치 임계값에 해당하는 사전 설정된 위치를 상기 타겟 디스플레이 위치로서 결정하도록 구성되고; 그리고상기 장치는,상기 타겟 디스플레이 위치에 따라 상기 페이지 콘텐츠를 표시하도록 구성된 제2 디스플레이 모듈을 더 포함한다.제2 양태 또는 제2 양태의 제1 내지 제6의 가능한 구현 방식 중 임의의 하나와 관련하여, 제2 양태의 제7의 가능한 구현 방식에 있어서, 상기 사전 설정된 방향은,수직 방향 또는 수평 방향을 포함하고; 그리고상기 이동 변위의 크기는 사전 설정된 비례 계수와 상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 상기 변위의 곱을 포함한다.제2 양태 또는 제2 양태의 제1 내지 제6의 가능한 구현 방식 중 임의의 하나와 관련하여, 제2 양태의 제8의 가능한 구현 방식에 있어서, 상기 페이지 콘텐츠는 디스플레이 스크린의 사전 설정된 영역의 페이지 콘텐츠 또는 디스플레이 스크린의 모든 영역의 페이지 콘텐츠를 포함한다.제3 양태에 따르면, 본 발명의 실시예는, 수신기, 송신기, 메모리, 및 상기 수신기, 상기 송신기 및 상기 메모리에 연결되는 프로세서를 포함하는 모바일 단말기를 제공하며, 여기서 상기 메모리는 프로그램 코드의 그룹을 저장하고, 상기 프로세서는 상기 메모리에 저장된 상기 프로그램 코드를 호출하여, 다음의 동작들을 수행하도록 구성된다:디스플레이 콘텐츠가 상기 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출되면 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 명령을 획득하는 단계;상기 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키는 단계; 및상기 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신될 때 사전 설정된 제1 속도로 상기 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키는 단계.제3 양태의 제1의 가능한 구현 방식에서, 상기 프로세서가 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 명령을 획득하는 상기 단계는 다음을 포함한다:상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작을 획득하는 단계; 및상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 변위가 사전 설정된 슬라이드 변위보다 더 크다는 것이 검출되면 상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 획득된 슬라이드 조작을 상기 이동 명령으로서 결정하는 단계.제3 양태의 제1의 가능한 구현 방식과 관련하여, 제3 양태의 제2의 구현 방식에 있어서, 상기 프로세서가 상기 이동 명령에 따라 상기 한-손 조작 영역으로 상기 사전 설정된 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키는 상기 단계는 다음을 포함한다:상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 상기 변위에 따라 상기 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기를 결정하는 단계; 및상기 사전 설정된 방향과 상기 이동 변위의 상기 크기에 따라 상기 한-손 조작 영역을 결정하는 단계.제3 양태의 제1의 가능한 구현 방식과 관련하여, 제3 양태의 제3의 가능한 구현 방식에서, 상기 프로세서가 상기 이동 명령에 따라 상기 한-손 조작 영역으로 상기 사전 설정된 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키는 상기 단계는 다음을 포함한다:상기 페이지 콘텐츠의 초기 디스플레이 위치를 획득하는 단계,상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 상기 변위에 따라 상기 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기를 결정하는 단계, 및결정된 사전 설정된 방향과 결정된 이동 변위의 크기에 따라 상기 한-손 조작 영역에서 상기 초기 디스플레이 위치로부터 타겟 디스플레이 위치로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키는 단계를 포함하고; 그리고상기 프로세서가 상기 사전 설정된 제1 속도로 상기 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키는 상기 단계는,상기 페이지 콘텐츠가 상기 초기 디스플레이 위치로 이동되는 것이 검출될 때까지, 상기 사전 설정된 제1 속도로 상기 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키는 단계를 포함한다.제3 양태의 제3의 가능한 구현 방식과 관련하여, 제3 양태의 제4의 가능한 구현 방식에 있어서, 상기 프로세서는,상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 해제가 검출되면 상기 타겟 디스플레이 위치에 따라 상기 페이지 콘텐츠를 표시하도록 더 구성된다.제3 양태의 제3의 가능한 구현 방식과 관련하여, 제3 양태의 제5의 가능한 구현 방식에 있어서, 상기 프로세서는,상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 해제가 검출되면 상기 타겟 디스플레이 위치로부터 사전 설정된 제2 속도로 상기 이동 방향과 반대 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동하도록 더 구성되고, 여기서 상기 사전 설정된 제2 속도는 상기 사전 설정된 제1 속도보다 느리다.제3 양태의 제3의 가능한 구현 방식과 관련하여, 제3 양태의 제6의 가능한 구현 방식에서, 상기 프로세서가 결정된 사전 설정된 방향과 결정된 이동 변위의 크기에 따라 상기 한-손 조작 영역에서 상기 초기 디스플레이 위치로부터 상기 타겟 디스플레이 위치로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시키는 상기 단계는,결정된 사전 설정된 방향과 결정된 이동 변위의 크기에 따라 타겟 위치를 결정하는 단계, 및상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 해제가 검출되고 상기 타겟 디스플레이 위치가 상기 사전 설정된 위치 임계값을 충족하는 것이 검출되면 상기 사전 설정된 위치 임계값에 해당하는 사전 설정된 위치를 상기 타겟 디스플레이 위치로서 결정하는 단계를 포함하고; 그리고상기 프로세서는,상기 타겟 디스플레이 위치에 따라 상기 페이지 콘텐츠를 표시하도록 더 구성된다.제3 양태 또는 제3 양태의 제1 내지 제6의 가능한 구현 방식 중 임의의 하나와 관련하여, 제3 양태의 제7의 가능한 구현 방식에 있어서, 상기 사전 설정된 방향은 수직 방향 또는 수평 방향을 포함하고; 그리고상기 이동 변위의 상기 크기는 사전 설정된 비례 계수와 상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 상기 변위의 곱을 포함한다.제3 양태 또는 제3 양태의 제1 내지 제6의 가능한 구현 방식 중 임의의 하나와 관련하여, 제3 양태의 제8의 가능한 구현 방식에 있어서, 상기 페이지 콘텐츠는 디스플레이 스크린의 사전 설정된 영역의 페이지 콘텐츠 또는 디스플레이 스크린의 모든 영역의 페이지 콘텐츠를 포함한다.본 발명의 실시예에 있어서, 대형 터치스크린을 가진 모바일 단말기 상에서, 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출될 때, 상기 페이지 콘텐츠는 사용자가 한-손 조작 영역에서 한-손 조작을 수행할 수 있도록, 이동 명령에 따라 상기 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 이동될 수 있고, 그로 인해 뷰잉과 한-손 터치 동작을 용이하게 하고; 그리고 페이지 복귀 명령이 수신될 때, 상기 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 상기 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 이동되고, 상기 페이지 콘텐츠는 상기 한-손 조작 영역으로부터 상기 사전 설정된 제1 속도로 초기 디스플레이 위치로 다시 이동될 수 있으며, 그로 인해 모바일 단말기의 지능을 개선한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 발명의 실시예들에서 또는 종래 기술에서의 기술적 해결책들을 보다 명확하게 설명하기 위해서, 다음은 실시예들 또는 종래 기술을 설명하는데 필요한 첨부 도면들을 간단히 소개한다. 분명히, 이하의 설명에서의 첨부 도면들은 본 발명의 단지 일부 실시예들을 도시할 뿐이며, 본 기술분야에 통상의 지식을 가진 자는 창의적 노력 없이도 이들 첨부 도면들로부터 다른 도면들을 도출해낼 수 있다.도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법의 흐름도이다;도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법의 흐름도이다;도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법의 흐름도이다;도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법의 흐름도이다;도 5는 본 발명의 실시예에 따른 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 장치의 개략 구조도이다;도 6은 본 발명의 실시예에 따른 모바일 단말기의 개략적인 구조도이다;도 7은 본 발명의 실시예에 따른 페이지 콘텐츠를 이동시키는 개략도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하는 본 발명의 실시예들의 첨부 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들의 기술적 해법을 명확하고 완전하게 설명한다. 분명히, 설명된 실시예들은 본 발명의 실시예들 전부가 아니라 일부일뿐이다. 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자가 창의적 노력 없이 본 발명의 실시예들에 기초하여 얻어낸 모든 다른 실시예들은 본 발명의 보호 범위 내에 포함되어야 한다.본 발명의 실시예에 따른, 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 장치는, 이동 전화, 태블릿, 개인 휴대 정보 단말기(PDA, Personal Digital Assistant, 팜톱 컴퓨터하고도 함)와 같은 모바일 단말기를 포함할 수 있지만 이에 한정되지는 않는다. 본 발명의 실시예들은 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법과 장치를 제공하며, 여기서 상기 방법과 장치는 디스플레이 스크린에 표시될 수 있는 페이지, 예를 들면 통신 애플리케이션, 브라우저 애플리케이션, 또는 모바일 단말기 상에 설정하는 페이지에 적용될 수 있다. 종래 기술에서, 대형 터치스크린을 가진 모바일 단말기 상에서, 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출되면, 사용자는 페이지의 슬라이드 조작을 더 수행할 수 없고, 사용자가 왼손 또는 오른손 조작을 수행하는 것이 불편하다. 선택적으로, 사용자로부터 트리거 명령을 수신한 후, 모바일 단말기는 사전 설정된 백분율에 따라 디스플레이 스크린의 좌하 코너 또는 우하 코너로 전체 페이지의 콘텐츠를 일정 비율로 축소하고, 사전 설정된 백분율에 따라 디스플레이 콘텐츠를 일정 비율로 축소하지만, 페이지 콘텐츠가 사전 설정된 백분율에 따라 일정 비율로 축소도 되는데, 이는 뷰잉과 터치 동작을 수행하는 것을 불편하게 한다. 본 발명의 실시예에서, 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출되면, 페이지 콘텐츠는 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 이동될 수 있고, 페이지 콘텐츠의 디스플레이 퍼센트는 변경되지 않는데, 이는 사용자를 위해 뷰잉과 한-손 조작을 용이하게 한다.선택적 구현 방식에 있어서, 본 발명의 실시예들에서, 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하고, 즉 현재의 디스플레이 스크린 상의 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 이미 도달했음이 검출된다. 본 발명의 실시 예에서, 디스플레이 콘텐츠는 모바일 단말기의 디스플레이 스크린 상에 표시된 콘텐츠를 말하며, 상기 페이지 콘텐츠는 디스플레이 스크린의 사전 설정된 영역의 페이지 콘텐츠 또는 디스플레이 스크린의 모든 영역의 페이지 콘텐츠를 포함하지만, 이에 한정되지 않고, 또는 페이지 콘텐츠는 웹 페이지 또는 애플리케이션 프로그램 리스트와 같은 전체 페이지의 콘텐츠일 수 있고, 디스플레이 스크린의 모든 영역에서의 페이지 콘텐츠는 상태 바 영역의 콘텐츠를 포함한다. 구체적으로, 페이지 콘텐츠가 모바일 단말기의 디스플레이 스크린의 한 페이지에 완전히 표시될 수 있는 경우, 디스플레이 콘텐츠는 페이지 콘텐츠와 같을 수 있고; 또는 페이지 콘텐츠가 모바일 단말기의 디스플레이 스크린의 한 페이지에 완전히 표시될 수 없는 경우, 디스플레이 콘텐츠는 페이지 콘텐츠와 다를 수 있다. 예를 들어, 페이지 콘텐츠가 전부 합하여 20개 라인을 포함하지만, 모바일 단말기의 디스플레이 스크린의 한 페이지는 15개 라인의 표시를 지원하는 경우, 현재의 디스플레이 콘텐츠는 15개 라인이고, 나머지 5개 라인은 사용자가 페이지 콘텐츠를 상하로 이동시키지 않는 한 볼 수가 없다.본 발명의 실시예들에서, 페이지 콘텐츠는 한-손 조작 영역으로 이동될 수 있고, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 한-손 조작 영역으로부터 초기 디스플레이 위치로 다시 이동될 수 있으며, 여기서 이동될 수 있는 페이지 콘텐츠는 디스플레이 스크린에 표시된 페이지 콘텐츠 및 디스플레이 스크린에 표시될 수 없는 다른 페이지 콘텐츠를 포함한다.본 발명의 실시예들에서, 대형 터치스크린을 가진 모바일 단말기 상에서, 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출될 때, 페이지 콘텐츠는 사용자가 한-손 조작 영역에서 한-손 조작을 수행할 수 있도록, 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 이동될 수 있으며, 그로 인해 뷰잉과 한-손 터치 동작을 용이하게 하고; 그리고 페이지 복귀 명령이 수신될 때, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 이동되고, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 한-손 조작 영역으로부터 초기 디스플레이 위치로 다시 이동될 수 있으며, 그로 인해 모바일 단말기의 지능을 개선한다. 다음은 특정 실시예와 관련하여 설명이 제공된다.도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법의 흐름도이다. 도 1에 도시된 바와 같은, 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법은, 실행 바디로서 모바일 단말기를 이용하여 설명된다. 도면에 도시된 이 실시예에서의 절차는 단계 S101 내지 S103을 포함한다.S101. 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출되면 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 명령을 획득하는 단계.S102. 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시키는 단계.S103. 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신될 때 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시키는 단계.선택적 구현 방식에 있어서, 단계 S101에서, 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 명령은 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출되면에 획득된다. 구체적으로, 페이지 콘텐츠의 사용자의 슬라이드 조작은 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출될 때 획득되고; 그리고 페이지 콘텐츠에 대한 상기 획득된 슬라이드 조작은 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위가 사전 설정된 슬라이드 변위보다 더 크다는 것이 검출되면에 이동 명령으로서 결정된다. 사전 설정된 슬라이드 변위는 사전 설정된 편집 가능한 변위 값 P이다(P는 0보다 더 크다). 더 선택적으로, 페이지 콘텐츠의 사용자의 슬라이드 조작의 위치 좌표의 변화 값이 획득될 수 있다. 슬라이드 조작의 변위의 크기는 상기 슬라이드 조작의 위치 좌표의 변화 값에 따른 계산에 의해 얻어진 다음, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위가 사전 설정된 슬라이드 변위보다 큰지 여부가 검출되며, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위가 사전 설정된 슬라이드 변위보다 크다고 검출된 경우, 페이지 콘텐츠의 획득된 슬라이드 조작은 이동 명령으로서 결정된다.선택적 구현 방식에 있어서, 단계 S102에서, 페이지 콘텐츠는 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 이동된다. 구체적으로, 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기는 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위에 따라 결정되고, 한-손 조작 영역은 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기에 따라 결정된다. 사전 설정된 방향은 세로 방향 또는 가로 방향을 포함할 수 있다. 모바일 단말기가 세로 방향 모드를 채택한 것이 검출되고, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위의 방향이 상하 방향인 것이 검출되면, 그에 따라 사전 설정된 방향이 수직 상하 방향인 것으로 결정되고; 모바일 단말기가 가로 방향 모드를 채택한 것이 검출되고, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위의 방향이 좌우 방향인 것이 검출되면, 그에 따라 사전 설정된 방향이 수평 좌우 방향인 것으로 결정된다.이동 변위의 크기는 사전 설정된 비례 계수와 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위의 곱을 포함할 수 있다. 사전 설정된 비례 계수는 사전 설정된 편집 가능한 값 α(α는 0보다 큼)이고, 사전 설정된 비례 계수는 구체적으로 다양한 모바일 단말기에 대해서 설정될 수 있다. 더 선택적으로, 페이지 콘텐츠는 디스플레이 스크린의 사전 설정된 영역의 페이지 콘텐츠 또는 디스플레이 스크린의 모든 영역의 페이지 콘텐츠를 포함할 수 있다.더 선택적으로, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위가 L로 설정되면, 이동 변위의 크기는 S = Lα이고, 페이지 콘텐츠의 초기 디스플레이 위치가 획득되며, 여기서 초기 디스플레이 위치는 페이지 콘텐츠의 상단에 사전 설정된 위치일 수 있다. 예를 들어, 페이지 콘텐츠가 디스플레이 스크린의 모든 영역에서의 페이지 콘텐츠인 경우, 디스플레이 스크린의 상단(즉, 상태 바 영역의 상단)에서의 위치는 초기 디스플레이 위치로서 설정될 수 있다. 도 7을 참고하면, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 페이지 콘텐츠를 이동시키는 개략도이다. 도 7a에 도시된 바와 같이, 페이지 콘텐츠가 디스플레이 스크린의 모든 영역에서의 페이지 콘텐츠인 경우, A'는 초기 디스플레이 위치로서 설정될 수 있다. 더 선택적으로, 페이지 콘텐츠가 디스플레이 스크린의 사전 설정된 영역에서의 페이지 콘텐츠인 경우, 디스플레이 스크린의 사전 설정된 영역의 상단에서의 사전 설정된 위치는 초기 디스플레이 위치로서 설정될 수 있다. 도 7a에 도시된 바와 같이, 페이지 콘텐츠가 디스플레이 스크린의 사전 설정된 영역 즉, 영역(701)에서의 페이지 콘텐츠인 경우, A는 초기 디스플레이 위치로서 설정될 수 있다. 타겟 디스플레이 위치는 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기에 따라 결정된 위치일 수 있고, 타겟 디스플레이 위치는 한-손 조작 영역에 있다. 구체적으로, 예를 들어, 페이지 콘텐츠의 초기 디스플레이 위치의 좌표가 획득될 수 있다. 타겟 디스플레이 위치의 좌표는 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기에 따라 결정될 수 있고, 타겟 디스플레이 위치의 좌표로부터 디스플레이 스크린의 하단으로, 사전 설정된 방향으로, 확장된 영역은 한-손 조작 영역이다.선택적 구현 방식에 있어서, 단계 S103에서, 페이지 콘텐츠는 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신될 때 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 이동된다. 구체적으로, 페이지 복귀 명령은 사용자가 한-손 조작 영역의 임의의 위치에서의 터치 조작과 슬라이드 조작과 같은 동작을 수행할 때 모바일 단말기에 의해 수신된 복귀 명령, 또는 사용자가 한-손 조작 영역에서의 사전 설정된 리턴 버튼, 등을 터치할 때 모바일 단말기에 의해 수신된 복귀 명령을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 페이지 복귀 명령은 다양한 방식으로 구현될 수 있는데, 이는 구체적으로 이 실시예에서 제한되지 않는다. 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신된 후, 페이지 콘텐츠가 초기 디스플레이 위치로 이동된 것으로 검출될 때까지, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 이동되며, 여기서 사전 설정된 제1 속도는 사전 설정된 편집 가능한 속도 값 V1이고, 예를 들어, V1은 2cm/s일 수 있다.선택적 구현 방식에 있어서, 도 7에 도시된 바와 같이, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 페이지 콘텐츠를 이동시키는 개략도이다. 도 7a는 페이지 콘텐츠가 초기 디스플레이 위치에 있을 때 페이지 콘텐츠의 사용자의 슬라이드 조작을 획득하는 개략도이고; 도 7b는 사전 설정된 방향으로 페이지 콘텐츠를 한-손 조작 영역으로 이동시키는 제1 개략도이고; 도 7c는 사전 설정된 방향으로 페이지 콘텐츠를 한-손 조작 영역으로 이동시키는 제2 개략도이고; 도 7d는 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신될 때 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시키는 개략도이며; 도 7e는 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시키는 개략도이다.선택적 구현 방식에 있어서, 2차원 좌표계 (x, y)는 디스플레이 스크린에 설정될 수 있고, 그리고 나서, 초기 디스플레이 위치와 타겟 디스플레이 위치의 좌표 점이 획득될 수 있다. 더 선택적으로, 디스플레이 스크린의 사전 설정된 영역의 페이지 콘텐츠는 페이지 콘텐츠로서 설정될 수 있다. 도 7a에 도시된 바와 같이, 도 7a의 영역(701)의 페이지 콘텐츠는 페이지 콘텐츠 M으로서 설정되고, 영역(701)의 꼭지점 A의 좌표는 (xA, yA)로 설정되며, 여기서 A는 초기 디스플레이 위치로서 설정될 수 있고; 사전 설정된 슬라이드 변위는 P이고, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위는 L로 설정되며, 여기서 L은 P보다 더 크고; 사전 설정된 방향은 수직 하향 방향이고, 이동 변위의 크기는 S = Lα이다. 이러한 경우에, 페이지 콘텐츠 M은 타겟 디스플레이 위치 B에 사전 설정된 방향으로 S 위에서 이동되고, 도 7b에 도시된 개략도가 얻어진다. 사용자는 도 7b에 도시된 한-손 영역(702)에서 한-손 조작을 수행할 수 있다. 도 7d에 도시된 바와 같이, 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신될 때, 페이지 콘텐츠는 초기 디스플레이 위치로 이동될 때까지, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 수직 상향 이동된다. 도 7e에 도시된 바와 같이, 도 7e는 페이지 콘텐츠를 초기 디스플레이 위치 A로 다시 이동시키는 개략도이다.디스플레이 스크린의 모든 영역의 페이지 콘텐츠가 페이지 콘텐츠로서 설정되고, 도 7a의 디스플레이 스크린의 모든 영역(상태 바 영역을 포함)의 페이지 콘텐츠가 페이지 콘텐츠 N으로서 설정되면, 상태 바의 꼭지점 A'은 초기 디스플레이 위치로서 설정될 수 있고; 사전 설정된 슬라이드 변위는 P이고, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위는 L로 설정되며, 여기서 L은 P보다 더 크고; 사전 설정된 방향은 수직 하향 방향이고, 이동 변위의 크기는 S = Lα이다. 이러한 경우에, 페이지 콘텐츠 N은 타겟 디스플레이 위치 C에 사전 설정된 방향으로 S 위에서 이동되고, 도 7c에 도시된 개략도가 얻어진다. 사용자는 도 7c에 도시된 한-손 조작 영역(703)에서 한-손 조작을 수행할 수 있다.본 발명의 이 실시예에서 제공된 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법에 따르면, 대형 터치스크린을 가진 모바일 단말기 상에서, 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출되면, 페이지 콘텐츠는 사용자가 한-손 조작 영역에서 한-손 조작을 수행할 수 있도록, 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 이동될 수 있으며, 그로 인해 뷰잉과 한-손 터치 동작을 용이하게 하고; 그리고 페이지 복귀 명령이 수신될 때, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 이동되고, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 한-손 조작 영역으로부터 초기 디스플레이 위치로 다시 이동될 수 있으며, 그로 인해 모바일 단말기의 지능을 개선한다.도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법의 흐름도이다. 도 2에 도시된 바와 같은, 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법은, 실행 바디로서 모바일 단말기를 이용하여 설명된다. 도면에 도시된 이 실시예에서의 절차는 단계 S201 내지 S207을 포함한다.S201. 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출되면 페이지 콘텐츠의 초기 디스플레이 위치를 획득한다.S202. 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작을 획득한다.S203. 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위가 사전 설정된 슬라이드 변위보다 크다는 것이 검출되면 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위에 따라 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기를 결정한다.선택적 구현 방식에 있어서, 사전 설정된 슬라이드 변위는 사전 설정된 편집 가능한 변위 값은 P이다(P는 0보다 크다). 더 선택적으로, 페이지 콘텐츠의 사용자의 슬라이드 조작의 위치 좌표의 변화 값이 획득될 수 있다. 슬라이드 조작의 변위의 크기는 상기 슬라이드 조작의 위치 좌표의 변화 값에 따른 계산에 의해 얻어진 다음, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위가 사전 설정된 슬라이드 변위보다 큰지 여부가 검출되며, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위가 사전 설정된 슬라이드 변위보다 크다고 결정된 경우, 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기는 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위에 따라 결정된다.사전 설정된 방향은 수직 방향 또는 수평 방향을 포함할 수 있다. 모바일 단말기가 세로 방향 모드를 채택하고, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위의 방향이 상하 방향인 것이 검출되면, 그에 따라 사전 설정된 방향이 수직 상하 방향인 것으로 결정되고; 모바일 단말기가 가로 방향 모드를 채택하고, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위의 방향이 좌우 방향인 것이 검출되면, 그에 따라 사전 설정된 방향이 수평 좌우 방향인 것으로 결정된다. 이동 변위의 크기는 사전 설정된 비례 계수와 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위의 곱을 포함할 수 있다. 사전 설정된 비례 계수는 사전 설정된 편집 가능한 값 α(α는 0보다 더 큼)이고, 사전 설정된 비례 계수는 다양한 모바일 단말기에 대해서 구체적으로 설정될 수 있다. 더 선택적으로, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위가 L로 설정되면, 이동 변위의 크기는 S = Lα이다.S204. 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기에 따라 한-손 조작 영역을 결정한다.선택적 구현 방식에 있어서, 단계 S201에서, 초기 디스플레이 위치가 획득된다. 타겟 디스플레이 위치의 좌표는 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기에 따라 결정될 수 있고, 타겟 디스플레이 위치의 좌표로부터 디스플레이 스크린의 하단으로, 사전 설정된 방향으로, 확장된 영역은 한-손 조작 영역이다.S205. 결정된 사전 설정된 방향과 결정된 이동 변위의 크기에 따라 한-손 조작 영역에서 초기 디스플레이 위치로부터 타겟 디스플레이 위치로 페이지 콘텐츠를 이동시킨다.S206. 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 해제가 검출되면 타겟 디스플레이 위치에 따라 페이지 콘텐츠를 표시한다.선택적 구현 방식에 있어서, 상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 해제가 검출되면 상기 페이지 콘텐츠는 상기 타겟 디스플레이 위치에 표시된다.S207. 페이지 콘텐츠가 초기 디스플레이 위치로 이동되는 것이 검출될 때까지, 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신될 때 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시킨다.선택적 구현 방식에 있어서, 페이지 복귀 명령은 사용자가 터치 조작과 슬라이드 조작과 같은 동작을 한-손 조작 영역의 임의의 위치에서 수행할 때 모바일 단말기에 의해 수신된 복귀 명령, 또는 사용자가 한-손 조작 영역에서의 사전 설정된 복귀 버튼, 등을 터치할 때 모바일 단말기에 의해 수신된 복귀 명령을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 페이지 복귀 명령은 다양한 방식으로 구현되는데, 이는 이 실시예에서 구체적으로 제한되지 않는다. 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신된 후, 페이지 콘텐츠가 초기 디스플레이 위치로 이동되는 것이 검출될 때까지, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 이동되며, 여기서 사전 설정된 제1 속도는 사전 설정된 편집 가능한 속도 값 V1이고, 예를 들어, V1은 2cm/s일 수 있다.더 선택적으로, 도 7a에 도시된 바와 같이, A는 페이지 콘텐츠의 초기 디스플레이 위치이고; 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위는 L이고, 사전 설정된 슬라이드 변위는 P이며, 여기서 L은 P보다 더 크고; 그리고 사전 설정된 방향은 수직 하향 방향이고, 이동 변위의 크기는 S = Lα이다. 이러한 경우에, 페이지 콘텐츠 M은 타겟 디스플레이 위치 B에 사전 설정된 방향으로 S 위에서 이동되고, 도 7b에 도시된 개략도가 얻어진다. 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 해제가 검출되면 페이지 콘텐츠 M은 타겟 디스플레이 위치에 표시된다. 사용자는 도 7b에 도시된 한-손 영역(702)에서 한-손 조작을 수행할 수 있다. 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신될 때, 예를 들어, 도 7d에 도시된 바와 같이, 사용자의 상향 이동 명령이 획득되고 상향 슬라이드 변위가 U인 것이 검출되면, 상향 슬라이드는 페이지 복귀 명령으로서 결정된다. 페이지 복귀 명령을 수신한 후, 페이지 콘텐츠가 초기 디스플레이 위치로 이동될 때까지, 모바일 단말기는 사전 설정된 제1 속도로 페이지 콘텐츠를 수직 상향 이동시킨다. 도 7e에 도시된 바와 같이, 도 7e는 초기 디스플레이 위치 A로 다시 페이지 콘텐츠를 이동시키는 개략도이다.본 발명의 이 실시예에서 제공된 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법에 따르면, 대형 터치스크린을 가진 모바일 단말기 상에서, 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출되면, 페이지 콘텐츠는 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역에서 초기 디스플레이 위치로부터 타겟 디스플레이 위치로 사전 설정된 방향으로 이동될 수 있고; 페이지 콘텐츠의 슬라이드의 조작의 해제가 검출될 때, 페이지 콘텐츠는 타겟 디스플레이 위치에 따라 표시될 수 있어서, 사용자가 한-손 조작 영역에서 한-손 조작을 수행하게 하며, 그로 인해 뷰잉과 한-손 터치 동작을 용이하게 하고; 그리고 페이지 복귀 명령이 수신될 때, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 이동되고, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 타겟 디스플레이 위치로부터 초기 디스플레이 위치로 다시 이동될 수 있으며, 그로 인해 모바일 단말기의 지능을 개선한다.도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법의 흐름도이다. 도 3에 도시된 바와 같은, 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법은, 실행 바디로서 모바일 단말기를 이용하여 설명된다. 도면에 도시된 이 실시예에서의 절차는 단계 S301 내지 S307을 포함한다.S301. 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출되면 페이지 콘텐츠의 초기 디스플레이 위치를 획득한다.S302. 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작을 획득한다.S303. 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위가 사전 설정된 슬라이드 변위보다 크다는 것이 검출되면 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위에 따라 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기를 결정한다.선택적 구현 방식에 있어서, 사전 설정된 슬라이드 변위는 사전 설정된 편집 가능한 변위 값 P이다(P는 0보다 더 크다). 더 선택적으로, 페이지 콘텐츠의 사용자의 슬라이드 조작의 위치 좌표의 변화 값이 획득될 수 있다. 슬라이드 조작의 변위의 크기는 상기 슬라이드 조작의 위치 좌표의 변화 값에 따른 계산에 의해 얻어진 다음, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위가 사전 설정된 슬라이드 변위보다 큰지 여부가 검출되며, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위가 사전 설정된 슬라이드 변위보다 크다고 결정된 경우, 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기는 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위에 따라 결정된다.사전 설정된 방향은 수직 방향 또는 수평 방향을 포함할 수 있다. 모바일 단말기가 세로 방향 모드를 채택하는 것이 검출되고, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위의 방향이 상하 방향인 것이 검출되면, 그에 따라 사전 설정된 방향이 수직 상하 방향인 것으로 결정되고; 모바일 단말기가 가로 방향 모드를 채택하고, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위의 방향이 좌우 방향인 것이 검출되면, 그에 따라 사전 설정된 방향이 수평 좌우 방향인 것으로 결정된다. 이동 변위의 크기는 사전 설정된 비례 계수와 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위의 곱을 포함할 수 있다. 사전 설정된 비례 계수는 사전 설정된 편집 가능한 값 α(α는 0보다 더 큼)이고, 사전 설정된 비례 계수는 다양한 모바일 단말기에 대해서 구체적으로 설정된다. 더 선택적으로, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위가 L로 설정되면, 이동 변위의 크기는 S = Lα이다.S304. 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기에 따라 한-손 조작 영역을 결정한다.선택적 구현 방식에 있어서, 단계 S301에서, 초기 디스플레이 위치가 획득된다. 타겟 디스플레이 위치의 좌표는 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기에 따라 결정될 수 있고, 타겟 디스플레이 위치의 좌표로부터 디스플레이 스크린의 하단으로, 사전 설정된 방향으로, 확장된 영역은 한-손 조작 영역이다.S305. 결정된 사전 설정된 방향과 결정된 이동 변위의 크기에 따라 한-손 조작 영역에서 상기 초기 디스플레이 위치로부터 상기 타겟 디스플레이 위치로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시킨다.S306. 상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 해제가 검출되면 상기 타겟 디스플레이 위치로부터 사전 설정된 제2 속도로 상기 이동 방향과 반대 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시킨다.선택적 구현 방식에 있어서, 상기 페이지 콘텐츠에 대한 상기 슬라이드 조작의 해제가 검출되면 상기 페이지 콘텐츠는 상기 타겟 디스플레이 위치로부터 상기 사전 설정된 제2 속도로 상기 이동 방향과 반대 방향으로 이동되며, 여기서 사전 설정된 제2 속도는 사전 설정된 편집 가능한 속도 값 V2이고, 예를 들어, V2는 1.5cm/s일 수 있다.S307. 상기 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신될 때 사전 설정된 제1 속도로 상기 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 상기 페이지 콘텐츠를 이동시킨다. 상기 사전 설정된 제1 속도는 상기 사전 설정된 제2 속도보다 빠르다.선택적 구현 방식에 있어서, 페이지 복귀 명령은 사용자가 터치 조작과 슬라이드 조작과 같은 동작을 한-손 조작 영역의 임의의 위치에서 수행할 때 모바일 단말기에 의해 수신된 복귀 명령, 또는 사용자가 한-손 조작 영역에서의 사전 설정된 복귀 버튼, 등을 터치할 때 모바일 단말기에 의해 수신된 복귀 명령을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 페이지 복귀 명령은 다양한 방식으로 구현되고, 그리고 이것은 이 실시예에서 구체적으로 제한되지는 않는다. 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신된 후, 페이지 콘텐츠가 초기 디스플레이 위치로 이동되는 것이 검출될 때까지, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 이동되며, 여기서 사전 설정된 제1 속도는 사전 설정된 편집 가능한 속도 값 V1이고, 예를 들어, V1은 2cm/s일 수 있고, 사전 설정된 제1 속도는 사전 설정된 제2 속도보다 빠르다.더 선택적으로, 도 7a에 도시된 바와 같이, A는 페이지 콘텐츠의 초기 디스플레이 위치이고; 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위는 L이고, 사전 설정된 슬라이드 변위는 P이며, 여기서 L은 P보다 더 크고; 그리고 사전 설정된 방향은 수직 하향 방향이고, 이동 변위의 크기는 S = Lα이다. 이러한 경우에, 페이지 콘텐츠 N은 타겟 디스플레이 위치 C에 사전 설정된 방향으로 S 위에서 이동되고, 도 7c에 도시된 개략도가 얻어진다. 페이지 콘텐츠 N의 슬라이드 조작의 해제가 검출되면 페이지 콘텐츠 N은 타겟 디스플레이 위치로부터 사전 설정된 제2 속도로 이동 방향과 반대 방향으로 이동된다. 이러한 경우에, 사용자는 도 7c에 도시된 한-손 영역(703)에서 한-손 조작을 수행할 수 있다. 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신될 때, 페이지 콘텐츠가 초기 디스플레이 위치로 이동될 때까지, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 수직 상향 이동되며, 여기서 사전 설정된 제1 속도는 사전 설정된 제2 속도보다 빠르다. 도 7e에 도시된 바와 같이, 도 7e는 초기 디스플레이 위치 A로 다시 페이지 콘텐츠를 이동시키는 개략도이다.본 발명의 이 실시예에서 제공된 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법에 따르면, 대형 터치스크린을 가진 모바일 단말기 상에서, 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출되면, 페이지 콘텐츠는 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역에서 초기 디스플레이 위치로부터 타겟 디스플레이 위치로 사전 설정된 방향으로 이동될 수 있어, 사용자가 한-손 조작 영역에서 한-손 조작을 수행할 수 있게 하고, 그로 인해 뷰잉과 한-손 터치 동작을 용이하게 하고; 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 해제의 검출되면, 페이지 콘텐츠는 타겟 디스플레이 위치로부터 사전 설정된 제2 속도로 이동 방향과 반대 방향으로 이동되며; 그리고 페이지 복귀 명령이 수신될 때, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 이동되고, 여기서 사전 설정된 제1 속도는 사전 설정된 제2 속도보다 빠르며, 페이지 콘텐츠는 타겟 디스플레이 위치로부터 사전 설정된 제1 속도로 초기 디스플레이 위치로 이동될 수 있고, 그로 인해 모바일 단말기의 지능을 개선한다.도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법의 흐름도이다. 도 4에 도시된 바와 같은, 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법은, 실행 바디로서 모바일 단말기를 이용하여 설명된다. 도면에 도시된 이 실시예에서의 절차는 단계 S401 내지 S408을 포함한다.S401. 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출되면 페이지 콘텐츠의 초기 디스플레이 위치를 획득한다.S402. 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작을 획득한다.S403. 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위가 사전 설정된 슬라이드 변위보다 크다는 것이 검출되면 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위에 따라 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기를 결정한다.선택적 구현 방식에 있어서, 사전 설정된 슬라이드 변위는 사전 설정된 편집 가능한 변위 값 P이다(P는 0보다 더 크다). 더 선택적으로, 페이지 콘텐츠의 사용자의 슬라이드 조작의 위치 좌표의 변화 값이 획득될 수 있다. 슬라이드 조작의 변위의 크기는 상기 슬라이드 조작의 위치 좌표의 변화 값에 따른 계산에 의해 얻어진 다음, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위가 사전 설정된 슬라이드 변위보다 큰지 여부가 검출되며, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위가 사전 설정된 슬라이드 변위보다 크다고 결정된 경우, 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기는 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위에 따라 결정된다.사전 설정된 방향은 수직 방향 또는 수평 방향을 포함할 수 있다. 모바일 단말기가 세로 방향 모드를 채택하는 것이 검출되고, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위의 방향이 상하 방향인 것이 검출되면, 그에 따라 사전 설정된 방향이 수직 상하 방향인 것으로 결정되고; 모바일 단말기가 가로 방향 모드를 채택하는 것이 검출되고 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위의 방향이 좌우 방향인 것이 검출되면, 그에 따라 사전 설정된 방향이 수평 좌우 방향인 것으로 결정된다. 이동 변위의 크기는 사전 설정된 비례 계수와 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위의 곱을 포함할 수 있다. 사전 설정된 비례 계수는 사전 설정된 편집 가능한 값 α(α는 0보다 더 큼)이고, 사전 설정된 비례 계수는 다양한 모바일 단말기에 대해서 구체적으로 설정된다. 더 선택적으로, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위가 L로 설정되면, 이동 변위의 크기는 S = Lα이다.S404. 결정된 사전 설정된 방향과 결정된 이동 변위의 크기에 따라 타겟 위치를 결정한다.선택적 구현 방식에 있어서, 초기 디스플레이 위치는 단계 S401에서 획득되고, 타겟 위치의 좌표는 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기에 따라 결정될 수 있다. 도 7f에 도시된 바와 같이, 타겟 위치는 B이다.S405. 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 해제가 검출되고 타겟 디스플레이 위치가 사전 설정된 위치 임계값을 충족하는 것이 검출되면 사전 설정된 위치 임계값에 해당하는 사전 설정된 위치를 타겟 디스플레이 위치로서 결정한다.선택적 구현 방식에 있어서, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 해제가 검출되고 목적 위치가 사전 설정된 위치 임계값을 충족하는 것이 검출되면 사전 설정된 위치 임계값에 해당하는 사전 설정된 위치는 타겟 디스플레이 위치로서 결정된다. 도 7f에 도시된 바와 같이, 목적 어드레스는 B이고, 사전 설정된 위치 임계값은 다음을 포함한다: 사전 설정된 위치 E와 F 사이의 위치의 값, 및 사전 설정된 위치 F와 G 사이의 위치의 값. 구체적으로, \|EA\| 003c# \|BA\| 003c# \|FA\|인 경우, 사전 설정된 위치 E는 타겟 디스플레이 위치로서 결정된다. \|FA\| 003c# \|BA\| 003c# \|GA\|인 경우, 사전 설정된 위치 F는 타겟 디스플레이 위치로서 결정된다. \|GA\| 003c# \|BA\|인 경우, 사전 설정된 위치 G는 타겟 디스플레이 위치로서 결정된다.S406. 결정된 사전 설정된 방향과 결정된 이동 변위의 크기에 따라 한-손 조작 영역에서 초기 디스플레이 위치로부터 타겟 디스플레이 위치로 페이지 콘텐츠를 이동시킨다.선택적 구현 방식에 있어서, 한-손 조작 영역은 타겟 디스플레이 위치에 따라 결정될 수 있고, 그리고 나서 페이지 콘텐츠는 초기 디스플레이 위치로부터 한-손 조작 영역으로 이동된다. 구체적으로, 페이지 콘텐츠는 초기 디스플레이 위치로부터 한-손 조작 영역의 타겟 디스플레이 위치로 이동된다.S407. 타겟 디스플레이 위치에 따라 페이지 콘텐츠를 표시한다.선택적 구현 방식에 있어서, 페이지 콘텐츠는 타겟 디스플레이 위치에 따라 표시된다. 도 7f에 도시된 바와 같이, 종단 위치는 B이고, 사전 설정된 위치 임계값은 다음을 포함한다: 사전 설정된 위치 E와 F 사이의 위치의 값, 및 사전 설정된 위치 F와 G 사이의 위치의 값. 구체적으로, \|EA\| 003c# \|BA\| 003c# \|FA\|인 경우에, 사전 설정된 위치 E는 타겟 디스플레이 위치로서 결정되고, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 위치 E로부터 시작하여 표시된다. \|FA\| 003c# \|BA\| 003c# \|GA\|인 경우, 사전 설정된 위치 F는 타겟 디스플레이 위치로서 결정되고, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 위치 F로부터 시작하여 표시된다. \|GA\| 003c# \|BA\|인 경우, 사전 설정된 위치 G는 타겟 디스플레이 위치로서 결정되고, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 위치 G로부터 시작하여 표시된다.S408. 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신될 때 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시킨다.선택적 구현 방식에 있어서, 페이지 복귀 명령은 사용자가 터치 조작과 슬라이드 조작과 같은 동작을 한-손 조작 영역의 임의의 위치에서 수행할 때 모바일 단말기에 의해 수신된 복귀 명령, 또는 사용자가 한-손 조작 영역에서의 사전 설정된 복귀 버튼, 등을 터치할 때 모바일 단말기에 의해 수신된 복귀 명령을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 페이지 복귀 명령은 다양한 방식으로 구현되고, 그리고 이것은 이 실시예에서 구체적으로 제한되지는 않는다. 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신된 후, 페이지 콘텐츠가 초기 디스플레이 위치로 이동되는 것이 검출될 때까지, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 이동되며, 여기서 사전 설정된 제1 속도는 사전 설정된 편집 가능한 속도 값 V1이고, 예를 들어, V1은 2cm/s일 수 있다.더 선택적으로, 도 7a에 도시된 바와 같이, A는 페이지 콘텐츠의 초기 디스플레이 위치이고; 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위는 L이고, 사전 설정된 슬라이드 변위는 P이며, 여기서 L은 P보다 더 크고; 그리고 사전 설정된 방향은 수직 하향 방향이고, 이동 변위의 크기는 S = Lα이다. 이러한 경우에, 페이지 콘텐츠 N은 타겟 디스플레이 위치 C에 사전 설정된 방향으로 S 위에서 이동되고, 도 7c에 도시된 개략도가 얻어진다. 사전 설정된 위치 임계값에 해당하는 사전 설정된 위치는 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 해제가 검출되고 타겟 위치가 사전 설정된 위치 임계값을 충족하는 것이 검출되면 타겟 디스플레이 위치로서 결정되고, 페이지 콘텐츠는 타겟 디스플레이 위치에 따라 표시된다. 도 7f에 도시된 바와 같이, 타겟 위치가 B이고, 사전 설정된 위치 임계값 \|EA\| 003c# \|BA\|003c# \|FA\|를 충족하면, 사전 설정된 위치 E는 타겟 디스플레이 위치로서 결정되고, 페이지 콘텐츠 N은 사전 설정된 위치 E로부터 시작하여 표시된다. 이러한 경우에, 사용자는 도 7f에 도시된 바와 같이 페이지 콘텐츠에 대한 한-손 조작을 수행할 수 있다. 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신될 때, 페이지 콘텐츠가 초기 디스플레이 위치로 이동될 때까지, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 수직 상향 이동된다. 도 7e에 도시된 바와 같이, 도 7e는 초기 디스플레이 위치 A로 다시 페이지 콘텐츠를 이동시키는 개략도이다.본 발명의 이 실시예에서 제공된 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법에 따르면, 대형 터치스크린을 가진 모바일 단말기 상에서, 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출되면, 페이지 콘텐츠는 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역에서 초기 디스플레이 위치로부터 타겟 디스플레이 위치로 사전 설정된 방향으로 이동될 수 있고, 타겟 위치는 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기에 따라 결정될 수 있고; 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 해제가 검출되고 타겟 위치가 사전 설정된 위치 임계값을 충족하는 것이 검출되면, 사전 설정된 위치 임계값에 해당하는 사전 설정된 위치가 타겟 디스플레이 위치로서 결정되고, 페이지 콘텐츠가 타겟 디스플레이 위치에 따라 표시되어, 사용자가 페이지 콘텐츠에 대한 한-손 조작을 수행할 수 있게 하고, 그로 인해 뷰잉과 한-손 터치 동작을 용이하게 하고; 그리고 페이지 복귀 명령이 수신될 때, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 이동되고, 페이지 콘텐츠는 타겟 디스플레이 위치로부터 초기 디스플레이 위치로 사전 설정된 제1 속도로 이동될 수 있으며, 그로 인해 모바일 단말기의 지능을 개선할 수 있다.다음은 도 5와 관련하여 상세히 본 발명의 실시예에 따른 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 장치를 설명한다.도 5에 도시된 바와 같이 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 장치는 도 1 내지 도 4 중 임의의 하나에 도시된 본 발명의 실시예에서 방법을 수행하도록 구성되고, 도 1 내지 도 4 중 임의의 하나에 도시된 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법을 수행하기 위한 엔티티인 것이 주목되어야 한다. 