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[ 발명의 명칭 ]
사슬형 구조에 의한 금속 산화물의 표면 개질MODIFYING THE SURFACES OF METAL OXIDES BY MEANS OF CHAIN-LIKE STRUCTURES
[ 기술분야 ]
본 발명은 보강 충전제로서 또는 코팅 재료 예컨대, 페인트 및 바니시뿐만 아니라, 접착제, 실런트 및 플라스틱에서 점도, 항복점 및 전단박하(shear-thinning) 및 또한 요변성을 조절하기 위한 레올로지 첨가제로서 사용될 수 있는 표면 개질된 나노구조화된 금속 산화물에 관한 것이다.
[ 배경기술 ]
유기작용성 입자상(particulate) 금속 산화물은 다양한 용도가 확인되는 재료의 기계적 성질을 개선하기 위한 활성 충전제로서 종종 사용된다. 이러한 수단에 의해, 예를 들어, 코팅 예컨대 페인트 및 바니시의 내스크래치성을 개선하거나, 또는 접착제 및 실런트 또는 플라스틱 예컨대, 실리콘 엘라스토머의 기계적 성질을 목표하는 방식으로 변화시킬 수 있다.그러나, 또한, 심지어 매트릭스 시스템의 비가교된 상태에서, 나노구조화된 충전제가 매우 중요한 기능을 수행한다. 예를 들어, 분산액은 일반적으로 비교적 높은 점도를 가지며 다수의 경우에 심지어 점탄성을 갖는다. 이러한 슈도플라스틱 거동은 특히 상응하는 재료의 가공처리 공정에 결정적인 역할을 담당한다. 입자상 충전제의 표면의 개질을 통해, 이를 둘러싸는 매트릭스와의 상호작용과 이에 따른 분산액의 점탄성 거동을 제어할 수 있다.표면 개질을 위해, 적합한 공정 조건하에 화학적으로 결합된, 올리고머성 디메틸실록산 단위를 형성하는 화합물이 종종 사용된다. 특허 명세서 DE 1 163 784에 기재된 바에 따르면, 이들 단위는 축합 가능한 디메틸실록시 단위로부터 구축될 수 있다.그러나, 환형(DE 1 916 360) 또는 선형(EP 0 686 676)인 올리고- 또는 폴리디메틸실록산이 또한 소수화(hydrophobicization)를 위해 사용된다. 여기서 적용되는 제조 공정에서는, 250℃보다 상당히 높은 강한 온도가 우세하는 공정 단계가 일반적으로 포함된다. 이러한 방식으로, 표면의 비교적 균일한 개질을 달성할 수 있다. 그러나, 폴리디메틸실록산이 이러한 온도하에 해중합 반응을 시작하는 것으로 흔히 또한 알려져 있으며, 이러한 이유로 인해 최종 생성물은 비교적 짧은 디메틸실록산 사슬을 특징으로 한다.마지막에 말하기는 하지만 아주 중요한, 금속 산화물의 농축 효과가 가능한 높은 것이 레올로지 첨가제로서 사용할 경우에 비용 효율면에서 일반적으로 바람직하다. 극성 유기 시스템에서 예를 들어 에폭시드 또는 불포화 폴리에스테르 수지에서 사용되는 경우에, 최종 생성물의 농축 효과는 주로 코팅의 정도와 관련된다. 이에, 예를 들어, DE 1 916 360 및 EP 0 686 676 명세서는 높은 소수화도의 중요성과 이에 따른 산화물 표면 상의 실라놀 기의 낮은 잔류 함량을 지적하고 있다. 그러나, 극성 타깃 매트릭스와 금속 산화물의 불화합성의 증가가 대개는 매트릭스 내 충전제의 상당히 증가된 혼입(도입) 시간 및/또는 더욱더 불량한 분산을 또한 초래한다.게다가, 앞서 언급된 명세서들에서 기재된 디메틸실록시-작용성 금속 산화물 모두의 표면 개질은 알칼리 조건하에서 충분히 안정적이지 않다. 아민기가 풍부한 매트릭스에서의 금속 산화물의 분산물의 저장 안정성과 관련한 실험실 실험은 대개는 수 시간 또는 일에 걸쳐 슈도플라스틱 거동에 있어 상당한 변화를 나타낸다.따라서, 지금까지 입수가능한 디메틸실록산-개질된 실리카는 예를 들어 2-성분 에폭시 접착제의 전형적인 아민 경화제의 증점제로서 사용시에 비개질된, 친수성 실리카와 비교해서 상당한 기술적 이점을 나타내지 못한다. 이에, 예를 들어, HDK�簾�H18의 점도 및 농축 효과는 HDK�簾�N20에 비해 약간 더 높지만, 이러한 실리카의 비용이 상당히 더 높기 때문에 이것이 HDK�簾�H18의 보다 광범위한 적용을 유도하지는 못하고 있다.현재 입수가능한 디메틸실록산-개질된 실리카가 전형적인 STPE 실런트 제제에 사용된다면, 매스(masses)가 점도에 있어 증가 및 특히 전단 응력에 있어 크게 두드러진 증가를 나타낸다. 후자는 매스의 적용을 위해 매우 불리한 것으로 입증되고 있는데 그 이유는 항복점을 극복하기 위해 상당히 보다 큰 힘이 요구되기 때문이다.
[ 발명의 개요 ]
[ 해결하려는 과제 ]
따라서 본 발명의 목적은 기존 선행 기술을 극복하고 극성 유기 시스템에서 높은 농축 효과를 특징으로 하지만, 그럼에도 불구하고 이들에서 용이하게 분산될 수 있는 표면 개질된 금속 산화물을 제공하는데 있으며 또한 이를 사용하여 염기성(basic) 반응을 갖는 기를 가진 매체에서 저장 안정성 분산물을 제조할 수 있다.
[ 과제의 해결 수단 ]
상기 목적은 화학식 R1R2R3SiO1/2 (M) 및 R4R5Si(O1/2)2 (D)의 기들(groups)을 가진 입자상 나노구조화된 금속 산화물의 제공을 통해 달성되며, 여기서 R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각의 경우에 1 내지 24개의 탄소 원자를 가진 1가 탄화수소 라디칼이고, R1, R2, R3, R4 및 R5는 동일하거나 상이할 수 있다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
놀랍게도, 본 발명에 따른 금속 산화물은 심지어 비교적 높은 잔류 실라놀 함량의 경우에도, 극성 유기 수지에서 높은 농축 효과 및 두드러진 레올로지 프로파일을 특징으로 하며 그럼에도 불구하고 뜻밖에도 이들에 용이하게 혼입될 수 있다. 선행 기술과 대조적으로, 예를 들어 에폭시 수지 성분에서 본 발명에 따른 금속 산화물을 이용하여 상당히 더 낮은 혼입 시간과 결부된 높은 점도로부터 명백한 우수한 결과를 얻을 수 있다. 게다가, 본 발명에 따른 금속 산화물의 사용은 저장 안정성이 선행 기술과 비교해서 상당히 증가되고, 특히 대략 1개월의 저장 기간 후에 상당히 더 낮은 전단 응력이 달성되는 이점을 갖는다.본 발명에 따른 금속 산화물은 화학식 R1R2R3SiO1/2 및 R4R5Si(O1/2)2의 기들을 가지며, 즉, 이는 화학식 R1R2R3SiO1/2 및 R4R5Si(O1/2)2의 기들로 개질된다. 본 발명에 따른 입자상 금속 산화물은 가능한 균일한 사슬 길이의 분포를 가진 사슬형 실록산 구조를 특징으로 한다. 바람직하게는, 실록산 사슬은 가능한 완전히 금속 산화물의 표면에 영구 고정된다. 또한, 실록산 사슬의 화학 결합은 바람직하게는 금속 산화물의 표면으로의 개개 결합 부위를 통해 이루어진다.본 발명에 따른 금속 산화물은 예를 들어, 원소의 주기율표의 1 내지 5족 및 13 내지 15족에서 선택될 수 있으며, 이와 관련하여 주목할 점은 본원에서 단순성을 위해 사용된 표현 "금속 산화물"은 또한 14족의 반금속의 산화물을 명확히 포함한다. 4족, 13족 및 14족의 3가 및 4가 산화물을 사용하는 것이 바람직하다. 실리카를 사용하는 것이 특히 바람직하다. 본 발명의 문맥에서, 실리카는 실리콘의 산소 산을 의미하며 침강 실리카 및 발열 실리카를 포함한다. 실리카는 특히 바람직하게는 발열식으로 생성된 실리카이다.라디칼 R1 내지 R11을 포함한 라디칼 R은, 경우에 따라 헤테로원자 및/또는 작용기를 추가로 포함하는 포화된, 단일- 또는 다중불포화된, 비분지형 또는 분지형 탄화수소 라디칼들의 군에서 선택된다.바람직하게는, 라디칼 R은 알킬, 알케닐 및 아릴 라디칼이며 예컨대 메틸, 에틸, 프로필, 예컨대 n-프로필 또는 i-프로필, 부틸, 예컨대 n-부틸, 이소부틸 또는 t-부틸, 헥실, 예컨대 n-헥실, 또는 이소헥실, 옥틸, 예컨대 n-옥틸 또는 이소옥틸, 도데실, 테트라데실, 헥사데실, 옥타데실, 비닐, 알릴, 페닐, o-톨릴, m-톨릴, p-톨릴, 크실릴, 메시틸 또는 나프틸 라디칼이다. 알킬 또는 아릴 라디칼은 게다가 또한 추가 헤테로원자 또는 작용기를 가질 수 있다. 화학식 R = (CH2)nY의 1가 유기 기가 본원에서 바람직하며 여기서 n = 1 내지 24 및 Y = 비닐, 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 글리시독시, -SH, -OH, 일차 아민 라디칼(-NH2), 이차 아민 라디칼(-NHR), 예컨대 N-모노메틸, N-모노에틸, N-모노프로필, N-모노부틸, N-시클로헥실 또는 아닐리노 라디칼, 삼차 아민 라디칼, (-NR2) 예컨대 N,N-디메틸, N,N-디에틸, N,N-디프로필, N,N-디부틸, N,N-메틸에틸, N,N-메틸-프로필, N,N-에틸프로필, N,N-메틸페닐, 모르폴리노, 피롤릴, 인돌릴, 피라졸릴, 이미다졸릴 또는 피페리딜 라디칼, 사차 아민 라디칼 예컨대 N,N,N-트리-메틸암모늄, N,N,N-트리에틸암모늄 또는 N,N,N-트리-프로필암모늄 라디칼, 포스포나토, -P(O)(OR6)2 (R7은 메틸, 에틸 또는 페닐 기에서 선택됨), 이소시아나토 및 보호된 이소시아나토 기(-N(H)C(O)G, 여기서 보호기 G는 열응력 동안 H-G로서 절개되며, 여기서 H-G = 메틸 2-히드록시-벤조에이트, 2-히드록시피리딘, 1-히드록실메틸-1,2,4-트리아졸, N,N-디에틸히드록실아민, 2-부타논 옥심, 디메틸 말로네이트, 에틸 아세토아세테이트, 디이소프로필아민, 벤질-tert-부틸아민, tert-부틸메틸아민, tert-부틸이소프로필아민, 2-이소프로필이미다졸, 3,5-디메틸피라졸 또는 ε-카프로락탐) 또는 디히드로-3-일-2,5-푸란디온.금속 산화물의 표면은 앞서 언급된 다양한 기들로 개질될 수 있다. 금속 산화물의 표면은 바람직하게는 앞서 언급된 R 기들 중 오로지 한 종류만으로 개질된다.게다가, 화학식 R11Si(O1/2)3의 추가 유기실리콘 기가 또한 존재할 수 있으며, 여기서 치환기 R11은 R에 대해 앞서 명시된 탄화수소 라디칼들로부터 선택된다.본 발명에 따른 금속 산화물은 1 내지 600 ㎡/g, 바람직하게는 40 내지 400 ㎡/g 및 특히 바람직하게는 150 내지 270 ㎡/g의 비표면적을 가질 수 있다 (DIN 66131 및 66132에 따라 BET 방법으로 결정됨).본 발명에 따른 금속 산화물의 벌크 밀도는 (DIN EN ISO 787-11에 따라 결정됨) 10 내지 200 g/l, 바람직하게는 20 내지 100 g/l, 특히 바람직하게는 20 내지 60 g/l의 범위일 수 있다.개질의 정도는 잔류 실라놀 함량을 확인함으로써 분석될 수 있다. 본 발명에 따른 금속 산화물은 바람직하게는 30 내지 90%, 특히 바람직하게는 45 내지 85% 및 특히 바람직하게는 55 내지 75% 범위의 잔류 실라놀 함량을 갖는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따른 실리카의 탄소 함량(%C, 퍼센트로 주어짐)은 방정식 %C ≥ A + B · %SiOH를 따르며, 여기서 A = 9 및 B = -0.15 및 값 %C, A 및 %SiOH는 퍼센트로 주어진다. 특히 바람직한 실시양태에서, A = 10 및 B = -0.125. 특히 바람직하게는, A = 10 및 B = -0.1.바람직하게는, 본 발명에 따른 금속 산화물은 30 내지 90%, 특히 바람직하게는 45 내지 85% 및 특히 바람직하게는 55 내지 75% 범위의 잔류 실라놀 함량을 갖는 것을 특징으로 하며, 탄소 함량에 대해 이하가 적용가능하다: %C ≥ A + B · %SiOH, 여기서 A = 9 및 B = -0.15, 및 값 %C, A 및 %SiOH는 퍼센트로 주어진다. 따라서, 놀랍게도 비교적 높은 잔류 실라놀 함량에 대해 비교적 높은 탄소 함량이 달성될 수 있음이 입증되었다.추가의 바람직한 실시양태에서, 잔류 실라놀 함량은 10 내지 40% 및 특히 바람직하게는 20 내지 35% 범위이며, 이때 탄소 함량에 대해 이하가 또한 적용가능하다: %C ≥ A + B · %SiOH, 여기서 A = 9 및 B = -0.15, 및 값 %C, A 및 %SiOH는 퍼센트로 주어진다.명시된 금속 산화물이 발열 실리카라면, 개질 후 산-기초 적정에 의해 잔류 실라놀 함량(%SiOH, 퍼센트로 주어짐)을 확인하는 적합한 방법이 예를 들어 문헌[G.W. Sears et al., Analytical Chemistry 1956, 28, 1981ff]에 기재되어 있다.본 발명에 따른 금속 산화물은 개질에 의해 도입된 기들이 금속 산화물의 표면에 단단히 결합되는 것을 특징으로 한다. 단단한 결합은 우수한 화학 결합을 나타내며, 용매로 추출될 수 있는 개질된 금속 산화물의 분획(바람직하게는 최대 10 중량%임)을 통해 본 발명에 따라 정량되어진다. 특히 바람직하게는, 추출가능한 분획은 최대 6 중량%, 특히 최대 4 중량% 및 특히 바람직하게는 최대 2 중량%이다. 개질의 결합 강도를 평가하기 위한 적합한 방법은 추출가능한 실란, 즉 금속 산화물의 표면에 화학적으로 결합되지 않은 실란의 정량적 결정이다.용매는 용해되는 물질과 용해시키는 물질 간의 임의의 화학 반응을 초래함이 없이 기체, 액체 또는 고체를 용해시키거나 희석시킬 수 있는 물질이다. 본 발명에 따른 금속 산화물을 조사하기 위해 사용되는 용매, 테트라히드로푸란이 또한 금속 산화물의 표면에 대한 개질제에서의 화학 결합의 어떠한 것도 파괴하지 않는다. 따라서 이러한 용매로 추출가능한 구성분은 단지 보다 약한 상호작용, 예를 들어, 반 데르 발스 힘에 의해 금속 산화물에 결합된다.추출가능한 분획에 대한 낮은 측정 값은 금속 산화물의 표면에 대한 개질제의 보다 우수한 화학, 즉 보다 단단한 결합을 나타낸다.본 발명에 따른 금속 산화물의 메탄올성/수성 분산액은 바람직하게는 4 내지 10.5 범위의 pH 값을 갖는다. 특히 바람직한 실시양태에서, 이들은 4 내지 7의 범위이고 특히 바람직하게는 4.5 내지 5.5의 범위이다. 추가의 바람직한 실시양태에서, pH 값은 바람직하게는 9-11 및 특히 바람직하게는 9.5-10.5 범위이다.고체 핵자기 공명 분광법(29Si-SP/MAS-NMR)이 본 발명에 따른 금속 산화물에 대한 R1R2R3SiO1/2 (M) 및 R4R5Si(O1/2)2 (D) 기들에 대한 신호를 입증하는데 사용될 수 있다. 이들 신호의 상대적 강도(신호들의 적분(integration)에 의해 결정됨)는 바람직하게는 D/M = 1 내지 50 범위, 특히 바람직하게는 3 내지 30 범위 및 특히 바람직하게는 10 내지 20 범위이다. 특정 실시양태에서, 본 발명에 따른 생성물의 스펙트럼은 상대적 D/M 비 14 내지 15를 나타내며, 이는 금속 산화물에 대해 기재된 방법으로 검출될 수 있는 D 기들의 수가 M 기들의 수보다 14 내지 15배 더 높음을 의미한다.29Si-SP/MAS-NMR 분광법은 정량적 방법이며, 즉 검출된 신호의 상대적 강도는 실제로 존재하는 상응하는 기들의 수치 비를 반영한다. 따라서, 보다 빈번하게 사용되는 이중 공명 실험 29Si-CP/MAS-NMR에 의해 검출되는 신호의 강도는 화학 기들의 이동성에 크게 좌우된다. 일반적으로, 증가하는 이동성을 가진 기들(예를 들어, 비교적 장쇄의 말단에서)이 동일한 측정 조건하에 보다 낮은 신호 강도를 초래하는 점에 주목할 수 있다.본 발명에 따른 금속 산화물에 대해 29Si-CP/MAS-NMR에서 얻어진 스펙트럼은 바람직하게는 상대적 D/M 비가 003e# 3, 특히 바람직하게는 003e# 10, 및 특별히 바람직하게는 003e# 100 이다. 이는 금속 산화물에 대해 기재된 방법으로 검출가능한 M 기들의 수가 바람직하게는 매우 낮음을 의미한다. 금속 산화물에 대한 29Si-CP/MAS-NMR에 관해, 상기 방법에 의해 야기되는 백그라운드 노이즈에서 나오는 신호가 M 기들에 대해 검출될 수 없는 것이 특히 바람직하다. 이는 M 말단 기들이 바람직하게는 가능한 긴 D 사슬의 말단에 존재하는 것을 의미한다.본 발명의 추가 주제는 금속 산화물의 표면 개질 방법에 관한 것으로, 금속 산화물을 화학식 R1R2R3Si(OSiR4R5)mX의 일작용성 실록산으로 처리하는 것을 특징으로 하며, 여기서 X는 반응성 기이고; R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각의 경우에 1 내지 24개의 탄소 원자를 가진 1가 탄화수소 라디칼이며 m = 0 내지 50, 및 R1, R2, R3, R4 및 R5는 동일하거나 상이할 수 있다.m에 대한 값은 0 내지 50 이다. 바람직하게는, m에 대한 값은 5 내지 40 범위이다. 기술적 이점을 위해, m은 특히 바람직하게는 10 내지 20 범위이다.치환기 X는 반응성 기, 예를 들어, 히드록시, 할로겐, 아민 라디칼, OR8, OC(O)R9, O(CH2)iOH, O(CH2)iOR10이며, 여기서 하기가 적용가능하다: i = 0 내지 무한대, 바람직하게는 i = 1 내지 무한대, 특히 바람직하게는 i = 1 내지 10 및 특히 바람직하게는 i = 2. 라디칼 R1 내지 R5는 앞서 정의된 바와 같으며, 라디칼 R8-R10의 경우 R에 대해 초반에 기재된 정의가 적용가능하다.사용되는 개질제는 화학식 R1R2R3Si(OSiR4R5)mX의 일작용성 실록산이며, 여기서 이들은 단독으로 또는 임의의 원하는 혼합물로 사용될 수 있다. 개질 반응에서 2종의 상이한 실록산, 특히 바람직하게는 오직 1종의 실록산을 사용하는 것이 바람직하다.바람직하게는, 사용되는 실록산은 올리고디메틸실록산이며, 즉 라디칼 R4 및 R5는 메틸 기(Me)를 나타낸다. 특히 바람직하게는, 라디칼 R2 및 R3이 부가적으로 또한 메틸 기를 나타낸다. 본 발명의 특정 실시양태에서, 예를 들어 EP 1 883 666에 기재된 바와 같이, 화학식 Me3Si(OSiMe2)kOH의 실록산이 사용되며, 여기서 k는 i에 대해 앞서 주어진 의미를 갖는다.실록산은 임의의 원하는 양으로 사용될 수 있다. 바람직하게는, 사용되는 양은 비개질된 금속 산화물을 기준으로 5 내지 50 중량%이고, 특히 바람직하게는 20 내지 40 중량%이다. 본 발명의 특정 실시양태에서는, 비개질된 금속 산화물을 기준으로 15 내지 25 중량%의 일작용성 실록산을 사용하는 것이 특히 바람직하다. 추가의 바람직한 실시양태에서는, 비개질된 금속 산화물을 기준으로 25 내지 40 중량%의 일작용성 실록산이 보조제의 첨가와 함께 사용된다.표면 개질된 금속 산화물은 바람직하게는 제조 공정이 분리된 환경에서 이루어지는 방법에 의해 제조된다. 이는 (1) 금속 산화물과 개질제의 집중적인 혼합 (코팅), (2) 금속 산화물과 코팅제의 반응 및 (3) 실리카의 정제를 포함한다.본 발명의 문맥에서, 용어 "개질제" 및 "코팅제" 등은 동의어이다. 마찬가지로, 용어 "개질" 또는 "반응"은 동의어이며, 상응하는 공정 단계는 (2)로서 지칭된다.바람직하게는, 반응 이후에 개질된 실리카의 정제가 실시되며, 여기서 특히 바람직하게는 과잉 개질제 및 부산물이 제거된다.표면 개질(반응)은 바람직하게는 표면 개질된 금속 산화물의 산화를 초래하지 않는, 즉 바람직하게는 10 부피% 미만의 산소, 특히 바람직하게는 2.5 부피% 미만의 산소를 포함하는 분위기에서 실시되며; 최상의 결과는 1 부피% 미만의 산소에서 달성된다.공정 단계들 동안 압력은 바람직하게는 0.2 bar의 약한 아기압(subatmospheric pressure) 내지 최대 100 bar의 초대기압(superatmospheric pressure) 범위이며, 기술적 이유로 인해 표준 압력, 즉 외부/대기 압력에 비해 비가압식 작동이 특히 바람직하다.경우에 따라, 양성자성(protic) 용매가 공정에 첨가될 수 있다. 일 분자가, 그 분자내 수소 원자가 프로톤으로서 쪼개질 수 있는 (해리) 작용기를 가진다면 용매는 양성자성으로서 지칭된다. 높은 다수의 OH 결합의 관점에서, 이는 양으로 하전된 수소 원자, 프로톤의 제거와 함께 비교적 용이하게 쪼개질 수 있다.가장 중요한 양성자성 용매는 물이며, 이는 프로톤과 히드록시드 이온으로 해리된다 (단순화된 용어 사용). 추가 양성자성 용매는 예를 들면 알콜과 카르복실산이다. 본 발명에 따르면, 액체 또는 증발가능한 알콜 예를 들어, 이소프로판올, 에탄올 또는 메탄올 또는 물이 양성자성 용매로서 첨가될 수 있다. 앞서 언급된 양성자성 용매의 혼합물을 첨가할 수도 있다. 금속 산화물을 기준으로 1 내지 50 중량%의 양성자성 용매, 특히 바람직하게는 5 내지 25 중량%를 첨가하는 것이 바람직하다. 양성자성 용매로서 물의 첨가가 특히 바람직하다.본 발명에 따른 개질 반응은 바람직하게는 기상 공정에서 이루어지며, 즉 코팅제가 순수한, 매우 충분히 건조한 (이에 따라 분말상) 실리카에 첨가된다. 이에 반해, 액상 공정에서는, 실리카가 초기에 액상에 도입된다.바람직하게는, 본 발명에 따른 개질 반응은 수성 상에서 이루어지지 않는다.실록산이 바람직하게는 액체 형태의 개질제(코팅제)로서 공정에 첨가되며, 특히 바람직하게는 분말상 금속 산화물과 함께 혼합된다. 본원에서 이러한 화합물들은 순수한 형태로 또는 공업적으로 사용되는 공지 용매, 예를 들어 알콜 예컨대 메탄올, 에탄올 또는 이소프로판올, 에테르 예컨대 디에틸 에테르, THF 또는 디옥산, 또는 지방족 또는 방향족 탄화수소 예컨대 헥산 또는 톨루엔에서의 용액으로서 혼합될 수 있다. 본원에서 용액 중의 농도는 5 내지 95 중량%, 바람직하게는 30 내지 95 중량%, 특히 바람직하게는 50 내지 90 중량%이다.앞서 언급된 일작용성 실록산 이외에, 추가의 대체 개질제를 첨가할 수 있다. 이러한 맥락에서 사용되는 것으로는 표면 개질을 위해 사용되는 모든 공지 화합물, 또는 가능하게는 또한 이들의 혼합물이다. 반응성 실리콘 화합물 예컨대, 예를 들어, 실릴아민, 클로로-, 히드록시- 또는 알콕시실란 및 -실록산 또는 이들의 혼합물을 사용하는 것이 바람직하다. 특히 바람직한 실시양태에서는, 헥사메틸디실라잔이 사용된다. 이들을 이용한 금속 산화물의 개질은 일작용성 실록산을 이용한 개질 이전에, 동시에 또는 이후에 이루어질 수 있다. 바람직한 실시양태에서는, 우선 일작용성 실록산을 이용한 개질이 이루어진다. 추가 개질제와의 반응이 이후에 실시된다.실시예 KS4 및 KS6은 KS3 및 KS5와 비교해서 상응하는 후처리가 실리카의 농축 효과에 있어 상당한 개선을 일으킴을 보여준다.게다가, 본 발명에 따른 금속 산화물을 제조하기 위해 필요한 반응 시간을 단축시키고/거나 공정 온도를 감소시킬 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 이러한 촉매적으로 또는 화학량론적으로 유효한 물질은 이하에서 용어 보조제로서 지칭된다. 이들은 바람직하게는 산성 또는 염기성 반응 물질을 포함한다. 이들은 예를 들어, 루이스 산의 군으로부터 선택될 수 있으며, 이는 예를 들어 3가 알루미늄 및 붕소 화합물을 포함한다. 브뢴스테드 산, 예컨대 수소 할라이드 또는 유기산을 사용하는 것이 또한 바람직하다. 수소 클로라이드 또는 아세트산이 특히 바람직하다. 추가 실시양태에서는, 염기성 반응 화합물이 보조제로서 사용되며, 예를 들어 알칼리 금속 및 알칼리 토금속의 수산화물, 및 또한 상응하는 알콜 또는 카르복실산에서 유래된 이들의 염이 있다. 또한, 이들은 질소 함유 화합물 예컨대 암모니아 또는 유기 치환된 일차, 이차 또는 삼차 아민으로부터 선택될 수 있다. 명시된 알콜, 카르복실산 및 아민의 1가 유기 치환기는 포화된 및 불포화된, 분지형 및 비분지형 탄화수소 라디칼을 포함하며, 이들은 또한 추가 헤테로원자 또는 작용기를 가질 수 있다. 보조제는 희석없이 또는 그 밖에 불활성 또는 반응성 용매 중의 용액으로서 첨가될 수 있다. 수성 나트륨 또는 칼륨 히드록시드 용액, 수성 암모니아 용액, 이소프로필아민, n-부틸아민, 이소부틸아민, t-부틸아민, 시클로헥실아민, 트리에틸아민, 모르폴린, 피페리딘 또는 피리딘을 사용하는 것이 바람직하다.바람직한 실시양태에서, 사용되는 보조제의 양은 비개질된 금속 산화물을 기준으로 0.1 내지 10 중량%이다. 0.2 내지 5 중량%를 사용하는 것이 바람직하다. 비개질된 금속 산화물을 기준으로 0.5 내지 1.5 중량%의 보조제를 사용하는 것이 특히 바람직하다.명시된 개질제를 이용한 분말상 금속 산화물의 코팅은 바람직하게는 이의 노즐 기술 또는 동종의 기술에 의해 달성된다. 유효 제팅 기술은 예를 들어, 압력 하에 (바람직하게는 5 내지 20 bar) 1-유체 노즐에서의 제팅, 압력 하에 (바람직하게는 가스 및 액체 2 내지 20 bar) 2-유체 노즐에서의 분무, 이동성, 회전하는 또는 정적인 인터널을 가진 가스/고체 교환 유닛을 위한 분무기를 이용한 초미세 분할일 수 있으며, 이는 분말상 금속 산화물에 대한 코팅제의 균일한 분포를 허용한다.에어로졸이 노즐을 통해 위로부터, 움직이게 셋팅된 분말상 고형물에 적용될 수 있거나, 또는 유동화 고형물 내에 도입될 수 있으며, 위로부터의 제팅이 바람직하다.코팅제는 바람직하게는 미세하게 분할된 에어로졸로서 첨가되며, 여기서 에어로졸은 0.1 내지 20 cm/s의 침강 속도(sink speed)를 갖는 것을 특징으로 한다. 에어로졸은 고체 또는 액체의 현탁 입자와 가스의 혼합물(분산물)이다.개질제 및 양성자성 반응 화합물 및/또는 보조제의 첨가는 동시에 또는 연속하여 이루어질 수 있다. 우선 양성자성 반응 화합물 및/또는 보조제를 이용한 금속 산화물의 균일한 코팅 및 이후에 또는 나중에 코팅제를 이용한 코팅이 바람직하다.반응(단계 2)은 바람직하게는 공정에서 실록산을 분해함이 없이 금속 산화물의 표면과 작용기의 가능한 정량적 반응을 허용하는 온도에서 이루어진다. 30℃ 내지 350℃ 및 특히 바람직하게는 40℃ 내지 250℃의 온도를 사용하는 것이 바람직하다. 특히 바람직한 실시양태에서, 반응 단계는 150℃ 내지 230℃에서 보조제의 부재하에 실시된다. 추가의 바람직한 실시양태에서, 반응 단계는 보조제의 보조하에 80℃ 내지 120℃에서 실시된다.온도 프로파일은 반응 동안 일정하게 유지될 수 있거나, 또는 EP 1 845 136에 기재된 바와 같이, 상승 구배를 가질 수 있다.반응(단계 2)의 체류 시간은 바람직하게는 1분 내지 24시간이고, 특히 바람직하게는 15분 내지 300분이며, 공간-시간 수율로 인해, 특히 바람직하게는 15분 내지 240분이다.코팅(1) 및 반응(2)은 바람직하게는 기계적 또는 가스-매개(gas-borne) 유동화와 함께 이루어진다. 기계적 유동화의 경우 입자상 파우더가 층에서 또는 유체에서 동체(예를 들어 교반 패들)의 움직임에 의해 유체 상태로 만들어지지만, 이는 가스-매개 유동화의 경우에 (예를 들어 유동층에서) 단순히 가스의 도입에 의해 달성된다. 가스-매개 유동화는 모든 불활성 가스에 의해 달성될 수 있지만 개질제, 금속 산화물 및 개질된 금속 산화물과 반응하지 않으며, 다시 말해 이차 반응, 분해 반응, 산화 공정 및 화염 및 폭발 현상을 초래하지 않는다. 질소, 아르곤 및 다른 비활성 기체(noble gases)뿐만 아니라 이산화탄소가 바람직하게 본원에서 사용된다. 유동화에 가스의 도입은 바람직하게는 0.05 내지 5 cm/s 및 특히 바람직하게는 0.5 내지 2.5 cm/s의 표면(superficial) 가스 속도 범위에서 이루어진다. 용어 표면 가스 속도는 단계 (1) 코팅 (2) 반응 및 (3) 정제가 수행되는 범위에 존재하는 유동 가스의 유량을 지칭하며, 흐름이 통과하는 상응하는 영역의 자유 단면적(free cross-sectional area)을 지칭한다. 패들 교반기, 앵커 교반기, 및 다른 적합한 교반 부재에 의해 불활성화를 넘어서는 추가 가스 사용없이 이루어지는 기계적 유동화가 특히 바람직하다.정제 단계(3)는 바람직하게는 움직임(movement)을 특징으로 하며, 느린 움직임 및 낮은 수준의 혼합이 특히 바람직하다. 이 경우 교반 부재가 유리하게 조절되고, 혼합 및 유동화가 존재하지만 완전한 볼텍싱이 없도록 하는 그러한 방식으로 움직인다.반응하지 않은 출발 물질과 또한 생성되는 부산물을 제거하기 위한 정제 단계(3) 동안, 공정 온도는 경우에 따라 상승될 수 있다. 정제는 바람직하게는 100℃ 내지 350℃의 정제 온도에서, 특히 바람직하게는 105℃ 내지 180℃에서, 특히 바람직하게는 110℃ 내지 140℃에서 이루어진다. 추가의 바람직한 실시양태에서, 분리는 특히 바람직하게는 180℃ 내지 240℃의 온도에서 이루어진다.산화를 피하고 정제를 보다 효율적이도록 하기 위해, 이러한 공정 단계(3)는 또한 바람직하게는 0.001 내지 10 cm/s, 바람직하게는 0.01 내지 1 cm/s의 표면 가스 속도에 상응하는, 비교적 다량의 불활성 가스, 바람직하게는 질소, 아르곤 및 다른 비활성 가스, 및 또한 이산화탄소의 공급을 포함할 수 있다.코팅, 반응 및 정제는 불연속 공정 (배치 공정) 또는 연속 공정으로서 수행될 수 있다. 기술적인 이유로 인해, 예를 들어 EP 1 845 136에 기재된 바와 같이 연속 반응 과정이 바람직하다.부가적으로 단계 (1)에서의 코팅 및/또는 단계 (2)에서의 개질 동안 및/또는 정제 이후에, 예를 들어, 프레싱 롤, 그리인딩 유닛, 예컨대 에지 러너 밀(분쇄기) 또는 보어 밀에 의한 금속 산화물의 기계적 압밀(compaction) 또는 구조 변형, 스크루 또는 스크루 믹서, 스크루 컴프레서, 단광 머신에 의한 압밀, 또는 적당한 진공 방법에 의해 석션하에 공기 또는 가스 내용물의 배출에 의한 압밀을 위한 연속 또는 불연속 방법을 사용할 수 있다.단계 (1) 동안 프레싱 롤, 그라인딩 유닛 예컨대 볼 밀에 의한 기계적 압밀 또는 구조 변형 또는 스크루, 스크루 믹서, 스크루 컴프레서 및 단광 머신에 의한 압밀이 특히 바람직하다.추가의 특히 바람직한 과정에서는, 정제 이후에, 금속 산화물의 기계적 압밀, 예컨대 적당한 진공 방법, 또는 프레싱 롤, 또는 두 방법의 조합에 의해 석션 하에 공기 또는 가스 내용물의 배출에 의한 압밀화를 위한 방법이 사용된다.부가적으로, 특히 바람직한 과정에서, 정제 이후에, 금속 산화물의 탈응집 방법, 예컨대 피닝된(pinned) 디스크 밀, 해머 밀, 대향 제트 밀, 충격 밀, 또는 분쇄/분류를 위한 디바이스가 사용될 수 있다.본 발명의 추가 주제는 앞서 기재한 방법에 의해 제조가능한 금속 산화물이다.본 발명의 추가 주제는 접착제, 실런트 및 코팅 재료와 같은 매체의 유동 성질을 제어하기 위한, 엘라스토머의 기계적 성질을 개선하기 위한, 및 파우더 예컨대 토너 또는 파우더 코팅 재료의 전하 및 유동 성질을 제어하기 위한, 본 발명에 따른 표면 개질된 나노구조화된 금속 산화물 또는 본 발명에 따른 방법에 의해 제조되는 표면 개질된 나노구조화된 금속 산화물의 용도이다. 본 발명에 따른 금속 산화물은 바람직하게는 접착제, 실런트 또는 실리콘 엘라스토머에 사용된다.바람직한 실시양태는 극성 시스템에서, 특히 바람직하게는 에폭시드 수지에서 증점제로서 본 발명에 따른 실리카의 용도이다.게다가, 분말상 재료의 주입성(pourability)을 개선하기 위한, 특히 바람직하게는 토너에서 사용하기 위한 본 발명에 따른 실리카의 용도가 바람직하다.나아가, 본 발명에 따른 실리카는 바람직하게는 보강 충전제로서, 특히 바람직하게는 실리콘 고무에서 사용된다.분석 방법:1. 탄소 함량(%C)의 결정탄소에 대한 원소 분석을 Eltra GmbH (D-41469 독일 노이스)의 CS-530 원소 분석기를 사용하여 DIN ISO 10694에 따라 실시했다.2. 비개질된 실리카 실라놀 기의 잔류 함량의 결정잔류 실라놀 함량은 물과 메탄올의 1:1 혼합물에 현탁된 실리카의 산-기초 적정에 의해 문헌[G.W. Sears et al. Analytical Chemistry 1956, 28, 1981ff]과 유사하게 결정되었다. 적정은 등전점을 초과하고 실리카 용해의 pH 범위 아래 영역에서 실시되었다.따라서 잔류 실라놀 함량(%)은 하기 식에 따라 계산될 수 있다:여기서SiOH(phil): 비처리된 실리카의 적정으로부터의 적정 부피SiOH(실릴): 실릴화된 실리카의 적정으로부터의 적정 부피3. 추출가능한 분획, 즉 추출가능한 실릴화제의 분획의 결정조사 대상 실리카 2.5 g을 스크루-탑 PE 배쓸에서 스패츌러를 사용하여 47.5 g의 테트라히드로푸란 중으로 교반하고, 이후 배쓸을 닫는다. 얼음욕에서 30분의 휴식 시간 후, 혼합물을 초음파 욕에서 얼음 냉각하면서 30분간 처리하고 (Sonorex Digitec DT 156, BANDELIN electronic GmbH 0026# Co. KG, D-12207 베를린) 이후에 PTFE 막 필터(공극 크기: 0.2 ㎛, 직경: 47 mm, Sartorius AG, 괴팅겐)를 통해 압력 여과에 의해 (5 bar 질소) 맑은 여액을 얻는다. 이 중에서, 정확히 10.00 ml를 원자 흡수 분광법(Atom Absorption Spectrometer 2100, Perkin Elmer, 미국 매사추세츠주 월섬)에 의해 실리콘 함량을 확인하기 위한 분석물로서 취하고 칭량한다.추출가능한 구성분(중량%)을 하기와 같이 제1 근사치로 계산할 수 있다:여기서m(THF): 테트라히드로푸란의 초기 중량 (= 47.50 g)V(분석물): 분석물의 부피 (= 10.00 ml)m(금속 산화물): 표면 개질된 금속 산화물의 초기 중량 (= 2.50 g)M(Si): 실리콘의 몰 질량 (= 28.09 g/mol)c(분석물): 분석물의 실리콘 함량 (mg/l)m(분석물): 분석물의 최종 중량(g)M(R4R5SiO2/2): D 기 R4R5SiO2/2의 분자 질량(g/mol)4. NMR 분광 특징규명선택된 샘플을 29Si-SP/MAS 고체 NMR 분광법에 의해 조사했다. MAS(Magic Angle Spinning)는 측정 동안 샘플의 매우 빠른 회전을 기초로 한 고체 핵자기 공명 분광법(NMR 분광법)에서의 시그널 퀄리티를 개선하기 위한 기법이다. SP는 단일 펄스를 나타낸다. 사용된 NMR 분광기는 7 mm MAS 프로브가 장착된 Bruker(Bruker Corporation, 미국 매사추세츠주 빌레리카)의 AVANCE 400 WB였다 (29Si에 대한 공명 주파수 79.51 MHz). 측정은 실온에서 실시되었다. 29Si-화학 시프트는 옥타키스(트리메틸실록실)실세스퀴옥산(Q8M8, 가장 강하게 실드된 Q4 기는 TMS에 대해 -109 ppm에 존재함)을 사용하여 외부 기준 표준으로서 테트라메틸실란(TMS) = 0 ppm을 기준으로 했다.D 및 M 신호의 표 1에 주어진 상대적 비는 (D 및/또는 M 기에 대한 신호의 지정은 예를 들어 문헌[G. Engelhardt et al. Polymer Bulletin, 1981, 5, 557ff]에서 확인할 수 있음) 하기 식에 따라 디콘볼루션(deconvolution)에 의해 얻어진 신호 강도로부터 계산되었다:여기서Int(D): D 기의 신호 강도Int(M): T2 기의 신호 강도또한, 선택된 샘플을 29Si-CP/MAS NMR 분광법에 의해 조사했으며, 여기서 CP는 교차 편파(cross polarization)를 의미한다. 사용된 NMR 분광기는 7 mm 이중 공명 MAS 프로브가 장착된 Bruker의 AVANCE 400 WB였다 (필드 강도 9.4 Tesla; 29Si에 대한 공명 주파수 79.51 MHz 및 1H에 대해 400.23 MHz). 5 kHz의 MAS 회전 주파수와 함께 교차 편파(CP) 동안 프로톤 RF 진폭에 대해 80-100%의 선형 램프(ramp)가 사용되었다. 접촉 시간은 5 ms였다. 실험 반복 시간 3초에 대해 최대 20 000 스캔이 기록되었다 (추가 기록 파라미터: 90°Si 펄스 = 5 μs, TD = 1662, SWH = 23809, o1 = -5566 Hz, 디커플링(decoupling): TPPM15; 프로세싱 파라미터: SI = 16384; LB = -5 Hz 및 GB = 0.03을 이용한 가우시안 곱셈). 모든 측정을 실온에서 실시했다.29Si 화학 시프트는 옥타키스(트리메틸실록실)실세스퀴옥산(Q8M8, 가장 강하게 실드된 Q4 기는 TMS에 대해 -109 ppm에 존재함)을 사용하여 테트라메틸실란(TMS) = 0 ppm을 기준으로 했다. 생성된 스펙트럼에서, M 기에 대한 공명은 실제로 작성이 불가능했다.5. pH의 결정결정은 DIN EN 787-9에 기재된 바와 같이, 그러나 부피비 1:1의 물/메탄올 혼합물에서 샘플의 4% 농도 분산액을 사용하여 수행되었다.실시예실시예 S1:질소 분위기하에 DIN 66131 및 66132(독일 뮌헨 Wacker Chemie AG로부터 상표명 HDK�� N20 하에 입수가능)에 따른 BET 방법에 의해 확인된 비표면적이 200 ㎡/g인 친수성 실리카 120 g에, 2-유체 노즐(중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.1 mm 구경(bore), 5 bar 질소에서 작동됨)을 통한 제팅에 의해 1.2 g의 물과 2.4 g의 메탄올로 이루어진 혼합물을 첨가했다. 이후 유사한 방식으로 20 g의 Me3Si(OSiMe2)3Cl을 첨가했다 (중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.2 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨). 반응 혼합물을 우선 격렬히 교반하면서 80℃에서 1시간 동안 가열한 다음 200℃에서 추가 2시간 동안 가열했다. 샘플을 실온으로 냉각 후, 이를 분석했다.실험 데이터 및 분석 데이터가 표 1에 요약되어 있다. 각각의 경우에 주어진 29Si-SP/MAS 측정치의 결과는 Me2Si(O1/2)2 (D) 및 Me3SiO1/2 (M)에 대한 신호의 전체의 비율 D/M이다.실시예 S2:질소 분위기하에 DIN 66131 및 66132(독일 뮌헨 Wacker Chemie AG로부터 상표명 HDK�� N20 하에 입수가능)에 따른 BET 방법에 의해 확인된 비표면적이 200 ㎡/g인 친수성 실리카 120 g에, 2-유체 노즐(중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.1 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨)을 통한 제팅에 의해 1.3 g의 물을 첨가했다. 이후 유사한 방식으로 24 g의 실록산 I를 첨가했다 (중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.2 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨). 반응 혼합물을 우선 격렬히 교반하면서 80℃에서 1시간 동안 가열한 다음 200℃에서 추가 2시간 동안 가열했다. 냉각된 샘플의 분석을 실시예 S1과 유사하게 수행했으며 표 1에 수록되어 있다.실시예 S3:질소 분위기하에 DIN 66131 및 66132(독일 뮌헨 Wacker Chemie AG로부터 상표명 HDK�� N20 하에 입수가능)에 따른 BET 방법에 의해 확인된 비표면적이 200 ㎡/g인 친수성 실리카 120 g에, 2-유체 노즐(중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.1 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨)을 통한 제팅에 의해 0.6 g의 물과 1.2 g의 메탄올로 이루어진 혼합물을 첨가했다. 이후 유사한 방식으로 10 g의 Me3Si(OSiMe2)3Cl을 첨가했다 (중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.2 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨). 반응 혼합물을 우선 격렬히 교반하면서 80℃에서 1시간 동안 가열한 다음 200℃에서 추가 2시간 동안 가열했다. 냉각된 샘플의 분석을 실시예 S1과 유사하게 수행했으며 표 1에 수록되어 있다.실시예 S4:질소 분위기하에 DIN 66131 및 66132(독일 뮌헨 Wacker Chemie AG로부터 상표명 HDK�� N20 하에 입수가능)에 따른 BET 방법에 의해 확인된 비표면적이 200 ㎡/g인 친수성 실리카 120 g에, 2-유체 노즐(중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.1 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨)을 통한 제팅에 의해 0.2 g의 물과 0.5 g의 메탄올로 이루어진 혼합물을 첨가했다. 이후 유사한 방식으로 4 g의 Me3Si(OSiMe2)3Cl을 첨가했다 (중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.2 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨). 반응 혼합물을 우선 격렬히 교반하면서 80℃에서 1시간 동안 가열한 다음 200℃에서 추가 2시간 동안 가열했다.생성물을 50℃로 냉각한 후, 12 g의 헥사메틸디실라잔에 이어 2.7 g의 물을 분무하고 (중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.1 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨) 120℃에서 1시간 동안 재차 가열했다.냉각된 샘플의 분석을 실시예 S1과 유사하게 수행했으며 표 1에 수록되어 있다.실시예 S5:질소 분위기하에 DIN 66131 및 66132(독일 뮌헨 Wacker Chemie AG로부터 상표명 HDK�� N20 하에 입수가능)에 따른 BET 방법에 의해 확인된 비표면적이 200 ㎡/g인 친수성 실리카 120 g에, 2-유체 노즐(중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.2 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨)을 통한 제팅에 의해 화학식 Me3Si(OSiMe2)23OH로 표시될 수 있는 EP 1 883 666에 따라 제조된 일작용성 퍼메틸실록사놀 22 g을 첨가했다. 반응 혼합물을 격렬히 교반하면서 200℃에서 1시간 동안 가열했다.냉각된 샘플의 분석을 실시예 S1과 유사하게 수행했으며 표 1에 수록되어 있다.실시예 S6:질소 분위기하에 DIN 66131 및 66132(독일 뮌헨 Wacker Chemie AG로부터 상표명 HDK�� N20 하에 입수가능)에 따른 BET 방법에 의해 확인된 비표면적이 200 ㎡/g인 친수성 실리카 120 g에, 2-유체 노즐(중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.2 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨)을 통한 제팅에 의해 화학식 Me3Si(OSiMe2)23OH로 표시될 수 있는 EP 1 883 666에 따라 제조된 일작용성 퍼메틸실록사놀 22 g을 첨가했다. 반응 혼합물을 격렬히 교반하면서 200℃에서 1시간 동안 가열했다.생성물을 50℃로 냉각한 후, 12 g의 헥사메틸디실라잔에 이어 2.7 g의 물을 분무하고 (중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.1 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨) 120℃에서 1시간 동안 재차 가열했다.냉각된 샘플의 분석을 실시예 S1과 유사하게 수행했으며 표 1에 수록되어 있다.실시예 S7:질소 분위기하에 DIN 66131 및 66132(독일 뮌헨 Wacker Chemie AG로부터 상표명 HDK�� N20 하에 입수가능)에 따른 BET 방법에 의해 확인된 비표면적이 200 ㎡/g인 친수성 실리카 120 g에, 2-유체 노즐(중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.2 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨)을 통한 제팅에 의해 화학식 Me3Si(OSiMe2)14OH로 표시될 수 있는 EP 1 883 666에 따라 제조된 일작용성 퍼메틸실록사놀 13 g을 첨가했다. 반응 혼합물을 격렬히 교반하면서 200℃에서 1시간 동안 가열했다.냉각된 샘플의 분석을 실시예 S1과 유사하게 수행했으며 표 1에 수록되어 있다.실시예 S8:질소 분위기하에 DIN 66131 및 66132(독일 뮌헨 Wacker Chemie AG로부터 상표명 HDK�� N20 하에 입수가능)에 따른 BET 방법에 의해 확인된 비표면적이 200 ㎡/g인 친수성 실리카 120 g에, 2-유체 노즐(중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.2 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨)을 통한 제팅에 의해 화학식 Me3Si(OSiMe2)14OH로 표시될 수 있는 EP 1 883 666에 따라 제조된 일작용성 퍼메틸실록사놀 25 g을 첨가했다. 반응 혼합물을 격렬히 교반하면서 200℃에서 1시간 동안 가열했다.냉각된 샘플의 분석을 실시예 S1과 유사하게 수행했으며 표 1에 수록되어 있다.실시예 S9:질소 분위기하에 DIN 66131 및 66132(독일 뮌헨 Wacker Chemie AG로부터 상표명 HDK�� N20 하에 입수가능)에 따른 BET 방법에 의해 확인된 비표면적이 200 ㎡/g인 친수성 실리카 120 g에, 2-유체 노즐(중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.2 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨)을 통한 제팅에 의해 화학식 Me3Si(OSiMe2)14OH로 표시될 수 있는 EP 1 883 666에 따라 제조된 일작용성 퍼메틸실록사놀 38 g을 첨가했다. 반응 혼합물을 격렬히 교반하면서 200℃에서 1시간 동안 가열했다.냉각된 샘플의 분석을 실시예 S1과 유사하게 수행했으며 표 1에 수록되어 있다.실시예 S10:질소 분위기하에 DIN 66131 및 66132(독일 뮌헨 Wacker Chemie AG로부터 상표명 HDK�� N20 하에 입수가능)에 따른 BET 방법에 의해 확인된 비표면적이 200 ㎡/g인 친수성 실리카 120 g에, 2-유체 노즐(중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.2 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨)을 통한 제팅에 의해 암모니아의 25% 농도 수용액 4 g을 첨가했다. 이후 유사한 방식으로 (중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.2 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨) 화학식 Me3Si(OSiMe2)14OH로 표시될 수 있는 EP 1 883 666에 따라 제조된 일작용성 퍼메틸실록사놀 38 g을 첨가했다. 반응 혼합물을 격렬히 교반하면서 100℃에서 2시간 동안 가열했다.냉각된 샘플의 분석을 실시예 S1과 유사하게 수행했으며 표 1에 수록되어 있다.실시예 S11:질소 분위기하에 DIN 66131 및 66132(독일 뮌헨 Wacker Chemie AG로부터 상표명 HDK�� N20 하에 입수가능)에 따른 BET 방법에 의해 확인된 비표면적이 200 ㎡/g인 친수성 실리카 120 g에, 2-유체 노즐(중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.1 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨)을 통한 제팅에 의해 1.6 g의 트리에틸아민을 첨가했다. 이후 유사한 방식으로 (중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.2 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨) 화학식 Me3Si(OSiMe2)14OH로 표시될 수 있는 EP 1 883 666에 따라 제조된 일작용성 퍼메틸실록사놀 38 g을 첨가했다. 반응 혼합물을 격렬히 교반하면서 100℃에서 2시간 동안 가열했다.냉각된 샘플의 분석을 실시예 S1과 유사하게 수행했으며 표 1에 수록되어 있다.실시예 S12:질소 분위기하에 DIN 66131 및 66132(독일 뮌헨 Wacker Chemie AG로부터 상표명 HDK�� N20 하에 입수가능)에 따른 BET 방법에 의해 확인된 비표면적이 200 ㎡/g인 친수성 실리카 120 g에, 2-유체 노즐(중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.1 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨)을 통한 제팅에 의해 1.2 g의 부틸아민을 첨가했다. 이후 유사한 방식으로 (중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.2 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨) 화학식 Me3Si(OSiMe2)14OH로 표시될 수 있는 EP 1 883 666에 따라 제조된 일작용성 퍼메틸실록사놀 38 g을 첨가했다. 반응 혼합물을 격렬히 교반하면서 100℃에서 2시간 동안 가열했다.냉각된 샘플의 분석을 실시예 S1과 유사하게 수행했으며 표 1에 수록되어 있다.실시예 S13:질소 분위기하에 DIN 66131 및 66132(독일 뮌헨 Wacker Chemie AG로부터 상표명 HDK�� N20 하에 입수가능)에 따른 BET 방법에 의해 확인된 비표면적이 200 ㎡/g인 친수성 실리카 120 g에, 2-유체 노즐(중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.1 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨)을 통한 제팅에 의해 화학식 Me3Si(OSiMe2)14OH로 표시될 수 있는 EP 1 883 666에 따라 제조된 일작용성 디메틸실록사놀 25 g을 첨가했다. 반응 혼합물을 격렬히 교반하면서 200℃에서 1시간 동안 가열했다.냉각된 샘플의 분석을 실시예 S1과 유사하게 수행했으며 표 1에 수록되어 있다.실시예 S14:질소 분위기하에 DIN 66131 및 66132(독일 뮌헨 Wacker Chemie AG로부터 상표명 HDK�� N20 하에 입수가능)에 따른 BET 방법에 의해 확인된 비표면적이 200 ㎡/g인 친수성 실리카 120 g에, 2-유체 노즐(중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.2 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨)을 통한 제팅에 의해 화학식 Me3Si(OSiMe2)14OH로 표시될 수 있는 EP 1 883 666에 따라 제조된 일작용성 디메틸실록사놀 25 g을 첨가했다. 반응 혼합물을 격렬히 교반하면서 200℃에서 1시간 동안 가열했다.냉각된 샘플의 분석을 실시예 S1과 유사하게 수행했으며 표 1에 수록되어 있다.실시예 S15:질소 분위기하에 DIN 66131 및 66132(독일 뮌헨 Wacker Chemie AG로부터 상표명 HDK�� N20 하에 입수가능)에 따른 BET 방법에 의해 확인된 비표면적이 200 ㎡/g인 친수성 실리카 120 g에, 2-유체 노즐(중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.1 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨)을 통한 제팅에 의해 1.2 g의 부틸아민을 첨가했다. 이후 유사한 방식으로 (중공 원추 노즐, 모델 121, Duesen-Schlick GmbH, D-96253 운터시마우/코부르크, 30°분무 각, 0.2 mm 구경, 5 bar 질소에서 작동됨) 화학식 Me3Si(OSiMe2)14OH로 표시될 수 있는 EP 1 883 666에 따라 제조된 일작용성 퍼메틸실록사놀 38 g을 첨가했다. 반응 혼합물을 격렬히 교반하면서 100℃에서 2시간 동안 가열했다. 냉각된 샘플의 분석을 실시예 S1과 유사하게 수행했으며 표 1에 수록되어 있다. 모든 결과가 표 1에 수록되어 있다.적용예:실시예 16:실험 생성물 S1-S12, 및 또한 시판품 HDK�� H18, H20 및 N20 각각 3 g을 주위 압력 하에 40 mm 디졸버 디스크가 구비된 VMA Getzmann GmbH (D-51580 라이히쇼프)의 DISPERMAT�� 진공 디졸버에 1 내지 2분 내에 750 rpm에서 Hexion Specialty Chemicals Inc.(D-47138 뒤스베르크)에서 입수한 97 g의 Epikote RIM135 내에 도입한 다음, 600 rpm에서 5분간 감압(0.3 bar)하에 분산시킨다. 1시간의 휴식 시간 후, 25℃에서 원추/플레이트 기하구조(35 mm, 2°)를 가진 에어-쿠션된 Haake RheoStress 600 레오미터에 의해 실온에서 회전하에 분산물의 점도를 측정했다. 점도를 결정하기 위해, 2개 섹션으로 이루어진 측정 프로파일을 사용했으며, 이때 전단이 우선 1 s-1에서 120초 동안 그리고 이후에 10 s-1에서 추가 120초 동안 이루어졌다. 표 2에 주어진 점도는 제2 섹션의 마지막 10개 데이터 점에서 나온 평균 값으로서 결정되었다. 모든 결과가 표 2에 수록된다.실시예 17:실시예 S7 내지 S13의 생성물, 및 또한 시판품 HDK�� H18, H20 및 N20 각각 40 g을 주위 압력하에 PT100 및 PTFE 블레이드와 함께 65 mm 디졸버 디스크, 니딩 후크 CONI 1 (바 길이 = 20 mm) 및 스크레이퍼 모델 CONI 1이 구비된 PC Laborsystem GmbH(CH-4312 스위스 마그덴)의 행성 디졸버 모델 Labotop 1에서 250 rpm에서 Combi GmbH(D-41061 묀헨글라드바흐)를 통해 Overlack AG (D-41061 묀헨글라드바흐)에서 입수한 460 g의 Epikote 828 내에 도입했다. 각각의 실리카의 완전한 습윤화가 이루어질 때까지의 시간이 도입 시간으로서 표 3에 주어진다. 도입이 이루어진 후, 5분 또는 30분간 감압하에 (대략 50 mbar) 그리고 수 냉각하면서 (디졸버 디스크: 500 rpm, 니딩 후크: 600 rpm) 분산을 수행했다.1일 또는 7일간의 휴식 시간 후, 25℃에서 원추/플레이트 기하구조(35 mm, 2°)를 갖는 에어-쿠션된 Haake RheoStress 600 레오미터에 의해 회전하면서 (0.1 s-1에서 300초) 분산물의 점도를 측정했다. 300초의 측정 시간 후에 확인된 점도가 표 3에 주어진다. 모든 결과가 표 3에 수록되어 있다.실시예 18:주위 압력하에, 40 mm 디졸버 디스크를 구비한 VMA-Getzmann GmbH(D-51580 라이히쇼프)의 DISPERMAT�� CA40C 디졸버에 1000 rpm에서 Momentive Specialty Chemicals Stuttgart GmbH (D-73730 에슬링겐)에서 입수한 288 g의 Epikure RIMH 137을 충전하고, 실시예 S7 내지 S13의 생성물, 및 또한 시판품 HDK�� H18, H20 및 N20을 12 g 연속 계량하여 넣었다. 도입이 완료되었을 때, 감압하에(대략 50 mbar) 그리고 수 냉각하면서 (4774 rpm) 30분간 분산을 실시했다.1일 또는 7일간의 휴식 시간 후, 25℃에서 원추/플레이트 기하구조(35 mm, 2°)를 갖는 에어-쿠션된 Haake RheoStress 600 레오미터에 의해 회전하면서 (0.1 s-1) 분산물의 점도를 측정했다. 300초의 측정 시간 후에 확인된 점도가 표 4에 주어진다. 모든 결과가 표 4에 수록되어 있다.실시예 19:충전제의 보강 효과를 확인하기 위해, 7일의 휴식 시간 후, 실시예 17 및 18의 선택된 분산물을 시험 시편을 제조하기 위해 사용했다. 이를 위해, 실리카 타입의 각각의 분산물을 Epikote 828 또는 Epikure RIMH 137 중으로 40:11의 비로 균일하게 혼합하고 DIN EN ISO 527-2에 따라 시험 시편 타입 1B 상에서 모델링된 실리콘 몰드 안으로 부었다. 시험 시편의 두께 h는 규정된 표준 DIN EN ISO 527-2로부터 7 mm 벗어났다. 시험 시편을 실온에서 공기 중에서 경화한 후, DIN EN ISO 527에 따라 표 4에 수록된 인장 성질을 확인했다. 모든 결과가 표 5에 수록되어 있다.실시예 20:실런트 제제를 제조하기 위해, 25 g의 Geniosil�� STP-E10(독일 뮌헨 Wacker Chemie AG로부터 입수가능)을 2개의 바 믹서가 구비된 PC-Laborsystem의 실험실 행성 믹서에서 대략 25℃에서 24.7 g의 폴리프로필렌 옥시드(레버쿠젠 Bayer Material Science AG의 상표명 Acclaim 2200 하에 상업적으로 입수가능함) 및 1.5 g의 비닐트리메톡시실란(독일 뮌헨 Wacker Chemie AG의 Geniosil�� XL 10으로서 입수가능함)과 함께 2분간 600 rpm에서 균질화했다.이후, 스테아르산으로 코팅되고 대략 2.0 mm의 평균 입자 직경(D50%)을 갖는 대리석 분(marble flour)(독일 쾰른 Omya GmbH의 상표명 Omyabond 520 하에 상업적으로 입수가능함) 43.3 g 및 상응하는 실리카(S15, S16 또는 HDK�� H18, 독일 뮌헨 Wacker Chemie AG로부터 상업적으로 입수가능함) 4 g을 첨가하고 600 rpm에서 교반하에 2분간 파쇄했다. 마지막으로, 1 g의 3-아미노-프로필트리메톡시실란(독일 뮌헨 Wacker Chemie AG로부터 Geniosil�� GF 96으로서 입수가능함) 및 0.5 g의 Tinuvin B75(BASF Schweiz AG, 4057 바젤)를 200 rpm에서 1분간 혼합하고 추가 1분간 200 rpm에서 부분 진공에서 (대략 100 mbar) 균질화하고 버블없이 교반했다. 이러한 방식으로 얻어진 매스를 310 ml PE 카트리지로 옮기고 DIN 54458에 따른 기계적 시험 및 리올로지 조사 이전에 20℃에서 24시간 동안 저장했다. 장기 저장 안정성을 조사하기 위해, 카트리지를 70℃에서 28일 그리고 20℃에서 24시간 동안 저장했다. 모든 결과가 표 6.1 및 6.2에 수록되어 있다.본 발명에 따른 금속 산화물은 심지어 비교적 높은 잔류 실라놀 함량의 경우에도, 극성 유기 수지에서 높은 농축 효과 및 두드러진 레올로지 프로파일을 특징으로 하며 이들에 용이하게 혼입될 수 있다. 게다가, 본 발명에 따른 금속 산화물의 사용은 저장 안정성이 선행 기술과 비교해서 상당히 증가되고, 특히 대략 1개월의 저장 기간 후에 상당히 더 낮은 전단 응력이 달성되는 이점을 갖는다.
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본 발명의 목적은 극성 유기 시스템에서 현저한 농축(thickening) 효과를 특징으로 하지만 그럼에도 불구하고 그 속에 용이하게 분산될 수 있는 표면 개질된 금속 산화물을 제공하는데 있으며, 이를 이용하여, 심지어 알칼리 반응 기들을 함유하는 매체에서조차 저장 안정성 분산액이 제조될 수 있다. 이러한 목적은 화학식 R1R2R3SiO1/2 (M) 및 R4R5Si(O1/2)2 (D)(여기서 R1, R2, R3, R4 및 R5는 각각 1 내지 24개의 탄소 원자를 가진 1가 탄화수소 라디칼이고, R1, R2, R3, R4 및 R5는 동일하거나 상이할 수 있음)의 기들을 함유하는 입자상 나노구조화된 금속 산화물을 제공함으로써 달성된다. 금속 산화물의 표면 개질 방법이 또한 기재되며, 금속 산화물이 화학식 R1R2R3Si(OSiR4R5)mX의 일작용성 실록산으로 처리되고, 여기서 X가 반응성 기이고; R1, R2, R3, R4 및 R5가 각각 1 내지 24개의 탄소 원자를 가진 1가 탄화수소 라디칼이고 m = 0 내지 50이며, R1, R2, R3, R4 및 R5가 동일하거나 상이할 수 있는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따라 표면 개질된 입자상 금속 산화물은 접착제, 실런트 및 코팅의 유동 성질을 제어하거나, 엘라스토머의 기계적 성질을 개선하거나 또는 파우더 예컨대 토너 또는 파우더 코팅의 전하 및 유동 성질을 제어하기 위해 사용될 수 있다.
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[ 발명의 명칭 ]
고농도로 황 성분을 함유하는 중유 등의 저질 연료를 사용하는 선박용 디젤 엔진의 배기가스 정화 장치EXHAUST GAS PURIFICATION DEVICE FOR MARINE DIESEL ENGINE THAT USES LOW-QUALITY FUEL SUCH AS HEAVY OIL CONTAINING HIGH CONCENTRATION OF SULFUR COMPONENT
[ 기술분야 ]
본 발명은 선박용 디젤 엔진의 배기 가스에 포함되는 황 산화물 등의 유해 가스를 제거하여 정화하는, 선박용, 발전용, 산업용 등의 특히 고농도로 황 성분을 함유하는 중유[중유(Fuel Oil)는 선박용 공업계에서, 디젤유(Diesel Oil: DO), 선박용 디젤 연료(Marine Diesel Fuel: MDF) 또는 선박용 디젤유(Marine Diesel Oil: MDO), 선박용 연료유(Marine Fuel Oil: MFO), 중질 연료유(Heavy Fuel Oil: HFO), 잔사 연료유(Residual Fuel Oil: RFO)라고 표기되지만, 본 발명에서는 이들의 표기를 총칭하여 중유라고 칭함] 등의 저질 연료를 사용하는 대배기량 선박용 디젤 엔진의 배기 가스 처리 기술에 관한 것으로, 보다 상세하게는 높은 온도의 배기 가스를 배출하는 대배기량 선박용 디젤 엔진에 있어서의 가스와 입자의 확산 속도의 차이를 이용한 스크러버를 배치한 배기 가스의 정화 장치에 관한 것이다.
[ 배경기술 ]
각종 선박이나 발전기 및 대형 건설 기계, 나아가서는 각종 자동차 등의 동력원으로서 디젤 엔진이 광범위하게 채용되고 있으나, 이 디젤 엔진으로부터 배출되는 배기 가스에 포함되는 카본을 주체로 하는 입자형 물질(Particulate Matter: 이하 「PM」이라고 칭함)이나 황 산화물(이하 「SOx」라고 칭함), 질소 산화물(이하 「NOX」라고 칭함)은, 주지하는 바와 같이 대기 오염을 초래할 뿐만이 아니라, 인체에 매우 유해한 물질이기 때문에, 그 배기 가스의 정화는 매우 중요하다. 이 때문에, 디젤 엔진의 연소 방식의 개선이나 각종 배기 가스 필터의 채용, 배기 가스 재순환(Exhaust Gas Recirculation: 이하 「EGR」이라고 칭함)법, 선택식 환원 촉매 탈초법(Selective Catalytic Reduction: 이하 「SCR」이라고 칭함), 그리고 코로나 방전을 이용하여 전기적으로 처리하는 방법 등, 이미 수많은 제안이 이루어졌고, 그 일부는 실용에 제공되고 있다.여기서, 디젤 엔진의 배기 가스 중의 PM(입자형 물질)의 성분은, 유기 용제 가용분(SOF: Soluble Organic Fractions, 이하 「SOF」라고 칭함)과 유기 용제 불용분(ISF: Insoluble Organic Fractions, 이하 「ISF」라고 칭함)의 2가지로 나누어지는데, 그 중 SOF분은, 연료나 윤활유의 미연분이 주된 성분으로, 발암 작용이 있는 다환 방향족 등의 유해 물질이 포함된다. 한편, ISF분은, 전기 저항률이 낮은 카본(그을음)과 설페이트(Sulfate: 황산염) 성분을 주성분으로 하는 것으로, 이 SOF분 및 ISF분은, 그의 인체, 환경에 미치는 영향으로, 가능한 한 적은 배기 가스가 요망되고 있다. 특히, 생체에서의 PM의 악영향의 정도는, 그 입자 직경이 ㎚ 사이즈가 되는 경우에 특히 문제라고도 한다.코로나 방전을 이용하여 전기적으로 처리하는 방법으로서는, 예컨대 이하에 기재하는 방법 및 장치(특허문헌 1∼2)가 제안되어 있다. 즉, 본원 출원인은 특허문헌 1에 있어서, 도 16에 그의 개략을 도시한 바와 같이, 배기 가스 통로(121)에 코로나 방전부(122-1)와 대전부(122-2)로 이루어지는 방전 대전부(122)를 설치하여, 코로나 방전된 전자(129)를 배기 가스(G1) 중의 카본을 주체로 하는 PM(128)에 대전시키고, 상기 배기 가스 통로(121)에 배치한 포집판(123)에 의해 상기 대전한 PM(128)을 포집하는 방식으로서, 방전 대전부(122)에서의 전극침(124)은 배기 가스 흐름의 유동 방향 길이가 짧고, 또한 포집판(123)은 배기 가스 흐름의 유동 방향에 대해 직각 방향으로 배치된 구성으로 한 디젤 엔진의 배기 가스용 전기식 처리 방법 및 장치를 제안하고 있다. 한편 도면 중, 125는 시일 가스관, 126은 고압 전원 장치, 127은 배기 가스 유도관이다. 또한, 본원 출원인은 특허문헌 2의 제1 실시예에 있어서, 도 17에 그 개략을 도시한 바와 같이, 선박용 디젤 엔진의 배기 가스 정화 장치는, 고농도로 황 성분을 함유하는 중유 등의 저질 연료를 연료로서 사용하는 디젤 엔진(E)(111)의 배기 매니폴드(E/M)(112) 하류의 배기관의 터보차저(T/C)(114)의 터빈(도시하지 않음) 하류에 배기 가스 쿨러(G/C)(115)를 배치하고, 또한 상기 배기 가스 쿨러(G/C)(115)의 하류에 정전 사이클론 배기 가스 정화 장치[ES/C/DPF(Diesel Particulate Filter)](116)를 배치하며, 그의 하류측 배관에 배기 가스 중의 SOx를 그 처리수에 용해하지만 PM은 처리수에 거의 용해·제거하지 않는 스크러버(이하 「PM 프리 스크러버」라고 칭함)(113)를 배치하고, 에어 필터(A/F)(117) 하류의 흡기관에 터보차저(T/C)(114)의 컴프레서(도시하지 않음) 및 인터쿨러(I/C)(118)를 경유하여 엔진의 흡기 매니폴드(I/M)(119)로 외부의 공기를 흡기시키도록 구성되는 장치를 제안하고 있다. 한편, 도 18에 도시된 바와 같이 배기 가스를 전혀 처리하지 않고 배출시키고 있는 경우도 있다. 또한, 석탄이나 중유 등의 연료를 사용하는 보일러를 구비한 화력 발전 설비, 화학품 제조 플랜트, 금속 처리 플랜트, 소결 플랜트, 제지 플랜트 등이나 가스 터빈, 엔진, 소각로 등으로부터 배출되는 배기 가스 중의 SOx를 제거하는 장치로서는, 평판형의 평판 활성 탄소 섬유 시트와 V자형으로 골이 연속되는 골판형의 골판 활성 탄소 섬유 시트를 교대로 적층하여 형성되는 비교적 작은 직선형의 공간인 통로를 다수 가진 활성 탄소 섬유층이 촉매조(觸媒槽) 내에 형성되고, 촉매조 상부의 물 공급 수단으로부터 물을 적하하며, 배기 가스를 시트 사이의 통로를 통과시켜 황분을 황산으로서 제거하는 배연 처리 장치(특허문헌 3)가 제안되어 있다. 한편, 비특허문헌 1에는, 제3장 「모든 선박의 기관 구역 요건」에서의 PartC 「오일의 배출 규제」의 제15 규칙 「오일의 배출 규제」에 있어서, 특별 해역 밖 및 특별 해역에서의 희석하지 않는 경우의 유성 혼합물의 유분 농도가 규정되어 있다. 또한, 비특허문헌 2에는, 제2장 「IMO의 3차 NOX 규제에 대한 대응 기술과 남겨진 과제」에서의 2-2 「IMO의 3차 NOX 규제에 대한 대응하는 엔진 기술」의 2-2-2 「배기 순환」의 P14∼16에 있어서, 터보차저의 터빈에 대한 배기관으로부터 분류(分流)한 EGR 가스를 스크러버로 정화한 후 EGR 쿨러로 냉각하고, 또한 물방울(水滴) 포집기를 통과시키고 나서 터보차저의 컴프레서로부터 압송되는 흡기의 인터쿨러에 EGR 블로워에 의해 환류시킨 디젤 엔진을 컨테이너선에 탑재하는 기술이 나타나 있다. 한편, 비특허문헌 2 중의 IMO란, 국제 해사 기관; International Maritime Organization의 약호이다. 또한, 비특허문헌 3에는, 알파·라발사가 덴마크의 피칼리아·시웨이즈호 탑재의 출력 21,000 ㎾, MAN B0026#W 제조 2스트로크 엔진을 사용한 SOX 대응 기술의 예로서, 황 함유율 2.2 퍼센트의 중유를 사용하면서 배기 가스를 해수와 맑은 물의 양방을 상황에 따라 구분해서 사용하는 스크러버로 처리함으로써, IMO(국제 해사 기관)의 2015년 시행 예정 요구 레벨인 배출 가스 중의 황 함유율 0.1 퍼센트의 중유 사용시와 동등한 레벨까지 세정 제거하는 기술이 소개되어 있다.또한, 공지의 NOX 저감 기술로서 촉매 반응을 이용한 상기 SCR 방식이 일반적으로 알려져 있다.
[ 선행기술문헌 ]
[ 특허문헌 ]
특허문헌 1: WO2006/064805호 공보특허문헌 2: 일본 특허 출원 제2014-78668호 공보특허문헌 3: 일본 특허 공개 제2003-126690호 공보
[ 비특허문헌 ]
비특허문헌 1: 1973년의 선박에 의한 오염 방지를 위한 국제 조약, 부속서 I 「오일에 의한 오염 방지를 위한 규칙」비특허문헌 2: 사단법인 일본 마린 엔지니어링 학회편: 평성 21년도 선박 배출 대기 오염 물질 삭감 기술 검토 조사 보고서비특허문헌 3: 2011년 11월 30일 발행의 알파·라발 인터내셔널 매거진 「here」 No.30 P6∼P14 「클린 솔루션의 골」
[ 발명의 개요 ]
[ 해결하려는 과제 ]
그러나, 상기한 종래의 디젤 엔진 배기 가스 정화 장치에는, 이하에 기재하는 과제나 문제점이 있다.상기 특허문헌 1에 기재된 코로나 방전 등을 이용하여 전기적으로 배기 가스 중의 PM을 처리하는 디젤 엔진의 배기 가스 처리 기술(예컨대 도 16에 도시된 디젤 엔진의 배기 가스용 전기식 처리 방법 및 장치)에서는, 이하에 기재하는 과제가 발생하고 있다.즉, 선박용 디젤 엔진에 있어서는, 황 성분의 함유량이 적은 경유를 사용하는 자동차용 디젤 엔진과 비교하여 현격히 큰 배기량을 가지며 또한 고농도로 황 성분을 함유하는 중유[중유는 경유에 대해 100배∼3500배 정도의 황분을 함유: JIS K2204:2007 「경유」; 0.0010 질량% 이하, K2205-1990 「중유」; 0.5 질량%∼3.5 질량% 이하에 의거함] 등의 저질 연료를 사용하는 대배기량 선박용 디젤 엔진에서, 예컨대 상기 특허문헌 1에 기재된 배기 가스 정화 장치를 이용한 경우에는, 고농도로 황 성분을 함유하는 중유 등의 저질 연료 중의 황 성분이 배기 가스나 EGR 가스 중에 SOF로서 포함될 뿐만이 아니라 설페이트가 되어 엔진 구성 부품, 특히 배기 관계 부품을 부식시킨다고 하는 과제를 극복할 필요가 있다. 또한, 황 성분에 기초하는 SOx를 전혀 포집할 수 없다. 또한, 상기 특허문헌 2(본원 출원인에 의해 앞서 제안된 것)에 기재된 특히 고농도로 황 성분을 함유하는 중유 등의 저질 연료를 사용하는 대배기량으로서 고속 및/또는 대유량의 배기 가스가 배출되는 디젤 엔진의 배기 가스용 전기식 처리 방법 및 장치(도 17)는, 터보차저(T/C)(114)의 터빈(도시하지 않음)을 구동하여 수냉의 배기 가스 쿨러(115)에 의해 냉각되는 배기 가스는, 정전 사이클론 배기 가스 정화 장치(통형 포집부: 내부 직경 φ400 ㎜×길이 3000 ㎜, 정전 전압: DC-45000 V, 사이클론 포집부: 몸통 직경 φ260 ㎜)(116)에 의해 상기 배기 가스 중의 PM(SOF, ISF)의 함유량이 저감되고, 그 후 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버를 통과하여 배기 가스 정화 장치로부터 사일런서(도시하지 않음)를 경유해서 선외로 배출되는 배출 가스가 된다. 이 배기 가스 정화 장치에 있어서, 유기 용제 가용분을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(113)에서는 상기 PM 프리 스크러버를 구성하는 각 벽면에 존재(일부 흘러내림(流下))하는 처리수의 박막층에 의해, 배기 가스 중의 SOX는 각 벽면의 처리수의 표면 부근을 따라 흐르는 동안에 처리수에 흡착되고 용해되어 그 농도를 격감시켜 배출되지만, 배기 가스 중의 PM은 처리수의 표면을 따라 흐를 뿐이며, 스크러버 처리수의 표면에 대해 배기 가스가 격하게 충돌하는 일이 거의 없고, PM 프리 스크러버 처리수의 표면 부근에 일부가 접하고 또한 따르면서 순조롭게 흐를 뿐이기 때문에, 서로 혼합되는 일이 없다. 한편, 종래 기술의 처리수와 배기 가스(특히 입자 성분)가 통상 스크러버 즉 제트 스크러버, 벤투리 스크러버, 스프레이탑 등의 가압수식이나, 충전탑, 유동층 스크러버 등의 충전식의 스크러버(저자; 공해 방지의 기술과 법규 편집 위원회, 발행소; 사단법인 산업 환경 관리 협회, 2011년 1월 20일 발행, 서명: 신·공해 방지의 기술과 법규 2011 〔대기편〕 분책 II) II-278 도 4.2.3-8∼II-282 도 4.2.3-10 참조)와 같이 스크러버 처리수의 표면에 대해 배기 가스가 격하게 충돌하여, 서로 혼합된다.따라서, 이 배기 가스 정화 장치의 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(113)에서는, 처리수에는 주로 SOX만이 용해되고 연료 또는 윤활유 유래의 n-헥산 추출물을 주성분으로 하는 유성 혼합물은 극히 약간밖에 용해·함유되지 않기 때문에, 이 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(113)의 폐기 처리수의 후처리는, 황 기원 성분은 중화·여과 등 단순한 공정과 적은 공정수 및 소형의 처리 장치에 의해 처리할 수 있고, 복잡하고 고도의 제어를 수반하는 제어부를 구비한 고가이며 또한 대형으로서 설치 자유도가 낮은 처리 장치(유분을 포함한 처리 배수를 해양으로 배출하지 않기 위한 저장 설비를 포함함)에 의한 PM의 처리 기능을 필요로 하지 않고 특별 해역 및 특별 해역 밖의 항행 중이어도 해양으로의 배출이 가능해지며, 또한 스크러버·스루 운전[스크러버 탱크의 물(해수)이 배수 규제 기준값(pH, 유분, 중금속류의 규제 기준값)에 근접하면, 해수를 퍼올려 탱크의 물(해수)을 적절히 보급하여 교체한다. 즉, 스크러버 폐수의 처리(pH 조정, 오탁물의 회수 등)는 행하지 않음]을 하는 것도 가능해진다. 그러나, 상기 정전 사이클론 배기 가스 정화 장치(116)의 운전에는 길이가 길고 고전압을 필요로 하는 정전 포집관부와 사이클론 포집부, 고전압 전원 장치와 상기 장치군의 설치를 위한 큰 스페이스와 상기 장치군을 작동시키기 위한 고도의 조업 기술이 필요하고, EGR 시스템을 갖지 않기 때문에 배기 가스에는 질소 산화물이 함유되어 있다.한편, 도 18에 도시된 바와 같이 배기 가스가 전혀 처리되지 않고 배출되는 경우에는 스크러버 처리수의 폐기 처리의 문제를 갖지는 않으나, 배기 가스에 함유되는 모든 유해 성분이 그대로 배출되어 환경 보전에 악영향을 미치는 것은 말할 것도 없다. 또한, 상기 특허문헌 3에 기재된 배연 처리 장치는, 황 산화물을 함유하는 배기 가스가 유통되는 장치탑 내에 설치되며 활성 탄소 섬유층으로 형성되는 촉매조와, 촉매조의 상부에 있어서의 장치탑 내에 설치되고 촉매조에 황산 생성용의 물을 공급하는 물 공급 수단을 포함하며, 이 물 공급 수단은 모세 침투 부재를 통해 물을 활성 탄소 섬유층의 상부에 살포하여 공급하는 침투 수단 또는 스프링클러나 파이프형의 샤워(분무 수단) 등을 이용하여 활성 탄소 섬유층의 상부 벽면에 안개 형상으로 물을 직접 분무하는 분무 수단이고, 활성 탄소 섬유층은, 평판형의 평판 활성 탄소 섬유 시트와 V자형으로 골이 연속되는 골판형의 골판 활성 탄소 섬유 시트를 교대로 적층하여 형성되는 비교적 작은 직선형의 공간인 다수의 통로[도 4의 실시예에서는 평판 활성 탄소 섬유 시트 사이의 피치는 4 ㎜ 정도, 골판 활성 탄소 섬유 시트의 산부의 폭(h)은 10 ㎜ 정도인 단면 형상이 V자형]가 상하로 연장되는 상태로 하며, 위로부터 입자 직경이 200 ㎛ 정도인 물이 분무되어 공급되고, 배기 가스가 아래로부터 보내지는 구성이다. 따라서, 배기 가스는 비교적 작은 직선형의 공간인 통로의 축심을 따라 통로 내부를 아래로부터 위로 축 방향으로 흐르고, 위로부터 입자 직경이 200 ㎛ 정도의 크기로 분무되어 공급되는 물은 단속적으로 물방울이 구슬 형상이 되어 굴러 떨어짐으로써, 활성 탄소 섬유 표면에 수분이 과부족 없이 공급되어 통로의 벽면을 수분이 과잉이 되어 활성 탄소 섬유의 표면에 수막이나 수벽(水壁)을 형성하지 않도록 통로의 축 방향 위로부터 아래로 축 방향으로 흐르며, 일부는 스프링클러나 파이프형의 샤워(분무 수단) 등을 이용하여 평판 활성 탄소 섬유 시트 및 골판 활성 탄소 섬유 시트의 상부에 직접 물을 공급받음으로써 물방울의 일부는, 통로 내부를 아래로부터 위로 축 방향으로 흐르는 배기 가스와 충돌하면서 유로 내부를 축 방향으로 위로부터 아래로 대향하여 흐르게 된다. 즉, 활성 탄소 섬유의 표면에 수막이나 수벽을 형성하지 않도록 하면서(후술하는 본 발명에서는 표면에 수막이나 수벽을 형성함) 배기 가스와 물은 비교적 작은 직선형의 공간인 통로의 공통의 축심에 대해 함께 따르고 있으나 통로 내부를 서로 반대 방향으로 흘러 충돌하는 경우도 있을 수 있는 구성이며, 배기 가스에 PM이 함유되어 있는 경우, 처리수에는 SOX가 용해될 뿐만이 아니라 PM까지 함유되게 되어, 스크러버 처리수의 폐기 처리의 문제를 가지며, 그대로 배출하면 환경 보전에 악영향을 미치는 것은 말할 것도 없다.한편, 비특허문헌 1의 제3장 「모든 선박의 기관 구역 요건」에서의 PartC 「오일의 배출 규제」의 제15 규칙 「오일의 배출 규제」에 있어서는, A. 「특별 해역 밖에서의 배출」 조항의 2 「총 톤수 400톤 이상의 선박으로부터의 오일 또는 유성 혼합물의 해양으로의 배출은 금지한다. 단, 다음의 모든 조건을 만족시키는 경우는 제외한다.」라고 하는 규정의. 3에는 「희석을 하지 않는 경우의 유성 혼합물의 유분 농도가 100만분의 15 이하일 것.」이라고 규정되고, B. 「특별 해역에서의 배출」 조항의 3 「총 톤수 400톤 이상의 선박으로부터의 오일 또는 유성 혼합물의 해양으로의 배출은 금지한다. 단, 다음의 모든 조건을 만족시키는 경우는 제외한다.」라고 하는 규정의. 3에는 「희석을 하지 않는 경우의 유성 혼합물의 유분 농도가 100만분의 15 이하일 것.」이라고 규정되어 있다.한편, 여기서 「오일」이란, 원유, 중유 및 윤활유를 말하고, 「유성」이란, 이 의미에 따라 해석하는 것으로 하며, 「유성 혼합물」이란, 오일을 함유하는 혼합물을 말한다. 또한, 비특허문헌 2에 기재된 선박용 디젤 엔진에 있어서는, 배기 가스로부터 분류한 EGR 가스를 흡기로 환류함으로써, 배기 가스로부터 NOX의 80% 저감과 EGR 가스로부터의 100%에 가까운 SOX 제거가 가능하지만, 스크러버를 통과하는 매진(煤塵), PM에 또한 포함되는 황분의 디젤 기관 본체나 시스템에 대한 영향에 대해서는, 장기간의 실제 선박 시험이 필요할 뿐만이 아니라, 스크러버로부터 선외 배출되는 세정수에 대해서는 환경이나 생태계에 영향을 미치지 않도록 할 필요가 있으며, 특히 이 스크러버의 세정수에 있어서는 PM의 용해·부유, SO2의 용해 등에 따르는 이들 환경 오염 성분 혹은 생태계 영향 성분의 제거나 pH 조정 등, 폐수 처리가 큰 문제가 될 것이 예상된다. 그러나, 대배기량의 선박용 디젤 엔진의 장시간에 걸친 항해에 있어서는, 적어도 EGR 가스 흐름을, 바람직하게는 EGR 가스 흐름을 포함하는 배기 가스 흐름의 전량의 처리는, 스크러버만에 의한 처리는 장치의 크기(유분을 포함한 처리 배수를 해양으로 배출하지 않기 위한 저장 설비를 포함함)의 점에서 전혀 현실적이지 않다.한편, 비특허문헌 3에 기재된 「클린 솔루션의 골」에 있어서는, 「해운업계의 환경 영향의 삭감이나, 해양 오염에 대한 보다 엄격한 법률에의 적합에, 깨끗한 신기술이 공헌한다」라고 하여, 이하와 같이 기재되어 있다.요약 (I) 기술적 배경:(I) IMO는 선박에 의한 오염에 대한 규제를 강화합니다(가) 황 산화물(SOX)(신조선 및 기존선 양방에 적용)연료유의 황 농도의 상한을 정하는 세계적인 규제가 적용됩니다. 엄격화된 규제가 배출 규제 해역에 적용됩니다. 상한값은 2012년부터 단계적으로 변경됩니다. 이 규제값에 적합하기 위해서는, 저(低)황 연료의 사용이나 배기 가스 정화 장치가 필요합니다. (나) 질소 산화물(NOX)(신조선에만 적용)기존의 규제 요구 사항은, 출력 130 KW 이상의 선박용 디젤 기관에 적용됩니다. 선박의 건조일에 따라 상이한 규제값이 적용됩니다. 배출 규제 해역을 항행하는 신조선에 대해, 2016년부터 엄격화된 규제(Tier III)가 적용됩니다.(다) 빌지 수(bilge water)(신조선 및 기존선 양방에 적용)선외로 배출하는 빌지 수의 규제값은 15 ppm입니다.요약 (II) 수처리 기술:(II) 알파·라발의 수처리 기술: (가) 선박의 빌지 탱크의 유성 폐수만을 처리하는 Pure Bilge 솔루션은, 일단계의 고속 원심 분리 시스템에 의해, 화학 물질이나 흡착 필터, 막을 사용하지 않고 대량의 물을 정화하여, 수중 유분은 5 ppm 미만이 됩니다.(나) IMO가 선박에 요구하는 NOX 배출의 80 퍼센트 삭감을 가능하게 하기 위해서, 알파·라발은 MAN 디젤사와 협력하여 대형 2스트로크 디젤 엔진용의 배기 재순환(EGR) 시스템을 개발하였습니다. (다) SOX 배출에 대해서는, 알파·라발이 완전한 배기 가스 정화 프로세스를 개발하였습니다. 현재 선상에서의 시험이 행해지고 있는 이 시스템에서도 알파·라발 분리기를 사용하여, 스크러버로부터의 오수를 바다로의 배수 전에 정화하고 있습니다. 요약 (III) SOX 대응 기술:(III) 알파·라발의 SOX 대응 기술: (피칼리아·시웨이즈호(덴마크)=출력 21,000 ㎾, MAN B0026#W 2스트로크 엔진)에 탑재(가) 연료는 황 함유율 2.2 퍼센트의 중유이고, 배출 가스는, 2015년에 시행되는 IMO(국제 해사 기관)의 요구 레벨인 황 함유율 0.1 퍼센트와 동등한 레벨까지 세정 제거됩니다. (나) 알파·라발의 Pure SOX는, 해수와 맑은 물의 양방을 상황에 따라 구분해서 사용합니다.「해수 혹은 담수를 가성소다와 수용액을 사용하여 주기(主機)의 배기 가스를 세정합니다」● 제1 단계에서는, 가스 도입 부분에서 물을 분사함으로써 배기 가스를 냉각하고, 그리고 배기 가스 중의 매진의 대부분도 여기서 제거됩니다.● 제2 단계에서는, 스크러버 타워 내에서 배기 가스 중의 황 산화물 등을 더욱 세정합니다. 배기 가스 중의 물방울의 가지고 감이나 부식을 방지하기 위해서, 굴뚝으로부터 배출되기 전에 가스 중의 물방울은 데미스터에 의해 제거됩니다.● 제3 단계에서는, 배기 가스에 잔류하고 있는 황 산화물을 더욱 정화합니다. 선박의 굴뚝으로부터 배출하기 전에, 응축이나 부식을 방지하기 위해서, 배기 가스로부터 작은 물방울이 제거됩니다(배기 가스의 황분을 98% 이상 제거). 이 비특허문헌 3의 12페이지 제2란 16행∼제3란 1행 「스크러버는, 배의 펀넬에 설치된 큰 샤워실이라고 말할 수 있습니다」라고 하는 기재 및 14페이지에 게재된 사진 중의 주기(注記) 「배의 굴뚝에 설치된 스크러버는, 큰 샤워실에 비유할 수 있습니다.」라고 하는 기재와, 하이브리드 시스템도(도시하지 않음)의 스크러버 상부로부터 물·해수가 공급되어 최하부로부터 함께 배수되고, 배기 가스가 바이패스 댐퍼로부터 스크러버 하부에 공급되어 최상부에 직결된 굴뚝으로 배출되기 때문에, 제트 스크러버 타입의 것임을 알 수 있다. 즉, 스크러버 처리수의 표면에 대해 배기 가스가 격하게 충돌하는 타입으로서, 배기 가스 중의 입자형 성분도 가스형 성분과 함께 제거할 수 있는 기능을 갖는 것을 알 수 있다. 따라서 스크러버수의 후처리에는 하이브리드 시스템도(도시하지 않음)에 기재된 각 구성 장치를 갖추며, 이들을 고도로 조작하여 조업할 필요가 있다.또한, 공지의 NOX 저감 기술로서 촉매 반응을 이용한 SCR 방식이 일반적으로 알려져 있다. 이 SCR 방식은, 엔진의 배기 가스의 온도가 충분히 높은 상태에서 촉매가 활성화되고, 또한 촉매 표면이 그을음 등에 덮이지 않고 확실하게 노출되어 있으면 촉매가 정상적으로 기능하여 높은 NOX 저감을 달성할 수 있다. 그러나, 일반적인 선박용 엔진에 있어서는 연료 소비율의 향상을 확보하기 위해서, 자동차용 엔진 등과 비교하면 롱 스트로크의 저속 엔진이 주류이고, 실린더 내에서 연소 가스의 에너지를, 천천히 시간을 들여 확실하게 동력으로서 추출함에 따라, 장시간에 걸친 연소 가스의 실린더 벽면 등에의 접촉에 따르는 방열에 의해 배기 가스의 온도는 저온이 되는 경우가 많으며, 엔진 시동 직후의 난기 중 뿐만이 아니라 정상 운전 중이어도 촉매 온도가 300도를 하회하면 그 기능을 충분히 발휘하지 않아, NOX 저감률이 불충분한 경우가 많다. 또한, 고농도로 황 성분을 함유하는 중유 이하의 저질 연료를 사용하는 디젤 엔진의 SCR 방식의 배기 정화 시스템에 있어서는, 배기 가스 중에 함유되는 PM에 의해 촉매가 피복되고, 연료에 다량으로 함유되는 황에 의해 촉매가 피독되어 그 NOX 정화 기능이 장기간에 걸쳐 안정적으로 기능하지 않는다고 하는 문제가 지적되어, 그 개선책으로서 고농도로 황 성분을 함유하는 중유 이하의 저질 연료로부터 황분을 탈황하는 것이 요망되고 있으나, 제유 장치에의 대규모의 탈황 장치의 설치에 따른 방대한 설비 투자에 따르는 연료의 앙등이 예상되어 아직 실현되고 있지 않다. 본 발명은 상기한 종래 기술의 문제를 감안하여, 특히 고농도로 황 성분을 함유하는 중유 등의 저질 연료를 사용하는 대배기량으로서 고속 및/또는 대유량의 배기 가스가 배출되는 선박용 디젤 엔진의 배기 가스 중의 PM의 처리수에의 혼합을 저지하면서 SOX를 고효율로 제거하여 배기 가스를 정화하고, 스크러버 처리수에의 PM의 혼합이 저지됨으로써, SOX를 중화 여과 등 단순한 공정과 적은 공정수 및 소형의 처리 장치에 의해 처리하여, 특별 해역 및 특별 해역 밖의 항행 중이어도 해양으로의 배출이 가능해지는 장치, 즉, 스크러버 처리수의, 복잡하고 고도의 제어를 수반하는 제어부를 구비한 고가이며 또한 대형의 처리 장치(유분을 포함한 처리 배수를 해양으로 배출하지 않기 위한 저장 설비를 포함함)로서 설치 자유도가 낮은 설비를 필요로 하지 않고, 저렴하고 보수가 용이한 소형으로서 설치 자유도가 높은 설비이면서 처리수의 관리가 용이하고, 또한, 때로는 스크러버·스루 운전도 가능하며, 제유 업계에서의 대규모의 탈황 장치의 설치에 따른 방대한 설비 투자를 필요로 하지 않고, 따라서 연료비를 저렴하게 할 수 있는, 고농도로 황 성분을 함유하는 중유 등의 저질 연료를 사용하는 선박용 디젤 엔진의 배기 가스 정화 장치를 제공하고자 하는 것이다.
[ 과제의 해결 수단 ]
본 발명에 따른 고농도로 황 성분을 함유하는 중유 등의 저질 연료를 사용하는 선박용 디젤 엔진의 배기 가스 정화 장치는, 제1 발명으로서, 고농도로 황 성분을 함유하는 중유 등의 저질 연료를 사용하는 선박용 디젤 엔진의 배기 가스 정화 장치에 있어서, 엔진의 배기 매니폴드에 연속되는 배기관에, 스크러버를 구성하는 각 벽면에 존재하며 흘러내리는 처리수의 박막층 표면에 대해 배기 가스가 격하게 충돌하는 일이 거의 없고 처리수의 표면 부근을 따르면서 순조롭게 흐르며, 가스와 입자의 확산 속도의 차이를 이용하여 PM을 거의 제거하지 않는 스크러버를 배치한 구성으로 한 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 고농도로 황 성분을 함유하는 중유 등의 저질 연료를 사용하는 디젤 엔진의 배기 가스 정화 장치는, 제2 발명으로서, 엔진의 배기 매니폴드에 연속되는 배기관에, 스크러버를 구성하는 각 벽면에 존재하며 흘러내리는 처리수의 박막층 표면에 대해 배기 가스가 격하게 충돌하는 일이 거의 없고 처리수의 표면 부근을 따르면서 순조롭게 흐르며, 가스와 입자의 확산 속도의 차이를 이용하여 PM을 거의 제거하지 않는 스크러버를 설치하고, 상기 스크러버의 하류측 배기관에 상기 배기 가스의 일부를 EGR 가스로서 분류하는 분기부를 형성하며, 상기 분기부에 연속되는 EGR 배관 및 EGR 밸브를 통해 상기 EGR 가스를 엔진의 흡기로 환류시키는 구성으로 한 것을 특징으로 한다. 상기한 제2 본 발명의 고농도로 황 성분을 함유하는 중유 등의 저질 연료를 사용하는 선박용 디젤 엔진의 배기 가스 정화 장치에 있어서, 제3 발명으로서, 상기 EGR 배관에, 스크러버를 구성하는 각 벽면에 존재하며 흘러내리는 처리수의 박막층 표면에 대해 배기 가스가 격하게 충돌하는 일이 거의 없고 처리수의 표면 부근을 따르면서 순조롭게 흐르며, 가스와 입자의 확산 속도의 차이를 이용하여 PM을 거의 제거하지 않는 스크러버를 배치한 구성으로 한 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 제1 내지 제3 발명의 배기 가스 정화 장치에 있어서, PM을 거의 제거하지 않는 스크러버로서는, 배기관 혹은 EGR 배관에 우수한 흡수성을 갖는 유리 섬유를 골격으로 한 다공질 세라믹 소재로 이루어지는 골판과 평판을 교대로 적층한 허니컴 구조의 코어부를 수직으로 배치하고, 코어 상부에 코어부 표면이 항상 습윤하도록 코어의 거의 전체 길이에 걸친 급수부를 설치하며, 코어부에 대해 대략 직교하는 방향(수평 방향)으로 배기 가스 혹은 EGR 가스가 유입 및 유출되어 허니컴 코어부의 다수의 터널형의 미소 단면의 가스 유로를 갖는 코어 내부를 통과하도록 배치하고, 코어 하부에 배기 가스를 정화한 처리수를 받는 코어의 거의 전체 길이에 걸친 트레이를 설치하는 구성으로 하는 것, 또는, 배기관 혹은 EGR 배관 내의 상부에 처리수 공급 노즐을 하부에 하부 탱크를 설치하고, 상기 처리수 공급 노즐 및 하부 탱크 사이에 평판형 및/또는 골판형의 처리판을 상하 방향에 대해 연직 또는 경사지게 복수 매 배치하며, 처리판의 배치가 연직인 경우에는 각 처리판의 양면측에, 배치가 경사져 있는 경우에는 각 처리판의 상면측에 처리수 공급 노즐을 각각 구비해서 처리수를 공급하여 상기 표면을 항상 습윤시키고, 또한 처리판 설치 방향에 대해 대략 직교하는 방향(수평 방향)으로 배기 가스 혹은 EGR 가스가 유입 및 유출되는 구성으로 하는 것, 혹은 배기관 혹은 EGR 배관의 하부에서 트레이의 수면 아래에 복수의 하측 롤을 배치하고, 이것과 대응한 복수의 상측 롤과의 사이에 엔드리스 벨트를 서펜타인형(serpentine shape)으로 배치해서 각 롤 중 적어도 하나를 구동하여 배기 가스 혹은 EGR 가스 유로에 다수의 젖은 가동 벽면을 수직으로 형성하며, 또한 가동 벽면 형성 방향에 대해 대략 직교하는 방향(수평 방향)으로 배기 가스 혹은 EGR 가스가 유입 및 유출되는 구성으로 하는 것을 바람직한 양태로 한다.
[ 발명의 효과 ]
본 발명에 따른 고농도로 황 성분을 함유하는 중유 등의 저질 연료를 사용하는 선박용 디젤 엔진의 배기 가스 정화 장치는, 이하에 기재하는 효과를 나타낸다.1. 배기 가스 통로에, PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(No-SOF Scrubber)를 설치하고, 또한 상기 PM 프리 스크러버를 구성하는 각 벽면에 존재(일부 흘러내림)하는 처리수의 박막층에 의해, 배기 가스 중의 기체인 SOX는 확산 계수가 1.5×10-5(㎡/s) 정도로 커서 각 벽면 부근을 따라 흐르는 동안에 처리수에 흡착되고 상기 처리수에 용해되어 그 농도를 격감시켜 배출되지만, 배기 가스 중의 입자 직경이 0.01 ㎛∼0.5 ㎛ 정도로 큰 PM은 확산 계수의 오더가 3∼6 자릿수 정도 작아 10-8∼10-11(㎡/s) 정도로 매우 작기 때문에 처리수의 표면을 따라 흐를 뿐 스크러버 처리수의 표면에 대해 배기 가스가 격하게 충돌하는 일이 거의 없고, PM 프리 스크러버 처리수의 표면 부근에 일부가 접하여 따르면서 순조롭게 흐를 뿐이기 때문에, 서로 혼합되는 일이 없으며, 처리수에는 주로 SOX만이 용해되고 PM은 극히 약간밖에 용해·함유되지 않기 때문에, 이 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버의 폐기 처리수의 후처리에서는, SOx는 중화·여과 등 단순한 공정과 적은 공정수 및 소형의 처리 장치에 의해 처리할 수 있고, 복잡하고 고도의 제어를 수반하는 제어부를 구비한 고가이며 또한 대형으로서 설치 자유도가 낮은 처리 장치(유분을 포함한 처리 배수를 해양으로 배출하지 않기 위한 저장 설비를 포함함)에 의한 PM의 처리 기능을 필요로 하지 않고 특별 해역 및 특별 해역 밖의 항행 중이어도 해양으로의 배출이 가능해지며, 또한, 스크러버·스루 운전이 가능한 경우도 있을 수 있다. 2. 선박용 연료는 황의 함유량이 많기 때문에 배기 가스에는 높은 농도의 설페이트가 함유되어 있어, 그대로 EGR 가스로서 연소실에 공급하면 배기 가스 중의 황분이 더욱 농화(濃化)되어 피스톤, 피스톤 링, 실린더, 실린더 헤드, 급배기 밸브·밸브 스템 등의 엔진 구성 부품, 배기관, 머플러, 에코노마이저, 리큐퍼레이터 등의 배기 관련 부품을 SOX가 부식시키거나 마모시켜, 엔진 및 관련 부품의 내구성을 손상시키는 것이 염려되지만, 본 발명 장치에 의하면 배기 가스 통로에, PM을 거의 용해·제거하지 않는 상기 PM 프리 스크러버를 설치하고, 기체인 SOX와, 입자인 PM 중, SOX는 확산 계수가 1.5×10-5(㎡/s) 정도로 크기 때문에 PM 프리 스크러버에 의해 제거되어 배기 가스에 거의 함유되지 않게 되고, 배기 가스는 PM은 함유하지만 SOX의 함유량을 감소시키며, 처리수에는 주로 SOX만이 용해되고 입자 직경이 0.1 ㎛∼0.5 ㎛ 정도로 큰 PM은 확산 계수의 오더가 3∼6 자릿수 정도 작아 10-8∼10-11(㎡/s) 정도로 매우 작기 때문에 극히 약간밖에 용해·함유되지 않으므로, 이 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버의 처리수의 후처리는, SOX는 중화·여과 등 단순한 공정과 적은 공정수 및 소형의 처리 장치에 의해 처리할 수 있고, 복잡하고 고도의 제어를 수반하는 제어부를 구비한 고가이며 또한 대형으로서 설치 자유도가 낮은 처리 장치(유분을 포함한 처리 배수를 해양으로 배출하지 않기 위한 저장 설비를 포함함)에 의한 PM의 처리 기능을 필요로 하지 않고 특별 해역 및 특별 해역 밖의 항행 중이어도 폐기 처리수의 해양으로의 배출이 가능해지며, 또한, 스크러버·스루 운전이 가능한 경우도 있을 수 있다. 3. 배기관에, 배기 가스 중의 기체인 SOx는 확산 계수가 1.5×10-5(㎡/s) 정도로 크기 때문에 그 처리수에 용해되지만 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버를 설치하고, 그 하류에 분기부를 배치하여 배기 가스의 일부를 EGR 가스로서 분류하는 EGR 배관을 설치하며, 상기 EGR 배관에 EGR 가스 중의 SOX를 그 처리수에 용해하지만 입자 직경이 0.01 ㎛∼0.5 ㎛ 정도로 큰 PM은 확산 계수의 오더가 3∼6 자릿수 정도 작아 10-8∼10-11(㎡/s) 정도로 매우 작기 때문에 거의 용해·제거하지 않는 상기 PM 프리 스크러버를 더 배치하여 EGR 가스를 흡기관으로 환류시킴으로써, SOX는 PM 프리 스크러버에 의해 2회에 걸쳐 제거되어 깨끗한 EGR 가스가 되고, 배기 가스는 SOX 및 NOX의 함유량은 감소하고, 분류된 EGR 가스 온도가 PM 프리 스크러버에서 처리수와 접촉함으로써 EGR 가스의 온도가 저하되어 높은 EGR율의 확보가 용이해지며, 연소실에서의 연소 온도가 저하되어 질소 산화물의 발생이 억제되고, 실린더 벽면 등으로부터의 방열이 감소되어 연료 소비율이 향상되며, EGR 가스에 함유되는 SOX가 감소됨으로써, 엔진 구성 부품, 배기 관련 부품이 SOX에 의해 마모가 촉진되거나 부식되어 엔진 및 관련 부품의 내구성을 손상시키는 것이 염려되지 않게 된다. 한편, EGR 배관에 설치하는 PM 프리 스크러버는 EGR 가스만을 처리할 수 있는 처리 능력을 가지면 되기 때문에 배기 가스의 전량을 처리하는 경우보다는 적은 처리 능력이어도 됨에 따라 소형·소용량이며 저렴한 장치가 되고, 또한 처리수의 양도 적어져 슬러지의 감소, 항행 중의 해양으로의 폐기 처리수의 배출량도 감소시킬 수 있으며, 스크러버·스루 운전이 가능한 경우도 있다.4. PM 프리 스크러버가, 배기관 혹은 EGR 배관에 우수한 흡수성을 갖는 유리 섬유를 골격으로 한 다공질 세라믹 소재로 이루어지는 골판과 평판을 교대로 적층한 허니컴 구조의 코어부를 수직으로 배치하고, 코어 상부에 코어부 표면이 항상 습윤하도록 코어의 거의 전체 길이에 걸친 급수부를 설치하며, 코어부에 대해 대략 직교하는 방향(수평 방향)으로 7 m/sec 이하의 유속으로 배기 가스 혹은 EGR 가스 흐름이 유입 및 유출되어 허니컴 코어부의 다수의 터널형의 미소 단면의 가스 유로 내부를 통과하도록 배치하며, 코어 하부에 배기 가스를 정화한 처리수를 받는 코어의 거의 전체 길이에 걸친 트레이를 설치하는 구성으로 하는 것, 또는, 배기관 혹은 EGR 배관 내의 상부에 처리수 공급 노즐을 하부에 하부 탱크를 설치하고, 상기 양 처리수 공급 노즐 및 하부 탱크 사이에 평판형 및/또는 골판형의 처리판을 상하 방향에 대해 연직 또는 경사지게 복수 매를 배치하며, 처리판의 배치가 연직인 경우에는 처리판의 양면측에, 배치가 경사져 있는 경우에는 처리판의 상면측에 처리수 공급 노즐을 각각 구비해서 처리수를 공급하여 상기 표면을 항상 습윤시키고, 또한 처리판 설치 방향에 대해 대략 직교하는 방향(수평 방향)으로 7 m/sec 이하의 유속으로 배기 가스 혹은 EGR 가스가 유입 및 유출되는 구성으로 하는 것, 혹은 배기관 혹은 EGR 배관의 하부에서 트레이의 수면 아래에 복수의 하측 롤을 배치하고, 이것과 대응한 복수의 상측 롤과의 사이에 엔드리스 벨트를 서펜타인형으로 배치해서 각 롤 중 적어도 하나를 구동하여 배기 가스 혹은 EGR 가스 유로에 다수의 젖은 가동 벽면을 수직으로 형성하며, 또한 가동 벽면 형성 방향에 대해 대략 직교하는 방향(수평 방향)으로 7 m/sec 이하의 유속으로 배기 가스 혹은 EGR 가스가 유입 및 유출되는 구성으로 함으로써, 처리수에 의해 터널형의 미소 단면의 가스 유로를 갖는 코어 내표면 혹은 처리판의 표면 혹은 가동 벽면의 표면은 위로부터 아래를 향해 흐르는 수막의 수류로 덮여 있고, 배기 가스 및 EGR 가스는 이들 표면의 수막의 흐름에 대해 대략 직교하는 수평 방향으로 유입·유출되지만 유속이 7 m/sec 이하의 저유속인 것과 더불어, 서로의 유동 방향으로서는 직교하고 있으나 물의 피막에 접하면서 흐를 뿐이기 때문에, 특허문헌 3과 같이 배기 가스와 처리수가 비교적 작은 단면의 직선형의 공간인 통로의 공통의 축심에 대해 함께 따르며 또한 상기 통로 내부를 서로 반대 방향으로 흘러 서로 충돌하는 일이 없어, 처리수에 PM 입자가 함유될 염려는 매우 적다.5. 공지의 NOX 저감 기술로서 알려져 있는 촉매 반응을 이용한 SCR 방식은, 엔진의 배기 가스의 온도가 충분히 높은 상태에서는 촉매가 활성화되고, 또한, 촉매 표면이 그을음 등에 덮이지 않고 확실하게 노출되어 있으면 촉매가 정상적으로 기능하여 높은 NOX 저감을 달성할 수 있으나, 일반적인 선박용 엔진에 있어서는 연료 소비율의 향상을 확보하기 위해서 자동차용 엔진 등과 비교하면 롱 스트로크의 저속 엔진이 주류이고, 실린더 내에서 연소 가스의 에너지를, 천천히 시간을 들여 확실하게 동력으로서 추출함에 따라, 장시간에 걸쳐 연소 가스가 실린더 벽면 등에 접촉함으로써 방열되어 배기 가스의 온도는 저온이 되는 경우가 많으며, 엔진 시동 직후의 난기 중 뿐만이 아니라 정상 운전 중이어도 촉매 온도가 300도를 하회하여 촉매 기능을 충분히 발휘할 수 없고, NOX 저감률이 불충분한 경우가 많으며, 또한, 고농도로 황 성분을 함유하는 중유 등의 저질 연료를 사용하는 디젤 엔진의 SCR 방식의 배기 정화 시스템에 있어서는, 배기 가스 중에 함유되는 PM에 의해 촉매가 피복되고, 연료에 다량으로 함유되는 황에 의해 촉매가 피독되어 그 NOX 정화 기능이 장기간에 걸쳐 안정적으로 기능하지 않는다고 하는 문제가 지적되어, 그 개선책으로서 고농도로 황 성분을 함유하는 중유 등의 저질 연료로부터 황분을 탈황하는 것이 요망되고는 있으나, 제유 장치에의 대규모의 탈황 장치의 설치에 따른 방대한 설비 투자에 따르는 연료의 앙등이 예상되기 때문에 유효한 개선책이라고는 말하기 어렵다. 본 발명 장치에서는 각 구성 부품은 SCR 정도의 온도 의존성이 없고, 배기 가스 중의 PM에도 영향을 받지 않으며, 또한, 고농도로 황 성분을 함유하는 중유 등의 저질 연료 사용에 따른 SOX에 의한 열화도 거의 없고, 엔진 시동 직후부터 장기간에 걸쳐 안정적으로 배기 가스 정화 기능을 발휘할 수 있어 높은 NOX 저감률을 달성할 수 있으며, 환경 개선에 확실하게 기여할 수 있다. 또한, 제유 업계에서의 대규모의 탈황 장치의 설치에 따른 방대한 설비 투자를 필요로 하지 않고, 따라서 연료비를 저렴하게 할 수 있다.
[ 도면의 간단한 설명 ]
도 1은 본 발명의 제1 실시예 장치의 전체 구성을 도시한 블록도이다.도 2는 본 발명의 제2 실시예 장치의 전체 구성을 도시한 블록도이다. 도 3은 본 발명의 제3 실시예 장치의 전체 구성을 도시한 블록도이다. 도 4는 본 발명에 따른 PM 프리 스크러버의 제1 실시예를 도시한 개념도이다. 도 5는 본 발명에 따른 PM 프리 스크러버의 제2 실시예를 도시한 개념도이다. 도 6은 본 발명에 따른 PM 프리 스크러버의 제3 실시예를 도시한 개념도이다. 도 7은 본 발명에 따른 PM 프리 스크러버의 제4 실시예를 도시한 개념도이다. 도 8은 본 발명에 따른 PM 프리 스크러버의 작동 원리를 도시한 설명도이다.도 9는 본 발명의 실시예에서의 기본 특성을 얻기 위해서 이용한 배기 가스 정화 장치의 전체 구성을 도시한 블록도이다.도 10은 본 발명의 실시예에 있어서, 종래예로서 이용한 배기 가스 정화 장치의 전체 구성을 도시한 블록도이다. 도 11은 본 발명의 실시예에서의 SO2의 농도 상황을 기본 특성, 종래예와 비교하여 도시한 도면이다. 도 12는 본 발명의 실시예에서의 NOX의 농도 상황을 기본 특성과 비교하여 도시한 도면이다. 도 13은 본 발명의 실시예에서의 PM 프리 스크러버 처리수 중의 n-헥산 추출값을 종래예와 비교하여 도시한 도면이다.도 14는 본 발명의 실시예에서의 종래예의 스크러버 처리수의 투시도(透視度)를 도시한 도면이다.도 15는 본 발명의 실시예에서의 본 발명 1의 PM 프리 스크러버 처리수의 투시도를 도시한 도면이다. 도 16은 종래의 디젤 엔진 배기 가스 정화 장치의 일례를 도시한 개략도이다. 도 17은 종래의 중유 이하의 저질 연료를 사용하는 디젤 엔진의 배기 가스 정화 장치의 구성예를 도시한 블록도이다. 도 18은 종래의 중유 이하의 저질 연료를 사용하는 디젤 엔진의 배기 가스 정화 장치를 갖지 않는 구성예를 도시한 블록도이다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
먼저, 본 발명자들이 앞서 제안한 특허문헌 2에 기재되어 있는 PM 프리 스크러버의 원리에 대해 설명한다.(1) 가스 분자와 미립자의 확산 계수: ·가스 분자(본원 기술 분야에서 특히 문제가 되는 것은 SO2)와 미립자(본원 기술 분야에서 특히 문제가 되는 것은 PM=ISF, Sulfate, SOF)의 확산 속도는 크게 상이하다. 가스 분자 쪽이 미립자보다 현격히 확산되기 쉽다. 확산 속도의 지표는 확산 계수 D이다.·상온 20℃, 1기압의 공기 중에서의 확산 계수를 비교해 본다.SO2: D=1.5×10-5(㎡/s)미립자(PM)의 확산 계수(브라운 확산)는 입자 직경 d에 의존하며, d가 작을수록 확산 계수는 크다.미립자의 확산 계수[에어로졸학의 기초: 다카하시 칸지 저술, 모리키타 출판, (2004년), P215]를 하기 표에 나타낸다. ·한편, PM의 입자 직경 범위는 0.01 ㎛∼0.5 ㎛의 범위이다. ·SO2 가스의 확산 계수는 PM의 확산 계수보다 오더가 3∼6 자릿수 정도 크다. (2) PM 프리 스크러버:·PM 프리 스크러버는 SO2(가스)와 PM(입자)의 확산 속도의 차에 주목한 것이다.·평행판형 PM 프리 스크러버를 도 8에 기초하여 설명한다.도 8에 있어서, 21은 대략 수직으로 배치된 평행판, 22는 처리수, 23은 처리수(22)에 용해된 황산 이온, 24는 PM이고, 25는 SO2로서, 모두 배기 가스 및 EGR 가스에 포함된다. 26은 가스 유로이다. 즉, PM 프리 스크러버의 경우, 평행판(21)의 벽면의 표면은 위로부터 아래를 향해 흐르는 수막의 수류로 덮여 있고, PM(24) 및 SO2(25)를 함유하는 배기 가스 및 EGR 가스는 평행판(21)에 대해 대략 직교하는 방향(수평 방향)으로부터 가스 유로(26)에 유입되고, 유출된다. 그러나, 평행판(21)의 벽면의 표면을 위로부터 아래를 향해 얇은 피막으로서 흐르는 수류의 유동 방향과, 평행판(21) 표면의 물의 피막과 피막 사이를 흐르는 배기 가스 및 EGR 가스의 유동 방향은, 서로의 유동 방향으로서는 직교하고 있으나 물의 피막에 접하면서 흐를 뿐이기 때문에, 특허문헌 3과 같이 배기 가스와 처리수가 비교적 작은 직선형의 공간인 통로의 공통의 축심에 대해 함께 따르며 또한 상기 통로 내부를 서로 반대 방향으로 흘러 서로 충돌하는 일은 없다. 또한, SO2(25)는 물에 대한 흡수성이 좋고, 물에 대한 용해도는 매우 크다. SO2(25)는 확산 계수가 매우 크다. 따라서, 가스 유로(26)를 형성하는 평행판(21)을 통과할 때에 판의 벽면을 덮어 흐르는 수막 표면 부근을 교차하여 흐르는 배기 가스 및 EGR 가스가 함유하는 SO2(25)는 흡수성이 좋은 수류에 그 표면으로부터 용해되고, 이 용해에 의해 수막 표면 부근을 흐르는 배기 가스는 SO2(25)의 농도가 순간 저하되지만 확산 계수가 매우 큰 SO2(25)는 배기 가스 흐름 내의 인접하는 농도가 높은 흐름으로부터 수막 표면 부근으로 즉시 고속으로 확산·이동해 와서 수막 표면에 공급되게 되고, 이 수막 표면에서의 용해와 배기 가스 흐름으로부터의 수막 표면으로의 고속 확산의 연속 반복 현상에 의해, SO2(25)는 거의 물에 흡수되어 버린다. 한편, PM(24)은 입자 직경이 크고 확산 계수가 매우 작다. 따라서, 입자형인 PM은 수막 표면에서의 용해와 배기 가스 흐름으로부터의 수막 표면으로의 확산의 연속 반복 현상이 발생하지 않기 때문에, 그 대부분이 흡수되지 않고 PM 프리 스크러버를 그냥 지나쳐 배출되어 버린다. 한편, 배기 가스 유속은 7 m/sec 이하로 할 필요가 있으며, 7 m/sec를 초과하면 평행판(21)의 표면을 덮는 수막 표면에 골침이 발생하여 비말(飛沫)이 발생할 염려가 있기 때문이다.(3) PM 프리 스크러버의 효과:·PM 프리 스크러버에서는 SO2(25)를 흡수하고, PM(24)은 그냥 지나치게 하기 때문에, 스크러버수의 PM(24)에 의한 오탁을 저감할 수 있다. SO2(25)를 흡수하여 아황산수가 되고 그 후 황산수가 된 스크러버수는, 가성소다 등으로 중화 처리하여 바다로 배출한다.·그에 비해, 종래의 샤워 방식이나 벤투리 방식의 스크러버의 경우에는, SO2(25)뿐만이 아니라 PM(24)도 스크러버수에 흡수되어 버리기 때문에, 스크러버수의 오탁이 심하고, PM 프리 스크러버에 비해 폐수 처리의 공정수가 많아진다.도 1에 본 발명의 제1 실시예 장치로서 도시한 선박용 디젤 엔진의 배기 가스 정화 장치는, 고농도로 황 성분을 함유하는 중유 등의 저질 연료를 연료로서 사용하는 디젤 엔진(E)(1)의 배기 매니폴드(E/M)(2) 하류의 배기관에, 배기 가스 중의 SOX를 그 처리수에 용해하지만 PM은 처리수에 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(3)를 배치하고, 상기 PM 프리 스크러버(3)의 하류에 배치한 머플러(도시하지 않음)를 경유하여 배출하며, 에어 필터(A/F)(4)를 경유하여 엔진의 흡기 매니폴드(I/M)(5)에 외부의 공기를 흡기시키는 구성으로 한 것이다.도 1에 도시된 구성의 배기 가스 정화 장치의 경우, 배기 가스는 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(3)를 통과하여 PM은 함유하지만 SOX가 격감된 가스로서 배기 가스 정화 장치로부터 사일런서(도시하지 않음)를 경유하여 굴뚝(도시하지 않음)으로부터 선외로 배출된다. 이 배기 가스 정화 장치에 있어서, PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(3)에서는 상기 PM 프리 스크러버를 구성하는 각 벽면에 존재(일부 흘러내림)하는 처리수의 박막층에 의해, 배기 가스 중의 기체인 SOX는 확산 계수가 1.5×10-5(㎡/s) 정도로 커서 각 벽면을 따라 흐르는 동안에 처리수 표면에 흡착되고 상기 처리수에 용해되어 그 농도를 격감시켜 배출되지만, 배기 가스 중의 입자 직경이 0.01 ㎛∼0.5 ㎛ 정도로 큰 PM은 기체인 SOX와 비교하여 확산 계수의 오더가 3∼6 자릿수 정도 작아 10-8∼10-11(㎡/s) 정도로 매우 작기 때문에 처리수의 표면 부근을 따라 흐르는 것만으로는, 제트 스크러버, 벤투리 스크러버, 스프레이탑 등의 가압수식이나, 충전탑, 유동층 스크러버 등의 충전식의 스크러버와 같이 스크러버 처리수의 표면에 대해 배기 가스가 격하게 충돌하는 일이 거의 없고, PM 프리 스크러버 처리수의 표면에는 일부가 접하고 또한 따르면서 순조롭게 흐를 뿐이기 때문에, 서로 혼합되는 일이 없다.따라서, 이 배기 가스 정화 장치의 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(3)에서는, 처리수에는 주로 SOX만이 용해되고 PM은 극히 약간밖에 용해·함유되지 않기 때문에, 이 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(3)의 폐기 처리수의 후처리는, SOX는 중화·여과 등 단순한 공정과 적은 공정수 및 소형의 처리 장치에 의해 처리할 수 있고, 복잡하고 고도의 제어를 수반하는 제어부를 구비한 고가이며 또한 대형으로서 설치 자유도가 낮은 처리 장치(유분을 포함한 처리 배수를 해양으로 배출하지 않기 위한 저장 설비를 포함함)에 의한 연료 또는 윤활유 유래의 PM 처리 기능을 극히 간소·소형화 혹은 필요로 하지 않고 특별 해역 및 특별 해역 밖의 항행 중이어도 해양으로의 배출이 가능해지며, 또한, 스크러버·스루 운전이 가능한 경우도 있을 수 있다. 도 2에 본 발명의 제2 실시예 장치로서 도시한 디젤 엔진의 배기 가스 정화 장치는, 마찬가지로 고농도로 황 성분을 함유하는 중유 등의 저질 연료를 연료로서 사용하는 디젤 엔진(1)의 배기 매니폴드(2) 하류의 배기관에 배기 가스 중의 SOX를 그 처리수에 용해하지만 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(3)를 설치하고, 또한 그 하류에 머플러(도시하지 않음)로의 배기관에 분기부(6)를 형성하여 EGR 가스를 분류하는 EGR 배관을 접속하며, 분류한 EGR 가스를 EGR 밸브(7)에 의해 유량 제어하면서 흡기 매니폴드(5) 혹은 에어 필터(4)로부터의 흡기관으로 환류시키는 구성으로 한 것이다.상기 도 2에 도시된 구성의 배기 가스 정화 장치의 경우에는, 도 1에 도시된 제1 실시예 장치와 마찬가지로, 배기 가스가 깨끗해져 PM은 함유하지만 SOX가 격감되며, NOX도 감소된 가스로 된다. 이 배기 가스 정화 장치에 있어서, 배기관에 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(3)와 그 후류의 분기부(6)로부터 EGR 가스를 분류하여 흡기로 환류하는 EGR 배관을 설치함으로써, 배기 가스 및 EGR 가스 중의 기체이며 확산 계수가 1.5×10-5(㎡/s) 정도로 큰 SOX가 거의 제거되고, 입자 직경이 0.01 ㎛∼0.5 ㎛ 정도로 크고 확산 계수의 오더가 3∼6 자릿수 정도 작아 10-8∼10-11(㎡/s) 정도로 매우 작은 입자인 PM은 거의 제거되지 않는다. 즉, PM은 함유하지만 SOX는 PM 프리 스크러버(3)에 의해 제거되어 배기 가스에도 EGR 가스에도 거의 함유되지 않게 되어, 배기 가스는 PM을 함유하지만 기체인 SOX의 함유량을 감소시키고, SOX를 감소시킨 EGR 가스의 환류에 의해 엔진 구성 부품의 마모 촉진 및 부식의 방지나, 배기 관계 부품의 부식을 방지하여 메인터넌스 간격의 연장이나 장수명화가 도모되어 내구성을 손상시키는 것이 염려되지 않게 되고, 또한 연소실에서의 연소 온도가 저하되어 질소 산화물의 발생이 억제되어 배기 가스도 깨끗해진다.또한, 이 배기 가스 정화 장치에 있어서도 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(3)에서는, 처리수에는 주로 SOX만이 용해되고 PM은 극히 약간밖에 용해·함유되지 않기 때문에, 이 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(3)의 처리수의 후처리는, SOX는 중화·여과 등 단순한 공정과 적은 공정수 및 소형의 처리 장치에 의해 처리할 수 있고, 복잡하고 고도의 제어를 수반하는 제어부를 구비한 고가이며 또한 대형으로서 설치 자유도가 낮은 처리 장치(유분을 포함한 처리 배수를 해양으로 배출하지 않기 위한 저장 설비를 포함함)에 의한 연료 또는 윤활유 유래의 PM 처리 기능을 극히 간소화·소형화 혹은 필요로 하지 않고 특별 해역 및 특별 해역 밖의 항행 중이어도 폐기 처리수의 해양으로의 배출이 가능해지며, 또한, 스크러버·스루 운전이 가능한 경우도 있을 수 있다. 도 3에 본 발명의 제3 실시예 장치로서 도시된 디젤 엔진의 배기 가스 정화 장치는, 고농도로 황 성분을 함유하는 중유 등의 저질 연료를 연료로서 이용하는 디젤 엔진(1)의 배기 매니폴드(2) 하류에 터보차저(8)가 장착되고, 상기 터보차저(8)의 터빈 휠(도시하지 않음)의 하류의 배기관에 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(메인 스크러버)(3)를 설치하며, 또한 그 하류의 배기관에 분기부(6)를 형성하고, 배기 가스의 일부를 EGR 가스로서 분류하는 EGR 배관을 상기 분기부(6)에 접속하며, 상기 EGR 배관에 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(서브 스크러버)(9), EGR 가스를 승압하여 공급·압송하는 블로워(B/W)(10), EGR 밸브(7)를 이 순서로 배치하고, EGR 가스를 EGR 밸브(7)에 의해 유량 제어하면서 인터쿨러(11) 앞의 흡기관으로 환류 또는 상기 터보차저(8)의 컴프레서 휠(도시하지 않음)의 상류로 환류시키는 구성으로 한 것이다. 즉, 본 실시예 장치는, 터보차저(8)의 터빈 휠(도시하지 않음)을 가속한 후의 배기 가스 전량을 먼저 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(메인 스크러버)(3)에 의해 정화한 후, 상기 전량의 배기 가스로부터 분류한 EGR 가스만을 또한 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(서브 스크러버)(9)에 의해 처리하고, 그 후 블로워(B/W)(10)에 의해 압송하여 인터쿨러(11) 앞의 흡기관 또는 상기 터보차저(8)의 컴프레서 휠(도시하지 않음)의 상류로 정확한 양의 EGR 가스를 환류시키는 구성으로 한 것이다.상기 도 3에 도시된 구성의 배기 가스 정화 장치의 경우에는, 도 2에 도시된 제2 실시예 장치와 마찬가지로 PM 프리 스크러버(메인 스크러버)(3)에 의해 배기 가스가 깨끗해져 PM은 함유하지만 SOX가 격감되고, NOX도 감소된 가스로 된다. 이 배기 가스 정화 장치에 있어서, 분류한 EGR 가스를 또한, PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(서브 스크러버)(9)에 의해 2회째의 처리를 하 도록, EGR 배관에 EGR 가스 중의 기체이며 확산 계수가 1.5×10-5(㎡/s) 정도로 큰 SOX를 그 처리수에 용해하지만, 입자 직경이 0.01 ㎛∼0.5 ㎛ 정도로 크고 확산 계수의 오더가 3∼6 자릿수 정도 작아 10-8∼10-11(㎡/s) 정도로 매우 작은 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(서브 스크러버)(9) 및 블로워(10)를 설치함으로써, EGR 가스로부터 기체이며 확산 계수가 큰 SOX를 거의 제거하지만, 입자 직경이 크고 확산 계수가 매우 작은 입자인 PM은 거의 제거하지 않는다. 즉, PM은 함유하지만, 기체이며 확산 계수가 1.5×10-5(㎡/s) 정도로 큰 SOX는 PM 프리 스크러버(서브 스크러버)(9)에 의해 더욱 제거되어 EGR 가스에는 약간밖에 함유되지 않는 깨끗한 EGR 가스가 되어 환류하고, 배기 가스는 질소 산화물의 함유량은 감소되고 또한 PM 프리 스크러버 처리되어 PM은 많이 함유하지만 SOX는 거의 함유하는 일은 없으며, 분류된 EGR 가스 온도가 PM 프리 스크러버(서브 스크러버)(9)에서 처리수와 접촉함으로써 EGR 가스의 온도가 저하되게 되어 블로워에 의해 압송하는 것과 더불어 높은 EGR율의 확보가 용이해지고, 또한 연소실에서의 연소 온도가 저하되어 질소 산화물의 발생이 억제되며, 실린더 벽면 등으로부터의 방열이 감소되어 연료 소비율이 향상되고, EGR 가스에 함유되는 SOX가 매우 감소됨으로써, 엔진 구성 부품, 배기 관련 부품이 SOX에 의해 마모가 촉진되거나 부식되어 엔진 및 관련 부품의 내구성을 손상시키는 것이 염려되지 않게 된다. 한편, EGR 배관에 설치하는 PM 프리 스크러버(서브 스크러버)(9)는 EGR 가스만을 처리할 수 있는 처리 능력을 가지면 되기 때문에, 배기 가스의 전량을 처리하는 PM 프리 스크러버(메인 스크러버)(3)보다는 적은 처리 능력이어도 좋아 소형·소용량이며 저렴한 장치가 되고, 또한 처리수의 양도 적어져 슬러지의 감소, 항행 중의 해양으로의 폐기 처리수의 배출량도 감소시킬 수 있다.또한, 이 배기 가스 정화 장치에 있어서도 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(3 및 9)에서는, 처리수에는 주로 SOX만이 용해되고 PM은 극히 약간밖에 용해·함유되지 않기 때문에, 이 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(3 및 9)의 처리수의 후처리는, SOX는 중화·여과 등 단순한 공정과 적은 공정수 및 소형의 처리 장치에 의해 처리할 수 있고, 복잡하고 고도의 제어를 수반하는 제어부를 구비한 고가이며 또한 대형으로서 설치 자유도가 낮은 처리 장치(유분을 포함한 처리 배수를 해양으로 배출하지 않기 위한 저장 설비를 포함함)에 의한 PM의 처리 기능을 극히 간소·소형화 혹은 필요로 하지 않고 특별 해역 및 특별 해역 밖의 항행 중이어도 폐기 처리수의 해양으로의 배출이 가능해지며, 또한, 스크러버·스루 운전이 가능한 경우도 있을 수 있다. 또한, 본 발명에서 사용하는 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버는, 상기한 바와 같이 배기 가스 또는 EGR 가스 통로 내에 설치되는 것이지만, 그 PM 프리 스크러버로서는 예컨대 도 4 내지 도 7에 도시된 것을 채용할 수 있다.도 4에 도시된 PM 프리 스크러버는, 우수한 흡수성을 가지며 유리 섬유나 카본 섬유, 아라미드 섬유 등을 골격으로 한 바람직하게는 다공질의 세라믹제 소재로 이루어지는 골판과 평판을 교대로 적층하고, 평판과 골판 사이에 구성되는 터널형의 미소 단면의 배기 가스 유로(12-10)가 다수 형성되는 허니컴 구조의 허니컴 코어[예컨대, 세로 250 ㎜×가로 250 ㎜×깊이 100 ㎜(니치아스 가부시키가이샤 제조, 상품명; 허니컴 워셔)]를 요구되는 매수 적층하여 허니컴 유닛 코어부(12-1)로서 대략 수직으로 설치하며, 상기 허니컴 유닛 코어부(12-1)의 전체 폭·전체 길이에 걸쳐 대략 균일하게 급수하도록 급수 노즐 혹은 급수 덕트로 이루어지는 급수부(12-2)를 상기 허니컴 유닛 코어부(12-1)의 상부에 배치하여 급수하고, 급수된 처리수(세정수)(W)는 상기 허니컴 유닛 코어부(12-1)의 각 미소 단면의 배기 가스 유로(12-10)의 표면을 습윤하면서 낙하하여, 상기 허니컴 유닛 코어부의 하부에 거의 동일한 길이 및 폭으로 설치된 언더 트레이(12-3)에 이르고 그 후 처리수 탱크(12-4)에 수용(시스템 수량: 20 L)되는데, 처리수(W)는 탱크로부터 각 미소 단면의 배기 가스 유로(12-10)의 표면이 건조되지 않고 습윤을 유지할 수 있도록 펌프(P)에 의해 급수부(12-2)로 보내져(수류 속도; 35 L/min 정도), 순환 사용되는 구성으로 하고 있다. 도면 중, 12-2-1은 살수 탱크, 12-2-2는 노즐 구멍, 화살표 A는 배기 가스 혹은 EGR 가스이며, 수직으로 설치된 허니컴 유닛 코어부(12-1)에 대해 대략 직교하는 방향(수평 방향)으로 7 m/sec 이하의 유속으로 배기 가스 유로(12-10)에 유입되고, 화살표 B는 황분(S)이 제거된 배기 가스 혹은 EGR 가스(PM은 거의 잔류하고 있음)이며 허니컴 유닛 코어부(12-1)로부터 대략 직교하여 유출되고, M은 펌프(P)를 구동하는 모터, W는 처리수를 나타낸다. 이 PM 프리 스크러버의 경우, 배기 가스 혹은 EGR 가스는 허니컴 유닛 코어부(12-1)에 다수 형성되는 각 미소 단면의 배기 가스 유로의 벽면의 습윤한 표면 부근에 접하고 또한 따르면서 순조롭게 흐를 뿐이기 때문에, 통상 스크러버와 같이 처리수(W)의 표면에 대해 배기 가스가 격하게 교차·충돌하는 일이 거의 없고, 온화하게 따라 접촉하면서 흐르기 때문에 서로 혼합되는 일이 없으므로, 배기 가스 또는 EGR 가스 성분 중에서, 기체이며 확산 계수가 큰 물과의 친화성이 높은 SOX를 그 처리수에 용해하지만, 입자 직경이 크고 확산 계수가 매우 작은 PM은 처리수에는 거의 용해되지 않고 흘러 통과하며, 따라서 배기 가스 및 EGR 가스는 SOX가 확실하게 제거되고, PM은 거의 잔류하여 함유된 상태로 배출되게 된다. 이 처리수에, SOX는 함유하지만, PM을 거의 함유하지 않음으로써, 특별 해역 및 특별 해역 밖의 항행 중이어도 해양으로의 처리수의 배출이 약간의 처리로 가능해지고 특히 배 안에서의 처리수의 배수 처리가 현격히 용이해지며 처리 장치의 제어도 심플해지고 장치도 소형화되며 레이아웃성도 좋아지고 저렴한 설비도 된다. 또한 스크러버·스루 운전이 가능한 경우도 있을 수 있다. 또한, 상기 PM 프리 스크러버와 동일한 구성을 갖는 다른 타입으로서, SUS316L 등의 오스테나이트계 스테인리스제 박판 소재 혹은 스테인리스제 망판 소재이며 처리수가 표면으로 스며나올 수 있는 미세한 관통 구멍을 갖는 평판이나 엠보스판을 다수의 볼록부를 가진 골판형으로 주름(corrugate) 가공하여 골판을 성형하고, 그 골판을 교대로 적층하여 적층한 골판들 사이에 구성되는 터널형의 미소 단면의 배기 가스 유로가 다수 형성되는 허니컴 구조의 허니컴 유닛 코어, 혹은 상기 평판을 다수의 볼록부를 가진 골판형으로 주름 가공하여 골판을 성형하고, 그러한 골판들을 교대로 적층할 때, 사이에 상기 평판을 적층시켜, 골판과 평판 사이에 구성되는 터널형의 미소 단면의 배기 가스 유로가 다수 형성되는 허니컴 구조의 허니컴 유닛 코어를 요구되는 매수 적층하여 구성한 허니컴 유닛 코어부를 채용한 것이 있다(도면 생략). 이 허니컴 유닛 코어부를 채용한 PM 프리 스크러버도 상기 다공질 세라믹제의 허니컴 코어 구조의 것과 마찬가지로, 배기 가스 혹은 EGR 가스는 상기 허니컴 유닛 코어부를 다수 형성된 각 미소 단면의 배기 가스 유로의 벽면의 습윤한 표면 부근에 접하고 또한 따르면서 순조롭게 흐를 뿐이기 때문에, 통상 스크러버(제트 스크러버, 벤투리 스크러버, 스프레이탑)와 같이 처리수의 표면에 대해 배기 가스가 격하게 교차·충돌하는 일이 거의 없고, 온화하게 따라 접촉하면서 흐를 뿐이기 때문에 서로 혼합되는 일이 없으므로, 배기 가스 또는 EGR 가스 성분 중에서 물과의 친화성이 높은 SOX를 그 처리수에 용해하지만, 물과의 친화성이 없는 PM은 처리수에는 거의 용해되지 않는다. 이 처리수는, SOX는 함유하고 있으나 PM을 함유하고 있지 않음으로써, 특별 해역 및 특별 해역 밖의 항행 중이어도 해양으로의 처리수의 배출이 가능해지고 특히 배 안에서의 처리수의 배수 처리가 현격히 용이해지며 처리 장치의 제어도 심플해지고 장치도 소형화되며 레이아웃성도 좋아지고 저렴한 설비도 된다. 또한 스크러버·스루 운전이 가능한 경우도 있을 수 있다.한편, 허니컴 유닛 코어부(12-1)에 다수 형성되는 각 미소 단면의 배기 가스 유로는, 배기 가스 혹은 EGR 가스의 흐르는 방향에 대해 약간 하강하는 방향, 좌우 방향, 혹은 이들을 조합하여 비스듬히 하측 방향으로 횡단(斜交)시키면 미소 단면의 배기 가스 유로의 길이가 길어져 접촉 면적 및 접촉 시간이 증가하여 바람직하다. 도 5에 도시된 PM 프리 스크러버는, 배기 가스 또는 EGR 가스 통로에 설치된 스크러버 하우징(12-5) 내에, SUS316L 등의 오스테나이트계 스테인리스제 박판 소재 혹은 스테인리스제 망판 소재로 이루어지는 평판형의 처리판(12-6)을 상하 방향 연직으로 또한 가스의 흐름과 대략 평행하게 좁은 간격을 유지하여 다수 매 배치한 것으로, 각 처리판(12-6)의 상단에는 각 처리판의 양벽면의 전체 표면을 습윤하도록 처리수 공급 노즐(12-7)을 설치하고, 각 처리판의 하단에는 탱크부(12-8)를 설치하며, 배관 및 모터에 의해 구동되는 순환 펌프(도시하지 않음)에 의해 처리수(세정수)(W)를 순환시켜 상기 처리판(12-6)의 표리 벽면의 전체 표면을 흘러내림으로써 항상 습윤시키고 있다. 12-10은 배기 가스 유로이며, 배기 가스는 각 처리판(12-6)의 양벽면의 전체 표면을 처리수(W)가 상하로 흐르는 데 대해 대략 직교하는 방향(수평 방향)으로 7 m/sec 이하의 유속으로 유입되어 배기 가스 유로(12-10) 내부를 흐른다. 이 PM 프리 스크러버에 의해 처리되는 배기 가스 및 EGR 가스는, 상기 항상 습윤한 처리판(12-6)의 벽표면을 흘러내리는 물의 표면 부근에 접하고 또한 따르면서 순조롭게 흐를 뿐이기 때문에, 통상 스크러버와 같이 처리수의 표면에 대해 배기 가스가 격하게 교차·충돌하는 일이 거의 없고, 온화하게 따라 접촉하면서 흐를 뿐이기 때문에 서로 혼합되는 일이 없으므로, 배기 가스 혹은 EGR 가스 성분 중에서 기체이며 확산 계수가 크고 물과의 친화성이 높은 SOX를 그 처리수에 용해하지만, 입자 직경이 크고 확산 계수가 작으며 물과의 친화성이 없는 PM은 처리수에는 거의 용해되지 않는다. 이 처리수에는, SOX는 함유하지만, PM을 거의 함유하지 않음으로써, 특별 해역 및 특별 해역 밖의 항행 중이어도 해양으로의 처리수의 배출이 가능해지고 특히 배 안에서의 처리수의 배수 처리가 현격히 용이해지며 처리 장치의 제어도 심플해지고 장치도 소형화되며 레이아웃성도 좋아지고 저렴한 설비도 된다. 또한 스크러버·스루 운전이 가능한 경우도 있을 수 있다.한편, 상기 처리판(12-6)의 표면 형상은 평판형에 한정되는 것은 아니며, 처리수가 흘러내리는 방향으로 파형(波形) 성형된 주름판(도시하지 않음), 배기 가스 또는 EGR 가스가 흐르는 방향으로 파형 성형된 주름판(도시하지 않음), 혹은 처리수가 흘러내리는 방향과 교차하는 방향으로 파형 성형된 주름판(도시하지 않음), 처리수의 흘러내림 방향 및 배기 가스·EGR 가스의 유동 방향의 양방향으로 요철을 가진 엠보스형의 처리판(도시하지 않음) 중 어느 하나를 선택하여 사용할 수 있다. 이들 처리판도, 통상 스크러버와 같이 처리수의 표면에 대해 배기 가스가 격하게 교차·충돌하는 일이 거의 없고, 온화하게 따라 접촉하면서 흐를 뿐이기 때문에 서로 혼합되는 일이 없다.도 6에 도시된 PM 프리 스크러버는, 스크러버 하우징(12-5) 내에 평판형의 처리판(12-6)을 수직이 아니라 상하 방향으로 경사지게 하고 또한 가스의 흐름과 대략 평행하게 좁은 간격을 유지하여 다수 매 배치한 것으로, 각 처리판(12-6)의 경사벽면의 상면측 상단에는 각 처리판의 상면의 전체 표면을 습윤하도록 처리수 공급 노즐(12-7)을 설치하고, 각 처리판의 하단에는 탱크부(12-8)를 설치하며, 배관 및 모터에 의해 구동되는 순환 펌프(도시하지 않음)에 의해 처리수(세정수)(W)를 순환시켜 상기 경사진 처리판(12-6)의 상면의 전체 표면을 흘러내림으로써 항상 습윤시키고 있다. 12-10은 배기 가스 유로이며, 배기 가스는 각 처리판(12-6)의 상면의 전체 표면을 처리수(W)가 상하로 흐르는 데 대해 대략 직교하는 방향(수평 방향)으로 7 m/sec 이하의 유속으로 유입되어 배기 가스 유로(12-10) 내부를 흐른다. 한편, 상기 처리판(12-6)의 경사 각도는 특별히 한정하는 것은 아니지만, 통상은 수직으로부터 5°∼20°가 바람직하다.이 PM 프리 스크러버에 의해 처리되는 배기 가스 및 EGR 가스는, 상기 항상 습윤한 처리판(12-6)의 상측 표면을 흘러내리는 물의 표면 부근을 따르면서 순조롭게 흐를 뿐이기 때문에, 통상 스크러버와 같이 처리수의 표면에 대해 배기 가스가 격하게 교차·충돌하는 일이 거의 없고, 온화하게 따라 접촉하면서 흐를 뿐이기 때문에 서로 혼합되는 일이 없으므로, 배기 가스 또는 EGR 가스 성분 중에서 기체이며 확산 계수가 크고 물과의 친화성이 높은 SOX를 그 처리수에 용해하지만, 입자 직경이 크고 확산 계수가 작으며 물과의 친화성이 없는 PM은 처리수에는 거의 용해되지 않는다. 또한, 처리판(12-6)을 상하 방향으로 경사지게 하고 또한 각 처리판(12-6)의 경사벽면의 상면측 상단에는 각 처리판의 상면의 전체 표면을 습윤하도록 처리수 공급 노즐(12-7)을 상면측에만 설치하고 있기 때문에, 가령 배가 흔들려도 처리수의 비산에 따른 처리수에 대한 PM의 교차·충돌 등이 발생하기 어려우며, 이 처리수에는, SOX는 함유하지만, PM을 거의 함유하지 않음으로써, 특별 해역 및 특별 해역 밖의 항행 중이어도 해양으로의 처리수의 배출이 가능해지고 특히 배 안에서의 처리수의 배수 처리가 현격히 용이해지며 처리 장치의 제어도 심플해지고 장치도 소형화되며 레이아웃성도 좋아지고 저렴한 설비도 된다. 또한 스크러버·스루 운전이 가능한 경우도 있을 수 있다.한편, 상기 처리판(12-6)을 상하 방향으로 경사지게 설치함으로써, 가령 배가 흔들려 처리수 공급 노즐(12-7)로부터 유출되는 처리수 흐름의 유출 방향에 다소의 흔들림이 발생해도 상기 처리판(12-6)의 상면측 전체 표면을 확실하게 습윤하기 쉬워진다. 또한, 상기 처리판(12-6)의 표면 형상은 평판형에 한정되는 것은 아니며, 처리수가 흘러내리는 방향으로 파형 성형된 주름판(도시하지 않음), 배기 가스 또는 EGR 가스가 흐르는 방향으로 파형 성형된 주름판(도시하지 않음), 혹은 처리수가 흘러내리는 방향과 교차하는 방향으로 파형 성형된 주름판(도시하지 않음), 처리수의 흘러내림 방향 및 배기 가스·EGR 가스의 유동 방향의 양방향으로 요철을 가진 엠보스형의 처리판(도시하지 않음) 중 어느 하나를 선택하여 사용할 수 있다. 이들 처리판도, 통상 스크러버와 같이 처리수의 표면에 대해 배기 가스가 격하게 교차·충돌하는 일이 거의 없고, 온화하게 따라 접촉하면서 흐를 뿐이기 때문에 서로 혼합되는 일이 없다. 도 7에 도시된 PM 프리 스크러버는, 배기 가스 또는 EGR 가스 통로에 설치된 스크러버 하우징(도시하지 않음) 내에, 섬유질이며 흡수성이 있는 엔드리스 벨트(12-12)를 처리수 탱크(12-11) 내의 하부에 설치한 구동 롤(12-13) 및 상하 양쪽 부분에 설치한 종동 롤(12-14) 사이에 배기 가스 유로(12-10)를 확보하면서 서펜타인형(구불구불한 형상)으로 대략 수직으로 배치하고, 배관 및 모터에 의해 구동되는 순환 펌프에 의해 처리수(W)를 공급 노즐(모두 도시하지 않음)에 의해 상기 엔드리스 벨트(12-12)의 표리 양면의 종동 롤(12-14) 바로 아래로부터 처리수(W)를 흘러내리게 하여 표리의 전체 표면을 항상 습윤시키는 구성으로 한 것이다. 한편, 하방에 설치되는 종동 롤(12-14)을 처리수 탱크(12-11) 내의 수면 아래에 설치함으로써 상기 급수 노즐 등을 생략해도 좋다. 도면 중, 화살표 A는 배기 가스 혹은 EGR 가스이며, 수직으로 설치된 엔드리스 벨트(12-12)에 대해 대략 직교하는 방향(수평 방향)으로 7 m/sec 이하의 유속으로 배기 가스 유로(12-10)에 유입되고, 화살표 B는 PM은 거의 잔류하고 있으나 황분(S)이 제거된 배기 가스 혹은 EGR 가스이며 엔드리스 벨트(12-12)로부터 대략 직교하여 배기 가스 유로(12-10)로부터 유출된다.이 PM 프리 스크러버의 경우에도, 통상 스크러버와 같이 처리수의 표면에 대해 배기 가스가 격하게 교차·충돌하는 일이 거의 없고, 온화하게 배기 가스 유로(12-10)의 엔드리스 벨트(12-12) 표면의 물 표면 부근을 따라 접촉하면서 흐를 뿐이기 때문에 서로 혼합되는 일이 없으므로, 배기 가스 또는 EGR 가스 성분 중에서 기체이며 확산 계수가 크고 물과의 친화성이 높은 SOX를 그 처리수에 용해하지만, 입자 직경이 크고 확산 계수가 작으며 물과의 친화성이 없는 PM은 처리수에는 거의 용해되지 않는다. 이 처리수에, SOX는 함유하고 있으나 PM을 거의 함유하고 있지 않음으로써, 특별 해역 및 특별 해역 밖의 항행 중이어도 해양으로의 처리수의 배출이 가능해지고 특히 배 안에서의 처리수의 배수 처리가 현격히 용이해지며 처리 장치의 제어도 심플해지고 장치도 소형화되며 레이아웃성도 좋아지고 저렴한 설비도 된다. 또한, 스크러버·스루 운전이 가능한 경우도 있을 수 있다. 또한, 상기 도 7에 도시된 PM 프리 스크러버와 동일한 구성을 갖는 다른 타입으로서, 섬유질이며 흡수성이 있는 엔드리스 벨트(12-12)를 대신하여, SUS316L 등의 오스테나이트계 스테인리스제 박판 또는 박(箔)형 소재나, 박판이나 박에 처리수가 표면으로 스며나올 수 있는 미세한 관통 구멍을 형성한 것, 혹은 가는 선으로 짜여지고 모세관 현상으로 그물코가 물에 의해 젖는 가늘게 짠 눈의 오스테나이트계 스테인리스강제 망 소재 등으로 이루어지는 엔드리스 벨트를 채용한 것이 있다(도면 생략). 이 SUS316L 등의 오스테나이트계 스테인리스강제 망 소재로 이루어지는 엔드리스 벨트를 채용한 PM 프리 스크러버도 상기 섬유질이며 흡수성이 있는 엔드리스 벨트(12-12)를 채용한 것과 동일한 작용 효과가 얻어지는 것은 말할 것도 없다. 실시예다음으로, 실시예를 이용하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 본 발명의 효과를 확인하기 위해서, 선박용 디젤 엔진을 표 1에 나타낸 조건으로 이하의 시험을 실시하고, 각 실시예 및 종래예의 배기 가스의 여러 특성 및 스크러버 처리수의 특성을 이하에 나타낸다. 기본 특성은 배기 가스 정화 장치를 갖지 않는 도 9에 도시된 구성의 장치를, 종래예는 도 9의 기본 구성에 제트 스크러버 형식의 통상 스크러버를 설치하여 구성한 도 10에 도시된 디젤 엔진의 배기 가스 정화 장치를, 각각 이용한 경우의 결과이다. 또한, 본 발명 1은 도 1에 도시된 제1 실시예 장치를, 본 발명 2는 도 2에 도시된 제2 실시예 장치를, 마찬가지로 본 발명 3은 도 3에 도시된 제3 실시예 장치를 각각 이용한 경우의 결과이다.본 발명 1에 상당하는 본 실시예는, 상기 도 1에 도시된 제1 실시예 장치, 즉, 배기 매니폴드(E/M)(2) 하류의 배기관의 하류에, 스크러버를 구성하는 각 벽면에 존재하며 흘러내리는 처리수의 박막층 표면에 대해 배기 가스가 격하게 충돌하는 일이 거의 없고 처리수의 표면 부근을 따르면서 순조롭게 흘러, 배기 가스 중의 기체인 SOX를 그 처리수에 용해하지만 PM은 처리수에 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(3)를 배치하고, 또한 그 하류에 배치한 머플러(도시하지 않음)를 경유하여 배출하며, 또한 에어 필터(A/F)(4)를 경유하여 엔진의 흡기 매니폴드(I/M)(5)로 외부의 공기를 흡기시키는 구성으로 한 배기 가스 정화 장치에 있어서, PM 프리 스크러버(3)의 상류의 위치에서 배기 가스 중의 PM과, SO2의 각 농도 및 PM 프리 스크러버(3)의 처리수 중의 n-헥산값을 각각 측정하였다. 여기서, 기체이며 확산 계수가 1.5×10-5(㎡/s) 정도로 큰 이산화황은 물이나 해수에 대한 용해도가 높고, 스크러버에 의한 이산화황의 흡수 기술은 확립되어 있다. 즉, 스크러버 처리수를 가성소다(수산화나트륨) 등에 의해 pH=12 정도의 알칼리성으로 유지 관리하여 사용함으로써, 이산화황의 제거율 95% 이상을 실현할 수 있다. 본 실시예의 주목적은 본 배기 가스 정화 장치의 스크러버 처리수의 입자 직경이 0.01 ㎛∼0.5 ㎛ 정도로 크고 확산 계수의 오더가 3∼6 자릿수 정도 작아 10-8∼10-11(㎡/s) 정도로 매우 작은 PM 기인의 오물을 저감하여, 스크러버 처리수의 배수 처리 공정을 간소화할 수 있는 것을 실증하는 것이다. 따라서, 본 실시예에서는, 스크러버 처리수로서 수돗물을 사용하고, 이산화황의 흡수에 의해 스크러버 처리수가 산성을 나타내어도, 가성소다 공급 등의 pH 관리는 하지 않고 시험을 행하였다. 이산화황(SO2)에 관한 본 발명 1∼3 및 종래예의 측정 결과를 도 11에 정리하여 나타낸다.또한, 도 1에 도시된 제1 실시예 장치에서의 PM 농도의 측정에서는 PM 프리 스크러버(3)의 상류의 측정 부위에서는 72 ㎎/N㎥였던 PM 농도는, PM 프리 스크러버(3)의 하류에서는 69 ㎎/N㎥로 거의 변화가 없었다. 본 발명 2에 상당하는 본 실시예는, 상기 도 2에 도시된 제2 실시예 장치, 즉, 배기 매니폴드(2) 하류의 배기관에, 스크러버를 구성하는 각 벽면에 존재하며 흘러내리는 처리수의 박막층 표면에 대해 배기 가스가 격하게 충돌하는 일이 거의 없고 처리수의 표면 부근을 따르면서 순조롭게 흘러, 배기 가스 중의 SOX를 그 처리수에 용해하지만 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(3)를 설치하고, 또한 그 하류의 머플러(도시하지 않음)로의 배기관에 분기부(6)를 형성하여 EGR 가스를 분류하는 EGR 배관을 접속하며, 분류한 EGR 가스를 EGR 밸브(7)에 의해 유량 제어하면서 흡기 매니폴드(5) 혹은 에어 필터(4)로부터의 흡기관으로 환류시키는 구성으로 한 것이다. 따라서 본 발명 2의 장치는, 배기 가스를, 배기 가스 중의 SOX는 그 처리수에 용해하지만 PM은 처리수에 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(3)에 의해 처리하고, 또한 분기된 EGR 가스를 흡기관에 직접 또는 에어 필터를 경유하여 환류시키는 구성으로 한 배기 가스 정화 장치에 있어서, 본 발명 1과 마찬가지로 PM 프리 스크러버의 상류 위치에서 PM과 SO2를, PM 프리 스크러버(3) 하류의 위치에서 SO2와 NOX의 각 농도를, PM 프리 스크러버(3)의 스크러버 처리수 중의 투시도(透視度) 상황을 각각 측정·관찰하였다.본 발명 3에 상당하는 본 실시예는, 상기 도 3에 도시된 제3 실시예 장치, 즉, 배기 매니폴드(2) 하류에 터보차저(8)가 장착되고, 상기 터보차저(8)의 터빈 휠(도시하지 않음)의 하류의 배기관에, 스크러버를 구성하는 각 벽면에 존재하며 흘러내리는 처리수의 박막층 표면에 대해 배기 가스가 격하게 충돌하는 일이 거의 없고 처리수의 표면 부근을 따르면서 순조롭게 흘러, 배기 가스 중의 SOX를 그 처리수에 용해하지만 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(메인 스크러버)(3)를 설치하며, 또한 그 하류의 배기관에 분기부(6)를 형성하고, 배기 가스의 일부를 EGR 가스로서 분류하는 EGR 배관을 상기 분기부(6)에 접속하며, 상기 EGR 배관에, 스크러버를 구성하는 각 벽면에 존재하며 흘러내리는 처리수의 박막층 표면에 대해 배기 가스가 격하게 충돌하는 일이 거의 없고 처리수의 표면 부근을 따르면서 순조롭게 흘러, 배기 가스 중의 SOX를 그 처리수에 용해하지만 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(서브 스크러버)(9), EGR 가스를 승압하여 공급·압송하는 블로워(B/W)(10), EGR 밸브(7)를 이 순서로 배치하고, EGR 가스를 EGR 밸브(7)에 의해 유량 제어하면서 인터쿨러(11) 앞의 흡기관으로 환류 또는 상기 터보차저(8)의 컴프레서 휠(도시하지 않음)의 상류로 환류시키는 구성으로 한 것이다. 즉, 본 실시예 장치는, 터보차저(8)의 터빈 휠(도시하지 않음)을 가속한 후의 배기 가스 전량을 먼저 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(메인 스크러버)(3)에 의해 정화한 후, 상기 전량의 배기 가스로부터 분류한 EGR 가스만을 또한 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(서브 스크러버)(9)에 의해 처리하고, 그 후 블로워(B/W)(10)에 의해 압송하여 인터쿨러(11) 앞의 흡기관 또는 상기 터보차저(8)의 컴프레서 휠(도시하지 않음)의 상류로 정확한 양의 EGR 가스를 환류시키는 구성으로 한 것이다.따라서 본 발명 3의 장치는, 배기 가스는 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(메인 스크러버)(3)에 의해 먼저 처리하고, 상기 처리한 배기 가스로부터 분기된 EGR 가스를 또한 PM을 거의 용해·제거하지 않는 PM 프리 스크러버(서브 스크러버)(9)에 의해 재차 처리하여, 매우 깨끗해진 EGR 가스를 환류시키는 구성으로 한 배기 가스 정화 장치에 있어서, 상기 터보차저(8) 하류이며 PM 프리 스크러버(메인 스크러버)(3) 상류의 배기관에서 NOX와 SO2를, EGR 배관의 PM 프리 스크러버(서브 스크러버)(9)의 하류이며 블로워(10) 상류에서 NOX 및 SO2를, PM 프리 스크러버(9)의 처리수 중의 투시도 상황을 각각 측정·관찰하였다.[기본 특성]배기 가스 정화 장치를 갖지 않는 도 9에 도시된 구성의 장치에 있어서, 디젤 엔진의 터보차저(114)의 하류의 배기관에서 배기 가스 중의 PM, SO2, NOX의 각 농도값을 측정하였다.[종래예]본 종래예는, 도 10에 도시된 디젤 엔진의 배기 가스 정화 장치, 즉, 터보차저(114)의 하류에, 그 후 표 1에 기재된 충전층의 상부로부터 살수하는 구조의 충전탑 타입(도시하지 않음)의 충전층식이라고 칭하는 통상 스크러버(113a)에 의해 배기 가스를 세정 처리하는 구성으로 한 배기 가스 정화 장치에 있어서, 배기관의 터보차저(114)의 하류이며 통상 스크러버(113a)의 상류 위치에서 배기 가스 중의 PM, SO2와 NOX를, 통상 스크러버(113a)의 후류 위치에서 PM, SO2와 NOX의 각 농도값을, 통상 스크러버(113a)의 처리수 중의 투시도 상황을 각각 측정·관찰하였다.●엔진: 스트로크: 4스트로크 타입 기통수: 3 보어 스트로크: 130 ㎜×160 ㎜ 터보차저와 인터쿨러: 장착 출력: 100 PS×1200 rpm EGR율: 10%, 20%, 25% 연료: A 중유＋황 첨가(황분의 토탈 질량%: 2.1) 부하율: 50% 배기관으로부터 분류한 200 N㎥/Hr의 배기 가스를 처리●통상 스크러버: 타입: 충전층식(충전층의 상부로부터 살수하는 충전탑) 제조업자: 가부시키가이샤 산키 세이사쿠쇼 형식: S-40형 평균 가스 유속: 0.35 m/sec 수량: 20 L 수류 속도: 35 L/min 처리 시간: 5시간●PM 프리 스크러버: 타입: 보수 허니컴식(상품명: 허니컴 워셔) 허니컴 코어 제조업자: 니치아스 가부시키가이샤 허니컴 사이즈: 세로 250×가로 250×깊이 100 ㎜×2층 평균 가스 유속: 0.9 m/sec 처리수: 수돗물(가성소다 등에 의한 pH 조정 없음) 수량: 20 L 수류 속도: 35 L/min 처리 시간: 5시간상기 실시예로부터 명백한 바와 같이, 이하에 기재하는 사항이 판명되었다. (1). 기본 특성에 의한 기술에서는, 배기 가스 정화 장치를 전혀 장비하고 있지 않기 때문에, PM, SO2, NOX는 당연히 저감되지 않는다. 한편, 상기 SO2의 농도 상황을 도 11에, NOX의 농도 상황을 기본 특성의 농도를 기준(100%)으로 하여 도 12에 각각 도시한다. (2). 종래예는, 본 발명 1과 마찬가지로 PM 프리 스크러버의 앞 위치에서의 PM 측정에서는 72 ㎎/N㎥였던 PM 농도는 통상 스크러버에 의해 대폭 저하된다. 그러나, EGR을 실시하고 있지 않기 때문에 NOX는 저감되지 않는다. 또한, 가성소다 등에 의한 pH 조정을 하지 않고 수돗물을 사용한 시판의 통상의 스크러버를 장비하고 있기 때문에 SO2는 도 11에 도시된 바와 같이 저감되지만, 스크러버의 처리수(세정수)에는 SOX뿐만이 아니라 PM이 함유되게 되어 환경 혹은 생태계에 악영향을 미치는 성분의 완전한 제거는 기대할 수 없다. 한편, 2.5시간 및 5시간 운전시의 상기 스크러버 처리수 중의 n-헥산값을 도 13에, 또한, 5시간 운전시의 상기 스크러버 처리수의 투시도 비교를 도 14, 도 15에 도시하는데, 도 14에 투시도를 도시한 종래예의 스크러버 처리수에서는 PM에 의해 현저히 오염되어 있어 스크러버 처리수의 배수 처리에는 많은 공정수와 고도의 설비가 필수인 것은 상상하기에 어렵지 않다.(3). 본 발명 1에서는, 배기 가스는 PM 프리 스크러버의 앞 위치에서의 PM 측정에서는 72 ㎎/N㎥였던 PM 농도는, PM 프리 스크러버(3)의 하류에서는 69 ㎎/N㎥로 거의 변화가 없었다. 또한, EGR을 실시하고 있지 않기 때문에 NOX는 저감되지 않으나, 배기 가스 중의 SOX는 그 처리수에 용해하지만 PM을 거의 용해시키지 않는 PM 프리 스크러버를 설치함으로써 배기 가스 중의 SOX는 도 11에 도시된 바와 같이 대폭 저감되고, 또한 스크러버의 처리수에는 PM이 거의 함유되지 않기 때문에, 2.5시간 및 5시간 운전시의 상기 스크러버 처리수 중의 n-헥산 추출값은 도 13에 도시된 바와 같이 매우 작고, 또한, 5시간 운전시의 상기 스크러버 처리수의 투시도는 도 15에 도시된 바와 같이 클리어하여, PM 프리 스크러버의 배수 처리의 문제도 해결할 수 있는 것을 간파할 수 있다. (4). 본 발명 2에서는, 배기 가스는 PM 프리 스크러버의 앞 위치에서의 PM 측정에서는 72 ㎎/N㎥였던 PM 농도는, PM 프리 스크러버(3)의 하류에서는 69 ㎎/N㎥로 거의 변화가 없었다. 또한 EGR을 실시하고 있기 때문에, 배기 가스 중의 NOX는 도 12에 도시된 바와 같이 EGR율을 높게 해 감으로써 크게 저감할 수 있고, 배기 가스 중의 SOX도 도 11에 도시된 바와 같이 대폭 저감되며, PM은 저감되지 않으나 NOX를 저감할 수 있을 뿐만이 아니라, EGR 가스도 EGR 가스 중의 SOX를 그 처리수에 용해하지만 PM을 거의 용해시키지 않는 PM 프리 스크러버를 경유시키고 있기 때문에, 엔진의 신뢰성을 위협하는 SOX의 함유를 대폭 저감하고, 또한 PM 프리 스크러버의 처리수는 PM을 거의 함유하고 있지 않기 때문에, 스크러버의 배수 처리의 문제도 본 발명 1과 마찬가지로 해결할 수 있다. (5). 본 발명 3은, 배기 가스는 PM 프리 스크러버의 앞 위치에서의 PM 측정에서는 72 ㎎/N㎥였던 PM 농도는, PM 프리 스크러버(메인 스크러버)(3)의 하류에서는 69 ㎎/N㎥로 거의 변화가 없었다. 배기 가스 중의 NOX는 도 13에 도시된 바와 같이 본 발명 2와 마찬가지로 저감되고, EGR 배관에는 EGR 가스 중의 SO2는 SOx를 그 처리수에 용해하지만 PM을 거의 용해시키지 않는 PM 프리 스크러버(서브 스크러버)(9)를 더 구비하고 있기 때문에 본 발명 1 이상으로 저하되어 엔진의 신뢰성을 위협하는 SOx의 함유를 없애며, 또한 스크러버가 SOx를 그 처리수에 용해하지만 PM을 거의 용해시키지 않는 PM 프리 스크러버이기 때문에, 그 처리수는 PM을 거의 함유하고 있지 않아, 스크러버의 배수 처리의 문제도 본 발명 1 및 2와 마찬가지로 해결할 수 있다.한편, 본 발명의 고농도로 황 성분을 함유하는 중유 등의 저질 연료를 연료로서 사용하는 선박용 디젤 엔진의 배기 가스 정화 장치의 구성은, 상기 제1 실시예 장치 내지 제3 실시예 장치의 것에 한정하는 것은 아니며, EGR 쿨러, PM 프리 스크러버, 과급기 등의 각종 장치나 설비의 배치, 조합을 여러 가지로 변경하여 구성하는 것을 모두 포함하는 것은 말할 것도 없다.또한, 여기서는 선박용 디젤 엔진의 배기 가스 정화 장치에 대해 설명하였으나, 발전기용이나 대형 건설 기계용 등, 선박용 이외의 용도의 디젤 엔진의 배기 가스 정화 장치에도 적용할 수 있는 것은 말할 것도 없다.
[ 부호의 설명 ]
1: 디젤 엔진 2: 배기 매니폴드3: PM 프리 스크러버(메인 스크러버) 4: 에어 필터5: 흡기 매니폴드 6: 분기부7: EGR 밸브 8: 터보차저9: PM 프리 스크러버(서브 스크러버) 10: 블로워11: 인터쿨러 12-1: 허니컴 유닛 코어부12-2: 급수부 12-2-1: 살수 탱크12-2-2: 노즐 구멍 12-3: 언더 트레이12-4, 12-11: 처리수 탱크 12-5: 스크러버 하우징12-6: 처리판 12-7: 처리수 공급 노즐12-8: 탱크부 12-10: 배기 가스 유로12-12: 엔드리스 벨트 12-13: 구동 롤12-14: 종동 롤 21: 평행판22: 처리수 23: 황산 이온24: PM 25: SO226: 가스 유로 W: 처리수M: 모터 P: 펌프
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특히 고농도로 황 성분을 함유하는 중유 등의 저질 연료를 사용하는 선박용 디젤 엔진의 배기 가스 처리에 있어서, 처리 배수의 특별 해역 및 특별 해역 밖의 항행 중이어도 폐기 처리수의 해양으로의 배출을 가능하게 하는 선박용 디젤 엔진의 배기 가스 정화 장치를 제공한다. 고농도로 황 성분을 함유하는 중유 등의 저질 연료를 사용하는 선박용 디젤 엔진의 배기 가스 정화 장치에 있어서, 엔진의 배기 매니폴드에 연속되는 배기관에 가스와 입자의 확산 속도의 차이를 이용하여 PM을 거의 제거하지 않는 스크러버를 설치하는 것을 특징으로 한다.
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[ 발명의 명칭 ]
촬상 장치, 촬상 시스템 및 촬상 장치의 제조 방법 IMAGE PICKUP APPARATUS, IMAGE PICKUP SYSTEM, AND IMAGE PICKUP APPARATUS MANUFACTURING METHOD
[ 기술분야 ]
본 발명은 촬상 장치, 촬상 시스템 및 촬상 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
[ 배경기술 ]
접합형 전계 효과 트랜지스터를 사용한 촬상 장치가 제안되어 있다. 특허문헌 1에는, 복수의 화소를 구비하는 촬상 장치가 기재되어 있다. 각각의 화소가 접합형 전계 효과 트랜지스터를 갖는다. 특허문헌 1에 기재된 접합형 전계 효과 트랜지스터에 있어서는, 채널 영역이, 표면 게이트 영역과 매립 게이트 영역 사이에 끼워져 있다. 그리고, 매립 게이트 영역이 도중에 끊어지는 장소에서, 채널 영역이 드레인 영역과 연결되어 있다.특허문헌 2에는, 접합형 전계 효과 트랜지스터를 형성하는 방법이 기재되어 있다. 특허문헌 1에 기재된 방법에 따르면, 접합형 전계 효과 트랜지스터의 표면 게이트 영역, 채널 영역 및 소스ㆍ드레인 영역은, 서로 다른 레지스트 패턴을 마스크에 사용한 이온 주입에 의해 형성된다.
