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stringlengths
5
922k
summary
stringlengths
0
10.2k
[ 발명의 명칭 ] 냉동 장치의 승화 디프로스트 시스템 및 승화 디프로스트 방법SUBLIMATION DEFROST SYSTEM FOR REFRIGERATION DEVICES AND SUBLIMATION DEFROST METHOD [ 기술분야 ] 본 개시는, 냉동고 내에 설치된 냉각기에 CO2 냉매를 순환시켜 냉동고 내를 냉각하는 냉동 장치에 적용되고, 상기 냉각기에 설치된 열교환관에 부착된 서리를 용해시키지 않고 승화 제거하기 위한 승화 디프로스트 시스템 및 승화 디프로스트 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 오존층 파괴 방지나 온난화 방지 등의 관점으로부터, 실내의 공조나 식품 등의 냉동에 이용하는 냉동 장치의 냉매로서, NH3나 CO2 등의 자연 냉매가 재검토되고 있다. 그래서, 냉각 성능은 높으나 독성이 있는 NH3를 일차 냉매로 하고, 무독 및 무취의 CO2를 이차 냉매로 한 냉동 장치가 널리 이용되고 있다.상기 냉동 장치는, 일차 냉매 회로와 이차 냉매 회로를 캐스케이드 콘덴서로 접속하고, 상기 캐스케이드 콘덴서로 NH3 냉매와 CO2 냉매의 열의 수수를 행한다. NH3 냉매에 의해 냉각되어 응축된 CO2 냉매는 냉동고의 내부에 설치된 냉각기로 보내진다. 냉각기에 설치된 전열관을 통해 냉동고 내의 공기를 냉각한다. 그래서 일부가 기화한 CO2 냉매는, 이차 냉매 회로를 통해 캐스케이드 콘덴서로 돌아오고, 캐스케이드 콘덴서로 재냉각되어 액화된다.냉동 장치의 운전 중, 냉각기에 설치된 열교환관에는 서리가 부착되어, 열전달 효율이 저하하므로, 정기적으로 냉동 장치의 운전을 중단시켜, 디프로스트할 필요가 있다.종래, 냉각기에 설치된 열교환관의 디프로스트 방법은, 열교환관에 살수하거나, 열교환관을 전기 히터로 가열하는 등의 방법을 행하고 있다. 그러나, 살수에 의한 디프로스트는 새로운 서리 발생원을 만들어 내는 것이며, 전기 히터에 의한 가열은 귀중한 전력을 소비한다고 하는 점에서 에너지 절약에 반하고 있다. 특히, 살수에 의한 디프로스트는, 대용량의 수조와 대구경의 급수 배관 및 배수 배관이 필요하기 때문에, 플랜트 시공 코스트의 증가를 초래한다.특허 문헌 1 및 2에는, 이러한 냉동 장치의 디프로스트 시스템이 개시되어 있다. 특허 문헌 1에 개시된 디프로스트 시스템은, NH3 냉매에 발생하는 발열에 의해 CO2 냉매를 기화시키는 열교환기를 설치하고, 상기 열교환기로 생성되는 CO2 핫 가스를 냉각기 내의 열교환관에 순환시켜 제상하는 것이다.특허 문헌 2에 개시된 디프로스트 시스템은, NH3 냉매의 배열을 흡수한 냉각수로 CO2 냉매를 가열하는 열교환기를 설치하고, 가열된 CO2 냉매를 냉각기 내의 열교환관에 순환시켜 제상하는 것이다.특허 문헌 3에는, 냉각기에 냉각용 튜브와는 별개로 독립하여 가열용 튜브를 설치하고, 디프로스트 운전시에 상기 가열용 튜브에 온수나 온 브라인을 흐르게 하여 상기 냉각용 튜브에 부착된 서리를 용해, 제거하는 수단이 개시되어 있다.또, 이상적인 디프로스트 방법으로서 승화 디프로스트가 있다. 이 방법은, 열교환관의 표면을 균일하게 0℃를 초과하지 않도록, 즉, 서리가 물이 되지 않도록 가열하여, 서리를 승화시켜 열교환관의 표면으로부터 제거하는 것이다. 이 방법이 실현되면, 드레인이 발생하지 않기 때문에, 드레인 팬 및 배수 설비가 불필요하게 되어, 설비비를 대폭으로 저비용화할 수 있다.본 출원인은, 먼저, 고내 공기를 0℃ 이하의 온도로 냉각함과 더불어, 흡착식 제습 장치에 의해 제습된 저수증기 분위기 중에서 냉각기의 열교환관에 부착된 서리를 승화 제거하는 방법을 제안하고 있다(특허 문헌 4). [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본국 특허 공개 2010-181093호 공보일본국 특허 공개 2013-124812호 공보일본국 특허 공개 2003-329334호 공보일본국 특허 공개 2012-072981호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 특허 문헌 1 및 2에 개시된 디프로스트 시스템은, 냉각 시스템과는 다른 계통의 CO2 냉매나 NH3 냉매의 배관을 현지에서 시공할 필요가 있어, 플랜트 시공 코스트의 증가를 초래할 우려가 있다. 또, 상기 열교환기는 냉동고의 외부에 별도로 설치되기 때문에, 열교환기를 설치하기 위한 여분의 설치 스페이스가 필요하다.특허 문헌 2의 디프로스트 시스템에 있어서는, 열교환관의 서멀 쇼크(급격한 가열·냉각)를 방지하기 위해 가압·감압 조정 수단이 필요하게 된다. 또, 냉각수와 CO2 냉매를 열교환하는 열교환기의 동결 방지를 위해, 디프로스트 운전 종료 후에 열교환기의 냉각수를 뽑는 조작이 필요하게 되어, 조작이 번잡해지는 등의 문제가 있다.특허 문헌 3에 개시된 디프로스트 수단은, 냉각용 튜브를 외측으로부터 플레이트 핀 등을 통해 가열하기 때문에, 열전달 효율은 높아지지 않는다고 하는 문제가 있다.또, NH3 냉매가 순환하고, 냉동 사이클 구성 기기를 가지는 일차 냉매 회로와, CO2 냉매가 순환하고, 상기 일차 냉매 회로와 캐스케이드 콘덴서를 통해 접속됨과 더불어, 냉동 사이클 구성 기기를 가지는 이차 냉매 회로로 이루어지는 이원 냉동기에서는, 이차 냉매 회로에 고온 고압의 CO2 가스가 존재한다. 그로 인해, CO2 핫 가스를 냉각기의 열교환관에 순환시키는 디프로스트가 가능하게 된다고 생각된다. 그러나, 전환 밸브나 분기 배관 등을 설치하는 것에 의한 장치의 복잡화 및 고비용화나, 고원/저원의 히트 밸런스에 기인하는 운전 제어의 불안정화가 과제로 되고 있다.상기 서술의 승화 디프로스트는, 열교환관 표면의 서리를 0℃를 초과하지 않도록 균일하게 가열할 필요가 있다. 한편, 특허 문헌 4에 개시된 디프로스트 방법으로 이용하고 있는 통상의 히터 등에 의한 가열 방법에서는, 냉각기의 열교환관 표면을 0℃를 초과하지 않도록 균일하게 가열하는 것은 어렵기 때문에, 승화 디프로스트는 현상 실용화에 이르지 않았다.본 발명은, 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 상기 서술의 승화 디프로스트 방법을 실용화함으로써, 냉동 장치의 디프로스트에 필요로 하는 이니셜 코스트 및 러닝 코스트의 저감과 에너지 절약을 가능하게 하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] (1) 본 발명의 적어도 일 실시 형태에 따른 승화 디프로스트 시스템은,냉동고의 내부에 설치되고, 케이싱 및 상기 케이싱의 내부에 설치된 열교환관을 가지는 냉각기와,CO2 냉매를 냉각 액화하기 위한 냉동기와,상기 열교환관에 접속되고, 상기 냉동기로 냉각 액화된 CO2 냉매를 상기 열교환관에 순환시키기 위한 냉매 회로를 가지는 냉동 장치의 승화 디프로스트 시스템으로서,상기 냉동고의 고내(庫內) 공기를 제습하기 위한 제습 장치와,상기 열교환관의 입구로 및 출구로에 접속된 순환로 형성로에 의해 형성되고 상기 열교환관을 포함하는 CO2 순환로와,상기 열교환관의 입구로 및 출구로에 설치되고, 디프로스트시에 닫아 상기 CO2 순환로를 폐회로로 하기 위한 개폐 밸브와,상기 CO2 순환로에 설치된 CO2 냉매의 순환 수단과,제1 가열 매체인 브라인과 상기 CO2 순환로를 순환하는 CO2 냉매를 열교환시키도록 구성된 제1 열교환부와,디프로스트시에 상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매의 응축 온도가 상기 냉동고의 고내 공기 중의 수증기의 빙점 이하의 응축 온도가 되도록, 상기 CO2 냉매의 압력을 조정하는 압력 조정부를 구비하며,드레인 받이부를 설치하지 않고 디프로스트를 가능하게 한다.상기 구성 (1)에 있어서, 디프로스트를 행하는 경우, 상기 냉동고의 고내 공기가 포화 수증기 분압이 되어 있다면, 우선, 상기 제습 장치에 의해 고내 공기를 제습하여, 수증기 분압을 저하시킨다. 다음에, 상기 개폐 밸브를 닫아 상기 CO2 순환로를 폐회로로 한다.그 후, 상기 압력 조정부에 의해, 상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매가 냉동고의 고내 공기 중의 수증기의 빙점 이하의 응축 온도가 되도록 압력 조정한다. 그리고, 상기 순환 수단에 의해 상기 폐회로에서 CO2 냉매를 순환시킨다.또한, 상기 순환 수단이란, 예를 들어, 폐회로에서 CO2 냉매액을 순환시키기 위해 상기 CO2 순환로에 설치되는 액 펌프 등을 말한다. 또, 상기 압력 조정부는, 예를 들어, CO2 냉매의 압력을 검출하는 압력 센서, 또는 CO2 냉매의 온도를 검출하고, 상기 온도 검출값에 상당하는 CO2 냉매의 포화 압력을 환산함으로써, CO2 냉매의 압력을 구하는 수단을 가지고 있다.다음에, 상기 제1 열교환부에서 가열 매체로서의 온 브라인으로 상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매를 가열하여, CO2 냉매를 기화시킨다. 그리고, 폐회로 내에서 기화한 CO2 냉매를 순환시켜, 상기 열교환관의 외표면에 부착된 서리를 CO2 냉매 가스의 열로 승화 제거한다. 서리에 열을 부여한 CO2 냉매는 액화하고, 그 후, 상기 제1 열교환부에서 재차 가열되어 기화한다.또한, 여기서 「냉동고」란 냉장고 외 냉각 공간을 형성하는 것을 모두 포함하는 것이며, 상기 열교환관의 입구로 및 출구로란, 상기 냉각기의 케이싱의 격벽 부근으로부터 상기 케이싱의 외측으로서 상기 냉동고의 내부에 설치되는 열교환관의 범위를 말한다.상기 열교환관의 외표면에 부착된 서리를 승화시키기 위한 조건은, (1) 고내 공기의 수증기 분압이 포화 수증기 분압까지 높지 않은 것, 및 (2) 서리의 온도가 빙점 이하인 것이다. 또한, 필수는 아니지만 바람직한 조건으로서, (3) 열교환기의 외표면에 공기류를 형성하여 승화한 수증기를 방산시킨다. 이러한 조건하에서 서리에 열을 부여함으로써 서리를 승화시킬 수 있다.상기 구성 (1)에 의하면, 상기 열교환관의 외표면에 부착된 서리를 상기 열교환관 내를 흐르는 CO2 냉매의 열로 가열하므로, 열교환관 전역에서 균일 가열이 가능하게 된다. 또, 상기 폐회로를 압력 조정함으로써, CO2 냉매의 응축 온도를 제어하므로, 폐회로를 흐르는 CO2 냉매 가스의 온도를 정밀도 좋게 제어할 수 있으며, 이것에 의해, 서리를 빙점 이하의 온도로 정확하게 가열할 수 있으므로, 승화 디프로스트가 가능하게 된다.이렇게 하여, 열교환관에 부착된 서리는 융해하지 않고 승화하므로, 드레인 팬 및 상기 드레인 팬에 모인 드레인의 배수 설비가 불필요하게 되어, 냉동 장치를 대폭으로 저비용화할 수 있다. 또, 상기 열교환관에 부착된 서리를 열교환관의 관벽만을 통해 내부로부터 가열하므로, 열교환 효율을 향상시킬 수 있어 에너지 절약이 가능하게 된다.또, CO2 냉매를 고내 수증기의 빙점 이하의 응축 온도에 상당하는 저압 상태로 디프로스트 할 수 있으므로, CO2 순환로 등의 배관계 기기에 내압 강도를 부여할 필요가 없어, 고비용이 되지 않는다.(2) 몇 개의 실시 형태에서는, 상기 구성 (1)에 있어서,상기 순환로 형성로는, 상기 열교환관의 입구로 및 출구로로부터 분기한 디프로스트 회로이며,상기 열교환부는 상기 디프로스트 회로에 형성된다.상기 구성 (2)에 의하면, 상기 디프로스트 회로를 설치함으로써, 상기 제1 열교환부의 설치 장소의 자유도를 넓힐 수 있다.(3) 몇 개의 실시 형태에서는, 상기 구성 (1)에 있어서,상기 순환로 형성로는, 상기 열교환관의 입구로 및 출구로 사이에 접속된 바이패스로이며,상기 열교환부는 상기 열교환관의 일부 영역에 형성된다.상기 구성 (3)에 의하면, 상기 CO2 순환로는 상기 바이패스로를 빼고 상기 열교환관만으로 구성할 수 있다. 그로 인해, 상기 CO2 순환로를 형성하기 위해 상기 바이패스로를 빼고 새로운 관로를 설치할 필요가 없어져, 고비용이 되지 않는다.(4) 몇 개의 실시 형태에서는, 상기 구성 (1)~(3) 중 어느 하나에 있어서,상기 CO2 순환로는 고저차를 가지고 형성됨과 더불어, 상기 제1 열교환부는 상기 CO2 순환로의 하방 영역에 형성되고,상기 순환 수단은, 디프로스트시에 상기 폐회로에서 CO2 냉매를 서모사이펀 작용에 의해 자연 순환시키는 것이다.상기 구성 (4)에 있어서, 상기 제1 열교환부에 있어서, 가열 매체로서의 상기 브라인으로 상기 열교환관의 하부 영역에 존재하는 CO2 냉매를 가열하여 기화시킨다. 기화한 CO2 냉매는 서모사이펀 작용으로 폐회로를 상승한다. 폐회로의 상부 영역으로 상승한 CO2 냉매는, 열교환관의 외표면에 부착된 서리를 가열하여 승화 제거하고, CO2 냉매 자체는 액화한다. 액화한 CO2 냉매는 중력에 의해 하강한다.상기 구성 (4)에 의하면, CO2 냉매를 서모사이펀 작용으로 폐회로를 자연 순환시킬 수 있으므로, 폐회로에서 CO2 냉매를 강제 순환시키는 수단을 필요로 하지 않아, 강제 순환시키기 위한 장비 및 동력이 불필요하게 되어 저비용화할 수 있다.(5) 몇 개의 실시 형태에서는, 상기 구성 (1)~(4) 중 어느 하나에 있어서,상기 브라인을 제2 가열 매체로 가열하기 위한 제2 열교환부와,상기 제1 열교환부 및 상기 제2 열교환부에 접속되고, 상기 제2 열교환부에서 가열된 상기 브라인을 상기 제1 열교환부에 순환시키기 위한 브라인 회로를 더 구비하고 있다.상기 제2 가열 매체는, 예를 들어, 냉동기를 구성하는 압축기로부터 토출된 고온 고압의 냉매 가스, 공장의 온배수, 보일러로부터 발생되는 열 또는 오일 쿨러의 보유열을 흡수한 매체 등, 임의의 가열 매체를 이용할 수 있다.상기 구성 (5)에 의하면, 상기 제2 열교환부 및 상기 브라인 회로를 구비함으로써, 가열된 브라인을 상기 제1 열교환부에 공급할 수 있음과 더불어, 상기 브라인 회로를 상기 제1 열교환부의 설치 장소에 추종시켜 배치함으로써, 상기 제1 열교환부의 설치 장소의 자유도를 넓힐 수 있다.(6) 몇 개의 실시 형태에서는, 상기 구성 (5)에 있어서,상기 열교환관은 상기 냉각기의 내부에서 고저차를 가지고 배치되고,상기 브라인 회로는 상기 냉각기의 내부에서 상기 열교환관의 하부 영역에 배치되며,상기 제1 열교환부는 상기 브라인 회로와 상기 열교환관의 하부 영역 사이에서 형성된다.상기 구성 (6)에 있어서는, 상기 열교환관의 하부 영역에서 기화한 CO2 냉매를 서모사이펀 작용에 의해 자연 순환시키면서, 열교환관의 외표면에 부착된 서리를 승화 제거할 수 있다. 그로 인해, 상기 열교환관 이외의 배관을 필요로 하지 않고, 또한 CO2 냉매를 강제 순환시키기 위한 장비를 필요로 하지 않으므로, 냉각기를 저비용화할 수 있다.또, 상기 브라인 회로를 열교환관의 상부 영역에 배치하지 않으므로, 냉각기의 내부에서 공기류를 형성하기 위한 팬의 동력을 저감할 수 있음과 더불어, 상부 영역의 남은 스페이스에 열교환관을 설치할 수 있으므로, 냉각기의 냉각 능력을 높일 수 있다.(7) 몇 개의 실시 형태에서는, 상기 구성 (5)에 있어서,상기 열교환관 및 상기 브라인 회로는 상기 냉각기의 내부에서 고저차를 가지고 배치됨과 더불어, 상기 브라인 회로에서 상기 브라인이 하방으로부터 상방으로 흐르도록 구성되고,상기 브라인 회로의 상하 방향의 중간 부위에 유량 조정 밸브가 설치되며, 상기 유량 조정 밸브보다 상류측의 상기 브라인 회로에서 상기 제1 열교환부가 형성된다.상기 구성 (7)에 있어서, 상기 유량 조정 밸브로 브라인의 유량을 좁혀, 브라인 회로의 상부 영역에 유입하는 브라인의 유량을 제한함으로써, 상기 제1 열교환부의 형성을 열교환관의 하부 영역에만 제한할 수 있다. 이렇게 하여, 상기 구성 (6)과 마찬가지로, 열교환관의 내부에서 서모사이펀 작용에 의해 CO2 냉매를 자연 순환시키면서 서리를 승화 제거할 수 있다.그로 인해, 특허 문헌 3에 개시된 냉각기와 같이, 온 브라인 등이 순환하는 가열 튜브가 열교환관의 상하 방향 전역에 배치된 기존의 냉각기여도, 열교환관에 유량 조정 밸브를 부설하기만 하는 간단한 개조에 의해, 열교환관에 부착된 서리를 승화 제거할 수 있다.(8) 몇 개의 실시 형태에서는, 상기 구성 (5)에 있어서,상기 브라인 회로의 입구 및 출구에 각각 설치되고, 상기 입구 및 상기 출구를 흐르는 상기 브라인의 온도를 검출하기 위한 제1 온도 센서 및 제2 온도 센서를 더 구비하고 있다.상기 구성 (8)에 있어서, 상기 2개의 온도 센서의 검출값의 차가 작아졌을 때는, 서리의 융해량이 감소하여, 디프로스트가 거의 완료한 것을 나타내고 있다. 상기 열교환부는 브라인에 의한 현열 가열을 행하기 때문에, 상기 2개의 온도 센서의 검출값의 차를 구함으로써, 디프로스트 운전 종료의 타이밍을 정확하게 판정할 수 있다.그로 인해, 냉동고 내의 과잉 가열이나 과잉 가열에 의한 수증기 확산을 방지할 수 있다. 따라서, 새로운 에너지 절약을 달성할 수 있음과 더불어, 고내 온도를 안정화할 수 있어, 냉동고에 보냉된 식품의 품질 향상을 실현할 수 있다.(9) 몇 개의 실시 형태에서는, 상기 구성 (1)에 있어서,상기 압력 조정부는,상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매의 압력을 검출하기 위한 압력 센서와,상기 열교환관의 출구로에 설치된 압력 조정 밸브와,상기 압력 센서의 검출값이 입력되고, 상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매의 응축 온도가 상기 냉동고의 고내 공기 중의 수증기의 빙점 이하의 응축 온도가 되도록 상기 압력 조정 밸브의 개도를 제어하기 위한 제어 장치로 구성되어 있다.상기 구성 (9)에 의하면, 상기 제어 장치에 의해 상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매의 압력을 정밀도 좋게 제어할 수 있다.(10) 몇 개의 실시 형태에서는, 상기 구성 (1)에 있어서,상기 냉동기는,NH3 냉매가 순환하고 냉동 사이클 구성 기기가 설치된 일차 냉매 회로와,CO2 냉매가 순환하고, 상기 냉각기에 도설(導設)됨과 더불어, 상기 일차 냉매 회로와 캐스케이드 콘덴서를 통해 접속된 이차 냉매 회로와,상기 이차 냉매 회로에 설치되고, 상기 캐스케이드 콘덴서로 액화된 CO2 냉매를 저류하기 위한 CO2 수액기, 및 상기 CO2 수액기에 저류된 CO2 냉매를 상기 냉각기로 보내는 액 펌프를 가지고 있다.상기 구성 (10)에 의하면, NH3 및 CO2의 자연 냉매를 이용한 냉동기이므로, 오존층 파괴 방지나 온난화 방지 등에 기여할 수 있다. 또, 냉각 성능은 높으나 독성이 있는 NH3를 일차 냉매로 하고, 무독 또한 무취의 CO2를 이차 냉매로 하고 있으므로, 높은 냉각 성능을 유지하면서, 실내의 공조나 식품 등의 냉동에 이용할 수 있다.(11) 몇 개의 실시 형태에서는, 상기 구성 (1)에 있어서,상기 냉동기는,NH3 냉매가 순환하고 냉동 사이클 구성 기기가 설치된 일차 냉매 회로와,상기 CO2 냉매가 순환하고, 상기 냉각기에 도설됨과 더불어, 상기 일차 냉매 회로와 캐스케이드 콘덴서를 통해 접속되며, 냉동 사이클 구성 기기가 설치된 이차 냉매 회로를 가지는 NH3/CO2 이원 냉동기이다.상기 구성 (11)에 의하면, 자연 냉매를 이용함으로써, 오존층 파괴 방지나 온난화 방지 등에 기여할 수 있음과 더불어, 무독 또한 무취의 CO2를 이차 냉매로 하고 있으므로, 높은 냉각 성능을 유지하면서, 실내의 공조나 식품 등의 냉동에 이용할 수 있다. 또한, 이원 냉동기이기 때문에, 냉동기의 COP를 향상시킬 수 있다.(12) 몇 개의 실시 형태에서는, 상기 구성 (10) 또는 (11)에 있어서,상기 일차 냉매 회로에 상기 냉동 사이클 구성 기기의 일부로서 설치된 응축기에 도설된 냉각수 회로를 더 구비하고,상기 제2 열교환부는, 상기 냉각수 회로 및 상기 브라인 회로가 도설되며, 상기 응축기로 가열된 냉각수로 상기 브라인 회로를 순환하는 브라인을 가열하기 위한 열교환기이다.상기 구성 (12)에 의하면, 응축기로 가열된 냉각수로 브라인을 가열할 수 있으므로, 냉동 장치 외의 가열원이 불필요하게 된다.또, 디프로스트 운전시에 상기 브라인으로 냉각수의 온도를 저하시킬 수 있으므로, 냉동 운전시의 NH3 냉매의 응축 온도를 내릴 수 있어, 냉동기의 COP를 향상시킬 수 있다.또한, 상기 냉각수 회로가 응축기와 냉각탑 사이에 배치되는 예시적인 실시 형태에서는, 상기 제2 열교환부를 냉각탑 내에 설치할 수 있고, 이것에 의해, 디프로스트에 사용되는 장치의 설치 스페이스를 축소할 수 있다.(13) 몇 개의 실시 형태에서는, 상기 구성 (10) 또는 (11)에 있어서,상기 일차 냉매 회로에 상기 냉동 사이클 구성 기기의 일부로서 설치된 응축기에 도설된 냉각수 회로와,상기 냉각수 회로를 순환하는 냉각수를 살포수와 열교환시켜 냉각하기 위한 냉각탑을 더 구비하고,상기 제2 열교환부는,상기 냉각탑과 일체로 설치되고, 상기 살포수가 도입되어 상기 살포수와 상기 브라인 회로를 순환하는 상기 브라인을 열교환하기 위한 가열탑으로 구성되어 있다.상기 구성 (13)에 의하면, 가열탑을 냉각탑과 일체로 함으로써, 제2 열교환부의 설치 스페이스를 축소할 수 있다.(14) 본 발명의 적어도 일 실시 형태에 따른 승화 디프로스트 방법은,상기 구성 (1)~(13)을 가지는 승화 디프로스트 시스템을 이용한 승화 디프로스트 방법으로서,상기 제습 장치에 의해 상기 냉동고의 고내 공기를 포화 수증기 분압이 되지 않도록 제습하는 제1 공정과,디프로스트시에 상기 개폐 밸브를 닫아 상기 폐회로를 형성하는 제2 공정과,상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매가 상기 냉동고의 고내 공기 중의 수증기의 빙점 이하의 응축 온도가 되도록 상기 CO2 냉매를 압력 조정하는 제3 공정과,가열 매체로서의 상기 브라인과 상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매를 열교환시켜 상기 CO2 냉매를 기화시키는 제4 공정과,상기 제4 공정에서 기화한 상기 CO2 냉매를 상기 폐회로를 순환시켜, 상기 열교환관의 외표면에 부착된 서리를 상기 CO2 냉매의 열로 승화 제거하는 제5 공정을 포함하는 것이다.상기(14)에 의하면, 상기 열교환관의 외표면에 부착된 서리를 상기 열교환관 내를 흐르는 CO2 냉매의 열로 가열하므로, 열교환관 전역에서 균일 가열이 가능하게 된다. 또, 상기 폐회로를 압력 조정함으로써, CO2 냉매의 응축 온도를 제어하므로, 폐회로를 흐르는 CO2 냉매 가스의 온도를 정밀도 좋게 제어할 수 있으며, 이것에 의해, 서리를 빙점 이하의 온도로 정확하게 가열할 수 있으므로, 승화 디프로스트가 가능하게 된다.이렇게 하여, 열교환관에 부착된 서리는 융해하지 않고 승화하므로, 드레인 팬 및 상기 드레인 팬에 모인 드레인의 배수 설비가 불필요하게 되어, 냉동 장치를 대폭으로 저비용화할 수 있다. 또, 상기 열교환관에 부착된 서리를 열교환관의 관벽만을 통해 내부로부터 가열하므로, 열교환 효율을 향상시킬 수 있어 에너지 절약이 가능하게 된다.(15) 몇 개의 실시 형태에서는, 상기 구성 (14)에 있어서,상기 제4 공정은, 고저차를 가지고 형성된 상기 폐회로의 하부 영역에서, 상기 브라인과 상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매를 열교환시키는 것이며,상기 제5 공정은, 상기 폐회로에서 상기 CO2 냉매를 서모사이펀 작용에 의해 자연 순환시키는 것이다.상기 구성 (15)에 의하면, 상기 폐회로에서 CO2 냉매를 서모사이펀 작용에 의해 자연 순환시키므로, CO2 냉매를 강제 순환시키는 수단을 필요로 하지 않아, 저비용화할 수 있다. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 적어도 일 실시 형태에 의하면, 냉각기의 열교환관 표면에 부착된 서리를 승화 디프로스트하는 것이 가능하게 되므로, 드레인 팬 및 드레인 배출 설비가 불필요하게 된다. 또, 드레인 배출 작업이 불필요하게 되므로, 디프로스트에 필요로 하는 이니셜 코스트 및 러닝 코스트의 저감과 에너지 절약이 가능하게 된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 일 실시 형태에 따른 냉동 장치의 계통도이다.도 2는 일 실시 형태에 따른 냉동 장치의 계통도이다.도 3은 도 2에 도시하는 냉동 장치의 냉각기의 단면도이다.도 4는 일 실시 형태에 따른 냉각기의 단면도이다.도 5는 일 실시 형태에 따른 냉동 장치의 계통도이다.도 6은 도 5에 도시하는 냉동 장치의 냉각기의 단면도이다.도 7은 일 실시 형태에 따른 냉동기의 계통도이다.도 8은 일 실시 형태에 따른 냉동기의 계통도이다.도 9는 일 실시 형태에 따른 냉동 장치의 계통도이다.도 10은 실시 형태에 따른 냉동 장치의 배치도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명을 도면에 도시한 실시 형태를 이용하여 상세하게 설명한다. 단, 이 실시 형태에 기재되어 있는 구성 부품의 치수, 재질, 형상, 그 상대 배치 등은 특별히 특정적인 기재가 없는 한, 이 발명의 범위를 그것에만 한정하는 취지는 아니다.예를 들어, 「어느 방향으로」, 「어느 방향을 따라」, 「평행」, 「직교」, 「중심」, 「동심」 혹은 「동축」 등의 상대적 혹은 절대적인 배치를 나타내는 표현은, 엄밀하게 그러한 배치를 나타낼 뿐만 아니라, 공차, 혹은, 같은 기능이 얻어지는 정도의 각도나 거리를 가지고 상대적으로 변위하고 있는 상태도 나타내는 것으로 한다.예를 들어, 「동일」, 「동일하다」 및 「균질」 등의 사물이 동일한 상태인 것을 나타내는 표현은, 엄밀하게 동일한 상태를 나타낼 뿐만 아니라, 공차, 혹은, 같은 기능이 얻어지는 정도의 차가 존재하고 있는 상태도 나타내는 것으로 한다.예를 들어, 사각 형상이나 원통 형상 등의 형상을 나타내는 표현은, 기하학적으로 엄밀한 의미에서의 사각 형상이나 원통 형상 등의 형상을 나타낼 뿐만 아니라, 같은 효과가 얻어지는 범위에서, 요철부나 모따기부 등을 포함하는 형상도 나타내는 것으로 한다.한편, 하나의 구성 요소를 「준비하다」, 「갖추다」, 「구비하다」, 「포함하다」, 또는 「가지다」라고 하는 표현은, 다른 구성 요소의 존재를 제외하는 배타적인 표현은 아니다.도 1~도 9는, 본 발명의 몇 개의 실시 형태에 따른 디프로스트 시스템을 도시하고 있다.이들 실시 형태에 이용되는 냉동 장치(10A~10D)는, 냉동고(30a 및 30b)의 내부에 각각 설치되는 냉각기(33a 및 33b)와, CO2 냉매를 냉각 액화하는 냉동기(11A~11D)와, 상기 냉동기로 냉각 액화한 CO2 냉매를 냉각기(33a 및 33b)에 순환시키는 냉매 회로(이차 냉매 회로(14)에 상당)를 구비하고 있다. 냉각기(33a 및 33b)는 케이싱(34a 및 34b)과 상기 케이싱의 내부에 배치된 열교환관(42a 및 42b)을 가지고 있다. 도 1~도 9에 도시하는 냉동 장치(10A~10D)에서는, 냉동 운전시, 냉동고(30a 및 30b)의 내부는 예를 들어 -25℃의 저온으로 유지된다.상기 각 실시 형태의 예시적인 구성에서는, 열교환관(42a 및 42b)은, 케이싱(34a 및 34b)의 외부로부터 케이싱(34a 및 34b)의 내부에 도설되어 있다.여기에서는, 케이싱(34a 및 34b)의 격벽으로부터 외측으로 냉동고(30a 및 30b)의 내부에 배치되는 열교환관(42a 및 42b)의 영역을 입구관(42c) 및 출구관(42d)이라고 말한다.냉동고(30a 및 30b)의 내부에는, 고내 공기를 제습하기 위한 제습 장치(38a 및 38b)가 설치되어 있다. 제습 장치(38a 및 38b)는, 도 1~도 9에 도시하는 몇 개의 실시 형태에서는, 흡착식 제습 장치이다. 흡착식 제습 장치란, 예를 들어, 표면에 흡착제를 담지한 회전식 로터로 구성되고, 상기 회전식 로터의 일부 영역에서 고내 공기로부터 수증기를 흡착하는 공정과, 다른 영역에서 흡착한 수증기를 이탈시키는 공정을 동시 연속적으로 행하는 데시칸트 로터식 제습 장치이다. 제습 장치(38a 및 38b)에는 외기(a)가 공급되고, 고내 공기로부터 수증기(s)를 흡착하여 외부로 배출함과 더불어, 고내에 저온 건조 공기(d)를 낸다.또, 열교환관(42a 및 42b)의 입구관(42c) 및 출구관(42d)에 접속되는 순환로 형성로에 의해, CO2 순환로가 형성된다. 상기 순환로 형성로는, 도 1 및 도 9에 도시하는 실시 형태에서는, 열교환관(42a 및 42b)의 입구관 및 출구관에 접속된 디프로스트 회로(50a 및 50b)이며, 도 2~도 6에 도시하는 실시 형태에서는, 열교환관(42a 및 42b)의 입구관 및 출구관에 접속된 바이패스관(72a 및 72b)이다.열교환관(42a 및 42b)의 입구관(42c) 및 출구관(42d)에는, 디프로스트시에 상기 CO2 순환로를 폐회로로 하기 위한 개폐 밸브가 설치되어 있다. 상기 개폐 밸브는, 도 1~도 9에 도시하는 몇 개의 실시 형태에서는, 전자 개폐 밸브(54a 및 54b)이다.도 1~도 9에 도시하는 실시 형태의 예시적인 구성에서는, 케이싱(34a 및 34b)에 통풍용의 개구가 2개소 형성되고, 상기 개구 중 하나에 팬(35a 및 35b)이 설치되어 있다. 팬(35a 및 35b)의 가동에 의해 케이싱(34a 및 34b)의 내외에 유통하는 공기류가 형성된다. 열교환관(42a 및 42b)은, 예를 들어, 수평 방향 및 상하 방향으로 사행 형상으로 배치된다.또, 디프로스트시에 상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매의 압력을 저류 공간하기 위한 압력 조정부(45a 및 45b)가 설치되어 있다. 디프로스트시, 압력 조정부(45a 및 45b)에 의해 상기 폐회로의 CO2 냉매는 냉동고(30a 및 30b)의 내부에 존재하는 수증기의 빙점(예를 들어 0℃)보다 저온의 응축 온도를 가지도록 압력 조정된다.도 1~도 9에 도시하는 몇 개의 실시 형태의 예시적인 구성에서는, 압력 조정부(45a 및 45b)는, 상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매의 압력을 검출하기 위한 압력 센서(46a 및 46b)와, 출구관(42d)에 설치된 압력 조정 밸브(48a 및 48b)와, 압력 센서(46a 및 46b)의 검출값이 입력되고, 상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매의 응축 온도가 냉동고(30a 및 30b)의 고내 공기 중의 수증기의 빙점 이하의 응축 온도가 되도록 압력 조정 밸브(48a 및 48b)의 개도를 제어하는 제어 장치(47a 및 47b)로 구성되어 있다.상기 실시 형태의 예시적인 구성에서는, 압력 조정 밸브(48a 및 48b)는 전자 개폐 밸브(52a 및 52b)에 병렬로 설치되어 있다.압력 센서(46a 및 46b)는 압력 조정 밸브(48a 및 48b)의 상류측의 출구관(42d)에 설치되어 있다. 제어 장치(47a 및 47b)는, 상기 압력 센서의 검출값에 따라, 상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매의 응축 온도가 냉동고(30a 및 30b)의 고내 공기 중의 수증기의 빙점 이하의 응축 온도가 되도록 압력 조정 밸브(48a 및 48b)의 개도를 제어하여, CO2 냉매를 압력 조정한다.또, 디프로스트시에 전자 개폐 밸브(52a 및 52b)를 닫아 상기 CO2 순환로를 폐회로로 했을 때, 상기 폐회로에서 순환 수단에 의해 CO2 냉매를 순환시킨다. 상기 순환 수단은, 예를 들어, 상기 CO2 순환로에 설치된 액 펌프이며, 혹은 도 1~도 10에 도시하는 몇 개의 실시 형태에서 채용되어 있는 바와 같이, 강제적인 순환 수단이 아닌, CO2 냉매를 서모사이펀 작용으로 자연 순환시키는 것이다.또, 가열 매체로서 브라인을 이용하고, 이 브라인으로 CO2 순환로를 순환하는 CO2 냉매를 가열하여 기화시키는 제1 열교환부가 설치된다. 이 제1 열교환부는, 도 1 및 도 9에 도시하는 실시 형태에서는, 디프로스트 회로(50a 및 50b)와 브라인 회로(60)로부터 분기한 브라인 분기 회로(61a 및 61b)가 도설된 열교환기(70a 및 70b)이다. 도 2~도 6에 도시하는 실시 형태에서는, 열교환관(42a 및 42b)의 하부 영역과 상기 하부 영역에 도설된 브라인 분기 회로(63a, 61b 또는 80a, 80b)로 구성되는 열교환부이다.상기 브라인으로서, 예를 들어, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 수용액을 이용할 수 있다.도 1 및 도 9에 도시하는 실시 형태에서는, 상기 순환로 형성로는, 디프로스트 회로(50a 및 50b)가 설치되고, 상기 제1 열교환부로서 열교환기(70a 및 70b)가 설치되어 있다.도 2~도 6에 도시하는 실시 형태에서는, 상기 순환로 형성로로서 바이패스관(72a 및 72b)이 설치되고, 상기 제1 열교환부로서 열교환관(42a 및 42b)의 하부 영역과 상기 하부 영역에 도설된 브라인 분기 회로(61a 및 61b)로 구성되는 열교환부가 형성된다.도 1~도 9에 도시하는 실시 형태에서는, 상기 CO2 순환로는 상하 방향으로 고저차를 가지고 형성됨과 더불어, 상기 제1 열교환부는 CO2 순환로의 하부 영역에 형성된다.즉, 도 1 및 도 9에 도시하는 실시 형태에서는, 디프로스트 회로(50a 및 50b)가 냉각기(33a 및 33b)의 하방에 배치됨으로써, CO2 순환로에 고저차가 붙여진다. 도 2~도 6에 도시하는 실시 형태에서는, CO2 순환로를 형성하는 열교환관(42a 및 42b)이 고저차를 가지고 배치되어 있다.이러한 고저차를 가지는 CO2 순환로에서는, 디프로스트시에 형성되는 폐회로에서 CO2 냉매를 서모사이펀 작용에 의해 자연 순환시킬 수 있다. 즉, 제1 열교환부에서 기화한 CO2 냉매 가스는 서모사이펀 작용에 의해 상승한다. 상승한 CO2 냉매 가스는 열교환관(42a 및 42b) 또는 상기 열교환관의 상부 영역에서 상기 열교환기의 외표면에 부착된 서리와 열교환하여 상기 서리를 승화 제습한다. 한편, CO2 냉매는 보유열을 빼앗겨 액화하고, 액화한 CO2 냉매는 중력에 의해 CO2 순환로를 하강한다. 이렇게 하여, 루프형 서모사이펀이 작동해, CO2 냉매는 상기 폐회로를 자연 순환한다.도 1~도 6에 도시하는 몇 개의 실시 형태에서는, 브라인과 가열 매체(냉각수)를 열교환시켜, 상기 브라인을 가열하기 위한 제2 열교환부(열교환기(58)에 상당)와, 상기 제2 열교환부와 상기 제1 열교환부에 접속되고, 제2 열교환부에서 가열된 브라인을 제1 열교환부에 순환시키는 브라인 회로(60)(파선 표시)가 설치되어 있다. 브라인 회로(60)는 냉동고(30a 및 30b)의 외부에서 브라인 분기 회로(61a 및 61b)(파선 표시)에 분기하고 있다.도 1 및 도 9에 도시하는 실시 형태에서는, 브라인 분기 회로(61a 및 61b)는 열교환기(70a 및 70b)에 도설되고, 도 2~도 6에 도시하는 실시 형태에서는, 접속부(62)를 통해 냉동고(30a 및 30b)의 내부에 설치된 브라인 분기 회로(63a, 63b 또는 80a, 80b)(파선 표시)에 접속되어 있다.도 2 및 도 3에 도시하는 적어도 하나의 실시 형태에서는, 열교환관(42a 및 42b)은 냉각기(33a 및 33b)의 내부에서 고저차를 가지고 배치되어 있다. 브라인 분기 회로(63a 및 63b)는, 냉각기(33a 및 33b)의 내부에 도설됨과 더불어, 열교환관(42a 및 42b)의 하부 영역에 배치되어 있다. 예를 들어, 브라인 분기 회로(63a 및 63b)는 열교환관(42a 및 42b)이 배치된 영역의 1/3~1/5의 하부 영역에 배치된다.상기 제1 열교환부는 브라인 분기 회로(63a 및 63b)와 열교환관(42a 및 42b)의 하부 영역 사이에서 형성된다.또한, 도 3에 도시하는 냉각기(33a)의 예시적인 구성에서는, 통풍용 개구가 케이싱(34a)의 상면 및 측면(도시하지 않음)에 형성되고, 고내 공기(c)는 상기 측면으로부터 유입되고, 상기 상면으로부터 유출된다.도 4에 도시하는 냉각기(33a)의 예시적인 구성에서는, 통풍용 개구가 양측의 측면에 형성되고, 고내 공기(c)는 상기 양측면을 통해 케이싱(34a)을 드나든다.도 5 및 도 6에 도시하는 적어도 하나의 실시 형태에서는, 열교환관(42a, 42b) 및 브라인 분기 회로(80a, 80b)는 냉각기(33a 및 33b)의 내부에서 고저차를 가지고 배치되어 있다. 또, 브라인 분기 회로(80a, 80b)에서는 브라인이 하방으로부터 상방으로 흐르도록 구성되어 있다. 그리고, 브라인 분기 회로(61a 및 61b)의 상하 방향 중간 위치에 유량 조정 밸브(82a 및 82b)가 설치되어 있다.이러한 구성에서는, 유량 조정 밸브(82a 및 82b)의 개도를 좁힘으로써, 유량 조정 밸브(82a 및 82b)의 상류측 영역, 즉, 유량 조정 밸브(82a 및 82b)보다 하방의 열교환관(42a 및 42b)에 상기 제1 열교환부를 형성할 수 있다.도 1~도 9에 도시하는 몇 개의 실시 형태에서는, 브라인 회로(60)의 입구 및 출구에 각각 온도 센서(66 및 68)가 설치되고, 이들 온도 센서로 상기 입구 및 출구를 흐르는 브라인의 온도를 계측할 수 있다. 이들 온도 센서의 검출값의 차가 줄어들면, 디프로스트가 완료에 가깝다고 판정할 수 있다. 따라서, 상기 검출값의 차에 역치(예를 들어 2~3℃)를 설정하여, 검출값의 차가 상기 역치 이하가 되었을 때, 디프로스트가 완료했다고 판정하면 된다.도 2~도 6에 도시하는 실시 형태에서는, 브라인 회로(60)의 왕로에 브라인을 일시적으로 저류하는 리시버(개방형 브라인조)(64) 및 브라인을 순환시키는 브라인 펌프(65)가 설치되어 있다.도 9에 도시하는 실시 형태에서는, 리시버(64)를 대신하여, 압력 변동의 흡수 및 브라인의 유량 조정 등을 위해 팽창 탱크(92)가 설치되어 있다.도 1~도 6에 도시하는 몇 개의 실시 형태에 있어서, 냉동 장치(10A~10C)는 냉동기(11A)를 구비하고 있다. 냉동기(11A)는, NH3 냉매가 순환하고, 냉동 사이클 구성 기기가 설치된 일차 냉매 회로(12)와, CO2 냉매가 순환하고, 냉각기(33a 및 33b)까지 연장 설치되는 이차 냉매 회로(14)를 가지고 있다. 이차 냉매 회로(14)는 일차 냉매 회로(12)와 캐스케이드 콘덴서(24)를 통해 접속된다.일차 냉매 회로(12)에 설치된 냉동 사이클 구성 기기는, 압축기(16), 응축기(18), NH3 수액기(20), 팽창 밸브(22) 및 캐스케이드 콘덴서(24)로 이루어진다.이차 냉매 회로(14)에는, 캐스케이드 콘덴서(24)로 액화된 CO2 냉매액이 일시 저류되는 CO2 수액기(36)와, CO2 수액기(36)에 저류된 CO2 냉매액을 열교환관(42a 및 42b)에 순환시키는 CO2 액 펌프(37)가 설치되어 있다.또, 캐스케이드 콘덴서(24)와 CO2 수액기(36) 사이에 CO2 순환로(44)가 설치되어 있다. CO2 수액기(36)로부터 CO2 순환로(44)를 통해 캐스케이드 콘덴서(24)에 도입된 CO2 냉매 가스는, 캐스케이드 콘덴서(24)로 NH3 냉매에 의해 냉각되어 액화되고 CO2 수액기(36)로 돌아온다.냉동기(11A)에서는, NH3 및 CO2의 자연 냉매를 이용하고 있으므로, 오존층 파괴 방지나 온난화 방지 등에 기여할 수 있다. 또, 냉각 성능은 높으나 독성이 있는 NH3를 일차 냉매로 하고, 무독 또한 무취의 CO2를 이차 냉매로 하고 있으므로, 실내의 공조나 식품 등의 냉동에 이용할 수 있다.도 7에 도시하는 적어도 하나의 예시적인 실시 형태에서는, 냉동기(11A)를 대신하여 냉동기(11B)를 설치할 수 있다. 냉동기(11B)는, NH3 냉매가 순환하는 일차 냉매 회로(12)에 저단 압축기(16b) 및 고단 압축기(16a)가 설치되고, 저단 압축기(16b)와 고단 압축기(16a) 사이의 일차 냉매 회로(12)에 중간 냉각기(84)가 설치되어 있다. 응축기(18)의 출구에서 일차 냉매 회로(12)로부터 분기로(12a)가 분기하고, 분기로(12a)에 중간 팽창 밸브(86)가 설치되어 있다.분기로(12a)를 흐르는 NH3 냉매는 중간 팽창 밸브(86)에서 팽창하고 냉각되어, 중간 냉각기(84)에 도입된다. 중간 냉각기(84)에서, 저단 압축기(16b)로부터 토출된 NH3 냉매는 분기로(12a)로부터 도입된 NH3 냉매로 냉각된다. 중간 냉각기(84)를 설치함으로써, 냉동기(11B)의 COP(성적 계수)를 향상시킬 수 있다.캐스케이드 콘덴서(24)로 NH3 냉매와 열교환하여 냉각 액화된 CO2 냉매액은, CO2 수액기(36)에 저류되고, 그 후, CO2 수액기(36)로부터 CO2 액 펌프(37)로 냉동고(30)의 내부에 설치된 냉각기(33)에 순환된다.도 8에 도시하는 적어도 하나의 예시적인 실시 형태에서는, 냉동기(11A)를 대신하여 냉동기(11C)를 설치할 수 있다. 냉동기(11C)는 이원 냉동 사이클을 구성하고 있다. NH3 냉매가 순환하는 일차 냉매 회로(12)에 고원 압축기(88a) 및 팽창 밸브(22a)가 설치되어 있다. 일차 냉매 회로(12)와 캐스케이드 콘덴서(24)를 통해 접속되고, CO2 냉매가 순환하는 이차 냉매 회로(14)에는, 저원 압축기(88b) 및 팽창 밸브(22b)가 설치되어 있다.냉동기(11C)는, 일차 냉매 회로(12) 및 이차 냉매 회로(14)로 각각 기계 압축식 냉동 사이클을 구성한 이원 냉동기이기 때문에, 냉동기의 COP를 향상시킬 수 있다.도 1~도 6에 도시하는 몇 개의 실시 형태에서는, 냉동 장치(10A~10C)는 냉동기(11A)를 구비하고 있다. 냉동기(11A)에서는, 응축기(18)에 냉각수 회로(28)가 도설되어 있다. 냉각수 회로(28)에는 냉각수 펌프(57)를 가지는 냉각수 분기 회로(56)가 분기하고, 냉각수 분기 회로(56) 및 브라인 회로(60)(파선 표시)는 상기 제2 열교환부로서의 열교환기(58)에 도설되어 있다.냉각수 회로(28)를 순환하는 냉각수는, 응축기(18)로 NH3 냉매에 의해 가열된다. 가열된 냉각수는, 상기 가열 매체로서, 디프로스트시에 열교환기(58)에 있어서 브라인 회로(60)를 순환하는 브라인을 가열한다.냉각수 분기 회로(56)로부터 열교환기(58)에 도입되는 냉각수의 온도가 예를 들어 20~30℃이면, 이 냉각수로 브라인을 15~20℃로 가열할 수 있다.별도의 실시 형태에서는, 상기 가열 매체로서, 상기 냉각수 이외에, 예를 들어, 압축기(16)로부터 토출된 고온 고압의 NH3 냉매 가스, 공장의 온배수, 보일러로부터 발생하는 열 또는 오일 쿨러의 보유열을 흡수한 매체 등, 임의의 가열 매체를 이용할 수 있다.상기 몇 개의 실시 형태의 예시적인 구성으로서, 냉각수 회로(28)는 응축기(18)와 밀폐식 냉각탑(26) 사이에 설치된다. 냉각수는 냉각수 펌프(29)에 의해 냉각수 회로(28)를 순환한다. 응축기(18)로 NH3 냉매의 배열을 흡수한 냉각수는, 밀폐식 냉각탑(26)에서 외기와 접촉하면서 살포되는 물의 증발 잠열에 의해 냉각된다.밀폐식 냉각탑(26)은, 냉각수 회로(28)에 접속된 냉각 코일(26a)과, 외기(a)를 냉각 코일(26a)에 통풍시키는 팬(26b)과, 냉각 코일(26a)에 냉각수를 살포하는 살수관(26c) 및 펌프(26d)를 가지고 있다. 살수관(26c)으로부터 살포되는 냉각수의 일부는 증발하고 그 증발 잠열을 이용하여 냉각 코일(26a)을 흐르는 냉각수를 냉각한다.도 9에 도시하는 적어도 하나의 실시 형태에 있어서, 냉동 장치(10D)에 설치되는 냉동기(11D)는, 밀폐식 냉각탑(26)과 밀폐식 가열탑(91)이 일체로 된 밀폐식 냉각 가열 유닛(90)을 가지고 있다. 밀폐식 냉각탑(26)은 냉각수 회로(28)를 순환하는 냉각수를 살포수로 냉각하는 것이며, 그 기본적 구성은, 도 1~도 6에 도시하는 밀폐식 냉각탑(26)과 동일하다.밀폐식 가열탑(91)은, 밀폐식 냉각탑(26)에서 냉각수 회로(28)를 순환하는 냉각수의 냉각에 제공된 살포수를 도입하고, 상기 살포수와 브라인 회로(60)를 순환하는 브라인을 열교환시킨다. 밀폐식 가열탑(91)은, 브라인 회로(60)에 접속된 가열 코일(91a)과, 냉각 코일(26a)에 냉각수를 살포하는 살수관(91c) 및 펌프(91d)를 가지고 있다. 밀폐식 냉각탑(26)의 내부와 밀폐식 가열탑(91)의 내부는 공유 하우징의 하부에서 연통하고 있다.일차 냉매 회로(12)를 순환하는 NH3 냉매의 배열을 흡수한 살포수는, 살수관(91c)으로부터 냉각 코일(26a)에 살포되고, 가열 코일(91a) 및 브라인 회로(60)를 순환하는 브라인을 가열하는 가열 매체가 된다.도 1~도 9에 도시하는 몇 개의 실시 형태에서는, 냉동고(30a 및 30b)의 외부에서, 이차 냉매 회로(14)는 CO2 분기 회로(40a 및 40b)에 분기한다. CO2 분기 회로(40a 및 40b)는, 냉동고(30a 및 30b)의 외부에서 열교환관(42a 및 42b)의 입구관 및 출구관에 접속된다.열교환기(58)로부터 냉동고(30a 및 30b) 부근에 연장 설치된 브라인 회로(60)는, 냉동고(30a 및 30b)의 외부에서 브라인 분기 회로(61a 및 61b)(파선 표시)에 분기한다.도 1에 도시하는 냉동 장치(10A)에서는, 브라인 분기 회로(61a 및 61b)는, 냉동고(30a 및 30b)의 내부에 설치된 열교환기(70a 및 70b)에 도설된다.냉동 장치(10A)에서 승화 디프로스트할 때, 우선, 냉동고(30a 및 30b)의 고내 공기가 포화 수증기 분압을 가지고 있다면, 제습 장치(38a 및 38b)를 작동시켜, 저수증기 분압이 되도록 제습한다. 다음에, 전자 개폐 밸브(52a 및 52b)를 닫아, 열교환관(42a 및 42b)과 디프로스트 회로(50a 및 50b)로 구성되는 CO2 순환로를 폐회로로 한다.또한, 제어 장치(47a 및 47b)에 압력 센서(46a 및 46b)의 검출값이 입력되고, 제어 장치(47a 및 47b)는 상기 검출값에 의거하여 압력 조정 밸브(48a 및 48b)를 조작하여, 폐회로를 순환하는 CO2 냉매가 고내 공기 중의 수증기의 빙점(예를 들어 0℃) 이하의 응축 온도가 되도록 CO2 냉매를 압력 조정한다. 예를 들어, CO2 냉매를 3.0MPa(응축 온도 -5℃)까지 승압한다.그 후, 열교환기(70a 및 70b)로 브라인과 CO2 냉매를 열교환시켜, CO2 냉매를 기화시킨다. 다음에, 기화한 상기 CO2 냉매를 폐회로 내에서 순환시켜, 열교환관(42a 및 42b)의 외표면에 부착된 서리를 CO2 냉매의 응축 잠열(-5℃/3.0MPa로 249kJ/kg)로 승화 제거한다.서리를 승화시키기 위해 조정되는 CO2 냉매의 응축 온도의 하한값은, 고내 온도(예를 들어 -25℃)이다. 냉각 운전시에는 고내 온도 이하의 온도의 CO2 냉매(예를 들어 -30℃)를 열교환관(42a 및 42b)에 순환시켜 고내를 냉각한다. 그로 인해, 서리의 온도도 고내 온도 이하(예를 들어 -25℃~-30℃)가 되므로, 승화 디프로스트시에 CO2 냉매의 응축 온도가 고내 온도로부터 고내에 존재하는 수증기의 빙점까지의 범위이면, 서리를 가열하여 승화시킬 수 있다.본 실시 형태에서는, 디프로스트 회로(50a 및 50b)는 열교환관(42a 및 42b)의 하방에 설치되고, CO2 순환로는 고저차를 가지고 있다. 그로 인해, 열교환기(70a 및 70b)에서 기화한 CO2 냉매는 서모사이펀 작용에 의해 열교환관(42a 및 42b)까지 상승한다. 열교환관(42a 및 42b)까지 상승한 CO2 냉매 가스는, 그 보유열로 열교환관(42a 및 42b)의 외표면에 부착된 서리를 승화시키고, CO2 냉매는 액화된다. 액화된 CO2 냉매는 중력에 의해 디프로스트 회로(50a 및 50b)를 하강하여, 열교환기(70a 및 70b)에서 다시 기화한다.도 2 및 도 3에 도시하는 냉동 장치(10B) 및 도 5 및 도 6에 도시하는 냉동 장치(10C)에서는, 냉각기(33a 및 33b)의 내부에서, 열교환관(42a, 42b) 및 브라인 분기 회로(63a, 63b 또는 80a, 80b)는 고저차를 가지고 배치되어 있다.또, 케이싱(34a 및 34b)의 외부에서, 열교환관(42a 및 42b)의 입구관 및 출구관 사이에 바이패스관(72a 및 72b)이 접속되고, 바이패스관(72a 및 72b)에는 전자 개폐 밸브(74a 및 74b)가 설치되어 있다.상기 입구관에서는 바이패스관(52a 및 52b)의 상류측에 전자 개폐 밸브(54a 및 54b)가 설치되고, 상기 출구관에서는 바이패스관(52a 및 52b)의 하류측에 전자 개폐 밸브(54a 및 54b)가 설치되어 있다.냉동 장치(10B)에서는, 열교환관(42a 및 42b)의 하부 영역에 브라인 분기 회로(63a 및 63b)가 도설되고, 열교환관(42a 및 42b)의 하부 영역과 브라인 분기 회로(63a 및 63b)로 열교환부가 형성되어 있다.냉동 장치(10C)에서는, 실질적으로 열교환관(42a 및 42b)이 배치된 영역의 전 영역에 브라인 분기 회로(80a 및 80b)가 배치되고, 브라인 분기 회로(80a 및 80b)의 상하 방향 중간 부위에 유량 조정 밸브(82a 및 82b)가 설치되어 있다. 브라인 분기 회로(80a 및 80b)는 브라인(b)이 하부 영역으로부터 상방 영역으로 흐르는 유로를 형성한다.냉각기(33a 및 33b)의 예시적인 구성은, 도 3 또는 도 6에 도시하는 냉각기(33a)를 예로 들면, 열교환관(42a, 42b) 및 브라인 분기 회로(63a, 63b 및 80a, 80b)는 사행 형상으로 수평 방향을 향해 배치되고, 또한 상하 방향으로 배치된다. 브라인 분기 회로(80a 및 80b)는 브라인(b)이 하부 영역으로부터 상방 영역으로 흐르는 유로를 형성한다.열교환관(42a)은 냉각기(33a)의 외부에서 입구관(42c) 및 출구관(42d)에 헤더(43a 및 43b)를 가지고 있다. 브라인 분기 회로(63a 및 80a)는 냉각기(33a)의 입구 및 출구에 헤더(78a 및 78b)가 설치되어 있다.냉각기(33a)의 내부에 상하 방향으로 다수의 플레이트 핀(76a)이 설치되어 있다. 열교환관(42a) 및 브라인 분기 회로(63a 또는 80a)는, 플레이트 핀(76a)에 형성된 다수의 구멍에 끼워넣어져, 플레이트 핀(76a)에 의해 지지된다. 플레이트 핀(76a)을 설치함으로써, 상기 배관의 지지 강도를 높일 수 있음과 더불어, 열교환관(42a) 및 브라인 분기 회로(63a 또는 80a) 사이의 열전달이 촉진된다.냉동 운전시, 팬(35a)에 의해, 냉각기(33a)로 냉각된 고내 공기(c)가 냉동고(32a)의 내부에 확산되고 있다. 또한, 디프로스트시 용해수는 발생하지 않기 때문에, 케이싱(34a)의 하방에 드레인 팬은 설치되어 있지 않다. 이상의 냉각기(33a)의 구성은 냉각기(33b)도 마찬가지이다.냉동기(11B 및 11C)에 있어서, 열교환관(42a 및 42b)의 입구관(42c) 및 출구관(42d)은 냉동고(30a 및 30b)의 외부에서 접속부(41)를 통해 CO2 분기 회로(40a 및 40b)에 접속된다. 브라인 분기 회로(63a, 63b 및 80a, 80b)는, 냉동고(30a 및 30b)의 외부에서 접속부(62)를 통해 브라인 분기 회로(61a 및 61b)에 접속된다.냉동 장치(10B)에서, 냉동고(30a 및 30b)의 케이싱(34a 및 34b), 입구관(42c) 및 출구관(42d)을 포함하는 열교환관(42a 및 42b), 브라인 분기 회로(63a 및 63b), 및 바이패스관(72a 및 72b)은, 일체로 구성된 냉각 유닛(31a 및 31b)을 구성한다.냉동 장치(10C)에서, 냉동고(30a 및 30b)의 케이싱(34a 및 34b), 입구관(42c) 및 출구관(42d)을 포함하는 열교환관(42a 및 42b), 및 브라인 분기 회로(80a 및 80b), 및 바이패스관(72a 및 72b)은, 일체로 구성된 냉각 유닛(32a 및 32b)을 구성한다.냉각 유닛(31a, 31b 또는 32a, 32b)은, 접속부(41 및 62)를 통해 CO2 분기 회로(40a, 40b) 및 브라인 분기 회로(61a, 61b)와 착탈 가능하도록 접속된다.냉동 장치(10B 및 10C)에 있어서, 냉동 운전시, 전자 개폐 밸브(74a 및 74b)는 폐쇄되고, 전자 개폐 밸브(52a 및 52b)는 개방된다. 디프로스트시, 전자 개폐 밸브(74a 및 74b)는 개방되고, 전자 개폐 밸브(52a 및 52b)는 폐쇄되어, 열교환관(42a 및 42b) 및 바이패스관(72a 및 72b)으로 이루어지는 폐회로가 형성된다.냉동 장치(10B)에서는, 디프로스트시, 열교환관(42a 및 42b)의 하부 영역에서, CO2 냉매는 브라인 분기 회로(63a 및 63b)를 흐르는 브라인의 보유열로 기화한다. 기화한 CO2 냉매는 열교환관(42a 및 42b)의 상부 영역으로 상승하고, 상기 상부 영역에서 열교환관(42a 및 42b)의 외표면에 부착된 서리를 승화 제거한다. 서리를 승화 제습한 CO2 냉매는 액화되어, 중력에 의해 하강하고, 하부 영역에서 다시 기화한다. 이와 같이, 폐회로 내에서 CO2 냉매는 서모사이펀 작용에 의해 자연 순환한다.냉동 장치(10C)에서는, 디프로스트시에 유량 조정 밸브(82a 및 82b)의 개도를 좁혀, 브라인(b)의 유량을 제한함으로써, 유량 조정 밸브(82a 및 82b)의 상류측 영역(하방 영역)에만 CO2 냉매와 브라인을 열교환시키는 열교환부를 형성할 수 있다.그로 인해, 유량 조정 밸브(82a 및 82b)의 상류측 영역 및 하류측 영역에 상당하는 열교환관(42a 및 42b)의 영역 사이에서, 서모사이펀 작용에 의해 CO2 냉매가 자연 순환하여, 순환하는 CO2 냉매의 보유열로 서리를 승화 제거할 수 있다.도 1~도 10에 도시하는 몇 개의 실시 형태에 의하면, 열교환관(42a 및 42b)의 외표면에 부착된 서리를 상기 열교환관 내를 흐르는 CO2 냉매의 열로 가열하므로, 상기 열교환관 전역에서 균일 가열이 가능하게 된다. 또, 상기 폐회로를 압력 조정함으로써, CO2 냉매의 응축 온도를 제어하기 때문에, 상기 폐회로를 흐르는 CO2 냉매 가스의 온도를 정밀도 좋게 제어할 수 있으며, 이것에 의해, 서리를 빙점 이하의 온도로 정확하게 가열할 수 있으므로, 승화 디프로스트가 가능하게 된다.디프로스트시, 팬(35a 및 35b)의 가동에 의해 케이싱(34a 및 34b)의 내외에 유통하는 공기류를 형성함으로써, 승화를 촉진시킬 수 있다.이렇게 하여, 열교환관(42a 및 42b)에 부착된 서리는 융해하지 않고 승화하므로, 드레인 팬 및 상기 드레인 팬에 모인 드레인의 배수 설비가 불필요하게 되어, 냉동 장치를 대폭으로 저비용화할 수 있다. 또, 열교환관(42a 및 42b)에 부착된 서리를 상기 열교환관의 관벽만을 통해 내부로부터 가열하므로, 열교환 효율을 향상시킬 수 있어 에너지 절약이 가능하게 된다.또, CO2 냉매를 저압 상태로 하여 디프로스트 할 수 있으므로, CO2 순환로 등의 배관계 기기에 내압 강도를 부여할 필요가 없어, 고비용이 되지 않는다.따라서, 착상이나 결로에 의한 성능 저하가 현저하기 때문에, 냉동고용 냉각기로의 적용이 어렵다고 여겨지는 마이크로 채널 열교환관의 채용도 승화 디프로스트의 실현이 가능하게 된다. 또, 냉동고 이외에도, 배치식의 동결고나 논디프로스트로 장시간의 연속 운전이 요구되는 프리저 전용의 디프로스트 방법으로서도 적용 가능하다.도 1에 도시하는 냉동 장치(10A)에서는, 디프로스트 회로(50a 및 50b)를 설치하여 CO2 순환로를 형성하므로, 상기 CO2 순환로에 형성되는 제1 열교환부의 설치 장소의 자유도를 넓힐 수 있다.도 2 및 도 3에 도시하는 냉동 장치(10B)에서는, 바이패스관(72a 및 72b)을 빼고 열교환관(42a 및 42b)만으로 CO2 순환로를 형성하므로, 새로운 관로를 설치할 필요가 없어, 고비용이 되지 않는다.도 1~도 9에 도시하는 몇 개의 실시 형태에 의하면, CO2 냉매를 서모사이펀 작용으로 상기 폐회로를 자연 순환시킬 수 있으므로, 상기 폐회로에서 CO2 냉매를 강제 순환시키는 수단을 필요로 하지 않으며, 강제 순환시키기 위한 장비 및 동력(펌프 동력 등)이 불필요하게 되어 저비용화할 수 있다.또, 브라인 회로(60)를 구비함으로써, 가열된 브라인을 CO2 냉매와 열교환시키는 열교환부의 설치 장소에 추종시켜 배치할 수 있으며, 그로 인해, 상기 열교환부의 설치 장소의 자유도를 넓힐 수 있다.또, 도 2 및 도 3에 도시하는 실시 형태에서는, 열교환관(42a 및 42b)의 하부 영역에서 브라인과의 열교환부를 형성하고, 또한 서모사이펀 작용에 의해 CO2 냉매를 자연 순환시키므로, 바이패스관(72a 및 72b) 이외에 새로운 배관을 필요로 하지 않고, 또한 강제 순환시키기 위한 장비를 필요로 하지 않으므로, 냉각기(33a 및 33b)를 저비용화할 수 있다.또, 브라인 분기 회로(63a 및 63b)를 열교환관(42a 및 42b)의 상부 영역에 배치하지 않으므로, 냉각기(33a 및 33b)의 내부에서 공기류를 형성하기 위한 팬(35a 및 35b)의 동력을 저감시킬 수 있다. 또, 상부 영역의 남은 스페이스에 열교환관(42a 및 42b)을 설치할 수 있어, 냉각기(33a 및 33b)의 냉각 능력을 높일 수 있다.또, 도 5 및 도 6에 도시하는 실시 형태에 의하면, 브라인 분기 회로(80a 및 80b)를 열교환관(42a 및 42b)의 상하 방향 전역에 설치한 채로, 유량 조정 밸브(82a 및 82b)로 브라인 유량을 좁힘으로써, 열교환부의 형성을 열교환관(42a 및 42b)의 하부 영역에만 제한할 수 있다. 그로 인해, 기존의 냉각기에 유량 조정 밸브(82a 및 82b)를 부설하기만 하는 간단한 개조에 의해, 승화 디프로스트가 가능하게 된다.또, 도 1~도 9에 도시하는 몇 개의 실시 형태에 의하면, 브라인 회로(60)의 입구 및 출구에 각각 설치한 온도 센서(66 및 68)의 검출값의 차로부터, 디프로스트 완료 시기를 정확하게 구할 수 있다. 이것에 의해, 냉동고 내의 과잉 가열이나 과잉 가열에 의한 수증기 확산을 방지할 수 있음과 더불어, 새로운 에너지 절약을 달성할 수 있고, 또한 고내 온도를 안정화시킬 수 있어, 냉동고에 보냉된 식품의 품질 향상을 도모할 수 있다.또, 도 1~도 9에 도시하는 몇 개의 실시 형태에 의하면, 상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매의 압력 조정 수단으로서 압력 조정부(45a 및 45b)를 설치함으로써, 간이하고 또한 저비용화로 정밀도 좋은 압력 조정이 가능하게 된다.또, 도 1~도 5에 도시하는 몇 개의 실시 형태에 의하면, 열교환기(58)에 냉각수 회로(28)가 도설되고, 응축기(18)로 가열된 냉각수를 브라인을 가열하는 가열 매체로 하고 있으므로, 냉동 장치 외의 가열원이 불필요하게 된다. 또, 디프로스트시에 브라인으로 냉각수의 온도를 저하시킬 수 있으므로, 냉동 운전시의 NH3 냉매의 응축 온도를 내릴 수 있어, 냉동기의 COP를 향상시킬 수 있다.또한, 열교환기(58)를 밀폐식 냉각탑(26)의 내부에 설치할 수 있으며, 이것에 의해, 디프로스트에 사용되는 장치의 설치 스페이스를 축소할 수 있다.또, 도 9에 도시하는 실시 형태에서는, 가열 매체와 브라인의 열교환을 밀폐식 냉각탑(26)과 일체의 밀폐식 가열탑(91)에서 행하도록 했으므로, 제2 열교환부의 설치 스페이스를 축소할 수 있다. 또, 밀폐식 냉각탑(26)의 살포수를 브라인의 열원으로 함으로써, 외기로부터의 채열도 가능하게 된다. 또한, 냉동 장치(10D)가 공냉 방식인 경우는, 가열탑 단독으로 외기에 의한 냉각수의 냉각 및 외기를 열원으로 한 브라인의 가열이 가능하게 된다.또한, 상기 구성의 냉각 유닛(31a, 31b 및 32a, 32b)을 이용함으로써, 냉동고(30a 및 30b)로의 디프로스트 장치 장착 냉각기(33a 및 33b)의 장착이 용이하게 됨과 더불어, 이들 냉각 유닛을 미리 일체로 조립해 둠으로써, 냉동고(30a 및 30b)로의 장착이 더 용이하게 된다.도 10은, 또한 별도의 실시 형태이며, 이 실시 형태의 냉동고(30)에는 화물 처리실(100)이 인접하고 있다. 냉동고(30)의 내부에는 상기 구성의 복수의 냉각기(33)가 설치되어 있다. 예를 들어, 냉각기(33)에는, 상기 구성의 케이싱(34), 열교환관(42), 브라인 분기 회로(61, 63), 및 CO2 분기 회로(40) 등을 구비하고 있다.냉동고(30) 및 화물 처리실(100)의 내부에는, 각각 예를 들어 데시칸트 제습기와 같은 제습 장치(38)가 설치되고, 제습 장치(38)에 의해, 실외로부터 외기(a)를 도입하고, 실내로부터 수증기(s)를 배출함으로써, 실내에 저온 건조 공기(d)를 공급하고 있다.화물 처리실(100)은 예를 들어 ＋5℃로 보온되고, 화물 처리실(100)로부터 냉동고(30)에 드나드는 입구에는 전동식의 단열문(102)이 설치되어, 문 개폐시의 냉동고(30)로의 수증기 주입을 최소한으로 억제하고 있다.예를 들어, 냉동고(30)의 온도를 -25℃로 냉각하고, 냉동고(30)의 용적을 7,500m3로 했을 때, 상대 습도 100%로 절대 습도 0.4g/kg이며, 상대 습도 25%로 절대 습도 0.1g/kg이다. 그로 인해, 이 절대 습도차에 냉동고(30)의 용적을 곱한 수치 2.25kg이 보유 가능한 수증기량이 된다. 따라서, 고내 공기의 상대 습도를 25%로 함으로써, 승화 디프로스트가 충분히 가능하다.산업상의 이용 가능성본 발명에 의하면, 승화 디프로스트를 실현함으로써, 냉동 장치의 디프로스트에 필요로 하는 이니셜 코스트 및 러닝 코스트의 저감과 에너지 절약을 실현할 수 있다. [ 부호의 설명 ] 10A, 10B, 10C, 10D 냉동 장치11A, 11B, 11C, 11D 냉동기12 일차 냉매 회로14 이차 냉매 회로16 압축기16a 고단 압축기16b 저단 압축기18 응축기20 NH3 수액기22, 22a, 22b 팽창 밸브24 캐스케이드 콘덴서26 밀폐식 냉각탑28 냉각수 회로29, 57 냉각수 펌프30, 30a, 30b 냉동고31a, 31b, 32a, 32b 냉각 유닛33, 33a, 33b 냉각기34, 34a, 34b 케이싱35a, 35b 팬36 CO2 수액기37 CO2 액 펌프38, 38a, 38b 제습 장치40, 40a, 40b CO2 분기 회로41, 62 접속부42, 42a, 42b 열교환관42c 입구관42d 출구관43a, 43b, 78a, 78b 헤더44 CO2 순환로45a, 45b 압력 조정부46a, 46b 압력 센서47a, 47b 제어 장치48a, 48b 압력 조정 밸브50a, 50b 디프로스트 회로52a, 52b, 74a, 74b 전자 개폐 밸브56 냉각수 분기 회로58 열교환기(제2 열교환부)60 브라인 회로61, 61a, 61b, 63, 63a, 63b, 80a, 80b 브라인 분기 회로64 리시버65 브라인 펌프66 온도 센서(제1 온도 센서)68 온도 센서(제2 온도 센서)70 열교환기(제1 열교환부)72a, 72b 바이패스관76a 플레이트 핀82a, 82b 유량 조정 밸브84 중간 냉각기86 중간 팽창 밸브88a 고원 압축기88b 저원 압축기90 밀폐식 냉각 가열 유닛91 밀폐식 가열탑92 팽창 탱크100 화물 처리실102 단열문a 외기b 브라인c 고내 공기d 저온 건조 공기
냉동고의 내부에 설치되고, 케이싱 및 상기 케이싱의 내부에 설치된 열교환관을 가지는 냉각기와, CO2 냉매를 냉각 액화하는 냉동기와, 열교환관에 접속되고, 냉동기로 냉각 액화된 CO2 냉매를 열교환관에 순환시키는 냉매 회로를 가지는 냉동 장치의 승화 디프로스트 시스템이다. 냉동고의 고내 공기를 제습하기 위한 제습 장치와, 열교환관의 입구로 및 출구로에 접속된 순환로 형성로에 의해 형성되는 CO2 순환로와, 열교환관의 입구로 및 출구로에 설치되고, 디프로스트시에 닫아 상기 CO2 순환로를 폐회로로 하는 개폐 밸브와, CO2 순환로에 설치된 CO2 냉매의 순환 수단과, 온 브라인과 CO2 순환로를 순환하는 CO2 냉매를 열교환시키는 제1 열교환부와, 디프로스트시에 폐회로를 순환하는 CO2 냉매의 응축 온도가 냉동고의 고내 공기 중의 수증기의 빙점 이하의 응축 온도가 되도록, CO2 냉매의 압력을 조정하는 압력 조정부를 구비하며, 드레인 받이부를 설치하지 않고 디프로스트를 가능하게 한다.
[ 발명의 명칭 ] 리튬 유황 이차전지용 양극 및 그 형성방법 POSITIVE ELECTRODE FOR LITHIUM SULFUR SECONDARY BATTERIES AND METHOD FOR FORMING SAME [ 기술분야 ] 본 발명은 리튬 유황 이차전지용 양극 및 그 형성방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 리튬 이차전지는 고 에너지 밀도를 갖고 있기 때문에 휴대폰이나 개인용 컴퓨터 등의 휴대기기뿐만 아니라 하이브리드 자동차, 전기 자동차, 전력저장 축전시스템 등으로 그 적용이 확대되고 있다. 그 중에서도 양극 활물질을 유황, 음극 활물질을 리튬으로 하여 리튬과 유황의 반응에 의해 충방전되는 리튬 유황 이차전지가 최근 들어 주목을 받고 있다.이러한 리튬 유황 이차전지의 양극으로는, 집전체와, 집전체 표면에 이 집전체 표면측을 기단으로 하여 집전체 표면에 직교하는 방향으로 배향하도록 성장시킨 복수의 탄소나노튜브와, 각 탄소나노튜브의 표면을 각각 덮는 유황을 포함하는 것(일반적으로 탄소나노튜브의 단위 부피당 밀도가 0.06g/cm3이고, 유황의 무게는 탄소나노튜브의 무게의 0.7~3배임)이, 예를 들면 특허문헌 1에 알려져 있다. 이 양극을 리튬 유황 이차전지에 적용하면, 전해질이 광범위하게 유황과 접촉하여 유황의 이용효율이 향상되므로, 충방전 속도 특성에서 우수하고, 리튬 유황 이차전지로서 비용량(유황 단위 무게당 방전용량)이 큰 것이 된다.여기서, 각 탄소나노튜브의 표면을 유황으로 덮는 방법으로, 탄소나노튜브의 성장단에 유황을 적재하고 용융시켜 용융된 유황을 탄소나노튜브 상호간의 간극(gap)을 통해 기단측으로 확산시키는 것이 일반적으로 알려져 있으나, 이러한 방법으로는 탄소나노튜브의 성장단 부근에만 유황이 편재하여, 탄소나노튜브의 기단 주변까지 유황이 확산되지 않으며, 해당 부분이 유황으로 덮이지 않거나, 덮인다 하더라도 유황의 막 두께가 매우 얇아질 수 있으므로, 이것으로는 충방전 속도 특성이 뛰어나며 비용량이 큰 것을 얻을 수 없다. 이는 용융된 유황은 점도가 높고 또한 탄소나노튜브 상호간에는 분자 사이의 힘이 작용하여 간극의 폭이 좁아지기 때문에, 용융된 유황이 해당 간극을 하방으로 확산시키기 어려우므로 탄소나노튜브의 하단 근방까지 효율적으로 유황을 공급할 수 없다는 점에 기인한다.따라서 본 발명의 발명자들은 예의 연구를 거듭한 결과, 단위 부피당 탄소나노튜브의 밀도를 상기 종래의 예와 비교하여 절반 이하의 밀도로 설정하면, 위와 같은 방법으로도 유황을 용융 확산시킬 때 집전체와 탄소나노튜브의 기단의 경계면까지 유황이 효율적으로 공급된다는 것을 발견하였다.그러나 단위 부피당 탄소나노튜브의 밀도를 낮추면, 탄소튜브의 기단에서 성장단까지의 사이에서 탄소나노튜브 표면에 부착되어 있던 유황이 부분적으로 박리되거나, 유황의 밀착성이 현저하게 저하되는 것이 판명되었다. 이는 탄소나노튜브의 밀도를 낮게함으로써 집전체 표면에 성장시킨 각 탄소나노튜브 전체의 강도가 저하되어, 유황을 용융 확산시킬 때 각 탄소나노튜브가 열수축(변형)하는 것에 기인한다고 판단된다. 이 경우 유황이 부분적으로 박리되면, 해당 부분은 더 이상 리튬 유황 이차전지로서 기능하지 않으며, 또한 유황의 밀착성이 저하된 상태에서 전지 캔(battery can)에 수납하여 리튬 유황 이차전지로 조립하여 충방전을 실시하면, 양극의 유황 활물질이 손실되어 충방전을 반복할수록 비용량이 크게 저하된다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 특허문헌 1: 국제공개 제2012/070184호 명세서 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은 이상의 점을 감안하여, 탄소나노튜브의 집전체 근방 부분을 확실히 유황으로 덮을 수 있는 기능을 가지면서 강도가 뛰어난 리튬 유황 이차전지용 양극 및 그 형성방법을 제공하는 것을 그 과제로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 과제를 해결하기 위해 집전체와, 집전체 표면, 상기 집전체 표면측을 기단로 하여 집전체 표면에 직교하는 방향으로 배향하도록 성장되는 복수의 탄소나노튜브와, 각 탄소나노튜브의 표면을 각각 덮는 유황을 포함하는 본 발명에 따른 리튬 유황 이차전지용 양극은, 탄소나노튜브의 성장단측에서부터 유황을 용융 확산시켜 각 탄소나노튜브의 표면이 유황으로 덮이는 것으로, 탄소나노튜브의 단위 부피당 밀도가 유황을 용융 확산시킬 때 집전체와 탄소나노튜브의 기단와의 계면까지 유황이 존재하도록 설정되어, 각 탄소나노튜브의 표면을 덮는 비정질(amorphous) 탄소를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.이상에 따르면, 탄소나노튜브의 표면을 비정질 탄소로 덮고 있기 때문에, 집전체 표면에 성장시킨 각 탄소나노튜브의 전체 강도는 예를 들면 단위 면적당 0.5MPa의 압력으로 탄소나노튜브의 성장단측으로부터 가압하는 경우에도, 탄소나노튜브의 성장방향의 길이의 변화량을 10% 이하로 조절할 수 있어 강도에서 우수한 것이 된다. 이로 인해 탄소나노튜브의 성장단에서부터 유황을 용융시킬 때의 각 탄소나노튜브의 수축량(변형량)이 줄어들어, 탄소튜브의 기단에서부터 성장단까지의 사이에 탄소나노튜브 표면에 부착되어 있던 유황이 부분적으로 박리되거나, 유황의 밀착성이 현저하게 저하되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 이 경우 밀도가 낮은 상태이므로 탄소나노튜브 상호간의 간극을 통해서 기단측까지 유황이 확산되어, 소정 막 두께의 유황으로 비정질 탄소, 나아가서는 탄소나노튜브의 표면이 성장단에서부터 기단에 걸쳐 확실히 덮이게 된다.덧붙여, 본 발명에서 밀도는 0.025g/cm3 이하에서 소정의 비용량을 얻을 수 있는 범위로 설정하는 것이 바람직하고, 밀도의 하한은 실용성 등을 고려하여 0.010g/cm3 이상인 것이 바람직하다.또한 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 리튬 유황 이차전지용 양극의 형성방법은, 기판의 표면에 촉매층을 형성하고, 촉매층 표면, 상기 촉매층 표면측을 기단으로 하여 촉매층 표면에 직교하는 방향으로 배향하도록 복수의 탄소나노튜브를 성장시키는 성장공정과, 상기 탄소나노튜브의 성장단측에서 유황을 용융 확산시켜 각 탄소나노튜브의 표면을 유황으로 덮는 코팅공정을 포함하며, 성장공정은, 탄화수소가스와 희석가스를 포함하는 것을 원료가스로 하는 CVD법을 이용하며, 탄화수소가스를 제 1 농도로 설정하여 탄소나노튜브를 성장시키는 제 1 공정과, 탄화수소가스를 제 1 농도보다 높은 제 2 농도로 설정하여 각 탄소나노튜브의 표면을 비정질 탄소로 덮는 제 2 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.이상에 따르면, 예를 들면 원료가스의 농도(유량)를 변경하는 것만으로도 탄소나노튜브를 성장시키는 것과, 또한 탄화수소가스를 제 1 농도보다 높은 제 2 농도로 설정하여 각 탄소나노튜브의 표면을 비정질 탄소로 덮는 것을 하나의 성막실에서 연속하여 실시할 수 있어, 양극을 제작하기 위한 생산성을 향상시킬 수 있다.이 경우, 상기 탄화수소가스는 아세틸렌, 에틸렌, 메탄 중에서 선택되는 것으로 하면 적당하고, 또한 상기 제 1 농도는 0.1%~1%의 범위로, 제 2 농도는 2%~10%의 범위로 설정하면 적절하다. [ 도면의 간단한 설명 ] [도 1] 본 발명의 실시형태에 따른 리튬 유황 이차전지의 구성을 모식적으로 나타낸 단면도.[도 2] 본 발명의 실시형태에 따른 리튬 유황 이차전지용 양극을 모식적으로 나타낸 단면도.[도 3] (a)~(c)는 본 발명의 실시형태에 따른 리튬 유황 이차전지용 양극의 형성단계를 설명하는 도면.[도 4] CVD법에 의한 탄소나노튜브의 성장 및 비정질 탄소로 박막을 코팅하는 경우의 온도와 가스농도 제어를 설명하는 그래프.[도 5] (a) 및 (b)는 본 발명의 효과를 보여주기 위해 제작한 시료 1, 시료 2의 탄소나노튜브의 단면 SEM사진.[도 6] (a) 및 (b)는 본 발명의 효과를 보여주기 위해 제작한 시료 1 시료 2의 충방전 특성을 나타내는 그래프. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 리튬 유황 이차전지용 양극 및 그 형성방법의 실시형태를 설명한다. 도 1을 참조하여, 리튬 유황 이차전지(BT)는, 주로 양극(P), 음극(N), 이들 양극(P)과 음극(N) 사이에 배치된 분리막(S), 양극(P)과 음극(N) 사이에서 리튬 이온(Li+)의 도전성을 갖는 전해질(도시 생략)을 포함하며, 도시되지 않은 전기 캔에 수납되어 구성된다. 음극(N)으로는, 예를 들어 Li, Li과 Al 또는 In 등의 합금, 또는 리튬 이온이 도핑된 Si, SiO, Sn, SnO2 또는 하드카본을 사용할 수 있다. 전해질로는, 예를 들어 테트라하이드로퓨란글라임, 디글라임, 트리글라임, 테트라글라임 등의 에테르계 전해액, 디에틸카보네이트, 프로필렌카보네이트 등의 에스테르계 전해액 중에서 선택되는 적어도 1종 또는 이들 중에서 선택되는 적어도 1종(예를 들면 글라임, 디글라임 또는 테트라글라임)에 점도를 조정하기 위해 디옥솔란(dioxolane)을 혼합한 것을 사용할 수 있다. 양극(P)을 제외한 다른 구성요소는 공지의 것을 사용할 수 있으므로 여기에서는 상세한 설명을 생략한다.양극(P)은 집전체(P1)와 집전체(P1) 표면에 형성된 양극 활물질층(P2)으로 구성된다. 집전체(P1)는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 예를 들어 기판(1)과, 기판(1) 표면에 4~100nm의 두께로 형성된 하지막(‘배리어 막’이라고도 함)(2)과, 하지막(2) 표면에 0.2~5nm의 두께로 형성된 촉매층(3)을 포함한다. 기판(1)으로는, 예를 들어 Ni, Cu 또는 Pt로 이루어진 금속 포일을 사용할 수 있다. 하지막(2)은 기판(1)과 후술할 탄소나노튜브의 밀착성을 향상시키기 위한 것으로, 예를 들면 Al, Ti, V, Ta, Mo 및 W 중에서 선택되는 1종 이상의 금속 또는 그 금속 질화물로 구성된다. 촉매층(3)은 예를 들어 Ni, Fe 또는 Co 중에서 선택되는 1종 이상의 금속 또는 이들의 합금으로 구성된다. 하지막(2)과 촉매층(3)은 예를 들면 공지의 전자빔증착법, 스퍼터링법, 촉매금속을 포함하는 화합물의 용액을 이용한 딥핑을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 하지막(2)의 두께는 촉매층(3)의 20배 이상의 막 두께로 설정하는 것이 바람직하다. 이는 탄소나노튜브(4)의 밀도를 저하시키기 위함이다.즉, 하기 내용에서도 알 수 있듯이 CVD법으로 탄소나노튜브(4)를 성장시킬 때 촉매층(3)이 탄소나노튜브(4) 성장의 핵이 되는 미립자를 형성하지만, 이와 동시에 하지층(2)과 합금화된다. 이 경우 촉매층(3)과 하지막(2)의 사이에 보조촉매층을 촉매층의 1/5~1/2의 범위의 두께로 형성하면 탄소나노튜브(4)의 밀도가 향상된다는 것은 알려진 바이다. 그래서 이와는 반대로 촉매층(3)의 20배 이상의 막 두께의 하지층(2)을 마련해두면, 미립자 밀도를 감소시켜 탄소나노튜브(4)를 저밀도로 성장시키는 것이 가능해진다.양극 활물질층(P2)은, 집전체(P1) 표면에 이 집전체(P1) 표면측을 기단으로 하여 집전체(P1) 표면에 직교하는 방향으로 배향하도록 성장되는 복수의 탄소나노튜브(4)와, 각 탄소나노튜브(4)의 표면을 각각 덮는 유황(5)으로 구성된다. 이 경우 탄소나노튜브(4) 상호간에는 소정의 간극(S1)이 있어, 이 간극(S1)으로 전해질(액체)이 유입된다. 탄소나노튜브(4)의 성장방법(성장공정)으로는 탄화수소가스와 희석가스를 포함하는 것을 원료가스로 하는 열 CVD법, 플라즈마 CVD법, 핫필라멘트 (hot filament) CVD법 등의 CVD법이 이용된다. 한편, 탄소나노튜브(4)의 표면을 유황(5)으로 각각 덮는 방법(코팅공정(coating process))으로는 탄소나노튜브(4)의 성장단에 과립상의 유황(51)를 살포하고, 유황(51)의 융점(113℃) 이상에서 가열하여 유황(51)을 용융시킨 다음, 용융된 유황(51)을 탄소나노튜브(4) 상호간의 간극(S1)을 통해 기단측까지 확산시킨다.그런데 용융된 유황(51)을 탄소나노튜브(4) 상호간의 간극을 통해 기단 측까지 확실하게 확산시키기 위해서는, 단위 부피당 탄소나노튜브(4)의 밀도를 낮게 설정하면 되나, 이것으로는 각 탄소나노튜브(4)의 전체로서의 강도가 저하된다. 이 때문에 각 탄소나노튜브(4)를 각각 덮는 유황(5)이 부분적으로 박리되거나, 유황(51)의 밀착성이 저하되지 않도록 할 필요가 있다. 따라서 본 실시형태에서는, 유황(5)을 확산시키기에 앞서, 탄소나노튜브(4)의 표면을 비정질 탄소(6)로 덮는다. 이하, 본 실시형태에 따른 리튬 유황 이차전지용 양극의 형성방법을 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다.상기 순서에 따라 기판(1) 표면에 하지막(2)을 형성하고, 하지막(2) 표면에 촉매층(3)을 형성하여 집전체(P1)를 제작한다(도 1(a) 참조). 다음 성장공정으로서, 상기 집전체(P1)를 도시되지 않은 CVD장치의 성막실을 도시하는 진공 챔버 내에 설치하여 가열하고, 성막실 내에 탄화수소가스와 희석가스를 포함하는 원료가스를 도입하여 열 CVD법으로 탄소나노튜브(4)를 성장시키고(제 1 공정), 계속해서 동일한 온도로 가열 유지하면서 원료가스 중의 탄화수소가스의 농도를 증가시켜 각 탄소나노튜브(4) 표면을 비정질 탄소(6)로 덮는다(제 2 공정). 이 경우 원료가스가 100Pa~대기압의 작동압력 하에서 성막실 내에 공급되어, 집전체(P1)는 600~800℃ 범위의 온도, 예를 들면 700℃로 가열되고 유지된다.탄화수소가스로는 예를 들어 메탄, 에틸렌, 아세틸렌 등이 사용되며, 희석가스로는 질소, 아르곤 또는 수소 등이 사용된다. 또한, 제 1 공정에서는 원료가스의 유량이 성막실 내의 용적이나 집전체(P1)의 탄소나노튜브(4)를 성장시키는 면적 등에 따라 100~5,000sccm의 범위로 설정된다. 이 때, 원료가스 중의 탄화수소가스의 농도는 0.1%~1%의 범위로 설정되며, 성막실이 소정 온도(예를 들어, 500℃)에 도달하면 도입되도록 설정된다. 그리고, 소정 길이까지 탄소나노튜브(4)를 성장시킨 후, 제 2 공정에서는 원료가스의 유량이 상기 제 1 공정과 동일한 유량으로 설정되며, 이 때의 원료가스 중의 탄화수소가스의 농도는 2%~10%의 범위로 변경된다.이로 인해 제 1 공정에서는 0.025g/cm3 이하의 밀도에서, 집전체(P1)의 표면에 복수의 탄소나노튜브(4)가 집전체(P1)의 표면에 직교하는 방향으로 배향하도록 성장된다(이 경우, 길이가 100~1,000μm, 직경이 5~50nm의 범위가 된다). 제 2 공정에서는 각 탄소나노튜브(4)의 표면이 기단에서 성장단까지의 전체 길이에 걸쳐 비정질 탄소(6)로 덮인다(도 3(b) 참조). 이 경우, 제 1 공정에서 원료가스 중의 탄화수소가스의 농도가 0.1%~1%의 범위에서 벗어나게 되면, 상기 밀도에서 탄소나노튜브(4)를 성장시킬 수 없으며, 또한 제 2 공정에서 2%보다 더 낮은 농도에서는 각 탄소나노튜브(4)의 표면을 그 전체 길이에 걸쳐 비정질 탄소(6)로 확실히 덮을 수 없고, 또한 10%를 초과하면 초과 탄화수소의 분해 시에 발생하는 타르 생성물로 인해 반응기 내부가 오염되어 지속적인 생산이 곤란해진다.다음으로, 코팅공정으로는 집전체(P1)에 복수의 탄소나노튜브(4)를 성장시키고, 각 탄소나노튜브(4)의 표면을 비정질 탄소(6)로 덮은 다음, 탄소나노튜브(4)가 성장된 영역 전체에 걸쳐, 그 상방으로부터 1~100μm 범위의 입경(grain size)을 갖는 과립상의 유황(51)을 살포한다. 유황(51)의 무게는 탄소나노튜브(4) 무게의 0.2배~10배로 설정하면 적절하다. 0.2배보다 적으면 탄소나노튜브(4) 각각의 표면이 유황에 의해 균일하게 덮이지 않으며, 10배보다 많으면 인접하는 탄소나노튜브(4) 상호간의 간극까지 유황(5)이 충전된다.이어서 양극 집전체(P1)를 도시되지 않은 가열 반응기 내에 설치하고, 유황의 융점 이상인 120~180℃의 온도로 가열하여 유황(51)을 용융시킨다. 이 경우, 각 탄소나노튜브(4)의 단위 부피당 밀도를 0.025g/cm3 이하로 설정했기 때문에, 용융된 유황(51)은 탄소나노튜브(4) 상호간의 간극으로 흘러들어 탄소나노튜브의 기단까지 확실하게 확산되며, 탄소나노튜브(4), 나아가서는 비정질 탄소(6)의 표면 전체에 걸쳐 1~3nm의 두께의 유황(5)으로 덮여, 인접하는 탄소나노튜브(4) 상호간에 간극(S1)이 존재하게 된다(도 2 참조). 덧붙여, 공기 중에서 가열하면, 용융된 유황이 공기 중의 수분과 반응하여 이산화유황을 생성하기 때문에 N2, Ar이나 He 등의 불활성 가스분위기 또는 진공 중에서 가열하는 것이 바람직하다.이상의 실시형태에 따른 양극(P)에 의하면, 탄소나노튜브(4)의 표면을 비정질 탄소(6)로 덮고 있기 때문에 집전체(P1) 표면에 성장시킨 각 탄소나노튜브(4)의 전체의 강도는, 예를 들면 단위 면적당 0.5MPa의 압력으로 탄소나노튜브(4)의 성장단측에서 가압하는 경우에도 탄소나노튜브(4)의 성장방향의 길이의 변화량을 10% 이하로 조절할 수 있어, 강도에서 우수한 것이 된다. 따라서 상기와 같이 유황을 용융시킬 때의 각 탄소나노튜브(4)의 수축량(변형량)이 줄어들어, 탄소튜브(4)의 기단에서부터 성장단까지의 사이에서 탄소나노튜브(4)의 표면에 부착되어 있던 유황이 부분적으로 박리되거나, 유황의 밀착성이 현저하게 저하되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한 원료가스의 농도(유량)을 변경하는 것만으로 탄소나노튜브(4)를 성장시키는 것(제 1 공정)과, 탄화수소가스를 제 1 농도보다 높은 제 2 농도로 설정하여 각 탄소나노튜브(4)의 표면을 비정질 탄소(6)로 덮는 것(제 2 공정)을 하나의 성막실에서 연속적으로 실시할 수 있으므로, 양극(P)을 제작하기 위한 생산성을 향상시킬 수 있다.상기와 같이 제작한 양극(P)을 이용하여 리튬 유황 이차전지(BT)를 조립하면 탄소나노튜브(4) 각각은 그 표면 전체가 유황(5)으로 덮여 있기 때문에, 유황(5)과 탄소나노튜브(4)가 광범위하게 접촉하여 유황(5)에 전자 공여를 충분히 수행할 수 있게 된다. 이 때, 인접하는 탄소나노튜브(4) 상호간 간극(S1)으로 전해액이 공급되면 유황(5)과 전해액이 광범위하게 접촉하여 유황(5)의 이용효율이 한층 강화되고, 유황에 충분히 전자를 공여할 수 있게 될 뿐만 아니라 특히 높은 속도 특성을 얻을 수 있어, 비용량도 한층 향상시킬 수 있게 된다. 또한 방전 시 유황(5)에서 발생하는 다황화 음이온이 탄소나노튜브(4)에 의해 흡착되기 때문에 전해액으로 다황화 음이온이 확산되는 것을 억제할 수 있어 충방전 사이클 특성도 좋아진다.다음으로, 본 발명의 효과를 확인하기 위해 다음의 실험을 실시하였다. 제 1 실험에서는, 기판(1)을 두께가 0.020mm인 Ni포일로 하고, Ni포일 표면에 하지막(2)으로 Al막을 50nm의 막 두께로 전자빔 증착법에 의해 형성하며, 하지막(2) 표면에 촉매층(3)으로 Fe막을 1nm의 막 두께로 전자빔 증착법에 의해 형성하여, 집전체(P1)를 얻었다. 계속해서, 열 CVD장치의 처리실 내에 적재하고, 처리실 내에 아세틸렌 2sccm와 질소 998sccm를 공급하여(제 1 농도는 0.2%), 작동 압력을 1기압, 가열 온도를 700℃로 설정한 다음 성장시간을 30분으로 하여 집전체(P1) 표면에 탄소나노튜브(4)를 성장시켰다. 이 때, 각 탄소나노튜브의 평균 길이는 약 800μm로, 단위 부피당 평균 밀도는 약 0.025g/cm3였다. 다음으로, 30분의 성장시간 경과 후 처리실 내에 아세틸렌 500sccm 및 질소 950sccm를 공급하고(제 2 농도는 5%), 10분의 시간동안 집전체(P1) 표면에 성장된 탄소나노튜브(4)의 표면을 비정질 탄소(6)로 덮어, 이것을 시료1로 제작하였다. 또한, 비교실험을 위해, 상기와 같은 조건에서 탄소나노튜브(4)를 성장시켜 그 표면을 비정질 탄소(6)로 덮지 않은 것을 시료2로 제작하였다.도 5(a) 및 도 5(b)는 상기 시료1, 시료2에 대해 단위 면적당 0.5MPa의 압력으로 탄소나노튜브(4)의 성장단측에서부터 가압한 후의 SEM사진이다. 이에 따르면 시료2는 밀도가 낮아 강도가 저하되었고, 각 탄소나노튜브(4)가 압축되어 있는 것을 확인할 수 있었다(도 5(b) 참조). 그에 비해 시료1에서는 비정질 탄소(6)로 덮음으로써 각 탄소나노튜브(4)는 거의 압축되지 않았으며, 탄소나노튜브의 성장방향의 길이에도 거의 변화가 없는(변화량은 10% 이하) 것을 확인할 수 있었다.다음으로, 시료1, 시료2에 대해, 과립상의 유황(51)을 탄소나노튜브가 성장된 영역 전체에 걸쳐 배치하고, Ar 분위기 하에서 120℃, 5분 동안 가열하였다. 가열 후에 180℃에서, 30분 동안 어닐링을 실시하여, 탄소나노튜브(4) 내에도 유황(5)을 채워 양극(P)을 얻었다. 참고로, 탄소나노튜브(4)와 유황(5)의 최종 무게비는 3:2였으며, 유황의 무게는 15mg였다.도 6(a) 및 도 6(b)는, 시료1, 시료2를 리튬 유황 이차전지로 조립한 후에 수 차례 충방전을 반복할 때의 충방전 사이클 특성을 나타내는 그래프이다. 이에 따르면 시료2는 충방전 횟수(30회)가 증가할 때마다 충방전 용량이 저하되는 것을 확인할 수 있었다(도 6(b) 참조). 이는 유황의 탄소나노튜브에 대한 밀착성이 나빠, 양극에서부터 분리되 전해액으로까지 유황이 녹아 들어 활물질이 없어지는 것에 기인한다. 그에 비해 시료 1에서는 충방전 횟수가 증가해도 방전용량의 감소 비율이 작아, 180회 충방전을 반복해도 1,000mAhg-1의 방전용량을 보였으며, 충방전 효율도 85%인 것을 알 수 있었다(도 6(a) 참조). 이는 탄소나노튜브를 비정질 탄소로 덮음으로써 강도가 증가하는 것에 기인한다고 판단된다.이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명했으나 본 발명은 상기의 것으로 한정되지 않는다. 상기 실시형태에서는 촉매층(3)의 표면에 직접 탄소나노튜브를 성장시키는 경우를 예로 들어 설명했으나 다른 촉매층의 표면에 탄소나노튜브를 배향시켜 성장시키고, 이 탄소나노튜브를 촉매층(3) 표면에 전사해도 무방하다. 또 상기 실시형태에서는 제 1 공정과 제 2 공정을 동일한 성막실 내에서 실시하는 것을 예로 들어 설명했으나 별개의 성막실에서 실시할 수도 있으며 이 때 가스종류를 변경하는 것도 가능하다.또 상기 실시형태에서는 탄소나노튜브(4)의 각 표면만을 유황(5)으로 덮었으나, 탄소나노튜브(4) 각각의 내부에도 유황을 채우면 양극(P)의 유황의 양이 더욱 증가하여 비용량을 더욱 증가시킬 수 있다. 이 경우, 유황을 배치하기 전에 예를 들어 대기 중에서 500~600℃의 온도로 열처리를 수행하여 탄소나노튜브의 각 선단에 개구부를 형성한다. 이어서, 상기 실시형태와 마찬가지로 탄소나노튜브가 성장된 영역 전체에 걸쳐 유황을 배치하고 용융시킨다. 이로 인해 탄소나노튜브의 각 표면이 유황으로 덮이고, 이와 동시에 이 개구부를 통해 탄소나노튜브 각각의 내부에도 유황이 채워진다. 유황의 무게는 탄소나노튜브 무게의 5배~20배로 설정하는 것이 바람직하다.탄소나노튜브 내부에 유황을 채우는 다른 방법으로는, 가열기에서 유황을 용융시켜 탄소나노튜브(4)의 각 표면을 유황(5)으로 덮은 다음, 동일한 가열기를 이용하여 집전체 금속과 유황이 반응하지 않는 200~250℃ 범위의 온도에서 어닐링을 추가로 수행한다. 이 어닐링에 의해 탄소나노튜브(4)의 표면에서 내부로 유황을 침투시켜 탄소나노튜브(4) 각각의 내부에 유황(5)이 채워지게 된다. [ 부호의 설명 ] 　BT ... 리튬 유황 이차전지　P ... 양극　P1 ... 집전체　1 ... 기판　3 ... 촉매층　4 ... 탄소나노튜브　5 ... 유황　6 ... 비정질 탄소
탄소나노튜브의 집전체 근방의 부분을 확실히 유황으로 덮을 수 있는 기능을 가지면서 강도가 뛰어난 리튬 유황 이차전지용 양극을 제공한다. 집전체(P)와, 집전체 표면, 이 집전체 표면측을 기단으로 하여 집전체 표면에 직교하는 방향으로 배향하도록 성장되는 복수의 탄소나노튜브(4)와, 각 탄소나노튜브의 표면을 각각 덮는 유황(5)을 포함하는 리튬 유황 이차전지용 양극은, 탄소나노튜브의 성장단측에서부터 유황을 용융 확산시켜 각 탄소나노튜브의 표면이 유황으로 덮이는 것으로, 탄소나노튜브의 단위 부피당 밀도가 유황을 용융 확산시킬 때 집전체와 탄소나노튜브의 가장자리의 경계면까지 유황이 존재하도록 설정된다. 각 탄소나노튜브의 표면을 덮는 비정질 탄소(6)를 더 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 움직임 벡터의 예측 부호화 방법, 예측 부호화 장치, 및 예측 부호화 프로그램, 그리고 움직임 벡터의 예측 복호 방법, 예측 복호 장치, 및 예측 복호 프로그램 PREDICTION ENCODING METHOD, PREDICTION ENCODING DEVICE, AND PREDICTION ENCODING PROGRAM FOR MOTION VECTOR, AS WELL AS PREDICTION DECODING METHOD, PREDICTION DECODING DEVICE, AND PREDICTION DECODING PROGRAM FOR MOTION VECTOR [ 기술분야 ] 본 발명의 실시예는 움직임 벡터의 예측 부호화 방법, 예측 부호화 장치, 및 예측 부호화 프로그램, 그리고 움직임 벡터의 예측 복호 방법, 예측 복호 장치, 및 예측 복호 프로그램에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 동화상 부호화 및 동화상 복호에 있어서는, 움직임 보상 예측 기술이 사용되는 경우가 있다. 움직임 보상 기술에 있어서는, 동화상에서의 처리 대상의 프레임이 복수의 구획으로 분할된다. 이들 복수의 구획은 처리 대상의 구획(대상 구획)으로서 순차적으로 선택된다. 그리고, 대상 구획의 움직임 벡터가 구해진다. 또한, 움직임 보상 예측 기술에 있어서는, 대상 구획의 인접 구획의 움직임 벡터를 사용하여 예측 움직임 벡터를 구하고, 그 대상 구획의 움직임 벡터를 예측 부호화 또는 예측 복호하는 경우가 있다.도 1a 및 도 1b는, 움직임 보상 예측에 사용되는 인접 직사각형 구획을 예시하는 도면이다. 도 1a에서는, 대상 구획(BT)의 형상과 인접 구획(BL, BA, BRA)의 형상은 동일하다. 왼쪽 인접 구획(BL)은 대상 구획(BT) 내의 왼쪽 위의 화소에 대하여 왼쪽에 존재하는 인접 화소를 포함하고 있고, 위쪽 인접 구획(BA)은 대상 구획(BT) 내의 왼쪽 위의 화소에 대하여 위쪽에 존재하는 인접 화소를 포함하고 있고, 오른쪽 위 인접 구획(BRA)은 대상 구획(BT) 내의 오른쪽 위의 화소에 대하여 오른쪽 위에 존재하는 인접 화소를 포함하고 있다. 종래 기술의 H.264/AVC에서는, 왼쪽 인접 구획(BL), 위쪽 인접 구획(BA), 및 오른쪽 위 인접 구획(BRA)의 움직임 벡터의 수평 성분 및 수직 성분의 중간값(median ｖalue)을 가지는 예측 움직임 벡터가 사용되고 있다.한편, 도 1b는, 대상 구획(BT)의 형상과 다른 형상을 가지는 복수의 인접 구획이 존재하는 경우를 예시하고 있다. 도 1b의 복수의 인접 구획은, 왼쪽 인접 구획(BL), 위쪽 인접 구획(BA), 오른쪽 위 인접 구획(BRA)에 더하여, 인접 구획 BL1, BL2, BA1, BA2, BD, BE를 포함하고 있다. 특허문헌 1에 기재된 기술에 의하면, 복수의 인접 구획이 미리 정해진 공간적 순서로 탐색되고, 대상 구획의 화소 신호에 대하여 최선의 공간 유사도를 가지는 인접 구획을 가지는 인접 구획이 특정되고, 특정된 인접 구획의 움직임 벡터가 예측 움직임 벡터로서 이용된다. 특허문헌 1의 기술에서는, 공간적 유사도로서, 대상 구획의 화소 신호와 인접 구획의 화소 신호의 절대값 차분의 합(Sum of Absolute Difference, SAD)이 사용되고 있다.003c#선행기술문헌003e#특허문헌 1: 일본 공표특허공보 제2010-515399호 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 전술한 특허문헌 1의 기술은 복수의 인접 구획을 소정의 순서로 탐색하면서 공간적 유사도를 계산하므로, 예측 움직임 벡터의 결정에 많은 연산이 필요할 수 있다.따라서, 본 기술 분야에 있어서는, 예측 움직임 벡터의 결정에 필요한 연산량을 감소시킬 것이 요청되고 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 일 측면은 움직임 벡터의 예측 부호화 기술에 관한 것이다.본 발명의 일 측면에 따른 움직임 벡터의 예측 부호화 방법은, 복수의 프레임 화상의 시간 계열로 구성되는 동화상의 움직임 보상 예측에 사용되는 움직임 벡터를 예측 부호화하는 방법으로서, (a) 상기 동화상의 부호화 대상의 프레임 화상 내의 대상 구획의 움직임 벡터를 구하는 단계; (b) 상기 대상 구획에 대하여 왼쪽에 위치하는 왼쪽 인접 영역에 속하는 하나 이상의 구획의 움직임 벡터로부터, 소정의 예측 움직임 벡터 후보 결정 기준을 만족시키는 하나의 제1 예측 움직임 벡터 후보를 결정하는 단계; (c) 상기 대상 구획에 대하여, 위쪽에 위치하는 위쪽 인접 영역에 속하는 하나 이상의 구획의 움직임 벡터로부터, 소정의 예측 움직임 벡터 후보 결정 기준을 만족시키는 하나의 제2 예측 움직임 벡터 후보를 결정하는 단계; (d) 상기 제1 예측 움직임 벡터 후보와 상기 제2 예측 움직임 벡터 후보를 포함하는 하나 이상의 예측 움직임 벡터 후보와 상기 대상 구획의 상기 움직임 벡터의 비교에 기초하여, 최적 예측 움직임 벡터를 선택하고, 선택한 최적 예측 움직임 벡터를 특정하기 위한 예측 움직임 벡터 지시 정보를 출력하는 단계; 및 (e) 상기 예측 움직임 벡터 지시 정보를 부호화하는 단계를 포함하고 있다.또한, 본 발명의 일 측면에 따른 움직임 벡터의 예측 부호화 장치는, 복수의 프레임 화상의 시간 계열로 구성되는 동화상의 움직임 보상 예측에 사용되는 움직임 벡터를 예측 부호화하는 장치로서, 상기 동화상의 부호화 대상의 프레임 화상 내의 대상 구획의 움직임 벡터를 구하는 움직임 검출 수단; 상기 대상 구획에 대하여 왼쪽에 위치하는 왼쪽 인접 영역에 속하는 하나 이상의 구획의 움직임 벡터로부터, 소정의 예측 움직임 벡터 후보 결정 기준을 만족시키는 하나의 제1 예측 움직임 벡터 후보를 결정하는 제1 예측 움직임 벡터 후보 결정 수단; 상기 대상 구획에 대하여, 위쪽에 위치하는 위쪽 인접 영역에 속하는 하나 이상의 구획의 움직임 벡터로부터, 소정의 예측 움직임 벡터 후보 결정 기준을 만족시키는 하나의 제2 예측 움직임 벡터 후보를 결정하는 제2 예측 움직임 벡터 후보 결정 수단; 상기 제1 예측 움직임 벡터 후보와 상기 제2 예측 움직임 벡터 후보를 포함하는 하나 이상의 예측 움직임 벡터 후보와 상기 대상 구획의 상기 움직임 벡터의 비교에 기초하여, 최적 예측 움직임 벡터를 선택하고, 선택한 최적 예측 움직임 벡터를 특정하기 위한 예측 움직임 벡터 지시 정보를 출력하는 예측 움직임 벡터 결정 수단; 및 상기 예측 움직임 벡터 지시 정보를 부호화하는 부호화 수단을 포함하고 있다.또한, 본 발명의 일 측면에 따른 움직임 벡터의 예측 부호화 프로그램은, 복수의 프레임 화상의 시간 계열로 구성되는 동화상의 움직임 보상 예측에 사용되는 움직임 벡터를 예측 부호화하는 장치로서 컴퓨터를 동작시키는 프로그램으로서, 상기 컴퓨터를, 전술한 움직임 검출 수단, 제1 예측 움직임 벡터 후보 결정 수단, 제2 예측 움직임 벡터 후보 결정 수단, 예측 움직임 벡터 결정 수단, 및 부호화 수단으로서 기능하게 한다.전술한 본 발명의 일 측면에 따른 움직임 벡터의 예측 부호화 기술에 의하면, 예측 움직임 벡터 후보를 좁힌 후에, 대상 구획의 움직임 벡터와 예측 움직임 벡터 후보의 비교에 기초하여, 예측 움직임 벡터가 결정된다. 따라서, 예측 움직임 벡터의 결정에 필요한 연산량을 삭감할 수 있다.일 실시예에서는, 대상 구획의 화소 신호의 예측 신호는, 참조 화면 리스트 식별 번호 및 참조 화면 번호에 의해 특정되는 프레임 번호를 가지는 참조 프레임을 참조함으로써 생성되고, 대상 구획용의 참조 화면 리스트 식별 번호 및/또는 참조 화면 번호와 일치하는 참조 화면 리스트 식별 번호 및/또는 참조 화면 번호를 가지는 왼쪽 인접 영역의 구획의 움직임 벡터로부터, 제1 예측 움직임 벡터 후보가 결정되고, 대상 구획용의 참조 화면 리스트 식별 번호 및/또는 참조 화면 번호와 일치하는 참조 화면 리스트 식별 번호 및/또는 참조 화면 번호를 가지는 위쪽 인접 영역의 구획의 움직임 벡터로부터, 제2 예측 움직임 벡터 후보가 결정되어도 된다.일 실시예에서는, 예측 움직임 벡터 지시 정보는, 예측 움직임 벡터 후보의 수에 따른 비트 수의 부호화 데이터로 부호화되어도 된다. 예를 들면, 예측 움직임 벡터 지시 정보는, 예측 움직임 벡터 후보의 수에 따른 최소수의 비트의 부호화 데이터로 부호화되어도 된다. 이 예에 의하면, 예측 움직임 벡터 지시 정보의 부호화 데이터의 부호량을 감소시킬 수 있다.일 실시예에서는, 왼쪽 인접 영역은, 대상 구획의 왼쪽 아래의 인접 구획을 포함해도 된다. 이 왼쪽 아래의 인접 구획은, 대상 구획 내의 왼쪽 아래의 화소에 대하여 왼쪽 아래에 존재하는 인접 화소를 포함하는 구획이다. 이 예는, 왼쪽 아래의 인접 구획의 움직임 벡터를 독립된 예측 움직임 벡터 후보로 하지 않고, 왼쪽 아래의 인접 구획을 왼쪽 인접 영역에 포함하여 상기 왼쪽 인접 영역으로부터 제1 예측 움직임 벡터 후보를 결정한다. 이로써, 예측 움직임 벡터 후보의 수를 감소시킬 수 있다. 그 결과, 예측 움직임 벡터 지시 정보의 부호화 데이터의 부호량을 감소시킬 수 있다.일 실시예에서는, 위쪽 인접 영역은, 대상 구획의 오른쪽 위의 인접 구획을 포함해도 된다. 이 오른쪽 위의 인접 구획은, 대상 구획 내의 오른쪽 위의 화소에 대하여 오른쪽 위에 존재하는 인접 화소를 포함하는 구획이다. 이 예는, 오른쪽 위의 인접 구획의 움직임 벡터를 독립된 예측 움직임 벡터 후보로 하지 않고, 오른쪽 위의 인접 구획을 위쪽 인접 영역에 포함하여 상기 위쪽 인접 영역으로부터 제2 예측 움직임 벡터 후보를 결정한다. 이로써, 예측 움직임 벡터 후보의 수를 감소시킬 수 있다. 그 결과, 예측 움직임 벡터 지시 정보의 부호화 데이터의 부호량을 감소시킬 수 있다.일 실시예에서는, 왼쪽 인접 영역 또는 위쪽 인접 영역 중 어느 한쪽이, 대상 구획의 왼쪽 위의 인접 구획을 포함해도 된다. 이 왼쪽 위의 인접 구획은, 대상 구획 내의 왼쪽 위의 화소에 대하여 왼쪽 위에 존재하는 인접 화소를 포함하는 구획이다. 이 예는, 왼쪽 위의 인접 구획의 움직임 벡터를 독립된 예측 움직임 벡터 후보로 하지 않고, 왼쪽 위의 인접 구획을 왼쪽 인접 영역 또는 위쪽 인접 영역에 포함하여 예측 움직임 벡터 후보를 결정한다. 이로써, 예측 움직임 벡터 후보의 수를 감소시킬 수 있다. 그 결과, 예측 움직임 벡터 지시 정보의 부호화 데이터의 부호량을 감소시킬 수 있다.일 실시예에서는, 왼쪽 인접 영역 내에 포함되는 하나 이상의 구획을 아래쪽에서 위쪽 방향으로 스캔함으로써, 상기 하나 이상의 구획의 움직임 벡터로부터 소정의 예측 움직임 벡터 후보 결정 기준을 만족시키는 움직임 벡터를 제1 예측 움직임 벡터 후보로 결정해도 된다. 또한, 소정의 예측 움직임 벡터 후보 결정 기준을 만족시키는 움직임 벡터가 검출되었을 때, 이후의 왼쪽 인접 영역의 스캔을 정지해도 된다. 본 발명자가 다수의 동화상에 대하여 행한 조사에 기초한 지견(知見)에 의하면, 왼쪽 인접 영역의 구획 중 대상 구획의 움직임 벡터와의 오차가 적은 움직임 벡터를 가지는 구획은, 왼쪽 인접 영역 내에 있어서 아래쪽에 존재하는 경향이 있다. 따라서, 이러한 스캔 순서로 왼쪽 인접 영역을 스캔함으로써, 대상 구획의 움직임 벡터와의 오차가 적은 제1 예측 움직임 벡터 후보를 효율적으로 구할 수 있다.일 실시예에서는, 위쪽 인접 영역 내에 포함되는 하나 이상의 구획을 오른쪽에서 왼쪽 방향으로 스캔함으로써, 상기 하나 이상의 구획의 움직임 벡터로부터 소정의 예측 움직임 벡터 후보 결정 기준을 만족시키는 움직임 벡터를 제2 예측 움직임 벡터 후보로 결정해도 된다. 또한, 소정의 예측 움직임 벡터 후보 결정 기준을 만족시키는 움직임 벡터가 검출되었을 때, 이후 위쪽 인접 영역의 스캔을 정지해도 된다. 본 발명자가 다수의 동화상에 대하여 행한 조사에 기초한 지견에 의하면, 위쪽 인접 영역의 구획 중 대상 구획의 움직임 벡터와의 오차가 적은 움직임 벡터를 가지는 구획은, 위쪽 인접 영역 내에 있어서 오른쪽에 존재하는 경향이 있다. 따라서, 이러한 스캔 순서로 위쪽 인접 영역을 스캔함으로써, 대상 구획의 움직임 벡터와의 오차가 적은 제2 예측 움직임 벡터 후보를 효율적으로 구할 수 있다.일 실시예에서는, 제1 예측 움직임 벡터 후보를 결정하기 위해 왼쪽 인접 영역 내에 포함되는 하나 이상의 구획을 스캔하는 방향을 나타내는 제1 스캔 방향 지시 정보를 결정하고, 제2 예측 움직임 벡터 후보를 결정하기 위해 위쪽 인접 영역 내에 포함되는 하나 이상의 구획을 스캔하는 방향을 나타내는 제2 스캔 방향 지시 정보를 결정하고, 제1 스캔 방향 지시 정보 및 제2 스캔 방향 지시 정보를 또한 부호화해도 된다. 이 예에서는, 왼쪽 인접 영역 내에 있어서 상하 양 방향으로 스캔이 행해지고, 소정의 예측 움직임 벡터 후보 결정 기준을 만족시키는 움직임 벡터가 선택된다. 상하 양 방향에 있어서 선택된 움직임 벡터 중, 최적인 움직임 벡터가 제1 예측 움직임 벡터 후보가 되고, 상기 제1 예측 움직임 벡터 후보가 탐색된 스캔 방향을 나타내는 정보가 제1 스캔 방향 지시 정보가 된다. 또한, 위쪽 인접 영역 내에 있어서 좌우 양 방향으로 스캔이 행해지고, 소정의 예측 움직임 벡터 후보 결정 기준을 만족시키는 움직임 벡터가 선택된다. 좌우 양 방향에 있어서 선택된 움직임 벡터 중, 최적인 움직임 벡터가 제2 예측 움직임 벡터 후보가 되고, 상기 제2 예측 움직임 벡터 후보가 탐색된 방향을 나타내는 정보가 제2 스캔 방향 지시 정보가 된다. 이러한 예에 의하면, 부호화 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 제1 예측 움직임 벡터 후보 및 제2 예측 움직임 벡터 후보를 결정할 수 있다.일 실시예에서는, 하나 이상의 예측 움직임 벡터 후보의 수가 3 이하라도 된다. 이 예에 의하면, 예측 움직임 벡터 지시 정보의 부호화 데이터의 부호량을 더욱 감소시킬 수 있다.일 실시예에서는, 대상 구획의 움직임 벡터와 최적 예측 움직임 벡터 사이의 잔차 신호(residual signal)를 부호화하지 않고, 최적 예측 움직임 벡터를 대상 구획의 움직임 벡터로서 사용해도 된다. 이러한 예에서는, 움직임 벡터의 잔차 신호가 부호화되지 않으므로, 부호화 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.본 발명의 다른 일 측면은 움직임 벡터의 예측 복호 기술에 관한 것이다.**본 발명의 일 측면에 따른 움직임 벡터를 예측 복호하는 방법은, 복수의 프레임 화상의 시간 계열로 구성되는 동화상을 복원하는 움직임 보상 예측에 사용되는 움직임 벡터의 예측 복호 방법으로서, (a) 복호 대상의 프레임 화상 내의 대상 구획에 대하여 왼쪽에 위치하는 왼쪽 인접 영역에 속하는 하나 이상의 구획의 움직임 벡터로부터, 소정의 예측 움직임 벡터 후보 결정 기준을 만족시키는 하나의 제1 예측 움직임 벡터 후보를 결정하는 단계; (b) 상기 대상 구획에 대하여, 위쪽에 위치하는 위쪽 인접 영역에 속하는 하나 이상의 구획의 움직임 벡터로부터, 소정의 예측 움직임 벡터 후보 결정 기준을 만족시키는 하나의 제2 예측 움직임 벡터 후보를 결정하는 단계; (c) 부호화 데이터를 복호하여, 상기 대상 구획용의 최적 예측 움직임 벡터를 특정하기 위한 예측 움직임 벡터 지시 정보를 복원하는 단계; 및 (d) 적어도 상기 제1 예측 움직임 벡터 후보와 상기 제2 예측 움직임 벡터 후보를 포함하는 하나 이상의 예측 움직임 벡터 후보로부터, 상기 예측 움직임 벡터 지시 정보에 의해 특정되는 최적 예측 움직임 벡터를 선택하는 단계를 포함하고 있다.또한, 본 발명의 일 측면에 따른 움직임 벡터를 예측 복호하는 장치는, 복수의 프레임 화상의 시간 계열로 구성되는 동화상을 복원하는 움직임 보상 예측에 사용되는 움직임 벡터를 예측 복호하는 장치로서, 복호 대상의 프레임 화상 내의 대상 구획에 대하여 왼쪽에 위치하는 왼쪽 인접 영역에 속하는 하나 이상의 구획의 움직임 벡터로부터, 소정의 예측 움직임 벡터 후보 결정 기준을 만족시키는 하나의 제1 예측 움직임 벡터 후보를 결정하는 제1 예측 움직임 벡터 후보 결정 수단; 상기 대상 구획에 대하여, 위쪽에 위치하는 위쪽 인접 영역에 속하는 하나 이상의 구획의 움직임 벡터로부터, 소정의 예측 움직임 벡터 후보 결정 기준을 만족시키는 하나의 제2 예측 움직임 벡터 후보를 결정하는 제2 예측 움직임 벡터 후보 결정 수단; 부호화 데이터를 복호하여, 상기 대상 구획용의 최적 예측 움직임 벡터를 특정하기 위한 예측 움직임 벡터 지시 정보를 복원하는 복호 수단; 및 적어도 상기 제1 예측 움직임 벡터 후보와 상기 제2 예측 움직임 벡터 후보를 포함하는 하나 이상의 예측 움직임 벡터 후보로부터, 상기 예측 움직임 벡터 지시 정보에 의해 특정되는 최적 예측 움직임 벡터를 선택하는 최적 예측 벡터 결정 수단을 포함하고 있다.또한, 본 발명의 일 측면에 따른 움직임 벡터를 예측 복호하는 프로그램은, 컴퓨터를, 복수의 프레임 화상의 시간 계열로 구성되는 동화상을 복원하는 움직임 보상 예측에 사용되는 움직임 벡터를 예측 복호하는 장치로서 동작시키는 프로그램으로서, 상기 컴퓨터를, 전술한 제1 예측 움직임 벡터 후보 결정 수단, 제2 예측 움직임 벡터 후보 결정 수단, 복호 수단, 및 최적 예측 벡터 결정 수단으로서 기능하게 한다.전술한 본 발명의 일 측면에 따른 움직임 벡터의 예측 복호 기술에 의하면, 예측 움직임 벡터 좁힌 후에, 대상 구획의 움직임 벡터와 예측 움직임 벡터 후보의 비교에 기초하여 예측 움직임 벡터가 결정된다. 따라서, 예측 움직임 벡터의 결정에 필요한 연산량을 삭감할 수 있다.일 실시예에서는, 대상 구획의 화상 신호의 예측 신호는, 참조 화면 리스트 식별 번호 및 참조 화면 번호에 의해 특정되는 프레임 번호를 가지는 참조 프레임을 참조함으로써 생성되고, 대상 구획용의 참조 화면 리스트 식별 번호 및/또는 참조 화면 번호와 일치하는 참조 화면 리스트 식별 번호 및/또는 참조 화면 번호를 가지는 왼쪽 인접 영역의 구획의 움직임 벡터로부터, 제1 예측 움직임 벡터 후보가 결정되고, 대상 구획용의 참조 화면 리스트 식별 번호 및/또는 참조 화면 번호와 일치하는 참조 화면 리스트 식별 번호 및/또는 참조 화면 번호를 가지는 위쪽 인접 영역의 구획의 움직임 벡터로부터, 제2 예측 움직임 벡터 후보가 결정되어도 된다.일 실시예에서는, 예측 움직임 벡터 지시 정보의 부호화 데이터의 비트 수는, 예측 움직임 벡터 후보의 수에 따른 비트 수라도 된다. 예를 들면, 예측 움직임 벡터 지시 정보의 부호화 데이터의 비트 수는, 예측 움직임 벡터 후보의 수에 따른 최소수의 비트 수라도 된다. 이 예에 의하면, 예측 움직임 벡터 지시 정보의 부호화 데이터의 부호량을 감소시킬 수 있다.일 실시예에서는, 왼쪽 인접 영역이, 대상 구획의 왼쪽 아래의 인접 구획을 포함해도 된다. 이 형태는, 왼쪽 아래의 인접 구획의 움직임 벡터를 독립된 예측 움직임 벡터 후보로 하지 않고, 왼쪽 아래의 인접 구획을 왼쪽 인접 영역에 포함하여 상기 왼쪽 인접 영역으로부터 제1 예측 움직임 벡터 후보를 결정한다. 이로써, 예측 움직임 벡터 후보의 수를 감소시킬 수 있다. 그 결과, 예측 움직임 벡터 지시 정보의 부호화 데이터의 부호량을 감소시키고, 부호화 데이터로부터 예측 움직임 벡터 지시 정보를 복원하는 복호 처리의 연산량을 삭감할 수 있다.일 실시예에서는, 위쪽 인접 영역이, 대상 구획의 오른쪽 위의 인접 구획을 포함해도 된다. 이 형태는, 오른쪽 위의 인접 구획의 움직임 벡터를 독립된 예측 움직임 벡터 후보로 하지 않고, 오른쪽 위의 인접 구획을 위쪽 인접 영역에 포함하여 상기 위쪽 인접 영역으로부터 제2 예측 움직임 벡터 후보를 결정한다. 이로써, 예측 움직임 벡터 후보의 수를 감소시킬 수 있다. 그 결과, 예측 움직임 벡터 지시 정보의 부호화 데이터의 부호량을 감소시키고, 부호화 데이터로부터 예측 움직임 벡터 지시 정보를 복원하는 복호 처리의 연산량을 삭감할 수 있다.일 실시예에서는, 왼쪽 인접 영역 또는 위쪽 인접 영역 중 어느 한쪽이, 대상 구획의 왼쪽 위의 인접 구획을 포함해도 된다. 이 예는, 왼쪽 위의 인접 구획의 움직임 벡터를 독립된 예측 움직임 벡터 후보로 하지 않고, 왼쪽 위의 인접 구획을 왼쪽 인접 영역 또는 위쪽 인접 영역에 포함하여 예측 움직임 벡터 후보를 결정한다. 이로써, 예측 움직임 벡터 후보의 수를 감소시킬 수 있다. 그 결과, 예측 움직임 벡터 지시 정보의 부호화 데이터의 부호량을 감소시키고, 부호화 데이터로부터 예측 움직임 벡터 지시 정보를 복원하는 복호 처리의 연산량을 삭감할 수 있다.일 실시예에서는, 왼쪽 인접 영역 내에 포함되는 하나 이상의 구획을 아래쪽에서 위쪽 방향으로 스캔함으로써, 상기 하나 이상의 구획의 움직임 벡터로부터 소정의 예측 움직임 벡터 후보 결정 기준을 만족시키는 움직임 벡터를 제1 예측 움직임 벡터 후보로 결정해도 된다. 또한, 소정의 예측 움직임 벡터 후보 결정 기준을 만족시키는 움직임 벡터가 검출되었을 때, 이후의 왼쪽 인접 영역의 스캔을 정지해도 된다. 이러한 스캔 순서로 왼쪽 인접 영역을 스캔함으로써, 대상 구획의 움직임 벡터와의 오차가 적은 제1 예측 움직임 벡터 후보를 효율적으로 구할 수 있다.일 실시예에서는, 위쪽 인접 영역 내에 포함되는 하나 이상의 구획을 오른쪽에서 왼쪽 방향으로 스캔함으로써, 상기 하나 이상의 구획의 움직임 벡터로부터 소정의 예측 움직임 벡터 후보 결정 기준을 만족시키는 움직임 벡터를 제2 예측 움직임 벡터 후보로 결정해도 된다. 또한, 소정의 예측 움직임 벡터 후보 결정 기준을 만족시키는 움직임 벡터가 검출되었을 때, 이후 위쪽 인접 영역의 스캔을 정지해도 된다. 이러한 스캔 순서로 위쪽 인접 영역을 스캔함으로써, 대상 구획의 움직임 벡터와의 오차가 적은 제2 예측 움직임 벡터 후보를 효율적으로 구할 수 있다.일 실시예에서는, 부호화 데이터를 복호하여, 왼쪽 인접 영역 내에 포함되는 하나 이상의 구획을 스캔하는 방향을 특정하기 위한 제1 스캔 방향 지시 정보, 및 위쪽 인접 영역 내에 포함되는 하나 이상의 구획을 스캔하는 방향을 특정하기 위한 제2 스캔 방향 지시 정보를 복원하여, 제1 스캔 방향 지시 정보에 의해 특정되는 방향으로 왼쪽 인접 영역에 포함되는 하나 이상의 구획을 스캔하여, 제1 예측 움직임 벡터 후보를 결정하고, 제2 스캔 방향 지시 정보에 의해 특정되는 방향으로 위쪽 인접 영역에 포함되는 하나 이상의 구획을 스캔하여, 제2 예측 움직임 벡터 후보를 결정해도 된다. 이러한 예에 의하면, 대상 구획의 움직임 벡터에 대한 오차가 더욱 적은 제1 예측 움직임 벡터 후보 및 제2 예측 움직임 벡터 후보를 결정할 수 있다.일 실시예에서는, 하나 이상의 예측 움직임 벡터 후보의 수가 3 이하라도 된다. 이 형태에 의하면, 예측 움직임 벡터 지시 정보의 부호량을 더욱 감소시킬 수 있다.일 실시예에서는, 최적 예측 움직임 벡터를 대상 구획의 움직임 벡터로서 사용해도 된다. 이러한 형태에서는, 움직임 벡터의 잔차 신호가 부호화되지 않으므로, 부호화 데이터의 데이터량을 감소시킬 수 있다. [ 발명의 효과 ] 이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 여러 측면 및 실시예에 따르면, 예측 움직임 벡터의 결정에 필요한 연산량을 감소시킬 수 있는 움직임 벡터의 예측 부호화 방법, 예측 부호화 장치, 및 예측 부호화 프로그램, 그리고 움직임 벡터의 예측 복호 방법, 예측 복호 장치, 및 예측 복호 프로그램이 제공될 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1a는 움직임 보상 예측에 사용되는 인접 직사각형 구획을 예시하는 도면이다.도 1b는 움직임 보상 예측에 사용되는 인접 직사각형 구획을 예시하는 도면이다.도 2는 일 실시예에 따른 동화상 부호화 장치의 구성을 나타낸 도면이다.도 3은 움직임 벡터의 예측 부호화 방법의 일 실시예를 나타낸 흐름도이다.도 4는 움직임 보상 예측에 사용되는 인접 직사각형 구획을 예시하는 도면이다.도 5는 도 3의 단계 S302의 처리의 제1 실시예를 상세하게 나타낸 흐름도이다.도 6은 도 3의 단계 S303의 처리의 제1 실시예를 상세하게 나타낸 흐름도이다.도 7은 일 실시예에 따른 동화상 복호 장치의 구성을 나타낸 도면이다.도 8은 움직임 벡터의 예측 복호 방법의 일 실시예를 나타낸 흐름도이다.도 9는 제2 실시예의 움직임 벡터의 예측 부호화 방법에서의 예측 움직임 벡터 후보의 결정 처리를 나타낸 흐름도이다.도 10은 제2 실시예의 움직임 벡터의 예측 복호 방법을 나타낸 흐름도이다.도 11은 일 실시예에 따른 동화상 부호화 프로그램의 구성을 나타낸 도면이다.도 12는 일 실시예에 따른 동화상 복호 프로그램의 구성을 나타낸 도면이다.도 13은 일 실시예에 따른 컴퓨터의 하드웨어 구성을 나타낸 도면이다.도 14는 일 실시예에 따른 컴퓨터를 나타낸 사시도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 도면을 참조하여 각종 실시예에 대하여 상세하게 설명한다. 그리고, 각 도면에서 동일 또는 상당하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하기로 한다.도 2는 일 실시예에 따른 동화상 부호화 장치의 구성을 나타낸 도면이다. 도 2에 나타낸 동화상 부호화 장치(20)는 본 발명의 일 측면에 따른 움직임 벡터를 예측 부호화하는 장치의 일례이다.동화상 부호화 장치(20)에 입력되는 동화상은, 프레임 화상의 시간 계열로 구성된다. 이하, 부호화 처리 대상의 프레임 화상 신호를 "현(現) 프레임"이라고 한다. 동화상 부호화 장치(20)에서는, 현 프레임은 가변 사이즈의 직사각형의 구획으로 분할되고, 구획 단위로 이하에 설명하는 처리가 행해진다.동화상 부호화 장치(20)는, 예측 모드로서, 화면 간 예측 모드와 복수의 화면 내 예측 모드를, 구획마다 전환하여 사용할 수 있다. 예를 들면, 동화상 부호화 장치(20)에서는, 구획마다, 화면 간 예측 모드 및 복수의 화면 내 예측 모드 중 부호화 효율이 양호한 예측 모드가 선택된다. 여기서, "화면 간 예측 모드"란, 프레임 화상 신호와 시간적으로 상이한, 복수의 부호화 완료된 프레임 화상 신호(참조 프레임 화상 신호)를 참조하여 움직임 벡터를 검출함으로써, 움직임 보상 프레임 간 예측을 행하는 모드이다. 또한, "화면 내 예측 모드"란, 동일 공간상의 부호화 완료된 근방의 영역의 화소값을 사용한 공간 예측을 행하는 모드이다. 그리고, "화면 간 예측 모드"에 있어서는, 예를 들면, N×N화소의 구획을 임의 사이즈(예를 들면, N/2 화소×N 라인이나 N/4 화소×N/4 라인)로 더욱 분할한 소구획마다 움직임 검출, 움직임 예측, 및 움직임 보상의 각각의 처리를 행할 수 있다.도 2에 나타낸 바와 같이, 동화상 부호화 장치(20)는, 입력기(201), 움직임 검출기(202), 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203), 예측 움직임 벡터 결정기(204), 움직임 벡터 차분기(205), 움직임 보상기(206), 메모리(207), 공간 예측기(208), 예측 방법 결정기(209), 감산기(210), 변환기(211), 양자화기(212), 엔트로피 부호화기(213), 역양자화기(214), 역변환기(215), 및 가산기(216)를 구비할 수 있다.입력기(201)는 외부로부터 입력되는 동화상 신호로서의 입력 영상 신호를 수신하고, 그 동화상 신호를 프레임 화상 신호로 분해한다. 입력기(201)는 프레임 화상 신호를, 라인(L201a, L201b)을 통하여, 감산기(210) 및 움직임 검출기(202)에 출력한다.메모리(207)는 과거에 부호화 완료된 프레임 화상 신호 및 그 예측에 사용된 정보(움직임 벡터, 참조 화면 리스트 식별 번호, 참조 화면 번호) 등을 기억시켜 두는 부분이다.움직임 검출기(202)는 움직임 벡터의 검출을 행한다. 더욱 구체적으로는, 움직임 검출기(202)는 라인(L207a)을 경유하여 메모리(207)로부터 입력되는 참조 프레임 화상 신호를 사용하여, 그 참조 프레임 내의 소정의 탐색 범위 내에서, 라인(L201a)을 경유하여 입력되는 현 프레임 내의 대상 구획의 화상 신호 패턴과 유사한 화상 신호 패턴을 탐색한다. 움직임 검출기(202)는, 대상 구획과 탐색한 화상 신호 패턴 사이의 공간적인 변위량인 움직임 벡터, 그리고 이용한 참조 프레임의 프레임 번호를 특정하기 위한 참조 화면 리스트 식별 번호 및 참조 화면 번호를 검출한다. 검출된 움직임 벡터, 참조 화면 리스트 식별 번호, 및 참조 화면 번호는, 라인(L202a)을 경유하여 움직임 보상기(206)에, 또한 라인(L202c)을 경유하여 움직임 벡터 차분기(205)에 출력된다. 또한, 움직임 검출기(202)는 검출한 참조 화면 리스트 식별 번호 및 참조 화면 번호를, 라인(L202b)을 경유하여, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)에 출력한다. 그리고, 동화상 부호화 장치(20)에서는, 참조 프레임 화상 신호를 특정하는 프레임 번호를 리스트 형식으로 관리할 수 있다. 프레임 번호를 특정하기 위해서는, 리스트를 특정하기 위한 참조 화면 리스트 식별 번호(Reference Picutre List), 및 리스트 내에서의 프레임 번호의 인덱스가 되는 참조 화면 번호(Reference Index)가 사용된다. 이러한 기술은 H.264/AVC 등에 의해 공지의 기술이다.예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 라인(L207b)을 경유하여 입력되는 부호화 완료된 복수의 인접 구획의 움직임 벡터를 사용하여, 예측 움직임 벡터 후보를 결정한다. 이 예측 움직임 벡터 후보의 결정에 관한 자세한 것은 후술한다. 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 결정한 예측 움직임 벡터 후보를 라인(L203)을 경유하여 예측 움직임 벡터 결정기(204)에 출력한다.예측 움직임 벡터 결정기(204)는, 라인(L203)을 경유하여 입력된 예측 움직임 벡터 후보로부터 최적 예측 움직임 벡터(예측 움직임 벡터값)를 결정한다. 더욱 구체적으로는, 예측 움직임 벡터 결정기(204)는, 예측 움직임 벡터 후보 중, 라인(L202c)을 경유하여 입력된 대상 구획의 움직임 벡터에 대한 차분이 가장 작은 예측 움직임 벡터 후보를 최적 예측 움직임 벡터 PMVopt로 결정한다. 결정된 최적 예측 움직임 벡터 PMVopt는 라인(L204a)을 경유하여 움직임 벡터 차분기(205)에 전송된다. 또한, 예측 움직임 벡터 후보의 수, 및 예측 움직임 벡터 후보로부터 최적 예측 움직임 벡터 PMVopt를 특정하기 위한 예측 움직임 벡터 지시 정보가 라인(L204b)을 경유하여 엔트로피 부호화기(213)에 전송된다.그리고, 본 실시예에서는, 대상 구획의 움직임 벡터에 대한 차분이 가장 작아지는 예측 움직임 벡터 후보가, 최적 예측 움직임 벡터 PMVopt로 선택되어 있지만, 예측 움직임 벡터 결정기(204)는 산출되는 움직임 벡터 차분에 대하여 할당되는 부호량이 가장 작은 예측 움직임 벡터 후보를 최적 예측 움직임 벡터 PMVopt로 선택해도 된다.또한, 본 실시예에서는, 대상 구획의 움직임 검출의 후에 최적 예측 움직임 벡터를 결정했지만, 움직임 검출 전에 최적 예측 움직임 벡터가 검출되어도 된다. 구체적으로는, 아래의 식에 나타낸 바와 같이, 실제로 산출된 각 예측 움직임 벡터 후보를 사용하여 움직임 보상을 행했을 때의 예측 화상 신호와 대상 화상 신호의 절대값 차분의 합(SADpmｖ), 및 그 예측 움직임 벡터 후보를 부호화한 경우의 부호량 Rpmｖ와 부호량에 대한 가중치인 λ을 사용한 비용 함수에 기초하여 최적 예측 움직임 벡터가 산출되어도 된다. 이 경우에는, 도 2의 예측 움직임 벡터 결정기(204)에 대하여 라인(L201a)으로부터 대상 구획의 화상 신호가 입력되고, 라인(L207a)으로부터 참조 프레임 화상 신호가 입력되면 된다.[수학식 1]움직임 벡터 차분기(205)는, 라인(L202c)을 경유하여 입력된 움직임 벡터와 라인(L204a)을 경유하여 입력된 최적 예측 움직임 벡터의 차분 정보인 움직임 벡터 차분값을 산출한다. 움직임 벡터 차분기(205)는, 산출한 움직임 벡터 차분값과 참조 화면 리스트 식별 번호 및 참조 화면 번호를 포함하는 신호를 예측 정보로서 라인(L205a)을 경유하여 엔트로피 부호화기(213)에 전송한다. 또한, 움직임 벡터 차분기(205)는, 라인(L205b)을 경유하여 움직임 벡터와 참조 화면 리스트 식별 번호 및 참조 화면 번호를 포함하는 신호를 메모리(207)에 송신한다.움직임 보상기(206)는, 움직임 검출기(202)로부터 수취한 참조 화면 리스트 식별 번호 및 참조 화면 번호에 의해 특정되는 프레임 번호의 참조 프레임 화상 신호를 참조하고, 움직임 검출기(202)로부터 수취한 움직임 벡터를 사용하여, 대상 구획의 예측 화상 신호를 생성한다. 이 예측 화상 신호는 예측 방법 결정기(209)에 출력된다.공간 예측기(208)는 라인(L207a)을 경유하여 입력되는 부호화 완료된 근방의 영역의 화상 신호(참조 프레임 화상 신호)를 참조하여, 예측 화상 신호를 생성한다. 공간 예측기(208)는 생성한 예측 화상 신호를 예측 방법 결정기(209)에 출력한다.예측 방법 결정기(209)는, 움직임 보상기(206) 및 공간 예측기(208)로부터 수신한 예측 화상 신호를 비교하여, 어느 한쪽의 예측 화상 신호를 선택하고, 선택한 예측 화상 신호를 감산기(210)에 출력한다. 또한, 예측 방법 결정기(209)는 선택한 예측 화상 신호를 생성한 예측 방법을 나타내는 예측 모드 정보를, 라인(L209b)을 경유하여 엔트로피 부호화기(213)에 출력한다.감산기(210)는 라인(L201b)을 경유하여 입력되는 프레임 화상 신호와 라인(L209a)을 경유하여 입력되는 예측 화상 신호의 차분값(예측 잔차 신호)을 생성하고, 그 예측 잔차 신호를 변환기(211)에 출력한다.변환기(211)는 라인(L210)을 경유하여 입력되는 예측 잔차 신호를 직교 변환함으로써, 직교 변환계수를 생성하여, 그 직교 변환계수를 양자화기(212)에 출력한다. 양자화기(212)는 라인(L211)을 경유하여 입력되는 직교 변환계수를 양자화함으로써, 양자화 직교 변환계수를 생성하고, 양자화 직교 변환계수를 엔트로피 부호화기(213) 및 역양자화기(212)에 전송한다.엔트로피 부호화기(213)는 라인(L212)을 경유하여 입력되는 양자화 직교 변환계수와, 예측 방법 결정기(209)로부터 받은 예측 모드 정보와, 움직임 벡터 차분기(205)로부터 송신된 예측 정보와, 예측 움직임 벡터 결정기(204)로부터 출력된 예측 움직임 벡터 지시 정보에 대하여 엔트로피 부호화를 행하여, 생성한 부호화 데이터를 압축 스트림에 다중화하여, 그 압축 스트림을 외부로 전송한다.역양자화기(214)는 라인(L212)을 경유하여 입력되는 양자화 직교 변환계수를 역양자화함으로써 직교 변환계수를 생성하고, 그 직교 변환계수를 역직교 변환기(215)에 전송한다. 그리고, 역직교 변환기(215)는 라인(L214)을 경유하여 입력되는 직교 변환계수에 대하여 역직교 변환을 적용함으로써, 예측 잔차 신호를 생성하고, 그 예측 잔차 신호를 가산기(216)에 전송한다.가산기(216)는 라인(L215)을 경유하여 입력되는 예측 잔차 신호와 라인(L209a)을 경유하여 입력되는 예측 화상 신호를 가산하여 프레임 화상 신호를 생성하고, 그 프레임 화상 신호를 메모리(207)에 전송한다. 이 프레임 화상 신호는 메모리(207)에 저장되고, 이후의 부호화 처리에 의해, 참조 프레임 화상 신호로서 사용된다. 또한, 메모리(207)에는, 라인(L205b)을 경유하여 입력된 움직임 벡터나 참조 화면 리스트 식별 번호 및 참조 화면 번호 등도 참조 프레임 화상 신호와 관련지어져 저장된다.이하, 동화상 부호화 장치(20)에 의해 사용될 수 있는 움직임 벡터의 예측 부호화 방법의 일 실시예에 대하여 설명한다.먼저, 도 1b를 참조하여, 대상 구획에 인접하는 구획에 대하여 설명한다. 구획(BL, BL1, BL2)은 대상 구획(BT)의 왼쪽 경계에 접하는 구획이다. 구획(BD)은 대상 구획(BT) 내의 왼쪽 아래의 화소에 대하여 왼쪽 아래에 존재하는 인접 화소를 포함하는 구획이다. 또한, 구획(BE)는, 대상 구획(BT) 내의 왼쪽 위의 화소에 대하여 왼쪽 위에 존재하는 인접 화소를 포함하는 구획이다. 구획(BA, BA1, BA2)은 대상 구획(BT)의 위쪽 경계에 접하는 구획이다. 구획(BRA)는 대상 구획(BT) 내의 오른쪽 위의 화소에 대하여 오른쪽 위에 존재하는 인접 화소를 포함하는 구획이다. 그리고, 대상 구획에 인접하는 구획은, 도 1a에 나타낸 바와 같이, 대상 구획(BT)과 동일한 사이즈의 구획이라도 된다.다음에, 도 3을 참조한다. 도 3은 움직임 벡터의 예측 부호화 방법의 일 실시예를 나타낸 흐름도이다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 일 실시예의 움직임 벡터의 예측 부호화 방법에 있어서는, 먼저, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)에, 참조 화면 리스트 식별 번호 및 참조 화면 번호가 입력된다(단계 S301).다음에, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)가, 대상 구획(BT)의 왼쪽 인접 영역에 포함되는 하나 이상의 구획의 움직임 벡터로부터 예측 움직임 벡터 후보 PMV1을 결정한다(단계 S302). 예측 움직임 벡터 후보 PMV1의 결정 방법에 대한 자세한 것은 후술한다.다음에, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는, 대상 구획(BT) 위쪽 인접 영역에 포함되는 하나 이상의 구획의 움직임 벡터로부터 예측 움직임 벡터 후보 PMV2를 결정한다(단계 S303). 예측 움직임 벡터 후보 PMV2의 결정 방법에 대한 자세한 것은 후술한다.다음에, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는, 예측 움직임 벡터 후보 PMV3를 결정한다(단계 S304). 본 실시예에서는, 참조 프레임 내의 구획이고 대상 구획과 공간적으로 동일 위치의 구획의 움직임 벡터가, 예측 움직임 벡터 후보 PMV3으로 결정된다.그리고, 예측 움직임 벡터 후보 PMV3으로서는, 참조 프레임 내의 대상 구획과 동일 위치의 구획의 움직임 벡터 대신에, 그 외의 공간적으로 인접하는 구획의 움직임 벡터가 사용되어도 된다. 또한, 예측 움직임 벡터 후보 PMV1과 예측 움직임 벡터 후보 PMV2에 기초하여 계산되는 평균값 등이, 예측 움직임 벡터 후보 PMV3으로서 사용되어도 된다.또한, 예측 움직임 벡터 후보의 수는 3 이상이라도 된다. 이 경우에, 왼쪽 인접 영역 및 위쪽 인접 영역 각각으로부터 상이한 방법으로 복수의 예측 움직임 벡터 후보가 결정되어도 된다. 더욱 구체적으로는, 왼쪽 인접 영역 및 위쪽 인접 영역 각각에 있어서, 복수의 상이한 스캔 방향으로 각 영역 내의 구획을 탐색함으로써 복수의 예측 움직임 벡터 후보를 결정해도 된다. 또한, 그 외의 인접 영역의 움직임 벡터가 예측 움직임 벡터 후보로서 사용되어도 된다.도 3으로 돌아가서, 이어서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는, 예측 움직임 벡터 후보 PMV1, 예측 움직임 벡터 후보 PMV2, 및 예측 움직임 벡터 후보 PMV3 중, 동일하지는 않은 예측 움직임 벡터 후보만을 최종적인 예측 움직임 벡터 후보로 결정한다(단계 S305). 구체예를 나타내면, 예측 움직임 벡터 후보 PMV1과 예측 움직임 벡터 후보 PMV3이 동일한 경우에는, 예측 움직임 벡터 후보로서 PMV1과 PMV2만이 선택된다. 또한, 단계 S302 내지 S304에서 조건을 만족시키는 예측 움직임 벡터 후보가 결정되지 않은 경우에는, 영(零) 움직임 벡터가 예측 움직임 벡터 후보가 된다.이어서, 예측 움직임 벡터 결정기(204)가, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)에 의해 결정된 예측 움직임 벡터 후보로부터, 전술한 바와 같이 최적 예측 움직임 벡터를 결정한다(단계 S306).이어서, 부호화기(213)가, 최적 예측 움직임 벡터가 예측 움직임 벡터 후보 중 어느 것인지를 특정하기 위한 예측 움직임 벡터 지시 정보를 부호화한다(단계 S307).일 실시예에서는, 예측 움직임 벡터 지시 정보는, 예측 움직임 벡터 결정기(204)에 의해 선택된 예측 움직임 벡터 후보의 수에 따른 비트 수의 부호화 데이터로 부호화될 수 있다. 예를 들면, 예측 움직임 벡터 후보의 수가 0이나 1인 경우에는, 예측 움직임 벡터 지시 정보는 부호화되지 않고 전송되지 않는다. 또한, 예측 움직임 벡터 후보의 수가 2나 3인 경우에는, 예측 움직임 벡터 지시 정보는 최대 2비트로 부호화된다.그리고, 예측 움직임 벡터 후보의 수와는 관계없이 고정된 부호화 테이블에 기초하여 예측 움직임 벡터 지시 정보가 부호화되어도 된다. 이 경우에는, 이하의 부호화 테이블을 사용하여, 예측 움직임 벡터 지시 정보가 부호화될 수 있다.＜표 1. 부호화 테이블＞비트값 최적 예측 움직임 벡터0········예측 움직임 벡터 후보 1(PMV1)10······· 예측 움직임 벡터 후보 2(PMV2)11······· 예측 움직임 벡터 후보 3(PMV3)일 실시예에서는, 예측 움직임 벡터 후보 PMV1, 예측 움직임 벡터 후보 PMV2, 예측 움직임 벡터 후보 PMV3의 결정 순서는 변경되어도 된다. 예를 들면, 대상 구획을 복수의 소구획으로 분할하여 소구획마다 부호화 처리를 행할 때, 이 예를 이용할 수 있다. 구체적으로는, 대상 구획을 상하로 2 분할한 경우의 아래쪽의 소구획 및 대상 구획을 좌우로 2 분할한 경우의 왼쪽의 소구획을 대상 구획으로 하는 경우에는, 왼쪽 인접 영역, 위쪽 인접 영역, 그 외의 영역(예를 들면, 대상 구획과 동일 위치의 참조 프레임 내의 구획)의 순으로, 예측 움직임 벡터 후보를 결정할 수 있다. 한편, 대상 구획을 상하로 2 분할한 경우의 위쪽의 소구획 및 대상 구획을 좌우로 2 분할한 경우의 오른쪽의 소구획을 대상 구획으로 하는 경우에는, 이들 대상 구획에 대해서는, 위쪽 인접 영역, 왼쪽 인접 영역, 그 외의 영역(예를 들면, 대상 구획과 동일 위치의 참조 프레임 내의 구획)의 순으로, 예측 움직임 벡터 후보를 결정할 수 있다.이하, 일 실시예에 따른 예측 움직임 벡터 후보의 결정 처리에 관한 제1 실시예에 대하여 상세하게 설명한다. 먼저, 도 1b, 도 4, 및 도 5를 참조하여, 도 3의 단계 S302의 처리의 제1 실시예에 대하여 설명한다. 도 1b에 나타낸 바와 같이, 여기서는, 대상 구획에 대하여 왼쪽 아래의 인접 구획(BD) 및 대상 구획에 대하여 왼쪽에 인접하는 구획(BL, BL1, BL2)가 왼쪽 인접 영역을 구성하는 것으로 한다. 또한, 도 4의 (a)에 나타낸 인덱스 i의 오름차순으로 왼쪽 인접 영역 내의 구획이 스캔되는 것으로 한다. 즉, 왼쪽 인접 영역 내의 구획이 아래쪽에서부터 위쪽으로 차례로 스캔되는 것으로 한다.그리고, 왼쪽 아래의 인접 구획(BD)은, 왼쪽 인접 영역에 포함되어 있지 않아도 된다. 또한, 왼쪽 아래의 인접 구획(BD)보다 더 아래쪽의 구획이 왼쪽 인접 영역에 포함되어 있어도 된다. 또한, 구획(BE)이나 구획(BE)보다 위쪽에 위치하는 구획이 왼쪽 인접 영역에 포함되어 있어도 된다. 또한, 대상 구획의 왼쪽에 위치하고 그 대상 구획으로부터 일정 거리 떨어진 구획이 왼쪽 인접 영역에 포함되어 있어도 된다.도 4의 (a) 및 도 5로 돌아가서, 단계 S302의 처리에 있어서는, 먼저, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 인덱스 i를 0으로 설정한다(단계 S501). 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 계속되는 단계 S502에서, 인덱스 i를 1만큼 증분한다.이어서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는, 스캔 순서로 i 번째의 구획이 왼쪽 인접 영역에 존재하고, 또한 그 구획이 움직임 벡터를 가지는지의 여부를 판정한다(단계 S503). i 번째의 구획이 왼쪽 인접 영역에 존재하고, 또한 그 구획이 움직임 벡터를 가지는 경우에는, 계속되는 단계 S504에서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는, i 번째의 구획과 대상 구획이 동일한 참조 화면 리스트 식별 번호 및 참조 화면 번호를 가지는지의 여부를 판정한다. 단계 S504의 판정 조건이 충족되는 경우에는, 계속되는 단계 S505에서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 i 번째의 구획의 움직임 벡터를 예측 움직임 벡터 후보 PMV1로 결정하고, 계속되는 단계 S506에서, 예측 움직임 벡터 후보 PMV1을 출력하고, 처리를 종료한다.한편, 단계 S503의 판정 조건이 충족되지 않은 경우, 또는 단계 S504의 판정 조건이 충족되지 않은 경우에는, 처리는 단계 S507로 이행한다. 단계 S507에서는, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는, 인덱스 i가 왼쪽 인접 영역의 구획의 개수 N를 넘었는지의 여부를 판정한다. 단계 S507의 판정 조건이 충족되지 않은 경우, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는, 단계 S502에서부터의 처리를 속행한다. 한편, 단계 S507의 판정 조건이 충족된 경우, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 처리를 종료한다.그리고, 도 4의 (a)에 나타낸 예에서는, 왼쪽 인접 영역의 구획이 아래쪽에서부터 차례로 스캔 되지만, 일 실시예에서는, 도 4의 (c)에 나타낸 바와 같이, 위쪽에서부터 차례로 스캔되어도 된다.또한, 일 실시예에서는, 도 4의 (a)에 나타낸 스캔 순서와 도 4의 (c)에 나타낸 스캔 순서가 적응적으로 선택되어도 된다. 예를 들면, 인접 구획의 움직임 벡터의 관계에 기초하여, 스캔 순서가 결정되어도 된다. 구체적으로는, 도 1b의 구획(BL)의 움직임 벡터와 구획(BA)의 움직임 벡터의 절대값 차분 α와 구획(BRA)의 움직임 벡터와 구획(BD)의 움직임 벡터의 절대값 차분 β를 비교하고, 절대값 차분 α가 절대값 차분 β보다 작은 경우에는, 도 4의 (c)의 스캔 순서가 선택되어도 된다. 한편, 반대의 경우에는, 도 4의 (a)의 스캔 순서가 선택되어도 된다.또한, 일 실시예에서는, 단계 S502에서, 인덱스 i를 2 이상의 수치로 증분함으로써, 스캔하는 구획을 건너뛰어도 된다.이하, 도 1b, 도 4, 및 도 6을 참조하여, 도 3의 단계 S303의 처리의 제1 실시예에 대하여 상세하게 설명한다. 도 1b에 나타낸 바와 같이, 여기서는, 대상 구획에 대하여 왼쪽 위의 인접 구획(BE) 및 대상 구획에 대하여 위쪽에 인접하는 구획(BA, BA1, BA2)이 위쪽 인접 영역을 구성하는 것으로 한다. 또한, 도 4의 (a)에 나타낸 인덱스 j의 오름차순으로 위쪽 인접 영역 내의 구획이 스캔되는 것으로 한다. 즉, 위쪽 인접 영역 내의 구획이 오른쪽에서부터 왼쪽으로 차례로 스캔되는 것으로 한다.그리고, 왼쪽 위의 인접 구획(BE)은 위쪽 인접 영역에 포함되어 있지 않아도 된다. 또한, 왼쪽 위의 인접 구획(BE)보다 더욱 왼쪽의 구획이 위쪽 인접 영역에 포함되어 있어도 된다. 또한, 대상 구획 위쪽에 위치하고 그 대상 구획으로부터 일정 거리 떨어진 구획이 위쪽 인접 영역에 포함되어 있어도 된다.도 4의 (a) 및 도 6으로 돌아가서, 단계 S303의 처리에서는, 먼저, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 인덱스 j를 0으로 설정한다(단계 S601). 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는, 계속되는 단계 S602에서, 인덱스 j를 1만큼 증분한다.이어서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는, 스캔 순서로 j 번째의 구획이 위쪽 인접 영역에 존재하고, 또한 그 구획이 움직임 벡터를 가지는지의 여부를 판정한다(단계 S603). j 번째의 구획이 위쪽 인접 영역에 존재하고, 또한 그 구획이 움직임 벡터를 가지는 경우에는, 계속되는 단계 S604에서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는, j 번째의 구획과 대상 구획이 동일한 참조 화면 리스트 식별 번호 및 참조 화면 번호를 가지는지의 여부를 판정한다. 단계 S604의 판정 조건이 충족되는 경우에는, 계속되는 단계 S605에서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는, j 번째의 구획의 움직임 벡터가 예측 움직임 벡터 후보 PMV1과 동일한지 여부를 판정한다. j 번째의 구획의 움직임 벡터가 예측 움직임 벡터 후보 PMV1과 다른 경우에는, 계속되는 단계 S606에서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 j 번째의 구획의 움직임 벡터를 예측 움직임 벡터 후보 PMV2로 결정하고, 계속되는 단계 S607에서, 예측 움직임 벡터 후보 PMV2를 출력하고, 처리를 종료한다.**한편, 단계 S603의 판정 조건이 충족되지 않은 경우, 단계 S604의 판정 조건이 충족되지 않은 경우, 또는 단계 S605의 판정 조건이 충족되는 경우에는, 처리는, 단계 S608로 이행한다.단계 S608에서는, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는, 인덱스 j가 위쪽 인접 영역의 구획의 개수 M를 넘었는지의 여부를 판정한다. 단계 S608의 판정 조건이 충족되지 않은 경우, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는, 단계 S602에서부터의 처리를 속행한다. 한편, 단계 S608의 판정 조건이 충족된 경우, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 처리를 종료한다.그리고, 도 4의 (a)에 나타낸 예에서는, 위쪽 인접 영역의 구획이 오른쪽에서부터 차례로 스캔 되지만, 일 실시예에서는, 도 4의 (c)에 나타낸 바와 같이, 왼쪽에서부터 차례로 스캔되어도 된다.또한, 일 실시예에서는, 도 4의 (a)에 나타낸 스캔 순서와 도 4의 (c)에 나타낸 스캔 순서가 적응적으로 선택되어도 된다. 예를 들면, 인접 구획의 움직임 벡터의 관계에 기초하여, 스캔 순서가 결정되어도 된다. 구체적으로는, 도 1b의 구획(BL)의 움직임 벡터와 구획(BA)의 움직임 벡터의 절대값 차분 α와, 구획(BRA)의 움직임 벡터와 구획(BD)의 움직임 벡터의 절대값 차분 β를 비교하고, 절대값 차분 α가 절대값 차분 β보다 작은 경우에는, 도 4의 (c)의 스캔 순서가 선택되어도 된다. 한편, 반대의 경우에는, 도 4의 (a)의 스캔 순서가 선택되어도 된다.또한, 전술한 실시예에서는, 구획(BE)를 위쪽 인접 영역에 포함하고 있지만, 구획(BE)를 왼쪽 인접 영역에 포함해도 된다. 또한, 구획(BE)를 위쪽 인접 영역 및 왼쪽 인접 영역과는 독립된 영역으로 하고, 구획(BE)의 움직임 벡터를 별개의 예측 움직임 벡터 후보로서 취급해도 된다.또한, 전술한 실시예에서는, 인접 영역의 구획의 움직임 벡터를 예측 움직임 벡터 후보로서 선택하기 위한 판정 조건에, 참조 화면 리스트 식별 번호 및 참조 화면 번호의 양쪽을 사용하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 그 판정 조건에, 참조 화면 리스트 식별 번호 및 참조 화면 번호 중 한쪽이 사용되어도 된다. 