설명의 용이함을 위해, 본 발명의 이 실시예와 관련된 부분만이 도시된다. 설명되지 않은 특정한 기술적 상세를 위해, 도 1 내지 도 4에 도시된 임의의 실시예에 대해 참조가 이루어질 수 있다.도 5에 도시된 바와 같이, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 장치의 개략 구조도이다. 본 발명의 이 실시예에 따른 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 장치는 명령 획득 모듈(501), 페이지 이동 모듈(502), 및 페이지 복귀 모듈(503)을 포함할 수 있다.디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출되면 명령 획득 모듈(501)은 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 명령을 획득하도록 구성된다.선택적 구현 방식에 있어서, 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출되면 명령 획득 모듈(501)은 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 명령을 획득한다. 더 선택적으로, 명령 획득 모듈(501)은 슬라이드 조작 획득 유닛과 명령 결정 유닛을 포함할 수 있으며, 여기서, 슬라이드 조작 획득 유닛은 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작을 획득하도록 구성되고; 명령 결정 유닛은 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위가 사전 설정된 슬라이드 변위보다 더 크다는 것이 검출될 때 획득된 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작을 이동 명령으로서 결정하도록 구성된다. 구체적으로, 사전 설정된 슬라이드 변위는 사전 설정된 편집 가능한 변위 값 P이다(P는 0보다 더 크다). 더 선택적으로, 페이지 콘텐츠의 사용자의 슬라이드 조작의 위치 좌표의 변화 값이 획득될 수 있다. 슬라이드 조작의 변위의 크기는 상기 슬라이드 조작의 위치 좌표의 변화 값에 따른 계산에 의해 얻어진 다음, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위가 사전 설정된 슬라이드 변위보다 큰지 여부가 검출되며, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위가 사전 설정된 슬라이드 변위보다 크다고 결정된 경우, 페이지 콘텐츠의 획득된 슬라이드 조작은 이동 명령으로서 결정된다.페이지 이동 모듈(502)은 명령 획득 모듈(501)에 의해 획득된 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시키도록 구성된다.선택적 구현 방식에 있어서, 페이지 이동 모듈(502)은 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시킨다. 더 선택적으로, 페이지 이동 모듈(502)은 이동 변위 결정 유닛과 한-손 영역 결정 유닛을 포함할 수 있으며, 여기서, 이동 변위 결정 유닛은 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위에 따라 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기를 결정하도록 구성되고; 그리고 한-손 영역 결정 유닛은 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기에 따라 한-손 조작 영역을 결정하도록 구성된다. 구체적으로, 사전 설정된 방향은 수직 방향 또는 수평 방향을 포함할 수 있다. 모바일 단말기가 세로 방향 모드를 채택하는 것이 검출되고, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위의 방향이 상하 방향인 것이 검출되면, 그에 따라 사전 설정된 방향이 수직 상하 방향인 것으로 결정되고; 모바일 단말기가 가로 방향 모드를 채택하는 것이 검출되고, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위의 방향이 좌우 방향인 것이 검출되면, 그에 따라 사전 설정된 방향이 수평 좌우 방향인 것으로 결정된다. 이동 변위의 크기는 사전 설정된 비례 계수와 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위의 곱을 포함할 수 있다. 사전 설정된 비례 계수는 사전 설정된 편집 가능한 값 α(α는 0보다 더 큼)이고, 사전 설정된 비례 계수는 다양한 모바일 단말기에 대해서 구체적으로 설정될 수 있다. 더 선택적으로, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위가 L로 설정되면, 이동 변위의 크기는 S = Lα이다.더 선택적으로, 페이지 이동 모듈(502)은 위치 획득 유닛과 이동 유닛을 포함할 수 있으며, 여기서, 위치 획득 유닛은 페이지 콘텐츠의 초기 디스플레이 위치를 획득하도록 구성되고; 이동 변위 결정 유닛은 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위에 따라 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기를 결정하도록 구성되고; 그리고 이동 유닛은 결정된 사전 설정된 방향과 결정된 이동 변위의 크기에 따라 한-손 조작 영역에서 초기 디스플레이 위치로부터 타겟 디스플레이 위치로 페이지 콘텐츠를 이동시키도록 구성된다. 구체적으로, 페이지 콘텐츠의 초기 디스플레이 위치가 획득되며, 여기서 초기 디스플레이 위치는 페이지 콘텐츠의 상단에서 사전 설정된 위치일 수 있다. 예를 들어, 페이지 콘텐츠가 디스플레이 스크린의 모든 영역에서의 페이지 콘텐츠이면, 디스플레이 스크린의 상단(즉, 상태 바 영역의 상단)에서의 위치는 초기 디스플레이 위치로서 설정될 수 있다. 도 7을 참고로 하여, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 페이지 콘텐츠를 이동시키는 개략도이다. 도 7a에 도시된 바와 같이, 페이지 콘텐츠가 디스플레이 스크린의 모든 영역에서의 페이지 콘텐츠이면, A'는 초기 디스플레이 위치로서 설정될 수 있다. 더 선택적으로, 페이지 콘텐츠가 디스플레이 스크린의 사전 설정된 영역에서의 페이지 콘텐츠이면, 디스플레이 스크린의 사전 설정된 영역의 상단에서의 사전 설정된 위치는 초기 디스플레이 위치로서 설정될 수 있다. 도 7a에 도시된 바와 같이, 페이지 콘텐츠가 디스플레이 스크린의 사전 설정된 영역, 즉 영역(701)에서의 페이지 콘텐츠이면, A는 초기 디스플레이 위치로서 설정될 수 있다. 타겟 디스플레이 위치는 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기에 따라 결정된 위치일 수 있고, 타겟 디스플레이 위치는 한-손 조작 영역에 있다. 구체적으로, 예를 들어, 페이지 콘텐츠의 초기 디스플레이 위치의 좌표가 획득될 수 있다. 타겟 디스플레이 위치의 좌표는 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기에 따라 결정될 수 있고, 타겟 디스플레이 위치의 좌표로부터 디스플레이 스크린의 하단으로, 사전 설정된 방향으로, 확장된 영역은 한-손 조작 영역이다.페이지 복귀 모듈(503)은 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신될 때 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시키도록 구성된다.선택적 구현 방식에 있어서, 페이지 복귀 모듈(503)은 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신될 때 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시킨다. 구체적으로, 페이지 복귀 명령은 사용자가 터치 조작과 슬라이드 조작과 같은 동작을 한-손 조작 영역의 임의의 위치에서 수행할 때 모바일 단말기에 의해 수신된 복귀 명령, 또는 사용자가 한-손 조작 영역에서의 사전 설정된 복귀 버튼, 등을 터치할 때 모바일 단말기에 의해 수신된 복귀 명령을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 페이지 복귀 명령은 다양한 방식으로 구현되고, 그리고 이것은 이 실시예에서 구체적으로 제한되지는 않는다. 페이지 복귀 모듈(503)은 구체적으로, 페이지 콘텐츠가 초기 디스플레이 위치로 이동되는 것이 검출될 때까지, 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시키도록 구성되고, 여기서 사전 설정된 제1 속도는 사전 설정된 편집 가능한 속도 값 V1이고, 예를 들어, V1은 2cm/s일 수 있다.선택적 구현 방식에 있어서, 디스플레이 스크린의 사전 설정된 영역에서의 페이지 콘텐츠는 페이지 콘텐츠로서 설정될 수 있다. 도 7a에 도시된 바와 같이, 도 7a의 영역(701)에서의 페이지 콘텐츠는 페이지 콘텐츠 M으로서 설정되고, 영역(701)의 꼭지점 A의 좌표는 (xA, yA)로 설정되며, 여기서 A는 초기 디스플레이 위치로서 설정될 수 있고; 사전 설정된 슬라이드 변위는 P이고, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위는 L로 설정되며, 여기서 L은 P보다 더 크고; 그리고 사전 설정된 방향은 수직 하향 방향이고, 이동 변위의 크기는 S = Lα이다. 이러한 경우에, 페이지 콘텐츠 M은 타겟 디스플레이 위치 B에 사전 설정된 방향으로 S 위에서 이동되고, 도 7b에 도시된 개략도가 얻어진다. 사용자는 도 7b에 도시된 한-손 영역(702)에서 한-손 조작을 수행할 수 있다. 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신될 때, 여기서 예를 들어, 도 7d에 도시된 바와 같이, 사용자의 상향 이동 명령이 획득되고 상향 슬라이드 변위가 U인 것이 검출되면, 상향 슬라이드는 페이지 복귀 명령으로서 결정된다. 페이지 복귀 명령을 수신한 후, 모바일 단말기는 페이지 콘텐츠가 초기 디스플레이 위치로 이동될 때까지 사전 설정된 제1 속도로 페이지 콘텐츠를 수직 상향 이동시킨다. 도 7e에 도시된 바와 같이, 도 7e는 초기 디스플레이 위치 A로 다시 페이지 콘텐츠를 이동시키는 개략도이다.디스플레이 스크린의 모든 영역에서의 페이지 콘텐츠가 페이지 콘텐츠로서 설정되고, 도 7a의 디스플레이 스크린의 모든 영역(상태 바 영역을 포함)에서의 페이지 콘텐츠가 페이지 콘텐츠 N으로서 설정되면, A'는 초기 디스플레이 위치로서 설정될 수 있고; 사전 설정된 슬라이드 변위는 P이고, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위는 L로 설정되며, 여기서 L은 P보다 더 크고; 그리고 사전 설정된 방향은 수직 하향 방향이고, 이동 변위의 크기는 S = Lα이다. 이러한 경우에, 페이지 콘텐츠 N은 타겟 디스플레이 위치 C에 사전 설정된 방향으로 S 위에서 이동되고, 도 7c에 도시된 개략도가 얻어진다. 사용자는 도 7c에 도시된 한-손 영역(703)에서 한-손 조작을 수행할 수 있다.선택적 구현 방식에 있어서, 페이지 복귀 모듈(503)은, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 해제가 검출되면 타겟 디스플레이 위치로부터 사전 설정된 제2 속도로 이동 방향과 반대 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시키도록 더 구성될 수 있고, 여기서 사전 설정된 제2 속도는 사전 설정된 제1 속도보다 느리다. 구체적으로, 페이지 콘텐츠는 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 해제가 검출되면 타겟 디스플레이 위치로부터 사전 설정된 제2 속도로 이동 방향과 반대 방향으로 이동되며, 여기서 사전 설정된 제2 속도는 사전 설정된 편집 가능한 속도 값 V2이고, 예를 들어, V2는 1.5cm/s일 수 있다.더 선택적으로, 본 발명의 이 실시예에 따른 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 장치는 제1 디스플레이 모듈(504)을 포함할 수 있다.제1 디스플레이 모듈(504)은 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 해제가 검출되면 타겟 디스플레이 위치에 따라 페이지 콘텐츠를 표시하도록 구성된다.선택적 구현 방식에 있어서, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 해제가 검출되면 페이지 콘텐츠는 타겟 디스플레이 위치에 표시된다. 도 7b에 도시된 개략도에 도시된 바와 같이, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 해제가 검출되면 페이지 콘텐츠 M은 타겟 디스플레이 위치에 표시된다. 사용자는 도 7b에 도시된 한-손 영역(702)에서 한-손 조작을 수행할 수 있다.더 선택적으로, 본 발명의 이 실시예에 따른 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 장치는 제2 디스플레이 모듈(505)을 포함할 수 있다.더 선택적으로, 이동 유닛은 구체적으로, 결정된 사전 설정된 방향과 결정된 이동 변위의 크기에 따라 타겟 위치를 결정하고; 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 해제가 검출되고 타겟 디스플레이 위치가 사전 설정된 위치 임계값을 충족하는 것이 검출될 때 사전 설정된 위치 임계값에 해당하는 사전 설정된 위치를 타겟 디스플레이 위치로서 결정하도록 구성된다.제2 디스플레이 모듈(505)은 타겟 디스플레이 위치에 따라 페이지 콘텐츠를 표시하도록 구성된다.선택적 구현 방식에 있어서, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 해제가 검출되고 목적 위치가 사전 설정된 위치 임계값을 충족하는 것이 검출되면 사전 설정된 위치 임계값에 해당하는 사전 설정된 위치는 타겟 디스플레이 위치로서 결정된다. 도 7f에 도시된 바와 같이, 목적 위치는 B이고, 사전 설정된 위치 임계값은 다음을 포함한다: 사전 설정된 위치 E와 F 사이의 위치의 값, 및 사전 설정된 위치 F와 G 사이의 위치의 값. 구체적으로, \|EA\| 003c# \|BA\| 003c# \|FA\|인 경우에, 사전 설정된 위치 E는 타겟 디스플레이 위치로서 결정되고, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 위치 E로부터 시작하여 표시된다. \|FA\| 003c# \|BA\| 003c# \|GA\|인 경우, 사전 설정된 위치 F는 타겟 디스플레이 위치로서 결정되고, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 위치 F로부터 시작하여 표시된다. \|GA\| 003c# \|BA\|인 경우, 사전 설정된 위치 G는 타겟 디스플레이 위치로서 결정되고, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 위치 G로부터 시작하여 표시된다.더 선택적으로, 도 7f에 도시된 바와 같이, 목적 위치는 B이고, 사전 설정된 위치 임계값 \|EA \|003c# \|BA \|003c# \|FA\|를 충족하면, 사전 설정된 위치 E는 타겟 디스플레이 위치로서 결정되고, 페이지 콘텐츠 N은 사전 설정된 위치 E로부터 시작하여 표시된다. 이러한 경우에, 사용자는 도 7f에 도시된 바와 같이 페이지 콘텐츠에 대한 한-손 조작을 수행할 수 있다.본 발명의 이 실시예에서 제공된 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 장치에 따르면, 대형 터치스크린을 가진 모바일 단말기 상에서, 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출되면, 명령 획득 모듈은 디스플레이 스크린 상에 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 명령을 획득할 수 있고; 페이지 이동 모듈은 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시킬 수 있어, 사용자가 한-손 조작 영역에서 한-손 조작을 수행할 수 있게 하며, 그로 인해 뷰잉과 한-손 터치 동작을 용이하게 하고; 그리고 페이지 복귀 모듈은 페이지 복귀 명령이 수신될 때 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시키고, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 한-손 조작 영역으로부터 초기 디스플레이 위치로 이동될 수 있으며, 그로 인해 모바일 단말기의 지능을 개선한다.이 실시예에서의 명령 획득 모듈, 페이지 이동 모듈, 및 페이지 복귀 모듈은 개별적으로 배치된 프로세서일 수 있거나 구현을 위한 모바일 단말기의 프로세서에 통합될 수 있고, 또는 프로그램 코드의 형태로 모바일 단말기의 메모리에 저장되고 상기 모듈의 기능을 실행하기 위해 모바일 단말기의 프로세서에 의해 호출될 수 있다는 것이 주목되어야 한다. 제1 디스플레이 모듈과 제2 디스플레이 모듈은 상기 모듈과 동일한 방식으로 구현되고, 상기 모듈과 통합될 수 있거나, 개별적으로 구현될 수 있다. 여기서, 프로세서는 중앙 처리 유닛(Central Processing Unit, CPU), 또는 주문형 집적 회로(Application-Specific Integrated Circuit, ASIC)이거나, 본 발명의 이 실시예를 구현하기 위한 하나 이상의 집적 회로로서 구성될 수 있다.도 6을 참조하면, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 모바일 단말기의 개략적 구조도이다. 이 실시예에서 제공된 모바일 단말기는 도 1 내지 도 4 중 임의의 하나에 도시된 방법에 대응하고, 도 1 내지 도 4 중 임의의 하나에 도시된 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법을 수행하기 위한 엔티티이다. 특정한 구현 형태는 도 6에 도시된다. 본 발명의 이 실시예에서의 모바일 단말기는 수신기(601), 송신기(602), 메모리(603), 및 프로세서(604)를 포함할 수 있으며, 여기서 수신기(601), 송신기(602), 및 메모리(603)는 프로세서(604)에 연결되고, 예를 들어 버스를 이용하여 연결될 수 있다. 물론, 네트워크 요소 장치들은 안테나와 같은 범용 컴포넌트들, 기저대역 처리 컴포넌트, 중간 무선 주파수 처리 컴포넌트, 및 입출력 장치들을 더 포함할 수 있는데, 이는 본 발명의 이러한 실시예에서 특별히 제한되지 않는다.수신기(601)와 송신기(602)는 송수신기를 구성하기 위해 통합될 수 있다.메모리(603)는 실행가능 프로그램 코드를 저장하도록 구성되며, 여기서 프로그램 코드는 컴퓨터 연산 명령을 포함한다. 메모리(603)는 고속 랜덤 액세스 메모리(RAM)를 포함하거나, 비휘발성 메모리(non-volatile memory), 예를 들어, 적어도 하나의 디스크 메모리를 포함할 수 있다.프로세서(604)는 중앙 처리 유닛, 또는 특수 집적 회로일 수 있거나, 본 발명의 이 실시예를 구현시키기 위한 하나 이상의 집적 회로로서 구성된다.메모리(603)는 한 그룹의 프로그램 코드를 저장하고, 프로세서(604)는 다음과 같은 동작을 수행하기 위해 메모리(603)에 저장된 프로그램 코드를 호출하도록 구성된다:디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출되면 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 명령을 획득하는 단계;이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시키는 단계; 및한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령이 수신될 때 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시키는 단계.선택적 구현 방식에서, 프로세서(604)가 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 명령을 획득하는 것이 구체적으로 다음을 포함한다:페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작을 획득하는 단계; 및페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위가 사전 설정된 슬라이드 변위보다 더 크다는 것이 검출되면 페이지 콘텐츠의 획득된 슬라이드 조작을 이동 명령으로서 결정하는 단계.선택적 구현 방식에서, 프로세서(604)가 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시키는 것이 다음을 포함할 수 있다:페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위에 따라 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기를 결정하는 단계; 및사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기에 따라 한-손 조작 영역을 결정하는 단계.선택적 구현 방식에서, 프로세서(604)가 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시키는 것이,페이지 콘텐츠의 초기 디스플레이 위치를 획득하는 단계,페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위에 따라 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기를 결정하는 단계, 및결정된 사전 설정된 방향과 결정된 이동 변위의 크기에 따라 한-손 조작 영역에서 초기 디스플레이 위치로부터 타겟 디스플레이 위치로 페이지 콘텐츠를 이동시키는 단계를 포함하고;프로세서(604)가 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시키는 것은 다음을 포함한다:페이지 콘텐츠가 초기 디스플레이 위치로 이동되는 것이 검출될 때까지, 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시키는 단계.선택적 구현 방식에 있어서, 프로세서(604)는,페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 해제가 검출되면 타겟 디스플레이 위치에 따라 페이지 콘텐츠를 표시하도록 더 구성된다.선택적 구현 방식에 있어서, 프로세서(604)는,페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 해제가 검출되면 타겟 디스플레이 위치로부터 사전 설정된 제2 속도로 이동 방향과 반대 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시키도록 더 구성되고, 여기서 사전 설정된 제2 속도는 사전 설정된 제1 속도보다 느리다.선택적 구현 방식에서, 프로세서(604)가 결정된 사전 설정된 방향과 결정된 이동 변위의 크기에 따라 한-손 조작 영역에서 초기 디스플레이 위치로부터 타겟 디스플레이 위치로 페이지 콘텐츠를 이동시키는 것이,결정된 사전 설정된 방향과 결정된 이동 변위의 크기에 따라 타겟 위치를 결정하는 단계, 및페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 해제가 검출되고 타겟 위치가 사전 설정된 위치 임계값을 충족하는 것이 검출되면 사전 설정된 위치 임계값에 해당하는 사전 설정된 위치를 타겟 디스플레이 위치로서 결정하는 단계를 포함하고;프로세서(604)는 타겟 디스플레이 위치에 따라 페이지 콘텐츠를 표시하도록 더 구성된다.선택적 구현 방식에 있어서, 사전 설정된 방향은 수직 방향 또는 수평 방향을 포함하고;이동 변위의 크기는 사전 설정된 비례 계수와 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 변위의 곱을 포함한다.선택적 구현 방식에 있어서, 페이지 콘텐츠는 디스플레이 스크린의 사전 설정된 영역의 페이지 콘텐츠 또는 디스플레이 스크린의 모든 영역의 페이지 콘텐츠를 포함한다.상기 기술적 해결책에서, 모바일 단말기가 제공되고, 수신기, 송신기, 메모리, 및 프로세서를 포함한다. 대형 터치스크린을 가진 모바일 단말기 상에서, 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출되면, 프로세서는 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시킬 수 있어, 사용자가 한-손 조작 영역에서 한-손 조작을 수행할 수 있게 하며, 그로 인해 뷰잉과 한-손 터치 동작을 용이하게 하고; 그리고 페이지 복귀 명령이 수신될 때, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 이동되고, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 한-손 조작 영역으로부터 초기 디스플레이 위치로 다시 이동될 수 있으며, 그로 인해 모바일 단말기의 지능을 개선한다.요약하면, 본 발명의 실시예들에서 제공된 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법과 장치에 따르면, 대형 터치스크린을 가진 모바일 단말기 상에서, 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단 또는 상단에 도달하는 것이 검출되면, 페이지 콘텐츠는 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역에서 초기 디스플레이 위치로부터 타겟 디스플레이 위치로 사전 설정된 방향으로 이동될 수 있어, 사용자가 한-손 조작 영역에서 한-손 조작을 수행할 수 있게 하고, 그로 인해 뷰잉과 한-손 터치 동작을 용이하게 한다. 더 선택적으로, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 해제가 검출될 때, 페이지 콘텐츠는 타겟 디스플레이 위치에 따라 표시될 수 있다. 더 선택적으로, 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 해제가 검출되면, 페이지 콘텐츠는 타겟 디스플레이 위치로부터 사전 설정된 제2 속도로 이동 방향과 반대 방향으로 이동된다. 더 선택적으로, 타겟 위치는 사전 설정된 방향과 이동 변위의 크기에 따라 결정될 수 있고; 페이지 콘텐츠에 대한 슬라이드 조작의 해제가 검출되고 타겟 위치가 사전 설정된 위치 임계값을 충족하는 것이 검출되면, 사전 설정된 위치 임계값에 해당하는 사전 설정된 위치가 타겟 디스플레이 위치로서 결정되고; 그리고 페이지 콘텐츠는 타겟 디스플레이 위치에 따라 표시된다. 페이지 복귀 명령이 수신될 때, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 이동되고, 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 한-손 조작 영역으로부터 초기 디스플레이 위치로 다시 이동될 수 있으며, 그로 인해 모바일 단말기의 지능을 개선한다.본 출원에서 제공된 여러 실시예들에서, 개시된 장치 및 방법은 다른 방식들로 구현될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 예를 들어, 설명된 장치 실시예는 예시적일 뿐이다. 예를 들어, 모듈 또는 유닛 분할은 단지 논리 기능 분할이고 실제의 구현에서는 다른 분할일 수 있다. 예를 들어, 복수의 유닛 또는 모듈은 다른 시스템으로 통합 또는 결합될 수 있거나, 또는 일부 특징들은 무시되거나 수행되지 않을 수 있다. 또한, 디스플레이되거나 논의된 상호 결합 또는 직접 결합 또는 통신 접속은 일부 인터페이스들을 사용하여 구현될 수 있다. 장치들, 모듈들, 또는 유닛들 사이의 직접 결합 또는 통신 접속들은 전자적, 기계적 또는 다른 형태로 구현될 수 있다.개별적인 부분들로서 설명되어 있는 모듈들 또는 유닛들이 물리적으로 분리되어 있을 수 있거나 그렇지 않을 수 있고, 모듈들 또는 유닛들로서 표시된 부분들이 물리적 모듈들 또는 유닛들일 수 있거나 그렇지 않을 수 있거나, 하나의 위치에 배치되어 있을 수 있거나, 복수의 네트워크 모듈들 또는 유닛들에 분산되어 있을 수 있다. 모듈들 또는 유닛들의 일부 또는 전부는 본 출원의 실시예들의 해결책들의 목적들을 달성하기 위해 실제 요구에 따라 선택될 수 있다.또한, 본 출원의 실시예들에서의 기능 모듈들 또는 유닛들이 하나의 처리 모듈 또는 유닛에 통합될 수 있거나, 모듈들 또는 유닛들 각각은 물리적으로 단독으로 존재할 수 있거나, 2개 이상의 모듈들 또는 유닛들이 하나의 모듈 또는 유닛으로 통합되어 있다. 통합된 모듈들 또는 유닛들은 하드웨어의 형태로 구현될 수 있거나, 소프트웨어 기능 유닛의 형태로 구현될 수 있다.통합된 모듈들 또는 유닛들이 소프트웨어 기능 모듈 또는 유닛의 형태로 구현되고 독립적인 제품으로서 판매 또는 사용될 때, 통합된 모듈들 또는 유닛들은 컴퓨터 판독가능 저장 매체에 저장될 수 있다. 이러한 이해에 기초하여, 본 발명의 기술적 해결책들은 본질적으로, 또는 종래 기술에 기여하는 부분은, 또는 기술적 해결책들의 전부 또는 일부는 소프트웨어 제품의 형태로 구현될 수 있다. 소프트웨어 제품은 저장 매체에 저장되고, 본 출원의 실시예들에서의 방법들의 단계들의 전부 또는 일부를 수행하도록 컴퓨터 디바이스(개인용 컴퓨터, 서버, 또는 네트워크 디바이스일 수 있음)에 지시하기 위한 여러 개의 명령을 포함한다. 상기 저장 매체는: USB 플래시 드라이브, 착탈식 하드 디스크, 판독 전용 메모리(ROM, Read-Only Memory), 랜덤 액세스 메모리(RAM, Random Access Memory), 자기 디스크, 또는 광학 디스크 등, 프로그램 코드를 저장할 수 있는 임의의 매체를 포함한다.상술한 설명은 단지 본 출원의 구체적인 구현 방식들이지만, 본 출원의 보호 범위를 제한하려고 의도한 것은 아니다. 본 출원에 개시된 기술 범위 내에서 관련 기술분야의 통상의 기술자에 의해 손쉽게 안출된 임의의 수정 또는 대체는 본 출원의 보호 범위 내에 있을 것이다. 따라서, 본 출원의 보호 범위는 청구항들의 보호 범위에 따를 것이다.	본 발명의 실시예들은 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 방법과 장치를 제공하고, 이 방법은, 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단/상단에 도달하는 것을 검출하면, 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 명령을 획득하는 단계; 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시키는 단계; 및 한-손 조작 영역에서의 사용자의 페이지 복귀 명령을 수신하면, 사전 설정된 제1 속도로 사전 설정된 방향과 반대 방향으로 페이지 콘텐츠를 이동시키기 위한 단계를 포함한다. 본 발명의 실시예들에 의해, 대형 터치스크린을 가진 모바일 단말기에 대해서, 디스플레이 콘텐츠가 페이지 콘텐츠의 하단/상단에 도달하는 것이 검출되면, 페이지 콘텐츠는 이동 명령에 따라 한-손 조작 영역으로 사전 설정된 방향으로 이동되어, 사용자가 한-손 조작 영역에서 한-손 동작을 수행하게 함으로써, 뷰잉과 한-손 터치 제어 동작을 용이하게 할 수 있고; 페이지 콘텐츠는 사전 설정된 제1 속도로 한-손 조작 영역으로부터 초기 디스플레이 위치로 다시 이동될 수 있어, 모바일 단말기의 지능을 개선할 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 검사 방법과 장치 및 리소그래피 장치INSPECTION METHOD AND APPARATUS AND LITHOGRAPHIC APPARATUS [ 기술분야 ] 관련 출원의 교차 참조본 출원은 2013년 12월 19일에 출원된 EP 출원 13198288의 이익을 주장하며, 이 EP 출원은 전체적으로 본원에 참조로 관련되어 있다.본 발명은 예컨대 리소그래피 기술에 의해 디바이스를 제조하는 데에 사용할 수 있는 검사 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 리소그래피 장치는 기판 상에 통상적으로는 기판의 타겟 영역 상에 원하는 패턴을 부여하는 장치이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 경우, 마스크 또는 레티클(reticle)로도 지칭되는 패터닝 장치가 집적회로의 개개의 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟 영역(예컨대, 하나의 다이(die)의 일부분, 하나의 다이, 또는 여러 개의 다이를 포함) 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 위에의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 타겟 영역들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 타겟 영역 상에 패턴 전체를 한번에 노광함으로써 각각의 타겟 영역을 조사(照射)하는 소위 스테퍼(stepper), 및 소정의 방향("스캐닝"-방향)의 방사선 빔을 통해 패턴을 스캐닝하는 동시에, 이 방향과 평행한 방향(동일 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 스캐닝함으로써 각각의 타겟 영역을 조사하는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 장치로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.리소그래피 공정을 모니터링하기 위해서는, 패터닝된 기판의 파라미터가 측정된다. 파라미터는 예컨대 패터닝된 기판 상에 또는 패터닝 기판에 형성된 연속층들 간의 오버레이 오차 및 현상된 광감성 레지스트의 임계 선폭을 포함할 수 있다. 이 측정은 제품 기판 및/또는 전용의 계측 타겟에서 수행될 수 있다. 리소그래피 공정으로 형성된 미세 구조체의 측정을 행하기 위한 다양한 기술이 존재하며, 이들 기술은 주사 전자 현미경(scanning electron microscope) 및 다양한 특수 기기를 사용하는 것을 포함한다. 특수 검사 기기의 신속한 비침투성 형태는, 방사선 빔을 기판의 표면 상의 타겟으로 향하게 하여 산란 또는 반사된 빔의 특성을 측정하는 스캐터로미터(scatterometer)가 있다. 방사선 빔이 기판에 의해 반사되거나 산란되기 전과 후의 방사선 빔의 특성을 비교함으로써, 기판의 특성을 결정할 수 있다. 이것은 예컨대 반사 빔을 이미 알고 있는 기판 특성과 관련된 이미 알고 있는 하나 이상의 측정치의 라이브러리에 저장된 데이터와 비교함으로써 행해질 수 있다. 2가지의 주요 유형의 스캐터로미터가 알려져 있다. 분광 스캐터로미터(spectroscopic scatterometer)는 광대역 방사선 빔을 기판 상으로 지향시키고 특히 좁은 각도 범위로 산란된 방사선의 스펙트럼(예컨대, 파장을 함수로 하는 세기)을 측정한다. 각도 분해 스캐터로미터(angularly resolved scatterometer)는 단색성 방사선 빔(monochromatic radiation beam)을 이용하고, 산란된 방사선의 세기를 각도를 함수로 하여 측정한다.3D NAND 플래시 메모리 층 적층체와 같은 3차원 또는 수직 구조체는 층 적층체의 물리적 특성의 정확한 제어 및 정확한 측정에 어려움이 있다. 이러한 물리적 특성은 층 두께 또는 층 적층 구조체에 형성되는 구멍의 임계 치수를 포함할 수 있다. [ 발명의 개요 ] 층 적층체와 같은 구조체의 물리적 특성을 더 정확하게 측정할 수 있는 방법과 시스템을 제공하는 것이 바람직하다.본 발명의 일 양태에 따르면, 복수의 층을 포함하는 구조체를 적어도 하나의 선택된 파장의 검사 방사선으로 조명하는 단계; 상기 구조체에 대한 조명으로 생긴 회절 신호를 검출하는 단계; 및 상기 회절 신호로부터 상기 층의 서브세트의 물리적 특성을 결정하는 단계를 포함하고, 상기 물리적 특성이 결정되는 상기 층의 서브세트는 검사 방사선의 선택된 파장에 의존하는 검사 방법이 제공된다.본 발명의 제 2 양태에 따르면, 복수의 층을 포함하는 구조체를 적어도 하나의 선택된 파장의 검사 방사선으로 조명하도록 작동가능한 방사선 소스; 상기 구조체에 대한 조명으로 생긴 회절 신호를 검출하기 위한 검출기; 및 상기 회절 신호로부터 상기 층의 서브세트의 물리적 특성을 결정하도록 작동가능한 프로세서를 포함하고, 상기 물리적 특성이 결정되는 상기 층의 서브세트는 검사 방사선의 선택된 파장에 의존하는 검사 장치가 제공된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 이제, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태를 단지 예시적으로 설명할 것이며, 도면에서 대응하는 참조 부호는 대응하는 부품을 나타낸다.도 1은 리소그래피 장치를 도시하고 있다.도 2는 리소그래피 셀 또는 클러스터를 도시하고 있다.도 3은 제1 스캐터로미터를 도시하고 있다.도 4는 제2 스캐터로미터를 도시하고 있다.도 5는 스캐터로미터 측정으로부터 구조체를 재구성하기 위한 제 1 예시적 공정을 나타낸다.도 6 은 스캐터로미터 측정으로부터 구조체를 재구성하기 위한 제 2 예시적공정을 나타낸다.도 7은 검사 방사선의 다른 파장에 대해 구조체의 서로 다른 층들에서의 구조 특성에 대한 계산된 감응도를 개략적으로 도시한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1은 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하고 있다. 리소그래피 장치는 이하의 구성요소를 포함한다: 방사선 빔(B, 예컨대 UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 조절하도록 구성된 조명 시스템(조명기)(IL); 패터닝 장치(예컨대, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 또한 특정 파라미터에 따라 패터닝 장치(MA)를 정확히 위치시키도록 구성된 제1 위치 설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블)(MT); 기판(예컨대, 레지스트가 코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 특정 파라미터에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제2 위치 설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예컨대, 웨이퍼 테이블)(WT); 및 패터닝 장치(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여한 패턴을 기판(W)의 타겟 영역(C)(예컨대, 하나 이상의 다이를 포함하는) 상에 투영하도록 구성된 투영 시스템(예컨대, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS).조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위한 굴절식, 반사식, 자기식, 전자기식, 정전식, 다른 형태의 광학 요소, 또는 이들의 임의의 조합과 같은 다양한 형태의 광학 요소들을 포함할 수 있다.지지 구조체는 패터닝 장치의 중량을 지지, 즉 지탱한다. 지지 구조체는 패터닝 장치의 배향, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예컨대 패터닝 장치가 진공 분위기에 유지되는지의 여부와 같은 기타 조건들에 좌우되는 방식으로 패터닝 장치를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 장치를 유지하기 위해 기계식, 진공식, 정전식, 또는 기타 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는 예컨대 필요에 따라 고정되거나 이동시킬 수 있는 프레임(frame) 또는 테이블일 수도 있다. 지지 구조체는 패터닝 장치가 예컨대 투영 시스템에 대하여 요구된 위치에 있도록 할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 장치"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.본 명세서에서 사용되는 "패터닝 장치"라는 용어는, 기판의 타겟 영역에 패턴을 생성하기 위하여 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하기 위해 사용될 수 있는 모든 디바이스를 지칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예컨대 그 패턴이 위상 반전 피처(phase-shifting feature) 또는 이른바 어시스트 피처(assist feature)를 포함하는 경우, 기판의 타겟 영역 내의 요구된 패턴과 정확하게 대응하지 않을 수도 있다는 것에 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적회로와 같은 타겟 영역 내에 생성되는 디바이스에서의 특정 기능층에 대응할 것이다.패터닝 장치는 투과형 또는 반사형 모두 가능하다. 패터닝 장치의 예로는 마스크, 프로그래머블 미러 어레이, 및 프로그래머블 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상 반전형 및 감쇠 위상 반전형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라 다양한 하이브리드 마스크 타입들을 포함한다. 프로그래머블 미러 어레이의 예는 소형 미러들의 매트릭스 배열을 채용하며, 그 각각의 미러들은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 경사지는 것이 가능하다. 경사진 미러들은 미러 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 이용되고 있는 노광 방사선에 대하여 적합하거나 또는 액침액(immersion liquid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인들에 대하여 적합한, 굴절형, 반사형, 반사 굴절형(catadioptric), 자기형, 전자기형, 및 정전형 광학 시스템, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 어떠한 타입의 투영 시스템도 포함하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서 사용되는 "투영 렌즈"라는 용어는 "투영 시스템"이라는 좀더 일반적인 용어의 동의어로 간주할 수 있다.본 명세서에서 설명한 바와 같이, 리소그래피 장치는 투과형의 것(예컨대, 투과형 마스크를 채용함)이다. 이와 달리, 리소그래피 장치는 반사형의 것(예컨대, 전술한 바와 같은 유형의 프로그래머블 미러 어레이를 채용하거나, 또는 반사형 마스크를 채용함)일 수도 있다.리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2개 이상의 마스크 테이블)을 갖는 타입의 것일 수도 있다. 이러한 "복수 스테이지" 기계에서는, 추가의 테이블을 병행하여 사용하거나, 또는 하나 이상의 테이블 상에서 예비 공정을 수행하면서 다른 하나 이상의 테이블을 노광용으로 사용하는 것이 가능하다.리소그래피 장치는 또한 기판의 적어도 일부분을 물과 같은 비교적 굴절률이 높은 액체로 덮어 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우도록 하는 유형의 것으로 될 수도 있다. 액침액은 예컨대 마스크와 투영 시스템 사이와 같은 리소그래피 장치 내의 다른 공간에도 가해질 수 있다. 액침 기술은 투영 시스템의 개구도(numerical aperture)를 증가시키기 위한 것으로 당해 기술 분야에 널리 공지되어 있다. 본 명세서에 사용된 바와 같은 "액침"이라는 용어는 기판과 같은 구조체를 반드시 액체에 침지하여야 하는 것을 의미하지는 않고, 노광하는 동안에 투영 시스템과 기판 사이에 액체를 위치시키는 것을 의미한다.도 1을 참조하면, 조명기(IL)는 방사 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수광한다. 예컨대, 방사 소스(SO)가 엑시머 레이저인 경우, 방사 소스(SO)와 리소그래피 장치는 별도의 구성요소일 수도 있다. 이러한 경우, 방사 소스(SO)는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선 빔은 예컨대 적합한 지향 미러 및/또는 빔 확장기(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)을 이용하여 방사 소스(SO)로부터 조명기(IL)로 전달된다. 다른 경우에, 예컨대 방사 소스(SO)가 수은 램프인 경우에, 이 방사 소스(SO)는 리소그래피 장치에 통합된 부품일 수도 있다. 방사 소스(SO) 및 조명기(IL)는 필요에 따라 채용되는 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사 시스템으로 지칭될 수도 있다.조명기(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포(angular intensity distribution)를 조정하기 위한 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 조명기의 퓨필 평면(pupil plane) 내의 세기 분포의 적어도 외측 반경 및/또는 내측 반경 범위(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 조명기(IL)는 집속기(integrator)(IN) 및 집광기(condenser)(CO)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 조명기(IL)는 방사선 빔의 단면에서 요구된 균일성 및 세기 분포를 갖도록 방사선 빔을 조절하는데 사용될 수 있다.방사선 빔(B)은 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블(MT)) 상에 유지되는 패터닝 장치(예컨대, 마스크(MA)) 상에 입사되며, 패터닝 장치(MA)에 의해 패터닝된다. 마스크(MA)를 횡단한 후, 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PL)을 통과하고, 투영 시스템(PS)은 방사선 빔을 기판(W)의 타겟 영역(C) 상에 집속시킨다. 제2 위치 설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예컨대, 간섭계 디바이스, 선형 인코더, 2-D 인코더 또는 용량형 센서)를 이용하여, 예컨대 상이한 타겟 영역(C)을 방사선 빔(B)의 경로 내에 위치시키도록 기판 테이블(WT)을 정확하게 이동시킬 수 있다. 마찬가지로, 제1 위치 설정기(PM) 및 다른 위치 센서(도 1에 명시되어 도시되어 있지는 않음)를 이용하여, 예컨대 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적 인출 후에 또는 스캔하는 동안에, 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키는 것이 가능하다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 제1 위치 설정기(PM)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈(long-stroke module; 개략적 위치 설정) 및 숏-스트로크 모듈(short-stroke module; 미세 위치 설정)을 이용하여 실현될 것이다. 마찬가지로, 기판 테이블(WT)의 이동은 제2 위치 설정기(PW)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈 및 숏-스트로크 모듈을 이용하여 실현될 수 있다. 스테퍼의 경우(스캐너와 반대되는 것으로서의), 마스크 테이블(MT)은 숏-스트로크 액추에이터에만 연결될 수도 있고, 또는 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2) 및 마스크 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 전용의 타겟 영역에 위치하고 있지만, 이들 마크들은 타겟 영역 사이의 공간 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있다). 마찬가지로, 마스크치(MA) 상에 하나보다 많은 다이가 제공되는 상황에서는, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.도시된 장치는 다음 모드들 중 하나 이상의 모드로 사용될 수 있다:1. 스텝 모드에서는, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)을 기본적으로 정지 상태로 유지한 채로, 방사선 빔(B)에 부여한 패턴 전체를 한 번에 타겟 영역(C) 상에 투영한다(즉, 단일 정지 노광). 그리고나서, 상이한 타겟 영역(C)이 노광될 수 있도록 기판 테이블(WT)을 X 방향 및/또는 Y 방향으로 이동시킨다. 스텝 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기에 의해, 단일 정지 노광시에 이미징되는 타겟 영역(C)의 크기가 한정된다.2. 스캔 모드에서는, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)을 동기적으로 스캐닝하면서, 방사선 빔(B)에 부여한 패턴을 타겟 영역(C) 상에 투영한다(즉, 단일 동적 노광). 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PL)의 확대율(축소율) 및 상 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기에 의해 단일 동적 노광시의 타겟 영역의 폭(스캐닝되지 않는 방향에서의 폭)이 한정되는 한편, 스캐닝 동작의 길이에 의해 타겟 영역(C)의 높이(스캐닝 방향에서의 높이)가 결정된다.3. 또 다른 모드에서는, 프로그래머블 패터닝 장치를 유지한 채로 마스크 테이블(MT)을 기본적으로 정지 상태로 하고, 또한 기판 테이블(WT)을 이동시키거나 스캐닝하면서, 방사선 빔에 부여한 패턴을 타겟 영역(C) 상에 투영한다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사 소스가 채용되며, 프로그래머블 패터닝 장치는 기판 테이블(WT)의 각각의 이동 후에 또는 스캔 동안의 연속적인 방사 펄스의 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급한 바와 같은 타입의 프로그래머블 미러 어레이와 같은 프로그래머블 패터닝 장치를 이용하는 마스크 없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.또한, 전술한 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 전혀 다른 사용 모드들이 채용될 수도 있다.도 2에 도시된 바와 같이, 리소그래피 장치(LA)는 리소셀(lithocell) 또는 클러스터(cluster)로도 지칭되는 리소그래픽 셀(LC)의 일부를 형성하며, 리소그래피 셀은 또한 기판에 대해 노광전 공정(pre-exposure process) 및 노광후 공정(post-exposure process)을 수행하기 위한 장치를 포함한다. 통상적으로, 이러한 장치는 레지스트층을 증착하는 스핀 코터(spin coater)(SC), 노광된 레지스트를 현상하는 현상기(DE), 칠 플레이트(chill plate, CH) 및 베이크 플레이트(bake plate, BK)를 포함한다. 기판 핸들러 또는 로봇(RO)이 입력/출력 포트(I/O1, I/O2)로부터 기판을 픽업하여, 이를 상이한 공정 장치 간에 이동시키며, 그 후 리소그래피 장치의 로딩 베이(loading bay, LB)에 전달한다. 통칭하여 트랙으로도 지칭되는 이들 장치는 감독 제어 시스템(supervisory control system, SCS)에 의해 제어되는 트랙 제어 유닛(TCU)의 제어 하에 있게 되며, 감독 제어 시스템은 또한 리소그래피 제어 유닛(LACU)을 통해 리소그래피 장치를 제어한다. 그러므로, 처리량 및 처리 효율을 최대화하기 위해 상이한 장치가 작동될 수 있다.리소그래피 장치에 의해 노광되는 기판이 정확하고 일정하게 노광되도록 하기 위해, 후속 층들 간의 오버레이 오차, 라인 두께, 임계 치수(CD) 등과 같은 특성을 측정하기 위해 노광된 기판을 검사하는 것이 바람직하다. 에러가 검출되는 경우, 특히 동일 배치(batch)의 다른 기판이 여전히 노광되도록 하기에 충분한 정도로 빠르고 신속하게 검사가 수행될 수 있으면, 후속 기판의 노광에 대한 조정이 이루어질 수 있다. 또한, 이미 노광된 기판이 예컨대 수율을 향상시키기 위해 벗겨지거나 재작업될 수 있으며, 아니면 폐기함으로써 오류가 있는 것으로 알려진 기판에 대해 노광을 수행하는 것을 방지한다. 기판의 일부 타겟 영역만이 오류가 있는 경우, 양호한 상태의 타겟 영역에만 추가의 노광이 수행될 수 있다.기판의 특성, 구체적으로 상이한 기판의 특성 또는 동일 기판의 상이한 층의 특성이 층 간에 어떻게 변화하는지를 판정하기 위해 검사 장치가 사용된다. 검사 장치는 리소그래픽 장치(LA) 또는 리소셀(LC)에 통합될 수도 있고, 또는 독립형 장치일 수도 있다. 가장 신속한 측정을 가능하게 하기 위해, 검사 장치는 노광 직후에 노광된 레지스트층에서의 특성을 측정하는 것이 바람직하다. 그러나, 레지스트 내의 잠상(latent image)은 매우 낮은 컨트래스트를 가지며, 이로써 방사선에 노광된 레지스트의 부분과 방사선에 노광되지 않은 부분 간의 굴절율차가 매우 작게 되며, 모든 검사 장치가 잠상의 유용한 측정을 행하기에 충분한 감도를 갖는 것은 아니다. 따라서, 통상적으로 노광된 기판에 대해 수행되는 첫 번째 단계이고, 레지스트의 노광된 부분과 노광되지 않은 부분 간의 컨트래스트를 증가시키는 단계인, 노광후 베이크 단계(post-exposure bake step, PEB) 후에 측정이 이루어질 것이다. 이 스테이지에서, 레지스트 내의 이미지는 반잠상(semi-latent)으로 지칭될 수 있다. 또한, 레지스트의 노광된 부분 또는 노광되지 않은 부분 중의 하나를 제거한 지점에서, 또는 에칭과 같은 패턴 전사 단계 후에, 현상된 레지스트 이미지의 측정을 행하는 것도 가능하다. 후자의 가능성은 오류가 있는 기판의 재작업에 대한 가능성은 제한하지만, 유용한 정보를 제공할 수 있다.도 3은 본 발명에 사용될 수 있는 스캐터로미터를 도시한다. 이 스캐터로미터는 방사선을 기판(W) 상에 투영하는 광대역(백색광) 방사선 투영기(2)를 포함한다. 반사된 방사선은 분광계 검출기(4)에 통과되며, 분광계 검출기(4)는 정반사 방사선의 스펙트럼(10)(파장을 함수로 하는 세기)을 측정한다. 이 데이터로부터, 검출된 스펙트럼을 발생하는 프로파일 또는 구조체가 처리 유닛(PU)에 의해, 예컨대 RCWA(Rigorous Coupled Wave Analysis) 및 비선형 회귀(non-linear regression)에 의해 또는 도 3의 하단에 도시된 바와 같이 시뮬레이션된 스펙트럼의 라이브러리와의 비교에 의해 재구성될 수 있다. 일반적으로, 재구성을 위해, 일반적인 형태의 구조체가 알려져 있으며, 일부 파라미터는 이 구조체를 구성하는 공정에 대한 정보로부터 가정되어, 이 구조의 소수의 파라미터만이 스캐터로메트리 데이터로부터 결정되도록 된다. 이러한 스캐터로미터는 수직 입사 스캐터로미터 또는 경사 입사 스캐터로미터로서 구성될 수 있다.본 발명에서 사용될 수 있는 다른 스캐터로미터가 도 4에 도시되어 있다. 