[ 선행기술문헌 ]
[ 특허문헌 ]
일본 특허 공개 제2007-165736호 공보일본 특허 공개 제2006-196789호 공보
[ 발명의 개요 ]
[ 해결하려는 과제 ]
특허문헌 1에 기재된 접합형 전계 효과 트랜지스터에 있어서, 채널 영역의 드레인측의 끝은 매립 게이트 영역의 끝의 위치에 의해 결정된다. 한편, 채널 영역의 소스측의 끝은 소스 영역의 위치에 의해 결정된다. 따라서, 소스 영역의 형성에 사용되는 마스크와 매립 게이트 영역의 형성에 사용되는 마스크의 사이에서 얼라인먼트 어긋남이 발생하면, 채널 길이가 변화될 가능성이 있다. 그로 인해, 접합형 전계 효과 트랜지스터의 특성에 변동이 발생한다고 하는 과제가 있다.특허문헌 2에 기재된 방법에 있어서, 표면 게이트 영역의 형성에 사용되는 마스크와 채널 영역의 형성에 사용되는 마스크의 사이에서 얼라인먼트 어긋남이 발생하면, 채널 폭이 변화될 가능성이 있다. 그로 인해, 접합형 전계 효과 트랜지스터의 특성에 변동이 발생한다고 하는 과제가 있다.상기 과제에 비추어, 본 발명은 접합형 전계 효과 트랜지스터의 특성의 변동이 저감된 촬상 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
[ 과제의 해결 수단 ]
본 발명의 하나의 측면에 따른 실시 형태는, 반도체 기판에 배치된 접합형 전계 효과 트랜지스터를 각각이 포함하는 복수의 화소를 구비하는 촬상 장치의 제조 방법이며, 제1 개구를 규정하는 제1 마스크를 사용하여 상기 반도체 기판에 불순물을 도입함으로써, 상기 접합형 전계 효과 트랜지스터의 게이트 영역을 형성하는 공정과, 제2 개구를 규정하는 제2 마스크를 사용하여 상기 반도체 기판에 불순물을 도입함으로써, 상기 접합형 전계 효과 트랜지스터의 채널 영역을 형성하는 공정을 갖고, 상기 제2 개구는, 상기 채널 영역의 소스측 부분에 대응하는 소스측 부분과 상기 채널 영역의 드레인측 부분에 대응하는 드레인측 부분을 포함하고, 상기 반도체 기판의 표면과 평행한 면에의 상기 제1 개구의 정사영과, 상기 면에의 상기 제2 개구의 정사영이 교차하고, 상기 면에의 상기 소스측 부분의 정사영 및 상기 면에의 상기 드레인측 부분의 정사영이, 각각 상기 제1 마스크의 상기 면에의 정사영과 겹치고, 상기 게이트 영역은, 서로 다른 깊이에 형성되는 표면 게이트 영역과 매립 게이트 영역을 포함하고, 상기 게이트 영역을 형성하는 공정은, 각각이 상기 제1 마스크를 사용하고, 또한 이온 주입 에너지가 서로 다른 복수의 이온 주입 공정을 포함하고, 상기 표면 게이트 영역과 상기 매립 게이트 영역의 중간의 깊이에 상기 채널 영역을 형성하고, 상기 제1 개구는, 상기 제1 마스크에 의해 분할된 복수의 개구를 포함하고, 상기 면에의 상기 복수의 개구의 정사영의 각각이, 상기 제2 개구의 정사영과 교차하고, 상기 소스측 부분의 정사영은, 상기 제1 마스크 중, 상기 복수의 개구의 사이에 있는 부분의 상기 면에의 정사영과 겹치고, 상기 복수의 개구에 대응해서 형성되는 복수의 상기 매립 게이트 영역 사이의 공핍층에 의해, 상기 채널 영역의 상기 소스측 부분과 상기 매립 게이트 영역 아래의 반도체 영역과의 사이에 포텐셜 배리어가 형성되도록, 상기 복수의 개구의 간격이 정해지는, 것을 특징으로 한다.본 발명의 다른 측면에 따른 실시 형태는, 반도체 기판에 배치된 접합형 전계 효과 트랜지스터를 각각이 포함하는 복수의 화소를 구비하는 촬상 장치의 형성 방법이며, 상기 반도체 기판에 상기 접합형 전계 효과 트랜지스터의 게이트 영역을 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판에 상기 접합형 전계 효과 트랜지스터의 채널 영역을 형성하는 공정을 갖고, 상기 반도체 기판의 표면과 평행한 면에의, 상기 게이트 영역을 형성하는 공정에 있어서 불순물이 도입되는 제1 영역의 정사영과, 상기 면에의, 상기 채널 영역을 형성하는 공정에 있어서 불순물이 도입되는 제2 영역의 정사영이 교차하고, 상기 면에 있어서, 상기 제2 영역의 정사영의 소스측 부분 및 드레인측 부분이, 각각 상기 제1 영역의 정사영으로부터 돌출되고, 상기 게이트 영역은, 서로 다른 깊이에 형성되는 표면 게이트 영역과 매립 게이트 영역을 포함하고, 상기 표면 게이트 영역과 상기 매립 게이트 영역의 중간의 깊이에 상기 채널 영역을 형성하고, 상기 제1 영역의 정사영은, 간격을 두고 배치된 복수의 부분을 포함하고, 상기 제2 영역의 정사영의 상기 소스측 부분은, 상기 복수의 부분 사이에 있고, 상기 복수의 부분에 대응하여 형성되는 복수의 상기 매립 게이트 영역 사이의 공핍층에 의해, 상기 채널 영역의 상기 소스측 부분과 상기 매립 게이트 영역 아래의 반도체 영역과의 사이에 포텐셜 배리어가 형성되도록, 상기 복수의 부분의 간격이 정해지는, 것을 특징으로 한다.본 발명의 또 다른 측면에 따른 실시 형태는, 반도체 기판에 배치된 접합형 전계 효과 트랜지스터와 광전 변환부와 상기 광전 변환부로부터의 전하를 받는 플로팅 디퓨전 영역을 각각이 포함하는 복수의 화소를 구비하는 촬상 장치이며, 상기 접합형 전계 효과 트랜지스터는 게이트 영역과 채널 영역을 포함하고, 상기 반도체 기판의 표면과 평행한 면에의 상기 게이트 영역의 정사영과, 상기 면에의 상기 채널 영역의 정사영이 교차하고, 상기 면에 있어서, 채널 영역의 정사영의 소스측 부분 및 드레인측 부분이, 각각 상기 게이트 영역의 정사영으로부터 돌출되고, 상기 게이트 영역은, 상기 접합형 전계 효과 트랜지스터의 소스 영역을 사이에 두도록 배치되고, 또한 서로 전기적으로 접속된 복수의 영역을 포함하고, 상기 면에의 상기 복수의 영역의 정사영의 각각이, 상기 채널 영역의 정사영과 교차하고, 상기 플로팅 디퓨전 영역의 정사영의 각각이, 상기 복수의 게이트 영역을 서로 전기적으로 접속하는, 것을 특징으로 한다.본 발명의 또 다른 측면에 따른 실시 형태는, 반도체 기판에 배치된 접합형 전계 효과 트랜지스터를 각각이 포함하는 복수의 화소를 구비하는 촬상 장치이며, 상기 접합형 전계 효과 트랜지스터는, 각각 서로 다른 깊이에 배치된, 표면 게이트 영역과 매립 게이트 영역과 채널 영역을 포함하고, 상기 채널 영역은, 상기 표면 게이트 영역과 상기 매립 게이트 영역의 중간의 깊이에 배치되고, 상기 반도체 기판의 표면과 평행한 면에의 상기 표면 게이트 영역의 정사영 및, 상기 매립 게이트 영역의 정사영이, 각각, 상기 면에의 상기 채널 영역의 정사영과 교차하고, 상기 표면 게이트 영역 및 상기 매립 게이트 영역 각각이, 상기 접합형 전계 효과 트랜지스터의 소스 영역을 사이에 두도록 배치되고, 또한, 서로 전기적으로 접속된 복수의 영역을 포함하고, 상기 면에의 상기 복수의 영역의 정사영의 각각이, 상기 채널 영역의 정사영과 교차하고, 상기 매립 게이트 영역의 상기 복수의 영역 사이의 공핍층에 의해, 상기 소스 영역과 상기 매립 게이트 영역 아래의 반도체 영역과의 사이에 포텐셜 배리어가 형성되는, 것을 특징으로 한다.
[ 발명의 효과 ]
본 발명에 따르면, 접합형 전계 효과 트랜지스터의 특성의 변동을 저감할 수 있다.
[ 도면의 간단한 설명 ]
도 1은 촬상 장치의 평면 구조를 모식적으로 도시하는 도면이다.도 2는 촬상 장치의 단면 구조를 모식적으로 도시하는 도면이다.도 3은 촬상 장치의 단면 구조를 모식적으로 도시하는 도면이다.도 4는 촬상 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.도 5는 촬상 장치의 제조에 사용되는 마스크를 모식적으로 도시하는 도면이다.도 6은 촬상 장치의 평면 구조 및 단면 구조를 모식적으로 도시하는 도면이다.도 7은 촬상 장치의 평면 구조를 모식적으로 도시하는 도면이다.도 8은 촬상 장치의 단면 구조를 모식적으로 도시하는 도면이다.도 9는 촬상 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.도 10은 촬상 시스템의 블록도이다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
본 발명에 따른 하나의 실시예는, 복수의 화소를 갖는 촬상 장치이다. 각각의 화소가, 접합형 전계 효과 트랜지스터(이하, JFET라고 칭함)를 포함한다. JFET는, 각각 반도체 기판에 형성된 게이트 영역, 채널 영역, 드레인 영역 및 소스 영역을 포함한다. JFET에 있어서는, 게이트 영역의 도전형은, 채널 영역, 드레인 영역 및 소스 영역의 도전형과 상이하다. 본 실시예에서는, 채널 전류의 방향이 반도체 기판의 표면과 평행한 횡형 JFET가 사용된다.본 발명에 따른 실시예에 있어서는, 게이트 영역 및 채널 영역의 구조, 혹은 그들의 제조 방법에 특징이 있다. 구체적으로는, 평면에서 보아, 게이트 영역과 채널 영역이 서로 교차하도록 형성된다. 본 명세서에 있어서, 평면에서 본 부품의 배치 혹은 형상을 언급하는 경우에는, 당해 부품을 반도체 기판의 표면과 평행한 면에 정사영했을 때의, 당해 면에서의 배치 혹은 형상임을 의미한다. 즉, 게이트 영역의 반도체 기판의 표면에 평행한 면에의 정사영과, 채널 영역의 반도체 기판의 표면에 평행한 면에의 정사영이, 당해 면에 있어서 교차한다. 반도체 기판의 표면은, 반도체 영역과 절연체의 계면이다.2개의 영역이 교차한다는 것은, 각각의 영역이 서로를 횡단하도록 배치되는 것이다. 바꾸어 말하면, 2개의 영역이 교차한다는 것은, 한쪽 영역의 적어도 2개의 부분이 다른쪽 영역으로부터 돌출되어 있고, 또한 다른쪽 영역의 적어도 2개의 부분이 한쪽 영역으로부터 돌출되어 있는 것이다. 한쪽 영역이 다른쪽 영역을 내포하는 경우에는, 양자는 교차하지 않는다.또한, 본 발명에 따른 실시예의 제조 방법에서는, 복수의 마스크를 사용하여 게이트 영역과 채널 영역을 형성한다. 그리고, 당해 복수의 마스크는, 평면에서 보아, 서로 교차하는 개구를 갖는다.이러한 구성에 따르면, 게이트 영역을 형성하기 위해 사용되는 마스크와, 채널 영역을 형성하기 위해 사용되는 마스크의 사이에서, 얼라인먼트 어긋남이 발생해도, 게이트 영역과 채널 영역의 교차 부분의 형상은 거의 변화하지 않는다. 즉, JFET의 채널 길이 및 채널 폭의 변동을 작게 할 수 있다. 그 결과, JFET의 특성의 변동을 저감할 수 있다.이하, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 사용하여 설명한다. 이하에 설명되는 실시예에서는, 게이트 영역이 P형이고, 채널 영역, 드레인 영역 및 소스 영역이 N형이다. 물론, 본 발명에 따른 실시예는, 이하에 설명되는 실시예에만 한정되지 않는다. 예를 들어, 각 반도체 영역의 도전형을 반대로 해도 된다. 또한, 이하의 어느 하나의 실시예의 일부의 구성을, 다른 실시예에 추가한 예, 혹은 다른 실시예의 일부의 구성과 치환한 예도 본 발명의 실시예이다.003c#실시예 1003e#도 1은, 본 실시예의 촬상 장치의 평면 구조를 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 1에는 하나의 화소가 도시되어 있다. 화소는, 포토다이오드 등의 광전 변환부, 전송 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, JFET를 포함한다. 본 실시예의 촬상 장치는, 도 1에 도시된 화소를 복수 구비한다.본 실시예의 광전 변환부는 포토다이오드이다. 포토다이오드는, 반도체 기판의 표면에 형성된 N형 반도체 영역(1), 및 N형 반도체 영역(1)의 아래에 배치된 P형 반도체 영역(2)을 포함한다. N형 반도체 영역(1)과 P형 반도체 영역(2)은, PN 접합을 구성한다. 입사광에 의해 발생한 홀이, 신호 전하로서, P형 반도체 영역(2)에 축적된다. P형 반도체 영역(2)에 축적된 신호 전하는, 플로팅 디퓨전 영역(3)(이하, FD 영역(3))에 전송된다. FD 영역(3)은 P형의 반도체 영역이다. 전송 게이트 전극(4)은, P형 반도체 영역(2)으로부터 FD 영역(3)으로 신호 전하를 전송한다.JFET는, P형의 게이트 영역(9), N형의 채널 영역(10), N형의 소스 영역(11)을 포함한다. N형의 채널 영역(10)의 적어도 일부에, 게이트 영역(9)의 전압에 의해 제어되는 채널이 형성된다. 본 실시예의 JFET는, 복수의 게이트 영역(9)을 갖는다. 채널 영역(10)은, 평면에서 보아, 복수의 게이트 영역(9)의 각각과 교차한다. 채널 영역(10)은, 소스측으로부터 드레인측에 걸쳐 게이트 영역(9)을 횡단하도록 배치된다. 채널 영역(10)의 일부(도 1의 영역(10d))가, JFET의 드레인 영역을 구성한다. 게이트 영역(9)과 채널 영역(10)의 교차 부분에 JFET의 채널이 형성된다. 소스 영역(11)의 불순물 농도는, 채널 영역(10)의 불순물 농도보다 높다. 소스 영역(11)은, 콘택트 플러그(12)를 통하여 출력선(14)에 전기적으로 접속된다. FD 영역(3)은, 게이트 영역(9)과 전기적으로 접속된다. 이러한 구성에 의해, JFET는 FD 영역(3)의 전압에 따른 신호를 출력선(14)에 출력한다.리셋 MOS 트랜지스터는, P형의 드레인 영역(5), P형의 소스 영역(7), 게이트 전극(8)을 포함한다. 드레인 영역(5)은, 콘택트 플러그(6)를 통하여, 리셋 드레인 배선(13)에 전기적으로 접속된다. 리셋 MOS 트랜지스터의 소스 영역(7)은, JFET의 게이트 영역(9)에 전기적으로 접속된다. 이러한 구성에 의해, 리셋 MOS 트랜지스터는 JFET의 게이트의 전압을 리셋한다. 리셋용 트랜지스터로서, MOS 트랜지스터를 사용하는 것이 간단하다. 또한, 리셋용 트랜지스터에는, JFET 등 다른 트랜지스터를 사용해도 된다.본 실시예의 JFET는, 평면에서 보아, 복수의 게이트 영역(9)을 구비한다. 평면에서 보아, 소스 영역(11)을 사이에 두도록 복수의 게이트 영역(9)이 배치된다. 즉, 소스 영역(11)의 반도체 기판의 표면과 평행한 면에의 정사영이, 복수의 게이트 영역(9)의 당해 면에의 정사영의 사이에 위치한다. 또한, 본 실시예의 JFET는 복수의 드레인 영역을 포함한다. 보다 상세하게는, 채널 영역(10)이 복수의 드레인측 부분(10d)을 갖는다. 복수의 드레인 영역의 각각은, 복수의 게이트 영역(9)의 대응하는 하나에 대하여, 소스 영역(11)과는 반대측에 배치된다. 그리고, 복수의 게이트 영역(9)의 각각에 대응하여 채널이 형성된다. 평면에서 보아, 복수의 게이트 영역(9)이 서로 평행하게 배치되는 것이 바람직하다. 복수의 게이트 영역(9)은, 동 도전형 반도체 영역에 의해 서로 전기적으로 접속된다. 본 실시예에서는, FD 영역(3) 및 리셋 MOS 트랜지스터의 소스 영역(7)이, 복수의 게이트 영역(9)을 서로 전기적으로 접속한다.이러한 구성에 의해, JFET의 실효적인 채널 폭을 크게 할 수 있다. 즉, JFET의 구동력을 높게 할 수 있기 때문에, 촬상 장치를 고속으로 구동할 수 있다. 또한, JFET가 구비하는 게이트 영역은 하나뿐이어도 된다. 구체적으로는, 도 1에 도시된 2개의 게이트 영역(9) 중 어느 한쪽과, 그에 대응하는 드레인 영역을 삭제해도 된다.도 2는, 본 실시예의 촬상 장치의 단면 구조를 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 2는, 도 1에서의 직선 A-B에 따른 단면 구조를 모식적으로 도시하고 있다. 도 1과 동일한 부분에는, 동일한 부호를 붙였다.도 2에는 반도체 기판(100)이 도시되어 있다. 반도체 기판(100) 상에는, 도시하지 않은 절연막이 배치된다. 반도체 기판(100)의 표면(SR)은, 반도체 기판(100)과 도시하지 않은 절연막과의 계면이다. 도 2의 지면에 평행하고, 또한 표면(SR)에 평행한 방향이, 채널 길이 방향이다.N형 반도체 영역(15)에 포토다이오드 및 JFET가 형성된다. JFET의 드레인 전류는 N형 반도체 영역(15)을 통하여 공급된다. 도시되어 있지 않지만, N형 반도체 영역(15)에 드레인 전류를 공급하기 위한 드레인 전류 공급부가, 화소 에리어의 외부, 또는 화소 에리어 내의 일부에 형성되어 있다. 드레인 전류 공급부는, 예를 들어 반도체 기판과 배선을 접속하는 콘택트 플러그이다.N형 반도체 영역(15)의 아래에는, N형 반도체 영역(15)보다 불순물 농도가 높은 N형 반도체 영역(16)이 배치된다. N형 반도체 영역(16)에 의해, 반도체 기판의 저항을 낮출 수 있다. 그로 인해, 이러한 구성에 따르면, JFET에 공급하는 드레인 전류에 의한 반도체 기판의 전압 강하를 저감할 수 있다. 그로 인해, 반도체 기판의 전압이 장소마다 상이하기 때문에 발생하는 쉐이딩 등의 노이즈를 억제할 수 있다. 결과로서, 화질을 향상시킬 수 있다. 또한, JFET의 드레인 전류를 크게 할 수 있다. 결과로서, 촬상 장치의 고속 구동이 가능하게 된다.또한, 채널 영역(10)의 일부(10d)가 생략되고, N형 반도체 영역(15)의 일부가 드레인 영역을 구성해도 된다. 평면에서 보아, 채널이 형성되는 영역과 인접하여 배치된 N형의 반도체 영역이 드레인 영역이다.본 실시예의 JFET의 게이트 영역(9)은, 표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-2)을 포함한다. 표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-2)은 모두 P형이다. 표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-2)은, 서로 다른 깊이에 배치된다. 채널 영역(10)이, 표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-2)의 중간의 깊이에 배치된다. 이러한 구성에 의해, 횡형 JFET가 구성된다. 횡형 JFET에 있어서는, 도 2에 도시되는 바와 같이, 채널 길이 방향이 반도체 기판의 표면과 평행하다.표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-2)은 서로 전기적으로 접속된다. 양자의 접속부는, 평면에서 보아 채널 영역(10)과 겹치지 않도록 배치된다. 이러한 구성에 따르면, JFET의 채널을 양쪽 게이트 영역으로부터 제어하는 것이 가능하게 된다.평면에서 보아, 표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-2)은 서로 겹쳐 있다. 즉, 반도체 기판의 표면에 평행한 면에의 표면 게이트 영역(9-1)의 정사영과, 당해 면에의 매립 게이트 영역(9-2)의 정사영이 일치한다. 이러한 구성에 따르면, 표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-2)을 동일한 마스크로 형성할 수 있다. 그로 인해, JFET의 특성의 변동을 억제하는 데 유리하다.또한, 표면 게이트 영역(9-1)의 정사영과, 매립 게이트 영역(9-2)의 정사영이 일치하지 않아도 된다. 예를 들어, 평면에서 보아 표면 게이트 영역(9-1)과 채널 영역(10)이 교차하고, 한편으로, 매립 게이트 영역은 채널 영역(10)을 내포하도록, 이들 영역이 배치되어도 된다. 이러한 경우에는, 표면 게이트 영역과 매립 게이트 영역은 별개의 마스크를 사용하여 형성된다.또한, 표면 게이트 영역(9-1) 혹은 매립 게이트 영역(9-2) 중 어느 한쪽이 생략되어도 된다. 또한, 본 실시예에서는, 평면에서 본 복수의 게이트 영역(9)의 각각이, 표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-2)을 포함한다. 그러나, 적어도 하나의 게이트 영역(9)이 표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-2)을 포함하는 구성이어도 된다.도 3의 (a)는, 본 실시예의 촬상 장치의 단면 구조를 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 3의 (a)는, 도 1에서의 직선 C-D에 따른 단면 구조를 모식적으로 도시하고 있다. 도 1 및 도 2와 동일한 부분에는, 동일한 부호를 붙였다. 도 3의 (a)의 지면에 평행하고, 또한 표면(SR)에 평행한 방향이, 채널 폭 방향이다.도 3의 (a)가 도시하는 바와 같이, 소스 영역(11)의 아래에 있어서, 채널 영역(10)과 N형 반도체 영역(15)의 사이에는 P형 반도체 영역이 배치되어 있지 않다. 그러나, 채널 영역(10)과 N형 반도체 영역(15)은 전기적으로 분리되어 있다. 구체적으로, 도 2에 도시된 2개의 매립 게이트 영역(9-2)과 N형 반도체 영역(15)의 사이에 형성되는 공핍층에 의해, 채널 영역(10)과 N형 반도체 영역(15)의 사이에는 포텐셜 배리어가 형성된다. 이에 의해, 양자간의 오믹 도통은 방지된다. 실제로는, JFET의 채널 영역(10)과 N형 반도체 영역(15)의 사이의, 표면(SR)에 대하여 수직인 방향의 전기적 저항이, JFET의 소스와 드레인의 사이의 채널 길이 방향의 전기적 저항보다 충분히 커지도록, 포텐셜 설계가 이루어지는 것이 바람직하다.도 3의 (b)는, 본 실시예의 촬상 장치의 단면 구조를 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 3의 (b)는, 도 1에서의 직선 E-F에 따른 단면 구조를 모식적으로 도시하고 있다. 도 1 내지 도 3의 (a)와 동일한 부분에는, 동일한 부호를 붙였다. 도 3의 (b)의 지면에 평행하고, 또한 표면(SR)에 평행한 방향이, 채널 폭 방향이다.상술한 바와 같이, 표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-2)은 서로 전기적으로 접속된다. 본 실시예에 있어서는, 동 도전형의 반도체 영역이, 표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-2)을 전기적으로 접속한다. 예를 들어, 도 3의 (b)에 있어서, FD 영역(3) 및 리셋 MOS 트랜지스터의 소스 영역(7)이, 표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-2)을 전기적으로 접속하도록, 기판의 깊은 위치까지 연장되어도 된다. 또한, 도 3의 (b)에서는 표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-2)이 이격되어 배치되어 있지만, 표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-2)이, 표면(SR)에 수직인 방향의 불순물의 확산에 의해 연속하여 형성되어도 된다.본 실시예에 있어서는, 도 1에 도시되는 평면 구조에 있어서, 게이트 영역(9)과 채널 영역(10)이 교차하고 있다. 환언하면, 반도체 기판의 표면과 평행한 면에의 게이트 영역(9)의 정사영과, 반도체 기판의 표면과 평행한 면에의 채널 영역(10)의 정사영이 교차하고 있다.게이트 영역(9)과 채널 영역(10)이 교차한다는 것은, 각각의 영역이 서로를 횡단하도록 배치되는 것이다. 바꾸어 말하면, 게이트 영역(9)의 적어도 2개의 부분이 채널 영역(10)으로부터 돌출되어 있고, 또한 채널 영역(10)의 적어도 2개의 부분이 게이트 영역(9)으로부터 돌출되어 있는 것이다.또한, 도 1의 평면에서 보아, 채널 영역(10) 중, 2개의 게이트 영역(9)의 사이에 배치된 부분이, 채널 영역(10)의 소스측 부분(10s)이다. 게이트 영역(9)에 대하여 소스측 부분(10s)과는 반대측에 배치된 부분이, 채널 영역(10)의 드레인측 부분(10d)이다. 도 2에 있어서도, 소스측 부분(10s) 및 드레인측 부분(10d)이 각각 도시되어 있다. 그리고, 채널 영역(10)의 소스측 부분(10s) 및 드레인측 부분(10d)은, 모두 게이트 영역(9)과 겹쳐 있지 않다. 환언하면, 채널 영역(10)의 정사영의 소스측 부분(10s)과, 동일하게 드레인측 부분(10d)이, 각각 게이트 영역(9)의 정사영으로부터 돌출되어 있다. 그로 인해, 도 2가 도시하는 바와 같이, JFET의 채널 길이는 게이트 영역(9)의 끝에 의해 규정된다. 그리고, 도 3의 (b)가 도시하는 바와 같이, JFET의 채널 폭은 채널 영역(10)의 끝에 의해 규정된다.이러한 구성에 따르면, 게이트 영역(9)을 형성하기 위해 사용되는 마스크와, 채널 영역(10)을 형성하기 위해 사용되는 마스크의 사이에서, 얼라인먼트 어긋남이 발생해도, JFET의 채널의 형상은 거의 변화하지 않는다. 즉, JFET의 채널 길이 및 채널 폭의 변동을 작게 할 수 있다. 그 결과, JFET의 특성의 변동을 저감할 수 있다.도 2에 있어서, JFET의 소스 영역(11)으로부터의 전자는, 표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-2)의 사이에 형성되는 채널을 도 2의 채널 길이 방향을 따라 흘러, 최종적으로 N형 반도체 영역(15)으로 흘러나간다. 이 채널 전류의 크기는, 기본적으로는 소스 영역(11)의 전압, 게이트 영역(9)의 전압, 드레인 영역인 N형 반도체 영역(15)의 전압과, 채널 길이 및 채널 폭에 의해 결정된다.본 실시예에 있어서는, JFET의 채널 길이 및 채널 폭은, 도 1에서의 게이트 영역(9)과 채널 영역(10)의 교차 부분인 2개의 직사각형에 의해 결정된다. 교차 부분의 직사각형의 채널 길이 방향의 변의 길이가 채널 길이이다. 채널 전류는 양방으로 흐르므로, 교차 부분의 직사각형의 채널 폭 방향의 변의 길이의 2배가 채널 폭으로 된다.본 실시예에서는, 게이트 영역(9)은 서로 평행한 2개의 직사각형이고, 채널 영역(10)도 직사각형이다. 게이트 영역(9)과 채널 영역(10)은 서로 오버사이즈로 겹치도록 배치된다. 즉, 게이트 영역(9)은 도 1의 채널 폭 방향에 있어서 채널 영역(10)에 대하여 오버사이즈이고, 한편, 채널 영역(10)은 도 1의 채널 길이 방향에 있어서 게이트 영역(9)에 대하여 오버사이즈이다. 그로 인해, 게이트 영역(9)과 채널 영역(10)을 형성할 때 사용되는 마스크에 얼라인먼트 어긋남이 발생했다고 해도, 교차 부분의 직사각형의 형상은 거의 변하지 않는다. 따라서, JFET를 형성하는 프로세스에 있어서, 얼라인먼트 어긋남에 기인하는, JFET의 전기적 특성의 변동을 저감할 수 있다.전기적 특성의 변동을 저감할 수 있는 효과는, 게이트 영역(9) 및 채널 영역(10)의 형상에 의존하지 않는다. 이 효과는, 평면에서 보아, 게이트 영역(9)과 채널 영역(10)이 교차하고 있음으로써 얻어지는 것이다. 적합하게는, 도 1이 도시하는 바와 같이, 평면에서 본 게이트 영역(9)의 외측 테두리가, 각각 채널 폭 방향을 따른, 2개의 평행한 선분을 포함하면 된다. 이러한 구성에 의해, 전기적 특성의 변동을 보다 저감할 수 있다. 또한, 적합하게는, 도 1이 도시하는 바와 같이, 평면에서 본 채널 영역(10)의 외측 테두리는, 각각 채널 길이 방향을 따른, 2개의 평행한 선분을 포함하면 된다. 이러한 구성에 의해, 전기적 특성의 변동을 보다 저감할 수 있다. 또한, 게이트 영역(9) 및 채널 영역(10)이 직사각형이면, 이들을 형성할 때 사용하는 마스크의 형성이 용이하게 된다. 또한, 평면에서 본 게이트 영역(9) 및 채널 영역(10)의 외측 테두리가, 곡선을 포함하고 있어도 된다. 이러한 구성에 따르면, 마스크의 로테이션에 의한 얼라인먼트 어긋남에 대하여, 특성의 변동을 저감할 수 있다.JFET의 채널 길이는, 드레인측의 끝과 소스측의 끝의 거리로 결정된다. 그로 인해, 평면에서 보아, 게이트 영역(9)의 양측에, 채널 영역(10)의 드레인측 부분 및 소스측 부분이 나누어져 배치됨으로써, 전기적 특성의 변동을 저감할 수 있는 효과가 얻어진다. 즉, 채널 영역(10)의 정사영의 소스측 부분과, 동일하게 드레인측 부분이, 각각 게이트 영역의 정사영으로부터 돌출되어 있음으로써, 상술한 전기적 특성의 변동을 저감할 수 있는 효과가 얻어지는 것이다.계속해서, 본 실시예의 촬상 장치의 제조 방법의 예를 설명한다. 도 4는, 촬상 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 4의 (a) 내지 (c)는, 각각 도 1의 직선 A-B에 따른 단면 구조를 모식적으로 도시하고 있다. 도 1 내지 도 3과 동일한 부분에는, 동일한 부호를 붙였다.도 4의 (a)에 도시되는 공정에서는, JFET의 게이트 영역(9)을 형성한다. 이 공정에서는, 제1 개구(209)를 규정하는 제1 마스크(17)가 사용된다. 제1 마스크(17)는, 예를 들어 포토리소그래피법을 사용하여 포토레지스트를 패터닝함으로써 얻어진다.붕소 등, 억셉터로 되는 불순물을, 제1 개구(209)를 통하여 반도체 기판(100)에 도입한다. 이에 의해, 반도체 기판(100)의 제1 개구(209)에 대응한 영역에, 게이트 영역(9)이 형성된다. 예를 들어, 제1 마스크(17)를 사용한 이온 주입에 의해 게이트 영역(9)을 형성할 수 있다. 이온 주입 에너지가 서로 다른 복수회의 이온 주입을 행함으로써, 표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-2)을 서로 다른 깊이에 형성한다. 이온 주입 에너지가 높을수록, 반도체 기판(100)의 깊은 곳에 반도체 영역을 형성할 수 있다. 소정의 이온 주입 에너지를 선택함으로써, 표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-2)이, 반도체 기판(100)의 표면(SR)에 수직인 방향의 불순물의 확산에 의해 서로 전기적으로 접속되도록 형성된다.또한, 반도체 기판(100)에의 불순물의 도입에는, 이온 주입 외에도, 열 확산 등의 반도체 프로세스를 사용할 수 있다. 게이트 영역(9)을 형성한 후, 제1 마스크(17)를 제거한다.도 4의 (b)에 도시되는 공정에서는, JFET의 채널 영역(10)을 형성한다. 이 공정에서는, 제2 개구(210)를 규정하는 제2 마스크(18)가 사용된다. 제2 마스크(18)는, 예를 들어 포토리소그래피법을 사용하여 포토레지스트를 패터닝함으로써 얻어진다.인이나 비소 등, 도너로 되는 불순물을, 제2 개구(210)를 통하여 반도체 기판(100)에 도입한다. 이에 의해, 반도체 기판(100)의 제2 개구(210)에 대응한 영역에, 채널 영역(10)이 형성된다. 예를 들어, 제2 마스크(18)를 사용한 이온 주입에 의해 채널 영역(10)을 형성할 수 있다. 이 경우, 이온 주입 에너지를 조정함으로써, 채널 영역(10)을, 표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-2)의 중간의 깊이에 형성할 수 있다. 채널 영역(10)을 형성한 후, 제2 마스크(18)를 제거한다.도 4에서는 도시되어 있지 않지만, 제3 개구(203, 207)를 규정하는 제3 마스크(19)를 사용하여, 복수의 게이트 영역(9)을 서로 전기적으로 접속하는 P형의 반도체 영역을 형성해도 된다. 제3 마스크(19)는, 예를 들어 포토리소그래피법을 사용하여 포토레지스트를 패터닝함으로써 얻어진다.본 실시예에서는, FD 영역(3) 및 리셋 MOS 트랜지스터의 소스 영역(7)이, 제3 마스크(19)를 사용하여 형성된다. 그리고, 이들 영역이 복수의 게이트 영역(9)을 서로 전기적으로 접속한다. 복수의 게이트 영역(9)을 서로 전기적으로 접속하는 P형의 반도체 영역을 형성한 후, 제3 마스크(19)를 제거한다.도 4의 (c)에 도시되는 공정에서는, 채널 영역(10)의 소스측 부분과 전기적으로 접속되는 소스 영역(11)을 형성한다. 이 공정에서는, 개구(211)를 규정하는 마스크(20)가 사용된다. 이 마스크(20)는 하드 마스크이다. 즉, 마스크(20)는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산질화막 등의 무기 재료로 구성된 절연막이다.인이나 비소 등, 도너로 되는 불순물을, 개구(211)를 통하여 반도체 기판(100)에 도입한다. 이에 의해, 반도체 기판(100)의 개구(211)에 대응한 영역에 소스 영역(11)이 형성된다.상술한 바와 같이, 마스크(20)로서 하드 마스크를 사용함으로써, 당해 마스크를 층간 절연막으로서 사용할 수 있다. 구체적으로는, 소스 영역(11)을 형성한 후에 마스크(20)를 제거하지 않고, 개구(211)에 소스 영역(11)과 전기적으로 접속되는 콘택트 플러그(12)를 매립한다. 그리고, 마스크(20) 상에, 콘택트 플러그(12)와 접속되는 출력선(14)을 형성한다.이어서, 상술한 제1 내지 제3 마스크(17 내지 19)의 평면적인 구조 및 상호 위치 관계에 대하여 설명한다. 도 5의 (a), (b)는, 도 4에 도시되는 공정에서 사용되는 제1 내지 제3 마스크(17 내지 19)를 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 4와 동일한 부분에는 동일한 번호를 붙였다.도 5의 (a), (b)는, 제1 개구(209)와 제2 개구(210)와 제3 개구(203, 207)를 도시하고 있다. 도 5의 (b)는, 제2 개구(210)의 각 부분을 도시하고 있다. 본 실시예에 있어서, 제1 개구(209)와 제2 개구(210)와 제3 개구(203, 207)는, 모두 직사각형이다. 제1 개구(209)의 외측이, 제1 개구(209)를 규정하는 제1 마스크(17)이다. 제2 개구(210)의 외측이, 제2 개구(210)를 규정하는 제2 마스크(18)이다. 제3 개구(203, 207)의 외측이, 제3 개구(203, 207)를 규정하는 제3 마스크(19)이다.도 5의 (a), (b)는, 설명을 위해, 제1 내지 제3 개구(209, 210, 203, 207)를 중첩하여 도시하고 있다. 이에 의해, 도 5의 (a), (b)는, 복수의 마스크의 얼라인먼트를 도시하고 있다. 실제로는, 각 공정에 있어서 소정의 반도체 영역을 형성한 후에, 마스크가 제거된다. 그로 인해, 2개 이상의 마스크가 반드시 동시에 존재하는 것은 아니다.평면에서 보아, 제1 개구(209)와 제2 개구(210)는 서로 교차한다. 즉, 반도체 기판(100)의 표면과 평행한 면에의 제1 개구(209)의 정사영과, 당해 면에의 제2 개구(210)의 정사영이 교차한다.도 5의 (b)가 도시하는 바와 같이, 제2 개구(210)는, 채널 영역(10)의 소스측 부분에 대응하는 소스측 부분(210s)과, 채널 영역(10)의 드레인측 부분에 대응하는 드레인측 부분(210d)을 포함한다. 도 5의 (b)에 있어서, 제2 개구(210) 중, 2개의 제1 개구(209)의 사이에 있는 부분이, 제2 개구(210)의 소스측 부분(210s)이다. 도 5의 (b)에 있어서, 좌측의 제1 개구(209L)의 좌측에 있는 부분 및 우측의 제1 개구(209R)의 우측에 있는 부분이, 제2 개구(210)의 드레인측 부분(210d)이다.평면에서 보아, 제2 개구(210)의 소스측 부분(210s)과 드레인측 부분(210d)은, 각각 제1 마스크(17)와 겹쳐 있다. 즉, 반도체 기판(100)의 표면과 평행한 면에의 소스측 부분(210s)의 정사영 및 당해 면에의 드레인측 부분(210d)의 정사영이, 각각 제1 마스크(17)의 당해 면에의 정사영과 겹쳐 있다. 그로 인해, 도 5가 도시하는 바와 같이, JFET의 채널 길이는 제1 개구(209)의 끝에 의해 규정된다. 그리고, JFET의 채널 폭은 제2 개구(210)의 끝에 의해 규정된다.이러한 구성에 따르면, 게이트 영역(9)을 형성하기 위해 사용되는 제1 마스크(17)와, 채널 영역(10)을 형성하기 위해 사용되는 제2 마스크(18)의 사이에서, 얼라인먼트 어긋남이 발생해도, JFET의 채널의 형상은 거의 변화하지 않는다. 즉, JFET의 채널 길이 및 채널 폭의 변동을 작게 할 수 있다. 그 결과, JFET의 특성의 변동을 저감할 수 있다.본 실시예에 있어서, 제1 개구(209)는, 제1 마스크(17)에 의해 분할된 복수의 개구(209L, 209R)를 포함한다. 평면에서 보아, 복수의 개구(209L, 209R)의 각각이 제2 개구(210)와 교차한다. 즉, 반도체 기판(100)의 표면과 평행한 면에의 복수의 개구(209L, 209R)의 정사영의 각각이, 당해 면에의 제2 개구(210)의 정사영과 교차한다. 그리고, 평면에서 보아, 제2 개구(210)의 소스측 부분은, 제1 마스크(17) 중 2개의 개구(209L, 209R)의 사이에 있는 부분과 겹친다.그리고, 평면에서 보아, 제1 개구(209)가 제3 개구(203, 207)와 부분적으로 겹친다. 즉, 반도체 기판(100)의 표면과 평행한 면에의 제1 개구(210)의 정사영이, 당해 면에의 제3 개구(203, 207)의 정사영과 부분적으로 겹친다.이러한 구성에 의해, JFET의 실효적인 채널 폭을 크게 할 수 있다. 즉, JFET의 구동력을 높게 할 수 있기 때문에, 촬상 장치를 고속으로 구동할 수 있다.또한, 평면에서 보아, 제2 개구(210)의 전체가 제3 마스크(19)와 겹친다. 이러한 구성에 따르면, 제3 마스크(19)를 사용하여 반도체 기판(100)에 불순물을 도입할 때, 채널 영역(10)에 도입되는 불순물의 양을 저감할 수 있다. 따라서, 복수의 게이트 영역(9)을 전기적으로 접속하는 반도체 영역을 형성한 경우라도, JFET의 전기적 특성의 변동을 작게 할 수 있다.본 실시예의 변형예에 대하여 설명한다. 도 6의 (a)는, 본 실시예의 촬상 장치의 평면 구조를 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 6의 (a)에는 JFET가 도시되어 있다. 도 1과 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙였다. 이하에 설명하는 부분을 제외하고, 본 실시예의 구성은 실시예 1과 마찬가지이다.본 실시예에서는, 평면에서 본 JFET의 게이트 영역(61)의 형상이 특징이다. 구체적으로는, 평면에서 보아, 게이트 영역(61)이 채널 영역(10)의 소스측 부분을 둘러싸고 있다. 그리고, 평면에서 보아, 게이트 영역(61)의 2개의 부분과 채널 영역(10)이 교차하고 있다. 그리고, 채널 영역(10)의 소스측 부분과 드레인측 부분이, 게이트 영역(61)과 겹쳐 있지 않다. 채널 영역(10)의 소스측 부분과, 동일하게 드레인측 부분이, 각각 게이트 영역(61)으로부터 돌출되어 있다. 그로 인해, JFET의 채널 길이는 게이트 영역(61)의 끝에 의해 규정된다. 그리고, JFET의 채널 폭은 채널 영역(10)의 끝에 의해 규정된다.이러한 구성에 따르면, 게이트 영역(61)을 형성하기 위해 사용되는 마스크와, 채널 영역(10)을 형성하기 위해 사용되는 마스크의 사이에서, 얼라인먼트 어긋남이 발생해도, JFET의 채널의 형상은 거의 변화하지 않는다. 즉, JFET의 채널 길이 및 채널 폭의 변동을 작게 할 수 있다. 그 결과, JFET의 특성의 변동을 저감할 수 있다.도 6의 (a)에 도시된 변형예에서는, 게이트 영역(61)은 평면적으로 연속되어 있고, 또한 표면 게이트 영역과 매립 게이트 영역은, 채널 영역(10)과 겹치지 않는 부분에 있어서, 전기적으로 도통되어 있다. 그로 인해, 2개의 게이트 영역을 접속하는 동 도전형의 반도체 영역을 형성하는 공정을 생략하면서, JFET의 실효적인 채널 폭을 크게 할 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 실시예에서의 FD 영역(3)을 형성하는 공정을 생략할 수 있다.다른 변형예에 대하여 설명한다. 도 6의 (b)는, 본 실시예의 촬상 장치의 단면 구조를 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 6의 (b)에는 JFET가 도시되어 있다. 도 1과 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙였다. 이하에 설명하는 부분을 제외하고, 본 실시예의 구성은 실시예 1과 마찬가지이다.도 6의 (b)에 도시된 JFET에서는, 게이트 영역(9)이 표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-3)을 포함한다. 매립 게이트 영역(9-3)은, 평면에서 보아 표면 게이트 영역(9-1)과는 상이한 형상을 갖는 P형의 반도체 영역이다. 매립 게이트 영역(9-3)은, 표면 게이트 영역(9-1)과 전기적으로 접속된다. 도 6의 (b)에서는, 매립 게이트 영역(9-3)이 채널 영역(10)과 평면에서 보아 일치하고 있다. 또한, 매립 게이트 영역(9-3)이 채널 영역(10)을 내포하도록 배치되어도 된다.또 다른 변형예에 대하여 설명한다. 도 6의 (c)는, 본 실시예의 촬상 장치의 단면 구조를 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 6의 (c)에는 JFET가 도시되어 있다. 도 1과 동일한 부분에는 동일한 부호를 붙였다. 이하에 설명하는 부분을 제외하고, 본 실시예의 구성은 실시예 1과 마찬가지이다. 도 6의 (c)에 도시된 JFET에서는, 게이트 영역(9)이 매립 게이트 영역(9-2)만을 포함한다.이들 변형예에 있어서도, 평면에서 보아 게이트 영역(9)과 채널 영역(10)이 교차한다. 따라서, JFET의 전기적 특성의 변동을 저감할 수 있다.이상에 설명한 바와 같이, 몇 가지 실시예에서는 JFET의 특성의 변동을 저감할 수 있다.003c#실시예 2003e#다른 실시예를 설명한다. 실시예 1과의 차이는, JFET의 소스 영역의 아래에, 기생 JFET 전류를 저감하는 구조를 형성한 점이다. 따라서, 실시예 1과 상이한 점만을 설명하고, 실시예 1과 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다.도 7은, 본 실시예의 촬상 장치의 평면 구조를 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 7에는 JFET가 도시되어 있다. 도 7에 있어서는, 화소의 다른 구성은 도시되어 있지 않다. 실시예 1과 마찬가지 기능을 갖는 부분에는, 동일한 부호를 붙였다.본 실시예의 화소는 P형 반도체 영역(21)을 구비한다. P형 반도체 영역(21)은, 평면에서 보아 소스 영역(11)과 겹쳐 있다. 즉, 반도체 기판의 표면과 평행한 면에의 P형 반도체 영역(21)의 정사영은, 당해 면에의 소스 영역(11)과 겹친다. 또한, P형 반도체 영역(21)은, 평면에서 보아, 2개의 게이트 영역(9)의 사이에 위치한다. 즉, 반도체 기판의 표면과 평행한 면에의 P형 반도체 영역(21)의 정사영은, 2개의 게이트 영역(9)의 당해 면에의 정사영의 사이에 위치한다.도 8의 (a)는, 본 실시예의 촬상 장치의 단면 구조를 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 8의 (a)는, 도 7에서의 직선 G-H에 따른 단면 구조를 모식적으로 도시하고 있다. 실시예 1 또는 도 7과 동일한 부분에는, 동일한 부호를 붙였다.도 8의 (a)가 도시하는 바와 같이, P형 반도체 영역(21)은, 채널 영역(10)보다 깊은 위치에 배치되어 있다. P형 반도체 영역(21) 및 채널 영역(10)이 이온 주입에 의해 형성되는 경우에는, P형 반도체 영역(21)의 깊이 방향의 불순물 농도의 피크가, 채널 영역(10)의 동일한 피크보다 깊은 곳에 위치한다. 깊이 방향이란, 표면(SR)에 수직인 방향이다.본 실시예에서는, P형 반도체 영역(21)의 전체가, 매립 게이트 영역(9-2)과 동일한 깊이에 배치된다. 도 8의 (a)에서는, P형 반도체 영역(21)과 매립 게이트 영역(9-2)은 서로 전기적으로 접속되어 있다. 또한, P형 반도체 영역(21)과 매립 게이트 영역(9-2)이 연속되어 있어도 된다.도 8의 (b)는, 본 실시예의 촬상 장치의 단면 구조를 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 8의 (b)는, 도 7에서의 직선 I-J에 따른 단면 구조를 모식적으로 도시하고 있다. 실시예 1 또는 도 7과 동일한 부분에는, 동일한 부호를 붙였다.도 8의 (b)가 도시하는 바와 같이, 채널 폭 방향에 있어서, P형 반도체 영역(21)은 채널 영역(10)의 폭보다 넓게 연장되어 있다. 본 실시예에서는, P형 반도체 영역(21)이, 리셋 MOS 트랜지스터의 소스 영역(7)의 아래, 및 FD 영역(3)의 아래에 도달해 있다.또한, 본 실시예에 있어서, 도 7에서의 직선 K-L에 따른 단면 구조는, 실시예 1과 동일하다. 즉, 도 3의 (b)가, 본 실시예의 단면 구조를 모식적으로 도시하고 있다.이러한 구조에 따르면, 채널 영역(10)과 N형 반도체 영역(15)의 전기적 저항을 높게 할 수 있다. 그 결과, 게이트 영역(9)과 채널 영역(10)으로 규정되는 채널 이외의 영역을 흐르는 기생 전류를 저감할 수 있다. 이러한 기생 전류의 게이트 전압에 대한 의존성은 작기 때문에, 기생 전류가 크면 JFET의 전류 전압 특성이 저하된다. 즉, 기생 전류를 저감함으로써, JFET의 전류 전압 특성을 향상시킬 수 있다.P형 반도체 영역(21)의 불순물 농도는, 매립 게이트 영역(9-2)의 불순물 농도보다 낮은 것이 바람직하다. 이러한 불순물 농도의 관계이면, P형 반도체 영역(21)을 형성할 때, 마스크의 얼라인먼트 어긋남이 발생해도, JFET의 전기적 특성의 변동을 작게 억제할 수 있다.본 실시예의 제조 방법은, 실시예 1의 제조 방법에, P형 반도체 영역(21)을 형성하는 공정을 추가하면 된다. P형 반도체 영역(21)은, 예를 들어 도 7에 도시되는 바와 같은 마스크를 사용하여 형성할 수 있다.이상에 설명한 바와 같이, 본 실시예에 있어서는, 실시예 1의 효과 외에, 기생 JFET 전류를 저감할 수 있다고 하는 효과가 얻어진다.003c#실시예 3003e#다른 실시예를 설명한다. 실시예 1 혹은 실시예 2와의 차이는, JFET가 LDD구조를 갖는다는 점이다. 따라서, 실시예 1 혹은 실시예 2와 상이한 점만을 설명하고, 실시예 1 혹은 실시예 2와 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다.본 실시예의 촬상 장치의 평면 구조는, 실시예 1 또는 실시예 2와 동일하다. 즉, 도 1 또는 도 7이 본 실시예의 촬상 장치의 평면 구조를 모식적으로 도시하고 있다. 단, 본 실시예에 있어서는, 도 1 및 도 7에 있어서 게이트 영역으로서 도시된 영역에, N형 반도체 영역이 배치된다.도 9는, 본 실시예의 촬상 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 9의 (a) 내지 (c)는, 각각 도 1의 직선 A-B에 따른 단면 구조를 모식적으로 도시하고 있다. 즉, JFET의 채널 길이 방향을 포함하는 단면을 모식적으로 도시하고 있다. 또한, 도 9에 도시된 구성에, 실시예 2와 같이 P형 반도체 영역(21)을 부가해도 된다.도 9의 (a)에 도시된 공정에서는, 표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-2)을 형성한다. 표면 게이트 영역(9-1) 및 매립 게이트 영역(9-2)의 형성 방법은, 실시예 1의 도 4의 (a)에 도시되는 공정과 마찬가지이다. 실시예 1의 설명에서 설명한 바와 같이, 이 공정에서는 제1 개구(209)를 규정하는 제1 마스크(17)가 사용된다.본 실시예에서는, 표면 게이트 영역(9-1) 및 매립 게이트 영역(9-2)을 형성할 때 사용된 제1 마스크(17)를 사용하여, N형 반도체 영역(22)을 형성한다. 예를 들어, 인이나 비소 등의 도너를 제1 개구(209)를 통하여 반도체 기판(100)에 이온 주입한다. 이에 의해, 반도체 기판(100)의 제1 개구(209)에 대응한 영역에, N형 반도체 영역(22)이 형성된다.실시예 1과 마찬가지로, 제1 마스크(17)는, 예를 들어 포토리소그래피법을 사용하여 포토레지스트를 패터닝함으로써 얻어진다. 혹은, 제1 마스크(17)가 하드 마스크여도 된다.N형 반도체 영역(22)은, 평면에서 보아, 게이트 영역(9)과 겹친다. 즉, 반도체 기판(100)의 표면과 평행한 면에의 N형 반도체 영역(22)의 정사영과, 당해 면에의 게이트 영역(9)의 정사영이 일치한다. 또한, N형 반도체 영역(22)은, 표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-2)의 중간의 깊이에 배치된다. 표면 게이트 영역(9-1), 매립 게이트 영역(9-2) 및 N형 반도체 영역(22)의 형성에 이온 주입을 사용하는 경우에는, 이온 주입 에너지를 제어함으로써, N형 반도체 영역(22)을, 표면 게이트 영역(9-1)과 매립 게이트 영역(9-2)의 중간의 깊이에 형성할 수 있다.도 9의 (b)에 도시되는 공정에서는, 실시예 1의 도 4의 (b)에 도시되는 공정과 마찬가지로, 채널 영역(10)이 형성된다. 채널 영역(10)을 형성하는 공정은, 실시예 1과 마찬가지이기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.도 9의 (c)에 도시되는 공정에서는, 소스 영역(11)을 형성한다. 소스 영역(11)을 형성하는 공정은, 실시예 1과 마찬가지이기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.채널 영역(10) 중, 도 9의 (a)의 공정에서는 불순물이 도입되지 않은 부분은, 전계 완화 영역으로서 기능한다. N형 반도체 영역인 채널 영역(10)과 N형 반도체 영역(22)이 겹친 영역에 채널이 형성된다. 당해 겹친 영역에는, 채널 영역(10)의 형성시와 N형 반도체 영역(22)의 형성시의 2회의 공정에서 불순물이 도입된다. 그로 인해, 채널 영역(10)의 다른 부분, 즉 N형 반도체 영역(22)의 형성시에 불순물이 도입되지 않은 부분은, 상대적으로 낮은 불순물 농도를 갖는다. 즉, 채널 영역(10) 중, 게이트 영역(9)에 대하여 돌출된 부분의 불순물 농도를 낮출 수 있다.이러한 드레인 영역의 불순물 농도가 낮은 구성에 따르면, JFET의 드레인 근방에서의 전계를 완화할 수 있다. JFET의 드레인 근방에 강한 전계가 발생하면, 채널 전류가 드레인 근방에 있어서 임팩트 이온화를 일으켜 캐리어를 발생시킨다. 발생한 캐리어가 JFET의 게이트나 신호 전하를 축적하고 있는 게이트 영역(9)으로 유입됨으로써, 화소의 노이즈 성분으로 된다. JFET의 드레인 근방에서의 전계를 완화함으로써, 이러한 노이즈의 원인으로 되는 임팩트 이온화가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 화소의 노이즈를 저감할 수 있다.일반적으로 JFET의 채널 전류가 임팩트 이온화를 일으키는 것은, 드레인 영역에 가까운 핀치 오프 영역이다. 이 부분의 전계를 저감하여 임팩트 이온화를 방지하기 위해서는, 드레인 영역의 불순물 농도를 엷게 하는 것이 적합하다.또한, 본 실시예에 있어서, N형 반도체 영역(22)만으로 JFET의 채널을 형성하고, 채널 영역(10)을 형성하지 않는 것도 가능하다. 이 경우, N형 반도체 영역(15)의 일부가 드레인 영역을 구성한다. 또한, 채널 영역(10)이 형성되지 않으므로, JFET의 채널 폭은, FD 영역(3)과 리셋 트랜지스터의 P형 소스 영역(7)과의 채널 폭 방향의 거리로 규정된다.이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 실시예 1의 효과 외에, 노이즈를 저감할 수 있다고 하는 효과가 얻어진다.003c#실시예 4003e#본 발명에 따른 촬상 시스템의 실시예에 대하여 설명한다. 촬상 시스템으로서, 디지털 스틸 카메라, 디지털 캠코더, 복사기, 팩스, 휴대 전화, 차량 탑재 카메라, 관측 위성 등을 들 수 있다. 또한, 렌즈 등의 광학계와 촬상 장치를 구비하는 카메라 모듈도, 촬상 시스템에 포함된다. 도 10에, 촬상 시스템의 예로서 디지털 스틸 카메라의 블록도를 도시한다.도 10에 있어서, 도면 부호 1001은 렌즈의 보호를 위한 배리어, 1002는 피사체의 광학상을 촬상 장치(1004)에 결상시키는 렌즈, 1003은 렌즈(1002)를 통과한 광량을 가변하기 위한 조리개이다. 도면 부호 1004는 상술한 각 실시예에서 설명한 촬상 장치이며, 렌즈(1002)에 의해 결상된 광학상을 화상 데이터로서 변환한다. 여기서, 촬상 장치(1004)의 반도체 기판에는 AD 변환부가 형성되어 있는 것으로 한다. 도면 부호 1007은 촬상 장치(1004)로부터 출력된 촬상 데이터에 각종 보정이나 데이터를 압축하는 신호 처리부이다. 그리고, 도 10에 있어서, 도면 부호 1008은 촬상 장치(1004) 및 신호 처리부(1007)에, 각종 타이밍 신호를 출력하는 타이밍 발생부, 1009는 디지털 스틸 카메라 전체를 제어하는 전체 제어부이다. 도면 부호 1010은 화상 데이터를 일시적으로 기억하기 위한 프레임 메모리부, 1011은 기록 매체에 기록 또는 판독을 행하기 위한 인터페이스부, 1012는 촬상 데이터의 기록 또는 판독을 행하기 위한 반도체 메모리 등의 착탈 가능한 기록 매체이다. 그리고, 도면 부호 1013은 외부 컴퓨터 등과 통신하기 위한 인터페이스부이다. 여기서, 타이밍 신호 등은 촬상 시스템의 외부로부터 입력되어도 되며, 촬상 시스템은 적어도 촬상 장치(1004)와, 촬상 장치(1004)로부터 출력된 촬상 신호를 처리하는 신호 처리부(1007)를 가지면 된다.본 실시예에서는, 촬상 장치(1004)와 AD 변환부가 동일한 반도체 기판에 형성된 구성을 설명하였다. 그러나, 촬상 장치(1004)와 AD 변환부가 다른 반도체 기판에 설치되어 있어도 된다. 또한, 촬상 장치(1004)와 신호 처리부(1007)가 동일한 반도체 기판에 형성되어 있어도 된다.촬상 시스템의 실시예에 있어서, 촬상 장치(1004)에는, 실시예 1 내지 3 중 어느 하나의 촬상 장치가 사용된다.본 발명은 상기 실시 형태에 제한되는 것이 아니며, 본 발명의 정신 및 범위로부터 이탈하지 않고, 여러가지 변경 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위를 밝히기 위해 이하의 청구항을 첨부한다.
[ 부호의 설명 ]
100: 반도체 기판1: N형 반도체 영역(광전 변환부)2: P형 반도체 영역(광전 변환부)9: 게이트 영역10: 채널 영역17: 제1 마스크18: 제2 마스크209: 제1 개구210: 제2 개구
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접합형 전계 효과 트랜지스터의 특성의 변동을 저감할 수 있다. 본 발명에 따른 실시예는, 반도체 기판에 배치된 접합형 전계 효과 트랜지스터를 각각이 포함하는 복수의 화소를 구비하는 촬상 장치이다. 접합형 전계 효과 트랜지스터는 게이트 영역과 채널 영역을 포함한다. 평면에서 보아, 게이트 영역과 채널 영역이 교차하고 있다.
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[ 발명의 명칭 ]
케이블 및 이의 제조를 위한 방법 CABLE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
[ 기술분야 ]
본 발명은 전기 전도체를 가지는 케이블에 관한 것이며, 이 케이블은 상기 전도체를 둘러싸는 실리콘 피복을 가지고, 그리고 전도체와 피복 사이에 위치되는 분리 층을 가진다. 또한, 본 발명은 이러한 케이블을 제작하기 위한 방법에 관한 것이다.
[ 배경기술 ]
케이블은, 특히 보호를 위해 또는 절연을 위해 피복에 의해 둘러싸이는 하나 이상의 전도체를 일반적으로 포함한다. 전도체는, 통상적으로 금속으로 만들어진 와이어 또는 연선인 반면에, 피복은 종종 플라스틱으로 만들어진다. 케이블의 준비(preparation) 동안, 피복의 부분들이 다시 제거되며, 이러한 공정에서, 작업(effort)은 실질적으로 전도체에 대한 피복의 접착성에, 그리고, 따라서, 특히 선택된 재료 조합들에 의존한다. 실리콘들은 특히 케이블용 피복을 제조하기 위한 적합한 재료들인데, 특히 이는 이들의 화학적 및 물리적 특성들 때문이다. 특히 이러한 성질(nature)의 실리콘 피복의 경우에, 그러나, 그 결과는 보통 피복된 전도체에 특히 강한 접착성(adhesion)이거나 이 피복된 전도체와의 강한 접합(bonding)이다. 이러한 효과는 특히 알루미늄으로 만든 전도체들에 의해 명백해진다(pronounced). 후속하는 추가적인 프로세싱 동안, 특히 준비 및 스트리핑(stripping) 동안, 실리콘 피복의 분리는 강한 접착성에 의해 상당히 더 어려워지는데, 이는 실리콘 잔여물들이 보통 이러한 프로세스에서 전도체 상에 남아있기 때문이다. 특히, 이러한 잔여물들은, 그 후 임의의 후속하는 크림핑(crimping) 또는 용접 프로세스를 방해한다. 이를 피하기 위해, 종이, PET 부직포(nonwoven fabric), PET 필름(film), PTFE 필름, 또는 유사한 재료들의 필름들로 만들어진 분리 층은 케이블의 제작 동안 전도체에 적용될 수 있다. 가공된(finished) 케이블에서, 분리 층은, 그 후, 2 개의 재료들의 직접적인 인접함(adjacency), 그리고 그러므로 이 재료들의 결합 또는 접합이 방해되는 방식으로, 전도체와 피복 사이에 공간적으로(spatially) 배열되는 분리부(separator)를 형성한다. 그러나, 심지어 이러한 설계에서, 필름들의 부분들은 종종 스트리핑 후에 남아있으며, 그리고, 그 후 예를 들어 손으로 힘들게 제거되어야 한다.
[ 발명의 개요 ]
이를 기초하여, 본 발명의 목적은 케이블을 명시하는 것이며, 이 케이블에 의해, 준비 및 스트리핑은 간소화된 방식으로 달성될 수 있다. 이러한 맥락에서, 케이블의 전도체는, 전도체가 가능한 잔여물이 없도록, 스트리핑가능해야(strippable) 한다. 스트리핑된 전도체로부터의 잔여물의 추가적인 세정에 대한 필요는 회피되어야 한다. 또한, 상응하는 케이블을 제작하기 위한 방법은 명시되어야 한다. 이러한 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 케이블은 제 1 항의 특성들에 의해 설계된다. 목적은 제 12 항의 특성들을 갖는 이러한 케이블을 제작하기 위한 방법에 의해 본 발명에 따라 추가적으로 달성된다. 유리한 실시예들, 개선예들, 및 변경예들은 종속항들의 요지이다. 이에 따라, 케이블에 대한 제공이 본 발명에 따라 이루어져, 실리콘 피복과 전도체 사이에 위치되는 분리 층을 가지며, 이 분리 층은, 실리콘 피복의 재료와 비교하여, 전기 전도체에 대한 더 낮은 접착성을 가지는 실리콘 재료로 만들어진다. 다시 말해, 종래의 경우, 즉, 특히, 상기 분리 층 없이, 실리콘 피복은, 본원에서 설명된 케이블 내에서 분리 층이 접착하는 것보다, 전도체에 대해 더 강하게 접착한다. 발명에 의해 달성된 장점들은, 특히, 실리콘 피복과 유사하지만, 그러나 전도체에 접착하지 않는 분리 층이 일반적으로 사용되는 재료들로 만들어진 분리 층 대신에 적용되는 것을 포함한다. 이러한 재료 선택의 결과로써, 실리콘 피복 및 분리 층은, 특히 조합된 케이블 피복을 제조하기 위해 서로에 대해 결합되며, 전도체에 대한 조합된 케이블 피복의 접착성은, 단지 실리콘 피복뿐인 경우와 비교하여, 상당히 감소되거나 또는 심지어 회피된다. 더욱이, 유리하게, 분리 층은, 스트리핑 또는 피복 제거 동안 실리콘 피복과 함께 자동으로 제거된다. 분리 층과 실리콘 피복 사이의 접합은 특히 이들 각각이 실리콘 또는 실리콘-유사(silicone-like) 재료로 만들어지고, 그리고 따라서 특히 서로에 대해 잘 접착하는 사실로부터 유발된다. 분리 층의 실리콘 피복과 실리콘 재료 양자 모두는 적어도 주로 실리콘, 특히 실리콘 탄성 중합체로 구성된다. 그러나, 외부 피복 및 분리 층은 서로 상이하다. 특히, 분리층은 전도체에 외부 피복의 재료가 접착하는 것보다 상당히 훨씬 덜 접착한다. 따라서, 분리 층은, 즉 내측을 향하는 전도체에 특히 부실하게 접착하고, 그리고, 즉 외측을 향하는 실리콘 피복에 특히 강하게 접착하는 층을 유리하게 형성한다. 그 결과, 준비 또는 스트리핑 동안 잔여물이 없는 전도체를 노출시키는 것은 가능하다. 이는, 특히, 달리 추가되는 세정 단계를 제거하며, 이 세정 단계에서, 전도체의 스트리핑된 부품이 분리 층의 남아있는 잔여물들 및/또는 실리콘 피복들에 대해 세정된다. 분리 층 및 실리콘 피복의 특히 유리한 접합은, 분리 층이 실리콘 피복에 일체로 결합되는 수단에 의해, 바람직한 실시예에서 달성될 수 있다. 이러한 일체형 조인트(integral joint)는 특정 재료 선택의 결과로써 특히 간단히 달성될 수 있다. 실리콘 피복과 분리 층 양자 모두가, 즉, 특히 또한 실리콘-유사 재료인 실리콘으로부터 만들어지기 때문에, 서로에 대해 케이블의 이러한 2 개의 부품들을 특히 강하게 접합하는 것은 제작 동안 특히 또한 가능하다. 분리 층 및 실리콘 피복은, 그 후, 유용하게 분리할 수 없으며, 즉, 이들은 서로에 대해 접합되어, 이들은, 후에, 분리될 수 없거나, 또는 적어도 서로에 대한 강한 접착성을 가져, 실리콘 피복이 스트리핑될 때, 분리 층은 이에 의해 확실하게(reliably) 제거된다. 높은 접착성은, 특히, 분리 층과 전도체 사이의 접착성보다 더 강한 접착성으로서, 본원에서 이해된다. 이에 따라, 전도체에 대한 이러한 더 낮은 접착성 또는 심지어 이에 대한 접착성의 부족 때문에, 잔여물들은 전도체 상에 남아있지 않다. 실리콘 재료는, 특히, 실리콘 기반이고, 실리콘-유사물, 또는 실제 실리콘인 재료로서, 본원에서 이해된다. 특히, 실리콘 피복을 위한 것과 같이, 실리콘 재료를 위한 원료(starting material)와 동일한 실리콘을 사용하는 것은 가능하다. 대안적으로, 2 개의 상이한 실리콘들을 사용하는 것은 가능하다. 이러한 맥락에서, 실내 온도에서 고체 상태인 것과 같은 이러한 실리콘들은, 바람직하게는, 또한 특히 분리 층을 위해서뿐만 아니라, 실리콘 피복을 위해 사용된다. 실리콘 재료는 편리하게 실리콘 피복의 재료보다 더 높은 밀도를 가진다. 이러한 밀도는, 바람직하게는, 대략 1.5 g/cm3 내지 1.8 g/cm3의 범위에 있다. 예를 들어, 1.1 g/cm3 내지 1.2 g/cm3의 범위의 밀도를 통상적으로 가지는 종래의 실리콘으로 만들어진 실리콘 피복의 재료와 비교하여, 분리 층의 밀도는, 따라서, 대략 8분의 일 만큼(by one quarter to approximately one half) 실리콘 피복의 밀도보다 일반적으로 더 높다. 보다 높은 밀도의 결과로써, 더 높은 경도가 또한 달성되며, 특히, 이는 전도체에 대한 낮은 접착성을 조성한다(foster). 유리하게, 실리콘 재료는 하나 이상의 필러가 제공되는 재료이며, 특히 필러가 부화된(enriched) 실리콘이다. 필러는, 따라서, 실리콘 내에 내장되며, 특히 체적에 걸쳐 균일하게 분포된다. 따라서, 실리콘은, 존재한다면(as it were), 매트릭스(matrix) 또는 캐리어(carrier)를 형성하며, 이 매트릭스 또는 캐리어 내에, 즉 개별 입자들인 필러가 내장된다. 필러의 추가 또는 혼합은, 특히, 분리 층을 위한 실리콘 재료의 밀도에 대한 적합한 조절을 허용한다. 더욱이, 실리콘 피복 및 전도체 양자 모두에 대한 분리 층의 접착 및 접합 작용(behavior)을 유리하게 조절하는 것은 필러에 의해 가능하다. 이에 따라, 필러의 추가는, 필러가 없는 경우와 비교하여, 실리콘 피복에 대한 접착성이 증가되거나 또는 전도체에 대한 접착성이 감소되는, 바람직하게는 심지어 양자 모두의 경우가 일어나는(preferably even both) 방식으로, 유용하게 일어난다. 편리하게, 필러는 무기 (고체) 물질(mineral (solid) substance), 특히 파우더형 물질(powdered substance)이다. 이러한 성질(nature)의 물질은, 특히, 케이블의 전도체에 대한 실리콘 재료의 접착성을 감소시키는데 유리하게 공헌하며, 즉, 전도체에 대한 접착성은 일반적으로 필러에 의해 상당히 감소된다. 동시에, 실제로 필러를 위한 캐리어로서의 실리콘 재료의 사용은, 또한, 실리콘 피복에 대한 직접적인 일체형 연결을 유리하게 보장하며, 이는, 즉, 특히 실리콘 피복과의 접합이다. 필러는, 바람직하게는, ㎛ 범위의, 예를 들어, 수십 ㎛의 범위의 입자 크기를 가진다. 실리콘 다이옥사이드(silicon dioxide) 또는 규산(silicic acid)은, 바람직하게는 필러로서 사용된다. 이러한 필러들은, 특히, 결과적으로 특히(especially well) 실리콘 재료에 추가될 수 있는 실리콘 기반 무기 물질들이다. 바람직하게는, 예컨대, 예를 들어 에보닉 인더스트리스(Evonik Industries)의 상품명 에어로실(AEROSIL)로 공지되어 있는 발열성 규산이 사용된다. 실리콘 재료의 필러의 비율은, 순수 실리콘과 비교하여 특히 증가된 밀도로부터 유발된다. 필러의 비율은, 바람직하게는, 최소 10 중량% 그리고 최대 70 중량%이다. 적합한 개선예에서, 필러의 비율은, 바람직하게는, 최소 30 중량% 그리고 최대 60 중량%이다. 편리하게, 이러한 디자인에서, 동일한 실리콘, 특히 실리콘 탄성 중합체는 한편으로 실리콘 피복을 위한 그리고 다른 한편으로 필러용 캐리어를 위한 실리콘으로서 사용된다. 바람직한 변형예에서의 실리콘 피복 및 분리 층은, 따라서, 오직 필러들에 의해 상이하다. 디오가노(폴리)실록산(diorgano(poly)siloxanes) 기반 열-경화 실리콘은, 바람직하게는, 실리콘 재료를 위한 그리고/또는 실리콘 피복을 위한 실리콘 물질로서 사용된다. 따라서, 바람직하게는, 실리콘 피복은 이러한 열 경화 실리콘으로 만들어지며, 그리고 실리콘 재료는, 바람직하게는, 특히, 필러들이 내장된 동일한 열 경화 실리콘의 실리콘 매트릭스로 마찬가지로 만들어진다. 이러한 발명은, 일반적으로 HTV(고온 가황(high temperature vulcanizing)) 실리콘으로서 지칭되는 디오가노(폴리)실록산 기반 열 경화 실리콘들에 관한 것이다. 이러한 실리콘들은, 하이드로카본-실록산 공중합체들(hydrocarbon-siloxane copolymers)뿐만 아니라, 지금까지(hitherto) 공지되어 있는 선형, 분기형(branched), 또는 고리형의(cyclic) 디오가노폴리실록산일 수 있으며, 이는 평균적으로(on average) 터미널 지방족 카본-카본 이중 결합(terminal aliphatic carbon-carbon double bond)을 갖는 하나 초과의 실리콘 카본-결합된 유기 라디칼(silicon carbon-bonded organic radical)을 가진다. 예를 들어, 화학식 R1SiOR2를 갖는 유닛들로 구성되는 이들은 본 발명에 따라 사용되는 디오가노폴리실록산을 위해 사용되며, 여기서 R은 1 내지 18 카본 원자들을 갖는 지방족 포화된, 선택적으로 치환 결합형(substituted bonded) 하이드로카본 라디칼들과 동일하거나 또는 상이할 수 있고 그리고 이들을 나타내며, R2는 터미널 지방족 카본-카본 이중 결합을 갖는 결합된 유기 라디칼들을 나타낸다. 바람직하게는, 알킬 또는 아릴 퍼옥사이드들(peroxides)의 그룹으로부터의 가교제들(crosslinking agents)이 가교화(crosslinking)를 위해 포함된다. 알킬 퍼옥사이드들의 예들은 디큐밀 퍼옥사이드(dicumyl peroxide), 디-터트 뷰틸 퍼옥사이드(di-tert butyl peroxide), 및 2,5-디-터트-뷰틸퍼옥시-2,5-디메틸 헥세인(2,5-di-tert-butylperoxy-2,5-dimethyl hexane)을 포함한다. 아릴 퍼옥사이드들의 예들은 벤조닐 퍼옥사이드, 비스(bis)(2.4 디클로로벤조일(dichlorobenzoyl)) 퍼옥사이드, 및 비스(4-메틸 벤조일(methyl benzoyl)) 퍼옥사이드를 포함한다. 바람직한 실시예에서, 전도체는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 만들어진다. 이러한 방식으로, 케이블은 특히 경제적으로, 특히 구리로 만들어진 전도체에 대한 경우보다 더 경제적으로 제작될 수 있다. 분리 층의 결과로써, 알루미늄 전도체에 대한 실리콘 피복의 접착은, 그 후, 유리하게 회피되며, 그리고 전도체는 잔여물 없이 스트리핑될 수 있다. 적합한 실시예에서, 전도체는 와이어이며, 그리고, 이러한 디자인에서, 특히 단일 피스(single piece)로서 구체화된다. 반대로, 또한 적합한 변경예에서, 전도체는 연선된 전도체 또는 와이어 로프(wire rope)이며, 그리고, 따라서, 특히 함께 트위스팅되거나 연선된, 특히 다수의 와이어들을 포함한다. 따라서, 분리 층에 대한 전술된 장점들은, 특히, 전도체의 임의의 실시예들에 대해 적용한다. 특히, 다수의 와이어들로 만들어진 전도체의 경우에, 이의 바깥쪽으로 향하는(outward-facing) 표면은 일반적으로 더 크며, 그리고 또한 단일-피스 전도체의 바깥쪽으로 향하는 표면보다 더 비균일하여서, 접착의 감소 또는 회피가, 이러한 경우에, 특히 유리하다. 제 1 변경예에서, 케이블은 단지 하나의 전도체를 가지고, 그리고, 따라서 와이어 절연부 내에 직접적으로 둘러싸인, 전도체, 심지어 멀티-와이어(multi-wire) 전도체로 구성되는 절연된 와이어의 방식으로 구성된다. 그러나, 대안적으로, 다수의 개별 전도체들은 또한 실리콘 피복에 의해 둘러싸일 수 있으며, 여기서, 다수의 전도체들은 함께, 그룹들로, 또는 하나 또는 심지어 그 초과의 분리 층들에 의해 별도로(separately) 분리되며, 분리 층들 각각은 분리 슬리브들(separating sleeves)의 방식으로 전도체 또는 전도체 그룹들을 둘러싼다. 이러한 방식으로, 특히, 멀티-전도체 케이블은 형성된다. 바람직한 개선예에서, 케이블은 다수의 보조 케이블들을 추가적으로 포함하며, 이는 보조 케이블 피복, 특히 실리콘 피복을 갖는 단일-전도체 또는 멀티-전도체 케이블들로서, 결국, 구현된다. 다수의 보조 케이블들은, 케이블 피복과 같은 보편적인 실리콘 피복을 가지는 복합재 케이블(composite cable)에 조합된다. 개별 보조 케이블들은 보편적인 분리 층에 의해 보편적인 케이블 피복으로부터 분리되며, 그리고/또는 각각의 보조 케이블을 위한 개별 분리 슬리브들에 의해 서로로부터 분리되고, 그리고, 따라서, 유리하게, 특히 간단한 방식으로 별도로 스트리핑될 수 있다. 케이블을 제작하기 위해, 일반적으로 전기 전도체, 예를 들어, 연선된 전도체 또는 와이어 로프 또는 적합하다면(as appropriate) 또한 솔리드 와이어(solid wire)는 실리콘 재료로 만들어진 분리 층 내에 둘러싸여서, 이러한 분리 층은 전도체와 직접 접촉한다. 실리콘 피복은, 분리 층 바로 위에서 추가적으로 적용되며, 이 분리 층은, 즉, 이 실리콘 피복을 둘러싸고, 그리고, 특히 실리콘 피복에 일체로 결합된다. 분리 층은, 그 후, 전도체와 실리콘 피복 사이에서 공간적으로(spatially) 적용된다. 제 1 적합한 변형 실시예에서, 제 1 분리 층은 압출 프로세스에서 적용되고, 그리고, 따라서, 제 1 내부 실리콘 피복의 방식으로 전도체 둘레에 마찬가지로 위치된다. 이러한 준비된 반가공된(prepared semifinished) 제품에는, 그 다음에는, 실제 실리콘 피복이 설비되며, 이는 이제 제 2 외부 실리콘 피복이다. 특히, 2 개의 실리콘 피복들은, 그 후, 조합된 실리콘 피복 내로 함께 접합하며, 이 실리콘 피복은, 이제, 유리하게 잔여물 없이 전도체로부터 제거될 수 있다. 대안적으로, 즉, 양자 모두가 내부 실리콘 피복 및 또한 외부 실리콘 피복의 형태의 분리 층인 2 개의 실리콘 피복들은 조합된 동시-압출 프로세스에서 생성된다. 2 개의 실리콘 피복들의 유사한 재료들 때문에, 이러한 성질의 동시-압출은 특히 실시하기에(carry out) 간단하다. 이는, 특히 필수의 툴들(tools) 및 프로세스 단계들에 대해, 특히 콤팩트한 제작 프로세스를 유발시킨다.
[ 도면의 간단한 설명 ]
예시적인 실시예는 도면을 참조로 하여 아래에 자세히 설명된다. 본원에서 단독의 도면, 도 1은 케이블을 단면도로 도시한다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
도시되는 예시적인 실시예에서, 전도체(4), 특히 중심의 전도체는 케이블(2) 내에서 연선된 전도체 또는 와이어 로프로서 구현되고, 그리고 바람직하게는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 전체가 만들어진 복수의 개별 와이어들(6)을 포함한다. 이들은 실리콘 재료로 만들어진 비접착식 분리 층(non-adhering separation layer)(8)에 의해 둘러싸이며, 이 실리콘(silicone) 재료는, 이러한 경우에, 추가된 필러(filler)(9)를 갖는 실리콘이다. 발열성 규산(pyrogenic silicic acid)이, 특히 필러(9)로서 제공된다. 최종적으로, 분리 층(8)은 실리콘 피복(10)에 의해 둘러싸인다. 여기서, 실리콘 피복은 분리 층(8)보다 반경 방향으로의 상당히 더 큰 벽 두께를 가진다. 케이블에서, 내부 및 외부 실리콘 피복으로서의 분리 층(8) 및 실리콘 피복(10) 각각은, 케이블(2)의 조합된 실리콘 피복(10)을 형성한다. 예시적인 실시예에서 사용되는 필러(9)는, 소위, 발열성 규산이며, 이 발열성 규산은, 예를 들어, 대략 2.2 g/cm3의 밀도를 가진다. 일반적으로, 실리콘 재료 내의 필러(9)의 비율은 20중량% 내지 70중량% 사이의 범위, 특히 30중량% 내지 60중량% 사이의 범위에 있다.
[ 부호의 설명 ]
2 케이블 4 (전기) 전도체 6 와이어 8 분리 층 9 필러 10 실리콘 피복
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본 발명은 전기 전도체(4), 전도체를 둘러싸는 실리콘 피복(10), 그리고 전도체(4)와 실리콘 피복(10) 사이의 분리 층(8)을 포함하는 케이블(2)에 관한 것이다. 상기 케이블(2)은, 분리 층(8)이 실리콘 피복(10)의 재료보다 전도체(4)에 대해 덜 접착성이 있는 실리콘 재료로 만들어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명은, 추가적으로, 상기 유형의 케이블(2)을 제작하기 위한 방법에 관한 것이다.
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[ 발명의 명칭 ]
하향링크 리소스 스케쥴링DOWNLINK RESOURCE SCHEDULING
[ 기술분야 ]
관련 출원의 상호 참조본 출원은 그 전체 개시 내용이 본 명세서에 참조로서 합체되어 있는, 발명의 명칭이 "진보형 무선 통신 시스템 및 기술(ADVANCED WIRELESS COMMUNICATION SYSTEMS AND TECHNIQUES)"인 2011년 11월 4일 출원된 미국 가특허 출원 제 61/556,109호를 우선권 주장한다.분야본 발명의 실시예는 일반적으로 통신 분야에 관한 것으로서, 더 구체적으로 무선 통신 네트워크에서 하향링크(downlink) 리소스 스케쥴링에 관한 것이다.
[ 배경기술 ]
LTE-어드밴스드(LTE-A)라 또한 칭할 수 있는 3세대 파트너쉽 프로젝트(3rd Generation Partnership Project: 3GPP) 장기 진화(long term evolution: LTE) 릴리즈 10(2011년 3월)에서, 이종 네트워크(heterogeneous network: HetNet)는 고-처리량 통신을 제공하기 위해 의존되고 있다. HetNet는 예를 들어 매크로, 피코 또는 펨토와 같은 상이한 전력 등급(power class) 및 예를 들어 개방 또는 폐쇄 가입자 그룹(CSG)과 같은 액세스 등급(access class)의 셀을 포함할 수 있다. 3GPP LTE 릴리즈 8(2009년 9월)에서 셀간 간섭 조정(intercell interference coordination: ICIC) 제어 시그널링의 결여를 수용하기 위해, 교차 반송파 스케쥴링(cross carrier scheduling)을 갖는 멀티캐리어 동작이 제공되었다. 이는 제 1 요소 반송파의 서브프레임에 적용 가능한 제어 정보가 더 신뢰적인 것으로 간주되었던 다른 요소 반송파(component carrier)의 대응 서브프레임 내에서 전송되는 것을 허용할 것이다. 단일 서브프레임 교차 반송파 스케쥴링 동작은 HetNet를 위한 향상된 제어 신뢰성을 제공하고 향상된 ICIC(eICIC)를 가능하게 하기 위해 UE 전용 하향링크 제어 정보(downlink control information: DCI)의 반송파 식별 필드(carrier identification field: CIF)의 사용에 의해 용이하게 된다.3GPP LTE 릴리즈 11에서, 각각의 요소 반송파는 그 자신의 시분할 듀플렉싱(time-division duplexing: TDD) 상향링크-하향링크(UL-DL) 구성을 가질 수 있다. 그러나, 상이한 TDD UL-DL 구성을 갖는 반송파의 집성(aggregation)은 교차 반송파 스케쥴링을 복잡하게 할 수 있다.
[ 도면의 간단한 설명 ]
실시예는 첨부 도면과 관련하여 이하의 상세한 설명에 의해 즉시 이해될 수 있을 것이다. 이 설명을 용이하게 하기 위해, 유사한 도면 부호는 유사한 구조 요소를 나타낸다. 실시예는 첨부 도면들의 도면에 한정으로서가 아니라 예시로서 도시되어 있다.도 1은 다양한 실시예에 따른 무선 통신 네트워크를 개략적으로 도시한다.도 2a 내지 도 2c는 다양한 실시예에 따른 스케쥴링 시나리오를 개략적으로 도시한다.도 3은 다양한 실시예에 따른 멀티-서브프레임 교차 반송파 스케쥴링(MSCC) 표를 도시한다.도 4는 다양한 실시예에 따른 MSCC 표를 도시한다.도 5는 다양한 실시예에 따른 무선 프레임의 MSCC 스케쥴링을 도시한다.도 6은 다양한 실시예에 따른 사용자 장비의 동작을 도시하는 흐름도이다.도 7은 다양한 실시예에 따른 기지국의 동작을 도시하는 흐름도이다.도 8은 다양한 실시예에 따른 예시적인 시스템을 개략적으로 도시한다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
본 발명의 예시적인 실시예는 무선 네트워크에서 하향링크 리소스 스케쥴링을 위한 방법, 시스템 및 장치를 포함하지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.예시적인 실시예의 다양한 양태는 당 기술 분야의 다른 숙련자들에게 그들의 연구의 내용을 전달하기 위해 당 기술 분야의 숙련자들에 의해 통상적으로 채용되는 용어를 사용하여 설명될 것이다. 그러나, 대안적인 실시예가 설명된 양태의 단지 일부만으로 실시될 수 있다는 것이 당 기술 분야의 숙련자들에게 명백할 것이다. 설명의 목적으로, 특정 수, 재료 및 구성이 예시적인 실시예의 철저한 이해를 제공하기 위해 설명된다. 그러나, 대안적인 실시예가 특정 상세 없이 실시될 수 있다는 것이 당 기술 분야의 숙련자에게 명백할 것이다. 다른 경우에, 공지의 특징은 예시적인 실시예를 불명료하게 하지 않기 위해 생략되거나 간단화된다.또한, 다양한 동작은 이어서 예시적인 실시예를 이해하는데 있어서 가장 도움이 되는 방식으로 다수의 개별 동작들로서 설명될 것이지만, 설명의 순서는 이들 동작이 반드시 순서 종속성이 있는 것을 암시하는 것으로서 해석되어서는 안된다. 특히, 이들 동작은 제시 순서로 수행될 필요는 없다.구문 "몇몇 실시예에서"가 반복적으로 사용된다. 이 구문은 일반적으로 동일한 실시예를 칭하는 것은 아니지만, 그럴수도 있다. 용어 "포함하는", "갖는" 및 "구비하는"은 문맥상 달리 지시되지 않으면 동의어이다. 구문 "A 및/또는 B"는 (A), (B) 또는 (A 및 B)를 의미한다. 구문 "A/B"는 구문 "A 및/또는 B"와 유사하게 (A), (B) 또는 (A 및 B)를 의미한다. 구문 "A, B 및 C 중 적어도 하나"는 "(A), (B), (C), (A 및 B), (A 및 C), (B 및 C) 또는 (A, B 및 C)"를 의미한다. 구문 "(A)B"는 "(B) 또는 (AB)"를 의미하는데, 즉 A는 선택적이다.특정 실시예가 본 명세서에 예시되고 설명되지만, 광범위한 대안적인 및/또는 등가의 구현예가 본 발명의 실시예의 범주로부터 벗어나지 않고, 도시되고 설명된 특정 실시예를 대체할 수도 있다는 것이 당 기술 분야의 숙련자들에 의해 이해될 수 있을 것이다. 본 출원은 본 명세서에 설명된 실시예의 임의의 개조 또는 변형을 커버하도록 의도된다. 따라서, 본 발명의 실시예는 단지 청구범위 및 그 등가물에 의해서만 한정되도록 명백하게 의도된다.본 명세서에 사용될 때, 용어 "모듈"은 응용 주문형 집적 회로(Application Specific Integrated Circuit: ASIC), 전자 회로, 하나 이상의 소프트웨어 또는 펌웨어 프로그램을 실행하는 프로세서(공유, 전용 또는 그룹) 및/또는 메모리(공유, 전용 또는 그룹), 조합형 논리 회로 및/또는 설명된 기능성을 제공하는 다른 적합한 구성요소를 칭하고, 이들의 부분이거나, 이들을 포함할 수 있다.도 1은 다양한 실시예에 따른 무선 통신 네트워크(100)를 개략적으로 도시한다. 무선 통신 네트워크(100)(이하, "네트워크(100)")는 진화된 범용 이동 통신 시스템(universal mobile telecommunication system: UMTS) 지상 무선 액세스 네트워크(terrestrial radio access network)(E-UTRAN)와 같은 3세대 파트너쉽 프로젝트(3GPP) 장기 진화 어드밴스드(LTE-A) 네트워크의 액세스 네트워크일 수 있다. 네트워크(100)는 예를 들어 사용자 장비(user equipment: UE)(108)와 같은 모바일 단말과 무선 통신하도록 구성된, 예를 들어 향상된 노드 기지국(eNB)(104)과 같은 기지국을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예는 LTE-A 네트워크를 참조하여 설명되지만, 몇몇 실시예는 다른 타입의 무선 액세스 네트워크와 함께 사용될 수도 있다.UE(108)가 반송파 집성(carrier aggregation: CA)을 이용하는 것이 가능한 실시예에서, 다수의 요소 반송파(CC)가 eNB(104)와 UE(108) 사이의 통신을 위해 집성될 수 있다. 초기 접속 설정에서, UE(108)는 CC_0라 또한 칭할 수도 있는 1차 CC를 이용하여 eNB(104)의 1차 서빙 셀(Pcell)과 접속할 수 있다. 이 접속은 보안, 이동도, 구성 등과 같은 다양한 기능을 위해 사용될 수 있다. 그 후에, UE(108)는 하나 이상의 2차 CC를 이용하여 eNB(104)의 하나 이상의 2차 서빙 셀(Scell)과 접속할 수 있다. 이들 접속은 부가의 무선 리소스를 제공하는데 사용될 수 있다.몇몇 실시예에서, 하나 이상의 부가의 eNB, 예를 들어 eNB(112)가 예를 들어 HetNet 구성에서 채용될 수 있다. 몇몇 실시예에서, HetNet의 eNB는 상이한 전력 및/또는 액세스 등급을 각각 가질 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, eNB(104)는 매크로 eNB와 같은 비교적 고전력 기지국일 수 있고, 반면 eNB(112)는 예를 들어 피코 eNB 및/또는 펨토 eNB와 같은 비교적 저전력 기지국일 수 있다.eNB(112)는 eNB(104)와 유사하게 Pcell 및 하나 이상의 Scell(들)을 가질 수 있다. 그러나, 동일한 CC는 HetNet의 2개의 기지국을 위한 Pcell을 위해 사용되지 않을 것이다. 예를 들어, eNB(104)가 그 Pcell에 대해 CC_0를 갖고 그 Scell에 대해 CC_1을 가지면, eNB(112)는 그 Pcell에 대해 CC_1을, 그 Scell에 대해 CC_0를 가질 수 있다.UE(108)는 적어도 도시된 바와 같이 서로 결합된 수신기 모듈(120), 디코더 모듈(124), 스케쥴링 모듈(128) 및 송신기 모듈(132)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 디코더 모듈(124) 및/또는 스케쥴링 모듈(128)은 수신기 모듈(120)에 합체될 수 있다. 간략하게, 디코더 모듈(124)은 Pcell 또는 Scell을 통해 수신된 하향링크 전송을 디코딩하도록 동작할 수 있고, 반면 스케쥴링 모듈은 하향링크 내에서, UE(108)에 대해 스케쥴링된 전송을 식별하도록 동작할 수 있다. 수신기 모듈(120) 및 송신기 모듈(132)은 각각 또한 UE(108)의 복수의 안테나(132) 중 하나 이상과 결합될 수 있다.UE(108)는 임의의 수의 적합한 안테나를 포함할 수 있다. 다양한 실시예에서, UE(108)는 eNB로부터 UE(108)에 의해 수신된 동시 공간 계층 또는 스트림의 수와 적어도 동일한 수의 안테나를 포함할 수 있지만, 본 발명의 범주는 이 관점에 한정되지 않을 수도 있다. 동시 공간 계층 또는 스트림의 수는 또한 전송 랭크(rank) 또는 간단히 랭크라 칭할 수 있다.안테나(132) 중 하나 이상은 대안적으로 송신 또는 수신 안테나로서 사용될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 안테나(132) 중 하나 이상은 전용 수신 안테나 또는 전용 송신 안테나일 수 있다.eNB(104)는 적어도 도시된 바와 같이 서로 결합된 수신기 모듈(136), 스케쥴링 모듈(140), 인코더 모듈(144) 및 송신기 모듈(148)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 스케쥴링 모듈(140) 및/또는 인코더 모듈(144)은 송신기 모듈(148) 내에 합체될 수 있다. 수신기 모듈(136) 및 송신기 모듈(148)은 각각 또한 eNB(104)의 복수의 안테나(152) 중 하나 이상과 결합될 수 있다. eNB(104)는 임의의 수의 적합한 안테나를 포함할 수 있다. 다양한 실시예에서, eNB(104)는 UE(108)에 전송된 동시 전송 스트림의 수와 적어도 동일한 수의 안테나를 포함할 수 있지만, 본 발명의 범주는 이 관점에 한정되지 않을 수도 있다. 안테나(152) 중 하나 이상은 대안적으로 송신 또는 수신 안테나로서 사용될 수도 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 안테나(152) 중 하나 이상은 전용 수신 안테나 또는 전용 송신 안테나일 수 있다.명시적으로 도시되지는 않았지만, eNB(112)는 eNB(104)의 것들과 유사한 모듈/구성요소를 포함할 수 있다.물리적 하향링크 공유 채널(physical downlink shared channel: PDSCH)의 교차 반송파 스케쥴링에 의해, Pcell 내에 전송된 하향링크 제어 정보(downlink control information: DCI)는 Pcell 또는 Scell 중 하나에 속하는 하향링크 그랜트(grant) 정보를 제공할 수 있다. 하향링크 그랜트 정보는 대응 서빙 셀을 통해 UE(108)로 지향된 데이터를 포함하기 위한 것인 PDSCH의 하향링크 리소스의 지시일 수 있다. DCI는 그 값이 어느 서빙 셀에 하향링크 그랜트 정보가 속하는지를 지시하는 반송파 지시 필드(carrier indication field: CIF)를 포함할 수 있다.통상적으로, 교차 반송파 스케쥴링은 DCI가 전송되는 서브프레임에만 적용 가능한 하향링크 그랜트 정보에 제한된다. 예를 들어, 서브프레임 1에 전송된 DCI는 단지 서브프레임 1에만 적용될 것이지만, 이는 임의의 서빙 셀일 수 있다.다양한 실시예는 PDSCH 상의 멀티-서브프레임 교차 반송파(MSCC) 스케쥴링을 제공한다. 이는 Pcell의 제 1 서브프레임에 전송된 DCI가, 제 1 서브프레임보다 프레임 시퀀스에 있어서 더 이후에 발생하는 Scell들 중 하나 내의 제 2 서브프레임에 적용 가능하게 할 수 있다. 본 명세서에 설명된 MSCC는 심지어 상이한 TDD UL/DL 구성을 갖는 CC와 함께 사용될 수도 있다. 몇몇 실시예에서, 이 MSCC 스케쥴링은 DCI 검출 성능 열화를 회피하기 위해 DCI 오버헤드를 증가시키지 않고 지원될 수 있다. 이는 부분적으로는 설명되는 바와 같이 사전 결정된 서브프레임 페어링(pairing)의 프로비전을 통해 행해질 수 있다.MSCC 스케쥴링은 각각의 절반 무선 프레임 내에 사전 결정된 서브프레임 페어링 (x, y)을 포함할 수 있다. 페어링은 제 1 페어링 (0, 3) 및 제 2 페어링 (1, 4)을 포함할 수 있다. 이들 특정 페어링은 페어링된 서브프레임들 사이에 동일한 프로세싱 지연을 제공할 수 있다. 그러나, 다른 실시예는 다른 페어링을 포함할 수 있다.일반적으로, 사전 결정된 서브프레임 페어링은 특히 Scell의 y 서브프레임 내의 하향링크 리소스를 식별하는 Pcell의 x 서브프레임에 전송된 DCI 내의 DL 그랜트 정보 및 DCI의 옵션을 제공할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 서브프레임 페어링은 단지, CC의 특정 TDD UL/DL 구성이 통상의 메커니즘에 따라 DL 그랜트 정보의 전송을 방지하는, 즉 Pcell의 동일한 서브프레임 내의 Scell에 대한 DL 그랜트 정보를 전송하는 경우에 구현될 수 있다.실시예는 Pcell 서브프레임 y가 DL 서브프레임이면, 서브프레임 y에 대한 DCI가 Pcell 서브프레임 y에서 전송될 수 있는 것을 제공한다. 그러나, Pcell 서브프레임 y가 UL 서브프레임이고, 이에 의해 DL 그랜트 정보의 전송을 방지하면, Scell의 서브프레임 y에 대한 DCI는 Pcell 서브프레임 x에서 전송될 것이다. 이는 도 2a 내지 도 2c에 도시된 시나리오를 참조하여 알 수 있다.도 2a는 Pcell이, 서브프레임 0은 하향링크 서브프레임(D)이고, 서브프레임 1은 특정 서브프레임(S)이고, 서브프레임 2 내지 4는 상향링크 서브프레임(U)인 TDD 구성 0을 갖는 시나리오를 도시한다. TDD 구성은 이하의 표 1에 의해 정의될 수 있다.특정 서브프레임은 3개의 필드, 즉 DCI를 포함할 수 있는 하향링크 파일럿 시간 슬롯(DwPTS), 보호 구간(guard period: GP) 및 상향링크 파일럿 시간 슬롯(UpPTS)을 포함할 수 있다.도 2a의 Scell은 서브프레임 0 및 4가 하향링크 서브프레임이고, 서브프레임 1은 특정 서브프레임이고, 서브프레임 2 및 3은 상향링크 서브프레임인 TDD 구성 1을 갖는다.몇몇 실시예에서, Pcell의 서브프레임 0은 Scell의 서브프레임 0 내의 하향링크 리소스를 식별하는 DCI를 포함할 수 있다. (0, 3)에 대한 서브프레임 페어링은, Scell의 제 3 서브프레임이 상향링크 서브프레임이고, 따라서 DL 그랜트 정보를 필요로 하지 않을 것이면 요구되지 않는다는 것이 주목될 수 있다.Pcell의 서브프레임 1은 Scell의 서브프레임 1 및/또는 Scell의 서브프레임 4 내의 하향링크 리소스를 식별하는 DCI를 포함할 수 있다. 서브프레임 페어링 (1, 4)는 이 경우에 Pcell의 서브프레임 y, 즉 서브프레임 4가 상향링크 서브프레임이기 때문에 구현될 수 있다.도 2b는 Pcell이, 서브프레임 0이 하향링크 서브프레임이고, 서브프레임 1이 특정 서브프레임이고, 서브프레임 2 내지 4가 상향링크 서브프레임인 TDD 구성 0을 갖는 시나리오를 도시한다. Scell은 서브프레임 0, 3 및 4가 하향링크 서브프레임이고, 서브프레임 2가 특정 서브프레임이고, 서브프레임 2가 상향링크 서브프레임인 TDD 구성 2를 갖는다.Pcell의 서브프레임 0은 Scell의 서브프레임 0 및/또는 서브프레임 3 내의 하향링크 리소스를 식별하는 DCI를 포함할 수 있다. 서브프레임 페어링 (0, 3)은 이 경우에, Pcell의 서브프레임 y, 즉 서브프레임 3이 상향링크 서브프레임이기 때문에 구현될 수 있다. 도 2a의 시나리오와는 달리, Scell의 서브프레임 3은 하향링크 서브프레임이고, 따라서 DL 그랜트를 수신할 수 있다.Pcell의 서브프레임 1은 Scell의 서브프레임 1 및/또는 서브프레임 4 내의 하향링크 리소스를 식별하는 DCI를 포함할 수 있다. 서브프레임 페어링 (1, 4)는 이 경우에 Pcell의 서브프레임 y, 즉 서브프레임 4가 상향링크 서브프레임이기 때문에 구현될 수 있다.도 2c는 Pcell이, 서브프레임 0 및 4가 하향링크 서브프레임이고, 서브프레임 1이 특정 서브프레임이고, 서브프레임 2 및 3이 상향링크 서브프레임인 TDD 구성 1을 갖는 시나리오를 도시한다. Scell은 서브프레임 0, 3 및 4가 하향링크 서브프레임이고, 서브프레임 2가 특정 서브프레임이고, 서브프레임 2가 상향링크 서브프레임인 TDD 구성 2를 갖는다.Pcell의 서브프레임 0은 Scell의 서브프레임 0 및/또는 서브프레임 3 내의 하향링크 리소스를 식별하는 DCI를 포함할 수 있다. 서브프레임 페어링 (0, 3)은 이 경우에 Pcell의 서브프레임 y, 즉 서브프레임 3이 상향링크 서브프레임이고, Scell의 서브프레임 3이 하향링크 서브프레임이기 때문에 구현될 수 있다.Pcell의 서브프레임 1은 서브프레임 1 내의 하향링크 리소스를 식별하는 DCI를 포함할 수 있다. 서브프레임 페어링 (1, 4)는 이 경우에 Pcell의 서브프레임 y, 즉 서브프레임 4가 하향링크 서브프레임이기 때문에 구현되지 않을 수도 있다. 따라서, Pcell의 서브프레임 4는 Scell의 서브프레임 4에 대한 DCI를 포함할 수 있다.MSCC 스케쥴링은 몇몇 실시예에 따라 도 3에 도시된 MSCC 표(300)의 사용에 의해 용이해질 수도 있다. MSCC 표(300)는 도시된 바와 같이 3-비트 CIF 값과 반송파 집성 레벨의 개별의 조합에 대한 맵핑 정보를 포함할 수 있다. 캐리어 집성 레벨은 얼마나 많은 CC 또는 서빙 셀이 eNB(104)와 UE(108) 사이의 통신을 위해 구성되는지를 칭할 수 있다. MSCC 표(300) 내의 값들은 지정된 CC, 예를 들어 CC_0, CC_1, CC_2 또는 CC_3 및 서브프레임 페어링 인덱스, 예를 들어 0 및/또는 1을 포함한다.DCI가 '000'의 CIF 값을 포함하면, DCI 정보는 Pcell에 속할 수 있다, 즉 CC_0. DCI가 '001'의 CIF 값을 포함하면, DCI 정보는 Scell의 서브프레임 페어의 제 1 서브프레임에 속할 수 있다, CC_1. 예를 들어, 도 2b를 참조하면, DCI가 Pcell의 서브프레임 0 내에서 전송되고 '001'의 CIF 값을 포함하면, 하향링크 그랜트 정보는 Scell의 서브프레임 0 내의 하향링크 리소스를 식별할 것이다. DCI가 Pcell의 서브프레임 1 내에서 전송되고 동일한 CIF 값을 포함하면, 하향링크 그랜트 정보는 Scell의 서브프레임 1 내의 하향링크 리소스를 식별할 것이다.DCI가 '010'의 CIF 값을 포함하면, DCI 정보는 Scell의 서브프레임 페어의 제 2 서브프레임에 속할 수 있다, CC_1. 예를 들어, 도 2b를 참조하면, DCI가 Pcell의 서브프레임 0 내에서 전송되고 '010'의 CIF 값을 포함하면, 하향링크 그랜트 정보는 Scell의 서브프레임 3 내의 하향링크 리소스를 식별할 것이다. DCI가 Pcell의 서브프레임 1 내에서 전송되고 동일한 CIF 값을 포함하면, 하향링크 그랜트 정보는 Scell의 서브프레임 4 내의 하향링크 리소스를 식별할 것이다.DCI가 '011'의 CIF 값을 포함하고 CA 레벨이 2 또는 3이면, DCI 정보는 Scell의 서브프레임 페어의 제 1 및 제 2 서브프레임에 속할 수 있다, CC_1. 예를 들어, 도 2b를 참조하면, DCI가 Pcell의 서브프레임 0 내에서 전송되고 '011'의 CIF 값을 포함하면, 하향링크 그랜트 정보는 Scell의 양 서브프레임 0 및 3 내의 하향링크 리소스를 식별할 것이다.DCI가 '011'의 CIF 값을 포함하고 CA 레벨이 4 또는 5이면, DCI 정보는 제 2 Scell의 서브프레임 페어의 제 1 서브프레임에 속할 수 있다, CC_2. 나머지 맵핑 정보는 유사한 방식으로 해석될 수 있다.MSCC 표(300) 내의 CIF는 LTE REL 10 내의 DCI의 현존하는 3-비트 CIF 필드와 호환성이 있기 위해 3-비트 값으로서 제공된다. 3-비트 값에 의해 제공된 8개의 상태는 CC/서브프레임 인덱스의 모든 가능한 조합을 포함하기에 충분하지 않을 수도 있지만, 대부분의 원하는 스케쥴링 동작을 고려하는데 충분할 수 있다.몇몇 실시예에서, CIF는 3 비트 초과 또는 미만으로 표현될 수도 있다. CIF가 3 비트 초과에 의해 표현되는 경우에, DCI 디코딩 효율과 부가의 CIF 상태에 의해 표현된 증가된 MSCC 스케쥴링 사이의 절충이 고려될 수 있다.특정 표 내에 포함되도록 선택된 값들은 특정 Scell 우선순위 방안을 반영할 수 있다. 일반적으로, 표는 eNB(104)가 최하위 Scell의 PDSCH를 먼저 스케쥴링할 가능성이 있다는 가정에 기초하여 하위-레벨 Scell을 향한 바이어스를 반영할 수 있다. 이는 후속의 Scell에 대해서보다는 제 1 Scell에 대해 더 낮은 주파수 대역을 이용하는 몇몇 전개 시나리오에 기인할 수 있다. 그러나, 상이한 Scell 우선순위 방안은 상이한 방식으로 상이한 Scell을 우선순위화할 수 있다.도 4의 표(404, 408)는 다양한 실시예에서 사용된 표의 디자인 내에 합체될 수 있는 몇몇 탄력성을 예시하는 다양한 Scell 우선순위 방안을 반영한다.표(404)는 제 1 셀, CC_1이 우선순위화되는 Scell 우선순위 방안을 제공한다. 따라서, 각각의 가능한 서브프레임 페어링 인덱스, 예를 들어 '0', '1' 및 '0,1'은 각각의 CA 레벨을 위해 제공된다. CA 레벨이 4 이상이면, 듀얼 서브프레임 스케쥴링, 즉 페어의 양 서브프레임들의 스케쥴링은 더 상위의 CC, 예를 들어 CC_2, CC_3 및 CC_4를 위해 지원되지 않는다. 더욱이, CA 레벨이 5일 때, 서브프레임 페어의 제 2 값의 스케쥴링은 CC_3 또는 CC_4를 위해 지원되지 않는다.표(408)는 제 1 및 제 2 Scell이 CA 레벨이 4 이상이면 우선순위화되는 Scell 우선순위 방안을 제공한다. CA 레벨이 4이면, 단지 서브프레임 페어의 제 1 값만이 CC_3에 대해 지원된다. CA 레벨이 5이면, 단지 서브프레임 페어의 제 1 값만이 CC_3 및 CC_4에 대해 지원되고, 듀얼 서브프레임 스케쥴링은 CC_2에 대해 지원되지 않는다.도 5는 Pcell 및 Scell이 몇몇 실시예에 따라 통신을 위해 구성되는 무선 프레임의 MSCC 스케쥴링을 도시한다. 무선 프레임은 Pcell의 서브프레임 0 및 6 및 Scell의 서브프레임 1, 3, 4, 5, 6 및 8 상의 PDSCH 전송을 갖는 10 ms 무선 프레임이다.차트(504)는 CIF 값 및 연계된 인디케이터를 포함하는 특정 DCI를 도시한다. 도 5의 실시예에서 반영된 MSCC 스케쥴링은 표(300)에 기초할 수 있다.Pcell의 서브프레임 0은 예를 들어 PDCCH 전송 내에, DCI(508, 512)를 포함할 수 있다. 각각의 DCI는 CIF 값 및 연계된 인디케이터를 포함할 수 있다. 인디케이터는 로서 나타내고, 여기서 ci는 반송파 인덱스, 0 또는 1이고, si는 서브프레임 인덱스이다.DCI(508)는 000의 CIF 값 및 인디케이터 을 포함할 수 있다. 표(300)를 참조하면, 인디케이터는 UE(108)로 지향된 데이터를 포함하기 위한 것인 Pcell의 서브프레임 0, 즉 반송파 0 내의 PDSCH 전송의 하향링크 리소스를 식별할 수 있다.DCI(512)는 010의 CIF 값 및 인디케이터 을 포함할 수 있다. 인디케이터는 UE(108)로 지향된 데이터를 포함하기 위한 것인 Scell의 서브프레임 3, 즉 반송파 1 내의 PDSCH 전송의 하향링크 리소스를 식별할 수 있다.Pcell의 서브프레임 1은 DCI(516)를 포함할 수 있다. DCI(516)는 011의 CIF 값 및 인디케이터 를 포함할 수 있다. DCI(516)의 인디케이터는 Scell의 서브프레임 1 및 5 내의 PDSCH 전송의 하향링크 리소스를 식별할 수 있다. 본 실시예에서, 식별된 리소스는 양 서브프레임 내의 동일한 위치에 있을 수도 있다.Pcell의 서브프레임 5는 DCI(520)를 포함할 수 있다. DCI(520)는 011의 CIF 값 및 인디케이터 을 포함할 수 있다. DCI(520)의 인디케이터는 Scell의 서브프레임 5 및 8 내의 PDSCH 전송의 하향링크 리소스를 식별할 수 있다.Pcell의 서브프레임 6는 DCI(524, 528)를 포함할 수 있다. DCI(524)는 Pcell의 서브프레임 6 내의 PDSCH 전송의 하향링크 리소스를 식별하기 위해 000의 CIF 값 및 인디케이터 을 포함할 수 있다. DCI(528)는 Scell의 서브프레임 6 내의 PDSCH 전송의 하향링크 리소스를 식별하기 위해 001의 CIF 값 및 인디케이터 을 포함할 수 있다.도 6은 몇몇 실시예에 따른 사용자 장비, 예를 들어 UE(108)의 동작(600)을 도시하는 흐름도이다.블록 604에서, 동작은 하향링크 제어 정보를 수신하는 것을 포함할 수 있다. DCI는 Pcell의 PDCCH 내의 리소스를 디코딩하는 디코더 모듈, 예를 들어 디코더 모듈(124)에 의해 수신될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 디코더는 DCI를 수신하기 위해 특정 탐색 공간 내의 블록을 블라인드 디코딩할 수 있다. DCI의 수신시에, 디코더 모듈은 이어서 스케쥴링 모듈, 예를 들어 스케쥴링 모듈(128)에 DCI를 제공할 수 있다.블록 608에서, 동작(600)은 대응 리소스를 결정하는 것을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 결정은 표에 액세스하고 DCI의 CIF 값에 기초하여 표 내의 값을 식별하는 스케쥴링 모듈에 의해 수행될 수 있다. 스케쥴링 모듈은 이어서 표로부터 값에 기초하여, UE로 지향된 데이터를 포함하기 위한 것인 PDSCH 내의 리소스를 식별할 수 있다. 이 식별은 전술된 바와 같이 수행될 수 있다. 스케쥴링 모듈은 식별된 리소스를 디코딩 모듈에 통신할 수 있다.블록 612에서, 동작(600)은 데이터를 수신하는 것을 포함할 수 있다. 데이터의 수신은 블록 608에서 스케쥴링 모듈에 의해 식별된 PDSCH 전송의 리소스를 디코딩하는 디코더 모듈에 의해 수행될 수 있다.도 7은 몇몇 실시예에 따른, 예를 들어 eNB(104)와 같은 기지국의 동작(700)을 도시하는 흐름도이다.블록 704에서, 동작(700)은 DCI 및 데이터를 스케쥴링하는 것을 포함할 수 있다. 스케쥴링은 Pcell의 제 1 서브프레임의 PDCCH 내의 DCI 및 Scell의 제 2 서브프레임의 PDSCH 내로 데이터를 스케쥴링하는 스케쥴링 모듈, 예를 들어 스케쥴링 모듈(140)에 의해 행해질 수 있다. DCI는 Scell의 제 2 서브프레임의 PDSCH 내의 데이터를 전달하는 하향링크 리소스를 식별할 수 있다.블록 708에서, 동작(700)은 DCI 및 데이터를 인코딩하는 것을 포함할 수 있다. DCI 및 데이터는 Pcell의 제 1 서브프레임의 PDCCH 내의 DCI 및 Scell의 제 2 서브프레임의 PDSCH 내의 데이터를 인코딩하는 인코더 모듈, 예를 들어 인코더 모듈(144)에 의해 인코딩될 수 있다. DCI는 3-비트 CIF 값으로서 인코딩될 수 있다.블록 712에서, 동작(700)은 DCI 및 데이터를 전송하는 것을 포함할 수 있다. DCI 및 데이터는 예를 들어 송신기 모듈(148)과 같은 송신기 모듈에 의해 전송될 수 있다.본 명세서에 설명된 모듈은 원하는 바와 같이 구성하기 위해 임의의 적합한 하드웨어 및/또는 소프트웨어를 사용하여 시스템 내에 구현될 수 있다. 도 8은 일 실시예에서, 하나 이상의 프로세서(들)(804), 프로세서(들)(804) 중 적어도 하나와 결합된 시스템 제어 로직(808), 시스템 제어 로직(808)과 결합된 시스템 메모리(812), 시스템 제어 로직(808)과 결합된 비휘발성 메모리(non-volatile memory: NVM)/저장 장치(816) 및 시스템 제어 로직(808)과 결합된 네트워크 인터페이스(820)를 포함하는 예시적인 시스템(800)을 도시한다.프로세서(들)(804)는 하나 이상의 단일-코어 또는 멀티-코어 프로세서를 포함할 수 있다. 프로세서(들)(804)는 범용 프로세서와 전용 프로세서(예를 들어, 그래픽 프로세서, 응용 프로세서, 기저대역 프로세서 등)의 임의의 조합을 포함할 수 있다.일 실시예의 시스템 제어 로직(808)은 프로세서(들)(804) 중 적어도 하나 및/또는 시스템 제어 로직(808)과 통신하는 임의의 적합한 디바이스 또는 구성요소에 임의의 적합한 인터페이스를 제공하기 위한 임의의 적합한 인터페이스 콘트롤러를 포함할 수 있다.일 실시예의 시스템 제어 로직(808)은 시스템 메모리(812)에 인터페이스를 제공하기 위한 하나 이상의 메모리 콘트롤러(들)를 포함할 수 있다. 시스템 메모리(812)는 예를 들어 시스템(800)을 위한 데이터 및/또는 명령어를 로딩하고 저장하는데 사용될 수 있다. 일 실시예의 시스템 메모리(812)는 예를 들어 적합한 동적 랜덤 액세스 메모리(dynamic random access memory: DRAM)와 같은 임의의 적합한 휘발성 메모리를 포함할 수 있다.NVM/저장 장치(816)는 예를 들어 데이터 및/또는 명령어를 저장하는데 사용된 하나 이상의 탠저블, 비일시적 컴퓨터-판독가능 매체를 포함할 수 있다. NVM/저장 장치(816)는 예를 들어 플래시 메모리와 같은 임의의 적합한 비휘발성 메모리를 포함할 수 있고, 그리고/또는 예를 들어 하나 이상의 하드 디스크 드라이브(들)(HDD(들)), 하나 이상의 콤팩트 디스크(CD) 드라이브(들) 및/또는 하나 이상의 디지털 다기능 디스크(DVD) 드라이브(들)와 같은 임의의 적합한 비휘발성 저장 디바이스(들)를 포함할 수 있다.NVM/저장 장치(816)는 시스템(800)이 설치되는 또는 필수적인 것은 아니지만 디바이스의 부분에 의해 액세스 가능할 수 있는 디바이스의 물리적 부분인 저장 리소스를 포함할 수 있다. 예를 들어, NVM/저장 장치(816)는 네트워크 인터페이스(820)를 거쳐 네트워크를 통해 액세스될 수 있다.시스템 메모리(812) 및 NVM/저장 장치(816)는 각각 특히 로직(824)의 일시적 및 영구적 사본을 포함할 수 있다. 로직(824)은 프로세서(들)(804) 중 적어도 하나에 의해 실행될 때, 시스템(800)이 본 명세서에 설명된 바와 같은 동작을 수행하기 위해 하나 이상의 모듈, 예를 들어 디코더 모듈(124), 스케쥴링 모듈(128), 스케쥴링 모듈(140) 및/또는 인코더 모듈(144)을 구현하게 하는 명령어를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 로직(824) 또는 그 하드웨어, 펌웨어 및/또는 소프트웨어는 부가적으로/대안적으로, 시스템 제어 로직(808), 네트워크 인터페이스(820) 및/또는 프로세서(들)(804) 내에 위치될 수 있다.시스템 메모리(812) 및 NVM/저장 장치(816)는 구현된 모듈 상에서 동작하거나 구현된 모듈과 관련하여 다른 방식으로 사용될 수 있는 데이터를 또한 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 MSCC 표는 시스템 메모리(812) 및/또는 NVM/저장 장치(816) 내에 저장되어 본 명세서에 설명된 MSCC 스케쥴링 동작을 구현하기 위한 모듈에 의해 액세스 가능하다.네트워크 인터페이스(820)는 시스템(800)이 하나 이상의 네트워크(들)를 통해 그리고/또는 임의의 다른 적합한 디바이스와 통신하게 하기 위한 무선 인터페이스를 제공하기 위한 송수신기(822)를 가질 수 있다. 송수신기(822)는 수신기 모듈(120) 및/또는 송신기 모듈(132)로 구현될 수 있다. 다양한 실시예에서, 송수신기(822)는 시스템(800)의 다른 구성요소와 일체화될 수 있다. 예를 들어, 송수신기(822)는 프로세서(들)(804)의 프로세서, 시스템 메모리(812)의 메모리 및 NVM/저장 장치(816)의 NVM/저장 장치를 포함할 수 있다. 네트워크 인터페이스(820)는 임의의 적합한 하드웨어 및/또는 펌웨어를 포함할 수 있다. 네트워크 인터페이스(820)는 다중 입력 다중 출력 무선 인터페이스를 제공하기 위한 복수의 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시예의 네트워크 인터페이스(820)는 예를 들어, 네트워크 어댑터, 무선 네트워크 어댑터, 전화 모뎀 및/또는 무선 모뎀을 포함할 수 있다.일 실시예에서, 프로세서(들)(804) 중 적어도 하나는 시스템 제어 로직(808)의 하나 이상의 콘트롤러(들)를 위한 로직과 함께 패키징될 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(들)(804) 중 적어도 하나는 시스템 인 패키지(System in Package: SiP)를 형성하기 위한 시스템 제어 로직(808)의 하나 이상의 콘트롤러를 위한 로직과 함께 패키징될 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(들)(804) 중 적어도 하나는 시스템 제어 로직(808)의 하나 이상의 콘트롤러(들)를 위한 로직과 동일한 다이 상에 일체화될 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(들)(804) 중 적어도 하나는 시스템 온 칩(System on Chip: SoC)을 형성하기 위해 시스템 제어 로직(808)의 하나 이상의 콘트롤러(들)를 위한 로직과 동일한 다이 상에서 일체화될 수 있다.시스템(800)은 입출력(I/O) 디바이스(832)를 더 포함할 수 있다. I/O 디바이스(832)는 시스템(800)과 사용자 상호 작용을 가능하게 하도록 설계된 사용자 인터페이스, 시스템(800)과 주변 장치 상호 작용을 가능하게 하도록 설계된 주변 장치 인터페이스 및/또는 시스템(800)에 관련된 환경 조건 및/또는 위치 정보를 결정하도록 설계된 센서를 포함할 수 있다.다양한 실시예에서, 사용자 인터페이스는 디스플레이(예를 들어, 액정 디스플레이, 터치스크린 디스플레이 등), 스피커, 마이크로폰, 하나 이상의 카메라(예를 들어, 스틸 카메라(still camera) 및/또는 비디오 카메라), 플래시라이트(예를 들어 발광 다이오드 플래시) 및 키보드를 포함할 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.다양한 실시예에서, 주변 장치 인터페이스는 비휘발성 메모리 포트, 오디오잭 및 전원 인터페이스를 포함할 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.다양한 실시예에서, 센서는 자이로 센서, 가속도계, 근접도 센서, 주위광 센서 및 포지셔닝 유닛을 포함할 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 포지셔닝 유닛은 또한 예를 들어 글로벌 포지셔닝 시스템(global positioning system: GPS) 위성과 같은 포지셔닝 네트워크의 구성요소와 통신하기 위한 네트워크 인터페이스(820)의 부분이거나 그와 상호 작용할 수 있다.다양한 실시예에서, 시스템(800)은 이들에 한정되는 것은 아니지만, 랩탑 컴퓨팅 디바이스, 태블릿 컴퓨팅 디바이스, 넷북, 울트라북, 스마트폰 등과 같은 모바일 컴퓨팅 디바이스일 수 있다. 다양한 실시예에서, 시스템(800)은 더 많거나 적은 구성요소 및/또는 상이한 아키텍처를 가질 수 있다.다양한 실시예에서, 기지국으로부터, 기지국의 Pcell의 제 1 서브프레임 내의 DCI를 수신하고 - DCI는 CIF 값 및 장치로 지향된 데이터를 포함하기 위한 것인 PDSCH의 하향링크 리소스를 지시하기 위한 인디케이터를 포함함 -, 사전 결정된 서브프레임 페어링 및 CIF 값에 기초하여, PDSCH 전송이 Scell의 제 2 서브프레임 내에 있는지를 판정하도록 구성된 스케쥴링 모듈을 포함하는 장치, 예를 들어 UE가 설명된다. 장치는 인디케이터 및 PDSCH 전송이 Scell의 제 2 서브프레임 내에 있는지의 상기 판정에 기초하여 PDSCH 전송의 하향링크 리소스를 디코딩하도록 구성된 디코더 모듈을 더 포함한다. 하향링크 리소스는 몇몇 실시예에서 물리적 리소스 블록일 수 있다.몇몇 실시예에서, 사전 결정된 서브프레임 페어링은 각각의 절반 무선 프레임 내의 2개의 서브프레임 사이의 페어링일 수 있다. 예를 들어, 페어링은 서브프레임 0 및 3 또는 서브프레임 1 및 4의 페어링일 수 있다.몇몇 실시예에서, 스케쥴링 모듈은 CIF 값 및 반송파 집성 레벨에 기초하여 맵핑 정보에 액세스하고, 맵핑 정보에 기초하여, 인디케이터가, 사전 결정된 서브프레임 페어링의 제 1 페어링된 서브프레임, 사전 결정된 서브프레임 페어링의 제 2 페어링된 서브프레임 또는 사전 결정된 서브프레임 페어링의 제 1 및 제 2 페어링된 서브프레임의 모두에 적용하는지를 판정하도록 또한 구성된다. 맵핑 정보는 CIF 값과 반송파 집성 레벨의 개별 조합을 위한 맵핑 정보를 제공하는 MSCC 표 내에 저장될 수 있다.몇몇 실시예에서, CIF 값은 8개의 상태를 갖는 3-비트 값이고, 반송파 집성 레벨은 2, 3, 4 또는 5이고, 맵핑 정보는, CIF 값이 제 1 상태이고 CA 레벨이 2, 3, 4 또는 5이면 Pcell, CIF 값이 제 2 상태이고 CA 레벨이 2, 3, 4 또는 5이면 제 1 Scell의 제 1 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 3 상태이고 CA 레벨이 2, 3, 4 또는 5이면 제 1 Scell의 제 2 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 4 상태이고 CA 레벨이 2 또는 3이면 제 1 Scell의 제 1 및 제 2 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 4 상태이고 CA 레벨이 4 또는 5이면 제 2 Scell의 제 1 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 5 상태이고 CA 레벨이 3이면 제 2 Scell의 제 1 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 5 상태이고 CA 레벨이 4 또는 5이면 제 2 Scell의 제 2 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 6 상태이고 CA 레벨이 3이면 제 2 Scell의 제 2 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 6 상태이고 CA 레벨이 4 또는 5이면 제 3 Scell의 제 1 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 7 상태이고 CA 레벨이 3이면 제 2 Scell의 제 1 및 제 2 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 7 상태이고 CA 레벨이 4 또는 5이면 제 3 Scell의 제 2 페어링된 서브프레임, 및 CIF 값이 제 8 상태이고 CA 레벨이 5이면 제 4 Scell의 제 1 페어링된 서브프레임을 식별한다.몇몇 실시예에서, CIF 값은 8개의 상태를 갖는 3-비트 값이고, 반송파 집성 레벨은 2, 3, 4 또는 5이고, 맵핑 정보는, CIF 값이 제 1 상태이고 CA 레벨이 2, 3, 4 또는 5이면 1차 서빙 셀, CIF 값이 제 2 상태이고 CA 레벨이 2, 3, 4 또는 5이면 제 1 Scell의 제 1 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 3 상태이고 CA 레벨이 2, 3, 4 또는 5이면 제 1 Scell의 제 2 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 4 상태이고 CA 레벨이 2, 3, 4 또는 5이면 제 1 Scell의 제 1 및 제 2 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 5 상태이고 CA 레벨이 3, 4 또는 5이면 제 2 Scell의 제 1 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 6 상태이고 CA 레벨이 3, 4 또는 5이면 제 2 Scell의 제 2 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 7 상태이고 CA 레벨이 3이면 제 2 Scell의 제 1 및 제 2 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 7 상태이고 CA 레벨이 4 또는 5이면 제 3 Scell의 제 1 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 8 상태이고 CA 레벨이 4이면 제 3 Scell의 제 2 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 8 상태이고 CA 레벨이 5이면 제 4 Scell의 제 1 페어링된 서브프레임을 식별한다.몇몇 실시예에서, CIF 값은 8개의 상태를 갖는 3-비트 값이고, 반송파 집성 레벨은 2, 3, 4 또는 5이고, Scell은 제 1 Scell이고, 맵핑 정보는, CIF 값이 제 1 상태이고 CA 레벨이 2, 3, 4 또는 5이면 1차 서빙 셀, CIF 값이 제 2 상태이고 CA 레벨이 2, 3, 4 또는 5이면 제 1 Scell의 제 1 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 3 상태이고 CA 레벨이 2, 3, 4 또는 5이면 제 1 Scell의 제 2 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 4 상태이고 CA 레벨이 2, 3, 4 또는 5이면 제 1 Scell의 제 1 및 제 2 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 5 상태이고 CA 레벨이 3, 4 또는 5이면 제 2 Scell의 제 1 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 6 상태이고 CA 레벨이 3, 4 또는 5이면 제 2 Scell의 제 2 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 7 상태이고 CA 레벨이 3이면 제 2 Scell의 제 1 및 제 2 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 7 상태이고 CA 레벨이 4이면 제 2 Scell의 제 1 및 제 2 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 7 상태이고 CA 레벨이 5이면 제 3 Scell의 제 1 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 8 상태이고 CA 레벨이 4이면 제 3 Scell의 제 1 페어링된 서브프레임, CIF 값이 제 8 상태이고 CA 레벨이 5이면 제 4 Scell의 제 1 페어링된 서브프레임을 식별한다.몇몇 실시예에서, 스케쥴링 모듈은 PDSCH 전송이 또한 제 1 서브프레임 및 제 2 서브프레임의 사전 결정된 서브프레임 페어링에 기초하여 2차 서빙 셀의 제 2 서브프레임 내에 있는지를 판정하도록 구성될 수 있다.몇몇 실시예에서, Pcell 및 Scell은 상이한 TDD 구성을 갖는 각각의 요소 반송파를 포함할 수 있다.몇몇 실시예에서, 복수의 요소 반송파가 장치와 기지국 사이의 통신을 위해 집성되고, 스케쥴링 모듈은 또한 복수의 요소 반송파의 수에 기초하여 PDSCH 전송이 2차 서빙 셀의 제 2 서브프레임 내에 있는지를 판정하도록 또한 구성된다.몇몇 실시예에서, Pcell은 제 1 공통 반송파를 이용하고, Scell은 제 2 공통 반송파를 이용한다.몇몇 실시예에서, 스케쥴링 모듈은 CIF 값 및 반송파 집성 레벨에 기초하여 MSCC 표 내의 맵핑 정보에 액세스하고, 맵핑 정보에 기초하여 PDSCH 전송이 제 2 서브프레임 내에 있는지를 판정하고, 맵핑 정보에 기초하여, 2차 서빙 셀의 제 3 서브프레임의 다른 PDSCH 전송이 또한 장치로 지향된 데이터를 포함하기 위한 것인지를 판정하도록 또한 구성될 수 있다.다른 실시예에서, 사용자 장비와 기지국 사이의 통신을 위해 집성된 복수의 요소 반송파 중 제 1 요소 반송파의 제 1 서브프레임의 PDCCH의 DCI를 스케쥴링하고, 복수의 요소 캐리어 중 제 2 요소 캐리어의 제 2 서브프레임의 PDSCH 내의 사용자 장비를 위해 데이터를 스케쥴링하도록 - DCI는 제 2 요소 반송파의 제 2 서브프레임을 식별하도록 구성되고, 제 2 서브프레임은 제 1 서브프레임보다 프레임 시퀀스에서 더 이후에 발생함 - 구성된 스케쥴링 모듈과, PDCCH 내의 DCI 및 PDSCH 내의 데이터를 인코딩하도록 구성된 인코더 모듈을 포함하는 장치, 예를 들어 eNB가 설명된다.몇몇 실시예에서, 송신기 모듈은 PDCCH 내의 DCI 및 PDSCH 내의 데이터를 전송하도록 구성될 수 있다.몇몇 실시예에서, 인코더 모듈은 제 2 서브프레임 및 제 2 요소 반송파를 식별하기 위한 3-비트를 갖는 CIF 값을 포함하도록 DCI를 인코딩하도록 구성될 수 있다.몇몇 실시예에서, 복수의 요소 반송파 중 제 1 요소 반송파의 제 1 서브프레임 내에서, 복수의 요소 반송파 중 제 2 요소 반송파의 제 2 서브프레임 내에 수신된 DCI에 기초하여 사용자 장비로 지향된 데이터를 포함하기 위한 것인 하향링크 리소스를 식별하는 단계 - 제 2 서브프레임은 제 1 서브프레임보다 프레임 시퀀스에서 더 이전에 발생함 - 와, 사용자 장비로 지향된 데이터를 수신하기 위해 하향링크 리소스를 디코딩하는 단계를 포함하는 방법이 설명된다.몇몇 실시예에서, 방법은 DCI 내의 CIF 값 및 반송파 집성 레벨에 기초하여 맵핑 정보를 검색하기 위해 MSCC 표에 액세스하는 단계, 및 맵핑 정보에 기초하여 하향링크 리소스를 식별하는 단계를 더 포함할 수 있다.몇몇 실시예에서, 하나 이상의 컴퓨터-판독가능 매체는 하나 이상의 프로세서에 의해 실행되면, 장치가 본 명세서에 설명된 다양한 방법을 수행하게 하는 명령어를 갖는다.특정 실시예가 설명의 목적으로 본 명세서에 예시되고 설명되었지만, 동일한 목적을 성취하는 것으로 예측되는 광범위한 대안 및/또는 등가의 실시예 또는 구현예가 본 발명의 범주로부터 벗어나지 않고 도시되고 설명된 실시예에 대해 대체될 수도 있다. 본 출원은 본 명세서에 설명된 실시예의 임의의 개조 또는 변형을 커버하도록 의도된다. 따라서, 본 명세서에 설명된 실시예들은 단지 청구범위 및 그 등가물에 의해서만 한정되는 것으로 명백히 의도된다.
[ 부호의 설명 ]
100: 무선 통신 네트워크 104: eNB108: UE 120: 수신기 모듈124: 디코더 모듈 128: 스케쥴링 모듈132: 송신기 모듈 136: 수신기 모듈140: 스케쥴링 모듈 144: 인코더 모듈800: 시스템 804: 프로세서
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본 발명의 실시예는 무선 네트워크에서 하향링크 리소스 스케쥴링을 위한 디바이스, 방법, 컴퓨터-판독가능 매체 및 시스템을 설명한다. 몇몇 실시예에서, 스케쥴링은 하향링크 제어 정보를 이용하는 멀티-서브프레임 교차 반송파 스케쥴링을 포함할 수 있다. 다른 실시예가 설명되고 그리고/또는 청구될 수 있다.
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[ 발명의 명칭 ]
게임용 데이터 처리 시스템 및 방법SYSTEMS AND METHODS FOR DATA PROCESSING FOR GAMES
[ 기술분야 ]
[관련 출원에 대한 교차 참조]본 출원은 모든 목적으로 본 명세서에 참조로서 편입되는 2013년 12월 16일 출원된 중국 특허 출원 제201310694976.9호에 대한 우선권을 주장한다.[기술분야]본 발명의 소정의 실시예는 컴퓨터 기술에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명의 일부 실시예는 데이터 처리 시스템 및 방법을 제공한다. 단지 예로서, 본 발명의 실시예는 게임에 적용되었다. 그러나, 본 발명이 훨씬 더 넓은 범위의 적용 가능성을 가진다는 것이 인식될 것이다.
[ 배경기술 ]
사용자는 일반적으로 게임을 할 때 하나 이상의 애플리케이션에 참여한다. 예를 들어, 상품 추첨에서의 참여는 사용자가 캐릭터를 생성한 후에 발생하고, 상품은 대응하는 캐릭터에 배포될 수 있다. 사용자는 게임 캐릭터 없이 상품 추첨에 참여할 수 없을 것이다.도 1은 종래의 애플리케이션 참여 시스템을 위한 데이터 처리를 도시하는 간략화된 종래 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 사용자는 상품 추첨 요청을 전송하기 위하여 캐릭터 페이지에 진입한다. 캐릭터 선택 서버는 사용자가 게임 캐릭터를 가지고 있는지 확인한다. 사용자가 캐릭터를 가지고 있지 않으면, 사용자는 자신이 캐릭터를 가지고 있지 않으며 이에 따라 상품 추첨에 참여할 수 없다고 통지받는다. 사용자가 캐릭터를 가지면, 사용자의 캐릭터와 연관된 정보가 상품 추첨 서버로 전송된다. 상품 추첨 서버는 사용자의 상품 추첨 적격성을 감소시키고 당첨 확률을 계산한다. 사용자의 상품 추첨 적격성이 감소되었다면(즉, 상품 추첨에 대한 부적격) 또는 사용자가 상품에 당첨되지 않았다면, 사용자는 자신이 상품 추첨에 적격성이 없거나 상품에 당첨되지 않았다는 것을 통지받는다. 사용자가 상품에 당첨되면, 상품 추첨 서버는 게임 서버에 배송 요청을 전송하며, 그 다음, 이는 사용자에게 상품을 전송하고, 상품을 수락하도록 사용자에게 제시한다.전술한 종래 기술은 일부 단점을 가진다. 예를 들어, 전술한 바와 같이, 종래의 애플리케이션 참여 시스템에서, 사용자는 종종 사용자가 게임 캐릭터를 생성하였을 때에만 상품 추첨에 참여할 수 있다. 새로운 게임이 아직 발행되지 않았을 때, 상품 추첨이 마케팅 목적으로 새로운 게임을 시도해보도록 사용자를 유인하는데 사용될 수 있다. 그러나, 새로운 게임이 발행되기 전에 사용자가 새로운 캐릭터를 생성할 수 없으며, 확실히 사용자는 상품 추첨에 참여하기 위하여 게임 캐릭터를 가질 수 없다.따라서, 게임용 데이터 처리를 위한 기술을 개선하는 것이 매우 바람직하다.
[ 발명의 개요 ]
일 실시예에 따르면, 온라인 게임을 제공하기 위한 방법이 제공된다. 예를 들어, 게임이 발행되기 전에 사용자로부터 애플리케이션 참여 요청이 수신되고; 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입되고; 사용자의 애플리케이션 참여 기록이 저장되고; 게임이 발행될 때 애플리케이션 참여 기록이 사용자에게 전송된다.다른 실시예에 따르면, 온라인 게임용 데이터 처리 장치는, 게임이 발행되기 전에 사용자로부터 애플리케이션 참여 요청을 수신하도록 구성된 수신 유닛; 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입하도록 구성된 진입 유닛; 사용자의 애플리케이션 참여 기록을 저장하도록 구성된 저장 유닛; 및 게임이 발행된 후에 애플리케이션 참여 기록을 사용자에게 전송하도록 구성된 전송 유닛을 포함한다.또 다른 실시예에 따르면, 비일시적인 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체는 온라인 게임용 프로그래밍 명령어를 포함한다. 프로그래밍 명령어는 하나 이상의 데이터 프로세서가 소정의 동작을 실행하게 하도록 구성된다. 예를 들어, 게임이 발행되기 전에 사용자로부터 애플리케이션 참여 요청이 수신되고; 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입되고; 사용자의 애플리케이션 참여 기록이 저장되고; 게임이 발행될 때 애플리케이션 참여 기록이 사용자에게 전송된다.예를 들어, 본 명세서에 개시된 장치 및 방법은 게임의 발행 전에 사용자가 게임에서의 애플리케이션에 참여할 수 없는 문제점을 해결하도록 구성되어, 사용자는 게임의 발행 전에 사용자가 애플리케이션에 참여할 수 있다.실시예에 따라, 하나 이상의 이득이 성취될 수 있다. 이러한 이득 및 본 발명의 다양한 추가 목적, 특징 및 이점은 이어지는 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 및 첨부된 도면을 참조하여 완전하게 이해될 수 있다.