또한, 참조 화면 번호를 사용하지 않는 경우에는, 참조 프레임과 대상 프레임 사이의 거리에 따라 인접 영역의 구획의 움직임 벡터의 스케일링을 행해도 된다. 또한, 그 외의 화면 내 예측의 정보를 사용해도 된다. 구체적으로는, 대상 구획의 크기와 인접 구획의 크기를 전술한 판정 조건의 하나로 해도 된다. 구체적으로는 대상 구획의 사이즈가 N×N 화소인 경우, 인접 영역 내의 구획의 사이즈가 N×N 화소인 것을 판정 조건으로 하거나, 또는 N/2×N/2 화소에서 2N×2N 화소인 사이즈의 구획인 것을 판정 조건이라도 된다.또한, 전술한 실시예에서는, 왼쪽 인접 영역의 예측 움직임 벡터 후보 PMV1가 산출된 후에, 위쪽 인접 영역의 예측 움직임 벡터 후보 PMV2의 산출이 행해지고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 왼쪽 인접 영역의 예측 움직임 벡터 후보 PMV1의 결정보다 먼저 위쪽 인접 영역의 예측 움직임 벡터 후보 PMV2가 결정되어도 된다. 이 경우, 왼쪽 인접 영역의 예측 움직임 벡터 후보 PMV1를 결정하는 처리에 있어서, 왼쪽 인접 영역에 포함되는 구획의 움직임 벡터가 위쪽 인접 영역의 예측 움직임 벡터 후보 PMV2와 동일함을 판정하는 처리를 행할 수 있다.또한, 전술한 실시예에서는, 단계 S605에서, 위쪽 인접 영역의 j 번째의 구획의 움직임 벡터가 왼쪽 인접 영역의 예측 움직임 벡터 후보 PMV1과 동일한지의 여부가 판정되고 있지만, 이 판정은 실시되지 않아도 된다. 이 경우, 단계 S604의 판정 조건이 충족되는 경우에, 직접 단계 S606의 처리를 행하면 된다.또한, 일 실시예에서는, 단계 S602에서, 인덱스 j를 2 이상의 수치로 증분함으로써, 스캔하는 구획을 건너뛰어도 된다.이하, 동화상 부호화 장치(20)에 의해 생성된 압축 스트림을 복호하여 동화상을 복원하는 동화상 복호 장치에 대하여 설명한다. 도 7은 일 실시예에 따른 동화상 복호 장치의 구성을 나타낸 도면이다. 도 7에 나타낸 동화상 복호 장치(30)는, 본 발명의 일 측면에 따른 움직임 벡터를 예측 복호하는 장치의 일례이다.도 7에 나타낸 바와 같이, 동화상 복호 장치(30)는 엔트로피 복호기(301), 예측 움직임 벡터 후보 결정기(302), 예측 움직임 벡터 결정기(303), 움직임 벡터 가산기(304), 움직임 보상기(305), 프레임 메모리(306), 공간 예측기(307), 예측 방법 결정기(308), 역양자화기(309), 역직교 변환기(310), 및 가산기(311)를 구비할 수 있다.엔트로피 복호기(301)는, 압축 스트림을 수신한 후, 그 압축 스트림에 있어서 각 프레임의 선두를 나타내는 동기 워드를 검출한 후, 분할 구획 단위로, 그 압축 스트림 내의 부호화 데이터로부터 예측 모드 정보와 양자화 직교 변환계수를 복원한다. 또한, 예측 모드 정보에 의해 특정되는 예측 모드가 "화면 간 예측 모드"인 경우에는, 엔트로피 복호기(301)는, 압축 스트림 내의 부호화 데이터를 복호하여, 움직임 벡터 차분 값, 참조 화면 리스트 식별 번호, 및 참조 화면 번호의 복원도 행한다.엔트로피 복호기(301)는 복원한 양자화 직교 변환계수를 라인(L301a)을 경유하여 역양자화기(309)에 전송한다. 또한, 엔트로피 복호기(301)는 예측 모드 정보, 참조 화면 리스트 식별 번호, 및 참조 화면 번호를 라인(L301b)을 경유하여 예측 움직임 벡터 후보 결정기(302)에 전송한다. 또한, 엔트로피 복호기(301)는 복원한 움직임 벡터 차분값을 라인(L301d)을 경유하여 움직임 벡터 가산기(304)에 전송한다. 또한, 엔트로피 복호기(301)는 복원한 예측 모드 정보를 라인(L301e)을 경유하여 예측 방법 결정기(308)에 전송한다.예측 움직임 벡터 후보 결정기(302)는, 수취한 예측 모드 정보에 의해 특정되는 예측 모드가 "화면 간 예측 모드"인 경우에, 복호 완료된 인접 구획의 움직임 벡터에서 예측 움직임 벡터 후보를 결정한다. 예측 움직임 벡터 후보 결정기(302)에 의해 행해지는 예측 움직임 벡터 후보의 결정에 관한 처리는, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)에 대하여 전술한 처리와 동일하므로, 여기서는, 그 설명을 생략한다. 이 예측 움직임 벡터 후보 결정기(302)는, 결정한 예측 움직임 벡터 후보를 라인(L302b)을 경유하여 예측 움직임 벡터 결정기(303)에 출력한다. 또한, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(302)는, 예측 움직임 벡터 후보의 수를 라인(L302a)을 경유하여 엔트로피 복호기(301)에 출력한다.엔트로피 복호기(301)는 라인(L302a)을 경유하여 예측 움직임 벡터 후보의 수를 수취하면, 그 수에 따라 압축 스트림 내의 부호화 데이터를 복호하여, 예측 움직임 벡터 지시 정보를 복원한다. 엔트로피 복호기(301)는 복원한 예측 벡터 지시 정보를 예측 움직임 벡터 결정기(303)에 전송한다. 더욱 구체적으로는, 예측 움직임 벡터 후보의 수가 0이나 1인 경우에는, 예측 움직임 벡터 지시 정보는 전송되어 오지 않기 때문에, 복원 처리는 행해지지 않는다. 또한, 예측 움직임 벡터 후보의 수가 2나 3인 경우에는, 최대 2비트의 부호화 데이터를 엔트로피 복호화함으로써, 예측 움직임 벡터 지시 정보가 복원된다.그리고, 엔트로피 복호기(301)는 예측 움직임 벡터 후보 결정기(302)에 의해 선택된 예측 움직임 벡터 후보의 수에 따라 부호화 데이터를 복호함으로써 예측 움직임 벡터 지시 정보의 복원을 행하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 예측 움직임 벡터 후보의 수와는 관계없이 전술한 표 1의 고정된 부호화 테이블을 사용하여 예측 움직임 벡터 지시 정보가 복원되어도 된다. 그리고, 고정 부호화 테이블의 설정은 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 예측 움직임 벡터 후보의 산출 전에, 예측 움직임 벡터 지시 정보가 복원되어도 된다.예측 움직임 벡터 결정기(303)는 라인(L302b)을 경유하여 입력된 예측 움직임 벡터 후보 중에서, 라인(L301c)을 경유하여 입력되는 예측 움직임 벡터 지시 정보에 기초하여, 최적 예측 움직임 벡터 PMVopt를 결정한다. 결정된 최적 예측 움직임 벡터 PMVopt는 라인(L303)을 경유하여 움직임 벡터 가산기(304)에 전송된다.**움직임 벡터 가산기(304)는, 엔트로피 복호기(301)로부터 송신된 움직임 벡터 차분값과 예측 움직임 벡터 결정기(303)로부터 송신된 최적 예측 움직임 벡터 PMVopt를 가산하여, 움직임 벡터를 복원한다. 움직임 벡터 가산기(304)는 복원한 움직임 벡터를 포함하는 신호를 라인(L304)을 경유하여 움직임 보상기(305)에 전송한다.움직임 보상기(305)는, 움직임 벡터 가산기(304)로부터 전송된 움직임 벡터와 라인(L301d)을 경유하여 엔트로피 복호기(301)로부터 송신되는 예측 모드 정보, 참조 화면 리스트 식별 번호, 및 참조 화면 번호에 기초하여, 메모리(306) 내의 참조 프레임 화상 신호를 선택하고, 선택한 참조 프레임 화상 신호를 사용하여, 예측 화상 신호를 생성한다. 움직임 보상기(305)는 라인(L305a)을 경유하여, 예측 화상 신호를 예측 방법 결정기(308)에 전송한다. 또한, 움직임 보상기(305)는 예측 화상 신호의 생성에 이용한 예측 모드 정보, 참조 화면 리스트 식별 번호, 및 참조 화면 번호를 라인(L305b)을 경유하여 메모리(306)에 출력한다. 그리고, 메모리(306)에는, 과거에 복호 완료된 프레임 화상 신호, 예측 모드 정보, 참조 화면 리스트 식별 번호, 및 참조 화면 번호가 저장되어 있다.또한, 공간 예측기(307)는 라인(L301e)을 경유하여 입력되는 예측 모드 정보에 의해 특정되는 예측 모드가 "화면 내 예측 모드"인 경우에, 복호 완료된 근방 블록의 화상 신호(참조 프레임 화상 신호)를 참조하여 예측 화상 신호를 생성하고, 그 예측 화상 신호를 예측 방법 결정기(308)에 전송한다.예측 방법 결정기(308)는 엔트로피 복호기(301)로부터 송신된 예측 모드 정보에 기초하여, 화면 간 예측에 의해 생성된 예측 화상 신호 및 화면 내 예측에 의해 생성된 예측 화상 신호 중 어느 하나를 선택하고, 선택한 예측 화상 신호를 라인(L308)을 경유하여 가산기(311)에 전송한다.역양자화기(309)는 엔트로피 복호기(301)에 의해 송신된 양자화 직교 변환계수를 역양자화하여, 직교 변환계수를 복원한다. 역양자화기(309)는 복원한 직교 변환계수를 라인(L309)을 경유하여 역직교 변환기(310)에 전송한다.역직교 변환기(310)는 수취한 직교 변환계수에 역직교 변환을 적용하여, 예측 잔차 신호를 복원한다. 역직교 변환기(310)는 복원한 예측 잔차 신호를 라인(L310)을 경유하여 가산기(311)에 전송한다.가산기(311)는 예측 방법 결정기(308)로부터 송신된 예측 화상 신호와, 역직교 변환기(310)로부터 송신된 예측 잔차 신호를 가산하여, 프레임 화상 신호를 복원한다.복원된 프레임 화상 신호는 소정의 표시 타이밍에서 표시 디바이스(도시하지 않음)에 출력되고, 입력 영상 신호(동화상 신호)가 재생될 수 있다. 또한, 프레임 화상 신호는, 이후의 복호화 처리에 사용되므로, 참조 프레임 화상 신호로서 메모리(306)에 저장된다. 여기서, 프레임 화상 신호는, 동화상 부호화 장치(20)에서의 동일 번호의 프레임 화상 신호와 동일한 값이 될 수 있다. 또한, 움직임 벡터나 참조 프레임 번호에 관한 정보도 참조 프레임 화상 신호와 관련지어 동시에 저장된다.이하, 동화상 복호 장치(30)에 의해 사용되는 움직임 벡터의 예측 복호 방법의 일 실시예에 대하여, 도 8을 참조하여 설명한다. 도 8은 움직임 벡터의 예측 복호 방법의 일 실시예를 나타낸 흐름도이다.도 8에 나타낸 바와 같이, 일 실시예에 따른 예측 움직임 벡터의 예측 복호 방법에 있어서는, 먼저, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(302)에, 참조 화면 리스트 식별 번호 및 참조 화면 번호가 입력된다(단계 S801).다음에, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(302)가, 대상 구획(BT)의 왼쪽 인접 영역에 포함되는 하나 이상의 구획의 움직임 벡터로부터 예측 움직임 벡터 후보 PMV1을 결정한다(단계 S302).다음에, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(302)는, 대상 구획(BT)의 위쪽 인접 영역에 포함되는 하나 이상의 구획의 움직임 벡터로부터 예측 움직임 벡터 후보 PMV2를 결정한다(단계 S303).다음에, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(302)는 예측 움직임 벡터 후보 PMV3을 결정한다(단계 S304). 그리고, 도 8에서의 단계 S302∼단계 S304의 처리는, 도 3에서의 단계 S302∼단계 S304의 처리와 동일하다.다음에, 단계 S805에서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(302)는 예측 움직임 벡터 후보 PMV1, 예측 움직임 벡터 후보 PMV2, 예측 움직임 벡터 후보 PMV3 중, 동일하지 않은 예측 움직임 벡터 후보만을 예측 움직임 벡터 후보로 한다. 구체예를 나타내면, 예측 움직임 벡터 후보 PMV1과 예측 움직임 벡터 후보 PMV3이 동일한 경우에는, 예측 움직임 벡터 후보로서 예측 움직임 벡터 후보 PMV1과 예측 움직임 벡터 후보 PMV2만이 선택된다. 또한, 단계 S805까지의 처리에 의해 유효한 예측 움직임 벡터 후보가 결정되지 않은 경우에는, 영 움직임 벡터가 예측 움직임 벡터 후보가 된다.단계 S806에서, 전술한 바와 같이, 복호기(301)가 예측 움직임 벡터 후보의 수에 기초하여 예측 움직임 벡터 지시 정보를 복원한다. 이어서, 단계 S807에서, 예측 움직임 벡터 결정기(303)가 예측 움직임 벡터 지시 정보에 기초하여, 예측 움직임 벡터 후보로부터 최적 예측 움직임 벡터를 선택한다.이하, 움직임 벡터의 예측 부호화 방법의 제2 실시예에 대하여 설명한다. 도 9는 제2 실시예의 움직임 벡터의 예측 부호화 방법에서의 예측 움직임 벡터 후보의 결정 처리를 나타낸 흐름도이다. 제2 실시예의 움직임 벡터의 예측 부호화 방법에서는, 도 3의 단계 S302∼단계 S304 대신에, 도 9에 나타낸 흐름이 사용된다.먼저, 본 실시예에서는, 단계 S901에서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는, 대상 구획의 왼쪽 인접 영역에 포함되는 구획을 아래쪽 방향으로 스캔하여, 이들 구획의 움직임 벡터로부터 예측 움직임 벡터 후보 PMVa를 결정한다. 단계 S901에서는, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는, 도 4의 (c)에 나타낸 왼쪽 인접 영역의 스캔 순서에 따라서 제1 실시예에서 설명한 예측 움직임 벡터 후보 PMV1의 결정 방법(단계 S302)을 행함으로써, 예측 움직임 벡터 후보 PMVa를 검출할 수 있다. 그리고, 예측 움직임 벡터 후보 PMVa의 결정을 위해, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는, 제1 실시예와 마찬가지로, 입력되는 참조 화면 리스트 식별 번호 및 참조 화면 번호를 사용할 수 있다.다음에, 단계 S902에서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 대상 구획의 왼쪽 인접 영역에 포함되는 구획을 위쪽 방향으로 스캔하여, 이들 구획의 움직임 벡터로부터 예측 움직임 벡터 후보 PMVb를 결정한다. 단계 S902에서는, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는, 도 4의 (a)에 나타낸 왼쪽 인접 영역의 스캔 순서에 따라서 제1 실시예에서 설명한 예측 움직임 벡터 후보 PMV1의 결정 방법(단계 S302)을 행함으로써, 예측 움직임 벡터 후보 PMVb를 검출할 수 있다. 그리고, 예측 움직임 벡터 후보 PMVb의 결정에도, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 참조 화면 리스트 식별 번호 및 참조 화면 번호를 사용할 수 있다.다음에, 단계 S903에서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 예측 움직임 벡터 후보 PMVa 및 예측 움직임 벡터 후보 PMVb로부터 왼쪽 인접 영역의 예측 움직임 벡터 후보 PMVX를 선택한다. 또한, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 선택한 예측 움직임 벡터 후보를 구하기 위해 사용한 스캔 방향 X를 나타낸 스캔 방향 지시 정보를 생성한다. 구체적으로는, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 예측 움직임 벡터 후보 PMVa 및 예측 움직임 벡터 후보 PMVb 중, 대상 구획의 예측 움직임 벡터에 대한 오차가 가장 작은 예측 움직임 벡터 후보를, 예측 움직임 벡터 후보 PMVX로 결정한다. 또한, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 예측 움직임 벡터 후보 PMVX로 예측 움직임 벡터 후보 PMVa가 선택된 경우에는, 아래쪽 방향을 나타내는 스캔 방향 지시 정보를 생성하고, 예측 움직임 벡터 후보 PMVb가 선택되어 있는 경우에는, 위쪽 방향을 나타내는 스캔 방향 지시 정보를 생성한다.다음에, 단계 S904에서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 대상 구획의 위쪽 인접 영역에 포함되는 구획을 오른쪽 방향으로 스캔하여, 이들 구획의 움직임 벡터로부터 예측 움직임 벡터 후보 PMVc를 결정한다. 단계 S904에서는, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 도 4의 (c)에 나타낸 위쪽 인접 영역의 스캔 순서에 따라서 제1 실시예에서 설명한 예측 움직임 벡터 후보 PMV2의 결정 방법(단계 S303)을 행함으로써, 예측 움직임 벡터 후보 PMVc를 검출할 수 있다. 그리고, 예측 움직임 벡터 후보 PMVc의 결정을 위해, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는, 제1 실시예와 마찬가지로, 입력되는 참조 화면 리스트 식별 번호 및 참조 화면 번호를 사용할 수 있다.다음에, 단계 S905에서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 대상 구획의 위쪽 인접 영역에 포함되는 구획을 왼쪽 방향으로 스캔하여, 이들 구획의 움직임 벡터로부터 예측 움직임 벡터 후보 PMVd를 결정한다. 단계 S905에서는, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 도 4의 (a)에 나타낸 위쪽 인접 영역의 스캔 순서에 따라서 제1 실시예에서 설명한 예측 움직임 벡터 후보 PMV2의 결정 방법(단계 S303)을 행함으로써, 예측 움직임 벡터 후보 PMVd를 검출할 수 있다. 그리고, 예측 움직임 벡터 후보 PMVd의 결정에도, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 참조 화면 리스트 식별 번호 및 참조 화면 번호를 사용할 수 있다.다음에, 단계 S906에서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는, 예측 움직임 벡터 후보 PMVc 및 예측 움직임 벡터 후보 PMVd로부터 위쪽 인접 영역의 예측 움직임 벡터 후보 PMVY를 선택한다. 또한, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 선택한 예측 움직임 벡터 후보를 구하기 위해 사용한 스캔 방향 Y를 나타낸 스캔 방향 지시 정보를 생성한다. 구체적으로는, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 예측 움직임 벡터 후보 PMVc 및 예측 움직임 벡터 후보 PMVd 중, 대상 구획의 예측 움직임 벡터에 대한 오차가 가장 작은 예측 움직임 벡터 후보를, 예측 움직임 벡터 후보 PMVY로 결정한다. 또한, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 예측 움직임 벡터 후보 PMVY로서 예측 움직임 벡터 후보 PMVc가 선택된 경우에는, 오른쪽 방향을 나타내는 스캔 방향 지시 정보를 생성하고, 예측 움직임 벡터 후보 PMVd가 선택되어 있는 경우에는, 왼쪽 방향을 나타내는 스캔 방향 지시 정보를 생성한다.다음에, 단계 S907에서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는, 단계 S304의 처리와 마찬가지로, 대상 구획과 공간적으로 동일 위치의 참조 프레임 내의 구획의 예측 움직임 벡터 후보 PMVZ를 취득한다. 이 단계 S907에서의 처리는, 제1 실시예의 단계 S304의 처리의 전술한 변형 형태와 동일하여도 된다.다음에, 단계 S908에서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 예측 움직임 벡터 후보 PMVX, 예측 움직임 벡터 후보 PMVY, 예측 움직임 벡터 후보 PMVZ 중, 동일하지는 않은 예측 움직임 벡터 후보만을 예측 움직임 벡터 후보로 한다. 그리고, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203)는 예측 움직임 벡터 후보, 예측 움직임 벡터 후보의 수, 및 스캔 방향 지시 정보를 출력한다. 구체예를 나타내면, 예측 움직임 벡터 후보 PMVX와 예측 움직임 벡터 후보 PMVZ가 동일한 경우에는, 예측 움직임 벡터 후보로서 예측 움직임 벡터 후보 PMVX와 예측 움직임 벡터 후보 PMVY만이 선택된다. 또한, 단계 S901∼단계 S907에서 유효한 예측 움직임 벡터 후보가 결정되지 않은 경우, 영 움직임 벡터가 예측 움직임 벡터 후보가 된다.이어서, 제2 실시예에서는, 제1 실시예의 단계 S306과 동일한 처리가 행해진다. 마지막으로, 단계 S307에서, 부호화기(213)가, 최적 예측 움직임 벡터가 예측 움직임 벡터 후보 중 어느 것인지를 특정하기 위한 예측 움직임 벡터 지시 정보를 부호화한다. 그리고, 제2 실시예에서는, 단계 S307에서, 부호화기(213)는 스캔 방향 지시 정보도 부호화한다.그리고, 제2 실시예에서도, 왼쪽 인접 영역을 구성하는 구획, 및 위쪽 인접 영역을 구성하는 구획은, 제1 실시예에 대하여 전술한 바와 같이 변경되어도 된다. 또한, 예측 움직임 벡터의 개수에 대해서도, 제1 실시예에 대하여 전술한 바와 같이 변경되어도 된다. 또한, 제1 실시예에 대하여 전술한 바와 같이, 예측 움직임 벡터 후보 PMVX, PMVY, PMVZ의 결정 순서를, 대상 구획을 소구획으로 분할하는 태양 및 그 소구획의 위치에 기초하여, 변경해도 된다.이하, 제2 실시예의 움직임 벡터의 예측 복호 방법에 대하여 설명한다. 도 10은 제2 실시예의 움직임 벡터의 예측 복호 방법을 나타낸 흐름도이다. 도 10에 나타낸 예측 복호 방법은, 제2 실시예의 움직임 벡터의 예측 부호화 방법에 의해 생성된 부호화 데이터로부터 움직임 벡터를 예측하는 것이다.도 10에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에서는, 먼저, 단계 S1001에서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(302)에, 복원된 참조 화면 리스트 식별 번호, 참조 화면 번호, 스캔 방향 지시 정보(스캔 방향 X, 스캔 방향 Y)가 입력된다.다음에, 단계 S1002에서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(302)가 참조 화면 리스트 식별 번호, 참조 화면 번호, 및 스캔 방향 X를 특정하기 위한 스캔 방향 지시 정보에 따라, 왼쪽 인접 영역의 예측 움직임 벡터 후보 PMVX를 결정한다. 예측 움직임 벡터 후보 PMVX는, 스캔 방향 지시 정보에 의해 특정되는 스캔 방향 X에 왼쪽 인접 영역 내의 구획을 순차적으로 스캔함으로써, 제1 실시예의 예측 움직임 벡터 후보 PMV1의 결정과 동일한 처리에 의해 결정된다.다음에, 단계 S1003에서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(302)는 참조 화면 리스트 식별 번호, 참조 화면 번호, 및 스캔 방향 Y를 특정하기 위한 스캔 방향 지시 정보에 따라, 위쪽 인접 영역의 예측 움직임 벡터 후보 PMVY를 결정한다. 예측 움직임 벡터 후보 PMVY는, 스캔 방향 지시 정보에 의해 특정되는 스캔 방향 Y로 위쪽 인접 영역 내의 구획을 순차적으로 스캔함으로써, 제1 실시예의 예측 움직임 벡터 후보 PMV2의 결정과 동일한 처리에 의해 결정된다.이어서, 단계 S1004에서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(302)는 대상 구획과 공간적으로 동일한 참조 프레임 내의 구획의 예측 움직임 벡터 후보 PMVZ를 결정한다. 단계 S1004의 처리는, 단계 S304의 처리와 동일하다.이어서, 단계 S1005에서, 예측 움직임 벡터 후보 결정기(302)는 예측 움직임 벡터 후보 PMVX, 예측 움직임 벡터 후보 PMVY, 예측 움직임 벡터 후보 PMVZ 중, 동일하지는 않은 예측 움직임 벡터 후보만을 예측 움직임 벡터 후보로 한다. 구체예를 나타내면, 예측 움직임 벡터 후보 PMVX와 예측 움직임 벡터 후보 PMVZ가 동일한 경우에는, 예측 움직임 벡터 후보로서 예측 움직임 벡터 후보 PMVX와 예측 움직임 벡터 후보 PMVY만이 선택된다. 또한, 단계 S1005까지의 처리에 의해 유효한 예측 움직임 벡터 후보가 결정되지 않은 경우에는, 영 움직임 벡터가 예측 움직임 벡터 후보가 된다.이어서, 단계 S1006에서, 복호기(301)가 예측 움직임 벡터 후보의 수에 기초하여 예측 움직임 벡터 지시 정보를 복원한다. 이어서, 단계 S1007에서, 예측 움직임 벡터 결정기(303)가 예측 움직임 벡터 지시 정보에 기초하여, 예측 움직임 벡터 후보로부터 최적 예측 움직임 벡터를 선택한다.그리고, 제2 실시예에서도, 제1 실시예에 대하여 전술한 바와 같이, 예측 움직임 벡터 후보 PMVX, PMVY, PMVZ의 결정 순서를, 대상 구획을 소구획으로 분할하는 태양 및 그 소구획의 위치에 기초하여, 변경해도 된다.이상, 설명한 동화상 부호화 장치(20) 및 동화상 복호 장치(30)에 의하면, 예측 움직임 벡터의 후보를 좁힌 후에, 이들 예측 움직임 벡터 후보로부터 최적 예측 움직임 벡터가 검출된다. 따라서, 최적 예측 움직임 벡터의 결정에 필요한 연산량을 삭감할 수 있다. 또한, 최적 예측 움직임 벡터를 특정하기 위한 예측 움직임 벡터 지시 정보를 적은 비트 수로 부호화할 수 있다.또한, 제2 실시예의 예측 부호화 및 예측 복호를 사용하는 동화상 부호화 장치(20) 및 동화상 복호 장치(30)에 의하면, 대상 구획의 움직임 벡터로부터의 오차가 보다 적은 예측 움직임 벡터 후보를 구할 수 있다.이하, 컴퓨터를 동화상 부호화 장치(20)로서 기능하게 하기 위한 동화상 부호화 프로그램(1000)과, 컴퓨터를 전술한 동화상 복호 장치(30)로서 기능하게 하기 위한 동화상 복호 프로그램(1100)에 대하여 설명한다.도 11은 일 실시예에 따른 동화상 부호화 프로그램의 구성을 나타낸 도면이다. 도 12는 일 실시예에 따른 동화상 복호 프로그램의 구성을 나타낸 도면이다. 도 13은 일 실시예에 따른 컴퓨터의 하드웨어 구성을 나타낸 도면이다. 도 14는 일 실시예에 따른 컴퓨터를 나타낸 사시도이다.도 11에 나타낸 동화상 부호화 프로그램(1000)은, 기록 매체(SM)에 저장되어 제공될 수 있다. 또한, 도 12에 나타낸 동화상 복호 프로그램(1100)도 기록 매체(SM)에 저장되어 제공될 수 있다. 그리고, 기록 매체(SM)로서는, 플로피 디스크, CD-ROM, DVD, 또는 ROM 등의 기록 매체, 또는 반도체 메모리 등이 예시된다.도 13에 나타낸 바와 같이, 컴퓨터(C10)는 플로피 디스크 드라이브 장치, CD-ROM 드라이브 장치, DVD 드라이브 장치 등의 판독 장치(C12)와, 운영체제( operating system)를 상주시킨 작업용 메모리(RAM)(14)와, 기록 매체(SM)에 기억된 프로그램을 기억하는 메모리(C16)와, 디스플레이 등의 표시 장치(C18)와, 입력 장치인 마우스(C20) 및 키보드(C22)와, 데이터 등의 송수신을 행하기 위한 통신 장치(C24)와, 프로그램의 실행을 제어하는 CPU(C26)를 구비할 수 있다.컴퓨터(C10)는, 기록 매체(SM)가 판독 장치(C12)에 삽입되면, 판독 장치(C12)로부터 기록 매체(SM)에 저장된 동화상 부호화 프로그램(1000)에 액세스 가능하게 되고, 그 동화상 부호화 프로그램(1000)에 의해, 동화상 부호화 장치(20)로서 동작하는 것이 가능하게 된다.또한, 컴퓨터(C10)는, 기록 매체(SM)가 판독 장치(C12)에 삽입되면, 판독 장치(C12)로부터 기록 매체(SM)에 저장된 동화상 복호 프로그램(1100)에 액세스 가능하게 되고, 그 동화상 복호 프로그램(1100)에 의해, 동화상 복호 장치(30)로서 동작하는 것이 가능하게 된다.도 11에 나타낸 바와 같이, 동화상 부호화 프로그램(1000)은 처리를 총괄하는 메인 모듈(1001), 입력 모듈(1002), 움직임 검출 모듈(1003), 예측 움직임 벡터 후보 결정 모듈(1004), 예측 움직임 벡터 결정 모듈(1005), 움직임 벡터 차분 모듈(1006), 움직임 보상 모듈(1007), 공간 예측 모듈(1008), 예측 방법 결정 모듈(1009), 감산 모듈(1010), 직교 변환 모듈(1011), 양자화 모듈(1012), 엔트로피 부호화 모듈(1013), 역양자화 모듈(1014), 역직교 변환 모듈(1015), 및 가산 모듈(1016)을 구비하고 있다. 입력 모듈(1002), 움직임 검출 모듈(1003), 예측 움직임 벡터 후보 결정 모듈(1004), 예측 움직임 벡터 결정 모듈(1005), 움직임 벡터 차분 모듈(1006), 움직임 보상 모듈(1007), 공간 예측 모듈(1008), 예측 방법 결정 모듈(1009), 감산 모듈(1010), 직교 변환 모듈(1011), 양자화 모듈(1012), 엔트로피 부호화 모듈(1013), 역양자화 모듈(1014), 역직교 변환 모듈(1015), 가산 모듈(1016)이 컴퓨터에게 행하게 하는 기능은, 전술한 입력기(201), 움직임 검출기(202), 예측 움직임 벡터 후보 결정기(203), 예측 움직임 벡터 결정기(204), 움직임 벡터 차분기(205), 움직임 보상기(206), 공간 예측기(208), 예측 방법 결정기(209), 감산기(210), 직교 변환기(211), 양자화기(212), 엔트로피 부호화기(213), 역양자화기(214), 역직교 변환기(215), 가산기(216)의 기능과, 각각 동일하다.도 12에 나타낸 바와 같이, 동화상 복호 프로그램(1100)은, 처리를 총괄하는 메인 모듈(1101), 엔트로피 복호 모듈(1102), 예측 움직임 벡터 후보 결정 모듈(1103), 예측 움직임 벡터 결정 모듈(1104), 움직임 벡터 가산 모듈(1105), 움직임 보상 모듈(1106), 공간 예측 모듈(1107), 예측 방법 결정 모듈(1108), 역양자화 모듈(1109), 역직교 변환 모듈(1110), 및 가산 모듈(1111)을 구비한다. 엔트로피 복호 모듈(1102), 예측 움직임 벡터 후보 결정 모듈(1103), 예측 움직임 벡터 결정 모듈(1104), 움직임 벡터 가산 모듈(1105), 움직임 보상 모듈(1106), 공간 예측 모듈(1107), 예측 방법 결정 모듈(1108), 역양자화 모듈(1109), 역직교 변환 모듈(1110), 가산 모듈(1111)이 컴퓨터에게 실현시키는 기능은, 전술한 엔트로피 복호기(301), 예측 움직임 벡터 후보 결정기(302), 예측 움직임 벡터 결정기(303), 움직임 벡터 가산기(304), 움직임 보상기(305), 공간 예측기(307), 예측 방법 결정기(308), 역양자화기(309), 역직교 변환기(310), 가산기(311)의 기능과, 각각 동일하다.이상, 각종 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 않고 각종 변형이 가능하다. 예를 들면, 전술한 실시예에서는, 대상 구획의 움직임 벡터와 예측 움직임 벡터(최적 예측 움직임 벡터) 사이의 차분인 움직임 벡터 차분값의 부호화 데이터가 부호화 장치로부터 복호 장치에 송신되고 있지만, 부호화 장치로부터 복호 장치에 송신 움직임 벡터 차분값의 부호화 데이터를 송신하지 않고, 최적 예측 움직임 벡터를 대상 구획의 움직임 벡터로서 채용해도 된다.또한, 예측 움직임 벡터 후보 PMVX의 결정에 있어서는, 예측 움직임 벡터 후보 PMVa 및 PMVb를 사용하여 예측 화상 신호를 작성하고, 예측 움직임 벡터 후보 PMVa 및 PMVb 중, 예측 화상 신호와 대상 구획의 화상 신호 사이의 절대값 차분의 합(SAD)을 더 작게 하는 예측 움직임 벡터 후보를 예측 움직임 벡터 후보 PMVX로서 채용해도 된다. 또한, 예측 움직임 벡터 후보 PMVY의 결정에 있어서는, 예측 움직임 벡터 후보 PMVc 및 PMVd를 사용하여 예측 화상 신호를 작성하고, 예측 움직임 벡터 후보 PMVc 및 PMVd 중, 예측 화상 신호와 대상 구획의 화상 신호 사이의 절대값 차분의 합(SAD)을 더 작게 하는 예측 움직임 벡터 후보를 예측 움직임 벡터 후보 PMVY로서 채용해도 된다. 또한, SAD 대신에, 차분 절대값의 합(SATD) 또는 차분 제곱의 합(Sum of Squared Difference, SSD)이 사용되어도 된다. [ 부호의 설명 ] 20: 동화상 부호화 장치, 30: 동화상 복호 장치, 201: 입력기, 202: 검출기, 203: 예측 움직임 벡터 후보 결정기, 204: 예측 움직임 벡터 결정기, 205: 움직임 벡터 차분기, 206: 움직임 보상기, 207: 메모리, 208: 공간 예측기, 209: 예측 방법 결정기, 210: 감산기, 211: 변환기, 212: 양자화기, 213: 엔트로피 부호화기, 214: 역양자화기, 215: 역변환기, 216: 가산기, 301: 엔트로피 복호기, 302: 예측 움직임 벡터 후보 결정기, 303: 예측 움직임 벡터 결정기, 304: 움직임 벡터 가산기, 305: 움직임 보상기, 306: 프레임 메모리, 307: 공간 예측기, 308: 예측 방법 결정기, 309: 역양자화기, 310: 역직교 변환기, 311: 가산기.
일 실시예의 움직임 벡터의 예측 부호화 방법은, (a) 부호화 대상의 프레임 화상 내의 대상 구획의 움직임 벡터를 구하는 단계; (b) 대상 구획의 왼쪽 인접 영역에 속하는 하나 이상의 구획의 움직임 벡터로부터 하나의 제1 예측 움직임 벡터 후보를 결정하는 단계; (c) 대상 구획의 위쪽 인접 영역에 속하는 하나 이상의 구획의 움직임 벡터로부터 하나의 제2 예측 움직임 벡터 후보를 결정하는 단계; (d) 제1 예측 움직임 벡터 후보와 제2 예측 움직임 벡터 후보를 포함하는 하나 이상의 예측 움직임 벡터 후보와 대상 구획의 움직임 벡터의 비교에 기초하여, 최적 예측 움직임 벡터를 선택하고, 선택한 최적 예측 움직임 벡터를 특정하기 위한 예측 움직임 벡터 지시 정보를 출력하는 단계; 및 (e) 예측 움직임 벡터 지시 정보를 부호화하는 단계를 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 블로바이 히터BLOW-BY HEATER [ 기술분야 ] 본 발명은, 엔진의 블로바이 가스를 가열하여, 당해 블로바이 가스에 함유되는 수분 등이 관로 내벽부에 부착 내지 빙결되는 것을 방지하는 블로바이 히터에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 환경 오염을 피하기 위해, 엔진의 블로바이 가스를 대기 개방시키지 않고, 엔진의 흡기 경로로 환류시키는 것이 실시되고 있다. 그리고, 이와 같은 블로바이 가스 환류 관로에 있어서, 블로바이 가스에 함유되는 수분 등이 관로 내벽부에 부착 내지 빙결되는 것을 방지하기 위해, 종래부터 블로바이 가스 히터가 널리 사용되고 있다.도 6 은 종래의 블로바이 가스 히터를 나타내는 개략 사시도이고 (특허문헌 1 의 도 11 에 대응), 도 7 은 도 6 의 블로바이 가스 히터가 블로바이 가스 환류 통로에 형성된 예를 나타내는 개략 단면도이다 (특허문헌 1 의 도 9 에 대응).도 6 및 도 7 에 나타내는 바와 같이, 블로바이 가스의 통로가 되는 금속관 (55) 이 평활 벽부 (55d) 와 부분 원통 벽부 (55e) 를 갖고 있다 (도 6 참조). 따라서, 금속관 (55) 의 단면 (斷面) 개구 형상은 부분 원 형상이다. 평활 벽부 (55d) 의 선단과 부분 원통 벽부 (55e) 의 선단이 금속관 (55) 의 공통의 개구 단면 (端面) 을 형성하고 있고, 평활 벽부 (55d) 의 선단 전체가 금속관 (55) 의 개구면의 최후부 (55c) 가 되고 있고, 부분 원통 벽부 (55e) 의 선단의 중앙부가 금속관 (55) 의 개구면의 최선부 (55b) 가 되고 있다 (도 6 및 도 7 참조). 평활 벽부 (55d) 는, 수지제의 가열원 장착관 (54) 을 개재하여, 전자 세라믹 히터인 가열원 (56) 과 대향하도록 배치되어 있다. 가열원 (56) 에는, 플러그 부재 (57) 를 통하여 전력이 공급되도록 되어 있다. 또, 금속관 (55) 은, 그 단면 개구 면적이 선단측일수록 작아지도록 형성된 스로틀부 (55f) 를 갖고 있다.도 7 에 나타내는 바와 같이, 금속관 (55) 의 돌출부 (55a) 가 접속관 (61) 에 있어서의 내벽면 (61d) 보다 흡기 통로 축선측 (a1) 으로 돌출되도록 배치된다. 금속관 (55) 에 부착되는 블로바이 가스의 수분 내지 유분은, 돌출부 (55a) 를 따라 그 선단측 (하방) 으로 유동되고, 수적화 (水滴化) 내지 유적화 (油滴化) 가 촉진된다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 공개특허공보 2012-215137호 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 금속관 (55) 은, 일반적으로는, 프레스 타발에 의해 형성된 금속 평판을 통상 (筒狀) 으로 가공함으로써 형성된다. 그리고, 금속관 (55) 의 맞댐부는, 평활 벽부 (55d) 의 측에 위치하고, 큰 간극이 잔존하지 않도록 굽힘 가공되어 있다. 금속관 (55) 의 맞댐부의 간극은 크지는 않지만, 거기로부터 소량의 블로바이 가스가 누출된다. 이 때문에, 가열원 (56) 을 블로바이 가스로부터 보호하기 위해, 전술한 바와 같이 평활 벽부 (55d) 와 가열원 (56) 사이에 수지제의 가열원 장착관 (54) 이 개재되어 있다.가열원 장착관 (54) 을 개재시키지 않고, 금속재인 평활 벽부 (55d) 를 가열원 (56) 에 직접 접촉시킬 수 있으면, 전열 성능을 현저하게 향상시킬 수 있다. 그러기 위해서는, 가열원 (56) 을 블로바이 가스로부터 보호하기 위해, 금속관 (55) 의 맞댐부를 평활 벽부 (55d) 의 측이 아니라 부분 원통 벽부 (55e) 의 측에 형성할 필요가 있다.그러나, 종래의 기술에서는, 금속관 (55) 의 맞댐부를 평활 벽부 (55d) 의 측이 아니라 부분 원통 벽부 (55e) 의 측에 형성하는 경우, 큰 간극이 잔존하지 않는 굽힘 가공을 하기 어려웠다.본 발명은, 이상의 지견에 기초하여 창안된 것이다. 본 발명의 목적은, 금속관의 맞댐부를 평탄 벽부 또는 평활 벽부와는 상이한 측에 형성하는 경우에 큰 간극이 잔존하지 않는 가공 방법을 제공하며, 그것에 의해, 평탄 벽부 또는 평활 벽부와는 상이한 측에 금속관의 맞댐부가 위치하는 블로바이 히터를 제공하는 것이다.구체적으로는, 본건 발명자는, 금속판을 통상으로 굽힘 가공한 상태에서 인서트한 수지 성형품을 성형하는 방법으로서, 통상으로 굽힘 가공된 금속판이 평탄 벽부 또는 평활 벽부와 곡면 벽부를 갖는 금속관을 구성하는 경우에 있어서, 상기 곡면 벽부에 상기 금속관의 맞댐부를 위치시키기 위해, 상기 금속관의 맞댐부를 사이에 두는 양측의 상기 곡면 벽부의 외주면의 맞닿음부에 금형을 맞닿게 하여 상기 금속관의 맞댐부를 밀착시킨 상태를 유지하며 수지 성형을 실시한다는 방법을 개발하였다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명은, 본건 발명자에 의해 개발된 상기 방법에 의해 제조되는 블로바이 히터이다.즉, 블로바이 가스가 통류 (通流) 하고 하류측으로 개구되는 통체를 갖는 블로바이 히터로서, 상기 통체는, 금속판을 통상으로 굽힘 가공한 상태에서 인서트한 수지 성형품으로서 형성되어 있고, 상기 통상으로 굽힘 가공된 금속판은, 평탄 벽부 또는 평활 벽부와 곡면 벽부를 갖는 금속관을 구성하고 있고, 상기 곡면 벽부에 상기 금속관의 맞댐부가 위치하고 있고, 상기 평탄 벽부 또는 평활 벽부에 가열원이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 블로바이 히터이다.본 발명에 의하면, 금속관의 곡면 벽부에 금속관의 맞댐부가 위치하고 있기 때문에, 평탄 벽부 또는 평활 벽부에 직접적으로, 즉, 블로바이 가스로부터 가열원을 보호하기 위한 중간 부재를 개재시킬 필요없이 가열원을 형성할 수 있다. 이로써, 전열 성능이 현저하게 향상된다. 또, 중간 부재가 필요없는 만큼, 부품 점수가 삭감된다는 효과도 얻어진다.평탄 벽부 또는 평활 벽부에 직접적으로 가열원을 형성하는 경우에는, 평탄 벽부 또는 평활 벽부에 가열원의 위치 결정을 위한 볼록부 또는 오목부를 형성해 두는 것이 바람직하다. 이 경우, 가열원의 위치 결정을 용이하고 또한 확실하게 실시할 수 있다.일반적으로는, 상기 곡면 벽부는, 하류측을 향하여 단면적이 감소하는 부위 (스로틀부) 를 갖고 있다. 예를 들어, 금속관의 맞댐부는, 평탄 벽부 또는 평활 벽부에 대향하는 곡면 벽부의 정상부의 능선에 대응하고 있고, 당해 능선의 양측에 금속관의 축선 방향에 대하여 교차하는 방향으로 연장되는 경사부가 구성되어 있다. 그리고, 본건 발명자에 의해 개발된 상기 방법에 대응하여, 금속관의 맞댐부를 사이에 두는 양측의 곡면 벽부의 외주면, 예를 들어 금속관의 맞댐부를 사이에 두는 양측의 경사부의 외주면에, 인서트 성형시에 금형이 맞닿고, 인서트 성형 후에는 수지로 피복되지 않고 노출되는 맞닿음부가 형성된다.본 발명은, 적어도 본원 출원의 시점에 있어서는, 블로바이 히터에 한정되지 않는다.즉, 본 발명은, 금속판을 통상으로 굽힘 가공한 상태에서 인서트한 수지 성형품으로서, 상기 통상으로 굽힘 가공된 금속판은, 평탄 벽부 또는 평활 벽부와 곡면 벽부를 갖는 금속관을 구성하고 있고, 상기 곡면 벽부에 상기 금속관의 맞댐부가 위치하고 있고, 상기 금속관의 맞댐부를 사이에 두는 양측의 상기 곡면 벽부의 외주면에는, 인서트 성형시에 금형이 맞닿고 인서트 성형 후에는 수지로 피복되지 않고 노출되는 맞닿음부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 성형품이다.혹은, 본 발명은, 금속판을 통상으로 굽힘 가공한 상태에서 인서트한 수지 성형품으로서, 상기 통상으로 굽힘 가공된 금속판은, 적어도 일부에 축선 방향에 대하여 교차하는 방향으로 연장되는 경사부를 갖는 금속관을 구성하고 있고, 상기 경사부에 상기 금속관의 맞댐부가 위치하고 있고, 상기 금속관의 맞댐부를 사이에 두는 양측의 상기 경사부의 외주면에는, 인서트 성형시에 금형이 맞닿고 인서트 성형 후에는 수지로 피복되지 않고 노출되는 맞닿음부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 성형품이다.또, 본 발명은, 적어도 본원 출원의 시점에 있어서는, 본건 발명자에 의해 개발된 상기 방법 자체도 포함한다.즉, 본 발명은, 금속판을 통상으로 굽힘 가공한 상태에서 인서트한 수지 성형품을 성형하는 방법으로서, 상기 통상으로 굽힘 가공된 금속판은, 평탄 벽부 또는 평활 벽부와 곡면 벽부를 갖는 금속관을 구성하고 있고, 상기 곡면 벽부에 상기 금속관의 맞댐부가 위치하고 있고, 상기 금속관의 맞댐부를 사이에 두는 양측의 상기 곡면 벽부의 외주면의 맞닿음부에 금형을 맞닿게 하여 상기 금속관의 맞댐부를 밀착시킨 상태에서, 수지 성형을 실시하는 것을 특징으로 하는 수지 성형품의 형성 방법이다.혹은, 본 발명은, 금속판을 통상으로 굽힘 가공한 상태에서 인서트한 수지 성형품을 성형하는 방법으로서, 상기 통상으로 굽힘 가공된 금속판은, 적어도 일부에 축선 방향에 대하여 교차하는 방향으로 연장되는 경사부를 갖는 금속관을 구성하고 있고, 상기 경사부에 상기 금속관의 맞댐부가 위치하고 있고, 상기 금속관의 맞댐부를 사이에 두는 양측의 상기 경사부의 외주면의 맞닿음부에 금형을 맞닿게 하여 상기 금속관의 맞댐부를 밀착시킨 상태에서, 수지 성형을 실시하는 것을 특징으로 하는 수지 성형품의 형성 방법이다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 의하면, 금속관의 곡면 벽부에 금속관의 맞댐부가 위치하고 있기 때문에, 평탄 벽부 또는 평활 벽부에 직접적으로, 즉, 블로바이 가스로부터 가열원을 보호하기 위한 중간 부재를 개재시킬 필요없이 가열원을 형성할 수 있다. 이로써, 전열 성능이 현저하게 향상된다. 또, 중간 부재가 필요없는 만큼, 부품 점수가 삭감된다는 효과도 얻어진다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1 은 본 발명의 일 실시형태의 블로바이 가스 히터를 나타내는 개략 사시도이다.도 2 는 도 1 의 블로바이 가스 히터의 개략 단면도이다.도 3 은 도 1 의 블로바이 가스 히터의 개략 정면도이다.도 4 의 (a), 도 4 의 (b) 는 도 1 의 블로바이 가스 히터를 성형할 때의 금형에 대해 설명하기 위한 개략도이다.도 5 는 도 1 의 블로바이 가스 히터의 금속관의 상면을 나타내는 개략 사시도이다.도 6 은 종래의 블로바이 가스 히터를 나타내는 개략 사시도이다.도 7 은 도 6 의 블로바이 가스 히터가 블로바이 가스 환류 통로에 형성된 예를 나타내는 개략 단면도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하에 첨부의 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 상세하게 설명한다.도 1 은 본 발명의 일 실시형태의 블로바이 가스 히터를 나타내는 개략 사시도이고, 도 2 는 도 1 의 블로바이 가스 히터의 개략 단면도이고, 도 3 은 도 1 의 블로바이 가스 히터의 개략 정면도이다.도 1 내지 도 3 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 일 실시형태의 블로바이 가스 히터 (10) 는, 블로바이 가스의 통로가 되는 금속관 (5) 이 평탄 벽부 또는 평활 벽부 (5d) 와 곡면 벽부 (5e) 를 갖고 있다 (도 1 참조). 금속관 (5) 의 단면 개구 형상은, 대략 반달 형상이다. 평탄 벽부 또는 평활 벽부 (5d) 의 선단 전체와 곡면 벽부 (5e) 의 선단이 금속관 (5) 의 공통의 개구 단면 (5a) 을 형성하고 있다 (도 2 참조). 평탄 벽부 또는 평활 벽부 (5d) 는, 예를 들어 시판되는 전자 세라믹 히터인 가열원 (6) 과 직접 대향하도록 배치되어 있다. 가열원 (6) 에는, 플러그 부재 (7) 를 통하여 전력이 공급되도록 되어 있다. 또, 금속관 (5) 은, 그 단면 개구 면적이 선단측일수록 작아지도록 형성된 스로틀부 (5f) 를 갖고 있다.이상과 같은 금속관 (5) 이, 수지제의 외통 (8) 내에 인서트 성형되어 있다. 구체적으로는, 도 4 의 (a), 도 4 의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 금속관 (5) 의 맞댐부를 사이에 두는 양측의 곡면 벽부 (5e) 의 외주면의 맞닿음부 (5t) 에 금형 (20) 에 의해 하중을 부가하고 (도 4 의 (a) 에 나타내는 상태에서 도 4 의 (b) 에 나타내는 상태로), 금속관 (5) 의 맞댐부를 밀착시킨 상태에서 금속관 (5) 의 주위에 수지 성형을 실시함으로써, 금속관 (5) 의 맞댐부를 곡면 벽부 (5e) 에 형성하는 경우에도 큰 간극이 잔존하지 않는다는 것을 실현하고 있다. 이와 같은 인서트 성형 후, 금형 (20) 은 금속관 (5) 의 축선 방향으로 퇴피하여, 맞닿음부 (5t) 로부터 떨어진다 (도 4 의 (b) 에 나타내는 상태에서 도 4 의 (a) 에 나타내는 상태로). 따라서, 맞닿음부 (5t) 는, 인서트 성형 후에는 수지로 피복되지 않고 노출된 지점이 된다.도 1 내지 도 3 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에서는, 금속관 (5) 의 맞댐부는, 평탄 벽부 또는 평활 벽부 (5d) 에 대향하는 곡면 벽부 (5e) 의 정상부의 능선에 대응하고 있고, 당해 능선의 양측에 금속관 (5) 의 축선 방향에 대하여 교차하는 방향으로 연장되는 경사부 (곡면이다) 가 구성되어 있고, 당해 경사부의 외주면에 상기 맞닿음부 (5t) 가 형성되어 있다.또, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 가열원 (6) 의 위치 결정을 용이하고 또한 확실하게 실시하기 위해, 평탄 벽부 또는 평활 벽부 (5d) 에 가열원 (6) 의 위치 결정을 위한 볼록부 (5p) (오목부여도 된다) 가 형성되어 있다.다음으로, 이상과 같은 본 실시형태의 블로바이 가스 히터 (10) 의 작용에 대해 설명한다. 금속관 (5) 의 개구 단면 (5a) 이 도시가 생략된 흡기 통로관 내로 돌출되도록 배치된다. 블로바이 가스는, 금속관 (5) 내를 안내되어 흐른다. 그 과정에서, 응결된 블로바이 가스의 수분 내지 유분이 가열원 (6) 으로부터의 열에 의해 용해된다.그런데도 금속관 (5) 에 부착되는 소량의 블로바이 가스의 수분 내지 유분은, 개구 단면 (5a) 까지 유도되어, 당해 개구 단면 (5a) 에 있어서 수적화 내지 유적화되고, 도시가 생략된 흡기 통로관 내를 흐르는 기류 내에 비산된다. 여기서, 비산되어 가는 수적 내지 유적의 사이즈는 충분히 작기 때문에, 비산된 수적 내지 유적이 그 후에 빙결되거나 한 경우에도, 그 빙괴가 작은 체적이기 때문에, 예를 들어 터보 임펠러의 손상 등의 발생을 억제할 수 있다.이상과 같은 본 실시형태의 블로바이 가스 히터 (10) 에 의하면, 금속관 (5) 의 곡면 벽부 (5e) 에 금속관 (5) 의 맞댐부가 위치하고 있기 때문에, 평탄 벽부 또는 평활 벽부 (5d) 에 직접적으로, 즉, 블로바이 가스로부터 가열원 (6) 을 보호하기 위한 중간 부재를 개재시킬 필요없이 가열원 (6) 을 형성할 수 있다. 이로써, 전열 성능이 현저하게 향상된다. 또, 중간 부재가 필요없는 만큼, 부품 점수가 삭감된다는 효과도 얻어진다.또, 본 실시형태의 블로바이 가스 히터 (10) 에 의하면, 평탄 벽부 또는 평활 벽부 (5d) 에 가열원의 위치 결정을 위한 볼록부 (5p) 가 형성되어 있기 때문에, 가열원 (6) 의 위치 결정을 용이하고 또한 확실하게 실시할 수 있다.또한, 2014년 1월 20일에 출원된 일본 특허출원 제2014-008111호의 명세서, 특허청구범위, 도면 및 요약서의 전체 내용을 여기에 인용하고, 본 발명의 명세서의 개시로서 받아들이는 것이다.
본 발명은, 블로바이 가스가 통류하고 하류측으로 개구되는 통체를 갖는 블로바이 히터로서, 상기 통체는, 금속판을 통상으로 굽힘 가공한 상태에서 인서트한 수지 성형품으로서 형성되어 있고, 상기 통상으로 굽힘 가공된 금속판은, 평탄 벽부 또는 평활 벽부와 곡면 벽부를 갖는 금속관을 구성하고 있고, 상기 곡면 벽부에 상기 금속관의 맞댐부가 위치하고 있고, 상기 평탄 벽부 또는 평활 벽부에 가열원이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 블로바이 히터이다. 이와 같은 블로바이 히터는, 금속관의 맞댐부를 사이에 두는 양측의 곡면 벽부의 외주면의 맞닿음부에 금형을 맞닿게 하여, 금속관의 맞댐부를 밀착시킨 상태에서 수지 성형을 실시함으로써 실현된다.
[ 발명의 명칭 ] 브루톤 티로신 키나제의 억제제INHIBITORS OF BRUTON'S TYROSINE KINASE [ 기술분야 ] 본 발명은 브루톤 티로신 키나제(Btk)를 억제하고, B-세포의 이상(aberrant) 활성화에 의해 유발된 종양학적 자가면역 및 염증성 질환의 치료에 유용한 신규한 화합물의 용도에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 단백질 키나제는 인간 효소의 가장 큰 계열 중 하나를 구성하고, 포스페이트 기를 단백질에 첨가함으로써 많은 상이한 신호 과정을 조절한다(문헌[T. Hunter, Cell 1987 50:823-829]). 구체적으로, 티로신 키나제는 티로신 잔기의 페놀 잔기에서 단백질을 인산화한다. 티로신 키나제 계열은 세포 성장, 이동 및 분화를 조절하는 일원을 포함한다. 비정상적인 키나제 활성은 암, 자가면역 및 염증성 질환을 비롯한 다양한 인간 질환에 연루되어 있다. 단백질 키나제는 세포 신호의 핵심 조절자 중 하나이므로, 소분자 키나제 억제제로 세포 기능을 조절하는 표적을 제공하고, 따라서 우수한 약물 설계 표적을 만든다. 키나제-매개된 질환 과정의 치료 이외에, 키나제 활성의 선택적이고 효과적인 억제제는, 세포 신호 과정의 연구 및 치료 관심 대상의 다른 세포 표적의 식별에도 유용하다.B-세포가 자가면역 및/또는 염증성 질환의 발병에 있어서 핵심 역할을 한다는 좋은 증거가 있다. B-세포를 고갈시키는 단백질계 치료제, 예를 들어 리툭산(Rituxan)은 자가항체-유도된 염증성 질환, 예를 들어 류마티스 관절염에 효과적이다(문헌[Rastetter et al. Annu Rev Med 2004 55:477]). 따라서, B-세포 활성화에서 역할을 하는 단백질 키나제의 억제제는 B-세포-매개된 질환의 병증, 예를 들어 자가항체 생산에 대한 유용한 치료제이어야 한다.B-세포 수용체(BCR)를 통한 신호는 성숙한 항체 생산 세포로의 증식 및 분화를 포함하는 다양한 B-세포 반응을 제어한다. BCR은 B-세포 활성에 대한 핵심 조절 요소이고, 이상 신호는 다수의 자가면역 및/또는 염증성 질환을 초래하는 병원성 자가항체의 형성 및 탈조절된 B-세포 증식을 야기할 수 있다. 브루톤 티로신 키나제(Btk)는, 막 근위성(membrane proximal)이고 BCR의 바로 하류인 비-BCR 회합 키나제이다. Btk의 결핍은 BCR 신호를 차단하는 것으로 나타났고, 따라서 Btk의 억제는 B-세포-매개된 질환 과정을 차단하는데 유용한 치료적 접근일 수 있다.Btk는 티로신 키나제의 Tec 패밀리의 일원이고, 초기 B-세포 발달, 및 성숙한 B-세포 활성화 및 생존의 중요한 조절자인 것으로 나타났다(문헌[Khan et al. Immunity 1995 3:283] 및 문헌[Ellmeier et al. J. Exp. Med. 2000 192:1611]). 인간에서의 Btk 돌연변이는 X-연관성 무감마글로불린혈증(XLA) 질환을 초래한다(문헌[Rosen et al. New Eng. J. Med. 1995 333:431] 및 문헌[Lindvall et al. Immunol. Rev. 2005 203:200]에서 검토됨). 이러한 환자들은 면역이 손상되고, B-세포의 손상된 성숙, 감소된 면역글로불린 및 말초 B-세포 수준, 줄어든 T 세포 독립성 면역 반응뿐만 아니라 BCR 자극 후 약화된 칼슘 가동화를 나타낸다.자가면역 및 염증성 질환에서 Btk의 역할에 대한 증거는 또한 Btk-결핍 마우스 모델에 의해 제공되었다. 전신 홍반성 루푸스(SLE)의 임상전 뮤린 모델에서, Btk-결핍 마우스는 질환 진행의 현저한 개선을 나타낸다. 또한, Btk-결핍 마우스는 콜라겐-유도 관절염에 대해 내성이 있다(문헌[Jansson and Holmdahl Clin. Exp. Immunol. 1993 94:459]). 선택적인 Btk 억제제는 마우스 관절염 모델에서 투여량-의존적 효능이 있는 것으로 입증되었다(문헌[Z. Pan et al., Chem. Med Chem. 2007 2:58-61]).Btk는 또한 질환 과정에 수반될 수 있는 B-세포 이외의 세포에 의해 발현된다. 예를 들어, Btk는 비만 세포에 의해 발현되고, Btk-결핍 골수 유래된 비만 세포는 손상된 항원-유도된 탈과립화(degranulation)를 입증한다(문헌[Iwaki et al. J. Biol. Chem. 2005 280:40261]). 이는 Btk가 병적 비만 세포 반응, 예를 들어 알레르기 및 천식을 치료하는데 유용할 수 있음을 나타낸다. 또한, Btk 활성이 없는 XLA 환자로부터의 단핵구는 자극 후 감소된 TNF 알파 생산을 나타낸다(문헌[Horwood et al. J Exp Med. 2003 197:1603, 2003]). 따라서, TNF 알파 매개된 염증은 소분자 Btk 억제제에 의해 조절될 수 있다. 또한, Btk는 세포자멸(apoptosis) 시 역할을 하는 것으로 보고되었고(문헌[Islam and Smith Immunol. Rev. 2000 178:49]), 따라서 Btk 억제제는 특정 B-세포 림프종 및 백혈병의 치료에 유용할 수 있다(문헌[Feldhahn et al. J. Exp. Med. 2005 201:1837]). [ 발명의 개요 ] 본원은 하기 본원에 기술된 바와 같이, 화학식 I의 Btk 억제제 화합물, 이의 사용 방법을 제공한다:본원은 하기 화학식 I의 화합물 또는 이의 약학적으로 허용되는 염을 제공한다:[화학식 I]상기 식에서,R은 저급 알킬 또는 이고;n은 0 또는 1이고;R1은 부재하거나, 할로, 시아노, 저급 알킬 또는 -C(=O)N(CH3)2이고;R2는 부재하거나, 할로, 시아노, -C(=O)NH2 또는 -C(=O)N(CH3)2이고;R3은 할로 또는 -C(=O)R3a이고;R3a는 R3a' 또는 R3a''이고;R3a'는 저급 알킬, 아미노, 알킬 아미노, 다이알킬 아미노 또는 N(CH3)C(=O)OC(CH3)3으로 선택적으로 치환된 헤테로사이클로알킬이고;R3a''는 -OR3b, NH(CH2)2R3c, NHCN, NHS(=O)2R3d 또는 NHR3e이고;R3b는 H 또는 저급 알킬이고;R3c는 저급 알콕시, 아미노, 알킬 아미노 또는 다이알킬 아미노이고;R3d는 저급 알킬 또는 사이클로알킬이고;R3e는 헤테로사이클로알킬, 저급 알킬 헤테로사이클로알킬 또는 (CH2)2N(CH3)C(=O)OC(CH3)3이고;R4는 부재하거나, 저급 알킬, 저급 알콕시, 시아노, 하이드록시 또는 할로이고;R5는 할로 또는 저급 알킬이고;R6은 부재하거나, 할로, 저급 알킬 또는 저급 알콕시이고;R7은 H이거나, R7 및 R4는 함께 -C(=O)-를 형성하고;R8은 부재하거나, 저급 알킬, 하이드록시 또는 할로이고;R9는 부재하거나 할로이고;X는 CH 또는 N이고;X'는 CH 또는 N이고;Y는 CH 또는 N이다.본원은 화학식 I의 화합물의 치료 효과량을 이를 필요로 하는 환자에게 투여함을 포함하는, 염증성 및/또는 자가면역 질환의 치료 방법을 제공한다.본원은 화학식 I의 화합물을 하나 이상의 약학적으로 허용되는 담체, 부형제 또는 희석제와 함께 포함하는 약학 조성물을 제공한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 정의본원에서 사용되는 단수형 개체는 하나 이상의 개체를 지칭한다(예를 들어, 화합물은 하나 이상의 화합물 또는 적어도 하나의 화합물을 지칭한다). 마찬가지로, 단수형, "하나 이상" 및 "적어도 하나"는 본원에서 상호교환적으로 사용될 수 있다.어구 "상기 정의된 바와 같은"은 상기 발명의 내용에 제공된 각각의 기에 대한 광범위한 정의 또는 광범위한 청구범위를 지칭한다. 하기 제공되는 모든 다른 양태에서, 각각의 양태에 존재할 수 있고 명시적으로 정의되지 않은 치환기는 상기 발명의 내용에 제공된 광범위한 정의를 보유한다.본원에서 전이구에서든지 또는 청구범위의 본문에서든지 사용된 바와 같이, 용어 "포함하다" 및 "포함하는"은 개방-종지형 의미를 갖는 것으로 해석되어야 한다. 즉, 상기 용어는 "적어도 ~을 갖는" 또는 "적어도 ~을 포함하는"이라는 표현과 같은 뜻으로 해석되어야 한다. 방법의 문맥에 사용되는 경우, 용어 "포함하는"은 이러한 방법이 적어도 언급된 단계를 포함하지만, 부가적인 단계도 포함할 수 있음을 의미한다. 화합물 또는 조성물의 문맥에 사용되는 경우, 용어 "포함하는"은 화합물 또는 조성물이 적어도 언급된 특징 또는 성분을 포함하지만, 부가적인 특징 또는 성분도 포함할 수 있음을 의미한다.본원에서 사용되는 바와 같이, 달리 구체적으로 나타나지 않는 한, 용어 " 또는"은 "및/또는"의 "포괄적" 의미로 사용되고, "~중 하나"의 "배타적" 의미로 사용되지 않는다.용어 "독립적으로"는 본원에서 동일한 화합물 내에서 동일하거나 상이한 정의를 갖는 변수의 존재 또는 부재와 무관하게 임의의 경우에 변수가 적용됨을 나타내는 것으로 사용된다. 따라서, R"가 2회 나타나고 "독립적으로 탄소 또는 질소"로 정의되는 화합물에서, R"는 둘 다 탄소이거나, R"는 둘 다 질소이거나, 하나의 R"는 탄소이고 다른 하나는 질소일 수 있다.본 발명에서 사용되거나 청구되는 화합물을 도시하거나 기술하는 임의의 잔기 또는 화학식에서 임의의 변수가 1회보다 많이 나타나는 경우, 각각의 경우에 그의 정의는 모든 다른 경우에서의 그의 정의와 독립적이다. 또한, 치환기 및/또는 변수의 조합은 이러한 화합물이 안정한 화합물을 초래하는 경우에만 허용된다.결합의 말단에서의 기호 "*" 또는 결합을 관통하여 도시된 ""는 각각 하나의 작용기 또는 다른 화학적 잔기가 분자의 나머지(이는 분자의 일부이다)에 대해 부착되는 지점을 지칭한다. 따라서, 예를 들어, R4가 인 MeC(=O)OR4는 이다.고리계 내로 도시된 결합(별개의 정점에서 연결된 결합과는 상반됨)은 결합이 임의의 적합한 고리 원자에 부착될 수 있음을 나타낸다.본원에서 사용되는 용어 "선택적" 또는 "선택적으로"는 후속적으로 기재된 사건 또는 상황이 필수적이지는 않지만 발생할 수 있고, 이러한 기재가 사건 또는 상황이 발생한 경우 및 발생하지 않은 경우를 포함함을 의미한다. 예를 들어, "선택적으로 치환된"은 선택적으로 치환된 잔기가 수소 원자 또는 치환기를 포괄할 수 있음을 의미한다.어구 "선택적 결합"은 존재하거나 존재하지 않을 수 있는 결합을 의미하고, 이러한 기재는 단일 결합, 이중 결합 또는 삼중 결합을 포함한다. 치환기가 "결합" 또는 "부재"로 지정되는 경우, 이 치환기에 연결된 원자는 직접 연결된다.용어 "약"은 본원에서 대략, 근처의, 개략적으로 또는 대충을 의미하는 것으로 사용된다. 용어 "약"이 수치 범위와 함께 사용되는 경우, 이는 제시된 수치 범위 위아래로 경계를 확장함으로써 범위를 변경한다. 일반적으로, 용어 "약"은 본원에서 수치 값을 언급한 값의 상하로 20%의 편차로 수식하기 위해 사용된다.화학식 I의 특정 화합물은 호변 이성질성을 나타낼 수 있다. 호변 이성질성 화합물은 2개 이상의 상호전환가능한 종으로서 존재할 수 있다. 양성자성(prototropic) 호변 이성질체는 2개의 원자 사이에 공유 결합된 수소 원자의 이동으로부터 유래한다. 호변 이성질체는 일반적으로 평형 상태로 존재하고, 개별적인 호변 이성질체를 단리하기 위한 시도는 통상적으로 혼합물을 생성하고, 이 혼합물의 화학적 및 물리적 특성은 화합물의 혼합물과 일치한다. 평형 상태의 위치는 분자 내의 화학적 특징에 의존한다. 예를 들어, 많은 지방족 알데하이드 및 케톤, 예컨대 아세트알데하이드에서는 케토 형태가 우세한 반면, 페놀에서는 에놀 형태가 우세하다. 통상적인 양성자성 호변 이성질체는 케토/에놀(), 아미드/이미드산() 및 아미딘() 호변 이성질체를 포함한다. 후자 2개는 특히 헤테로아릴 및 헤테로환형 고리에서 통상적이고, 본 발명은 상기 화합물의 모든 호변 이성질체 형태를 포괄한다.본원에 사용된 기술적 및 과학적 용어는 달리 정의되지 않는 한 본 발명이 속하는 분야의 숙련자에 의해 통상적으로 이해되는 의미를 갖는다. 당업자에게 공지된 다양한 방법론 및 물질을 본원에 참고한다. 약리학의 일반적인 원리를 설명하는 표준 참고 문헌은 문헌[Goodman and Gilman's The Pharmacological Basis of Therapeutics, 10th Ed., McGraw Hill Companies Inc., New York (2001)]을 포함한다. 당업자에게 공지된 임의의 적합한 물질 및/또는 방법을 본 발명의 실시에 이용할 수 있다. 그러나, 바람직한 물질 및 방법은 기술되어 있다. 하기 설명 및 실시예에 참고된 물질, 시약 등은 달리 나타내지 않는 한 상업적인 공급원으로부터 입수가능하다.본원에 기재된 정의가 더해져 화학적으로 관련된 조합, 예컨대 "헤테로알킬아릴", "할로알킬헤테로아릴", "아릴알킬헤테로사이클릴", "알킬카보닐", "알콕시알킬" 등을 형성할 수 있다. 용어 "알킬"이 "페닐알킬" 또는 "하이드록시알킬"에서와 같이 다른 용어 뒤에서 접미사로서 사용되는 경우, 이는 다른 구체적으로 명명된 기로부터 선택되는 1 또는 2개의 치환기로 치환된 알킬 기(상기 정의된 바와 같음)를 지칭한다. 따라서, 예를 들어, "페닐알킬"은 1 또는 2개의 페닐 치환기를 갖는 알킬 기를 지칭하고, 이에 따라 벤질, 페닐에틸 및 바이페닐을 포함한다. "알킬아미노알킬"은 1 또는 2개의 알킬아미노 치환기를 갖는 알킬 기이다. "하이드록시알킬"은 2-하이드록시에틸, 2-하이드록시프로필, 1-(하이드록시메틸)-2-메틸프로필, 2-하이드록시부틸, 2,3-다이하이드록시부틸, 2-(하이드록시메틸), 3-하이드록시프로필 등을 포함한다. 따라서, 본원에서 사용되는 용어 "하이드록시알킬"은 하기 정의된 헤테로알킬 기의 부분 집합을 정의하기 위해 사용된다. 용어 "(아르)알킬"은 비치환된 알킬 또는 아르알킬 기를 지칭한다. 용어 "(헤테로)아릴" 또는 "(헤트)아릴"은 아릴 또는 헤테로아릴 기를 지칭한다.본원에서 사용되는 용어 "스피로사이클로알킬"은 스피로환형 사이클로알킬 기, 예컨대 스피로[3.3]헵탄을 의미한다. 본원에서 사용되는 용어 "스피로헤테로사이클로알킬"은 스피로환형 헤테로사이클로알킬, 예컨대 2,6-다이아자 스피로 [3.3]헵탄을 의미한다.본원에서 사용되는 용어 "아실"은 화학식 -C(=O)R(이때, R은 수소 또는 본원에 정의된 바와 같은 저급 알킬임)의 기를 나타낸다. 본원에서 사용되는 용어 "알킬카보닐"은 화학식 C(=O)R(이때, R은 본원에 정의된 바와 같은 알킬임)의 기를 나타낸다. 용어 "C1-6 아실"은 6개의 탄소 원자를 함유하는 기 -C(=O)R을 지칭한다. 본원에서 사용되는 용어 "아릴카보닐"은 화학식 C(=O)R(이때, R은 아릴 기임)의 기를 의미하고, 본원에서 사용되는 용어 "벤조일"은 R이 페닐인 "아릴카보닐" 기이다.본원에서 사용되는 용어 "에스터"는 화학식 -C(=O)OR(이때, R은 본원에 정의된 바와 같은 저급 알킬임)의 기를 나타낸다.본원에서 사용되는 용어 "알킬"은 1 내지 10개의 탄소 원자를 함유하는 포화된 1가 비분지쇄 또는 분지쇄 탄화수소 잔기를 나타낸다. 용어 "저급 알킬"은 1 내지 6개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄 또는 분지쇄 탄화수소 잔기를 나타낸다. 본원에서 사용되는 "C1-10 알킬"은 1 내지 10개의 탄소로 이루어진 알킬을 지칭한다. 알킬 기의 예는 저급 알킬 기, 예컨대 메틸, 에틸, 프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, tert-부틸 또는 펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, 헥실, 헵틸 및 옥틸을 포함하나, 이에 한정되지 않는다.용어 "알킬"이 "페닐알킬" 또는 "하이드록시알킬"에서와 같이 다른 용어의 뒤에서 접미사로서 사용되는 경우, 이는 다른 구체적으로 명명된 기로부터 선택되는 1 또는 2개의 치환기에 의해 치환된 알킬 기(상기 정의된 바와 같음)를 지칭하는 것으로 의도된다. 따라서, 예컨대 "페닐알킬"은 라디칼 R'R"-를 나타내되, R'는 페닐 라디칼이고, R"는 본원에 정의된 바와 같은 알킬렌 라디칼이고, 이때 상기 페닐알킬 잔기의 부착점은 알킬렌 라디칼에 존재하는 것으로 이해된다. 아릴알킬 라디칼의 예는 벤질, 페닐에틸, 3-페닐프로필을 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 용어 "아릴알킬" 또는 "아르알킬"은 R'이 아릴 라디칼인 것을 제외하고는 유사하게 해석된다. 용어 "(헤트)아릴알킬" 또는 "(헤트)아르알킬"은 R'가 선택적으로 아릴 또는 헤테로아릴 라디칼인 것을 제외하고는 유사하게 해석된다.용어 "할로알킬", "할로-저급 알킬" 또는 "저급 할로알킬"은 하나 이상의 탄소 원자가 하나 이상의 할로겐 원자로 치환된, 1 내지 6개의 탄소 원자를 함유하는 직쇄 또는 분지쇄 탄화수소 잔기를 지칭한다.본원에서 사용되는 용어 "알킬렌" 또는 "알킬렌일"은, 달리 나타내지 않는 한, 1 내지 10개의 탄소 원자의 포화된 2가 선형 탄화수소 라디칼(예를 들어, (CH2)n), 또는 2 내지 10개의 탄소 원자의 포화된 2가 분지형 탄화수소 라디칼(예를 들어, -CHMe- 또는 -CH2CH(i-Pr)CH2-)을 나타낸다. 메틸렌의 경우를 제외하고, 알킬렌 기의 개방 원자가(open valence)는 동일한 원자에 부착되지 않는다. 알킬렌 라디칼의 예는 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 2-메틸-프로필렌, 1,1-다이메틸-에틸렌, 부틸렌, 2-에틸부틸렌을 포함하나, 이에 한정되지 않는다.본원에서 사용되는 용어 "알콕시"는 -O-알킬 기(이때, 알킬은 상기 정의된 바와 같음), 예컨대 메톡시, 에톡시, n-프로필옥시, i-프로필옥시, n-부틸옥시, i-부틸옥시, tert-부틸옥시, 펜틸옥시, 헥실옥시 및 이들의 이성질체를 의미한다. 본원에서 사용되는 "저급 알콕시"는 상기 정의된 바와 같은 "저급 알킬" 기를 갖는 알콕시 기를 나타낸다. 본원에서 사용되는 "C1-10 알콕시"는 알킬이 C1-10인 -O-알킬을 지칭한다.용어 "PCy3"은 3개의 환형 잔기로 삼치환된 포스핀을 지칭한다.용어 "할로알콕시", "할로-저급 알콕시" 또는 "저급 할로알콕시"는 하나 이상의 탄소 원자가 하나 이상의 할로겐 원자로 치환된 저급 알콕시 기를 지칭한다.본원에서 사용되는 용어 "하이드록시알킬"은 상이한 탄소 원자에서 1 내지 3개의 수소 원자가 하이드록실 기로 대체된 본원에 정의된 알킬 라디칼을 나타낸다.본원에서 사용되는 용어 "알킬설폰일" 및 "아릴설폰일"은 화학식 -S(=O)2R(이때, R은 각각 알킬 또는 아릴이고, 알킬 및 아릴은 본원에 정의된 바와 같음)의 기를 지칭한다. 본원에서 사용되는 용어 "헤테로알킬설폰일"은 화학식 -S(=O)2R(이때, R은 본원에 정의된 "헤테로알킬"임)의 기를 나타낸다.본원에서 사용되는 용어 "알킬설폰일아미노" 및 "아릴설폰일아미노"는 화학식 -NR'S(=O)2R(이때, R은 각각 알킬 또는 아릴이고, R'는 수소 또는 C1-3 알킬이고, 알킬 및 아릴은 본원에 정의된 바와 같음)의 기를 지칭한다.본원에서 사용되는 용어 "사이클로알킬"은 3 내지 8개의 탄소 원자를 함유하는 포화된 탄소환형 고리, 즉 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 사이클로헵틸 또는 사이클로옥틸을 지칭한다. 본원에서 사용되는 "C3-7 사이클로알킬"은 탄소환형 고리 내에 3 내지 7개의 탄소로 이루어진 사이클로알킬을 지칭한다.본원에서 사용되는 용어 "카복시-알킬"은 1개의 수소 원자가 카복실로 치환된 알킬 잔기를 지칭하고, 이때 헤테로알킬 라디칼의 부착점은 탄소 원자를 통해서라고 이해된다. 용어 "카복시" 또는 "카복실"은 -CO2H 잔기를 지칭한다.본원에서 사용되는 용어 "헤테로아릴" 또는 "헤테로방향족"은 하나 이상의 N, O 또는 S 헤테로원자가 혼입되고 나머지 고리 원자가 탄소인, 고리 당 4 내지 8개의 원자를 함유하는 하나 이상의 방향족 또는 부분적으로 불포화된 고리를 갖는 5 내지 12개의 고리 원자의 일환형 또는 이환형 라디칼을 의미하고, 이때 헤테로아릴 라디칼의 부착점은 방향족 또는 부분적으로 불포화된 고리에 존재한다고 이해된다. 당업자에게 널리 공지된 바와 같이, 헤테로아릴 고리는 이의 모든 탄소 대응자보다 방향족 특성을 덜 갖는다. 따라서, 본 발명의 목적을 위해, 헤테로아릴 기는 어느 정도의 방향족 특성만을 가질 필요가 있다. 헤테로아릴 잔기의 예는 5 또는 6개의 고리 원자 및 1 내지 3개의 헤테로원자를 갖는 일환형 방향족 헤테로환을 포함하고, 선택적으로 하이드록시, 시아노, 알킬, 알콕시, 티오, 저급 할로알콕시, 알킬티오, 할로, 저급 할로알킬, 알킬설핀일, 알킬설폰일, 할로겐, 아미노, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아미노알킬, 알킬아미노알킬 및 다이알킬아미노알킬, 니트로, 알콕시카보닐 및 카바모일, 알킬카바모일, 다이알킬카바모일, 아릴카바모일, 알킬카보닐아미노 및 아릴카보닐아미노로부터 선택되는 하나 이상, 바람직하게는 1 또는 2개의 치환기로 치환될 수 있는, 피리딘일, 피리미딘일, 피라진일, 옥사진일, 피롤릴, 피라졸릴, 이미다졸릴, 옥사졸릴, 4,5-다이하이드로-옥사졸릴, 5,6-다이하이드로-4H-[1,3]옥사졸릴, 이속사졸, 티아졸, 이소티아졸, 트라이아졸린, 티아다이아졸 및 옥사다이아졸린을 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 이환형 잔기의 예는 퀴놀린일, 이소퀴놀린일, 벤조푸릴, 벤조티오페닐, 벤즈옥사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 나프티리딘일, 5,6,7,8-테트라하이드로-[1,6]나프티리딘일 및 벤즈이소티아졸을 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 이환형 잔기는 선택적으로 다른 고리에 치환될 수 있으나, 부착점은 헤테로원자를 함유하는 고리에 있다.본원에서 사용되는 용어 "헤테로사이클릴", "헤테로사이클로알킬" 또는 "헤테로사이클"은 하나 이상의 고리 헤테로원자(N, O 및 S(O)0-2로부터 선택됨)를 포함하여 고리당 3 내지 8개의 원자의 하나 이상의 고리, 바람직하게는 1 또는 2개의 고리(스피로환형 고리계도 포함됨)로 이루어진 1가 포화된 환형 라디칼을 나타내며, 달리 기재되지 않는 한, 이들은 선택적으로 하이드록시, 옥소, 시아노, 저급 알킬, 저급 알콕시, 저급 할로알콕시, 알킬티오, 할로, 저급 할로알킬, 하이드록시알킬, 니트로, 알콕시카보닐, 아미노, 알킬아미노, 알킬설폰일, 아릴설폰일, 알킬아미노설폰일, 아릴아미노설폰일, 알킬설폰일아미노, 아릴설폰일아미노, 알킬아미노카보닐, 아릴아미노카보닐, 알킬카보닐아미노, 아릴카보닐아미노 및 이들의 이온 형태로부터 선택되는 하나 이상, 바람직하게는 1 또는 2개의 치환기로 독립적으로 치환될 수 있다. 헤테로환형 라디칼의 예는 모폴린일, 피페라진일, 피페리딘일, 아제티딘일, 피롤리딘일, 헥사하이드로아제핀일, 옥세탄일, 테트라하이드로푸란일, 테트라하이드로티오펜일, 옥사졸리딘일, 티아졸리딘일, 이속사졸리딘일, 테트라하이드로피란일, 티오모폴린일, 퀴누클리딘일 및 이미다졸린일 및 이들의 이온 형태를 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 예는 이환형, 예를 들어 3,8-다이아자-바이사이클로[3.2.1]옥탄, 2,5-다이아자-바이사이클로[2.2.2]옥탄 또는 옥타하이드로-피라지노[2,1-c][1,4]옥사진일 수 있다.본원은 하기 화학식 I의 화합물 또는 이의 약학적으로 허용되는 염을 제공한다:화학식 I상기 식에서,R은 저급 알킬 또는 이고;n은 0 또는 1이고;R1은 부재하거나, 할로, 시아노, 저급 알킬 또는 -C(=O)N(CH3)2이고;R2는 부재하거나, 할로, 시아노, -C(=O)NH2 또는 -C(=O)N(CH3)2이고;R3은 할로 또는 -C(=O)R3a이고;R3a는 R3a' 또는 R3a''이고;R3a'는 저급 알킬, 아미노, 알킬 아미노, 다이알킬 아미노 또는 N(CH3)C(=O)OC(CH3)3으로 선택적으로 치환된 헤테로사이클로알킬이고;R3a''는 -OR3b, NH(CH2)2R3c, NHCN, NHS(=O)2R3d 또는 NHR3e이고;R3b는 H 또는 저급 알킬이고;R3c는 저급 알콕시, 아미노, 알킬 아미노 또는 다이알킬 아미노이고;R3d는 저급 알킬 또는 사이클로알킬이고;R3e는 헤테로사이클로알킬, 저급 알킬 헤테로사이클로알킬 또는 (CH2)2N(CH3)C(=O)OC(CH3)3이고;R4는 부재하거나, 저급 알킬, 저급 알콕시, 시아노, 하이드록시 또는 할로이고;R5는 할로 또는 저급 알킬이고;R6은 부재하거나, 할로, 저급 알킬 또는 저급 알콕시이고;R7은 H이거나, R7 및 R4는 함께 -C(=O)-를 형성하고;R8은 부재하거나, 저급 알킬, 하이드록시 또는 할로이고;R9는 부재하거나 할로이고;X는 CH 또는 N이고;X'는 CH 또는 N이고;Y는 CH 또는 N이다.본원은 R이 이고, n이 0인 상기 화학식 I의 화합물을 제공한다.본원은 다르게는 n이 1인 상기 화학식 I의 화합물을 제공한다.본원은 R7이 H인 상기 화학식 I의 화합물을 제공한다.본원은 Y가 CH인 상기 화학식 I의 화합물을 제공한다.본원은 X가 CH인 상기 화학식 I의 화합물을 제공한다.본원은 다르게는 X가 N인 상기 화학식 I의 화합물을 제공한다.본원은 X'가 CH인 상기 화학식 I의 화합물을 제공한다.본원은 다르게는 X가 N인 상기 화학식 I의 화합물을 제공한다.본원은 R4가 메틸 또는 Cl인 상기 화학식 I의 화합물을 제공한다.본원은 R2가 F, 시아노 또는 -C(=O)N(CH3)2인 상기 화학식 I의 화합물을 제공한다.본원은 R1이 부재하거나 할로인 상기 화학식 I의 화합물을 제공한다.본원은 R1이 -C(=O)N(CH3)2인 상기 화학식 I의 화합물을 제공한다.본원은 R1이 Cl인 상기 화학식 I의 화합물을 제공한다.본원은 R1이 F인 상기 화학식 I의 화합물을 제공한다.본원은 R1이 메틸인 상기 화학식 I의 화합물을 제공한다.본원은 R3a'가 저급 알킬, 아미노, 알킬 아미노, 다이알킬 아미노 또는 N(CH3)C(=O)OC(CH3)3으로 선택적으로 치환된 헤테로사이클로알킬인 상기 화학식 I의 화합물을 제공한다.본원은 R3이 모폴린인 상기 화학식 I의 화합물을 제공한다.본원은 하기 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 화학식 I의 화합물을 제공한다:[5-아미노-1-(4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온;5-아미노-1-[4-(2-플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온;[5-아미노-1-(4-메틸-6-페녹시-피리딘-3-일)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온;[5-아미노-1-(3-플루오로-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온;5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-일)-모폴린-4-일-메탄온;2-[5-아미노-1-(5-플루오로-2-메틸-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-카보닐]-1H-인돌-5-일-모폴린-4-일-메탄온;2-[5-아미노-1-(2-메틸-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-카보닐]-1H-인돌-5-일-모폴린-4-일-메탄온;[5-아미노-1-(2-플루오로-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온;5-아미노-1-[6-(2-플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온;5-아미노-1-[6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온;5-아미노-1-[2-메틸-4-(피리딘-2-일옥시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온;5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온;5-아미노-1-[6-(2,5-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온;[5-아미노-1-(2-클로로-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온;5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온;(2-5-아미노-1-[4-(3-클로로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-일)-모폴린-4-일-메탄온;(2-5-아미노-1-[4-(3-브로모-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-일)-모폴린-4-일-메탄온;3-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴;5-아미노-1-[4-(3-tert-부틸-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온;[5-아미노-1-(4-메톡시-2-메틸-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온;2-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-5-(2,3-다이플루오로-페녹시)-벤조니트릴;5-아미노-1-[2-브로모-4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온;7-(2,3-다이플루오로-페녹시)-3-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-4H-피라졸로[1,5-a]퀴나졸린-5-온;5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2,6-다이메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온;5-아미노-1-[6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온;2-5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산;5-아미노-1-[4-(4-클로로-벤질옥시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온;5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온;5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-하이드록시-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온;3-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-벤조니트릴;2-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 메틸 에스터;2-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산;3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-클로로-페녹시-벤조니트릴;2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(3-시아노-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산;2-5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 (2-메톡시-에틸)-아미드;2-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 (2-아미노-에틸)-아미드;3-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-벤즈아미드;2-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-벤조이미다졸-5-카복실산 메틸 에스터;3-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-벤조이미다졸-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴;2-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-벤조이미다졸-5-카복실산 (2-메톡시-에틸)-아미드;2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(3-시아노-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-N-시아노-1H-인돌-5-카복실산 아미드;2-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-벤조이미다졸-5-카복실산;2-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴;3-(4-5-아미노-4-[5-(4-메틸-피페라진-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-벤조니트릴 하이드로클로라이드 염;사이클로프로판설폰산 (2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(3-시아노-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카보닐)-아미드;2-(4-5-아미노-4-[5-(4-메틸-피페라진-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드;3-(4-5-아미노-4-[5-(4-메틸-피페라진-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드;2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(3-시아노-2-플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산;2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 (2-다이메틸아미노-에틸)-아미드;2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 (2-다이메틸아미노-에틸)-아미드;2-(4-5-아미노-4-[5-(피페라진-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드 아세트산 염;[1-(2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카보닐)-피롤리딘-3-일]-메틸-카밤산 tert-부틸 에스터;2-(4-5-아미노-4-[5-(3-다이메틸아미노-피롤리딘-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드 아세트산 염;2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 (1-메틸-피롤리딘-3-일)-아미드 아세트산 염;2-[(2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카보닐)-아미노]-에틸-메틸-카밤산 tert-부틸 에스터;2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 (2-메틸아미노-에틸)-아미드 아세트산 염;2-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드;2-(4-5-아미노-4-[5-(4-메틸아미노-피페리딘-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드; 및2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산.본원은 화학식 I의 화합물의 치료 효과량을 이를 필요로 하는 환자에게 투여함을 포함하는, 염증성 및/또는 자가면역 질환의 치료 방법을 제공한다.본원은 화학식 I의 화합물의 치료 효과량을 이를 필요로 하는 환자에게 투여함을 포함하는, 류마티스 관절염의 치료 방법을 제공한다.본원은 화학식 I의 화합물의 치료 효과량을 이를 필요로 하는 환자에게 투여함을 포함하는, 천식의 치료 방법을 제공한다.본원은 화학식 I의 화합물의 치료 효과량을 이를 필요로 하는 환자에게 투여함을 포함하는, 암의 치료 방법을 제공한다.본원은 화학식 I의 화합물을 포함하는 약학 조성물을 제공한다.본원은 화학식 I의 화합물을 하나 이상의 약학적으로 허용되는 담체, 부형제 또는 희석제와 함께 포함하는 약학 조성물을 제공한다.본원은 염증성 질환의 치료용 약제의 제조에 있어서 화학식 I의 화합물의 용도를 제공한다.본원은 자가면역 질환의 치료용 약제의 제조에 있어서 화학식 I의 화합물의 용도를 제공한다.본원은 류마티스 관절염의 치료용 약제의 제조에 있어서 화학식 I의 화합물의 용도를 제공한다.본원은 천식의 치료용 약제의 제조에 있어서 화학식 I의 화합물의 용도를 제공한다.본원은 염증성 및/또는 자가면역 질환의 치료를 위한 상기 기재된 바와 같은 화합물의 용도를 제공한다.본원은 류마티스 관절염의 치료를 위한 상기 기재된 바와 같은 화합물의 용도를 제공한다.본원은 천식의 치료를 위한 상기 기재된 바와 같은 화합물의 용도를 제공한다.본원은 염증성 및/또는 자가면역 질환의 치료에 사용하기 위한 상기 기재된 바와 같은 화합물을 제공한다.본원은 류마티스 관절염의 치료에 사용하기 위한 상기 기재된 바와 같은 화합물을 제공한다.본원은 천식의 치료에 사용하기 위한 상기 기재된 바와 같은 화합물을 제공한다.본원은 본원에 기재된 바와 같은 화합물, 방법 또는 조성물을 제공한다.화합물 및 제법본 발명에 의해 포괄되고 본 발명의 범주 내의 대표적인 화합물의 예를 하기 표에 제공하였다. 하기의 예 및 제조 방법은 당업자로 하여금 본 발명을 더욱 명확하게 이해하고 실행할 수 있도록 제공된다. 이들은 본 발명의 범주를 제한하는 것으로 간주되어서는 안되며, 단지 본 발명을 예시하고 대표하는 것으로 간주된다.일반적으로, 본원에 사용된 명명법은 IUPAC 체계 명명법의 생성을 위한 바일스타인 인스티튜트(Beilstein Institute) 컴퓨터화된 시스템인 오토놈(AMUTONOM: 상표) 4.0 버전에 기초한다. 도시된 구조와 그 구조에 제시된 명칭이 불일치하는 경우, 도시된 구조에 좀더 무게를 두어야 한다. 또한, 구조의 입체화학 또는 구조의 일부를, 예를 들어, 굵은 선 또는 점선으로 나타내지 않은 경우, 상기 구조 또는 구조의 일부는 모든 입체 이성질체를 포괄하는 것으로 해석되어야 한다.표 I은 화학식 I의 화합물의 예를 도시한다:[표 I]일반적인 합성 반응식본 발명의 화합물을 임의의 통상적인 방식으로 제조할 수 있다. 이러한 화합물을 합성하기 위한 적합한 방법을 실시예에 제시한다. 일반적으로, 본 발명의 화합물을 하기 반응식에 따라 제조할 수 있다.[반응식 1]화학식 8의 화합물(이때, Ar, A, M, R1 및 R2는 화학식 I의 화합물에 대해 기술된 바와 같음)은 반응식 1에 약술된 경로를 사용하여 제조될 수 있다. 본 과정에 따라서, 화학식 1의 화합물, 5-브로모-1H-인돌-2-카복실산 에틸 에스터(시판 중임) 또는 5-브로모-1H-벤조이미다졸-2-카복실산 에틸 에스터(하기 실험 섹션에 기술된 바와 같이 제조될 수 있거나, 문헌[Branco, P. S. et al. Tetrahedron 1992, 48, 6335-5360]에 기술된 방법에 따라 제조될 수 있음)는 2-(트라이메틸실릴)에톡시메틸-보호된(SEM-보호된) 화학식 2의 유도체로 전환될 수 있다. 이어서, 에스터 2는 아세토니트릴로부터 유도된 음이온과 반응하여 화학식 3의 시아노아세틸 유도체를 제공할 수 있다. 다이메틸포름아미드 다이메틸 아세탈과의 반응은 아크릴로니트릴 유도체 4를 제공하고, 이는 화학식 5의 아릴-하이드라진 유도체와 반응하여 화학식 6의 아미노피라졸을 제공한다. 이어서, R2 기가 하기 약술된 전이 금속-촉매화된 커플링 반응에 의해 설치되어 화학식 7의 화합물을 제공한다. 이어서, SEM 보호기의 제거는 화학식 8의 본 발명의 화합물을 제공한다.화학식 1의 화합물은 약 0℃의 온도에서 테트라하이드로푸란 또는 다이메틸포름아미드 또는 이들 2개의 용매의 혼합물과 같은 불활성 용매 중에서 나트륨 하이드라이드와 같은 염기로 적절히 처리될 수 있다. 이는 (2-클로로메톡시-에틸)-트라이메틸-실란으로 처리될 수 있고, 혼합물은 실온에서 약 1시간 동안 교반되어 화학식 2의 SEM-보호된 유도체를 제공할 수 있다.화학식 2의 화합물을 저온, 예컨대 약 -78℃에서 용매, 예컨대 테트라하이드로푸란 중에서 아세토니트릴 및 강 염기, 예컨대 리튬 다이이소프로필아미드 또는 리튬 헥사메틸다이실라자이드의 혼합물로 처리하여 화학식 3의 시아노아세틸 유도체로 편리하게 전환할 수 있다. 상기 반응에 대한 조건은 특허 문헌, 예를 들어 타카(Taka, N.) 등의 미국특허출원공개 제2012/0208811호의 제163면에서 확인할 수 있다.화학식 3의 화합물을 대략 실온에서 불활성 용매, 예컨대 방향족 탄화수소(예를 들어, 톨루엔) 또는 테트라하이드로푸란 중에서 N,N-다이메틸포름아미드 다이메틸 아세탈로 처리하여 화학식 4의 아크릴로니트릴 유도체로 전환할 수 있다. 상기 반응에 대한 조건은 특허 문헌, 예를 들어 타카 등의 미국특허출원공개 제2012/0208811호의 제132면에서 확인할 수 있다.화학식 4의 아크릴로니트릴 유도체를 알코올성 용매, 예컨대 메탄올 또는 에탄올 또는 이소프로판올 중에서 대략 용매의 환류 온도에서 화학식 5(이때, R1은 화학식 I의 부류에서 상기 기재된 바와 같음)의 중간체로 처리하여 화학식 6의 아미노피라졸 유도체로 전환할 수 있다. 상기 반응에 대한 조건은 특허 문헌, 예를 들어 타카 등의 미국특허출원공개 제2012/0208811호의 제94면에서 확인할 수 있다.화학식 7(이때, R2는 인돌 고리에 부착된 카보닐 탄소를 갖는 카복스아미드 또는 카복실레이트 에스터 작용기를 나타냄)의 화합물을 전이 금속-촉매화된 카보닐화 커플링 반응을 사용하여 편리하게 제조할 수 있다. 이 과정에 따라, 화학식 6의 화합물을 약 80℃ 내지 약 110℃의 온도에서 밀봉관 내에서, 일산화탄소 가스, 3차 아민과 같은 염기(예컨대, 트라이에틸아민 또는 다이이소프로필에틸아민), 및 촉매량의 팔라듐 촉매, 예컨대 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0), 또는 팔라듐 촉매, 예컨대 비스(벤조니트릴)팔라듐(II) 다이클로라이드 또는 팔라듐(II) 아세테이트와 리간드(예컨대, 1,1'-비스(다이페닐포스피노)페로센 또는 1,3-비스(다이페닐포스피노)프로판 또는 4,5-비스(다이페닐포스피노)-9,9-다이메틸잔텐)의 조합의 존재 하에, 용매, 예컨대 테트라하이드로푸란 또는 톨루엔 중에서 아민으로 가열하여 카복스아미드 생성물을 수득하거나, 치환된 또는 비치환된 저급 알코올로 가열하여 카복실레이트 에스터 생성물을 수득한다. 상기 반응에 사용될 수 있는 특정 조건의 예는, 예를 들어 문헌[Kumar, K.et al. Org. Letters 2004, 6, 7-10]에서 확인할 수 있다.R2가 인돌 고리에 부착된 카보닐 탄소를 갖는 N-시아노-카복스아미드 작용기 또는 아실설폰아미드 작용기를 나타내는 화학식 7의 화합물은 전이 금속-촉매화된 카보닐성 커플링 반응을 사용하여 적절히 제조될 수 있다. 본 방법에 따라서, 화학식 6의 화합물은, 약 80 내지 약 100℃의 온도의 밀봉관에서, 설폰아미드(아실설폰아미드 생성물을 제공함) 또는 시안아미드(N-시아노-카복스아미드 생성물을 제공함)와 함께, 일산화 탄소 기체, 3차 아민(예컨대, 트라이에틸아민 또는 다이이소프로필에틸아민)과 같은 염기, 및 촉매량의 팔라듐 촉매, 예컨대 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0), 또는 팔라듐 촉매(예컨대, 비스(벤조니트릴)팔라듐(II) 다이클로라이드 또는 팔라듐(II) 아세테이트)와 1,1'-비스(다이페닐포스피노)페로센 또는 1,3-비스(다이페닐포스피노)프로판 또는 4,5-비스(다이페닐포스피노)-9,9-다이메틸잔텐와 같은 리간드의 조합의 존재 하에, 테트라하이드로푸란 또는 톨루엔과 같은 용매 중에서 가열된다.화학식 8의 화합물로의 화학식 7의 화합물의 전환은 임의의 통상적인 과정을 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 반응은 화학식 7의 화합물을 약 50℃와 혼합물의 환류 온도 사이의 온도에서 테트라하이드로푸란 또는 다이메틸포름아미드와 같은 용매 중에서 테트라부틸암모늄 플루오라이드 및 에틸렌다이아민의 혼합물로 처리함으로써 수행될 수 있다. 이러한 반응에 사용될 수 있는 조건의 예는 바렛(Barrett, T. D.) 등의 국제특허출원공개 제2004/007463호 제182면; 케른스(Kerns, J. K.) 등의 국제특허출원공개 제2007/062318호 제47면; 및 데그난(Degnan, A. P.) 등의 미국특허출원공개 제2009/0018132호 제119면과 같은 문헌에서 발견될 수 있다. 다르게는, 화학식 7의 화합물은 환류 온도에서 알코올성 용매(예컨대, 메탄올, 에탄올 또는 이소프로판올) 또는 테트라하이드로푸란 중에서 농축 염산으로 처리되어 화학식 8의 본 발명의 화합물을 제공할 수 있다. 이러한 반응에 사용될 수 있는 조건의 예는 무뉴(Muneau, Y.) 등의 미국특허출원공개 제2008/0262020호 제24면과 같은 문헌에서 발견될 수 있다.[반응식 2]반응식 2에 약술된 바와 같이, 화학식 II의 많은 화합물이 또한 상이한 순서로 치환기를 도입함으로써 제조될 수 있음이, 유기 합성 분야의 당업자에게 즉시 명백할 것이다.본 방법에 따라서, 화학식 9의 화합물(문헌[Pierson, P. D. et al. J. Med. Chem. 2009, 52, 3855-3868]에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음)은 X가 치환된 또는 비치환된 저급 알킬 기를 나타내는 화학식 10의 에스터, 또는 X가 1차 아민 또는 환형 또는 비환형 2차 아민을 나타내는 화학식 10의 아미드로 전환될 수 있다. 이어서, 화학식 10의 화합물은 피셔(Fischer) 인돌 환화에 의해 화학식 11의 인돌을 제공한다. SEM 보호기에 의한 인돌 질소의 보호는 화학식 12의 화합물을 제공하고, 이어서, 아세토니트릴의 음이온과의 반응은 화학식 13의 시아노아세틸 유도체를 제공한다. 이어서, 화학식 13의 화합물과 다이메틸포름아미드 다이메틸 아세탈의 반응은 화학식 14의 시아노아크릴로니트릴 유도체를 제공하고, 이는 아릴하이드라진과 반응하여 화학식 15의 아미노-피라졸 유도체를 제공한다. 이어서, SEM 보호기는 화학식 16의 본 발명의 화합물을 제공한다.화학식 10의 화합물을 제공하는 화학식 9의 화합물과 알코올 또는 아민의 커플링은 유기 합성 분야에 널리 공지된 반응이다. 카복실레이트 에스터를 제공하기 위한 알코올과의 반응을 위한 다양한 조건은 문헌[Greene's Protective Groups in Organic Synthesis, Wuts, P. G. M and Greene, T. W., 4th Edition, Wiley-Interscience, New York, 2006, pages 553 et seq.]에 약술되어 있다. 카복스아미드를 형성하기 위한 카복실산과 아미드의 반응에 유용한 방법은 문헌[Han, S.-Y. and Kim, Y.-A. Tetrahedron 2004, 60, 2447-2467], 및 더욱 최근에 문헌[El-Faham, A. and Albericio, F. Chem. Rev. 2011, 111, 6557-6602]에서 검토되었다. 예를 들어, 반응은, 약 0℃와 대략 실온 사이의 온도, 바람직하게는 대략 실온에서, 염화된 탄화수소(예컨대, 다이클로로메탄) 또는 N,N-다이메틸포름아미드 또는 N-메틸피롤리딘온과 같은 불활성 용매 중에서, 다수의 커플링제 중 하나, 1-하이드록시벤조트라이아졸 또는 1-하이드록시-7-아자벤조트라이아졸과 같은 촉매, 및 피리딘, 다이이소프로필에틸아민, N-메틸모폴린 또는 트라이에틸아민과 같은 염기의 존재 하에, 화학식 9의 화합물을 알코올 또는 아민로 처리함으로써 적절히 수행될 수 있다. 사용될 수 있는 커플링제의 예는 BOP(벤조트라이아졸-1-일옥시트리스(다이메틸-아미노)-포스포늄 헥사플루오로포스페이트); BOP-Cl(N,N'-비스(2-옥소-3-옥사졸리딘일)-포스핀산 클로라이드); DCC(N,N'-다이사이클로헥실카보다이이미드); DIC(N,N'-다이이소프로필카보다이이미드); EDC(1-[3-(다이메틸아미노)프로필]-3-에틸카보다이이미드 하이드로클로라이드); FDPP(펜타플루오로페닐 다이페닐 포스핀에이트); HATU(O-(7-아자벤조트라이아졸-1-일)-1,1,3,3-테트라메틸우로늄 헥사플루오로포스페이트); HBTU(O-(벤조트라이아졸-1-일)-1,1,3,3-테트라메틸우로늄 헥사플루오로포스페이트); PyBOP(벤조트라이아졸-1-일옥시트라이(피롤리디노)-포스포늄 헥사플루오로포스페이트); PyBroP(브로모트라이(피롤리디노)포스포늄 헥사플루오로포스페이트); 및 TSTU(2-석신이미도-1,1,3,3-테트라메틸우로늄 테트라플루오로보레이트)를 포함한다.피셔 인돌 환화는 문헌[Humphrey, G. R. and Kuethe, J. T. Chem. Rev. 2006, 106, 2875-2911]; 문헌[Gribble, G. W. J. Chem. Soc., Perkin Trans. 1 2000, 1045-1075]; 및 문헌[Robinson, B. Chem. Rev.1969, 69, 227-250]에서 검토되었다. 순수하게, 또는 기재 및 선택된 촉매의 성질에 따라 변하는 온도에서 클로로포름 또는 톨루엔과 같은 불활성 용매의 존재 하에, 화학식 10의 아릴하이드라존을 산 촉매(염산 또는 폴리인산과 같은 양성자성 산일 수 있음) 또는 루이스산, 예컨대 보론 트라이플루오라이드, 구리(I) 클로라이드 또는 아연 클로라이드로 처리함으로써 상기 반응은 적절히 수행될 수 있다. 예를 들어, 약 100 내지 약 120℃의 온도에서 톨루엔 중에서 화학식 10의 화합물을 폴리인산으로 처리함으로써, 반응을 수행하여 화학식 11의 인돌 유도체를 제공할 수 있다.화학식 11의 화합물은 약 0℃의 온도에서 테트라하이드로푸란 또는 다이메틸포름아미드와 같은 불활성 용매, 또는 이들 2개 용매의 혼합물 중에서 나트륨 하이드라이드와 같은 염기로 적절히 처리되어 상응하는 음이온을 생성할 수 있다. 이는 (2-클로로메톡시-에틸)-트라이메틸-실란으로 처리될 수 있고, 혼합물은 실온에서 약 1시간 동안 교반되어 화학식 12의 SEM-보호된 유도체를 제공할 수 있다.화학식 12의 화합물을 저온, 예컨대 약 -78℃에서 용매, 예컨대 테트라하이드로푸란 중에서 아세토니트릴 및 강 염기, 예컨대 리튬 다이이소프로필아미드 또는 리튬 헥사메틸다이실라자이드의 혼합물로 처리하여 화학식 13의 시아노아세틸 유도체로 편리하게 전환할 수 있다. 상기 반응에 대한 조건은 특허 문헌, 예를 들어 타카 등의 미국특허출원공개 제2012/0208811호의 제163면에서 확인할 수 있다.화학식 13의 화합물을 대략 실온에서 불활성 용매, 예컨대 방향족 탄화수소(예를 들어, 톨루엔) 또는 테트라하이드로푸란 중에서 N,N-다이메틸포름아미드 다이메틸 아세탈로 처리하여 화학식 14의 아크릴로니트릴 유도체로 전환할 수 있다. 상기 반응에 대한 조건은 특허 문헌, 예를 들어 타카 등의 미국특허출원공개 제2012/0208811호의 제132면에서 확인할 수 있다.화학식 14의 아크릴로니트릴 유도체는, 메탄올, 에탄올 또는 이소프로판올과 같은 알코올성 용매 중에서, 대략 용매의 환류 온도에서, 화학식 5의 중간체(이때, Ar, A 및 R1은 화학식 I에 대해 기술된 바와 같음)로 처리함으로써, 화학식 15의 아미노피라졸 유도체로 전환될 수 있다. 이러한 반응을 위한 조건은 타카 등의 미국특허출원공개 제2012/0208811호 제94면과 같은 특허 문헌에서 발견될 수 있다.화학식 16의 본 발명의 화합물로의 화학식 15의 화합물의 전환은 임의의 통상적인 과정을 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 테트라하이드로푸란 또는 다이메틸포름아미드와 같은 용매 중에서, 약 50℃와 대략 혼합물의 환류 온도 사이의 온도에서, 화학식 15의 화합물을 테트라부틸암모늄 플루오라이드 및 에틸렌다이아민의 혼합물로 처리함으로써, 상기 반응을 수행할 수 있다. 이러한 반응에 사용될 수 있는 조건의 예는 바렛 등의 국제특허출원공개 제2004/007463호 제182면; 케른스 등의 국제특허출원공개 제2007/062318호 제47면; 및 데그난 등의 미국특허출원공개 제2009/0018132호 제119면과 같은 문헌에서 발견될 수 있다. 다르게는, 화학식 15의 화합물은 알코올성 용매(예컨대, 메탄올, 에탄올 또는 이소프로판올) 또는 테트라하이드로푸란 중에서 환류 온도에서 농축 염산으로 처리되어 화학식 16의 본 발명의 화합물을 제공할 수 있다. 이러한 반응에 사용될 수 있는 조건의 예는 무뉴 등의 국제특허출원공개 제2008/0262020호 제24면과 같은 문헌에서 발견될 수 있다.[반응식 3]본 발명의 화합물은 또한 반응식 3에 약술된 바와 같이 제조될 수 있다. 본 방법에 따라서, 화학식 14의 화합물(상기한 바와 같이 제조될 수 있음)은 화학식 17의 아릴하이드라진 유도체로 처리되어 화학식 18의 아미노피라졸 유도체를 제공할 수 있다. 이어서, 하이드록시방향족 화합물에 의한 금속-촉매화된 커플링 반응은 화학식 19의 화합물을 제공한다. 이어서, SEM 보호기의 제거는 화학식 20의 본 발명의 화합물을 제공한다.A 및 R1이 화학식 I에 대해 기술된 바와 같은 화학식 17의 중간체로 메탄올, 에탄올 또는 이소프로판올과 같은 알코올성 용매 중에서, 대략 용매의 환류 온도에서 처리함으로써, 화학식 14의 아크릴로니트릴 유도체는 화학식 18의 아미노피라졸 유도체로 전환될 수 있다. 이러한 반응을 위한 조건은 타카 등의 미국특허출원공개 제2012/0208811호 제94면과 같은 문헌에서 발견될 수 있다.화학식 18의 화합물은 구리(I) 요오다이드, 구리(I) 브로마이드 또는 구리(I) 산화물과 같은 금속 촉매의 존재 하에, 및 N,N-다이메틸글리신 하이드로클로라이드 염, 및 칼륨 포스페이트 또는 세슘 카보네이트와 같은 염기의 추가 존재 하에, 다이메틸 설폭사이드 또는 다이옥산과 같은 불활성 용매 중에서, 약 80 내지 약 100℃의 온도에서, 하이드록시방향족 화합물로 처리되어 화학식 19의 화합물을 제공할 수 있다. 이러한 반응에 사용될 수 있는 조건의 예는, 예를 들어 문헌[Ma, D. and Cai, Q. Org. Lett. 2003, 5, 3799-3802]에서 발견될 수 있다.화학식 20의 화합물로의 화학식 19의 화합물의 전환은 임의의 통상적인 과정을 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 화학식 19의 화합물을 테트라부틸암모늄 플루오라이드 및 에틸렌다이아민의 혼합물로 테트라하이드로푸란 또는 다이메틸포름아미드와 같은 용매 중에서 약 50℃와 대략 혼합물의 환류 온도 사이의 온도에서 처리함으로써, 상기 반응을 수행할 수 있다. 이러한 반응에 사용될 수 있는 조건의 예는 바렛 등의 국제특허출원공개 제2004/007463호 제182면; 케른스 등의 국제특허출원공개 제2007/062318호 제47면; 및 데그난 등의 미국특허출원공개 제2009/0018132호 제119면과 같은 문헌에서 발견될 수 있다. 다르게는, 화학식 19의 화합물은 농축 염산으로 알코올성 용매(예컨대, 메탄올, 에탄올 또는 이소프로판올) 또는 테트라하이드로푸란 중에서 환류 온도에서 처리되어 화학식 20의 본 발명의 화합물을 제공할 수 있다. 이러한 반응에 사용될 수 있는 조건의 예는 무뉴 등의 미국특허출원공개 제2008/0262020호 제24면과 같은 문헌에서 발견될 수 있다.[반응식 4]화학식 25의 본 발명의 화합물은 또한 반응식 4에 약술된 바와 같이 제조될 수 있다. 본 방법에 따라서, 화학식 14의 화합물(상기한 바와 같이 제조될 수 있음)은 화학식 21의 아릴하이드라진 유도체로 처리되어 화학식 22의 아미노피라졸 유도체를 제공할 수 있다. 메틸 에터의 절단은 화학식 23의 페놀 유도체를 제공한다. 화학식 R3-X의 알킬 또는 아르알킬 할라이드(이때, R3은 저급 알킬 기 또는 아르알킬 기를 나타내고, X는 이탈기, 예컨대 브로모 또는 클로로를 나타냄)에 의한 페놀의 알킬화는 화학식 24의 화합물을 제공한다. 이어서, SEM 보호기의 제거는 화학식 25의 본 발명의 화합물을 제공한다.화학식 14의 아크릴로니트릴 유도체는, 화학식 21의 중간체(이때, R1은 화학식 I에 대해 기술된 바와 같음)로 메탄올, 에탄올 또는 이소프로판올과 같은 알코올성 용매 중에서, 대략 용매의 환류 온도에서 처리함으로써, 화학식 22의 아미노피라졸 유도체로 전환될 수 있다. 이러한 반응을 위한 조건은 타카 등의 미국특허출원공개 제2012/0208811호 제94면과 같은 문헌에서 발견될 수 있다.화학식 22의 화합물은 SEM 보호기의 제거에 의해 R3이 메틸을 나타내는 화학식 25의 본 발명의 화합물로 전환될 수 있다. 이는 임의의 통상적인 과정을 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 화학식 22의 화합물을 테트라하이드로푸란 또는 다이메틸포름아미드와 같은 용매 중에서, 약 50℃와 대략 혼합물의 환류 온도 사이의 온도에서 테트라부틸암모늄 플루오라이드 및 에틸렌다이아민의 혼합물로 처리함으로써, 상기 반응이 수행될 수 있다. 이러한 반응에 사용될 수 있는 조건의 예는 바렛 등의 국제특허출원공개 제2004/007463호 제182면; 케른스 등의 국제특허출원공개 제2007/062318호 제47면; 및 데그난 등의 미국특허출원공개 제2009/0018132호 제119면과 같은 문헌에서 발견될 수 있다. 다르게는, 화학식 22의 화합물은 농축 염산으로, 알코올성 용매(예컨대, 메탄올, 에탄올 또는 이소프로판올) 또는 테트라하이드로푸란 중에서, 환류 온도에서 처리되어 화학식 25의 화합물을 제공할 수 있다. 이러한 반응에 사용될 수 있는 조건의 예는 무뉴 등의 미국특허출원공개 제2008/0262020호 제24면과 같은 문헌에서 발견될 수 있다.다르게는, 다수의 상이한 반응 조건이 화학식 22의 화합물의 메톡시 기의 절단을 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 반응은, 화학식 5의 메톡시피리딘을 트라이메틸실릴 클로라이드 및 나트륨 요오다이드와 함께 아세토니트릴과 같은 용매 중에서 수 시간 동안 가열함으로써, 적절히 수행될 수 있다. 이러한 반응에 사용될 수 있는 구체적인 조건의 예는, 예를 들어 문헌[Litchfield, J. et al. Bioorg. Med. Chem. Lett. 2010, 20, 6262-6267]; 문헌[Ando, M. et al. Bioorg. Med. Chem. 2009, 17, 6106-6122]; 또는 비그(Bigg, D.) 등의 미국특허출원공개 제2001/0000521호와 같은 문헌에서 발견될 수 있다. 상기 반응은 또한 판 에이스(Van Eis, M.) 등의 국제특허출원공개 제2008/122614호 제35면; 문헌[Leznoff, C. C. et al. J. Heterocycl. Chem.1985, 22, 145-147]; 및 하디다 루아(Hadida Ruah, S.)의 국제특허출원공개 제2008/141119호 제143면에 기술된 바와 같이 화학식 22의 메톡시피리딘을 클로로포름, 다이클로로메탄 또는 아세토니트릴 중에서 대략 실온 내지 약 50℃의 온도에서 트라이메틸실릴 요오다이드로 처리함으로써, 수행될 수 있다. 상기 반응은 또한 윌리엄스(Williams, T. M.) 등의 미국특허 제5,527,819호 실시예 76에 기술된 바와 같이 화학식 22의 화합물을 약 0℃의 다이클로로메탄 중에서 보론 트라이브로마이드로 처리함으로써, 수행될 수 있다. 상기 반응은 또한, 베르디니(Berdini, V.) 등의 제2010/0120761호 제75면; 및 문헌[McElroy W. T. and DeShong, P. Tetrahedron 2006, 62, 6945-6954]에 기술된 바와 같이 화학식 22의 화합물을 환류 하에 1,2-다이클로로에탄 중에서 인 트라이브로마이드로 처리함으로써 수행될 수 있다. 메탄올의 존재 하에, 아세탈 보호기는 아세탈교환반응을 거쳐 SEM 보호기 대신에 메톡시메틸 보호기를 제공한다.이어서, 화학식 23의 화합물은 대략 실온 내지 약 100℃의 온도에서 다이메틸포름아미드와 같은 불활성 용매 중에서 세슘 카보네이트 또는 칼륨 카보네이트의 존재 하에, 및 칼륨 요오다이드 또는 아세톤과 같은 촉매의 선택적이고 추가적인 존재 하에 알킬 할라이드 또는 아르알킬 할라이드, 예컨대 에틸 브로마이드, 이소프로필 요오다이드, 벤질 브로마이드, 4-클로로-벤질 브로마이드 등으로 처리되어 화학식 24의 알킬화된 유도체를 제공할 수 있다. 이러한 반응을 수행하기에 유용한 예는 산다나야카(Sandanayaka, V.) 등의 미국특허출원공개 제2008/0033013호 제3면; 베르호에스트(Verhoest, P. R.) 등의 미국특허출원공개 제2006/0154931호 제33면과 같은 문헌에서 발견될 수 있다.이어서, 화학식 24의 화합물은 약 50 내지 약 80℃의 온도에서 메탄올 또는 에탄올과 같은 알코올의 존재 하에 및 테트라하이드로푸란과 같은 용매의 선택적이고 추가적인 존재 하에 염산과 같은 산으로 처리되어 화학식 25의 본 발명의 화합물을 제공할 수 있다. 이러한 반응을 수행하는데 유용한 조건의 예는 야수마(Yasuma, T.) 등의 미국특허출원공개 제2009/0247746호 제108면; 뎀로우(DehmLow, H.) 등의 미국특허출원공개 제2005/0215577호 제27면; 및 문헌[Meyers, A. I. et al. J. Org. Chem. 1986, 51, 3108-3112]과 같은 문헌에서 발견될 수 있다.[반응식 5]화학식 30(이때, Ar, A 및 R1은 화학식 I의 부류에서 상기 기재된 바와 같음)의 중간체를 상기 반응식 5에 따라 제조할 수 있다. 화학식 26의 화합물(이때, X는 브로모, 클로로 또는 플루오로임)을 화학식 27의 하이드록시방향족 유도체를 사용하여 친핵체 방향족 치환 반응을 수행하여 화학식 28의 화합물을 수득한다. 화학식 24의 화합물에서 니트로 기를 환원한 후, 다이아조화 및 환원에 의해 화학식 8의 아릴-하이드라진 유도체를 수득한다.화학식 26의 화합물(이때, X는 브로모, 클로로 또는 플루오로임)을 약 100 내지 약 150℃의 온도에서, 선택적으로 마이크로파 조사 하에, 염기, 예컨대 칼륨 카보네이트 또는 세슘 카보네이트의 존재 하에, 불활성 용매, 예컨대 다이메틸포름아미드 중에서 화학식 27의 하이드록시방향족 유도체로 처리하여 화학식 28의 니트로 화합물을 수득할 수 있다. 상기 반응에 사용될 수 있는 특정한 조건의 예는, 예를 들어 치(Chee, G.-L) 등의 미국특허출원공개 제2004/0266738호의 제5면; 및 문헌[Cui, S.-L. et al. Synlett 2004, 1829-1831]에서 확인할 수 있다.화학식 28의 화합물에서 니트로 기의 환원은 유기 합성 분야의 숙련자에게 널리 공지된 여러 가지 방법을 사용하여 수행될 수 있다. 이러한 많은 방법은 문헌[Larock, R. C. Comprehensive Organic Transformations John Wiley 0026# Sons Inc. NY 1999, pp. 823](이하 참조)에 요약되어 있다. 하나의 편리한 접근법은 화학식 28의 화합물을 대략 실온에서 귀금속 촉매, 예컨대 탄소상 팔라듐의 존재 하에 용매, 예컨대 알코올(예를 들어, 메탄올 또는 에탄올) 중에서 약 1 내지 약 3 atm 수소의 압력에서 수소 기체로 처리하는 것이다. 상기 반응에 사용될 수 있는 구체적인는, 예를 들어 치 등의 미국특허출원공개 제2004/0266738호의 제5면; 및 쇠나핑거(Schoenafinger, K.) 등의 미국특허출원공개 제2003/0236288호 제18면에서 확인할 수 있다. 다른 적절한 접근법은 대략 실온 내지 약 70℃에서 염산 및 메탄올의 혼합물 중에서 화학식 28의 니트로 화합물을 주석(II) 클로라이드로 처리하는 것이다. 이러한 반응에 사용될 수 있는 구체적인 조건의 예는, 예를 들어 문헌[Musgrave, O. C. and Webster, C. J. J. Chem. Soc., Perkin Trans. I 1974, 2263-2265]; 문헌[Zhu, B.-Y. et al. Page 67]; 및 문헌[Parhi, A. K. et al. J. Med. Chem. 2007, 50, 6673-6684]에서 발견될 수 있다.화학식 29의 화합물에서 아닐린 기의 다이아조화 및 환원은 임의의 통상적인 방법을 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 화학식 29의 화합물을 약 5℃ 미만, 바람직하게는 약 0℃ 미만의 온도에서 염산과 같은 무기 산의 존재 하에 수용액 중에서 나트륨 니트라이트로 처리하고, 이어서, 대략 동일한 온도에서 주석(II) 클로라이드 또는 나트륨 다이티오나이트와 같은 환원제를 첨가함으로써, 상기 반응을 적절히 수행한다. 이러한 반응에 사용될 수 있는 구체적인 조건의 예는 위프 및 퀴밍(Wipf, P. and Qiming, J.)의 국제특허출원공개 제2012/078859호 제47면; 류올린스키(Rewolinski, M. V.) 등의 국제특허출원공개 제2009/055721호 제82면; 및 쇠나핑거 등의 미국특허출원공개 제2003/0236288호 제18면과 같은 문헌에서 발견될 수 있다.[반응식 6]A 및 R1이 화학식 1에 대해 기술된 바와 같고, X가 요오도 또는 메톡시를 나타내는 화학식 32의 중간체는 반응식 6에 따라 제조될 수 있다. X가 요오도 또는 메톡시를 나타내는 화학식 26의 화합물은 환원되어 화학식 31의 화합물을 제공한다. 이어서, 다이아조화 및 환원은 화학식 32의 중간체를 제공한다.X가 요오도 또는 메톡시를 나타내는 화학식 26의 화합물은 대략 실온 내지 약 70℃의 온도에서 염산 및 메탄올의 혼합물 중에서 주석(II) 클로라이드로 처리되어 화학식 31의 화합물을 제공할 수 있다. 이러한 반응에 사용될 수 있는 구체적인 조건의 예는, 예를 들어 문헌[Musgrave, O. C. and Webster, C. J. J. Chem. Soc., Perkin Trans. I 1974, 2263-2265]; 문헌[Zhu, B.-Y. et al. Page 67]; 및 문헌[Parhi, A. K. et al. J. Med. Chem. 2007, 50, 6673-6684]에서 발견될 수 있다.화학식 31의 화합물의 아닐린 기의 다이아조화 및 환원은 임의의 통상적인 과정에 의해 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 반응은 화학식 31의 화합물을 약 5℃ 미만, 바람직하게는 약 0℃ 미만의 온도에서 무기 산, 예컨대 염산의 존재 하에 수용액 중 나트륨 니트라이트로 처리한 후, 대략 동일한 온도에서 환원제, 예컨대 주석(II) 클로라이드 또는 나트륨 다이티오나이트를 첨가하여 편리하게 수행된다. 상기 반응에 사용될 수 있는 구체적인 조건의 예는, 예를 들어 위프 및 퀴밍의 국제특허출원공개 제2012/078859호의 제47면; 류올린스키 등의 국제특허출원공개 제2009/055721호의 제82면; 및 쇠나핑거 등의 미국특허출원공개 제2003/0236288호의 제18면에서 확인할 수 있다.약학 조성물 및 투여본 발명의 화합물은 광범위하게 다양한 경구 투여 형태 및 담체로 제형화될 수 있다. 경구 투여는 정제, 코팅된 정제, 당의정, 경질 및 연질 젤라틴 캡슐, 용액, 유화액, 시럽 또는 현탁액의 형태일 수 있다. 본 발명의 화합물은 다른 투여 경로들 중에서 연속(정맥내 적하) 국소 비경구, 근육내, 정맥내, 피하, 경피(침투 증강제를 포함할 수 있음), 구강, 비강, 흡입 및 좌제 투여를 포함하는 다른 투여 경로로 투여될 때 효과적이다. 바람직한 투여 방식은 일반적으로 활성 성분에 대한 환자의 반응 및 고통의 정도에 따라 조정될 수 있는 편리한 일일 투여 양생법을 이용하는 경구식이다.본 발명의 화합물 및 이의 약학적으로 이용되는 염은, 하나 이상의 통상적인 부형제, 담체 또는 희석제와 함께, 약학 조성물 및 단위 투여 형태로 놓일 수 있다. 약학 조성물 및 단위 투여 형태는, 추가의 활성 화합물 또는 주성분(principle)의 존재 또는 부재하에, 통상적인 비율의 통상적인 성분으로 구성될 수 있고, 단위 투여 형태는 사용되도록 의도된 일일 투여 범위에 상응하는 임의의 적합한 효과량의 활성 성분을 함유할 수 있다. 약학 조성물은 고체, 예컨대 정제 또는 충전된 캡슐, 반고체, 분말, 서방성 제형으로; 액체, 예컨대 용액, 현탁액, 유화액, 엘릭시르(elixir) 또는 경구 사용을 위한 충전된 캡슐로; 직장 내 또는 질내 투여를 위해 좌제 형태로; 또는 비경구 사용을 위한 멸균 주사 용액 형태로 사용될 수 있다. 전형적인 제제는 약 5 내지 약 95%(중량/중량)의 활성 화합물을 함유할 것이다. 용어 "제제" 또는 "투여 형태"는 활성 화합물의 고체 및 액체 제형 둘 다를 포함하는 것으로 의도되고, 당업자는 활성 성분이 표적 기관 또는 조직, 및 목적 투여량 및 약동학적 파라미터에 따라 상이한 제제로 존재할 수 있음을 이해할 것이다.본원에서 사용되는 용어 "부형제"는 일반적으로 안전하고, 무독성이고, 생물학적으로 또는 달리 바람직한 약학 조성물을 제조하는데 유용한 화합물을 지칭하고, 수의학적 용도뿐만 아니라 인간 약학 용도를 위해 허용되는 부형제를 포함한다. 본 발명의 화합물은 단독으로 투여될 수 있으나, 일반적으로는 의도된 투여 경로 및 표준 약학 실시와 관련하여 선택되는 하나 이상의 적합한 약학 부형제, 희석제 또는 담체와 혼합되어 투여될 것이다."약학적으로 허용되는"은 일반적으로 안전하고, 무독성이고, 생물학적으로 또는 달리 바람직한 약학 조성물을 제조하는데 유용한 것을 의미하고, 수의학적 용도뿐만 아니라 인간 약학 용도를 위해 허용되는 것을 포함한다.활성 성분의 "약학적으로 허용되는 염" 형태는 또한, 비-염 형태에서는 부재하는, 활성 성분에 대한 바람직한 약동학적 특성을 초기에 부여할 수 있고, 심지어 신체에서 그의 치료 활성과 관련하여 활성 성분의 약력학에 긍정적으로 영향을 줄 수도 있다. 화합물의 "약학적으로 허용되는 염"이란 어구는 약학적으로 허용되고 모 화합물의 목적한 약학 활성을 보유하는 염을 의미한다. 상기 염은 다음을 포함한다: (1) 무기 산, 예컨대 염산, 브롬화수소산, 황산, 질산, 인산 등으로 형성되거나, 유기 산, 예컨대 아세트산, 프로피온산, 헥산산, 사이클로펜탄프로피온산, 글리콜산, 피루브산, 락트산, 말론산, 숙신산, 말산, 말레산, 푸마르산, 타르타르산, 시트르산, 벤조산, 3-(4-하이드록시벤조일)벤조산, 신남산, 만델산, 메탄설폰산, 에탄설폰산, 1,2-에탄-다이설폰산, 2-하이드록시에탄설폰산, 벤젠설폰산, 4-클로로벤젠설폰산, 2-나프탈렌설폰산, 4-톨루엔설폰산, 캠포르설폰산, 4-메틸바이사이클로[2.2.2]-옥트-2-엔-1-카복실산, 글루코헵톤산, 3-페닐프로피온산, 트라이메틸아세트산, tert-부틸아세트산, 라우릴 황산, 글루콘산, 글루탐산, 하이드록시나프토산, 살리실산, 스테아르산, 뮤콘산 등으로 형성된 산 부가염; 또는 (2) 모 화합물에 존재하는 산성 양성자가 금속 이온, 예컨대 알칼리 금속 이온, 알칼리 토 금속 이온 또는 알루미늄 이온으로 치환되는 경우 형성되거나, 유기 염기, 예컨대 에탄올아민, 다이에탄올아민, 트라이에탄올아민, 트로메타민, N-메틸글루카민 등으로 배위되는 경우 형성되는 염.고형 제제는 분말, 정제, 알약, 캡슐, 샤쉐, 좌제 및 분산가능한 과립을 포함한다. 고체 담체는 희석제, 향미제, 가용화제, 윤활제, 현탁제, 결합제, 보존제, 정제 붕해제 또는 캡슐화 물질로서도 작용할 수 있는 하나 이상의 물질일 수 있다. 분말에서, 담체는 일반적으로 미분된 활성 성분과의 혼합물인 미분된 고체이다. 정제에서, 활성 성분은 일반적으로 적합한 비율로 필요한 결합 용량을 가진 담체와 혼합되고, 원하는 형태 및 크기로 압착된다. 적합한 담체는 마그네슘 카보네이트, 마그네슘 스테아레이트, 활석, 당, 락토스, 펙틴, 덱스트린, 전분, 젤라틴, 트래거캔트, 메틸셀룰로스, 나트륨 카르복시메틸셀룰로스, 저융점 왁스, 코코아 버터 등을 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 고형 제제는, 활성 성분 이외에, 착색제, 향미제, 안정화제, 완충제, 인공 및 천연 감미료, 분산제, 증점제, 가용화제 등을 함유할 수 있다.액체 제형이 또한 경구 투여에 적합하고, 이는 유화액, 시럽, 엘릭시르, 수용액, 수성 현탁액을 포함하는 액체 제형을 포함한다. 이들은 사용 직전에 액형 제제로 전환되도록 의도된 고형 제제를 포함한다. 유화액은 용액, 예컨대 수성 프로필렌 글리콜 용액 중에서 제조될 수 있거나, 유화제, 예컨대 레시틴, 소르비탄 모노올레에이트 또는 아카시아를 함유할 수 있다. 수용액은, 활성 성분을 물 중에 용해시키고 적합한 착색제, 향미제, 안정화제 및 증점제를 첨가함으로써 제조될 수 있다. 수성 현탁액은 미분된 활성 성분을 점성 물질, 예를 들어 천연 또는 합성 검, 수지, 메틸셀룰로스, 나트륨 카복시메틸셀룰로스 및 다른 널리 공지된 현탁제와 함께 물 중에 분산시킴으로써 제조될 수 있다.본 발명의 화합물은 비경구 투여용(예를 들어, 주사, 예컨대 볼루스 주사 또는 연속 주입에 의함)으로 제형화될 수 있고, 앰풀, 사전-충전된 주사기, 소용량 주입물, 또는 보존제가 첨가된 다중-투여 용기에 단위 투여 형태로 존재할 수 있다. 상기 조성물은 유성 또는 수성 비히클 중의 현탁액, 용액 또는 유화액의 형태로, 예컨대 수성 폴리에틸렌 글리콜 중의 용액과 같은 형태를 취할 수 있다. 유성 또는 비수성 담체, 희석제, 용매 또는 비히클의 예는 프로필렌 글리콜, 폴리에틸렌 글리콜, 식물성 오일(예를 들어, 올리브 오일) 및 주사가능한 유기 에스터(예를 들어, 에틸 올레에이트)를 포함하고, 제형 보조제, 예를 들어 보존제, 습윤제, 유화제 또는 현탁제, 안정화제 및/또는 분산제를 포함할 수 있다. 다르게는, 활성 성분은, 멸균 고체의 무균 단리에 의해 또는 적합한 비히클을 이용하여 사용 전에 구성하기 위한 용액(예를 들어, 멸균되고 발열원이 없는 물)으로부터의 동결건조에 의해 제공되는, 분말 형태일 수 있다.본 발명의 화합물은 연고, 크림 또는 로션으로서, 또는 경피 패치로서 표피에 국소 투여용으로 제형화될 수 있다. 연고 및 크림은, 예를 들어, 적합한 증점제 및/또는 겔화제를 첨가하여 수성 또는 유성 기제로 제형화될 수 있다. 로션은 수성 또는 유성 기제로 제형화될 수 있고, 또한 일반적으로 하나 이상의 유화제, 안정화제, 분산제, 현탁제, 증점제 또는 착색제를 포함할 것이다. 구강에서의 국소 투여에 적합한 제형은 풍미화된 기제(일반적으로, 수크로스 및 아카시아) 중에 활성 성분을 함유하는 로젠지 또는 트래거캔트; 불활성 기제(예를 들어, 젤라틴과 글리세린 또는 수크로스와 아카시아) 중에 활성 성분을 포함하는 향정(pastille); 및 적합한 액체 담체에 활성 성분을 포함하는 구강 세정제를 포함한다.본 발명의 화합물은 좌제로 투여하기 위해 제형화될 수 있다. 저융점 왁스, 예컨대 지방산 글리세라이드 또는 코코아 버터의 혼합물을 먼저 용융시키고, 활성 성분을, 예를 들어, 교반하면서 균일하게 분산시킨다. 이어서, 용융된 균질 혼합물을 통상적인 크기의 성형 틀에 부어 냉각시키고, 고형화시킨다.본 발명의 화합물은 질내 투여를 위해 제형화될 수 있다. 활성 성분 이외에 상기 담체를 포함하는 페서리, 탐폰, 크림, 겔, 페이스트, 포말 또는 스프레이가 당업계에서 적당한 것으로 공지되어 있다.본 발명의 화합물은 비강 투여를 위해 제형화될 수 있다. 용액 또는 현탁액은 통상적인 수단, 예컨대 점적기, 피펫 또는 스프레이를 사용하여 비강으로 직접 적용된다. 제형은 단일 또는 다중 투여 형태로 제공될 수 있다. 점적기 또는 피펫의 후자의 경우, 이는 적당한 사전-결정된 부피의 용액 또는 현탁액을 환자에게 투여하여 달성될 수 있다. 스프레이의 경우, 이는, 예를 들어, 계량 분무 스프레이 펌프(metering atomizing spray pump)를 사용하여 달성될 수 있다.본 발명의 화합물은 비강내 투여를 포함하여, 특히 호흡기에 대한 에어로졸 투여를 위해 제형화될 수 있다. 상기 화합물은 일반적으로, 예컨대 5 ㎛ 이하 정도의 작은 입자 크기를 갖는다. 상기 입자 크기는 당업계에 공지된 수단, 예컨대 마이크로화(micronization)에 의해 제공될 수 있다. 활성 성분은 적합한 추진체, 예컨대 클로로플루오로카본(CFC)(예를 들어, 다이클로로다이플루오로메탄, 트라이클로로플루오로메탄 또는 다이클로로테트라플루오로에탄), 또는 이산화탄소 또는 다른 적합한 기체를 압축 팩에 제공한다. 에어로졸은 또한 통상적으로 계면활성제, 예컨대 레시틴을 함유할 수 있다. 약물의 투여량은 계량된 밸브로 제어될 수 있다. 다르게는, 활성 성분은 건조 분말, 예컨대 적합한 분말 기제, 예컨대 락토스, 전분, 전분 유도체, 예컨대 하이드록시프로필메틸 셀룰로스 및 폴리비닐피롤리딘(PVP) 중의 화합물의 분말 혼합물의 형태로 제공될 수 있다. 분말 담체는 비강에서 겔을 형성할 것이다. 분말 조성물은 단위 투여량 형태, 예를 들어, 분말이 흡입기에 의해 투여될 수 있는, 젤라틴 또는 블리스터 팩 형태의 캡슐 또는 카트리지 내에 존재할 수 있다.필요한 경우, 제형은 활성 성분의 지속된 또는 제어된 방출 투여를 위해 수용된 장용 코팅물로 제조될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 화합물은 경피 또는 피하 약물 전달 장치에서 제형화될 수 있다. 이들 전달 시스템은 화합물의 지속 방출이 필요한 경우 및 환자의 치료 양생법의 준수가 중요한 경우 유리하다. 경피 전달 시스템에서의 화합물은 종종 피부-접착성 고체 지지체에 부착된다. 관심 화합물은 또한 침투 증강제, 예컨대 아존(1-도데실아자-사이클로헵탄-2-온)과 조합될 수 있다. 지속 방출 전달 시스템은 수술 또는 주사에 의해 피하층으로 피하 삽입된다. 피하 이식물은 지용성 막, 예컨대 실리콘 고무, 또는 생분해성 중합체, 예컨대 폴리아세트산에 화합물을 캡슐화한다.약학 담체, 희석제 및 부형제를 갖는 적합한 제형은 문헌[Remington: The Science and Practice of Pharmacy 1995, edited by E. W. Martin, Mack Publishing Company, 19th edition, Easton, Pennsylvania]에 기재되어 있다. 숙련된 제형 과학자는 명세서의 교시 내에서 제형을 변형시켜, 본 발명의 조성물을 불안정하게 하거나 그의 치료 활성에 지장을 주지 않으면서도, 특정한 투여 경로를 위한 다양한 제형을 제공할 수 있다.본 발명의 화합물을 물 또는 다른 비히클에 더욱 가용성이 되도록 하기 위한 변형은, 예컨대 약간의 변형(염 제형화, 에스터화 등)에 의해 용이하게 달성될 수 있고, 이는 당업자에게 널리 공지되어 있다. 또한, 환자에게 있어서 최대의 유익한 효과를 위해 본 화합물의 약동학적 특성을 관리하기 위한 특정한 화합물의 투여 경로 및 투여 요법을 변형하는 것도 당업자에게 널리 공지되어 있다.본원에서 사용되는 용어 "치료 효과량"은 개인에게 있어서 질환의 증상을 감소시키기 위해 요구되는 양을 의미한다. 투여량은 각각의 특정한 경우에 개별 요건에 맞춰 조정될 것이다. 해당 투여량은 많은 인자, 예컨대 치료될 질환의 중증도, 환자의 연령 및 일반적 건강 상태, 환자가 치료받고 있는 다른 약제, 투여 경로 및 형태, 및 관련 의료진의 선호도 및 경험에 따라 광범위한 제한 내에서 달라질 수 있다. 경구 투여의 경우, 약 0.01 내지 약 1,000 mg/체중 kg/일의 일일 투여량이 단독 요법 및/또는 병용 요법에서 적당하여야 한다. 바람직한 일일 투여량은 약 0.1 내지 약 500 mg/체중 kg/일이고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 약 100 mg/체중 kg/일이고, 가장 바람직하게는 1.0 내지 약 10 mg/체중 kg/일이다. 따라서, 70 kg의 성인에게 투여하기 위해, 투여량 범위는 약 7 mg/일 내지 0.7 g/일일 수 있다. 일일 투여량은 단일 투여로, 또는 전형적으로 하루 1 내지 5회의 분할 투여로 투여될 수 있다. 일반적으로, 치료는 화합물의 최적 투여량보다 더 적은, 소량의 투여량으로 개시된다. 이후, 개별 환자에 대한 최적 효과에 도달할 때까지, 투여량은 조금씩 증가된다. 본원에 기재된 질환을 치료하는 당업자는, 과도한 실험 없이도, 개인의 지식, 경험 및 본원의 개시 내용을 바탕으로, 주어진 질환 및 환자에 대한 본 발명의 화합물의 치료 효과량을 가늠할 수 있을 것이다.약학 제제는 바람직하게는 단위 투여 형태이다. 상기 형태에서, 제제는 적당량의 활성 성분을 포함하는 단위 투여량으로 분할된다. 단위 투여 형태는 개별적 분량의 제제를 함유하는 포장된 제제, 예컨대 포장된 정제, 캡슐, 및 바이알 또는 앰플 내의 분말일 수 있다. 또한, 단위 투여 형태는 캡슐, 정제, 샤쉐 또는 로젠지 자체일 수 있거나, 적당한 개수의 포장된 형태의 임의의 것일 수 있다.적응증 및 치료 방법화학식 I의 화합물은 브루톤 티로신 키나제(Btk)를 억제한다. 상류 키나제에 의한 Btk의 활성화는 포스포리파아제-Cγ의 활성화를 유발하여 전-염증성 매개 물질의 방출을 자극한다. 화학식 I의 화합물은 관절염 및 다른 항-염증성 및 항-자가면역 질환의 치료에 유용하다. 따라서, 화학식 I에 따른 화합물은 관절염의 치료에 유용하다. 화학식 I의 화합물은 세포 내 Btk를 억제하고 B-세포 발달을 조절하는데 유용하다. 본 발명은 또한 화학식 I의 화합물을 약학적으로 허용되는 담체, 부형제 또는 희석제와 함께 함유하는 약학 조성물을 포함한다.본원에 기재된 화합물은 키나제 억제제, 특히 Btk 억제제이다. 이들 억제제는 포유동물에서, Btk 억제 및/또는 B-세포 증식의 억제에 반응하는 질환을 비롯한, 키나제 억제에 반응하는 하나 이상의 질환을 치료하는데 유용할 수 있다. 임의의 특정한 이론에 구속되고자 하지 않으면서, 본 발명의 화합물과 Btk의 상호작용은 Btk 활성의 억제를 야기하고, 이에 따라 상기 화합물의 약학 효용을 초래하는 것으로 여겨진다. 따라서, 본 발명은 본원에 제공된 하나 이상의 화학적 개체의 치료 효과량을 상기 질환을 갖는 포유동물에 투여함을 포함하는, Btk 활성의 억제 및/또는 B-세포 증식의 억제에 반응하는 질환을 갖는 포유동물, 예를 들어 인간의 치료 방법을 포함한다. 효과적인 농도는 실험적으로, 예컨대 화합물의 혈중 농도를 분석하거나, 이론적으로, 생체이용률을 계산함으로써 알아낼 수 있다. Btk 이외에 영향을 끼칠 수 있는 다른 키나제는 다른 티로신 키나제 및 세린/트레오닌 키나제를 포함하나, 이에 한정되지 않는다.키나제는 기본적인 세포 과정, 예컨대 증식, 분화 및 사멸(세포자멸)을 제어하는 신호 경로에서 주목할만한 역할을 한다. 비정상적인 키나제 활성은 많은 암, 자가면역 및/또는 염증성 질환, 및 급성 염증 반응을 포함하는, 광범위한 질환과 연관되어 있다. 주요 세포 신호 경로에서 키나제의 다면적인 역할은 신호 경로 및 키나제를 표적화하는 신규한 약물을 확인하는 유의미한 기회를 제공한다.한 양태는 Btk 활성 및/또는 B-세포 증식의 억제에 반응하는 자가면역 및/또는 염증성 질환, 또는 급성 염증성 반응을 갖는 환자의 치료 방법을 포함한다.본 발명에 따른 화합물 및 조성물에 의해 영향을 받을 수 있는 자가면역 및/또는 염증성 질환은 건선, 알러지, 크론병, 과민성 대장 증후군, 쇼그렌병(Sjogren's disease), 조직 이식 거부(tissue graft rejection) 및 이식된 장기의 초급성 거부 반응, 천식, 전신 홍반성 루푸스(및 관련된 사구체신염), 피부근염, 다발성 경화증, 경피증, 혈관염(ANCA-관련된 및 다른 맥관염), 자가면역 용혈성 및 혈소판 감소 상태, 굿패스쳐 증후군(Goodpasture's syndrome)(및 관련된 사구체신염 및 폐출혈), 죽상동맥경화증, 류마티스 관절염, 만성 특발성 혈소판감소성 자반증(ITP), 애디슨병, 파킨슨병, 알츠하이머병, 당뇨병, 패혈성 쇼크(septic shock) 및 중증 근무력증을 포함하나, 이에 한정되지 않는다.본원에 제공된 하나 이상의 화학적 개체를 항염증제와 조합하여 투여하는 치료 방법이 본원에 포함된다. 항염증제는 NSAID, 비-특이적 및 COX-2 특이적 사이클로옥스게나아제(cyclooxgenase) 효소 억제제, 금 화합물, 코르티코스테로이드, 메토트렉세이트, 종양 괴사 인자 수용체(TNF) 길항제, 면역억제제 및 메토트렉세이트를 포함하나, 이에 한정되지 않는다.NSAID의 예는 이부프로펜, 플루르비프로펜, 나프록센 및 나프록센 나트륨, 디클로페낙, 디클로페낙 나트륨과 미소프로스톨의 조합, 술린닥, 옥사프로진, 디플루니살, 피록시캄, 인도메타신, 에토돌락, 페노프로펜 칼슘, 케토프로펜, 나트륨 나부메톤, 술파살라진, 톨메틴 나트륨 및 하이드록시클로로퀸을 포함하나, 이에 한정되지 않는다. NSAID의 예는 또한 COX-2 특이적 억제제, 예컨대 셀레콕시브, 발데콕시브, 루미라콕시브 및/또는 에토리콕시브를 포함한다.일부 양태에서, 항염증제는 살리실레이트이다. 살리실레이트는 아세틸살리실산 또는 아스피린, 나트륨 살리실레이트 및 콜린 및 마그네슘 살리실레이트를 포함하나, 이에 한정되지 않는다.항염증제는 또한 코르티코스테로이드일 수 있다. 예를 들어, 코르티코스테로이드는 코르티손, 덱사메타손, 메틸프레드니솔론, 프레드니솔론, 프레드니솔론 나트륨 포스페이트 또는 프레드니손일 수 있다.추가 양태에서, 항염증제는 금 화합물, 예를 들어 금 나트륨 티오말레이트 또는 오라노핀이다.본 발명은 또한 항염증제가 대사 저해제, 예컨대 다이하이드로폴레이트 환원효소 억제제(예를 들어, 메토트렉세이트) 또는 다이하이드로오로테이트 탈수소효소 억제제(예를 들어, 레플루노마이드)인 양태를 포함한다.본 발명의 다른 양태는 하나 이상의 항염증성 화합물이 항-C5 단일클론 항체(예를 들어, 에쿨리주맙 또는 펙셀리주맙), 항-TNF 알파 단일클론 항체인 TNF 길항제, 예컨대 엔타네르셉트, 또는 인플릭시맙과 조합하여 존재한다.본 발명의 또 다른 양태는 하나 이상의 활성제가 면역억제제 화합물, 예컨대 메토트렉세이트, 레플루노마이드, 사이클로스포린, 타크로리무스, 아자티오프린 및 마이코페놀레이트 모페틸로부터 선택되는 면역억제제 화합물과 조합하여 존재한다.Btk를 발현하는 B-세포 및 B-세포 전구체는 B-세포 림프종, 림프종(호지킨 및 비-호지킨 림프종 포함), 모발 세포 림프종, 다발성 골수종, 만성 및 급성 골수성 백혈병, 및 만성 및 급성 림프성 백혈병을 포함하나 이에 한정되지 않는, B-세포 악성 종양의 병증에 연루되어 있다.Btk는 B계열 림프구 세포에서 Fas/APO-1(CD-95) 사멸 유도 신호 복합체(DISC)의 억제제인 것으로 나타났다. 백혈병/림프종 세포의 운명은 DISC에 의해 활성화된 카스파아제(caspase)의 전-세포자멸 길항(opposing proapoptotic) 효과와, Btk 및/또는 이의 기질을 수반하는 상류 항-세포자멸 조절 기전 사이의 균형에 달려 있다(문헌[Vassilev et al., J. Biol. Chem. 1998, 274, 1646-1656]).또한, Btk 억제제가 화학감작제로서 유용하고, 따라서 다른 화학요법 약물, 특히, 세포자멸을 유도하는 약물과 조합 시 유용한 것으로 밝혀졌다. 화학감작화 Btk 억제제와 조합하여 사용될 수 있는 다른 화학요법 약물의 예는 토포이소머라제 I 억제제(캠토테신 또는 토포테칸), 토포이소머라제 II 억제제(예를 들어, 다우노마이신 및 에토포시드), 알킬화제(예를 들어, 사이클로포스파미드, 멜팔란 및 BCNU), 튜불린 유도제(예를 들어, 탁솔 및 빈블라스틴) 및 생물 제제(예를 들어, 항체, 예컨대 항 CD20 항체, IDEC 8, 면역독소 및 사이토카인)를 포함한다.Btk 활성은 또한 9번 및 22번 염색체 일부의 전좌로부터 생성된 bcr-abl 융합 유전자를 발현하는 일부 백혈병과 관련되어 있다. 이러한 비정상성은 만성 골수성 백혈병에서 통상적으로 관찰된다. Btk는 bcr-abl 세포에서 세포자멸을 피하는 하류 생존 신호를 개시하는 bcr-abl 키나제에 의해 구조적으로 인산화된다(문헌[N. Feldhahn et al. J. Exp. Med. 2005 201(11):1837-1852]).치료 방법본원은 화학식 I의 화합물의 치료 효과량을 이를 필요로 하는 환자에게 투여함을 포함하는, 염증성 및/또는 자가면역 질환의 치료 방법을 제공한다.본원은 화학식 I의 화합물의 치료 효과량을 이를 필요로 하는 환자에게 투여함을 포함하는, 염증성 질환의 치료 방법을 제공한다.본원은 화학식 I의 화합물의 치료 효과량을 이를 필요로 하는 환자에게 투여함을 포함하는, 류마티스성 관절염의 치료 방법을 제공한다.본원은 화학식 I의 화합물의 치료 효과량을 이를 필요로 하는 환자에게 투여함을 포함하는, 천식의 치료 방법을 제공한다.본원은 화학식 I의 Btk 억제제 화합물의 치료 효과량을 이를 필요로 하는 환자에게 투여함을 포함하는, 염증성 및/또는 자가면역 질환의 치료 방법을 제공한다.본원은 화학식 I의 Btk 억제제 화합물의 치료 효과량을 이를 필요로 하는 환자에게 투여함을 포함하는, 관절염의 치료 방법을 제공한다.본원은 화학식 I의 Btk 억제제 화합물의 치료 효과량을 이를 필요로 하는 환자에게 투여함을 포함하는, 암의 치료 방법을 제공한다.본원은 화학식 I의 Btk 억제제 화합물의 치료 효과량을 이를 필요로 하는 환자에게 투여함을 포함하는, 천식의 치료 방법을 제공한다.