이 장치에서, 방사선 소스(2)에 의해 방출된 방사선은 렌즈 시스템(12)을 이용하여 평행하게 되고 간섭 필터(13) 및 편광기(polarizer)(17)를 투과하고 부분 반사 표면(16)에 의해 반사되고, 높은 개구도(NA)(바람직하게는, 적어도 0.9, 더 바람직하게는 적어도 0.95를 갖는 마이크로스코프 대물 렌즈(15)를 통해 기판(W) 상에 초점된다. 액침 스캐터로미터는 1이 넘는 개구도를 갖는 렌즈를 포함하는 경우도 있다. 반사된 방사선은 그 후 부분 반사 표면(16)에서 검출기(18)로 투과되어 산란 스펙트럼(scatter spectrum)이 검출된다. 검출기는 렌즈 시스템(15)의 초점 거리에 있는 배면 투영 퓨필 평면(back-projected pupil plane)(11)에 위치될 수 있지만, 퓨필 평면은 이와 달리 보조 광학장치(도시하지 않음)를 이용하여 검출기 상에 재이미징(re-image)될 수 있다. 퓨필 평면은, 방사선의 방사 위치(radial position)가 입사각을 정하고, 각도 위치(angular position)가 방사선의 방위각을 정하는, 평면이다. 검출기는 바람직하게는 기판 타겟(30)의 2차원 각도 산란 스펙트럼이 측정될 수 있도록 2차원 검출기이다. 검출기(18)는 예컨대 CCD 또는 CMOS 센서의 어레이일 수 있으며, 예컨대 프레임당 40 ms의 노출 시간(integration time)을 이용할 수 있다.예컨대 입사 방사선의 세기를 측정하기 위해 기준 빔이 이용되는 경우가 있다. 이를 위해, 방사선 빔이 빔 스플리터(16)에 입사될 때, 방사선 빔의 일부가 빔 스플리터를 투과하여 기준 빔으로서 기준 미러(14)를 향하게 된다. 기준 빔은 그 후 동일한 검출기(18)의 상이한 부분 상에 투영되거나 또는 대안적으로 다른 검출기(미도시) 상에 투영된다. 405∼790 nm 또는 그 미만의 범위, 예컨대 200∼300 nm의 대상 파장을 선택하기 위해 간섭 필터(13)의 세트가 이용될 수 있다. 간섭 필터는 상이한 필터의 세트를 포함하기보다는 조정 가능하게 될 수도 있다. 간섭 필터 대신 격자(grating)가 이용될 수 있다.검출기(18)는 단일 파장(또는 좁은 파장 범위)에서의 산란된 방사선의 세기를 측정할 수도 있고, 여러 파장에서의 각각의 세기를 측정할 수도 있으며, 또는 일정 파장 범위에 걸쳐 통합된 세기를 측정할 수도 있다. 또한, 검출기는 횡자기 편광된 광(transverse magnetic-polarized light) 및 횡전기 편광된 방사선(transverse electric-polarized radiation)의 세기, 및/또는 횡자기 편광된 광과 횡전기 편광된 빛 간의 위상차를 별도로 측정할 수 있다.기판(W) 상의 타겟(30)은 현상 후에 바(bar)가 실선의 레지스트 라인으로 형성되도록 인쇄되는 1-D 격자일 수도 있다. 타겟(30)은 2-D 격자일 수 있고,이 격자는 현상 후에 고체 레지스트 필러 또는 레지스트내의 비아(via)로 형성되도록 인쇄된다. 이와 달리, 바, 필러 또는 비아는 기판 내로 에칭될 수도 있다. 이 패턴은 리소그래피 투영 장치, 구체적으로 투영 시스템(PL), 및 조명 시스템에서의 색수차(chromatic aberration)에 감응하며, 이러한 수차의 존재 및 조명 대칭성은 인쇄된 격자에서의 변형(variation)으로 나타나게 될 것이다. 이에 따라, 인쇄된 격자의 스캐터로메트리 데이터가 격자를 재구성하는데 이용된다. 인쇄 단계 및/또는 다른 스캐터로메트리 공정에 대한 정보로부터, 라인 폭 및 라인 형상 또는 2-D 격자의 파라미터(예컨대, 필러 또는 비아 폭 또는 길이 또는 형상)과 같은 1-D 격자의 파라미터가 처리 유닛(PU)에 의해 수행되는 재구성 공정에 입력될 수 있다.전술한 바와 같이, 타겟은 기판의 표면 상에 있다. 이 타겟은 종종 2-D 어레이로 있는 격자 또는 실질적으로 직사각형 구조체 있는 일련의 선의 형상으로 되어 있다. 계측에서 엄격한 광학 회절 이론의 목적은, 타겟에서 반사되는 회절 스펙트럼을 정확하게 계산하는 것이다. 다시 말해, CD(임계 치수) 균일성 및 오버레이 게측을 위해 타겟 형상 정보가 얻어진다. 오버레이 계측은 기판 상의 두 층이 정렬되어 있는지의 여부를 판단하기 위해 두 타겟의 오버레이를 측정하는 측정 시스템이다. CD 균일성은 리소그래피 장치의 노광 시스템이 어떻게 기능하고 있는지를 판단하기 위해 스펙트럼에서 격자의 균일성의 측정값이다. 구체적으로, CD 또는 임계 치수는 기판 상에 "쓰여지는" 대상물의 폭인데, 이 폭은 리소그래피 장치가 물리적으로 기판 상에서 쓸 수 있는 한계이다. 타겟(30) 및 그의 회절 특성과 같은 타겟 구조의 모델링과 함께 전술한 스캐터로미터를 사용하여, 구조체의 형상 및 기타 파라미터의 측정이 많은 방식으로 수행된다. 도 5 에 나타나 있는 제 1 유형의 과정에서, 타겟 형상의 제 1 추정에 근거한 회절 패턴(제 1 후보 구조체)이 계산되고, 관찰된 회절 패턴과 비교된다. 그리고 모델의 파라미터는 체계적으로 변하고 일련의 반복으로 재계산되어, 새로운 후보 구조체가 발생되고 최선의 피트(fit)에 도달하게 된다. 도 6 에 나타나 있는 제 2 유형의 과정에서, 많은 다른 후보 구조체에 대해 회절 스펙트럼이 미리 계산되어 회절 스텍트럼의 "라이브러리"를 생성한다. 그리고, 측정 타겟으로부터 관찰된 회절 패턴이 계산된 스펙트럼의 라이브러리와 비교되어 상기 최선의 피트를 찾는다. 양 방법은 함께 사용될 수 있는데, 대강의 피트가 라이브러리로부터 얻어질 수 있고, 다음에 반복적인 과정을 통해 최선의 피트를 찾게 된다.도 5 를 더 상세히 참조하여, 타겟 형상 및/또는 재료 특성의 측정이 수행될 방법을 요약하여 설명할 것이다. 이 설명을 위해 타겟은 단지 한 방향으로만 반복적이다라고(1-D 구조체) 가정할 것이다. 실제로는, 2 또는 3 방향으로 주기적일 수 있고(2 또는 3 차원 구조체), 처리는 이에 따라 적합하게 될 것이다.502: 전술한 바와 같은 스캐터로미터를 사용하여, 기판 상에 있는 실제 타겟의 회절 패턴이 측정된다. 이 측정된 회절 패턴은 컴퓨터와 같은 계산 시스템에 보내진다. 계산 시스템은 위에서 언급한 처리 유닛(PU)이거나 별도의 장치일 수 있다.503: 다수의 파라미터 pi(p1, p2, p3 등)로 타겟 구조체의 파라미터화된 모델을 규정하는 "모델 레시피"가 정립된다. 이들 파라미터는 예컨대 1D 주기적 구조체에서, 측벽의 각도, 피쳐의 높이 또는 깊이, 피쳐의 폭을 나타낼 수 있다. 타겟 재료 및 하부 층의 특성이 또한 굴절률(스캐터로미터 방사선 빔에 존재하는 특정 파장에서의 굴절률)과 같은 파라미터로 나타난다. 특정한 예가 아래에 주어질 것이다. 중요하게는, 타겟의 구조체가 그의 형상과 재료 특성을 나타내는 수십개의 파라미터로 규정되지만, 모델 레시피는 일정한 값을 갖는 이들 중 많은 것을 규정할 것이고, 다른 것은 다음의 처리 단계를 위해 가변적인 또는 "유동(floating)" 파라미터이다. 고정 파라미터와 유동 파라미터 사이의 선택하는 과정을 이하 더 설명한다. 더욱이, 파라미터가 완전히 독립적인 유동 파라미터인 것은 아니면서 변할 수 있는 방법을 소개할 것이다. 도 5 의 설명을 위해, 가변 파라미터만 pi로서 고려한다.504: 유동 파라미터(즉, p1(0), p2(0), p3(0) 등)를 위한 초기 값 pi(0)을 설정하여 모델 타겟 형상을 추정한다. 각 유동 파라미터는 레시피에 규정되어 있는 바와 같이 어떤 미리 결정된 범위 내에서 발생될 것이다. 506: 모델의 다른 요소의 광학적 특성과 함께, 추정된 형상을 나타내는 파라미터를 사용하여, 예컨대, RCWA와 같은 엄격한 광학적 회절 방법 또는 막스웰 방정식의 다른 해법 수단을 사용하여 산란 특성을 계산한다. 이리하여, 추정된 타겟 형상의 추정된 또는 모델 회절 패턴이 얻어진다.508 및 510: 측정된 회절 패턴 및 모델 회절 패턴이 비교되고, 그것들의 유사도 및 차이를 사용하여 모델 타겟 형상에 대한 "메릿(merit) 함수"를 계산한다. 512: 상기 메릿 함수는 모델이 실제 타겟 형상을 정확히 나타내기 전에 개선될 필요가 있음을 나타낸다고 가정하면, 하나 이상의 새로운 파라미터(p1(1), p2(1), p3(1) 등)가 추정되어 단계 506 에 반복적으로 피드백된다. 단계 506 ∼ 512가 반복된다. 조사를 보조하기 위해, 단계 506 에서의 계산에서, 파라미터 공간 내의 이 특정한 영역에서 메릿 함수의 편도함수가 더 생성될 수 있는데, 이 편도함수는, 파라미터의 증가 또는 감소에 따라 메릿 함수가 증가 또는 감소되는 감응도를 나타낸다. 메릿 함수의 계산 및 도함수의 사용은 일반적으로 당업계에 잘 알려져 있기 때문에 여기서 상세히 설명하지 않을 것이다.514: 메릿 함수가 이 반복적인 과정이 원하는 정확도의 해에 수렴한 것을 나타내면, 현재 추정된 하나 이상의 파라미터가 실제 타겟 구조체의 측정값으로서 보고된다.이 반복적인 과정의 계산 시간은 주로, 사용되는 포워드 회절 모델, 즉 엄격한 광학적 회절 이론을 사용하는 추정된 모델 회절 패턴에 의해, 추정된 타겟 구조체로부터 결정된다. 더 많은 파라미터가 필요한 경우, 더 많은 자유도가 있다. 원리적으로 계산 시간은 자유도의 거듭제곱에 따라 증가한다. 단계 506 에서 계산된 추정된 또는 모델 회절 패턴은 다양한 형태로 표현될 수 있다. 계산된 패턴이 단계 502 에서 생성된 측정된 패턴과 동일한 형태로 표현되면 비교가 간단하게 된다. 예컨대, 모델링된 스펙트럼은 도 3 의 장치로 측정된 스펙트럼과 쉽게 비교될 수 있는데, 모델링된 퓨필(pupil) 패턴은 도 4 의 장치로 측정된 퓨필 패턴과 쉽게 비교될 수 있다.도 5 부터 시작되는 이 설명 전체에 걸쳐, 용어 "회절 패턴"은 도 4 의 스캐터로미터가 사용된다는 가정에서 사용될 것이다. 당업자라면 교시를 다른 종류의 스캐터로미터, 또는 심지어는 다른 종류의 측정 기구에도 쉽게 적합하게 할 수 있을 것이다.도 6 은 서로 다른 추정된 타겟 형상(후보 구조체)에 대한 복수의 모델 회절 패턴이 사전에 계산되어 실제 측정값과의 비교를 위해 저장되는 대안적인 예의 과정을 도시한다. 기본적인 원리와 용어는 도 5 의 과정에서와 동일하다. 도 6 의 단계들은 다음과 같다.602: 라이브러리를 생성하는 과정이 시작된다. 각 종류의 타겟 구조체를 위해 개별적인 라이브러리가 생성될 수 있다. 라이브러리는 필요에 따라 측정 장치의 사용자에 의해 생성될 수 있고 또는 장치의 공급업자에 의해 사전에 생성될 수 있다.603: 다수의 파라미터 pi(p1, p2, p3 등)로 타겟 구조체의 파라미터화된 모델을 규정하는 "모델 레시피"가 정립된다. 고려 사항은 반복적인 과정의 단계 503 에서와 것과 유사하다.604: 제 1 세트의 파라미터(p1(0), p2(0), p3(0) 등)가, 예컨대 모든 파라미터의 무작위한 값을 생성하여 생성되며, 각각은 값의 예상 범위 내에 있다.606: 모델 회절 패턴이 계산되어 라이브러리에 저장되고, 이 패턴은 파라미터으로 나타내지는 타겟 형상으로부터 기대되는 회절 패턴을 나타낸다.608: 새로운 세트의 형상 파라미터(p1(1), p2(1), p3(1) 등)가 생성된다. 저장되어 있는 모델링된 모든 회절 패턴을 포함하는 라이브러리가 충분히 완전히 판단될 때까지 단계 606 ∼ 608이 수십회, 수백회 또는 심지어 수천회 반복된다. 저장되어 있는 각 패턴은 다차원 파라미터 공간 내의 샘플점을 나타낸다. 라이브러리 내의 샘플은, 어떤 실제 회절 패턴이라도 충분히 가깝게 나타내질 충분한 밀도로 샘플 공간에 있어야 한다. 610: 라이브러리가 생성된 후에(전일 수 있지만), 실제 타겟(30)은 스캐터로미터에 배치되고 그의 회절 패턴이 측정된다.612: 측정된 패턴은 라이브러리에 저장되어 있는 모델링된 패턴과 비교되어, 최선의 부합 패턴이 찾아진다. 비교는 라이브러리에 있는 모든 샘플과 이루어지거나 또는 더 체계적인 조사 전략이 사용되어, 계산 부담이 감소된다. 614: 부합이 찾아지면, 부합하는 라이브러리 패턴을 발생시키는데에 사용되는 추정된 타겟 형상은 근사적인 대상 구조체인 것으로 결정될 수 있다. 부합 샘플에 대응하는 형상 파라미터는 측정된 형상 파라미터로서 출력된다. 부합 과정은 모델 회절 신호에서 직접 수행될 수 있고 또는 빠른 계산을 위해 최적화된 대체 모델에서 수행될 수 있다.616: 선택적으로, 가장 가까운 부합 샘플이 출발점으로서 사용되고, 세련화 과정이 사용되어, 보고를 위한 최종 파라미터가 얻어진다. 이 세련화 과정은 예컨대 도 5 에 나타나 있는 것과 유사한 반복적인 과정을 포함할 수 있다.세련화 단계 616 가 필요할지의 여부는 실시자에게 선택적 사항이다. 라이브러리가 매우 조밀하게 샘플링되면, 양호한 부합이 항상 찾아질 것이기 때문에, 반복적인 세련화 과정은 필요치 않을 수 있다. 한편, 그러한 라이브러리는 실제 사용에는 너무 클 수 있다. 따라서, 실용적인 해결 방안은, 조대한 세트의 파라미터를 위한 라이브러리 검색을 사용하고 그 다음에 메릿 함수를 사용하여 하나 이상의 반복을 수행하여 원하는 정확도를 갖는 타겟 기판의 파라미터를 보고하기 위해 더 정확한 세트의 파라미터를 결정하는 것이다. 추가적인 반복이 수행되는 경우, 계산된 회절 패턴 및 관련된 세련화된 패턴 세트를 라이브러리에 새로운 엔트리로서 추가하는 것은 선택적인 사항이다. 이렇게 해서, 비교적 작은 양의 계산 노력에 근거하지만 세련화 단계 616 의 계산 수고를 사용하여 더 큰 라이브러리로 되는 라이브러리가 처음에 사용될 수 있다. 어떤 구조체가 사용되든지 간에, 보고되는 가변 파라미터 중 하나 이상의 값의 추가 세련화가 복수의 후보 구조체의 양호한 부합에 근거하여 얻어질 수도 있다. 예컨대, 후보 구조체 중의 2개 또는 모두가 높은 부합 점수를 갖는다고 가정하면, 최종적으로 보고되는 파라미터는 둘 이상의 후보 구조체의 파라미터 사이의 보간으로 생성될 수 있다.이 반복적인 과정의 계산 시간은 주로 단계 506 및 606에서의 포워드 회절 모델, 즉 엄격한 광학적 회절 이론을 사용하는 추정된 모델 회절 패턴에 의해, 추정된 타겟 구조체로부터 결정된다.어떤 반도체 구조체는 서로 다른 층들의 적층체를 포함한다. 예컨대, 3D-NAND 플래시 메모리(수직 NAND 플래시 메모리라고도 함)는, 메모리 셀들이 수직으로 적층되어 층 적층체를 이루는 메모리 구조체이다. 개별적인 메모리 셀은, 복수의 동심 수직 원통으로 충전되는 구멍을 포함하는 하나의 평평한 폴리실리콘 층으로 이루어질 수 있다. 구멍의 폴리실리콘 표면은 게이트 전극으로서 작용한다. 최외측 산화물 원통은 게이트 유전체로서 작용하여, 전하를 저장하는 질화규소 원통을 에워싸며, 이 원통은 전도 채널로서 작용하는 전도성 폴리실리콘의 증심 로드를 둘러싸는 터널 유전체인 산화물 원통을 에워싼다.층 적층체는 제 1 재료 층과 제 2 재료 층이 번갈아 있는 다층 반복 구조체를 포함할 수 있다. 각 층 쌍은 10 회 이상 반복된다. 각 층 쌍은 20 회 이상 또는 30 회 이상 반복될 수 있다. 특정 실시예에서, 각 층 쌍은 약 32 회 반복된다. 이들 층이 성장된 후에, 구멍(채널)은 1:50의 매우 높은 종횡비로 층 적층체를 통해 에칭된다. 양호한 디바이스 성능을 얻기 위해, 층 두께 및 구멍 프로파일의 양호한 제어가 중요하다. 그래서, 층 두께 및 에칭된 구멍의 프로파일을 계측하는 것이 필요하게 된다.층 및 구멍의 계측은 단면 주사 전자 현미경(SEM)을 사용하여 수행될 수 있지만, 이는 시간 소모적이고 파괴적이다. 광학 임계 치수 스캐터로미트리 및 편광해석법와 같은 다른 기술은 파괴적이지 않지만 측정된 데이터는 적층체 내의 개별 층을 측정하기에는 불충분한 정보량을 갖는다.어떤 재료는 흡수 레벨이 흡수되는 방사선의 파장에 의존하는 흡수성을 가진다. 이러한 일 재료가 층 적층체 내에 포함될 수 있다. 일 실시 형태에서, 층 적층체는, 이들 흡수 특성을 가지며 제 2 재료와 번갈아 있는 제 1 재료를 포한함다. 예컨대, 제 1 재료는 폴리실리콘일 수 있고 제 2 재료는 산화물(예컨대, 이산화규소)일 수 있다. 폴리실리콘의 특정한 경우에, 검사에 사용되는 방사선의 파장이 증가됨에 따라, 층 적층체를 통과하는 방사선의 침투 깊이는 점진적으로 증가하며 더 많은 층들이 보여질 수 있다. 이들 기술은 흡수 필름에서 가장 효과적으로 기능함을 알아야 한다.이 때문에, 층 적층체 내의 층의 물리적 특성을 측정하는 계측 기술이 사용될 수 있다. 이러한 기술은 층 적층체를 검사 방사선으로 조명하고 결과적인 회절 신호를 검출하는 것을 포함할 수 있다. 다른 파장을 갖는 검사 방사선을 가지고 이 측정을 반복함으로써, 서로 다른 층들의 물리적 특성을 측정할 수 있다. 따라서, 다른 파장을 갖는 검사 방사선을 사용하는 측정을 수행하여, 층 적층체 내에 포함되어 있는 층의 서브세트를 독립적으로 측정할 수 있다. 일 실시 형태에서, 제 2 재료를 포함하는 층의 물리적 특성이 측정된다. 각각의 서브세트는 단일 층 또는 하나 보다 많은 층을 포함할 수 있다. 서브세트가 하나 보다 많은 층을 포함하는 경우, 각 서브세트는 (예컨대) 일 재료, 예컨대 제 2 재료의 인접 층들의 그룹을 포함할 수 있다.도 7 은 제 2 재료(이 실시예에서는 산화물) 층의 두께에 대한 계산된 감응도를 검사 방사선의 파장(λ-수직 방향) 및 층 지수(L-수평 방향)의 함수로 나타낸 감응도 플롯이다. 도시되어 있는 특정 실시예에서, 32개의 산화물 층(L=1 ∼ 32)이 층 적층체에 포함되어 있고, 층 적층체는 400 nm ∼ 800 nm 파장의 검사 방사선을 사용하여 50 nm 간격으로 검사된다.박스가 흑색인 경우, 그 파장의 검사 방사선을 사용하여 검사할 때, 대응하는 산화물 층에 대한 계산된 감응도는 없거나 불충분하며, 검사 방사선은 층 적층체의 더 높은 레벨에서 흡수되었다. 박스가 퓨필(pupil) 패턴을 보이는 경우, 산화물 층은 그 레벨에서 검사 방사선에 감응하고, 재구성 기술을 사용하여, 도 5 및 6 과 관련하여 설명한 것과 유사한 방식으로 산화물 층을 모델링할 수 있다. 이들 재구성 기술에서, 유동 파라미터는 최하측의 (충분히) 감응하는 층(들)을 기술하는 것이 되도록 선택될 수 있고, 다른 층에 대한 파라미터는 고정된다. 여기서, 최하측은 (상측의) 조명되는 표면에 대한 것이다. 가장 짧은 파장(이 실시예에서 λ = 400 nm)의 경우, 회절 신호는 층 적층체의 최상측 2개 층만의 물리적 특성에 감응한다. 따라서, 이 파장(λ)의 검사 방사선을 사용하여 얻어지는 회절 패턴에 대응하는 구조체의 재구성은, 최상측의 이들 두 층을 기술하는 유동 파라미터만 가질 수 있다. 파장(λ)이 점진적으로 증가함에 따라, 더 많은 층(L)이 감응성을 보이기 시작한다. 이 특성은 층들의 상관(correlation)을 깨어서(역상관) 이용될 수 있다. 이는 재구성 중에 "유동"으로 행해질 수 있는데, 즉 유동 파라미터로 기술할 수 있고, 의미있는 결과를 주기 위해 충분한 감응도를 보이는 것은 최하측의 층이다(그 층의 관련된 물리적 특성). 유동되지 않는 층은 고정되는데, 즉 고정 파라미터로 기술된다. 고정 파라미터에 의해 기술되는 층은, 이들 층이 유동 파라미터에 의해 기술된(즉, 최하측의 감응하는 층이였을 때) 이전 재구성에서 계산된 값을 사용할 수 있다. 대안적으로, 고정 파라미터는 다른 방법 또는 기준에 따라 추정되거나 계산될 수 있다. 위의 일 예로서, 기본적인 재구성 체계의 처음 세 단계는, λ=400 nm를 갖는 방사선을 사용하는 구조체의 검사: 산화물 층(1, 2)의 재구성;λ=450 nm를 갖는 방사선을 사용하는 구조체의 검사: 이전 단계(λ=400 nm)의 결과를 사용하여 층(1, 2)을 고정시킨 상태에서 산화물 층(3)의 재구성;λ=500 nm를 갖는 방사선을 사용하는 구조체의 검사: 이전 단계(λ=450 nm)의 결과를 사용하여 층(1, 2, 3)을 고정시킨 상태에서 산화물 층(4, 5)의 재구성을 포함할 수 있다.모든 층들이 재구성될 때까지(또는 다른 기준이 만족될 때까지), 이들 단계는 각각의 파장에 대해 유사한 방식으로 반복되며, 각 경우, 이미 재구성된 층에 대한 이전 재구성(들)의 결과를 사용하여 새로이 감응하는 층(즉, 최하측의 감응하는 층) 중 하나 이상만을 재구성한다. 위에 나타나 있는 바와 같은 단계의 순서는 단지 설명을 위한 것이며, 실제로는, 모든 검사 단계들이 먼저 수행되고 다음에 모든 재구성 단계가 수행될 수도 있다. 또한 복수의 파장을 갖는 빛이 조명 단계에서 사용될 수 있다.이 특정한 방안은 순전히 예시적으로 주어진 것이며, 에러 전파에 감응해야 한다. 그러나, 더 정교한 알고리즘을 사용하여 견고성을 개선할 수 있다.측정되는 물리적 특성이 고종횡비 구멍의 치수(CD)가 되도록 그 기본적인 아이디어를 확장할 수 있다. 이는 필름 두께 계측에 대해 전술한 바와 본질적으로 동일한 방안을 사용하며, 재구성 파라미터(고정 파라미터 및 유동 파라미터)는 층 두께 대신에 구멍 CD를 기술한다. 물리적 특성은 층 두께 또는 구멍 CD 외의 다른 파라미터일 수 있다.본 명세서에서는, 집적회로(IC)의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 사용예에 대해 특정하게 언급하였지만, 본 명세서에서 설명된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리(magnetic domain memory)용 유도 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같은 기타 응용예들을 가질 수 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 다른 응용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟 영역"과 같은 좀더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예컨대 트랙(통상적으로 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 장치), 계측 장비, 및/또는 검사 장치에서 처리될 수 있다. 적용 가능한 범위에서, 상기한 기판 처리 장치와 여타 기판 처리 장치에 본 명세서의 개시 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 집적회로를 생성하기 위하여 기판이 복수 회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 지칭할 수도 있다.앞에서는 광학 리소그래피의 관점에서 본 발명의 실시예를 이용하는 것에 대하여 구체적인 참조가 이루어졌을 수도 있지만, 본 발명은 예컨대 임프린트 리소그래피와 같은 다른 응용분야에 이용될 수도 있으며, 또한 문맥이 허락하는 곳에서는 광학 리소그래피로 한정되지 않는다. 임프린트 리소그래피에서는, 패터닝 장치의 토폴로지가 기판에 기판 상에 생성된 패턴을 형성한다. 패터닝 장치의 토포그래피는 기판 상에 제공된 레지스트의 층 내로 프레스될 수 있으며, 그 후에 레지스트를 전자기 방사선, 가열, 압력 또는 이들의 조합을 가함으로써 경화시킨다. 레지스트가 경화된 후에는, 패터닝 장치는 레지스트의 외측으로 이동되어 레지스트 층에 패턴을 잔류시킨다.본 명세서에 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어에는, 자외(UV) 방사선(예컨대, 365, 355, 248, 193, 157, 또는 126 ㎚의 파장 또는 그 부근의 파장을 가짐) 및 극자외(EUV) 방사선(예컨대, 5∼20 ㎚ 범위의 파장을 가짐)을 포함하는 모든 유형의 전자기 방사선뿐만 아니라 이온빔 또는 전자빔과 같은 입자빔이 포함된다."렌즈"라는 용어는 문맥이 허용하는 곳에서는 굴절성, 반사성, 자기성, 전자기성, 및 정전성 광학 요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 요소들 중 어느 하나 또는 그 조합을 지칭할 수도 있다.이상에서 본 발명의 특정 실시예들이 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예컨대, 본 발명의 실시예는 위에서 개시된 바와 같은 방법을 기술하는 기계 판독 가능한 명령어들의 하나 이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 데이터 저장 매체(예컨대, 반도체 메모리, 자기 디스크, 또는 광디스크)의 형태를 취할 수도 있다.위의 설명은 예시적이지, 제한적인 것이 아니다. 따라서, 당업자에게는, 아래에 제시된 청구 범위에서 벗어남이 없이 전술한 바와 같은 발명에 대해 수정이 이루어질 수 있음이 명백할 것이다.	검사 방법과 장치 및 관련 리소그래피 장치가 개시된다. 검사 방법은, 복수의 층을 포함하는 구조체(예컨대, 3D 메모리 구조체)를 적어도 하나의 선택된 파장의 검사 방사선으로 조명하는 단계를 포함한다. 결과적인 회절 신호가 검출되고 회절 신호로부터 층의 서브세트의 물리적 특성이 결정된다. 물리적 특성이 결정되는 부분 세트의 층은 검사 방사선의 선택된 파장에 의존한다.
[ 발명의 명칭 ] 연료 전지 FUEL CELL [ 기술분야 ] 본 발명은 다공체를 반응 가스 유로로서 사용하는 연료 전지에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 일본 특허 출원 공개 번호 2012-123949 (JP 2012-123949 A)에는 익스팬디드 메탈 및 밀봉 플레이트가 캐소드의 공급측 매니폴드 내로 돌출되도록 구성된 연료 전지가 기재되어 있다.캐소드 가스 배출측에서는, 반응으로 인해 생성된 물이 배출된다. 그러나, JP 2012-123949 A에는 배출측 매니폴드에서 효율적으로 물을 배출시키기 위한 구조에 대해서는 충분히 검토되지 않았다. [ 발명의 개요 ] 본 발명의 일 형태는 복수의 발전 유닛이 적층됨으로써 형성되는 연료 전지에 관한 것이다. 이러한 연료 전지에서, 각각의 상기 발전 유닛은 전해질 막이 애노드측 촉매층과 캐소드측 촉매층 사이에 샌드위치되도록 전해질 막, 애노드측 촉매층 및 캐소드측 촉매층을 포함하는 막 전극 가스 확산층 접합체; 상기 막 전극 가스 확산층 접합체의 외주를 따라 배치된 밀봉부; 상기 캐소드측 촉매층에 대향하도록 배치되며, 상기 캐소드측 촉매층에 공급되는 산화제 가스가 유동하는 다공체 유로; 상기 밀봉부와 상기 다공체 유로 사이에 제공된 차폐 플레이트; 및 상기 막 전극 가스 확산층 접합체 및 상기 다공체 유로를 사이에 샌드위치하도록 구성된 제1, 제2 세퍼레이터 플레이트를 포함한다. 상기 밀봉부 및 상기 제1, 제2 세퍼레이터 플레이트는 서로 대응하는 위치에 개구부를 갖는다. 상기 개구부는 상기 복수의 발전 유닛이 적층되었을 때에 서로 연통하여, 상기 다공체 유로로부터 산화제 배기 가스를 배출하는 산화제 배기 가스 배출 매니폴드를 형성한다. 상기 제1 세퍼레이터 플레이트는 상기 다공체 유로와 접촉한다. 상기 차폐 플레이트, 상기 다공체 유로 및 상기 다공체 유로와 접촉하는 상기 제1 세퍼레이터 플레이트는 상기 밀봉부에 의해 규정되는 상기 산화제 배기 가스 배출 매니폴드 내로 돌출되어 있다. 이러한 연료 전지에 따르면, 차폐 플레이트, 다공체 유로 및 제1 세퍼레이터 플레이트는 밀봉부에 의해 규정되는 산화제 배기 가스 배출 매니폴드 내로 돌출되어 있다. 따라서, 연료 전지의 반응으로 인해 생성된 생성수가 산화제 배기 가스 배출 매니폴드 내로 용이하게 배출되어, 산화제 배기 가스 배출 매니폴드로부터 다공체 유로로의 물의 역류를 억제하는 것이 가능해진다.상기 다공체 유로의 상기 산화제 배기 가스 배출 매니폴드 내로 돌출된 부분의 양면은, 상기 차폐 플레이트 및 상기 제1 세퍼레이터 플레이트로 덮일 수 있다. 이러한 구성에서, 다공체 유로의 양면은 차폐 플레이트 및 제1 세퍼레이터 플레이트로 덮여 있기 때문에, 이렇게 하여 덮여진 영역으로부터의 생성수의 역류를 억제하는 것이 가능하다.상기 차폐 플레이트 및 상기 제1 세퍼레이터 플레이트 중 상기 산화제 배기 가스 배출 매니폴드에서의 산화제 배기 가스의 유동 방향에서 하류에 배치된 하나는, 상류에 배치된 다른 하나보다도 상기 산화제 배기 가스 배출 매니폴드 내로 돌출된 돌출량이 더 작을 수 있다. 산화제 배기 가스 배출 매니폴드로 배출된 생성수는 상류로부터 하류로 유동한다. 이러한 구성에서, 다공체 유로의 상류측은 덮여 있기 때문에, 생성수가 다공체 유로로 역류하기 어렵다.상기 다공체 유로는 상기 차폐 플레이트 및 상기 제1 세퍼레이터 플레이트보다도 상기 산화제 배기 가스 배출 매니폴드 내로 더 돌출될 수 있다. 이러한 구성으로, 생성수가 다공체의 돌출부로부터 용이하게 배출된다.상기 차폐 플레이트 및 상기 제1 세퍼레이터 플레이트 중 상기 산화제 배기 가스 배출 매니폴드에서의 산화제 배기 가스의 유동 방향에서 하류에 배치된 하나는, 상기 산화제 배기 가스 배출 매니폴드를 상기 다공체 유로와 연통시키도록 구성된 구멍 또는 슬릿을 포함할 수 있다. 이러한 구성으로, 생성수가 구멍 또는 슬릿으로부터 배출될 수 있다.본 발명은 다양한 형태로 실현될 수 있다는 것에 유의한다. 예를 들어, 본 발명은 연료 전지 이외에, 연료 전지의 생성수 배수 구조 및 유사 형태로 달성가능하다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 발명의 예시적 실시형태의 특색, 이점, 및 기술 및 산업 유의성을 첨부 도면을 참조하여 하기에 기재할 것이며, 여기서 유사 부호는 유사 요소를 나타내고, 여기서도 1은 연료 전지의 외관을 모식적으로 도시하는 설명도이고;도 2는 터미널 플레이트에 더 가깝게 제공된 발전 유닛에서의 산화제 배기 가스 배출 매니폴드 근방을 모식적으로 도시하는 단면도이고;도 3은 막 전극 가스 확산층 접합체 (MEGA)의 구성을 도시하는 설명도이고;도 4는 발전 유닛의 산화제 배기 가스 배출 매니폴드에 가까운 부분을 확대 방식으로 도시하는 설명도이고;도 5는 비교예 및 본 실시형태에서의 산화제 배기 가스의 유동 방향의 시뮬레이션 결과 지표를 나타내는 설명도이고;도 6은 비교예에서, 산화제 배기 가스 배출 매니폴드의 터미널 플레이트에 가까운 부분에서의 생성수의 분포를 나타내는 설명도이고;도 7은 본 실시형태에서, 산화제 배기 가스 배출 매니폴드의 터미널 플레이트에 가까운 부분에서의 생성수의 분포를 나타내는 설명도이고;도 8은 본 실시형태 및 비교예의 생성수의 유동을 간략하게 비교하는 설명도이고;도 9는 발전 유닛의 압력 손실을 나타내는 그래프이고;도 10은 공기 화학량론적 비 및 발전 유닛의 전압 (전지 전압)을 나타내는 설명도이고;도 11의 (A) 내지 (C)는 본 실시형태의 변형예의 일부를 나타내는 설명도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 제1 실시형태: 도 1은 연료 전지의 외관을 모식적으로 도시하는 설명도이다. 연료 전지(10)는 발전 유닛(100), 터미널 플레이트(200, 210), 절연 플레이트(220) 및 엔드 플레이트(230, 240)를 포함한다. 복수의 발전 유닛(100)은 적층 방식으로 제공되어 있다. 터미널 플레이트(200, 210)는 이렇게 하여 적층된 발전 유닛(100)의 각 측에 배치되고, 발전 유닛(100)으로부터의 전압 및 전류를 취출하기 위해서 사용된다. 절연 플레이트(220)는 터미널 플레이트(200)의 외측에 배치된다. 본체에 대한 고정 부분에 따라, 절연 플레이트는 터미널 플레이트(210)의 외측에 배치될 수 있다. 엔드 플레이트(230, 240)는 발전 유닛(100), 터미널 플레이트(200, 210) 및 절연 플레이트(220)를 체결하기 위해 연료 전지(10)의 각 측에 배치된다.연료 전지(10)는 발전 유닛(100), 터미널 플레이트(200), 절연 플레이트(220) 및 엔드 플레이트(230)가 각각 복수의 개구부를 갖고, 대응하는 개구부가 서로 연통하여, 매니폴드(310, 315, 320, 325, 330, 335)를 형성한다. 매니폴드(310)는 발전 유닛(100)에 산화제 가스를 공급하기 위해 사용되므로, 매니폴드(310)는 산화제 가스 공급 매니폴드(310)로도 지칭된다. 이하, 각 역할 관점에서, 매니폴드(315, 320, 325, 330, 335)는 각각 "산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315)", "연료 가스 공급 매니폴드(320)", "연료 배기 가스 배출 매니폴드(325)", "냉매 공급 매니폴드(330)" 및 "냉매 배출 매니폴드(335)"로 지칭된다.도 2는 터미널 플레이트(210)에 더 가깝게 제공된 발전 유닛(100)에서의 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315) 근방을 모식적으로 도시하는 단면도이다. 발전 유닛(100) 각각은 막 전극 가스 확산층 접합체(110) (이하, "MEGA(110)"로 지칭됨), 프레임(140), 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150), 애노드측 세퍼레이터 플레이트(160), 다공체 유로(170) 및 차폐 플레이트(180)를 포함한다. MEGA(110)의 구성에 대해서는 나중에 기재할 것이다.프레임(140)은 MEGA(110)를 그의 외측 에지로부터 지지하는 부재이며, 수지로 제조된다. 프레임(140)은 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150) 및 애노드측 세퍼레이터 플레이트(160)와 함께, 산화제 가스, 연료 가스 및 냉매의 누설을 밀봉하므로, 프레임(140)은 밀봉부로도 지칭된다. 프레임(140)의 캐소드측에는 차폐 플레이트(180)가 배치된다. 차폐 플레이트(180)는 금속 플레이트이며, 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315) 내로 부분적으로 돌출되어 있다. 본 실시형태에서, 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150), 애노드측 세퍼레이터 플레이트(160) 및 프레임(140)의 길이가 상이하므로, 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315)의 단부 (도 2에서의 하단부)는 프레임(140)의 단부면(140a)에 의해 결정된다는 것에 유의한다. 프레임(140)의 제조 편차, 버(burr) 등을 고려하여, 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315)의 단부는 프레임(140)의 단부면(140a)의 평균 위치에 의해 결정될 수 있다. 프레임(140)의 반대측 단부면(140b), 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150) 및 애노드측 세퍼레이터 플레이트(160)의 단부 위치는 도면의 상하 방향에서 동일 위치이므로, 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315)의 다른 쪽 단부 (도 2의 상단부)는 프레임(140)의 반대측 단부면(140b), 및 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150) 및 애노드측 세퍼레이터 플레이트(160)의 단부 중 어느 것에 의해 결정될 수 있다는 것에 유의한다. MEGA(110), 프레임(140) 및 차폐 플레이트(180)의 캐소드측에는 다공체 유로(170)가 배치된다. 다공체 유로(170)는 산화제 가스가 유동하기 위한 유로이며, 익스팬디드 메탈로 제조된다. 익스팬디드 메탈 대신에, 다공체 유로(170)는 다른 유형의 금속 다공체로 제조될 수 있다. 다공체 유로(170)는 차폐 플레이트(180)와 동일 위치까지 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315) 내로 돌출되어 있다. 도 2에서, 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150), 다공체 유로(170) 및 차폐 플레이트(180)의 돌출량은 모식적으로 제시되어 있다는 것에 유의한다.다공체 유로(170)의 발전 유닛(100) 또는 터미널 플레이트(210)에 인접하는측에는, 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150)가 배치된다. 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150)는 금속 플레이트이며, 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315) 내로 부분적으로 돌출되어 있다. MEGA(110) 및 프레임(140)의 다공체 유로(170)와 반대측인 면에는, 애노드측 세퍼레이터 플레이트(160)가 배치된다. 애노드측 세퍼레이터 플레이트(160)는 요철 형상을 갖는 금속 플레이트이다. 애노드측 세퍼레이터 플레이트(160)는 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315) 내로 돌출되지 않는다. 애노드측 세퍼레이터 플레이트(160)와 MEGA(110) 사이에는 연료 가스 유로(132)가 형성되고, 애노드측 세퍼레이터 플레이트(160)와 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150) 사이에는 냉매 통로가 형성된다.도 3은 막 전극 가스 확산층 접합체(110) (MEGA(110))의 구성을 도시하는 설명도이다. MEGA(110)는 전해질 막(112), 캐소드측 촉매층(114), 애노드측 촉매층(116), 캐소드측 가스 확산층(118) 및 애노드측 가스 확산층(120)을 포함한다. 전해질 막(112)은 양성자 전도성을 갖는 전해질 막이며, 예를 들어 퍼플루오로카본 술폰산 중합체와 같은 플루오린화 전해질 수지 (이온 교환 수지)가 사용된다.캐소드측 촉매층(114) 및 애노드측 촉매층(116)은 촉매 (예를 들어, 백금)을 담지한 카본을 갖는다. 본 실시형태에서, 애노드측 촉매층(116)은 전해질 막(112)의 제1 면 전체에 걸쳐 도포되어 있지만, 캐소드측 촉매층(114)은 전해질 막(112)의 제2 면 중 일부 영역 (발전 영역)에만 도포되어 있다. 그 이유는 애노드측 촉매층(116)이 캐소드측 촉매층(114)보다도 단위 면적당 촉매량이 더 적을 수 있으므로 (전형적으로 캐소드측 촉매층(114)의 단위 면적당 촉매량의 1/2 이하, 예를 들어 그의 약 1/3), 촉매가 전해질 막(112)의 제1 면 전체에 걸쳐 도포된 경우에도 과도한 낭비를 초래하지 않고, 도포 단계가 용이하게 행해질 수 있기 때문이다.캐소드측 촉매층(114) 상에는 캐소드측 가스 확산층(118)이 배치되고, 애노드측 촉매층(116) 상에는 애노드측 가스 확산층(120)이 배치된다. 캐소드측 가스 확산층(118) 및 애노드측 가스 확산층(120)은 카본 페이퍼로 제조된다. 그러나, 이들은 카본 페이퍼 대신에 카본 부직포로 제조될 수 있다.도 4는 발전 유닛(100)의 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315)에 가까운 부분을 확대 방식으로 도시하는 설명도이다. 여기서, 본 실시형태 및 비교예의 2개의 구조가 도시되어 있다. 본 실시형태 및 비교예는 다공체 유로(170) 및 차폐 플레이트(180)가 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315) 내로 돌출되어 있다는 점에서 공통이다. 그러나, 본 실시형태에서는, 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150) 및 차폐 플레이트(180)가 다공체 유로(170)와 동일한 길이만큼만 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315) 내로 돌출되어 있고, 다공체 유로(170)의 양면이 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150) 및 차폐 플레이트(180)로 덮여 있다. 반면에, 비교예에서는, 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150)가 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315) 내로 돌출되지 않으며, 이는 본 실시형태와 상이하다.도 5는 비교예 및 본 실시형태의 산화제 배기 가스의 유동 방향의 시뮬레이션 결과 지표를 나타내는 설명도이다. 본 실시형태에서는, 다공체 유로(170)의 양면이 차폐 플레이트(180) 및 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150)로 덮여 있기 때문에, 다공체 유로(170)로부터 배출되는 산화제 배기 가스 및 생성수의 방향이, 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315)를 통해 유동하는 산화제 배기 가스의 유동 방향에 대해 일반적으로 수직이다. 반면에, 비교예에서는, 다공체 유로(170)의 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150)측의 면 중 일부가 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150)로 덮여 있지 않기 때문에, 다공체 유로(170)로부터 배출되는 산화제 배기 가스 및 생성수가, 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315)를 통해 유동하는 산화제 배기 가스의 유동 방향에 대해 일반적으로 수직인 방향, 뿐만 아니라 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315)를 통해 유동하는 산화제 배기 가스의 유동 방향에 대해 역방향으로도 유동한다.도 6은 비교예에서, 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315)의 터미널 플레이트(210)에 가까운 부분에서의 생성수의 분포를 나타내는 설명도이다. 상기 기재된 바와 같이, 비교예에서는, 다공체 유로(170)로부터 배출되는 산화제 배기 가스 및 생성수가, 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315)를 통해 유동하는 산화제 배기 가스의 유동 방향에 대해 역방향으로도 유동하기 때문에, 생성수가 도 6의 좌측 도면 상에서 화살표에 의해 나타낸 바와 같이 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315)의 안쪽, 즉 터미널 플레이트(210) 근방에 모이고 체류한다. 여기서, 연료 전지(10) (도 1)에 대한 부하가 작아져서 산화제 가스의 유량이 감소되는 경우에는, 다공체 유로(170)로부터 배출되는 산화제 배기 가스에 대해 이렇게 하여 체류되는 생성수 (이하, "체류수"로도 지칭됨)가 덮개로서 기능하여, 산화제 배기 가스의 배출을 저해한다. 그 결과, 산화제 가스의 압력 손실이 증대한다. 이는 산화제 가스가 안쪽의 발전 유닛(100)에 공급되기 어려운 것을 초래한다. 또한, 체류수와 다공체 유로(170) 사이의 접촉부가 크며, 따라서 연료 전지(10)에의 산화제 가스의 공급이 정지된 경우에는, 체류수가 다공체 유로(170)로 역류하기 쉽다.도 7은 본 실시형태에서, 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315)의 터미널 플레이트(210)에 가까운 부분에서의 생성수의 분포를 나타내는 설명도이다. 다공체 유로(170)의 산화제 배기 가스의 출구 부분에는 체류수가 거의 존재하지 않기 때문에, 다른 부분에 체류수가 존재하는 경우에도, 체류수가 덮개처럼 작용하기 어렵다. 또한, 체류수와 다공체 유로(170) 사이의 접촉부가 작기 때문에, 연료 전지(10)에의 산화제 가스의 공급이 정지된 경우에도, 체류수가 다공체 유로(170)로 역류하기 어렵다.도 8은 본 실시형태 및 비교예의 생성수의 유동을 간략하게 비교하는 설명도이다. 본 실시형태에서는, 산화제 배기 가스 및 생성수가 다공체 유로(170)의 길이 방향을 따르는 방향 (도 8의 상하 방향)으로 배출된다. 반면에, 비교예에서는, 산화제 배기 가스 및 생성수가 다공체 유로(170)의 길이 방향을 따르는 방향과 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315)의 상류를 향하는 방향 사이의 중간 방향을 향해 배출된다. 본 실시형태에서는, 도 7에 도시된 바와 같이, 체류수 (생성수)가 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150)와 차폐 플레이트(180) 사이의 오목부에 모인다는 것에 유의한다. 그러나, 체류수는 다공체 유로(170)와 거의 접촉하지 않으므로, 체류수는 다공체 유로(170)로 역류하기 어렵다. 반면에, 비교예에서는, 도 6에 도시된 바와 같이, 체류수 (생성수)가 다공체 유로(170)와 차폐 플레이트(180) 사이의 오목부에 모여서 다공체 유로(170)와 접촉하며, 따라서 체류수가 다공체 유로(170)로 역류하기 쉽다고 말할 수 있다.도 9는 발전 유닛(100)의 압력 손실을 나타내는 그래프이다. 도 9에서, 압력 손실은 비교예의 건조 상태에서의 압력 손실을 1.0으로 했을 때의 비를 사용하여 나타내어진다는 것에 유의한다. 또한, 연료 전지(10)에는 다수의 발전 유닛(100)이 제공되어 있지만, 그래프에서의 값은 평균 값이다. "건조"는 연료 전지(10)에서 발전되지 않는 상태, 즉 생성수가 발생되지 않는 상태에서 산화제 가스가 유동하는 상태를 나타낸다. "습윤"는 연료 전지(10)에서 최대 전류량으로 발전되는 상태, 즉 생성수의 생성량이 최대인 상태에서 산화제 가스가 유동하는 상태를 나타낸다. 연료 전지(10)가 사용을 위해 차량 등에 제공되는 경우에, 연료 전지(10)는 건조 상태와 습윤 상태 사이의 상태에서 운전된다.일반적으로, 산화제 가스 공급 매니폴드(310)의 입구측에서는, 산화제 가스가 발전 유닛(100)에 들어가기 쉽다. 그러나, 터미널 플레이트(210)의 막다른 쪽에서는, 압력 손실로 인해 산화제 가스가 발전 유닛(100)에 들어가기 어렵다. 특히, 습윤 상태에서는, 입구측에서의 압력 손실이 건조 상태와 별 차이가 없다. 그러나, 터미널 플레이트(210)의 막다른 쪽에서는, 생성수로 인해 압력 손실이 추가로 증대하므로, 압력 손실로 인해 산화제 가스가 발전 유닛(100)에 들어가기 어렵다. 따라서, 건조 상태보다도 습윤 상태에서 압력 손실이 더 크다.상기 기재된 바와 같이, 차량에서, 연료 전지(10)는 건조 상태와 습윤 상태 사이의 상태에서 운전된다. 이를 감안하여, 압력 손실이 큰 습윤 상태에서 압력 손실이 작은 것이 바람직하다. 비교예에서의 건조 상태에서의 압력 손실을 1.0으로 했을 때에, 비교예에서의 습윤 상태에서의 압력 손실은 2.8이고, 본 실시형태에서의 습윤 상태에서의 압력 손실은 2.5이다. 이와 같이, 비교예보다도 본 실시형태가 더 바람직하다.또한, 습윤/건조 압력 손실비도 하기 이유로 인해 작은 것이 바람직하다. 예를 들어, 고온에서 연료 전지(10)가 운전되는 경우의 운전 상태에서, 연료 전지(10)는 고온으로 인해 건조되므로, 이때의 운전 상태는 건조 상태의 운전 상태에 가깝다. 여기서, 차량을 정차하고 주차장에 들어가는 것 등을 위해 천천히 이동시키는 경우에는, 연료 전지(10)의 온도가 내려가므로, 운전 상태는 건조 상태로부터 습윤 상태로 변화한다. 이러한 경우에, 모든 발전 유닛(100)이 동일 습윤 상태에 들어가지는 않는다. 여기서, 건조 상태와 습윤 상태 사이의 압력 손실비가 큰 경우에는, 이들 2가지 상태 사이에서 각각의 발전 유닛(100)의 가스 공급 상태가 크게 변화하므로, 효율적인 발전이 저해될 수 있다. 따라서, 습윤/건조 압력 손실비는 작은 것이 바람직하다. 습윤/건조 압력 손실비는 비교예에서는 2.8인 반면에, 본 실시형태에서는 2.4이므로, 비교예보다도 본 실시형태가 더 바람직하다.도 10은 공기 화학량론적 비와 발전 유닛(100)의 전압 (전지 전압)을 나타내는 설명도이다. 본 실시형태에서는, 발전 유닛(100)을 통해 주어진 전류를 흐르게 했을 때의 발전 유닛(100)의 전압을 측정한다. 여기서, 공기 화학량론적 비는 발전 유닛(100)을 통해 주어진 전류를 흐르게 하는데 필요한 산화제 가스량에 대한, 발전 유닛(100)을 통해 흐르게 한 산화제 가스량의 비를 의미한다. 예를 들어, 공기 화학량론적 비가 2인 경우에는, 발전 유닛(100)을 통해 주어진 전류를 흐르게 하는데 필요한 산화제 가스량의 2배로 큰 양의 산화제 가스를 발전 유닛을 통해 흐르게 한다. 여기서, 생성수의 체류에 의한 영향은 산화제 가스의 유량이 적은, 낮은 공기 화학량론적 비 측에서 용이하게 일어난다. 공기 화학량론적 비가 낮은 영역에서는, 비교예에서보다도 본 실시형태에서 전지 전압이 더 높으므로, 본 실시형태가 효과적이라고 말할 수 있다.상기 기재된 바와 같이, 본 실시형태에서는, 다공체 유로(170), 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150) 및 차폐 플레이트(180)가 프레임(140)에 의해 규정되는 산화제 배기 가스 배출 매니폴드 내로 돌출되어 있으므로, 다공체 유로(170)의 산화제 배기 가스의 출구 부분에서 체류수가 거의 존재하지 않고, 체류수가 덮개처럼 작용하기 어렵다. 또한, 체류수와 다공체 유로(170) 사이의 접촉부가 작기 때문에, 연료 전지(10)에의 산화제 가스의 공급이 정지된 경우에도, 체류수가 다공체 유로(170)로 역류하기 어렵다. 그 결과, 생성수가 배출되기 쉬워서, 습윤 상태에서의 발전 성능의 저하를 억제하는 것이 가능해진다.도 11의 (A) 내지 (C)는 본 실시형태의 변형예의 일부를 나타내는 설명도이다. 도 11의 (A)에서, 다공체 유로(170), 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150) 및 차폐 플레이트(180)는 프레임(140)에 의해 규정되는 산화제 배기 가스 배출 매니폴드 내로 돌출되어 있으며, 이는 본 실시형태와 공통이다. 그러나, 차폐 플레이트(180)의 돌출량이 다공체 유로(170)의 돌출량보다도 더 작다. 그 결과, 차폐 플레이트(180)는 다공체 유로(170)의 프레임(140)의 단부면(140a)에 더 가까운 부분을 덮고 있지만, 다공체 유로(170)의 단부 (도 11의 (A)의 상측)는 덮지 않는다. 이러한 변형예에서, 산화제 배기 가스 및 생성수는 다공체 유로(170)의 길이 방향을 따르는 방향과 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315)의 하류를 향하는 방향 사이의 중간 방향을 향해 배출된다. 그에 의해, 생성수가 역류하지 않고 원활하게 배출된다.도 11의 (B)에서, 다공체 유로(170), 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150) 및 차폐 플레이트(180)는 본 실시형태와 동일한 방식으로 배치되지만, 차폐 플레이트(180)가 다수의 구멍(181)을 포함하며, 이는 본 실시형태와 상이하다. 이러한 변형예에서, 산화제 배기 가스 및 생성수는 본 실시형태와 유사하게, 다공체 유로(170)의 길이 방향을 따르는 방향으로 배출되며, 추가로 차폐 플레이트(180)의 구멍(181)으로부터 산화제 배기 가스의 유동 하류 방향으로 배출된다. 그에 의해, 생성수가 역류하지 않고 연료 전지(10) 외측으로 용이하게 배출된다. 생성수가 배출가능한 한, 구멍(181) 대신에 슬릿이 사용될 수 있다는 것에 유의한다.도 11의 (C)에서, 다공체 유로(170), 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150) 및 차폐 플레이트(180)는 프레임(140)에 의해 규정되는 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315) 내로 돌출되도록 구성되며, 이는 본 실시형태와 공통이지만, 차폐 플레이트(180) 및 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150)의 돌출량이 다공체 유로(170)의 돌출량보다도 더 작다. 즉, 다공체 유로(170)의 프레임(140)의 단부면(140a)에 더 가까운 부분은 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150) 및 차폐 플레이트(180)로 덮여 있지만, 다공체 유로(170)의 단부 (도 11의 (C)의 상측)는 차폐 플레이트(180) 및 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150)로 덮여 있지 않다. 이러한 변형예에서, 산화제 배기 가스 및 생성수는 본 실시형태와 유사하게, 다공체 유로(170)의 길이 방향을 따르는 방향으로 배출된다. 체류수가 존재하는 경우에, 체류수는 도 6의 우측 또는 도 7에 도시된 바와 같이 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150)와 차폐 플레이트(180) 사이에 모인다. 이러한 변형예에서도, 도 7에 도시된 본 실시형태와 유사하게, 다공체 유로(170)는 체류수와 접촉하기 어려우므로, 체류수가 덮개처럼 작용하기 어렵다. 또한, 연료 전지(10)에의 산화제 가스의 공급이 정지된 경우에도, 체류수가 다공체 유로(170)로 역류하기 어렵다. 차폐 플레이트(180) 및 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150)의 돌출량은 다공체 유로(170)의 돌출량보다도 더 작은 한, 차폐 플레이트(180) 및 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150)의 돌출량이 동일한 돌출량을 갖는 것 또는 산화제 배기 가스의 유동 상류에 제공된 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150)가 차폐 플레이트(180)보다도 더 돌출되는 것이 바람직하다. "다공체 유로(170)의 돌출량 003e# 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150)의 돌출량 ≥ 차폐 플레이트(180)의 돌출량"의 관계가 충족되는 것이 바람직하다. 차폐 플레이트(180)는 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150)보다도 더 돌출될 수 있다는 것에 유의한다.상기 실시형태에서는, 발전 유닛(100)의 캐소드측이 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315)의 유동 상류에 배치되고, 그의 애노드측이 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315)의 유동 하류에 배치되어 있지만, 캐소드와 애노드의 관계는 상기와 역일 수 있다. 이러한 경우에, 변형예의 도 11의 (A)에 대응하는 예에서는, 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150)의 돌출량이 다공체 유로(170) 및 차폐 플레이트(180)의 돌출량보다도 더 작아야 한다. 또한, 변형예의 도 11의 (B)에 대응하는 예에서는, 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150)에 개구부가 제공되어야 한다.상기 실시형태 및 다양한 변형예로부터 이해할 수 있는 바와 같이, 차폐 플레이트(180), 다공체 유로(170) 및 캐소드측 세퍼레이터 플레이트(150)는 프레임(140)에 의해 규정되는 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315) 내로 돌출되는 것이 바람직하다.몇몇 실시예에 기초하여 본 발명의 실시형태에 대해 상기 기재하였지만, 본 발명의 상기 실시형태는 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것이며 본 발명을 제한하려는 것은 아니다. 본 발명은 그 취지 및 청구범위의 범주를 일탈하지 않고 변경 또는 변형될 수 있고, 또한 물론 본 발명은 그의 등가물을 포함한다.	복수의 발전 유닛(100)이 적층됨으로써 형성되는 연료 전지(10). 상기 발전 유닛(100)은 막 전극 가스 확산층 접합체(110); 그의 외주를 따라 배치된 밀봉부(140); 캐소드측 촉매층에 공급되는 산화제 가스가 유동하는 다공체 유로(170); 상기 밀봉부와 상기 다공체 유로 사이에 제공된 차폐 플레이트(180); 및 상기 막 전극 가스 확산층 접합체 및 상기 다공체 유로를 사이에 샌드위치하도록 구성된 제1, 제2 세퍼레이터 플레이트(150, 160)를 포함한다. 상기 차폐 플레이트(180), 상기 다공체 유로(170) 및 상기 다공체 유로와 접촉하는 상기 제1 세퍼레이터 플레이트(150)는 상기 밀봉부(140)에 의해 결정되는 상기 산화제 배기 가스 배출 매니폴드(315) 내로 돌출되어 있다.