[ 도면의 간단한 설명 ]
도 1은 종래의 애플리케이션 참여 시스템을 위한 데이터 처리를 도시하는 간략화된 종래 도면이다.도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 애플리케이션 참여 시스템을 위한 데이터 처리를 도시하는 간략화된 도면이다.도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 온라인 게임용 데이터 처리 방법을 도시하는 간략화된 도면이다.도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 온라인 게임용 데이터 처리 방법을 도시하는 간략화된 도면이다.도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 온라인 게임용 데이터 처리 방법을 도시하는 간략화된 도면이다.도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 온라인 게임용 데이터 처리 방법을 도시하는 간략화된 도면이다.도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 사용자의 애플리케이션 참여와 애플리케이션 참여 결과의 획득을 도시하는 간략화된 도면이다.도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 온라인 게임용 데이터 처리 장치를 도시하는 간략화된 도면이다.도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 온라인 게임용 데이터 처리 장치를 도시하는 간략화된 도면이다.도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 온라인 게임용 데이터 처리 장치를 도시하는 간략화된 도면이다.도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 온라인 게임용 데이터 처리 장치를 도시하는 간략화된 도면이다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 애플리케이션 참여 시스템을 위한 데이터 처리를 도시하는 간략화된 도면이다. 도면은 단지 예이며, 이는 특허청구범위의 범위를 지나치게 제한하지 않아야 한다. 당업계에서의 통상의 기술자는 많은 변형, 대체 및 수정을 인식할 것이다.애플리케이션 참여(예를 들어, 게임에서)에 관련된 데이터 처리는, 일부 실시예에 따라, 애플리케이션 참여 및 애플리케이션 참여의 결과의 획득을 포함한다. 예를 들어, 게임에서의 애플리케이션 참여는 상품 추첨 및 상품 수령과 같은 상품 추첨 이벤트에의 참여를 포함한다. 일례로서, 상품 추첨을 위하여, 사용자가 아직 게임 캐릭터를 생성하지 않은 때에, 사용자는 게임의 발행일 전에 게임 애플리케이션에 참여할 수 있다. 다른 예로서, 사용자가 상품 추첨 이벤트에서 상품에 당첨되면, 사용자는 게임의 발행일 이후에 게임 서버로부터 상품을 획득하고 그 다음 게임 캐릭터를 생성할 수 있다. 다른 예로서, 상품에 당첨된 후에, 사용자는 상품을 추첨하기 위한 자신의 적격성을 소진하여, 자신이 게임 캐릭터를 생성할 때까지 다시 상품을 추첨할 수 없다. 따라서, 소정의 실시예에 따라, 사용자는 게임 캐릭터 없이 상품을 추첨하여 상품 추첨 동안 사용되는 사용자의 식별 정보(예를 들어, QQ 번호 등)에 기초하여 게임 캐릭터를 생성한 후에 상품을 획득할 수 있다.도 2에 도시된 바와 같이, 일부 실시예에 따라, 상품 추첨 이벤트 동안, 사용자는 게임에서의 애플리케이션 참여를 위하여 상품 추첨 서버로 상품 추첨 요청을 전송한다. 예를 들어, 상품 추첨 서버는 사용자에 의해 전송된 요청을 수신하고, 상품 추첨을 위한 사용자의 적격성을 확인한다. 다른 예에서, 사용자가 상품 추첨에 대하여 적격성이 있으면, 사용자는 상품을 추첨하도록 허용되고, 그 다음, 반복된 상품 추첨을 방지하기 위하여 사용자의 적격성은 서버에 의해 감소된다. 또 다른 예에서, 상품 추첨 이벤트 동안, 상품 추첨 서버는 사용자에게 무작위 확률을 할당하고 이러한 무작위 확률이 사용자가 상품에 당첨되게 하는지 판단한다.일 실시예에 따라, 사용자가 상품 추첨에 적격성이 없거나 상품에 당첨되지 않으면, 상품 추첨 서버는 사용자에게 정보를 전송하고 사용자가 상품 추첨에 적격성이 없거나 상품에 당첨되지 않았다는 것을 사용자에게 통지한다. 예를 들어, 사용자가 상품에 당첨되지 않으면, 상품 추첨 서버는 사용자의 상품 추첨 정보가 기록되도록 입력 요청을 전송한다. 다른 예에서, 상이한 사용자들의 상품 추첨 정보의 관리 및 조회를 용이하게 하기 위하여, 사용자의 상품 추첨 정보가 데이터베이스에 기록될 때, 사용자의 QQ 번호 중 마지막 몇 개 자릿수와 같은 정보에 기초하여 사용자가 분류되어 저장될 수 있다.다른 실시예에 따라, 입력 요청에 응답하여, 사용자의 상품 추첨 정보가 데이터베이스에 저장된다. 예를 들어, 데이터베이스는 사용자의 식별 정보(예를 들어, 사용자의 QQ 번호), 당첨된 상품의 이름 등을 저장한다. 다른 예에서, 사용자가 상품에 당첨되면, 사용자는 상품을 교환하라고 통지된다. 또 다른 예에서, 사용자가 상품에 당첨되지 않으면, 사용자는 자신이 상품에 당첨되지 않았다고 통지된다.또 다른 실시예에 따라, 상품 수령 과정 동안, 사용자가 게임에 진입한 후에, 캐릭터 선택 서버는 캐릭터를 선택하도록 사용자에게 제시하고, 사용자에 의해 생성된 캐릭터에 관한 정보를 데이터베이스에 전송한다. 예를 들어, 데이터베이스가 현재 사용자의 개인 식별 정보를 찾아내고, 사용자가 상품에 당첨되었는지 확인한다. 다른 예에서, 사용자의 개인 식별 정보와 상품 정보가 데이터베이스에 의해 확인된 후에, 게임 서버는 이 캐릭터에 상품을 전송하도록 제시된다. 또 다른 예에서, 게임 서버는 사용자에게 게임을 전송하고, 게임에 진입하여 상품을 수령하도록 사용자에게 제시한다.도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 온라인 게임용 데이터 처리 방법을 도시하는 간략화된 도면이다. 도면은 단지 예이며, 이는 특허청구범위의 범위를 지나치게 제한하지 않아야 한다. 당업계에서의 통상의 기술자는 많은 변형, 대체 및 수정을 인식할 것이다. 방법(300)은 적어도 과정 S301 내지 S304를 포함한다.일 실시예에 따라, 과정 S301은, 게임이 발행되기 전에 사용자로부터 애플리케이션 참여 요청을 수신하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 게임을 마케팅하기 위하여, 게임의 발행일 전에, 게임 제공자는 사용자 상품 추첨 이벤트를 준비하고, 게임내 애플리케이션에서 참여를 위한 사용자 요청을 받아들인다. 다른 예에서, 애플리케이션 참여를 위한 사용자 요청은 상품 추첨 아이콘에 대한 사용자 클릭에 따라 수신될 수 있다. 일례로서, 상품 추첨 이벤트 동안, 게임 제공자는 게임 도구(prop) 또는 특권을 상품으로서 사용할 수 있다. 사용자는 게임 제공자에 의해 발표된 상품 풀로부터 사전 결정된 상품을 추첨할 수 있다. 예를 들어, QQ 삼국지(Sanguo)의 사용자는 캐릭터 의상을 획득할 수 있고, Crossing the Fire Line의 사용자는 아이템(예를 들어, 무기)을 상품으로서 획득할 수 있다.다른 실시예에 따라, 과정 S302는, 애플리케이션 참여 요청을 수신한 후에 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 애플리케이션 참여 요청이 수신된 후에, 사용자는 상품 추첨 규칙, 당첨 확률, 상품 등과 같은 정보를 제공받고, 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입하도록 제시된다. 다른 예에서, 애플리케이션 참여 과정에 진입한 후에, 반복된 상품 추첨을 방지하기 위하여 상품 추첨을 위한 사용자의 적격성이 감소되고, 그 다음 사용자가 상품에 당첨되었는지 판단된다. 또 다른 예에서, 사용자가 상품에 당첨되었다면, 게임 제공자는 상품 풀로부터 상품을 제거하고, 사용자가 상품에 당첨되었다는 것을 사용자에게 통지한다. 또 다른 예에서, 사용자가 상품에 당첨되지 않았다면, 디폴트 상품이 발행된다.또 다른 실시예에 따라, 과정 S303은, 사용자의 애플리케이션 참여 기록을 저장하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입한 후에, 사용자는 애플리케이션 참여 과정을 개시하고 애플리케이션 참여 과정이 완료될 때 상품 추첨 결과를 찾는다. 다른 예에서, 상품 추첨 결과는 상품 추첨이 종료된 후에 데이터베이스에 저장된다. 또 다른 예에서, 사용자의 애플리케이션 참여 기록은 게임 제공자에 의해 발행된 제한된 양의 상품에 당첨되는 것 또는 게임 제공자에 의해 발행된 디폴트 상품을 획득하는 것을 포함한다. 일례로서, 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록은 임시 테이블에 먼저 저장되고, 그 다음 임시 테이블로부터 데이터베이스 내로 기록된다. 따라서, 일부 실시예에서, 데이터베이스에 아직 기록되지 않은 사용자 기록의 뜻하지 않는 손실이 방지될 수 있다. 예를 들어, 데이터베이스가 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록을 수신하지 않는다면, 이는 사용자의 애플리케이션 참여에 관하여 임시 테이블에 다시 질의할 수 있어, 데이터베이스에 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 잃어버린 기록을 저장한다. 다른 예에서, 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록을 저장하는 것을 용이하게 하기 위하여, 사용자의 개인 식별 정보가 분류되어 데이터베이스의 상이한 파티션에 저장될 수 있다. 또 다른 예에서, 사용자의 QQ 번호의 마지막 2개 자릿수가 분류를 위해 사용될 수 있고, 동일한 2개 자릿수로 끝나는 QQ 번호를 갖는 모든 사용자의 애플리케이션 참여가 데이터베이스의 동일한 파티션에 저장될 수 있다.일 실시예에서, 과정 S304는, 게임이 발행될 때 사용자에게 애플리케이션 참여 기록을 전송하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 게임의 발행일 후에, 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록이 사용자에게 전송되고, 사용자에게 자신의 상품을 교환하도록 통지하기 위하여 사용자가 당첨된 상품에 관한 정보가 팝업된다. 다른 예에서, 사용자가 상품에 당첨되지 않았다면, 사용자는 상품 추첨을 다시 시도할 때 상품 추첨에 대한 적격성을 소진하였다고 통지받는다. 또 다른 예에서, 사용자는 상품의 발행일 전에 상품을 추첨할 수 있고, 또한 상품의 발행일 후에 상품을 획득할 수 있다. 따라서, 소정의 실시예에 따라, 게임 캐릭터의 생성에 대한 상품 추첨의 의존성이 방지될 수 있어, 사용자가 캐릭터를 생성하지 않고 게임 애플리케이션 참여에 진입할 수 있게 할 뿐만 아니라, 게임 발행일에 서버의 계산 압력을 완화한다.도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 온라인 게임용 데이터 처리 방법을 도시하는 간략화된 도면이다. 도면은 단지 예이며, 이는 특허청구범위의 범위를 지나치게 제한하지 않아야 한다. 당업계에서의 통상의 기술자는 많은 변형, 대체 및 수정을 인식할 것이다. 방법(400)은 적어도 과정 S401 내지 S405를 포함한다.일 실시예에 따라, 과정 S401은, 게임이 발행되기 전에 사용자로부터 애플리케이션 참여 요청을 수신하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 게임을 마케팅하기 위하여, 게임의 발행일 전에, 게임 제공자는 사용자 상품 추첨 이벤트를 준비하고, 게임내 애플리케이션에서 참여를 위한 사용자 요청을 받아들인다. 다른 예에서, 애플리케이션 참여를 위한 사용자 요청은 상품 추첨 아이콘에 대한 사용자 클릭에 따라 수신될 수 있다. 일례로서, 상품 추첨 이벤트 동안, 게임 제공자는 게임 도구 또는 특권을 상품으로서 사용할 수 있다. 사용자는 게임 제공자에 의해 발표된 상품 풀로부터 사전 결정된 상품을 추첨할 수 있다. 예를 들어, QQ 삼국지(Sanguo)의 사용자는 캐릭터 의상을 획득할 수 있고, Crossing the Fire Line의 사용자는 아이템(예를 들어, 무기)을 상품으로서 획득할 수 있다.다른 실시예에 따라, 과정 S402는, 애플리케이션 참여 요청을 수신한 후에 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 애플리케이션 참여 요청이 수신된 후에, 사용자는 상품 추첨 규칙, 당첨 확률, 상품 등과 같은 정보를 제공받고, 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입하도록 제시된다. 다른 예에서, 애플리케이션 참여 과정에 진입한 후에, 반복된 상품 추첨을 방지하기 위하여 상품 추첨을 위한 사용자의 적격성이 감소되고, 그 다음 사용자가 상품에 당첨되었는지 판단된다. 또 다른 예에서, 사용자가 상품에 당첨되었다면, 게임 제공자는 상품 풀로부터 상품을 제거하고, 사용자가 상품에 당첨되었다는 것을 사용자에게 통지한다. 또 다른 예에서, 사용자가 상품에 당첨되지 않았다면, 디폴트 상품이 발행된다.또 다른 실시예에 따라, 과정 S403은, 사용자의 제1 애플리케이션 참여 데이터와 연관된 정보에 적어도 기초하여 사용자가 사전 결정된 애플리케이션 참여 결과 데이터를 획득하는지 판단하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 사용자의 제1 애플리케이션 참여 데이터가 획득되고, 그 다음, 사전 결정된 애플리케이션 참여 결과 데이터와 비교된다. 다른 예에서, 제1 애플리케이션 참여 데이터가 사전 결정된 애플리케이션 참여 결과 데이터와 동일하면, 사용자는 상품에 당첨된다. 아니라면, 사용자는 상품에 당첨되지 않는다.또한, 일 실시예에서, 사용자는 애플리케이션 참여 시스템에 의해 전송된 무작위 확률을 수신할 수 있다. 예를 들어, 확률값이 사전 결정된 확률에 도달하면, 애플리케이션 참여 결과가 획득된다. 아니라면, 애플리케이션 참여 결과는 획득되지 않는다. 다른 예에서, 상품 추첨에 관련되는 한, 확률값이 사전 결정된 확률에 도달하면, 사용자는 상품에 당첨된다. 아니라면, 사용자는 상품에 당첨되지 않는다.다른 실시예에서, 과정 S404는, 사용자가 사전 결정된 애플리케이션 참여 결과 데이터를 획득하는 것에 응답하여, 사전 결정된 애플리케이션 참여 결과 데이터를 저장하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 애플리케이션 참여 결과 데이터는 상품 패키지에 포함된 상품 데이터를 포함한다. 다른 예에서, 애플리케이션 참여 결과 데이터는 데이터베이스에 저장된다. 소정의 실시예에 따라, 게임의 발행 후에, 저장된 애플리케이션 참여 결과 데이터는 게임 서버로 전송되고, 게임 서버는 사용자에게 상품을 발행한다.또 다른 실시예에서, 과정 S405는 게임이 발행될 때 사용자에게 애플리케이션 참여 기록을 전송하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 게임의 발행일 후에, 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록이 사용자에게 전송된 후에, 사용자는 상품의 당첨에 대하여 통지되고, 상품을 교환하도록 제시된다. 소정의 실시예에 따라, 사용자가 상품에 당첨되지 않았다면, 사용자는 자신이 상품 추첨을 다시 시도할 때 상품 추첨에 대한 적격성을 소진하였다고 통지받는다. 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 온라인 게임용 데이터 처리 방법을 도시하는 간략화된 도면이다. 도면은 단지 예이며, 이는 특허청구범위의 범위를 지나치게 제한하지 않아야 한다. 당업계에서의 통상의 기술자는 많은 변형, 대체 및 수정을 인식할 것이다. 방법(500)은 적어도 과정 S501 내지 S503을 포함한다.일 실시예에 따라, 사용자가 사전 결정된 애플리케이션 참여 결과 데이터를 획득한 후에, 과정 S501 내지 S503이 실행된다. 예를 들어, 과정 S501은, 사전 결정된 애플리케이션 참여 결과 데이터와 연관된 정보에 적어도 기초하여 애플리케이션 참여 결과 데이터베이스가 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과를 포함하는지 판단하는 단계를 포함한다. 구체적으로는, 사용자의 애플리케이션 참여 과정이 완료된 후에, 사용자의 애플리케이션 참여 결과 데이터에 기초하여 애플리케이션 참여 결과 데이터베이스에 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과가 존재하는지 판단된다. 일례로서, 애플리케이션 참여 결과 데이터베이스에 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과가 있다면, 사용자는 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과를 획득할 수 있다. 다른 예로서, 애플리케이션 참여 결과 데이터베이스에 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과가 없다면, 사용자는 디폴트의 사전 결정된 애플리케이션 참여 결과를 획득할 수 있다.다른 실시예에 따라, 과정 S502는, 애플리케이션 참여 결과 데이터베이스가 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과를 포함하는 것에 응답하여, 사용자의 하나 이상의 제1 애플리케이션 참여 결과가 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과에 대응한다고 확인하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 사용자의 참여 결과가 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과라고 확인된 후에, 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과가 사용자에게 전송된다. 일례로서, 과정 S503은, 애플리케이션 참여 결과 데이터베이스가 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과를 포함하지 않는 것에 응답하여, 사용자의 제1 애플리케이션 참여 결과가 사전 결정된 애플리케이션 참여 결과 데이터에 대응한다고 확인하는 단계를 포함한다. 다른 예로서, 사용자의 참여 결과가 디폴트 애플리케이션 참여 결과라고 확인된 후에, 디폴트 애플리케이션 참여 결과가 사용자에게 전송된다.또 다른 실시예에 따르면, 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록은 사용자가 게임의 발행일 후에 상품을 수령하도록 사전 결정된 데이터베이스에 저장된다. 예를 들어, 게임의 발행일 후에 애플리케이션 참여 기록이 데이터베이스로부터 추출되며, 애플리케이션 참여 기록이 사용자에게 전송된다.도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 온라인 게임용 데이터 처리 방법을 도시하는 간략화된 도면이다. 도면은 단지 예이며, 이는 특허청구범위의 범위를 지나치게 제한하지 않아야 한다. 당업계에서의 통상의 기술자는 많은 변형, 대체 및 수정을 인식할 것이다. 방법(600)은 적어도 과정 S601 내지 S605를 포함한다. 예를 들어, 방법(600)은 과정 S304에 대응한다.일 실시예에 따라, 과정 S601은, 게임이 발행될 때 사용자의 로그인 정보에 기초하여 사용자가 애플리케이션 참여 기록을 가지고 있는지 판단하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 게임의 발행일 후에, 사용자의 로그인 정보가 수신되고, QQ 번호와 같은 정보가 사용자를 식별하기 위하여 사용될 수 있다. 다른 예에서, 사용자의 로그인 정보와 애플리케이션 참여 기록은 데이터베이스에 저장된다. 또 다른 예에서, 게임의 발행일 후에, 데이터베이스는 사용자의 로그인 정보에 기초하여 사용자가 애플리케이션 참여 기록을 가지고 있는지 판단한다. 일례로서, 사용자가 애플리케이션 참여 기록을 가진다고 판단되면, 사용자는 상품을 교환하고 게임 캐릭터를 생성하도록 통지된다. 다른 예에서, 사용자가 애플리케이션 참여 기록을 가지지 않는다고 판단되면, 상품을 교환하라는 통지는 전송되지 않는다.다른 실시예에 따라, 과정 S602는 사용자가 애플리케이션 참여 기록을 가지는 것에 응답하여, 하나 이상의 제1 애플리케이션 참여 결과를 획득하도록 사용자에게 통지하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 사용자의 애플리케이션 참여 기록이 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과 또는 디폴트 애플리케이션 참여 결과를 포함한다. 다른 예에서, 사용자가 애플리케이션 참여 기록을 가지면, 사용자는 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과 또는 디폴트 애플리케이션 참여 결과를 검색하도록 통지된다.또 다른 실시예에 따라, 과정 S603은, 사용자가 로그인한 후에 조작 데이터와 연관된 정보에 적어도 기초하여 사용자가 캐릭터를 생성하였는지 판단하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 캐릭터 선택 서버는 사용자가 로그인한 후에 사용자의 조작 데이터를 이용하여 사용자가 캐릭터를 이미 생성하였는지 판단한다. 일례로서, 사용자가 캐릭터를 이미 생성하였다고 판단되면, 서버는 사용자에게 애플리케이션 참여 결과를 전송할 준비를 하며, 사용자는 캐릭터를 아직 생성하지 않은 경우에 캐릭터를 생성하도록 제시된다.일 실시예에서, 과정 S604는, 사용자가 캐릭터를 생성한 것에 응답하여, 애플리케이션 참여 기록에 대응하는 사전 결정된 애플리케이션 참여 결과 데이터를 전송하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 사용자가 캐릭터를 생성하였다고 캐릭터 선택 서버가 판단한 후에, 캐릭터 선택 서버는 확인을 게임 서버에 전송한다. 그 다음, 게임 서버는 대응하는 사전 결정된 애플리케이션 참여 결과를 사용자에게 전송한다. 다른 실시예에서, 과정 S605는, 사용자가 캐릭터를 생성하지 않은 것에 응답하여, 캐릭터를 생성하도록 사용자에게 통지하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 사용자가 캐릭터를 생성하지 않았다면, 캐릭터 선택 서버는 캐릭터를 생성하도록 사용자에게 제시한다.도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 사용자의 애플리케이션 참여와 애플리케이션 참여 결과의 획득을 도시하는 간략화된 도면이다. 도면은 단지 예이며, 이는 특허청구범위의 범위를 지나치게 제한하지 않아야 한다. 당업계에서의 통상의 기술자는 많은 변형, 대체 및 수정을 인식할 것이다.일부 실시예에 따라, 사용자의 게임내 애플리케이션 참여 및 상품의 교환은 2개의 개별 기간에 각각 수행된다. 예를 들어, 게임의 발행일 전에, 사용자는 상품 추첨 이벤트에 참여한다. 다른 예에서, 게임의 발행일 후에, 사용자가 상품에 당첨되면, 사용자는 상품을 교환한다. 또 다른 예에서, 상품의 발행일 전에, 사용자는 게임의 활동에 참여하기 위하여 게임내 애플리케이션에 진입한다. 일례로서, 사용자는 상품 추첨에 진입하기 위하여 자신의 개인 식별 코드로서 QQ 번호(예를 들어, 1234567)를 사용할 수 있다. 사용자가 상품 추첨에 참여하면, 상품 추첨을 위한 사용자의 적격성은 감소되고, 사용자는 상품 추첨에 다시 진입할 수 없다. 다른 예로서, 사용자가 상품 추첨에 진입할 수 있는 횟수가 시스템에 의해 설정될 수 있다. 예를 들어, 각각의 사용자는 상품을 한 번 또는 세 번 추첨할 수 있으며, 이는 마케팅 요구 및 사전 결정된 양의 애플리케이션 참여 결과에 연관된 정보에 적어도 기초하여 결정될 수 있다. 다른 예에서, 상품 추첨을 위한 기회에 대한 최대 횟수는 3이고, 사용자의 적격성이 소진됨에 따라 사용자는 3번 후에는 상품 추첨에 들어갈 수 없다.일 실시예에 따라, 사용자가 상품 추첨에 들어갈 때, 사용자는 애플리케이션 참여 결과, 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과(예를 들어, QQ 게이밍 멤버를 위한 전용 선물, 게임 캐릭터를 위한 도구 등) 및 디폴트 애플리케이션 참여 결과(예를 들어, 게임 캐릭터를 위한 기본 무기 등)를 프리뷰할 수 있다. 예를 들어, 애플리케이션 참여 결과를 사용자에게 디스플레이함으로써, 게임 제공자는 사용자의 관심을 사로잡을 수 있으며, 게임을 위한 마케팅 목표를 성취할 수 있다. 다른 예에서, 사용자가 상품 추첨을 개시할 때, 애플리케이션 참여 시스템은 상품 추첨 정보를 사용자에게 무작위로 전송한다. 또 다른 예에서, 그 다음, 사용자가 수신한 상품 추첨 정보에 기초하여, 애플리케이션 참여 시스템은 사용자가 애플리케이션 참여 결과를 추첨하는지 판단한다.다른 실시예에 따라, 사용자의 참여 결과는 상품의 종류에 따라 판단되는 상이한 레벨로 분할된다. 예를 들어, 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과는 하나의 상품 레벨에 대응하고, 디폴트 애플리케이션 참여 결과는 다른 상품 레벨에 대응한다. 일례로서, 다양한 레벨의 상품에 대하여, 애플리케이션 참여 시스템은 기대되는 사용자 수와 발행될 것으로 기대되는 상품의 수에 관한 데이터에 기초하여 구성된다. 소정의 실시예에 따라, 방법(700)은 애플리케이션 참여 시스템에서 사용자가 상품에 당첨되는 확률에 대하여 설정된 값에 관계없이 적용될 수 있다.또 다른 실시예에 따라, 사용자는 상품 추첨 후에 상품에 당첨되었는지 알 수 있다. 예를 들어, 사용자가 상품에 당첨되지 않았다면, 사용자는 애플리케이션 참여 시스템에 의해 이를 통지받는다. 다른 예에서, 사용자가 상품에 당첨되면, 애플리케이션 참여 시스템은 사용자에게 당첨된 상품을 디스플레이하고, 게임의 발행일 후에 상품을 교환하도록 제시한다. 일례로서, 사용자가 상품에 당첨된 후에, 애플리케이션 참여 시스템은 상품 추첨을 위한 사용자의 적격성을 자동으로 감소시키고, 상품 추첨에서 적격 있는 참여의 남아 있는 사용자의 횟수를 자동으로 계산하고, 이를 사용자에게 통지한다. 다른 예로서, 사용자가 상품 추첨을 위한 자신의 적격성을 소진하였지만 여전히 상품을 추첨하려고 시도하면, 사용자는 상품을 추첨할 적격성이 더 이상 없다고 통지받는다. 또 다른 예로서, 사용자의 QQ 번호가 상품 추첨을 위한 사용자의 적격성이 소진되었는지 판단하는데 사용될 수 있다. 다른 예에서, 사용자가 상품을 추첨한 후에, 동일한 QQ 번호가 상품 추첨에서 사전 결정된 참여 횟수를 초과하는 상황을 방지하기 위하여, 특정 QQ 번호에 대한 상품 추첨에서의 남아 있는 참여 횟수가 기록된다.일 실시예에서, 애플리케이션 참여 시스템은 데이터베이스에서 사용자가 당첨된 상품에 관한 데이터를 자동으로 기록할 수 있다. 예를 들어, 기록 과정 동안, 사용자의 애플리케이션 참여 데이터는 이러한 데이터를 데이터베이스로 기록할 때 뜻하지 않는 에러를 방지하기 위하여 임시 테이블에 먼저 저장된다. 그 다음, 데이터는 임시 테이블로부터 데이터베이스에 저장된다. 일례로서, 사용자의 애플리케이션 참여 데이터가 데이터를 데이터베이스로 기록하는 과정 동안 손실된다고 발견되면, 시스템은 임시 테이블에서 특정 사용자의 애플리케이션 참여 데이터를 검색하고 데이터베이스에 이를 저장하도록 설정된다. 다른 예에서, 데이터를 저장할 때, 데이터베이스는 소정의 규칙에 따라 상이한 파티션으로 분할될 수 있고, 하나의 종류의 사용자 애플리케이션 참여 데이터가 한 파티션에 저장될 수 있다. 또 다른 예에서, 01로 끝나는 QQ 번호를 갖는 모든 사용자는 데이터베이스의 01 파티션에 저장된 애플리케이션 참여 데이터를 가질 수 있다. 따라서, 소정의 실시예에 따라, 사용자의 애플리케이션 파티션 데이터를 검색할 때, 시스템은 데이터베이스의 01 파티션에서 이를 바로 검색할 수 있고, 이는 검색하기에 더 쉽고 더 편리하며 메모리 자원을 절약할 수 있다.다른 예에서, 상품에 당첨된 후에, 사용자는 자신이 당첨된 것을 확인하는 정보를 수신한다. 예를 들어, 상품이 사용자에게 보여지고 사용자는 게임의 발행일 후에 상품을 교환하도록 제시된다. 전술한 바와 같이, 게임내 애플리케이션의 사용자 참여는 게임의 발행 전에 완료되고, 상품 추첨은 QQ 번호 또는 사용자를 식별하는데 사용될 수 있는 다른 정보를 이용하여 수행되고, 관련 상품 추첨 정보가 기록된다.또 다른 실시예에서, 상품 교환 과정은 게임의 발행일 후에 수행된다. 예를 들어, 사용자가 게임에 진입할 때, 게이밍 시스템(예를 들어, 게임 서버)는 사용자가 캐릭터를 이미 등록하였는지 자동으로 검출한다. 예를 들어, 사용자가 캐릭터를 등록하였다면, 캐릭터가 디스플레이되고, 사용자는 상품을 교환하도록 통지된다. 다른 예에서, 사용자가 캐릭터를 등록하지 않았다면, 캐릭터 선택 스크린이 팝업되어 캐릭터를 선택하도록 사용자에게 제시한다. 또 다른 예에서, QQ 삼국지에서, 사용자가 Jian Shi, Hao Jie, Yin Yan Shi, Shian Shu Shi 등의 게임 캐릭터 중 하나를 선택할 수 있다.또 다른 예에서, 사용자가 캐릭터를 선택한 후에, 게이밍 시스템은 애플리케이션 참여 기록이 특정 사용자에 대하여 존재하는지 확인하기 위하여 사용자의 QQ 번호 1234567에 기초하여 데이터베이스를 검색한다. 예를 들어, 애플리케이션 참여 기록이 데이터베이스에 존재하면, 이러한 애플리케이션 참여 기록에 대응하는 상품이 발행되었는지 확인하기 위하여 조회가 이루어진다. 다른 예에서, 상품이 발행되었다면, 이 애플리케이션 참여 기록은 발행된 것으로 기록된다. 상품이 발행되지 않았다면, 상품을 발행하기 위한 요청이 이루어진다. 또 다른 예에서, 애플리케이션 참여 기록이 데이터베이스에서 발견되지 않는다면, 사용자는 상품에 당첨되지 않았다고 통지된다.일 실시예에 따라, 사용자가 상품을 교환하라는 독촉을 수신한 후에, 사용자는 상품을 확인하고 교환할 수 있다. 예를 들어, 데이터베이스가 먼저 사용자의 정보와 상품 정보를 확인한다. 이것이 에러 없이 확인된 다음, 게이밍 시스템은 사용자에게 상품을 전송하도록 제시되고, 게이밍 시스템은 사용자가 상품을 이미 교환하였는지 다시 확인한다. 예를 들어, 사용자가 자신의 제1 캐릭터를 생성하고 상품을 수령한다. 그 다음, 사용자는 그 캐릭터를 삭제하고, 상품을 다시 교환하기 위하여 제2 캐릭터를 생성한다. 게이밍 단말기는 상품이 이미 발행되었다는 것을 사용자에게 알리기 위하여 게임 서버에 정보를 전송한다. 일례로서, 상품이 발행된 후에, 데이터베이스는 상품 정보의 관리를 용이하게 하기 위하여 대응하는 사용자 정보와 상품 정보를 메모한다. 소정의 실시예에 따라, 게임 서버는 상품 발행의 효율을 증가시키기 위해 상품 교환에 관한 여러 정보를 동시에 수신하고 동일한 종류의 여러 상품을 동시에 발행한다.다른 실시예에 따라, 상품 발행 과정 동안, 사용자의 애플리케이션 참여 기록은 데이터베이스에 발견되지 않으면, 게임 서버는 상품을 재발행하기 위한 정보를 전송받고, 사용자에게 대응하는 상품을 재발행하도록 제시된다. 예를 들어, 과정이 완료된 후에, 상품이 성공적으로 교환될 수 있다. 일부 실시예에 따라, 게임 발행 전의 상품 추첨과 게임 발행 후의 상품 교환은 게임의 발행일 전에 플레이어를 유인할 수 있을 뿐만 아니라, 게임의 발행일 후에 상품 발행을 위한 서버의 압력을 완화할 수 있다.도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 온라인 게임용 데이터 처리 장치를 도시하는 간략화된 도면이다. 도면은 단지 예이며, 이는 특허청구범위의 범위를 지나치게 제한하지 않아야 한다. 당업계에서의 통상의 기술자는 많은 변형, 대체 및 수정을 인식할 것이다. 데이터 처리 장치(800)는 수신 유닛(10), 진입 유닛(20), 저장 유닛(30) 및 전송 유닛(40)을 포함한다. 예를 들어, 장치(800)는 방법(300)을 실행하도록 구성된다.일 실시예에 따라, 수신 유닛(10)은, 게임이 발행되기 전에 사용자로부터 애플리케이션 참여 요청을 수신하도록 구성된다. 예를 들어, 게임을 마케팅하기 위하여, 게임의 발행일 전에, 게임 제공자는 사용자 상품 추첨 이벤트를 준비하고, 게임내 애플리케이션에서 참여를 위한 사용자 요청을 받아들인다. 다른 예에서, 애플리케이션 참여를 위한 사용자 요청은 상품 추첨 아이콘에 대한 사용자 클릭에 따라 수신될 수 있다. 일례로서, 상품 추첨 이벤트 동안, 게임 제공자는 게임 도구 또는 특권을 상품으로서 사용할 수 있다. 사용자는 게임 제공자에 의해 발표된 상품 풀로부터 사전 결정된 상품을 추첨할 수 있다. 예를 들어, QQ 삼국지의 사용자는 캐릭터 의상을 획득할 수 있고, Crossing the Fire Line의 사용자는 아이템(예를 들어, 무기)을 상품으로서 획득할 수 있다.다른 실시예에 따라, 진입 유닛(20)은, 애플리케이션 참여 요청의 수신에 따라 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입하도록 구성된다. 예를 들어, 애플리케이션 참여 요청이 수신된 후에, 사용자는 상품 추첨 규칙, 당첨 확률, 상품 등과 같은 정보를 제공받고, 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입하도록 제시된다. 다른 예에서, 애플리케이션 참여 과정에 진입한 후에, 반복된 상품 추첨을 방지하기 위하여 상품 추첨을 위한 사용자의 적격성이 감소되고, 그 다음 사용자가 상품에 당첨되었는지 판단된다. 또 다른 예에서, 사용자가 상품에 당첨되었다면, 게임 제공자는 상품 풀로부터 상품을 제거하고, 사용자가 상품에 당첨되었다는 것을 사용자에게 통지한다. 또 다른 예에서, 사용자가 상품에 당첨되지 않았다면, 디폴트 상품이 발행된다.또 다른 실시예에 따라, 저장 유닛(30)은, 사용자의 애플리케이션 참여 기록을 저장하도록 구성된다. 예를 들어, 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입한 후에, 사용자는 애플리케이션 참여 과정을 개시하고 애플리케이션 참여 과정이 완료될 때 상품 추첨 결과를 찾는다. 다른 예에서, 상품 추첨 결과는 상품 추첨이 종료된 후에 데이터베이스에 저장된다. 또 다른 예에서, 사용자의 애플리케이션 참여 기록은 게임 제공자에 의해 발행된 제한된 양의 상품에 당첨되는 것 또는 게임 제공자에 의해 발행된 디폴트 상품을 획득하는 것을 포함한다. 일례로서, 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록은 임시 테이블에 먼저 저장되고, 그 다음 임시 테이블로부터 데이터베이스 내로 기록된다. 따라서, 일부 실시예에서, 데이터베이스에 아직 기록되지 않은 사용자 기록의 뜻하지 않는 손실이 방지될 수 있다. 예를 들어, 데이터베이스가 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록을 수신하지 않는다면, 이는 사용자의 애플리케이션 참여에 관하여 임시 테이블에 다시 질의할 수 있어, 데이터베이스에 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 잃어버린 기록을 저장한다. 다른 예에서, 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록을 저장하는 것을 용이하게 하기 위하여, 사용자의 개인 식별 정보가 분류되어 데이터베이스의 상이한 파티션에 저장될 수 있다. 또 다른 예에서, 사용자의 QQ 번호의 마지막 2개 자릿수가 분류를 위해 사용될 수 있고, 동일한 2개 자릿수로 끝나는 QQ 번호를 갖는 모든 사용자의 애플리케이션 참여가 데이터베이스의 동일한 파티션에 저장될 수 있다.또 다른 실시예에 따라, 전송 유닛(40)은, 게임이 발행될 때 사용자에게 애플리케이션 참여 기록을 전송하도록 구성된다. 예를 들어, 게임의 발행일 후에, 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록이 사용자에게 전송되고, 사용자에게 자신의 상품을 교환하도록 통지하기 위하여 사용자가 당첨된 상품에 관한 정보가 팝업된다. 다른 예에서, 사용자가 상품에 당첨되지 않았다면, 사용자는 상품 추첨을 다시 시도할 때 상품 추첨에 대한 적격성을 소진하였다고 통지받는다. 또 다른 예에서, 사용자는 상품의 발행일 전에 상품을 추첨할 수 있고, 또한 상품의 발행일 후에 상품을 획득할 수 있다. 따라서, 소정의 실시예에 따라, 게임 캐릭터의 생성에 대한 상품 추첨의 의존성이 방지될 수 있어, 사용자가 캐릭터를 생성하지 않고 게임 애플리케이션 참여에 진입할 수 있게 할 뿐만 아니라, 게임 발행일에 서버의 계산 압력을 완화한다.도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 온라인 게임용 데이터 처리 장치를 도시하는 간략화된 도면이다. 도면은 단지 예이며, 이는 특허청구범위의 범위를 지나치게 제한하지 않아야 한다. 당업계에서의 통상의 기술자는 많은 변형, 대체 및 수정을 인식할 것이다. 데이터 처리 장치(900)는 수신 유닛(10), 진입 유닛(20), 저장 유닛(30) 및 전송 유닛(40)을 포함하고, 저장 유닛(30)은 제1 판단 모듈(301) 및 저장 모듈(302)을 포함한다. 예를 들어, 장치(900)는 방법(300) 및/또는 방법(400)을 실행하도록 구성된다.일 실시예에 따라, 수신 유닛(10)은, 게임이 발행되기 전에 사용자로부터 애플리케이션 참여 요청을 수신하도록 구성된다. 예를 들어, 게임을 마케팅하기 위하여, 게임의 발행일 전에, 게임 제공자는 사용자 상품 추첨 이벤트를 준비하고, 게임내 애플리케이션에서 참여를 위한 사용자 요청을 받아들인다. 다른 예에서, 애플리케이션 참여를 위한 사용자 요청은 상품 추첨 아이콘에 대한 사용자 클릭에 따라 수신될 수 있다. 일례로서, 상품 추첨 이벤트 동안, 게임 제공자는 게임 도구 또는 특권을 상품으로서 사용할 수 있다. 사용자는 게임 제공자에 의해 발표된 상품 풀로부터 사전 결정된 상품을 추첨할 수 있다. 예를 들어, QQ 삼국지의 사용자는 캐릭터 의상을 획득할 수 있고, Crossing the Fire Line의 사용자는 아이템(예를 들어, 무기)을 상품으로서 획득할 수 있다.다른 실시예에 따라, 진입 유닛(20)은, 애플리케이션 참여 요청을 수신한 후에 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입하도록 구성된다. 예를 들어, 애플리케이션 참여 요청이 수신된 후에, 사용자는 상품 추첨 규칙, 당첨 확률, 상품 등과 같은 정보를 제공받고, 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입하도록 제시된다. 다른 예에서, 애플리케이션 참여 과정에 진입한 후에, 반복된 상품 추첨을 방지하기 위하여 상품 추첨을 위한 사용자의 적격성이 감소되고, 그 다음 사용자가 상품에 당첨되었는지 판단된다. 또 다른 예에서, 사용자가 상품에 당첨되었다면, 게임 제공자는 상품 풀로부터 상품을 제거하고, 사용자가 상품에 당첨되었다는 것을 사용자에게 통지한다. 또 다른 예에서, 사용자가 상품에 당첨되지 않았다면, 디폴트 상품이 발행된다.또 다른 실시예에 따라, 저장 유닛(30)은, 사용자의 애플리케이션 참여 기록을 저장하도록 구성된다. 예를 들어, 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입한 후에, 사용자는 애플리케이션 참여 과정을 개시하고 애플리케이션 참여 과정이 완료될 때 상품 추첨 결과를 찾는다. 다른 예에서, 상품 추첨 결과는 상품 추첨이 종료된 후에 데이터베이스에 저장된다. 또 다른 예에서, 사용자의 애플리케이션 참여 기록은 게임 제공자에 의해 발행된 제한된 양의 상품에 당첨되는 것 또는 게임 제공자에 의해 발행된 디폴트 상품을 획득하는 것을 포함한다. 일례로서, 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록은 임시 테이블에 먼저 저장되고, 그 다음 임시 테이블로부터 데이터베이스 내로 기록된다. 따라서, 일부 실시예에서, 데이터베이스에 아직 기록되지 않은 사용자 기록의 뜻하지 않는 손실이 방지될 수 있다. 예를 들어, 데이터베이스가 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록을 수신하지 않는다면, 이는 사용자의 애플리케이션 참여에 관하여 임시 테이블에 다시 질의할 수 있어, 데이터베이스에 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 잃어버린 기록을 저장한다. 다른 예에서, 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록을 저장하는 것을 용이하게 하기 위하여, 사용자의 개인 식별 정보가 분류되어 데이터베이스의 상이한 파티션에 저장될 수 있다. 또 다른 예에서, 사용자의 QQ 번호의 마지막 2개 자릿수가 분류를 위해 사용될 수 있고, 동일한 2개 자릿수로 끝나는 QQ 번호를 갖는 모든 사용자의 애플리케이션 참여가 데이터베이스의 동일한 파티션에 저장될 수 있다.또 다른 실시예에서, 전송 유닛(40)은, 게임이 발행될 때 사용자에게 애플리케이션 참여 기록을 전송하도록 구성된다. 예를 들어, 게임의 발행일 후에, 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록이 사용자에게 전송되고, 사용자에게 자신의 상품을 교환하도록 통지하기 위하여 사용자가 당첨된 상품에 관한 정보가 팝업된다. 다른 예에서, 사용자가 상품에 당첨되지 않았다면, 사용자는 상품 추첨을 다시 시도할 때 상품 추첨에 대한 적격성을 소진하였다고 통지받는다.일 실시예에서, 제1 판단 모듈(301)은, 사용자의 제1 애플리케이션 참여 데이터와 연관된 정보에 적어도 기초하여 사용자가 사전 결정된 애플리케이션 참여 결과 데이터를 획득하는지 판단하도록 구성된다. 예를 들어, 사용자의 제1 애플리케이션 참여 데이터가 획득되고, 그 다음 사전 결정된 애플리케이션 참여 결과 데이터와 비교된다. 다른 예에서, 제1 애플리케이션 참여 데이터가 사전 결정된 애플리케이션 참여 결과 데이터와 동일하면, 사용자는 상품에 당첨된다. 아니라면, 사용자는 상품에 당첨되지 않는다. 일례로서, 사용자는 애플리케이션 참여 시스템에 의해 전송된 무작위 확률을 수신할 수 있다. 예를 들어, 확률값이 사전 결정된 확률에 도달하면, 애플리케이션 참여 결과가 획득된다. 아니라면, 애플리케이션 참여 결과는 획득되지 않는다. 다른 예에서, 상품 추첨에 관련되는 한, 확률값이 사전 결정된 확률에 도달하면, 사용자는 상품에 당첨된다. 아니라면, 사용자는 상품에 당첨되지 않는다.다른 실시예에서, 저장 모듈(302)은, 사용자가 사전 결정된 애플리케이션 참여 결과 데이터를 획득하는 것에 응답하여, 사전 결정된 애플리케이션 참여 결과 데이터를 저장하도록 구성된다. 예를 들어, 애플리케이션 참여 결과 데이터는 상품 패키지에 포함된 상품 데이터를 포함한다. 다른 예에서, 애플리케이션 참여 결과 데이터는 데이터베이스에 저장된다. 소정의 실시예에 따라, 게임의 발행 후에, 저장된 애플리케이션 참여 결과 데이터는 게임 서버로 전송되고, 게임 서버는 사용자에게 상품을 발행한다.도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 온라인 게임용 데이터 처리 장치를 도시하는 간략화된 도면이다. 도면은 단지 예이며, 이는 특허청구범위의 범위를 지나치게 제한하지 않아야 한다. 당업계에서의 통상의 기술자는 많은 변형, 대체 및 수정을 인식할 것이다. 데이터 처리 장치(1000)는 수신 유닛(10), 진입 유닛(20), 저장 유닛(30), 전송 유닛(40), 판단 유닛(50) 및 확인 유닛(60)을 포함한다. 예를 들어, 장치(1000)는 방법(300) 및/또는 방법(500)을 실행하도록 구성된다.일 실시예에 따라, 수신 유닛(10)은, 게임이 발행되기 전에 사용자로부터 애플리케이션 참여 요청을 수신하도록 구성된다. 예를 들어, 게임을 마케팅하기 위하여, 게임의 발행일 전에, 게임 제공자는 사용자 상품 추첨 이벤트를 준비하고, 게임내 애플리케이션에서 참여를 위한 사용자 요청을 받아들인다. 다른 예에서, 애플리케이션 참여를 위한 사용자 요청은 상품 추첨 아이콘에 대한 사용자 클릭에 따라 수신될 수 있다. 일례로서, 상품 추첨 이벤트 동안, 게임 제공자는 게임 도구 또는 특권을 상품으로서 사용할 수 있다. 사용자는 게임 제공자에 의해 발표된 상품 풀로부터 사전 결정된 상품을 추첨할 수 있다. 예를 들어, QQ 삼국지의 사용자는 캐릭터 의상을 획득할 수 있고, Crossing the Fire Line의 사용자는 아이템(예를 들어, 무기)을 상품으로서 획득할 수 있다.다른 실시예에 따라, 진입 유닛(20)은, 애플리케이션 참여 요청의 수신에 따라 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입하도록 구성된다. 예를 들어, 애플리케이션 참여 요청이 수신된 후에, 사용자는 상품 추첨 규칙, 당첨 확률, 상품 등과 같은 정보를 제공받고, 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입하도록 제시된다. 다른 예에서, 애플리케이션 참여 과정에 진입한 후에, 반복된 상품 추첨을 방지하기 위하여 상품 추첨을 위한 사용자의 적격성이 감소되고, 그 다음 사용자가 상품에 당첨되었는지 판단된다. 또 다른 예에서, 사용자가 상품에 당첨되었다면, 게임 제공자는 상품 풀로부터 상품을 제거하고, 사용자가 상품에 당첨되었다는 것을 사용자에게 통지한다. 또 다른 예에서, 사용자가 상품에 당첨되지 않았다면, 디폴트 상품이 발행된다.또 다른 실시예에 따라, 저장 유닛(30)은, 사용자의 애플리케이션 참여 기록을 저장하도록 구성된다. 예를 들어, 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입한 후에, 사용자는 애플리케이션 참여 과정을 개시하고 애플리케이션 참여 과정이 완료될 때 상품 추첨 결과를 찾는다. 다른 예에서, 상품 추첨 결과는 상품 추첨이 종료된 후에 데이터베이스에 저장된다. 또 다른 예에서, 사용자의 애플리케이션 참여 기록은 게임 제공자에 의해 발행된 제한된 양의 상품에 당첨되는 것 또는 게임 제공자에 의해 발행된 디폴트 상품을 획득하는 것을 포함한다. 일례로서, 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록은 임시 테이블에 먼저 저장되고, 그 다음 임시 테이블로부터 데이터베이스 내로 기록된다. 따라서, 일부 실시예에서, 데이터베이스에 아직 기록되지 않은 사용자 기록의 뜻하지 않는 손실이 방지될 수 있다. 예를 들어, 데이터베이스가 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록을 수신하지 않는다면, 이는 사용자의 애플리케이션 참여에 관하여 임시 테이블에 다시 질의할 수 있어, 데이터베이스에 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 잃어버린 기록을 저장한다. 다른 예에서, 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록을 저장하는 것을 용이하게 하기 위하여, 사용자의 개인 식별 정보가 분류되어 데이터베이스의 상이한 파티션에 저장될 수 있다. 또 다른 예에서, 사용자의 QQ 번호의 마지막 2개 자릿수가 분류를 위해 사용될 수 있고, 동일한 2개 자릿수로 끝나는 QQ 번호를 갖는 모든 사용자의 애플리케이션 참여가 데이터베이스의 동일한 파티션에 저장될 수 있다.일 실시예에서, 전송 유닛(40)은, 게임이 발행될 때 사용자에게 애플리케이션 참여 기록을 전송하도록 구성된다. 예를 들어, 게임의 발행일 후에, 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록이 사용자에게 전송되고, 사용자에게 자신의 상품을 교환하도록 통지하기 위하여 사용자가 당첨된 상품에 관한 정보가 팝업된다. 다른 예에서, 사용자가 상품에 당첨되지 않았다면, 사용자는 상품 추첨을 다시 시도할 때 상품 추첨에 대한 적격성을 소진하였다고 통지받는다. 또 다른 예에서, 사용자는 상품의 발행일 전에 상품을 추첨할 수 있고, 또한 상품의 발행일 후에 상품을 획득할 수 있다. 따라서, 소정의 실시예에 따라, 게임 캐릭터의 생성에 대한 상품 추첨의 의존성이 방지될 수 있어, 사용자가 캐릭터를 생성하지 않고 게임 애플리케이션 참여에 진입할 수 있게 할 뿐만 아니라, 게임 발행일에 서버의 계산 압력을 완화한다.일 실시예에서, 판단 유닛(50)은, 사전 결정된 애플리케이션 참여 결과 데이터와 연관된 정보에 적어도 기초하여 애플리케이션 참여 결과 데이터베이스가 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과를 포함하는지 판단하도록 구성된다. 구체적으로는, 사용자의 애플리케이션 참여 과정이 완료된 후에, 사용자의 애플리케이션 참여 결과 데이터에 기초하여 애플리케이션 참여 결과 데이터베이스에 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과가 존재하는지 판단된다. 일례로서, 애플리케이션 참여 결과 데이터베이스에 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과가 있다면, 사용자는 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과를 획득할 수 있다. 다른 예로서, 애플리케이션 참여 결과 데이터베이스에 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과가 없다면, 사용자는 디폴트의 사전 결정된 애플리케이션 참여 결과를 획득할 수 있다.다른 실시예에서, 확인 유닛(60)은, 애플리케이션 참여 결과 데이터베이스가 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과를 포함하는 것에 응답하여, 사용자의 하나 이상의 제1 애플리케이션 참여 결과가 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과에 대응한다고 확인한다고 구성된다. 예를 들어, 사용자의 참여 결과가 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과라고 확인된 후에, 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과가 사용자에게 전송된다. 일례로서, 확인 유닛(60)은, 애플리케이션 참여 결과 데이터베이스가 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과를 포함하지 않는 것에 응답하여, 사용자의 제1 애플리케이션 참여 결과가 사전 결정된 애플리케이션 참여 결과 데이터에 대응한다고 확인하도록 더 구성된다. 다른 예로서, 사용자의 참여 결과가 디폴트 애플리케이션 참여 결과라고 확인된 후에, 디폴트 애플리케이션 참여 결과가 사용자에게 전송된다.또 다른 실시예에 따르면, 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록은 사용자가 게임의 발행일 후에 상품을 수령하도록 사전 결정된 데이터베이스에 저장된다. 예를 들어, 게임의 발행일 후에 애플리케이션 참여 기록이 데이터베이스로부터 추출되며, 애플리케이션 참여 기록이 사용자에게 전송된다.도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 온라인 게임용 데이터 처리 장치를 도시하는 간략화된 도면이다. 도면은 단지 예이며, 이는 특허청구범위의 범위를 지나치게 제한하지 않아야 한다. 당업계에서의 통상의 기술자는 많은 변형, 대체 및 수정을 인식할 것이다. 데이터 처리 장치(1100)는 수신 유닛(10), 진입 유닛(20), 저장 유닛(30) 및 전송 유닛(40)을 포함하고, 전송 유닛(40)은 제2 판단 모듈(401), 제1 통지 모듈(402), 제3 판단 모듈(403), 전송 모듈(404) 및 제2 통지 모듈(405)을 포함한다. 예를 들어, 장치(1100)는 방법(300) 및/또는 방법(600)을 실행하도록 구성된다.일 실시예에 따라, 수신 유닛(10)은, 게임이 발행되기 전에 사용자로부터 애플리케이션 참여 요청을 수신하도록 구성된다. 예를 들어, 게임을 마케팅하기 위하여, 게임의 발행일 전에, 게임 제공자는 사용자 상품 추첨 이벤트를 준비하고, 게임내 애플리케이션에서 참여를 위한 사용자 요청을 받아들인다. 다른 예에서, 애플리케이션 참여를 위한 사용자 요청은 상품 추첨 아이콘에 대한 사용자 클릭에 따라 수신될 수 있다. 일례로서, 상품 추첨 이벤트 동안, 게임 제공자는 게임 도구 또는 특권을 상품으로서 사용할 수 있다. 사용자는 게임 제공자에 의해 발표된 상품 풀로부터 사전 결정된 상품을 추첨할 수 있다. 예를 들어, QQ 삼국지의 사용자는 캐릭터 의상을 획득할 수 있고, Crossing the Fire Line의 사용자는 아이템(예를 들어, 무기)을 상품으로서 획득할 수 있다.다른 실시예에 따라, 진입 유닛(20)은, 애플리케이션 참여 요청의 수신에 따라 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입하도록 구성된다. 예를 들어, 애플리케이션 참여 요청이 수신된 후에, 사용자는 상품 추첨 규칙, 당첨 확률, 상품 등과 같은 정보를 제공받고, 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입하도록 제시된다. 다른 예에서, 애플리케이션 참여 과정에 진입한 후에, 반복된 상품 추첨을 방지하기 위하여 상품 추첨을 위한 사용자의 적격성이 감소되고, 그 다음 사용자가 상품에 당첨되었는지 판단된다. 또 다른 예에서, 사용자가 상품에 당첨되었다면, 게임 제공자는 상품 풀로부터 상품을 제거하고, 사용자가 상품에 당첨되었다는 것을 사용자에게 통지한다. 또 다른 예에서, 사용자가 상품에 당첨되지 않았다면, 디폴트 상품이 발행된다.또 다른 실시예에 따라, 저장 유닛(30)은, 사용자의 애플리케이션 참여 기록을 저장하도록 구성된다. 예를 들어, 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입한 후에, 사용자는 애플리케이션 참여 과정을 개시하고 애플리케이션 참여 과정이 완료될 때 상품 추첨 결과를 찾는다. 다른 예에서, 상품 추첨 결과는 상품 추첨이 종료된 후에 데이터베이스에 저장된다. 또 다른 예에서, 사용자의 애플리케이션 참여 기록은 게임 제공자에 의해 발행된 제한된 양의 상품에 당첨되는 것 또는 게임 제공자에 의해 발행된 디폴트 상품을 획득하는 것을 포함한다. 일례로서, 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록은 임시 테이블에 먼저 저장되고, 그 다음 임시 테이블로부터 데이터베이스 내로 기록된다. 따라서, 일부 실시예에서, 데이터베이스에 아직 기록되지 않은 사용자 기록의 뜻하지 않는 손실이 방지될 수 있다. 예를 들어, 데이터베이스가 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록을 수신하지 않는다면, 이는 사용자의 애플리케이션 참여에 관하여 임시 테이블에 다시 질의할 수 있어, 데이터베이스에 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 잃어버린 기록을 저장한다. 다른 예에서, 사용자의 애플리케이션 참여에 대한 기록을 저장하는 것을 용이하게 하기 위하여, 사용자의 개인 식별 정보가 분류되어 데이터베이스의 상이한 파티션에 저장될 수 있다. 또 다른 예에서, 사용자의 QQ 번호의 마지막 2개 자릿수가 분류를 위해 사용될 수 있고, 동일한 2개 자릿수로 끝나는 QQ 번호를 갖는 모든 사용자의 애플리케이션 참여가 데이터베이스의 동일한 파티션에 저장될 수 있다.일 실시예에서, 제2 판단 모듈(401)은, 과정 게임이 발행될 때 사용자의 로그인 정보에 기초하여 사용자가 애플리케이션 참여 기록을 가지고 있는지 판단하도록 구성된다. 예를 들어, 게임의 발행일 후에, 사용자의 로그인 정보가 수신되고, QQ 번호와 같은 정보가 사용자를 식별하기 위하여 사용될 수 있다. 다른 예에서, 사용자의 로그인 정보와 애플리케이션 참여 기록은 데이터베이스에 저장된다. 또 다른 예에서, 게임의 발행일 후에, 데이터베이스는 사용자의 로그인 정보에 기초하여 사용자가 애플리케이션 참여 기록을 가지고 있는지 판단한다. 일례로서, 사용자가 애플리케이션 참여 기록을 가진다고 판단되면, 사용자는 상품을 교환하고 게임 캐릭터를 생성하도록 통지된다. 다른 예에서, 사용자가 애플리케이션 참여 기록을 가지지 않는다고 판단되면, 상품을 교환하라는 통지는 전송되지 않는다.다른 실시예에서, 제1 통지 모듈(402)은, 사용자가 애플리케이션 참여 기록을 가지는 것에 응답하여, 하나 이상의 제1 애플리케이션 참여 결과를 획득하도록 사용자에게 통지하도록 구성된다. 예를 들어, 사용자의 애플리케이션 참여 기록이 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과 또는 디폴트 애플리케이션 참여 결과를 포함한다. 다른 예에서, 사용자가 애플리케이션 참여 기록을 가지면, 사용자는 제한된 양의 애플리케이션 참여 결과 또는 디폴트 애플리케이션 참여 결과를 검색하도록 통지된다.또 다른 실시예에서, 제3 판단 모듈(403)은, 사용자가 로그인한 후에 조작 데이터와 연관된 정보에 적어도 기초하여 사용자가 캐릭터를 생성하였는지 판단하는데 사용된다. 예를 들어, 캐릭터 선택 서버는 사용자가 로그인한 후에 사용자의 조작 데이터를 이용하여 사용자가 캐릭터를 이미 생성하였는지 판단한다. 일례로서, 사용자가 캐릭터를 이미 생성하였다고 판단되면, 서버는 사용자에게 애플리케이션 참여 결과를 전송할 준비를 하며, 사용자는 캐릭터를 아직 생성하지 않은 경우에 캐릭터를 생성하도록 제시된다.또 다른 실시예에서, 전송 모듈(404)은, 사용자가 캐릭터를 생성한 것에 응답하여, 애플리케이션 참여 기록에 대응하는 사전 결정된 애플리케이션 참여 결과 데이터를 전송하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 사용자가 캐릭터를 생성하였다고 캐릭터 선택 서버가 판단한 후에, 캐릭터 선택 서버는 확인을 게임 서버에 전송한다. 그 다음, 게임 서버는 대응하는 사전 결정된 애플리케이션 참여 결과를 사용자에게 전송한다. 또 다른 실시예에서, 제2 통지 모듈(405)은, 사용자가 캐릭터를 생성하지 않은 것에 응답하여, 캐릭터를 생성하도록 사용자에게 통지하도록 구성된다. 예를 들어, 사용자가 캐릭터를 생성하지 않았다면, 캐릭터 선택 서버는 캐릭터를 생성하도록 사용자에게 제시한다.일 실시예에 따르면, 온라인 게임을 제공하기 위한 방법이 제공된다. 예를 들어, 게임이 발행되기 전에 애플리케이션 참여 요청이 사용자로부터 수신되고; 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입되고; 사용자의 애플리케이션 참여 기록이 저장되고; 게임이 발행될 때 애플리케이션 참여 기록이 사용자에게 전송된다. 예를 들어, 방법은 적어도 도 3에 따라 구현된다.다른 실시예에 따르면, 온라인 게임용 데이터 처리 장치는, 게임이 발행되기 전에 사용자로부터 애플리케이션 참여 요청을 수신하도록 구성된 수신 유닛; 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입하도록 구성된 진입 유닛; 사용자의 애플리케이션 참여 기록을 저장하도록 구성된 저장 유닛; 및 게임이 발행된 후에 애플리케이션 참여 기록을 사용자에게 전송하도록 구성된 전송 유닛을 포함한다. 예를 들어, 장치는 적어도 도 8에 따라 구현된다.또 다른 실시예에 따르면, 비일시적인 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체는 온라인 게임용 프로그래밍 명령어를 포함한다. 프로그래밍 명령어는 하나 이상의 데이터 프로세서가 소정의 동작을 실행하게 하도록 구성된다. 예를 들어, 게임이 발행되기 전에 사용자로부터 애플리케이션 참여 요청이 수신되고; 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입되고; 사용자의 애플리케이션 참여 기록이 저장되고; 게임이 발행될 때 애플리케이션 참여 기록이 사용자에게 전송된다. 예를 들어, 저장 매체는 적어도 도 3에 따라 구현된다.전술한 바는 단지 본 발명에 의해 제공되는 여러 시나리오를 설명하며, 설명은 상대적으로 구체적이고 상세하지만, 본 발명의 특허의 범위를 제한하는 것으로 이해될 수 없다. 또한, 당업계에서 통상의 기술자가, 본 발명의 개념적 전제를 벗어나지 않으면서, 모두 본 발명의 범위 내에 있는 많은 변형 및 수정을 할 수 있다는 것이 주목된다. 그 결과, 보호의 측면에서, 특허청구범위가 지배할 것이다.예를 들어, 본 발명 각각의 다양한 실시예의 일부 또는 모든 컴포넌트는 개별적으로 그리고/또는 적어도 다른 컴포넌트와 조합하여 하나 이상의 소프트웨어 컴포넌트, 하나 이상의 하드웨어 컴포넌트 및/또는 소프트웨어 및 하드웨어 컴포넌트의 하나 이상의 조합을 이용하여 구현된다. 다른 예에서, 본 발명 각각의 다양한 실시예의 일부 또는 모든 컴포넌트는 개별적으로 그리고/또는 적어도 다른 컴포넌트와 조합하여 하나 이상의 아날로그 회로 및/또는 하나 이상의 디지털 회로와 같은 하나 이상의 회로에서 구현된다. 또 다른 예에서, 본 발명의 다양한 실시예 및/또는 예는 조합될 수 있다.또한, 여기에서 설명된 방법 및 시스템은 장치 처리 서브 시스템에 의해 실행 가능한 프로그램 명령어를 포함하는 프로그램 코드에 의해 많은 상이한 종류의 처리 장치에서 구현될 수 있다. 소프트웨어 프로그램 명령어는 소스 코드, 오브젝트 코드, 기계어 코드 또는 처리 시스템이 여기에서 설명된 방법 및 동작을 수행하게 하도록 동작 가능한 임의의 다른 저장된 데이터를 포함할 수 있다. 그러나, 펌웨어 또는 심지어 여기에서 설명된 방법 및 시스템을 수행하도록 구성된 적합하게 설계된 하드웨어와 같은 다른 구현예도 사용될 수 있다.시스템 및 방법의 데이터(예를 들어, 연관성, 매핑, 데이터 입력, 데이터 출력, 중간 데이터 결과, 최종 데이터 결과 등)가 상이한 종류의 저장 장치 및 프로그래밍 구성(예를 들어, RAM, ROM, 플래시 메모리, 플랫 파일(flat file), 데이터베이스, 프로그래밍 데이터 구조, 프로그래밍 변수, IF-THEN(또는 유사한 종류) 선언 구성 등)과 같은 하나 이상의 상이한 종류의 컴퓨터 구현 데이터 저장소에 저장되고 구현될 수 있다. 데이터 구조가 데이터베이스, 프로그램, 메모리 또는 컴퓨터 프로그램에 의한 사용을 위한 다른 컴퓨터 판독 가능한 매체에 데이터를 조직화하고 저장하는데 있어서의 사용을 위한 포맷을 설명한다는 것이 주목된다.시스템 및 방법은, 여기에서 설명되는 시스템을 구현하고 방법의 동작을 수행하기 위하여 프로세서에 의한 실행에서의 사용을 위한 명령어(예를 들어, 소프트웨어)를 포함하는 컴퓨터 저장 메커니즘을 포함하는 상이한 종류의 컴퓨터 판독 가능한 매체(예를 들어, CD-ROM, 디스켓, 플래시 메모리, 컴퓨터의 하드 드라이브 등)에 제공될 수 있다.여기에서 설명되는 컴퓨터 컴포넌트, 소프트웨어 모듈, 함수, 데이터 저장소 및 데이터 구조는 이들의 동작을 위해 필요한 데이터의 흐름을 허용하도록 서로 직접적으로 또는 간접적으로 연결될 수 있다. 또한, 모듈 또는 프로세서가 소프트웨어 동작을 수행하는 코드 유닛을 포함하지만 이에 한정되지 않으며, 예를 들어, 코드의 서브루틴 유닛으로서 또는 코드의 소프트웨어 함수 유닛으로서, 또는 객체(객체 지향 패러다임에서와 같이)로서, 또는 애플렛(applet)으로서, 또는 컴퓨터 스크립트 언어에서, 또는 다른 종류의 컴퓨터 코드로서 구현될 수 있다는 것이 주목된다. 소프트웨어 컴포넌트 및/또는 기능부는 가까이 있는 상황에 따라 단일 컴퓨터에 위치되거나, 또는 여러 컴퓨터에 걸쳐 분산될 수 있다.컴퓨팅 시스템은 클라이언트 장치 및 서버를 포함할 수 있다. 클라이언트 장치 및 서버는 일반적으로 서로 떨어져 있으며, 통상적으로 통신 네트워크를 통해 상호 작용한다. 클라이언트 장치 및 서버의 관계는 각각의 컴퓨터에서 실행되고 서로 클라이언트 장치-서버 관계를 갖는 컴퓨터 프로그램에 의해서 발생한다.본 명세서는 특정 실시예에 대한 많은 상세를 포함한다. 개별 실시예와 연계하여 본 명세서에 설명되는 소정의 특징들은 단일 실시예에서 조합하여 구현될 수도 있다. 반대로, 단일 실시예와 연계하여 설명되는 다양한 특징들은 개별적으로 또는 임의의 적합한 서브 조합으로 여러 실시예에서 구현될 수도 있다. 더욱이, 특징들이 소정의 조합으로 동작하는 것으로 설명될 수 있지만, 조합으로부터의 하나 이상의 특징이 일부 경우에 조합으로부터 제거될 수 있고, 조합은, 예를 들어, 서브 조합 또는 서브 조합의 변형으로 유도될 수 있다.유사하게, 동작들이 특정 순서로 도면에서 도시되지만, 원하는 결과를 성취하기 위하여 이러한 동작들이 도시된 특정 순서로 또는 순차적인 순서로 수행되거나 또는 모든 도시된 동작들이 수행되는 것이 필요한 것으로 이해되어서는 안 된다. 소정의 상황에서, 멀티태스킹 및 병렬 처리가 유익할 수 있다. 더욱이, 전술한 실시예에서 다양한 시스템 컴포넌트의 분리는 이러한 분리가 모든 실시예에서 필요한 것으로 이해되어서는 안되며, 설명된 프로그램 컴포넌트 및 시스템이 일반적으로 단일 소프트웨어 제품에서 함께 통합될 수 있거나 여러 소프트웨어 제품으로 패키지될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만, 당업계의 통상의 기술자는 설명된 실시예에 균등한 다른 실시예가 있다는 것이 이해할 것이다. 따라서, 본 발명은 구체적인 예시된 실시예에 의해 제한되지 않고, 첨부된 청구범위의 범위에 의해서 제한된다.
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온라인 게임용 시스템 및 방법이 제공된다. 예를 들어, 게임이 발행되기 전에 사용자로부터 애플리케이션 참여 요청이 수신되고; 게임의 애플리케이션 참여 과정에 진입되고; 사용자의 애플리케이션 참여 기록이 저장되고; 게임이 발행될 때 애플리케이션 참여 기록이 사용자에게 전송된다.
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[ 발명의 명칭 ]
프로세스 시스템의 관리 시스템, 서버 장치, 관리 프로그램 및 관리 방법PROCESS SYSTEM MANAGMENET SYSTEM, SERVER DEVICE, MANAGEMENT PROGRAM, AND MANAGEMENT METHOD
[ 기술분야 ]
본 발명은 복수의 시스템 구성 기기를 포함하는 프로세스 시스템의 관리 시스템, 이 관리 시스템의 서버 장치, 이 서버 장치의 관리 프로그램, 및 프로세스 시스템의 관리 방법에 관한 것이다.
[ 배경기술 ]
증기 플랜트 등의 설비에 있어서, 증기 사용 기기에 증기를 공급하는 데에 증기 공급 시스템 등의 프로세스 시스템이 사용되고 있다. 증기 공급 시스템은 보일러 등의 증기 발생 장치, 증기를 수송하는 수송관, 드레인을 배출하는 스팀 트랩 및 증기를 사용하는 증기 사용 기기 등의 시스템 구성 기기로 구성된다. 증기 플랜트는 일본 공개특허공보 특개2010-024899호 및 일본 공개특허공보 특개2013-155896호에 예시되어 있다.증기 공급 시스템에 있어서, 증기의 일부가 응축됨으로써 발생하는 드레인은 증기 사용 기기의 운전 효율을 저하시키는 등의 원인이 된다. 그 때문에, 증기 공급 시스템의 요소(要所)에 스팀 트랩을 배치해서 드레인의 배출을 행하고 있다. 이 드레인의 배출 기능을 유지하기 위해 스팀 트랩의 점검 및 보수 등이 정기적으로 행해지고 있다.스팀 트랩의 점검에서는, 작업자가 스팀 트랩 1대 1대에 대해서 검사 기기를 사용해서, 증기 누설량 등을 조사한다. 증기 누설량이 큰 스팀 트랩은 정상적인 스팀 트랩으로 교환되거나 또는 일부 부품이 교환되거나 해서 보수가 행해진다. 혹은, 정기적으로 새로운 스팀 트랩으로 교환을 행하는 경우도 있다. 보수 작업자는 스팀 트랩의 배치 위치가 기재되어 있는 에어리어 맵을 참조하면서 해당하는 스팀 트랩을 특정해서 작업을 행한다.이러한 스팀 트랩은 증기 공급 시스템의 각 개소에 설치되며, 예를 들면 거대 플랜트 등의 증기 공급 시스템에서는 수만대가 설치된다.
[ 선행기술문헌 ]
[ 특허문헌 ]
특허문헌 1 : 일본 공개특허공보 특개2010-024899호특허문헌 2 : 일본 공개특허공보 특개2013-155896호
[ 발명의 개요 ]
[ 해결하려는 과제 ]
상술한 바와 같이, 스팀 트랩은 주로 증기 누설량이 큰 것이 교환 등의 대상이 되지만, 다른 시스템 구성 기기 등과의 관련성에 의해, 교환의 긴급성이 낮은 스팀 트랩도 존재한다. 예를 들면, 동일한 수송관에 복수대의 스팀 트랩이 접속되어 있는 경우가 있다. 이 경우는, 복수대 스팀 트랩 중 1대의 스팀 트랩의 교환이 필요했다고 해도, 상기 1대의 스팀 트랩을 제외한 나머지 스팀 트랩이 정상적으로 기능하고 있으면 어느 정도의 드레인 배출 기능은 유지 가능하기 때문에, 교환의 긴급성은 그다지 높지 않다. 따라서, 상기 1대의 스팀 트랩보다 교환의 긴급성이 높은 스팀 트랩부터 우선해서 교환 작업을 행하는 것이 증기 공급 시스템의 운전 효율을 유지함에 있어서 유효하다. 그러나, 다른 시스템 구성 기기와의 관련성을 고려하는 것은 작업자에게 높은 스킬이 요구된다.본 발명은 프로세스 시스템을 구성하는 복수의 시스템 구성 기기 각각에 대한 다른 시스템 구성 기기와의 관련성을 용이하게 파악할 수 있는 프로세스 시스템의 관리 시스템, 이 관리 시스템의 서버 장치, 이 서버 장치의 관리 프로그램 및 관리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
[ 과제의 해결 수단 ]
본 발명의 제1 측면에 의해 제공되는, 복수의 시스템 구성 기기를 포함하는 프로세스 시스템의 관리 시스템에 적용되며, 단말 장치에 네트워크 회선을 개재해서 서로 송수신 가능하게 접속된 서버 장치는, 맵 정보 기억부, 관련 정보 기억부, 맵 정보 생성부를 구비하고 있다. 맵 정보 기억부는, 상기 프로세스 시스템을 구성하는 복수의 시스템 구성 기기 중 적어도 특정의 시스템 구성 기기의 배치 위치를 나타내는 배치 맵을 표시하기 위한 기본 배치 맵 정보, 및 상기 복수의 시스템 구성 기기의 접속 관계를 나타내는 프로세스 맵을 표시하기 위한 기본 프로세스 맵 정보를 기억한다. 관련 정보 기억부는, 상기 특정의 시스템 구성 기기에 관련된 다른 시스템 구성 기기의 식별 정보를, 상기 특정의 시스템 구성 기기의 식별 정보와 관련지은 관련 정보를 기억한다. 맵 정보 생성부는, 상기 맵 정보 기억부에 기억되어 있는 상기 기본 배치 맵 정보 및 상기 기본 프로세스 맵 정보에 의거해서, 상기 단말 장치의 표시부에 상기 배치 맵 및 상기 프로세스 맵을 전환해서 표시시키거나 또는 나열해서 표시시키기 위한, 표시 배치 맵 정보 및 표시 프로세스 맵 정보를 생성한다. 또한, 맵 정보 생성부는, 상기 관련 정보 기억부의 정보에 의거해서, 상기 단말 장치의 조작부에 있어서 지정된 상기 시스템 구성 기기에 관련된 다른 시스템 구성 기기를 특정하고, 상기 특정한 다른 시스템 구성 기기를 식별 가능한 표시 태양으로 표시하는 상기 표시 프로세스 맵 정보를 생성한다.상기 맵 정보 생성부는, 지정된 상기 시스템 구성 기기도 식별 가능한 표시 태양으로 표시하는 상기 표시 배치 맵 정보 및 상기 표시 프로세스 맵 정보를 생성하도록 해도 된다.상기 단말 장치의 조작부에서는, 상기 표시부에 표시된 배치 맵 내의 위치를 지정하는 조작 입력이 수신되고, 상기 맵 정보 생성부는, 상기 관련 정보 기억부의 정보에 의거해서, 상기 단말 장치로부터 송신된 배치 맵 내의 위치 정보로부터, 상기 단말 장치의 조작부에 있어서 지정된 시스템 구성 기기를 특정하도록 해도 된다.상기 단말 장치의 표시부에서는, 상기 배치 맵 및 상기 프로세스 맵이 전환해서 표시되고, 상기 맵 정보 생성부는, 상기 배치 맵 내의 위치 정보가 수신된 경우, 상기 단말 장치의 표시부에 표시되어 있는 상기 배치 맵의 표시를 상기 프로세스 맵으로 전환시키기 위해서, 상기 표시 프로세스 맵 정보를 생성하도록 해도 된다.상기 특정의 구성 기기의 동작 상태의 정보를, 상기 특정의 구성 기기의 식별 정보에 관련지어 기억하는 동작 상태 기억부를 더 구비하고, 상기 맵 정보 생성부는, 상기 동작 상태 기억부의 정보에 의거해서, 상기 특정의 시스템 구성 기기 각각의 동작 상태를 특정 가능한 표시 태양으로 표시하는 상기 표시 배치 맵 정보 및 상기 표시 프로세스 맵 정보를 생성하도록 해도 된다.상기 특정의 시스템 구성 기기 각각의 동작 상태를 특정 가능한 표시 태양은, 상기 동작 상태에 따라 형상, 색채, 점멸 간격 중 어느 하나가 상이하도록 해도 된다.상기 특정의 구성 기기는, 상기 프로세스 시스템에 있어서 발생하는 드레인을 배출하는 스팀 트랩이며, 상기 동작 상태는, 상기 스팀 트랩에 관한 온도 및 진동의 정보에 의거해서 판정된 상태이어도 된다.상기 특정의 구성 기기의 동작 상태에는, 옳은 동작 상태를 나타내는 정상 상태, 정상이 아닌 동작 상태를 나타내는 이상 상태, 동작이 정지하고 있는 상태에 있는 휴지 상태가 포함되어 있어도 된다.본 발명의 제2 측면에 의해 제공되는 복수의 시스템 구성 기기를 포함하는 프로세스 시스템의 관리 시스템은, 맵 정보 기억부, 관련 정보 기억부, 맵 정보 생성부, 표시부, 조작부를 구비하고 있다. 맵 정보 기억부는, 상기 프로세스 시스템을 구성하는 복수의 시스템 구성 기기 중 적어도 특정의 시스템 구성 기기의 배치 위치를 나타내는 배치 맵을 표시하기 위한 기본 배치 맵 정보, 및 상기 복수의 시스템 구성 기기의 접속 관계를 나타내는 프로세스 맵을 표시하기 위한 기본 프로세스 맵 정보를 기억한다. 관련 정보 기억부는, 상기 특정의 시스템 구성 기기에 관련된 다른 시스템 구성 기기의 식별 정보를, 상기 특정의 시스템 구성 기기의 식별 정보와 관련지은 관련 정보를 기억한다. 맵 정보 생성부는, 상기 맵 정보 기억부에 기억되어 있는 상기 기본 배치 맵 정보 및 상기 기본 프로세스 맵 정보에 의거해서, 상기 배치 맵을 표시하기 위한 표시 배치 맵 정보 및 상기 프로세스 맵을 표시하기 위한 표시 프로세스 맵 정보를 생성한다. 표시부는, 상기 표시 배치 맵 정보 및 상기 표시 프로세스 맵 정보를 사용해서, 상기 배치 맵 및 상기 프로세스 맵을 전환해서 표시하거나 또는 나열해서 표시한다. 조작부는, 상기 특정의 시스템 구성 기기 중 1개를 지정하는 조작 입력을 수신한다. 맵 정보 생성부는, 상기 관련 정보 기억부의 정보에 의거해서, 상기 조작부를 개재해서 지정된 상기 시스템 구성 기기에 관련된 다른 시스템 구성 기기를 특정하고, 상기 특정한 다른 시스템 구성 기기를 식별 가능한 표시 태양으로 표시하는 상기 표시 프로세스 맵 정보를 생성한다.본 발명의 제3 측면에 의해 제공되는 프로세스 시스템의 관리 프로그램은, 복수의 시스템 구성 기기를 포함하는 프로세스 시스템의 관리 시스템에 적용되며, 단말 장치에 네트워크 회선을 개재해서 서로 송수신 가능하게 접속된 서버 장치의 컴퓨터를, 상기 프로세스 시스템을 구성하는 복수의 시스템 구성 기기 중 적어도 특정의 시스템 구성 기기의 배치 위치를 나타내는 배치 맵을 표시하기 위한 기본 배치 맵 정보 및 상기 복수의 시스템 구성 기기의 접속 관계를 나타내는 프로세스 맵을 표시하기 위한 기본 프로세스 맵 정보에 의거해서, 상기 단말 장치의 표시부에 상기 배치 맵 및 상기 프로세스 맵을 전환해서 표시시키거나 또는 나열해서 표시시키기 위한 표시 배치 맵 정보 및 표시 프로세스 맵 정보를 생성하는 맵 정보 생성부로서 기능하게 하고, 상기 맵 정보 생성부를, 상기 특정의 시스템 구성 기기에 관련된 다른 시스템 구성 기기의 식별 정보가 상기 특정의 시스템 구성 기기의 식별 정보와 관련지어진 관련 정보에 의거해서, 상기 단말 장치의 조작부에 있어서 지정된 시스템 구성 기기에 관련된 다른 시스템 구성 기기를 특정하고, 상기 특정한 다른 시스템 구성 기기를 식별 가능한 표시 태양으로 표시하는 상기 프로세스 맵 정보를 생성하는 것으로서 기능하게 한다.본 발명의 제4 측면에 의해 제공되는 컴퓨터에 의해 실행되는 복수의 시스템 구성 기기를 포함하는 프로세스 시스템의 관리 방법은, 상기 프로세스 시스템을 구성하는 복수의 시스템 구성 기기 중 적어도 특정의 시스템 구성 기기의 배치 위치를 나타내는 배치 맵을 표시하기 위한 기본 배치 맵 정보 및 상기 복수의 시스템 구성 기기의 접속 관계를 나타내는 프로세스 맵을 표시하기 위한 기본 프로세스 맵 정보를 기억하는 맵 정보 기억부에 액세스하는 공정과, 상기 특정의 시스템 구성 기기에 관련된 다른 시스템 구성 기기의 식별 정보를 상기 특정의 시스템 구성 기기의 식별 정보와 관련지은 관련 정보를 기억하는 관련 정보 기억부에 액세스하는 공정과, 상기 맵 정보 기억부에 기억되어 있는 상기 기본 배치 맵 정보 및 상기 기본 프로세스 맵 정보에 의거해서, 상기 배치 맵을 표시하기 위한 표시 배치 맵 정보 및 상기 프로세스 맵을 표시하기 위한 표시 프로세스 맵 정보를 생성하는 맵 정보 생성 공정과, 상기 표시 배치 맵 정보 및 상기 표시 프로세스 맵 정보를 사용해서, 상기 배치 맵 및 상기 프로세스 맵을 전환해서 표시하거나 또는 나열해서 표시하는 표시 공정과, 상기 특정의 시스템 구성 기기 중 1개를 지정하는 조작 입력을 수신하는 조작 공정을 구비하고, 상기 맵 정보 생성 공정은 상기 관련 정보 기억부의 정보에 의거해서, 상기 조작부를 개재해서 지정된 상기 시스템 구성 기기에 관련된 다른 시스템 구성 기기를 특정하고, 상기 특정한 다른 시스템 구성 기기를 식별 가능한 표시 태양으로 표시하는 상기 표시 프로세스 맵 정보를 생성한다.
[ 발명의 효과 ]
본 발명에 의하면, 시스템 구성 기기의 배치 위치를 나타내는 배치 맵에 추가해서, 적어도 특정의 시스템 구성 기기에 대해서 관련이 있는 다른 시스템 구성 기기를 특정 가능한 프로세스 맵을 표시부에 표시할 수 있다. 따라서, 사용자는 대상의 시스템 구성 기기와 다른 시스템 구성 기기의 관련성을 용이하게 파악할 수 있다. 이에 따라, 사용자는 관련성에 의거해서 작업의 우선도 등을 검토할 수 있어, 보다 효율적으로 프로세스 시스템의 운전 효율을 유지할 수 있다.
[ 도면의 간단한 설명 ]
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 프로세스 시스템의 관리 시스템의 구성을 나타내는 도면이다.도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 스팀 트랩의 각종 정보를 표시하는 윈도우 화상의 일례를 나타내는 도면이다.도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 스팀 트랩의 각종 정보를 표시하는 윈도우 화상의 일례를 나타내는 도면이다.도 4는 본 발명의 실시예 1에 따른 증기 공급 시스템의 프로세스 맵의 일부를 나타내는 도면이다.도 5는 본 발명의 실시예 1에 따른 서버 장치의 블럭도이다.도 6은 본 발명의 실시예 1에 따른 서버 장치의 기억부에 기억되어 있는 데이터의 일례를 나타내는 도면이며, (A)는 시스템 구성 기기 카르테를, (B)는 기본 에어리어 맵 데이터를, (C)는 기본 프로세스 맵 데이터를 각각 나타내고 있다.도 7은 본 발명의 실시예 1에 따른 단말 장치의 블럭도이다.도 8은 본 발명의 실시예 1에 따른 스팀 트랩 맵 생성 및 전환 처리의 송신 요구 처리를 나타내는 플로우차트이다.도 9는 본 발명의 실시예 2에 따른 프로세스 시스템의 관리 시스템의 구성을 나타내는 도면이다.도 10은 본 발명의 실시예 2에 따른 스팀 트랩의 각종 정보를 표시하는 윈도우 화상의 일례를 나타내는 도면이다.도 11은 본 발명의 실시예 2에 따른 스팀 트랩의 각종 정보를 표시하는 윈도우 화상의 일례를 나타내는 도면이다.도 12는 본 발명의 실시예 2에 따른 서버 장치의 블럭도이다.도 13은 본 발명의 실시예 2에 따른 서버 장치의 기억부에 기억되어 있는 시스템 구성 기기 카르테를 나타내는 도면이다.도 14는 본 발명의 실시예 2에 따른 스팀 트랩의 상태 정보의 갱신 처리를 나타내는 플로우차트이다.도 15는 본 발명의 실시예 2에 따른 스팀 트랩 맵 생성 및 전환 처리를 나타내는 플로우차트이다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
도면을 참조해서 본 발명의 실시형태인 프로세스 시스템의 관리 시스템 및 그 프로그램에 대해서 설명한다. 또한, 본 발명의 구성은 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에서 설명하는 각종 플로우를 구성하는 각종 처리 순서는 처리 내용에 모순 등이 발생하지 않는 범위에서 순서 부동이다.＜실시예 1＞제1 프로세스 시스템(증기 공급 시스템)의 관리 시스템(1)의 구성도 1은 프로세스 시스템의 관리 시스템(1)의 구성을 나타내는 도면이다. 이 실시예에서는 프로세스 시스템의 하나인 증기 공급 시스템을 사용해서 설명한다. 관리 시스템(1)은 서버 장치(3) 및 복수의 단말 장치(4) 등으로 구성되며, 증기 공급 시스템을 구성하는 시스템 구성 기기의 정보 관리를 행한다. 증기 공급 시스템은 증기 플랜트 등의 설비에 있어서 증기 사용 기기에 증기를 공급한다. 시스템 구성 기기에는 보일러 등의 증기 발생 장치, 증기를 수송하는 수송관, 드레인을 배출하는 스팀 트랩 및 열교환기 등의 증기를 사용하는 증기 사용 기기 등이 상당한다. 이 실시예의 관리 시스템(1)에서는 시스템 구성 기기의 하나인 스팀 트랩에 대해서 정보 관리를 행한다.서버 장치(3)는, 네트워크 회선(2)을 개재해서 복수의 단말 장치(4)에 접속되고, 증기 공급 시스템에 설치된 복수의 스팀 트랩의 각종 정보를 기억 관리한다. 스팀 트랩의 각종 정보에는 증기 누설량 등의 검사 결과, 수리 및 교환 등의 유지 보수 이력이 포함된다. 또한, 스팀 트랩의 각종 정보에는 증기 공급 시스템이 설치되어 있는 플랜트 등에서의 스팀 트랩의 배치 위치를 나타내는 에어리어 맵(배치 맵), 및 증기 공급 시스템의 프로세스를 나타내는 프로세스 맵의 정보도 포함된다.에어리어 맵이란, 스팀 트랩 등의 시스템 구성 기기의 물리적인 위치 관계를 나타내는 맵을 말한다. 또한, 프로세스 맵이란, 동일한 프로세스에 속하는 시스템 구성 기기를 관련지은 맵을 말한다. 또한, 동일한 프로세스에 속하는 시스템 구성 기기는 반드시 물리적으로 근거리에 존재한다고는 할 수 없다. 즉, 동일한 프로세스에 속하는 시스템 구성 기기가 물리적으로 멀리 떨어진 위치에 존재하는 경우가 있다.단말 장치(4)는, 휴대 가능한 PC, 터치 패널을 갖는 태블릿 단말 등이며, 스팀 트랩의 각종 정보를 서버 장치(3)로부터 수신해서 모니터 등에 표시한다. 또한, 스팀 트랩의 검사 결과나 유지 보수 이력 등의 소정의 정보의 갱신이 있으면, 행사된 정보를 서버 장치(3)로 송신한다. 서버 장치(3)는 이 갱신 정보를 수신해서 해당하는 스팀 트랩의 각종 정보를 갱신한다.제2 증기 공급 시스템의 관리 시스템(1)의 개요도 2는 스팀 트랩(71)의 각종 정보를 표시하는 윈도우(50)의 일례를 나타내는 도면이다. 윈도우(50)는, 예를 들면 웹 브라우저이며, 단말 장치(4)의 모니터에 표시된다. 윈도우(50)는 정보 표시 에어리어(51), 맵 정보 표시 에어리어(52) 등으로 구성된다. 정보 표시 에어리어(51)에는 증기 공급 시스템을 구성하는 스팀 트랩(71)을 지정하기 위한 입력란(510)이 표시된다. 지정하는 스팀 트랩(71)의 식별 ID를 사용자가 입력란(510)에 입력함으로써, 이 스팀 트랩(71)에 관한 각종 정보(미도시)가 정보 표시 에어리어(51)에 표시된다. 또한, 정보 표시 에어리어(51)에는 교환을 실시한 시기 등의 갱신 정보를 입력하는 윈도우(미도시)도 설치되어 있다.맵 정보 표시 에어리어(52)에는 에어리어 맵 또는 프로세스 맵이 택일적으로 표시된다. 도 2는 맵 정보 표시 에어리어(52)에 에어리어 맵(60)이 표시되어 있는 상태를 나타내고 있다. 에어리어 맵(60)에는, 스팀 트랩(71)이, 예를 들면 윤곽이 검정색인 아이콘 화상 「○」로서 표시되어 있다. 또한, 이하에서는 스팀 트랩을 나타내는 부호 「71」 뒤에, 특정의 식별자, 예를 들면 「A」, 「B」 등의 알파벳을 부가함으로써, 특정의 스팀 트랩(71)을 지정한다. 스팀 트랩(71)은, 「XXXX-XXXX1」등, 스팀 트랩(71)의 식별 ID(711)와 함께 표시된다. 또한, 에어리어 맵(60)에는, 「4C-11」 등, 에어리어 정보(80)도 표시된다. 에어리어 정보(80)는 증기 공급 시스템이 설치되어 있는 플랜트 등의 부지를 구획해서 설정되는 복수의 에어리어 각각을 특정하는 정보이다. 도 2에서는, 일부 스팀 트랩(71)에 대해서만 식별 ID(711)를 표시하고 있다. 또한, 에어리어 맵(60)에서는, 입력란(510)에서 지정된 식별 ID의 스팀 트랩이 다른 스팀 트랩과 구별되는 태양으로 표시된다. 예를 들면, 도 2에 있어서, 지정된 식별 ID 「XXXX-XXXX4」의 스팀 트립(71A)의 아이콘 화상은 다른 스팀 트랩(71)과는 상이한 색(예를 들면, 빨간색)으로 표시된다. 따라서, 사용자는 지정한 스팀 트랩(71)의 에어리어 맵(60)에서의 위치를 용이하게 특정할 수 있다.또한, 도 2에 나타내는 에어리어 맵(60)은, 일부만이 표시되어 있는 상태를 나타내고 있다. 표시되어 있지 않은 부분에 대해서는, 터치 조작이나 커서를 조작해서 스크롤바(53A, 53B)를 이동시켜 에어리어 맵(60)을 스크롤시킴으로써 표시할 수 있다. 또한, 맵 정보 표시 에어리어(52)에는 윈도우(50) 상에 표시되는 버튼 아이콘(전환 버튼(55))을 터치 조작하거나 함으로써 에어리어 맵(60) 및 프로세스 맵(65)(도 3 참조)의 표시가 번갈아 전환된다. 또한, 이 실시형태의 에어리어 맵(60)은, 스팀 트랩(71)만이 표시되어 있지만, 다른 시스템 구성 기기를 표시해도 된다.도 3은 맵 정보 표시 에어리어(52)에 프로세스 맵(65)이 표시되어 있는 윈도우(50)의 일례를 나타낸다. 프로세스 맵(65)은, 증기 공급 시스템의 프로세스를 나타내는 도면이다. 프로세스 맵(65)에서는, 스팀 트랩(71)의 아이콘 화상 외에, 수송관(72), 열교환기(73), 챔버(74), 압력 조정 밸브(75) 등의 아이콘 화상이, 각 시스템 구성 기기가 동일한 프로세스에 속하는 것을 나타내기 위해 서로 관련지어지고, 구체적으로는 수송관(72)으로 연결되며, 접속 관계를 알 수 있도록 표시된다. 또한, 스팀 트랩(71) 등의 각 아이콘 화상은, 도 3의 프로세스 맵(65)에 있어서 점선으로 나타내는 바와 같이, 접속 부분도 포함하는 아이콘 화상으로 되어 있다. 이에 따라, 각 아이콘 화상을 미리 결정되어 있는 위치에 배치하는 것만으로, 각 시스템 구성 기기가 인접하는 시스템 구성 기기와 접속되어 있는 상태를 표현할 수 있다.또한, 증기 공급 시스템에 있어서는, 프로세스의 순서는 증기 공급 시스템의 시스템 구성 기기의 접속 관계와 일치한다. 즉, 사용자는 프로세스 맵(65)을 시인(視認)함으로써 시스템 구성 기기의 접속 관계, 즉 프로세스를 파악할 수 있다. 또한, 이 증기 공급 시스템은 주지의 시스템이므로, 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 또한, 프로세스 맵(65)도 에어리어 맵(60)과 마찬가지로 스크롤바(53A, 53B)를 이동시켜 스크롤시키는 것이 가능하다.프로세스 맵(65)에서는, 정보 표시 에어리어(51)의 입력란(510)에 있어서 지정된 식별 ID의 스팀 트랩(71)에 추가해서, 지정된 스팀 트랩(71)에 프로세스에 있어서 관련된 시스템 구성 기기에 대해서도 다른 시스템 구성 기기와 구별된 태양으로 표시된다. 예를 들면, 도 3에 있어서, 입력란(510)에 있어서 지정된 식별 ID 「XXXX-XXXX4」의 스팀 트랩(71A)은 다른 시스템 구성 기기(열교환기(73) 등)와는 상이한 색(예를 들면, 빨간색)으로 표시된다. 또한, 프로세스에 있어서 스팀 트랩(71A)과 관련된 시스템 구성 기기인 챔버(74) 및 압력 조정 밸브(75A)도 다른 시스템 구성 기기와는 상이한 색(예를 들면, 빨간색)으로 표시된다. 프로세스에 있어서 스팀 트랩과 관련된 시스템 구성 기기란, 예를 들면, 스팀 트랩(71)의 고장이 영향을 미치는 시스템 구성 기기가 해당된다. 구체적으로는, 운전 효율이 저하되는 시스템 구성 기기 등이 해당된다. 이에 따라, 사용자는 고도의 지식이 없어도, 어떤 스팀 트랩(71)이 고장나면 어떠한 시스템 구성 기기에 영향이 발생하는지를 용이하게 파악할 수 있다.따라서, 예를 들면, 교환 시기가 도래하고 있는 복수의 스팀 트랩(71)이 존재하는 경우, 사용자는 어느 스팀 트랩(71)을 우선적으로 교환하면 좋은지를, 스팀 트랩(71)과 관련된 시스템 구성 기기의 관점에서, 도 3에 나타내는 프로세스 맵(65)에 의거해서 용이하게 판단할 수 있다. 그리고, 사용자는 우선적으로 교환해야 하는 스팀 트랩(71)의 배치 위치를, 도 2에 나타내는 에어리어 맵(60)에 의거해서, 용이하게 특정할 수 있다. 사용자는 교환해야 하는 스팀 트랩의 장소로 가서 교환 작업을 행하면 된다. 이렇게 해서, 효율적으로 스팀 트랩(71)을 관리할 수 있다. 또한, 사용자는 도 2 및 도 3에 나타내는 전환 버튼(55)을 선택함으로써, 에어리어 맵(60)에서부터 프로세스 맵(65)으로, 또한 프로세스 맵(65)에서부터 에어리어 맵(60)으로 전환할 수 있다.예를 들면, 도 4에 나타내는 바와 같은 증기 공급 시스템을 사용해서 설명한다. 도 4는 어느 증기 공급 시스템의 프로세스 맵의 일부(이하, 프로세스 맵(65A)으로 함)를 나타내는 도면이다. 또한, 도 4에 나타내는 증기 공급 시스템은 도 3에 나타내는 증기 공급 시스템과는 상이한 구성이다. 도 4에 나타내는 증기 공급 시스템은 스팀 트랩(71P~71S), 수송관(702), 보일러(703), 증기 사용 기기(704) 및 압력 조정 밸브(705) 등으로 구성되어 있다.도 4에 도시하는 프로세스 맵(65A)으로 나타내어지는 증기 공급 시스템에서는, 보일러(703)에서 발생한 증기가 수송관(702)을 경유해서 증기 사용 기기(704)에 공급된다. 스팀 트랩(71P~71R)은 수송관(702) 도중의 하강관에 각각 배치되고, 수송관(702)에 드레인이 체류하지 않도록 드레인을 배출한다. 또한, 증기 사용 기기(704)의 출구측에, 스팀 트랩(71S), 압력 조정 밸브(705), 및 복수(復水) 회수 펌프(미도시)가 순서대로 접속된다. 스팀 트랩(701S)은 증기 사용 기기(704)에서 발생한 드레인을 배출한다.스팀 트랩(71P, 71S)에 교환 시기가 도래하고 있을 경우, 사용자는 도 3에 나타내는 윈도우(50)의 입력란(510)에 각 스팀 트랩의 식별 ID를 입력하고, 스팀 트랩(71P, 71S) 각각에 관련된 다른 시스템 구성 기기를 표시하는 도 4에 나타내는 프로세스 맵(65A)을 도 3에 나타내는 윈도우(50)의 맵 정보 표시 에어리어(52)에 표시시킨다. 이 때, 사용자가 스팀 트랩(71P)의 식별 ID를 입력하고 있었던 경우, 프로세스에 있어서 스팀 트랩(71P)과 관련된 시스템 구성 기기로서, 영역(L1)에 포함되는 스팀 트랩(71P), 수송관(702)이 빨간색으로 나타내어진 프로세스 맵(65A)이 맵 정보 표시 에어리어(52)에 표시된다. 마찬가지로, 사용자가 스팀 트랩(71S)의 식별 ID를 입력하고 있었던 경우, 영역(L2)에 포함되는 스팀 트랩(71S), 증기 사용 기기(704), 및 압력 조정 밸브(705)가 빨간색으로 나타내어진 프로세스 맵(65A)이 맵 정보 표시 에어리어(52)에 표시된다. 따라서, 사용자는 스팀 트랩과 관련된 시스템 구성 기기의 관점, 예를 들면, 스팀 트랩의 고장이 영향을 미치는 시스템 구성 기기의 관점에서, 고장났을 때에 영향을 미치는 시스템 구성 기기가 많은 스팀 트랩(71S)을 우선적으로 교환해야 한다고 판단할 수 있다.또한, 프로세스에 있어서 각 스팀 트랩과 관련된 시스템 구성 기기에 대해서는, 증기 공급 시스템의 과거의 관리 경험이나 증기 공급 시스템의 특성 등으로부터, 미리 각 스팀 트랩 등의 시스템 구성 기기마다 설정되어 있다.이 실시예에서는, 1개의 스팀 트랩(71)을 지정할 수 있지만, 복수의 스팀 트랩(71)을 동시에 지정할 수 있도록 해도 된다. 예를 들면, 2개의 입력란을 정보 표시 에어리어(51)에 설치하면 된다. 그리고, 도 4에 나타내는 2개의 스팀 트랩(71P, 71S)이 지정된 경우, 서로 상이한 색채, 예를 들면 영역(L1)의 시스템 구성 기기를 빨간색으로 표시하고, 영역(L2)의 시스템 구성 기기를 파란색으로 표시하면 된다. 또한, 에어리어 맵(60)에 있어서도 마찬가지로 하면 된다.또한, 이 실시형태에서는, 에어리어 맵(60) 및 프로세스 맵(65)의 표시가 전환된 경우라도, 정보 표시 에어리어(51)의 입력란(510)에 있어서의 스팀 트랩(71)(식별 ID)의 지정은 유지된다. 따라서, 예를 들면, 도 2에 나타내는 스팀 트랩(71A)이 빨간색으로 표시된 에어리어 맵(60)으로부터, 대응하는 프로세스 맵(65)으로 표시가 전환되어도, 도 3에 나타내는 프로세스 맵(65)에 있어서 스팀 트랩(71A)의 빨간색 표시는 유지되고, 또한 스팀 트랩(71A)에 관련된 다른 시스템 구성 기기가 빨간색으로 표시된다. 도 3에 나타내는 프로세스 맵(65)으로부터, 대응하는 에어리어 맵(60)으로의 표시가 전환되는 경우는 상기의 경우와 반대로 된다. 따라서, 증기 공급 시스템의 관리 시스템(1)에서는, 에어리어 맵(60), 프로세스 맵(65)의 표시가 전환될 때마다 스팀 트랩(71)을 지정할 필요가 없어, 사용자에의 편리성이 높다.상술한 스팀 트랩(71)에 관련된 시스템 구성 기기의 정보는 스팀 트랩(71)마다 서버 장치(3)에 기억되어 있다. 또한, 스팀 트랩(71)의 정보 표시는 도 2, 도 3 등의 윈도우(50)의 표시 태양에 한정되는 것은 아니고, 어떠한 표시 태양이어도 된다. 또한, 프로세스 맵(65)에서는 지정된 스팀 트랩(71)도 다른 시스템 구성 기기와 구별되는 태양으로 표시되지만, 구별되는 태양으로 표시하지 않아도 된다.제3 서버 장치(3)의 구성도 5는 서버 장치(3)의 블럭도이다. 상기 처리를 행하기 위해서, 서버 장치(3)는 제어부(30), 기억부(31) 및 통신부(32) 등을 갖고 있다. 기억부(31)는 예를 들면 하드 디스크나 RAM 등으로 구성되어 있다. 또한, 기억부(31)는, 스팀 트랩(71)에 관한 각종 정보를 나타내는 시스템 구성 기기 카르테, 에어리어 맵(60)을 표시하기 위한 기본 에어리어 맵 데이터, 프로세스 맵(65)을 표시하기 위한 기본 프로세스 맵 데이터, 및 관리 시스템(1)의 서버 장치용 프로그램 등을 기억한다. 제어부(30)는 CPU 등으로 구성되며, 기억부(31)에 기억되어 있는 서버 장치용 프로그램을 실행해서 스팀 트랩(71)의 각종 정보를 기억 관리하는 제어를 행한다. 통신부(32)는 네트워크 회선(2)과의 통신을 제어한다.도 6의 (A)에 시스템 구성 기기 카르테(90)를, 도 6의 (B)에 기본 에어리어 맵 데이터를, 도 6의 (C)에 기본 프로세스 맵 데이터를 각각 나타낸다.도 6의 (A)에 나타내는 바와 같이, 시스템 구성 기기 카르테(90)는 1개의 스팀 트랩(71)에 관한 각종 정보를 포함하며, 해당하는 스팀 트랩(71)의 식별 ID와 관련지어져 있다. 스팀 트랩 또한, 시스템 구성 기기 카르테(90)에는 관련 식별 ID도 포함되어 있다. 관련 식별 ID에는 스팀 트랩(71)에 관련된 1 이상의 시스템 구성 기기의 식별 ID가 포함된다. 이 관련 식별 ID에 의거해서, 상술한 바와 같이 스팀 트랩(71)에 관련된 시스템 구성 기기가 프로세스 맵(65)에 있어서 표시된다. 또한, 관련 식별 ID는 스팀 트랩(71)에 인접하는 시스템 구성 기기만이 대상은 아니고, 인접하고 있지 않아도 스팀 트랩(71)의 고장에 의해 영향을 받는 등, 스팀 트랩과 관련된 시스템 구성 기기이면, 그 시스템 구성 기기의 식별 ID를 관련 식별 ID에 포함시킨다. 또한, 기억부(31)에는 증기 공급 시스템을 구성하는 모든 스팀 트랩(71)에 관한 시스템 구성 기기 카르테(90)가 기억되어 있다.도 6의 (B)에 나타내는 바와 같이, 기본 에어리어 맵 데이터(91)에는 스팀 트랩(71) 등의 시스템 구성 기기의 에어리어 맵(60) 상에서의 위치 좌표를 나타내는 위치 좌표 정보가 포함된다. 또한, 기본 에어리어 맵 데이터(91)에는 각 시스템 구성 기기가 배치되는 에어리어를 특정하는 에어리어 정보가 포함된다. 도 6의 (C)에 나타내는 바와 같이, 기본 프로세스 맵 데이터(92)에는 스팀 트랩(71) 등의 시스템 구성 기기의 프로세스 맵(65) 상에서의 위치 좌표를 나타내는 위치 좌표 정보가 포함된다. 이 실시형태의 에어리어 맵(60)에서는 스팀 트랩(71)만이 표시되므로, 기본 에어리어 맵 데이터(91)에는 각 스팀 트랩(71)의 식별 ID와 위치 좌표 정보가 관련지어져 기억되어 있다. 한편, 기본 프로세스 맵 데이터(92)에는 스팀 트랩(71)을 비롯해서, 증기 공급 시스템을 구성하는 모든 시스템 구성 기기의 식별 ID와 위치 좌표 정보가 관련지어져 기억되어 있다.또한, 기억부(31)에는 에어리어 맵(60) 및 프로세스 맵(65)에 관련된 정보로서, 각 맵(60, 65)용의 아이콘 등의 화상 데이터, 및 시스템 구성 기기의 식별 ID와 아이콘 화상의 저장 어드레스가 관련지어 기억되어 있는 테이블도 기억되어 있다. 따라서, 시스템 구성 기기의 아이콘 화상은 시스템 구성 기기의 식별 ID로부터 특정되는 저장 어드레스를 사용해서 취득할 수 있다.서버 장치(3)는 단말 장치(4)로부터 수신한 시스템 구성 기기의 식별 ID 등에 의거해서, 대응하는 시스템 구성 기기의 시스템 구성 기기 카르테(90), 기본 에어리어 맵 데이터(91), 기본 프로세스 맵 데이터(92), 및 아이콘 등의 화상 정보 등을 판독해서, 에어리어 맵(60) 및 프로세스 맵(65)을 생성하고, 생성한 에어리어 맵(60) 및 프로세스 맵(65)을 포함하는 각종 정보의 데이터를 단말 장치(4)로 송신한다.제4 단말 장치(4)의 구성도 7은 단말 장치(4)의 블럭도이다. 단말 장치(4)는, 상술한 바와 같이, 스팀 트랩(71)의 각종 정보를 서버 장치(3)로부터 수신해서 모니터 등에 표시한다. 단말 장치(4)는 제어부(40), 기억부(41), 조작부(42), 표시부(43) 및 통신부(44) 등을 갖고 있다. 기억부(41)는 관리 시스템(1)의 단말 장치용 프로그램 등을 기억한다. 제어부(40)는 CPU 등으로 구성되며, 기억부(41)에 기억되어 있는 단말 장치용 프로그램을 실행해서 스팀 트랩(71)의 각종 정보의 표시 제어 등을 행한다. 조작부(42)는, 예를 들면, 키보드, 터치 패널 등이며, 윈도우(50) 상에서의 식별 ID 등의 입력 조작을 수신한다. 표시부(43)는 액정 디스플레이 등의 모니터이며, 윈도우(50)의 화상 등을 표시한다. 통신부(44)는 네트워크 회선(2)과의 통신을 제어한다.제5 플로우차트도 8은 증기 공급 시스템의 관리 시스템(1)이 실행하는 스팀 트랩 맵 생성 및 전환 처리를 나타내는 플로우차트이다. 맵 생성 및 전환 처리는 상술한 지정된 스팀 트랩(71)의 각종 정보를 윈도우(50)에 표시하기 위한 처리이다. 스텝 S10 내지 스텝 S13의 처리는 단말 장치(4)의 제어부(40)(도 7 참조)에 의해 실행된다. 또한, 스텝 S20 내지 스텝 S28의 처리는 서버 장치(3)의 제어부(30)(도 5 참조)에 의해 실행된다.사용자가 단말 장치(4)의 조작부(42)(도 7 참조)를 조작해서 윈도우(50)를 기동시키면, 스팀 트랩(71)의 정보가 표시되어 있지 않은 상태의 윈도우(50)가 표시부(43)(도 7 참조)에 표시된다. 그리고, 윈도우(50)가 표시된 것을 계기로 해서, 단말 장치(4)의 제어부(40)는 이 송신 요구 처리를 개시한다.우선, 제어부(40)는 시스템 구성 기기의 식별 ID의 입력 또는 맵 표시 설정 전환의 입력이 있을(스텝 S10: YES) 때까지 대기한다. 제어부(40)는 식별 ID의 입력을 입력란(510)에의 식별 ID의 입력의 유무에 따라 판단한다. 또한, 제어부(40)는 맵 표시 설정 전환의 입력을 윈도우(50) 상에 표시되는 전환 버튼(55)의 선택의 유무에 따라 판단한다. 식별 ID 또는 맵 표시 설정 전환의 입력이 있다고 판단한 경우(스텝 S10: YES), 제어부(40)는 입력란(510)에 입력되어 있는 식별 ID 및 맵 정보 표시 에어리어(52)에 표시되어 있는 맵의 맵 종류를 서버 장치(3)로 송신해서, 각종 정보의 송신 요구를 행한다(스텝 S11). 그리고, 제어부(40)는 서버 장치(3)로부터의 정보를 수신(스텝 S12: YES)할 때까지 대기한다.또한, 스텝 S11의 처리에서는, 제어부(40)는 식별 ID 및 맵 표시 설정 전환 중 어느 입력이어도, 입력란(510)에 입력되어 있는 식별 ID 및 맵 정보 표시 에어리어(52)에 표시되어 있는 맵의 맵 종류를 송신한다. 또한, 제어부(40)는, 입력란(510)에 식별 ID가 입력된 경우는, 맵 정보 표시 에어리어(52)에 현재 표시되어 있는 맵의 맵 종류를 식별 ID와 함께 서버 장치(3)로 송신한다. 한편, 제어부(40)는, 맵 표시 설정 전환이 입력된 경우는, 현재 설정되어 있는 식별 ID, 현재 설정되어 있는 맵 종류가 아닌 지정된 맵 종류의 정보를 서버 장치(3)로 송신한다. 이에 따라, 맵(60, 65)의 표시가 전환되어도, 스팀 트랩(71)의 지정을 유지할 수 있다.서버 장치(3)의 제어부(30)는 장치의 기동을 계기로 맵 생성 및 전환 처리를 개시한다. 우선, 제어부(30)는 식별 ID 및 맵 종류를 수신(스텝 S20: YES)할 때까지 대기한다. 제어부(30)는, 식별 ID 및 맵 종류를 수신했다고 판단한 경우(스텝 S20: YES), 수신한 식별 ID에 대응하는 시스템 구성 기기 카르테(90)를 기억부(31)로부터 판독한다(스텝 S21). 다음으로, 제어부(30)는 수신한 맵 종류가 에어리어 맵인지, 프로세스 맵인지를 판단한다(스텝 S22). 제어부(30)는, 스텝 S22에 있어서 수신한 맵 종류가 에어리어 맵이라고 판단하면, 기본 에어리어 맵 데이터(91)를 기억부(31)로부터 판독한다(스텝 S23). 제어부(30)는 취득한 기본 에어리어 맵 데이터(91)를 사용해서, 수신한 식별 ID에 대응하는 시스템 구성 기기를 다른 시스템 구성 기기와는 구별한 에어리어 맵(60)을 표시하기 위한 표시 에어리어 맵 정보를 생성한다(스텝 S24). 제어부(30)는, 판독한 시스템 구성 기기 카르테(90) 및 생성한 표시 에어리어 맵 데이터를, 요구가 있었던 단말 장치(4)로 송신한다(스텝 S25).한편, 제어부(30)는, 스텝 S22의 처리에 있어서 수신한 맵 종류가 프로세스 맵이라고 판단하면, 기본 프로세스 맵 데이터(92)를 기억부(31)로부터 판독한다(스텝 S26). 제어부(30)는, 취득한 기본 프로세스 맵 데이터(92)를 사용해서, 수신한 식별 ID에 대응하는 시스템 구성 기기의 관련 시스템 구성 기기 정보에 대응하는 시스템 구성 기기를 다른 시스템 구성 기기와는 구별한 프로세스 맵(65)을 표시하기 위한 표시 프로세스 맵 정보를 생성한다(스텝 S27). 제어부(30)는, 판독한 시스템 구성 기기 카르테(90) 및 생성한 표시 프로세스 맵 데이터를, 요구가 있었던 단말 장치(4)로 송신한다(스텝 S28). 그리고, 제어부(30)는 스텝 S20의 처리로 되돌아가서, 서버 장치(3)의 기동이 종료될 때까지 상기 처리를 계속한다. 또한, 지정한 식별 ID에 대응하는 시스템 구성 기기를 다른 시스템 구성 기기와는 구별한 에어리어 맵(60), 지정한 식별 ID에 대응하는 시스템 구성 기기의 관련 시스템 구성 기기 정보에 대응하는 시스템 구성 기기를 다른 시스템 구성 기기와는 구별한 프로세스 맵(65)의 생성에 필요한 기본 에어리어 맵 데이터(91) 및 기본 프로세스 맵 데이터(92) 등을, 서버 장치(3)로부터 단말 장치(4)로 송신해서, 단말 장치(4)가 소정의 표시 에어리어 맵 정보 및 표시 프로세스 맵 정보를 생성해도 된다.그리고, 단말 장치(4)의 제어부(40)는, 서버 장치(3)로부터 정보를 수신한 경우(스텝 S12: YES), 이들 정보에 의거해서, 윈도우(50)의 표시를 갱신한다(스텝 S13). 그리고, 제어부(40)는 스텝 S10의 처리로 되돌아가서, 윈도우(50)가 닫힐 때까지 상기 처리를 계속한다.이상과 같이, 증기 공급 시스템의 관리 시스템(1)은, 증기 공급 시스템의 시스템 구성 기기의 배치 위치를 나타내는 에어리어 맵(60)에 추가해서, 시스템 구성 기기(스팀 트랩(71))에 관련된 다른 시스템 구성 기기를 나타내는 프로세스 맵(65)을 표시한다. 따라서, 시스템 구성 기기에 대한 사용자가, 대상의 시스템 구성 기기(스팀 트랩(71))와 다른 시스템 구성 기기의 관련성을 용이하게 파악할 수 있다. 이에 따라, 사용자는 관련성에 의거해서 작업의 우선도 등을 용이하게 판단할 수 있어, 보다 효율적으로 프로세스 시스템(증기 공급 시스템)의 기능을 유지 관리할 수 있다.003c#실시예 2003e#이 실시예의 관리 시스템(100)은, 실시예 1의 관리 시스템(1)과 마찬가지로, 시스템 구성 기기의 하나인 스팀 트랩(71)에 대한 정보 관리를 행하고, 윈도우(50)에 있어서 스팀 트랩(71)의 각종 정보를 표시한다. 또한, 관리 시스템(100)은, 제1 실시형태와는 달리, 에어리어 맵(60) 및 프로세스 맵(65)에 있어서 스팀 트랩(71)의 동작 상태도 표시한다. 이하에, 주로 제1 실시형태와 상이한 구성에 대해서 설명한다.제1 프로세스 시스템(증기 공급 시스템)의 관리 시스템(100)의 구성도 9는 프로세스 시스템의 관리 시스템(100)의 구성을 나타내는 도면이다. 관리 시스템(100)은 서버 장치(300) 및 복수의 단말 장치(4) 등으로 구성된다. 서버 장치(300)는, 실시예 1과 마찬가지로, 네트워크 회선(2)을 개재해서 복수의 단말 장치(4)에 접속되고, 증기 공급 시스템에 설치된 복수의 스팀 트랩(71)의 각종 정보를 기억 관리한다.제2 증기 공급 시스템의 관리 시스템(100)의 개요도 10 및 도 11은 스팀 트랩(71)의 각종 정보를 표시하는 윈도우(50)의 일례를 나타내는 도면이다. 도 10은 에어리어 맵(60)이 표시된 상태이며, 도 11은 프로세스 맵(65)이 표시된 상태를 나타낸다. 또한, 도 10 및 도 11은 실시예 1의 도 2 및 도 3과 동일한 증기 공급 시스템의 에어리어 맵(60), 프로세스 맵(65)을 표시하고 있다.윈도우(50)는, 실시예 1과 마찬가지로, 정보 표시 에어리어(51), 맵 정보 표시 에어리어(52) 등으로 구성된다. 정보 표시 에어리어(51)에는, 실시예 1과 마찬가지로, 스팀 트랩(71)을 지정하기 위한 입력란(510) 등이 표시된다. 또한, 도 10 및 도 11에는, 실시예 1에 있어서 도시를 생략한 갱신 정보를 입력하는 윈도우의 일부(검사 결과 입력란(520))가 도시되어 있다. 사용자가 검사 결과 입력란(520)에 스팀 트랩(71)의 검사 결과를 입력함으로써, 단말 장치(4)로부터 서버 장치(300)로 스팀 트랩(71)의 검사 결과(갱신 정보)가 송신된다. 상세는 후술한다.맵 정보 표시 에어리어(52)에는, 실시예 1과 마찬가지로 에어리어 맵(60) 및 프로세스 맵(65)이 택일적으로 표시된다. 프로세스 맵(65)에서는, 실시예 1과 마찬가지로, 입력란(510)에서 지정된 식별 ID의 스팀 트랩(71)(아이콘 화상)이 다른 스팀 트랩(71)(다른 시스템 구성 기기)과 구별되는 태양으로 표시된다. 구체적으로는, 지정된 스팀 트랩(71)의 아이콘 화상의 윤곽 부분이 다른 스팀 트랩(71)의 아이콘 화상의 표시색과는 상이한 색(예를 들면, 빨간색)으로 표시된다. 또한, 프로세스 맵(65)에 있어서도, 실시예 1과 마찬가지로, 정보 표시 에어리어(51)의 입력란(510)에 있어서 지정된 식별 ID의 스팀 트랩(71)에 추가해서, 지정된 스팀 트랩(71)에 프로세스에 있어서 관련된 시스템 구성 기기에 대해서, 다른 시스템 구성 기기와 구별된 태양으로 표시된다. 구체적으로는, 에어리어 맵(60)의 표시 태양과 마찬가지로, 지정된 스팀 트랩(71) 및 관련된 시스템 구성 기기의 아이콘 화상의 윤곽 부분이 다른 시스템 구성 기기의 아이콘 화상의 표시색과는 상이한 색(예를 들면, 빨간색)으로 표시된다.또한, 이 실시예에서는, 실시예 1과는 달리, 입력란(510)에서의 지정에 관계없이, 각 아이콘 화상이, 대응하는 스팀 트랩(71)의 동작 상태에 따라 상이한 태양으로 표시된다. 구체적으로는, 해칭이 그어져 있지 않은 아이콘 화상(예를 들면, 스팀 트랩(71B2))은, 대응하는 스팀 트랩(71)이 옳은 동작 상태인 정상 상태인 것을 나타낸다. 세로 평행선의 해칭이 그어진 아이콘 화상(예를 들면, 스팀 트랩(71A2, 71D2))은, 대응하는 스팀 트랩(71)이 고장 등에 의해 정상이 아닌 동작 상태인 이상 상태인 것을 나타낸다. 또한, 가로 평행선의 해칭이 그어진 아이콘 화상(예를 들면, 스팀 트랩(71C2))은, 대응하는 스팀 트랩(71)의 동작이 정지한 상태인 휴지 상태를 나타낸다. 스팀 트랩의 동작 상태의 판정 처리에 대해서는 후술한다.따라서, 예를 들면, 이상 상태의 스팀 트랩(71A2)이 지정되어 있을 경우, 에어리어 맵(60)에서는, 스팀 트랩(71A2)의 아이콘 화상은 윤곽이 빨간색이며, 또한 세로 평행선의 해칭(예를 들면, 빨간색)이 그어진 태양으로 표시된다. 또한, 프로세스 맵(65)에서도, 스팀 트랩(71A2)의 아이콘 화상은 윤곽이 빨간색이며, 또한 세로 평행선의 해칭(예를 들면, 빨간색)이 그어진 태양으로 표시된다. 또한, 스팀 트랩(71A2)과 관련된 시스템 구성 기기인 챔버(742) 및 압력 조정 밸브(75A2)의 아이콘 화상도 윤곽이 빨간색인 태양으로 표시된다.또한, 동작 상태의 표시 태양은 상술한 태양(형상, 색채, 모양)에 한정되는 것은 아니다. 사용자가 각 동작 상태를 특정할 수 있으면 되고, 예를 들면, 형상 등은 동일하지만, 점멸 간격을 각 동작 상태에서 상이하도록 해도 된다.제3 서버 장치(300)의 구성도 12는 서버 장치(300)의 블럭도이다. 상기 처리를 행하기 위해서, 서버 장치(300)는 제어부(301), 기억부(310) 및 통신부(32) 등을 갖고 있다. 제어부(301)는 실시예 1과 마찬가지로 스팀 트랩(71)의 각종 정보를 기억 관리하는 제어를 행한다. 기억부(310)는 실시예 1과 마찬가지로 시스템 구성 기기 카르테(900), 기본 에어리어 맵 데이터(91)(미도시), 기본 프로세스 맵 데이터(92)(미도시) 등을 기억한다.또한, 기억부(310)에는, 에어리어 맵(60) 및 프로세스 맵(65)에 관련된 정보로서, 각 맵용의 아이콘 화상 등의 화상 데이터가 기억되어 있다. 여기에서, 아이콘 화상의 화상 데이터는 표시 태양(해칭 없음, 가로 또는 세로 평행선의 해칭 있음)마다 기억되어 있다. 즉, 동일한 스팀 트랩(71)의 아이콘 화상이어도, 동작 상태에 따른 3종류의 아이콘 화상이 각 맵용에 각각 기억되어 있다. 또한, 기억부(310)에는 시스템 구성 기기의 식별 ID와 아이콘 화상의 저장 어드레스가 관련지어 기억되어 있는 테이블도 기억되어 있다. 따라서, 서버 장치(300)는 시스템 구성 기기의 아이콘 화상을 시스템 구성 기기의 식별 ID로부터 특정되는 저장 어드레스를 사용해서 취득할 수 있다. 또한, 스팀 트랩(71)에 있어서는 시스템 구성 기기의 식별 ID 및 동작 상태로부터 특정되는 저장 어드레스를 사용해서 아이콘 화상을 취득하면 된다. 예를 들면, 스팀 트랩(71)의 식별 ID로부터 특정되는 저장 어드레스에 동작 상태에 따른 값을 가산함으로써 얻어지는 어드레스를 사용해서 취득할 수 있다. 또한, 지정된 스팀 트랩(71)의 경우에는, 취득한 아이콘 화상의 윤곽이나 해칭의 표시색을 빨간색으로 설정하는 처리를 행하면 된다.도 13은 기억부(310)에 기억되어 있는 시스템 구성 기기 카르테(900)를 나타내는 도면이다. 시스템 구성 기기 카르테(900)는, 실시예 1의 시스템 구성 기기 카르테(90)와 거의 동일한 구성이지만, 스팀 트랩(71)의 동작 상태의 정보가 등록되어 있는 구성에서 상이하다. 동작 상태에는, 상술한 3개의 동작 상태 중 어느 하나가 설정된다. 동작 상태의 판정은, 검사 결과에 의거해서 서버 장치(300)(제어부(301))가 행한다.제4 스팀 트랩(71)의 동작 상태 판정스팀 트랩(71)의 동작 상태는, 스팀 트랩(71)의 외표면의 초음파 레벨의 진동 및 온도와, 스팀 트랩의 주위 온도에 의거해서 판정된다. 상기 진동 및 2개의 온도는 진동 온도용 센서를 사용해서 검출된다. 검출된 진동 등을 판정 기준 정보(예를 들면, 트랩 형식, 온도, 진동, 증기 누설량 등의 상관 데이터)에 대조해서 증기 누설량을 추정함으로써 상술한 3개의 동작 상태가 판정된다. 또한, 판정 기준 정보는 기억부(310)에 기억해 두면 된다. 상술한 스팀 트랩(71)의 진동 등의 검출은, 예를 들면, 사용자가 각 스팀 트랩(71)이 설치된 장소에 가서, 상기 센서를 구비한 가반식(可搬式) 수집기를 스팀 트랩에 접촉시킴으로써 행해진다. 그리고, 검출(검사) 결과는 상술한 바와 같이 단말 장치(4)의 검사 결과 입력란(520)으로부터 입력한다. 단말 장치(4)는, 대응하는 스팀 트랩(71)의 기기 식별 ID와 함께, 검사 결과를 서버 장치(300)로 송신한다. 서버 장치(300)는 검사 결과로부터 동작 상태를 판정하고, 이 검사 결과 및 판정 결과(동작 상태)를 대응하는 스팀 트랩(71)(기기 식별 ID)의 시스템 구성 기기 카르테(900)에 등록(갱신)한다.또한, 예를 들면, 상기 센서 및 통신 기능을 갖는 수집 장치를 상기 센서가 스팀 트랩(71)의 외표면에 접촉하는 상태에서 설치하여, 사용자를 통하지 않고 수집 장치가 정기적으로 검출을 행하도록 해도 된다. 이 경우, 검출 결과는 수집 장치로부터 무선 통신 등으로 서버 장치(300)로 송신한다. 또한, 상기 검출 및 동작 상태 판정은 일본 공개특허공보 특개2010-146186호 등에 기재되어 있는 바와 같이 공지의 기술이므로, 상세한 설명은 생략한다.제5 플로우차트도 14는 증기 공급 시스템의 관리 시스템(100)이 실행하는 스팀 트랩의 상태 정보의 갱신 처리를 나타내는 플로우차트이다. 갱신 처리는, 상술한 바와 같이 검사 결과에 의거해서 스팀 트랩(71)의 동작 상태의 판정을 행하고, 대응하는 시스템 구성 기기 카르테(900)의 검출 결과 및 동작 상태를 갱신하기 위한 처리이다. 갱신 처리는 서버 장치(300)(제어부(301))에 의해 실행된다. 또한, 갱신 처리는, 예를 들면, 단말 장치(40)로부터 검사 결과의 갱신 정보를 수신한 경우에 실행된다. 단말 장치(4)는, 입력란(510) 및 검사 결과 입력란(520)에 있어서 스팀 트랩(71)의 식별 ID 및 검사 결과가 입력되고, 검사 결과 갱신 버튼(미도시)이 조작된 후, 검사 결과를 식별 ID와 함께 서버 장치(300)로 송신한다.제어부(301)는, 최초로 수신한 검사 결과에 의거해서, 대응하는 스팀 트랩(71)의 동작 상태를 판정한다(스텝 S50). 다음으로, 제어부(301)는 수신한 식별 ID(스팀 트랩(71))에 대응하는 시스템 구성 기기 카르테(900)의 검사 결과 및 동작 상태의 설정 내용을 변경(갱신)한다(스텝 S51).또한, 이 실시형태에서는, 서버 장치(300)(제어부(301))가 스팀 트랩(71)의 동작 상태를 판정하고 있지만, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 관리 시스템(100)에 있어서, 적어도 스팀 트랩(71)의 동작 상태를 기억하고 있으면 된다. 따라서, 예를 들면, 단말 장치(4)에 있어서 사용자가 검사 결과를 입력하는 것 대신에, 사용자가 검사 결과에 의거한 동작 상태를 입력하고, 단말 장치(4)는 식별 ID 및 동작 상태의 정보를 서버 장치(300)로 송신하도록 해도 된다. 혹은, 서버 장치(300)와 통신 가능하게 접속된 다른 서버 장치가 검사 결과에 의거해서 판정한 동작 상태의 정보를 서버 장치(300)가 수신하도록 해도 된다.도 15는 증기 공급 시스템의 관리 시스템(100)이 실행하는 스팀 트랩 맵 생성 및 전환 처리를 나타내는 플로우차트이다. 맵 생성 및 전환 처리는, 실시예 1과 마찬가지로, 지정된 스팀 트랩(71)의 각종 정보를 윈도우(50)에 표시하기 위한 처리이다. 또한, 실시예 1의 맵 생성 및 전환 처리와 동일한 처리에 대해서는 설명을 일부 생략한다.제어부(40)는, 식별 ID 또는 맵 표시 설정 전환의 입력이 있다고 판단한 경우(스텝 S10: YES), 입력란(510)에 입력되어 있는 식별 ID 및 맵 정보 표시 에어리어(52)에 표시되어 있는 맵의 맵 종류를 서버 장치(300)로 송신하고, 각종 정보의 송신 요구를 행한다(스텝 S11). 그리고, 제어부(40)는 서버 장치(300)로부터의 정보를 수신(스텝 S12: YES)할 때까지 대기한다. 또한, 사용자가 검사 결과를 입력할 때에 있어서, 입력란(510)에 식별 ID를 입력한 경우이어도, 스텝 S10의 처리에 있어서 식별 ID의 입력이 있다고 판단해서 처리를 진행하면 된다.서버 장치(300)의 제어부(301)는, 식별 ID 및 맵 종류를 수신했다고 판단한 경우(스텝 S20: YES), 수신한 식별 ID에 대응하는 시스템 구성 기기 카르테(900)를 기억부(310)로부터 판독한다(스텝 S21). 다음으로, 제어부(301)는 수신한 맵 종류가 에어리어 맵(60)인지, 프로세스 맵(65)인지를 판단한다(스텝 S22). 제어부(301)는, 스텝 S22에 있어서 수신한 맵 종류가 에어리어 맵(60)이라고 판단하면, 기본 에어리어 맵 데이터(91)를 기억부(310)로부터 판독한다(스텝 S23). 그리고, 제어부(301)는, 취득한 기본 에어리어 맵 데이터(91) 및 시스템 구성 기기 카르테(900) 등을 사용해서, 수신한 식별 ID에 대응하는 시스템 구성 기기를 다른 시스템 구성 기기와는 구별한 에어리어 맵(60)을 표시하기 위한 표시 에어리어 맵 정보를 생성한다(스텝 S24-A). 제어부(301)는, 판독한 시스템 구성 기기 카르테(900) 및 생성한 표시 에어리어 맵 데이터를, 요구가 있었던 단말 장치(4)로 송신한다(스텝 S25).한편, 제어부(301)는, 스텝 S22의 처리에 있어서 수신한 맵 종류가 프로세스 맵(65)이라고 판단하면, 기본 프로세스 맵 데이터(92)를 기억부(310)로부터 판독한다(스텝 S26), 그리고, 제어부(301)는, 취득한 기본 프로세스 맵 데이터(92) 및 시스템 구성 기기 카르테(900) 등을 사용해서, 수신한 식별 ID에 대응하는 시스템 구성 기기의 관련 시스템 구성 기기 정보에 대응하는 시스템 구성 기기를 다른 시스템 구성 기기와는 구별한 프로세스 맵(65)을 표시하기 위한 표시 프로세스 맵 정보를 생성한다(스텝 S27-A). 제어부(301)는, 판독한 시스템 구성 기기 카르테(900) 및 생성한 표시 프로세스 맵 데이터를, 요구가 있었던 단말 장치(4)로 송신한다(스텝 S28).그리고, 단말 장치(4)의 제어부(40)는, 서버 장치(300)로부터 정보를 수신한 경우(스텝 S12: YES), 이들 정보에 의거해서 윈도우(50)의 표시를 갱신한다(스텝 S13).이상과 같이, 이 실시형태의 관리 시스템(100)은 실시예 1과 동일한 효과를 발휘할 수 있다. 또한, 특정의 시스템 구성 기기(스팀 트랩(71))의 동작 상태를 에어리어 맵(60) 및 프로세스 맵(65)으로부터 파악할 수 있으므로, 사용자는 보다 효율적으로 프로세스 시스템(증기 공급 시스템)의 기능을 유지·관리할 수 있다.또한, 이 실시형태에서는, 스팀 트랩(71)의 동작 상태를 에어리어 맵(60) 및 프로세스 맵(65)에서 표시하고 있었지만, 다른 시스템 구성 기기의 동작 상태도 표시하도록 해도 된다.[다른 실시형태]또한, 상술한 실시예의 관리 시스템(1, 100)에서는 스팀 트랩(71)만을 관리하고 있지만, 특별히 이에 한정되는 것은 아니며, 모든 시스템 구성 기기에 적용 가능하다. 이 경우, 모든 시스템 구성 기기의 카르테(90, 900)를 기억해 두면 된다.또한, 상술한 실시예에서는 에어리어 맵(60)과 프로세스 맵(65)이 전환해서 표시되어 있지만, 맵 정보 표시 에어리어(52)를 2개 마련해서 동시에 표시하도록 해도 된다. 또한, 스팀 트랩(71)을 지정할 수 있고, 에어리어 맵(60) 및 프로세스 맵(65)을 표시할 수 있으면, 윈도우(50)의 정보 표시 에어리어(51)의 표시는 없어도 된다.또한, 상술한 실시예에서는 입력란(510)에 식별 ID를 입력함으로써 스팀 트랩(71)을 지정하고 있지만, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 에어리어 맵(60), 프로세스 맵(65)에 표시되어 있는 스팀 트랩(71)의 아이콘 화상을 터치 조작 등, 소정의 입력부를 개재한 조작에 의해 선택함으로써 지정하도록 해도 된다. 상술한 바와 같이, 각 아이콘 화상의 위치 좌표는 기억부(31, 310)에 기억되어 있으므로, 서버 장치(3, 300)는 터치 조작 등이 된 위치 좌표에 대응하는 아이콘 화상을 특정하는 것이 가능하다. 이 경우, 단말 장치(4)는, 스텝 S11의 처리에 있어서, 식별 ID 대신에 터치 조작 등이 된 위치 좌표의 정보(위치 정보)를 서버 장치(3, 300)로 송신해서 하면 된다. 또는, 단말 장치(4)가, 위치 조작이 아니라 터치 조작 등에 의해 선택된 스팀 트랩(71)의 식별 ID를 특정해서 서버 장치(3, 300)로 송신해도 된다. 이 경우, 미리 에어리어 맵 및 프로세스 맵의 각 아이콘 화상에 식별 ID를 링크시켜 두면 된다. 이 경우, 스팀 트랩(71)의 식별 ID가 위치 정보에 상당한다. 또한, 예를 들면, 에어리어 맵(60)에 표시되어 있는 스팀 트랩(71)의 아이콘 화상을 선택함으로써, 표시를 프로세스 맵(65)으로 전환함과 아울러, 선택된 스팀 트랩(71)의 아이콘 화상 및 관련된 시스템 구성 기기를 상술한 바와 같이 다른 것과 구별하는 태양으로 표시하도록 해도 된다.또한, 상술한 실시예에서는 프로세스 맵(65)에 있어서 지정된 스팀 트랩(71)에 관련된 시스템 구성 기기를 간단히 빨간색으로 표시하고 있지만, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 서버 장치(3)의 기억부(31)에 기억되어 있는 카르테(90, 900)의 관련 식별 ID의 수의 대소에 따라 단계적으로 표시 태양을 변경해도 된다. 구체적으로는, 관련 식별 ID수가 1 이상에서 소정값 미만일 경우, 서버 장치(3, 300)는 해당하는 시스템 구성 기기를 예를 들면 노란색으로 표시하도록 제어한다. 또한, 관련 식별 ID수가 소정값 이상일 경우, 서버 장치(3, 300)는 해당하는 시스템 구성 기기를 예를 들면 빨간색으로 표시하도록 제어한다. 이에 따라, 스팀 트랩(71)이 관련되어 있는 시스템 구성 기기의 대소를 용이하게 파악할 수 있다.또한, 관련된 시스템 구성 기기의 중요도에 의거해서 표시 태양으로 변경해도 된다. 예를 들면, 시스템 구성 기기의 식별 ID와 그 중요도(수치 정보)를 관련지어 기억부(31, 310)에 기억한다. 그리고, 지정된 스팀 트랩에 관련된 관련 식별 ID의 중요도의 합계값에 의거해서 표시 태양을 변경한다. 구체적으로는, 상술한 바와 같이, 1 이상 소정값 미만일 경우는 예를 들면 노락색 표시로 하고, 소정값 이상일 경우는 예를 들면 빨간색 표시로 하면 된다. 이에 따라, 보다 상세하게 스팀 트랩의 교환 등의 우선도를 판단할 수 있다.또한, 상술한 실시예의 관리 시스템(1, 100)은 서버 장치(3, 300) 및 단말장치(4) 등으로 구성되어 있지만, 서버 장치(3, 300)의 기능도 구비한 단일의 단말 장치가 관리 시스템 전체를 구성해도 된다. 이 경우, 네트워크 회선(2) 및 서버 장치(3, 300)는 불필요하게 된다003c#산업상 이용 가능성003e# 본 발명은 증기 사용 기기에 증기를 공급하는 증기 공급 시스템이 적용되는 발전 설비의 증기 플랜트 등을 제조, 판매, 운용하거나 하는 산업 분야에서 이용할 수 있다.
[ 부호의 설명 ]
1, 100: 관리 시스템2: 네트워크 회선3, 300: 서버 장치4: 단말 장치30, 301: 제어부(서버 장치)31, 310: 기억부(서버 장치)32: 네트워크 통신부40: 제어부(단말 장치)41: 기억부(단말 장치)42: 조작부(단말 장치)43: 표시부(단말 장치)60: 에어리어 맵65: 프로세스 맵71: 스팀 트랩90, 900: 카르테95: 에어리어 맵 데이터96: 프로세스 맵 데이터
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관리 시스템은, 맵 정보 기억부, 관련 정보 기억부, 맵 정보 생성부, 표시부 및 조작부를 구비한다. 맵 정보 생성부는 배치 위치를 나타내는 배치 맵 및 프로세스 시스템을 구성하는 복수의 시스템 구성 기기의 접속 관계를 나타내는 프로세스 맵을 표시하기 위한 표시 배치 맵 정보 및 표시 프로세스 맵 정보를 생성한다. 또한, 맵 정보 생성부는, 표시 프로세스 맵 정보를, 관련 정보 기억부의 정보에 의거해서, 지정된 시스템 구성 기기에 관련된 다른 시스템 구성 기기를 식별 가능한 표시 태양으로 생성한다.
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[ 발명의 명칭 ]
에탄올을 생산하고 메탄올을 공동생산하는 방법METHOD FOR PRODUCING ETHANOL AND COPRODUCING METHANOL
[ 기술분야 ]
본 발명은 촉매 화학 분야에 관한 것으로, 구체적으로 에탄올을 생산하고 메탄올을 공동생산하는 신규한 방법에 관한 것이다.
[ 배경기술 ]
에탄올은 주로 차량 연료 및 차량 연료 첨가제로 사용되며, 한편으로 중요한 유기 화학적 원료이고 주로 아세트알데히드, 에틸 에테르, 아세트산, 에틸 아세테이트, 에틸아민 등의 제조에 사용된다. 2012년 전세계 에탄올 생산량은 최대 851억 리터였으며, 중국의 에탄올-가솔린은 중국 내 총 가솔린 소비량의 20% 이상을 차지한다. 12차 5개년 계획 동안 중국 내 비화석 에너지가 1차 에너지에서 차지하는 비중은 11.4%로 늘어날 것이고, 반면에 주로 원료로서 작물을 사용하는 새로운 연료 에탄올 프로젝트는 더 이상 구성되지 않을 것이다. 따라서, 다양한 경로로 에탄올을 합성하는 것은 석유 자원을 비축하고 환경오염을 줄이는 중요한 현실적인 측면과 전략적 측면을 갖는 것이다.오늘날, 에탄올을 제조하는 공업적 방법은 발효법과 에틸렌 수화방법이다(발효법 또는 에틸렌 수화방법으로 제조된 에탄올은 전형적으로 에탄올과 물의 공비혼합물이고, 무수 에탄올을 얻기 위해 추가적인 탈수반응이 필요하다). 발효방법의 주원료는 사탕수수, 카사바, 옥수수 등의 식물이다. 미국에서는 다량의 옥수수를 사용하여 에탄올 연료를 제조하고 있으며, 그 결과 세계적으로 작물의 공급 부족과 가격 상승을 초래하였다. 그러므로, 많은 국가들은 바이오에탄올 프로젝트를 일정 범위로 제한하고 있다. 에틸렌 수화방법은 촉매로서 실리카겔 또는 규조토 상에 담지된 인산을 사용하며, 이 방법은 처음에 1947년 Shell Corporation에 의해 공업화되었다. 에탄올 원료의 공급원을 확대하고 석유 자원에 대한 의존도를 줄이는 것이 연구의 주안점이 되고 있다. 이것은 합성가스에서 직접 에탄올을 제조하는 가장 확실한 반응식 중 하나로 여겨진다[Appl. Catal. A 261 (2004) 47, J. Catal. 261 (2009) 9]. Pan 등[Nat. Mater. 6 (2007) 507]은 탄소 나노튜브의 내벽에 선택적으로 담지된 Rh 귀금속 촉매를 보고하였으며, 이것은 합성가스에서 직접 제조된 에탄올의 수율을 증가시킨다. 그러나, 이 방법의 추가 적용은 고가의 귀금속인 Rh의 사용때문에 제한적이다. 다른 방법은 합성가스에서 에탄올을 직접 제조하는 것이다. 2011년 11월 1일, Jiangsu Suopu Group에 의해 구성된 매년 3만톤의 에탄올을 제조하는 한 세트의 기술에 대한 연구 및 개발 프로젝트가 개시되었다. 이 기술은 중국 과학 아카데미인 Dalian Institute of Chemical and Physics에 의해 개발되었으며, 이는 이 기술이 충분히 산업적 대표 실행의 단계에 있는 것임을 시사한다. 프로젝트가 구축된 후, 이것은 세계적으로 만톤의 주문에 대한 석탄에서 합성가스까지 에탄올을 제조하기 위한 산업화 장치의 최초 세트가 될 것이다. 그러나, 이 방법은 귀금속인 로듐 촉매를 사용하고 촉매 가격이 비교적 고가이다. 게다가, 엄격하게 생성물은 혼합된 C1-C5 알코올이고, 에탄올 선택성은 80% 미만이다[Appl. Catal. A 407 (2011) 231, Appl. Catal. A 243 (2003) 155]. 또한, 메탄올로부터 에탄올을 제조하는 동족체화(homologation) 반응 또한 집중 연구되었으며, 이 반응은 촉매로서 Co 또는 Ru를 사용하고 균질 시스템에서 반응을 수행하기 위한 촉진제로서 요오드를 사용한다[J. Catal. 90 (1984)127, J. Mol. Catal. A 96 (1995) 215]. 그러나, 요오드에 의한 장치의 심각한 부식뿐만 아니라 복잡한 반응 생성물 및 낮은 에탄올 선택성으로 인하여 이 방법의 적용은 일정 범위로 제한되었다.합성가스에서 에탄올을 직접 합성하는 최근의 방법에서는 디메틸 에테르를 원료로 사용하고 메틸 아세테이트를 카보닐화 반응에 의해 직접 합성한 다음, 에탄올을 수화반응에 의해 제조한다. 현재, 이 방법은 여전히 연구 단계이지만 적용 가능성이 상당히 높다. 최근에 Tsubaki 등[JP2008239539, ChemSusChem 3 (2010) 1192]은 H-MOR 및 Cu/ZnO 촉매 상에서 DME로부터 에탄올의 직접 생산을 이루었고, 두 촉매가 상승작용이 있음을 연구하여 확인하였다.메탄올은 또한 중요한 화학적 원료 및 차량 연료 첨가제이고, 주로 용매로서 사용되고, 그리고 포름알데히드, 아세트산, 및 디메틸 에테르의 제조와 MTG, MTO 등의 공정에서 사용된다. 2011년, 중국내 메탄올 생산은 최대 2035만톤이었으며, 메탄올 생산은 MTO 등과 같은 기술이 보편화됨에 따라 미래에 더 증가할 것으로 추정된다. 현재, 메탄올의 합성은 240-260℃, 5-10MPa의 고정층 반응기에서 구리계(copper-based) 촉매의 사용으로 달성된다.
[ 발명의 개요 ]
[ 해결하려는 과제 ]
오늘날, 디메틸 에테르는 합성가스로부터 하나의 단계로 제조하거나(이작용성 촉매를 사용하여 메탄올 합성과 메탄올 탈수반응이 하나의 반응기에서 일어난다), 메탄올 탈수반응에 의해 합성할 수 있다. 합성가스는 비석유 에너지, 예컨대 석탄, 바이오매스, 천연가스 등으로 제조할 수 있다. 에탄올을 합성하고 동시에 상당량의 메탄올을 공동 생산할 수 있다면, 메탄올은 최종 생성물로서 사용될 뿐만 아니라 탈수하여 디메틸 에테르를 생성할 수도 있다. 디메틸 에테르는 카보닐화되어 메틸 아세테이트를 생성하고, 메틸 아세테이트는 수소화되어 최종 생성물인 에탄올을 생성한다. 에탄올과 메탄올의 비율은 제품의 유연성과 장치의 작동 모틸리티를 향상하기 위한 시장 요구에 따라 조절할 수 있고, 이는 새로운 석탄 화학 산업을 개발하는데 있어서 중요한 현실적 의미를 갖는다. 따라서, 합성가스와 아세테이트의 공동공급 조건 하에서 에탄올을 합성하고 메탄올을 공동제조하는 방법을 당분야에서 개발하는 것이 필요하다.
[ 과제의 해결 수단 ]
본 발명의 목적은 합성가스와 아세테이트를 사용하여 공동공급 조건하에서 에탄올을 생산하고 메탄올을 공동생산하는 방법을 제공하는 것이다.그러므로, 본 발명은 아세테이트와 합성가스를 함유하는 원료 가스를 150-350℃의 반응온도, 0.1-20.0 MPa의 반응압력, 100-45000 mlg-1h-1의 반응부피 시간당 공간속도(hourly space velocity), 및 0.01-5.0 h-1의 아세테이트 중량 시간당 공간속도의 조건하에서 촉매가 적재된 반응기를 통과시켜 에탄올을 생산하고 메탄올을 공동생산하는 단계를 포함하고; 상기 촉매의 활성성분들이 구리 및 임의로 아연 및/또는 알루미늄인 것을 특징으로 하는, 에탄올을 생산하고 메탄올을 공동생산하는 방법을 제공한다.바람직한 일 구체예에서, 아세테이트는 메틸 아세테이트 및/또는 에틸 아세테이트이다.바람직한 일 구체예에서, 촉매에서 활성성분 구리는 촉매 총 중량의 50.0-100.0 wt%를 CuO로 포함하고; 활성성분 아연은 촉매 총 중량의 0-35.0 wt%를 ZnO로 포함하고; 활성성분 알루미늄은 촉매 총 중량의 0-10.0 wt%를 Al2O3로 포함한다.바람직한 일 구체예에서, 촉매는 촉진제로서 하나 이상의 망간, 몰리브덴, 지르코늄, 크롬, 철, 바륨, 마그네슘, 니켈, 및 칼슘을 추가로 함유한다. 바람직하게, 촉진제는 촉매 총 중량의 0-5.0 wt%를 이들의 금속 산화물로서 포함한다.바람직한 일 구체예에서, 촉매는 사용 전에 수소 가스 및/또는 합성가스로 환원처리된다.바람직한 일 구체예에서, 원료 가스 중 합성가스/아세테이트의 몰비는 10-101/0.1-4이고, 합성가스 중 수소 가스/일산화탄소의 몰비는 9-100/1이다. 바람직하게, 합성가스/아세테이트의 몰비는 21-101/2-4이고, 합성가스 중 수소 가스/일산화탄소의 몰비는 20-100/1이다.바람직한 일 구체예에서, 반응온도는 180-300℃이고, 반응압력은 1.0-10.0 MPa이며, 반응부피 시간당 공간속도는 400-35000 mlg-1h-1이고, 아세테이트 중량 시간당 공간속도는 0.1-3.0 h-1이다.
[ 발명의 효과 ]
합성가스와 아세테이트의 공동공급물을 반응 원료로서 사용하므로써, 본 발명에서는 일산화탄소의 메탄올 전환이 매우 용이한 반면, 극도로 높은 활성의 아세테이트 수소화가 유지된다. 본 발명의 방법은 에탄올을 생산하는 한편, 일정량의 메탄올이 공동생산되고, 에탄올과 메탄올의 비율이 조절가능하고, 이것은 제품의 유연성을 증가한다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
본 발명의 방법에 있어서, 아세테이트와 합성가스를 함유하는 원료 가스는 150-350℃의 반응온도, 0.1-20.0 MPa의 반응압력, 100-45000 mlg-1h-1의 반응부피 시간당 공간속도(hourly space velocity), 및 0.01-5.0 h-1의 아세테이트 중량 시간당 공간속도의 조건하에 촉매가 적재된 반응기를 통과하여 에탄올을 생산하고 메탄올을 공동생산하고, 여기서 상기 촉매의 활성성분은 구리이고 아연 및/또는 알루미늄도 함유될 수 있다.바람직하게, 아세테이트는 메틸 아세테이트 및/또는 에틸 아세테이트이다.바람직하게, 촉매에서, 활성성분은 구리이고, 그의 함량은 촉매 총 중량의 50.0-100.0 wt%를 금속 산화물로 포함하고; 촉진제 아연은 촉매 총 중량의 0-35.0 wt%를 금속 산화물로 포함하고; 촉진제 알루미늄은 촉매 총 중량의 0-10.0 wt%를 금속 산화물로 포함한다.바람직하게, 촉매에서, 망간, 몰리브덴, 지르코늄, 크롬, 철, 바륨, 마그네슘, 니켈, 및 칼슘 중 하나 또는 다수의 조성물을 촉진제로서 추가로 함유할 수 있다. 바람직하게, 이것은 촉매 총 중량의 0-5.0 wt%를 그의 금속 산화물(예를 들어, MnO, Cr2O3, Fe2O3, MgO, NiO 등)로 포함한다.바람직하게, 촉매는 먼저 반응 전에 수소 가스 및/또는 합성가스로 환원처리된다. 촉매는 5-60 시간 동안 1-100% H2 또는 합성가스 (H2/CO = 0.5-50)를 사용하여 온도가 180-350℃이고 압력이 0.1-5.0 MPa인 조건 하에서 환원처리된다.바람직하게, 원료 가스 중 합성가스/아세테이트의 몰비는 10-101/0.1-4이고, 합성가스 중 수소 가스/일산화탄소의 몰비는 9-100/1이다. 더욱 바람직한 범위는 다음과 같다: 합성가스/아세테이트의 몰비는 21-101/2-4이고, 합성가스 중 수소 가스/일산화탄소의 몰비는 20-100/1이다.바람직한 반응 조건은 다음과 같다: 반응온도는 180-300℃이고, 반응압력은 1.0-10.0 MPa이며, 반응부피 시간당 공간속도는 400-35000 mlg-1h-1이고 아세테이트 중량 시간당 공간속도는 0.1-3.0 h-1이다.본 발명의 촉매(구리계 촉매라고도 칭함)는 바람직하게 다음 단계들을 포함하는 공침전 방법으로 제조한다:a) Cu2+ 및/또는 임의로 Zn2+ 및/또는 Al3+의 이온을 함유하는 용액을 침전제 용액에 25-60℃에서 첨가하여 생성된 침전을 균일하게 될 때까지 교반하고(여기서 생성된 침전물의 pH는 7.0-10.0이다);b) 단계 a)에서 얻어진 침전물을 5-60시간 동안 숙성 처리하여 80-160℃에서 건조하고 240-500℃로 하소(calcine)하여 하소된 샘플을 얻고;c) 임의로 단계 b)에서 얻어진 하소된 샘플을 망간, 몰리브덴, 지르코늄, 크롬, 철, 바륨, 마그네슘, 니켈, 및 칼슘의 성분 중 하나 이상의 금속을 함유하는 염 용액에 위치시키고, 일회 또는 수회 함침하고, 함침이 완료된 후 80-160℃에서 건조하고 240-500℃에서 하소하여 구리계 촉매를 얻는다.본 발명은 주로 합성가스와 아세테이트의 공동공급물로 에탄올을 생산하고 메탄올을 공동생산하기 위한 촉매가 저렴한 원료를 사용하고 간단한 공침전 방법을 이용하여 생산되고, 이 방법이 일산화탄소의 메탄올로의 전환이 용이한 반면, 극도로 높은 활성의 아세테이트 수소화를 유지하는 이점을 갖는다. 에탄올과 메탄올의 비율은 반응조건을 변경하여 조절할 수 있고, 새로운 반응 공정이 개발되어, 이것은 제품의 유연성을 증가시킨다.이하, 본 발명을 실시예에 의하여 상세히 설명하였으며, 본 발명이 다음 실시예에 의해 제한되지는 않는다.실시예 1: 촉매 제조1) 100% CuO 촉매의 제조121g의 Cu(NO3)2·3H2O를 2000ml의 탈이온수에 용해하고, 68.0 g의 농축 수성 암모니아 (25-28%)를 1500ml의 탈이온수로 희석하였다. 수성 암모니아 용액을 실온에서 격렬하게 교반하고, 수성 금속 니트레이트 용액을 수성 암모니아 용액에 약 60분 내에 서서히 첨가하였다. 침전물의 pH를 수성 암모니아 용액을 사용하여 10.0으로 조절하여 200분 동안 교반을 계속한 다음, 36h 동안 숙성하였다. 침전물을 탈이온수로 중성이 될 때까지 세척하고 원심분리에 의해 분리하였다. 생성된 침전물을 오븐에서 120℃로 24h 동안 건조하고, 건조 후에 샘플을 머플로(muffle furnace)에 넣고 1℃/분의 온도 증가속도로 400℃까지 가온하였고, 5h 동안 하소하여 하소된 샘플을 얻었다. 이 촉매를 CAT1이라 하였다.2) 85%CuO/10%ZnO/5%Al2O3 촉매의 제조102.85 g의 Cu(NO3)2·3H2O, 12.00g의 Zn(NO3)2·6H2O, 및 14.71g의 Al(NO3)3·9H2O를 2000ml의 탈이온수에 용해하고, 72.52 g의 농축 수성 암모니아 (25-28%)를 1500ml의 탈이온수로 희석하였다. 수성 암모니아 용액을 실온에서 격렬하게 교반하고, 혼합된 수성 금속 니트레이트 용액을 수성 암모니아 용액에 약 60분 내에 서서히 첨가하였다. 침전물의 pH를 수성 암모니아 용액을 사용하여 10.0으로 조절하여 200분 동안 교반을 계속한 다음, 36h 동안 숙성하였다. 침전물을 탈이온수로 중성이 될 때까지 세척하고 원심분리에 의해 분리하였다. 생성된 침전물을 오븐에서 120℃로 24h 동안 건조하고, 건조 후에 샘플을 머플로에 넣고 1℃/분의 온도 증가속도로 400℃까지 가온하였고, 5h 동안 하소하여 하소된 샘플을 얻었다. 이 촉매를 CAT3라 하였다.3) 75%CuO/13%ZnO/5%Al2O3/1%MnO/1%NiO 촉매의 제조96.80 g의 Cu(NO3)2·3H2O, 15.60g의 Zn(NO3)2·6H2O, 및 14.71g의 Al(NO3)3·9H2O를 2000ml의 탈이온수에 용해하고, 72.52 g의 농축 수성 암모니아 (25-28%)를 1500ml의 탈이온수로 희석하였다. 수성 암모니아 용액을 실온에서 격렬하게 교반하고, 혼합된 수성 금속 니트레이트 용액을 수성 암모니아 용액에 약 60분 내에 서서히 첨가하였다. 침전물의 pH를 수성 암모니아 용액을 사용하여 10.0으로 조절하여 200분 동안 교반을 계속한 다음, 36h 동안 숙성하였다. 침전물을 탈이온수로 중성이 될 때까지 세척하고 원심분리에 의해 분리하였다. 생성된 침전물을 오븐에서 120℃로 24h 동안 건조하고, 건조 후에 샘플을 머플로에 넣고 1℃/분의 온도 증가속도로 400℃까지 가온하였고, 5h 동안 하소하여 하소된 샘플을 얻었다. 1.41 g의 Mn(NO3)2·4H2O와 1.36 g의 Ni(NO3)2·4H2O를 추가로 50ml의 탈이온수에 용해하고, 망간과 니켈의 수용액을 하소된 샘플에 함침방법을 사용하여 로딩한 다음, 과량의 용매를 80℃에서 증발시켰다. 오븐에서 120℃로 24h 동안 건조하고, 건조 후에 샘플을 머플로에 넣고 1℃/분의 온도 증가속도로 400℃까지 가온하였고, 3h 동안 하소하여 촉매 샘플을 얻었다. 이 촉매를 CAT4라 하였다.다른 촉매 CAT2와 CAT5-10을 CAT3 및 CAT4와 유사한 방법으로 제조하였다. 특정한 제조조건과 촉매수 간의 상관관계는 표 1에서 알 수 있다. XRF (X-선 형광분석법, PANalytical Corporation, Netherlands)로 측정된 촉매의 조성은 표 2에 나타내었다.실시예 2: 촉매의 평가본 발명에서 반응부피 시간당 공간속도는 촉매의 질량으로 나눈 시간 당 반응 시스템을 통과한 (표준 조건하의)반응 원료의 부피 유속으로 정의한다. 이것은 GHSV로 나타내며 mlg-1h-1을 단위로 한다.상기한 촉매 10g을 20-40 메쉬로 선별하여 고정층 반응기의 항온 영역에 충전하였다. 반응 전에 촉매를 온라인 환원하였으며, 여기서 환원온도는 260℃, 압력은 0.1 MPa, 환원가스는 5%H2+95%N2, 환원시간은 24h로 하였다. 환원 후에 온도를 230℃로 낮추고, 파이프라인 및 반응기에 남아있는 H2를 N2로 퍼징(purging)하였다. 이후, 가스를 일정 조성과 압력의 합성가스로 교환하고 질량 유량계를 지정된 유속(표준조건)으로 조절하였다. 고압 아세테이트 공급 펌프를 지정된 유속으로 설정하고 온도와 압력이 안정된 후에 반응을 개시하였다. 생성물을 온라인 분석하고 시간 당 1회 샘플링하였다. 파이프라인과 배압조정밸브를 모두 가열하여 반응기 배출구에서 가스 크로마토그래피의 10방향(ten-way) 밸브의 유입구까지 온도를 유지하였다.생성물의 분석방법크로마토그래피: Agilent 7890AFID 크로마토그래피 컬럼: HP-PLOT-Q 19091P-Q04, 30m x 0.32 mm (내부 직경), 필름 두께 20 μm운반 가스: 헬륨 가스, 2 ml/min컬럼 온도: 50℃-240℃, 10℃/min 240℃, 15분 유지공급 포트: 스플리트(split) (50:1); 온도: 250℃검출기: FID; 온도: 300℃TCD 크로마토그래피 컬럼: 탄소 분자체 컬럼, TDX-01 2m x 2mm (내부 직경)운반 가스: 헬륨 가스, 35ml/min컬럼 온도: 50℃-240℃, 10℃/min 240℃, 15분 유지공급 포트: 공급 포트에서 격막(septum) 퍼지; 온도: 250℃검출기: TCD; 온도: 300℃1) 합성가스 (부피(volumetric) 조성 80%H2/4%CO 및 기타 가스) 및 메틸 아세테이트(MAc)의 공동공급 조건 하에서 상이한 조성을 갖는 촉매의 활성을 표 3에 나타내었다.반응조건은 다음과 같다: 반응온도 240℃, 반응압력 4.5 MPa, 원료 가스의 몰 조성 H2/CO/MAc = 20/1/4 (80%H2/4%CO/16%MAc), 총 가스 시간당 공간속도 (GHSV) = 5676mlg-1h-1, 및 메틸 아세테이트 중량 시간당 공간속도 (WHSVMAc) = 3.0h-1.a(주: 이 선택성은 CO 수소화에 의해 생성된 메탄올을 배제하였다.)b CO 수소화 반응에서, 메탄올 선택성은 100%였고 부산물은 생성되지 않았다.2) 상이한 온도로 합성가스 (부피 조성 98.9%H2/0.99%CO 및 기타 가스)와 메틸 아세테이트 (MAc)를 공동공급하는데 있어서 촉매 CAT5의 성능을 표 4에 나타내었다.반응조건은 다음과 같다: 반응압력 5.5 MPa, 원료 가스의 몰 조성 H2/CO/MAc = 1000/10/1 (98.9%H2/0.99%CO/0.11%MAc), 총 가스 시간당 공간속도 (GHSV) = 35000mlg-1h-1, 및 메틸 아세테이트 중량 시간당 공간속도 (WHSVMAc) = 0.127h-1.ab CO 수소화 반응에서, 메탄올 선택성은 100%였고 부산물은 생성되지 않았다.3) 상이한 압력으로 합성가스 (부피 조성 95.2%H2/1.4%CO 및 기타 가스)와 메틸 아세테이트 (MAc)를 공동공급하는데 있어서 촉매 CAT3의 성능을 표 5에 나타내었다.반응조건은 다음과 같다: 반응온도 250℃, 원료 가스의 몰 조성 H2/CO/MAc = 70/1/2.5(95.2%H2/1.4%CO/3.4%MAc), 총 가스 시간당 공간속도(GHSV) = 19587mlg-1h-1, 및 메틸 아세테이트 중량 시간당 공간속도 (WHSVMAc) = 2.2h-1.a(주: 이 선택성은 CO 수소화에 의해 생성된 메탄올을 배제하였다.)b CO 수소화 반응에서, 메탄올 선택성은 100%였고 부산물은 생성되지 않았다.4) 합성가스와 에틸 아세테이트를 공동공급하고 상이한 반응 조건하에서 상이한 촉매의 성능은 표 6에 나타내었다.(주: 이 선택성은 CO 수소화에 의해 생성된 메탄올을 배제하였다.)b CO 수소화 반응에서, 메탄올 선택성은 100%였고 부산물은 생성되지 않았다.상기한 실시예와 데이터에 따라 다음과 같은 결론을 얻을 수 있다:반응원료로서 임의 양의 합성가스와 아세테이트의 공동공급물을 사용하는 경우, 특정 촉매의 반응기에서 에탄올을 효과적으로 합성하고 적은 양의 메탄올을 공동생산할 수 있고; 공동 생산된 메탄올은 생성물 단독으로 사용되거나 탈수하여 디메틸 에테르를 생산할 수 있고, 디메틸 에테르의 카보닐화 생성물인 메틸 아세테이트를 수소화하여 에탄올을 생산할 수 있으며; 에탄올과 메탄올의 비율은 일산화탄소, 합성가스 중의 수소 가스 및 아세테이트의 공급 비율을 장치의 작동 유연성과 시장 적응성을 개선하도록 변경하여 조절할 수 있다.본 발명은 적절한 반응조건하에 원료로서 임의 양의 합성가스와 아세테이트의 공동공급물을 사용하여 저렴하고 용이하게 입수가능한 촉매의 반응기에서 에탄올을 효과적으로 합성하는 동시에 메탄올을 생산할 수 있는 이점이 있다. 통상적인 메탄올 합성과 비교하여 본 발명은 일산화탄소를 메탄올로 전환하는 반응이 용이한 한편, 아세테이트 수소화의 고효율 반응성을 유지한다. 본 발명은 석탄 화학 산업의 개발에 새로운 방법을 제공한다.당업자들이라면 본 발명의 기술적 사상에서 벗어나지 않고 상기한 실시예들에 대해 다양한 변경이 가능한 것을 알 수 있을 것이다. 이러한 변경은 또한 본 발명의 범위 내에 있는 것으로 간주되어야 하며 본 발명에 의해 보호되어야 한다.
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본 발명은 반응 원료로서 합성가스와 아세테이트의 공동공급물을 사용하여 반응기에서 촉매하에 에탄올을 생산하고 메탄올을 공동생산하는 방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 본 발명은 아세테이트와 합성가스를 함유하는 원료 가스를 150-350℃의 반응온도, 0.1-20.0 MPa의 반응압력, 100-45000 mlg-1h-1의 반응부피 시간당 공간속도(hourly space velocity), 및 0.01-5.0 h-1의 아세테이트 중량 시간당 공간속도의 조건하에서 촉매가 적재된 반응기를 통과시켜 에탄올을 생산하고 메탄올을 공동생산하는 단계를 포함하고, 촉매의 활성성분이 구리 및 임의로 아연 및/또는 알루미늄인 것을 특징으로 하는 에탄올을 생산하고 메탄올을 공동생산하는 방법을 제공한다. 본 발명의 방법은 일산화탄소의 메탄올로의 전환이 매우 용이한 한편, 극도로 높은 활성의 아세테이트 수소화를 유지한다. 또한, 본 발명의 방법은 에탄올을 생산하면서, 일정 양의 메탄올을 공동생산하고, 에탄올과 메탄올의 비율을 조절할 수 있어서 제품의 유연성을 증가시킨다.
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[ 발명의 명칭 ]
마찰 댐핑을 위한 장치 및 방법Device and method for friction damping
[ 기술분야 ]
본 발명은 토목 분야에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 상대 변위, 건설물(work of construction)의 제1 구조 요소 및 제2 구조 요소 사이의 특히 진동의 댐핑(damping)을 가능하게 하는 마찰 댐핑을 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.보다 구체적으로, 제한되지 않지만, 본 발명은 교량, 지붕, 현수교, 진동 또는 큰 진폭 변위에 잠재적으로 종속될 수 있는 구조적 요소의 지주(stay)와 같은 건설물, 또는 다른 임의의 매달린 건설물에서 케이블의 진동을 댐핑하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
[ 배경기술 ]
토목 건설물에서, 다른 구조 요소들이 상대 변위들, 예컨대 상대 움직임 또는 상대 진동에 자주 노출될 수 있다.점탄성 수단 또는 마찰에 의해서 작동하는 수단을 이용하여 이러한 상대 변위들을 댐핑하는 기술이 알려져 있다.그리하여, 예컨대 특허문헌 FR 2 664 920은 교량 지주의 진동을 위한 진동 장치를 개시한다. 이 장치는 점탄성 방법으로 작동하며 모든 방향에서 이 지점 주위로 진동하도록 고정된 보조 베이스에서 길이부의 중간 지점에 설치된 강성 폴을 설치한다. 폴 풋(pole foot)의 변위는 점탄성 요소들에 의해서 예컨대 댐핑된다. 댐핑될 수 있는 움직임의 진폭은 폴 풋의 기준에서 보조 베이스까지 제한된다. 이 장치는 모든 방향에서 큰-진폭의 변위를 흡수할 수 있다.게다가, 특허문헌 FR 2 664 920에 개시된 것과 같은 시스템들의 설치는 피로도 및 내구성에 관한 성능이 제한되어, 결국 많은 주기의 동적 하중에 종속되는 구조에서 사용하기에 접합하지 않는, 기계적 베이링들을 사용한다.특허문헌 EP1035350은 마찰에 의해서 작동하는 내부 댐퍼를 형성하는 다른 종류의 댐핑 장치를 개시하며, 케이블의 가로방향의 진동 움직임이 댐핑된다. 하지만, 이러한 해결책은 동일한 댐핑 장치 안에서 건설물의 제1 구조적 요소 및 제2 구조적 요소 사이의 큰-진폭의 상대 움직임의 여러 성분을 댐핑하지 못한다.FR2751673은 케이블의 진동을 댐핑하기 위한 탄성 또는 점탄성 링을 포함하는 다른 장치를 개시한다. 이 장치는 케이블에 수직한 평면에서 작은-진폭의 진동을 댐핑하도록만 설계된다.FR2631407은 지주의 일부에 설치된 환형 부재를 설치하고 지주에서 진동들을 댐핑하기 위한 장치의 향상에 관한 것이다. 압력하의 리스 또는 페이스트가 각 링 케비티(ring cavity)를 채운다. 강성 구조는 기초와 환형 부재를 연결한다. 다시, 이 장치는 임의의 방향을 따른 큰-진폭의 변위를 댐핑하는데 적합하지 않다.건설물의 다양한 구조 요소들을, 예컨대 둘 또는 세 방향에 따른 병진운동 또는 두 개의 축 주위의 회전에 의해서, 또는 선형적으로 독립된 변위들의 조합에 따라 서로에 대하여 움직인다. 예컨대, 교량의 지주는 때때로 지주와 수직한 제1 방향을 따라 움직이고 지주, 예컨대 교간에 의해 지지되는 구조적 요소 쪽으로 향하도록 움직이며, 지주 및 제1 방향에 수직한 다른 방향을 따라 움직인다. 지주의 방향에서 더 작은 정도의 변위들은 예컨대 확산될 수 있다. 일부 구조 요소들은 또한 동일한 건설 작업의 다른 구조적 요소들에 대하여 회전된다.하지만, 현존하는 댐핑 장치들은 다양한 성분들에 따른 이러한 복잡한 변위들을 댐핑하는데 적합하지 않다.
[ 발명의 개요 ]
[ 해결하려는 과제 ]
본 발명의 목표은 기존의 장치들의 한계로부터 자유로운 댐핑 장치를 제안하고 건설물의 제1 구조 요소 및 제2 구조 요소 사이의 다른 성분들을 따른 변위들이 댐핑되는 것을 가능하게 하는 것이다.본 발명의 또 다른 목표는, 각각의 이러한 기초 성분들을 위해 독립적으로 선택될 수 있는 댐핑으로, 다뤄질 복잡한 변위의 각 성분들을 위한 작은 진폭 및/또는 큰 진폭 변위를 가능하게 하는 것이다.
[ 과제의 해결 수단 ]
본 발명에 따르면, 이러한 목표는 뛰어난 토목 건설물의 제1 구조 요소 및 제2 구조 요소 사이의 상대 움직임들을 댐핑하기 위한 마찰 댐핑 장치로서,상기 장치는:제1 구조 요소 및 제2 구조 요소 사이의 제1 상대 변위 성분을 댐핑하기 위한 제1 댐핑 시스템; 및제1 구조 요소 및 제2 구조 요소 사이의 제2 상대 변위 성분을 댐핑하기 위한 제2 댐핑 시스템;을 포함하며,상기 제1 댐핑 시스템은 제1 마찰 표면 및 제2 마찰 표면을 포함하고, 제1 마찰 표면 및 제2 마찰 표면은 제1 마찰 결합을 형성하기 위해서 서로 대항하여 구속되고 접촉하며, 제1 마찰 표면 및 제2 마찰 표면은 제1 상대 변위 성분이 댐핑되도록 서로에 대하여 병진운동으로 추가로 움직일 수 있으며,상기 제2 댐핑 시스템은 제3 마찰 표면 및 제4 마찰 표면을 포함하고, 제3 마찰 표면 및 제4 마찰 표면은 제2 마찰 결합을 형성하기 위해서 서로 대항하여 구속되고 접촉하며, 제3 마찰 표면 및 제4 마찰 표면은 제2 상대 변위 성분이 댐핑되도록 서로에 대하여 회전으로 추가로 움직일 수 있으며,제1 댐핑 시스템 및 제2 댐핑 시스템은 연속으로 위치되는 마찰 댐핑 장치에 의해서 달성될 수 있다.이러한 어플리케이션에서, 하나의 시스템의 제1 말단이 다른 시스템의 제1 말단에 대하여 고정된 지점에 고정 또는 연접된 연결에 의해서 연결된 경우, 및 제1 시스템의 제2 말단이 제2 시스템의 제2 말단에 관한 변위들이 댐핑되도록 윈하는 지점에 고정 또는 연접된 연결에 의해서 연결된 경우, 두 개의 댐핑 시스템은 연속하여 위치하는 것으로 고려된다.본 발명은 특히 제1 시스템의 제1 말단 및 제2 시스템의 제2 말단이 고정 또는 선회 지점에 의해서 서로 연결되며, 제1 댐핑 시스템의 제2 말단이 지주와 고정 또는 선회 연결에 의해서 연결되며, 제2 시스템의 제2 말단이 구조 요소, 예컨대 기초 또는 교량 갑판에 고정 또는 선회 연결에 의해서 연결되는 장치에 관한 것이다.제1 구조 요소는 앵커 지점에서 상기 제2 구조 요소에 고정되는 텐션된(tensioned) 케이블일 수 있다.이러한 해결책은 상대 변위의 각 성분을 가능하게 하여, 결국 각 종류의 상응하는 진동이 독립적으로 처리될 수 있게 하여, 선행기술에 비해 뛰어난 이점을 가진다. 댐핑될 다른 움직임 성분들은 다른 축들을 따른 변위 성분들, 예컨대 다른 축들을 따른 병진운동들 및/또는 회전들일 수 있다.제1 상대 변위 성분은 제1 구조 요소 및 제2 구조 요소 사이로 연장하는 제1 방향을 따르는 제1 병진운동에 의해서 구성될 수 있다.제2 상대 변위 성분은 제1 방향과 다른 제3 방향(Y)에 따른 제2 병진운동에 의해서 구성될 수 있다.상기 제3 방향(Y)은 핵심적으로 제1 방향(X) 및 제1 구조 요소(20)와 접하는 제2 방향(Z)과 직각이다.추가적으로, 댐핑될 다른 운동 성분들은 다른 주기들에 따른 운동 성분들일 수 있다. 예컨대, 제1 댐핑 시스템은 낮은-주기 변위들을 댐팽하는데 최적화될 수 있는 반면, 다른 댐핑 시스템은 높은-주기 변위들, 예컨대 진동들을 댐핑하는데 최적화될 수 있다.유리하게는, 제1 (제2) 댐핑 장치로 인해서 제2 (제1) 성분은 연속하는 제2 (제1) 댐핑 장치에 의한 제2 (제1) 성분에 따른 변위들을 댐핑하는데 영향을 주지 않는다.각 댐핑 시스템은 바람직하게는 이 시스템의 주축을 구성하는 단일 축 주위 또는 단일 축을 따른 큰-진폭의 상대 변위를 가능하게 한다. 예컨대, 제1 댐핑 시스템은 축(X)을 따란 큰-진폭의 병진운동을 가능하게 하는 반면 제2 댐핑 시스템은 축(Z) 주위로 큰-진폭의 회전을 가능하게 한다. 병진운동이 예컨대 500mm를 초과할 때 병진운동은 큰 진폭인 것으로 고려된다. 회전은 예컨대 10°, 바람직하게는 15°를 초과할 때 회전은 큰 진폭인 것으로 고려된다. 3개의 주축을 따른 병진운동 및/또는 회전은 마찰 표면들 덕분에 댐핑된다.또한, 각 댐핑 시스템은 유리하게는 부품들이 서로에 대하여 움직이도록 상대 운동하는 것을 가능하게 하며, 바람직하게는 주축과 다른 적어도 하나의 축 주위로 또는 상기 축을 따른 작은-크기의 변위들을 가능하게 하는, 가이드 요소들을 포함한다. 예컨대, 제1 댐핑 시스템의 가이드 요소들은 축(Y)을 따른 작은-진폭 병진운동을 가능하게 하며, 또는 축(Z) 주위로 작은-진폭 회전들을 가능하게 할 수 있다. 10mm 미만의 변위 또는 1도 미만의 회전은 예컨대 작은-진폭 변위로 고려될 수 있다. 이러한 추가 자유도는 시스템의 성분들의 구속을 제한한다.선호되는 배열에 따르면, 제1 변위 제1 변위 성분은 제1 구조 요소 및 제2 구조 요소 사이로 연장하는 제1 방향(X)을 따른 병진운동 움직임이다.다음의 배열들의 조합 또는 하나를 채택하는, 본 발명의 선호되는 배열에 따르면, 제2 상대 변위 성분은 제2 방향(Y)을 따른 병진운동 움직임이다. 이러한 두 개의 선호되는 배열들의 존재에서, 제2 방향(Y)과, 제1 방향과 바람직하게는 수직이다. 유리하게는, 이 제2 방향(Y)은, 일반적으로 긴 형상, 바람직하게는 케이블인 요소에 의해서 바람직하게 구성되는 제1 구조 요소의 세로 방향과 실질적으로 수직이다.본 발명의 이점들 중 하나는 복잡한 상대 움직임, 즉 제1 구조 요소 및 제2 구조 요소 사이에 설치된 하나의 장치를 사용하는 수개의 성분들을 포함하는 움직임들을 댐핑될 수 있게 하는 것이다. 그리하여 건설물들의 일부 구성적인 문제점을 해결할 수 있는 더 긴 조립체 및 좀 추가적인 공간을 필요로 하는 몇몇의 별개 장치들을 사용하는 것을 피할 수 있다.한편으로는 제1 댐핑 시스템 및 다른 한편으로는 제2 댐핑 시스템 내에서, 한편으로는 제1 마찰 표면 및 다른 한편으로는 제2 마찰 표면을 위해 사용되는 재료의 선택뿐만 아니라 두 개의 마찰 요소 사이의 압력의 규정은 문제의 상대 움직임 성분의 댐핑의 진폭을 결정하는 것을 가능하게 한다. 이런 방법에서, 제1 (제2) 댐핑 시스템에 의해서 처리된 상대 변위의 강도, 주기, 및/또는 에너지의 값의 범위와 같은 제1 (제2) 댐핑 시스템의 작동 특성을 결정하는 것이 가능하다.예컨대, 제1 마찰 요소를 위한 폴리머 또는 폴리머-메트릭스 재료 및 제2 마찰 요소를 위한 고려된 표면 강도가 있는 금속을 사용하는 것은 댐핑 시스템이 진동 진폭이 큰 범위에서 작동되는 것을 가능하게 한다.또한 두 개의 마찰 요소들을 위한 폴리머들 또는 두 개의 마찰 요소들을 위한 철의 사용을 가능하게 한다.본 발명은 또한 본 명세서에 설명된 것과 같은 적어도 하나의 댐핑 장치를 포함하는 제1 구조 요소 및 제2 구조 요소를 포함하는 토목 건설물에 관한 것이다.이러한 토목 건설물에서, 제1 구조 요소는 예컨대 제 구조 요소에 앵커 지점에서 고정된 텐션된 케이블일 수 있다.그리하여, 예컨대, 이러한 토목 건설물에서, 제2 구조 요소는 기초, 특히 교량 갑판 또는 교량 갑판에 통합된 구조 요소, 또는 현수된 지붕 요소 또는 현수된 지붕에 통합된 구조 요소일 수 있다.본 발명은 또한 토목 건설물의 제1 구조 요소 및 제2 구조 요소 사이의 상대 움직임들을 마찰 댐핑하는 방법으로서, 상기 방법은:제1 구조 요소에 대하여 고정된 제1 마찰 표면 및 제1 마찰 표면에 대하여 이동할 수 있는 제2 마찰 표면을 포함하는, 제1 구조 요소 및 제2 구조 요소 사이의 제1 상대 변위 성분을 댐핑하기 위한 제1 댐핑 시스템을 제공하는 단계;제2 댐핑 시스템은 제3 마찰 표면 및 제4 마찰 표면을 포함하고, 제1 상대 변위 성분은 제2 상대 변위 성분과 다르며, 제1 구조 요소 및 제2 구조 요소 사이의 제2 상대 변위 성분을 댐핑하기 위한 제2 댐핑 시스템을 제공하는 단계;및한편으로는 제1 마찰 표면 및 제2 마찰 표면 사이의 상대 움직임, 및 다른 한편으로는 제3 마찰 표면 및 제4 마찰 표면 사이의 상대 움직임이 마찰 결합들에 의해서 댐핑되도록, 두 개의 마찰 결합을 형성하기 위해서 서로 구속됨으로써 접촉되게 한편으로는 제1 마찰 표면 및 제2 마찰 표면, 다른 한편으로는 제3 마찰 표면 및 제4 마찰 표면을 위치시키는 단계;를 포함하는 방법에 관한 것이다.
[ 발명의 효과 ]
본 명세서에 포함되어 있음.
[ 도면의 간단한 설명 ]
본 발명의 실시예들의 예시들은 첨부된 도면들을 참조하여 상세한 설명에서 설명될 것이다:도 1은 댐핑 장치를 나타내는 본 발명의 제1 실시예의 사시도이다.도 2는 댐핑 장치의 내부를 도시하기 위해서 외부의 일부가 제거된 도 1과 유사한 도면이다.도 3은 도 1의 III-III 방향을 따른 댐핑 장치의 전면도이다.도 4는 도 3의 IV 방향을 따른 단면도이다.도 5는 도 1의 V 방향을 따른 댐핑 장치의 측면도이다.도 6은 VI-VI방향을 따른 도 5의 단면도이다.도 7 내지 9는 VII-VII, VIII-VIII, 및 IX-IX 방향을 각각 따른 도 6의 단면도이다.도 10은 도 1의 V 방향을 따른 댐핑 장치의 측면도이다.도 11 및 도 12는 XI-XI 및 XII-XII 방향을 각각 따른 도 10의 단면도이다.도 13은 건설물 내의 댐핑 장치의 운동역학을 도시하는 간략한 도면에 따른 본 발명의 제1 실시예이다.도 14는 건설물 내의 댐핑 장치의 운동역학을 도시함으로써, 또한 간략화된 방법으로, 본 발명의 제2 실시예를 도시한다.도 15는 본 발명의 제3 실시예를 간략화된 방법으로 도시한다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
도 1 및 도 13에서 볼 수 있듯이, 제1 실시예에 따른 댐핑 장치(damping device)(100)는 케이블(20) 또는 (제1 구조 요소를 형성하는) 지주(stay), 및 예컨대, 기초, 슬랩, 현수교의 갑판, 또는 이러한 갑판의 안쪽에 설치된 부분과 같은 제2 구조 요소(30) 사이에 본 실시예에서 설치된다.케이블(20)에 대하여, 댐핑 장치(100)는 예컨대 케이블(20)을 밀봉하며 제1 앵커 지점(A1)을 형성하는 슬리브(101)에 의해서 설치된다. 슬리브(101)는 케이블에 대하여 고정되며, 또는 케이블을 따라 세로방향으로 미끄러질 수 있도록 설치된다.기초(30)에 대하여, 댐핑 장치(100)는 예컨대 기초(30)에 용접 또는 리벳(rivet)되며 제2 앵커 지점(A2)을 형성하는 설치 플랜지(102)에 의해서 설치된다.댐핑 장치(100)는 그리하여 세로방향에 상응하는 제1 방향(X) 또는 댐핑 장치(100)의 주요 방향을 따라 제1 앵커 지점(A1)과 제2 앵커 지점(A2)을 연결한다. 이러한 배열에서, 제2 방향(Z)은 케이블(20)에 의해서 정의되며, 제1 방향(X)과 수직한다. 제1 방향(X) 및 제2 방향(Z)과 수직한 제3 방향(Y) 또한 정의된다. 사실상, 제1 방향(X) 및 제3 방향(Y)을 포함하는 평면(X,Y)은 제1 앵커 지점(A1)에서 케이블(20)의 수직한 법선 평면과 일치한다. 통상적으로, 케이블은 제2 방향(Z)보다 상기 평면에서 더 큰 진폭에 종속된다.도 1 내지 도 13에 도시된 제1 실시예에서, 댐핑 장치(100)는 (도 1 및 도 13에 댐핑 장치(100)의 상부의) 케이블(20)에 인접한 댐핑 장치(100)의 일부로 위치된 제1 댐핑 시스템(110) 및 (도 1 및 도 13에 댐핑 장치(100)의 하부의) 기초(30)에 인접한 댐핑 장치(100)의 일부로 위치된 댐핑 시스템(120)으로 구성된다. 이하에 자세히 설명되는 것처럼, 제1 댐핑 시스템(110)은 제1 방향(X)을 따라 케이블(20) 및 기초(30) 사이의 병진운동(translation)을 댐핑 및 흡수하는 것을 가능하며, 예컨대 축(X)을 따른 이동 또는 진동을 느리게 한다.제2 댐핑 시스템(120)에 대하여, 이는 잔여 조립체(remaining assembly)(120)에 대하여 중간 부재(103)의 축(Z) 주위로 회전의 형태로 그들을 도출시킴으로써 축(Y)을 따른 케이블의 변위를 댐핑 및 흡수하는 것을 가능하게 한다. 이 제2 댐핑 시스템은 또한 댐핑된 고-주기 진동 또는 변위를 상대적으로 느려지게 한다.본 예시에서, 중간 부재(103)(도 2 참조)는 제1 댐핑 시스템(110) 및 제2 댐핑 시스템(120)에 공통되며, 제1 댐핑 시스템 및 제2 댐핑 시스템을 연결한다. 이 강성 중간 부재(103)는 상기 제1 댐핑 시스템(110) 및 상기 제2 댐핑 시스템(120) 사이의 물질 접함을 형성한다. 그리하여, 제1 실시예에 따른 댐핑 시스템(100)은 연속하여 위치되며 각각은 다른 상대 변위 성분을 댐핑하는 두 개의 댐핑 시스템(110 및 120)을 포함한다.중간 부재(103)는 제1 댐핑 시스템(110)의 일부인 제2 마찰 요소(112)에 구비된 제1 말단(extreminty)(103a)을 포함한다(도 2 및 4 참조). (도 1 및 13의 하부에서) 이 부재의 제2 말단(103b)은 제2 댐핑 시스템(120)의 일부인 제3 마찰 요소(121)에 구비된다.제1 실시예에 따른 댐핑 장치의 제1 댐핑 시스템(110)에 대하여 설명할 것이다. 제1 댐핑 시스템은 제1 댐핑 시스템의 다른 구성성분에 대하여 중간 부재(103)의 축(X)을 따라 병진운동하는 것을 가능하게 한다. 이 병진운동을 위해 필요되는 힘은 부재(103) 및 댐핑을 달성하기 위해서 제1 댐핑 시스템(120)의 요소와 접촉하는 마찰 지역의 마찰력에 의해서 결정된다.더욱 구체적으로, 중간 부재(103)의 제1 말단(103a)은 제1 방향(X)을 따라 미끄러지고 제1 방향 및 서로 평행한 두 개의 평면을 정의하는 슬라이드(slide)를 형성한다. 이러한 면들은 제1 댐핑 시스템(110)의 제2 마찰 요소(112)에 장착된다. 비-제한적인 실시예에서, 제2 마찰 요소는 제 1 방향(X)을 따라 연장하는 제2 일련의 마찰 패드의 형태로 실행된다. 마찰력에 의해서 제2 일련의 마찰 패드와 협력하기 위해서, 제1 댐핑 시스템은, 튜브(113)의 내부면에서 돌출하며 탄성 리턴 수단, 예컨대 스프링 블레이드(spring blade)에 의해서 밀리는 제1 일련의 마찰 패드의 형태로, 튜브의 내부 방향으로, 마찰 요소(111)와 장착되는 중공 튜브(113)를 더 포함한다. 튜브(113)는 제1 일련의 마찰 패드(111) 및 제2 일련의 마찰 패드(112) 중 한 표면이 서로 문질러지도록 슬라이드 주위에서 설치된다. 마찰 표면들은 사용될 수 있는 일련의 패드들 외에 다른 요소들에 의해서 정의될 수 있다.그리하여, 제한된 압력하의 이러한 접촉을 통하여, 중공 튜브(113) 및 슬라이드(103) 사이에서, (도 1, 2 및 13에서 상부 및/또는 하부 쪽으로) 제1 방향(X)을 따른 상대 병진운동 동안에, (디스크형 패드) 제1 일련의 마찰 패드(111)의 표면 및 (긴 트랙의 형상, 예컨대 직사각형의 패드) 제2 일련의 마찰 패드(112)의 표면 사이의 마찰은 축(X)을 따른 구성성분들의 상대 이동을 댐핑하는 것이 가능하다.탄성 리턴 수단은, 튜브(113)의 안쪽 방향으로 제한되고 마찰 패드(111)를 위한 지지대(116)를 수반하는 두 개의 강성 텅(tongue)(115)을 미는 스프링 블레이드(114)가 있는 시스템으로 형성될 수 있다. 지지대(116)는 보어 홀(bore hole)(113a)에서 튜브(113)의 벽을 가로지른다. 여기서, 두 개의 강성 텅(115), 결국 두 개의 마찰 패드는 제2 일련의 마찰 패드(112)를 견디는 슬라이드의 상기한 두 개의 평면들 각각과 쌍으로 작동한다. 하지만, 대안으로, 중간 부재(103)의 제1 말단(103a)을 형성하는 슬라이드의 각 면에서, 강성 텅(115)과 같은 단일 지지대에 의해서 수행되는 단일 마찰 패드를 사용하는 것이 가능하다. 결국, 스프링 블레이드(114)에 의한 이 리턴 시스템은 제2 방향(Z)을 따라 케이블(20)의 약간의 변위가 흡수되는 것을 가능하게 한다. 이러한 변위는 일반적으로 제1 방향(X) 또는 제3 방향(Y)에 따른 변위 성분보다 상당히 작다; 이는 통상적으로 온도 변화로 인해 케이블 물질의 수축 또는 팽창으로 인하여 10mm 내지 20mm의 변위이다.다른 종류의 시스템들이 강성 텅(115), 결과적으로 마찰 패드(111) 상에 스프링 블레이드(114)에 의해서 가해진 압력의 제한을 규정하도록 구비될 수 있다. 슬라이드(103a)를 수용하는 부재의 말단을 포함하는 부재의 길이부의 대부분에서, 중공 튜브(113)는 정사각형 구역을 가진다. 슬라이드(103a)를 수용하는 반대편 말단에서, 중공 튜브(113)는 예컨대 용접에 의해서 슬리브(101)와 고정된다.도시된 경우에서, 슬라이드(103a)는 정사각형 구역을 가지는 중공 실린더이며, 쌍으로 마주하는 다른 두 개의 면들 상에 가이드 패드(104)를 형성하고 제2 일련의 마찰 패드(112)를 견디는 면들과 교차하는 마찰 패드들을 나른다. 이러한 가이드 패드들(104)은 제1 일련의 마찰 패드(111)를 견디는 면들과 교차하며 쌍으로 마주하는 튜브(113)의 벽들을 통하여 위치된 가이드 요소(117)를 위한 지지대로서 역할을 하며, 이러한 가이드 요소(117)는 튜브(113) 및 슬라이드(103) 사이의 (제3 방향(Y)을 따른) 임의의 측 방향으로의 움직임을 제한하는 접합부로서 역할을 한다.본 예시에서, 중간 부재(103)는 제1 댐핑 시스템의 중공 튜브(113)를 관통하는 수 요소(male element)이다. 이 구성은 전환될 수 있으며 암(female) 중간 요소가 제1 구조 요소와 연결된 수 요소 주위를 미끄러지도록 할 수 있다.가이드 요소(117)는 중간 부재(103)가 온전히 축 방향(X)을 따른 병진운동으로 구성된 케이블(20) 및 조립체(103)에 관한 상대적인 변위를 가능하게 한다; 축(Y)을 따라 제한된 병진운동, 또는 축(Z)을 따라 제한된 각의 회전이 가능하다.각 접합점에서 이러한 가이드 요소로 인하여, 댐핑될 필요가 없는 제2 구조 요소(30)에 대한 제1 구조 요소(20)의 이동을 위한 변위 성분은 자유롭게 남아지며, 또는 (약간 강성인) 낮은 강도의 기계적 연결에 의해서 제한된다. 통상적으로, 힘 또는 토크의 15%정도로 댐핑되는 것 이외에 축을 따른 변위를 위해 필요한 힘 또는 토크는, 댐핑되는 방향에 따라 3 내지 500mm 또는 1°내지 15°의 변위이다.이러한 구성에서, 본 발명에 따른 댐핑 장치(100)는 축(X)을 따르는 큰 진폭의 병진운동 움직임을 수용할 수 있는 반면 기존의 외부 마찰 댐핑 장치는 중간 위치 상하로 50mm만큼 축(X)을 따른 이동 값까지 사용할 수 있다. 그리하여, 본 발명에 따른 댐핑 장치(1000)는 50mm이상, 예컨대 500mm까지, 심지어 700mm 또는 1000mm, 심지어 그 이상의 케이블(20)의 수직 움직임을 댐핑하는 것이 가능하다.제1 실시예에 따른 댐핑 장치(100)의 제2 댐핑 시스템(120)에 대하여 이하에서 설명할 것이다. 제2 댐핑 시스템은 제2 댐핑 시스템의 다른 구성부품들에 대하여 중간 부재(103)의 축(Z) 주위로 회전을 가능하게 한다. 이 회전을 위해 요구되는 토크는 댐핑을 달성하기 위해서 제2 댐핑 시스템(120)의 일 요소 및 부재(103)와 접촉하는 마찰지역의 마찰력에 의해서 결정된다.보다 구체적으로, 중간 부재의 제2 말단(103b)은, 제1 방향(X) 및 서로 평행한, 벽들과 작용하는 두 개의 평면들과 스터럽 (위로 향하는 U자 형상의 요소)을 형성하며, 스터럽은 두 개의 작동 벽들을 분리하는 공간의 방향에서 탄성 리턴 수단(스프링 블레이드(124))에 의해서 밀리며 상기 작동 벽들의 내부에서 돌출하는 제3 일련의 마찰 패드의 형태의 제3 마찰 요소(121)(디스크형 패드(121), 도 4 참조)를 장착한다. 작동 벽들은 또한 제3 일련의 마찰 패드(121)에 의해서 둘러싸인 관통 보어를 각각 구비한다.마찰에 의해서 제3 일련의 마찰 패드(121)와 협력하기 위해서, 댐핑 시스템(100)은, 상기 보어 사이에 정렬된 개구를 둘러싸며(도 9 참조), 상기 중앙 웹(123a)의 측면에 위치된 제4 일련의 마찰 패드(122)(여기서 패드(121)보다 큰 직경의 디스크형 패드(122), 도 4 참조)의 형태의 제4 마찰 요소(122)에 장착된 중앙 웹(123a) 및 두 개의 윙(123b)을 포함하는, I형상 빔(123)을 더 포함한다. 상기 빔(123)은 두 개의 작동 벽 사이에서 상기 스터럽(103b)과 결합할 수 있어서, 웹(123a)의 말단 부분은 빔(123)의 윙들(123b) 사이에 박힌 상기 작동 벽의 말단 부분의 모서리가 있는 상기 작동 벽들의 사이에 위치된다. 댐핑 장치(100)는 상기 회전축(R)과 동축이면서 개구 및 관통 보어에서 통과하는 재료 샤프트(129)를 더 포함한다(도 4, 6, 7, 11, 12 참조). (도 2 참조) 대안으로, 상기한 재료 샤프트(129)는 생략될 수 있으며, 제3 방향(Y)에 평행한 정확한 측면 지지대와 같은, 다른 측면 가이드가 스터럽(103b) 및 빔(123) 사이에서 사용된다. 그리하여, 상기 빔(123) 및 상기 스터럽(103b) 사이에서 상기 회전축(R) 주위로 회전 동안에, 제3 일련의 마찰 패드(121)의 표면 및 제4 일련의 마찰 패드(122)의 표면은, 서로에 대하여 문질러지며, 회전축(R) 주위로 회전으로 전환하여 축(Y)을 따른 상대적인 변위를 댐핑한다. 회전축(R)은 웹(123a)의 개구 및 스터럽(103b)의 작동 벽들의 관통 보어를 통과하며, 제3 축(Z)에 평행하는 것이 이해되어야 할 것이다.본 실시예에서, 작동 가능하도록, 특히 스터럽(103b)이 중앙 웹(123a)의 상부 말단의 다른 측면에서 겹쳐서 설치되도록, I-빔의 간격, 즉 윙들(123b) 사이의 거리는 스터럽(103b)의 작동 벽의 폭보다 크다. 또한, 스터럽(103b) 및 빔(123) 사이의 축(R)(재료 샤프트(29))을 따른 최대 회전각은 가이드 수단을 구성하는 빔의 윙들(123b)에 대항하여 인접하는 스터럽(103b)의 작동 벽들의 말단 부분의 모서리에 의해서 제한된다.이러한 배열에서, 댐핑 장치(100)는 제2 방향(Y)를 따른 케이블의 큰 진폭의 변위를 보상하기에 충분한 각도 값으로 축(R)을 따른 중간 부재의 회전 움직임들을 수용할 수 있다. 일 예시에서, 최대 회전 각은 평균 위치에서 +-15°, 즉 각도상 변위는 30°이다. 구성부품의 길이에 따라, 이런 움직임은 -500mm 내지 +500mm 정도의 제2 방향을 따른 케이블의 병진운동 성분을 보상하는 것을 가능하게 한다. 잔여 위치에 대한 방향의 최대 진폭이 다를 수 있기 때문에, 10°(각도상 변위 20°), 25°(각도상 변위 50°), 또는 최대 30°(각도상 변위 60°) 정도의 각으로 고려될 수 있다.케이블(20)의 변위 이동은 제1 방향(X), 제2 방향(Z), 제3 방향(Y)에 따른 3개의 기본 병진운동으로 분해될 수 있다. 케이블의 회전 운동은 일반적으로 매우 작고 일반적으로 무시할 수 있다. 3개의 병진운동 성분, 및 가능한 회전 성분은, 제1 댐핑 시스템(제1 방향(X)을 따른 병진운동 성분), 제2 댐핑 시스템(제3 방향(Y)에 따른 기초 움직임을 보상하기 위한 축(R) 주위로 회전 성분), 및 스프링 블레이드를 따른 기초 움직임의 변위(제2 방향(Z)을 따른 기초 병진운동 움직임과 동일한 성분)에 의해서 각각 허용된다. 그리하여, 케이블의 X방향의 병진운동 성분은 제1 댐핑 시스템에 의해서 핵심적으로 댐핑되는 반면 (케이블 및 X방향에 수직한) Y방향의 병진운동 성분은 제2 댐핑 시스템에 의해서 핵심적으로 댐핑된다. 케이블의 Z방향의 병진운동 성분은 일반적으로 X 및 Y 성분보다 상당히 작다.도시된 예시에서, 제2 댐핑 시스템(120)의 탄성 리턴 수단은 제1 댐핑 시스템(110)의 상술한 것과 유사하다: 강성 텅(125)은 제3 일련의 마찰 패드의 패드(121)을 위한 지지대(126)를 나르며, 스프링 블레이드(124)는 스터럽(103b)의 내부 방향에 고정되고 강성 텅(125)을 구동한다.제2 및 제3 마찰 표면들은 유리하게는 회전축과 편심을 이룬다. 일반적으로, 댐핑 시스템에서 회전을 댐핑하기 위한 마찰 표면은 유리하게는 편심된다.분리 가능한 외부 커버들(118 및 128) 각각은 제1 댐핑 시스템(110) 및 제2 댐핑 시스템(120)을 밀봉 및 보호할 수 있다.그리하여, 상술한 댐핑 장치는 제1 구조 요소(20)에 완전히 결합한 제1 요소(113), 제2 구조 요소(30)에 완전히 결합된 제2 요소(123), 및 제1 요소에 대하여 선형 축을 따른 병진운동 및 제2 요소(123)에 대하여 축 주위로 선회운동을 할 수 있는 중간 부재(103)를 포함한다. 제1 요소(113)에 대하여 중간 부재(103)를 안내하는 수단은 제1 요소(113)에 대하여 중간 부재(103)의 회전 및/또는 축(Z) 및/또는 축(Y)을 따른 병진운동의 제한된 자유도를 가능하게 한다. 동일한 방법으로, 제2 요소(123)에 대하여 중간 부재(103)를 안내하는 수단은 제2 요소(123)에 대하여 중간 부재의 제한된 병진운동 및/또는 회전 자유도를 가능하게 한다.중간 부재는 서로 연계되거나 조립된 다른 구성부품들에 의해서 또한 교체될 수 있다.추가 자유도가 구비될 수 있다. 예컨대, 제1 요소(113)는 케이블(20)에 대하여 회전 및/또는 병진운동에서 자유로울 수 있다. 같은 방법으로, 제2 요소는 제2 구조 요소(30)에 대하여 회전 및/또는 병진운동에서 자유로울 수 있다. 추가 댐핑 시스템들이 다른 변위 성분들을 댐핑하기 위해서 제1 또는 제2 댐핑 시스템(110, 120)과 연속하여 설치될 수 있다. 제1 또는 제2 댐핑 시스템 중 어느 것과 평행한 댐핑 시스템들은 큰 힘 또는 토크가 있는 경우를 위해 고려될 수 있다.이하, 도 14에 개략적으로 도시된 제2 실시예에 대하여 설명한다. 제2 실시예는 서로 다른 상대 변윈 성분을 댐핑할 수 있으며 연속하여 배치된 3개의 마찰 댐핑 시스템(110, 120, 130)을 포함한다. 같은 취지로, 도 1 내지 도 13과 관련하여 상술된 제1 댐핑 시스템 및 제2 댐핑 시스템에 더하여, 댐핑 장치(100)는 제2 구조 요소(케이블(20)) 및 제3 구조 요소(기초(30)) 사이에 제3 상대 변위 성분을 댐핑하기 위한 제3 댐핑 시스템(130)을 포함하며, 댐핑 장치는 제2 구조 요소에 대하여 고정된 제1 마찰 표면 및 제2 댐핑 시스템(120)에 대하여 고정된 제2 마찰 표면을 포함하며,제3 댐핑 시스템의 제1 마찰 표면 및 제2 마찰 표면은 마찰 결합을 형성하도록 서로에 대하여 고정 및 접촉되어서, 제3 댐핑 시스템의 제1 마찰 표면 및 제2 마찰 표면 사이의 상대적 움직임이 상기 마찰 결합에 의해서 댐핑되며,제1 댐핑 시스템, 제2 댐핑 시스템, 및 제3 댐핑 시스템은 연속하여 위치되며, 제3 상대 변위 성분은 제1 상대 변위 성분 및 제2 상대 변위 성분과 상이하다.제1 실시예와 같이 기초(30)에 직접 연결되지 않고, 제2 댐핑 시스템(110)의 하부 말단은 제3 댐핑 시스템(130)과 연결된다.바람직하게는, 제3 상대 변위 성분이 제2 댐핑 시스템에 의해서 댐핑 및 허용된 회전이 발생하는 제2 방향(R)과 다른 제3 방향과 평행한 축(R`) 주위로 회전 움직임으로 인해 댐핑된다. 도 14에서, 회전축(R`)은 제3 방향(Y)과 평행하고 제2 방향(Z)을 따른 케이블의 기초 병진 움직임이 댐핑되는 것을 가능하게 한다. 이러한 회전은 바람직하게는 도시되지 않은 마찰 패드의 수단에 의해서 예컨대 댐핑된다. 예시로서 제시된 비-제한적인 방법에서, 도 14에 도시된 것과 같이, 제3 댐핑 시스템(130)은 제2 댐핑 시스템(120) 및 기초(30) 사이에 설치된다. 하지만 이 회전은 회전축(R`) 말고 다른 회전축에 대하여 발생할 수 있다. 또한, 도 14의 실시예는 지주(20) 및 제1 댐핑 시스템(110) 사이에 위치되며, 축(R`)과 평행한 축(R`) 주위로 비-댐핑 회전을 제공한다.서로 대항하는 접촉 압력으로 접촉하는 두 개의 마찰 표면들 사이의 마찰력에 의해서 댐핑을 달성하는 마찰 패드들, 보다 일반적으로 마찰 요소들은, 살기 했듯이, 마찰 결합을 달성하는 결합(couple)에 존재하는 마찰 재료 또는 재료들의 선택이 상응하는 댐핑 시스템의 댐핑 물성의 파라미터를 결정한다. 일 예시에서, 제1 마찰 요소는 제1 마찰 재료로 만들어지며, 동일 댐핑 시스템의 상응하는 제2 마찰 표면은 동일 또는 상이한 제2 마찰 재료로 만들어진다. 상기 제1 마찰 재료 및 상기 제2 마찰 재료 중 적어도 하나는 폴리머 또는 감소된 마찰 계수를 가진 폴리머-매트릭스 재료이다. 이러한 종류의 마찰 재료는 마찰 계수가 시간 및 변화하는 습도 및 온도 조건에 따라 일정한 명백한 사실 및 다양한 이점을 가진다. 선택적으로, 이러한 폴리머 재료는 윤활제를 함유한다. 게다가, 이러한 폴리머 재료는 바람직하게는 폴리에틸렌 테레프타레이트(polyethylene terephthalate)를 기반으로 한다.본 발명은 또한 앵커 지점(제3 앵커 지점(A3))의 위치에서 기초(30) 상에 설치되는 케이블(20)이 있는 토목 건설물에 관한 것이며, 댐핑 장치(100)는 상기 앵커 지점으로부터 제거되는 방식으로 상기 케이블(20) 및 상기 기초(30) 사이에 설치된다. 이러한 종류의 배열은 케이블에 내장되며 케이블(20)과 좀 더 동심인 (특허문헌 EP1035350) 특히 보이지 않는 "내부 댐핑 장치"로 불리는 다른 종류의 댐핑 장치들과 다른 "외부 댐핑 장치"로 불리는 댐핑 장치들에 상응한다.도 15는 제3 실시예를 도시하며, 제1 댐핑 시스템(110)의 제1 요소(113)는, 요소(113)가 케이블과 관련된 축(Y) 주위로 선회할 수 있게 하며 Y축에 평행한 샤프트(131)(R``)로 인해서, 슬래브(101)와 접이식으로 연결된다. 또한, 제2 댐핑 시스템(120)의 요소(123)는, 요소(113)가 제2 구조 요소(30)와 관련된 Y축 주위로 선회할 수 있게 하며 Y축에 평행한 축(R`) 주위로 회전을 허용하는 피봇(pivot)(129)으로 인하여, 제2 구조 요소(30)와 접이식으로 연결된다. 선택적으로, 슬리브(101)는 케이블(20)에 평행한 축(Z)에 따라 여전히 세로방향으로 이동할 수 있다. 샤프트(131)는 선택적으로 및 바람직하게는 비-댐핑된다. 샤프트(129)는 바람직하게는, 예컨대 기초에 내장된 스터럽(132) 및 요소(123) 사이에서, 제5 및 제6 마찰 표면들(132)의 수단에 의해서 댐핑된다.제1 요소는 또한, 추가 상술한 방법에서, 이러한 두 개의 성분들에 마찰 표면들(111, 112)을 통하여, 중간 부재(103`)에 대하여 미끌어질 수 있다. 상기 예시에서, 중간 부재(103`)는 하지만 요소(113)가 미끌어지는 방법으로 결합되는 중공 튜브에 의해서 구속된다. 이러한 병진운동은 튜브(103`) 및 요소(113) 상의 마찰 표면들 때문에 댐핑된다.중간 부재(103`)는 또한 축(Z)에 평행한 축(R) 주위로 선회할 수 있다. 이러한 회전은 부재(103`) 및 요소(123) 반대편 마찰 표면과 연결된 반원 마찰 표면(121)으로 인해 댐핑된다.선택적으로, 마찰 표면들은 사프트들(131 및/또는 129) 주위로 회전을 댐핑하기 위해서 구비될 수 있다.바람직하게는, 도 13에 도시되었듯이, 댐핑 장치(100)는 꼭지점이 케이블(20)과 기초(30) 사이의 상기 앵커 지점(A3)에 위치되는 예각(알파)을 가진 직각 삼각형을 케이블(20) 및 기초(30)와 형성한다. 본 경우에, 직각은 케이블(제2 방향(Z)) 및 댐핑 장치(100)(제1 방향(X)) 사이에서 형성된다.