본원은 화학식 I의 Btk 억제제 화합물의 치료 효과량을 이를 필요로 하는 환자에게 투여함을 포함하는, B-세포 증식의 억제 방법을 제공한다.본원은 화학식 I의 임의의 하나의 Btk 억제제 화합물을 투여함을 포함하는 Btk 활성의 억제 방법을 제공하고, 이때 Btk 억제제 화합물은 Btk 활성의 시험관내 생화학적 분석에서 50 μmol 이하의 IC50을 나타낸다.상기 방법의 하나의 변형에서, Btk 억제제 화합물은 Btk 활성의 시험관내 생화학적 분석에서 100 nmol 이하의 IC50을 나타낸다.상기 방법의 또 다른 변형에서, 상기 화합물은 Btk 활성의 시험관내 생화학적 분석에서 10 nmol 이하의 IC50을 나타낸다.본원은 화학식 I의 Btk 억제제 화합물과 조합하여 항-염증성 화합물의 치료 효과량을 이를 필요로 하는 환자에게 공-투여함을 포함하는, 염증성 질환의 치료 방법을 제공한다.본원은 화학식 I의 Btk 억제제 화합물과 조합하여 항-염증성 화합물의 치료 효과량을 이를 필요로 하는 환자에게 공-투여함을 포함하는, 관절염의 치료 방법을 제공한다.본원은 화학식 I의 Btk 억제제 화합물의 치료 효과량을 이를 필요로 하는 환자에게 투여함으로써 림프종 또는 BCR-ABL1+ 백혈병을 치료하는 방법을 제공한다.실시예일반적인 약어통상적으로 사용되는 약어는 다음을 포함한다: 아세틸(Ac), 아조-비스-이소부티릴니트릴(AIBN), 기압(Atm), 9-보라바이사이클로[3.3.1]노난(9-BBN 또는 BBN), 2,2'-비스(다이페닐포스피노)-1,1'-바이나프틸(BINAP), tert-부톡시카보닐(Boc), 다이-tert-부틸 피로카보네이트 또는 boc 무수물(BOC2O), 벤질(Bn), 부틸(Bu), 화학 초록 등록 번호(CASRN), 벤질옥시카보닐(CBZ 또는 Z), 카보닐 다이이미다졸(CDI), 1,4-다이아자바이사이클로[2.2.2]옥탄(DABCO), 다이에틸아미노설퍼 트라이플루오라이드(DAST), 다이벤질리덴아세톤(dba), 1,5-다이아자바이사이클로[4.3.0]논-5-엔(DBN), 1,8-다이아자바이사이클로[5.4.0]운데크-7-엔(DBU), N,N'-다이사이클로헥실카보다이이미드(DCC), 1,2-다이클로로에탄(DCE), 다이클로로메탄(DCM), 2,3-다이클로로-5,6-다이시아노-1,4-벤조퀴논(DDQ), 다이에틸 아조다이카복실레이트(DEAD), 다이-이소-프로필아조다이카복실레이트(DIAD), 다이-이소-부틸알루미늄하이드라이드(DIBAL 또는 DIBAL-H), 다이-이소-프로필에틸아민(DIPEA), N,N-다이메틸 아세트아미드(DMA), 4-N,N-다이메틸아미노피리딘(DMAP), N,N-다이메틸포름아미드(DMF), 다이메틸 설폭사이드(DMSO), 1,1'-비스-(다이페닐포스피노)에탄(dppe), 1,1'-비스-(다이페닐포스피노)페로센(dppf), 1-(3-다이메틸아미노프로필)-3-에틸카보다이이미드 하이드로클로라이드(EDCI), 2-에톡시-1-에톡시카보닐-1,2-다이하이드로퀴놀린(EEDQ), 에틸(Et), 에틸 아세테이트(EtOAc), 에탄올(EtOH), 2-에톡시-2H-퀴놀린-1-카복실산 에틸 에스터(EEDQ), 다이에틸 에터(Et2O), 에틸 이소프로필 에터(EtOiPr), O-(7-아자벤조트라이아졸-1-일)-N,N,N',N'-테트라메틸유로늄 헥사플루오로포스페이트 아세트산(HATU), 아세트산(HOAc), 1-N-하이드록시벤조트라이아졸(HOBt), 고압 액체 크로마토그래피(HPLC), 이소-프로판올(IPA), 이소프로필마그네슘 클로라이드(iPrMgCl), 헥사메틸 다이실라잔(HMDS), 액체 크로마토그래피 질량 분광법(LCMS), 리튬 헥사메틸 다이실라잔(LiHMDS), 메타-클로로퍼옥시벤조산(m-CPBA), 메탄올(MeOH), 융점(mp), MeSO2-(메실 또는 Ms), 메틸(Me), 아세토니트릴(MeCN), m-클로로퍼벤조산(MCPBA), 질량 스펙트럼(ms), 메틸 tert-부틸 에터(MTBE), 메틸 테트라하이드로푸란(MeTHF), N-브로모숙신이미드(NBS), n-부틸리튬(nBuLi), N-카복시무수물(NCA), N-클로로숙신이미드(NCS), N-메틸모폴린(NMM), N-메틸피롤리돈(NMP), 피리디늄 클로로크로메이트(PCC), 다이클로로-((비스-다이페닐포스피노)페로센일) 팔라듐(II)(Pd(dppf)Cl2), 팔라듐(II) 아세테이트(Pd(OAc)2), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0)(Pd2(dba)3), 피리디늄 다이크로메이트(PDC), 페닐(Ph), 프로필(Pr), 이소-프로필(i-Pr), 제곱인치당 파운드(psi), 피리딘(pyr), 1,2,3,4,5-펜타페닐-1'-(다이-tert-부틸포스피노)페로센(Q-Phos), 실온(상온, rt 또는 RT), sec-부틸리튬(sBuLi), tert-부틸다이메틸실릴 또는 tert-BuMe2Si(TBDMS), 테트라-n-부틸암모늄 플루오라이드(TBAF), 트라이에틸아민(TEA 또는 Et3N), 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실(TEMPO), 트라이메틸실릴에톡시메틸(SEM), 트라이플레이트 또는 CF3SO2-(Tf), 트라이플루오로아세트산(TFA), 1,1'-비스-2,2,6,6-테트라메틸헵탄-2,6-다이온(TMHD), O-벤조트라이아졸-1-일-N,N,N',N'-테트라메틸우로늄 테트라플루오로보레이트(TBTU), 박막 크로마토그래피(TLC), 테트라하이드로푸란(THF), 트라이메틸실릴 또는 Me3Si(TMS), p-톨루엔설폰산 일수화물(TsOH 또는 pTsOH), 4-Me-C6H4SO2- 또는 토실(Ts) 및 N-우레탄-N-카복시무수물(UNCA). 접두사 노말(n-), 이소(i-), 2급(sec-), 3급(tert-) 및 네오를 포함하는 통상적인 명칭은, 알킬 잔기와 함께 사용되는 경우, 그의 통상적인 의미를 갖는다(문헌[J. Rigaudy and D. P. Klesney, Nomenclature in Organic Chemistry, IUPAC 1979 Pergamon Press, Oxford]).일반적인 조건본 발명의 화합물은 당업자에게 공지된 일반적인 합성 기법과 과정을 이용하여 시판되는 출발 물질로 시작하여 제조될 수 있다. 이러한 화합물의 제조에 적합한 반응식을 아래에 요약하였다.　 추가적인 예시는 구체적인 실시예에서 확인할 수 있다.제조예구체적인 약어:일반적인 실험 세부사항시약은 알드리치(Aldrich), 오크우드(Oakwood), 매트릭스(Matrix) 또는 다른 공급처로부터 구입하고 추가 정제 없이 사용하였다. 가열을 위해 마이크로파 조사를 사용하는 반응을 퍼스날 케미스트리 엠리스 옵티마이저 시스템(Personal Chemistry Emrys Optimizer System) 또는 CEM 디스커버리 시스템을 사용하여 수행하였다. 다중-mg 내지 다중-g 규모의 정제를 당업자에게 공지된 방법, 예컨대 실리카 겔 플래시 컬럼의 용리에 의해 수행하고, 일부 경우에 콤비플래시(CombiFlash) 시스템으로 용리된 미리포장된 다중-g 실리카 겔 컬럼[레디셉(RediSep)] 처리를 사용하여 제조용 플래시 컬럼 정제를 또한 수행하였다. 바이오타지(Biotage: 상표) 및 ISCO(상표)는 또한 중간체의 정제를 위해 본 발명에 사용될 수 있는 플래시 컬럼 장치이다.화합물의 동일성 및 순도를 판단하기 위한 목적으로, LC/MS(액체 크로마토그래피/질량 분광법) 스펙트럼을 하기 시스템을 사용하여 기록하였다. 질량 스펙트럼을 측정하기 위해, 시스템은 마이크로매스 플랫폼(Micromass Platform) II 분광계: 양성 모드의 ES 이온화(질량 범위: 150 내지 1,200)로 이루어진다. 동시 크로마토그래피 분리를 하기 HPLC 시스템으로 수행하였다: ES 인더스트리즈 크로메가본드(Industries Chromegabond) WR C-18 3u 120 Å(3.2 x 30 mm) 컬럼 카트리지; 이동상 A: 물(0.02% TFA) 및 상 B: 아세토니트릴(0.02% TFA); 3분 이내에 10% B → 90% B의 구배; 1분의 평형 시간; 2 mL/분의 유속.화학식 1의 많은 화합물을 또한 당업자에게 널리 공지된 방법을 사용하여 역상 HPLC로 정제하였다. 일부 경우에, 시마주(Shimadzu) 제조용 HPLC 시스템 및 립(Leap) 자동주입기에 부착된 길슨(Gilson) 215 수집기를 제어하는 PE Sciex 150 EX Mass Spec를 사용하여 제조용 HPLC 정제를 수행하였다. 양성 이온 검출시 LCMS 검출을 사용하여 화합물을 용리 스트림으로부터 수집하였다: C-18 컬럼(20 mL/분에서 용리하는 2.0 X 10 cm)으로부터 화합물의 용리를, 10분간에 걸쳐서 용매(A) 0.05% TFA/H2O 및 용매(B) 0.035% TFA/CH3CN의 적절한 선형 구배 모드를 사용하여 수행하였다. HPLC 시스템에 주입하기 위해, 조질 샘플을 MeOH, CH3CN 및 DMSO의 혼합물에 용해하였다.1H-NMR 특징화는 브루커(Bruker) 또는 바리안(Varian) 300 또는 400 MHz NMR 분광계를 사용하여 수행된다.본 발명의 화합물은 공지된 기법에 따라 합성될 수 있다. 하기 실시예 및 참조문헌은 본 발명의 이해를 돕기 위해 제공된다. 그러나, 실시예는 본 발명을 제한하는 것으로 의도되지 않고, 본 발명의 실제 범주는 첨부된 청구범위에 제시된다. 실시예의 최종 생성물의 명칭은 아이시스 오토놈(Isis AutoNom) 2000을 사용하여 생성된다.중간체의 제조중간체 13-(3-클로로-4-하이드라지노-페녹시)-벤조니트릴단계 1: 3-(3-클로로-4-니트로-페녹시)-벤조니트릴DMF(100 mL) 중 2-클로로-4-플루오로-1-니트로-벤젠(15 g, 85 mmol), 3-하이드록시벤조니트릴(10.1 g, 85 mmol) 및 Cs2CO3(30.4 g, 93.5 mmol)의 혼합물을 120℃에서 1시간 동안 가열하였다. EtOAc를 첨가하고, 혼합물을 물 및 염수로 세척하였다. 유기 층을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켜 3-(3-클로로-4-니트로-페녹시)-벤조니트릴(23 g, 99%)을 황색 고체로서 수득하였다.단계 2: 3-(4-아미노-3-클로로-페녹시)-벤조니트릴HCl(50 mL) 중 주석(II) 클로라이드 다이하이드레이트(75.4 g, 335 mmol)의 용액을 MeOH(500 mL) 중 3-(3-클로로-4-니트로-페녹시)-벤조니트릴(23 g, 83.9 mmol)의 용액에 첨가하고, 혼합물을 실온에서 6시간 동안 교반하였다. 2 N NaOH를 첨가하여 혼합물을 염기성으로 만들고, 생성된 혼합물을 EtOAc로 추출하였다. 유기 층을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-30% EtOAc/헥산)로 정제하여 3-(4-아미노-3-클로로-페녹시)-벤조니트릴(13.8 g, 67%)을 황색 오일로서 수득하였다.단계 3: 3-(3-클로로-4-하이드라지노-페녹시)-벤조니트릴 하이드로클로라이드 염MeOH(30 mL) 중 3-(4-아미노-3-클로로-페녹시)-벤조니트릴(5 g, 20.4 mmol) 및 농축 HCl(30 mL)의 혼합물을 -5℃까지 냉각하였다. 물(2 mL) 중 NaNO2(1.72 g, 24.5 mmol)의 용액을 첨가하고, 혼합물을 -5℃에서 40분 동안 교반하였다. HCl(20 mL) 중 주석(II) 클로라이드 다이하이드레이트(23.1 g, 102 mmol)의 용액을 첨가하고, 혼합물을 1시간 동안 교반하였다. 혼합물을 증발시키고, 고체를 여과 제거하고, 진공 하에 건조하여 3-(3-클로로-4-하이드라지노-페녹시)-벤조니트릴 하이드로클로라이드 염(5.8 g, 96%)을 수득하였다. 이러한 물질을 추가 정제 없이 후속 단계에 사용하였다.중간체 2(E)-2-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-3-다이메틸아미노-아크릴로니트릴단계 1: 5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카복실산 에틸 에스터반응을 2개의 회분으로 수행하였다. 회분을 정제를 위해 합하였다.나트륨 하이드라이드(60% 분산액; 821 mg, 20.5 mmol)를 0℃의 무수 THF(23.3 mL) 및 DMF(9.3 mL) 중 5-브로모-1H-인돌-2-카복실레이트(4.40 g, 16.4 mmol)의 용액에 작은 분획으로 첨가하였다. 혼합물을 0℃에서 30분 동안 교반하였다. (2-클로로메톡시-에틸)-트라이메틸-실란(3.11 g, 18.6 mmol)을 0℃에서 첨가하고, 혼합물을 실온에서 1시간 동안 교반하였다.나트륨 하이드라이드(60% 분산액; 722 mg, 18.1 mmol)를 0℃의 무수 THF(20.5 mL) 및 DMF(8.2 mL) 중 5-브로모-1H-인돌-2-카복실레이트(4.40 g, 16.4 mmol)의 용액에 작은 분획으로 첨가하였다. 혼합물을 0℃에서 30분 동안 교반하였다. (2-클로로메톡시-에틸)-트라이메틸-실란(2.74 g, 16.4 mmol)을 0℃에서 첨가하고, 혼합물을 실온에서 1시간 동안 교반하였다.반응 혼합물을 EtOAc로 희석하고, 생성된 혼합물을 물 및 염수로 세척하였다. 유기 층을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-50% EtOAc/헥산)로 정제하여 5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카복실산 에틸 에스터(11.3 g, 85%)를 황색 오일로서 수득하였다. C17H24BrNNaO3Si [(M+Na)+]에 대한 MS 계산치 420, 관측치 421.단계 2: 3-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-3-옥소-프로피오니트릴반응을 2개의 회분으로 수행하였다. 회분을 정제를 위해 합하였다.THF(50 mL) 중 5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카복실산 에틸 에스터(3.00 g, 7.53 mmol) 및 CH3CN(1.85 g, 45.2 mmol)의 용액을 -78℃까지 냉각하였다. LDA(THF 중 2 M; 7.5 mL, 15 mmol)를 5분에 걸쳐 천천히 첨가하였다. 반응 혼합물을 -78℃에서 30분 동안 교반하고, 이어서 포화된 NH4Cl 용액(40 mL)을 첨가하였다. 물(150 mL)을 첨가하고, 혼합물을 EtOAc(500 mL)로 추출하였다. 유기 층을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켜 오일을 수득하였다.THF(100 mL) 중 5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카복실산 에틸 에스터(6.00 g, 15.1 mmol) 및 CH3CN(3.71 g, 90.4 mmol)의 용액을 -78℃까지 냉각하였다. LDA(THF 중 2 M; 15 mL, 30 mmol)를 5분에 걸쳐 천천히 첨가하였다. 반응 혼합물을 -78℃에서 30분 동안 교반하고, 이어서 포화된 NH4Cl 용액(40 mL)을 첨가하였다. 물(150 mL)을 첨가하고, 혼합물을 EtOAc(500 mL)로 추출하였다. 유기 층을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켜 오일을 수득하였다.2개의 반응으로부터의 조질 생성물을 합하고, 헥산으로 마쇄하고, 여과하여 3-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-3-옥소-프로피오니트릴(8.2 g, 89%)을 황색 고체로서 수득하였다.단계 3: (E)-2-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-3-다이메틸아미노-아크릴로니트릴N,N-다이메틸포름아미드 다이메틸 아세탈(3.94 g, 33 mmol)을 톨루엔(122 mL) 중 3-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-3-옥소-프로피오니트릴(10 g, 25.4 mmol)의 용액에 첨가하고, 혼합물을 실온에서 30분 동안 교반하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 50% EtOAc/헥산)로 정제하여 (E)-2-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-3-다이메틸아미노-아크릴로니트릴(7.1 g, 62%)을 황색 오일로서 수득하였다.일반적인 과정 A: 친핵성 방향족 치환Cs2CO3(1.5 당량)을 무수 THF 중 니트로 화합물(1 당량) 및 하이드록시방향족 화합물(1.2 당량)의 교반된 용액에 첨가하였다. 혼합물을 밀봉관에서 150℃에서 24시간 동안 가열하였다. 반응 혼합물을 여과하고, 여액을 감압 하에 증발시켰다. 잔사를 실리카 겔 상 크로마토그래피로 정제하여 생성물을 수득하였다.일반적인 과정 B: 니트로 기의 환원염산 중 주석(II) 클로라이드(3 당량)의 용액을 MeOH 중 니트로 화합물의 교반된 용액에 첨가하였다. 혼합물을 실온에서 12시간 동안 교반하고, 이어서 감압 하에 증발시켰다. 2 N NaOH 용액을 첨가하여 잔사를 알칼리성으로 만들었다. 혼합물을 EtOAc로 추출하였다. 유기 추출물을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 실리카 겔 상 크로마토그래피로 정제하여 생성물을 수득하였다.일반적인 과정 C: 아릴하이드라진의 제조물 중 나트륨 니트라이트(1.5 당량)의 용액을 -5℃의 염산 중 아미노방향족 화합물(1 당량)의 교반된 용액에 첨가하고, 혼합물을 -5℃에서 45분 동안 교반하였다. 염산 중 주석(II) 클로라이드(3 당량)의 용액을 첨가하고, 혼합물을 30분 동안 교반하였다. NaOH 수용액을 첨가하여 혼합물을 알칼리성으로 만들고, 혼합물을 EtOAc로 추출하였다. 유기 추출물을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켜, 후속 단계에 직접 사용되는 생성물을 수득하였다.일반적인 과정 D: 피라졸 고리 형성EtOH 중 화학식 Ar-NH-NH2의 아릴하이드라진(1.5 당량) 및 3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 1 당량)의 혼합물을 환류 하에 16시간 동안 가열하였다. 용매를 감압 하에 증발시켰다. 잔사를 실리카 겔 상 크로마토그래피로 정제하여 생성물을 수득하였다.일반적인 과정 E: SEM 보호기의 탈보호THF 중 SEM-보호된 인돌(1 당량)의 교반된 용액에 THF(20 당량) 및 에틸렌다이아민(10 당량) 중 테트라부틸암모늄 플루오라이드의 용액을 첨가하였다. 혼합물을 70℃에서 48시간 동안 가열하였다. 혼합물을 냉각하고, 감압 하에 증발시켰다. NaHCO3 수용액을 첨가하고, 혼합물을 EtOAc로 추출하였다. 유기 층을 물로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 실리카 겔 상 크로마토그래피로 정제하여 생성물을 수득하였다.실시예 I-1[5-아미노-1-(4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온단계 1: [5-아미노-1-(4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 D에 약술된 조건을 사용하여 (4-페녹시-페닐)-하이드라진[미국 일리노이주 60191 우드 데일 딜론 드라이브 935 소재 켐-임펙스 인터내셔널 인코포레이티드(Chem-Impex International, Inc.)로부터 하이드로클로라이드 염으로 구입할 수 있음]을 3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음)과 반응시켜 [5-아미노-1-(4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 수득하였다. C35H40N5O5Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 638, 관측치 638.6.단계 2: [5-아미노-1-(4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 E에 약술된 조건을 사용하여 [5-아미노-1-(4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 THF 중 에틸렌다이아민 및 테트라부틸암모늄 플루오라이드(20 당량)로 처리하여 [5-아미노-1-(4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 38% 수율 및 90% 순도로 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CD3OD) δ ppm 8.28 (s, 1 H), 7.86 (s, 1 H), 7.51 - 7.63 (m, 3 H), 7.32 - 7.47 (m, 4 H), 7.16 (d, J=9.5 Hz, 2 H), 7.09 (d, J=8.1 Hz, 1 H), 3.65 - 3.78 (br. s., 8 H). C29H26N5O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 508, 관측치 508.4.실시예 I-25-아미노-1-[4-(2-플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온단계 1: 4-(2-플루오로-페녹시)-2-메틸-1-니트로-벤젠일반적인 과정 A에 약술된 조건을 사용하여 4-클로로-2-메틸-니트로-벤젠을 2-플루오로-페놀과 반응시켜 4-(2-플루오로-페녹시)-2-메틸-1-니트로-벤젠을 수득하였다.단계 2: 4-(2-플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐아민일반적인 과정 B에 약술된 조건을 사용하여 4-(2-플루오로-페녹시)-2-메틸-1-니트로-벤젠을 환원시켜 4-(2-플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐아민을 수득하였다. C13H13FNO [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 218, 관측치 218.0.단계 3: [4-(2-플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-하이드라진일반적인 과정 C에 약술된 조건을 사용하여 4-(2-플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐아민을 다이아조화시키고, 환원시켜 [4-(2-플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-하이드라진을 수득하였다.단계 4: 5-아미노-1-[4-(2-플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 D에 약술된 조건을 사용하여 [4-(2-플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-하이드라진을 3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음)과 반응시켜 5-아미노-1-[4-(2-플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 수득하였다. C36H41FN5O5Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 670, 관측치 670.4.단계 5: 5-아미노-1-[4-(2-플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 E에 약술된 조건을 사용하여 5-아미노-1-[4-(2-플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 THF 중 에틸렌다이아민 및 테트라부틸암모늄 플루오라이드(20 당량)와 반응시켜 5-아미노-1-[4-(2-플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 50% 수율로 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 9.31 (br. s., 1 H), 8.19 (s, 1 H), 7.84 (s, 1 H), 7.48 (d, J=8.4 Hz, 1 H), 7.40 (d, J=8.7 Hz, 1 H), 7.27 - 7.30 (m, 1 H), 7.15 - 7.21 (m, 5 H), 6.96 - 6.98 (m, 1 H), 6.90 (d, J=8.7 Hz, 1 H), 3.55 - 3.72 (m, 8 H), 2.15 (s, 3 H). C30H27FN5O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 540, 관측치 540.6.실시예 I-3[5-아미노-1-(4-메틸-6-페녹시-피리딘-3-일)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온단계 1: 4-메틸-5-니트로-2-페녹시-피리딘일반적인 과정 A에 약술된 조건을 사용하여 2-클로로-4-메틸-5-니트로피리딘을 페놀과 반응시켜 4-메틸-5-니트로-2-페녹시-피리딘을 수득하였다. C12H11N2O3 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 231, 관측치 230.8.단계 2: 4-메틸-6-페녹시-피리딘-3-일아민일반적인 과정 B에 약술된 조건을 사용하여 4-메틸-5-니트로-2-페녹시-피리딘을 환원시켜 4-에틸-6-페녹시-피리딘-3-일아민을 수득하였다. C12H13N2O [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 201, 관측치 201.4.단계 3: (4-메틸-6-페녹시-피리딘-3-일)-하이드라진일반적인 과정 C에 약술된 조건을 사용하여 4-메틸-6-페녹시-피리딘-3-일아민을 다이아조화시키고, 환원시켜 (4-메틸-6-페녹시-피리딘-3-일)-하이드라진을 수득하였다.단계 4: [5-아미노-1-(4-메틸-6-페녹시-피리딘-3-일)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 D에 약술된 조건을 사용하여 (4-메틸-6-페녹시-피리딘-3-일)-하이드라진을 3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음)과 반응시켜 [5-아미노-1-(4-메틸-6-페녹시-피리딘-3-일)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 수득하였다. C35H41N6O5Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 653, 관측치 653.5.단계 5: [5-아미노-1-(4-메틸-6-페녹시-피리딘-3-일)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 E에 약술된 조건을 사용하여 [5-아미노-1-(4-메틸-6-페녹시-피리딘-3-일)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 THF 중 에틸렌다이아민 및 테트라부틸암모늄 플루오라이드(20 당량)로 처리하여 [5-아미노-1-(4-메틸-6-페녹시-피리딘-3-일)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 50% 수율로 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 9.31 (br. s., 1 H), 8.22 (s, 1 H), 8.17 (s, 1 H), 7.85 (s, 1 H), 7.40 - 7.49 (m, 4 H), 7.33 - 7.35 (m, 1 H), 7.16 (d, J=7.9 Hz, 1 H), 6.94 (s, 1 H), 5.76 (br. s., 2 H), 3.67 - 3.77 (m, 8 H), 2.22 (s, 3 H). C29H27N6O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 523, 관측치 523.4.실시예 I-4[5-아미노-1-(3-플루오로-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온단계 1: 2-플루오로-4-니트로-1-페녹시-벤젠일반적인 과정 A에 약술된 조건을 사용하여 1-브로모-2-플루오로-4--니트로-벤젠을 페놀과 반응시켜 2-플루오로-4-니트로-1-페녹시-벤젠을 수득하였다.단계 2: 3-플루오로-4-페녹시-페닐아민일반적인 과정 B에 약술된 조건을 사용하여 2-플루오로-4-니트로-1-페녹시-벤젠을 환원시켜 3-플루오로-4-페녹시-페닐아민을 수득하였다. C12H11FNO [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 204, 관측치 204.2.단계 3: (3-플루오로-4-페녹시-페닐)-하이드라진일반적인 과정 C에 약술된 조건을 사용하여 3-플루오로-4-페녹시-페닐아민을 다이아조화시키고, 환원시켜 (3-플루오로-4-페녹시-페닐)-하이드라진을 수득하였다.단계 4: [5-아미노-1-(3-플루오로-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 D에 약술된 조건을 사용하여 (3-플루오로-4-페녹시-페닐)-하이드라진을 3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음)과 반응시켜 [5-아미노-1-(3-플루오로-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 수득하였다. C35H38FN5O5Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 656, 관측치 656.4.단계 5: [5-아미노-1-(3-플루오로-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 E에 약술된 조건을 사용하여 [5-아미노-1-(3-플루오로-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 THF 중 에틸렌다이아민 및 테트라부틸암모늄 플루오라이드(20 당량)로 처리하여 5-아미노-1-[4-(2-플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 22% 수율로 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 9.30 (br. s., 1 H), 8.20 (s, 1 H), 7.47 - 7.51 (m, 2 H), 7.31 - 7.42 (m, 6 H), 7.15 - 7.19 (m, 2 H), 7.04 (d, J=7.9 Hz, 1 H), 6.07 (br. s., 2 H), 3.67 - 3.77 (m, 8 H), 2.22 (s, 3 H). C29H25FN5O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 526, 관측치 526.2.실시예 I-55-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-일)-모폴린-4-일-메탄온단계 1: 2-메틸-1-니트로-4-(2,3-다이플루오로)-페녹시-벤젠일반적인 과정 A에 약술된 조건을 사용하여 4-클로로-2-메틸-니트로-벤젠을 반응시켜 2-메틸-1-니트로-4-(2,3-다이플루오로)-페녹시-벤젠을 수득하였다. C13H10F2NO3 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 266, 관측치 266.2.단계 2: 4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐아민일반적인 과정 B에 약술된 조건을 사용하여 2-메틸-1-니트로-4-(2,3-다이플루오로)-페녹시-벤젠을 환원시켜 4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐아민을 수득하였다. C13H12F2NO [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 236, 관측치 235.8.단계 3: [4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-하이드라진일반적인 과정 C에 약술된 조건을 사용하여 4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐아민을 다이아조화시키고, 환원시켜 [4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-하이드라진을 수득하였다.단계 4: 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 D에 약술된 조건을 사용하여 [4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-하이드라진을 3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음)과 반응시켜 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 수득하였다. C36H40F2N5O5Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 688, 관측치 688.4.단계 5: 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-일)-모폴린-4-일-메탄온일반적인 과정 E에 약술된 조건을 사용하여 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 THF 중 에틸렌다이아민 및 테트라부틸암모늄 플루오라이드(20 당량)로 처리하여 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-일)-모폴린-4-일-메탄온을 38% 수율로 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 9.37 (br. s., 1 H), 8.20 (s, 1 H), 7.85 (s, 1 H), 7.48 (d, J=8.6 Hz, 1 H), 7.40 (dd, J=8.6, 1.4 Hz, 1 H), 7.34 - 7.36 (m, 1 H), 7.32 (d, J=8.5 Hz, 1 H), 6.99 - 7.10 (m, 3 H), 6.89 - 7.10 (m, 2 H), 3.72 (br. s., 8 H), 2.17 (s, 3 H). C30H26F2N5O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 558, 관측치 558.2.실시예 I-62-[5-아미노-1-(5-플루오로-2-메틸-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-카보닐]-1H-인돌-5-일-모폴린-4-일-메탄온단계 1: 1-플루오로-4-메틸-5-니트로-2-페녹시-벤젠일반적인 과정 A에 약술된 조건을 사용하여 2,3-다이플루오로-페놀을 1-클로로-2-플루오로-5-메틸-4-니트로-벤젠을 페놀과 반응시켜 1-플루오로-4-메틸-5-니트로-2-페녹시-벤젠을 수득하였다.단계 2: 5-플루오로-2-메틸-4-페녹시-페닐아민일반적인 과정 B에 약술된 조건을 사용하여 1-플루오로-4-메틸-5-니트로-2-페녹시-벤젠을 환원시켜 5-플루오로-2-메틸-4-페녹시-페닐아민을 수득하였다. C13H13FNO [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 218, 관측치 218.3.단계 3: (5-플루오로-2-메틸-4-페녹시-페닐)-하이드라진일반적인 과정 C에 약술된 조건을 사용하여 5-플루오로-2-메틸-4-페녹시-페닐아민을 다이아조화시키고, 환원시켜 (5-플루오로-2-메틸-4-페녹시-페닐)-하이드라진을 수득하였다.단계 4: [5-아미노-1-(5-플루오로-2-메틸-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 D에 약술된 조건을 사용하여 (5-플루오로-2-메틸-4-페녹시-페닐)-하이드라진을 3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-35 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음)과 반응시켜 [5-아미노-1-(5-플루오로-2-메틸-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 수득하였다. C36H41FN5O5Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 670, 관측치 670.6.단계 5: 2-[5-아미노-1-(5-플루오로-2-메틸-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-카보닐]-1H-인돌-5-일-모폴린-4-일-메탄온일반적인 과정 E에 약술된 조건을 사용하여 [5-아미노-1-(5-플루오로-2-메틸-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 THF 중 에틸렌다이아민 및 테트라부틸암모늄 플루오라이드(20 당량)로 처리하여 2-[5-아미노-1-(5-플루오로-2-메틸-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-카보닐]-1H-인돌-5-일-모폴린-4-일-메탄온을 60% 수율로 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 9.32 (br. s., 1 H), 8.21 (s, 1 H), 7.85 (s, 1 H), 7.49 (d, J=8.5 Hz, 1 H), 7.35 - 7.42 (m, 4 H), 7.20 - 7.24 (m, 1 H), 7.16 - 7.19 (m, 1 H), 7.06 (d, J=8.2 Hz, 2 H), 6.99 (d, J=8.4 Hz, 1 H), 5.81 (br. s., 2 H), 3.55 - 3.76 (m, 8 H), 2.11 (s, 3 H). C30H27FN5O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 540, 관측치 540.4.실시예 I-72-[5-아미노-1-(2-메틸-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-카보닐]-1H-인돌-5-일-모폴린-4-일-메탄온단계 1: 2-메틸-1-니트로-4-페녹시-벤젠일반적인 과정 A에 약술된 조건을 사용하여 4-클로로-2-메틸-니트로-벤젠을 페놀과 반응시켜 2-메틸-1-니트로-4-페녹시-벤젠을 수득하였다. C13H12NO3 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 230, 관측치 230.0.단계 2: 2-메틸-4-페녹시-페닐아민일반적인 과정 B에 약술된 조건을 사용하여 2-메틸-1-니트로-4-페녹시-벤젠을 환원시켜 2-메틸-4-페녹시-페닐아민을 수득하였다. C13H14NO [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 200, 관측치 200.0.단계 3: (2-메틸-4-페녹시-페닐)-하이드라진일반적인 과정 C에 약술된 조건을 사용하여 2-메틸-4-페녹시-페닐아민을 다이아조화시키고, 환원시켜 (2-메틸-4-페녹시-페닐)-하이드라진을 수득하였다.단계 4: [5-아미노-1-(2-메틸-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 D에 약술된 조건을 사용하여 (2-메틸-4-페녹시-페닐)-하이드라진을 3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음)과 반응시켜 [5-아미노-1-(2-메틸-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 수득하였다. C36H42N5O5Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 652, 관측치 652.2.단계 5: 2-[5-아미노-1-(2-메틸-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-카보닐]-1H-인돌-5-일-모폴린-4-일-메탄온일반적인 과정 E에 약술된 조건을 사용하여 [5-아미노-1-(2-메틸-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 THF 중 에틸렌다이아민 및 테트라부틸암모늄 플루오라이드(20 당량)로 처리하여 2-[5-아미노-1-(2-메틸-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-카보닐]-1H-인돌-5-일-모폴린-4-일-메탄온을 26% 수율로 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 9.34 (br. s., 1 H), 8.20 (s, 1 H), 7.85 (s, 1 H), 7.49 (d, J=8.4 Hz, 1 H), 7.35 - 7.41 (m, 4 H), 7.29 (d, J=8.6 Hz, 1 H), 7.18 (t, J=7.4 Hz, 1 H), 7.07 (d, J=7.9 Hz, 2 H), 6.97 - 7.02 (m, 1 H), 6.94 (d, J=8.4 Hz, 1 H), 5.76 (br. s., 2 H), 3.53 - 3.76 (m, 8 H), 2.15 (s, 3 H). C30H28N5O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 522, 관측치 522.2.실시예 I-8[5-아미노-1-(2-플루오로-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온단계 1: 2-플루오로-1-니트로-4-페녹시-벤젠일반적인 과정 A에 약술된 조건을 사용하여 4-클로로-2-플루오로-니트로-벤젠을 페놀과 반응시켜 2-플루오로-1-니트로-4-페녹시-벤젠을 수득하였다. C12H9FNO3 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 234, 관측치 234.2.단계 2: 2-플루오로-4-페녹시-페닐아민일반적인 과정 B에 약술된 조건을 사용하여 2-플루오로-1-니트로-4-페녹시-벤젠을 환원시켜 2-플루오로-4-페녹시-페닐아민을 수득하였다. C12H11FNO [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 204, 관측치 204.2.단계 3: (2-플루오로-4-페녹시-페닐)-하이드라진일반적인 과정 C에 약술된 조건을 사용하여 2-플루오로-4-페녹시-페닐아민을 다이아조화시키고, 환원시켜 (2-플루오로-4-페녹시-페닐)-하이드라진을 수득하였다.단계 4: [5-아미노-1-(2-플루오로-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 D에 약술된 조건을 사용하여 (2-플루오로-4-페녹시-페닐)-하이드라진을 3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음)과 반응시켜 [5-아미노-1-(2-플루오로-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 수득하였다. C35H39FN5O5Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 656, 관측치 656.4.단계 5: [5-아미노-1-(2-플루오로-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 E에 약술된 조건을 사용하여 [5-아미노-1-(2-플루오로-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 THF 중 에틸렌다이아민 및 테트라부틸암모늄 플루오라이드(20 당량)로 처리하여 [5-아미노-1-(2-플루오로-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 50% 수율로 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 9.28 (br. s., 1 H), 8.16 (s, 1 H), 7.82 (s, 1 H), 7.53 - 7.56 (m, 1 H), 7.46 (d, J=8.5 Hz, 1 H), 7.32 - 7.40 (m, 4 H), 7.28 (br. s., 1 H), 7.16 (t, J=7.2 Hz, 1 H), 6.97 - 7.03 (m, 3 H), 6.74 (dd, J=9.5, 2.4 Hz, 1 H), 6.05 (br. s., 2 H), 3.55 - 3.72 (m, 8 H), 2.15 (s, 3 H). C29H25FN5O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 526, 관측치 526.4.실시예 I-95-아미노-1-[6-(2-플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온단계 1: 2-(2-플루오로-페녹시)-5-니트로-피리딘일반적인 과정 A에 약술된 조건을 사용하여 2-클로로-5-니트로-피리딘을 2,3-다이플루오로-페놀과 반응시켜 2-(2-플루오로-페녹시)-5-니트로-피리딘을 수득하였다. C11H8FN2O3 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 235, 관측치 235.4.단계 2: 6-(2-플루오로-페녹시)-피리딘-3-일아민일반적인 과정 B에 약술된 조건을 사용하여 2-(2-플루오로-페녹시)-5-니트로-피리딘을 환원시켜 6-(2-플루오로-페녹시)-피리딘-3-일아민을 수득하였다. C11H10FN2O [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 205, 관측치 205.2.단계 3: [6-(2-플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-하이드라진일반적인 과정 C에 약술된 조건을 사용하여 6-(2-플루오로-페녹시)-피리딘-3-일아민을 다이아조화시키고, 환원시켜 [6-(2-플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-하이드라진을 수득하였다.단계 4: 5-아미노-1-[6-(2-플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 D에 약술된 조건을 사용하여 [6-(2-플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-하이드라진을 3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음)과 반응시켜 5-아미노-1-[6-(2-플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 수득하였다. C34H38FN6O5Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 657, 관측치 657.3.단계 5: 5-아미노-1-[6-(2-플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 E에 약술된 조건을 사용하여 5-아미노-1-[6-(2-플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 THF 중 에틸렌다이아민 및 테트라부틸암모늄 플루오라이드(20 당량)로 처리하여 5-아미노-1-[6-(2-플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 22% 수율로 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 9.26 (br. s., 1 H), 8.34 (s, 1 H), 8.21 (s, 1 H), 7.94 (d, J=8.7 Hz, 1 H), 7.84 (br. s., 1 H), 7.47 - 7.51 (m, 1 H), 7.41 (d, J=8.5 Hz, 1 H), 7.32 (br. s., 1 H), 7.18-7.23 (m, 2 H), 6.00 (br. s., 2 H), 3.51 - 3.72 (m, 8 H). C28H24FN6O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 527, 관측치 527.0.실시예 I-105-아미노-1-[6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온단계 1: 2-(2,3-다이플루오로-페녹시)-5-니트로-피리딘일반적인 과정 A에 약술된 조건을 사용하여 2-클로로-5-니트로-피리딘을 2,3-다이플루오로-페놀과 반응시켜 2-(2,3-다이플루오로-페녹시)-5-니트로-피리딘을 수득하였다. C11H7F2N2O3 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 253, 관측치 252.8.단계 2: 6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일아민일반적인 과정 B에 약술된 조건을 사용하여 2-(2,3-다이플루오로-페녹시)-5-니트로-피리딘을 환원시켜 6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일아민을 수득하였다. C11H9F2N2O [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 223, 관측치 223.2.단계 3: [6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-하이드라진일반적인 과정 C에 약술된 조건을 사용하여 6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일아민을 다이아조화시키고, 환원시켜 [6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-하이드라진을 수득하였다.단계 4: 5-아미노-1-[6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 D에 약술된 조건을 사용하여 [6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-하이드라진을 3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음)과 반응시켜 5-아미노-1-[6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 수득하였다. C34H37F2N6O5Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 675, 관측치 675.4.단계 5: 5-아미노-1-[6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 E에 약술된 조건을 사용하여 5-아미노-1-[6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 THF 중 에틸렌다이아민 및 테트라부틸암모늄 플루오라이드(20 당량)로 처리하여 5-아미노-1-[6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 17% 수율로 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 9.30 (br. s., 1 H), 8.34 (s, 1 H), 8.21 (s, 1 H), 7.97 (d, J=8.7 Hz, 1 H), 7.84 (s., 1 H), 7.47 - 7.51 (m, 1 H), 7.41 (d, J=8.8 Hz, 1 H), 7.33 (br. s., 1 H), 7.20-7.23 (m, 1 H), 7.08-7.16 (m, 2 H), 7.02-7.07 (m, 1 H), 6.02 (br. s., 2 H), 3.51 - 3.75 (m, 8 H). C28H23F2N6O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 545, 관측치 545.5.실시예 I-115-아미노-1-[2-메틸-4-(피리딘-2-일옥시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온단계 1: 2-(3-메틸-4-니트로-페녹시)-피리딘일반적인 과정 A에 약술된 조건을 사용하여 4-클로로-2-메틸-니트로-벤젠을 2-하이드록시피리딘과 반응시켜 2-(3-메틸-4-니트로-페녹시)-피리딘을 수득하였다. C12H11N2O3 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 231, 관측치 231.1.단계 2: 2-메틸-4-(피리딘-2-일옥시)-페닐아민일반적인 과정 B에 약술된 조건을 사용하여 2-(3-메틸-4-니트로-페녹시)-피리딘을 환원시켜 2-메틸-4-(피리딘-2-일옥시)-페닐아민을 수득하였다. C12H13N2O [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 201, 관측치 201.2.단계 3: [2-메틸-4-(피리딘-2-일옥시)-페닐]-하이드라진일반적인 과정 C에 약술된 조건을 사용하여 2-메틸-4-(피리딘-2-일옥시)-페닐아민을 다이아조화시키고, 환원시켜 [2-메틸-4-(피리딘-2-일옥시)-페닐]-하이드라진을 수득하였다.단계 4: 5-아미노-1-[2-메틸-4-(피리딘-2-일옥시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 D에 약술된 조건을 사용하여 [2-메틸-4-(피리딘-2-일옥시)-페닐]-하이드라진을 3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음)과 반응시켜 5-아미노-1-[2-메틸-4-(피리딘-2-일옥시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 수득하였다. C35H41N6O5Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 653, 관측치 653.0.단계 5: 5-아미노-1-[2-메틸-4-(피리딘-2-일옥시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 E에 약술된 조건을 사용하여 5-아미노-1-[2-메틸-4-(피리딘-2-일옥시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 THF 중 에틸렌다이아민 및 테트라부틸암모늄 플루오라이드(20 당량)로 처리하여 5-아미노-1-[2-메틸-4-(피리딘-2-일옥시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 38% 수율로 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 9.33 (br. s., 1 H), 8.23 (s, 1 H), 7.85 (s, 1 H), 7.39 - 7.52 (m, 6 H), 7.33 - 7.35 (m, 1 H), 6.70 (d, J=9.2 Hz, 1 H), 6.30 (t, J=6.7 Hz, 1 H), 5.94 (br. s., 2 H), 3.52 - 3.74 (m, 8 H), 2.27 (s, 3 H). C29H27N7O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 523, 관측치 523.2.실시예 I-125-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온단계 1: 1,2-다이플루오로-3-(4-니트로-페녹시)-벤젠일반적인 과정 A에 약술된 조건을 사용하여 1-클로로-4-니트로-벤젠을 2,3-다이플루오로-페놀과 반응시켜 2-메틸-1-니트로-4-(2,3-다이플루오로)-페녹시-벤젠을 수득하였다. C12H8F2NO3 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 252, 관측치 252.0.단계 2: 4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐아민일반적인 과정 B에 약술된 조건을 사용하여 1,2-다이플루오로-3-(4-니트로-페녹시)-벤젠을 환원시켜 4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐아민을 수득하였다. C12H10F2NO [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 222, 관측치 222.2.단계 3: [4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐]-하이드라진일반적인 과정 C에 약술된 조건을 사용하여 4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐아민을 다이아조화시키고, 환원시켜 [4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐]-하이드라진을 수득하였다.단계 4: 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 D에 약술된 조건을 사용하여 [4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐]-하이드라진을 3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음)과 반응시켜 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 수득하였다. C35H38F2N5O5Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 674, 관측치 674.0.단계 5: 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 E에 약술된 조건을 사용하여 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 THF 중 에틸렌다이아민 및 테트라부틸암모늄 플루오라이드(20 당량)로 처리하여 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 21% 수율로 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 9.29 (br. s., 1 H), 8.19 (s, 1 H), 7.85 (s, 1 H), 7.54 (d, J=8.8 Hz, 2 H), 7.47 - 7.51 (m, 2 H), 7.41 (d, J=7.7 Hz, 1 H), 7.33 (br. s., 1 H), 7.15 (d, J=8.8 Hz, 2 H), 7.02 - 7.10 (m, 2 Hz, 1 H), 6.90 (t, J=7.4 Hz, 1 H), 6.01 (br. s., 2 H), 3.50 - 3.74 (m, 8 H). C29H24F2N5O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 544, 관측치 544.4.실시예 I-135-아미노-1-[6-(2,5-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온단계 1: 2-(2,5-다이플루오로-페녹시)-5-니트로-피리딘일반적인 과정 A에 약술된 조건을 사용하여 2-클로로-5-니트로-피리딘을 2,5-다이플루오로-페놀과 반응시켜 2-(2,5-다이플루오로-페녹시)-5-니트로-피리딘을 수득하였다. C11H7F2N2O3 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 253, 관측치 253.1.단계 2: 6-(2,5-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일아민일반적인 과정 B에 약술된 조건을 사용하여 2-(2,5-다이플루오로-페녹시)-5-니트로-피리딘을 환원시켜 6-(2,5-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일아민을 수득하였다. C11H9F2N2O [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 223, 관측치 223.0.단계 3: [6-(2,5-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-하이드라진일반적인 과정 C에 약술된 조건을 사용하여 6-(2,5-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일아민을 다이아조화시키고, 환원시켜 [6-(2,5-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-하이드라진을 수득하였다.단계 4: 5-아미노-1-[6-(2,5-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 D에 약술된 조건을 사용하여 [6-(2,5-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-하이드라진을 3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음)과 반응시켜 5-아미노-1-[6-(2,5-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 수득하였다. C34H37F2N6O5Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 675, 관측치 675.4.단계 5: 5-아미노-1-[6-(2,5-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 E에 약술된 조건을 사용하여 5-아미노-1-[6-(2,5-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 THF 중 에틸렌다이아민 및 테트라부틸암모늄 플루오라이드(20 당량)로 처리하여 5-아미노-1-[6-(2,5-다이플루오로-페녹시)-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 50% 수율로 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 9.28 (br. s., 1 H), 8.35 (s, 1 H), 8.21 (s, 1 H), 7.96 (d, J=8.6 Hz, 1 H), 7.84 (s., 1 H), 7.47 - 7.51 (m, 1 H), 7.41 (d, J=8.8 Hz, 1 H), 7.33 (br. s., 1 H), 7.15-7.23 (m, 2 H), 6.93 - 7.05 (m, 2 H), 6.01 (br. s., 2 H), 3.51 - 3.75 (m, 8 H). C29H24F2N5O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 544, 관측치 545.2.실시예 I-14[5-아미노-1-(2-클로로-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온단계 1: 2-클로로-1-니트로-4-페녹시-벤젠일반적인 과정 A에 약술된 조건을 사용하여 2,4-다이클로로-니트로-벤젠을 페놀과 반응시켜 2-클로로-1-니트로-4-페녹시-벤젠을 수득하였다. C12H9ClNO3 [M+]에 대한 MS 계산치 249, 관측치 249.단계 2: 2-클로로-4-페녹시-페닐아민일반적인 과정 B에 약술된 조건을 사용하여 2-클로로-1-니트로-4-페녹시-벤젠을 환원시켜 2-클로로-4-페녹시-페닐아민을 수득하였다. C12H11ClNO [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 220, 관측치 219.8.단계 3: (2-클로로-4-페녹시-페닐)-하이드라진일반적인 과정 C에 약술된 조건을 사용하여 2-클로로-4-페녹시-페닐아민을 다이아조화시키고, 환원시켜 (2-클로로-4-페녹시-페닐)-하이드라진을 수득하였다.단계 4: [5-아미노-1-(2-클로로-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 D에 약술된 조건을 사용하여 (2-클로로-4-페녹시-페닐)-하이드라진을 3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음)과 반응시켜 [5-아미노-1-(2-클로로-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 수득하였다. C35H39ClN5O5Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 672, 관측치 672.6.단계 5: [5-아미노-1-(2-클로로-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 E에 약술된 조건을 사용하여 [5-아미노-1-(2-클로로-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 THF 중 에틸렌다이아민 및 테트라부틸암모늄 플루오라이드(20 당량)로 처리하여 [5-아미노-1-(2-클로로-4-페녹시-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 25% 수율로 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 9.32 (br. s., 1 H), 8.22 (s, 1 H), 7.84 (s, 1 H), 7.39 - 7.49 (m, 5 H), 7.35 (br. s., 1 H), 7.20 - 7.24 (m, 1 H), 7.17 (br. s., 1 H), 7.10 (d, J=7.9 Hz, 2 H), 7.03 (d, J=8.7 Hz, 1 H), 5.85 (br. s., 2 H), 3.52 - 3.74 (m, 8 H). C29H25ClN5O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 542, 관측치 542.0.실시예 I-155-아미노-1-[2-클로로-4-(2-플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온단계 1: 2-클로로-4-(2-플루오로-페녹시)-1-니트로-벤젠일반적인 과정 A에 약술된 조건을 사용하여 2,4-다이클로로-니트로-벤젠을 2-플루오로-페놀과 반응시켜 2-클로로-4-(2-플루오로-페녹시)-1-니트로-벤젠을 수득하였다. C12H7ClFNO3 [M+]에 대한 MS 계산치 267, 관측치 267.단계 2: 2-클로로-4-(2-플루오로-페녹시)-페닐아민일반적인 과정 B에 약술된 조건을 사용하여 2-클로로-4-(2-플루오로-페녹시)-1-니트로-벤젠을 환원시켜 2-클로로-4-(2-플루오로-페녹시)-페닐아민을 수득하였다. C12H10ClFNO [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 238, 관측치 237.7.단계 3: [2-클로로-4-(2-플루오로-페녹시)-페닐]-하이드라진일반적인 과정 C에 약술된 조건을 사용하여 2-클로로-4-(2-플루오로-페녹시)-페닐아민을 다이아조화시키고, 환원시켜 [2-클로로-4-(2-플루오로-페녹시)-페닐]-하이드라진을 수득하였다.단계 4: 5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 D에 약술된 조건을 사용하여 [2-클로로-4-(2-플루오로-페녹시)-페닐]-하이드라진을 3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음)과 반응시켜 5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 수득하였다. C35H38ClFN5O5Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 690, 관측치 690.4.단계 5: 5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 E에 약술된 조건을 사용하여 5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 THF 중 에틸렌다이아민 및 테트라부틸암모늄 플루오라이드(20 당량)로 처리하여 5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 23% 수율로 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 9.31 (br. s., 1 H), 8.22 (s, 1 H), 7.84 (s, 1 H), 7.39 - 7.49 (m, 5 H), 7.34 (br. s., 1 H), 7.20 - 7.25 (m, 2 H), 7.14 (br. s., 1 H), 6.99 - 7.02 (m, 1 H), 5.84 (br. s., 2 H), 3.52 - 3.74 (m, 8 H). C29H24ClFN5O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 560, 관측치 560.3.실시예 I-16(2-5-아미노-1-[4-(3-클로로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-일)-모폴린-4-일-메탄온단계 1: 4-(3-클로로-페녹시)-2-메틸-1-니트로-벤젠일반적인 과정 A에 약술된 조건을 사용하여 4-클로로-2-메틸-니트로-벤젠을 3-클로로-페놀과 반응시켜 4-(3-클로로-페녹시)-2-메틸-1-니트로-벤젠을 수득하였다. C13H11ClNO3 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 264, 관측치 264.3.단계 2: 4-(3-클로로-페녹시)-2-메틸-페닐아민일반적인 과정 B에 약술된 조건을 사용하여 4-(3-클로로-페녹시)-2-메틸-1-니트로-벤젠을 환원시켜 4-(3-클로로-페녹시)-2-메틸-페닐아민을 수득하였다. C13H13ClNO [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 234, 관측치 234.3.단계 3: [4-(3-클로로-페녹시)-2-메틸-페닐]-하이드라진일반적인 과정 C에 약술된 조건을 사용하여 4-(3-클로로-페녹시)-2-메틸-페닐아민을 다이아조화시키고, 환원시켜 [4-(3-클로로-페녹시)-2-메틸-페닐]-하이드라진을 수득하였다.단계 4: 5-아미노-1-[4-(3-클로로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 D에 약술된 조건을 사용하여 [4-(3-클로로-페녹시)-2-메틸-페닐]-하이드라진을 3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음)과 반응시켜 5-아미노-1-[4-(3-클로로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 수득하였다. C36H41ClN5O5Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 686, 관측치 686.4.단계 5: (2-5-아미노-1-[4-(3-클로로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-일)-모폴린-4-일-메탄온일반적인 과정 E에 약술된 조건을 사용하여 5-아미노-1-[4-(3-클로로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 THF 중 에틸렌다이아민 및 테트라부틸암모늄 플루오라이드(20 당량)로 처리하여 (2-5-아미노-1-[4-(3-클로로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-일)-모폴린-4-일-메탄온을 23% 수율로 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 9.33 (br. s., 1 H), 8.21 (s, 1 H), 7.85 (s, 1 H), 7.49 (d, J=8.5 Hz, 1 H), 7.41 (d, J=8.8 Hz, 1 H), 7.29 - 7.36 (m, 3 H), 7.15 (d, J=8.2 Hz, 1 H), 7.06 (br. s., 1 H), 7.02 (d, J=1.6 Hz, 1 H), 6.95-6.98 (m, 2 H), 5.77 (br. s., 2 H), 3.60 - 3.75 (m, 8 H), 2.18 (s, 3 H). C30H27ClN5O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 556, 관측치 556.2.실시예 I-17(2-5-아미노-1-[4-(3-브로모-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-일)-모폴린-4-일-메탄온단계 1: 4-(3-브로모-페녹시)-2-메틸-1-니트로-벤젠일반적인 과정 A에 약술된 조건을 사용하여 4-클로로-2-메틸-니트로-벤젠을 3-브로모-페놀과 반응시켜 4-(3-브로모-페녹시)-2-메틸-1-니트로-벤젠을 수득하였다. C13H11BrNO3 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 310, 관측치 310.3.단계 2: 4-(3-브로모-페녹시)-2-메틸-페닐아민일반적인 과정 B에 약술된 조건을 사용하여 4-(3-브로모-페녹시)-2-메틸-1-니트로-벤젠을 환원시켜 4-(3-브로모-페녹시)-2-메틸-페닐아민을 수득하였다. C13H13BrNO [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 280, 관측치 280.2.단계 3: [4-(3-브로모-페녹시)-2-메틸-페닐]-하이드라진일반적인 과정 C에 약술된 조건을 사용하여 4-(3-브로모-페녹시)-2-메틸-페닐아민을 다이아조화시키고, 환원시켜 [4-(3-브로모-페녹시)-2-메틸-페닐]-하이드라진을 수득하였다.단계 4: 5-아미노-1-[4-(3-브로모-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온일반적인 과정 D에 약술된 조건을 사용하여 [4-(3-브로모-페녹시)-2-메틸-페닐]-하이드라진을 3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음)과 반응시켜 5-아미노-1-[4-(3-브로모-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 수득하였다. C36H41BrN5O5Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 732, 관측치 732.4.단계 5: (2-5-아미노-1-[4-(3-브로모-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-일)-모폴린-4-일-메탄온일반적인 과정 E에 약술된 조건을 사용하여 5-아미노-1-[4-(3-브로모-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온을 THF 중 에틸렌다이아민 및 테트라부틸암모늄 플루오라이드(20 당량)로 처리하여 (2-5-아미노-1-[4-(3-브로모-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-일)-모폴린-4-일-메탄온을 22% 수율로 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 9.38 (br. s., 1 H), 8.21 (s, 1 H), 7.85 (s, 1 H), 7.48 (d, J=8.4 Hz, 1 H), 7.40 (d, J=8.6 Hz, 1 H), 7.26 - 7.36 (m, 4 H), 7.21-7.24 (m, 1 H), 6.95 - 7.01 (m, 3 H), 5.77 (br. s., 2 H), 3.60 - 3.75 (m, 8 H), 2.15 (s, 3 H). C30H27BrN5O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 602, 관측치 602.2.실시예 I-183-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴단계 1: 3-(3-메틸-4-니트로-페녹시)-벤조니트릴DMF(100 mL) 중 4-플루오로-2-메틸-1-니트로-벤젠(13.1 g, 84 mmol), 3-하이드록시벤조니트릴(10 g, 84 mmol) 및 Cs2CO3(30.1 g, 92 mmol)의 혼합물을 120℃에서 3시간 동안 가열하였다. Et2O를 첨가하고, 혼합물을 물 및 염수로 세척하였다. 유기 층을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켜 3-(3-메틸-4-니트로-페녹시)-벤조니트릴(19.2 g, 90%)을 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 8.09 (d, J=8.8 Hz, 1 H), 7.71 - 7.77 (m, 2 H), 7.62 - 7.70 (m, 1 H), 7.48 - 7.55 (m, 1 H), 7.16 (d, J=2.8 Hz, 1 H), 7.04 (dd, J=8.9, 2.9 Hz, 1 H). C14H11N2O3 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 255, 관측치 254.9.단계 2: 3-(4-아미노-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴농축 HCl(35 mL) 중 주석(II) 클로라이드 다이하이드레이트(34.9 g, 155 mmol)의 용액을 MeOH(300 mL) 중 3-(3-메틸-4-니트로-페녹시)-벤조니트릴(9.85 g, 38.7 mmol)의 용액에 첨가하고, 혼합물을 밤새 교반하였다. 혼합물을 증발시키고, 2 N NaOH를 첨가하여 잔사를 염기성으로 만들었다. 생성된 혼합물을 EtOAc로 4회 추출하였다. 유기 층을 물 및 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-30% EtOAc/헥산)로 정제하여 3-(4-아미노-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴(4.6 g, 53%)을 흑색 액체로서 수득하였다. C14H13N2O ([M+H]+)에 대한 MS 계산치: 225, 관측치 225.0.단계 3: 3-(4-하이드라지노-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴물(1 mL) 중 NaNO2(340 mg, 4.9 mmol)의 용액을 4℃에서 3-(4-아미노-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴(1 g, 4.46 mmol), 농축 HCl(2 mL), 물(4 mL) 및 MeOH(2 mL)의 혼합물에 첨가하였다. 혼합물을 30분 동안 교반하였다. 농축 HCl(10 mL) 중 주석(II) 클로라이드(4.23 g, 22 mmol)의 용액을 천천히 첨가하고, 혼합물을 3시간 동안 교반하였다. MeOH(10 mL) 및 이어서 10 M NaOH를 첨가하였다(주의: 발열 반응). 혼합물을 냉각하고, EtOAc 및 10 M NaOH를 첨가하였다. 유기 상을 염수로 세척하고, 증발시켜 조질 3-(4-하이드라지노-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴(600 mg, 56%)을 적갈색 오일로서 수득하였다. 이러한 물질을 추가 정제 없이 후속 단계에 사용하였다. C14H14N3O ([M+H]+)에 대한 MS 계산치: 240, 관측치 222.9.단계 4: 3-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴3-(4-하이드라지노-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴(297 mg, 1.24 mmol), (E)-3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 300 mg, 0.62 mmol) 및 EtOH(5 mL)의 혼합물을 78℃에서 16시간 동안 교반하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔)로 정제하여 3-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴(101 mg, 24%)을 포말로서 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ ppm 8.02 (s, 1 H), 7.84 (s, 1 H), 7.64 (d, J=8.5 Hz, 1 H), 7.43 - 7.55 (m, 3 H), 7.39 (d, J=8.5 Hz, 1 H), 7.29 - 7.35 (m, 2 H), 7.25 (s, 1 H), 7.05 (s, 1 H), 7.00 (dd, J=8.5, 2.8 Hz, 1 H), 5.98 (s, 2 H), 5.82 (br. s., 1 H), 3.74 (br. s., 7 H), -0.11 (s, 9 H). C37H41N6O5Si ([M+H]+)에 대한 MS 계산치: 677, 관측치 677.1.단계 5: 3-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴3-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴(46 mg, 0.068 mmol), 테트라부틸암모늄 플루오라이드(THF 중 1 M; 1.4 mL, 1.4 mmol), 에틸렌다이아민(40.8 mg, 0.68 mmol) 및 THF(2 mL)의 혼합물을 70℃에서 주말 내내 가열하였다. 용매를 증발시키고, EtOAc를 첨가하였다. 혼합물을 NH4Cl 수용액으로 세척하고, 수성 상을 EtOAc로 추출하였다. 합한 EtOAc 용액을 NH4Cl 수용액으로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔)로 정제하여 3-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴(16 mg, 43%)을 연황색 포말로서 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ ppm 9.71 (s, 1 H), 8.35 (s, 1 H), 7.98 (s, 1 H), 7.48 - 7.66 (m, 6 H), 7.41 - 7.47 (m, 2 H), 7.39 (s, 1 H), 7.17 (d, J=2.4 Hz, 1 H), 7.11 (dd, J=8.6, 2.4 Hz, 1 H), 5.95 (s, 2 H), 3.85 (br. s., 8 H), 2.33 (s, 3 H). C31H27N6O4 ([M+H]+)에 대한 MS 계산치: 547, 관측치 547.1.실시예 I-195-아미노-1-[4-(3-tert-부틸-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온단계 1: (4-요오도-2-메틸-페닐)-하이드라진물(30 mL) 중 NaNO2(2.96 g, 42.9 mmol)의 용액을 -5℃에서 4-요오도-2-메틸-아닐린(알드리치에서 시판 중; 5 g, 21.5 mmol) 및 HCl(30 mL)의 혼합물에 첨가하였다. 혼합물을 -5℃에서 45분 동안 교반하였다. 주석(II) 클로라이드 다이하이드레이트(24.1 g, 107 mmol)를 첨가하고, 혼합물을 30분 동안 교반하였다. NaOH 수용액을 첨가하여 혼합물을 알칼리성으로 만들었다. 고체를 여과 제거하고, 크로마토그래피(실리카 겔)로 정제하여 (4-요오도-2-메틸-페닐)-하이드라진(1 g, 19%)을 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, DMSO-d6), δ ppm 7.33 (dd, J=8.5, 2.1 Hz, 1 H), 7.23 (d, J=1.3 Hz, 1 H), 6.87 (d, J=8.5 Hz, 1 H), 6.37 (s, 1 H), 3.98 (s, 2 H), 2.01 (s, 3 H, 잔류하는 EtOAc 용매로부터의 CH3 피크와 중첩됨). C7H10IN2 ([M+H]+)에 대한 MS 계산치: 249, 관측치 231.8.단계 2: [5-아미노-1-(4-요오도-2-메틸-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온(4-요오도-2-메틸-페닐)-하이드라진(411 mg, 1.66 mmol), (E)-3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 400 mg, 0.83 mmol) 및 EtOH(5 mL)의 혼합물을 78℃에서 16시간 동안 교반하였다. 용매를 감압 하에 제거하여 [5-아미노-1-(4-요오도-2-메틸-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온(471 mg, 83%)을 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ ppm 8.00 (s, 1 H), 7.82 (d, J=10.7 Hz, 2 H), 7.68 - 7.75 (m, 1 H), 7.63 (d, J=8.7 Hz, 1 H), 7.45 (dd, J=8.5, 1.5 Hz, 1 H), 7.23 (s, 1 H), 7.09 (d, J=8.3 Hz, 1 H), 5.97 (s, 2 H), 5.79 (br. s., 1 H) 3.74 (br. s., 7 H) 3.45 - 3.54 (m, 2 H) 2.20 (s, 3 H) 0.79 - 0.90 (m, 2 H) -0.12 (s, 9 H). C30H36IN5O4Si ([M+H]+)에 대한 MS 계산치: 686, 관측치 685.9.단계 3: 5-아미노-1-[4-(3-tert-부틸-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온DMSO(2 mL) 중 [5-아미노-1-(4-요오도-2-메틸-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온(60 mg, 0.088 mmol), N,N-다이메틸글리신 하이드로클로라이드 염(3 mg, 0.022 mmol) 및 3-tert-부틸페놀(19.7 mg, 0.13 mmol)의 용액에 칼륨 포스페이트(37 mg, 0.175 mmol) 및 구리(I) 요오다이드(3 mg, 0.016 mmol)를 첨가하였다. 혼합물을 80℃에서 16시간 동안 가열하였다. 모든 시약의 추가적인 양을 첨가하고, 혼합물을 110℃에서 8시간 동안 가열하였다. 혼합물을 EtOAc와 염수 사이에 분배하고, 유기 상을 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔)로 정제하여 5-아미노-1-[4-(3-tert-부틸-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온(13 mg, 21%)을 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ ppm 7.99 (br. s., 1 H), 7.84 (s, 1 H), 7.63 (d, J=8.5 Hz, 1 H), 7.44 (dd, J=8.7, 1.3 Hz, 1 H), 7.28 - 7.37 (m, 2 H), 7.20 - 7.25 (m, 2 H), 7.15 (t, J=2.0 Hz, 1 H), 7.01 (d, J=2.4 Hz, 1 H), 6.83 - 6.96 (m, 2 H), 5.97 (s, 2 H), 5.78 (br. s., 2 H), 3.74 (br. s., 8 H), 3.47 - 3.55 (m, 2 H), 2.17 (s, 2 H), 0.81 - 0.89 (m, 2 H), -0.12 (s, 9 H). C40H50N5O5Si ([M+H]+)에 대한 MS 계산치: 708, 관측치 708.2.단계 4: 5-아미노-1-[4-(3-tert-부틸-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온5-아미노-1-[4-(3-tert-부틸-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온(30 mg, 0.042 mmol), 테트라부틸암모늄 플루오라이드(THF 중 1 M; 1 mL, 1 mmol), 에틸렌다이아민(25.5 mg, 0.42 mmol) 및 THF(1 mL)의 혼합물을 70℃에서 주말 내내 가열하였다. 용매를 증발시키고, EtOAc를 첨가하였다. 혼합물을 NH4Cl 수용액으로 세척하고, 수성 상을 EtOAc로 추출하였다. 합한 EtOAc 용액을 NH4Cl 수용액으로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔)로 정제하여 5-아미노-1-[4-(3-tert-부틸-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온(14 mg, 57%)을 연황색 오일로서 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ ppm 9.65 (s, 1 H), 8.22 (s, 1 H), 7.86 (s, 1 H), 7.45 - 7.52 (m, 1 H), 7.35 - 7.43 (m, 2 H), 7.28 - 7.34 (m, 2 H), 7.20 - 7.25 (m, 1 H), 7.15 (t, J=1.9 Hz, 1 H), 7.01 (d, J=2.4 Hz, 1 H), 6.83 - 6.97 (m, 2 H), 5.80 (s, 2 H), 3.73 (br. s., 9 H), 2.17 (s, 3 H), 1.34 (s, 9 H). C34H36N5O4 ([M+H]+)에 대한 MS 계산치: 578, 관측치 578.2.실시예 I-20[5-아미노-1-(4-메톡시-2-메틸-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온단계 1: [5-아미노-1-(4-메톡시-2-메틸-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온(4-메톡시-2-메틸-페닐)-하이드라진 하이드로클로라이드(미국 매사추세츠주 01835-8099 워드 힐 파크리지 로드 26 소재 알파 애서(ALFA AESAR)로부터 구입할 수 있음; 391 mg, 2.07 mmol), (E)-3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 500 mg, 1.04 mmol) 및 EtOH(10 mL)의 혼합물을 80℃에서 밤새 교반하였다. 용매를 감압 하에 제거하여 [5-아미노-1-(4-메톡시-2-메틸-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온(80 mg, 13%)을 수득하였다. C31H40N5O5Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 590, 관측치 590.1.단계 2: [5-아미노-1-(4-메톡시-2-메틸-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온[5-아미노-1-(4-메톡시-2-메틸-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온(70 mg, 0.119 mmol), 테트라부틸암모늄 플루오라이드(THF 중 1 M; 2.4 mL, 2.4 mmol), 에틸렌다이아민(71.3 mg, 1.19 mmol) 및 THF(1 mL)의 혼합물을 70℃에서 밤새 가열하였다. 테트라부틸암모늄 플루오라이드(THF 중 1 M; 2 mL, 2 mmol)의 다른 부분을 첨가하고, 혼합물을 2시간 동안 교반하였다. EtOAc를 첨가하고, 혼합물을 염수로 세척하였다. 유기 층을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔)로 정제하여 [5-아미노-1-(4-메톡시-2-메틸-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온(25 mg, 46%)을 연갈색 분말로서 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ ppm 9.36 (s, 1 H), 8.21 (s, 1 H), 7.81 - 7.90 (m, 1 H), 7.48 - 7.53 (m, 1 H), 7.40 - 7.45 (m, 1 H), 7.36 - 7.39 (m, 1 H), 6.85 - 6.95 (m, 2 H), 5.73 (s, 2 H), 3.88 (s, 3 H), 3.75 (br. s., 8 H), 2.18 (s, 3 H). C35H26N5O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 460, 관측치 460.0.실시예 I-212-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-5-(2,3-다이플루오로-페녹시)-벤조니트릴단계 1: 5-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-니트로-벤조니트릴DMF(50 mL) 중 2-시아노-4-플루오로-1-니트로-벤젠(6.42 g, 38.4 mmol), 2,3-다이플루오로페놀(5 g, 38.4 mmol) 및 Cs2CO3(18.8 g, 57.7 mmol)의 혼합물을 120℃에서 3시간 동안 가열하였다. EtOAc를 첨가하고, 혼합물을 물 및 염수로 세척하였다. 유기 층을 건조하고, 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-20% EtOAc/헥산)로 정제하여 5-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-니트로-벤조니트릴(6.0 g, 56%)을 황색 고체로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 8.40 (d, J=9.0 Hz, 1 H), 7.97 (d, J=3.0 Hz, 1 H), 7.51 - 7.56 (m, 1 H), 7.47 (dddd, J=10.2, 8.6, 7.2, 1.6 Hz, 1 H), 7.35 (tdd, J=8.4, 8.4, 6.1, 2.0 Hz, 1 H), 7.22 - 7.30 (m, 1 H).단계 2: 2-아미노-5-(2,3-다이플루오로-페녹시)-벤조니트릴농축 HCl(5 mL) 중 주석(II) 클로라이드 다이하이드레이트(6.13 g, 27.2 mmol)의 용액을 MeOH(100 mL) 중 5-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-니트로-벤조니트릴(2.5 g, 9.05 mmol)의 용액에 첨가하고, 혼합물을 밤새 교반하였다. 혼합물을 증발시키고, 2 N NaOH를 첨가하여 잔사를 염기성으로 만들었다. 생성된 혼합물을 EtOAc로 추출하였다. 유기 층을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-20% EtOAc/헥산)로 정제하여 2-아미노-5-(2,3-다이플루오로-페녹시)-벤조니트릴(1.13 g, 51%)을 갈색 오일로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 7.24 (d, J=2.8 Hz, 1 H), 7.10 - 7.20 (m, 3 H), 6.84 (d, J=9.0 Hz, 1 H), 6.72 - 6.79 (m, 1 H), 6.04 (s, 2 H).단계 3: 5-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-하이드라지노-벤조니트릴 하이드로클로라이드 염물(0.3 mL) 중 NaNO2(102 mg, 1.5 mmol)의 용액을 2-아미노-5-(2,3-다이플루오로-페녹시)-벤조니트릴(0.3 g, 1.22 mmol), 농축 HCl(2.8 mL) 및 MeOH(2.8 mL)의 혼합물에 첨가하였다. 혼합물을 -5℃에서 45분 동안 교반하였다. HCl(2 mL) 및 물(0.1 mL) 중 주석(II) 클로라이드 다이하이드레이트(1.37 g, 6.1 mmol)의 용액을 첨가하고, 혼합물을 1시간 동안 교반하였다. 혼합물을 증발시키고, 고체를 여과 제거하고, 진공 하에 건조하여 5-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-하이드라지노-벤조니트릴 하이드로클로라이드 염(203 mg, 56%)을 수득하였다. 이러한 물질을 추가 정제 없이 후속 단계에 사용하였다.단계 4: 2-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-5-(2,3-다이플루오로-페녹시)-벤조니트릴5-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-하이드라지노-벤조니트릴 하이드로클로라이드 염(203 mg, 0.78 mmol), (E)-3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 250 mg, 0.521 mmol), K2CO3(215 mg, 1.55 mmol) 및 EtOH(3 mL)의 혼합물을 80℃에서 12시간 동안 교반하였다. 혼합물을 냉각하고, 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-50% EtOAc/헥산)로 정제하여 2-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-5-(2,3-다이플루오로-페녹시)-벤조니트릴(248 mg, 69%)을 황색 포말로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 9.41 (br. s., 2 H), 8.83 (s, 1 H), 7.89 (dd, J=9.4, 0.6 Hz, 1 H), 7.76 - 7.86 (m, 2 H), 7.60 (d, J=2.5 Hz, 1 H), 7.54 (dd, J=9.4, 2.4 Hz, 1 H), 7.44 - 7.49 (m, 1 H), 7.19 - 7.33 (m, 3 H), 6.96 - 7.03 (m, 1 H), 5.92 (s, 2 H), 3.48 - 3.67 (m, 8 H), 3.40 - 3.47 (m, 2 H), 0.70 - 0.76 (m, 2 H), -0.22 (s, 9 H).단계 5: 2-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-5-(2,3-다이플루오로-페녹시)-벤조니트릴2-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-5-(2,3-다이플루오로-페녹시)-벤조니트릴(50 mg, 0.072 mmol), 테트라-n-부틸암모늄 플루오라이드(THF 중 1 M; 0.7 mL, 0.7 mmol), 에틸렌다이아민(21.5 mg, 0.36 mmol) 및 THF(1 mL)의 혼합물을 마이크로파 오븐에서 80℃에서 20분 동안 가열하였다. 추가적인 양의 테트라-n-부틸암모늄 플루오라이드(THF 중 1 M; 0.7 mL, 0.7 mmol) 및 에틸렌다이아민(25 μL)을 첨가하고, 혼합물을 마이크로파 오븐에서 100℃에서 30분 동안 및 이어서 110℃에서 30분 동안 가열하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-50% EtOAc/헥산)로 정제하여 2-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-5-(2,3-다이플루오로-페녹시)-벤조니트릴(15 mg, 37%)을 불순물을 함유하는 고체로서 수득하였다. C30H23F2N6O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 569, 관측치 569.0.실시예 I-225-아미노-1-[2-브로모-4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온단계 1: 2-브로모-4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-1-니트로-벤젠DMF(30 mL) 중 2-브로모-4-플루오로-1-니트로-벤젠(4.42 g, 20 mmol), 2,3-다이플루오로페놀(1.91 g, 14.7 mmol) 및 Cs2CO3(7.18 g, 22 mmol)의 혼합물을 120℃에서 3시간 동안 가열하였다. EtOAc를 첨가하고, 혼합물을 물 및 염수로 세척하였다. 유기 층을 건조하고, 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-10% EtOAc/헥산)로 정제하여 2-브로모-4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-1-니트로-벤젠(4.1 g, 70%)을 연황색 고체로서 수득하였다.단계 2: 2-브로모-4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐아민농축 HCl(5 mL) 중 주석(II) 클로라이드 다이하이드레이트(4.1 g, 18.2 mmol)의 용액을 MeOH(100 mL) 중 2-브로모-4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-1-니트로-벤젠(2.0 g, 6.1 mmol)의 용액에 첨가하고, 혼합물을 밤새 교반하였다. 혼합물을 증발시키고, 2 N NaOH를 첨가하여 잔사를 염기성으로 만들었다. 생성된 혼합물을 EtOAc로 추출하였다. 유기 층을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-20% EtOAc/헥산)로 정제하여 2-브로모-4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐아민(1.23 g, 68%)을 갈색 오일로서 수득하였다. C12H9BrF2NO [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 302, 관측치 301.9.단계 3: [2-브로모-4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐]-하이드라진 하이드로클로라이드 염물(0.5 mL) 중 NaNO2(168 mg, 2.4 mmol)의 용액을 2-브로모-4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐아민(0.6 g, 2 mmol), 농축 HCl(4.6 mL) 및 MeOH(4.6 mL)의 혼합물에 첨가하였다. 혼합물을 -5℃에서 45분 동안 교반하였다. HCl(2 mL) 및 물(0.1 mL) 중 주석(II) 클로라이드 다이하이드레이트(2.26 g, 10 mmol)의 용액을 첨가하고, 혼합물을 1시간 동안 교반하였다. 혼합물을 증발시키고, 고체를 여과 제거하고, 진공 하에 건조하여 [2-브로모-4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐]-하이드라진 하이드로클로라이드 염(630 mg, 90%)을 수득하였다. 이러한 물질을 추가 정제 없이 후속 단계에 사용하였다.단계 4: 5-아미노-1-[2-브로모-4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온[2-브로모-4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐]-하이드라진 하이드로클로라이드 염(630 mg, 2 mmol), (E)-3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 483 mg, 1 mmol), K2CO3(415 mg, 3 mmol) 및 EtOH(3 mL)의 혼합물을 80℃에서 12시간 동안 교반하였다. 혼합물을 냉각하고, 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-3% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 5-아미노-1-[2-브로모-4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온(396 mg, 53%)을 연황색 포말로서 수득하였다. C35H37BrF2N5O5Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 754, 관측치 754.1.단계 5: 5-아미노-1-[2-브로모-4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온5-아미노-1-[2-브로모-4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온(50 mg, 0.066 mmol), 10 M HCl(2 mL) 및 EtOH(4 mL)의 혼합물을 85℃에서 10분 동안 가열하였다. 용매를 증발시키고, EtOAc를 첨가하였다. 혼합물을 염수 및 포화된 NaHCO3 수용액으로 세척하였다. 유기 상을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-3% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 5-아미노-1-[2-브로모-4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온(20 mg, 48%)을 황색 포말로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 11.89 (s, 1H), 8.31 (s, 1H), 7.77 (s, 1H), 7.60 (dd, J = 5.6, 2.9 Hz, 2H), 7.49 - 7.57 (m, 2H), 7.31 (d, J = 8.8 Hz, 3H), 7.13 - 7.27 (m, 2H), 7.10 (s, 2H), 3.48 - 3.69 (m, 8H). C29H23BrF2N5O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 622, 관측치 623.실시예 I-237-(2,3-다이플루오로-페녹시)-3-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-4H-피라졸로[1,5-a]퀴나졸린-5-온2-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-5-(2,3-다이플루오로-페녹시)-벤조니트릴(실시예 I-21 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 20 mg, 0.035 mmol), 하이드리도(다이메틸포스피노우사시드-kP)[수소비스(다이메틸포스피니토-kP)]플래티늄(II)(미국 매사추세츠주 01950-4098 뉴베리포트 덱스터 인더스트리얼 파크 물리켄 웨이 7 소재 스트렘 케미칼스 인코포레이티드(Strem Chemicals, Inc.)에서 시판 중; 1.5 mg), 물(0.5 mL) 및 EtOH(5 mL)의 혼합물을 80℃에서 4시간 동안 가열하였다. EtOAc를 첨가하고, 용액을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-3% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 7-(2,3-다이플루오로-페녹시)-3-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-4H-피라졸로[1,5-a]퀴나졸린-5-온(12 mg, 60%)을 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 9.39 (br. s., 1 H), 9.17 (s, 1 H), 7.79 (s, 1 H), 7.73 (dd, J=9.3, 0.8 Hz, 1 H), 7.57 (d, J=2.3 Hz, 1 H), 7.36 - 7.50 (m, 4 H), 7.22 (d, J=1.5 Hz, 1 H), 6.89 - 7.05 (m, 2 H), 6.75 - 6.86 (m, 1 H), 3.66 (br. s., 8 H).실시예 I-245-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2,6-다이메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온단계 1: 5-(2,3-다이플루오로-페녹시)-1,3-다이메틸-2-니트로-벤젠DMF(30 mL) 중 2,6-다이메틸-4-플루오로-1-니트로-벤젠(2.49 g, 14.7 mmol), 2,3-다이플루오로페놀(1.91 g, 14.7 mmol) 및 Cs2CO3(7.18 g, 22 mmol)의 혼합물을 120℃에서 3시간 동안 가열하였다. EtOAc를 첨가하고, 혼합물을 물 및 염수로 세척하였다. 유기 층을 건조하고, 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-10% EtOAc/헥산)로 정제하여 5-(2,3-다이플루오로-페녹시)-1,3-다이메틸-2-니트로-벤젠(2.90 g, 79%)을 연황색 고체로서 수득하였다. C14H12F2NO3 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 280, 관측치 279.8.단계 2: 4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2,6-다이메틸-페닐아민5-(2,3-다이플루오로-페녹시)-1,3-다이메틸-2-니트로-벤젠(3.8 g, 13.5 mmol), 탄소 상 팔라듐(10%; 0.3 g), 농축 HCl(5 mL) 및 MeOH(70 mL)의 혼합물을 밤새 수소화시켰다. 용매를 증발시키고, 2 N NaOH 용액을 첨가하여 혼합물을 염기성으로 만들었다. EtOAc를 첨가하고, 혼합물을 염수로 세척하였다. 유기 층을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-20% EtOAc/헥산)로 정제하여 4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2,6-다이메틸-페닐아민(1.0 g, 77%)을 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 7.00 - 7.13 (m, 2 H), 6.57 - 6.69 (m, 3 H), 4.50 (s, 2 H), 2.08 (s, 6 H).단계 3: [4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2,6-다이메틸-페닐]-하이드라진 하이드로클로라이드 염물(0.3 mL) 중 NaNO2(101 mg, 1.44 mmol)의 용액을 -5℃에서 4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2,6-다이메틸-페닐아민(0.3 g, 1.2 mmol), 농축 HCl(2.3 mL) 및 MeOH(2.3 mL)의 혼합물에 첨가하였다. 혼합물을 -5℃에서 1시간 동안 교반하였다. HCl(2 mL) 중 주석(II) 클로라이드 다이하이드레이트(1.36 g, 6 mmol)의 용액을 첨가하고, 혼합물을 1시간 동안 교반하였다. 혼합물을 증발시키고, 고체를 여과 제거하고, 진공 하에 건조하여 [4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2,6-다이메틸-페닐]-하이드라진 하이드로클로라이드 염(317 mg, 88%)을 수득하였다. 이러한 물질을 추가 정제 없이 후속 단계에 사용하였다.단계 4: 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2,6-다이메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2,6-다이메틸-페닐]-하이드라진 하이드로클로라이드 염(317 mg, 1.2 mmol), (E)-3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 362 mg, 0.75 mmol), K2CO3(311 mg, 2.25 mmol) 및 EtOH(3 mL)의 혼합물을 80℃에서 12시간 동안 교반하였다. 혼합물을 냉각하고, 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-3% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2,6-다이메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온(140 mg, 27%)을 황색 포말로서 수득하였다. C37H42F2N5O5Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 702, 관측치 702.4.단계 5: 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2,6-다이메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2,6-다이메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온(90 mg, 0.13 mmol), 농축 HCl(1.5 mL) 및 EtOH(3 mL)의 혼합물을 85℃에서 5분 동안 교반하였다. EtOAc를 첨가하고, 혼합물을 염수 및 포화된 NaHCO3 수용액으로 세척하였다. 유기 상을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-3% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2,6-다이메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온(45 mg, 61%)을 황색 포말로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 11.90 (s, 1H), 8.36 (s, 1H), 7.78 (s, 1H), 7.49 - 7.57 (m, 2H), 7.24 - 7.40 (m, 3H), 7.09 (t, J = 7.7 Hz, 1H), 6.97 (s, 2H), 6.92 (s, 2H), 3.50 - 3.68 (m, 8H), 2.01 (s, 6H). C31H26F2N5O4 [(M-H)+]에 대한 MS 계산치 570, 관측치 570.1.실시예 I-255-아미노-1-[6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온단계 1: 6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-3-니트로-피리딘DMF(30 mL) 중 6-클로로-2-메톡시-3-니트로피리딘(미국 사우스캐롤라이나주 29172 웨스트 콜럼비아 올드 던바 로드 1741 소재 오크우드 프로덕츠 인코포레이티드(Oakwood Products, Inc.)에서 시판 중; 3 g, 15.8 mmol), 2,3-다이플루오로페놀(2.06 g, 15.8 mmol) 및 Cs2CO3(7.73 g, 23.7 mmol)의 혼합물을 120℃에서 3시간 동안 가열하였다. EtOAc를 첨가하고, 혼합물을 물 및 염수로 세척하였다. 유기 층을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-20% EtOAc/헥산)로 정제하여 6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-3-니트로-피리딘(2.26 g, 50%)을 연황색 고체로서 수득하였다. C12H9F2N2O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 283, 관측치 283.단계 2: 6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-피리딘-3-일아민농축 HCl(2 mL) 중 주석(II) 클로라이드 다이하이드레이트(2.03 g, 9 mmol)의 용액을 MeOH(30 mL) 중 6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-3-니트로-피리딘(847 mg, 3 mmol)의 용액에 첨가하고, 혼합물을 밤새 교반하였다. 2 N NaOH를 첨가하여 혼합물을 염기성으로 만들고, 생성된 혼합물을 EtOAc로 추출하였다. 유기 층을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-20% EtOAc/헥산)로 정제하여 6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-피리딘-3-일아민(2.45 g, 72%)을 갈색 오일로서 수득하였다. C12H11F2N2O2 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 253, 관측치 252.9.단계 3: [6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-피리딘-3-일]-하이드라진 하이드로클로라이드 염물(0.2 mL) 중 NaNO2(83.3 mg, 1.2 mmol)의 용액을 6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-피리딘-3-일아민(0.25 g, 0.99 mmol), HCl(2 mL) 및 MeOH(2 mL)의 혼합물에 첨가하였다. 혼합물을 -5℃에서 1시간 동안 교반하였다. HCl(1.5 mL) 중 주석(II) 클로라이드 다이하이드레이트(1.12 g, 5 mmol)의 용액을 첨가하고, 혼합물을 1시간 동안 교반하였다. 고체를 여과 제거하고, 진공 하에 건조하여 [6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-피리딘-3-일]-하이드라진 하이드로클로라이드 염(257 mg, 85%)을 수득하였다. 이러한 물질을 추가 정제 없이 후속 단계에 사용하였다.단계 4: 5-아미노-1-[6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온[6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-피리딘-3-일]-하이드라진 하이드로클로라이드 염(257 mg, 0.96 mmol), (E)-3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 290 mg, 0.6 mmol), K2CO3(249 mg, 1.8 mmol) 및 EtOH(3 mL)의 혼합물을 80℃에서 3시간 동안 교반하였다. 혼합물을 냉각하고, 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-70% EtOAc/헥산)로 정제하여 5-아미노-1-[6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온(240 mg, 57%)을 수득하였다. C31H32BrF2N4O4Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 705, 관측치 705.2.단계 5: 5-아미노-1-[6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온5-아미노-1-[6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온(50 mg, 0.07 mmol), HCl(2 mL) 및 EtOH(4 mL)의 혼합물을 85℃에서 10분 동안 가열하였다. 용매를 증발시키고, EtOAc를 첨가하였다. 혼합물을 염수 및 포화된 NaHCO3 수용액으로 세척하였다. 유기 상을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-3% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 5-아미노-1-[6-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-피리딘-3-일]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온(32 mg, 79%)을 황색 포말로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 11.88 (s, 1 H), 8.27 (s, 1 H), 7.94 (d, J=8.0 Hz, 1 H), 7.77 (s, 1 H), 7.48 - 7.54 (m, 2 H), 7.37 - 7.46 (m, 1 H), 7.28 - 7.34 (m, 3 H), 7.09 (s, 2 H), 6.84 (d, J=8.0 Hz, 1 H), 3.51 - 3.66 (m, 11 H).실시예 I-262-5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온(실시예 I-5 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 60 mg, 0.108 mmol), NaOH(172 mg, 4.3 mmol), EtOH(4 mL) 및 물(2 mL)의 혼합물을 80℃에서 밤새 가열하였다. 반응 혼합물을 10% HCl로 산성화시키고, EtOAc로 추출하였다. EtOAc 층을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켜 2-5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산(40 mg, 76%)을 황색 고체로서 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ ppm 10.23 (s, 1 H), 8.64 (s, 1 H), 8.28 (s, 1 H), 8.09 (dd, J=8.7, 1.5 Hz, 1 H), 7.53 (d, J=8.7 Hz, 1 H), 7.46 (d, J=1.1 Hz, 1 H), 7.35 (d, J=8.5 Hz, 1 H), 7.00 - 7.16 (m, 4 H), 6.87 - 6.98 (m, 2 H), 5.85 (br. s., 2 H), 2.20 (s, 3 H). C26H19F2N4O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 489, 관측치 488.8.실시예 I-275-아미노-1-[4-(4-클로로-벤질옥시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온단계 1: [5-아미노-1-(4-하이드록시-2-메틸-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[1-메톡시메틸-5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온[5-아미노-1-(4-메톡시-2-메틸-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온(실시예 I-20 단계 1에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 150 mg, 0.254 mmol)을 4℃의 CH2Cl2(5 mL) 중 BBr3(1 M; 1.27 mL, 1.27 mmol)과 합하였다. 냉각 욕을 제거하고, 반응 생성물을 밤새 교반하였다. MeOH, 염수 및 EtOAc를 첨가하였다. 유기 층을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔)로 정제하여 [5-아미노-1-(4-하이드록시-2-메틸-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[1-메톡시메틸-5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온(52 mg, 42%)을 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ ppm 7.95 (s, 1 H), 7.82 (s, 1 H), 7.62 (d, J=8.7 Hz, 1 H), 7.44 (d, J=8.7 Hz, 1 H), 7.20 - 7.32 (m, 1 H), 7.05 (d, J=8.5 Hz, 1 H), 6.57 - 6.68 (m, 2 H), 5.91 (s, 2 H), 5.79 (br. s., 2 H), 3.74 (br. s., 8 H), 3.45 (s, 5 H), 3.29 (s, 3 H), 2.01 (s, 3 H). C26H28N5O5 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 490, 관측치 489.7.단계 2: 5-아미노-1-[4-(4-클로로-벤질옥시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[1-메톡시메틸-5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온DMF(4 mL) 중 [5-아미노-1-(4-하이드록시-2-메틸-페닐)-1H-피라졸-4-일]-[1-메톡시메틸-5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온(50 mg, 0.10 mmol), 4-클로로-벤질 브로마이드(25.1 mg, 0.123 mmol) 및 K2CO3(42.3 mg, 0.31 mmol)의 혼합물을 실온에서 24시간 동안 교반하였다. EtOAc를 첨가하고, 혼합물을 염수로 세척하였다. 유기 상을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켜 조질 5-아미노-1-[4-(4-클로로-벤질옥시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[1-메톡시메틸-5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온(40 mg, 64%)을 수득하였다. 이러한 물질을 추가 정제 없이 후속 단계에 직접 사용하였다. C33H33ClN5O5 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 614, 관측치 613.9.단계 3: 5-아미노-1-[4-(4-클로로-벤질옥시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온5-아미노-1-[4-(4-클로로-벤질옥시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[1-메톡시메틸-5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온(20 mg, 0.033 mmol), 10% 수성 HCl(1 mL) 및 EtOH(1 mL)의 혼합물을 80℃에서 1시간 동안 가열하였다. EtOAc를 첨가하고, 혼합물을 염수로 세척하였다. 유기 상을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔)로 정제하여 5-아미노-1-[4-(4-클로로-벤질옥시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온(7 mg, 36%)을 연황색 고체로서 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ ppm 9.34 (s, 1 H), 8.08 (s, 1 H), 7.74 (s, 1 H), 7.35 - 7.42 (m, 1 H), 7.31 (s, 1 H), 7.25 (br. s., 1 H), 7.17 (s, 1 H), 7.15 (s, 3 H), 6.85 (s, 1 H), 6.75 - 6.83 (m, 1 H), 5.62 (s, 2 H), 4.97 (s, 2 H), 3.61 (br. s., 8 H), 2.05 (s, 3 H). C31H29ClN5O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 570, 관측치 570.0.실시예 I-285-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온단계 1: 4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-1-니트로-벤젠DMF 중 4-플루오로-2-메톡시-1-니트로-벤젠(3 g, 17.4 mmol), 2,3-다이플루오로페놀(2.27 g, 17.4 mmol) 및 Cs2CO3(6.81 g, 20.9 mmol)의 혼합물을 120℃에서 3시간 동안 가열하였다. 혼합물을 냉각하였다. EtOAc를 첨가하고, 혼합물을 물 및 염수로 세척하였다. 유기 층을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켜 4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-1-니트로-벤젠(4.80 g, 98%)을 황색 고체로서 수득하였다.단계 2: 4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-페닐아민HCl(9 mL) 중 주석(II) 클로라이드 다이하이드레이트(9.11 g, 40.4 mmol)의 용액을 MeOH(100 mL) 중 4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-1-니트로-벤젠(3.8 g, 13.5 mmol)의 용액에 첨가하고, 혼합물을 밤새 교반하였다. 2 N NaOH를 첨가하여 혼합물을 염기성으로 만들고, 생성된 혼합물을 EtOAc로 추출하였다. 유기 층을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-20% EtOAc/헥산)로 정제하여 4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-페닐아민(2.45 g, 72%)을 흑색 오일로서 수득하였다.단계 3: [4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-페닐]-하이드라진 하이드로클로라이드 염물(2 mL) 중 NaNO2(1.72 g, 24.5 mmol)의 용액을 -5℃에서 4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-페닐아민(0.9 g, 3.6 mmol), 농축 HCl(2.3 mL) 및 MeOH(2.3 mL)의 혼합물에 첨가하였다. 혼합물을 -5℃에서 40분 동안 교반하였다. HCl(2 mL) 중 주석(II) 클로라이드 다이하이드레이트(1.12 g, 5 mmol)의 용액을 첨가하고, 혼합물을 1시간 동안 교반하였다. 혼합물을 증발시키고, 고체를 여과 제거하고, 진공 하에 건조하여 [4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-페닐]-하이드라진 하이드로클로라이드 염(953 mg, 88%)을 수득하였다. 이러한 물질을 추가 정제 없이 후속 단계에 사용하였다.단계 4: 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-페닐]-하이드라진 하이드로클로라이드 염(953 mg, 3.6 mmol), (E)-2-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-3-다이메틸아미노-아크릴로니트릴(중간체 2에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 628 mg, 1.4 mmol), Cs2CO3(967 mg, 7 mmol) 및 EtOH(10 mL)의 혼합물을 80℃에서 12시간 동안 교반하였다. 혼합물을 냉각하고, 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-20% EtOAc/헥산)로 정제하여 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온(210 mg, 22%)을 수득하였다. C31H32BrF2N4O4Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 669, 관측치 669.단계 5: 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-페닐]-1H-피라졸-4-일-(5-브로모-1H-인돌-2-일)-메탄온5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-메탄온(210 mg, 0.31 mmol), 농축 HCl(4 mL) 및 EtOH(12 mL)의 혼합물을 83℃에서 30분 동안 가열하였다. CH2Cl2를 첨가하고, 혼합물을 염수 및 포화된 Na2CO3 수용액으로 세척하였다. 유기 상을 건조하고(Na2SO4), 여과하였다. 용매를 감압 하에 제거하여 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-페닐]-1H-피라졸-4-일-(5-브로모-1H-인돌-2-일)-메탄온(140 mg, 83%)을 수득하였다. C25H18BrF2N4O3 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 541, 관측치 540.8. NMR 스펙트럼은 불순물의 존재를 나타내지만, 물질을 추가 정제 없이 후속 단계에 직접 사용하였다.단계 6: 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-페닐]-1H-피라졸-4-일-(5-브로모-1H-인돌-2-일)-메탄온(70 mg, 0.13 mmol), Pd(OAc)2(2.9 mg, 0.013 mmol), 4,5-비스(다이페닐포스피노)-9,9-다이메틸잔텐(잔트포스((Xantphos))(15 mg, 0.026 mmol), 모폴린(226 mg, 2.6 mmol), 트라이에틸아민(0.2 mL) 및 DMF(2 mL)의 혼합물을 일산화 탄소로 플러슁(flushing)하였다. 반응 혼합물을 90℃에서 밤새 일산화 탄소의 볼룬(balloon) 하에 가열하였다. 반응 혼합물을 냉각하였다. CH2Cl2를 첨가하고, 용액을 물 및 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-4% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온(52 mg, 70%)을 황색 오일로서 수득하였다. C30H26F2N5O5 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 574, 관측치 574.1.실시예 I-295-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-하이드록시-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온CH2Cl2(4.5 mL) 중 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메톡시-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온(실시예 I-28 단계 6에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 45 mg, 0.079 mmol)의 용액을 -78℃까지 냉각하고, BBr3(2 M; 200 μL, 0.4 mmol)을 첨가하였다. 냉각 욕을 제거하고, 혼합물을 5시간 동안 교반하였다. EtOAc를 첨가하고, 용액을 물 및 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-6% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-하이드록시-페닐]-1H-피라졸-4-일-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-일]-메탄온(20 mg, 46%)을 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 11.82 - 11.94 (m, 1H), 8.26 (s, 1H), 7.78 (s, 1H), 7.45 - 7.59 (m, 2H), 7.25 - 7.42 (m, 5H), 7.07 - 7.21 (m, 1H), 6.58 - 6.72 (m, 3H), 3.70-3.50 (m, 8H).실시예 I-303-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-벤조니트릴단계 1: 2-[4-(모폴린-4-카보닐)-페닐]-하이드라조노-프로피온산 에틸 에스터4-N'-[1-에톡시카보닐-에트-(E)-일리덴]-하이드라지노-벤조산(문헌[Pierson, P. D. et al. J. Med. Chem. 2009, 52, 3855-3868]에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 12.75 g, 50.9 mmol), 모폴린(4.88 g, 56 mmol), 1-에틸-3-(3-다이메틸아미노프로필)카보다이이미드 하이드로클로라이드(10.7 g, 56 mmol) 및 DMF(51 mL)의 혼합물을 3시간 동안 교반하고, 이어서 40℃에서 감압 하에 증발시켰다. EtOAc를 첨가하고, 생성된 혼합물을 물 및 염수로 세척하였다. 유기 층을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켜 조질 2-[4-(모폴린-4-카보닐)-페닐]-하이드라조노-프로피온산 에틸 에스터(17.5 g)를 추정된 90% 순도를 갖는 갈색 포말로서 수득하였다. 이러한 물질을 추가 정제 없이 후속 단계에 직접 사용하였다.단계 2: 5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카복실산 에틸 에스터조질 2-[4-(모폴린-4-카보닐)-페닐]-하이드라조노-프로피온산 에틸 에스터(19 g, 약 53.5 mmol, 추정된 90% 순도), 폴리인산(272 g) 및 톨루엔(70 mL)의 혼합물을 120℃에서 3시간 동안 가열하고, 이어서 얼음 물(500 mL)에 부었다. EtOAc(500 mL)를 첨가하고, 생성된 혼합물을 30분 동안 교반하였다. 층을 분리하고, 수성 층을 EtOAc로 추출하였다. 합한 유기 층을 염수로 세척하고, 이어서 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 20-80% EtOAc/헥산)로 정제하여 5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카복실산 에틸 에스터(4.6 g, 28%)를 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, DMSO-d6) δ ppm 12.09 (br. s., 1 H), 7.76 (s, 1 H), 7.49 (d, J=8.7 Hz, 1 H), 7.32 (d, J=8.3 Hz, 1 H), 7.22 (s, 1 H), 4.35 (q, J=7.0 Hz, 2 H), 3.45 - 3.65 (m, 8 H), 1.35 (t, J=7.2 Hz, 3 H).단계 3: 5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카복실산 에틸 에스터나트륨 하이드라이드(60% 분산액; 147 mg, 3.7 mmol)를 작은 분획으로 0℃의 무수 THF(4 mL) 및 DMF(2 mL) 중 5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카복실산 에틸 에스터(1.0 g, 3.3 mmol)의 용액에 첨가하였다. 혼합물을 0℃에서 30분 동안 교반하였다. (2-클로로메톡시-에틸)-트라이메틸-실란(634 mg, 3.8 mmol)을 0℃에서 첨가하고, 혼합물을 실온에서 1시간 동안 교반하였다. EtOAc를 첨가하고, 생성된 혼합물을 물 및 염수로 세척하였다. 유기 층을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-50% EtOAc/헥산)로 정제하여 5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카복실산 에틸 에스터(1.40 g, 98%)를 황색 오일로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 7.81 (d, J=0.8 Hz, 1 H), 7.75 (d, J=8.8 Hz, 1 H), 7.38 - 7.46 (m, 2 H), 5.98 (s, 2 H), 4.33 (d, J=7.0 Hz, 2 H), 3.48 - 3.68 (m, 7 H), 3.44 (t, J=7.9 Hz, 3 H), 1.34 (t, J=7.0 Hz, 3 H), 0.77 (t, J=7.9 Hz, 2 H), -0.14 (s, 9 H).단계 4: 3-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-3-옥소-프로피오니트릴5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카복실산 에틸 에스터(800 mg, 1.85 mmol), CH3CN(0.6 mL, 11.5 mmol) 및 THF(20 mL)의 혼합물을 -78℃까지 냉각하였다. LDA(THF 중 2 M; 1.4 mL, 2.8 mmol)를 첨가하고, 혼합물을 -78℃에서 30분 동안 교반하였다. 포화된 수성 NH4Cl을 첨가하였다. 혼합물을 EtOAc(350 mL)로 추출하였다. 유기 층을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-70% EtOAc/헥산)로 정제하여 3-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-3-옥소-프로피오니트릴(420 mg, 53%)을 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 7.86 (d, J=0.8 Hz, 1 H), 7.76 (d, J=8.8 Hz, 1 H), 7.71 (s, 1 H), 7.48 (dd, J=8.8, 1.5 Hz, 1 H), 5.95 (s, 2 H), 4.77 (s, 2 H), 3.45 - 3.66 (m, 10 H), 0.74 - 0.82 (m, 2 H), -0.12 (s, 9 H).단계 5: (E)-3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴3-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-일]-3-옥소-프로피오니트릴(1.71 g, 4 mmol), N,N-다이메틸포름아미드 다이메틸 아세탈(1.9 g, 15.9 mmol) 및 톨루엔(31.7 mL)의 혼합물을 15시간 동안 교반하였다. 용매를 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 40-90% EtOAc/헥산)로 정제하여 (E)-3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(1.51 g, 78%)을 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 8.04 (s, 1 H), 7.78 (d, J=1.0 Hz, 1 H), 7.69 (d, J=8.5 Hz, 1 H), 7.37 (dd, J=8.5, 1.5 Hz, 1 H), 7.20 (s, 1 H), 5.79 (s, 2 H), 3.47 - 3.64 (m, 7 H), 3.40 (s, 3 H), 3.34 - 3.39 (m, 3 H), 3.31 (s, 3 H), -0.13 (s, 9 H).