[ 발명의 명칭 ] 열간 성형 부재 및 그 제조 방법HOT-FORMED MEMBER AND PROCESS FOR MANUFACTURING SAME [ 기술분야 ] 본 발명은, 예를 들어 자동차의 보디 구조 부품 및 차륜 주변 부품 등의, 기계 구조 부품 등에 사용되는 열간 성형 부재 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 구체적으로는, 본 발명은 900MPa 내지 1300MPa의 인장 강도를 가지면서, 인장 시험에서의 전체 신장이 15% 이상으로 되는 우수한 연성과, 0℃에서의 샤르피 시험의 충격값이 20J/㎠ 이상으로 되는 우수한 충격 특성을 갖는 열간 성형 부재, 및 그 제조 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 최근, 자동차의 경량화를 위해서, 차체에 사용하는 강재를 고강도화하여, 강재의 사용 중량을 줄이는 노력이 진행되고 있다. 자동차에 관한 기술 분야에서 널리 사용되는 박강판에 있어서는, 강판 강도의 증가에 수반하여, 프레스 성형성이 저하되어, 복잡한 형상을 갖는 부재를 제조하는 것이 곤란해진다. 구체적으로는, 강판 강도의 증가에 의해 강판의 연성이 저하되고, 이에 의해, 부재 중의 가공도가 높은 부위에서 파단이 발생하고/발생하거나, 부재의 스프링백 및 벽 휨이 커지게 되어 부재의 치수 정밀도가 열화되는 등의 문제가 발생한다. 따라서, 고강도, 특히 900MPa급 이상의 인장 강도를 갖는 강판에 프레스 성형을 적용함으로써 복잡한 형상을 갖는 부재를 제조하는 것은, 용이하지 않다. 프레스 성형이 아니라, 롤 성형에 의하면, 고강도의 강판을 가공할 수 있지만, 롤 성형은, 길이 방향으로 균일한 단면을 갖는 부재의 제조 방법에만 적용할 수 있다.한편, 특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같이, 가열한 강판을 프레스 성형하는 열간 프레스라 불리는 방법에서는, 고강도 강판으로부터 복잡한 형상의 부재를 치수 정밀도 좋게 성형하는 것이 가능하다. 왜냐하면, 열간 프레스 공정에서는, 고온으로 가열된 상태에서 강판이 가공되므로, 가공 시의 강판은 연질이며, 또한 고연성을 갖고 있기 때문이다. 또한, 열간 프레스에서는, 강판을 프레스 가공 전에 오스테나이트 단상 영역에 가열해 두고, 프레스 가공 후에 강판을 금형 내에서 급냉(담금질)함으로써, 마르텐사이트 변태에 의한 부재의 고강도화도 달성할 수 있다. 따라서, 열간 프레스법은, 부재의 고강도화와 강판의 성형성을 동시에 확보할 수 있는 우수한 성형 방법이다.또한, 특허문헌 2에는, 실온에서 강판을 미리 소정의 형상으로 성형하고, 이것에 의해 얻어진 부재를 오스테나이트 영역에 가열하고, 또한 금형 내에서 급냉함으로써, 부재의 고강도화를 달성하는 예비 프레스 ��칭법이 개시되어 있다. 열간 프레스의 일 형태인 예비 프레스 ��칭법은, 금형에 의해 부재를 구속하여, 열 왜곡에 의한 부재의 변형을 억제할 수 있다. 예비 프레스 ��칭법은, 부재를 고강도화하여, 더 높은 치수 정밀도를 얻을 수 있는 우수한 성형 방법이다.그러나, 최근에는, 열간 성형 부재에는 우수한 충격 흡수 특성도 요구되고 있다. 즉, 열간 성형 부재에는, 우수한 연성과 우수한 충격 특성의 양쪽이 요구되어지고 있다. 특허문헌 1 및 특허문헌 2로 대표되는 종래 기술은, 이러한 요구에 부응하는 것이 어렵다. 왜냐하면, 이들 종래 기술에 의해 얻어지는 부재의 금속 조직은 실질적으로 마르텐사이트 단상이기 때문이다.따라서, 특허문헌 3에는, 강판을 페라이트와 오스테나이트의 2상 온도 영역에서 가열하여 강판의 금속 조직을 페라이트-오스테나이트 2상 조직으로 한 상태에서 강판을 프레스 가공하고, 계속해서 강판을 금형 내에서 급냉하여, 강판의 금속 조직을 페라이트-마르텐사이트 2상 조직으로 변화시킴으로써, 고강도이고 또한 연성이 우수한 부재를 얻는 기술이 개시되어 있다. 그러나, 상기 기술에 의해 얻어진 부재의 신장은 약 10% 이하이므로, 연성에 관하여, 특허문헌 3에 개시된 부재는 충분히 우수한 것은 아니다. 자동차에 관한 기술 분야에서 구해지는 부재와 같은, 우수한 충격 흡수 특성을 필요로 하는 부재는, 상기 부재보다 더 우수한 연성을 갖는 것, 구체적으로는, 15% 이상의 신장을 갖는 것이 필요하며, 바람직하게는 18% 이상의 신장, 더 바람직하게는 21% 이상의 신장이 요구된다.그런데, TRIP강(TRansformation Induced Plasticity steel) 및 Q0026#P강(Quench 0026# Partitioning Steel)을 위한 조직 제어법을 열간 프레스법에 적용함으로써, 열간 프레스법에 의해 얻어지는 부재의 연성을 현저하게 높이는 것이 가능해진다. 이것은, 후술하는 바와 같은 특별한 열처리에 의해, 잔류 오스테나이트가 부재의 금속 조직에 발생하기 때문이다.특허문헌 4에는, Si와 Mn을 적극적으로 첨가한 강판을 페라이트-오스테나이트 2상 온도 영역에 미리 가열해 두고, 계속해서 딥 드로잉 장치에 의해 강판에 성형과 급냉을 동시에 실시하여, 얻어지는 부재의 금속 조직을 페라이트와 마르텐사이트와 오스테나이트를 함유하는 복상 조직으로 변화시킴으로써, 고강도를 갖고, 또한 연성이 우수한 부재를 얻는 기술이 개시되어 있다. 오스테나이트를 부재의 금속 조직 중에 함유시키기 위해서는, 300℃ 내지 400℃에서의 등온 유지 처리, 즉, 오스템퍼 처리를 강판에 행할 필요가 있다. 따라서, 특허문헌 4의 딥 드로잉 장치의 금형은 300℃ 내지 400℃로 가열 제어되어야만 한다. 또한, 특허문헌 4의 실시예에 기재되어 있는 바와 같이, 부재에 60초간 정도의 금형 내 유지를 행할 필요가 있게 된다. 그러나, 오스템퍼 처리를 행하는 경우, 유지 온도 및 유지 시간에 따라서, 강판의 인장 강도뿐만 아니라, 강판의 신장도 현저하게 변동한다. 따라서, 오스템퍼 처리를 행하는 경우, 안정된 기계 특성을 확보할 수 없다. 또한, 본 발명이 대상으로 하는 강종과 같은, Si를 많이 함유하는 강을 오스템퍼 처리하는 경우, 매우 경질의 마르텐사이트가 금속 조직 중에 생성하기 쉬워져서, 이 마르텐사이트에 의해 부재의 충격 특성이 현저하게 열화된다는 문제가 발생한다.특허문헌 5에는, Si와 Mn을 적극적으로 첨가한 강판을 2상 온도 영역, 또는, 오스테나이트 단상 영역에 미리 가열해 두고, 계속해서 강판에 성형과 소정의 온도에 이르기까지의 급냉을 동시에 행하여, 더 얻어진 부재를 재가열하고, 이에 의해 부재의 금속 조직을 마르텐사이트 및 오스테나이트를 함유하는 복상 조직으로 함으로써, 고강도를 갖고, 또한 연성이 우수한 부재를 얻는 기술이 개시되어 있다. 그러나, 전술한 기술에 의한 제조 방법에서는, 급냉 조건, 구체적으로는, 냉각을 정지하는 온도에 따라서, 부재의 인장 강도가 현저하게 변동된다는 문제가 있다. 또한, 냉각 정지 온도의 제어가 극히 어렵다는 공정상의 문제도, 전술한 제조 방법에서는 불가피하다. 또한, 종래의 열간 성형 부재의 제조 방법과는 달리, 특허문헌 5에 따른 제조 방법에서는 재가열이라는 더한층의 열처리 공정이 필요하게 된다. 따라서, 특허문헌 5에 따른 제조 방법은, 종래의 열간 성형 부재의 제조 방법에 대하여 현저하게 생산성이 낮다. 또한, 특허문헌 5의 실시예에 기재되어 있는 바와 같이, 특허문헌 5의 제조 방법에서는 강판을 고온으로 가열할 필요가 있으므로, 부재의 금속 조직 중에 마르텐사이트 등의 제2 상이 성기게 분포되기 쉬워진다. 이러한 점은, 부재의 충격 특성이 현저하게 열화된다는 문제를 발생시킨다.따라서, TRIP강 및 Q0026#P강을 위한 조직 제어법을 이용하지 않고, 잔류 오스테나이트를 함유하는 강판 부재가 얻어지는 열간 성형법을, 새롭게 검토해야 한다.한편, Mn을 적극적으로 첨가한 저탄소강을 A1점 근방에서 열처리함으로써, 우수한 강도와 우수한 연성을 양립시킨 강재가 얻어진다. 예를 들어, 비특허문헌 1에는, 0.1%C-5%Mn 합금을 열간 압연하여, 더욱 재가열함으로써 얻어지는, 수십%의 잔류 오스테나이트를 함유하고, 고강도를 갖고, 또한 연성이 매우 우수한 강재가 개시되어 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 영국 특허공보 제1490535호일본 특허공개 평10-96031호 공보일본 특허공개 제2010-65292호 공보일본 특허공표 제2009-508692호 공보일본 특허공개 제2011-184758호 공보 [ 비특허문헌 ] 열처리, 37권 4호(1997), P. 204 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 상기 비특허문헌 1에 개시된 방법과 같이, 열간 성형 부재의 화학 조성을 적정화하고, 또한 열간 성형 공정에서의 열 처리 온도를 A1점 근방으로 엄격하게 제어함으로써, 잔류 오스테나이트를 함유하는 열간 성형 부재를 제조하는 것은 가능하다. 그러나, 비특허문헌 1에 개시된 방법에서는, 인장 강도 및 신장에 미치는 가열 시간의 영향이 매우 크다. 얻어지는 인장 강도 및 신장의 변화를 억제하기 위해서는, 30분간 이상의 가열이 필요해진다. 이와 같은 장시간의 가열에 의한 조직 제어는, 생산성과, 부재의 표면 품질을 고려하면, 열간 성형 부재의 생산 기술에 적용할 수 없다. 또한, 상기 비특허문헌 1에 개시된 방법에서는, 시멘타이트의 용해가 불충분해지기 쉬우므로, 이 기술에서 얻어지는 열간 성형 부재의 충격 특성이 충분하지 못한 것이 쉽게 예상된다.이와 같이, 열간 성형에 의해 제조되고, 900MPa 이상의 인장 강도를 갖고, 또한 연성 및 충격 특성이 우수한 부재를 제공하는 양산 기술은 아직 확립되어 있지 않다.본 발명의 과제는, 전술한 바와 같이 종래에는 양산하는 것이 불가능한, 900MPa 이상의 인장 강도를 갖고, 연성 및 충격 특성이 우수한 열간 성형 부재, 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명자들은, 인장 강도가 900MPa 이상의 열간 성형 부재의 연성과 충격 특성을 개선하기 위해 예의 검토를 행한 결과, (1) 열간 성형 부재 중의 Si 함유량을, 통상의 열간 성형용 강판과 비교해서 증대시키고, (2) 열간 성형 부재의 금속 조직을, 소정량의 오스테나이트를 함유하고, 또한 미세한 오스테나이트 및 마르텐사이트가 전체적으로 존재하는 금속 조직으로 함으로써, 열간 성형 부재의 연성 및 충격 특성이 현저하게 개선된다고 하는 새 지견을 얻었다. 그리고, 이러한 금속 조직을 얻기 위해서는, 전술한 열간 성형 부재의 화학 조성과 동일한 화학 조성을 갖고, 베이나이트 및 상기 마르텐사이트로부터 선택된 1종 또는 2종을 함유하고, 시멘타이트의 결정립이 소정의 개수 밀도로 존재하는 금속 조직을 갖는 소지 강판을 열간 성형 부재의 원재료로서 사용하고 또한 열간 성형 시의 열처리 조건을 적정화함으로써, 달성된다고 하는 새 지견을 얻었다.본 발명은 그 지견에 기초하여 이루어진 것으로, 그 요지는 이하와 같다.(1) 본 발명의 일 형태에 따른 열간 성형 부재는, 화학 조성이, 질량%로, C: 0.05% 내지 0.40%, Si: 0.5% 내지 3.0%, Mn: 1.2% 내지 8.0%, P: 0.05% 이하, S: 0.01% 이하, sol.Al: 0.001% 내지 2.0%, N: 0.01% 이하, Ti: 0% 내지 1.0%, Nb: 0% 내지 1.0%, V: 0% 내지 1.0%, Cr: 0% 내지 1.0%, Mo: 0% 내지 1.0%, Cu: 0% 내지 1.0%, Ni: 0% 내지 1.0%, Ca: 0% 내지 0.01%, Mg: 0% 내지 0.01%, REM: 0% 내지 0.01%, Zr: 0% 내지 0.01%, B: 0% 내지 0.01%, Bi: 0% 내지 0.01%, 및 잔량부: Fe 및 불순물이며, 10면적% 내지 40면적%의 오스테나이트를 함유함과 함께, 상기 오스테나이트의 결정립 및 마르텐사이트의 결정립 합계 개수 밀도가 1.0개/㎛2 이상인 금속 조직을 갖고, 인장 강도가 900MPa 내지 1300MPa이다.(2) 상기 (1)에 기재된 열간 성형 부재는, 상기 화학 조성이, 질량%로, Ti: 0.003% 내지 1.0%, Nb: 0.003% 내지 1.0%, V: 0.003% 내지 1.0%, Cr: 0.003% 내지 1.0%, Mo: 0.003% 내지 1.0%, Cu: 0.003% 내지 1.0%, 및 Ni: 0.003% 내지 1.0%로 이루어지는 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 함유해도 된다.(3) 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 열간 성형 부재는, 상기 화학 조성이, 질량%로, Ca: 0.0003% 내지 0.01%, Mg: 0.0003% 내지 0.01%, REM: 0.0003% 내지 0.01%, 및 Zr: 0.0003% 내지 0.01% 이하로 이루어지는 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 함유해도 된다.(4) 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 열간 성형 부재는, 상기 화학 조성이, 질량%로, B: 0.0003% 내지 0.01％를 함유해도 된다.(5) 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 기재된 열간 성형 부재는, 상기 화학 조성이, 질량%로, Bi: 0.0003% 내지 0.01% 이하를 함유해도 된다.(6) 본 발명의 다른 형태에 따른 열간 성형 부재의 제조 방법은, 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 열간 성형 부재의 상기 화학 조성과 동일한 화학 조성을 갖고, 또한 Mn 함유량이 2.4질량% 내지 8.0질량%이며, 베이나이트 및 마르텐사이트로부터 선택된 1종 또는 2종을 합계 70면적% 이상 함유하고, 시멘타이트의 결정립이 1.0개/㎛2 이상의 개수 밀도로 존재하는 금속 조직을 갖는 소지 강판을 670℃ 이상 780℃ 미만 또한 Ac3점 미만의 온도 영역에서 가열하는 가열 공정과, 상기 가열 공정에 이어서, 상기 소지 강판의 온도를 670℃ 이상 780℃ 미만 또한 Ac3점 미만의 온도 영역에 2분간 내지 20분간 유지하는 유지 공정과, 상기 유지 공정에 이어서, 상기 소지 강판에 열간 성형을 행하는 열간 성형 공정과, 상기 열간 성형 공정에 이어서, 상기 소지 강판을, 600℃ 내지 150℃의 온도 영역에서 평균 냉각 속도가 5℃/초 내지 500℃/초인 조건으로 냉각하는 냉각 공정을 포함한다.(7) 본 발명의 다른 형태에 따른 열간 성형 부재의 제조 방법은, 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 열간 성형 부재의 상기 화학 조성과 동일한 화학 조성을 갖고, 또한 Mn 함유량이 1.2질량% 이상 2.4질량% 미만이고, 베이나이트 및 마르텐사이트로부터 선택된 1종 또는 2종을 합계 70면적% 이상 함유하고, 시멘타이트의 결정립이 1.0개/㎛2 이상의 개수 밀도로 존재하는 금속 조직을 갖는 소지 강판을 670℃ 이상 780℃ 미만 또한 Ac3점 미만의 온도 영역에서 가열하는 가열 공정과, 상기 가열 공정에 이어서, 상기 소지 강판의 온도를 상기 670℃ 이상 780℃ 미만 또한 Ac3점 미만의 온도 영역에 2분간 내지 20분간 유지하는 유지 공정과, 상기 유지 공정에 이어서, 상기 소지 강판에 열간 성형을 행하는 열간 성형 공정과, 상기 열간 성형 공정에 이어서, 상기 소지 강판을, 600℃ 내지 500℃의 온도 영역에서 평균 냉각 속도가 5℃/초 내지 500℃/초이며, 또한 500℃ 미만 150℃ 이상의 온도 영역에서 상기 평균 냉각 속도가 5℃/초 내지 20℃/초인 조건으로 냉각하는 냉각 공정을 포함한다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 의해, 연성이 매우 우수하고, 충격 특성에도 더 우수한, 인장 강도가 900MPa 이상의 열간 성형 부재의 실용화가 비로소 가능해진다고 하는, 기술적으로 가치 있는 효과가 달성된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은, 본 발명에 따른 제조 방법을 나타내는 흐름도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 다음으로, 전술한 지견에 기초하여 달성된, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 열간 성형 부재와 그 제조 방법에 대하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서는, 열간 성형에 대하여, 구체적 형태인 열간 프레스를 예로 들어 설명한다. 그러나, 이하의 설명에 있어서 개시되는 제조 조건과 실질적으로 동일한 제조 조건이 달성되는 것이면, 열간 프레스 이외의 성형 방법, 예를 들어 롤 성형 등을 열간 성형 방법으로서 채용해도 된다.1. 화학 조성처음에, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 열간 성형 부재의 화학 조성에 대하여 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 각 합금 원소의 함유량을 나타내는 「%」는, 특별히 언급이 없는 한 「질량%」를 의미한다. 또한, 강의 화학 조성은 열간 성형이 행해져도 변화되지 않으므로, 열간 성형을 받기 전의 소지 강판 중의 각 원소의 함유량과, 열간 성형 후의 열간 성형 부재 중의 각 원소의 함유량은 각각 동등하다.(C: 0.05% 내지 0.40%)C는, 강의 담금질성을 높이고, 또한 담금질 후의 열간 성형 부재의 강도에 가장 강하게 영향을 미치는, 매우 중요한 원소이다. C 함유량이 0.05% 미만에서는, 담금질 후에 900MPa 이상의 인장 강도를 확보하는 것이 곤란해진다. 따라서, C 함유량은 0.05% 이상으로 한다. 한편, C 함유량이 0.40% 초과에서는, 열간 성형 부재의 충격 특성이 현저하게 열화된다. 따라서, C 함유량은 0.40% 이하로 한다. 열간 성형 부재의 용접성을 향상시키기 위해서는, C 함유량을 0.25% 이하로 하는 것이 바람직하다. 열간 성형 부재의 강도를 안정적으로 확보하기 위해서는, C 함유량을 0.08% 이상으로 하는 것이 바람직하다.(Si: 0.5% 내지 3.0%)Si는, 담금질 후의 강의 강도를 안정적으로 확보하기 위해서, 매우 효과적인 원소이다. 또한, Si를 첨가함으로써 금속 조직 중의 오스테나이트가 증가하고, 열간 성형 부재의 연성이 향상된다. Si 함유량이 0.5% 미만에서는, 상기 작용을 얻는 것이 곤란하다. 특히, 본 실시 형태에 있어서 오스테나이트가 부족한 경우, 필요한 연성이 얻어지지 않으므로, 산업 이용상 매우 불리해진다. 따라서, Si 함유량은 0.5% 이상으로 한다. 또한, Si 함유량을 1.0% 이상으로 하면, 연성이 더욱 향상되게 된다. 따라서, Si 함유량은 1.0% 이상으로 하는 것이 바람직하다. 한편, Si 함유량이 3.0% 초과에서는, 상기 작용에 의한 효과는 포화해서 경제적으로 불리해지는 동시에, 열간 성형 부재의 표면 성상의 열화가 현저해진다. 따라서, Si 함유량은 3.0% 이하로 한다. 열간 성형 부재의 표면 성상의 열화를 더욱 확실하게 방지하기 위해서는, Si 함유량을 2.5% 이하로 하는 것이 바람직하다.(Mn: 1.2% 이상 8.0% 이하)Mn은, 강의 담금질성을 높이고, 담금질 후의 강도를 안정적으로 확보하기 위해서, 매우 효과적인 원소이다. 또한, Mn은, 담금질 후의 열간 성형 부재의 연성을 높이는 효과도 갖는다. 그러나, Mn 함유량이 1.2% 미만에서는, 그들 효과를 충분히 얻지 못하여, 담금질 후에 900MPa 이상의 인장 강도를 확보하는 것이 매우 곤란해진다. 따라서, Mn 함유량은 1.2% 이상으로 한다. 또한, Mn 함유량을 2.4% 이상으로 하면, 열간 성형 부재의 연성이 더욱 높아지고, 후술하는 열간 성형 후의 완(緩)냉각이 제조 공정에 있어서 불필요하게 되어, 생산성이 현저하게 향상된다. 이로 인해, Mn 함유량은 2.4% 이상으로 하는 것이 바람직하다. 한편, Mn 함유량이 8.0% 초과에서는, 오스테나이트가 열간 성형 부재 중에 과잉으로 생성하고, 지연 파괴가 발생하기 쉬워진다. 따라서, Mn 함유량은 8.0% 이하로 한다. 또한, 열간 성형을 적용하기 전의 소지 강판의 인장 강도를 낮게 하면, 후의 열간 성형 공정에서의 생산성이 향상된다. 이 효과를 얻기 위해서는, Mn 함유량을 6.0% 이하로 하는 것이 바람직하다.(P: 0.05% 이하)P는, 일반적으로는 강에 불가피하게 함유되는 불순물이다. 그러나 본 실시 형태에 있어서, P는 고용 강화에 의해 강의 강도를 높이는 작용을 가지므로, P를 적극적으로 함유시켜도 된다. 그러나, P 함유량이 0.05% 초과에서는, 열간 성형 부재의 용접성 열화가 현저해지는 경우가 있다. 따라서, P 함유량은 0.05% 이하로 한다. 열간 성형 부재의 용접성 열화를 더욱 확실하게 방지하기 위해서는, P 함유량을 0.02% 이하로 하는 것이 바람직하다. 상기한 강도 향상 작용을 보다 확실하게 얻기 위해서는, P 함유량을 0.003% 이상으로 하는 것이 바람직하다. 그러나, P 함유량이 0%였다고 해도, 과제를 해결하기 위해 필요한 특성을 얻을 수 있으므로, P 함유량의 하한값을 제한할 필요는 없다. 즉, P 함유량의 하한값은 0%이다.(S: 0.01% 이하)S는, 강에 함유되는 불순물이며, 용접성을 향상시키기 위해서는, S 함유량이 낮을수록 바람직하다. S 함유량이 0.01% 초과에서는, 용접성의 저하가, 허용할 수 없을 정도로 현저해진다. 따라서, S 함유량은 0.01% 이하로 한다. 용접성의 저하를 더욱 확실하게 방지하기 위해서는, S 함유량은, 0.003% 이하로 하는 것이 바람직하고, 0.0015% 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다. S 함유량은 적으면 적을수록 바람직하므로, S 함유량의 하한값을 규정할 필요는 없다. 즉, S 함유량의 하한값은 0%이다.(sol.Al: 0.001% 내지 2.0%)sol.Al이란, 고용 상태에서 강 중에 존재하는 고용 Al을 나타낸다. Al은, 강을 탈산하는 작용을 갖는 원소이며, 또한 Ti 등의 탄질화물 형성 원소가 산화하는 것을 방지하여, 탄질화물의 형성을 촉진하는 작용을 갖는 원소이기도 하다. 이들 작용에 의해, 표면 흠집이 강재에 발생하는 것을 억제하여, 강재의 제조 수율을 향상시킬 수 있다. sol.Al 함유량이 0.001% 미만에서는, 상기 작용을 얻는 것이 곤란해진다. 따라서, sol.Al 함유량은 0.001% 이상으로 한다. 상기 작용을 더욱 확실하게 얻기 위해서는, sol.Al 함유량이 0.01% 이상인 것이 바람직하다. 한편, sol.Al 함유량이 2.0% 초과에서는, 열간 성형 부재의 용접성이 현저하게 저하됨과 함께, 산화물계 개재물이 열간 성형 부재 중에 증가하여, 열간 성형 부재의 표면 성상이 현저하게 열화된다. 따라서, sol.Al 함유량은 2.0% 이하로 한다. 상기한 현상을 더욱 확실하게 회피하기 위해서는, sol.Al 함유량이 1.5% 이하인 것이 바람직하다.(N: 0.01% 이하)N은, 강에 불가피하게 함유되는 불순물이며, 용접성을 향상시키기 위해서는, N 함유량이 낮은 편이 바람직하다. N 함유량이 0.01% 초과에서는, 열간 성형 부재의 용접성의 저하가, 허용할 수 없을 정도로 현저해진다. 따라서, N 함유량은 0.01% 이하로 한다. 용접성의 저하를 더욱 확실하게 회피하기 위해서, N 함유량은 바람직하게는 0.006% 이하이다. N 함유량은 적으면 적을수록 바람직하므로, N 함유량의 하한값을 규정할 필요는 없다. 즉, N 함유량의 하한값은 0%이다.본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재의 화학 조성은, 잔량부가 Fe 및 불순물이다. 불순물이라 함은, 강재를 공업적으로 제조할 때, 광석 혹은 스크랩 등과 같은 원료, 또는 제조 공정의 다양한 요인에 의해 혼입되는 성분으로서, 본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재의 특성에 악영향을 주지 않는 범위에서 함유가 허용되는 것을 의미한다. 그러나, 실시 형태에 따른 열간 성형 부재는, 임의 성분으로서, 이하에 설명하는 바와 같은 원소를 더 함유해도 된다. 또한, 이하에 설명하는 임의 원소를 열간 성형 부재에 함유시키지 않아도, 과제를 해결하기 위해서 필요한 특성을 얻을 수 있으므로, 임의 원소 함유량의 하한값을 제한할 필요는 없다. 즉, 임의 원소 함유량의 하한값은 0%이다.(Ti: 0% 내지 1.0%, Nb: 0% 내지 1.0%, V: 0% 내지 1.0%, Cr: 0% 내지 1.0%, Mo: 0% 내지 1.0%, Cu: 0% 내지 1.0%, 및 Ni: 0% 내지 1.0% 이하로 이루어지는 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상)이들 원소는, 모두 열간 성형 부재의 담금질성을 높이고, 또한 담금질 후의 열간 성형 부재의 강도를 안정적으로 확보하기 위해 효과적인 원소이다. 따라서, 이들 원소 중 1종 또는 2종 이상을 함유시켜도 된다. 그러나, Ti, Nb 및 V에 대해서는, 각각 1.0％를 초과해서 함유시키면, 제조 공정에 있어서 열간 압연 및 냉간 압연의 실시가 곤란해진다. 또한, Cr, Mo, Cu 및 Ni에 대해서는, 1.0％를 초과해서 함유시키면, 상기 작용에 의한 효과가 포화하여, 경제적으로 불리해진다. 따라서, 각 원소를 함유시키는 경우, 각 원소의 함유량은, 각각 상기와 같이 한다. 또한, 상기 작용에 의한 효과를 보다 확실하게 얻기 위해서는, Ti: 0.003% 이상, Nb: 0.003% 이상, V: 0.003% 이상, Cr: 0.003% 이상, Mo: 0.003% 이상, Cu: 0.003% 이상 및 Ni: 0.003% 이상 중 적어도 1종을 충족시키는 것이 바람직하다.(Ca: 0% 내지 0.01%, Mg: 0% 내지 0.01%, REM: 0% 내지 0.01%, 및 Zr: 0% 내지 0.01%로 이루어지는 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상)이들 원소는, 모두 개재물 제어, 특히 개재물의 미세 분산화에 기여하고, 열간 성형 부재의 저온 인성을 높이는 작용을 갖는 원소이다. 따라서, 이들 원소 중 1종 또는 2종 이상을 함유시켜도 된다. 그러나, 어떠한 원소도 0.01％를 초과해서 함유시키면, 열간 성형 부재의 표면 성상을 열화시키는 경우가 있다. 따라서, 각 원소를 함유시키는 경우, 각 원소의 함유량은, 각각 상기와 같이 한다. 또한, 상기 작용에 의한 효과를 보다 확실하게 얻기 위해서는, 첨가하는 상기 각 원소의 함유량을 각각 0.0003% 이상으로 하는 것이 바람직하다.여기서, 「REM」이란 용어는, Sc, Y 및 란타노이드로 이루어지는 합계 17 원소를 가리키고, 「REM의 함유량」이라 함은, 이들 17 원소의 합계 함유량을 의미한다. 란타노이드를 REM으로서 사용하는 경우, 공업적으로는, REM은 미시 메탈의 형태로 첨가된다.(B: 0% 내지 0.01%)B는, 열간 성형 부재의 저온 인성을 높이는 작용을 갖는 원소이다. 따라서, 열간 성형 부재에 B를 함유시켜도 된다. 그러나, 0.01％를 초과해서 B를 함유시키면, 소지 강판의 열간 가공성이 열화되어, 열간 압연의 실시가 곤란해진다. 따라서, B를 열간 성형 부재 중에 함유시키는 경우, B 함유량은 0.01% 이하로 한다. 또한, 상기 작용에 의한 효과를 보다 확실하게 얻기 위해서는, B 함유량을 0.0003% 이상으로 하는 것이 바람직하다.(Bi: 0% 내지 0.01%)Bi는, 열간 성형 부재의 변형 시에 있어서의 깨짐을 억제하는 작용을 갖는 원소이다. 따라서, Bi를 열간 성형 부재에 함유시켜도 된다. 그러나, 0.01％를 초과한 양의 Bi를 함유시키면, 소지 강판의 열간 가공성이 열화되어, 열간 압연의 실시가 곤란해진다. 따라서, Bi를 열간 성형 부재 중에 함유시키는 경우, Bi 함유량은 0.01% 이하로 한다. 또한, 상기 작용에 의한 효과를 보다 확실하게 얻기 위해서는, Bi 함유량을 0.0003% 이상으로 하는 것이 바람직하다.2. 열간 성형 부재의 금속 조직다음으로, 본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재의 금속 조직에 대하여 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 각 금속 조직의 함유량을 나타내는 「%」는, 특별히 언급이 없는 한 「면적%」를 의미한다.이하에서 설명하는 금속 조직의 구성은, 판 두께의 대략 1/2t의 위치 내지 대략 1/4t의 위치이며, 또한 중심 편석부가 아닌 위치에서의 구성이다. 중심 편석부는, 강재의 대표적인 금속 조직과는 상이한 금속 조직을 갖는 경우가 있다. 그러나, 중심 편석부는, 판 두께 전체에 대하여 미소한 영역이며, 강재의 특성에 거의 영향을 미치지 않는다. 즉, 중심 편석부의 금속 조직은, 강재의 금속 조직을 대표하고 있다고 할 수 없다. 따라서, 본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재의 금속 조직의 규정은, 판 두께의 대략 1/2t의 위치 내지 대략 1/4t의 위치이며, 또한 중심 편석부가 아닌 위치에서의 것으로 한다. 또한, 「1/2t의 위치」라 함은, 열간 성형 부재의 표면으로부터 부재 두께 t의 1/2의 깊이인 위치를 나타내고, 「1/4t의 위치」라 함은, 열간 성형 부재의 표면으로부터 부재 두께 t의 1/4의 깊이인 위치를 나타낸다.(오스테나이트의 면적률: 10% 내지 40%)강 중에 적당량의 오스테나이트를 함유시킴으로써, 열간 성형 부재의 연성이 현저하게 향상된다. 오스테나이트의 면적률이 10% 미만에서는, 우수한 연성을 확보하는 것이 곤란하다. 따라서, 오스테나이트의 면적률은 10% 이상으로 한다. 또한, 오스테나이트의 면적률을 18% 이상으로 하는 것은, 열간 성형 부재의 신장을 21% 이상으로 하고, 매우 우수한 연성을 열간 성형 부재에 발현시키는 것에 기여한다. 따라서, 오스테나이트의 면적률은 18% 이상으로 하는 것이 바람직하다. 한편, 오스테나이트의 면적률이 40% 초과에서는, 지연 파괴가 열간 성형 부재에 발생하기 쉬워진다. 따라서, 오스테나이트의 면적률은 40% 이하로 한다. 지연 파괴의 발생을 확실하게 방지하기 위해서는, 오스테나이트의 면적률을 32% 이하로 하는 것이 바람직하다.오스테나이트의 면적률의 측정법은 당업자에게는 주지의 사실이며, 본 실시 형태에 있어서도 통상의 방법에 의해 측정할 수 있다. 후에 설명하는 실시예에서는, 오스테나이트의 면적률은 X선 회절로 구해졌다.(오스테나이트 및 마르텐사이트의 분포: 오스테나이트 및 마르텐사이트의 결정립 합계 개수 밀도: 1.0개/㎛2 이상)미세한 경질 조직을 금속 조직 중에 많이 존재시키는 것, 즉, 금속 조직 중의 오스테나이트 및 마르텐사이트의 개수 밀도를 높임으로써, 열간 성형 시의 열간 성형 부재의 소성 변형이 미시적으로 국재화하는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해, 변형 시에 발생하는 오스테나이트 및 마르텐사이트의 깨짐이 억제되어, 열간 성형 부재의 충격 특성을 향상시킬 수 있다. 인장 강도가 900MPa 이상이며, 또한 우수한 충격 특성을 갖는 열간 성형 부재를 달성하기 위해서는, 열간 성형 부재의 금속 조직을, 오스테나이트 및 마르텐사이트가 합계 1.0개/㎛2 이상의 개수 밀도로 존재하는 금속 조직으로 한다. 또한, 전술한 충격 특성 향상 효과를 더욱 확실하게 얻기 위해서, 오스테나이트 및 마르텐사이트의 결정립의 합계 개수 밀도의 하한값을 1.3개/㎛2로 하는 것이 더욱 바람직하다. 오스테나이트 입자 및 마르텐사이트 입자의 합계 개수 밀도는, 클수록 바람직하다. 오스테나이트 입자 및 마르텐사이트 입자의 합계 개수 밀도가 클수록, 변형의 국재화가 억제되어, 충격 특성이 더욱 향상하기 때문이다. 따라서, 오스테나이트 입자 및 마르텐사이트 입자의 합계 개수 밀도의 상한값을 규정할 필요는 없다. 그러나, 제조 설비의 능력을 고려하면, 3.0개/㎛2 정도가, 오스테나이트 입자 및 마르텐사이트 입자의 합계 개수 밀도의 실질적인 상한값으로 된다.오스테나이트 입자의 개수와 마르텐사이트 입자의 개수의 비를 규정할 필요는 없다. 만일 금속 조직 중에 마르텐사이트 입자가 포함되지 않아도, 전술한 깨짐 억제 효과를 얻을 수 있다.오스테나이트 입자 및 마르텐사이트 입자의 개수 밀도는, 이하와 같은 방법에 의해 구할 수 있다. 우선, 열간 성형 부재의 원료인 소지 강판의 압연 방향과 압연 방향에 대하여 수직인 방향을 따라서, 열간 성형 부재로부터 시험편을 채취한다. 계속해서, 시험편의, 압연 방향을 따른 단면 및 압연 방향에 대하여 수직인 단면의 금속 조직을 전자 현미경으로 촬영한다. 이것에 의해 얻어진, 800㎛ 사방의 영역의 전자 현미경 사진을 화상 해석함으로써, 오스테나이트 입자 및 마르텐사이트 입자의 개수 밀도를 산출한다. 오스테나이트 입자 및 마르텐사이트 입자를 주위의 조직으로부터 구별하는 것은, 전자 현미경을 사용하면, 용이하게 행할 수 있다.또한, 오스테나이트 입자 및 마르텐사이트 입자의 평균 결정입경을 규정할 필요는 없다. 일반적으로, 평균 결정입경이 큰 경우, 강의 강도에 악영향을 미치는 경우가 있다. 그러나, 전술한 개수 밀도가 달성되어 있으면, 오스테나이트 입자 및 마르텐사이트 입자의 입경이 조대화하는 일은 없다.(기타 조직)전술한 오스테나이트 및 마르텐사이트 이외의 금속 조직으로서, 페라이트, 베이나이트, 시멘타이트 및 펄라이트 중 1종 또는 2종 이상을 열간 성형 부재에 함유시켜도 된다. 오스테나이트 및 마르텐사이트의 함유량이 전술한 규정 범위 내이면, 페라이트, 베이나이트, 시멘타이트 및 펄라이트의 함유량은 특별히 규정되지 않는다.(인장 강도: 900MPa 내지 1300MPa)본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재의 인장 강도는 900MPa 이상이다. 이와 같은 인장 강도를 가짐으로써, 본 실시 형태에 따른 강판을 사용하는 각종 부재의 경량화를 달성할 수 있다. 그러나, 인장 강도가 1300MPa를 상회하면, 강판에 취성 파괴가 발생하기 쉬워진다. 따라서, 강판의 인장 강도의 상한값을 1300MPa로 한다. 이와 같은 인장 강도는, 전술한 화학 성분 및 후술하는 제조 방법에 의해 달성된다.3. 제조 방법다음으로, 상기한 특징을 갖는 본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재의 바람직한 제조 방법에 대하여 설명한다.인장 강도 900MPa 이상의 강도와, 우수한 연성 및 충격 특성의 양쪽을 확보하기 위해서는, 담금질 후의 조직을, 전술한 바와 같이 10면적% 내지 40면적%의 오스테나이트를 함유함과 함께, 오스테나이트 및 마르텐사이트의 결정립의 합계 개수 밀도가 1.0개/㎛2 이상인 금속 조직으로 할 필요가 있다.이와 같은 금속 조직을 얻기 위해서는, 상기한 열간 성형 부재의 화학 조성과 동일한 화학 조성을 갖고, 베이나이트 및 마르텐사이트로부터 선택된 1종 또는 2종을 합계 70면적% 이상 함유하고, 시멘타이트의 결정립이 1.0개/㎛2 이상의 개수 밀도로 존재하는 금속 조직을 갖는 소지 강판을, 가열 공정에서, 670℃ 이상 780℃ 미만 또한 Ac3점 미만의 온도 영역에서 가열하고, 계속해서 유지 공정에서, 소지 강판의 온도를 670℃ 이상 780℃ 미만 또한 Ac3점 미만의 온도 영역에 2분간 내지 20분간 유지하고, 계속해서 열간 성형 공정에서, 소지 강판을 열간 프레스한다. 「670℃ 이상 780℃ 미만 또한 Ac3점 미만의 온도 영역」이라 함은, Ac3점이 780℃ 이상이면 「670℃ 이상 780℃ 미만의 온도 영역」을 나타내고, Ac3점이 780℃ 미만이면 「670℃ 이상 Ac3점 미만의 온도 영역」을 나타낸다.그리고, 소지 강판의 Mn 함유량이 2.4질량% 내지 8.0질량%인 경우, 열간 성형 공정에 이어서, 냉각 공정에서, 소지 강판을 600℃ 내지 150℃의 온도 영역에서 평균 냉각 속도가 5℃/초 내지 500℃/초인 조건으로 냉각한다. 소지 강판의 Mn 함유량이 1.2질량% 이상 2.4질량% 미만인 경우, 열간 성형 공정에 이어서, 냉각 공정에서, 600℃ 내지 500℃의 온도 영역에서 평균 냉각 속도가 5℃/초 내지 500℃/초이며, 또한 500℃ 미만 150℃ 이상의 온도 영역에서 평균 냉각 속도가 5℃/초 내지 20℃/초인 조건으로 냉각한다. 열간 프레스에 제공하는 소지 강판에는, 상기한 열간 성형 부재의 화학 조성과 동일한 화학 조성을 갖고 또한 베이나이트 및 마르텐사이트로부터 선택된 1종 또는 2종을 합계 70면적% 이상 함유하고, 시멘타이트의 결정립이 1.0개/㎛2 이상의 개수 밀도로 존재하는 금속 조직을 갖는 소지 강판을 사용한다. 이 소지 강판이란, 예를 들어 열연 강판, 냉연 강판, 용융 아연 도금 냉연 강판, 또는, 합금화 용융 아연 도금 냉연 강판이다. 상기한 금속 조직을 갖는 소지 강판을, 후술하는 바와 같은 열처리 조건으로 열간 프레스함으로써, 전술한 금속 조직을 갖고, 인장 강도가 900MPa 이상이며, 또한 연성과 충격 특성에 우수한 열간 성형 부재가 얻어진다.전술한 소지 강판의 금속 조직의 규정은, 판 두께의 대략 1/2t의 위치 내지 대략 1/4t의 위치이며, 또한 중심 편석부가 아닌 위치에 있어서 행해지도록 한다. 소지 강판의 금속 조직의 구성을 이 위치에서 규정하는 이유는, 열간 성형 부재의 금속 조직의 구성을 판 두께의 대략 1/2t의 위치 내지 대략 1/4t의 위치이며, 또한 중심 편석부가 아닌 위치에서 규정하는 이유와 동일하다.(베이나이트 및 마르텐사이트로부터 선택된 1종 또는 2종: 합계 70면적% 이상)소지 강판에 있어서의 베이나이트 및 마르텐사이트의 합계 면적률이 70% 이상이면, 후술하는 열간 프레스의 가열 공정에 있어서, 전술한 열간 성형 부재의 금속 조직이 형성되고, 담금질 후의 강도를 안정적으로 확보하기 쉬워진다. 따라서, 소지 강판에 있어서의 베이나이트 및 마르텐사이트의 합계 면적률은 70% 이상인 것이 바람직하다. 베이나이트 및 마르텐사이트의 합계 면적률의 상한을 규정할 필요는 없지만, 시멘타이트의 결정립을 1.0개/㎛2 이상의 개수 밀도로 존재시키기 위해서는, 실질적인 합계 면적률의 상한은 99.5 면적% 정도로 된다.베이나이트 및 마르텐사이트 각각의 면적률의 측정법은 당업자에게는 주지의 사실이며, 본 실시 형태에 있어서도 통상의 방법에 의해 측정할 수 있다. 후술하는 실시예에서는, 베이나이트 및 마르텐사이트 각각의 면적률은, 금속 조직의 전자 현미경 상을 화상 해석함으로써 구해졌다.(시멘타이트의 결정립의 개수 밀도: 1.0개/㎛2 이상)소지 강판 중의 시멘타이트의 결정립은, 열간 프레스 시의 가열 및 냉각 시에, 오스테나이트 및 마르텐사이트의 석출핵으로 된다. 열간 성형 부품의 금속 조직에서는, 오스테나이트 및 마르텐사이트의 합계 개수 밀도가 1.0개/㎛2 이상일 필요가 있지만, 이와 같은 금속 조직을 얻기 위해서는, 소지 강판의 금속 조직 중에는, 시멘타이트의 결정립이 1.0개/㎛2 이상의 개수 밀도로 존재할 필요가 있다. 소지 강판 중의 시멘타이트의 개수 밀도가 1.0개/㎛2 미만인 경우, 열간 성형 부재 중의 오스테나이트 및 마르텐사이트의 합계 개수 밀도가 1.0개/㎛2를 하회할 우려가 있다. 소지 강판 중의 시멘타이트의 결정립 개수 밀도가 클수록, 얻어지는 열간 성형 부재 중의 오스테나이트 입자 및 마르텐사이트 입자의 합계 개수 밀도가 커지므로 바람직하다. 그러나, 설비 능력의 상한을 고려하면, 시멘타이트의 결정립의 개수 밀도의 실질적인 상한은 3.0개/㎛2 정도로 된다.시멘타이트의 개수 밀도는, 이하와 같은 방법에 의해 구할 수 있다. 우선, 소지 강판의 압연 방향과 압연 방향에 대하여 수직인 방향을 따라서, 소지 강판으로부터 시험편을 채취한다. 계속해서, 시험편의, 압연 방향을 따른 단면과 압연 방향에 대하여 수직인 단면의 금속 조직을 전자 현미경으로 촬영한다. 이것에 의해 얻어진, 800㎛ 사방의 영역 전자 현미경 사진을 화상 해석함으로써, 시멘타이트의 개수 밀도를 산출한다. 시멘타이트 입자를 주위의 조직으로부터 구별하는 것은, 전자 현미경을 사용하면, 용이하게 행할 수 있다.또한, 시멘타이트 입자의 평균 결정입경을 규정할 필요는 없다. 전술한 개수 밀도가 달성되어 있으면, 강재에 악영향을 미칠 정도로 조대한 시멘타이트가 석출하는 일은 없다.본 실시 형태에 있어서의 소지 강판에 요구되는 조건을 만족하는 열연 강판은, 예를 들어 상기한 열간 성형 부재의 화학 조성과 동일한 화학 조성을 갖는 주조편에, 900℃ 이하의 온도 영역에서 마무리 압연을 실시하여, 계속해서 마무리 압연 후의 강판을 5℃/초 이상의 냉각 속도로 600℃ 이하의 온도 영역에 급냉함으로써, 제조할 수 있다. 본 실시 형태에 있어서의 소지 강판에 요구되는 조건을 만족하는 냉연 강판은, 예를 들어 상기 열연 강판을 Ac3점 이상으로 어닐링하고, 5℃/초 이상의 평균 냉각 속도로 600℃ 이하의 온도 영역에 급냉함으로써 제조할 수 있다. 전술한 조건하에서 급냉을 행함으로써, 시멘타이트의 석출핵이 소지 강판 내에 많이 발생하고, 그 결과, 1.0개/㎛2 이상의 개수 밀도의 시멘타이트를 포함하는 소지 강판을 얻을 수 있다. 본 실시 형태에 있어서의 소지 강판에 요구되는 조건을 만족하는 용융 아연 도금 냉연 강판 및 합금화 용융 아연 도금 냉연 강판은, 예를 들어 상기 냉연 강판에 용융 아연 도금 및 합금화 용융 아연 도금을 각각 실시함으로써 제조할 수 있다.(소지 강판의 가열 온도: 670℃ 이상 780℃ 미만 또한 Ac3점 미만의 온도 영역)(소지 강판의 유지 온도 및 유지 시간: 670℃ 이상 780℃ 미만 또한 Ac3점 미만의 온도 영역에서 2분간 내지 20분간 유지)열간 프레스에 제공하는 소지 강판의 가열 공정에서는, 670℃ 이상 780℃ 미만 또한 Ac3점(℃) 미만의 온도 영역까지 소지 강판을 가열한다. 소지 강판의 유지 공정에서는, 소지 강판의 온도를 상기 온도 영역, 즉 670℃ 이상 780℃ 미만 또한 Ac3점(℃) 미만의 온도 영역에 2분간 내지 20분간 유지한다. Ac3점은, 실험에 의해 구해진 하기 식(i)에 의해 규정되는 온도이며, Ac3점 이상의 온도 영역에 강을 가열한 경우, 강의 금속 조직은 오스테나이트 단상이 된다.식(i)여기서, 상기 식 중에서의 원소 기호는, 상기 강판의 화학 조성에서의 각 원소의 함유량(단위: 질량%)을 나타낸다. 「sol.Al」은, 고용 Al의 농도(단위: 질량%)를 나타낸다.유지 공정에서의 유지 온도가 670℃ 미만에서는, 소지 강판이 Si를 많이 함유하는 경우, 열간 프레스 전의 소지 강판 중의 오스테나이트의 면적률이 과소로 되어, 열간 프레스 후의 열간 성형 부재의 치수 정밀도가 현저하게 악화된다. 따라서, 유지 공정에서의 유지 온도는 670℃ 이상으로 한다. 한편, 유지 온도가 780℃ 이상 또는, Ac3점 이상이 되면 담금질 후의 열간 성형 부재의 금속 조직 중에 충분한 양의 오스테나이트가 함유되지 않고, 열간 성형 부재의 연성이 현저하게 열화된다. 또한, 유지 온도가 780℃ 이상 또는 Ac3점 이상인 경우, 미세한 경질 조직이 열간 성형 부재의 금속 조직 중에 존재하지 않게 되므로, 열간 성형 부재의 충격 특성의 열화도 초래한다. 따라서, 유지 온도는 780℃ 미만 또한 Ac3점 미만으로 한다. 전술한 바람직하지 않은 현상을 더욱 확실하게 회피하기 위해서는, 유지 온도를 680℃ 내지 760℃로 하는 것이 바람직하다.유지 공정에서의 유지 시간이 2분간 미만에서는, 담금질 후의 열간 성형 부재의 강도를 안정적으로 확보하는 것이 곤란해진다. 따라서, 유지 시간은 2분간 이상으로 한다. 한편, 유지 시간이 20분간 초과에서는, 생산성이 저하될 뿐만 아니라, 스케일이나 아연계 산화물의 생성에 의해, 열간 성형 부재의 표면 성상이 열화된다. 따라서, 유지 시간은 20분간 이하로 한다. 전술한 바람직하지 않은 현상을 더욱 확실하게 회피하기 위해서는, 유지 시간을 3분간 내지 15분간으로 하는 것이 바람직하다.가열 공정에서의, 670℃ 이상 780℃ 미만 또한 Ac3점 미만의 온도 영역까지의 가열 속도는 특별히 한정할 필요는 없다. 그러나, 0.2℃/초 내지 100℃/초의 평균 가열 속도로 강판을 가열하는 것이 바람직하다. 