[ 부호의 설명 ]
20 케이블(제1 구조 요소)30 제2 구조 요소X 제1 방향Z 제2 방향Y 제3 방향A1 제1 고정 지점A2 제2 고정 지점A3 제3 고정 지점100 댐핑 장치(제1 실시예)100` 댐핑 장치(제2 실시예)101 슬리브102 설치 플랜지103 중간 부재103a 중간 부재의 제1 말단 (슬리브)103b 중간 부재의 제2 말단 (스터럽)104 가이드 패드110 제1 댐핑 시스템111 제1 마찰 표면 (제1 일련의 마찰 패드들)112 제2 마찰 표면 (제2 일련의 마찰 패드들)113 중고 튜브113a 보어 홀(113a)114 스프링 블레이드115 강성 텅116 지지대117 가이드 요소118 외부 커버120 제2 댐핑 시스템121 제3 마찰 요소 (제3 일련의 마찰 패드들)122 제4 마찰 요소 (제4 일련의 마찰 패드들)123 I-빔123a 중앙 웹123b 윙 (가이드 요소들)124 스프링 블레이드125 강성 텅126 지지대128 외부 커버129 Z에서 회전 축 (재료 샤프트)130 제3 댐핑 시스템131 Y에서 회전 축 (재료 샤프트)132 제5 마찰 표면 및 제6 마찰표면133 스터럽
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본 발명은 토목 건설물의 제1 구조 요소 및 제2 구조 요소 사이의 상대적 움직임을 댐핑기 위한 마찰 댐핑 장치(100)로서, 상기 장치는: 제1 구조 요소 및 제2 구조 요소 사이의 제1 상대 변위 성분을 댐핑하기 위한 제1 댐핑 시스템(110); 및 제1 구조 요소 및 제2 구조 요소 사이의 제2 상대 변위 성분을 댐핑하기 위한 제2 댐핑 시스템(120);을 포함하며, 상기 제1 댐핑 시스템은 제1 마찰 표면(111) 및 제2 마찰 표면(112)을 포함하고, 제1 마찰 표면 및 제2 마찰 표면은 제1 마찰 결합을 형성하기 위해서 서로 대항하여 구속되고 접촉하며, 제1 마찰 표면 및 제2 마찰 표면은 제1 관련 변위 성분이 댐핑되도록 서로에 대하여 병진운동으로 추가로 움직일 수 있으며, 상기 제2 댐핑 시스템은 제3 마찰 표면(121) 및 제4 마찰 표면(122)을 포함하고, 제3 마찰 표면 및 제4 마찰 표면은 제2 마찰 결합을 형성하기 위해서 서로 대항하여 구속되고 접촉하며, 제3 마찰 표면 및 제4 마찰 표면은 제2 관련 변위 성분이 댐핑되도록 서로에 대하여 회전으로 추가로 움직일 수 있다. 제1 댐핑 시스템(110) 및 제2 댐핑 시스템(120)은 연속으로 위치된다.
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[ 발명의 명칭 ]
오디오 신호 인코더AUDIO SIGNAL ENCODER
[ 기술분야 ]
본 출원은 멀티채널 또는 스테레오 오디오 신호 인코더에 관한 것으로서, 전적인 것은 아니지만, 휴대형 장치에 사용을 위한 멀티채널 또는 스테레오 오디오 신호 인코더에 관한 것이다.
[ 배경기술 ]
음성 또는 음악과 같은 오디오 신호는 예를 들어 오디오 신호의 효율적인 전송 또는 저장을 가능하게 하도록 인코딩된다.오디오 인코더 및 디코더(또한 코덱으로서 알려져 있음)는 음악 및 주위 사운드(음성 코딩 견지에서, 배경 노이즈라 칭할 수 있음)와 같은 오디오 기반 신호를 표현하는데 사용된다. 이들 유형의 코더(coder)는 통상적으로 코딩 프로세스를 위한 음성 모델을 이용하지 않고, 오히려 음성을 포함하여, 모든 유형의 오디오 신호를 표현하기 위한 프로세스를 사용한다. 음성 인코더 및 디코더(코덱)는 음성 신호를 위해 최적화된 오디오 코덱인 것으로 간주될 수 있고, 고정 또는 가변 비트 레이트(bit rate)에서 동작할 수 있다.오디오 인코더 및 디코더는 종종 저복잡성 소스 코더로서 설계된다. 달리 말하면, 매우 복잡한 프로세싱을 필요로 하지 않고 오디오 신호의 인코딩 디코딩을 수행하는 것이 가능하다.그 예는 변환 코딩(transform coding)이다. 음악 신호 오디오 인코딩에 있어서, 변환 코딩은 일반적으로 음성 신호에 대해 더 적합하고 관련된 대수 부호 여진 선형 예측(Algebraic Code Excited Linear Prediction: ACELP) 기술보다 양호하게 수행한다. 변환 코딩은 코딩 변환 계수 벡터 서브밴드 방식에 의해 수행된다. 달리 말하면, 오디오 신호는 파라미터가 결정되는 서브밴드로 분할되고, 파라미터는 벡터 또는 격자(lattice)가 양자화되는 서브벡터를 표현한다.
[ 발명의 개요 ]
제 1 양태에 따르면, 적어도 하나의 오디오 신호를 규정하는 파라미터의 적어도 하나의 벡터를 발생하는 단계; 파라미터의 연계된 적어도 하나의 순서화된 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 벡터 절대 튜플(vector absolute tuple)의 순서화에 따라 파라미터의 적어도 하나의 벡터를 정렬하는 단계; 리더 클래스의 리스트로부터 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터를 선택하는 단계; 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하는 단계; 최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터와 연계된 적어도 하나의 리더 클래스를 결정하는 단계; 출력 격자 양자화된 코드 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 리더 클래스를 전치하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다.방법은 적어도 하나의 스케일 팩터를 선택하는 단계를 추가로 포함할 수 있고, 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하는 단계는 적어도 하나의 스케일 팩터에 기초하여 거리를 결정하는 단계를 추가로 포함할 수 있고, 최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터와 연계된 적어도 하나의 리더 클래스를 결정하는 단계는 포텐셜 코드 벡터와 연계된 출력 스케일 팩터 및 최소 연계된 거리를 발생하는 스케일 팩터를 결정하는 단계를 추가로 포함할 수 있고, 출력 격자 양자화된 코드 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 리더 클래스를 전치하는 단계는 출력 격자 양자화된 코드 벡터에 출력 스케일 팩터를 적용하는 단계를 포함할 수 있다.적어도 하나의 오디오 신호를 규정하는 파라미터의 제 1 벡터를 발생하는 단계는 적어도 하나의 오디오 신호를 시간 프레임으로 분할하는 단계; 적어도 하나의 오디오 신호 시간 프레임과 연계된 선 스펙트럼 주파수 파라미터의 벡터를 결정하는 단계를 포함할 수 있다.파라미터의 연계된 적어도 하나의 순서화된 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 벡터 절대 튜플의 순서화에 따라 파라미터의 적어도 하나의 벡터를 정렬하는 단계는 가중된 거리 결정을 위한 가중치를 결정하는 단계; 정렬된 가중 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 벡터 절대 튜플의 순서화에 기초하여 가중치를 정렬하는 단계; 정렬된 가중 벡터를 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터에 적용하는 단계를 포함할 수 있다.적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하는 단계는 제 1 스케일값에 기초하여 제 1 및 제 2 거리 성분을 발생하는 단계 - 제 1 및 제 2 거리 성분은 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리와 연계됨 - ; 포텐셜 코드 벡터가 패리티 제약 테스트를 실패하는 경우에 제 1 거리 성분의 부호를 보정하는 단계; 제 1 및 제 2 거리 성분에 기초하여 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하는 단계를 포함할 수 있다.적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하는 단계는 제 1 및 제 2 거리 성분 및 추가의 스케일값에 기초하여 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터와 연계된 적어도 하나의 리더 클래스를 결정하는 단계는 최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터의 인덱스를 결정하는 단계; 오직 최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터에만 스케일값을 적용함으로써 최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터의 스케일값을 결정하는 단계를 포함할 수 있다.출력 격자 양자화된 코드 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 리더 클래스를 전치하는 단계는 적어도 하나의 벡터 절대 튜플의 역순서화에 의해 적어도 하나의 리더 클래스를 정렬하는 단계를 포함할 수 있다.제 2 양태에 따르면, 적어도 하나의 오디오 신호를 규정하는 파라미터의 적어도 하나의 벡터를 발생하기 위한 수단; 파라미터의 연계된 적어도 하나의 순서화된 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 벡터 절대 튜플의 순서화에 따라 파라미터의 적어도 하나의 벡터를 정렬하기 위한 수단; 리더 클래스의 리스트로부터 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터를 선택하기 위한 수단; 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하기 위한 수단; 최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터와 연계된 적어도 하나의 리더 클래스를 결정하기 위한 수단; 출력 격자 양자화된 코드 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 리더 클래스를 전치하기 위한 수단을 포함하는 장치가 제공된다.장치는 적어도 하나의 스케일 팩터를 선택하기 위한 수단을 추가로 포함할 수 있고, 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하기 위한 수단은 적어도 하나의 스케일 팩터에 기초하여 거리를 결정하기 위한 수단을 추가로 포함할 수 있고, 최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터와 연계된 적어도 하나의 리더 클래스를 결정하기 위한 수단은 포텐셜 코드 벡터와 연계된 출력 스케일 팩터 및 최소 연계된 거리를 발생하는 스케일 팩터를 결정하기 위한 수단을 추가로 포함할 수 있고, 출력 격자 양자화된 코드 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 리더 클래스를 전치하기 위한 수단은 출력 격자 양자화된 코드 벡터에 출력 스케일 팩터를 적용하기 위한 수단을 포함할 수 있다.적어도 하나의 오디오 신호를 규정하는 파라미터의 제 1 벡터를 발생하기 위한 수단은 적어도 하나의 오디오 신호를 시간 프레임으로 분할하기 위한 수단; 적어도 하나의 오디오 신호 시간 프레임과 연계된 선 스펙트럼 주파수 파라미터의 벡터를 결정하기 위한 수단을 포함할 수 있다.파라미터의 연계된 적어도 하나의 순서화된 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 벡터 절대 튜플의 순서화에 따라 파라미터의 적어도 하나의 벡터를 정렬하기 위한 수단은 가중된 거리 결정을 위한 가중치를 결정하기 위한 수단; 정렬된 가중 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 벡터 절대 튜플의 순서화에 기초하여 가중치를 정렬하기 위한 수단; 정렬된 가중 벡터를 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터에 적용하기 위한 수단을 포함할 수 있다.적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하기 위한 수단은 제 1 스케일값에 기초하여 제 1 및 제 2 거리 성분을 발생하기 위한 수단 - 제 1 및 제 2 거리 성분은 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리와 연계됨 - ; 포텐셜 코드 벡터가 패리티 제약 테스트를 실패하는 경우에 제 1 거리 성분의 부호를 보정하기 위한 수단; 제 1 및 제 2 거리 성분에 기초하여 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하기 위한 수단을 포함할 수 있다.적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하기 위한 수단은 제 1 및 제 2 거리 성분 및 추가의 스케일값에 기초하여 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하기 위한 수단을 추가로 포함할 수 있다.최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터와 연계된 적어도 하나의 리더 클래스를 결정하기 위한 수단은 최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터의 인덱스를 결정하기 위한 수단; 오직 최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터에만 스케일값을 적용함으로써 최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터의 스케일값을 결정하기 위한 수단을 포함할 수 있다.출력 격자 양자화된 코드 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 리더 클래스를 전치하기 위한 수단은 적어도 하나의 벡터 절대 튜플의 역순서화에 의해 적어도 하나의 리더 클래스를 정렬하기 위한 수단을 포함할 수 있다.제 3 양태에 따르면, 적어도 하나의 프로세서 및 컴퓨터 프로그램 코드를 포함하는 적어도 하나의 메모리를 포함하고, 적어도 하나의 메모리 및 컴퓨터 프로그램 코드는, 적어도 하나의 프로세서와 함께, 장치가 적어도 하나의 오디오 신호를 규정하는 파라미터의 적어도 하나의 벡터를 발생하게 하고; 파라미터의 연계된 적어도 하나의 순서화된 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 벡터 절대 튜플의 순서화에 따라 파라미터의 적어도 하나의 벡터를 정렬하게 하고; 리더 클래스의 리스트로부터 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터를 선택하게 하고; 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하게 하고; 최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터와 연계된 적어도 하나의 리더 클래스를 결정하게 하고; 출력 격자 양자화된 코드 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 리더 클래스를 전치하게 하도록 구성되는 장치가 제공된다.장치는 또한 적어도 하나의 스케일 팩터를 선택하게 할 수 있고; 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하는 것은, 또한 장치가 적어도 하나의 스케일 팩터에 기초하여 거리를 결정하게 할 수 있고, 최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터와 연계된 적어도 하나의 리더 클래스를 결정하는 것은, 또한 장치가 포텐셜 코드 벡터와 연계된 출력 스케일 팩터 및 최소 연계된 거리를 발생하는 스케일 팩터를 결정하게 할 수 있고, 출력 격자 양자화된 코드 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 리더 클래스를 전치하는 것은, 장치가 출력 격자 양자화된 코드 벡터에 출력 스케일 팩터를 적용하게 할 수 있다.적어도 하나의 오디오 신호를 규정하는 파라미터의 제 1 벡터를 발생하는 것은, 장치가 적어도 하나의 오디오 신호를 시간 프레임으로 분할하게 하고; 적어도 하나의 오디오 신호 시간 프레임과 연계된 선 스펙트럼 주파수 파라미터의 벡터를 결정하게 할 수 있다.파라미터의 연계된 적어도 하나의 순서화된 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 벡터 절대 튜플의 순서화에 따라 파라미터의 적어도 하나의 벡터를 정렬하는 것은, 장치가 가중된 거리 결정을 위한 가중치를 결정하게 하고; 정렬된 가중 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 벡터 절대 튜플의 순서화에 기초하여 가중치를 정렬하게 하고; 정렬된 가중 벡터를 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터에 적용하게 할 수 있다.적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하는 것은, 장치가 제 1 스케일값에 기초하여 제 1 및 제 2 거리 성분을 발생하게 하고 - 제 1 및 제 2 거리 성분은 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리와 연계됨 - ; 포텐셜 코드 벡터가 패리티 제약 테스트를 실패하는 경우에 제 1 거리 성분의 부호를 보정하게 하고; 제 1 및 제 2 거리 성분에 기초하여 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하게 할 수 있다.적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하는 것은, 또한 장치가 제 1 및 제 2 거리 성분 및 추가의 스케일값에 기초하여 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하게 할 수 있다.최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터와 연계된 적어도 하나의 리더 클래스를 결정하는 것은, 장치가 최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터의 인덱스를 결정하게 하고; 오직 최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터에만 스케일값을 적용함으로써 최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터의 스케일값을 결정하게 할 수 있다.출력 격자 양자화된 코드 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 리더 클래스를 전치하는 것은, 장치가 적어도 하나의 벡터 절대 튜플의 역순서화에 의해 적어도 하나의 리더 클래스를 정렬하게 할 수 있다.제 4 양태에 따르면, 적어도 하나의 오디오 신호를 규정하는 파라미터의 적어도 하나의 벡터를 발생하도록 구성된 벡터 발생기; 파라미터의 연계된 적어도 하나의 순서화된 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 벡터 절대 튜플의 순서화에 따라 파라미터의 적어도 하나의 벡터를 정렬하도록 구성된 격자 벡터 양자화기를 포함하고, 격자 벡터 양자화기는 리더 클래스의 리스트로부터 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터를 선택하도록 구성되고; 격자 벡터 양자화기는 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하도록 구성되고; 격자 벡터 양자화기는 최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터와 연계된 적어도 하나의 리더 클래스를 결정하도록 구성되고; 격자 벡터 양자화기는 출력 격자 양자화된 코드 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 리더 클래스를 전치하도록 구성되는 장치가 제공된다.장치는 격자 벡터 양자화기는 적어도 하나의 스케일 팩터를 선택하도록 구성되는 것을 추가로 포함할 수 있고, 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하도록 구성된 격자 벡터 양자화기는 적어도 하나의 스케일 팩터에 기초하여 거리를 결정하도록 또한 구성될 수 있고, 최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터와 연계된 적어도 하나의 리더 클래스를 결정하도록 구성된 격자 벡터 양자화기는 포텐셜 코드 벡터와 연계된 출력 스케일 팩터 및 최소 연계된 거리를 발생하는 스케일 팩터를 결정하도록 또한 구성될 수 있고, 출력 격자 양자화된 코드 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 리더 클래스를 전치하도록 구성된 격자 벡터 양자화기는 출력 격자 양자화된 코드 벡터에 출력 스케일 팩터를 적용하도록 또한 구성될 수 있다.장치는 적어도 하나의 오디오 신호를 시간 프레임으로 분할하고; 적어도 하나의 오디오 신호 시간 프레임과 연계된 선 스펙트럼 주파수 파라미터의 벡터를 결정하도록 구성된 파라미터 결정기를 추가로 포함할 수 있다.파라미터의 연계된 적어도 하나의 순서화된 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 벡터 절대 튜플의 순서화에 따라 파라미터의 적어도 하나의 벡터를 정렬하도록 구성된 격자 벡터 양자화기는 가중된 거리 결정을 위한 가중치를 결정하고; 정렬된 가중 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 벡터 절대 튜플의 순서화에 기초하여 가중치를 정렬하고; 정렬된 가중 벡터를 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터에 적용하도록 또한 구성될 수 있다.적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하도록 구성된 격자 벡터 양자화기는 제 1 스케일값에 기초하여 제 1 및 제 2 거리 성분을 발생하고 - 제 1 및 제 2 거리 성분은 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리와 연계됨 - ; 포텐셜 코드 벡터가 패리티 제약 테스트를 실패하는 경우에 제 1 거리 성분의 부호를 보정하고; 제 1 및 제 2 거리 성분에 기초하여 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하도록 또한 구성될 수 있다.적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하도록 구성된 격자 벡터 양자화기는 제 1 및 제 2 거리 성분 및 추가의 스케일값에 기초하여 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하도록 또한 구성될 수 있다.최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터와 연계된 적어도 하나의 리더 클래스를 결정하도록 구성된 격자 벡터 양자화기는 최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터의 인덱스를 결정하고; 오직 최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터에만 스케일값을 적용함으로써 최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터의 스케일값을 결정하도록 또한 구성될 수 있다.출력 격자 양자화된 코드 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 리더 클래스를 전치하도록 구성된 격자 벡터 양자화기는 적어도 하나의 벡터 절대 튜플의 역순서화에 의해 적어도 하나의 리더 클래스를 정렬하도록 구성될 수 있다.컴퓨터 프로그램 제품이 장치가 본 명세서에 설명된 바와 같은 방법을 수행하게 할 수 있다.전자 디바이스가 본 명세서에 설명된 바와 같은 장치를 포함할 수 있다.칩셋이 본 명세서에 설명된 바와 같은 장치를 포함할 수 있다.
[ 도면의 간단한 설명 ]
본 발명의 더 양호한 이해를 위해, 이제, 첨부 도면을 예로서 참조할 것이다.도 1은 몇몇 실시예를 채용하는 전자 디바이스를 개략적으로 도시하고 있고;도 2는 몇몇 실시예에 따른 오디오 코덱 시스템을 개략적으로 도시하고 있고;도 3은 몇몇 실시예에 따른 도 2에 도시된 바와 같은 인코더를 개략적으로 도시하고 있고;도 4는 몇몇 실시예에 따른 도 3에 도시된 인코더의 동작을 도시하는 흐름도를 도시하고 있고;도 5는 몇몇 실시예에 따른 도 3에 도시된 바와 같은 격자 벡터 양자화기를 개략적으로 도시하고 있고;도 6은 몇몇 실시예에 따른 도 5에 도시된 격자 벡터 양자화기의 동작을 도시하는 흐름도를 도시하고 있다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
이하에는 계층화된 또는 스케일러블 가변 레이트 음성 및 오디오 코덱을 포함하여, 가능한 스테레오 및 멀티채널 음성 및 오디오 코덱을 더 상세히 설명한다.압축 효율 격자의 사용이 양자화를 상당히 향상시킬 수 있는 점에서 현재 변환 코딩 접근법에 문제점이 존재할 수 있다. 그러나, 이들은 상당한 코덱 복잡성을 희생하여 이러한 향상을 생성하는 것을 해낸다.본 명세서의 실시예에 의해 상세히 설명된 바와 같은 개념은 전치 벡터 공간 내의 양자화 왜곡을 평가함으로써 상당한 인코딩 복잡성 감소를 허용하는 접근법을 제안하고 있다.이와 관련하여, 본 출원의 실시예에 따른 코덱을 구비할 수 있는 예시적인 전자 디바이스 또는 장치(10)의 개략 블록도를 도시하고 있는 도 1을 먼저 참조한다.장치(10)는 예를 들어, 무선 통신 시스템의 모바일 단말 또는 사용자 장비일 수 있다. 다른 실시예에서, 장치(10)는 비디오 카메라, 텔레비전(TV) 수신기, mp3 레코더/플레이어와 같은 오디오 레코더 또는 오디오 플레이어, 미디어 레코더(mp4 레코더/플레이어로서 또한 알려져 있음), 또는 오디오 신호의 프로세싱을 위해 적합한 임의의 컴퓨터와 같은 오디오-비디오 디바이스일 수 있다.전자 디바이스 또는 장치(10)는 몇몇 실시예에서, 아날로그-대-디지털 컨버터(analogue-to-digital converter: ADC)(14)를 거쳐 프로세서(21)에 연결된 마이크로폰(11)을 포함한다. 프로세서(21)는 디지털-대-아날로그(digital-to-analogue: DAC) 컨버터(32)를 거쳐 라우드스피커(33)에 또한 연결된다. 프로세서(21)는 송수신기(RX/TX)(13)에, 사용자 인터페이스(UI)(15)에 그리고 메모리(22)에 또한 연결된다.프로세서(21)는 몇몇 실시예에서 다양한 프로그램 코덱을 실행하도록 구성될 수 있다. 구현된 프로그램 코덱은 몇몇 실시예에서, 본 명세서에 설명된 바와 같은 오디오 인코딩 또는 디코딩 코드를 포함한다. 구현된 프로그램 코드(23)는 몇몇 실시예에서, 예를 들어 필요할 때마다 프로세서(21)에 의한 검색을 위해 메모리(22) 내에 저장될 수 있다. 메모리(22)는 또한 데이터, 예를 들어 용례에 따라 인코딩되어 있는 데이터를 저장하기 위한 섹션(24)을 제공할 수 있다.인코딩 및 디코딩 코드는 실시예에서 적어도 부분적으로 하드웨어 및/또는 펌웨어 내에 구현될 수 있다.사용자 인터페이스(UI)(15)는 사용자가 예를 들어, 키패드를 거쳐 전자 디바이스(10)에 명령을 입력하고, 그리고/또는 예를 들어 디스플레이를 거쳐 전자 디바이스(10)로부터 정보를 얻는 것을 가능하게 한다. 몇몇 실시예에서, 터치 스크린은 사용자 인터페이스를 위한 입력 및 출력 기능의 모두를 제공할 수 있다. 장치(10)는 몇몇 실시예에서, 예를 들어 무선 통신 네트워크를 거쳐 다른 장치와 통신을 가능하게 하기 위해 적합한 송수신기(RX/TX)(13)를 포함한다.송수신기(13)는 임의의 적합한 공지의 통신 프로토콜에 의해 다른 디바이스와 통신할 수 있고, 예를 들어 몇몇 실시예에서 송수신기(13) 또는 송수신기 수단은 적합한 범용 이동 통신 시스템(universal mobile telecommunications system: UMTS) 프로토콜, 예를 들어 IEEE 802.X와 같은 무선 근거리 통신망(wireless local area network: WLA), 블루투스(Bluetooth)와 같은 적합한 단거리 무선 주파수 통신 프로토콜, 또는 적외선 데이터 통신 경로(infrared data communication pathway: IRDA)를 사용할 수 있다.장치(10)의 구조는 다양한 방식으로 보완되고 변경될 수 있다는 것을 이해할 수 있어야 한다.장치(10)의 사용자는 예를 들어, 몇몇 다른 장치에 전송될 또는 메모리(22)의 데이터 섹션(24) 내에 저장될 음성 또는 다른 오디오 신호를 입력하기 위해 마이크로폰(11)을 사용할 수 있다. 대응 애플리케이션은 몇몇 실시예에서, 사용자 인터페이스(15)를 거쳐 사용자에 의해 이 목적으로 활성화될 수 있다. 이 애플리케이션은 이들 실시예에서, 프로세서(21)에 의해 수행될 수 있고, 프로세서(21)가 메모리(22) 내에 저장된 인코딩 코드를 실행하게 한다. 이하의 예에서, 마이크로폰(11)은 입력을 위해 오디오 신호를 발생하도록 구성되지만, 입력 오디오 신호는 메모리(22)로부터와 같이 임의의 적합한 입력으로부터 그리고 구체적으로 메모리(22)의 저장된 데이터(24) 섹션 내에 수신될 수 있다는 것이 이해될 수 있을 것이다. 몇몇 실시예에서, 입력 오디오 신호 또는 적어도 하나의 오디오 신호는 송수신기(13)를 거쳐 수신될 수 있다. 예를 들어, 송수신기(13)는 예를 들어, 송수신기(13)를 거쳐 장치에 결합된 블루투스 디바이스와 같은, 장치(10)의 외부의 마이크로폰에 의해 발생된 오디오 신호를 수신하도록 구성될 수 있다.아날로그-대-디지털 컨버터(ADC)(14)는 몇몇 실시예에서, 아날로그 오디오 신호를 디지털 오디오 신호로 변환하고, 디지털 오디오 신호를 프로세서(21)에 제공한다. 몇몇 실시예에서, 마이크로폰(11)은 일체형 마이크로폰 및 ADC 기능을 포함할 수 있고, 디지털 오디오 신호를 프로세싱을 위해 프로세서에 직접 제공할 수 있다.프로세서(21)는 이러한 실시예에서, 이어서 도 2에 도시된 시스템, 및 구체적으로 도 3에 도시된 인코더, 및 도 5에 도시된 인코더의 상세를 참조하여 설명된 바와 동일한 방식으로 디지털 오디오 신호를 프로세싱한다.최종 비트 스트림은 몇몇 실시예에서 다른 장치로의 전송을 위해 송수신기(13)에 제공될 수 있다. 대안적으로, 코딩된 오디오 데이터는 몇몇 실시예에서, 예를 들어 동일한 장치(10)에 의한 이후의 전송을 위해 또는 이후의 제시를 위해, 메모리(22)의 데이터 섹션(24) 내에 저장될 수 있다.장치(10)는 몇몇 실시예에서, 다른 장치로부터 송수신기(13)를 거쳐 대응적으로 인코딩된 데이터를 갖고 비트 스트림을 또한 수신할 수 있다. 본 예에서, 프로세서(21)는 메모리(22) 내에 저장된 디코딩 프로그램 코드를 실행할 수 있다. 프로세서(21)는 이러한 실시예에서, 수신된 데이터를 디코딩하고, 디코딩된 데이터를 디지털-대-아날로그 컨버터(32)에 제공한다. 디지털-대-아날로그 컨버터(32)는 디지털 디코딩된 데이터를 아날로그 오디오 데이터로 변환하고, 몇몇 실시예에서 라우드스피커(33)를 거쳐 아날로그 오디오를 출력할 수 있다. 디코딩 프로그램 코드의 실행은 몇몇 실시예에서, 사용자 인터페이스(15)를 거쳐 사용자에 의해 호출된 애플리케이션에 의해 마찬가지로 트리거링될 수 있다.수신된 인코딩된 데이터는 몇몇 실시예에서, 또한 예를 들어 이후의 디코딩 및 제시 또는 디코딩 또는 또 다른 장치로의 포워딩을 위해, 메모리(22)의 데이터 섹션(24) 내의 라우드스피커(33)를 거쳐 즉각적인 제시 대신에 저장될 수 있다.도 3 및 도 5에 설명된 개략적인 구조 및 도 4 및 도 6에 도시된 방법 단계는 단지 오디오 코덱의 동작의 일부, 구체적으로 도 1에 도시된 장치에서 구현된 예시적으로 도시된 바와 같은 오디오 인코더 장치 또는 방법의 일부만을 표현하고 있다는 것이 이해될 수 있을 것이다.실시예에 의해 채용된 바와 같은 오디오 코덱의 일반적인 동작이 도 2에 도시되어 있다. 일반적인 오디오 코딩/디코딩 시스템은 도 2에 개략적으로 도시된 바와 같이, 인코더 및 디코더의 모두를 포함한다. 그러나, 몇몇 실시예는 인코더 또는 디코더 중 하나, 또는 인코더 및 디코더의 모두를 구현할 수 있다는 것이 이해될 수 있을 것이다. 도 2에 의해 도시된 것은 인코더(104), 저장 또는 미디어 채널(106) 및 디코더(108)를 갖는 시스템(102)이다. 전술된 바와 같이, 몇몇 실시예는 인코더(104) 또는 디코더(108) 중 하나 또는 인코더(104) 및 디코더(108)의 모두를 포함하거나 구현할 수 있다는 것이 이해될 수 있을 것이다.인코더(104)는 몇몇 실시예에서 미디어 채널(108)을 통해 저장되거나 전송될 수 있는 비트 스트림(112)을 생성하는 입력 오디오 신호(110)를 포함한다. 인코더(104)는 몇몇 실시예에서, 2개 이상의 오디오 신호를 인코딩하는 멀티채널 인코더를 포함할 수 있다. 비트 스트림(112)은 디코더(108) 내에 수신될 수 있다. 디코더(108)는 비트 스트림(112)을 압축 해제하고, 출력 오디오 신호(114)를 생성한다. 디코더(108)는 전체 디코딩 동작의 부분으로서 변환 디코더를 포함할 수 있다. 디코더(108)는 2개 이상의 오디오 신호를 디코딩하는 멀티채널 디코더를 또한 포함할 수 있다. 입력 신호(110)와 관련하는 비트 스트림(112)의 비트 레이트 및 출력 오디오 신호(114)의 품질은 코딩 시스템(102)의 성능을 규정하는 메인 특징이다.도 3은 몇몇 실시예에 따른 인코더(104)를 개략적으로 도시하고 있다.도 4는 몇몇 실시예에 따른 인코더(104)의 동작을 흐름도로 개략적으로 도시하고 있다.본 명세서에 설명된 바와 같은 실시예의 개념은 효율적인 고품질 및 저비트 레이트 실제 코딩을 생성하기 위해 인코딩을 결정하고 오디오 신호에 적용하는 것이다. 이와 관련하여, 도 3과 관련하여, 예시적인 인코더(104)가 몇몇 실시예에 따라 도시되어 있다. 더욱이, 도 4와 관련하여, 인코더(104)의 동작이 더 상세히 도시되어 있다. 이하의 예에서, 인코더는 오디오 신호를 표현하는 주파수 도메인 파라미터를 발생하고 발생된 주파수 도메인 파라미터를 적합한 벡터 격자 양자화를 사용하여 인코딩하도록 구성되지만, 몇몇 실시예에서, 본 명세서에 설명된 바와 같은 격자 양자화에 사용된 파라미터는 오디오 신호 또는 다른 유형의 신호(예를 들어, 이미지 또는 비디오)를 규정하거나 표현하는 임의의 적합한 파라미터일 수 있다는 것이 이해될 수 있을 것이다.인코더(104)는 몇몇 실시예에서, 프레임 분할기(frame sectioner)(201) 또는 오디오 신호를 분할하기 위한 적합한 수단을 포함한다. 프레임 분할기(201)는 오디오 신호(예를 들어, 모노, 좌측 및 우측 스테레오 또는 임의의 멀티채널 오디오 표현)를 수신하고, 오디오 신호 및 섹션을 입력하거나 또는 오디오 신호 데이터를 주파수 또는 다른 도메인 변환을 위해 적합한 섹션 또는 프레임으로 분할하도록 구성된다. 프레임 분할기(201)는 몇몇 실시예에서, 또한 임의의 적합한 윈도잉 기능에 따라 오디오 신호 데이터의 이들 프레임 또는 섹션을 윈도잉하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 프레임 분할기(201)는 몇몇 실시예에서 10 ms 만큼 각각 선행 및 후속 프레임을 중첩하는 20 ms의 프레임을 발생하도록 구성될 수 있다.오디오 프레임을 발생하는 동작이 단계 501에 의해 도 4에 도시되어 있다.몇몇 실시예에서, 오디오 프레임은 파라미터 결정기(203)로 통과될 수 있다.몇몇 실시예에서, 인코더는 입력 오디오 신호(들) 또는 입력 오디오 신호 프레임을 표현하는 적어도 하나의 파라미터를 결정하기 위한 적합한 수단의 파라미터 결정기(203)를 포함한다. 이하의 예에서, 파라미터는 선 스펙트럼 주파수(line spectral frequency: LSF) 파라미터이지만, 몇몇 실시예에서 임의의 적합한 파라미터가 결정될 수 있다는 것이 이해될 수 있을 것이다.예를 들어, 몇몇 실시예에서, 파라미터 결정기는 변환기(203) 또는 변환을 위한 적합한 수단을 포함한다. 변환기(203)는 몇몇 실시예에서, 이들 오디오 신호의 주파수 도메인(또는 다른 적합한 도메인) 파라미터를 발생하도록 구성된다. 이들 주파수 도메인 파라미터 표현은 몇몇 실시예에서 파라미터 인코더(205)로 통과될 수 있다.몇몇 실시예에서, 변환기(203)는 오디오 신호 데이터 상에 임의의 적합한 시간 대 주파수 도메인 변환을 수행하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 시간 대 주파수 도메인 변환은 이산 푸리에 변환(discrete Fourier transform: DFT), 고속 푸리에 변환(Fast Fourier transform: FFT), 변형 이산 코사인 변환(modified discrete cosine transform: MDCT)일 수 있다. 이하의 예에서, 고속 푸리에 변환(FFT)이 사용된다.더욱이, 변환기는 또한 각각의 입력 채널 오디오 신호 데이터의 개별 주파수 밴드 도메인 파라미터 표현(서브밴드 파라미터 표현)을 발생하도록 구성될 수 있다. 이들 밴드는 임의의 적합한 방식으로 배열될 수 있다. 예를 들어, 이들 밴드는 선형으로 이격되거나, 또는 지각적 또는 정신음향적으로 할당될 수 있다. 발생된 파라미터는 임의의 적합한 파라미터일 수 있다.파라미터 표현을 결정하거나 발생하는 동작은 단계 503에 의해 도 4에 도시되어 있다.몇몇 실시예에서, LSF 파라미터와 같은 표현이 파라미터 인코더(205)에 통과된다.몇몇 실시예에서, 인코더(104)는 파라미터 인코더(205)를 포함할 수 있다. 파라미터 인코더(205)는 오디오 신호 입력의 파라미터 표현, 예를 들어 결정된 LSF 파라미터를 수신하도록 구성될 수 있다. 파라미터 인코더(205)는 더욱이 몇몇 실시예에서, 각각의 LSF 파라미터값을 서브벡터로서 사용하고 벡터 양자화기 내로 입력을 위한 벡터를 생성하기 위해 각각의 서브벡터를 조합하도록 구성될 수 있다. 달리 말하면, 장치는 적어도 하나의 오디오 신호를 규정하는 파라미터의 제 1 벡터(또는 파라미터를 표현하는 제 1 벡터의 튜플)를 발생하도록 구성된 벡터 발생기를 포함할 수 있다.벡터 양자화기의 출력은 몇몇 실시예에서 인코더이고, 따라서 벡터 양자화된 오디오 신호 출력은 오디오 신호의 '인코딩된' 또는 파라미터 인코딩된 표현이다.파라미터를 인코딩하거나 또는 벡터 양자화하는 동작은 단계 505에 의해 도 4에 도시되어 있다.몇몇 실시예에서, 파라미터 인코더(205)는 벡터 발생기(451)를 포함한다. 벡터 발생기(451)는 LSF 파라미터를 수신하고 이들 값으로부터 N 차원 벡터를 발생하도록 구성된다.입력 파라미터로부터 벡터를 발생하는 동작은 서브단계 551에 의해 도 4에 도시되어 있다.발생된 벡터는 몇몇 실시예에서 격자 벡터 양자화기(453)로 통과될 수 있다.몇몇 실시예에서, 파라미터 인코더(205)는 격자 벡터 양자화기(453)를 포함한다. 격자 벡터 양자화기(453)는 LSF 파라미터로부터 발생된 입력 벡터를 수신하고, 규정된 격자 내에서 발생하고 따라서 디코더에서 유사한 격자를 사용하여 디코딩될 수 있는 가장 가까운 이웃 또는 N 출력을 발생한다.벡터의 격자 양자화의 동작이 서브단계 553에 의해 도 4에 도시되어 있다.인코딩된 신호는 출력될 수 있다.인코딩된 신호를 출력하는 동작이 단계 507에 의해 도 4에 도시되어 있다. 이는 예를 들어, 서브단계 557에 의해 도 4에 도시된 바와 같이 양자화된 격자 벡터를 출력하는 동작일 수 있다.도 5를 참조하면, 몇몇 실시예에 따른 예시적인 격자 벡터 양자화기(453)가 도시되어 있다. 격자 양자화기(453)는 몇몇 실시예에서, 탠저블 저장 매체 메모리(22) 상에 저장된 컴퓨터 프로그램의 각각의 프로그램 코드(23)에 의해 규정될 수 있다.본 발명에 대한 개념 및 실시예를 소개하기 전에, 본 출원인은 먼저 통상의 격자 벡터 양자화를 설명할 것이다. 몇몇 격자 양자화기에서, 포텐셜 기저 코드 벡터의 이 세트의 각각의 결정된 포텐셜 기저 코드 벡터가 기저 코드 벡터의 상이한 세트의 포텐셜 기저 코드 벡터와 연계되는, 포텐셜 기저 코드 벡터의 세트의 초기 발생 또는 결정이 수행된다.포텐셜 기저 코드 벡터의 각각의 세트는 적어도 하나의 기저 코드 벡터를 포함한다. 기저 코드 벡터의 각각의 세트는 복수의 스케일 대표(scale representative) 중 적어도 하나의 스케일 대표와 연계되기 때문에, 코드 벡터는 포텐셜 기저 코드 벡터의 세트의 기저 코드 벡터와 포텐셜 기저 코드 벡터의 세트와 연계된 적어도 하나의 스케일 대표의 스케일 대표에 기초하여 결정될 수 있다. 달리 말하면, 코드 벡터는 각각의 스케일 대표에 의해 스케일링된 기저 코드 벡터에 기초하여 표현될 수 있다. 예를 들어, 스케일 대표는 스케일값을 표현할 수도 있는데, 여기서 코드 벡터는 기저 코드 벡터 및 각각의 스케일값의 곱에 기초하여 결정될 수 있다. 더욱이, 몇몇 실시예에서, 코드북이 기저 벡터의 (부호가 붙은) 치환을 적용함으로써 얻어진다.예를 들어, 기저 코드 벡터의 적어도 하나의 세트는 적어도 2개의 스케일 대표와 연계된다.이에 따라, 예로서, 코드북은 기저 코드 벡터의 복수의 세트에 기초하는 그리고 복수의 기저 코드 벡터의 기저 코드 벡터의 각각의 세트와 연계된 각각의 적어도 하나의 스케일값에 기초하는 코드 벡터를 포함하는 코드 벡터의 세트를 포함할 수 있다. 이 코드 벡터의 세트는 기저 코드 벡터의 각각의 세트의 각각의 기저 코드 벡터에 대해 그리고 기저 코드 벡터의 각각의 세트와 연계된 적어도 하나의 스케일 대표의 각각에 대해, 각각의 스케일 대표에 의해 스케일링된 각각의 기저 코드 벡터에 기초하는 코드 벡터를 포함할 수 있다.예를 들어, 기저 코드 벡터의 상기 세트는 리더 클래스(leader class)를 표현할 수 있는데, 여기서 각각의 리더 클래스는 상이한 리더 벡터 및 상기 리더 벡터의 치환을 포함한다. 따라서, 상기 리더 벡터 및 상기 리더 벡터의 치환은 기저 코드 벡터의 각각의 세트의 기저 코드 벡터를 표현할 수 있다.기저 코드 벡터의 복수의 세트는 기저 코드 벡터의 제 2 복수의 세트의 서브세트를 표현할 수 있다. 예를 들어, 기저 코드 벡터의 각각의 세트가 리더 클래스를 표현한다는 가정 하에, 복수의 리더 클래스는 제 2 복수의 리더 클래스의 서브세트를 표현할 수 있다. 따라서, 복수의 리더 클래스는 제 2 복수의 리더 클래스에 대해 절삭된(truncated) 복수의 리더 클래스로서 고려될 수 있다.예를 들어, 각각의 포텐셜 기저 코드 벡터는 인코딩될 입력 벡터에 가장 가까운 기저 코드 벡터의 각각의 세트의 적어도 하나의 기저 코드 벡터의 기저 코드 벡터를 결정함으로써 결정될 수 있다. 임의의 종류의 적합한 기준이 인코딩될 입력 벡터에 대해 가장 가까운 기저 코드 벡터를 발견하기 위해 사용될 수 있다.예로서, 포텐셜 기저 코드 벡터는 절대값으로 표현된 입력 벡터에 대해 가장 가까운 기저 코드 벡터에 기초하여 그리고 입력 벡터의 값의 부호의 정보에 기초하여 결정될 수 있고, 여기서 이 정보는 입력 벡터 내의 각각의 값의 각각의 위치의 부호를 포함할 수 있고 결정된 포텐셜 기저 코드 벡터의 값에 부호를 할당하는데 사용된다. 더욱이, 예로서, 절대값으로 표현된 입력 벡터에 가장 가까운 기저 코드 벡터가 결정될 수 있는데, 여기서 절대값으로 표현된 입력 벡터는 입력 벡터의 값에 대응하는 절대값을 포함하고, 포텐셜 기저 코드 벡터는 결정된 가장 가까운 기저 코드 벡터를 표현하고, 포텐셜 기저 코드 벡터의 값의 부호는 벡터 내의 동일한 위치에서 입력 벡터의 값의 부호에 대응하고, 이는 기저 코드 벡터의 세트의 기저 코드 벡터의 패리티(parity)가 0이면 성립할 수 있다. 다른 예로서, 기저 코드 벡터의 세트의 기저 코드 벡터의 패리티가 -1이면, 포텐셜 기저 코드 벡터의 값의 부호는 벡터 내의 동일한 위치에서 입력 벡터의 값의 부호에 대응하여 각각 할당될 수 있고, 홀수의 네거티브 성분이 존재하지 않으면, 최저 0이 아닌 절대값을 갖는 포텐셜 기저 코드 벡터 내의 값이 그 부호를 변경할 수 있다. 또는, 다른 예로서, 기저 코드 벡터의 세트의 기저 코드 벡터의 패리티가 +1이면, 포텐셜 기저 코드 벡터의 값의 부호는 벡터 내의 동일한 위치에서 입력 벡터의 값의 부호에 대응하여 각각 할당될 수 있고, 짝수의 네거티브 성분이 존재하지 않으면, 최저 0이 아닌 절대값을 갖는 포텐셜 기저 코드 벡터 내의 값이 그 부호를 변경할 수 있다.입력 벡터를 인코딩하기 위한 코드 벡터는 이어서 결정된 포텐셜 코드 벡터의 세트에 기초하여 통상적으로 결정되고, 여기서 결정된 포텐셜 코드 벡터의 상기 세트는 코드 벡터의 서브세트를 규정하고, 코드 벡터의 상기 서브세트는 각각의 결정된 포텐셜 기저 코드 벡터 및 각각의 포텐셜 기저 코드 벡터의 기저 코드 벡터의 세트와 연계된 각각의 스케일 대표에 대해, 각각의 스케일 대표에 의해 스케일링된 각각의 포텐셜 기저 코드 벡터에 기초하는 코드 벡터를 포함한다.이에 따라, 입력 벡터를 인코딩하기 위한 코드 벡터의 탐색이 결정된 포텐셜 코드 벡터에 의해 규정된 그리고 각각의 결정된 포텐셜 코드 벡터의 기저 코드 벡터의 세트와 연계된 각각의 적어도 하나의 스케일 대표에 의해 규정된 코드 벡터의 서브세트 내에서 수행되었다. 코드 벡터의 이 서브세트는 코드북과 연계된 코드 벡터의 서브세트를 표현할 수 있기 때문에, 코드 벡터의 이 서브세트의 코드 벡터의 수는 코드 벡터의 세트의 코드 벡터의 수보다 작을 수 있다.예로서, 복수의 스케일 대표의 각각의 스케일 대표는 코드 벡터의 적어도 하나의 세트와 연계될 수 있고, 여기서 각각의 스케일 대표와 연계된 코드 벡터의 상기 적어도 하나의 세트의 코드 벡터의 각각의 세트는 기저 코드 벡터의 복수의 세트의 기저 코드 벡터의 세트와 연계되어 각각의 스케일 대표와 연계된 코드 벡터의 상기 적어도 하나의 세트의 코드 벡터의 각각의 세트가 각각의 스케일 대표로 기저 벡터의 연계된 각각의 세트의 기저 벡터를 스케일링함으로써 얻어진 코드 벡터를 포함하게 된다.이에 따라, 복수의 스케일 대표의 각각의 스케일 대표와 연계된 기저 코드 벡터의 적어도 하나의 세트의 코드 벡터는 이 스케일 대표로 스케일 대표와 연계된 기저 코드 벡터의 각각의 세트의 기저 코드 벡터를 스케일링하는 것에 기초하여 결정될 수 있다.예를 들어, 기저 코드 벡터의 상기 세트가 리더 클래스를 표현하는 경우에, 각각의 스케일 대표와 연계된 기저 코드 벡터의 적어도 하나의 세트는 리더 클래스의 연합으로서 고려될 수 있다. 일반적으로 리더 클래스의 연합은 스케일에 독립적인 것으로 이해될 수 있을 것이다. 따라서, 코드북은 리더 클래스의 적어도 하나의 연합을 포함할 수 있고, 리더 클래스의 각각의 연합은 적어도 하나의 스케일 대표 중 하나와 그리고 복수의 기저 코드 벡터의 기저 코드 벡터의 적어도 하나의 세트와 연계된다. 예로서, 적어도 하나의 스케일 대표는 적어도 2개의 스케일 대표를 포함할 수 있는 복수의 스케일 대표를 표현할 수 있다.따라서, 예를 들어, bx - 여기서, x∈0, 1, ... X-1 - 는 기저 코드 벡터의 복수의 세트의 기저 코드 벡터의 세트를 표현하는데, 여기서 X는 기저 코드 벡터의 복수의 세트의 세트의 수를 표현한다. 기저 코드 벡터의 각각의 세트는 적어도 하나의 기저 코드 벡터 bx,y와 연계되거나 포함하고, 여기서 Bx는 기저 코드 벡터의 각각의 세트의 기저 코드 벡터의 수를 표현하는데, 즉 y∈0, 1, ... Bx-1이 성립한다. 예를 들어, 기저 코드 벡터의 세트의 기저 코드 벡터의 수(Bx)는 기저 코드 벡터의 상이한 세트에 대해 상이할 수 있고 그리고/또는 기저 코드 벡터의 적어도 2개의 세트에 대해 동일할 수 있다.달리 말하면, 리더 벡터는 단지 하나의 벡터이다. 리더 벡터의 모든 부호가 붙은 치환과 함께, 이어서 이 세트는 리더 벡터의 리더 클래스(또는 본 명세서에 설명된 바와 같이, 기저 코드 벡터)를 형성한다. 다수의 리더 클래스를 함께 조합할 때, 리더 클래스의 연합이 형성된다. 다음에, 이 연합/연합들에 하나 이상의 스케일이 부착될 수 있다.따라서, 예를 들어, 기저 코드 벡터(bx,y)에 기초하여 그리고 스케일 대표(sz)에 기초하여 코드 벡터(cx,z,y)를 결정하는 것이 가능할 수 있고, 여기서 인덱스 z는 복수의 스케일 대표(s0 ... sS-1)의 각각의 스케일 대표의 인덱스를 표현하는데, 즉 z∈0, 1, ... S-1이 성립한다.예를 들어, 기저 코드 벡터 bx,y=[bx,y,0, bx,y,1, ... bx,y,n-1]의 값(bx,y,t)이 절대값을 표현하는 경우에, 여기서 t∈0, 1, ... n-1이 성립하고 n은 각각의 기저 코드 벡터(bx,y)의 길이를 표현하고, 절대값으로 표현된 입력 벡터가 기저 코드 벡터의 각각의 세트의 포텐셜 코드 벡터를 결정하기 위해 사용되면, 결정된 가장 가까운 기저 코드 벡터(bx,y)의 (t+1)번째 위치에서 각각의 값(bx,y,t)의 부호는, 기저 코드 벡터(bx,y)에 기초하여 그리고 스케일 대표(sz)에 기초하여 코드 벡터(cx,z,y)를 결정하는 것이 수행되기 전에, 입력 벡터(i)의 (t+1)번째 위치에서 각각의 값(it)의 부호에 기초하여 할당될 수 있다.예로서, i=[i0, i1, ..., in-1]이 입력 벡터를 표현하면, 절대값으로 표현된 입력 벡터는 [｜i0｜, ｜i1｜, ..., ｜in-1｜]에 의해 표현될 수 있다. 예를 들어, 결정된 가장 가까운 기저 코드 벡터(bx,y)의 (t+1)번째 위치에서 각각의 값(bx,y,t)의 부호는 입력 벡터의 (t+1)번째 위치에서 각각의 값(k)의 부호에 각각 할당될 수 있는데, 여기서 기저 코드 벡터(bx)의 세트의 기저 코드 벡터(bx,y)의 패리티가 0이면 이것이 성립할 수 있다. 다른 예로서, 기저 코드 벡터(bx)의 기저 코드 벡터(bx,y)의 패리티가 -1이면, 포텐셜 기저 코드 벡터의 값(bx,y,t)의 부호는 벡터 내의 동일한 위치에서 입력 벡터의 값의 부호에 대응하여 각각 할당될 수 있고, 홀수의 네거티브 성분이 존재하지 않으면, 최저 0이 아닌 절대값을 갖는 포텐셜 기저 코드 벡터 내의 값(bx,y,t)은 그 부호를 변경할 수 있다. 또는, 다른 예로서, 기저 코드 벡터(bx)의 세트의 기저 코드 벡터(bx,y)의 패리티가 +1이면, 포텐셜 기저 코드 벡터의 값(bx,y,t)의 부호는 벡터 내의 동일한 위치에서 입력 벡터의 값의 부호에 대응하여 각각 할당될 수 있고, 짝수의 네거티브 성분이 존재하지 않으면, 최저 0이 아닌 절대값을 갖는 포텐셜 기저 코드 벡터 내의 값(bx,y,t)은 그 부호를 변경할 수 있다.비한정적인 예로서, 코드 벡터(cx,z,y)는 cx,z,y = [bx,y,0·sz, bx,y,1·sz, ..., bx,y,n-1·sz,]에 의해 결정될 수 있다.각각의 스케일 대표(sz) - 여기서 z∈0, 1, ... S-1이 성립함 - 는 기저 코드 벡터의 적어도 하나의 세트와 연계된다. 예를 들어, 비한정적인 예로서, 이 각각의 기적 코드 벡터의 적어도 하나의 세트는 기저 코드 벡터(bx)의 세트에 의해 표현될 수 있고, 여기서 x∈0, 1, ... nz-1이고, nz는 각각의 스케일 대표(sz)와 연계된 기저 코드 벡터의 세트의 수를 표현할 수 있고, 여기서 0003c#nz003c#X가 성립한다. 각각의 스케일 대표(sz)와 기저 코드 벡터(bx)의 연계된 적어도 하나의 세트 사이의 이 링크에 기초하여 - 여기서, x∈0, 1, ... nz-1 - , 코드 벡터(cx,z,y)의 연계된 적어도 하나의 세트 - 여기서, x∈0, 1, ... nz-1 및 y∈0, 1, ... Bx-1 및 z∈0, 1, ... S-1 - 가 결정될 수 있다.따라서, 예로서, 전술된 코드북의 코드북 구조는 복수의 스케일 대표(sz), 기저 코드 벡터(bx)의 복수의 세트, 및 기저 코드 벡터의 연계된 적어도 하나의 세트와 각각의 스케일 대표 사이의 링크에 의해 규정될 수 있다.기저 코드 벡터의 적어도 하나의 세트, 예를 들어 기저 코드 벡터(b0)의 적어도 세트는 적어도 2개의 스케일 대표와 연계되기 때문에, 기저 코드 벡터의 동일한 세트는 제 1 스케일 대표와 연계된 코드 벡터의 적어도 하나의 세트의 코드 벡터를 구성하고 적어도 하나의 추가의 스케일 대표와 연계된 코드 벡터의 적어도 하나의 세트의 코드 벡터를 구성하는데 사용될 수 있다.기저 코드 벡터의 복수의 세트의 기저 코드 벡터의 각각의 세트에 대해, 다른 방식으로 입력 벡터를 인코딩하기 위한 포텐셜 기저 코드 벡터를 결정하는 것이 가능하다.예를 들어, 코드 벡터의 서브세트로부터 입력 벡터를 인코딩하기 위한 코드 벡터를 결정하는 것은 결정된 왜곡 메트릭 또는 거리, 또는 에러값에 기초한다.이러한 예에서, 복수의 스케일 표현의 스케일 표현이 선택된다.더욱이, 선택된 스케일 표현과 연계된 기저 코드 벡터의 세트의 결정된 포텐셜 기저 코드 벡터가 선택된다.코드 벡터는 이어서 선택된 포텐셜 기저 코드 벡터에 기초하여 그리고 선택된 스케일 표현에 기초하여 결정될 수 있는데, 여기서 코드 벡터의 이 결정은 본 명세서에 설명된 방법에 대해 설명된 바와 같이 수행될 수 있다.결정된 코드 벡터 및 입력 벡터에 기초하는 몇몇 예에서, 왜곡 메트릭이 결정된다. 예를 들어, 상기 왜곡 메트릭은 결정된 코드 벡터와 입력 벡터 사이의 임의의 종류의 적합한 거리에 기초할 수 있다. 예로서, 해밍 거리(Hamming distance) 또는 유클리드 거리(Euclidian distance) 또는 임의의 다른 거리가 사용될 수 있다. 예로서, 코드 벡터 및 왜곡 메트릭을 결정하는 것은 선택된 스케일 표현과 연계된 각각의 코드 벡터 및 이 선택된 스케일 표현과 연계된 기저 코드 벡터의 세트를 고유적으로 고려함으로써 계산될 수 있다.예를 들어, 이 단계 430에서 결정된 코드 벡터를 표현하고, 이 입력 벡터를 표현하면, 거리(d)는 이하의 식에 기초하여 계산될 수 있다.상기 식에 따른 이 거리(d)는 이하의 식에 기초하여 계산된 거리(d')로 대체될 수 있다.또는, 다른 예로서, 왜곡 메트릭이 가중 함수에 기초하여 결정되는 경우에, 상기 식에 따른 거리(d)는 이하와 같이 보정될 수도 있는데,여기서, wk는 가중 함수의 가중 팩터를 표현한다.이에 따라, 상기 식에 따른 거리(d')는 이하의 방식으로 가중 함수에 의해 가중될 수 있다.예를 들어, 만일 이것이 최초 결정된 왜곡 메트릭이면, 왜곡 거리(d 또는 d' 또는 dw 또는 dw')가 저장될 수 있고, 또는 저장된 왜곡 메트릭과 비될 수 있는데, 여기서 저장된 왜곡 메트릭은 새롭게 결정된 왜곡 메트릭이 저장된 왜곡 메트릭보다 양호하면 교체된다. 더욱이, 저장된 왜곡 메트릭과 연계된 코드 벡터가 저장될 수 있고 또는 이 코드 벡터의 식별자가 저장될 수 있다.다음에, 예를 들어, 동작은 선택된 스케일 표현과 연계된 기저 코드 벡터의 임의의 추가의 세트가 존재하는지 여부를 점검할 수 있다. 만일 예이면, 선택된 스케일 표현과 연계된 기저 코드 벡터의 이 추가의 세트의 결정된 포텐셜 기저 코드 벡터가 선택된다. 만일 아니면, 복수의 스케일 표현의 추가의 스케일 표현에 대해 점검이 행해지지 않는다.복수의 스케일 표현의 추가의 스케일 표현이 존재하면, 추가의 스케일 표현이 선택되고, 그렇지 않으면 최선의 거리 메트릭과 연계된 코드 벡터가 입력 벡터를 인코딩하기 위해 선택될 수 있다.예를 들어, 기저 코드 벡터의 세트가 리더 클래스를 표현할 수 있는 경우에, 각각의 리더 클래스는 상이한 리더 벡터 및 상기 리더 벡터의 치환을 포함한다. 따라서, 리더 벡터 및 상기 리더 벡터의 치환은 기저 코드 벡터의 각각의 세트의 기저 코드 벡터를 표현할 수 있다. 예로서, 리더 벡터는 n-차원 벡터(n은 정수를 나타냄)이고, 그 (포지티브) 성분은 순서화된다(예를 들어, 내림차순으로). 리더 벡터에 대응하는 리더 클래스는 이어서 리더 벡터의 모든 부호가 붙은 치환(몇몇 가능한 한정을 가짐)을 통해 얻어진 리더 벡터 및 모든 벡터로 이루어진다.리더 클래스의 연합은 복수의 스케일 표현의 동일한 스케일 표현 및 각각의 스케일 표현과 연계된 기저 코드 벡터의 세트에 의해 규정될 수 있다. 예를 들어, 리더 클래스의 연합은 스케일 대표로 기저 코드 벡터의 연계된 단계의 기저 코드 벡터를 스케일링함으로써 얻어진 코드 벡터의 세트와 연계될 수 있다.리더 클래스의 이러한 연합은 절삭으로서 고려될 수 있다. 따라서, 복수의 스케일 표현이 n개의 스케일 표현이면, 리더 클래스의 n개의 연합이 규정될 수 있고, 여기서 리더 클래스의 각각의 연합은 각각의 스케일 표현 및 각각의 스케일 표현과 연계된 기저 코드 벡터의 세트에 의해 규정된다.이에 따라, 복수의 스케일 표현 및 기저 코드 벡터의 복수의 세트는 리더 클래스의 복수의 연합을 규정하여 이에 의해 코드북을 규정할 수도 있는데, 여기서 예로서, 리더 클래스의 각각의 연합은 스케일링된 리더 클래스의 연합으로서 고려될 수 있다.이들 음성 및 오디오 코덱 내에 사용된 코드북은 예를 들어, 본 명세서에 그래도 참조로서 합체되어 있는 참조 문헌 "Multiple-scale leader-lattice VQ with application to LSF quantization" by A, Vasiiache, B. Dumitrescu and I, Tabus, Signal Processing, 2002, vol, 82, pages 583-588, Elsevier에 설명된 바와 같이, 격자 구조에 기초할 수 있다. 예를 들어, D10+ 격자가 양자화를 위해 고려될 수 있지만, 임의의 다른 양호하게 적합된 격자 양자화가 또한 고려될 수 있다.예를 들어, 기저 코드 벡터의 세트는 리더 클래스이고, 여기서 각각의 리더 클래스는 상이한 리더 벡터 및 상기 리더 벡터의 치환을 포함하고, 여기서 각각의 리더 벡터는 내림차순 또는 오름차순으로 배열된 n개의 절대값을 포함하는 n차원 벡터를 표현한다.기저 코드 벡터(bx)의 각각의 세트의 리더 벡터(I)는 I=[I0, I1, ... In-1]에 의해 표현될 수 있는데, 여기서, I0, I1, ... In-1은 절대값이다. 내림차순 I0이 1-최고값을 표현하는 경우에, I1은 2-최고값을 표현하고, In-1은 n-최고값을 표현한다. 오름차순 I0이 1-최저값을 표현하는 경우에, I1은 2-최저값을 표현하고, In-1은 n-최저값을 표현한다.각각의 리더 벡터 내의 k번째 위치에서 값을 표현하는 각각의 리더 벡터의 값은 입력 벡터 내의 k-최고 절대값의 위치(내림차순 리더 벡터의 경우에) 또는 k-최저 절대값의 위치(오름차순 리더 벡터의 경우에)에 대응하는 포텐셜 기저 코드 벡터 내의 위치에 할당될 수 있다. 예를 들어, 이 위치는 위치(m)로서 나타낼 수 있다. 예로서, 포텐셜 기저 코드 벡터는 p=[p0, p1, ..., pn-1]에 의해 표현될 수 있다.예를 들어, 비한정적인 예로서, 예시적인 입력 벡터는i=[-2.4, 5.0, -1.3, 0.2]일 수 있고, 여기서 대응 절대값으로 표현된 입력 벡터는ia=[2.4, 5.0, 1.3, 0.2]일 수 있다.내림차순의 리더 벡터의 경우에, 리더 벡터의 위치(k) 내의 값, 즉 값(Ik-1)은 입력 벡터 내에 k-최고 절대값의 위치에 대응하는 포텐셜 기저 코드 벡터 내의 위치에 할당된다. 예를 들어, 카운터 k=1에 의해 표현된 제 1 위치에서 시작하여, 값 5.0이 절대값으로 표현된 입력 벡터 내의 1-최고값이고 위치 m=2에 위치되어 있기 때문에, 즉 ia1이기 때문에, 입력 벡터 내의 1-최고 절대값의 위치는 위치 m=2이다. 이에 따라, 값 I0은 포텐셜 기저 코드 벡터 내의 위치 m=2에 할당되는데, 즉 p1=I0이 성립할 수 있다.더욱이, 포텐셜 기저 코드 벡터(pm-1) 내의 할당된 값의 부호(+ 또는 -)는 k-최고 절대값과 연계된 입력 벡터의 값의 부호에 따라 설정된다. 이에 따라,이 성립할 수 있다.따라서, 예시적인 입력 벡터 i=[-2.4, 5.0, -1.3, 0.2]의 비한정적인 예에서, 값 i1=5.0이 포지티브 부호를 갖기 때문에, p1=I0이 성립할 수 있다.위치 카운터(k)는 증분될 수 있고, 리더 벡터 내에 다른 값이 존재하는지 여부, 즉 k≤n이 성립하는지 여부가 점검될 수 있다.만일 예이면, 방법은 진행하고 비한정적인 예에서, 위치 k=2에 대해, 위치 m=1에서 값 2.4는 입력 벡터 내의 2-최고(k-최고) 절대값을 표현한다. 따라서, 입력 벡터 내의 값 i0 = -2.4가 네거티브 부호를 갖기 때문에,이 각각의 부호를 I1에 할당하기 위해 성립할 수 있다.이 방식으로, 비한정적인 예에서, 루프는 이하의 방식으로 리더 벡터의 위치를 통해 반복될 수 있다:k=3 → m=3 → P2 = I2·sign(i2) = -I2; 및k=4 → m=4 → P3 = I3·sign(i3) = +I3이에 따라, 예시적인 방법에 의해 얻어진 각각의 포텐셜 코드 벡터는 내림차순의 각각의 리더 벡터(I)의 경우에 p=[-I1, I0, -I2, I3]를 야기할 수 있다.리더 벡터(I)가 오름차순 방식으로 순서화되면, 전술된 방법은 절대값으로 표현된 입력 벡터 내의 k-최저값의 위치를 표현하는 m으로 수행될 수 있는데, 여기서 pm-1 = Ik-1·sign(im-1)이 성립할 수 있다.얻어진 포텐셜 코드 벡터(p)는 기저 코드 벡터(bx)의 각각의 세트와 연계되고, 여기서 I는 기저 코드 벡터의 이 각각의 세트의 리더 벡터를 표현한다. 예를 들어, 기적 코드 벡터(bx,y,t) 및 스케일 대표(sz)에 기초하여 그리고 전술된 바와 같이 코드 벡터를 결정하는 예시적인 프로세스와 관련하여, 포텐셜 코드 벡터(p)는 입력 벡터에 대해 기저 코드 벡터(bx)의 세트의 가장 가까운 기저 코드 벡터(bx,y)를 표현하고, 여기서 절대값으로 표현된 입력 벡터는 기저 코드 벡터의 각각의 세트의 포텐셜 코드 벡터를 결정하기 위해 사용되고, 결정된 가장 가까운 기저 코드 벡터(bx,y)의 k번째 값에서 각각의 값(bx,y,k-1)의 부호는 입력 벡터(i)의 k번째 위치에서 각각의 값(ik)의 부호가 할당되고, 여기서 0003c#k≤n이 성립한다.따라서, 포텐셜 코드 벡터(p)를 표현하는 이 가장 가까운 기저 코드 벡터(bx,y)는 전술된 바와 같이, 가장 가까운 기저 코드 벡터(bx,y)에 기초하여 그리고 각각의 스케일 대표(sz)에 기초하여 코드 벡터(cx,z,y)를 결정하기 위해 사용될 수 있다.각각의 절삭을 위해, 상이한 스케일 대표가 할당되는데(예를 들어, 훈련을 통해), 예를 들어,float scale[] = 0.8, 1.2, 2.7이다.이에 따라, 예를 들어, 코드북의 복수의 코드 벡터 중 제 1 세트의 코드 벡터는 제 1 스케일 표현 0.8에 의해 스케일링된 제 1 절삭값에 의해 규정되고, 코드북의 복수의 코드 벡터 중 제 2 세트의 코드 벡터는 제 2 스케일 표현 1.2에 의해 스케일링된 제 2 절삭값에 의해 규정되고, 코드북의 복수의 코드 벡터 중 제 3 세트의 코드 벡터는 제 3 스케일 표현 2.7에 의해 스케일링된 제 3 절삭값에 의해 규정되고, 코드북은 다중 스케일 격자 구조를 갖는다.예로서, 다중 스케일 격자 구조 내의 탐색은 2개의 단계를 갖는 것으로서 보여질 수 있는데: 제 1 단계는 각각의 리더 클래스에 대해, 즉 기저 코드 벡터의 각각의 세트에 대해 포텐셜 코드 벡터를 컴퓨팅할 수 있고, 제 2 단계는 포텐셜 코드벡터에 대해서만 왜곡을 계산할 수 있다.예를 들어, 절대값 함수가 입력 벡터(i)에 적용될 수 있어 절대 입력 벡터(ia)는 벡터(i)의 절대값을 포함하게 되고, 이어서 절대 입력 벡터는 내림(또는 대안적으로 오름)차순으로 정렬될 수 있다.예로서, 인덱스 표현은 내림(또는 오름)차순 절대값으로 표현된 벡터 내의 각각의 입력 벡터(i)의 인덱스를 지시하는 대표를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 인덱스 표현은 정수 어레이 'indx'일 수 있다.예를 들어, 입력 벡터가 [-2.4 5.0 -1.3 0.2]이면, 절대값으로 표현된 벡터는 [2.4 5.0 1.3 0.2]이고 'indx' 어레이는 [1 0 2 3]이다. 리더 벡터는 내림차순일 수도 있기 때문에, 가장 가까운 이웃 탐색 알고리즘 중에, 리더 벡터의 제 1 값은 입력 벡터의 최고 절대값 성분 등에 대응하는 위치에 할당될 수 있다.이하의 비한정적인 예에서, 'idx_lead_max'는 X에 대응할 수 있는 모든 절삭값 외부의 최대수의 리더 클래스이다. 이에 따라, 기저 코드 벡터의 9개의 세트가 9개의 리더 클래서에 의해 규정되고, 여기서 n번째 리더 클래스는 0026#pl[n-1]에 의해 규정된다.예를 들어, 어레이 'sign'이 입력 벡터 성분의 부호를 저장할 수 있다.카운터(u)에 의해 규정된 외부 루프는 각각의 리더 벡터와 각각의 u를 연계하도록 고려될 수 있다. 따라서, 카운터(u)에 따라, 각각의 리더 벡터가 복수의 기저 코드 벡터의 기저 코드 벡터의 상이한 세트에 대응하기 때문에, 기저 코드 벡터의 대응 세트는 외부 루프에 의해 선택된다.정수값(j)에 의해 규정된 내부 루프는 기저 코드 벡터의 선택된 세트와 연계된 포텐셜 기저 코드 벡터를 결정하는 것으로 고려될 수 있고, j_crt는 입력 벡터 내의 (j+1)최고 절대값의 위치를 지시한다.따라서, 상이한 포텐셜 기저 코드 벡터(cv_pot)가 탐색의 이 예시적인 제 1 부분에 의해 결정된다.탐색의 제 2 부분은 코드 벡터의 서브세트로부터 입력 벡터를 인코딩하기 위한 코드 벡터를 결정하기 위해 사용될 수 있다.외부 루프는 카운터 I에 의해 규정될 수 있고, 여기서 I는 복수의 스케일 표현의 하나의 스케일 표현 스케일[I]을 선택하도록 발행된다.LATTICE_DIM은 인코딩될 입력 벡터의 길이에 대응할 수 있는 코드 벡터의 길이를 규정한다.그 후에, (0, ..., LATTICE_DIM) 내의 각각의 k에 대한 값 ws1[k] 및 ws2[k]가 계산되는데, 이들은 포텐셜 기저 코드 벡터에 독립적인 왜곡 메트릭(X3)의 부분인 것으로 고려될 수 있다. 값 w[k]는 각각의 k에 대한 가중 함수의 값을 표현한다.상기에 나타낸 예시적인 코드는 또한 내부 j 루프 "for(j=0;j003c#no_leaders[I];j++)"를 갖고, 여기서 no_leaders[I]는 선택된 스케일 대표 스케일[I]와 연계된 리더 벡터의 세트를 규정하는데, 즉 no_leaders[I]는 각각의 스케일 대표 스케일[I]와 연계된 기저 코드 벡터의 세트의 수를 표현하는 nz에 대응할 수 있고, 따라서 이 루프는 선택된 스케일 대표 스케일[I]과 연계된 리더 벡터의 각각의 세트를 통해 반복하고, 이 리더 벡터의 세트의 리더 벡터에 대해, 하나의 포텐셜 기저 코드 벡터(cv_pot)가 결정되었다. 따라서, 예를 들어, 이 루프는 선택된 스케일 표현과 연계된 기저 코드 벡터의 세트의 각각의 포텐셜 기저 코드 벡터(cv_pot)를 반복적으로 선택하는데, 여기서 cv_pot[j]는 이 기저 코드 벡터의 세트의 각각의 j번째 기저 코드 벡터를 표현할 수 있다.이들 기저 코드 벡터 및 선택된 스케일 대표의 각각에 대해, 각각의 기저 코드 벡터 및 선택된 스케일 대표와 연계되는 코드 벡터에 대한 각각의 왜곡 메트릭은 예를 들어, 이하의 방식으로 왜곡 메트릭에 기초하여 결정될 수 있다.최저값을 갖는 왜곡 메트릭이 최선의 왜곡 메트릭을 표현하도록 결정되는데, 여기서 이 왜곡 메트릭 코드 벡터와 연계된 코드 벡터가 입력 벡터를 인코딩하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 이 코드 벡터는 최선의 스케일 대표 및 포텐셜 기저 코드 벡터의 세트의 최선의 포텐셜 기저 코드 벡터에 의해 규정될 수 있다.본 명세서에 설명된 실시예는 포텐셜 코드 벡터 어레이(cv_pot)를 컴퓨팅하지 않고, 입력 벡터의 절대값으로 표현된 정렬된 버전을 채용하고 적합한 전치된 공간 내에서 왜곡 계산을 결정하거나 발생함으로써 벡터 양자화의 복잡성을 감소시킨다.몇몇 실시예에서, 격자 벡터 양자화기는 입력 벡터 정렬기(402)를 포함한다. 입력 벡터 정렬기(402) 또는 입력 벡터를 정렬하기 위한 적합한 수단은 입력 벡터를 수신하도록 구성될 수 있다.입력 벡터를 수신하는 동작이 단계 501에 의해 도 8에 도시되어 있다.격자 벡터 양자화기 및 입력 벡터 정렬기(402)는 입력 벡터를 절대값 내림차순으로 정렬하도록 구성된다(몇몇 실시예에서, 정렬은 후속의 동작으로의 적합한 변화를 갖고 절대값 오름차순으로 수행될 수 있다는 것이 이해될 수 있을 것이다).따라서, 예를 들어 입력 벡터가I = [-2.4 5.0 -1.3 0.2]이면,절대값으로 표현된 벡터는absi = [2.4 5,0 1.3 0.2]이고,여기서 정의된 정렬된 절대값으로 표현된 벡터는cv_pot1 = [5.0 2.4 1.3 0.2]이고,정렬 치환 'indx' = [1 0 2 3]이다.입력 벡터의 정렬은 단계 503에 의해 도 6에 도시되어 있다.입력 벡터 정렬기는 이어서 코드 벡터 결정기(403)에 정렬된 벡터 및 정렬 치환을 통과시킬 수 있다.몇몇 실시예에서, 격자 벡터 양자화기(453)는 포텐셜 코드 벡터 결정기(401)를 포함한다. 포텐셜 코드 벡터 결정기 또는 포텐셜 코드 벡터를 결정하기 위한 적합한 수단은 코드 벡터를 발생하는데 사용된 리더 클래스를 저장하거나 발생하도록 구성된다.예를 들어, 리더 클래스는 이하와 같이 정의될 수 있다(Q1 값에서, 달리 말하면, 2를 곱함)이들 리더 클래스는 몇몇 실시예에서 코드 벡터 결정기(403)로 통과될 수 있다.몇몇 실시예에서, 격자 벡터 양자화기(453)는 코드 벡터 결정기(403)를 포함한다. 코드 벡터 결정기(403) 또는 코드 벡터를 결정하기 위한 적합한 수단은 몇몇 실시예에서 리더 클래스 및 또한 정렬된 입력 벡터 및 치환 벡터를 수신할 수 있다. 코드 벡터 결정기는 이어서 이들 값으로부터 입력 벡터와 연계된 출력 코드 벡터를 결정할 수 있다.결정될 거리가 가중된 유클리드 거리이면, 몇몇 실시예에서 가중치는 치환 벡터에 따라 전치되고 중간 입력 벡터 생성이 발생된다. 몇몇 실시예에서, 가중치는 균일하거나 또는 가중 작업은 가중되지 않은 유클리드 거리가 채용되는 경우에 선택적이라는 것이 이해될 수 있을 것이다.이러한 것의 예는 이하의 코드에 의해 나타낼 수 있다.정렬된 입력 벡터 및 전치된 가중치에 기초하여 중간 적을 발생하기 위해 가중치를 전치하고 적용하는 동작이 단계 505에 의해 도 6에 도시되어 있다.몇몇 실시예에서, 코드 벡터 결정기는 제 1 스케일값 스케일[0]에 대한 거리 성분(sum1, sum2)을 결정할 수 있다.이 동작은 이하의 단계들로 분할될 수 있다:첫째로, 제 1 스케일값 스케일[0]에 대한 스케일값 및 스케일의 제곱값을 초기화한다.스케일값 및 스케일의 제곱값을 초기화하는 동작이 단계 506에 의해 도 6에 도시되어 있다.둘째로, 리더 클래스 행렬로부터 리더 벡터를 선택한다. 이는 행렬 pl_crt로서 상기 행렬 예에 나타내고 있다.리더 벡터를 선택하는 동작이 단계 507에 의해 도 6에 도시되어 있다.셋째로, 중간값 및 선택된 리더 벡터에 기초하여 중간 거리값(sum1, sum2)을 발생한다.선택된 리더 벡터에 기초하여 중간 거리값을 발생하는 동작이 단계 509에 의해 도 6에 도시되어 있다.넷째로, 리더 벡터가 제 7 위치에 도달하지 않는 패리티 조건을 점검하고 입력 벡터 내의 마이너스 부호의 수가 리더 클래스 패리티 내에 제공된 제약과는 상이한 경우에 sum1 값을 보정한다.리더 벡터가 제 7 위치에 도달하지 않는 패리티 조건을 점검하고 입력 벡터 내의 마이너스 부호의 수가 리더 클래스 패리티 내에 제공된 제약과는 상이한 경우에 sum1 값을 보정하는 동작이 단계 511에 의해 도 6에 도시되어 있다.다섯째로, sum1 및 sum2 값으로부터 거리 또는 에러값을 결정하고, 이어서 현재 리더 벡터 거리가 최소인 경우에 최소 벡터의 인덱스를 지시한다.리더 벡터를 위한 거리를 결정하는 동작이 단계 513에 의해 도 6에 도시되어 있다.동작은 이어서 모든 리더 벡터가 선택될 때까지 루프 라운드(loop round)할 수 있다.모든 리더 벡터가 선택되어 있지 않은 경우에 모든 리더 벡터가 선택되어 루프백(loop back)되는지 여부를 점검하는 동작이 도 6의 단계 514에 도시되어 있다.이들 단계는 이하의 코드에 나타낼 수 있다.다음에, 다른 실시예에서, 코드 벡터 결정기가 다른 스케일에 대한 왜곡 거리를 결정하기 위해 sum1 및 sum2 값을 사용하도록 구성될 수 있다. '최선' 스케일값을 점검하는 유사한 동작이 추가로 행해진다.다른 스케일에 대해 왜곡 거리를 결정하는 동작이 단계 515에 의해 도 6에 도시되어 있다.sum1 및 sum2 값을 사용하여 다른 스케일에 대해 왜곡 거리를 결정하는 동작은 이하의 예시적인 코드를 사용하여 구현될 수 있다.더욱이, 몇몇 실시예에서, 일단 최선의 리더 클래스 및 최선의 스케일이 발견되면, 코드 벡터 결정기가 최종 코드 벡터('cv_out')를 계산하도록 구성될 수 있다.코드 벡터를 계산하기 위해 역전치를 수행하는 동작은 단계 517에 의해 도 6에 도시되어 있다.몇몇 실시예에서, 코드 벡터를 계산하는 동작은 이하의 예시적인 코드에 의해 구현될 수 있다.몇몇 실시예에서, 변수 sum1 및 sum2의 계산은 제 1 절삭으로부터의 리더의 수(no_leaders[0])까지 행해지는데, 즉 리더의 수는 내림차순이어야 하고 이들의 대응 스케일이 이에 따라 순서화된다.이러한 실시예에서, 하나의 구조에 대한 최대수의 리더가 컴퓨팅될 필요가 없고, 제 1 위치에 있는 것으로 알려져 있기 때문에 추가적인 복잡도 감소가 발생된다.대부분의 복잡도 감소는 리더 벡터의 모두가 아니라, 단지 위닝 리더 벡터가 전치되어야 한다는 사실로부터 도래한다는 것이 이해될 수 있을 것이다. 계산은 입력 벡터 성분 및 양자화된 것이 동일한 부호를 갖는 한 양호한 포지티브 값으로(리더 벡터 및 입력 벡터의 모두가 절대값임) 행해진다.고려된 리더 벡터 내에 패리티 제약(홀수 또는 짝수의 네거티브 성분)이 존재하고 이 제약이 입력 벡터에 의해 고려되지 않을 때 부호의 차이가 개입된다. 이 경우에 최소 입력 벡터 성분의 양자화된 값의 부호는 그 부호가 역전된다. 최소 입력 벡터 성분은 전치된 공간 내의 최종 성분에 대응한다. 이는 sum1 및 sum2를 계산하기 위한 제 1 루프가 "while(I003c#LATTICE_DIM-1)"인 이유이다. 실수의 비전치된 공간에서, 이는 최소값 = indx[LATTICE__DIM-1]에 대응한다. LATTICE_DIM은 고려된 격자의 치수이다.상기 예는 장치(10) 내의 코덱 내에서 동작하는 애플리케이션의 실시예를 설명하고 있지만, 후술되는 바와 같이 본 발명은 임의의 가변 레이트/적응형 레이트 오디오(또는 음성) 코덱을 포함하여, 임의의 오디오(또는 음성) 코덱의 부분으로서 구현될 수 있다는 것이 이해될 수 있을 것이다. 따라서, 예를 들어, 본 출원의 실시예는 고정된 또는 유선 통신 경로를 통한 오디오 코딩을 구현할 수 있는 오디오 코덱으로 구현될 수 있다.따라서, 사용자 장비는 상기 본 출원의 실시예에 설명된 것들과 같은 오디오 코덱을 포함할 수 있다.용어 사용자 장비는 휴대폰, 휴대형 데이터 프로세싱 디바이스 또는 휴대형 웹 브라우저와 같은 임의의 적합한 유형의 무선 사용자 장비를 커버하도록 의도된다는 것이 이해될 수 있을 것이다.더욱이, 공중 육상 이동 통신망(public land mobile network: PLMN)의 요소는 전술된 바와 같은 오디오 코덱을 또한 포함할 수 있다.일반적으로, 본 출원의 다양한 실시예는 하드웨어 또는 특정 용도 회로, 소프트웨어, 논리 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 몇몇 양태는 하드웨어로 구현될 수 있고, 반면에 다른 양태는 콘트롤러, 마이크로프로세서 또는 다른 컴퓨팅 디바이스에 의해 실행될 수 있는 펌웨어 또는 소프트웨어로 구현될 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다. 본 출원의 다양한 양태가 블록도, 흐름도로서, 또는 몇몇 다른 회화적 표현을 사용하여 도시되고 설명될 수 있지만, 본 명세서에 설명된 이들 블록, 장치, 시스템, 기술 또는 방법은 비한정적인 예로서, 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어, 특정 용도 회로 또는 논리, 범용 하드웨어 또는 콘트롤러 또는 다른 컴퓨팅 디바이스, 또는 이들의 몇몇 조합으로 구현될 수 있다는 것이 양호하게 이해될 수 있다.본 출원의 실시예는 프로세서 엔티티에서와 같은, 모바일 디바이스의 데이터 프로세서에 의해 실행 가능한 컴퓨터 소프트웨어에 의해, 또는 하드웨어에 의해, 또는 소프트웨어와 하드웨어의 조합에 의해 구현될 수 있다. 또한, 이와 관련하여, 도면에서와 같은 논리 흐름의 임의의 블록은 프로그램 단계, 또는 상호접속된 논리 회로, 블록 및 기능, 또는 프로그램 단계와 논리 회로, 블록 및 기능의 조합을 표현할 수 있다는 것이 주목되어야 한다.메모리는 로컬 기술 환경에 적합한 임의의 유형일 수 있고, 반도체 기반 메모리 디바이스, 자기 메모리 디바이스 및 시스템, 광학 메모리 디바이스 및 시스템, 고정식 메모리 및 이동식 메모리와 같은, 임의의 적합한 데이터 저장 기술을 사용하여 구현될 수 있다. 데이터 프로세서는 로컬 기술 환경에 적합한 임의의 유형일 수 있고, 비한정적인 예로서, 범용 컴퓨터, 특정 용도 컴퓨터, 마이크로프로세서, 디지털 신호 프로세서(digital signal processors: DSPs), 응용 주문형 집적 회로(application specific integrated circuits: ASIC), 게이트 레벨 회로 및 멀티코어 프로세서 아키텍처에 기초하는 프로세서 중 하나 이상을 포함할 수 있다.본 출원의 실시예는 집적 회로 모듈과 같은 다양한 구성요소에서 실시될 수 있다. 집적 회로의 디자인은 대체로 고도로 자동화된 프로세스이다. 복잡한 그리고 강력한 소프트웨어 툴이 논리 레벨 디자인을 반도체 기판 상에 에칭되고 형성될 준비가 된 반도체 회로 디자인으로 변환하기 위해 이용 가능하다.미국 캘리포니아주 마운틴 뷰 소재의 Synopsys, Inc. 및 미국 캘리포니아주 산호세 소재의 Cadence Design에 의해 제공된 것들과 같은 프로그램은 양호하게 확립된 디자인의 규칙 뿐만 아니라 사전 프로그램된 디자인 모듈의 라이브러리를 사용하여 반도체 칩 상에 전도체를 자동으로 라우팅하고 구성요소를 로케이팅한다. 일단, 반도체 회로를 위한 디자인이 완료되면, 표준화된 전자 포맷(예를 들어, Opus, GDSII 등)의 최종적인 디자인이 제조를 위해 반도체 제조 설비 또는 "팹(fab)"으로 전달될 수 있다.본 출원에 사용될 때, 용어 '회로'는 이하의 모두를 칭한다:(a) 하드웨어 전용 회로 구현예(단지 아날로그 및/또는 디지털 회로 내의 구현예와 같은) 및(b) (i) 프로세서(들)의 조합 또는 (ii) 휴대폰 또는 서버와 같은 장치가 다양한 기능을 수행하게 하도록 함께 동작하는 프로세서(들)/소프트웨어(디지털 신호 프로세서(들)를 포함함), 소프트웨어 및 메모리(들)의 부분과 같은, 회로와 소프트웨어(및/또는 펌웨어)의 조합 및(c) 소프트웨어 또는 펌웨어가 물리적으로 존재하지 않더라도, 동작을 위한 소프트웨어 또는 펌웨어를 필요로 하는 마이크로프로세서(들) 또는 마이크로프로세서(들)의 부분과 같은 회로.'회로'의 이 정의는 임의의 청구범위를 포함하여, 본 출원에서 이 용어의 모든 사용에 적용된다. 다른 예로서, 본 출원에 사용될 때, 용어 '회로'는 또한 단지 프로세서(또는 다중 프로세서) 또는 프로세서의 부분 및 그(또는 이들의) 부속 소프트웨어 및/또는 펌웨어의 구현예를 커버할 것이다. 용어 '회로'는 또한 예를 들어 그리고 특정 청구항 요소에 적용 가능하면, 휴대폰용 기저대역 집적 회로 또는 애플리케이션 프로세서 집적 회로 또는 서버, 셀룰러 네트워크 디바이스 또는 다른 네트워크 디바이스 내의 유사한 집적 회로를 커버할 것이다.상기 설명은 본 발명의 예시저인 실시예의 완전한 그리고 정보적인 설명인 것으로 예시적인 비한정적인 예에 의해 제공되었다. 그러나, 다양한 수정 및 개조는 첨부 도면 및 첨부된 청구범위와 함께 숙독될 때, 상기 설명의 견지에서 당 기술 분야의 숙련자들에게 명백해질 수 있다. 그러나, 본 발명의 모든 이러한 및 유사한 수정은 첨부된 청구범위에 정의된 바와 같이 여전히 본 발명의 범주 내에 있을 것이다.
[ 부호의 설명 ]
10: 전자 디바이스 11: 마이크로폰21: 프로세서 22: 메모리23: 프로그램 코드 24: 저장된 데이터33: 스피커 106: 저장 매체 또는 채널108: 디코더 110: 입력 오디오 신호112: 비트 스트림 114: 출력 오디오 신호201: 프레임 분할기 203: 파라미터 결정기205: 파라미터 인코더 403: 코드 벡터 결정기451: 벡터 발생기 453: 격자 벡터 양자화기
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장치는 적어도 하나의 오디오 신호를 규정하는 파라미터의 적어도 하나의 벡터를 발생하도록 구성된 벡터 발생기; 파라미터의 연계된 적어도 하나의 순서화된 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 벡터 절대 튜플의 순서화에 따라 파라미터의 적어도 하나의 벡터를 정렬하도록 구성된 격자 벡터 양자화기를 포함하고, 격자 벡터 양자화기는 리더 클래스의 리스트로부터 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터를 선택하도록 구성되고; 격자 벡터 양자화기는 적어도 하나의 포텐셜 코드 벡터와 파라미터의 적어도 하나의 순서화된 벡터 사이의 거리를 결정하도록 구성되고; 격자 벡터 양자화기는 최소 연계된 거리를 발생하는 포텐셜 코드 벡터와 연계된 적어도 하나의 리더 클래스를 결정하도록 구성되고; 격자 벡터 양자화기는 출력 격자 양자화된 코드 벡터를 발생하기 위해 적어도 하나의 리더 클래스를 전치하도록 구성된다.
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[ 발명의 명칭 ]
화장품 용기COSMETIC CONTAINER
[ 기술분야 ]
본 발명은 화장품 용기에 관한 것이다.
[ 배경기술 ]
사용자가 효과적으로 그리고 쾌적하게 용기를 조작하여 마스카라등의 화장료를 도포할 수 있게 하는 것은, 화장료 도포용의 화장품 용기에 있어서 중요하다.예를 들면, 특허문헌 1에서, 볼품이 양호하고, 피도포부가 면과 같은 경우에도 도포하기 쉬운 도포용 용기가 제안되고 있다.
[ 선행기술문헌 ]
[ 특허문헌 ]
일본공개특허 특개 2008-67959호 공보
[ 발명의 개요 ]
[ 해결하려는 과제 ]
그런데, 사용자가 도포용의 화장품 용기를 사용할 때에는, 용기를 파지(把持)하고(스텝 1), 용기로부터 도포구를 꺼내고(스텝 2), 도포구에 화장료를 묻히고(스텝 3), 얼굴등에 화장료를 도포하고(스텝 4), 도포 후에 도포구를 격납한다(스텝 5)고 하는 일련의 동작이 필요하다. 그러나, 종래 기술에서는, 스텝 3과 스텝 4에 대한 개선은 제안되고 있으나, 스텝 1, 2 및 5에 관련된 문제에 대한 개선은 불충분했다.본 발명은, 상기에 입각하여, 도포용의 화장품 용기를 파지하는 공정, 용기에서 도포구를 꺼내는 공정, 도포구를 격납하는 공정에 있어서, 사용자가 효과적이며 쾌적하게 사용할 수 있는 화장품 용기를 제공하는 것이다.
[ 과제의 해결 수단 ]
제1의 발명은, 사용자의 한 손으로 잡을 수 있는 화장품 용기로서, 도포구가 배치되고, 길이방향에 수직인 방향의 단면이 거의 원형으로 형성된 제1 용기와, 상기 제1 용기와 착탈 자유롭게 결합되고, 상기 제1 용기보다 길이가 길며, 길이방향에 수직인 방향의 단면이 거의 원형으로 형성되고, 도포용 물질이 저장된 제2 용기를, 구비하고, 상기 제1 용기와 상기 제2 용기가 결합되었을 때의 화장품 용기의 외형이 거의 방추형으로 형성되며, 상기 화장품 용기의 길이에 있어서, 상기 제1 용기의 길이는 30% 이상 45% 이하를 차지하고, 상기 제2 용기의 길이는 55% 이상 70% 이하를 차지하도록 형성되고, 상기 화장품 용기의 길이방향의 중간 위치를 제1 중간 위치라 하고, 상기 제1 중간 위치와 상기 화장품 용기의 폐색단부까지의 길이의 중간 위치를 제2 중간 위치라 하며, 상기 제2 중간 위치와 상기 폐색단부까지의 길이의 중간 위치를 제3 중간 위치라고 했을 때, 상기 제1 중간위치에서의 직경(Φ2)이 상기 화장품 용기에서의 최대 직경이고, 상기 제2 중간위치에서의 직경(Φ3)의 상기 직경(Φ2)에 대한 비율(Φ3/Φ2)이 0.85 이상 0.90 이하이며, 상기 제3 중간위치에서의 직경(Φ4)의 상기 직경(Φ2)에 대한 비율(Φ4/Φ2)이 0.52 이상 0.56 이하이고, 상기 제1 용기의 개구단부와 상기 제2 용기의 개구단부가 접하는 위치에서의 직경(Φ5)의 상기 직경(Φ2)에 대한 비율(Φ5/Φ2)이, 0.94 이상 0.98 이하가 되도록 형성된 화장품 용기이다.본 발명의 발명자는, 전체적으로 봉상(棒狀)이며, 한 손으로 잡을 수 있는 화장품 용기에 대하여, 화장품 용기 조작시의 인간의 손바닥 및 손가락의 움직임과 화장품 용기의 구조와의 관계를 연구하고, 시행 착오한 결과, 제1의 발명의 구성에 따르면, 화장품 용기를 파지하는 공정, 용기로부터 도포구를 꺼내는 공정, 도포구를 격납하는 공정에 있어서, 사용자가 효과적이며 쾌적하게 사용할 수 있다는 것을 알아냈다. 제2의 발명은, 제1의 발명의 구성에서, 상기 제1 용기 및 상기 제2 용기는, 각각 거의 유사 형상으로 형성된 내측부재와 외측부재를 갖고, 상기 외측부재는 투명성을 갖는 재료로 형성되며, 상기 외측부재의 대부분의 벽두께는, 상기 직경(Φ2)의 8% 이상 9.5% 이하인 화장품 용기이다.본 발명의 발명자는, 사용자가 화장품 용기를 잡을 때 손가락에 가해지는 힘과 화장품 용기가 사용자에게 주는 시각적 효과의 관계를 연구하여, 외측부재가 투명성을 갖는 경우에, 외측부재가 불투명한 경우에 비해, 조금 큰 힘이 손가락에 가해지고, 화장품 용기 조작에 호적(好適)하다는 것을 알아냈다. 이것은, 투명성을 갖는 외측부재에 의해, 사용자에게 외측부재보다 내측부재를 보다 강하게 의식시키는 것에 기인하는 것이라고 생각된다. 그리고, 한 손으로 잡을 수 있는 정도의 봉상의 화장품 용기에 있어서, 외측부재의 대부분의 벽두께가 화장품 용기의 최대 직경(Φ2)의 8% 이상 9.5% 이하인 경우에, 화장품 용기 조작에 있어 호적한 힘이 가해지는 것에 적합하다는 것을 알아냈다. 호적한 힘이 손가락에 가해짐으로써, 제1 용기와 제2 용기의 결합 및 이탈이 효과적이며 쾌적하게 이루어진다. 제3의 발명은, 제2의 발명의 구성에서, 상기 제1 용기와 상기 제2 용기는, 일방의 수나사가 타방의 암나사와 나사결합 함으로써 결합되도록 형성되어 있고, 상기 내측부재의 개구단부 근방의 외주에 원형의 돌출부가 형성되고, 상기 외측부재의 개구단부 근방의 내주에 원형의 오목홈이 형성되고, 상기 돌출부에는, 적어도 1개의 오목부가 형성되고, 상기 오목홈에는, 상기 오목부와 동일한 수의 돌기부가 형성되고, 상기 돌출부와 상기 오목홈이 결합함으로써, 상기 내측부재와 상기 외측부재가 상기 화장품 용기의 길이방향으로 어긋나는 것이 방지되고, 상기 오목부와 상기 볼록부가 결합함으로써, 상기 내측부재와 상기 외측부재가 상대적으로 회전하는 것이 방지되도록 구성되어 있는 화장품 용기이다.제3 발명의 구성에 의하면, 내측부재와 외측부재를 결합하기 위한 구성이 개구단부 근방에 배치되어 있고, 외측부재가 투명성을 가지므로, 사용자가 그 구성을 육안으로 확인할 수 있다. 사용자가 제1 용기와 제2 용기의 결합 및 이탈 조작을 행할 때, 개구단부 근방에 힘을 가하는 것이 바람직하다. 본 발명의 구성에 따르면, 내측부재와 외측부재를 결합하기 위한 구성이, 개구단부 근방을 나타내는 표시가 되어, 사용자가 신속하게 적절한 부분에 힘을 가할 수 있게 한다.
[ 발명의 효과 ]
본 발명에 따른 화장품 용기에 의하면, 화장품 용기를 파지하는 공정, 용기로부터 도포구를 꺼내는 공정, 도포구를 격납하는 공정에 있어서, 사용자가 효과적이며 쾌적하게 사용할 수 있다.
[ 도면의 간단한 설명 ]
도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 화장품 용기의 개략 전체도이다.도 2는, 제1 용기와 제2 용기의 개구단부의 단면을 나타내는 개략도이다.도 3은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 화장품 용기의 내부를 나타내는 개략 전체도이다.도 4는, 제1 용기의 외부부재의 개략 단면이다.도 5는, 제1 용기의 내부부재의 개략 단면 및 외주의 일부를 나타내는 개략도이다.도 6은, 제2 용기의 외부부재를 나타내는 개략 단면도이다.도 7은, 제2 용기의 내부부재를 나타내는 개략 단면 및 외주의 일부를 나타내는 개략도이다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 호적한 실시형태를 설명한다.도 1 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 화장품 용기(1)는, 제1 용기(10)와 제2 용기(50)로 구성되고, 좌우 대칭의 방추형으로 형성된다. 화장품 용기(1)의 길이방향(도 3의 X축 방향)과 수직인 방향의 단면은 거의 원형이다. 즉, 도 2에 나타낸 바와 같이, 제1 용기(10) 및 제2 용기(50)의 길이방향에 수직방향의 단면 형상은 거의 원형이다. 또한, 제2 용기(50)는, 제1 용기(10)보다 길이가 길고, 도포용 물질(화장료)이 저장된다. 도포용 물질은, 예를 들면, 마스카라이다. 화장품 용기(1)의 크기는, 한 손으로 잡을 수 있는 정도이고, 휴대 가능하다. 제1 용기(10)와 제2 용기(50)는 수나사와 암나사로 착탈 자유롭게 결합하도록 구성되어 있으며, 결합시킬 때, 및, 결합을 해제시켜 이탈시킬 때에는, 예를 들면, 제2 용기(50)를 왼손의 새끼손가락 이외의 4개 손가락으로 잡고, 제1 용기(10)를 오른손의 엄지, 집게 손가락, 및 중지로 회전시킨다.도 3에 나타낸 바와 같이, 제1 용기(10)는, 외부부재(12) 및 내부부재(14)로 구성된다. 내부부재(14)에는 브러쉬 스틱(16)이 배치되고, 그 선단에 도포구로서의 브러쉬(20)가 배치되어 있다.제2 용기(50)는, 외부부재(52) 및 내부부재(54)로 구성되고, 내부부재(54)에는 마스카라(미도시)가 저장되어 있다. 내부부재(54)의 개구단부 근방에는, 패킹(56)이 배치되어 있고, 브러쉬(20)에 부착되는 마스카라를 적당한 양으로 제어하도록 되어 있다. 브러쉬(20)가 패킹(56)을 통과함으로써, 여분의 마스카라가 내부부재(54)내로 떨어지고, 적당량의 마스카라가 브러쉬(20)에 잔존한다.화장품 용기(1)의 각 부재는, 수지로 형성된다. 외부부재(12) 및 외부부재(52)는, 투명도가 높은 수지 재료, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)를 사출 성형하여 형성된다. 내측부재(14)는, 예를 들면, 아크릴로니트릴Φ부타디엔Φ스티렌(ABS)을 사출 성형하여 형성된다. 내부부재(54)는, 예를 들면, 폴리프로필렌(PP)을 사출 성형하여 형성된다. 내부부재(14) 및 내부부재(54)는 불투명하고, 예를 들면, 광택색이 부가되어 있다. 외부부재(12) 및 외부부재(52)를 통해서, 내부부재(14) 및 내부부재(54)를 육안으로 확인할 수 있다.제1 용기(10)의 개구단부 근방에는 암나사가 형성되고, 제2 용기(50)의 수나사와 나사결합하도록 되어 있다. 쌍방의 나사의 나사결합에 의해, 제1 용기(10)와 제2 용기(50)가 착탈 자유롭게 결합한다.본 실시형태에서, 화장품 용기(1)의 전체길이(L1)(도 1 참조)는, 115.2mm이다. 제1 용기(10)의 길이(L6)는, 전체길이(L1)의 30% 이상 45% 이하가 바람직하고, 본 실시형태에서는 43.2mm이다. 제2 용기(50)의 길이(L5)는, 전체길이(L1)의 55% 이상 70% 미만이 바람직하고, 본 실시형태에서는 72mm이다.도 1에 나타낸 바와 같이, 길이(L2)는 길이(L1)의 50%의 길이이고, 길이(L3)는 길이(L2)의 50% 길이이며, 길이(L4)는 길이(L3)의 50%의 길이이다. 화장품 용기(1)의 어느 한 쪽 단부로부터, 길이(L2)의 위치를 제1 중간위치라 하고, 길이(L3)의 위치를 제2 중간위치라 하고, 길이(L4)의 위치를 제3 중간위치라 한다. 제1 중간위치에서의 직경(Φ2)이 화장품 용기(1)의 최대 직경이고, 화장품 용기(1)의 단부로 갈수록 직경이 작아진다. 제2 중간위치에서의 직경(Φ3)의 직경(Φ2)에 대한 비율(Φ3/Φ 2)은, 0.85이상 0.90 이하가 바람직하고, 본 실시형태에서는, Φ3가 18.1mm, Φ2가 20.7mm이고, Φ3/Φ2는 0.87이다. 제3 중간위치에서의 직경(Φ4)의 직경(Φ2)에 대한 비율(Φ4/Φ2)은, 0.52이상 0.56 이하가 바람직하고, 본 실시형태에서의 Φ4는 11.2mm이고, Φ4/Φ2는 0.54이다.또한, 제1 용기(10)의 개구단부와 제2 용기(50)의 개구단부가 접하는 위치에서의 직경(Φ5)의 직경(Φ2)에 대한 비율(Φ5/Φ2)은 0.94이상 0.98 이하가 바람직하고, 본 실시형태에서의 Φ5는 19.9mm이고, Φ5/Φ2는 0.96이다.본 발명의 발명자는, 한 손으로 잡을 수 있는 정도의 봉상의 화장품 용기중, 화장료가 저장되는 저장용기(본 실시형태의 제2 용기(50)에 상당한다.)와, 브러쉬가 붙어 있는 브러쉬 용기(본 실시형태의 제1 용기(10)에 상당한다.)로 이루어지는 화장품 용기에 대하여, 조작시의 인간의 손바닥 및 손가락의 움직임과 화장품 용기의 구조 관계를 연구하였다. 그 결과, 예를 들면, 오른손잡이의 사용자에 있어서는, 저장용기를 왼손의 새끼손가락 이외의 4개의 손가락으로 잡고, 브러쉬 용기를 오른손의 엄지, 집게 손가락, 및 중지로 회전시키는 경우가 많다는 것을 발견하고, 그리고 조작시에 있어서의 좌우의 손의 형상의 변화나 움직임에 대하여 연구하였다. 왼손의 4개의 손가락으로 저장용기를 잡을 때, 손바닥과 4개의 손가락으로 자연스럽게 형성되는 공간의 형상은 원통 형상이 아닌, 엄지 방향이 확장된 거의 원추형상이다. 또한, 오른손에 대해서도, 3개의 손가락으로 자연스럽게 형성되는 공간의 형상은 원통 형상이 아닌, 거의 원추형상이다. 그리고, 저장용기의 외형 형상은, 그러한 거의 원추형상에 호적한 것이, 손바닥 및 손가락의 자연스러운 형상에 정합되어, 바람직하다. 본 발명의 발명자는, 이러한 분석에 기초하여 시행 착오 결과, 화장품 용기 전체적으로 상기와 같이 규정된 방추형상이고, 저장용기와 브러쉬 용기와의 치수 비율도 상기의 수치 범위일 때, 사람의 손 구조에 근거한 인간공학적 관점에서, 화장품 용기를 파지하는 공정, 용기로부터 도포구를 꺼내는 공정, 도포구를 격납하는 공정에 있어서, 사용자가 효과적이며 쾌적하게 사용할 수 있다는 것을 알아냈다. 외부부재(12)의 대부분의 벽두께(d1)(도 4 참조) 및 외부부재(52)의 대부분의 벽두께(d2)(도 6 참조)는, 직경(Φ2)의 8% 이상 9.5% 이하로 규정된다. 대부분이란, 외부부재(12) 및 외부부재(52)의 폐색단부 및 개구단부 근방 이외의 부분을 의미한다. 바람직하게는, 벽두께(d1)는 직경(Φ2)의 8% 이상 9% 이하이고, 벽두께(d2)는 직경(Φ2)의 8.5% 이상 9.5% 이하다. 또한, 벽두께(d1)가 벽두께(d2)보다 조금 작은 것이 바람직하고, 본 실시형태에서는, 벽두께(d1)는 1.75mm, 직경(Φ2)의 8.5%이고, 벽두께(d2)는 1.90mm, 직경(Φ2)의 9.2%이다.본 발명의 발명자는, 사용자가 화장품 용기를 잡을 때 손가락에 가하는 힘과 화장품 용기가 사용자에게 주는 시각적 효과의 관계를 연구하였다. 그 결과, 외측부재(12) 및 외측부재(52)가 투명성을 갖는 경우, 외측부재(12) 및 외측부재(52)가 불투명한 경우에 비해, 조금 큰 힘이 손가락에 가해져, 화장품 용기(1)의 조작에 호적하다는 것을 알아냈다. 이것은, 투명 부재의 존재가, 사용자에 대하여, 외측부재(12,52)를 통해 육안으로 확인하게 되는 내측부재(14,54)를 보다 강하게 의식시키는 것에 기인하는 것이라 생각된다. 그리고, 화장품 용기(1)에서, 외측부재(12,52)의 대부분의 벽두께가 상술한 수치범위 내에 있을 때, 사용자가 호적한 힘을 외부부재(12,52)에 가한다는 것을 알아냈다. 호적한 힘이 손가락에 가해짐으로써, 제1 용기(10)와 제2 용기(50)의 결합 및 이탈이 실패하지 않고 효과적이며 쾌적하게 실시된다.도 4에 나타낸 바와 같이, 제1 용기(10)의 외측부재(12)의 폐색단부에는 내측으로 돌출하는 돌기(12a)가 형성되어 있으며, 개구단부 근방의 내주에는 거의 반원상의 오목홈(12b)이 형성되어 있다. 오목홈(12b)에는 거의 반구상의 볼록부(12c)가 형성되어 있다. 즉, 오목홈(12b)에 있어서, 볼록부(12c)의 부분만은 솟아올라 있다. 볼록부(12c)는, 적어도 하나 형성되고, 본 실시형태에서 볼록부(12c)는, 거의 반원상의 홈(12b)에서, 90° 각도 마다 1개 배치되어 있다.도 5의 상측 도는, 제1 용기(10)의 내측부재(14)의 개략 단면도이다. 내측부재(14)의 폐색단부에 외측을 향해 개방되어 있는 오목부(14a)가 배치되어 있다. 오목부(14a)는, 외측부재(12)와 내측부재(14)가 결합할 때 돌기(12a)와 결합하게 되어 있다. 내측부재(14)의 개구단부 근방의 외주에는 반원상의 돌출부(14b)가 형성되어 있다. 이 돌출부(14b)는, 외측부재(12)와 내측부재(14)가 결합할 때 오목홈(12b)과 결합하게 되어 있다. 도 5의 하측 도는, 내측부재(14)의 외주의 일부를 나타내는 개략 확대도이다. 돌출부(14b)에는 거의 반구상의 오목부(14c)가 형성되어 있다. 즉, 돌출부(14)에 있어서, 오목부(14c)의 부분만은, 높이가 낮게 되어 있다. 오목부(14c)는, 상술한 돌기부(12c)와 동일한 수, 동일한 각도로 배치되어 있고, 외측부재(12)와 내측부재(14)가 결합할 때 볼록부(12c)와 결합하게 되어 있다. 원형의 돌출부는, 그 폭이 화장품 용기(1) 전체길이(L1)의 1.8% 이상 2.5% 이하로 규정되어 있다.오목홈(12b)과 돌출부(14b)가 결합함으로써, 외측부재(12)와 내측부재(14)가 화장품 용기(1)의 길이방향으로 어긋나는 것이 방지되고, 볼록부(12c)와 오목부(14 c)가 결합함으로써, 외측부재(12)와 내측부재(14)가 상대적으로 회전하는 것이 방지되도록 되어 있다.도 6에 나타낸 바와 같이, 제2 용기(50)의 개구단부 근방의 내주에는 거의 반원상의 오목홈(52b)이 형성되어 있다. 오목홈(52b)에는 거의 반구상의 돌기부(52c)가 형성되어 있다. 즉, 오목홈(52b)에 있어서, 돌기부(52c)의 부분만은, 솟아올라 있다. 돌기부(52c)는, 적어도 하나 형성되나, 본 실시형태에서 돌기부(52c)는, 거의 반원상의 오목홈(52b)에서, 90°각도 마다 1개 배치되어 있다.도 7의 상측 도는, 제2 용기(50)의 내측부재(54)의 일부를 나타내는 개략 단면도이다. 제2 용기(50)의 내측부재(54)의 개구단부 근방의 외주에는 거의 반원상의 돌출부(54b)가 형성되어 있다. 이러한 돌출부(54b)는, 외측부재(52)와 내측부재(54)가 결합할 때 오목홈(52b)과 결합하게 되어 있다. 도 7의 하측 도는, 내측부재(54)의 외주의 일부를 나타내는 개략 확대도이다. 돌출부(54b)에는 거의 반구상의 오목부(54c)가 형성되어 있다. 즉, 돌출부(54b)에 있어서, 오목부(54c)의 부분만은, 높이가 낮게 되어 있다. 오목부(54c)는, 상술한 돌기부(52c)와 동일한 수, 동일한 각도로 배치되어 있고, 외측부재(52)와 내측부재(54)가 결합할 때 돌기부(52c)와 결합하게 되어 있다. 원형의 돌출부는, 그 폭이 화장품 용기(1) 전체길이(L1)의 1.8% 이상 2.5% 이하로 규정되어 있다.오목홈(52b)와 돌출부(54b)가 결합함으로써, 외측부재(52)와 내측부재(54)가 화장품 용기(1)의 길이방향으로 어긋나는 것이 방지되고, 돌기부(52c)와 오목부(54c)가 결합함으로써, 외측부재(12)와 내측부재(14)가 상대적으로 회전하는 것이 방지되게 되어 있다.상술한 바와 같이, 내측부재(14,54)와 외측부재(12,52)를 결합하기 위한 구성이 제1 용기(10)(제2 용기(50))의 개구단부 근방에 배치되어 있고, 외측부재(12,52)가 투명성을 갖기 때문에, 돌출부(14b, 54b)와 오목홈(12b, 52b)으로 형성되는 구조가 윤상(輪狀)의 모양이 되어 나타나고, 돌기부(12c, 52c)와 오목부(14c,52c)로 형성되는 구조가, 상술한 윤상의 모양내에서 점상의 모양이 되어 나타난다. 사용자는, 이들 모양을 육안으로 확인할 수 있다. 사용자가 제1 용기(10)와 제2 용기(50)의 결합 및 이탈 조작을 할 때, 제1 용기(10) 및 제2 용기(50)에 있어서, 각각, 최대 직경으로 되어 있는 개구단부 근방에 힘을 가하는 것이 효과적이나, 제1 용기(10)와 제2 용기(50)를 결합하기 위한 구성이, 개구단부 근방을 육안으로 확인하기 위한 표시가 되어, 사용자가 신속하게 적절한 부분에 힘을 가할 수 있게 된다.본 발명의 화장품 용기는, 상기 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위내에서 다양한 변경을 가할 수 있다.
[ 부호의 설명 ]
1 화장품 용기10 제1 용기12 외부부재14 내부부재50 제2 용기52 외부부재54 내부부재
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본 발명은, 화장품 용기를 파지하는 공정, 용기로부터 도포구를 꺼내는 공정, 도포구를 격납하는 공정에 있어서, 사용자가 효과적으로 쾌적하게 사용할 수 있는 화장품 용기를 제공하는 것이다. 본 발명의 화장품 용기는, 사용자의 한 손으로 잡을 수 있는 화장품 용기로서, 도포구가 배치되고, 길이방향에 수직인 방향의 단면이 거의 원형으로 형성된 제1 용기와, 상기 제1 용기와 착탈 자유롭게 결합하고, 상기 제1 용기보다 길이가 길고, 길이방향에 수직인 방향의 단면이 거의 원형으로 형성되고, 도포용 물질이 저장되는 제2 용기, 를 구비하고, 상기 제1 용기와 상기 제2 용기가 결합했을 때의 화장품 용기의 외형이 거의 방추형으로 형성되고, 제1 용기의 길이, 제2 용기의 길이, 및 각부의 직경이 소정의 수치 범위로 규정되어 있다.
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[ 발명의 명칭 ]
타겟 상으로의 프로젝션을 위해 콘텐츠를 트리밍TRIMMING CONTENT FOR PROJECTION ONTO A TARGET
[ 기술분야 ]
본원에서 개시되는 실시예들은 일반적으로 프로젝션들을 프로젝션 타겟에 피팅(fitting)하는 것에 관한 것이다. 특히, 본원에서 개시되는 실시예들은 타겟의 경계들 내의 프로젝션을 위해 콘텐츠를 트리밍(trim)할 수 있다.
[ 배경기술 ]
모바일 디바이스들로부터의 이미지들 또는 콘텐츠를 타겟 객체 상에 프로젝팅하기 위해, 개인용, 모바일, 또는 피코 프로젝터들이 모바일 디바이스들과 함께 이용될 수 있다. 프로젝팅되는 이미지들 또는 콘텐츠는 사용자들의 모바일 디바이스 상에서 현재 이용가능한 것보다 더 큰 뷰를 사용자에게 제공할 수 있거나 또는 사용자가 자신들의 모바일 디바이스로부터의 이미지들 또는 콘텐츠를 공유하게 할 수 있다. 모바일 프로젝터들은 또한, 증강 현실(AR) 애플리케이션들을 향상시키기 위해 이용될 수 있다. AR은 사용자로 하여금 그들이 세계와 상호작용하는 방식을 변화시키도록 허용하는 유망 기술이다. AR은 자연적 실세계 환경의 라이브(live)의 직접적 또는 간접적 뷰이며, 엘리먼트들은 사운드, 비디오, 그래픽들, 또는 GPS 데이터와 같은 컴퓨터-생성 센서 입력에 의해 증강된다. 일부 사용들에서, AR은, 사용자 주변의 환경의 이미지들을 캡쳐하고, 그 다음으로, 증강을 위해 그 캡쳐된 이미지들의 객체들을 인식하기 위한 객체 인식 알고리즘들을 이용하는 이미지 캡쳐 디바이스를 갖는 디바이스에 의해 인에이블된다. 그 다음으로, 예컨대, 인식된 객체들에 기초하여 증강된 뷰의 부분들을 이용하여 디바이스의 디스플레이 상에서 사용자 주변의 환경의 뷰가 사용자에게 제공될 수 있다. 모바일 프로젝터들은, 스크린 상에 증강 환경의 뷰를 디스플레이하는 대신에 또는 스크린 상에 증강 환경의 뷰를 디스플레이하는 것에 추가하여, 객체를 인식하고 콘텐츠를 실제 객체 상에 프로젝팅하는 것을 허용할 수 있다.
[ 발명의 개요 ]
일부 실시예들과 일치하는 방법이 제공되며, 방법은 프로젝션 타겟을 결정하는 단계, 프로젝션 타겟의 하나 또는 그 초과의 경계(bound)들을 결정하는 단계, 결정된 하나 또는 그 초과의 경계들에 기초하여, 콘텐츠 영역 및 보이드 영역(void area)을 결정하는 단계, 스케일링 팩터(scaling factor)를 결정하는 단계, 스케일링 팩터에 기초하여 콘텐츠 영역 내의 프로젝션을 위해 콘텐츠를 생성하는 단계, 및 보이드 영역을 생성하는 단계를 포함한다. 방법은 또한, 유형적(tangible)인 비-일시적 컴퓨터-판독가능 매체에서 구현될 수 있다.일부 실시예들과 일치하는 장치가 또한 제공되며, 장치는 프로젝션 타겟의 하나 또는 그 초과의 프로젝션 파라미터들에 기초하여 콘텐츠 영역 및 보이드 영역을 프로젝팅하도록 구성된 프로젝터를 포함한다. 장치는 또한, 프로젝션 타겟을 포함하는 시야(field of view)의 하나 또는 그 초과의 이미지들을 캡쳐하도록 구성된 카메라, 프로젝터 및 카메라에 커플링된 하나 또는 그 초과의 프로세서들 ― 하나 또는 그 초과의 프로세서들은 하나 또는 그 초과의 프로젝션 파라미터들을 결정하도록 구성됨 ―, 및 하나 또는 그 초과의 프로세서들에 커플링된 메모리를 포함한다.일부 실시예들과 일치하는 시스템이 추가로 제공되며, 시스템은 프로젝션 타겟을 결정하기 위한 수단을 포함한다. 시스템은 또한, 프로젝션 타겟의 하나 또는 그 초과의 경계들을 결정하기 위한 수단, 결정된 하나 또는 그 초과의 경계들에 기초하여, 콘텐츠 영역 및 보이드 영역을 결정하기 위한 수단, 및 스케일링 팩터를 결정하기 위한 수단을 포함한다. 시스템은, 스케일링 팩터에 기초하여 콘텐츠 영역 내의 프로젝션을 위해 콘텐츠를 생성하기 위한 수단, 및 보이드 영역을 생성하기 위한 수단을 더 포함한다.