단계 6: 3-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-벤조니트릴3-(3-클로로-4-하이드라지노-페녹시)-벤조니트릴 하이드로클로라이드 염(중간체 1에 대해 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 242 mg, 0.93 mmol), (E)-3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(150 mg, 0.31 mmol), Cs2CO3(258 mg, 1.86 mmol) 및 EtOH(80 mL)의 혼합물을 80℃에서 2시간 동안 가열하였다. 혼합물을 냉각하고, EtOAc를 첨가하였다. 혼합물을 물 및 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-50% EtOAc/헥산)로 정제하여 3-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-벤조니트릴(201 mg, 93%)을 연황색 포말로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 7.97 (s, 1 H), 7.79 - 7.82 (m, 1 H), 7.63 - 7.76 (m, 4 H), 7.59 (d, J=8.5 Hz, 1 H), 7.48 - 7.54 (m, 2 H), 7.40 (dd, J=8.5, 1.5 Hz, 1 H), 7.34 (s, 1 H), 7.24 (dd, J=8.7, 2.6 Hz, 1 H), 7.18 (s, 2 H), 5.97 (s, 2 H), 3.49 - 3.68 (m, 8 H), 3.35 - 3.41 (m, 2 H), -0.18 (m, 9 H).단계 7: 3-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-벤조니트릴반응을 2개의 회분으로 수행하였다. 회분을 정제를 위해 합하였다.3-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-벤조니트릴(50 mg, 0.072 mmol), 농축 HCl(1 mL) 및 EtOH(2 mL)의 혼합물을 환류 하에 15분 동안 가열하였다. 혼합물을 증발시키고, EtOAc를 첨가하였다. 용액을 염수 및 포화된 NaHCO3 수용액으로 세척하였다. 유기 상을 건조하고(Na2SO4), 여과하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다.3-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-벤조니트릴(150 mg, 0.215 mmol), 농축 HCl(3 mL) 및 EtOH(6 mL)의 혼합물을 환류 하에 15분 동안 가열하였다. 혼합물을 증발시키고, EtOAc를 첨가하였다. 용액을 염수 및 포화된 NaHCO3 수용액으로 세척하였다. 유기 상을 건조하고(Na2SO4), 여과하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다.2개의 반응으로부터의 잔사를 합하고, 크로마토그래피(실리카 겔, 0-3% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 3-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-벤조니트릴(118 mg, 74%)을 황색 포말로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 11.88 (s, 1 H), 8.32 (s, 1 H), 7.78 (s, 1 H), 7.61 - 7.72 (m, 4 H), 7.47 - 7.55 (m, 4 H), 7.31 (d, J=10.3 Hz, 1 H), 7.23 (dd, J=8.8, 2.8 Hz, 1 H), 7.12 (s, 2 H), 3.47 - 3.67 (m, 8 H).실시예 I-312-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 메틸 에스터단계 1: 3-(4-5-아미노-4-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴3-(4-하이드라지노-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴(실시예 I-18 단계 3에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 840 mg, 3.51 mmol), (E)-2-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-3-다이메틸아미노-아크릴로니트릴(중간체 2에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 787 mg, 1.76 mmol) 및 EtOH(35 mL)의 혼합물을 환류 하에 밤새 가열하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 30% EtOAc/헥산)로 정제하여 3-(4-5-아미노-4-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴(745 mg, 66%)을 포말로서 수득하였다.단계 2: 3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-메틸-페녹시-벤조니트릴2-(4-5-아미노-4-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴(820 mg, 1.28 mmol), 테트라부틸암모늄 플루오라이드(THF 중 1 M; 25.5 mL, 25.5 mmol) 및 에틸렌다이아민(767 mg, 12.8 mmol)의 혼합물을 75℃에서 8시간 동안 가열하였다. 물(50 mL)을 첨가하고, 혼합물을 EtOAc(150 mL)로 추출하였다. EtOAc 층을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 40% EtOAc/헥산)로 정제하여 3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-메틸-페녹시-벤조니트릴(308 mg, 47%)을 오일로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 9.26 (br. s., 1 H), 8.22 (s, 1 H), 7.86 - 7.98 (m, 1 H), 7.30 - 7.54 (m, 7 H), 6.97 - 7.07 (m, 2 H), 5.80 (s, 2 H), 2.21 (s, 3 H).단계 3: 2-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 메틸 에스터3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-메틸-페녹시-벤조니트릴(305 mg, 0.595 mmol), Pd(PPh3)4(206 mg, 0.18 mmol), DIPEA(1.04 mL, 5.95 mmol), MeOH(2 mL, 49 mmol) 및 THF(30 mL)의 혼합물을 함유하는 밀봉가능한 관을 30 psi 일산화 탄소로 충전하고, 밀봉하고, 95℃에서 밤새 가열하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 45% EtOAc/헥산)로 정제하여 2-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 메틸 에스터(178 mg, 61%)를 연황색 포말로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 9.37 (br. s., 1 H), 8.53 - 8.60 (m, 1 H), 8.24 (s, 1 H), 8.05 (dd, J=8.7, 1.6 Hz, 1 H), 7.37 - 7.56 (m, 6 H), 7.30 - 7.36 (m, 2 H), 6.96 - 7.10 (m, 3 H), 5.80 (s, 2 H), 3.97 (s, 3 H), 2.22 (s, 3 H).실시예 I-322-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산2-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 메틸 에스터(실시예 I-30 단계 3에 대해 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 164 mg, 0.334 mmol), 1 M NaOH 수용액(0.4 mL, 0.4 mmol) 및 THF(25 mL)의 혼합물을 실온에서 밤새 교반하였다. 혼합물을 농축 HCl로 중화시키고, 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 제조용 HPLC로 정제하여 2-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산(48 mg, 30%)을 연황색 분말로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 11.77 (br. s., 1 H), 8.40 (s, 1 H), 8.35 (s, 1 H), 7.92 (dd, J=8.5, 1.5 Hz, 1 H), 7.69 - 7.73 (m, 2 H), 7.63 - 7.66 (m, 1 H), 7.59 (s, 1 H), 7.43 - 7.55 (m, 3 H), 7.26 (d, J=2.5 Hz, 1 H), 7.14 (dd, J=8.8, 2.8 Hz, 1 H), 6.98 (s, 2 H), 2.17 (s, 3 H).실시예 I-333-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-클로로-페녹시-벤조니트릴단계 1: 3-(4-5-아미노-4-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-벤조니트릴3-(3-클로로-4-하이드라지노-페녹시)-벤조니트릴 하이드로클로라이드 염(중간체 1에 대해 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 5.92 g, 20 mmol), (E)-2-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-3-다이메틸아미노-아크릴로니트릴(중간체 2에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 4.48 g, 10 mmol), Cs2CO3(9.77 g, 30 mmol) 및 EtOH(80 mL)의 혼합물을 실온에서 30분 동안 및 이어서 80℃에서 2시간 동안 교반하였다. 혼합물을 냉각하고, EtOAc를 첨가하였다. 혼합물을 물 및 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-30% EtOAc/헥산)로 정제하여 3-(4-5-아미노-4-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-벤조니트릴(4.05 g, 61%)을 황색 포말로서 수득하였다. C31H30BrClN5O3Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 662, 관측치 662.1.단계 2: 3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-클로로-페녹시-벤조니트릴반응을 2개의 회분으로 수행하였다. 회분을 정제를 위해 합하였다.3-(4-5-아미노-4-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-벤조니트릴(3.0 g, 4.52 mmol), 농축 HCl(28 mL) 및 EtOH(90 mL)의 혼합물을 80℃ 욕에서 30분 동안 가열하였다.3-(4-5-아미노-4-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-벤조니트릴(1.0 g, 1.51 mmol), 농축 HCl(9.3 mL) 및 EtOH(31 mL)의 혼합물을 80℃ 욕에서 30분 동안 가열하였다.2개의 용액을 합하였다. EtOAc를 첨가하고, 용액을 물 및 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-40% EtOAc/헥산)로 정제하여 3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-클로로-페녹시-벤조니트릴(1.74 g, 54%)을 황색 고체로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 11.89 (s, 1 H), 8.30 (s, 1 H), 7.88 (d, J=1.8 Hz, 1 H), 7.62 - 7.76 (m, 4 H), 7.50 - 7.57 (m, 2 H), 7.42 - 7.49 (m, 2 H), 7.37 (dd, J=8.7, 1.9 Hz, 1 H), 7.24 (dd, J=8.7, 2.6 Hz, 1 H), 7.13 (s, 2 H). C25H16BrClN5O2 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 534, 관측치 533.8.실시예 I-342-5-아미노-1-[2-클로로-4-(3-시아노-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산단계 1: 2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(3-시아노-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 2-트라이메틸실란일-에틸 에스터3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-클로로-페녹시-벤조니트릴(실시예 I-33 단계 2에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 200 mg, 0.375 mmol), Pd(OAc)2(8.4 mg, 0.038 mmol), 1,3-비스(다이페닐포스피노)프로판(43 mg, 0.075 mmol), 2-트라이메틸실릴에탄올(1 mL, 7 mmol), 트라이에틸아민(0.5 mL) 및 DMF(2 mL)의 혼합물을 45 psi의 일산화 탄소 하에 2일 동안 가열하였다. 밸브를 대체하고, 혼합물을 일산화 탄소 하에 110℃에서 밤새 가열하였다. EtOAc를 첨가하고, 용액을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-5% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(3-시아노-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 2-트라이메틸실란일-에틸 에스터(76 mg, 34%)를 수득하였다.단계 2: 2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(3-시아노-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(3-시아노-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 2-트라이메틸실란일-에틸 에스터(270 mg, 0.45 mmol), 테트라-n-부틸암모늄 플루오라이드(THF 중 1 M; 2.3 mL, 2.3 mmol) 및 DMF(3.4 mL)의 혼합물을 실온에서 30분 동안 교반하고, 이어서 45℃에서 1시간 동안 가열하였다. EtOAc를 첨가하고, 용액을 물 및 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하였다. 용매를 감압 하에 제거하고, 잔사를 CH2Cl2로 마쇄하여 2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(3-시아노-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산(135 mg, 60%)을 황색 고체로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 12.60 (br. s., 1 H), 12.01 (s, 1 H), 8.39 (s, 1 H), 8.35 (s, 1 H), 7.85 (dd, J=8.7, 1.6 Hz, 1 H), 7.59 - 7.74 (m, 5 H), 7.49 - 7.58 (m, 3 H), 7.24 (dd, J=8.7, 2.6 Hz, 1 H), 7.14 (s, 2 H).실시예 I-352-5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 (2-메톡시-에틸)-아미드2-5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산(실시예 I-26에 대해 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 30 mg, 0.061 mmol), N-(3-다이메틸아미노프로필)-N'-에틸카보다이이미드 하이드로클로라이드(30 mg, 0.16 mmol), 1-하이드록시벤조트라이아졸 하이드레이트(30 mg, 0.2 mmol), 2-메톡시에탄아민(60 mg, 0.8 mmol) 및 DMF의 혼합물을 실온에서 24시간 동안 교반하고, EtOAc를 첨가하고, 혼합물을 물로 세척하였다. 유기 층을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔)로 정제하여 2-5-아미노-1-[4-(2,3-다이플루오로-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 (2-메톡시-에틸)-아미드(20 mg, 60%)를 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, CD3OD) δ ppm 8.41 - 8.48 (m, 2 H), 7.93 (dd, J=8.7, 1.7 Hz, 1 H), 7.61 - 7.75 (m, 2 H), 7.54 (d, J=8.7 Hz, 1 H), 7.28 - 7.41 (m, 2 H), 7.24 (d, J=2.6 Hz, 1 H), 7.10 - 7.20 (m, 2 H), 3.76 (s, 4 H), 3.56 (s, 3 H), 3.47 (d, J=1.5 Hz, 4 H). C29H26F2N5O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 546, 관측치 546.1.실시예 I-362-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 (2-아미노-에틸)-아미드단계 1: 2-[(2-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카보닐)-아미노]-에틸-카밤산 tert-부틸 에스터밀봉가능한 관을 3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-메틸-페녹시-벤조니트릴(실시예 I-31 단계 2에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 157 mg, 0.31 mmol), Pd(PPh3)4(106 mg, 0.092 mmol), tert-부틸 N-(2-아미노에틸)카바메이트(티씨아이(TCI)에서 시판 중; 245 mg, 1.53 mmol), DIPEA(0.54 mL) 및 THF(15 mL)로 충전하였다. 반응 관을 30 psi의 일산화 탄소로 충전하고, 밀봉하고, 100℃에서 밤새 가열하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 80% EtOAc/헥산)로 정제하여 2-[(2-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카보닐)-아미노]-에틸-카밤산 tert-부틸 에스터(220 mg, 36%)를 트라이페닐포스핀 산화물로 오염된 오일로서 수득하였다. 이러한 물질을 추가 정제 없이 후속 단계에 직접 사용하였다.단계 2: 2-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 (2-아미노-에틸)-아미드2-[(2-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카보닐)-아미노]-에틸-카밤산 tert-부틸 에스터(220 mg, 0.36 mmol), 트라이플루오로아세트산(5 mL, 65 mmol) 및 CH2Cl2(10 mL)의 혼합물을 실온에서 1시간 동안 교반하였다. 용매를 감압 하에 제거하고, 잔사를 제조용 HPLC로 정제하여 2-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 (2-아미노-에틸)-아미드(46 mg, 25%)를 회백색 고체로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 9.40 (br. s., 1 H), 8.20 - 8.31 (m, 2 H), 7.75 - 7.86 (m, 1 H), 7.42 - 7.56 (m, 3 H), 7.36 - 7.43 (m, 2 H), 7.29 - 7.35 (m, 2 H), 7.06 (d, J=2.8 Hz, 1 H), 6.97 - 7.02 (m, 1 H), 5.81 (s, 2 H), 4.13 (q, J=7.0 Hz, 1 H), 3.51 - 3.80 (m, 3 H), 3.01 (t, J=5.8 Hz, 1 H), 2.22 (s, 3 H).실시예 I-373-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-벤즈아미드3-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-벤조니트릴(실시예 I-30 단계 7에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 30 mg, 0.053 mmol), 하이드리도(다이메틸포스피노우사시드-kP)[수소비스(다이메틸포스피니토-kP)]플래티늄(II)(미국 매사추세츠주 01950-4098 뉴베리포트 덱스터 인더스트리얼 파크 물리켄 웨이 7 소재 스트렘 케미칼스 인코포레이티드에서 시판 중; 2 mg), 물(0.5 mL) 및 THF(1.5 mL)의 혼합물을 60℃에서 1시간 동안 및 이어서 70℃에서 1시간 동안 가열하였다. CH2Cl2를 첨가하고, 용액을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-5% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 3-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-벤즈아미드(23 mg, 74%)를 연황색 분말로서 수득하였다. 1H NMR (DMSO-d6) δ ppm 11.91 (s, 1H), 8.33 (s, 1H), 8.09 (s, 1H), 7.73 - 7.84 (m, 2H), 7.67 (s, 1H), 7.51 - 7.65 (m, 5H), 7.40 (d, J=2.5 Hz, 1H), 7.30 - 7.38 (m, 2H), 7.10 - 7.18 (m, 3H), 3.49 - 3.69 (m, 8H). C30H26ClN6O5 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 585, 관측치 585.실시예 I-382-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-벤조이미다졸-5-카복실산 메틸 에스터단계 1: 5-브로모-2-트라이클로로메틸-1H-벤조이미다졸이러한 중간체를 아니킨(Anikin, A. V.) 등의 국제특허출원공개 제2007/056155호 제264면에 기술된 과정을 사용하여 제조하였다.메틸 2,2,2-트라이클로로아세트이미데이트(8.55 g, 48.5 mmol)를 AcOH(60 mL) 중 4-브로모-벤젠-1,2-다이아민(5 g, 26.7 mmol)의 0℃ 용액에 첨가하였다. 혼합물을 실온까지 가온하고, 얼음 물을 첨가하였다. 혼합물을 30분 동안 교반하였다. 고체를 여과 제거하고, 기건하여 5-브로모-2-트라이클로로메틸-1H-벤조이미다졸(7.95 g, 95%)을 갈색 분말로서 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, DMSO-d6) δ ppm 13.32 (br. s., 1 H) 7.87 (br. s., 1 H) 7.63 (d, J=8.7 Hz, 1 H) 7.48 (dd, J=8.7, 1.7 Hz, 1 H). C8H5BrCl3N2 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 313, 관측치 312.8.단계 2: 5-브로모-1H-벤조이미다졸-2-카복실산 에틸 에스터5-브로모-2-트라이클로로메틸-1H-벤조이미다졸(5 g, 15.9 mmol), Na2CO3(1.69 g, 15.9 mmol) 및 EtOH(100 mL)의 혼합물을 70℃에서 밤새 가열하였다. Na2CO3(1 g)의 다른 분획을 첨가하고, 혼합물을 80℃에서 가열하였다. 물을 첨가하고, 혼합물을 여과하였다. 여액을 증발시키고, 증발로부터의 잔사를 EtOAc로 추출하였다. EtOAc 추출물을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켜 5-브로모-1H-벤조이미다졸-2-카복실산 에틸 에스터(3.9 g, 91%)를 갈색 오일로서 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, DMSO-d6) δ ppm 13.64 (br. s., 1 H), 7.86 (br. s., 1 H), 7.63 (d, J=8.7 Hz, 1 H), 7.47 (dd, J=8.8, 1.8 Hz, 1 H), 4.41 (q, J=7.1 Hz, 2 H), 1.37 (t, J=7.2 Hz, 3 H). C10H10BrN2O2 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 269, 관측치 268.9.단계 3: 5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-벤조이미다졸-2-카복실산 에틸 에스터나트륨 하이드라이드(60% 분산액; 640 mg, 26.7 mmol)를 에틸 5-브로모-1H-벤조[d]이미다졸-2-카복실레이트(3.9 g, 14.5 mmol)의 용액에 첨가하고, (클로로메톡시-에틸)-트라이메틸-실란(2.75 g, 16.5 mmol)을 0℃에서 첨가하였다. 혼합물을 실온에서 가온하고, 3시간 동안 교반하였다. 물(150 mL)을 첨가하고, 생성된 혼합물을 EtOAc(500 mL)로 추출하였다. 유기 층을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 15% EtOAc/헥산)로 정제하여 2개의 구조 이성질체성 생성물을 수득하였다. 목적 이성질체인 5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-벤조이미다졸-2-카복실산 에틸 에스터(2.36 g, 41%)를, NMR에서 NOE 실험을 수행함으로써, 확인하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 8.06 (dd, J=1.8, 0.8 Hz, 1 H), 7.53 (dd, J=6.0, 1.3 Hz, 2 H), 6.06 (s, 1 H), 4.54 (q, J=7.3 Hz, 2 H), 3.49 - 3.62 (m, 2 H), 1.50 (t, J=7.2 Hz, 3 H), 0.82 - 0.93 (m, 2 H), -0.06 (s, 9 H).단계 4: 3-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-벤조이미다졸-2-일]-3-옥소-프로피오니트릴THF(40 mL) 중 5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-벤조이미다졸-2-카복실산 에틸 에스터(2.34 g, 5.86 mmol) 및 CH3CN(1.44 g, 35.2 mmol)의 용액을 -78℃까지 냉각하였다. LDA(THF 중 2 M; 5.9 mL, 11.7 mmol)를 5분에 걸쳐 천천히 첨가하였다. 반응 혼합물을 -78℃에서 30분 동안 교반하고, 이어서 포화된 NH4Cl 용액(40 mL)을 첨가하였다. 물(150 mL)을 첨가하고, 혼합물을 EtOAc(500 mL)로 추출하였다. 유기 층을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켜 오일을 수득하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 30% EtOAc/헥산)로 정제하여 3-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-벤조이미다졸-2-일]-3-옥소-프로피오니트릴(1.73 g, 75%)을 고체로서 수득하였다.단계 5: (E)-2-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-벤조이미다졸-2-카보닐]-3-다이메틸아미노-아크릴로니트릴3-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-벤조이미다졸-2-일]-3-옥소-프로피오니트릴(1.73 g, 4.4 mmol), N,N-다이메틸포름아미드 다이메틸 아세탈(784 mg, 6.6 mmol) 및 톨루엔(25 mL)의 혼합물을 실온에서 밤새 교반하였다. 용매를 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 70% EtOAc)로 정제하여 (E)-2-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-벤조이미다졸-2-카보닐]-3-다이메틸아미노-아크릴로니트릴(976 mg, 50%)을 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 8.00 (t, J=1.1 Hz, 1 H) 7.51 (d, J=1.3 Hz, 2 H) 5.88 (s, 2 H) 3.51 - 3.57 (m, 5 H) 3.33 (s, 3 H) 0.82 - 0.92 (m, 2 H) -0.05 (s, 9 H).단계 6: 3-(4-5-아미노-4-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-벤조이미다졸-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴3-(4-하이드라지노-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴(이러한 반응에 사용되는 물질이 60% 순도인 것을 제외하고는, 실시예 I-18 단계 3에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 2.1 g, 5.3 mmol), (E)-2-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-벤조이미다졸-2-카보닐]-3-다이메틸아미노-아크릴로니트릴(450 mg, 1 mmol) 및 EtOH(20 mL)의 혼합물을 환류 하에 밤새 가열하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 30% EtOAc/헥산)로 정제하여 3-(4-5-아미노-4-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-벤조이미다졸-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴(560 mg, 87%)을 오일로서 수득하였다.단계 7: 3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-벤조이미다졸-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-메틸-페녹시-벤조니트릴3-(4-5-아미노-4-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-벤조이미다졸-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴(400 mg, 0.62 mmol), 테트라부틸암모늄 플루오라이드(THF 중 1 M; 12.4 mL, 12.4 mmol) 및 에틸렌다이아민(374 mg, 6.2 mmol)의 혼합물을 80℃에서 14시간 동안 가열하였다. 물(50 mL)을 첨가하고, 혼합물을 EtOAc(150 mL)로 추출하였다. EtOAc 층을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 40% EtOAc/헥산)로 정제하여 3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-벤조이미다졸-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-메틸-페녹시-벤조니트릴(132 mg, 41%)을 오일로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 7.57 (s, 1 H), 7.26 - 7.39 (m, 4 H), 7.23 (d, J=8.8 Hz, 1 H), 7.11 - 7.18 (m, 2 H), 6.78 - 6.92 (m, 2 H), 5.73 (br s, 2 H), 2.04 (s, 3 H).단계 8: 2-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-벤조이미다졸-5-카복실산 메틸 에스터3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-벤조이미다졸-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-메틸-페녹시-벤조니트릴(82 mg, 0.16 mmol), Pd(PPh3)4(55.4 mg, 0.048 mmol), DIPEA(206 mg, 1.6 mmol), MeOH(426 mg, 13.3 mmol) 및 THF(6.5 mL)의 혼합물을 함유하는 밀봉가능한 관을 30 psi 일산화 탄소로 충전하고, 밀봉하고, 95℃에서 밤새 가열하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 40% EtOAc/헥산)로 정제하여 2-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-벤조이미다졸-5-카복실산 메틸 에스터(45 mg, 57%)를 연황색 분말로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 8.36 (s, 1 H), 8.16 (dd, J=8.5, 1.5 Hz, 1 H), 8.10 (dd, J=8.8, 1.5 Hz, 1 H), 7.63 (d, J=8.5 Hz, 1 H), 7.41 - 7.57 (m, 4 H), 7.31 - 7.37 (m, 2 H), 6.99 - 7.10 (m, 3 H), 5.94 (br. s., 1 H), 4.01 (s, 3 H), 2.24 (s, 3 H).실시예 I-393-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-벤조이미다졸-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-벤조이미다졸-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-메틸-페녹시-벤조니트릴(실시예 I-38 단계 7에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 50 mg, 0.097 mmol), Pd(PPh3)4(33.8 mg, 0.029 mmol), 모폴린(170 mg, 2 mmol) 및 THF(6.5 mL)의 혼합물을 함유하는 밀봉가능한 관을 30 psi 일산화 탄소로 충전하고, 밀봉하고, 95℃에서 밤새 가열하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 제조용 HPLC로 정제하여 3-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-벤조이미다졸-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴(39 mg, 73%)을 황색 고체로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 8.82 (s, 1 H), 7.74 - 7.80 (m, 2 H), 7.62 - 7.68 (m, 3 H), 7.54 - 7.61 (m, 2 H), 7.43 - 7.51 (m, 2 H), 7.37 - 7.42 (m, 1 H), 7.22 (d, J=2.5 Hz, 1 H), 7.09 (dd, J=8.4, 2.6 Hz, 1 H), 3.63 (br. s., 7 H), 2.11 (s, 3 H).실시예 I-402-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-벤조이미다졸-5-카복실산 (2-메톡시-에틸)-아미드3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-벤조이미다졸-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-메틸-페녹시-벤조니트릴(실시예 I-38 단계 7에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 78 mg, 0.15 mmol), Pd(PPh3)4(52.7 mg, 0.046 mmol), 2-메톡시에탄아민(456 mg, 6.1 mmol) 및 THF(6 mL)의 혼합물을 함유하는 밀봉가능한 관을 30 psi 일산화 탄소로 충전하고, 밀봉하고, 95℃에서 밤새 가열하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 제조용 HPLC로 정제하여 2-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-벤조이미다졸-5-카복실산 (2-메톡시-에틸)-아미드(16 mg, 16%)를 황색 오일로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 7.85 (br. s., 1 H), 7.44 - 7.54 (m, 3 H), 7.42 (d, J=8.3 Hz, 1 H), 7.29 - 7.35 (m, 2 H), 5.31 (s, 3 H), 3.70 - 3.75 (m, 2 H), 3.63 (d, J=5.3 Hz, 2 H), 3.43 (s, 3 H), 2.22 (s, 3 H).실시예 I-412-5-아미노-1-[2-클로로-4-(3-시아노-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-N-시아노-1H-인돌-5-카복실산 아미드3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-클로로-페녹시-벤조니트릴(실시예 I-33 단계 2에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 200 mg, 0.375 mmol), Pd(OAc)2(8 mg, 0.036 mmol), 4,5-비스(다이페닐포스피노)-9,9-다이메틸잔텐(잔트포스)(40 mg, 0.07 mmol), 시안아미드(327 mg, 3.75 mmol), 트라이에틸아민(1 mL) 및 DMF(4 mL)의 혼합물을 45 psi의 일산화 탄소 하에 100℃에서 밤새 가열하였다. EtOAc를 첨가하고, 용액을 물 및 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-10% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(3-시아노-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-N-시아노-1H-인돌-5-카복실산 아미드 하이드로클로라이드 염(102 mg, 52%)을 황색 포말로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 11.92 (br. s., 1 H), 8.34 - 8.38 (m, 2 H), 7.85 (dd, J=8.8, 1.5 Hz, 1 H), 7.64 - 7.74 (m, 4 H), 7.58 (d, J=1.3 Hz, 1 H), 7.51 - 7.55 (m, 2 H), 7.48 (d, J=8.8 Hz, 1 H), 7.24 (dd, J=8.7, 2.6 Hz, 1 H), 7.12 (s, 2 H). C27H17ClN7O3 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 522, 관측치 521.9.실시예 I-422-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-벤조이미다졸-5-카복실산2-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-벤조이미다졸-5-카복실산 메틸 에스터(실시예 I-38 단계 7에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 109 mg, 0.22 mmol), 리튬 요오다이드(296 mg, 2.2 mmol) 및 피리딘(5 mL)의 혼합물을 130℃에서 밤새 가열하였다. 반응 혼합물을 농축 HCl로 산성화시키고, 물(50 mL)을 첨가하였다. 혼합물을 EtOAc(350 mL)로 추출하였다. EtOAc 층을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 제조용 HPLC로 정제하여 2-5-아미노-1-[4-(3-시아노-페녹시)-2-메틸-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-벤조이미다졸-5-카복실산(50 mg, 47%)을 연황색 오일로서 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ ppm 8.16 (br. s., 2 H), 7.41 - 7.54 (m, 4 H), 7.30 - 7.36 (m, 2 H), 6.99 - 7.10 (m, 3 H), 2.23 (s, 3 H).실시예 I-432-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴단계 1: 2-(3-메틸-4-니트로-페녹시)-벤조니트릴아세톤(100 mL) 중 4-플루오로-2-메틸-1-니트로-벤젠(13.1 g, 84 mmol), 2-하이드록시벤조니트릴(10 g, 84 mmol) 및 K2CO3(23.5 g, 168 mmol)의 혼합물을 70℃에서 밤새 가열하였다. 물을 첨가하고, 혼합물을 EtOAc로 추출하였다. 합한 유기 층을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. MeOH를 첨가하고, 혼합물을 실온에서 주말 내내 방치하였다. 고체를 여과하여 2개 수확량의 2-(3-메틸-4-니트로-페녹시)-벤조니트릴(7.5 g, 35%)을 황색 고체로서 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ ppm 8.10 (d, J=8.9 Hz, 1 H), 7.75 (dd, J=7.7, 1.5 Hz, 1 H), 7.56 - 7.68 (m, 1 H), 7.33 (td, J=7.6, 0.9 Hz, 1 H), 7.09 (d, J=8.5 Hz, 1 H), 6.88 - 7.00 (m, 2 H), 2.64 (s, 3 H). C14H11N2O3 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 255, 관측치 255.0.단계 2: 2-(4-아미노-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴주석(II) 클로라이드(18.6 g, 98.3 mmol), 2-(3-메틸-4-니트로-페녹시)-벤조니트릴(5 g, 19.7 mmol), MeOH(60 mL), THF(100 mL) 및 물(30 mL)의 혼합물을 70℃에서 4시간 동안 가열하였다. 혼합물을 증발시키고, 10 N NaOH를 첨가하여 잔사를 염기성으로 만들었다. 생성된 혼합물을 EtOAc로 추출하였다. 유기 층을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-30% EtOAc/헥산)로 정제하여 2-(4-아미노-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴(3.5 g, 79%)을 고체로서 수득하였다. C14H13N2O [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 225, 관측치 224.9.단계 3: 2-(4-하이드라지노-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴 하이드로클로라이드 염물(10 mL) 중 NaNO2(1.23 g, 17.8 mmol)의 용액을 2-(4-아미노-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴(2 g, 8.92 mmol), HCl(10 mL), 물(20 mL) 및 MeOH(15 mL)의 혼합물에 4℃에서 첨가하였다. 혼합물을 4℃에서 45분 동안 교반하였다. 농축 HCl(10 mL) 중 주석(II) 클로라이드(10 g, 44.6 mmol)의 용액을 첨가하고, 혼합물을 4시간 동안 교반하였다. 혼합물을 여과하여 조질 2-(4-하이드라지노-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴 하이드로클로라이드 염(600 mg, 28%)을 황색 염으로서 수득하였다. 이러한 물질을 추가 정제 없이 후속 단계에 사용하였다.단계 4: 2-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴2-(4-하이드라지노-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴 하이드로클로라이드 염(200 mg, 0.84 mmol), (E)-3-다이메틸아미노-2-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-아크릴로니트릴(실시예 I-30 단계 5에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 200 mg, 0.42 mmol), K2CO3(229 mg, 1.66 mmol) 및 EtOH(4 mL)의 혼합물을 80℃에서 밤새 가열하였다. EtOAc를 첨가하고, 혼합물을 물로 세척하였다. 유기 상을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔)로 정제하여 2-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴(160 mg, 57%)을 오일로서 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, DMSO-d6) δ ppm 7.92 - 7.99 (m, 1 H), 7.81 (d, J=0.9 Hz, 1 H), 7.68 - 7.77 (m, 2 H), 7.38 - 7.44 (m, 2 H), 7.31 - 7.37 (m, 2 H), 7.27 (d, J=2.6 Hz, 1 H), 7.10 - 7.18 (m, 2 H), 7.02 (s, 2 H), 5.97 (s, 2 H), 3.48 - 3.69 (m, 8 H), 3.35 - 3.43 (m, 2 H), 2.11 (s, 3 H), 0.68 - 0.79 (m, 2 H), -0.19 (s, 9 H). C37H41N6O5Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 677, 관측치 677.3.단계 5: 2-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴2-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴(140 mg, 0.21 mmol), 테트라부틸암모늄 플루오라이드(THF 중 1 M; 5 mL, 5 mmol) 및 에틸렌다이아민(124 mg, 2.1 mmol)의 혼합물을 70℃에서 밤새 가열하였다. 반응 혼합물을 냉각하고, 용매를 증발시켰다. EtOAc를 첨가하고, 혼합물을 염수 및 물로 세척하였다. EtOAc 추출물을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔)로 정제하여 2-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-메틸-페녹시)-벤조니트릴(67 mg, 59%)을 황색 고체로서 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, DMSO-d6) δ ppm 11.89 (s, 1 H), 8.32 (s, 1 H), 7.95 (dd, J=7.7, 1.5 Hz, 1 H), 7.70 - 7.80 (m, 2 H), 7.53 (dd, J=4.9, 3.4 Hz, 2 H), 7.45 (d, J=8.7 Hz, 1 H), 7.26 - 7.39 (m, 3 H), 7.10 - 7.18 (m, 2 H), 6.97 (s, 2 H), 3.48 - 3.66 (m, 8 H), 3.16 (br. s., 6 H), 2.11 (s, 3 H). C31H27N6O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 547, 관측치 547.1.실시예 I-443-(4-5-아미노-4-[5-(4-메틸-피페라진-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-벤조니트릴 하이드로클로라이드 염3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-클로로-페녹시-벤조니트릴(실시예 I-33 단계 2에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 100 mg, 0.19 mmol), Pd(OAc)2(4.2 mg, 0.019 mmol), 4,5-비스(다이페닐포스피노)-9,9-다이메틸잔텐(잔트포스)(22 mg, 0.038 mmol), N-메틸-피페라진(188 mg, 1.88 mmol), 트라이에틸아민(0.2 mL) 및 DMF(1 mL)의 혼합물을 일산화 탄소로 플러슁하였다. 반응 혼합물을 일산화 탄소의 볼룬 하에 100℃에서 밤새 가열하였다. 반응 혼합물을 냉각하였다. EtOAc를 첨가하고, 용액을 물 및 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-4% MeOH/CH2Cl2)로 정제하였다. 생성물을 함유하는 분획을 증발시켰다. 2 M HCl(40 μL) 및 이어서 MeOH를 참가하였다. 혼합물을 증발시키고, 잔사를 헥산으로 마쇄하여 3-(4-5-아미노-4-[5-(4-메틸-피페라진-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-벤조니트릴 하이드로클로라이드 염(34 mg, 29%)을 황색 분말로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 11.95 (s, 1H), 8.33 (s, 1H), 7.85 (s, 1H), 7.61 - 7.75 (m, 3H), 7.50 - 7.60 (m, 3H), 7.33 - 7.50 (m, 3H), 7.24 (dd, J=8.7, 2.6 Hz, 1H), 7.15 (br. s., 2H), 3.59-3.40 (m, 8H), 2.82 (d, J=3.8 Hz, 3H).실시예 I-45사이클로프로판설폰산 (2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(3-시아노-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카보닐)-아미드3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-클로로-페녹시-벤조니트릴(실시예 I-33 단계 2에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 200 mg, 0.375 mmol), Pd(OAc)2(8.4 mg, 0.038 mmol), 4,5-비스(다이페닐포스피노)-9,9-다이메틸잔텐(잔트포스)(43.4 mg, 0.075 mmol), 사이클로프로판설폰아미드(455 mg, 3.75 mmol), 트라이에틸아민(1 mL) 및 DMF(4 mL)의 혼합물을 45 psi의 일산화 탄소 하에 100℃에서 밤새 가열하였다. EtOAc를 첨가하고, 용액을 물 및 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-6% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 사이클로프로판설폰산 (2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(3-시아노-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카보닐)-아미드(65 mg, 29%)를 황색 포말로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ ppm 12.07 (br. s., 1 H), 11.99 (s, 1 H), 8.41 (s, 1 H), 8.37 (s, 1 H), 7.84 (dd, J=8.8, 1.5 Hz, 1 H), 7.64 - 7.75 (m, 4 H), 7.62 (d, J=1.3 Hz, 1 H), 7.49 - 7.59 (m, 3 H), 7.24 (dd, J=8.7, 2.6 Hz, 1 H), 7.15 (s, 2 H), 3.11 - 3.22 (m, 1 H), 1.04 - 1.21 (m, 4 H). C29H22ClN6O5S [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 601, 관측치 602.8.실시예 I-462-(4-5-아미노-4-[5-(4-메틸-피페라진-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드단계 1: 2-하이드록시-N,N-다이메틸-벤즈아미드2-하이드록시벤조산(5 g, 36.2 mmol) 및 SOCl2(13.2 mL)의 혼합물을 88℃의 가열 블록에서 3시간 동안 가열하고, 이어서 실온에서 밤새 교반하였다. 혼합물을 증발시키고(70℃, 100 mbar), Et2O를 얼음 욕 냉각 하에 잔사에 첨가하였다. 다이메틸아민(THF 중 2 M; 45.3 mL, 90.6 mmol)을 첨가하고, 혼합물을 실온에서 밤새 교반하였다. 물(25 mL)을 첨가하고, 유기 용매를 증발시켰다. 혼합물을 6 M HCl(25 mL)로 산성화시키고, 이어서 EtOAc로 4회 추출하였다. 합한 유기 추출물을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 고온 CH3CN으로부터 결정화시켜 2-하이드록시-N,N-다이메틸-벤즈아미드(4.55 g, 76%)를 회백색 결정으로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 10.01 (br. s., 1 H), 7.34 - 7.37 (m, 1 H), 7.32 - 7.33 (m, 1 H), 7.01 - 7.04 (m, 1 H), 6.77 - 6.91 (m, 1 H), 3.19 (s, 6 H).단계 2: 2-(3-클로로-4-니트로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드반응을 2개의 회분으로 수행하였다. 회분을 정제를 위해 합하였다.DMF(0.5 mL) 중 2-클로로-4-플루오로-1-니트로-벤젠(61 mg, 0.35 mmol), 2-하이드록시-N,N-다이메틸-벤즈아미드(65 mg, 0.39 mmol) 및 Cs2CO3(0.24 g, 0.74 mmol)의 혼합물을 120℃에서 1.5시간 동안 가열하였다.DMF(3.6 mL) 중 2-클로로-4-플루오로-1-니트로-벤젠(500 mg, 2.85 mmol), 2-하이드록시-N,N-다이메틸-벤즈아미드(475 mg, 2.88 mmol) 및 Cs2CO3(1.86 g, 5.71 mmol)의 혼합물을 120℃에서 1시간 동안 가열하였다.반응 혼합물을 합하였다. 물 및 EtOAc를 첨가하였다. 상을 분리하고, 수성 상을 EtOAc로 추출하였다. 합한 유기 상을 물 및 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-5% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 2-(3-클로로-4-니트로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드(986 mg, 96%)를 황색 고체로서 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ ppm 7.95 (d, J=9.1 Hz, 1 H), 7.41 - 7.52 (m, 2 H), 7.30 - 7.39 (m, 1 H), 7.10 (d, J=2.6 Hz, 1 H), 7.07 (d, J=7.9 Hz, 1 H), 6.91 (dd, J=9.1, 2.6 Hz, 1 H), 3.03 (s, 3 H), 2.94 (s, 3 H).단계 3: 2-(4-아미노-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드반응을 2개의 회분으로 수행하였다. 회분을 정제를 위해 합하였다농축 HCl(0.1 mL) 중 주석(II) 클로라이드 다이하이드레이트(67 mg, 0.3 mmol)의 용액을 MeOH(1 mL) 중 2-(3-클로로-4-니트로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드(24 mg, 0.075 mmol)의 용액에 첨가하고, 혼합물을 5시간 동안 교반하였다,농축 HCl(4 mL) 중 주석(II) 클로라이드 다이하이드레이트(2.7 g, 12 mmol)의 용액을 MeOH(30 mL) 중 2-(3-클로로-4-니트로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드(962 mg, 3 mmol)의 용액에 첨가하고, 혼합물을 6시간 동안 교반하였다.반응 혼합물을 합하였다. 2 M NaOH 수용액을 첨가하여 pH 9가 되도록 하고, 혼합물을 EtOAc로 3회 추출하였다. 합한 유기 추출물을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-5% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 2-(4-아미노-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드(757 mg, 85%)를 황색 고체로서 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ ppm 7.34 (dd, J=7.6, 1.5 Hz, 1 H), 7.25 - 7.30 (m, 1 H, CHCl3 피크와 중첩), 7.06 - 7.13 (m, 1 H), 7.01 (d, J=2.3 Hz, 1 H), 6.74 - 6.84 (m, 3 H), 3.10 (s, 3 H), 2.97 (s, 3 H).단계 4: 2-(3-클로로-4-하이드라지노-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드 하이드로클로라이드 염물(1 mL) 중 NaNO2(214 mg, 3.1 mmol)의 용액을 2-(4-아미노-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드(750 mg, 2.6 mmol), 농축 HCl(5 mL) 및 MeOH(6 mL)의 -10℃ 혼합물에 첨가하였다. 혼합물을 1.5시간 동안 교반하였다. 농축 HCl(4 mL) 중 주석(II) 클로라이드 다이하이드레이트(2.91 g, 12.9 mmol)의 용액을 적가하고, 혼합물을 2시간 동안 교반하였다. 혼합물을 냉동고에 밤새 저장하였다. MeOH(5 mL)를 첨가하고, 수성 6 M NaOH 수용액을 첨가하여 pH를 8 내지 9로 조정하였다. 혼합물을 EtOAc로 2회 추출하였다. 합한 유기 상을 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켜 2-(3-클로로-4-하이드라지노-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드 하이드로클로라이드 염(840 mg, 95%)을 점성 황색 오일로서 수득하였다. 이러한 물질을 추가 정제 없이 후속 단계에 사용하였다.단계 5: 2-(4-5-아미노-4-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드2-(3-클로로-4-하이드라지노-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드 하이드로클로라이드 염(832 mg, 2.7 mmol), (E)-2-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-3-다이메틸아미노-아크릴로니트릴(중간체 2에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 610 mg, 1.36 mmol) 및 EtOH(27 mL)의 혼합물을 90℃에서 6시간 동안 교반하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-5% MeOH/CH2Cl2)로 2회 정제하여 2-(4-5-아미노-4-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드(249 mg, 26%)를 황색 고체로서 수득하였다.단계 6: 2-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-클로로-페녹시-N,N-다이메틸-벤즈아미드2-(4-5-아미노-4-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드(247 mg, 0.35 mmol), 테트라-n-부틸암모늄 플루오라이드(THF 중 1 M; 3.5 mL, 3.5 mmol) 및 에틸렌다이아민(0.47 mL, 7 mmol)의 혼합물을 70℃의 가열 블록에서 밤새 및 이어서 80℃에서 6시간 동안 가열하였다. 혼합물을 밤새 실온에서 교반하고, 이어서 물 및 EtOAc를 첨가하였다. 상을 분리하고, 수성 상을 EtOAc로 2회 추출하였다. 합한 유기 상을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-5% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 2-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-클로로-페녹시-N,N-다이메틸-벤즈아미드(161 mg, 80%)를 연황색 고체로서 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ ppm 9.22 (br. s., 1 H), 8.22 (s, 1 H), 7.90 (s, 1 H), 7.39 - 7.52 (m, 5 H), 7.28 - 7.38 (m, 3 H), 6.99 - 7.11 (m, 2 H), 5.88 (br. s., 2 H), 3.08 (s, 3 H), 2.98 (s, 3 H).단계 7: 2-(4-5-아미노-4-[5-(4-메틸-피페라진-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드2-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-클로로-페녹시-N,N-다이메틸-벤즈아미드(160 mg, 0.28 mmol), 4,5-비스(다이페닐포스피노)-9,9-다이메틸잔텐(잔트포스)(32 mg, 0.055 mmol), 트라이에틸아민(0.77 mL, 5.5 mmol), 1-메틸-피페라진(277 mg, 2.76 mmol) 및 DMF(4.6 mL)의 혼합물을 아르곤으로 퍼징하였다. Pd(OAc)2(6.2 mg, 0.028 mmol)를 첨가하고, 혼합물을 일산화 탄소로 퍼징하고, 이어서 일산화 탄소 볼룬 하에 100℃의 가열 블록에서 16시간 동안 가열하였다. 추가 잔트포스, 트라이에틸아민, 1-메틸-피페라진 및 팔라듐 아세테이트를 첨가하고(추가로 0.5 당량), 반응 혼합물을 7시간 동안 가열하고, 이어서 50℃에서 밤새 가열하였다. 물 및 EtOAc를 첨가하였다. 상을 분리하고, 수성 상을 EtOAc로 3회 추출하였다. 합한 유기 상을 물 및 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-10% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 2-(4-5-아미노-4-[5-(4-메틸-피페라진-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드(66 mg, 38%)를 회백색 고체로서 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, DMSO-d6) δ ppm 11.88 (s, 1 H), 8.30 (s, 1 H), 7.74 (s, 1 H), 7.60 (d, J=8.7 Hz, 1 H), 7.48 - 7.54 (m, 3 H), 7.41 (d, J=2.6 Hz, 1 H), 7.19 - 7.31 (m, 3 H), 7.06 - 7.18 (m, 4 H), 3.55 (br. s., 4 H), 2.97 (s, 3 H), 2.91 (s, 3 H).실시예 I-473-(4-5-아미노-4-[5-(4-메틸-피페라진-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드단계 1: 3-(3-클로로-4-니트로-페녹시)-벤조산DMF(7 mL) 중 2-클로로-4-플루오로-1-니트로-벤젠(1 g, 5.7 mmol), 3-하이드록시벤조산(0.79 g, 5.7 mmol) 및 Cs2CO3(3.7 g, 11.4 mmol)의 혼합물을 120℃에서 1.5시간 동안 가열하였다. 물 및 EtOAc를 첨가하고, 수성 1 M HCl을 첨가하여 혼합물을 pH 2까지의 산성으로 만들었다. 상을 분리하고, 수성 상을 EtOAc로 추출하였다. 합한 유기 상을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-7% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 3-(3-클로로-4-니트로-페녹시)-벤조산(1 g, 60%)을 황색 고체로서 수득하였다. 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ ppm 8.03 (m, J=8.5, 0.9 Hz, 1 H), 8.00 (d, J=9.1 Hz, 1 H), 7.79 - 7.83 (m, 1 H), 7.55 - 7.60 (m, 1 H), 7.35 (ddd, J=8.1, 2.5, 1.0 Hz, 1 H), 7.09 (d, J=2.5 Hz, 1 H), 6.96 (dd, J=9.0, 2.7 Hz, 1 H). C13H7ClNO5 [(M-H)-]에 대한 MS 계산치 292, 관측치 292.단계 2: 3-(3-클로로-4-니트로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드3-(3-클로로-4-니트로-페녹시)-벤조산(0.52 g, 1.8 mmol), O-(7-아자벤조트라이아졸-1-일)-N,N,N,N-테트라메틸우로늄 헥사플루오로포스페이트(0.8 g, 2.1 mmol), DIPEA(0.6 mL, 3.5 mmol) 및 DMF(6 mL)의 혼합물을 30분 동안 교반하였다. 다이메틸아민 용액(THF 중 2 M; 1.3 mL, 2.6 mmol)을 첨가하고, 혼합물을 4시간 동안 교반하였다. 물, 묽은 수성 HCl 및 EtOAc를 첨가하였다. 상을 분리하고, 수성 상을 EtOAc로 추출하였다. 합한 유기 상을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-25% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 3-(3-클로로-4-니트로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드(0.51 g, 91%)를 점성 황색 오일로서 수득하였다. C15H14ClN2O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 321, 관측치 321.단계 3: 3-(4-아미노-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드농축 HCl(2 mL) 중 주석(II) 클로라이드 다이하이드레이트(1.44 g, 6.36 mmol)의 용액을 MeOH(16 mL) 중 3-(3-클로로-4-니트로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드(0.51 g, 1.6 mmol)의 용액에 첨가하고, 혼합물을 4.5시간 동안 교반하였다. 6 M NaOH 수용액을 첨가하여 pH 9가 되도록 하고, 혼합물을 EtOAc로 3회 추출하였다. 합한 유기 추출물을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-5% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 3-(4-아미노-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드(0.38 g, 82%)를 연갈색 고체로서 수득하였다. C15H16ClN2O2 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 291, 관측치 291.단계 4: 3-(3-클로로-4-하이드라지노-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드 하이드로클로라이드 염물(1 mL) 중 NaNO2(135 mg, 1.95 mmol)의 용액을 3-(4-아미노-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드(0.378 g, 1.3 mmol), 농축 HCl(1.3 mL) 및 MeOH(1.5 mL)의 -10℃ 혼합물에 첨가하였다. 혼합물을 1시간 동안 교반하였다. 농축 HCl(2 mL) 중 주석(II) 클로라이드 다이하이드레이트(1.17 g, 5.2 mmol)의 용액을 적가하고, 혼합물을 2시간 동안 교반하였다. 혼합물을 다시 냉각하고, MeOH(2 mL)를 첨가하고, 6 M NaOH 수용액을 첨가함으로써 pH를 9로 조정하였다. 물 및 EtOAc를 첨가하였다. 상을 분리하고, 수성 상을 EtOAc로 추출하였다. 합한 유기 상을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켜 3-(3-클로로-4-하이드라지노-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드 하이드로클로라이드 염(0.37 g, 83%)을 황색 고체로서 수득하였다. 이러한 물질을 추가 정제 없이 후속 단계에 사용하였다.단계 5: 3-(4-5-아미노-4-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드3-(3-클로로-4-하이드라지노-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드 하이드로클로라이드 염(0.368 g, 1.08 mmol), (E)-2-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-3-다이메틸아미노-아크릴로니트릴(중간체 2에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 270 mg, 0.6 mmol) 및 EtOH(12 mL)의 혼합물을 90℃에서 16시간 동안 교반하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-5% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 3-(4-5-아미노-4-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드(190 mg, 44%)를 황색 고체로서 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ ppm 7.99 (s, 1 H), 7.85 - 7.88 (m, 1 H), 7.44 - 7.49 (m, 4 H), 7.29 - 7.32 (m, 1 H), 7.21 - 7.24 (m, 1 H), 7.13 - 7.19 (m, 3 H), 7.05 - 7.10 (m, 1 H), 5.91 - 5.95 (m, 2 H), 5.84 - 5.89 (m, 2 H), 3.46 - 3.54 (m, 2 H), 2.95 - 3.16 (m, 6 H), 0.81 - 0.89 (m, 2 H), -0.11 (s, 9 H). C38H44ClN6O6Si [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 708, 관측치 708.단계 6: 3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-클로로-페녹시-N,N-다이메틸-벤즈아미드3-(4-5-아미노-4-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드(190 mg, 0.27 mmol), 테트라-n-부틸암모늄 플루오라이드(THF 중 1 M; 1 mL, 1 mmol) 및 에틸렌다이아민(0.36 mL, 5.4 mmol)의 혼합물을 80℃의 가열 블록에서 24시간 동안 가열하였다. 물 및 EtOAc를 첨가하였다. 상을 분리하고, 수성 상을 EtOAc로 2회 추출하였다. 합한 유기 상을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-5% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-클로로-페녹시-N,N-다이메틸-벤즈아미드(106 mg, 68%)를 연황색 고체로서 수득하였다. C27H22BrClN5O3 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 578, 관측치 579.단계 7: 3-(4-5-아미노-4-[5-(4-메틸-피페라진-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-클로로-페녹시-N,N-다이메틸-벤즈아미드(106 mg, 0.18 mmol), 4,5-비스(다이페닐포스피노)-9,9-다이메틸잔텐(잔트포스)(21 mg, 0.036 mmol), 트라이에틸아민(0.51 mL, 3.7 mmol), 1-메틸-피페라진(275 mg, 2.75 mmol) 및 DMF(3 mL)의 혼합물을 아르곤으로 퍼징하였다. Pd(OAc)2(4.1 mg, 0.018 mmol)를 첨가하고, 혼합물을 일산화 탄소로 퍼징하고, 이어서 일산화 탄소 볼룬 하에 100℃의 가열 블록에서 16시간 동안 가열하였다. 추가 잔트포스 및 팔라듐 아세테이트를 첨가하고(추가 0.5 당량), 반응 혼합물을 8시간 동안 가열하였다. 반응 혼합물을 냉각하고, 물 및 EtOAc를 첨가하였다. 상을 분리하고, 수성 상을 EtOAc로 3회 추출하였다. 합한 유기 상을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-10% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 3-(4-5-아미노-4-[5-(4-메틸-피페라진-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드(24 mg, 19%)를 갈색 고체로서 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, DMSO-d6) δ ppm 11.85 - 11.92 (m, 1 H), 8.31 (s, 1 H), 7.72 - 7.77 (m, 1 H), 7.59 (d, J=8.7 Hz, 1 H), 7.47 - 7.55 (m, 3 H), 7.39 - 7.45 (m, 1 H), 7.34 - 7.36 (m, 1 H), 7.26 - 7.33 (m, 2 H), 7.09 - 7.17 (m, 4 H), 3.50 - 3.59 (m, 3 H), 2.95 (s, 3 H), 2.89 (s, 3 H), 2.21 - 2.45 (m, 8 H). C33H33ClN7O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 626, 관측치 626.실시예 I-482-5-아미노-1-[2-클로로-4-(3-시아노-2-플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산단계 1: 3-(3-클로로-4-니트로-페녹시)-2-플루오로-벤조니트릴DMF(7 mL) 중 2-클로로-4-플루오로-1-니트로-벤젠(1 g, 5.7 mmol), 2-플루오로-3-하이드록시벤조니트릴(0.78 g, 5.7 mmol) 및 Cs2CO3(1.95 g, 6 mmol)의 혼합물을 120℃에서 1시간 동안 가열하였다. 혼합물을 냉각하고, 물 및 EtOAc를 첨가하였다. 상을 분리하고, 수성 상을 EtOAc로 추출하였다. 합한 유기 상을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-50% EtOAc/헥산)로 정제하여 3-(3-클로로-4-니트로-페녹시)-2-플루오로-벤조니트릴(1.67 g, 64%)을 연황색 고체로서 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ ppm 8.01 (d, J=9.1 Hz, 1 H), 7.58 (ddd, J=7.6, 5.5, 1.7 Hz, 1 H), 7.47 (td, J=7.9, 1.9 Hz, 1 H), 7.31 - 7.40 (m, 1 H), 7.10 (d, J=2.6 Hz, 1 H), 6.95 (dd, J=9.1, 2.6 Hz, 1 H).단계 2: 3-(4-아미노-3-클로로-페녹시)-2-플루오로-벤조니트릴농축 HCl(5 mL) 중 주석(II) 클로라이드 다이하이드레이트(3.33 g, 14.8 mmol)의 용액을 MeOH(37 mL) 중 3-(3-클로로-4-니트로-페녹시)-2-플루오로-벤조니트릴(1.08 g, 3.7 mmol)의 용액에 첨가하고, 혼합물을 6시간 동안 교반하였다. 2 M NaOH 수용액을 첨가하여 pH 9가 되도록 하고, 혼합물을 EtOAc로 3회 추출하였다. 합한 유기 추출물을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-40% EtOAc/헥산)로 정제하여 3-(4-아미노-3-클로로-페녹시)-2-플루오로-벤조니트릴(879 mg, 82%)을 황색 오일로서 수득하였다. C15H16ClN2O2 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 291, 관측치 291. 1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ ppm 7.28 - 7.34 (m, 1 H), 7.12 - 7.17 (m, 2 H), 6.99 - 7.03 (m, 1 H), 6.76 - 6.86 (m, 2 H). C13H9ClFN2O [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 263, 관측치 263.단계 3: 3-(3-클로로-4-하이드라지노-페녹시)-2-플루오로-벤조니트릴 하이드로클로라이드 염물(2 mL) 중 NaNO2(257 mg, 3.7 mmol)의 용액을 3-(4-아미노-3-클로로-페녹시)-2-플루오로-벤조니트릴(0.815 g, 3.1 mmol), 농축 HCl(5 mL) 및 MeOH(15 mL)의 -10℃ 혼합물에 첨가하였다. 혼합물을 1.5시간 동안 교반하였다. 농축 HCl(6 mL) 중 주석(II) 클로라이드 다이하이드레이트(3.5 g, 15.5 mmol)의 용액을 적가하고, 혼합물을 2시간 동안 교반하였다. 물을 첨가하고, 6 M NaOH 수용액을 첨가함으로써 pH를 9로 조정하였다. 혼합물을 EtOAc로 2회 추출하였다. 합한 유기 상을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켜 3-(3-클로로-4-하이드라지노-페녹시)-2-플루오로-벤조니트릴 하이드로클로라이드 염(0.77 g, 79%)을 주황색 오일로서 수득하였다. 이러한 물질을 추가 정제 없이 후속 단계에 사용하였다. 1H NMR (300 MHz, DMSO-d6) δ ppm 7.73 - 7.82 (m, 1 H), 7.55 - 7.64 (m, 1 H), 7.44 (s, 1 H), 7.24 - 7.29 (m, 1 H), 7.20 - 7.24 (m, 1 H), 7.03 - 7.09 (m, 1 H).단계 4: 3-(4-5-아미노-4-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-2-플루오로-벤조니트릴3-(3-클로로-4-하이드라지노-페녹시)-2-플루오로-벤조니트릴 하이드로클로라이드 염(0.755 g, 2.45 mmol), (E)-2-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-3-다이메틸아미노-아크릴로니트릴(중간체 2에 기술된 바와 같이 제조될 수 있음; 610 mg, 1.4 mmol) 및 EtOH(27 mL)의 혼합물을 95℃에서 16시간 동안 교반하였다. 용매를 감압 하에 제거하였다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-50% EtOAc/헥산)로 정제하여 3-(4-5-아미노-4-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-2-플루오로-벤조니트릴(204 mg, 22%)을 연갈색 고체로서 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ ppm 8.00 (s, 1 H), 7.84 - 7.89 (m, 1 H), 7.42 - 7.50 (m, 3 H), 7.29 - 7.37 (m, 2 H), 7.20 - 7.23 (m, 1 H), 7.13 - 7.14 (m, 1 H), 7.05 - 7.09 (m, 1 H), 7.02 - 7.05 (m, 1 H), 5.91 - 5.95 (m, 2 H), 5.85 - 5.89 (m, 2 H), 3.47 - 3.53 (m, 2 H), 0.82 - 0.88 (m, 2 H), -0.11 (s, 9 H).단계 5: 3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-클로로-페녹시-2-플루오로-벤조니트릴3-(4-5-아미노-4-[5-브로모-1-(2-트라이메틸실란일-에톡시메틸)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-2-플루오로-벤조니트릴(200 mg, 0.29 mmol), EtOH(6 mL) 및 6 M 수성 HCl(2.5 mL)의 혼합물을 90℃의 가열 블록에서 30분 동안 가열하였다. 혼합물을 냉각하고, EtOAc, 물 및 10% NaHCO3 수용액을 첨가하였다. 상을 분리하고, 수성 상을 EtOAc로 추출하였다. 합한 유기 상을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-5% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-클로로-페녹시-2-플루오로-벤조니트릴(81 mg, 50%)을 연갈색 고체로서 수득하였다. C25H13BrClN5O2 [(M-H)-]에 대한 MS 계산치 548, 관측치 548.단계 6: 2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(3-시아노-2-플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산DMF(2.5 mL) 중 3-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-클로로-페녹시-2-플루오로-벤조니트릴(80 mg, 0.145 mmol)의 용액을 아르곤으로 퍼징하였다. 4,5-비스(다이페닐포스피노)-9,9-다이메틸잔텐(잔트포스)(17 mg, 0.029 mmol), 트라이에틸아민(0.4 mL, 2.9 mmol) 및 Pd(OAc)2(3.3 mg, 0.0145 mmol)를 첨가하고, 혼합물을 일산화 탄소로 퍼징하였다. 메탄올(0.06 mL)을 첨가하고, 혼합물을 일산화 탄소 볼룬 하에 100℃의 가열 블록에서 16시간 동안 가열하였다. 반응 혼합물을 냉각하고, 물 및 EtOAc를 첨가하였다. 상을 분리하고, 수성 상을 EtOAc로 2회 추출하였다. 합한 유기 상을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 크로마토그래피(실리카 겔, 0-5% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(3-시아노-2-플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 메틸 에스터(24 mg, 31%)를 갈색 고체로서 수득하고[1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ ppm 8.21 - 8.29 (m, 1 H), 8.00 - 8.08 (m, 1 H), 7.52 - 7.55 (m, 1 H), 7.40 - 7.45 (m, 2 H), 7.32 - 7.38 (m, 2 H), 7.15 - 7.23 (m, 2 H), 7.02 - 7.08 (m, 1 H), 6.86 - 6.93 (m, 1 H), 3.96 (s, 3 H)], 2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(3-시아노-2-플루오로-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산(3 mg, 4%)을 연갈색 고체로서 수득하였다. 1H NMR (300 MHz, DMSO-d6) δ ppm 11.96 - 12.06 (m, 1 H), 8.32 - 8.40 (m, 1 H), 7.77 - 7.89 (m, 2 H), 7.57 - 7.76 (m, 3 H), 7.41 - 7.57 (m, 3 H), 7.20 - 7.27 (m, 1 H), 7.10 - 7.16 (m, 1 H). C26H14ClFN5O4 [(M-H)-]에 대한 MS 계산치 514, 관측치 514.실시예 I-492-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 (2-다이메틸아미노-에틸)-아미드다이옥산(10.0 mL) 중 2-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-클로로-페녹시-N,N-다이메틸-벤즈아미드(실시예 I-46 단계 6으로부터 수득됨)(300.0 mg, 0.51 mmol)의 탈기된 용액에 N,N-다이메틸-에탄-1,2-다이아민(0.964 mL, 8.82 mmol), 1,3-비스(다이페닐포스피노)프로판(21 mg, 0.05 mmol) 및 Pd(OAc)2(5.5 mg, 0.025 mmol)를 첨가하였다. 생성된 혼합물을 다시 추가로 15분 동안 아르곤 대기 하에 탈기하고, 일산화 탄소로 퍼징하고, 이어서 일산화 탄소 볼룬 하에 105℃에서 3일 동안 가열하였다. 반응의 완료 후, 반응 혼합물을 DCM으로 희석하고, 셀라이트 층을 통해 여과하였다. 여액을 감압 하에 농축하였다. 조질 물질을 컬럼 크로마토그래피(실리카 겔, 0-3% MeOH/CH2Cl2)로 정제하여 2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 (2-다이메틸아미노-에틸)-아미드(61 mg, 19%)를 연황색 고체로서 수득하였다. C32H32ClN7O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 614, 관측치 614.2.실시예 I-502-(4-5-아미노-4-[5-(3-다이메틸아미노-피롤리딘-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드표제 화합물을, 다이메틸-피롤리딘-3-일-아민을 사용하고 실시예 I-49에 기술된 바와 유사한 과정에 따라서 제조하였다. 2-(4-5-아미노-4-[5-(3-다이메틸아미노-피롤리딘-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드(39 mg, 12%)를 회백색 고체로서 수득하였다. C34H34ClN7O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 640, 관측치 640.2.실시예 I-512-(4-5-아미노-4-[5-(피페라진-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드 아세트산 염단계 1: 4-(2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카보닐)-피페라진-1-카복실산 tert-부틸 에스터표제 화합물을, 피페라진-1-카복실산 tert-부틸 에스터를 사용하고 실시예 I-49에 기술된 바와 유사한 과정에 따라서 제조하였다. 4-(2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카보닐)-피페라진-1-카복실산 tert-부틸 에스터(320 mg, 65%)를 갈색 고체로서 수득하였다. C37H38ClN7O6 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 712, 관측치 712.2.단계 2: 2-(4-5-아미노-4-[5-(피페라진-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드 아세트산 염DCM(3.0 mL) 중 4-(2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카보닐)-피페라진-1-카복실산 tert-부틸 에스터(320.0 mg, 0.45 mmol)의 교반된 용액에 다이옥산 중 HCl(0.2 mL, 0.81 mmol, 4 M)을 실온에서 첨가하고, 4시간 동안 교반하였다. 반응의 완료 후, 혼합물을 물로 급랭시키고, EtOAc로 추출하였다. 합한 유기 상을 염수로 세척하고, 건조하고(Na2SO4), 여과하고, 증발시켰다. 잔사를 제조용 HPLC로 정제하여 2-(4-5-아미노-4-[5-(피페라진-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드 아세트산 염(30.0 mg, 11 %)을 회백색 고체로서 수득하였다. C32H30ClN7O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 612, 관측치 612.4.실시예 I-52[1-(2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카보닐)-피롤리딘-3-일]-메틸-카밤산 tert-부틸 에스터표제 화합물을, 메틸-피롤리딘-3-일-카밤산 tert-부틸 에스터를 사용하고 실시예 I-49에 기술된 바와 유사한 과정에 따라서 제조하였다. [1-(2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카보닐)-피롤리딘-3-일]-메틸-카밤산 tert-부틸 에스터(15 mg, 8%)를 회백색 고체로서 수득하였다. C38H40ClN7O6 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 726, 관측치 726.6.실시예 I-532-(4-5-아미노-4-[5-(3-다이메틸아미노-피롤리딘-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드 아세트산 염표제 화합물을 실시예 I-51 단계 2에 기술된 바와 유사한 과정에 따라 제조하였다. 2-(4-5-아미노-4-[5-(3-다이메틸아미노-피롤리딘-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드 아세트산 염(54 mg, 21%)을 회백색 고체로서 수득하였다. C33H32ClN7O4 [(M-H)-]에 대한 MS 계산치 624, 관측치 624.2.실시예 I-542-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 (1-메틸-피롤리딘-3-일)-아미드 아세트산 염표제 화합물을, 1-메틸-피롤리딘-3-일아민을 사용하고 실시예 I-49에 기술된 바와 유사한 과정에 따라서 제조하였다. 2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 (1-메틸-피롤리딘-3-일)-아미드 아세트산 염(40 mg, 15%)을 회백색 고체로서 수득하였다. C33H32ClN7O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 626, 관측치 626.6.실시예 I-552-[(2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카보닐)-아미노]-에틸-메틸-카밤산 tert-부틸 에스터표제 화합물을, 2-아미노-에틸)-메틸-카밤산 tert-부틸 에스터를 사용하고 실시예 I-49에 기술된 바와 유사한 과정에 따라서 제조하였다. 2-[(2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카보닐)-아미노]-에틸-메틸-카밤산 tert-부틸 에스터(10 mg, 8%)를 회백색 고체로서 수득하였다. C36H38ClN7O6 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 700, 관측치 700.6.실시예 I-562-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 (2-메틸아미노-에틸)-아미드 아세트산 염표제 화합물을 실시예 I-51 단계 2에 기술된 바와 유사한 과정에 따라 제조하였다. 2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산 (2-메틸아미노-에틸)-아미드 아세트산 염(15 mg, 6%)을 회백색 고체로서 수득하였다. C31H30ClN7O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 600, 관측치 600.4.실시예 I-572-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드표제 화합물을, 모폴린을 사용하고 실시예 I-49에 기술된 바와 유사한 과정에 따라서 제조하였다. 2-(4-5-아미노-4-[5-(모폴린-4-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드(8 mg, 3%)를 황색 고체로서 수득하였다. C32H29ClN6O5 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 613, 관측치 613.4.실시예 I-582-(4-5-아미노-4-[5-(4-메틸아미노-피페리딘-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드단계 1: [1-(2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카보닐)-피페리딘-4-일]-메틸-카밤산 tert-부틸 에스터표제 화합물을, 메틸-피페리딘-4-일-카밤산 tert-부틸 에스터를 사용하고 실시예 I-49에 기술된 바와 유사한 과정에 따라서 제조하였다. [1-(2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카보닐)-피페리딘-4-일]-메틸-카밤산 tert-부틸 에스터를 흑색 점성 고체로서 수득하였다. C39H42ClN7O6 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 740, 관측치 740.2.단계 2: 2-(4-5-아미노-4-[5-(4-메틸아미노-피페리딘-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드표제 화합물을 실시예 I-51 단계 2에 기술된 바와 유사한 과정에 따라 제조하였다. 2-(4-5-아미노-4-[5-(4-메틸아미노-피페리딘-1-카보닐)-1H-인돌-2-카보닐]-피라졸-1-일-3-클로로-페녹시)-N,N-다이메틸-벤즈아미드(32 mg, 3%)를 회백색 고체로서 수득하였다. C34H34ClN7O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 640, 관측치 640.2.실시예 I-592-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산다이옥산(5 mL) 중 2-4-[5-아미노-4-(5-브로모-1H-인돌-2-카보닐)-피라졸-1-일]-3-클로로-페녹시-N,N-다이메틸-벤즈아미드(실시예 I-46 단계 6으로부터 수득됨)(250 mg, 0.43 mmol)의 탈기된 용액에 1,3-비스(다이페닐포스피노)프로판(32 mg, 0.078 mmol) 및 Pd(OAc)2(8 mg, 0.035 mmol)를 첨가하였다. 생성된 혼합물을 다시 아르곤 대기 하에 추가로 15분 동안 탈기시키고, 일산화 탄소로 퍼징하고, 이어서, 일산화 탄소 볼룬 하에 95℃에서 3일 동안 가열하였다. 반응의 완료 후, 반응 혼합물을 EtOAc로 희석하고, 셀라이트 층을 통해 여과하였다. 여액을 감압 하에 농축하였다. 조질 물질을 제조용 HPLC로 정제하여 2-5-아미노-1-[2-클로로-4-(2-다이메틸카바모일-페녹시)-페닐]-1H-피라졸-4-카보닐-1H-인돌-5-카복실산(8 mg, 3%)을 연황색 고체로서 수득하였다. C32H32ClN7O4 [(M+H)+]에 대한 MS 계산치 544, 관측치 544.2.생물학적 실시예브루톤 티로신 키나제(Btk) 억제 분석본 분석은 여과를 통해 방사성 33P 인산화된 생성물을 포획하는 것이다. Btk, 비오틴화된(biotinylated) SH2 펩티드 기질(Src 상동) 및 ATP의 상호작용은 펩티드 기질의 인산화를 일으킨다. 비오틴화된 생성물은 결합된 스트렙타비딘 세파로스 비드이다. 결합되고 방사표지된 모든 생성물을 섬광 계수기에 의해 검출한다.분석되는 플레이트는 96-웰 폴리프로필렌(그라이너(Greiner)) 및 96-웰 1.2㎛ 친수성 PVDF 필터 플레이트(밀리포어(Millipore))이다. 본원에 기록된 농도는 최종 분석 농도이다: DMSO 중 10 내지 100 μM 화합물(버딕 앤드 잭슨(Burdick and Jackson)), 5 내지 10 nM Btk 효소(His-태깅됨, 전장), 30 μM 펩티드 기질(비오틴-Aca-AAAEEIYGEI-NH2), 100 μM ATP(시그마(Sigma)), 8 mM 이미다졸(시그마, pH 7.2), 8 mM 글리세롤-2-포스페이트(시그마), 200 μM EGTA(로슈 다이아그노스틱스(Roche Diagnostics)), 1 mM MnCl2(시그마), 20 mM MgCl2(시그마), 0.1 mg/mL BSA(시그마), 2 mM DTT(시그마), 1 μCi 33P ATP(아머샴(Amersham)), 20% 스트렙타비딘 세파로스 비드(아머샴), 50 mM EDTA(깁코(Gibco)), 2 M NaCl(깁코), 2 M NaCl w/1% 인산(깁코), 마이크로신트-20(퍼킨 엘머(Perkin Elmer)).표준 96-웰 플레이트 분석 주형으로부터 생성된 데이터를 이용하여 화합물 당 10-점 데이터로부터 IC50 측정을 계산하였다. 하나의 대조군 화합물 및 7개의 미공지된 억제제를 각각의 플레이트 상에서 시험하고, 각각의 플레이트를 2회 수행하였다. 전형적으로, 화합물을 100 μM에서 출발하여 3 nM에서 종결되는 반-로그(half-log)로 희석하였다. 대조군 화합물은 스타우로스포린이었다. 펩티드 기질의 부재 하에 백그라운드를 계수하였다. 총 활성을 펩티드 기질의 존재 하에 측정하였다. 하기 프로토콜을 사용하여 Btk 억제를 측정하였다:샘플 제조: 시험 화합물을 분석 완충액(이미다졸, 글리세롤-2-포스페이트, EGTA, MnCl2, MgCl2, BSA) 중의 반-로그 증가량으로 희석하였다.비드 제조1) 500 x g에서 원심분리하여 비드를 헹군다.2) PBS 및 EDTA로 비드를 재구성하여, 20% 비드 슬러리를 제조한다.3) 기질(분석 완충액, DTT, ATP, 33P ATP)을 함유하지 않는 반응 혼합물 및 기질(분석 완충액, DTT, ATP, 33P ATP, 펩티드 기질)을 함유하는 혼합물을 30℃에서 15분 동안 예비 항온처리한다.4) 분석을 시작하기 위해, 효소 완충액(이미다졸, 글리세롤-2-포스페이트, BSA) 중 Btk(10 μL) 및 시험 화합물(10 μL)을 10분 동안 실온에서 예비 항온처리한다.5) 기질을 함유하지 않거나 함유하는 반응 혼합물(30 μL)을 Btk 및 화합물에 첨가한다.6) 총 분석 혼합물(50 μL)을 30℃에서 30분 동안 배양한다.7) 분석물(40 μL)을 필터 플레이트 내의 비드 슬러리(150 μL)로 이동시켜 반응을 중지한다.8) 30분 후 필터 플레이트를 하기 단계로 세척한다:NaCl(3 x 250 μL);1% 인산을 함유한 NaCl(3 x 250 μL);H2O(1 x 250 μL).9) 플레이트를 65℃에서 1시간 동안 또는 실온에서 밤새 건조한다.10) 마이크로신트-20(50 μL)을 첨가하고, 섬광 계수기로 33P cpm을 계수한다.원 데이터(raw data)로부터 %활성을 cpm 단위로 계산한다.%활성 = (샘플 - 백그라운드)/(총 활성 - 백그라운드) x 100단일부위 용량 반응 S자형 모델을 이용하여, %활성으로부터 IC50을 계산한다.y = A + ((B-A)/(1 + ((x / C)D)))이때, x = 화합물의 농도, y = %활성, A = 최소, B = 최대, C = IC50, D = 1(경사 기울기)이다.브루톤 티로신 키나제(Btk) 억제 TR-FRET(시간 분해 FRET) 분석본 Btk 경쟁 분석은 FRET(푀르스테르/형광 공명 에너지 전달) 기법을 사용하여 브루톤 티로신 키나제의 비활성화된 상태에 대한 화합물 효능(IC50)을 측정하는 것이다. Btk-Eu 복합물을 50 nM Btk-바이오이지(Bioease: 상표):10 nM Eu-스트렙타비딘(퍼킨 엘머, 카탈로그 번호 AD0062)의 출발 농도에서 사용하기 전에 얼음에서 1시간 동안 항온처리하였다. 분석 완충액은 20 mM HEPES(pH 7.15), 0.1 mM DTT, 10 mM MgCl2, 0.5 mg/mL BSA와 함께 3% 키나제 안정화제(프레몬트 바이오솔루션스(Fremont Biosolutions), 카탈로그 번호 STB-K02)로 구성되었다. 1시간 후, 상기로부터의 반응 혼합물을 분석 완충액 중에서 10배 희석하여 5 nM Btk:1 nM Eu-스트렙타비딘 복합체(공여체 형광단)를 제조하였다. 이어서, 음성 대조군이 아닌 Btk-Eu를 단독으로 갖는 0.11 nM Btk-Eu 및 0.11 nM 키나제 트레이서 178(인비트로겐(Invitrogen), 카탈로그 번호 PV5593)의 혼합물(18 μL)을 384-웰 편평 바닥 플레이트(그레이너, 784076)에 분배하였다. 분석 시 시험될 화합물을 10x 농축하여 제조하고, 10-점 곡선을 생성하기 위해 절반-로그 증가의 연속 희석을 DMSO에서 수행하였다. FRET 반응을 개시하기 위해, DMSO에서 10x 스톡으로 제조된 화합물을 플레이트에 첨가하고, 상기 플레이트를 18 내지 24시간 동안 14℃에서 항온처리하였다.항온처리 후, 플레이트를 BMG 페라스타(Pherastar) 형광 플레이트 판독기(또는 등가물)로 판독하고, 유로퓸 공여체 형광단(620 nm 방출) 및 FRET(665 nm 방출)로부터 방출 에너지를 측정하기 위해 사용하였다. 음성 대조군 웰 값을 평균화하여 평균 최소치를 수득하였다. 양성 "억제제가 없는" 대조군 웰을 평균화하여 평균 최대치를 수득하였다. %최대 FRET를 하기 식으로 계산하였다: %최대 FRET = 100 x [(FSR화합물-FSR평균최소치)/(FSR평균최대치-FSR평균최소치)]이때, FSR은 FRET 신호 비이다. %최대 FRET 곡선을 활성 기준(엑셀)으로 플롯팅하고, IC50(%), 경사 기울기, z' 및 %CV를 측정하였다. 마이크로소프트 엑셀을 사용하여 중복 곡선(2개의 독립적인 희석으로부터의 일중항 억제 곡선)으로부터 평균 IC50 및 표준 편차를 유도하였다.이러한 분석에 대한 대표적인 화합물 데이터는 하기 표 II에 열거된다.[표 II]CD69 발현에 의해 측정된 전혈에서의 B-세포 활성화의 억제인간 혈액에서 B-세포의 B-세포 수용체-매개된 활성을 억제하는 Btk 억제제의 능력을 시험하는 절차는 하기와 같다:인간 전혈(HWB)을 하기 제한을 갖는 건강한 자원자로부터 수득하였다: 24시간 약물 복용하지 않는 비흡연자. 나트륨 헤파린으로 응고방지된 배큐테이너(Vacutainer) 관으로 정맥 천자에 의해 채혈하였다. 시험 화합물을 PBS(20x) 중에서 목적한 출발 약물 농도의 10배까지 희석한 후, PBS 중의 10% DMSO로 3배 연속 희석하여 9-점 투여량-반응 곡선을 생성하였다. 각각의 화합물의 희석액(5.5 μL)을 96-웰 V 바닥 플레이트(애널리티컬 세일즈 앤드 서비시스(Analytical Sales and Services), #59623-23)(2 x 2 mL)에 첨가하고, PBS 중 10% DMSO(5.5 μL)를 대조군 및 비자극 웰에 첨가하였다. HWB(100 μL)를 각 웰에 첨가하고 혼합한 후, 플레이트를 37℃, 5% CO2, 100% 습도에서 30분 동안 항온처리하였다. 염소 F(ab')2 항-인간 IgM(써던 바이오테크(Southern Biotech), #2022-14)(10 μL의 500 μg/mL 용액, 50 μg/mL 최종 농도)을 혼합하면서 각 웰(비자극 웰 제외)에 첨가하고, 상기 플레이트를 추가로 20시간 동안 항온처리하였다.20시간의 항온처리가 끝나는 시점에, 샘플을 형광-탐침-표지된 항체(PE 마우스 항-인간 CD20(15 μL), 비디 파밍겐(Pharmingen), #555623 및/또는 APC 마우스 항-인간 CD69(20 μL), 비디 파밍겐 #555533)와 함께 30분 동안 37℃, 5% CO2, 100% 습도에서 항온처리하였다. 보상 조정 및 초기 전압 설정을 위해, 유도된 대조군, 비염색물 및 단일 염색물이 포함되어 있다. 이어서, 샘플을 1X 파밍겐 용해 완충액(비디 파밍겐 #555899)(1 mL)에 용해시키고, 플레이트를 1,800 rpm으로 5분 동안 원심분리하였다. 상청액을 흡입에 의해 제거하고, 잔여 펠렛을 추가 1X 파밍겐 용해 완충액(1 mL)에 다시 용해하고, 플레이트를 상기와 같이 회전시켰다. 상청액을 흡입하고, 잔여 펠렛을 FACS 완충액(PBS + 1% FBS)으로 세척하였다. 최종 회전 후, 상청액을 제거하고, 펠렛을 FACS 완충액(180 μL)에 재현탁하였다. 샘플을 BD LSR II 유세포분석기(flow cytometer)의 HTS 96 웰 시스템으로 실행하기에 적합한 96 웰 플레이트로 옮겼다.사용된 형광단에 대한 적절한 여기 및 방출 파장을 사용하여, 데이터를 획득하고, %양성 세포 값을 셀 퀘스트 소프트웨어(Cell Quest Software)를 사용하여 수득하였다. 결과를 먼저 FACS 분석 소프트웨어(플로우 조(Flow Jo))에 의해 분석하였다. 시험 화합물에 대한 IC50을, 항-IgM에 의한 자극 이후에도 CD20-양성인 %CD69-양성 세포(비자극 백그라운드용 8개의 웰의 평균치를 뺀 후의 8개의 대조군 웰의 평균치)를 50%만큼 감소시키는 농도로서 정의하였다. IC50 값을 XLfit 소프트웨어 버전 3, 방정식 201을 사용하여 계산한다.B-세포 활성화 억제 - 라모스(Ramos) 세포 중의 B-세포의 FLIPR 분석본 발명의 화합물에 의한 B-세포 활성화의 억제를 항-IgM 자극 B-세포 반응에 대한 시험 화합물의 효과를 측정함으로써 입증하였다.B-세포의 FLIPR 분석은 항-IgM 항체에 의한 자극으로부터 세포내 칼슘 증가의 잠재적 억제제의 효과를 측정하는 세포 기재의 기능적 방법이다. 라모스 세포(인간 버킷(Burkitt) 림프종 세포주; ATCC 번호 CRL-1596)를 성장 배지(하기 기재됨)에서 배양하였다. 분석 하루 전, 라모스 세포를 새로운 성장 배지(상기와 동일함)에 재현탁하고, 조직 배양 플라스크 내에서 0.5 x 106 세포/mL의 농도로 설정하였다. 분석 당일, 세포를 계수하고, 조직 배양 플라스크 내에서 1 μM FLUO-3AM(테프랩스(TefLabs), 카탈로그 번호 0116, 무수 DMSO 및 10% 플루론산 중에서 제조됨)으로 보충된 성장 배지에서 1 x 106 세포/mL의 농도로 설정하고, 37℃(4% CO2)에서 1시간 동안 배양하였다. 세포외 염료를 제거하기 위해, 세포를 원심분리(5분, 1,000 rpm)에 의해 수집하고, 1 x 106 세포/mL로 FLIPR 완충액(하기 기재됨)에 재현탁한 후, 웰 당 1 x 105 세포로 96-웰 폴리-D-리신 코팅된 흑색/투명 플레이트(비디, 카탈로그 번호 356692)에 분배하였다. 시험 화합물을 100 μM 내지 0.03 μM(7개의 농도, 하기 세부사항) 범위의 다양한 농도로 첨가하고, 30분 동안 실온에서 세포와 함께 항온처리하였다. 라모스 세포의 Ca2+ 신호를 10 μg/mL 항-IgM(써던 바이오테크, 카탈로그 번호 2020-01)의 첨가에 의해 자극하고, FLIPR(몰레큘라 디바이시스(Molecular Devices), 480 nM 여기에서 아르곤 레이저를 갖는 CCD 카메라를 사용하여 96 웰 플레이트의 이미지를 포획함)에서 측정하였다.배지/완충액:성장 배지: L-글루타민(인비트로겐, 카탈로그 번호 61870-010), 10% 소태아혈청(FBS, 서밋 바이오테크놀로지(Summit Biotechnology), 카탈로그 번호 FP-100-05); 1 mM 나트륨 피루베이트(인비트로겐, 카탈로그 번호 11360-070)를 함유한 RPMI 1640 배지.FLIPR 완충액: HBSS(인비트로겐, 카탈로그 번호 141175-079), 2 mM CaCl2(시그마, 카탈로그 번호 C-4901), HEPES(인비트로겐, 카탈로그 번호 15630-080), 2.5 mM 프로베네시드(시그마, 카탈로그 번호 P-8761), 0.1% BSA(시그마, 카탈로그 번호 A-7906), 11 mM 글루코스(시그마, 카탈로그 번호 G-7528).화합물 희석 세부사항:100 μM의 최고의 최종 분석 농도를 달성하기 위해, 10 mM 화합물 저장 용액(DMSO 중에 제조됨)(24 μL)을 직접 FLIPR 완충액(576 μL)에 첨가하였다. 시험 화합물을 FLIPR 완충액(바이오멕(Biomek) 2000 로봇 피펫터(robotic pipettor)를 사용함)에 희석하여 하기 희석식을 생성하였다: 비히클, 1.00 x 10-4 M, 1.00 x 10-5 M, 3.16 x 10-6 M, 1.00 x 10-6 M, 3.16 x 10-7 M, 1.00 x 10-7 M, 3.16 x 10-8 M.검정 및 분석:칼슘의 세포내 증가는, 최대-최소 통계자료(몰레큘라 디바이시스 FLIPR 제어 및 통계적 추출 소프트웨어를 사용하여 자극 항체의 첨가에 의해 야기된 피크에서 정지된 기준치(resting baseline)를 빼는 것)를 사용하여 기록하였다. 비선형 곡선 맞춤(그래프패드 프리즘(GraphPad Prism) 소프트웨어)을 사용하여 IC50을 측정하였다.마우스 콜라겐-유발된 관절염(mCIA)0일에, 마우스의 꼬리의 끝 부분 또는 등의 여러 지점에 완전 프로인트 보조물질(Complete Freund's Adjuvant; CFA) 중 제2형 콜라겐의 유화액을 (i.d.) 주사하였다. 콜라겐 면역 조치 이후, 동물은 약 21 내지 35일에 관절염이 발달할 것이다. 관절염의 발병은 21일에 불완전 프로인트 보조물질(IFA; i.d.) 중 콜라겐의 전신 투여에 의해 동기화되었다(증강되었다). 증강된 신호의 경미한 관절염(점수 1 또는 2; 하기 기재된 점수 참조)의 임의의 발병에 대해 20일 후 매일 동물을 조사하였다. 증강된 후에, 마우스의 점수를 매기고, 소정 시간(전형적으로, 2주 내지 3주) 동안 매일(QD) 또는 매일 2회(BID)의 투약 빈도로 후보 치료제를 투여하였다.래트 콜라겐-유발된 관절염(rCIA)0일에, 래트의 등의 여러 위치에 불완전 프로인트 보조물질(IFA) 중 소과 제2형 콜라겐의 유화액을 피내(i.d.) 주사하였다. 콜라겐 유화액의 증강 주사를 7일쯤에 꼬리의 끝 부분 또는 등의 대체 부위에 제공하였다(i.d.). 관절염은 일반적으로 초기 콜라겐 주사 후 12 내지 14일에 관찰되었다. 14일 이후로 하기하는 바와 같이 관절염의 발생에 대해 동물을 평가할 수 있다(관절염 평가). 2차 시도 시점에서 출발하는 예방 방식으로 소정 시간(전형적으로, 2주 내지 3주) 동안 매일(QD) 또는 매일 2회(BID)의 투약 빈도로 동물에 후보 치료제를 투여하였다.관절염의 평가:양쪽 모델에서, 발 및 사지 관절에서 염증의 발달을 하기 기준에 따라 4개의 발의 평가에 관련된 점수 시스템을 사용하여 정량화하였다:점수: 1 = 발 또는 하나의 발가락의 부종 및/또는 발적,2 = 2개 이상의 관절에서의 부종,3 = 2개 초과의 관절과 관련된 발의 심한 부종,4 = 전체 발 및 발가락의 중증의 관절염.기준치 측정을 위해 평가를 0일에 하고, 첫 징후 또는 부종 시에 다시 시작하여, 실험이 끝날 때까지 1주 당 3회 이하로 평가하였다. 각각의 마우스에 대한 관절염 지수는 개별 발의 4개의 점수를 더하고, 동물 당 최대 점수를 16점으로 부여함으로써 제공하였다.래트의 생체내 천식 모델수컷 갈색-노르웨이 래트를 명반(alum)(0.2 mL) 중 OA(오브알부민)(100 μg)로 3주 동안 매주 1회(0일에, 7일에 및 14일에) i.p. 감작하였다. 21일에(최종 감작한 후 1주), 상기 래트에게 OA 에어로졸을 시도(45분 동안 1% OA)하기 0.5시간 전에 비히클 또는 화합물 제형을 피하로 매일 투여하고, 시도한지 4 또는 24시간 후에 종료하였다. 희생 시점에, 혈청 및 혈장을 각각 혈청 시험 및 PK를 위해 모든 동물로부터 수집하였다. 기관 캐뉼라를 삽입하고, 폐를 PBS로 세척하였다(3X). BAL 유체를 총 백혈구 수 및 차등(differential) 백혈구 계수에 대하여 분석하였다. 세포 중 분취량(20 내지 100 μL)의 총 백혈구 수를 쿨터 계수기(Coulter Counter)로 측정하였다. 차등 백혈구 계수를 위해, 샘플(50 내지 200 μL)을 사이토스핀(Cytospin)에서 원심분리하고, 슬라이드를 디프-퀵(Diff-Quik)으로 염색하였다. 단핵구, 호산구, 호중구 및 림프구의 비율을 표준 형태학적 기준을 사용하여 광현미경 하에 계수하고, 백분율로 표현하였다. 대표적인 Btk 억제제는 대조군의 수준과 비교하여 OA 감작된 및 시도된 래트의 BAL에서 총 백혈구 수의 감소를 나타낸다.전술한 발명은 명백함 및 이해를 목적으로 예시 및 실시예에 의해 상세하게 기술되었다. 당업자에게는 첨부된 청구범위의 범주 내에서 변경 및 변형이 실시될 수 있다는 것이 자명할 것이다. 따라서, 상기 명세서는 예시를 의도로 한 것이며, 한정을 의도한 것이 아님이 이해되어야 한다. 따라서, 본 발명의 범주는 상기 명세서를 참고하여 결정될 것이 아니라, 청구범위가 목적하고자 하는 것의 등가물의 전체 범주와 함께, 청구범위를 참조하여 결정되어야 할 것이다.본원에 인용된 모든 특허, 특허출원 및 공개 문헌은 각각의 개별 특허, 특허출원 또는 공개 문헌이 개별적으로 언급된 것과 같은 정도로 모든 목적을 위해 그 전체가 본원에 참고로 인용된다.
본 발명은 브루톤 티로신 키나제(Btk)를 억제하는 하기 화학식 I의 화합물에 관한 것이다. 본원에 개시된 화합물은 Btk의 활성을 조절하고 과도한 Btk 활성과 관련된 질환을 치료하는데 유용하다. 상기 화합물은 B-세포 이상 활성화에 의해 유발된 종양학적 자가면역 및 염증성 질환의 치료에 유용하다. 또한, 본 발명은 화학식 I의 화합물 및 하나 이상의 담체, 희석제 또는 부형제를 함유하는 조성물에 관한 것이다: 화학식 I 상기 식에서, 모든 변수들은 본원에 정의된 바와 같다.
[ 발명의 명칭 ] 액량 검출 장치 및 액량 검출 장치를 구비하는 연료 펌프 모듈LIQUID QUANTITY DETECTION APPARATUS AND FUEL PUMP MODULE PROVIDED WITH LIQUID QUANTITY DETECTION APPARATUS [ 기술분야 ] 본 명세서에 개시된 기술은, 용기 내에 저류되어 있는 액체의 액량을 검출하는 액량 검출 장치 (예를 들어, 자동차 등의 연료 탱크 내에 저류되는 연료량을 검출하는 장치), 및 액량 검출 장치를 구비하는 연료 펌프 모듈에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 일본 공개특허공보 2010-230537호에는, 플로트를 구비한 플로트 아암과, 플로트 아암의 작동에 수반하여 변위되는 마그넷과, 마그넷의 자기 변화를 검출하는 자기 센서를 구비한 액면 검출 장치가 개시되어 있다. 자기 센서는 연료 탱크 내에 배치되어 있고, 연료에 침지되어 있다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 일본 공개특허공보 2010-230537호의 액면 검출 장치에서는, 자기 센서는 수지제의 제 1 커버에 덮여 있고, 제 1 커버는 일부를 제외하고 수지제의 제 2 커버에 덮여 있다. 즉, 제 1 커버의 일부는 제 2 커버의 외부에 노출되어 있다. 제 1 커버가 제 2 커버의 외부에 노출되어 있는 지점에서는, 자기 센서는 제 1 커버에 의해서만 액체로부터 격리되어 있다. 이 구성에서는, 액체가 제 1 커버를 투과하면, 자기 센서가 액체에 접촉된다. 이로써, 자기 센서를 사용하여 액량을 적절히 검출할 수 없는 상황이 발생할 수 있다.본 명세서에서는, 자기 센서가 액체에 접촉되는 것을 억제하는 기술을 제공한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 명세서에서 개시되는 액량 검출 장치는, 플로트와 아암 부재와 자기 센서 유닛을 구비한다. 아암 부재에는 플로트가 장착되어 있고, 아암 부재는 플로트의 상하 방향의 운동을 회전 운동으로 변환한다. 자기 센서 유닛은, 자기 센서와 복수 개의 커버를 구비한다. 자기 센서는, 아암 부재의 회전 운동에 따른 아날로그 신호를 출력한다. 복수 개의 커버는 자기 센서를 덮고 있다. 복수 개의 커버는 제 1 커버와 제 2 커버를 포함한다. 제 1 커버는, 제 1 수지 재료에 의해 제조되어 있고, 자기 센서의 표면 전체를 덮고 있다. 제 2 커버는, 제 1 수지 재료와 상이한 제 2 수지 재료에 의해 제조되어 있고, 제 1 커버의 표면 전체를 덮고 있다.상기한 액량 검출 장치에서는, 자기 센서는 제 1 커버에 의해 덮여 있다. 제 1 커버는, 제 1 커버와는 상이한 재료에 의해 제조된 제 2 커버에 의해 그 표면 전체가 덮여 있다. 이 때문에, 자기 센서는 적어도 재료가 상이한 2 개의 커버 (즉 제 1 커버 및 제 2 커버) 에 의해 액체로부터 격리된다. 이 구성에 의하면, 액체가 제 2 커버를 투과하였다고 해도, 제 1 커버에 의해 액체가 자기 센서에 접촉되는 것이 억제될 수 있다. 이 점에서, 자기 센서가 1 개의 커버에 의해서만 액체로부터 격리되는 구성과 비교하여, 액체가 커버를 투과하여 자기 센서에 접촉되는 것을 억제할 수 있다.본 명세서에서 개시되는 연료 펌프 모듈은, 연료 탱크 내의 연료를 압송하는 연료 펌프 유닛과, 상기 액량 검출 장치를 구비한다. 자기 센서 유닛은 연료 펌프 유닛에 장착되어 있다.이 구성에 의하면, 연료 펌프 모듈이 연료에 침지되어 있는 상황이어도, 자기 센서에 연료가 접촉되는 것을 억제할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1 은, 연료 공급 시스템의 구성을 나타낸다.도 2 는, 자기 센서 유닛의 종단면을 나타낸다.도 3 은, 자기 센서 유닛의 평면도를 나타낸다.도 4 는, 자기 센서 유닛의 저면도를 나타낸다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 먼저, 이하에 설명하는 실시예의 특징을 나열하여 기재한다. 또한, 여기에 나열하여 기재하는 특징은 모두 독립적으로 유효한 것이다.액량 검출 장치에서는, 제 1 수지 재료는 제 2 수지 재료보다 제 1 액체의 투과성이 낮고, 제 2 수지 재료는 제 1 수지 재료보다 제 2 액체의 투과성이 낮아도 된다. 이 구성에서는, 제 1 수지 재료는 제 2 수지 재료와 비교하여 제 1 액체를 투과시키기 어렵다. 한편, 제 2 수지 재료는 제 1 수지 재료와 비교하여 제 2 액체를 투과시키기 어렵다. 이 구성에 의하면, 제 1 액체는 제 1 커버에 의해 자기 센서에 접촉되는 것이 억제된다. 한편으로, 제 2 액체는 제 2 커버에 의해 자기 센서에 접촉되는 것이 억제된다. 이 결과, 자기 센서 유닛이 제 1 액체와 제 2 액체의 혼합 액체에 침지되어 있는 상태에 있어서, 자기 센서가 혼합 액체에 접촉되는 것을 억제할 수 있다.액량 검출 장치에서는, 자기 센서 유닛은, 자기 센서에 전기적으로 접속되어 있고, 복수 개의 커버를 관통하는 리드 단자를 구비하고 있어도 된다. 리드 단자의 일부는 복수 개의 커버의 외부에 노출되어 있어도 된다. 이 구성에 의하면, 복수 개의 커버의 외부로부터 리드 단자를 통하여 자기 센서에 전력의 공급이나 신호의 입출력을 할 수 있다. 예를 들어, 신호의 출력은, 자기 센서로부터의 아날로그 신호를, 복수 개의 커버의 외부로부터 리드 단자를 통하여 취득하는 것을 포함한다.액량 검출 장치에서는, 제 1 커버 및 제 2 커버의 적어도 일방은, 리드 단자에 대해 액밀하게 접촉되어 있어도 된다. 이 구성에 의하면, 복수 개의 커버와 리드 단자의 계면으로부터 액체가 침입하는 것을 억제할 수 있다.액량 검출 장치에서는, 제 1 수지 재료는 에폭시 수지이고, 제 2 수지 재료는 폴리페닐렌술파이드 수지여도 된다. 에폭시 수지는 가솔린을 투과시키기 어렵고, 폴리페닐렌술파이드 수지는 알코올을 투과시키기 어렵다. 또, 에폭시 수지는 금속과의 접착력이 매우 높다. 이 때문에, 리드 단자가 금속제인 경우에는, 에폭시 수지는 리드 단자와의 계면을 액밀하게 할 수 있다. 따라서, 자기 센서가 알코올 및 가솔린의 혼합 연료에 침지된 상태에서 이용되는 경우에도, 자기 센서가 알코올 및 가솔린에 접촉되는 것을 억제할 수 있다.실시예 1도 1 에 나타내는 바와 같이, 연료 공급 시스템 (1) 은, 자동차에 탑재되는 연료 탱크 (4) 내의 연료를 도시 생략한 내연 기관에 공급하기 위한 시스템이다. 본 실시예에서는, 연료는 가솔린과 알코올 (예를 들어 에탄올) 을 함유하고 있다. 연료 공급 시스템 (1) 은, 연료 미터 (60) 와 연료 펌프 모듈 (10) 을 구비한다. 연료 미터 (60) 는 도시 생략된 자동차의 표시 장치에 사용된다. 연료 펌프 모듈 (10) 은 연료 탱크 (4) 에 배치된다. 연료 미터 (60) 와 연료 펌프 모듈 (10) 은, 복수의 라인 (52, 54, 56) 에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 가솔린은「제 1 액체」의 일례에 상당하고, 알코올은「제 2 액체」의 일례에 상당한다.연료 펌프 모듈 (10) 은, 연료 펌프 유닛 (12) 과 연료량 검출 장치 (20) 를 구비한다. 연료 펌프 유닛 (12) 은 연료 탱크 (4) 에 수용된다. 연료 펌프 유닛 (12) 은, 연료 탱크 (4) 의 개구를 폐색하는 세트 플레이트 (6) 에 장착되어 있다. 연료 펌프 유닛 (12) 은, 연료 탱크 (4) 내의 연료를 연료 펌프 유닛 (12) 내에 흡입하여 승압시키고, 연료 펌프 유닛 (12) 밖으로 토출한다. 연료 펌프 유닛 (12) 으로부터 토출된 연료는, 토출 포트 (14) 로부터 도시 생략된 내연 기관에 공급된다. 또한, 연료량 검출 장치 (20) 는 「액량 검출 장치」의 일례에 상당한다.연료량 검출 장치 (20) 는, 플로트 (22) 와, 플로트 (22) 가 고정된 아암 부재 (24) 와, 아암 부재 (24) 의 회전각을 검출하는 자기 센서 유닛 (30) 을 구비한다. 플로트 (22) 는, 연료 탱크 (4) 내의 연료에 떠 있으며, 연료의 액위에 따라 상하 방향으로 운동한다. 플로트 (22) 는, 아암 부재 (24) 의 선단 (先端) 에 자유롭게 회전할 수 있도록 장착되어 있다. 아암 부재 (24) 의 기단은, 자기 센서 유닛 (30) 에 대해 회전 가능하게 지지되어 있다. 이 때문에, 연료 탱크 (4) 내의 연료의 액위에 따라 플로트 (22) 가 상하동하면, 그에 따라 아암 부재 (24) 가 연료 펌프 유닛 (12) 에 대해 요동 회전한다.아암 부재 (24) 는, 플로트 장착 부분 (24a) 과 기 (基) 부분 (24b) 을 구비한다. 플로트 장착 부분 (24a) 은, 예를 들어 스테인리스 등의 연료에 대한 내성을 갖는 금속으로 제조되어 있다. 플로트 장착 부분 (24a) 은, 원기둥의 봉상의 부재를 중간 위치에서 굴곡시킴으로써 제조되어 있다. 플로트 장착 부분 (24a) 의 선단에는 플로트 (22) 가 장착되어 있다. 플로트 장착 부분 (24a) 의 기단에는 기 부분 (24b) 이 고정되어 있다.기 부분 (24b) 은, 연료에 대한 내성을 갖는 수지 (예를 들어 폴리페닐렌술파이드 수지 (이하에서는, 「PPS」라고 부른다)) 로 제조되어 있다. 기 부분 (24b) 은, 플로트 장착 부분 (24a) 과는 상이한 재료로 제조되어 있다. 구체적으로는, 기 부분 (24b) 은 플로트 장착 부분 (24a) 과 비교하여 가벼운 재료, 즉 밀도 (단위 체적당의 질량) 가 작은 재료로 제조되어 있다. 또, 플로트 장착 부분 (24a) 은 기 부분 (24b) 과 비교하여 강성이 높은 재료로 제조되어 있다.기 부분 (24b) 은 평판상으로 형성되어 있다. 기 부분 (24b) 은, 기단보다 선단측의 지지점부 (24c) 에 있어서, 자기 센서 유닛 (30) 에 회전 가능하게 지지되어 있다.지지점부 (24c) 는 원판 형상을 갖는다. 아암 부재 (24) 의 회전 중심 (X) 은 지지점부 (24c) 의 중심과 일치한다. 도 1, 2 에 나타내는 바와 같이, 지지점부 (24c) 에는 자석 (26) 이 수용되어 있다. 자석 (26) 은, 예를 들어, 기 부분 (24b) 을 성형할 때에 인서트 성형함으로써, 기 부분 (24b) 내에 배치된다. 자석 (26) 은 영구 자석이다. 자석 (26) 은 원판 형상을 갖는다. 자석 (26) 의 중심은 지지점부 (24c) 의 중심 (즉, 회전 중심 (X)) 과 일치한다. 자석 (26) 은, 일방의 반원 부분에 N 극을 갖고, 타방의 반원 부분에 S 극을 갖는다. 자석 (26) 은, 아암 부재 (24) 의 요동 회전에 따라 회전한다. 이 결과, 자석 (26) 에 의해 발생되는 자계의 방향은, 아암 부재 (24) 의 요동 회전에 따라 변동한다.자기 센서 유닛 (30) 은, 아암 부재 (24) 를 자유롭게 회동할 수 있도록 지지하고 있다. 도 2 는, 자기 센서 유닛 (30) 및 지지점부 (24c) 의 단면도를 나타내고, 도 1 의 회전 중심 (X) 을 지나는 상하 방향의 단면을 나타내는 단면도이다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 자기 센서 유닛 (30) 은, 커버 (32) 와, 커버 (46) 와, 자기 센서 (40) 와, 리드선 (45, 47) 을 구비한다.커버 (32) 는, 알코올의 투과성이 낮은 재료 (본 실시예에서는 PPS) 에 의해 제조되어 있다. PPS 는, 후술하는 에폭시 수지보다 알코올의 투과성이 낮다. 여기서, 「PPS 는 알코올의 투과성이 낮다」란, 알코올이 PPS 를 거의 투과하지 않는 것을 의미한다. 커버 (32) 는, 아암 부재 (24) 의 지지점부 (24c) 중, 자석 (26) 이 수용되어 있는 부분을 수납하는 수납부 (34) 를 갖는다. 수납부 (34) 는 원통 형상을 갖고 있다. 수납부 (34) 의 중공 부분에는 자석 (26) 이 배치된다. 커버 (32) 는, 수납부 (34) 에 자석 (26) 이 배치되어 있는 상태에서, 수납부 (34) 의 플랜지 (36) 에 아암 부재 (24) 의 지지점부 (24c) 가 슬라이딩 가능하게 걸어맞춰짐으로써, 아암 부재 (24) 를 자유롭게 회동할 수 있도록 지지하고 있다. 또한, 본 실시예에서는 커버 (32) 는 PPS 에 의해 제조되었지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 폴리테트라플루오로에틸렌 (PTFE) 에 의해 제조되어도 된다. 또한, 커버 (46) 가 「제 1 커버」의 일례에 상당하고, 커버 (32) 가 「제 2 커버」의 일례에 상당한다.커버 (46) 는, 가솔린의 투과성이 낮은 재료 (본 실시예에서는 에폭시 수지) 에 의해 제조되어 있다. 즉, 커버 (46) 는, 커버 (32) 와는 상이한 재료에 의해 제조되어 있다. 에폭시 수지는 PPS 보다 가솔린의 투과성이 낮다. 커버 (46) 는, 커버 (32) 를 성형할 때에 커버 (32) 의 성형형 내에 배치되는, 이른바 인서트 성형이 실시됨으로써 커버 (32) 에 덮인다. 또한, 본 실시예에서는 커버 (46) 는 에폭시 수지에 의해 제조되었지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 폴리부틸렌테레프탈레이트 (PBT) 나 폴리아세탈 수지 (POM) 에 의해 제조되어도 된다.도 3 은 자기 센서 유닛 (30) 의 평면도를 나타내고, 도 4 는 자기 센서 유닛 (30) 의 저면도를 나타낸다. 또한, 도 3, 4 에서는, 커버 (32, 46) 에 의해 덮여 있는 자기 센서 (40) 와 리드선 (45, 47) 이 파선으로 나타나 있다. 도 2 ∼ 4 에 나타내는 바와 같이, 커버 (46) 는 대략 직방체 형상을 갖는다. 커버 (46) 는, 그 표면 전체가 커버 (32) 에 의해 덮여 있다. 환언하면, 커버 (46) 의 어떠한 부분도 커버 (32) 의 외부에는 노출되어 있지 않다.자기 센서 (40) 는, 아암 부재 (24) 의 회전 운동을 검출하고, 그 검출 결과에 기초하여 연료 탱크 (4) 내에 저류되는 연료량에 따른 아날로그 신호를 연료 미터 (60) 에 출력한다 (도 1 참조). 자기 센서 (40) 는, 아암 부재 (24) 의 회전각을 검출하는 자기식의 센서로서, 예를 들어, 홀 IC 를 이용한 공지된 센서를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 자기 센서 (40) 는, 검출 회로 (42) 와, 검출 회로 (42) 에 접속되는 입출력 회로 (44) 를 구비한다. 검출 회로 (42) 는, 자석 (26) 의 자계의 방향을 검출하는 홀 소자를 갖는다. 입출력 회로 (44) 는 콘덴서를 갖는다. 도 2 ∼ 4 에 나타내는 바와 같이, 자기 센서 (40) 는 그 표면 전체가 커버 (46) 에 의해 덮여 있다. 환언하면, 자기 센서 (40) 의 어떠한 부분도 커버 (46) 의 외부에는 노출되어 있지 않다. 검출 회로 (42) 는, 커버 (46) 의 단부측 (도 2 ∼ 4 의 하측) 에 배치되어 있다. 상세하게는, 검출 회로 (42) 는, 후술하는 리드선 (47) 이 커버 (46) 를 관통하고 있는 측의 단 (端) 과는 반대측의 단부에 배치되어 있다. 입출력 회로 (44) 는, 커버 (46) 의 대략 중앙 (환언하면, 도 2 ∼ 4 에 있어서 검출 회로 (42) 의 상측) 에 배치되어 있다 (후술).입출력 회로 (44) 로부터는, 입출력 회로 (44) 에 대해 검출 회로 (42) 와는 반대측에 3 개의 리드선 (45) 이 연장되어 있다. 3 개의 리드선 (45) 의 상단부는, 3 개의 리드선 (47) 의 하단부에 각각 접속되어 있다. 3 개의 리드선 (47) 의 상단부 각각은, 전원 라인 (52), 출력 라인 (54) 및 그라운드 라인 (56) 의 단자 (48) 에 접속되어 있다. 전원 라인 (52), 출력 라인 (54) 및 그라운드 라인 (56) 은, 세트 플레이트 (6) 를 관통하여 연료 미터 (60) 에 접속되어 있다. 리드선 (45, 47) 및 단자 (48) 는, 도전성이 높은 도체 (본 실시예에서는 구리) 에 의해 제조되어 있다. 또한, 리드선 (47) 은 「리드 단자」의 일례에 상당한다.자기 센서 (40) 는, 커버 (46) 를 성형할 때에 커버 (46) 의 성형형 내에 배치되는, 이른바 인서트 성형이 실시됨으로써 커버 (46) 에 덮인다. 리드선 (45) 은 커버 (46) 에 의해 덮여 있다. 또, 리드선 (47) 의 리드선 (45) 측의 단부는 커버 (46) 에 의해 덮여 있다. 리드선 (47) 은, 리드선 (47) 과 리드선 (45) 의 접속 위치로부터 자기 센서 (40) 와는 이간되는 방향으로 연장되어 있고, 커버 (46) 와 커버 (32) 를 관통하여 커버 (32) 의 외부에 노출되어 있다.이 구성에서는, 커버 (46) 가 성형될 때에, 리드선 (47) 의 일부가 커버 (46) 를 형성하는 수지 재료 (즉 에폭시 수지) 에 접촉된 상태에서 커버 (46) 가 성형된다.도 2 ∼ 4 에 나타내는 바와 같이, 자기 센서 (40) 는 커버 (46) 의 중앙으로부터 하방에 걸쳐 배치되어 있다. 즉, 자기 센서 (40) 는, 커버 (46) 내에 있어서, 리드선 (47) 의 상부 (즉, 리드선 (47) 이 커버 (32) 의 외부에 노출되어 있는 부분) 로부터 이간된 위치에 배치되어 있다. 또한, 검출 회로 (42) 는, 입출력 회로 (44) 에 대해 리드선 (47) 과는 반대측에 배치되어 있다. 이 때문에, 검출 회로 (42) 와 리드선 (47) 의 상부의 거리는, 입출력 회로 (44) 와 리드선 (47) 의 상부의 거리보다 길게 되어 있다.연료 미터 (60) 는, CPU (64) 와 표시기 (62) 를 갖고 있다. CPU (64) 는, 전원 라인 (52) 을 통하여 연료량 검출 장치 (20), 상세하게는 자기 센서 (40) 에 전원을 공급한다. CPU (64) 에는, 출력 라인 (54) 을 통하여 자기 센서 (40) 로부터 출력되는 아날로그 신호가 입력된다. CPU (64) 는, 자기 센서 (40) 로부터 입력되는 아날로그 신호를 사용하여, 연료 탱크 (4) 내에 저류되는 연료량을 특정하고, 그 특정된 연료량을 표시기 (62) 에 표시한다. CPU (64) 와 표시기 (62) 는, 종래 공지된 연료 미터에 있어서의 각각과 동일하게 구성할 수 있다. 또한, CPU (64) 에서는 그라운드 라인 (56) 은 접지되어 있다.(액량 검출 방법)이어서, 액량 검출 방법에 대해 설명한다. CPU (64) 는, 자동차의 운전 중 (즉, 엔진의 구동 중) 자기 센서 (40) 에 전력을 공급하고 있다. 자기 센서 (40) 는, 자석 (26) 의 자계의 방향에 따른 아날로그 신호를 출력한다. 연료 탱크 (4) 내의 연료의 액면의 높이가 변화하면, 플로트 (22) 가 상하 방향으로 이동하고, 플로트 (22) 의 상하 방향의 이동에 따라 아암 부재 (24) 가 회전한다. 자석 (26) 은 아암 부재 (24) 의 회전에 수반하여 자전한다. 이 결과, 자석 (26) 의 자계의 방향은, 아암 부재 (24) 의 회전, 즉 연료 탱크 (4) 내의 연료의 액면의 높이에 따라 변동한다. 이 때문에, 자기 센서 (40) 로부터 출력되는 아날로그 신호는, 연료 탱크 (4) 내의 연료의 액면의 높이에 상관한다.CPU (64) 는, 자기 센서 (40) 로부터 출력되는 아날로그 신호가 입력되면, 연료 탱크 (4) 내에 저류되는 연료량을 특정하고, 그 특정된 연료량을 표시기 (62) 에 표시한다. 구체적으로는, CPU (64) 는, CPU (64) 에 저장되어 있는 자기 센서 (40) 로부터 출력되는 아날로그 신호와 연료량의 관계를 나타내는 데이터베이스 또는 함수를 사용하여 연료량을 특정한다. 데이터베이스 또는 함수는, 실험 또는 시뮬레이션을 실행함으로써 미리 특정되고, CPU (64) 에 저장되어 있다.상기한 연료량 검출 장치 (20) 에서는, 자기 센서 (40) 는 에폭시 수지에 의해 제조된 커버 (46) 에 의해 그 표면 전체가 덮여 있다. 커버 (46) 는, PPS 에 의해 제조된 커버 (32) 에 의해 그 표면 전체가 덮여 있다. 이 때문에, 연료 탱크 (4) 내의 연료의 액위가 상승하여 자기 센서 유닛 (30) 이 연료에 침지되어도, 자기 센서 (40) 는 재료가 상이한 2 개의 커버 (즉, 커버 (46) 및 커버 (32)) 에 의해 연료로부터 격리된다. 이 구성에 의하면, 자기 센서 (40) 가 1 종류의 재료에 의해 제조된 커버에 의해서만 연료로부터 격리되는 구성과 비교하여, 자기 센서 (40) 가 연료에 접촉되는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 자기 센서 (40) 가 연료에 접촉됨으로써 검출 오차가 발생하거나, 자기 센서 (40) 가 열화되거나 하는 것을 억제할 수 있다. 이 결과, 자기 센서 (40) 를 사용하여 연료량을 적절히 검출할 수 있다.또, 상기 연료량 검출 장치 (20) 에서는, 커버 (32) 의 재료인 PPS 는 알코올의 투과성이 낮다. 한편, 커버 (46) 의 재료인 에폭시 수지는 가솔린의 투과성이 낮다. 이 때문에, 자기 센서 유닛 (30) 을 알코올 및 가솔린을 함유하는 연료에 침지하면, 가솔린은 커버 (32) 를 투과하지만, 커버 (46) 는 거의 투과하지 않는다. 마찬가지로, 알코올은 커버 (32) 를 거의 투과하지 않는다. 이 때문에, 자기 센서 (40) 가 알코올 및 가솔린에 접촉되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 자기 센서 유닛 (30) 이 가솔린에 알코올이 혼입된 연료에 침지된 상태에서 사용되는 경우에도, 자기 센서 (40) 가 연료에 접촉되는 것을 적절히 억제할 수 있다. 이 결과, 가솔린에 알코올이 혼입된 연료여도 연료량 검출 장치 (20) 를 적절히 사용할 수 있다.또, 상기한 연료량 검출 장치 (20) 에서는, 자기 센서 (40) 가 전기적으로 접속되어 있는 리드선 (47) 의 상부가, 커버 (46) 및 커버 (32) 를 관통하여 커버 (32) 의 외부에 (즉, 자기 센서 유닛 (30) 의 외부에) 노출되어 있다. 이 때문에, 자기 센서 유닛 (30) 의 외부로부터 리드선 (47) 을 통하여 자기 센서 (40) 에 전력을 공급할 수 있다. 또, 자기 센서 (40) 로부터 출력되는 아날로그 신호를, 리드선 (47, 48) 및 출력 라인 (54) 를 통하여 CPU (64) 에 입력할 수 있다.또, 상기한 연료량 검출 장치 (20) 에서는, 리드선 (47) 의 일부가 커버 (46) 에 접촉된 상태에서 커버 (46) 가 성형된다. 커버 (46) 는 에폭시 수지에 의해 제조되어 있고, 리드선 (47) 은 구리에 의해 제조되어 있다. 에폭시 수지는 금속에 대해 높은 밀착성을 갖는다. 이 때문에, 커버 (46) 는 리드선 (47) 에 대해 액밀하게 접촉된다. 따라서, 리드선 (47) 의 상부가 자기 센서 유닛 (30) 의 외부에 노출되어 있어도, 연료가 리드선 (47) 과 커버 (46) 의 계면으로부터 자기 센서 유닛 (30) 의 내부에 침입하는 것을 억제할 수 있다.또, 자기 센서 (40) 는, 커버 (46) 내에 있어서, 리드선 (47) 이 커버 (32) 를 관통하는 위치에서 떨어진 위치에 배치되어 있다. 이 때문에, 만약 리드선 (47) 과 커버 (32) 의 계면으로부터 연료가 침입하였다고 해도, 연료가 리드선 (47, 45) 을 따라 자기 센서 (40) 에 도달하는 것을 억제할 수 있다. 또, 홀 소자는 콘덴서보다 연료에 대한 내성이 낮다. 이 때문에, 홀 소자를 갖는 검출 회로 (42) 를, 콘덴서를 갖는 입출력 회로 (44) 보다 리드선 (47) 이 커버 (32) 를 관통하는 위치에서 떨어진 위치에 배치함으로써, 홀 소자가 연료에 접촉되는 것을 보다 억제할 수 있다.본 명세서 또는 도면에 설명한 기술 요소는, 단독으로 혹은 각종 조합에 의해 기술적 유용성을 발휘하는 것으로, 출원시 청구항에 기재된 조합에 한정되는 것은 아니다.예를 들어, 커버 (32) 가 가솔린의 투과성이 낮은 재료 (예를 들어 에폭시 수지) 에 의해 제조되어 있고, 커버 (46) 가 알코올의 투과성이 낮은 재료 (예를 들어 PPS) 에 의해 제조되어 있어도 된다. 이 경우, 커버 (32, 46) 를 제조하고 있는 재료의 적어도 일방이 리드선 (47) 에 대해 높은 밀착성을 갖는 것이 바람직하다.또, 자기 센서 (40) 는 각각 상이한 재료로 제조되어 있는 3 개 이상의 커버에 의해 덮여 있어도 된다. 이 경우, 상기한 재료의 각각은, 연료가 함유하는 복수 종류의 액체 중 어느 것을 투과시키기 어려운 재료인 것이 바람직하다. 그리고, 리드선 (47) 은 자기 센서 (40) 를 덮는 모든 커버를 관통하고, 그 일부가 가장 외측의 커버의 외부에 노출되는 것이 바람직하다. 이 경우에 있어서도, 상기한 재료의 적어도 1 개가 리드선 (47) 에 대해 높은 밀착성을 갖는 것이 바람직하다.또, 상기한 조건을 만족하는 재료이면, 커버 (32, 46) 는 수지제에 한정되지 않고, 금속제여도 된다.또, 예를 들어, 본 명세서의 「액량 검출 장치」는, 연료 탱크 (4) 내의 연료량을 검출하는 연료량 검출 장치 (20) 이외에, 용기 내의 액체, 예를 들어, 저수 탱크 내의 저수량 등을 검출하는 장치여도 된다.또, 본 명세서 또는 도면에 예시한 기술은 복수 목적을 동시에 달성하는 것으로, 그 중 하나의 목적을 달성하는 것 자체로 기술적 유용성을 갖는 것이다.
액량 검출 장치 (20) 는, 플로트 (22) 와 아암 부재 (24) 와 자기 센서 유닛 (30) 을 구비한다. 아암 부재 (24) 에는 플로트 (22) 가 장착되어 있고, 아암 부재 (24) 는 플로트 (22) 의 상하 방향의 운동을 회전 운동으로 변환한다. 자기 센서 유닛 (30) 은, 자기 센서 (40) 와 복수 개의 커버를 구비한다. 자기 센서 (40) 는, 아암 부재 (24) 의 회전 운동에 따른 아날로그 신호를 출력한다. 복수 개의 커버는 자기 센서 (40) 를 덮고 있다. 복수 개의 커버는 제 1 커버 (46) 와 제 2 커버 (32) 를 포함한다. 제 1 커버 (46) 는, 제 1 수지 재료에 의해 제조되어 있고, 자기 센서 (40) 의 표면 전체를 덮고 있다. 제 2 커버 (32) 는, 제 1 수지 재료와 상이한 제 2 수지 재료에 의해 제조되어 있고, 제 1 커버 (46) 의 표면 전체를 덮고 있다.