상기 평균 가열 속도를 0.2℃/초 이상으로 함으로써, 더 높은 생산성을 확보하는 것이 가능하게 된다. 또한, 상기 평균 가열 속도를 100℃/초 이하로 함으로써, 통상의 노를 사용해서 가열하는 경우에 있어서, 가열 온도의 제어가 용이하게 된다. 그러나, 고주파 가열 등을 사용하면, 100℃/초를 상회하는 가열 속도로 가열했다고 해도, 가열 온도의 제어를 고정밀도로 행하는 것이 가능하게 된다.(소지 강판의 Mn 함유량이 2.4질량% 내지 8.0질량%인 경우의, 냉각 공정에서의 평균 냉각 속도: 600℃ 내지 150℃의 온도 영역에서 5℃/초 내지 500℃/초)(소지 강판의 Mn 함유량이 1.2질량% 이상 2.4질량% 미만인 경우의, 냉각 공정에서의 평균 냉각 속도:600℃ 내지 500℃의 온도 영역에서 5℃/초 내지 500℃/초, 또한 500℃ 미만 150℃ 이상의 온도 영역에서 5℃/초 내지 20℃/초)냉각 공정에서는, 150℃ 내지 600℃의 온도 영역에 있어서, 확산형 변태가 열간 성형 부재에서 일어나지 않도록 냉각한다. 150℃ 내지 600℃의 온도 영역에 있어서의 평균 냉각 속도가 5℃/초 미만에서는, 연질이나 페라이트 및 펄라이트가 열간 성형 부재 중에 과도하게 생성하고, 담금질 후에 900MPa 이상의 인장 강도를 확보하는 것이 곤란해진다. 따라서, 상기 온도 영역에 있어서의 평균 냉각 속도는 5℃/초 이상으로 한다. 냉각 공정에서의 평균 냉각 속도의 상한값은, 소지 강판의 Mn 함유량에 따라서 상이하다. 소지 강판의 Mn 함유량이 2.4질량% 내지 8.0질량% 일 경우, 평균 냉각 속도의 상한값을 특별히 제한할 필요는 없다. 그러나, 150℃ 내지 600℃의 온도 영역에 있어서의 평균 냉각 속도를 500℃/초 초과로 하는 것은, 통상의 설비에 있어서는 곤란하다. 따라서, 소지 강판의 Mn 함유량이 2.4질량% 내지 8.0질량%인 경우의, 150℃ 내지 600℃의 온도 영역에 있어서의 평균 냉각 속도는 500℃/초 이하로 한다. 평균 냉각 속도가 과도하게 큰 경우, 냉각에 관한 에너지에 의해 생산 비용이 증대되므로, 소지 강판의 Mn 함유량이 2.4질량% 내지 8.0질량%인 경우의, 150℃ 내지 600℃의 온도 영역에 있어서의 평균 냉각 속도는 바람직하게는 200℃/초 이하이다.소지 강판의 Mn 함유량이 1.2% 이상 2.4% 미만인 경우에는, 열간 성형 부재의 연성을 높이기 위해서, 500℃ 미만 150℃ 이상의 온도 영역에 있어서 완냉각을 행할 필요가 있다. 소지 강판의 Mn 함유량이 1.2% 이상 2.4% 미만인 경우, 구체적으로는, 500℃ 미만 150℃ 이상의 온도 영역에서 5℃/초 내지 20℃/초의 평균 냉각 속도로 냉각할 필요가 있으며, 더욱 구체적으로는, 이하에 설명하는 바와 같이 냉각 속도를 제어하는 것이 바람직하다.열간 프레스법에서는, 통상적으로 열간 프레스 직전에 상온 또는 수십℃ 정도의 온도를 갖는 금형이, 열간 성형 부재로부터 열을 빼앗음으로써, 열간 성형 부재의 냉각이 달성된다. 따라서, 냉각 속도를 변화시키기 위해서는, 금형의 치수를 바꾸어, 강제 금형의 열용량을 변화시키면 된다. 금형 치수를 바꾸지 않는 경우, 유체 냉각 방식의 금형을 사용하고, 또한 냉각 매체의 유량을 바꿈으로써도, 냉각 속도를 바꿀 수 있다. 또한, 미리 홈을 몇 군데 자른 금형을 사용하고, 프레스 중에 그 홈에 냉각 매체(물 또는, 가스)를 흐르게 함으로써도, 냉각 속도를 바꿀 수 있다. 또한, 프레스 도중에 프레스기를 조작하여, 금형과 열간 성형 부재를 이격시켜서, 양자 간에 가스를 흐르게 함으로써도, 냉각 속도를 바꿀 수 있다. 나아가, 금형 클리어런스를 바꾸어, 금형과 강판(열간 성형 부재)의 접촉 면적을 변화시킴으로써도, 냉각 속도를 바꿀 수 있다. 이상의 사항을 감안하여, 500℃ 전후에서 냉각 속도를 바꾸는 수단으로서는, 다음과 같은 수단이 고려된다.(1) 500℃ 도달 직후에, 열간 성형 부재를, 열용량이 서로 다른 금형 또는 100℃ 초과로 가열된 상태의 금형으로 이동시켜서, 냉각 속도를 바꾼다;(2) 유체 냉각 방식의 금형의 경우, 500℃ 도달 직후에 금형 중의 냉각 매체의 유량을 변화시켜서, 냉각 속도를 바꾼다;(3) 500℃ 도달 직후에, 프레스기를 조작하여 금형과 열간 성형 부재를 이격시켜서, 양자 간에 가스를 흐르게 하고, 이 가스의 유량을 변화시킴으로써, 냉각 속도를 바꾼다.본 실시 형태에서의 열간 프레스법에 있어서의 성형의 형태는 특별히 제한되지 않는다. 예시되는 성형의 형태는, 굽힘 가공, 드로잉 성형, 스트레치 성형, 구멍 확장 성형, 플랜지 성형이다. 목적으로 하는 열간 성형 부재의 종류나 형상에 따라서, 전술한 성형의 형태 중 바람직한 것을 적절히 선택하면 된다. 열간 성형 부재의 대표예로서, 자동차용 보강 부품인 도어 가드 바 및 범퍼 레인포스먼트 등을 들 수 있다. 예를 들어, 열간 성형 부재가, 범퍼 레인포스먼트인 경우, 소정 길이의 합금화 용융 아연 도금 강판인 전술한 열간 성형 부재를 준비하고, 금형 내에서, 전술한 조건에 의해, 이것에 구부림 성형 등의 가공을 순차 행하면 된다.또한, 상기 설명에 있어서는, 열간 성형에 대하여, 구체적 형태인 열간 프레스를 예시하여 설명해 왔지만, 본 실시 형태에 따른 제조 방법은 열간 프레스 성형으로 한정되지 않는다. 본 실시 형태에 따른 제조 방법은, 열간 프레스와 마찬가지로, 성형과 동시 또는 성형의 직후에 강판을 냉각하는 수단을 구비하고 있는 모든 열간 성형에 적용 가능하다. 이와 같은 열간 성형으로서, 예를 들어 롤 성형이 예시된다.본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재는, 연성과 충격 특성이 우수한 것이 특징이다. 본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재는, 인장 시험에서의 전체 신장이 15% 이상으로 되는 연성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 더욱 바람직하게는, 본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재의, 인장 시험에서의 전체 신장은 18% 이상이다. 가장 바람직하게는, 본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재의, 인장 시험의 전체 신장은 21% 이상이다. 한편, 본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재는, 0℃에서의 샤르피 시험의 충격값이 20J/㎠ 이상으로 되는 충격 특성을 갖는 것이 바람직하다. 이와 같은 특성을 갖는 열간 성형 부재는, 화학 조성 및 금속 조직에 관한 전술한 규정을 만족함으로써 실현된다.열간 프레스 등의 열간 성형 후에는, 통상적으로 스케일 제거 목적으로 숏블라스트 처리가 열간 성형 부재에 실시된다. 이 숏블라스트 처리는, 피처리재의 표면에 압축 응력을 도입하는 효과를 갖는다. 따라서, 숏블라스트 처리를 열간 성형 부재에 실시하는 것은, 열간 성형 부재에 있어서의 지연 파괴를 억제하고, 또한 열간 성형 부재의 피로 강도를 향상시킨다는 이점을 갖는다.003c#실시예003e#이하에 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다.표 1에 나타내는 화학 조성, 및 표 2에 나타내는 판 두께 및 금속 조직을 갖는 강판을 소지 강판으로 하였다.이 소지 강판은, 실험실에서 용제한 슬래브를, 열간 압연에 의해 제조한 강판(표 2에서 열연 강판이라 표기함), 또는, 열연 강판을 냉간 압연 및 재결정 어닐링함으로써 제조한 강판(표 2에서 냉연 강판이라 표기함)이다. 또한, 도금 시뮬레이터를 사용하여, 일부의 강판에는, 용융 아연 도금 처리(편면당 도금 부착량은 60g/㎡), 또는 합금화 용융 아연 도금 처리(편면당 도금 부착량은 60g/㎡, 도금 피막 중의 Fe 함유량은 15질량%)를 행하였다. 표 2에서, 각각을 용융 아연 도금 강판 및 합금화 용융 아연 도금 강판이라 표기한다. 또한, 냉간 압연 그대로(표 2에서 「풀 하드」라고 표기함)의 강판도 사용하였다.이들 강판을, 폭 100㎜ 및 길이 200㎜의 치수로 절단하고, 표 3에 나타내는 조건으로 가열 및 냉각하였다. 또한, 강판에 열전대를 부착하고, 냉각 속도의 측정도 행하였다. 표 3의 「평균 가열 속도」는, 실온부터 670℃까지의 온도 영역에 있어서의 평균 가열 속도를 나타낸다. 표 3의 「유지 시간」은, 670℃ 이상의 온도 영역에 강판을 유지한 시간을 나타낸다. 표 3의 「냉각 속도※1」은, 600℃부터 500℃까지의 온도 영역에서의 평균 냉각 속도를 나타내고, 「냉각 속도※2」는, 500℃부터 150℃까지의 온도 영역에서의 평균 냉각 속도를 나타낸다. 각종 제조 조건에 의해 얻어진 강판에 대하여 금속 조직 관찰, X선 회절 측정, 인장 시험 및 샤르피 시험을 실시하였다.본 실시예 및 비교예에 있어서 제작한 공시재는, 금형에 의한 열간 프레스가 실시되지 않았지만, 열간 성형 부재와 같은 열 이력을 받고 있다. 따라서, 공시재의 기계적 성질은, 동일한 열 이력을 갖는 열간 성형 부재와 실질적으로 동일하다.(소지 강판의 조직)소지 강판의 압연 방향과, 소지 강판의 압연 방향에 대하여 수직인 방향을 따라서, 열처리한 공시재로부터 시험편을 채취하였다. 계속해서, 시험편의, 압연 방향을 따른 단면 및 압연 방향에 대하여 수직인 단면의 금속 조직을 전자 현미경으로 촬영하였다. 이것에 의해 얻어진, 합계 0.01㎟의 영역의 전자 현미경 상을 화상 해석함으로써, 금속 조직을 동정하고, 베이나이트 및 마르텐사이트의 합계 면적률을 측정하였다. 또한, 전술한 시료를 전자 현미경으로 촬영함으로써 얻어진 800㎛ 사방의 영역 전자 현미경 상을 화상 해석함으로써, 시멘타이트 입자의 개수 밀도를 산출하였다.(열처리한 공시재의 오스테나이트 및 마르텐사이트의 분포 상황)소지 강판의 압연 방향과, 소지 강판의 압연 방향에 대하여 수직인 방향을 따라서, 열처리한 공시재로부터 시험편을 채취하였다. 계속해서, 시험편의, 압연 방향을 따른 단면 및 압연 방향에 대하여 수직인 단면의 금속 조직을 전자 현미경으로 촬영하였다. 이것에 의해 얻어진, 800㎛ 사방의 영역 전자 현미경 상을 화상 해석함으로써, 오스테나이트 입자 및 마르텐사이트 입자의 개수 밀도를 산출하였다.(열처리한 공시재의 오스테나이트 면적률)열처리한 각 공시재로부터 폭 25㎜ 및 길이 25㎜의 시험편을 잘라내고, 이 시험편의 표면에 화학 연마를 실시하여 0.3㎜ 두께를 줄였다. 화학 연마 후의 시험편 표면에 대하여 X선 회절을 실시하고, 이에 의해 얻어진 프로파일을 해석하고, 잔류 오스테나이트의 면적률을 얻었다. 이 X선 회절을 총 3회 반복하여, 얻어진 면적률을 평균한 값을 「오스테나이트의 면적률」로서 표에 기재하였다.(인장 시험)열처리한 각 공시재로부터, 하중 축이 압연 방향에 대하여 수직으로 되도록, JIS5호 인장 시험편을 채취하고, TS(인장 강도) 및 EL(전체 신장)을 측정하였다. 인장 강도가 900MPa 미만인 공시재, 및 전체 신장이 15% 미만인 공시재는 「불량」이라고 판정하였다.(충격 특성)열처리한 공시재를 기계 가공하여, 두께가 1.2㎜인 V 노치 시험편을 제작하였다. 그 V 노치 시험편을 4장 적층하여 나사 고정한 후, 샤르피 충격 시험에 제공하였다. V 노치의 방향은, 압연 방향으로 평행하게 하였다. 0℃에서의 충격값이 20J/㎠ 이상으로 되는 경우, 충격 특성이 「양호」라고 판정하였다.(기타 특성)열처리한 공시재를 디스케일링하고, 그 후, 공시재 표면에서의 스케일 잔여 유무를 확인하였다. 스케일 잔여가 발생한 것은, 표면 성상이 불량인 비교예라고 판단하였다. 또한, 열처리한 공시재를 0.1N 규정의 염산에 침지하여, 지연 파괴가 발생하는지 여부를 확인하였다. 지연 파괴가 발생한 것은, 지연 파괴에 견디는 특성이 불량인 비교예라고 판단하였다.(시험 결과의 설명)이들 열간 프레스를 모의한 시험 결과를 표 4에 나타낸다.또한, 표 1 내지 4에 있어서 밑줄을 그은 수치는, 그 수치에 의해 표시되는 함유량, 조건, 또는 기계 특성이 본 발명의 범위 밖임을 나타내고 있다.표 4에 있어서의 본 발명예인 공시재 No. 1 내지 3, 8, 9, 11, 13, 15, 18, 20, 21, 25, 26, 30 및 32는, 900MPa 이상의 높은 인장 강도를 가짐과 함께 우수한 연성과 충격 특성을 갖는다. 또한, 이들 본 발명예인 공시재는, 디스케일링한 후에 스케일 잔여가 발생하지 않고, 즉 표면 성상이 우수하고, 또한 절단 단부면이 염산 침지 중에 깨지지 않아, 즉 지연 파괴에 견디는 특성이 우수하였다.한편, 공시재 No. 4는, 냉각 속도가 본 발명에서 규정되는 범위를 벗어났으므로, 목표로 하는 인장 강도가 얻어지지 않았다. 공시재 No. 5 및 6은, 소지 강판의 금속 조직이 본 발명에서 규정되는 범위를 벗어났으므로, 충격 특성이 나빴다.공시재 No. 7 및 24는, 화학 조성이 본 발명에서 규정되는 범위를 벗어났으므로, 목표로 하는 인장 강도가 얻어지지 않았다.공시재 No. 10은, 소지 강판의 금속 조직이 본 발명에서 규정되는 범위를 벗어났으므로, 목표로 하는 인장 강도가 얻어지지 않았다.공시재 No. 12는, 냉각 속도가 본 발명에서 규정되는 범위를 벗어났으므로, 연성이 나빴다. 공시재 No. 14 및 16은, 가열 온도가 본 발명에서 규정되는 범위를 벗어났으므로, 연성과 충격 특성이 나빴다.공시재 No. 17은, 가열 온도가 본 발명에서 규정되는 범위를 벗어났으므로, 연성이 나빴다.공시재 No. 19는, 화학 조성이 본 발명에서 규정되는 범위를 벗어났으므로, 충격 특성이 나빴다.공시재 No. 22는, 유지 시간이 본 발명에서 규정되는 범위를 벗어났으므로, 목표로 하는 인장 강도가 얻어지지 않았다.공시재 No. 27은, 화학 조성이 본 발명에서 규정되는 범위를 벗어났으므로, 연성이 나빴다.공시재 No. 23은, 유지 시간이 본 발명에서 규정되는 범위를 벗어난 예이며, 공시재 No. 28 및 31은, 화학 조성이 본 발명에서 규정되는 범위를 벗어난 예이다. 이들 공시재는, 인장 강도, 전체 신장, 및 충격 특성은 양호하였지만, 디스케일링한 후에 스케일 잔여가 발생하여, 표면 성상이 불량하였다. 공시재 No. 29는, 화학 조성이 본 발명에서 규정되는 범위를 벗어났으므로, 0.1N 규정의 염산에 침지하면 지연 파괴가 발생하여, 지연 파괴에 견디는 특성이 불량하다고 판단되었다.또한, 본 발명예의 강판 중, 공시재 No. 1 내지 3, 7 내지 9, 11, 13, 15, 17, 19 및 21은, Si 함유량이 바람직한 범위에 있어, 연성이 더욱 양호하다. 그 중, 공시재 No. 2, 8, 11, 17, 19 및 21은, 오스테나이트의 면적률이 바람직한 범위에 있어, 연성이 극히 양호하다.	본 발명에 따른 열간 성형 부재는, 소정의 화학 조성을 갖고, 10면적% 내지 40면적%의 오스테나이트를 함유함과 함께, 상기 오스테나이트 및 마르텐사이트의 결정립 합계 개수 밀도가 1.0개/㎛2 이상인 금속 조직을 갖고, 인장 강도가 900MPa 내지 1300MPa이다.
[ 발명의 명칭 ] 열간 성형 부재 및 그 제조 방법HOT-FORMED MEMBER AND PROCESS FOR MANUFACTURING SAME [ 기술분야 ] 본 발명은, 예를 들어 자동차의 보디 구조 부품 등의 기계 구조 부품 등에 사용되는, 열간 성형 부재, 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 구체적으로는, 본 발명은 900MPa 이상의 인장 강도를 가지면서, 우수한 연성과 충격 특성을 갖는 열간 성형 부재 및 그 제조 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 최근, 자동차의 경량화를 위해서, 차체에 사용하는 강재를 고강도화하여, 강재의 사용 중량을 줄이는 노력이 진행되고 있다. 자동차에 관한 기술 분야에서 널리 사용되는 박강판에 있어서는, 강판 강도의 증가에 수반하여, 프레스 성형성이 저하되어, 복잡한 형상을 갖는 부재를 제조하는 것이 곤란해진다. 구체적으로는, 강판 강도의 증가에 의해 강판의 연성이 저하되고, 이에 의해, 부재 중의 가공도가 높은 부위에서 파단이 발생하고/발생하거나, 부재의 스프링백과 벽 휨이 커지게 되어 부재의 치수 정밀도가 열화되는 등의 문제가 발생한다. 따라서, 고강도, 특히 900MPa급 이상의 인장 강도를 갖는 강판에 프레스 성형을 적용함으로써 복잡한 형상을 갖는 부재를 제조하는 것은, 용이하지 않다. 프레스 성형이 아니라, 롤 성형에 의하면, 고강도의 강판을 가공할 수 있지만, 롤 성형은, 길이 방향으로 균일한 단면을 갖는 부재의 제조 방법에만 적용할 수 있다.한편, 특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같이, 가열한 강판을 프레스 성형하는 열간 프레스라 불리는 방법에서는, 고강도 강판으로부터 복잡한 형상의 부재를 치수 정밀도 좋게 성형하는 것이 가능하다. 왜냐하면, 열간 프레스 공정에서는, 강판이 고온으로 가열된 상태에서 가공되므로, 가공 시의 강판은 연질이며, 또한 고연성을 갖고 있기 때문이다. 또한, 열간 프레스에서는, 강판을 프레스 가공 전에 오스테나이트 단상 영역에 가열해 두고, 프레스 가공 후에 강판을 금형 내에서 급냉(담금질)함으로써, 마르텐사이트 변태에 의한 부재의 고강도화도 달성할 수 있다. 따라서, 열간 프레스법은, 부재의 고강도화와 강판의 성형성을 동시에 확보할 수 있는 우수한 성형 방법이다.또한, 특허문헌 2에는, 실온에서 강판을 미리 소정의 형상으로 성형하고, 이것에 의해 얻어진 부재를 오스테나이트 영역에 가열하고, 또한 금형 내에서 급냉함으로써, 부재의 고강도화를 달성하는 예비 프레스 ��칭법이 개시되어 있다. 열간 프레스의 일 형태인 예비 프레스 ��칭법은, 금형에 의해 부재를 구속하고, 열 왜곡에 의한 부재의 변형을 억제할 수 있다. 예비 프레스 ��칭법은, 부재를 고강도화하여, 더 높은 치수 정밀도를 얻을 수 있는 우수한 성형 방법이다.그러나, 최근에는, 열간 성형 부재에는 연성도 요구되고 있어, 금속 조직이 실질적으로 마르텐사이트 단상인, 특허문헌 1이나 특허문헌 2로 대표되는 종래 기술에서는, 이러한 요구에 부응할 수 없다는 문제가 발생하고 있다.그런데, 특허문헌 3에는, C의 함유량을 0.1% 이하로 제한한 강판을 오스테나이트 단상 영역에 가열하고, 열간 프레스를 행함으로써, 페라이트와 마르텐사이트를 포함하는 복상 조직으로 함으로써, 전부성이 우수하다고 간주되는 부재가 개시되어 있다. 이와 같이 강판을 오스테나이트 단상 영역에 가열함으로써, 부재의 금속 조직은 균일해진다. 그러나, 특허문헌 3의 실시예 기재 등으로부터 명백해진 바와 같이, 특허문헌 3에 기재된 부재에서는 C의 함유량을 0.1% 이하로 제한하고 있으므로, 부재의 인장 강도는 기껏해야 700MPa이며, 자동차의 경량화에 기여하는 충분한 강도를 갖고 있지 않다.또한, 특허문헌 4에는, 다량의 Cr을 첨가한 강판을 오스테나이트 단상 영역에 가열하고, 프레스 전후에, 오스테나이트의 일부를 페라이트 변태시켜서, 조직을 복상, 구체적으로는, 페라이트와 마르텐사이트의 2상으로 함으로써, 인장 강도가 980MPa 이상이며, 연성이 더욱 우수한 부재가 개시되어 있다. 그러나, 특허문헌 4에 개시된 바와 같은 Cr을 다량으로 첨가한 강을 사용하면, 강 중에 형성된 시멘타이트나 M23C6 등의 탄화물이 가열 중에 고용되기 어려워지므로, 안정된 기계 특성을 확보하기 위해서는 장시간의 가열이 필요해진다. 또한, 페라이트 변태에 요하는 시간이 길어지므로, 일단 오스테나이트 단상 영역에 가열한 후에, 2상 조직을 형성시키기 위해 장시간 유지하는 등의 제조 공정이 새롭게 필요해진다. 따라서, 열간 성형 부재의 제조 비용의 증가를 초래할 뿐만 아니라, 현저하게 생산성을 저해하는 방법으로, 양산 기술로서는 적합하지 않다.한편, 특허문헌 5 내지 7에는, 평균 입경(페라이트 상의 평균 입경, 혹은 또한 제2 상을 포함하는 경우에는 페라이트 상과 제2 상의 평균 입경)이 15㎛ 이하인 냉연 강판을 페라이트와 오스테나이트의 2상 조직이 되도록 가열하고, 그 조직을 유지한 채 프레스하여, 금형 내에서 급냉함으로써, 조직이 페라이트와 마르텐사이트의 2상이며, 각각의 평균 입경이 7㎛ 이하인, 고강도이고 연성이 우수하게 되는 부재가 개시되어 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 영국 특허 공보 제1490535호일본 특허공개 평10-96031호 공보일본 특허공표 제2010-521584호 공보일본 특허공개 제2010-131672호 공보일본 특허공개 제2010-65293호 공보일본 특허공개 제2010-65292호 공보일본 특허공개 제2010-65295호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 특허문헌 5 내지 7에 기재된 바와 같이, 열간 성형 부재의 금속 조직은 열간 프레스에 제공하는 강판의 금속 조직에 영향을 받는다. 특히, 금속 조직의 미세화는, 특허문헌 5 내지 7에 도시된 바와 같이, 부재의 연성 향상에 기여하는 중요한 조직 제어 방법이다.한편, 본 발명자들은, 열간 성형에 제공하는 강판의 조직을 미세화함과 함께 균일화함으로써, 부재의 충격 특성을 향상시키는 것이 가능하게 된다는 사실을 새롭게 알게 되었다. 그리고, 열간 성형에 제공하는 강판의 조직을 미세화함과 함께 균일화하기 위해서는, 열연 강판을 냉간 압연하고, 또한 재결정 온도로 어닐링하는 것이 필요하다는 사실을 더 알게 되었다.이러한 점에 관하여, 특허문헌 5 내지 7에 개시된 방법에서는, 열간 프레스에 제공하는 강판의 조직을 미세화하기 위해서, 어닐링 온도를 Ac1점 근방으로 제어하고 있다. 본 발명자들의 지견에 의하면, 이와 같은 제조 조건에서는, 미재결정 페라이트가 열간 프레스에 제공하는 강판에 많이 잔존하게 된다. 그리고, 그와 같은 미재결정 페라이트는, 페라이트와 오스테나이트가 공존하는 2상 온도 영역에서 가열했다고 해도 재결정되지 않기 때문에, 열간 프레스 후의 조직은 매우 불균일해진다. 또한, 특허문헌 5 내지 7에 개시된 방법에서는, 강판에 많은 Ti를 함유시키는 것도 상정되어 있다. Ti는 페라이트의 재결정을 방해하는 작용을 가지므로, 많은 Ti를 함유시키면 미재결정 페라이트가 많이 잔존할 우려가 있다. 그러나, 특허문헌 5 내지 7에 개시된 기술에 있어서는, 미재결정 페라이트를 제어한다는 발상이 보이지 않는다. 따라서, 특허문헌 5 내지 7에 개시된 방법에서는, 열간 성형 부재의 조직을 미세화하여, 그 연성을 향상시키는 것은 가능하지만, 그 충격 특성은 현저히 부족하다.이와 같이, 열간 성형에 의해 제조되고, 900MPa 이상의 인장 강도를 갖고, 또한 연성 및 충격 특성이 우수한 부재를 제공하는 양산 기술은 아직 확립되어 있지 않다.본 발명의 구체적 과제는, 전술한 바와 같이 종래에는 양산하는 것이 불가능했던, 연성 및 충격 특성이 우수한, 인장 강도가 900MPa 이상의 열간 성형 부재 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명자들은, 인장 강도가 900MPa 이상의 열간 성형 부재의 연성과 충격 특성을 개선하기 위해 예의 검토를 행한 결과, (1) 열간 성형 부재의 Ti 함유량을 한정된 범위 내로 하고, (2) 열간 성형 부재의 금속 조직을, 페라이트 및 마르텐사이트로 이루어지는 미세하고 또한 균일한 금속 조직으로 함으로써, 열간 성형 부재의 연성과 충격 특성이 개선된다고 하는 새 지견을 얻었다. 그리고, 이러한 금속 조직을 갖는 열간 성형 부재는, 전술한 화학 조성을 가짐과 함께 미세하고 또한 균일한 금속 조직을 갖는 강판을 열간 성형에 제공하는 강판으로서 사용하고, 또한 열간 성형 시의 열처리 조건을 적정화함으로써, 달성된다고 하는 새 지견을 얻었다.본 발명은 그 지견에 기초하여 이루어진 것이며, 그 요지는 이하와 같다. (1) 본 발명의 일 형태에 따른 열간 성형 부재는, 화학 조성이, 질량%로, C: 0.10% 내지 0.40%, Si: 0% 내지 2.0%, Mn: 1.0% 내지 3.0%, P: 0.05% 이하, S: 0.01% 이하, sol.Al: 0.001% 내지 1.0%, Ti: 0.050% 내지 0.30%, N: 0.01% 이하, Nb: 0% 내지 0.4%, V: 0% 내지 0.4%, Cr: 0% 내지 1.0%, Mo: 0% 내지 1.0%, Cu: 0% 내지 1.0%, Ni: 0% 내지 1.0%, Ca: 0% 내지 0.01%, Mg: 0% 내지 0.01%, REM: 0% 내지 0.01%, Zr: 0% 내지 0.01%, B: 0% 내지 0.01%, Bi: 0% 내지 0.01%, 및 잔량부: Fe 및 불순물이며, 면적%로, 페라이트: 10% 내지 90%, 미재결정 페라이트: 0% 내지 2.0%, 및 마르텐사이트: 10% 내지 90%이며, 상기 페라이트 및 상기 마르텐사이트의 합계 면적률: 90% 내지 100%이며, 상기 페라이트의 평균 입경이 0.5㎛ 내지 5.0㎛인 금속 조직을 갖고, 인장 강도가 900MPa 내지 1800MPa이다.(2) 상기 (1)에 기재된 열간 성형 부재는, 상기 화학 조성이, 질량%로, Nb: 0.003% 내지 0.4%, V: 0.003% 내지 0.4%, Cr: 0.005% 내지 1.0%, Mo: 0.005% 내지 1.0%, Cu: 0.005% 내지 1.0%, 및 Ni: 0.005% 내지 1.0%로 이루어지는 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 함유해도 된다.(3) 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 열간 성형 부재는, 상기 화학 조성이, 질량%로, Ca: 0.0003% 내지 0.01%, Mg: 0.0003% 내지 0.01%, REM: 0.0003% 내지 0.01%, 및 Zr: 0.0003% 내지 0.01%로 이루어지는 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 함유해도 된다.(4) 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 열간 성형 부재는, 상기 화학 조성이, 질량%로, B: 0.0003% 내지 0.01％를 함유해도 된다.(5) 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 기재된 열간 성형 부재는, 상기 화학 조성이, 질량%로, Bi: 0.0003% 내지 0.01% 이하를 함유해도 된다.(6) 본 발명의 다른 형태에 따른 열간 성형 부재의 제조 방법은, 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 열간 성형 부재의 상기 화학 조성과 동일한 화학 조성을 갖고, 미재결정 페라이트의 함유량이 0면적% 내지 2.0면적%이며, 페라이트의 평균 입경이 0.5㎛ 내지 7.0㎛인 금속 조직을 갖는 소재 강판을 720℃ 이상 Ac3점 미만의 온도 영역에서 가열하는 가열 공정과, 상기 가열 공정에 이어서, 상기 소재 강판의 온도를 720℃ 이상 Ac3점 미만의 상기 온도 영역에 1분간 내지 20분간 유지하는 유지 공정과, 상기 유지 공정에 이어서, 상기 소재 강판에 열간 성형을 행하는 열간 성형 공정과, 상기 열간 성형 공정에 이어서, 상기 소재 강판을, 600℃ 내지 150℃의 온도 영역에서 평균 냉각 속도가 20℃/초 내지 500℃/초인 조건으로 냉각하는 냉각 공정을 포함한다.(7) 본 발명의 다른 형태에 따른 열간 성형 부재의 제조 방법은, 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 열간 성형 부재의 상기 화학 조성과 동일한 화학 조성을 갖고, 미재결정 페라이트가 2.0면적% 초과이며, 페라이트의 평균 입경이 0.5㎛ 내지 7.0㎛ 이하인 금속 조직을 갖는 소재 강판을 Ac3점 내지 Ac3점+100℃의 온도 영역에서 가열하는 가열 공정과, 상기 가열 공정에 이어서, 상기 소재 강판의 온도를 Ac3점 내지 Ac3점+100℃의 상기 온도 영역에 30초간 이상 20분간 미만 유지하는 유지 공정과, 상기 유지 공정에 이어서, 상기 소재 강판에 열간 성형을 행하는 열간 성형 공정과, 상기 열간 성형 공정에 이어서, 상기 소재 강판을, Ac3점 내지 600℃의 온도 영역에서 평균 냉각 속도가 3℃/초 내지 20℃/초인 조건으로 냉각하는 냉각 공정을 포함한다.(8) 상기 (6) 또는 (7)에 기재된 열간 성형 부재의 제조 방법은, 상기 소재 강판이, 냉연 강판, 용융 아연 도금 강판, 및 합금화 용융 아연 도금 강판으로 이루어지는 군에서 선택된 1종이어도 된다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 의해, 연성 및 충격 특성이 우수한, 인장 강도가 900MPa 이상의 열간 성형 부재의 실용화, 및 이와 같은 열간 성형 부재의 양산이 비로소 가능해진다고 하는, 기술적으로 가치 있는 효과가 달성된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은, 본 발명에 따른 제조 방법을 나타내는 흐름도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 다음으로, 전술한 지견에 기초하여 달성된, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 열간 성형 부재와 그 제조 방법에 대하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서는, 열간 성형에 대하여, 구체적 형태인 열간 프레스를 예로 들어 설명한다. 그러나, 이하의 설명에 있어서 개시되는 제조 조건과 실질적으로 동일한 제조 조건이 달성되는 것이면, 열간 프레스 이외의 성형 방법, 예를 들어 롤 성형 등을 열간 성형 방법으로서 채용해도 된다. 또한, 본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재의 인장 강도는 900MPa 내지 1800MPa이다. 자동차 등의 기계 구조 부품의 경량화를 도모하기 위해서는, 그 재료의 인장 강도를 900MPa 이상으로 할 필요가 있다. 또한, 강판의 취성 파괴 발생을 방지하기 위해서는, 인장 강도를 1800MPa 이하로 할 필요가 있다. 이와 같은 인장 강도는, 본 실시 형태에 있어서는, C 등의 각종 합금 원소의 함유량과, 제조 방법을 적절하게 제어함으로써 달성된다.1. 화학 조성처음에, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 열간 성형 부재의 화학 조성을 전술한 바와 같이 규정한 이유를 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 각 합금 원소의 함유량을 나타내는 「%」는, 특별히 언급이 없는 한 「질량%」를 의미한다. 또한, 강(鋼)의 화학 조성은 열간 성형이 행해져도 변화되지 않으므로, 열간 성형을 받기 전의 소재 강판 중의 각 원소의 함유량과, 열간 성형 후의 열간 성형 부재 중의 각 원소의 함유량과는 각각 동등하다.(C: 0.10% 내지 0.40%)C는, 강의 담금질성을 높이고, 또한 담금질 후의 강도에 가장 강하게 영향을 미치는, 매우 중요한 원소이다. C 함유량이 0.10% 미만에서는, 담금질 후에 900MPa 이상의 인장 강도를 확보하는 것이 곤란해진다. 따라서, C 함유량은 0.10% 이상으로 한다. 전술한 효과를 더욱 확실하게 얻기 위해서, 바람직하게는 C 함유량은 0.11% 이상이다. 한편, C 함유량이 0.40% 초과에서는, 열간 성형 부재의 충격 특성의 열화가 현저하게 되고, 나아가 열간 성형 부재의 용접성이 저하되는 경우도 있다. 따라서, C 함유량은 0.40% 이하로 한다. 용접성의 관점에서는, C 함유량을 0.28% 이하로 하는 것이 바람직하다.(Si: 0% 내지 2.0%)본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재에 있어서, Si를 함유하는 것은 필수적이지 않다. 따라서, Si 함유량의 하한값은 0%이다. 그러나, Si는, 연성을 열화시키지 않거나, 혹은, 연성을 향상시키면서, 담금질 후의 강도를 높이는 작용을 갖는 원소이다. Si 함유량이 0.001% 미만에서는 상기 작용을 얻는 것이 곤란하다. 따라서, 상기 효과를 얻기 위해서, Si 함유량을 0.001% 이상으로 해도 된다. 또한, Si 함유량을 0.05% 이상으로 하면, 연성이 더욱 향상된다. 따라서, Si 함유량은 0.05% 이상으로 하는 것이 바람직하다. 한편, Si 함유량이 2.0% 초과에서는, 상기 작용에 의한 효과는 포화해서 경제적으로 불리해지는 동시에, 표면 성상의 열화가 현저해진다. 따라서, Si 함유량은 2.0% 이하로 한다. 바람직하게는 1.5% 이하이다.(Mn: 1.0% 내지 3.0%)Mn은, 강의 담금질성을 높이고, 담금질 후의 강도를 안정되어서 확보하기 위해서, 매우 효과적인 원소이다. 그러나, Mn 함유량이 1.0% 미만에서는, 그 효과를 충분히 얻지 못하여, 담금질 후에 900MPa 이상의 인장 강도를 확보하는 것이 매우 곤란해진다. 따라서, Mn 함유량은 1.0% 이상으로 한다. 또한, Mn 함유량을 1.6% 이상으로 하면, 담금질 후에 980MPa 이상의 인장 강도를 확보하는 것이 가능하게 된다. 이로 인해, Mn 함유량은 1.6% 이상으로 하는 것이 바람직하다. 한편, Mn 함유량이 3.0% 초과에서는, 열간 성형 부재의 금속 조직이 불균일하게 되어, 충격 특성의 열화가 현저해진다. 따라서, Mn 함유량은 3.0% 이하로 한다. 또한, 열간 성형을 적용하기 전의 소재 강판의 인장 강도를 낮게 하면, 후의 열간 성형 공정에서의 생산성이 향상된다. 이 효과를 얻기 위해서는, Mn 함유량을 2.4% 이하로 하는 것이 바람직하다.(P: 0.05% 이하)P는, 일반적으로는 강에 불가피하게 함유되는 불순물이다. 그러나 본 실시 형태에 있어서, P는 고용 강화에 의해 열간 성형 부재의 강도를 높이는 작용을 가지므로, P를 적극적으로 함유시켜도 된다. 그러나, P 함유량이 0.05% 초과에서는, 열간 성형 부재의 용접성 열화가 현저해진다. 따라서, P 함유량은 0.05% 이하로 한다. 열간 성형 부재의 용접성 열화를 더욱 확실하게 방지하기 위해서는, P 함유량을 0.02% 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 작용을 보다 확실하게 얻기 위해서는, P 함유량을 0.003% 이상으로 하는 것이 바람직하다. 그러나, P 함유량이 0%였다고 해도, 과제를 해결하기 위해 필요한 특성을 얻을 수 있으므로, P 함유량의 하한값을 제한할 필요는 없다. 즉, P 함유량의 하한값은 0%이다.(S: 0.01% 이하)S는, 강에 함유되는 불순물이다. 용접성을 향상시키기 위해서는, S 함유량이 낮을수록 바람직하다. S 함유량이 0.01% 초과에서는, 용접성의 저하가, 허용할 수 없을 정도로 현저해진다. 따라서, S 함유량은 0.01% 이하로 한다. 용접성의 저하를 또한 확실하게 방지하기 위해서는, S 함유량은, 0.003% 이하로 하는 것이 바람직하고, 0.0015% 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다. S 함유량은 적으면 적을수록 바람직하므로, S 함유량의 하한값을 규정할 필요는 없다. 즉, S 함유량의 하한값은 0%이다.(sol.Al: 0.001% 내지 1.0%)sol.Al이란, 고용 상태에서 강 중에 존재하는 고용 Al임을 나타낸다. Al은, 강을 탈산하는 작용을 갖는 원소이며, 또한 Ti 등의 탄질화물 형성 원소가 산화하는 것을 방지하여, 탄질화물의 형성을 촉진하는 작용을 갖는 원소이기도 하다. 이 작용에 의해, 표면 흠집이 강재에 발생하는 것을 억제하여, 강재의 수율을 향상시킬 수 있다. sol.Al 함유량이 0.001% 미만에서는, 상기 작용을 얻는 것이 곤란해진다. 따라서, sol.Al 함유량은 0.001% 이상으로 한다. 상기 작용을 더욱 확실하게 얻기 위해서는, sol.Al 함유량이 0.015% 이상인 것이 바람직하다. 한편, sol.Al 함유량이 1.0% 초과에서는, 열간 성형 부재의 용접성이 현저하게 저하됨과 함께, 산화물계 개재물이 열간 성형 부재 중에 증가하여, 열간 성형 부재의 표면 성상이 현저하게 열화된다. 따라서, sol.Al 함유량은 1.0% 이하로 한다. 상기한 현상을 더욱 확실하게 회피하기 위해서는, sol.Al 함유량이 0.080% 이하인 것이 바람직하다.(Ti: 0.050% 내지 0.30%)Ti는, 본 실시 형태에 있어서 중요한 원소이다. Ti를 함유시킴으로써, 열간 성형 부재 중에, Ti 탄화물, Ti 질화물, 및/또는 Ti 탄질화물인 미세한 석출물을 형성하고, 담금질 후의 금속 조직을 미세화하는 것이 가능하게 되고, 이에 의해 열간 성형 부재의 연성을 현저하게 향상시킨다. Ti 함유량이 0.050% 미만에서는, 담금질 후의 금속 조직이 미세하게 되지 않아, 연성을 향상시킬 수 없다. 따라서, Ti 함유량은 0.050% 이상으로 한다. 바람직하게는, Ti 함유량은 0.070% 이상이다. 한편, Ti 함유량이 0.30% 초과에서는, 주조 시 및 열간 압연 시에 조대한 탄질화물이 형성되어, 열간 성형 부재의 충격 특성의 열화가 현저해진다. 따라서, Ti 함유량은 0.30% 이하로 한다. Ti 함유량은, 바람직하게는 0.25% 이하, 더욱 바람직하게는 0.20% 이하이다.(N: 0.01% 이하)N은, 강에 함유되는 불순물이다. 용접성을 향상시키기 위해서는, N 함유량이 낮은 편이 바람직하다. N 함유량이 0.01% 초과에서는, 열간 성형 부재의 용접성의 저하가, 허용할 수 없을 정도로 현저해진다. 따라서, N 함유량은 0.01% 이하로 한다. 용접성의 저하를 더욱 확실하게 회피하기 위해서, N 함유량은 바람직하게는 0.006% 이하이다. N 함유량은 적으면 적을수록 바람직하므로, N 함유량의 하한값을 규정할 필요는 없다. 즉, N 함유량의 하한값은 0%이다.본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재의 화학 조성은, 잔량부가 Fe 및 불순물이다. 불순물이라 함은, 강재를 공업적으로 제조할 때, 광석 또는 스크랩 등과 같은 원료, 또는 제조 공정의 다양한 요인에 의해 혼입되는 성분으로서, 본 실시 형태에 악영향을 주지 않는 범위에서 허용되는 것을 의미한다. 그러나, 실시 형태에 따른 열간 성형 부재는, 임의 성분으로서, 이하에 설명하는 바와 같은 원소를 더 함유해도 된다. 또한, 이하에 설명하는 임의 원소를 열간 성형 부재에 함유시키지 않아도, 과제를 해결하기 위해 필요한 특성을 얻을 수 있으므로, 임의 원소 함유량의 하한값을 제한할 필요는 없다. 즉, 임의 원소 각각의 함유량의 하한값은 0%이다.(Nb: 0% 내지 0.4%, V: 0% 내지 0.4%, Cr: 0% 내지 1.0%, Mo: 0% 내지 1.0%, Cu: 0% 내지 1.0%, 및 Ni: 0% 내지 1.0%로 이루어지는 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상)이들 원소는, 모두 강의 담금질성을 높이고, 또한 담금질 후의 열간 성형 부재의 강도를 안정적으로 확보하기 위해 효과적인 원소이다. 따라서, 이들 원소 중 1종 또는 2종 이상을 열간 성형 부재에 함유시켜도 된다. 그러나, Nb 및 V에 대해서는, 각각 0.4％를 초과해서 함유시키면, 제조 공정에 있어서 열간 압연 및 냉간 압연의 실시가 곤란해진다. 또한, Nb 및 V를 각각 0.4％를 초과해서 함유시키면, 담금질 후의 열간 성형 부재의 조직이 불균일해지기 쉬워져서, 열간 성형 부재의 충격 특성이 현저하게 열화된다. 또한, Cr, Mo, Cu 및 Ni에 대해서는, 1.0％를 초과해서 함유시키면, 상기 작용에 의한 효과가 포화해서 경제적으로 불리해지는 동시에, 제조 공정에 있어서 열간 압연 및 냉간 압연이 곤란해진다. 또한, 상기 작용에 의한 효과를 보다 확실하게 얻기 위해서는, Nb: 0.003% 이상, V: 0.003% 이상, Cr: 0.005% 이상, Mo: 0.005% 이상, Cu: 0.005% 이상 및 Ni: 0.005% 이상의 수치 범위 중 적어도 하나를 만족시키는 것이 바람직하다.(Ca: 0% 내지 0.01%, Mg: 0% 내지 0.01%, REM: 0% 내지 0.01%, 및 Zr: 0% 내지 0.01%로 이루어지는 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상)이들 원소는, 모두 개재물 제어, 특히 개재물의 미세 분산화에 기여하고, 열간 성형 부재의 저온 인성을 높이는 작용을 갖는 원소이다. 따라서, 이들 원소 중 1종 또는 2종 이상을 함유시켜도 된다. 그러나, 어떠한 원소도 0.01％를 초과해서 함유시키면, 열간 성형 부재의 표면 성상을 열화시키는 경우가 있다. 따라서, 각 원소를 함유시키는 경우, 각 원소의 함유량은, 각각 상기한 바와 같이 한다. 또한, 상기 작용에 의한 효과를 보다 확실하게 얻기 위해서는, 첨가하는 상기 각 원소의 함유량을 각각 0.0003% 이상으로 하는 것이 바람직하다.여기서, 「REM」이란 용어는, Sc, Y 및 란타노이드로 이루어지는 합계 17 원소를 가리키고, 「REM의 함유량」이란, 이들 17 원소의 합계 함유량을 의미한다. 란타노이드를 REM으로서 사용하는 경우, 공업적으로는, REM은 미시 메탈의 형태로 첨가된다.(B: 0% 내지 0.01%)B는, 열간 성형 부재의 저온 인성을 높이는 작용을 갖는 원소이다. 따라서, 열간 성형 부재에 B를 함유시켜도 된다. 그러나, 0.01％를 초과해서 B를 함유시키면, 소재 강판의 열간 가공성이 열화되어, 열간 압연의 실시가 곤란해진다. 따라서, B를 열간 성형 부재 중에 함유시키는 경우, B 함유량은 0.01% 이하로 한다. 또한, 상기 작용에 의한 효과를 보다 확실하게 얻기 위해서는, B 함유량을 0.0003% 이상으로 하는 것이 바람직하다.(Bi: 0% 내지 0.01%) Bi는, 열간 성형 부재의 금속 조직을 균일하게 하고, 열간 성형 부재의 충격 특성을 높이는 작용을 갖는 원소이다. 따라서, Bi를 열간 성형 부재에 함유시켜도 된다. 그러나, 0.01％를 초과한 양의 Bi를 함유시키면, 소재 강판의 열간 가공성이 열화되어, 열간 압연의 실시가 곤란해진다. 따라서, Bi를 열간 성형 부재 중에 함유시키는 경우, Bi 함유량은 0.01% 이하로 한다. 또한, 상기 작용에 의한 효과를 보다 확실하게 얻기 위해서는, Bi 함유량을 0.0003% 이상으로 하는 것이 바람직하다.2. 열간 성형 부재의 금속 조직다음으로, 본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재의 금속 조직에 대하여 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 각 금속 조직의 함유량을 나타내는 「%」는, 특별히 언급이 없는 한 「면적%」를 의미한다.이하에서 설명하는 금속 조직의 구성은, 판 두께의 대략 1/2t의 위치 내지 대략 1/4t의 위치이며, 또한 중심 편석부가 아닌 위치에서의 구성이다. 중심 편석부는, 강재의 대표적인 금속 조직과는 상이한 금속 조직을 갖는 경우가 있다. 그러나, 중심 편석부는, 판 두께 전체에 대하여 미소한 영역이며, 강재의 특성에 거의 영향을 미치지 않는다. 즉, 중심 편석부의 금속 조직은, 강재의 금속 조직을 대표하고 있다고 할 수 없다. 따라서, 본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재의 금속 조직의 규정은, 판 두께의 대략 1/2t의 위치 내지 대략 1/4t의 위치이며, 또한 중심 편석부가 아닌 위치에서의 것으로 한다. 또한, 「1/2t의 위치」라 함은, 열간 성형 부재 표면으로부터 부재 두께 t의 1/2의 깊이인 위치를 나타내고, 「1/4t의 위치」라 함은, 열간 성형 부재 표면으로부터 부재 두께 t의 1/4의 깊이인 위치를 나타낸다.본 실시 형태에서는, 압연 가공에 의한 소성 변형을 받아서 압연 방향으로 연신되고, 그 후에 재결정하지 않고 잔존한 페라이트를 「미재결정 페라이트」라 칭한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 미재결정 페라이트 이외의 페라이트를 「페라이트」 또는 「통상 페라이트」라 칭한다. 또한, 「미재결정 페라이트」라는 용어는, 당업자에게 있어서 주지의 용어이다. 통상 페라이트는, 재결정에 의해 발생한 재결정 페라이트 및 상 변태에 의해 발생한 변태 페라이트 등을 포함한다.