[ 도면의 간단한 설명 ]
도 1은 일부 실시예들과 일치하는 프로세싱 시스템을 예시하는 도면이다.도 2a 내지 도 2d는 일부 실시예들과 일치하는, 타겟 객체 상의 영역의 경계들 내에 피팅하기 위해 콘텐츠를 트리밍하는 것의 예를 예시한다.도 3a 및 도 3b는 일부 실시예들과 일치하는, 객체 상에 피팅하기 위해 콘텐츠를 트리밍하는 것의 예를 예시한다.도 4a 및 도 4b는 일부 실시예들과 일치하는, 객체의 경계들 외측에 피팅하기 위해 콘텐츠를 트리밍하는 것의 예를 예시한다.도 5a 및 도 5b는 일부 실시예들과 일치하는, 콘텐츠를 트리밍하는 것의 예를 예시한다.도 6a 및 도 6b는 손의 경계들 내에 피팅하기 위해 콘텐츠를 트리밍하는 것의 예를 예시한다.도 7a 내지 도 7d는 일부 실시예들과 일치하는, 검출된 제스처에 기초하여 콘텐츠를 트리밍하는 것의 예를 예시한다.도 8a 및 도 8b는 일부 실시예들과 일치하는, 다수의 객체들 상에 피팅하기 위해 콘텐츠를 트리밍하는 것의 예를 예시한다.도 9a 및 도 9b는 일부 실시예들과 일치하는, 객체의 다수의 부분들 상에 피팅하기 위해 콘텐츠를 트리밍하는 것의 예를 예시한다.도 10a 및 도 10b는 일부 실시예들과 일치하는, 다수의 객체들 상에 피팅하기 위해 다수의 이미지들을 갖는 콘텐츠를 트리밍하는 것의 예를 예시한다.도 11은 일부 실시예들과 일치하는, 콘텐츠를 트리밍하기 위한 방법을 예시하는 흐름도이다.도 12는 일부 실시예들과 일치하는, 객체 상에 마스킹된 이미지를 프로젝팅하기 위한 방법을 예시하는 흐름도이다.도 13은 일부 실시예들과 일치하는, 타겟 상에 마스킹된 경보를 프로젝팅하기 위한 방법을 예시하는 흐름도이다.도 14는 일부 실시예들과 일치하는, 검출된 제스처에 기초하여 타겟 상에 마스킹된 콘텐츠를 프로젝팅하기 위한 방법을 예시하는 흐름도이다.도면들에서, 동일한 표기들을 갖는 엘리먼트들은 동일한 또는 유사한 기능들을 갖는다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
다음의 설명에서, 특정 실시예들을 설명하는 특정 세부사항들이 제시된다. 그러나, 개시되는 실시예들이 이러한 특정 세부사항들 중 일부 또는 모든 특정 세부사항들 없이 실시될 수 있음이 당업자에게 명백할 것이다. 제공되는 특정 실시예들은 제한이 아닌 예시적인 것으로 여겨진다. 당업자는, 본원에서 구체적으로 설명되지 않았지만 다른 자료가 본 개시내용의 범위 및 사상 내에 있음을 인식할 수 있다.앞서 언급된 바와 같이, 모바일 프로젝션 디바이스들은, 사용자들의 모바일 디바이스 상에서 현재 이용가능한 것보다 더 큰 뷰를 사용자에게 제공하기 위해 또는 증강 현실을 생성하도록 타겟 객체를 증강시키기 위해, 모바일 디바이스들로부터의 이미지들 또는 콘텐츠를 타겟 객체 상에 프로젝팅하기 위하여 모바일 디바이스들과 함께 이용될 수 있다. 그러나, 프로젝션이 사용자 및 심지어 사용자 인근의 다른 사람들에게 불편할 수 있는 상황들이 존재한다. 예컨대, 공공 공간들에서의 프로젝션들은 다른 사람들을 산만하게 할 수 있거나 또는 다른 사람들이 프로젝션에 포함된 사적인 콘텐츠를 뷰잉하는 것을 가능하게 할 수 있다. 사용자만이 프로젝션을 뷰잉할 수 있는 프로젝션 타겟을 지정하려고 사용자가 시도할지라도, 사용자가 프로젝션을 용이하게 뷰잉하기에는 프로젝션이 너무 작게 스케일링될 수 있거나, 또는 프로젝션이 적절하게 스케일링되는 경우, 프로젝션이 여전히 타겟을 오버랩하여, 프로젝션이 타겟 너머의 영역들 상으로 유출될 수 있다.따라서, 특정 타겟의 경계들 내에 피팅하기 위해, 콘텐츠를 프로젝팅되는 이미지 내에 트리밍하기 위한 시스템들 및 방법들이 필요하다.도 1은 일부 실시예들과 일치하는 프로세싱 시스템(100)을 예시하는 도면이다. 프로세싱 시스템(100)은, 스마트폰, 태블릿 컴퓨터, 개인용 컴퓨터, 랩톱 또는 넷북들, 이를테면 케이블 또는 위성 콘텐츠 제공자들에 의해 제공되는 셋톱 박스(STB) 또는 비디오 게임 시스템 콘솔들과 같은 모바일 디바이스일 수 있다. 프로세싱 시스템(100)은 또한, 머리 장착 디스플레이(HMD) 또는 다른 착용가능 컴퓨팅 디바이스일 수 있다. 일부 실시예들에서, 프로세싱 시스템(100)은 자동차, 예컨대, 자동차의 엔터테인먼트 센터 또는 콘솔로 구현되거나 또는 스마트 인슐린 펌프 또는 스마트 인슐린 미터와 같은 건강관리 디바이스로 구현되거나 또는 그에 포함된다. 일부 실시예들에 따르면, 프로세싱 시스템(100)은 이미지들을 캡쳐하고 콘텐츠를 프로젝팅하기 위해 구성된 하드웨어 및/또는 소프트웨어의 임의의 적절한 결합을 이용하여 구현될 수 있다. 특히, 프로세싱 시스템(100)은, 하나 또는 그 초과의 프로세서들을 가지며, 이미지들을 캡쳐하고 콘텐츠를 프로젝팅하기 위한 하나 또는 그 초과의 프로세서들에 의한 실행을 위해 비-일시적 머신-판독가능 매체 상에 저장된 명령들을 판독할 수 있는 하드웨어 및/또는 소프트웨어의 임의의 적절한 결합을 포함할 수 있다. 머신-판독가능 매체들의 일부 공통적인 형태들은 예컨대, 플로피 디스크, 플렉시블 디스크, 하드 디스크, 자기 테이프, 임의의 다른 자기 매체, CD-ROM, 임의의 다른 광학 매체, 펀치 카드들, 페이퍼 테이프, 정공들의 패턴들을 갖는 임의의 다른 물리적 매체, RAM, PROM, EPROM, FLASH-EPROM, 임의의 다른 메모리 칩 또는 카트리지, 및/또는 하나 또는 그 초과의 프로세서들 또는 컴퓨터가 판독하도록 적응된 임의의 다른 매체를 포함한다.프로세싱 시스템(100)은 네트워크와의 통신을 위해 구성된 네트워크 인터페이스 컴포넌트(102)를 포함할 수 있다. 일부 실시예들과 일치하는 네트워크 인터페이스 컴포넌트(102)는, 동축 케이블, 광섬유 케이블, DSL(digital subscriber line) 모뎀, PSTN(public switched telephone network) 모뎀, 이더넷 디바이스, 및/또는 다양한 다른 타입들의 유선 네트워크 통신 디바이스들과 인터페이스하도록 구성될 수 있다. 네트워크 인터페이스 컴포넌트(102)는 또한, 하나 또는 그 초과의 무선 트랜시버들을 포함할 수 있으며, 각각의 무선 트랜시버는 안테나를 포함할 수 있고, 안테나는 분리가능하거나 또는 통합되고 그리고 Wi-Fi™, 3G, 4G, HSDPA, LTE, RF, NFC와 같은 상이한 무선 네트워킹 프로토콜에 따라 정보를 송신 및 수신할 수 있다.일부 실시예들과 일치하는 프로세싱 시스템(100)은, 프로세싱 시스템(100) 내의 다양한 컴포넌트들을 상호연결하고 그리고 다양한 컴포넌트들 사이에서 정보를 통신하기 위한 시스템 버스(104)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 버스(104)는 SoC(System on Chip)로 구현되며, 하나 또는 그 초과의 프로세서들의 칩 및/또는 코어들 상의 다양한 엘리먼트들 또는 컴포넌트들을 연결한다. 컴포넌트들은 프로세싱 컴포넌트(106)를 포함할 수 있고, 프로세싱 컴포넌트(106)는 하나 또는 그 초과의 프로세서들, 중앙 프로세싱 유닛(CPU)들, 이미지 신호 프로세서(ISP)들, 마이크로-제어기들 또는 디지털 신호 프로세서(DSP)들, 그래픽 프로세싱 유닛(GPU)들 및 오디오 신호 프로세서들일 수 있으며, 오디오 신호 프로세서들은 아날로그 및/또는 디지털 오디오 신호 프로세서들을 포함할 수 있다. 컴포넌트들은 또한, 메모리 컴포넌트(108)를 포함할 수 있고, 메모리 컴포넌트(108)는 랜덤 액세스 메모리(RAM), 판독 전용 메모리(ROM), 앞서 설명된 바와 같은 광학, 자기, 고체-상태 또는 다른 메모리들에 대응할 수 있다.일부 실시예들과 일치하는 프로세싱 시스템(100)은 또한, 정보를 사용자에게 디스플레이하기 위한 디스플레이 컴포넌트(110)를 포함할 수 있다. 디스플레이 컴포넌트(110)는 액정 디스플레이(LCD) 스크린, 유기 발광 다이오드(OLED) 스크린(액티브 매트릭스 AMOLED 스크린들을 포함함), LED 스크린, 플라즈마 디스플레이, 또는 음극선관(CRT) 디스플레이일 수 있다. 디스플레이 컴포넌트(110)는 프로세싱 시스템(100)과 통합될 수 있거나, 또는 프로세싱 시스템(100)으로부터 분리되고 프로세싱 시스템(100)에 커플링될 수 있다. 프로세싱 시스템(100)은 또한, 사용자가 정보를 입력하고 디스플레이 컴포넌트(110)를 따라 내비게이팅하도록 허용하는 입력 및 내비게이션 컴포넌트(112)를 포함할 수 있다. 입력 및 내비게이션 컴포넌트(112)는 예컨대, 키보드 또는 키패드, 물리적이든 또는 가상이든, 마우스, 트랙볼, 또는 다른 이러한 디바이스, 또는 용량성 또는 다른 센서-기반 터치 스크린을 포함할 수 있다.프로세싱 시스템(100)은 또한, 시스템(100) 및/또는 시스템(100)의 주변환경과 연관된 데이터를 캡쳐하는 센서들(114)을 포함할 수 있다. 센서들(114)은 마이크로폰들 또는 오디오 센서들, 카메라들, 광 센서들, 근접 센서들, 주변광 센서들, 압력 센서들, 관성 센서들(예컨대, 가속도계들 및/또는 자이로스코프들), 자력계들 등(그러나, 이에 한정되지 않음)을 포함할 수 있다. 센서들(114)은 센서 어레이들 또는 임의의 다른 결합들과 같이, 개별적으로 또는 결합되어 이용될 수 있다. 센서들(114)은 상호의존적으로 또는 서로 독립적으로 동작할 수 있다. 센서들(114)은, 예컨대, 메모리 컴포넌트(108) 또는 다른 모듈들에 저장된 명령들과 일치하는 센서들(114)에 의해 캡쳐된 데이터를 프로세싱하기 위해 그리고 캡쳐된 데이터와 연관된 메타데이터를 생성하거나 또는 다른 방식으로 획득하기 위해 시스템 버스(104)를 통해 프로세싱 컴포넌트(106)와 통신할 수 있다.프로세싱 시스템(100)은 또한, 카메라(116)를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 카메라(116)는 가시광 카메라 또는 깊이-감지 카메라, 이를테면, Microsoft�� Xbox™ Kinect™ 카메라일 수 있다. 카메라(116)는 또한, 적외선(IR) 광 또는 자외선(UV) 광을 검출하도록 구성될 수 있다. 카메라(116)는 또한, 스테레오 카메라, ToF(time-of-flight) 카메라, 또는 이미지를 캡쳐하는 것을 검출할 수 있는 다른 카메라일 수 있다. 일부 실시예들에서, 카메라(116)는 프로세싱하기 위해 카메라(116)의 시야 내의 객체들의 하나 또는 그 초과의 이미지들을 캡쳐하도록 구성될 수 있다. 더욱이, 카메라(116)는 제스처 검출, 추적, 객체 인식, 및 다른 목적들을 위해 이미지들을 캡쳐하기 위해 이용될 수 있다. 카메라는 또한, 비디오와 같은 일련의 이미지들을 캡쳐할 수 있다.프로세싱 시스템(100)은 또한, 프로젝터(118)를 포함할 수 있다. 프로젝터(118)는 하나 또는 그 초과의 이미지들을 형성하기 위해 광을 프로젝팅할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 이미지들은, 프레임들의 집합으로서 프로젝팅되는 정지된 또는 움직이는 이미지들과 같은 콘텐츠를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 프로젝터(118)는 프로젝팅되는 이미지에 애니메이션 또는 움직임의 외관을 제공하기 위해, 프로젝팅되는 광의 배치를 변경할 수 있다. 프로젝터(118)는 DLP(Digital Light Processing) 프로젝터, LBS(laser beam-steering) 프로젝터, LCoS(liquid crystal on silicon) 프로젝터, 또는 다른 프로젝터일 수 있다. 일부 실시예들에서, 프로젝터(118)는 또한, 모바일 또는 휴대용 프로젝터일 수 있다. 일부 실시예들에서, 프로젝터(118)는 착용가능 프로젝터일 수 있다.프로세싱 시스템(100)은 또한, 프로젝션 생성(projection generation)(120), 객체 인식(object recognition)(122), 추적(tracking)(124), 트리밍(trimming)(126), 및 제스처 검출(gesture detection)(128)이 가능할 수 있다. 이러한 기능들은 프로세싱 컴포넌트(106)에 의해 실행될 때 기능을 수행하는 하나 또는 그 초과의 소프트웨어 모듈들에 의해 수행될 수 있다. 다른 실시예들에서, 기능들은, 기능을 수행하기 위해 명령들을 실행하기 위한 적어도 하나의 프로세서 및 메모리를 갖는 주문형 집적 회로(ASIC) 또는 다른 회로를 포함하는 소프트웨어 모듈을 나타낼 수 있다. 일부 실시예들에서, 프로젝션 생성(120)은 프로젝터(118)에 의한 프로젝션을 위해 하나 또는 그 초과의 이미지들을 생성하는 것을 포함할 수 있다. 생성된 하나 또는 그 초과의 이미지들은 타겟 객체 또는 영역 상에 프로젝팅하기 위한 콘텐츠일 수 있다. 일부 실시예들에서, 콘텐츠는 타겟 객체 또는 영역을 증강시키기 위한 콘텐츠일 수 있다. 콘텐츠는 또한, 이미지들 또는 이미지들의 시리즈, 이를테면, 비디오 또는 애니메이션일 수 있다. 일부 실시예들에서, 프로젝팅되는 콘텐츠는 2차원(2D) 또는 3차원(3D) 데이터로부터 생성된 콘텐츠의 프로젝션을 포함할 수 있다. 콘텐츠는 또한, 경보들, 메시지들, 사용자 인터페이스(UI) 엘리먼트들, 소셜 네트워킹 콘텐츠들 등일 수 있다. 콘텐츠는 또한, 미리 결정된 해상도로 타겟 객체 상에 프로젝팅되도록 트리밍될 수 있으며, 미리 결정된 해상도는 일부 실시예들에서, 타겟 객체 상에서의 디스플레이를 위한 최대 해상도일 수 있다.객체 인식(122)은 카메라(116)에 의해 캡쳐된 이미지들에 대해 하나 또는 그 초과의 객체 인식 알고리즘들을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 객체 인식(122)에서 수행되는 객체 인식 알고리즘들은, 피쳐(feature) 검출, 패턴 인식, 외관 매칭(appearance matching), 이미지 매칭 등을 이용하여, 하나 또는 그 초과의 이미지 프레임들에서 객체를 인식할 수 있다. 일부 실시예들에서, 객체 인식(122)에서 인식되는 객체들은 추적(124)을 위해 이용되는 객체들, 프로젝션의 타겟들로서 지정된 객체들, 및 증강을 위한 객체들일 수 있다. 일부 실시예들에서, 객체 인식(122)은 자동으로 객체들을 인식하고 인식된 객체들을 프로젝션 및/또는 증강을 위한 타겟들로서 지정하는 것을 포함할 수 있다.일부 실시예들에서, 프로세싱 시스템(100)의 사용자는, 예컨대, 디스플레이 컴포넌트(110)에 의해 프로세싱 시스템(100) 상에 디스플레이됨에 따라, 객체를 선택하거나 또는 다른 방식으로 객체와 상호작용함으로써, 시야 내의 객체를 프로젝션을 위한 타겟 또는 증강을 위한 객체로서 지정할 수 있다. 사용자가 증강을 위한 객체를 선택하는 경우, 객체 인식(122)은, 선택된 객체를 인식하고 그리고 객체와 관련된 정보에 의해 또는 제삼자(third party)에 의해 제공되는 정보에 기초하는 콘텐츠로 그 인식된 객체를 증강시키려고 시도하는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 객체 인식(122)은 객체 인식(122)을 수행하기 위해 그리고 객체와 관련된 콘텐츠를 찾기 위해 네트워크 인터페이스 컴포넌트(102)를 이용하여 네트워크와 통신하는 것을 포함할 수 있다.추적(124)은 시간에 걸쳐 타겟 영역 내의 객체들의 위치를 연관시키는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 추적(124)은, 심지어 프로젝터가 이동하거나 또는 타겟 객체들이 이동할지라도, 프로젝팅되는 콘텐츠가 하나 또는 그 초과의 지정된 타겟 객체들 상에 계속 프로젝팅되도록, 시간 기간에 걸쳐 타겟 영역에서의 객체들의 결정된 위치 및 배향에 기초하여 프로젝션을 제어하도록 구성될 수 있다. 추적(124)은 카메라(116)에 의해 캡쳐된 이미지들 그리고 일부 실시예들에서는 센서들(114)로부터의 정보에 기초하여 프로젝터(118)의 프로젝션을 제어할 수 있다. 일부 실시예들에서, 추적(124)은 카메라(116)에 의해 캡쳐된 이미지들 및/또는 가속도계 또는 자이로스코프와 같은 센서들(114)에 의해 획득된 정보를 이용하여 타겟 객체들에 관한 포즈(pose), 배향 및 깊이 정보를 추정하는 것을 포함할 수 있다. 추적(124)은, 증강 현실 콘텐츠를 생성하는 것을 비롯하여 프로젝터(118)에 의한 프로젝션을 제어하기 위해 프로젝션 생성(120)에서 나중에 이용될 수 있는 하나 또는 그 초과의 매트릭스들을 생성하는 것을 더 포함할 수 있다. 추적(124)은 카메라(116)로부터의 캡쳐된 이미지들 및/또는 센서들(114)로부터의 정보에 기초하여 프로젝션 생성(120)을 위해 콘텐츠를 스케일링하고, 회전시키고 그리고 평행이동시키는 것을 포함할 수 있다. 추적(124)은 캡쳐된 이미지에 기초하여 6 자유도(six degrees-of-freedom)를 결정하는 것 및 결정된 6 자유도에 기초하여 프로젝션을 위해 콘텐츠를 추적하는 것을 포함할 수 있다. 카메라(116)가 깊이 감지 카메라이거나 또는 깊이 감지 카메라를 포함하는 실시예들의 경우, 하나 또는 그 초과의 이미지들은 시야의 깊이 맵을 전개하도록 프로세싱될 수 있다. 깊이 맵은, 프로젝션의 적절한 포커스를 유지하는 것을 비롯하여 프로젝션을 추적 및 제어하기 위해 추적(124)에서 이용될 수 있다.트리밍(126)은, 프로젝션 생성에 의해 생성되어 프로젝션 디바이스에 의해 프로젝팅되는 콘텐츠가 타겟 객체의 경계들 내에 프로젝팅되도록 트리밍하기 위해 하나 또는 그 초과의 동작들을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 일반적으로, 트리밍(126)은, 콘텐츠 영역들로 지칭될 수 있는, 콘텐츠를 가질 프로젝션의 영역들, 및 어떠한 콘텐츠도 갖지 않을 프로젝션의 영역들인 보이드 영역들을 결정하는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 보이드 영역들은, 흑색(black) 또는 어두운(dark) 픽셀들이 프로젝팅되는 영역들일 수 있다. 어두운 픽셀들은 흑색 픽셀들을 포함할 수 있지만, 프로젝팅되는 콘텐츠의 평균 강도 또는 프로젝팅되는 콘텐츠의 에지들의 평균 강도보다 더 어두운 픽셀들을 또한 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 어두운 픽셀들은 RGB 색 스케일 상에서 80% 또는 그 초과로 어두운 색을 갖는 픽셀들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 어두운 픽셀들은 프로젝터(118)에 의해 프로젝팅되는 광의 색에 비해 어두운 색을 갖는 픽셀들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 보이드 영역들은 흑색 또는 어두운 스캔 라인들이 프로젝팅되는 영역들일 수 있다. 게다가, 일부 실시예들에서, 어두운 픽셀들은, 프로젝터(118)에 의해 어떠한 광도 프로젝팅되지 않는 영역일 수 있다. 예컨대, 픽셀을 제어하는 거울, 레이저, 또는 다른 컴포넌트는, 보이드 영역에 어두운 픽셀을 생성하기 위해 턴오프될 수 있다.일반적으로, 트리밍(126)은 타겟 객체의 형상 또는 아웃라인(outline)에 기초하여, 프로젝팅되는 이미지를 마스킹(mask)하기 위해 보이드 영역을 생성하는 것을 포함할 수 있다. 예컨대, 트리밍(126)은 타겟 객체의 형상을 결정하는 것, 결정된 형상에 기초하여 보이드 영역을 생성하는 것, 콘텐츠가 그 결정된 형상 내에 프로젝팅되고 그리고 실질적으로 어떠한 콘텐츠도 그 결정된 형상 외측에 프로젝팅되지 않는 한편 어두운 픽셀들이 그 결정된 형상 외측에 프로젝팅되도록 프로젝션을 마스킹하는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 형상은, 카메라(116)에 의해 캡쳐된 타겟 객체의 이미지로부터 타겟 객체의 아웃라인을 결정함으로써 결정될 수 있다. 다른 실시예들에서, 형상은, 메모리 컴포넌트(108)에 저장되거나 또는 시스템(100)과 통신하는 다른 디바이스로부터 수신되었을 수 있는 타겟 객체의 이미지로부터 타겟 객체의 아웃라인을 결정함으로써 결정될 수 있다. 일부 실시예들에서, 보이드 영역은 결정된 아웃라인보다 다소 더 크도록 또는 다소 더 작도록, 예컨대, 1 픽셀 더 크거나 또는 더 작도록 자동으로 설정될 수 있다. 일부 실시예들에서, 형상은 객체 인식(122)에 의해 결정될 수 있으며, 타겟 객체는 미리 결정된 형상 및 아웃라인을 갖는 알려진 형상으로서 인식된다. 일부 실시예들에서, 형상 및 따라서 보이드 영역은 타겟 객체 상에 특정한 마스킹된 콘텐츠를 프로젝팅하는 목적을 위해 제삼자, 이를테면, 제조자, 소매상 또는 콘텐츠 제공자에 의해 설정될 수 있다.트리밍(126)은 또한, 타겟 객체에 대한 거리에 기초하여 프로젝션을 스케일링하는 것을 포함할 수 있다. 이전에 설명된 바와 같이, 카메라(116)는, 미리 결정된 위치에서 그리고 적절한 포커스로 프로젝션을 유지하기 위해 추적(124)에 의해 이용될 수 있는 깊이 맵을 생성할 수 있는 깊이 카메라이거나 또는 깊이 카메라를 포함할 수 있다. 트리밍(126)은 또한, 타겟 객체 상에서 원하는 크기 또는 해상도를 갖도록 프로젝션을 스케일링하기 위한 스케일링 팩터를 결정하기 위해 깊이 맵을 이용할 수 있다. 게다가, 트리밍(126)은 깊이 맵의 배경으로부터 프로젝션 타겟을 세그먼트화함으로써, 깊이 맵을 이용하여 프로젝션 타겟의 형상을 결정할 수 있다. 일부 실시예들에서, 트리밍(126)은, 사용자가 최대 해상도로 프로젝션을 뷰잉하게 하기 위해 타겟 객체 상에서 최대 해상도와 같은 해상도를 갖도록 프로젝션을 스케일링한다. 트리밍(126)은 추가로, 콘텐츠 영역들 내에서 최대 해상도를 갖도록, 즉, 프로젝팅되는 콘텐츠가 보이드 영역들로 상당히 유출되지 않도록 프로젝션을 스케일링할 수 있다. 결과적으로, 일부 실시예들에서, 트리밍(126)은 프로젝션 타겟의 형상을 결정하는 것, 결정된 형상에 기초하는 프로젝션을 위해 콘텐츠 영역들 및 보이드 영역들을 결정하는 것, 프로젝션 타겟에 대한 거리를 결정하는 것, 및 결정된 거리 및 결정된 콘텐츠 영역에 기초하여 스케일링 팩터를 결정하는 것을 포함할 수 있다. 그 다음으로, 콘텐츠의 결정된 콘텐츠 영역들 및 보이드 영역들 및 결정된 스케일링 팩터는, 스케일링 팩터에 의해 결정된 해상도로 프로젝션 타겟의 경계들 내에 프로젝션을 위해 트리밍된 콘텐츠를 생성하기 위해 프로젝션 생성(120)에 의해 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 스케일링 팩터는 사용자 선호도들 또는 설정들에 기초하여 조정될 수 있다. 예컨대, 사용자가 특정 스케일링 팩터를 설정할 수 있으며, 그 특정 스케일링 팩터는, 설정된 스케일링 팩터에 의해 결정된 미리 결정된 해상도로 프로젝션을 위해 트리밍된 콘텐츠를 생성하기 위해 프로젝션 생성(120)에 의해 이용될 것이다.일부 실시예들에서, 객체 인식(122), 추적(124), 및 트리밍(126)은 프로젝터(118)에 의해 프로젝팅되는 콘텐츠를 정교화하기 위해 프로세싱 시스템(100)에서 이용될 수 있다. 예컨대, 카메라(116)는 프로젝션 타겟뿐만 아니라 프로젝터(118)에 의해 프로젝팅되는 콘텐츠의 하나 또는 그 초과의 이미지들을 캡쳐할 수 있다. 객체 인식(122), 추적(124), 및 트리밍(126)은, 프로젝팅되는 콘텐츠의 이러한 피쳐들을 정교화하기 위하여, 프로젝팅되는 콘텐츠의 스케일, 프로젝팅되는 콘텐츠의 포커스, 및 결정된 콘텐츠 영역들 및 보이드 영역들의 경계들을 결정하기 위해, 캡쳐된 하나 또는 그 초과의 이미지들에 대해 수행될 수 있다. 이러한 정교화된 피쳐들을 갖는 콘텐츠가 프로젝터(118)에 의해 프로젝팅될 수 있도록, 정교화된 피쳐들과 관련된 정보가 프로젝션 생성(120)에 제공될 수 있다. 이러한 정교화 결정(118)은 프로젝팅되는 콘텐츠의 프레임 레이트와 관련된 미리 결정된 레이트로 수행될 수 있거나 또는 가변 레이트로 수행될 수 있다. 예컨대, 프로세싱 시스템(100)은 각각의 정교화 결정 후에 정교화의 정도를 결정할 수 있고, 그 정도가 더 작아질수록, 정교화의 빈도가 감소될 수 있다. 다른 예로서, 객체 인식(122) 및/또는 추적(124)이 프로젝션 타겟의 크기 또는 위치의 상당한 변화 또는 시스템(100)의 포지션의 상당한 변화를 결정할 때, 정교화의 빈도가 증가될 수 있다.제스처 검출(128)은 카메라(116) 및/또는 센서들(114)에 의해 캡쳐되는 데이터의 통계량의 갑작스러운 변화를 검출하기 위해 카메라(116) 및/또는 센서들(114)에 의해 캡쳐되는 일련의 이미지들 또는 다른 정보를 프로세싱함으로써 제스처들을 검출하는 것을 포함할 수 있다. 통계량은 히스토그램, 평균 휘도, 휘도의 가변도 등일 수 있고, 제스처 검출(128)은 현재의 통계량을 이전의 통계량과 비교하는 것을 포함할 수 있으며, 이전의 통계량은, 카메라(116)로부터의 이미지 또는 센서들(114)로부터의 현재 캡쳐된 데이터 직전의 시간들에서 포착된 하나 또는 그 초과의 캡쳐된 데이터의 세트의 통계량의 결합으로서 계산될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제스처 검출(128)은 절대차, 통계량들의 세트의 각각의 절대차들의 합, 또는 히스토그램의 각각의 빈(bin)의 절대차들의 합을 계산함으로써 통계량들을 비교하는 것을 포함할 수 있고, 그 결과는 주변 조명 또는 디바이스 모션으로부터 초래된 차이들을 배제하기 위해 임계치와 비교될 수 있다. 임계치보다 더 큰 차이들은 제스처를 표시하는 통계량의 갑작스러운 변화들로서 분류될 수 있다. 제스처 검출(128)은 또한, 초음파들을 이용하여 시간에 걸쳐 움직임을 검출하는 것을 포함할 수 있다.일부 실시예들에서, 제스처 검출(128)은 프로젝터(118)에 의한 프로젝션을 개시하기 위한 제스처들을 검출하는 것을 포함할 수 있다. 제스처 검출(128)은 타겟 객체의 경계들 내에 프로젝팅되도록 콘텐츠를 트리밍(126)하기 위한 제스처들을 검출하는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 타겟 객체의 경계들 내에 프로젝팅되도록 콘텐츠를 트리밍(126)하는 것은, 시스템(100)과 연관된 비공개 모드(private mode)의 부분으로서 구현될 수 있다. 제스처 검출(128)은 비공개 모드를 진입 및 퇴장하기 위한 하나 또는 그 초과의 제스처들을 검출할 수 있다. 제스처 검출에 의해 검출되는 예시적 제스처들은 커버 제스처(cover gesture)를 포함할 수 있으며, 커버 제스처는 시스템(100) 위의 포지션에서 검출되는 손 또는 다른 제어 객체일 수 있다. 검출될 수 있는 다른 제스처는 펼쳐진(open) 또는 오므려진(closed) 손이다. 다른 제스처는, 오므려진 손이 옮겨지면서(moving away) 이후 펼쳐지는 "투구 동작(throwing motion)"의 제스처일 수 있다. 검출될 수 있는 다른 제스처들은, 손을 기울이거나 또는 시스템(100) 위로부터 손을 빼는 것을 포함할 수 있다. 제스처들 각각이 검출될 수 있고, 제스처 검출(128)은 특정 커맨드를 검출된 제스처들 각각과 연관시킬 수 있다. 예컨대, 커버 제스처는 프로젝션을 개시할 수 있고, 펼쳐진 손은 비공개 모드에 진입하거나 또는 다르게는, 프로젝팅되는 콘텐츠를 트리밍(126)하기 위한 표시를 제공할 수 있으며, 투구 동작은 비공개 모드로부터 떠나거나 또는 다르게는, 프로젝팅되는 콘텐츠가 더 이상 타겟 객체의 경계들로 국한되지 않음을 표시할 수 있다. 이러한 제스처들 및 그들의 연관된 동작들은 단지 예들이다. 실제로, 제스처 검출(128)은, 캡쳐된 데이터에 기초하여 제스처를 검출하고, 커맨드 또는 동작을 검출된 제스처와 연관시킬 수 있다.프로세싱 시스템(100)은 일부 실시예들에 따라 도 1에 도시된 컴포넌트들보다 더 많은 또는 더 적은 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 더욱이, 도 1에 도시된 컴포넌트들은 도 1의 하나 또는 그 초과의 다른 컴포넌트들에 직접적으로 커플링되어, 시스템 버스(104)에 대한 필요성을 제거할 수 있다. 게다가, 도 1에 도시된 컴포넌트들은 일원화된 시스템(100)의 부분인 것으로 도시될 수 있지만, 컴포넌트들은 또한, 컴포넌트들이 분리되어 그러나 커플링되어 통신하는 시스템의 부분일 수 있다. 일반적으로, 도 1에 도시된 컴포넌트들은 본원에서 개시된 실시예들을 수행할 수 있는 프로세싱 시스템(100)의 컴포넌트들의 예들로서 도시된다. 그러나, 프로세싱 시스템(100)은 더 많은 또는 더 적은 컴포넌트들을 갖고서, 본원에서 개시된 일부 실시예들을 계속 수행할 수 있다.도 2a 내지 도 2d는 일부 실시예들과 일치하는, 타겟 객체 상의 영역의 경계들 내에 피팅하기 위해 콘텐츠를 트리밍하는 것의 예를 예시한다. 예시의 목적을 위해, 프로세싱 시스템(100)의 단지 일부만이 도 2a 내지 도 2d에 도시되지만, 도 1에 도시된 프로세싱 시스템(100)의 다른 컴포넌트들에 대한 참조가 이루어질 수 있다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 타겟 객체(200)는 타겟 객체(200) 상의 영역(202)을 포함한다. 카메라(116)는 프로젝션 생성(120), 객체 인식(122), 추적(124), 및 트리밍(126)을 위해 프로세싱될 수 있는 영역(202) 및 객체(200)의 하나 또는 그 초과의 이미지들을 캡쳐할 수 있다. 일부 실시예들에서, 캡쳐 프레임은, 2013년 9월 26일 출원되고, 퀄컴 참조 번호가 131009인, 공동계류중인 미국 출원 번호 제 14/038,480호에서 개시된 바와 같은 이미지 캡쳐의 시간에 객체(200) 상에 프로젝팅될 수 있으며, 이로써 그 미국 출원의 전체 내용은 인용에 의해 그 전체가 본원에 포함된다.하나 또는 그 초과의 캡쳐된 이미지들 상에서의 객체 인식(122)은 객체(200) 및/또는 영역(202)을 인식하려고 시도하는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 객체 인식(122)은 인식된 객체에 기초하여 프로젝션을 위해 콘텐츠를 리트리빙 및/또는 생성하는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 객체 인식(122)은 또한, 인식된 객체와 연관된 정보에 기초하여 객체(200) 상의 영역(202)을 콘텐츠 영역으로서 지정하는 것을 포함할 수 있다. 예컨대, 객체(200)의 제조자, 소매상, 또는 생성자는 객체 인식을 통해 결정될 수 있는 영역(202)에서의 프로젝션을 위해 콘텐츠를 특정하게 지정할 수 있다.추적(124)은 객체(200) 및 영역(202)에 관한 포즈, 포지션, 6 자유도(DOF; degrees-of-freedom) 및 다른 정보를 결정하는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 카메라(116)는 객체(200)에 대한 거리(d1) 및 영역(202)에 대한 거리(d2)를 비롯하여 객체(200)를 포함한 시야의 깊이 맵을 결정하기 위해 이용될 수 있는 깊이 카메라이거나 또는 깊이 카메라를 포함할 수 있다. 깊이 맵 및 거리들(d1 및 d2)은 객체(200) 및 영역(202)의 추적(124), 트리밍(126), 그리고 객체(200) 및/또는 영역(202) 상에 프로젝팅되는 콘텐츠를 포커싱하기 위해 이용될 수 있다.일부 실시예들에서, 객체(200)의 부분, 이를테면, 영역(202)은 콘텐츠 영역으로서 지정될 수 있다. 이전에 설명된 바와 같이, 영역(202)은 제삼자에 의해 콘텐츠 영역으로 지정될 수 있어서, 객체 인식(122)은 객체(200)를 인식하고, 객체(200)에 관한 정보를 결정하며, 이는 영역(202)을 콘텐츠 영역으로서 지정하는 것을 포함한다. 일부 실시예들에서, 시스템(100)의 사용자는 객체(200)의 부분, 이를테면, 영역(202)을 콘텐츠 영역으로서 수동으로 지정할 수 있다. 일부 실시예들에서, 그 지정은 입력 및 내비게이션 컴포넌트(112)를 이용하여 디스플레이 컴포넌트(110) 상에 디스플레이되는 영역을 선택함으로써 이루어질 수 있다. 그 다음으로, 트리밍(126)은 영역(202)의 경계들 내에 있도록 프로젝팅될 콘텐츠를 트리밍하는 것을 포함할 수 있다.예컨대, 트리밍(126)은 하나 또는 그 초과의 이미지들에 기초하여 영역(202)의 형상을 결정하는 것, 및 결정된 형상의 경계들 내에 콘텐츠가 프로젝팅될 수 있는 한편 결정된 형상의 경계들 외측에 어떠한 콘텐츠도 프로젝팅되지 않도록, 결정된 형상 및 아웃라인에 기초하여 콘텐츠 영역 및 보이드 영역을 결정하는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 형상을 결정하는 것은 객체(200) 및 영역(202)의 하나 또는 그 초과의 이미지들로부터 영역(202)의 아웃라인을 결정하는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 형상 및 아웃라인은 객체 인식(122)에 기초하여 결정될 수 있으며, 타겟 객체는 미리 결정된 형상 및 아웃라인을 갖는 알려진 형상으로서 인식된다. 트리밍(126)은 또한, 객체(200) 및 영역(202)에 대한 거리들(d1 및 d2)에 기초하여 스케일링 팩터를 결정하는 것을 포함할 수 있다.그 다음으로, 결정된 콘텐츠 영역 및 보이드 영역 및 결정된 스케일링 팩터는, 스케일링 팩터에 의해 결정된 해상도로 영역(202)의 경계들 내에 프로젝션을 위해 트리밍된 콘텐츠를 생성하기 위해 프로젝션 생성(120)에 의해 이용될 수 있다. 도 2b는 영역(202)의 경계들 외측의 보이드 영역(204)을 예시한다. 일부 실시예들에서, 보이드 영역(204)은, 흑색 또는 어두운 픽셀들이 영역(202)의 경계들 외측의 객체(200) 상에 그리고 객체(200) 둘레에 프로젝팅되는 가상 마스크 영역일 수 있다. 일부 실시예들에서, 보이드 영역(204)은 스캔 프로젝션 동안 프로젝팅되는 흑색 또는 어두운 스캔 라인들일 수 있다. 다른 실시예들에서, 보이드 영역(204)은, 프로젝터가 예컨대, 보이드 영역(204) 내의 픽셀들을 턴오프함으로써 어떠한 픽셀들도 프로젝팅하지 않도록 구성되는 영역일 수 있다.도 2c는 이미지(206)를 프로젝팅하는 프로젝터(118)를 예시한다. 일부 실시예들과 일치하는 이미지(206)는, 스케일링 팩터에 의해 결정된 해상도로 영역(202)의 경계들 내에 피팅되도록 설계된 디멘션(dimension)을 가질 수 있다. 도 2d는 객체(200)의 영역(202) 상에 이미지(206)를 프로젝팅하는 프로젝터(118)를 예시하며, 보이드 영역(204)은 영역(202)을 둘러싼다. 예시의 목적들을 위해, 도 2d의 프로젝터(118)는 객체(200)와 동일한 디멘션들을 갖는 영역을 프로젝팅함이 가정된다. 그러나, 프로젝터(118)가 객체(200)의 경계들을 초과하는 영역을 프로젝팅하는 경우, 보이드(204)가 영역(202) 외측의 영역의 경계들을 채울 수 있다. 일부 실시예들에서, 카메라(116)는 프로젝팅되는 이미지(206) 및 보이드 영역(204)을 포함하는 하나 또는 그 초과의 이미지들을 계속해서 캡쳐할 수 있다. 추적(124)은 카메라(116)에 의해 캡쳐된 또는 다른 방식으로 시스템(100)에 제공되는 보이드 영역(204), 프로젝팅되는 이미지(206), 및 객체(200)의 이미지들에 기초하여, 프로젝팅되는 이미지(206) 및 보이드 영역(204)을 조정하는 것을 포함할 수 있다.도 2a 내지 도 2d에 도시된 바와 같이, 사용자는 영역(202)과 같은 미리 결정된 영역 내에 이미지(206)와 같은 콘텐츠를 프로젝팅할 수 있다. 예컨대, 시스템(100)의 디스플레이 컴포넌트(110) 상에서 이용가능한 것보다 더 큰 표면 영역 상에서 이미지(206)를 뷰잉하기를 원하는 사용자는, 뷰잉을 위해 객체(200) 상의 영역(202) 상에 이미지(206)를 프로젝팅할 수 있다. 사용자는 영역(202)을 콘텐츠 영역으로서 지정할 수 있고, 트리밍(126)은, 최대 해상도일 수 있는 미리 결정된 해상도로 이미지(206)가 영역(202) 상에 프로젝팅될 수 있도록, 스케일링 팩터뿐만 아니라 보이드 영역(204) 및 이미지(206)의 영역들을 결정할 수 있으며, 그에 따라, 사용자가 더 큰 영역(202) 상에서 이미지(206)를 뷰잉하는 것이 허용된다. 더욱이, 사용자는 영역(202)의 경계들 너머로 연장되어 또는 객체(200) 뒤의 또는 둘레의 표면들 상으로 유출되어 프로젝팅되는 이미지(206)에 관해 걱정하지 않아도 될 것인데, 그 이유는 트리밍(126)은 그러한 영역들을 타겟 영역(202)의 외측에 있는 것으로서 결정하고, 그에 따라 어떠한 콘텐츠도 프로젝팅되지 않는 보이드 영역(204)을 생성할 것이기 때문이다.일부 실시예들에서, 이미지(206)는 증강 현실을 생성하기 위해 객체(200)를 증강시키기 위한 이미지일 수 있다. 예컨대, 객체 인식(122)은 객체(200)를 인식하고, 객체(200)의 제조자, 소매상, 또는 생성자로부터 이미지(206)를 리트리빙할 수 있다. 트리밍(126)은, 리트리빙된 이미지(206)가 객체(200)의 영역(202) 상에 프로젝팅되도록 보이드 영역(204)을 결정할 수 있다. 일부 실시예들에서, 보이드 영역(204) 및 이미지(206)에 대한 영역이 이미지(206)와 함께 리트리빙될 수 있어서, 영역들이 객체(200)의 제조자, 소매상, 또는 생성자에 의해 미리 결정된다.도 3a 및 도 3b는 일부 실시예들과 일치하는, 객체 상에 피팅하기 위해 콘텐츠를 트리밍하는 것의 예를 예시한다. 특히, 도 3a 및 도 3b에 도시된 예는 객체(300)의 경계들 내에 피팅하기 위해 콘텐츠를 트리밍하는 것의 예를 예시한다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 카메라(116)는 객체(300)의 하나 또는 그 초과의 이미지들을 캡쳐할 수 있다. 그 다음으로, 하나 또는 그 초과의 캡쳐된 이미지들은 프로젝션 생성(120), 객체 인식(122), 추적(124), 및 트리밍(126)을 위해 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 객체(300)의 이미지들은 시스템(100)에 제공될 수 있거나 또는 시스템(100)의 메모리 컴포넌트(108)에 저장될 수 있다. 객체 인식(122)은 객체(300) 상에 프로젝팅하기 위해 이미지(302)와 같은 콘텐츠를 결정할 수 있다. 일부 실시예들에서, 시스템(100)의 사용자는 객체(300) 상으로의 프로젝션을 위해 이미지(302)를 지정할 수 있다. 더욱이, 객체 인식(122)은 객체(300)를 콘텐츠 영역으로서 지정할 수 있다. 예컨대, 이미지(302)가 평평한 표면 상의 디스플레이를 위해 설계되는 경우, 객체 인식(122)은, 시스템(100)에 가장 가까운 평평한 표면을 결정하고 그리고 그 표면을 콘텐츠 영역으로서 지정하려고 시도할 수 있다. 다른 예로서, 이미지(302)가 프로젝션을 위한 비디오의 많은 이미지들 중 하나인 경우, 객체 인식(122)은 비디오를 디스플레이하기에 적절한 표면을 결정하려고 시도할 수 있다. 예컨대, 객체 인식(122)은, 비디오를 디스플레이하기 위해 평평한 직사각형 표면 및/또는 정지 표면을 로케이팅하고 그리고 시야를 갖는 이러한 표면을 콘텐츠 영역으로서 지정하려고 시도할 수 있다.트리밍(126)은 객체(300)의 형상, 객체(300)의 형상 및/또는 아웃라인, 객체에 대한 거리를 결정하고 그리고 이미지(302)의 프로젝션을 위한 콘텐츠 영역 및 보이드 영역(304)을 결정할 수 있다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 프로젝터(118)는, 이미지(302)가 객체(300)의 경계들 내에 프로젝팅되고 보이드 영역(304)이 객체(300)의 경계들 외측에 프로젝팅되도록, 이미지(302) 및 보이드 영역(304)을 객체(300) 상에 프로젝팅할 수 있다. 일부 실시예들에서, 보이드 영역(304)은 프로젝팅되는 흑색 또는 어두운 픽셀들, 또는 어떠한 콘텐츠도 프로젝터(118)에 의해 픽셀들에 프로젝팅되지 않도록 프로젝터(118)에 의해 턴오프된 그러한 픽셀들을 포함하는 가상 광 마스크에 대응할 수 있다. 일부 실시예들에서, 이미지(302)는 증강 현실을 생성하기 위해 객체(300)를 증강시키기 위한 이미지일 수 있다. 다른 실시예들에서, 이미지(302)는, 시스템(100)의 사용자가, 예컨대, 시스템(100)의 디스플레이 컴포넌트 상에서 대신에 객체(300) 상에서 뷰잉하기 위해 객체(300) 상에 프로젝팅하기를 원하는 이미지 또는 다른 콘텐츠일 수 있다.도 4a 및 도 4b는 일부 실시예들과 일치하는, 객체(402)의 경계들 외측에 피팅하기 위해 콘텐츠를 트리밍하는 것의 예를 예시한다. 도 4a 및 도 4b에 예시된 예는 "역 트리밍(reverse trimming)"으로 지칭될 수 있으며, 여기서 콘텐츠는 객체(402) 외측에 프로젝팅되고, 보이드 영역(406)을 객체(402) 상에 프로젝팅함으로써 객체(402)는 마스킹된다. 도 4a에 도시된 바와 같이, 카메라(116)는 객체(402)를 둘러싸는 영역(400)을 갖는 객체(402)의 하나 또는 그 초과의 이미지들을 캡쳐할 수 있다. 그 다음으로, 하나 또는 그 초과의 캡쳐된 이미지들은 프로젝션 생성(120), 객체 인식(122), 추적(124), 및 트리밍(126)을 위해 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 영역(400) 및 객체(402)의 이미지들은 시스템(100)에 의해 수신될 수 있거나 또는 메모리 컴포넌트(108)에 저장될 수 있다. 객체 인식(122)은 객체(402) 둘레의 영역(400) 상에 프로젝팅하기 위해 이미지(404)와 같은 콘텐츠를 결정할 수 있다. 일부 실시예들에서, 시스템(100)의 사용자는 객체(402) 둘레의 영역(400) 상으로의 프로젝션을 위해 이미지(404)를 지정할 수 있다. 트리밍(126)은 객체(402)의 형상, 객체(402)의 아웃라인, 객체(402) 및 영역(400)에 대한 거리를 결정할 수 있고, 객체(402) 둘레의 영역(400) 상으로의 이미지(404)의 프로젝션을 위한 콘텐츠 영역 및 보이드 영역(406)을 결정할 수 있다. 도 4b에 도시된 바와 같이, 이미지(404)가 객체(402)의 경계들 외측에 프로젝팅되고 보이드 영역(406)이 객체(402) 상에 생성되도록, 프로젝터(118)는 영역(400) 상에 이미지(404)를 프로젝팅할 수 있고 보이드 영역(406)이 객체(402) 상에 생성될 수 있다.도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 객체(402)를 마스킹하기 위해 보이드 영역(406)을 생성하는 것 및 객체(402) 둘레에 이미지(404)와 같은 콘텐츠를 프로젝팅하는 것은, 객체(402)를 모호하게 하거나 또는 객체(402)와 상호작용하는 것으로 보이게 콘텐츠를 프로젝팅함이 없이, 객체(402) 둘레에 객체(402)에 관한 정보를 프로젝팅하기에 유용할 수 있다. 예컨대, 이미지(404)는 객체(402)를 이용하거나, 동작시키거나 또는 유지하기 위한 명령들을 포함할 수 있고, 객체(402) 둘레에 프로젝팅될 수 있는 한편, 이미지(404)에 의해 객체(402)가 모호해지는 것을 방지하기 위해 보이드 영역(406)이 객체(402)를 마스킹한다. 다른 예에서, 이미지(404)는, 객체(402)를 참조하는 것 또는 객체(402)의 말풍선들(speech bubbles)을 보여 주는 것 등과 같이, 객체(402)와 상호작용할 수 있는 한편, 이미지(404)에 의해 객체(402)가 모호해지는 것을 방지하기 위해 보이드 영역(406)이 객체(402)를 마스킹한다.도 5a 및 도 5b는 일부 실시예들과 일치하는, 콘텐츠를 트리밍하는 것의 예를 예시한다. 특히, 도 5a 및 도 5b에 도시된 예는 객체(502) 상의 영역(500)의 경계들 내에 피팅하기 위해 콘텐츠를 트리밍하는 것의 예를 예시한다. 도 5a에 도시된 바와 같이, 카메라(116)는 영역(500)을 갖는 객체(502)의 하나 또는 그 초과의 이미지들을 캡쳐할 수 있다. 그 다음으로, 하나 또는 그 초과의 캡쳐된 이미지들은 프로젝션 생성(120), 객체 인식(122), 추적(124), 및 트리밍(126)을 위해 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 영역(500) 및 객체(502)의 이미지들은 시스템(100)에 의해 수신될 수 있거나 또는 메모리 컴포넌트(108)에 저장될 수 있다. 일부 실시예들에서, 객체 인식(122)은 객체(502)의 영역(500) 상에 프로젝팅하기 위해 이미지(504)와 같은 콘텐츠를 결정할 수 있다. 일부 실시예들에서, 시스템(100)의 사용자는 객체(502)의 영역(500) 상으로의 프로젝션을 위해 이미지(504)를 지정할 수 있다. 예컨대, 객체 인식(122)은 객체(502)가 블랭크 공간(blank space)의 영역(500)을 갖는 것으로 인식하고, 영역(500)을, 이미지(504)가 프로젝팅될 수 있는 콘텐츠 영역으로서 지정할 수 있다. 대안적으로, 객체 인식(122)은 객체(502)를 인식하고, 그리고 객체(502)와 연관된 미리 결정된 명령들에 기초하여, 영역(500)을, 이미지(504)가 프로젝팅될 수 있는 콘텐츠 영역으로서 지정할 수 있다. 예컨대, 이미지(504)는, 영역(500) 상으로의 프로젝션을 위해 맞춤화되는 객체(502)에 관한 정보 또는 사용하기 위한 명령들과 같은, 객체(502)와 연관된 콘텐츠일 수 있다.그 다음으로, 트리밍(126)은 영역(500)의 형상, 영역(500)의 아웃라인, 객체(502) 및 영역(500)에 대한 거리를 결정하고, 보이드 영역(506)을 결정할 수 있다. 도 5b에 도시된 바와 같이, 프로젝터(118)는, 이미지(504)가 영역(500) 상에만 프로젝팅되도록, 이미지(504)를 객체(502)의 영역(500) 상에 프로젝팅하고 보이드 영역(506)을 생성할 수 있다.일부 실시예들에서, 도 5a 및 도 5b에 도시된 예들은, 객체(502)의 부분이 보이드 영역(506)에 의해 마스킹되게, 이미지가 객체(502) 상에 그리고 객체(502)의 외측의 영역들 상에 프로젝팅될 수 있도록, 도 4a 및 도 4b에 도시된 예들과 결합될 수 있다. 예컨대, 사용자 또는 AR 콘텐츠 제공자가 객체(502)를 증강시키기를 원하지 않거나, 또는 객체(502)의 부분만을 증강시키기를 원하지만 객체(502) 둘레의 영역을 증강시키기를 원하는 경우, 이미지(404 및/또는 504)는 객체(502) 둘레 및 객체(502) 상에 개별적으로 프로젝팅될 수 있다. 일부 실시예들에서, 시스템(100)은 다수의 이미지들을 프로젝팅하고, 객체 상에 그리고 객체 둘레에 다수의 보이드 영역들을 생성할 수 있고, 그 각각은 추적(124)에 의해 개별적으로 추적될 수 있다. 일부 실시예들에서, 다수의 이미지들 및 보이드 영역들은 프로젝터(118)에 의해 교번적으로 프로젝팅될 수 있다.도 6a 및 도 6b는 손(600)의 경계들 내에 피팅하기 위해 콘텐츠를 트리밍하는 것의 예를 예시한다. 일부 실시예들에서, 시스템(100)의 프로세싱 컴포넌트(106)는 하나 또는 그 초과의 경보들, 메시지들, 및 다른 콘텐츠를 생성할 수 있다. 시스템(100)의 사용자는 생성된 하나 또는 그 초과의 경보들, 메시지들 또는 다른 콘텐츠와 연관된 콘텐츠를 프로젝팅하기를 원할 수 있지만, 콘텐츠를 비공개로 유지하기를 원할 수 있다. 예컨대, 시스템(100)의 사용자가 이메일, 인스턴트 메시지, 또는 SMS(short messaging service)를 통해 개인 정보를 포함하는 메시지를 수신하는 경우, 사용자는 개인 정보가 다른 사람들에 의해 뷰잉되기를 원하지 않을 수 있다. 결과적으로, 사용자는 객체 상에 프로젝팅되도록 콘텐츠를 트리밍하기를 원할 수 있으며, 이는 프로젝팅되는 콘텐츠가 객체 너머의 표면들 상으로 유출됨이 없이 사용자가 콘텐츠를 적절한 해상도로 프로젝팅하도록 허용한다. 결과적으로, 본원에서 도시되는 바와 같은 실시예들은 사용자가 콘텐츠를 자신의 손과 같은 객체 상에 프로젝팅하도록 허용할 수 있는 한편, 프로젝팅되는 콘텐츠를 비공개로 유지하고 사용자 주변의 다른 사람들을 방해하지 않도록 보이드 영역들이 객체 외측에 생성된다.도 6a에 도시된 바와 같이, 카메라(116)는 손(600)의 하나 또는 그 초과의 이미지들을 캡쳐할 수 있다. 그 다음으로, 하나 또는 그 초과의 캡쳐된 이미지들은 프로젝션 생성(120), 객체 인식(122), 추적(124), 및 트리밍(126)을 위해 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 손(600)의 이미지들은 시스템(100)에 의해 수신될 수 있거나 또는 메모리 컴포넌트(108)에 저장될 수 있다. 트리밍(126)은 손(600)의 형상, 손(600)의 아웃라인, 손(600)에 대한 거리를 결정하고 그리고 600 상으로의 프로젝션을 위한 콘텐츠 영역 및 보이드 영역을 결정할 수 있다. 도 6b에 도시된 바와 같이, 프로젝터(118)는, 메시지(602)가 손(600)의 경계들 내에 프로젝팅되고, 보이드 영역(604)이 손(600)의 경계들 외측에 생성되고 그리고 일부 실시예들에서는 보이드 영역(604)이 손(600)의 경계들 외측에 프로젝팅되도록, 메시지(602)를 손(600) 위로 프로젝팅할 수 있다. 그 결과, 도 6b에 도시된 바와 같이 개인 메시지(602)인, 프로젝팅되는 콘텐츠는 손(600) 위로만 프로젝팅될 것이며, 메시지(602)의 어떠한 정보도, 다른 사람들이 개인 메시지(602)의 정보를 뷰잉할 수 있는, 손(600) 너머의 표면 상으로 유출되지 않을 것이다.도 7a 내지 도 7d는 일부 실시예들과 일치하는, 검출된 제스처에 기초하여 콘텐츠를 트리밍하는 것의 예를 예시한다. 이전에 설명된 바와 같이, 제스처 검출(128)은, 카메라(116) 및/또는 센서들(114)에 의해 캡쳐된 데이터의 통계량의 갑작스러운 변화를 검출하기 위해 카메라(116) 및/또는 센서들(114)에 의해 캡쳐된 일련의 이미지들 또는 다른 정보를 프로세싱함으로써 제스처들을 검출하는 것 또는 초음파들을 이용하여 시간에 걸쳐 움직임을 검출하는 것을 포함할 수 있다. 그 다음으로, 검출된 제스처들은, 예컨대, 제스처 검출(128)에 포함된 또는 메모리 컴포넌트(108)에 저장된 제스처 라이브러리를 이용하여 동작 또는 커맨드와 상관될 수 있다.도 7a에 도시된 바와 같이, 시스템(100)의 사용자는 제 1 객체(700) 및 제 2 객체(702)를 갖는 영역 내에 있을 수 있다. 도시된 바와 같이, 제 1 객체(700)는 제 2 객체(702)보다 시스템에 더 가깝고 제 2 객체(702)보다 더 작을 수 있지만, 본 개시내용과 일치하는 실시예들은 그와 같이 제한되지 않을 수 있다. 프로젝터(118)는 이미지(704)를 제 2 객체(702) 상에 프로젝팅할 수 있다. 일부 실시예들에서, 이미지(704)는 객체 인식(122)에 의해 결정된 프로젝션 생성(120)에 의해 생성된 콘텐츠의 부분일 수 있고, 추적(124)에 의해 결정된 제 2 객체(702) 상의 위치에 프로젝팅될 수 있다. 시스템(100)의 사용자가 이미지(704)를 제 1 객체(700) 상에 프로젝팅하기를 원하는 경우, 사용자는 제스처를 할 수 있으며, 그 제스처는 카메라(116) 및/또는 센서들(114)에 의해 검출될 수 있고 그리고 그 제스처를, 제 1 객체(700) 상에 이미지(704)를 프로젝팅하는 것과 같은 동작과 상관시키기 위해 제스처 검출(128)에 의해 프로세싱될 수 있다. 검출된 제스처는 폐쇄 또는 비공개 모드를 표시하는 오므려진 손과 같은 제스처일 수 있다. 제스처 검출(128)은 이러한 제스처를, 상이한 타겟 상으로 프로젝팅하기 위한 또는 비공개 모드로 스위칭하기 위한 커맨드, 또는 프로젝션 타겟들을 스위칭하는 것을 표시하는 다른 동작과 상관시킬 수 있다.도 7b에 도시된 바와 같이, 카메라(116)는 제 1 객체(700)의 이미지를 캡쳐할 수 있으며, 이는, 이미지(704)를 스케일링하기 위해 스케일링 팩터를 결정하고 그리고 콘텐츠 영역 및 보이드 영역을 결정하기 위해 트리밍(126)에 의해 이용될 수 있다. 도 7c에 도시된 바와 같이, 스케일링 팩터, 결정된 콘텐츠 영역 및 보이드 영역은, 결정된 콘텐츠 영역 내에 스케일링 팩터에 의해 결정된 해상도로 이미지(704)를 프로젝팅하기 위해 프로젝션 생성(120)에 의해 이용될 수 있고, 보이드 영역(706)은 콘텐츠 영역의 외측의 영역들을 마스킹하기 위해 생성된다. 일부 실시예들에서, 제 1 객체(700)는 시스템(100)의 사용자에게 더 가까울 수 있고, 그에 따라, 사용자가 이미지(704)를 뷰잉하기에 더 편리할 수 있다. 제 1 객체(700)는 또한, 이미지(704)가 객체(700) 상에 프로젝팅될 때, 사용자 주변의 다른 사람들은 이미지(704)를 뷰잉할 수 없도록, 시스템(100)의 사용자에게 더 많은 프라이버시를 제공할 수 있다.일부 실시예들에서, 객체 인식(122)에 기초하여 이미지(704)를 프로젝팅하기에 제 1 객체(700)가 적절한 것으로 또한 결정될 수 있다. 예컨대, 프로젝션 타겟들을 스위칭하기 위한 제스처에 대한 응답으로, 객체 인식(122)은, 시스템(100)에 대한 거리, 크기, 디멘션들 등과 같은 팩터들에 기초하여 프로젝션 타겟을 위해 적절한 객체를 찾기 위해 카메라(116)에 의해 캡쳐된 하나 또는 그 초과의 이미지들을 프로세싱할 수 있다. 그 다음으로, 트리밍(126)은 객체 인식(122)에 의해 인식된 제 1 객체(700)에 기초하여, 스케일링 팩터, 콘텐츠 영역 및 보이드 영역(706)을 결정할 수 있다.시스템(100)의 사용자가 제 1 객체(700)로부터 프로젝션 타겟들을 스위칭하기를 원하는 경우, 사용자는 다른 제스처를 할 수 있다. 예컨대, 사용자는 공개 또는 개방 모드를 표시하는, 자신의 손을 펼치는 제스처를 할 수 있거나, 또는 제 2 객체(702)(또는 다른 원하는 타겟 객체)를 향해 투구 동작을 할 수 있다. 카메라(116) 및/또는 센서들(114)은 이러한 제스처를 검출할 수 있고, 이러한 제스처는 제스처 검출(128)에 의해, 프로젝션 타겟들을 스위칭하는 것과 같은 동작과 상관될 수 있다. 그 다음으로, 도 7d에 도시된 바와 같이, 프로젝터(118)는 다시 이미지(704)를 제 2 객체(702) 상에 프로젝팅할 수 있다. 일부 실시예들에서, 이미지(704)는 트리밍(126) 없이, 즉, 보이드 영역 없이 또는 마스킹되지 않은 채로 제 2 객체(702) 상에 프로젝팅될 수 있어서, 이미지(704)는 프로젝터(118)의 사양 및 제 2 객체(702)와 프로젝터(118) 사이의 거리에 기초하여 프로젝팅된다. 일부 실시예들에서, 트리밍(126)은 제 2 객체(702)를 포함하는 하나 또는 그 초과의 이미지들에 기초하여 스케일링 팩터, 콘텐츠 영역 및 보이드 영역(706)을 결정할 수 있다. 일부 실시예들에서, 이전에 이미지(704)를 제 2 객체(702) 상에 프로젝팅하기 위해 결정된 임의의 스케일링 팩터들, 콘텐츠 영역들 및 보이드 영역들은 저장되어, 이미지(704)를 제 2 객체(702) 상에 프로젝팅하기 위해 프로젝션 생성(120)에 의해 리트리빙될 수 있다.도 8a 및 도 8b는 일부 실시예들과 일치하는, 다수의 객체들 상에 피팅하기 위해 콘텐츠를 트리밍하는 것의 예를 예시한다. 특히, 도 8a 및 도 8b에 도시된 예는 제 1 객체(800) 및 제 2 객체(802) 상에 디스플레이되도록 단일 이미지를 트리밍하는 것의 예를 예시한다. 도 8a에 도시된 바와 같이, 카메라(116)는 제 1 객체(800) 및 제 2 객체(802)의 하나 또는 그 초과의 이미지들을 캡쳐할 수 있다. 그 다음으로, 하나 또는 그 초과의 캡쳐된 이미지들은 프로젝션 생성(120), 객체 인식(122), 추적(124), 및 트리밍(126)을 위해 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 1 객체(800) 및 제 2 객체(802)의 이미지들은 시스템(100)에 제공될 수 있거나 또는 시스템(100)의 메모리 컴포넌트(108)에 저장될 수 있다. 객체 인식(122)은 제 1 객체(800) 및 제 2 객체(802) 상에 개별적으로 프로젝팅하기 위해 제 1 이미지 부분(804) 및 제 2 이미지 부분(806)을 갖는 이미지와 같은 콘텐츠를 결정할 수 있다. 일부 실시예들에서, 시스템(100)의 사용자는 제 1 객체(800) 및 제 2 객체(802) 상으로의 프로젝션을 위해 이미지를 지정할 수 있고, 심지어 어느 이미지 부분을 각각의 객체 상에 디스플레이할지를 지정할 수 있다. 더욱이, 객체 인식(122)은 각각 제 1 이미지 부분(804) 및 제 2 이미지 부분(806)을 위한 콘텐츠 영역들로서 제 1 객체(800) 및 제 2 객체(802)를 인식 및 결정할 수 있다. 예컨대, 제 1 이미지 부분(804) 및 제 2 이미지 부분(806)에 의해 형성되는 이미지가 제 1 객체(800) 또는 제 2 객체(802) 중 단지 하나의 객체 상에서의 적합한 디스플레이를 위해서는 너무 큰 경우, 객체 인식(122)은, 제 1 객체(800) 또는 제 2 객체(802) 중 제 2 객체를 결정하고 그리고 제 1 이미지 부분(804) 및 제 2 이미지 부분(806)이 제 1 객체(800) 및 제 2 객체(802) 상에 개별적으로 프로젝팅됨에 따라 이미지가 더 양호하게 디스플레이됨을 결정하고 그리고 제 1 객체(800) 및 제 2 객체(802)의 면 또는 측을 콘텐츠 영역들로서 지정하려고 시도할 수 있다.트리밍(126)은 제 1 객체(800) 및 제 2 객체(802)의 형상, 제 1 객체(800) 및 제 2 객체(802)의 형상 및/또는 아웃라인, 제 1 객체(800) 및 제 2 객체(802)에 대한 거리를 결정하고, 제 1 이미지 부분(804) 및 제 2 이미지 부분(806)의 프로젝션을 위한 콘텐츠 영역 및 보이드 영역(808)을 결정할 수 있다. 도 8b에 도시된 바와 같이, 프로젝터(118)는 제 1 이미지 부분(804)을 제 1 객체(800) 상에 프로젝팅하고, 제 2 이미지 부분(806)을 제 2 객체(802) 상에 프로젝팅할 수 있다. 프로젝터(118)는 또한, 제 1 이미지 부분(804) 및 제 2 이미지 부분(806)에 의해 형성되는 이미지가 제 1 객체(800) 및 제 2 객체(802) 상에만 프로젝팅되도록, 제 1 객체(800) 및 제 2 객체(802) 둘레 및 제 1 객체(800)와 제 2 객체(802) 사이에 보이드 영역(808)을 프로젝팅할 수 있다. 일부 실시예들에서, 보이드 영역(808)은, 프로젝팅되는 흑색 또는 어두운 픽셀들 또는 프로젝터(118)에 의해 턴오프된 픽셀들을 포함하는 가상 광 마스크에 대응할 수 있어서, 그러한 픽셀들에서 어떠한 콘텐츠나 광도 프로젝터(118)에 의해 프로젝팅되지 않는다.도 9a 및 도 9b는 일부 실시예들과 일치하는, 객체의 다수의 부분들 상에 피팅하기 위해 콘텐츠를 트리밍하는 것의 예를 예시한다. 특히, 도 9a 및 도 9b에 도시된 예는, 제 1 영역(900) 및 제 2 영역(902) 상에 디스플레이되도록 단일 이미지를 트리밍하는 것의 예를 예시한다. 도 9a에 도시된 바와 같이, 카메라(116)는 제 1 영역(900) 및 제 2 영역(902)의 하나 또는 그 초과의 이미지들을 캡쳐할 수 있다. 그 다음으로, 하나 또는 그 초과의 캡쳐된 이미지들은 프로젝션 생성(120), 객체 인식(122), 추적(124), 및 트리밍(126)을 위해 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 1 영역(900) 및 제 2 영역(902)의 이미지들은 시스템(100)에 제공될 수 있거나 또는 시스템(100)의 메모리 컴포넌트(108)에 저장될 수 있다. 객체 인식(122)은 제 1 영역(900) 및 제 2 영역(902) 상에 개별적으로 프로젝팅하기 위한 제 1 이미지 부분(904) 및 제 2 이미지 부분(906)을 갖는 이미지와 같은 콘텐츠를 결정할 수 있다. 일부 실시예들에서, 시스템(100)의 사용자는 제 1 영역(900) 및 제 2 영역(902) 상으로의 프로젝션을 위해 이미지를 지정하고 심지어는 어느 이미지 부분을 각각의 영역 상에 디스플레이할지를 지정할 수 있다. 더욱이, 객체 인식(122)은, 제 1 영역(900) 및 제 2 영역(902)을 갖는 객체가 다수의 영역들로 이루어짐을 인식 및 결정하고 그리고 각각 제 1 이미지 부분(904) 및 제 2 이미지 부분(906)을 위한 콘텐츠 영역들로서 제 1 영역(900) 및 제 2 영역(902)을 결정할 수 있다.트리밍(126)은 제 1 영역(900) 및 제 2 영역(902)의 형상, 제 1 영역(900) 및 제 2 영역(902)의 형상 및/또는 아웃라인, 제 1 영역(900) 및 제 2 영역(902)에 대한 거리를 결정하고, 제 1 이미지 부분(904) 및 제 2 이미지 부분(906)의 프로젝션을 위한 콘텐츠 영역 및 보이드 영역(908)을 결정할 수 있다. 도 9b에 도시된 바와 같이, 프로젝터(118)는 제 1 이미지 부분(904)을 제 1 영역(900) 상에 프로젝팅하고, 제 2 이미지 부분(906)을 제 2 영역(902) 상에 프로젝팅할 수 있다. 프로젝터(118)는 또한, 제 1 이미지 부분(904) 및 제 2 이미지 부분(906)에 의해 형성되는 이미지가 제 1 영역(900) 및 제 2 영역(902) 상에만 프로젝팅되도록, 제 1 영역(900) 및 제 2 영역(902) 둘레에 보이드 영역(908)을 프로젝팅할 수 있다. 일부 실시예들에서, 보이드 영역(908)은, 프로젝팅되는 흑색 또는 어두운 픽셀들 또는 프로젝터(118)에 의해 턴오프된 픽셀들을 포함하는 가상 광 마스크에 대응할 수 있어서, 그러한 픽셀들에서 어떠한 콘텐츠나 광도 프로젝터(118)에 의해 프로젝팅되지 않는다.도 10a 및 도 10b는 일부 실시예들과 일치하는, 다수의 객체들 상에 피팅하기 위해 다수의 이미지들을 갖는 콘텐츠를 트리밍하는 것의 예를 예시한다. 특히, 도 10a 및 도 10b에 도시된 예는, 제 1 객체(1000) 상에 디스플레이되도록 제 1 이미지(1004)를 트리밍하고 제 2 객체(1002) 상에 디스플레이되도록 제 2 이미지(1006)를 트리밍하는 것의 예를 예시한다. 도 10a에 도시된 바와 같이, 카메라(116)는 제 1 객체(1000) 및 제 2 객체(1002)의 하나 또는 그 초과의 이미지들을 캡쳐할 수 있다. 그 다음으로, 하나 또는 그 초과의 캡쳐된 이미지들은 프로젝션 생성(120), 객체 인식(122), 추적(124), 및 트리밍(126)을 위해 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 1 객체(1000) 및 제 2 객체(1002)의 이미지들은 시스템(100)에 제공될 수 있거나 또는 시스템(100)의 메모리 컴포넌트(108)에 저장될 수 있다. 객체 인식(122)은 제 1 객체(1000) 및 제 2 객체(1002) 상으로 개별적으로 프로젝팅하기 위해 제 1 이미지(1004) 및 제 2 이미지(1006)와 같은 콘텐츠를 결정할 수 있다. 일부 실시예들에서, 시스템(100)의 사용자는 제 1 객체(1000) 또는 제 2 객체(1002) 상으로의 프로젝션을 위해 제 1 이미지(1004) 및 제 2 이미지(1006)를 지정할 수 있다. 더욱이, 객체 인식(122)은 각각 제 1 이미지 부분(1004) 및 제 2 이미지 부분(1006)을 위한 콘텐츠 영역들로서 제 1 객체(1000) 및 제 2 객체(1002)를 인식 및 결정할 수 있다.트리밍(126)은 제 1 객체(1000) 및 제 2 객체(1002)의 형상, 제 1 객체(1000) 및 제 2 객체(1002)의 형상 및/또는 아웃라인, 제 1 객체(1000) 및 제 2 객체(1002)에 대한 거리를 결정하고, 제 1 이미지(1004) 및 제 2 이미지(1006)의 프로젝션을 위한 콘텐츠 영역 및 보이드 영역(1008)을 결정할 수 있다. 도 10b에 도시된 바와 같이, 프로젝터(118)는 제 1 이미지(1004)를 제 1 객체(1000) 상에 프로젝팅하고 제 2 이미지 부분(1006)을 제 2 객체(1002) 상에 프로젝팅할 수 있다. 프로젝터(118)는 또한, 제 1 이미지(1004) 및 제 2 이미지(1006)가 제 1 객체(1000) 및 제 2 객체(1002) 상에만 개별적으로 프로젝팅되도록, 제 1 객체(1000) 및 제 2 객체(1002) 둘레 및 제 1 객체(1000)와 제 2 객체(1002) 사이에 보이드 영역(1008)을 프로젝팅할 수 있다. 일부 실시예들에서, 보이드 영역(1008)은 프로젝팅되는 흑색 또는 어두운 픽셀들 또는 프로젝터(118)에 의해 턴오프된 픽셀들을 포함하는 가상 광 마스크에 대응할 수 있어서, 그러한 픽셀들에서 어떠한 콘텐츠나 광도 프로젝터(118)에 의해 프로젝팅되지 않는다. 결과적으로, 트리밍(126)은, 2개의 객체들 상의 2개의 별개의 이미지들로서 사용자에게 나타나는, 프로젝터(118)에 의한 프로젝션을 위해, 프로젝션 생성(120)이, 제 1 이미지(1004), 제 2 이미지(1006), 및 보이드 영역(1008)을 포함하는 단일 프로젝션을 생성하는 것을 허용할 수 있다.일부 실시예들에서, 시간에 걸친 제 1 객체(1000) 및 제 2 객체(1002)의 움직임은, 제 1 객체(1000) 및 제 2 객체(1002)를 포함하는 영역의 이미지들을 카메라(116) 또는 다른 곳으로부터 수신함으로써 결정될 수 있어서, 추적(124)은 제 1 객체(1000) 상의 제 1 이미지(1004)의 프로젝션 및 제 2 객체(1002) 상의 제 2 이미지(1006)의 프로젝션을 유지할 수 있다. 추적(124)은 또한, 제 1 이미지(1004) 및 제 2 이미지(1006)가 제 1 객체(1000) 및 제 2 객체(1002) 상에만 프로젝팅되도록, 보이드 영역(1008)의 생성을 유지할 수 있다.도 11은 일부 실시예들과 일치하는, 콘텐츠를 트리밍하기 위한 방법을 예시하는 흐름도이다. 예시의 목적을 위해, 도 11은 도 1, 도 2a 내지 도 2d, 도 3a 및 도 3b, 도 4a 및 도 4b, 도 5a 및 도 5b, 및 도 6a 및 도 6b 중 임의의 도면을 참조하여 설명될 것이다. 도 11에 도시된 프로세스(1100)는 하나 또는 그 초과의 프로세서들에 의한 실행을 위해 컴퓨터-판독가능 명령들로 구현될 수 있으며, 일부 실시예들에서는 시스템(100)의 운영 체제에 의해 구현될 수 있고, 운영 체제의 백그라운드 서비스로서 구현될 수 있다. 도 11에 도시된 바와 같이, 프로세스(1100)는 프로젝션 타겟을 결정(1102)함으로써 시작된다. 일부 실시예들에서, 프로젝션 타겟은 사용자 입력에 기초하여 결정될 수 있다. 예컨대, 사용자는 입력 및 내비게이션 컴포넌트(112)를 이용하여 타겟을 선택함으로써 디스플레이 컴포넌트(110) 상에 디스플레이되는 타겟을 지정할 수 있다. 일부 실시예들에서, 프로젝션 타겟은 객체 인식(122)을 이용하여 결정될 수 있다. 예컨대, 객체 인식(122)은 타겟의 형상 또는 크기, 또는 타겟의 표면의 타입에 기초하여 적절한 프로젝션 타겟을 결정하는 것을 포함할 수 있다. 객체 인식(122)은 또한, 콘텐츠 제공자, 소매상 또는 제조자에 의해 설정된 바와 같이, 타겟과 연관된 미리 결정된 정보에 기초하여 프로젝션 타겟을 결정하는 것을 포함할 수 있다.일단 프로젝션 타겟이 결정되면, 프로젝션 타겟의 하나 또는 그 초과의 경계들이 결정될 수 있다(1104). 일부 실시예들에서, 프로젝션 타겟의 하나 또는 그 초과의 경계들은 카메라(116)에 의해 프로젝션 타겟의 하나 또는 그 초과의 이미지들을 캡쳐함으로써, 프로젝션 타겟의 이미지들을 수신함으로써, 또는 메모리 컴포넌트(108)로부터 프로젝션 타겟의 이미지들을 리트리빙함으로써 결정될 수 있다. 그 다음으로, 프로젝션 타겟의 하나 또는 그 초과의 특징들은 캡쳐된 하나 또는 그 초과의 이미지들에 기초하여 결정될 수 있다. 예컨대, 트리밍(126)은 하나 또는 그 초과의 이미지들로부터 프로젝션 타겟의 형상 및 아웃라인뿐만 아니라 프로젝션 타겟에 대한 거리를 결정할 수 있다. 일부 실시예들에서, 카메라(116)는 깊이 카메라이거나 또는 깊이 카메라를 포함할 수 있고, 프로젝션 타겟에 대한 거리를 결정하기 위해 이용될 수 있는 깊이 맵을 결정할 수 있다. 더욱이, 깊이 맵은, 깊이 맵의 배경으로부터 프로젝션 타겟을 세그먼트화함으로써 프로젝션 타겟의 형상을 결정하기 위해 이용될 수 있다.프로젝션 타겟의 하나 또는 그 초과의 경계들에 기초하여, 프로세스(1100)는 콘텐츠 영역 및 보이드 영역을 결정할 수 있다(1106). 일부 실시예들에서, 콘텐츠 영역은 프로젝션 타겟 내의 영역들을 포함할 수 있고, 보이드 영역은 프로젝션 타겟 외측의 영역들을 포함할 수 있다. 예컨대, 프로젝션 타겟의 하나 또는 그 초과의 경계들을 결정하는 것이 프로젝션 타겟의 아웃라인을 결정하는 것을 포함하는 경우, 콘텐츠 영역 및 보이드 영역을 결정하는 것은 프로젝션 타겟의 아웃라인 내의 영역을 콘텐츠 영역으로서 결정하고 프로젝션 타겟의 아웃라인 외측의 영역들을 보이드로서 결정하는 것을 포함할 수 있다.그 다음으로, 프로세스(1100)는 스케일링 팩터를 결정할 수 있다(1108). 일부 실시예들에서, 스케일링 팩터를 결정하는 것은, 프로젝션 타겟 상에 프로젝팅되는 콘텐츠가, 프로젝션 타겟의 경계들에 기초하여 최대 해상도일 수 있는 미리 결정된 해상도로 프로젝팅되도록, 프로젝션 타겟에 대한 거리에 기초하여 스케일링 팩터를 결정하는 것을 포함할 수 있다. 그 다음으로, 프로젝션 생성(120)은 결정된 스케일링 팩터에 기초하여 결정된 콘텐츠 영역의 경계들을 이용한 프로젝션을 위해 콘텐츠를 생성하고(1110), 보이드 영역을 생성할 수 있다(1112). 그 다음으로, 일부 실시예들에서, 프로젝터(118)는 생성된 콘텐츠 및 생성된 보이드 영역을 프로젝팅할 수 있다. 일부 실시예들에서, 프로젝팅되는 보이드 영역은 프로젝팅되는 어두운 픽셀들일 수 있다. 일부 실시예들에서, 보이드 영역은 프로젝팅되지 않을 수 있지만, 대신에 프로젝터(118)는 보이드 영역 내의 픽셀들을 턴오프할 수 있다. 그 결과, 프로세스(1100)는, 프로젝션 타겟 너머의 표면들 또는 영역들 상으로 유출되지 않는, 프로젝션 타겟 상으로의 프로젝션을 위해 콘텐츠를 트리밍할 수 있다. 프로세스(1100)는 도 2a 내지 도 2d, 도 3a 및 도 3b, 도 4a 및 도 4b, 및 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같은 객체들 상에 이미지들과 같은 콘텐츠를 프로젝팅하기 위해 이용될 수 있다. 더욱이, 프로세스(1100)는 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 손 위로 메시지들을 프로젝팅하기 위해 이용될 수 있다.도 12는 일부 실시예들과 일치하는, 객체 상에 마스킹된 이미지를 프로젝팅하기 위한 방법을 예시하는 흐름도이다. 예시의 목적을 위해, 도 12는 도 3a 및 도 3b를 참조하여 설명될 것이다. 도 12에 도시된 프로세스(1200)는 하나 또는 그 초과의 프로세서들에 의한 실행을 위해 컴퓨터-판독가능 명령들로 구현될 수 있으며, 일부 실시예들에서는 시스템(100)의 운영 체제에 의해 구현될 수 있고, 운영 체제의 백그라운드 서비스로서 구현될 수 있다. 도 12에 도시된 바와 같이, 프로세스(1200)는 시야 내의 객체를 인식(1202)함으로써 시작된다. 예컨대, 도 3a에 도시된 바와 같이, 카메라(116)는 객체(300)의 하나 또는 그 초과의 이미지들을 캡쳐할 수 있다. 일부 실시예들에서, 객체의 이미지들은 시스템(100)에 의해 수신되거나 또는 다르게는 메모리 컴포넌트(108)에 저장될 수 있다. 그 다음으로, 객체 인식(122)은 이미지들에서의 객체(300)의 피쳐들에 기초하여 객체(300)를 인식하는 것을 포함할 수 있다. 그 다음으로, 인식된 객체 상에 프로젝팅할 이미지가 결정될 수 있다(1204). 일부 실시예들에서, 객체 인식(122)은 객체와 연관된 정보에 기초하여 인식된 객체 상에 프로젝션을 위해 이미지와 같은 콘텐츠를 결정하는 것을 포함할 수 있다. 도 3a를 다시 참조하면, 객체(300)는 객체(300) 상으로의 이미지(302)의 프로젝션으로부터 이익을 얻을 수 있는 특정 피쳐들 또는 특징들을 가질 수 있다. 예컨대, 객체(300)는 제품일 수 있고, 이미지(302)는 제품 또는 제품에 관한 정보와 연관된 이미지일 수 있다. 객체 인식(122)은 시스템 내에 로컬적으로 저장된 정보 또는 네트워크를 통해 결정된 정보에 기초하여 이미지(302)를 결정하는 것을 포함할 수 있다. 정보는 사용자에 의해 제공될 수 있거나 또는 소매상, 제조자, 또는 콘텐츠 제공자와 같은 제삼자에 의해 제공될 수 있다.그 다음으로, 프로세스(1200)는 객체에 대한 거리 및 객체의 형상을 결정(1206)함으로써 계속될 수 있다. 예컨대, 트리밍(126)은 하나 또는 그 초과의 캡쳐된 이미지들로부터 객체(300)의 형상 및 아웃라인뿐만 아니라 객체(300)에 대한 거리를 결정할 수 있다. 일부 실시예들에서, 카메라(116)는 깊이 카메라이거나 또는 깊이 카메라를 포함할 수 있고, 객체(300)에 대한 거리를 결정하기 위해 이용될 수 있는 깊이 맵을 결정할 수 있다. 더욱이, 깊이 맵은 깊이 맵의 배경으로부터 프로젝션 타겟을 세그먼트화함으로써 객체(300)의 형상을 결정하기 위해 이용될 수 있다.결정된 형상 및 객체(300)에 대한 거리에 기초하여, 트리밍(126)은 보이드 영역을 생성할 수 있다(1208). 일부 실시예들에서, 보이드 영역은 보이드 영역(304)과 같이, 객체의 결정된 형상 외측의 영역들 상에 프로젝팅될 어두운 픽셀들을 포함할 수 있다. 보이드 영역은 또한, 프로젝터(118)에 의해 턴오프되는 또는 다르게는 프로젝터(118)에 의해 프로젝팅되지 않는 픽셀들에 대응할 수 있다. 그 다음으로, 프로세스(1200)는 결정된 이미지(302) 및 보이드 영역(304)을 객체(300) 상에 프로젝팅함으로써 계속될 수 있다(1210). 그 다음으로, 추적(124)은 객체(300)를 추적하고, 추적에 기초하여 보이드 영역(304)을 조정할 수 있다(1212). 일부 실시예들에서, 추적(124)은 센서들(114)로부터의 정보 및/또는 시스템(100)에 의해 수신된, 메모리 컴포넌트(108)에 저장된, 또는 카메라(116)에 의해 캡쳐된 이미지들에 기초하여 6 자유도로 객체(300)의 포지션 또는 배향의 변화들을 검출하는 것을 포함한다. 프로세스(1200)는, 프로젝팅되는 이미지가 객체 너머의 표면들 또는 영역들 상으로 프로젝팅되지 않도록, 객체 상으로의 프로젝션을 위해 이미지를 트리밍할 수 있다. 프로세스(1200)가 도 3a 및 도 3b에 대해 설명되지만, 프로세스(1200)는 도 2a 내지 도 2d, 도 3a 및 도 3b, 도 4a 및 도 4b, 및 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 객체 내에 프로젝션 타겟을 지정하는 것을 더 포함할 수 있다. 더욱이, 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 객체는 손일 수 있고, 이미지는 메시지일 수 있다. 일부 실시예들에서, 객체는 노트북, 컴퓨팅 디바이스, 스크린, 한 장의 종이, 박스, 카드, 또는 다른 이러한 객체들과 같은 다른 객체들일 수 있다. 더욱이, 이미지는 또한, 사진, 비디오, 소셜 네트워킹 포스트, 일정 알림(calendar alert), 사용자 인터페이스 엘리먼트들 등을 포함하는 다른 콘텐츠일 수 있다.도 13은 일부 실시예들과 일치하는, 타겟 상에 마스킹된 경보를 프로젝팅하기 위한 방법을 예시하는 흐름도이다. 예시의 목적을 위해, 도 13은 도 6a 및 도 6b를 참조하여 설명될 것이다. 도 13에 도시된 프로세스(1300)는 하나 또는 그 초과의 프로세서들에 의한 실행을 위해 컴퓨터-판독가능 명령들로 구현될 수 있으며, 일부 실시예들에서는 시스템(100)의 운영 체제에 의해 구현될 수 있고, 운영 체제의 백그라운드 서비스로서 구현될 수 있다. 도 13에 도시된 바와 같이, 프로세스(1300)는 시스템(100)이 시스템 경보를 생성(1302)할 때 시작된다. 일부 실시예들에서, 시스템 경보는 알람, 통지, 일정 알림, 수신된 메시지, 이를테면, 이메일, 인스턴트 메시지, 또는 SMS(short messaging service message) 등을 포함할 수 있다. 예컨대, 도 6b에 도시된 바와 같이, 시스템 경보는 메시지(602)를 포함할 수 있다. 그 다음으로, 프로세스(1300)는 시야 내의 타겟을 인식(1304)함으로써 계속될 수 있다. 예컨대, 도 6a에 도시된 바와 같이, 카메라(116)는 손(600)의 하나 또는 그 초과의 이미지들을 캡쳐할 수 있다. 그 다음으로, 객체 인식(122)은 하나 또는 그 초과의 캡쳐된 이미지들 또는 시스템(100)에 의해 수신된 또는 메모리 컴포넌트(108)에 저장된 이미지들에서 캡쳐된 손(600)의 피쳐들에 기초하여 손(600)을 인식하는 것을 포함할 수 있다.그 다음으로, 프로세스(1300)는 타겟의 형상 및 거리를 결정(1306)함으로써 계속될 수 있다. 예컨대, 트리밍(126)은 하나 또는 그 초과의 이미지들로부터 손(600)의 형상 및 아웃라인뿐만 아니라 손(600)에 대한 거리를 결정하는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 카메라(116)는 깊이 카메라이거나 또는 깊이 카메라를 포함할 수 있고, 손(600)에 대한 거리를 결정하기 위해 이용될 수 있는 깊이 맵을 결정할 수 있다. 더욱이, 깊이 맵은 깊이 맵의 배경으로부터 프로젝션 타겟을 세그먼트화함으로써 손(600)의 형상을 결정하기 위해 이용될 수 있다.손(600)에 대해 결정된 형상 및 거리에 기초하여, 트리밍(126)은 보이드 영역을 생성할 수 있다(1308). 일부 실시예들에서, 보이드 영역은, 보이드 영역(604)과 같이, 객체의 결정된 형상 외측의 영역들 상에 프로젝팅될 어두운 픽셀들일 수 있다. 일부 실시예들에서, 보이드 영역은 프로젝터(118)에 의해 프로젝팅되지 않는 또는 다르게는 프로젝팅할 때 턴오프되는 픽셀들일 수 있다. 그 다음으로, 프로세스(1300)는, 보이드 영역에 의해 마스킹된 타겟 상에 경보를 프로젝팅(1310)함으로써 계속될 수 있다. 예컨대, 도 6b에 도시된 바와 같이, 메시지(602)가 손(600) 위에만 프로젝팅되도록, 메시지(602) 및 보이드 영역(604)이 손(600) 위로 프로젝팅될 수 있다. 그 다음으로, 추적(124)은 손(600)과 같은 타겟을 추적하고 추적에 기초하여 보이드 영역(604)을 조정할 수 있다(1312). 일부 실시예들에서, 추적(124)은 센서들(114)로부터의 정보 및/또는 시스템(100)에 의해 수신된, 메모리 컴포넌트(108)에 저장된, 또는 카메라(116)에 의해 캡쳐된 이미지들에 기초하여 6 자유도로 손(600)의 포지션 또는 배향의 변화들을 검출하는 것을 포함한다. 프로세스(1300)는 프로젝팅되는 경보가 타겟 너머의 표면들 또는 영역들 상으로 프로젝팅되지 않도록, 타겟 상으로의 프로젝션을 위해 경보를 트리밍할 수 있다.도 14는 일부 실시예들과 일치하는, 검출된 제스처에 기초하여 타겟 상에 마스킹된 콘텐츠를 프로젝팅하기 위한 방법을 예시하는 흐름도이다. 예시의 목적을 위해, 도 14는 도 7a 내지 도 7d를 참조하여 설명될 것이다. 도 14에 도시된 프로세스(1400)는 하나 또는 그 초과의 프로세서들에 의한 실행을 위해 컴퓨터-판독가능 명령들로 구현될 수 있으며, 일부 실시예들에서는 시스템(100)의 운영 체제에 의해 구현될 수 있고, 운영 체제의 백그라운드 서비스로서 구현될 수 있다. 도 14에 도시된 바와 같이, 프로세스(1400)는, 비공개 모드에 진입하기 위한 제스처를 제스처 검출(128)이 검출(1402)할 때 시작된다. 일부 실시예들에서, 비공개 모드에 진입하기 위한 제스처는 오므려진 손, 또는 제스처 라이브러리의 제스처들과 상관될 때, 비공개 모드에 진입하기 위한 동작에 대응하는 다른 제스처일 수 있다. 그 다음으로, 프로세스(1400)는, 시야 내의 타겟을 인식(1404)함으로써 계속될 수 있다. 예컨대, 도 7b에 도시된 바와 같이, 카메라(116)는 제 1 객체(700)의 하나 또는 그 초과의 이미지들을 캡쳐할 수 있다. 일부 실시예들에서, 시스템(100)은 제 1 객체(700)의 이미지들을 수신할 수 있거나 또는 다르게는 메모리 컴포넌트(108)에 저장된 제 1 객체의 하나 또는 그 초과의 이미지들을 가질 수 있다. 객체 인식(122)은 제 1 객체(700)의 이미지들로부터의 제 1 객체(700)의 피쳐들에 기초하여 제 1 객체(700)를 인식하는 것을 포함할 수 있다.그 다음으로, 프로세스(1400)는 타겟의 형상 및 거리를 결정(1406)함으로써 계속될 수 있다. 예컨대, 트리밍(126)은 이미지들로부터 제 1 객체(700)의 형상 및 아웃라인뿐만 아니라 제 1 객체(700)에 대한 거리를 결정하는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 카메라(116)는 깊이 카메라이거나 또는 깊이 카메라를 포함할 수 있고, 제 1 객체(700)에 대한 거리를 결정하기 위해 이용될 수 있는 깊이 맵을 결정할 수 있다. 더욱이, 깊이 맵은 깊이 맵의 배경으로부터 프로젝션 타겟을 세그먼트화함으로써 제 1 객체(700)의 형상을 결정하기 위해 이용될 수 있다.제 1 객체(700)에 대해 결정된 거리 및 형상에 기초하여, 트리밍(126)은 보이드 영역을 생성할 수 있다(1408). 일부 실시예들에서, 보이드 영역은 보이드 영역(706)과 같이, 제 1 객체(700)의 결정된 형상 외측의 영역들 상에 프로젝팅될 어두운 픽셀들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 보이드 영역은 프로젝터(118)에 의해 프로젝팅되지 않는 또는 다르게는 프로젝팅될 때 턴오프되는 픽셀들일 수 있다. 그 다음으로, 프로세스(1400)는 보이드 영역에 의해 마스킹되는 타겟 상에 콘텐츠를 프로젝팅(1410)함으로써 계속될 수 있다. 예컨대, 도 7c에 도시된 바와 같이, 이미지(704)가 제 1 객체(700) 상에만 프로젝팅되고 보이드 영역(706)에 의해 마스킹되도록, 이미지(704) 및 보이드 영역(706)이 프로젝팅될 수 있다. 그 다음으로, 제스처 검출은 공개 모드에 진입하기 위한 제스처를 검출할 수 있다(1412). 일부 실시예들에서, 공개 모드에 진입하기 위한 제스처는 펼쳐진 손, 투구 동작, 또는 검출될 때, 공개 모드에 진입하기 위한 동작에 대응하는 제스처 라이브러리의 제스처와 상관되는 다른 제스처일 수 있다. 그 다음으로, 프로젝터(118)는 보이드 영역에 의해 마스킹되지 않은 콘텐츠를 프로젝팅할 수 있다(1414). 예컨대, 트리밍(126)은 보이드 영역이 없음을 결정하거나, 보이드 영역이 어떠한 영역도 갖지 않음을 또는 0의 영역을 가짐을 결정할 수 있거나, 또는 제 2 객체(702)와 같은 더 큰 타겟 객체에 기초하여 보이드 영역을 결정할 수 있다.본 개시내용에 따르면, 프로그램 코드 및/또는 데이터와 같은 소프트웨어는 비-일시적 머신 판독가능 매체를 포함하는 하나 또는 그 초과의 머신 판독가능 매체들 상에 저장될 수 있다. 본원에서 식별되는 소프트웨어가 하나 또는 그 초과의 범용 또는 주문형 컴퓨터들 및/또는 컴퓨터 시스템들을 이용하여 구현되고, 네트워킹되고, 그리고/또는 달리 구현될 수 있음이 또한 고려된다. 적절한 경우, 본원에서 설명되는 다양한 단계들의 순서화는, 본원에서 설명되는 피쳐들을 제공하기 위해 변경되고, 합성 단계들로 결합되고, 그리고/또는 서브-단계들로 분리될 수 있다.결과적으로, 본원에서 설명되는 바와 같은 실시예들은, 프로젝션 타겟의 하나 또는 그 초과의 경계들을 결정하고, 결정된 하나 또는 그 초과의 경계들에 기초하여 프로젝션 타겟 상의 프로젝션을 위해 콘텐츠를 트리밍함으로써 프로젝션 타겟에 프로젝션들을 피팅하기 위한 시스템들 및 방법들을 제공할 수 있다. 게다가, 프로젝션 타겟 상의 뷰잉을 위해 콘텐츠의 해상도를 최대화하기 위해, 본원에서 설명되는 실시예들은, 프로젝션 타겟의 외측에 있는, 어떠한 콘텐츠도 없는 영역들을 결정하고, 이러한 영역들에서 마스킹된 픽셀들과 같이 어떠한 콘텐츠도 없는 영역들을 프로젝팅하여서, 프로젝팅되는 콘텐츠가 프로젝션 타겟 너머의 표면들 및 영역들 상으로 유출됨이 없이 프로젝션 타겟 상으로의 프로젝션을 위해 미리 결정된 해상도로 콘텐츠가 스케일링될 수 있다. 앞서 제공된 예들은 단지 예시적일뿐이며, 제한적인 것이도록 의도되지 않는다. 당업자는 본 개시내용의 범위 내에 있도록 의도된, 개시된 실시예들과 일치하는 다른 시스템들을 용이하게 구상할 수 있다. 이와 같이, 본 출원은 다음의 청구항들에 의해서만 제한된다.
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프로젝션 타겟의 경계들 내의 프로젝션을 위해 콘텐츠를 트리밍하기 위한 시스템들 및 방법들이 제공된다. 시스템들 및 방법들은 프로젝션 타겟의 형상, 아웃라인, 및 프로젝션 타겟에 대한 거리를 포함한, 프로젝션 타겟의 하나 또는 그 초과의 특징들에 기초하여 프로젝션을 위해 콘텐츠를 트리밍한다. 더욱이, 시스템들 및 방법들은 하나 또는 그 초과의 특징들에 기초하여, 어떠한 콘텐츠도 프로젝팅되지 않을 보이드 영역들을 지정하며, 프로젝팅되는 콘텐츠가 프로젝션 타겟 외측의 표면들 또는 객체들 상으로 상당히 유출되지 않게, 콘텐츠가 프로젝션 타겟 상에 프로젝팅되고 보이드 영역들이 프로젝션 타겟 외측에 프로젝팅되도록, 보이드 영역들이 콘텐츠와 함께 생성되거나 또는 다른 방식으로 프로젝팅될 것이다.
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[ 발명의 명칭 ]
다중층 광학 필름을 갖는 저-색상 스크래치-저항 제품 LOW-COLOR SCRATCH-RESISTANT ARTICLES WITH A MULTILAYER OPTICAL FILM
[ 기술분야 ]
본 출원은 35 U.S.C.§119 하에 2014년 3월 18일자로 출원된 미국 가출원번호 제61/954,697호, 2013년 9월 13일자로 출원된 미국 가출원번호 제61/877,568호, 및 2013년 5월 7일자로 출원된 미국 가출원번호 제61/820,407호의 우선권을 주장하며, 이러한 가출원 특허의 내용은 전체적으로 참조로서 본 명세서에 병합된다.
[ 배경기술 ]
본 개시는 보유하고 있는 광학 특성을 갖는 스크래치-저항 제품에 관한 것으로, 더 구체적으로는 다른 입사 조사각 (incident illumination angles)에서 봤을 때 낮은 색상 변화 (color shift) 및 높은 경도를 나타내는 제품에 관한 것이다.커버 기판은 종종 입력 및/또는 디스플레이, 및/또는 많은 다른 기능을 위한 사용자 인터페이스를 제공하기 위해, 생산품 내에서 중요한 디바이스를 보호하는 소비자 전자 생산품에서 사용된다. 그러한 소비자 전자 생산품은 스마트 폰, MP3 플레이어 및 컴퓨터 테블릿과 같은 모바일 디바이스를 포함한다. 이러한 적용물 및 다른 것은 또한 종종 내구성 있는(예를 들어, 스크래치-저항성) 커버 기판을 요구하고, 이는 또한 강한 광학 성능 특징을 갖는다. 상기 커버 기판은 종종 이러한 목적을 위한 유리를 포함한다. 최대 광 투과율 및 최소 반사율에 관하여 강한 광학 성능이 커버 기판 적용에서 요구된다. 나아가, 상기 커버 기판 적용은 반사 및/또는 투과에서, 나타나거나 감지되는 색상이 시야각 (또는 입사 조사각)이 변화됨에 따라 눈에 띄게 변화하지 않을 것을 요구한다. 이것은 반사율 또는 투과율에서 색상이 적절한 정도에서 시야각과 함께 변화한다면, 커버 유리를 병합하는 생산품의 사용자는 디스플레이의 색상 또는 밝기에서 변화를 감지할 것이고, 이는 디스플레이의 감지된 품질을 감소시킬 수 있기 때문이다. 이러한 변화 중, 색상에서 변화는 종종 사용자에게 가장 분명하고, 불쾌할 수 있다.알려진 커버 기판은 가혹한 작동 조건에서 사용 후 종종 스크래치를 나타내는 유리 및 필름 조합을 포함한다. 증거는 단일 사건으로 발생하는 예리한 접촉에 의해 야기되는 손상이 모바일 디바이스에서 사용되는 그러한 유리-필름 커버 기판에서 가시적인 스크래치의 주요 근원임을 제시한다. 상당한 스크래치가 상기 커버 기판 상에 나타나면, 상기 스크래치는 광 산란의 증가를 야기하며, 이는 상기 디스플레이 상 이미지의 밝기, 선명도 및 명암에서 상당한 감소를 야기할 수 있기 때문에 제품의 외관은 저하된다. 상당한 스크래치는 또한 터치 센서 디스플레이의 정확성 및 신뢰성에 영향을 미칠 수 있다. 이러한 스크래치, 및 덜 상당한 스크래치 조차도 눈에 거슬리고, 생산품 성능에 영향을 미칠 수 있다. 단일 사건 스크래치 손상은 마모 손상과 대비될 수 있다. 마모 손상은 전형적으로 단단한 반대 면(counter face) 대상 (예를 들면, 모래, 자갈 및 사포)으로부터 슬라이딩 접촉을 반복함으로써 야기되기 때문에, 상기 커버 기판은 전형적으로 마모 손상을 겪지 않는다. 대신, 디스플레이 적용에 사용되는 커버 기판은 전형적으로 단지 손가락과 같은 부드러운 대상으로부터의 슬라이딩 접촉을 반복하는 것을 견딘다. 덧붙여, 마모 손상은 열을 발생시킬 수 있고, 이는 상기 필름 물질에서 화학 결합을 분해시킬 수 있고 상기 커버 유리에 플레이킹 (flaking) 및 다른 타입의 손상을 야기할 수 있다. 덧붙여, 마모 손상은 종종 스크래치를 일으키는 단일 사건보다 장기간에 걸쳐 겪게 되기 때문에, 상기 필름 물질이 겪는 마모 손상은 또한 산화시킬 수 있고, 이는 추가적으로 상기 필름의 내구성을 저하시키고 따라서 상기 유리-필름 적층체의 내구성을 저하시킨다. 스크래치를 야기하는 단일 사건은 일반적으로 마모 손상을 야기하는 사건과 동일 조건을 포함하지 않고, 그러므로 마모 손상을 방지하기 위해 종종 사용되는 해결책은 커버 기판에서 스크래치를 방지하는데 적용할 수 없다. 게다가, 알려진 스크래치 및 마모 손상 해결책은 종종 광학 특성을 떨어뜨린다.따라서, 스크래치-저항성이 있고 우수한 광학 성능을 가지는 새로운 커버 기판, 및 그것의 제조를 위한 방법에 대한 필요성이 있다.
[ 발명의 개요 ]
[ 해결하려는 과제 ]
본 발명은 스크래치-저항성 및 향상된 광학 특성을 나타내는 제품을 제공하는 것을 목적으로 한다.
[ 과제의 해결 수단 ]
본 개시의 하나의 관점은 표면을 가지는 기판 및 코팅된 표면을 형성하는 기판의 표면 상에 배치된 광학 필름을 포함하는 제품과 관련된다. 하나 이상의 구체 예의 제품은 광원 하에 수직 입사로부터 약 0 도 내지 약 60 도 범위의 입사 조사각에서 봤을 때, 약 2 이하의 색상 변화 또는 약 0.5 이하의 색상 변화를 나타낸다. 예시적인 광원은 국제 조명 위원회 (International Commission on Illumination, "CIE") F2 또는 CIE F10을 포함한다.일부 구체 예의 제품은 코팅된 표면을 베르코비치 압자 (Berkovitch indenter)로 만입시켜 상기 코팅된 표면의 표면으로부터 적어도 약 100 nm의 골 깊이를 가지는 만입을 형성함으로써 상기 코팅된 표면 상에서 측정되는 것으로서, 약 8 GPa 이상의 표면 경도를 나타낸다. 일부 경우에서, 상기 제품은 약 500 GPa 까지의 표면 경도를 나타낼 수 있다. 상기 제품은 광학 필름과 기판 사이에 배치되거나 상기 광학 필름 내에 균열 완화층 (crack mitigating layer)을 선택적으로 포함할 수 있다.하나 이상의 구체 예에서, 상기 광학 필름은 스크래치-저항층을 포함한다. 상기 스크래치-저항층은 약 8 GPa 이상의 경도를 나타낼 수 있다. 일부 구체 예의 스크래치-저항층은 약 1.7 이상의 굴절률을 나타낼 수 있다. 상기 스크래치-저항층은 AlN, Si3N4, AlOxNy, SiOxNy, Al2O3, SixCy, SixOyCz, ZrO2, TiOxNy, 다이아몬드, 다이아몬드-같은 탄소, 및 SiuAlvOxNy 중 하나 이상을 포함할 수 있다.하나 이상의 구체 예의 광학 필름은 스크래치-저항층 및 기판 사이에 배치된 광학 간섭층을 포함한다. 상기 광학 간섭층은 제1 낮은 굴절률 (RI) 서브-층 및 제2 높은 굴절률 서브-층을 포함할 수 있다. 제1 낮은 굴절률 서브-층의 굴절률과 제2 높은 굴절률 서브-층의 굴절률 사이의 차이는 약 0.01 이상일 수 있다. 하나 이상의 구체 예에서, 광학 간섭층은 다수의 서브-층 세트 (예를 들면, 10 까지의 서브-층 세트)를 포함하고, 이는 제1 낮은 굴절률 서브-층 및 제2 높은 굴절률 서브-층을 포함할 수 있다. 상기 제1 낮은 굴절률 서브-층은 SiO2, Al2O3, GeO2, SiO, AlOxNy, SiOxNy, SiuAlvOxNy, MgO, MgF2, BaF2, CaF2, DyF3, YbF3, YF3, 및 CeF3 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 제2 높은 굴절률 서브-층은 SiuAlvOxNy, Ta2O5, Nb2O5, AlN, Si3N4, AlOxNy, SiOxNy, HfO2, TiO2, ZrO2, Y2O3, Al2O3, 및 MoO3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.일부 경우에서, 광학 간섭층은 제3 서브-층을 포함한다. 상기 제3 서브-층은 다수의 서브-층 세트 및 스크래치-저항층 사이에 배치될 수 있다. 택일적으로, 상기 제3 서브-층은 상기 기판 및 다수의 서브-층 세트 사이에 배치될 수 있다. 하나 이상의 구체 예의 제3 서브-층은 제1 낮은 굴절률 서브-층의 굴절률과 제2 높은 굴절률 서브-층의 굴절률 사이의 굴절률을 가질 수 있다. 일부 구체 예의 광학 필름은 스크래치-저항층 상에 배치된 캡핑층을 포함할 수 있다.광학 간섭층의 제1 낮은 굴절률 서브-층 및/또는 제2 높은 굴절률 서브-층은 약 2 nm 내지 약 200 nm 범위의 광학 두께 (n*d)를 가질 수 있다. 광학 간섭층은 약 800 nm 이하의 두께를 나타낼 수 있다.일부 구체 예에서, 상기 광학 간섭층은 광학 파장 체계 (optical wavelength regime)에 걸쳐 약 0.5 % 이하의 평균 광 반사를 나타낸다. 일부 구체 예에서, 제품은 광학 파장 체계에 걸쳐 약 5 퍼센트 포인트 평균 진동 진폭 (oscillation amplitude)을 가지는 평균 투과율 또는 평균 반사율을 나타낸다.하나 이상의 구체 예의 기판은 무정형 기판 또는 결정성 기판을 포함할 수 있다. 상기 무정형 기판은 소다 라임 유리, 알칼리 알루미노실리케이트 유리, 알칼리 함유 보로실리케이트 유리 및 알칼리 알루미노보로실리케이트 유리로 이루어진 군으로부터 선택된 유리를 포함할 수 있다. 상기 유리는 선택적으로 화학적으로 강화되고, 및/또는 화학적으로 강화된 유리의 표면으로부터 층의 깊이 (DOL)까지 화학적으로 강화된 유리 내부로 확장하는 적어도 250 MPa의 표면 압축 응력 (CS)을 가지는 압축 응력 층을 포함할 수 있다. 그러한 기판에 의해 나타나는 층의 깊이 (DOL)는 적어도 약 10 μm일 수 있다.추가적인 특징 및 장점이 다음의 상세한 설명에서 설명될 것이다. 추가적인 특징 및 장점이 상세한 설명으로부터 당업자에게 용이하게 파악될 수 있거나 또는 본 명세서 및 첨부된 도면에 기재된 구체 예를 실시함으로써 인식될 수 있다.전술한 일반적인 설명과 후술할 상세한 설명 모두는 단지 예시적인 것이고, 청구항의 특성과 속성을 이해하는데 개요 또는 틀을 제공하기 위해 의도된 것으로 이해된다. 첨부한 도면은 추가적인 이해를 제공하기 위해 포함되고, 본 명세서의 일 부분에 병합되고, 본 명세서의 일 부분을 구성한다. 상기 도면은 하나 이상의 구체 예를 도시하고, 상세한 설명과 함께 다양한 구체 예의 원리 및 작동을 설명하기 위해 제공된다.
[ 도면의 간단한 설명 ]
도 1은 알려진 기판 및 스크래치-저항 물질 구체 예를 나타낸 도면이다;도 2는 단일층 간섭층을 포함하는 알려진 제품을 나타낸 도면이다;도 3은 도 2에서 나타난 제품에 대한 반사율 스펙트럼이다;도 4는 도 3에서 나타난 반사율 스펙트럼에 기초한 계산된 a* 및 b* 색상 변화의 범위를 나타내는 그래프이다;도 5는 하나 이상의 구체 예에 따른 제품의 도면이다;도 6은 도 5에서 나타난 제품의 더욱 상세한 도면이다;도 7은 모델 실시 예 1에 따른, 제3 서브-층 세트를 갖는 광학 간섭층을 가지는 제품에 대한 계산된 반사율 스펙트럼이다;도 8은 모델 실시 예 1에 대한 계산된 a* 및 b* 색상 변화의 범위를 나타내는 그래프이다;도 9는 모델 실시 예 2에 따른 제품의 개략적 대표도이다;도 10은 모델 실시 예 2에 따른 제품에 대한 계산된 반사율 스펙트럼이다;도 11은 모델 실시 예 2에 대한 계산된 a* 및 b* 색상 변화의 범위를 나타내는 그래프이다;도 12는 모델 실시 예 3에 따른 제품의 개략적 대표도이다;도 13은 모델 실시 예 3에 따른 제품에 대한 계산된 반사율 스펙트럼이다;도 14는 모델 실시 예 3에 대한 계산된 a* 및 b* 색상 변화의 범위를 나타내는 그래프이다;도 15는 모델 실시 예 4에 따른 제품의 개략적 대표도이다;도 16은 모델 실시 예 4에 따른 제품에 대한 계산된 반사율 스펙트럼이다;도 17은 모델 실시 예 4에 대한 계산된 a* 및 b* 색상 변화의 범위를 나타내는 그래프이다;도 18은 모델 실시 예 5에 따른 제품의 개략적 대표도이다;도 19는 모델 실시 예 5에 따른 제품에 대한 계산된 반사율 스펙트럼이다;도 20은 모델 실시 예 6에 따른 제품의 개략적 대표도이다;도 21은 모델 실시 예 6에 따른 제품에 대한 계산된 반사율 스펙트럼이다;도 22는 모델 실시 예 7에 따른 제품의 개략적 대표도이다;도 23은 모델 실시 예 7에 따른 제품에 대한 계산된 반사율 스펙트럼이다;도 24는 모델 실시 예 8에 따른 제품의 개략적 대표도이다;도 25는 모델 실시 예 8에 따른 제품에 대한 계산된 반사율 스펙트럼이다;도 26은 모델 실시 예 6-8에 대한 계산된 a* 및 b* 색상 변화의 범위를 나타내는 그래프이다;도 27은 모델 실시 예 9에 따른 제품의 개략적 대표도이다;도 28은 모델 실시 예 9에 따른 제품에 대한 계산된 반사율 스펙트럼이다;도 29는 실시 예 10-11 및 비교 실시 예 12에 따른 제품에 대한 측정된 투과율 스펙트럼을 나타낸다;도 30은 다른 입사 조사각에서 실시 예 10-11 및 노출된 (bare) 유리에 대한 측정된 반사 색상 좌표를 나타낸다;도 31은 5 도의 입사 조사각에서 실시 예 10-11에 대한 측정된 투과 광 색상 좌표를 나타낸다; 및도 32는 모델 실시 예 13에 따른 제품의 개략적 대표도이다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
참조는 이제 다양한 구체 예에서 상세하게 이루어질 것이고, 상기 구체 예의 실시 예는 첨부한 도면에서 도시된다. 가능하다면, 동일한 참조 숫자는 동일하거니 유사한 부분을 나타내기 위해 상기 도면에서 사용될 것이다.AlN, Si3N4, AlOxNy, 및 SiOxNy와 같은 알려진 스크래치-저항성 물질은 높은 굴절률, 예를 들어, 약 1.7 내지 약 2.1 범위의 굴절률을 갖는다. 스크래치-저항성 물질을 포함하는 일반 기판은 유리 및 플라스틱 기판이다. 유리 및 플라스틱 물질은 전형적으로 약 1.45 내지 약 1.65 범위의 굴절률을 갖는다. 상기 스크래치-저항성 물질과 상기 기판의 굴절률에서의 차이는 바람직하지 않은 광학 간섭 효과에 기여할 수 있다. 이러한 바람직하지 않은 광학 간섭 효과는 상기 스크래치-저항성 물질이 약 0.05 내지 약 10 미크론 범위의 물리적 두께를 가지는 경우 더욱 확연해질 수 있다. 상기 스크래치-저항성 물질/공기 인터페이스 (10) (도 1에 도시됨) 및 상기 스크래치-저항성 물질/기판 인터페이스 (20) (도 1에 도시됨)으로부터의 반사파 사이의 광학 간섭은 특히 반사에서 상기 스크래치-저항성 물질 (30) (및/또는 상기 스크래치-저항성 물질 (30) 및 기판 (40)의 조합)에서 분명한 색상을 만드는 스펙트럼의 반사율 진동을 이끌 수 있다. 상기 색상은 입사 조사각을 갖는 스펙트럼 반사율 진동에서 변화로 인해 시야각을 갖는 반사에서 변화한다. 상기 관찰된 색상 및 입사 조사각을 갖는 색상 변화는 특히 형광등 빛 및 일부 LED 빛과 같은 선명한 스펙트럼 특징을 갖는 조명 하에서, 디바이스 사용자를 종종 산만하게 하거나 불쾌하게 할 수 있다. 관찰된 색상 및 색상 변화는 인터페이스 (10, 20) 중 하나 또는 모두에서 상기 반사율을 최소화하고, 따라서 전체 제품에 대한 반사율 진동 및 반사 색상 변화를 감소시킴으로써 감소될 수 있다. 스크래치-저항성 물질에 대해, 상기 스크래치-저항성 물질/공기 인터페이스 (10)의 높은 내구성 또는 스크래치 저항성을 동시에 보유하는 동안, 상기 반사율에서의 감소는 종종 상기 스크래치-물질/기판 인터페이스 (20)에서 가장 실현이 가능하다. 반사율을 감소시키는 다양한 방법은 단일 광학 간섭층 (도 2에서 도시됨), 또는 상기 스크래치-저항성 물질/기판 인터페이스 (20)에서 굴절률에서의 단조로운 구배를 가진 층의 사용을 포함한다. 그러나, 그러한 선택은 종종 다양한 색채 광원 하에서 투과율 및/또는 반사율 스펙트럼에서 큰 진동을 나타낸다. 단일층 간섭층은 도 2에 나타난 제품에서 포함된다. 상기 제품은 알칼리 알루미노보로실리케이트 유리 기판 (10), 약 80 나노미터 (nm)의 물리적 두께를 가지는 Al2O3의 단일층 간섭층 (50), 약 2000 nm의 물리적 두께를 가지는 SiuAlvOxNy의 스크래치-저항층 (30), 및 약 10 nm의 물리적 두께를 가지는 SiO2의 층 (60)을 포함한다. 도 3은 도 2에 도시된 제품에 대한 모델 반사율 스펙트럼을 나타낸다. 상기 스펙트럼은 약 3.5 퍼센트 포인트 (예를 들면, 약 520 nm 내지 540 nm 파장 범위에서 약 8.5%의 낮은 반사율 및 약 12%의 피크 반사율) 내지 약 8 퍼센트 포인트(예를 들면, 약 400 nm 내지 410 nm 파장에서 약 6.5%의 낮은 반사율 및 약 14.5%의 피크 반사율) 범위의 진폭을 가지는 광학 파장 체계에 걸친 진동을 나타낸다. 본 명세서에 사용되듯이, 용어 "진폭 (amplitude)"은 반사율 또는 투과율에서의 고저간 (peak-to-valley) 변화를 포함한다. 본 명세서에서 사용되듯이, 용어 "투과율 (transmittance)"은 물질 (예를 들면, 제품, 기판 또는 광학 필름 또는 이들의 부분)을 통해 투과되는 주어진 파장 범위 내에서 입사 광 파워의 퍼센트로서 정의된다. 용어 "반사율 (reflectance)"은 물질 (예를 들면, 제품, 기판 또는 광학 필름 또는 이들의 부분)로부터 반사되는 주어진 파장 범위 내에서 입사 광 파워의 퍼센트로서 유사하게 정의된다. 투과율 및 반사율은 특정 선폭을 사용하여 측정된다. 하나 이상의 구체 예에서, 상기 투과율 및 반사율의 특징의 스펙트럼 해상도는 5 nm 또는 0.02 eV 미만이다. 구절 "평균 진폭 (average amplitude)"은 상기 광학 파장 체계 내에서의 모든 가능한 100 nm 파장 범위에 걸쳐 평균된 반사율 또는 투과율에서의 고저간 변화를 포함한다. 본 명세서에 사용되듯이, 상기 "광학 파장 체계 (optical wavelength regime)"은 약 420 nm 내지 약 700 nm 파장 범위를 포함한다. 본 정보로부터, 도 4에 나타낸 바와 같이, 도 2 및 3에 나타난 제품이 다른 광원 하에서 수직 입사로부터의 다른 입사 조사각에서 봤을 때 상대적으로 큰 색상 변화를 나타낼 것임이 예측될 수 있다. 본 개시의 구체 예는 상기 기판과 상기 스크래치-저항성 물질 사이에 배치된 다중층을 포함하는 광학 간섭층을 이용한다. 상기 광학 간섭층은 다른 광원 하에서 수직 입사로부터 변하는 입사 조사각에서 봤을 때 무색 및/또는 보다 작은 색상 변화에 관하여, 향상된 광학 성능을 달성한다. 그러한 광학 간섭층은 단조로운 구배 디자인에 대해 더 빠르게 제조할 수 있고, 광학 간섭층을 병합하는 제품은 스크래치-저항성 및 우수한 광학 특성을 제공한다.본 개시의 제1 관점은 광원 하에서 다른 입사 조사각에서 봤을 때 조차도 무색을 나타내는 제품과 관련된다. 하나 이상의 구체 예에서, 상기 제품은 본 명세서에서 제공된 범위에서 임의의 입사 조사각에 대해 약 2 이하의 색상 변화를 나타낸다. 본 명세서에서 사용되듯이, 구절 "색상 변화 (color shift)"는 CIE L*, a*, b* 색상 측정 시스템 하에서 a* 및 b* 모두에서 변화를 나타낸다. 예를 들면, 색상 변화는 다음의 식을 사용하여 결정될 수 있다: √((a*2-a*1)2+(b*2-b*1)2), 여기서 상기 식은 수직 입사 (즉, a*1, 및 b*1)에서 봤을 때 및, 입사 조사각이 수직 입사와 다르고, 일부 경우에 수직 입사와 적어도 약 2 도 내지 약 5 도 다르다면, 수직 입사 (즉, a*2, 및 b*2)로부터 떨어진 입사 조사각에서 봤을 때, 제품의 a* 및 b* 좌표를 사용한다. 다른 관찰자의 수집에 걸쳐 다양한 색상의 측정은 평균 관찰자가 상기 색상 변화가 약 2 일 때, 2가지 색상에서 바로 감지할 수 있는 차이를 보는 것을 나타낸다. 일부 경우에서, 2 이하의 색상 변화가 광원 하에서 수직 입사로부터 다양한 입사 조사각에서 봤을 때 상기 제품에 의해 나타난다. 일부 경우에서 상기 색상 변화는 약 1.9 이하, 1.8 이하, 1.7 이하, 1.6 이하, 1.5 이하, 1.4 이하, 1.3 이하, 1.2 이하, 1.1 이하, 1 이하, 0.9 이하, 0.8 이하, 0.7 이하, 0.6 이하, 0.5 이하, 0.4 이하, 0.3 이하, 0.2 이하, 또는 0.1 이하이다. 일부 구체 예에서, 상기 색상 변화는 약 0 일 수 있다. 상기 광원은 A 광원 (텅스텐-필라멘트 조명을 나타냄), B 광원 (일광 시뮬레이팅 광원), C 광원 (일광 시뮬레이팅 광원), D 시리즈 광원 (자연 일광을 나타냄), 및 F 시리즈 광원(다양한 타입의 형광등 조명을 나타냄)을 포함하는, 상기 CIE에 의해 결정된 바와 같이 표준 광원을 포함할 수 있다. 특정 실시 예에서, 상기 제품은 CIE F2, F10, F11, F12 또는 D65 광원 하에서 수직 입사로부터 입사 조사각에서 봤을 때 약 2 이하의 색상 변화를 나타낸다. 상기 입사 조사각은 수직 입사로부터 떨어진, 약 0 도 내지 약 80 도, 약 0 도 내지 약 75 도, 약 0 도 내지 약 70 도, 약 0 도 내지 약 65 도, 약 0 도 내지 약 60 도, 약 0 도 내지 약 55 도, 약 0 도 내지 약 50 도, 약 0 도 내지 약 45 도, 약 0 도 내지 약 40 도, 약 0 도 내지 약 35 도, 약 0 도 내지 약 30 도, 약 0 도 내지 약 25 도, 약 0 도 내지 약 20 도, 약 0 도 내지 약 15 도, 약 5 도 내지 약 80 도, 약 5 도 내지 약 80 도, 약 5 도 내지 약 70 도, 약 5 도 내지 약 65 도, 약 5 도 내지 약 60 도, 약 5 도 내지 약 55 도, 약 5 도 내지 약 50 도, 약 5 도 내지 약 45 도, 약 5 도 내지 약 40 도, 약 5 도 내지 약 35 도, 약 5 도 내지 약 30 도, 약 5 도 내지 약 25 도, 약 5 도 내지 약 20 도, 약 5 도 내지 약 15 도의 범위, 및 이들 사이의 모든 범위 및 서브-범위일 수 있다. 상기 제품은 수직 입사로부터 떨어진, 약 0 도 내지 약 80 도 범위에서 모든 입사 조사각에서 및 모든 입사 조사각에 따라 본 명세서에 기재된 최대 색상 변화를 나타낼 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 제품은 수직 입사로부터 떨어진 약 0 내지 약 60 도, 약 2 내지 약 60 도, 약 5 내지 약 60 도 범위의 임의의 입사 조사각에서 2 이하의 색상 변화를 나타낼 수 있다.도 5를 참조하면, 하나 이상의 구체 예에 따른 제품 (100)은 기판 (110), 및 상기 기판 상에 배치된 광학 필름 (120)을 포함할 수 있다. 상기 기판 (110)은 대향하는 주 표면 (112, 114) 및 대향하는 보조 표면 (116, 118)을 포함한다. 상기 광학 필름 (120)은 제1 대향 주 표면 (112) 상에 배치된 것으로서 도 5에 나타나지만; 그러나, 상기 광학 필름 (120)은 상기 제1 대향 주 표면 (112) 상에 배치되는 것뿐만 아니라 또는 대신에, 제2 대향 주 표면 (114) 및/또는 대향 주 표면의 하나 또는 모두 상에 배치될 수 있다. 상기 제품 (100)은 코팅된 표면 (101)을 포함한다.상기 광학 필름 (120)은 적어도 하나의 물질의 적어도 하나의 층을 포함한다. 용어 "층 (layer)"은 단일층을 포함할 수 있거나 또는 하나 이상의 서브-층을 포함할 수 있다. 그러한 서브-층은 서로 직접 접촉될 수 있다. 상기 서브-층은 동일 물질 또는 2 이상의 다른 물질로 형성될 수 있다. 하나 이상의 택일적인 구체 예에서, 그러한 서브-층들은 그 사이에 배치된 다른 물질의 개재 층을 가질 수 있다. 하나 이상의 구체 예에서, 층은 하나 이상의 연속적고 끊임없는 층 및/또는 하나 이상의 비연속적이고 끊어진 층 (즉, 서로 인접하여 형성된 다른 물질을 가지는 층)을 포함할 수 있다. 층 또는 서브-층은 개별 증착 또는 연속 증착 공정을 포함하는 당업계에 알려진 임의의 방법에 의해 형성될 수 있다. 하나 이상의 구체 예에서, 상기 층은 단지 연속 증착 공정, 또는 택일적으로 단지 개별 증착 공정을 사용하여 형성될 수 있다. 본 명세서에서 사용되듯이, 용어 "배치 (dispose)"는 코팅, 증착 및/또는 당업계에 알려진 임의의 방법을 사용하여 표면 상에 물질을 형성하는 것을 포함한다. 상기 배치된 물질은 본 명세서에 정의된 것과 같이 층을 구성할 수 있다. 상기 구절 "상에 배치된 (disposed on)"은 물질이 표면과 직접 접촉하여 존재하도록 표면 상에 물질을 형성하는 경우를 포함하고, 또한 하나 이상의 개재 물질이 상기 배치된 물질과 상기 표면 사이에 존재하도록 물질이 표면 상에 형성되는 경우를 포함한다. 상기 개재 물질은 본 명세서에서 정의된 것과 같이 층을 구성할 수 있다.하나 이상의 구체 예에서, 상기 제품 (100)은 베르코비치 압자 (Berkovitch indenter)로 코팅된 표면을 만입시켜 상기 코팅된 표면의 표면으로부터 적어도 약 100 nm의 골 깊이를 갖는 만입을 형성함으로써 상기 코팅된 표면 (101) 상에서 측정되듯이, 약 8 GPa 이상, 약 10 GPa 이상, 약 14 GPa 이상, 약 18 GPa 이상의 평균 경도를 나타낸다. 일부 구체 예에서, 상기 제품의 평균 경도는 약 5 GPa 내지 약 30 GPa, 약 6 GPa 내지 약 30 GPa, 약 7 GPa 내지 약 30 GPa, 약 8 GPa 내지 약 30 GPa, 약 9 GPa 내지 약 30 GPa, 약 10 GPa 내지 약 30 GPa, 약 12 GPa 내지 약 30 GPa, 약 5 GPa 내지 약 28 GPa, 약 5 GPa 내지 약 26 GPa, 약 5 GPa 내지 약 24 GPa, 약 5 GPa 내지 약 22 GPa, 약 5 GPa 내지 약 20 GPa, 약 12 GPa 내지 약 25 GPa, 약 15 GPa 내지 약 25 GPa, 약 16 GPa 내지 약 24 GPa, 약 18 GPa 내지 약 22 GPa의 범위 및 이들 사이의 모든 범위 및 서브-범위일 수 있다. 하나 이상의 구체 예에서, 제품 (100)은 또한 마모 저항성을 나타낸다. 일부 구체 예에서, 마모 저항성은 Crockmeters, Taber 연삭기 및 다른 유사한 표준 기구를 사용하는 것과 같이 당업계에 알려진 테스트에 의해 측정된다. 예를 들어, Crockmeters는 그러한 러빙 (rubbing)이 수행되는 표면의 Crock 저항을 결정하는데 사용된다. Crockmeter는 가중 암(weighted arm)의 말단 상에 설치된 러빙 팁 (rubbing tip) 또는 "핑거 (finger)"과 표면을 직접 접촉시킨다. Crockmeter로 공급되는 표준 핑거는 15 밀리미터 (mm) 직경의 고체 아크릴 막대이다. 표준 크로킹 천의 깨끗한 조각이 이러한 아크릴 핑거에 설치된다. 그 후, 상기 핑거는 900 g의 압력으로 상기 샘플 상에 지지되고, 상기 암은 내구성/크록 저항성에서의 변화를 관찰하기 위한 시도로 상기 샘플을 가로질러 전후로 반복적으로 기계적으로 이동된다. 본 명세서에서 기재된 테스트에 사용되는 Crockmeter는 분 당 60 회전의 균일한 스토크 속도를 제공하는 자동화된 모델이다. 상기 Crockmeter 테스트는 "Standard Test Method for Determination of Abrasion and Smudge Resistance of Images Produced from Business Copy Products"의 명칭으로 ASTM 테스트 과정 F1319-94에 기재되어 있으며, 그 내용은 전체로서 본 명세서에 참조로 포함된다. 본 명세서에 기재된 코팅된 제품의 크록 저항성 또는 내구성은 ASTM 테스트 과정 F1319-94에 의해 정의된 것과 같이 특정 수의 와이프 후 광학 (예를 들면, 반사율, 헤이즈, 또는 투과율) 측정에 의해 결정된다. "와이프 (wipe)"는 러빙 팁 또는 핑거의 2개의 스토크 또는 하나의 사이클로 정의된다. 하나 이상의 구체 예에 따르면, 상기 제품 (100)은 상기 광학 영역에 걸처 약 80% 이상의 평균 광 투과율을 나타낸다. 용어 "광 투과율 (light transmission)"은 매질 (medium)을 통해 투과된 빛의 양을 나타낸다. 광 투과율의 측정은 매질을 들어오는 빛의 양과 매질을 나가는 빛의 양 사이의 차이이다. 즉, 광 투과율은 흡수 또는 산란됨이 없이 매질을 통해 이동하는 빛이다. 용어 "평균 광 투과율 (average light transmission)"은 CIE 표준 관측자에 의해 기재되듯이, 발광 효율 함수 (luminous efficiency function)에 의해 곱해진 광 투과율의 스펙트럼 평균을 나타낸다. 특정 구체 예의 제품 (100)은 80% 이상, 82% 이상, 85% 이상, 90% 이상, 90.5% 이상, 91% 이상, 91.5% 이상, 92% 이상, 92.5% 이상, 93% 이상, 93.5% 이상, 94% 이상, 94.5% 이상, 또는 95% 이상의 평균 광 투과율을 나타낼 수 있다.하나 이상의 구체 예에서, 상기 제품 (100)은 약 20% 이하의 총 반사율을 가진다. 예를 들면, 상기 제품은 20% 이하, 15%, 이하, 10% 이하, 9% 이하, 8% 이하, 7% 이하, 6% 이하의 총 반사율을 가질 수 있다. 일부 특정 구체 예에서, 상기 제품은 6.9% 이하, 6.8% 이하, 6.7% 이하, 6.6% 이하, 6.5% 이하, 6.4% 이하, 6.3% 이하, 6.2% 이하, 6.1% 이하, 6.0% 이하, 5.9% 이하, 5.8% 이하, 5.7% 이하, 5.6% 이하, 또는 5.5% 이하의 총 반사율을 가질 수 있다. 하나 이상의 구체 예에 따르면, 상기 제품 (100)은 상기 기판 (110)의 총 반사율과 동일하거나 또는 그 미만인 총 반사율을 가진다. 하나 이상의 구체 예에서, 상기 제품 (100)은 상기 광 파장 체계에 걸쳐 상대적으로 고른(flat) 투과율 스펙트럼, 반사율 스펙트럼, 또는 투과율 및 반사율 스펙트럼을 나타낸다. 일부 구체 예에서, 상기 상대적으로 고른 투과율 및/또는 반사율 스펙트럼은 전체 광학 파장 체계 또는 상기 광학 파장 체계에서 파장 범위 세그먼트 (wavelength range segment)에 따라 약 5 % 포인트 이하의 평균 진동 진폭을 포함한다. 상기 파장 범위 세그먼트는 약 50 nm, 약 100 nm, 약 200 nm 또는 약 300 nm일 수 있다. 일부 구체 예에서, 상기 평균 진동 진폭은 약 4.5 % 포인트 이하, 약 4 % 포인트 이하, 약 3.5 % 포인트 이하, 약 3 % 포인트 이하, 약 2.5 % 포인트 이하, 약 2 % 포인트 이하, 약 1.75 % 포인트 이하, 약 1.5 % 포인트 이하, 약 1.25 % 포인트 이하, 약 1 % 포인트 이하, 약 0.75 % 포인트 이하, 약 0.5 % 포인트 이하, 약 0.25 % 포인트 이하, 또는 약 0 % 포인트, 및 이들 사이의 모든 범위 및 서브 범위일 수 있다. 하나 이상의 특정 구체 예에서, 상기 제품은 상기 광 파장 체계에 걸쳐 약 100 nm 또는 200 nm의 선택된 파장 범위 세그먼트에 걸친 투과율을 나타내며, 여기서, 상기 스펙트럼으로부터 진동은 약 80%, 약 82%, 약 84%, 약 86%, 약 87%, 약 88%, 약 89%, 약 90%, 약 91%, 약 92%, 약 93%, 약 95%, 및 이들 사이의 모든 범위 및 서브 범위의 최대 피크를 가진다.일부 구체 예에서, 상기 상대적으로 고른 평균 투과율 및/또는 평균 반사율은 상기 광 파장 체계에서 특정 파장 범위 세그먼트에 따라, 상기 평균 투과율 또는 평균 반사율의 퍼센트로서 표현되는, 최대 진동 진폭을 포함한다. 상기 평균 투과율 또는 평균 반사율은 또한 상기 광 파장 체계에서 동일한 특정 파장 범위 세그먼트를 따라 측정될 수 있다. 상기 파장 범위 세그먼트는 약 50 nm, 약 100 nm 또는 약 200 nm일 수 있다. 하나 이상의 구체 예에서, 상기 제품 (100)은 약 10% 이하, 약 5 % 이하, 약 4.5% 이하, 약 4 % 이하, 약 3.5% 이하, 약 3 % 이하, 약 2.5% 이하, 약 2% 이하, 약 1.75% 이하, 약 1.5% 이하, 약 1.25% 이하, 약 1% 이하, 약 0.75% 이하, 약 0.5% 이하, 약 0.25% 이하, 또는 약 0.1% 이하, 및 이들 사이의 모든 범위 및 서브 범위의 평균 진동 진폭을 갖는 평균 투과율 및/또는 평균 반사율을 나타낸다. 그러한 퍼센트-기초 평균 진동 진폭은 상기 광 파장 체계에서 약 50 nm, 약 100 nm, 약 200 nm 또는 약 300 nm의 파장 범위 세그먼트를 따라 상기 제품에 의해 나타날 수 있다. 예를 들면, 제품은 상기 광 파장 체계 내에서 약 100 nm의 파장 범위 세그먼트인, 약 500 nm 내지 약 600 nm의 파장 범위를 따라 약 85%의 평균 투과율을 나타낼 수 있다. 상기 제품은 또한 동일한 파장 범위 (500 nm 내지 약 600 nm)를 따라 약 3%의 퍼센트-기초 진동 진폭을 나타낼 수 있고, 이는 500 nm 내지 600 nm의 파장 범위를 따라, 상기 절대 진동 진폭 (비-퍼센트-기초)이 2.55 % 포인트임을 의미한다. 기판상기 기판 (110)은 무정형 기판, 결정성 기판 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 기판 (110)은 인공 물질 및/또는 자연 발생 물질로부터 형성될 수 있다. 일부 특정 구체 예에서, 상기 기판(110)은 특히 플라스틱 및/또는 금속 기판을 배제할 수 있다. 하나 이상의 구체 예에서, 상기 기판은 약 1.45 내지 약 1.55 범위의 굴절률을 나타낸다. 특정 구체 예에서, 상기 기판 (110)은 적어도 5, 적어도 10, 적어도 15, 또는 적어도 20 샘플을 사용한 볼-온-링 (ball-on-ring) 테스트에 의해 측정되는 것과 같이, 0.5% 이상, 0.6% 이상, 0.7% 이상, 0.8% 이상, 0.9% 이상, 1% 이상, 1.1% 이상, 1.2% 이상, 1.3% 이상, 1.4% 이상, 1.5% 이상, 또는 심지어 2% 이상인 하나 이상의 대향 주 표면 상의 표면에서 평균 변형-대-파괴(strain-to-failure)를 나타낼 수 있다. 특정 구체 예에서, 상기 기판 (110)은 약 1.2%, 약 1.4%, 약 1.6%, 약 1.8%, 약 2.2%, 약 2.4%, 약 2.6%, 약 2.8%, 또는 약 3% 이상의 하나 이상의 대향 주 표면 상의 그 표면에서 평균 변형-대-파괴를 나타낼 수 있다.적합한 기판 (110)은 약 30 GPa 내지 약 120 GPa 범위의 탄성률 (또는 영률)을 나타낼 수 있다. 일부 경우에서, 상기 기판의 탄성률은 약 30 GPa 내지 약 110 GPa, 약 30 GPa 내지 약 100 GPa, 약 30 GPa 내지 약 90 GPa, 약 30 GPa 내지 약 80 GPa, 약 30 GPa 내지 약 70 GPa, 약 40 GPa 내지 약 120 GPa, 약 50 GPa 내지 약 120 GPa, 약 60 GPa 내지 약 120 GPa, 약 70 GPa 내지 약 120 GPa, 및 이들 사이의 모든 범위 및 서브 범위일 수 있다.하나 이상의 구체 예에서, 상기 무정형 기판은 유리를 포함할 수 있고, 이는 강화되거나 또는 강화되지 않을 수 있다. 적합한 유리의 실시 예는 소다 라임 유리, 알칼리 알루미노실리케이트 유리, 알칼리 함유 보로실리케이트 유리 및 알칼리 알루미노보로실리케이트 유리를 포함한다. 일부 변형에서, 상기 유리는 산화 리튬을 함유하지 않을 수 있다. 하나 이상의 택일적 구체 예에서, 상기 기판 (110)은 유리 세라믹 기판 (강화되거나 또는 강화되지 않음)과 같은 결정성 기판을 포함할 수 있거나, 또는 사파이어와 같은 단결정 구조를 포함할 수 있다. 하나 이상의 특정 구체 예에서, 상기 기판 (110)은 무정형계 (예를 들면, 유리) 및 결정성 클래딩 (예를 들면, 사파이어층, 다결정성 알루미나층 및/또는 스피넬 (MgAl2O4) 층)을 포함한다.다른 구체 예는 커브형 또는 달리 성형된 또는 조각된 기판을 활용할 수 있지만, 상기 기판 (110)은 실질적으로 평평하거나 또는 시트형태일 수 있다. 상기 기판 (110)은 실질적으로 광학적으로 선명하며, 투명하고 광 산란이 없을 수 있다. 그러한 구체 예에서, 상기 기판은 약 85% 이상, 약 86% 이상, 약 87% 이상, 약 88% 이상, 약 89% 이상, 약 90% 이상, 약 91% 이상 또는 약 92% 이상의 광 파장 체계에 걸쳐 평균 광 투과율을 나타낼 수 있다. 하나 이상의 택일적 구체 예에서, 상기 기판 (110)은 불투명할 수 있거나 또는 상기 광 파장 영역에 걸쳐 약 10% 미만, 약 9% 미만, 약 8% 미만, 약 7% 미만, 약 6% 미만, 약 5% 미만, 약 4% 미만, 약 3% 미만, 약 2% 미만, 약 1% 미만, 또는 약 0% 미만의 평균 광 투과율을 나타낼 수 있다. 기판 (110)은 선택적으로 화이트, 블랙, 레드, 블루, 그린, 옐로우, 오렌지 등과 같은 색상을 나타낼 수 있다.추가적으로 또는 택일적으로, 상기 기판 (110)의 물리적 두께는 심미적 및/또는 기능적 이유로 하나 이상의 그것의 치수에 따라 변할 수 있다. 예를 들면, 상기 기판 (110)의 에지 (edges)는 상기 기판 (110)의 좀 더 중심 영역에 비교하여 더 두꺼울 수 있다. 상기 기판(110)의 길이, 폭 및 물리적 두께 치수는 또한 상기 제품 (100)의 적용 또는 사용에 따라 달라질 수 있다.상기 기판 (110)은 여러 가지의 다른 공정을 사용하여 제공될 수 있다. 예를 들면, 상기 기판 (110)이 유리와 같은 무정형 기판을 포함하는 경우, 다양한 형성 방법은 융합 인발 (fusion draw) 및 슬롯 인발 (slot draw)과 같은 플로트 유리 공정 (float glass processes) 및 다운-인발 공정 (down-draw processes)을 포함할 수 있다. 한번 형성되면, 기판 (110)은 강화되어 강화된 기판을 형성할 수 있다. 본 명세서에서 사용되듯이, 용어 "강화된 기판"은 화학적으로 강화된, 예를 들어, 상기 기판의 표면에서 더 작은 이온에 대한 더 큰 이온의 이온-교환을 통해, 화학적으로 강화되는 기판을 나타낼 수 있다. 그러나, 압축 응력 및 중심 장력 영역을 만들기 위해 기판의 부분들 사이의 열 팽창 계수의 부정합을 이용하는 것, 또는 열 템퍼링하는 것과 같은 당업계에 알려진 다른 강화 방법은 강화된 기판을 형성하기 위해 이용될 수 있다.상기 기판이 이온 교환 공정에 의해 화학적으로 강화된 경우, 상기 기판의 표면층에 이온은 동일한 원자가 또는 산화 상태를 가지는 더 큰 이온으로 대체 또는 교환된다. 이온 교환 공정은 전형적으로 기판에서 더 작은 이온과 교환될 큰 이온을 함유하는 용융 염 욕 (molten salt bath)에 기판을 침지함으로써 수행된다. 욕 조성물 및 온도, 침지 시간, 염 욕 (또는 욕)에 기판의 침지 횟수, 다중 염 욕의 사용, 어닐링, 세척 및 그 유사와 같은 추가적인 단계를 포함하지만, 이에 한정되지 않는, 이온 교환 공정에 대한 파라미터는 상기 기판의 조성물 및 강화하는 작업에서 초래되는 기판의 바람직한 압축 응력(CS), 압축 응력층의 깊이 (또는 층의 깊이)에 의해 일반적으로 결정된다는 것을 당업자는 충분히 인식할 수 있을 것이다. 실시 예에 의해, 알칼리-금속 함유 유리 기판의 이온 교환은 한정됨이 없이, 질산염, 황산염 및 거대 알칼리 금속 이온의 염화물과 같은 염을 함유하는 적어도 하나의 용융 염 내에 침지함으로써 달성될 수 있다. 상기 용융 염 욕의 온도는 전형적으로 침지 시간이 약 15 분 내지 약 40 시간인 동안, 약 380 ℃ 내지 약 450 ℃의 범위이다. 그러나, 상술한 것과 다른 온도 및 침지 시간이 또한 사용될 수 있다.게다가, 유리 기판이 침지 사이에 세척 및/또는 어닐링 단계와 함께 다중 이온 교환 욕에 침지되는 이온 교환 공정의 비-한정 실시예는 2008년 7월 11일자로 출원된 미국 가출원 번호 제61/079,995호의 우선권을 청구하면서, Douglas C. Allan 등에 의해 "Glass with Compressive Surface for Consumer Applications"의 명칭으로 2009년 7월 10일자로 출원된 미국 특허 출원 번호 제12/500,650호에서 기재되고, 여기서 상기 유리 기판은 다른 농도의 염 욕에서 다중의 연속적인 이온 교환 처리에서 침지에 의해 강화되며; 그리고 2008년 7월 29일자로 출원된 미국 가출원 번호 제61/084,398호의 우선권을 청구하면서, Christopher M. Lee 등에 의해 "Dual Stage Ion Exchange for Chemical Strengthening of Glass"의 명칭으로 2012년 11월 20일자에 등록된 미국 특허 번호 제8,312,739호에 기재되고, 여기서 상기 유리 기판은 유출 이온으로 희석되는 제1 욕에서 이온교환하고, 이어서 제1 욕보다 작은 농도의 유출 이온을 갖는 제2 욕에 침지함으로써 강화된다. 상기 미국 특허 출원 번호 제12/500,650호 및 미국 특허 번호 제8,312,739호의 내용은 그 전체가 참조로서 본 명세서에 병합된다. 이온 교환에 의해 달성되는 화학 강화의 정도는 중심 장력 (CT), 표면 CS 및 층의 깊이 (DOL)의 파라미터에 기초하여 정량화될 수 있다. 표면 CS는 다양한 깊이로 강화된 표면 근처에 또는 강화된 유리 내에서 측정될 수 있다. 최대 CS 값은 상기 강화된 기판의 표면 (CSs)에서 측정된 CS를 포함할 수 있다. 유리 기판 내의 압축 응력층에 인접한 내부 영역에 대해서 계산된 상기 CT는 상기 CS, 물리적 두께 t, 및 상기 DOL로부터 계산될 수 있다. CS 및 DOL은 당업계에 알려진 이러한 수단을 사용하여 측정된다. 그러한 수단은 한정됨이 없이, Luceo Co., Ltd. (일본, 도쿄)에 의해 제조된 FSM-6000, 또는 그 유사품과 같은 상업적으로 이용가능한 기구를 사용한 표면 응력의 측정 (FSM)을 포함하고, CS 및 DOL을 측정하는 방법은 "Standard Specification for Chemically Strengthened Flat Glass"의 명칭으로, ASTM 1422C-99 및 "Standard Test Method for Non-Destructive Photoelastic Measurement of Edge and Surface Stresses in Annealed, Heat-Strengthened, and Fully-Tempered Flat Glass"의 ASTM 1279.19779에서 기재되고, 이의 내용은 전체가 참조로서 본 명세서에 병합된다. 표면 응력 측정은 상기 응력 광학 계수 (SOC)의 정확한 측정에 좌우되며, 이는 상기 유리 기판의 복굴절에 관련된다. 결국, SOC는 섬유 및 4개의 포인트의 굽힘 방법과 같은 당업계에 알려진 이러한 방법에 의해 측정되고, 이러한 방법 모두는 "Standard Test Method for Measurement of Glass Stress-Optical Coefficient"의 명칭으로 ASTM 표준 C770-98 (2008)에 기재되고, 그 내용은 전체가 참조로서 본 명세서에 병합된다. 상기 CS와 CT 사이의 관계는 다음의 식 (1)로 주어진다:CT = (CS ·DOL)/(t - 2 DOL) (1),여기서, t는 상기 유리 제품의 물리적 두께 (㎛)이다. 본 개시의 다양한 부분에서, CT 및 CS는 메가파스칼 (MPa)로 본 명세서에 표현되고, 물리적 두께 t 는 마이크로미터 (㎛) 또는 밀리미터 (mm) 중 어느 하나로 표현되고, DOL은 마이크로미터 (㎛)로 표현된다. 일 구체 예에서, 강화된 기판 (110)은 250 MPa 이상, 300 MPa 이상, 예를 들면, 400 MPa 이상, 450 MPa 이상, 500 MPa 이상, 550 MPa 이상, 600 MPa 이상, 650 MPa 이상, 700 MPa 이상, 750 MPa 이상 또는 800 MPa 이상의 표면 CS를 가질 수 있다. 상기 강화된 기판은 10 ㎛ 이상, 15 ㎛ 이상, 20 ㎛ 이상 (예를 들면, 25 ㎛, 30 ㎛, 35 ㎛, 40 ㎛, 45 ㎛, 50 ㎛ 이상)의 DOL 및/또는 10 MPa 이상, 20 MPa 이상, 30 MPa 이상, 40 MPa 이상 (예를 들면, 42 MPa, 45 MPa, 또는 50 MPa 이상) 그러나 100 MPa 미만(예를 들면, 95, 90, 85, 80, 75, 70, 65, 60, 55 MPa 이하)의 CT를 가질 수 있다. 하나 이상의 특정 구체 예에서, 상기 강화된 기판은 다음 중 하나 이상을 가진다: 500 MPa 초과의 표면 CS, 15 ㎛ 초과의 DOL, 및 18 MPa 초과의 CT.상기 기판에 사용될 수 있는 예시적인 유리는 다른 유리 조성물이 고려될 수 있지만, 알칼리 알루미노실리케이트 유리 조성물 또는 알칼리 알루미노보로실리케이트 유리 조성물을 포함할 수 있다. 그러한 유리 조성물은 이온 교환 공정에 의해 화학적으로 강화될 수 있다. 하나의 예시적인 유리 조성물은 SiO2, B2O3 및 Na2O를 포함하며, 여기서 (SiO2 + B2O3) ≥ 66 몰%, 및 Na2O ≥ 9 몰% 이다. 일 구체 예에서, 상기 유리 조성물은 적어도 6 중량%의 산화 알루미늄을 포함한다. 추가적인 구체 예에서, 상기 기판은 알칼리 토 산화물의 함량이 적어도 5 중량%가 되도록 하나 이상의 알칼리 토 산화물을 가지는 유리 조성물을 포함한다. 일부 구체 예에서, 적합한 유리 조성물은 적어도 하나의 K2O, MgO, 및 CaO를 더 포함한다. 특정 구체 예에서, 상기 기판에 사용되는 유리 조성물은 61-75 몰% SiO2; 7-15 몰% Al2O3; 0-12 몰% B2O3; 9-21 몰% Na2O; 0-4 몰% K2O; 0-7 몰% MgO; 및 0-3 몰% CaO를 포함할 수 있다. 상기 기판에 적합한 추가 예시적인 유리 조성물은 다음을 포함한다: 60-70 몰% SiO2; 6-14 몰% Al2O3; 0-15 몰% B2O3; 0-15 몰% Li2O; 0-20 몰% Na2O; 0-10 몰% K2O; 0-8 몰% MgO; 0-10 몰% CaO; 0-5 몰% ZrO2; 0-1 몰% SnO2; 0-1 몰% CeO2; 50 ppm 미만의 As2O3; 및 50 ppm 미만의 Sb2O3; 여기서 12 몰% ≤ (Li2O + Na2O + K2O)≤20 몰%이고 0 몰% ≤(MgO + CaO)≤10 몰%이다. 상기 기판에 적합한 더 추가 예시적인 유리 조성물은 다음을 포함한다: 63.5-66.5 몰% SiO2; 8-12 몰% Al2O3; 0-3 몰% B2O3; 0-5 몰% Li2O; 8-18 몰% Na2O; 0-5 몰% K2O; 1-7 몰% MgO; 0-2.5 몰% CaO; 0-3 몰% ZrO2; 0.05-0.25 몰% SnO2; 0.05-0.5 몰% CeO2; 50 ppm 미만의 As2O3; 및 50 ppm 미만의 Sb2O3; 여기서 14 몰% ≤(Li2O + Na2O + K2O) ≤18 몰%이고 2 몰% ≤(MgO + CaO) ≤7 몰%이다.특정 구체 예에서, 상기 기판에 적합한 알칼리 알루미노실리케이트 유리 조성물은 알루미나, 적어도 하나의 알칼리 금속 및, 일부 구체 예에서, 50 몰% 초과의 SiO2, 다른 구체 예에서 적어도 58 몰%의 SiO2, 및 또 다른 구체 예에서 적어도 60 몰%의 SiO2를 포함하며, 여기서 상기 비율(ratio)은 이고, 여기서 상기 비율에서 상기 성분은 몰%로 표현되고, 상기 개질제 (modifier)는 알칼리 금속 산화물이다. 특정 구체 예에서, 이러한 유리 조성물은 다음을 포함한다: 58-72 몰% SiO2; 9-17 몰% Al2O3; 2-12 몰% B2O3; 8-16 몰% Na2O; 및 0-4 몰% K2O, 여기서, 상기 비율 이다. 또 다른 구체 예에서, 상기 기판은 다음을 포함하는 알칼리 알루미노실리케이트 유리 조성물을 포함할 수 있다: 64-68 몰% SiO2; 12-16 몰% Na2O; 8-12 몰% Al2O3; 0-3 몰% B2O3; 2-5 몰% K2O; 4-6 몰% MgO; 및 0-5 몰% CaO, 여기서: 66 몰% ≤ SiO2 + B2O3 + CaO ≤ 69 몰%; Na2O + K2O + B2O3 + MgO + CaO + SrO 003e# 10 몰%; 5 몰% ≤ MgO + CaO + SrO ≤ 8 몰%; (Na2O + B2O3) - Al2O3 ≤ 2 몰%; 2 몰% ≤ Na2O - Al2O3 ≤6 몰%; 및 4 몰% ≤ (Na2O + K2O) - Al2O3 ≤ 10 몰%이다. 택일적인 구체 예에서, 상기 기판은 다음을 포함하는 알칼리 알루미노실리케이트 유리 조성물을 포함할 수 있다: 2 몰% 이상의 Al2O3 및/또는 ZrO2, 또는 4 몰% 이상의 Al2O3 및/또는 ZrO2.상기 기판 (110)이 결정성 기판을 포함하는 경우, 상기 기판은 단결정을 포함할 수 있으며, 이는 Al2O3를 포함할 수 있다. 그러한 단결정 기판은 사파이어로서 나타낸다. 결정성 기판에 대한 다른 적합한 물질은 다결정성 알루미나층 및/또는 스피넬 (MgAl2O4)을 포함한다.선택적으로, 상기 결정성 기판 (110)은 유리 세라믹 기판을 포함할 수 있고, 이는 강화되거나 또는 비-강화될 수 있다. 적합한 유리 세라믹의 실시 예는 Li2O-Al2O3-SiO2 시스템 (즉, LAS-시스템) 유리 세라믹, MgO-Al2O3-SiO2 시스템 (즉, MAS-시스템) 유리 세라믹, 및/또는 β-석영 고용체 (β-quartz solid solution), β-스포듀민 에스에스 (β-spodumene ss), 코디어라이트 (cordierite) 및 리튬 디실리케이트를 포함하는 주요 결정 상을 포함하는 유리 세라믹을 포함할 수 있다. 상기 유리 세라믹 기판은 본 명세서에 개시된 화학적 강화 공정을 사용하여 강화될 수 있다. 하나 이상의 구체 예에서, MAS-시스템 유리 세라믹 기판은 Li2SO4 용융 염에서 강화될 수 있으며, 이에 의해 2Li+ 의 Mg2+로의 교환이 발생할 수 있다.하나 이상의 구체 예에 따른 기판 (110)은 약 100 ㎛ 내지 약 5 mm 범위의 물리적 두께를 가질 수 있다. 예시적인 기판 (110)의 물리적 두께는 약 100 ㎛ 내지 약 500 ㎛ (예를 들면, 100, 200, 300, 400 또는 500 ㎛)의 범위를 가진다. 추가 예시적인 기판 (110)의 물리적 두께는 약 500 ㎛ 내지 약 1000 ㎛ (예를 들면, 500, 600, 700, 800, 900 또는 1000 ㎛)의 범위를 가진다. 상기 기판 (110)은 약 1 mm 초과 (예를 들면, 약 2, 3, 4, 또는 5 mm)의 물리적 두께를 가질 수 있다. 하나 이상의 특정 구체 예에서, 상기 기판 (110)은 2 mm 이하 또는 1 mm 미만의 물리적 두께를 가질 수 있다. 상기 기판 (110)은 산성 연마될 수 있으며 또는 표면 흠결의 효과를 제거하거나 감소시키기 위하여 달리 처리될 수 있다.광학 필름도 5-6에 나타나듯이, 상기 광학 필름 (120)은 복수의 층 (130, 140, 150)을 포함할 수 있다. 추가적인 층은 또한 광학 필름 (120)에 포함될 수 있다. 또한, 일부 구체 예에서, 하나 이상의 필름 또는 층이 상기 광학 필름 (120)으로부터 상기 기판 (110)의 반대면 상에 (즉, 주 표면 (114) 상에) 배치될 수 있다.상기 광학 필름 (120)의 물리적 두께는 약 0.1 ㎛ 내지 약 3 ㎛ 범위일 수 있다. 일부 경우에서, 상기 광학 필름 (120)의 물리적 두께는 약 0.1 ㎛ 내지 약 2.9 ㎛, 약 0.1 ㎛ 내지 약 2.8 ㎛, 약 0.1 ㎛ 내지 약 2.7 ㎛, 약 0.1 ㎛ 내지 약 2.6 ㎛, 약 0.1 ㎛ 내지 약 2.5 ㎛, 약 0.1 ㎛ 내지 약 2.4 ㎛, 약 0.1 ㎛ 내지 약 2.3 ㎛, 약 0.1 ㎛ 내지 약 2.2 ㎛, 약 0.1 ㎛ 내지 약 2.1 ㎛, 약 0.1 ㎛ 내지 약 2 ㎛, 약 0.5 ㎛ 내지 약 3 ㎛, 약 1 ㎛ 내지 약 3 ㎛, 약 1.1 ㎛ 내지 약 3 ㎛, 약 1.2 ㎛ 내지 약 3 ㎛, 약 1.3 ㎛ 내지 약 3 ㎛, 약 1.4 ㎛ 내지 약 3 ㎛, 또는 약 1.5 ㎛ 내지 약 3 ㎛, 및 이들 사이의 모든 범위 및 서브 범위일 수 있다.상기 광학 필름 (120)은 베르코비치 압자(Berkovitch indenter)로 상기 표면을 만입시켜 (상기 코팅된 표면의 표면(101)으로부터 측정된) 적어도 약 100nm의 골 깊이를 갖는 만입을 형성함으로써 상기 코팅된 표면 (101) 상에서 측정된 것과 같이, 약 5 GPa 초과의 평균 경도를 나타낼 수 있다. 예를 들면, 상기 광학 필름(120)은 약 6 GPa 내지 약 30 GPa, 약 7 GPa 내지 약 30 GPa, 약 8 GPa 내지 약 30 GPa, 약 9 GPa 내지 약 30 GPa, 약 10 GPa 내지 약 30 GPa, 약 12 GPa 내지 약 30 GPa, 약 5 GPa 내지 약 28 GPa, 약 5 GPa 내지 약 26 GPa, 약 5 GPa 내지 약 24 GPa, 약 5 GPa 내지 약 22 GPa, 약 5 GPa 내지 약 20 GPa, 약 12 GPa 내지 약 25 GPa, 약 15 GPa 내지 약 25 GPa, 약 16 GPa 내지 약 24 GPa, 약 18 GPa 내지 약 22 GPa 및 이들 사이의 모든 범위 및 서브-범위의 평균 경도를 나타낼 수 있다. 하나 이상의 구체 예에서, 상기 광학 필름은 상기 기판 (110)의 주 표면 (112) 상에 배치된 광학 간섭층 (130), 상기 광학 간섭층 (130) 상에 배치된 스크래치-저항층 (140) 및 상기 스크래치-저항층 (140) 상에 배치된 선택적인 캐핑층 (150)을 포함한다. 나타난 구체 예에서, 상기 광학 간섭층 (130)은 상기 기판 (110)과 상기 스크래치-저항층 (140) 사이에 배치되고, 따라서 상기 기판 (110)과 상기 스크래치-저항층 (140) 사이의 인터페이스를 변경한다. 광학 간섭층 (130)은 둘 이상의 서브-층을 포함할 수 있다. 하나 이상의 구체 예에서, 상기 둘 이상의 서브-층은 다른 굴절률을 가지는 것으로서 특징화될 수 있다. 구체 예에서, 광학 간섭층 (130)은 제1 낮은 굴절률 서브-층 및 제2 높은 굴절률 서브-층을 포함한다. 제1 낮은 굴절률 서브-층 및 제2 높은 굴절률 서브-층의 굴절률의 차이는 약 0.01 이상, 0.05 이상, 0.1 이상 또는 심지어 0.2 이상일 수 있다.도 6에서 나타나듯이, 광학 간섭층은 복수의 서브-층 세트 (131)을 포함할 수 있다. 단일 서브-층 세트는 제1 낮은 굴절률 서브-층 및 제2 높은 굴절률 서브-층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 서브-층 세트 (131)은 제1 낮은 굴절률 서브-층 (131A) 및 제2 높은 굴절률 서브-층 (131B)를 포함한다. 일부 구체 예에서, 광학 간섭층은 제1 낮은 굴절률 서브-층 ("L"로서 설명를 위해 디자인됨) 및 제2 높은 굴절률 서브-층 ("H"로서 설명를 위해 디자인됨)이 서브-층의 다음의 순서를 제공하도록 복수의 서브-층 세트를 포함한다: L/H/L/H 또는 H/L/H/L, 여기서 제1 낮은 굴절률 서브-층 및 제2 높은 굴절률 서브-층은 광학 간섭층의 물리적 두께에 따라 교대로 나타날 수 있다. 도 6의 실시 예에서, 상기 광학 간섭층 (130)은 3의 서브-층 세트를 포함한다. 일부 구체 예에서, 상기 광학 간섭층 (130)은 10의 서브-층 세트까지 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 광학 간섭층 (130)은 약 2 내지 약 12, 약 3 내지 약 8, 약 3 내지 약 6의 서브-층 세트를 포함할 수 있다.일부 구체 예에서, 광학 간섭층은 하나 이상의 제3 서브-층을 포함할 수 있다. 상기 제3 서브-층은 낮은 RI, 높은 RI 또는 중간 RI를 가질 수 있다. 일부 구체 예에서, 상기 제3 서브-층은 제1 낮은 굴절률 서브-층 (131A) 또는 제2 높은 굴절률 서브-층 (131B)로서 동일한 굴절률을 가질 수 있다. 다른 구체 예에서, 제3 서브-층은 제1 낮은 굴절률 서브-층 (131A)의 굴절률과 제2 높은 굴절률 서브-층 (131B) 사이에 있는 중간 굴절률을 가질 수 있다. 제3 서브-층은 복수의 서브-층 세트와 스크래치-저항층 (140) 사이에 (도 12, 231C 참조), 또는 기판과 복수의 서브-층 세트 사이에 (도 12, 231D 참조) 배치될 수 있다. 택일적으로, 제3 서브-층은 복수의 서브-층 세트 내에 포함될 수 있다 (미 도시). 상기 제3 서브-층은 다음의 예시적인 배치의 광학 간섭층에서 제공될 수 있다: L제3 서브-층/H/L/H/L; H제3 서브-층/L/H/L/H; L/H/L/H/L제3 서브-층; H/L/H/L/H제3 서브-층; L제3 서브-층/H/L/H/L/H제3 서브-층; H제3 서브-층/L/H/L/H/L제3 서브-층; L제3 서브-층/ L/H/L/H; H제3 서브-층/ H/L/H/L; H/L/H/ L/L제3 서브-층; L/H/L/ H/H제3 서브-층; L제3 서브-층/L/H/L/H/H제3 서브-층; H제3 서브-층//H/L/H/L/L제3 서브-층; L/M/H/L/M/H; H/M/L/H/M/L; M/L/H/L/M; 및 다른 조합. 이러한 배치에서, 임의의 아래 첨자가 없는 "L"은 제1 낮은 굴절률 서브-층을 나타내고, 임의의 아래 첨자가 없는 "H"는 제2 높은 굴절률 서브-층을 나타낸다. 참조 부호 "L제3 서브-층"은 낮은 RI를 갖는 제3 서브-층을 나타내고, "H제3 서브-층"은 높은 RI를 갖는 제3 서브-층을 나타내며, 그리고 "M"은 중간 RI를 갖는 제3 서브-층을 나타낸다.본 명세서에 사용되듯이, 용어 "낮은 RI (low RI)", "높은 RI (high RI)" 및 "중간 RI (medium RI)"는 또 다른 굴절율에 대한 상대적인 값을 나타낸다 (낮은 RI 003c# 중간 RI 003c# 높은 RI). 하나 이상의 구체 예에서, 용어 "낮은 RI"는 제1 낮은 굴절률 서브-층 또는 제3 서브-층과 함께 사용될 때, 약 1.3 내지 약 1.7의 범위를 포함한다. 하나 이상의 구체 예에서, 용어 "높은 RI"는 제2 높은 굴절률 서브-층 또는 제3 서브-층과 함께 사용될 때, 약 1.6 내지 약 2.5의 범위를 포함한다. 일부 구체 예에서, 용어 "중간 RI"는 제3 서브-층과 함께 사용될 때, 약 1.55 내지 약 1.8의 범위를 포함한다. 일부 경우에서, 낮은 RI, 높은 RI 및 중간 RI에 대한 범위는 중첩될 수 있다; 그러나, 대부분의 경우에서, 광학 간섭층의 서브-층은 다음의 RI에 관한 일반적인 관계식을 가진다: 낮은 RI 003c# 중간 RI 003c# 높은 RI.상기 광학 간섭층 (130)에서 사용에 적합한 예시적인 물질은 다음을 포함한다: SiO2, Al2O3, GeO2, SiO, AlOxNy, AlN, Si3N4, SiOxNy, SiuAlvOxNy, Ta2O5, Nb2O5, TiO2, ZrO2, TiN, MgO, MgF2, BaF2, CaF2, SnO2, HfO2, Y2O3, MoO3, DyF3, YbF3, YF3, CeF3, 중합체, 플루오로중합체, 플라즈마-중합된 중합체, 실록산 중합체, 실세스퀴옥산 (silsesquioxanes), 폴리이미드, 불소화 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르설폰, 폴리페닐설폰, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 아크릴 중합체, 우레탄 중합체, 폴리메틸메타크릴레이트, 스크래치-저항층에서 사용에 적합한 것으로서 아래에 인용된 다른 물질 및 당업계에 알려진 다른 물질. 제1 낮은 굴절률 서브-층에서 사용을 위해 적합한 물질의 일부 실시 예는 SiO2, Al2O3, GeO2, SiO, AlOxNy, SiOxNy, SiuAlvOxNy, MgO, MgF2, BaF2, CaF2, DyF3, YbF3, YF3, 및 CeF3를 포함한다. 제2 높은 굴절률 서브-층에서 사용을 위해 적합한 물질의 일부 실시 예는 SiuAlvOxNy, Ta2O5, Nb2O5, AlN, Si3N4, AlOxNy, SiOxNy, HfO2, TiO2, ZrO2, Y2O3, Al2O3, 및 MoO3를 포함한다.하나 이상의 구체 예에서, 광학 간섭층의 하나 이상의 서브-층은 특정 광학 두께 범위를 포함할 수 있다. 본 명세서에서 사용되듯이, 용어 "광학 두께 (optical thickness)"는 (n*d)에 의해 결정되고, 여기서 "n"은 서브-층의 RI를 나타내고, "d"는 서브-층의 물리적 두께를 나타낸다. 하나 이상의 구체 예에서, 상기 광학 간섭층의 하나 이상의 서브-층은 약 2 nm 내지 약 200 nm, 약 10 nm 내지 약 100 nm, 또는 약 15 nm 내지 약 100 nm 범위의 광학 두께를 포함할 수 있다. 일부 구체 예에서, 광학 간섭층 (130)에서 모든 서브-층은 약 2 nm 내지 약 200 nm, 약 10 nm 내지 약 100 nm, 또는 약 15 nm 내지 약 100 nm 범위의 광학 두께를 각각 가질 수 있다. 일부 경우에서, 광학 간섭층 (130)의 하나 이상의 서브-층은 약 50 nm 이상의 광학 두께를 가진다. 일부 경우에서, 각각의 제1 낮은 굴절률 서브-층은 약 2 nm 내지 약 200 nm, 약 10 nm 내지 약 100 nm, 또는 약 15 nm 내지 약 100 nm 범위의 광학 두께를 가진다. 다른 경우에서, 각각의 제2 높은 굴절률 서브-층은 약 2 nm 내지 약 200 nm, 약 10 nm 내지 약 100 nm, 또는 약 15 nm 내지 약 100 nm 범위의 광학 두께를 가진다. 또 다른 경우에서, 각각의 제3 서브-층은 약 2 nm 내지 약 200 nm, 약 10 nm 내지 약 100 nm, 또는 약 15 nm 내지 약 100 nm 범위의 광학 두께를 가진다.하나 이상의 구체 예에서, 상기 광학 간섭층 (130)은 약 800 nm 이하의 물리적 두께를 가진다. 상기 광학 간섭층 (130)은 약 10 nm 내지 약 800 nm, 약 50 nm 내지 약 800 nm, 약 100 nm 내지 약 800 nm, 약 150 nm 내지 약 800 nm, 약 200 nm 내지 약 800 nm, 약 10 nm 내지 약 750 nm, 약 10 nm 내지 약 700 nm, 약 10 nm 내지 약 650 nm, 약 10 nm 내지 약 600 nm, 약 10 nm 내지 약 550 nm, 약 10 nm 내지 약 500 nm, 약 10 nm 내지 약 450 nm, 약 10 nm 내지 약 400 nm, 약 10 nm 내지 약 350 nm, 약 10 nm 내지 약 300 nm, 약 50 nm 내지 약 300 nm 및 이들 사이의 모든 범위 및 서브-범위의 물리적 두께를 가질 수 있다.일부 구체 예에서, 상기 광학 간섭층은 침지된 상태에서 측정될 때, 상기 광 파장 체계에 걸쳐 약 2% 이하, 1.5% 이하, 0.75% 이하, 0.5% 이하, 0.25% 이하, 0.1% 이하, 또는 심지어 0.05% 이하의 평균 광 반사율을 나타낸다. 본 명세서에서 사용되듯이, 구절 "침지된 상태 (immersed state)"는 상기 광학 간섭층을 포함하는 것 이외의 인터페이스에서 상기 제품에 의해 만들어진 반사를 공제하거나 달리 제거하는 것에 의한 상기 평균 반사율의 측정을 포함한다. 일부 경우에서, 상기 광학 간섭층은 약 450 nm 내지 약 650 nm, 약 420 nm 내지 약 680 nm, 약 420 nm 내지 약 740 nm, 약 420 nm 내지 약 850 nm, 또는 약 420 nm 내지 약 950 nm와 같은 다른 파장 범위에 걸쳐 그러한 평균 광 반사율을 나타낼 수 있다. 일부 구체 예에서, 상기 광학 간섭층은 상기 광 파장 체계에 걸쳐 약 90% 이상, 92% 이상, 94% 이상, 96% 이상, 또는 98% 이상의 평균 광 투과율을 나타낸다.본 명세서에서 기재된 구체 예의 광학 간섭층 (130)은 단조로운 굴절률 구배를 가진 층으로부터 구별될 수 있다. 스크래치-저항층 (140) 과 기판 (110) 사이의 광학 간섭층 (130)을 포함하는 제품은 광학 필름 (120)의 물리적 두께를 감소시키는 동안 향상된 광학 성능 (본 명세서에 기재되듯이, 예를 들면, 높은 평균 광 투과율, 낮은 평균 광 반사율, 낮은 색상 변화)을 나타낸다. 단조로운 굴절률 구배 층은 유사한 광학 성능을 제공하지만, 더 큰 물리적 두께를 요구할 수 있다.하나 이상의 구체 예의 스크래치-저항층 (140)은 무기질 카바이드, 질화물, 산화물, 다이아몬드-유사 물질, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 스크래치-저항층 (140)에 대해 적합한 물질의 실시 예는 금속 질화물, 금속 산화질화물, 금속 카바이드, 금속 옥시카바이드 및/또는 이들의 조합을 포함한다. 예시적인 금속은 B, Al, Si, Ti, V, Cr, Y, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta 및 W를 포함한다. 상기 스크래치-저항층 (140)에 이용될 수 있는 물질의 특정 실시 예는 Al2O3, AlN, AlOxNy, Si3N4, SiOxNy, SiuAlvOxNy, 다이아몬드, 다이아몬드-유사 탄소, SixCy, SixOyCz, ZrO2, TiOxNy 및 이들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 스크래치-저항층은 또한 나노복합 물질, 또는 경도, 인성, 또는 마멸/마모 저항성을 향상시키기 위해 제어된 미세구조를 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 스크래치-저항층은 약 5 nm 내지 약 30 nm 크기 범위의 나노 결정을 포함할 수 있다. 구체 예에서, 상기 스크래치-저항층은 변환-강인화된 (transformation-toughened) 지르코니아, 부분적으로 안정화된 지르코니아, 또는 지르코니아-강인화된 알루미나를 포함할 수 있다. 구체 예에서, 스크래치-저항층은 약 1 MPa√m 초과의 파괴 인성 값을 나타내고, 동시에 약 8 GPa 초과의 경도 값을 나타낸다.상기 스크래치-저항층 (140)의 조성물은 특정 성질 (예를 들면, 경도)을 제공하도록 변경될 수 있다. 하나 이상의 구체 예에서, 상기 스크래치-저항층 (140)은 베르코비치 압자로 상기 표면을 만입시켜 (상기 스크래치-저항층의 주 표면으로부터 측정된) 적어도 약 100nm의 골 깊이를 갖는 만입을 형성함으로써, 상기 스크래치-저항층의 주 표면 상에서 측정된 것과 같이 약 5 GPa 내지 약 30 GPa 범위의 평균 경도를 나타낸다. 하나 이상의 구체 예에서, 상기 스크래치-저항층 (140)은 약 6 GPa 내지 약 30 GPa, 약 7 GPa 내지 약 30 GPa, 약 8 GPa 내지 약 30 GPa, 약 9 GPa 내지 약 30 GPa, 약 10 GPa 내지 약 30 GPa, 약 12 GPa 내지 약 30 GPa, 약 5 GPa 내지 약 28 GPa, 약 5 GPa 내지 약 26 GPa, 약 5 GPa 내지 약 24 GPa, 약 5 GPa 내지 약 22 GPa, 약 5 GPa 내지 약 20 GPa, 약 12 GPa 내지 약 25 GPa, 약 15 GPa 내지 약 25 GPa, 약 16 GPa 내지 약 24 GPa, 약 18 GPa 내지 약 22 GPa 및 이들 사이의 모든 범위 및 서브-범위의 평균 경도를 나타낸다. 하나 이상의 구체 예에서, 스크래치-저항층 (140)은 15 GPa 초과, 20 GPa 초과, 또는 25 GPa 초과인 평균 경도를 나타낼 수 있다. 하나 이상의 구체 예에서, 스크래치-저항층은 약 15 GPa 내지 약 150 GPa, 약 15 GPa 내지 약 100 GPa, 또는 약 18 GPa 내지 약 100 GPa 범위의 평균 경도를 나타낸다.상기 스크래치-저항층 (140)의 물리적 두께는 약 1.5 ㎛ 내지 약 3 ㎛ 범위일 수 있다. 일부 구체 예에서, 상기 스크래치-저항층 (140)의 물리적 두께는 약 1.5 ㎛ 내지 약 3 ㎛, 약 1.5 ㎛ 내지 약 2.8 ㎛, 약 1.5 ㎛ 내지 약 2.6 ㎛, 약 1.5 ㎛ 내지 약 2.4 ㎛, 약 1.5 ㎛ 내지 약 2.2 ㎛, 약 1.5 ㎛ 내지 약 2 ㎛, 약 1.6 ㎛ 내지 약 3 ㎛, 약 1.7 ㎛ 내지 약 3 ㎛, 약 1.8 ㎛ 내지 약 3 ㎛, 약 1.9 ㎛ 내지 약 3 ㎛, 약 2 ㎛ 내지 약 3 ㎛, 약 2.1 ㎛ 내지 약 3 ㎛, 약 2.2 ㎛ 내지 약 3 ㎛, 약 2.3 ㎛ 내지 약 3 ㎛, 및 이들 사이의 모든 범위 및 서브-범위일 수 있다. 일부 구체 예에서, 상기 스크래치-저항층 (140)의 물리적 두께는 약 0.1 ㎛ 내지 약 2 ㎛, 또는 약 0.1 ㎛ 내지 약 1 ㎛, 또는 0.2 ㎛ 내지 약 1 ㎛ 범위 일 수 있다.하나 이상의 구체 예에서, 상기 스크래치-저항층 (140)은 약 1.6 이상의 굴절률을 가진다. 일부 경우에서, 상기 스크래치-저항층 (140)의 굴절률은 약 1.65 이상, 약 1.7 이상, 약 1.8 이상, 1.9 이상, 2 이상, 또는 2.1 이상일 수 있다. 상기 스크래치-저항층은 상기 기판 (110)의 굴절률을 초과하는 굴절률을 가질 수 있다. 특정 구체 예에서, 상기 스크래치-저항층은 약 550 nm의 파장에서 측정될 때, 상기 기판의 굴절률보다 약 0.05 인덱스 유닛 초과 또는 0.2 인덱스 유닛 초과인 굴절률을 가진다.하나 이상의 구체 예의 캡핑층 (150)은 SiO2, Al2O3, GeO2, SiO, AlOxNy, SiOxNy, SiuAlvOxNy, MgO, MgF2, BaF2, CaF2, DyF3, YbF3, YF3, 및 CeF3 와 같은 낮은 굴절률 물질 및 다른 그러한 물질을 포함할 수 있다. 상기 캡핑층의 물리적 두께는 약 0 내지 약 100 nm, 약 0.1 nm 내지 약 50 nm, 약 1 nm 내지 약 50 nm, 약 5 nm 내지 약 50 nm, 약 10 nm 내지 약 50 nm, 약 0 nm 내지 약 40, 약 0 nm 내지 약 30, 약 0 nm 내지 약 20 nm, 약 0 nm 내지 약 10 nm, 약 0.1 nm 내지 약 15 nm, 약 0.1 nm 내지 약 12 nm, 약 0.1 nm 내지 약 10 nm, 약 0.1 nm 내지 약 8 nm, 약 4 nm 내지 약 30 nm, 약 4 nm 내지 약 20 nm, 약 8 nm 내지 약 12 nm, 약 9 nm 내지 약 10 nm, 및 이들 사이의 모든 범위 및 서브-범위일 수 있다. 하나 이상의 구체 예에서, 상기 제품은 상기 코팅된 표면 (101)에서 약 1.7 이상의 굴절률을 가지고, 이는 상기 캡핑층을 포함할 수 있다. 상기 캡핑층 (150)은 플루오로실란, 알킬 실란, 실세스퀴옥산 및 그 유사 화합물을 포함하는 실란-계 저-마찰 물질을 사용하여 액상 증착 또는 기상 증착법 중 어느 하나에 의해 형성될 수 있다. 하나 이상의 구체 예에서, 상기 캡핑층은 2 이상의 물질 또는 2 이상의 서브-층 (예를 들면, 4 서브-층 또는 6 서브-층)을 포함할 수 있다. 상기 캡핑층은 특히 다중 서브-층이 이용되는 경우 반사-방지 기능을 제공할 수 있다. 상기 서브-층은 다른 굴절률을 포함할 수 있고, 높은 굴절률 (H)과 낮은 굴절률(L)을 갖는 층을 포함할 수 있고, 여기서 "높은" 및 "낮은"은 상대적이고, 반사-방지 필름을 위해 알려진 범위 이내이다. 상기 서브-층은 높은 및 낮은 굴절률 서브-층이 교대로 되도록 배열될 수 있다. 상기 물질 또는 서브-층은 예를 들면 SiO2 또는 SiOxNy를 포함할 수 있다. 그러한 구체 예에서, 상기 하나 이상의 서브-층은 약 4 nm 내지 약 50 nm의 범위 내에서 각각 또는 조합된 두께를 가질 수 있다. 일부 구체 예에서, 상기 캡핑층 (150)은 상기 캡핑층의 아래에 놓인 서브-층 (예를 들면, 상기 SiO2 및/또는 SiOxNy 층) 상에 배치된, 약 0.1 nm 내지 약 20 nm 범위의 두께를 갖는 실란-계 저-마찰 서브-층을 포함할 수 있다.일부 구체 예에서, 광학 간섭층 (130)은 또한 균열 완화층을 포함할 수 있다. 이러한 균열 완화층은 스크래치 저항층 (140)과 기판 (130) 사이에 균열 브리징 (crack bridging)을 억제하거나 방지할 수 있고, 따라서 제품의 기계적 특성 또는 강도를 개선하거나 향상시킨다. 균열 완화층의 구체 예는 참조로서 본 명세서에 병합된 미국 특허 출원 번호 제14/052,055호, 제14/053,093호 및 제14/053139호에서 추가적으로 기재된다. 상기 균열 완화층은 균열 블런팅 물질 (crack blunting materials), 균열 편향 물질 (crack deflecting materials), 균열 어레스트 물질 (crack arresting materials), 인성 물질 (tough materials), 또는 제어된-접착 인터페이스를 포함할 수 있다. 상기 균열 완화층은 중합 물질, 나노 다공성 물질, 금속 산화물, 금속 플루오르화물, 금속성 물질, 또는 광학 간섭층 (130) 또는 스크래치 저항층 (140) 둘 중 하나에서 사용을 위해 본 명세서에 언급된 다른 물질을 포함할 수 있다. 상기 균열 완화층의 구조는 다중층 구조일 수 있고, 여기서 상기 다중층 구조는 동시에 본 명세서에 기재된 광학 간섭 이익을 제공하면서, 균열 전파를 편향, 억제, 또는 방지하기 위해 디자인된다. 상기 균열 완화층은 나노 결정, 나노 복합 물질, 변환 강인화된 물질, 유기 물질의 다중층, 무기 물질의 다중층, 맞물린 유기 및 무기 물질의 다중층, 또는 하이브리드 유기-무기 물질을 포함할 수 있다. 상기 균열 완화층은 약 2% 초과, 또는 약 10% 초과인 변형 대 파괴 (strain to failure)를 가질 수 있다. 상기 균열 완화층은 본 명세서에 기재된 기판, 스크래치 저항층, 및 광학 간섭층과 함께 별도로 결합될 수 있고: 상기 균열 완화층이광학 간섭층으로서 동시에 역할을 하는 것은 엄격하게 요구되지는 않는다. 구체 예에서, 상기 균열 완화층은 광학 간섭층의 존재 또는 부존재 하에 그 기능을 수행할 수 있다 (그 역도 가능함). 광학 간섭층의 디자인은 필요하다면 균열 완화층의 존재를 수용하기 위해 조절될 수 있다.균열 완화층은 다음과 같은 물질을 포함할 수 있다: 인성 또는 나노구조의 무기물, 예를 들면, 아연 산화물, 어떤 Al 합금, Cu 합금, 강철, 또는 안정화된 정방정 지르코니아 (변환 강인화된, 부분적으로 안정화된, 이트리아 (yttria) 안정화된, 세리아 (ceria) 안정화된, 칼시아 (calcia) 안정화된, 및 마그네시아 (magnesia) 안정화된 지르코니아 포함); 지르코니아-강인화된 세라믹 (지르코니아 강인화된 알루미나 포함); 세라믹-세라믹 복합체; 탄소-세라믹 복합체; 섬유- 또는 위스커-보강된 세라믹 또는 유리-세라믹 (예를 들면, SiC 또는 Si3N4 섬유- 또는 위스커-보강된 세라믹); 금속-세라믹 복합체; 다공성 또는 비-다공성 하이브리드 유기-무기 물질, 예를 들면, 나노복합체, 중합체-세라믹 복합체, 중합체-유리 복합체, 섬유-보강된 중합체, 탄소-나노튜브- 또는 그래핀-세라믹 복합체, 실세스퀴옥산, 폴리실세스퀴옥산, 또는 "ORMOSILs" (유기적으로 개질된 실리카 또는 실리케이트), 및/또는 다양한 다공성 또는 비-다공성 중합 물질, 예를 들면, 실록산, 폴리실록산, 폴리아크릴레이트, 폴리 아크릴, PI (폴리이미드), 플루오르회된 폴리이미드, 폴리아마이드, PAI (폴리아마이드이미드), 폴리카보네이트, 폴리설폰, PSU 또는 PPSU (폴리아릴설폰), 플루오로중합체, 플루오로탄성중합체, 락탐, 폴리시릭 올레핀, 및 유사 물질, 한정됨이 없이, 예를 들면 PDMS (폴리디메틸실록산), PMMA (폴리(메틸메타크릴레이트)), BCB (벤조시클로부텐), PEI (폴리에틸에테르이미드), 폴리 (아릴렌 에테르), 예를 들면, PEEK (폴리-에테르-에테르-케톤), PES (폴리에테르설폰) 및 PAR (폴리아릴레이트) , PET (폴리에틸렌 테레프탈레이트), PEN (폴리에틸렌 나프탈레이트 = 폴리(에틸렌-2,6-나프탈렌 디카르복실레이트), FEP (플루오르화된 에틸렌 프로필렌), PTFE (폴리테트라플루오로에틸렌), PFA (퍼플루오로알콕시 중합체, 예를 들면, 상표명 Teflon��, Neoflon��) 및 유사 물질. 다른 적합한 물질은 개질된 폴리카보네이트, 일부 버전의 에폭시, 시아네이트 에테르, PPS (폴리페닐설파이드), 폴리페닐렌, 폴리피로론, 폴리퀴녹살린, 및 비스말레이미드를 포함한다.상기 광학 필름 (120) 층의 상기 물리적 및/또는 광학 두께는 바람직한 광학 및 기계적 특성 (예를 들면, 경도)을 달성하도록 조절될 수 있다. 예를 들면, 상기 스크래치-저항층 (140)은 더욱 박형으로, 예를 들면 약 100 nm 내지 약 500 nm 범위로 만들어질 수 있고, 한편, 여전히 스크래치, 마모, 또는 손상 발생(아스팔트, 시멘트 또는 사포와 같은 경질의 표면 상에 상기 제품의 떨어지는 경우를 포함)에 대한 일부 저항성을 제공할 수 있다. 상기 캡핑층의 물리적 및/또는 광학적 두께는 또한 조절될 수 있다. 상기 캡핑층은 좀 더 낮은 총 반사율이 바람직한 경우 포함될 수 있다. 상기 캡핑층은 또한 상기 제품의 색상을 추가적으로 조절하기 위하여 또한 포함될 수 있다. 예를 들면, 본 명세서에 기재된 상기 광학 필름은 a* 또는 b* 좌표에서 입사 조사각을 변화시키면서 색상 변화를 최소화하지만, 또한 상기 반사율 스펙트럼에 대한 약간의 기울기를 나타낼 수 있다. 캡핑층 (150)은 상기 광학 필름 (120)에 포함될 수 있으며, 상기 캡핑층의 물리적 및/또는 광학적 두께는 상기 광 파장 체계에 걸쳐 좀 더 고른 반사율 스펙트럼(또는 좀 더 작은 진폭을 갖는 진동을 갖는 반사율 스펙트럼)을 제공하도록 약간 (예를 들면, 약 10 nm 내지 약 14 nm) 조절될 수 있다.광학 필름 (120)은 진공 증착 기술, 예를 들면, 화학 증기 증착 (예를 들면, 플라즈마 강화된 화학 증기 증착, 낮은-압력 화학 증기 증착, 및 기압 화학 증기 증착, 및 플라즈마-강화된 기압 화학 증기 증착), 물리 증기 증착 (예를 들면, 반응성 또는 비반응성 스퍼터링 또는 레이저 어블레이션), 열 또는 이-빔 증발 및/또는 원자층 증착과 같은 다양한 증착 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 광학 필름 (120)의 하나 이상의 층은 특정 굴절률 범위 또는 값을 제공하도록 나노-기공 또는 혼합된-물질을 포함할 수 있다.상기 광학 필름 (120)의 층 또는 서브-층의 물리적 두께는 최대 목적하는 반복성을 달성하기 위하여 (예를 들면, 반사된 F2 조명에 대해 +/- 0.2 이하의 a* 및 b* 변화) 약 10 nm 미만, 약 5 nm 미만, 약 1 nm 미만 또는 약 0.5 nm 미만 (타겟 값으로부터 6개의 표준 편차의 범위를 대표함)에 의해 변화될 수 있다. 일부 구체 예에서, 상기 층의 물리적 두께에서의 더 큰 변화는 용인될 수 있고, 한편, 여전히 일부 적용을 위한 발명의 바람직한 타겟을 달성할 수 있다 (예를 들면, 반사된 F2 조명에 대해 +/- 0.2 이하의 a* 및 b* 변화).고-각도의 광학 성능은 일부 구체 예에서 상기 광학 필름 (120) 및/또는 상기 제품 (100)에 추가적인 층을 추가함으로써 향상될 수 있다. 일부 경우에서, 이러한 추가적인 층은 상기 반사율 스펙트럼이 낮은 진폭의 진동 (예를 들면, 800 nm, 900 nm, 또는 1000 nm와 같은 근-IR 파장 내)에서의 파장을 확장시킬 수 있다. 이는 일반적으로 상기 제품의 전체 반사율 스펙트럼이 더 높은 광 입사각에서 더 짧은 파장으로 변하기 때문에 높은 입사각에서 진동을 낮추고 색상을 낮추는 것을 이끈다. 일부 경우에서, 상기 확장된-주파대 성능은 간섭층 디자인을 조절함으로써, 예를 들어 더 많은 층을 추가할 필요 없이 낮은 진동의 넓은-파장-주파대를 달성하기 위하여 약간 높은 진동 진폭을 허용함으로써 달성될 수 있다. 상기 낮은 진동의 확장된-주파대 또는 넓은-파장-주파대 (상기 간섭층에 대한 낮은 반사율의 확장된 주파대와 관련)는 증착 비-균일성, 기판 만곡, 기판 조각, 또는 직접적인 증착 공정 동안 그림자(shadowing)를 야기시키는 기판 성형, 또는 전형적으로 이상적인 타겟 두께에 상대적으로 모든 층 두께에서의 실질적으로 균일한 상대적인 변화를 야기시키는 다른 기하학적 인자에 대해 상기 제품이 버티도록 하는데 또한 유용할 수 있다.실시 예다양한 구체 예는 다음의 실시 예에 의해 좀 더 명확해질 것이다. 실시 예 1-9는 광학 간섭층, 스크래치-저항층 및 캡핑층과 함께 광학 필름을 포함하는 제품의 반사율 스펙트럼 및 색상 변화를 이해하기 위한 모델링을 사용하였다. 상기 모델링은 다양한 물질로 형성된 층 및 강화된 알루미노보로실리케이트 (“ABS”) 유리 기판으로부터 수집된 굴절률 데이터에 기초하였다. 실시 예 10, 11, 및 비교 실시 예 12는 실시 예 1-9 모델링의 원리를 추가적으로 증명하는 실험적으로 제작된 다중층 작동 실시 예이다.층은 DC 반응성 스퍼터링, 반응성 DC 및 라디오 진동수 (RF) 스퍼터링, 및 실리콘 와퍼 상에 이-빔 증발에 의해 형성되었다. 일부의 형성된 층은 SiO2, Nb2O5, 또는 Al2O3을 포함하였고, 이온 어시스트를 사용하여 약 50 ℃의 온도에서 (개별적으로) 실리콘, 니오븀 또는 알루미늄 타겟으로부터 DC 반응성 스퍼터링에 의해 실리콘 와퍼 상에 증착되었다. 이러한 상태에서 형성된 층은 인디케이터 "RS"로 디자인화 되었다. SiO2를 포함하는 다른 층은 이온 어시스트 없이 와퍼를 300 ℃로 가열함으로써 이-빔 증발에 의해 실리콘 와퍼 상에 증착되었다. 그러한 층은 인디케이터 "E"로 디자인화 되었다. Ta2O5의 층은 이온 어시스트 없이 와퍼를 300 ℃로 가열함으로써 이-빔 증발에 의해 실리콘 와퍼 상에 증착되었다.SiuAlvOxNy의 층은 AJA-Industries에 의해 공급된 스퍼터 증착 장치를 사용하여 이온 어시스트와 함께, RF 슈퍼임포즈된 (superimposed) DC 스퍼터링과 결합된 DC 반응성 스퍼터링에 의해 실리콘 와퍼 상에 증착되었다. 와퍼는 증착 동안 200 ℃로 가열되었고, 3인치 직경을 갖는 실리콘 타겟 및 3인치 직경을 갖는 알루미늄 타겟이 사용되었다. 사용된 방응성 가스는 질소 및 산소를 포함했고, 아르곤은 비활성 기체로서 사용되었다. RF 파워는 13.56 Mhz에서 실리콘 타겟에 공급되었고, DC 파워는 알루미늄 타겟에 공급되었다. 결과적인 SiuAlvOxNy 층은 550 nm에서 약 1.95의 굴절률 및 약 15 GPa 초과의 측정된 경도를 가지고, 본 명세서에 기재되듯이, 테스트되는 SiuAlvOxNy 층의 표면 상에 베르코비치 압자를 사용하였다.광학 필를 및 유리 기판의 형성된 층의 (파장의 함수로서) 굴절률은 분광 타원 평광법 (spectroscopic ellipsometry)을 사용하여 측정되었다. 표 1-7은 측정된 굴절률 및 분산 곡선을 포함한다. 그 후, 이렇게 측정된 상기 굴절률은 반사율 스펙트럼 및 다양한 모델 실시 예에 대한 각도 색상 변화를 계산하는데 사용되었다.표 1: RS-SiO2 층 대 파장에 대한 굴절률 및 분산 곡선표 2: SiuAlvOxNy 층 대 파장에 대한 굴절률 및 분산 곡선표 3: 강화된 알루미노보로실리케이트 유리 기판 대 파장에 대한 굴절률 및 분산 곡선*표 4: RS-Al2O3 층 대 파장에 대한 굴절률 및 분산 곡선표 5: E-Ta2O5 층 대 파장에 대한 굴절률 및 분산 곡선표 6: E-SiO2 층 대 파장에 대한 굴절률 및 분산 곡선표 7: RS-Nb2O5 층 대 파장에 대한 굴절률 및 분산 곡선실시 예 1모델 실시 예 1은 도 6에서 나타난 것과 같이 동일한 구조를 가진 제품을 포함했다. 모델 실시 예 1은 화학적으로 강화된 알칼리 알루미노보로실리케이트 유리 기판 및 상기 기판 상에 배치된 광학 필름을 포함했다. 상기 광학 필름은 3의 서브-층 세트를 가진 광학 간섭층, 상기 광학 간섭층 상에 배치된 스크래치-저항층 및 상기 스크래치-저항층 상에 배치된 캡핑층을 포함했다. 상기 광학 필름에서 배열된 순서로, 각각의 층의 광학 필름 물질 및 두께는 표 8에서 제공된다.표 8 : 모델 실시 예 1에 대한 광학 필름 속성층물질모델 물리적 두께주위 매질공기침지된캡핑층RS-SiO29.5 nm스크래치-저항층SiuAlvOxNy2000 nm광학 간섭층제1 낮은 RI 서브-층RS-SiO28.22 nm제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy46.39 nm제1 낮은 RI 서브-층RS-SiO229 nm제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy27.87 nm제1 낮은 RI 서브-층RS-SiO249.63 nm제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy9.34 nm기판ABS 유리침지된모델 실시 예 1에 대한 계산된 반사율 스펙트럼은 도 7에서 나타난다. 도 7에서 나타나듯이, 반사율 스펙트럼에서 진동은 작고 (즉, 광학 파장 체계에 걸쳐 약 0.5 퍼센트 포인트 미만), 이는 도 8에서 나타나듯이, F2 광원 하에, 60 도로부터 수직 입사까지의 입사 시야각의 범위에 걸쳐, 10 도 관측자에 대해, 상대적으로 낮게 계산된 가시적인 색상 변화를 이끈다. 도 7은 F2 조명 하에, 그곳 상에 배치된 광학 필름 없이 기판의 색상 좌표 상의 중심에 둔 0.2의 반경을 가진 타겟을 나타낸다.실시 예 2모델 실시 예 2은 화학적으로 강화된 알칼리 알루미노보로실리케이트 유리 기판 (210) 및 상기 기판 상에 배치된 광학 필름 (220)을 갖는 제품 (200)을 포함했다. 상기 광학 필름 (220)은 도 9에서 나타나듯이, 광학 간섭층 (230), 상기 광학 간섭층 상에 배치된 스크래치-저항층 (240), 및 캡핑층 (250)을 포함했다. 상기 광학 간섭층 (230)은 서브-층 231A, 231B의 4 세트를 포함했다. 상기 광학 필름에서 배열된 순서로, 각각의 층의 광학 필름 물질 및 두께는 표 9에서 제공된다.표 9 : 모델 실시 예 2에 대한 광학 필름 속성층물질모델 두께주위 매질공기침지된캡핑층RS-SiO29.5 nm스크래치-저항층SiuAlvOxNy2000 nm광학 간섭층제1 낮은 RI 서브-층RS-SiO24.83 nm제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy53.16 nm제1 낮은 RI 서브-층RS-SiO219.63 nm제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy38.29 nm제1 낮은 RI 서브-층RS-SiO240.97 nm제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy21.73 nm제1 낮은 RI 서브-층RS-SiO254.88 nm제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy7.05nm기판ABS 유리침지된모델 실시 예 2에 대한 계산된 반사율 스펙트럼은 도 10에서 나타난다. 도 10에서 나타나듯이, 반사율 스펙트럼에서 진동은 작고 (즉, 광학 파장 체계에 걸쳐 약 0.5 퍼센트 포인트 미만), 이는 도 11에서 나타나듯이, F2 광원 하에, 60 도로부터 수직 입사까지의 입사 시야각의 범위에 걸쳐, 10 도 관측자에 대해, 상대적으로 낮게 계산된 가시적인 색상 변화를 이끈다. 도 11은 F2 조명 하에, 그곳 상에 배치된 광학 필름 없이 기판의 색상 좌표 상의 중심에 둔 0.2의 반경을 가진 타겟을 나타낸다.실시 예 3모델 실시 예 3은 화학적으로 강화된 알칼리 알루미노보로실리케이트 기판 (310) 및 상기 기판 상에 배치된 광학 필름 (320)을 갖는 제품 (300)을 포함했다. 상기 광학 필름 (320)은 광학 간섭층 (330), 상기 광학 간섭층 상에 배치된 스크래치-저항층 (340), 및 상기 스크래치-저항층 (250) 상에 배치된 캡핑층 (350)을 포함했다. 상기 광학 간섭층은 도 12에서 나타나듯이, 서브-층 331A, 331B의 2 세트, 다수의 서브-층과 상기 스크래치-저항층 사이에 배치된 제3 서브-층 331C, 및 다수의 서브-층과 상기 기판 사이에 배치된 제3 서브-층 331D를 포함했다. 상기 광학 필름에서 배열된 순서로, 각각의 층의 광학 필름 물질 및 두께는 표 10에서 제공된다.표 10 : 모델 실시 예 3에 대한 광학 필름 속성층물질모델 두께주위 매질공기침지된캡핑층RS-SiO29.5 nm스크래치-저항층SiuAlvOxNy2000 nm광학 간섭층제3 서브-층RS-Al2O313.5 nm제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy43.58 nm제1 낮은 RI 서브-층RS-SiO228.85 nm제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy27.48 nm제1 낮은 RI 서브-층RS-SiO240.62 nm제3 서브-층RS-Al2O327.26 nm기판ABS 유리침지된모델 실시 예 3에 대한 계산된 반사율 스펙트럼은 도 13에서 나타난다. 도 13에서 나타나듯이, 반사율 스펙트럼에서 진동은 작고 (즉, 광학 파장 체계에 걸쳐 약 0.5 퍼센트 포인트 미만), 이는 도 14에서 나타나듯이, F2 광원 하에, 60 도로부터 수직 입사까지의 입사 시야각의 범위에 걸쳐, 10 도 관측자에 대해, 상대적으로 낮게 계산된 가시적인 색상 변화를 이끈다. 도 14은 F2 조명 하에, 그곳 상에 배치된 광학 필름 없이 기판의 색상 좌표 상의 중심에 둔 0.2의 반경을 가진 타겟을 나타낸다.실시 예 4모델 실시 예 4은 화학적으로 강화된 알칼리 알루미노보로실리케이트 기판 (410) 및 상기 기판 상에 배치된 광학 필름 (420)을 갖는 제품 (400)을 포함했다. 상기 광학 필름 (420)은 광학 간섭층 (430), 상기 광학 간섭층 상에 배치된 스크래치-저항층 (440), 및 상기 스크래치-저항층 상에 배치된 캡핑층 (450)을 포함했다. 상기 광학 간섭층은 도 15에서 나타나듯이, 서브-층 431A, 431B의 3 세트, 다수의 서브-층과 상기 스크래치-저항층 사이에 배치된 제3 서브-층 431C, 및 다수의 서브-층과 상기 기판 사이에 배치된 제3 서브-층 431D를 포함했다. 상기 광학 필름에서 배열된 순서로, 각각의 층의 광학 필름 물질 및 두께는 표 11에서 제공된다.표 11 : 모델 실시 예 4에 대한 광학 필름 속성층물질모델 두께주위 매질공기침지된캡핑층RS-SiO29.5 nm스크래치-저항층SiuAlvOxNy2000 nm광학 간섭층제3 서브-층RS-Al2O310.20 nm제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy49.01 nm제1 낮은 RI 서브-층RS-SiO223.30 nm제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy35.04 nm제1 낮은 RI 서브-층RS-SiO244.95 nm제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy19.02 nm제1 낮은 RI 서브-층RS-SiO250.45 nm제3 서브-층RS-Al2O317.16 nm기판ABS 유리침지된모델 실시 예 4에 대한 계산된 반사율 스펙트럼은 도 16에서 나타난다. 도 16에서 나타나듯이, 반사율 스펙트럼에서 진동은 작고 (즉, 광학 파장 체계에 걸쳐 약 0.5 퍼센트 포인트 미만), 이는 도 17에서 나타나듯이, F2 광원 하에, 60 도로부터 수직 입사까지의 입사 시야각의 범위에 걸쳐, 10 도 관측자에 대해, 상대적으로 낮게 계산된 가시적인 색상 변화를 이끈다. 도 17은 F2 조명 하에, 그곳 상에 배치된 광학 필름 없이 기판의 색상 좌표 상의 중심에 둔 0.2의 반경을 가진 타겟을 나타낸다.실시 예 5모델 실시 예 5은 화학적으로 강화된 알칼리 알루미노보로실리케이트 기판 (510) 및 상기 기판 상에 배치된 광학 필름 (520)을 갖는 제품 (500)을 포함했다. 상기 광학 필름 (520)은 광학 간섭층 (530), 상기 광학 간섭층 상에 배치된 스크래치-저항층 (540), 및 상기 스크래치-저항층 (550) 상에 배치된 캡핑층 (550)을 포함했다. 상기 광학 간섭층은 도 18에서 나타나듯이, 서브-층 531A, 531B의 6 세트, 및 다수의 서브-층과 상기 스크래치-저항층 사이에 배치된 제3 서브-층 531C를 포함했다. 상기 광학 필름에서 배열된 순서로, 각각의 층의 광학 필름 물질 및 두께는 표 12에서 제공된다.표 12 : 모델 실시 예 5에 대한 광학 필름 속성층물질모델 두께주위 매질공기침지된캡핑층RS-SiO214 nm스크래치-저항층SiuAlvOxNy2000 nm광학 간섭층제3 서브-층RS-Al2O37.05 nm제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy54.65 nm제1 낮은 RI 서브-층RS-Al2O324.59 nm제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy37.96 nm제1 낮은 RI 서브-층RS-Al2O352.53 nm제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy17.48 nm제1 낮은 RI 서브-층RS-Al2O390.07 nm제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy20.63 nm제1 낮은 RI 서브-층RS-Al2O338.15 nm제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy84.11 nm제1 낮은 RI 서브-층RS-Al2O36.87 nm제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy48.85 nm제1 낮은 RI 서브-층RS-Al2O381.63 nm기판ABS 유리침지된모델 실시 예 5에 대한 계산된 반사율 스펙트럼은 도 19에서 나타난다. 도 19에서 나타나듯이, 반사율 스펙트럼에서 진동은 작고 (즉, 광학 파장 체계에 걸쳐 약 1 퍼센트 포인트 미만), 이는 광원 하에, 수직 입사에서 약 0 도 내지 60 도의 범위의 입사 시야각에서 봤을 때, 상대적으로 낮게 계산된 가시적인 색상 변화를 이끌 수 있다.실시 예 6모델 실시 예 6은 화학적으로 강화된 알칼리 알루미노보로실리케이트 기판 (610) 및 상기 기판 상에 배치된 광학 필름 (620)을 갖는 제품 (600)을 포함했다. 상기 광학 필름 (620)은 광학 간섭층 (630), 상기 광학 간섭층 상에 배치된 스크래치-저항층 (640), 및 상기 스크래치-저항층 (650) 상에 배치된 캡핑층 (650)을 포함했다. 상기 광학 간섭층은 도 20에서 나타나듯이, 서브-층 631A, 631B의 2 세트, 및 다수의 서브-층과 상기 기판 사이에 배치된 제3 서브-층 631C를 포함했다. 상기 광학 필름에서 배열된 순서로, 각각의 층의 광학 필름 물질 및 두께는 표 13에서 제공된다.표 13 : 모델 실시 예 6에 대한 광학 필름 속성층물질모델 두께주위 매질공기침지된캡핑층RS-SiO210 nm스크래치-저항층SiuAlvOxNy2000 nm광학 간섭층제2 높은 RI 서브-층E-Ta2O515.27 nm제1 낮은 RI 서브-층E-SiO219.35 nm제2 높은 RI 서브-층E-Ta2O532.53 nm제1 낮은 RI 서브-층E-SiO243.18 nm제3 서브-층E-Ta2O512.64 nm기판ABS 유리침지된모델 실시 예 6에 대한 계산된 반사율 스펙트럼은 도 21에서 나타난다. 도 21에서 나타나듯이, 반사율 스펙트럼에서 진동은 작고 (즉, 광학 파장 체계에 걸쳐 약 1 퍼센트 포인트 미만), 이는 도 26에서 나타나듯이, F2 광원 하에, 60 도로부터 수직 입사까지의 입사 시야각의 범위에 걸쳐, 10 도 관측자에 대해, 상대적으로 낮게 계산된 가시적인 색상 변화를 이끈다. 도 26은 F2 조명 하에, 그곳 상에 배치된 광학 필름 없이 기판의 색상 좌표 상의 중심에 둔 0.2의 반경을 가진 타겟을 나타낸다.실시 예 7모델 실시 예 7은 화학적으로 강화된 알칼리 알루미노보로실리케이트 기판 (710) 및 상기 기판 상에 배치된 광학 필름 (720)을 갖는 제품 (700)을 포함했다. 상기 광학 필름 (720)은 광학 간섭층 (730), 상기 광학 간섭층 상에 배치된 스크래치-저항층 (740), 및 상기 스크래치-저항층 (750) 상에 배치된 캡핑층 (750)을 포함했다. 상기 광학 간섭층은 도 22에서 나타나듯이, 서브-층 731A, 731B의 3 세트, 및 다수의 서브-층과 상기 기판 사이에 배치된 제3 서브-층 731C를 포함했다. 상기 광학 필름에서 배열된 순서로, 각각의 층의 광학 필름 물질 및 두께는 표 14에서 제공된다.표 14 : 모델 실시 예 7에 대한 광학 필름 속성층물질모델 두께주위 매질공기침지된캡핑층RS-SiO210 nm스크래치-저항층SiuAlvOxNy2000 nm광학 간섭층제2 높은 RI 서브-층E-Ta2O518.67 nm제1 낮은 RI 서브-층E-SiO213.7 nm제2 높은 RI 서브-층E-Ta2O539.23 nm제1 낮은 RI 서브-층E-SiO232.77 nm제2 높은 RI 서브-층E-Ta2O524.91 nm제1 낮은 RI 서브-층E-SiO250.89 nm제3 서브-층E-Ta2O58.39 nm기판ABS 유리침지된모델 실시 예 7에 대한 계산된 반사율 스펙트럼은 도 22에서 나타난다. 도 22에서 나타나듯이, 반사율 스펙트럼에서 진동은 작고 (즉, 광학 파장 체계에 걸쳐 약 0.5 퍼센트 포인트 미만 및 일부 경우에서, 광학 파장 체계에 걸쳐 약 0.1 미만), 이는 도 26에서 나타나듯이, F2 광원 하에, 60 도로부터 수직 입사까지의 입사 시야각의 범위에 걸쳐, 10 도 관측자에 대해, 상대적으로 낮게 계산된 가시적인 색상 변화를 이끈다.실시 예 8모델 실시 예 8은 화학적으로 강화된 알칼리 알루미노보로실리케이트 기판 (810) 및 상기 기판 상에 배치된 광학 필름 (820)을 갖는 제품 (800)을 포함했다. 상기 광학 필름 (820)은 광학 간섭층 (830), 상기 광학 간섭층 상에 배치된 스크래치-저항층 (840), 및 상기 스크래치-저항층 (840) 상에 배치된 캡핑층 (850)을 포함했다. 상기 광학 간섭층은 도 23에서 나타나듯이, 서브-층 831A, 831B의 4 세트, 및 다수의 서브-층과 상기 기판 사이에 배치된 제3 서브-층 831C를 포함했다. 상기 광학 필름에서 배열된 순서로, 각각의 층의 광학 필름 물질 및 두께는 표 15에서 제공된다.표 15 : 모델 실시 예 8에 대한 광학 필름 속성층물질모델 두께주위 매질공기침지된캡핑층RS-SiO210 nm스크래치-저항층SiuAlvOxNy2000 nm광학 간섭층제3 서브-층E-Ta2O519.52 nm제1 낮은 RI 서브-층E-SiO211.28 nm제2 높은 RI 서브-층E-Ta2O544.68 nm제1 낮은 RI 서브-층E-SiO225.72 nm제2 높은 RI 서브-층E-Ta2O534.69 nm제1 낮은 RI 서브-층E-SiO245.76 nm제2 높은 RI 서브-층E-Ta2O520.24 nm제1 낮은 RI 서브-층E-SiO257.29 nm제2 높은 RI 서브-층E-Ta2O56.64 nm기판ABS 유리침지된모델 실시 예 8에 대한 계산된 반사율 스펙트럼은 도 25에서 나타난다. 도 25에서 나타나듯이, 반사율 스펙트럼에서 진동은 작고 (즉, 광학 파장 체계에 걸쳐 약 0.25 퍼센트 포인트 미만 및 일부 경우에서, 광학 파장 체계에 걸쳐 약 0.1 미만), 이는 도 26에서 나타나듯이, F2 광원 하에, 60 도로부터 수직 입사까지의 입사 시야각의 범위에 걸쳐, 10 도 관측자에 대해, 상대적으로 낮게 계산된 가시적인 색상 변화를 이끈다.실시 예 9모델 실시 예 9은 화학적으로 강화된 알칼리 알루미노보로실리케이트 기판 (910) 및 상기 기판 상에 배치된 광학 필름 (920)을 갖는 제품 (900)을 포함했다. 상기 광학 필름 (920)은 광학 간섭층 (930), 상기 광학 간섭층 상에 배치된 스크래치-저항층 (940), 및 상기 스크래치-저항층 (950) 상에 배치된 캡핑층 (950)을 포함했다. 상기 광학 간섭층은 도 27에서 나타나듯이, 서브-층 931A, 931B의 3 세트, 및 다수의 서브-층과 상기 스크래치-저항층 사이에 배치된 제3 서브-층 931C를 포함했다. 상기 광학 필름에서 배열된 순서로, 각각의 층의 광학 필름 물질 및 두께는 표 16에서 제공된다.표 16 : 모델 실시 예 9에 대한 광학 필름 속성층물질모델 두께주위 매질공기침지된캡핑층RS-SiO214 nm스크래치-저항층SiuAlvOxNy2000 nm광학 간섭층제3 서브-층RS-Nb2O57.0 nm제1 낮은 RI 서브-층RS-SiO223.02 nm제2 높은 RI 서브-층RS-Nb2O519.75 nm제1 낮은 RI 서브-층RS-SiO241.60 nm제2 높은 RI 서브-층RS-Nb2O514.68 nm제1 낮은 RI 서브-층RS-SiO257.14 nm제2 높은 RI 서브-층RS-Nb2O55.08 nm기판ABS 유리침지된모델 실시 예 9에 대한 계산된 반사율 스펙트럼은 도 28에서 나타난다. 도 28에서 나타나듯이, 반사율 스펙트럼에서 진동은 작고 (즉, 광학 파장 체계에 걸쳐 약 1 퍼센트 포인트 미만 및 일부 경우에서, 광학 파장 체계에 걸쳐 약 0.1 미만), 이는 광원 하에, 수직 입사에서 약 0 도 내지 약 60 도 범위의 입사 시야각에서 상대적으로 낮게 계산된 가시적인 색상 변화를 이끌 수 있다.실시 예 10-11 및 비교 실시 예 12실시 예 10은 만들어졌고, 기판, 및 상기 기판 상에 배치된 광학 필름을 포함했다. 상기 기판은 약 900 MPa의 압축 응력 및 약 45 ㎛의 DOL을 갖는 화학적으로 강화된 ABS 유리 기판을 포함했다. 표 17에서 나타나듯이, 상기 광학 필름은 6 서브-층 세트를 갖는 광학 간섭층을 포함했다. 상기 6 서브-층 세트는 SiOxNy의 제1 낮은 RI 서브-층 (약 550 nm 파장에서 약 1.49의 굴절률 값을 가짐) 및 AlOxNy 의 제2 높은 RI 서브-층 (약 550 nm 파장에서 약 2.0의 굴절률 값을 가짐)을 포함했다. 상기 광학 필름은 또한 AlOxNy 스크래치 저항층을 포함했다. 실시 예 10의 상기 광학 간섭층은 산화 및 질소화하는 환경을 사용한 AJA-Industries 스퍼터 증착 장치를 사용하여 반응성 마그네트론 스퍼터링을 사용하여 형성되었다. 사용된 스퍼터링 타겟은 3”직경 실리콘 타겟 및 3”직경 알루미늄 타겟을 포함했다.제1 낮은 RI 층은 약 490 W RF를 실리콘 타겟에 공급함으로써 형성되었다. 상기 제1 낮은 RI 층의 형성 동안, 약 75 W RF 및 50 W DC는 알루미늄 타겟에 공급되지만: 그러나, 알루미늄 스퍼터는 알루미늄 증착을 방지하기 위해 닫혀졌다. 제1 낮은 RI 서브-층의 증착 동안, 산소는 약 3.3 sccm의 유량으로 반응기 속으로 흘렀고, 아르곤은 약 30 sccm의 유량으로 반응기 속으로 흘렀고, 그리고 질소는 30 sccm의 유량으로 반응기 속으로 흘렀다. 상기 제1 낮은 RI 서브-층에 대한 증착 시간은 표 17 및 18에서 나타난 두께를 제공하기 위해 개질되었다.제2 높은 RI 서브-층은 알루미늄 타겟에 보내진 RF 슈퍼임포즈된 DC 파워를 사용하여 증착되었다. 약 300W의 DC 파워는 알루미늄 타겟에 공급되었고, 약 200W의 RF 파워는 Al 타겟에 공급되었다. 상기 제2 높은 RI 층의 형성 동안, RF 파워는 약 50W로 실리콘 타겟에 공급되었지만; 그러나, 실리콘 스퍼터는 실리콘의 증착을 방지하기 위해 닫혀졌다. 제2 높은 RI 서브-층의 증착 동안, 산소는 약 0.25 sccm의 유량으로 반응기 속으로 흘렀고, 아르곤은 약 30 sccm의 유량으로 반응기 속으로 흘렀고, 그리고 질소는 30 sccm의 유량으로 반응기 속으로 흘렀다. 상기 제2 높은 RI 서브-층에 대한 증착 시간은 표 17 및 18에서 나타난 두께를 제공하기 위해 개질되었다.표 17은 약 550 nm의 파장에서 제1 낮은 RI 서브-층, 제2 높은 RI 서브-층 및 스크래치-저항층 각각에 대한 굴절률 값을 제공한다. 이러한 서브-층에 대한 전체 분산 곡선은 모델 실시 예 1-9에서 사용된 유사 물질에 유사하다 (이의 굴절률 분산이 또한 실험적으로 측정됨). 모델 실시 예 1-9에서 사용된 분산 곡선은 작동 실시 예 10 및 11에서 물질의 실제 분산 곡선을 매우 가깝게 재생하기 위해 실시예 10 및 11에서 사용된 타겟 굴절률에 도달하도록 각각 파장에서 선형 또는 스케일된 양에 의해 미세하게 상하로 변화될 수 있다.제1 낮은 RI 서브-층 (SiOxNy)과 제2 높은 RI 서브-층 (AlOxNy) 사이 각각의 이행 (transitions)에서, 가스 흐름이 다음의 서브-층을 위해 요구된 것에 이행되었기 때문에, 실리콘 및 알루미늄 스퍼터 모두는 약 60초 동안 닫혀졌다. 이러한 이행 동안, 파워 및 가스 흐름은 조절되었다. 상기 스퍼터링은 "온 (on)"으로 유지되었지만, 스퍼터된 물질은 닫혀진 스퍼터 상으로 이동한다. 제2 높은 RI 서브-층은 (제1 낮은 RI 서브-층을 형성하기 위해 사용된 산소 흐름에 비교하여) 낮은 산소 흐름이 이용되었기 때문에, 실리콘 타겟에 공급된 파워는 일부 경우에서, 나머지 산소를 배기하기 위해 약 500W에 남겨졌다. 이러한 공정은 주어진 서브-층에 대한 스퍼터를 열기 전에, 다양한 층을 위해 사용되었던 가스의 존재 하에, 스퍼터링 타겟이 그것들의 바람직한 파워를 얻는 것을 허용하였다.스크래치-저항층은 제2 높은 RI 서브-층을 형성하기 위해 사용되는 것과 같이 동일한 조건을 사용하여 형성되었다. 기재되듯이 광학 간섭층과 결합된 결과적인 스크래치-저항층은 본 명세서에 기재된 것과 같이 베르코비치 압자를 사용하여 측정된 것으로서, 약 15 GPa의 경도, 및 알려진 나노압입 방법에 의해 측정된 것으로서, 약 212 GPa의 모듈러스를 나타내었다.표 17. 실시 예 10에 대한 광학 필름 타겟 굴절률 및 두께층물질타겟 굴절률 @550nm타겟 두께 (nm)스크래치-저항층AlOxNy2.007092000제1 낮은 RI 서브-층SiOxNy1.496589.7제2 높은 RI 서브-층AlOxNy2.0070942.17제1 낮은 RI 서브-층SiOxNy1.4965830.27제2 높은 RI 서브-층AlOxNy2.0070924.68제1 낮은 RI 서브-층SiOxNy1.4965852.71제2 높은 RI 서브-층AlOxNy2.007098.25기판ABS 유리1.51005 표 18. 실시 예 10을 위해 사용된 스퍼터링 공정 조건층물질스퍼터시간 (초)Si W RFSi스퍼터Al W RFAl W DCAl스퍼터O2 흐름Ar 흐름N2 흐름스크래치-저항층AlOxNy32756.650닫힘200300열림3.33030제1 낮은 RI 서브-층SiOxNy121.9490열림7550닫힘0.253030제2 높은 RI 서브-층AlOxNy710.350닫힘200300열림3.33030제1 낮은 RI 서브-층SiOxNy448.3490열림7550닫힘0.253030제2 높은 RI 서브-층AlOxNy440.650닫힘200300열림3.33030제1 낮은 RI 서브-층SiOxNy804.2490열림7550닫힘0.253030제2 높은 RI 서브-층AlOxNy104.350닫힘200300열림3.33030기판ABS 유리총 시간:35523.0실시 예 11은 실시 예 10으로서 동일한 장치 및 유사한 반응 스퍼터링 공정을 사용하여 형성되었지만; 그러나, 실시 예 11은 제2 높은 RI 서브-층에서 및 약 550 nm의 파장에서 약 1.998의 굴절률을 가지는 스크래치 저항층으로서 SiuAlvOxNy를 포함하였다. 실시 예 10에서 사용되었듯이, 동일한 기판은 실시 예 11에서 사용되었다. 실시 예 11을 위한 광학 필름 디자인 및 실시 예 11을 형성하기 위해 사용된 스퍼터링 공정 조건은 도 19 및 20에서 나타난다. 실시 예 11은 본 명세서에서 기재되듯이, 베르코비치 다이아몬드 압자 및 약 100 nm의 골 깊이를 사용하여 경도에 대해 측정되었고, 실시 예 11의 제품은 21 GPa의 측정된 경도를 가졌다. 실시 예 11은 또한 237 GPa의 탄성률을 나타내었다.표 19: 실시 예 11에 대한 광학 필름 타겟 굴절률 및 두께층물질타겟 굴절률 @550nm타겟 두께 (nm)스크래치-저항층SiuAlvOxNy 1.998232000 제1 낮은 RI 서브-층SiOxNy1.4959411.8제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy 1.9982345.4제1 낮은 RI 서브-층SiOxNy1.4959433.6제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy 1.9982327.5제1 낮은 RI 서브-층SiOxNy1.4959456.5제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy 1.9982310.1기판ABS 유리1.51005 표 20. 실시 예 11에 대한 스퍼터링 공정 조건층물질스퍼터시간 (초)Si W RFSi스퍼터Al W RFAl W DCAl스퍼터O2흐름Ar흐름N2흐름스크래치-저항층SiuAlvOxNy18340.0500열림200300열림3.33030제1 낮은 RI 서브-층SiOxNy135.0500열림5050닫힘0.53030제2 높은 RI 서브-층 SiuAlvOxNy440.0500열림200300열림3.33030제1 낮은 RI 서브-층SiOxNy385.0500열림5050닫힘0.53030제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy275.0500열림200300열림3.33030제1 낮은 RI 서브-층SiOxNy640.0500열림5050닫힘0.53030제2 높은 RI 서브-층SiuAlvOxNy195.0500열림200300열림3.33030기판ABS 유리총 시간: 20410.0비교 실시 예 12는 실시 예 10 및 11로서 동일한 기판을 사용하여 형성되었지만, 그러나 상기 기판 상에 배치된 필름은 Shincron 로터리 드럼 코터를 사용하여 반응성 스퍼터링에 의해 형성되었다. 비교 실시 예 12의 필름은 스크래치-저항층 및 유리 기판 사이에 배치된 단일 광학 간섭층을 포함했다. 비교 실시 예 12는 다음의 구조를 포함했다: 유리 기판/115 nm Al2O3의 광학 간섭층/2000 nm AlOxNy의 스크래치-저항층/32 nm SiO2의 캡핑층.실시 예 10 및 11 및 비교 실시 예 12의 광학 특성은 도 29-31에서 요약한다. 도 29는 실시 예 10-11 및 비교 실시 예 12에 대한 투과율 스펙트럼을 나타낸다. 도 30은 실시 예 10-11에 대해 다른 입사 조사각 (예를 들면, 5, 20, 40, 및 60 도)에서 F2 조명으로, 측정된 반사 광 색상 좌표를 나타낸다. 도 31은 실시 예 10-11에 대해 5 도의 입사 조사각에서 D65 조명으로, 측정된 투과된 광 색상 좌표를 나타낸다. 원형 타겟 라인은 눈에 대한 가이드로서 도 30 및 31에 나타난다.실시 예 10에 대한 투과율에서 진동 진폭은 약 450 nm 내지 약 650nm, 또는 약 400 nm 내지 약 700 nm의 더 넓은 파장 범위 내에서 임의의 50 nm 또는 100 nm의 파장 범위 세그먼트에 대해 약 3 퍼센트 포인트 미만으로 측정되었다. 도 30에서 나타낸 바와 같이, F2 조명 하에서 5 도에서 60 도까지 변화하는 입사 조사각으로 측정한 결과, 실시 예 10에 대하여 반사 색상 좌표에서의 최대 변화가 b* 색상 좌표에서 +/- 1.5 미만 및 a* 색상 좌표에서 +/- 0.5 미만이었다. 도 31에 나타낸 바와 같이, 실시예 10에 대하여 5 도 입사 조사각의 D65 조명 하에서 측정된 투과 색상 좌표는 b* 색상 좌표에서 +/- 0.2 미만 및 a* 색상 좌표에서 +/- 0.1 미만으로, 코팅되지 않은 유리 색상 좌표와 차이를 갖는다.실시 예 11에 대한 투과율에서 진동 진폭은 약 450 nm 내지 약 650nm, 또는 약 400 nm 내지 약 700 nm의 더 넓은 파장 범위 내에서, 임의의 50 nm 또는 100 nm의 파장 범위 세그먼트에 대해 약 3 퍼센트 포인트 미만으로 측정되었다. 일부 경우에서, 상기 진동 진폭은 일부 50 nm 또는 100 nm 파장 범위 세그먼트로부터 2 % 포인트 더 미만이었다. 도 30에 나타낸 바와 같이, 5 도에서 60 도까지 변화하는 측정 입사 조사각으로 F2 조명 하에서 측정한 결과, 실시 예 11에 대해서 반사 색상 좌표에서의 최대 변화가 a* 및 b* 색상 좌표에서 +/- 0.4 미만이었다. 도 31에 나타낸 바와 같이, 5 도의 D65 조명 하에서 측정한 결과, 실시 예 11에 대한 투과 색상 좌표는 b* 색상 좌표에서 +/- 0.4 미만 및 a* 색상 좌표에서 +/- 0.1 미만으로, 코팅되지 않은 유리 색상 좌표와 차이를 갖는다.비교 실시 예 12에 대한 투과율에서 진동 진폭은 도 29에 나타나듯이, 비교적 컸다. 이러한 데이터로부터, 색상 좌표 a* 및 b*는 실시 예 10 및 11을 평가하는데 사용되는 것과 같이, 동일한 광원 및 동일한 입사 조사각 하에 실질적으로 변할 수 있는 것은 예측될 수 있다.실시 예 10 및 11에 대한 절대 색 좌표는 모델 실시 예에서 나타나듯이, 캡핑층 (예를 들면, 약 5 nm 내지 약 25 nm 범위의 SiO2 또는 SiOxNy 두께를 갖는 캡핑층)을 추가함으로써, 추가적으로 조절될 수 있다. 비록 색상 변화는 모델 실시예에서 나타난 것보다 다소 크지만, 실시 예 10 및 11에서 나타난 색상 변화 및 반사율/투과율 진동의 변화는 낮고 유용한 범위에 있다. 모델 실시 예 1-9과 실시 예 10-11 사이의 이러한 차이는 반응성 RF 스퍼터링 공정 동안 접하는 층 두께 및 굴절률 변화의 함수인 것으로 믿어진다. 실시 예 10-11의 광학 필름을 형성하기 위해 당업계에서 알려지고 본 명세서에 기재된 다양한 방법이 있고,이는 실험적으로 제작된 층 및 서브-층 두께 및 굴절률의 제어를 추가적으로 향상시킬 수 있는 이러한 실험에서 사용되지 않았다. 예시적인 방법은 증착 동안 층 또는 서브-층 두께의 광학 필름, 광학 또는 석영 결정 두께 모니터링, 증착 동안 챔버에서 가스 조성물의 플라즈마 방출 또는 질량 스펙트럼 모니터링; 및 박막 증착에서 층 두께 및 조성물을 제어하는데 사용된 다른 알려진 기술에서 가장 얇은 층을 위해 더 느린 증착 속도를 포함한다.실시 예에서 사용된 광학 간섭층은 스크래치-저항층과 기판 사이에 반사를 최소화하기 위해 디자인되었고, 따라서 전체 제품에 대한 반사율 진동은 감소하였다. 감소된 반사율 진동 (또는 감소된 진폭을 갖는 반사율 진동)은 다중 조명 소스 하에 다른 입사 시야각에서 낮은 관측 색상 및 낮은 색상 변화를 제공하였고, 다중 조명 소스는 CIE F2 및 F10 조명과 같은 예리한 파장 스파이크를 갖는 조명 소스를 포함하였다. 스크래치-저항층은 본 명세서에 기재되듯이 베르고비치 압자를 사용하여 측정될 때, 약 15 GPa 초과, 일부 경우에서 심지어 20 GPa 초과의 경도를 나타내었다.실시 예 13모델 실시 예 13은 화학적으로 강화된 알칼리 알루미노보로실리케이트 기판 (1010) 및 상기 기판 상에 배치된 광학 필름 (1020)을 갖는 제품 (1000)을 포함했다. 상기 광학 필름 (1020)은 광학 간섭층 (1030), 상기 광학 간섭층 상에 배치된 스크래치-저항층 (1040), 및 상기 스크래치-저항층 (1040) 상에 배치된 캡핑층 (1050)을 포함했다. 상기 광학 간섭층은 도 32에서 나타나듯이, 상기 기판과 상기 스크래치-저항층 사이의, 서브-층 1031A, 1031B의 3 세트를 포함했다. 상기 광학 필름에서 배열된 순서로, 각각의 층의 광학 필름 물질 및 두께는 표 21에서 제공된다.표 21 : 모델 실시 예 13에 대한 광학 필름 속성층물질모델 두께주위 매질공기침지된캡핑층SiO210 nm스크래치-저항층AlOxNy2000 nm광학 간섭층제1 낮은 RI 서브-층SiO210 nm제2 높은 RI 서브-층AlOxNy50 nm제1 낮은 RI 서브-층SiO225 nm제2 높은 RI 서브-층AlOxNy25 nm제1 낮은 RI 서브-층SiO250 nm제2 높은 RI 서브-층AlOxNy10 nm기판ABS 유리침지된실시 예 13은 대칭적인 광학 간섭층을 가진다. 하나 이상의 구체 예에서, 대칭이 보존되기만 하면, 상기 간섭층은 다른 서브-층 및 다른 두께를 갖는 서브-층을 가지도록 개질될 수 있다.다양한 변경 및 변형은 본 발명의 사상 또는 범위로부터 벗어남이 없이 이루어질 수 있다는 것은 당업자에게 명확할 것이다.