[ 발명의 명칭 ] 타이어 상태 검출장치TIRE CONDITION DETECTING APPARATUS [ 기술분야 ] 본 발명은, 차륜의 타이어 상태를 검출하는 타이어 상태 검출장치에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 휠 부에 타이어를 장착한 복수의 차륜이 차량에 설치되어, 타이어의 각각에서의 상태를 검출할 수 있는 장치로서, 무선방식의 타이어 상태 검출장치가 제안되고 있다. 타이어 상태 검출장치는, 차량의 각 차륜의 타이어 내에 설치되어, 타이어의상태를 검출하고, 검출된 타이어의 상태에 관한 신호를 무선송신한다. 그리고, 각 신호가 수신기에 의해 수신되고, 대응하는 타이어의 상태에 관한 정보가 필요에 따라 차실 내에 설치된 표시기에 표시된다. 또한, 타이어 상태 검출장치에는 타이어 상태 검출장치가 차륜에 설치되는 관계상, 전력을 공급하기 위한 전지가 내장된다.예를 들면, 특허문헌 1에 개시되는 타이어 상태 검출장치는, 휴대단말 등 외부기기로부터의 무선신호를 수신 가능하다. 구체적인 일례로서, 타이어 교환이 행해질 경우에 타이어 상태 검출장치가 정상으로 동작하는지 또는 타이어 공기압이 적정한지를 확인할 때 등에 있어서, 타이어 상태 검출장치는 외부기기로부터의 요구신호의 수신에 따라 타이어의 상태에 관한 신호를 송신한다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본공개특허 2006-138156호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 그런데, 타이어 상태 검출장치에 내장되는 전지의 수명을 연장하기 위하여, 소비전력의 저감이 요구된다.본 발명의 목적은, 소비전력을 저감할 수 있는 타이어 상태 검출장치를 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 문제점을 해결하는 타이어 상태 검출장치는, 차량의 차륜의 타이어 내에 배치되도록 상기 차륜의 밸브 스템에 설치되는 타이어 상태 검출장치로서, 상기 타이어의 상태를 검출하도록 구성되는 상태 검출부, 상기 상태 검출부에 의해 검출된 정보를 포함하는 신호를 무선송신하도록 구성되는 송신부, 외부기기로부터 무선송신된 신호를 수신 가능한 수신부, 상기 송신부 및 상기 수신부의 제어를 행하도록 구성되는 제어부, 상기 밸브 스템의 전기적 특성을 검출하도록 구성되는 특성 검출부, 상기 타이어 상태 검출장치의 전력원이 되는 전지를 구비하며, 상기 제어부는, 상기 수신부를 상기 외부기기로부터의 무선송신 신호를 수신 가능한 대기상태로 유지하는 통상 모드, 상기 외부기기로부터의 무선송신 신호의 수신에 대하여 상기 통상 모드보다 소비전력이 작은 절전 모드로 이루어지는 제어 모드로 동작하도록 구성되며, 상기 제어부는, 상기 특성 검출부에 의해 검출된 상기 밸브 스템의 전기적 특성의 변화량이 기준변화량을 초과할 경우에 상기 제어 모드를 상기 통상 모드로 전환하고, 상기 통상 모드일 때에 종료 조건이 성립하였을 때 상기 제어 모드를 상기 절전 모드로 전환하도록 구성된다.이에 의하면, 통상 모드일 때, 종료 조건이 성립함으로써 외부기기로부터의 무선송신 신호의 수신에 대해 통상 모드 보다 소비전력이 작은 절전 모드로 제어 모드가 전환되므로, 외부기기로부터의 무선송신 신호의 수신에 대한 소비전력을 저감할 수 있다.상기 타이어 상태 검출장치에 있어서, 상기 특성 검출부는, 상기 밸브 스템에서의 정전용량을 검출하도록 구성될 수 있다.이에 의하면, 타이어의 교환이 행해진 후 등에 있어서, 밸브 스템에 작업자가 접촉하였을 경우에, 밸브 스템의 정전용량의 변화량이 기준변화량을 초과한 것을 계기로 하여 제어 모드가 통상 모드로 전환된다.상기 타이어 상태 검출장치에 있어서, 상기 수신부는, 극초단파 주파수대역의 신호를 수신 가능하도록 구성될 수 있다.이에 의하면, 극초단파 주파수대역의 신호가 수신 가능함으로써, 초단파 주파수대역의 신호를 수신하는 경우보다 신호의 수신에 대한 소비전력이 커지나, 제어 모드가 통상 모드로부터 절전 모드로 전환됨으로써 수신부가 신호를 수신 가능한 대기 상태가 되는 빈도도 낮아질 수 있어, 외부기기로부터의 무선송신 신호의 수신에 대한 소비전력을 저감할 수 있다.상기 타이어 상태 검출장치에 있어서, 상기 종료 조건은, 상기 수신부에 의해 상기 외부기기로부터의 무선송신 신호가 수신된 것, 상기 제어 모드가 상기 통상 모드로 전환되고나서 미리 정해진 시간이 경과한 것, 및 차량의 주행을 검지한 것 중 적어도 어느 하나가 만족됨으로써 성립하도록 구성될 수 있다.이로써, 외부기기로부터의 무선송신 신호를 수신할 수 있고, 수신부가 외부기기로부터의 무선송신 신호를 수신함으로써, 통상 모드로부터 절전 모드로 제어 모드를 전환할 수 있어, 외부기기로부터의 무선송신 신호의 수신에 대한 소비전력을 저감할 수 있다.또한, 제어 모드가 통상 모드로 전환되고나서 미리 정해진 시간이 경과하였을 경우에, 통상 모드로부터 절전 모드로 제어 모드를 전환할 수 있어, 수신기가 대기상태가 되는 빈도를 낮출 수 있어, 외부기기로부터의 무선송신 신호의 수신에 대한 소비전력을 저감할 수 있다.또한, 차량의 주행을 검지하였을 경우에는, 차량의 정지를 검지하였을 경우보다도, 수신부가 외부기기로부터의 무선송신 신호를 수신하는 빈도가 낮아지는 경향이 있다. 이 때문에, 외부기기로부터의 무선송신 신호를 수신하는 빈도가 낮아지는 상황인 차량이 주행중인 것을 검지하였을 경우에, 통상 모드로부터 절전 모드로 제어모드를 전환함으로써, 수신분가 대기 상태가 되는 빈도도 낮출 수 있어, 외부기기로부터의 무선송신 신호의 수신에 대한 소비전력을 저감할 수 있다.상기 타이어 상태 검출장치에 있어서, 상기 제어부는, 상기 통상 모드에서 상기 밸브 스템의 전기적 특성의 변화량을 특정하는 처리를 실행하지 않도록 구성될 수 있다.상기 타이어 상태 검출장치에 있어서, 상기 제어부는, 상기 차량이 정지 중일 때 상기 밸브 스템의 전기적 특성의 변화량을 특정하는 처리를 실행하고, 상기 차량이 주행 중일 때에 상기 밸브 스템의 전기적 특성의 변화량을 특정하는 처리를 실행하지 않도록 구성될 수 있다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 의하면, 타이어 상태 검출장치의 소비전력을 저감할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은, 일 실시형태의 센서 유닛이 탑재된 차량을 나타낸 개략도.도 2는, 동 실시형태의 타이어 밸브가 림에 장착된 상태를 나타낸 사시도.도 3은, 동 실시형태의 타이어 밸브 및 센서 유닛을 나타낸 사시도.도 4는, 동 실시형태의 센서 유닛의 전기적 구성을 나타낸 블록도도 5는, 동 실시형태의 모드 제어 처리를 나타낸 플로우 차트. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명의 일 실시형태에 대하여 설명한다.도 1에 나타낸 바와 같이, 차량(10)에는 4개의 차륜(13)이 설치되고, 타이어 상태 감시장치(30)가 탑재된다. 각 차륜(13)은 차량용 휠(14), 차량용 휠(14)에 장착되는 타이어(15)로 구성된다.타이어 상태 감시장치(30)는, 각 차륜(13)에 설치되는 센서 유닛(31), 차량(10)의 차체에 설치되는 수신기 유닛(60)을 구비한다.도 2에 나타낸 바와 같이, 센서 유닛(31)은 차량용 휠(14)의 림(16)에 장착되는 타이어 밸브(17)에 설치되어 당해 타이어 밸브(17)에 일체화 되며, 차량용 휠(14)에 장착된 타이어(15) 내에 배치된다.도 3에 나타낸 바와 같이, 타이어 밸브(17)는 금속재료에 의해 통 형상으로 형성되는 밸브 스템(18), 밸브 스템(18)의 외주면에 장착되는 고무제의 동체부(19)를 갖는다. 밸브 스템(18) 내에는 도입로(미도시)가 형성된다. 밸브 스템(18)의 선단측에는 밸브 기구(미도시)가 내장되며, 밸브 스템(18)의 선단에는 캡(20)이 장착된다.센서 유닛(31)의 하우징(32) 내에는 압력 센서(42) 및 정전용량 센서(45) 등의 각종 전자부품, 전지 및 안테나 등이 수용된다. 압력 센서(42)는 타이어(15)의 압력을 검출하고, 정전용량 센서(45)는 타이어 밸브(17)의 정전용량을 검출하기 위한 타이어 밸브(17)와 전기적으로 접속된다.도 4에 나타낸 바와 같이, 각 센서 유닛(31)은 센서 유닛 컨트롤러(41), 압력 센서(42), 온도 센서(43), 가속도 센서(44), 정전용량 센서(45), RF 통신회로(46), RF 통신용 안테나(47) 및 전지(48)를 구비한다. 센서 유닛(31)은 전지(48)로부터의 전력공급에 의해 동작한다.상태 검출부로서의 압력 센서(42)는 타이어(15) 내의 공기압을 검출한다. 상태 검출부로서의 온도 센서(43)는 타이어(15) 내의 온도를 검출한다. 즉, 압력 센서(42) 및 온도 센서(43)는 타이어(15)의 상태를 검출한다. 가속도 센서(44)는 차륜(13)과 일체로 회전하여, 가속도 센서(44)에 작용하는 가속도를 검출한다. 특성 검출부로서의 정전용량 센서(45)는 차륜(13)에서의 타이어 밸브(17)의 밸브 스템(18)의 정전용량을 검출한다. 송신부 및 수신부로서의 RF 통신회로(46)은 극초단파 주파수대역(본 실시형태에서는 2.4GHz)의 전파를 사용하여, RF 통신용 안테나(47)를 통해 신호의 송수신을 행하는 회로이다. 본 실시형태에서, RF 통신회로(46)는 외부기기(예를 들면, 수신기 유닛(60), 또는 작업자가 휴대 가능한 트리거 신호 송신기)로부터 무선송신되는 신호(트리거 신호)를 수신 가능한 대기 상태와, 외부기기로부터 무선송신되는 신호를 수신 불가능한 휴지 상태로 설정 가능하다.센서 유닛 컨트롤러(41)는, CPU(41a), 기억부(41b)(RAM이나 ROM 등) 및 입출력 포트를 포함하는 마이크로 컴퓨터 등으로 이루어지는 제어회로 또는 프로세서이다. 센서 유닛 컨트롤러(41)의 기억부(41b)에는 센서 유닛(31)의 동작을 총괄적으로 제어하는 프로그램이 기억된다. 기억부(41b)에는 각 센서 유닛(31)에 고유의 식별번호인 ID 코드가 등록된다. 이 ID 코드는 각 센서 유닛(31)을 수신기 유닛(60)에서 식별하기 위하여 사용되는 정보이다. 센서 유닛 컨트롤러(41)는 제어부로서 기능한다.센서 유닛 컨트롤러(41), 상세하게는 CPU(41a)는 압력 센서(42)에 의해 검출된 타이어 공기압, 온도 센서(43)에 의해 검출된 타이어 내 온도, 및 가속도 센서(44)에 의해 검출된 가속도(중력가속도)를 미리 정해진 취득빈도로 취득한다. 센서 유닛 컨트롤러(41), 압력 센서(42) 및 온도 센서(43)를 구비하는 센서 유닛(31)은 타이어(15) 내에 배치되도록 밸브 스템(18)에 설치되는 타이어 상태 검출장치로서 기능한다.센서 유닛 컨트롤러(41)는 가속도 센서(44)로부터의 가속도 신호에 기초하여, 센서 유닛(31), 상세하게는 가속도 센서(44)에 작용하는 가속도를 특정 가능하다. 또한, 센서 유닛 컨트롤러(41)는 가속도 센서(44)로부터의 가속도 신호에 기초하여 차량(10)이 정차 중인지 주행 중인지를 판정한다. 예를 들면, 센서 유닛 컨트롤러(41)는 가속도 센서(44)에 의해 검출된 가속도가 소정범위(예를 들면, -1G~+1G의 범위)에서 변화하는 경우에 차량(10)이 주행 중이라고 판정한다.센서 유닛 컨트롤러(41)는 미리 정해진 출력 조건이 성립하였을 때, 타이어 공기압 데이터, 타이어 내 온도 데이터 및 ID 코드를 포함하는 송신 데이터를 RF 통신회로(46)로 출력한다. RF 통신회로(46)는 센서 유닛 컨트롤러(41)로부터 출력되는 송신 데이터를 변조하여 송신 신호를 생성하고, 송신 신호를 RF 통신용 안테나(47)로부터 무선송신한다. 본 실시형태에 있어서, 상기 출력 조건은 소정시간이 경과할 때에 성립한다. 즉, 센서 유닛 컨트롤러(41)는 소정시간이 경과할 때에 송신동작을 행한다. 상기 출력 조건은 타이어 공기압 또는 타이어 내 온도에 이상이 있다고 판정되었을 때를 더 포함할 수 있다.센서 유닛 컨트롤러(41)는 차량(10)이 정차 중이라고 판단될 경우, 또한, RF 통신회로(46)가 휴지 상태로 제어되고 있다고 판정될 경우, 정전용량 센서(45)로부터의 신호에 기초하여, 타이어 밸브(17)의 밸브 스템(18)의 정전용량을 특정하고, 특정한 정전용량을 나타내는 정전용량 데이터를 기억부(41b)에 기억한다. 본 실시형태에 있어서, 센서 유닛 컨트롤러(41)는 정전용량을 특정하여 정전용량 데이터를 기억하는 일련의 처리를 미리 정해진 주기(예를 들면, 1s)마다 약 1ms로 실행한다.센서 유닛 컨트롤러(41)는 특정한 밸브 스템(18)의 정전용량의 변화량이 미리 정해진 기준 변화량을 초과하였는지 여부를 판정한다. 타이어(15)가 교환되는 경우에는 타이어 밸브(17)의 밸브 스템(18)에 작업자가 접촉하기 때문에, 기준 변화량이, 밸브 스템(18)에 작업자가 접촉하였다고 추측할 수 있는 정전용량의 변화량으로 규정된다.센서 유닛 컨트롤러(41)는 차량(10)이 주행 중이라고 판정한 경우, 또는, RF 통신회로(46)가 대기 상태로 제어되고 있다고 판정한 경우, 밸브 스템(18)의 정전용량을 특정하는 처리를 실행하지 않는다.도 1에 나타낸 바와 같이, 수신기 유닛(60)은 수신기 유닛 컨트롤러(61), RF 수신회로(62) 및 수신 안테나(64)를 구비한다. 수신기 유닛 컨트롤러(61)에는 표시기(63)가 접속된다. 수신기 유닛 컨트롤러(61)는 CPU 및 기억부(ROM이나 RAM 등)를 포함하는 마이크로 컴퓨터 등으로 이루어진 프로세서로서, 기억부에는 수신기 유닛(60)의 동작을 총괄적으로 제어하는 프로그램이 기억된다. RF 수신회로(62)는 각 센서 유닛(31)으로부터 송신되어 수신 안테나(64)를 통해 수신된 신호를 복조하여 수신기 유닛 컨트롤러(61)로 보낸다.수신기 유닛 컨트롤러(61)는 RF 수신회로(62)에서 복조된 신호에 기초하여 송신원인 센서 유닛(31)에 대응하는 타이어(15)의 상태(타이어 공기압 및 타이어 내 온도)를 특정한다. 수신기 유닛 컨트롤러(61)는 타이어(15)의 상태에 관한 정보를 표시기(63)에 표시되도록 한다.본 실시형태에 있어서, 센서 유닛 컨트롤러(41)는, 통상 모드와, 외부기기로부터의 무선송신 신호의 수신에 대하여 통상 모드보다 소비전력을 저감할 수 있는 절전 모드 중 어느 한 모드를 제어 모드로서 설정 가능하다. 센서 유닛 컨트롤러(41)는 기억부(41b)에 할당된 제어 모드 플래그에 통상 모드를 나타내는 값 또는 절전 모드를 나타내는 값을 설정함으로써 제어 모드를 설정한다.본 실시형태에 있어서, 통상 모드에서는, 센서 유닛 컨트롤러(41)는 RF 통신회로(46)를 대기 상태로 설정한다. 한편, 절전 모드에서는, 센서 유닛 컨트롤러(41)는 RF 통신회로(46)를 휴지 상태로 설정한다.여기서, 도 5를 참조하여, 센서 유닛 컨트롤러(41)에 의해 미리 정해진 주기로 실행되는 모드 제어처리에 대하여 설명한다.최초로, 도 5에 도시된 바와 같이, 센서 유닛 컨트롤러(41)는 기억부(41b)에 할당된 제어 모드 플래그로부터 값을 읽어내고, 이 값에 기초하여 통상 모드인지 여부를 판정한다(스텝 S11). 통상 모드라고 판정되었을 경우, 센서 유닛 컨트롤러(41)는 RF 통신회로(46)가 트리거 신호를 수신하였는지 여부를 판정한다(스텝 S12). 본 실시형태에서, 트리거 신호는 타이어 교환이 행해질 경우에 센서 유닛(31)이 정상적으로 동작하는지, 타이어의 상태가 적정한지를 확인할 때, 혹은 센서 유닛(31)의 ID 코드가 설정될 때, 센서 유닛(31)을 제어하기 위해 외부기기로부터 송신되는 제어 신호이다. RF 통신회로(46)가 트리거 신호를 수신하였다고 판정되었을 경우, 센서 유닛 컨트롤러(41)는 트리거 신호 중에 포함되는 제어 정보에 따른 처리를 실행하고, 기억부(41b)에 할당된 제어 모드 플래그에 절전 모드를 나타내는 값을 설정하고, 제어 모드를 절전 모드로 설정한다(스텝 S15).RF 통신회로(46)가 트리거 신호를 수신하였다고 판정되지 않았을 경우, 센서 유닛 컨트롤러(41)는 제어 모드가 통상 모드로 설정되고 나서 규정시간이 경과하였는지를 판정한다(스텝 S13). 제어 모드가 통상 모드로 설정되고 나서 규정시간이 경과하였다고 판정된 경우, 센서 유닛 컨트롤러(41)는 기억부(41b)에 할당된 제어 모드 플래그에 절전 모드를 나타내는 값을 설정하고, 제어 모드를 절전 모드로 설정한다(스텝 S15).제어 모드가 통상 모드로 설정되고 나서 규정시간이 경과하였다고 판정되지 않을 경우, 센서 유닛 컨트롤러(41)는 차량(10)이 주행 중인지 여부를 판정한다(스텝 S14). 차량(10)이 주행 중이라고 판정되었을 경우, 센서 유닛 컨트롤러(41)는 기억부(41b)에 할당된 제어 모드 플래그에 절전 모드를 나타내는 값을 설정하고, 제어 모드를 절전 모드로 설정한다(스텝 S15). 차량(10)이 주행 중이라고 판정되지 않았을 경우, 센서 유닛 컨트롤러(41)는 스텝 S15를 실행하지 않고, 모드 제어 처리를 종료한다.통상 모드가 아니라고 판정되었을 경우(즉, 절전 모드라고 판정되었을 경우), 센서 유닛 컨트롤러(41)는 정전용량의 변화량이 기준 변화량을 초과하였는지 여부를 판정한다(스텝 S16). 정전용량의 변화량이 기준 변화량을 초과하였다고 판정되었을 경우, 센서 유닛 컨트롤러(41)는 기억부(41b)에 할당된 제어 모드 플래그에 통상 모드를 나타내는 값을 설정하고, 제어 모드를 통상 모드로 설정한다(스텝 S17). 절전 모드에서 정전용량의 변화량이 기준 변화량을 초과하지 않은 것으로 판정되었을 경우, 센서 유닛 컨트롤러(41)는 스텝 S15를 실행하지 않고 모드 제어를 종료한다.통상 모드의 개시 조건(즉, 절전 모드의 종료 조건)은 밸브 스템(18)의 정전용량의 변화량이 기준 변화량을 초과할 경우에 성립한다. 한편, 통상 모드의 종료 조건(즉, 절전 모드의 개시 조건)은 통상 모드에서 RF 통신회로(46)가 트리거 신호를 수신하였을 경우, 제어 모드가 통상 모드로 설정되고 나서 규정시간이 경과하였을 경우, 및 차량(10)이 주행 중일 경우의 적어도 어느 하나가 만족되었을 때 성립한다.다음으로, 본 실시형태의 센서 유닛(31)의 작용에 대하여 설명한다.각 센서 유닛(31)에 있어서, 통상 모드에서는 외부기기로부터의 무선송신 신호를 수신 가능한 대기 상태로 RF 통신회로(46)가 제어된다. 한편, 절전 모드에서는 외부기기로부터의 무선송신 신호를 수신 불가능한 휴지 상태로 RF 통신회로(46)가 유지된다. 차량(10)이 주행 중일 때, 또는, RF 통신회로(46)가 대기 상태로 제어될 때에는, 밸브 스템(18)의 정전용량을 특정하는 처리가 실행되지 않는다. 차량(10)이 정지 중이고, 또한, RF 통신회로(46)가 휴지 상태로 제어될 때에는, 밸브 스템(18)의 정전용량을 특정하는 처리가 실행된다.통상 모드에서 RF 통신회로(46)가 트리거 신호를 수신하였을 경우, 제어 모드가 통상 모드로 설정되고 나서 규정시간이 경과한 경우, 및, 차량(10)이 주행 중일 경우 중 어느 것이라도 만족되면, 통상 모드로부터 절전 모드로 제어 모드가 전환된다. 절전 모드에서 밸브 스템(18)의 정전용량의 변화량이 기준 변화량을 초과하였을 경우에는, 타이어 교환시에 작업자가 밸브 스템(18)에 접촉한 것으로서, 제어 모드가 통상 모드로 전환된다.따라서, 상기 실시형태에 의하면, 이하의 효과를 얻을 수 있다.1) 통상 모드시에, 종료 조건이 성립함으로써, 외부기기로부터의 무선송신 신호의 수신에 대하여, 통상 모드보다 소비전력이 작은 절전 모드로 제어 모드가 전환되므로, 외부기기로부터의 무선송신 신호의 수신에 대한 소비전력을 저감할 수 있다.2) 절전 모드시에, 타이어(15)가 교환될 때에 밸브 스템(18)에 작업자가 접촉하여 밸브 스템(18)의 정전용량의 변화량이 미리 정해진 기준 변화량을 초과하는 것을 계기로 제어 모드가 통상 모드로 전환되어, RF 통신회로(46)가 외부기기로부터의 무선송신 신호를 수신 가능한 대기 상태로 전환된다.3) RF 통신회로(46)는 극초단파 주파수대역의 전파를 사용한다. 이 경우, 초단파 주파수대역의 전파를 사용하는 경우보다 신호의 수신에 대한 소비전력이 커지나, 제어 모드가 절전 모드로 전환됨으로써, RF 통신회로(46)가 신호를 수신 가능한 대기 상태가 되는 빈도를 낮출 수 있어, 외부기기로부터의 무선송신 신호의 수신에 대한 소비전력을 저감할 수 있다.4) 통상 모드에서 RF 통신회로(46)의 대기 상태가 유지됨으로써, 트리거 신호의 수신이 가능해진다. RF 통신회로(46)가 트리고 신호를 수신함으로써, 통상 모드로부터 절전 모드로 제어 모드를 전환할 수 있어, 외부기기로부터의 무선송신 신호의 수신에 대한 소비전력을 저감할 수 있다.5) 제어 모드가 통상 모드로 전환되고 나서 미리 정해진 시간이 경과할 경우에, 통상 모드로부터 절전 모드로 제어 모드를 전환할 수 있고, RF 통신회로(46)가 대기 상태가되는 빈도를 낮출 수 있어, 외부기기로부터의 무선송신 신호의 수신에 대한 소비전력을 저감할 수 있다.6) 차량(10)이 주행 중일 경우에는 차량(10)이 정지 중일 경우보다 RF 통신회로(46)가 트리거 신호를 수신하는 빈도가 낮아지는 경향이 있다. 이 때문에, 트리거 신호를 수신하는 빈도가 낮아지는 상황인, 차량(10)이 주행 중인 것을 검지하였을 경우에, 통상 모드로부터 절전 모드로 제어 모드를 전환함으로써, RF 통신회로(46)가 대기 상태가 되는 빈도를 낮출 수 있어, 외부기기로부터의 무선송신 신호의 수신에 대한 소비전력을 저감할 수 있다.7) 차량(10)이 정지 중일 때에 타이어(15)의 교환이 행해지기 때문에, 차량(10)의 정지 중에 밸브 스템(18)의 정전용량을 특정하는 처리를 행함으로써, 제어 모드를 통상 모드로 전환할 수 있다. 차량(10)이 주행 중에 밸브 스템(18)의 정전용량을 특정하는 처리를 행하지 않아, 그만큼 소비전력을 저감할 수 있다.8) 통상 모드일 경우에는, RF 통신회로(46)가 이미 대기 상태가 되었기 때문에, 밸브 스템(18)의 정전용량을 특정하는 처리를 행하지 않아, 그만큼 소비전력을 저감할 수 있다.또한, 실시형태는 이하와 같이 변경할 수 있다.○ 밸브 스템(18)의 정전용량의 변화량이 기준 변화량을 초과하고 나서 미리 정해진 시간이 경과하면, 상기 실시형태의 조건과는 다른 이외의 조건이 성립하였을 때에 통상 모드의 개시 조건이 성립할 수 있다.○ 센서 유닛(31)은, 절전 모드에서, 통상 모드보다 소비전력이 낮다면, RF 통신회로(46)를 대기 상태로 제어할 수 있다. 구체적인 일례로는, 통상 모드에서는 RF 통신회로(46)를 제1규정주기로 외부기기로부터의 무선송신 신호를 수신 가능하게 하는 제1대기상태로 제어하고, 절전 모드에서는 RF 통신회로(46)를 제1규정주기보다 긴 제2규정주기로 외부기기로부터의 무선송신 신호를 수신 가능하게 하는 제2대기상태로 제어할 수 있다.○ 센서 유닛(31)은 차량(10)의 주행 중에 밸브 스템(18)의 정전용량에 대하여 판정을 행할 수 있다. 즉, 차량이 정지 중인지 주행 중인지에 상관없이, 센서 유닛(31)은 밸브 스템(18)의 정전용량을 특정하는 처리를 행할 수 있다.○ 센서 유닛(31)은 통상 모드(RF 통신회로(46)의 대기 상태)에서, 밸브 스템(18)의 정전용량에 대한 판정을 행할 수 있다. 즉, 제어 모드에 상관없이, 밸브 스템(18)의 정전용량을 특정하는 처리를 행할 수 있다.○ 송신회로와 수신회로를 별개로 설치할 수 있고, 송신회로와 수신회로에서 사용하는 주파수대역이 서로 다를 수 있다.○ 센서 유닛(31)은 극초단파 주파수대역의 전파를 사용하여 신호를 송신하였으나, 극초단파 이외의 주파수대역의 전파를 사용하여 신호를 송신할 수 있다.○ 인덕턴스나 저항값을 포함하는 복소 임피던스의 측정결과에 따라, 제어 모드를 통상 모드로 전환할 수 있다. 즉, 타이어(15)의 교환시 등에 있어서 타이어 밸브(17)로의 접촉이 추측 가능하도록 타이어 밸브(17)의 전기적 특성이 검출 가능하면 된다.○ 트리거 신호의 수신, 규정시간의 경과 및 차량(10)의 주행은 서로 다른 이외의 요인에 의해 통상 모드의 종료 조건이 성립할 수 있고, 이들 요인을 조합하여 통상 모드의 종료 조건이 성립할 수 있다.○ 센서 유닛(31)은, 타이어의 상태로서, 타이어 내의 공기압 및 온도를 검출하였으나, 이들 파라미터의 어느 일방을 검출할 수 있고, 타이어의 마모 정도 등 이외의 파라미터를 검출할 수도 있다.○ 센서 유닛(31)은, 4륜의 차량에서의 타이어(15)로의 적용에 한정되는 것은 아니고, 1~3륜의 차량, 5륜 이상의 차량의 타이어에 적용할 수 있다. [ 부호의 설명 ] 10: 차량13: 차륜14: 차량용 휠15: 타이어17: 타이어 밸브18: 밸브 스템30: 타이어 상태 감시장치31: 센서 유닛41: 센서 유닛 컨트롤러42: 압력 센서43: 온도 센서44: 가속도 센서45: 정전용량 센서46: RF 통신회로48: 전지60: 수신기 유닛
타이어 상태 검출장치는, 상태 검출부, 송신부, 수신부, 제어부, 특성 검출부, 상기 장치의 전력원이 되는 전지를 구비한다. 상태 검출부는 타이어의 상태를 검출하고, 송신부는 상태 검출부에 의해 검출된 정보를 포함하는 신호를 무선송신한다. 수신부는 외부기기로부터 무선송신되는 신호를 수신 가능하고, 제어부는 송신부 및 수신부의 제어를 행한다. 특성 검출부는 밸브 스템의 전기적 특성을 검출한다. 제어부는, 수신부를 외부기기로부터의 무선송신 신호를 수신 가능한 대기 상태로 유지하는 통상 모드와, 외부기기로부터의 무선송신 신호의 수신에 대하여 통상 모드보다 소비전력이 작은 절전 모드로부터 선택되는 제어 모드로 동작한다. 제어부는, 특성 검출부에 의해 검출되는 밸브 스템의 전기적 특성의 변화량이 기준 변화량을 초과하였을 경우에 제어 모드를 통상 모드로 전환하고, 통상 모드시에 종료 조건이 성립하였을 때에 제어 모드를 절전 모드로 전환한다.
[ 발명의 명칭 ] 이미지들을 인코딩 및 디코딩하기 위한 방법, 인코딩 및 디코딩 디바이스, 및 압축 컴퓨터 프로그램들METHOD FOR ENCODING AND DECODING IMAGES, ENCODING AND DECODING DEVICE, AND CORRESPONDING COMPUTER PROGRAMS [ 기술분야 ] 본 발명은 일반적으로 이미지 프로세싱의 분야에 관한 것으로, 보다 정확하게는, 디지털 이미지들 및 디지털 이미지들의 시퀀스의 코딩 및 디코딩에 관한 것이다. 본 발명은 따라서, 특히, 현재의 비디오 코더들(MPEG, H.264 등) 또는 근간의 비디오 코더들(ITU-T/VCEG(H.265) 또는 ISO/MPEG(HVC))에서 실시되는 비디오 코딩에 적용될 수 있다. [ 배경기술 ] 현재의 비디오 코더들(MPEG, H264 등)은 비디오 시퀀스의 블록-방식(blockwise) 표시를 이용한다. 이미지들은 매크로-블록들로 세그먼트화되고(segmented), 각 매크로-블록은 그 자체를 블록들로 세그먼트화하며, 각 블록, 또는 매크로-블록은 인트라(intra)-이미지 또는 인터(inter)-이미지 예측에 의해 코딩된다. 따라서, 당업자에 의해 알려진 움직임 보상으로 하나 또는 둘 이상의 코딩-디코딩된 기준 이미지들에 대하여, 어떤 이미지들은 공간 예측(인트라 예측)에 의해 코딩되는 한편, 다른 이미지들은 시간 예측(인터 예측)에 의해 코딩된다. 게다가, 각 블록에 대하여, 원래 블록 마이너스 예측에 대응하는 잔차 블록(residual block)이 코딩될 수 있다. 이런 블록의 계수들은 가능하면 변환(transformation) 후에 양자화되고, 그 다음 엔트로피 코더에 의해 코딩된다. 인트라 예측 및 인터 예측은 이전에 코딩 및 디코딩되었던 어떤 블록들이 현재 블록을 예측하기 위해 디코더 또는 코더 중 어느 하나에서 사용될 수 있도록 이용가능한 것을 필요로 한다. 이와 같은 예측 코딩의 개략적 예가 도 1에 도시되는데, 여기서, 이미지 IN는 블록들로 분할되고, 이런 이미지의 현재 블록 MBi은 해칭된 화살표에 의해 표시된 바와 같은, 미리 결정된 수 3개의 이전에 코딩 및 디코딩된 블록들 MBr1, MBr2 및 MBr3에 대하여 예측 코딩이 이루어진다. 상술한 3개의 블록들은, 특히, 현재 블록 MBi의 좌측에 바로 위치된 블록 MBr1, 및 현재 블록 MBi의 바로 위 및 우측 위에 각각 위치된 2개의 블록들 MBr2 및 MBr3을 포함한다. 엔트로피 코더가 여기서 더욱 특별한 관심대상이다. 엔트로피 코더는 도착의 순서로 정보를 인코딩한다. 이미지의 상단 좌측의 블록에서 시작하는 기준 PRS에 의해 도 1에 도시된 바와 같이, 전형적으로 블록들의 행 단위(row-by-row) 순회(traversal)는 "래스터-주사(raster-scan)" 형태로 수행된다. 각 블록에 대하여, 블록의 표현을 위해 필요한 정보의 다양한 항목들(블록의 유형, 예측의 모드, 잔차 계수(residual coefficient)들 등)은 엔트로피 코더로 순차적으로 보내진다. AVC 압축 표준(또한 ISO-MPEG4 part 10 및 ITU-T H.264란 명칭으로 알려진)으로 도입된 합리적인 복잡성의 효율적인 산술 코더(arithmetical coder), 소위 "CABAC"("Context Adaptive Binary Arithmetic Coder")가 이미 알려져 있다. 이런 엔트로피 코더는 다양한 개념들을 실시한다:- 산술 코딩 : 문서 J. Rissanen and G. G. Langdon Jr, "Universal modeling and coding," IEEE Trans. Inform. Theory, vol. IT-27, pp. 12-23, Jan. 1981에서 처음으로 설명된 바와 같은 코더는 심볼을 코딩하기 위해 이런 심볼의 발생의 확률을 사용한다;- 콘텍스트(context)에 적응 : 여기서, 이는 코딩될 심볼들의 발생의 확률의 적응을 의미한다. 한편, 학습이 작동 중(on the fly) 수행된다. 다른 한편, 이전 코딩된 정보의 상태에 따라 특정 콘텍스트가 코딩을 위해 사용된다. 각 콘텍스트에 대하여, 심볼의 발생의 고유(inherent) 확률이 대응되어 있다. 예를 들면, 콘텍스트는 주어진 구성 또는 이웃의 상태(예를 들면, 이웃으로부터 선택된 "인트라" 모드들의 수 등)에 따라 코딩된 심볼의 유형(잔차의 계수의 표시 또는 코딩 모드의 시그널링(signaling) 등)에 대응한다;- 이진화(binarization) : 코딩될 심볼들의 일련의 비트들의 정형(shaping)이 수행된다. 그 후에, 이들 다양한 비트들은 연속하여 이진 엔트로피 코더로 보내진다. 따라서, 이들 엔트로피 코더는, 사용된 각 콘텍스트에 대하여, 고려중인(under consideration) 콘텍스트를 위해 이전에 코딩된 심볼들에 대하여 확률들을 작동중 학습하기 위한 시스템을 실시한다. 이런 학습은 이들 심볼들의 코딩의 순서에 기반한다. 전형적으로, 이미지는 앞에서 설명된 "래스터-주사" 유형의 순서에 따라 순회된다(traversed). 0 또는 1과 같을 수 있는 주어진 심볼 b의 코딩 동안, 이들 심볼의 발생의 확률 Pi의 학습은 다음의 방식으로 현재 블록 MBi에 대하여 업데이트 된다 : 여기서, α는 미리 결정된 값, 예를 들면, 0.95이고 Pi-1은 이런 심볼의 마지막 발생 동안 연산된 심볼 발생 확률이다. 이런 엔트로피 코딩의 개략적 예가 도 1에 도시되는데, 여기서 이미지 IN의 현재 블록 MBi는 엔트로피 코딩이 이루어진다. 블록 MBi의 엔트로피 코딩이 시작되면, 사용된 심볼 발생 확률들은 "래스터 주사" 유형의 블록들의 상술한 행 단위 순회에 따라 현재 블록 MBi에 바로 앞서는 것인, 이전에 코딩 및 디코딩된 블록의 코딩 이후에 이렇게 획득된 것들이다. 블록 간(block-to-block) 의존에 기반한 이런 학습은 어떤 블록들에 대하여 단지 도면의 명료성을 위해, 얇은 선 화살표들로 도 1에서 표시된다. 이런 유형의 엔트로피 코딩의 문제점은 행의 시작에 위치된 심볼을 코딩하는 경우, 블록들의 "래스터 주사" 순회를 고려하면, 사용된 확률들이 주로 이전 행의 마지막에 위치된 심볼들에 대하여 관측된 것에 대응한다는 사실에 있다. 이제, 심볼 확률들의 가능한 공간 변화 때문에(예를 들면, 움직임 정보의 항목과 관련된 심볼에 대하여, 이미지의 우측 부분에 위치된 움직임은 좌측 부분에서 관찰된 것과 상이할 수 있고, 따라서 뒤따른 국부(local) 확률들에 대해서도 유사함), 확률들의 국부적 일치(conformity)의 부족이 관찰될 수 있고, 그에 의해 코딩 동안 효율성의 손실을 초래할 수 있다. 이런 현상을 제한하기 위해, 코딩 및 디코딩이 순차적인 채로 남아있지만, 더 우수한 국부 정합성(consistency)의 보장을 목표로 블록들의 순회의 순서의 수정들에 대한 제안들이 이루어졌다. 그 안에 이런 유형의 엔트로피 코더의 다른 문제점이 있다. 실제로, 심볼의 코딩 및 디코딩이 그것에 학습된 확률의 상태에 의존하면, 심볼들의 디코딩은 코딩 동안 사용된 것과 동일 순서로만 이루어질 수 있다. 전형적으로, 디코딩은 순차적이어야만 할 수 있고, 따라서, 몇몇 심볼들의 병렬 디코딩을 방지한다(예를 들면, 멀티-코어 아키텍쳐들로부터 이익을 얻기 위해). 문헌 : Thomas Wiegand, Gary J. Sullivan, Gisle Bjontegaard, 및 Ajay Luthra, "Overview of the H.264/AVC Video Coding Standard", IEEE Transactions on Circuits and Systems for Video Technology, Vol. 13, No. 7, pp. 560-576, July 2003은 CABAC 엔트로피 코더가 비-정수의 비트들을 코딩될 현재 알파벳의 각 심볼에 할당하는 특별한 특징을 갖고, 이는 0.5보다 큰 심볼 발생 확률들에 대해 유리하다고 또한 언급한다. 특히, CABAC 코더는 그것이 몇몇 심볼들을 판독할 때까지 대기하고, 그 다음 판독된 이런 심볼들의 세트에, 코더가 디코더로 전송될 압축된 스트림에 기록하는 미리 결정된 수의 비트들을 할당한다. 이런 제공은 몇몇 심볼들에 대한 비트들을 "상호적으로 하는 것(mutualize)", 그리고 분수의 비트들에 관한 심볼을 코딩하는 것을 가능하게 하며, 이런 수는 심볼에 의해 실제로 이송된 정보와 근접한 정보를 반영한다. 판독된 심볼들과 관련된 다른 비트들은 압축된 스트림으로 전송되는 것이 아니라, 이런 다른 비트들을 다시 상호적으로 하는 것을 가능하게 하는 CABAC 코더에 의해 판독된 하나 또는 둘 이상의 새로운 심볼들에 할당되도록 대기하면서 대기중이다. 알려진 방식으로, 엔트로피 코더는 주어진 순간에 이들 전송하지 않은 비트들의 "비움(emptying)"을 착수한다. 달리 말하면, 상기 주어진 순간에, 코더는 아직 전송되지 않은 비트들을 추출하고 그것들을 디코더로 목적지가 예정된(destinated) 압축된 스트림에 기록한다. 이런 비움은 압축된 스트림이, 디코더가 알파벳의 심볼들을 모두 디코딩하게 할 비트들을 모두 포함함을 보장하도록, 예를 들면, 코딩될 마지막 심볼들이 판독되었던 순간에 발생한다. 더 일반적인 방식으로, 비움이 수행된 순간은 주어진 코더/디코더에 독특한 성능 및 기능성들의 함수로서 결정된다. 2011년 4월 15일자의 인터넷 어드레스 http://research.microsoft.com/en-us/um/people/jinl/paper_2002/msri_jpeg.htm 에서 이용가능한 문헌은 JPEG 2000 압축 표준을 따르는 정지 이미지들을 코딩하기 위한 방법을 설명한다. 이런 방법에 따르면, 정지 이미지 데이터는 이산 웨이브렛 변환(discrete wavelet transform)이 이루어지고 뒤이어 양자화가 이루어지며, 그에 의해 양자화 지수들과 각각 관련된 양자화된 웨이브렛 계수들을 획득하는 것을 가능하게 한다. 획득된 양자화 지수들은 엔트로피 코더로 코딩된다. 양자화된 계수들은 소위 코딩-블록들, 전형적으로 크기가 64×64 또는 32×32인 직사각형 블록들로 미리 분류된다. 각 코딩-블록은 그 후에 엔트로피 코딩에 의해 독립적으로 코딩된다. 따라서, 엔트로피 코더는, 그것이 현재 코딩-블록의 코딩을 착수하는 경우, 이전 코딩-블록들의 코딩 동안 연산된 심볼 발생 확률들을 이용하지 않는다. 엔트로피 코더는 따라서 코딩-블록의 코딩의 각 시작에서 초기화된 상태이다. 이런 방법은 이웃하는 코딩-블록들을 디코딩해야 할 필요 없이 코딩-블록의 데이터를 디코딩하는 장점을 나타낸다. 따라서, 예를 들면, 하나의 클라이언트 소프트웨어가 이미지의 식별된 서브-부분을 디코딩하기 위해 오직 클라이언트에 의해서만 필요한 압축된 코딩-블록들을 제공하도록 하나의 서버 소프트웨어를 요청할 수 있다. 이런 방법은 또한 코딩-블록들의 병렬 인코딩 및/또는 디코딩을 허용하는 장점을 나타낸다. 따라서, 코딩-블록들의 크기가 작아질수록, 병렬 계산(parallelism)의 레벨은 높아진다. 예를 들면, 2로 고정된 병렬 계산의 레벨에 대하여, 2개의 코딩-블록들이 병렬로 코딩 및/또는 디코딩될 것이다. 이론적으로, 병렬 계산의 레벨의 값은 이미지의 코딩될 코드-블록들의 수와 동일하다. 그러나, 이런 방법으로 획득된 압축 성능은, 이런 코딩이 현재 코드-블록의 당면한 환경에 기인하는 확률들을 이용하지 않는다는 사실을 감안하면, 최적이지 않다. [ 발명의 개요 ] 본 발명의 목적들 중 하나는 상술한 종래 기술들의 문제점들을 해결하는 것이다. 이를 위해, 본 발명의 주제는 다음 단계들을 포함하는 적어도 하나의 이미지를 코딩하기 위한 방법에 관한 것이다 : - 미리 결정된 심볼들의 세트에 속하는 심볼들을 포함할 수 있도록 상기 이미지를 복수의 블록들로 세그먼트화하는 단계,- 블록들을 미리 결정된 수의 블록들의 서브세트들로 분류하는 단계,- 엔트로피 코딩 모듈에 의해, 고려중인 서브세트의 각 블록의 심볼들과 디지털 정보를 연관시킴으로써, 상기 블록들의 서브세트들의 각각을 코딩하는 단계 - 상기 코딩 단계는 상기 이미지의 첫 번째 블록에 대하여, 상기 엔트로피 코딩 모듈의 상태 변수들을 초기화하는 서브-단계를 포함함 -, - 상기 코딩된 블록들의 서브세트들 중 적어도 하나를 나타내는 적어도 하나의 데이터 서브-스트림을 생성하는 단계. 본 발명에 따른 상기 방법은 다음에 주목할 만하다 :- 현재 블록이 고려중인 서브세트의 코딩될 상기 첫 번째 블록인 경우, 상기 첫 번째 현재 블록에 대한 심볼 발생의 확률들의 결정이 착수되고, 상기 확률들은 적어도 하나의 다른 서브세트의 코딩된 및 디코딩된 미리 결정된 블록에 대하여 결정되었던 것이며,- 상기 현재 블록이 고려중인 상기 서브세트의 마지막 코딩된 블록인 경우, 다음이 착수된다 :● 고려중인 상기 서브세트를 나타내는 상기 서브-스트림에, 고려중인 상기 서브세트의 블록들의 코딩 동안 상기 심볼들과 연관되었던 상기 디지털 정보의 전체의 기록,● 상기 초기화 서브-단계의 실시. 앞서 설명된 상기 기록 단계는, 설명부에서 위에 설명되었던 바와 같이, 서브 세트의 블록들 중 마지막 블록이 코딩되자마자, 아직 전송되지 않은 디지털 정보(비트들)의 비움을 수행하는 단계에 해당한다. 상술한 기록 단계 및 엔트로피 코딩 모듈을 재초기화하는 단계의 결합은 적어도 하나의 코딩된 블록들의 서브세트에 각각 대응하는 다양한 데이터 서브-스트림들을 포함하는 코딩된 데이터 스트림을 생성하는 것을 가능하게 하고, 상기 스트림은 병렬 계산의 다양한 레벨들에 따라 병렬로 디코딩되도록 적응되며, 이는 블록들의 서브세트들에 적용되었던, 순차적인 또는 병렬의 코딩의 유형에 관계없다. 따라서, 큰 자유도는, 기대된 코딩/디코딩 성능의 함수로서, 병렬 계산의 레벨의 선택에 대하여 디코딩시 획득될 수 있다. 디코딩시 병렬 계산의 레벨은 가변적이고, 블록들의 서브세트의 디코딩을 시작하는 경우, 디코더는 항상 초기화된 상태이기 때문에, 코딩시 병렬 계산의 레벨과 상이할 수도 있다. 제 1 예에 따르면, 엔트로피 코딩 모듈의 상태 변수들은 미리 결정된 심볼들의 세트의 심볼들 중에서 심볼의 발생의 확률을 나타내는 간격의 2개의 한계이다. 제 2 예에 따르면, 엔트로피 코딩 모듈의 상태 변수들은 당업자에게 잘 알려진 LZW(Lempel-Ziv-Welch) 엔트로피 코더의 변환 테이블에 포함된 심볼들의 스트링들이고, 2011년 6월 21일자의 다음의 인터넷 어드레스에 설명된다 : http://en.wikipedia.org/wiki/Lempel%E2%80%93Ziv%E2%80%93Welch.고려된 블록들의 서브세트의 첫 번째 현재 블록의 엔트로피 코딩 동안 상기 다른 서브세트의 첫 번째 블록에 대하여 결정된 심볼 발생 확률들을 이용하는 주요한 장점은 상기 다른 서브세트의 다른 연속적인 블록들에 의해 학습된 심볼 발생 확률들을 고려하지 않고, 상기 심볼 발생 확률들의 업데이트 만을 버퍼 메모리에 저장함으로써 코더의 버퍼 메모리를 절약하는 것이다. 고려된 블록들의 서브세트의 첫 번째 현재 블록의 엔트로피 코딩 동안, 상기 다른 서브세트의 첫 번째 블록 이외의 블록, 예를 들면, 두 번째 블록에 대하여 결정된 심볼 발생 확률들을 이용하는 주요한 장점은 더 정확한 획득 및 따라서 심볼들의 발생의 확률들의 더 우수한 학습이며, 그에 의해 우수한 비디오 압축 성능을 초래한다. 특정 실시예에서, 상기 블록들의 서브세트들은 순차적으로 아니면 병렬로 코딩된다. 블록들의 서브세트들이 순차적으로 코딩된다는 사실은 H.264/MPEG-4 AVC 표준에 따르는 본 발명에 따른 코딩 방법을 제공하는 장점을 갖는다. 블록들의 서브세트들이 병렬로 코딩된다는 사실은 코더 프로세싱 시간을 가속화하고, 이미지의 코딩을 위한 다중 플랫폼 아키텍쳐로부터 이익을 얻는 장점을 갖는다. 다른 특정 실시예에서, 적어도 두 개의 블록들의 서브세트들이 적어도 하나의 다른 블록들의 서브세트와 병렬로 코딩되는 경우, 상기 적어도 두 개의 코딩된 블록들의 서브세트들은 동일한 데이터 서브-스트림에 포함된다. 이런 제공은 특히 데이터 서브-스트림들의 시그널링을 절약하는 것을 가능하게 한다. 실제로, 디코딩 유닛이 서브-스트림을 가능한 일찍 디코딩할 수 있도록, 압축된 파일에서 검토중인 서브-스트림이 시작하는 위치를 나타내는 것이 필요하다. 몇몇 블록들의 서브세트들은 동일한 데이터 서브-스트림에 포함되고, 단일 표시자(indicator)가 필요하며, 그에 의해 압축된 파일의 크기가 감소시킨다. 또 다른 특정 실시예에서, 상기 코딩된 블록들의 서브세트들이 미리 결정된 순서로 병렬로 디코딩되도록 의도될 때, 상기 블록들의 서브세트들의 각각을 각각 코딩한 후 전달되는 상기 데이터 서브-스트림들은 그들의 디코딩을 목적으로 전송되기 전에 상기 미리 결정된 순서에 따라 먼저 정렬된다(orderd). 이런 제공은 이미지를 디코딩하고 그 다음 재-인코딩해야할 필요 없이, 코딩된 데이터 스트림을 특정한 유형의 디코딩에 적응시키는 것을 가능하게 한다. 상관적으로, 본 발명은 추가로 다음을 포함하는 적어도 하나의 이미지를 코딩하기 위한 디바이스에 관한 것이다 : - 미리 결정된 심볼들의 세트에 속하는 심볼들을 포함할 수 있도록 상기 이미지를 복수의 블록들로 세그먼트화하기 위한 수단,- 상기 블록들을 미리 결정된 수의 블록들의 서브세트들로 분류하기 위한 수단,- 상기 블록들의 서브세트들의 각각을 코딩하기 위한 수단 - 상기 코딩 수단은 고려중인 서브세트의 각 블록의 심볼들과 디지털 정보를 연관시킬 수 있도록 엔트로피 코딩 모듈을 포함하고, 상기 코딩 수단은 상기 이미지의 첫 번째 블록에 대하여, 상기 엔트로피 코딩 모듈의 상태 변수들을 초기화하기 위한 서브-수단을 포함함 -, - 상기 코딩된 블록들의 서브세트들 중 적어도 하나를 나타내는 적어도 하나의 데이터 서브-스트림을 생성하기 위한 수단.이런 코딩 디바이스는 그것이 다음을 포함한다는 것에 주목할 만하다 : - 현재 블록이 고려중인 서브세트의 코딩될 상기 첫 번째 블록인 경우, 적어도 하나의 다른 서브세트의 코딩된 및 디코딩된 미리 결정된 블록에 대하여 결정되었던 것과 같이, 상기 첫 번째 블록에 대한 심볼 발생의 확률들을 결정하는, 상기 현재 블록에 대한 심볼 발생의 확률들을 결정하기 위한 수단, - 상기 현재 블록이 고려중인 상기 서브세트의 마지막 코딩된 블록인 경우, 고려중인 상기 서브세트를 나타내는 상기 서브-스트림에, 고려중인 상기 서브세트의 블록들의 코딩 동안 상기 심볼들과 연관되었던 상기 디지털 정보의 전체를 기록하도록 활성화되는 기록 수단을 포함하고, 상기 초기화 서브-수단은 또한 상기 엔트로피 코딩 모듈의 상기 상태 변수들을 재초기화하도록 활성화된다. 대응하는 방식으로, 본 발명은 또한 적어도 하나의 코딩된 이미지를 나타내는 스트림을 디코딩하기 위한 방법에 관한 것이고, 이는 다음을 포함한다 : - 디코딩될 적어도 하나의 블록들의 서브세트에 각각 대응하는 미리 결정된 수의 데이터 서브-스트림들을 상기 스트림에서 식별하는 단계 - 상기 블록들은 미리 결정된 심볼들의 세트에 속하는 심볼들을 포함할 수 있음 -,- 엔트로피 디코딩 모듈에 의해, 상기 식별된 서브-스트림들 중 적어도 하나에서, 상기 적어도 하나의 식별된 서브-스트림에 대응하는 서브세트의 각 블록의 심볼들과 연관된 디지털 정보를 판독함으로써, 상기 식별된 블록들의 서브세트들을 디코딩하는 단계 - 상기 디코딩 단계는 상기 이미지의 디코딩될 첫 번째 블록에 대하여, 상기 엔트로피 디코딩 모듈의 상태 변수들을 초기화하는 서브-단계를 포함함 -. 이런 디코딩 방법은 다음에 주목할 만하다 : - 현재 블록이 고려중인 서브세트의 디코딩될 상기 첫 번째 블록인 경우, 고려중인 상기 서브세트의 상기 첫 번째 블록에 대한 심볼 발생의 확률들의 결정이 착수되고, 상기 확률들은 적어도 하나의 다른 서브세트의 디코딩된 미리 결정된 블록에 대하여 결정되었던 것들이고, - 상기 현재 블록이 고려중인 서브세트의 마지막 디코딩된 블록인 경우, 상기 초기화 서브-단계의 실시가 착수된다. 특정 실시예에서, 상기 블록들의 서브세트들은 순차적으로 아니면 병렬로 디코딩된다. 다른 특정 실시예에서, 적어도 두 개의 블록들의 서브세트들이 적어도 하나의 다른 블록들의 서브세트와 병렬로 디코딩되는 경우, 상기 식별된 데이터 서브-스트림들 중 하나는 상기 적어도 두 개의 블록들의 서브세트들을 나타낸다. 또 다른 특정 실시예에서, 상기 코딩된 블록들의 서브세트들이 미리 결정된 순서로 병렬로 디코딩되도록 의도된 경우, 상기 코딩된 블록들의 서브세트들에 각각 대응하는 상기 데이터 서브-스트림들은 디코딩될 상기 스트림에서 상기 미리 결정된 순서로 미리 정렬된다. 상관적으로, 본 발명은 추가로 적어도 하나의 코딩된 이미지를 나타내는 스트림을 디코딩하기 위한 디바이스에 관한 것이며, 이는 다음을 포함한다 : - 디코딩될 적어도 하나의 블록들의 서브세트에 각각 대응하는 미리 결정된 수의 데이터 서브-스트림들을 상기 스트림에서 식별하기 위한 수단 - 상기 블록들은 미리 결정된 심볼들의 세트에 속하는 심볼들을 포함할 수 있음 -,- 상기 식별된 블록들의 서브세트들을 디코딩하기 위한 수단 - 상기 디코딩 수단은 상기 식별된 서브-스트림들 중 적어도 하나에서, 상기 적어도 하나의 식별된 서브-스트림에 대응하는 서브세트의 각 블록의 심볼들과 연관된 디지털 정보를 판독할 수 있도록 엔트로피 디코딩 모듈을 포함하고, 상기 디코딩 수단은 상기 이미지의 디코딩될 첫 번째 블록에 대하여, 상기 엔트로피 디코딩 모듈의 상태 변수들을 초기화하기 위한 서브-수단을 포함함 -.이런 디코딩 디바이스는, 그것이, 현재 블록이 고려중인 서브세트의 디코딩될 상기 첫 번째 블록인 경우, 적어도 하나의 다른 서브세트의 디코딩된 미리 결정된 블록에 대하여 결정되었던 것과 같이, 상기 첫 번째 블록에 대한 심볼 발생의 확률들을 결정하는, 현재 블록에 대한 심볼 발생의 확률들의 결정하기 위한 수단을 포함하고, 상기 현재 블록이 고려중인 서브세트의 마지막 디코딩된 블록인 경우, 상기 초기화 서브-수단은 상기 엔트로피 디코딩 모듈의 상기 상태 변수들을 재초기화하도록 활성화되는 점에 주목할 만하다. 본 발명은 또한 프로그램이 컴퓨터에 의해 실행되는 경우, 앞서 설명한 코딩 또는 디코딩 방법의 단계들의 실행을 위한 명령들을 포함하는 컴퓨터 프로그램을 목적으로 한다. 이런 프로그램은 임의의 프로그래밍 언어를 사용할 수 있고, 소스 코드, 목적 코드(object code), 또는 부분적으로 컴파일된 형태와 같은, 소스 코드와 목적 코드 사이의 중간 코드의 형태 또는 임의의 다른 바람직한 형태일 수 있다. 본 발명의 또 다른 주제는 또한 컴퓨터에 의해 판독 가능하고 상술한 바와 같은 컴퓨터 프로그램 명령들을 포함하는 기록 매체를 목적으로 한다. 기록 매체는 프로그램을 저장할 수 있는 임의의 엔티티 또는 디바이스일 수 있다. 예를 들면, 이런 매체는 ROM과 같은 저장 수단, 예를 들면, CD ROM 또는 마이크로 전자 회로 ROM, 또는 그 외의 자기 기록 수단, 예를 들면, 디스켓(플로피 디스크) 또는 하드 디스크를 포함할 수 있다. 게다가, 이런 기록 매체는 전기 또는 광학 케이블을 통하여, 무선에 의해, 또는 다른 수단에 의해 전달될 수 있는 전기 또는 광학 신호와 같은 전달 가능한 매체일 수 있다. 본 발명에 따른 프로그램은 특히 인터넷 유형의 네트워크로부터 다운로드될 수 있다. 대안적으로, 이런 기록 매체는 프로그램이 그 안에 통합되는 집적회로일 수 있고, 회로는 검토중인 방법을 실행하기 위해 또는 프로그램의 실행에 사용되도록 적응될 수 있다. 상술한 코딩 디바이스, 디코딩 방법, 디코딩 디바이스 및 컴퓨터 프로그램들은 본 발명에 따른 코딩 방법에 의해 부여되는 것들과 적어도 동일한 장점을 나타낸다. 다른 특징들 및 장점들은 도면들을 참조하여 설명된 2개의 바람직한 실시예들을 읽을 때 명백하게 될 것이다. [ 도면의 간단한 설명 ] - 도 1은 종래 기술의 이미지 코딩 다이어그램을 도시하고,- 도 2a는 본 발명에 따른 코딩 방법의 주요 단계들을 도시하며,- 도 2b는 도 2a의 코딩 방법에서 실시되는 코딩을 상세하게 도시하고,- 도 3a는 본 발명에 따른 코딩 디바이스의 제 1 실시예를 도시하며,- 도 3b는 도 3a의 코딩 디바이스의 코딩 유닛을 도시하고,- 도 3c는 본 발명에 따른 코딩 디바이스의 제 2 실시예를 도시하며,- 도 4a는 제 1 바람직한 실시예에 따른 이미지 코딩/디코딩 다이어그램을 도시하고,- 도 4b는 제 2 바람직한 실시예에 따른 이미지 코딩/디코딩 다이어그램을 도시하며,- 도 5a는 본 발명에 따른 디코딩 방법의 주요 단계들을 도시하고, - 도 5b는 도 5a의 디코딩 방법에서 실시되는 디코딩을 상세하게 도시하며,- 도 6a는 본 발명에 따른 디코딩 디바이스의 실시예를 도시하고,- 도 6b는 도 6a의 디코딩 디바이스의 디코딩 유닛을 도시하며,- 도 7a는 순차적 유형의 코딩 및 병렬 유형의 디코딩을 실시하는 이미지 코딩/디코딩 다이어그램을 도시하고,- 도 7b는 각각 상이한 병렬 계산의 레벨들로 병렬 유형의 코딩/디코딩을 실시하는 이미지 코딩/디코딩 다이어그램을 도시한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 코딩 부분의 제 1 실시예의 상세한 설명본 발명의 실시예가 이제 설명될 것이고, 여기서, 본 발명에 따른 코딩 방법은 H.264/MPEG-4 AVC 표준을 따르는 코딩에 의해 획득되는 것과 많이 유사한 이진 스트림에 따른 이미지들의 시퀀스를 코딩하도록 사용된다. 이런 실시예에서, 본 발명에 따른 코딩 방법은, 예를 들면, 초기에 H.264/MPEG-4 AVC 표준을 따르는 코더의 수정들에 의해 소프트웨어 또는 하드웨어 방식으로 실시된다. 본 발명에 따른 코딩 방법은 도 2a에 도시된 단계들(C1 내지 C5)을 포함하는 알고리즘의 형태로 도시된다. 본 발명의 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 코딩 방법은 코딩 디바이스(CO)에서 실시되는데, 이들 중 2개의 실시예들이 도 3a 및 도 3c에 각각 도시된다. 도 2a를 참조하여, 제 1 코딩 단계(C1)는, 도 4a 또는 도 4b에 도시된 바와 같이, 코딩될 이미지들의 시퀀스의 이미지(IE)를 복수의 블록들 또는 매크로-블록들(MB)로 세그먼트화하는 단계이다. 상기 매크로-블록들은 하나 또는 둘 이상의 심볼들을 포함할 수 있고, 상기 심볼들은 미리 결정된 심볼들의 세트의 일부를 형성한다. 도시된 예들에서, 상기 블록들(MB)은 정사각형 형상을 갖고 모두가 동일한 크기를 갖는다. 반드시 블록들의 크기의 배수일 필요는 없는 이미지의 크기의 함수로서, 좌측 상의 마지막 블록들 및 하부에서 마지막 블록들은 정사각형이 아닐 수 있다. 대안적인 실시예에서, 블록들은 예를 들면, 직사각형 크기일 수 있고, 및/또는 서로 정렬되지 않을 수 있다. 각 블록 또는 매크로블록은 게다가 그 자체로 그것들 자체가 세분될 수 있는(subdividable) 서브-블록들로 분할될 수 있다. 이런 세그먼트화는, 예를 들면, 그런 잘 알려진 파티션 알고리즘을 사용하는 도 3a에 도시된 파티션(partition) 모듈(PCO)에 의해 수행된다. 도 2a를 참조하여, 제 2 코딩 단계(C2)는 상술한 블록들을 순차적으로 또는 병렬로 코딩되도록 의도된, 미리 결정된 수(P)의 연속하는 블록들의 서브세트들(SE1, SE2,...,SEk,...SEP)로 분류하는 단계이다. 도 4a 및 도 4b에 도시된 예들에서, P=6이지만, 도면들의 명확성을 위해 단지 4개의 서브세트들(SE1, SE2, SE3, SE4)만 도시된다. 이들 4개의 블록들의 서브세트들은 각각 대시(dash) 도시되고, 이미지(IE)의 첫 번째 4개의 블록들의 열들로 각각 구성된다. 이런 분류는 그 자체로 잘 알려진 알고리즘으로 도 3a에 도시된 연산 모듈(GRCO)에 의해 수행된다. 도 2a를 참조하여, 제 3 코딩 단계(C3)는 상기 블록들의 서브세트들(SE 1 내지 SE 6)의 각각을 코딩하는 단계에 상응하고, 고려중인 서브세트의 블록들은 순회(PS)의 미리 결정된 순서에 따라 코딩되는데, 이는, 예를 들면, 순차적 유형이다. 도 4a 및 도 4b에 도시된 예들에서, 현재 서브세트(SEk(1≤k≤P))의 블록들은 화살표 PS에 의해 지시된 바와 같이, 좌측에서 우측으로 차례로 코딩된다. 제 1 변형예에 따르면, 이런 코딩은 순차적인 유형이고, 도 3a에 도시된 바와 같은 단일 코딩 유닛(UC)에 의해 실시된다. 그 자체로 알려진 방식으로, 코더(CO)는 현재 블록의 코딩과 협력하여 계속적으로 재갱신되는 바와 같은 심볼 발생 확률들을 포함하도록 적응되는 버퍼 메모리(MT)를 포함한다. 도 3b에 더 상세하게 도시된 바와 같이, 코딩 유닛(UC)은 다음을 포함한다 :● 적어도 하나의 이전 코딩 및 디코딩된 블록에 대하여 현재 블록을 예측 코딩하기 위한 모듈, MCP로 지시됨; ● 상기 이전 코딩 및 디코딩된 블록들에 대하여 연산된 적어도 하나의 심볼 발생의 확률을 이용함으로써 상기 현재 블록을 엔트로피 코딩하기 위한 모듈, MCE로 지시됨. 예측 코딩 모듈(MCP)은, 예를 들면, 인트라 및/또는 인터 모드에서와 같은, 종래의 예측 기법들에 따라 현재 블록의 예측 코딩을 수행할 수 있는 소프트웨어 모듈이다. 엔트로피 코딩 모듈(MCE)은 CABAC 유형의 그 일부이지만, 설명부에서 더 설명될 것과 같이, 본 발명에 따라 수정된다. 변형예로서, 엔트로피 코딩 모듈(MCE)은 그 자체로 알려진 허프만(Huffman) 코더일 수 있다. 도 4a 및 도 4b에 도시된 예들에서, 유닛(UC)은 첫 번째 열(SE1)의 블록들을 좌측에서 우측으로 코딩한다. 그것이 첫 번째 열(SE1)의 마지막 블록에 도달하면, 그것은 두 번째 열(SE2)의 첫 번째 블록으로 이동한다. 그것이 두 번째 열(SE2)의 마지막 블록에 도달하면, 그것은 세 번째 열(SE3)의 첫 번째 블록으로 이동한다. 그것이 세 번째 열(SE3)의 마지막 블록에 도달하면, 그것은 네 번째 열(SE4)의 첫 번째 블록으로 이동하고, 이미지(IE)의 마지막 블록이 코딩될 때까지, 이런 식이다. 앞서 방금 설명되었던 것과 다른 유형들의 순회도 물론 가능하다. 따라서, 이미지(IE)를 몇 개의 서브-이미지들로 세그먼트화하고 이런 유형의 세그먼트화를 각각의 서브-이미지에 독립적으로 적용하는 것이 가능하다. 각 코딩 유닛이, 앞서 설명된 바와 같이, 연속한 열들이 아니라 연속한 행들을 처리하는 것이 또한 가능하다. 열들 또는 행들 중 어느 방향으로든 순회하는 것이 또한 가능하다. 제 2 변형예에 따르면, 이런 코딩은 병렬 유형이고, 단지 그것은 도 3c에 도시된 예에서 R=2인, 미리 결정된 수(R)의 코딩 유닛들(UCk(1≤k≤R))에 의해 실시된다는 사실에 의해서 순차적인 코딩의 제 1 변형예와 구분된다. 이런 병렬 코딩은 코딩 방법의 상당한 가속화를 야기한다고 알려진다. 코딩 유닛들(UCk) 각각은 도 3b에서 도시된 코딩 유닛(UC)과 동일하다. 대응하는 방식으로, 코딩 유닛(UCk)은 예측 코딩 모듈(MCPk) 및 엔트로피 코딩 모듈(MCEk)을 포함한다. 도 4a 및 도 4b를 다시 참조하여, 제 1 유닛(UC1)은, 예를 들면, 홀수 번째의 열들의 블록들을 코딩하는 한편, 제 2 유닛(UC2)은, 예를 들면, 짝수 번째의 열들의 블록들을 코딩한다. 더 정확하게, 제 1 유닛(UC1)은 첫 번째 열(SE1)의 블록들을 좌측에서 우측으로 코딩한다. 그것이 첫 번째 열(SE1)의 마지막 블록에 도달하면, 그것은 (2n+1) 번째 열, 즉, 세 번째 열(SE3)의 첫 번째 블록으로 이동하는 식이다. 제 1 유닛(UC1)에 의해 수행되는 프로세싱에 병렬로, 제 2 유닛(UC2)은 두 번째 열(SE2)의 블록들을 좌측에서 우측으로 코딩한다. 그것이 두 번째 열(SE2)의 마지막 블록에 도달하면, 그것은 (2n) 번째 열, 여기서는 네 번째 열(SE4)의 첫 번째 블록으로 이동하는 식이다. 상술한 두 개의 순회들은 이미지(IE)의 마지막 블록이 코딩될 때까지, 반복된다. 도 2a를 참조하여, 제 4 코딩 단계(C4)는 상술한 코딩 유닛(UC) 또는 상술한 코딩 유닛들(UCk)의 각각에 의해 압축된 처리된 블록들을 나타내는 L개의 서브-스트림들(F1, F2,..., Fm,..., FL(1≤m≤L≤P))의 비트들뿐만 아니라, 각 서브세트(SEk)의 처리된 블록들의 디코딩된 버전의 생성이다. SED1, SED2,..., SEDk,..., SEDP로 표시된 고려중인 서브세트의 디코딩된 처리된 블록들은 설명부에서 더 상세하게 될 동기화 메커니즘에 따라 도 3a에 도시된 코딩 유닛(UC) 또는 도 3c에 도시된 코딩 유닛들(UCk)의 각각에 의해 재사용될 수 있다. 도 3b를 참조하여, L개의 서브-스트림들을 생성하는 단계는 예를 들면, 비트들과 같은 데이터 스트림들을 생성하도록 적응되는 스트림 발생 소프트웨어 모듈(MGSF 또는 MGSFk)에 의해 실시된다. 도 2a를 참조하여, 제 5 코딩 단계(C5)는 상술한 L개의 서브-스트림들(F1, F2,..., Fm,..., FL)에 기반하여 전체(global) 스트림(F)을 구성하는 단계에 상응한다. 일 실시예에 따르면, 서브-스트림들(F1, F2,..., Fm,..., FL)은 전체 스트림(F)에서 각각의 서브-스트림(Fm)의 위치를 디코더로 나타내도록 의도된 정보의 추가 항목과 단지 병치된다(juxtapose). 전체 스트림은 그 후에 통신 네트워크(미도시)에 의해 원격 단말로 전송된다. 원격 단말은 도 5a에 도시된 디코더(DO)를 포함한다. 그것이 디코딩 및 그 다음 이미지의 재-인코딩을 필요로 하지 않기 때문에 특별히 유리한 다른 실시예에 따르면, 코더(CO)는, 스트림(F)을 디코더(DO)로 전송하기 이전에, 디코더(DO)가 서브-스트림들을 디코딩할 수 있는 순서에 대응하는 미리 결정된 순서로 L개의 서브-스트림들(F1, F2,..., Fm,..., FL)을 미리 정렬한다. 따라서, 설명부에서 더 상세하게 설명될 것과 같이, 본 발명에 따른 디코더는 전체 스트림(F) 내의 서브-스트림들(F1, F2,..., Fm,..., FL)을 분리시키고 그리고 디코더를 구성되는 하나 또는 둘 이상의 디코딩 유닛들로 그것들을 할당할 수 있다. 전체 스트림에서의 서브-스트림들의 이런 분해는 병렬로 동작하는 단일 코딩 유닛 또는 그 밖의 몇몇 코딩 유닛들의 사용의 선택과 무관하고, 이런 접근법에 의해 병렬로 동작하는 유닛들을 포함하는 코더만 또는 디코더만 갖는 것이 가능함에 주목될 것이다. 전체 스트림(F)의 이런 구성은 도 3a 및 도 3c에 도시된 바와 같은 스트림 구성 모듈(CF)에서 실시된다. 상술한 코딩 단계(C3) 동안, 코딩 유닛(UC 또는 UCk)에서 실시되는 바와 같은 본 발명의 다양한 특정 서브-단계들은 도 2b를 참조하여 이제 설명될 것이다. 단계 C31의 과정에서, 코딩 유닛(UC 또는 UCk)은, 예를 들면, 첫 번째 열(SE1)과 같은, 도 4a 또는 도 4b에 도시된 현재 열(SEk)의 코딩될 첫 번째 블록을 현재 블록으로서 선택한다. 단계 C32의 과정에서, 유닛(UC 또는 UCk)은 현재 블록이 상술한 단계 C1에서 블록들로 세그먼트화되었던 이미지(IE)의 첫 번째 블록(상부에서 그리고 좌측에 위치된)인지의 여부를 검사한다. 그런 경우이면, 단계 C33의 과정에서, 엔트로피 코딩 모듈(MCE 또는 MCEk)은 그것의 상태 변수들의 초기화를 착수한다. 이전에 설명된 산술 코딩을 이용하는 도시된 예에 따르면, 이는 미리 결정된 심볼들의 세트에 포함된 심볼의 발생의 확률을 나타내는 간격의 초기화를 수반한다. 그 자체로 알려진 방식으로, 이런 간격은 각각 아래 및 위의 2개의 한계들(L 및 H)로 초기화된다. 하한(L)의 값은 0으로 고정되는 반면, 상한의 값은 1로 고정되며, 그에 의해 미리 결정된 심볼들의 세트의 모든 심볼들 중에서 첫 번째 심볼의 발생의 확률에 대응한다. 이런 간격의 크기(R)는 따라서 R = H - L = 1에 의해 이런 시점에서 정의된다. 초기화된 간격은 관례적으로 미리 결정된 심볼들의 세트의 심볼들의 발생의 확률들을 각각 나타내는 복수의 미리 결정된 서브-간격들로 더 파티션된다(partitioned).변형예로서, 사용된 엔트로피 코딩이 LZW 코딩인 경우, 심볼들의 스트링들의 변환 테이블은 초기화되고, 그래서 그것은 한번 및 단 한번만 가능한 심볼들 모두를 포함한다. 상술한 단계 C32 다음에, 현재 블록이 이미지(IE)의 첫 번째 블록이 아닌 경우, 다음의 설명부에서 나중에 설명될 단계 C40의 과정에서, 필요한 이전에 코딩 및 디코딩된 블록들의 이용가능성의 결정이 착수된다. 단계 C34의 과정에서, 도 4a 또는 도 4b에 도시된 첫 번째 열(SE1)의 첫 번째 현재 블록 MB1의 코딩이 착수된다. 이런 단계 C34는 이하에 설명될 복수의 서브-단계들 C341 내지 C348을 포함한다. 도 2b에서 도시된 첫 번째 서브-단계 C341의 과정에서, 블록 MB1이 적어도 하나의 이전에 코딩 및 디코딩된 블록들에 대하여 예측되는 과정에서, 현재 블록 MB1의 예측 코딩이 인트라 및/또는 인터 예측의 알려진 기법들에 의해 착수된다. H.246 표준에서 제안된 바와 같은 인트라 예측의 다른 모드들이 가능함은 말할 필요도 없다. 현재 블록 MB1은, 현재 블록이 이전에 코딩 및 디코딩된 이미지에 기인한 블록에 대하여 예측되는 과정에서, 또한 인터 모드로 예측 코딩이 또한 이루어질 수 있다. 다른 유형들의 예측을 물론 생각할 수 있다. 현재 블록에 대하여 가능한 예측들 중에서, 최적 예측이 당업자에게 잘 알려진 비트 전송률 왜곡(bitrate distortion) 기준에 따라 선택된다. 상기 상술한 예측 코딩 단계는 현재 블록 MB1의 근삿값인 예측된 블록 MBp1 을 구성하는 것을 가능하게 한다. 이런 예측 코딩과 관련된 정보는 다음에 디코더(DO)로 전송되는 스트림(F)에 기록될 것이다. 이런 정보는 특히 예측의 유형(인터 또는 인트라), 및 적합하면, 인트라 예측의 모드, 블록 또는 매크로블록이 세분되었던 경우, 블록 또는 매크로블록의 파티션의 유형, 기준 이미지 인덱스 및 인터 예측 모드에서 사용된 변위 벡터를 포함한다. 이런 정보는 코더(CO)에 의해 압축된다. 다음의 서브-단계 C342의 과정에서, 잔차 블록 MBr1을 생성하기 위해 현재 블록 MB1에서 예측된 블록 MBp1의 감산이 착수된다. 다음의 서브-단계 C343의 과정에서, 변환된 블록 MBt1을 생성하기 위해, 예를 들면, DCT 유형의 이산 코사인 변환과 같은 종래의 직접 변환 동작에 따라 잔차 블록 MBr1의 변환이 착수된다. 다음의 서브-단계 C344의 과정에서, 예를 들면, 스칼라 양자화와 같은 종래의 양자화 동작에 따라 변환된 블록 MBt1의 양자화가 착수된다. 양자화된 계수들의 블록 MBq1이 그 다음 획득된다. 다음의 서브-단계 C345의 과정에서, 양자화된 계수들의 블록 MBq1의 엔트로피 코딩이 착수된다. 바람직한 실시예에서, 이는 CABAC 엔트로피 코딩을 수반한다. 이런 단계는, a) 상기 현재 블록과 연관되는 미리 결정된 심볼들의 세트의 심볼 또는 심볼들을 판독하고,b) 비트들과 같은 디지털 정보를 판독된 심볼(들)과 연관하는 것에 상응한다. 사용된 코딩이 LZW 코딩인 상술한 변형예에서, 현재 변환 테이블에서 심볼의 코드에 대응하는 정보의 디지털 항목이 코딩될 심볼들과 연관되고, 변환 테이블의 갱신은 그 자체로 알려진 절차를 따라 수행된다. 다음의 서브-단계 C346의 과정에서, 블록 MBq1의 역양자화(dequantization)가 종래의 역양자화 동작에 따라 착수되는데, 이는 단계 C344에서 수행된 양자화의 반대 동작이다. 역양자화된 계수들의 블록 MBDq1이 그 다음 획득된다. 다음의 서브-단계 C347의 과정에서, 위의 단계 C343에서 수행된 직접 변환의 반대의 동작인 역양자화된 계수들의 블록 MBDq1의 역변환이 착수된다. 디코딩된 잔차 블록 MBDr1이 그 다음 획득된다. 다음의 서브-단계 C348의 과정에서, 예측된 블록 MBp1를 디코딩된 잔차 블록 MBDr1에 가산함으로써 디코딩된 블록 MBD1의 구성이 착수된다. 디코딩된 잔차 블록은 설명부에서 더 상세하게 설명될 이미지(IE)를 디코딩하는 방법의 종료시 획득된 디코딩된 블록과 동일한 것임에 유의해야 한다. 디코딩된 블록 MBD1은 따라서 코딩 유닛(UCk) 또는 미리 결정된 수(R)의 코딩 유닛들 중 일부를 형성하는 임의의 다른 코딩 유닛에 의해 사용되도록 이용가능하게 제공된다. 상술한 코딩 단계 C34의 종료시, 도 3b에 도시된 바와 같은 엔트로피 코딩 모듈(MCE 또는 MCEk)은 첫 번째 블록의 코딩과 협력하여 계속하여 재갱신된 바와 같은 확률들 모두를 포함한다. 이들 확률들은 가능한 구문들(syntaxes)의 다양한 성분들 및 다양한 관련된 코딩 콘텍스트들에 대응한다. 상술한 코딩 단계 C34 다음에, 단계 C35의 과정에서, 현재 블록이 이런 동일 열의 j 번째 블록인지의 여부를 결정하기 위한 검사가 수행되는데, 여기서 j는 적어도 1과 같은 코더(CO)에 알려진 미리 결정된 값이다. 그런 경우이면, 도 2b에 도시된 단계 C36의 과정에서, j 번째 블록에 대하여 연산된 확률들의 세트가 도 3a 또는 도 3b 및 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같은 코더(CO)의 버퍼 메모리(MT)에 저장되고, 상기 메모리의 크기는 연산된 수의 확률들을 저장하도록 적응된다. 도 2b에 도시된 단계 C37의 과정에서, 코딩 유닛(UC 또는 UCk)은 방금 코딩되었던 열(SEk)의 현재 블록이 이미지(IE)의 마지막 블록인지의 여부를 검사한다. 이런 단계는 또한 단계 C35의 과정에서 현재 블록이 열(SE1)의 j번째 블록이 아닌 경우 실시된다. 현재 블록이 이미지(IE)의 마지막 블록인 경우, 단계 C38의 과정에서, 코딩 방법은 종료된다. 이런 경우가 아니면, 단계 C39의 과정에서, 도 4a 또는 도 4b에서의 화살표 PS에 의해 도시된 순회의 순서에 따라 코딩될 다음 블록 MBi의 선택이 착수된다. 도 2b에 도시된 단계 C40의 과정에서, 현재 블록 MBi을 코딩하기 위해 필요한 이전에 코딩 및 디코딩된 블록들의 이용가능성의 결정이 착수된다. 이것이 첫 번째 열(SE1)인 경우, 이런 단계는 코딩될 현재 블록 MBi의 좌측에 위치된 적어도 하나의 블록의 이용가능성을 확인하는 단계에 상응한다. 그러나, 도 4a 또는 도 4b에 도시된 실시예에서 선택된 순회 PS의 순서를 고려하면, 블록들은 고려중인 열(SEk)에서 차례로 코딩된다. 그 결과, 좌측의 코딩 및 디코딩된 블록은 항상 이용가능하다(열의 첫 번째 블록을 제외하고). 도 4a 또는 도 4b에 도시된 예에서, 이는 코딩될 현재 불록의 바로 좌측에 위치된 블록이다. 이것이 첫 번째 열과 상이한 열(SEk)인 경우, 상기 결정 단계는 더욱이, 이전 열(SEk-1)에 위치된 미리 결정된 수 (N')의 블록들, 예를 들면, 현재 블록의 위 및 우측 위에 각각 위치된 2개의 블록들이 현재 블록의 코딩을 위해 이용가능한지의 여부, 즉, 그것들이 코딩 유닛(UC 또는 UCk-1)에 의해 이미 코딩되었고 그 다음 디코딩되었는지의 여부를 확인하는 단계에 상응한다. 이런 검사 단계가 코딩 방법을 느리게 하는 경향이 있기 때문에, 본 발명에 따른 대안적인 방식으로, 열들의 코딩이 병렬 유형인 경우, 도 3c에 도시된 클록(CLK)이, 현재 블록의 위 및 우측 위 각각에 위치된 2개의 블록들의 이용가능성을 확인할 필요없이, 이들 2개의 블록들의 이용가능성을 보장하도록 블록들의 코딩의 진행을 동기화하도록 적응된다. 따라서, 코딩 유닛(UCk)은, 현재 블록의 코딩을 위해 사용되는 이전 열(SEk-1)의 미리 결정된 수 N'(예를 들면, N'=2)개의 코딩 및 디코딩된 블록들의 시프트로 항상 첫 번째 블록을 코딩하도록 개시한다. 소프트웨어 관점에서, 이런 클록의 실시는 코더(CO)에서 이미지(IE)의 블록들을 처리하기 위한 시간을 현저하게 가속하는 것을 가능하게 한다. 도 2b에 도시된 단계 C41의 과정에서, 현재 블록이 고려중인 열(SEk)의 첫 번째 블록인지의 여부를 결정하기 위한 검사가 수행된다. 그런 경우이면, 단계 C42의 과정에서, 이전 열(SEk-1)의 j 번째 블록의 코딩 동안 연산된 심볼 발생 확률들만의 버퍼 메모리(MT)에서의 판독이 착수된다. 도 4a에 도시된 제 1 변형예에 따르면, j 번째 블록은 이전 열(SEk-1)의 첫 번째 블록(j=1)이다. 이런 판독은 CABAC 코더의 확률들을 버퍼 메모리(MT)에 존재하는 것으로 대체하는 것에 상응한다. 메모리가 두 번째, 세 번째 및 네 번째 열들(SE2, SE3 및 SE4)의 첫 번째 각 블록들을 수반하기 때문에, 이런 판독 단계는 얇은 선들에 의해 표시된 화살표들에 의해 도 4a에 도시된다. 도 4b에 도시되는 상술한 단계 C43의 제 2 변형예에 따르면, j 번째 블록은 이전 열(SEk-1)의 두 번째 블록(j=2)이다. 이런 판독은 CABAC 코더의 확률들을 버퍼 메모리(MT)에 존재하는 것으로 대체하는 것에 상응한다. 메모리가 두 번째, 세 번째 및 네 번째 열들(SE2, SE3 및 SE4)의 첫 번째 각 블록들을 수반하기 때문에, 이런 판독 단계는 얇은 대시 선들에 의해 표시된 화살표들에 의해 도 4b에 도시된다. 단계 C42의 다음에, 현재 블록은 위에서 설명된 단계들 C34 내지 C38의 반복에 의해 코딩되고 그 다음 디코딩된다. 상술한 단계 C41의 다음에, 현재 블록이 고려중인 열(SEk)의 첫 번째 블록이 아니면, 동일 열(SEk)에 위치되는 이전에 코딩 및 디코딩된 블록, 즉, 도시된 예에서 현재 블록의 바로 좌측에 위치된 코딩 및 디코딩된 블록에 기인하는 확률들의 판독은 유리하게 착수되지 않는다. 실제로, 도 4a 또는 도 4b에 도시된 바와 같이, 동일 열에 위치된 블록들의 판독을 위한 순차적 순회 PS를 고려하면, 현재의 블록의 코딩이 시작하는 순간에 CABAC 코더에 존재하는 심볼 발생 확률들은 틀림없이 이런 동일 열의 이전 블록의 코딩/디코딩 이후에 존재하는 것들이다. 그 결과, 도 2b에 도시된 단계 C43의 과정에서, 상기 현재 블록의 엔트로피 코딩에 대한 심볼 발생의 확률들의 학습이 착수되는데, 이런 확률들은 도 4a 또는 도 4b의 이중 실선 화살표들에 의해 도시된 바와 같이, 동일 열의 상기 이전 블록에 대하여 연산되었던 것에만 대응한다. 단계 C43의 다음에, 현재 블록은 앞서 설명된 단계들 C34 내지 C38의 반복에 의해 코딩되고 그 다음 디코딩된다. 단계 C44의 과정에서, 현재 블록이 고려중인 열(SEk)의 마지막 블록인지의 여부를 결정하기 위한 검사가 그 다음에 수행된다. 이것이 그 경우가 아니면, 단계 C44 다음에, 코딩될 다음 블록 MBi을 선택하는 단계 C39가 다시 실시된다. 현재 블록이 고려중인 열(SEk)의 마지막 블록인 경우, 단계 C45의 과정에서, 도 3a 또는 도 3c의 코딩 디바이스(CO)는 설명부에서 상술한 바와 같이 비움을 수행한다. 이런 목적을 위해, 모듈(MGSFk)이 고려중인 상기 열(SEk)의 코딩된 블록들을 나타내는 이진 트레인을 포함하는 데이터 서브-스트림(Fm)에, 고려중인 상기 열(SEk)의 각 블록의 코딩 동안 판독된 심볼(들)과 연관되었던 비트들의 전체를 기록하는 방식으로, 상기 코딩 유닛(UCk)은 대응하는 서브-스트림 생성 모듈(MGSFk)로, 비트들의 전체를 전송한다. 이런 비움은 도 4a 및 도 4b에서 각 열(SEk)의 끝에 삼각형으로 기호화된다. 도 2b에 도시된 단계 C46의 과정에서, 코딩 유닛(UC 또는 UCk)은 상술한 단계 C33과 동일한 단계를 수행하고, 즉, 미리 결정된 심볼들의 세트에 포함된 심볼의 발생의 확률을 나타내는 간격을 다시 초기화한다. 이런 재초기화는 도 4a 및 도 4b에서 각 열(SEk)의 시작에서 검정 점으로 도시된다. 단계들 C45 및 C46을 코딩의 이런 레벨로 수행하는 이점은 코딩 유닛(UC) 또는 코딩 유닛(UCk)에 의해 처리되는 다음 블록의 코딩 동안, 코더(CO)가 초기화된 상태라는 것이다. 따라서, 설명부에서 더 설명될 것과 같이, 그것이 초기화된 상태에 있게 되기에 충분하기 때문에, 병렬로 작동하는 디코딩 유닛이 이런 점으로부터 압축된 스트림(F)을 직접 디코딩하는 것을 가능하게 한다. 디코딩 부분의 실시예의 상세한 설명본 발명에 따른 디코딩 방법의 실시예가 이제 설명될 것이고, 여기서, 디코딩 방법은 초기에 H.264/MPEG-4 AVC 표준을 따르는 디코더의 수정예들에 의해 소프트웨어 또는 하드웨어 방식으로 실시된다. 본 발명에 따른 디코딩 방법은 도 5a에 도시된 단계들(D1 내지 D4)을 포함하는 알고리즘의 형태로 도시된다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 본 발명에 따른 디코딩 방법은 도 6a에 도시된 디코딩 디바이스(DO)에서 실시된다. 도 5a를 참조하여, 제 1 디코딩 단계(D1)는, 도 4a 또는 도 4b에 도시된 바와 같이, 이전에 코딩된 블록들 또는 매크로블록 MB의 P개의 서브세트들(SE1, SE2,..., SEk,...,SEP) 각각을 포함하는 L개의 서브-스트림들(F1, F2,...,Fm,..., FL)의 상기 스트림(F)에서의 식별이다. 이런 목적을 위해, 스트림(F)의 각 서브-스트림(Fm)은 디코더(DO)가 스트림(F)의 각각의 서브-스트림(Fm)의 위치를 결정하게 하도록 의도된 표시자와 연관된다. 변형예로서, 상술한 코딩 단계 C3의 종료시, 코더(CO)는 스트림(F)에서 서브-스트림들(F1, F2,..., Fm,..., FL)을 디코더(DO)에 의해 기대된 순서로 정렬하고, 그에 의해 서브-스트림 표시자들의 스트림(F) 내로의 삽입을 방지한다. 이런 제공은 따라서 데이터 스트림(F)의 비트 전송률의 면에서 비용을 감소하는 것을 가능하게 한다. 도 4a 또는 도 4b에 도시된 예에서, 상기 블록들 MB는 정사각형 형상을 갖고, 모두가 동일 크기를 갖는다. 반드시 블록들의 크기의 배수일 필요가 없는 이미지의 크기에 따라, 좌측 상의 마지막 블록들 및 하부에서의 마지막 블록들은 정사각형이 아닐 수 있다. 대안적인 실시예에서, 블록들은 예를 들면, 직사각형 크기일 수 있고 및/또는 서로 정렬되지 않을 수 있다. 각 블록 또는 매크로블록은 게다가 그 자체로 그것들 자체가 세분될 수 있는 서브-블록들로 분할될 수 있다. 이런 식별은 도 6a에 도시된 바와 같은 스트림 추출 모듈(EXDO)에 의해 수행된다. 도 4a 또는 도 4b에 도시된 예에서, 미리 결정된 수 P는 6과 같지만, 도면들의 명료성을 위해, 단지 4개의 서브세트들(SE1, SE2, SE3, SE4)만이 대시로 도시된다. 도 5a를 참조하여, 제 2 디코딩 단계(D2)는 블록들의 상기 서브세트들(SE1, SE2, SE3 및 SE4)의 각각을 디코딩하는 단계이고, 고려중인 서브세트의 블록들은 순회 PS의 미리 결정된 순차적 순서에 따라 코딩된다. 도 4a 또는 도 4b에 도시된 예들에서, 현재 서브세트(SEk(1≤k≤P))의 블록들은, 화살표 PS에 의해 지시된 바와 같이, 좌측에서 우측으로 차례로 디코딩된다. 단계 D2의 종료시, 디코딩된 블록들의 서브세트들(SED1, SED2, SED3,..., SEDk,..., SEDP)이 획득된다. 이런 디코딩은 순차적 유형일 수 있고, 그 결과, 단일 디코딩 유닛으로 수행될 수 있다. 그러나, 다중플랫폼 디코딩 아키텍쳐로부터 이익을 얻을 수 있도록, 블록들의 서브세트들의 디코딩은 병렬 유형이고, 예를 들면, 도 6a에 도시된 바와 같이, R=4인 다수(R)의 디코딩 유닛들(UDk(1≤k≤R))에 의해 실시된다. 이런 제공은 따라서 디코딩 방법의 상당한 가속을 가능하게 한다. 그 자체로 알려진 방식으로, 디코더(DO)는 현재 블록의 디코딩과 협력하여 계속적으로 재갱신되는 바와 같은 심볼 발생 확률들을 포함하도록 적응되는 버퍼 메모리(MT)를 포함한다. 도 6b에 더 상세하게 도시된 바와 같이, 디코딩 유닛들(UDk)의 각각은 다음을 포함한다 :● 적어도 하나의 이전 디코딩된 블록에 대하여 연산된 적어도 하나의 심볼 발생의 확률을 학습함으로써 상기 현재 블록을 엔트로피 디코딩하기 위한 모듈, MDEk로 지시됨,● 상기 이전 디코딩된 블록들에 대하여 현재 블록의 예측 디코딩을 하기 위한 모듈, MDPk로 지시됨. 예측 디코딩 모듈(SUDPk)은, 예를 들면, 인트라 및/또는 인터 모드와 같은 종래의 예측 기법들에 따라, 현재 블록의 예측 디코딩을 수행할 수 있다. 엔트로피 디코딩 모듈(MDEk)은 CABAC 유형의 그 일부이지만, 설명부에서 더 설명될 것과 같이, 본 발명에 따라 수정된다. 변형예로서, 엔트로피 디코더 모듈(MDEk)은 그 자체로 알려진 허프만 디코더일 수 있다. 도 4a 또는 도 4b에 도시된 예들에서, 제 1 유닛(UD1)은 첫 번째 열(SE1)의 블록들을 좌측에서 우측으로 디코딩한다. 그것이 첫 번째 열(SE1)의 마지막 블록에 도달하면, 그것은 (N+1) 번째 열, 여기서 5 번째 열의 첫 번째 블록으로 이동하는 식이다. 제 2 유닛(UC2)은 두 번째 열(SE2)의 블록들을 좌측에서 우측으로 디코딩한다. 그것이 두 번째 열(SE2)의 마지막 블록에 도달하면, 그것은 (N+2) 번째 열, 여기서 6 번째 열의 첫 번째 블록으로 이동하는 식이다. 이런 순회는 네 번째 열(SE4)의 블록들을 좌측에서 우측으로 디코딩하는 유닛(UD4)까지 반복된다. 그것이 첫 번째 열의 마지막 블록에 도달하면, 그것은 (N+4) 번째 열, 여기서 8 번째 열의 첫 번째 블록으로 이동하며, 마지막 식별된 서브-스트림의 마지막 블록이 디코딩될 때까지, 이런 식이다. 앞서 방금 설명되었던 것과 다른 유형들의 순회도 물론 가능하다. 예를 들면, 각 디코딩 유닛이, 앞서 설명된 바와 같이, 네스티드(nested) 열들이 아니라 네스티드 행들을 처리할 수 있다. 열들 또는 행들 중 어느 하나의 방향으로 순회하는 것이 또한 가능하다. 도 5a를 참조하여, 제 3 디코딩 단계(D3)는 디코딩 단계 D2에서 획득된 각 디코딩된 서브세트(SED1, SED2,..., SEDk,..., SEDP)에 기반하여 디코딩된 이미지(ID)의 재구성이다. 보다 정확하게는, 각 디코딩된 서브세트(SED1, SED2,..., SEDk,..., SEDP)의 디코딩된 블록들은 도 6a에 도시된 바와 같은 이미지 재구성 유닛(URI)으로 전송된다. 이런 단계 D3의 과정에서, 유닛(URI)은 디코딩된 블록들을, 이런 블록들이 이용 가능하게 되면, 디코딩된 이미지에 기록한다. 도 5a에 도시된 제 4 디코딩 단계(D4)의 과정에서, 완전히 디코딩된 이미지(ID)는 도 6a에 도시된 유닛(URI)에 의해 전달된다. 상술한 병렬 디코딩의 단계 D2 동안, 디코딩 유닛(UDk)에서 실시되는 바와 같은 본 발명의 다양한 특정 서브-단계들은 도 5b를 참조하여 이제 설명될 것이다. 단계 D21의 과정에서, 디코딩 유닛(UDk)은 도 4a 또는 도 4b에 도시된 현재 열(SEk)의 디코딩될 첫 번째 블록을 현재 블록으로서 선택한다. 단계 D22의 과정에서, 디코딩 유닛(UDk)은 현재 블록이 디코딩된 이미지의 첫 번째 블록, 본 예에서 서브-스트림(F1)의 첫 번째 블록인지의 여부를 검사한다. 그런 경우이면, 단계 D23의 과정에서, 엔트로피 디코딩 모듈(MDE 또는 MDEk)은 그의 상태 변수들의 초기화를 착수한다. 도시된 예에 따르면, 이는 미리 결정된 심볼들의 세트에 포함된 심볼의 발생의 확률을 나타내는 간격의 초기화를 수반한다. 변형예로서, 사용된 엔트로피 디코딩이 LZW 디코딩이면, 심볼들의 스트링들의 변환 테이블은 초기화되고, 그래서 그것은 한번 및 한번만 가능한 심볼들 모두를 포함한다. 단계 D23이 상술한 코딩 단계 C33과 동일하기 때문에, 그것은 다음에 설명되지 않을 것이다. 상술한 D22 다음에, 현재 블록이 디코딩된 이미지(ID)의 첫 번째 블록이 아니면, 다음의 설명부에서 나중에 설명될 단계 D30의 과정에서, 필요한 이전에 디코딩된 블록들의 이용가능성의 결정이 착수된다. 단계 D24의 과정에서, 도 4a 또는 도 4b에 도시된 첫 번째 열(SE1)의 첫 번째 현재 블록 MB1의 디코딩이 착수된다. 이런 단계 D24는 이하에 설명될 복수의 서브-단계들 D241 내지 D246을 포함한다. 첫 번째 서브-단계 D241의 과정에서, 현재 블록과 관련된 구문 성분들의 엔트로피 디코딩이 착수된다. 이런 단계는 주로 다음에 상응한다 :a) 상기 첫 번째 열(SE1)과 연관된 서브-스트림에 포함된 비트들을 판독,b) 판독된 비트들에 기반하여 심볼들을 재구성.사용된 디코딩이 LZW 디코딩인 상술한 변형예에서, 현재 변환 테이블에서 심볼의 코드에 대응하는 정보의 디지털 항목이 판독되고, 그 자체로 알려진 절차에 따라, 심볼은 판독된 코드에 기반하여 재구성되며, 변환 테이블의 갱신이 수행된다. 보다 정확하게는, 현재 블록과 관련된 구문 성분들은 도 6b에 도시된 바와 같은 CABAC 엔트로피 디코딩 모듈(MDE1)에 의해 디코딩된다. 이 엔트로피 디코딩 모듈은 구문 성분들을 생성하기 위해 압축된 파일의 비트들의 서브-스트림(F1)을 디코딩하고, 동시에, 이런 모듈이 심볼을 디코딩할 때, 이런 심볼의 발생의 확률들이, 상술한 엔트로피 코딩 단계 C345 동안, 이런 동일한 심볼의 코딩 동안 획득된 것과 동일하게 되도록 하는 방법으로 그것의 확률들을 재갱신한다. 다음의 서브-단계 D242의 과정에서, 블록 MB1이 적어도 하나의 이전에 디코딩된 블록에 대하여 예측되는 과정에서, 현재 블록 MB1의 예측 디코딩이 인트라 및/또는 인터 예측의 알려진 기법들에 의해 착수된다. H.264 표준에서 제안된 바와 같은 인트라 예측의 다른 모드들이 가능함은 말할 필요도 없다. 이런 단계의 과정에서, 예측 디코딩은 특히 예측의 유형(인터 또는 인트라), 및 적합하면, 인트라 예측의 모드, 블록 또는 매크로블록이 세분되었던 경우, 블록 또는 매크로블록의 파티션의 유형, 기준 이미지 인덱스 및 인터 예측 모드에서 사용된 변위 벡터를 포함하며, 이전 단계에서 디코딩된 구문 성분들로 수행된다. 상기 상술한 예측 디코딩 단계는 예측된 블록 MBp1을 구성하는 것을 가능하게 한다. 다음의 서브-단계 D243의 과정에서, 이전에 디코딩된 구문 성분들로 양자화된 잔차 블록 MBq1의 구성이 착수된다. 다음의 서브-단계 D244의 과정에서, 디코딩된 역양자화된 블록 MDBt1을 생성하기 위해, 상술한 단계 C344에서 수행된 양자화의 반대 동작인 종래의 역양자화 동작에 따라 양자화된 잔차 블록 MBq1의 역양자화가 착수된다. 다음의 서브-단계 D245의 과정에서, 앞서 단계 C343에서 수행된 직접 변환의 반대의 동작인 역양자화된 블록 MBDt1의 역변환이 착수된다. 디코딩된 잔차 블록 MBDr1이 그 다음 획득된다. 다음의 서브-단계 D246의 과정에서, 예측된 블록 MBp1에 디코딩된 잔차 블록 MBDr1을 가산함으로써 디코딩된 블록 MBD1의 구성이 착수된다. 디코딩된 블록 MBD1은 따라서 디코딩 유닛(UD1) 또는 미리 결정된 수(N)의 디코딩 유닛들 중 일부를 형성하는 임의의 다른 디코딩 유닛에 의해 사용되도록 이용가능하게 제공된다. 상술한 디코딩 단계 D246의 종료시, 도 6b에 도시된 바와 같은 엔트로피 디코딩 모듈(MDE1)은 첫 번째 블록의 디코딩과 협력하여 계속하여 재갱신된 바와 같은 확률들 모두를 포함한다. 이들 확률들은 가능한 구문의 다양한 성분들 및 다양한 관련된 디코딩 콘텍스트들에 대응한다. 상술한 디코딩 단계 D24 다음에, 단계 D25의 과정에서, 현재 블록이 이런 동일 열의 j 번째 블록인지의 여부를 결정하기 위한 검사가 수행되는데, 여기서 j는 적어도 1과 같은 디코더(DO)에 알려진 미리 결정된 값이다. 그런 경우이면, 단계 D26의 과정에서, j 번째 블록에 대하여 연산된 확률들의 세트는 도 6a 및 도 4a 또는 도 4b에 도시된 바와 같은 디코더(DO)의 버퍼 메모리(MT)에 저장되고, 상기 메모리의 크기는 연산된 수의 확률들을 저장하도록 적응된다. 단계 D27의 과정에서, 유닛(UDk)은 방금 디코딩되었던 현재 블록이 마지막 서브-스트림의 마지막 블록인지의 여부를 검사한다. 그런 경우이면, 단계 D28의 과정에서, 디코딩 방법은 종료된다. 그런 경우가 아니면, 단계 D29의 과정에서, 도 4a 또는 도 4b의 화살표 PS에 의해 도시된 순회의 순서에 따라 디코딩될 다음 블록 MBi의 선택이 착수된다. 상술한 단계 D25의 과정에서, 현재 블록이 고려중인 열(SEDk)의 j 번째 블록이 아니면, 위의 단계 D27이 착수된다. 상술한 단계 D29에 뒤이은 단계 D30의 과정에서, 현재 블록 MBi를 디코딩하기 위해 필요한 이전에 디코딩된 블록들의 이용가능성의 결정이 착수된다. 이는 상이한 디코딩 유닛들(UDk)에 의한 블록들의 병렬 디코딩을 수반한다는 사실을 고려하면, 이들 블록들은 이들 블록들의 디코딩에 할당된 디코딩 유닛에 의해 디코딩되지 않았고 그것들이 따라서 아직 이용가능하지 않는 상황이 발생할 수 있다. 상기 결정 단계는 이전 열(SEk-1)에 위치된 미리 결정된 수 N'개의 블록들, 예를 들면, 현재 블록의 위 및 우측 위에 각각 위치된 2개의 블록들이 현재 블록의 디코딩을 위해 이용가능한지의 여부, 즉, 그것들이 그것들의 디코딩에 할당된 디코딩 유닛(UDk-1)에 의해 이미 디코딩되었는지의 여부를 확인하는 단계에 상응한다. 상기 결정 단계는 또한 디코딩될 현재 블록 MBi의 좌측에 위치된 적어도 하나의 블록의 이용가능성을 확인하는 단계에 상응한다. 그러나, 도 4a 또는 도 4b에 도시된 실시예에서 선택된 순회 PS의 순서를 고려하면, 블록들은 고려중인 열(SEk)에서 차례로 디코딩된다. 그 결과, 좌측의 디코딩된 블록은 항상 이용가능하다(열의 첫 번째 블록을 제외하고). 도 4a 또는 도 4b에 도시된 예에서, 이는 디코딩될 현재 블록의 바로 좌측에 위치된 블록을 수반한다. 이런 목적을 위해, 현재 블록의 위 및 우측 위에 각각 위치된 2개의 블록들의 이용가능성만이 검사된다. 이런 검사 단계가 디코딩 방법을 느리게 하는 경향이 있기 때문에, 본 발명에 따른 대안적인 방식으로, 도 6a에 도시된 클록(CLK)은, 현재 블록의 위 및 우측 위 각각에 위치된 2개의 블록들의 이용가능성을 확인할 필요없이, 이들 2개의 블록들의 이용가능성을 보장하도록 블록들의 디코딩의 진행을 동기화하도록 적응된다. 따라서, 도 4a 또는 4b에 도시된 바와 같이, 디코딩 유닛(UDk)은 항상 첫 번째 블록을 현재 블록의 디코딩을 위해 사용되는 이전 열(SEk-1)의 미리 결정된 수( N')(여기서 N'=2)의 디코딩된 블록들의 시프트를 갖고 디코딩하기 시작한다. 소프트웨어 관점에서, 이런 클록의 실시는 디코더(DO)에서 각 서브세트(SEk)의 블록들을 처리하는 시간을 현저하게 가속하는 것을 가능하게 한다. 단계 D31의 과정에서, 현재 블록이 고려중인 열(SEk)의 첫 번째 블록인지의 여부를 결정하기 위한 검사가 수행된다. 그런 경우이면, 단계 D32의 과정에서, 이전 열(SEk-1)의 j 번째 블록의 디코딩 동안 연산된 심볼 발생 확률들만의 버퍼 메모리(MT)에서의 판독이 착수된다. 도 4a에 도시된 제 1 변형예에 따르면, j 번째 블록은 이전 열(SEk-1)의 첫 번째 블록(j=1)이다. 이런 판독은 CABAC 디코더의 확률들을 버퍼 메모리(MT)에 존재하는 것들로 대체하는 것에 상응한다. 이것이 두 번째, 세 번째 및 네 번째 열들(SE2, SE3 및 SE4)의 각각의 첫 번째 블록들을 수반하기 때문에, 이런 판독 단계는 얇은 선들에 의해 도시된 화살표들에 의해 도 4a에 도시된다. 도 4b에 도시되는 상술한 단계 D32의 제 2 변형예에 따르면, j 번째 블록은 이전 열(SEk-1)의 두 번째 블록(j=2)이다. 이런 판독은 CABAC 디코더의 확률들을 버퍼 메모리(MT)에 존재하는 것들로 대체하는 것에 상응한다. 이것이 두 번째, 세 번째 및 네 번째 열들(SE2, SE3 및 SE4)의 각각의 첫 번째 블록들을 수반하기 때문에, 이런 판독 단계는 얇은 대시 선들에 의해 도시된 화살표들에 의해 도 4b에 도시된다. 단계 D32의 다음에, 현재 블록이 위에서 설명된 단계들 D24 내지 D28의 반복에 의해 디코딩된다. 상술한 단계 D31의 다음에, 현재 블록이 고려중인 열(SEk)의 첫 번째 블록이 아닌 경우, 동일 열(SEk)에 위치되는 이전에 디코딩된 블록, 즉, 도시된 예에서 현재 블록의 바로 좌측에 위치된 디코딩된 블록에 기인하는 확률들의 판독은 유리하게는, 착수되지 않는다. 실제로, 도 4a 또는 도 4b에 도시된 바와 같이, 동일 열에 위치된 블록들의 판독을 위한 순차적 순회 PS를 고려하면, CABAC 디코더에 존재하는 심볼 발생 확률들은 현재의 블록의 코딩이 시작하는 순간에, 틀림없이 이런 동일 열의 이전 블록의 디코딩 이후에 존재하는 것이다. 그 결과, 단계 D33의 과정에서, 상기 현재 블록의 엔트로피 디코딩에 대한 심볼 발생의 확률들의 학습이 착수되는데, 상기 확률들은 도 4a 또는 도 4b의 이중 실선 화살표들에 의해 도시된 바와 같이, 동일 열에서의 상기 이전 블록에 대하여 연산되었던 것에만 대응한다. 단계 D33 다음에, 현재 블록이 위에 설명된 단계 D24 내지 D28의 반복에 의해 디코딩된다. 단계 D34의 과정에서, 현재 블록이 고려중인 열(SEk)의 마지막 블록인지의 여부를 결정하기 위한 검사가 그 후에 수행된다. 그런 경우가 아니면, 단계 D34의 다음에, 코딩될 다음 블록 MBi를 선택하는 단계 D29가 다시 실시된다. 현재 블록이 고려중인 열(SEk)의 마지막 블록인 경우, 단계 D35의 과정에서, 디코딩 유닛(UDk)은 상술한 단계 D23과 동일한 단계를 수행하는데, 즉, 미리 결정된 심볼들의 세트에 포함된 심볼의 발생의 확률을 나타내는 간격을 다시 초기화한다. 이런 재초기화는 각 열(SEk)의 시작에서 검정 점에 의해 도 4a 및 도 4b에 도시된다. 따라서, 디코더(DO)는 열의 각 시작에서 초기화된 상태이고, 그에 의해 디코딩의 병렬 계산의 레벨을 선택하는 관점에서 뛰어난 유연성 및 디코딩시 프로세싱 시간의 최적화를 허용한다. 도 7a에 도시된 예시적인 코딩/디코딩 다이어그램에서, 도 3a에 도시된 바와 같이, 코더(CO)는 단일 코딩 유닛(UC)을 포함하는 한편, 디코더(DO)는 6개의 디코딩 유닛들을 포함한다. 코딩 유닛(UC)은 열들(SE1, SE2, SE3, SE4, SE5, 및 SE6)을 순차적으로 코딩한다. 도시된 예에서, 열들 SE1 내지 SE4은 완전히 코딩되고, 열 SE5은 코딩되는 과정이며, 열 SE6은 아직 코딩되지 않았다. 코딩의 순차적 발생(sequentiality)을 고려하면, 코딩 유닛(UC)은 열들 SE1, SE2, SE3 및 SE4의 코딩의 순서로 차례로 정렬된 서브-스트림들(F1, F2, F3, F4)을 포함하는 스트림(F)을 전달하도록 적응된다. 이런 목적을 위해, 서브-스트림들(F1, F2, F3 및 F4)은 코딩된 열들(SE1, SE2, SE3, SE4)을 각각 기호화하는 것과 동일한 해칭으로 기호화된다. 상기 코딩된 열들의 코딩의 종료시 비움 단계들 및, 코딩될/디코딩될 다음 열의 코딩 또는 디코딩의 시작시 확률들의 간격의 재초기화에 의해, 디코더(DO)는 그것이 서브-스트림들을 디코딩하도록 서브-스트림을 판독할 때마다, 초기화된 상태이고, 따라서, 최적 방식으로, 예를 들면, 4개의 상이한 플랫폼들 상에 설치될 수 있는 디코딩 유닛들(UD1, UD2, UD3 및 UD4)로 4개의 서브-스트림들(F1, F2, F3, F4)을 병렬로 디코딩할 수 있다. 도 7b에 도시된 예시적인 코딩/디코딩 다이어그램에서, 도 3c에 도시된 바와 같이, 코더(CO)는 2개의 코딩 유닛들(UC1 및 UC2)을 포함하는 한편, 디코더(DO)는 6개의 디코딩 유닛들을 포함한다. 코딩 유닛 UC1은 홀수 번째의 열들(SE1, SE3 및 SE5)을 순차적으로 코딩하는 한편, 코딩 유닛 UC2는 짝수 번째의 열들(SE2, SE4, 및 SE6)을 순차적으로 코딩한다. 이런 목적을 위해, 열들 SE1, SE3 및 SE5는 화이트 백그라운드(white background)를 나타내는 한편, 열들 SE2, SE4 및 SE6은 도티드 백그라운드(dotted background)를 나타낸다. 도시된 예에서, 열들 SE1 내지 SE4는 완전히 코딩되고, 열 SE5는 코딩되고 있는 과정이며, 열 SE6은 아직 코딩되지 않았다. 수행된 코딩이 레벨 2의 병렬 유형인 사실을 고려하면, 코딩 유닛 UC1은 열들 SE1 및 SE3의 각각의 코딩 다음에 획득된 2개의 파트들(F1 및 F3)로 분해된 서브-스트림(F2n+1)을 전달하도록 적응되는 한편, 코딩 유닛 UC2는 열들 SE2 및 SE4의 각각의 코딩 다음에 획득된 2개의 파트들(F2 및 F4)로 분해된 서브-스트림(F2n)을 전달하도록 적응된다. 코더(CO)는 따라서 2개의 서브-스트림들(F2n+1 및 F2n)의 병치(juxtaposition) 및 따라서 도 7a에 도시된 것과 상이한 서브-스트림들(F1, F2, F3, F4)의 순서를 포함하는 스트림(F)을 디코더(DO)에 전송하도록 적응된다. 이런 목적을 위해, 서브-스트림들(F1, F2, F3 및 F4)은 코딩된 열들 SE1, SE2, SE3, SE4을 각각 기호화하는 것과 동일한 해칭으로 기호화되고, 서브-스트림들 F1 및 F3은 화이트 백그라운드(홀수 번째의 열들의 코딩)을 나타내며, 서브-스트림들 F2 및 F4는 도티드 백그라운드(짝수 번째의 열들의 코딩)을 나타낸다. 도 7a와 함께 언급된 이점들에 대하여, 이런 코딩/디코딩 다이어그램은 그의 디코딩의 병렬 계산의 레벨이 코딩의 병렬 계산의 레벨과 완전히 무관한 디코더를 이용할 수 있고, 그에 의해 코더/디코더의 동작을 한 층 더 최적화하는 것을 가능하게 하는 장점이 더 존재한다.
본 발명은 미리 결정된 심볼들의 세트에 속하는 심볼들을 포함할 수 있는 복수의 블록들(MB)로부터 이미지를 분할하는 단계(C1), 미리 결정된 수(P)의 블록들의 서브세트들(SE1, SE2,..., SEk,..., SEP)에서 블록들을 분류하는 단계(C2), 엔트로피 모듈을 이용하여, 검토중인 서브세트의 각 블록의 심볼들과 디지털 정보를 연관시킴으로써, 상기 블록들의 서브세트들의 각각을 인코딩하는 단계(C3) - 상기 인코딩 단계는, 이미지의 첫 번째 블록에 대하여, 상기 엔트로피 인코딩 모듈의 상태 변수들을 초기화하는 서브-단계(C33)를 포함함 -, 및 상기 인코딩된 블록들의 서브세트들 중 적어도 하나를 나타내는 데이터의 적어도 하나의 서브-스트림을 생성하는 단계를 포함하는 인코딩 방법에 관한 것이다. 현재 블록이 검토중인 블록들의 서브세트의 인코딩되고 있는 첫 번째 블록인 경우, 상기 첫 번째 현재 블록에 대한 심볼 발생의 확률들은 적어도 하나의 다른 서브세트의 인코딩된 및 디코딩된 미리 결정된 블록에 대하여 결정되었던 것이다. 현재 유닛이 검토중인 서브세트의 마지막 인코딩된 유닛인 경우, 검토중인 상기 서브세트의 블록들의 인코딩 동안 상기 심볼들과 연관되었던 디지털 정보 모두는 검토중인 적어도 상기 서브세트를 나타내는 상기 서브-스트림에 기록되고(C45), 초기화 서브-단계가 실시된다(C46).