미재결정 페라이트의 입자 내에서는, 압연에 의한 소성 변형 때문에, 결정 방위가 연속적으로 변화하고 있다. 이에 반하여, 통상 페라이트의 입자 내의 결정 방위는 거의 균일하며, 인접하는 통상 페라이트 결정립끼리의 결정 방위는 크게 상이하다. 이와 같은 상이에 기인하여 미재결정 페라이트는, 통상 페라이트보다도 높은 경도를 갖는다.미재결정 페라이트는, 압연 방향으로 연신된 형상을 가지므로, 금속 조직을 현미경으로 관찰함으로써, 미재결정 페라이트와 통상 페라이트를 구별할 수 있다. 또한, 미재결정 페라이트와 통상 페라이트는 결정 방위의 상태가 상이하므로, 금속 조직의 전자 후방 산란 해석 상(EBSP: Electron back scattering pattern)의 결정 방위 측정 데이터를 Kernel Average Misorientation법(KAM법)에 의해 해석함으로써, 미재결정 페라이트와 통상 페라이트를 구별할 수 있다. 본 실시 형태에 있어서는, 애스펙트비가 4 이상인 페라이트를 미재결정 페라이트라 하고, 애스펙트비가 4 미만인 페라이트를 통상 페라이트라 한다.(페라이트의 면적률: 10% 내지 90%)페라이트의 면적률이 10% 미만에서는, 페라이트의 결정립끼리가 인접하지 않게 된다. 즉, 페라이트의 대부분이 고립되어, 열간 성형 부재의 연성을 향상시킬 수 없다. 따라서, 페라이트의 면적률은 10% 이상으로 한다. 한편, 페라이트의 면적률이 90% 초과에서는, 마르텐사이트의 면적률이 10% 미만으로 되어, 후술하는 바와 같이, 담금질 후에 900MPa 이상의 인장 강도를 확보하는 것이 곤란해진다. 따라서, 페라이트의 면적률은 90% 이하로 한다. 페라이트와 마르텐사이트의 비율은, 페라이트의 면적률이 상기 범위에 들어가는 한, 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 페라이트: 25 내지 85%, 마르텐사이트: 15 내지 75%이다.(미재결정 페라이트의 면적률: 0% 내지 2.0%)미재결정 페라이트가 열간 성형 부재의 금속 조직 중에 잔존함으로써, 담금질 후의 열간 성형 부재의 강도는 높아지지만, 금속 조직이 매우 불균일해지므로, 열간 성형 부재의 연성과 충격 특성과는 현저하게 열화된다. 구체적으로는, 미재결정 페라이트의 면적률이 2.0% 초과인 경우, 원하는 연성과 충격 특성이 얻어지지 않게 된다. 따라서, 열간 성형 부재의 미재결정 페라이트의 면적률은 2.0% 이하로 한다(0%의 경우도 포함함).(마르텐사이트의 면적률: 10% 내지 90%)마르텐사이트를 열간 성형 부재의 금속 조직 중에 형성시킴으로써, 담금질 후의 열간 성형 부재의 강도를 높일 수 있다. 마르텐사이트의 면적률이 10% 미만에서는, 담금질 후에 900MPa 이상의 인장 강도를 확보하는 것이 곤란해진다. 따라서, 마르텐사이트의 면적률은 10% 이상으로 한다. 한편, 마르텐사이트의 면적률이 90% 초과에서는, 페라이트(재결정 페라이트)의 면적률이 10% 미만으로 되어, 전술한 바와 같이, 연성을 향상시킬 수 없다. 따라서, 마르텐사이트의 면적률은 90% 이하로 한다.(페라이트 및 마르텐사이트의 합계 면적률: 90% 내지 100%)본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재는, 주로 페라이트 및 마르텐사이트로 이루어지는 금속 조직을 갖지만, 제조 조건에 따라서, 페라이트 및 마르텐사이트 이외의 상 또는 조직으로서, 베이나이트, 잔류 오스테나이트, 시멘타이트 및 펄라이트 중 1종 또는 2종 이상이 금속 조직 중에 혼입되는 경우가 있다. 이 경우, 페라이트 및 마르텐사이트 이외의 상 또는 금속 조직의 면적률이 10％를 초과하면, 이들 상 또는 금속 조직의 영향에 의해, 목적으로 하는 특성이 얻어지지 않는 경우가 있다. 따라서, 페라이트 및 마르텐사이트 이외의 상 또는 조직의 면적률은 10% 미만으로 한다. 즉, 페라이트 및 마르텐사이트의 합계 면적률은 90% 이상으로 한다. 페라이트 및 마르텐사이트의 합계 면적률의 상한을 규정할 필요는 없으므로, 페라이트 및 마르텐사이트의 합계 면적률의 상한은 100%로 된다.이상의 금속 조직에서의 각 상의 면적률 측정법은, 당업자에게는 주지의 사실이며, 본 실시 형태에 있어서도 통상의 방법에 의해 측정할 수 있다. 후에 실시예에서 설명하는 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서는, 열간 성형 부재의 원료인 소재 강판의 압연 방향과 압연 방향에 대하여 수직인 방향을 따라서, 열간 성형 부재로부터 시험편을 채취한다. 계속해서, 시험편의, 압연 방향을 따른 단면과 압연 방향에 대하여 수직인 단면과의 금속 조직을 전자 현미경으로 촬영한다. 이것에 의해 얻어진, 800㎛×800㎛의 영역(800㎛사방의 영역)의 전자 현미경 사진을 화상 해석함으로써, 미재결정 페라이트, 페라이트 및 마르텐사이트의 면적률을 산출한다. 페라이트 입자 및 마르텐사이트 입자를 주위의 조직으로부터 구별하는 것은, 전자 현미경을 사용하면, 용이하게 행할 수 있다. 또한, 페라이트 입자와 미재결정 페라이트 입자를 구별하는 것은, 입자의 형상으로부터 입자의 애스펙트비를 산출하여, 애스펙트비가 4 이상인 페라이트 입자를 미재결정 페라이트 입자라 판단하고, 애스펙트비가 4 미만인 페라이트 입자를 페라이트 입자라 판단함으로써 행할 수 있다.(페라이트의 평균 입경: 0.5㎛ 내지 5.0㎛)담금질 후의 금속 조직을 미세화함으로써, 담금질 후의 강도, 연성 및 충격 특성을 높일 수 있다. 인장 강도를 900MPa 이상으로 유지하면서, 양호한 연성 및 충격 특성을 확보하기 위해서, 페라이트의 평균 입경은 5.0㎛ 이하로 한다. 페라이트의 평균 입경은 작은 편이 바람직하므로, 페라이트의 평균 입경의 하한값을 규정할 필요는 없다. 그러나, 제조 설비의 능력 등을 고려하면, 0.5㎛ 정도가 페라이트의 평균 입경의 사실상 하한값으로 된다.본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재라 함은, 소재 강판으로부터 열간 성형된 부재를 의미하고, 예를 들어 열간 프레스 성형된 강제 부재를 포함한다. 대표적인 열간 성형 부재에는, 도어 가드 바, 및 범퍼 레인포스먼트 등의 자동차의 보디 구조의 부품과, 건축 구조용 열간 성형 강관 등의 기계 구조 부품 등이 있다.3. 제조 방법다음으로, 상기한 특징을 갖는 본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재의 바람직한 제조 방법에 대하여 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 각 금속 조직의 함유량을 나타내는 「%」는, 특별히 언급이 없는 한 「면적%」를 의미한다.이하에서 설명하는 금속 조직의 구성은, 판 두께의 대략 1/2t의 위치 내지 대략 1/4t의 위치이며, 또한 중심 편석부가 아닌 위치에서의 구성이다. 중심 편석부는, 강재의 대표적인 금속 조직과는 상이한 금속 조직을 갖는 경우가 있다. 그러나, 중심 편석부는, 판 두께 전체에 대하여 미소한 영역이며, 강재의 특성에 거의 영향을 미치지 않는다. 즉, 중심 편석부의 금속 조직은, 강재의 금속 조직을 대표하고 있다고 할 수 없다. 따라서, 본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재의 금속 조직의 규정은, 판 두께의 대략 1/2t의 위치 내지 대략 1/4t의 위치이며, 또한 중심 편석부가 아닌 위치에서의 것으로 한다.인장 강도가 900MPa 이상의 강도를 갖고, 또한 우수한 연성과 충격 특성이 확보된 열간 성형 부재를 얻기 위해서는, 담금질 후의 열간 성형 부재의 금속 조직(최종 금속 조직)이 면적%로, 페라이트를 10% 내지 90%, 미재결정 페라이트를 0% 내지 2.0%, 및 마르텐사이트를 10% 내지 90% 포함하고, 페라이트 및 마르텐사이트의 합계 면적률을 90% 이상으로 하고, 페라이트의 평균 입경을 5.0㎛ 이하로 할 필요가 있다.본 실시 형태에 있어서는, 그러한 최종 금속 조직을 얻기 위해서, 열간 프레스 성형을 받기 전의 소재 강판(「출발 강판」이라 하는 경우도 있음)의 금속 조직을 미리 소정의 상태로 조정하고, 또한 소정의 열간 프레스 성형 조건에 의해 열간 프레스를 행한다.3-1. 소재 강판의 미재결정 페라이트량이 0면적% 내지 2.0면적%인 경우전술한 금속 조직을 갖는 열간 성형 부재를 얻기 위해서는, 전술한 열간 성형 부재의 화학 조성과 동일한 화학 조성을 갖고, 또한 미재결정 페라이트가 0면적% 내지 2.0면적%이며, 페라이트의 평균 입경이 0.5㎛ 내지 7.0㎛인 금속 조직을 갖는 강판을 소재 강판으로서 준비한다. 미결정 페라이트의 양이 2.0 면적% 이하인 소재 강판은, 예를 들어 냉간 압연 간혹 강판에 충분한 시간의 재결정 어닐링 처리를 행함으로써 얻어진다. 미재결정 페라이트가 2.0면적% 이하이고, 페라이트의 평균 입경이 0.5㎛ 내지 7.0㎛인 금속 조직을 갖는 냉연 강판, 용융 아연 도금 냉연 강판, 및 합금화 용융 아연 도금 강판은, 예를 들어 (Ac3점-20℃) 이상의 온도 영역에서 냉연 강판을 어닐링함으로써 제조할 수 있다.이와 같이 하여 준비한, 전술한 열간 성형 부재의 화학 조성과 동일한 화학 조성을 갖고, 또한 미재결정 페라이트가 2.0 면적% 이하이고, 페라이트의 평균 입경이 0.5㎛ 내지 7.0㎛인 금속 조직을 갖는 소재 강판인 열간 프레스용 강판을, 이하에 나타내는 조건에 따라서, 열간 프레스 성형한다. 또한, 소재 강판의 미재결정 페라이트의 면적률이 2.0 면적% 이하로 제한되어 있기 때문에, 열간 성형 부재의 금속 조직이 불균일 조직으로 되지 않는다. 이와 같은 이점이 있는 것에 추가하여, 소재 강판의 금속 조직이 미세화 조직으로 되어 있으므로, 본 실시 형태에 따른 제조 방법에 의해, 열간 성형 부재의 연성, 충격 특성을 대폭 개선할 수 있다. 또한, 미재결정 페라이트의 하한값을 규정할 필요는 없지만, 미재결정 페라이트는 적으면 적을수록 바람직하므로, 미재결정 페라이트의 하한값은 사실상 0%로 된다.또한, 전술한 소재 강판의 각 금속 조직의 면적률은, 열간 성형 부재의 각 금속 조직의 면적률을 구하는 방법과 동일한 방법에 의해 구할 수 있다.전술한 바와 같이 하여 준비한 소재 강판을, 가열 공정에서 720℃ 이상 Ac3점 미만의 온도 영역에서 가열하여, 계속해서, 유지 공정에서 이 소재 강판의 온도를 720℃ 이상 Ac3 점 미만의 온도 영역에 1분간 내지 20분간 유지하고, 그 다음에 열간 성형 공정에서 열간 프레스하고, 또한 냉각 공정에서, 600℃ 내지 150℃의 온도 영역에서의 평균 냉각 속도가 20℃/초 내지 500℃/초인 조건으로 냉각을 행한다. 본 실시 형태에 따른 제조 방법에 의하면, 소재 강판은 오스테나이트 단상 영역에서 가열되는 일이 없어, 단시간의 처리가 가능하게 된다.(소재 강판의 금속 조직)열간 프레스에 제공하는 소재 강판에는, 열간 성형 강판의 화학 조성과 동일한 화학 조성을 갖고, 또한 미재결정 페라이트가 2.0면적% 이하이고, 페라이트의 평균 입경이 0.5㎛ 내지 7.0㎛인 금속 조직을 갖는 냉연 강판 또는 용융 아연 도금 냉연 강판을 사용할 수 있다.본 실시 형태에 의하면, 소재 강판의 화학 조성이 전술한 바와 같이 규정되어 있고, 특히 C, Mn, Ti가 특정 범위 내에 규정되어 있으므로, 통상의 조건 하에서 충분한 재결정 어닐링을 행함으로써, 전술한 바와 같이 소재 강판이 용이하게 얻어진다.상기한 금속 조직을 갖는 소재 강판을, 후술하는 바와 같은 열처리 조건으로 열간 프레스함으로써, 원하는 금속 조직을 갖고, 인장 강도가 900MPa 이상이고, 또한 연성과 충격 특성에 우수한 열간 성형 부재가 얻어진다.또한, 이미 설명한 바와 같이, 전술한 금속 조직을 갖는 냉연 강판 및 용융 아연 도금 냉연 강판은, 예를 들어 (Ac3점-20℃) 이상의 온도 영역에서 어닐링함으로써 제조할 수 있다.(소재 강판의 가열 온도: 720℃ 이상 Ac3점 미만의 온도 영역)(소재 강판의 유지 온도 및 유지 시간: 720℃ 이상 Ac3점 미만의 온도 영역에 1분간 내지 20분간 유지)열간 성형 공정에서의 소재 강판의 가열 공정에서는, 720℃ 이상 또한 Ac3점(℃) 미만의 온도 영역까지 소재 강판을 가열한다. 소재 강판의 유지 공정에서는, 소재 강판의 온도를 상기 온도 영역, 즉 720℃ 이상 Ac3점 미만의 온도 영역에 1분간 내지 20분간 유지한다. Ac3점은, 실험에 의해 구해진 하기 식(i)에 의해 규정되는 온도이며, Ac3점 이상의 온도 영역에 강을 가열한 경우, 강의 금속 조직은 오스테나이트 단상이 된다.식(i)여기서, 상기 식 중에서의 원소 기호는, 상기 강판의 화학 조성에서의 각 원소의 함유량(단위: 질량%)을 나타낸다. 「sol.Al」은, 고용 Al의 농도(단위: 질량%)를 나타낸다.가열 공정에서의 가열 온도 및 유지 공정에서의 유지 온도가 720℃ 미만에서는, 소재 강판의 금속 조직이 페라이트 단상에 가까운 조직이 되어, 담금질 후에 900MPa 이상의 인장 강도를 확보하는 것이 곤란해진다. 따라서, 가열 온도 및 유지 온도는, 720℃ 이상으로 한다. 한편, 가열 공정에서의 가열 온도 및 유지 공정에서의 유지 온도가 Ac3점 이상이 되면 담금질 후의 열간 성형 부재의 금속 조직이 마르텐사이트 단상으로 되어, 열간 성형 부재의 연성 열화가 현저해진다. 따라서, 가열 온도 및 유지 온도는 Ac3점 미만으로 한다.또한, 유지 공정에서의 유지 시간이 1분간 미만에서는, 시멘타이트 등의 미고용 탄화물이 열간 성형 부재에 잔존하여, 열간 성형 부재의 충격 특성이 열화된다. 따라서, 유지 시간은 1분간 이상으로 한다. 한편, 유지 시간이 20분간 초과에서는, 생산성이 저하되고, 또한 스케일 및 아연계 산화물의 생성에 의해, 열간 성형 부재의 표면 성상이 열화된다. 따라서, 유지 시간은 20분간 이하로 한다.이때, 가열 공정에서의 720℃ 내지 Ac3점의 온도 영역까지의 평균 가열 속도는, 특별히 한정할 필요는 없지만, 0.2℃/초 내지 100℃/초로 하는 것이 바람직하다. 상기 평균 가열 속도를 0.2℃/초 이상으로 함으로써, 더 높은 생산성을 확보하는 것이 가능하게 된다. 또한, 상기 평균 가열 속도를 100℃/초 이하로 함으로써, 통상의 노를 사용해서 가열하는 경우에 있어서, 가열 온도의 제어가 용이하게 된다. 그러나, 고주파 가열 등을 사용하면, 100℃/초를 상회하는 가열 속도로 가열했다고 해도, 가열 온도의 제어를 고정밀도로 행하는 것이 가능하게 된다.(600℃ 내지 150℃의 온도 영역에서의 평균 냉각 속도: 20℃/초 내지 500℃/초)600℃ 내지 150℃의 온도 영역에서의 냉각은, 확산형 변태가 일어나지 않도록 행한다. 상기 온도 영역에 있어서의 평균 냉각 속도가 20℃/초 미만에서는, 베이나이트 변태가 과도하게 진행되어버려서, 열간 성형 부재의 강도를 강화하는 상(강화 상)인 마르텐사이트의 면적률을 확보할 수 없게 되어, 담금질 후에 900MPa 이상의 인장 강도를 확보하는 것이 곤란해진다. 따라서, 상기 온도 영역에서의 평균 냉각 속도는 20℃/초 이상으로 한다. 한편, 상기 온도 영역에서의 평균 냉각 속도를 500℃/초 초과로 하는 것은, 통상의 설비에 있어서는 곤란하다. 따라서, 상기 온도 영역에 있어서의 평균 냉각 속도는 500℃/초 이하로 한다. 상기 온도 영역에 있어서의 평균 냉각 속도는, 바람직하게는 200℃/초 이하이다.또한, 냉각할 때, 600℃ 이하의 온도 영역에서는, 상 변태에 의한 발열이 매우 커지게 된다. 따라서, 600℃ 이하의 온도 영역에서는, 600℃ 이상의 온도 영역에서의 냉각 방법과 동일한 냉각 방법에서는, 충분한 냉각 속도를 확보할 수 없는 경우가 있다. 이로 인해, 600℃까지의 냉각보다도, 600℃에서 150℃까지의 냉각을 강하게 행할 필요가 있으며, 구체적으로는, 이하에 설명하는 바와 같이 하는 것이 바람직하다.열간 프레스법에서는, 통상 열간 프레스 직전에 상온 또는 수십℃ 정도의 온도를 갖는 금형이, 열간 성형 부재로부터 열을 빼앗음으로써 냉각이 달성된다. 따라서, 냉각 속도를 변화시키기 위해서는, 금형의 치수를 바꾸어, 금형의 열용량을 변화시키면 된다. 또한, 금형 재질을 이종 금속(예를 들어 구리 등)으로 바꿈으로써도, 냉각 속도를 변화시킬 수 있다. 금형 치수를 바꾸지 않는 경우, 유체 냉각 방식의 금형을 사용하고, 또한 냉각 매체의 유량을 바꿈으로써도, 냉각 속도를 바꿀 수 있다. 또한, 미리 홈을 몇 군데 자른 금형을 사용하고, 프레스 중에 그 홈에 냉각 매체(물 또는 가스)를 통과시킴으로써도, 냉각 속도를 바꿀 수 있다. 또한, 프레스 도중에 프레스기를 조작하여, 금형과 열간 성형 부재를 이격시켜서, 양자 간에 냉각 매체를 흘림으로써도, 냉각 속도를 바꿀 수 있다. 나아가, 금형 클리어런스를 바꾸어, 금형과 강판(열간 성형 부재)의 접촉 면적을 변화시킴으로써도, 냉각 속도를 바꿀 수 있다. 이상의 사항을 감안하여, 600℃ 전후에서 냉각 속도를 바꾸는 수단으로는, 다음과 같은 수단이 고려된다.(1) 600℃ 도달 직후에, 열간 성형 부재를, 열용량이 서로 다른 금형 또는 실온 상태의 금형으로 이동시켜서, 냉각 속도를 바꾼다;(2) 유체 냉각 방식의 금형의 경우, 600℃ 도달 직후에 금형 중의 냉각 매체의 유량을 변화시켜서, 냉각 속도를 바꾼다;(3) 600℃ 도달 직후에, 금형과 부재의 사이에 냉각 매체를 흘리고, 그 유량을 변화시킴으로써, 냉각 속도를 바꾼다.3-2. 소재 강판의 미재결정 페라이트량이 2.0 면적% 초과인 경우소재 강판의 미재결정 페라이트량이 2.0 면적% 이하인 경우, 전술한 방법에 의해, 소정의 금속 조직을 갖는 열간 성형 부재를 얻을 수 있다. 그러나, 소재 강판의 미재결정 페라이트량이 2.0 면적% 초과인 경우에도, 이하의 방법에 의해, 소정의 금속 조직을 갖는 열간 성형 부재를 얻을 수 있다.전술한 금속 조직을 갖는 열간 성형 부재를 얻기 위해서는, 전술한 열간 성형 부재의 화학 조성과 동일한 화학 조성을 갖고, 페라이트의 평균 입경이 7.0㎛ 이하이고, 미재결정 페라이트량이 2.0 면적% 초과인 금속 조직을 갖는 강판을 소재 강판으로서 준비한다. 페라이트의 평균 입경이 7.0㎛ 이하이고, 미재결정 페라이트량이 2.0 면적% 초과인 금속 조직을 갖는 냉연 강판, 용융 아연 도금 냉연 강판 및 합금화 용융 아연 도금 강판은, 예를 들어 (Ac3점-20℃) 미만의 온도 영역에서 냉연 강판을 어닐링함으로써 제조할 수 있다. 전술한 바와 같이 해서 준비한 소재 강판을, Ac3점 내지 Ac3점+100℃의 온도 영역에 30초간 이상 20분간 미만 유지한 다음에 열간 프레스하고, Ac3점부터 600℃의 온도 범위까지를 3℃/초 내지 20℃/초의 평균 냉각 속도로 냉각한다.(소재 강판의 금속 조직)열간 프레스에 제공하는 소재 강판에는, 열간 성형 부재의 화학 조성과 동일한 화학 조성을 갖고, 페라이트의 평균 입경이 7.0㎛ 이하이고, 미재결정 페라이트량이 2.0 면적% 초과인 금속 조직을 갖는 냉연 강판 또는 용융 아연 도금 냉연 강판을 사용할 수 있다.상기한 금속 조직을 갖는 소재 강판을 후술하는 바와 같은 열처리 조건으로 열간 프레스함으로써, 원하는 금속 조직을 갖고, 인장 강도가 900MPa 이상이고, 또한 연성과 충격 특성이 우수한 열간 성형 부재가 얻어진다.(소재 강판의 가열 온도: Ac3점 내지 Ac3점+100℃의 온도 영역)(소재 강판의 유지 온도 및 유지 시간: Ac3점 내지 Ac3점+100℃의 온도 영역에 30초간 이상 20분간 미만 유지)열간 프레스에 제공하는 강판의 가열은, 전술한 실험식 (i)에 의해 규정되는 Ac3점(℃) 내지 Ac3점+100℃의 온도 영역에 30초간 이상 20분간 미만 유지함으로써 행한다.유지 온도가 Ac3점 미만에서는, 열간 성형 부재 중에 미재결정 페라이트가 2% 초과 잔존하여, 금속 조직이 불균일화한다. 따라서, 유지 온도는, Ac3점 이상으로 한다. 한편, 유지 온도가 Ac3점+100℃ 이상이 되면 입계 산화물이 금속 조직 중에 생성되고, 열간 성형 부재의 충격 특성이 현저하게 저하된다. 따라서, 유지 온도는 Ac3점+100℃ 이하로 한다.또한, 유지 시간이 30초간 미만에서는, 소재 강재의 강도 변동이 커진다. 이와 같은 현상이 발생하는 조건은 양산 기술로는 적합하지 않으므로, 유지 시간은 30초간 이상으로 한다. 한편, 유지 시간이 20분간 이상에서는, 오스테나이트 입자가 과잉으로 성장하고, 금속 조직이 불균일하게 되어, 열간 성형 부재의 충격 특성이 현저하게 저하된다. 따라서, 유지 시간은 20분간 미만으로 한다.이때, Ac3점 내지 Ac3점+100℃의 온도 영역까지의 가열 속도는 0.2℃/초 내지 100℃/초인 것이 바람직하다. 상기 평균 가열 속도를 0.2℃/초 이상으로 함으로써, 더 높은 생산성을 확보하는 것이 가능하게 된다. 또한, 상기 평균 가열 속도를 100℃/초 이하로 함으로써, 통상의 노를 사용해서 가열하는 경우에 있어서, 가열 온도의 제어가 용이하게 된다. 그러나, 고주파 가열 등을 사용하면, 100℃/초를 상회한 가열 속도로 가열했다고 해도, 가열 온도의 제어를 고정밀도로 행하는 것이 가능하게 된다.(Ac3점 내지 600℃의 온도 범위에서의 평균 냉각 속도: 3℃/초 내지 20℃/초)Ac3점 내지 600℃의 온도 범위에서의 냉각은, 평균 냉각 속도가 3℃/초 내지 20℃/초로 되도록 행한다. 상기 온도 영역에서의 평균 냉각 속도가 3℃/초 미만에서는, 입계 산화물이 금속 조직 중에 생성되고, 열간 성형 부재의 충격 특성이 현저하게 저하된다. 따라서, 상기 온도 영역에서의 평균 냉각 속도는 3℃/초 이상으로 한다. 한편, 상기 온도 영역에서의 평균 냉각 속도를 20℃/초 초과로 하면, 열간 성형 부재 중의 페라이트의 양이 부족하다. 따라서, 상기 온도 영역에서의 평균 냉각 속도는 20℃/초 이하로 한다. 또한, 600℃ 미만의 온도 범위에서의 평균 냉각 속도는 20℃/초 내지 500℃/초로 한다.본 실시 형태에 있어서의 열간 프레스법에서의 성형의 형태는 특별히 제한되지 않는다. 예시되는 성형의 형태는, 굽힘 가공, 드로잉 성형, 스트레치 성형, 구멍 확장 성형, 플랜지 성형이다. 목적으로 하는 열간 성형 부재의 종류·형상에 따라서, 전술한 성형의 형태 중 바람직한 것을 적절히 선택하면 된다. 본 실시 형태에 있어서의 열간 프레스법에 제공하는 소재 강판의 재질로서는, 냉연 강판, 용융 아연 도금 강판, 및 합금화 용융 아연 도금 강판 등을 예시할 수 있다.열간 성형 부재의 대표예로서, 자동차용 보강 부품인 도어 가드 바 및 범퍼 레인포스먼트 등을 들 수 있다. 예를 들어, 열간 성형 부재가, 범퍼 레인포스먼트인 경우, 소정 길이의 합금 용융 아연 도금 강판인 전술한 소재 강판을 준비하고, 금형 내에서, 상기한 조건에 의해, 이것에 구부림 성형 등의 가공을 순차 행하면 된다.본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재는, 연성과 충격 특성이 우수한 것이 특징이다. 본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재는, 인장 시험에서의 전체 신장이 10% 이상으로 되는 연성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 본 실시 형태에 따른 열간 성형 부재는, 0℃에서의 샤르피 시험의 충격값이 20J/㎠ 이상으로 되는 충격 특성을 갖는 것이 바람직하다. 이와 같은 특성을 갖는 열간 성형 부재는, 화학 조성 및 금속 조직에 관한 전술한 규정을 만족함으로써 실현된다.열간 프레스 등의 열간 성형 후에는, 통상 스케일 제거 목적으로 숏블라스트 처리가 열간 성형 부재에 실시된다. 이 숏블라스트 처리는, 피처리재의 표면에 압축 응력을 도입하는 효과를 갖는다. 따라서, 숏블라스트 처리를 열간 성형 부재에 실시하는 것은, 열간 성형 부재에 있어서의 지연 파괴를 억제하고, 또한 열간 성형 부재의 피로 강도를 향상시킨다는 이점을 갖는다.또한, 예비 성형을 수반하는 열간 성형, 예를 들어 열간 프레스 가공에 있어서는, 소재 강판은 가능한 한 연질이며, 또한 높은 연성을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 소재 강판의 인장 강도는, 800MPa 이하인 것이 바람직하다.상기 설명에 있어서는, 열간 성형에 대하여, 구체적 형태인 열간 프레스를 예로 들어 설명해 왔지만, 본 실시 형태에 따른 제조 방법은 열간 프레스 성형으로 한정되지 않는다. 본 실시 형태에 따른 제조 방법은, 열간 프레스와 마찬가지로, 성형과 동시 또는 성형의 직후에 강판을 냉각하는 수단을 구비하고 있는 모든 열간 성형에 적용 가능하다. 이와 같은 열간 성형으로서, 예를 들어 롤 성형이 예시된다.003c#실시예003e#본 발명의 실시예에 대하여 설명한다.표 1에 나타내는 화학 조성과, 표 2에 나타내는 금속 조직 및 인장 강도를 갖는 소재 강판(판 두께 t: 1.2㎜)을 열간 프레스에 제공하였다.이 소재 강판은, 실험실에서 용제한 슬래브를, 열간 압연, 냉간 압연 및 재결정 어닐링해서 제조한 강판(표 2에서 냉연 강판이라 표기함)이다. 또한, 도금 시뮬레이터를 사용하여, 일부의 강판에는, 용융 아연 도금 처리(편면당 도금 부착량은 60g/㎡), 합금화 용융 아연 도금 처리(편면당 도금 부착량은 60g/㎡, 도금 피막 중의 Fe 함유량은 15질량%)를 행하였다. 표 2에 있어서, 각각을 용융 아연 도금 강판 및 합금화 용융 아연 도금 강판이라 표기한다. 또한, 재결정 어닐링을 실시하지 않는 냉간 압연 그대로(표 2에 있어서 풀 하드라 표기함)의 강판도, 소재 강판으로서 사용하였다.이 강판을, 두께 1.2㎜, 폭 100㎜ 및 길이 200㎜의 치수로 절단하고, 표 3의 조건에 의해 가열 및 냉각하였다. 또한, 강판에 열전대를 부착하고, 냉각 속도의 측정도 행하였다. 표 3의 「평균 가열 속도」는, 실온으로부터 720℃까지의 온도 영역의 가열 속도의 평균값을 나타낸다. 표 3의 「유지 시간」은, 720℃ 이상의 온도 영역에 강재를 유지하고 있던 시간을 나타낸다. 표 3의 「냉각 속도※1」은, 가열 온도가 Ac3점 이상인 경우, Ac3점부터 600℃까지의 평균 냉각 속도를 나타내고, 가열 온도가 Ac3점 미만인 경우, 가열 온도에서 600℃까지의 평균 냉각 속도를 나타낸다. 「냉각 속도※2」는, 600℃에서 150℃까지의 온도 영역의 평균 냉각 속도이다. 각종 제조 조건에 의해 얻어진 강판에 대하여 인장 시험, 샤르피 시험, 및 금속 조직 관찰을 실시하였다. 본 예에 있어서 제작한 강판 부재는, 금형에 의한 열간 프레스가 실시되지 않았지만, 열간 성형 부재와 동일한 열 이력을 받고 있으므로, 강판의 기계적 성질은, 동일한 열 이력을 갖는 열간 성형 부재와 실질적으로 동일하다.(인장 시험)각 강판으로부터, 압연 방향에 대하여 직각 방향이 길이 방향이 되는 JIS5호 인장 시험편을 채취하고, TS(인장 강도) 및 EL(전체 신장)을 측정하였다. TS가 900MPa 이상 또한 EL이 10% 이상인 공시재를 합격으로 하였다.(충격 특성)1.2㎜ 두께의 강판을 4매 적층하여 나사 고정한 후, V 노치 시험편을 제작하고, 샤르피 충격 시험에 제공하였다. 충격 특성은, 0℃에서의 충격값이 20J/㎠ 이상으로 되는 경우를 「양호」라 하였다. 그것에 도달하지 않는 경우를 「불량」이라 하였다.(페라이트, 미재결정 페라이트 및 마르텐사이트의 면적률, 페라이트의 평균 입경)소재 강판 및 열처리 후의 강판의 압연 방향과, 압연 방향에 대하여 수직인 방향을 따라서, 소재 강판 및 열처리 후의 강판으로부터 시험편을 채취하였다. 계속해서, 시험편의, 압연 방향을 따른 단면과 압연 방향에 대하여 수직인 단면과의 금속 조직을 전자 현미경으로 촬영하였다. 이것에 의해 얻어진, 800㎛×800㎛의 영역의 전자 현미경 사진을 화상 해석함으로써, 미재결정 페라이트, 페라이트, 및 마르텐사이트의 면적률을 산출하였다.(시험 결과의 설명) 이들 시험의 결과를 표 4 및 표 5에 나타낸다.또한, 표 1 내지 5에 있어서 밑줄을 그은 수치는, 그 수치에 의해 표현되는 함유량, 조건, 또는 기계 특성이 본 발명의 범위 밖임을 나타내고 있다.본 발명예인 공시재 No. 1, 2, 4 내지 7, 11, 15, 16, 19, 21 내지 23, 25, 27, 29, 31, 33, 36, 37, 및 39는, 우수한 연성과 충격 특성을 갖고 있다.한편, 공시재 No. 3은, 소재 강판의 페라이트 평균 입경이 본 발명에서 규정된 범위를 벗어나 있었으므로, 연성 및 충격 특성이 나빴다. 공시재 No. 13은, 본 발명에서 규정된 제조 방법이 적용되지 않았으므로, 연성 및 충격 특성이 나빴다. 공시재 No. 14는, 본 발명에서 규정된 제조 방법이 적용되지 않았으므로, 연성이 나빴다. 공시재 No. 9 및 26은, 화학 조성이 본 발명에서 규정하는 범위를 벗어나 있었으므로, 충격 특성이 나빴다. 공시재 No. 10 및 17은, 제조 조건이 본 발명에서 규정하는 범위를 벗어나, 원하는 조직이 얻어지지 않기 때문에, 목표로 하는 인장 강도가 얻어지지 않았다.공시재 No. 18은, 제조 조건이 본 발명에서 규정하는 범위를 벗어나, 원하는 조직이 얻어지지 않기 때문에, 연성이 나빴다.공시재 No. 28 및 32는, 화학 조성이 본 발명에서 규정하는 범위를 벗어나, 목표로 하는 인장 강도가 얻어지지 않았다.공시재 No. 34는, 화학 조성이 본 발명에서 규정하는 범위를 벗어나, 원하는 조직이 얻어지지 않기 때문에, 연성이 나빴다.공시재 No. 8은, 가열 온도가 Ac3점을 상회하고 있었으므로, 연성이 나빴다. 공시재 No. 12는, 가열 온도가 720℃를 하회하고 있었으므로, 목표로 하는 인장 강도가 얻어지지 않았다. 공시재 No. 20은, 유지 시간이 본 발명에서 규정하는 범위를 벗어나 있었으므로, 표면 스케일을 허용할 수 없을 정도까지 생성하였다. 공시재 No. 30은, 750℃ 이상에서의 유지 시간이 본 발명에서 규정하는 범위를 벗어나 있었으므로, 목표로 하는 충격 특성이 얻어지지 않았다. 공시재 No. 24는, 600℃ 미만의 냉각 속도가 본 발명의 규정 범위 밖이었으므로, 열간 성형 부재의 페라이트 및 마르텐사이트의 합계 면적률이 본 발명에서 규정되는 범위를 벗어나 있어, 인장 강도가 부족하였다. 공시재 No. 35는, Si 함유량이 본 발명에서 규정되는 범위를 벗어나 있었으므로, 표면 스케일을 허용할 수 없을 정도까지 생성하였다. 공시재 No. 38은, Sol.Al의 함유량이 본 발명에서 규정되는 범위를 벗어나 있었으므로, 표면 스케일을 허용할 수 없을 정도까지 생성하였다. 공시재 No. 40은, Ti의 함유량이 본 발명에서 규정되는 범위를 벗어나 있었으므로, 충격 특성이 나빴다.	본 발명에 따른 열간 성형 부재는, 소정의 화학 조성을 갖고, 면적%로, 페라이트: 10% 내지 90%, 미재결정 페라이트: 0% 내지 2.0%, 및 마르텐사이트: 10% 내지 90%이며, 상기 페라이트 및 상기 마르텐사이트의 합계 면적률: 90% 내지 100%이며, 상기 페라이트의 평균 입경이 0.5㎛ 내지 5.0㎛인 금속 조직을 갖고, 인장 강도가 900MPa 내지 1800MPa이다.
[ 발명의 명칭 ] 파워 스티어링 장치 및 파워 스티어링 장치의 제어 장치POWER STEERING DEVICE AND POWER STEERING DEVICE CONTROL DEVICE [ 기술분야 ] 본 발명은 파워 스티어링 장치 및 파워 스티어링 장치의 제어 장치에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 최근, EPS의 보급에 따라, 한층 더 상품력의 향상이 요망되고 있다. 그러한 가운데, 만일의 고장 시에, 시간 한정적이더라도 조타 어시스트 기능을 잔존시키고 싶다는 요망이 있다.EPS의 조타 어시스트 기능을 잔존시키기 위해서, 토크 센서의 이상을 검지한 경우, 그 토크 센서의 출력 신호로부터, 토션 바의 상류 및 하류의 신호로부터 작성한 대체 신호로 전환하여 조타 어시스트 제어를 계속하는 기술이 특허문헌 1에 개시되어 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특허 공개 제2005-206070호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 이상으로 나타낸 바와 같은 점에서, 파워 스티어링 장치 및 파워 스티어링 장치의 제어 장치에 있어서, 센서 출력 신호에 이상이 발생한 경우라도 조타 어시스트 기능을 잔존시키는 것이 과제가 된다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명은 상기 종래의 문제를 감안하여 안출된 것으로, 그 일 양태는, 각각 적어도 2계통의 용장성을 가진 조타 토크 센서, 타각 센서, 모터 회전각 센서를 가지며, 상기 각각 2계통의 조타 토크 센서, 타각 센서, 모터 회전각 센서 중, 통상은 그 1계통의 조타 토크 검출 신호, 타각 검출 신호, 모터 회전각 검출 신호에 기초하여 조타 어시스트 제어를 행하고, 상기 2계통의 조타 토크 센서, 타각 센서, 모터 회전각 센서는 각각 용장 감시가 행해지며, 상기 용장 감시에서 이상이 검출된 경우, 대체 신호로 전환하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 파워 스티어링 장치 및 파워 스티어링 장치의 제어 장치에 있어서, 센서 출력 신호에 이상이 발생한 경우라도 조타 어시스트 기능을 잔존시키는 것이 과제가 된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 실시형태에서의 파워 스티어링 장치의 개략도이다. 도 2는 실시형태에서의 파워 스티어링 장치의 전기 시스템 블록도이다.도 3은 조타 토크 센서, 타각 센서의 입출력을 도시한 도면이다. 도 4는 실시형태 1에서의 이상 신호 전환 처리를 도시한 흐름도이다. 도 5는 실시형태 1에서의 이상 신호 전환 처리를 도시한 블록도이다.도 6은 조타 토크 연산 신호(대체 신호)의 연산 방법을 도시한 설명도이다.도 7은 실시형태 2에서의 이상 신호 전환 처리를 도시한 흐름도이다. 도 8은 실시형태 2에서의 이상 신호 전환 처리를 도시한 블록도이다.도 9는 타각 연산 신호(대체 신호)의 연산 방법을 도시한 설명도이다.도 10은 실시형태 3에서의 이상 신호 전환 처리를 도시한 흐름도이다. 도 11은 실시형태 3에서의 이상 신호 전환 처리를 도시한 블록도이다. 도 12는 모터 회전각 연산 신호(대체 신호)의 연산 방법을 도시한 설명도이다. 도 13은 실시형태 4에서의 이상 신호 전환 처리를 도시한 흐름도이다.도 14는 실시형태 5에서의 이상 신호 전환 처리를 도시한 흐름도이다. 도 15는 평균 신호를 도시한 타임차트이다.도 16은 실시형태 6에서의 이상 신호 전환 처리를 도시한 흐름도이다.도 17은 실시형태 6 및 7을 도시한 제어 블록도이다. 도 18은 조타 어시스트 제한의 일례를 도시한 그래프이다. 도 19는 조타 어시스트 제한의 다른 예를 도시한 그래프이다. 도 20은 실시형태 7에서의 이상 신호 전환 처리를 도시한 흐름도이다. 도 21은 실시형태 8에서의 이상 신호 전환 처리를 도시한 흐름도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명에 따른 파워 스티어링 장치 및 파워 스티어링 장치의 제어 장치의 실시형태 1 내지 8을 도 1 내지 도 21에 기초하여 상세히 설명한다.[실시형태 1]도 1은 본 실시형태 1에서의 파워 스티어링 장치를 도시한 개략도이다. 도 1에 도시된 파워 스티어링 장치는, 스티어링 휠(도시 생략), 스티어링 샤프트(조타축)(1), 피니언축(2), 랙축(3)에 의해 기본적인 조타 기구가 구성되어 있다. 이 조타 기구는, 운전자에 의해 스티어링 휠이 회전 조작되면, 그 스티어링 휠의 조타 토크가 스티어링 샤프트(1)를 통해 피니언축(2)에 전달되고, 피니언축(2)의 회전 운동이 랙축(3)의 직선 운동으로 변환되어, 랙축(3)의 양단에 연결된 좌우의 전타륜(轉舵輪)(도시 생략)이 전타되도록 되어 있다. 즉, 랙축(3)에는, 피니언축(2)이 맞물리는 랙 톱니가 형성되어 있고, 그 랙 톱니와 피니언축의 맞물림으로 스티어링 샤프트(1)의 회전을 전타 동작으로 변환하는 변환 기구가 구성된다. 또한, 피니언축(2)의 하우징에는 스티어링 휠의 조타각을 검출하는 조타 토크 센서(TS)(예컨대, 리졸버 등)가 설치되어 있고, 조타 토크 센서(TS)의 출력 신호 및 전동 모터(M)의 로터의 회전각을 검출하는 모터 회전각 센서(6)(예컨대 리졸버나 IC 등)의 출력 신호, 차속 정보에 기초하여 제어 장치(이하, ECU라고 칭함)의 모터 제어 회로(도시 생략)에 의해 전동 모터(M)를 구동 제어하여, 전동 모터(M)로부터 감속기(5)를 통해 랙축(3)에 대해 조타 보조력을 부여하도록 구성되어 있다. 전동 모터(M)에는, 그 출력축에 감속기(5)가 설치되고, 전동 모터(M)의 회전이 감속되면서 랙축(3)의 직선 운동으로 변환되도록 되어 있다. 또한, 스티어링 샤프트(1)는, 스티어링 휠측의 입력축과 랙축(3)측의 출력축으로 축 방향이 분할되어 있다. 입력축과 출력축은 토션 바(도시 생략)를 통해 서로 동축 연결되어 있다. 이에 의해, 입력축과 출력축이 토션 바의 비틀림 변형을 가지고 상대 회전 가능하게 되어 있다. 조타 토크 센서(TS)는, 입력축측의 회전각을 검출하는 제1 각도 센서와, 출력축측의 회전각을 검출하는 제2 각도 센서를 구비하고, 제1 각도 센서와 제2 각도 센서의 출력 신호에 기초하여, 상기 토션 바의 비틀림량을 연산함으로써 조타 토크를 연산한다.또한, 이 토션 바에는, 타각 센서(AS)(예컨대, MR 소자나 IC 등)가 설치되어 있다. 도 2는 전기 시스템의 구성 블록도를 도시하고 있고, 도 3은 조타 토크 센서(TS), 타각 센서(AS), 모터 회전각 센서(6)의 입출력을 나타낸 도면이다. 도 2, 도 3에 도시된 바와 같이, 각각 상기 제1, 제2 각도 센서인 Main과 Sub의 2개의 조타 토크 센서(TS1, TS2), Main과 Sub의 2개의 타각 센서(AS1, AS2), Main과 Sub의 2개의 모터 회전각 센서(61, 62)에 의해, 조타 토크, 타각, 모터 회전각을 검출하고, 각각 조타 토크 검출 신호 Tt(Main), Tt(Sub), 타각 검출 신호 θs(Main), θs(Sub), 모터 회전각 검출 신호 θm(Main), θm(Sub)을 ECU(4) 내의 토크 신호 수신부(21b, 21d), 타각 신호 수신부(21a, 21c), 모터 회전각 신호 수신부(도시 생략)에 출력한다.전원 회로(7)는, 센서류, MPU(9), IC 관계의 전원을 작성하여 공급을 행한다. CAN 통신 회로(8)는 차량과의 데이터, 그 외 정보를 교환한다. MPU(9)는, EPS의 어시스트 제어의 연산, 모터 전류의 컨트롤, 기능 구성 요소의 이상 검출, 안전 상태로의 이행 처리 등을 행한다. 페일세이프(fail safe) 회로(13)는, MPU(9)에 의해 이상이 검출되어, 시스템을 차단하지 않으면 안 된다고 판단되었을 때, MPU(9)로부터의 지령에 기초하여, 모터 전류의 전원을 차단하는 기능을 갖는다. 드라이브 회로(10)는, MPU(9)로부터의 지령에 기초하여, 인버터 회로(12)의 구동 소자를 구동한다. 인버터 회로(12)는 구동 소자로 구성되며, 드라이브 회로(10)로부터의 지령에 기초하여 작동한다. 전동 모터(M)는, 인버터 회로(12)로부터의 전류에 따라 구동하여, 조타 보조를 위한 모터 토크를 출력한다. 인버터 회로(12)의 하류측의 전류는, 전류 검출 소자로서의 전류 센서(11a)에 의해 검출된다. 전류 감시 회로(11b)는 어시스트 제어로부터 구한 전동 모터(M)에서의 필요 토크를 내기 위해서, 모터 제어에서 필요한 전류값이 목표대로 나오고 있는지 모니터한다. 모터 제어를 행하기 위해서, 고응답 필터 처리를 행한 Main과 Sub의 전류 검출 회로(14a, 14b)가 설치되어 있다. 또한, 인버터 회로(12)의 과전류를 감시하기 위해서, 평균적인 전류를 검출하여, 저응답의 필터 처리를 행한 Main과 Sub의 전류 검출 회로(15a, 15b)가 설치되어 있다. 다음으로, 도 4에 도시된 흐름도, 도 5에 도시된 블록도, 도 6의 조타 토크 연산 신호의 연산예를 도시한 도면에 기초하여, 본 실시형태 1에서의 ECU(4)에서의 이상 신호 전환 처리에 대해 설명한다. 먼저, S1a에 있어서, Main의 조타 토크 센서(TS1), Sub의 조타 토크 센서(TS2)로부터 조타 토크 검출 신호 Tt(Main), Tt(Sub)를 판독한다. 다음으로, S2a에서 Main의 타각 센서(AS1), Sub의 타각 센서(AS2)의 타각 검출 신호 θs(Main), θs(Sub)를 판독하고, S3a에서 Main의 모터 회전각 센서(61), Sub의 모터 회전각 센서(62)의 모터 회전각 검출 신호 θm(Main), θm(Sub)을 판독한다.다음으로, S4a에 있어서, 대체 신호 연산부(20)의 제1 조타 토크 연산부(16a)에 의해, 타각 검출 신호 θs(Main), 모터 회전각 검출 신호 θm(Main), 토션 바의 비틀림 강성값 Ktb, 피니언축(2)으로부터 모터 샤프트까지의 감속비 Ng에 기초하여, 조타 토크 연산 신호(대체 신호) Tts(Main)를 연산한다. 여기서, 도 6에 기초하여, 조타 토크 연산 신호(대체 신호) Tts(Main)의 연산 방법에 대해 설명한다. 토션 바의 상하류의 상대 각도에 토션 바의 비틀림 강성값 Ktb를 곱함으로써 조타 토크 연산 신호(대체 신호) Tts(Main)를 산출한다. 토션 바의 상류의 각도는 타각 검출 신호 θs(Main)를 이용한다. 한편, 토션 바의 하류의 각도[피니언축(2)의 회전각]는, 모터 회전각 검출 신호 θm(Main)에 피니언축(2)으로부터 모터 샤프트 사이의 감속비 Ng를 곱함으로써 산출한다. 즉, 조타 토크 연산 신호(대체 신호) Tts(Main)는 이하의 (1) 식이 된다. Tts=Ktb×(θs-θp)… (1)다음으로, 대체 신호 연산부(20)의 제2 조타 토크 연산부(16b)에 의해, 타각 검출 신호 θs(Sub), 모터 회전각 검출 신호 θm(Sub), 토션 바의 비틀림 강성값 Ktb, 피니언축(2)으로부터 모터 샤프트까지의 감속비 Ng에 기초하여, 조타 토크 연산 신호(대체 신호) Tts(Sub)를 연산한다. 조타 토크 연산 신호(대체 신호) Tts(Sub)의 연산 방법은, 조타 토크 연산 신호(대체 신호) Tts(Main)와 동일하다. 한편, 본 실시형태 1에서는 대체 신호 연산 회로(18)에 의해, 대체 신호를 조타 토크 연산 신호 Tts(Main)로 하고 있다.S5a에 있어서, 이상 검지부(17a)에 의해, 2개의 조타 토크 검출 신호의 편차 \|Tt(Main)-Tt(Sub)\|가 이상 검지 임계값보다 작은지의 여부를 판정한다. 2개의 조타 토크 검출 신호의 편차 \|Tt(Main)-Tt(Sub)\|가 이상 검지 임계값보다 작은 경우에는, S6에 있어서 이상 카운터를 클리어하고, S7a에 있어서 전환 판단부(19)에 의해 조타 어시스트 제어에 사용하는 신호를 조타 토크 검출 신호 Tt(Main)로 설정하며, 이 제어 주기에 있어서의 처리를 종료한다. S5a에 있어서, 2개의 조타 토크 검출 신호의 편차 \|Tt(Main)-Tt(Sub)\|가 이상 검지 임계값 이상이라고 판정된 경우에는, S8에 있어서, 전환 판단부(19)에 의해, 이상 카운터가 미리 정해진 값(미리 정해진 확정 시간) 이상인지의 여부를 판정한다. 이상 카운터가 미리 정해진 값 이상인 경우에는 S9에 있어서, 전환 판단부(19)에 의해 조타 어시스트 제어에 이용하는 신호를 대체 신호로 전환하고, S10에 있어서 워닝 램프를 점등시키며, 운전자에게 주의를 촉구한다.S8에 있어서, 이상 카운터가 미리 정해진 값보다 작다고 판정된 경우에는, S11에 있어서, 이상 카운터를 인크리먼트한다. 이 이상 카운터는, 2개의 조타 토크 검출 신호의 편차 \|Tt(Main)-Tt(Sub)\|가 이상 검지 임계값 이상인 상태가 이상 확정 시간 계속되고 있는 경우, 제어 주기마다 인크리먼트한다.이상으로 나타낸 바와 같이, 본 실시형태 1에서의 파워 스티어링 장치에 의하면, 타각 검출 신호 θs(Main), θs(Sub)와 모터 회전각 검출 신호 θm(Main), θm(Sub)에 의해, 조타 토크 연산 신호(대체 신호) Tts(Main), Tts(Sub)를 연산할 수 있기 때문에, 이 조타 토크 연산 신호(대체 신호) Tts(Main), Tts(Sub)에 의해, 조타 토크 검출 신호 Tt(Main)와 Tt(Sub) 중 적어도 어느 한쪽에 이상이 발생한 경우, 조타 어시스트 제어에 이용하는 신호를 대체하는 것이 가능해진다. 