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본 개시의 구체 예는 스크래치-저항성 및 향상된 광학 특성을 나타내는 제품과 관련된다. 일부 실시 예에서, 상기 제품은 광원 하에 수직 입사로부터 약 0 도 내지 약 60 도 범위의 입사 조사각에서 봤을 때, 약 2 이하의 색상 변화를 나타낸다. 하나 이상의 구체 예에서, 상기 제품은 기판, 및 상기 기판에 배치된 광학 필름을 포함한다. 상기 광학 필름은 스크래치-저항층 및 광학 간섭층을 포함한다. 상기 광학 간섭층은 다른 굴절률을 나타내는 하나 이상의 서브-층을 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 상기 광학 간섭층은 제1 낮은 굴절률 서브-층 및 제2 높은 굴절률 서브-층을 포함한다. 일부 경우에서, 상기 광학 간섭층은 제3 서브-층을 포함할 수 있다.
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[ 발명의 명칭 ]
팔레트 테이블 예측을 위한 방법 및 장치METHOD AND APPARATUS FOR PALETTE TABLE PREDICTION
[ 기술분야 ]
본 발명은 2013년 12월 18일자로 출원된 미국 특허 가출원 제61/917,474호, 2013년 12월 27일자로 출원된 미국 특허 가출원 제61/921,152호, 2013년 12월 31일자로 출원된 미국 특허 가출원 제61/922,131호, 및 2014년 3월 4일자로 출원된 미국 특허 가출원 제61/952,932호에 대한 우선권을 주장한다. 상기 미국 가출원은 참조에 의해 그 전체가 본원에 통합된다.본 발명은 비디오 데이터에 대한 팔레트 코딩(palette coding)에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 보다 효율적인 팔레트 공유를 개발하는 것에 의해 성능을 향상시키는 기술에 관한 것이다.
[ 배경기술 ]
고효율 비디오 코딩(High Efficiency Video Coding; HEVC)은 최근 몇 년 동안 개발되어 온 새로운 코딩 표준이다. 고효율 비디오 코딩(HEVC) 시스템에서, H.264/AVC의 고정된 사이즈의 매크로 블록은, 코딩 단위(coding unit; CU)로 칭해지는 유연한 블록으로 대체된다. CU에서의 픽셀은 코딩 효율성을 향상시키기 위해 동일한 코딩 파라미터를 공유한다. CU는, HEVC에서 코딩 트리 단위(coded tree unit; CTU)로 또한 칭해지는 최대 CU(largest CU; LCU)로 시작할 수도 있다. 코딩 단위의 개념 외에, HEVC에서는, 예측 단위(prediction unit PU)의 개념이 또한 소개된다. 일단 CU 계층 트리(CU hierarchical tree)의 분할이 이루어지면, 각각의 리프(leaf) CU는, 예측 타입 및 PU 구획(partition)에 따라 하나 이상의 예측 단위(PU)로 더 분할된다.고효율 비디오 코딩(HEVC) 표준 개발에 따라, HEVC의 확장(extension)의 개발도 또한 시작되었다. HEVC 확장은, 4: 2: 2 및 4: 4: 4와 같은 비(non) 4: 2: 0 컬러 포맷, 및 샘플당 12, 14 및 16비트와 같은 더 높은 비트 깊이를 목표로 삼는 범위 확장(range extensions; RExt)을 포함한다. RExt를 활용하는 유사한 애플리케이션 중 하나는, 유선 또는 무선 연결을 통한 스크린 공유이다. 스크린 컨텐츠의 특정 특징으로 인해, 코딩 툴이 개발되었으며 코딩 효율성에서 상당한 이득을 나타낸다. 그 중에서도, 팔레트 코딩(메이저 컬러 기반 코딩(major color based coding)으로 또한 알려짐) 기술은 팔레트(메이저 컬러)에 대한 인덱스를 사용하여 픽셀의 블록을 나타내고, 공간적 중복성(spatial redundancy)을 활용하는 것에 의해, 팔레트 및 인덱스를 인코딩한다. 가능한 컬러 조합의 총 수가 아주 크지만, 픽쳐의 한 영역에서의 컬러의 수는 통상적인 스크린 컨텐츠 때문에 일반적으로 아주 제한된다. 따라서, 팔레트 코딩은 스크린 컨텐츠 내용(screen content material)에 대해 아주 효율적이게 된다.따라서, 코딩 효율성을 더 향상시키고 및/또는 팔레트 코딩과 관련되는 복잡성을 감소시키기 위한 방법을 개발하는 것이 바람직하다.
[ 발명의 개요 ]
[ 과제의 해결 수단 ]
비디오 코딩 시스템에서 팔레트 코딩을 사용하여 비디오 데이터의 블록을 코딩하기 위한 방법이 개시된다. 인코더 측에서, 방법은 제1 블록이 팔레트 코딩 모드를 사용하여 코딩되었는지 또는 비팔레트(non-palette) 코딩을 사용하여 코딩되었는지의 여부를 결정한다. 제1 블록이 비팔레트 코딩 모드를 사용하여 코딩되었으면, 하나 이상의 이전에 프로세싱된 블록과 관련되는 하나 이상의 컬러 테이블에 기초하여, 제1 블록에 대한 제1 컬러 테이블이 유도된다. 제1 블록이 팔레트 코딩 모드를 사용하여 코딩되었으면, 제1 컬러 테이블은 제1 블록으로부터 유도된다. 제1 컬러 테이블은 저장되고 후속 블록에 의한 팔레트 코딩을 위해 사용된다. 따라서, 제1 블록 이후에 제2 블록이 팔레트 코딩 모드를 사용하는 것으로 결정되면, 제2 블록은 제1 컬러 테이블을 팔레트 예측으로서 사용할 수도 있다. 제1 블록은 제2 블록의 최종 코딩된 블록에 대응할 수도 있다. 예를 들면, 제2 블록에 대한 팔레트 코딩은, 팔레트 예측기(palette predictor)로서 이전에 프로세싱된 블록의 제1 컬러 테이블에 의존할 수도 있다.제1 블록이 비팔레트 코딩 모드를 사용하여 코딩되었으면, 제1 블록에 대한 제1 컬러 테이블은, 제1 블록의 위쪽 블록, 왼쪽 블록, 또는 임의의 이전에 코딩된 이웃 블록의 이웃 컬러 테이블로부터 유도될 수도 있다. 제1 컬러 테이블은 또한, 최종 코딩된 컬러 테이블에 대응할 수도 있다. 제1 컬러 테이블은, 제2 블록이 제1 블록의 제1 후속 블록이거나 또는 제1 이웃 블록이고 제2 블록이 비팔레트 코딩 모드를 사용하여 코딩되었으면, 변경 없이 버퍼에서 유지될 수 있다. 또한, 제1 컬러 테이블은, 제1 후속 블록에 후속하는 제2 후속 블록이 또한 비팔레트 코딩 모드를 사용하여 코딩되었으면, 변경 없이 버퍼에서 다시 유지될 수 있다. 제1 블록은 제2 블록의 좌측에 위치될 수도 있다. 제2 블록이 제1 블록 이후의 후속 블록에 대응하고 제2 블록이 팔레트 코딩 모드에서 코딩되었으면, 제2 블록의 코딩된 컬러 테이블은 하나 이상의 저장된 컬러 테이블을 업데이트하도록 저장될 수 있다. 제2 블록이 팔레트 코딩 모드를 사용하는 것으로 결정되면 그리고 이웃 팔레트 예측기를 유도하기 위해 사용되는 제2 블록의 제1 이웃 블록 또는 코딩 순서에서의 제1 후속 블록이 비팔레트 코딩 모드에서 코딩되었거나 이용불가능하면, 버퍼에 저장된 제1 컬러 테이블은, 팔레트 코딩을 제2 블록에 적용하기 위한 팔레트 예측기로서 사용될 수 있다.제2 블록이 팔레트 코딩 모드를 사용하는 것으로 결정되면 그리고 제1 팔레트 예측기를 유도하기 위해 사용되는 제2 블록의 제1 이전 코딩된 블록이 비팔레트 코딩 모드에서 코딩되었거나 이용불가능하면, 팔레트 코딩 모드에서 코딩된 제2 이전 코딩된 블록의 컬러 테이블은 팔레트 코딩을 제2 블록에 적용하기 위한 제1 이웃 블록의 컬러 테이블로서 사용될 수 있다. 제1 블록 및 제2 블록은 동일한 코딩 트리 단위(CTU)에 있거나 또는 동일한 CTU 행(row)에 있을 수 있다. 제2 블록은 제1 컬러 테이블에 대응하는 팔레트 예측기를 제2 블록의 컬러 테이블로서 엔트리 단위 기반으로(on an entry by entry basis) 복제할 수도 있거나 또는 그것을 전체적으로 복제할 수도 있다. 제2 블록은 제2 블록의 좌측 블록과 관련되는 단일의 이웃 컬러 테이블에 기초하여 팔레트 예측기를 유도할 수도 있고, 제2 블록은, 제2 블록의 좌측 블록이 비팔레트 코딩 모드에서 코딩되었거나 이용불가능하면, 제1 컬러 테이블 또는 하나의 이전에 코딩된 컬러 테이블을 사용할 수도 있다.디코더 측에서, 시스템은 현재 블록이 팔레트 코딩 모드에서 코딩되었는지 또는 비팔레트 코딩에서 코딩되었는지의 여부를 결정한다. 현재 블록이 팔레트 코딩 모드를 사용하여 코딩되었으면, 제1 컬러 테이블은 현재 블록의 이전 코딩된 블록에 기초하여 유도되고 현재 블록은 버퍼에 저장된 제1 컬러 테이블을 팔레트 예측기로서 사용하여 디코딩된다. 현재 블록은 제1 컬러 테이블에 대응하는 팔레트 예측기를 현재 블록의 현재 컬러 테이블로서 엔트리 단위 기반으로 복제할 수도 있거나 또는 그것을 전체적으로 복제할 수도 있다.기준 컬러 테이블(reference color table)에 따라 팔레트 코딩을 사용하여 비디오 데이터의 블록을 코딩하는 방법이 또한 개시된다. 기준 컬러 테이블은 하나 이상의 저장된 컬러 테이블로 구성되는 팔레트 북(palette book)으로부터 선택된다. 팔레트 코딩 모드가 현재 블록에 대해 선택되었으면, 팔레트 코딩은 현재 블록의 팔레트 예측기로서 선택된 기준 컬러 테이블을 사용하여 현재 블록에 적용된다. 기준 컬러 테이블은 또한, 최종 코딩된 컬러 테이블에 대응할 수도 있다. 기준 컬러 테이블은 엔트리 단위로 사용될 수 있거나, 또는 전체적(entirely)으로 사용될 수 있다. 비팔레트 코딩 모드가 현재 블록에 대해 선택되었으면, 팔레트 북은 업데이트되지 않을 것이다. 팔레트 코딩 모드가 현재 블록에 대해 선택되었으면, 현재 블록의 인코딩된 또는 디코딩된 현재 컬러 테이블은 팔레트 북을 업데이트하기 위해 체크될 수 있다. 현재 블록의 인코딩된 또는 디코딩된 현재 컬러 테이블은 가장 오래 저장된 컬러 테이블을 대체할 수 있다. 팔레트 북으로부터 선택되는 기준 컬러 테이블을 식별하기 위해 북 인덱스가 사용될 수 있다. 북 인덱스는 팔레트 북에서 더 최근에 저장된 컬러 테이블에 대해 더 작은 값을 가질 수도 있다. 북 인덱스는, 팔레트 북이 단지 하나의 컬러 테이블만을 포함하면 추론될 수도 있다.
[ 도면의 간단한 설명 ]
도 1은 팔레트 테이블 관리의 예를 예시하는데, 팔레트 테이블은 블록 레벨로 저장되고 블록 단위로 복제될 수도 있다.도 2는 본 발명의 한 실시형태에 따른 팔레트 테이블 관리의 예를 예시하는데, 팔레트 테이블은 더 고도한 레벨로 저장되고 동일하게 고도한 레벨에서 블록에 의해 공유될 수도 있다.도 3은 본 발명의 한 실시형태에 따른 팔레트 코딩을 통합하는 인코더 시스템의 예시적인 플로우차트를 예시한다.도 4는 본 발명의 한 실시형태에 따른 팔레트 코딩을 통합하는 디코더 시스템의 예시적인 플로우차트를 예시한다.도 5는 본 발명의 한 실시형태에 따른 기준 컬러 테이블에 기초하여 팔레트 코딩을 사용하는 코딩 시스템의 예시적인 플로우차트를 예시한다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
본 발명에서, 팔레트 코딩의 성능을 향상시키기 위한 다양한 기술이 개시된다. 관련 기술에서, 블록(예를 들면, 코딩 단위(CU))이 팔레트 모드에서 코딩되어 있지 않으면, 컬러 테이블은 제로로 리셋되거나 또는 이용불가능한 것으로 설정될 것이다. 따라서, 팔레트 예측에 대해 어떠한 팔레트 정보도 후속 블록에 의해 사용될 수 없다. 성능을 향상시키기 위해, 본 발명의 한 실시형태는 비팔레트 코딩된 CU에 대해 하나 이상의 컬러 테이블을 보관하거나 저장한다. 이 비팔레트 코딩된 블록에 대한 컬러 테이블은 코딩된 컬러 테이블로부터 유도될 수 있고 이 비팔레트 코딩된 블록의 컬러 테이블로서 간주될 수 있다. 따라서, 비팔레트 코딩된 블록에 대한 컬러 테이블은 "유도되고" 다른 블록의 팔레트 예측에 대해 사용된다. 예를 들면, 최종 코딩된 컬러 테이블 또는 왼쪽 또는 위쪽 블록으로부터의 컬러 테이블은 비팔레트 코딩된 블록의 컬러 테이블로서 사용될 수 있다. 비팔레트 코딩된 블록에 대해 유도되는 컬러 테이블은 또한 본 개시에서 "유도된 컬러 테이블로 칭해진다. 이들 보관된 또는 저장된 컬러 테이블은, 이웃 블록 또는 컬러 테이블 코딩을 위한 코딩 순서에서의 후속 블록에 의해 참조될 수 있거나 또는 비팔레트 코딩된 이웃 블록 또는 코딩 순서에서의 후속 블록에 대한 기준 컬러 테이블일 수 있다.일 예에서, 비팔레트 코딩된 CU는 자신의 왼쪽 블록으로부터의 컬러 테이블을 자신의 컬러 테이블로서 사용할 수도 있다. 이 컬러 테이블, 즉, "유도된" 컬러 테이블은 이웃 블록에 대한 컬러 테이블 예측을 위해 사용될 수 있다. 이 컬러 테이블은 또한, 이웃 블록이 팔레트 모드에서 코딩되어 있지 않으면, 이웃 블록으로 그들의 컬러 테이블로서 전파될 수 있다.다른 예에서, 비팔레트 코딩된 CU는 최종 코딩된 블록의 컬러 테이블을 자신의 컬러 테이블로서 사용할 수도 있다. 이 컬러 테이블은 이웃 블록 또는 코딩 순서에서의 후속 블록에 대한 컬러 테이블 예측을 위해 사용될 수 있다. 이 컬러 테이블은 또한, 이웃 블록 또는 코딩 순서에서의 후속 블록이 팔레트 모드에서 코딩되어 있지 않으면, 이웃 블록 또는 코딩 순서에서의 후속 블록으로 그들의 컬러 테이블로서 전파될 수 있다.또 다른 예에서, 비팔레트 코딩된 CU는, 이웃 블록이 팔레트 모드에서 코딩되었으면, 이웃 블록의 컬러 테이블을 자신의 컬러 테이블로서 사용할 수도 있다. 다르게는, 비팔레트 코딩된 CU는 팔레트 모드에서 코딩되어 있지 않는 이웃 블록의 컬러 테이블을 사용한다. 예를 들면, 다음과 같은 컬러 테이블 우선권이 채택될 수 있다: 왼쪽 블록이 팔레트 모드에서 코딩되었으면 왼쪽 컬러 테이블을 사용하는 것; 그렇지 않고, 위쪽 블록이 팔레트 모드에서 코딩되었으면 위쪽 컬러 테이블을 사용하는 것; 및 상기 둘 다가 아니면, 왼쪽 블록이 비팔레트 코딩된 블록인 경우에 왼쪽 컬러 테이블을 사용하는 것. 이 컬러 테이블은 이웃 블록에 대한 컬러 테이블 예측을 위해 사용될 수 있다. 이 컬러 테이블은 또한, 이웃 블록이 팔레트 모드에서 코딩되어 있지 않으면, 이웃 블록으로 그들의 컬러 테이블로서 전파될 수 있다.CU의 컬러 테이블이 팔레트 모드에서 코딩된 것으로 결정되면, CU의 컬러 테이블은 이웃 컬러 테이블을 팔레트 예측기로서 취할 것이다. 이웃 블록이 팔레트 모드에서 코딩되어 있지 않으면, 저장된 컬러 테이블은 팔레트 예측기로서 사용될 수 있다. 다른 예에서, 이웃 블록이 팔레트 모드에서 코딩되어 있지 않거나 또는 이용불가능하면, 다른 이웃 블록의 컬러 테이블 또는 최종 코딩된 블록의 컬러 테이블이 사용될 것이고 대응하는 이웃 블록의 컬러 테이블을 대체한다.라인 버퍼 요건을 완화하기 위해, 상위 CTU 행(upper CTU row)에서의 컬러 테이블은 이용불가능한 것으로 취급될 수 있고 디폴트 컬러 테이블(예를 들면, 모두 제로)에 의해 대체될 수 있다. 대안적으로, 컬러 테이블은 왼쪽 블록 또는 최종 코딩된 블록의 컬러 테이블에 의해 대체될 수 있다. 컬러 테이블 재사용 및 전파는 또한 CTU 또는 CTU 행 이내로 제한될 수도 있다. 따라서, CTU에 걸쳐 또는 CTU 행에 걸쳐 유도된 컬러 테이블을 저장할 필요는 없다.코딩 효율성을 향상시키기 위해, 이웃 블록 중 하나가 이용불가능하거나 또는 팔레트 모드에서 코딩되어 있지 않으면, 팔레트 모드에서 코딩된 나머지 이웃 블록 중 하나의 컬러 테이블은 이웃 블록의 컬러 테이블을 대체하도록 사용될 수 있다. 예를 들면, 왼쪽 블록이 팔레트 모드에서 코딩되어 있지 않지만 그러나 위쪽 블록이 팔레트 모드에서 코딩되었으면, 왼쪽 블록의 컬러 테이블은 위쪽 블록의 컬러 테이블에 의해 대체될 수 있다.현재 CU가 왼쪽 블록 또는 위쪽 블록 중 어느 하나로부터의 컬러 테이블을 자신의 컬러 테이블로서 사용할 수도 있지만, 왼쪽 CU로부터의 컬러 테이블만을 자신의 컬러 테이블로서 사용하는 것은 또한 현재 CU를 제한할 수도 있다. 따라서, 위쪽 CU 행과 관련되는 컬러 테이블을 저장할 필요는 없을 것이다. 컬러 테이블 재사용 기술은, 현재 CU가 비팔레트 코딩된 블록이면, 왼쪽 블록의 컬러 테이블을 자신의 유도된 컬러 테이블로서 사용할 것이다. 이 유도된 컬러 테이블은 현재 CU의 이웃하는 또는 후속하는 CU에 대한 기준 컬러 테이블로서 사용될 수 있다.상기 실시형태가, 비팔레트 코딩된 블록에 대한 이전에 프로세싱된 컬러 테이블로부터 컬러 테이블을 재사용하는 기술을 개시하지만, 다른 실시형태에서는, 최종 코딩된 블록의 컬러 테이블은 컬러 테이블 코딩을 위한 컬러 테이블 예측기로서 사용된다. 최종 코딩된 블록이 팔레트 모드에서 코딩되었으면, 컬러 테이블은 최종 코딩된 블록의 새로운 컬러 테이블에 의해 업데이트된다. 최종 코딩된 블록이 팔레트 모드에서 코딩되어 있지 않으면, 그것은 이전의 최종 코딩된 블록의 컬러 테이블을 변경하지 않고 유지할 것이다. 다시 말하면, 최종 코딩된 블록이 팔레트 모드에서 코딩되어 있지 않으면, 보관된 컬러 테이블은 재사용되지 않을 것이다. 최종 코딩된 블록의 이 컬러 테이블은 후속 블록의 컬러 테이블 코딩을 위한 팔레트 예측기로서 칭해질 것이다.컬러 테이블 예측은, 엔트리 단위 예측(entry by entry prediction)을 기반으로 적용될 수 있다. 이 경우, 현재 컬러 테이블의 각각의 대응하는 엘리먼트는 저장된 컬러 테이블에서의 팔레트 예측기의 대응하는 엘리먼트에 의해 예측된다. 컬러 테이블 예측은 또한 전체 컬러 테이블을 복제할 수 있다. 이 경우, 전체 현재 컬러 테이블은 저장된 컬러 테이블에서의 팔레트 예측기로부터 코딩될 수도 있다.본 발명의 다른 타입의 실시형태는, 하나 이상의 유도된 컬러 테이블을 팔레트 북에 유지하고 팔레트 예측을 위해 팔레트 북으로부터 컬러 테이블을 선택한다. 팔레트 북을 생성하기 위해, 다양한 수단이 사용될 수 있다. 예를 들면, 최근 인코딩된 팔레트 테이블의 이력이 "팔레트 북"에 저장될 수 있다. 현재 CU는 book_index에 의해 나타내어지는 바와 같은 팔레트 북에 저장된 팔레트 테이블 중 하나를 컬러 테이블 예측기로서 선택할 수도 있다. 컬러 테이블 예측은 엔트리 단위 예측을 기반으로 적용될 수 있다. 이 경우, 현재 컬러 테이블의 각각의 대응하는 엘리먼트는 저장된 컬러 테이블에서의 팔레트 예측기의 대응하는 엘리먼트에 의해 예측된다. 컬러 테이블 예측은 또한 전체 컬러 테이블을 복제할 수 있다. 이 경우, 전체 현재 컬러 테이블은 저장된 컬러 테이블에서의 팔레트 예측기로부터 코딩될 수도 있다. 현재 CU가 팔레트 모드에서 코딩되었으면, 현재 팔레트는 팔레트 북에서의 하나의 컬러 테이블을 대체할 것이다. 새로운 팔레트는, 동일한 팔레트 북 업데이팅 프로세스가 인코더 및 디코더 둘 다에서 동일한 방식으로 수행될 수 있도록, 인코딩되어 디코더로 송신된다.이전에 코딩된 팔레트 세트를 업데이트하고 순서화하기(order) 위한 다양한 방식이 존재한다. 하나의 특정한 예에서, 팔레트 세트로 또한 칭해지는 팔레트 테이블은, 그들의 코딩 순서에 기초하여 단순히 순서화된다, 즉, 가장 최근에 코딩된 팔레트가 "팔레트 북"의 시작에 저장되고(즉, 가장 작은 인덱스를 갖는다), 한편 더 오래된 것이 나중에 저장된다(즉, 더 큰 인덱스를 갖는다). 예를 들면, 사이즈 KK를 갖는 팔레트 북은, KK개의 세트의 이전에 코딩된 팔레트를 저장하기 위해 사용된다. 새로운 팔레트 세트가 코딩되고 있을 때, "팔레트 북"에서의 엔트리 1 내지 (KK-1)은, 제1 엔트리를 새롭게 코딩된 팔레트가 이용가능하게 만들기 위해, 2 내지 KK로 이동될 것이다. 이것은 단순히 선입선출(first-in-first-out updating) 업데이팅 및 순서화 프로세스이다. 팔레트 코딩에 기초한 "팔레트 북"의 다양한 예는 다음과 같이 예시된다."팔레트 북"을 사용하는 팔레트 공유의 CU 단위 제어(CU-wise control). 하기의 의사 코드는, 공유가 CU 단위 기반으로 제어될 때 팔레트 북을 사용하는 팔레트 공유(즉, 모든 컬러 성분에 대한 공유)의 예를 나타낸다. 실시형태는 또한, JCTVC-N-0249에서 개시되는 바와 같은 삼중 팔레트 포맷(triplet palette format)에 대해 사용될 수도 있다.상기 의사 코드에서, 팔레트 예측이, palette_pred가 1인 것에 의해 나타내어지는 바와 같이 사용되는 경우, 팔레트 북(즉, book_index)은 비트 스트림으로부터 결정된다. 현재 CU에 대한 팔레트(즉, 현재 CU palette[color_index])는 book_index를 갖는 팔레트 북(즉, palette_book[book_index][color_index])으로부터 유도된다. 현재 CU가 팔레트 예측을 사용하지 않으면, "팔레트 북"에서의 엔트리 1 내지 (KK-1)은, 제1 엔트리를 새롭게 코딩된 팔레트가 이용가능하게 만들기 위해, 엔트리 1 내지 KK로 이동될 것이다(즉, k003c#=KK, k003e#2, k--에 대해, palette_book[k][color_index]＝palette_book[k-1][color_index]). 새롭게 파싱된 현재 CU 팔레트(즉, 현재 CU 팔레트에 대한 파싱 구문 [color_index][n])는 선두 팔레트 북에 위치될 것이다(즉, palette_book[0][color_index][n]＝current CU palette[color_index][n])"팔레트 북"을 사용하는 팔레트 공유의 성분 단위 제어(component-wise control). 제5 실시형태는, 공유 제어가 성분 단위이다는 것을 제외하면 제4 실시형태와 유사하다. 이 실시형태에 따른 예시적인 의사 코드는 각각의 컬러 성분에 대해 하기에서 나타낸다"팔레트 북"을 사용하는 팔레트 공유의 루마/크로마 단위 제어(luma/chroma-wise control). "팔레트 북"을 사용하는 CU 단위 및 성분 단위의 팔레트 공유 제어가 각각 제4 실시형태 및 제5 실시혀애에서 나타내어지지만, 팔레트 북의 공유 제어는 또한 루마/크로마 단위일 수도 있다. 루마 성분 및 크로마 성분은 별개의 공유 제어를 가질 수도 있다(예를 들면, 루마에 대한 하나의 제어 플래그 및 크로마에 대한 하나의 제어 플래그). 각각의 루마 및 크로마 성분은 그 고유의 팔레트 테이블을 구비할 수도 있다. 이것은, 루마 및 크로마 성분에서 상이한 변동의 정도를 갖는 컨텐츠에 대해 특히 유용할 수도 있다. 이 실시형태에 따른 예시적인 의사 코드는 YUV 컬러 포맷에 대해 하기에서 나타내어지는데, 동일한 공유 제어 플래그는 U 및 V 성분(즉, palette_pred_UV)에 대한 것이고, 별개의 제어 플래그가 또한 사용될 수도 있다.상기에서 나타내어지는 예는, 현재 CU에 대한 위쪽 CU 및 왼쪽 CU 둘 다가 그들의 팔레트를 항상 공유하는 것을 허용한다. 그러나, 그것은 또한, 단지 하나의 이웃하는 CU(단지 하나의 위쪽 CU 또는 단지 왼쪽 CU)가 팔레트를 공유하는 것을 제한할 수도 있다. 게다가, 예가 팔레트 코딩 및 공유의 세분화(granularity)를 CU 기반으로 나타내지만, 팔레트 코딩 및 공유의 다른 세분화가 또한 사용될 수도 있다. 예를 들면, 팔레트 코딩 및 공유는 예측 단위(PU) 기반으로, 코딩 트리 단위(CTU) 기반으로, CTU 행 기반으로, 또는 다수의 CTU 기반으로 수행될 수 있다."팔레트 북" 업데이팅 및 순서화에 대한 제4 내지 제6 실시형태에 대한 의사 코드에서는 선입선출 방식이 사용되지만, 인코더 및 디코더가 동일한 프로세스를 수행할 수 있는 한 다른 수단이 또한 활용될 수 있다. 예를 들면, 각각의 팔레트 세트가 공유를 위해 선택되는 빈도를 추적하기 위해 카운터가 사용될 수 있다. 그 다음, 팔레트 북은, 높은 선택 빈도로부터 낮은 선택 빈도로 순서화하는 것과 같이, 그 빈도에 따라 업데이트 될 수 있다.본 발명의 일 양태는 팔레트 북 관리를 다룬다. 팔레트에 대해 예측성 코딩(predictive coding)이 사용되는 경우, 팔레트 북은, 특히 팔레트 북 리셋 및/또는 초기화 동안, 팔레트 코딩된 블록에 대한 팔레트의 선택에 따라 업데이트될 필요가 있다. 팔레트 코딩이 블록 코딩 모드(예를 들면, PU, CU 또는 CTB 모드)로서 활용되기 때문에, 간단한 팔레트 관리는 각각의 블록(예를 들면, PU, CU 또는 CTB)에 대한 팔레트 데이터 구조를 유지하는 것이다. 이 경우, 이전에 팔레트 코딩된 블록에서의 저장된 팔레트는, 이들 팔레트가 도 1에서 도시되는 바와 같이 예측성 코딩에 대해 후속 블록에 의해 사용될 수 있도록, 복제되어야 한다. 이전에 팔레트 코딩된 블록에서의 저장된 팔레트는 비팔레트 코딩된 블록에 대해서도 복제되어야 한다. 이러한 블록 레벨 팔레트 관리는, 복제 동작이 모든 블록에 대해 반복되어야 하기 때문에, 비효율적이다. 팔레트 북에 대해 다수의팔레트가 사용되는 경우, 코딩 시간 및 소비 전력은 크게 증가할 수도 있다.팔레트 북 관리의 효율성을 향상시키기 위해, 본 발명의 실시형태는 팔레트 북을 블록 레벨 위에서 관리한다. 예를 들면, 팔레트 북은 슬라이스 레벨에서 관리될 수 있고 팔레트 북은 도 2에서 도시되는 바와 같이 각각의 슬라이스의 시작에서 초기화된다. 굵은 실선 박스(200)는 슬라이스 경계를 나타낸다. 상기에서 설명되는 선입선출 팔레트 북 업데이팅 프로세스가 사용될 수도 있다. 그 다음, 팔레트 북은 각각의 대응하는 슬라이스에 대해 유지된다. 새로운 팔레트가 사용되거나 팔레트에서의 몇몇 메이저 컬러가 대체되는 것과 같이, 슬라이스에서의 팔레트 코딩된 블록이 팔레트 북을 업데이트할 필요가 있는 경우, 저장된 팔레트는 상응하여 수정될 것이다. 그렇지 않다면, 저장된 팔레트 북은 단순히 변경되지 않고 유지될 것이고, 그것은 블록에서 블록으로 복제될 필요가 없다.컬러 테이블 공유는 성분간(inter-component)으로 확장될 수 있다. 각각의 컬러 성분에 대한 개개의 컬러 테이블을 전송하는 대신, 본 발명의 실시형태는 상이한 컬러 성분 사이에서 동일한 컬러 테이블을 공유할 수도 있다. 예를 들면, 테이블 공유 코딩 툴이 턴온되면, 다른 컬러 성분 사이에서 N 개의 컬러 테이블이 전송되고 공유될 수 있는데, 여기서 N은 제로보다 큰 정수이다. N이 1과 동일하면, 단지 하나의 컬러 테이블이 전송되고 다수의 컬러 성분은 동일한 테이블을 공유한다. 각각의 성분은 공유된 컬러 테이블을 직접적으로 사용하거나 또는 공유된 테이블로부터 공유되는 새로운 테이블을 사용한다.본 발명에 따른 성분간 컬러 테이블 공유는, 상이한 레벨의 유연성을 제공하도록 상이한 코딩 레벨에서 인에이블되거나 또는 디스에이블될 수도 있다. 코딩 레벨은 변환 단위(transform unit; TU), 예측 단위(PU), 코딩 단위(CU), 코딩 트리 블록(CTB), 슬라이스, 픽쳐 또는 시퀀스 레벨에 대응할 수도 있다. 예를 들면, CU가 메이저 컬러 코딩되었으면(즉, 팔레트 코딩되었으면), 성분간 컬러 테이블 공유가 인에이블되는지 또는 그렇지 않은지의 여부를 나타내기 위해, 팔레트 코딩된 CU에 대해 플래그가 시그널링될 수 있다.앞에서 언급되는 바와 같이, 비팔레트 코딩된 블록에 대한 컬러 블록은 왼쪽 블록 및 위쪽 블록의 컬러 테이블로부터의 컬러 테이블을 공유할 수도 있다(즉, 재사용할 수도 있다). 컬러 테이블 코딩(즉, 팔레트 코딩)에 대해 엘리먼트 단위 예측이 사용되면, 현재 엘리먼트가 왼쪽 블록의 컬러 테이블의 동위치의(collocated) 엘리먼트와 동일한지의 여부를 나타내기 위해, 모든 엘리먼트에 대해 제1 플래그가 사용된다. 동일하지 않다면, 현재 엘리먼트가 위쪽 블록의 컬러 테이블의 동위치의 엘리먼트와 동일한지의 여부를 나타내기 위해, 다른 플래그가 사용된다.본 발명의 다른 실시형태에서, 컬러 테이블 코딩 중복성을 제거하기 위해 향상된 팔레트 코딩이 개시된다. 왼쪽 컬러 테이블에서의 동위치의 엘리먼트 및 위쪽 컬러 테이블에서의 동위치의 엘리먼트가 비교된다. 이들이 동일하다면, 현재 엘리먼트가 위쪽 컬러 테이블 또는 왼쪽 컬러 테이블에서의 동위치의 엘리먼트와 동일한지의 여부를 나타내는 데 단지 하나의 플래그가 요구된다.게다가, JCTVC-N-0247(ITU-T SG 16 WP 3와 ISO/IEC JTC 1/SC 29/WG 11의 비디오 부호화 연합팀(Joint Collaborative Team on Video Coding; JCT-VC) 14차 미팅(대서양 표준시(AT) 2013년 7월 25~8월 2일, 비엔나(Vienna))의 문서: JCTVC-N0247의 Guo 등의 "RCE3: Results of Test 3.1 on Palette Mode for Screen Content Coding"), JCTVC-O-0182 및 JCTVC-O0218(ITU-T SG 16 WP 3 와 ISO/IEC JTC 1/SC 29/WG 11의 비디오 부호화 연합팀(JCT-VC)의 15차 미팅(차모르 표준시(CH) 2013년 10월 23일~11월 1일, 제네바(Geneva))의 문서: JCTVC-O0218의 Guo 등의"Evaluation of Palette Mode Coding on HM-12.0+RExt-4.1")에서는, 컬러 테이블 시그널링 이후에 인덱스 맵이 시그널링된다. 본 발명의 한 실시형태는 인덱스 맵을 먼저 시그널링하고 인덱스 맵을 파싱하는 것에 의한 정보를 사용하여 다른 데이터를 인코딩한다. 인덱스 맵을 파싱하는 것에 의한 정보는 발생 정보(occurrence information)일 수 있다. 그 정보는 팔레트를 예측하고 픽셀 값을 재구성하기 위해 사용될 수 있다. 특히, 코딩 단위에서의 메이저 컬러의 발생은 디코더 측에서 인덱스 맵을 파싱하는 것에 의해 유도될 수 있다. 인덱스 맵을 파싱한 이후, 디코더는 각각의 메이저 컬러의 발생 정보를 획득할 수 있다.발생 정보는 컬러 테이블에서의 팔레트를 예측하고 픽셀 값을 재구성하기 위해 사용될 수 있다. 발생 정보를 수집하기 위한 다양한 방식이 존재한다. 예를 들면, 발생 정보는 코딩 단위에서의 메이저 컬러의 발생에 대응할 수도 있다. 다른 예에서, 발생 정보는 인덱스 맵 코딩 동안 잘못 예측된 메이저 컬러의 발생에 대응할 수도 있다.본 발명의 다른 양태는 예측성 팔레트 코딩을 위한 팔레트 초기화를 다룬다. 상이한 블록에 걸쳐 팔레트를 코딩하기 위해 예측성 코딩이 사용되면, 이전에 코딩된/디코딩된 팔레트(팔레트 북)은 예측기로서 사용된다. 그러나, 소정 블록, 예를 들면, 슬라이스/픽쳐에서의 제1 팔레트 코딩된 블록은 임의의 이전에 코딩된/디코딩된 팔레트에 액세스할 수 없을 수도 있다. 리셋 메커니즘이 사용되면, 제1 팔레트 코딩된 블록은 리셋 팔레트 북을 참조할 수 있다. 하기에서, 팔레트 북의 초기화를 위한 다양한 초기화 수단이 개시된다.모두 제로로의 초기화. 이 실시형태에서, 각각의 슬라이스/픽쳐의 시작에서, 팔레트 북에서의 팔레트는 모든 컬러 테이블에 대해 모두 제로로 세트된다. 리셋 메커니즘, 즉, 파면(wavefront) 구획 또는 타일 구획의 시작, 또는 각각의 CTU 행의 시작에서의 리셋 팔레트에 관해서는, 팔레트 북은 모두 제로로 리셋된다.특정 컬러 값으로의 초기화. 이 실시형태에서는, (예를 들면, 각각의 슬라이스/픽쳐의 시작에서, 각각의 파면/타일 구획화의 시작에서, 또는 각각의 CTU 행의 시작에서) 초기화가 필요로 되면, 팔레트 컬러에 대해 특정 값이 할당된다. YUV 비디오 포맷의 경우, U 및 V 성분은 더 적은 변동을 포함하며 중간 레벨(예를 들면, 8비트 포맷의 경우 128 그리고 10비트 포맷의 경우 512) 근처에 집중하는 경향이 있다. 예를 들면, U 및 V 성분에 대한 컬러 테이블은 중간 레벨과 동일한 또는 거의 유사한 값으로 초기화될 수 있다. Y 성분에 관해서는, 초기화를 위해 제로 또는 중간 레벨이 사용될 수 있다. 게다가, 초기화를 위한 특정 값은 슬라이스 헤더(Slice Header; SH), PPS 또는 SPS와 같은 하이 레벨로부터 시그널링되거나 유도될 수 있다.하이 레벨 구문(high-level syntax; HLS)에서의 특정 컬러 값의 시그널링. HLS의 다양한 예가 다음과 같이 개시된다.SPS앞서 언급된 바와 같이, 중간 레벨 초기화는 YUV 포맷에 대해 특히 유용할 것이다. 따라서, 팔레트 북에 대한 중간 레벨 초기화의 용도를 규정하기 위해, SPS에서의 구문 엘리먼트와 같은, 시퀀스의 컬러 포맷을 나타내는 하이 레벨 구문이 활용될 수 있다. SPS 레벨에서의 HLS에 대한 하나의 예시적인 의사 코드는 다음과 같이 나타낸다.중간 레벨은 8비트 포맷의 경우 128이고 10비트 포맷의 경우 512이다.PPS다른 실시형태의 예는, 팔레트 북에 대한 초기화 값을 규정하기 위해 PPS를 사용하는 것이다. 이 방법은, 시퀀스에서의 상이한 장면 설정에 대해 특히 유용하다. 예를 들면, 어두운 장면의 픽쳐의 경우, PPS는 낮은 값(예를 들면, 완전히 어두운 경우 0)을 갖는 팔레트 북을 초기화할 것을 나타낼 수 있다. 한편, 밝은 장면의 픽쳐의 경우, 초기화를 위해, 더 높은 컬러 값이 사용될 수 있다. 초기화를 위해 사용되는 정확한 값은 PPS에서 명시적으로 시그널링될 수 있다.초기화 값을 할당하기 위한 다른 방식은, 픽쳐의 색상(hue)을 분석하고 픽쳐의 지배적 컬러에 대응하는 초기화 값을 시그널링하는 것이다. 일 예에서, 픽쳐의 일부(예를 들면, 슬라이스, 파면 또는 타일의 시작)에 대해 팔레트의 초기화가 필요로 되면, 대응하는 PPS에서 유도되거나 시그널링되는 특정한 초기화 값이 사용될 것이다.슬라이스 헤더(SH)이 예에서는, 각각의 슬라이스에 대한 초기화 값이 슬라이스 헤더에서 시그널링된다. 각각의 픽쳐가 단지 하나의 슬라이스만을 포함하는 특수한 경우에, 이것은 PPS를 사용하는 것과 등가일 것이다. 픽쳐에 다수의 슬라이스가 존재하면, 슬라이스 헤더 기반 명세(slice-header based specification)를 통해 팔레트 초기화 값 선택의 더 미세한 세분화가 달성될 수 있다. 팔레트 북의 초기화를 위해 사용될 특정 값을 나타내기 위해, SH에 구문 엘리먼트가 추가된다. 정확한 값은 PPS 경우에서와 유사하게, 예를 들면, 슬라이스의 밝기 및/또는 색상을 분석하는 것에 의해 결정될 수 있다.도 3은 본 발명의 한 실시형태에 따른 팔레트 코딩을 통합하는 인코더 시스템의 예시적인 플로우차트를 예시한다. 시스템은, 단계 310에서 나타내어지는 바와 같이, 제1 블록이 팔레트 코딩 모드를 사용하여 코딩되었는지 또는 비팔레트 코딩 모드를 사용하여 코딩되었는지의 여부를 결정한다. 제2 블록과 관련되는 입력 데이터가 단계 320에서 수신되는데, 제1 블록은 제2 블록에 앞서 코딩된다. 입력 데이터는 메모리(예를 들면, 컴퓨터 메모리, 버퍼(RAM 또는 DRAM) 또는 다른 메모리)로부터 또는 프로세서로부터 검색될(retrieved) 수도 있다. 제1 블록이 비팔레트 코딩 모드를 사용하여 코딩되었는지의 여부가 단계 330에서 체크된다. 결과가 "예"이면, 단계 340이 수행된다. 결과가 "아니오"이면, 단계 350이 수행된다. 단계 340에서는, 하나 이상의 이전에 프로세싱된 블록과 관련되는 하나 이상의 컬러 테이블에 기초하여 제1 블록에 대한 제1 컬러 테이블이 유도된다. 단계 350에서는, 제1 컬러 테이블이 제1 블록으로부터 유도된다. 단계 360에서, 제2 블록이 팔레트 코딩 모드를 사용하는 것으로 결정되면, 버퍼에 저장된 제1 컬러 테이블을 포함하는 팔레트 예측기를 사용하여 팔레트 코딩이 제2 블록에 적용된다.도 4는 본 발명의 한 실시형태에 따른 팔레트 코딩을 통합하는 디코더 시스템의 예시적인 플로우차트를 예시한다. 현재 블록과 관련되는 코딩된 데이터가 단계 410에서 수신된다. 현재 블록이 팔레트 코딩 모드에서 코딩되었는지 또는 비팔레트 코딩 모드에서 코딩되었는지의 여부가 단계 420에서 결정된다. 결과가 "예"이면, 단계 430 및 440이 수행된다. 결과가 "아니오" 이면, 프로세스는 종료한다. 단계 430에서는, 현재 블록의 제1 이웃 블록에 기초하여 이웃 컬러 테이블이 유도된다. 단계 440에서는, 버퍼에 저장된 제1 컬러 테이블을 팔레트 예측기로서 사용하여 현재 블록이 디코딩된다.도 5는 본 발명의 한 실시형태에 따른 기준 컬러 테이블에 기초하여 팔레트 코딩을 사용하는 코딩 시스템의 예시적인 플로우차트를 예시한다. 단계 510에서, 하나 이상의 저장된 컬러 테이블로 구성되는 팔레트 북으로부터 기준 컬러 테이블이 선택된다. 현재 블록과 관련되는 입력 데이터가 단계 520에서 수신된다. 단계 530에서 나타내어지는 바와 같이 현재 블록에 대해 팔레트 코딩 모드가 선택되었으면, 기준 컬러 테이블을 현재 블록의 팔레트 예측기로서 사용하여 팔레트 코딩이 현재 블록에 적용된다.도시되는 플로우차트는 본 발명에 따른 팔레트 코딩의 예를 예시하도록 의도된다. 기술분야의 숙련된 자는, 본 발명의 취지를 벗어나지 않으면서 본 발명을 실시하기 위해, 각각의 단계를 수정하거나, 단계를 재정렬하거나, 단계를 분리하거나, 또는 단계를 결합할 수도 있다. 본 개시에서는, 본 발명의 실시형태를 구현하기 위한 예를 예시하기 위해 특정 구문 및 의미론(semantics)이 사용되었다. 당업자는, 구문 및 의미론을 본 발명의 취지를 벗어나지 않으면서 등가의 구문 및 의미론을 대체하는 것에 의해 본 발명을 실시할 수도 있다.상기의 설명은 기술분야에서 숙련된 자가 본 발명을 특정 애플리케이션 및 그 요건의 맥락에서 제공되는 대로 실시하는 것을 가능하게 하기 위해 제공된다. 설명된 실시형태에 대한 다양한 수정이 기술분야에서 숙련된 자에게는 명확할 것이고, 본원에서 정의되는 일반적인 원리는 다른 실시형태에 적용될 수도 있다. 따라서, 본 발명은 도시되고 설명된 특정 실시형태로 제한되도록 의도되는 것이 아니라, 본원에서 개시되는 원칙 및 신규한 특징과 일치하는 최광의의 범위를 부여받도록 의도된다. 상기 상세한 설명에서는, 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 다양한 특정 상세가 예시된다. 그럼에도 불구하고, 본 발명은 실시될 수도 있다는 것이 기술분야에서 숙련된 자에 의해 이해될 것이다.상기에서 설명되는 바와 같은 본 발명의 실시형태는 다양한 하드웨어, 소프트웨어 코드, 또는 양자의 조합으로 구현될 수도 있다. 예를 들면, 본 발명의 한 실시형태는, 본원에서 설명되는 프로세싱을 수행하기 위한, 비디오 압축 칩에 집적되는 회로이거나 또는 비디오 압축 소프트웨어에 통합되는 프로그램 코드일 수 있다. 본 발명의 한 실시형태는 또한, 본원에서 설명되는 프로세싱을 수행하기 위한, 디지털 신호 프로세서(DSP) 상에서 실행될 프로그램 코드일 수도 있다. 본 발명은 또한, 컴퓨터 프로세서, 디지털 신호 프로세서, 마이크로프로세서, 또는 필드 프로그래머블 게이트 어레이(field programmable gate array; FPGA)에 의해 수행될 다수의 기능을 포함할 수도 있다. 이들 프로세서는, 본 발명에 의해 구체화되는 특정 방법을 정의하는 머신 판독가능 소프트웨어 코드 또는 펌웨어 코드를 실행하는 것에 의해, 본 발명에 따른 특정 작업을 수행하도록 구성될 수 있다. 소프트웨어 코드 또는 펌웨어 코드는 상이한 프로그래밍 언어 및 상이한 포맷 또는 스타일로 개발될 수도 있다. 소프트웨어 코드는 또한 상이한 타겟 플랫폼에 대해 컴파일될 수도 있다. 그러나, 소프트웨어 코드의 상이한 코드 포맷, 스타일 및 언어와 본 발명에 따른 작업을 수행하기 위해 코드를 구성하는 다른 수단은 본 발명의 취지와 범위로부터 벗어나지 않을 것이다.본 발명은 본 발명의 취지 또는 본질적 특성으로부터 벗어나지 않으면서, 다른 특정 형태로 구체화될 수도 있다. 설명된 예는 제한적인 것이 아니라 모든 관점에서 단지 예시로서 간주되어야 한다. 따라서, 본 발명의 범위는 상기의 설명보다는 첨부된 청구범위에 의해 나타낸다. 청구범위의 의미 및 그 등가적 범위 내에 있는 모든 변형예는 청구범위 범위 내에 포괄되어야 한다.
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팔레트 코딩을 위한 방법이 개시된다. 인코더 측에서, 방법은 제1 블록이 팔레트 코딩 모드를 사용하여 코딩되었는지 또는 비팔레트(non-palette) 코딩을 사용하여 코딩되었는지의 여부를 결정한다. 제1 블록이 비팔레트 코딩 모드를 사용하여 코딩되었으면, 하나 이상의 이전에 프로세싱된 블록과 관련되는 하나 이상의 컬러 테이블에 기초하여, 제1 블록에 대한 제1 컬러 테이블이 유도된다. 제1 블록이 팔레트 코딩 모드를 사용하여 코딩되었으면, 제1 컬러 테이블은 제1 블록으로부터 유도된다. 제1 블록 이후에 코딩된 제2 블록은 제1 컬러 테이블을 팔레트 예측으로서 사용할 수도 있다. 디코더 측에서, 현재 블록이 팔레트 코딩 모드를 사용하여 코딩되었으면, 이전에 코딩된 블록에 기초한 제1 컬러 테이블이 유도되고 현재 블록은 제1 컬러 테이블을 팔레트 예측기로서 사용하여 디코딩된다.
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[ 발명의 명칭 ]
2상의 전극층을 갖는 전기광학 디스플레이ELECTRO-OPTIC DISPLAY WITH A TWO-PHASE ELECTRODE LAYER
[ 기술분야 ]
관련 출원들의 참조본 출원은 다음과 관련된다:(a) 2004년 3월 26일자로 출원된 미국 특허 No. 7,012,735;(b) 2004년 11월 5일자로 출원된 미국 특허 No. 7,173,752의 분할인, 2006년 12월 20일자로 출원된 미국 특허 No. 7,349,148;(c) 2011년 4월 4일자로 출원된 미국 특허 No. 8,446,664; 및 (b) 계류중인 미국 특허 공개공보 No. 2009/0122389 A1.
[ 배경기술 ]
본 발명은 전기 광학 디스플레이들에 관한 것으로, 보다 구체적으로 높은 전기 전도성 매트릭스로 제조된 제 1 상 (phase) 및 제어된 체적 저항률을 갖는 중합성 재료 조성물로 제조되는 제 2 상을 포함하는 2상의 광 투과성 전기 전도성 층을 포함하는 전기 광학 어셈블리들에 관한 것이다. 다른 양태에서, 본 발명은 제 2 상의 중합성 재료 조성물이 전도성 중합체로부터 제조되는 2상의 전극층을 제공한다. 또 다른 양태에서, 본 발명은 제 2 상의 중합성 재료 조성물이 중합체 및 첨가제로부터 제조되는 2상의 전극층을 제공한다. 본원에 개시된 중합성 재료 조성물들은 전기 광학 디스플레이들 이외의 응용에 유용할 수도 있다.전기 광학 디스플레이는 전기 광학 재료의 층을 포함하며, 그 용어는 적어도 하나의 광학적 특성이 상이한 제 1 및 제 2 디스플레이 상태들을 갖는 재료를 지칭하기 위해 그 기술 분야에서의 통상의 의미로 본원에서 사용되고, 그 재료는 재료에 대한 전기장 인가에 의해 그 제 1 디스플레이 상태로부터 그 제 2 디스플레이 상태로 변경된다. 광학 특성은 통상적으로 육안으로 인지가능한 컬러이지만, 광 투과, 반사, 발광과 같은 다른 광학 특성 또는 광 기계 판독을 위한 디스플레이의 경우에는 가시 범위 외부의 전자기 파장의 반사율 변화 의미에서의 의사 컬러일 수도 있다. 여러 타입의 전기 광학 디스플레이들이 알려져 있다. 일 타입의 전기 광학 디스플레이는 예를 들어 미국 특허 Nos. 5,808,783; 5,777,782; 5,760,761; 6,054,071 6,055,091; 6,097,531; 6,128,124; 6,137,467; 및 6,147,791에 기재된 회전 이색성 멤버타입이다 (이러한 타입의 디스플레이가 종종 "회전 이색성 볼" 디스플레이로 지칭되지만, 상기 언급된 특허들 중 일부에서의 회전 멤버들이 구형이 아니기 때문에 "회전 이색성 멤버"라는 용어가 보다 정확한 것으로서 바람직하다). 이러한 디스플레이는 내부 쌍극자, 및 광학 특성이 상이한 둘 이상의 섹션들을 갖는 다수의 작은 바디들 (통상적으로 구형 또는 원통형) 을 사용한다. 이들 바디들은 매트릭스 내의 액체로 채워진 액포들 내에서 현탁되며, 이 액포들은 바디들이 자유롭게 회전되도록 액체로 채워진다. 디스플레이의 외관은 전계 인가에 의해 변화되며, 이로써 바디들을 다양한 위치로 회전시키고 바디 섹션들의 어떤 섹션이 뷰잉 표면을 통해 보여지도록 변경시킨다. 이러한 타입의 전기 광학 매체는 통상적으로 쌍안정성이다.또 다른 타입의 전기 광학 디스플레이는 전기변색 매질 (electrochromic medium), 예를 들어, 적어도 부분적으로 반전도성 금속 산화물로 형성된 전극 및 전극에 부착되어 가역적인 컬러 변화가 가능한 복수의 염료 분자들을 포함하는 나노크로믹 필름 형태의 전기변색 매질을 사용한다; 예를 들어, O'Regan, B., et al., Nature 1991, 353, 737; 및 Wood, D., Information Display, 18(3), 24 (2002년 3월) 를 참조한다. 또한, Bach, U., et al., Adv. Mater., 2002, 14(11), 845를 참조한다. 이러한 타입의 나노크로믹 필름들은 또한 예를 들어 미국 특허 Nos. 6,301,038; 6,870,657; 및 6,950,220에 기재된다. 이러한 타입의 매질은 또한 통상적으로 쌍안정성이다. 또 다른 타입의 전기 광학 디스플레이는 Philips에 의해 개발되고 Hayes, R.A., et al.,"Video-Speed Electronic Paper Based on Electrowetting", Nature, 425, 383-385 (2003)에 기재된 전기습윤 디스플레이다. 이러한 전기 습윤 디스플레이들도 쌍안정성이라는 것이 미국 특허 No. 7,420,549에 도시되어 있다. 수년 동안 예의 검토 및 개발된 일 타입의 전기 광학 디스플레이는, 복수의 하전된 입자들이 전계의 영향 하에서 유체를 통해 이동하는 입자 기반의 전기영동 디스플레이이다. 전기영동 디스플레이는 액정 디스플레이와 비교하는 경우 양호한 휘도 및 콘트라스트, 광시야각, 상태 쌍안정성, 및 저소비전력의 속성을 가질 수 있다. 그럼에도 불구하고, 이들 디스플레이들의 장기 이미지 품질에 대한 문제는 그 광범위한 사용을 방해하고 있다. 예를 들어, 전기영동 디스플레이를 구성하는 입자들은 침전하는 경향이 있고, 그 결과 이들 디스플레이에 대한 부적절한 서비스 수명을 초래한다. 상기에 언급된 바와 같이, 전기영동 매질들은 유체의 존재를 요구한다. 대부분의 종래 기술의 전기영동 매질에서, 이 유체는 액체이지만, 전기영동 매질이 가스 유체를 사용하여 제조될 수 있다; 예를 들면, Kitamura, T., et al., "Electrical toner movement for electronic paper-like display", IDW Japan, 2001, Paper HCS1-1, 및 Yamaguchi, Y., et al., "Toner display using insulative particles charged triboelectricaily", IDW Japan, 2001, Paper AMD4-4 를 참조한다. 또한, 미국 특허 Nos. 7,321,459 및 7,236,291을 참조한다. 이러한 가스 기반의 전기영동 매질은, 매질이 이러한 침전을 허용하는 배향으로, 예를 들어 매질이 수직면에 배치되는 사인으로 사용되는 경우, 액체 기반의 전기영동 매질로서 침전하는 입자로 인해 동일한 유형의 문제가 발생하기 쉬운 것으로 보인다. 실제로, 액체들과 비교하여 기상 현탁 유체의 보다 낮은 점성이 전기영동 입자의 더 빠른 침전을 허용하기 때문에, 입자 침전은 액체 기반의 것들보다 가스 기반의 전기영동 매질에서 더 심각한 문제가 될 것으로 보인다. MIT (Massachusetts Institute of Technology) 와 E Ink Corporation 에 양도되거나 또는 이들 이름으로 된 다수의 특허 및 출원이 캡슐화된 전기영동과 다른 전기 광학 매질에 사용되는 다양한 기술에 대해 설명한다. 이러한 캡슐화된 매질은 다수의 작은 캡슐을 포함하고, 그 각각은 자체가 액체 매질에 전기영동적으로 이동가능한 입자를 포함하는 내부상, 및 내부상을 둘러싸는 캡슐 벽을 포함한다. 통상적으로, 캡슐들은 스스로가 중합성 바인더 내에 홀딩되어 두 개의 전극 사이에 위치한 코히런트 층을 형성한다. 이들 특허들 및 출원들에서 설명되는 기술은 다음을 포함한다:(a) 전기영동 입자, 유체 및 유체 첨가제; 예를 들어 미국 특허 Nos. 7,002,728 및 7,679,814를 참조한다; (b) 캡슐, 바인더 및 캡슐화 공정; 예를 들어 미국 특허 Nos. 5,930,026; 6,067,185; 6,130,774; 6,172,798; 6,249,271; 6,327,072; 6,392,785; 6,392,786; 6,459,418; 6,839,158; 6,866,760; 6,922,276; 6,958,848; 6,987,603; 7,061,663; 7,071,913; 7,079,305; 7,109,968; 7,110,164; 7,202,991; 7,242,513; 7,304,634; 7,339,715; 7,391,555; 7,411,719; 7,477,444; 7,561,324; 7,848,007; 7,910,175; 7,952,790; 8,035,886; 및 8,129,655; 및 미국 특허 출원 공개공보 Nos. 2005/0156340; 2007/0091417; 2008/0130092; 2009/0122389; 2010/0044894; 2011/0286080; 및 2011/0286081을 참조한다; (c) 전기 광학 재료를 포함하는 필름 및 서브 어셈블리; 예를 들어 미국 특허 Nos. 6,825,829; 6,982,178; 7,236,292; 7,443,571; 7,513,813; 7,561,324; 7,636,191; 7,649,666; 7,728,811; 7,729,039; 7,791,782; 7,839,564; 7,843,621; 7,843,624; 8,034,209; 8,068,272; 8,077,381; 및 8,177,942; 및 미국 특허 출원 공개공보 Nos. 2008/0309350; 2009/0034057; 2009/0109519; 2009/0168067; 2011/0032595; 2011/0032396; 2011/0075248; 2011/0164301; 및 2012/0176664를 참조한다; (d) 백플레인, 접착제층 및 디스플레이에 사용되는 다른 보조층 및 방법; 예를 들어 미국 특허 Nos. 7,116,318 및 7,535,624를 참조한다; (e) 컬러 형성 및 컬러 조정; 예를 들어 미국 특허 No. 7,075,502; 및 미국 특허 출원 공개공보 No. 2007/0109219를 참조한다;(f) 디스플레이를 구동하는 방법; 예를 들어 미국 특허 Nos. 7,012,600 및 7,453,445를 참조한다; (g) 디스플레이의 응용; 예를 들어 미국 특허 Nos. 7,312,784 및 8,009,348을 참조한다; 그리고 (h) 비전기영동 디스플레이, 미국 특허 Nos. 6,241,921; 6,950,220; 7,420,549 및 8,319,759; 및 미국 특허출원 공개공보 No. 2012/0293858에 기재된다. MIT (Massachusetts Institute of Technology) 와 E Ink Corporation 에 양도되거나 또는 이들 이름으로 된 다수의 특허 및 출원에 캡슐화된 전기영동 매질이 기술되어 최근 공개되었다. 이러한 캡슐화된 매질은 다수의 작은 캡슐을 포함하고, 그 각각은 액체 현탁 매질에 현탁된 전기영동적으로 이동가능한 입자를 포함하는 내부상, 및 내부상을 둘러싸는 캡슐 벽을 포함한다. 통상적으로, 캡슐들은 스스로가 중합성 바인더 내에 홀딩되어 두 개의 전극 사이에 위치한 코히런트 층을 형성한다. 이러한 타입의 캡슐화된 매질은 예를 들어 미국 특허 Nos. 5,930,026; 5,961,804; 6,017,584; 6,067,185; 6,118,426; 6,120,588; 6,120,839; 6,124,851; 6,130,773; 6,130,774; 6,172,798; 6,177,921; 6,232,950; 6,249,271; 6,252,564; 6,262,706; 6,262,833; 6,300,932; 6,312,304; 6,312,971; 6,323,989; 6,327,072; 6,376,828; 6,377,387; 6,392,785; 6,392,786; 6,413,790; 6,422,687; 6,445,374; 6,445,489; 6,459,418; 6,473,072; 6,480,182; 6,498,114; 6,504,524; 6,506,438; 6,512,354; 6,515,649; 6,518,949; 6,521,489; 6,531,997; 6,535,197; 6,538,801; 6,545,291; 6,580,545; 6,639,578; 6,652,075; 6,657,772; 6,664,944; 6,680,725; 6,683,333; 6,693,620; 6,704,133; 6,710,540; 6,721,083; 6,724,519; 6,727,881; 6,738,050; 6,750,473; 6,753,999; 6,816,147; 6,819,471; 6,822,782; 6,825,068; 6,825,829; 6,825,970; 6,831,769; 6,839,158; 6,842,167; 6,842,279; 6,842,657; 6,864,875; 6,865,010; 6,866,760; 6,870,661; 6,900,851; 6,922,276; 6,950,220; 6,958,848; 6,967,640; 6,980,196; 6,982,178; 6,987,603; 6,995,550; 7,002,728; 7,012,600; 7,012,735; 7,023,420; 7,030,412; 7,030,854; 7,034,783; 7,038,655; 7,061,663; 7,071,913; 7,075,502; 7,075,703; 7,079,305; 7,106,296; 7,109,968; 7,110,163; 7,110,164; 7,116,318; 7,116,466; 7,119,759; 7,119,772; 7,148,128; 7,167,155; 7,170,670; 7,173,752; 7,176,880; 7,180,649; 7,190,008; 7,193,625; 7,202,847; 7,202,991; 7,206,119; 7,223,672; 7,230,750; 7,230,751; 7,236,290; 7,236,292; 7,242,513; 7,247,379; 7,256,766; 7,259,744; 7,280,094; 7,304,634; 7,304,787; 7,312,784; 7,312,794; 7,312,916; 7,327,511; 7,339,715; 7,349,148; 7,352,353; 7,365,394; 및 7,365,733; 및 미국 특허 출원 공개공보 Nos. 2002/0060321; 2002/0090980; 2003/0102858; 2003/0151702; 2003/0222315; 2004/0105036; 2004/0112750; 2004/0119681; 2004/0155857; 2004/0180476; 2004/0190114; 2004/0257635; 2004/0263947; 2005/0000813; 2005/0007336; 2005/0012980; 2005/0018273; 2005/0024353; 2005/0062714; 2005/0099672; 2005/0122284; 2005/0122306; 2005/0122563; 2005/0134554; 2005/0151709; 2005/0152018; 2005/0156340; 2005/0179642; 2005/0190137; 2005/0212747; 2005/0253777; 2005/0280626; 2006/0007527; 2006/0038772; 2006/0139308; 2006/0139310; 2006/0139311; 2006/0176267; 2006/0181492; 2006/0181504; 2006/0194619; 2006/0197737; 2006/0197738; 2006/0202949; 2006/0223282; 2006/0232531; 2006/0245038; 2006/0262060; 2006/0279527; 2006/0291034; 2007/0035532; 2007/0035808; 2007/0052757; 2007/0057908; 2007/0069247; 2007/0085818; 2007/0091417; 2007/0091418; 2007/0109219; 2007/0128352; 2007/0146310; 2007/0152956; 2007/0153361; 2007/0200795; 2007/0200874; 2007/0201124; 2007/0207560; 2007/0211002; 2007/0211331; 2007/0223079; 2007/0247697; 2007/0285385; 2007/0286975; 2007/0286975; 2008/0013155; 2008/0013156; 2008/0023332; 2008/0024429; 2008/0024482; 2008/0030832; 2008/0043318; 2008/0048969; 2008/0048970; 2008/0054879; 2008/0057252; 및 2008/0074730; 및 국제 출원 공개공보 Nos. WO 00/38000; WO 00/36560; WO 00/67110; 및 WO 01/07961; 및 유럽 특허 Nos. 1,099,207 B1; 및 1,145,072 B1 에 기재되어 있다.전술한 특허 및 출원 중 다수는, 캡슐화 전기영동 매질 내의 개별 마이크로캡슐을 둘러싼 벽이 연속상에 의해 대체되어 전기영동 매질이 전기영동 유체의 복수의 개별 액적들 및 중합성 재료의 연속상을 포함하는 이른바 중합체 분산의 전기영동 디스플레이를 제조할 수 있고, 그리고 이러한 중합체 분산의 디스플레이 내의 전기영동 유체의 개별 액적들은 개별 캡슐 멤브레인이 각각의 독립된 액적과 연관되지 않음에도 불구하고 캡슐 또는 마이크로캡슐로서 간주될 수도 있다는 것을 인식한다: 예를 들어, 상기 언급된 미국 특허 No. 6,866,760을 참조한다. 이에 따라, 본 출원의 목적을 위해, 이러한 중합체 분산의 전기영동 매질은 캡슐화된 전기영동 매질의 서브 종으로 간주된다.관련 타입의 전기영동 디스플레이는 이른바 "마이크로셀 전기영동 디스플레이"이다. 마이크로셀 전기영동 디스플레이에서, 하전된 입자 및 유체는 마이크로캡슐 내에 캡슐화되지 않고, 대신에 캐리어 매질, 통상 폴리머 필름 내에 형성된 복수의 캐비티 (cavity) 내에 유지된다. 예를 들어, Sipix Imaging, Inc.로 양도된 미국 특허 Nos. 6,672,921 및 6,788,449를 참조한다. 이하, 캡슐화 전기영동 디스플레이와 마이크로셀 전기영동 디스플레이 양자를 커버하기 위해 "마이크로캐비티 전기영동 디스플레이"라는 용어를 사용할 수도 있다. 2003년 5월 22일에 출원된 미국 특허 No. 6,982,178에는, 광 투과성 전기 전도성 층 또는 전극층; 전기 전도성 층도전층과 전기적 접촉 상태인 고체 전기 광학 매질층; 접착제층; 및 이형 시트를 순서대로 포함하는, 전기 광학 디스플레이에서 사용하기 위한 "프론트 플레인 적층체 (front plane laminate, FPL)"가 기재되어 있다. 대부분의 전기 광학 디스플레이들은 디스플레이의 일 전극의 역할을 하는 투과성의 전기 전도성 층을 요구하며, 이것을 통해 전기광학 매질의 광학 상태의 변화를 관찰자가 시인할 수 있다. 일부 경우, 예를 들어, 가변성 투과 윈도두들의 경우, 양자의 전극들은 광 투과성이 있어야 한다. 전통적으로, 광 투과성 전기 전도성 층은 중합성 필름 또는 유리판과 같은 일부 타입의 기계적 지지체 상에 인듐 주석 산화물 (ITO) 로 형성된다. 보다 최근에는, 광 투과성 전기 전도성 층으로서 탄소 나노튜브들 및 실버 와이어와 같은 얇은 금속 메시 재료들로 제조된 필름들이 ITO 필름들을 대체하고 있다. 이러한 필름들은 상당히 적은 전도율의 영역들에 의해 둘러싸인 높은 전도율의 영역들을 포함하며, 이것이 전기 전하들을 축적시킬 수 있고 전기 광학 디스플레이의 성능을 방해할 수도 있다. 이에 따라, 이들 단점이 없는 금속 메시 기반의 전극층에 대한 요구가 있다.
[ 발명의 개요 ]
본 발명은, 제 1 상이 높은 전기 전도성 매트릭스로 제조되고 제 2 상이 제어된 체적 저항률을 갖는 중합성 재료 조성물로 제조되는, 2상의 전극층을 포함하는 전기 광학 디스플레이를 제공한다. 본 발명의 일 형태에서, 제 2 상의 중합성 재료는 본질적으로 전도성일 수도 있고, 또는 중합성 재료가 1x1012 Ohm-cm 이하의 저항률을 갖도록 첨가제와 혼합된 중합체일 수도 있다. 중합체는 예를 들어 폴리우레탄, 비닐 아세테이트, 비닐 아세테이트 에틸렌, 에폭시 또는 폴리아크릴 또는 이들의 조합으로부터 선택될 수 있다. 또 다른 형태로, 본 발명은, 하나의 이온은 중합성 재료를 통해 이동할 수 있는 한편 다른 이온은 그럴 수 없는 이온 전도성 중합체, 예를 들어 중합성 카르복실레이트의 이온성 염이 제 2 상인, 2상의 전극층을 제공한다.본 발명의 또 다른 형태로, 제 2 상의 중합성 재료는 PEDOT-PSS, 폴리아세틸렌, 폴리페닐렌 술피드, 폴리페닐렌 비닐렌 및 이들의 조합물들로부터 선택된 하나 이상의 전도성 중합체들을 포함할 수도 있다.본 발명의 다른 형태로, 제 2 상에서의 첨가제는 예를 들어, 염, 폴리전해질, 고분자 전해질, 고체 전해질, 또는 이들의 조합물로부터 선택될 수도 있다.일 형태로, 중합성 재료에서의 첨가제는 염, 예를 들어 무기염, 유기염 또는 이들의 조합물이다. 하나의 특정 실시형태에서, 염은 아세트산 칼륨을 포함한다. 대안의 형태에서, 염은 4차 암모늄염, 예를 들어, 테트라알킬암모늄 염, 예컨대, 염화 테트라부틸암모늄 또는 헥사플루오로포스페이트를 포함할 수 있다. 또 다른 형태로, 첨가제는 적어도 3개의 불소 원자들을 포함하는 음이온들을 갖는 염일 수도 있고, 예를 들어, 첨가제는 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트와 같은 헥사플루오로포스페이트 음이온을 가질 수도 있다. 본 발명의 다른 형태로, 제 2 상에서의 첨가제는 폴리전해질이고, 그리고 다음에 한정되지 않지만 폴리아크릴산의 알칼리 금속염과 같은 폴리산의 염을 포함할 수도 있다.본 발명의 또 다른 형태로, 제 2 상의 중합성 재료에서의 첨가제는 비반응성 용매, 전도성 유기 화합물, 및 이들의 조합물들로부터 선택될 수도 있다.본 발명의 또 다른 형태로, 제 2 상에서의 첨가제는 전자들보다는 양성자들이 이동하는 폴리(에틸렌 글리콜) (PEG) 과 같은 히드록실을 포함하는 낮은 수 평균 분자량 고분자일 수도 있다.첨가제를 포함하는 중합성 재료에는 상이한 컬러들의 영역들이 제공될 수도 있고 컬러 필터의 역할을 할 수도 있다. 대안으로, 중합성 재료는 광 편향 소자 를 포함할 수도 있다. 일 양태에서, 제 1 및 제 2 기판들, 및 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 배치된 전기 광학 재료의 층 및 접착제층을 포함하는 전기 광학 어셈블리가 제공된다. 전기 광학 어셈블리에서, 제 1 및 제 2 기판들 중 적어도 하나는 2상의 전극층을 포함할 수 있고, 제 1 상은 높은 전도성 매트릭스이고 제 2 상은 제어된 저항률을 갖는 중합성 재료이고, 제 2 기판은 이형 시트를 포함할 수 있고, 그리고 전기 광학 매질은 고체 전기 광학 매질일 수도 있으며; 이로써 전체 전기 광학 어셈블리는 상기 언급된 미국 특허 No. 6,982,178에 기재된 바와 같은 프론트 플레인 적층체의 형태를 가질 것이다. 본 발명의 또 다른 양태에서는, 제 1 및 제 2 기판들, 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 배치된 전기 광학 재료의 층 및 접착제층, 및 제 1 상이 높은 전기 전도성 매트릭스로 제조되고 제 2 상이 제어된 체적 저항률을 갖는 중합성 재료 조성물로 제조되는 2상의 전극층을 포함하는 전기 광학 어셈블리가 제공된다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
이에 따라, 본 발명은, 높은 전도성 매트릭스로 제조된 제 1 상 및 제어된 체적 저항률을 갖는 중합성 재료 조성물로 제조되는 제 2 상을 포함하는 2상의 광 투과성 전기 전도성 층을 포함하는 전기 광학 디스플레이를 제공한다. 전기 광학 디스플레이는 보통 전기 광학 재료의 반대측에 배치되는 전기 광학 재료의 층 및 적어도 2개의 다른 층들을 포함하며, 이들 중 적어도 하나는 광 투과성 전기 전도성층이다. 용어 "광 투과성"은, 전기 전도성 층 및 인접 기판 (존재하는 경우) 을 통해 보통 시인되는 전기 광학 매질의 표시 상태 변화를 그 층을 통해 보는 관찰자가 관찰할 수 있도록, 지정된 층이 충분한 광을 투과한다는 것을 의미하기 위해 본원에서 사용된다. 제 1 상은 전도성 매트릭스일 수도 있다. 용어 "전도성 매트릭스"는 전극층의 높은 전도성 영역들의 제 1 상 어레이를 설명하기 위해서 본원에서 사용된다. 매트릭스는 탄소 나노튜브, 실버 나노와이어, 금속 코팅의 오픈 폼 구조체, 와이어의 인쇄된 메시, 또는 시인 표면을 충분히 커버하지 않는 임의의 재료로부터 구성될 수 있다. 제 1 상은 나노미터 내지 밀리미터 범위의 직경 사이즈를 갖는 광 광 투과성 또는 광 흡수성일 수도 있다. 매트릭스는 규칙적으로 (즉, 격자상, 육각형상, 웹형상 등) 또는 불규칙적으로 (즉, 랜덤하게) 배열될 수도 있다. 매트릭스는, 전극층이 광투과성이 되도록 매우 얇거나 또는 드문드문 채워지도록 배열될 수도 있다. 제 2 상은 본질적으로 전도성인 폴리머 또는 전도성 첨가제와 혼합된 폴리머로부터 제조될 수 있다. 제 2 상은, 제 1 상과 비교하여 상당히 덜 전도성이 있지만 전도성 성질 (즉, 1x1012 Ohm-cm 이하의 저항률) 을 갖는다. 바람직하게, 제 2 상은 대략 1x107 ~ 1x1012 Ohm-cm 의 저항률을 갖는다. 제 2 상은 이온적으로 또는 전자적으로 전도성이 있을 수 있다. 통상적으로, 제 2 상은 제 1 상을 둘러싸거나 또는 코팅하여 전도성 매트릭스 주변에 덜 전도성이 있는 영역들을 만든다. 이것은, 그 구조로 인해 취약할 수도 있는, 제 1 상에 기계적 무결성 및 보호를 제공한다. 제 1 상이 광 흡수성이고 제 2 상이 광 투과성이라면, 전도성이 높은 영역들에 대한 전도성이 적은 영역의 비가 높은 것이 바람직하다. 보다 바람직하게, 제 1 상은 시인 영역의 10% 미만을 구성하지만, 제 2 상은 나머지 시인 영역을 구성한다.중합성 재료는, 최종 사용 용도의 특정한 요구를 만족하는 임의의 중합체 재료일 수 있다. 적합한 중합성 재료의 예들은 폴리우레탄, 비닐 아세테이트, 비닐 아세테이트 에틸렌, 에폭시, 폴리아크릴계 접착제, 또는 이들의 조합물을 포함한다. 이러한 접착제 재료들은 용매계 또는 수계일 수도 있다. 사용될 수 있는 특정 폴리우레탄의 예는 미국 특허 No. 7,342,068에 기재되어 있다.도면은 본 발명의 전도성층을 갖는 전기 광학 디스플레이의 기본적인 프론트 플레인 적층체 (10) 의 개략적인 단면도이다. 일반적으로, 광 투과성 도전층 (14) 은, 기판이 영구적인 변형없이 직경 10 인치 (254 mm) 인 드럼 (세이) 둘레에 수동으로 랩핑될 수 있다는 점에서, 바람직하게는 플렉서블한, 광 투과성 기판 (12) 상에 갖추어질 것이다. 기판은 통상적으로 중합성 필름일 것이며, 보통 약 1 ~ 약 25 mil (25 ~ 634μm), 바람직하게 약 2 ~ 약 10 mil (51 ~ 254μm) 범위의 두께를 가질 것이다. 기판 (12) 은 최종 디스플레이의 시인 표면을 형성하고, 하나 이상의 부가층, 예를 들면, 자외선 조사를 흡수하기 위한 보호층, 수분 침투를 방지하기 위한 배리어층, 또는 반사 방지 코팅을 가질 수도 있다. 전도성층 (14) 은 2상의 전극층을 포함한다. 전기광학 매질의 층 (16) 은 전도성층 (14) 과 전기적으로 접촉된다. 도면에 도시된 전기 광학 매체는 복수의 마이크로캡슐들을 갖는 반대 전하 듀얼 입자 캡슐화된 전기영동 매질이고, 그 각각은 음으로 하전된 화이트 입자들 (22) 및 양으로 하전된 블랙 입자들 (24) 이 현탁되어 있는 탄화수소계 액체를 포함하는 캡슐 벽 (18) 을 포함한다. 마이크로캡슐들은 바인더 (25) 내에 보유된다. 전기 광학층 (16) 에 걸친 전계의 인가시, 화이트 입자들 (22) 은 양극으로 이동하고 블랙 입자들 (24) 은 음극으로 이동하여, 그 결과 기판 (12) 을 통해 디스플레이를 보는 관찰자에게는, 층 (16) 이 최종 디스플레이 내의 임의의 포인트에서 백플레인에 대해 양인지 또는 음인지에 의존하여, 화이트 또는 블랙으로 보인다. 도면에 도시된 프론트 플레인 적층체 (10) 는 전기 광학 매질층 (16) 에 인접하는 적층 접착제의 층 (26) 및 접착제층 (26) 을 커버하는 이형 시트 (28) 를 더 포함한다. 이형 층 (28) 은 접착제 층 (26) 으로부터 박리되고, 접착제 층은 최종 전기 광학 디스플레이를 형성하기 위해 백플레인에 적층된다.본 발명의 2상의 전도성 층은 전기 광학 디스플레이의 전면 전극일 수 있고, 이것은 시인 표면에 최근접하는 측면에 위치한 전극이다. 완전히 광 투과성이거나 또는 2개의 시인 표면들을 갖는 전기 광학 디스플레이에서, 본 발명의 2 상의 전도성층 양자는 전면 전극 및 후면 전극일 수 있다. 전기 광학 디스플레이에 있어서는, 중합성 재료의 전기 특성을 제어하는 것이 중요하며, 그렇지 않은 경우 디스플레이는 감소된 광학 성능을 경험할 수도 있다. 광학 성능은, 중합성 재료의 벌크 저항이 1x1012 Ohm-cm 이하인 경우 개선될 수 있다.전도성 중합체들또 다른 형태로, 본 발명은, 하나의 이온은 중합성 재료를 통해 이동할 수 있는 한편 다른 이온은 그럴 수 없는 이온 전도성 중합체가 제 2 상인, 2상의 전극층을 제공한다. 이러한 타입의 이온성 재료는 이온이 중합성 재료 밖으로 확산하여 이온들이 확산해 들어가는 다른 층들 (예를 들어, 유기 반도체층들) 을 잠재적으로 손상시키는 것을 방지한다. 해리된 자유 이온들이 이온 응집체들 (이온 쌍들 이상의 응집체들) 중에서 변환되고, 이들 응집체들 대부분이 필수적으로 중성인, "홉핑" 메카니즘에 의해 이온성 전도가 발생하는 것으로 보여진다. 본 발명에 따르면, 이온성 재료의 음이온 및 양이온 중 하나만이 이동할 수 있다. 고정된 이온은 단일의 위치로 제한되는 한편, 이동성 이온은 여전히 자유롭게 이동한다. 적절한 이온 재료의 예는 중합성 염, 예를 들어, 중합성 카르복실레이트의 이온성 염이다. 이 경우, 카르복실레이트 이온은 중합체 사슬에 부착되고, 전체적으로만 중합체와 이동할 수 있기 때문에, 효과적으로 움직일 수 없다. 다른 한편, 양이온성 반대 이온은 자유롭게 홉핑 이동에 참여할 수 있고, 이동할 수 있는 속도는 음이온성 카르복실레이트와의 정전 상호작용의 강도, 접착제 매질에서의 카르복실레이트-반대 이온 응집체의 농도, 및 매질의 반대이온의 용매화의 자유 에너지에 의존한다.미국 특허 공개공보 No. 2009/0122389에 설명된 바와 같이, 큰 양이온들은, 이온성 응집체의 상태로 인력의 비교적 낮은 정전 에너지를 갖고, 이에 따라서 이들로부터 용이하게 해리된다는 점에서 유리하다. 예로서, 4차 수산화 암모늄은 폴리우레탄에 대한 카르복실산 관능을 중화하기 위해 사용될 수 있으며, 이것은 상술된 이온성 전도를 지지할 수 있는 4차 암모늄 카르복실레이트 중합체로 이어진다. 건조 이후의 최종 중합성 재료의 전도율은 폴리우레탄의 카르복실산 함량을 변화시키는 것에 의해, 그리고 또한 양이온 사용에 의해 변경 및 조정될 수 있다. 예를 들어, 폴리우레탄 상의 카르복실기가 소정의 카르복실산 함량에서 4차 수산화 암모늄에 의해 중화되는 상기 시스템에서, 전도율은 다음 순서로 증가될 것으로 예상된다:테트라메틸암모늄 003c# 테트라에틸암모늄 003c# 테트라부틸암모늄 등.포스포늄 염이 또한 사용될 수 있으며, 중심 원자의 큰 사이즈 때문에 유사체를 함유하는 질소보다 다소 더 전도성이 있어야 한다. 다른 양이온 종 (예를 들어, 금속의 컴플렉스 이온) 도 또한 이 목적에 유용할 수 있다. 중합성 재료에서의 이온성 재료의 용해도는 이러한 접근법에서 문제가 되지 않는데, 그 이유는 이온들이 매질의 고유 부분이어서 별도의 결정상으로서 상분리할 수 없기 때문이다. 적어도 하나의 해리성 프로톤이 존재하는 한, 중합성 재료의 산성 성분은 또한 카르복실산 성분을 해리 상수가 보다 높은 기로, 예를 들어, 황산 모노에스테르, 술폰산, 술핀산, 포스폰산, 포스핀산 기 또는 포스페이트 에스테르로 대체함으로써 보다 산성으로 될 수 있다. 4차 염 및 다른 많은 양이온은, 그 큰 사이즈, 및 낮은 극성의 건조된 접착제 매체에서의 비교적 높은 이온 해리도 때문에, 여전히 반대 이온으로서 가장 유용할 것으로 기대될 것이다. 충분히 전자 흡인 관능에 부착되다면, 질소계 산들도 또한 사용될 수 있다 (예를 들어, RSO2-NH-SO2R)). 이 경우, 건조된 접착제에도 이동성 이온이 프로톤화 형태로 존재하므로, 3차 암모늄을 포함하여 거의 모든 이동성 이온이 사용될 수 있다. 하지만, 보다 큰 아민들에 기초한 이동성 이온들 (즉, 보다 긴 알킬 꼬리들을 갖는 것들) 이, 사이즈가 효과적으로 커서 이들을 포함하는 이온 쌍들이 보다 해리성 있게 될 것이기 때문에 여전히 바람직할 수 있다. 대안으로, 중합체의 카르복실산기는, 강한 브뢴스테드 산이 없는, 즉 상기 논의된 4차 양이온들과 같은 산성 프로톤이 없는 이동성 이온과 함께 사용될 수 있다. 양이온이 고정 이온인 중합성 재료들은 측쇄로서 또는 중합성 백본에서 4차 암모늄기들을 이용하여, 그리고 바람직하게는 이동성 이온들로서 큰 음이온들 (예를 들어, 헥사플루오로포스페이트, 테트라부틸보레이트, 테트라페닐보레이트 등) 을 이용하여 구성될 수 있다. 4차 암모늄기들은, 금속 양이온들과의 착물화에 의해 형성된 것들을 포함하여, 포스포늄, 술포늄 또는 해리성 수소가 없는 다른 양이온성기들에 의해 대체될 수 있다. 후자의 예들은 폴리에테르/리튬 이온 포함 착물, 특히 시크릭 폴리에테르 (예를 들어, 18-크라운-6) 또는 전이 금속 이온들을 갖는 폴리아민 착물들을 포함한다. 이 경우 음이온 이동성 이온은, 카르복실레이트 또는 심지어 페놀레이트와 같은 보다 강한 염기성 재료들에 더하여, 상기 열거된 이러한 타입의 이온들을 포함할 수 있다.대안의 고정된 양이온 중합성 재료들은, 양호한 브뢴스테드 수용체 (예를 들면, 설포네이트, 설페이트, 헥사플루오로포스페이트, 테트라플루오로보레이트, 비스(메탄술포닐)이미데이트, 포스페이트, 포스포네이트 등) 가 아닌 이동성 음이온들과 함께, 염기성 모노머들, 예를 들어, 폴리(비닐피리딘), 폴리(β-디메틸아미노에틸 아크릴레이트) 등으로부터 유도된 반복 단위들을 포함하는 중합체들 및 이러한 기들을 포함하는 공중합체들을 포함한다. 이러한 아미노 모노머들로부터 유도된 4차 염들, 예를 들어, 폴리(N-메틸 또는 벤질(비닐피리디늄)), 폴리(N-알킬 (또는 알크아릴)-N'-비닐이미다졸륨), 및 폴리(β-트리메틸암모니오에틸)아크릴레이트 또는 메타크릴레이트) 염들, 그리고 이들 이온성 기들을 포함하는 비닐 공중합체들이 또한 사용될 수 있다. 이전과 같이, 보다 큰 이동성 이온들이 바람직하다.이러한 화학적 변형 기술은 폴리우레탄으로 한정되지 않고, 적절한 구조의 모든 중합체에 적용될 수 있다. 예를 들어, 비닐계 중합체들은 음이온 또는 양이온 고정 이온들 중 하나를 포함할 수 있다.본 발명의 또 다른 형태로, 중합성 재료는 PEDOT-PSS, 폴리아세틸렌, 폴리페닐렌 술피드, 폴리페닐렌 비닐렌 및 이들의 조합물들로부터 선택된 하나 이상의 전도성 중합체들을 포함할 수도 있다. 중합성 재료의 두께는 대략 0.1μm ~ 20μm 범위일 수도 있다. 중합성 재료는 (a) 수용성 또는 수분산성이고 물로부터 코팅될 수 있거나, (b) 유기 용매에서 가용성 또는 분산성 있고 유기 용매로부터 코팅될 수 있거나, 또는 (c) 모노머성 형태 또는 올리고머성 형태로 코팅된 다음 UV, 조사, 가열, 또는 종래에 공지된 다른 방법들에 의해 중합될 수 있다. 중합성 재료에 포함된 첨가제는 인시튜로 형성될 수 있으며; 다시말해, 전구체 재료(들)가 서로 또는 중합성 재료와 반응할 수 있거나 또는 최종 첨가제를 형성하기 위해 전구체 재료의 변화를 야기시키는 상황에 중합성 재료를 노출 (예를 들어, 가열, 광 또는 자계 또는 전계에 노출) 시켜 변화될 수 있는, 중합성 재료로 하나 이상의 전구체 재료들이 통합될 수 있다.확산가능한 이온성 첨가제들제 2 상은 하나 이상의 이온성 첨가제들, 예를 들어, (a) 염, 폴리전해질, 고분자 전해질, 고체 전해질, 및 이들의 조합물; 또는 (b) 비반응성 용매, 전도성 유기 화합물 및 이들의 조합물을 포함할 수 있다.하나의 형태로, 첨가제는 미국 특허 No. 7,012,735에 기재된 바와 같이, 무기 염, 유기 염 또는 이들의 조합물과 같은 염일 수 있다. 예시적인 염은 아세트산 칼륨, 및 테트라알킬암모늄 염, 특히 클로라이드와 같은 테트라부틸암모늄 염을 포함한다. 염의 다른 예는 RCF3SOF3, RClO4, LiPF6, RBF4, RAsF6, RB(Ar)4 및 RN(CF3SO2)3 와 같은 염을 포함하며, 여기서 R은 Li+, Na+, H+, 또는 K+ 와 같은 임의의 양이온일 수 있다. 대안으로, R은 N+R1R2R3R4 형태의 암모늄 기를 포함할 수 있다. 바람직한 염은 테트라부틸암모늄 헥사플루오로포스페이트이다.또 다른 형태로, 첨가제는 미국 특허 No. 8,446,664에 기재된 바와 같이 적어도 3개의 불소 원자들을 함유하는 음이온을 갖는 염일 수도 있다. 염은, 예를 들면, 헥사플루오로포스페이트 음이온을 가질 수도 있다. 염은 또한 이미다졸륨 양이온을 가질 수도 있다. 예시적인 염들은 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트 (이하, "BMIHFP"), 1-부틸-3-메틸피페리디늄 헥사플루오로포스페이트, 1-부틸-3-메틸피리디늄 헥사플루오로포스페이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트, 나트륨 헥사플루오로포스페이트, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 트리플루오로메탄술포네이트 및 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 보론 테트라플루오라이드를 포함한다. 바람직한 염은 BMIHFP이다. 이 바람직한 염은 25℃에서 액체이며, 어떠한 용매를 사용하지 않고도 수성 중합체 분산액 또는 라텍스에 직접 분산될 수 있다. 대안으로, 바람직한 염이 25℃에서 약 1 퍼센트의 양으로 수중에 용해되기 때문에, 이 염은 묽은 수용액의 형태로 첨가될 수 있다. 수용액으로서의 염의 첨가는 임의의 원치않는 유기 용매의 바인더로의 도입을 회피한다. 대안으로, 불소 함유 염은 테트라플루오로보레이트 음이온, 테트라페닐보레이트 음이온, 비스(트리플루오로메탄)술폰아미드 음이온 ("트리플이미드 (triflimide)"), 테트라(펜타플루오로페닐)보레이트 음이온, 테트라키스(3,5-비스(트리플루오로메틸)페닐)보레이트 음이온 또는 트리플루오로메탄술포네이트 음이온 ("트리플레이트 (triflate)"), 예를 들어, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 보론 테트라플루오라이드 또는 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 트리플루오로메탄술포네이트를 가질 수 있다. 불소 함유 염은 중합체 재료의 고체 함량에 기초하여 약 50 내지 약 10,000 ppm 의 양으로, 일반적으로 약 100 내지 약 1000 ppm 의 양으로 존재할 수 있다.다른 실시형태들에서, 중합체 전해질은 폴리전해질이다. 폴리전해질은 통상적으로, 분자의 약 10% 이상이 이온화하여 하전된 종들을 형성할 수 있는 관능기로 구성되는 중합체이다. 폴리전해질 내의 소정의 관능기들의 예들은 카르복실산, 술폰산, 인산, 및 4차 암모늄 화합물들을 포함하지만, 이들에 한정되지 않는다. 이들 중합체는 유기 또는 무기 염들과 조합되거나 또는 대안으로 단독 사용될 수 있다. 폴리전해질의 예는 폴리아크릴산, 폴리스티렌 술포네이트, 폴리(2-비닐피리딘), 폴리(4-비닐피리딘), 폴리(디메틸암모늄 클로라이드, 폴리(디메틸아미노에틸 메타크릴레이트), 폴리(디에틸아미노에틸 메타크릴레이트)를 포함하지만 이들에 한정되지 않고, 그리고 폴리아크릴산의 알칼리 금속 염과 같은 폴리산의 염을 포함할 수 있지만 이들에 한정되지 �莩쨈�. 바람직한 폴리전해질은 폴리아크릴산의 나트룸 염이다. 본 발명의 추가 형태로, 첨가제는 고분자 전해질이다. 본원에서 사용되는 바와 같이 용어 "고분자 전해질"은 염을 용해할 수 있는 중합체를 설명한다. 이들 중합체에서의 염의 용해도는, 에테르, 카르보닐, 카르복실산, 1차, 2차, 3차 및 4차 아미노기, 술폰산 등을 형성하는 중합체에서의 산소 및/또는 질소 원자들의 존재에 의해 개선될 수 있다. 고분자 전해질의 예는 폴리에테르 화합물, 예컨대 폴리에틸렌 산화물, 폴리프로필렌 산화물, 폴리테트라메틸렌 산화물, 폴리아미, 예컨대 폴리에틸렌이민, 폴리비닐 피롤리디논, N+R1R2R3R4와 같은 4차 암모늄 기를 포함하는 중합체 (여기서 R1, R2, R3, 및 R4는 각각 독립적으로 H 또는 탄소 원자수 1 ~ 25개인 직쇄, 분지쇄, 또는 환형 알킬기이고 상대 이온은 임의의 유기 또는 무기 음이온으로부터 선택될 수 있다) 를 포함한다. 또 다른 첨가제는 용액 중의 이온의 이동도를 향상시키거나, 또는 다르게 저해할 수 있는 비반응성 용매를 포함할 수 있다. 적합한 비반응성 용매의 예는 물, 디에틸 에테르, 디프로필 에테르, 디에틸렌글리콜, 글라임, 디글라임, N-메틸피롤리돈 등을 포함한다. 또 다른 실시형태에서, 첨가제로서 전도성 유기 화합물이 사용될 수 있다. 이들 화합물의 일부 비제한적인 예는 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리-3,4-디옥시에틸렌 티오펜, 및 n- 또는 p-도핑된 상태에서의 이들 재료의 유도체를 포함한다."광 편향 소자 (optical biasing element)"가 디스플레이의 외관을 조정하기 위해 캡슐화된 전기영동 디스플레이의 층들 중 하나에 제공될 수 있다는 것이, 미국 특허 No. 7,256,766에 개시된 바와 같이 또한 알려져 있다. 이러한 광 편향 소자는 중합체 재료에 첨가될 수도 있다. 이러한 광 편향 소자를 포함하는 중합체 재료의 전기적 특성은 본원에 기재된 첨가제를 사용하여 최적화될 수 있다.물론 첨가제의 최적량은 사용된 정확한 중합체 재료 및 정확한 첨가제, 및 최종 혼합물의 바람직한 체적 저항률에 의해 다양하게 변할 것이다. 하지만, 일반적인 지침은, 중합성 재료의 그램당 약 10-5 내지 약 10-4 몰의 첨가제 농도가 유용한 결과를 제공하는 것으로 밝혀졌음을 표시할 수 있다. 첨가제가 염인 경우, 이 범위는 테트라부틸암모늄 클로라이드, 테트라부틸암모늄 헥사플루오로포스페이트 및 칼륨 아세테이트와 같은 1:1 염에 대한 것이고; 탄산나트륨 또는 염화 칼슘과 같은 1:2 염이 사용되는 경우는, 중합성 재료의 그램당 10-6 몰 정도의 보다 낮은 염 농도가 충분할 수 있다. 중합성 재료의 체적 저항률은 통상적으로 첨가제의 농도에 의해 예측가능한 방식으로 변하며, 이에 따라서 원하는 체적 저항률을 달성하기 위해 얼마나 많은 첨가제가 첨가되어야 하는지의 최종 선택이 용이하게 실험적으로 결정될 수 있다.예를 들어 연장 저장 동안 생물학적 분해로부터 중합체를 보호하기 위한 살생제로서, 종래 기술의 전기 광학 디스플레이에서의 바인더 및 적층 접착제로 사용되는 중합체들에 소량의 염이 첨가되었지만, 이러한 염은 통상적으로 저장 동안 그들의 살균 또는 유사한 기능을 수행하는 한 충분히 사용된다. 반대로, 본 발명에 사용되는 첨가제는, 그 전도율에 영구적인 조정을 행하도록 의도되기 때문에, 중합성 재료의 영구적인 성분인 것으로 의도된다. 또한, 사용된 첨가제의 최적량은 통상적으로 살생제 등으로 사용되는 염의 양보다 실질적으로 더 크다. 히드록실 함유 저분자량 중합체/글리콜 첨가제본 발명의 또 다른 형태는 전도성 매트릭스로부터 제조된 제 1 상 및 첨가제와 혼합된 중합체로부터 제조된 제 2 상을 포함하는 전극층을 갖는 전기 광학 디스플레이에 관한 것으로, 여기서 첨가제는 히드록실을 포함하는 낮은 수 평균 분자량 (Mn이 약 5000 이하) 중합체이다. 미국 특허 No. 7,349,148에 기재된 바와 같이, 이 목적에 바람직한 중합체는 Mn이 바람직하게 약 2000 이하인 폴리(에틸렌 글리콜) (PEG) 이다. 이 첨가제에서는, 프로톤이 전자보다 더 이동한다. 어떤 특정 시스템에 있어서 중합체 첨가제를 함유하는 히드록실의 최적 농도는 실험적으로 결정되는 것이 최상이지만, 일반적인 지침에 의하면 중합체 재료의 그램당 통상 10-6 ~ 10-5 몰 정도가 최적의 농도라고 할 수 있다. 통상의 경우와 같이, 전극층을 형성하기 위해 제 1 상을 포함하는 기판 상에 제 2 상의 용액의 필름을 코팅하고 건조하여 전극층을 형성한다면, 첨가제는 보통 간단히 코팅 이전에 중합체 재료의 용액에서 용해 또는 분산될 것이다. 첨가제는 용액 니트에 첨가될 수 있거나 또는 수용액, 비수성 용액 또는 이들의 조합물에 용해될 수도 있다. 물론, 첨가제가 최종 전도성 층내의 전도율 변화를 방지하기 위해서 중합성 재료 전반에 걸쳐 균일하게 분산되는 것의 보장이 필요하지만, 코팅 기술 분야의 당업자는 이러한 균일한 분산 확보를 위해 롤 밀 상에의 긴 교반 (lengthy agitation) 과 같은 루틴한 기술에 익숙할 것이다. 2상의 전극층은 제자리에서 기판과 함께 사용될 수도 있다. 대안으로, 세트되면, 제 2 상은, 기판이 제거될 수 있도록 제 1 상에 충분한 구조를 추가할 수도 있다. 사용되는 특정 첨가제의 선택은, 첨가제가 첨가되는 중합성 재료의 용해도 및 전극과의 호환성을 고려하여 주로 적용된다. 통상의 경우와 같이, 첨가제가 수성 중합체 재료에 첨가된다면, 첨가제는 양호한 수용성을 갖도록 선택되어야 하며, 그 결과 염 중에서, 알칼리 금속 및 치환된 암모늄 염이 일반적으로 바람직하다. 첨가제가 중합체 입자의 응집을 발생시키지 않는 것을 보장하기 위해서 주의해야 한다. 또한, 첨가제는 바람직하게 중합체 재료 pH에 큰 변화를 야기해서는 안되며, 그리고 전극 또는 중합체 재료 또는 결국 예를 들어 백플레인에 접촉하는 최종 디스플레이의 다른 부분과 화학적으로 반응해서는 안된다. 하나 이상의 첨가제의 첨가는, 전기 광학 디스플레이에 사용될 수 있는, 중합성 재료의 범위를 크게 확대한다. 특히, 하나 이상의 첨가제의 첨가는, 전기 광학 디스플레이에서 크게 바람직한 기계적 특성을 갖지만 그 순수 상태가 유용하기에 너무 큰 체적 저항률을 갖는, 중합성 재료의 사용을 가능하게 한다. 또한, 일부 전기 광학 디스플레이, 특히 캡슐화된 전기영동 디스플레이 및 전기변색 디스플레이는 수분에 민감하기 때문에, 이러한 디스플레이에서 지금까지 사용된 수계 폴리우레탄 분산액을 비흡습성 및/또는 소수성 중합성 재료로 대체하기 위해서 하나 이상의 첨가제의 첨가가 이용될 수도 있다.중합성 재료는 그 체적 저항률을 조정하기 위해 사용된 첨가제 이외에 다른 성분들을 포함할 수도 있다. 본원에 개시된 개질된 중합성 재료들은 전기 광학 디스플레이 이외에 다른 애플리케이션들에도 유용할 수 있음을 인지할 것이다.
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높은 전기 전도성 매트릭스로 제조된 제 1 상 및 제어된 체적 저항률을 갖는 중합성 재료 조성물로 제조되는 제 2 상을 포함하는 2상의 광 투과성 전기 전도성 층을 포함하는 전기 광학 디스플레이. 제 1 상의 매트릭스는 탄소 나노튜브들, 실버 나노와이어들, 금속 코팅된 오픈 폼 구조체, 또는 와이어들의 인쇄된 메시로부터 형성될 수 있다. 제 2 상의 중합성 재료 조성물은 전도성 중합체, 또는 염, 폴리전해질, 고분자 전해질, 또는 고체 전해질, 또는 이들의 조합물들과 같은 중합체 및 첨가제일 수도 있다.
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[ 발명의 명칭 ]
전도성 채널들을 갖는 하이브리드 유기 X-선 검출기HYBRID ORGANIC X-RAY DETECTOR HAVING CONDUCTIVE CHANNELS
[ 기술분야 ]
본 발명은 고-에너지 방사(high-energy radiation), 특히 X-선(X-ray), 감마(gamma) 및/또는 UV 방사에 대한 검출기와 관련되고, 그리고 또한 대응하는 검출기를 생산하기 위한 방법과 관련되며, 검출기는 (a) 제 1 전기 접촉부를 갖는 기판, (b) 선택적으로 제 1 중간층, (c) 광활성 재료(photoactive material)로 이루어진 유기 매트릭스(organic matrix) 및 본질적으로 유기 매트릭스에 균질하게 분포된 비-용해성 신틸레이터 입자(non-soluble scintillator particle)들을 포함하는 층, (d) 선택적으로 제 2 중간층, 및 (e) 제 2 전기 접촉부를 포함하며, 신틸레이터 입자들과 유기 매트릭스 사이의 혼합비는, 층 (c)에서 유기 매트릭스로 채워진 공간이 각각의 경우에서, 신틸레이터 입자들에 의해 방출되는 방사의 침투 깊이의 최대 5배에 대응하는 2개의 신틸레이터 입자들 사이의 거리를 갖도록, 선택된다.
[ 배경기술 ]
본 발명은, 이를테면, 특히 의료 진단들에서 이용되는 디지털 X-선 검출기(digital X-ray detector)들을 위한 신규한 생산 방법을 처리한다. (간접적 컨버전(indirect conversion)을 위한) 비정질 실리콘(amorphous silicon) 및 (직접적 컨버전을 위한) 비정질 셀레늄(amorphous selenium)에 기초하는 검출기들이 현재의 최신 기술을 나타낸다. 도 1에서 직접적 컨버전(좌측) 및 간접적 컨버전(우측)의 원리들이 예시된다. 직접적 컨버전(I)을 이용시, X-선 양자(X-ray quantum)(1)가 입자(2)를 여기(excite)시켜서, 전자/정공 쌍들(2a, 2b)이 생성되고, 그 다음으로 상기 쌍들은 전극들(4)(예컨대, 양극 또는 음극, 픽셀 전극(pixel electrode)들)로 이주되고, 전극들(4)에서 상기 쌍들이 검출된다. 간접적 컨버전(II)을 이용시, X-선 양자(1)가 입자(2)를 여기시키고, 입자(2)는 다시 더 낮은 에너지(energy)를 갖는 방사(2')(예컨대, 가시광, UV 또는 IR-방사)를 방출하며, 그 다음으로 그 방사는 광검출기(photodetector)(3)(예컨대, 광다이오드(photodiode))에 의해 검출된다.그러므로, 간접적 X-선 컨버전은 예컨대, 신틸레이터 층(예컨대, 테르븀(terbium), 탈륨(thallium), 유로퓸(europium) 등과 같은 상이한 도핑 에이전트(doping agent)들을 이용한 Gd2O2S 또는 CsI; 층 두께들은 통상적으로 0.1-1 mm임)과 광검출기(바람직하게는 광다이오드)의 결합을 포함한다. X-선 컨버전으로부터 초래되는 신틸레이터 광의 방출 파장은 이러한 경우에서, 광검출기의 스펙트럼 감도(spectral sensitivity)와 오버랩(overlap)한다.직접적 X-선 컨버전의 경우, X-선들은 다시 한번, 예컨대, 전자/정공 쌍들로 직접적으로 컨버팅되고(converted), 이들은 전자적으로 판독된다(예컨대, 비정질 Se). 셀레늄(selenium)에서의 직접적 X-선 컨버전은 일반적으로, 1 mm까지의 두께인 층들을 이용하여 수행되고, 이들은 kV 범위에서 역-바이어스 방향(reverse-biased direction)으로 차단된다. 특히, 간접적-컨버팅 검출기(indirectly-converting detector)들은 그들이 생산하기 단순하고 경제적인 것으로 인해 우세한 반면, 직접적 컨버터(direct converter)들은 명확하게 개선된 분해능 용량(resolution capacity)을 갖는다.검출기들의 생산은 일반적으로, 유기 매트릭스로의 양자점(quantum dot)들 또는 통상의 신틸레이터 재료들과 같은 무기 흡수체 재료(inorganic absorber material)들의 삽입을 포함한다. 유기 반도체들은 액상으로부터 큰 표면들에 용이하게 적용될 수 있고, 무기 신틸레이터 입자들의 직접적 포함을 통해, 광학적 크로스-토크(optical cross-talk)가 명확하게 최소화될 수 있다.무기 반도체들과 달리, 유기 반도체들은 더 낮은 전도성을 갖는다. X-선 흡수에서 흔히 있는 경우지만, 예컨대, 충분한 감도를 달성하기 위해 매우 두꺼운 층들이 요구되는 경우, 이러한 제한된 전도성은 문제가 된다. 첫 번째로, 이는 광다이오드의 효율성을 감소시키는데, 그 이유는 전하-캐리어 추출(charge-carrier extraction)이 방해받기 때문이다. 두 번째로, 광다이오드의 속도가 감소되며, 이는 의료 기술 디바이스(medical technology device)들에 대한 임의의 사용을 매우 많이 제한한다. 추가하여, 전도성이 아닌 추가된 X-선 흡수 입자들은 전하-전달 채널(charge-carrying channel)에 부정적 영향을 주어 그것을 확대시킨다.유기 반도체들은 주로 액상으로부터 적용되거나 또는 진공에서 기상 증착에 의해 적용된다. 무기 흡수체 재료들의 혼합에 대해 지금까지 알려진 모든 방법들은 액상으로부터의 프로세싱(processing)을 포함한다:US 6483099 B1은 OPD(organic photodiode)(유기 광다이오드) 상의 신틸레이터 층을 이용하는 X-선 검출을 위한 선택사항을 개시한다. 추가의 설계들은, 기판으로서 또는 전극의 부분으로서 신틸레이터를 이용한, OPD로의 신틸레이터들의 혼합에 의한 X-선 검출이다. 어떻게 신틸레이터가 두꺼운 OPD 층에 균질하게 포함될 수 있는지 또는 예컨대, 두께가 100 μm인 하이브리드 다이오드(hybrid diode)가 어떻게 제조될 수 있는지에 관한 어떠한 정보도 주어지지 않았다.DE 101 37 012 A1은 매립된 신틸레이터 입자들을 갖는 감광 및 중합 흡수체 층에 대한 설계를 개시한다. 신틸레이터로부터의 광의 흡수의 결과로서, 중합체 층의 전도성이 증가된다. 층의 신틸레이터 입자들 사이의 평균 거리는 중합체의 신틸레이터로부터의 광자들의 평균 자유 경로에 대응한다.DE 10 2008 029 782 A1은 유기 반도체 매트릭스에 혼합되는 양자점들에 기초한 X-선 검출기를 설명한다. 이러한 개념에서, 양자점들은 유기 반도체 솔루션(organic semiconductor solution)에 분산된다. 여기서, 유기 반도체의 전기적 특성들에 영향을 미칠 수 있는 올레산(oleic acid) 등과 같은 리간드(ligand)들이 이용된다.DE 10 2010 043 749 A1은 앞서의 개념에 기초한 X-선 검출기와 관련되며, 신틸레이터들은 직접적으로 유기 반도체 솔루션에 분산되거나 또는 유기 반도체 재료와 동시에 "공동-스프레이 프로세스(co-spray process)"에서 스프레잉된다(sprayed on).개선된 검출기들에 대한 필요성이 계속해서 제기되고 있다.
[ 발명의 개요 ]
본 발명은, 유기 반도체 매트릭스에 혼합되는 예컨대, 양자점들 또는 통상의 신틸레이터 재료들과 같은 무기 흡수체 재료들에 기초하는 X-선 검출기들의 생산을 처리한다. 이러한 결합은, 전술된 개념들(간접적 컨버전 및 직접적 컨버전) 모두의 이점들을 결합하는 것을 보장한다. 유기 반도체들은 액상으로부터 큰 표면들에 용이하게 적용될 수 있고, 무기 신틸레이터 입자들의 직접적 혼합에 의해, 광학적 크로스-토크가 명확하게 최소화될 수 있다.이러한 검출기들에서의 높은 신틸레이터 함량(= 양호한 X-선 흡수)과 높은 유기 함량(양호한 전도성) 사이의 절충이 확인되어야 한다는 명백한 추정에 반해, 본 발명에 따르면, X-선 여기(excitation) 동안 전도성 채널들을 발생시키기 위해 높은 신틸레이터 함량들이 유리하다는 것이 확인되었다.본 발명에 따르면, 앞서의 문제를 해결하기 위해 유기 재료들에 대한 신틸레이터의 최적의 혼합비가 개시된다.제 1 양상에 따르면, 본 발명은, 고-에너지 방사, 특히 X-선, 감마 및/또는 UV 방사에 대한 검출기에 관한 것으로, 검출기는: - (a) 제 1 전기 접촉부를 갖는 기판; - (b) 선택적으로 제 1 중간층; - (c) 광활성 재료로 이루어진 유기 매트릭스 및 본질적으로 유기 매트릭스에 균질하게 분포된 비-용해성 신틸레이터 입자들을 포함하는 층; - (d) 선택적으로 제 2 중간층; 및 - (e) 제 2 전기 접촉부를 포함하고; 여기서, 신틸레이터 입자들과 유기 매트릭스 사이의 혼합비는, 층 (c)에서 유기 매트릭스로 채워진 공간이 각각의 경우에서, 신틸레이터 입자들에 의해 방출되는 방사의 침투 깊이의 최대 5배에 대응하는 2개의 인접한 신틸레이터 입자들 사이의 거리를 갖도록, 선택된다.추가의 양상에 따르면, 본 발명은 추가로, 고-에너지 방사, 특히 X-선, 감마 및/또는 UV 방사에 대한 검출기의 생산을 위한 방법에 관한 것으로, 방법은: (i) 제 1 전기 접촉부를 갖는 기판을 제공하는 단계; (ii) 선택적으로 제 1 중간층으로 코팅(coating)하는 단계; (iii) 광활성 재료로 이루어진 유기 매트릭스 및 본질적으로 유기 매트릭스에 균질하게 분포된 비-용해성 신틸레이터 입자들을 포함하는 층으로 코팅하는 단계; (iv) 선택적으로 제 2 중간층으로 코팅하는 단계; 및 (v) 제 2 전기 접촉부로 코팅하는 단계를 포함하고; 여기서, 단계 (iii)에서 코팅할 때, 신틸레이터 입자들과 유기 매트릭스 사이의 혼합비는, 유기 매트릭스로 채워진 공간이 각각의 경우에서, 본질적으로 신틸레이터 입자들에 의해 방출되는 방사의 침투 깊이의 최대 5배에 대응하는 2개의 인접한 신틸레이터 입자들 사이의 거리를 갖도록, 선택된다.본 발명의 추가의 양상들은 종속 청구항들 및 상세한 설명으로부터 추론될 수 있다.
[ 도면의 간단한 설명 ]
첨부된 도면들은 본 발명의 실시예들을 예시하고 그리고 본 발명의 추가의 명료화를 제공하도록 의도된다. 첨부된 도면들은 설명과 함께 본 발명의 개념들 및 원리들을 설명하는 역할을 한다. 다른 실시예들 및 전술된 이점들 중 많은 이점들이 도면들로부터 나타날 것이다. 도면들의 엘리먼트(element)들은 반드시 서로에 대해 실척대로 도시되지는 않는다. 본질적으로 동일한 기능 및 동작 모드(mode)를 갖는 동일한 엘리먼트들, 특징들 및 컴포넌트(component)들은 기본적으로 도면들에서 달리 명시되지 않는 한 도면들에서 동일한 참조 부호들로 표시된다.도 1은 직접적 X-선 컨버전 및 간접적 X-선 컨버전의 개념들을 개략적 형태로 비교한다.도 2는 본 발명에 따른 검출기에 대한 스택(stack)의 어레인지먼트(arrangement)의 예를 개략적 형태로 도시한다.도 3은 본 발명에 따라 2개의 신틸레이터 입자들이 자신들 사이에 갖는 거리의 예를 개략적 형태로 도시한다.도 4는 신틸레이터 입자들의 방출과 유기 매트릭스의 흡수의 정렬을 예로서 도시한다.도 5는 신틸레이터 입자들의 함량의 함수로서 본 발명에 따른 검출기에서의 광다이오드의 상승-시간의 종속성을 도시한다.도 6은 신틸레이터 입자들 x의 함량의 함수로서 본 발명에 따른 검출기에서 검출된 전자들에 대한 X-선 양자들의 컨버전 레이트(conversion rate)를 도시한다.도 7은 낮은 함량의 신틸레이터 입자들을 갖는 검출기의 기능 원리를 다이어그램 형태(diagram form)로 도시한다.도 8은 높은 함량의 신틸레이터 입자들을 갖는 검출기의 기능 원리를 다이어그램 형태로 도시한다.도 9는 매우 높은 함량의 신틸레이터 입자들을 갖는 검출기의 가능한 손실 채널들을 다이어그램 형태로 도시한다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
일 양상에 따르면, 본 발명은, 고-에너지 방사, 특히 X-선 및/또는 UV 방사에 대한 검출기에 관한 것으로, 검출기는: - (a) 제 1 전기 접촉부를 갖는 기판; - (b) 선택적으로 제 1 중간층; - (c) 광활성 재료로 이루어진 유기 매트릭스 및 본질적으로 유기 매트릭스에 균질하게 분포된 비-용해성 신틸레이터 입자들을 포함하는 층; - (d) 선택적으로 제 2 중간층; 및 - (e) 제 2 전기 접촉부를 포함하고; 여기서, 신틸레이터 입자들과 유기 매트릭스 사이의 혼합비는, 층 (c)에서 유기 매트릭스로 채워진 공간이 각각의 경우에서, 신틸레이터 입자들에 의해 방출되는 방사의 침투 깊이의 최대 5배에 대응하는 2개의 인접한 신틸레이터 입자들 사이의 거리를 갖도록, 선택된다.인접한 신틸레이터 입자들 중 적어도 70%의 신틸레이터 입자들 사이의 거리가 침투 깊이의 최대 5배, 바람직하게는 인접한 신틸레이터 입자들 중 적어도 80%의 신틸레이터 입자들 사이의 거리가 침투 깊이의 최대 5배, 그리고 더 바람직하게는 인접한 신틸레이터 입자들 중 적어도 90%의 신틸레이터 입자들 사이의 거리가 침투 깊이의 최대 5배인 경우, 2개의 인접한 신틸레이터 입자들 사이의 거리는 본질적으로 침투 깊이의 최대 5배이다. 특히 바람직한 실시예들에 따르면, 신틸레이터 입자들이, 신틸레이터 입자들로부터 방출되는 방사의 침투 깊이의 최대 5배에 대응하는 2개의 인접한 신틸레이터 입자들 사이의 거리를 갖도록, 신틸레이터 입자들, 즉, 신틸레이터 입자들 중 100%의 신틸레이터 입자들이 분포된다.바람직하게, 신틸레이터 입자들은 본질적으로 균질하게 분포된다. 인접한 신틸레이터 입자들의 서로로부터의 거리가 본질적으로 동일한 경우, 신틸레이터 입자들은 본질적으로 균질하게 분포되며, 신틸레이터 입자들의 균질한 분포의 경우에, 모든 신틸레이터 입자들 중 90%의 신틸레이터 입자들 사이의 서로의 각각의 거리는 평균 거리로부터 평균 50 퍼센트(percent) 이하만큼, 바람직하게는 30% 이하만큼, 더 바람직하게는 10% 이상만큼 벗어난다.바람직한 실시예에 따르면, 광활성 재료의 유기 매트릭스를 포함하는 층의 비-용해성 신틸레이터 입자들은 그 유기 매트릭스에 균질하게 분포된다.여기서, 침투 깊이는 비어-람버트 법칙(Beer-Lambert Law)으로부터 유도될 수 있다: .침투 깊이 델타(delta)는, 전자기 방사의 강도가 초기 값의 1/e-th 부분으로 떨어지는 층 두께로서 정의되며, 결과적으로 파장-종속적 흡수 계수의 반비례 값(reciprocal value)이다.델타 = 1/알파예컨대, P3HT:PCBM 도너-억셉터 혼합/벌크-이질접합(donor-acceptor mix/bulk-heterojunction)을 이용시, 녹색 광(파장 550nm)의 흡수 계수는 약 7.7e+04 cm-1이며, 이는 델타의 침투 깊이 = 130 nm에 대응한다.본 발명에 따른 검출기의 양호한 기능을 위해, 2개의 입자들 사이의 전체 공간은 방출된 광자들에 의해 여기되어야 한다. 이는, 예컨대, 강도가 10% 이상 떨어진다면, 본 발명에 따라 보장된다. 선택된 예에서, 이는 약 300 nm에서의 경우일 것이어서, 여기서, 그러므로 2개의 입자들을 이용시, 상기 입자들은 균등하게 약 600 nm 떨어져 있을 수 있으며, 그 다음으로 이는 침투 깊이의 약 5배에 대응한다. 침투 깊이의 5배에 따라, 신틸레이터 입자들에 의해 방출되는 광의 양호한 흡수가 보장된다.특정 실시예들에 따르면, 2개의 신틸레이터 입자들 사이의 각각의 거리는 신틸레이터 입자들에 의해 방출되는 방사의 침투 깊이의 3배 미만이다.바람직한 실시예들에 따르면, 2개의 인접한 신틸레이터 입자들 사이의 거리는 신틸레이터 입자들에 의해 방출되는 방사의 침투 깊이의 최대 3배이고, 특히 바람직한 실시예들에 따르면, 2개의 인접한 신틸레이터 입자들 사이의 거리는 신틸레이터 입자들에 의해 방출되는 방사의 침투 깊이의 최대 2배이다. 이러한 경우(침투 깊이의 2배인 경우), 매트릭스에서의 전하 전송은 X-선 여기 동안의 2개의 인접한 신틸레이터 입자들 사이의 전도성 채널들의 발생에 의해 효과적으로 개선된다.게다가, 특정 실시예들에서 2개의 신틸레이터 입자들 사이의 거리는 30 내지 3000 nm이고, 바람직하게는 100 내지 900 nm이다. 추가하여, 특정 실시예들에 따르면, 신틸레이터 입자들의 방출을 통해 발생되는 전도성 구역들이 교차하도록 그리고 그에 따라 급속 응답 특징들이 달성될 수 있도록, 신틸레이터 입자들이 배열된다.특정 실시예들에 따르면, 신틸레이터 입자들은 0.01 내지 50 μm의 직경을 갖는다. 이는 광학적(예컨대, 동적 광 산란(dynamic light scatter)(DLS)) 전자-현미경 또는 전기적 분석(예컨대, 쿨터 계수기(Coulter Counter)를 이용함)에 따라 결정되어 결과적으로 조정될 수 있다. 입자들의 직경이 감소됨에 따라, 방출 세기가 일반적으로 감소된다. 바람직한 실시예들에 따르면, 신틸레이터 입자들은 0.1-30 μm, 바람직하게는 1-10 μm의 직경을 가지며, 이는 X-선 양자들에 의해 릴리즈되는(released) 고에너지 전자(high energy electron)들의 상호작용 길이와 정렬된다. UV 방사의 검출의 경우, 그 감소는 더 적은 영향을 미치며, 이는 10 nm까지의 직경을 가진 더욱 더 작은 입자들이 여기서 이용될 수 있는 이유이다.추가의 특정 실시예들에서, 신틸레이터 입자들과 유기 매트릭스 사이의 혼합비는, 2개의 접촉부들 사이의 유기 매트릭스의 누적 두께가 침투 깊이의 적어도 3배에 대응하도록 된다. 이는 신틸레이터 입자들에 의해 방출되는 광자들 중 어떠한 것도 흡수됨이 없이 검출기를 떠남을 보장한다. 예컨대, 녹색 스펙트럼 범위의 방출 파장을 가진 신틸레이터 및 유기 매트릭스로서 P3HT:PCBM을 이용하는 경우, 이는 검출 층의 선택된 총 두께와 상관없이, 적어도 0.4 μm의 누적 두께에 대응한다. 이러한 방식에서, 신틸레이터 입자들이 본질적으로 균질하게 분포되지 않을지라도, 광이 매트릭스에서 충분히 흡수됨이 보장될 수 있다. 따라서, 이러한 조건을 충족시키기 위해, 더 얇은 검출 층들에 대해서보다 더 두꺼운 검출 층들에 대해, 유기 매트릭스의 더 낮은 질량 함량이 요구된다. 그럼에도 불구하고, 특정 실시예들에 따르면, 매트릭스와 신틸레이터 입자들의 충분한 응집을 보장하기 위해, 신틸레이터 입자들 중 적어도 90%의 신틸레이터 입자들에 대한, 바람직하게는 모든 신틸레이터 입자들에 대한 유기 매트릭스에서의 2개의 신틸레이터 입자들 사이의 거리는 적어도 10 nm이고, 더 바람직하게는 적어도 20 nm 또는 적어도 30 nm이다.특정 실시예들에 따르면, 유기 매트릭스는 하나보다 많은 수의 광활성 재료를 포함할 수 있고 그리고/또는 검출기는 하나보다 많은 종류의 신틸레이터 입자들을 포함할 수 있다.특정 실시예들에 따르면, 광활성 재료는 도너/억셉터 혼합물의 형태로 제공된다. 이러한 경우, 도너/억셉터 혼합물은 또한, 벌크-이질접합으로 지칭된다.통상의 대표적인 강한 전자-도너(낮은 전자 친화력)는 예컨대, 공액 중합체 폴리(conjugated polymer poly)(3-헥실티오펜(hexylthiophene)) (P3HT)이다. 전자 억셉터들(높은 전자 친화력)을 위한 통상의 재료들은 풀러린(fullerene)들 및 그들의 유도체들, 이를테면, 예컨대, [6.6]-페닐-C61 부타닉 산 메틸 에스테르들(butanic acid methyl esters; PCBM)이다. 추가하여, 폴리페닐렌-비닐렌(polyphenylene-vinylene) 및 그들의 유도체들, 이를테면, 시아노(cyano) 유도체 CN-PPV, MEH-PPV (폴리 (2-(2-에틸헥실옥시)-5-메톡시-p-페닐렌-비닐렌)), CN-MEH-PPV, 또는 프탈로시아닌(phthalocyanine) 등과 같은 재료들을 사용하는 것이 또한 가능하다. 적절한 신틸레이터 입자들과 관련하여, 다른 예시적인 화합물들이 아래에서 언급된다.특정 실시예들에 따르면, 검출기의 비-조사 상태(non-irradiated state)에서, 유기 매트릭스의 재료는 고저항성이고, 검출기의 조사(irradiation)의 결과로서 전도성이 된다. 이는 검출 동안 추가의 신호 향상을 초래하는데, 그 이유는 배경 잡음이 또한 최소화될 수 있기 때문이다.여기서, 고저항성에 대한 조건들은 다음과 같다: 얇은 다이오드들에서, 역방향에서의 다이오드의 저항은 본질적으로 접촉 저항의 팩터(factor)이다. 이는, 낮은 암전류(low dark current)들이 달성될 수 있음을 보장한다. 의료 X-선 이미징(imaging)의 분야에서의 유기 광검출기의 사용을 위해, 1e-05 mA/cm2 이하의 암전류가 요구된다. - 1 V의 역전압(reverse voltage)에서, 이는 1 cm2의 영역을 갖는 검출기에 대한 1e8 옴(ohms)에 대응한다. 더 두꺼운 다이오드들의 경우, 이들이 여기서 예시적일 수 있는 바와 같이, 시트 저항(sheet resistance)이 증가하는 역할을 하기 시작한다. 그 다음으로, 다이오드의 저항은 층 두께가 증가함에 따라 증가되고, 저항률(specific resistance)이 특정될 수 있다. 100μm 두께인 층의 경우, 1e-11 옴 x cm의 저항력(resistivity)에 대응하는 1e-6 mA/cm2의 암전류가 바람직하다. 따라서, 본 발명의 맥락에서, 고저항성은 바람직하게, 층의 비저항(specific resistivity)이 적어도 1e-9 옴 x cm, 바람직하게는 1e-11 옴 x cm에 대응함을 의미한다.특정 실시예들에 따르면, 유기 매트릭스의 재료는, 신틸레이터 입자들이 방사를 방출하는 파장 범위의 방사를 흡수한다. 특정 실시예들에 따르면, 유기 매트릭스의 광활성 재료는 추가적으로, 신틸레이터 입자의 방출 파장에 대응하는, 바람직하게는 신틸레이터 입자의 방출의 최대치의 방출 파장에 대응하는 파장에서 적어도 하나의 흡수-최대치를 갖는다.다양한 파장들에 대한 광활성 유기 재료들과 신틸레이터 입자들의 결합을 위한 재료들의 결합들의 예들은 아래와 같다:적절한 녹색 신틸레이터들은 예컨대, Gd2O2S:Pr,Ce (약 515 nm의 방출 최대치를 갖는 프라세오디뮴- 및 세륨-도핑된 가돌리늄 산황화물(praseodymium- and cerium-doped gadolinium oxysulfide)), Gd2O2S:Tb (약 545 nm에서 방출 최대치를 갖는 테르븀-도핑된 가돌리늄 산황화물(terbium-doped gadolinium oxysulfide), Gd2O2S:Pr,Ce,F (약 510 nm에서 방출 최대치를 갖는 프라세오디뮴-, 세륨- 또는 플루오린-도핑된 가돌리늄 산황화물(praseodymium-, cerium- or fluorine-doped gadolinium oxysulfide)), YAG:Ce (약 550 nm에서 방출 최대치를 갖는 세륨-도핑된 이트륨-알루미늄-가넷(cerium-doped yttrium-aluminum-garnet)), CsI:Tl (약 525 nm에서 방출 최대치를 갖는 탈륨-도핑된 세슘 요오드화물(thallium-doped cesium iodide)), CDI2:Eu (약 580 nm에서 방출 최대치를 갖는 유로퓸-도핑된 카드뮴 요오드화물(europium-doped cadmium iodide)), 또는 Lu203:Tb (약 545 nm에서 방출 최대치를 갖는 테르븀-도핑된 루테튬 산화물(terbium-doped lutetium oxide))이다. 이들은 515-580 nm의 범위의 방출 최대치를 특징으로 하며, 따라서 550 nm에서 (유기 매트릭스의 광활성 재료의 예로서) 폴리(3-헥실티오펜-2,5-디일) (P3HT)의 흡수 최대치에 대해 양호하게 설계되었다. 신틸레이터 Bi4Ge3012 또는 BGO (약 480 nm에서 방출 최대치를 갖는 비스무트 게르마늄산염(bismuth germanate))는, 460-520 nm의 범위에서 양호한 흡수를 갖는 폴리[2-메톡시-5-(2-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌-비닐렌] (MEH PPV) 또는 폴리[2-메톡시-5-(3',7'-디메틸옥틸옥시)-1,4 -페닐렌-비닐렌] (MDMO-PPV)와 양호하게 결합될 수 있다.적절한 청색 신틸레이터들이 또한 언급되어야 한다. 청색 광을 방출하는 재료들의 매력적인 결합은 Lu2SiO5:Ce 또는 LSO(약 420 nm에서 방출 최대치를 갖는 세슘-도핑된 루테튬 옥시오소실리케이트(cesium-doped lutetium oxyorthosilicate)), Lu1.8Y.2SiO5:Ce (약 420 nm에서 방출 최대치를 갖는 세륨-도핑된 루테튬 옥시오소실리케이트(cerium-doped lutetium oxyorthosilicate)), CdWO4 (약 475 nm에서 방출 최대치를 갖는 카드뮴 텅스텐산염(cadmium tungstate)), CsI:Na (약 420 nm에서 방출 최대치를 갖는 나트륨-도핑된 세슘 요오드화물(sodium-doped cesium iodide)), 또는 NaI:Tl (약 415 nm에서 방출 최대치를 갖는 탈륨-도핑된 나트륨 요오드화물(thallium-doped sodium iodide)), Bi4Ge3O12 또는 BGO (약 480 nm에서 방출 최대치를 갖는 비스무트 게르마늄산염(bismuth germanate)), Gd2SiO5 또는 GSO (약 440 nm에서 방출 최대치를 갖는 세륨-도핑된 가돌리늄 옥시오소실리케이트(cerium- doped gadolinium oxyorthsilicate)), 또는 CsBr:Eu (약 445 nm에서 방출 최대치를 갖는 유로퓸-도핑된 세슘 브롬화물(europium-doped caesium bromide))이며, 이들은 통상의 와이드-밴드 갭 반도체(wide-band gap semiconductor)들(와이드 밴드 갭을 갖는 반도체들), 이를테면, 폴리[(9,9-디-n-옥틸플루오렌일-2,7-디일)-알트-(벤조[2,1,3]티아디아졸-4,8-디일)] (F8BT) (460nm에서 흡수 최대치) 또는 다른 폴리플루오렌(polyfluorene)(PFO) 중합체들 및 공중합체들(380-460 nm에서 흡수)과 양호하게 결합될 수 있다.적색 신틸레이터들, 이를테면, Lu2O3:Eu (약 610-625 nm에서 방출 최대치를 갖는 유로퓸-도핑된 루테튬 산화물(europium-doped lutetium oxide)), Lu2O3:Tb (약 610-625 nm에서 방출 최대치를 갖는 테르븀-도핑된 류테튬 산화물(terbium-doped lutetium oxide)) 또는 Gd2O3:Eu (약 610-625 nm에서 방출 최대치를 갖는 유로퓸-도핑된 가돌리늄 산황화물(europium-doped gadolinium oxysulfide)), YGdO:(Eu,Pr) (약 610 nm에서 방출 최대치를 갖는 유로퓸- 및/또는 프라세오디뮴-도핑된 이트륨 가돌리늄 산화물(europium- and/or praseodymium-doped yttrium gadolinium oxide)), GdGaO:Cr,Ce (크로뮴- 및/또는 세슘-도핑된 가돌리늄 갈륨 산화물(chromium- and/or cesium-doped gadolinium gallium oxide)), 또는 CuI (약 720 nm에서 방출 최대치를 갖는 구리 요오드화물)는 흡수체들, 이를테면, OPV(organic photovoltaics)(유기 광전변환 공학)를 위해 개발된 것들, 예컨대, 폴리[2,1,3-벤조티아디아졸-4,7-디일[4,4-비스(2-에틸헥실)-4H-시클로펜타[2,1-b:3, 4-b']디티오펜-2,6-디일]] (PCPDTBT), 수쿠아레인들(squaraines)(예컨대, 글리콜산 작용을 갖는 히드라존 종단-캡핑된 대칭적 수쿠아레인들(hydrazone end-capped symmetrical squaraines with glycolic functionalization) 또는 디아줄렌 수쿠아레인(diazulene squaraine)), 폴리티에노[3,4-b]티오펜 (PTT), 폴리(5,7-비스(4-데카닐-2-티에닐)-티에노(3,4-b)디아티아졸-티오펜-2,5)(PDDTT)와 양호하게 결합될 수 있다.바람직한 실시예들에 따르면, 이러한 쌍들은 특히 주목할만한 것들: P3HT:PCBM와 결합되는 Gd2O2S:Tb 또는 YAG:Ce, F8BT와 결합되는 Lu2SiO5:Ce 또는 PCPDTBT와 결합되는 YGdO:Eu 중에 있다.중합체 흡수(예컨대, P3HT)와 신틸레이터 방출(예컨대, GOS 또는 Lu2O3:Tb, 녹색)의 튜닝(tuning)/정렬의 예가 도 4에 도시되며, 여기서 신틸레이터의 방출 스펙트럼(emission spectrum)(좌측) 및 유기 매트릭스의 흡수 스펙트럼(우측)으로부터의 정렬이 명백하게 확인될 수 있다.특정 실시예들에서, 신틸레이터 입자들의 질량은 유기 매트릭스의 질량보다 적어도 8배 더 크다.이는 다음의 이론적 고려사항들을 참조하여 입증될 수 있다.목표 셸 두께(target shell thickness) 및 요구되는 수량 계산들: 예시적인 하이브리드 광다이오드의 총 볼륨(total volume)은 신틸레이터 핵 Vscintillator 및 벌크-이질접합의 셸 볼륨 VBHJ (유기 매트릭스)로 이루어진다. 최적의 비율을 가늠할 수 있기 위해, 벌크-이질접합의 밀도 ρBHJ 및 신틸레이터의 밀도 ρScintillator는 각각의 가중치 WBHJ 및 WScintillator를 획득하기 위해 요구된다.하이브리드 광다이오드의 총 볼륨 (VTotal)은 아래와 같다: 특정된 볼륨들과 양들의 비율에서 중요 값들을 설명하기 위해, 이는 총 볼륨 및 총 양과 비교되는 볼륨의 퍼센티지(percentage) 및 양들의 퍼센티지로서 표현된다. 아래의 2개의 공식이 이를 예시한다.BHJ의 볼륨의 퍼센티지(VBHJ%)는 아래와 같다: BHJ의 양의 퍼센티지(WBHJ%)는 아래와 같다: 목표 셸 볼륨은 벌크-이질접합의 요구되는 흡수를 통해 획득된다. 흡수는 셸 볼륨의 층 두께 rBHJ를 통해 그리고 상응하게, 방출되는 광의 흡수 길이를 통해 조정될 수 있다. 셸 볼륨은 반경들 rScintillator 및 rBHJ를 가진 총 볼륨에서 내부구(inner sphere), 즉 신틸레이터를 뺀 것으로 이루어진다. 이는 아래와 같이 계산될 수 있다.목표 셸 볼륨 (VBHJ) 및 셸 두께 (rBHJ)예로서, 반경 rScintillator = 1.8 μm를 갖는 신틸레이터 및 rBHJ = 0.15 μm의 목표 재킷 흡수층 두께(target jacket absorption layer thickness)의 경우, 37%:63%의 VBHJ%: VScintillator%의 최적의 충전률(fill factor)이 존재한다. ρBHJ = 1.2 g/ml 및 ρScintillator = 7.2 g/ml의 통상의 두께를 갖는 경우, 약 1:10의 WBHJ:Wscintillator의 중량비가 존재한다.이러한 질량비가 신틸레이터의 직경 및 신틸레이터의 밀도에 종속된다는 것이 특히 계속 주목될 것이다. 입자가 더 클수록, 전술된 조건들을 충족시키기 위해 더 적은 유기 함량이 요구된다. 볼륨 비율들은 신틸레이터들의 직경 및 유기 물질로의 광의 침투 깊이에 종속된다. 그 다음으로, 앞서의 공식에 따라 밀도로부터 질량비가 계산될 수 있다. 예컨대, 크기가 2 μm인 Gd2O2S 입자들의 경우, 130 nm의 침투 깊이에 따라, 약 1:14의 질량비가 최적인 반면, 크기가 10 μm인 입자의 경우, 질량비는 1:75로 증가된다.특정 실시예들에 따르면, 제 1 전기 접촉부 및/또는 제 2 전기 접촉부는 신틸레이터 입자들에 의해 방출되는 방사를 반사하는 재료를 포함하거나 또는 신틸레이터 입자들에 의해 방출되는 방사를 반사하는 재료로 이루어진다. 여기서, Au, Ag, Pt, Al 또는 Cu와 같은 금속들이 언급될 수 있지만, 다수의 추가의 재료들이 알려져 있어서, 전기 접촉부들의 재료들은 추가로 제한되지 않고, 그러므로, 그들은 신틸레이터 입자들에 의해 방출되는 방사를 반사한다. 적절한 설계를 통해, 검출기에 의해 검출되는 신호가 추가로 개선될 수 있다. 방출되는 방사에 대한 접촉부들의 반사 효과를 통해, 방출되는 광이 활성 구역으로부터 벗어나지 않음이 보장될 수 있다.특정 실시예들에서, 본 발명에 따른 검출기는 선택적으로 중간층들/사이층들을 포함할 수 있고, 중간층들/사이층들은 활성층과 접촉층들 사이의 전이 및 결과적으로 샘플(sample)의 접촉들을 개선하고, 예컨대, 코팅된(coated) 신틸레이터 입자들을 포함할 수 있다.추가의 양상에 따르면, 본 발명은 추가로, 고-에너지 방사, 특히 X-선 및/또는 UV 방사에 대한 검출기의 생산을 위한 방법에 관한 것으로, 방법은: (i) 제 1 전기 접촉부를 갖는 기판을 제공하는 단계; (ii) 선택적으로 제 1 중간층으로 코팅하는 단계; (iii) 광활성 재료의 유기 매트릭스 및 유기 매트릭스에 균질하게 분포된 비-용해성 신틸레이터 입자들을 포함하는 층으로 코팅하는 단계; (iv) 선택적으로 제 2 중간층으로 코팅하는 단계; 및 (v) 제 2 전기 접촉부로 코팅하는 단계를 포함하고; 여기서, 코팅할 때, 신틸레이터 입자들과 유기 매트릭스 사이의 혼합비는, 단계 (iii)에서 유기 매트릭스로 채워진 공간이 각각의 경우에서, 본질적으로 신틸레이터 입자들에 의해 방출되는 방사의 침투 깊이의 최대 5배에 대응하는 2개의 인접한 신틸레이터 입자들 사이의 거리를 갖도록, 선택된다.특정 실시예들에 따르면, 신틸레이터 입자들은 0.01 내지 50 μm의 직경을 갖는다. 바람직한 실시예들에 따르면, 신틸레이터 입자들은 0.01 내지 30 μm, 바람직하게는 1-10 μm의 직경을 가지며, 이는 X-선 양자들에 의해 릴리즈되는 고-에너지 전자들의 상호작용 길이와 정렬된다. 추가의 특정 실시예들에 따르면, 신틸레이터 입자들과 유기 매트릭스 사이의 혼합비는, 2개의 접촉부들 사이의 유기 매트릭스의 누적 두께가 침투 깊이의 적어도 3배가 되도록 된다. 추가하여, 본 발명에 따른 방법의 특정 실시예들에 따른 신틸레이터 입자들의 질량은 유기 매트릭스의 질량보다 적어도 8배 더 크다.본 발명에 따른 방법의 특정 실시예들에서, 단계 (iii)에서 코팅을 생성하기 위해, 신틸레이터 입자들의 현탁액(suspension)이 유기 매트릭스 및 적어도 하나의 용매에서 생성되고, 그 다음으로 상기 현탁액은 단계 (iii)에서 블레이드(blade)-, 스핀(spin)- 또는 스프레이(spray)-코팅에 의해 적용되고, 그리고 선택적으로 남은 용매를 증발 제거함으로써 건조된다. 바람직한 실시예들에서, 현탁액은 프로세싱(processing) 동안 계속해서 혼합/교반(stir)된다. 이는 또한, 예컨대, 스프레이 헤드(spray head)에서의 휘저음(agitation)에 의해 계속될 수 있다. 추가하여, 추가의 지원(aid)으로서 초음파가 또한 이용될 수 있다.본 발명에 따른 방법의 특정 실시예들에 따르면, 단계 (iii)에서 코팅을 생성하기 위해, 신틸레이터 입자들, 적어도 하나의 유기 반도체 및 적어도 하나의 용매를 포함하는 현탁액이 생성되며, 그 다음으로 상기 현탁액은 단계 (iii)에서 블레이드-, 스핀- 또는 스프레이-코팅에 의해 적용되고, 그리고 선택적으로 남은 용매를 증발 제거함으로써 건조된다.특정 실시예들에 따르면, 현탁액은 프로세싱 동안 계속해서 혼합/교반된다.특정한 추가의 실시예들에 따르면, 단계 (iii)에서 코팅을 생성하기 위해, (광활성 유기 재료로서) 적어도 하나의 유기 반도체에 의해 코팅된 신틸레이터 입자들로 이루어진 파우더(powder)가 단계 (iii)에서 예컨대, 소결(sintering)에 의해 적용된다.대안적인 실시예에서, 현탁액은 침전에 의해 그리고 용매의 후속 제거에 의해 파우더로 컨버팅될 수 있고, 그 다음으로 상기 파우더는 예컨대, 소결에 의해 기판에 적용된다.앞서의 실시예들, 변형들 및 추가의 발전들은, 그것이 편리한 한, 원하는 대로 서로 결합되어 이용될 수 있다. 본 발명의 추가의 가능한 변형들, 추가의 발전들 및 구현들은 또한, 실시예들을 참조하여 설명되는 그리고 전술한 내용 또는 이하의 내용에서 명시적으로 언급되지 않는 본 발명의 특징들의 결합들을 포함한다. 특히, 당업자는 또한, 본 발명의 각각의 기본 형태에 대한 개선들 또는 추가들로서 개별 양상들을 추가할 것이다.예들그러나, 본 발명이 실시예들의 일부 예들에 의해 이하에서 예시되지만, 이들로 제한되지 않는다.X-선 검출기의 예가 도 2에 도시되며, 다음으로 이루어진다:○ 기판(21), 기판(21)은 강성이거나 또는 유연할 수 있고(예컨대, 유리 또는 필름(film)), 예컨대, 비정질 실리콘, 유기 재료들 또는 산화물들(예컨대, InGaZnO)의 TFT-매트릭스를 포함함.○ 바람직하게는 ITO, Au, Pt, Pd와 같이 높은 일함수(work function)를 갖는 재료의 하부 접촉층(22); 두꺼운 층들의 경우, 상부 또는 하부 접촉부의 전극들을 위해 동일한 재료들을 이용하는 것이 또한 가능한데, 그 이유는 사용자가 사실상 광전도체를 갖고 그리고 접촉부들로부터의 추가의 배리어(barrier)를 필요로 하지 않을 정도로, 유기 함량으로 인해 암저항(dark resistance)이 이미 매우 높기 때문임.○ 감광 전도성 유기 매트릭스(예컨대, P3HT 및 PCBM으로 이루어진 벌크-이질접합)와 X-선-흡수 및 광-방출 신틸레이터(예컨대, GOS)로 이루어진 활성층(24).○ 그리고 낮은 일함수를 갖는 상부 접촉층(26), 예컨대, Al, Ca/Ag, Ba/Al, Ca/Al.○ 최적의 전하-캐리어 발생 및 추출이 제공되도록, 매트릭스와 신틸레이터 사이의 혼합비가 설정된다.○ 도 3에 도시된 바와 같이, 이는, 2개의 입자들 사이에 매트릭스 재료로 채워지는 공간이 신틸레이터에 의해 방출되는 광의 침투 깊이의 최대 2배이도록 혼합비를 선택함으로써 달성된다.○ 선택적으로, 중간층들/사이층들(23 및/또는 25)이 제공될 수 있으며, 이들은 활성층과 접촉층들 사이의 접촉을 개선하고, 그리고 이들은 예컨대, 코팅된 신틸레이터 입자들을 포함할 수 있다.신틸레이터 입자들 사이의 거리가 신틸레이터로부터의 방출의 침투 깊이의 2배에 대응할 때 나타나는, 유기 매트릭스와 신틸레이터 입자들 사이의 최적의 혼합비가 도 3에 도시되며, 여기서 31은 광-방출 신틸레이터 입자를 나타내고, 32는 유기(반도체) 매트릭스를 나타내고, 33은 유기 반도체로 방출된 광의 침투 깊이를 나타내고, 34는 신틸레이터 간격을 나타낸다.높은 신틸레이터 함량(= 양호한 X-선 흡수)과 높은 유기 함량(양호한 전도성) 사이의 절충이 확인되어야 한다는 명백한 추정에 반해, X-선 여기 동안 전도성 채널들을 발생시키기 위해 높은 신틸레이터 함량들이 유리하다는 것이 확인되었다.통상의 컴포넌트, 전기적 특징 및 X-선 감도: 본 발명에 따른 x-선 검출기(광다이오드)의 예는 도 3에 도시된 원리에 기초한다. 활성 유기층에서, P3HT 및 PCBM로 이루어진 광(photo)- 및 전기활성 BHJ 셸에 매립된 Gd2O2S:Tb의 신틸레이터 입자들의 결합이 이용된다. BHJ 층은 열적 기상 증착에 의해 처리된 ITO 양극 및 Al 음극에 의해 제한된다. Al 음극의 두께는 대략 250-500nm인 한편, ITO 양극의 두께는 대략 80-200 nm이다. 활성 다이오드 영역은 1-100 mm2이다.도 5는 샘플에서의 신틸레이터 함량의 함수로서 X-선 펄스(X-ray pulse)에 대한 이러한 예시적인 광다이오드의 상승-시간을 도시한다. 모든 샘플들에서의 층 두께 "d"는 대략 -8 V의 인가된 전압 "V"에서 약 8μm이고, 이는 약 -1 V/μm의 전기장에 대응한다. 선택된 예에서, D=1.8 μm의 평균 직경을 가진 Gd2O3S 입자들이 신틸레이터들로서 이용되었고, P3HT 및 PCBM의 혼합물(중량비 1:1)이 유기 매트릭스로서 이용되었다. GOS 함량 x가 증가됨에 따라 상승-시간 t가 감소되고, 결과적으로 다이오드의 속도가 증가된다. 다이오드를 통한 균질한 X-선 여기에 따라, 녹색 광의 방출로 인해, 고전도성의 코팅이 신틸레이터 입자들 둘레에 나타난다. 다이오드의 GOS 함량이, 이러한 코팅들이 오버랩하기에 충분히 높은 경우, 전도성 채널이 하부로부터 상부 전극으로 생성되고, 이는 유기 반도체들의 다소 불충분한 전도성을 대단히 증가시키며, 이는 높은 속도 및 짧은 상승-시간들을 초래한다. 도 7 및 도 8은 낮은(도 7) 및 높은(도 8) GOS 함량에 따른 기능 원리를 다이어그램 형태로 도시한다. 도 7에서, 전도성 채널들은 연결되지 않는다. 전하-캐리어들은 고저항 공간들을 통과해야 하고, 이는 느린 검출기 특징들을 초래한다. 도 8에서, 전도성 셸들이 접촉되고, 전도성 채널들이 형성된다.도 6은 앞서와 같이 생산된 본 발명에 따른 검출기들에서 신틸레이터 함량 "x"가 가변됨에 따라 검출되는 전자들로의 X-선 양자들의 컨버전 레이트를 도시한다. 약 -8V의 인가되는 전압 "V"에서 모든 샘플들의 층 두께 "d"는 다시 8 μm이고, 이는 약 -1V/μm의 전기장에 대응한다. GOS 입자들은 D=1.8 μm의 평균 직경을 갖는다. 이러한 층 두께 및 입자 크기에 따라, 약 1:1:24의 최대 감도가 달성되는데, 그 이유는 여기서 총 유기 층 두께(녹색 흡수체)에 대한 신틸레이터형 녹색 광(scintillated green light)의 침투 깊이에 대한 비율이 광활성 층의 수직 배향에서 양호하게 조정되기 때문이다. 더 큰 층 두께들을 이용시, 이러한 최대치는 더 높은 GOS 함량의 방향으로 움직인다(약 300-500 nm의 총 유기 층 두께가 요구됨).실제로, 최소 중합체 함량에 대해 아래의 고려사항들이 추가로 관련될 수 있다:a) 중합체는 입자들의 응집을 위해 "접착제(glue)"의 역할을 함.b) 광학적 크로스-토크를 최소화하기 위해 그리고 발생된 광자들이 검출기의 활성층으로부터 벗어나는 것을 방지하기 위해, 약 20-50μm의 반경 내에서 충분히 높은 흡수가 제공되어야 함, 그리고 c) 구조 내에는, 전하 전송을 방지하거나, 또는 전하 캐리어들의 높은 재결합률에서 초래될 수 있는 많은 수의 "데드 엔드들(dead ends)"이 형성되도록 의도되지 않음.신틸레이터 입자들의 함량이 너무 높은 경우 발생할 수 있는 가능한 손실 채널들이 도 9에 도시되며, 여기서 유기 매트릭스는 예컨대, 검출기 매트릭스의 2개의 하부 접촉부들(81, 82)과 상부 접촉부(83) 사이에 신틸레이터 입자들과 함께 삽입된다. 신틸레이터 입자들의 과도하게 높은 비율에 따라, 효율적인 전하 캐리어 추출을 방지하는 비-제한 전류 채널들(84)의 가능성뿐만 아니라, 광학적 크로스-토크를 초래하거나 또는 광자들이 검출기를 벗어나는 것을 야기할 수 있는 너무 낮은 흡수(85)의 가능성이 존재한다. 추가하여, 너무 높은 신틸레이터 함량은 검출기의 안정성에 부정적으로 영향을 미칠 수 있다.본 발명에 따른 설계를 이용시, (X-선이) 훨씬 더 신속하게 응답하고 훨씬 더 적은 라인 손실(line loss)들을 갖는 검출기들을 달성하는 것이 가능하다. 동시에, 높은 (X-선) 흡수가 보장될 수 있다. 마지막으로, 제안된 시스템(system)은 비용적 이점들을 제공하는데, 그 이유는 고비용의 컴포넌트(유기물들)의 비율이 최소화되기 때문이다.
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본 발명은 고-에너지 방사, 특히 x-방사 및/또는 UV 방사에 대한 검출기와 관련되며, 검출기는 (a) 제 1 전기 접촉부를 갖는 기판, (b) 선택적으로 제 1 중간층, (c) 광활성 재료(photoactive material)의 유기 매트릭스(organic matrix) 및 실질적으로 상기 유기 매트릭스에 균질하게 분포된 비-용해성 신틸레이터 입자(non-soluble scintillator particle)들을 포함하는 층, (d) 선택적으로 제 2 중간층, 및 (e) 제 2 전기 접촉부를 포함하며, 층 (c)에서의 신틸레이터 입자들과 유기 매트릭스 사이의 혼합비는, 유기 매트릭스로 채워진 중간 공간이, 신틸레이터 입자들의 방출되는 방사의 침투 깊이의 최대 5배에 대응하는 2개의 신틸레이터 입자들 사이의 거리를 갖는 그러한 방식으로 선택된다. 본 발명은 추가로, 대응하는 검출기를 생산하기 위한 방법과 관련된다.
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[ 발명의 명칭 ]
소프트웨어 정의 네트워킹에서의 핸드오버HANDOVER IN SOFTWARE DEFINED NETWORKING
[ 기술분야 ]
본 발명은 소프트웨어 정의 네트워킹에서의 핸드오버에 사용가능한 장치들, 방법들, 컴퓨터 프로그램들, 컴퓨터 프로그램 물건들 및 컴퓨터 판독가능 매체들에 관한 것이다.
[ 배경기술 ]
모바일 데이터 송신 및 데이터 서비스들은 계속해서 진보하고 있고, 여기서 이러한 서비스들은 다양한 통신 서비스들, 예컨대 음성, 비디오, 패킷 데이터, 메시징, 브로드캐스트 등을 제공한다. 최근에, 롱 텀 에볼루션(LTETM)이 규정되었는데, 이는 3GPP 규격들에 따라 라디오 통신 아키텍쳐로서 E-UTRAN(Evolved Universal Terrestrial Radio Access Network)을 사용한다. 더욱이, 네트워크 가상화가 최근의 기술들에서 사용되며, 이는 통상의 네트워크들을, 조직적으로 독립적인 상이한 조직에 의해 사용되고 운영되고 관리될 서브세트들로 분할한다. 네트워크 가상화의 사용은 미래 네트워크 아키텍쳐들의 개발에 있어 유연성을 제공한다. 본 발명에 따른 기술 분야는, 예를 들어, 모바일 원격 통신 네트워크들에서 사용하기 위한 소프트웨어 정의 네트워킹(SDN, https://www.opennetworking.org/index.php?option=com_content0026#view=category0026#layout=blog0026#id=410026#Itemid=1450026#lang=en에서의 ONF 참조)이다. 소프트웨어 정의 네트워크들(SDN)의 연구 내에서, 제어 플레인과 사용자 플레인의 분리가 논의된다. 즉, SND에서, 어디로 트래픽이 전송될 지에 대한 결정을 행하는 시스템(제어 플레인)이 선택된 목적지로 트래픽을 포워딩하는 기저 시스템들(데이터 플레인)로부터 디커플링된다.오늘날, eNB는 3GPP 사용자 장비에 서비스들을 제공하고 UE와 EPC(Evolved Packet Core) 사이를 중재하는 통합 모놀리식 엔티티이다. 서비스를 제공하기 위해, eNB는 제어 부분과 사용자 부분을 일반적으로 지원한다. eNB의 사용자 부분(eNB-U: 사용자 플레인의 eNB)은 일반적으로 EPC쪽으로/EPC로부터 사용자 장비로 그리고 사용자 장비로부터 페이로드를 포워딩한다. eNB의 제어 부분(eNB-C, 제어 플레인의 eNB)은 일반적으로, 시그널링의 교환을 허용하는 부분을 커버해서, UE와 EPC가 특정 서비스들을 요청 및 그랜트(grant)할 수 있게 한다. 핸드오버의 경우, 수반되는 소스 eNB 및 타겟 eNB가 존재하며, 여기서 소스 eNB는 UE가 떠날 eNB이고, 타겟 eNB는 UE를 수용하는 eNB이다. 수직적 제어 플레인에서, 각각의 엔티티들을 제어하기 위해, 오픈플로우(OpenFlow), FOrCES(Forwarding and Control Element Separation protocol) 등과 같은 통신 프로토콜이 사용된다.오픈플로우의 경우, 예를 들면, 소위 애플리케이션이 오픈플로우 제어기(OFC, 및 제어기가 추가 기능을 갖게 보강되는 것을 나타내기 위해 OFC+로 표시됨)의 최상부에 상주한다.3GPP 규격에서, 인트라 E-UTRAN 액세스 이동성 및 S1 기반 핸드오버 (HO)가 TS 36.300 및 TS 23.401에 정의되어 있다. 그러나, 현재, 3GPP 규격들은 SDN 환경에서 솔루션을 커버하지 않는다.도 1은 TS 36.300에 도시된 바와 같이, 제어 플레인의 사용자 장비(UE)의 인트라 E-UTRAN 핸드오버의 경우에서 시그널링의 일례를 도시한다. 도 1에 도시된 단계들의 간단한 설명이 아래에 제공된다. 이와 관련한 세부 사항에 대해서는, TS 36.300의 설명에 대해 참조된다.단계 1에서, 소스 eNB(이벌브드 노드B)는 로밍 및 액세스 제한 정보에 따라 UE 측정 절차들을 구성한다. 단계 2에서, 측정 보고가 트리거링되어 eNB에 전송된다.단계 3에서, 소스 eNB는 UE를 핸드오프하기 위해, 측정 보고 및 RRM(Radio Resource Management) 정보에 기초하여 결정을 행한다.단계 4에서, 소스 eNB는 핸드오버 요청 메시지를 타겟 eNB로 발행하여, 타겟에서 HO를 준비하기 위해 필수적인 정보를 전달한다.단계 5에서, 허가 제어가 타겟 eNB에 의해 수행될 수 있다.단계 6에서, 타겟 eNB는 L1/L2를 갖는 HO를 준비하고, 소스 eNB에 핸드오버 요청 확인응답을 전송한다.단계 7에서, 소스 eNB는 RRC 메시지, 즉 mobilityControlInformation를 포함하는 RRCConnectionReconfiguration 메시지를 UE 쪽으로 전송한다.단계 8에서, PDCP 상태 보존이 적용되는 E-RAB들(E-UTRAN Radio Access Bearer)의 다운링크 PDCP SN 송신기 상태 및 업링크 PDCP SN (패킷 데이터 컨버전스 프로토콜 시퀀스 번호) 수신기 상태를 전달하기 위해, 소스 eNB는 SN 상태 전달 메시지를 타겟 eNB에 전송한다.단계 8 이후, 데이터 포워딩이 소스 eNB로부터 타겟 eNB 쪽으로 수행된다.단계 9에서, mobilityControlInformation를 포함하는 RRCConnectionReconfiguration 메시지를 수신한 후, UE는 타겟 eNB에 대한 동기화를 수행하고 RACH(Random Access Channel)을 통해 타겟 셀에 액세스한다.단계 10에서, 타겟 eNB는 UL 할당 및 타이밍 어드밴스로 응답한다.단계 11에서, UE가 타겟 셀에 성공적으로 액세스할 때, UE는, 업링크 버퍼 상태 보고와 함께 핸드오버를 확인하기 위해 RRCConnectionReconfigurationComplete 메시지(C-RNTI, Cell Radio Network Temporary Identity)를 가능할 때마다 타겟 eNB에 전송하여, UE에 대한 핸드오버 절차가 완료되었음을 나타낸다.단계 12에서, 타겟 eNB는, UE가 셀을 변경했다는 것을 통보하기 위해, 경로 스위치 요청 메시지를 MME(Mobility Management Entity)에 전송한다.단계 13에서, MME는 변경 베어러 요청 메시지를 서빙 게이트웨이(SGW)에 전송한다.단계 14에서, 서빙 게이트웨이는 다운링크 데이터 경로를 타겟 측으로 스위칭한다. 서빙 게이트웨이는 오래된 경로 상에서 하나 이상의 "종료 마커" 패킷을 소스 eNB에 전송하고, 그 다음 소스 eNB 쪽으로 임의의 U-플레인/TNL(Transport Network Layer) 리소스들을 릴리스할 수 있다.단계 15에서, 서빙 게이트웨이는 변경 베어러 응답 메시지를 MME에 전송한다.단계 16에서, MME는 경로 스위치 요청 확인응답 메시지로 경로 스위치 요청 메시지를 확인한다.단계 17에서, UE 콘텍스트 릴리스 메시지를 전송함으로써, 타겟 eNB는 HO의 성공을 소스 eNB에 통보하고 소스 eNB에 의한 리소스들의 릴리스를 트리거링한다. 경로 스위치 요청 확인응답 메시지가 MME로부터 수신된 후, 타겟 eNB는 이러한 메시지를 전송한다.단계 18에서, UE 콘텍스트 릴리스 메시지의 수신 시, 소스 eNB는 UE 콘텍스트와 연관된 라디오 및 C-플레인 관련 리소스들을 릴리스할 수 있다. 임의의 진행중인 데이터 포워딩이 계속될 수 있다.도 1에 따르면, 적어도 핸드오버 요청 ack의 수신 이후에, 소스 eNB는 사용자 플레인 데이터 및 SN 상태 전달을 타겟 eNB로 포워딩한다(도 1의 단계들 6 및 8 참조).또한, 도 1에 따르면, 적어도 SN 상태 전달 및 RRCConnectionReconfigurationComplete 메시지의 수신 이후에, 타겟 eNB는 사용자 플레인 데이터를 UE 및 SGW에 포워딩한다(도 1의 단계 8 및/또는 9 내지 11 참조).그러나 SND 환경에서, 오픈플로우 프로토콜 및/또는 Forces 프로토콜은 오늘날 이러한 특징들을 지원할 수 없다.즉, 소스 eNB에 관하여, SDN/오픈플오우/Forces 환경에서, 소스 eNB 제어기(또는 임의의 다른 RAN(Radio Access Network) 제어기)는 소스 eNB의 eNB-U에서 이용가능한 DL 카운트 값 및 UL 카운트 값을 타겟 eNB-C에 현재 전송할 수 없다.또한, 타겟 eNB에 관하여, SDN/오픈플오우/Forces 환경에서, 타겟 eNB 제어기(또는 임의의 다른 RAN 제어기)는 eNB-C에서 이용가능한 DL 카운트 값 및 UL 카운트 값을 타겟 eNB-U에 현재 전송할 수 없다. DL 및 UL 카운트는 패킷들의 정확한 동기화를 위해 타겟 eNB-U에서 요구된다.또한, 현재의 오픈플로우(OF) 규격에 따르면, OF 제어기로 전송될 수 있지만 정의에 따라 핸드오버를 위한 요구에 부응하지 않는 단지 3개의 메시지(즉, 패킷 IN, 제거된 플로우, 포트 상태)가 존재한다는 것이 주목된다. 본 설명의 이해를 용이하게 하기 위해서 하기 이하의 설명이 주시된다:- eNB로부터 UE 쪽으로의 IP 패킷들은 PDCP 프로토콜을 통해 전송되고, eNB로부터 EPC(Evolved Packet Core) 쪽으로의 IP 패킷들은 GTP-U(GPRS Tunneling Protocol User Plane) 프로토콜을 통해 전송된다;- (SN을 전송하는) GTP-U를 통해 전달되는 PDCP PDU(Packet Data Unit) 번호가 TS 29281의 5.2.2.2 장에서 정의되어 있다;- PDCP의 프로토콜의 PDCP의 SN이 TS 36323의 6.2.4 장에 정의되어 있다;- X2 인터페이스 상에서 SN 상태 전송을 통해 전달된 (UL 및 DL) 카운트 값이 TS 36423의 9.1.1.4 장 및 9.2.15 장에 정의되어있다;- S1 인터페이스 상에서 MME/eNB 상태 전송을 통해 전달된 (UL 및 DL) 카운트 값은 TS 36413에 정의되어 있다.