[ 발명의 명칭 ] 카보네이트 제조 방법 METHOD FOR PRODUCING CARBONATES [ 기술분야 ] 본 발명은 카보네이트를 제조하는 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 디아릴 카보네이트는 폴리카보네이트의 제조에 사용되어 왔다. 디아릴 카보네이트의 제조는 포스겐을 제조한 후 포스겐과 모노페놀을 반응시키는 것에 의해 진행될 수 있다. 그러나, 디아릴 카보네이트의 제조에 사용된 포스겐은 사염화탄소와 같은 불순물들을 함유할 수 있고, 그 결과 제조된 디아릴 카보네이트, 특히 제조된 디페닐 카보네이트 내에 불순물로서 유기 염화물의 형성을 가져온다. 고 농도의 유기 염화물을 함유한 디페닐 카보네이트는, 상기 유기 염화물이 중합 반응에 부정적 영향을 미치고 또한 부정적인 색을 가져올 수 있기 때문에, 폴리카보네이트 합성에서 사용하기에 부적절하다. 따라서, 일반적으로 디아릴 카보네이트의 합성, 특히 디페닐 카보네이트의 합성을 위하여 저 농도의 유기 염화물 화합물을 갖는 포스겐을 사용하는 것에 관한 강력한 동기가 존재한다.포스겐을 제조하는 일 방법에서, 일산화탄소는 촉매, 예를 들어 활성탄소 또는 실리콘 카바이드를 포함한 탄소의 존재하에서 염소와 반응된다. 반응은 강력한 발열반응이고, 보통 반응기 예를 들어, 전통적인 투관형 열교환기(shell and tube heat exchangers)와 유사하게 설계된 복수의 관상 반응기에서 수행된다.사염화탄소 부산물은 포스겐 반응으로부터 생길 수 있고, 50 내지 300 이상의 부피ppm의 양으로 존재할 수 있다. 사염화탄소는 복수의 반응 경로를 통해 포스겐 반응에서 형성될 수 있으며, 그 중 한 경로는 촉매 탄소의 직접 염소화를 수반한다. 포스겐 중에 불순물로서 고 농도의 사염화탄소가 존재하는 것은 디아릴 카보네이트의 제조에서 불리할 수 있다. 많은 양의 사염화탄소의 존재는 디아릴 카보네이트 내 유기 불순물의 증가로 이어져서 중합 반응에서의 촉매 활성의 감소가 유발될 수 있을 뿐만 아니라, 최종 폴리카보네이트 수지의 변색 문제를 유발할 수 있다. 미국특허 제8,044,266호에 따르면, 1 ppm의 염소화된 불순물은 중합 반응을 억제하기에 충분하지만, 색이 없는 완전 투명한 폴리카보네이트를 합성하기 위해 1 ppb 미만인 것이 바람직하다.디페놀 카보네이트의 정제를 위한 최근의 공정들은 대부분 증류 컬럼의 케스케이드(cascade)에 기초된다. 예를 들어, 미국특허 제5,734,004호는 디페놀 카보네이트가 사이드-드로우(side-draw)로부터 증기상으로 제거되는 증류에 기초한 정제 방법을 개시한다. 미국특허 제7,812,189호는 1 ppb 미만의 염화물을 포함한 고-순도의 디페놀 카보네이트를 제조할 수 있는 정제 방법을 개시한다. WO2012/076532는 최대 10 nm의 공극 크기를 갖는 비-다공성 막 또는 나노여과 막을 사용하여 염화물, 금속류 및 다른 중(重) 오염물로부터 디페놀 카보네이트를 정제하는 것을 개시한다. EP0722931A1은 염기성분의 존재 하에서 증류함으로써 염소화된 불순물을 미-포함 고-순도 디페닐 카보네이트의 제조 방법을 개시한다.그러나, 사염화탄소를 제거하기 위한 포스겐 정제는 어려울 수 있는데, 그 이유는 값비싼 정제 장비의 제작 재료, 상기 장비를 보관하기 위한 큰 격납고(enclosures)의 필요 때문에 임의의 포스겐 공장의 작동 비용 및 설비 투자가 대부분을 차지하고, 더 나아가 상기 공정이 매우 에너지 집약적이기 때문이다. 전체적으로, 매년 제조되는 상업적 포스겐에서 생산된 부산물인 사염화탄소의 양은 약 40억 kg의 포스겐 생산을 기초로 할 때 최대 200만 kg일 수 있다.따라서, 별도의 포스겐 정제 공정의 필요 없이 디아릴 카보네이트를 제조하는 방법이 바람직하다. [ 발명의 개요 ] [ 과제의 해결 수단 ] 카보네이트를 제조하는 방법이 개시된다.일 구현예에서, 카보네이트를 제조하는 방법은 포스겐 반응기 내에, 촉매의 존재하에서 일산화탄소 및 염소를 반응시켜서 포스겐을 포함하는 제1 생성물을 제조하는 단계; 및 상기 포스겐과 모노히드록시 화합물을 반응시켜서 상기 카보네이트를 제조하는 단계를 포함하며, 이때, 상기 제1 생성물 내에 사염화탄소가 포스겐 총 부피를 기준으로 0 내지 10 부피 ppm의 양으로 존재하고; 상기 포스겐 반응기가 튜브, 쉘, 및 상기 튜브 및 상기 쉘 사이에 위치된 공간을 포함하고; 상기 튜브가 미니-튜브부 및 제2 튜브부; 상기 쉘 내에 동심원적으로 위치된 제1 동심원 튜브(concentric tube); 트위스트된 튜브; 내부 스캐폴드; 및 외부 스캐폴드 중 하나 이상을 포함한다.전술한 내용 및 다른 특징들은 하기 도면 및 구체적인 설명에 의해 예시된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 예시적인 구현예인 도면을 참조하고, 유사한 요소는 동일하게 넘버링된다.도 1은 직경이 점진적으로 증가하는 조합된 미니-튜브 및 튜브의 실례이다.도 2는 직경이 단계적으로 증가하는 조합된 미니-튜브 및 튜브의 실례이다.도 3은 튜브 안으로 공급되는 복수의 미니-튜브를 갖는 조합된 미니-튜브 및 튜브의 실례이다.도 4는 동심원 튜브 반응기의 단면의 실례이다.도 5는 평활(smooth) 나선형으로 트위스트된 튜브의 실례이다.도 6은 코르크나사식(corkscrew)으로 트위스트된 튜브의 실례이다.도 7은 톱니모양(jagged)의 나선형으로 트위스트된 튜브의 실례이다.도 8은 물결모양(wavy)의 트위스트된 튜브의 실례이다.도 9는 볼록(bulging)하게 트위스트된 튜브의 실례이다.도 10은 트위스트된 튜브 반응기의 튜브측 흐름의 실례이다.도 11은 트위스트된 튜브 반응기의 쉘측 흐름의 실례이다.도 12 내지 19는 다양한 내부 스캐폴드의 실례이다.도 20은 외부 스캐폴드 나선형 요소의 실례이다.도 21은 외부 스캐폴드 환형 요소의 실례이다.도 22는 외부 스캐폴드 단추형(studded) 요소의 실례이다.도 23은 외부 스캐폴드 톱니형(serrated) 요소의 실례이다.도 24는 외부 스캐폴드 전선(wire) 요소의 실례이다. 도 25는 외부 스캐폴드 절단 나선형 요소의 실례이다.도 26은 외부 스캐폴드 절단 환형 요소의 실례이다.도 27은 외부 스캐폴드 물결모양의 나선형 요소의 실례이다.도 28은 외부 스캐폴드 슬롯된(slotted) 물결모양의 나선형 요소의 실례이다.도 29는 외부 스캐폴드 슬롯된 나선형 요소의 실례이다.도 30은 미국특허 제6,399,823호에 따른 실험실 규모의 튜브 및 공업적 규모의 튜브에서의 온도 vs 정규화된 길이의 그래프 실례이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 포스겐은 전형적으로 충전층 다관식 반응기(packed bed multi-tubular reactors)로 제조된다. 전형적인 다관식 반응기, 예를 들어 포스겐 반응기로서 사용하기 위한 다관식 반응기는 촉매가 패킹된 다수의 튜브를 하우징하는(housing) 쉘 및 상기 튜브 및 상기 쉘 사이에서 순환하여 반응열을 제거하는 냉각 매질로 구성된다. 전형적인 촉매들은 열악한 열 전도도를 가지며 다관식 설계는 유효 전열면적(heat transfer area)이 제한되기 때문에, 상기 다관식 반응기는 400 내지 800℃의 범위에서 최대 튜브 온도(과열점)를 가질 수 있다. 놀랍게도, 사염화탄소의 형성이 충전층의 최대 반응 온도와 직접적으로 관련되는 것으로 밝혀졌고, 이론에 구속됨 없이, 사염화탄소의 형성이 주로 이러한 과열점에서 발생하는 것으로 생각된다. 그러므로, 출원인은 사염화탄소 생산량이 감소되며 공업적 규모에서 사용될 수 있는 신규한 포스겐 반응기를 개발하였다. 예를 들어, 포스겐 반응은 1 시간 당 2,000 kg (kg/hr) 이상, 구체적으로 4,000 kg/hr 이상, 더 구체적으로 4,000 내지 13,000 kg/hr 또는 4,000 내지 9,000 kg/hr의 생성물을 제조할 수 있다.미국특허 제6,500,984호는 복합 반응기의 유출구 말단에 위치된 제2 촉매층의 포스겐에 대한 상대적 활성이 유입구 말단에 위치된 제1 촉매층의 포스겐의 활성에 비해 높은, 복합 촉매층을 포함한 충전층 관형 반응기 내에 불순물로서 사염화탄소를 10 부피ppm 미만으로 함유한 고 순도의 포스겐의 합성을 개시한다. 미국특허 제6,500,984호는 복합 촉매층의 사용이 고활성의 균질한 단일 촉매층에 비해, 포스겐 합성에서 형성된 사염화탄소의 양을 저온에서 약 2배 그리고 고온에서 약 5배 낮출 수 있다고 개시한다. 축방향 슬라이드 튜브(0.125 인치 직경) 내에 이동식 열전대가 장착된, 0.5 인치의 외부 직경을 갖는 충전 튜브는 본 발명의 개념의 증거를 보이기 위해 채택되었다.출원인은 미국특허 제6,500,984호의 복합층 구성이 공업적 규모의 반응기로서 포스겐의 공업적 생산에서 사용하기 위한 스케일-업(scale-up)에 적합하지 않다는 것을 발견하였다(하기 예를 참조). 그들은, 미국특허 제6,500,984호의 복합 촉매층이 2 인치의 직경 및 8 피트(feet)의 길이를 갖는 전형적인 공업적 규모의 반응기 튜브에 적용되고 미국특허 제6,500,984호(반응물 비율, 흐름 속도, 유입구 온도 등)와 동등한 조건 하에서 작동되는 경우에, 제조된 포스겐이 미국특허 제6,500,984호에서 개시된 것보다 현저히 더 높은 포스겐 농도를 가졌다는 것을 발견하였다.이론에 의해 구속됨 없이, 출원인은 미국특허 제6,500,984호의 복합 촉매층이 스케일-업 되지 않은 이유가 충전층 내 열 제거 기간이 계속해서 길어지기 때문이라고 생각한다. 다시 말하면, 열 제거가 튜브 직경의 증가에 따라 덜 효율적이 된다고 생각한다. 고유의 열 제거 시간은 다음과 같이 정의될 수 있다:여기서, Cpv는 반응 혼합물의 부피 비열이고, Vγ은 반응기 부피이고, Ah는 전열면적이고, U는 촉매층에 대한 전체 전열 계수이다. 고유한 열 제거율이 고유 시간에 반비례하기 때문에, 열 제거율이 튜브 직경에 대해 역으로 변화할 것이 분명하다. 그러므로, 튜브 직경이 0.5 인치에서 2 인치로 증가하면, 촉매층은 반응 열의 제거에 있어서 덜 효율적이 될 것임이 분명하다. 이러한 열 제거 효율의 감소는 더 높은 최대 튜브 온도 프로파일을 낳아서, 과열점 형성의 높은 가능성을 갖는다.출원인은 더 높은 최대 튜브 온도가 증가된 사염화탄소의 형성과 관련된다는 점을 추가로 발견하였다. 구체적으로, 실험실 규모의 충전층 포스겐 반응기를 사용하여, 출원인은 최대 튜브 온도가 사염화탄소의 형성과 연관된다는 점을 이어지는 수식을 통해 발견하였다:따라서, 복합 촉매층이 사용되는 경우에도, 2 인치의 공업적 규모의 반응기에서 더 높은 최대 튜브 온도는, 0.5 인치의 실험실 규모의 반응기에 비해 현저히 높은 사염화탄소 형성을 가져온다.이에 따라, 출원인은 포스겐의 공업적 규모의 제조에서 사용될 수 있으며 고유의 낮은 열 제거 시간을 초래하여 포스겐 내에 현저히 낮은 사염화탄소를 갖는, 신규한 반응기 설계를 개발하였다. 이러한 반응기 구성은 하기 a) 내지 f)를 이용함으로써 반응기 단위 부피 당 가용 전열면적을 증가시키는 것을 포함한다: a) 연장된 내부 표면적을 갖고 내부 핀을 구비한(internally finned) 반응기 및/또는 반응기 단위 부피 당 더 높은 유효한 전열면적을 제공할 수 있는 인서트(inserts), b) 촉매층 내에 높은 열전도성 불활성 필러의 사용, c) 펠렛 열 전도성을 개선하기 위한 촉매의 변형, 및 d) 냉각 매질로의 외부 열 전달을 개선하기 위하여, 핀을 구비한 튜브를 통해 연장된 외부 표면적을 갖는 튜브 설계, e) 전체 열 전달을 개선하기 위하여 튜브에 내부적으로 또는 외부적으로 더 큰 난류를 유도하는 것, 및 f) 전술한 것들 중 하나 이상을 포함하는 조합을 사용하는 것에 의하여 반응기 단위 부피 당 가용 전열면적을 증가시키는 것을 포함한다.따라서, 놀랍게도, 포스겐 반응기 내 과열점의 형성을 감소시키거나 제거하여 최대 반응 온도를 800℃ 미만, 구체적으로 400℃ 이하, 더 구체적으로 350℃ 이하, 보다 더 구체적으로 300℃ 이하로 하는 것이 포스겐의 부피를 기준으로 10 부피ppm 이하, 9 부피ppm 이하, 8 부피ppm 이하, 7 부피ppm 이하, 6 부피ppm 이하, 5 부피ppm 이하, 4 부피ppm 이하, 3 부피ppm 이하, 2 부피ppm 이하, 1 부피ppm 이하, 또는 0 부피ppm의 사염화탄소를 갖는 포스겐의 형성을 가져올 수 있다는 것을 발견하였다. 따라서, 출원인은 포스겐 반응기의 단위 부피 당 가용 전열 면적을 증가시키는 것에 의해 과열점의 형성을 감소 또는 방지할 수 있는 포스겐 반응기 및 공정을 개발하였다. 예를 들어, 전형적인 상업적 다관식 포스겐 반응기는 100 m2/m3의 단위 부피당 유효 전열면적을 갖는다. 이어지는 기술들 중 적어도 하나가 사용되어, 포스겐 내 고 농도의 사염화탄소의 원인이 되는 과열점 형성을 경감 또는 제거하여 높은 열 전달률을 달성할 수 있다: a) 종래의 다관식 반응기에 비해 단위 부피당 더 높은 전열면적을 갖도록 설계된 변형된 반응기의 사용(예를 들어, 100 내지 10,000 m2/m3의 단위 부피당 전열면적); 및 b) 단위 부피당 벽 접촉 면적이 증가되어 층에서 반응기 벽으로의 열 전달이 증가되도록 설계된 변형된 반응기의 사용. 이어지는 기술들 중 적어도 하나가 사용되어, 포스겐 내 고 농도의 사염화탄소의 원인이 되는 과열점 형성을 경감 또는 제거하여 높은 열 전달률을 달성할 수 있다: a) 내부 핀 또는 인서트를 통해 단위 부피당 현저히 높은 전열면적을 갖는 연장된 내부 면적 반응기의 사용(예를 들어, 100 내지 10,000 m2/m3의 단위 부피당 전열면적); b) 높은 열 전도성 불활성 필러의 사용을 통해 더 높은 방사상 및 축방향의 열 전도성을 갖는 패킹된 촉매의 사용; c) 더 높은 열 전도성을 갖는 촉매 펠릿의 사용 및 d) 냉각 매질로의 외부 열 전달을 개선하기 위하여 외부에 핀을 구비한 튜브를 통해 연장된 외부 표면적을 갖는 튜브 설계, 및 e) 전반적인 열 전달을 개선하기 위하여, 예를 들어 트위스트된 튜브의 사용을 통해 튜브의 내부 또는 외부에 더 큰 난류를 유도하는 기술. 이러한 접근법들 각각은 하기 설명되는 다양한 구현예들로 예시된다.앞서 기술한 바와 같이, 포스겐은 포스겐 반응기 내에서 일산화탄소 및 염소 반응 가스의 반응에 의하여 제조될 수 있다. 놀랍게도, 열제거를 더욱 용이하게 하는 포스겐 반응기 구성이 사염화탄소의 농도의 감소를 가져올 수 있다고 발견되었다. 포스겐 반응기는 100 내지 10,000 m2/m3, 예를 들어 250 내지 10,000 m2/m3, 또는 100 내지 10,000 m2/m3, 또는 500 내지 8,000 m2/m3, 또는 1,000 내지 5,000 m2/m3의 단위 부피 당 전열면적을 가질 수 있다.포스겐 반응기("튜브 반응기"로도 언급됨)는 외부 튜브("쉘"로도 언급됨) 내에 위치되는 임의의 개수의 튜브들, 예를 들어, 1 내지 1,200개, 또는 2 내지 250개, 또는 3 내지 200개, 또는 1 내지 200개, 또는 1 내지 150개, 또는 1 내지 100개의 튜브를 포함할 수 있다. 냉각 매질은 상기 쉘 및 상기 튜브(들) 사이에 위치될 수 있다.튜브들은 서로 독립적으로 대략 수 밀리미터(mm), 예를 들어, 0.1 내지 10 mm, 0.1 내지 6 mm, 0.5 내지 8 mm, 또는 0.5 내지 5 mm, 또는 0.1 내지 5 mm의 평균 단면 직경을 가질 수 있는 하나 이상의 미니-튜브들을 포함할 수 있다. 상기 미니-튜브들의 단면 형상(shape)은 서로 독립적으로 직사각형, 정사각형, 원형, 계란형(ovoid), 타원형(elliptical), 다중-꽃잎형(multi-petal), 또는 임의의 다른 규칙적인 또는 불규칙적인 형태(geometry)일 수 있다. 상기 형상이 원형이 아닌 경우에, "평균 튜브 단면 직경"은 실제 단면 형상과 동일한 면적을 갖는 원의 직경을 지칭한다.튜브는 6 mm 초과, 8 mm 초과, 10 mm 초과, 또는 12 mm 초과의 평균 직경을 가질 수 있는 튜브부를 포함할 수 있다. 상기 튜브부는 500 mm 이하, 250 mm 이하, 100 mm 이하, 또는 50 mm 이하의 평균 직경을 가질 수 있다.포스겐 반응기는 동일하거나 상이한 쉘 내에 위치될 수 있는 두 개 이상의 반응기들을 연속적으로 포함할 수 있다. 예를 들어, 미니-튜브(제1 반응기)의 유출구는 증가한 직경을 갖는 튜브부(제2 반응기)의 유입구 안으로 넣을 수 있다. 두 개 이상의 미니-튜브로부터의 공급물은 증가한 직경을 갖는 한 튜브부의 유입구로 공급될 수 있다. 예를 들어, 반응기(예를 들어, Bayer Technology Services로부터 입수 가능한 MIPROWA™ 반응기)는 중간 반응기(예를 들어, 충전층 반응기)의 공급 말단에 위치될 수 있고, 말단 반응기(예를 들어, 표준 다관식 반응기)는 상기 중간 반응기의 유출구 말단에 위치될 수 있다. 미니-튜브 반응기의 사용은, 종래의 다관식 반응기에 비하여 주어진 부피에 대해 10배 더 높은 전열면적을 제공할 수 있어 더 나은 열제거가 달성될 수 있기 때문에 유리할 수 있다. 또한, 튜브 반응기는, 다수의 튜브들(예를 들어, 미니-튜브들)이 증가될 수 있고 시스템의 유효 길이 치수(즉, 채널 크기)가 스케일-업에 따라 바꾸지 않아도 되기 때문에, 상이한 크기의 반응기들에 대해 확장가능 하다는 장점을 갖는다.하나 이상의 미니-튜브들은 직경이 증가한 튜브부와 결합되어, 하나의 연속적인 튜브가 공급 말단 및 유출구 말단에서 상이한 치수를 가질 수 있다. 예를 들어, 공급 말단에서의 튜브부는 제1 길이로서 0.1 내지 10 mm, 0.1 내지 6 mm, 0.5 내지 8 mm, 또는 0.5 내지 5 mm의 직경을 갖는 미니-튜브일 수 있고, 유출구 말단에서의 튜브부는 제2 길이로서 6 mm 초과의, 예를 들어 10 mm 이상의 증가된 직경을 가질 수 있다. 상기 미니-튜브로부터 직경이 증가한 튜브로의 직경의 증가는 도 1에서 보는 바와 같이 점진적일 수 있거나, 도 2에서 보는 바와 같이 단계적일 수 있다. 도 1은 미니-튜브 말단(2)의 직경(l)로부터 튜브 말단(4)의 직경(L)으로의 증가는, 상기 직경 (l)로부터 (L)로의 증가가 평활 함수, 예를 들어 선형함수에 의해 정의된다는 점에서 점진적일 수 있다. 미니-튜브 말단(2) 및 튜브 말단(4)은 똑같이 동심원적일 수 있다. 도 2는 상이한 직경을 갖는 각 부분의 길이가 서로 다르거나(예를 들어, a vs b) 동일하다(예를 들어, b 및 c)는 것을 보여준다. 유사하게, 어느 한 직경으로부터 다른 직경으로의 변화는 점진적이거나 갑작스러울 수 있고(e vs f), 이는 서로 동일하거나 상이한 길이 또는 각도로 이루어질 수 있다.단일 미니-튜브는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같은 더 큰 직경의 단일 튜브와 결합될 수 있거나, 복수의 미니-튜브들은 도 3에서 도시된 바와 같은 더 큰 직경의 단일 튜브와 결합될 수 있다. 도 3은 복수의 미니-튜브(10, 12 및 14)가 튜브 말단(4)에서 튜브(16)를 연결할 수 있는 미니-튜브 말단(2)에 존재할 수 있다. 튜브들(10, 12, 및 14)은 각각 m, n, 및 o의 직경을 가질 수 있고, 이때, m, n, 및 o는 각각 개별적으로 동일하거나 상이할 수 있다. 결합된 튜브(들)는 쉘 내에 위치될 수 있고, 상기 쉘 및 상기 튜브 사이에 냉각 매질이 위치될 수 있다.튜브는 반응기의 가장 바깥쪽의 튜브일 수 있는 쉘 내부에 위치된 동심원 튜브 구성을 가질 수 있다. 상기 동심원 튜브 구성은 직경 d2의 제2 외부 튜브 내에 동심원적으로 위치된 내부 직경 d1의 제1 내부 동심원 튜브를 적어도 하나 포함하며, 이때, d2003e#d1 이다. 본원에서 사용한 용어 "동심원" 및 동심원적으로 위치된"은 제1 내부 튜브가 제2 외부 튜브 내에 위치되되, 상기 제1 튜브의 중심선이 다른 튜브의 중심선과 실질적으로 평행한 것을 의미한다. 따라서, 각각의 동심원 튜브의 중심선은 일치될 수 있거나; 또는 내부 동심원 튜브의 중심선은 외부 튜브의 중심선으로부터 이격(offset)될 수 있다. 본원에서 사용된 용어 "실질적으로 평행한"은 각각의 튜브의 중심선이 0° 내지 20°, 0° 내지 10°, 또는 0° 내지 5°의 상대각에 있는 것을 의미한다. 각각의 튜브의 중심선은 일치, 즉 겹쳐질 수 있다.반응기의 가장 안쪽의 동심원 튜브는, 당해 분야에서 알려진 반응 및 다른 요소들의 처리량에 따라, 대략 수 밀리미터, 예를 들어, 20 mm 이상, 40 mm 이상, 80 mm 이상, 또는 그 이상, 또는 50 mm 미만, 또는 20 내지 40 mm의 단면 직경(상기 단면 직경은 제1 내부 튜브의 면적과 동일한 면적을 갖는 원의 직경임)을 가질 수 있다. 외부 튜브는 냉각 매질 또는 촉매와 함께 가장 안쪽의 튜브를 수용하도록 크기가 조절될 수 있다.제1 내부 동심원 튜브, 제2 외부 동심원 튜브, 또는 제3 동심원 튜브의 단면은 직사각형, 정사각형, 원형, 계란형, 타원형, 또는 임의의 다른 규칙적인 또는 불규칙적인 형태를 가질 수 있다. 상기 내부 동심원 튜브의 단면은 원형 또는 다중-꽃잎 형태를 가질 수 있다. 앞서 언급한 바와 같이, 형상이 원형이 아닌 경우, "평균 마이크로튜브 채널 단면 직경"은 실제 단면 형상과 동일한 면적을 갖는 원의 직경을 지칭한다. 각각의 동심원 튜브는 서로 동일하거나 상이한 단면 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 및 제2 동심원 튜브 (및 임의의 추가적인 튜브들) 모두는 원형 단면을 가질 수 있거나, 또는 상기 내부 동심원 튜브는 다중-꽃잎 단면 형태를 가질 수 있고, 상기 외부 튜브는 원형 단면 형태를 가질 수 있다.다중-꽃잎 형태의 예는 도 4에서 보여진다. 구체적으로, 도 4는 내벽(24)을 구비하고 내부 직경 d2를 갖는 제2 외부 동심원 튜브(22) 및 상기 외부 동심원 튜브(22) 내에 동심원적으로 위치된 4개의-꽃잎 형태(26)를 갖는 제1 내부 동심원 튜브를 포함하는 동심원 튜브 구성을 보여준다. 상기 제1 튜브는 외벽(28)을 갖는다. 상기 내부 동심원 튜브의 직경은 상기 4개의-꽃잎 형태(26)를 갖는 상기 제1 내부 동심원 튜브와 동일한 면적을 갖는 원(20)의 직경 d1으로 기술된다.상기 제1 내부 동심원 튜브는 내부에 촉매가 위치된 충전층 반응기일 수 있고, 상기 외부 튜브는 냉각 매질을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 상기 냉각 매질은 상기 촉매를 함유하는 상기 제1 동심원 튜브의 외벽 및 상기 제2 동심원 튜브의 내벽 사이에 위치된 영역에서 흐를 수 있다.대안적으로, 상기 냉각 매질은 상기 제1 내부 동심원 튜브 내에 위치될 수 있고, 상기 촉매는 상기 제1 동심원 튜브의 외벽 및 상기 제2 동심원 튜브의 내벽 사이에 위치될 수 있다. 복수의 상기 동심원 튜브들의 각각의 세트는 복수의-튜브 반응기의 쉘 내에 위치될 수 있다. 대안적으로, 동심원, 예를 들어, 일치하는 튜브들의 단일 세트는 내부 직경 d3을 갖는 제3 동심원 튜브에 의해 둘러싸일 수 있으며, 이때 d3003e#d2003e#d1 이다. 이런 구현예에서, 냉각 매질은 상기 제2 동심원 튜브의 외벽 및 상기 제3 동심원 튜브의 내벽 사이에 위치될 수 있다. 상기 세 개의-튜브를 갖는 구현예는 포스겐 반응기로서 사용될 수 있거나, 복수의 세 개의 동심원 튜브의 세트 각각은 포스겐 반응기의 쉘 내에 위치될 수 있다.상기 동심원 튜브 구성은 상기 촉매 및 상기 냉각 매질 사이에서 더 높은 전열면적을 제공함으로써 종래의 다관식 반응기에 비해 개선된 열제거를 제공하므로, 더 낮은 최대 튜브 온도를 제공할 수 있다.튜브는 트위스트된 튜브를 포함하되, 촉매를 함유한 하나 이상의 트위스트된 튜브가 채용될 수 있다. 상기 트위스트된 튜브 구성은 상기 촉매 및 상기 냉각 매질 사이에서 더 높은 전열면적을 제공함으로써 종래의 다관식 반응기에 비해 개선된 열제거를 제공하므로, 더 낮은 최대 튜브 온도를 제공할 수 있다. 상기 트위스트된 튜브는 예를 들어, 평활 나선형 형상(튜브의 외면 상에 임의의 지점에서의 접선이 고정선과 일정한 각을 형성함), 톱니모양의(jagged) 나선형 형상(튜브의 외면 상에 임의의 지점에서의 접선이 고정선과 일정한 각을 형성하지 않음), 물결모양의 형상, 볼록한 형상 등, 또는 전술한 것들 중 하나 이상을 포함하는 조합을 가질 수 있다.도 5는 x 축을 기준으로 트위스트된 평활 나선형으로 트위스트된 튜브(32)를 보여준다. 도 6은 x 축을 기준으로 트위스트된 코르크나사식(corkscrew)으로 트위스트된 튜브(34)를 보여준다. 도 7은 x 축을 기준으로 톱니모양의 나선형으로 트위스트된 튜브(36)를 보여준다. 톱니모양의 나선형으로 트위스트된 튜브(36)가 x 중심축 중심으로의 회전을 유지하도록 보여지지만, 마찬가지로 상기 축으로부터 벗어날 수 있다는 것을 알아야 한다. 도 8은 물결모양으로 트위스트된 튜브(38)를 보여준다. 도 9는 볼록하게 트위스트된 튜브(40)를 보여준다.도 10은 외부 쉘(46) 내에 위치된 단일의 평활 나선형으로 트위스트된 튜브(32)를 보여준다. 냉각 매질은 외부 쉘(46) 및 평활 나선형으로 트위스트된 튜브(32) 사이의 개구부(42)(본원에서 면적 또는 공간으로도 언급됨) 내로 흐를 수 있다. 화살표(44)는 상기 트위스트된 튜브 내에 발생하는 개선된 튜브측면(tubeside) 흐름을 보여준다. 도 11은 외부 쉘(46) 내에 위치된 복수의 평활 나선형으로 트위스트된 튜브(32)를 보여준다. 냉각 매질은 외부 쉘(46) 및 평활 나선형으로 트위스트된 튜브(32) 사이의 상기 개구부(42) 내로 흐를 수 있다. 화살표(48)는 상기 개구부 내에 발생하는 개선된 쉘측면(shellside) 흐름을 보여준다.상기 트위스트된 튜브는 도 10에서 보는 바와 같이 개선된 튜브측면 흐름 및/또는 도 11에서 보는 바와 같이 개선된 쉘측면 흐름을 제공하도록 구성될 수 있다. 이론에 구속됨 없이, 상기 트위스트된 튜브 구성은 트위스트된 튜브 내에 및 더 큰 주변 쉘(surrounding shell) 내에 모두 난류를 강화함으로써 열 전달에 대한 내부 및 외부 저항을 낮출 수 있을 것으로 생각된다. 사용될 수 있는 트위스트된 튜브의 예는 Koch Heat Trasnfer Company로부터 입수 가능한 Twisted Tube™ 열 교환기의 튜브이다.상이한 단면 구성을 갖는 튜브와의 조합을 포함하여, 앞서 기술한 트위스트된 튜브 구성들의 임의의 조합이 사용될 수 있다.각각의 트위스트된 튜브의 단면의 형상은, 예를 들어, 원형 또는 비-원형(예를 들어, 계란형, 복수의-꽃잎형, 타원형, 또는 직사각형(예, 모서리가 둥근 직사각형), 또는 임의의 다른 규칙적인 또는 불규칙적인 형태)일 수 있고, 이때 상기 단면은 상기 트위스트된 튜브를 따라 거리와 함께 배향 및/또는 형상이 변화할 수 있다. 상기 트위스트된 튜브 구성에서, 상기 단면은 원형일 수 있다.반응기의 트위스트된 튜브 각각은 독립적으로 대략 수 밀리미터(mm), 예를 들어, 20 mm 이상, 40 mm 이상, 80 mm 이상, 또는 그 이상의 평균 단면 직경을 가질 수 있다. 상기 반응기의 트위스트된 튜브 각각은 독립적으로 주직경(major diameter) 및 부직경(minor diameter)을 가질 수 있으며, 상기 직경들은 단면의 중심점을 통과하는 가장 긴 직경 및 가장 짧은 직경으로서 각각 측정될 수 있다. 상기 주직경 및 상기 부직경은 대략 수 밀리미터(mm), 예를 들어, 20 mm 이상, 구체적으로, 40 mm 이상, 구체적으로, 또는 80 mm 이상, 또는 50 mm 미만, 또는 20 내지 40 mm일 수 있고, 상기 주직경이 상기 부직경에 비해 더 클 수 있다. 상기 주직경 및 상기 부직경은 서로 독립적으로 5 mm 이상, 구체적으로, 20 내지 1,000, 더 구체적으로, 40 내지 500 mm, 보다 더 구체적으로 80 내지 150 mm일 수 있다. 상기 주직경 대 상기 부직경의 비는 1:1 내지 20:1, 구체적으로, 1.1:1 내지 10:1, 더 구체적으로 2:1 내지 5:1일 수 있다. 도 5는 평활 나선형 트위스트된 튜브(32)의 주직경(D) 및 부직경(d)의 예를 보여준다.튜브는 내부 스캐폴드를 포함하도록 변형될 수 있다. 예를 들어, 종래의 다관식 반응기의 하나 이상의 튜브, 미니-튜브, 동심원 튜브, 및 트위스트된 튜브는 내부 스캐폴드를 포함하도록 변형될 수 있다. 상기 내부 스캐폴드는 내부 인서트 및 내부 핀 중 하나 또는 둘 모두의 형태일 수 있으며, 이러한 인서트 또는 핀은 튜브 및 촉매 간의 접촉 면적을 증가시키는 역할을 하여 열 전달을 향상시킬 수 있다. 상기 내부 인서트는 튜브의 내벽에 직접 접촉할 수 있고 거기에 느슨하게 연결될 수 있는 내부에 위치된 인서트이다. 상기 내부 핀은 튜브 설계에 내장된 내부적으로 연장된 표면인 핀이며, 상기 튜브 설계에서, 예를 들어, 상기 핀은 튜브상에 용접될 수 있거나, 튜브 그 자체의 형성 과정에서 형성될 수 있다. 상기 내부 스캐폴드는, 촉매 입자가 더 노출되어 내부 튜브 내벽과 직접적으로 접촉할 수 있도록 작용하여, 냉각 매질로의 열 전달을 용이하게 할 수 있다.상기 내부 스캐폴드는 예를 들어, 다양한 형상 및 길이를 가질 수 있는 곡선형, 물결형, 또는 직선형일 수 있는 내부 스캐폴드 요소를 포함할 수 있다. 상기 내부 스캐폴드 요소는 수직 요소(64), 내부 요소, 각진 요소, 또는 전술한 것들 중 하나 이상을 포함한 조함을 포함할 수 있다. 내부 튜브 내벽(60)과 직접 접촉될 수 있거나 내부적으로 결합될 수 있는 내부 스캐폴드의 일부 예는 도 12 내지 19에서 보여지는 내부 튜브 단면들에서 보여진다. 예를 들어, 상기 내부 스캐폴드는 수직 요소(64)를 포함할 수 있으며, 이때 적어도 1종의 요소 말단은 상기 내부 튜브 내벽(60)의 접점(62)에서의 접선에 수직이다(도 12-15, 17 및 18 참조). 상기 내부 스캐폴드는 내부 요소(68)을 포함할 수 있으며, 이때 상기 내부 요소(68)는 상기 내부 튜브 내벽(60)과 직접 접촉되지 않는다(도 16 및 17 참조). 상기 내부 스캐폴드는 각진 요소(66)를 포함할 수 있으며, 이때 상기 각진 요소의 적어도 일 말단은 상기 내부 튜브 내벽에 대한 접선에 대해 90도의 각을 갖지 않는다(도면 16 및 19 참조).튜브는 외부 스캐폴드를 포함하도록 변형될 수 있다. 예를 들어, 종래의 다관식 반응기의 하나 이상의 튜브, 미니-튜브, 동심원 튜브, 및 트위스트된 튜브는 외부 스캐폴드를 포함하도록 변형될 수 있다. 상기 외부 스캐폴드는 외부 인서트 및 외부 핀 중 하나 또는 둘 모두의 형태일 수 있으며, 이러한 인서트 또는 핀은 내부 튜브로부터 외부로 냉각 유체로의 열 전달을 더 향상시키기는 기능을 할 수 있다. 상기 외부 인서트는 제1 튜브의 외벽 및 제2 튜브의 내벽 사이에 위치되거나, 또는 제2 튜브의 외벽 및 제3 튜브의 내벽 사이에 위치될 수 있다. 상기 외부 인서트는 외벽과 직접 접촉할 수 있고, 선택적으로 상기 외벽에 느슨하게 연결될 수 있다. 상기 외부 핀은 튜브 설계에 내장될 수 있는 외부로 연장된 표면인 핀이며, 상기 튜브 설계에서, 예를 들어, 상기 핀은 튜브상에 용접될 수 있거나, 튜브 그 자체의 형성 과정에서 형성될 수 있다.상기 외부 스캐폴드는 예를 들어, 다양한 형상 및 길이를 가질 수 있는 곡선형, 물결형, 또는 직선형일 수 있는 외부 스캐폴드 요소를 포함할 수 있다. 내부 튜브 외벽(78)에 직접 접촉될 수 있거나 내부에서 결합될 수 있는 외부 스캐폴드의 일부 예는 도 20 내지 29에서 보여지며, 여기서, 좌측의 이미지는 주변 외부 스캐폴드를 구비한 내부 튜브의 측면 이미지의 구현예이고, 우측의 이미지는 유사한 외부 스캐폴드를 구비한 내부 튜브의 단면도 또는 상면도의 구현예이다. 구체적으로, 도 20은 상기 외부 스캐폴드가 상기 내부 튜브의 외벽(78) 상에 나선형으로 위치된 나선형 요소(80)을 포함할 수 있다는 것을 보여준다. 도 21은 상기 외부 스캐폴드가 원형 요소(82)를 포함할 수 있다는 것을 보여준다. 도 22는 상기 외부 스캐폴드가 단추형 요소(84)를 포함할 수 있다는 것을 보여준다. 도 23은 상기 외부 스캐폴드가 톱니모양의 요소(84)를 포함할 수 있다는 것을 보여준다. 도 24는 상기 외부 스캐폴드가 전선 요소(88)를 포함할 수 있다는 것을 보여준다. 도 25는 상기 외부 스캐폴드가 절단 나선형 요소(90)를 포함할 수 있다는 것을 보여준다. 도 26은 상기 외부 스캐폴드가 절단 원형 요소(92)를 포함할 수 있다는 것을 보여준다. 도 27은 상기 외부 스캐폴드가 물결모양의 나선형 요소(94)를 포함할 수 있다는 것을 보여준다. 도 28은 상기 외부 스캐폴드가 슬롯된(slotted) 물결모양의 나선형 요소(96)를 포함할 수 있다는 것을 보여준다. 도 29는 상기 외부 스캐폴드가 슬롯된 나선형 요소(98)를 포함할 수 있다는 것을 보여준다.반응기 내에 촉매의 위치가 반응으로부터 냉각 액체로의 열 전달에 상당한 영향을 미칠 수 있다는 것이 추가로 발견되었다. 구체적으로, 촉매는 반응기 튜브의 벽, 예를 들어 미니-튜브, 동심원 튜브, 또는 전술한 것들 중 하나 이상을 포함한 조합의 내벽 상에 도포(즉, 직접 접촉될 수 있음)될 수 있다. 상기 도포된 촉매는 충전층과 조합되어 사용될 수 있다. 상기 촉매는 충전층으로서 튜브 내에 배치될 수 있다. 그러나, 상기 도포된 촉매가 포스겐을 제조하기 위한 반응에서 유일한 촉매로 사용되는 경우에 더 나은 열 전달이 얻어질 수 있다. 촉매가 튜브 또는 채널 내에 충전되는 것 대신에 튜브 또는 채널 벽 상에 도포될 수 있다는 사실은 충전의 감소를 가져올 수 있다. 이론에 구속됨 없이, 상기 도포된 촉매는 촉매 입자들이 주로, 서로 접촉하기 보다 반응기 벽과 직접 접촉하기 때문에, 반응기로부터 열 전달을 용이하게 할 수 있다고 생각된다.도포된 촉매는 임의의 상기 반응기 및 튜브 구성에서 사용될 수 있고, 더 나아가 종래의 다관식 반응기에서 사용될 수 있다. 따라서, 촉매는 다관식 반응기의 튜브들의 내면 상에 도포될 수 있다. 상기 촉매는 마이크로튜브 반응기의 채널의 표면 상에 도포될 수 있다. 상기 촉매는 예를 들어, 코팅에 의해 도포될 수 있다. 상기 촉매는 도포되어 해당 표면을 완전히 덮을 수 있거나, 또는 패턴으로 도포될 수 있다. 예를 들어, 더 적은 촉매가 튜브의 공급 말단에서 도포될 수 있고, 더 많은 촉매가 유출구 말단에서 도포될 수 있다.일산화탄소 및 염소 사이의 반응을 용이하게 하는 다양한 촉매들이 앞서 기술한 방법 및 반응기에서 사용될 수 있다. 촉매는 탄소-함유 촉매, 예를 들어 활성탄일 수 있다. 탄소는 예를 들어, 나무, 토탄(peat), 석탄, 코코넛 껍질, 뼈, 갈탄, 석유계 잔여물, 당 등, 또는 전술한 것들 중 하나 이상을 포함한 조합으로부터 유래될 수 있다. 탄소 촉매는 입자형태, 예를 들어, 분말, 과립, 펠렛 등, 또는 전술한 것들 중 하나 이상을 포함한 조합일 수 있다. Brunauer-Emmett-Teller (BET) 측정법에 의해 측정된 탄소 표면적은 100 m2/g 이상, 구체적으로 300 m2/g 이상, 더 구체적으로 1,000 m2/g 이상일 수 있다. BET 측정법에 의해 측정된 탄소 표면적은 100 내지 2,000 m2/g, 구체적으로 550 내지 1,000 m2/g일 수 있다. 상업적으로 입수할 수 있는 탄소 촉매의 예는 Barnebey SutcliffeTM, DarcoTM, NucharTM, Columbia JXNTM, Columbia LCKTM, Calgon PCBTM, Calgon BPLTM, WestvacoTM, NoritTM, 및 Barnebey Cheny NBTM를 포함한다.촉매는 산화에 안정한 촉매(oxidatively stable catalyst )일 수 있다. "산화에 안정한"은 촉매가 하기 온도 및 시간 동안 공기 중에서 순차적으로 가열되는 경우에 12 중량% 이하로 소실되는 것을 의미한다: 125℃에서 30분 간, 200℃에서 30분 간, 300℃에서 30분 간, 350℃에서 45분 간, 400℃에서 45분 간, 450℃에서 45분 간, 및 500℃에서 30분 간. 공기 중에서 탄소 샘플의 가열이 미치는 효과를 평가하기 위하여 이러한 일련의 시간 및 온도 조건이 열중량분석(TGA)을 사용하여 진행될 수 있다.촉매는 1,000 중량ppm 이하의 함량의 활성 금속을 포함할 수 있다. 상기 활성 금속은 주기율표의 3족 내지 10족의 하나 이상의 전이 금속, 붕소, 알루미늄, 실리콘, 또는 전술한 것들 중 하나 이상을 포함한 조합을 포함할 수 있다. 촉매는 철을 포함하지 않을 수 있고, 여기서, 철을 포함하지 않는 것은 촉매가 100 중량ppm 이하, 구체적으로 0 내지 50 중량ppm의 철을 포함하는 것을 의미한다. 이와 유사하게, 촉매는 200 중량ppm 이하, 구체적으로 100 중량ppm 이하의 황 및/또는 200 중량ppm 이하, 구체적으로 100 중량ppm 이하의 인을 포함할 수 있다. 1,000 ppm 이하의 활성 금속을 포함하는 탄소 촉매는 산 세척에 의해 얻을 수 있다(예를 들어, 탄소는 염산으로 처리되거나, 염산으로 처리된 후 불산으로 처리됨).촉매는 3차원 매트릭스를 갖는 다공성 탄소질 재료를 포함한 복합 탄소일 수 있으며, 상기 다공성 탄소질 재료는 가스상 또는 증기상(vaporous) 탄소-함유 화합물(예를 들어, 탄화수소)을 다량의 탄소질 재료(예를 들어, 카본 블랙)의 과립 안으로 도입하는 단계; 상기 탄소-함유 화합물을 분해하여 탄소를 상기 과립의 표면 상에 증착하는 단계; 및 얻은 재료를 수증기(steam)를 포함하는 활성화 가스로 처리하여 상기 다공성 탄소질 재료를 제공하는 단계에 의해 얻어진다. 이에 따라, 촉매로서 적합한 탄소-탄소 복합재가 형성된다. 이러한 다공성 탄소-탄소 복합물은 BET 측정법으로 측정하였을 때, 10 m2/g 이상의 표면적을 가질 수 있고, (1) 3.5 이하, 구체적으로 2.0 이하, 더 구체적으로 1.0 이하, 보다 더 구체적으로 0 내지 1.0의 매크로공극(macropore)에 대한 마이크로공극(micropore)의 비율; 및 (2) 다음 온도 및 시간 동안 공기 중에서 순차적으로 가열한 경우, 16 중량% 이하, 구체적으로 10 중량% 이하, 더 구체적으로 5 중량% 이하의 소실을 포함할 수 있다: 125℃에서 30분 간, 200℃에서 30분 간, 300℃에서 30분 간, 350℃에서 45분 간, 400℃에서 45분 간, 450℃에서 45분 간, 및 500℃에서 30분 간. 이러한 촉매는 1,000 ppm 이상의 함량으로 활성 금속을 포함할 수 있다. 공기 중에서 탄소 샘플의 가열이 미치는 효과를 평가하기 위하여 이러한 일련의 시간 및 온도 조건이 열중량분석(TGA)을 사용하여 진행될 수 있다. 용어 "마이크로공극(micropore)"은 20 Å 이하의 공극 크기를 의미하고, 용어 "매크로공극(macropore)"은 20 Å 초과의 공극 크기를 의미한다. 총 공극 부피 및 공극 부피 분포는 예를 들어, 다공성 측정(porosimetry)에 의해 측정될 수 있다. 마이크로공극 부피(cc/g)가 총 공극 부피(cc/g)로부터 차감되어 매크로공극 부피가 결정될 수 있다. 이후에, 마이크로공극 대 매크로공극의 비율이 계산될 수 있다. 상업적으로 입수가능한 다공성 탄소의 예는 Calgon X-BCPTM 및 CalsicatTM를 포함한다.촉매는 실리콘 카바이드 촉매를 포함할 수 있다. 실리콘 카바이드 촉매는 BET 측정법에 의해 측정하였을 때, 10 m2/g 이상, 구체적으로 20 m2/g 이상, 더 구체적으로 100 m2/g 이상, 더 구체적으로 300 m2/g 이상의 표면적을 가질 수 있다. 실리콘 함량은 10 중량% 이하, 구체적으로 5 중량% 이하일 수 있다. 실리콘 카바이드 촉매는 예를 들어, 일산화실리콘을 미분된 탄소(예를 들어, 0.1 중량% 이하의 회분을 포함하는 것)와 접촉시키는 단계를 포함하는 공정을 사용하거나, 또는 일산화실리콘 증기(SiO)를 탄소와 반응시키는 단계에 의해 제작될 수 있다.열전도성 막은 예를 들어, 0.001㎛ 내지 500㎛, 또는 0.01㎛ 내지 100㎛, 또는 0.1㎛ 내지 10㎛의 두께를 갖는 박막(thin coating)일 수 있다. 열전도성 막은 예를 들어, 상기 촉매의 활성화 처리 과정에서, 촉매의 외부 표면 상에 도포될 수 있다. 충분히 열전도성이라면, 임의의 열전도성 재료가 사용될 수 있고, 이러한 열전도성 재료가 촉매 입자 또는 펠렛 상에 코팅될 수 있고, 염소, 일산화탄소 및 포스겐에 대해 본질적으로 불활성이다. 예시적인 재료는 금속, 예를 들어 티타늄, 또는 니켈, 또는 금속 합금, 예를 들어 스테인레스 강, 내부식성 스테인레스 강, 예를 들어, 튜플렉스 등급(duplex grades), 철 및 크롬을 포함한 니켈 합금(예를 들어, INCONEL), 또는 몰리브덴 및 크롬을 포함한 니켈 합금(예를 들어, HASTELLOY)를 포함한다.반응기는 하나 이상의 촉매 영역을 포함할 수 있다. 앞서 간략히 기술한 바와 같이, 촉매가 튜브의 표면 상에 도포되는 경우에, 튜브는 촉매를 덜 포함하며, 공급 말단 위치에 또는 그 앞에 위치되는 제1 촉매 영역을 포함할 수 있다. 튜브는 상기 제1 촉매에 비해 더 높은 농도로 동일하거나 상이한 촉매를 포함할 수 있으며, 유출구 말단 위치에 또는 그 앞에 위치된 제2 촉매 영역을 더 포함할 수 있다. 2개의 촉매 영역은 순차적으로 위치될 수 있다. 대안적으로, 도포는 점진적으로 증가될 수 있으며, 이에 따라 촉매 농도가 각각의 촉매 영역을 따라 제1 촉매 영역의 시작부에서 저-활성이 존재하고 상기 제2 촉매 영역에서 고-활성이 위치된, 평활(예를 들어, 선형 또는 비-선형 구배) 또는 단계적인 구배를 형성한다.대안적으로, 또는 추가적으로, 미국특허 제6,500,984호에 기술된 바와 같이, 충전층 내에 저활성 촉매 및 고활성 촉매가 사용될 수 있다. 예를 들어, 반응기는 제1 활성을 갖는 제1 촉매를 포함하며, 공급 말단 위치에 또는 그 앞에 위치된 제1 촉매 영역을 포함할 수 있다. 반응기는 상기 제1 촉매의 활성에 비해 더 높은 제2 활성을 갖는 동일하거나 상이한 촉매를 포함할 수 있으며, 유출구 말단 위치에 또는 그 앞에 위치된 제2 촉매 영역을 더 포함할 수 있다. 2개의 촉매 영역은 순차적으로 위치될 수 있다. 대안적으로, 적어도 상기 제1 촉매의 일부는 상기 제2 촉매와 서로 혼합될 수 있으며, 이에 따라 촉매의 활성이 각각의 촉매 영역을 따라 제1 촉매 영역의 시작부에서 저-활성이 존재하고 상기 제2 촉매 영역에서 고-활성이 위치된, 평활 또는 단계적인 구배를 형성한다.KR1998700231A에서 기술된 바와 같이, 반응기는, 반응 조건하에서 반응하지 않고 포스겐 합성 반응을 촉진시키거나 억제하지 않는 불활성 필러로 희석된 촉매를 포함할 수 있으며, 공급 말단에 위치된 제1 촉매 영역을 포함할 수 있다. 반응기는 상기 제1 촉매 영역에서의 불활성 필러에 비해 덜 불활성인 필러로 희석된 동일하거나 상이한 촉매를 포함할 수 있으며, 유출구 말단에 위치된 제2 촉매 영역을 더 포함할 수 있다. 유사하게, 반응기는 불활성 필러로 희석된 촉매를 함유하는 제1 촉매 영역 및 불활성 필러로 희석되지 않은 동일하거나 상이한 촉매를 함유한 제2 촉매 영역을 포함할 수 있다. 상기 불활성 필러는 촉매 입자들 중에 고르게 분포될 수 있고, 2개의 촉매 영역들은 제1 촉매 영역 내에 불활성 필러를 함유하는 촉매가 놓이고, 이어서 덜 불활성인 필러를 함유하는 제2 촉매 영역 내에 촉매가 순차적으로 놓일 수 있다. 대안적으로, 불활성 필러는 각각의 촉매 영역 내의 촉매 입자들 사이에서, 제1 촉매 영역의 시작부에 불활성 필러가 최대 농도로 존재하고 제2 촉매 영역의 말단에서 불활성 필러의 최소 농도가 도달될 때까지 불활성 필러의 농도가 점진적으로 감소하는 구배로 분포될 수 있다. 불활성 필러는 제1 촉매 영역 내의 촉매 입자들 사이에서, 제1 촉매 영역의 시작부에서 불활성 필러가 최대 농도로 존재하고 제1 촉매 영역의 말단에서 불활성 필러의 최소 농도가 도달될 때까지 불활성 필러의 농도가 점진적으로 감소하는 구배로 분포될 수 있고, 제2 촉매 영역은 불활성 필러를 함유하지 않는다. 충전층으로부터의 생성물 가스의 유출구 또는 출구 지점과 인접한 촉매의 일부는 불활성 필러로 희석되지 않을 수 있지만, 반응 가스와 촉매가 접촉하는 개시 지점과 더 인접한 촉매의 임의의 나머지 부분은 불활성 필러로 희석될 수 있다. 통상의 기술자는 임의의 촉매 영역에서 임의의 필러의 분포가 균질하거나, 또는 구배를 갖거나, 균질과 구배 중간쯤, 예를 들어 단계적 구배를 가질 수 있다고 인식할 것이다.불활성 필러는 저 다공성 재료, 예를 들어, 세라믹, 그래파이트, 유리상 탄소, 유리, 석영, 금속, 또는 전술한 것들 중 하나 이상을 포함한 조합을 포함할 수 있다. 상기 재료는 재료의 부피당 기공 부피로서, 0.8 vol/vol 이하, 0.6 vol/vol 이하, 또는 0.1 내지 0.5 vol/vol, 예를 들어, 0.4 vol/vol의 다공성을 가질 수 있다. 적절한 금속은 반응 조건 하에서 반응성을 갖지 않고, 더 구체적으로 반응 조건 하에서 염소, 일산화탄소, 또는 포스겐에 대하여 반응성을 갖지 않는 것을 포함한다. 예를 들어, 불활성 금속 필러는 스테인레스 강; 티타늄; 니켈; 철 및 크롬을 포함한 니켈 합금(예를 들어, INCONELTM), 또는 몰리브덴 및 크롬을 포함한 니켈 합금(예를 들어, HASTELLOYTM)을 포함하나, 이에 한정되지 않는 금속 합금; 또는 전술한 것들 중 하나 이상을 포함한 조합을 포함할 수 있다. 적절한 불활성 필러는 그 자체가 반응 조건 하에서 상당한 비율로 반응하지 않고, 포스겐 합성 반응을 촉진하거나 억제하지 않는 점에서 적어도 실질적으로 불활성이다. 본원에서 실질적으로 불활성은, 필러가 포스겐 생성물에 관한 구체적인 범위를 벗어나는 부산물의 농도를 제조하지 않는다는 것을 의미한다.포스겐을 제조하는데 사용된 일산화탄소 및 염소 가스는 고순도급 일 수 있다. 일산화탄소는 현지의 생성 공장으로부터 공급될 수 있고, 미량의 불순물, 예를 들어, 수소, 메탄, 휘발성 황 화합물 및 질소를 포함할 수 있다. 포스겐 생성물 스트림으로부터 회수된 재생된 일산화탄소는 또한 일산화탄소-포함 공급 스트림의 일부로서 채용될 수 있다.일산화탄소 및 염소는 등몰량(equimolar amount)으로 반응기에 도입되거나 또는 과몰량(molar excess)의 염소로 도입될 수 있다. 예를 들어, 일산화탄소 대 염소의 몰비는 1.00:1 내지 1.25:1, 구체적으로 1.01 내지 1.20:1, 더 구체적으로 1.01:1 내지 1.21:1, 보다 더 구체적으로, 1.02:1 내지 1.12:1, 보다 더 구체적으로, 1.02:1 내지 1.06:1일 수 있다.반응기의 초기 공급물은 모든 유형의 일산화탄소 및 모든 유형의 염소 반응물을 포함할 수 있다. 유사하게, 모든 유형의 염소가 첨가될 수 있으며, 이때 일산화탄소 제1량은 제1 단계 반응 영역에서 도입될 수 있고, 일산화탄소 제2량은 적어도 하나의 하류 반응 영역에서 도입될 수 있다. 적어도 하나의 하류 반응 영역은 상기 제1 반응 영역과 연속적인 연결 관계를 가질 수 있고, 일산화탄소 대 염소의 초기 몰비는 1 미만, 구체적으로0.999:1 내지 0.2:1, 더 구체적으로 0.999:1 내지 0.5:1, 보다 더 구체적으로 0.999:1 내지 0.8:1, 더 구체적으로 0.999:1 내지 0.95:1, 더 구체적으로 0.999:1 내지 0.98:1일 수 있다.반응기는 내부식성 재료를 포함할 수 있거나, 또는 내부식성 물질로 안을 댈 수 있다. 내부식성 재료는 염소, 일산화탄소, 및 포스겐(예를 들어, 세라믹, 스테인레스 강, 티타늄, 니켈, 또는 철 및 크롬을 포함한 니켈 합금(예를 들어, INCONEL), 또는 몰리브덴 및 크롬을 포함한 니켈 합금(예를 들어, HASTELLOY)을 포함하나, 이에 한정되지 않는 금속 합금)에 실질적으로 불활성인 재료이다.본원 방법에 의해 제조된 포스겐은 다양한 공업적 공정, 예를 들어, 폴리카보네이트, 요소, 카바메이트 등의 제조에서 사용될 수 있다.디아릴 카보네이트를 제조하는 방법은 방향족 모노히드록시 화합물과 본원에 개시된 방법에 따라 제조된 포스겐을 반응시키는 단계를 포함한다. 포스겐은 액체 상태, 가스상 상태에서 사용되거나, 불활성 용매 중에서 사용될 수 있다.방향족 모노히드록시 화합물은 1 내지 3개의 할로겐, C1-6 알콕시기, 시아노기, C1-6 알콕시카보닐기, C6-12 아릴옥시카보닐기, C1-6 아실옥시기, 또는 니트로기로 치환되거나 비치환될 수 있는 C6-12 방향족 모노히드록시 화합물을 포함하되, 임의의 치환된 탄소는 원자가를 초과하지 않는다. 예로는 페놀, o-, m- 또는 p-크레졸, o-, m- 또는 p-클로로페놀, o-, m- 또는 p-브로모페놀, 2,4-디클로로페놀, 2,4,6-트리브로모페놀, o-, m- 또는 p-메톡시페놀, 2,6-디메틸페놀, 2,4-디메틸페놀, 3,4-디메틸페놀, p-tert-부틸페놀, p-큐밀페놀, p-n-옥틸페놀, p-이소옥틸페놀, p-n-노닐페놀, p-이소노닐페놀, 1-나프톨, 2-나프톨, 및 메틸 살리실레이트를 포함한다. 페놀이 구체적으로 언급될 수 있다.포스겐 및 방향족 모노히드록시 화합물 간의 반응은 알려져 있고, 예를 들어 미국특허 제4,016,190호, 제4,697,034호, 제5,167,946호, 제5,424,473호, 제5,900,501호, 제6,348,613호, 및 제8,518,231호에 기술되어 있다.반응 조건은 특별히 한정되지 않고, 선행 문헌에 개시된 것들을 포함한다. 예시적인 공정에서, 포스겐 및 방향족 모노히드록시 화합물의 반응은 상 계면 공정(phase boundary process)에서 수행되며, 상기 공정에서, 포스겐은 염기 조건하에서 그리고 선택적으로 염기 촉매의 조건하에서, 방향족 모노히드록시 화합물과 반응된다.포스겐과 방향족 모노히드록시 화합물의 반응을 위한 염기는 예를 들어, 알칼리 금속 수산화물, 예를 들어, Na, K, 및/또는 Li 수산화물이다. 소듐 수산화물 용액이 구체적으로 언급된다. 염기는 수용액 중량을 기준으로 10 내지 25% 강도로 사용될 수 있다.사용된 염기 촉매는 개방-쇄(open-chain) 또는 고리형일 수 있고, tert-아민, N-알킬피페리딘, 및/또는 오늄 염을 포함한다. 촉매는 용액 중량을 기준으로 1 내지 55% 강도로 사용될 수 있다. 첨가된 촉매의 양은 사용된 방향족 모노히드록시 화합물의 총 몰수를 기준으로, 0.0001 몰 내지 0.1 몰일 수 있다.오늄 염은 NR4X와 같은 화합물을 나타내며, 이때, 라디칼 R은 서로 독립적으로 H 및/또는 알킬 및/또는 아릴 라디칼일 수 있고, X는 음이온, 예를 들어 클로라이드, 브로마이드 또는 아이오다이드이다.질소함유 촉매로서 예를 들어, 트리부틸아민, 트리에틸아민, 및 N-에틸피페리딘이 구체적으로 언급된다.선택적으로, 불활성 유기 용매가 존재할 수 있다. 용매의 예는 방향족 용매, 할로겐화 (구체적으로 염소화) 지방족 또는 방향족 용매, 또는 전술한 것들 중 적어도 1종을 포함한 조합을 포함한다. 이들은, 예를 들어, 톨루엔, 디클로로메탄, 다양한 디클로로에탄 및 클로로프로판 화합물, 클로로벤젠 및 클로로톨루엔, 또는 전술한 것들 중 적어도 1종을 포함한 조합이다. 디클로로메탄이 구체적으로 언급된다.상 경계 공정(phase boundary process)에 따른 반응을 수행하기 위한 조건은 예를 들어, 미국특허 제4,016,190호, 미국특허 제8,518,231호, EP1219589, EP 1216981, EP 1216982 및 EP 784048에 기술되어 있다.선택적으로, 포스겐 및 방향족 모노히드록시 화합물의 반응은 불균일 촉매의 존재 하에서 수행될 수 있다. 불균일 촉매는 알려져 있고, EP483632, 미국특허 제5,478,961호, 제5,239,105호, 및 제5,136,077호에 기술되어 있다.디알킬 카보네이트를 제조하는 방법은 알킬 모노히드록시 화합물과 포스겐을 반응시키는 단계를 포함한다. 포스겐은 액체 상태 또는 가스상 상태로 사용되거나 불활성 용매 중에서 사용될 수 있다.알킬 모노히드록시 화합물은 선형 및 분지형 C112 지방족 알코올 및 C4-8 시클로지방족 알코올의 모든 이성질체들을 포함하며, 이들 각각은 1 내지 3개의 할로겐, C1-6 알콕시기, 시아노기, C1-6 알콕시카보닐기, C6-12 아릴옥시카보닐기, C1-6 아실옥시기, 또는 니트로기로 치환되거나 비치환될 수 있으며, 임의의 치환된 탄소는 원자가를 초과하지 않는다. 알칸올의 예는 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 알릴 알코올, 1-부탄올, 2-부탄올, 3-부텐-1-올, 아밀 알코올, 1-헥산올, 2-헥산올, 3-헥산올, 1-헵탄올, 2-헵탄올, 3-헵탄올, 및 4-헵탄올, 시클로펜탄올, 시클로헥산올, 시클로헵탄올, 시클로옥탄올, 3-메틸시클로펜탄올, 3-에틸시클로펜탄올, 3-메틸시클로헥산올, 2-에틸시클로헥산올(이성질체들), 2,3-디메틸시클로헥산올, 1,3-디에틸시클로헥산올, 3-페닐시클로헥산올, 벤질 알코올, 2-펜에틸알코올, 및 3-페닐프로판올을 포함한다. 구체적인 구현예에서, 상기 알칸올은 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올, 2-부탄올, 또는 3-부탄올이다. 메탄올이 구체적으로 언급된다.반응 조건은 특별히 한정되지 않고, 통상의 기술자가 과도한 실험 없이 알 수 있다.필요하다면, 디알킬 카보네이트가 디아릴 카보네이트로 전환될 수 있다. 예를 들어, 디알킬 카보네이트는 에스테르교환반응(transesterification) 촉매의 존재하에서 페놀을 포함하여 본원에서 설명된 방향족 모노히드록시 화합물과 반응하여, 알킬 아릴 카보네이트(예, 페닐 메틸 카보네이트("PMC")) 및 지방족 모노히드릭 알코올(예, 메탄올)을 제조할 수 있다. 제2 단계에서, 이분자의 알킬 아릴 카보네이트는 불균화반응을 거쳐서 일분자의 디아릴 카보네이트(예, DPC) 및 일분자의 시작 물질 디알킬 카보네이트(예, DMC)를 제조할 수 있다. 촉매의 예는 알칼리 금속 및 알칼리 토 금속, 예를 들어, 리튬, 소듐, 포타슘, 마그네슘, 칼슘, 및 바륨; 알칼리 금속 및 알칼리 토 금속의 염기성 화합물, 예를 들어, 수소화물, 수산화물, 알콕사이드, 아릴옥사이드, 및 아미드; 알칼리 금속 및 알칼리 토 금속의 염기성 화합물, 예를 들어, 카보네이트, 비카보네이트, 및 유기산 염; 3차 아민, 예를 들어, 트리에틸아민, 트리부틸아민, 트리헥실아민 및 벤질디에틸아민; 질소-함유 헤테로방향족 화합물, 예를 들어 N-알킬피롤, N-알킬인돌, 옥사졸, N-알킬이미다졸, N-알킬피라졸, 옥사디아졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 펜안트롤린, 피리미딘, 피라진, 및 트리아진; 시클릭 아미딘, 예를 들어, 디아조비시클로운데센(DBU), 및 디아조비시클로노넨(DBN); 주석 화합물, 예를 들어, 트리부틸메톡시주석, 디부틸디에톡시주석, 디부틸페녹시주석, 디페닐메톡시주석, 디부틸주석 아세테이트, 트리부틸주석 클로라이드, 및 주석 2-에틸헥사노에이트; 아연 화합물, 예를 들어, 디메톡시아연, 디에톡시아연, 에틸렌디옥시아연, 및 디부톡시아연; 알루미늄 화합물, 예를 들어, 알루미늄 트리메톡사이드, 알루미늄 트리이소프로폭사이드, 및 알루미늄 트리부톡사이드; 티타늄 화합물, 예를 들어, 테트라메톡시티타늄, 테트라에톡시티타늄, 테트라부톡시티타늄, 디클로로디메톡시티타늄, 테트라이소프로폭시티타늄, 티타늄 아세테이트, 및 티타늄 아세틸아세토네이트; 인 화합물, 예를 들어, 트리메틸포스핀, 트리에틸포스핀, 트리부틸포스핀, 트리페닐포스핀, 트리부틸메틸포스포늄 할라이드, 트리옥틸부틸포스포늄 할라이드, 및 트리페닐메틸포스포늄 할라이드; 지르코늄 화합물, 예를 들어, 지르코늄 할라이드, 지르코늄 아세틸아세토네이트, 지르코늄 알콕사이드, 및 지르코늄 아세테이트; 및 납 및 납-함유 화합물, 예를 들어, 납 옥사이드(예를 들어, PbO, PbO2, 및 Pb3O4), 납 술파이드(예를 들어, PbS, Pb2S3, 및 PbS2), 및 납 수산화물(예를 들어, Pb(OH)2, Pb3O2(OH)2, Pb2[PbO2(OH)2], 및 Pb2O(OH)2)을 포함한다. 구체적으로 언급되는 촉매는 티타늄 화합물, 예를 들어, 티타늄 테트라페녹사이드, 티타늄 이소프로필레이트, 티타늄 테트라클로라이드, 유기주석 화합물, 및 구리, 납, 아연, 철, 및 지르코늄의 화합물, 및 전술한 것들 중 적어도 1종을 포함한 조합을 포함한다. 구체적으로 언급되는 촉매는 티타늄 화합물, 예를 들어, 티타늄 테트라페녹사이드, 티타늄 이소프로필레이트, 티타늄 테트라클로라이드, 유기주석 화합물, 및 구리, 납, 아연, 철, 및 지르코늄의 화합물, 및 전술한 것들 중 적어도 1종을 포함한 조합을 포함한다.폴리카보네이트의 중합에서, 디히드록시 화합물은 카보네이트 공급원(카보네이트 전구체로도 언급됨)으로서 포스겐과의 반응물로 사용될 수 있다. 본원에서 사용된 "폴리카보네이트"는 화학식 (1)의 반복 구조 카보네이트 단위를 갖는 호모폴리머 또는 코폴리머를 의미한다: (1)상기 화학식 (1)에서, R1기의 총 개수의 적어도 60 퍼센트는 방향족기이거나, 각각의 R1은 적어도 1종의 C6-30 방향족기를 함유한다. 구체적으로, 각각의 R1은 디히드록시 화합물, 예를 들어 하기 화학식 (2)의 방향족 디히드록시 화합물 또는 화학식 (3)의 비스페놀로부터 유래될 수 있다. (2) (3)상기 화학식 (2)에서, 각각의 Rh는 독립적으로 할로겐 원자, 예를 들어, 브로민, C1-10 히드로카빌기, 예를 들어 C1-10 알킬, 할로겐-치환된 C1-10 알킬, C6-10 아릴, 또는 할로겐-치환된 C6-10 아릴이고, n 은 0 내지 4이다.상기 식(3)에서, Ra 및 Rb는 서로 독립적으로 할로겐, C1-12 알콕시, 또는 C1-12 알킬기이고; p 및 q는 서로 독립적으로 0 내지 4의 정수이되, p 또는 q가 4 미만인 경우, 고리의 탄소 각각의 원자가는 수소로 채워진다. 일 구현예에서, p 및 q는 각각 0이거나, 또는 p 및 q는 각각 1이고, Ra 및 Rb는 각각, 각각의 아릴렌기 상에서 히드록시기에 대해 메타 위치에 배치된 C1-3 알킬기, 구체적으로 메틸이다. Xa는 히드록시 치환된 방향족기 2개를 연결하는 연결기이고, 여기서 상기 연결기 및 각각의 C6 아릴렌기의 히드록시 치환기는 상기 C6 아릴렌기 상에서 서로에 대해 오르토, 메타, 또는 파라(구체적으로, 파라)로 위치하며, 예를 들어, 단일 결합, -O-, -S-, -S(O)-, -S(O)2-, -C(O)-, 또는 C1-18 유기기일 수 있으며, 상기 C1-18 유기 연결기는 사이클릭 또는 비사이클릭(acyclic), 방향족 또는 비방향족(non-aromatic)일 수 있고, 헤테로원자, 예를 들어, 할로겐, 산소, 질소, 황, 규소, 또는 인을 추가로 포함할 수 있다. 예를 들어, Xa는 치환 또는 비치환된 C3-18 사이클로알킬리덴; 화학식 -C(Rc)(Rd)-의 C1-25 알킬리덴(여기서, Rc 및 Rd는 서로 독립적으로 수소, C1-12 알킬, C1-12 사이클로알킬, C7-12 아릴알킬, C1-12 헤테로알킬, 또는 사이클릭 C7-12 헤테로아릴알킬이다), 또는 화학식 -C(=Re)-의 기(여기서, Re는 2가 C1-12 탄화수소기이다)일 수 있다. 구체적인 디히드록시 화합물의 일부 예시적인 예는 다음을 포함한다: 비스페놀 화합물, 예를 들어, 4,4'-디히드록시바이페닐, 1,6-디히드록시나프탈렌, 2,6-디히드록시나프탈렌, 비스(4-히드록시페닐)메탄, 비스(4-히드록시페닐)디페닐메탄, 비스(4-히드록시페닐)-1-나프틸메탄, 1,2-비스(4-히드록시페닐)에탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-1-페닐에탄, 2-(4-히드록시페닐)-2-(3-히드록시페닐)프로판, 비스(4-히드록시페닐)페닐메탄, 2,2-비스(4-히드록시-3-브로모페닐)프로판, 1,1-비스(히드록시페닐)사이클로펜탄, 1,1-비스(4-히드록시페닐)사이클로헥산, 1,1-비스(4-히드록시페닐)이소부텐, 1,1-비스(4-히드록시페닐)사이클로도데칸, 트랜스-2,3-비스(4-히드록시페닐)-2-부텐, 2,2-비스(4-히드록시페닐)아다만탄, 알파,알파'-비스(4-히드록시페닐)톨루엔, 비스(4-히드록시페닐)아세토니트릴, 2,2-비스(3-메틸-4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(3-에틸-4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(3-n-프로필-4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(3-이소프로필-4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(3-sec-부틸-4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(3-t-부틸-4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(3-사이클로헥실-4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(3-알릴-4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(3-메톡시-4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판, 1,1-디클로로-2,2-비스(4-히드록시페닐)에틸렌, 1,1-디브로모-2,2-비스(4-히드록시페닐)에틸렌, 1,1-디클로로-2,2-비스(5-페녹시-4-히드록시페닐)에틸렌, 4,4'-디히드록시벤조페논, 3,3-비스(4-히드록시페닐)-2-부타논, 1,6-비스(4-히드록시페닐)-1,6-헥산디온, 에틸렌 글리콜 비스(4-히드록시페닐)에테르, 비스(4-히드록시페닐)에테르, 비스(4-히드록시페닐)설파이드, 비스(4-히드록시페닐)설폭사이드, 비스(4-히드록시페닐)술폰, 9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오린, 2,7-디히드록시피렌, 6,6'-디히드록시-3,3,3',3'-테트라메틸스피로(비스)인단("스피로바이인단 비스페놀"), 3,3-비스(4-히드록시페닐)프탈이미드, 2,6-디히드록시디벤조-p-디옥신, 2,6-디히드록시티안트렌, 2,7-디히드록시페녹사틴, 2,7-디히드록시-9,10-디메틸페나진, 3,6-디히드록시디벤조퓨란, 3,6-디히드록시디벤조티오펜, 및 2,7-디히드록시카바졸; 치환된 레조르시놀 화합물, 예를 들어, 5-메틸 레조르시놀, 5-에틸 레조르시놀, 5-프로필 레조르시놀, 5-부틸 레조르시놀, 5-t-부틸 레조르시놀, 5-페닐 레조르시놀, 5-쿠밀 레조르시놀, 2,4,5,6-테트라플루오로 레조르시놀, 2,4,5,6-테트라브로모 레조르시놀 등; 카테콜; 하이드로퀴논; 치환된 하이드로퀴논, 예를 들어, 2-메틸 하이드로퀴논, 2-에틸 하이드로퀴논, 2-프로필 하이드로퀴논, 2-부틸 하이드로퀴논, 2-t-부틸 하이드로퀴논, 2-페닐 하이드로퀴논, 2-쿠밀 하이드로퀴논, 2,3,5,6-테트라메틸 하이드로퀴논, 2,3,5,6-테트라-t-부틸 하이드로퀴논, 2,3,5,6-테트라플루오로 하이드로퀴논, 2,3,5,6-테트라브로모 하이드로퀴논 등.구체적인 디히드록시 화합물은 레조르시놀, 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판("비스페놀 A" 또는 "BPA", 여기서 A1 및 A2 각각은 p-페닐렌이고, Y1은 화학식 (3)의 이소프로필리덴이다), 3,3-비스(4-히드록시페닐)프탈이미딘, 2-페닐-3,3'-비스(4-히드록시페닐)프탈이미딘 (N-페닐 페놀프탈레인 비스페놀, "PPPBP", 또는 3,3-비스(4-히드록시페닐)2-페닐이소인돌린-1-온으로도 알려져 있음), 1,1-비스(4-히드록시-3-메틸페닐)시클로헥산(DMBPC), 및 1,1-비스(4-히드록시-3-메틸페닐)-3,3,5-트리메틸시클로헥산(이소프론 비스페놀)을 포함한다.본원에서 사용된 "폴리카보네이트"는 호모폴리카보네이트(여기서, 상기 폴리머 내의 각각의 R1은 동일하다), 상기 카보네이트 내에 상이한 R1 모이어티를 포함하는 코폴리머("코폴리카보네이트"), 및 카보네이트 단위체 및 다른 유형의 폴리머 단위체, 예를 들어, 폴리실록산 단위체, 에스테르 단위체 등을 포함한 코폴리머를 포함한다.폴리카보네이트는 계면 중합 공정에 의해 또는 연속적 용융 공정일 수 있는 용융 중합 공정에서 제조될 수 있다. 계면 중합에 대한 반응 조건은 달라질 수 있지만, 예시적인 공정은 일반적으로 2가 페놀 반응물을 수성 NaOH 또는 KOH 중에 용해 또는 분산시키는 단계, 생성된 혼합물을 수불혼화성 용매 매질에 첨가하는 단계, 및 상기 반응물을, 예를 들어, 3차 아민과 같은 촉매 또는 상전이 촉매의 존재 하에, 예를 들어 8 내지 10의 제어된 pH 조건 하에서 카보네이트 전구체와 접촉시키는 단계를 포함한다. 수불혼화성 용매는 예를 들어, 메틸렌 클로라이드, 에틸렌 디클로라이드, 1,2-디클로로에탄, 클로로벤젠, 톨루엔 등일 수 있다.계면 중합에서 사용될 수 있는 3차 아민 중에는 지방족 3차 아민, 예를 들어, 트리에틸아민 및 트리부틸아민, 시클로지방족 3차 아민, 예를 들어, N,N-디에틸-시클로헥실아민, 및 방향족 3차 아민, 예를 들어, N,N-디메틸아닐린이 있다. 사용될 수 있는 상전이 촉매 중에는 화학식 (R3)4Q+X의 촉매가 있으며, 여기서 각각의 R3는 동일하거나 또는 상이하며, C1-10 알킬기이고; Q는 질소 또는 인 원자이고; X는 할로겐 원자, 또는 C1-8 알콕시기 또는 C6-18 아릴옥시기이다. 상전이 촉매의 예는, [CH3(CH2)3]4NX, [CH3(CH2)3]4PX, [CH3(CH2)5]4NX, [CH3(CH2)6]4NX, [CH3(CH2)4]4NX, CH3[CH3(CH2)3]3NX, 및 CH3[CH3(CH2)2]3NX를 포함하며, 여기서 X는 Cl-, Br-, C1-8 알콕시기 또는 C6-18 아릴옥시기이다. 상전이 촉매의 유효량은 포스겐화 혼합물 중의 비스페놀의 중량을 기준으로 0.1 내지 10 중량% 또는 0.5 내지 2 중량%일 수 있다. 대안적으로, 용융 공정은 폴리카보네이트를 제조하는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 용융 중합 공정에서, 폴리카보네이트는 에스테르교환반응 촉매의 존재 하에서 디히드록시 반응물 및 디아릴 카보네이트를 용융 상태에서 공동-반응시킴으로써 제조될 수 있다. 반응은 전형적인 중합 장치, 예를 들어 연속 교반 반응기(CSTR), 플러그 흐름 반응기, 와이어 웨팅 펄 중합장치(wire wetting fall polymerizers), 프리 펄 중합장치(free fall polymerizers), 와잎 막 중합장치(wiped film polymerizers), BANBURY 혼합장치, 일축 또는 이축 압출기, 또는 임의의 전술한 것을 포함한 조합에서 수행될 수 있다. 휘발성 모노히드릭 페놀은 용융 반응물로부터 증류에 의해 제거되고, 폴리머는 용융 잔여물로 분리된다. 용융 중합은 회분식 공정 또는 연속 공정으로서 수행될 수 있다. 어느 경우에서든, 사용되는 용융 중합 조건은 2개 이상의 별개의 반응 단계를 포함할 수 있으며, 예를 들어 출발 디하이드록시 방향족 화합물 및 디아릴 카보네이트를 올리고머성 폴리카보네이트로 전환하는 제1 반응 단계, 및 상기 제1 반응 단계로부터 형성된 올리고머성 폴리카보네이트를 고분자량 폴리카보네이트로 전환하는 제2 반응 단계를 포함할 수 있다. 이러한 "단계화된" 중합 반응 조건은, 출발 모노머가 제1 반응 용기에서 올리고머화되고, 그 안에 형성된 올리고머성 폴리카보네이트가 연속적으로 1개 이상의 하류 반응기로 이송되어 상기 올리고머성 폴리카보네이트가 고분자량 폴리카보네이트로 전환되는 연속 중합 시스템에서 사용하기에 특히 적합하다. 전형적으로, 올리고머화 단계에서 생성된 올리고머성 폴리카보네이트는 1,000 내지 7,500 달톤의 수평균분자량을 갖는다. 하나 이상의 연속 중합 단계에서 상기 폴리카보네이트의 수평균분자량(Mn)은 8,000 내지 25,000 달톤으로 증가된다(폴리카보네이트 표준을 사용함). 전형적으로, 상기 공정에서 용매는 사용되지 않으며, 반응물인 디하이드록시 방향족 화합물 및 디아릴 카보네이트는 용융 상태에 있다. 반응 온도는 100℃ 내지 350℃, 구체적으로는 180℃ 내지 310℃일 수 있다. 압력은 대기압력, 초대기압력(supra-atmospheric pressure), 또는 반응의 초기 단계에서는 대기압력 내지 15 torr의 압력의 범위 및 이후 단계에서는 감소된 압력(예를 들어, 0.2 내지 15 torr)일 수 있다. 반응 시간은 일반적으로 0.1 시간 내지 10 시간이다.폴리카보네이트의 용융 에스테르교환반응 중합 생성물에서 사용된 촉매는 포스포늄 염 및 암모늄 염 중 하나 또는 둘 모두를 포함하는 제1 촉매, 및 알칼리 금속 이온 및 알칼리 토 금속 이온 중 하나 또는 둘 모두의 공급원을 포함하는 알칼리 촉매 중 하나 또는 둘 모두를 포함할 수 있다. 제1 촉매는 전형적으로 휘발성이며, 고온에서 분해된다. 따라서, 제1 촉매를 초기의 저온 중합 단계에서 사용하는 것이 보다 바람직하다. 알칼리 촉매는 제1 촉매에 비해 전형적으로 열적으로 보다 안정하고 덜 휘발성이다. 알칼리 촉매는 알칼리 금속 이온 또는 알칼리 토 금속 이온 중 하나 또는 둘 모두의 공급원을 포함할 수 있다. 이러한 이온의 공급원은 알칼리 금속 수산화물 예를 들어, 리튬 수산화물, 소튬 수산화물, 및 포타슘 수산화물, 뿐만 아니라, 알칼리 토 금속 수산화물, 예를 들어 마그네슘 수산화물 및 칼슘 수산화물을 포함한다. 알칼리 금속 이온 및 알칼리 토 금속 이온의 다른 가능한 공급원은 해당하는 카르복실산의 염(예를 들어, 소듐 아세테이트), 및 에틸렌 디아민 테트라아세트산(EDTA)의 유도체(예를 들어, EDTA 테트라소듐염, 및 EDTA 마그네슘 디소듐염)을 포함한다. 다른 알칼리 에스테르교환반응 촉매는 카보네이트의 알칼리 또는 알칼리 토 금속염, 예를 들어, Cs2CO3, NaHCO3, Na2CO3 등, 비-휘발성 무기산, 예를 들어, NaH2PO3, NaH2PO4, Na2HPO3, KH2PO4, CSH2PO4, Cs2HPO4 등, 또는 인산의 혼합 염, 예를 들어, NaKHPO4, CaNaHPO4, CsKHPO4 등을 포함한다. 임의의 전술한 촉매들 중 1종 이상을 포함한 조합이 사용될 수 있다.가능한 제1 촉매들은 4차 암모늄 화합물, 4차 포스포늄 화합물, 또는 전술한 것 중 1종 이상을 포함한 조합을 포함할 수 있다. 4차 암모늄 화합물은 (R4)4N+X- 구조의 화합물일 수 있으며, 이때, 각각의 R4는 동일하거나 상이하며, C1-C20 알킬, C4-C20 사이클로알킬, 또는 C4-C20 아릴이고; X는 유기 음이온 또는 무기 음이온, 예를 들어, 수산화물, 할라이드, 카르복실레이트, 설포네이트, 설페이트, 포르메이트, 카보네이트, 또는 비카보네이트이다. 유기 4차 암모늄 화합물의 예는 테트라메틸 암모늄 수산화물, 테트라부틸 암모늄 수산화물, 테트라메틸 암모늄 아세테이트, 테트라메틸 암모늄 포르메이트, 테트라부틸 암모늄 아세테이트, 및 전술한 것 중 1종 이상을 포함한 조합을 포함한다. 테트라메틸 암모늄 수산화물이 종종 사용된다. 4차 포스포늄 화합물은 (R5)4P+X- 구조의 화합물일 수 있으며, 이때, 각각의 R5는 동일하거나 상이하며, C1-C20 알킬, C4-C20 사이클로알킬, 또는 C4-C20 아릴이고; X는 유기 또는 무기 음이온, 예를 들어, 수산화물, 페녹사이드, 할라이드, 카복실레이트(예를 들어, 아세테이트 또는 포르메이트), 설포네이트, 설페이트, 포르메이트, 카보네이트, 또는 비카보네이트이다. X-가 카보네이트 또는 설페이트와 같은 다가 음이온인 경우, 상기 4차 암모늄 구조 및 포스포늄 구조 내에서 양전하 및 음전하가 적절한 밸런스를 유지하는 것으로 이해된다. 예를 들어, R20 내지 R23이 각각 메틸기이고, X-가 카보네이트이면, X-가 2(CO3-2)를 나타내는 것으로 이해된다. 유기 4차 포스포늄 화합물의 예는 테트라메틸 포스포늄 수산화물, 테트라메틸 포스포늄 아세테이트, 테트라메틸 포스포늄 포르메이트, 테트라부틸 포스포늄 수산화물, 테트라부틸 포스포늄 아세테이트(TBPA), 테트라페닐 포스포늄 아세테이트, 테트라페닐 포스포늄 페녹사이드, 및 전술한 것 중 1종 이상을 포함한 조합을 포함한다. TBPA가 종종 사용된다.사용되는 제1 촉매 및 알칼리 촉매의 양은 중합 반응에 사용되는 디히드록시 화합물의 총 몰수를 기준으로 할 수 있다. 제1 촉매, 예를 들어, 포스포늄염 대 중합 반응에 사용되는 모든 디히드록시 화합물의 비를 언급할 때, 디히드록시 화합물의 1몰 당 포스포늄염의 몰수로 언급하는 것이 편리하며, 이는 포스포늄염의 몰수를 반응 혼합물 중에 존재하는 각각의 개별적인 디히드록시 화합물의 총합 몰수로 나눈 것을 의미한다. 알칼리 촉매는 사용된 디히드록시 화합물의 1몰 당 1x10-2 내지 1x10-8 몰, 구체적으로 1x10-4 내지 1x10-7의 금속을 제공하기에 충분한 양으로 사용될 수 있다. 제1 촉매(예, 유기 암모늄 염 또는 포스포늄 염)의 양은 반응 혼합물 중 총 디히드록시 화합물의 총 몰당 1x10-2 내지 1x10-5몰, 구체적으로 1x10-3 내지 1x10-4몰일 수 있다.중합이 완료된 후, 산성 화합물로 에스테르교환반응 촉매 및 임의의 반응성 촉매 잔여물을 퀸칭(quenching)하는 것은 일부 용융 중합 공정에서 유용할 수 있다. 중합이 완료된 후, 용융 중합 반응으로부터의 촉매 잔여물 및/또는 퀸칭제 및 다른 휘발성 잔여물의 제거 또한 일부 용융 중합 공정에서 유용할 수 있다.또한, 포스겐은 2종의 아민 또는 아민 및 알코올과 포스겐의 반응에 의해 합성될 수 있는 카바메이트 및 요소의 합성에서 사용될 수 있다. 이러한 화합물은 화학식 X1C(=O)X2의 화합물일 수 있고, 이때, X1은 NR1R2이고 X2는 NR3R4 또는 OR5이고, 여기서 R1, R2 및 R3 및 R4는, 존재한다면, 서로 독립적으로 수소, 선택적으로-치환된 선형 또는 분지형 알킬기, 알켄기, 시클로알킬기, 시클로알케닐기, 아릴기, 헤테로원자-함유 아릴기, 및 아르알킬기이고, 또는 R1 및 R2는 함께 X1의 질소에 이중 결합된 탄소 원자이거나, 또는 R3 및 R4는 함께 X2의 질소에 이중결합된 탄소 원자이거나, 또는 X1 또는 X2의 N은 고리계의 질소일 수 있고, R5는 존재한다면, 선택적으로-치환된 선형 또는 분지형 알킬기, 아릴기, 및 아르알킬기로 구선된 군으로붜 선택되며, 도는 R1 또는 R2는 R3, R4 또는 R5와 함께 5원 도는 6원 고리를 형성한다. 당해 분야에 알려진 바와 같이, 화합물은 에스테르교환반응 조건 하에서 HNR1R2 및 HNR3R4 또는 HOR5를 에스테르-치환된 디아릴 카보네이트와 반응시켜서 화합물을 형성하는 단계에 의해 합성될 수 있다. 선택적 치환기는 서로 독립적으로, 더 유도체화된 카바메이트 종을 제조하기 위해 사용된 에스테르교환반응 조건 하에서 반응하지 않는 화학적 관능기일 수 있다. 이러한 선택적 치환기는 할로겐, 비닐, 카보닐, 에테르, 시클로에테르, 아조, 설파이드/티오, 알코올, 및 헤테로시크릭 치환기를 포함한다. 에스테르-치환된 디아릴 카보네이트는 비스메틸살리실카보네이트(BMSC)일 수 있다. 화합물은 열분해 반응을 거쳐서 이소시아네이트를 형성할 수 있다.포스겐을 제조하는 방법, 뿐만 아니라 상기 방법을 사용하는 장치의 일부 구현예들이 하기에서 제시된다.일 구현예에서, 포스겐을 제조하는 방법은: 일산화탄소 및 염소를 포함한 공급물을, 마이크로튜브 반응기의 마이크로튜브 내에 배치된 촉매 위로 지나 보내서, 포스겐을 포함한 제1 생성물 조성물을 제조하는 단계로서, 상기 마이크로튜브는 0.1 내지 10 mm, 0.1 내지 6 mm, 0.5 내지 8 mm, 또는 0.5 내지 5 mm의 평균 직경을 갖는, 단계; 및 상기 제1 생성물 조성물의 적어도 일부를, 튜브 반응기의 튜브 내에 배치된 촉매 위로 지나 보내서, 포스겐을 포함한 생성물 조성물을 제조하는 단계로서, 상기 튜브는 마이크로튜브 보다 큰 평균 직경, 예를 들어 6 mm 초과 또는 10 mm 초과의 평균 직경을 포함하는, 단계;를 포함하고, 이때, 사염화탄소는 포스겐의 부피를 기준으로 상기 생성물 조성물 내에 0 내지 10 ppm의 양으로 존재한다.전술한 방법의 구체적인 구현예에서, 하나 이상의 다음 조건들이 적용될 수 있다: 촉매는 마이크로튜브 또는 튜브, 또는 둘 모두의 내벽 상에 배치되며; 촉매는 충전층으로서 마이크로튜브 또는 튜브, 또는 둘 모두 내에 배치되며; 촉매는 농도 또는 활성도, 또는 둘 모두가 마이크로튜브, 튜브, 또는 둘 모두의 공급 말단으로부터 마이크로튜브, 튜브, 또는 둘 모두의 유출구 말단까지 변화하고, 선택적으로 평활 구배의 변화량은 공급 말단에서 낮은 활성, 농도, 또는 둘 모두를 갖고 유출구 말단에서 상대적으로 높은 농도, 활성, 또는 둘 모두를 가지며; 마이크로튜브 반응기는 복수의 마이크로튜브를 포함하고, 복수의 마이크로튜브로부터의 제1 생성물 조성물은 튜브 반응기의 튜브의 한 유입구로 공급되며; 튜브 반응기는 복수의 튜브들을 포함하며; 마이크로튜브 반응기, 튜브 반응기, 또는 둘 모두에서의 최대 온도는 800℃ 미만이며; 마이크로튜브 반응기, 튜브 반응기, 또는 둘 모두에서의 최대 온도는 400℃ 이하이며; 마이크로튜브 반응기는 250 내지 10,000 m2/m3의 단위 부피 당 전열면적을 가지며; 또는 마이크로튜브 반응기는 500 내지 10,000 m2/m3의 단위 부피 당 전열면적을 갖는다.포스겐을 제조하는 장치는 마이크로튜브 반응기 및 튜브 반응기를 포함하되, 상기 마이크로튜브 반응기는 쉘, 상기 쉘 내에 위치된 마이크로튜브, 및 상기 쉘 및 상기 마이크로튜브 사이에 위치된 냉각 매질을 포함하고, 이때, 상기 마이크로튜브는 0.1 내지 10 mm, 0.1 내지 6 mm, 0.5 내지 8 mm, 또는 0.5 내지 5 mm의 평균 직경, 공급물 주입구 및 생성 혼합물 유출구를 가지며; 그리고 상기 튜브 반응기는 쉘, 상기 쉘 내에 위치된 튜브, 상기 쉘 및 상기 튜브 사이에 위치된 냉각 매질을 포함하고, 이때 상기 튜브는 마이크로튜브 보다 큰 평균 직경, 예를 들어 6 mm 초과 또는 10 mm 초과의 평균 직경, 공급물 주입구 및 생성 조성물 유출구를 가지며, 상기 마이크로튜브 반응기의 생성 혼합물 유출구는 상기 튜브 반응기의 공급물 주입구 안으로 넣어진다.전술한 장치의 구체적인 구현예에서, 다음 조건들 중 하나 이상이 적용될 수 있다: 일산화탄소 및 염소를 포스겐으로 전환하기에 효과적인 촉매는 마이크로튜브, 튜브 또는 둘 모두의 내벽에 배치되며; 일산화탄소 및 염소를 포스겐으로 전환하기에 효과적인 촉매는 촉매층으로서 마이크로튜브, 튜브 또는 둘 모두 내에 배치되며; 촉매는 농도 또는 활성도, 또는 둘 모두가 마이크로튜브, 튜브, 또는 둘 모두의 공급 말단으로부터 마이크로튜브, 튜브, 또는 둘 모두의 유출구 말단까지 변화하고, 변화량은 공급 말단에서 낮은 활성, 농도, 또는 둘 모두를 갖고 유출구 말단에서 상대적으로 높은 농도, 활성, 또는 둘 모두를 가지며; 마이크로튜브 반응기는 복수의 마이크로튜브를 포함하며; 복수의 마이크로튜브는 튜브 반응기의 한 주입구 안으로 넣어지며; 튜브 반응기는 복수의 튜브를 포함하며; 마이크로튜브 반응기는 250 내지 10,000 m2/m3의 단위 부피 당 전열면적을 가지며; 또는 마이크로튜브 반응기는 500 내지 10,000 m2/m3의 단위 부피 당 전열면적을 갖는다.또 다른 구현예에서, 관형 반응기에서 포스겐을 제조하는 방법은: 일산화탄소 및 염소를 포함한 공급물을 관형 반응기의 튜브 내에 배치된 촉매 위로 지나 보내서, 포스겐을 포함한 생성 조성물을 제조하는 단계를 포함하며, 이때 상기 튜브는 연속적이며, 공급 말단 및 유출구 말단을 포함하고, 상기 공급 말단의 튜브부는 0.1 내지 10 mm, 0.1 내지 6 mm, 0.5 내지 8 mm, 또는 0.5 내지 5 mm의 제1 길이의 직경을 갖는 마이크로튜브이고, 유출구 말단의 튜브부는 상기 마이크로튜브 보다 큰 직경을 갖는, 예를 들어 6 mm 초과, 또는 10 mm초과의 제2 길이를 가지며, 사염화탄소는 포스겐의 부피를 기준으로 생성 조성물 내에 0 내지 10 부피ppm의 양으로 존재한다.전술한 방법의 구체적인 구현예에서, 다음 조건들 중 하나 이상이 적용된다: 촉매는 튜브의 내벽 상에 배치되며; 촉매는 충전층으로서 튜브 내에 배치되며; 촉매는 농도 또는 활성도, 또는 둘 모두가 마이크로튜브, 튜브, 또는 둘 모두의 공급 말단으로부터 마이크로튜브, 튜브, 또는 둘 모두의 유출구 말단까지 변화하고, 선택적으로 평활 구배의 변화량은 공급 말단에서 낮은 활성, 농도, 또는 둘 모두를 갖고 유출구 말단에서 상대적으로 높은 농도, 활성, 또는 둘 모두를 가지며; 제1 길이를 갖는 복수의 튜브부는 연속적이며 제2 길이를 갖는 튜브부 안으로 넣어지며; 관형 반응기는 복수의 튜브들을 포함하며; 반응기의 최대 온도는 800℃ 미만이며; 반응기의 최대 온도는 400℃ 이하이며; 반응기는 250 내지 10,000 m2/m3의 단위 부피 당 전열면적을 가지며; 또는 반응기는 500 내지 10,000 m2/m3의 단위 부피 당 전열면적을 갖는다.포스겐을 제조하는 관형 반응기는 쉘 및 상기 쉘 내에 위치된 튜브, 상기 쉘 및 상기 튜브 사이에 위치된 냉각 매질을 포함하며, 이때, 상기 튜브는 연속적이며 공급 말단 및 유출구 말단을 포함하고, 상기 공급 말단의 튜브부는 0.1 내지 10 mm, 0.1 내지 6 mm, 0.5 내지 8 mm, 또는 0.5 내지 5 mm의 제1 길이의 직경을 갖는 마이크로튜브이고, 유출구 말단의 튜브부는 상기 마이크로튜브 보다 큰 직경을 갖는, 예를 들어 6 mm 초과, 또는 10 mm초과의 제2 길이를 갖는다.전술한 관형 반응기의 구체적인 구현예에서, 이어지는 조건들 중 하나 이상이 적용될 수 있다: 일산화탄소 및 염소를 포스겐으로 전환하기에 효과적인 촉매는 튜브의 내벽 상에 배치되며; 일산화탄소 및 염소를 포스겐으로 전환하기에 효과적인 촉매는 충전층으로서 튜브 내에 배치되며; 튜브의 내벽 상에 배치되거나 충전층으로서 튜브 내에 배치된 촉매는 농도 또는 활성도, 또는 둘 모두가 마이크로튜브, 튜브, 또는 둘 모두의 공급 말단으로부터 마이크로튜브, 튜브, 또는 둘 모두의 유출구 말단까지 변화하고, 선택적으로 평활 구배의 변화량은 공급 말단에서 낮은 활성, 농도, 또는 둘 모두를 갖고 유출구 말단에서 상대적으로 높은 농도, 활성, 또는 둘 모두를 가지며; 제1 길이를 갖는 복수의 튜브부는 연속적이며 제2 길이를 갖는 튜브부 안으로 넣어지며; 관형 반응기는 복수의 튜브를 포함하며; 관형 반응기는 250 내지 10,000 m2/m3의 단위 부피 당 전열면적을 가지며; 또는 반응기는 500 내지 10,000 m2/m3의 단위 부피 당 전열면적을 갖는다.이어지는 실시예들은 본원발명의 방법을 설명하기 위해 제공된다. 실시예들은 실례일 뿐이며 본원에 제시된 재료, 조건, 또는 공정 파라미터의 개시에 따라 제조된 장치를 한정하기 위함이 아니다.실시예출원인은 열 제거율이 튜브 직경과 반비례하고 튜브 최대 온도가 튜브 직경의 증가에 따라 증가한다는 것을 발견하였다(예를 들어, 외부 직경이 0.5인 튜브에서 수행된 실험실 규모의 작동으로부터 외부 직경이 2 인치인 공업적 튜브에서 수행함). 최대 튜브 온도 및 포스겐의 합성에서 형성된 사염화탄소 사이의 관계를 정량화하기 위하여, 1차원 모델을 Aspen custom modeler 에서 개발하여 공정 성능에 반응기 크기가 미치는 효과를 보여주었다.모델로서 하기 반응이 기재될 수 있다:CO + Cl2 -003e# COCl2여기서, 반응기의 공급물은 CO 및 Cl2의 혼합물을, 1:1의 CO 대 Cl2의 몰비로 포함한다. 재료 및 에너지 보존 방정식에 대한 간단한 1차원 플러그 흐름 모델을 다음을 이용하여 기재하였다:무차원 형태의, 질량 통제 방정식(governing mass balance equation)(1): (1)반응기(2) 및 (3)의 플러그를 가로지르는 무차원 에너지 방정식: (2) (3)파라미터 추정을 개선하기 위하여, 상기 방정식 (1) 및 (2)을 무차원 형태로 변환하였다. 무차원 형태의 운동 방정식은 하기 (4), (5) 및 (6)이며 (4) (5) (6)A는 반응 속도 상수이고, A0은 반응속도식에서 동력학적 파라미터이고, Al은 반응속도식에서 동력학적 파라미터이고, Cp,g는 가스의 비열용량(J/kg/K)이고, f는 Cl2에 대한 Co의 몰 비율이고, K는 반응 속도 상수이고, k0은 반응 속도식에서 동력학적 파라미터이고, kl은 반응속도식에서 동력학적 파라미터이고, k0,mod는 반응 속도식에서 동력학적 파라미터이고, L은 반응기의 길이이고(m), P는 압력이고(psig), Ni는 몰 흐름 속도(mol/s)이고, N*는 정규화된 몰 흐름 속도(Ni/Ntotal)(Ntotal은 총 몰 흐름 속도임), R은 내부 반경(m)이고, Tc는 냉각수/벽 온도이며 유입구 공급물 온도와 동일한 것으로 추정되며(즉, Tin=Tc), Tin은 주입구 온도(K)이고, Tref는 기준 온도(K)이고, T*는 정규화된 온도[(T-Tc)/(Tref-Tc)]이고(Tref 는 충분히 높은 기준 온도이며, 최근 시뮬레이션 연구에 따르면 700 K로 추정되었음), U는 열 전달 계수(W/m2K)이고, ρb는 부피 밀도(Kg/m3)이고, ΔHR 은 반응 열의 변화(Joules)이고, Q는 부피 흐름 속도(m3/s)이고, N1 및 N2는 몰 흐름 속도(mol/s)이고, m은 질량 흐름 속도(kg/s)이다.동력학적 파라미터의 추정치를 제공하기 위하여, 미국특허 제6,399,823호에서 더 구체적으로 기술된 반응기 셋업에서 실시예 1-9의 실험 세트를 수행하였고, 결과는 표 1에 보여진다. Texp는 실험 온도이다. SCCM은 1분 당 표준 입방 센티미터이다. 실시예들에서, ΔHR은 -108,784 J/mol이고, U는 85.0 W/m2K이고, Tref는 700 K이고, Cp,g는 659 J/kg/K이고, ρb는 477 kg/m3이다.표 1실시예Q (SCCM)Tin(℃)Texp (℃)1100801132100100144325010017141501201985501601856250220306717522028682501602709250300378실시예 1 내지 9로부터 얻은 데이터 및 앞서 기술한 운동 방정식을 기초로, Aspen custom modeler 시뮬레이션 도구 내에서 뉴턴법에 근거한 최소제곱법(Newton's method based least square estimation procedure)을 이용하여 동력학적 파라미터를 추정하였다. 결정된 동력학적 파라미터는 표 2에서 보여지고, 동력학적 파라미터의 확인은 표 3에서 보여지며, 여기서 100 내지 175 SCCM의 부피 흐름 속도에 대하여 실험 온도가 모델 온도(Tmodel)와 비교된다.표 2k0k1A0A116481.7861001018.792표 3Q(SCCM)Tin (0C)Texp (0C)Tmodel (0C)% 오차100300344342-0.61753003593600.33초기 확인을 실험실 규모에서, 실험 및 발전된 모델들 사이에서 연구한 후에, 대규모 공업적 단위에 대한 결과를 예측하기 위하여 상기 모델을 사용하였다. 스케일 업을 고려한 기본적인 케이스는 300℃의 유입구 온도 및 스케줄 160, 0.5인치 외부 직경 파이프에 대하여 250 SCCM의 흐름 속도와 일치한다. 기본적인 케이스에 대응하는 선속도는 외부 직경 파이프가 2인치 더 큰 것으로 추정된다. 7 피트 길이의 반응기에 대한 온도 프로파일을 시뮬레이션하기 위해 상기 모델을 사용하였다. 온도 프로파일의 비교는 도 30에서 보여지며, 여기서 점선은 0.5 인치의 외부 직경을 갖는 실험실 규모의 튜브이고, 실선은 2 인치의 외부 직경을 갖는 공업적 규모의 튜브이다.도 30은 실험실 규모의 튜브의 스케일-업이 부적합하며, 튜브의 시작지점 근방에서 거의 100% 온도의 증가를 가져온다.실험실 규모에서 미국특허 제6,399,823호에서 기술된 바와 같이 셋업된 반응기에서의 이러한 실험은 CCl4 제조가 반응기 내에서 관찰된 최대 온도 증가와 관련될 수 있다는 것을 보여주며, 이어지는 방정식(7)의 변환 함수를 개발하였다: (7)방정식 7은 포스겐 중에 사염화탄소의 양이 최대 온도(Tpeak)의 증가에 따라 지수적 방식(exponential manner)으로 증가한다고 예상한다. 유사한 관계가 유지된다고 가정하면, CCl4 형성은 공업적 세팅에서 사용되는 경우에 실험실 규모에 비해 300% 초과로 증가할 것이다. 다시 말하면, 0.5 인치 외부 직경 튜브 반응기로부터 공업적 다관식 반응기에서 일반적으로 사용되는 2 인치 튜브로 스케일-업에 따라, 포스겐 중에 사염화탄소는 주어진 구동 조건의 세트에 대하여 실험실 규모에서 관찰된 값에 비해 4배를 초과하여 증가한다. 이러한 모델은 반응기 설계가 공업적 규모의 다관식 반응기에서 열 전달을 개선하도록 근본적인 설계 변화가 이루어지지 않는 이상, 포스겐 내의 사염화탄소가 스케일-업에 따라 수배 증가할 것이라는 우리의 주장을 명확하게 규명한다.본원에 개시된 방법 및 반응기의 추가적인 구현예들은 하기에서 제시된다.구현예 1: 카보네이트를 제조하는 방법으로서, 상기 방법은 포스겐 반응기 내에서 촉매의 존재 하에 일산화탄소 및 염소를 반응시켜서 포스겐을 포함하는 제1 생성물을 제조하는 단계; 및 상기 포스겐과 모노히드록시 화합물을 반응시켜서 상기 카보네이트를 제조하는 단계를 포함하며, 이때, 상기 제1 생성물 내에 사염화탄소가 포스겐 총 부피를 기준으로 0 내지 10 부피ppm의 양으로 존재하고; 상기 포스겐 반응기가 1 시간 당 2,000 kg 이상의 상기 제1 생성물을 제조할 수 있고; 상기 포스겐 반응기가 튜브, 쉘, 및 상기 튜브 및 상기 쉘 사이에 위치된 공간을 포함하고; 상기 촉매가 상기 튜브 내에 배치되고 냉각 매질이 상기 공간 내에 위치되거나, 또는 상기 촉매가 상기 공간 내에 배치되고 냉각 매질이 상기 튜브 내에 위치되고; 상기 튜브가 미니-튜브부 및 제2 튜브부; 상기 쉘 내에 동심원적으로 위치된 제1 동심원 튜브(concentric tube); 트위스트된 튜브; 내부 스캐폴드; 및 외부 스캐폴드 중 하나 이상을 포함하는, 카보네이트를 제조하는 방법.구현예 2: 구현예 1의 방법에 있어서, 상기 포스겐 반응기 내의 최고(peak) 온도가 800℃ 미만인, 카보네이트를 제조하는 방법.구현예 3: 구현예 1 또는 2에 있어서, 상기 포스겐 반응기 내의 최고 온도가 400℃ 미만인, 카보네이트를 제조하는 방법.구현예 4: 구현예 1 내지 3 중 어느 한 구현예에 있어서, 상기 포스겐 반응기가 단위 부피 당 100 내지 10,000 m2/m3의 전열면적을 갖는, 카보네이트를 제조하는 방법.구현예 5: 구현예 1 내지 4 중 어느 한 구현예에 있어서, 상기 튜브가 미니-튜브부 및 제2 튜브부를 포함하고, 상기 반응이:상기 미니-튜브부 내에서 상기 일산화탄소 및 염소를 반응시켜서 제1 튜브 조성물을 제조하는 단계로서, 상기 미니-튜브가 0.1 내지 10 mm의 평균 내부 직경을 갖는 단계; 및 상기 제2 튜브부 내에서 상기 제1 튜브 조성물 중 적어도 일부를 반응시켜서 상기 제1 생성물을 제조하는 단계로서, 상기 제2 튜브부가 상기 미니-튜브에 비해 평균 직경이 더 큰 증가한 직경의 튜브(increased diameter tube)를 포함하는, 카보네이트를 제조하는 방법.구현예 6: 구현예 5에 있어서, 상기 증가한 직경의 튜브의 평균 내부 직경이 6 mm를 초과하는, 카보네이트를 제조하는 방법.구현예 7: 구현예 1 내지 4 중 어느 한 구현예에 있어서, 상기 튜브가 상기 쉘 내에 동심원적으로 위치된 상기 제1 동심원 튜브를 포함하며, 상기 제1 동심원 튜브가 50 mm 미만의 내부 직경을 가질 수 있는, 카보네이트를 제조하는 방법.구현예 8: 구현예 7에 있어서, 상기 제1 동심원 튜브가 다중-꽃잎 단면 형상(multi-petal cross-sectional geometry)을 갖는, 카보네이트를 제조하는 방법.구현예 9: 구현예 7 또는 8에 있어서, 상기 튜브가 상기 제1 동심원 튜브를 포함하고, 제2 동심원 튜브를 더 포함하고, 상기 제1 동심원 튜브 및 상기 제2 동심원 튜브가 상기 쉘 내에 위치되고, 냉각 매질이 상기 제2 튜브의 외벽 및 상기 쉘의 내벽 사이에 위치된, 카보네이트를 제조하는 방법.구현예 10: 구현예 1 내지 4 중 어느 한 구현예에 있어서, 상기 튜브가 상기 트위스트된 튜브를 포함하고, 상기 트위스트된 튜브가 주직경 및 부직경을 갖고, 상기 주직경 대 상기 부직경의 비가 1:1 내지 20:1인, 카보네이트를 제조하는 방법.구현예 11: 구현예 10에 있어서, 상기 트위스트된 튜브가 주직경 및 부직경을 갖고, 상기 주직경 및 상기 부직경이 서로 독립적으로 5 mm 이상이고 50 mm 미만일 수 있는, 카보네이트를 제조하는 방법.구현예 12: 구현예 10 또는 11에 있어서, 상기 트위스트된 튜브가 매끄러운 나선 형상, 톱니모양의(jagged) 나선 형상, 물결모양의(wavy) 형상, 볼록한(bulging) 형상, 또는 이들 중 하나 이상을 포함한 조합을 가지는, 카보네이트를 제조하는 방법.구현예 13: 구현예 1 내지 12 중 어느 한 구현예에 있어서, 상기 튜브가 내부 스캐폴드를 포함하고, 상기 내부 스캐폴드가 내부 인서트(insert) 및 내부 핀(fin) 중 하나 또는 둘 모두를 포함하는, 카보네이트를 제조하는 방법.구현예 14: 구현예 13에 있어서, 상기 내부 인서트, 상기 내부 핀, 또는 둘 모두가 내부 스캐폴드 요소를 포함하고, 상기 내부 스캐폴드 요소가 수직 요소, 내부 요소, 각진(angled) 요소, 또는 이들 중 하나 이상을 포함한 조합을 포함하는, 카보네이트를 제조하는 방법.구현예 15: 구현예 1 내지 14 중 어느 한 항에 있어서, 상기 튜브가 상기 외부 스캐폴드를 포함하고, 상기 외부 스캐폴드가 외부 인서트 및 외부 핀 중 하나 또는 둘 모두를 포함하는, 카보네이트를 제조하는 방법.구현예 16: 구현예 15에 있어서, 상기 외부 인서트, 상기 외부 핀, 또는 둘 모두가 외부 스캐폴드 요소를 포함하고, 상기 외부 스캐폴드 요소가 나선형 요소, 환형 요소, 단추형(studded) 요소, 톱니형(serrated) 요소, 전선(wire) 요소, 절단 나선형 요소(cut helical element), 절단 환형 요소, 물결모양의 나선형 요소, 슬롯된(slotted) 물결모양의 나선형 요소, 슬롯된 나선형 요소, 또는 이들 중 하나 이상을 포함한 조합을 포함하는, 카보네이트를 제조하는 방법.구현예 17: 구현예 1 내지 16 중 어느 한 구현예에 있어서, 상기 촉매의 농도, 활성도, 또는 둘 모두가 상기 튜브의 공급 말단으로부터 상기 튜브의 유출구 말단으로 변하고, 이때, 변화량이 상기 공급 말단에서 낮은 활성도, 농도 또는 둘 모두로부터 상기 유출구 말단에서 높은 활성도, 농도, 또는 둘 모두로 이어지는, 카보네이트를 제조하는 방법.구현예 18: 구현예 1 내지 17 중 어느 한 구현예에 있어서, 포스겐 반응기가 4,000 kg/hr 이상, 더 구체적으로 4,000 내지 13,000 kg/hr 또는 4,000 내지 9,000 kg/hr의 생성물을 제조할 수 있는, 카보네이트를 제조하는 방법.구현예 19: 구현예 1 내지 18 중 어느 한 구현예에서 있어서, 상기 튜브가 50 mm 미만 또는 40 mm 이하의 내부 직경을 갖는, 카보네이트를 제조하는 방법.구현예 20: 구현예 1 내지 19 중 어느 한 구현예에서 있어서, 상기 튜브가 내부 스캐폴드를 포함하고, 이때, 상기 내부 스캐폴드가 수직 요소(64)를 포함하고, 여기서 적어도 1종의 요소 말단이 상기 내부 튜브 내벽(60)의 접점(62)의 접선에 대하여 수직인, 카보네이트를 제조하는 방법.구현예 21: 구현예 1 내지 20 중 어느 한 구현예의 방법에서 사용되는 반응기.일반적으로, 본 발명은 대안적으로, 본원에 개시된 임의의 적절한 성분을 포함하거나, 이들로 이루어지거나, 이들로 필수적으로 이루어질 수 있다. 이들은 추가적으로 또는 대안적으로 선행 기술의 조성물에 사용되거나 또는 그렇지 않으면 본 발명의 기능 및/또는 목적의 달성에 필요하지 않은 임의의 성분, 물질, 구성 요소, 보조제(adjuvant) 또는 물질(species)을 전혀 함유하지 않거나, 실질적으로 함유하지 않도록 배합할 수 있다.본원에 개시된 모든 범위는 종점(end point)를 포함하고, 상기 종점은 독립적으로 서로 조합될 수 있다 (예를 들어, "25 중량% 이하"의 범위 또는 더 구체적으로 5 중량% 내지 20 중량%"는 각 종점 및 "5 중량% 내지 25 중량%" 등의 범위의 모든 중간값을 포함한다). 또한, 본원의 용어 "제1", "제2" 등은 임의의 순서, 수량 또는 중요도를 표시하는 것이 아니라, 일 요소를 다른 요소로부터 구별하기 위해 사용된다. 본원의 용어 단수 형태 및 "상기"는 수량의 한정을 표시하는 것이 아니고, 본원에서 달리 기재하거나 문맥상 명백히 모순되지 않는 한, 단수형 및 복수형을 모두 포함하는 것으로 해석된다. "또는"은 본 명세서에서 달리 기재하거나 문맥상 명백히 모순되지 않는 한, "및/또는"을 의미한다. 본 명세서 전체에 걸쳐 "일 구현예", "다른 구현예", "구현예", 등에 대한 언급 내용은 기 구현예와 관련하여 설명된 특정 요소(예를 들면, 구성, 구조, 및/또는 특성)가 본 명세서에서 설명된 적어도 하나의 구현예에 포함되며 다른 구현예에는 존재하거나 존재하지 않을 수 있다는 것을 의미한다. 또한, 설명된 요소는 다양한 구현예에서 임의의 적절한 방식으로 결합될 수 있는 것으로 이해되어야 한다.본원에서 인용된 모든 참조문헌들은 그들의 전부가 참조로서 본원의 일부로서 포함된다.특정 구현예들을 설명하였으나, 현재 예상되지 않거나 예상되지 않을 수 있는 대안, 수정, 변경, 향상 및 실질적 균등물이 출원인 또는 당해 기술 분야의 통상의 기술자에게 떠오를 수 있다. 따라서, 출원되고 보정될 수 있는 첨부된 특허청구범위는 이러한 모든 대안, 수정, 변경, 향상 및 실질적 균등물을 포함하는 것을 의도한다.본 명세서는 2014년 2월 4일에 출원된 유럽특허출원 EP14382035, 2014년 2월 4일에 출원된 유럽특허출원 EP14382038, 2014년 2월 4일에 출원된 유럽특허출원 EP14382036, 2014년 2월 4일에 출원된 유럽특허출원 EP14382037에 대한 우선권을 향유하며, 이들 모두는 그들의 전부가 참조로서 본원에 포함된다.
일 구현예에서, 카보네이트를 제조하는 방법은 포스겐 반응기 내에서 촉매의 존재 하에 일산화탄소 및 염소를 반응시켜서 포스겐을 포함하는 제1 생성물을 제조하는 단계; 및 상기 포스겐과 모노히드록시 화합물을 반응시켜서 상기 카보네이트를 제조하는 단계를 포함하며, 이때, 상기 제1 생성물 내에 사염화탄소가 포스겐 총 부피를 기준으로 0 내지 10 부피ppm의 양으로 존재하고; 상기 포스겐 반응기가 튜브, 쉘, 및 상기 튜브 및 상기 쉘 사이에 위치된 공간을 포함하고; 상기 튜브가 미니-튜브부 및 제2 튜브부; 상기 쉘 내에 동심원적으로 위치된 제1 동심원 튜브(concentric tube); 트위스트된 튜브; 내부 스캐폴드; 및 외부 스캐폴드 중 하나 이상을 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 노즐 헤드 및 유체 분사 밸브NOZZLE HEAD AND FLUID INJECTION VALVE [ 기술분야 ] 본 발명은 노즐 헤드 및 유체 분사 밸브, 특히 자동차 분사 밸브에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 유체를 분무하는 노즐 헤드를 갖는 연료 분사 밸브가 알려져 있다. 이런 유형의 연료 분사 밸브는 통상적으로 내연 엔진의 연소 챔버에 연료를 분무하는데 사용된다. 특히, 연료가 스파크-점화 엔진으로 설계된 내연 엔진의 염소 챔버로 "직접 분사"되는 경우, 연료는, 특히 노즐 헤드의 도움으로 매우 미세하게 분무되어야 한다. 스파크-점화 엔진에서 가능한 한 완전 연소를 생성하기 위하여, 연소 챔버에 존재하는 공기와 분사된 연료를 미세하게 혼합하는 것이 요구된다.직접 분사의 도움으로, 내연 엔진의 스파크-점화 엔진에서 연료는 요즈음 연소 챔버로 직접 분사되어, 연료를 도입하는 전술한 원리, 즉 "다기관 분사"에 비해 연료 소비를 감소시키는 장점을 제공한다. 나아가, 내연 엔진의 배기 가스 후처리 시스템을 제어하는 것이 직접 분사의 도움으로 상당히 개선된다.직접 분사의 추가적인 장점은 가스 입구 밸브를 통해 연소 공기가 유입됨과 함께 연료가 연소 챔버에 들어가는 다기관 분사의 경우에서보다 상당히 신속히 연료가 연소 챔버에 들어가기 때문에 동적 동작 동안 그 응답 거동에 대해 내연 엔진의 탄력성이 개선된다는 것이다.그러나, 언급된 직접 분사의 장점을 획득하기 위해서는 요구되는 균일한 혼합물이 짧은 시간 기간 내에 준비되어야 하는 것이 문제이다. 연료가 연소 챔버에 신속히 도입되기 때문에, 연료가 증발해서 연소 공기와 혼합되는데 이용가능한 시간이 거의 없다.연료 분사 밸브와 그 스프레이 준비는 그리하여 특히 직접 분사에 특히 중요하다. 연료는 특히 미세한 분무의 도움으로 실린더에 도입되어야 하는데, 즉 연료의 액적 사이즈는 매우 짧은 시간 기간 내에 신속한 준비, 즉 균일한 혼합이 달성될 수 있도록 가능한 한 작도록 설계되어야 한다.또한 "오일이 희석될" 가능성이 있기 때문에 연료는 연소 챔버의 실린더 벽으로 통과되어서는 안 된다. 오일 희석은 윤활유 조성에 변화를 야기하여, 희석된 윤활 오일은 적절한 점성 거동을 가지지 않는 것으로 인해 이 오일 희석은 내연 엔진에 심각한 손상을 야기할 수 있다. 피스톤 헤드 및/또는 가스 입구 밸브는 연료가 거기서 적절히 증발할 수 없기 때문에 연료에 의해 습윤되어서는 안 된다.연료 분사 밸브에 연료가 침착(deposition)하는 것은 추가적인 문제이다. 내연 엔진이 수 시간 동작한 후, 연료 분사 밸브는 단단한 그을음-같은 침착 층을 가지게 된다. 후속 분사 사이클의 연료는 상기 침착 층에 축적될 수 있다. 차후 연소 사이클에서, 상기 연료는 연료 증기의 형태로 누출되어 바람직하지 않은 그을음을 유발하는 연소를 초래할 수 있다. 이것은 내연 엔진의 배기 가스에 아마도 허용될 수 없을 만큼 불리하게 많은 양의 그을음 입자를 초래할 수 있다.그을음 입자의 감소는 노즐 헤드의 노즐 홀(nozzle hole)이 레이저 방법의 도움으로 노즐 헤드에 도입되는 것에 의해 달성되도록 의도된 것이 알려져 있다. 이것은 날카로운 에지를 갖는 노즐 홀이 형성될 수 있는 통상적인 전극 형성 방법(electroding method)에 비해 장점을 가지도록 의도된다. 침착 층을 감소시키는 추가적인 가능성은 연료의 출구 속력이 침착이 회피되어서 침착 층이 형성되지 않을 정도의 크기를 가지도록 노즐 헤드의 업스트림에서 연료 압력을 증가시키는 것이다. 그러나, 이렇게 연료 압력을 증가시키는 것은 더 많은 에너지를 소비하는 것으로만 실현될 수 있기 때문에 매우 값비싸다. 나아가, 연료 압력에 노출되는 모든 부품은 더 높은 연료 압력에 적응된 더 높은 강도를 가져야 하는데 이는 제일 먼저 더 값비싼 물질로 구현되거나 및/또는 이에 대응하여 부품 벽의 강도를 증가시켜야 실현될 수 있다. [ 발명의 개요 ] 본 발명의 목적은 침착물이-감소된 또는 침착물이-없는 연료 분사 밸브를 위한 노즐 헤드를 제공하는 것이다.본 목적은 특허 청구항 1에 청구된 노즐 헤드에 의해 본 발명에 따라 달성된다. 본 발명의 유리하고 신규한 개선사항은 종속항에 제시된다.일 측면에 따라, 유체 분사 밸브를 위한 노즐 헤드가 제시된다. 상기 노즐 헤드는 유체를 분무하도록 제공된다. 상기 유체는 바람직하게는 내연 엔진을 위한 연료, 특히 가솔린이다. 상기 노즐 헤드는 길이방향 축을 구비한다.추가적인 측면에 따라, 흐름이 통과할 수 있는, 유체 분사 밸브를 위한 밸브 몸체가 제시된다. 유체를 공급하는 공급 디바이스가 상기 밸브 몸체의 제1 단부에 형성된다. 상기 유체를 분무하는 노즐 헤드는 상기 밸브 몸체의 제2 단부에 배열되고, 이 제2 단부는 상기 제1 단부와는 반대쪽을 향하도록 구성된다. 특히, 상기 노즐 헤드와 상기 밸브 몸체는 공통 길이방향 축을 구비한다. 상기 노즐 헤드는 상기 밸브 몸체의 기본 몸체와 일체로 형성될 수 있다. 대안적으로, 상기 노즐 헤드는 상기 밸브 몸체의 상기 기본 몸체에 고정된 별개의 작업물일 수 있다.제3 측면에 따라, 상기 노즐 헤드 또는 상기 밸브 몸체를 갖는 유체 분사 밸브, 특히 연료 분사 밸브가 제시된다. 상기 연료 분사 밸브는 특히 내연 엔진의 연소 챔버로 연료를 직접 분사하도록 제공된다.상기 노즐 헤드는 노즐 천공된 디스크를 구비한다. 상기 노즐 천공된 디스크는 정면 표면과, 상기 정면 표면과 대향하는 내부 표면을 구비한다. 일 개선에서, 상기 정면 표면은 상기 밸브 몸체의 상기 제1 단부와는 반대 방향을 향하도록 구성되고, 상기 내부 표면은 상기 밸브 몸체의 상기 제1 단부를 향하도록 구성된다. 일 개선에서, 제1 축방향 거리는 상기 내부 표면과 상기 정면 표면 사이에 형성되고, 이 거리는 상기 길이방향 축 방향으로 연장된다.상기 노즐 천공된 디스크는 상기 길이방향 축 방향으로 상기 노즐 천공된 디스크를 완전히 관통하는 적어도 하나의 노즐 홀 채널을 구비한다. 진입 표면이 상기 노즐 홀 채널에 할당된 상기 제1 채널 단부에 형성되고, 출구 표면이 상기 노즐 홀 채널의 제2 채널 단부에 형성되고, 이 제2 채널 단부는 상기 제1 채널 단부와는 반대쪽을 향하여 배열된다. 상기 진입 표면은 상기 노즐 천공된 디스크의 내부 표면에 배열된다. 상기 노즐 홀 채널의 노즐 홀 돌출부는 - 이 노즐 홀 돌출부는 특히 상기 진입 표면으로부터 상기 제1 축방향 거리에 위치된다 - 채널 벽을 구비한다. 상기 채널 벽은 상기 노즐 홀 돌출부의 외주에 형성된다. 다시 말해, 상기 노즐 홀 돌출부의 상기 채널 벽은 상기 노즐 홀 채널의 일부를 한정한다. 상기 채널 벽은 여기서 상기 노즐 홀 채널의 채널 축 주위로 특히 완전히 이어진다. 상기 채널 벽은, 상기 제2 채널 단부가 상기 채널 벽의 채널 벽 단부에 대응하는 방식으로 상기 정면 표면으로부터 시작하여 상기 내부 표면과는 특히 반대쪽으로 상기 길이방향 축 방향으로 연장되는 벽 높이를 구비하고, 이 채널 벽 단부는 상기 정면 표면과는 반대쪽을 향하도록 구성된다.상기 노즐 홀 돌출부의 채널 벽의 도움으로, 상기 노즐 홀 채널은 그리하여 상기 길이방향 축을 따라 형성된 축방향 크기로 연장된다. 상기 제2 채널 단부와 그리하여 상기 출구 표면이, 종래 기술에 따라, 평활한 정면 표면에서, 예를 들어 상기 길이방향 축 방향으로 상기 진입 표면으로부터 제1 축방향 거리에 포함되었다면, 상기 제2 채널 단부는 이제 상기 진입 표면으로부터 상기 벽 높이만큼 증가된 거리에 상기 노즐 홀 돌출부의 도움으로 위치된다. 일 개선에서, 상기 출구 표면의 거리는 상기 제1 축방향 거리와 상기 벽 높이의 합계에 대응한다. 이것은 상기 노즐 홀 채널의 출구 표면이 - 이 출구 표면은 상기 제2 채널 단부에 형성된다 - 상기 정면 표면으로부터 소정의 거리에 상기 노즐 천공된 디스크에 형성되는 결과를 제공한다. 상기 제2 채널 단부는 상기 내부 표면과는 반대쪽 방향으로 상기 정면 표면에 대해 특히 오프셋된다.상기 출구 표면이 상기 길이방향 축 방향으로 상기 정면 표면으로부터 축방향으로 이격되어 존재하지 않는 경우 상기 정면 표면 구역에 존재하는 주변 공기가 상기 출구 표면의 외주에 걸쳐 흡입된다. 즉, 상기 연료 스프레이의 구역에 존재하는 주변 공기가 상기 연료 스프레이에 의해 포획된다. 그리하여 이 효과, 즉 유체 스프레이 구역에 있는 공기가 따라 운반되거나 포획되는 효과가 알려져 있고 특히 워터젯 펌프에서 사용되어 큰 볼륨 흐름을 생성한다.상기 길이방향 축 방향으로 상기 정면 표면으로부터 축방향으로 출구 표면을 이격시키는 채널 벽의 도움으로, 상기 노즐 홀 채널로부터, 즉 상기 출구 표면으로부터 나오는 연료에 주변 공기를 공급하는 가능성이 실현된다. 이것은 개선된 연료 준비, 즉 보다 신속한 연료 준비를 실현하는 더 큰 볼륨 흐름이 달성될 수 있다는 것을 의미한다. 상기 출구 표면의 외주에 걸쳐 존재하는 주변 공기가 상기 연료 스프레이의 연료에 의해 포획되기 때문에, 구역 압력이 이 구역에 형성되고, 상기 구역 압력은 연료 증기 및/또는 연료 액적이 역류(backflow)하는 것을 방지하거나 적어도 크게 감소시킨다. 즉, 침착물이 형성되는 위험이 특히 낮아진다. 이런 방식으로, 침착물이-감소된 또는 침착물이-없는 연료 분사 노즐이 실현된다.상기 유체 분사 밸브의 개선에서, 밸브 니들이 상기 밸브 몸체에 배열된다. 상기 밸브 니들의 폐쇄된 위치에서, 상기 밸브 니들은, 상기 밸브 니들의 폐쇄 요소가 상기 밸브 몸체의 밸브 안착부에 접촉하여 상기 노즐 홀 채널을 통한 유체 흐름을 방지하는 방식으로 상기 밸브 몸체에 대해 축방향으로 이동가능하고, 상기 밸브 니들은 상기 유체 분사 밸브의 액추에이터 유닛에 의해 폐쇄된 위치로부터 멀어지는 방향으로 변위되어 상기 노즐 홀 채널을 통한 유체 흐름을 허용할 수 있다.유리한 개선에서, - 특히 일체형의 - 노즐 천공된 디스크의 내부 표면은 상기 밸브 안착부를 구비한다. 상기 노즐 헤드는 이에 의해 비교적 큰 유체 압력, 예를 들어 100 바 이상, 바람직하게는 200 바 이상, 특히 250 바 내지 500 바의 범위에서 사용될 수 있고, 여기서 그 경계값이 포함된다본 발명에 따른 연료 분사 밸브의 개선에서, 상기 채널 벽은 중공 원추대 형상의 설계(hollow-frustoconical design)를 가진다. 이 개선의 장점은 상기 채널 벽의 구역에 존재하는 주변 공기가 상기 출구 표면으로부터 나오는 상기 연료 스프레이에 대해 경사진 입사 흐름 방향을 가진다는 것이다. 그리하여 상기 주변 공기가 상기 연료 스프레이에 더 잘 공급될 수 있다. 즉, 상기 중공 원추대 형상의 채널 벽을 통해 가이드되는 주변 공기의 흐름 방향은 상기 연료 스프레이의 흐름 방향을 교차하여, 상기 연료 스프레이와 상기 주변 공기가 흐름 방향에 의해 이미 철저히 혼합된다.중공 실린더의 방식으로 형성된 채널 벽에 비해 개선된 공급 능력을 볼 수 있다. 중공 실린더의 방식으로 형성된 채널 벽의 경우에, 상기 주변 공기는 상기 연료 스프레이와 동일한 흐름 방향을 구비하고, 그리하여, 동일한 흐름 방향 때문에, 상기 공급 능력과 그리하여 철저한 혼합은 상기 주변 공기를 포획하는 것에 의해서만 일어난다.일 개선에서, 상기 출구 표면은 상기 진입 표면보다 더 작도록 구성된다. 이것은 상기 노즐 홀 채널을 통해 흐르는 연료가 유체 역학의 베르누이의 법칙에 따라, 상기 출구 표면에서 제1 속력을 가지는데, 이 제1 속력은 상기 진입 표면에서 또는 상기 진입 표면의 구역에서 나타나는 제2 속력보다 더 크다는 장점을 가진다. 상기 연료 분무는 그리하여 상기 출구 표면에서 속력이 증가하기 때문에 간단한 방식으로 개선된다.본 발명에 따른 연료 분사 밸브의 추가적인 개선에서, 상기 노즐 천공된 디스크는 복수의 노즐 홀 채널을 구비하는데, 즉, 적어도 하나의 추가적인 노즐 홀 채널이 상기 노즐 천공된 디스크를 관통하도록 구성된다. 상기 노즐 홀 채널은 평면도에서 특히 길이방향 축을 따라, 통상적으로 노즐 천공된 디스크의 중심으로부터, 일반적으로 균일한 특정 반경에 배열되고, 여기서, 일 개선에서, 상기 노즐 천공된 디스크의 중심은 상기 길이방향 축에 놓인다. 상기 연료가 분사되자마자, 원추(cone) 형태로 구성된 연료 스프레이가 노즐 홀 채널마다 생성된다. 상기 노즐 천공된 디스크의 중심 구역에, 상기 연료 스프레이에 의해 한정된 내부 구역이 이에 의해 형성된다. 상기 연료 스프레이에 의해 한정된 주변 구역에서보다 상기 내부 구역에서 더 낮은 압력이 나타난다. 상기 주변 구역에서 제1 구역 압력이 상기 연료 스프레이 부근에 존재하고, 상기 구역 압력은 상기 연료 스프레이로부터 더 먼 주변 구역에 있는 제2 구역 압력보다 더 낮다. 상기 내부 구역에 형성된 제3 구역 압력은 상기 제1 구역 압력과 상기 제2 구역 압력에 비해 상당히 감소된다.상기 제3 구역 압력이 주변 구역에 있는 제1 구역 압력에 비해 낮아서, 상기 내부 구역에 음의 압력이 형성되어서 연료 증기 및/또는 연료 액적의 방향을 역전시킬 위험이 있다. 즉, 이 경우에, 상기 연료 증기 및/또는 상기 연료 액적은 정면 표면으로 역류하여 거기서 침착물 형태로 침착될 수 있다. 상기 정면 표면으로부터 출구 표면의 유효 축방향 거리를 생성하기 위하여, 상기 벽 높이는 자유 방사방향 거리에 따라 결정될 수 있다. 상기 자유 방사방향 거리는 상기 노즐 홀 채널과 상기 추가적인 노즐 홀 채널 사이에 방사방향으로 형성된 거리이다. 특히 유리한 벽 높이는 다음 수식, 즉:h ≥ 1/4·D에 따라 방사방향 거리에 따라 설명될 수 있는데, 여기서 h는 벽 높이에 대응하고, D는 자유 방사방향 거리에 대응한다.상기 노즐 홀 채널들 사이의 자유 방사방향 거리에 따라 결정된 벽 높이에서, 적절한 사이즈의 흐름 채널이 형성되고, 이 흐름 채널을 통해 주변 공기가 상기 내부 구역으로 안내될 수 있어서, 상기 내부 구역에서 상기 제3 구역 압력은 상기 내부 구역에서 연료 증기 및/또는 연료 액적이 역류하는 것을 특히 용이하게 방지하는 크기를 가진다. 상기 벽 높이는 유리하게 다음 수식, 즉h = 2/8·D에 따라 형성된다.상기 흐름 채널을 한정하는 채널 벽의 채널 벽 두께가 여기서 고려된다.상기 노즐 홀 돌출부는 연속적으로 미분가능한 함수에 따라 길이방향 구획에 형성된 윤곽을 갖는 외부 외주방향 표면을 구비할 수 있다. 그리하여 상기 채널 벽으로 흐르고 상기 연료 스프레이에 의해 포획되는 주변 공기의 흐름 필라멘트가 찢어지는 것이 회피되는 장점이 형성된다. 상기 외부 외주방향 표면은 바람직하게는 램프 형상의 설계(ramp-shaped design)를 가진다. 다시 말해, 상기 노즐 홀 돌출부는, 바람직하게는, 길이방향 구획에서, 연속적으로 미분가능한 함수 형태를 가지거나 및/또는 램프 형상의 설계를 가지는데, 즉 특히 램프 함수 형태를 가지는 외부 윤곽을 적어도 상기 정면 표면에 인접한 구역에 구비한다.본 발명에 따른 연료 분사 밸브의 추가적인 개선에서, 상기 노즐 홀 채널은 상기 진입 표면에 인접한 제1 채널 구역을 구비하고, 이 제1 채널 구역의 단면적은, 상기 출구 표면에 인접한, 상기 노즐 홀 채널의 제2 채널 구역의 단면적보다 더 작다. 일 개선에서, 상기 노즐 홀 채널은 상기 제1 채널 구역과 상기 제2 채널 구역 사이에 단차를 구비한다.상기 노즐 헤드, 상기 밸브 몸체 및 상기 유체 분사 밸브의 추가적인 장점, 특징 및 상세는 도면을 참조하여 바람직한 예시적인 실시예의 이하의 상세한 설명으로부터 드러날 것이다. 상세한 설명에 전술한 특징과 이 특징의 조합과, 도면의 설명에 후술되거나 및/또는 도면에만 도시된 특징과 이 특징의 조합은 각각 언급된 조합에서 사용될 뿐만 아니라, 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 여러 조합으로 사용되거나 또는 단독으로 사용될 수 있다. 동일하거나 또는 기능적으로 동일한 요소에는 동일한 참조 부호가 할당된다. 명료함을 위해, 구성 요소는 모든 도면에서 참조 부호가 제공되는 것은 아니지만 그 할당이 상실되지는 않는다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 종래 기술에 따른 연료 분사 밸브의 노즐 천공된 디스크의 개략 사시도;도 2는 분사 동작 동안 연료 스프레이를 갖는 도 1에 따른 노즐 천공된 디스크의 개략 사시도;도 3은 침착 층을 갖는 노즐 천공된 디스크의 개략 사시도;도 4는 서로 인접하여 배열된 2개의 노즐 홀에서 확산되는 연료 스프레이와, 역류 없이 연료 스프레이 구역에서 발생하는 구역 압력을 갖는 도 1에 따른 노즐 천공된 디스크의 측면도;도 5는 서로 인접하게 배열된 2개의 노즐 홀에서 확산되는 연료 스프레이와, 연료 증기가 역류하는 연료 스프레이 구역에서 발생하는 구역 압력을 갖는 도 1에 따른 노즐 천공된 디스크의 측면도;도 6은 역류하는 연료 액적을 갖는 도 5에 따른 노즐 천공된 디스크의 확대 상세도;도 7은 본 발명에 따른 연료 분사 밸브의 노즐 헤드의 개략 사시도;도 8은 연료 스프레이 확산과 연료 스프레이 구역에서 발생하는 구역 압력을 갖는, 본 발명에 따른 연료 분사 밸브의 노즐 천공된 디스크의 상세 측면도;도 9는 제1 변형에서 본 발명에 따른 연료 분사 밸브의 노즐 천공된 디스크의 상세도; 및도 10은 제2 변형에서 본 발명에 따른 연료 분사 밸브의 노즐 천공된 디스크의 상세도. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 종래 기술의 연료 밸브의 노즐 천공된 디스크는 도 1에 따라 설계되는데, 여기서 연료 분사 밸브는 "다중 스트림 인젝터"로 설계되고, 즉 노즐 천공된 디스크(10)는 복수의 노즐 홀 채널(12)을 구비하고, 노즐 홀 채널(12)은 노즐 천공된 디스크(10)를 완전히 관통하도록 설계된다.연료 분사 밸브는 길이방향 축(14)을 갖는 밸브 몸체(미도시)를 포함하고, 내연 엔진을 위한 유체, 일반적으로 연료를 공급하는 공급 디바이스(미도시)는 밸브 몸체의 제1 단부에 형성된다.유체를 분무하는 노즐 천공된 디스크(10)를 갖는 노즐 헤드(11)는 밸브 몸체의 제2 단부에 배열되고, 이 제2 단부는 제1 단부와는 반대쪽을 향하도록 구성된다. 노즐 천공된 디스크(10)는 제1 단부와는 반대쪽을 향하도록 구성된 정면 표면(16)을 구비한다.노즐 홀 채널(12)은 제1 채널 단부(18)(도 9 및 도 10 참조)에 진입 표면(22)을 구비하고, 제1 채널 단부(18)와는 반대쪽을 향해 배열된 제2 채널 단부(20)에 출구 표면(24)을 구비하고, 진입 표면(22)이 노즐 천공된 디스크(10)의 내부 표면(26)에 형성되고, 이 내부 표면은 정면 표면(16)과는 반대쪽을 향하도록 구성된다. 내부 표면(26)과 정면 표면(16) 사이에 길이방향 축(14) 방향으로 연장되는 제1 축방향 거리(W1)가 있다.노즐 천공된 디스크(10)는 연료 분사 밸브의 노즐 헤드(11)에 수용된다. 노즐 헤드(11)는 연료 분사 밸브의 제2 단부에 위치되고, 이 제2 단부는 내연 엔진(미도시)의 연소 챔버(미도시)에 배열된다. 이것은 연료 분사 노즐의 도움으로 내연 엔진에 공급되는 연료가 연소 챔버로 직접 분사되는 것을 의미한다. 특히, 내연 엔진의 최적의 동작, 즉 효율적이고 저 방출 동작을 위하여 연료가 연료 분사 노즐의 도움으로 미세하게 분무되는 형태로 - 즉 매우 미세한 액적으로 - 연소 챔버에 공급되는 것이 중요하다. 이 미세한 분무에 의해 신속한 연료 준비가 초래되는데, 즉 연소 챔버 내에 이미 존재하고 일반적으로 부분적으로 압축된 연소 공기와, 연소 챔버로 분사되는 연료 사이에 혼합물이 형성된다.특히, 스파크-점화 엔진 또는 가솔린 엔진으로 구성된 내연 엔진에서 연료의 준비는 매우 미세한 분무를 요구한다. 이것은 이런 유형의 내연 엔진이 "스파크 점화"에 기초하여 기능하기 때문인데, 즉 혼합물이 형상되는 것에 의해 연소 챔버에 존재하는 연료-공기 혼합물이 스파크 플러그의 도움으로 점화되기 때문이다. 이런 형태의 점화는 연료-공기 혼합물을 완전 연소시키기 위하여 연료-공기 혼합물이 균일할 것을 요구한다. 이것은 분사 사이클 내 매우 짧은 시간 내에 요구되기 때문에, 연료 분사 밸브의 도움으로 미세한 분무를 하는 것이 요구된다.또한 이와 유사하게 디젤 엔진으로 구성된 내연 엔진의 경우에 연료를 매우 미세하게 분무할 것을 요구한다. 디젤 엔진으로 구성된 내연 엔진의 연소 챔버에 존재하는 공기-연료 혼합물은 "자가-점화"에 기초하여 연소된다. 즉, 점화는 여기서 연소 챔버에서 높은 압축 압력에 의해 달성될 수 있는 고온에 의해 일어난다. 공기-연료 혼합물은 연소 챔버에서 상이한 점, 즉 "점화 오븐"에서 점화되고, 연소는 공기-연료 혼합물에서 상승 온도와 상승 압력에 기초하여 계속된다. 부적절한 연소는 여기서 "그을음의 형성"을 초래하는데 이는 미세한 분무의 도움으로 회피될 수 있다.미세한 분무는 노즐 천공된 디스크(10)에 형성된 복수의 노즐 홀 채널(12)로 달성될 수 있다. 원리적으로, 분무의 미세도는 노즐 홀 채널(12)의 직경과 연료 압력에 의존한다. 노즐 홀 채널(12)의 직경 또는 출구 표면(24)의 직경이 작으면 작을수록 그리고 압력이 높으면 높을수록, 분무가 더 미세해진다. 그러나 분사될 연료 질량은 또한 노즐 홀 채널(12)의 직경에도 의존한다는 것이 고려되어야 한다. 즉, 출구 표면(24)이 작으면 작을수록, 출구 표면(24)당 연료 질량이 더 적어진다. 그리하여 요구되는 분사 연료 질량을 달성하기 위해 노즐 홀 채널(12)의 개수가 고려되어야 한다. 이런 점에서 "분사 압력"은 미세한 분무를 하는데 유사하게 중요하다는 것이 주목되어야 한다.분무를 실현하기 위하여, 노즐 홀 채널(12)은 노즐 천공된 디스크(10)를 완전히 관통하는 방식으로 노즐 천공된 디스크(10)에 도입된다. 분사 동작 동안, 노즐 홀 채널(12)의 진입 표면(22)은 노즐 니들(미도시)의 도움으로 노출되고, 그리하여 연료 분사 밸브의 밸브 몸체에 위치된 연료는 출구 표면(24)을 통해 대응하는 분사 압력 하에서 밸브 몸체로 흐른다.도 2는 분사 동작 동안 연료가 연료 스프레이(28)의 형태로 출구 표면(24)으로부터 밖으로 흐르는 것을 개략적으로 도시한다. 유체 역학의 법칙에 따라, 연료는 노즐 홀 채널(12)에서 밖으로 흐르며, 연료 원추를 형성한다.내연 엔진의 복수의 동작 사이클 후에, 즉 복수의 점화 및 대응하는 연소 후에, 단단한 그을음 같은 침착물(30)이 도 3에서 예로 도시된 바와 같이 출구 단면적(24)의 구역에 형성될 수 있다는 것이 문제이다.이 침착물(30)은 분사 동작 동안 연료 스프레이(28)의 구역에 나타나는 압력 비율의 결과이다. 설명을 위하여, 종래 기술에 따라 노즐 천공된 디스크(10)의 측면도가 도 4에 도시된다. 2개의 연료 스프레이가 노즐 개구로부터 각각 나타나는 환경에서, 상이한 압력이 연료 스프레이의 상이한 구역에서 발생하고, 상기 압력은 이하에서 구역 압력이라고 언급된다.주변 공기는 출구 표면(24)에서 밖으로 흐르는 연료에 의해 연료의 출구 구역에서 흡입된다. 다시 말해, 연료 스프레이(28)의 구역에 위치된 주변 공기는 연료 스프레이(28)에 의해 포획된다.이것은 출구 표면(24)으로부터 원격에 있는 제2 구역 압력(p2)이 나타나는 주변 구역에서보다 더 낮은 제1 구역 압력(p1)이 출구 표면(24)의 구역에 있는 정면 표면(16)에 위치된 흡입 구역에서 발생한다는 것을 의미한다, 도 4 및 도 5 참조. 특히, 제3 구역 압력(p3)이 연료 스프레이(28)들 사이에 형성된 내부 구역(32)에 형성되고, 상기 제3 구역 압력은 제1 구역 압력(p1)과 제2 구역 압력(p2)에 비해 크게 감소되고, 극한 음의 압력을 구성한다. 내구 구역에서는 역류할 수 있는 주변 공기 또는 연소 공기가, 만약 있다 하더라도, 거의 없으므로, 다른 구역 압력에 비해 크게 감소된 제3 구역 압력(p3)이 내부 구역(32)에서 발생한다.상기 제3 구역 압력(p3)의 결과, 유출하는 주변 공기와 역류하는 연료 증기 사이에 난류가 야기될 수 있다. 도 5의 연료 스프레이(28)들 사이 내부 구역(32)에서 역류 화살표(36)의 도움으로 역류 방향이 지시된다. 연소 챔버의 높은 온도 때문에 분사 동작 동안 연료 증기가 이미 형성된다. 다시 말해, 연료는 분사 동작 동안 액체 응집 상태와 증기 응집 상태로 존재한다.이것은, 다시 말해, 출구 표면(24)에서 나타나는 연료가 통상적으로 그리고 주로 방향 화살표(y)의 방향으로 정면 표면(16)으로부터 원격에 있다는 것을 의미한다. 그러나, 연료 스프레이(28)들 사이의 내부 구역(32)에 형성되는 음의 압력(p3)으로 인해, 연료 증기와 연료 액적 혼합물이 역류하는 일이 일어난다. 상기 혼합물은 정면 표면(16)에서 축적된다.난류로 인해 역류하는 연료 증기는 연료 액적(34)과 철저히 혼합될 수 있다, 도 6 참조. 상기 연료 액적(34)은 노즐 천공된 디스크(10)의 정면 표면(16)의 방향으로 가속되고, 출구 표면(24) 구역에서 정면 표면(16)에 침착된다. 다시 말해, 내부 구역(32)에 위치된 연료 입자는 적어도 부분적으로 흐름 방향이 역전된다. 상기 흐름 방향이 역전되는 것은, 출구 표면(24)으로부터 연료의 출구 속력이 증가함에 따라 감소하는데, 이 증가는, 출구 속력이 증가할 때, 제3 구역 압력(p3)이 더 이상 정면 표면(16)의 방향으로 연료 액적을 가속시킬 만큼 충분하지 않기 때문에, 분사 압력이 증가하는 것에 의해 실현될 수 있다.본 발명에 따른 연료 분사 밸브의 노즐 천공된 디스크(10)는 도 7에 따라 구성된다. 노즐 홀 채널(12)은 채널 벽(40)을 갖는 노즐 홀 돌출부(25)를 구비하고, 이의 도움으로 출구 표면(24)은 내부 표면(26)과는 반대 방향으로 정면 표면(16)으로부터 이격되어 존재한다.노즐 홀 돌출부(25)는 여기서 진입 표면(22)으로부터 제1 축방향 거리(W1)에 위치된다. 노즐 홀 돌출부(25)의 구역에서, 채널 벽(40)은 노즐 홀 채널(12)의 외주에 형성되고, 상기 채널 벽(40)은 정면 표면(16)으로부터 시작하여 길이방향 축(14)의 방향으로 연장되는 벽 높이(h)를 구비한다.그리하여 제2 채널 단부(20)는 채널 벽(40)의 채널 벽 단부(46)에 대응하고, 이 채널 벽 단부는 정면 표면(16)과는 반대쪽을 향하도록 구성된다.즉, 다시 말해, 노즐 홀(25)의 채널 벽(40)은 여기서 노즐 홀 채널(12)을 둘러싸는 방식으로 정면 표면(16)과 공통인 평면으로부터 연장되어, 상기 채널 벽의 축방향 크기는, 정면 표면(16)으로부터 시작하여, 연료 스프레이(28) 방향으로 형성된다.본 발명에 따른 연료 분사 밸브의 예시적인 실시예는 중공 원추대 형상의 설계를 가지는 채널 벽(40)을 구비한다. 중공 원추대 형상의 설계를 갖는 채널 벽(40)은, 원추형으로 테이퍼지고, 노즐 홀 돌출부(25)의 구역에서, 출구 표면(24)이 노즐 홀(25)의 채널 단면적보다 더 작게 구성되도록 노즐 홀 채널(12)을 완전히 측방향으로 둘러싸는 내부 외주방향 표면을 구비하고, 이 채널 단면적은 거리(h)에서 출구 표면(24)으로부터 업스트림에 위치되고 도면에 도시된 직경(d)을 구비한다.예시적인 실시예의 변형에서, 내부 외주방향 표면은 실린더 측방향 표면, 특히 원형-실린더 측방향 표면의 형태를 구비한다. 추가적인 예시적인 실시예(미도시)에서, 채널 벽(40)은 중공-원통형 설계를 가진다.벽 높이(h)는 워터젯 펌프의 원리에 따라 출구 표면(24)에서 밖으로 연료가 흐르는 동안 포획되는 양만큼 주변 공기가 내부 구역(32)으로 공급될 수 있는 방식으로 결정된다.자유 방사방향 거리(D)는 2개의 반대쪽에 배열된 노즐 홀 채널(12, 13)들 사이, 즉 노즐 홀 채널(12)과 추가적인 노즐 홀 채널(13) 사이에 형성된다.자유 방사방향 거리(D)는 노즐 홀 채널(12)과 추가적인 노즐 홀 채널(13) 사이의 거리를 의미하는 것으로 이해되고, 이 거리는 서로 인접하게 배열된 2개의 채널 벽(40)들 사이에 형성된다. 자유 방사방향 거리(D)는 노즐 홀 채널(12)과 추가적인 노즐 홀 채널(13) 사이의 거리이고, 이 거리는 길이방향 축(14)을 따라 정면 표면(16)으로부터 축방향 거리에 결정되고 벽 높이(h)에 대응한다.자유 방사방향 거리(D)는 여기서 노즐 천공된 디스크(10)의 직경을 따라 결정되어야 한다는 것이 주목된다. 이것은 노즐 천공된 디스크(10)가 통상적으로 원형 설계를 갖는 외주를 구비하기 때문에 취해질 수 있다. 그러나, 노즐 천공된 디스크(10)가 원형 외주를 가지지 않거나 및/또는 노즐 홀 채널의 배열이 노즐 천공된 디스크(10)의 중심점 주위로 대칭적으로 위치되지 않는 경우, 자유 방사방향 거리(D)는 2개의 반대 노즐 홀 채널(12)들 사이로 결정되어야 한다.벽 높이(h)는 다음 수식, 즉:h ≥ 1/4·D에 의해 방사방향 거리(D)에 따라 결정될 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 통로-같은 흐름 채널(41)이 그리하여 각 경우에 2개의 인접한 노즐 홀 채널(12)들 사이에 형성된다. 상기 흐름 채널(41)이 내부 구역(32)으로 공기를 충분히 공급하도록 구성되기 위하여, 채널 벽(40)의 채널 벽 두께(42)는 벽 높이(h)를 결정할 때 추가적으로 고려되어야 한다. 이것은 벽 높이(h)가 방사방향 거리(D)의 1/4을 초과하도록 선택되어야 하는 것을 의미한다. 예를 들어, 노즐 홀 채널(12)들 사이의 방사방향 거리(D)가 6 mm인 경우, 1.5 mm의 벽 높이(h)가 형성된다. 충분히 큰 흐름 채널(41)이 이제 형성될 수 있기 위하여, 벽 높이(h)는 대략 2 mm이도록 결정되어야 한다.도 8 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 노즐 홀 돌출부(25)는 외부 외주방향 표면(44)을 구비한다. 도 9의 예시적인 실시예에서, 상기 외부 외주방향 표면(44)은 길이방향 구획에서 램프 형상의 윤곽(45)을 구비한다. 도 10에 따라, 상기 윤곽(45)은 램프 방식으로, 즉 연속적으로 미분가능한 곡선 함수 형태로 둥글게 형성된다.도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 연료 분사 밸브의 대안적인 예시적인 실시예에서, 노즐 홀 채널(12)이 상이한 채널 직경을 구비하도록 노즐 홀 채널(12)은 단차진 홀 형태로 구성된다. 진입 표면(22)을 향하도록 구성된 제1 채널 구역에서 채널 직경(d1)은, 출구 표면(24)을 향하도록 구성된, 노즐 홀 채널(12)의 제2 채널 구역의 제2 채널 직경(d2)보다 더 작아서, 제1 채널 구역은 제2 채널 구역보다 더 작은 단면적을 구비한다. 노즐 홀 채널(12)은 제1 채널 구역과 제2 채널 구역 사이에 단차를 구비한다. 본 경우에, 제2 채널 구역은 내부 표면(26) 방향으로 정면 표면(16)을 넘어 노즐 홀 돌출부(25)로부터 축방향으로 연장된다.
흐름이 통과할 수 있는 밸브 몸체를 갖는 유체 분사 밸브를 위한 유체를 분무하는 노즐 헤드(11)가 제시된다. 상기 노즐 헤드(11)는 길이방향 축(14)을 구비하고 노즐 천공된 디스크(10)를 구비하고, 상기 노즐 천공된 디스크는 정면 표면(16)과, 상기 정면 표면과 반대쪽에 놓여 있는 내부 표면(26)을 포함한다. 상기 노즐 천공된 디스크(10)는 상기 길이방향 축(14) 방향으로 상기 노즐 천공된 디스크(10)를 완전히 관통하는 적어도 하나의 노즐 홀 채널(12; 13)을 구비하고, 상기 노즐 홀 채널은, 제1 채널 단부(18)에 진입 표면(22)을 구비하고, 상기 제1 채널 단부(18)와는 반대쪽을 향하는 상기 제2 채널 단부(20)에 출구 표면(24)을 구비하고, 상기 진입 표면(22)은 상기 내부 표면(26)에 형성된다. 상기 노즐 홀 채널(12; 13)의 노즐 홀 돌출부(25)는 채널 벽(40)을 구비하고, 상기 채널 벽(40)은, 상기 정면 표면(16)으로부터 시작하여, 상기 내부 표면(26)과는 반대쪽으로 상기 길이방향 축(14) 방향으로 연장되는 벽 높이(h)를 구비하고, 상기 채널 벽은, 상기 제2 채널 단부(20)가 상기 채널 벽(40)의 채널 벽 단부(46)에 대응하는 방식으로 상기 노즐 홀 돌출부(25)의 외주에 걸쳐 구성되고, 상기 채널 벽 단부(46)는 상기 정면 표면(16)과는 반대쪽을 향하도록 구성된다. 나아가, 밸브 몸체와 유체 분사 밸브가 제시된다.