그 결과, 조타 토크 연산 신호(대체 신호) Tts(Main), Tts(Sub)에 의해, 조타 어시스트 제어를 계속할 수 있어, 운전자의 조타 부하를 경감하는 것이 가능해진다. 또한, 대체 신호의 정밀도의 나쁨에서 기인하는 조타 어시스트력의 변동을 저감하는 것이 가능해진다. 또한, 조타 토크 검출 신호 Tt(Main), Tt(Sub)는, 모두 조타축의 토크 신호를 출력하기 때문에, 비교가 용이하고 높은 검출 정밀도로 조기의 이상 검출이 가능해진다.[실시형태 2]실시형태 1에서는 조타 토크 센서(TS1, TS2)의 조타 토크 검출 신호 Tt(Main), Tt(Sub)의 이상 검출, 대체 신호의 생성에 대해 설명하였으나, 본 실시형태 2에서는, 타각 센서(AS1, AS2)의 타각 검출 신호 θs(Main), θs(Sub)의 이상 검출, 대체 신호의 생성에 대해 설명한다.본 실시형태 2에서의 파워 스티어링 장치를 도 7의 흐름도, 도 8의 타각 검출 신호의 이상 검출 블록도, 도 9의 타각 연산 신호의 연산예를 도시한 도면에 기초하여 설명한다.본 실시형태 2는, 도 7에 도시된 바와 같이, S6, S8∼S11에 대해서는, 실시형태 1과 동일하다. 이하, 실시형태 1과 동일한 처리는 설명을 생략하고, 실시형태 1과 상이한 처리에 대해서만 설명한다.먼저, S1b∼S3b에 있어서, 타각 검출 신호 θs(Main), θs(Sub), 모터 회전각 검출 신호 θm(Main), θm(Sub), 조타 토크 검출 신호 Tt(Main), Tt(Sub)를 판독한다. 본 실시형태 2에서는, 타각 검출 신호 θs(Main), θs(Sub)의 대체 신호를 생성하기 위해서, 대체 신호 연산부(20)의 제1 타각 연산부(16c), 제2 타각 연산부(16d)에 있어서, 타각 연산 신호(대체 신호) θss(Main), θss(Sub)를 연산하고, 대체 신호 연산 회로(18)에 의해 타각 연산 신호 θss(Main)를 대체 신호로서 출력한다. S4b에 있어서, 제1 타각 연산부(16c)에 의해, 조타 토크 검출 신호 Tt(Main), 모터 회전각 검출 신호 θm(Main), 토션 바의 비틀림 강성값 Ktb, 피니언축(2)으로부터 모터 샤프트까지의 감속비 Ng에 기초하여, 타각 연산 신호(대체 신호) θss(Main)를 연산한다.여기서, 도 9에 기초하여 타각 연산 신호(대체 신호) θss(Main)의 연산 방법에 대해 설명한다. 모터 회전각 검출 신호 θm에, 피니언축(2)으로부터 모터 샤프트 사이의 감속비 Ng를 곱하여 피니언축(2)에서의 회전각 θp로 변환한다. 또한, 조타 토크 검출 신호 Tt를 토션 바의 비틀림 강성값 Ktb로 나누어 토션 바의 비틀림각 Tt/Ktb를 산출한다. 토션 바의 비틀림이 발생하고 있을 때, 타각과 피니언축(2)에 있어서의 회전각 θp 사이에는 토션 바의 비틀림분만큼 차이가 발생하고 있기 때문에, 이 피니언축에 있어서의 회전각 θp와 토션 바의 비틀림각 Tt/Ktb를 더함으로써, 이하의 (2) 식과 같이, 타각 연산 신호(대체 신호) θss(Main)를 산출할 수 있다. θss=θp+Tt/Ktb …(2)타각 센서(AS)가 토션 바보다 전타륜측에 설치되어 있는 경우에는, 피니언축(2)에 있어서의 회전각 θp가 타각 연산 신호 θss가 되어, 토션 바의 비틀림각 Tt/Ktb는 불필요해진다. 다음으로, 제2 타각 연산부(16d)에 의해, 조타 토크 검출 신호 Tt(Sub), 모터 회전각 검출 신호 θm(Sub), 토션 바의 비틀림 강성값 Ktb, 피니언축(2)으로부터 모터 샤프트까지의 감속비 Ng에 기초하여, 타각 연산 신호(대체 신호) θss(Sub)를 연산한다. 타각 연산 신호(대체 신호) θss(Sub)의 연산 방법은, 타각 연산 신호 θss(Main)와 동일하다.S5b에 있어서, 이상 검지부(17b)에 의해, 2개의 타각 검출 신호의 편차 \|θs(Main)-θs(Sub)\|가 이상 검지 임계값보다 작은지의 여부를 판정한다. 2개의 타각 검출 신호의 편차 \|θs(Main)-θs(Sub)\|가 이상 검지 임계값보다 작은 경우에는, S6에 있어서 이상 카운터를 클리어하고, S7b에 있어서 전환 판단부(19)에 의해, 조타 어시스트 제어에 사용하는 신호를 타각 검출 신호 θs(Main)로 설정하며, 이 제어 주기에 있어서의 처리를 종료한다. 이상으로 나타낸 바와 같이, 본 실시형태 2에 의하면 실시형태 1과 동일한 작용 효과를 나타낸다. 또한, 타각 검출 신호 θs(Main), θs(Sub)는, 모두 조타축의 각도 신호를 출력하기 때문에, 이상 검지부(17b)에 있어서 비교가 용이하고, 높은 검출 정밀도로 조기 이상의 검출이 가능해진다. 타각 센서(AS1, AS2)가 토션 바보다 스티어링 휠측에 설치되어 있는 경우에는, 토션 바에 비틀림이 발생하고 있을 때, 타각과 모터 회전각 사이에는 토션 바의 비틀림분만큼 차이가 발생하기 때문에, 이 차이를 보정함으로써, 제1, 제2 타각 연산부(16c, 16d)에 있어서, 보다 정밀도가 높은 타각 연산 신호(대체 신호) θss(Main), θss(Sub)를 얻을 수 있다.또한, 타각과 모터 회전각은 모두 각도 정보이기 때문에, 타각 센서(AS1, AS2)가 토션 바보다 전타륜측에 설치되어 있는 경우에는, 감속기(5) 등의 감속비분을 보정함으로써 모터 회전각 검출 신호 θm(Mian), θm(Sub)으로부터 타각 연산 신호(대체 신호) θss(Main), θss(Sub)를 연산하는 것이 가능해진다. 그 결과에 의해 타각 연산 신호(대체 신호) θss(Main), θss(Sub)를 연산하기 때문에, 정밀도가 높은 값을 얻을 수 있다.[실시형태 3]본 실시형태 3은, 모터 회전각 센서(61, 62)의 모터 회전각 검출 신호 θm(Main), θm(Sub)의 이상 검출, 대체 신호의 생성에 대해 설명하는 것이다. 본 실시형태 3에서의 파워 스티어링 장치를 도 10의 흐름도, 도 11의 모터 회전각 검출 신호의 이상 검출 블록도, 도 12의 모터 회전각 연산 신호의 연산예를 도시한 도면에 기초하여 설명한다. 본 실시형태 3은, 도 10에 도시된 바와 같이, S6, S8∼S11에 대해서는, 실시형태 1과 동일하다. 이하, 실시형태 1과 동일한 처리는 설명을 생략하고, 실시형태 1과 상이한 처리에 대해서만 설명한다. 먼저, S1c∼S3c에 있어서, 모터 회전각 검출 신호 θm(Main), θm(Sub), 타각 검출 신호 θs(Main), θs(Sub), 조타 토크 검출 신호 Tt(Main), Tt(Sub)를 판독한다. 본 실시형태 3에서는, 모터 회전각 센서(61, 62)의 대체 신호를 생성하기 위해서, 대체 신호 연산부(20)의 제1 모터 회전각 연산부(16e), 제2 모터 회전각 연산부(16f)에 있어서, 모터 회전각 연산 신호(대체 신호) θms(Main), θms(Sub)를 연산하고, 대체 신호 연산 회로(18)에 의해, 타각 연산 신호 θms(Main)를 대체 신호로서 출력한다. S4c에 있어서, 제1 모터 회전각 연산부(16e)에 의해, 조타 토크 검출 신호 Tt(Main), 타각 검출 신호 θs(Main), 토션 바의 비틀림 강성값 Ktb, 피니언축으로부터 모터 샤프트까지의 감속비 Ng에 기초하여, 모터 회전각 연산 신호(대체 신호) θms(Main)를 연산한다. 여기서, 도 12에 기초하여 모터 회전각 연산 신호(대체 신호) θms(Main)의 연산 방법에 대해 설명한다. 타각 검출 신호 θs(Main)로부터, 조타 토크 검출 신호 Tt(Main)를 토션 바의 비틀림 강성값 Ktb로 나눈 값 Tt/Ktb를 빼고, 피니언축(2)으로부터 모터 샤프트 사이의 감속비 Ng를 곱한다. 그리고, 이 값 Ng(θs-Tt/Ktb)로 1을 나눔으로써, 모터 회전각 연산 신호(대체 신호) θms(Main)를 산출할 수 있다. 즉, 모터 회전각 연산 신호(대체 신호) θms는 이하의 (3) 식이 된다.θms=1/Ng(θs-Tt/Ktb)… (3)타각 센서(AS)가 토션 바보다 전타륜측에 설치되어 있는 경우에는, 타각 검출 신호 θs가 피니언축(2)에 있어서의 회전각 θp가 되어, Tt/Ktb는 불필요해진다.다음으로, 제2 모터 회전각 연산부(16f)에 의해, 조타 토크 검출 신호 Tt(Sub), 타각 검출 신호 θs(Sub), 토션 바의 비틀림 강성값 Ktb, 피니언축(2)으로부터 모터 샤프트까지의 감속비 Ng에 기초하여, 모터 회전각 연산 신호(대체 신호) θms(Sub)를 연산한다. 모터 회전각 연산 신호(대체 신호) θms(Sub)의 연산 방법은, 모터 회전각 연산 신호(대체 신호) θms(Main)와 동일하다.S5c에 있어서, 이상 검지부(17c)에 의해, 2개의 모터 회전각 검출 신호의 편차 \|θm(Main)-θm(Sub)\|이 이상 검지 임계값보다 작은지의 여부를 판정한다. 2개의 모터 회전각 검출 신호의 편차 \|θm(Main)-θm(Sub)\|이 이상 검지 임계값보다 작은 경우에는, S6에 있어서 이상 카운터를 클리어하고, S7c에 있어서 조타 어시스트 제어에 사용하는 신호를 모터 회전각 검출 신호 θm(Main)으로 설정하며, 이 제어 주기에 있어서의 처리를 종료한다. 이상으로 나타낸 바와 같이, 본 실시형태 3에 의하면 실시형태 1, 2와 동일한 작용 효과를 나타낸다.[실시형태 4]본 실시형태 4는, 이상을 검출하고 나서, 이상이 확정되기까지의 동안에, 대체 신호를 이용하여 조타 어시스트 제어를 행하는 것이다. 본 실시형태 4에서의 파워 스티어링 장치를 도 13의 흐름도에 기초하여 설명한다. 본 실시형태 4는, 도 13에 도시된 바와 같이, S1a∼S11에 대해서는, 실시형태 1과 동일하다. 이하, 실시형태 1과 동일한 처리는 설명을 생략하고, 실시형태 1과 상이한 처리에 대해서만 설명한다. 본 실시형태 4에서는, S8에 있어서, 이상 카운터가 미리 정해진 값보다 작은 경우에는, S11에 있어서 이상 카운터를 인크리먼트하고, S12에 있어서, 조타 어시스트 제어에 이용하는 신호를 제1 조타 토크 연산 신호(대체 신호) Tts(Main) 또는 제2 조타 토크 연산 신호 Tts(Sub)로 전환한다.또한, 그 후, S5a에 있어서, 2개의 조타 토크 검출 신호의 편차 \|Tt(Main)-Tt(Sub)\|가 이상 검지 임계값 이하가 된 경우에는, S6에 있어서 이상 카운터를 클리어하고, S7a에 있어서, 조타 토크 검출 신호 Tt(Main)에 기초한 통상의 어시스트 제어로 복귀시킨다.본 실시형태 4에서는, 조타 토크 검출 신호 Tt(Main), Tt(Sub)의 이상 검출, 대체 신호의 생성에 대해 설명하였으나, 타각 검출 신호 θs(Main), θs(Sub), 모터 회전각 검출 신호 θm(Main), θm(Sub)의 이상 검출, 대체 신호의 생성도 본 실시형태 4와 동일한 방법을 취하는 것이 가능하다. 이상으로 나타낸 바와 같이, 본 실시형태 4에 의하면, 실시형태 1과 동일한 작용 효과를 나타낸다. 또한, 이상 확정 전에 조타 어시스트 제어에 이용하는 신호를 대체 신호로 전환하기 때문에, 조기에 조타의 안전성을 확보할 수 있다. 또한, 정상 상태로 복귀한 경우에는, 통상의 어시스트 제어로 복귀시킴으로써, 보다 적절한 조타 제어를 행할 수 있다.또한, 상기 이상 검지부(17)는, 미리 정해진 시간의 경과 시간을 카운트하고, 미리 정해진 시간 경과 전에 상기 이상 검지부(17)의 이상 상태가 해소되었다고 판단했을 때, 상기 경과 시간의 카운트값을 리셋한다. 이에 의해, 정상 복귀 후, 재차 이상 상태에 들어갔을 때, 새롭게 미리 정해진 시간을 카운트할 수 있어, 판단 정밀도를 향상시킬 수 있다.[실시형태 5]본 실시형태 5는, 이상을 검지하고 나서, 이상이 확정되기까지의 동안에, 평균 신호를 이용하여 조타 어시스트 제어를 행하는 것이다. 본 실시형태 5에서의 파워 스티어링 장치를 도 14의 흐름도, 도 15의 평균 신호의 타임차트에 기초하여 설명한다. 본 실시형태 4는, 도 14에 도시된 바와 같이, S1a∼S11에 대해서는, 실시형태 4와 동일하다. 이하, 실시형태 1과 동일한 처리는 설명을 생략하고, 실시형태 4와 상이한 처리에 대해서만 설명한다. S4a 처리 후, S14에 있어서, 평균 신호 Tav를 산출한다. 이 평균 신호 Tav는, 조타 토크 검출 신호의 평균값 Tav=1/2Tt(Main)+Tt(Sub), 또는, 조타 토크 검출 신호와 조타 토크 연산 신호의 평균값 Tav=1/4Tt(Main)+Tt(Sub)+Tts(Main)+Tts(Sub)로 산출된다.S8에 있어서, 이상 카운터가 미리 정해진 값보다 작은 경우에는, S11에 있어서 이상 카운터를 인크리먼트하고, S14에 있어서, 조타 어시스트 제어에 이용하는 신호를 평균 신호 Tav로 전환한다.본 실시형태 5에서는, 조타 토크 검출 신호 Tt(Main), Tt(Sub)의 이상 검출 및 평균 신호 Tav의 생성에 대해 설명하였으나, 타각 검출 신호 θs(Main), θs(Sub), 모터 회전각 검출 신호 θm(Main), θm(Sub)의 이상 검출 및 평균 신호 Tav의 생성도 본 실시형태 5와 동일한 방법을 취하는 것이 가능하다.이상으로 나타낸 바와 같이, 본 실시형태 5에서의 파워 스티어링 장치에 의하면, 보다 많은 신호를 평균화함으로써, 하나의 신호가 이상(異常)으로 되어 신호값이 크게 변화해도, 그 변화량을 보다 완화시킬 수 있게 된다. 즉, 고장이 조타 토크 검출 신호 Tt(Main)에 발생한 경우, 고장이 확정되기까지의 동안에, 그대로, 조타 토크 검출 신호 Tt(Main)를 조타 어시스트 제어에 이용하는 것보다, 평균 신호 Tav로 전환하는 편이, 이상 확정까지의 시스템의 행동, 및 이상 확정 후에 조타 토크 연산 신호(대체 신호) Tts(Main), Tts(Sub)로 전환할 때에, 낙차가 작아져, 전환 시의 핸들 쇼크를 저감하는 것이 가능해진다.또한, 조타 토크 연산 신호(대체 신호) Tts(Main), Tts(Sub)의 대체 신호만으로 한 경우에 비해, 조타 토크 검출 신호 Tt(Main), Tt(Sub) 그 자체를 포함한 평균값은, 실제의 조타 상태에 가까운 값을 나타내기 때문에, 보다 적절한 조타 제어를 행할 수 있다. 또한, 조타 토크 검출 신호 Tt(Main), Tt(Sub)에는 이상 신호가 포함되어 있을 가능성이 있으나, 평균값을 취함으로써, 이상 신호는 평활화되어, 이상 신호에 의한 영향은 억제된다. 또한, 본 실시형태 5에서는, 이상 확정 후, S9에 있어서 조타 어시스트 제어에 이용하는 신호를 조타 토크 연산 신호(대체 신호) Tts(Main)로 변경하였으나, 평균 신호 Tav로 변경해도 좋다.[실시형태 6]본 실시형태 6은, 이상이 확정되어, 대체 신호에 의해 조타 어시스트 제어를 행하는 경우에는, 모터의 최대 토크에 리미터 처리를 마련하는 것이다.본 실시형태 6에서의 파워 스티어링 장치를 도 16의 흐름도, 도 17의 제어 블록도, 도 18의 조타 어시스트 제한의 일례를 도시한 도면, 도 19의 조타 어시스트 제한의 다른 예를 도시한 도면에 기초하여 설명한다. 본 실시형태 6은, 도 16에 도시된 바와 같이, S1a∼S13, S14에 대해서는, 실시형태 5와 동일하다. 이하, 실시형태 1과 동일한 처리는 설명을 생략하고, 실시형태 5와 상이한 처리에 대해서만 설명한다. 또한, 조타 보조 제어부(26)는, 핸들 복귀 제어 등을 행하고 있으나, 본 발명과는 직접 관계가 없기 때문에, 여기서의 설명은 생략한다. 또한, 이상 검지부(17b, 17c), 전환 판단부(19b, 19c)에 대해서는 본 실시형태 6과는 직접 관계가 없기 때문에, 여기서는 설명을 생략하고, 실시형태 7에서 설명한다. 본 실시형태 6에서는, S8에 있어서 이상 카운터가 미리 정해진 값을 초과하여 이상이 확정된 경우, S9에 있어서, 전환 판단부(19a)에 의해, 조타 어시스트 제어에 이용하는 신호를 대체 신호로 전환하고, 대체 신호에 기초하여 어시스트 MAP(21)에 의해 차속에 따라 모터 지령 전류를 산출한다. S15에 있어서, 리미터(23)에 의해, 전동 모터(M)의 최대 토크에 리미터 처리를 가한다. 그리고, 리미터(23)의 출력에 기초하여 모터 제어부(24)에 의해, 모터 지령 신호(전압 지령 신호, 전류 지령 신호 등)를 출력하여, 인버터 회로(12)를 통해 전동 모터(M)를 구동한다. 도 18에 도시된 바와 같이, 통상의 어시스트 제어 시에는 실선과 같이 설계 MAX값으로 모터 토크의 최대값이 정해져 있으나, 대체 신호로 전환하여 조타 어시스트 제어를 하고 있을 때에는, 리미터(23)에 의해, 파선과 같이 설계 MAX값보다 낮은 값으로 모터 토크의 최대값이 제한된다.이상으로 나타낸 바와 같이, 본 실시형태 6에서의 파워 스티어링 장치에 의하면, 이상이 확정된 경우에 어시스트 제한을 행함으로써, 조타의 안전성을 확보할 수 있다. 또한, 조타 어시스트력이 저하되고 있기 때문에, 조타력이 무거워져, 고장 발생에 대해 운전자가 인지하기 쉬워진다. 또한, 도 19에 도시된 바와 같이, 통상 시에는, 어시스트 MAP(21)에 의해, 차속마다 조타 토크에 따라 모터 지령 전류가 정해져 있다. 도 19에 도시된 바와 같이, 차속=0 ㎞/h일 때에는 모터 지령 전류가 크고, 차속=40 ㎞/h, 80 ㎞/h, 120 ㎞/h로 차속이 커짐에 따라 모터 지령 전류가 작아지도록 설정되어 있다. 본 실시형태 6에서는, 이상이 확정되어, 대체 신호로 전환하여 조타 어시스트 제어를 하고 있을 때, 리미터(23)에 의해 전동 모터(M)의 최대 토크에 제한을 가하고 있으나, 파선으로 나타낸 바와 같이, 어시스트 MAP(21)에 있어서의 차속 120 ㎞/h 상당의 모터 지령 전류로 고정하여 조타 어시스트를 제한해도 좋다. [실시형태 7]본 실시형태 7은, 대체 신호의 생성에 이용하는 타각 검출 신호 θs(Main), θs(Sub), 모터 회전각 검출 신호 θm(Main), θm(Sub)을 용장 비교하는 것이다.본 실시형태 7에서의 파워 스티어링 장치를 도 20의 흐름도, 도 17에 도시된 제어 블록도에 기초하여 설명한다. 본 실시형태 7은, 도 20에 도시된 바와 같이, S1a∼S13, S14에 대해서는, 실시형태 6과 동일하다. 이하, 실시형태 6과 동일한 처리는 설명을 생략하고, 실시형태 6과 상이한 처리에 대해서만 설명한다.S8에 있어서, 이상 확정이라고 판단된 경우, S9에 있어서 조타 어시스트 제어에 이용하는 신호를, 전환 판단부(19a)에 의해, 대체 신호로 전환하고, S15에 있어서, 이상 검지부(17b)에 의해, 타각 검출 신호의 편차 \|θs(Main)-θs(Sub)\|가 이상 검지 임계값보다 작은지의 여부를 판정한다. 타각 검출 신호의 편차 \|θs(Main)-θs(Sub)\|가 이상 검지 임계값 이상인 경우에는, S16에 있어서, 이상 검지부(17b)에 의해, 타각용의 이상 카운터가 미리 정해진 값 이상인지의 여부를 판정한다. 타각용의 이상 카운터가 미리 정해진 값 이상인 경우에는, S17에 있어서, 페일세이프 판단부(13a), 페일세이프 처리부(13b)에 의해, 조타 어시스트 제어를 차단하고, S18에 있어서 운전자에게 주의를 촉구하기 위해서, 워닝 램프를 점등한다. 타각용의 이상 카운터가 미리 정해진 값보다 작은 경우에는, S19에 있어서, 타각용의 이상 카운터를 인크리먼트하고, S20에 있어서 운전자에게 주의를 촉구하기 위해서, 워닝 램프를 점등시킨다.S15에 있어서 타각 검출 신호의 편차 \|θs(Main)-θs(Sub)\|가 이상 검지 임계값보다 작다고 판단된 경우에는, S21에 있어서, 이상 검지부(17c)에 의해, 모터 회전각 검출 신호의 편차 \|θm(Main)-θm(Sub)\|이 이상 검지 임계값보다 작은지의 여부를 판정한다. 모터 회전각 검출 신호의 편차 \|θm(Main)-θm(Sub)\|이 이상 검지 임계값 이상이라고 판정된 경우, S22에 있어서, 이상 검지부(17c)에 의해, 모터 회전각용의 이상 카운터가 미리 정해진 값 이상인지의 여부를 판정한다. S22에 있어서 모터 회전각용의 이상 카운터가 미리 정해진 값 이상이라고 판정된 경우, S23에 있어서 조타 어시스트 제어를 차단하고, S24에 있어서 운전자에게 주의를 촉구하기 위해서, 워닝 램프를 점등시킨다. S22에 있어서, 모터 회전각용의 이상 카운터가 미리 정해진 값보다 작다고 판단된 경우, S25에 있어서 모터 회전각용의 이상 카운터를 인크리먼트하고, S26에 있어서 운전자에게 주의를 촉구하기 위해서, 워닝 램프를 점등시킨다. S21에 있어서, 모터 회전각 검출 신호의 편차 \|θm(Main)-θm(Sub)\|이 임계값보다 작다고 판단된 경우에는, S27에 있어서, 타각용 및 모터 회전각용의 이상 카운터를 클리어한다. 단, 조타 토크 검출 신호 Tt(Main) 또는 Tt(Sub)의 이상이 확정되어, 대체 신호로 조타 어시스트 제어를 행하고 있기 때문에, S10에 있어서 워닝 램프를 점등시켜, 운전자에게 주의를 촉구한다. 이상으로 나타낸 바와 같이, 본 실시형태 7에 의하면, 모든 센서에 있어서, 용장 감시를 함으로써, 2중 고장의 검지가 가능해져, 안전성을 향상시키는 것이 가능해진다. [실시형태 8]본 실시형태 8은, 조타 토크 검출 신호 Tt(Main), Tt(Sub)의 이상이 확정된 경우, 조타 어시스트를 점감 처리하는 것이다. 본 실시형태 8에서의 파워 스티어링 장치를 도 21의 흐름도에 기초하여 설명한다. 본 실시형태 8은, 도 21에 도시된 바와 같이, S1a∼S13, S14에 대해서는, 실시형태 6과 동일하다. 이하, 실시형태 6과 동일한 처리는 설명을 생략하고, 실시형태 6과 상이한 처리에 대해서만 설명한다.S8에 있어서, 이상 카운터가 미리 정해진 값 이상으로 이상이 확정된 경우, S9에 있어서 조타 어시스트 제어를 대체 신호로 전환하고, S10에 있어서 워닝 램프를 점등시킨다. 그리고, S28에 있어서, 점감 카운터가 미리 정해진 값 이상인지의 여부를 판정한다. 점감 카운터가 미리 정해진 값보다 작은 경우에는, S29에 있어서 모터 토크를 점감 처리하고, S30에 있어서 점감 카운터를 인크리먼트한다. 점감 카운터가 미리 정해진 값에 도달한 경우에는, S31에 있어서 모터 토크를 0, 또는 조타 어시스트 제어를 차단한다. 또한, S5a에 있어서, 조타 토크 검출 신호의 편차 \|Tt(Main)-Tt(Sub)\|가 이상 검지 임계값보다 작다고 판단된 경우, S6에 있어서 이상 카운터를 클리어하고, S32에 있어서 점감 카운터를 클리어한다. 이후의 처리는 실시형태 6과 동일하다. 이상으로 나타낸 바와 같이, 본 실시형태 8에 의하면, 조타 토크 검출 신호 Tt(Main) 또는 Tt(Sub)의 이상이 검출되어 워닝 램프가 점등되고 나서 미리 정해진 시간 경과 후에 조타 어시스트 제어를 점감함으로써, 조타 어시스트 제어가 완전히 중지하기 전에, 차량을 안전한 위치까지 이동하는 것이 가능해진다. 또한, 시간의 경과에 따라 조타 어시스트량을 점감함으로써, 운전자에 의한 계속 운전을 억제하여, 안전성을 높일 수 있다. 또한, 출력 제한을 서서히 행함으로써, 조타 위화감을 억제할 수 있다.이상, 본 발명에 있어서, 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명하였으나, 본 발명의 기술 사상의 범위에서 다채로운 변형 및 수정이 가능한 것은, 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 특허청구범위에 속하는 것은 당연한 것이다.예컨대, 이상 검출부에 의해 상기 이상이 검출된 후, 차량의 이그니션 스위치가 꺼지고, 또한 그 후, 재차 이그니션 스위치가 켜졌을 때, 상기 모터 제어 회로는, 상기 대체 신호에 기초하여 상기 전동 모터를 구동 제어하는 모터 지령 신호를 출력하도록 해도 좋다. 이와 같이, 차량 재기동 시에 있어서도 대체 신호에 의해 조타 제어를 계속함으로써, 운전자의 조타 부하를 경감할 수 있다. 여기서, 전술한 각 실시형태로부터 파악되는 기술적 사상으로서, 특허청구범위에 기재한 것 이외의 것에 대해, 그 효과와 함께 이하에 기재한다.(a) 청구항 2에 기재된 파워 스티어링 장치에 있어서, 상기 이상 검지부에 의해 상기 이상이 검출된 후, 차량의 이그니션 스위치가 꺼지고, 또한 그 후, 재차 이그니션 스위치가 켜졌을 때, 상기 모터 제어부는, 상기 대체 신호에 기초하여 상기 전동 모터를 구동 제어하는 모터 지령 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 파워 스티어링 장치. (a)의 기술적 사상에 의하면, 차량 재기동 시에 있어서도 대체 신호에 의해 조타 제어를 계속함으로써, 운전자의 조타 부하를 경감할 수 있다.(b) 청구항 4에 기재된 파워 스티어링 장치에 있어서, 상기 이상 검지부가 상기 이상을 검출한 후, 상기 모터 제어부가 상기 대체 신호에 기초하여 상기 모터 지령 신호를 출력하고, 그 후, 상기 이상 검지부가 상기 이상 상태가 해소되었다고 판단했을 때, 상기 모터 제어부는, 상기 기(旣)비교 신호에 기초하여 상기 모터 지령 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 파워 스티어링 장치. (b)의 기술적 사상에 의하면, 정상 상태로 복귀한 경우에는, 통상 제어(기 비교 신호에 의한 제어)로 복귀시킴으로써, 보다 적절한 조타 제어를 행할 수 있다. (c) (b)에 기재된 파워 스티어링 장치에 있어서, 상기 이상 검지부는, 상기 미리 정해진 시간의 경과 시간을 카운트하고,상기 미리 정해진 시간 경과 전에 상기 이상 검지부가 상기 이상 상태가 해소되었다고 판단했을 때, 상기 경과 시간의 카운트값을 리셋하는 것을 특징으로 하는 파워 스티어링 장치. (c)의 기술적 사상에 의하면, 정상 복귀 후, 재차 이상 상태에 들어갔을 때, 새롭게 미리 정해진 시간을 카운트할 수 있어, 판단 정밀도를 향상시킬 수 있다.(d) 청구항 8에 기재된 파워 스티어링 장치에 있어서, 상기 모터 제어부는, 상기 이상 검지부가 상기 이상을 검출할 때, 상기 모터 지령 신호를 점감시켜 출력하는 것을 특징으로 한다. (d)의 기술적 사상에 의하면, 출력 제한을 서서히 행함으로써, 조타 위화감을 억제할 수 있다. (e) 청구항 10에 기재된 파워 스티어링 장치의 제어 장치에 있어서, 상기 이상 검지부는, 상기 제1 비교, 상기 제2 비교, 및 상기 제3 비교를 모두 행하여, 상기 토크 센서, 상기 타각 센서, 및 상기 모터 회전각 센서의 이상을 검출하는 것을 특징으로 하는 파워 스티어링 장치의 제어 장치. (e)의 기술적 사상에 의하면, 모든 센서에 있어서 용장 감시를 함으로써, 안전성을 향상시킬 수 있다.(f) (e)에 기재된 파워 스티어링 장치의 제어 장치에 있어서, 상기 이상 검지부에 의해 상기 이상이 검출된 후, 차량의 이그니션 스위치가 꺼지고, 또한 그 후, 재차 이그니션 스위치가 켜졌을 때, 상기 모터 제어부는, 상기 대체 신호에 기초하여 상기 전동 모터를 구동 제어하는 모터 지령 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 파워 스티어링 장치의 제어 장치. (f)의 기술적 사상에 의하면, 차량 재기동 시에 있어서도 대체 신호에 의해 조타 제어를 계속함으로써, 운전자의 조타 부하를 경감할 수 있다. (g) 청구항 10에 기재된 파워 스티어링 장치의 제어 장치에 있어서, 상기 이상 검지부는 상기 이상이 검출되고, 이 이상 상태가 미리 정해진 시간 계속되었을 때, 상기 이상은 확정 정보라고 판단하고,상기 모터 제어부는, 상기 이상 검지부에 있어서 상기 이상이 검출되고, 이상이 확정 정보라고 판단되기 전에, 상기 대체 신호에 기초하여 상기 모터 지령 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 파워 스티어링 장치의 제어 장치. (g)의 기술적 사상에 의하면, 이상 확정 전에 대체 신호로 전환함으로써, 조기에 조타의 안전성을 확보할 수 있다. (h) (g)에 기재된 파워 스티어링 장치의 제어 장치에 있어서, 상기 이상 검지부가 상기 이상을 검출한 후, 상기 모터 제어부가 상기 대체 신호에 기초하여 상기 모터 지령 신호를 출력하고, 그 후, 상기 이상 검지부가 상기 이상 상태가 해소되었다고 판단했을 때, 상기 모터 제어부는, 상기 기비교 신호에 기초하여 상기 모터 지령 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 파워 스티어링 장치의 제어 장치. (h)의 기술적 사상에 의하면, 정상 상태로 복귀한 경우에는, 통상 제어(기 비교 신호에 의한 제어)로 복귀시킴으로써, 보다 적절한 조타 제어를 행할 수 있다.(i) (h)에 기재된 파워 스티어링 장치의 제어 장치에 있어서, 상기 이상 검지부는, 상기 미리 정해진 시간의 경과 시간을 카운트하고,상기 미리 정해진 시간 경과 전에 상기 이상 상태가 해소되었다고 판단했을 때, 상기 경과 시간의 카운트값을 리셋하는 것을 특징으로 하는 파워 스티어링 장치의 제어 장치. (i)의 기술적 사상에 의하면, 정상 복귀 후, 재차 이상 상태에 들어갔을 때, 새롭게 미리 정해진 시간을 카운트할 수 있어, 판단 정밀도를 향상시킬 수 있다. (j) 청구항 10에 기재된 파워 스티어링 장치의 제어 장치에 있어서, 상기 대체 신호는, 상기 기비교 신호 이외의 신호에 기초하여 연산된 상기 기비교 신호 상당값과, 상기 기비교 신호의 평균값인 것을 특징으로 하는 파워 스티어링 장치의 제어 장치. (j)의 기술적 사상에 의하면, 기비교 신호 상당값만을 대체 신호로 한 경우에 비해, 기비교 신호 그 자체를 포함한 평균값은, 실제의 조타 상태에 가까운 값을 나타내기 때문에, 보다 적절한 조타 제어를 행할 수 있다. 또한, 기비교 신호에는 이상 신호가 포함되어 있을 가능성이 있으나, 평균값을 취함으로써, 이상 신호는 평활화되어, 이상 신호에 의한 영향은 억제된다. (k) 청구항 10에 기재된 파워 스티어링 장치의 제어 장치에 있어서, 상기 모터 제어부는, 상기 이상 검지부가 상기 이상을 검출할 때, 상기 정상 시라고 판단하는 경우에 비해, 상기 모터 지령 신호를 저감시켜 출력하는 것을 특징으로 하는 파워 스티어링 장치의 제어 장치. (k)에 기재된 기술적 사상에 의하면, 이상이 검출될 때에는 출력 제한을 행함으로써, 조타의 안전성을 향상시킬 수 있다.(l) (k)에 기재된 파워 스티어링 장치의 제어 장치에 있어서,상기 모터 제어 회로는, 상기 이상 검지부가 상기 이상을 검출할 때, 상기 모터 지령 신호를 점감시켜 출력하는 것을 특징으로 하는 파워 스티어링 장치의 제어 장치. (l)의 기술적 사상에 의하면, 출력 제한을 서서히 행함으로써, 조타 위화감을 억제할 수 있다.	각각 적어도 2계통의 용장성을 가진 조타 토크 센서(TS1, TS2), 타각 센서(AS1, AS2), 모터 회전각 센서(61, 62)를 가지며, 상기 각각 2계통의 조타 토크 센서(TS1, TS2), 타각 센서(AS1, AS2), 모터 회전각 센서(61, 62) 중, 통상은 그 1계통의 조타 토크 검출 신호, 타각 검출 신호, 모터 회전각 검출 신호에 기초하여 조타 어시스트 제어를 행한다. 2계통의 조타 토크 센서(TS1, TS2), 타각 센서(AS1, AS2), 모터 회전각 센서(61, 62)는 각각 용장 감시가 행해지고, 상기 용장 감시에서 이상이 검출된 경우, 대체 신호로 전환한다. 이에 의해, 파워 스티어링 장치 및 파워 스티어링 장치의 제어 장치에 있어서, 센서 출력 신호에 이상이 발생한 경우라도 조타 어시스트 기능을 잔존시킨다.
[ 발명의 명칭 ] 흡착제ADSORBENTS [ 기술분야 ] 본 발명은 수성 스트림으로부터 수은 및/또는 비소 및 다른 중금속들을 제거하는 데에 적합한 흡착제 및 그들의 용도에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 수은 및 비소 및 다른 중금속들, 예를 들어 카드뮴 및 납은 독성 물질이고 종종 가스 및 오일 회수 공정으로부터의 공정수(produced water)에 가용성인 화합물로 존재하고, 정제기, 연도 가스 세정기 및 연탄 가스 발생기로부터의 폐수 스트림에서 발견될 수 있다. 환경적으로 안전하고 비용 효율적인 중금속 제거 기술을 발견하려는 노력이 있다.미국 특허 제5814226호는 스트림을 적절히 관능화된 유기 실란 또는 티타니아제에 의해 티올 또는 아민-관능기를 지지하는 실리카 겔과 같은 무기 세라믹 지지체(support)와 접촉시켜 수성 스트림으로부터 중금속 이온을 제거하는 공정을 개시한다. 수은 또는 비소의 예는 없다.문헌 [Ind. Eng. Chem. Res. 2003, 42, 1955-1964]은 티올-관능화된 흡착제 ("SOL-AD-IV")를 이용한 폐수로부터의 수은 (II) 이온의 흡착을 개시한다. 흡착제는 (3-머캅토프로필)트리메톡시실란 및 테트라에톡시실란을 공동 가수분해시켜 특정 물리적 특성을 갖는 흡착제를 형성함으로써 형성된다.문헌 [J. Environ. Monit., 2003, 3, 366-370]는 수은이, 3-머캅토프로필실란과 에틸렌술피드를 반응시켜 실리카 겔 표면 상에 형성된 티올-관능화된 실란을 사용하여, 티올-관능화된 실리카 물질을 사용하여 수용액으로부터 흡수될 수 있음을 개시한다.그러나, 티올-관능화된 흡착제는 불안정하고, SOL-AD-IV 흡착제는 활성 티올이 불활성 디술피드로 산화되는 것을 방지하기 위해 아르곤 하에서 보관되어야만 한다. 그러한 보관은 대체 불활성 가스가 사용되더라도, 엄청나게 값비쌀 것이고 산업적 규모에서는 곤란할 것이다. 게다가 공지된 생성물의 물리적 특성은 산업적 규모의 용도에 이상적이지 않다. 본 발명자들은 지지체의 다른 물리적 특성이 중금속 포획 성능이 향상된 흡착제를 야기할 수 있음을 추가로 발견하였다. [ 발명의 개요 ] 본 발명자들은 공지의 물질의 단점을 극복하는 흡착제를 개발하였다.따라서 본 발명은 알칼리성 금속을 함유하는 티올 관능화된 지지체를 포함하는, 중금속 흡착 흡수에 적합한 흡착제를 제공한다.본 발명은 추가로(i) 티올-관능화된 화합물과 지지체를 반응시켜 티올-관능화된 지지체를 형성하는 단계, 및(ii) 티올 관능화된 지지체를 알칼리성 금속 화합물과 반응시켜 흡착제를 형성하는 단계를 포함하는 흡착제 제조 방법을 제공한다.본 발명은 추가로 1종 이상의 중금속을 함유하는 수성 스트림과 흡착제를 접촉시는 단계를 포함하는 중금속 제거에 적합한 방법을 제공한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 용어 "중금속"은 수은, 비소, 납, 카드뮴, 안티몬, 주석, 구리, 니켈, 아연, 크롬, 백금, 팔라듐 및 금을 포함한다.티올 관능기는 다양한 티올(즉, -SH기) 함유 화합물에 의해 제공될 수 있지만, 바람직하게는 티올 관능기는 티올-관능화된 실란에 의해 제공된다. 이러한 실란은 적절하게는 지지체와 반응하는 1종 이상의 반응성 할로겐화물 또는 실리콘 원자에 부착된 알콕시기, 및 1종 이상의 비-반응성 티올-함유 기를 갖는다. 바람직한 실시양태에서 실란은 화학식 (RO)aSi((CH2)xSH)b이며, 이때 a는 2 또는 3, b는 4-a, x는 1 내지 6이고 R은 CH3, C2H5 또는 C3H7이다. 특히 실란은 (3-머캅토프로필)트리메톡시실란 또는 (3-머캅토프로필)트리에톡시실란이다.지지체는 최종 흡착체 물질로 가공되는 분말로써 제공될 수 있으나, 바람직하게는, 정제화, 압출 및 과립화와 같은 기술을 사용하여 그러한 분말로부터 형성된 형상화된 단위체(shaped unit), 즉, 미립자 또는 단일체 물질로써 제공된다. 형상화된 단위체 지지체로 출발하는 것이 차후의 공정 동안 티올 관능기를 감소시킬 위험을 줄일 수 있으므로 바람직하다. 지지체 물질은 바람직하게는 히드록실 관능기이며, 따라서 티올-함유 화합물, 예를 들어 실란과 강하게 상호작용할 수 있다. 지지체는 실리카, 티타니아, 알루미나, 지르코니아, 주(柱)형 점토, 또는 제올라이트형 물질, 또는 이들의 혼합물일 수 있으며, 알루미네이트 시멘트와 같은 결합제를 추가로 포함할 수 있다. 수화된 산화물, 예를 들어 알루미나 삼수화물 또는 보에마이트 또한 사용될 수 있다. 지지체는 바람직하게는 실리카 물질이며, 천연 또는 합성 (침전 실리카) 또는 실리카 겔일 수 있다. 본 발명자들은 지지체의 특성이 흡착제의 성능에 영향을 미칠 수 있음을 발견하였다.흡착제는 바람직하게는 최소 크기가 1 내지 15 mm 범위이고 최대 크기가 1 내지 25 mm 범위이고, 종횡비(가장 긴 길이를 가장 짧은 길이로 나눈 것)가 4 이하인 형상화된 단위체 형태이다. 일 실시양태에서, 형상화된 단위체는 직경이 1 내지 15 mm, 바람직하게는 1 내지 10 mm, 및 더욱 바람직하게는 1 내지 5 mm 범위인 구형 또는 거의 구형이다.흡착제의 물리적 특성, 예를 들어 입자의 표면적, 다공성 및 밀도는 흡수 프로파일에 중대한 영향을 미칠 수 있다. 따라서 벌크 밀도가 높고 다공성이 제한된 흡착제층, 예를 들어 몰딩된 정제는 비교적 광범위한 흡수 영역을 나타낼 수 있으나, 벌크 밀도가 낮고 다공성이 높은 물질층은 훨씬 좁은 흡수 영역을 갖는다는 것이 발견되었다. 이는 이론적 흡수 용량에 더 가깝게 접근하는 것을 가능하게 한다.흡착제의 BET 표면적은 바람직하게는 200 내지 500 m2/g, 더욱 바람직하게는 250 내지 450 m2/g 범위이다. 또한 흡착제의 포어 직경은 바람직하게는 70 내지 150, 더욱 바람직하게는 90 내지 150 Å, 가장 바람직하게는 100 내지 150 Å 범위이다. 또한 흡착제의 포어 부피는 바람직하게는 0.25 cm3/g 이상, 더욱 바람직하게는 0.50 cm3/g 이상, 가장 바람직하게는 0.75 cm3/g 이상이다. 이러한 특성을 갖는 흡착제는 최종 흡착제에 이러한 특성을 제공하는 물리적 특성을 갖는 적절한 지지체 물질을 사용하여 획득할 수 있다. 그러한 지지체 물질은 공지된 방법을 사용하여 제조할 수 있으나, 또한 상업적으로 입수할 수도 있다.본 발명에 따른 흡착제는 티올 관능기와 반응한다고 여겨지는, 안정화량의 알칼리성 금속을 포함한다. 비록 티올-관능성 물질이 수은과 같은 중금속을 포획하는 데에 효과적이지만, 공기에 의해 산화되기 쉬우므로, 활성 감소를 야기한다. 이론에 구속됨 없이, 본 발명자들은 알칼리성 금속이 티올이 산화되어 활성이 더 작은 디술피드를 형성하는 것을 방지하는 금속 술피드 화합물을 형성한다고 여긴다. 알칼리 금속은 차후에 중금속에 노출되면 이러한 금속들의 반응성 및 그 결과로 생긴 알칼리성 금속염들의 안정성의 유리한 차이 때문에 방출된다.알칼리성 금속은 1종 이상의 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속, 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 바람직하게는 알칼리성 금속은 1종 이상의 Li, Na, K, Cs, Mg, Ca 또는 Ba, 특히 Na 및/또는 Ca로부터 선택된다.티올 관능기의 수준은 바람직하게는 0.1 내지 10.0 중량%(S로써), 더욱 바람직하게는 0.5 내지 5.0 중량%(S로써), 가장 바람직하게는 0.5 내지 3.0 중량%(S로써)의 범위이며, 예를 들어, 지지체를 적절한 양의 (3-머캅토프로필)트리메톡시실란으로 처리하여 얻을 수 있다. 본 발명자들은 놀랍게도 다른 물리적 특성을 가진 지지체를 선택함으로써 이전 물질에 비하여 매우 효과적인 흡착제가 비교적 낮은 티올-수준으로 제조될 수 있음을 발견하였다.흡착제 내 알칼리성 금속 함량은 선택되는 알칼리성 금속에 따라, 존재하는 티올 관능기(S로써)의 양에 대하여 몰을 기초로 바람직하게는 20 내지 100 % 범위의 양으로 존재한다. 흡착제 내 바람직하게는 75 % 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상의 티올 관능기가 알칼리성 금속과 반응한다.본 발명의 방법은 티올-관능화된 화합물과 지지체가 반응하여 티올-관능화된 지지체를 형성하는 것을 요한다. 본 반응은 반응이 일어날 수 있는 조건 하에서 적절한 용매 내에서 지지체와 티올-관능화된 화합물이 결합하고, 여과되거나 또는 증발로 용매를 제거하여 간단히 수행될 수 있다. 100 ℃ 미만의 온도 및 8시간 미만의 반응 시간이 효율적인 것으로 보인다. 티올 관능화된 화합물은 바람직하게는 상기된 바와 같은 실란이다. 이 경우 실란은 지지체와 반응하여, 염화물 또는 알콕시기를 방출하여 티올 관능기를 지지체 표면에 연결시키는 안정한 M-O-Si 연결을 형성할 수 있다 (이때 M=Si, Al, Ti, Zr 등). 실리카 지지체는 상기 나열된 바와 같은 것이 바람직하다.산업적 규모의 용도에 적합한 용매는 알콜, 예를 들어 산업용 메틸화된 주정(spirit), 변성 에탄올 등이다. 물은 실란이 사용될 경우 지지체의 티올-관능화를 감소시키는 부반응이 일어나도록 야기할 수 있으므로 바람직하지 않다. 톨루엔은 사용될 수 있으나, 취급상 어려움 때문에 덜 바람직하다.바람직하다면, 지지체는 티올-관능화된 화합물과 반응하기 전 개질 물질로 처리되어 티올-관능화된 화합물과 지지체의 반응성을 증가시키거나, 지지체의 물리적 특성을 개선시킬 수 있다. 특히 지지체가 티올-관능화된 화합물과의 반응성이 낮은 경우, 개질 화합물은 그 결과로 생긴 흡착제의 티올 관능성을 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 본 발명자들은 알루미나는 테트라메틸오르토실리케이트(TMOS)와 같은 알킬실리케이트로 처리될 수 있고, 건조되어 지지체와 티올-관능화된 실란과의 반응성을 증가시킬 수 있음을 발견하였다.티올-관능화된 지지체는 알칼리성 금속 화합물로 처리되어 알칼리성 금속-개질된 티올-관능화된 지지체를 형성한다. 다시 한번 말하자면, 반응은 적절한 용매 내에서 티올-관능화된 지지체와 알칼리성 금속 화합물이 결합하고 여과되거나 또는 증발로 용매를 제거하여 제품을 회수함으로써 수행될 수 있다. 이 경우 용매는 수성일 수 있다. 수중 알칼리성 금속 화합물의 높은 용해성 및 사용의 편리함 때문에, 물은 바람직한 용매이다.알칼리성 금속 화합물은 바람직하게는 가용성 염이거나 수산화물과 같은 다른 가용성 화합물이다. 알칼리성 금속 화합물은 바람직하게는 NaOH 또는 Ca(OH)2이다.본 발명에 따른 흡착제는 수은, 비소, 납, 카드뮴, 안티몬, 주석, 구리, 니켈, 아연, 크롬, 백금, 팔라듐 및 금을 제거하는 데에 광범위하게 사용될 수 있다. 본 발명은 특히 수은 및 비소, 특히 수은에 유용하다.본 명세서에서 용어 "흡착제"는 또한 "흡수제"를 포함한다.수은 및/또는 비소 및/또는 다른 금속들은 수은 및/또는 비소 및/또는 다른 금속들을 함유하는 수성 스트림을 배치식, 예를 들어 교반 탱크, 또는 바람직하게는, 연속식 중 하나에서 형상화된 흡착제와 접촉시켜 제거될 수 있다. 배치식은 일반적으로는 여과를 요하나, 시간 소모적일 수 있다. 연속식에서 수용액은 흡착제 컬럼과 같은 적절한 용기 내의 하나 이상의 흡착제 고정층을 통과하여 지나간다. 그러한 공정은 공지되어 있고, 본 발명에서 효과적으로 사용될 수 있다.중금속이 제거될 수 있는 수성 스트림은 천연 가스 또는 오일 회수 공정으로부터 제조된 공정수 스트림, 정제기, 발전소, 석탄 가스 발생기와 같은 산업 공정으로부터의 폐수 스트림, 또는 다른 오염된 수성 스트림을 포함한다. 따라서 본 발명은 천연 가스, 조 오일 또는 석탄과 같은 화석 연료의 탐사(exploration) 및/또는 생산에 의해 생성된 오염된 수성 스트림으로부터 중금속을 제거하는 데에 적용될 수 있다. 다르게는, 오염된 수성 스트림은 화학 제품 및/또는 에너지를 생성하는 데에 사용되는 화석 연료 공정의 부산물일 수 있다. 예로써 오일 및 가스 탐사 및/또는 생산시의 저장수, 정유, 가스 투과, 천연 휘발유(Natural Gas Liquid (NGL)) 생산, 가스 발생, 가스화 복합 발전(Integrated Gasification Combined Cycle (IGCC)) 공정과 같은 연소 공정, 또는 스크러버액(scrubber liquor), 예를 들어, 연도-가스 탈황 장치로부터 회수된 것의 공동 생산물로부터의 수성 스트림을 포함한다. 대안적 실시양태에서, 흡착제는 산업 공정용, 또는 국내/지방용, 예를 들어, 식수용으로 예정된 물로부터 중금속을 제거하는 데에 사용될 수 있다. 추가의 실시양태에서, 흡착제는 산업 공정 장치 또는 수송 장치, 예를 들어 대형 선박, 플로팅(floating), 제품 저장기 및 충적 (FPSO) 시설, 고정 용기 또는 파이프라인의 오염에 의해 발생된 수성 스트림으로부터 중금속을 제거하는 데에 사용될 수 있다.전형적으로 오염된 공급 스트림 내 수은의 농도는 0.1 내지 20 중량당 ppm(ppm wt)이다.