[ 발명의 개요 ]
따라서, 전술한 문제점을 극복하고, 소프트웨어 정의 네트워킹에서의 핸드오버, 예를 들어, 소스 eNB 및 타겟 eNB에서의 X2 및/또는 S1-MME 핸드오버에 이용가능한 장치들, 방법들, 컴퓨터 프로그램들, 컴퓨터 프로그램 물건들 및 컴퓨터 판독가능 매체들을 제공하는 것이 본 발명의 목적이다.본 발명의 양상에 따라, 방법이 제공되는데, 그 방법은,제 1 플레인의 제 1 엔티티에 의해서, 제 1 플레인의 제 1 엔티티에 파라미터를 보고하도록 제 2 플레인의 제 1 엔티티에 요청하는 단계;제 1 플레인의 제 1 엔티티에서, 보고된 파라미터를 수신하는 단계; 및제 1 플레인의 제 1 엔티티에 의해서, 제 1 플레인의 제 2 엔티티에 파라미터를 포워딩하는 단계를 포함한다.본 발명의 다른 양상에 따라, 방법이 제공되는데, 그 방법은, 제 2 플레인의 제 1 엔티티에서, 파라미터를 보고하라는 요청을 수신하는 단계; 및파라미터를 제 1 플레인의 제 1 엔티티에 포워딩하는 단계를 포함한다.본 발명의 다른 양상에 따라, 방법이 제공되는데, 그 방법은,제 1 플레인의 제 2 엔티티에서, 파라미터를 포함하는 메시지를 수신하는 단계;수신된 메시지로부터 파라미터를 리트리브하는 단계; 및리트리브된 파라미터를 제 2 플레인의 제 2 엔티티에 포워딩하는 단계를 포함한다.본 발명의 다른 양상에 따라, 방법이 제공되는데, 그 방법은,제 2 플레인의 제 2 엔티티에서, 파라미터를 포함하는 메시지를 수신하는 단계; 및파라미터를 저장하는 단계를 포함한다.본 발명의 다른 양상에 따라, 장치가 제공되는데, 그 장치는,적어도 하나의 프로세서; 및프로세서에 의해 실행될 명령들을 저장하기 위한 적어도 하나의 메모리를 포함하고,적어도 하나의 메모리 및 명령들은, 적어도 하나의 프로세서를 통해, 장치로 하여금 적어도, 제 1 플레인의 제 1 엔티티에서, 제 1 플레인의 제 1 엔티티에 파라미터를 보고하도록 제 2 플레인의 제 1 엔티티에 요청하고; 제 1 플레인의 제 1 엔티티에서, 보고된 파라미터를 수신하며; 그리고 제 1 플레인의 제 1 엔티티에 의해서, 제 1 플레인의 제 2 엔티티에 파라미터를 포워딩하게 하도록 구성된다.본 발명의 다른 양상에 따라, 장치가 제공되는데, 그 장치는,적어도 하나의 프로세서; 및 프로세서에 의해 실행될 명령들을 저장하기 위한 적어도 하나의 메모리를 포함하고,적어도 하나의 메모리 및 명령들은, 적어도 하나의 프로세서를 통해, 장치로 하여금 적어도, 제 2 플레인의 제 1 엔티티에서, 파라미터를 보고하라는 요청을 수신하고; 그리고 파라미터를 제 1 플레인의 제 1 엔티티에 포워딩하게 하도록 구성된다.본 발명의 다른 양상에 따라, 장치가 제공되는데, 그 장치는,적어도 하나의 프로세서; 및 프로세서에 의해 실행될 명령들을 저장하기 위한 적어도 하나의 메모리를 포함하고,적어도 하나의 메모리 및 명령들은, 적어도 하나의 프로세서를 통해, 장치로 하여금 적어도, 제 1 플레인의 제 2 엔티티에서, 파라미터를 포함하는 메시지를 수신하고; 수신된 메시지로부터 파라미터를 리트리브하며; 그리고 리트리브된 파라미터를 제 2 플레인의 제 2 엔티티에 포워딩하게 하도록 구성된다.본 발명의 다른 양상에 따라, 장치가 제공되는데, 그 장치는,적어도 하나의 프로세서; 및프로세서에 의해 실행될 명령들을 저장하기 위한 적어도 하나의 메모리를 포함하고,적어도 하나의 메모리 및 명령들은, 적어도 하나의 프로세서를 통해, 장치로 하여금 적어도, 제 2 플레인의 제 2 엔티티에서, 파라미터를 포함하는 메시지를 수신하고; 그리고 파라미터를 저장하게 하도록 구성된다.본 발명의 다른 양상에 따라, 장치가 제공되는데, 그 장치는,제 1 플레인의 제 1 엔티티에서, 제 1 플레인의 제 1 엔티티에 파라미터를 보고하도록 제 2 플레인의 제 1 엔티티에 요청하기 위한 수단;제 1 플레인의 제 1 엔티티에서, 보고된 파라미터를 수신하기 위한 수단; 및제 1 플레인의 제 1 엔티티에 의해서, 제 1 플레인의 제 2 엔티티에 파라미터를 포워딩하기 위한 수단을 포함한다.본 발명의 다른 양상에 따라, 장치가 제공되는데, 그 장치는,제 2 플레인의 제 1 엔티티에서, 파라미터를 보고하라는 요청을 수신하기 위한 수단; 및파라미터를 제 1 플레인의 제 1 엔티티에 포워딩하기 위한 수단을 포함한다.본 발명의 다른 양상에 따라, 장치가 제공되는데, 그 장치는,제 1 플레인의 제 2 엔티티에서, 파라미터를 포함하는 메시지를 수신하기 위한 수단;수신된 메시지로부터 파라미터를 리트리브하기 위한 수단; 및리트리브된 파라미터를 제 2 플레인의 제 2 엔티티에 포워딩하기 위한 수단을 포함한다.본 발명의 다른 양상에 따라, 장치가 제공되는데, 그 장치는,제 2 플레인의 제 2 엔티티에서, 파라미터를 포함하는 메시지를 수신하기 위한 수단; 및파라미터를 저장하기 위한 수단을 포함한다.본 발명의 다른 양상에 따라, 컴퓨터의 메모리에 로딩될 때 전술한 바와 같은 방법들 중 임의의 방법의 단계들을 생성하도록 적응되는 코드 수단을 포함하는 컴퓨터 프로그램 물건이 제공된다.본 발명의 또 다른 추가의 양상에 따라, 앞서 정의된 바와 같은 컴퓨터 프로그램 물건이 제공되며, 여기서 컴퓨터 프로그램 물건은 소프트웨어 코드 부분들이 저장되는 컴퓨터 판독가능 매체를 포함한다.본 발명의 또 다른 추가 양상에 따라, 앞서 정의된 바와 같은 컴퓨터 프로그램 물건이 제공되며, 여기서 프로그램은 프로세싱 디바이스의 내부 메모리에 직접 로딩가능하다.본 발명의 예시적인 버전들에 따른 추가의 양상들 및 특징들이 첨부된 청구항들에서 제시된다.
[ 도면의 간단한 설명 ]
이러한 그리고 다른 목적들, 특징들, 세부사항들 및 장점들은, 첨부된 도면과 함께 읽혀질 본 발명의 양상들/실시예들의 이하의 상세할 설명으로부터 더욱 완전히 명확하게 될 것이다.도 1은 제어 플레인에서 사용자 장비의 인트라 E-UTRAN 핸드오버의 경우에 시그널링의 예를 도시하는 시그널링 다이어그램이다.도 2는 본 발명의 특정 실시예들이 적용될 수 있는 예시적인 시나리오를 도시하는 다이어그램이다.도 3은 핸드오버 이전에 다운링크에서 패킷 플로우의 예를 도시하는 다이어그램이다.도 4는 핸드오버 이전에 업링크에서 패킷 플로우의 예를 도시하는 다이어그램이다.도 5는 본 발명의 특정 실시예들에 따라 핸드오버 동안 업링크에서 패킷 플로우의 예를 도시하는 다이어그램이다.도 6은 본 발명의 특정 실시예들에 따라 핸드오버 동안 다운크에서 패킷 플로우의 예를 도시하는 다이어그램이다.도 7은 본 발명의 예시적인 버전들에 따른 방법의 예를 도시하는 흐름도이다.도 8은 본 발명의 예시적인 버전들에 따른 방법의 다른 예를 도시하는 흐름도이다.도 9은 본 발명의 예시적인 버전들에 따른 장치의 예를 도시하는 흐름도이다.도 10은 본 발명의 예시적인 버전들에 따른 방법의 다른 예를 도시하는 흐름도이다.도 11은 본 발명의 예시적인 버전들에 따른 방법의 다른 예를 도시하는 흐름도이다.도 12는 본 발명의 예시적인 버전들에 따른 장치의 다른 예를 도시하는 흐름도이다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
본 발명의 예시적인 양상들이 이하의 본원에서 설명될 것이다. 더 상세히는, 본 발명의 예시적인 양상들은, 특정한 비제한적인 예들 및 본 발명의 고려할 수 있는 실시예들로 현재 간주되는 것을 참조하여 아래에 설명된다. 당업자는 본 발명이 이러한 예들에 결코 제한되지 않으며, 더 광범위하게 적용될 수 있다는 것을 이해할 것이다.본 발명의 아래의 설명 및 그것의 실시예들은, 특정한 예시적인 네트워크 구성들 및 전개들에 대해 비제한적인 예들로서 사용되고 있는 규격을 주로 참조한다는 것이 주시될 것이다. 즉, 본 발명 및 그 실시예들은, 특정 예시적인 네트워크 구성들 및 전개들에 대해 비제한적인 예들로서 사용되고 있는 3GPP 규격들과 관련하여 주로 설명된다. 따라서, 본원에 주어진 예시적인 실시예들의 설명은 이 실시예들과 직접 관련된 용어를 구체적으로 참조한다. 이러한 용어는 제시된 비제한적 예들의 상황에서만 사용되고, 당연히, 본 발명을 어떤 식으로든 제한하지 않는다. 오히려, 임의의 다른 네트워크 구성 또는 시스템 전개 등이 또한, 본원에 설명된 특징들과 호환되는 한 사용될 수 있다.이하에서, 본 발명의 다양한 실시예들 및 구현들 및 그것의 양상들 또는 실시예들이 몇몇 대안들을 사용하여 설명된다. 특정 요구 및 제약들에 따라, 설명된 대안들 모두는 단독으로 또는 임의의 고려할 수 있는 결합(또한 다양한 재안들의 개별 특징들의 결합들을 포함함)으로 제공될 수 있다는 점이 일반적으로 주시된다.앞에서 이미 설명된 바와 같이, 본 발명은 일반적으로, 예를 들어, 모바일 원격 통신 네트워크들에서 사용하기 위한 소프트웨어 정의 네트워킹(SDN)에 관련된다.본 발명의 실시예들은 SDN/오픈플로우 환경에서 eNB 핸드오버를 어떻게 실현할지의 문제를 다룬다. 이하에서, 소스 eNB 및 타겟 eNB 모두가 설명될 것이다. 도 2는 본 발명의 실시예들이 적용될 수 있는 예시적인 시나리오를 도시한다.본 발명의 실시예들이 예시된 예시적인 시나리오에 제한되지 않으며, 임의의 다른 적절한 수의 UE들, eNB들, AP들(액세스 포인트들), 기지국들 및 이들 사이의 임의의 적절한 연결들이 고려될 수 있다는 것이 또한 주시되어야 한다.도 2에 따르면, 제어 플레인의 소스 eNB-C(61) 및 사용자 플레인의 소스 eNB-U(63)가 제공된다. 또한, 제어 플레인의 타겟 eNB-C(64) 및 사용자 플레인의 타겟 eNB-U(66)가 제공된다. 개별 eNB-C들(61 및 64)과 개별 eNB-U들(63 및 66) 사이에, 추가의 기능을 갖는 개별 오픈플로우 제어기들(OFC+)(62 및 65)이 제공된다. 소스 eNB-C(61) 및 타겟 eNB-C(64)는 X2-C 인터페이스를 통해 연결된다. 소스 eNB-C(63) 및 타겟 eNB-C(66)는 X2-U 인터페이스를 통해 연결된다. 또한 개별 LTE-Uu 인터페이스들을 통해 eNB-U들(63 및 66)에 연결된 사용자 장비(UE)(67)가 제공된다. 또한, UE는 도 2에 도시되지 않은 LTE-Uu RRC 인터페이스를 통해 제어 플레인의 eNB-C들(61 및 64)에 연결될 수 있다.소스 eNB우선, 소스 eNB에서의 거동이 본 발명의 특정 실시예들에 따라 설명될 것이다.전술한 문제를 극복하기 위해, 본 발명의 특정 실시예들에 따라, "eNB 상태 전달" 및/또는 "MME 상태 전달"(예를 들어, 3GPP TS 36.413의 9.2.1.31 장을 참조)에서 수행된 "eNB 상태 전달 투명 컨테이너"에서 정의된 바와 같이, 적어도, 소위 UL 카운트 및 DL 카운트 값들이, 예를 들어, 오픈플로우 또는 Forces처럼, eNB-C/OFC+에 의해 우선 요청되고 SDN 인에이블링 프로토콜로 맵핑되어서, 타겟 eNB로의 데이터 포워딩이 시작되었거나 시작되려고 하는 경우, 소스 eNB의 분리된 사용자 플레인이 UL 및 DL 카운트 값들을 소스 eNB 제어 플레인 애플리케이션에 보고할 수 있게 되는 것이 제안된다.일반적으로, (TS 36 423에 정의된 바와 같이) 소스 eNB로부터 타겟 eNB로 전송되는 "SN 상태 전달"로 불리는 X2 기반 메시지에 동일하게 적용된다.도 2에 도시된 바와 같이, eNB-C에서의 핸드오버 요청 ACK의 수신을 통해서, eNB-C는 OpenFlow Mod_Flow message로 OFC+를 통해 eNB-U에게 UE로 예정된/UE로부터 소싱된 UL 및 DL 패킷들을 스위칭/재지향시키도록 명령하여 이들이 타겟 eNB로 포워딩되게 한다.더욱이, 송신기/수신기 상태가 정지 상태일 때, 즉 송신기/수신기가 DL을 위해 PDCP SN들을 패킷 SDU들(서비스 데이터 유닛)에 할당하는 것을 중단했을 때(또는 중단할 때) 그리고 EPC 쪽으로 UL 패킷들의 전달을 중단했을 때(또는 중단할 때), eNB-C는 UL/DL 카운트 값들을 eNB-C에 보고하도록 eNB-U에 요청한다. (카운트 값들을 보고하는 새로운 독점적인 오픈플로우 메시지 또는 이러한 개별 패킷들(및 후속 패킷들)의 재지향에 의해 특히 트리거링되는 인위적인 오픈플로우 "패킷 인" 메시지 중 어느 하나를 통해)UL/DL 카운트 값의 대응하는 보고가 eNB-C에서 수신되면, 카운트 값들이 X2 SN 상태 전달 메시지로 삽입되고 타겟 eNB-C로 전송된다.이러한 중요한 사용 사례는, 인트라 E-UTRAN 핸드오버의 지원이지만, 동일한 솔루션이 또한 S1 기반 핸드오버에도 잘 적용될 수 있다.동일한 원리들이 일반적으로, 과거에 이미 알려져 있는 것들과 같은 임의의 다른 RAN 엘리먼트, 예를 들어 BTS 등은 물론, LTE-A 및 5G 등과 같은 장래의 것들에도 적용될 수 있다.대안적으로, 본 발명의 특정 실시예들에 따르면, 소스 eNB-C는 몇몇 인위적인 "패킷 인" 메시지를 통해 사용자 플레인으로부터 제어 플레인까지 제 1 패킷만을 또는 모든 패킷들을 전송하도록 요청할 수 있다. 이러한 경우, 오픈플로우 제어기는 조정된 패킷들을 저절로 새로운 목적지 쪽으로 지향시킬 수 있다. 이는 PDCP가 매칭될 수 있도록 오픈플로우 프로토콜이 변경될 필요가 있음을 요구할 수 있다는 것이 인정된다.그러나 이러한 대안적인 솔루션은, 오픈플로우 제어 채널 및 오픈플로우 제어기 및 제어 플레인에 영향을 미칠 것이다. 이하에서, 본 발명의 특정 실시예들은 도 3 내지 6을 참조하여 상세하게 설명될 것이다.도 3은 핸드오버 이전에 사용자 플레인에서 다운링크의 패킷 플로우의 예를 도시한다.도 3에 도시된 바와 같이, 핸드오버 이전에, 소스 eNB는 LTE-Uu 인터페이스를 통해 UE에만 PDCP 패킷들을 포워딩하고 있다.도 4는 핸드오버 이전에 사용자 플레인에서 업링크의 패킷 플로우의 예를 도시한다.도 4에 도시된 바와 같이, 핸드오버 이전에, 소스 eNB는 GTP 패킷들을 SGW에만 포워딩하고 있다.소스 eNB에서 핸드오버 요청 ACK의 수신을 통해(또는 적어도 수신 이후에), 핸드오버가 전술한 바와 같이, 소스 eNB에서 시작된다.도 5는 핸드오버 동안 업링크의 패킷 플로우의 예를 도시한다. [업링크]전술한 도 2에 도시된 바와 같이, 새로운 플래그 "타겟 eNB로의 업링크 스위칭"을 오픈플로우 메시지 "AddFlow" 또는 "ModFlow"로 삽입함으로써, 제어 플레인의 소스 eNB-C는, 도 5에 도시된 바와 같이, OFC+를 통해 사용자 플레인의 소스 eNB-U에 명령하여 GTP-U 패킷들을 SGW로 직접 전송하는 것에서 GTP-U 패킷들을 타겟 eNB에 전송하는 것으로 스위칭하게 한다.이는 S eNB-U가 아래 사항을 수행할 것을 요구한다: a) PDCP SN들을 할당하고 이를 타겟 eNB에 대한 GTP-U 확장 "PDCP PDU 번호"에 삽입하면서, S1-U 인터페이스를 통해 직접 타겟 eNB 및 SGW로 동시에 특정 시간 기간 동안 업링크 GTP-U 패킷들을 전송하는 것을 시작,b) 그 다음, (일정 시간 기간(t) 이후에) SGW 쪽으로 직접 업링크 패킷들을 전송하는 것을 중단하고, 동시에 PDCP SN들을 할당하고 이를 타겟 eNB에 대한 GTP-U 확장 "PDCP PDU 번호"에 삽입하는 것을 중단, 및c) 예를 들어, 인위적인 오픈플로우 메시지 "패킷 인"(그러나 스위치에서 버퍼 및 버퍼 ID를 할당하지 않음)을 통해, S1-U 인터페이스를 거쳐 전송되지 않았고 GTP-U 확장 "PDCP PDU 번호"에서 PDCP SN들에 삽입되지 않은 제 1 SN 번호를 OFC/eNB-C에 보고/통지. 따라서, 이 경우, 소스 eNB-U는 SN 번호를 OFC/eNB-C에 보고한다. 이어서, OFC/eNB-C는 이를 "SN 상태 전달" 또는 "eNB 상태 전달"로 삽입하며, 이는 (가능하게는 MME를 통해) 타겟 eNB-C로 전송된다.도 6은 핸드오버 동안 다운링크에서 패킷 플로우의 예를 도시한다.[다운링크]새로운 플래그 "타겟 eNB로의 다운링크 스위칭"을 오픈플로우 메시지 "AddFlow" 또는 "ModFlow"로 삽입함으로써, 소스 eNB-C는 OFC+를 통해 소스 eNB-U에 명령하여 도 6에 도시된 바와 같이 PDCP 패킷들을 UE로 직접 전송하는 것에서 PDCP 패킷들을 타겟 eNB를 통해 전송하는 것으로 스위칭하게 한다. 이는 S eNB-U가 아래 사항을 수행할 것을 요구한다:a) PDCP SN들을 할당하고 GTP-U 확장 "PDCP PDU 번호"에 삽입하면서, 특정 시간 기간 동안 PDCP 패킷들을 동시에 LTE-Ue 인터페이스를 통해 직접 타겟 eNB 및 UE에 전송하는 것을 시작, b) 그 다음 UE 쪽으로 직접 다운링크 패킷들을 전송하는 것을 중단하고, 동시에 PDCP SN들을 할당하고 이를 GTP-U 확장 "PDCP PDU 번호"에 삽입하는 것을 중단, 및c) 예를 들어, 인위적인 오픈플로우 메시지 "패킷 인"(그러나 스위치에서 버퍼 및 버퍼 ID를 할당하지 않음)을 통해, LTE-Uu 인터페이스를 거쳐 전송되지 않았고 GTP-U 확장 "PDCP PDU 번호"에서 PDCP SN들에 삽입되지 않은 제 1 SN 번호를 OFC/eNB-C에 보고/통지. 따라서, 이 경우, 소스 eNB-U는 SN 번호를 OFC/eNB-C에 보고한다. 이로써, OFC/eNB-C는 이를 "SN 상태 전달" 또는 "eNB 상태 전달"로 삽입하며, 이는 (가능하게는 MME를 통해) 타겟 eNB로 전송된다. 본 발명의 특정 실시예들에 따르면, S-eNB에서의 이하의 새로운 오픈플로우 동작들 및 매치들이 제안된다.새로운 동작으로서, (UL 및 DL의 경우) 소스 eNB-U에서 SN을 가진 PDCP PDU를 (길이 및 콘텐츠를 가진) GTP-U로 푸싱하는 것이 제안된다.새로운 매치 필드로서, 예를 들어, 인위적인 오픈플로우 "패킷 인" (그러나 스위치에서 버퍼 및 버퍼 ID를 할당하지 않음)을 통해 SN을 제어기로 보고/통지하는 것이 제안되며, 이 경우 PDCP가 부가적으로 재지향되는데, 예를 들어, 소스 eNB-U는 더 이상 UE 또는 SGW로는 아니지만 타겟 eNB에 패킷들을 전송하는 eNB-C/오픈플로우 제어기에 SN을 보고한다. 대안적으로, 새로운 매치 필드로서, 모든 후속하는 패킷들에서 SN을 제어기에 보고/통보하는 것이 제안된다. 즉, 이미 전술한 바와 같이, 소스 eNB-C는 몇몇 인위적인 "패킷 인" 메시지를 통해 사용자 플레인으로부터 제어 플레인까지 제 1 패킷만을 또는 모든 패킷들을 전송하도록 요청할 수 있다.즉, S eNB-C는 시퀀스 번호에 대한 관념을 획득할 필요가 있고, 이는 해당 시퀀스 번호(예를 들어, 파라미터)만의 명백한 보고에 의해 또는 전체 패킷의 일부로서 시퀀스 번호를 OFC+/eNB-C에 전달하는 인위적인 패킷 인 메시지를 통해 달성될 수 있다. S eNB-C는 시퀀스 번호만을 위해 "패킷 인 메시지"에서 탐색할 수 있고, 이를 추출할 수 있고, 이를 GTP-C를 통해 T eNB-C에 전송할 수 있는 반면, 패킷 인 메시지의 나머지는 S-eNB-C에서 폐기될 수 있다.따라서, 특히, 이로써, 제어기가 임의의 조정된 패킷을 새로움 목적지 그 자체 쪽으로 재지향시키는 것은 요구되지 않는다. 그러나 제어기가 이미 (제 1 또는) 모든 패킷들을 수신했고, 제어기가 이미 절차에 수반되기 때문에, 제어기는 페이로드를 T eNB-U에 포워딩하기 위해 "패킷 아웃" 메시지(이는 사용자 플레인에게 "패킷 아웃" 메시지의 패킷 또는 버퍼링된 패킷들을 전송하도록 명령함)를 사용할 수 있다. 이와 관련하여, "패킷 인" 메시지는, 사용자 플레인이 이러한 (페이로드) 패킷에 어떻게 동작할지에 대한 규칙/명령을 갖지 않는 (알려지지 않은) 패킷의 수신을 통상 보고하는 오픈플로우 내의 메시지라는 것이 주시된다. 이러한 특정한 경우, 사용자 플레인은 (알려지지 않은) 전체 패킷(또는 심지어 그 이상)을 제어기에 전송하고, 또한 추가적으로 이러한 패킷 및 임의의 후속 패킷들을 버퍼링하며, 예를 들어, 아웃고잉 포트를 통해 특정 목적지로 버퍼링된 패킷들을 전송하거나 이들을 폐기하기 위한 것과 같은 제어기로부터의 추가의 명령들, 또는 무엇이든 제어기가 필요로 할 수 있는 것을 대기한다. 위에서는, 본 발명의 특정 실시예들이 오픈플로우 프로토콜에 관해 상세하게 설명되었다. 아래에서, 본 발명의 특정 실시예들의 더욱 일반적인 설명이 도 7 내지 9와 관련하여 행해진다.도 7은 본 발명의 예시적인 버전들에 따른 방법의 예를 나타내는 흐름도이다.본 발명의 예시적인 버전들에 따라, 이 방법은 제 1 플레인의 제 1 엔티티에서 구현될 수 있고, 단계 S71에서, 제 1 플레인의 제 1 엔티티에 의해서, 제 1 플레인의 제 1 엔티티에게 파라미터를 보고하라고 제 2 플레인의 제 1 엔티티에게 요청하는 것, 단계 S72에서, 보고된 파라미터를 제 1 플레인의 제 1 엔티티에서 수신하는 것, 및 단계 S73에서, 제 1 플레인의 제 1 엔티티에 의해서, 파라미터를 제 1 플레인의 제 2 엔티티에 포워딩하는 것을 포함한다.본 발명의 예시적인 버전들에 따라, 이 방법은 제 1 플레인의 제 1 엔티티와 제 2 플레인의 제 1 엔티티 사이에 위치된 제어기에 전송될 모든 패킷들을 요청하는 것을 더 포함한다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 이 방법은, 제 1 플레인의 제 1 엔티티에 의해서, 단말로부터 소싱된 데이터 패킷들을 제 2 플레인의 제 2 엔티티로 재지향시키도록 제 2 플레인의 제 1 엔티티에 명령하는 것을 더 포함한다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 이 방법은, 제 1 플레인의 제 1 엔티티에 의해서, 단말에 직접 데이터 패킷들을 송신하는 것에서 제 2 플레인의 제 2 엔티티를 통해 데이터 패킷들을 송신하는 것으로 스위칭하도록 제 2 플레인의 제 1 엔티티에 명령하는 것을 더 포함한다.도 8은 본 발명의 예시적인 버전들에 따른 방법의 다른 예를 도시하는 흐름도이다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 이 방법은, 제 2 플레인의 제 1 엔티티에서 구현될 수 있고, 단계 S81에서, 제 2 플레인의 제 1 엔티티에서 파라미터를 보고하라는 요청을 수신하는 것, 및 단계 S82에서, 파라미터를 제 1 플레인의 제 1 엔티티로 포워딩하는 것을 포함한다. 본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 이 방법은, 단말로부터의 데이터 패킷들을 제 2 플레인의 제 2 엔티티로 재지향시키기 위한 명령을 제 2 플레인의 제 1 엔티티에서 수신하는 것, 미리 결정된 시간 기간 동안 제 2 플레인의 제 2 엔티티 및 네트워크 엘리먼트 쪽으로 동시에 업링크 패킷들을 송신하는 것, 및 제 2 플레인의 제 2 엔티티에 송신되는 데이터 패킷들에 파라미터를 할당하는 것을 더 포함한다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 이 방법은 미리 결정된 시간 기간이 경과한 이후에 업링크 데이터 패킷들을 네트워크 엘리먼트에 송신하는 것을 중단하고, 제 2 플레인의 제 2 엔티티에 송신되는 데이터 패킷들에 파라미터들을 할당하는 것을 중단하는 것을 더 포함한다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 이 방법은, 제 2 플레인의 제 1 엔티티에 의해서, 네트워크 엘리먼트에 송신되지 않았고 제 2 플레인의 제 2 엔티티에 송신되는 데이터 패킷에 삽입되지 않은 제 1 파라미터를 제 1 플레인의 제 1 엔티티에 보고하는 것을 더 포함한다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 이 방법은, 제 1 플레인의 제 1 엔티티와 제 2 플레인의 제 1 엔티티 사이에 위치된 제어기로, 제 2 플레인의 제 1 엔티티가 모든 패킷들을 송신하는 것을 더 포함한다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 이 방법은, 데이터 패킷들을 단말로 직접 송신하는 것에서 제 2 플레인의 제 2 엔티티를 통해 데이터 패킷을 송신하는 것으로 스위칭하라는 제 1 플레인의 제 1 엔티티로부터의 명령을 제 2 플레인의 제 1 엔티티에서 수신하는 것, 미리 결정된 시간 기간 동안 단말 및 제 2 플레인의 제 2 엔티티 쪽으로 동시에 다운링크 데이터 패킷들을 송신하는 것, 및 제 2 플레인의 제 2 엔티티에 송신되는 데이터 패킷들에 파라미터를 할당하는 것을 더 포함한다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 이 방법은, 특정 시간 기간이 경과한 이후에 다운링크 데이터 패킷들을 단말에 송신하는 것을 중단하고, 제 2 플레인의 제 2 엔티티에 송신되는 데이터 패킷들에 파라미터를 할당하는 것을 중단하는 것을 더 포함한다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 이 방법은, 제 2 플레인의 제 1 엔티티에 의해서, 단말에 송신되지 않았고 제 2 플레인의 제 2 엔티티에 송신되는 데이터 패킷에 삽입되지 않은 제 1 파라미터를 제 1 플레인의 제 1 엔티티에 보고하는 것을 더 포함한다.도 9는 본 발명의 예시적인 버전들에 따른 장치의 예를 도시하는 블록도이다.도 9에서, 본 발명의 전술한 양상들을 구현하도록 구성된 장치(90)의 구성을 도시하는 블록 회로 다이어그램이 도시된다. 도 9에 도시된 장치(90)는, 이하의 본원에서 설명된 것 외에도 몇몇 추가의 엘리먼트들 또는 기능들을 포함할 수 있으며, 이들은 본 발명의 이해를 위해 필수적이지 않기 때문에 간략화를 위해 본원에서 생략된다는 것이 주시될 것이다. 더욱이, 장치는 또한 유사한 기능을 갖는 다른 디바이스, 예컨대 칩셋, 칩, 모듈 등일 수 있으며, 이들은 또한 장치의 일부이거나 장치에 대해 별개의 엘리먼트로서 부착되는 식일 수 있다.장치(90)는 프로세싱 기능 또는 프로세서(91), 예컨대 CPU 등을 포함할 수 있고, 이는 플로우 제어 메커니즘에 관련된 프로그램 등에 의해 주어진 명령들을 실행한다. 프로세서(91)는 아래 설명되는 바와 같이 특정 프로세싱에 전용되는 하나 이상의 프로세싱 부분들을 포함할 수 있거나, 프로세싱은 단일 프로세서에서 실행될 수 있다. 이러한 특정 프로세싱을 실행하기 위한 부분들이 또한 개별 엘리먼트로서 또는 하나 이상의 추가의 프로세서들 또는 프로세싱 부분들 내에, 예컨대, 이를테면 CPU와 같은 하나의 물리적 프로세서에 또는 몇몇 물리적 엔티티들에 제공될 수 있다. 참조 부호 92는 프로세서(91)에 연결된 입력/출력(I/O) 유닛들(인터페이스들) 또는 트랜시버를 나타낸다. I/O 유닛들(92)은 하나 이상의 다른 네트워크 엘리먼트들, 엔티티들, 단말들 등과 통신하기 위해 사용될 수 있다. I/O 유닛들(92)은 몇몇 네트워크 엘리먼트들 쪽으로의 통신 장비를 포함하는 결합형 유닛일 수 있거나, 상이한 네트워크 엘리먼트들에 대해 복수의 상이한 인터페이스들을 갖는 분산형 구조를 포함할 수 있다. 참조 부호 93은 예를 들어, 프로세서(91)에 의해 실행될 데이터 및 프로그램들을 저장하기 위해 그리고/또는 프로세서(91)의 작업 저장소로서 사용가능한 메모리를 나타낸다.프로세서(91)는 전술한 양상들과 관련된 프로세싱을 실행하도록 구성된다. 특히, 장치(90)는 제 1 플레인의 제 1 엔티티의 일부일 수 있거나 그 제 1 엔티티에 구현될 수 있고, 도 7과 관련하여 설명된 방법을 수행하도록 구성될 수 있다. 따라서, 프로세서(91)는, 제 1 플레인의 제 1 엔티티에 의해서, 제 1 플레인의 제 1 엔티티에 파라미터를 보고하라고 제 2 플레인의 제 1 엔티티에 요청하는 것, 보고된 파라미터를 제 1 플레인의 제 1 엔티티에서 수신하는 것, 및 제 1 플레인의 제 1 엔티티에 의해서, 파라미터를 제 1 플레인의 제 2 엔티티에 포워딩하는 것을 수행하도록 구성된다. 본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 장치(90)는 제 2 플레인의 제 1 엔티티의 일부일 수 있거나 그 제 1 엔티티에 구현될 수 있고, 도 8과 관련하여 설명된 방법을 수행하도록 구성될 수 있다. 그 다음, 프로세서(91)는 파라미터를 보고하라는 요청을 제 2 플레인의 제 1 엔티티에서 수신하고, 제 1 플레인의 제 1 엔티티에 파라미터를 포워딩하는 것을 수행하도록 구성된다.따라서, 본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 두 장치들(90)이 제공되는데, 하나는 제 1 플레인의 제 1 엔티티를 위한 것이고, 하나는 제 2 플레인의 제 1 엔티티를 위한 것이며, 장치들 각각은 도 9에 예시된 바와 같은 구조를 갖는다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 제 1 플레인의 제 1 엔티티 및 제 1 플레인의 제 2 엔티티는 제 1 플레인의 제 1 엔티티의 기능 및 제 1 플레인의 제 2 엔티티의 기능을 포함하는 공통 엔티티에 공동 위치된다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 제 1 엔티티는 핸드오버를 개시하는 소스 엔티티이고, 제 2 엔티티는 핸드오버가 수행되는 타겟 엔티티이다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 파라미터는 카운트 값이다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 엔티티는 기지국이다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 제 1 플레인은 제어/관리 플레인이고 제 2 플레인은 사용자 플레인이다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 네트워크 엘리먼트는 게이트웨이 기능을 갖는 네트워크 엘리먼트이고, 단말은 사용자 장비, 서버, 애플리케이션 또는 게이트웨이이다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 사용자 장비로의 데이터 패킷들은 패킷 데이터 컨버전스 프로토콜에 따라 송신되고, 게이트웨이 또는 기지국으로의 데이터 패킷들은 GTP 사용자 데이터 터널링 프로토콜에 따라 송신된다.타겟 eNB이제, 타겟 eNB에서의 거동이 본 발명의 특정 실시예들에 따라 설명될 것이다.일반적으로, 타겟 eNB 측에서는, 타겟 eNB-C가 DL 및 UL 카운트 값을 eNB-U에 전송해야 한다는 것이 제안된다. eNB-U는 이들을 저장해야 하고, DL 및 UL 베어러에서 이 값들을 사용해야 한다.도 2에 도시된 바와 같이, X2 SN 상태 전달 메시지의 수신 시, 타겟 eNB-C(64)는 UL/DL 카운트 값들을 리트리브하고, 이들을 새로운 독점적 파라미터들의 오픈플로우 메시지 "Mod-Flow"와 함께, OFC+65를 통해 eNB-U(66) 쪽으로 전송한다. 타겟 eNB-U(66)에서 새로운 독점적 파라미터들(대응하는 PDCP SN을 갖는 UL/DL 카운트 값)과 함께 오픈플로우 메시지 "Mod-Flow"의 수신 시, eNB-U(66)는 대응하는 값들을 저장한다. 다운링크의 경우, DL 카운트 값이 오픈플로우 메시지 "Flow_Mod"에서 수신되는 각각의 베어러에 대해, 타겟 eNB-U(66)는 이를, 새로운 독점적 파라미터에 포함된 값과 함께, (GTP-U에서) 아직 할당된 PDCP SN이 존재하지 않는 제 1 다운링크 패킷을 마킹하기 위해 이용할 것이다. 임의의 후속 패킷에 대해, PDCP SN이 증가된다.업링크의 경우, UL 카운트 값이 오픈플로우 메시지 "Flow_Mod"에서 수신되는 각각의 베어러에 대해, 타겟 eNB-U(66)는 UL 카운트의 PDCP-SN IE에 포함된 값보다 낮은 PDCP SN을 갖는 임의의 업링크 패킷을 (SGW에) 전달하지 않을 것이다.이러한 중요한 사용 사례는, 인트라 E-UTRAN 핸드오버의 지원이지만, 동일한 솔루션이 또한 S1 기반 핸드오버에도 잘 적용될 수 있다.동일한 원리들이 일반적으로, 과거에 이미 알려져 있는 것과 같은 임의의 다른 RAN 엘리먼트, 예를 들어, BTS 등은 물론, LTE-A 및 5G 등과 같은 미래의 것들에도 적용될 수 있다.대안적으로, 타겟 eNB-C(64)에서 업링크 및 다운링크 두 경우 모두에 대해, eNB-U(66)는 (T eNB-C로부터의) 요청 시, OFC+(65)를 통해 eNB-C(64)로 임의의 패킷을 포워딩할 수 있는데, OFC+(65)는 카운트 값을 검사할 수 있고, 변경되지 않은 패킷을 (개별 목적지를 쪽으로의) 오픈플로우 "패킷 아웃"을 통해 eNB-U(66)로 되돌려 포워딩하거나 패킷을 폐기할 수 있다. 그러나 이러한 대안적인 솔루션은, 오픈플로우 제어 채널 및 오픈플로우 제어기 및 제어 플레인에 영향을 미칠 것이다.이하에서, 본 발명의 특정 실시예들은 도 3 내지 6을 참조하여 상세하게 설명될 것이다.핸드오버 이전에 사용자 플레인에서 다운링크 및 업링크에서의 패킷 플로우는 소스 eNB와 관련하여 이미 전술한 것과 동일하다. 따라서, 이와 관련하여 도 3 및 4에 대해 그리고 이들의 개별 설명에 대해 참조가 이뤄진다.도 3에 도시된 바와 같이, 다운링크의 경우, 핸드오버 이전에는, 소스 eNB가 LTE-Uu 인터페이스를 통해 UE에만 PDCP 패킷들을 포워딩하고 있다.도 4에 도시된 바와 같이, 업링크의 경우, 핸드오버 이전에는, 소스 eNB가 GTP 패킷들을 SGW에만 포워딩하고 있다.SN 상태 전달 또는 MME 상태의 수신으로 인해, 핸드오버가 타겟 eNB-C에서 시작된다. 도 5는 핸드오버 동안 업링크의 패킷 플로우의 예를 도시한다. 타겟 eNB-C/OFC+와 관련하여, “SN 상태 전달” 또는 “MME 상태 전달” 메시지의 수신 시, 타겟 eNB-C/OFC+는 오픈플로우 메시지 “AddFlow” 또는 “Modflow”로 타겟 eNB-U에 SN 번호를 보고/통지한다. 그 다음, 타겟 eNB-U에서, 절차 및 새로운 동작을 비교하는 새로운 오픈플로우가 요구된다. 새로운 '비교 성능'을 가진 새로운 매치 필드가 GTP-U 확장 "PDCP PDU 번호"의 PDCP SN들의 콘텐츠를 오픈플로우를 통해 수신된 SN 번호와 비교할 수 있다.GTP-U 번호가 오픈플로우를 통해 수신된 SN 번호와 동일하거나 이보다 크면, 패킷들은 SGW로 포워딩된다. 그러지 않으면, 패킷들은 SGW 쪽으로 전송되지 않는다.새로운 매치 필드로서, 임의의 후속 패킷들을 제어기로 보고/통지하는 것이 제안되어서, 제어기는 독자적으로 패킷들을 폐기하거나 이들을 예를 들어, 패킷 아웃 메시지와 함께 개별 목적지로 포워딩할 수 있다.현재의 규격에 따르면, 오픈플로우 동작들은 단순 매칭의 경우에, 즉 GTP-U 번호가 SN 번호에 매칭될 경우에 단지 트리거링된다.따라서, 새로운 매칭 절차/새로운 비교 규칙들이 제안되며, 새로운 매칭 절차는 GTP-U 번호와 SN 번호를 비교하고, GTP-U 번호가 SN 번호보다 작거나 큰지를 밝히거나, GTP-U 번호가 SN 번호와 동일하거나 이보다 작은지 또는 SN 번호와 동일하거나 이보다 큰지를 밝힐 수 있다. 추가로, 전술한 새로운 비교 규칙들의 결과에 기초하여, 일부 새로운 동작들, 소위, 무시 또는 동작/전송이 제안된다. 예를 들어, 전술한 바와 같이, GTP-U 번호가 오픈플로우를 통해 수신된 SN 번호와 동일하거나 이보다 크면, 패킷들은 SGW로 포워딩된다. 그러지 않고, GTP-U 번호가 오픈플로우를 거쳐 수신된 SN 번호보다 작으면, 패킷들이 무시된다, 즉 SGW로 전송되지 않는다.도 5는 업링크에 대한 경우를 도시하며, 여기서 타겟 eNB는 GTP-U로부터의 PDCP PDU(길이와 콘텐츠를 가짐)를 SGW 쪽으로 포워딩한다.도 6은 핸드오버 동안 다운링크에서 패킷 플로우의 예를 도시한다. 타겟 eNB-U와 관련하여, “SN 상태 전달” 또는 “MME 상태 전달” 메시지의 수신 시, 타겟 eNB-C/OFC+는 오픈플로우 메시지 “AddFlow” 또는 “Modflow”로 타겟 eNB-U에 SN 번호를 보고/통지한다. 그 다음, 타겟 eNB-U에서, 절차 및 새로운 동작을 비교하는 새로운 오픈플로우가 요구된다. 새로운 '비교 성능'을 가진 새로운 매치 필드가 GTP-U 확장 "PDCP PDU 번호"의 PDCP SN들의 콘텐츠를 오픈플로우를 통해 수신된 SN 번호와 비교할 수 있다.GTP-U 번호가 오픈플로우를 통해 수신된 SN 번호와 동일하거나 이보다 크면, 패킷들은 UE로 포워딩된다. 그러지 않으면, 패킷들은 UE 쪽으로 전송되지 않는다.현재의 규격에 따르면, 전술한 바와 같이, 오픈플로우 동작들은 단순 매칭의 경우에, 즉 GTP-U 번호가 SN 번호에 매칭될 경우에 단지 트리거링된다.따라서, 새로운 매칭 절차/새로운 비교 규칙들이 제안되며, 새로운 매칭 절차는 GTP-U 번호와 SN 번호를 비교하고, GTP-U 번호가 SN 번호보다 작거나 큰지를 밝히거나, GTP-U 번호가 SN 번호와 동일하거나 이보다 작은지 또는 SN 번호와 동일하거나 이보다 큰지를 밝힐 수 있다. 추가로, 전술한 새로운 비교 규칙들의 결과에 기초하여, 일부 새로운 동작들, 소위, 무시 및 동작/전송이 제안된다.예를 들어, 전술한 바와 같이, 타겟 eNB-U는, 전술한 비교 규칙들에 기초하여, 오픈플로우를 통해 수신된 바와 같은 SN 번호보다 낮은 SN 번호를 갖는 PDCP 패킷들을 무시한다.더욱이, 타겟 eNB-U는, 위의 비교 규칙들에 기초하여, 오픈플로우를 통해 수신된 바와 같은 SN 번호보다 작지 않는 SN 번호를 갖는 PDCP 패킷들을 UE로 전송한다(그리고, 각각의 PDCP 패킷들을 갖는 SN 번호를 증가시킨다).따라서, 본 발명의 특정 실시예들에 따라, 다운링크에서, 타겟 eNB는 PDCP 패킷에 대한 (GTP-U로부터의) PDCP PDU를 UE 쪽으로 푸싱한다.위에서는, 본 발명의 특정 실시예들이 오픈플로우 프로토콜에 관해 상세하게 설명되었다. 아래에서, 본 발명의 특정 실시예들의 더욱 일반적인 설명이 도 10 내지 12와 관련하여 행해진다.도 10은 본 발명의 예시적인 버전들에 따른 방법의 예를 도시하는 흐름도이다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 이 방법은 제 1 플레인의 제 2 엔티티에서 구현될 수 있으며, 단계 S101에서, 제 1 플레인의 제 2 엔티티에서 파라미터를 포함하는 메시지를 수신하는 것, 단계 S102에서, 수신된 메시지로부터 파라미터를 리트리브하는 것, 및 단계 S103에서, 리트리브된 파라미터를 제 2 플레인의 제 2 엔티티로 포워딩하는 것을 포함한다.도 11은 본 발명의 예시적인 버전들에 따른 방법의 다른 예를 도시하는 흐름도이다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 방법은 또한 제 2 플레인의 제 2 엔티티에서 구현될 수 있고, 그리고 단계 S111에서, 파라미터를 포함하는 메시지를 제 2 플레인의 제 2 엔티티에서 수신하는 것, 및 단계 S112에서, 파라미터를 저장하는 것을 포함한다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 방법은 파라미터가 할당되는 데이터 패킷을 제 2 플레인의 제 1 엔티티로부터 제 2 플레인의 제 2 엔티티에서 수신하는 것, 및 저장된 파라미터를 수신된 데이터 패킷에 할당된 파라미터와 비교하는 것을 더 포함한다. 본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 방법은, 만약 데이터 패킷에 할당된 파라미터가 저장된 파라미터와 동일하거나 그 보다 크다고 결정되면, 파라미터가 할당된 데이터 패킷을 네트워크 엘리먼트에 포워딩하는 것을 더 포함한다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 방법은, 만약 데이터 패킷에 할당된 파라미터가 저장된 파라미터와 동일하거나 그 보다 크다고 결정되면, 파라미터가 할당된 데이터 패킷을 단말에 포워딩하는 것을 더 포함한다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 방법은, 만약 데이터 패킷에 할당된 파라미터가 저장된 파라미터와 동일하거나 그 보다 작다고 결정되면, 파라미터가 할당된 데이터 패킷을 무시하는 것을 더 포함한다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 제1 플레인의 제 1 엔티티 및 제 1 플레인의 제 2 엔티티는 제 1 플레인의 제 1 엔티티의 기능 및 제1 플레인의 제 2 엔티티의 기능을 포함하는 공통 엔티티에 공동 위치된다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 제 1 엔티티는 핸드오버를 개시하는 소스 엔티티이고, 제 2 엔티티는 핸드오버가 수행되는 타겟 엔티티이다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 엔티티는 기지국이다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 제 1 플레인은 제어/관리 플레인이고 제 2 플레인은 사용자 플레인이다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 네트워크 엘리먼트는 게이트웨이 기능을 갖는 네트워크 엘리먼트이고, 단말은 사용자 장비, 서버, 애플리케이션 또는 게이트웨이이다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 파라미터는 카운트 값이다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 사용자 장비로의 데이터 패킷들은 패킷 데이터 컨버전스 프로토콜에 따라 송신되고, 게이트웨이 또는 기지국으로의 데이터 패킷들은 GTP 사용자 데이터 터널링 프로토콜에 따라 송신된다.도 12는 본 발명의 예시적인 버전들에 따른 장치의 예를 도시하는 블록도이다.도 12에서, 장치(120)의 구성을 도시하는 블록 회로도가 도시되어 있는데, 그 장치는 본 발명의 위에 설명된 양상들을 구현하도록 구성된다. 도 12에 도시된 장치(120)는 아래에서 본원에 설명되는 것들 외에도 몇몇 추가 엘리먼트들 또는 기능들을 포함할 수 있고, 이들은 본 발명을 이해하기 위해 필수적이지 않기 때문에 간략성을 위해서 본원에서 생략된다는 것이 주시될 것이다. 더욱이, 장치는 또한 유사한 기능을 갖는 다른 디바이스, 예컨대 칩셋, 칩, 모듈 등일 수 있으며, 이는 또한 장치의 일부이거나 장치에 대해 별개의 엘리먼트로서 부착되는 식일 수 있다.장치(120)는 플로우 제어 메커니즘에 관련된 프로그램 등에 의해서 제공되는 명령들을 실행하는 프로세싱 기능 또는 프로세서(121), 이를테면 CPU 등을 포함할 수 있다. 프로세서(121)는 아래에서 설명되는 바와 같은 특정 프로세싱에 전용되는 하나 이상의 프로세싱 부분들을 포함할 수 있거나, 프로세싱은 단일 프로세서에서 실행될 수 있다. 이러한 특정 프로세싱을 실행하기 위한 부분들이 또한 개별 엘리먼트로서 또는 하나 이상의 추가의 프로세서들 또는 프로세싱 부분들 내에, 예컨대, 이를테면 CPU와 같은 하나의 물리적 프로세서에 또는 몇몇 물리적 엔티티들에 제공될 수 있다. 참조 부호 122는 프로세서(121)에 연결된 트랜시버 또는 입력/출력(I/O) 유닛들(인터페이스들)을 나타낸다. I/O 유닛들(122)은 하나 이상의 다른 네트워크 엘리먼트들, 엔티티들, 단말들 등과 통신하기 위해 사용될 수 있다. I/O 유닛들(122)은 몇몇 네트워크 엘리먼트들 쪽으로의 통신 장비를 포함하는 결합형 유닛일 수 있거나, 상이한 네트워크 엘리먼트들에 대한 복수의 상이한 인터페이스들을 갖는 분산형 구조를 포함할 수 있다. 참조 부호 123은 예컨대 프로세서(121)에 의해 실행될 데이터 및 프로그램들을 저장하기 위해 사용가능하거나 및/또는 프로세서(121)의 작업 저장소로서 사용가능한 메모리를 나타낸다.프로세서(121)는 위에서 설명된 양상들에 관련된 프로세싱을 실행하도록 구성된다. 특히, 장치(120)는 제 1 플레인의 제 2 엔티티에 구현될 수 있거나 그의 일부일 수 있으며, 도 10과 관련하여 설명되는 바와 같은 방법을 수행하도록 구성될 수 있다. 따라서, 프로세서(121)는, 제 1 플레인의 제 2 엔티티에서, 파라미터를 포함하는 메시지를 수신하는 것, 수신된 메시지로부터 파라미터를 리트리브하는 것, 및 제 2 플레인의 제 2 엔티티에 리트리브된 파라미터를 포워딩하는 것을 수행하도록 구성된다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 장치(120)는 제 2 플레인의 제 2 엔티티에서 구현될 수 있거나 그의 일부일 수 있고, 도 11과 관련하여 설명되는 바와 같은 방법을 수행하도록 구성될 수 있다. 따라서, 프로세서(121)는 제 2 플레인의 제 2 엔티티에서 파라미터를 포함하는 메시지를 수신하는 것 및 파라미터를 저장하는 것을 수행하도록 추가로 구성된다.따라서, 본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 2 개의 장치들(120)이 제공되는데, 하나는 제 1 플레인의 제 2 엔티티에 대한 것이고, 하나는 제 2 플레인의 제 2 엔티티에 대한 것이며, 장치들 각각은 도 12에 예시된 바와 같은 구조를 갖는다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 제 1 플레인의 제 1 엔티티 및 제 1 플레인의 제 2 엔티티는 제 1 플레인의 제 1 엔티티의 기능 및 제 1 플레인의 제 2 엔티티의 기능을 포함하는 공통 엔티티에 공동 위치된다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 제 1 엔티티는 핸드오버를 개시하는 소스 엔티티이고, 제 2 엔티티는 핸드오버가 수행되는 타겟 엔티티이다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 파라미터는 카운트 값이다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 엔티티는 기지국이다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 제 1 플레인은 제어/관리 플레인이고 제 2 플레인은 사용자 플레인이다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 네트워크 엘리먼트는 게이트웨이 기능을 갖는 네트워크 엘리먼트이고, 단말은 사용자 장비, 서버, 애플리케이션 또는 게이트웨이이다.본 발명의 예시적인 버전들에 따르면, 사용자 장비로의 데이터 패킷들은 패킷 데이터 컨버전스 프로토콜에 따라 송신되고, 게이트웨이 또는 기지국으로의 데이터 패킷들은 GTP 사용자 데이터 터널링 프로토콜에 따라 송신된다.위에서는, 본 발명의 특정 실시예들은 오픈플로우를 참조하여 설명되었다. 그러나, 오픈플로우는 단지 예시이며, 본 발명은 오픈플로우로 제한되지 않고, 본 발명의 특정 실시예들은 임의의 다른 적절한 통신 프로토콜 등, 예를 들어 Forces, SNMP, NFV, NetConf 등에 적용될 수 있다는 것이 주시된다.게다가, 본 발명이 추가로 개발되는 네트워크들 등, 예를 들어 5G에 또한 적용가능하다는 것이 주시된다. 그러한 경우에는, 동시적으로 eNB 및 MME 및 SGW의 기능들을 내재적으로 포함하는 새로운 기능인 소위 HeNB GW이 도입된다.게다가, HeNB(Home eNB)(물론 정규 eNB도 마찬가지임)의 소스 및 타겟 제어는 어쩌면 특히 소형 셀 환경에서 유리할 것이기 때문에 중앙집중식일 수 있고, 여기서는 중앙집중식 OFC(OpenFlow controller)가 제공되거나, 어쩌면 기능에 공동 위치되거나, 3GPP에서 HeNB GW(Home eNB Gateway)로 불리는 것에 연결될 수 있다는 것이 주시된다. 따라서, HeNB GW은 사용자 플레인들이 담당하는 소스 및/또는 타겟 HeNB를 제어하는 중앙집중식 OFC+의 최상부에 상주할 수 있다(그리고, 또한 추가로 로컬 사용자 플레인일 수 있음). 추가적인 가능성으로서, eNB 뿐만 아니라 HeNB 및 HeNB GW (Home eNB Gateway)(TS36300 “Evolved Universal Terrestrial Radio Access (E-UTRA) and Evolved Universal Terrestrial Radio Access Network(E-UTRAN); 전체 설명 참조) 및 HNB(TS 25467“UTRAN architecture for 3G Home Node B (HNB)”참조)가 본 발명을 이용할 수 있다. 정상 eNB와 유사하게, HeNB/HNB는 분리되고 오픈플로우/SDN/OFC+를 통해 제어될 수 있다. 이는, 단지 사용자 플레인이 적절한 경우에만 전개될 수 있기 때문에, Nokia Solutions and Networks Flexi Lite BTS와 같은 기존 소형 셀들이 전체 3GPP(제어 플레인) 스택 유형(X2 제어 플레인 및 GTP-C 제어 플레인 스택)을 구현하는 것을 제거할 것이다. 특히, 소형 셀들 HeNB는 일반적으로 이와 관련하여 이미 설명된 바와 같이 eNB처럼 거동하지만, HeNB를 향해 EPC(MME/SGW)로서 동작하고 동시에 EPC(MME/EPC)를 향해 eNB로서 동작하는 중재기로서의 HeNB GW도 예를 들어 SDN 원리들에 기초하여 본 발명을 적용할 수 있다. 또한, 이를테면 중앙 HeNB GW은 소스 및/또는 타겟 HeNB 또는 eNB 사용자 부분에게 카운트/시퀀스 번호를 보고하거나 또는 이들을 (X2 인터페이스 "SN 전달"에 의존하는 대신) GTP-U를 통해 수신되는 시퀀스 번호와 비교하도록 명령할 수 있다. 게다가, HeNB의 능력들(HeNB GW에 시그널링되거나 그것에 구성될 수 있음)에 의존하여, HeNB GW 제어 플레인은 오픈플로우로부터의 그것을 X2 또는 S1으로 맵핑하기로 결정할 수 있고, 그 반대도 가능하다.본 발명의 위에서 설명된 특정 실시예들은, 그것들이 추가적인 트래픽 및 컴퓨테이션 요건들로 제어기에 부담을 주지 않는다는 점에서 특히 유리하다. 따라서, 특정 실시예들에 따른 본 발명은 쉽게 구현될 수 있다.장치들에 대한 위의 예시적인 설명에서는, 본 발명의 원리들을 이해하는 것에 관련한 유닛들 및/또는 수단들만이 기능 블록들을 사용하여 설명되었다. 장치는 각각 네트워크 엘리먼트, 유사한 기지국 등으로서의 그의 개별 동작을 위해 필요한 추가 유닛들/수단들을 포함할 수 있다. 그러나, 이러한 유닛들/수단들의 설명은 본 명세서에서 생략된다. 장치의 기능 블록들의 어레인지먼트는 본 발명을 제한하는 것으로 해석되지 않아야 하고, 기능들은 하나의 블록에 의해 수행될 수 있거나 서브-블록들로 추가로 분할될 수 있다.위의 설명에서 장치(또는 일부 다른 수단)가 일부 기능을 수행하도록 구성된다고 언급될 때, 이는, 개별 장치의 메모리에 저장된 컴퓨터 프로그램 코드와 잠재적으로 협력하는 (즉, 적어도 하나의) 프로세서 또는 대응하는 회로가 장치로 하여금 적어도 이와 같이 언급된 기능을 수행하게 하도록 구성된다고 말하는 설명과 동일한 것으로 해석되어야 한다. 또한, 이러한 기능은 개별 기능을 수행하기 위해 특별히 구성된 회로 또는 수단에 의해 동일하게 구현가능한 것으로 해석되어야 한다(즉, "~도록 구성된 유닛"이란 표현은 "~을 위한 수단"과 같은 표현과 동일한 것으로 해석된다.위에서 본원에 설명된 바와 같은 본 발명을 위해, - 소프트웨어 코드 부분들로서 구현될 가능성이 있고 장치에서 프로세서를 사용하여 실행되고 있는 방법 단계들(따라서, 그것의 디바이스들, 장치들 및/또는 모듈들의 예로서, 또는 그것의 장치들 및/또는 모듈들을 포함하는 엔티티들의 예들로서)은 소프트웨어 코드에 독립적이고, 그 방법 단계들에 의해 정의된 기능이 보존되는 한은 임의의 알려졌거나 추후 개발되는 프로그래밍 언어를 사용하여 규정될 수 있다는 것;- 일반적으로, 임의의 방법 단계가 양상들/실시예들의 아이디어의 변화 및 구현된 기능의 측면에서 그것의 변경이 없이 소프트웨어로서 또는 하드웨어에 의해 구현되기에 적합하다는 것; - 위에서 정의된 장치들에서의 하드웨어 컴포넌트들 또는 그것의 임의의 모듈(들)(예를 들어, 위에서 설명된 양상들/실시예들에 따른 장치들의 기능들을 실행하는 디바이스들)로서 구현될 가능성이 있는 방법 단계들 및/또는 디바이스들, 유닛들 또는 수단들은 하드웨어에 독립적이고, 예컨대 ASIC(Application Specific IC(Integrated Circuit)) 컴포넌트들, FPGA(Field programmable Gate Arrays) 컴포넌트들, CPLD(Complex Programmable Logic Device) 컴포넌트들 또는 DSP(Digital Signal Processor) 컴포넌트들을 사용하는 임의의 공지되거나 추후 개발되는 하드웨어 기술 또는 이들의 임의의 하이브리드들, 이를테면 MOS(Metal Oxide Semiconductor), CMOS(Complementary MOS), BiMOS(Bipolar MOS), BiCMOS(Bipolar CMOS), ECL(Emitter Coupled Logic), TTL(Transistor-Transistor Logic) 등을 사용하여 구현될 수 있다는 것; - 디바이스들, 유닛들 또는 수단들(예컨대, 위에서 정의된 장치들, 또는 그들의 개별 유닛들/수단들 중 임의의 하나)이 개별 디바이스들, 유닛들 또는 수단들로서 구현될 수 있지만, 이는 디바이스, 유닛 또는 수단의 기능이 보존되는 한은 그것들이 시스템에 걸쳐 분산된 형태로 구현된다는 것을 배제하지 않는다는 것;- 장치는 반도체 칩, 칩셋, 또는 그러한 칩 또는 칩셋을 포함하는 (하드웨어) 모듈에 의해 표현될 수 있지만, 이것은 장치 또는 모듈의 기능이 하드웨어 구현되는 대신에, 프로세서 상에서의 실행/동작을 위해 실행가능 소프트웨어 코드 부분들을 포함하는 컴퓨터 프로그램 또는 컴퓨터 프로그램 물건과 같은 (소프트웨어) 모듈에서 소프트웨어로서 구현되는 가능성을 배제하지 않는다는 것;- 예컨대 기능적으로 서로 협력하든지 또는 서로 기능적으로 독립적이지만 동일한 디바이스 하우징 내에 있든지 디바이스가 하나의 장치로서 간주되거나 하나 초과의 장치들의 어셈블리로서 간주될 수 있다는 것이 주시되어야 한다.일반적으로, 위에서 설명된 양상들에 따른 개별 기능 블록들 또는 엘리먼트들은, 만약 그것이 개별 부분들의 설명된 기능들을 수행하도록 단지 적응된다면, 임의의 공지된 수단, 즉 하드웨어 및/또는 소프트웨어 중 어느 하나에 의해 구현될 수 있다는 것이 주시될 것이다. 언급된 방법 단계들은 개별 기능 블록들에서 또는 개별 디바이스들에 의해 실현될 수 있거나, 그 방법 단계들 중 하나 이상이 단일 기능 블록에서 또는 단일 디바이스에 의해 실현될 수 있다. 일반적으로, 임의의 방법 단계는 본 발명의 아이디어를 변경하지 않으면서 소트웨어로서 또는 하드웨어에 의해 구현되기에 적절할 수 있다. 디바이스들 및 수단들은 개별 디바이스들로서 구현될 수 있지만, 이는 디바이스의 기능이 보존되는 한은 그것들이 시스템들에 걸쳐 분산된 형태로 구현된다는 것을 배제하지 않는다. 그러한 및 유사한 원리들이 당업자에게 알려진 것으로 고려되어야 한다. 본 설명의 의미에서의 소프트웨어는 이를테면 개별 기능들을 수행하기 위한 코드 수단들 또는 부분들 도는 컴퓨터 프로그램 또는 컴퓨터 프로그램 물건을 포함하는 소프트웨어 코드뿐만 아니라 개별 데이터 구조 및/또는 코드 수단들/부분들이 저장되는 컴퓨터 판독가능 (저장) 매체와 같은 유형적 매체에 포함되거나 또는 잠재적으로 그것의 프로세싱 동안에 신호에 또는 칩에 포함되는 소프트웨어(또는 컴퓨터 프로그램 또는 컴퓨터 프로그램 물건)를 포함한다.위에서 설명된 양상들/실시예들 및 일반적인 그리고 특수한 예들은 단지 예시적인 목적들을 위해 제공되며, 본 발명이 그것으로 제한된다고 어떤 방식으로도 의도되지 않는다는 것이 주시된다. 오히려, 첨부된 청구항들의 범위 내에 있는 모든 변동들 및 변경들이 커버되도록 의도된다.약어들의 리스트:BTS 베이스 트랜시버 스테이션CP 제어 플레인C-RNTI 셀 RNTIDL 다운링크eNB 이벌브드 Node BeNB-U eNB 사용자 플레인eNB-C eNB 제어 플레인EPC 이벌브드 패킷 코어 E-UTRAN 이벌브드 유니버셜 지상 RANForces 포워딩 및 제어 엘리먼트 분리HO 핸드오버LTE-A LTE 어드밴스드OF 오픈플로우PDCP 패킷 데이터 컨버전스 프로토콜 PDU 프로토콜 데이터 유닛RACH 랜덤 액세스 채널RAN 라디오 액세스 네트워크 RNTI 라디오 네트워크 임시 식별자RRC 라디오 리소스 제어SDU 서비스 데이터 유닛SDN 소프트웨어 정의 네트워킹 S eNB 소스 eNBSGW 시그널링 게이트웨이 SN 시퀀스 번호T eNB 타겟 eNB TNL 전송 네트워크 계층UL 업링크UP 사용자 플레인
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본 발명은 소프트웨어 정의 네트워킹에서의 핸드오버, 예컨대 소스 eNB와 타겟 eNB에서의 X2 및/또는 S1-MME 핸드오버를 위해 사용가능한 장치들, 방법들, 컴퓨터 프로그램들, 컴퓨터 프로그램 물건들 및 컴퓨터 판독가능 매체들을 제공한다. 그 방법은, 제 1 플레인의 제 1 엔티티에 의해서, 제 1 플레인의 제 1 엔티티에 파라미터를 보고하도록 제 2 플레인의 제 1 엔티티에 요청하는 단계, 제 1 플레인의 제 1 엔티티에서, 보고된 파라미터를 수신하는 단계, 및 제 1 플레인의 제 1 엔티티에 의해서, 제 1 플레인의 제 2 엔티티에 파라미터를 포워딩하는 단계를 포함한다.
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[ 발명의 명칭 ]
냉간 압연 설비COLD-ROLLING FACILITY
[ 기술분야 ]
본 발명은, 강판을 냉간 압연하는 냉간 압연 설비에 관한 것이다.
[ 배경기술 ]
종래, 강판의 냉간 압연의 조업에 있어서는, 완전 연속식 냉간 탠덤 밀, 산세 라인 후단의 연속식 탠덤 밀, 단 (單) 스탠드의 리버스 밀 등, 냉간 압연 설비의 여하를 불문하고, 실온 정도, 즉 높아도 40 ℃ 정도의 강판이 냉간 압연된다. 이것은, 강판의 온도 증가에 수반하여 강판의 변형 저항이 저하되는 것을 고려해도, 피압연재인 강판의 온도를 높이는 것에 의해 얻어지는 장점에 비하여, 받는 단점이 크기 때문이다. 예를 들어, 강판의 온도를 높이는 것에 의한 장점으로서, 강판의 변형 저항의 저하에 수반되는 압연 동력의 저하를 들 수 있지만, 이 장점은, 강판의 냉간 압연의 조업에 있어서 거의 무시될 정도이다. 이에 반하여, 강판을 승온하기 위한 비용적 손실이 매우 큰 것, 고온의 강판의 핸들링이 노동 환경면에서 문제인 것 등, 강판의 고온화에서 기인하는 단점이 다대하다. 상기 서술한 바와 같은 실온 레벨의 강판이 냉간 압연에 제공된 경우, 냉간 압연 중의 강판의 폭 방향 단부 (이하, 에지부라고 한다) 에 에지 크랙이 발생할 가능성이 있다. 특히, 1 ％ 이상의 규소를 함유하는 규소 강판, 스테인리스 강판, 고탄소 강판 등의 난압연재는 일반의 강판과 비교하여 취성 재료가 되기 때문에, 실온 레벨의 난압연재를 냉간 압연했을 때, 에지 크랙이 현저하게 발생한다. 에지 크랙의 정도가 큰 경우에는, 에지 크랙을 기점으로 하여 강판이 냉간 압연 중에 파단될 우려가 있다. 이 문제를 해결하는 방법으로서 예를 들어, 특허문헌 1 에는, 규소 강판을 냉간 압연할 때, 에지부를 60 ℃ (연성-취성 천이 온도) 이상의 온도로 승온한 규소 강판을 피압연재로서 압연기에 공급하는 규소 강판의 냉간 압연 방법이 개시되어 있다. 또, 특허문헌 2 에는, 강판의 에지부를 유도 가열로 승온시키는 수단으로서, C 형 인덕터 (유도자) 를 사용한 1 쌍의 유도 가열 장치가 개시되어 있다. 이 특허문헌 2 에 기재된 유도 가열 장치는, 강판의 폭 방향 (이하, 적절히 판폭 방향이라고 한다) 의 양 에지부를 C 형 인덕터의 슬릿 내에 상하로부터 비접촉으로 사이에 두고, C 형 인덕터의 코일에 전원 장치로부터 고주파 전류를 흘려 강판의 두께 방향 (이하, 적절히 판두께 방향이라고 한다) 의 자속을 강판의 양 에지부에 부여하고, 이들 양 에지부에 유도 전류를 발생시켜, 이 유도 전류에 의해 발생하는 줄열에 의해 이들 양 에지부를 가열한다. 여기서, 강판의 에지부를 소정의 온도로 승온하기 위해서는, 강판의 에지부 와 이 에지부를 판두께 방향의 상하로부터 비접촉으로 사이에 두는 C 형 인덕터와의 서로 겹치는 길이 (이하, 랩 길이라고 한다) 가 미리 설정된 값이 되도록, C 형 인덕터를 지지하는 대차 (臺車) 의 위치를 강판의 판폭에 따라 세트할 필요가 있다. 그러나, 실제 조업에 있어서는, 강판의 센터링 불량이나 평탄도 불량에 의해 강판이 판폭 방향으로 사행 (蛇行) 하기 때문에, 랩 길이가 변화된다. 랩 길이가 작아지면, 자속의 흐름을 차단하는 와전류의 발생이 감소되기 때문에, 역률 (力率) 이 악화되어 무효 전류가 증가하고, C 형 인덕터의 코일에 흐르는 고주파 전류가 정격치까지 증가해도 소정의 출력을 낼 수 없어, 이 결과, 에지부의 가열 부족이 발생하는 경우가 있다. 혹은, 에지부의 일부분을 과도하게 가열하는 사태 (국부 이상 가열) 에 이르는 경우가 있다. 가열 부족인 경우에는, 강판의 냉간 압연 중에 에지부에 에지 크랙이 발생한다. 이 에지 크랙은, 상기 서술한 바와 같이, 냉간 압연 중의 강판의 파단을 일으키는 원인이 된다. 한편, 국부 이상 가열인 경우에는, 강판의 에지부에, 열응력에 의한 변형에서 기인하여 에지 웨이브가 발생한다. 에지 웨이브의 정도가 큰 경우에는, 냉간 압연 중의 강판에 드로잉 파단이 발생할 우려가 있고, 이 때문에, 강판의 안정적인 냉간 압연이 곤란해진다. 이상의 점에서, 냉간 압연되는 강판의 에지부를 유도 가열에 의해 소정의 온도로 승온할 때에는, 랩 길이를 최적의 값으로 제어하는 것이 매우 중요해진다.또한, 상기 서술한 랩 길이의 제어에 관한 종래 기술로서, 예를 들어, 반송되는 강판의 에지부를 가열하는 가열 코일과, 이 가열 코일을 탑재한 코일 대차체와, 이 코일 대차체를 강판의 진행 방향과 직각의 방향으로 이동시키는 이동 기구와, 이 코일 대차체에 장착되어 강판의 에지부에 접촉하는 가이드 롤러를 구비한 유도 가열 장치가 있다 (특허문헌 3 참조). 이 특허문헌 3 에 기재된 유도 가열 장치는, 강판의 유도 가열 중에 가이드 롤러가 강판의 에지부에 접촉하도록 이동 기구를 동작시켜, 강판과 가열 코일의 상대 위치 관계를 항상 일정하게 유지하도록 하고 있다. 한편, 강판의 좌우 에지부가 통과하는 라인의 좌우측 위치에 강판 진행 방향과 직각 방향으로 진퇴하는 대차를 배치하고, 이들 좌우의 각 대차에, 강판의 에지부를 상하로부터 사이에 두는 인덕터를 설치하고, 대차의 자동 위치 컨트롤러에 의해, 강판의 에지부와 인덕터의 랩 길이를 제어하여, 강판의 에지부를 가열하는 유도 가열 제어 방법이 있다 (특허문헌 4 참조). 이 특허문헌 4 에 기재된 유도 가열 제어 방법에서는, 좌우의 각 인덕터의 가열 코일에 흐르는 고주파 전류를 검출하여, 강판의 사행에 의한 랩 길이의 변화에 의해 발생하는 전류치의 편차를 구하고, 미리 기억한 편차 전류치와 편차 전류치를 영으로 하는 데에 필요한 인덕터의 대차 위치 보정량과의 관계에 기초하여 대차 위치 보정치를 구한다. 이어서, 전류치가 큰 측의 대차 위치 초기 설정치로부터 대차 위치 보정치를 감산함과 함께, 전류치가 작은 측의 대차 위치 초기 설정치에 대차 위치 보정치를 가산하여 좌우의 대차 보정 위치를 구한다. 그 후, 좌우의 각 대차의 자동 위치 컨트롤러에, 상기 서술한 바와 같이 가감산한 좌우의 대차 보정 위치를 출력하고, 이로써, 이들 좌우의 각 대차의 위치를 자동 위치 컨트롤러가 보정하도록 하고, 이것을 통하여, 강판의 좌우 에지부와 좌우의 각 인덕터와의 랩 길이를 제어하고 있다.
[ 선행기술문헌 ]
[ 특허문헌 ]
일본 공개특허공보 소61-15919호 일본 공개특허공보 평11-290931호 일본 공개특허공보 소53-70063호 일본 공개특허공보 평11-172325호
[ 발명의 개요 ]
[ 해결하려는 과제 ]
상기 서술한 종래 기술에 있어서, 강판의 에지부와 유도 가열 장치의 인덕터의 랩 길이는, 강판의 사행에서 기인하는 에지부의 위치 변화에 따라 보정된다. 말하자면, 이 에지부의 위치 변화에 따라 랩 길이를 보정하는 피드백 제어가 종래 실시되고 있다. 그러나, 인덕터를 탑재하는 대차의 이동 속도와 비교하여 강판의 사행 속도가 빠르기 때문에, 상기 서술한 종래 기술에서는, 강판의 사행에서 기인하는 에지부의 위치 변화에 랩 길이의 피드백 제어를 충분히 추종시키는 것이 곤란하다. 이 때문에, 냉간 압연되기 전의 강판의 에지부를 유도 가열에 의해 소정의 온도로 승온할 때, 랩 길이를 최적의 값으로 안정적으로 제어하는 것은 매우 곤란하다. 이 결과, 피압연재로서의 강판에 있어서 에지부의 가열 부족 또는 국부 이상 가열이 발생하고, 이 상태의 강판을 냉간 압연했을 때, 에지부의 가열 부족에 의한 에지 크랙에서 기인하여 강판의 파단이 발생하거나, 혹은, 에지부의 국부 이상 가열에 의한 에지 웨이브에서 기인하여 강판의 드로잉 파단이 발생해 버린다. 이와 같은 강판의 에지 크랙에서 기인하는 파단 또는 에지 웨이브에서 기인하는 드로잉 파단 (이하, 이들을 합쳐 적절히 강판 파단이라고 한다) 의 발생은, 강판의 냉간 압연의 조업을 저해함과 함께, 냉간 압연의 생산 효율의 저하를 초래한다. 본 발명은, 상기의 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 강판 파단의 발생을 가능한 한 억제하고, 강판의 안정적인 냉간 압연을 실현하는 것이 가능한 냉간 압연 설비를 제공하는 것을 목적으로 한다.
[ 과제의 해결 수단 ]
상기 서술한 과제를 해결하고, 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 관련된 냉간 압연 설비는, 순차 반송되는 강판을 가열 장치에 의해 가열하고, 가열 후의 상기 강판을 냉간 압연기에 의해 순차 냉간 압연하는 냉간 압연 설비에 있어서, 상기 가열 장치보다 상기 강판의 반송 방향의 상류측에 배치되고, 상기 가열 장치를 향하여 반송되는 상기 강판의 사행을 수정하는 사행 수정 장치와, 상기 가열 장치와 상기 냉간 압연기 사이에 배치되고, 상기 냉간 압연기에 의한 상기 강판의 냉간 압연에서 기인하는 상기 강판의 사행을 억제하는 사행 억제 장치를 구비한 것을 특징으로 한다. 또, 본 발명에 관련된 냉간 압연 설비는, 상기의 발명에 있어서, 상기 사행 수정 장치는, 상기 강판에 접촉하면서 회전하여 상기 강판을 반송하는 롤체와, 상기 롤체의 중심축이 수평 방향에 대해 경사지도록 상기 롤체를 경동 (傾動) 하는 롤 경동부를 구비하고, 상기 사행 억제 장치는, 상기 강판의 반송 방향으로 지그재그 배치되고, 상기 가열 장치의 출측으로부터 상기 냉간 압연기의 입측을 향하여 상기 강판을 반송함과 함께, 상기 강판의 두께 방향의 양측으로부터 상기 강판을 끼워넣어 상기 강판의 폭 방향의 이동을 구속하는 복수의 롤체를 구비한 것을 특징으로 한다. 또, 본 발명에 관련된 냉간 압연 설비는, 상기의 발명에 있어서, 상기 사행 수정 장치의 롤체는, 상기 강판의 장력을 제어하기 위한 브라이들 롤인 것을 특징으로 한다. 또, 본 발명에 관련된 냉간 압연 설비는, 상기의 발명에 있어서, 상기 가열 장치는, 상기 강판의 폭 방향의 양 에지부를 상기 강판의 두께 방향의 양측으로부터 비접촉으로 사이에 두는 C 형의 인덕터를 구비하고, 유도 가열 방식에 의해 상기 강판 중 상기 양 에지부를 가열하는 것을 특징으로 한다.
[ 발명의 효과 ]
본 발명에 의하면, 강판 파단의 발생을 가능한 한 억제하고, 강판의 안정적인 냉간 압연을 실현할 수 있다는 효과를 나타낸다.
[ 도면의 간단한 설명 ]
도 1 은, 본 발명의 실시형태에 관련된 냉간 압연 설비의 일 구성예를 나타내는 도면이다. 도 2 는, 본 실시형태에 있어서의 사행 수정 장치의 브라이들 롤을 경동하는 상태를 예시하는 도면이다. 도 3 은, 본 실시형태에 있어서의 냉간 압연 설비의 가열 장치의 일 구성예를 나타내는 도면이다. 도 4 는, 본 실시형태에 있어서의 사행 억제 장치의 롤체에 의해 강대의 판폭 방향의 이동을 구속하는 상태를 나타내는 도면이다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
이하에, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명에 관련된 냉간 압연 설비의 바람직한 실시형태에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 본 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. (실시형태) 먼저, 본 발명의 실시형태에 관련된 냉간 압연 설비에 대해 설명한다. 도 1 은, 본 발명의 실시형태에 관련된 냉간 압연 설비의 일 구성예를 나타내는 도면이다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 관련된 냉간 압연 설비 (1) 는, 피압연재의 반송 경로의 입구단에 언코일러 (uncoiler) (2) 를 구비하고, 출구단에 텐션 릴 (11) 을 구비한다. 또, 냉간 압연 설비 (1) 는, 언코일러 (2) 와 텐션 릴 (11) 사이에, 피압연재의 반송 경로를 따라, 용접기 (3) 와, 루퍼 (4) 와, 사행 수정 장치 (5) 와, 판폭계 (6) 와, 가열 장치 (7) 와, 사행 억제 장치 (8) 와, 냉간 압연기 (9) 와, 주간 (走間) 시어 (10) 를 구비한다. 또한, 냉간 압연 설비 (1) 는, 사행 수정 장치 (5) 및 사행 억제 장치 (8) 를 제어하는 제어부 (12) 를 구비한다.언코일러 (2) 는, 열연 강판 등의 강재를 감은 코일로부터 강판 (15) 을 풀고, 냉간 압연 설비 (1) 에 있어서의 피압연재의 반송 경로로 강판 (15) 을 순차 내보낸다. 언코일러 (2) 로부터 내보내진 강판 (15) 은, 핀치 롤 등을 거쳐, 언코일러 (2) 보다 강판 (15) 의 반송 방향의 하류측에 위치하는 용접기 (3) 로 순차 반송된다. 용접기 (3) 는, 레이저 용접기 등을 사용하여 실현되고, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 언코일러 (2) 와 루퍼 (4) 사이에 있어서의 피압연재의 반송 경로 근방에 배치된다. 용접기 (3) 는, 언코일러 (2) 로부터 내보내진 복수의 강판 (15) 을 순차 받아들이고, 이들 복수의 강판 (15) 중 반송 방향으로 선행하는 강판 (이하, 선행재라고 한다) 의 미 (尾) 단부와, 이 선행재에 후속되는 강판 (이하, 후행재라고 한다) 의 선단부를 용접한다. 용접기 (3) 는, 언코일러 (2) 로부터의 복수의 강판 (15) 에 대해, 상기 서술한 선행재의 미단부와 후행재의 선단부의 용접 처리를 순차 실시하고, 이로써, 이들 복수의 강판 (15) 의 선미단부끼리를 접합하여 이루어지는 강대 (16) 를 형성한다. 강대 (16) 는, 용접기 (3) 로부터 반출된 후, 용접기 (3) 보다 강대 (16) 의 반송 방향의 하류측에 위치하는 루퍼 (4) 로 순차 반송된다. 루퍼 (4) 는, 냉간 압연 등의 연속 처리가 실시되는 강대 (16) 를 적절히 축적 또는 내보내기 위한 장치이다. 구체적으로는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 루퍼 (4) 는, 복수의 고정 롤 (4a, 4c, 4e, 4g) 과, 고정 롤 (4a, 4c, 4e, 4g) 에 대해 접근 또는 이간되는 방향 (이하, 접리 방향이라고 한다) 으로 이동 가능한 복수의 가동 롤 (4b, 4d, 4f) 을 구비한다. 이와 같은 루퍼 (4) 에 있어서, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 고정 롤 (4a), 가동 롤 (4b), 고정 롤 (4c), 가동 롤 (4d), 고정 롤 (4e), 가동 롤 (4f), 및 고정 롤 (4g) 은, 이 순서로 강대 (16) 의 반송 경로를 따라 배치되어 있다. 고정 롤 (4a, 4c, 4e, 4g) 은, 각각, 설치 위치가 고정된 반송 롤로서, 예를 들어 도 1 에 나타내는 바와 같이, 용접기 (3) 로부터 사행 수정 장치 (5) 를 향하는 방향으로 늘어서도록 배치된다. 각 고정 롤 (4a, 4c, 4e, 4g) 은, 강대 (16) 에 감기거나 함으로써 강대 (16) 에 접촉하면서, 구동부 (도시 생략) 의 작용에 의해 자신의 롤 중심축을 중심으로 회전한다. 이로써, 각 고정 롤 (4a, 4c, 4e, 4g) 은, 강대 (16) 를 그 반송 경로를 따라 반송함과 함께, 정위치에 있어서 강대 (16) 에 장력을 부여한다. 한편, 가동 롤 (4b, 4d, 4f) 은, 각각, 루프 카 등의 이동 기구 (도시 생략) 의 작용에 의해 접리 방향으로 이동 가능한 반송 롤이다. 가동 롤 (4b, 4d, 4f) 은, 강대 (16) 에 감기거나 함으로써 강대 (16) 에 접촉하면서, 자신의 롤 중심축을 중심으로 회전한다. 이로써, 가동 롤 (4b, 4d, 4f) 은, 고정 롤 (4a, 4c, 4e, 4g) 과의 사이에 있어서 강대 (16) 를 걸침과 함께, 강대 (16) 를 그 반송 방향으로 송출한다. 상기 서술한 바와 같은 구성을 갖는 루퍼 (4) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 냉간 압연기 (9) 보다 강대 (16) 의 반송 방향의 상류측, 상세하게는 용접기 (3) 와 사행 수정 장치 (5) 사이에 배치되고, 강대 (16) 를 축적 또는 내보낸다. 이로써, 루퍼 (4) 내에 있어서의 강대 (16) 의 체류 시간이 조정된다. 이 루퍼 (4) 에 의한 강대 (16) 의 축적 또는 내보냄은, 용접기 (3) 에 의한 강판 용접시 또는 주간 시어 (10) 에 의한 강대 (16) 의 전단시에 발생하는 강대 (16) 의 반송 휴지 시간 등을 흡수하기 위하여 실시된다. 예를 들어, 냉간 압연 설비 (1) 에 있어서, 용접기 (3) 가 강대 (16) 의 용접을 실시하고 있지 않은 기간, 루퍼 (4) 는, 용접기 (3) 로부터 강대 (16) 를 받아들이면서, 가동 롤 (4b, 4d, 4f) 을 고정 롤 (4a, 4c, 4e, 4g) 로부터 이간시킨다. 이로써, 루퍼 (4) 는, 용접기 (3) 로부터의 강대 (16) 를 축적하면서, 냉간 압연기 (9) 측을 향하여 강대 (16) 를 연속적으로 반송한다. 한편, 용접기 (3) 가 각 강판 (15) 의 선미단부끼리를 용접하고 있는 기간, 용접기 (3) 로부터 루퍼 (4) 로의 강대 (16) 의 반송이 정지한다. 이 경우, 루퍼 (4) 는, 가동 롤 (4b, 4d, 4f) 을 고정 롤 (4a, 4c, 4e, 4g) 에 접근시킨다. 이로써, 루퍼 (4) 는, 상기 서술한 바와 같이 축적하고 있던 강대 (16) 를 냉간 압연기 (9) 측으로 내보내고, 용접기 (3) 측으로부터 냉간 압연기 (9) 측으로의 강대 (16) 의 연속적인 반송을 유지한다. 루퍼 (4) 는, 용접기 (3) 에 의한 강대 (16) 의 용접이 완료 후, 다시 가동 롤 (4b, 4d, 4f) 을 고정 롤 (4a, 4c, 4e, 4g) 로부터 이간시킨다. 루퍼 (4) 는, 이 상태에 있어서 용접기 (3) 로부터 받아들인 강대 (16) 를 축적하면서, 냉간 압연기 (9) 측으로 강대 (16) 를 연속적으로 반송한다. 이와 같이 하여, 루퍼 (4) 는, 용접기 (3) 측으로부터 냉간 압연기 (9) 측으로의 강대 (16) 의 연속적인 반송을 유지한다. 이 루퍼 (4) 로부터 내보내진 강대 (16) 는, 루퍼 (4) 보다 강대 (16) 의 반송 방향의 하류측에 위치하는 사행 수정 장치 (5) 로 순차 반송된다. 사행 수정 장치 (5) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 가열 장치 (7) 보다 강대 (16) 의 반송 방향의 상류측에 배치되고, 가열 장치 (7) 를 향하여 반송되는 강대 (16) 의 사행을 수정한다. 본 실시형태에 있어서, 사행 수정 장치 (5) 는, 4 개의 브라이들 롤 (5a ∼ 5d) 과, 브라이들 롤 (5a ∼ 5d) 을 경동하는 롤 경동부 (5e) 를 구비한다. 브라이들 롤 (5a ∼ 5d) 은, 강대 (16) 를 반송하는 롤체로서의 기능과 강대 (16) 의 장력을 제어하기 위한 롤체로서의 기능을 갖는다. 구체적으로는, 브라이들 롤 (5a ∼ 5d) 은, 각각, 강대 (16) 의 감김각이 소정치 이상 (예를 들어 90 도 이상) 이 되도록, 강대 (16) 의 반송 경로를 따라 배치된다. 또한, 감김각은, 브라이들 롤 (5a ∼ 5d) 중 강대 (16) 가 접촉하는 외주면 부분에 대응하는 브라이들 롤 (5a ∼ 5d) 의 중심각이다. 이와 같이 배치된 브라이들 롤 (5a ∼ 5d) 은, 강대 (16) 에 감기거나 함으로써 강대 (16) 에 접촉하면서, 구동부 (도시 생략) 의 작용에 의해 자신의 롤 중심축을 중심으로 회전한다. 이로써, 브라이들 롤 (5a ∼ 5d) 은, 자신의 외주면과 강대 (16) 의 마찰력에 의해 강대 (16) 에 장력을 부여하면서, 루퍼 (4) 측으로부터 가열 장치 (7) 측으로 강대 (16) 를 반송한다. 이 때, 브라이들 롤 (5a) 은, 브라이들 롤 (5b) 과 협동하여 강대 (16) 를 걸침과 함께, 루퍼 (4) 측으로부터 브라이들 롤 (5b) 측으로 강대 (16) 를 반송한다. 브라이들 롤 (5b) 은, 브라이들 롤 (5a, 5c) 과 협동하여 강대 (16) 를 걸침과 함께, 브라이들 롤 (5a) 측으로부터 브라이들 롤 (5c) 측으로 강대 (16) 를 반송한다. 브라이들 롤 (5c) 은, 브라이들 롤 (5b, 5d) 과 협동하여 강대 (16) 를 걸침과 함께, 브라이들 롤 (5b) 측으로부터 브라이들 롤 (5d) 측으로 강대 (16) 를 반송한다. 브라이들 롤 (5d) 은, 브라이들 롤 (5c) 과 협동하여 강대 (16) 를 걸침과 함께, 브라이들 롤 (5c) 측으로부터 가열 장치 (7) 측으로 강대 (16) 를 반송한다. 상기 서술한 바와 같이 브라이들 롤 (5a ∼ 5d) 에 의해 강대 (16) 에 부여된 장력은, 브라이들 롤 (5a ∼ 5d) 의 각 회전 속도를 조정함으로써 제어된다. 또, 브라이들 롤 (5a ∼ 5d) 은, 강대 (16) 의 사행을 교정하는 것이 가능한 스티어링 기능을 갖는다. 구체적으로는, 브라이들 롤 (5a ∼ 5d) 은, 자신의 롤 중심축을 회전 중심으로 하여 회전 가능한 상태로 롤 경동부 (5e) 에 지지된다. 롤 경동부 (5e) 는, 브라이들 롤 (5a ∼ 5d) 의 롤 중심축이 수평 방향에 대해 경사지도록, 브라이들 롤 (5a ∼ 5d) 을 경동한다. 도 2 는, 본 실시형태에 있어서의 사행 수정 장치의 브라이들 롤을 경동하는 상태를 예시하는 도면이다. 롤 경동부 (5e) 는, 강대 (16) 에 사행이 발생한 경우, 예를 들어 도 2 에 나타내는 바와 같이, 강대 (16) 를 걸치는 브라이들 롤 (5a, 5b) 의 각 롤 중심축 (C1, C2) 이 수평 방향에 대해 경사지도록 브라이들 롤 (5a, 5b) 을 경동한다. 본 실시형태에 있어서, 롤 경동부 (5e) 는, 브라이들 롤 (5c, 5d) 에 대해서도, 상기의 브라이들 롤 (5a, 5b) 의 경우와 마찬가지로 경동한다. 브라이들 롤 (5a ∼ 5d) 은, 이와 같은 롤 경동부 (5e) 의 경동 작용, 즉 스티어링 기능에 의해, 강대 (16) 의 사행 방향과 반대 방향으로 내려가는 경사를 형성하여, 이로써, 강대 (16) 의 사행을 수정한다. 상기 서술한 사행 수정 장치 (5) 로부터 반출된 강대 (16) 는, 사행 수정 장치 (5) 의 출측에 배치된 판폭계 (6) 을 경유하여, 사행 억제 장치 (8) 보다 강대 (16) 의 반송 방향의 상류측에 위치하는 가열 장치 (7) 로 순차 반송된다. 판폭계 (6) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 사행 수정 장치 (5) 와 가열 장치 (7) 사이에 배치되고, 사행 수정 장치 (5) 에 의한 사행 수정 후의 강대 (16) 의 사행량 및 판폭을 계측한다. 이 때, 판폭계 (6) 는, 사행 수정 후의 강대 (16) 의 양 에지부를 검출하고, 검출한 양 에지부의 각 위치를 산출한다. 이어서, 판폭계 (6) 는, 산출한 양 에지부의 각 위치를 기초로, 강대 (16) 의 판폭 방향의 중심 위치를 산출하고, 이 중심 위치와 강대 (16) 의 반송 경로 중심의 차를, 강대 (16) 의 사행량으로서 산출한다. 또, 판폭계 (6) 는, 얻어진 양 에지부의 각 위치를 기초로, 강대 (16) 의 판폭을 산출한다. 판폭계 (6) 는, 이와 같은 사행 수정 후의 강대 (16) 의 사행량 및 판폭의 산출 (계측) 을 연속적 또는 소정 시간마다 단속적으로 실행하고, 그때마다, 얻어진 강대 (16) 의 사행량 및 판폭을 제어부 (12) 및 가열 장치 (7) 에 각각 송신한다. 가열 장치 (7) 는, 순차 반송되는 강대 (16) 를 냉간 압연 전에 가열하는 것이다. 본 실시형태에 있어서, 가열 장치 (7) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 냉간 압연기 (9) 보다 강대 (16) 의 반송 방향의 상류측, 상세하게는 사행 수정 장치 (5) 와 사행 억제 장치 (8) 사이에 배치되고, 유도 가열 방식에 의해 강대 (16) 중 양 에지부를 가열 (유도 가열) 한다. 도 3 은, 본 실시형태에 있어서의 냉간 압연 설비의 가열 장치의 일 구성예를 나타내는 도면이다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 가열 장치 (7) 는, 강대 (16) 의 판폭 방향의 양 에지부 (16a, 16b) 를 강대 (16) 의 판두께 방향의 양측 (예를 들어 상하) 으로부터 비접촉에 사이에 두는 1 쌍의 C 형의 인덕터 (71a, 71b) 를 구비한다. 인덕터 (71a) 의 레그부 (72a, 73a) 에는, 가열 코일 (74a) 이 형성된다. 가열 코일 (74a) 은, 인덕터 (71a) 의 레그부 (72a, 73a) 의 간극 내를 강대 (16) 의 에지부 (16a) 가 통과할 때, 이 에지부 (16a) 에 판두께 방향의 자속을 부여하여, 이 에지부 (16a) 를 유도 가열한다. 한편, 인덕터 (71b) 의 레그부 (72b, 73b) 에는, 가열 코일 (74b) 이 형성된다. 가열 코일 (74b) 은, 인덕터 (71b) 의 레그부 (72b, 73b) 의 간극 내을 강대 (16) 의 에지부 (16b) 가 통과할 때, 이 에지부 (16b) 에 판두께 방향의 자속을 부여하여, 이 에지부 (16b) 를 유도 가열한다. 또, 가열 장치 (7) 는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 정합반 (77) 과, 고주파 전원 (78) 과, 계산 유닛 (79) 을 구비한다. 가열 코일 (74a, 74b) 은, 정합반 (77) 을 통하여 고주파 전원 (78) 에 접속된다. 고주파 전원 (78) 에는, 계산 유닛 (79) 이 접속된다. 계산 유닛 (79) 은, 강대 (16) 의 판두께, 반송 속도 및 강종에 기초하여 강대 (16) 의 가열 조건을 설정하고, 설정한 가열 조건에 따라, 가열 코일 (74a, 74b) 에 흘리는 고주파 전류의 출력을 고주파 전원 (78) 에 지시한다. 고주파 전원 (78) 은, 이 계산 유닛 (79) 으로부터의 출력 지시에 기초하여, 정합반 (77) 을 통하여 가열 코일 (74a, 74b) 에 고주파 전류를 흘리고, 이로써, 가열 코일 (74a, 74b) 에 판두께 방향의 자속 (고주파 자속) 을 발생시킨다. 이 고주파 자속에 의해, 강대 (16) 의 양 에지부 (16a, 16b) 에 유도 전류가 발생하고, 유도 전류에 의해 양 에지부 (16a, 16b) 에 줄열이 발생한다. 양 에지부 (16a, 16b) 는, 발생한 줄열에 의해 유도 가열되고, 이 결과, 연성-취성 천이 온도 이상의 온도로 승온한다. 또, 가열 장치 (7) 는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 인덕터 (71a, 71b) 를 각각 강대 (16) 의 판폭 방향으로 이동시키는 대차 (75a, 75b) 와, 인덕터 (71a, 71b) 의 위치를 제어하는 위치 제어부 (76a, 76b) 를 구비한다. 인덕터 (71a) 는 대차 (75a) 상에 설치되고, 인덕터 (71b) 는 대차 (75b) 상에 설치되어 있다. 대차 (75a, 75b) 는, 강대 (16) 의 판폭 방향으로 이동함으로써, 인덕터 (71a, 71b) 를 강대 (16) 의 판폭 방향으로 각각 이동시킨다. 위치 제어부 (76a, 76b) 에는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 계산 유닛 (79) 이 접속된다. 계산 유닛 (79) 은, 상기 서술한 판폭계 (6) 로부터 강대 (16) 의 판폭을 수신하고, 수신한 판폭에 따라 강대 (16) 의 판폭 방향에 있어서의 인덕터 (71a, 71b) 의 각 목표 위치 (상세하게는 가열 코일 (74a, 74b) 의 각 목표 위치) 를 산출한다. 계산 유닛 (79) 은, 산출한 인덕터 (71a, 71b) 의 각 목표 위치를 위치 제어부 (76a, 76b) 로 각각 송신한다. 위치 제어부 (76a, 76b) 는, 계산 유닛 (79) 으로부터 수신한 인덕터 (71a, 71b) 의 각 목표 위치에 기초하여, 대차 (75a, 75b) 를 구동 제어하고, 대차 (75a, 75b) 의 구동 제어를 통하여 인덕터 (71a, 71b) 의 위치를 제어한다. 즉, 위치 제어부 (76a) 는, 인덕터 (71a) 의 위치와 강대 (16) 의 판폭에 따른 목표 위치가 일치하도록, 강대 (16) 의 판폭 방향에 있어서의 대차 (75a) 의 이동을 제어하고, 이 대차 (75a) 의 제어를 통하여 인덕터 (71a) 의 위치를 목표 위치로 제어한다. 이것과 동시에, 위치 제어부 (76b) 는, 인덕터 (71b) 의 위치와 강대 (16) 의 판폭에 따른 목표 위치가 일치하도록, 강대 (16) 의 판폭 방향에 있어서의 대차 (75b) 의 이동을 제어하고, 이 대차 (75b) 의 제어를 통하여, 인덕터 (71b) 의 위치를 목표 위치로 제어한다. 이 결과, 강대 (16) 의 양 에지부 (16a, 16b) 와 인덕터 (71a, 71b) 의 각 랩 길이 (La, Lb) (도 3 참조) 는, 강대 (16) 의 판폭의 변화에 상관없이 정상으로 제어된다. 이와 같이 정상으로 제어된 랩 길이 (La, Lb) 는, 강대 (16) 의 양 에지부 (16a, 16b) 를 연성-취성 천이 온도 이상의 온도로 승온하기에 최적의 값으로 되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 강대 (16) 의 에지부 (16a) 와 인덕터 (71a) 의 랩 길이 (La) 는, 인덕터 (71a) 의 레그부 (72a, 73a) 에 의해 판두께 방향의 상하로부터 비접촉으로 사이에 두는 에지부 (16a) 와 인덕터 (71a) (상세하게는 레그부 (72a, 73a)) 가 서로 겹치는 길이이다. 강대 (16) 의 에지부 (16b) 와 인덕터 (71b) 의 랩 길이 (Lb) 는, 인덕터 (71b) 의 레그부 (72b, 73b) 에 의해 판두께 방향의 상하로부터 비접촉으로 사이에 두는 에지부 (16b) 와 인덕터 (71b) (상세하게는 레그부 (72b, 73b)) 가 서로 겹치는 길이이다.한편, 사행 억제 장치 (8) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 가열 장치 (7) 와 냉간 압연기 (9) 사이에 배치되고, 냉간 압연기 (9) 에 의한 강대 (16) 의 냉간 압연에서 기인하는 강대 (16) 의 사행을 억제한다. 본 실시형태에 있어서, 사행 억제 장치 (8) 는, 강대 (16) 를 반송하면서 강대 (16) 의 사행을 억제하는 복수의 롤체로서, 입측 롤 (8a), 출측 롤 (8b), 및 중앙 롤 (8c) 을 구비하고, 또한 중앙 롤 (8c) 을 이동시키는 롤 이동부 (8d) 를 구비한다. 입측 롤 (8a), 출측 롤 (8b), 및 중앙 롤 (8c) 은, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 강대 (16) 를 그 판두께 방향의 양측 (상하) 으로부터 사이에 두고 강대 (16) 의 반송 방향으로 지그재그 배치된다. 즉, 입측 롤 (8a) 및 출측 롤 (8b) 은, 이 순서로 강대 (16) 의 반송 방향으로 늘어서도록, 강대 (16) 의 판두께 방향의 하측에 배치된다. 중앙 롤 (8c) 은, 입측 롤 (8a) 과 출측 롤 (8b) 의 간극에 자신의 외주면을 대향시키도록, 강대 (16) 의 판두께 방향의 상측에 배치된다. 이와 같이 지그재그 배치된 입측 롤 (8a), 출측 롤 (8b), 및 중앙 롤 (8c) 은, 각각, 강대 (16) 에 접촉하면서 구동부 (도시 생략) 의 작용에 의해 자신의 롤 중심축을 중심으로 회전한다. 이로써, 입측 롤 (8a), 출측 롤 (8b), 및 중앙 롤 (8c) 은, 가열 장치 (7) 의 출측으로부터 냉간 압연기 (9) 의 입측을 향하여 강대 (16) 를 순차 반송한다. 또, 입측 롤 (8a), 출측 롤 (8b), 및 중앙 롤 (8c) 은, 롤 이동부 (8d) 의 작용에 의해, 강대 (16) 의 판두께 방향의 양측으로부터 강대 (16) 를 끼워넣고, 이로써, 이 강대 (16) 의 판폭 방향의 이동을 구속한다. 도 4 는, 본 실시형태에 있어서의 사행 억제 장치의 롤체에 의해 강대 (16) 의 판폭 방향의 이동을 구속하는 상태를 나타내는 도면이다. 롤 이동부 (8d) 는, 중앙 롤 (8c) 을 회전 가능하게 축지지하여, 강대 (16) 의 판두께 방향 (하방) 으로 중앙 롤 (8c) 을 이동시킨다. 이로써, 롤 이동부 (8d) 는, 입측 롤 (8a) 및 출측 롤 (8b) 을 향하여 중앙 롤 (8c) 을 가압한다. 이 롤 이동부 (8d) 의 작용에 의해 중앙 롤 (8c) 은, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 입측 롤 (8a) 및 출측 롤 (8b) 의 작용에 의해 반송 중의 강대 (16) 를, 그 판두께 방향의 상측으로부터 입측 롤 (8a) 및 출측 롤 (8b) 을 향하여 누른다. 이와 같은 입측 롤 (8a), 출측 롤 (8b), 및 중앙 롤 (8c) 은, 상기 서술한 바와 같이 강대 (16) 를 반송함과 함께, 강대 (16) 의 판두께 방향의 양측으로부터 강대 (16) 를 끼워넣음으로써, 이 강대 (16) 의 반송을 유지하면서 강대 (16) 의 판폭 방향의 이동을 구속한다. 이 결과, 입측 롤 (8a), 출측 롤 (8b), 및 중앙 롤 (8c) 은, 냉간 압연기 (9) 에 의한 강대 (16) 의 냉간 압연에서 기인하여 발생하는 강대 (16) 의 사행을 억제한다. 한편, 상기 서술한 롤 이동부 (8d) 는, 필요에 따라, 강대 (16) 의 판두께 방향 (상방) 으로 중앙 롤 (8c) 을 이동시키고, 이로써, 중앙 롤 (8c) 을 입측 롤 (8a) 및 출측 롤 (8b) 로부터 이간시킨다. 이 결과, 중앙 롤 (8c) 은, 강대 (16) 의 판폭 방향의 이동을 구속한 상태 (도 4 참조) 를 적절히 해제할 수 있다.냉간 압연기 (9) 는, 순차 반송되는 강대 (16) 를 연속적으로 냉간 압연하는 탠덤 압연기이고, 강대 (16) 의 반송 방향으로 나란히 형성되는 복수의 압연기에 의해 구성된다. 본 실시형태에 있어서, 냉간 압연기 (9) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 4 개의 압연기 (9a ∼ 9d) 에 의해 구성되고, 가열 장치 (7) 보다 강대 (16) 의 반송 방향의 하류측, 상세하게는, 사행 억제 장치 (8) 와 주간 시어 (10) 사이에 배치된다. 냉간 압연기 (9) 를 구성하는 4 개의 압연기 (9a ∼ 9d) 는, 이 순서로 강대 (16) 의 반송 방향으로 나란히 형성된다. 가열 장치 (7) 에 의한 가열 후의 강대 (16) 는, 가열 장치 (7) 의 출측으로부터 사행 억제 장치 (8) 를 경유하여 냉간 압연기 (9) 의 입측에 반송되고, 상기 서술한 바와 같이 사행 억제 장치 (8) 에 의해 판폭 방향의 이동이 구속되면서 냉간 압연기 (9) 의 최상류의 압연기 (9a) 에 반입된다. 냉간 압연기 (9) 는, 이와 같은 상태의 강대 (16) 를 압연기 (9a ∼ 9d) 에 의해 연속적으로 냉간 압연하고, 이로써, 이 강대 (16) 의 판두께를 소정의 목표 판두께로 한다. 이 냉간 압연기 (9) 에 의한 냉간 압연이 완료된 강대 (16) 는, 최하류의 압연기 (9d) 의 출측으로 반출되고, 그 후, 핀치 롤 등을 거쳐 주간 시어 (10) 로 순차 반송된다. 주간 시어 (10) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 냉간 압연기 (9) 의 출측과 텐션 릴 (11) 사이에 배치되고, 냉간 압연기 (9) 에 의한 냉간 압연 후의 강대 (16) 를 소정의 길이로 절단한다. 텐션 릴 (11) 은, 이 주간 시어 (10) 에 의해 절단된 강대 (16) 를 코일상으로 권취한다. 제어부 (12) 는, 사행 수정 장치 (5) 에 의한 강대 (16) 의 사행 수정 동작과, 사행 억제 장치 (8) 에 의한 강대 (16) 의 사행 억제 동작을 제어한다. 구체적으로는, 제어부 (12) 는, 판폭계 (6) 로부터 취득한 강대 (16) 의 사행량을 기초로 사행 수정 장치 (5) 의 롤 경동부 (5e) 의 동작을 제어하고, 이 롤 경동부 (5e) 의 제어를 통하여, 사행 수정 장치 (5) 의 브라이들 롤 (5a ∼ 5d) 의 수평 방향에 대한 경사 각도 및 경사 방향을 제어한다. 이와 같이 하여, 제어부 (12) 는, 가열 장치 (7) 에 반송되기 전의 강대 (16) 의 사행량이 허용 범위 내의 값이 되도록, 강대 (16) 의 사행량을 사행 수정 장치 (5) 에 수정 (교정) 시킨다. 상기 사행량의 허용 범위는, 도 3 에 나타낸 가열 장치 (7) 의 인덕터 (71a, 71b) 와 강대 (16) 의 양 에지부 (16a, 16b) 의 랩 길이 (La, Lb) 를 정상으로 제어할 수 있는 강대 (16) 의 사행량의 범위이고, 예를 들어 제로값 또는 제로값에 근사한 값이다. 상기 서술한 제어에 더하여, 제어부 (12) 는, 사행 수정 장치 (5) 의 브라이들 롤 (5a ∼ 5d) 을 경동시키는 타이밍에, 사행 억제 장치 (8) 의 중앙 롤 (8c) 을 입측 롤 (8a) 및 출측 롤 (8b) 로 누르도록 롤 이동부 (8d) 를 제어한다. 이로써, 제어부 (12) 는, 사행 수정 장치 (5) 에 의한 강대 (16) 의 사행 수정 동작이 실시되는 타이밍에, 사행 억제 장치 (8) 의 입측 롤 (8a) 과 출측 롤 (8b) 과 중앙 롤 (8c) 에 의해 강대 (16) 의 판폭 방향의 이동을 구속할 수 있다. 이 결과, 제어부 (12) 는, 가열 장치 (7) 를 향하여 강대 (16) 가 반송될 때에 발생하는 강대 (16) 의 사행을 사행 수정 장치 (5) 에 의해 수정하는 작용 (이하, 사행 수정 작용이라고 한다) 과, 냉간 압연기 (9) 에 의한 강대 (16) 의 냉간 압연에서 기인하는 강대 (16) 의 사행을 사행 억제 장치 (8) 에 의해 억제하는 작용 (이하, 사행 억제 작용이라고 한다) 을 동시에 발휘할 수 있다. 이들의 사행 수정 작용 및 사행 억제 작용의 상승 효과에 의해, 사행 수정 장치 (5) 에 의해 강대 (16) 의 사행이 수정된 상태를, 가열 장치 (7) 에 의해 강대 (16) 를 가열하는 기간, 유지할 수 있다. 한편, 제어부 (12) 는, 사행 수정 장치 (5) 의 브라이들 롤 (5a ∼ 5d) 의 각 회전 속도를 제어하고, 이로써, 브라이들 롤 (5a ∼ 5d) 에 의한 강대 (16) 의 장력을 제어한다. 여기서, 강대 (16) 는, 순차 반송되는 복수의 강판 (15) 중 선행재의 미단부와 후행재의 선단부를 접합함으로써 형성되는 띠상의 강판이고, 본 실시형태에 있어서의 피압연재로서의 강판의 일례이다. 또, 강대 (16) 를 구성하는 각 강판 (15) 으로서 예를 들어, 1 ％ 이상의 규소를 함유하는 규소 강판, 스테인리스 강판, 고탄소 강판 등의 난압연재가 사용된다. 이와 같은 냉간 압연 대상의 강대 (16) 는, 일반적으로, 그 모재가 되는 열연 코일 (열연 강판) 의 열간 압연시에 형성된 바디 늘어짐 또는 편측 늘어짐 등의 형상 불량을 포함하고 있다. 이 때문에, 냉간 압연 설비 (1) 에 있어서, 강대 (16) 가 가열 장치 (7) 를 향하여 순차 반송될 때, 강대 (16) 의 형상에 따라 발생하는 판폭 방향의 장력 분포에서 기인하여 작용하는 굽힘 모멘트에 의해, 반송 중의 강대 (16) 에 사행이 발생한다. 만일, 가열 장치 (7) 의 전단에 사행 수정 장치 (5) 가 설치되어 있지 않은 경우, 가열 장치 (7) 의 입측에 있어서, 모재 형상에 따른 사행이 강대 (16) 에 수시 발생한다. 특히, 강대 (16) 를 구성하는 각 강판끼리의 접합 부분에 있어서는, 급격한 사행이 강대 (16) 에 발생한다. 이와 같이 강대 (16) 에 사행이 발생하는 경우, 이 강대 (16) 의 에지부 (16a, 16b) 를 가열 장치 (7) 에 의해 균일하게 유도 가열하는 것은 곤란하다. 이것에서 기인하여, 강대 (16) 의 에지부 (16a, 16b) 의 가열 부족 또는 국부 이상 가열이 발생하고, 이 결과, 강대 (16) 의 냉간 압연 중에 강판 파단이 발생한다.이에 반하여, 본 실시형태에 관련된 냉간 압연 설비 (1) 는, 도 1 에 나타낸 바와 같이, 가열 장치 (7) 의 전단에 사행 수정 장치 (5) 를 구비하고, 이 사행 수정 장치 (5) 에 의해 강대 (16) 의 사행을 항상 수정하고 있다. 이 결과, 가열 장치 (7) 의 입측에 있어서의 강대 (16) 의 사행이 해소되는 점에서, 상기 서술한 강판 파단 등의 문제를 해결할 수 있다. 한편, 상기 서술한 강대 (16) 가 냉간 압연기 (9) 에 의해 냉간 압연될 때, 그 압연 조건에 따라서는, 냉간 압연 중의 강대 (16) 에 사행이 발생하는 경우가 있다. 예를 들어, 강대 (16) 의 모재인 열연 강판의 판폭 방향의 판두께 프로필에 판두께의 치우침 (판폭 방향의 일단측의 판두께가 타단측에 비하여 두꺼운 등) 이 발생하고 있는 경우, 냉간 압연기 (9) 의 강대 (16) 에 대한 워크 롤의 압하 위치가 평행하더라도, 강대 (16) 내의 판두께가 두꺼운 부분의 압하량이 커져, 이것에서 기인하여, 냉간 압연 중의 강대 (16) 에 사행이 발생한다. 이와 같은 냉간 압연에서 기인하는 강대 (16) 의 사행은, 이 냉간 압연 중의 강대 (16) 에 연속하는 일련의 강대 부분, 즉, 냉간 압연기 (9) 의 입측에 위치하는 냉간 압연 전의 강대 (16) 에 대해 영향을 미친다. 구체적으로는, 냉간 압연에서 기인하는 강대 (16) 의 사행은, 냉간 압연기 (9) 의 전단에 위치하는 가열 장치 (7) 에 의해 가열되는 강대 (16) 의 사행을 일으킨다. 이 때문에, 가열 장치 (7) 의 인덕터 (71a, 71b) 와 강대 (16) 의 양 에지부 (16a, 16b) 의 랩 길이 (La, Lb) (도 3 참조) 가, 강대 (16) 의 사행에서 기인하여 변화하고, 이 결과, 강대 (16) 의 에지부 (16a, 16b) 의 가열 부족 또는 국부 이상 가열이 발생하고, 나아가서는, 냉간 압연 중의 강대 (16) 의 강판 파단으로 연결된다. 또한, 상기 서술한 사행 수정 장치 (5) 는, 브라이들 롤 (5a ∼ 5d) 의 스티어링 기능에 의해 강대 (16) 의 사행을 수정하는 것이다. 이와 같은 사행 수정 장치 (5) 에 의해 수정되는 강대 (16) 의 사행은, 강대 (16) 의 모재 형상에서 기인하는 사행으로, 냉간 압연기 (9) 에 있어서 발생하는 강대 (16) 의 사행과는 발생 원인이 상이하다. 따라서, 가열 장치 (7) 를 향하는 반송 중의 강대 (16) 의 사행과 냉간 압연에서 기인하는 강대 (16) 의 사행을, 사행 수정 장치 (5) 에 의해 동시에 안정적으로 수정하는 것은 곤란하다. 이에 반하여, 본 실시형태에 관련된 냉간 압연 설비 (1) 는, 도 1 에 나타낸 바와 같이, 가열 장치 (7) 와 냉간 압연기 (9) 사이에 사행 억제 장치 (8) 를 구비하고, 이 사행 억제 장치 (8) 에 의해, 냉간 압연에서 기인하는 강대 (16) 의 사행을 억제하고 있다. 이 때문에, 냉간 압연에서 기인하는 강대 (16) 의 사행이 가열 장치 (7) 내의 강대 (16) 에 미치는 영향을 없앨 수 있다. 이로써, 강대 (16) 의 판폭의 변화 이외의 원인에 의해 가열 장치 (7) 에 있어서의 랩 길이 (La, Lb) 가 변화되는 경우가 없어지고, 이 점에서, 가열 장치 (7) 에 의한 강대 (16) 의 양 에지부 (16a, 16b) 의 안정적인 가열을 실현하는 것이 가능해진다. 이 결과, 상기 서술한 강판 파단 등의 문제를 해결할 수 있다. 만일, 가열 장치 (7) 와 냉간 압연기 (9) 사이에, 상기 서술한 사행 수정 장치 (5) 와 같이 브라이들 롤 (5a ∼ 5d) 의 스티어링 기능에 의해 강대 (16) 의 사행을 수정하는 장치 (이하, 스티어링 기구라고 한다) 를 사행 억제 장치 (8) 대신에 설치하는 경우, 사행 억제 장치 (8) 에 비하여 매우 큰 설치 스페이스가 필요해진다. 또한, 이 스티어링 기구가 각 롤체의 스티어링에 의해 강대 (16) 의 사행을 충분히 교정하기 위해서는, 각 롤체로의 강대 (16) 의 감김각을 소정치 이상 (예를 들어 90 도 이상) 으로 크게 할 필요가 있다. 이 때문에, 가열 장치 (7) 에 의한 가열 후의 강대 (16) 의 온도 (특히 에지부 (16a, 16b) 의 온도) 는, 가열 장치 (7) 로부터 냉간 압연기 (9) 에 강대 (16) 가 반송될 때까지 자연 냉각에 의해 저하된다. 또, 이 가열 후의 강대 (16) 의 온도는, 스티어링 기구의 각 롤체와 강대 (16) 의 접촉에 수반되는 열 전달에 의해 저하된다. 따라서, 냉간 압연시의 강대 (16) 의 온도를 소정치 이상 (연성-취성 천이 온도 이상) 으로 확보하기 위해서는, 상기 서술한 온도 저하를 고려하여, 가열 장치 (7) 에 의한 강대 (16) 의 가열 온도를 미리 높게 설정할 필요가 있다. 이것은, 에너지 효율의 관점에서 문제가 있다. 한편, 본 실시형태에 있어서의 사행 억제 장치 (8) 는, 도 1, 4 에 나타낸 바와 같이, 강대 (16) 의 반송 방향으로 지그재그 배치한 3 개의 롤체 (입측 롤 (8a), 출측 롤 (8b), 중앙 롤 (8c)) 에 의해 강대 (16) 를 끼워넣음으로써, 강대 (16) 의 사행을 억제하고 있다. 이와 같은 사행 억제 장치 (8) 의 설치 스페이스는, 상기 서술한 스티어링 기구에 비하여 매우 작아진다. 이 때문에, 사행 억제 장치 (8) 가 설치되는 가열 장치 (7) 와 냉간 압연기 (9) 사이의 거리를 가능한 한 짧게 할 수 있다. 또, 사행 억제 장치 (8) 는, 상기 서술한 스티어링 기구에 비하여 롤체와 강대 (16) 의 접촉을 작게 하여, 롤체로의 열 전달에서 기인하는 강대 (16) 의 온도 저하를 최소한에 그치고 있다. 이상의 점에서, 가열 장치 (7) 에 의한 강대 (16) 의 가열 효율을 향상시킬 수 있음과 함께, 가열 장치 (7) 에 의한 강대 (16) 의 안정적인 가열을 실현할 수 있다. (실시예) 다음에, 본 발명의 실시예에 대해 설명한다. 본 실시예에 있어서, 도 1 에 나타낸 냉간 압연 설비 (1) 는, 규소의 함유량이 3.0 ％ 이상인 각 강판 (15) 의 선미단부끼리를 용접기 (3) 에 의해 접합하여 강대 (16) 로 하고, 이 강대 (16) 의 양 에지부 (16a, 16b) 를 가열 장치 (7) 에 의해 가열하고, 가열 후의 강대 (16) 를 냉간 압연기 (9) 에 의해 연속적으로 냉간 압연하였다. 이 때, 가열 장치 (7) 에 의한 강대 (16) 의 가열 조건은, 냉간 압연기 (9) 에 의해 맞물리기 직전의 강대 (16) 의 양 에지부 (16a, 16b) 가 60 ℃ 이상의 온도를 확보하도록 설정하였다. 또, 냉간 압연 설비 (1) 는, 사행 수정 장치 (5) 의 스티어링 기능에 의해 강대 (16) 의 사행을 수정함과 함께, 사행 억제 장치 (8) 의 중앙 롤 (8c) 을 압하하여 강대 (16) 의 판폭 방향의 이동을 구속하고, 이 상태를 유지하면서, 가열 장치 (7) 에 의해 강대 (16) 의 양 에지부 (16a, 16b) 를 가열하였다. 또, 본 실시예에 대한 비교예 1, 2 에 있어서, 냉간 압연 설비 (1) 는, 사행 수정 장치 (5), 가열 장치 (7), 및 사행 억제 장치 (8) 의 설정 조건을 바꾸어 강대 (16) 를 냉간 압연하였다. 구체적으로는, 비교예 1 에 있어서, 냉간 압연 설비 (1) 는, 상기 서술한 사행 수정 장치 (5) 에 의한 강대 (16) 의 사행 수정 기능을 유효하게 하지만, 사행 억제 장치 (8) 의 중앙 롤 (8c) 을 상승시켜 강대 (16) 의 판폭 방향의 이동을 구속하지 않는 상태로 하고, 이 상태를 유지하면서, 가열 장치 (7) 에 의해 강대 (16) 의 양 에지부 (16a, 16b) 를 가열하였다. 한편, 비교예 2 에 있어서, 냉간 압연 설비 (1) 는, 상기 서술한 사행 수정 장치 (5) 에 의한 강대 (16) 의 사행 수정 기능과 사행 억제 장치 (8) 에 의한 강대 (16) 의 구속 기능 (사행 억제 기능) 의 쌍방을 무효로 하고, 이 상태를 유지하면서, 가열 장치 (7) 에 의해 강대 (16) 의 양 에지부 (16a, 16b) 를 가열하였다. 또한, 비교예 1, 2 에 있어서의 다른 조건은 본 실시예와 동일하게 하였다. 본 실시예 및 비교예 1, 2 의 각각에 대해, 500 개의 코일분의 강대 (16) 를 냉간 압연하고, 냉간 압연시의 강대 (16) 의 파단 발생률을 조사하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다. 표 1 에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 있어서의 강대 (16) 의 파단 발생률은 0.2 ％ 로서, 비교예 1 에 있어서의 강대 (16) 의 파단 발생률 (＝ 0.6 ％) 및 비교예 2 에 있어서의 강대 (16) 의 파단 발생률 (＝ 1.2 ％) 에 비하여, 낮은 값이 되었다. 특히, 본 실시예에 있어서의 강대 (16) 의 파단 발생률은, 사행 수정 장치 (5) 에 의한 강대 (16) 의 사행 수정 기능과 사행 억제 장치 (8) 에 의한 강대 (16) 의 구속 기능을 무효로 한 비교예 2 의 1/6 로 저감되는 것을 알 수 있었다. 이것은, 가열 장치 (7) 의 입측에 있어서의 강대 (16) 의 사행을 사행 수정 장치 (5) 의 스티어링 기능에 의해 수정함과 함께, 가열 장치 (7) 의 출측에 있어서의 강대 (16) 의 냉간 압연 기인의 사행을 사행 억제 장치 (8) 에 의해 억제함으로써, 가열 장치 (7) 와 강대 (16) 의 랩 길이 (La, Lb) 가 정상으로 제어되고, 이 결과, 강대 (16) 의 양 에지부 (16a, 16b) 의 온도를 연성-취성 천이 온도 이상으로 확보하여 강대 (16) 를 냉간 압연하는 것이 가능한 것을 의미하고 있다. 즉, 상기 서술한 사행 수정 장치 (5) 에 의한 강대 (16) 의 사행 수정 기능과 사행 억제 장치 (8) 에 의한 강대 (16) 의 구속 기능의 상승 작용은, 가열 장치 (7) 와 강대 (16) 의 랩 길이 (La, Lb) 를 정상 제어하여 강대 (16) 의 양 에지부 (16a, 16b) 를 안정적으로 가열하는 것에 매우 유효하다. 나아가서는, 이들 양 에지부 (16a, 16b) 의 가열 부족 및 국부 이상 가열을 방지하여 강대 (16) 의 냉간 압연시에 있어서의 강판 파단 (에지 크랙에서 기인하는 파단, 에지 웨이브에서 기인하는 드로잉 파단 등) 의 발생을 저감시키는 것에 매우 유효하다. 이상, 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시형태에서는, 순차 반송되는 강대를 가열하는 가열 장치보다 강대의 반송 방향의 상류측에 배치된 사행 수정 장치에 의해, 이 가열 장치에 반송되는 강대의 사행을 수정하고, 가열 후의 강대를 순차 냉간 압연하는 냉간 압연기와 이 가열 장치 사이에 배치된 사행 억제 장치에 의해, 이 냉간 압연기에 의한 강대의 냉간 압연에서 기인하는 강대의 사행을 억제하고 있다. 이 때문에, 가열 장치의 입측에 있어서의 강대의 사행량을, 가열 장치에 허용되는 허용 범위 내의 값으로 교정할 수 있음과 함께, 냉간 압연에서 기인하는 강대의 사행이 가열 장치 내의 강대에 미치는 영향을 없앨 수 있다. 이로써, 강대의 사행 수정된 상태를, 가열 장치에 의해 동 (同) 강대를 가열하는 기간, 유지할 수 있다. 이 결과, 가열 장치와 강대의 랩 길이를, 강대의 냉간 압연에 최적의 값으로 정상 제어하고, 강대의 양 에지부를 연성-취성 천이 온도 이상의 온도로 안정적으로 승온할 수 있는 점에서, 강대의 양 에지부의 가열 부족 (에지 크랙) 또는 국부 이상 가열 (에지 웨이브) 에서 기인하는 강판 파단의 발생을 가능한 한 억제하여, 강대의 안정적인 냉간 압연을 실현할 수 있다. 본 발명에 관련된 냉간 압연 설비를 사용함으로써, 일반적인 강판은 물론, 규소 강판 등의 난압연재 또는 선행재와 후행재의 접합 부분을 갖는 띠상의 강판 (강대) 등, 어떠한 종류의 피압연재에 대해서도, 급격한 피압연재 형상의 변화 또는 크라운 변화에서 기인하여 발생하는 피압연재의 사행을 억제할 수 있다. 이와 같은 피압연재의 사행 억제 작용을 가열 장치의 입측 및 출측에 있어서 실행하고 있기 때문에, 가열 장치에 있어서의 피압연재의 랩 길이를 최적치로 정상 제어할 수 있고, 이로써, 피압연재의 양 에지부를 안정적으로 목표 온도로 가열할 수 있다. 이 결과, 에지부의 가열 부족에 의한 에지 크랙에서 기인하여 냉간 압연 중의 피압연재에 파단이 발생하는 사태와, 에지부의 국부 이상 가열에 의한 에지 웨이브에서 기인하여 냉간 압연 중의 피압연재에 드로잉 파단이 발생하는 사태를 모두 회피할 수 있는 점에서, 냉간 압연의 조업 효율 및 생산 효율을 향상하는 것이 가능해진다. 또한, 상기 서술한 실시형태에서는, 코일로부터 내보낸 강판을 연속적으로 냉간 압연한 후에 코일상으로 권취하는 완전 연속식 냉간 탠덤 밀 양태의 냉간 압연 설비를 예시했지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 관련된 냉간 압연 설비는, 완전 연속식 냉간 탠덤 밀 이외의 양태인 것, 예를 들어, 산세 라인의 후단에 계속되는 연속식 탠덤 밀이어도 되고, 단스탠드의 리버스 밀이어도 된다. 또, 상기 서술한 실시형태에서는, 강대의 반송 방향으로 4 개의 압연기가 나란히 형성되어 이루어지는 냉간 압연기를 구비하고 있었지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명에 있어서, 냉간 압연 설비 내의 압연기의 설치 수 (스탠드 수) 및 롤 단수는, 특별히 문제삼지 않는다.또한, 상기 서술한 실시형태에서는, 피압연재의 일례로서 강대를 나타냈지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 관련된 냉간 압연 설비는, 일반적인 강판, 복수의 강판을 접합하여 이루어지는 띠상의 강판 (강대), 규소 강판 등의 난압연재 중 어느 것에 대해서도 적용 가능하다. 즉, 본 발명에 있어서, 피압연재로서의 강판의 강종, 접합 상태, 및 형상은 특별히 문제삼지 않는다. 또, 상기 서술한 실시형태에서는, 4 개의 브라이들 롤을 구비한 사행 수정 장치를 예시했지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 관련된 냉간 압연 설비의 사행 수정 장치는, 롤체의 스티어링 기능에 의해 피압연재의 사행을 수정 가능한 것이면 된다. 이 때, 사행 수정 장치의 롤체는, 브라이들 롤에 한정하지 않고, 스티어링 롤이어도 된다. 또, 사행 수정 장치에 있어서의 롤체의 배치 수는, 4 개에 한정되지 않고, 복수이면 된다. 또한, 상기 서술한 실시형태에서는, 3 개의 롤체를 구비한 사행 억제 장치를 예시했지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 있어서의 사행 억제 장치에 있어서, 피압연재를 사이에 두고 피압연재의 반송 방향으로 지그재그 배치되는 롤체의 배치 수는, 3 개에 한정하지 않고, 복수이면 된다. 또, 상기 서술한 실시형태 및 실시예에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 상기 서술한 각 구성 요소를 적절히 조합하여 구성한 것도 본 발명에 포함된다. 그 밖에, 상기 서술한 실시형태에 기초하여 당업자 등에 의해 이루어지는 다른 실시형태, 실시예 및 운용 기술 등은 모두 본 발명에 포함된다. 산업상 이용가능성이상과 같이, 본 발명에 관련된 냉간 압연 설비는, 강판의 냉간 압연에 유용하고, 특히, 강판 파단의 발생을 가능한 한 억제하여, 강판을 안정적으로 냉간 압연하는 것에 적합하다.
[ 부호의 설명 ]
1 : 냉간 압연 설비 2 : 언코일러 3 : 용접기 4 : 루퍼 4a, 4c, 4e, 4g : 고정 롤 4b, 4d, 4f : 가동 롤 5 : 사행 수정 장치 5a ∼ 5d : 브라이들 롤 5e : 롤 경동부 6 : 판폭계 7 : 가열 장치 8 : 사행 억제 장치 8a : 입측 롤 8b : 출측 롤 8c : 중앙 롤 8d : 롤 이동부 9 : 냉간 압연기 9a ∼ 9d : 압연기 10 : 주간 시어 11 : 텐션 릴 12 : 제어부 15 : 강판 16 : 강대 16a, 16b : 에지부 71a, 71b : 인덕터 72a, 72b, 73a, 73b : 레그부 74a, 74b : 가열 코일 75a, 75b : 대차 76a, 76b : 위치 제어부 77 : 정합반 78 : 고주파 전원 79 : 계산 유닛 C1, C2 : 롤 중심축
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본 발명의 일 양태인 냉간 압연 설비는, 순차 반송되는 강판을 가열 장치에 의해 가열하고, 가열 후의 강판을 냉간 압연기에 의해 순차 냉간 압연하는 것으로서, 사행 수정 장치와 사행 억제 장치를 구비한다. 사행 수정 장치는, 가열 장치보다 강판의 반송 방향의 상류측에 배치되고, 이 가열 장치를 향하여 반송되는 강판의 사행을 수정한다. 사행 억제 장치는, 가열 장치와 냉간 압연기 사이에 배치되고, 이 냉간 압연기에 의한 강판의 냉간 압연에서 기인하는 강판의 사행을 억제한다.
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[ 발명의 명칭 ]
어패류의 마취 방법 및 장치METHOD AND DEVICE FOR ANESTHETIZING FISH
[ 기술분야 ]
본 발명은 어패류에 마취 효과를 가지는 고농도 이산화탄소를 포함한 수중에서 기체 산소를 포함한 미세 기포로 어패류에 산소를 공급함으로써 장시간의 마취를 실시하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
[ 배경기술 ]
종래 물고기의 양식 현장 등에서는 질병 예방을 위한 백신 접종, 자주복(tiger puffer)의 서로 물어뜯음 방지를 위한 이를 악물게 하는 등의 장면에서 어체의 손상 및 마모를 방지하기 위한 작업 중인 물고기의 진정화의 필요로 마취약이 사용되고 있다. 현재 식품 첨가물의 일종인 오이게놀(4-알릴-2-메톡시 페놀)을 주성분으로 하는 마취약이 동물용 의약품으로서 승인을 받아 판매되고 있으며(상품명 : FA100), 물고기의 마취약으로 사용되고 있다. 그러나 양식 현장 등에서 사용한 경우 사용된 마취액은 그대로 해양이나 하천에 투기 되기 때문에 환경 보전의 관점에서 바람직하지 않다. 또한 식품의 안전에 대한 소비자의 관심이 높아짐에 따라 양식 물고기의 체내에 잔류할 우려가 있는 마취약의 사용이 꺼려지게 되어 온 것, 또한 일본의 농림 수산성은 어패류를 어획하기 전의 7일간은 마취약의 사용을 금지하는 지도를 하는 등, 어패류의 진정화를 위해서 마취약을 사용할 수 있는 경우는 좁아지고 있다.마취약을 사용하지 않는 물고기의 마취 방법으로는 수중에 용존시킨 이산화탄소에 의한 단시간 마취 기술이 종래부터 알려져 있으며, 최근에는 탄산수소나트륨과 숙신산과 고형화 촉진제를 주원료로 하고 식품 첨가물로서 공인되어 있는 원료만으로 만든 고형 탄산 가스 발포제로 이루어진 어류용 마취제가 개발되어 있다(특허문헌 1 참조). 또한, 특허문헌 2에는 물고기의 냉온 처리와 병용하여 탄산 가스 분압을 55~95mmHg로 조절한 수조 내에서 활어를 장시간 마취 상태로 유지하는 기술이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 3에는 활 오징어를 빙온 상태의 저온 상태로 보관 운반하기 위한 빙온 해수 냉각 장치가 개시되어 있다.장시간 마취 방법에 관해서는 활어 수송으로의 적용 등 넓은 용도로의 응용이 수산 관계자로부터 기대되면서도 종래의 장시간 마취 방법에 있어서는 모든 활어차의 수온을 낮추는 방법을 기본으로 하고 있으며, 냉각 수조를 구비한 활어차에 의한 활어 수송 방법은 특수 차량 설비의 비용 부담과 어종별 저온 생리 특성의 불확실성에 의한 운송중의 폐사의 위험을 피할 수 없어서 실용적인 마취 방법으로서 폭넓게 활용할 수 없다는 문제점이 있다.이산화탄소는 육생 생물에게도 수생 생물에게도 마취 효과를 가지는 것으로 오래전부터 알려져 있으며, 어떠한 유해 물질도 생체 내에 남겨두지 않는다는 점에서 식품 소재가 되는 생물에 대한 마취 방법으로서는 이상적인 마취 방법이라고 할 수 있다. 그러나 수생 생물에 대해서 마취 효과를 얻으려고 하는 경우, 극히 단시간 안에 호흡 부전에 의한 급사를 일으키기에 질병 예방을 위한 백신 접종이나 서로 물어뜯음 방지를 위한 자주복(tiger puffer)의 이를 악물게 하는 등 한정된 용도로 사용하는 단시간 마취 방법이라고 생각되어 왔다(예를 들면, 비특허문헌 1 참조). 한편, 어패류의 유통에 관련된 사람의 일반적인 인식으로서 어패류로의 산소 공급은 용존 산소(D0)가 포화 내지 그에 가까운 상태가 유지되고 있는 것으로 충분하고, 마취하에서조차 포화 용존 산소하에 있으면 산소 결핍은 없다고 믿어지고 있다. 그렇지만 이 인식은 오류이며, 이산화탄소에 의한 어패류의 장시간 마취가 오늘날까지 성공하지 않은 것은 이 잘못된 인식에 기인하고 있다.어패류를 취급하는 수온(20℃전후)하에서 이산화탄소에 의한 마취를 어패류(아가미 호흡을 하는 수생 생물)에 실시하는 경우, 마취에 의해 저하된 아가미 호흡기 운동 때문에 [수중 용존 산소 분압] - [아가미의 모세 혈관 내의 용존 산소 분압] 사이에서 행해지는 산소의 확산 이동 속도는 감소하고, 아가미 박판 모세 혈관으로 섭취되는 산소량은 저하된다. 그 정도에 따라서는 만일 어패류의 개체가 포화 용존 산소의 수중에 놓여져 있던 경우에도 아가미에서 흡수되는 산소량이 개체의 산소 수요량을 충족시킬 수 없는 상태로 빠지는 것이 추론된다. 실제 어패류의 이산화탄소 마취의 사례에서도 에어레이션(aeration)을 실시하면서 포화 용존 산소 수중에서의 어패류에 이산화탄소를 이용하여 마취를 실시한 경우도 분 단위의 극히 단시간에 전체 개체가 호흡을 정지하고 예외없이 급사한다고 하는 사실은 이 추론의 올바름을 증명하고 있다. 그러면 이산화탄소 마취하에서의 어패류의 호흡 부전을 방지하기 위해서는 개체의 산소 수요 자체를 낮추거나 혹은 포화 용존 산소수를 초과하는 산소 환경을 실현하거나 하는 다른 방법밖에 없게 된다.개체의 산소 수요 자체를 낮추는 방법으로서 인공동면 유도 방법(특허문헌 4 참조) 혹은 저온하에서의 한랭 탄산가스 마취 방법(비특허문헌 2 참조), 또한 마취 장치를 사용한 것보다 정밀한 저온 마취 방법(특허문헌 2 참조) 등이 있다. 그러나 이들의 저온 마취 방법은 어패류를 급사시키는 일 없이 저온하(50℃ 이하)에 순화 시키기 위해서는 하루 종일 시간을 필요로 하고, 또한 환경수마다 온도를 저하시키기 위해서는 대규모 장치와 많은 전력 소비를 피할 수 없기 때문에 마취 방법으로서의 실용적 용도는 극히 한정된다.한편, 통상의 어패류를 취급하는 수온(20℃ 전후)하에서 이산화탄소에 의한 마취를 어패류에 실시하는 경우에는 비록 충분한 농도의 용존 산소를 포함한 마취용 탄산수를 미리 제조한 후 일정 농도의 용존 탄산 가스 및 용존 산소를 포함한 신선한 마취용 탄산수를 상시 마취용 수조에 공급하는 장치(특허문헌 2 참조)를 사용하더라도 최대 20분간 정도의 단시간 마취만 가능하게 된다. 마취하에서는 포화 용존 산소의 수중에 있어도 아가미에서 흡수되는 산소양은 어패류 개체의 산소 수요량을 충족시킬 수 없기 때문에 분 단위의 극히 단시간에 어패류는 호흡 부전을 일으켜 예외없이 급사한다.
[ 선행기술문헌 ]
[ 특허문헌 ]
일본 특허 제4831409호 공보일본 특허 제4951736호 공보한국 특허 제10-0531728호 공보일본 특허 제4332206호
[ 비특허문헌 ]
타케다 토오루들 저(著), 「'이산화탄소 마취의 활어 수송으로의 응용 가능성 검토」, 일본 수산 학회지, 49(5), 1983년, p.725-731미쓰다 히사테루들 저(著), 「한랭 탄산 가스 마취의 활어 수송으로의 응용」, 동결 및 건조 연구회 회지, 37, 1991년, p.54-60
[ 발명의 개요 ]
[ 해결하려는 과제 ]
본 발명은 종래의 마취 방법에 있어서 전술한 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 마취 효과가 발휘되는 고농도의 이산화탄소를 포함한 수중 환경하에 있어서 안전하고 실용적인 간편함을 가지고 어패류에 장시간의 마취를 실시하는 방법 및 장치를 제공하는 것이다.
[ 과제의 해결 수단 ]
본 발명에 있어서 마취의 원리는 다음과 같다. 통상 수온(20℃ 전후)하에서 어패류에 대해서 이산화탄소에 의한 장시간 마취를 실현하기 위해서는 포화 용존 산소수를 초과하는 고산소 환경을 어패류에 제공해야 한다. 이산화탄소 마취에 의해 저하된 호흡 운동은 아가미부에서 [수중 용존 산소 분압] - [아가미의 모세 혈관 내의 용존 산소 분압]의 분압차에 의한 산소 확산을 감소시키고, 아가미 박판 모세 혈관으로 섭취되는 산소량이 저하됨으로써 저산소혈증을 일으켜 급사를 초래한다. 이것을 방지하려면 아가미부에서의 산소 확산을 현저히 증가시키는 방법이 필요하고 이를 위한 새로운 방법으로서 기체 산소를 포함한 미세 기포에 의해 어패류에 산소 공급을 하는 방법을 고안했다. 즉, 기체 산소를 포함한 미세한 기포를 아가미부에 접촉시킴으로써, [수중 용존 산소 분압]- [아가미의 모세 혈관 내의 용존 산소 분압]의 분압차를 초과한 [기체 산소 분압] - [아가미의 모세 혈관 내의 용존 산소 분압]의 분압차를 만들어 아가미 박판 모세 혈관으로 섭취되는 산소량을 현저히 증가시키는 방법이다.본 발명의 제1 형태는 대상이 되는 어패류에 대해서 마취 효과를 가지는 고농도 이산화탄소를 수중에 생성하는 공정과, 수중에 기체 산소를 포함한 미세 기포를 공급하는 공정을 포함하는 어패류의 마취 방법이다.마취 효과를 발휘하는 이산화탄소 농도를 수중에 생성하는 방법으로서는 특정 방법으로 한정되는 것이 아니고, 예를 들면, 수중에 용해 분자로서 공급하는 방법이나 미세 기포로서 공급하는 방법 등을 사용할 수 있다. 또한, 산소와 이산화탄소를 포함한 혼합 기체의 미세 기포로서 공급하는 것도 가능하다.기체 산소를 포함한 미세 기포는 수류(水流)에 의해 어패류의 아가미 상피 세포막 표면에 접촉시키도록 공급하는 것이 바람직하다. 기체 산소를 포함한 미세 기포는 수중에서 부상하는 일 없이 위치가 유지되는 정도의 크기인 것이 바람직하다. 마취하에서 이동할 수 없는 어패류의 개체에 안정된 농도로 지속적으로 산소를 공급하기 위해서는 부력을 가지지 않는 입경 1μm 이하인 것이 바람직하고, 또한, 입경의 최빈치(最頻値)가 300nm 이하인 것이 바람직하다. 또한, 기체 산소를 포함한 미세 기포를 4000만개/ml 이상의 밀도로 공급하는 것이 바람직하다.본 발명의 제2 형태는 대상이 되는 어패류를 수용하는 수조와, 상기 수조 내에 이산화탄소를 공급하는 수단과, 상기 수조 내에 기체 산소를 포함한 미세 기포를 공급하는 수단을 구비하는 어패류 마취 장치이다.본 발명에 있어서 어패류란 어류 외에 두족류 및 갑각류 등의 아가미 호흡에 의해 산소를 섭취하는 유영성(遊泳性)을 가진 수생 생물을 포함한 개념이다.
[ 발명의 효과 ]
본 발명에 따르면, 수중에 이산화탄소를 공급하고 대상이 되는 어패류에 대해서 마취 효과를 가지는 고농도 이산화탄소를 부여함과 아울러, 마취하에서는 포화 용존 산소 환경에서도 개체의 산소 수요를 충족시키지 못하는 문제를 해결하는 방법으로서 기체 산소를 포함한 미세 기포를 공급함으로써 통상 수온(20℃ 전후) 하에서 어패류를 급사시키는 일 없이 안전하게 마취를 실시할 수 있다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
본 발명의 실시와 관련된 마취 방법의 개요에 대해서 설명한다. 어패류의 종마다 존재하는 적정 마취 심도(사람의 전신 마취에서 마취 제3기 제1상에서 제2상에 상당하는 마취 심도( = 시상, 피질 하핵, 척수의 마비)를 유도하고 유지하는데 적합한 농도의 이산화탄소를 지속적으로 또한 정확하게 개체의 아가미 부분에 공급하기 위해 수조 전체에 임의의 고농도 이산화탄소를 공급하여 마취의 유도 유지를 행한다. 동시에 어패류의 개체 산소 수요량을 초과하는 산소를 공급하기 위해 기체 산소를 포함한 미세 기포(이하, 미세 기포라 한다.)를 개체의 아가미 부분에 직접 접촉하도록 수류에 의해 지속적으로 공급한다. 미세 기포가 접한 아가미 부분에서는 [기체 산소 분압] - [아가미의 모세 혈관 내의 용존 산소 분압]간의 분압차로 산소의 확산 이동이 이루어지기 때문에 이 부분에서 아가미 박판 모세 혈관에 섭취 되는 산소량은 비약적으로 증가한다. 아가미 박판 모세 혈관에 섭취되는 산소량은 아가미 상피 세포의 막 표면에 접하는 미세 기포의 직경, 기포 내압, 기포수에 의존한 확산 계수에 따라 보다 작은 기포가 보다 많이 아가미 상피 세포의 막 표면에 접함으로써, 아가미 박판 모세 혈관에 섭취되는 산소량은 증가하게 되고, 이 방법에 의해 이산화탄소 마취하에서 개체의 산소 수요를 상회하는 고 산소 농도 환경을 실현하는 것이 가능하다.다음으로 마취하에서 어패류의 산소 수요량을 충족하는 것을 가능하게 하는 환경 산소 농도에 대해 설명한다. 공기의 산소 농도는 대략 21%(대기 조성 = 체적 백분율은 질소 78%, 산소 21%, 아르곤 O.93%, 이산화탄소 약 O.03%)이며, 폐 호흡을 하고 있는 육상 동물은 이 산소 농도하에서 개체의 산소 수요에 알맞는 산소를 보급하고 있다. 사람이나 가축 등의 육상 동물을 마취하는 때에는 마취의 합병증으로서의 호흡 부전을 회피하기 위해 고농도 산소 흡입을 실시하지만, 이 때의 산소 농도는 대략 40% ~ 80%의 범위에서 조정된다. 즉, 건강시에 호흡하는 보통 공기의 대략 2 ~ 4 배의 고농도 산소 공급을 함으로써, 마취에 의해 억제된 자발 호흡 운동하에서 발생하는 합병증으로서의 호흡 부전을 회피하고 있다. 마취로 억제된 호흡 중추에 의해 자발 호흡 운동이 저하되어 저산소 혈증을 일으키고, 전신의 말초에 있어서 산소 농도가 저하됨으로써, 합병증으로서의 호흡 부전을 야기하지만, 이를 방지하기 위해 폐로 흡입되는 산소 농도를 2 ~ 4배로 하여 [폐세포 내의 산소 분압] - [폐세포의 모세 혈관 내의 산소 분압]의 분압차를 높여 폐세포의 모세 혈관 내에 섭취되는 산소량을 올림으로써, 기능이 저하된 폐호 흡 운동을 보완하고 있다. 폐호흡을 하고 있는 육상 동물에서 볼 수 있는 현상, 즉, 마취하에서는 통상의 생존 환경보다 수 배의 고농도 산소 공급이 필요하다는 것이 어패류에 있어서도 해당하는 것이 당연하게 추정되지만, 그렇다면 해수에 서식하는 어패류 및 두족류에 장시간의 마취를 실시하는 것은 곤란하다. 왜냐하면 해양 표층의 산소 농도는 대부분의 조사 지점에 있어서 6 ~ 7.5mg/L의 범위(포화 산소 농도의 85 ~ 100%)이며, 많은 어패류는 용존 산소가 거의 포화된 수중에 생존하고 있기 때문이다. 어떤한 방법에 의해서도 용존 산소 100%의 상태의 물에 대해서 그 용존 산소 농도를 몇 배로 끌어올리는 것은 불가능하다. 따라서 통상 어패류를 취급하는 수온(20℃ 전후)하에서 이산화탄소에 의한 마취를 실시하면 분 단위의 극히 짧은 시간 내에 마취로 억제된 호흡 운동에 의해 저산소 혈증을 일으켜 호흡 부전이 되어 급사하는 것이다. 이것을 방지하기 위해서는 통상 생존 환경의 적어도 몇 배 이상의 산소 농도 환경을 마취하의 어패류에 제공하는 것이 필요하게 된다.다음으로 어패류에 높은 산소 농도 환경을 부여하기 위한 미세 기포의 직경과 밀도에 대해서 설명한다. 수중에 존재하는 기포는 그 직경에 의해 부력의 크기가 정해져, 수중을 상승하는 속도에 반영된다. 수중의 기포의 상승 속도는 액체 물성에 의존하지만, 수중에서는 직경 100μm 정도에서 레이놀즈 수 Re가 거의 1이 된다. 또한 Re003c#l에서는 구형 기포 계면의 유동 상태에 따라 개체구로서 움직이기 때문에 Stokes식이 잘 적용된다. 또한 증류수나 수돗물을 이용한 실험의 측정 결과도 Stokes식에 의한 계산값과 거의 일치하는 것으로 알려져 있다. 따라서 수중의 기포의 상승 속도는 아래 표와 같이 계산된다. 즉, 직경이 1μm 이하인 기포(나노 버블)은 시간 단위로 생각하면 부상하는 일 없이 위치가 유지되고 있다. 따라서 마취하에서 이동할 수 없는 어패류의 개체에 안정적인 농도로 지속적으로 미세 기포를 공급하기 위해서는 부력을 가지지 않는 입경 1μm 이하의 기포가 적합하다.기포경 수중에서의 기포의 상승 속도100μm 5440μm/s10μm 54.4μm/s≒19.6cm/h1μm 0.544μm/s≒2mm/h미세 기포가 접한 어패류의 아가미 부분에서는 [기체 산소 분압] - [아가미의 모세 혈관 내의 용존 산소 분압]간의 분압차로 산소의 확산 이동이 이루어진다. 아가미 박판 모세 혈관에 섭취되는 산소량은 아가미 상피 세포의 막 표면에 접하는 미세 기포의 직경(기포내 압력)과 수에 의존한 확산 계수에 따라 변화하고, 보다 작은 기포가 더 많이 아가미 상피 세포의 막 표면에 접함으로써, 아가미 박판 모세 혈관에 섭취되는 산소량은 증가한다. 수중의 기포 직경과 기포내 압력의 관계는 Young-Laplace의 식으로 나타내면 그 관계는 「ΔP = 4σ/d」로 주어진다. 이때 물의 표면 장력 σ = 72.8mN/m(20℃), 기포 주위의 압력은 1atm으로 하면 이하와 같이 된다.기포경기포내 압력 (atm)1mm1.003100μm1.0310μm1.291μm3.9500nm5.8300nm9.7200nm14.6100nm29.7즉, 산소의 확산 속도를 높여 아가미 박판 모세 혈관에 섭취되는 산소량을 증가시키기 위해서는 [기체 산소 분압] - [아가미의 모세 혈관 내의 용존 산소 분압]간의 분압차를 크게 하면 좋다. 그러기 위해서는 미세 기포 직경은 작을수록 기하급수적으로 효율이 좋아진다. 현실적으로는 아가미 상피 세포의 막 표면에 접하는 것이 가능한 미세 기포수에는 어느 정도의 한계가 있기 때문에, [기체 산소 분압] - [아가미의 모세 혈관 내의 용존 산소 분압]간의 분압차가 10배 이상이 되는 입경 300nm 이하의 미세 기포가 아가미 박판 모세 혈관에 섭취되는 산소 총량을 높이기 위해 현저한 효과를 발휘하는 것으로 생각된다.다음으로 본 발명의 작용 효과를 확인하기 위해 행한 실시예에 대해 설명한다.《실시예1 : 수온 20℃에서 어패류에 이산화탄소 마취를 했을 때의 마취 한계 시간의 확인》통상 어패류를 취급하는 수온(20℃ 전후)하에서 어패류에 이산화탄소 마취를 행하면 포화 용존 산소하에서도 극히 단시간 내에 급사하는 것으로 알려져 있다. 마취의 한계 시간을 실험을 통해 확인한다. 실험에 제공한 어패류의 종류와 개체수는 표 3에 내타냈다. 실험용 700L 수조 내의 수온은 20℃로 조정하고, 통상의 에어 펌프와 에어 스톤을 사용하여 수조 내의 해수의 용존 산소(D0)를 포화 상태로 유지했다. 포화 용존 산소하에서 이산화탄소를 수중에 통기시켜 분당 증가량 0.5%의 속도로 용존 이산화탄소의 농도를 올려 어패류에 마취가 걸릴 때까지 농도를 높였다. 유영 행동이 없고 아가미 부분의 호흡 운동을 제외한 신체 움직임이 정지한 상태를 모니터 카메라로 확인한 시점을 마취 시작이라고 평가했다. 그 후, 마취가 걸린 이산화탄소 농도보다 약간 높은 농도로 유지해 마취를 계속했다. 5분 마다 아가미 부분의 활동이 정지한 개체를 끌어올려 급사를 확인했다. 그 결과, 모든 개체는 마취 후 30분 이내에 급사에 도달했고, 그 경과는 표 4에 나타낸 대로이다. 또한, 수중의 이산화탄소 농도는 토아디케이케이사(DKK-TOA CORPORATION)의 제품 CGP-31형 탄산가스 농도 측정기로 측정하고, v/v%로 표기했다.실험에 제공한 어패류개체수 흰 오징어(Sepioteuthis lessoniana)2 가루파(Anyperodon leucogrammicus)2 벤자리(Parapristipoma trilineatum)2 전갱이(Trachurus japonicas)2 참돔(Pagrus major)2어패류개체번호마취 효과가 나타난 때의 CO2 농도＊(%)마취를 유지한 CO2 농도(%)급사를 확인한 시간(마취한계시간)흰 오징어No.15.37.010분후No.24.215분후가루파No.16.88.010분후No.25.820분후벤자리No.14.05.010분후No.22.910분후전갱이No.14.37.010분후No.26.015분후참돔No.18.910.025분후No.27.315분후＊주: 사람의 전신 마취에서 마취 제3기 제1상에서 제2상에 상당하는 마취 심도( = 시상, 피질 하핵, 척수의 마비)인 것으로 관찰된 때의 이산화탄소 농도《실시예2 : 어패류에 마취 효과가 나타나는 이산화탄소 농도의 확인》실험에 제공한 어패류의 종류와 개체수는 표 6에 나타냈다. 실험용 700L 수조 내의 수온은 20℃로 조정하고, 미세 기포 발생 장치에 의해 수조에 표 5에 나타낸 입경 분포의 미세 기포를 지속적으로 공급함과 아울러, 이산화탄소를 수중에 통기시켜 분당 증가량 0.5%의 속도로 용존 이산화탄소 농도를 올려 어패류에 마취가 걸릴 때까지 농도를 높였다. 유영 행동이 없고 아가미 부분의 호흡 운동을 제외한 신체 움직임이 정지한 상태를 모니터 카메라로 확인한 시점을 마취 시작이라고 평가했다. 그 후, 마취가 걸린 이산화탄소 농도보다 약간 높은 농도에 도달한 때에 이산화탄소의 공급을 중지하고, 그 직후부터 기체 산소를 통기시켜 이산화탄소를 수조에서 몰아 내고, 감소량 1%/30min의 속도로 서서히 이산화탄소 농도를 낮추어 어패류를 마취에서 각성시켰다. 그 결과, 실험에 제공한 모든 어패류는 정상으로 각성하고, 각성 후 6시간 시점의 육안적 소견에 있어서도 어떠한 이상이 관찰되는 개체를 인정할 것은 없었다. 즉, 광범위한 어패류에 대해서 통상 어패류을 취급하는 수온(20℃ 전후)하에서의 장시간 이산화탄소 마취가 가능한 것이 밝혀지고, 그 경과는 표 7에 나타낸 대로이다. 또한, 흰 오징어에 대해서는 마취 초기의 흥분 상태가 발단이 되어 3마리 중 1마리가 먹물을 토했기 때문에 일단 실험을 중단하고, 환수한 후 계속 동일한 개체를 이용해 행한 재실험 결과를 나타내고 있다. 오징어류에 마취하는 경우에는 마취 초기에 나타나는 가벼운 흥분 상태가 발단이 되어 일으킨다고 생각되는 먹물을 토하는 반응을 완전히 억제하기 위해 마취 유도 기간의 흥분이 적어지게 하는 이산화탄소 농도 상승 방법을 탐색할 필요가 있다고 생각된다.평균입경(Mean)187nm최빈치(Mode)136nm표준편차(SD)42nm총농도(Totalconcentration)4200만개이상/ml 실험에 제공한 어패류개체수체중 흰 오징어(Sepioteuthis lessoniana)3약 500g 가루파(Anyperodon leucogrammicus)3약 450g 벤자리(Parapristipoma trilineatum)3약 500g 전갱이(Trachurus japonicas)3약 400g 참돔(Pagrus major)3약 550g어패류개체번호마취 효과가 나타난 때의 CO2 농도＊공급정지시의 CO2 농도각성할 때까지의 시간(마취시간)각성 6시간 후의 소견힌 오징어No.15.87.030분이상 없음No.24.460분이상 없음No.35.070분이상 없음가루파No.17.08.0120분이상 없음No.25.3160분이상 없음No.36.8140분이상 없음벤자리No.14.15.0100분이상 없음No.24.0120분이상 없음No.33.0130분이상 없음전갱이No.16.07.090분이상 없음No.25.6120분이상 없음No.35.0110분이상 없음참돔No.18.610.040분이상 없음No.28.290분이상 없음No.39.380분이상 없음《실시예3 : 이산화탄소에 의한 장시간 마취의 실증 실험》실험에는 무게 약 450g의 벤자리 5마리를 이용했다. 실험용 700L 수조 내의 수온은 20℃로 조정하고, 미세 기포 발생 장치에 의해 수조에 표 5에 나타낸 입경 분포의 미세 기포를 지속적으로 공급함과 아울러, 이산화탄소를 수중에 통기시켜 용존 이산화탄소의 농도를 5%까지 올려 벤자리에 마취를 실시했다. 용존 이산화탄소의 농도가 5%에 도달한 시점에서 모든 개체는 유영 행동이 없고 아가미 부분의 호흡 운동을 제외한 신체 움직임이 정지한 상태인 것을 모니터 카메라로 확인했다. 그 후, 5.0 ~ 4.5%의 범위로 이산화탄소 농도를 유지하고, 20시간의 마취를 실시했다. 마취 후, 기체 산소를 통기시켜 이산화탄소를 수조에서 몰아 내고, 1%/30min의 속도로 서서히 이산화탄소 농도를 낮추어 어패류를 마취에서 각성시켰다. 이산화탄소 농도가 충분히 저하한 2 ~ 3시간에 실험에 제공한 모든 개체는 정상으로 각성하고, 각성 24시간 후의 소견에서도 비정상적인 개체를 인정할 것은 없었다. 즉, 용존 이산화탄소와 기체 산소를 포함한 나노 사이즈의 기포를 동시에 공급함으로써, 통상 취급 수온(20℃ 전후)하에서 안전하고 장시간의 마취를 어패류에 실시할 수 있는 것이 실증되고, 그 경과는 표 8에 나타낸 대로이다.어패류개체번호마취 효과가 나타난 때의 CO2 농도＊마취를 유지한 CO2 농도각성한 때의 CO2 농도각성 24시간 후의 소견벤자리No.12.85.01.2이상 없음No.23.81.8이상 없음No.33.01.2이상 없음No.43.41.2이상 없음No.54.22.0이상 없음
[ 산업상 이용가능성 ]
본 발명에 의하면, 마취에 의해 진정화시킨 어패류의 장시간, 장거리 수송을 하는 것이 가능해진다. 마취에 의해 진정화시킨 어패류는 생리, 대사 활성이 저하되기 때문에, 노폐물의 배출로 인한 수질 악화를 억제할 수 있고, 한정된 수조 내의 적재율을 향상시킬 수 있다. 어패류에 대해서 안전한 장시간 마취를 실시한 후, 다시 원래의 각성 상태로 되돌려서 활어로서 헤엄쳐 도는 것을 가능하게 한 새로운 마취 기술에 의해 육로, 항공로, 해로, 어느 수송 수단에 있어서도 종래 불가능하였던 원거리까지 살린 채로 어패류를 운반하는 것이 가능해진다. 또한, 물고기의 양식 현장 등에서는 질병 예방을 위한 백신 접종, 자주복(tiger puffer)의 서로 물어뜯음 방지를 위한 이를 악물게 하는 등 다양한 장면에서 어체의 손상 및 마모를 방지하기 위한 물고기의 진정화에 사용할 수 있다.
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[과제] 마취 효과가 발휘되는 고농도의 이산화탄소를 포함한 수중 환경하에 있어서 안전하고 실용적인 간편함을 가지고 어패류에 장시간의 마취를 실시한다. [해결수단] 기체 산소를 포함한 미세 기포를 어패류의 아가미 상피 세포막 표면에 접촉시킴으로써, [수중 용존 산소 분압] - [아가미의 모세 혈관 내의 용존 산소 분압]의 분압차를 초과한 [기체 산소 분압] - [아가미의 모세 혈관 내의 용존 산소 분압]의 분압차를 만들어 아가미 박판 모세 혈관으로 섭취되는 산소량을 현저히 증가시킨다. 이에 따라, 마취에 의해 억제된 자발 호흡 운동하에서 발생하는 호흡 부전을 회피하고, 통상 어패류을 취급하는 수온(20℃ 전후)하에서의 장시간 이산화탄소 마취가 가능하게 하였다.
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[ 발명의 명칭 ]
파일 전도 방법, 파일 전도 시스템 및 그러한 파일 전도 시스템을 포함하는 선박
[ 기술분야 ]
본 발명은 해양 풍력 터빈의 기초가 되는 모노파일을 전도하는 방법 및 파일 전도 시스템에 관한 것이다.
[ 배경기술 ]
GB2226539 A호는 2개의 크레인을 사용하여 파일을 전도하되, 크레인들 중 한 크레인은 슬링을 통해 파일의 일 단부에 연결되어 있고, 다른 크레인은 슬링을 통해 파일 위에 이격되어 있는 두 연결 지점에 연결되어 있되, 이들의 작용 라인은 슬링보다 무게 중심(c)의 타측에 있는, 해양 건설 작업에 사용되는 시스템을 개시하고 있다. 전도하는 동안에, 스프레더 바가 연결 지점들 간의 이격을 유지한다. 슬링이 시브 주위를 향해 있어서, 파일을 전도하는 중에 양 슬링이 파일의 하중을 균등하게 분담함으로써, 한 슬링이 다른 슬링에 대해 올려지거나 내려지게 된다. 3개의 포인트 리프트 장치가 파일 위에 지나치게 큰 벤딩 응력이 가해지지 않도록 한다.파일의 아웃보드 단부가 파일 캔트 주위에 있는 서포트 위에 안착되어 있는, 해양에서 파일을 전도하는 것이 공지되어 있다. 전도하는 중에, 아웃보드 단부는 후크가 형성되어 있는 케이블에 의해 지지된다.풍력 터빈을 지지하기 위한 것과 같은 모노-파일의 직경은 최대 4 내지 6미터에 이르고, 중량은 수백 톤에 이를 수 있다. 이들 파일들이 파일 제조 사이트에서 예를 들면 풍력 터빈 파크로 수평방향 자세로 운반된다. 이들 파일들은 최종적으로는 수직방향 자세로 사용된다. 이에 따라, 이들 파일들은 사이트에서 수평방향에서 수직방향으로 전도된다. 파일이 벽 두께가 얇은 구조이고, 국부적으로 벤딩 응력을 받기 쉽기 때문에, 이러한 전도 작업은 매우 어려운 작업이다. 또한, 파일 근방에서의 아웃보드 조업은 작업자에게 매우 위험할 수 있다.
[ 발명의 개요 ]
[ 해결하려는 과제 ]
이에 따라, 본 발명은 파일을 전도하는 중에 작업자에게 보다 안전한 파일 전도 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.본 발명의 다른 목적은 종래의 파일 전도 시스템이 안고 있는 문제점들을 적어도 부분적으로 해결하여 종래의 파일 전도 시스템을 개량하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 대안의 파일 전도 시스템을 제공하는 것이다.