[ 발명의 명칭 ] 주입 가능한 식품을 포장하기 위한 시트 포장재료에 개로장치의 형성 장치 및 방법AN APPARATUS AND A METHOD FOR FORMING OPENING DEVICES ON A SHEET PACKAGING MATERIAL FOR PACKAGING POURABLE FOOD PRODUCTS [ 기술분야 ] 본 발명은, 주입 가능한 식품을 포장하기 위한 시트(sheet) 포장재료에 개로장치를 형성하는 장치 및 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 알다시피, 과일 주스, UHT(초고온 순간 살균 처리된) 우유, 와인, 토마토 소스 등등과 같은 많은 주입 가능한 식품은, 살균된 포장 재료로 제조된 패키지들로 출시된다.이러한 타입의 패키지의 일반적인 예는, 적층된 스트립 포장 재료를 접고 밀폐하여서 만들어진 테트라 브릭 아셉틱(등록상표)으로서 알려진 액체 또는 주입 가능한 식품의 평행육면체형 패키지가 있다.상기 포장 재료는, 섬유재료, 예를 들면 종이, 또는 미네랄 충진 폴리프로필렌 재료로 이루어진 일 층과, 열차폐성 플라스틱 재료, 예를 들면, 기저층의 양측을 덮는 폴리에틸렌막들의 다수의 적층체층을 포함하는, 강성 및 강도의 기저층을 실질적으로 구비하는 다층 구조를 갖는다.UHT 우유와 같은 긴 저장 제품을 위한 아셉틱 패키지의 경우에, 상기 포장 재료는, 열차폐성 플라스틱 재료의 일 층 위에 중첩된 알루미늄 호일이나 에틸 비닐 알코올(EVOH)막 등의 가스 차단 재료의 일 층을 포함하고, 다음에는, 결국 상기 식품과 접촉하는 상기 패키지의 내부면을 형성하는 열차폐성 플라스틱 재료의 또 다른 층으로 덮인다.이러한 종류의 패키지들은, 연속적 튜브가 웹 페드(web-fed) 포장 재료로부터 형성되고; 상기 포장 재료의 웹이, 예를 들면, 한번 살균이 완료되면, 상기 포장 재료의 표면으로부터 제거된, 예를 들면 가열하여 증발된 과산화수소수 등의 화학적 살균제를 도포하여서 상기 포장 기계상에서 살균되고 나서; 그렇게 살균된 상기 포장 재료의 웹이 폐쇄된 살균 환경에 유지되어 있고, 수직 튜브를 형성하기 위해 종방향으로 접혀 밀폐되는, 완전 자동 포장 기계 상에서 제조되는 것이 보통이다.상기 튜브는, 살균된 또는 살균처리된 식품으로 채워져 있고, 필로우 팩들을 형성하기 위해 등간격 단면을 따라 밀폐되고 나서 절단된 후, 각각의 완성된, 예를 들면, 실질적으로 평행육면체형의 패키지들을 형성하기 위해 기계적으로 접힌다.이와는 달리, 상기 포장 재료는 스핀들들을 형성할 때 패키지들내에 형성된 블랭크들로 잘리기도 하고, 상기 패키지들은 식품으로 채워져 밀폐된다. 이러한 타입의 패키지의 일례는, 등록명 Tetra Rex(등록상표)에 의해 공지된 소위 "게이블톱(gable-top)" 패키지가 있다.상술한 패키지들을 열기 위해서는, 플라스틱 재료로 제조되고 실질적으로, 주입부재를 갖고, 관통 개로를 한정하며, 상기 패키지의 벽의 구멍에 끼워진 재밀폐용 개로장치를 구비한, 여러 가지 해결책이 제안되어 있었다.일 타입의 개로장치를 제조시에, 상기 주입부재의 개로는, 그 주입부재에 일체로 접속되고 보다 작은 영역(section)의 찢을 수 있는 환형 멤브레인을 따라 탈착 가능한 플라스틱 컨페티(confetti)부분에 의해 밀폐된다.착탈식, 예를 들면, 나사 또는 힌지형 캡은, 그 주입부재를 바깥쪽으로 닫고 상기 컨페티 부분을 제거하여서 첫 번째 열은 후 상기 패키지를 폐쇄되게 하는 상기 주입부재에 끼워질 수 있다.상기 캡을 마주보게 정해진 측에는, 상기 컨페티 부분은 일체형 돌출 당김 고리를 갖는 부분으로, 이 고리의 자유단부는 사용자에 의해 당겨져 상기 컨페티 부분을 그 찢을 수 있는 멤브레인을 따라 분리하여 그 식품 주입 개로를 연다.액체뿐만 아니라 가스 실링(sealing)도 필요한 패키지의 경우에는, 상기 개로장치들이 포장재료에 형성된 구멍들 대신에 포장재료의 착탈 가능한 부분들에 끼워진다. 이러한 공지된 일 해결책에 있어서, 상기 개로장치의 컨페티 부분은, 포장재료의 사전적층된 구멍, 즉 기저층에만 형성되고 가스 차단재료의 층을 포함한 그 밖의 적층체층들에 의해 덮인 구멍에 직접 고정된다.상술한 개로장치들은, 포장재료에 형성된 구멍들의 가장자리들 위에, 또는 사출 성형작업에 의해 상술한 사전적층된 구멍들 위에 직접 제조되어 붙여진다.이러한 개로장치들을 붙이는 방법에 있어서, 상기 포장재료는, 주어진 경로를 따라 전진되고, 그 포장재료의 구멍들 또는 사전적층된 구멍들 중 하나의 구멍이 개방 구성에서 2개의 몰드 사이에 삽입되고 마주할 때 정지된다.이때, 상기 몰드들은, 포장재료의 대향면과 연동하고 상기 개로장치가 형성될 상기 구멍이나 상기 사전적층된 구멍을 갖는 폐쇄 몰드 캐비티를 한정하는 폐쇄 구성에 이르도록, 상기 포장재료를 향해 변위된다. 그리고, 사출 성형작업은, 용융 플라스틱 재료를 상기 폐쇄 구성에서 상기 몰드들에 의해 한정된 그 몰드 캐비티에 주입하여서 행해진다.상기 포장재료의 구멍에 형성된 개로장치일 경우에, 상기 용융 플라스틱 재료는, 몰드 캐비티의 일측으로부터 몰드 캐비티에 주입되고, 완전히 충진시키기 위해 상기 몰드 캐비티내에 흐르지 않으면 안 된다. 상기 용융 플라스틱 재료가 놓여질 때, 상기 몰드들은 개방되고, 상기 포장재료는 다시 또 다른 개로장치를 형성하기 위한 개방 몰드들 사이에 새로운 구멍을 취하도록 전진될 수 있다.상기 포장재료의 사전적층된 구멍에 형성된 개로장치일 경우에는, 상기 용융 플라스틱 재료는, 환형 원주부분까지 상기 사전적층된 구멍을 덮고, 이렇게 하여, 상기 사전적층된 구멍에 직접 부착된 플라스틱 컨페티 부분을 형성하도록, 상기 사전적층된 구멍의 일측에 주입되고 나서; 상기 용융 플라스틱 재료는, 상기 사전적층된 구멍의 반대측으로부터 돌출하고 사용자에 의해 상기 패키지를 열기 위해 찢어지도록 구성된 보다 작은 영역의 환형 멤브레인 접속부분을 통해 상기 컨페티 부분에 부착된, 상기 개로장치의 주입부재를 형성하기 위해서, 상기 환형 원주부분에 상기 사전적층된 구멍을 뚫지 않으면 안 된다. 이렇게, 상기 사전적층된 구멍을 형성하는 재료는, 상기 주입부재를 형성하는 플라스틱 재료에 의해 먼저 관통되고 나서 재밀폐된다.상술한 타입의 사출 성형장치와 방법들은 시트 포장재료에 개로장치들을 직접 형성하기 위해 널리 만족스럽게 사용된다. 그러나, 기업 내에서는, 구체적으로는, 포장기계의 출력률을 증가시키고 그 포장기계의 점유공간을 감소시키는 계속된 요구의 관점에서, 더욱 향상시키기 위한 수요를 느끼고 있다. [ 발명의 개요 ] 따라서, 본 발명의 목적은, 일반적으로 공지된 장치와 방법들과 연관된 상술한 수요를 만족시킬 수 있는, 주입 가능한 식품을 포장하기 위한 시트 포장재료에 개로장치를 형성하는 장치 및 방법을 제공하는데 있다.본 발명에서는, 청구항 1에 청구된 것과 같은 장치와 청구항 9에 청구된 것과 같은 방법을 제공한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 발명의 비제한적 바람직한 3개의 실시예를 아래의 첨부도면을 참조하여 예시에 의해 설명한다:도 1은 시트 재료로 제조되고 본 발명에 따른 형성장치 및 방법을 사용하여 개로장치가 형성된 밀폐 패키지의 부분 절개 확대 측면도를 도시한 것이고,도 2는 상기 개로장치가 붙여지기 전의 도 1의 시트 재료의 보다 큰 축적의 단면을 도시한 것이고,도 3 내지 도 6은 상대적 형성방법의 연속적인 단계동안에 본 발명에 따른 형성장치의 부분 단면을 도시한 것이고,도 7 내지 도 10은 상대적 형성방법의 연속적인 단계동안에 본 발명에 따른 형성장치의 다른 실시예의 부분 단면을 도시한 것이고,도 11 내지 도 14는 상대적 형성방법의 연속적인 단계동안에 본 발명에 따른 형성장치의 또 다른 실시예의 부분 단면을 도시한 것이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1에서 도면부호 1은, 상기에서 상세히 설명한 것과 같은 공지된 방식으로 접혀 밀폐된 다층 시트 포장재료(2)로 만들어지고, 본 발명에 따라 (도 3 내지 도 6에 도시된) 형성장치(10)를 사용하여 플라스틱 재료의 개로장치(3)를 붙인, 주입 가능한 식품용 밀폐 패키지를 전체적으로 가리킨다.도시된 예에서, 패키지(1)는, 직육면체형이고, 상품명 테트라 브릭 아셉틱(등록상표)에 의해 알려진 타입을 갖는다. 그렇지만, 본 발명에 따른 형성장치(10)는, 상품명 테트라 렉스(Rex)(등록상표)에 의해 알려진 게이블-톱(gable-top) 패키지 등의 그 밖의 타입의 패키지를 위한 포장재료들에 대한 이점에도 적용된다.구체적으로 도 2를 참조하면, 포장재료(2)는, 섬유재료, 예를 들면 종이, 또는 미네랄 충진 폴리프로필렌 재료로 이루어진 강성과 강도를 위한 기저층(4)과, 열차폐성 플라스틱 재료, 예를 들면, 기저층(4)의 양측을 덮는 폴리에틸렌막들의 복수의 층(5)을 포함한다.UHT 우유와 같은 긴 저장 제품을 위한 아셉틱 패키지(1)의 경우에, 포장재료(2)는, 열차폐성 플라스틱 재료의 일 층(5) 위에 중첩된 알루미늄 호일이나 에틸 비닐 알코올(EVOH)막 등의 가스 차단 재료의 일 층(6)도 포함하고, 다음에는, 결국 상기 식품과 접촉하는 상기 패키지(1)의 내부면을 형성하는 열차폐성 플라스틱 재료의 또 다른 층(5)으로 덮인다.달리 말하면, 층 5, 6은 연속적인 스트립 형태의 포장재료(3)를 제조할 때 기저층(4)에 붙여진 각각의 적층체층들을 한정한다.또한, 포장재료(2)는, 포장재료의 세로방향A로 등간격으로 되고, 형성장치(10)를 사용하여서 개로장치들(3)을 나중에 성형하는 (도면에는 하나만 도시된) 다수의 수납부분(8)을 구비한다. 도시된 예에서, 각 수납부분(8)은, 소위 사전적층된 구멍, 즉 포장재료(2)의 기저층(4)을 통해 형성되고 적층체층(5, 6)으로 덮여, 각각의 시트 커버부분(11)으로 밀폐된, 구멍(9)으로 한정되어 있다.도시되지 않은 다른 가능한 실시예에서, 커버부분(11)은 층 5, 6의 하나 또는 일부만으로도 한정되어도 된다. 예를 들면, 커버부분(11)은 가스 차단재료만으로 제조되어도 된다.도시되지 않은 또 다른 가능한 실시예에서, 커버부분(11)은, 이 경우에, 그 포장재료(2)의 전체 두께를 통해 형성된 구멍을 밀폐하기 위해 포장재료(2)의 나머지에 고정된 패치(patch)에 의해 한정되어도 된다.도시되지 않은 또 다른 실시예에서, 각 수납부분(8)은, 간단히, 그 포장재료(2)의 전체 두께를 통해 형성되고 상대적인 개로장치(3)에 의해 밀폐되도록 정해진, 구멍으로 한정되어도 된다.이하의 설명에서는, 간략을 기하기 위하여, 수납부분(8) 1개와 개로장치(3) 1개를 참조한다.구체적으로 도 1에 도시된 것처럼, 개로장치(3)는 커버부분(11)에 실질적으로 수직한 축B를 갖는다. 개로장치(3)는, 실질적으로, 커버부분(11)의 일측(11a) - 도시된 예에서는, 결국 패키지(1)의 안쪽을 향하여 마주하는 측 - 에 고정되는 컨페티 부분(12)과, 구멍(9)을 중심으로 하여 포장재료(2)에 고정되고, 패키지(1)로부터 식품을 주입하는 개로(16)를 한정하고, 커버부분(11)의 양측 11a, 11b에 배치되도록 상기 뚫리는 것으로부터 후속하여 커버부분(11)을 통해 연장되는, 원통 관형 주입부재(13)를 구비한다.캡(14)(도 1)은, 컨페티 부분(12)과 커버부분(11)의 제거 후에도 개로(16)를 바깥방향으로 폐쇄하기 위해 주입부재(13)에 착탈 가능하게 끼워진다.보다 구체적으로는, 컨페티 부분(12)과 주입부재(13)는 일체로 성형되고 개로장치(3)를 한정하며, 또 캡(14)은 개로장치(3)로부터 별도로 형성되고 나서 거기에 붙여진다. 컨페티 부분(12)과 구멍(9)의 커버부분(11)은 주입부재(13)의 개로(16)를 밀폐하는 밀폐부분(15)을 함께 한정한다.구체적으로 도 1에 도시된 것처럼, 주입부재(13)는 구멍(9)을 중심으로 포장재료(2)에 고정된 환형 플랜지 부분(17)과, 플랜지 부분(17)의 내부 횡방향 가장자리(edge)로부터 축방향으로 돌출하고 커버부분(11)의 원주 환형부분을 통해 연장되는 원통 관형 목부분(18)을 구비한다. 달리 말하면, 목부분(18)은, 컨페티 부분(12)이 고정된 측 11a의 반대의 측 11b의 포장재료(2)로부터 돌출되어 있다.도 1에 도시된 것처럼, 컨페티 부분(12)과 플랜지 부분(17)은, 밀폐부분(15)을 쉽게 찢어 주입부재(13)로부터 분리하도록, 상기 부분(12, 17)보다 영역이 작은 환형 멤브레인 접속부분(19)에 의해 접합되어 있다. 달리 말하면, 환형 멤브레인 접속부분(19)은, 절취선을 따라 주입부재(13)로부터 컨페티 부분(12)을 분리하기 위한 절취선을 한정한다.사용시에 캡(14)을 마주하게 정해진 측에, 상기 컨페티 부분(12)이 일체형 돌출 당김 고리(21)를 갖고, 이 당김 고리는 유저가 밀폐부분(15)을 환형 멤브레인 접속부분(19)을 따라 주입부재(13)로부터 분리하여서 식품이 자유롭게 개로(16)를 통해 쏟아져 나오도록 하는데 사용된다.보다 구체적으로, 당김 고리(21)는, 목부분(18) 내측과 이 목부분으로부터 소정 거리로 연장되어 있고, 탭(tab)(22)에 의해 컨페티 부분(12)에 접합된다.도 1에 도시된 것처럼, 캡(14)은, 나사형이고, 주입부재(13)의 목부분(18)상의 내부 나사산에 대응한 외부 나사산(25)과 맞물리는 내부 나사산(24)이 있는 원통형 측벽(23)을 갖는다.도 3 내지 도 6을 참조하여, 형성장치(10)는, 이 형성장치(10)의 몰딩 구역(31)에서 작동하고, 상기 개로장치(3)의 축B가 형성되면서 동축이고 포장재료(2)의 반대측에 배치된 제1 및 제2 몰드(32, 33)를 갖는 몰딩부(30)를 기본적으로 구비하고; 상기 제1 및 제2 몰드(32, 33)는, 개방 구성(도 3 및 도 6)에서 선택적으로 놓여져 있는 것으로, 이 몰드 사이에서 포장재료(2)를 공급시켜 서로 축B를 따라 이격되어 있고, 폐쇄 구성에서는, 상기 몰드들은 포장재료(2)의 반대면들과 연동하고, 상기 몰드들은 포장재료(2)의 수납부분(8)을 갖고, 용융 플라스틱 재료가 놓여질 때, 컨페티 부분(12)과 주입부재(13)로 이루어진 일체인 개로장치(3)를 한정하기 위해 그 용융 플라스틱 재료로 충진되도록 구성된 폐쇄 몰드 캐비티(34)의 범위를 정한다.바람직하게는, 형성장치(10)는, 제1 및 제2 몰드(32, 33)의 개방 구성에서 용융 플라스틱 재료의 도즈(dose)(36)를 몰딩 구역(31)에 공급하기 위한 공급(feed)수단(35)과, 몰딩부(30)에 의해 운반되고, 도즈(36)가 강제로 몰드 캐비티(34)에 충진되게 하여 개로장치(3)를 형성하도록 도즈(36)에 압력을 가하는 가압수단(37)을 더 구비한다.특히, 공급수단(35)은, 도시되지 않은 압출기 등의 용융 플라스틱 재료 분배부로부터 상기 도즈(36)를 수납하고, 그 도즈(36)를 상기 몰딩 구역(31)에 전달한다.본 설명과 청구항에서 "도즈"란, 반죽 상태, 즉 용융 플라스틱 재료전달부로부터 제거된 용융 또는 반용융 상태에서, 플라스틱 재료의 미리 정해진/측정된 양을 가리키는데 사용한다는 것을 말한다.또한, 몰딩 구역(31)은, 제1 및 제2 몰드(32, 33)뿐만 아니라, 개방 구성에서 상기 제1 몰드(32)와 제2 몰드(33)의 사이에 삽입된 공간을 포함하는 이 제1 및 제2 몰드(32, 33)가 작동하는 전체 영역도 포함한다는 것을 말한다.도 3 내지 도 6에 도시된 바람직한 실시예에서, 도즈(36)는, 공급수단(35)에 의해 제1 모드(32)와 제2 몰드(33) 중 하나, 특히 제1 몰드(32)에 직접 공급된다.보다 상세하게는, 도 3 내지 도 6에 개시된 구체적인 해결책에 있어서, 제1 몰드(32)는 커버부분(11)의 측 11a에 마주하고, 제2 몰드(33)는 커버부분(11)의 측 11b에 마주한다.제1 몰드(32)는 축B를 따라 활주방식으로 서로 결합된 외부 환형부재(40)와 코어부재(41)를 구비하고; 구체적으로는, 코어부재(41)는 환형부재(40)의 관통 개로(42)와 맞물린다.제1 몰드(32)는, 환형부재(40)가 코어부재(41)로부터 포장재료(2)를 향해 축방향으로 돌출하고, 코어부재(41)와 함께, 공급수단(35)으로부터 도즈(36)를 수납하기 위한 포장재료(2)를 향해 개방된 자리부(seat: 43)의 범위를 정하는 제1 구성(도 3 및 도 4)과, 코어부재(41)가, 환형부재(40)의 전체 축방향 높이의 개로(42)와 맞물리고, 포장재료(2)에 마주하는 그것의 헤드부를 통하여 또한 환형부재(40)의 인접한 헤드부와 함께, 제1 및 제2 몰드(32, 33)의 폐쇄 구성에서 몰드 캐비티(34)의 일측의 범위를 정하는 형성표면(45)을 한정하는 제2 구성(도 5 및 도 6)으로 놓여질 수 있다.실제로, 제1 몰드(32)의 자리부(43)는, 제1 및 제2 몰드(32, 33)의 폐쇄 구성에서 몰드 캐비티(34)의 일부를 한정한다.제2 몰드(33)는, 외부 환형부재(50)와, 외부 환형부재(50)의 관통 개로(52)와 맞물리는 코어부재(51)와, 개로(52)와도 맞물리고 외부 환형부재(50)와 코어부재(51)의 사이에 반경방향으로 삽입된 중간 환형부재(53)를 구비한다. 코어부재(51)와 중간 환형부재(52)는 축B를 따라 활주방식으로 서로 연동한다. 외부 환형부재(50)는, 개로장치(3)를 제2 몰드(33)로부터 풀릴 수 있도록 반경방향으로 개방될 수 있는 복수의 부품(54)으로 구성된다.구체적으로 도 5를 참조하여, 몰드 캐비티(34)는, 작동시에:- 수납부분(8)의 커버부분(11)을 수납하고, 사용시 컨페티형 부분(12)과 개로장치(3)의 환형 플랜지 부분(17)을 한정하도록 구성된, 축B의 컨페티형 챔버(55);- 챔버(55)의 평평한 환형 원주부분(57)의 일측으로부터 축B와 동축으로 연장되고, 사용시 개로장치(3)의 목부분(18)을 한정하도록 구성된 관형 챔버(56); 및- 컨페티 부분(12)의 당김 고리(21)를 한정하고, 챔버(56)와 동일 측으로부터 연장되고, 환형 원주부분(57)에 대해 챔버(55)의 반경방향 내부점으로부터 연장되는 성형 챔버(58)를 한정한다.특히, 챔버(55)는, 일 측에 제1 몰드(32)의 형성표면(45)에 의해서, 또한 반대측에, 포장재료(2)에 마주하는 제2 몰드(33)의 헤드부분이 한정한 형성표면(60)에 의해 범위가 정해지고; 보다 상세하게는, 형성표면(60)은, 제2 몰드(33)의 여러 가지의 부품 부재들, 즉 외부 환형부재(50), 코어부재(51) 및 중간 환형부재(53)의 헤드부분들로 한정된다.챔버(56)는, 일측에는 반경방향으로 중간 환형부재(53)의 외부 표면(61)에 의해 범위가 정해지고, 반대측에는 반경방향으로 외부 환형부재(50)의 내부 표면(62)에 의해 범위가 정해진다.대신에, 챔버(58)는 코어부재(51)의 내부 성형 표면(63)에 의해 전체적으로 한정된다.이러한 특정한 실시예에 있어서, 몰드 캐비티(34)를 이루는 표면(45, 60, 61, 62, 63)은, 제1 몰드(32)와 제2 몰드(33) 양쪽에 의해 운반되는 가압수단(37)을 한정한다.도 3을 참조하여, 공급수단(35)은, 하나의 개로장치(3)를 형성하는 하나의 도즈(36)를 자리부(43)에 공급하기 위해서, 제1 및 제2 몰드(32, 33)의 개방 구성에서 제1 몰드(32)의 자리부(34)보다 위에 선택적으로 위치되도록 구성된 적어도 하나의 전달부분(66)을 갖는 공급장치(65)를 구비한다.실제로, 공급장치(65)는, 제1 몰드(32)와 제2 몰드(33) 사이에 삽입되고, 제1 몰드(32)와 제2 몰드(33) 중 하나, 본 경우에는 제1 몰드(32)에 도즈(36)를 공급하는 제1 위치와, 제1 몰드(32)와 제2 몰드(33)에서 멀어지는 제2 위치와의 사이에서 이동될 수 있다.사용시, 포장재료(2)의 상대적 수납부분(8) 위에 하나의 개로장치(3)를 형성하는 것은, 몰딩부(30)의 제1 및 제2 몰드(32, 33)가 개방구성(도 3)에 있는 형성장치(10)의 초기 조건에서 시작하여, 수평면에 평평하게 놓이는 포장재료(2)가 상기 제1 몰드(32)와 제2 몰드(33) 사이의 공간을 통과하는 방향A로 공급되는 것과 같이 행해진다.먼저, 공급장치(65)는, 제1 몰드(32)의 자리부(43)보다 위에 놓인 전달부분(66)을 갖고 하나의 도즈(36)를 상기 자리부(43)에 방출하는 제1 위치(도 3)로 변위된다. 이 동작 후, 공급장치(65)는, 제1 모드(32)와 제2 모드(33) 사이의 공간에서 멀어진다.다음 단계는, 포장재료(2)의 하나의 수납부분(8)을 상기 제1 몰드(32)와 제2 몰드(33) 양쪽에 마주하는 위치에 배치하는 것으로 이루어지고; 이 단계는, 몰딩부(30)에 대해 포장재료(2)를 이동하거나 포장재료(2)에 대해 몰딩부(30)를 이동하여서 행해질 수 있고; 또한, 포장재료(2)와 몰딩부(30)는, 상기 포장재료(8)의 하나의 수납부분(8)을 제1 및 제2 몰드(32, 33) 양쪽에 마주하는 위치에 배치하기 위해서 속도가 다른 경우에도, 방향A를 따라 양쪽이 전진되어도 된다는 것은 분명하다.이때, 제1 및 제2 몰드(32, 33)는, 차례로 수납부분(8)을 완전히 수납하는 폐쇄 몰드 캐비티(34)를 한정하는, 상기 폐쇄 구성(도 5)으로 변위된다.몰딩부(30)의 폐쇄 구성은, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도 3 내지 도 6에 도시된 것처럼, 포장재료(2)를 향해 축B를 따라 제1 및 제2 몰드(32, 33)를 이동시켜서 뿐만 아니라, 심지어 제1 및 제2 몰드(32, 33) 중 한쪽만을 이동시키고, 다른 쪽을 포장재료(2)에 접촉하는 고정된 위치에 유지시켜서도 구현될 수 있는 것은 분명하다.제1 몰드(32)와 제2 몰드(32, 33) 사이에서 공급된 포장재료(2)의 일부가, 축B에 대해 횡단하는, 바람직하게는 직교하되, 이를 따라 제1 몰드(32)와 제2 몰드(33)의 한쪽 또는 양쪽이 이동된다.개방 구성에서 폐쇄 구성으로의 이동시에, 제1 및 제2 몰드(32, 33)는, 전체 몰드 캐비티(34)를 충진하여 개로장치(3)를 형성하지 않으면 안 되는, 도즈(35)상에 압축 동작을 가한다.특히, 상대 이동은, (도 5에 도시된) 제1 몰드(32)의 제2 구성에 도달하기 위해 (도 4에 도시된 화살표로 나타낸) 코어부재(41)와 외부 환형 부재(40) 사이에서 일어나는 한편, 도즈(36)는, 커버부분(11)의 측(11a)에 대하여 형성표면(45)에 의해 압축된다. 실제로, 도즈(36)의 용융 플라스틱 재료는, 폐쇄 몰드 캐비티(34)가 양쪽 반대측에 포장재료(2)에 접촉하는 제1 및 제2 몰드(32, 33)에 의해 형성되는 동안에 커버부분(11)의 측 11a를 따라 서서히 흐른다. 그 용융 플라스틱 재료는, 컨페티형 챔버(55) 전체를 그 중심부분으로부터 환형 원주부분(57)을 향해 채워진다.컨페티형 챔버(55)에 담겨진 용융 플라스틱 재료에 가압하는 동작은 제2 몰드(33)에 대해 포장재료(2)의 커버부분(11)을 밀어, 커버부분(11)의 측 11b는 형성표면(60)과 접촉한다.이 단계에서, 제1 몰드(32)에 마주하는 커버부분(11)의 열차폐 플라스틱 재료의 층(5)은 그 플라스틱 재료와 함께 몰드 캐비티(34) 속으로 녹아든다.그 용융 플라스틱 재료는, 결국 성형 챔버(58)를 갖는 컨페티형 챔버(55)의 교차부분에 도달할 때까지 상기 컨페티형 챔버(55) 내측에서 반경방향으로 확산되고, 여기서 제2 몰드(33)에 의해 견고한 지지를 하지 못하는 커버부분(11)은 상기 용융 플라스틱 재료의 압력으로 깔끔하게 뚫리고; 이때, 용융 플라스틱 재료는 성형 챔버(58) 전체에 채워진다.정확히 마찬가지로, 용융 플라스틱 재료가 컨페티형 챔버(55)와 관형 챔버(56)의 교차부분에서 환형 부분에 도달할 때, 커버부분(11)은, 용융 플라스틱 재료의 압력에 의해 뚫리므로, 주입부재(13)와 나사산(25)의 목부분(18)을 형성하기 위해 관형 챔버(56) 전체에 흘러들어간다.달리 말하면, 도즈(36)의 상기 용융 플라스틱 재료는, 관통 개로들을 형성하기 위해 몰드 캐비티(34)의 컨페티형 챔버(55)와 관형 챔버(56) 및 성형 챔버(58)간의 교차부분에서 커버부분(11)을 통해 뚫은 후, 포장재료(2)의 온전함을 완전히 복원하기 위해 상기 플라스틱 재료에 의해 밀폐된다.상기 몰드 캐비티(34) 전체를 충진하는 플라스틱 재료가 일단 놓이면, 제2 몰드(33)의 외부 환형부재(50)의 부품(54)은 반경방향으로 개방되고, 제1 및 제2몰드(32, 33)는, (도 6에 도시된) 개방 구성으로 이동되어 몰딩부(30)로부터 개로장치(3)의 추출과 또 다른 수납부분(8)의 삽입을 허용할 수 있고, 그 위에 또 다른 형성 동작을 행한다.도 7 내지 도 10에서의 도면부호 10'은 포장재료(2) 위에 개로장치들(3)을 형성하기 위한 본 발명에 따른 형성장치의 다른 실시예를 전체적으로 표시하고; 형성장치 10, 10'은 서로 같고, 아래의 설명은 그들간의 차이에 대해 한정되고, 가능하다면, 동일하거나 대응한 부분들에 대해서는 동일한 참조부호를 사용한다.형성장치 10'은, 공급장치(65)가 선택적으로 용융 플라스틱 재료의 도즈(36)를, 차례로 몰딩 구역(31)을 통해 제1 몰드(32)와 제2 몰드(33) 사이에서, 방향A를 따라 전진된 포장재료(2)의 상대적 수납부분(8)에, 직접 공급하도록 구성된다는 점에서 형성장치 10과 다르다.특히, 도 7 내지 도 10에 도시된 예에서, 도즈(36)는, 수납부분(8)의 커버부분(11)의 측 11a, 즉, 도시된 예에서, 포장재료로부터 형성된 패키지의 결국 안쪽을 향해 마주하는 측을 한정하는 수평면 위에 놓이는 포장재료(2)의 상부측상에서 공급된다. 이 경우에 사용된 제1 몰드(32)는, 상기 포장재료(2)가 도 3 내지 도 6의 포장재료에 대해 뒤집어 놓여지도록 도시된 것을 제외하고는, 상기 형성장치(10)에서 사용된 제1 몰드와 같은 것일 수 있다.포장재료(2)의 상대적 수납부분(8)에 개로장치(3)를 형성하는 방법은, 도즈들(36)이 포장재료(2)상에서 직접 공급되고 제1 및 제2 몰드(32, 33) 중 한쪽의 몰드에는 공급되지 않는다는 것을 제외하고는, 형성장치(10)를 참조하여 설명한 방법과 같다.공급장치(65)가 하나의 도즈(36)를 포장재료(2)의 상대적 수납부분(8)에 전달하였다면, 이 도즈(36)는 그 수납부분(8) 자체에 붙어서 도즈가 공급되었던 동일한 위치를 유지한다; 달리 말하면, 도즈들(36)은, 반죽(paste) 플라스틱 재료, 즉 용융 또는 반용융 플라스틱 재료에 의해 형성됨으로써, 끈적거리므로, 포장재료(2)의 각각의 수납부분(8)에 붙는다.도 11 내지 도 14의 도면부호 10''은, 본 발명에 따라 포장재료(2)에 개로장치(3)를 형성하는 형성장치의 다른 실시예를 전체적으로 표시한 것으로; 형성장치 10, 10''은 서로 유사하고, 이하의 설명은, 그들간의 차이점에 한정되고, 가능하다면, 동일 또는 대응한 부분들에 대해서는 동일한 참조부호를 사용한다.형성장치 10''은, 몰딩부(30)가, 제1 몰드(32)의 형성표면 45와 동일한 형성표면 45''에 의해 포장재료(2)를 향해 경계가 지어진, 상대적 수납부분(8)의 커버부분(11)의 측 11a에 사용시 마주하고, 포장재료(2)에 마주하는 측과 반대의 측에 공급장치(36)로부터 용융 플라스틱 재료의 하나의 도즈(36)를 수납하기 위한 개방 자리부(43'')를 한정하는, 제1 몰드(71)를 구비한다는 점에서, 형성장치 10과 다르고; 또한, 형성장치 10''은 제2 몰드 33과 같은 구조를 갖고, 상대적 수납부분(8)의 커버부분(11)의 측 11b에 사용시 마주하는 제2 몰드(70)를 구비한다.이때, 도 11 내지 도 14의 포장재료(2)는, 도 3 내지 도 6의 포장재료에 대해 뒤집어 놓여진 것처럼 도시되어 있다.형성장치 10의 제1 및 제2 몰드 32, 33과 마찬가지로, 제1 및 제2 몰드 71, 70은, 개방 구성(도 11, 도 12, 도 14)에서는 선택적으로 놓여 있고, 서로 이격되어 있고, 이 몰드 사이의 포장재료(2)를 공급 가능하게 하며, 폐쇄 구성(도 13)에서는, 포장재료(2)의 반대면들과 연동하고, 하나의 개로장치(3)가 형성될 포장재료(2)의 상대적 수납부분(8)을 수용하도록 구성된 폐쇄 몰드 캐비티(34)를 한정한다.이 경우에, 공급장치(65)는, 제1 및 제2 몰드(71, 70)가 개방구성(도 11)에 있을 때, 제1 몰드(71)의 자리부(43'')에 있는 용융 플라스틱 재료의 도즈(36)를 선택적으로 공급하도록 구성된다.자리부(43'')는, 사용시에 상기 자리부(43'')의 바닥벽으로부터 형성표면(45'')까지 연장되는 축방향 채널(72)을 통해 몰드 캐비티(34)에 접속된다.제1 몰드(71)는, 강제로 용융 플라스틱 재료가 몰드 캐비티(34)에 유입되게 사용시에 상기 자리부(43'')에 놓은 도즈(36)를 가압하기 위해 자리부(43'')와 활주 가능하게 맞물리는 플런저(plunger)(73)를 더 구비한다.구체적으로, 플런저(73)는, 하나의 도즈(36)를 상기 자리부(43'')에 공급 가능하기 위해 자리부(43'')의 개방측으로부터 분리되는 추출위치와, 완전히 자리부(43'')와 맞물려 강제로 도즈(36)를 형성하는 용융 플라스틱 재료를 채널(72)을 통해 몰드 캐비티(34)에 유입되게 하는 최종 가압위치와의 사이의 축B를 따라 변위 가능하다.상기 추출위치로부터 최종 가압위치로의 플런저(73)의 변위는, 제1 및 제2 몰드(71, 70)가 폐쇄구성에 있을 때 활성화된다.플런저(73)는, 용융 플라스틱 재료를 제1 몰드(71)로부터 완전히 유출시키는 로드(rod)(75)에 의해, 채널(72)과 동축이고 활주방식으로 맞물리는 상기 채널(72)과 같은 직경의 축방향 관통 구멍(74)을 갖는다.이 경우에, 플런저(73)와 로드(75)는 몰드 캐비티(34)의 범위를 정하는 상기 표면(45'', 60, 61, 62, 63)과 함께 가압수단(37)을 한정한다.형성장치 10''을 사용하여서 포장재료(2)의 상대적 수납부분(8) 위에 개로장치들(3)을 형성하는 방법은, 폐쇄구성으로 제1 및 제2 몰드(71, 70)를 놓은 후, 상기 도즈(36)를 플런저(73)와 로드(75)에 의해 가압하여 몰드 캐비티(34)를 충진하는 것을 제외하고는, 형성장치 10을 참조하여 설명한 방법과 동일하다; 달리 말하면, 도즈(36)의 용융 플라스틱 재료는, 제1 및 제2 몰드(71, 70)에 의해 가압되지 않고, 이 몰드들은 폐쇄구성으로 이동되고 있지만, 그 가압 동작은 제1 및 제2 몰드(71, 70)가 폐쇄구성으로 된 후 플런저(73)와 로드(75)에 의해 행해진다.본 발명에 따른 상기 형성장치 10, 10', 10''와 형성방법의 이점들은, 상술한 설명으로부터 명백하다.특히, 하나의 개로장치(3)를 형성하기 위해 용융 플라스틱 재료의 도즈(36)를 공급하는 상기 단계가 제1 및 제2 몰드(32, 33, 71, 70)의 개방구성에서 행해진다는 사실에 의해, 이 단계는 용융 플라스틱 재료를 몰드 캐비티(34)에 압축하는 단계와 아주 다를 수 있다. 이렇게 하여, 사출 성형일 경우보다 이들 2개의 단계의 보다 나은 제어와 품질을 얻는 것이 가능하고, 하나의 개로장치를 형성하기 위한 상기 도즈의 공급과 그 개로장치의 성형은 동일한 공정에서 이루어진다. 이러한 성형의 경우에는, 사출 성형의 작업동안에 생길 가능성이 있는 문제가 그 플라스틱 재료의 공급에 의해서 또는 적절한 성형 단계에 의해 생기는지를 판정하는 것이 어렵다.추가로, 상기 성형 단계와는 분리하여 상기 플라스틱 재료를 공급함으로써, 포장재료(2)의 경로를 따라 공지된 사출 성형장치보다 유연한 방식으로 상기 상대적 장치들(공급장치 65와 몰딩부 30)을 위치결정 가능하게 한다.이것은, 상기 도즈(36)를 포장재료(2) 상에 직접 공급시킬 때 특히 분명하고; 이 경우에, 상기 공급단계는, 그 몰딩부(30)로부터 먼 위치에서도 포장재료(2)의 경로를 따라 어떠한 위치에서도 행해질 수 있다.상기 공급단계와 상기 성형 단계의 분리에 의해, 몰딩부(30)를 상기 포장재료(2)의 경로를 따라 이동시킬 수 있고; 이 경우에, 상기 도즈(36)는, 상기 성형 작업이 행해지는 위치와 이격된 위치에서 상기 몰딩부(30)에 의해 수납될 수도 있다. 달리 말하면, 상기 공급장치(65), 특히 용융 플라스틱 재료 전달부, 즉 압출기를, 몰딩부(30)와 함께 포장재료(2)의 경로를 따라 이동시킬 필요가 없을 것이다.게다가, 용융 플라스틱 재료의 도즈(36)를 압축하여서 성형 작업을 행하는 것은, 상기 몰드들에 있는 구멍을 통해 동일한 재료를 사출하는 힘보다 덜 힘이 요구되므로, 전력과 비용이 덜 요구된다.하지만, 본 명세서에 기재된 것과 같은 형성장치(10, 10', 10'')와 형성방법을, 첨부하는 청구항들에 기재된 것과 같은 범위를 벗어나지 않고 변경하여도 된다는 것은 명백하다.특히, 설명된 상기 성형 작업은, 관형 주입부재들의 단면이 원형, 예를 들면 계란형, 타원형, 또는 단순히 폐쇄루프 윤곽으로 한정된 형상인 개로장치들을 제조하기 위해서, 심지어는 원형이 아닌 임의의 외부 윤곽을 갖는 수납부분(8)에도 적용되어도 된다.
주입 가능한 식품을 포장하기 위한 시트 포장재료(2)의 수납부분(8)에 개로장치(3)를 형성하는 장치(10, 10', 10'')로서, 상기 장치(10, 10', 10'')의 몰딩 구역(31)에서 작동하고, 제1 및 제2 몰드(32, 33; 71, 70)가, 개방구성에서는 선택적으로 놓여 상기 포장재료(2)를 상기 제1 몰드와 제2 몰드 사이에서 공급시키기 위해 서로 이격되고, 폐쇄구성에서는 상기 제1 및 제2 몰드(32, 33; 71, 70)가 상기 포장재료(2)의 반대의 면들과 연동하며, 상기 포장재료(2)의 상기 수납부분(8)을 수용하고, 용융 플라스틱 재료가 놓일 때 상기 개로장치(3)를 한정하기 위해 상기 플라스틱 재료로 충진되도록 구성된 폐쇄 몰드 캐비티(34)의 범위를 정하는, 몰딩부(30)를 구비하는, 형성장치(10, 10', 10'')는, 상기 제1 및 제2 몰드(32, 33; 71, 70)의 상기 개방구성에서 용융 플라스틱 재료의 도즈(36)를 상기 몰딩 구역(31)에 공급시키는 공급수단(35); 및 상기 몰딩부(30)에 의해 운반되며, 상기 도즈(36)를 상기 몰드 캐비티(34)에 충진되게 하고 상기 개로장치(3)를 형성하기 위해 상기 도즈(36)에 압력을 가하는, 가압수단(37)을 더 구비한다.
[ 발명의 명칭 ] 고강도 강판 및 그의 제조 방법HIGH-STRENGTH STEEL SHEET AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME [ 기술분야 ] 본 발명은, 자동차용 강판으로서의 용도에 적합한 스폿 용접성, 연성 및 굽힘 가공성이 우수한 고강도 강판 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 지구 환경 보전의 관점에서, CO2 배출량을 삭감하기 위해, 자동차 차체의 강도를 유지하면서 그 경량화를 도모하여, 자동차의 연비를 개선하는 것이 자동차 업계에 있어서는 항상 중요한 과제가 되고 있다. 자동차 차체의 강도를 유지하면서 그 경량화를 도모하는 데에 있어서는, 자동차 부품용 소재가 되는 강판의 고강도화에 의해 강판을 박육화하는 것이 유효하다. 한편, 자동차 부품의 대부분은 프레스 가공이나 버링(burring) 가공 등에 의해 성형된다. 이 때문에, 자동차 부품용 소재로서 이용되는 고강도 강판에는 소망하는 강도를 갖는 것에 더하여, 우수한 성형성이 요구된다. 최근, 자동차 차체의 골격용 소재로서 1180㎫ 초과급의 고강도 강판의 적용이 확대되고 있다. 이러한 고강도 강판의 성형에 있어서는 굽힘 가공이 시행되는 경우가 많아, 고강도 강판은 우수한 굽힘 가공성을 갖는 것이 요구된다. 또한, 이러한 골격용 소재는 충돌 등 시의 승객의 안전을 확보하기 위해, 변형에 대하여 강할 것, 즉 높은 항복 강도를 갖는 것이 요구된다. 이들 과제를 해결하는 것은, 고강도 강판이 용융 아연 도금 강판인 경우에 있어서 특히 난이도가 높다. 이러한 요구에 대하여, 예를 들면 특허문헌 1에서는 항복 강도가 높고, 굽힘 가공성이 우수한 1180㎫급 강판에 관한 기술이 개시되어 있다. 그런데, 특허문헌 1에 기재된 기술에 있어서, 1180㎫급 강판에 포함되는 C량은 0.16％ 이상으로 높다. 이 때문에, 특허문헌 1의 1180㎫급 강판은, 자동차용 강판으로서 중요한 스폿 용접성을 충분히 갖고 있다고는 말할 수 없다. 특허문헌 2에는, 강판 중의 C량을 0.15질량％ 이하로 억제한 고강도 강판에 관한 기술이 개시되어 있다. 특허문헌 2에 기재된 고강도 강판은, 스폿 용접성 및 굽힘 가공성은 양호하기는 하나, 항복 강도는 780㎫ 미만으로 낮고, 항복 강도에 대해서 어떠한 개선의 검토도 되어 있지 않다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본공개특허공보 2012-237042호일본공개특허공보 2011-132602호 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은, 상기한 종래 기술이 안고 있는 문제를 유리하게 해결하고, 자동차 부품용 소재로서 적합한, 항복 강도(YS)가 780㎫ 이상, 인장 강도(TS)가 1180㎫ 이상이고, 스폿 용접성, 연성 및 굽힘 가공성이 우수한 고강도 강판 및 그의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명자들은, 상기한 과제를 달성하고, 780㎫ 이상의 YS와 1180㎫ 이상의 TS를 확보하면서, 스폿 용접성, 연성 및 굽힘 가공성이 우수한 고강도 강판을 제조하기 위해, 강판의 성분 조성, 조직 및 제조 방법의 관점에서 예의 연구를 거듭했다. 그 결과, C량을 0.15질량% 이하로 하고, 페라이트의 면적률을 8∼45％, 마르텐사이트의 면적률을 55∼85％, 또한 페라이트에만 인접하는 마르텐사이트의 전체 조직에 차지하는 비율을 15％ 이하로 하고, 페라이트 및 마르텐사이트의 평균 결정 입경을 10㎛ 이하, 강판 표면으로부터 20㎛의 깊이∼강판 표면으로부터 100㎛ 깊이의 범위에 존재하는 페라이트 중 결정 입경이 10㎛ 이상인 페라이트의 면적률을 5％ 미만으로 함으로써, 780㎫ 이상의 YS, 1180㎫ 이상의 TS, 우수한 스폿 용접성, 연성 및 굽힘 가공성을 갖는 고강도 강판이 얻어지는 것을 발견했다. 보다 구체적으로는, 본 발명은 이하의 것을 제공한다. (1) 질량％로, C: 0.05∼0.15％, Si: 0.01∼1.00％, Mn: 1.5∼4.0％, P: 0.100％ 이하, S: 0.02％ 이하, Al: 0.01∼0.50％, Cr: 0.010∼2.000％, Nb: 0.005∼0.100％, Ti: 0.005∼0.100％, B: 0.0005∼0.0050％를 포함하고, 잔부가 Fe 및 불가피적 불순물로 이루어지고, 하기식 (Ⅰ)로 나타나는 K가 3.0 이상인 성분 조성을 갖고, 강판 표면에 수직인 단면(斷面)의 판두께 4분의 1 위치의 조직 관찰에 있어서, 면적률로 페라이트: 8∼45％, 마르텐사이트: 55∼85％이고, 또한 페라이트에만 인접하는 마르텐사이트의 전체 조직에서 차지하는 비율이 15％ 이하이며, 페라이트 및 마르텐사이트의 평균 결정 입경이 10㎛ 이하이고, 또한 강판 표면으로부터 20㎛의 깊이∼강판 표면으로부터 100㎛ 깊이의 범위에 존재하는 페라이트 중 결정 입경이 10㎛ 이상인 페라이트의 면적률이 5％ 미만인 조직을 갖는 스폿 용접성, 연성 및 굽힘 가공성이 우수한 고강도 강판. K＝－0.4×[Si]＋1.0×[Mn]＋1.3×[Cr]＋200×[B]　식 (Ⅰ) 식 (Ⅰ)에 있어서, [Si]는 Si의 함유량 [질량％], [Mn]은 Mn의 함유량 [질량％], [Cr]은 Cr의 함유량 [질량％], [B]는 B의 함유량 [질량％]이다. (2) 추가로, 질량％로, Mo: 0.005∼2.000％, V: 0.005∼2.000％, Ni: 0.005∼2.000％ 및 Cu: 0.005∼2.000％로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 함유하는 (1)에 기재된 스폿 용접성, 연성 및 굽힘 가공성이 우수한 고강도 강판. (3) 추가로, 질량％로, Ca: 0.001∼0.005％ 및 REM: 0.001∼0.005％로부터 선택되는 적어도 1종의 원소를 함유하는 (1) 또는 (2)에 기재된 스폿 용접성, 연성 및 굽힘 가공성이 우수한 고강도 강판. (4) 상기 고강도 강판은, 고강도 냉연 강판인 (1)∼(3) 중 어느 하나에 기재된 스폿 용접성, 연성 및 굽힘 가공성이 우수한 고강도 강판. (5) 추가로, 강판의 표면에 용융 아연 도금 피막을 갖는 (1)∼(4) 중 어느 하나에 기재된 스폿 용접성, 연성 및 굽힘 가공성이 우수한 고강도 강판. (6) 상기 용융 아연 도금 피막은, 합금화 용융 아연 도금 피막인 (5)에 기재된 스폿 용접성, 연성 및 굽힘 가공성이 우수한 고강도 강판. (7) (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 성분을 갖는 슬래브를 열간 압연할 때에, 마무리 압연 종료 후, 600∼700℃에서의 체류 시간의 총계가 10초 이하가 되도록 냉각하고, 냉각 후, 400∼600℃ 미만의 온도로 권취하는 열연 공정과, 상기 열연 공정 후에 열연판을, 20％ 초과의 압하율로 냉간 압연하는 냉연 공정과, 상기 냉연 공정 후에 냉연판을, 5℃/s 이상의 평균 가열 속도로 680℃ 이상의 범위의 임의의 온도인 가열 도달 온도까지 가열하고, 이어서 720∼820℃의 범위의 임의의 온도인 어닐링 온도까지를 500초 이하로 가열하고, 그 온도로 10∼1000초 보존유지하는 어닐링 공정과, 상기 어닐링 공정 후의 냉연판을, 3℃/s 이상의 평균 냉각 속도로, 450∼550℃의 범위의 임의의 온도인 냉각 정지 온도까지 냉각하고, 그 온도로 1000초 이하 보존유지하는 냉각 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 스폿 용접성, 연성 및 굽힘 가공성이 우수한 고강도 강판의 제조 방법. (8) 상기 냉각 공정 후에, 추가로 용융 아연 도금 처리를 행하는 아연 도금 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 (7)에 기재된 스폿 용접성, 연성 및 굽힘 가공성이 우수한 고강도 강판의 제조 방법. (9) 상기 아연 도금 공정의 후에, 추가로 합금화 처리를 행하는 합금화 공정을 갖는 (8)에 기재된 스폿 용접성, 연성 및 굽힘 가공성이 우수한 고강도 강판의 제조 방법. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 의하면, YS: 780㎫ 이상, TS: 1180㎫ 이상이고, 또한, 스폿 용접성, 연성 및 굽힘 가공성이 우수한 고강도 강판이 얻어진다. 또한, 본 발명의 고강도 강판은, 고강도 냉연 강판, 고강도 용융 아연 도금 강판, 고강도 합금화 용융 아연 도금 강판이라도 좋다. 이들은, 자동차 부품용 소재로서 바람직하게 이용할 수 있다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] (발명을 실시하기 위한 형태)이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 실시 형태에 한정되지 않는다. 본 발명의 고강도 강판(본 명세서에 있어서 「강판」이라고 하는 경우가 있음)에 대해서 설명한다. 본 발명의 고강도 강판은, 질량％로, C: 0.05∼0.15％, Si: 0.01∼1.00％, Mn: 1.5∼4.0％, P: 0.100％ 이하, S: 0.02％ 이하, Al: 0.01∼0.50％, Cr: 0.010∼2.000％, Nb: 0.005∼0.100％, Ti: 0.005∼0.100％, B: 0.0005∼0.0050％를 포함하고, 잔부가 Fe 및 불가피적 불순물로 이루어지고, 특정의 식 (Ⅰ)로 나타나는 K가 3.0 이상인 성분 조성을 갖는다. 이하, 성분 조성에 대해서 설명한다. 또한, ％는 질량％를 의미한다. C: 0.05∼0.15％C는, 마르텐사이트를 생성시켜 TS를 상승시키기 위해 필요한 원소이다. C량이 0.05％ 미만에서는, 마르텐사이트의 강도가 낮고, TS가 1180㎫ 이상이 되지 않는다. 한편, C량이 0.15％를 초과하면 굽힘 가공성이나 스폿 용접성이 열화된다. 따라서, C량은 0.05∼0.15％, 바람직하게는 0.06∼0.12％로 한다. Si: 0.01∼1.00％Si는, 강철을 고용 강화하여 TS를 상승시키는 데에 유효한 원소이다. 이러한 효과를 얻기 위해서는 Si량을 0.01％ 이상으로 할 필요가 있다. 한편, Si량이 1.00％를 초과하면, 도금성이나 스폿 용접성의 열화를 초래한다. 따라서, Si량은 0.01∼1.00％, 바람직하게는 0.01∼0.80％, 보다 바람직하게는 0.01∼0.60％로 한다. Mn: 1.5∼4.0％Mn은, 강철을 고용 강화하여 TS를 상승시키거나, 페라이트 변태나 베이나이트 변태를 억제하여 마르텐사이트를 생성시켜 YS나 TS를 상승시키는 원소이다. 이러한 효과를 얻기 위해서는, Mn량을 1.5％ 이상으로 할 필요가 있다. 한편, Mn량이 4.0％를 초과하면, 개재물의 증가가 현저해져, 강철의 청정도나 굽힘 가공성 저하의 원인이 된다. 따라서, Mn량은 1.5∼4.0％, 바람직하게는 1.8∼3.5％, 보다 바람직하게는 2.0∼3.0％로 한다. P: 0.100％ 이하P는, 입계 편석에 의해 굽힘 가공성을 저하시키고, 스폿 용접성을 열화시킨다. 이 때문에, P량은 극력 저감하는 것이 바람직하다. 제조 비용의 면 등에서 P량은 0.100％ 이하이면 좋다. 하한은 특별히 규정하지 않지만, P량을 0.001％ 미만으로 하고자 하면 생산 능률의 저하를 초래하기 때문에, P량은 0.001％ 이상이 바람직하다. S: 0.02％ 이하S는, MnS 등의 개재물로서 존재하여, 스폿 용접성을 열화시킨다. 이 때문에, S량은 극력 저감하는 것이 바람직하다. 제조 비용의 면에서 S량은 0.02％이하이면 좋다. 하한은 특별히 규정하지 않지만, S량을 0.0005％ 미만으로 하고자 하면 생산 능률의 저하를 초래하기 때문에, S량은 0.0005％ 이상이 바람직하다. Al: 0.01∼0.50％Al은, 탈산제로서 작용하여, 탈산 공정에서 첨가하는 것이 바람직하다. 이러한 효과를 얻기 위해서는, Al량을 0.01％ 이상으로 할 필요가 있다. 한편, Al량이 0.50％를 초과하면, 연속 주조시의 슬래브 균열의 위험성이 높아진다. 따라서, Al량은 0.01∼0.50％로 한다. Cr: 0.010∼2.000％Cr은, 페라이트 변태나 베이나이트 변태를 억제하여 마르텐사이트를 생성시켜, YS나 TS를 상승시키는 원소이다. 이러한 효과를 얻기 위해서는, Cr량을 0.010％ 이상으로 할 필요가 있다. 한편, Cr량이 2.000％를 초과하면, 그 효과가 더욱 높아지는 일 없이 포화됨과 동시에, 제조 비용이 상승한다. 따라서, Cr량은 0.010∼2.000％, 바람직하게는 0.010∼1.500％, 보다 바람직하게는 0.010∼1.000％로 한다. Nb: 0.005∼0.100％Nb는, 어닐링시에 페라이트의 재결정을 억제하고, 결정립을 미세화하는 데에 유효한 원소이다. 이러한 효과를 얻기 위해서는, Nb량을 0.005％ 이상으로 할 필요가 있다. 한편, Nb량이 0.100％를 초과하면, 그 효과가 더욱 높아지는 일 없이 포화됨과 동시에, 제조 비용을 상승시킨다. 따라서, Nb량은 0.005∼0.100％, 바람직하게는 0.010∼0.080％, 보다 바람직하게는 0.010∼0.060％로 한다. Ti: 0.005∼0.100％Ti는, 어닐링시에 페라이트의 재결정을 억제하고, 결정립을 미세화시키는 데에 유효한 원소이다. 이러한 효과를 얻기 위해서는, Ti량을 0.005％ 이상으로 할 필요가 있다. 한편, Ti량이 0.100％를 초과하면, 그 효과가 더욱 높아지는 일 없이 포화됨과 동시에, 제조 비용을 상승시킨다. 따라서, Ti량은 0.005∼0.100％, 바람직하게는 0.010∼0.080％, 보다 바람직하게는 0.010∼0.060％로 한다. B: 0.0005∼0.0050％B는, 입계로부터의 페라이트 및 베이나이트의 핵 생성을 억제하고, 마르텐사이트를 얻는 데에 유효한 원소이다. 이러한 효과를 충분히 얻기 위해서는, B량을 0.0005％ 이상으로 할 필요가 있다. 한편, B량이 0.0050％를 초과하면, 그 효과가 더욱 높아지는 일 없이 포화됨과 동시에, 제조 비용을 상승시킨다. 따라서, B량은 0.0005∼0.0050％, 바람직하게는 0.0015∼0.0050％, 보다 바람직하게는 0.0020∼0.0050％로 한다. K≥3.0K는, K＝－0.4×[Si]＋1.0×[Mn]＋1.3×[Cr]＋200×[B]로 나타난다. K는, 조직이 마르텐사이트의 연결을 유지하고, 페라이트에만 인접하는 마르텐사이트의 전체 조직에 차지하는 비율을 15％ 이하로 하기 위한 지표로서 경험적으로 얻은 식이다. K가 3.0 미만에서는, 페라이트에만 인접하는 마르텐사이트가 증대하여 굽힘 가공성이 열화된다. 따라서, K는 3.0 이상, 바람직하게는 3.2 이상으로 한다. 또한, 식 (Ⅰ)에 있어서, [Si]는 Si의 함유량 [질량％], [Mn]은 Mn의 함유량 [질량％], [Cr]은 Cr의 함유량 [질량％], [B]는 B의 함유량 [질량％]이다. Fe 및 불가피적 불순물 잔부는 Fe 및 불가피적 불순물이다. 이상이 고강도 강판의 필수 성분이다. 본 발명에 있어서는, 강판이 이하의 임의 성분을 포함해도 좋다. Mo: 0.005∼2.000％, V: 0.005∼2.000％, Ni: 0.005∼2.000％, Cu: 0.005∼2.000％로부터 선택되는 적어도 1종Mo, V, Ni, Cu는 마르텐사이트 등의 저온 변태상을 생성시켜 고강도화에 기여하는 원소이다. 이러한 효과를 얻기 위해서는, Mo, V, Ni, Cu로부터 선택되는 적어도 1종의 원소의 함유량을 0.005％ 이상으로 할 필요가 있다. 한편, Mo, V, Ni, Cu의 어느 하나의 함유량이 2.000％를 초과하면, 그 효과가 높아지는 일 없이 포화됨과 동시에, 제조 비용을 상승시킨다. 따라서, Mo, V, Ni, Cu의 함유량은 각각 0.005∼2.000％로 한다. Ca: 0.001∼0.005％, REM: 0.001∼0.005％로부터 선택되는 적어도 1종Ca, REM은, 모두 황화물의 형태 제어에 의해 가공성을 개선시키는 데에 유효한 원소이다. 이러한 효과를 얻기 위해서는, Ca, REM으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소의 함유량을 0.001％ 이상으로 할 필요가 있다. 한편, Ca, REM의 어느 하나의 함유량이 0.005％를 초과하면, 강의 청정도에 악영향을 미쳐 특성이 저하될 우려가 있다. 따라서, Ca, REM의 함유량은 0.001％∼0.005％로 한다. 계속해서, 본 발명의 강판의 조직에 대해서 설명한다. 본 발명에 있어서 강판의 조직(「마이크로 조직」이라고 하는 경우가 있음)은, 강판 표면에 수직인 단면의 판두께 4분의 1 위치의 조직 관찰에 있어서, 면적률로 페라이트: 8∼45％, 마르텐사이트: 55∼85％로, 한편 페라이트에만 인접하는 마르텐사이트의 전체 조직에서 차지하는 비율이 15％ 이하이며, 페라이트 및 마르텐사이트의 평균 결정 입경이 10㎛ 이하이고, 또한 강판 표면으로부터 20㎛의 깊이∼강판 표면으로부터 100㎛ 깊이의 범위에 존재하는 페라이트 중 결정 입경이 10㎛ 이상인 페라이트의 면적률이 5％ 미만이다. 각각의 한정 이유는 이하와 같다. 페라이트의 면적률: 8∼45％페라이트의 면적률이 8％ 미만에서는 연성이 저하되고, 굽힘 가공성도 저하된다. 한편, 페라이트의 면적률이 45％를 초과하면, YS를 780㎫ 이상으로 함과 동시에, TS를 1180㎫ 이상으로 하는 것이 곤란해진다. 따라서, 페라이트의 면적률은 8∼45％, 바람직하게는 15∼40％, 보다 바람직하게는 20∼40％로 한다. 마르텐사이트의 면적률: 55∼85％마르텐사이트의 면적률이 55％ 미만에서는, YS를 780㎫ 이상으로 함과 동시에, TS를 1180㎫ 이상으로 하는 것이 곤란해진다. 한편, 마르텐사이트의 면적률이 85％를 초과하면, 연성이 저하되고, 굽힘 가공성도 저하된다. 따라서, 마르텐사이트의 면적률은 55∼85％, 바람직하게는 60∼80％, 보다 바람직하게는 60∼75％로 한다. 페라이트에만 인접하는 마르텐사이트의 전체 조직에서 차지하는 비율: 15％ 이하마르텐사이트를 주체로 하는 조직에 있어서, 페라이트에만 인접하는 고립된 마르텐사이트는 굽힘 가공성의 열화를 초래한다. 이 메커니즘은 분명하지 않지만 응력 분배의 불균일에 의해 마르텐사이트와 페라이트의 계면에서 마이크로 크랙이 발생하기 쉬워지는 경우 등이 추측된다. 페라이트에만 인접하는 마르텐사이트의 비율이 15％를 초과하면 충분한 굽힘 가공성이 얻어지지 않는다. 따라서, 페라이트에만 인접하는 마르텐사이트의 비율은 15％ 이하, 바람직하게는 10％ 이하, 보다 바람직하게는 5％ 이하로 한다. 페라이트 및 마르텐사이트의 평균 결정 입경: 10㎛ 이하 본 발명에 있어서는, 페라이트 및 마르텐사이트가 모두 미세하다는 것은 중요하다. 이들이 모두 미세함으로써 연성 및 굽힘 가공성이 향상된다. 페라이트, 마르텐사이트의 어느 하나의 평균 결정 입경이 10㎛를 초과하면 연성 및 굽힘 가공성이 저하된다. 따라서, 페라이트 및 마르텐사이트의 평균 결정 입경은 10㎛ 이하, 바람직하게는 8㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 3㎛ 이하로 한다. 강판 표면으로부터 20㎛의 깊이∼강판 표면으로부터 100㎛ 깊이의 범위에 존재하는 페라이트 중 결정 입경이 10㎛ 이상인 페라이트의 면적률: 5％ 미만 강판 표면으로부터 20㎛의 깊이∼강판 표면으로부터 100㎛ 깊이의 범위(이하, 「표층부」라고 하는 경우가 있음)에 존재하는 페라이트 중 결정 입경이 10㎛ 이상인 페라이트의 면적률이 5％ 이상에서는 굽힘 가공성이 열화된다. 이 메커니즘은 분명하지 않지만, 본 발명과 같이 균일 미세립으로부터 구성되는 조직에서는, 조립의 혼재는 응력 분배를 불균일하게 하기 때문에 굽힘 가공성이 열화되는 것이라고 생각된다. 특히, 균열의 발생 및 신전(propagation)이 일어나는 표층부에 있어서 이 영향이 현저하다. 이와 같이, 표층부에 있어서 결정 입경이 10㎛ 이상인 페라이트가 5％ 이상 존재하면 굽힘 가공성의 열화를 초래한다. 따라서, 표층부에 존재하는 페라이트 중 결정 입경이 10㎛ 이상인 페라이트의 면적률은 5％ 미만으로 한다. 또한, 「강판 표면으로부터 20㎛」 및 「강판 표면으로부터 100㎛」의 「강판 표면」이란, 강판의 표면 그 자체를 의미하고, 고강도 강판이 고강도 냉연 강판인 경우는 냉연 강판의 표면을 가리키고, 고강도 강판이 고강도 용융 아연 도금 강판인 경우는 용융 아연 도금 강판의 표면을 가리킨다. 고강도 합금화 용융 아연 도금 강판의 경우도 동일하다. 또한, 페라이트, 마르텐사이트 이외의 상으로서 베이나이트, 펄라이트, 잔류 오스테나이트를 포함하는 경우도 있다. 이들 상은 YS나 굽힘 가공성의 개선에 바람직하지 않기 때문에, 이들 상의 면적률은, 총계로 20％ 미만, 바람직하게는 15％ 미만, 보다 바람직하게는 8％ 미만으로 한다. 상기 면적률이란, 관찰 면적에 차지하는 각 상의 면적의 비율이다. 각 상의 면적률은, 다음의 방법으로 도출했다. 강판 표면에 수직인 단면을 연마 후, 3％ 나이탈로 부식시키고, 판두께 1/4의 위치를 SEM(주사형 전자 현미경)으로 1500배의 배율로 3시야 촬영하고, 얻어진 화상 데이터로부터 Media Cybernetics사 제조의 Image-Pro를 이용하여 각 상의 면적률을 구하고, 3시야의 평균 면적률을 각 상의 면적률로 했다. 상기 화상 데이터에 있어서, 페라이트는 흑색, 마르텐사이트는 백색으로서 구별할 수 있다. 또한, 페라이트 및 마르텐사이트의 평균 결정 입경은, 면적률을 구한 상기 화상 데이터에 있어서, 시야의 페라이트 및 마르텐사이트의 면적의 합계를 페라이트 및 마르텐사이트의 개수로 나누어 평균 면적을 구하고, 그 1/2승을 평균 결정 입경으로 하는 방법으로 도출한다. 본 발명의 고강도 강판은, 고강도 냉연 강판이라도 좋고, 또한, 강판의 표면에 용융 아연 도금 피막을 갖는 고강도 용융 아연 도금 강판이나 강판의 표면에 합금화 용융 아연 도금 피막을 갖는 고강도 합금화 용융 아연 도금 강판이라도 좋다. 용융 아연 도금 피막 및 합금화 용융 아연 도금 피막 용융 아연 도금 피막은, Zn을 주체로서 포함하는 층이다. 합금화 용융 아연 도금 피막이란, 합금화 반응에 의해 아연 도금 중에 강 중의 Fe가 확산하여 만들어진 Fe-Zn 합금을 주체로서 포함하는 층이다. 용융 아연 도금 피막 및 합금화 용융 아연 도금 피막에는, Zn 이외에 Fe, Al, Sb, Pb, Bi, Mg, Ca, Be, Ti, Cu, Ni, Co, Cr, Mn, P, B, Sn, Zr, Hf, Sr, V, Se, REM을 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서 포함해도 좋다. 고강도 강판의 제조 방법 이하, 본 발명의 고강도 강판의 제조 방법에 대해서, 바람직한 제조 방법, 바람직한 제조 조건을 설명한다. 본 발명의 고강도 강판의 바람직한 제조 방법은, 열연 공정, 냉연 공정, 어닐링 공정, 냉각 공정을 갖고, 필요에 따라서, 추가로, 아연 도금 공정이나 합금화 공정을 갖는다. 이하, 이들 각 공정에 대해서 설명한다. 열연 공정열연 공정이란, 슬래브를 마무리 압연하고, 마무리 압연 종료 후, 600∼700℃에서의 체류 시간의 총계가 10초 이하가 되도록 냉각하고, 냉각 후, 400∼600℃ 미만의 온도에서 권취하는 공정이다. 먼저, 열연 공정에서 이용하는 슬래브의 제조에 대해서 설명한다. 상기 강판의 성분 조성을 갖는 슬래브를 제조한다. 슬래브는, 매크로 편석을 방지하기 위해, 연속 주조법으로 제조하는 것이 바람직하다. 또한, 연속 주조법 이외의 방법으로도 슬래브를 제조 가능하여, 조괴법(ingot casting), 박슬래브 주조법(thin-slab casting) 등의 기타 방법을 채용해도 좋다. 조괴법의 경우는, 강을 용제한 후, 분괴 압연(blooming rolling)을 시행하여, 슬래브를 제조할 수 있다. 이어서, 상기 슬래브를 열간 압연한다. 슬래브를 열간 압연하기 위해서는, 슬래브를 일단 실온까지 냉각하고, 그 후 재가열하여 열간 압연을 행해도 좋고, 슬래브를 실온까지 냉각하지 않고 가열로에 장입하여 열간 압연을 행할 수도 있다. 혹은 근소한 보열(保熱)을 행한 후에 즉시 열간 압연하는 에너지 절약 프로세스도 적용할 수 있다. 슬래브를 가열하는 경우는, 탄화물을 용해시키거나, 압연 하중의 증대를 방지하기 위해, 1100℃ 이상으로 가열하는 것이 바람직하다. 또한, 스케일 로스의 증대를 방지하기 위해, 슬래브의 가열 온도는 1300℃ 이하로 하는 것이 바람직하다. 슬래브를 열간 압연할 시는, 슬래브의 가열 온도를 낮게 하면서, 압연시의 트러블 발생을 방지하는 관점에서, 조압연(rough roll) 후의 조바(rough-rolled bar)를 가열해도 좋다. 또한, 조바끼리를 접합하고, 마무리 압연을 연속적으로 행하는, 소위 연속 압연 프로세스를 적용할 수 있다. 마무리 압연은, 이방성을 증대시키고, 냉간 압연·어닐링 후의 가공성을 저하시키는 경우가 있다. 이 때문에, 마무리 압연을 Ar3 변태점 이상의 마무리 온도로 행하는 것이 바람직하다. 또한, 압연 하중의 저감이나 형상·재질의 균일화를 위해, 마무리 압연의 전체 패스 혹은 일부의 패스로 마찰 계수가 0.10∼0.25가 되는 윤활 압연을 행하는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서는, 상기 마무리 압연 후의 조건을 조정하는 것이 유효하다. 구체적으로는, 마무리 압연 종료 후에 600∼700℃에서의 체류 시간의 총계가 10초 이하가 되도록 냉각하는 것, 냉각 후에 400∼600℃ 미만의 온도에서 권취하는 것이 바람직하다. 각각의 조건이 바람직한 이유는 이하와 같다. 마무리 압연 후, 600∼700℃에 있어서의 체류 시간이 10초를 초과하면 B 탄화물 등의 B를 포함하는 화합물이 생성되어, 강 중의 고용 B가 저하되고, 어닐링시의 B의 효과가 감퇴하여 본 발명의 조직을 얻을 수 없게 된다. 따라서, 600∼700℃에서의 체류 시간의 총계는 10초 이하, 바람직하게는 8초 이하로 한다. 권취 온도가 600℃ 이상에서는 B 탄화물 등의 B를 포함하는 화합물이 생성되어, 강 중의 고용 B가 저하되고, 어닐링시의 B의 효과가 감퇴하여 본 발명의 조직을 얻을 수 없게 된다. 한편, 권취 온도가 400℃ 미만에서는 강판의 형상이 악화된다. 따라서, 권취 온도는 400∼600℃ 미만으로 한다. 또한, 권취 후의 열연판은, 스케일을 산세 등에 의해 제거한 후, 하기 냉연 공정에 이용되는 것이 바람직하다. 냉연 공정냉연 공정이란, 열연 공정 후의 열연판을, 20％ 초과의 압하율로 냉간 압연 하는 공정이다. 압하율이 20％ 이하에서는, 어닐링시에 강판의 표면측과 내부측의 변형에 차이가 발생하기 쉽고, 결정 입경의 불균일을 초래하기 때문에 본 발명의 조직이 얻어지지 않는다. 따라서, 냉간 압연의 압하율은 20％ 초과, 바람직하게는 30％ 이상으로 한다. 또한, 상한은 특별히 규정하지 않지만, 형상의 안정성 등의 관점에서 90％ 이하 정도가 바람직하다. 소둔 공정소둔 공정이란, 냉연 공정 후에 냉연판을, 5℃/s 이상의 평균 가열 속도로, 680℃ 이상의 범위의 임의의 온도인 가열 도달 온도까지 가열하고, 이어서 720∼820℃의 범위의 임의의 온도인 어닐링 온도까지를 500초 이하로 가열하고, 그 온도로 10∼1000초 보존유지하는 공정이다. 각 조건의 바람직한 이유는 이하와 같다. 680℃ 이상의 범위의 임의의 온도인 가열 도달 온도까지의 평균 가열 속도가 5℃/s 미만에서는 페라이트립이 조대화하여 본 발명의 마이크로 조직이 얻어지지 않는다. 따라서, 평균 가열 속도는 5℃/s 이상으로 한다. 상한은 특별히 규정하지 않지만, 생산 안정성의 관점에서 500℃/s 이하가 바람직하다. 평균 가열 속도가 5℃/s 이상으로 가열했을 시의 가열 도달 온도가 680℃ 미만에서는, 페라이트립이 조대화하여 본 발명의 마이크로 조직이 얻어지지 않는다. 따라서, 평균 가열 속도가 5℃/s 이상으로 가열할 때의 가열 도달 온도는 680℃ 이상의 범위의 임의의 온도, 바람직하게는 700℃ 이상의 범위의 임의의 온도로 한다. 가열 도달 온도의 상한은, 어닐링 온도 이상이 되면 온도 제어가 곤란해지기 때문에, 생산성의 관점에서, 실질적으로는 어닐링 온도 미만이다. 720∼820℃의 범위의 임의의 온도를 어닐링 온도로서 설정하고, 상기 가열 도달 온도에서 어닐링 온도까지 추가로 가열한다. 본 발명에서는 어닐링 온도까지의 가열을 500초 이내에서 행한다(상기 가열 도달 온도에서 어닐링 온도까지의 가열 시간이다). 가열에 필요로 하는 시간이 500초 초과에서는 립이 조대화하여 본 발명의 마이크로 조직이 얻어지지 않는다. 따라서, 상기 어닐링 온도까지의 가열 시간은 500초 이하, 바람직하게는 300초 이하로 한다. 또한, 어닐링 온도가 720℃ 미만에서는 오스테나이트의 생성이 불충분해져, 본 발명의 마이크로 조직이 얻어지지 않는다. 한편, 820℃를 초과하면, 오스테나이트 중의 탄소가 희박해지고, 그 후의 냉각이나 보존유지의 과정에서 과도하게 페라이트나 베이나이트가 생성되기 때문에, 본 발명의 마이크로 조직이 얻어지지 않는다. 따라서, 어닐링 온도는 720∼820℃의 범위의 임의의 온도, 바람직하게는 740∼810℃의 범위의 임의의 온도로 한다. 또한, 어닐링 온도에서의 보존유지 시간이 10초 미만에서는 오스테나이트의 생성이 불충분해져, 본 발명의 마이크로 조직이 얻어지지 않는다. 한편, 상기 보존유지 시간이 1000초를 초과하면 오스테나이트립이 조대해져, 본 발명의 마이크로 조직이 얻어지지 않는다. 따라서, 어닐링 온도에서의 보존유지 시간은 10∼1000초, 바람직하게는 30∼500초로 한다. 냉각 공정 냉각 공정이란, 어닐링 공정 후의 냉연판을, 3℃/s 이상의 평균 냉각 속도로 450∼550℃의 범위의 임의의 온도인 냉각 정지 온도까지 냉각하고, 그 온도로 1000초 이하 보존유지하는 공정이다. 각 조건의 바람직한 이유는 이하와 같다. 평균 냉각 속도가 3℃/s 미만에서는 냉각 중이나 보존유지 중에 페라이트나 베이나이트가 과도하게 생성되어 본 발명의 마이크로 조직이 얻어지지 않는다. 따라서, 평균 냉각 속도는 3℃/s 이상, 바람직하게는 5℃/s 이상으로 한다. 평균 냉각 속도의 상한은 특별히 한정되지 않지만 100℃/s 이하로 하는 것이 사행(蛇行) 등의 생산 저해 요인 저감의 관점에서는 바람직하다. 또한, 냉각 정지 온도가 450℃ 미만에서는 베이나이트가 과도하게 생성되어 본 발명의 마이크로 조직이 얻어지지 않는다. 한편, 550℃를 초과하면 페라이트가 과도하게 생성되어 본 발명의 마이크로 조직이 얻어지지 않는다. 따라서, 냉각 정지 온도는 450∼550℃의 범위의 임의의 온도로 한다. 냉각 후의 보존유지 시간이 1000초를 초과하면 베이나이트가 과도하게 생성되어 본 발명의 마이크로 조직이 얻어지지 않는다. 따라서, 보존유지 시간은 1000초 이하, 바람직하게는 500초 이하로 한다. 또한, 보존유지 시간의 하한은 특별히 규정하지 않지만 후의 도금욕 침지를 위한 온도 제어의 관점에서는 10초 이상인 것이 바람직하다. 아연 도금 공정 아연 도금 공정이란, 냉각 공정 후의 냉연판에 아연 도금 처리를 시행하는 공정이다. 아연 도금 처리는, 상기에 의해 얻어진 강판을 440℃ 이상 500℃ 이하의 아연 도금욕 중에 침지하고, 그 후, 가스 와이핑 등에 의해 도금 부착량을 조정하여 행하는 것이 바람직하다. 또한, 아연 도금 처리에 있어서는, Al량이 0.08∼0.18％인 아연 도금욕을 이용하는 것이 바람직하다. 합금화 처리 본 발명의 고강도 용융 아연 도금 강판의 도금은 합금화 용융 아연 도금이라도 좋다. 이 경우, 본 발명의 고강도 용융 아연 도금 강판은, 열연 공정, 냉연 공정, 어닐링 공정, 냉각 공정, 아연 도금 공정, 합금화 공정을 갖는 방법으로 제조된다. 열연 공정, 냉연 공정, 어닐링 공정, 냉각 공정, 아연 도금 공정에 대해서는 상기와 같으며, 설명을 생략한다. 합금화 공정에서 행해지는 합금화 처리에 있어서는, 460℃ 이상 580℃ 이하의 온도역에, 고강도 용융 아연 도금 강판을, 1초 이상 40초 이하 보존유지하여 합금화하는 것이 바람직하다. 그 외의 처리 냉각 공정, 아연 도금 공정, 혹은, 추가로 합금화 처리를 행한 후의 강판에는, 형상 교정이나 표면 조도의 조정 등을 목적으로 조질 압연을 행할 수 있다. 또한, 냉각 공정 후, 아연 도금 공정 후나 합금화 처리 후에, 수지나 유지 코팅 등의 각종 도장 처리를 행할 수도 있다. 실시예 표 1에 나타내는 성분 조성의 강철을 진공 용해로에 의해 용제하고, 분괴 압연하여 강철 슬래브로 했다(표 1 중, N은 불가피적 불순물임). 이들 강철 슬래브를 1200℃로 가열 후 조압연, 마무리 압연하여 권취하고, 열연판으로 했다(열연 조건은 표 2, 3에 기재). 이어서, 두께 1.4㎜까지 냉간 압연하여 냉연판을 제조했다(압하율은 표 2, 3에 기재). 그리고, 이 냉연판을 어닐링한다. 어닐링은, 연속 어닐링 라인 및 연속 용융 아연 도금 라인을 모의하여, 래버러토리(laboratory)에서 표 2, 3에 나타내는 조건으로 행하고, 냉연 강판, 용융 아연 도금 강판, 합금화 용융 아연 도금 강판(도금이 합금화 용융 아연 도금인 강판) 1∼45를 제작했다. 용융 아연 도금 강판은, 어닐링 후의 냉연판을 460℃의 도금욕 중에 침지하고, 그 표면에 부착량 35∼45g/㎡의 도금을 형성시킨 후 냉각 속도 10℃/초로 냉각함으로써 제작했다. 또한 합금화 용융 아연 도금 강판은, 도금 형성 후 530℃로 합금화 처리를 행하고, 냉각 속도 10℃/초로 냉각하여 제작했다. 그리고, 얻어진 강판에 압하율 0.3％의 스킨 패스 압연을 시행했다. 강판 1∼45에 대해서, 마이크로 조직의 확인을 행했다. 각 상의 면적률에 대해서는, 강판 표면에 수직인 단면을 연마 후, 3％ 나이탈로 부식시키고, 판두께 1/4의 위치를 SEM(주사형 전자 현미경)으로 1500배의 배율로 3시야 촬영하고, 얻어진 화상 데이터로부터 Media　Cybernetics사 제조의 Image-Pro를 이용하여 각 상의 면적률을 구하고, 3시야의 평균 면적률을 각 상의 면적률로 했다. 또한, 페라이트 및 마르텐사이트의 평균 결정 입경은, 면적률을 구한 상기 화상 데이터에 대해서, 시야의 페라이트 및 마르텐사이트의 면적의 합계를 페라이트 및 마르텐사이트의 개수로 나누어 평균 면적을 구하고, 그 1/2승을 평균 결정 입경으로 하는 방법으로 도출했다. 결과를 표 4, 5에 나타냈다. 강판 1∼45에 대해서, 이하의 시험 방법에 따라, 인장 특성, 굽힘 특성 및 스폿 용접성을 구했다. 003c#인장 시험003e#압연 방향에 대하여 직각 방향으로 JIS 5호 인장 시험편(JIS Z2201)을 채취하고, 왜곡 속도를 10－3/s로 하는 JIS Z 2241의 규정에 준거한 인장 시험을 행하여, YS, TS 및 UEL(균일 연신)을 구했다. YS는 0.2％ 내력으로 했다. 003c#굽힘 시험003e#압연 방향에 대하여 평행 방향을 굽힘 시험 축방향으로 하는, 폭이 35㎜, 길이가 100㎜인 직사각형의 시험편을 채취하여, 굽힘 시험을 행했다. 스트로크 속도가 10㎜/s, 압입 하중(pressing load)이 10ton, 누름 유지 시간 5초, 굽힘 반경 R이 1.5㎜로 90˚ V 굽힘 시험을 행하고, 굽힘 정점의 능선부를 10배의 확대경으로 관찰하여, 1㎜ 이상의 균열이 확인된 것을 열(劣), 균열이 1㎜ 미만인 것을 우(優)로서 판정했다. 003c#스폿 용접 시험003e#시험 조건은, 전극: DR 6㎜-40R, 가압력: 4802N(490kgf), 초기 가압 시간: 30 cycles/60㎐, 통전 시간: 17cycles/60㎐, 보존유지 시간: 1cycle/60㎐로 했다. 시험 전류는 동일 번호의 강판에 대하여, 4.6∼10.0㎄까지 0.2㎄ 피치로 변화시키고, 또한 10.0㎄에서 용착까지는 0.5㎄ 피치로 변화시켰다. 각 시험편은, 십자 인장 시험, 용접부의 너깃(nugget) 지름의 측정에 제공했다. 저항 스폿 용접 조인트의 십자 인장 시험은 JIS Z 3137의 규정에 준거하여 행했다. 너깃 지름은 JIS Z 3139의 기재에 준거하여 이하와 같이 시행했다. 저항 스폿 용접 후의 대칭원 형상의 플러그를, 판 표면에 수직인 단면에 대해서, 용접점의 거의 중심을 통과하는 단면을 적당한 방법으로 반(半)절단했다. 절단면을 연마, 부식시킨 후, 광학 현미경 관찰에 의한 단면 조직 관찰에 의해 너깃 지름을 측정했다. 여기에서, 코로나 본드를 제외한 용융 영역의 최대 직경을 너깃 지름으로 했다. 너깃 지름이 4t1/2(㎜)(t: 강판의 판두께) 이상인 용접재에 있어서 십자 인장 시험을 행했을 때, 모재로 파단한 경우를 우, 너깃 파단한 경우를 열로서 판정했다. 이상의 결과를 표 4, 5에 나타낸다. 본 발명에서는 YS가 780㎫ 이상, TS가 1180㎫ 이상으로, TS×UEL이 6000㎫·％ 이상 또한 굽힘 가공성이 양호하고, 또한 우수한 스폿 용접성인 것을 확인할 수 있다. 따라서, 본 발명예에 의하면, 스폿 용접성, 연성 및 굽힘 가공성이 우수한 고강도 강판이 얻어지고, 자동차의 경량화에 기여하고, 자동차 차체의 고성능화에 크게 기여한다는 우수한 효과가 얻어진다. [ 산업상 이용가능성 ] 본 발명에 의하면, YS가 780㎫ 이상, TS가 1180㎫ 이상으로, TS×UEL이 6000㎫·％ 이상이면서 굽힘 가공성이 양호하고, 또한 스폿 용접성이 우수한 고강도 강판을 얻을 수 있다. 본 발명의 고강도 강판을 자동차용 부품 용도로 사용하면, 자동차의 경량화에 기여하고, 자동차 차체의 고성능화에 크게 기여할 수 있다.
자동차 부품용 소재로서 적합한, 항복 강도(YS)가 780㎫ 이상, 인장 강도(TS)가 1180㎫ 이상으로 스폿 용접성, 연성 및 굽힘 가공성이 우수한 고강도 강판 및 그의 제조 방법을 제공한다. C량을 0.15％ 이하로 하고, 페라이트의 면적률을 8∼45％, 마르텐사이트의 면적률을 55∼85％, 또한 페라이트에만 인접하는 마르텐사이트의 전체 조직에 차지하는 비율을 15％ 이하로 하고, 페라이트 및 마르텐사이트의 평균 결정 입경을 10㎛ 이하, 강판 표면으로부터 20㎛의 깊이∼강판 표면으로부터 100㎛ 깊이의 범위에 존재하는 페라이트 중 결정 입경이 10㎛ 이상인 페라이트의 면적률을 5％ 미만으로 한다.
[ 발명의 명칭 ] 전자빔 또는 ＥＵＶ선을 사용한 유기용제 현상 또는 다중현상 패턴형성방법ORGANIC SOLVENT DEVELOPMENT OR MULTIPLE DEVELOPMENT PATTERN-FORMING METHOD USING ELECTRON BEAMS OR EUV RAYS [ 기술분야 ] 본 발명은 초LSI 및 고용량 마이크로칩의 제조 등의 초미세리소그래피 공정 및 기타 포토패브리케이션 공정에 바람직하게 사용되는 유기용제를 함유하는 현상액을 사용하는 패턴형성방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 본 발명은 전자빔 또는 EUV선(파장: 13nm 부근)을 사용하는 반도체 디바이스의 미세 가공에 바람직하게 사용될 수 있는 유기용제를 함유하는 현상액을 사용하는 패턴형성방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] IC 및 LSI 등의 반도체 디바이스를 제조하는 공정에 있어서, 포토레지스트 조성물을 사용하는 리소그래피에 의한 미세 공정이 일반적으로 행해지고 있다. 최근, 집적회로의 고집적도에 따라서 서브마이크론 영역 및 쿼터마이크론 영역에서 초미세 패턴형상이 요구되고 있다. 이러한 요구에 대해서, 노광 파장도 g선으로부터 i선 또는 KrF 엑시머 레이저선 등의 단파장이 되는 경향을 나타낸다. 또한, KrF 엑시머 레이저선 이외에, 전자빔, X-선 또는 EUV선을 사용하는 리소그래피의 개발도 현재 진행되고 있다.전자빔, X-선 또는 EUV선을 사용하는 리소그래피는 차세대 또는 차차세대의 패턴형성기술로서 자리잡고 있고, 고감도 및 고해상도의 레지스트 조성물이 요구되고 있다.특히, 웨이퍼의 공정시간을 단축시키기 위해서 감도의 증가는 매우 중요한 문제이다. 그러나, 고감도화의 추구는 패턴형상 및 한계 해상 선폭으로 나타내어지는 해상도의 저하를 나타내고, 따라서, 이들 특성을 동시에 만족시키는 레지스트 조성물의 개발이 강하게 요구되고 있다.고감도, 고해상도 및 양호한 패턴형상은 트레이드 오프(trade-off) 관계이고, 이것은 이들 특성을 동시에 만족시키는 방법이 매우 중요하다.이들은 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물의 일반적인 2종, 즉, 하나는 알칼리 현상액에서 난용성 또는 불용성인 수지를 사용하고 방사선으로 노광에 의해 알칼리 현상액에서 가용성인 노광부를 제조함으로써 패턴을 형성할 수 있는 "포지티브형" 수지 조성물이고, 다른 하나는 알칼리 현상액에서 가용성인 수지를 사용하고 방사선으로 노광에 의해 알칼리 현상액에서 난용성 또는 불용성인 노광부를 제조함으로써 패턴을 형성할 수 있는 "네가티브형" 수지 조성물이다.전자빔, X-선 또는 EUV선을 사용하는 리소그래피 공정에 적합한 이러한 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물로서, 산촉매 반응을 주로 이용하는 화학증폭형 포지티브 레지스트 조성물을 감도를 증가시키는 관점에서 연구되고, 주성분으로서 알칼리 현상액에서 적절한 불용성 또는 난용성을 갖고 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에서 가용성일 수 있는 페놀성 수지(이하에, 페놀성 산분해성 수지라고 약기함) 및 산발생제를 포함하는 화학증폭형 포지티브 레지스트 조성물이 효율적으로 사용된다.한편, 반도체 디바이스 등의 제조에 있어서, 선, 트렌치, 홀 등의 각종 형상을 갖는 패턴을 형성하는 것이 요구된다. 각종 형상을 갖는 패턴을 형성하기 위한 요구를 만족시키기 위해서, 포지티브 레지스트 조성물뿐만 아니라 네가티브 감활성광선성 및 감방사선성 수지 조성물도 개발되고 있다(예컨대, JP-A-2002-148806(본 명세서에 사용되는 용어 "JP-A"는 "미심사 공개된 일본특허출원"을 의미함) 및 JP-2008-268935)초미세 패턴의 형성에 있어서, 해상도의 저하 및 패턴형상을 더욱 개선시키는 것이 요구되고 있다.이들 문제를 해결하기 위해서, 알칼리 현상액 이외의 현상액으로 산분해성 수지를 현상하는 방법도 제안되고 있다(예컨대, JP-A-62-175739, JP-A-2006-227174 및 JP-A-2008-292975 참조).또한, 수지의 주쇄가 노광에 의해 직접 절단된 수지를 사용하는 패턴형성방법도 공지되어 있다(예컨대, 일본특허 제3277114호 참조).그러나, 초미세 가공 영역에서 고감도, 고해상도, 양호한 패턴형상 및 잔막률을 동시에 만족시키는 것은 현재 불가능하다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명의 목적은 전자빔 또는 EUV선을 사용하는 반도체 디바이스의 미세 가공에서 성능을 향상시키기 위한 기술에서의 문제점을 해결하는 것이고, 다른 목적은 고감도, 고해상도, 양호한 패턴형상 및 잔막률을 동시에 만족시키는 패턴형성방법을 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 예의검토의 결과, 본 발명자들은 산의 작용에 의해 유기용제에서 용해도를 감소시킬 수 있는 수지를 함유하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 패턴 노광시킨 후에, 유기용제를 함유하는 현상액으로 미노광부를 현상함으로써 상기 목적이 달성되는 것을 발견했다.즉, 본 발명은 이하와 같다.1. (1) 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물로 막을 형성하는 공정; (2) 상기 막을 노광하는 공정; 및 (4) 유기용제를 함유하는 현상액으로 상기 막을 현상하는 공정을 순서대로 포함하는 패턴형성방법으로서, 상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물은, (A) 산분해성 반복단위를 함유하고, 산의 작용에 의해 유기용제에서 용해도를 감소시킬 수 있는 수지, (B) 활성광선 또는 방사선으로 조사시에 산을 발생할 수 있는 화합물, 및 (C) 용제를 함유하고, 상기 수지(A)는 하기 일반식(1)으로 나타내어지는 반복단위를 함유하는 수지이고, 상기 산을 발생할 수 있는 화합물(B)은 하기 일반식(ZI)으로 나타내어지는 화합물 및 하기 일반식(ZⅡ)으로 나타내어지는 화합물 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.[상기 일반식(1)에 있어서, A는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 할로겐 원자 또는 시아노기를 나타내고; R은 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 알케닐기, 아랄킬기, 알콕시기, 알킬카르보닐옥시기, 알킬술포닐옥시기, 알킬옥시카르보닐기 또는 아릴옥시카르보닐기를 나타내고, 2개 이상의 R이 존재하는 경우, 각각의 R은 다른 모든 R과 같거나 달라도 좋고, 또한 2개 이상의 R이 존재하는 경우, 그들은 서로 결합하여 환을 형성해도 좋고; a는 1∼3의 정수를 나타내고; b는 0∼(3-a)의 정수를 나타낸다][일반식(ZI)에 있어서, R201, R202 및 R203은 각각 독립적으로 탄소수 1∼30의 유기기를 나타낸다. R201, R202 및 R203 중 2개가 서로 결합하여 환 구조를 형성해도 좋고, 산소 원자, 황 원자, 에스테르 결합, 아미도 결합 또는 카르보닐기를 상기 환내에 함유해도 좋다. Z-는 퍼플루오로 지방족 술포네이트 음이온을 나타낸다.일반식(ZⅡ)에 있어서, R204 및 R205는 각각 독립적으로 아릴기, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다. Z-는 퍼플루오로 지방족 술포네이트 음이온을 나타낸다]2. 상기 1에 있어서, 상기 공정(4)에 사용되는 현상액에 함유되는 유기용제는 에스테르 용제인 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.3. 상기 2에 있어서, 상기 공정(4)에 사용되는 현상액에 함유되는 유기용제는 부틸 아세테이트인 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.4. 상기 1에 있어서, 상기 공정(4) 후에 (5) 유기용제를 함유하는 린싱액으로 상기 막을 린싱하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.5. 상기 4에 있어서, 상기 공정(5)에 사용되는 린싱액에 함유되는 유기용제는 4-메틸-2-펜탄올인 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.6. 상기 1에 있어서, 상기 수지(A)는 하기 일반식(AI)로 나타내어지는 반복단위를 함유하는 수지인 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.[여기서, Xa1은 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고;T는 단일 결합 또는 2가 연결기를 나타내고;Rx1, Rx2 및 Rx3은 각각 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, Rx2 및 Rx3은 서로 결합하여 환 구조를 형성해도 좋다]7. 상기 1에 있어서, 상기 수지(A)는 락톤기를 갖는 반복단위를 함유하지 않는 수지인 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.8. 상기 1 내지 7 중 어느 하나에 기재된 패턴형성방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조방법. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 따라서, 전자빔 또는 EUV선으로 초미세 가공 영역에서 고감도, 고해상도, 양호한 패턴형상 및 잔막률을 만족시킬 수 있는 패턴형성방법을 제공할 수 있다.본 명세서에서 주장된 외국 우선권의 이익으로부터 2009년 2월 20일자로 출원된 일본특허출원 제2009-038666호의 모든 설명은 참조에 의해 본 명세서에 포함된다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태에 대해서 설명한다.본 발명의 명세서에서 기(원자기)의 설명에 있어서, 치환 또는 미치환을 언급하지 않는 설명은 치환기를 갖지 않는 기 및 치환기를 갖는 기 모두를 포함한다. 예컨대, "알킬기"는 치환기를 갖지 않는 알킬기(미치환 알킬기)뿐만 아니라 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함한다.본 명세서에 있어서, 용어 "활성광선" 또는 "방사선"은 예컨대, 수은 램프의 휘선 스펙트럼(bright line spectrum), 엑시머 레이저로 대표되는 원자외선, 극자외선(EUV광), X-선 또는 전자빔을 나타낸다. 또한, 본 발명에 있어서, "광"은 활성광선 또는 방사선을 의미한다.또한, 본 명세서에서 "노광"은 특별히 언급하지 않는 한 수은 램프 및 엑시머 레이저로 나타내어지는 원UV선, X-선 및 EUV선을 사용하는 노광뿐만 아니라, 전자빔 및 이온빔 등의 입자선에 의한 화상도 포함한다.패턴형성방법본 발명의 패턴형성방법을 우선 설명한다.본 발명의 패턴형성방법은 (1) 산분해성 반복단위를 함유하고 산의 작용에 의해 유기용제에서 용해도를 감소시킬 수 있는 수지를 함유하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물로 막을 형성하는 공정, (2) 상기 막을 노광하는 공정 및 (4) 유기용제를 함유하는 현상액으로 상기 막을 현상하는 공정을 순서대로 포함한다.(1) 막 형성막 형성은 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물의 후술하는 성분을 용제에 용해시키고, 필요에 따라서, 필터를 통하여 여과시키고 지지체(기판) 상에 상기 얻어진 용액을 도포하여 행할 수 있다. 상기 필터로서 0.1㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.03㎛ 이하의 포어 사이즈를 갖는 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리에틸렌 또는 나일론제 필터가 바람직하게 사용된다.상기 조성물은 정밀집적회로 디바이스의 제조에 사용되는 것(예컨대, 규소 또는 이산화 규소 코팅 기판) 등의 기판 상에 스피너 등의 적합한 코팅방법에 의해 도포된다. 그 후에, 상기 코팅된 기판은 건조되어 감광성막을 형성한다. 상기 건조 공정에 있어서, 가열(프리베이킹)을 행하는 것이 바람직하다.상기 막 두께는 특별히 제한되지 않지만, 10∼500nm의 범위로 조정되는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10∼200nm의 범위, 더욱 바람직하게는 10∼80nm의 범위이다. 상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물이 스피너로 도포되는 경우, 상기 회전 속도는 일반적으로 500∼3,000rpm, 바람직하게는 800∼2,000rpm, 보다 바람직하게는 1000∼1,500rpm이다.상기 가열(프리베이킹) 온도는 60∼200℃가 바람직하고, 보다 바람직하게는 80∼150℃, 더욱 바람직하게는 90∼140℃이다.상기 가열(프리베이킹) 시간은 특별히 제한되지 않지만, 상기 시간은 30∼300초가 바람직하고, 보다 바람직하게는 30∼180초, 더욱 바람직하게는 30∼90초이다.가열은 통상의 노광 및 현상 장치에 부착된 단위로 행해질 수 있고, 핫플레이트 등을 사용해도 좋다.필요에 따라서, 시판의 무기 또는 유기 반사방지막을 사용할 수 있다. 또한, 반사방지막은 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물의 하층으로서 제공되어도 좋다. 상기 반사방지막으로서 티타늄, 이산화 티타늄, 질화 티타늄, 산화 크롬, 카본, 어모퍼스 실리콘 등의 무기막, 또는 흡광제 및 폴리머 재료를 포함하는 유기막 중 하나를 사용해도 좋다. 유기 반사방지막으로서 DUV 30 시리즈 및 DUV 40 시리즈(Brewer Science 제작), 및 AR-2, AR-3 및 AR-5(Shipley Company L.L.C. 제작) 등의 시판의 유기 반사방지막을 사용해도 좋다.(2) 노광상기 형성된 막에 소정의 마스크를 통하여 EUV선(13nm 부근)을 조사한다. 또한, 전자빔(EB)의 조사에 있어서, 마스크를 통하지 않은 화상(직접 묘사)이 일반적으로 행해진다.(3) 베이킹노광 후에, 현상 전에 베이킹(가열)을 행하는 것이 바람직하다.가열 온도는 60∼150℃가 바람직하고, 보다 바람직하게는 80∼150℃, 더욱 바람직하게는 90∼140℃이다.가열 시간은 특별히 제한되지 않지만, 30∼300초가 바람직하고, 보다 바람직하게는 30∼180초, 더욱 바람직하게는 30∼90초이다.가열은 통상의 노광 및 현상 장치에 부착된 단위로 행할 수 있고, 핫플레이트 등을 사용해도 좋다.노광부에서의 반응은 베이킹 및 감도에 의해 신속하게 처리되어 패턴 프로파일은 개선된다. 린싱 공정 후에 가열 공정(포스트 베이킹)을 함유하는 것도 바람직하다. 상기 가열 온도 및 가열 시간은 상술한 바와 같다. 상기 패턴과 패턴의 내부 사이에 잔존하는 현상액 및 린싱액은 베이킹에 의해 제거된다.(4) 현상본 발명에 있어서, 현상은 유기용제를 함유하는 현상액으로 행한다.현상액20℃에서 현상액의 증기압(혼합 용제의 경우에 있어서, 전체로서 증기압)은 5kPa 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 3kPa 이하, 더욱 바람직하게는 2kPa 이하이다. 유기용제의 증기압을 5kPa 이하로 설정함으로써, 기판 상 또는 현상 컵에서 상기 현상액의 증발이 억제되어 웨이퍼 표면에서의 온도 균일성이 향상되고, 결과로서, 웨이퍼 표면에서의 치수 균일성은 더욱 양호해진다.상기 현상액에 사용되는 유기용제로서 각종 유기용제가 널리 사용된다. 예컨대, 에스테르 용제, 케톤 용제, 알콜 용제, 아미드 용제, 에테르 용제 및 탄화수소 용제를 사용할 수 있다.본 발명에 있어서, 에스테르 용제는 분자내에 에스테르기를 갖는 용제이고, 케톤 용제는 분자내에 케톤기를 갖는 용제이고, 알콜 용제는 분자내에 알콜성 히드록실기를 갖는 용제이고, 아미드 용제는 분자내에 아미드기를 갖는 용제이고, 에테르 용제는 분자내에 에테르 결합을 갖는 용제이다. 이들 용제 중에, 하나의 분자내에 복수의 관능기를 갖는 용제가 존재한다. 이러한 경우에 있어서, 이들 용제는 상기 관능기를 함유하는 모든 종류의 용제의 범위내에 해당된다. 예컨대, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르는 상기 분류 중 알콜 용제 및 에테르 용제 모두에 허용된다. 또한, 상기 탄화수소 용제는 치환기를 갖지 않는 용제이다.특히, 케톤 용제, 에스테르 용제, 알콜 용제 및 에테르 용제로부터 선택된 적어도 하나의 용제를 함유하는 현상액이 상기 현상액으로서 바람직하다.상기 에스테르 용제의 예로서 예컨대, 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 펜틸 아세테이트, 이소프로필 아세테이트, 아밀 아세테이트, 이소아밀 아세테이트, 에틸메톡시 아세테이트, 에틸에톡시 아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트(PGMEA; 별칭: 1-메톡시-2-아세톡시프로판), 에틸렌글리콜모노에틸에테르 아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르 아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르 아세테이트, 에틸렌글리콜모노페닐에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 2-메톡시부틸 아세테이트, 3-메톡시부틸 아세테이트, 4-메톡시부틸 아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸 아세테이트, 3-에틸-3-메톡시부틸 아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르 아세테이트, 2-에톡시부틸 아세테이트, 4-에톡시부틸 아세테이트, 4-프로폭시부틸 아세테이트, 2-메톡시펜틸 아세테이트, 3-메톡시펜틸 아세테이트, 4-메톡시펜틸 아세테이트, 2-메틸-3-메톡시펜틸 아세테이트, 3-메틸-3-메톡시펜틸 아세테이트, 3-메틸-4-메톡시펜틸 아세테이트, 4-메틸-4-메톡시펜틸 아세테이트, 프로필렌글리콜 디아세테이트, 메틸 포름에이트, 에틸 포름에이트, 부틸 포름에이트, 프로필 포름에이트, 에틸 락테이트, 부틸 락테이트, 프로필 락테이트, 에틸 카보네이트, 프로필 카보네이트, 부틸 카보네이트, 메틸 피루베이트, 에틸 피루베이트, 프로필 피루베이트, 부틸 피루베이트, 메틸 아세토아세테이트, 에틸 아세토아세테이트, 메틸 프로피오네이트, 에틸 프로피오네이트, 프로필 프로피오네이트, 이소프로필 프로피오네이트, 메틸-2-히드록시 프로피오네이트, 에틸-2-히드록시 프로피오네이트, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트, 에틸-3-메톡시 프로피오네이트, 에틸-3-에톡시 프로피오네이트 및 프로필-3-메톡시 프로피오네이트가 열거된다.상기 케톤 용제의 예로서 예컨대, 1-옥타논, 2-옥타논, 1-노나논, 2-노나논, 아세톤, 4-헵타논, 1-헥사논, 2-헥사논, 디이소부틸 케톤, 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논, 페닐아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 아세틸아세톤, 아세토닐아세톤, 이오논, 디아세토닐알콜, 아세틸카르비놀, 아세토페논, 메틸나프틸케톤, 이소포론, 프로필렌 카보네이트 및 γ-부티로락톤이 열거된다.상기 알콜 용제의 예로서 메틸알콜, 에틸알콜, n-프로필알콜, 이소프로필알콜, n-부틸알콜, sec-부틸알콜, tert-부틸알콜, 이소부틸알콜, n-헥실알콜, n-헵틸알콜, n-옥틸알콜, n-데카놀, 3-메톡시-1-부탄올 등의 알콜, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜 등의 글리콜 용제 및 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME, 별칭: 1-메톡시-2-프로판올), 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 메톡시메틸부탄올, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노페닐에테르 등의 히드록실기를 갖는 글리콜에테르 용제가 열거된다. 이들 알콜 용제 중에, 상기 글리콜에테르 용제가 바람직하게 사용된다.상기 에테르 용제의 예로서 상기와 같이 히드록실기를 갖는 글리콜에테르 용제 이외에, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르 등의 히드록실기를 갖지 않는 글리콜에테르 용제, 아니솔, 페네톨 등의 방향족 에테르 용제, 디옥산, 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란, 퍼플루오로-2-부틸 테트라히드로푸란, 퍼플루오로테트라히드로푸란, 1,4-디옥산 등이 열거된다. 아니솔 등의 글리콜에테르 용제 및 방향족 에테르 용제가 바람직하게 사용된다.상기 아미드 용제의 예로서 예컨대, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 헥사메틸포스포릭트리아미드, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논 등을 사용할 수 있다.상기 탄화수소 용제의 예로서 펜탄, 헥산, 옥탄, 데칸, 2,2,4-트리메틸펜탄, 2,2,3-트리메틸헥산, 퍼플루오로헥산, 퍼플루오로헵탄 등의 지방족 탄화수소 용제 및 톨루엔, 크실렌, 에틸벤젠, 프로필벤젠, 1-메틸프로필벤젠, 2-메틸프로필벤젠, 디메틸벤젠, 디에틸벤젠, 에틸메틸벤젠, 트리메틸벤젠, 에틸디메틸벤젠, 디프로필벤젠 등의 방향족 탄화수소 용제 등이 열거된다. 이들 탄화수소 용제 중에, 방향족 탄화수소 용제가 바람직하게 사용된다.이들 용제 중 2개 이상은 혼합되어도 좋고, 그들은 상기 용제 이외의 용제 및 물을 혼합하여 사용해도 좋다.현상액에서 상기 유기용제(2개 이상의 용제가 혼합되는 경우, 합계)의 농도는 50질량% 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 70질량% 이상, 더욱 바람직하게는 90질량% 이상이다. 특히 바람직하게는 유기용제로만 이루어지는 경우이다. 또한, 유기용제로만 이루어지는 경우에 있어서는 미량의 계면활성제, 산화방지제, 안정제, 소포제 등을 함유하는 경우를 포함한다.상기 용제 중에, 부틸 아세테이트, 펜틸 아세테이트, 이소펜틸 아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 및 아니솔로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상의 용제를 함유하는 것이 보다 바람직하다.상기 용제가 후술하는 수지 A-1을 함유하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 사용되는 경우, 상기 현상액으로서 사용되는 유기용제는 에스테르 용제가 바람직하다.상기 에스테르 용제로서, 후술하는 일반식(S1)로 나타내어지는 용제 또는 후술하는 일반식(S2)로 나타내어지는 용제를 사용하는 것이 보다 바람직하고, 일반식(S1)로 나타내어지는 용제를 사용하는 것이 더욱 바람직하고, 알킬 아세테이트를 사용하는 것이 특히 바람직하고, 부틸 아세테이트, 펜틸 아세테이트 또는 이소펜틸 아세테이트를 사용하는 것이 가장 바람직하다.일반식(S1)에 있어서, R 및 R'은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 카르복실기, 히드록실기, 시아노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R 및 R'은 서로 결합하여 환을 형성해도 좋다.R 및 R'의 상기 알킬기, 알콕시기 및 알콕시카르보닐기의 탄소 원자수는 1∼15개가 바람직하고, 상기 시클로알킬기의 탄소 원자수는 3∼15개가 바람직하다.각각의 R 및 R'은 수소 원자 또는 알킬기가 바람직하고, R 및 R'의 상기 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기 및 알콕시카르보닐기와 R 및 R'이 서로 결합함으로써 형성된 환은 히드록실기, 카르보닐기 함유기(예컨대, 아실기, 알데히드, 알콕시카르보닐) 또는 시아노기로 치환되어도 좋다.일반식(S1)로 나타내어지는 용제의 예로서 예컨대, 메틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 이소프로필 아세테이트, 아밀 아세테이트, 이소아밀 아세테이트, 메틸 포름에이트, 에틸 포름에이트, 부틸 포름에이트, 프로필 포름에이트, 에틸 락테이트, 부틸 락테이트, 프로필 락테이트, 에틸 카보네이트, 프로필 카보네이트, 부틸 카보네이트, 메틸 피루베이트, 에틸 피루베이트, 프로필 피루베이트, 부틸 피루베이트, 메틸 아세토아세테이트, 에틸 아세토아세테이트, 메틸 프로피오네이트, 에틸 프로피오네이트, 프로필 프로피오네이트, 이소프로필 프로피오네이트, 메틸-2-히드록시 프로피오네이트, 에틸-2-히드록시 프로피오네이트 등이 열거된다.상기 중에, 각각의 R 및 R'은 미치환 알킬기가 바람직하다.일반식(S1)로 나타내어지는 용제는 알킬 아세테이트가 바람직하고, 보다 바람직하게는 부틸 아세테이트, 펜틸 아세테이트 또는 이소펜틸 아세테이트이다.일반식(S1)로 나타내어지는 용제는 하나 이상의 다른 유기용제와 조합하여 사용해도 좋다. 이 경우에 조합하여 사용되는 용제는 분리없이 일반식(S1)로 나타내어지는 용제와 혼합할 수 있는 한 특별히 제한되지 않는다. 일반식(S1)로 나타내어지는 용제를 서로 혼합해도 좋다. 일반식(S1)로 나타내어지는 용제는 다른 에스테르 용제, 케톤 용제, 알콜 용제, 아미드 용제, 에테르 용제 및 탄화수소 용제로부터 선택된 용제와 혼합하여 사용해도 좋다. 하나 이상의 용제를 조합하여 사용해도 좋지만, 안정한 성능을 얻기 위해서 조합하여 사용되는 용제는 1종이 바람직하다. 1종의 용제가 혼합물로서 조합하여 사용되는 경우, 일반식(S1)로 나타내어지는 용제와 조합하여 사용되는 용제의 혼합비는 질량비로서 일반적으로 20:80∼99:1이고, 바람직하게는 50:50∼97:3, 보다 바람직하게는 60:40∼95:5, 더욱 바람직하게는 60:40∼90:10이다.일반식(S2)에 있어서, R" 및 R""은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 카르복실기, 히드록실기, 시아노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R" 및 R""은 서로 결합하여 환을 형성해도 좋다. 각각의 R" 및 R""은 수소 원자 또는 알킬기가 바람직하다. R" 및 R""의 상기 알킬기, 알콕시기 및 알콕시카르보닐기의 탄소 원자수는 1∼15개가 바람직하고, 상기 시클로알킬기의 탄소 원자수는 3∼15개가 바람직하다.R'"은 알킬렌기 또는 시클로알킬렌기를 나타낸다. R'"은 알킬렌기를 바람직하게 나타낸다. R'"의 상기 알킬렌기의 탄소 원자수는 1∼10개가 바람직하고, R'"의 상기 시클로알킬렌기의 탄소 원자수는 3∼10개가 바람직하다.R" 및 R""의 상기 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기 및 알콕시카르보닐기, R'"의 상기 알킬렌기 및 시클로알킬렌기, 및 R" 및 R""가 서로 결합함으로써 형성된 환은 히드록실기, 카르보닐기 함유기(예컨대, 아실기, 알데히드기, 알콕시카르보닐) 또는 시아노기로 치환되어도 좋다.일반식(S2)의 R'"의 상기 알킬렌기는 상기 알킬렌쇄에 에테르 결합을 가져도 좋다.일반식(S2)로 나타내어지는 용제의 예는 예컨대, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르 아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르 아세테이트, 에틸렌글리콜모노페닐에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르 아세테이트, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트, 에틸-3-메톡시 프로피오네이트, 에틸-3-에톡시 프로피오네이트, 프로필-3-메톡시 프로피오네이트, 에틸메톡시 아세테이트, 에틸에톡시 아세테이트, 2-메톡시부틸 아세테이트, 3-메톡시부틸 아세테이트, 4-메톡시부틸 아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸 아세테이트, 3-에틸-3-메톡시부틸 아세테이트, 2-에톡시부틸 아세테이트, 4-에톡시부틸 아세테이트, 4-프로폭시부틸 아세테이트, 2-메톡시펜틸 아세테이트, 3-메톡시펜틸 아세테이트, 4-메톡시펜틸 아세테이트, 2-메틸-3-메톡시펜틸 아세테이트, 3-메틸-3-메톡시펜틸 아세테이트, 3-메틸-4-메톡시펜틸 아세테이트, 4-메틸-4-메톡시펜틸 아세테이트 등을 포함하고, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트가 바람직하다.상기 중에, 바람직하게는 각각의 R" 및 R""은 미치환 알킬기를 나타내고 R'"은 미치환 알킬렌기를 나타내고; 보다 바람직하게는 각각의 R" 및 R""은 메틸기 또는 에틸기 중 어느 하나를 나타내고; 더욱 바람직하게는 각각의 R" 및 R""은 메틸기를 나타낸다.일반식(S2)로 나타내어지는 용제는 하나 이상의 다른 유기용제와 조합하여 사용해도 좋다. 이 경우에서 조합하여 사용되는 용제는 분리없이 일반식(S2)로 나타내어지는 용제와 혼합할 수 있는 한 특별히 제한되지 않는다. 일반식(S2)로 나타내어지는 용제를 서로 혼합하여 사용해도 좋다. 일반식(S2)로 나타내어지는 용제는 다른 에스테르 용제, 케톤 용제, 알콜 용제, 아미드 용제, 에테르 용제 및 탄화수소 용제로부터 선택된 용제와 혼합하여 사용해도 좋다. 하나 이상의 용제를 조합하여 사용해도 좋지만, 안정한 성능을 얻기 위해서 조합하여 사용되는 용제는 1종이 바람직하다. 1종의 용제가 혼합물로서 조합하여 사용되는 경우, 일반식(S2)로 나타내어지는 용제와 조합하여 사용되는 용제의 혼합비는 질량비로서 일반적으로 20:80∼99:1, 바람직하게는 50:50∼97:3, 보다 바람직하게는 60:40∼95:5, 가장 바람직하게는 60:40∼90:10이다.상기 용제가 후술하는 수지 A-2를 함유하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 사용되는 경우, 상기 현상액으로서 사용되는 유기용제는 에테르 용제가 바람직하다.사용할 수 있는 에테르 용제로서, 상술한 에테르 용제가 열거된다. 상기 에테르 용제 중에, 하나 이상의 방향환을 갖는 에테르 용제가 바람직하고, 보다 바람직하게는 하기 일반식(S3)으로 나타내어지는 용제이고, 가장 바람직하게는 아니솔이다.일반식(S3)에 있어서, Rs는 알킬기를 나타낸다. 상기 알킬기는 1∼4개의 탄소 원자를 갖는 알킬기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 메틸기 또는 에틸기, 더욱 바람직하게는 메틸기이다.본 발명에 있어서, 상기 현상액의 수분 함량은 통상, 10질량% 이하이고, 바람직하게는 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 1질량% 이하이고, 실질적으로 물을 함유하지 않는 현상액이 가장 바람직하다.계면활성제유기용제를 함유하는 현상액은 필요에 따라서, 계면활성제의 적당량을 함유해도 좋다.계면활성제로서, 후술하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 사용되는 것과 동일한 용제를 사용할 수 있다상기 계면활성제 사용량은 상기 현상액의 전량에 대하여 일반적으로 0.001∼5질량%, 바람직하게는 0.005∼2질량%, 보다 바람직하게는 0.01∼0.5질량%이다.현상 방법현상 방법으로서 예컨대, 현상액으로 채운 탱크에 기판을 일정시간 동안 딥핑하는 방법(딥핑 방법), 표면 장력에 의해 상기 기판의 표면 상에 현상액을 팽윤시켜 일정시간 동안 유지함으로써 현상하는 방법(패들 방법), 상기 기판의 표면 상에 현상액을 분무하는 방법(분무 방법) 및 일정속도로 회전하는 기판 상에 일정속도로 현상액 배출노즐을 스캐닝함으로써 현상액을 지속적으로 배출하는 방법(다이나믹 디스펜스 방법)을 적용할 수 있다.상기 현상 공정 후에, 다른 용제로 상기 현상액을 교체하면서 현상을 정지하는 공정을 행해도 좋다.상기 현상 시간은 미노광부에 수지를 충분히 용해시키는 한 특별히 제한되지 않고, 일반적으로 10∼300초이고 바람직하게는 20∼120초이다.상기 현상액 온도는 0∼50℃가 바람직하고, 보다 바람직하게는 15∼35℃이다.(5) 린싱본 발명의 패턴형성방법에 있어서, (4) 현상 공정 후에 (5) 유기용제를 함유하는 린싱액으로 기판을 클리닝하는 린싱 공정을 포함할 수 있다.린싱액20℃에서 현상(혼합용제의 경우에 있어서, 전체로서 증기압) 후에 사용되는 린싱액의 증기압은 0.05∼5kPa가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1kPa∼5kPa, 더욱 바람직하게는 0.12kPa∼3kPa이다. 린싱액의 증기압을 0.05kPa∼5kPa로 설정함으로써, 웨이퍼의 평면 온도의 균일성은 개선되고 린싱액의 침투에 기인하는 팽창은 억제되어, 웨이퍼의 평면 균일성은 보다 양호해진다.각종 유기용제는 상기 린싱액으로 사용되고, 탄화수소 용제, 케톤 용제, 에스테르 용제, 알콜 용제, 아미드 용제 및 에테르 용제로부터 선택된 용제 중 적어도 하나 또는 물을 함유하는 린싱액을 사용하는 것이 바람직하다.상기 린싱액이 후술하는 수지 A-1을 함유하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 사용되는 경우, 현상 후에 케톤 용제, 에스테르 용제, 알콜 용제, 아미드 용제 및 탄화수소 용제로부터 선택된 유기용제 중 적어도 하나를 함유하는 린싱액으로 린싱 공정을 행하는 것이 보다 바람직하다. 더욱 바람직하게는 현상 후에 알콜 용제 또는 탄화수소 용제를 함유하는 린싱액으로 린싱 공정을 행한다.특히 바람직하게는 1가 알콜 용제 및 탄화수소 용제로부터 선택된 용제 중 하나 이상을 함유하는 린싱액을 사용한다.현상 후의 린싱 공정에 사용되는 1가 알콜 용제로서 직쇄상, 분기상 또는 환상 1가 알콜이 열거된다. 특히, 1-부탄올, 2-부탄올, 3-메틸-1-부탄올, tert-부틸알콜, 1-펜탄올, 2-펜탄올, 1-헥산올, 1-헵탄올, 1-옥탄올, 2-헥산올, 2-헵탄올, 2-옥탄올, 3-헥산올, 3-헵탄올, 3-옥탄올, 4-옥타놀, 3-메틸-3-펜탄올, 시클로펜탄올, 2,3-디메틸-2-부탄올, 3,3-디메틸-2-부탄올, 2-메틸-2-펜탄올, 2-메틸-3-펜탄올, 3-메틸-2-펜탄올, 3-메틸-3-펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 4-메틸-3-펜탄올, 시클로헥산올, 5-메틸-2-헥산올, 4-메틸-2-헥산올, 4,5-디틸-2-헥산올, 6-메틸-2-헵탄올, 7-메틸-2-옥탄올, 8-메틸-2-노날, 9-메틸-2-데칸올 등을 사용할 수 있다. 이들 알콜 중에, 1-헥산올, 2-헥산올, 1-펜탄올, 3-메틸-1-부탄올, 3-메틸-2-펜탄올, 3-메틸-3-펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올 및 4-메틸-3-펜탄올이 바람직하고, 1-헥산올 및 4-메틸-2-펜탄올이 가장 바람직하다.상기 탄화수소 용제로서 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소 용제 및 옥탄, 데칸 등의 지방족 탄화수소 용제가 열거된다.상기 린싱액은 1-헥산올, 4-메틸-2-펜탄올 및 데칸으로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 이상을 함유하는 것이 보다 바람직하다.상기 린싱액이 후술하는 수지 A-2를 함유하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 사용되는 경우, 현상 후에 탄화수소 용제를 함유하는 린싱액으로 린싱 공정을 행하는 것이 보다 바람직하다.상기 성분 중 2개 이상을 혼합해도 좋고, 상기 용제를 상기 이외의 유기용제와 혼합해도 좋다. 상기 용제는 물과 혼합해도 좋지만, 린싱액에서의 수분 함량은 일반적으로 60질량% 이하이고, 바람직하게는 30질량% 이하, 보다 바람직하게는 10질량% 이하, 더욱 바람직하게는 5질량% 이하이다. 수분 함량을 60질량%이하로 설정함으로써, 양호한 린싱 특성을 얻을 수 있다.계면활성제의 적당량이 린싱액에 함유되어도 좋다.상기 계면활성제로서, 후술하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 사용되는 것과 동일한 계면활성제를 사용할 수 있고, 상기 계면활성제의 양은 상기 린싱액의 전체량에 대하여 일반적으로 0.001∼5질량%이고, 바람직하게는 0.005∼2질량%, 보다 바람직하게는 0.01∼0.5질량%이다.린싱 방법상기 린싱 공정에 있어서, 현상된 웨이퍼는 상기 유기용제를 함유하는 린싱액으로 린싱 처리를 행한다.린싱 처리의 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예컨대, 일정한 속도로 회전하는 기판 상에 린싱액을 지속적으로 배출하는 방법(로터리 배출 방법), 린싱액으로 채운 탱크에 일정시간 동안 기판을 딥핑하는 방법(딥핑 방법) 및 기판의 표면 상에 린싱액을 분무하는 방법(분무 방법)을 적용할 수 있다. 이들 방법 중에, 상기 로터리 배출 방법에 의해 클리닝 공정을 행하여 클리닝한 후에, 2,000∼4,000rpm의 회전에 의해 상기 기판을 회전시킴으로써 상기 기판으로부터 상기 린싱액을 제거하는 경우가 바람직하다.상기 린싱 시간은 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로 10∼300초이고, 바람직하게는 10∼180초, 보다 바람직하게는 20∼120초이다.상기 린싱액의 온도는 0∼50℃가 바람직하고, 보다 바람직하게는 15∼35℃이다.또한, 현상 또는 린싱 공정 후에, 패턴 상에 부착된 상기 현상액 또는 린싱액을 초임계 유체에 의해 제거할 수 있다.또한, 상기 현상 공정 또는 린싱 공정 또는 초임계 유체에 의한 공정 후에, 상기 패턴에 잔존하는 상기 용제를 제거하기 위해서 가열 공정을 행할 수 있다. 가열 온도는 양호한 레지스트 패턴이 얻어지는 한 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로 40∼160℃이고, 바람직하게는 50∼150℃, 보다 바람직하게는 50∼110℃이다. 상기 가열 시간은 양호한 패턴이 얻어지는 한 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로 15∼300초이고, 바람직하게는 15∼180초이다.알칼리 현상본 발명의 패턴형성방법은 레지스트 패턴을 형성하기 위해서 알칼리 수용액으로 현상하는 공정(알칼리 현상 공정)을 더 포함함으로써, 더욱 미세한 패턴을 형성할 수 있다.본 발명에 있어서, 노광 강도가 약한 부분은 유기용제 현상 공정(4)에 의해 제거되고, 노광 강도가 강한 부분은 상기 알칼리 현상 공정을 더 행함으로써 제거된다. 이와 같이 복수의 현상 공정을 행하는 다중 현상 공정에 의해서, 중간 노광 강도의 영역만을 용해시키지 않고 패턴을 형성할 수 있어, 통상의 패턴보다 미세한 패턴을 형성할 수 있다(JP-A-2008-292975 단락[0077]에 기재된 것과 동일한 매커니즘).상기 알칼리 현상은 무기용제를 함유하는 현상액으로 현상하는 공정(4)의 전후 중 어느 쪽에 행해져도 좋지만, 상기 유기용제로 현상하는 공정(4) 전에 행해지는 것이 보다 바람직하다.상기 알칼리 현상에 사용되는 알칼리 수용액으로서 예컨대, 소듐 히드록시드, 포타슘 히드록시드, 소듐 카보네이트, 소듐 실리케이트, 소듐 메타실리케이트, 암모니아수 등의 무기 알칼리류, 에틸아민, n-프로필아민 등의 일차 아민류, 디에틸아민, 디-n-부틸아민 등의 이차 아민류, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민 등의 삼차 아민류, 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 알콜 아민류, 테트라메틸암모늄 히드록시드, 테트라에틸암모늄 히드록시드 등의 4급 암모늄염류 및 피롤, 피페리딘 등의 환상 아민류 등의 알칼리성 수용액이 열거된다.또한, 알콜류 및 계면활성제의 적당량이 상기 알칼리 수용액에 첨가될 수 있다.상기 알칼리 현상액의 알칼리 농도는 일반적으로 0.1∼20질량%이다.상기 알칼리 현상액의 pH는 일반적으로 10.0∼15.0이다.테트라메틸암모늄 히드록시드의 2.38질량%의 수용액이 특히 바람직하다.알칼리 현상 시간은 특별히 제한되지 않지만, 상기 시간은 일반적으로 10∼300초이고, 바람직하게는 20∼120초이다.상기 알칼리 현상액의 온도는 0∼50℃가 바람직하고, 보다 바람직하게는 15∼35℃이다.알칼리 수용액으로 현상한 후에, 린싱 공정을 행할 수 있다. 상기 린싱 공정에서 린싱액으로서 순수가 바람직하고, 계면활성제의 적당량을 첨가할 수 있다.또한, 상기 현상 공정 또는 린싱 공정 후에, 패턴에 잔존하는 수분 함량을 제거하기 위해서 가열 처리를 행할 수 있다.또한, 가열에 의해 잔존하는 현상액 또는 린싱액을 제거하기 위한 공정을 행할 수 있다. 상기 가열 온도는 양호한 레지스트 패턴이 얻어지는 한 특별히 제한되지 않고, 일반적으로 40∼160℃이고, 바람직하게는 50∼150℃, 보다 바람직하게는 50∼110℃이다. 상기 가열 시간은 양호한 레지스트 패턴이 얻어지는 한 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로 15∼300초이고, 바람직하게는 15∼180초이다.[산의 작용에 의해 유기용제에서 용해도를 감소시킬 수 있는 수지를 함유하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물]본 발명의 패턴형성방법에 사용되는 산의 작용에 의해 유기용제에서 용해도를 감소시킬 수 있는 수지를 함유하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물(이하에, "레지스트 조성물"이라고 간단히 함)을 이하에 설명한다.산분해성 반복단위를 함유하고 산의 작용에 의해 유기용제에서 용해도를 감소시킬 수 있는 수지를 함유하는 레지스트 조성물은 (A) 산분해성 반복단위를 함유하고 산의 작용에 의해 유기용제에서 용해도를 감소시킬 수 있는 수지, (B) 활성광선 또는 방사선의 조사시에 산을 발생할 수 있는 화합물 및 (C) 용제를 함유하는 것이 바람직하다.[1] (A) 산분해성 반복단위를 함유하고 산의 작용에 의해 유기용제에서 용해도를 감소시킬 수 있는 수지본 발명에서 산분해성 반복단위를 함유하고 산의 작용에 의해 유기용제에서 용해도를 감소시킬 수 있는 수지는 산의 작용에 의해 극성이 증가할 수 있고 알칼리 수용액에서 용해도가 증가할 수 있는 수지이다(이하에, "수지(A)" 또는 "성분(A)의 수지"라고 함).본 발명의 수지(A)는 산의 작용에 의해 유기용제에서 용해도를 감소시킬 수 있는 수지인 한 특별히 제한되지 않지만, 전자빔 및 EUV선으로의 노광에서 이차 전자 발생 효율의 관점에서 성분(A)의 수지를 위해서 벤젠환을 갖는 것이 바람직하고, 일반식(1)로 나타내어지는 반복단위를 함유하는 것이 보다 바람직하다.일반식(1)에 있어서, A는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 할로겐 원자 또는 시아노기를 나타내고; R은 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 알케닐기, 아랄킬기, 알콕시기, 알킬카르보닐옥시기, 알킬술포닐옥시기, 알킬옥시카르보닐기 또는 아릴옥시카르보닐기를 나타내고, 2개 이상의 R이 존재하는 경우, 각각의 R은 다른 모든 R과 같거나 달라도 좋고, 또한 2개 이상의 R이 존재하는 경우, 그들은 서로 결합하여 환(바람직하게는 5 또는 6원환)을 형성해도 좋고; a는 1∼3의 정수를 나타내고, 바람직하게는 1이고; b는 0∼(3-a)의 정수를 나타내고, 바람직하게는 0 또는 1, 보다 바람직하게는 0이다.일반식(1)에 있어서, A로 나타내어지는 상기 알킬기는 치환기를 가져도 좋고, 메틸기 및 에틸기 등의 1∼3개의 탄소 원자를 갖는 알킬기가 바람직하다. A로 나타내어지는 상기 시클로알킬기는 치환기를 더 가져도 좋고, 단환 또는 다환이어도 좋다. 그것의 예는 시클로프로필기, 시클로펜틸기 및 시클로헥실기 등의 3∼8개의 탄소 원자를 갖는 단환의 시클로알킬기를 포함한다. A로 나타내어지는 상기 할로겐 원자는 Cl, Br, F가 열거된다. A는 수소 원자 또는 1∼3개의 탄소 원자를 갖는 알킬기를 나타내고, 특히 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기이다.R은 할로겐 원자, 알킬기, 알케닐기, 시클로알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 알콕시기, 알킬카르보닐옥시기, 알킬술포닐옥시기, 알킬옥시카르보닐기 또는 아릴옥시카르보닐기를 나타내고, R은 치환기를 더 가져도 좋다. R로 나타내어지는 상기 할로겐 원자는 Cl, Br, F, I 등을 들 수 있다.R은 1∼8개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 미치환된 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 2∼8개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 미치환된 알케닐기, 5∼10개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 미치환된 시클로알킬기, 6∼15개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 미치환된 아릴기, 7∼16개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 미치환된 아랄킬기, 1∼8개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 미치환된 알콕시기, 2∼8개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 미치환된 알킬카르보닐옥시기, 1∼8개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 미치환된 알킬술포닐옥시기, 1∼8개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 미치환된 알킬옥시카르보닐기, 또는 7∼16개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 미치환된 아릴옥시카르보닐기를 나타내는 것이 바람직하다.R은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 1∼4개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 미치환된 알킬기, 1∼4개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 미치환된 알콕시기, 또는 2∼4개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 미치환된 알킬카르보닐옥시기를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 특히 바람직하게는 수소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 1∼3개의 탄소 원자를 갖는 알킬기(예컨대, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기), 1∼3개의 탄소 원자를 갖는 알콕시기(예컨대, 메톡시기, 에톡시기, 프로필옥시기, 이소프로필옥시기)를 나타낸다.A 및 R이 더 가져도 좋은 치환기의 예는 할로겐 원자(예컨대, Cl, Br, F), 알킬기(예컨대, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, t-부틸기, 헥실기), 아릴기(예컨대, 페닐기, 나프틸기), 아랄킬기, 히드록실기, 알콕시기(예컨대,메톡시기, 에톡시기, 부톡시기, 옥틸옥시기, 도데실옥시기), 아실기(예컨대, 아세틸기, 프로파노일기, 벤조일기), 및 옥소기를 포함하고 상기 치환기의 탄소 원자수는 15개 이하가 바람직하다.일반식(1)의 -(OH)a로 나타내어지는 히드록실기는 상기 수지의 주쇄로부터의 결합에 대하여 파라 위치, 메타 위치 및 오쏘 위치 중 어느 하나에 위치되어도 좋지만, 히드록실기는 오쏘 위치 또는 메타 위치 중 적어도 어느 하나에 존재하는 것이 바람직하다. 일반식(1)로 나타내어지는 반복단위의 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명은 이들로 제한되지 않는다.본 발명에 사용되는 성분(A)의 수지는 산의 작용에 의해 분해될 수 있고 알칼리 가용성기를 발생할 수 있는 기(이하에, "산분해성기"라고도 함)를 갖는다.알칼리 가용성기가 산의 작용에 의해 분해되어 이탈할 수 있는 기(즉, 이탈기)로 보호된 구조를 갖는 산분해성기가 바람직하다.상기 알칼리 가용성기의 유기용제에서 용해도는 상기 이탈기로 보호된 상태에서 상기 알칼리 가용성기의 것보다 낮다. 즉, 상기 산분해성기는 산의 작용에 의해 유기용제에서 용해도를 감소시킬 수 있는 기이다.상기 알칼리 가용성기는 알칼리 현상액에서 해리되어 이온이 될 수 있는 기이면 특별히 제한되지 않지만, 카르복실기, 불소화 알콜기(바람직하게는 헥사플루오로이소프로판올), 술폰산기 및 페놀성 히드록실기가 열거된다.(수지 A-1)본 발명의 보다 바람직한 수지로서 일반식(1)로 나타내어지는 반복단위와 함께, 산분해성기로서 카르복실기, 불소화 알콜기(바람직하게는 헥사플루오로이소프로판올) 및 술폰산기로부터 선택된 기와 산의 작용에 의해 분해되어 이탈할 수 있는 기로 보호된 기를 갖는 반복단위를 갖는 수지(A-1)가 열거된다. 이 구성에 따라서, 특히 고해상도를 갖는 패턴은 전자빔 및 EUV선으로 노광에 의해 얻어져 바람직하다.수지 A-1의 산의 작용에 의해 이탈할 수 있는 기로서 예컨대, -C(R36)(R37)(R38), -C(R36)(R37)(OR39) 및 -C(R01)(R02)(OR39)를 들 수 있다.상기 일반식에 있어서, R36∼R39은 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아랄킬기 또는 알케닐기를 나타내고, R36과 R37은 서로 결합하여 환을 형성해도 좋다.R01 및 R02는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아랄킬기 또는 알케닐기를 나타낸다.R36∼R39, R01 및 R02의 상기 알킬기는 1∼8개의 탄소 원자를 갖는 알킬기가 바람직하고, 그것의 예는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 헥실기 및 옥틸기를 포함한다.R36∼R39, R01 및 R02의 상기 시클로알킬기는 단환 또는 다환이어도 좋다. 상기 단환의 시클로알킬기는 3∼8개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기가 바람직하고, 그것의 예는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 및 시클로옥틸기를 포함한다. 상기 다환의 시클로알킬기는 6∼20개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기가 바람직하고, 그것의 예는 아다만틸기, 노르보르닐기, 이소보로닐기, 캄파닐기, 디시클로펜틸기, α-피넬기, 트리시클로데카닐기, 테트라시클로도데실기 및 안드로스타닐기를 포함한다. 상기 시클로알킬기의 탄소 원자 중 일부는 산소 원자 등의 헤테로 원자로 교체되어도 좋다.R36∼R39, R01 및 R02의 상기 아릴기는 6∼10개의 탄소 원자를 갖는 아릴기가 바람직하고, 그것의 예는 페닐기, 나프틸기 및 안트릴기를 포함한다.R36∼R39, R01 및 R02의 상기 아랄킬기는 7∼12개의 탄소 원자를 갖는 아랄킬기가 바람직하고, 그것의 예는 벤질기, 페네틸기, 및 나프틸메틸기를 포함한다.R36∼R39, R01 및 R02의 상기 알케닐기는 2∼8개의 탄소 원자를 갖는 알케닐기가 바람직하고, 그것의 예는 비닐기, 알릴기, 부테닐기 및 시클로헥실기를 포함한다.수지 A-1의 산분해성기의 예는 쿠밀에스테르기, 엔올에스테르기, 아세탈에스테르기 및 삼차 알킬에스테르기를 포함하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 삼차 알킬에스테르기이다.수지 A-1이 함유할 수 있는 산분해성기를 갖는 반복단위로서 하기 일반식(AI)로 나타내어지는 반복단위가 바람직하다.일반식(AI)에 있어서, Xa1은 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다. 상기 알킬기는 치환기를 가져도 좋은 메틸기 또는 -CH2-R9로 나타내어지는 기가 바람직하다. R9는 히드록실기, 할로겐 원자, 시아노기 또는 1가 유기기를 나타내고, 상기 1가 유기는 예컨대, 5개 이하의 탄소 원자를 갖는 알킬기 또는 아실기이고, 바람직하게는 3개 이하의 탄소 원자를 갖는 알킬기이고, 보다 바람직하게는 메틸기이다. Xa1은 바람직하게 수소 원자, 메틸기, 트리플루오로메틸기 또는 히드록시메틸기를 나타낸다.T는 단일 결합 또는 2가 연결기를 나타낸다.Rx1, Rx2 및 Rx3은 각각 독립적으로 알킬기(직쇄상 또는 분기상) 또는 시클로알킬기(단환 또는 다환)를 나타낸다.Rx2 및 Rx3은 서로 결합하여 시클로알킬기(단환 또는 다환)를 형성해도 좋다.T로 나타내어지는 2가 연결기의 예로서 알킬렌기, -COO-Rt-기, -O-Rt-기 및 이들 기의 2개 이상을 결합함으로써 형성된 기가 열거된다. 상기 일반식에 있어서, Rt는 알킬렌기 또는 시클로알킬렌기를 나타낸다. T의 2가 연결기에서 총 탄소 원자수는 1∼20개가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1∼15개, 더욱 바람직하게는 2∼10개이다.T는 단일 결합 또는 -COO-Rt-기를 나타내는 것이 바람직하다. Rt는 1∼5개의 탄소 원자를 갖는 알킬렌기를 나타내는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 -CH2-기 또는 -(CH2)3-기이다.각각의 Rx1, Rx2 및 Rx3으로 나타내어지는 상기 알킬기로서 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기 및 t-부틸기 등의 1∼4개의 탄소 원자를 갖는 알킬기가 열거되는 것이 바람직하다.각각의 Rx1, Rx2 및 Rx3으로 나타내어지는 상기 시클로알킬기로서 시클로펜틸기 및 시클로헥실기 등의 단환의 시클로알킬기, 노르보르닐기, 테트라시클로데카닐기, 테트라시클로도데카닐기 및 아다만틸기 등의 다환의 시클로알킬기가 열거되는 것이 바람직하다.Rx2 및 Rx3이 결합함으로써 형성된 상기 시클로알킬기는 시클로펜틸기 및 시클로헥실기 등의 단환의 시클로알킬기, 노르보르닐기, 테트라시클로데카닐기, 테트라시클로도데카닐기 및 아다만틸기 등의 다환의 시클로알킬기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 또는 6개의 탄소 원자를 갖는 단환의 시클로알킬기이다.Rx1이 메틸기 또는 에틸기이고, Rx2 및 Rx3이 결합함으로써 상기 시클로알킬기를 형성하는 실시형태가 바람직하다.상기 각각의 기는 치환기를 가져도 좋다. 상기 치환기의 예로서 알킬기(1∼4개의 탄소 원자를 가짐), 할로겐 원자, 히드록실기, 알콕시기(1∼4개의 탄소 원자를 가짐), 카르복실기 및 알콕시카르보닐기(2∼6개의 탄소 원자를 가짐)가 열거되고, 상기 치환기의 탄소 원자수는 8개 이하가 바람직하다.바람직한 산분해성기를 갖는 반복단위의 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명은 이들로 제한되지 않는다.상기 구체예에 있어서, 각각의 Rx 및 Xa1은 수소 원자, CH3, CF3 또는 CH2OH를 나타낸다. 각각의 Rxa 및 Rxb는 1∼4개의 탄소 원자를 갖는 알킬기를 나타낸다. 2개 이상의 Z가 존재하는 경우, Z는 각각 독립적으로 극성기를 함유하는 치환기를 나타낸다. p는 0 또는 양의 정수를 나타낸다. (Z)p는 구체적으로 이하에 나타낸 일반 식(2-1)에서 (R10)n의 것과 동일한 의미를 갖는다.일반식(AI)로 나타내어지는 반복단위로서 일반식(AI-1)로 나타내어지는 반복단위 또는 일반식(AI-2)로 나타내어지는 반복단위 중 적어도 하나를 갖는 수지인 수지 A-1이 보다 바람직하다.일반식(AI-1) 및 (AI-2)에 있어서, R1 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환기를 가져도 좋은 메틸기 또는 -CH2-R9로 나타내어지는 기를 나타낸다. R9는 1가 유기기를 나타낸다. 상기 1가 유기기의 예는 5개 이하의 탄소 원자를 갖는 알킬기 및 아실기를 포함하고, 상기 1가 유기기는 3개 이하의 탄소 원자를 갖는 알킬기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 메틸기이다.R2, R4, R5 및 R6은 각각 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.R은 각각 독립적으로 탄소 원자와 지환식 구조를 형성하는데 필요한 원자기를 나타낸다.R1은 수소 원자, 메틸기, 트리플루오로메틸기 또는 히드록시메틸기를 바람직하게 나타낸다.R2로 나타내어지는 상기 알킬기는 직쇄 또는 분기쇄이어도 좋고, 치환기를 가져도 좋다.R2로 나타내어지는 상기 시클로알킬기는 단환 또는 다환이어도 좋고, 치환기를 가져도 좋다.R2는 알킬기를 바람직하게 나타내고, 보다 바람직하게는 1∼10개를 갖고, 적욱 바람직하게는 1∼5개의 탄소 원자를 갖는 알킬기이고, 예컨대, 메틸기 및 에틸기가 열거된다.R2의 알킬기가 더 가져도 좋은 치환기의 예는 아릴기(예컨대, 페닐, 나프틸), 아랄킬기, 히드록실기, 알콕시기(예컨대, 메톡시, 에톡시, 부톡시, 옥틸옥시, 도데실옥시), 아실기(예컨대, 아세틸, 프로파노일, 벤조일) 및 옥소기를 포함하고, 상기 치환기의 탄소 원자수는 15개 이하가 바람직하다.R2의 시클로알킬기가 더 가져도 좋은 치환기의 예는 알킬기(예컨대, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, tert-부틸, 헥실) 및 R2의 알킬기가 더 가져도 좋은 치환기로서 상술한 기를 포함하고, 상기 치환기의 탄소 원자수는 15개 이하가 바람직하다.R은 각각 독립적으로 탄소 원자와 지환식 구조를 형성하는데 필요한 원자기를 나타낸다. R로 형성된 지환식 구조는 단환의 지환식 구조가 바람직하고, 탄소 원자수는 3∼7개가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 또는 6개이다.R3은 탄소 원자 또는 메틸기를 바람직하게 나타내고, 보다 바람직하게는 메틸기이다.각각의 R4, R5 및 R6으로 나타내어지는 상기 알킬기는 직쇄상 또는 분기쇄상이어도 좋고, 치환기를 가져도 좋다. 상기 알킬기는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기 또는 t-부틸기 등의 1∼4개의 탄소 원자를 갖는 알킬기가 바람직하다.각각의 R4, R5 및 R6으로 나타내어지는 상기 시클로알킬기는 단환 또는 다환이어도 좋고, 치환기를 가져도 좋다. 