바람직하게는 중금속의 흡수는 100 ℃ 미만의 온도에서 액상으로 수행되며, 이는 그러한 온도에서 총 수은 흡수 용량이 증가하기 때문이다. 본 발명에서 양호한 효과를 얻기 위해 4 ℃ 정도로 낮은 온도가 사용될 수 있다. 수성 스트림의 pH는 바람직하게는 2 내지 10, 더욱 바람직하게는 4 내지 10, 가장 바람직하게는 5 내지 9, 특히 5 내지 7의 범위이다. 10 초과의 pH에 대해서는, 예를 들어 흡착제로 처리하기 전에 적절한 산을 첨가하여 pH를 10 이하로 조정하는 것이 바람직할 것이다.본 발명은 추가로 하기 실시예들을 참조로 기술한다.실시예 1: 흡착제의 제조단계 1(i). 에탄올 (1 L) 내 (3-머캅토프로필)트리메톡시실란 (125.0 g, 1.65 mol)을 둥근 바닥 플라스크 내 실리카 물질 (500 g)에 첨가하고 대용량 기계적 교반기(overhead mechanical stirrer)를 이용하여 내용물을 교반하였다. 70 내지 80 ℃의 온도에서 1.5 시간 동안 환류시키면서 반응을 수행하였다. 그 뒤 뷔흐너 여과 장치를 사용하여 비드를 여과시키고 아세톤으로 완전히 헹군 뒤 40 ℃의 추출 오븐에서 밤새 건조시켰다. 단계 (ii). 그 뒤 티올-관능화된 실리카 물질을 NaOH (1 L) 용액을 담고 있는 비커에 옮기고, 그 뒤 실온에서 5분 동안 교반하였다. 그 뒤 뷔흐너 여과 장치를 사용하여 알칼리성 금속 개질된 물질을 여과시키고 물로 완전히 헹군 뒤 60 ℃의 오븐에서 건조시켰다. 그 결과로 생긴 생성물이 흡착제 A였다.본 실험을 두 가지 추가로 다른 실리카 물질로 반복하여 흡착제 B 및 C를 생성하였다.알칼리성 금속 개질 없이 비교 물질 D, E, F, G 및 H를 제조하였다. 물질 D는 단계 (i) 공정만을 따라서, 동일한 실리카 지지체 물질을 사용하여 제조하였다. 물질 E, G 및 H는 단계 (i) 공정만을 따라서, 그러나 다른 실리카 지지체 물질, 즉 에탄올 대신 메탄올을 사용하고 55 내지 65 ℃의 온도에서 환류시켜 제조하였다. 물질 F는 US 5814226의 실시예 1의 공정을 따라 실리카 겔 상에서 제조하였다.물질의 BET 표면적, 평균 포어 직경 및 평균 포어 부피를 결정하였다. 마이크로메리틱스 트리스타 3000 및 마이크로메리틱스 ASAP 2420 장치를 사용하여 측정하였다. BET 표면적은 ASTM D3663-03에 따라 측정하였다. 흡착/탈착 등온선은 ASTM D4222-03에 따라 측정하였다. 사용된 피흡착물은 77 K의 질소였다. BET 플롯의 직선부는 0.05 내지 0.25의 상대 압력에서 획득되었다. 포어 부피는 0.99의 상대 압력 (P/Po)에서 등온선의 흡착 분지로부터 결정되었다. 평균 포어 직경은 0.99 P/Po에서의 포어 부피 및 BET 표면적으로부터 계산되었다. 샘플은 측정 전 140 ℃에서 최소 1시간 동안 건조 질소 퍼지로 탈가스화하였다. 게다가, 물질의 황 함량(중량 % S)는 1300 ℃에서의 샘플의 연소 및 진전된 SO2의 양을 수량화하기 위한 차후의 IR 분석에 의해 결정되었다. 수은 제거 시험 후 물질에 대한 특성화 및 사후 분석을 ICP-OES로 수행하여 물질에 포획된 수은의 양을 결정하였다. 지지체 특성 데이터는 표 1에서 주어진다.흡착제 특성 데이터는 표 2에서 주어진다.실시예 2: 시험이러한 시험은 고정층 공정 조건과 유사하게 복제하도록 수행되었다. 이는 연속 공정이고 반응기로부터 방출되는 샘플은 제거되는 수은 내 물질의 효율을 나타낸다. 시험시, 흡수 용기를 관능화된 흡착제 물질 (25 ml)로 충전하였다. 그 뒤 공급 용기(4 L 용량)로부터 염화수은의 수용액을 유속 1 ml/분으로 순환 펌프에 의해 흡착제 물질을 함유하는 반응기를 통해 펌핑하였다. 공급 용기로부터의 용액을 원자 형광 분석 시스템으로 분석하여 Hg2+의 농도를 측정하였다. 이는 흡수 용기의 주입구에서의 수은 농도를 제공한다. 이를 투여(dosing) 펌프를 통해 분리 용기로부터의 농축 염화수은 용액에 의해 10 ppm에 가능한 근접하게 유지하였다. 흡착제 용기를 빠져나오는 용액을 유출 배관이 있는 수집 용기 내에 수집하였고 유출을 흡착 용기의 공급 배관으로 돌려보냈다. 이러한 방법에서 공정은 연속적으로 흘렀다.수집 용기 내 용액을 샘플링하여 반응기를 빠져나가는 수은의 농도를 측정하였다. 또한 격변 수준(breakthrough level)이라고 알려져 있는 시험을 중지시키는 데에 요구되는 방출 용액에서 검출된 수은의 농도는 주입구 농도의 20 %에서 임의로 정해졌고, 따라서 이 경우 방출 농도가 2 ppm 초과일 때 시험이 중지되었다. 물질에 대한 격변 시간은 표 3에서 주어진다.본 발명에 따른 흡착제 A, B 및 C는 시험된 다른 것들에 비해 우수하다. 유동 시험으로부터 소요된 흡착제에 대한 시험 후 분석을 표 4에 나타내었다.상기 결과는 비교 물질들과 비교하여 흡착제 A, B 및 C의 효과를 입증한다. 따라서 알칼리성 금속의 존재는 물질 D의 성능을 향상시키는 것으로 나타난다. 흡착제 E는 초기에는 흡착제 A와 효과가 동등하나 상기한 바와 같이 에이징 문제를 겪는다. 예를 들어, 흡착제 E에 있어서, 유동 시험을 상기한 바와 같이 145일 기간에 걸쳐 수행하였고, 다시 2 ppm Hg 격변점에서 시험을 중지하였다. 결과는 표 5에서 주어진다.표 5에서의 결과는 이 기간에 걸쳐 공기 하에서 대기 조건 하에서 저장시 물질의 Hg 용량에서의 주목할만한 감소를 나타낸다. 반대로, 흡수제 A는 그의 성능을 유지한다. 초기 시험으로부터 추가로 35주 후 시험은 636 시간 (약 6 %의 증가)의 격변 시간 및 표 6에서 정리된 바와 같은 수은 회수를 나타낸다.흡수제 A는 에이징에 대한 나트륨-개질의 효과를 나타내는 활성을 보유한다.실시예 3: 수은 및 비소 제거흡착제 A를 사용하여 비소 및 수은을 함유하는 용액에 대한 정지 시험을 수행하였다. 흡착제 A 0.5 g을 농도를 알고 있는 염화수은 및 삼산화비소를 함유하는 100 ml 탈미네랄수에 첨가하였다. 이 혼합물을 대기 온도에서 교반하였다. 샘플을 특정 시간 간격, 즉 1, 2, 5, 10, 20, 40, 60, 120, 240, 및 360분에서 취하였다. 그 뒤 원자 형광 분석을 사용하여 이러한 샘플을 수은 및 비소 함량에 대해 분석하였다. 결과는 표 7에서 주어진다.상기 결과는 이 시험에서 Hg 및 As 모두 용액으로부터 흡착되었다는 것을 나타낸다.흡착제 C를 사용하여 비소 및 수은을 함유하는 용액에 대해 정지 시험을 수행하였다. 이 시험에서, 측정된 양의 흡착제 물질 (1.1 g)을 농도를 알고 있는 염화수은 및 삼산화비소를 함유하는 100 ml 탈미네랄수에 첨가하였다. 이 혼합물을 대기 온도에서 2주 동안 교반하였다. 그 뒤 시험의 시작점 및 종료점에서 용액을 ICPOES로 수은 및 비소 함량에 대해 분석하였다. 결과는 표 8에서 주어진다.상기 결과는 흡착제 C가 혼합 용액으로부터 수은 및 비소 모두 제거하였음을 나타내나, 비소에 비해 수은에 대해 증가된 선택도를 나타낸다.실시예 4: 수은 제거실시예 3의 방법에 따라 수은 함유 공정수의 샘플에 대해 흡착제 A를 사용하여 정지 시험을 수행하였다. 시험 전 공정수의 분석은 하기와 같다;[표 8]수은 함량은 약 11 ppm까지 상향 조정되었고 정지 시험은 흡수제 A를 사용하여 수행되었다. 결과는 표 9에서 주어진다.상기 결과는 다른 금속 화합물이 존재함에도 불구하고 수은 제거에 있어서의 흡수제의 효과를 입증한다.실시예 5: Ca-개질된 흡착제실시예 1에서 기술된 제조 방법을 사용하여, 동일한 실리카-티타니아 지지체에 대해 (3-머캅토프로필)트리메톡시실란을 사용하나 NaOH 대신 Ca(OH)2로 Ca-개질된 흡착제(흡착제 I)를 제조하였다. 지지체 및 흡착제 특성은 표 10에서 주어진다.이러한 흡착제는 유동 시험시 1주, 18주(126일) 및 36주(252일)에서 공기 하 대기 온도에서 저장 도중에 시험되었다. 이 결과는 표 11에서 기술된다.시험 도중에 35주에서의 차이에도 불구하고, Ca-안정화된 흡착제는 이러한 조건 하에서 Hg 용량을 보유하였다.실시예 6: 수은 제거실시예 3의 방법에 따라 질산수은[Hg(NO3)2]를 함유하는 용액 상에서 흡착제 B를 사용하여 정지 시험을 수행하였다. 결과는 표 12에서 주어진다.나트륨-안정화된 흡착제(물질 B)는 6시간 동안 질산수은 용액으로부터 95 %의 수은 제거를 나타낸다.실시예 7: 다양한 pH에서의 수은 제거 시험실시예 3의 방법에 따라 흡착제 B를 사용하여, 염화수은 용액의 pH가 13이 될 때까지 수산화나트륨을 첨가한 염화수은 함유 용액에 대해 정지 시험을 수행하였다. 또한 염화수은 용액의 pH가 2가 될 때까지 염산을 첨가하여 염화수은 용액에 대해 시험을 수행하였다. 결과는 표 13에서 주어진다.흡착제 B는 pH 2에서 양호한 수은 제거를 나타내나, pH가 13까지 증가하면 물질은 파괴되기 시작하였고 따라서 수은 제거 성능이 감소하였다. 추가의 시험은 pH 10까지 양호한 안정성을 나타내었다.실시예 8: 다양한 황 로딩양의 흡착제 제조 및 시험실시예 1의 공정 1(i) 및 1(ii)를 사용하나 반응시 티올의 양을 변화시켜 다양한 황 함량의 물질을 생산하도록 하여, 알칼리성 금속 개질된 물질 J, K, L 및 M을 제조하였다. 황 로딩양은 표 14에서 주어진다.흡착제 J-L은 실시예 2에서 기술된 유동 시험에 따라 시험되었다. 결과는 표 15에서 기술된다.결과는 흡착제 물질 상에 로딩된 황이 증가할수록 시험이 격변점에 도달하기 전 공급된 물로부터 제거된 수은의 수준이 증가한다는 것을 나타낸다.	본 발명은 티올 관능기와 반응하는 안정화량의 알칼리성 금속을 함유하는 티올 관능화된 지지체를 포함하는 중금속 흡수에 적합한 흡착제를 개시한다. 흡착제는 공정수 또는 연도 가스 스크러버수와 같은 폐수 스트림으로부터 중금속, 예를 들어 수은 및/또는 비소를 제거하는 데에 사용될 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 기판을 패턴화하기 위한 시스템 및 방법SYSTEM AND METHOD FOR PATTERNING SUBSTRATE [ 기술분야 ] 본 실시예들은 리소그래피 시스템들에 관한 것으로서, 더 구체적으로, 대전 입자 리소그래피 시스템들에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 다양한 유형들의 리소그래피 시스템들에서 대전 입자들이 기판을 패턴화하기 위하여 사용된다. 이러한 대전 입자 리소그래피 시스템들은 전자 및 이온 기반 리소그래피 시스템들을 포함한다. 이미지를 형성하기 위하여, 개별적인 전자들 또는 이온들을 인터셉트하기 위한 포토레지스트와 같은 전자-민감성(sensitive) 또는 이온-민감성 재료가 기판의 외부 표면 상에 배치된다. 직접 기입(write) 시스템들에 있어서, 대전 입자 빔은, 대전 입자 빔을 포토레지스트 또는 다른 목표 재료 내로 스캐닝함으로써 직렬 방식으로 기입하기 위하여 랜덤 스캐닝(벡터 스캐닝)을 겪을 수 있다. 다른 대전 입자 리소그래피 시스템들은, 포토레지스트 내에 이미지를 형성하기 위하여 마스킹 또는 패턴화 시스템들을 사용하여 더 작은 빔들 또는 빔렛(beamlet)들로 분할되는 대전 입자들의 광폭 빔(wide beam)을 제공한다. 일반적으로, 이러한 후자의 시스템들은 마스킹 또는 패턴화 시스템을 조사(illuminate)하는 낮은 이미턴스(emittance)의 그리고 고 휘도의 빔을 생성한다. 그런 다음, 광폭 빔을 복수의 빔렛들로 분할함으로써 형성되는 이미지가 기판 내에 형성되는 패턴을 획정(define)하기 위하여 포토레지스트 상으로 투사된다. 더 넓은 빔으로부터 복수의 빔렛들을 생성하는 일부 대전 입자 리소그래피 시스템들은, 그 내부에서 매체 또는 멤브레인(membrane)이 이를 통해 대전 입자들이 기판을 향해 인도되는 희망되는 패턴을 획정하는 개방 영역들의 세트를 갖는 고정된 스텐실 마스크를 이용한다. 다른 대전 입자 리소그래피 시스템들에 있어서, 규칙적으로 이격된 홀(hole)들의 세트를 포함하는 프로그램가능 개구 플레이트가 넓은 면적의 빔으로부터 복수의 상이한 빔렛들을 제공할 수 있다. 프로그램가능 개구 플레이트 시스템에는 또한, 기판의 희망되는 부분이 조사될지 또는 조사되지 않을지 여부에 의존하여 개별적인 빔렛들을 스위치 온하거나 또는 스위치 오프하기 위한 다수의 제어 전극들이 구비된다.고정된 마스크 또는 프로그램가능 개구 플레이트 시스템을 이용하는 대전 입자 리소그래피 시스템들에 대하여, 대부분의 툴(tool)들은 광폭 평행 빔으로 고정된 마스크 또는 프로그램가능 개구 플레이트 시스템을 조사한다. 이러한 빔은 전형적으로 발산 빔을 생성하는 작은 포인트 소스(point source)로부터 발원한다. 더 작은 빔렛들로 패턴화하기 전에 더 평행한 대전 입자 빔을 형성하기 위해 발산 빔을 포커싱하기 위하여, 마스킹 시스템의 상류측에 집광 렌즈(condenser lens) 시스템이 제공된다. 고정된 마스크 또는 프로그램가능 개구들을 통과한 후, 그런 다음 대전 입자 빔이, 기판 상에 적절한 치수로 희망되는 패턴을 생성하기 위해 희망되는 이미지 감소를 생성할 수 있는 투사 광학 시스템을 통해 전도될 수 있다. 이러한 대전 입자 리소그래피 시스템들과 관련된 하나의 문제는 리소그래피 시스템의 복잡도 및 크기이며, 이는 고 휘도 포인트 소스로부터 대전 입자 빔을 생성하고, 빔을 확산시키며, 그런 다음 마스크에 진입하기 전에 빔을 콜리메이팅(collimate)해야 하는 필요성 때문이다. 이러한 그리고 다른 고려사항들이 본 개선들이 요구되는 것에 관한 것이다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] [ 과제의 해결 수단 ] 본 요약은 아래의 상세한 설명에서 추가로 설명되는 개념들의 선택을 간략화된 형태로 소개하기 위해 제공된다. 본 요약은 청구되는 내용의 핵심 특징들 또는 본질적인 특징들을 식별하도록 의도되지 않으며, 청구되는 내용의 범위를 결정하는데 도움을 주는 것으로서 의도되지도 않는다. 일 실시예에 있어, 기판을 패턴화하기 위한 시스템은, 플라즈마 챔버; 플라즈마 챔버 내에 플라즈마를 생성하기 위한 전원; 및 플라즈마 챔버의 일 측(side)을 따라 배치되며 복수의 개구들을 포함하는 추출 플레이트 시스템을 포함한다. 추출 플레이트 시스템은 플라즈마 챔버에 대하여 추출 플레이트 시스템을 바이어싱하는 추출 전압을 수신하도록 구성되며, 여기에서 복수의 개구들은 플라즈마로부터 복수의 개별적인 대전 입자 빔렛들을 추출하도록 구성된다. 시스템은 복수의 대전 입자 빔렛들 중 적어도 하나를 기판으로 보내기 위한 투사 광학 시스템을 더 포함한다.추가적인 실시예에 있어서, 기판을 패턴화하는 방법은, 플라즈마 챔버 내에 대전 입자들을 포함하는 플라즈마를 생성하고, 복수의 대전 입자 빔렛들을 형성하기 위하여 복수의 개구들을 통해 플라즈마로부터 대전 입자들을 추출하며, 대전 입자 빔렛이 복수의 개구들 중 제 1 개구를 통과할 때 복수의 빔렛들 중 제 1 대전 입자 빔렛을 편향시키는 단계; 및 편향 없이 복수의 개구들 중 제 2 개구를 통해 복수의 빔렛들 중 제 2 대전 입자 빔렛을 송신하는 단계로서, 제 1 대전 입자 빔렛은 기판 상에 충돌하지 않고, 제 2 대전 입자 빔렛은 기판 상에 충돌하는, 단계를 포함한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 개시의 실시예들에 부합하는 예시적인 대전 입자 리소그래피 시스템을 제시한다. 도 2a는 다양한 실시예들에 따른 추출 플레이트의 상단 평면도를 도시한다. 도 2b는 플라즈마 챔버 내에 위치될 때의 도 2a의 추출 플레이트 시스템의 측면 단면도를 도시한다. 도 3a는 동작 동안의 도 1의 예시적인 대전 입자 리소그래피 시스템의 측면 단면도를 도시한다. 도 3b는 동작 동안의 도 3a의 플라즈마 챔버 및 추출 플레이트 시스템의 상단 평면도를 도시한다. 도 4는 본 실시예들에 부합하는 기판을 패턴화하기 위한 대전 입자 빔렛들의 생성의 제 1 스테이지 동안의 예시적인 대전 입자 리소그래피 시스템을 도시한다.도 5는 기판을 패턴화하기 위한 대전 입자 빔렛들의 생성의 제 2 스테이지 동안의 도 4의 시스템을 도시한다.도 6은 기판을 패턴화하기 위한 대전 입자 빔렛들의 생성의 제 3 스테이지 동안의 도 4의 시스템을 도시한다. 도 7은 본 개시의 실시예들에 부합하는 다른 예시적인 대전 입자 리소그래피 시스템을 제시한다.도 8은 본 개시의 실시예들에 부합하는 추가적인 예시적인 대전 입자 리소그래피 시스템을 제시한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이제 이하에서 본 실시예들이, 일부 실시예들이 도시된 첨부된 도면들을 참조하여 더 완전하게 설명될 것이다. 그러나, 본 개시의 내용이 다수의 상이한 형태들로 구현될 수 있으며, 본원에서 기술되는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 오히려, 이러한 실시예들은 본 개시가 완전하고 철저해질 수 있도록 제공되며, 본원의 범위를 당업자들에게 완전하게 전달할 것이다. 도면들에서, 유사한 도면번호들이 전체에 걸쳐 유사한 엘러먼트를 지칭한다. 본원에서 설명되는 실시예들은 신규한 리소그래피 장치를 제공한다. 다양한 실시예들에 있어, 대전 입자 리소그래피 시스템은, 대전 입자들의 광역(wide area) 소스로서 역할하는 플라즈마 챔버를 포함한다. 이러한 광역 소스는, 다양한 실시예들에 따라 기판의 효율적이고 빠른 패턴화를 제공하기 위해 이용될 수 있다. 플라즈마-기반 광역 소스를 사용하는 이점은, 플라즈마 챔버의 사용이, 패턴화될 기판 상에 충돌할 때 대전 입자들이 동일한 각도를 형성하도록, 고도의 평행성을 갖는 패턴화 시스템을 통해 대전 입자들을 보내기 위한 능력을 가능하게 한다는 것이다. 본 실시예들에 의해 제공되는 다른 이점은, 플라즈마 챔버의 사용에 의해 가능해진 패턴화 시스템의 영역에 걸친 대전 입자 밀도의 고도의 균일성이다. 또한, 플라즈마 소스는, 기판 상에 입사되는 대전 입자들의 에너지 확산을 감소시키기 위하여 플라즈마 상태들을 조정하기 위해 튜닝될 수 있고, 그럼으로써, 패턴화 프로세스의 균일성을 추가적으로 개선할 수 있는 다양한 조정가능 파라미터들을 제공한다. 낮은 에너지 확산을 달성하는 것은, 결과적으로 종래 기술에서 사용되는 포인트 소스들보다 더 낮은 플라즈마 밀도를 요구하는 넓은 영역의 사용에 의해 가능해 진다.다양한 실시예들에 있어, 대전 입자들을 생성하기 위한 플라즈마 소스는 기판을 패턴화하기 위해 대전 입자 빔렛들을 생성하기 위한 추출 플레이트 시스템과 함께 사용된다. 이러한 추출 플레이트 시스템은 대전 입자 리소그래피를 위해 사용되는 공지된 개구 시스템들에 따라 설계될 수 있다. 이러한 시스템들은, 패턴화되는 기판의 빔렛들에 대한 노출을 제어하기 위해 사용되는 고정된 개구들 또는 프로그램가능 개구들을 포함할 수 있다. 프로그램가능 개구들을 가지고 설계된 시스템들은 그 밖에 "무마스크(maskless) 시스템들"로서 지칭되며, 이는 프로그램가능 개구들이 고정된 마스크 패턴으로 구성되지 않으면서 기판을 패턴화하기 때문이다. 그러나, 이러한 시스템들이 본원에서 단지 "추출 플레이트 시스템들"로서 지칭된다. 본 실시예의 추출 플레이트 시스템 및 공지된 시스템들의 추출 플레이트 시스템의 하나의 공통된 특징은, 개구 플레이트가 개구 플레이트의 넓은 영역의 크기에 비할만한 넓은 영역에 걸쳐 분포된 대전 입자들의 플럭스(flux)에 노출된다는 것이다. 그런 다음, 대전 입자들의 플럭스는, 개구 플레이트 내에 포함되는 복수의 개구들을 통과할 때 복수의 빔렛들로 변환된다. 이하에서 상세하게 설명되는 바와 같이, 본 실시예들로부터 기인하는 다수의 이점들은 추출 플레이트 시스템에 의해 패턴화되는 대전 입자들의 넓은 영역을 생성하기 위해 사용되는, 통상적인 포인트 소스 시스템들과는 상이한 플라즈마 소스들의 성질로부터 기인한다.도 1은 본 개시의 실시예들에 따른 대전 입자 리소그래피를 위해 사용되는 시스템(100)을 도시한다. 시스템(100)은 특히 그 안에 위치된 기판(124)을 패턴화하기 위하여 이용될 수 있다. 시스템(100)은 전원(104)으로부터 전력을 수신하는 플라즈마 챔버(102)를 포함한다. 다양한 실시예들에 있어서, 전원(104)은 용량적으로 결합된 플라즈마를 생성하기 위한 또는 유도적으로 결합된 플라즈마를 생성하기 위한 RF 전원; 마이크로파 전원, 또는 아크 방전 전원일 수 있다. 실시예들이 이러한 맥락으로 제한되지 않는다. 플라즈마 챔버(102)는 임의의 알맞은 형상을 가질 수 있으며, 도시된 직교 좌표계의 X-Y 평면에서 원형 또는 직사각형 형상을 형성할 수 있다. 실시예들이 이러한 맥락으로 제한되지 않는다.도 1에 추가로 도시된 바와 같이, 추출 플레이트 시스템(106)이 플라즈마 챔버(102)의 일 측(108)을 따라 배치되며, 플라즈마 챔버(102)의 상기 측의 벽의 일 부분 또는 전체를 형성할 수 있다. 플라즈마(미도시)가 플라즈마 챔버(102) 내에서 생성될 때, 추출 플레이트 시스템(106)이 복수의 개구들(110)을 통해 플라즈마 챔버(102)로부터 복수의 대전 입자 빔렛들을 추출하기 위해 사용될 수 있으며, 이러한 빔렛들 중 일부가 기판(124)의 패턴화를 위해 기판(124)으로 보내진다. 플라즈마 챔버(102)로부터 대전 입자들을 추출하기 위해, 그 사이에 추출 전압 VEXT를 생성하기 위하여 추출 전압 공급장치(112)가 플라즈마 챔버(102) 및 추출 플레이트 시스템(106)에 결합된다. 환형 절연체(109)가 플라즈마 생성 영역의 전위를 개구 플레이트의 전위로부터 분리하기 위해 사용된다. 다양한 실시예들에 있어, 추출 전압 VEXT의 크기는 5 kV 내지 100 kV의 범위이지만, 실시예들이 이러한 맥락으로 제한되지 않는다. 다양한 실시예들에 있어, 추출 플레이트 시스템(106)은 단일 추출 플레이트일 수 있거나 또는 복수의 추출 플레이트들을 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 추출 전압 공급장치(112)는 네거티브(negative) 또는 포지티브(positive) 전압으로서 VEXT를 공급할 수 있으며, 그 결과 추출 플레이트 시스템(106)이 플라즈마 챔버(102)에 대하여 네거티브하게 또는 포지티브하게 바이어싱된다. 추출 플레이트 시스템(106)이 플라즈마 챔버(102)에 대하여 포지티브하게 바이어싱되는 경우에 있어서, 전자들이 기판(124)으로 보내지는 복수의 전자 빔렛들을 형성하기 위하여 플라즈마 챔버(102)로부터 추출될 수 있다. 추출 플레이트 시스템(106)이 플라즈마 챔버(102)에 대하여 네거티브하게 바이어싱되는 경우에 있어서, 포지티브 이온들이 기판(124)으로 보내지는 복수의 포지티브 이온 빔렛들을 형성하기 위하여 플라즈마 챔버(102)로부터 추출될 수 있다. 다른 실시예들에 있어, 당업자들에 의해 이해될 바와 같이, 추출 플레이트 시스템(106)에 플라즈마 챔버(102)에 대한 포지티브 VEXT를 인가하는 것이 네거티브 이온들을 추출하기 위해 사용될 수 있지만, 플라즈마 챔버(102) 내에 네거티브 이온들을 생성하기 위해 다른 컴포넌트들(미도시)이 요구될 수 있다. 시스템(100)은, 이하에서 상세하게 설명되는 바와 같이, 추출 플레이트 시스템(106) 내에서 개구들(110)에 편향 전압 VDEF를 제공하기 위해 이용되는 복수의 편향 전압 소스들(114)을 더 포함한다. 간단히 말해서, 편향 전압 소스들(114)은 개별적인 개구에 인가되는 편향 전압을 개별적으로 제어하기 위해 사용된다. 이는, 시스템(100)으로 하여금, 개구들을 통과하는 대전 입자의 궤적을 제어하기 위해 선택 개구들 상에 편향 전압을 사용함으로써 주어진 대전 입자 빔렛이 패턴화하기 위해 기판(124)에 도달할지 여부를 제어하는 것을 가능하게 한다. 편향 전압 소스(114)는, 기판(124)에서 대전 입자 빔들의 노출의 주어진 패턴을 생성하기 위하여 편향 전압 소스(114) 내에서 상이한 개구들(110)에 대한 편향 전압들의 주어진 패턴이 프로그램될 수 있도록, 프로그램가능 전압 편향 소스일 수 있다.시스템(100)은 또한, 기판 상에 충돌하기 전에 대전 입자 빔렛들의 모음(collection)을 제어하기 위해 사용되는 투사 광학 시스템(116)을 포함한다. 투사 광학 시스템(116)은, 대전 입자 빔렛들의 치수 및 포커싱을 제어하기 위해 통상적인 대전 입자 리소그래피 시스템들에서 사용되는 것과 같은 통상적인 시스템일 수 있다. 예를 들어, 추출 플레이트 시스템(106)은 투사 광학 시스템(116)에 의해 크기가 감소된 빔렛들의 패턴을 형성할 수 있다. 이러한 투사 광학 시스템들의 세부사항들이 잘 알려져 있으며, 본원에서 추가적으로 논의되지 않는다.시스템(100)은, 추출 플레이트 시스템(106)에 의해 편향된 대전 입자 빔렛들을 걸러내도록 역할하는 정지 플레이트(stopping plate)(118)를 포함한다. 이러한 방식으로, 추출 플레이트 시스템(106)은, 이하에서 상세하게 설명되는 바와 같이, 어떤 대전 입자 빔렛들이 기판(124)에 도달할지를 선택할 수 있다. 예를 들어, 기판(124)의 상이한 영역들이 대전 입자들에 노출되게 하기 위하여 적어도 X-방향 및 Y-방향을 따라 기판(124)을 병진 이동(translate)시킬 수 있는 기판 스테이지(122)가 또한 시스템(100) 내에 포함된다. 예를 들어, 시스템(100)은 추출 플레이트 시스템(106)과 기판(124) 사이에서 이미지 크기의 100x 또는 200x 감소를 생성할 수 있다. 따라서, X-방향을 따라 20 cm에 걸치는 추출 플레이트 시스템(106)이, 하나의 예에서 2 mm에 걸친 기판(124) 상의 패턴을 생성할 수 있다. 따라서, 약 수 센티미터의 치수들을 갖는 기판(124)을 노출시키기 위하여, 기판 스테이지(122)가 일련의 노출들 사이에서 X-방향 및 Y-방향을 따라 스캐닝될 수 있다. 도 2a 및 도 2b는 각기, 기판을 패턴화하기 위해 시스템(100) 내에서 사용될 수 있는 추출 플레이트 시스템(200)의 상단 평면도 및 측면도를 도시한다. 구체적으로, 도 2b는 방향 A-A'를 따른 추출 플레이트 시스템(200)의 단면도를 제시한다. 추출 플레이트 시스템(200)은, 서로 부착된 개구 플레이트(202) 및 블랭킹(blanking) 플레이트(204)를 포함한다. 개구 플레이트(202) 및 블랭킹 플레이트(204)는 각기, 서로에 대해 정렬된 개구들(206, 208)의 개별적인 어레이를 포함한다. 개구들(206)은, 전체 추출 플레이트 시스템(200)을 통해 연장하는 개구들(209)의 어레이가 형성될 수 있도록 개구들(208)과 정렬된다. 개구들(209)은, 플라즈마 챔버(102) 내에서 형성된 플라즈마(미도시)로부터 추출되는 대전 입자 빔들을 전도시킬 수 있다.추출 플레이트 시스템(200)은 또한, 플라즈마 챔버(102)와 추출 플레이트 시스템(200) 사이에 바이어스를 인가하기 위하여 추출 전압 공급장치(112)에 결합되는 전극(210)을 포함한다. 이러한 방식으로, 플라즈마가 플라즈마 챔버(102) 내에 형성될 때, 추출 플레이트 시스템(200)은 플라즈마로부터의 대전 입자들을 희망되는 에너지까지 가속할 수 있다. 블랭킹 플레이트(204)는, 편향 전압 소스(114)에 결합된 편향 전극들(212)을 더 포함한다. 각각의 편향 전극(212)은 개별적인 개구(208)와 정렬되며, 2개의 상이한 전극들을 포함한다. 따라서, 편향 전압이 각기 편향 전극(212)을 형성하는 2개의 상이한 전극들 사이에 인가될 수 있다. 이러한 편향 전압은, 개구(209)를 통과하는 대전 입자를 편향시키도록 구성된 편향 필드를 생성하도록 역할한다. 편향 전압 소스(114)는, 편향 전압이 개별적으로 임의의 편향 전극(212)으로 전달될 수 있는 방식으로 프로그램가능할 수 있다. 도 2a, 도 2b에 명시적으로 도시되지는 않지만, 편향 전극들(212)이 추출 플레이트 시스템(200) 내에 또는 추출 플레이트 시스템 상에 제공되는 배선을 통해 편향 전압 소스에 연결될 수 있다. 작은 치수들을 갖는 특징부들을 알맞게 생성하기 위하여, 개구들(209)에 대한 X-방향 및 Y-방향의 개구 크기가 약 1 내지 10 마이크로미터일 수 있다. 또한 도 1을 참조하면, 이는, 시스템(100)과 같은 시스템이 투사 광학 시스템(116)에 의해 수행되는 감소 또는 축소에 의존하여 약 10 내지 100 나노미터의 치수를 갖는 대전 입자 빔렛들을 생성하는 것을 가능하게 한다. 실시예들이 이러한 맥락으로 제한되지 않는다.도 2b가 특히 추출 플레이트 시스템(200)이 개구들을 갖는 2개의 상이한 플레이트들을 포함하는 실시예를 도시하지만, 다른 실시예들에 있어서, 추출 플레이트 시스템은, 편향 전극들이 블랭킹 플레이트(204)로서 개구들 내에 배치되는 단일 개구 플레이트일 수 있다. 또한, 전극들은 단일 개구 플레이트 실시예에 있어 개구들의 길이를 따라 부분적으로 연장할 수 있거나, 또는 이러한 개구들의 전체 길이를 따라 연장할 수 있다.도 3a는 다양한 실시예들에 따른 시스템(100)의 동작에 대한 하나의 시나리오를 도시한다. 도 3a에서, 가스 종(별도로 도시되지 않음)이 플라즈마 챔버(102)로 들어오며, 그 후 전원(104)이 플라즈마 챔버(102)에 전력을 공급할 때 플라즈마(300)가 생성된다. 플라즈마(300)를 생성하기 위한 적절한 가스 종의 예들은, 불활성 가스, 예컨대 He, Ne, Ar, Kr, Xe, 또는 수소-함유 가스, 예컨대 H2, H2O, NH3을 포함한다. 이는 개구 플레이트 컴포넌트들과의 에칭 또는 반응을 제한할 수 있다. 그러나, 실시예들이 이러한 맥락으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 기판 층을 패턴화하기 위해 이온들이 기판 층 내로 주입되는 포지티브 이온 리소그래피의 실시예들에 있어서, 가스 종은 임의의 희망되는 포지티브 이온을 생성하도록 선택될 수 있다. 본 실시예들에 따르면, 플라즈마(300)는, 대전 입자들을 추출하기 위해 사용되는 개구들(209)의 어레이의 폭 W에 걸쳐 그리고 길이 L에 걸쳐(도 2a 참조) 대전 입자들의 균일한 플럭스를 제공하는 방식으로 생성된다. 예를 들어, 도 3a에 예시된 바와 같이, 플라즈마 챔버(102)의 크기는, 추출 플레이트 시스템(200) 근처에서, Y 방향을 따른 플라즈마의 길이 및 X 방향을 따른 플라즈마(300)의 폭이 개구들(209)의 어레이의 개별적인 폭 W 및 길이 L보다 더 클 수 있도록 배열될 수 있다. 이러한 기하구조를 사용하면, 전원이 유도 결합 또는 용량 결합(도 3에 명시적으로 도시되지 않음)을 통해 플라즈마(300)를 생성하는 RF 전원인 실시예들에 대하여, 개구들(209)의 어레이의 폭 W 및 길이 L에 걸친 대전 입자 밀도의 변동이 3% 미만일 수 있다. 이러한 방식으로, 추출 플레이트 시스템(200)의 상이한 개구들(209)을 통해 전도되는 단위 면적당 대전 입자 플럭스의 변동이 또한 3% 미만일 수 있다. 도 3a에 추가적으로 도시된 바와 같이, 복수의 대전 입자 빔렛들(302, 304, 306, 308, 310)이 상이한 개구들(209)을 통해 플라즈마(300)로부터 추출된다(도 2b 참조). 이상에서 언급된 바와 같이, 이러한 대전 입자 빔렛들(302-310)의 각각이 단위 면적당 동일한 대전 입자 플럭스를 운반할 수 있다. 따라서, 기판(124)에 도달하는 빔렛들(302-310)의 어레이가 주어진 노출 시간 동안 동일한 방식으로 필름(126)을 변화시킬 수 있다. 도 3a의 예시가, 어떤 대전 입자 빔렛들이 기판(124)에 도달할지를 제어함으로써 기판(124)을 패턴화하기 위한 편향 전압 소스의 사용의 예들을 도시한다. 구체적으로, 대전 입자 빔렛들(302 및 306)은, 대전 입자 빔렛들(302 및 306)이 정지 플레이트(118)에 의해 인터셉트되도록 하는 방식으로, 개별적인 개구들(209A 및 209C)을 통과할 때 편향된다. 다른 대전 입자 빔렛들(304, 308, 및 310)은 편향 없이 추출 플레이트 시스템(200)을 통과하며, 정지 플레이트(118)의 개구(120)를 통해 보내진다. 대전 입자 빔렛들(304, 308, 310)이 필름(126)과 충돌할 때, 필름(126)이 변화되며, 이는 개별적인 변화된 영역들(312, 314, 및 316)의 패턴을 형성한다. 개구들(209)의 어레이 내의 다른 대전 입자 빔렛들은, 희망되는 패턴을 필름(126)으로 전달하기 위하여, 기판(124)으로 보내지거나 또는 정지 플레이트(118)에 의해 인터셉트될 수 있다.일부 실시예들에 있어서, 일반적으로 추출 플레이트 시스템(200)에 의해 표현되는 것과 같은 추출 플레이트 시스템은, 2차원 어레이로 배열된 수천개의 개구들, 예를 들어, 500,000개의 개구들을 포함할 수 있다. 따라서, 기판(124)이, 기판(124)의 급속 패턴화를 가능하게 할 수 있는 수천개의 평행 대전 입자 빔렛들 중 수백개의 빔렛들에 의해 프로세싱될 수 있다.도 3b는 동작 동안의 플라즈마 챔버(102)의 상단 평면도를 제시한다. 도시된 바와 같이, 플라즈마(300)가 플라즈마 챔버(102) 내에서 생성될 때, 플라즈마(300)는 개구들(209)의 어레이에 의해 펼쳐지는 면적(WL)만큼 크거나 또는 이보다 더 큰 면적을 커버할 수 있는 광역 대전 입자 소스로서 유효하게 동작한다. 도 3a 및 도 3b로부터 명백한 바와 같이, 이러한 기하구조는, 개구 플레이트 또는 마스크에 진입하기 전에 대전 입자들이 더 큰 면적에 걸쳐 확산되는 포인트 소스들에 기초하는 통상적인 대전 입자 장치와 대비된다. 그 대신, 시스템(100) 내에서, 플라즈마(300)로부터 추출되는 전자들 또는 이온들은, 추출 플레이트 시스템(200)의 표면에 대하여 수직하는 입사각으로 실질적으로 평행한 궤적들을 가지고 플라즈마 쉬스(plasma sheath)(318)를 가로지르고 개구들(206)(209)에 진입한다. 따라서, 플라즈마(300)를 빠져 나오는 대전 입자들에 대한 X-Y 평면에서의 단위 면적당 대전 입자 플럭스는 개구들(209)에 진입하는 대전 입자들의 단위 면적당 대전 입자 플럭스와 동일하다. 다시 말해서, 대전 입자들이 추출 플레이트 시스템(200)과 충돌하기 위하여 플라즈마 쉬스를 이동할 때 대전 입자들의 확산이 존재하지 않는다. 또한, 이상에서 언급된 바와 같이, 투사 광학 시스템(116)이 추출 플레이트 시스템(200)으로부터 기판(124)으로의 대전 입자 빔들에 의해 형성된 이미지 또는 패턴의 크기의 100x 또는 200x 선형 감소를 생성할 수 있다. 이는, 1002 또는 2002의 대전 입자 빔들에 의해 형성된 패턴의 면적에 대한 감소 인자(factor)에 대응한다. 따라서, 추출 플레이트 시스템(200)에서 대전 입자 빔들의 어레이에 의해 형성된 원래의 면적(LW)은, 대전 입자 빔들이 투사 광학 시스템(116)을 지난 후 기판에서 면적(LW/40,000)으로 감소될 수 있다. 각각의 개별적인 대전 입자 빔렛의 (X-Y 평면에서의) 단면적이 유사한 인자만큼 감소될 수 있다. 이러한 방식으로, 기판(125)에 도착하는 개별적인 대전 입자 빔렛 내의 대전 입자들의 단위 면적당 플럭스가 개구들(209)에 진입하는 대전 입자들의 단위 면적당 플럭스의 40,000배에 이를 수 있다. 대전 입자들이 플라즈마(300)로부터의 추출 동안 확산하지 않기 때문에, 따라서, 기판(124)을 패턴화하기 위해 주어진 대전 입자 도우즈(dose)를 제공하기 위해 요구되는 플라즈마(300) 내의 대전 입자들의 체적 밀도가 통상적인 대전 입자 리소그래피 시스템들에서의 고 휘도 포인트 소스들에서 요구되는 것에 비하여 훨씬 더 낮을 수 있다.도 3에 도시된 시스템(100)의 동작을 더 상세하게 설명하기 위하여, 도 4, 도 5, 및 도 6은 기판(124)을 패턴화하기 위한 대전 입자 빔렛들의 생성 동안의 상이한 스테이지들을 예시한다. 명확성을 위하여, 플라즈마 챔버(102), 추출 플레이트 시스템(200), 및 관련된 전압 소스들만이 도시된다. 도 4에서, 플라즈마(300)는 전원(미도시)의 사용을 통해 플라즈마 챔버(102) 내에 생성된다. 본 실시예들에 따르면, 플라즈마(300)는 개구들(209)의 어레이에 의해 획정되는 면적에 걸쳐 대전 입자들의 균일한 밀도를 제공하도록 생성된다(도 3b 참조). 이러한 스테이지에서, 추출 전압이 추출 플레이트 시스템(200)과 플라즈마 챔버(102) 사이에 공급되지 않는다. 따라서, 추출 플레이트 시스템(200)을 통해 추출되는 대전 입자 빔렛들이 존재하지 않는다. 플라즈마 파워, 가스 압력, 가스 흐름, 및 다른 파라미터들과 같은 다양한 파라미터들이 플라즈마 균일성을 희망되는 레벨로 조정하기 위해 조정될 수 있다. 도 5에서, 플라즈마(300)가 플라즈마 챔버(102) 내에 존재하고 있는 동안 추출 전압 VEXT가 플라즈마 챔버(102)와 추출 플레이트 시스템(200) 사이에 인가된다. 이는, 도시된 대전 입자 빔렛들(302, 304, 306, 308, 및 310)을 형성하기 위하여 플라즈마(300)로부터의 대전 입자들의 가속을 야기한다. 대전 입자들은, 그들의 궤적들이 개구 플레이트(202)의 상단 표면에 의해 획정되는 평면 P에 수직하는 입사의 각도를 형성하도록 또는 대전 입자들이 평면 P에 대한 수선(320)에 대하여 + 0.5도 내지 - 0.5도의 입사의 각도로 개구 플레이트(202) 상에 충돌할 수 있도록, 플라즈마(300)로부터 개구 플레이트(202)를 향해 가속될 수 있다.도 5에 도시된 시나리오에 있어서, 편향 전압이 추출 플레이트 시스템(200)의 개구들에 인가되지 않았다. 따라서, 대전 입자 빔렛들(302, 304, 306, 308, 및 310)은, 그들의 궤적들을 변화시킬 수 있는 X-Y 평면의 어떠한 편향 전기장도 경험하지 않으며, 평면 P에 수직하는 궤적들을 가지고 추출 플레이트 시스템(200)을 통과할 수 있다.기판을 패턴화하기 위하여, 추출 플레이트 시스템(200)의 선택된 개구들이, 선택된 개구를 통과하는 대전 입자 빔들이 희망되는 방식으로 편향될 수 있도록 편향 전압을 가지고 제공될 수 있다. 이는 도 6에 도시된 시나리오에서 도시된다. 예시된 바와 같이, 플라즈마(300)가 플라즈마 챔버(102) 내에서 점화되고, 추출 전압 VEXT가 플라즈마 챔버(102)와 추출 플레이트 시스템(200) 사이에 인가된다. 그럼으로써 대전 입자 빔렛들(302, 304, 306, 308, 310)이 개별적인 개구들(209A, 209B, 209C, 209D, 및 209E)을 통해 추출된다. 그러나, 이러한 경우에 있어서, 편향 전입 VDEF가 또한 개별적인 개구들(209A 및 209C)의 편향 전극들(212A 및 212C)에 인가된다. 이러한 편향 전압이 개별적인 대전 입자 빔렛들(302, 306)의 궤적들을 변화시키며, 이는 빔렛들이 기판에 충돌하는 것을 차단하는 것을 야기할 수 있다. 동시에, 개별적인 개구들(209B, 209D, 및 209E)의 편향 전극들(212B, 212D, 및 212E)에 편향 전압이 인가되지 않으며, 그 결과 대전 입자 빔렛들(304, 308, 및 310)은 교란되지 않은 그들의 궤적들을 가지고 추출 플레이트 시스템(200)을 통과한다. 도 6의 시나리오의 결과는, 이상에서 도 3과 관련하여 논의된 바와 같이, 기판 상에 배치된 필름이 충돌되는 노출된 영역들을 생성하기 위하여, 대전 입자 빔렛들(304, 308, 310)이 투사 광학부를 통해 기판(124)에 도달하도록 보내질 수 있으며, 반면 대전 입자 빔렛들(302, 306)이 기판에 도달하는 것이 차단되는 것이다. 추가적인 실시예들에 있어서, 커스프 제한부(cusp confinement)가 플라즈마 온도를 감소시키고 플라즈마에 걸친 균일성을 개선하기 위하여 플라즈마 챔버에 제공될 수 있다. 예를 들어, 공지된 자석들의 "피켓 펜스(picket fence)" 배열이 플라즈마 챔버에 인접하여 위치될 수 있으며, 이러한 배열 내에서 남/북 극들의 배열이 커스프 제한부를 생성하기 위하여 인접한 자석들에서 교번된다. 커스프 제한부는, 전자들에 대한 반사기로서 역할함으로써 플라즈마를 플라즈마 챔버의 벽들로부터 멀어지게 제한하도록 역할한다. 플라즈마 온도의 감소는 대전 입자 리소그래피에 대한 다수의 이점들을 가질 수 있다. 하나의 이점은, 플라즈마 내의 대전 입자 에너지의 수반되는 감소가 기판에 도착하는 대전 입자 빔렛들의 에너지 확산을 감소시킬 수 있다는 것이다. 이에 더하여, 감소된 대전 입자 에너지 확산은 투사 광학 시스템(116)의 색 수차(chromatic aberration)를 감소시킬 수 있으며, 이는 색 수차가 대전 입자 빔의 주어진 공칭(nominal) 에너지에 대해 대전 입자 에너지 확산에 비례하기 때문이다.추가적인 실시예들에 있어, 대전 입자들을 희망되는 에너지로 추가로 가속하기 위하여 가속 전극들이 추출 플레이트 시스템과 기판 사이에 위치될 수 있다. 예를 들어, 기판을 패턴화하기 위하여 30 keV 에너지가 대전 입자 빔에 부여되어야 하는 경우, 15 kV 전압이 추출 플레이트 시스템(200)과 플라즈마 챔버(102) 사이에 인가될 수 있고, 추가적인 15 kV는 추출 플레이트 시스템과 기판 사이에 위치된 전극 또는 가속 전극에 의해 인가될 수 있다. 도 7은, 가속 전극(702)이 추출 플레이트 시스템(106)의 하류측에 제공된다는 것을 제외하면, 시스템(100)과 유사하게 구성되는 시스템(700)의 일 실시예를 예시한다. 가속 전극은, 기판(124)으로 보내지는 대전 입자 빔렛의 에너지를 희망되는 바와 같이 증가시키기 위하여 가속 전압 소스(704)에 의해 인가될 수 있다. 이는, 예를 들어, 추출 플레이트 시스템(200)을 지나가는 포지티브 이온들의 에너지를 감소시키며, 그럼으로써, 이온이 추출 플레이트 시스템(106)의 표면과 충돌해야 하는 경우 일어날 수 있는 임의의 에칭 프로세스들을 감소시키기 위해 포지티브 이온 리소그래피 프로세싱에서 유용할 수 있다.다른 추가적인 실시예들에 있어서, 추출 플레이트 시스템은, 기판으로 전달될 패턴을 획정하는 개구들의 고정된 패턴을 갖는 개구 플레이트를 사용하여 구성될 수 있다. 따라서, 이러한 추출 플레이트 시스템의 개구들을 통과하는 모든 대전 입자들이 기판과 충돌하도록 구성된 궤적들을 가질 수 있다. 도 8은, 추출 플레이트 시스템이 스텐실 마스크 또는 고정된 개구 플레이트인, 시스템(100)과는 상이한 시스템(800)의 일 실시예를 도시한다. 예시된 바와 같이, 추출 플레이트 시스템(802)은, 추출 전압이 추출 플레이트 시스템(802)과 플라즈마 챔버(102) 사이에 인가될 때 이온들 또는 전자들을 받아 들이기 위해 플라즈마 챔버(102)의 일 측을 따라 배치된다. 추출 플레이트 시스템은, 기판(124)으로 전달될 패턴을 획정하는 개구들(804)의 패턴을 포함할 수 있다. 그럼으로써, 추출 플레이트 시스템(802)은, 기판(124)에서 감소된 크기로 희망되는 패턴을 형성하기 위하여 전달될 패턴을 생성하기 위한 형상들의 임의의 조합을 갖는 대전 입자 빔렛들의 세트를 추출할 수 있다.본 개시는 본원에서 설명된 특정 실시예에 의해 범위가 제한되지 않는다. 오히려, 본원에서 설명된 실시예들에 더하여, 본 개시의 다른 다양한 실시예들 및 이에 대한 수정예들이 이상의 설명 및 첨부된 도면들로부터 당업자들에게 자명해질 것이다. 따라서, 이러한 다른 실시예들 및 수정예들이 본 개시의 범위 내에 속하도록 의도된다. 추가로, 본 개시가 본원에서 특정 목적을 위한 특정 환경에서의 특정 구현예의 맥락에서 설명되었지만, 당업자들은 이의 유용함이 이에 한정되지 않으며, 본 개시가 임의의 수의 목적들을 위한 임의의 수의 환경들에서 유익하게 구현될 수 있다는 것을 인식할 것이다. 따라서, 이하에서 기술되는 청구항들은 본원에서 설명된 바와 같은 본 개시의 완전한 폭과 사상의 관점에서 해석되어야만 한다.	일 실시예에 있어, 기판을 패턴화하기 위한 시스템은, 플라즈마 챔버; 플라즈마 챔버 내에 플라즈마를 생성하기 위한 전원; 및 플라즈마 챔버의 일 측(side)을 따라 배치되며 복수의 개구들을 포함하는 추출 플레이트 시스템을 포함한다. 추출 플레이트 시스템은 플라즈마 챔버에 대하여 추출 플레이트 시스템을 바이어싱하는 추출 전압을 수신하도록 구성되며, 여기에서 복수의 개구들은 플라즈마로부터 복수의 개별적인 대전 입자 빔렛들을 추출하도록 구성된다. 시스템은 복수의 대전 입자 빔렛들 중 적어도 하나를 기판으로 보내기 위한 투사 광학 시스템을 더 포함한다.

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