[ 과제의 해결 수단 ]
본 발명의 일 측면에 따르면, 이러한 본 발명의 목적은, 해양 풍력 터빈의 기초가 되는 모노파일 같은 파일을 전도하기 위한 파일 전도 시스템으로, 그 파일 전도 시스템은,- 선회 가능하게 장착되는 파일 지지 프레임으로, 상기 파일 지지 프레임은 파일의 외측 벽과 맞닿을 수 있는 시트를 구비하며, 파일이 전도되는 중에 시트가 파일을 지지할 수 있도록 상기 파일 지지 프레임이 지지 프레임의 회전축 중심에 선회 가능하게 위치하는 파일 지지 프레임과,- 실제 사용할 때에, 파일의 아웃보드(outboard) 단부를 지지하기 위한 케이블 시스템으로, 상기 케이블 시스템은, 상기 파일을 전도하는 중에, 파일의 아웃보드 단부를 지지하기 위한 호이스트 부재가 형성되어 있는 아웃보드 단부를 구비하는 하나 혹은 그 이상의 장력을 받는 혹은 장력을 받을 수 있는 케이블들을 포함하는, 케이블 시스템과,- 실제 사용 시에, 케이블 시스템의 호이스트 부재를 지지하며, 아웃보드로 연장하기 위한 프레임 부재를 포함하는 아웃보드 지지 시스템을 포함하며,파일이 시트를 따라 종 방향으로 이동할 때, 파일이 호이스트 부재와 맞닿을 수 있도록, 호이스트 부재가 상기 시트로부터 이격되되 상기 시트와 정렬되게 호이스트 부재를 배치하기 위해, 프레임 부재가 지지 프레임의 회전축을 가로지르는 방향으로 연장하도록, 상기 아웃보드 지지 시스템이 상기 파일 지지 시스템에 대해 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 파일 전도 시스템에 의해 실현된다.본 발명과는 대조적으로, 데니스 데니(Dennis Denney) 등에 의한 "파일-안내 툴(Pile-Guiding Tool)", Journal of Petroleum Technology, 2013년 3월 7일 (2013-03-07)의 도 4는 케이블 시스템을 개시하고 있지 않으며, 이에 따라 케이블 시스템의 호이스트 부재의 서포트를 개시하고 않고 있다는 점에 주목해야 한다. 그 대신, 데니스 데니 등은 파일의 단부를 지지하기 위해 선회 가능하게 장착되어 있는 파일 서포트 프레임과 아웃보드 서포트 프레임을 개시하고 있다. 본 발명과는 대조적으로, 데니스 데니 등의 아웃보드 서포트 프레임은 조업 중에 파일의 아웃보드 부분을 증가시키는 것이 바람직함에도 유연성을 제공하지 못하게 길이가 고정되어 있다.이와 유사하게, 만프레드 베이어(Manfred Beyer) 등에 의한 "New BAUER Flydrill system drilling monopiles at Barrow Offshore Wind Farm, UK", BAUER Maschinen GmbH, D-865292 Schrobenhausen, Germany, 2011년 10월 21일(2011-10-21)도 케이블 시스템을 개시하고 있지 않으며, 이에 따라 케이블 시스템의 호이스트 부재의 서포트를 개시하고 않고 있다. 그 대신, 베이어는 파일을 전도하는 중에 파일을 데크 상의 프레임 내에 유시하는 파일 핸들링 시스템과, 시스템이 구동하는 중에 파일을 안내하는 작은 아웃보드 프레임을 개시하고 있다.렘코 레벤탈(Remco Loewenthal) 등에 의한 "IHC Handling System", 2009년 10월 16일(2009-10-16)은 홀딩 프레임을 구비하는 새들 및 후크 컨셉 및 파일을 전도하는 중에 파일의 단부를 유지하는 케이블 및 후크 시스템을 개시하고 있다. 그러나 레벤탈은, 사용하는 중에, 케이블 시스템의 호이스트 부재를 지지하고 아웃보드를 신장시키기 위한 프레임 부재를 포함하는 아웃보드 지지 시스템을 개시하고 있지 않다. 이에 따라, 레벤탈은 더 많은 아웃보드 조업을 필요로 하게 되며, 이는 상당히 바람직하지 않다.GB2394498호(Engineering Business, 2004년 4월 28일)는 윈치-케이블 시스템을 사용하여 이동시킬 수 있는 A-프레임을 사용하여, 풍력 터빈을 수중 파일 바로 위에 있는 구조물 상에 설치하기 위한 피봇 프레임을 개시하고 있다. GB2394498호는 케이블 시스템을 개시하고 있지 않으며, 이에 따라 케이블 시스템의 호이스트 부재의 서포트를 개시하고 않고 있다. 그 대신, 구조물이 직립 상태에 있을 때, 즉 구조물이 전도된 후, 가이드 혹은 풀 와이어가 구조물의 단부에 부착되어 있다. 가이드 와이어는 구조물의 단부를 미리 자리잡고 있는 기초 내로 안내하는 데에 사용된다(8페이지 7-9줄 참조).본 발명에 따른 파일 전도 시스템의 일 실시형태에서, 프레임 부재 인보드 단부는, 그 프레임 부재가 파일 지지 프레임과 선회하도록, 파일 지지 프레임에 체결되어 있다. 이렇게 됨으로써, 파일이 시트를 따라 종 방향으로 이동할 때 파일이 호이스트 부재와 맞닿도록(engage) 호이스트 부재가 시트와 정렬된 상태를 유지하는 것이 보증된다. 파일 전도 시스템의 일 실시형태에서, 프레임 부재는 그 프레임 부재가 파일지지 프레임과 일체로 선회하도록 파일 지지 프레임과 유닛을 형성한다. 이는 호이스트 부재가 시트와의 정렬된 상태를 유지하는 것을 더 보증하게 된다.파일 전도 시스템의 일 실시형태에서, 파일 지지 프레임은, 지지 프레임이 지지 프레임의 회전축 주위로, 그리고 지지 프레임의 회전축을 가로지르는 축들 주위로 회전할 수 있도록 하는 구면 베어링을 통해 선회 가능하게 장착되어 있다. 이러한 방식으로, 예를 들어, 크레인 드라이버가 파일의 상단부를 이론상 전도 평면으로부터 멀어지게 이동시킬 때, 시트와 파일의 외측 벽과 최적으로 맞닿게 할 수 있다.일 실시형태에서, 파일 전도 시스템은 파일 지지 프레임이 지지 프레임의 회전축을 가로지르는 소정의 축 주위로 회전하는 파일 지지 프레임의 움직임을 구속하기 위한 지지 프레임 구속 시스템을 포함한다. 이러한 방식으로, 구면 베어링만으로 시트를 지지하기 보다는 시트를 좀 더 넓은 영역에서 지지할 수 있게 된다. 이렇게 함으로써, 기구적 응력이 줄어들게 된다. 파일 전도 시스템의 일 실시형태에서, 지지 프레임 구속 시스템은 구면 베어링의 양 측 모두 위에서 연장한다. 이러한 방식으로, 구면 베어링이 대칭형으로 부하를 덜게 된다.파일 전도 시스템의 일 실시형태에서, 지지 프레임 구속 시스템은 슬롯형 홀과 연계되어 작동하는 캠을 포함한다.파일 전도 시스템의 일 실시형태에서, 프레임 부재는 그 프레임 부재의 종 방향 축선을 따라 신장할 수 있다. 이렇게 됨으로써, 사람에 의한 아웃보드 작업의 필요성이 줄어들게 된다.일 실시형태에서, 파일 전도 시스템은 유압 실린더 같은 구동 시스템을 포함한다. 지지 프레임 회전축 주위로 지지 프레임 상에 각 위치(angular position)를 부여하기 위해, 구동 시스템은 파일 지지 프레임에 체결되어 있다. 본 발명은, 본 발명에 따른 파일 전도 시스템을 포함하여 구성되는 선박에도 관한 것이다. 이러한 선박의 일 실시형태에서, 프레임 부재가 수직 자세를 취하도록 지지 프레임 회전축이 아웃보드로 연장한다. 이렇게 함으로써, 파일을 전도하는 전 공정에서, 사람에 의한 아웃보드 작업의 필요성이 줄어들게 된다.본 발명은 파일, 특히 해양 풍력 터빈의 기초가 되는 모노파일을 전도하는 방법으로, 상기 방법은,- 파일을 지지 프레임의 회전축 주위로 선회시키기 위해 파일을 선회 가능하게 지지하는 단계,- 선외에서 사용할 때에, 상기 파일을 전도하는 동안에 파일의 아웃보드 단부를 지지하기 위한 호이스트 부재가 형성되어 있는 아웃보드 단부를 구비하는 장력을 받는 혹은 장력을 받을 수 있는 케이블을 포함하는 케이블 시스템을 통해 파일의 단부를 지지하는 단계,- 실제 사용 시에, 선외로 연장하기 위한 프레임 부재를 포함하는 아웃보드 지지 시스템을 통해 케이블 시스템의 호이스트 부재를 지지하는 단계를 포함하며,파일이 시트를 따라 종 방향으로 이동할 때, 파일이 호이스트 부재와 맞닿을 수 있도록, 호이스트 부재가 상기 시트로부터 이격되되 상기 시트와 정렬되게 호이스트 부재를 배치하기 위해, 프레임 부재가 지지 프레임의 회전축을 가로지르는 방향으로 연장하도록, 상기 아웃보드 지지 시스템이 상기 파일 지지 시스템에 대해 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 파일 전도 방법에도 관한 것이다.본 발명은, 명세서에 기재되어 있는 기술적 특징 및/또는 도면에 도시되어 있는 기술적 특징 중 하나 혹은 그 이상을 포함하는 장치(device)에도 관한 것이다.본 발명은 명세서에 기재되어 있는 기술적 특징 및/또는 도면에 도시되어 있는 기술적 특징 중 하나 혹은 그 이상을 포함하는 방법에도 관한 것이다.추가의 이점들을 제공하기 위해, 본 특허에서 논의되어 있는 여러 측면들이 서로 조합될 수 있다.
[ 도면의 간단한 설명 ]
도면들에 도시되어 있는 바람직한 실시형태를 참고하며, 본 발명이 좀 더 명확해질 것이다.도 1은 본 발명에 따른 파일 전도 시스템의 사시도이다.도 2는 도 1에 따른 파일 전도 시스템의 평면도이다.도 3은 도 1에 따른 파일 전도 시스템의 측면도이다.도 4는 도 1에 따른 파일 전도 시스템의 정면도이다.도 5는 도 1에 따른 파일 전도 시스템의 측면도로, 아웃보드 서포트가 수직방향으로 세워져 있는 측면도이다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
바람직한 실시형태가 도시되어 있는 도 1 내지 도 5를 참고하여, 본 발명을 상세하게 설명한다.해양 풍력 터빈의 기초를 위한 모노파일을 전도하기 위한 파일 전도 시스템(1)이 도시되어 있다. 이러한 모노파일(도시되어 있지 않음)의 길이는 수십 미터에 달하며, 무게는 수백 톤에 이른다.파일 전도 시스템(1)은, 파일을 전도하는 동안에 파일의 하단부를 지지하는 파일 지지 프레임(3)을 포함한다. 파일의 상단부는, 파일을 전도하는 중에 호이스트 장치(도시하지 않음)에 의해 들어올려진다. 파일 지지 프레임(3)은 그 파일 지지 프레임(3)이 지지 프레임 회전축(2) 주위를 선회할 수 있도록 선회 가능하게 장착된다. 이러한 방식으로, 파일 지지 프레임(3)이 파일의 실제 자세에 대한 자신의 위치를 제공하며 파일과 함께 이동할 수 있다. 여기서, 파일 지지 프레임(3)은 그 자체가 공지된 구면 베어링을 통해 선회 가능하게 장착된다. 구면 베어링은 파일 지지 프레임(3)이 지지 프레임의 회전축(2) 주위로, 그리고 지지 프레임 회전 축을 가로지르는 축 주위로 회전할 수 있게 한다. 파일 지지 프레임(3)에는 파일의 외측 벽과 맞닿을 수 있도록 구성되어 있는 시트(4)가 형성되어 있다. 전도하는 중에, 시트가 파일의 외측 벽과 접촉하게 된다. 전도하는 중에, 파일 지지 프레임(3)이 시트(4)를 통해 파일을 지지하게 된다.파일 전도 시스템(1)은, 사용할 때에 파일의 아웃보드 단부를 지지하기 위한 케이블 시스템(11)(일부분만 도시함)을 포함한다. 파일이 점차 수직 자세로 됨에 따라, 케이블 시스템(11)에 점진적으로 부하가 가해진다. 케이블 시스템(11)은 장력을 받고 있는 케이블과 장력을 견딜 수 있는 케이블(6) 2개를 포함한다. 케이블(6)은 호이스트 부재(7)가 형성되어 있는 아웃보드 단부(12)를 구비한다. 호이스트 부재(7)는 상기 파일을 전도하는 중에 파일의 아웃보드 단부를 지지하도록 구성되어 있다. 호이스트 부재(7)는 그 호이스트 부재(7)에 리세스(13)가 형성되어 있도록 구성되어 있다. 이 리세스는, 파일이 지지되도록 파일의 일부분을 수용할 수 있다.파일 전도 시스템(1)은 프레임 부재(8)를 구비하는 아웃보드 지지 시스템(5)을 포함한다. 아웃보드 지지 시스템(5)은, 실제 사용 중에, 아웃보드를 신장시키고 케이블 시스템(11)의 호이스트 부재(7)를 지지한다. 아웃보드 지지 시스템(5)은 파일 지지 프레임(3)에 대해, 프레임 부재(8)가 지지 프레임의 회전축(2)을 가로지르는 방향으로 신장하도록 배치되어 있다. 이러한 방식으로, 호이스트 부재(7)가 시트(4)로부터 일정 거리 이격되어 배치되어 있으며, 파일이 시트(4)를 따라 종 방향으로 움직일 때 파일이 호이스트 부재(7)와 맞닿도록 호이스트 부재(7)가 시트(4)와 정렬되어 있다. 호이스트 부재(7)와 시트(4) 사이의 거리는 프레임 부재(8)의 길이에 의해 결정된다. 프레임 부재 인보드 단부(9)는, 프레임 부재가 파일 지지 프레임(3)에 대해 선회하도록, 파일 지지 프레임(3)과 결합되어 있다. 이 경우, 프레임 부재 아웃보드 단부(10)는 호이스트 부재(7)를 지지한다. 이 경우, 프레임 부재(8)가 파일 지지 프레임(3)과 일체로 선회할 수 있도록, 프레임 부재(8)가 파일 지지 프레임(3)과 함께 하나의 유닛을 형성한다. 파일 전도 시스템(1)은, 파일 지지 프레임(3)이 지지 프레임의 회전축(2)을 가로지르는 소정의 축 주위로 회전하는 파일 지지 프레임의 움직임을 구속하기 위한 지지 프레임 구속 시스템(14a, 14b)을 포함한다. 이 경우, 지지 프레임 구속 시스템(14a, 14b)은 구면 베어링의 양 측면 위에서 연장하여 대칭 방향으로 구면 베어링의 부하를 덜어주게 된다. 이러한 방식으로 무거운 파일의 움직임을 구속할 수 있다는 것이 보다 중요하다.실제 사용 시에, 파일 전도 시스템(1)은 선박 위에 장착되어 있다. 지지 프레임의 회전축(2)은 선외로 연장하며, 프레임 부재(8)가 수직 자세를 취하도록 선박의 측과 평행하게 되어 있다. 지지 프레임의 회전축(2) 주위에서 파일 지지 프레임(3)에 각 위치를 부여하기 위해, 유압 실린더가 파일 지지 프레임(3)에 결합되어 있다. 도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 유압 실린더가 파일 지지 프레임(3)이 수직 자세를 취할 수 있도록 하거나, 도 5에 도시되어 있는 바와 같이 수평 자세를 취할 수 있도록 할 수 있다.파일 전도 시스템(1)을 사용함에 있어서, 다음 단계들이 수행된다.파일을 지지 프레임의 회전축(2) 주위로 선회시키기 위해, 파일을 파일 지지 프레임의 시트(4) 위에 올려놓는다. 파일을 전도하는 중에, 파일의 아웃보드 단부를 지지하기 위해 호이스트 부재(7)가 형성되어 있는 아웃보드 단부를 구비하는 장력을 받고 있는 케이블과 장력을 견딜 수 있는 케이블(6)을 포함하는 케이블 시스템(11)을 통해 파일의 아웃보드 단부가 지지된다. 케이블 시스템(11)의 호이스트 부재(7)가 아웃보드 지지 시스템(5)을 통해 지지된다. 아웃보드 지지 시스템(5)은 실제 사용 시에 선외로 연장하기 위한 프레임 부재(8)를 포함한다. 호이스트 부재(7)가 시트(4)와 이격되되, 시트(4)와 정렬되어 배치되어 있다. 파일이 시트(4)를 따라 종 방향으로 움직이고, 최종적으로 파일이 호이스트 부재(7)와 체결되며, 파일의 아웃보드 단부가 케이블 시스템(11)에 의해 지지된다.본 발명의 일부 실시형태들을 설명하기 위해 포함되어 있는 상기 기재와 도면들이 본 발명의 보호 범위를 한정하는 것이 아님은 자명하다. 이러한 본 명세서의 기재로부터 출발하여, 통상의 기술자라면 본 발명의 보호 범위에 속하면서, 종래 기술의 기법과 본 특허의 개시사항이 조합될 수 있다는 점을 이해할 수 있을 것이다.
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본 발명은, 해양 풍력 터빈의 기초가 되는 모노파일 같은 파일을 전도하기 위한 파일 전도 시스템으로, 그 파일 전도 시스템은, - 선회 가능하게 장착되는 파일 지지 프레임으로, 상기 파일 지지 프레임은 파일의 외측 벽과 맞닿을 수 있는 시트를 구비하며, 파일이 전도되는 중에 시트가 파일을 지지할 수 있도록 상기 파일 지지 프레임이 지지 프레임의 회전축 주위에 선회 가능하게 위치하는 파일 지지 프레임과, - 선회에서 사용할 때에, 파일을 단부를 지지하기 위한 케이블 시스템으로, 상기 케이블 시스템은, 상기 파일을 전도하는 중에, 파일의 아웃보드 단부를 지지하기 위한 호이스트 부재가 형성되어 있는 아웃보드 단부를 구비하는 하나 혹은 그 이상의 장력을 받는 혹은 장력을 받을 수 있는 케이블들을 포함하는, 케이블 시스템과, - 실제 사용 시에, 케이블 시스템의 호이스트 부재를 지지하며, 선회로 연장하기 위한 프레임 부재를 포함하는 아웃보드 지지 시스템을 포함하며, 파일이 시트를 따라 종 방향으로 이동할 때, 파일이 호이스트 부재와 맞닿을 수 있도록, 호이스트 부재가 상기 시트로부터 이격되되 상기 시트와 정렬되게 호이스트 부재를 배치하기 위해, 프레임 부재가 지지 프레임의 회전축을 가로지르는 방향으로 연장하도록, 상기 아웃보드 지지 시스템이 상기 파일 지지 시스템에 대해 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 파일 전도 시스템에 관한 것이다.
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[ 발명의 명칭 ]
영상 부호화/복호화 방법 및 그 장치METHOD AND APPARATUS FOR ENCODING/DECODING IMAGE
[ 기술분야 ]
본 발명은 영상 처리에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 변환 방법 및 장치에 관한 것이다.
[ 배경기술 ]
최근 다양한 분야에서 HD(High Definition) 영상 및 UHD(Ultra High Definition) 영상과 같은 고해상도, 고품질의 영상에 대한 수요가 증가하고 있다.고해상도, 고품질의 영상을 제공하기 위해서는 영상 데이터의 데이터량이 증가한다. 따라서, 기존의 영상 데이터 처리 방식과 비교할 때 고해상도, 고품질의 영상을 제공하기 위한 영상 데이터의 전송 비용과 저장 비용은 증가하게 된다. 영상 데이터가 고해상도, 고품질화 됨에 따라 발생하는 이러한 문제들을 해결하기 위해서는 고효율의 영상 압축 기술들이 활용될 수 있다.영상 데이터를 압축하는 기술로서 현재 픽쳐에 포함된 픽셀 값을 다른 픽처로부터 예측하는 인터 예측(Inter Prediction) 방법, 현재 픽쳐 픽셀 값을 현재 픽쳐의 다른 픽셀의 정보를 이용해서 예측하는 인트라 예측(Intra Prediction) 방법, 발생 빈도 혹은 출현 빈도가 높은 신호일수록 짧은 부호를 할당해서 부호화/복호화를 수행하는 엔트로피 부호화/복호화 방법 등 다양한 기술이 이용되고 있다.
[ 발명의 개요 ]
[ 해결하려는 과제 ]
본 발명의 기술적 과제는 영상 부호화 성능을 향상시킬 수 있는 영상 부호화 방법 및 장치를 제공함에 있다.본 발명의 다른 기술적 과제는 영상 복호화 성능을 향상시킬 수 있는 영상 복호화 방법 및 장치를 제공함에 있다.본 발명의 또 다른 기술적 과제는 영상 부호화 성능을 향상시킬 수 있는 변환 방법 및 장치를 제공함에 있다.본 발명의 또 다른 기술적 과제는 영상 복호화 성능을 향상시킬 수 있는 역변환 방법 및 장치를 제공함에 있다.
[ 과제의 해결 수단 ]
본 발명의 일 실시 형태는 영상 복호화 방법이다. 상기 방법은, 크로마(chroma) 성분 블록에 대응되는 예측 모드를 결정하는 단계, 상기 크로마 성분 블록에 대응되는 예측 모드에 따라, 복수의 변환 스킵 모드 후보 중에서 상기 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드(Transform Skip Mode: TSM)를 결정하는 단계 및 상기 결정된 변환 스킵 모드를 기반으로 상기 크로마 성분 블록에 대해 역변환을 수행하는 단계를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 복수의 변환 스킵 모드 후보는 수평 변환 및 수직 변환이 수행되는 2D 변환 모드, 수평 변환이 수행되는 수평 변환 모드, 수직 변환이 수행되는 수직 변환 모드 및 변환이 수행되지 않는 비변환 모드 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.상기 크로마 성분 블록에 대응되는 예측 모드가 인터 모드(inter mode)인 경우, 상기 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드를 결정하는 단계에서는, 상기 크로마 성분 블록에 대응되는 루마(luma) 성분 블록의 변환 스킵 모드를, 상기 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드로 결정할 수 있다.상기 크로마 성분 블록에 대응되는 예측 모드가 인트라 모드(intra mode)인 경우, 상기 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드를 결정하는 단계는, 상기 크로마 성분 블록의 인트라 예측 모드(intra prediction mode)를 결정하는 단계 및 상기 결정된 인트라 예측 모드를 기반으로, 상기 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드를 결정하는 단계를 더 포함할 수 있다.상기 결정된 크로마 성분 블록의 인트라 예측 모드가 DM 모드인 경우, 상기 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드를 결정하는 단계에서는, 상기 크로마 성분 블록에 대응되는 루마 성분 블록의 변환 스킵 모드를, 상기 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드로 결정할 수 있고, 상기 DM 모드는 상기 루마 성분 블록의 인트라 예측 모드가 상기 크로마 성분 블록의 인트라 예측 모드로 사용되는 모드일 수 있다.상기 결정된 크로마 성분 블록의 인트라 예측 모드가 수평 방향성 모드인 경우, 상기 복수의 변환 스킵 모드 후보는, 상기 수평 변환 모드를 제외한, 상기 2D 변환 모드, 상기 수직 변환 모드 및 상기 비변환 모드를 포함할 수 있다.상기 결정된 크로마 성분 블록의 인트라 예측 모드가 수직 방향성 모드인 경우, 상기 복수의 변환 스킵 모드 후보는, 상기 수직 변환 모드를 제외한, 상기 2D 변환 모드, 상기 수평 변환 모드 및 상기 비변환 모드를 포함할 수 있다.상기 결정된 크로마 성분 블록의 인트라 예측 모드가 DC 모드인 경우, 상기 복수의 변환 스킵 모드 후보는, 상기 수평 변환 모드 및 상기 수직 변환 모드를 제외한, 상기 2D 변환 모드 및 상기 비변환 모드를 포함할 수 있다.상기 결정된 크로마 성분 블록의 인트라 예측 모드가 LM 모드인 경우, 상기 복수의 변환 스킵 모드 후보는, 상기 수평 변환 모드 및 상기 수직 변환 모드를 제외한, 상기 2D 변환 모드 및 상기 비변환 모드를 포함할 수 있고, 상기 LM 모드는 루마 성분의 픽셀 값에 따라 크로마 성분 픽셀의 예측 값이 결정되는 모드일 수 있다.본 발명의 다른 실시 형태는 영상 복호화 장치이다. 상기 장치는, 크로마(chroma) 성분 블록에 대응되는 예측 모드를 결정하는 예측부 및 상기 크로마 성분 블록에 대응되는 예측 모드에 따라, 복수의 변환 스킵 모드 후보 중에서 상기 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드(Transform Skip Mode: TSM)를 결정하고, 상기 결정된 변환 스킵 모드를 기반으로 상기 크로마 성분 블록에 대해 역변환을 수행하는 역변환부를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 복수의 변환 스킵 모드 후보는 수평 변환 및 수직 변환이 수행되는 2D 변환 모드, 수평 변환이 수행되는 수평 변환 모드, 수직 변환이 수행되는 수직 변환 모드 및 변환이 수행되지 않는 비변환 모드 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.본 발명의 또 다른 실시 형태는 영상 부호화 방법이다. 상기 방법은, 크로마(chroma) 성분 블록에 대응되는 예측 모드를 결정하는 단계, 상기 크로마 성분 블록에 대응되는 예측 모드에 따라, 복수의 변환 스킵 모드 후보 중에서 상기 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드(Transform Skip Mode: TSM)를 결정하는 단계 및 상기 결정된 변환 스킵 모드를 기반으로 상기 크로마 성분 블록에 대해 변환을 수행하는 단계를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 복수의 변환 스킵 모드 후보는 수평 변환 및 수직 변환이 수행되는 2D 변환 모드, 수평 변환이 수행되는 수평 변환 모드, 수직 변환이 수행되는 수직 변환 모드 및 변환이 수행되지 않는 비변환 모드 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.상기 크로마 성분 블록에 대응되는 예측 모드가 인터 모드(inter mode)인 경우, 상기 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드를 결정하는 단계에서는, 상기 크로마 성분 블록에 대응되는 루마(luma) 성분 블록의 변환 스킵 모드를, 상기 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드로 결정할 수 있다.상기 크로마 성분 블록에 대응되는 예측 모드가 인트라 모드(intra mode)인 경우, 상기 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드를 결정하는 단계는, 상기 크로마 성분 블록의 인트라 예측 모드(intra prediction mode)를 결정하는 단계 및 상기 결정된 인트라 예측 모드를 기반으로, 상기 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드를 결정하는 단계를 더 포함할 수 있다.상기 결정된 크로마 성분 블록의 인트라 예측 모드가 DM 모드인 경우, 상기 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드를 결정하는 단계에서는, 상기 크로마 성분 블록에 대응되는 루마 성분 블록의 변환 스킵 모드를, 상기 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드로 결정할 수 있고, 상기 DM 모드는 상기 루마 성분 블록의 인트라 예측 모드가 상기 크로마 성분 블록의 인트라 예측 모드로 사용되는 모드일 수 있다.상기 결정된 크로마 성분 블록의 인트라 예측 모드가 수평 방향성 모드인 경우, 상기 복수의 변환 스킵 모드 후보는, 상기 수평 변환 모드를 제외한, 상기 2D 변환 모드, 상기 수직 변환 모드 및 상기 비변환 모드를 포함할 수 있다.상기 결정된 크로마 성분 블록의 인트라 예측 모드가 수직 방향성 모드인 경우, 상기 복수의 변환 스킵 모드 후보는, 상기 수직 변환 모드를 제외한, 상기 2D 변환 모드, 상기 수평 변환 모드 및 상기 비변환 모드를 포함할 수 있다.상기 결정된 크로마 성분 블록의 인트라 예측 모드가 DC 모드인 경우, 상기 복수의 변환 스킵 모드 후보는, 상기 수평 변환 모드 및 상기 수직 변환 모드를 제외한, 상기 2D 변환 모드 및 상기 비변환 모드를 포함할 수 있다.상기 결정된 크로마 성분 블록의 인트라 예측 모드가 LM 모드인 경우, 상기 복수의 변환 스킵 모드 후보는, 상기 수평 변환 모드 및 상기 수직 변환 모드를 제외한, 상기 2D 변환 모드 및 상기 비변환 모드를 포함할 수 있고, 상기 LM 모드는 루마 성분의 픽셀 값에 따라 크로마 성분 픽셀의 예측 값이 결정되는 모드일 수 있다.본 발명의 또 다른 실시 형태는 영상 부호화 장치이다. 상기 장치는, 크로마(chroma) 성분 블록에 대응되는 예측 모드를 결정하는 예측부 및 상기 크로마 성분 블록에 대응되는 예측 모드에 따라, 복수의 변환 스킵 모드 후보 중에서 상기 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드(Transform Skip Mode: TSM)를 결정하고, 상기 결정된 변환 스킵 모드를 기반으로 상기 크로마 성분 블록에 대해 변환을 수행하는 변환부를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 복수의 변환 스킵 모드 후보는 수평 변환 및 수직 변환이 수행되는 2D 변환 모드, 수평 변환이 수행되는 수평 변환 모드, 수직 변환이 수행되는 수직 변환 모드 및 변환이 수행되지 않는 비변환 모드 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
[ 발명의 효과 ]
본 발명에 따른 영상 부호화 방법에 의하면, 영상 부호화 성능이 향상될 수 있다.본 발명에 따른 영상 복호화 방법에 의하면, 영상 복호화 성능이 향상될 수 있다.본 발명에 따른 변환/역변환 방법에 의하면, 영상 부호화/복호화 성능이 향상될 수 있다.
[ 도면의 간단한 설명 ]
도 1은 본 발명이 적용되는 비디오 부호화기의 일 실시예에 따른 구성을 나타내는 블록도이다.도 2는 비디오 복호화기의 일 실시예에 따른 구성을 나타내는 블록도이다.도 3은 변환 모드에 따른 변환 방식의 실시예를 개략적으로 나타내는 도면이다.도 4는 본 발명에 따른 부호화기에서의 변환 과정의 일 실시예를 개략적으로 나타내는 흐름도이다.도 5는 본 발명에 따른 복호화기에서의 역변환 과정의 일 실시예를 개략적으로 나타내는 흐름도이다.도 6은 크로마 성분 블록에 대응되는 인트라 예측 모드에 따라 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드를 결정하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.도 7은 본 발명의 실시예에 따른 부호화 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이다.도 8은 본 발명의 실시예에 따른 복호화 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
본 명세서에서 설명되는 도면상의 각 구성들은 영상 부호화/복호화기에서 서로 다른 특징적인 기능들에 관한 설명의 편의를 위해 독립적으로 도시된 것으로서, 각 구성들이 서로 별개의 하드웨어나 별개의 소프트웨어로 구현된다는 것을 의미하지는 않는다. 예컨대, 각 구성 중 두 개 이상의 구성이 합쳐져 하나의 구성을 이룰 수도 있고, 하나의 구성이 복수의 구성으로 나뉘어질 수도 있다. 각 구성이 통합 및/또는 분리된 실시예도 본 발명의 본질에서 벗어나지 않는 한 본 발명의 권리범위에 포함된다.이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 이하, 도면상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.도 1은 본 발명이 적용되는 비디오 부호화기의 일 실시예에 따른 구성을 나타내는 블록도이다. 도 1을 참조하면, 상기 비디오 부호화기는 픽쳐 분할부(110), 인터 예측부(120), 인트라 예측부(125), 변환부(130), 양자화부(135), 역양자화부(140), 역변환부(145), 필터부(150), 메모리(155), 재정렬부(160) 및 엔트로피 부호화부(165)를 포함할 수 있다.픽쳐 분할부(110)는 입력된 현재 픽쳐를 하나 이상의 부호화 단위로 분할할 수 있다. 부호화 유닛(Coding Unit: CU, 이하 ‘CU’라 함)은 비디오 부호화기에서 부호화가 수행되는 하나의 단위로서, 쿼드 트리 구조(Quad Tree Structure)를 기초로 깊이(depth) 정보를 가지고 계층적으로 분할될 수 있다. CU는 8×8, 16×16, 32×32, 64×64 등 다양한 크기를 가질 수 있다. 가장 큰 크기의 CU는 LCU(Largest Coding Unit)로 불릴 수 있으며, 가장 작은 크기의 CU는 SCU(Smallest Coding Unit)로 불릴 수 있다.또한 픽쳐 분할부(110)는 CU를 분할하여 예측 유닛(Prediction Unit: PU, 이하 ‘PU’라 함)과 변환 유닛(Transdorm Unit: TU, 이하 ‘TU’라 함)을 생성할 수 있다. PU는 CU보다 작거나 같은 블록일 수 있고, 반드시 정방형일 필요는 없으며, 직사각형 형태의 블록일 수도 있다.통상 인트라 예측은 2N*2N 또는 N*N 크기의 블록 단위로 수행될 수 있다. 여기서 N은 자연수로서 픽셀의 수를 나타내며, 2N*2N 및 N*N은 PU의 크기(및/또는 분할 모드)를 나타낼 수 있다. 또한, 인터 예측은 2N*2N, 2N*N, N*2N 또는 N*N 크기의 블록 단위로 수행될 수 있다. 여기서 N은 자연수로서 픽셀의 수를 나타내며, 2N*2N, 2N*N, N*2N 및 N*N은 PU의 크기(및/또는 분할 모드)를 나타낼 수 있다. 또한, 인터 예측에서는 인터 예측의 효율을 높이기 위해 2N*2N, 2N*N, N*2N 또는 N*N의 예측 유닛 외에 2NxnU, 2NxnD, nLx2N 또는 nRx2N의 예측 유닛 단위로 예측이 수행될 수도 있다. 여기서, 2NxnU, 2NxnD, nLx2N 및 nRx2N는 PU의 크기(및/또는 분할 모드)를 나타낼 수 있다. 2NxnU 및 2NxnD의 분할 모드에서는 PU의 크기가 2Nx(1/2)N 또는 2Nx(3/2)N일 수 있고, nLx2N 및 nRx2N의 분할 모드에서는 PU의 크기가 (1/2)Nx2N 또는 (3/2)Nx2N일 수 있다.인터 예측(Inter Prediction) 모드에 있는 경우, 인터 예측부(120)는 움직임 추정(ME: Motion Estimation) 및 움직임 보상(MC: Motion Compensation)을 수행할 수 있다. 인터 예측부(120)는 현재 픽쳐의 이전 픽쳐 또는 이후 픽쳐 중 적어도 하나의 픽쳐 정보를 기초로 예측 블록을 생성할 수 있다.인터 예측부(120)는 분할된 예측 대상 블록 및 메모리부(155)에 저장된 적어도 하나의 참조 블록을 기반으로 움직임 추정을 수행할 수 있다. 인터 예측부(120)는 움직임 추정의 결과로서 움직임 벡터(MV: Motion Vector), 참조 블록 인덱스 및 예측 모드 등을 포함한 움직임 정보(motion information)를 생성할 수 있다.또한 인터 예측부(120)는 상기 움직임 정보 및 참조 블록을 이용하여 움직임 보상을 수행할 수 있다. 이 때, 인터 예측부(120)는 상기 참조 블록으로부터 입력 블록에 대응하는 예측 블록을 생성하여 출력할 수 있다.인트라 예측(Intra Prediction) 모드의 경우, 인트라 예측부(125)는 현재 픽쳐 내의 픽셀 정보를 기초로 예측 블록을 생성할 수 있다. 인트라 예측 모드의 경우, 인트라 예측부(125)는 예측 대상 블록과 이전에 변환 및 양자화된 후 복원된 복원 블록을 기반으로 현재 블록에 대한 예측을 수행할 수 있다. 상기 복원 블록은 필터부(150)를 거치기 전의 복원된 영상일 수 있다.상술한 바와 같이 인터 모드 또는 인트라 모드에서는 예측 대상 블록에 대한 예측이 수행되고 예측 블록이 생성될 수 있다. 이 때, 예측 대상 블록 및 생성된 예측 블록의 차분에 의해 잔차 블록이 생성될 수 있다.변환부(130)는 TU 별로 잔차 블록에 대해 변환을 수행하여 변환 계수를 생성할 수 있다. TU는 최대 크기와 최소 크기의 범위 내에서 트리 구조(tree structure)를 가질 수 있다. TU 별로 현재 블록이 하위 블록(sub-block)으로 나누어지는지는 지시자(flag)를 통해 지시될 수 있다. 변환부(130)는 DCT(Discrete Cosine Transform) 및/또는 DST(Discrete Sine Transform) 등을 기반으로 변환을 수행할 수 있다.양자화부(135)는 변환부(130)에서 변환된 값들을 양자화할 수 있다. 블록에 따라 또는 영상의 중요도에 따라 양자화 계수는 변할 수 있다. 양자화된 변환 계수 값은 재정렬부(160) 및 역양자화부(140)에 제공될 수 있다.재정렬부(160)는, 엔트로피 부호화의 효율을 높이기 위해, 스캔(scan)을 통하여 상기 양자화된 2차원 블록 형태의 변환 계수를 1차원 벡터 형태의 변환 계수로 정렬할 수 있다. 이때, 재정렬부(160)는 확률적 통계를 기초로 스캔 순서를 달리 하여 엔트로피 부호화 효율을 높일 수 있다.엔트로피 부호화부(165)는 재정렬부(160)에서 얻어진 값들을 엔트로피 부호화할 수 있다. 엔트로피 부호화 과정에서는 발생 빈도가 높은 구문 요소 값에 더 적은 비트수의 코드워드가 할당될 수 있고, 발생 빈도가 낮은 구문 요소 값에 더 많은 비트수의 코드워드가 할당될 수 있다. 따라서, 부호화 대상 심볼들에 대한 비트열의 크기가 감소되어 영상 부호화 압축 성능이 높아질 수 있다. 엔트로피 부호화를 위해서는 지수 골룸(exponential golomb), CAVLC(Context-Adaptive Variable Length Coding) 및/또는 CABAC(Context-Adaptive Binary Arithmetic Coding) 등과 같은 부호화 방법이 사용될 수 있다. 부호화된 정보들은 압축된 비트 스트림을 형성하여 네트워크 추상 계층(NAL: Network Abstraction Layer)을 통해 전송되거나 저장될 수 있다.*역양자화부(140)는 양자화부(135)에서 양자화된 변환 계수를 역양자화할 수 있고, 역변환부(145)는 역양자화된 변환 계수를 역변환해서 복원된 잔차 블록을 생성할 수 있다. 복원된 잔차 블록은 인터 예측부(120) 또는 인트라 예측부(125)에서 생성된 예측 블록과 합쳐져 복원 블록이 생성될 수 있다. 복원 블록은 인트라 예측부(125) 및 필터부(150)에 제공될 수 있다.필터부(150)는 복원된 잔차 블록에 디블록킹 필터(Deblocking Filter), SAO(Sample Adaptive Offset) 및/또는 ALF(Adaptive Loop Filter) 등을 적용할 수 있다. 디블록킹 필터는 부호화 및 복호화 과정에서 발생하는 블록 경계 사이의 왜곡을 제거하기 위해, 복원 블록을 필터링할 수 있다. SAO는 디블록킹 필터가 적용된 잔차 블록에 대하여, 픽셀 단위로 원본 영상과의 오프셋 차이를 복원해주는 루프 필터 처리 과정이다. SAO를 통해서 적용되는 오프셋으로는 밴드 오프셋(Band Offset), 에지 오프셋(Edge Offset) 등이 있을 수 있다. 밴드 오프셋은 픽셀을 세기(intensity)에 따른 32개의 밴드로 구분하고, 32 개 밴드를 가장 자리의 16개 밴드와 중심부 16개 밴드의 두 밴드 그룹으로 나누어 오프셋을 적용할 수 있다. ALF는 예측 대상 블록과 최종 복원 블록 사이의 에러를 최소화하기 위해 필터링을 수행할 수 있다. ALF는 디블록킹 필터를 통해 필터링된 복원 블록과 현재의 예측 대상 블록을 비교한 값을 기초로 필터링을 수행할 수 있으며, ALF의 필터 계수 정보는 슬라이스 헤더(slice header)에 실려 부호화기로부터 복호화기로 전송될 수 있다.메모리(155)는 필터부(150)를 거친 최종 복원 블록을 저장할 수 있고, 저장된 최종 복원 블록은 인터 예측을 수행하는 인터 예측부(120)에 제공될 수 있다.도 2는 비디오 복호화기의 일 실시예에 따른 구성을 나타내는 블록도이다. 도 2를 참조하면, 비디오 복호화기는 엔트로피 복호화부(210), 재정렬부(215), 역양자화부(220), 역변환부(225), 인터 예측부(230), 인트라 예측부(235), 필터부(240) 및 메모리(245)를 포함할 수 있다.엔트로피 복호화부(210)는 NAL로부터 압축된 비트 스트림을 수신할 수 있다. 엔트로피 복호화부(210)는 수신된 비트 스트림을 엔트로피 복호화할 수 있고, 예측 모드, 움직임 벡터 정보 등이 비트 스트림에 포함되는 경우 이를 함께 엔트로피 복호화할 수 있다. 엔트로피 복호화 방법이 적용되는 경우, 발생 빈도가 높은 구문 요소 값에 더 적은 비트수의 코드워드가 할당될 수 있고, 발생 빈도가 낮은 구문 요소 값에 더 많은 비트수의 코드워드가 할당될 수 있다. 따라서, 부호화 대상 심볼들에 대한 비트열의 크기가 감소되어 영상 복호화 성능이 높아질 수 있다.엔트로피 복호화된 변환 계수 또는 잔차 신호는 재정렬부(215)에 제공될 수 있다. 재정렬부(215)는 복호화된 변환 계수 또는 잔차 신호를 역스캔(inverse scan)하여 2차원 블록 형태의 변환 계수를 생성할 수 있다.역양자화부(220)는 재정렬된 변환 계수를 역양자화할 수 있다. 역변환부(225)는 역양자화된 변환 계수를 역변환하여 잔차 블록을 생성할 수 있다.잔차 블록은 인터 예측부(230) 또는 인트라 예측부(235)에서 생성된 예측 블록과 합쳐져 복원 블록이 생성될 수 있다. 복원 블록은 인트라 예측부(235) 및 필터부(240)에 제공될 수 있다. 인터 예측부(230) 및 인트라 예측부(235)의 동작은 각각 비디오 부호화기에서의 인터 예측부(120) 및 인트라 예측부(125)의 동작과 동일하거나 유사하므로, 여기서는 생략하기로 한다.필터부(240)는 복원 블록에 디블록킹 필터, SAO 및/또는 ALF 등을 적용할 수 있다. 디블록킹 필터는 부호화 및 복호화 과정에서 발생하는 블록 경계 사이의 왜곡을 제거하기 위해, 복원 블록을 필터링할 수 있다. SAO는 디블록킹 필터링된 복원 블록에 픽셀 단위로 적용되어 원본 영상과의 차이를 줄일 수 있다. 또한, ALF는 예측 대상 블록과 최종 복원 블록 사이의 에러를 최소화하기 위해 SAO 과정이 수행된 복원 블록에 필터링을 수행할 수 있다.메모리(245)는 필터부(240)를 통해 얻어진 최종 복원 블록을 저장할 수 있고, 저장된 최종 복원 블록은 인터 예측을 수행하는 인터 예측부(230)에 제공될 수 있다.이하, 블록은 영상 부호화 및 복호화의 단위를 의미할 수 있다. 따라서, 본 명세서에서 블록은 경우에 따라 부호화 유닛(CU: Coding Unit), 예측 유닛(PU: Prediction Unit), 변환 유닛(TU: Transform Unit) 등을 의미할 수도 있다.한편, 일반적으로 영상 신호는 빛의 3원색 성분의 크기를 나타내는 세 가지의 색 신호를 포함한다. 상기 세 가지의 색 신호는 각각 R(Red), G(Green), B(Blue)로 표시될 수 있다. 영상 처리에 사용되는 주파수 대역을 줄이기 위해, 상기 R, G, B 신호는 상기 R, G, B 신호와 등가인 루마(luma), 크로마(chroma) 신호로 변환될 수 있다. 이 때, 영상 신호는 하나의 루마 신호와 두 개의 크로마 신호를 포함할 수 있다. 여기서, 루마 신호는 화면의 밝기를 나타내는 성분이고, 크로마 신호는 화면의 색(color)을 나타내는 성분이다. 루마 신호는 Y로 표시될 수 있고, 크로마 신호는 C로 표시될 수 있다.인간의 눈은 루마 신호에 대해서 민감하고, 크로마 신호에 대해서 둔감하므로, 하나의 영상 또는 블록 내에서 크로마 성분의 픽셀 수가 루마 성분의 픽셀 수보다 작을 수 있다.4:2:0 영상 포맷에서, 루마 성분 블록에 대응하는 크로마 성분 블록의 픽셀 수는, 수평 방향으로 루마 성분 블록의 픽셀 수의 1/2, 수직 방향으로 루마 성분 블록의 픽셀 수의 1/2일 수 있다. 4:2:2 영상 포맷에서, 루마 성분 블록에 대응하는 크로마 성분 블록의 픽셀 수는, 수평 방향으로 루마 성분 블록의 픽셀 수의 1/2이고, 수직 방향으로 루마 성분 블록의 픽셀 수와 동일할 수 있다. 4:4:4 영상 포맷에서, 루마 성분 블록에 대응하는 크로마 성분 블록의 픽셀 수는 수평 방향 및 수직 방향으로 루마 성분 블록의 픽셀 수와 동일할 수 있다.한편, 도 1 및 도 2의 실시예에서 상술한 바와 같이, 부호화기는 TU 별로 잔차 블록에 대해 변환을 수행할 수 있으며, 복호화기는 역양자화된 변환 계수를 역변환함으로써 복원된 잔차 블록을 생성할 수 있다. 이하, 본 명세서에서는 설명의 편의상 경우에 따라 역변환이 ‘변환’으로 지칭될 수도 있으며, 이와 같은 구분은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 할 수 있을 것이다.이 때, 부호화기 및 복호화기는 수직 변환(vertical transform) 및 수평 변환(horizontal transform)을 모두 포함하는 2D 변환을 수행할 수 있다. 그러나, 수직 방향의 신호와 수평 방향의 신호의 특성이 서로 크게 다른 경우에는, 수직 변환 또는 수평 변환이 생략될 수 있으며, 스파스(sparse) 신호에 대해서는 변환 과정 전체가 생략될 수도 있다. 이러한 변환 방법은 복호화기에서의 복잡도를 감소시킬 수 있고, 부호화 효율을 향상시킬 수 있다.이하, 본 명세서에서는 수평 변환과 수직 변환이 모두 수행되는 변환 모드는‘2D 변환 모드’라 한다. 또한, 수직 변환이 생략되고 수평 변환만이 수행되는 변환 모드는 ‘수평 변환 모드’라 하고, 수평 변환이 생략되고 수직 변환만이 수행되는 변환 모드는 ‘수직 변환 모드’라 한다. 그리고, 수평 변환과 수직 변환이 모두 생략되는 변환 모드는 ‘비변환 모드’라 한다. 여기서, ‘비변환 모드’는 ‘변환 바이패스(transform bypass) 모드’로도 불릴 수 있다.도 3은 변환 모드에 따른 변환 방식의 실시예를 개략적으로 나타내는 도면이다.도 3의 310 내지 340 각각에 도시된 정방형 블록은 변환 대상 블록을 나타낸다. 여기서, 상기 변환 대상 블록은 TU 및/또는 CU에 해당될 수 있다. 또한, 도 3의 310 내지 330 각각에 도시된 화살표는 변환 방향을 나타낼 수 있다.도 3의 310에서는 변환 대상 블록에 대해 수직 변환 및 수평 변환이 모두 수행될 수 있다. 따라서, 도 3의 310에 도시된 변환 모드는 2D 변환 모드에 해당될 수 있다. 또한, 도 3의 320에서는 수직 변환이 생략되고 수평 변환만이 수행될 수 있다. 따라서, 도 3의 320에 도시된 변환 모드는 수평 변환 모드에 해당될 수 있다. 이 경우에는 열(column)이 아닌 행(row)에 대해서 변환이 수행되므로, 수평 변환 모드에서의 변환 방식은 ‘행 변환(transform on rows only)’으로도 불릴 수 있다. 도 3의 330에서는 수평 변환이 생략되고 수직 변환만이 수행될 수 있다. 따라서, 도 3의 330에 도시된 변환 모드는 수직 변환 모드에 해당될 수 있다. 이 경우에는 행(row)이 아닌 열(column)에 대해서 변환이 수행되므로, 수직 변환 모드에서의 변환 방식은 ‘열 변환(transform on rows only)’으로도 불릴 수 있다. 도 3의 340의 실시예에서는 변환 대상 블록에 대해 변환이 수행되지 않을 수 있다. 따라서, 도 3의 340에 도시된 변환 모드는 비변환 모드에 해당될 수 있다.상술한 각각의 변환 모드에서는 수직 변환 및/또는 수평 변환이 생략되거나 또는 생략되지 않을 수 있다. 따라서, 상술한 각각의 변환 모드는 변환 스킵 모드(Transfrom Skip Mode: TSM)로 불릴 수 있다. 즉, 변환 스킵 모드에는 2D 변환 모드, 수평 변환 모드, 수직 변환 모드 및 비변환 모드가 있을 수 있다. 따라서, 2D 변환 모드, 수평 변환 모드, 수직 변환 모드 및/또는 비변환 모드는 변환 대상 블록에 대한 변환 스킵 모드 후보로 사용될 수 있다.일 실시예로, 2D 변환 모드, 수평 변환 모드, 수직 변환 모드 및 비변환 모드 중에서 적어도 하나는 변환 대상 블록에 대한 변환 스킵 모드 후보로 사용될 수 있다. 이 때, 하나의 변환 대상 블록에는 복수의 변환 스킵 모드 후보 중에서 선택된 하나의 변환 스킵 모드가 적용될 수 있다. 부호화기는 복수의 변환 스킵 모드 후보 중에서 율-왜곡 최적화(Rate-Distortion Optimization: RDO) 관점에서 가장 작은 비용 값을 갖는 변환 스킵 모드를 선택할 수 있다. 이 때, 부호화기는 선택된 변환 스킵 모드를 기반으로 변환 대상 블록에 대한 변환을 수행할 수 있다. 즉, 부호화기는 선택된 변환 스킵 모드에 따라, 2D 변환 모드, 수평 변환 모드, 수직 변환 모드 및 비변환 모드 중에서 하나를 변환 대상 블록에 적용할 수 있다.또한, 부호화기는 선택된 변환 스킵 모드에 관한 정보를 부호화하여 복호화기로 전송할 수 있다. 변환 스킵 모드는 CU 단위로 결정되거나 또는 TU 단위로 결정될 수 있다. 이 때, 변환 스킵 모드가 CU 단위로 결정되는 경우에는 CU 단위로 상기 정보가 전송될 수 있고, 변환 스킵 모드가 TU 단위로 결정되는 경우에는 TU 단위로 상기 정보가 전송될 수 있다.일례로, 상기 변환 스킵 모드에 관한 정보는, 변환 스킵 모드 인덱스(transform skip mode index)를 통해 복호화기로 전송될 수 있다. 여기서 변환 스킵 모드 인덱스는 변환 스킵 모드 후보 중에서, 변환 대상 블록에 대해 적용되는 변환 스킵 모드를 지시하는 인덱스를 의미할 수 있다. 상기 변환 스킵 모드 인덱스에는 변환 스킵 모드에 따라 인덱스 값이 할당될 수 있다. 이 때, 2D 변환 모드, 수평 변환 모드, 수직 변환 모드 및 비변환 모드는 서로 다른 인덱스 값에 대응될 수 있다.복호화기는 부호화기로부터 변환 스킵 모드에 관한 정보(예를 들어, 부호화된 변환 스킵 모드 인덱스)를 수신하여 복호화할 수 있다. 이 때, 복호화기는 복호화된 정보를 기반으로 변환 대상 블록에 적용되는 변환 스킵 모드를 도출할 수 있다. 그리고 복호화기는 도출된 변환 스킵 모드를 기반으로 변환 대상 블록에 대한 변환을 수행할 수 있다. 즉, 복호화기는 도출된 변환 스킵 모드에 따라, 2D 변환 모드, 수평 변환 모드, 수직 변환 모드 및 비변환 모드 중에서 하나를 변환 대상 블록에 적용할 수 있다.도 4는 본 발명에 따른 부호화기에서의 변환 과정의 일 실시예를 개략적으로 나타내는 흐름도이다.도 4를 참조하면, 부호화기는 복수의 변환 스킵 모드 후보 중에서 변환 대상 블록에 대한 변환 스킵 모드를 결정할 수 있다(S410). 여기서, 상기 복수의 변환 스킵 모드 후보는 2D 변환 모드, 수평 변환 모드, 수직 변환 모드 및 비변환 모드 중에서 적어도 하나일 수 있다. 이 때, 부호화기는 복수의 변환 스킵 모드 후보 중에서 율-왜곡 최적화 관점에서 가장 작은 비용 값을 갖는 변환 스킵 모드를 선택할 수 있다. 변환 스킵 모드 후보를 결정하는 방식 및 변환 대상 블록의 변환 스킵 모드를 결정하는 방법의 구체적인 실시예는 후술하기로 한다.다시 도 4를 참조하면, 부호화기는 결정된 변환 스킵 모드를 기반으로 변환 대상 블록에 대한 변환을 수행할 수 있다(S420). 즉, 부호화기는 선택된 변환 스킵 모드에 따라, 2D 변환 모드, 수평 변환 모드, 수직 변환 모드 및 비변환 모드 중에서 하나를 변환 대상 블록에 적용할 수 있다.또한, 부호화기는 변환 대상 블록에 적용되는 변환 스킵 모드에 관한 정보를 부호화하여 복호화기로 전송할 수 있다. 일례로 상기 정보는 변환 스킵 모드 인덱스를 통해 복호화기로 전송될 수 있다. 이 때, 상술한 바와 같이 부호화기는 변환 스킵 모드의 발생 확률을 고려하여, 발생 빈도가 높은 변환 스킵 모드에 짧은 코드워드를 할당하고 발생 빈도가 낮은 변환 스킵 모드에 긴 코드워드를 할당할 수 있다. 변환 스킵 모드에 코드워드를 할당하는 방법의 구체적인 실시예는 후술하기로 한다.도 5는 본 발명에 따른 복호화기에서의 역변환 과정의 일 실시예를 개략적으로 나타내는 흐름도이다.복호화기는 부호화기로부터 변환 스킵 모드에 관한 정보(예를 들어, 부호화된 변환 스킵 모드 인덱스)를 포함한 비트스트림을 수신하여 복호화할 수 있다. 부호화기로부터 수신된 비트스트림에서, 발생 빈도가 높은 변환 스킵 모드에는 짧은 코드워드가 할당되어 있을 수 있으며, 발생 빈도가 낮은 변환 스킵 모드에는 긴 코드워드가 할당되어 있을 수 있다. 변환 스킵 모드에 코드워드를 할당하는 방법의 구체적인 실시예는 후술하기로 한다.도 5를 참조하면, 복호화기는 복수의 변환 스킵 모드 후보 중에서 역변환 대상 블록에 대한 변환 스킵 모드를 도출할 수 있다(S510). 여기서, 상기 복수의 변환 스킵 모드 후보는 2D 변환 모드, 수평 변환 모드, 수직 변환 모드 및 비변환 모드 중에서 적어도 하나일 수 있다. 또한 복호화기는 부호화기에서와 동일한 변환 스킵 모드 후보를 사용할 수 있다. 이 때, 복호화기는 복호화된 정보(변환 스킵 모드에 관한 정보. 예를 들어, 복호화된 변환 스킵 모드 인덱스)를 기반으로 역변환 대상 블록에 대한 변환 스킵 모드를 도출할 수 있다. 변환 스킵 모드 후보를 결정하는 방식 및 변환 대상 블록의 변환 스킵 모드를 결정하는 방법의 구체적인 실시예는 후술하기로 한다.다시 도 5를 참조하면, 복호화기는 도출된 변환 스킵 모드를 기반으로 역변환 대상 블록에 대한 역변환을 수행할 수 있다(S520). 즉, 복호화기는 선택된 변환 스킵 모드에 따라, 2D 변환 모드, 수평 변환 모드, 수직 변환 모드 및 비변환 모드 중에서 하나를 역변환 대상 블록에 적용할 수 있다.한편, 일 실시예로 도 4 및 도 5의 실시예에서, 부호화기 및 복호화기는 루마 성분을 갖는 변환 대상 블록에 대해, 2D 변환 모드, 수평 변환 모드, 수직 변환 모드 및 비변환 모드 모두를 변환 스킵 모드 후보로 사용할 수 있다. 이 때, 2D 변환 모드(및/또는 2D 변환 모드에 대응되는 변환 스킵 모드 인덱스), 수평 변환 모드(및/또는 수평 변환 모드에 대응되는 변환 스킵 모드 인덱스), 수직 변환 모드(및/또는 수직 변환 모드에 대응되는 변환 스킵 모드 인덱스) 및 비변환 모드(및/또는 비변환 모드에 대응되는 변환 스킵 모드 인덱스)에는 서로 다른 코드워드가 할당될 수 있다. 이 경우, 부호화기는 상술한 바와 같이 변환 스킵 모드의 발생 확률을 고려하여, 발생 빈도가 높은 변환 스킵 모드에 짧은 코드워드를 할당하고 발생 빈도가 낮은 변환 스킵 모드에 긴 코드워드를 할당할 수 있다. 다음 표 1은 루마 성분을 갖는 변환 대상 블록의 변환 스킵 모드에 코드워드를 할당하는 방법의 일 실시예를 나타낸다.표 1의 실시예에서, TS0은 2D 변환 모드를 나타낸다. 또한, TS1은 수평 변환 모드를 나타내고 TS2는 수직 변환 모드를 나타낸다. 그리고, TS3는 비변환 모드를 나타낸다. 여기서, 수평 변환 모드 및 수직 변환 모드는 모두 1D 변환 모드에 해당될 수 있다.표 1을 참조하면, 일례로 2D 변환 모드의 발생 빈도가 가장 높은 경우에 2D 변환 모드에는 코드워드 ‘1’이 할당될 수 있다. 또한, 발생 빈도에 따라 수평 변환 모드에는 코드워드 ‘01’이 할당되고, 수직 변환 모드에는 코드워드 ‘001’이 할당되고, 비변환 모드에는 코드워드 ‘000’이 할당될 수 있다.변환 스킵 모드에 따라 수직 변환 및/또는 수평 변환이 생략되는 경우에도, 양자화 매트릭스(quantization matrix)는 2D 변환 모드에서와 동일하게 적용될 수 있다. 또한, 이 경우 부호화기 및 복호화기는 변환이 생략된 행(row) 및/또는 열(column)의 값에 대해 스케일링(scaling)을 수행할 수 있으며, 이는 다음 수학식 1에 의해 나타내어질 수 있다.여기서, x는 변환이 생략된 행 및/또는 열에 존재하는 성분(element)의 값을 의미하고, y는 스케일링된 값을 의미할 수 있다. 또한, ‘scaling’은 스케일링 팩터(scaling factor)를 나타낼 수 있다. ‘offset’은 스케일링 과정에서 적용되는 오프셋 값을 나타내고, ‘shift’는 스케일링 과정에서 적용되는 비트 이동 값을 나타낼 수 있다. 여기서, ‘offset’ 및 ‘shift’는 각각, 변환이 생략되지 않는 경우(예를 들어, 2D 변환 모드인 경우) 적용되는 오프셋 값 및 비트 이동 값과 동일한 값을 가질 수 있다.또한, 수학식 1의 실시예에서 부호화기 및 복호화기에 적용되는 스케일링 팩터는, TU의 크기에 따라 종속적으로 결정되는 값일 수 있다. TU의 크기에 따른 스케일링 팩터 값은 일 실시예로 다음 표 2와 같이 설정될 수 있다.여기서, N(및/또는 NxN)은 TU의 크기를 나타낼 수 있고, scale은 스케일링 팩터를 나타낼 수 있다. 일례로, 표 2의 실시예에서 TU의 크기가 8x8인 경우에 적용되는 스케일링 팩터 값은 181일 수 있다.한편, 상술한 실시예에서는 루마 성분을 갖는 변환 대상 블록(이하, ‘루마 성분 블록’이라 함)에 대해 변환 스킵 모드를 적용하는 과정이 서술되고 있으나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니다. 부호화기 및 복호화기는 크로마 성분을 갖는 변환 대상 블록(이하, ‘크로마 성분 블록’이라 함)에 대해 변환을 수행하는 경우에도, 상기 변환 대상 블록의 변환 스킵 모드를 결정하고 상기 결정된 변환 스킵 모드를 기반으로 변환을 수행할 수 있다.일 실시예로, 크로마 성분 블록에 대응되는 예측 모드가 인터 모드(inter mode)라 가정한다. 상기 크로마 성분 블록의 특성 및 상기 크로마 성분 블록에 대응되는 루마 성분 블록의 특성은 서로 상관 관계를 가질 수 있다. 따라서 이 경우에, 부호화기 및 복호화기는 크로마 성분 블록에 대응되는 루마 성분 블록의 변환 스킵 모드를 그대로 상기 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드로 사용할 수 있다. 즉, 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드는 상기 크로마 성분 블록에 대응되는 루마 성분 블록에 대해 사용된 변환 스킵 모드와 동일한 모드로 결정될 수 있다.루마 성분 블록의 변환 스킵 모드가 그대로 상기 루마 성분 블록에 대응되는 크로마 성분 블록에 적용되는 경우, 부호화기는 상기 크로마 성분 블록에 대해 변환 스킵 모드에 관한 정보(예를 들어, 변환 스킵 모드 인덱스)를 복호화기로 전송하지 않을 수 있다. 따라서, 이 경우 부호화/복호화 성능이 향상될 수 있다.다른 실시예로, 크로마 성분 블록에 대응되는 예측 모드가 인트라 모드(intra mode)인 경우, 부호화기 및 복호화기는 상기 크로마 성분 블록의 예측 방향(및/또는 인트라 예측 모드)을 기반으로, 상기 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드를 결정할 수 있다. 일례로, 부호화기 및 복호화기는 크로마 성분 블록의 예측 방향(및/또는 인트라 예측 모드)에 따라, 변환 스킵 모드 후보를 결정하는 방법 및 변환 스킵 모드에 코드워드를 할당하는 방법을 달리할 수 있다. 이에 대한 구체적인 실시예는 도 6에서 후술하기로 한다.도 6은 크로마 성분 블록에 대응되는 인트라 예측 모드에 따라 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드를 결정하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.도 1 및 도 2의 실시예에서 상술한 바와 같이, 부호화기 및 복호화기는 현재 픽쳐 내의 픽셀 정보를 기초로 인트라 예측을 수행하여 예측 블록을 생성할 수 있다. 인트라 예측은 예측 대상 블록의 인트라 예측 모드에 따라 수행될 수 있다. 인트라 예측 모드에는 DC 모드, 플래너(planar) 모드, 수직(vertical) 모드, 수평(horizontal) 모드, 앵귤러 모드 등이 있을 수 있다. DC 모드 및 플래너 모드는 비방향성 모드이고, 나머지 모드들은 방향성 모드이다. 여기서, 앵귤러 모드는 수직 모드 및 수평 모드를 제외한 방향성(directional) 예측 모드를 의미할 수 있다.도 6은 인트라 예측 모드의 예측 방향 및 각 예측 방향에 할당된 모드 값을 도시한다. 도 6의 실시예에서 각각의 인트라 예측 모드는 서로 다른 예측 방향을 가질 수 있다. 또한 각각의 인트라 예측 모드에 할당된 번호는 모드 값으로 불릴 수 있다.도 6을 참조하면, 모드 값이 0인 인트라 예측 모드는 플래너 모드로 불릴 수 있다. 플래너 모드에서는 예측 대상 블록 내에 위치한 예측 대상 픽셀의 위치를 기반으로, 상기 예측 대상 픽셀의 픽셀 값 예측에 사용될 참조 픽셀들이 결정될 수 있고, 결정된 참조 픽셀을 기반으로 상기 예측 대상 픽셀의 예측 값이 도출될 수 있다. 모드 값이 1인 경우는 DC 모드로 불릴 수 있으며, 예측 대상 블록 주변에 위치한 픽셀들의 픽셀 값 평균에 의해 예측 블록이 생성될 수 있다. 또한, 모드 값이 26인 경우 주변 블록의 픽셀 값을 기반으로 수직 방향으로 예측이 수행될 수 있다. 따라서, 모드 값이 26인 인트라 예측 모드는 수직 모드(vertical mode)로도 불릴 수 있다. 모드 값이 10인 경우(수평 모드의 경우) 주변 블록의 픽셀 값을 기반으로 수평 방향으로 예측이 수행될 수 있다. 따라서, 모드 값이 10인 인트라 예측 모드는 수평 모드(horizontal mode)로도 불릴 수 있다. 그리고 나머지 모드의 경우, 해당 각도에 따라 주변 블록의 픽셀 값들을 기반으로 예측이 수행될 수 있다.한편, 영상 내의 루마 성분과 크로마 성분은 상관성을 가지므로, 크로마 성분의 인트라 예측 모드는 상기 크로마 성분에 대응되는 루마 성분의 예측 모드를 기반으로 부호화될 수 있으며, 복호화기는 루마 성분의 예측 모드를 기반으로 크로마 성분의 예측 모드를 도출할 수 있다. 따라서, 부호화기에서 복호화기로 전송되는 크로마 성분의 예측 모드 정보는 크로마 성분의 예측 모드 자체가 아니라 루마 성분의 예측 모드와의 관계에서 크로마 성분의 예측 모드를 도출하는 데 이용되는 별도의 값일 수 있다. 다음 표 3은 루마 성분의 예측 모드 값 및 부호화기에서 복호화기로 전송되는 값에 따라 결정되는 크로마 예측 모드의 일 실시예를 나타낸다.표 3을 참조하면, 부호화기에서 복호화기로 전송되는 값은 intra_chroma_pred_mode에 할당된 값일 수 있다. 또한 IntraPredMode는 루마 성분의 인트라 예측 모드를 나타낼 수 있다. 예를 들어, intra_chroma_pred_mode 값이 2이고 IntraPredMode의 값이 26인 경우, 크로마 성분의 인트라 예측 모드 값은 10일 수 있다. 상기 intra_chroma_pred_mode 및 IntraPredMode는 그 명칭에 한정되는 것은 아니다.표 3의 실시예에서 intra_chroma_pred_mode의 값이 4일 때에 크로마 성분의 예측 모드는 DM 모드로 불릴 수 있다. 여기서, DM 모드는 루마 성분의 예측 모드가 그대로 크로마 성분의 예측 모드로 사용되는 인트라 예측 모드를 의미할 수 있다.또한, 부호화기 및 복호화기는 크로마 성분 블록에 대해, 표 3에 나타내어진 인트라 예측 모드 외에 LM 모드를 적용할 수도 있다. 여기서, LM 모드는 루마 성분의 픽셀 값에 따라 크로마 성분 픽셀의 예측 값이 결정되는 인트라 예측 모드를 의미할 수 있다. 따라서, LM 모드에서는 영상의 방향성이 크지 않을 수 있다.한편 상술한 바와 같이, 부호화기 및 복호화기는 크로마 성분 블록의 예측 방향(및/또는 인트라 예측 모드)을 기반으로, 상기 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드를 결정할 수 있다.일 실시예로, 크로마 성분 블록에 대응되는 인트라 예측 모드가 DM 모드인 경우, 부호화기 및 복호화기는 크로마 성분 블록에 대응되는 루마 성분 블록의 변환 스킵 모드를 그대로 상기 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드로 사용할 수 있다. 즉, 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드는 상기 크로마 성분 블록에 대응되는 루마 성분 블록에 대해 사용된 변환 스킵 모드와 동일한 모드로 결정될 수 있다. 이는, DM 모드에서는 루마 성분의 예측 모드가 그대로 크로마 성분의 예측 모드로 사용될 수 있기 때문이다.또한, 각각의 변환 스킵 모드의 발생 확률은 크로마 성분 블록에 대응되는 PU의 인트라 예측 모드(및/또는 예측 방향)에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 크로마 성분 블록에 대응되는 PU의 인트라 예측 모드(및/또는 예측 방향)에 따라 변환 스킵 모드(및/또는 변환 스킵 모드 인덱스)에 할당되는 코드워드는 다르게 정해질 수 있다. 즉, 변환 스킵 모드(및/또는 변환 스킵 모드 인덱스)에 할당되는 코드워드는 크로마 성분 블록에 대응되는 PU의 인트라 예측 모드(및/또는 예측 방향)를 기반으로 결정될 수 있다.일 실시예로, 크로마 성분 블록에 대응되는 인트라 예측 모드가 수평 모드인 경우에는, 복수의 변환 스킵 모드 중에서 수평 변환 모드의 발생 확률이 가장 작을 수 있다. 따라서, 크로마 성분 블록에 대응되는 인트라 예측 모드가 수평 모드인 경우에는, 수평 변환 모드를 제외한 2D 변환 모드, 수직 변환 모드 및 비변환 모드가 크로마 성분 블록에 대한 변환 스킵 모드 후보로 사용될 수 있다. 이 경우 크로마 성분 블록에 적용되는 변환 스킵 모드는 2D 변환 모드, 수직 변환 모드 및 비변환 모드 중에서 하나일 수 있다. 다음 표 4는 2D 변환 모드, 수직 변환 모드 및 비변환 모드가 변환 스킵 모드 후보로 사용되는 경우 변환 스킵 모드에 코드워드를 할당하는 방법의 실시예를 나타낸다.표 4의 실시예에서, TS0은 2D 변환 모드를 나타내고, TS2는 수직 변환 모드를 나타내며, TS3는 비변환 모드를 나타낸다. 여기서, 수직 변환 모드는 1D 변환 모드에 해당될 수 있다. 표 4를 참조하면, 크로마 성분 블록에 대응되는 인트라 예측 모드가 수평 모드인 경우에는, 2D 변환 모드, 수직 변환 모드 및 비변환 모드가 변환 스킵 모드 후보로 사용될 수 있다.다른 실시예로, 크로마 성분 블록에 대응되는 인트라 예측 모드가 수직 모드인 경우에는, 복수의 변환 스킵 모드 중에서 수직 변환 모드의 발생 확률이 가장 작을 수 있다. 따라서, 크로마 성분 블록에 대응되는 인트라 예측 모드가 수직 모드인 경우에는, 수직 변환 모드를 제외한 2D 변환 모드, 수평 변환 모드 및 비변환 모드가 크로마 성분 블록에 대한 변환 스킵 모드 후보로 사용될 수 있다. 이 경우 크로마 성분 블록에 적용되는 변환 스킵 모드는 2D 변환 모드, 수평 변환 모드 및 비변환 모드 중에서 하나일 수 있다. 다음 표 5는 2D 변환 모드, 수평 변환 모드 및 비변환 모드가 변환 스킵 모드 후보로 사용되는 경우 변환 스킵 모드에 코드워드를 할당하는 방법의 실시예를 나타낸다.표 5의 실시예에서, TS0은 2D 변환 모드를 나타내고, TS1은 수평 변환 모드를 나타내며, TS3는 비변환 모드를 나타낸다. 여기서, 수평 변환 모드는 1D 변환 모드에 해당될 수 있다. 표 5를 참조하면, 크로마 성분 블록에 대응되는 인트라 예측 모드가 수직 모드인 경우에는, 2D 변환 모드, 수평 변환 모드 및 비변환 모드가 변환 스킵 모드 후보로 사용될 수 있다.또 다른 실시예로, 크로마 성분 블록에 대응되는 인트라 예측 모드가 DC 모드 및/또는 LM 모드인 경우에는, 상술한 바와 같이 크로마 성분 블록에 대응되는 영상의 방향성이 크지 않을 수 있다. 따라서, 크로마 성분 블록에 대응되는 인트라 예측 모드가 DC 모드 및/또는 LM 모드인 경우에는, 수평 변환 모드 및 수직 변환 모드를 제외한 2D 변환 모드 및 비변환 모드가 크로마 성분 블록에 대한 변환 스킵 모드 후보로 사용될 수 있다. 이 경우 크로마 성분 블록에 적용되는 변환 스킵 모드는 2D 변환 모드 및 비변환 모드 중에서 하나일 수 있다. 다음 표 6은 2D 변환 모드 및 비변환 모드가 변환 스킵 모드 후보로 사용되는 경우 변환 스킵 모드에 코드워드를 할당하는 방법의 실시예를 나타낸다.표 6의 실시예에서, TS0은 2D 변환 모드를 나타내고, TS3는 비변환 모드를 나타낸다. 표 6을 참조하면, 크로마 성분 블록에 대응되는 인트라 예측 모드가 DC 모드 및/또는 LM 모드인 경우에는, 2D 변환 모드 및 비변환 모드가 변환 스킵 모드 후보로 사용될 수 있다.상술한 실시예에서는, 변환 스킵 모드(및/또는 변환 스킵 모드 인덱스)의 부호화 과정이 생략되거나 변환 스킵 모드(및/또는 변환 스킵 모드 인덱스)를 부호화하기 위해 사용되는 비트 수가 감소될 수 있다. 따라서, 부호화/복호화 성능이 향상될 수 있다.도 7은 본 발명의 실시예에 따른 부호화 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이다.도 7을 참조하면, 부호화기는 현재 블록에 대응되는 잔차 블록을 생성할 수 있다(S710). 상술한 바와 같이, 부호화기는 현재 블록에 대해 인터 예측 및/또는 인트라 예측을 수행함으로써, 현재 블록에 대응되는 예측 블록을 생성할 수 있다. 이 때, 부호화기는 현재 블록의 픽셀 값과 예측 블록의 픽셀 값을 픽셀 단위로 차분하여 잔차(residual) 신호, 즉 잔차 블록을 생성할 수 있다.다시 도 7을 참조하면, 부호화기는 잔차 신호, 즉 잔차 블록에 대해 변환을 수행할 수 있다(S720). 부호화기는 변환 커널(kernel)을 적용하여 잔차 신호를 변환 부호화할 수 있으며, 변환 부호화 커널의 크기는 2*2, 4*4, 8*8, 16*16, 32*32 또는 64*64일 수 있다. 일 실시예로 n*n 블록에 대한 변환 계수 C는 다음 수학식 2에 의해 계산될 수 있다.여기서, C(n,n)은 n*n 크기의 변환 계수에 대한 행렬이고, T(n,n)은 n*n 크기의 변환 커널 행렬이고, B(n,n)은 n*n 크기의 잔차 블록에 대한 행렬이다.변환 과정에 의해 변환 계수가 생성되면, 부호화기는 생성된 변환 계수에 대한 양자화를 수행할 수 있다.잔차 블록과 변환 계수 중 어떤 것이 전송되는 지는 RDO를 통해 결정될 수 있다. 예측이 잘 된 경우에는 변환 부호화 없이 잔차 블록, 즉 잔차 신호가 그대로 전송될 수 있다. 부호화기는 변환 부호화 전/후의 비용 함수(cost function)를 비교할 수 있으며, 비용이 최소화되는 방법을 선택할 수 있다. 이 때, 부호화기는 현재 블록에 대해 전송하는 신호의 타입(잔차 신호 또는 변환 계수)에 대한 정보를 복호화 장치로 전송할 수 있다.변환 과정의 구체적인 실시예들은 상술한 바 있으므로, 여기서는 생략하기로 한다.다시 도 7을 참조하면, 부호화기는 변환 계수에 대한 스캐닝을 수행할 수 있다(S730). 부호화기는 스캐닝을 통하여 양자화된 2차원 블록 형태의 변환 계수를 1차원 벡터 형태의 변환 계수로 재정렬할 수 있다. 이 때, 부호화기는 확률적 통계를 기초로 스캔 순서를 달리 하여 엔트로피 부호화 효율을 높일 수도 있다.스캐닝이 수행되면, 부호화기는 스캐닝된 변환 계수 및 보조 정보(예를 들어, 현재 블록의 인터 예측 모드 정보)에 대한 엔트로피 부호화를 수행할 수 있다(S740). 부호화된 정보들은 압축된 비트스트림을 형성하여 네트워크 추상 계층(NAL: Network Abstraction Layer)을 통해 전송되거나 저장될 수 있다.도 7의 실시예에서, 부호화 방법은 일련의 단계로서 흐름도를 기초로 설명되고 있으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 도 7의 실시예에서 어떤 단계는 상술한 바와 다른 단계와 다른 순서로 또는 동시에 병렬적으로 발생할 수도 있다. 또한, 흐름도에 나타내어진 단계들에 다른 단계가 포함될 수도 있으며, 도 7의 흐름도에서 하나 또는 그 이상의 단계가 본 발명의 범위에 영향을 미치지 않고 삭제될 수도 있다.도 8은 본 발명의 실시예에 따른 복호화 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이다.도 8을 참조하면, 복호화기는 부호화기로부터 수신된 비트스트림에 대해 엔트로피 복호화를 수행할 수 있다(S810). 일례로, 복호화기는 VLC(variable length coding) 테이블 및/또는 CABAC을 기반으로 현재 블록의 예측 모드 및 잔차 신호를 도출할 수 있다. 복호화기는 현재 블록에 대해 수신된 신호가 잔차 신호인지 아니면 변환 계수인지에 관한 정보를 얻을 수 있고, 현재 블록에 대해 잔차 신호나 1차원 벡터 형태의 변환 계수를 얻을 수 있다. 수신된 비트스트림에 복호화에 필요한 보조 정보(side information)가 포함되는 경우, 이들이 함께 엔트로피 복호화될 수도 있다.다시 도 8을 참조하면, 복호화기는 엔트로피 복호화된 잔차 신호나 변환 계수에 대해 역스캐닝을 수행함으로써, 2차원 블록을 생성할 수 있다(S820). 이 때, 잔차 신호의 경우 잔차 블록이 생성되고, 변환 계수의 경우 2차원 블록 형태의 변환 계수가 생성될 수 있다. 변환 계수가 생성된 경우 복호화기는 생성된 변환 계수에 대해 역양자화를 수행할 수 있다.다시 도 8을 참조하면, 복호화기는 역양자화된 변환 계수에 대해 역변환을 수행함으로써 잔차 블록을 생성할 수 있다(S830). 역변환 과정은 다음 수학식 3에 의해 나타내어질 수 있다.역변환 과정의 구체적인 실시예들은 상술한 바 있으므로, 여기서는 생략하기로 한다.잔차 블록이 생성되면, 복호화기는 생성된 잔차 블록을 기반으로 복원 블록을 생성할 수 있다(S840). 상술한 바와 같이, 복호화기는 복호화 대상 블록에 대해 인터 예측 및/또는 인트라 예측을 수행함으로써, 복호화 대상 블록에 대응되는 예측 블록을 생성할 수 있다. 이 때, 복호화기는 예측 블록의 픽셀값과 잔차 블록의 픽셀값을 픽셀 단위로 더하여 복원 블록을 생성할 수 있다.도 8의 실시예에서, 복호화 방법은 일련의 단계로서 흐름도를 기초로 설명되고 있으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 도 8의 실시예에서 어떤 단계는 상술한 바와 다른 단계와 다른 순서로 또는 동시에 병렬적으로 발생할 수도 있다. 또한, 흐름도에 나타내어진 단계들에 다른 단계가 포함될 수도 있으며, 도 8의 흐름도에서 하나 또는 그 이상의 단계가 본 발명의 범위에 영향을 미치지 않고 삭제될 수도 있다.상술한 실시예들에서, 방법들은 일련의 단계 또는 블록으로써 흐름도 또는 순서도를 기초로 설명되고 있으나, 본 발명은 단계들의 순서에 한정되는 것은 아니며, 어떤 단계는 상술한 바와 다른 단계와 다른 순서로 또는 동시에 병렬적으로 발생할 수 있다. 또한, 당업자라면 순서도에 나타낸 단계들이 배타적이지 않고, 다른 단계가 포함되거나 순서도 또는 흐름도의 하나 또는 그 이상의 단계가 본 발명의 범위에 영향을 미치지 않고 삭제될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.이상에서 본 발명은 실시예를 참조하여 설명되었으나, 상술한 실시예는 다양한 양태의 예시들을 포함한다. 다양한 양태들을 나타내기 위한 모든 가능한 조합이 기술될 수는 없지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 당업자는 본 발명의 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명에 대한 다양한 변경 또는 수정이 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
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본 발명에 따른 영상 복호화 방법은, 크로마 성분 블록에 대응되는 예측 모드를 결정하는 단계, 크로마 성분 블록에 대응되는 예측 모드에 따라, 복수의 변환 스킵 모드 후보 중에서 크로마 성분 블록의 변환 스킵 모드를 결정하는 단계 및 상기 결정된 변환 스킵 모드를 기반으로 상기 크로마 성분 블록에 대해 역변환을 수행하는 단계를 포함한다.
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[ 발명의 명칭 ]
무선 액세스 방법 및 관련 장치 및 시스템WIRELESS ACCESS METHOD AND RELEVANT DEVICE AND SYSTEM
[ 기술분야 ]
본 발명은 통신 기술 분야에 관한 것이며, 특히 무선 액세스 방법 및 관련 장치 및 시스템에 관한 것이다.
[ 배경기술 ]
현재, 공공장소, 예를 들어, 공항, , 쇼핑 몰, 및 역에 설치되는 WIFI 액세스 포인트가 증가하고 있어, 공공장소에 있는 사용자는 WIFI 액세스 포인트에 액세스하여 인터넷과의 상호접속을 실현할 수 있다. 실제의 애플리케이션에서, 사용자가 WIFI 액세스 포인트에 액세스하는 프로세스는 일반적으로 다음과 같다: 사용자는 단말 장치(예를 들어, 이동전화) 상의 WIFI 액세스 포인트 검색을 가능하게 하고; 단말 장치가 검색에 의해 WIFI 액세스 포인트를 획득한 후, WIFI 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하고, 패스워드를 입력하는 프롬프트를 WIFI 액세스 포인트로부터 수신한 후, 사용자는 패스워드를 입력하고, 단말 장치가 패스워드를 WIFI 액세스 포인트에 송신하고 WIFI 액세스 포인트는 패스워드가 정확한지를 검증한 후, 단말 장치는 WIFI 액세스 포인트에의 액세스를 허용하고, 이에 따라 단말 장치와 인터넷 간의 상호접속이 실현된다.WIFI 액세스 포인트에 액세스하는 전술한 프로세스에서, 사용자는 수동으로 WIFI 액세스 포인트를 작동 가능으로 해야 할 뿐만 아니라 수동으로 패스워드를 입력해야 한다는 것을 실습으로부터 알 수 있다. 결론적으로, 액세스하는 것은 시간과 노력이 필요하고, WIFI 액세스 포인트에 액세스하는 효율성이 떨어진다.
[ 발명의 개요 ]
본 발명의 실시예는 무선 액세스 방법 및 관련 장치 및 시스템에 대해 개시하여, 이는 액세스 포인트에 액세스할 때의 효율성을 효과적으로 향상시킬 수 있다.본 발명의 실시예의 제1 관점은 무선 액세스 방법을 개시하며, 상기 방법은:단말 장치가, 외부 니어 필드 통신 태그(near field communication tag)에 저장되어 있는 액세스 포인트 정보를 판독하는 단계;상기 단말 장치가, 상기 판독된 액세스 포인트 정보에 따라 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 획득하고, 상기 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와의 무선 접속을 구축하는 단계를 포함한다.본 발명의 실시예의 제1 관점의 제1 가능한 실시 방식에서, 상기 단말 장치가, 상기 판독된 액세스 포인트 정보에 따라 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 획득하는 것은:상기 단말 장치가, 각각의 한 편의 판독된 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 검출하는 단계; 및상기 단말 장치가, 신호 강도 값이 가장 큰 액세스 포인트의 액세스 포인트 정보를 상기 목표 액세스 포인트 정보로서 선택하는 단계를 포함한다.본 발명의 실시예의 제1 관점의 제2 가능한 실시 방식에서, 상기 단말 장치가, 상기 판독된 액세스 포인트 정보에 따라 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 획득하는 것은:상기 단말 장치가, 각각의 한 편의 판독된 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 검출하는 단계;상기 단말 장치가, 각각의 한 편의 판독된 액세스 포인트 정보 및 상기 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 출력하는 단계; 및상기 단말 장치가, 상기 신호 강도 값에 따라 사용자에 의해 선택되는 한 편의 액세스 포인트 정보를 상기 단말 장치에 의해 출력되는 액세스 포인트 정보로부터 검출하고, 상기 한 편의 액세스 포인트 정보를 목표 액세스 포인트 정보로서 사용하는 단계를 포함한다.본 발명의 실시예의 제1 관점 또는 본 발명의 실시예의 제1 관점의 제1 및 제2 가능한 실시 방식 중 어느 하나의 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제1 관점의 제3 가능한 실시 방식에서, 상기 액세스 포인트 정보는 액세스 포인트 계정을 포함한다.본 발명의 실시예의 제1 관점의 제3 가능한 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제1 관점의 제4 가능한 실시 방식에서, 상기 단말 장치가, 상기 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와의 무선 접속을 구축하는 단계는:상기 단말 장치가, 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하는 단계; 및상기 단말 장치가, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 의해 송신된 무선 접속 성공 응답을 수신하는 단계를 포함한다.본 발명의 실시예의 제1 관점 또는 본 발명의 실시예의 제1 관점의 제1 및 제2 가능한 실시 방식 중 어느 하나의 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제1 관점의 제5 가능한 실시 방식에서, 상기 액세스 포인트 정보는 액세스 포인트 계정 및 상기 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다.본 발명의 실시예의 제1 관점의 제5 가능한 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제1 관점의 제6 가능한 실시 방식에서, 상기 단말 장치가, 상기 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와의 무선 접속을 구축하는 단계는:상기 단말 장치가, 상기 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하고 - 상기 무선 접속 요구는 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함함 - , 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신하는 단계를 포함한다.본 발명의 실시예의 제1 관점의 제5 가능한 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제1 관점의 제7 가능한 실시 방식에서, 상기 단말 장치가, 상기 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와의 무선 접속을 구축하는 단계는:상기 단말 장치가, 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하는 단계;상기 단말 장치가, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 의해 송신된 프롬프트 정보를 수신하는 단계 - 상기 프롬프트 정보는 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드의 송신을 프롬프트하는 데 사용됨 - ;상기 단말 장치가, 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 송신하는 단계; 및상기 단말 장치가, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신하는 단계를 포함한다.본 발명의 실시예의 제1 관점 또는 본 발명의 실시예의 제1 관점의 제1 및 제2 가능한 실시 방식 중 어느 하나의 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제1 관점의 제8 가능한 실시 방식에서, 상기 단말 장치가, 외부 니어 필드 통신 태그에 저장되어 있는 액세스 포인트 정보를 판독하는 단계 이후에, 상기 방법은:상기 단말 장치가 상기 액세스 포인트 정보를 저장하는 단계를 더 포함한다.본 발명의 실시예의 제1 관점의 제8 가능한 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제1 관점의 제9 가능한 실시 방식에서, 상기 단말 장치가 상기 액세스 포인트 정보를 저장하는 단계 이후에, 상기 방법은:상기 단말 장치가, 상기 액세스 포인트 정보의 저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하는지를 판정하고, 상기 저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하면, 상기 저장된 액세스 포인트 정보를 삭제하는 단계를 더 포함한다.본 발명의 실시예의 제1 관점의 제8 가능한 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제1 관점의 제10 가능한 실시 방식에서, 상기 단말 장치가 상기 액세스 포인트 정보를 저장하는 단계 이후에, 상기 방법은:상기 단말 장치가, 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되는지를 검출하고, 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되면, 상기 저장된 액세스 포인트 정보를 삭제하는 단계를 더 포함한다.본 발명의 실시예의 제1 관점 또는 본 발명의 실시예의 제1 관점의 제1 및 제2 가능한 실시 방식 중 어느 하나의 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제1 관점의 제11 가능한 실시 방식에서, 상기 액세스 포인트 정보는 WIFI 액세스 포인트 정보 또는 블루투스 액세스 포인트 정보 중 한 편 이상을 포함한다.본 발명의 제2 관점은 컴퓨터 저장 매체를 개시하며, 상기 컴퓨터 저장 매체는 프로그램을 저장하며, 상기 프로그램이 실행될 때, 본 발명의 실시예의 제1 관점에 개시된 무선 액세스 방법의 모든 단계가 실행된다.본 발명의 실시예의 제3 관점은 단말 장치를 개시하며, 상기 장치는:외부 니어 필드 통신 태그에 저장되어 있는 액세스 포인트 정보를 판독하도록 구성되어 있는 판독 모듈;상기 판독 모듈에 의해 판독된 액세스 포인트 정보에 따라 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 획득하고, 상기 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 무선 주파수 모듈에 출력하도록 구성되어 있는 메인 제어 모듈; 및상기 메인 제어 모듈에 의해 출력된 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와의 무선 접속을 구축하도록 구성되어 있는 무선 주파수 모듈을 포함한다.본 발명의 실시예의 제3 관점의 제1 가능한 실시 방식에서, 상기 메인 제어 모듈은:상기 판독 모듈에 의해 판독된 각각의 한 편의 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 검출하고, 상기 신호 강도 값을 선택 유닛에 출력하도록 구성되어 있는 검출 유닛; 및상기 판독 모듈에 의해 판독된 액세스 포인트 정보로부터, 상기 검출 유닛에 의해 출력되는, 각각의 한 편의 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값에 따라, 신호 강도 값이 가장 큰 액세스 포인트의 액세스 포인트 정보를 상기 목표 액세스 포인트 정보로서 선택하고, 상기 목표 액세스 포인트 정보를 상기 무선 주파수 모듈에 출력하도록 구성되어 있는 선택 유닛을 포함한다.본 발명의 실시예의 제3 관점의 제2 가능한 실시 방식에서, 상기 메인 제어 모듈은:상기 판독 모듈에 의해 판독된 각각의 한 편의 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 검출하고, 상기 신호 강도 값을 입력/출력 유닛에 출력하도록 구성되어 있는 제1 검출 유닛;상기 판독 모듈에 의해 판독된 각각의 한 편의 판독된 액세스 포인트 정보, 및 상기 제1 검출 유닛에 의해 검출되는, 상기 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 출력하도록 구성되어 있는 입력/출력 유닛; 및상기 입력/출력 유닛에 의해 출력되는 액세스 포인트 정보로부터 상기 신호 강도 값에 따라 사용자에 의해 선택되는 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 검출하고, 상기 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 무선 주파수 모듈에 출력하도록 구성되어 있는 제2 검출 유닛을 포함한다.본 발명의 실시예의 제3 관점 또는 본 발명의 실시예의 제3 관점의 제1 및 제2 가능한 실시 방식 중 어느 하나의 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제3 관점의 제3 가능한 실시 방식에서, 상기 액세스 포인트 정보는 액세스 포인트 계정을 포함한다.본 발명의 실시예의 제3 관점의 제3 가능한 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제3 관점의 제4 가능한 실시 방식에서, 상기 무선 주파수 모듈은: 상기 메인 제어 모듈에 의해 출력되는 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하고, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 의해 송신된 무선 접속 성공 응답을 수신하도록 구성되어 있다.본 발명의 실시예의 제3 관점 또는 본 발명의 실시예의 제3 관점의 제1 및 제2 가능한 실시 방식 중 어느 하나의 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제3 관점의 제5 가능한 실시 방식에서, 상기 액세스 포인트 정보는 액세스 포인트 계정 및 상기 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다.본 발명의 실시예의 제3 관점의 제5 가능한 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제3 관점의 제6 가능한 실시 방식에서, 상기 무선 주파수 모듈은:상기 메인 제어 모듈에 의해 출력되는 목표 액세스 포인트 계정에 따라 판독 모듈로부터 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 판독하고, 상기 액세스 패스워드를 통신 유닛에 출력하도록 구성되어 있는 판독 유닛; 및상기 메인 제어 모듈에 의해 출력되는 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하고 - 상기 무선 접속 요구는 상기 판독 유닛에 의해 출력되는, 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계되는 액세스 패스워드를 포함함 - , 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신하도록 구성되어 있는 통신 유닛을 포함한다.본 발명의 실시예의 제3 관점의 제5 가능한 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제3 관점의 제7 가능한 실시 방식에서, 상기 무선 주파수 모듈은:상기 메인 제어 모듈에 의해 출력되는 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하고, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 의해 송신된 프롬프트 정보를 수신하고, 상기 판정 유닛을 작동 가능하게 하도록 구성되어 있는 통신 유닛 - 상기 프롬프트 정보는 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드의 송신을 프롬프트하는 데 사용됨 - ; 및상기 메인 제어 모듈에 의해 출력되는 목표 액세스 포인트 계정에 따라 상기 판독 모듈로부터, 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 판독하고, 상기 액세스 패스워드를 통신 유닛에 송신하도록 구성되어 있는 판독 유닛을 포함하며,상기 통신 유닛은, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 송신하고, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신하도록 추가로 구성되어 있다.본 발명의 실시예의 제3 관점 또는 본 발명의 실시예의 제1 관점의 제1 및 제2 가능한 실시 방식 중 어느 하나의 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제3 관점의 제8 가능한 실시 방식에서, 상기 단말 장치는:상기 판독 모듈에 의해 판독된 액세스 포인트 정보를 저장하도록 구성되어 있는 저장 모듈을 더 포함한다.본 발명의 실시예의 제3 관점의 제8 가능한 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제3 관점의 제9 가능한 실시 방식에서, 상기 단말 장치는:상기 저장 모듈이 액세스 포인트 정보를 저장하는 저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하는지를 판정하고, 상기 저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하면, 제1 제어 모듈을 작동 가능하게 하도록 구성되어 있는 프로세싱 모듈; 및상기 저장 모듈에 의해 저장된 액세스 포인트 정보를 삭제하도록 구성되어 있는 제1 제어 모듈을 더 포함한다.본 발명의 실시예의 제3 관점의 제8 가능한 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제3 관점의 제10 가능한 실시 방식에서, 상기 단말 장치는:상기 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되는지를 검출하고, 상기 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되면, 제2 제어 모듈을 작동 가능하게 하도록 구성되어 있는 제3 검출 모듈; 및상기 저장 모듈에 의해 저장된 액세스 포인트 정보를 삭제하도록 구성되어 있는 제2 제어 모듈을 더 포함한다.본 발명의 실시예의 제3 관점 또는 본 발명의 실시예의 제3 관점의 제1 및 제2 가능한 실시 방식 중 어느 하나의 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제3 관점의 제11 가능한 실시 방식에서, 상기 액세스 포인트 정보는 WIFI 액세스 포인트 정보 및 블루투스 액세스 포인트 정보 중 한 편 이상을 포함한다.본 발명의 실시에의 제4 관점은 단말 장치를 개시하며, 상기 단말 장치는 프로세서, 인터페이스를 사용함으로써 상기 프로세서에 접속되는 니어 필드 통신(NFC) 모듈 및 입력/출력 모듈, 버스를 사용함으로써 상기 프로세서에 접속되는 메모리, 복수의 네트워크 인터페이스를 사용함으로써 상기 프로세서에 접속되는 커플러, 및 상기 커플러에 접속되는 안테나 모듈을 포함하며,상기 메모리는 한 그룹의 프로그램 코드를 저장하고, 상기 프로세서는 상기 메모리에 저장되어 있는 프로그램 코드를 불러내어:상기 NFC 모듈을 제어하여 외부 NFC 태그에 저장되어 있는 액세스 포인트 정보를 판독하고; 그리고상기 판독된 액세스 포인트 정보에 따라 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 획득하고, 상기 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와 상기 안테나 모듈 간의 무선 접속을 구축하도록 구성되어 있다.삭제본 발명의 실시예의 제4 관점의 제1 가능한 실시 방식에서, 상기 프로세서는:상기 안테나 모듈을 제어하여, 각각의 한 편의 판독된 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호를 검출하고;상기 안테나 모듈에 의해 검출되는, 각각의 한 편의 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도를 계산하며; 그리고신호 강도가 가장 큰 액세스 포인트의 액세스 포인트 정보를 상기 목표 액세스 포인트 정보로서 선택하도록 구성되어 있다.삭제본 발명의 실시예의 제4 관점의 제2 가능한 실시 방식에서, 상기 프로세서는:상기 안테나 모듈을 제어하여, 각각의 한 편의 판독된 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호를 검출하고;상기 안테나 모듈에 의해 검출되는, 각각의 한 편의 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 계산하고;상기 입력/출력 모듈을 제어하여, 각각의 한 편의 액세스 포인트 정보, 및 상기 계산에 의해 획득되는, 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 출력하며; 그리고상기 입력/출력 모듈을 제어하여, 상기 신호 강도 값에 따라 사용자에 의해 선택되는 임의의 한 편의 액세스 포인트 정보를 상기 입력/출력 모듈에 의해 출력되는 액세스 포인트 정보로부터 검출하고, 상기 한 편의 액세스 포인트 정보를 목표 액세스 포인트 정보로서 사용하도록 구성되어 있다.삭제본 발명의 실시예의 제4 관점 또는 본 발명의 실시예의 제4 관점의 제1 및 제2 가능한 실시 방식 중 어느 하나의 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제4 관점의 제3 가능한 실시 방식에서, 상기 액세스 포인트 정보는 액세스 포인트 계정을 포함한다.본 발명의 실시예의 제4 관점의 제3 가능한 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제4 관점의 제4 가능한 실시 방식에서, 상기 프로세서는:상기 안테나 모듈이, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 의해 송신된 무선 접속 성공 응답을 수신할 수 있도록, 상기 안테나 모듈을 제어하여, 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하도록 구성되어 있다.삭제본 발명의 실시예의 제4 관점 또는 본 발명의 실시예의 제4 관점의 제1 및 제2 가능한 실시 방식 중 어느 하나의 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제4 관점의 제5 가능한 실시 방식에서, 상기 액세스 포인트 정보는 액세스 포인트 계정 및 상기 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다.본 발명의 실시예의 제4 관점의 제5 가능한 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제4 관점의 제6 가능한 실시 방식에서, 상기 프로세서는:상기 안테나 모듈이, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신할 수 있도록, 상기 안테나 모듈을 제어하여, 상기 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하도록 구성되어 있으며,삭제상기 무선 접속 요구는 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다.본 발명의 실시예의 제4 관점의 제5 가능한 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제4 관점의 제7 가능한 실시 방식에서, 상기 프로세서는:상기 안테나 모듈이, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 의해 송신된 프롬프트 정보를 수신할 수 있도록 - 상기 프롬프트 정보는 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드의 송신을 프롬프트하는 데 사용됨 - , 그리고 상기 안테나 모듈이, 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 송신하고, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신할 수 있도록, 상기 안테나 모듈을 제어하여, 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하도록 구성되어 있다.삭제본 발명의 실시예의 제4 관점 또는 본 발명의 실시예의 제4 관점의 제1 및 제2 가능한 실시 방식 중 어느 하나의 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제4 관점의 제8 가능한 실시 방식에서, 상기 프로세서는:상기 메모리를 제어하여 상기 판독된 액세스 포인트 정보를 저장하도록 구성되어 있다.삭제본 발명의 실시예의 제4 관점의 제8 가능한 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제4 관점의 제9 가능한 실시 방식에서, 상기 프로세서는:상기 액세스 포인트 정보의 저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하는지를 판정하고, 상기 저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하면, 상기 메모리를 제어하여, 상기 저장된 액세스 포인트 정보를 삭제하도록 구성되어 있다.삭제본 발명의 실시예의 제4 관점의 제8 가능한 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제4 관점의 제10 가능한 실시 방식에서, 상기 프로세서는:상기 입력/출력 모듈이, 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되는지를 검출하고, 상기 입력/출력 모듈이 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신하면, 상기 메모리를 제어하여, 상기 저장된 액세스 포인트 정보를 삭제하도록 구성되어 있다.삭제본 발명의 실시예의 제4 관점 또는 본 발명의 실시예의 제4 관점의 제1 및 제2 가능한 실시 방식 중 어느 하나의 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제4 관점의 제11 가능한 실시 방식에서, 상기 액세스 포인트 정보는 WIFI 액세스 포인트 정보 또는 블루투스 액세스 포인트 정보 중 한 편 이상을 포함한다.본 발명의 실시예의 제5 관점은 무선 액세스 시스템을 제공하며, 상기 무선 액세스 시스템은 단말 장치, 및 니어 필드 통신 태그 및 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트를 포함하며,상기 니어 필드 통신 태그 및 상기 액세스 포인트는 상기 단말 장치와는 독립적이며,상기 니어 필드 통신 태그는 액세스 포인트 정보를 저장하도록 구성되어 있으며,상기 단말 장치는, 상기 니어 필드 통신 태그에 저장되어 있는 액세스 포인트 정보를 판독하고, 상기 판독된 액세스 포인트 정보에 따라 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 획득하며, 상기 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와의 무선 접속을 구축하도록 구성되어 있다.본 발명의 실시예의 제5 관점의 제1 가능한 실시 방식에서, 상기 단말 장치가, 상기 판독된 액세스 포인트 정보에 따라 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 획득하는 방식은 구체적으로 다음과 같으며:상기 단말 장치는, 각각의 한 편의 판독된 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 검출하고, 신호 강도 값이 가장 큰 액세스 포인트의 액세스 포인트 정보를 상기 목표 액세스 포인트 정보로서 선택하도록 구성되어 있다.본 발명의 실시예의 제5 관점의 제2 가능한 실시 방식에서, 상기 단말 장치가, 상기 판독된 액세스 포인트 정보에 따라 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 획득하는 방식은 구체적으로 다음과 같으며:상기 단말 장치는, 각각의 한 편의 판독된 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 검출하고, 각각의 한 편의 판독된 액세스 포인트 정보 및 상기 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 검출된 신호 강도 값을 출력하고, 상기 신호 강도 값에 따라 사용자에 의해 선택되는 한 편의 액세스 포인트 정보를 상기 단말 장치에 의해 출력되는 액세스 포인트 정보로부터 검출하며, 상기 한 편의 액세스 포인트 정보를 목표 액세스 포인트 정보로서 사용하도록 구성되어 있다.본 발명의 실시예의 제5 관점 또는 본 발명의 실시예의 제1 관점의 제1 및 제2 가능한 실시 방식 중 어느 하나의 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제5 관점의 제3 가능한 실시 방식에서, 상기 액세스 포인트 정보는 액세스 포인트 계정을 포함한다.본 발명의 실시예의 제5 관점의 제3 가능한 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제5 관점의 제4 가능한 실시 방식에서, 상기 단말 장치가, 상기 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와의 무선 접속을 구축하는 방식은 구체적으로 다음과 같으며:상기 단말 장치는, 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하고, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 의해 송신된 무선 접속 성공 응답을 수신하도록 구성되어 있다.본 발명의 실시예의 제5 관점 또는 본 발명의 실시예의 제1 관점의 제1 및 제2 가능한 실시 방식 중 어느 하나의 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제5 관점의 제5 가능한 실시 방식에서, 상기 액세스 포인트 정보는 액세스 포인트 계정 및 상기 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다.본 발명의 실시예의 제5 관점의 제5 가능한 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제5 관점의 제6 가능한 실시 방식에서, 상기 단말 장치가, 상기 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와의 무선 접속을 구축하는 방식은 구체적으로 다음과 같으며:상기 단말 장치는, 상기 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하고 - 상기 무선 접속 요구는 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함함 - , 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신하도록 구성되어 있다.본 발명의 실시예의 제5 관점의 제5 가능한 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제5 관점의 제7 가능한 실시 방식에서, 상기 단말 장치가, 상기 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와의 무선 접속을 구축하는 방식은 구체적으로 다음과 같으며:상기 단말 장치는, 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하고, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 의해 송신된 프롬프트 정보를 수신하고 - 상기 프롬프트 정보는 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드의 송신을 프롬프트하는 데 사용됨 - , 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 송신하며, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신하도록 구성되어 있다.본 발명의 실시예의 제5 관점 또는 본 발명의 실시예의 제1 관점의 제1 및 제2 가능한 실시 방식 중 어느 하나의 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제5 관점의 제8 가능한 실시 방식에서, 상기 단말 장치는 외부 니어 필드 통신 태그에 저장되어 있는 액세스 포인트 정보를 판독한 후에, 상기 액세스 포인트 정보를 저장하도록 추가로 구성되어 있다.본 발명의 실시예의 제5 관점의 제8 가능한 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제5 관점의 제9 가능한 실시 방식에서, 상기 단말 장치는 상기 액세스 포인트 정보를 저장한 후에, 상기 액세스 포인트 정보의 저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하는지를 판정하고, 상기 저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하면, 상기 저장된 액세스 포인트 정보를 삭제하도록 추가로 구성되어 있다.본 발명의 실시예의 제5 관점의 제8 가능한 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제5 관점의 제10 가능한 실시 방식에서, 상기 단말 장치는 상기 액세스 포인트 정보를 저장한 후에, 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되는지를 검출하고, 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되면, 상기 저장된 액세스 포인트 정보를 삭제하도록 추가로 구성되어 있다.본 발명의 실시예의 제5 관점 또는 본 발명의 실시예의 제1 관점의 제1 및 제2 가능한 실시 방식 중 어느 하나의 실시 방식을 참조해서, 본 발명의 실시예의 제5 관점의 제11 가능한 실시 방식에서, 상기 액세스 포인트 정보는 WIFI 액세스 포인트 정보 및 블루투스 액세스 포인트 정보 중 한 편 이상을 포함한다.종래기술과 비교하면, 본 발명의 실시예는 다음과 같은 이로운 효과를 가진다:본 발명의 실시예에서, NFC 태그에 저장되어 있는 액세스 포인트 정보를 판독할 수 있고, 그 판독된 액세스 포인트 정보에 따라 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 획득할 수 있으며, 또한, 단말 장치는 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 그 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트에의 무선 접속을 구축하고, 이에 의해 그 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트에의 접속을 자동으로 실현한다. 본 발명의 실시예를 실현하면 액세스 포인트 검색을 수동으로 작동 가능하게 하는 것과 사용자가 수동으로 패스워드를 입력하는 것과 같은 작업을 하지 않을 수 있으며, 이에 따라 액세스 포인트에 액세스할 때의 효율성이 효과적으로 향상될 수 있다.
[ 도면의 간단한 설명 ]
본 발명의 실시예의 기술적 솔루션을 더 명확하게 설명하기 위해, 이하에서는 본 발명의 실시예를 설명하는 데 필요한 첨부된 도면에 대해 간략하게 설명한다. 당연히, 이하의 실시예의 첨부된 도면은 본 발명의 일부의 실시예에 지나지 않으며, 당업자라면 창조적 노력 없이 첨부된 도면으로부터 다른 도면을 도출해낼 수 있을 것이다.도 1은 본 발명의 실시예에 따른 무선 액세스 방법에 대한 개략적인 흐름도이다.도 2는 본 발명의 실시예에 따른 다른 무선 액세스 방법에 대한 개략적인 흐름도이다.도 3은 본 발명의 실시예에 따른 다른 무선 액세스 방법에 대한 개략적인 흐름도이다.도 4는 본 발명의 실시예에 따른 다른 무선 액세스 방법에 대한 개략적인 흐름도이다.도 5는 본 발명의 실시예에 따른 다른 무선 액세스 방법에 대한 개략적인 흐름도이다.도 6은 본 발명의 실시예에 따라 WIFI 액세스 포인트, 및 WIFI 액세스 포인트 계정이 속하면서 단말 장치에 의해 출력되는 WIFI 액세스 포인트의 신호 강도 값에 대한 개략적인 인터페이스 도면이다.도 7은 본 발명의 실시예에 따른 다른 무선 액세스 방법에 대한 개략적인 흐름도이다.도 8은 본 발명의 실시예에 따른 단말 장치에 대한 개략적인 구조도이다.도 9는 본 발명의 실시예에 따른 다른 단말 장치에 대한 개략적인 구조도이다.도 10은 본 발명의 실시예에 따른 다른 단말 장치에 대한 개략적인 구조도이다.도 11은 본 발명의 실시예에 따른 다른 단말 장치에 대한 개략적인 구조도이다.도 12는 본 발명의 실시예에 따른 다른 단말 장치에 대한 개략적인 구조도이다.도 13은 본 발명의 실시예에 따른 다른 단말 장치에 대한 개략적인 구조도이다.도 14는 본 발명의 실시예에 따른 다른 단말 장치에 대한 개략적인 구조도이다.도 15는 본 발명의 실시예에 따른 무선 액세스 시스템에 대한 개략적인 네트워크 도면이다.
[ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ]
이하에서는 본 발명의 실시예에 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예의 기술적 솔루션에 대해 명확하고 완전하게 설명한다. 당연히, 설명된 실시예는 본 발명의 모든 실시예가 아닌 일부에 지나지 않는다. 당업자가 창조적 노력 없이 본 발명의 실시예에 기초하여 획득하는 모든 다른 실시예는 본 발명의 보호 범위 내에 있게 된다.본 발명의 실시예는 무선 액세스 방법 및 관련 장치 및 시스템에 대해 개시하여, 이는 액세스 포인트에 액세스할 때의 효율성을 효과적으로 향상시킬 수 있다. 상세한 설명이 이하에 개별적으로 제공된다.도 1을 참조하면, 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 무선 액세스 방법에 대한 개략적인 흐름도이다. 도 1에 도시된 무선 액세스 방법은 다음의 단계를 포함할 수 있다:101. 단말 장치는 외부 NFC 태그에 저장되어 있는 액세스 포인트 정보를 판독한다.102. 단말 장치는 판독된 액세스 포인트 정보에 따라 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 획득하고, 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와의 무선 접속을 구축한다.본 발명의 이 실시예에서, 단말 장치는 스마트폰, 태블릿 컴퓨터, 개인휴대단말(Personal Digital Assistant, PDA), 또는 NCF 모듈을 가진 모바일 인터넷 장치(Mobile Internet Devices, MID)와 같은 단말 장치를 포함할 수 있으며, 이에 대해서는 본 발명의 이 실시예에서 이후로 반복하지 않는다. 단말 장치는 적어도 하나의 프로세서를 포함할 수 있으며, 단말 장치는 적어도 하나의 프로세서의 제어 하에 작동할 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, 사용자가 단말 장치를 들고서 외부 NFC 태그에 접근시키면 단말 장치는 자신의 NCF 모듈을 사용함으로써 외부 NFC 태그에 저장되어 있는 액세스 포인트 정보를 판독할 수 있다.선택적 실시 방식에서, NFC 태그는 단지 한 편의 액세스 포인트 정보를 저장할 수도 있고, NFC 태그는 복수 편의 액세스 포인트 정보를 저장할 수도 있으며, 이것은 본 발명의 이 실시예에서 제한되지 않는다.선택적 실시 방식에서, 액세스 포인트 정보는 WIFI 액세스 포인트 정보 및 블루투스 액세스 포인트 정보 중 한 편 이상을 포함할 수 있다. WIFI 액세스 포인트 정보는 WIFI 액세스 포인트 계정 및 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함하며, 블루투스 액세스 포인트 정보는 블루투스 액세스 포인트 계정 및 블루투스 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함할 수 있다.선택적 실시 방식에서, 전술한 단계 102에서, 상기 단말 장치가, 상기 판독된 액세스 포인트 정보에 따라 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 획득하는 것은 이하의 단계를 포함한다:단계 (11): 단말 장치는 각각의 한 편의 판독된 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 검출한다.단계 (12): 단말 장치는 신호 강도 값이 가장 큰 액세스 포인트의 액세스 포인트 정보를 상기 목표 액세스 포인트 정보로서 선택한다.단계 (11) 및 단계 (12)를 수행함으로써, 단말 장치는, 배경에서, 신호 강도 값이 가장 큰 액세스 포인트의 액세스 포인트 정보를 목표 액세스 포인트 정보로서 자동으로 선택할 수 있다.다른 선택적 실시 방식에서, 전술한 단계 102에서, 상기 단말 장치가, 상기 판독된 액세스 포인트 정보에 따라 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 획득하는 것은 다음의 단계:단계 (21): 단말 장치는 각각의 한 편의 판독된 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 검출한다.단계 (22): 단말 장치는 각각의 한 편의 판독된 액세스 포인트 정보 및 상기 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 출력한다.단계 (23): 단말 장치는 신호 강도 값에 따라 사용자에 의해 선택되는 한 편의 액세스 포인트 정보를 상기 단말 장치에 의해 출력되는 액세스 포인트 정보로부터 검출하고, 상기 한 편의 액세스 포인트 정보를 목표 액세스 포인트 정보로서 사용한다. 단계 (21) 내지 (23)을 수행함으로써, 사용자는 소망하는 액세스 포인트 정보를 목표 액세스 포인트 정보로서 선택할 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, 액세스 포인트 정보는 액세스 포인트 계정을 포함할 수도 있고, 액세스 포인트 정보는 액세스 포인트 계정 및 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함할 수 있으며, 이것은 본 발명의 실시예에서 제한되지 않는다.예를 들어, 액세스 포인트 정보가 액세스 포인트 계정을 포함할 때, 전술한 단계 102에서, 단말 장치가, 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와의 무선 접속을 구축하는 것은 다음의 단계를 포함할 수 있다:단계 (31): 단말 장치는 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하며, 여기서 무선 접속 요구는 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다.단계 (32): 단말 장치는 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신한다.단계 (31) 및 단계 (32)를 수행함으로써, 액세스 패스워드가 요구되지 않으면, 단말 장치는 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트에 자동으로 액세스하여, 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와 단말 장치 간의 무선 접속을 구축한다.다른 예에 있어서, 액세스 포인트 정보는 액세스 포인트 계정 및 상기 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함하며, 전술한 단계 102에서, 단말 장치가, 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와의 무선 접속을 구축하는 것은 이하의 단계를 포함할 수 있다:단계 (41): 단말 장치는, 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하며, 여기서 무선 접속 요구는 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다.단계 (42): 단말 장치는, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신한다.단계 (41) 및 단계 (42)를 수행함으로써, 액세스 패스워드가 요구되면, 단말 장치는 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트에 신속하게 자동으로 액세스하여, 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와 단말 장치 간의 무선 접속을 구축할 수 있다.다른 예에 있어서, 액세스 포인트 정보가 액세스 포인트 계정 및 상기 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함할 때, 전술한 단계 102에서, 단말 장치가, 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와의 무선 접속을 구축하는 것은 다음의 단계를 포함할 수 있다:단계 (51): 단말 장치는, 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신한다.단계 (52): 단말 장치는, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 의해 송신된 프롬프트 정보를 수신하며, 여기서 상기 프롬프트 정보는 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드의 송신을 프롬프트하는 데 사용된다.단계 (53): 단말 장치는, 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 송신한다.단계 (54): 단말 장치, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신한다.단계 (51) 및 단계 (52)를 수행함으로써, 액세스 패스워드가 요구되면, 단말 장치는 기존의 무선 액세스 방식을 사용함으로써, 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트에 자동으로 액세스하여, 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와 단말 장치 간의 무선 접속을 구축할 수 있다.선택적 실시 방식에서, 도 1에 설명된 무선 액세스 방법에서, 단계 101을 실행한 후, 단말 장치는 판독된 액세스 포인트 정보를 추가로 저장할 수 있다.다른 선택적 실시 방식에서, 도 1에 설명된 무선 액세스 방법에서, 단말 장치는 액세스 포인트 정보를 저장한 후에, 단말 장치는, 액세스 포인트 정보의 저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하는지를 추가로 판정할 수 있고, 상기 저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하면, 그 저장된 액세스 포인트 정보를 삭제한다. 대안으로, 단말 장치가 그 판독된 액세스 포인트 정보를 저장한 후에, 단말 장치는 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되는지를 검출할 수 있고, 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되면, 그 저장된 액세스 포인트 정보를 삭제한다. 그러므로 액세스 포인트 정보가 점유하는 단말 장치의 저장 공간이 해제될 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, 도 1에 설명된 무선 액세스 방법에서, 액세스 포인트 검색을 수동으로 작동 가능하게 하는 것과 사용자가 수동으로 패스워드를 입력하는 것과 같은 작업을 하지 않을 수 있으며, 이에 따라 액세스 포인트에 액세스할 때의 효율성이 효과적으로 향상될 수 있다.도 2를 참조하면, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 다른 무선 액세스 방법에 대한 개략적인 흐름도이다. 도 2에 설명된 무선 액세스 방법에서, 액세스 포인트 정보가 액세스 포인트 계정 및 상기 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함하는 예를 사용하여 설명한다. 도 2에 도시된 무선 액세스 방법은 이하의 단계를 포함할 수 있다.201. 단말 장치는 외부 NFC 태그에 저장되어 있는 액세스 포인트 계정 및 상기 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 판독한다.본 발명의 이 실시예에서, 사용자가 단말 장치를 들고서 외부 NFC 태그에 접근시키면 단말 장치는 자신의 NCF 모듈을 사용함으로써 외부 NFC 태그에 저장되어 있는 액세스 포인트 계정 및 상기 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 판독할 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, NFC 태그는 단지 하나의 액세스 포인트 계정 및 상기 하나의 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 저장할 수도 있고, NFC 태그는 복수의 액세스 포인트 계정 및 상기 복수의 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 저장할 수도 있으며, 이것은 본 발명의 이 실시예에서 제한되지 않는다.본 발명의 이 실시예에서, 액세스 포인트 계정은 액세스 포인트 명칭(예를 들어, TP-LINK1), 액세스 포인트 식별자 등을 포함할 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, 액세스 포인트 계정은 WIFI 액세스 포인트 계정일 수도 있고 블루투스 액세스 포인트 계정일 수도 있다. 구체적으로, NFC 태그가 복수의 액세스 포인트 계정 및 상기 복수의 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함할 때, NFC 태그에 저장되어 있는 복수의 액세스 포인트 계정은 WIFI 액세스 포인트 계정만을 포함할 수도 있고, 블루투스 액세스 포인트 계정만을 포함할 수도 있으며, 일부의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 일부의 블루투스 액세스 포인트 계정을 포함할 수도 있다.202. 단말 장치는 판독된 액세스 포인트 정보에 따라 하나의 목표 액세스 포인트 계정을 획득하고, 목표 액세스 포인트 계정 및 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트와의 무선 접속을 구축한다.본 발명의 이 실시예에서, NFC 태그가 하나의 액세스 포인트 계정 및 상기 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드만을 포함할 때, 단말 장치는 그 판독된 액세스 포인트 계정을 목표 액세스 포인트 계정으로서 사용할 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, NFC 태그가 복수의 액세스 포인트 계정 및 상기 복수의 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함할 때, 단말 장치는 판독된 액세스 포인트 계정으로부터 임의의 액세스 포인트 계정을 목표 액세스 포인트 계정으로서 선택할 수 있다. 대안으로, 단말 장치는 각각의 판독된 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 검출하고, 신호 강도 값이 가장 큰 액세스 포인트의 액세스 포인트 계정을 목표 액세스 포인트 정보로서 선택한다. 대안으로, 단말 장치는 각각의 판독된 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 검출하고, 각각의 판독된 액세스 포인트 계정 및 상기 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트의 검출된 신호 강도 값을 출력할 수 있으며, 상기 신호 강도 값에 따라 사용자에 의해 선택되는 임의의 액세스 포인트 계정을 상기 단말 장치에 의해 출력되는 액세스 포인트 계정으로부터 검출하고, 상기 액세스 포인트 계정을 목표 액세스 포인트 계정으로서 사용할 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, 단계 202에서, 단말 장치는 목표 액세스 포인트 계정 및 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드에 따라, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트와의 무선 접속을 구축하는 것은 이하의 단계를 수행함으로써 실행될 수 있다:단계 (A1): 단말 장치는 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하며, 여기서 무선 접속 요구는 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다.단계 (B1): 단말 장치는 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신한다.본 발명의 이 실시예에서, 목표 액세스 포인트 계정이 WIFI 액세스 포인트 계정일 때, 단말 장치는 WIFI 모듈로 하여금 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신할 수 있게 할 수 있으며(WIFI 모듈이 작동 가능으로 되었다면, WIFI 모듈은 다시 작동 가능으로 될 필요가 없다), 여기서 무선 접속 요구는 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다.본 발명의 이 실시예에서, 목표 액세스 포인트 계정이 블루투스 액세스 포인트 계정일 때, 단말 장치는 블루투스 모듈로 하여금 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신할 수 있게 할 수 있으며(블루투스 모듈이 작동 가능으로 되었다면, 블루투스 모듈은 다시 작동 가능으로 될 필요가 없다), 여기서 무선 접속 요구는 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다.본 발명의 이 실시예에서, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신하며; 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 현지에 설정된 액세스 패스워드와 동일하면, 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것으로 검증하며, 이 경우, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 무선 접속 성공 응답을 단말 장치에 송신할 수 있거나; 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 현지에 설정된 액세스 패스워드와 다르면, 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하지 않다는 것으로 검증하며, 이 경우, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 무선 접속 실패 응답을 단말 장치에 송신할 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, 목표 액세스 포인트 계정이 WIFI 액세스 포인트 계정이면, 단말 장치는 WIFI 모듈을 사용함으로써, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신할 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, 목표 액세스 포인트 계정이 블루투스 액세스 포인트 계정이면, 단말 장치는 블루투스 모듈을 사용함으로써, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신할 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, 단계 202에서, 단말 장치가 목표 액세스 포인트 계정 및 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드에 따라, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트와의 무선 접속을 구축하는 것은 다음의 단계를 수행함으로써 실행될 수도 있다:단계 (A2): 단말 장치는 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속요구를 송신한다.단계 (B2): 단말 장치는 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 의해 송신된 프롬프트 정보를 수신하며, 여기서 상기 프롬프트 정보는 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드의 송신을 프롬프트하는 데 사용된다.단계 (C2): 단말 장치는 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 송신한다.단계 (D4): 단말 장치는 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신한다.전술한 단계 201에 기초하여, 단말 장치가 그 판독된 액세스 포인트 계정에 따라 하나의 목표 액세스 포인트 계정을 획득한 후, 본 발명은 전술한 단계 (A2) 내지 (D4)를 참조해서 실현될 수도 있으며, 이것은 본 발명의 이 실시예에서 제한되지 않는다. 단말 장치가 전술한 단계 (A2) 내지 (D4)를 참조해서 실현될 때, 기존의 무선 액세스 프로세스가 사용될 수 있다.도 2에 설명된 방법에서, 액세스 포인트 검색을 수동으로 작동 가능하게 하는 것과 사용자가 수동으로 패스워드를 입력하는 것과 같은 작업을 하지 않을 수 있으며, 이에 따라 액세스 포인트에 액세스할 때의 효율성이 효과적으로 향상될 수 있다.도 3을 참조하면, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 다른 무선 액세스 방법에 대한 개략적인 흐름도이다. 도 3에 도시된 무선 액세스 방법에서, 외부의 NFC 태그가 단지 한 편의 WIFI 액세스 포인트 정보만을 저장하는 것으로 가정하며, 여기서 WIFI 액세스 포인트 정보는 WIFI 액세스 포인트 계정 및 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다. 무선 액세스 프로세스는 NFC 태그가 한 편의 블루투스 액세스 정보만을 저장하고 있는 때와 같으며(블루투스 액세스 포인트 계정 및 블루투스 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함함), 이것은 본 발명의 이 실시예에서 반복되지 않는다.도 3에 도시된 무선 액세스 방법에서, 하나의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 하나의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 외부의 NFC 태그에 미리 기록될 수 있으며, NFC 태그는 고정된 위치에 부착될 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, WIFI 액세스 포인트의 관리 사용자는 외부 NFC 태그를 고려하여 하나의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 하나의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 기록할 수 있다. 예를 들어, WIFI 액세스 포인트의 관리 사용자는 스마트폰의 NFC 애플리케이션에 액세스할 수 있고, 하나의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 하나의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 NFC 애플리케이션에 수동으로 입력한 후, 이 스마트폰을 외부의 NFC 태그에 근접시키면, 상기 하나의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 하나의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 NFC 애플리케이션에 기록된다. 대안으로, WIFI 액세스 포인트의 관리 사용자는 스마트폰의 NFC 애플리케이션에 액세스하고, 스마트폰에 저장되어 있는 하나의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 하나의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 NFC 애플리케이션으로부터 호출하고, 그런 다음, 이 스마트폰을 외부의 NFC 태그에 근접시키면, 상기 하나의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 하나의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 NFC 애플리케이션에 기록된다.예를 들어, NFC 태그는 공항, , 쇼핑 몰, 역과 같은 공공장소의 고정된 위치에 부착될 수 있거나, NFC 태그는 집 안의 고정된 위치에 부착될 수 있다.도 3에 도시된 바와 같이, 무선 액세스 방법은 다음의 단계를 포함할 수 있다:301. 단말 장치의 NFC 모듈을 작동 가능으로 한다.302. 단말 장치를 들고서 외부의 NFC 태그에 접근시키면 단말 장치는 외부의 NFC 태그에 저장되어 있는 하나의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 하나의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 판독한다.본 발명의 이 실시예에서, 사용자가 단말 장치를 들고서 외부 NFC 태그에 접근시키면 단말 장치는 자신의 NCF 모듈을 사용함으로써 외부 NFC 태그에 저장되어 있는 상기 하나의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 하나의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 판독할 수 있다.303. 단말 장치는 판독되는 상기 하나의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 하나의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 저장한다.304. 단말 장치는 판독된 하나의 WIFI 액세스 포인트 계정을 목표 액세스 포인트 계정으로서 사용하고, 상기 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 WIFI 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하며, 여기서 상기 무선 접속 요구는 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다.본 발명의 이 실시예에서, 단말 장치는 WIFI 모듈을 사용함으로써, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 WIFI 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신할 수 있으며, 여기서 상기 무선 접속 요구는 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다.305. 단말 장치는 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 WIFI 액세스 포인트가 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신하고, WIFI 액세스 포인트에 성공적으로 접속한다.306. 단말 장치는 WIFI 액세스 포인트 계정 및 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드의 저장 시간이 사전설정된 임계값(예를 들어, 2시간)을 초과하는지를 판정하고, 상기 저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하면, 상기 저장된 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 삭제한다.저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하지 않으면, 단말 장치는 상기 저장된 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 삭제하지 않는다.실시 방식에서, 대안으로, 단말 장치는 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되는지를 검출할 수 있고, 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되면, 상기 저장된 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 삭제하거나, 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되지 않으면, 상기 저장된 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 삭제하지 않는다.도 3에 설명된 방법에서, 단말 장치는 WIFI 액세스 포인트에의 자동 액세스를 완료할 수 있을 뿐만 아니라, 액세스 포인트 검색을 수동으로 작동 가능하게 하고 사용자가 수동으로 패스워드를 입력하는 작업을 하지 않을 수 있으며, 이에 따라 액세스 포인트에 액세스할 때의 효율성이 효과적으로 향상될 수 있다.도 4를 참조하면, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 다른 무선 액세스 방법에 대한 개략적인 흐름도이다. 도 4에 도시된 무선 액세스 방법에서, NFC 태그가 복수 편의 WIFI 액세스 포인트 정보만을 저장하는 것으로 가정하며, 여기서 각각의 한 편의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다.무선 액세스 프로세스는 NFC 태그가 복수 편의 블루투스 액세스 정보를 저장하고 있는 때와 같거나(즉, 각각의 한 편의 블루투스 액세스 포인트 정보는 블루투스 액세스 포인트 계정 및 블루투스 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함함), 또는 NFC 태그가 일부 편의 블루투스 액세스 포인트 정보 및 상기 일부 편의 WIFI 액세스 포인트 정보를 저장하고 있을 때와 같으며, 이것은 본 발명의 이 실시예에서 반복되지 않는다.도 4에 도시된 무선 액세스 방법에서, 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 외부의 NFC 태그에 미리 기록될 수 있으며, NFC 태그는 고정된 위치에 부착될 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, WIFI 액세스 포인트의 관리 사용자는 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 외부 NFC 태그에 기록할 수 있다. 예를 들어, WIFI 액세스 포인트의 관리 사용자는 스마트폰의 NFC 애플리케이션에 액세스할 수 있고, 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 NFC 애플리케이션에 수동으로 입력한 후, 이 스마트폰을 외부의 NFC 태그에 근접시키면, 상기 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 외부의 NFC 태그에 기록된다. 대안으로, WIFI 액세스 포인트의 관리 사용자는 스마트폰의 NFC 애플리케이션에 액세스하고, 스마트폰에 저장되어 있는 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 NFC 애플리케이션으로부터 호출하고, 그런 다음, 이 스마트폰을 외부의 NFC 태그에 근접시키면, 상기 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 외부의 NFC 태그에 기록된다.예를 들어, NFC 태그는 공항, , 쇼핑 몰, 역과 같은 공공장소의 고정된 위치에 부착될 수 있거나, NFC 태그는 집 안의 고정된 위치(예를 들어, 벽)에 부착될 수 있다.도 4에 도시된 바와 같이, 무선 액세스 방법은 이하의 단계를 포함할 수 있다.401. 단말 장치의 NFC 모듈을 작동 가능으로 한다.402. 단말 장치를 들고서 외부의 NFC 태그에 접근시키면 단말 장치는 외부의 NFC 태그에 저장되어 있는 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 판독한다.본 발명의 이 실시예에서, 사용자가 단말 장치를 들고서 외부 NFC 태그에 접근시키면 단말 장치는 자신의 NCF 모듈을 사용함으로써 외부 NFC 태그에 저장되어 있는 상기 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 판독할 수 있다.403. 단말 장치는 판독되는 상기 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 저장한다.404. 단말 장치는 각각의 판독된 WIFI 액세스 포인트 계정이 속하는 WIFI 액세스 포인트의 신호 강도 값을 검출한다.WIFI 액세스 포인트의 신호 강도 값은 일반적으로 dB의 단위로 표현된다.405. 단말 장치는 신호 강도 값이 가장 큰 WIFI 액세스 포인트의 WIFI 액세스 포인트 계정을 목표 액세스 포인트 계정으로서 선택하고, 상기 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 WIFI 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하며, 여기서 상기 무선 접속 요구는 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다.예를 들어, 단계 404에서, 단말 장치는 WIFI 액세스 포인트 계정 TP-LINK1이 속하는 WIFI 액세스 포인트의 신호 강도 값이 -70dB인 것으로 검출하고, WIFI 액세스 포인트 계정 TP-LINK2가 속하는 WIFI 액세스 포인트의 신호 강도 값이 -60dB인 것으로 검출하며, WIFI 액세스 포인트 계정 TP-LINK3이 속하는 WIFI 액세스 포인트의 신호 강도 값이 -50dB인 것으로 검출하며; 단계 405에서, 단말 장치는 신호 강도 값이 가장 큰 WIFI 액세스 포인트의 WIFI 액세스 포인트 계정 TP-LINK1을 목표 액세스 포인트 계정으로서 선택할 수 있는 것으로 가정한다.본 발명의 이 실시예에서, 단계 404 및 단계 405를 수행함으로써, 단말 장치는 배경에서, 신호 강도 값이 가장 큰 WIFI 액세스 포인트의 WIFI 액세스 포인트 계정을 목표 액세스 포인트 계정으로서 자동으로 선택할 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, 단말 장치는 WIFI 모듈을 사용함으로써, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 WIFI 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신할 수 있으며, 여기서 상기 무선 접속 요구는 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다. 406. 단말 장치는 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 WIFI 액세스 포인트가 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신하고, WIFI 액세스 포인트에 성공적으로 접속한다.407. 단말 장치는 WIFI 액세스 포인트 계정의 저장 시간 및 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 사전설정된 임계값(예를 들어, 2시간)을 초과하는지를 판정하고, 상기 저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하면, 상기 저장된 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 삭제한다.저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하지 않으면, 단말 장치는 상기 저장된 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 삭제하지 않는다.실시 방식에서, 대안으로, 단말 장치는 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되는지를 검출할 수 있고, 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되면, 상기 저장된 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 삭제하거나, 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되지 않으면, 상기 저장된 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 삭제하지 않는다.도 4에 설명된 방법에서, 단말 장치는 WIFI 액세스 포인트에의 자동 액세스를 완료할 수 있을 뿐만 아니라, 액세스 포인트 검색을 수동으로 작동 가능하게 하고 사용자가 수동으로 패스워드를 입력하는 작업을 하지 않을 수 있으며, 이에 따라 액세스 포인트에 액세스할 때의 효율성이 효과적으로 향상될 수 있다.도 5를 참조하면, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 다른 무선 액세스 방법에 대한 개략적인 흐름도이다. 도 5에 도시된 무선 액세스 방법에서, NFC 태그가 복수 편의 WIFI 액세스 포인트 정보만을 저장하는 것으로 가정하며, 여기서 각각의 한 편의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다. 무선 액세스 프로세스는 NFC 태그가 복수 편의 블루투스 액세스 정보를 저장하고 있는 때와 같거나(즉, 각각의 한 편의 블루투스 액세스 포인트 정보는 블루투스 액세스 포인트 계정 및 블루투스 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함함), 또는 NFC 태그가 일부 편의 블루투스 액세스 포인트 정보 및 상기 일부 편의 WIFI 액세스 포인트 정보를 저장하고 있을 때와 같으며, 이것은 본 발명의 이 실시예에서 반복되지 않는다.도 5에 도시된 무선 액세스 방법에서, 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 외부의 NFC 태그에 미리 기록될 수 있으며, NFC 태그는 고정된 위치에 부착될 수 있다.도 5에 도시된 바와 같이, 무선 액세스 방법은 이하의 단계를 포함할 수 있다.501. 단말 장치의 NFC 모듈을 작동 가능으로 한다.502. 단말 장치를 들고서 외부의 NFC 태그에 접근시키면 단말 장치는 외부의 NFC 태그에 저장되어 있는 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 판독한다.본 발명의 이 실시예에서, 사용자가 단말 장치를 들고서 외부 NFC 태그에 접근시키면 단말 장치는 자신의 NCF 모듈을 사용함으로써 외부 NFC 태그에 저장되어 있는 상기 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 판독할 수 있다.503. 단말 장치는 판독되는 상기 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 저장한다.504. 단말 장치는 각각의 판독된 WIFI 액세스 포인트 계정이 속하는 WIFI 액세스 포인트의 신호 강도 값을 검출한다.505. 단말 장치는 판독된 WIFI 액세스 포인트 계정 및 WIFI 액세스 포인트 계정이 속하는 WIFI 액세스 포인트의 신호 강도 값을 출력한다.506. 단말 장치는 사용자에 의해 신호 강도 값에 따라 선택되는 임의의 WIFI 액세스 포인트 계정을 상기 출력된 WIFI 액세스 포인트 계정으로부터 검출하고, 상기 WIFI 액세스 포인트 계정을 목표 액세스 포인트 계정으로서 사용하고, 상기 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 WIFI 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하며, 여기서 상기 무선 접속 요구는 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다.예를 들어, 단계 504에서, 단말 장치는 WIFI 액세스 포인트 계정 TP-LINK1이 속하는 WIFI 액세스 포인트의 신호 강도 값이 -70dB인 것으로 검출하고, WIFI 액세스 포인트 계정 TP-LINK2가 속하는 WIFI 액세스 포인트의 신호 강도 값이 -60dB인 것으로 검출하며, WIFI 액세스 포인트 계정 TP-LINK3이 속하는 WIFI 액세스 포인트의 신호 강도 값이 -50dB인 것으로 검출하며; 단계 505에서, 단말 장치는 도 6에 도시된 바와 같이, 각각의 WIFI 액세스 포인트 계정 및 WIFI 액세스 포인트 계정이 속하는 WIFI 액세스 포인트의 신호 강도 값을 출력할 수 있는 것으로 가정한다. 이에 상응해서, 단계 506에서, 단말 장치는 사용자에 의해 도 6에 도시된 신호 강도 값에 따라 선택되는 임의의 WIFI 액세스 포인트 계정을 단말 장치에 의해 출력된 WIFI 액세스 포인트 계정으로부터 검출하고, 그 WIFI 액세스 포인트 계정을 목표 액세스 포인트 계정으로서 사용할 수 있다. 예를 들어, 단말 장치는 사용자에 의해 도 6에 도시된 신호 강도 값 -60 dB에 따라 선택되는 임의의 WIFI 액세스 포인트 계정 TP-LINK2을 단말 장치에 의해 출력된 WIFI 액세스 포인트 계정으로부터 검출하고, 그 WIFI 액세스 포인트 계정 TP-LINK2를 목표 액세스 포인트 계정으로서 사용할 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, 단계 504 내지 506을 수행함으로써, 사용자는 소망하는 WIFI 액세스 포인트 정보를 목표 액세스 포인트 정보로서 선택할 수 있다.실시예에서, 대안으로, 사용자는 신호 강도 값의 선택 베이시스를 고려하지 않을 수도 있고, 단말 장치에 의해 출력된 WIFI 액세스 포인트 계정으로부터 임의의 WIFI 액세스 포인트 계정을 선택할 수 있다. 이에 상응해서, 단계 506에서, 단말 장치는 사용자에 의해 단말 장치에 의해 출력된 WIFI 액세스 포인트 계정으로부터 선택되는 임의의 WIFI 액세스 포인트 계정을 검출하고, 그 WIFI 액세스 포인트 계정을 목표 액세스 포인트 계정으로서 사용할 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, 단말 장치가, WIFI 액세스 포인트 계정이 속하는 WIFI 액세스 포인트의 신호 강도 값을 출력하는 목적은 사용자가 WIFI 액세스 포인트 계정을 선택하는 선택 베이시스를 제공하기 위한 것이다. 당연히, 사용자는 이러한 선택 베이시스를 무시하고 임의의 WIFI 액세스 포인트 계정(즉, WIFI 액세스 포인트 명칭)을 직접적으로 선택할 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, 단말 장치는 WIFI 모듈을 사용함으로써, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 WIFI 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신할 수 있으며, 여기서 무선 접속 요구는 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다.507. 단말 장치는 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 WIFI 액세스 포인트가 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신하고, WIFI 액세스 포인트에 성공적으로 접속한다.508. 단말 장치는 WIFI 액세스 포인트 계정 및 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드의 저장 시간이 사전설정된 임계값(예를 들어, 2시간)을 초과하는지를 판정하고, 상기 저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하면, 상기 저장된 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 삭제한다.실시 방식에서, 대안으로, 단말 장치는 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되는지를 판정할 수 있고, 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되면, 상기 저장된 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 삭제한다.도 5에 설명된 방법에서, 단말 장치는 WIFI 액세스 포인트에의 자동 액세스를 완료할 수 있을 뿐만 아니라, 액세스 포인트 검색을 수동으로 작동 가능하게 하고 사용자가 수동으로 패스워드를 입력하는 작업을 하지 않을 수 있으며, 이에 따라 액세스 포인트에 액세스할 때의 효율성이 효과적으로 향상될 수 있다.도 7을 참조하면, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 다른 무선 액세스 방법에 대한 개략적인 흐름도이다. 도 7에 도시된 무선 액세스 방법에서, NFC 태그는 복수 편의 WIFI 액세스 포인트 정보만을 저장하는 것으로 가정하고, 여기서 각각의 한 편의 WIFI 액세스 포인트 정보는 WIFI 액세스 포인트 계정만을 포함한다. 도 7에 도시된 무선 액세스 방법에서, 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정은 외부의 NFC 태그에 미리 기록될 수 있으며, NFC 태그는 고정된 위치에 부착될 수 있다.도 7에 도시된 바와 같이, 무선 액세스 방법은 다음의 단계를 포함할 수 있다:701. 단말 장치의 NFC 모듈을 작동 가능으로 한다.702. 단말 장치를 들고서 외부의 NFC 태그에 접근시키면 단말 장치는 외부의 NFC 태그에 저장되어 있는 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정을 판독한다.본 발명의 이 실시예에서, 사용자가 단말 장치를 들고서 외부 NFC 태그에 접근시키면 단말 장치는 자신의 NCF 모듈을 사용함으로써 외부 NFC 태그에 저장되어 있는 상기 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정을 판독할 수 있다.703. 단말 장치는 상기 판독된 복수의 WIFI 액세스 포인트 계정을 저장한다.704. 단말 장치는 각각의 판독된 WIFI 액세스 포인트 계정이 속하는 WIFI 액세스 포인트의 신호 강도 값을 검출한다.705. 단말 장치는 각각의 판독된 WIFI 액세스 포인트 계정 및 각각의 판독된 WIFI 액세스 포인트 계정이 속하는 WIFI 액세스 포인트의 신호 강도 값을 출력한다.706. 단말 장치는 사용자에 의해 신호 강도 값에 따라 선택되는 임의의 WIFI 액세스 포인트 계정을 상기 출력된 WIFI 액세스 포인트 계정으로부터 검출하고, 상기 WIFI 액세스 포인트 계정을 목표 액세스 포인트 계정으로서 사용하고, 상기 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 WIFI 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신한다.본 발명의 이 실시예에서, 단계 704 내지 706을 수행함으로써, 사용자는 소망하는 액세스 포인트 정보를 목표 액세스 포인트 정보로서 선택할 수 있다.실시예에서, 대안으로, 사용자는 신호 강도 값의 선택 베이시스를 고려하지 않을 수도 있고, 단말 장치에 의해 출력된 WIFI 액세스 포인트 계정으로부터 임의의 WIFI 액세스 포인트 계정을 선택할 수 있다. 이에 상응해서, 단계 706에서, 단말 장치는 사용자에 의해 단말 장치에 의해 출력된 WIFI 액세스 포인트 계정으로부터 선택되는 임의의 WIFI 액세스 포인트 계정을 검출하고, 그 WIFI 액세스 포인트 계정을 목표 액세스 포인트 계정으로서 사용할 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, 단말 장치는 WIFI 모듈을 사용함으로써, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신할 수 있으며, 여기서 상기 무선 접속 요구는 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다.707. 단말 장치는 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 WIFI 액세스 포인트가 목표 액세스 포인트를 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신하고, 그 WIFI 액세스 포인트에 성공적으로 접속한다.708. 단말 장치는 WIFI 액세스 포인트 계정의 저장 시간이 사전설정된 임계값(예를 들어, 2시간)을 초과하는지를 판정하고, 상기 저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하면, 상기 저장된 WIFI 액세스 포인트 계정 및 상기 WIFI 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 삭제한다.실시 방식에서, 대안으로, 단말 장치는 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되는지를 판정할 수 있고, 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되면, 상기 저장된 WIFI 액세스 포인트 계정을 삭제한다.도 7에 설명된 방법에서, 단말 장치는 WIFI 액세스 포인트에의 자동 액세스를 완료할 수 있을 뿐만 아니라, 액세스 포인트 검색을 수동으로 작동 가능하게 하고 사용자가 수동으로 패스워드를 입력하는 작업을 하지 않을 수 있으며, 이에 따라 액세스 포인트에 액세스할 때의 효율성이 효과적으로 향상될 수 있다.도 8을 참조하면, 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 단말 장치에 대한 개략적인 구조도이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 단말 장치는:외부 니어 필드 통신 태그에 저장되어 있는 액세스 포인트 정보를 판독하도록 구성되어 있는 판독 모듈(801);상기 판독 모듈에 의해 판독된 액세스 포인트 정보에 따라 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 획득하고, 상기 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 무선 주파수 모듈(803)에 출력하도록 구성되어 있는 메인 제어 모듈(802); 및상기 메인 제어 모듈(802)에 의해 출력된 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와의 무선 접속을 구축하도록 구성되어 있는 무선 주파수 모듈(803)을 포함할 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, 물리적 실현에서, 판독 모듈(801)은 NFC 모듈에 의해 실현될 수 있고, 물리적 실현에서, 메인 제어 모듈(802)은 프로세서 또는 CPU와 같은 하드웨어에 의해 실현될 수 있으며, 물리적 실현에서, 무선 주파수 모듈(803)은 통신 유닛과 같은 하드웨어에 의해 실현될 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, 도 8에 설명된 단말 장치는 WIFI 액세스 포인트에의 자동 액세스를 완료할 수 있을 뿐만 아니라, 액세스 포인트 검색을 수동으로 작동 가능하게 하고 사용자가 수동으로 패스워드를 입력하는 작업을 하지 않을 수 있으며, 이에 따라 액세스 포인트에 액세스할 때의 효율성이 효과적으로 향상될 수 있다.도 9를 참조하면, 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 다른 단말 장치에 대한 개략적인 구조도이다. 도 9에 도시된 단말 장치는 도 8에 도시된 단말 장치를 최적화함으로써 획득된다. 도 8에 도시된 단말 장치와 비교하면, 도 9에 도시된 단말 장치는:상기 판독 모듈(801)에 의해 판독된 액세스 포인트 정보를 저장하도록 구성되어 있는 저장 모듈(804)을 더 포함한다.물리적 실현에서, 저장 모듈(804)은 다양한 저장 매체로 실현될 수 있다.선택적 실시 방식에서, 도 9에 도시된 단말 장치는:상기 저장 모듈(804)이 액세스 포인트 정보를 저장하는 저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하는지를 판정하고, 상기 저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하면, 제1 제어 모듈(806)을 작동 가능하게 하도록 구성되어 있는 프로세싱 모듈(805); 및상기 저장 모듈(805)에 의해 저장된 액세스 포인트 정보를 삭제하도록 구성되어 있는 제1 제어 모듈(806)을 더 포함할 수 있다.즉, 프로세싱 모듈(805)이 작동 가능으로 된 후, 제1 제어 모듈(806)은 저장 모듈(805)에 의해 저장된 액세스 포인트 정보를 삭제할 수 있다. 그렇지만, 저장 모듈(804)이 액세스 포인트 정보를 저장하는 저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하는 것으로 프로세싱 모듈(805)이 결정하면, 프로세싱 모듈(805)은 제1 제어 모듈(806)을 작동 가능으로 하지 않고, 제1 제어 모듈(806)도 마찬가지로 저장 모듈(805)에 의해 저장된 액세스 포인트 정보를 삭제하지 않는다.본 발명의 이 실시예에서, 물리적 실현에서, 프로세싱 모듈(805) 및 제1 제어 모듈(806)은 프로세서 또는 CPU와 같은 하드웨어로 실현될 수 있다.다른 선택적 실시 방식에서, 도 9에 도시된 단말 장치는:상기 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되는지를 검출하고, 상기 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되면, 제2 제어 모듈(808)을 작동 가능하게 하도록 구성되어 있는 제3 검출 모듈(807); 및상기 저장 모듈(805)에 의해 저장된 액세스 포인트 정보를 삭제하도록 구성되어 있는 제2 제어 모듈(808)을 더 포함할 수 있다.즉, 제3 검출 모듈(807)이 작동 가능으로 된 후, 제2 제어 모듈(808)은 저장 모듈(805)에 의해 저장된 액세스 포인트 정보를 삭제할 수 있다. 그렇지만, 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되지 않는 것으로 제3 검출 모듈(807)이 검출하면, 제3 검출 모듈(807)은 제2 제어 모듈(808)을 작동 가능으로 하지 않고, 제2 제어 모듈(808)도 마찬가지로 저장 모듈(805)에 의해 저장된 액세스 포인트 정보를 삭제하지 않는다.본 발명의 이 실시예에서, 물리적 실현에서, 제3 검출 모듈(807)은 검출기 또는 센서와 같은 하드웨어로 실현될 수 있으며, 물리적 실현에서, 제2 제어 모듈(808)은 프로세서 또는 CPU와 같은 하드웨어로 실현될 수 있다.전술한 프로세싱 모듈(805), 제1 제어 모듈(806), 제3 검출 모듈(807), 및 제2 제어 모듈(808) 중에서, 프로세싱 모듈(805) 및 제1 제어 모듈(806)만이 존재할 수도 있고, 제3 검출 모듈(807) 및 제2 제어 모듈(808)만이 존재할 수도 있으며, 프로세싱 모듈(805), 제1 제어 모듈(806), 제3 검출 모듈(807), 및 제2 제어 모듈(808)이 공존할 수 있으며, 이것은 본 발명의 실시예에서 제한되지 않는다.도 10을 함께 참조하면, 도 10은 본 발명의 실시예에 따른 다른 단말 장치에 대한 개략적인 구조도이다. 도 10에 도시된 단말 장치는 도 9에 도시된 단말 장치를 최적화함으로써 획득된다. 도 9에 도시된 단말 장치와 비교하면, 도 10에 도시된 단말 장치에서, 메인 제어 모듈(802)은:상기 판독 모듈(801)에 의해 판독된 각각의 한 편의 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 검출하고, 상기 신호 강도 값을 선택 유닛(8022)에 출력하도록 구성되어 있는 검출 유닛(8021); 및상기 판독 모듈에 의해 판독된 액세스 포인트 정보로부터, 상기 검출 유닛에 의해 출력되는, 각각의 한 편의 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값에 따라, 신호 강도 값이 가장 큰 액세스 포인트의 액세스 포인트 정보를 상기 목표 액세스 포인트 정보로서 선택하고, 상기 목표 액세스 포인트 정보를 상기 무선 주파수 모듈에 출력하도록 구성되어 있는 선택 유닛(8022)을 포함한다.검출 유닛(8021) 및 선택 유닛(8022)을 사용함으로써, 단말 장치는 배경에서, 신호 강도 값이 가장 큰 액세스 포인트의 액세스 포인트 정보를 목표 액세스 포인트 정보로서 자동으로 선택할 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, 검출 유닛(8021)은 검출기와 같은 하드웨어로 실현될 수 있고, 선택 유닛(8022)은 프로세서 또는 CPU와 같은 하드웨어로 실현될 수 있다.도 11을 함께 참조하면, 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 다른 단말 장치에 대한 개략적인 구조도이다. 도 11에 도시된 단말 장치는 도 9에 도시된 단말 장치를 최적화함으로써 획득된다. 도 9에 도시된 단말 장치와 비교하면, 도 10에 도시된 단말 장치에서, 메인 제어 모듈(802)은:상기 판독 모듈에 의해 판독된 각각의 한 편의 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 검출하고, 상기 신호 강도 값을 입력/출력 유닛(8024)에 출력하도록 구성되어 있는 제1 검출 유닛(8023);상기 판독 모듈(801)에 의해 판독된 각각의 한 편의 판독된 액세스 포인트 정보, 및 상기 제1 검출 유닛(8023)에 의해 검출되는, 상기 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 출력하도록 구성되어 있는 입력/출력 유닛(8024); 및상기 입력/출력 유닛(8024)에 의해 출력되는 액세스 포인트 정보로부터 상기 신호 강도 값에 따라 사용자에 의해 선택되는 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 검출하고, 상기 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 무선 주파수 모듈(803)에 출력하도록 구성되어 있는 제2 검출 유닛(8025)을 포함한다.제1 검출 유닛(8023), 입력/출력 유닛(8024), 및 제2 검출 유닛(8025)을 사용함으로써, 사용자는 소망하는 액세스 포인트 정보를 목표 액세스 포인트 정보로서 선택할 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, 제1 검출 유닛(8023)은 검출기와 같은 하드웨어로 실현될 수 있고, 입력/출력 유닛(8024)은 터치스크린과 같은 하드웨어로 실현될 수 있으며, 제2 검출 유닛(8025)도 검출기와 같은 하드웨어로 실현될 수 있다.본 발명의 이 실시예에서, 전술한 액세스 포인트 정보는 WIFI 액세스 포인트 정보 및 블루투스 액세스 포인트 정보 중 한 편 이상일 수 있다. 액세스 포인트 정보는 액세스 포인트 계정을 포함할 뿐만 아니라, 액세스 포인트 계정 및 상기 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드도 포함할 수 있으며, 이것은 본 발명의 이 실시예에서 제한되지 않는다.본 발명의 이 실시예에서, 액세스 포인트 정보가 액세스 포인트 계정만을 포함할 때, 전술한 무선 주파수 모듈(803)은 메인 제어 모듈(802)에 의해 출력된 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하고, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 의해 송신된 무선 접속 성공 응답을 수신하여, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트와 단말 장치 간의 무선 접속을 실현할 수 있다.도 12를 함께 참조하면, 도 12는 본 발명의 실시예에 따른 다른 단말 장치에 대한 개략적인 구조도이다. 도 12에 도시된 단말 장치는 도 9에 도시된 단말 장치를 최적화함으로써 획득된다. 도 12에 도시된 단말 장치에서, 액세스 포인트 정보가 액세스 포인트 계정 및 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함하면, 상기 무선 주파수 모듈(803)은:상기 메인 제어 모듈(802)에 의해 출력되는 목표 액세스 포인트 계정에 따라 판독 모듈(801)로부터 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 판독하고, 상기 액세스 패스워드를 통신 유닛(8032)에 출력하도록 구성되어 있는 판독 유닛(8031); 및상기 메인 제어 모듈(802)에 의해 출력되는 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하고 - 상기 무선 접속 요구는 상기 판독 유닛에 의해 출력되는, 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계되는 액세스 패스워드를 포함함 - , 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신하여, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트와 단말 장치 간의 무선 접속을 실현하도록 구성되어 있는 통신 유닛(8032)을 포함한다.도 12에 도시된 통신 장치에서, 판독 유닛(8031)은 프로세서 또는 CPU와 같은 하드웨어로 실현될 수 있으며, 통신 유닛(8032)은 기존의 통신 유닛 또는 통신 모듈과 같은 하드웨어로 실현될 수 있다.도 12에 도시된 단말 장치 내의 메인 제어 모듈(802)의 구조 및 기능은 도 10 또는 도 11에 도시된 단말 장치 내의 메인 제어 모듈(802)의 구조 및 기능과 동일할 수 있다는 것에 유의해야 한다.도 13을 함께 참조하면, 도 13은 본 발명의 실시예에 따른 다른 단말 장치에 대한 개략적인 구조도이다. 도 13에 도시된 단말 장치는 도 9에 도시된 단말 장치를 최적화함으로써 획득된다. 도 13에 도시된 단말 장치에서, 액세스 포인트 정보가 액세스 포인트 계정 및 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함하면, 상기 무선 주파수 모듈(803)은:상기 메인 제어 모듈(802)에 의해 출력되는 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하고, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 의해 송신된 프롬프트 정보를 수신하고, 상기 판정 유닛(8034)을 작동 가능하게 하도록 구성되어 있는 통신 유닛(8033) - 상기 프롬프트 정보는 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드의 송신을 프롬프트하는 데 사용됨 - ; 및상기 메인 제어 모듈(802)에 의해 출력되는 목표 액세스 포인트 계정에 따라 상기 판독 모듈(801)로부터, 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 판독하고, 상기 액세스 패스워드를 통신 유닛(8033)에 송신하도록 구성되어 있는 판독 유닛을 포함하며,상기 통신 유닛(8033)은, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 송신하고, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신하여, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트와 단말 장치 간의 무선 접속을 실행하도록 구성되어 있다.도 13에 도시된 단말 장치에서, 판독 유닛(8034)은 프로세서 또는 CPU와 같은 하드웨어로 실현될 수 있고, 통신 유닛(8033)은 기존의 통신 유닛 또는 통신 모듈과 같은 하드웨어로 실현될 수 있다.도 8 내지 도 13에 설명된 단말 장치에서, 단말 장치는 액세스 포인트에의 자동 액세스를 완료할 수 있을 뿐만 아니라, 액세스 포인트 검색을 수동으로 작동 가능하게 하고 사용자가 수동으로 패스워드를 입력하는 작업을 하지 않을 수 있으며, 이에 따라 액세스 포인트에 액세스할 때의 효율성이 효과적으로 향상될 수 있다.도 14를 참조하면, 도 14는 본 발명의 실시예에 따른 다른 단말 장치에 대한 개략적인 구조도이다. 도 14에 도시된 단말 장치는:프로세서(1); 인터페이스(2)를 사용함으로써 프로세서(1)에 접속되는 NFC 모듈(3) 및 입력/출력 모듈(4); 버스(5)를 사용함으로써 프로세서(1)에 접속되는 메모리(6); 복수의 네트워크 인터페이스(7)를 사용함으로써 프로세서(1)에 접속되는 커플러(8); 및 커플러(8)에 접속되는 안테나 모듈(9)을 포함한다.복수의 네트워크 인터페이스(7)는 WIFI 인터페이스, 블루투스 인터페이스, 2G 인터페이스, 3G 네트워크 인터페이스, 및 4G 네트워크 인터페이스와 같은 몇 개의 다른 인터페이스를 포함할 수 있으며, 이것은 본 발명의 이 실시예에서 제한되지 않는다.업링크 프로세스에서, 네트워크 인터페이스(7)의 출력은 커플러(8)에 의해 전송용 안테나 모듈(9)에 결합되며, 업링크 프로세스 및 다운링크 프로세스는 가역적이다. 메모리(6)는 한 그룹의 프로그램 코드를 저장하도록 구성되고, 프로세서(1)는 메모리(6)에 저장되어 있는 프로그램 코드를 불러내어, 다음의 동작:상기 NFC 모듈(3)을 제어하여 외부 NFC 태그에 저장되어 있는 액세스 포인트 정보를 판독하는 단계; 및상기 판독된 액세스 포인트 정보에 따라 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 획득하고, 상기 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와 상기 안테나 모듈(9) 간의 무선 접속을 구축하는 단계를 실행하도록 구성되어 있다.선택적 실시 방식에서, 상기 프로세서(1)가 상기 판독된 액세스 포인트 정보에 따라 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 획득하는 방식은:상기 안테나 모듈을 제어하여, 각각의 한 편의 판독된 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호를 검출하는 단계;상기 안테나 모듈(9)에 의해 검출되는, 각각의 한 편의 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도를 계산하는 단계; 및신호 강도가 가장 큰 액세스 포인트의 액세스 포인트 정보를 상기 목표 액세스 포인트 정보로서 선택하는 단계일 수 있다.다른 선택적 실시 방식에서, 상기 프로세서(1)가 상기 판독된 액세스 포인트 정보에 따라 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 획득하는 방식은:상기 안테나 모듈(9)을 제어하여, 각각의 한 편의 판독된 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호를 검출하는 단계;상기 안테나 모듈(9)에 의해 검출되는, 각각의 한 편의 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 계산하는 단계;상기 입력/출력 모듈(4)을 제어하여, 각각의 한 편의 액세스 포인트 정보, 및 상기 계산에 의해 획득되는, 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 출력하는 단계; 및상기 입력/출력 모듈(4)을 제어하여, 상기 신호 강도 값에 따라 사용자에 의해 선택되는 임의의 한 편의 액세스 포인트 정보를 상기 입력/출력 모듈(4)에 의해 출력되는 액세스 포인트 정보로부터 검출하고, 상기 한 편의 액세스 포인트 정보를 목표 액세스 포인트 정보로서 사용하는 단계일 수 있다.다른 선택적 실시 방식에서, 전술한 액세스 포인트 정보는 액세스 포인트 계정을 포함한다. 이에 상응해서, 상기 프로세서(1)가, 상기 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와 상기 안테나 모듈 간의 무선 접속을 구축하는 방식은 구체적으로:상기 안테나 모듈(9)이, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 의해 송신된 무선 접속 성공 응답을 수신할 수 있도록, 상기 안테나 모듈(9)을 제어하여, 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하는 단계일 수 있다.다른 선택적으로 실시 방식에서, 전술한 액세스 포인트 정보는 액세스 포인트 계정 및 상기 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다. 이에 상응해서, 상기 프로세서(1)가, 상기 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와 상기 안테나 모듈(9) 간의 무선 접속을 구축하는 것은:상기 안테나 모듈(9)이, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신할 수 있도록, 상기 안테나 모듈(9)을 제어하여, 상기 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하는 단계일 수 있으며,상기 무선 접속 요구는 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다.다른 선택적 실시 방식에서, 전술한 액세스 포인트 정보가 액세스 포인트 계정 및 상기 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함할 때, 상기 프로세서(1)가, 상기 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와 상기 안테나 모듈(9) 간의 무선 접속을 구축하는 것은 구체적으로:상기 안테나 모듈(9)이, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 의해 송신된 프롬프트 정보를 수신할 수 있도록 - 상기 프롬프트 정보는 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드의 송신을 프롬프트하는 데 사용됨 - , 그리고 상기 안테나 모듈(9)이, 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 송신하고, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트가 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신할 수 있도록, 상기 안테나 모듈(9)을 제어하여, 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트에 무선 접속 요구를 송신하는 단계일 수 있다.선택적 실시 방식에서, 상기 프로세서(1)는 다음의 동작:상기 메모리(6)를 제어하여 상기 판독된 액세스 포인트 정보를 저장하는 단계를 더 실행한다.선택적 실시 방식에서, 상기 프로세서(1)는 다음의 동작:상기 액세스 포인트 정보의 저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하는지를 판정하고, 상기 저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하면, 상기 저장된 액세스 포인트 정보를 삭제하는 단계를 더 실행한다.선택적 실시 방식에서, 상기 프로세서(1)는 다음의 동작:상기 입력/출력 모듈(4)이, 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되는지를 검출하고, 상기 입력/출력 모듈(4)이 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신하면, 상기 메모리(6)를 제어하여, 상기 저장된 액세스 포인트 정보를 삭제하는 단계를 더 실행한다.본 발명의 이 실시예에서, 전술한 액세스 포인트 정보는 WIFI 액세스 포인트 정보 및 블루투스 액세스 포인트 정보 중 한 편 이상을 포함한다.본 발명의 이 실시예에서 개시된 무선 액세스 방법을 실행하는 데 필요한 단말 장치 내의 구성요소만이 도 14에 도시된 단말 장치에 표시되어 있다는 것에 유의해야 한다. 단말 장치가 본 발명의 이 실시예에서 가질 수 있는 구성요소, 예를 들어, 물리적 키, 키보드, 전원, 및 하우징은 본 발명의 이 실시예에 표시되지 않았는데, 그 이유는 이것은 본 발명의 실시예의 실행에 아무런 영향을 주지 않기 때문이다.도 14에 설명된 단말 장치에서, 단말 장치는 WIFI 액세스 포인트에의 자동 액세스를 완료할 수 있을 뿐만 아니라, 액세스 포인트 검색을 수동으로 작동 가능하게 하고 사용자가 수동으로 패스워드를 입력하는 작업을 하지 않을 수 있으며, 이에 따라 액세스 포인트에 액세스할 때의 효율성이 효과적으로 향상될 수 있다.도 15를 참조하면, 도 15는 본 발명의 실시예에 따른 무선 액세스 시스템에 대한 개략적인 네트워크 도면이다. 도 15에 도시된 무선 액세스 시스템은: 단말 장치(1502), NFC 태그(1501) 및 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트(1503)를 포함할 수 있으며, NFC 태그 및 액세스 포인트는 단말 장치와는 독립적이다.NFC 태그(1501)는 액세스 포인트 정보를 저장하도록 구성되어 있다.단말 장치(1502)는, 상기 NFC 태그(1502)에 저장되어 있는 액세스 포인트 정보를 판독하고, 상기 판독된 액세스 포인트 정보에 따라 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 획득하며, 상기 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트(1503)와의 무선 접속을 구축하도록 구성되어 있다.실시 방식에서, 상기 단말 장치(1502)가, 상기 판독된 액세스 포인트 정보에 따라 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 획득하는 방식은 구체적으로 다음과 같을 수 있다:상기 단말 장치(1502)는: 각각의 한 편의 판독된 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 검출하고, 신호 강도 값이 가장 큰 액세스 포인트의 액세스 포인트 정보를 상기 목표 액세스 포인트 정보로서 선택하도록 구성되어 있다.이 방식에서, 단말 장치(1502)는 배경에서, 신호 강도 값이 가장 큰 액세스 포인트의 액세스 포인트 정보를 목표 액세스 포인트 정보로서 자동으로 선택할 수 있다.다른 실시 방식에서, 상기 단말 장치(1502)가, 상기 판독된 액세스 포인트 정보에 따라 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 획득하는 방식은 구체적으로 다음과 같을 수 있다:상기 단말 장치(1502)는: 각각의 한 편의 판독된 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 신호 강도 값을 검출하고, 각각의 한 편의 판독된 액세스 포인트 정보 및 상기 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트의 검출된 신호 강도 값을 출력하고, 상기 신호 강도 값에 따라 사용자에 의해 선택되는 한 편의 액세스 포인트 정보를 상기 단말 장치(1502)에 의해 출력되는 액세스 포인트 정보로부터 검출하며, 상기 한 편의 액세스 포인트 정보를 목표 액세스 포인트 정보로서 사용하도록 구성되어 있다.이 방식에서, 사용자는 소망하는 액세스 포인트 정보를 목표 액세스 포인트 정보로서 선택할 수 있다.실시 방식에서, 전술한 액세스 포인트 정보는 액세스 포인트 계정을 포함한다. 이에 상응해서, 상기 단말 장치(1502)가, 상기 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와의 무선 접속을 구축하는 방식은 구체적으로 다음과 같을 수 있다:상기 단말 장치(1502)는: 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트(1503)에 무선 접속 요구를 송신하고 - 상기 무선 접속 요구는 목표 액세스 포인트 계정에 속하는 액세스 패스워드를 포함함 -, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트(1503)가 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신하도록 구성되어 있다.실시 방식에서, 전술한 액세스 포인트 정보는 액세스 포인트 계정 및 상기 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함한다. 이에 상응해서, 상기 단말 장치(1502)가, 상기 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트(1503)와의 무선 접속을 구축하는 방식은 구체적으로 다음과 같을 수 있다:상기 단말 장치(1502)는: 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트(1503)에 무선 접속 요구를 송신하고, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트(1503)에 의해 송신된 프롬프트 정보를 수신하고 - 상기 프롬프트 정보는 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드의 송신을 프롬프트하는 데 사용됨 - , 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트(1503)에 송신하며, 그리고 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트(1503)가 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신하도록 구성되어 있다.실시 방식에서, 전술한 액세스 포인트 정보가 액세스 포인트 계정 및 상기 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 포함할 때, 상기 단말 장치(1502)가, 상기 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트(1503)와의 무선 접속을 구축하는 방식은 구체적으로 다음과 같다:상기 단말 장치(1503)는: 상기 목표 액세스 포인트 계정에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트(1503)에 무선 접속 요구를 송신하고, 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트(1503)에 의해 송신된 프롬프트 정보를 수신하고 - 상기 프롬프트 정보는 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드의 송신을 프롬프트하는 데 사용됨 - , 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트(1503)에 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 송신하며; 그리고 상기 목표 액세스 포인트 계정이 속하는 액세스 포인트(1503)가 상기 목표 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드가 정확하다는 것을 검증한 후 송신되는 무선 접속 성공 응답을 수신하도록 구성되어 있다.실시 방식에서, 상기 단말 장치(1502)는 NFC 태그(1501)에 저장되어 있는 액세스 포인트 정보를 판독한 후에, 상기 액세스 포인트 정보를 저장하도록 추가로 구성되어 있다.실시 방식에서, 상기 단말 장치(1502)는 상기 액세스 포인트 정보를 저장한 후에, 상기 액세스 포인트 정보의 저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하는지를 판정하고, 상기 저장 시간이 사전설정된 임계값을 초과하면, 상기 저장된 액세스 포인트 정보를 삭제하도록 추가로 구성되어 있다.실시 방식에서, 상기 단말 장치(1502)는 상기 액세스 포인트 정보를 저장한 후에, 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되는지를 검출하고, 사용자에 의해 입력된 무선 단절 명령이 수신되면, 상기 저장된 액세스 포인트 정보를 삭제하도록 추가로 구성되어 있다.본 발명의 이 실시예에서, 전술한 액세스 포인트 정보는 WIFI 액세스 포인트 정보 및 블루투스 액세스 포인트 정보 중 한 편 이상을 포함한다.도 15에 설명된 시스템에서, 단말 장치는 WIFI 액세스 포인트에의 자동 액세스를 완료할 수 있을 뿐만 아니라, 액세스 포인트 검색을 수동으로 작동 가능하게 하고 사용자가 수동으로 패스워드를 입력하는 작업을 하지 않을 수 있으며, 이에 따라 액세스 포인트에 액세스할 때의 효율성이 효과적으로 향상될 수 있다.본 발명의 실시예에서 설명되어 있는 전술한 무선 액세스 방법, 단말 장치, 및 시스템은 하나의 액세스 포인트가 설치되어 있는 공공장소 또는 가정에 적용 가능할 뿐만 아니라, 복수의 액세스 포인트가 설치되어 있는 공공장소 또는 가정에도 적용 가능하며, 이것은 본 발명의 이 실시예에서 제한되지 않는다.본 발명의 실시예에서 설명되어 있는 전술한 무선 액세스 방법, 단말 장치, 및 시스템에 따르면, NFC 태그는 액세스 포인트 계정 및 상기 액세스 포인트 계정에 연계된 액세스 패스워드를 저장하므로, 액세스 포인트 정보가 평문식으로 표시되지 않을 수도 있다. 액세스 포인트를 사용함으로써 인터넷과 상호접속을 실행해야 하는 사용자는 단말을 들고서 NFC 태그에 접근하기만 하면 본 발명의 실시예에서 설명된 무선 액세스 방법을 실행할 수 있다. NFC 태그가 집 및 상가와 같은 장소에 고정되어 있으면, 집 및 상가와 같은 장소로부터 비교적 멀리 떨어져 있는 사용자에 의해 수행되고, 액세스 포인트 정보가 평문식으로 표시되는 것으로 인해 야기되는 "프리로딩" 동작은 회피될 수 있다.전술한 실시예에서, 실시예에 대한 설명은 각각의 초점을 가진다. 실시예에서 상세히 설명되지 않은 부분에 대해서는, 다른 실시예에서 관련 설명을 참조하면 된다.당업자라면 본 발명의 방법의 단계 중 일부 또는 전부는 관련 하드웨어에 명령을 내리는 컴퓨터 프로그램에 의해 구현될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 전술한 프로그램은 컴퓨터가 판독 가능한 저장 매체에 저장될 수 있다. 프로그램이 실행되면, 전술한 방법 실시예에서의 단계가 실행한다. 전술한 저장 매체는 프로그램 코드를 저장할 수 있는 임의의 매체가 될 수 있으며, 예를 들어, USB 플래시 메모리, 리드 온리 메모리(Read-Only Memory, ROM), 또는 랜덤 액세스 메모리(Random Access Memory, RAM), 자기디스크, 광디스크가 될 수 있다.위에서는 본 발명의 실시예에 설명된 무선 액세스 방법, 및 관련 장치 및 시스템에 대해 상세히 설명하였다. 본 명세에서는 특정한 예를 사용하여 본 발명의 원리 및 실시 방식을 설명하였다. 전술한 실시예에 대한 설명은 단지 본 발명의 방법 및 핵심 개념을 쉽게 이해하기 위한 것에 지나지 않는다. 또한, 특정한 실시 방식 및 애플리케이션 범위와 관련해서, 본 발명에 따라 당업자가 변형을 수행할 수 있다. 결론적으로, 본 명세서의 내용은 본 발명에 대한 제한으로서 파악되어서는 안 된다.
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본 발명은 무선 액세스 방법 및 관련 장치 및 시스템을 제공하며, 상기 방법은: 단말 장치가, 외부 니어 필드 통신 태그(near field communication tag)에 저장되어 있는 액세스 포인트 정보를 판독하는 단계; 상기 단말 장치가, 상기 판독된 액세스 포인트 정보에 따라 한 편의 목표 액세스 포인트 정보를 획득하는 단계; 및 상기 단말 장치가, 상기 목표 액세스 포인트 정보에 따라, 상기 목표 액세스 포인트 정보가 속하는 액세스 포인트와의 무선 접속을 구축하는 단계를 포함한다. 본 발명의 실시예를 실현하면 액세스 포인트 검색을 수동으로 작동 가능하게 하는 것과 사용자가 수동으로 패스워드를 입력하는 것과 같은 작업을 하지 않을 수 있으며, 이에 따라 액세스 포인트에 액세스할 때의 효율성이 효과적으로 향상될 수 있다.
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