상기 시클로알킬기로서 시클로펜틸기 및 시클로헥실기 등의 단환의 시클로알킬기 및 노르보르닐기, 테트라시클로데카닐기, 테트라시클로도데카닐기 및 아다만틸기 등의 다환의 시클로알킬기가 바람직하게 열거된다.일반식(AI-2)로 나타내어지는 반복단위는 하기 일반식(2-1)로 나타내어지는 반복단위가 바람직하다.일반식(2-1)에 있어서, R3, R4 및 R5는 일반식(AI-2)의 것과 동일하다.R10은 극성기를 갖는 치환기를 나타낸다. 복수의 R10이 존재하는 경우, 각각 R10은 다른 모든 R10과 같거나 달라도 좋다. 극성기를 갖는 치환기로서 예컨대, 히드록실기, 시아노기, 아미노기, 알킬아미도기, 술폰아미드기 및 상기 기 중 어느 하나를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알킬기 및 시클로알킬기가 열거되고, 바람직하게는 히드록실기, 시아노기, 아미노기, 알킬아미도기 또는 술폰아미드기를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알킬기 및 시클로알킬기, 보다 바람직하게는 히드록실기를 갖는 알킬기, 더욱 바람직하게는 히드록실기를 갖는 분기상 알킬기이다. R10은 보다 바람직하게 -C(R4)(R5)-OH로 나타내어지는 부분 구조를 나타낸다. R4 및 R5는 일반식(2-1)의 것과 동일하다. 더욱 바람직하게는 R4 및 R5 모두는 알킬기(바람직하게는 1∼3개의 탄소 원자를 가짐)를 나타낸다. n은 0∼15의 정수를 나타내고, 바람직하게는 0∼2, 보다 바람직하게는 0 또는 1이다.수지 A-1이 상기 산분해성 반복단위를 함유하는 경우에서 조합의 바람직한 예를 이하에 나타낸다.(수지 A-2)본 발명에서 보다 바람직한 수지의 다른 실시형태로서, 일반식(1)로 나타내어지는 반복단위와 함께 산분해성기로서 (B) 산의 작용에 의해 분해되어 이탈할 수 있는 기로 페놀성 히드록실기를 보호하는 기를 갖는 반복단위를 갖는 수지가 열거된다. 이 구성에 따라서, 특히 고감도를 갖는 패턴은 전자빔 및 EUV선으로 노광에 의해 얻져 바람직하다.산의 작용에 의해 분해되어 이탈할 수 있는 기로 상기 페놀성 히드록실기를 보호하는 기를 갖는 반복단위(B)로서 예컨대, 하기 일반식(I)로 나타내어지는 반복구조단위가 바람직하다.일반식(I)에 있어서, R01, R02 및 R03은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 할로겐 원자, 시아노기 또는 알콕시카르보닐기를 나타낸다. 또한, R03은 알킬렌기를 나타내고 Ar1과 결합함으로써 5원 또는 6원환을 형성해도 좋다.Ar1은 (n+1)가 방향환기를 나타낸다.n개의 Y는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 산의 작용에 의해 이탈할 수 있는 기를 나타내지만, Y 중 적어도 하나는 산의 작용에 의해 이탈할 수 있는 기를 나타낸다.n은 1∼4의 정수를 나타내고, 바람직하게는 1∼2, 보다 바람직하게는 1이다.일반식(I)의 각각의 R01, R02 및 R03으로 나타내어지는 상기 알킬기로서, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기 또는 도데실기 등의 20개 이하의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 미치환된 알킬기가 바람직하게 열거되고, 보다 바람직하게는 8개 이하의 탄소 원자를 갖는 알킬기이다.상기 알콕시카르보닐기에 함유되는 알킬기로서 R01, R02 및 R03으로 나타내어지는 동일한 알킬기가 바람직하다.상기 시클로알킬기는 단환 또는 다환의 시클로알킬기이어도 좋다. 3∼8개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 미치환된 단환의 시클로알킬기 예컨대, 시클로프로필기, 시클로펜틸기 및 시클로헥실기가 바람직하게 열거된다.상기 할로겐 원자로서 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자가 열거되고, 불소 원자가 보다 바람직하다.R03이 알킬렌기를 나타내는 경우, 상기 알킬렌기로서 1∼8개의 탄소 원자를 갖는 알킬렌기 예컨대, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 헥실렌기 및 옥틸렌기가 바람직하게 열거된다.Ar1로 나타내어지는 방향환은 6∼14개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 미치환된 방향환이 바람직하고, 구체적으로는 n+1가 나프틸 잔기 또는 n+1가 페닐 잔기를 나타내고, 보다 바람직하게는 n+1가 페닐 잔기를 나타낸다. Ar1은 하나 이상의 치환기를 더 가져도 좋고, Ar1이 가져도 좋은 치환기는 특별히 제한되지 않지만, 예컨대, 2개 이상의 치환기가 존재하는 경우, 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 알케닐기, 아랄킬기, 알콕시기 또는 알킬카르보닐옥시기를 가져도 좋다.Ar1은 벤젠환, 톨루엔환 또는 나프탈렌환을 바람직하게 나타낸다.n개의 Y는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 산의 작용에 의해 이탈할 수 있는 기를 나타내지만, n개의 Y 중 적어도 하나는 산의 작용에 의해 이탈할 수 있는 기를 나타낸다.산의 작용에 의해 이탈할 수 있는 기 Y는 예컨대, -C(R36)(R37)(R38), -C(=O)-O-C(R36)(R37)(R38), -C(R01)(R02)(OR39), -C(R01)(R02)-C(=O)-O-C(R36)(R37)(R38) 및 -CH(R36)(Ar)이 열거된다.상기 일반식에 있어서, R36∼R39는 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아랄킬기 또는 알케닐기를 나타내고 R36 및 R37은 서로 결합하여 환을 형성해도 좋다.R01 및 R02는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아랄킬기 또는 알케닐기를 나타낸다.Ar은 아릴기를 나타내고, 구체적으로는 일반식(I)의 Ar1과 동일한 기를 열거해도 좋다.각각의 R36∼R39, R01 및 R02로 나타내어지는 상기 알킬기는 1∼8개의 탄소 원자를 갖는 알킬기가 바람직하고, 예컨대, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 헥실기 및 옥틸기가 열거된다.각각의 R36∼R39, R01 및 R02로 나타내어지는 상기 시클로알킬기는 단환 또는 다환이어도 좋다. 상기 단환의 시클로알킬기로서 3∼8개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기가 바람직하고, 예컨대, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 및 시클로옥틸기가 열거된다. 상기 다환의 시클로알킬기로서 6∼20개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기가 바람직하고, 예컨대, 아다만틸기, 노르보르닐기, 이소노르보르닐기, 캄파닐기, 디시클로펜틸기, α-피넬기, 트리시클로데카닐기, 테트라시클로도데실기 및 안드로스타닐기를 들 수 있다. 상기 시클로알킬기의 탄소 원자는 산소 원자 등의 헤테로 원자로 부분적으로 교체되어도 좋다.각각의 R36∼R39, R01, R02 및 Ar로 나타내어지는 상기 아릴기는 6∼10개의 탄소 원자를 갖는 아릴기가 바람직하고, 예컨대, 페닐기, 나프틸기 및 안트릴기가 열거된다.각각의 R36∼R39, R01 및 R02로 나타내어지는 상기 아랄킬기는 7∼12개의 탄소 원자를 갖는 아랄킬기가 바람직하고, 예컨대, 벤질기, 페네틸기 및 나프틸메틸기가 열거된다.각각의 R36∼R39, R01 및 R02로 나타내어지는 상기 알케닐기는 2∼8개의 탄소 원자를 갖는 알케닐기가 바람직하고, 예컨대, 비닐기, 알릴기, 부테닐기 및 시클로헥세닐기가 열거된다.R36 및 R37이 서로 결합함으로써 형성된 환은 단환 또는 다환이어도 좋다. 상기 단환으로서 3∼8개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 구조가 바람직하고, 예컨대, 시클로프로판 구조, 시클로부탄 구조, 시클로펜탄 구조, 시클로헥산 구조, 시클로헵탄 구조 및 시클로옥탄 구조가 열거된다. 상기 다환 구조로서 6∼20개의 탄소 원자를 갖는 시클로알칸 구조가 바람직하고, 예컨대, 아다만탄 구조, 노르보르난 구조, 디시클로펜탄 구조, 트리시클로데칸 구조 및 테트라시클로도데칸 구조가 열거된다. 상기 시클로알칸 구조의 탄소 원자는 산소 원자 등의 헤테로 원자로 부분적으로 교체되어도 좋다.각각의 R36∼R39, R01, R02, R03, Ar 및 Ar1로 나타내어지는 상기 기는 치환기를 가져도 좋다. 상기 치환기의 예로서, 예컨대, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아미노기, 아미도기, 우레이도기, 히드록실기, 카르복실기, 할로겐 원자, 알콕시기, 티오에테르기, 아실기, 아실옥시기, 알콕시카르보닐기, 시아노기 및 니트로기가 열거되고, 상기 치환기의 탄소 원자수는 8개 이하가 바람직다.산의 작용에 의해 이탈할 수 있는 기 Y로서 하기 일반식(Ⅱ)로 나타내어지는 구조가 보다 바람직하다.일반식(Ⅱ)에 있어서, L1 및 L2는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타낸다.그러나, L1 또는 L2 중 적어도 하나는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기를 나타낸다.M은 단일 결합 또는 2가 연결기를 나타낸다.Q는 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로 원자를 함유해도 좋은 지환기, 헤테로 원자를 함유해도 좋은 방향환기, 아미노환기, 암모늄기, 메르캅토기, 시아노기 또는 알데히드기를 나타낸다.Q, M 및 L1 중 적어도 2개는 결합하여 5원 또는 6원환을 형성해도 좋다.각각의 L1 및 L2로 나타내어지는 상기 알킬기는 예컨대 1∼8개의 탄소 원자를 갖는 알킬기이고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 헥실기 및 옥틸기를 바람직하게 들 수 있다.각각의 L1 및 L2로 나타내어지는 상기 시클로알킬기는 예컨대, 3∼15개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기이고, 구체적으로는 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 노르보르닐기 및 아다만틸기를 바람직하게 들 수 있다.각각의 L1 및 L2로 나타내어지는 상기 아릴기는 예컨대, 6∼15개의 탄소 원자를 갖는 아릴기이고, 구체적으로는 페닐기, 톨릴기, 나프틸기 및 안트릴기를 바람직하게 들 수 있다.각각의 L1 및 L2로 나타내어지는 상기 아랄킬기는 예컨대, 6∼20개의 탄소 원자를 갖는 아랄킬기이고, 벤질기 및 페네틸기를 들 수 있다.M으로 나타내어지는 2가 연결기로서 예컨대, 알킬렌기(예컨대, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 헥실렌기, 옥틸렌기 등), 시클로알킬렌기(예컨대, 시클로펜틸렌기, 시클로헥실렌기 등), 알케닐렌기(예컨대, 에테닐렌기, 프로페닐렌기, 부테닐렌기 등), 아릴렌기(예컨대, 페닐렌기, 톨릴렌기, 나프틸렌기 등), -S-, -O-, -CO-, -SO2-, -N(R0)- 및 복수의 이들 기가 조합함으로써 얻어진 2가 연결 기가 열거된다. R0은 수소 원자 또는 알킬기(예컨대, 1∼8개의 탄소 원자를 갖는 알킬기이고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 헥실기, 옥틸기 등)를 나타낸다.Q로 나타내어지는 상기 알킬기 및 시클로알킬기는 L1 및 L2로 나타내어지는 것과 동일하다.헤테로 원자를 함유해도 좋은 지환기 및 Q로 나타내어지는 헤테로 원자를 함유해도 좋은 방향환기의 지환기 및 방향환기로서, L1 및 L2로 나타내어지는 상기 시클로알킬기 및 아릴기가 열거되고, 탄소 원자수는 3∼15개가 바람직하다.헤테로 원자를 함유해도 좋은 지환기 및 헤테로 원자를 함유해도 좋은 방향환기로서, 티이란, 시클로티오란, 티오펜, 푸란, 피롤, 벤조티오펜, 벤조푸란, 벤조피롤, 트리아진, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 트리아졸, 티아디아졸, 티아졸 및 피롤리돈 등의 복소환 구조를 갖는 기가 열거되지만, 일반적으로 복소환 구조라고 불리는 구조(탄소 원자 및 헤테로 원자로 형성된 환, 또는 헤테로 원자로 형성된 환)를 갖는 한 이들로 특별히 제한되지 않는다.Q, M 및 L1 중 적어도 2개가 결합함으로써 형성된 5원 또는 6원환으로서, Q, M 및 L1 중 적어도 2개가 결합하여 예컨대, 프로필렌기 또는 부틸렌기를 형성하고 산소 원자를 함유하는 경우가 열거된다.일반식(Ⅱ)의 Q, M 및 L1로 나타내어지는 각각의 기는 치환기를 가져도 좋고, 예컨대, 각각의 R36∼R39, R01, R02, R03, Ar 및 Ar1이 가져도 좋은 치환기의 예로서 상기 열거된 치환기가 열거된다. 상기 치환기의 탄소 원자수는 8개 이하가 바람직하다.-M-Q로 나타내어지는 기로서 1∼30개의 탄소 원자로 구성되는 기가 바람직하고, 5∼20개의 탄소 원자로 구성되는 기가 보다 바람직하다.상기 반복단위(B)의 바람직한 구체예로서 일반식(I)로 나타내어지는 반복단위의 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명은 이들로 제한되지 않는다.(기타 성분)본 발명의 수지(A)는 하기 일반식(Y2), (Y3) 및 (Y4) 중 어느 하나로 나타내어지는 반복단위 중 적어도 하나를 가져도 좋다.일반식(Y2)∼(Y4)에 있어서, A는 일반식(1)의 A와 동일한 의미를 갖는다.X는 단일 결합, -COO-기, -O-기 또는 -CON(R16)-기를 나타낸다. R16은 수소 원자 또는 1∼3개의 탄소 원자를 갖는 알킬기(예컨대, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등)을 나타낸다. X는 단일 결합, -COO- 또는 -CON(R16)-를 바람직하게 나타내고, 특히 바람직하게는 단일 결합 또는 -COO-기이다.Y로 나타내어지는 환 구조는 3환 이상의 다환의 방향족 탄화수소환 구조이고, 바람직하게는 안트라센 구조, 페난트렌 구조, 테트라센 구조, 벤조[c]페난트렌 구조, 크리센 구조, 벤조[a]안트라센 구조, 피렌 구조 또는 페릴렌 구조이다.R11∼R15는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 알케닐기, 아랄킬기, 알콕시기 또는 알킬카르보닐옥시기를 나타낸다. 이들 기의 구체예로서 일반식(1)의 R과 동일한 기가 열거된다.R101∼R106은 각각 독립적으로 히드록실기, 할로겐 원자(예컨대, Cl, Br, F, I), 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 알킬카르보닐옥시기, 알킬술포닐옥시기, 알케닐기, 아릴기, 아랄킬기 또는 카르복실기를 나타낸다. 이들 기의 구체예로서 일반식(1)의 R과 동일한 기가 열거된다.c∼h는 각각 독립적으로 0∼3의 정수를 나타낸다.상기 수지(A)는 락톤기를 가져도 좋다.락톤기로서 락톤 구조를 갖는 어떠한 기를 사용할 수 있지만, 바람직하게는 5∼7원환의 락톤 구조를 갖는 기이고, 비시클로 구조 또는 스피로 구조를 형성하는 형태에서 다른 환 구조로 축합된 5∼7원환 락톤 구조가 바람직하다. 하기 일반식(LC-1)∼(LC1-17) 중 어느 하나로 나타내어지는 락톤 구조를 갖는 반복단위를 갖는 것이 보다 바람직하다. 락톤 구조가 상기 주쇄와 직접 결합되어도 좋다. 바람직한 락톤 구조는 (LC1-1), (LC1-4), (LC1-5), (LC1-6), (LC1-13), (LC1-14) 및 (LC1-17)이다. 특정 락톤 구조를 사용함으로써, 해상도는 양호해진다.락톤 구조 부분은 치환기(Rb2)를 가져도 갖지 않아도 좋다. 바람직한 치환기(Rb2)로서 1∼8개의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 4∼7개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기, 1∼8개의 탄소 원자를 갖는 알콕시기, 2∼8개의 탄소 원자를 갖는 알콕시카르보닐기, 카르복실기, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기 및 산분해성기가 열거되고, 보다 바람직한 치환기는 1∼4개의 탄소수를 갖는 알킬기, 시아노기 및 산분해성기이다. n2는 0∼4의 정수를 나타낸다. n2가 2 이상인 경우, 각각의 치환기는 다른 모든 치환기와 같거나 달라도 좋다. 복수의 치환기(Rb2)는 서로 결합하여 환을 형성해도 좋다.락톤 구조를 갖는 반복단위로서 하기 일반식(AⅡ)로 나타내어지는 반복단위가 바람직하다.일반식(AⅡ)에 있어서, Rb0은 수소 원자, 할로겐 원자 또는 1∼4개의 탄소 원자를 갖는 알킬기를 나타낸다. Rb0로 나타내어지는 상기 알킬기가 가져도 좋은 바람직한 치환기의 예로서 히드록실기 및 할로겐 원자가 열거된다. Rb0로 나타내어지는 상기 할로겐 원자로서, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자가 열거된다. Rb0은 수소 원자, 메틸기, 히드록시메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 바람직하게 나타내고, 특히 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기이다.A는 단일 결합, 알킬렌기, 단환 또는 다환의 지환식 탄화수소 구조를 갖는 2가 연결기, 에테르 결합, 에스테르 결합, 카르보닐기 또는 이들 기를 조합한 2가 연결기를 나타내고, 바람직하게는 단일 결합 또는 -Ab1-CO2-로 나타내어지는 2가 연결기이다.Ab1은 직쇄상 또는 분기상 알킬렌기, 단환 또는 다환의 시클로알킬렌기를 나타내고, 바람직하게는 메틸렌기, 에틸렌기, 시클로헥실렌기, 아다만틸렌기 또는 노르보르닐렌기이다.V는 락톤 구조를 갖는 기를 나타낸다. 구체적으로, V는 일반식(LC1-1)∼(LC1-17) 중 어느 하나로 나타내어지는 구조를 갖는 기를 나타낸다.일반식(AⅡ)로 나타내어지는 반복단위 중에, Ab가 단일 결합인 경우에 특히 바람직한 락톤기를 갖는 반복단위로서 이하의 반복단위가 열거된다. 상기 구체예에 있어서, Rx는 H, CH3, CH2OH 또는 CF3을 나타낸다.수지(A)는 하기 일반식(3)으로 나타내어지는 락톤 구조를 갖는 반복단위를 함유하는 것이 바람직하다.일반식(3)에 있어서, A는 에스테르 결합(-COO-로 나타내어지는 기) 또는 -CONH-로 나타내어지는 기를 나타낸다.R0은 알킬렌기, 시클로알킬렌기 또는 이들 기의 조합을 나타내고, 2개 이상의 R이 존재하는 경우, 각각의 R0은 다른 모든 R0과 같거나 달라도 좋다.Z는 단일 결합, 에테르 결합, 에스테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합 또는 우레아 결합을 나타내고, 2개 이상의 Z가 존재하는 경우, 각각의 Z는 다른 모든 Z와 같거나 달라도 좋다. 에테르 결합 또는 에스테르 결합이 바람직하다.R8은 락톤 구조를 갖는 1가 유기기를 나타낸다.n은 일반식(3)으로 나타내어지는 반복단위에서 -R0-Z-로 나타내어지는 구조의 반복수이고, 바람직하게는 1∼5의 정수를 나타내고, 보다 바람직하게는 1이다.R7은 수소 원자, 할로겐 원자 또는 알킬기를 나타낸다.R0으로 나타내어지는 상기 알킬렌기 및 시클로알킬렌기는 치환기를 가져도 좋다.Z는 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 나타내고, 특히 바람직하게는 에스테르 결합이다.R7로 나타내어지는 상기 알킬기는 1∼4개의 탄소 원자를 갖는 알킬기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 메틸기 또는 에틸기, 특히 바람직하게는 메틸기이다. R7로 나타내어지는 상기 알킬기는 치환되어도 좋고, 상기 치환기의 예는 불소 원자, 염소 원자 및 브롬 원자 등의 할로겐 원자, 메르캅토기, 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, 이소프로폭시기, t-부톡시기, 벤질옥시기 등의 알콕시기 및 아세틸기, 프로피오닐기 등의 아세톡시기를 포함한다. R7은 바람직하게 수소 원자, 메틸기, 트리플루오로메틸기 또는 히드록시메틸기를 나타낸다.R0으로 나타내어지는 상기 바람직한 쇄상 알킬렌기는 1∼10개의 탄소 원자를 갖는 쇄상 알킬렌기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1∼5개의 탄소 원자를 갖는 예컨대, 메틸렌기, 에틸렌기 및 프로필렌기가 열거된다. 상기 바람직한 환상 알킬렌기는 1∼20개의 탄소 원자를 갖는 환상 알킬렌기 예컨대, 시클로헥실렌, 시클로펜틸렌, 노르보르닐렌 및 아다만틸렌기가 열거된다.R8로 나타내어지는 락톤 구조를 갖는 유기기는 락톤 구조를 갖는 한 제한되지 않고, 일반식(LC1-1)∼(LC1-17) 중 어느 하나로 나타내어지는 락톤 구조가 구체예로서 열거된다. 이들 구조 중에, 일반식(LC1-4)로 나타내어지는 구조가 특히 바람직하다. 또한, 일반식(LC1-1)∼(LC1-17)의 n2는 2개 이하가 보다 바람직하다.R8은 치환기로서 시아노기를 갖는 락톤 구조(시아노 락톤)를 갖는 1가 유기기를 보다 바람직하게 나타낸다.일반식(3)으로 나타내어지는 락톤 구조를 갖는 기를 갖는 반복단위의 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명은 이들로 제한되지 않는다.이하에 나태난 구체예에 있어서, R은 수소 원자, 치환기를 가져도 좋은 알킬기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 수소 원자, 메틸기, 또는 히드록시메틸 또는 아세톡시메틸기, 즉, 치환기를 갖는 알킬기를 나타낸다.락톤 구조를 갖는 반복단위로서 하기 일반식(3-1)로 나타내어지는 반복단위가 보다 바람직하다.일반식(3-1)에 있어서, Ry, A, R0, Z 및 n은 일반식(3)의 것과 동일하다.R9는 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시카르보닐기, 시아노기, 히드록실기 또는 알콕시기를 나타내고, 2개 이상의 R9가 존재하는 경우, 각각의 R9는 다른 모든 R9와 같거나 달라도 좋고, 2개의 R9는 서로 결합하여 환을 형성해도 좋다.X는 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다.m은 치환기의 수이고 0∼5의 정수를 나타낸다. m은 0 또는 1이 바람직하다.R9로 나타내어지는 상기 알킬기는 1∼4개의 탄소 원자를 갖는 알킬기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 메틸기 또는 에틸기, 더욱 바람직하게는 메틸기이다. R9로 나타내어지는 상기 시클로알킬기로서 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸 및 시클로헥실기이 열거된다. 상기 알콕시카르보닐기로서 2∼5개의 탄소 원자를 갖는 알콕시카르보닐기가 바람직하고, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, n-부톡시카르보닐기 및 t-부톡시카르보닐기가 열거된다. 상기 치환기의 예로서 알콕시기 예컨대, 히드록시기, 메톡시기 및 에톡시기, 시아노기 및 할로겐 원자 예컨대, 불소 원자가 열거되고, 보다 바람직하게는 시아노기이다.X로 나타내어지는 상기 알킬렌기로서 메틸렌기 및 에틸렌기가 열거되고, 바람직하게는 메틸렌기이다.일반식(3-1)로 나타내어지는 락톤 구조를 갖는 기를 갖는 반복단위의 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명은 이들로 제한되지 않는다. 하기 일반식에 있어서, R은 수소 원자, 치환 또는 미치환된 알킬기, 또는 할로겐 원자를 나타내고, 바람직하게는 수소 원자, 메틸기, 또는 히드록시메틸기 또는 아세톡시메틸기, 즉, 치환기를 갖는 알킬기를 나타낸다.락톤 구조를 갖는 반복단위는 일반적으로 광학 이성체를 갖고, 어떠한 광학 이성체를 사용해도 좋다.상기 수지(A)는 히드록실기 또는 시아노기를 갖는 반복단위를 가져도 좋고, 기판에 대한 밀착성 및 현상액과의 친화성이 향상된다. 히드록실기 또는 시아노기를 갖는 반복단위는 히드록실기 또는 시아노기로 치환된 지환식 탄화수소 구조를 갖는 반복단위가 바람직하다. 히드록실기 또는 시아노기로 치환된 지환식 탄화수소 구조의 지환식 탄화수소 구조로서 아다만틸기, 디아만틸기 및 노르보르닐기가 바람직하다. 히드록실기 또는 시아노기로 치환된 바람직한 지환식 탄화수소 구조로서 모노히드록시아다만틸기, 디히드록시아다만틸기, 모노히드록시디아만틸기, 디히드록시디아만틸기 및 시아노기로 치환된 노르보르닐기가 열거된다.상기 원자기를 갖는 반복단위로서 하기 일반식(AⅡa)∼(AⅡd) 중 어느 하나로 나타내어지는 반복단위가 열거된다.일반식(AⅡa)∼(AⅡd)에 있어서, R1c는 수소 원자, 메틸기, 트리플루오로메틸기 또는 히드록시메틸기를 나타낸다.R2c∼R4c는 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록실기 또는 시아노기를 나타낸다. 그러나, R2c∼R4c 중 적어도 하나는 히드록실기 또는 시아노기를 나타내고, 바람직하게는 R2c∼R4c 중 하나 또는 2개는 히드록실기를 나타내고, 나머지는 수소 원자를 나타낸다. 일반식(Ⅶa)에 있어서, R2c∼R4c 중 2개는 히드록실기를 나타내고 나머지는 수소 원자를 나타내는 것이 보다 바람직하다.본 발명에서 사용되는 수지(A)가 히드록실기 또는 시아노기를 갖는 반복단위를 함유하는 경우에 있어서, 히드록실기 또는 시아노기를 갖는 반복단위의 함량은 전체 반복단위에 대하여 1∼40몰%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5∼30몰%, 더욱 바람직하게는 5∼25몰%이다.히드록실기 또는 시아노기를 갖는 반복단위의 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명은 이들로 제한되지 않는다.본 발명의 수지(A)는 일반식(1)로 나타내어지는 반복단위 이외에 알칼리 가용성기를 갖는 반복단위를 가져도 좋다. 알칼리 가용성기로서 카르복실기, 술폰아미드기, 술포닐이미도기, 비스술포닐이미도기, α위치가 전자 구인성기로 치환된 지방족 알콜(예컨대, 헥사플루오로이소프로판올기) 및 페놀성기가 열거된다. 카르복실기를 갖는 반복단위를 갖는 것이 보다 바람직하다. 알칼리 가용성기를 갖는 반복단위로서 아크릴산 또는 메타크릴산에 의한 반복단위 등의 수지의 주쇄에 직접 연결된 알칼리 가용성기를 갖는 반복단위, 연결기를 통하여 수지의 주쇄에 연결된 알칼리 가용성를 갖는 반복단위 및 알칼리 가용성기를 갖는 중합 개시제 또는 연쇄이동제로 중합에 의해 도입된 폴리머의 말단에 알칼리 가용성기를 갖는 반복단위 및 이들 반복단위 중 어느 하나를 바람직하게 사용할 수 있다. 상기 연결기는 단환 또는 다환의 탄화수소 구조를 가져도 좋다. 특히 바람직한 반복단위는 아크릴산 또는 메타크릴산에 의한 반복단위이다.알칼리 가용성기를 갖는 반복단위의 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명은 이들로 제한되지 않는다. 상기 구체예에 있어서, Rx는 H, CH3, CH2OH 또는 CF3을 나타낸다.본 발명의 수지(A)는 극성기를 갖지 않는 환상 탄화수소 구조를 갖고 산분해성을 나타내지 않는 반복단위를 가져도 좋고, 이로써 현상성을 조정할 수 있다. 이러한 반복단위로서 일반식(4)로 나타내어지는 반복단위가 열거된다.일반식(4)에 있어서, R5는 적어도 하나의 환 구조를 갖고 극성기(예컨대, 히드록실기, 시아노기)를 갖지 않는 탄화수소기를 나타낸다.Ra는 수소 원자, 치환기를 가져도 좋은 알킬기 또는 -CH2-O-Ra2기를 나타낸다. Ra2는 수소 원자, 알킬기 또는 아실기를 나타낸다. Ra는 수소 원자, 메틸기, 히드록시메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 바람직하게 나타내고, 특히 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기이다.R5의 환 구조는 단환의 탄화수소기 및 다환의 탄화수소기를 포함한다. 상기 단환의 탄화수소기로서 예컨대, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 및 시클로옥틸기 등의 3∼12개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기, 시클로헥세닐기 등의 3∼12개의 탄소 원자를 갖는 시클로알케닐기가 열거된다. 바람직한 단환의 탄화수소기는 3∼7개의 탄소 원자를 갖는 단환의 탄화수소기이다.상기 다환의 탄화수소기는 환집합 탄화수소기 및 가교 환상 탄화수소기를 포함한다.상기 환집합 탄화수소기의 예는 비시클로헥실기, 퍼히드로나프탈레닐기, 비페닐기 및 4-시클로헥실페닐기를 포함한다. 상기 가교 환상 탄화수소환으로서 이환상 탄화수소환, 삼환상 탄화수소환 및 사환상 탄화수소환이 열거된다. 또한, 축합 환상 탄화수소환(예컨대, 복수의 5∼8원환 시클로알칸환이 축합함으로써 형성된 축합환)도 상기 가교 환상 탄화수소환에 포함된다. 바람직한 가교 환상 탄화수소환으로서 노르보르닐기, 아다만틸기, 비시클로옥타닐기 및 트리시클로[5,2,1,02,6]데카닐기가 열거되고, 노르보르닐기 및 아다만틸기가 보다 바람직하다.이들 환상 탄화수소환기는 치환기를 가져도 좋다. 바람직한 치환기로서 할로겐 원자, 알킬기, 보호기로 보호된 히드록실기 및 보호기로 보호된 아미노기가 열거된다. 바람직한 할로겐 원자로서 브롬, 염소 및 불소 원자, 바람직한 알킬기로서 메틸, 에틸, 부틸 및 t-부틸기가 각각 열거된다. 상기 알킬기는 치환기를 더 가져도 좋고, 더 가져도 좋은 치환기로서 할로겐 원자, 알킬기, 보호기로 보호된 히드록실기 및 보호기로 보호된 아미노기가 열거된다.상기 보호기로서 예컨대, 알킬기, 시클로알킬기, 아랄킬기, 치환 메틸기, 치환 에틸기, 알콕시카르보닐기 및 아랄킬옥시카르보닐기가 열거된다. 바람직한 알킬기는 1∼4개의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 바람직한 치환 메틸기는 메톡시메틸기, 메톡시티오메틸기, 벤질옥시메틸기, t-부톡시메틸기 및 2-메톡시에톡시메틸기이고, 바람직한 치환 에틸기는 1-에톡시에틸기 및 1-메틸-1-메톡시에틸기이고, 바람직한 아실기는 1∼6개의 탄소 원자를 갖는 지방족 아실기 예컨대, 포르밀기, 아세틸기, 프로피오닐기, 부티릴기, 이소부티릴기, 발레릴기 및 피발로일기이고, 바람직한 알콕시카르보닐기는 1∼4개의 탄소 원자를 갖는 알콕시카르보닐기이다.R5는 아릴기 또는 아랄킬기이어도 좋다.상기 아릴기는 6∼12개의 탄소 원자를 갖는 아릴기가 바람직하고, 그것의 구체예는 페닐기, 나프틸기 및 비페닐기를 포함한다. 상기 아릴기는 알킬기, 시클로알킬기 등으로 더 치환되어도 좋다.상기 아랄킬기는 7∼15개의 탄소 원자를 갖는 아랄킬기가 바람직하고, 그것의 구체예는 벤질기, 나프틸메틸기 및 나프틸에틸기를 포함한다. 상기 아랄킬기는 알킬기, 시클로알킬기 등으로 더 치환되어도 좋다.극성기를 갖지 않는 환상 탄화수소 구조를 갖고 산분해성을 나타내지 않는 반복단위의 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명은 이들로 제한되지 않는다. 상기 일반식에 있어서, Ra는 H, CH3, CH2OH 또는 CF3을 나타낸다.상기 수지(A)는 극성기가 없는 환상 탄화수소 구조를 갖고 산분해성을 나타내지 않는 반복단위를 함유하거나 함유하지 않아도 좋지만, 상기 반복단위를 함유하는 경우에 있어서, 그것의 함량은 상기 수지(A)의 전체 반복단위에 대하여 1∼40몰%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 3∼20몰%이다.본 발명의 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 사용되는 수지(A)는 상술한 반복구조단위 이외에, 드라이 에칭 내성 및 기판 밀착성의 향상 및 막 형성성을 조절하기 위해서 각종 반복단위를 함유해도 좋다.이러한 반복구조단위로서 아크릴산 에스테르류, 메타크릴산 에스테르류, 아크릴아미드류, 메타크릴아미드류, 알릴 화합물, 비닐에테르류 및 비닐 에스테르류로부터 선택된 부가 중합성 불포화 결합을 하나 갖는 화합물을 들 수 있다.상기 이외에, 상기 각종 반복구조단위에 상응하는 모노머와 공중합할 수 있는 부가 중합성 불포화 화합물이 공중합되어도 좋다.본 발명의 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 사용되는 수지(A)에 있어서, 상기 각종 반복단위의 함량의 몰비는 감도 및 패턴형상뿐만 아니라 드라이 에칭 내성, 기판 밀착성, 막 형성성 및 다른 각종 특성을 조절하기 위해서 임의로 설정된다.본 발명의 수지(A)가 수지 A-1인 경우, 일반식(1)로 나타내어지는 반복단위의 함량은 전체 반복단위에 대하여 1∼40몰%의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5∼30몰%의 범위, 더욱 바람직하게는 5∼20몰%의 범위, 가장 바람직하게는 5∼10몰%의 범위이다.본 발명의 수지(A)가 수지 A-2인 경우, 일반식(1)로 나타내어지는 반복단위의 함량은 특별히 제한되지 않지만, 함량은 전체 반복단위에 대하여 3∼95몰%의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5∼85몰%의 범위, 특히 바람직하게는 20∼85몰%이 범위이다.본 발명의 수지(A)가 수지 A-1인 경우, 수지에서 일반식(AI)로 나타내어지는 반복단위의 함량은 전체 반복단위에 대하여 20∼70몰%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 30∼50몰%이다.본 발명의 수지(A)가 수지 A-2인 경우, 수지에서 반복단위(B)의 함량은 전체 반복단위에 대하여 5∼97몰%의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 15∼90몰%의 범위, 특히 바람직하게는 15∼80몰%의 범위이다.수지 A-1의 바람직한 구체예로서 예컨대, 일반식(1)로 나타내어지는 반복단위/일반식(AI)로 나타내어지는 반복단위를 갖는 수지, 일반식(1)로 나타내어지는 반복단위/일반식(AI)로 나타내어지는 반복단위/일반식(AⅡa)∼(AⅡd)로부터 선택된 하나 이상의 반복단위를 갖는 수지, 일반식(1)로 나타내어지는 반복단위/일반식(AI)로 나타내어지는 반복단위/일반식(Y2)∼(Y4)로부터 선택된 하나 이상의 반복단위/일반식(AⅡa)∼(AⅡd)로부터 선택된 하나 이상의 반복단위를 갖는 수지 및 일반식(1)로 나타내어지는 반복단위/일반식(AI)로 나타내어지는 반복단위/일반식(AⅡa)∼(AⅡd)로부터 선택된 하나 이상의 반복단위/일반식(AⅡ)로 나타내어지는 반복단위를 갖는 수지가 열거되지만, 본 발명은 이들로 제한되지 않는다.수지 A-2의 바람직한 구체예로서 예컨대, 일반식(1)로 나타내어지는 반복단위/일반식(I)로 나타내어지는 반복단위를 갖는 수지 및 일반식(1)로 나타내어지는 반복단위/일반식(I)로 나타내어지는 반복단위/일반식(Y2)∼(Y4)로부터 선택된 하나 이상의 반복단위를 갖는 수지가 열거되지만, 본 발명은 이들로 제한되지 않는다.상기 수지(A)의 형태는 랜덤, 블록, 빗형 및 별형 중 어느 형이어도 좋다.상기 수지(A)는 예컨대, 각각의 구조에 상응하는 불포화 모노머의 라디칼 중합, 양이온 중합 또는 음이온 중합에 의해 합성할 수 있다. 또한, 각각의 구조의 전구체에 상응하는 불포화 모노머로 중합한 후에 고분자 반응을 행함으로써 목적의 수지를 얻을 수 있다.본 발명에서 수지(A)의 분자량은 특별히 제한되지 않지만, 중량평균 분자량은 1,000∼100,000의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1,500∼70,000의 범위, 특히 바람직하게는 2,000∼50,000의 범위, 가장 바람직하게는 2,000∼30,000의 범위이다. 여기서, 상기 수지의 중량평균 분자량은 GPC(캐리어: THF 또는 N-메틸-2-피롤리돈(NMP))에 의해 측정된 폴리스티렌 환산 분자량을 나타낸다.분산도(Mw/Mn)는 1.00∼5.00이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.03∼3.50, 더욱 바람직하게는 1.05∼2.50이다.본 발명에 사용되는 수지(A)는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 결합하여 사용해도 좋다.상기 수지(A)의 함량은 본 발명에서 감방사선성 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 30∼99.9질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 50∼99.9질량%, 더욱 바람직하게는 70∼99.9질량%이다.[2] (B) 활성광선 또는 방사선의 조사시에 산을 발생할 수 있는 화합물본 발명의 조성물은 활성광선 또는 방사선의 조사시에 산을 발생할 수 있하는 화합물(이하에, "산발생제"라고도 함)을 함유한다.공지된 산발생제는 특별히 제한되지 않지만, 활성광선 또는 방사선의 조사시에 유기산 예컨대, 술폰산, 비스(알킬술포닐)이미드 및 트리스(알킬술포닐)메티드 중 적어도 어느 하나를 발생할 수 있는 화합물이 바람직하다.보다 바람직하게는 하기 일반식(ZI), (ZⅡ) 및 (ZⅢ) 중 어느 하나로 나타내어지는 화합물을 들 수 있다.일반식(ZI)에 있어서, R201, R202 및 R203은 각각 독립적으로 유기기를 나타낸다.R201, R202 및 R203으로 나타내어지는 유기기의 탄소 원자수는 일반적으로 1∼30개이고, 바람직하게는 1∼20개이다.R201, R202 및 R203 중 2개가 서로 결합하여 환 구조를 형성해도 좋고, 산소 원자, 황 원자, 에스테르 결합, 아미도 결합 또는 카르보닐기를 상기 환내에 함유해도 좋다. R201, R202 및 R203 중 2개가 결합함으로써 형성된 기는 알킬렌기(예컨대, 부틸렌기, 펜틸렌기)를 들 수 있다.Z-는 비친핵성 음이온(친핵 반응을 일으키는 매우 낮은 능력을 갖는 음이온)을 나타낸다.상기 비친핵성 음이온의 예는 예컨대, 술포네이트 음이온(지방족 술포네이트 음이온, 방향족 술포네이트 음이온, 캄포 술포네이트 음이온), 카르복실레이트 음이온(지방족 카르복실레이트 음이온, 방향족 카르복실레이트 음이온, 아랄킬카르복실레이트 음이온), 술포닐이미드 음이온, 비스(알킬술포닐)이미드 음이온 및 트리스(알킬술포닐)메티트 음이온을 포함한다.상기 지방족 술포네이트 음이온 및 지방족 카르복실레이트 음이온의 지방족 부분은 알킬기 또는 시클로알킬기이어도 좋고, 바람직하게는 1∼30개의 탄소 원자를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알킬기 및 3∼30개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기가 열거된다.상기 방향족 술포네이트 음이온 및 방향족 카르복실레이트 음이온의 방향환기는 6∼14개의 탄소 원자를 갖는 아릴기 예컨대, 페닐기, 톨릴기 및 나프틸기가 바람직하게 열거된다.상술한 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기는 치환기를 가져도 좋다. 상기 치환기의 구체예로서 니트로기, 할로겐 원자 예컨대, 불소 원자, 카르복실기, 히드록실기, 아미노기, 시아노기, 알콕시기(바람직하게는 1∼15개의 탄소 원자를 가짐), 시클로알킬기(바람직하게는 3∼15개의 탄소 원자를 가짐), 아릴기(바람직하게는 6∼14개의 탄소 원자를 가짐), 알콕시카르보닐기(바람직하게는 2∼7개의 탄소 원자를 가짐), 아실기(바람직하게는 2∼12개의 탄소 원자를 가짐), 알콕시카르보닐옥시기(바람직하게는 2∼7개의 탄소 원자를 가짐), 알킬티오기(바람직하게는 1∼15개의 탄소 원자를 가짐), 알킬술포닐기(바람직하게는 1∼15개의 탄소 원자를 가짐), 알킬이미노술포닐기(바람직하게는 2∼15개의 탄소 원자를 가짐), 아릴옥시술포닐기(바람직하게는 6∼20개의 탄소 원자를 가짐), 알킬아릴옥시술포닐기(바람직하게는 7∼20개의 탄소 원자를 가짐), 시클로알킬아릴옥시술포닐기(바람직하게는 10∼20개의 탄소 원자를 가짐), 알칼옥시알킬옥시기(바람직하게는 5∼20개의 탄소 원자를 가짐), 시클로알킬알킬옥시알킬옥시기(바람직하게는 8∼20개의 탄소 원자를 가짐) 등이 열거된다. 각각의 기의 아릴기 및 환 구조에 대해서, 알킬기(바람직하게는 1∼15개의 탄소 원자를 가짐)가 치환기로서 더 들 수 있다.상기 아랄킬카르복실레이트 음이온의 아랄킬기로서 바람직하게는 6∼12개의 탄소 원자를 갖는 아랄킬기 예컨대, 벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기, 나프틸에틸기 및 나프틸부틸기가 열거된다.상기 술포닐이미드 음이온으로서 예컨대, 사카린 음이온을 들 수 있다.상기 비스(알킬술포닐)이미드 음이온 및 트리스(알킬술포닐)메티트 음이온의 알킬기는 1∼5개의 탄소 원자를 갖는 알킬기가 바람직하다. 이들 알킬기 상의 치환기로서 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환된 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 알킬옥시술포닐기, 아릴옥시술포닐기 및 시클로알킬아릴옥시술포닐기를 들 수 있고, 불소 원자 또는 불소 원자로 치환된 알킬기가 바람직하다.상기 비스(알킬술포닐)이미드 음이온의 알킬기는 서로 결합하여 환 구조를 형성해도 좋고, 이것에 의해 산강도는 증가한다.다른 비친핵성 음이온으로서 예컨대, 불소화 인(예컨대, PF6-), 불소화 붕소 (예컨대, BF4-) 및 불소화 안티몬(예컨대, SbF6-)을 들 수 있다.상기 비친핵성 음이온으로서 상기 술폰산의 적어도 α위치가 불소 원자로 치환된 지방족 술포네이트 음이온, 불소 원자 또는 불소 원자를 갖는 기로 치환된 방향족 술포네이트 음이온, 상기 알킬기가 불소 원자로 치환된 비스(알킬술포닐)이미드 음이온 및 상기 알킬기가 불소 원자로 치환된 트리스(알킬술포닐)메티트 음이온이 바람직하다. 보다 바람직한 비친핵성 음이온은 지방족 퍼플루오로술포네이트 음이온(더욱 바람직하게는 4∼8개의 탄소 원자를 가짐) 및 불소 원자를 갖는 벤젠술포네이트 음이온이고, 더욱 바람직한 비친핵성 음이온은 노나플루오로부탄술포네이트 음이온, 퍼플루오로옥탄술포네이트 음이온, 펜타플루오로벤젠술포네이트 음이온 및 3,5-비스(트리플루오로메틸)벤젠술포네이트 음이온이다.산 강도의 관점에서, 발생된 산의 pKa는 감도 향상의 관점에서 -1 이하가 바람직하다.비친핵성 음이온으로서 하기 일반식(AN1)로 나타내어지는 음이온도 바람직한 실시형태로서 열거된다.일반식(AN1)에 있어서, Xf는 각각 독립적으로 불소 원자 또는 적어도 하나의 불소 원자로 치환된 알킬기를 나타낸다.R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자, 알킬기 또는 적어도 하나의 불소 원자로 치환된 알킬기를 나타내고, 복수의 R1 및 R2이 존재하는 경우, 각각의 R1 및 R2는 다른 모든 R1 및 R2와 같거나 달라도 좋다.L은 단일 결합 또는 2가 연결기를 나타내고, 복수의 L이 존재하는 경우, 각각의 L은 다른 모든 L과 같거나 달라도 좋다.A는 환 구조를 갖는 기를 나타낸다.x는 1∼20의 정수를 나타내고, y는 0∼10의 정수를 나타내고, z는 0∼10의 정수를 나타낸다.일반식(AM1)을 더욱 상세하게 설명한다.Xf로 나타내어지는 불소 원자로 치환된 알킬기의 알킬기는 1∼10개의 탄소 원자를 갖는 알칼기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1∼4개의 탄소 원자이다. 또한, Xf로 나타내어지는 불소 원자로 치환된 알킬기는 퍼플루오로알킬가 바람직하다.Xf는 불소 원자 또는 1∼4개의 탄소 원자를 갖는 퍼플루오로알킬기를 바람직하게 나타낸다. 구체적으로는 불소 원자, CF3, C2F5, C3F7, C4F9, CH2CF3, CH2CH2CF3, CH2C2F5, CH2CH2C2F5, CH2C3F7, CH2CH2C3F7, CH2C4F9 및 CH2CH2C4F9가 열거되고, 그 중에서도, 불소 원자 및 CF3이 바람직하다.각각의 R1 및 R2로 나타내어지는 적어도 하나의 불소 원자로 치환된 알킬기의 알킬기는 1∼4개의 탄소 원자를 갖는 알킬기가 바람직하다.x는 1∼10이 바람직하고, 1∼5가 보다 바람직하다.y는 0∼4가 바람직하고, 0이 보다 바람직하다.z는 0∼5가 바람직하고, 0∼3이 보다 바람직하다.L로 나타내어지는 2가 연결기는 특별히 제한되지 않고, -COO-, -OCO-, -CO-, -O-, -S-, -SO-, -SO2-, 알킬렌기, 시클로알킬렌기 및 알케닐렌기가 열거된다. 이들 중에, -COO-, -OCO-, -CO- 및 -O-이 바람직하고, -COO- 및 -OCO-이 보다 바람직하다.A로 나타내어지는 환 구조를 갖는 기는 환 구조를 갖는 한 특별히 제한되지 않고, 지환기, 아릴기 및 복소환 구조를 갖는 기(방향족성을 갖는 것뿐만 아니라 방향족성을 갖지 않는 것도 포함)가 열거된다.상기 지환기는 단환 또는 다환이어도 좋고, 단환의 시클로알킬기 예컨대, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 및 시클로옥틸기 및 다환의 시클로알킬기 예컨대, 노르보르닐기, 트리시클로데카닐기, 테트라시클로데카닐기, 테트라시클로도데카닐기 및 아다만틸기가 바람직하게 열거된다. 이들 기 중에, 노르보르닐기, 트리시클로데카닐기, 테트라시클로데카닐기, 테트라시클로도데카닐기 및 아다만틸기 등의 벌키 구조 및 7개 이상의 탄소 원자를 갖는 지환기가 노광 후 가열 공정의 막에서의 확산성을 제어할 수 있고 MEEF 개선의 관점에서 바람직하다.상기 아릴기로서 벤젠환, 나프탈렌환, 페난트렌환 및 안트라센환이 열거된다.복소환 구조를 갖는 기로서 푸란환, 티오펜환, 벤조푸란환, 벤조티오펜환, 디벤조푸란환 및 피리딘환이 열거되고, 그 중에서도, 푸란환, 티오펜환 및 피리딘환이 바람직하다.환 구조를 갖는 기는 치환기를 가져도 좋다. 상기 치환기로서 알킬기(직쇄상, 분기상 및 환상 중 어느 하나이어도 좋고 바람직하게는 1∼12개의 탄소 원자를 가짐), 아릴기(바람직하게는 6∼14개의 탄소 원자를 가짐), 히드록실기, 알콕시기, 에스테르기, 아미도기, 우레탄기, 우레이도기, 티오에테르기, 술폰아미드기 및 술폰산 에스테르기가 열거된다.각각의 R201, R202 및 R203으로 나타내어지는 유기기로서 아릴기, 알킬기, 시클로알킬기가 열거된다.바람직하게는 R201, R202 및 R203 중 적어도 하나는 아릴기를 나타내고, 보다 바람직하게는 R201, R202 및 R203 모두가 아릴기를 나타낸다. 페닐기 및 나프틸기 이외에, 인돌 잔기 및 피롤 잔기 등의 헤테로 아릴기도 상기 아릴기에 포함된다. R201∼R203의 알킬기 및 시클로알킬기는 1∼10개의 탄소 원자를 갖는 직쇄상 또는 분기상 알킬기 및 3∼10개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기가 바람직하다. 상기 알킬기의 보다 바람직한 예는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기 및 n-부틸기를 포함하고, 상기 시클로알킬기의 보다 바람직한 예는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 및 시클로헵틸기를 포함한다. 이들 기는 치환기를 더 가져도 좋다. 상기 치환기로서 니트로기, 할로겐 원자 예컨대, 불소 원자, 카르복실기, 히드록실기, 아미노기, 시아노기, 알콕시기(바람직하게는 1∼15개의 탄소 원자를 가짐), 시클로알킬기(바람직하게는 3∼15개의 탄소 원자를 가짐), 아릴기(바람직하게는 6∼14개의 탄소 원자를 가짐), 알콕시카르보닐기(바람직하게는 2∼7개의 탄소 원자를 가짐), 아실기(바람직하게는 2∼12개의 탄소 원자를 가짐) 및 알콕시카르보닐옥시기(바람직하게는 2∼7개의 탄소 원자를 가짐)가 열거되지만, 본 발명은 이들로 제한되지 않는다.R201, R202 및 R203 중 2개가 서로 결합하여 환 구조를 형성하는 경우, 상기 구조는 하기 일반식(A1)로 나타내어지는 구조가 바람직하다.일반식(A1)에 있어서, R1a∼R13a는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.바람직하게는 R1a∼R13a 중 1∼3개는 수소 원자를 나타내지 않고, 보다 바람직하게는 R1a∼R13a 중 어느 하나는 수소 원자를 나타내지 않는다.Za는 단일 결합 또는 2가 연결기를 나타낸다.X-는 일반식(ZI)의 Z-과 동일하다.각각의 R1a∼R13a가 수소 원자를 나타내지 않는 경우, 구체예는 할로겐 원자, 직쇄상, 분기상 또는 환상 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 복소환기, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 복소환 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기(아닐리노기를 포함), 암모니오기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬술포닐아미노기, 아릴술포닐아미노기, 메르캅토기, 알킬티오기, 아릴티오기, 복소환 티오기, 술파모일기, 술포기, 알킬술피닐기, 아릴술피닐기, 알킬술포닐기, 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 아릴아조기, 복소환 아조기, 이미도기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 포스포노기, 실릴기, 히드라진기, 우레이도기, 보론산기(-B(OH)2), 포스파토기(-OPO(OH)2), 술파토기(-OSO3H) 및 다른 공지의 치환기를 포함한다.각각의 R1a∼R13a가 수소 원자를 나타내지 않는 경우, 수소 원자가 히드록실기로 치환된 직쇄상, 분기상 또는 환상 알킬기가 바람직하게 열거된다.Za로 나타내어지는 2가 연결기로서 알킬렌기, 아릴렌기, 카르보닐기, 술포닐기, 카르보닐옥시기, 카르보닐아미노기, 술포닐아미도기, 에테르 결합, 티오테에르 결합, 아미노기, 디술피드기, -(CH2)n-CO-, -(CH2)n-SO2-, -CH=CH-, 아미노카르보닐아미노기 및 아미노술포닐아미노기가 열거된다(n은 1∼3의 정수).R201, R202 및 R203 중 적어도 하나가 아릴기가 아닌 경우에 있어서 바람직한 구조는 JP-A-2004-233661호의 단락[0047] 및 [0048], JP-A-2003-35948호의 단락[0040]∼[0046], 미국특허출원 공개 제2003/0224288 A1호의 화합물(I-1)∼(I-70) 및 미국특허출원 공개 제2003/0077540 A1호의 화합물(IA-1)∼(IA-54), (IB-1)∼(IB-24)에 기재된 화합물 등의 양이온 구조로 행해도 좋다.일반식(ZⅡ) 및 (ZⅢ)에 있어서, R204∼R207은 각각 독립적으로 아릴기, 알킬기 또는 시클로 알킬기를 나타낸다.각각의 R204∼R207로 나타내어지는 아릴기, 알킬기 및 시클로알킬기는 상기 일반식(ZI)에서 각각의 R201∼R203로 나타내어지는 아릴기, 알킬기 및 시클로알킬기와 동일하다.각각의 R204∼R207로 나타내어지는 아릴기, 알킬기 및 시클로알킬기는 치환기를 가져도 좋다. 상기 치환기의 예로서, 일반식(ZI)에서 각각의 R201∼R203으로 나타내어지는 아릴기, 알킬기 및 시클로알킬기가 가져도 좋은 것과 동일한 치환기가 열거된다.Z-는 비친핵성 음이온을 나타내고, 일반식(ZI)의 Z-로 나타내어지는 바와 같이 동일한 비친핵성 음이온을 들 수 있다.산발생제로서 하기 일반식(ZⅣ), (ZV) 또는 (ZⅥ)로 나타내어지는 화합물도 열거된다.일반식(ZⅣ)∼(ZⅥ)에 있어서, Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로 아릴기를 나타낸다.R208, R209 및 R210은 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.A는 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 아릴렌기를 나타낸다.Ar3, Ar4, R208, R209 및 R210의 아릴기의 구체예는 일반식(ZI)의 R201, R202 및 R203의 아릴기의 구체예와 동일하다.R208, R209 및 R210의 알킬기 및 시클로알킬기의 구체예는 일반식(ZI)의 각각의 R201, R202 및 R203의 알킬기 및 시클로알킬기의 구체예와 동일하다.A의 알킬렌기는 1∼12개의 탄소 원자를 갖는 알킬렌기(예컨대, 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 이소프로필렌, 부틸렌, 이소부틸렌)를 포함하고, A의 알킬렌기는 2∼12개의 탄소 원자를 갖는 알킬렌기(예컨대, 에테닐렌, 프로페닐렌, 부테닐렌)를 포함하고, A의 아릴렌기는 6∼10개의 탄소 원자를 갖는 아릴렌기(예컨대, 페닐렌, 톨릴렌, 나프틸렌)을 포함한다.상기 산발생제 중에, 특히 바람직한 예를 이하에 나타낸다.산발생제 중 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.상기 조성물에서 산발생제의 함량은 상기 조성물의 전체 고형분에 대하여 0.1∼30질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5∼20질량%, 더욱 바람직하게는 1∼15질량%이다.[3] (C) 레지스트 용제(코팅 용제)상기 조성물의 제조에 사용할 수 있는 용제는 상기 성분을 용해시킬 수 있는 것인 한 특별히 제한되지 않지만, 예컨대, 알킬렌글리콜모노알킬에테르 카르복실레이트(프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트(PGMEA, 별칭: 1-메톡시-2-아세톡시프로판) 등), 알킬렌글리콜모노알킬에테르(프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME, 1-메톡시-2-프로판올) 등), 알킬 락테이트(에틸 락테이트, 메틸 락테이트 등), 환상 락톤(γ-부티로락톤 등, 바람직하게는 4∼10개의 탄소 원자를 가짐), 쇄상 또는 환상 케톤(2-헵타논, 시클로헥사논 등, 바람직하게는 4∼10개의 탄소 원자를 가짐), 알킬렌 카보네이트(에틸렌 카보네이트, 프로필렌 카보네이트 등), 알킬 카르복실레이트(부틸 아세테이트 등의 알킬 아세테이트가 바람직함) 및 알킬알콕시 아세테이트(에틸에톡시 프로피오네이트)가 열거된다. 사용할 수 있는 다른 용제로서 미국특허출원 공개 제2008/0248425 A1호의 단락 [0244] 이하에 기재된 용제가 열거된다.상기 용제 중에, 알킬렌글리콜모노알킬에테르 카르복실레이트 및 알킬렌글리콜모노알킬에테르가 바람직하다.이들 용매 중 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. 2종 이상이 혼합되는 경우, 히드록실기를 갖는 용제와 히드록실기를 갖지 않는 용제를 혼합하는 것이 바람직하다. 히드록실기를 갖는 용제와 히드록실기를 갖지 않는 용제의 질량비는 1/99∼99/1이고, 바람직하게는 10/90∼90/10, 보다 바람직하게는 20/80∼60/40이다.히드록실기를 갖는 용제로서 알킬렌글리콜모노알킬에테르가 바람직하고, 히드록실기를 갖지 않는 용제로서 알킬렌글리콜모노알킬에테르 카르복실레이트가 바람직하다.[4] 염기성 화합물본 발명의 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물은 염기성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.상기 염기성 화합물은 질소 함유 유기 염기성 화합물이 바람직하다.사용할 수 있는 화합물은 특별히 제한되지 않지만, 예컨대 이하의 (1)∼ (4)로 분류되는 화합물이 바람직하게 사용된다.(1) 하기 일반식(BS-1)로 나타내어지는 화합물일반식(BS-1)에 있어서, Rbs1은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기(직쇄상 또는 분기상), 시클로알킬기(단환 또는 다환), 아릴기 및 아랄킬기 중 어느 하나를 나타낸다. 그러나, 3개의 Rbs1 모두는 수소 원자를 나타내지 않는다.Rbs1로 나타내어지는 알킬기의 탄소 원자수는 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로 1∼20개, 바람직하게는 1∼12개이다.Rbs1로 나타내어지는 시클로알킬기의 탄소 원자수는 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로 3∼20개, 바람직하게는 5∼15개이다.Rbs1로 나타내어지는 아릴기의 탄소 원자수는 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로 6∼20개, 바람직하게는 6∼10개이다. 구체적으로는 페닐기 및 나프틸기가 열거된다.Rbs1로 나타내어지는 아랄킬기의 탄소 원자수는 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로 7∼20개, 바람직하게는 7∼11개이다. 구체적으로는 벤질기가 열거된다.Rbs1로 나타내어지는 각각의 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기의 수소 원자는 치환기로 치환되어도 좋다. 상기 치환기로서 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 히드록실기, 카르복실기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알킬카르보닐옥시기 및 알킬카르보닐기가 열거된다.일반식(BS-1)로 나타내어지는 화합물에 있어서, 3개의 Rbs1 중 하나만 수소 원자를 나타내고, Rbs1의 모두는 수소 원자를 나타내지 않는 경우가 보다 바람직하다.일반식(BS-1)로 나타내어지느 화합물의 구체예로서 트리-n-부틸아민, 트리-n-펜틸아민, 트리-n-옥틸아민, 트리-n-데실아민, 트리이소데실아민, 디시클로헥실메틸아민, 테트라데실아민, 펜타데실아민, 헥실데실아민, 옥타데실아민, 디데실아민, 메틸옥타데실아민, 디메틸운데실아민, N,N-디메틸도데실아민, 메틸디옥타데실아민, N,N-디부틸아닐린 및 N,N-디헥실아닐린이 열거된다.또한, 일반식(BS-1)에 있어서, 적어도 하나의 Rbs1이 히드록실기로 치환된 알킬기인 화합물이 바람직한 실시형태로서 열거된다. 구체적인 화합물로서 트리에탄올아민 및 N,N-디히드록시에틸아닐린이 열거된다.또한, Rbs1로 나타내어지는 알킬기는 상기 알킬 쇄에 산소 원자를 가져 옥시알킬렌 쇄를 형성해도 좋다. 상기 옥시알킬렌 쇄로서 -CH2CH2O-이 바람직하다. 구체예로서 트리스(메톡시에톡시에틸)아민 및 미국특허 제6,040,112호의 컬럼 3, 60줄 이하에 기재된 화합물이 열거된다.(2) 질소 함유 복소환 구조를 갖는 화합물복소환 구조로서 상기 화합물은 방향족성을 갖지 않아도 좋다. 또한, 복수의 질소 원자를 함유해도 좋고, 질소 원자 이외에 헤테로 원자를 함유해도 좋다. 구체적으로는 이미다졸 구조를 갖는 화합물(2-페닐벤즈이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸), 피페리딘 구조를 갖는 화합물(N-히드록시에틸피페리딘, 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜)세바케이트), 피리딘 구조를 갖는 화합물(4-디메틸아미노피리딘), 안티피린 구조를 갖는 화합물(안티피린, 히드록시안티피린)이 열거된다.2개 이상의 환 구조를 갖는 화합물도 바람직하게 사용된다. 구체적으로는 1,5-디아자비시클로[4.3.0]논-5-엔, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-운테카-7-엔이 열거된다.(3) 페녹시기를 갖는 아민 화합물페녹시기를 갖는 아민 화합물은 아민 화합물의 알킬기의 질소 원자와 반대측 상의 말단에 페녹시기를 갖는 화합물이다. 상기 페녹시기는 치환기 예컨대, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 카르복실기, 카르복실레이트 에스테르기, 술폰산 에스테르기, 아릴기, 아랄킬기, 아실옥시기 또는 아릴옥시기를 가져도 좋다.보다 바람직하게, 상기 화합물은 페녹시기와 질소 원자 사이에 적어도 하나의 알킬렌옥시 쇄를 갖는 화합물이다. 하나의 분자내에 알킬렌옥시 쇄의 수는 3∼9개가 바람직하고, 보다 바람직하게는 4∼6개이다. 알킬렌옥시 쇄 중에, -CH2CH2O-이 바람직하다.상기 구체예로서 2-2-[2-(2,2-디메톡시페녹시에톡시)에틸]-비스-(2-메톡시에틸)-아민 및 미국특허출원 공개 제2007/0224539 A1호의 단락[0066]에 기재된 화합물(C1-1)∼(C3-3)이 열거된다.(4) 암모늄염암모늄염도 임의로 사용된다. 바람직한 화합물은 히드록시드 또는 카르복실레이트이다. 보다 구체적으로는 테트라부틸암모늄 히드록시드로 나타내어지는 테트라알킬암모늄 히드록시드 바람직하다. 상기 이외에, 상기 (1)∼(3)의 아민으로부터 유래된 암모늄염을 사용할 수 있다.다른 염기성 화합물로서 JP-A-2002-363146에서 합성된 화합물 및 JP-A-2007-298569호의 단락[0108]에 기재된 화합물도 사용할 수 있다.염기성 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 결합하여 사용된다.염기성 화합물의 사용량은 상기 조성물의 고형분에 대하여 일반적으로 0.001∼10질량%, 바람직하게는 0.01∼5질량%이다.산발생제/염기성 화합물의 몰비는 2.5∼300가 바람직하다. 즉, 감도 및 해상도의 관점에서 2.5 이상의 몰비가 바람직하고, 노광 후 가열 처리까지의 경시에서 패턴이 두꺼워짐으로써 해상도의 감소를 억제하는 관점에서 300 이하가 바람직하다. 상기 몰비는 5.0∼200가 보다 바람직하고, 더욱 바람직하게는 7.0∼150이다.[5] 계면활성제본 발명의 조성물은 계면활성제를 더 함유해도 좋고 함유하지 않아도 좋다. 계면활성제를 함유하는 경우에 있어서, 계면활성제는 불소/규소 계면활성제가 바람직하다.이러한 계면활성제로서 MEGAFAC F176, MEGAFAC R08(Dainippon Ink and Chemicals Inc. 제작), PF656, PF6320(OMNOVA Solution Inc. 제작), Troy Sol S-366(Troy Chemical Co., Ltd. 제작), Fluorad FC430(Sumitomo 3M Limited 제작) 및 폴리실록산 폴리머 KP-341(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 제작)이 열거된다.또한, 불소 및/또는 규소 계면활성제 이외의 계면활성제를 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는 폴리옥시에틸렌알킬에테르류 및 폴리옥시테닐렌알킬아릴에테르류가 열거된다.상기 이외에 공지의 계면활성제가 임의로 사용될 수 있다. 사용할 수 있는 계면활성제로서 예컨대, 미국특허출원 공개 제2008/0248425 A1호의 단락[0273] 이하에 기재된 계면활성제가 열거된다.계면활성제 중 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.계면활성제의 사용량은 상기 조성물의 전체 고형분에 대하여 0.0001∼2질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.001∼1질량%이다.[6] 기타 첨가제본 발명의 조성물은 상술한 성분 이외에, 카르복실산, 카르복실산 오늄염, Proceeding of SPIE, 2724, 355(1996) 등에 기재된 3,000 이하의 분자량을 갖는 용해저지화합물, 염료, 가소제, 광증감제, 광흡수제 및 산화방지제를 임의로 함유할 수 있다. 특히, 카르복실산은 성능의 향상을 위해서 바람직하게 사용할 수 있다. 상기 카르복실산으로서 벤조산 및 나프토산 등의 방향족 카르복실산이 바람직하다.카르복실산의 함량은 상기 조성물의 전체 고형분 함량 농도에 대하여 0.01∼10질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01∼5질량%, 더욱 바람직하게는 0.01∼3질량%이다.[용도]본 발명의 패턴형성방법은 초LSI 및 고용량 마이크로칩의 제조 등의 반도체 미세회로의 형성에 바람직하게 사용된다. 반도체 미세회로의 형성시에, 패턴으로 형성된 레지스트막은 회로 형성 및 에칭을 행한 후에 잔존하는 레지스트막 부분을 최종적으로 용제로 제거시키고, 본 발명의 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물로부터 얻어진 레지스트막은 프린트 기판 등에 사용되는 소위, 영구 레지스트와 다른 마이크로칩 등의 최종 제품 상에 잔존하지 않는다.(실시예)본 발명은 실시예를 참조하여 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 제한되지 않는다.합성예 1수지(A1-1)의 합성질소기류하에서, 시클로헥사논 20g을 3구 플라스크에 넣고 80℃로 가열했다(용제1). 이하에 나타낸 M-1, M-2, M-3 및 M-4를 40/10/40/10의 몰비로 시클로헥사논에 용해시키고 22질량%의 모노머 용액(200g)을 제조했다. 또한, 모노머에 대해 6몰%의 개시제 V-601(Wako Pure Chemical Industries 제작)을 첨가하고 용해시켜 얻어진 용액을 용제1에 6시간에 걸쳐서 적하했다. 적하의 종료 후에, 상기 반응은 80℃에서 2시간 동안 더 반응시켰다. 상기 반응 용액을 냉각시킨 후에, 헥산 1,400ml 및 에틸 아세테이트 600ml을 포함하는 혼합 용액에 부었다. 상기 침전된 분말을 여과에 의해 수집하고 건조하여 수지(A1-1) 37g을 얻었다. GPC로부터, 수지(A1-1)의 중량평균 분자량(Mw: 폴리스티렌 환산)은 10,000이고, 분산도(Mw/Mn)는 1.6이었다.수지(A1-2)∼(A1-8)은 상기와 동일한 방법으로 합성했다.합성예 2수지(A2-1)의 합성질소 기류하에서, 1-메톡시-2-프로판올 4.66질량부를 80℃로 가열했다. 4-히드록시스티렌 7.0질량부, 모노머(M-5) 3.0질량부, 1-메톡시-2-프로판올 18.6질량부 및 디메틸-2,2'-아조비스이소부티레이트(V-601, Wako Pure Chemical Industries 제작) 1.36질량부를 포함하는 혼합 용액을 교반하면서 2시간에 걸쳐서 상기 용액에 적하했다. 적하의 종료 후에, 상기 반응 용액은 80℃에서 4시간 동안 더 교반했다. 상기 반응 용액을 냉각시킨 후에, 상기 반응 생성물을 헥산/에틸 아세테이트의 다량에서 재침전시키고 진공건조하여 본 발명의 수지(A2-1) 5.9질량부를 얻었다.GPC로부터, 중량평균 분자량(Mw: 폴리스티렌 환산)은 Mw=15,100, 분산도(Mw/Mn)는 1.40이었다.수지(A2-2)∼(A2-6)은 상기와 동일한 방법으로 합성했다.2.1 EB 노광실시예 1∼18(1) 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물의 코팅액의 제조 및 그것의 도포감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물의 용액은 표 1에 나타낸 조성을 갖는 코팅액 조성물을 0.1㎛의 포어 사이즈를 갖는 멤브레인 필터를 통하여 정밀여과하여 얻었다. 표 1에 있어서, 2개 이상의 성분을 사용하는 경우에서의 비율은 질량비이다.상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물의 용액을 미리 HMDS 처리를 행한 6인치 Si 웨이퍼 상에 스핀코터 Mark 8(Tokyo Electron Limited 제작)로 도포하고, 100℃에서 60초 동안 핫플레이트 상에서 건조하여 0.08㎛의 막두께를 갖는 레지스트막을 얻었다.(2) EB 노광 평가상기 (1)에서 얻어진 레지스트막 상에 전자빔 화상 장치(HL750, 가속전압: 50KeV, Hitachi, Ltd. 제작)로 패턴 조사를 행했다. 상기 조사에 있어서, 전자빔에 의한 화상 부분과 비화상 부분이 10㎛의 폭으로 번갈아 교체되는 방법으로 드로잉을 행했다. 조사 후에, 상기 막을 105℃에서 60초 동안 핫플레이트 상에서 가열했다.이어서, 상기 레지스트막에 유기용제로 30초 동안 분무 현상을 행한 후에, 2,000rpm으로 20초 동안 고속회전하여 건조했다.용제가 상기 표의 린싱액의 항목에 지정되어 있는 경우, 유기용제로 30초 동안 분부 현상을 행한 후에, 1,500rpm으로 웨이퍼를 회전시키면서 상기 지정된 유기용제로 30초 동안 린싱를 더 행하고, 그 후에, 2,000rpm으로 20초 동안 고속회전하여 상기 웨이퍼를 건조시켰다.비교예 1표 1에 나타낸 조성 및 린싱액으로 변경하고 알칼리 수용액(TMAH, 테트라메틸암모늄 히드록시드 수용액(2.38질량%))으로 현상을 행하는 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물의 용액을 제조하여 패턴 형성을 행했다.비교예 2표 1에 나타낸 성분(A)의 수지로서 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)를 사용하는 조성 및 린싱액을 변경하는 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 패턴 형성을 행했다.상기 얻어진 패턴의 감도, 해상도 및 패턴 형성은 이하의 방법에 의해 평가했다. 평가의 결과를 하기 표에 나타냈다.(2-1) 감도(E0)상기 얻어진 패턴을 주사형 전자현미경(S-9220, Hitachi Limited 제작)으로 관찰했다. 0.10㎛ 라인 패턴(라인 앤드 스페이스: 1/1)을 해상하기 위한 전자빔의 조사량을 감도(E0)라고 했다.(2-2) 해상도상기의 감도를 나타내는 조사량에서 한계 해상도(라인 앤드 스페이스를 분리 해상할 수 있는 최소 선폭)를 해상도라고 했다.(2-3) 패턴형상상기의 감도를 나타내는 조사량에서 0.10㎛의 선폭(라인 앤드 스페이스: 1/1)을 갖는 라인 패턴의 단면 형상을 주사형 전자현미경(S-4800, Hitachi, Ltd. 제작)으로 관찰했다.상기 표에서의 약호는 상기 구체예의 것 또는 이하의 화합물을 나타낸다.003c#수지(A)003e#PMMA: 폴리메틸메타크릴레이트, Mw=300,000, Mw/Mn=1.8003c#유기 염기성 화합물003e#D-1: 테트라-(n-부틸)암모늄 히드록시드D-2: 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센D-3: 2,4,5-트리페닐이미다졸D-4: 트리도데실아민003c#계면활성제003e#W-1: Megafac F176(불소 계면활성제, Dainippon Ink and Chemicals Inc. 제작)W-2: Megafac R08(불소/규소 계면활성제, Dainippon Ink and Chemicals Inc. 제작)W-3: 폴리실록산 폴리머 KP-341(규소 계면활성제, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 제작W-4: PF6320(불소 계면활성제, OMNOVA Solution Inc. 제작)003c#코팅 용제003e#S-1: 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트(PGMEA)S-2: 프로필렌글리콜모노메틸에테르S-3: 테트라히드로푸란S-4: 시클로헥사논003c#현상액, 린싱액003e#S-5: 부틸 아세테이트S-6: 펜틸 아세테이트S-7: 아니솔S-8: 1-헥산올S-9: 4-메틸-2-펜탄올S-10: 데칸S-11: 옥탄S-12: 에틸벤젠S-13: 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트(PGMEA)S-14: 에톡시벤젠TMAH: 테트라메틸암모늄 히드록시드 2.38질량% 수용액2.2 EUV 노광실시예 19∼36(3) 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물의 코팅액 제조 및 그것의 도포표 2에 나타낸 코팅액 조성물을 0.05㎛의 포어 사이즈를 갖는 멤브레인 필터를 통하여 정밀여과하여 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물의 용액을 얻었다.상기 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물의 용액을 미리 HMDS 처리를 행한 6인치 Si 위이퍼 상에 스핀코터 Mark 8(Tokyo Electron Limited 제작)로 도포하고, 120℃에서 90초 동안 핫플레이트 상에서 건조하여 0.08㎛의 두께를 갖는 레지스트막을 얻었다.상기 얻어진 레지스트막을 이하의 방법으로 평가했다. 상기 평가 결과를 하기 표 2에 나타냈다.약호는 상술한 것과 동일하다. 2종 이상의 성분을 사용하는 경우에서의 비율은 질량비이다.비교예 3표 2에 나타낸 바와 같이 조성 및 린싱액을 변경하고 알칼리 수용액(TMAH: 테트라메틸 암모늄 히드록시드 수용액(2.38질량%)으로 현상을 행하는 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물의 용액을 제조하여 레지스트막 형성을 행하고, 이하의 노광 평가를 행했다.비교예 4표 2에 나타낸 바와 같이 성분(A)의 수지로서 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)를 사용하는 조성 및 린싱액을 변경하는 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물의 용액을 제조하여 레지스트막 형성을 행하고, 이하의 노광 평가를 행했다.(4) EUV 노광 평가상기 레지스트막에 EUV선(파장: 13nm)으로 0∼10.0mJ/cm2의 범위에서 0.5mJ/cm2씩 노광량을 변경하면서 면 노광을 행했다.조사 후에, 110℃에서 90초 동안 핫플레이트 상에서 상기 막을 가열했다.이어서, 상기 레지스트막을 30초 동안 유기용제로 샤워 현상을 행한 후에, 2,000rpm으로 20초 동안 고속회전하여 건조시켰다.용제가 상기 표에서의 린싱액 항목에 지정되어 있는 경우, 30초 동안 유기용제로 분무 현상을 행한 후에, 1,500rpm으로 웨이퍼를 회전시키면서 상기 지정된 유기용제로 30초 동안 린싱을 더 행하고, 그 후에, 2,000rpm으로 20초 동안 고속회전하여 건조시켰다.감도(Eth) 및 잔막률은 상기 얻어진 감도-잔막률 곡선을 사용함으로써 이하의 방법에 따라서 평가했다.(4-1) 감도(Eth)50%의 잔막률이 제공되는 노광량을 감도(Eth)라고 했다.(4-2) 잔막률얻어진 감도(Eth)의 3배의 조사량에서의 [(현상 후 막 두께/현상 전 막 두께)×100]을 잔막률(%)이라고 했다.표 1 및 표 2에 나타낸 결과로부터, 본 발명의 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 조성물 및 유기용제를 포함하는 현상액을 사용하는 패턴형성방법에 따라서, 전자빔 또는 EUV선으로 형성된 패턴에서 우수한 감도, 해상도, 패턴형상 및 잔막률이 얻어지고 양호한 성능을 확보했다.2.3 이중 현상(EB 노광)실시예 37(5) 레지스트의 코팅액의 제조 및 그것의 도포표 3에 나타낸 코팅 조성물을 0.05㎛의 포어 사이즈를 갖는 멤브레인 필터를 통하여 정밀여과하여 레지스트 용액을 얻었다.상기 레지스트 용액을 HMDS 처리를 행한 6인치 Si 웨이퍼 상에 스핀코터 Mark 8(Tokyo Electron Limited 제작)로 도포하고, 120℃에서 90초 동안 핫플레이트 상에서 건조하여 0.08㎛의 두께를 갖는 레지스트막을 얻었다.(6) 유기용제 및 알칼리 수용액을 조합하여 사용하는 EB 노광 평가상기 (5)에서 얻어진 레지스트막 상에 전자빔 화상 장치(HL750, 가속전압: 50KeV, Hitachi, Ltd. 제작)로 패턴 조사를 행했다. 상기 조사에 있어서, 1㎛의 폭을 갖는 전자빔에 의한 화상 부분과 30㎛의 폭을 갖는 비화상 부분이 번갈아 교체되는 방법으로 드로잉을 행했다. 조사 후에, 105℃에서 60초 동안 핫플레이트 상에서 가열했다.이어서, 상기 레지스트막에 2.38질량% TMAH 수용액으로 30초 동안 패들 현상(포지티브 현상)을 행하고 1,500rpm으로 상기 웨이퍼를 회전시키면서 순수로 30초 동안 린싱을 행한 후에, 2,000rpm으로 20초 동안 고속회전하여 상기 웨이퍼를 건조시켰다.그 후에, 부틸 아세테이트로 30초 동안 분무 현상(네가티브 현상)을 행하고, 1,500rpm으로 웨이퍼를 회전시키면서 30초 동안 4-메틸-2-펜탄올로 린싱을 더 행한 후에, 2,000rpm으로 20초 동안 고속회전하여 상기 웨이퍼를 건조시켰다.이어서, 상기 얻어진 패턴의 해상도 및 패턴형상은 상술한 (2) EB 노광 평가에서의 "(2-1) 감도(E0), (2-2) 해상도 및 (2-3) 패턴형상"과 동일한 방법으로 평가했다. 평가 결과는 하기 표 3에 나타냈다. 2종 이상의 성분을 사용하는 경우에서의 비율은 질량비이다.2.4 이중 현상(EUV 노광)실시예 38(7) 유기용제 및 알칼리 수용액을 조합하여 사용하는 EUV 노광 평가상기 (5)에서 얻어진 레지스트막 상에 EUV선(파장: 13nm)으로 0∼10.0mJ/cm2의 범위에서 0.5mJ/cm2씩 노광량을 변경하면서 면 노광을 행했다.이어서, 상기 레지스트막에 2.38질량% TMAH 수용액으로 30초 동안 패들 현상(포지티브 현상)을 행하고 1,500rpm으로 상기 웨이퍼를 회전시키면서 순수로 30초 동안 린싱을 행한 후에, 2,000rpm으로 20초 동안 고속회전하여 상기 웨이퍼를 건조시켰다.그 후에, 부틸 아세테이트로 30초 동안 분무 현상(네가티브 현상)을 행하고, 1,500rpm으로 상기 웨이퍼를 회전시키면서 30초 동안 4-메틸-2-펜탄올로 린싱을 더 행한 후에, 2,000rpm으로 20초 동안 고속회전하여 상기 웨이퍼를 건조시켰다.결과로서, 중간 노광 강도 영역에서의 상기 막만이 남아있고, 통상의 패턴보다 미세한 패턴을 형성할 수 있는 것을 알았다.(산업상 이용가능성)본 발명에 따라서, 전자빔 또는 EUV선으로 초미세 가공 영역에서 고감도, 고해상도, 양호한 패턴형상 및 잔막률을 만족시킬 수 있는 패턴형성방법을 제공할 수 있다.본 명세서에서 주장된 외국 우선권의 이익으로부터 2009년 2월 20일자로 출원된 일본특허출원 제2009-038666호의 모든 설명은 참조에 의해 본 명세서에 포함된다.
(1) 산분해성 반복단위를 함유하고 산의 작용에 의해 유기용제에서 용해도를 감소시킬 수 있는 수지를 포함하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물로 막을 형성하는 공정; (2) 전자빔 또는 EUV선으로 상기 막을 노광하는 공정; 및 (4) 유기용제를 함유하는 현상액으로 상기 막을 현상하는 공정을 순서대로 포함하는 패턴형성방법을 제공한다.
[ 발명의 명칭 ] 측정 수행 방법 및 단말METHOD AND USER EQUIPMENT FOR PERFORMING MEASUREMENT [ 기술분야 ] 본 발명은 이동통신에 관한 것이다. [ 배경기술 ] UMTS(Universal Mobile Telecommunications System)의 향상인 3GPP(3rd Generation Partnership Project) LTE(long term evolution)는 3GPP 릴리이즈(release) 8로 소개되고 있다. 3GPP LTE는 하향링크에서 OFDMA(orthogonal frequency division multiple access)를 사용하고, 상향링크에서 SC-FDMA(Single Carrier-frequency division multiple access)를 사용한다. 최대 4개의 안테나를 갖는 MIMO(multiple input multiple output)를 채용한다. 최근에는 3GPP LTE의 진화인 3GPP LTE-A(LTE-Advanced)에 대한 논의가 진행 중이다.3GPP TS 36.211 V10.4.0 (2011-12) "Evolved Universal Terrestrial Radio Access (E-UTRA); Physical Channels and Modulation (Release 10)"에 개시된 바와 같이, LTE에서 물리채널은 하향링크 채널인 PDSCH(Physical Downlink Shared Channel)와 PDCCH(Physical Downlink Control Channel), 상향링크 채널인 PUSCH(Physical Uplink Shared Channel)와 PUCCH(Physical Uplink Control Channel)로 나눌 수 있다.한편, 차세대 이동 통신 시스템에서는 셀 커버리지 반경이 작은 소규모 셀(small cell)이 기존 셀의 커버리지 내에 추가될 것으로 예상되고, 소규모 셀은 보다 많은 트래픽을 처리할 것으로 예상된다.그러나, 매크로 셀의 커버리지 내에 소규모 셀이 과밀하게 배치되게 도면, UE가 상기 소규모 셀들을 빠른 시간 내에 검출하는데 어려움이 있을 수 있다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 따라서, 본 명세서의 개시는 전술한 문제점을 해결하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 명세서의 일 개시는 사용자 장치(UE)에서 측정을 수행하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 이웃 셀에 대한 측정 서브프레임 패턴과 탐색 신호에 대한 측정 타이밍 설정을 수신하는 단계와; 상기 측정 서브프레임 패턴과 상기 측정 타이밍 설정에 기초하여 측정을 수행할 하나 이상의 서브프레임을 선택하는 단계와; 상기 선택된 서브프레임 상에서 상기 이웃 셀의 탐색 신호를 이용하여 측정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.상기 측정이 수행되는 서브프레임은 상기 측정 서브프레임 패턴과 상기 측정 타이밍 설정 간에 적어도 하나 이상의 중복되는 서브프레임에 해당할 수 있다.상기 선택하는 단계는: 상기 측정 서브프레임 패턴에 기초하여 특정한 서브프레임을 선택하는 단계와; 상기 선택된 특정한 서브프레임 중에서 상기 측정 타이밍 설정에 기초하여 상기 하나 이상의 서브프레임을 선택하는 단계를 포함할 수 있다.상기 측정 타이밍 설정은 반송파 주파수 별로 설정될 수 있다.상기 방법은 상기 이웃 셀이 비활성 상태에 있는 경우, 상기 측정 수행을 위해서 CRS(Cell-specific Reference Signal) 대신 상기 탐색 신호를 이용하는 단계를 더 포함할 수 있다.상기 탐색 신호는 CRS(cell-specific reference signal), CSI-RS(channel-state information reference signal), PSS(primary synchronization signal) 및 SSS(secondary synchronization signal) 중 하나 이상에 기초한 신호일 수 있다.상기 측정이 RSSI(received signal strength indicator)를 측정하기 위한 경우라면, 상기 측정은 서브프레임의 전체 OFDM 심볼 상에서 수행될 수 있다.전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 명세서의 일 개시는 측정을 수행하는 사용자 장치(UE)를 제공할 수 있다. 상기 사용자 장치는 이웃 셀에 대한 측정 서브프레임 패턴과 탐색 신호에 대한 측정 타이밍 설정을 수신하는 송수신부와; 상기 측정 서브프레임 패턴과 상기 측정 타이밍 설정에 기초하여 측정을 수행할 하나 이상의 서브프레임을 선택하고, 상기 선택된 서브프레임 상에서 상기 이웃 셀의 탐색 신호를 이용하여 측정을 수행하는 프로세서를 포함할 수 있다. [ 발명의 효과 ] 본 명세서의 개시에 의하면, 전술한 종래 기술의 문제점이 해결되게 된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 무선 통신 시스템이다.도 2는 3GPP LTE에서 FDD에 따른 무선 프레임(radio frame)의 구조를 나타낸다.도 3은 3GPP LTE에서 TDD에 따른 하향링크 무선 프레임의 구조를 나타낸다. 도 4는 3GPP LTE에서 하나의 상향링크 또는 하향링크슬롯에 대한 자원 그리드(resource grid)를 나타낸 예시도이다.도 5는 하향링크 서브프레임의 구조를 나타낸다.도 6은 3GPP LTE에서 상향링크 서브프레임의 구조를 나타낸다. 도 7은 FDD 프레임 내에서 동기화 신호 전송을 위한 프레임 구조를 나타낸다. 도 8은 TDD 프레임에서 동기화 신호를 전송하는 프레임 구조의 예를 나타낸다.도 9는 기지국이 하나의 안테나 포트를 사용하는 경우, CRS가 RB에 맵핑되는 패턴의 일 예를 나타낸다.도 10은 측정 및 측정 보고 절차를 나타낸다.도 11은 참조 신호들 중 CSI-RS가 맵핑되는 RB의 일 예를 나타낸다. 도 12은 차세대 무선 통신 시스템으로 될 가능성이 있는 매크로 셀과 소규모 셀의 혼합된 이종 네트워크의 환경을 도시한 도면이다.도 13은 기지국 간 간섭을 해결하기 위한 eICIC(enhanced Inter-Cell Interference Coordination)를 나타낸 예시도이다.도 14는 소규모 셀이 과밀하게 배치된 상황을 나타낸 예시도이다.도 15는 본 명세서의 일 개시에 따라 소규모 셀이 탐색 신호를 전송하는 예를 나타낸다.도 16은 클러스터 내의 다수의 전송 포인트(TP)(혹은 소규모 셀)이 동일한 물리적 셀 식별자(PCID)를 사용하는 예를 나타낸다.도 17a은 CRS와 탐색 신호(DS) 중 어느 것을 이용하여 측정을 수행할지에 대한 첫 번째 해결 방안을 나타낸 예시도이다.도 17b은 CRS와 탐색 신호(DS) 중 어느 것을 이용하여 측정을 수행할지에 대한 첫 번째 해결 방안을 보다 상세하게 나타낸 예시도이다.도 18은 측정 서브프레임 패턴과 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)를 모두 수신하는 경우, UE가 측정을 수행할 서브프레임을 결정하는 과정을 나타낸다.도 19a 및 19b는 측정 서브프레임 패턴과 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC) 모두에 기초해 측정을 수행할 서브프레임을 결정하는 예를 나타낸다.도 20은 셀들 간에 탐색 신호의 전송 타이밍이 다른 예를 나타낸다.도 21은 본 명세서의 개시가 구현되는 무선통신 시스템을 나타낸 블록도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하에서는 3GPP(3rd Generation Partnership Project) 3GPP LTE(long term evolution) 또는 3GPP LTE-A(LTE-Advanced)를 기반으로 본 발명이 적용되는 것을 기술한다. 이는 예시에 불과하고, 본 발명은 다양한 무선 통신 시스템에 적용될 수 있다. 이하에서, LTE라 함은 LTE 및/또는 LTE-A를 포함한다. 본 명세서에서 사용되는 기술적 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아님을 유의해야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 기술적 용어는 본 명세서에서 특별히 다른 의미로 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 의미로 해석되어야 하며, 과도하게 포괄적인 의미로 해석되거나, 과도하게 축소된 의미로 해석되지 않아야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 기술적인 용어가 본 발명의 사상을 정확하게 표현하지 못하는 잘못된 기술적 용어일 때에는, 당업자가 올바르게 이해할 수 있는 기술적 용어로 대체되어 이해되어야 할 것이다. 또한, 본 발명에서 사용되는 일반적인 용어는 사전에 정의되어 있는 바에 따라, 또는 전후 문맥상에 따라 해석되어야 하며, 과도하게 축소된 의미로 해석되지 않아야 한다.또한, 본 명세서에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "구성된다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 여러 구성 요소들, 또는 여러 단계들을 반드시 모두 포함하는 것으로 해석되지 않아야 하며, 그 중 일부 구성 요소들 또는 일부 단계들은 포함되지 않을 수도 있고, 또는 추가적인 구성 요소 또는 단계들을 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다.또한, 본 명세서에서 사용되는 제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다. 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 발명의 사상을 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일뿐, 첨부된 도면에 의해 본 발명의 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니됨을 유의해야 한다. 본 발명의 사상은 첨부된 도면외에 모든 변경, 균등물 내지 대체물에 까지도 확장되는 것으로 해석되어야 한다.이하에서 사용되는 용어인 기지국은, 일반적으로 무선기기와 통신하는 고정된 지점(fixed station)을 말하며, eNodeB(evolved-NodeB), eNB(evolved-NodeB), BTS(Base Transceiver System), 액세스 포인트(Access Point) 등 다른 용어로 불릴 수 있다. 그리고 이하, 사용되는 용어인 UE(User Equipment)는, 고정되거나 이동성을 가질 수 있으며, 기기(Device), 무선기기(Wireless Device), 단말(Terminal), MS(mobile station), UT(user terminal), SS(subscriber station), MT(mobile terminal) 등 다른 용어로 불릴 수 있다.도 1은 무선 통신 시스템이다.도 1을 참조하여 알 수 있는 바와 같이, 무선 통신 시스템은 적어도 하나의 기지국(base station: BS)(20)을 포함한다. 각 기지국(20)은 특정한 지리적 영역(일반적으로 셀이라고 함)(20a, 20b, 20c)에 대해 통신 서비스를 제공한다. 셀은 다시 다수의 영역(섹터라고 함)으로 나누어질 수 있다..UE은 통상적으로 하나의 셀에 속하는데, UE이 속한 셀을 서빙 셀(serving cell)이라 한다. 서빙 셀에 대해 통신 서비스를 제공하는 기지국을 서빙 기지국(serving BS)이라 한다. 무선 통신 시스템은 셀룰러 시스템(cellular system)이므로, 서빙 셀에 인접하는 다른 셀이 존재한다. 서빙 셀에 인접하는 다른 셀을 인접 셀(neighbor cell)이라 한다. 인접 셀에 대해 통신 서비스를 제공하는 기지국을 인접 기지국(neighbor BS)이라 한다. 서빙 셀 및 인접 셀은 UE을 기준으로 상대적으로 결정된다. 이하에서, 하향링크는 기지국(20)에서 UE(10)로의 통신을 의미하며, 상향링크는 UE(10)에서 기지국(20)으로의 통신을 의미한다. 하향링크에서 송신기는 기지국(20)의 일부분이고, 수신기는 UE(10)의 일부분일 수 있다. 상향링크에서 송신기는 UE(10)의 일부분이고, 수신기는 기지국(20)의 일부분일 수 있다.한편, 무선 통신 시스템은 크게 FDD(frequency division duplex) 방식과 TDD(time division duplex) 방식으로 나눌 수 있다. FDD 방식에 의하면 상향링크 전송과 하향링크 전송이 서로 다른 주파수 대역을 차지하면서 이루어진다. TDD 방식에 의하면 상향링크 전송과 하향링크 전송이 같은 주파수 대역을 차지하면서 서로 다른 시간에 이루어진다. TDD 방식의 채널 응답은 실질적으로 상호적(reciprocal)이다. 이는 주어진 주파수 영역에서 하향링크 채널 응답과 상향링크 채널 응답이 거의 동일하다는 것이다. 따라서, TDD에 기반한 무선통신 시스템에서 하향링크 채널 응답은 상향링크 채널 응답으로부터 얻어질 수 있는 장점이 있다. TDD 방식은 전체 주파수 대역을 상향링크 전송과 하향링크 전송이 시분할되므로 기지국에 의한 하향링크 전송과 UE에 의한 상향링크 전송이 동시에 수행될 수 없다. 상향링크 전송과 하향링크 전송이 서브프레임 단위로 구분되는 TDD 시스템에서, 상향링크 전송과 하향링크 전송은 서로 다른 서브프레임에서 수행된다. 이하에서는, LTE 시스템에 대해서 보다 상세하게 알아보기로 한다. 도 2는 3GPP LTE에서 FDD에 따른 무선 프레임(radio frame)의 구조를 나타낸다.도 2에 도시된 무선 프레임은 3GPP TS 36.211 V10.4.0 (2011-12) "Evolved Universal Terrestrial Radio Access (E-UTRA); Physical Channels and Modulation (Release 10)"의 5절을 참조할 수 있다.도 2를 참조하면, 무선 프레임은 10개의 서브프레임(subframe)을 포함하고, 하나의 서브프레임은 2개의 슬롯(slot)을 포함한다. 무선 프레임 내 슬롯은 0부터 19까지 슬롯 번호가 매겨진다. 하나의 서브프레임이 전송되는 데 걸리는 시간을 전송시간구간(Transmission Time interval: TTI)라 한다. TTI는 데이터 전송을 위한 스케줄링 단위라 할 수 있다. 예를 들어, 하나의 무선 프레임의 길이는 10ms이고, 하나의 서브프레임의 길이는 1ms이고, 하나의 슬롯의 길이는 0.5ms 일 수 있다.무선 프레임의 구조는 예시에 불과하고, 무선 프레임에 포함되는 서브프레임의 수 또는 서브프레임에 포함되는 슬롯의 수 등은 다양하게 변경될 수 있다.한편, 하나의 슬롯은 복수의 OFDM(orthogonal frequency division multiplexing) 심볼을 포함할 수 있다. 하나의 슬롯에 몇개의 OFDM 심볼이 포함되는지는 순환전치(cyclic prefix: CP)에 따라 달라질 수 있다. 노멀(normal) CP에서 1 슬롯은 7 OFDM 심벌을 포함하고, 확장(extended) CP에서 1 슬롯은 6 OFDM 심벌을 포함한다. 여기서, OFDM 심벌은 3GPP LTE가 하향링크(downlink, DL)에서 OFDMA(orthogonal frequency division multiple access)를 사용하므로, 시간 영역에서 하나의 심벌 구간(symbol period)을 표현하기 위한 것에 불과할 뿐, 다중 접속 방식이나 명칭에 제한을 두는 것은 아니다. 예를 들어, OFDM 심벌은 SC-FDMA(single carrier-frequency division multiple access) 심벌, 심벌 구간 등 다른 명칭으로 불릴 수 있다.도 3은 3GPP LTE에서 TDD에 따른 하향링크 무선 프레임의 구조를 나타낸다. 이는 3GPP TS 36.211 V10.4.0 (2011-12) "Evolved Universal Terrestrial Radio Access (E-UTRA); Physical Channels and Modulation (Release 10)"의 4절을 참조할 수 있으며, TDD(Time Division Duplex)를 위한 것이다.인덱스 #1과 인덱스 #6을 갖는 서브프레임은 스페셜 서브프레임이라고 하며, DwPTS(Downlink Pilot Time Slot), GP(Guard Period) 및 UpPTS(Uplink Pilot Time Slot)을 포함한다. DwPTS는 UE에서의 초기 셀 탐색, 동기화 또는 채널 추정에 사용된다. UpPTS는 기지국에서의 채널 추정과 UE의 상향 전송 동기를 맞추는 데 사용된다. GP은 상향링크와 하향링크 사이에 하향링크 신호의 다중경로 지연으로 인해 상향링크에서 생기는 간섭을 제거하기 위한 구간이다.TDD에서는 하나의 무선 프레임에 DL(downlink) 서브프레임과 UL(Uplink) 서브프레임이 공존한다. 표 1은 무선 프레임의 설정(configuration)의 일 예를 나타낸다.UL-DL 설정스위치 포인트 주기(Switch-point periodicity)서브프레임 인덱스012345678905 msDSUUUDSUUU15 msDSUUDDSUUD25 msDSUDDDSUDD310 msDSUUUDDDDD410 msDSUUDDDDDD510 msDSUDDDDDDD65 msDSUUUDSUUD'D'는 DL 서브프레임, 'U'는 UL 서브프레임, 'S'는 스페셜 서브프레임을 나타낸다. 기지국으로부터 UL-DL 설정을 수신하면, UE은 무선 프레임의 설정에 따라 어느 서브프레임이 DL 서브프레임 또는 UL 서브프레임인지를 알 수 있다. 스페셜 서브프레임 설정하향링크에서 노멀 CP하향링크에서 확장 CPDwPTSUpPTSDwPTSDwPTS상향링크에서 노멀 CP상향링크에서 확장 CP상향링크에서 노멀 CP상향링크에서 확장 CP06592*Ts2192*Ts2560*Ts7680*Ts2192*Ts2560*Ts119760*Ts20480*Ts221952*Ts23040*Ts324144*Ts25600*Ts426336*Ts7680*Ts4384*Ts5120*Ts56592*Ts4384*Ts5120*ts20480*Ts619760*Ts23040*Ts721952*Ts-824144*Ts-도 4는 3GPP LTE에서 하나의 상향링크 또는 하향링크슬롯에 대한 자원 그리드(resource grid)를 나타낸 예시도이다.도 4를 참조하면, 슬롯은 시간 영역(time domain)에서 복수의 OFDM(orthogonal frequency division multiplexing) 심벌을 포함하고, 주파수 영역(frequency domain)에서 NRB 개의 자원블록(RB)을 포함한다. 예를 들어, LTE 시스템에서 자원블록(RB)의 개수, 즉 NRB은 6 내지 110 중 어느 하나일 수 있다. 자원블록(resource block: RB)은 자원 할당 단위로, 하나의 슬롯에서 복수의 부반송파를 포함한다. 예를 들어, 하나의 슬롯이 시간 영역에서 7개의 OFDM 심벌을 포함하고, 자원블록은 주파수 영역에서 12개의 부반송파를 포함한다면, 하나의 자원블록은 7×12개의 자원요소(resource element: RE)를 포함할 수 있다.한편, 하나의 OFDM 심벌에서 부반송파의 수는 128, 256, 512, 1024, 1536 및 2048 중 하나를 선정하여 사용할 수 있다. 도 4의 3GPP LTE에서 하나의 상향링크 슬롯에 대한 자원 그리드는 하향링크 슬롯에 대한 자원 그리드에도 적용될 수 있다.도 5는 하향링크 서브프레임의 구조를 나타낸다.도 5에서는 노멀 CP를 가정하여 예시적으로 하나의 슬롯 내에 7 OFDM 심벌이 포함하는 것으로 도시하였다. DL(downlink) 서브프레임은 시간 영역에서 제어영역(control region)과 데이터영역(data region)으로 나누어진다. 제어영역은 서브프레임내의 첫 번째 슬롯의 앞선 최대 3개의 OFDM 심벌을 포함하나, 제어영역에 포함되는 OFDM 심벌의 개수는 바뀔 수 있다. 제어영역에는 PDCCH(Physical Downlink Control Channel) 및 다른 제어채널이 할당되고, 데이터영역에는 PDSCH가 할당된다.3GPP LTE에서 물리채널은 데이터 채널인 PDSCH(Physical Downlink Shared Channel)와 PUSCH(Physical Uplink Shared Channel) 및 제어채널인 PDCCH(Physical Downlink Control Channel), PCFICH(Physical Control Format Indicator Channel), PHICH(Physical Hybrid-ARQ Indicator Channel) 및 PUCCH(Physical Uplink Control Channel)로 나눌 수 있다. 서브프레임의 첫 번째 OFDM 심벌에서 전송되는 PCFICH는 서브프레임내에서 제어채널들의 전송에 사용되는 OFDM 심벌의 수(즉, 제어영역의 크기)에 관한 CFI(control format indicator)를 나른다. 무선기기는 먼저 PCFICH 상으로 CFI를 수신한 후, PDCCH를 모니터링한다. PDCCH와 달리, PCFICH는 블라인드 복호를 사용하지 않고, 서브프레임의 고정된 PCFICH 자원을 통해 전송된다.PHICH는 UL HARQ(hybrid automatic repeat request)를 위한 ACK(positive-acknowledgement)/NACK(negative-acknowledgement) 신호를 나른다. 무선기기에 의해 전송되는 PUSCH 상의 UL(uplink) 데이터에 대한 ACK/NACK 신호는 PHICH 상으로 전송된다. PBCH(Physical Broadcast Channel)은 무선 프레임의 첫 번째 서브프레임의 두 번째 슬롯의 앞선 4개의 OFDM 심벌에서 전송된다. PBCH는 무선기기가 기지국과 통신하는데 필수적인 시스템 정보를 나르며, PBCH를 통해 전송되는 시스템 정보를 MIB(master information block)라 한다. 이와 비교하여, PDCCH에 의해 지시되는 PDSCH 상으로 전송되는 시스템 정보를 SIB(system information block)라 한다.PDCCH는 DL-SCH(downlink-shared channel)의 자원 할당 및 전송 포맷, UL-SCH(uplink shared channel)의 자원 할당 정보, PCH 상의 페이징 정보, DL-SCH 상의 시스템 정보, PDSCH 상으로 전송되는 랜덤 액세스 응답과 같은 상위 계층 제어 메시지의 자원 할당, 임의의 UE 그룹 내 개별 UE들에 대한 전송 파워 제어 명령의 집합 및 VoIP(voice over internet protocol)의 활성화 등을 나를 수 있다. 복수의 PDCCH가 제어 영역 내에서 전송될 수 있으며, UE은 복수의 PDCCH를 모니터링 할 수 있다. PDCCH는 하나 또는 몇몇 연속적인 CCE(control channel elements)의 집합(aggregation) 상으로 전송된다. CCE는 무선채널의 상태에 따른 부호화율을 PDCCH에게 제공하기 위해 사용되는 논리적 할당 단위이다. CCE는 복수의 자원 요소 그룹(resource element group)에 대응된다. CCE의 수와 CCE들에 의해 제공되는 부호화율의 연관 관계에 따라 PDCCH의 포맷 및 가능한 PDCCH의 비트수가 결정된다.PDCCH를 통해 전송되는 제어정보를 하향링크 제어정보(downlink control information: DCI)라고 한다. DCI는 PDSCH의 자원 할당(이를 DL 그랜트(downlink grant)라고도 한다), PUSCH의 자원 할당(이를 UL 그랜트(uplink grant)라고도 한다), 임의의 UE 그룹내 개별 UE들에 대한 전송 파워 제어 명령의 집합 및/또는 VoIP(Voice over Internet Protocol)의 활성화를 포함할 수 있다.기지국은 UE에게 보내려는 DCI에 따라 PDCCH 포맷을 결정하고, 제어 정보에 CRC(cyclic redundancy check)를 붙인다. CRC에는 PDCCH의 소유자(owner)나 용도에 따라 고유한 식별자(radio network temporary identifier: RNTI)가 마스킹된다. 특정 UE을 위한 PDCCH라면 UE의 고유 식별자, 예를 들어 C-RNTI(cell-RNTI)가 CRC에 마스킹될 수 있다. 또는, 페이징 메시지를 위한 PDCCH라면 페이징 지시 식별자, 예를 들어 P-RNTI(paging-RNTI)가 CRC에 마스킹될 수 있다. 시스템 정보 블록(system information block: SIB)을 위한 PDCCH라면 시스템 정보 식별자, SI-RNTI(system information-RNTI)가 CRC에 마스킹될 수 있다. UE의 랜덤 액세스 프리앰블의 전송에 대한 응답인 랜덤 액세스 응답을 지시하기 위해 RA-RNTI(random access-RNTI)가 CRC에 마스킹될 수 있다.3GPP LTE에서는 PDCCH의 검출을 위해 블라인드 복호를 사용한다. 블라인드 복호는 수신되는 PDCCH(이를 후보(candidate) PDCCH라 함)의 CRC(Cyclic Redundancy Check)에 원하는 식별자를 디마스킹하고, CRC 오류를 체크하여 해당 PDCCH가 자신의 제어채널인지 아닌지를 확인하는 방식이다. 기지국은 무선기기에게 보내려는 DCI에 따라 PDCCH 포맷을 결정한 후 DCI에 CRC를 붙이고, PDCCH의 소유자(owner)나 용도에 따라 고유한 식별자(RNTI)를 CRC에 마스킹한다.한편, 단말이 C-RNTI를 기반으로 PDCCH를 모니터링할 때, PDSCH의 전송 모드(transmission mode: TM)에 따라 모니터링할 DCI 포맷과 검색 공간이 결정된다. 다음 표는 C-RNTI가 설정된 PDCCH 모니터링의 예를 나타낸다.전송모드DCI 포맷검색 공간PDCCH에 따른 PDSCH의 전송모드전송 모드 1DCI 포맷 1A공용 및 단말 특정단일 안테나 포트, 포트 0DCI 포맷 1단말 특정단일 안테나 포트, 포트 0전송 모드 2DCI 포맷 1A공용 및 단말 특정전송 다이버시티(transmit diversity)DCI 포맷 1단말 특정전송 다이버시티전송 모드 3DCI 포맷 1A공용 및 단말 특정전송 다이버시티DCI 포맷 2A단말 특정CDD(Cyclic Delay Diversity) 또는 전송 다이버시티전송 모드 4DCI 포맷 1A공용 및 단말 특정전송 다이버시티DCI 포맷 2단말 특정폐루프 공간 다중화(closed-loop spatial multiplexing)전송 모드 5DCI 포맷 1A공용 및 단말 특정전송 다이버시티DCI 포맷 1D단말 특정MU-MIMO(Multi-user Multiple Input Multiple Output)모드 6DCI 포맷 1A공용 및 단말 특정전송 다이버시티DCI 포맷 1B단말 특정폐루프 공간 다중화전송 모드 7DCI 포맷 1A공용 및 단말 특정PBCH 전송 포트의 수가 1이면, 싱 글 안테나 포트, 포트 0, 아니면, 전송 다이버시티DCI 포맷 1단말 특정단일 안테나 포트, 포트 5전송 모드 8DCI 포맷 1A공용 및 단말 특정PBCH 전송 포트의 수가 1이면, 싱 글 안테나 포트, 포트 0, 아니면, 전송 다이버시티DCI 포맷 2B단말 특정이중 계층(dual layer) 전송(포트 7 또는 8), 또는 싱 글 안테나 포트, 포트 7 또는 8 전송 모드 9DCI 포맷 1A공용 및 단말 특정비-MBSFN 서브프레임: PBCH 안테나 포트의 개수가 1이면, 단독의 안테나 포트로서 포트 0이 사용되고, 그렇지 않으면, 전송 다이버시티(Transmit Diversity)MBSFN 서브프레임: 단독의 안테나 포트로서, 포트 7DCI 포맷 2C단말 특정8개까지의 전송 레이어, 포트7-14가 사용됨 또는 단독의 안테나 포트로서 포트 7 또는 포트 8이 사용됨전송 모드 10DCI 포맷 1A공용 및 단말 특정비-MBSFN 서브프레임: PBCH 안테나 포트의 개수가 1이면, 단독의 안테나 포트로서 포트 0이 사용되고, 그렇지 않으면, 전송 다이버시티(Transmit Diversity)MBSFN 서브프레임: 단독의 안테나 포트로서, 포트 7DCI 포맷 2D단말 특정8개까지의 전송 레이어, 포트7-14가 사용됨 또는 단독의 안테나 포트로서 포트 7 또는 포트 8이 사용됨DCI 포맷의 용도는 다음 표와 같이 구분된다.DCI 포맷내 용DCI 포맷 0PUSCH 스케줄링에 사용DCI 포맷 1하나의 PDSCH 코드워드(codeword)의 스케줄링에 사용DCI 포맷 1A하나의 PDSCH 코드워드의 간단(compact) 스케줄링 및 랜덤 액세스 과정에 사용DCI 포맷 1B프리코딩 정보를 가진 하나의 PDSCH 코드워드의 간단 스케줄링에 사용DCI 포맷 1C하나의 PDSCH 코드워드(codeword)의 매우 간단(very compact) 스케줄링에 사용DCI 포맷 1D프리코딩 및 전력 오프셋(power offset) 정보를 가진 하나의 PDSCH 코드워드의 간단 스케줄링에 사용DCI 포맷 2폐루프 공간 다중화 모드로 설정된 단말들의 PDSCH 스케줄링에 사용DCI 포맷 2A개루프(open-loop) 공간 다중화 모드로 설정된 단말들의 PDSCH 스케줄링에 사용DCI 포맷 2BDCI 포맷 2B는 PDSCH의 듀얼 레이어(dual-layer) 빔포밍을 위한 자원 할당을 위해 사용된다.DCI 포맷 2CDCI 포맷 2C는 8개 레이어(layer)까지의 페-루프 SU-MIMO 또는 MU-MIMO 동작을 위한 자원 할당을 위해서 사용된다.DCI 포맷 2DDCI 포맷 2C는 8개 레이어 까지의 자원 할당을 위해서 사용된다.DCI 포맷 32비트 전력 조정(power adjustments)을 가진 PUCCH 및 PUSCH의 전송 포인트(TP)C 명령의 전송에 사용DCI 포맷 3A1비트 전력 조정을 가진 PUCCH 및 PUSCH의 전송 포인트(TP)C 명령의 전송에 사용DCI 포맷 4다중 안테나 포트 전송 모드로 동작하는 상향링크(UL) 셀의 PUSCH 스케줄링에 사용도 6은 3GPP LTE에서 상향링크 서브프레임의 구조를 나타낸다. 도 6을 참조하면, 상향링크 서브프레임은 주파수 영역에서 제어 영역과 데이터 영역으로 나뉠 수 있다. 제어 영역에는 상향링크 제어 정보가 전송되기 위한 PUCCH(Physical Uplink Control Channel)가 할당된다. 데이터 영역은 데이터(경우에 따라 제어 정보도 함께 전송될 수 있다)가 전송되기 위한 PUSCH(Physical Uplink Shared Channel)가 할당된다. 하나의 UE에 대한 PUCCH는 서브프레임에서 자원블록 쌍(RB pair)으로 할당된다. 자원블록 쌍에 속하는 자원블록들은 제1 슬롯과 제2 슬롯 각각에서 서로 다른 부반송파를 차지한다. PUCCH에 할당되는 자원블록 쌍에 속하는 자원블록이 차지하는 주파수는 슬롯 경계(slot boundary)를 기준으로 변경된다. 이를 PUCCH에 할당되는 RB 쌍이 슬롯 경계에서 주파수가 홉핑(frequency-hopped)되었다고 한다. UE이 상향링크 제어 정보를 시간에 따라 서로 다른 부반송파를 통해 전송함으로써, 주파수 다이버시티(frequency diversity) 이득을 얻을 수 있다. m은 서브프레임 내에서 PUCCH에 할당된 자원블록 쌍의 논리적인 주파수 영역 위치를 나타내는 위치 인덱스이다. PUCCH 상으로 전송되는 상향링크 제어정보에는 HARQ(hybrid automatic repeat request) ACK(acknowledgement)/NACK(non-acknowledgement), 하향링크 채널 상태를 나타내는 CQI(channel quality indicator), 상향링크 무선 자원 할당 요청인 SR(scheduling request) 등이 있다. PUSCH는 전송 채널(transport channel)인 UL-SCH에 맵핑된다. PUSCH 상으로 전송되는 상향링크 데이터는 전송시간구간(TTI) 동안 전송되는 UL-SCH를 위한 데이터 블록인 전송 블록(transport block)일 수 있다. 상기 전송 블록은 사용자 정보일 수 있다. 또는, 상향링크 데이터는 다중화된(multiplexed) 데이터일 수 있다. 다중화된 데이터는 UL-SCH를 위한 전송 블록과 제어정보가 다중화된 것일 수 있다. 예를 들어, 데이터에 다중화되는 제어정보에는 CQI, PMI(precoding matrix indicator), HARQ, RI (rank indicator) 등이 있을 수 있다. 또는 상향링크 데이터는 제어정보만으로 구성될 수도 있다.003c#반송파 집성003e#이제 반송파 집성(carrier aggregation: CA) 시스템에 대해 설명한다. 반송파 집성 시스템은 다수의 요소 반송파(component carrier: CC)를 집성하는 것을 의미한다. 이러한 반송파 집성에 의해서, 기존의 셀의 의미가 변경되었다. 반송파 집성에 의하면, 셀이라 함은 하향링크 요소 반송파와 상향링크 요소 반송파의 조합, 또는 단독의 하향링크 요소 반송파를 의미할 수 있다.또한, 반송파 집성에서 셀은 프라이머리 셀(primary cell)과 세컨더리 셀(secondary cell), 서빙 셀(serving cell)로 구분될 수 있다. 프라이머리 셀은 프라이머리 주파수에서 동작하는 셀을 의미하며, UE이 기지국과의 최초 연결 확립 과정(initial connection establishment procedure) 또는 연결 재확립 과정을 수행하는 셀, 또는 핸드오버 과정에서 프라이머리 셀로 지시된 셀을 의미한다. 세컨더리 셀은 세컨더리 주파수에서 동작하는 셀을 의미하며, 일단 RRC 연결이 확립되면 설정되고 추가적인 무선 자원을 제공하는데 사용된다.상술한 바와 같이 반송파 집성 시스템에서는 단일 반송파 시스템과 달리 복수의 요소 반송파(CC), 즉, 복수의 서빙 셀을 지원할 수 있다. 이러한 반송파 집성 시스템은 교차 반송파 스케줄링을 지원할 수 있다. 교차 반송파 스케줄링(cross-carrier scheduling)은 특정 요소 반송파를 통해 전송되는 PDCCH를 통해 다른 요소 반송파를 통해 전송되는 PDSCH의 자원 할당 및/또는 상기 특정 요소 반송파와 기본적으로 링크되어 있는 요소 반송파 이외의 다른 요소 반송파를 통해 전송되는 PUSCH의 자원 할당을 할 수 있는 스케줄링 방법이다. 003c#동기 신호003e#한편, LTE/LTE-A 시스템에서는 셀 탐색 과정(Cell Search Procedure)에서 동기 신호(SS: Synchronization Signal)를 통해 셀과의 동기가 획득되게 된다.이하 도면을 참조하여 동기 신호에 대해 자세히 살펴본다.도 7은 FDD 프레임 내에서 동기화 신호 전송을 위한 프레임 구조를 나타낸다. 슬롯 번호 및 서브프레임 번호는 0부터 시작된다. UE은 기지국으로부터 수신되는 동기화 신호(synchronization signal)를 기반으로 시간 및 주파수 동기를 맞출 수 있다. 3GPP LTE-A의 동기화 신호는 셀 탐색을 수행할 때 사용되며 1차 동기화 신호(PSS; primary synchronization signal) 및 2차 동기화 신호(SSS; secondary synchronization signal)로 구분될 수 있다. 3GPP LTE-A의 동기화 신호는 3GPP TS V10.2.0 (2011-06)의 6.11절을 참조할 수 있다.PSS는 OFDM 심벌 동기 또는 슬롯 동기를 얻기 위해 사용되고, 물리 계층 셀 ID(PCI; physical-layer cell identity)와 연관되어 있다. 그리고, SSS는 프레임 동기를 얻기 위해 사용된다. 또한, SSS는 CP 길이 검출, 물리 계층 셀 그룹 ID를 획득하게 위해서 사용된다.동기화 신호는 RAT(radio access technology)간의 측정(inter-RAT measurement)의 용이함을 위해 GSM(global system for mobile communication) 프레임 길이인 4.6ms를 고려하여 서브프레임 0번과 서브프레임 5번에서 각각 전송될 수 있으며, 프레임에 대한 경계는 SSS를 통해 검출 가능하다. 보다 구체적으로, FDD 시스템에서는 PSS는 0번째 슬롯, 10번째 슬롯의 맨 마지막 OFDM 심볼에서 전송되고, SSS는 PSS 바로 앞 OFDM 심볼에서 전송된다. 동기화 신호는 3개의 PSS와 168개의 SSS의 조합을 통해 총 504개의 물리계층 셀 식별자(physical cell ID) 중 어느 하나를 전송할 수가 있다. PBCH(physical broadcast channel)는 1번째 슬롯의 최초 4개의 OFDM 심벌에서 전송된다. 동기화 신호 및 PBCH는 시스템 대역폭 내의 가운데 6 RB 내에서 전송되어, 전송 대역폭에 관계없이 UE이 검출 혹은 복호할 수 있도록 한다. PSS가 전송되는 물리 채널을 P-SCH, SSS가 전송되는 물리 채널을 S-SCH라 칭한다.도 8은 TDD 프레임에서 동기화 신호를 전송하는 프레임 구조의 예를 나타낸다.TDD 프레임에서는 PSS가 세 번째 슬롯 및 13번째 슬롯의 세번째 OFDM 심벌에서 전송된다. SSS는 PSS가 전송되는 OFDM 심벌에서 3개의 OFDM 심벌 전에 전송된다. PBCH는 첫 번째 서브프레임의 두 번째 슬롯의 최초 4 OFDM 심벌에서 전송된다.003c#참조 신호003e#한편, 이하 참조 신호(reference signal, RS)에 대해서 설명하기로 한다.일반적으로 전송 정보 예컨대, 데이터는 무선채널을 통해 전송되는 동안 쉽게 왜곡, 변경된다. 따라서, 이러한 전송 정보를 오류없이 복조하기 위해서는 참조신호가 필요하다. 참조신호는 전송기와 수신기 사이에 미리 알고 있는 신호로 전송 정보와 함께 전송된다. 전송기로부터 전송되는 전송 정보는 각 전송 안테나마다 또는 레이어마다 대응하는 채널을 겪기 때문에, 참조신호는 각 전송 안테나별 또는 레이어별로 할당될 수 있다. 각 전송 안테나별 또는 레이어별 참조신호는 시간, 주파수, 코드 등의 자원을 이용하여 구별될 수 있다. 참조신호는 2가지 목적 즉, 전송 정보의 복조(demodulation)와 채널 추정을 위해 사용될 수 있다. 하향링크 참조 신호는 셀 특정 참조 신호(cell-specific RS, CRS), MBSFN(multimedia broadcast and multicast single frequency network) 참조 신호, 단말 특정 참조 신호(UE-specific RS, URS), 포지셔닝 참조 신호(positioning RS, PRS) 및 CSI 참조 신호(CSI-RS)로 구분될 수 있다. CRS는 셀 내 모든 UE에게 전송되는 참조 신호로서 공통 참조 신호(Common Reference Signal)로 불리기도 한다, CRS는 CQI 피드백에 대한 채널 측정과 PDSCH에 대한 채널 추정에 사용될 수 있다. MBSFN 참조 신호는 MBSFN 전송을 위해 할당된 서브프레임에서 전송될 수 있다. URS는 셀 내 특정 UE 또는 특정 UE 그룹이 수신하는 참조 신호로, 복조 참조 신호(demodulation RS, DM-RS)로 불릴 수 있다. DM-RS는 특정 UE 또는 특정 UE 그룹이 데이터 복조에 주로 사용된다. PRS는 UE의 위치 추정에 사용될 수 있다. CSI-RS는 LTE-A UE의 PDSCH에 대한 채널 추정에 사용된다. CSI-RS는 주파수 영역 또는 시간 영역에서 비교적 드물게(sparse) 배치되며, 일반 서브프레임 또는 MBSFN 서브프레임의 데이터 영역에서는 생략(punctured)될 수 있다.도 9는 기지국이 하나의 안테나 포트를 사용하는 경우, CRS가 RB에 맵핑되는 패턴의 일 예를 나타낸다.도 9를 참조하면, R0은 기지국의 안테나 포트 번호 0에 의해 전송되는 CRS가 매핑되는 RE를 나타낸다.CRS는 PDSCH 전송을 지원하는 셀 내의 모든 하향링크 서브프레임에서 전송된다. CRS는 안테나 포트 0 내지 3 상으로 전송될 수 있으며, CRS는 Δf=15kHz에 대해서만 정의될 수 있다. 셀 ID(identity)를 기반으로 하는 시드(seed) 값에서 생성된 유사 랜덤 시퀀스(pseudo-random sequence) rl,ns(m)을 복수 값 변조 심벌(complex-valued modulation symbol) a(p)k,l로 자원 맵핑한다. 여기서, ns는 하나의 무선 프레임 내의 슬롯 번호이고, p는 안테나 포트이며, ℓ 은 슬롯 내의 OFDM 심벌 번호이다. k는 부반송파 인덱스이다. ℓ,k는 다음 식과 같이 표현된다.위 수학식에서 p는 안테나 포트를 나타내고, ns는 슬롯 번호 0또는 1을 나타낸다. k는 셀 ID(NCell　ID)에 따라 6개의 쉬프트된 인덱스를 가진다. 따라서, 6의 배수인 0, 6, 12 의 셀 ID를 갖는 셀들은 서로 동일한 부반송파 위치 k에서 CRS를 전송한다.위 수학식에 나타난 ℓ 은 안테나 포트 p에 따라 결정되는데, 가능한 ℓ 의 값은 0,4,7,11이다. 따라서, CRS는 0,4,7, 11 심볼 상에서 전송된다.하나의 안테나 포트의 CRS에 할당된 자원 요소(RE)는 다른 안테나 포트의 전송에 사용될 수 없고, 영(zero)로 설정되어야 한다. 또한, MBSFN(multicast-broadcast single frequency network) 서브프레임에서 CRS는 non-MBSFN 영역에서만 전송된다.도 10은 측정 및 측정 보고 절차를 나타낸다.이동 통신 시스템에서 UE(100)의 이동성(mobility) 지원은 필수적이다. 따라서, UE(100)은 현재 서비스를 제공하는 서빙 셀(serving cell)에 대한 품질 및 이웃셀에 대한 품질을 지속적으로 측정한다. UE(100)은 측정 결과를 적절한 시간에 네트워크에게 보고하고, 네트워크는 핸드오버 등을 통해 UE에게 최적의 이동성을 제공한다. 흔히 이러한 목적의 측정을 무선 자원 관리 측정(radio resource management: RRM)라고 일컫는다. 한편, UE(100)는 CRS에 기반하여 프라이머리 셀(Pcell)의 하향링크 품질을 모니터링 한다. 이를 RLM(Radio Link Monitoring)이라고 한다. RLM을 위해서, UE(100)는 하향링크 품질을 추정하고, 상기 추정된 하향링크 품질을 임계값들, 예컨대 Qout 및 Qin와 비교한다. 상기 임계값 Qout은 하향링크가 안정적으로 수신될 수 없는 레벨로 정의되며, 이는 PCFICH 에러를 고려하여 PDCCH 전송의 10% 에러에 해당한다. 상기 임계값 Qin은 하향링크가 Qout에 비해 너무 현저하게 신뢰할 만한 수준으로 정의되고, 이는 PCFICH 에러를 고려하여 PDCCH 전송의 2% 에러에 해당한다. 도 8a을 참조하여 알 수 있는 바와 같이, UE(100)로 상기 서빙셀(200a) 및 이웃셀(200b)이 각기 CRS(Cell-specific Reference Signal)를 전송하면, 상기 UE(100)은 상기 CRS를 통하여, 측정을 수행하고, 그 측정 결과를 포함하는 RRC 측정 보고 메시지를 서빙셀(200a)로 전송한다.이때, UE(100)은 다음 3가지 방법으로 측정을 수행할 수 있다.1) RSRP(reference signal received power): 전 대역에 걸쳐 전송되는 CRS를 운반하는 모든 RE의 평균 수신 전력을 나타낸다. 이때 CRS 대신 CSI RS를 운반하는 모든 RE의 평균 수신 전력을 측정할 수도 있다.2) RSSI(received signal strength indicator): 전체 대역에서 측정된 수신 전력을 나타낸다. RSSI는 신호, 간섭(interference), 열 잡음(thermal noise)을 모두 포함한다. 3) RSRQ(reference symbol received quality): CQI를 나타내며, 측정 대역폭(bandwidth) 또는 서브밴드에 따른 RSRP/RSSI로 결정될 수 있다. 즉, RSRQ는 신호 대 잡음 간섭 비(SINR; signal-to-noise interference ratio)를 의미한다. RSRP는 충분한 이동성(mobility) 정보를 제공하지 못하므로, 핸드오버 또는 셀 재선택(cell reselection) 과정에서는 RSRP 대신 RSRQ가 대신 사용될 수 있다. RSRQ = RSSI/RSSP로 산출될 수 있다.한편, UE(100)는 상기 측정을 위해 상기 서빙셀(100a)로부터 측정 설정(measurement configuration; 이하 ‘measconfing’라고도 함) 정보 엘리먼트(IE: Information Element)를 수신한다. 측정 설정 정보 엘리먼트(IE)를 포함하는 메시지를 측정 설정 메시지라 한다. 여기서 상기 측정 설정 정보 엘리먼트(IE)는 RRC 연결 재설정 메시지를 통해서 수신될 수도 있다. UE은 측정 결과가 측정 설정 정보 내의 보고 조건을 만족하면, 측정 결과를 기지국에게 보고한다. 측정 결과를 포함하는 메시지를 측정 보고 메시지라 한다. 상기 측정 설정 IE는 측정 오브젝트(Measurement object) 정보를 포함할 수 있다. 상기 측정 오브젝트 정보는 UE가 측정을 수행할 오브젝트에 관한 정보이다. 측정 오브젝트는 셀내 측정의 대상인 intra-frequency 측정 대상, 셀간 측정의 대상인 inter-frequency 측정 대상, 및 inter-RAT 측정의 대상인 inter-RAT 측정 대상 중 적어도 어느 하나를 포함한다. 예를 들어, intra-frequency 측정 대상은 서빙 셀과 동일한 주파수 밴드를 갖는 주변 셀을 지시하고, inter-frequency 측정 대상은 서빙 셀과 다른 주파수 밴드를 갖는 주변 셀을 지시하고, inter-RAT 측정 대상은 서빙 셀의 RAT와 다른 RAT의 주변 셀을 지시할 수 있다.구체적으로, 상기 측정 설정 IE는 아래의 표와 같은 IE(정보 엘리먼트)를 포함한다.MeasConfig ::= -- Measurement objects measObjectToRemoveList measObjectToAddModList상기 Measurement objects IE 내에는 제거될 measObject의 리스트를 나타내는 measObjectToRemoveList와 새로이 추가되거나 수정될 리스트를 나타내는 measObjectToAddModList가 포함된다.measObject에는 통신 기술에 따라 MeasObjectCDMA2000, MeasObjectEUTRA, MeasObjectGERAN 등이 포함된다.한편, MeasObjectEUTRA IE는 E-UTRA셀 측정에 대한 인트라 프리퀀시(intra-frequency) 또는 인터 프리퀀시(inter-frequency)를 위해 적용되는 정보를 포함한다. MeasObjectEUTRA IE를 표로 나타내면 아래와 같다.1) MeasObjectEUTRA- neighCellConfig- measSubframePatternConfigNeigh-r102) MeasSubframePatternConfigNeigh-r10 measSubframePatternNeigh-r10 measSubframeCellList-r10MeasObjectEUTRA IE를 보다 구체적으로 나타내면 아래와 같다.MeasObjectEUTRA 필드 설명carrierFreq이 구성이 유효한 E-UTRA 캐리어 주파수를 식별한다. neighCellConfig이웃 셀의 구성 정보를 나타낸다.measCycleSCell파라미터: Tmeasure_scc 이 파라미터는 세컨더리 셀(SCell)이 measObject에 지시되는 주파수로 동작하고, 비활성화된 상태일 때 사용된다. measSubframeCellListmeasSubframePatternNeigh이 적용되는 셀들의 리스트이다.만약 포함되어 있지 않으면, UE는 모든 이웃 셀에 대해서 시간 도메인 측정 리소스 제한 패턴이 적용되는 것으로 한다. measSubframePatternNeigh상기 carrierFreq에서 지시되는 캐리어 주파수 상의 이웃 셀에 대해 RSRP 및 RSRQ를 측정하는데 적용되는 시간 도메인 측정 리소스 제한 패턴이상과 같이, MeasObjectEUTRA IE는 이웃셀의 설정 정보(즉, NeighCellConfig)와, 이웃 셀에 대한 측정을 수행하는데 적용되는 시간 도메인 측정 리소스 제한 패턴(Time domain measurement resource restirction pattern)(즉, 이웃셀의 측정 서브프레임 패턴 또는 measSubframePatternNeigh)과 그 패턴이 적용되는 셀 리스트(즉 measSubframeCellList)를 포함한다.한편, UE(100)는 도시된 바와 같이 무선 자원 설정(Radio Resource Configuration) 정보 엘리먼트(IE)도 수신한다.상기 무선 자원 설정(Radio Resource Configuration Dedicated) 정보 엘리먼트(IE: Information Element)는 무선 베어러(Radio Bearer)를 설정/수정/해제하거나, MAC 구성을 수정하는 등을 위해서 사용된다. 상기 무선 자원 설정 IE는 서브프레임 패턴 정보를 포함한다. 상기 서브프레임 패턴 정보는 서빙 셀(예컨대 프라이머리 셀)에 대한 RSRP, RSRQ를 측정하는 데에 대한 시간 도메인 상의 측정 자원 제한 패턴에 대한 정보이다. 상기 무선 자원 설정(Radio Resource Configuration) IE는 아래의 표와 같은 필드들을 포함한다.- RadioResourceConfigDedicated- measSubframePatternPCell-r10상기 RadioResourceConfigDedicated 필드는 아래와 같은 인자들을 포함한다.RadioResourceConfigDedicated 필드 설명logicalChannelConfigSRB들을 위해 논리 채널 구성이 명백하게 시그널링되는지 또는 SRB1을 위한 디폴트 논리 채널 구성으로 설정되는지를 나타내기 위한 선택으로 사용된다.logicalChannelIdentity업링크(UL) 및 다운링크(DL) 모두를 식별하기 위한 논리 채널 식별자mac-MainConfigmac-MainConfig가 명백하게 시그널링되는지 혹은 디폴트 MAC main 구성으로 설정되는지를 나타내기 위해서 사용되는 선택이다. measSubframePatternPCell프라이머리 셀(PCell)(즉, 1차 셀)(또는 서빙셀)에 대한 측정(RSRP, RSRQ)를 수행하는데에 대한 시간 도메인 측정 자원 제한 패턴이상에서 설명한 바와 같이, RadioResourceConfigDedicated 필드 내에는 프라이머리 셀(PCell)(또는 서빙셀)에 대한 측정(RSRP, RSRQ)를 수행하는 데에 적용되는 시간 도메인 측정 자원 제한 패턴(즉, 서빙셀의 측정 서브프레임 패턴)을 나타내는 measSubframePatternPCell 또는 measSubframePattern-Serv이 포함되어 있다.도 11은 참조 신호들 중 CSI-RS가 맵핑되는 RB의 일 예를 나타낸다. CSI-RS는 LTE-A 단말의 PDSCH에 대한 채널 추정, 채널 정보 생성을 위한 채널 측정에 사용된다. CSI-RS는 주파수 영역 또는 시간 영역에서 비교적 드물게(sparse) 배치되며, 일반 서브프레임 또는 MBSFN 서브프레임의 데이터 영역에서는 생략(punctured)될 수 있다. CSI의 추정을 통해 필요한 경우에 CQI, PMI 및 RI 등이 단말로부터 보고될 수 있다. CSI-RS는 1개, 2개, 4개 또는 8개의 안테나 포트를 통하여 전송된다. 이때 사용되는 안테나 포트는 각각 p=15, p=15, 16, p=15,...,18 및 p=15,...,22이다. 즉, CSI-RS는 1, 2, 4, 8개의 안테나 포트를 통해 전송될 수 있다. CSI-RS는 부반송파 간격Δf=15kHz에 대해서만 정의될 수 있다. CSI-RS는 3GPP(3rd Generation Partnership Project) TS 36.211 V10.1.0 (2011-03) "Technical Specification Group Radio Access Network; Evolved Universal Terrestrial Radio Access (E-UTRA); Physical channels and modulation (Release 8)"의 6.10.5절을 참조할 수 있다.CSI-RS의 전송에 있어서, 이종 네트워크(HetNet; heterogeneous network) 환경을 포함하여 멀티 셀 환경에서 셀간 간섭(ICI; inter-cell interference)을 줄이기 위하여 최대 32개의 서로 다른 구성(configuration)이 제안될 수 있다. CSI-RS 구성은 셀 내의 안테나 포트의 개수 및 CP에 따라 서로 다르며, 인접한 셀은 최대한 다른 구성을 가질 수 있다. 또한, CSI-RS 구성은 프레임 구조에 따라 FDD 프레임과 TDD 프레임에 모두 적용하는 경우와 TDD 프레임에만 적용하는 경우로 나눠질 수 있다. 하나의 셀에서 복수의 CSI-RS 구성이 사용될 수 있다. 비영 전력(non-zero power) CSI-RS를 가정하는 단말에 대하여 0개 또는 1개의 CSI-RS 구성이, 영전력(zero power) CSI-RS를 가정하는 단말에 대하여 0개 또는 여러 개의 CSI-RS 구성이 사용될 수 있다. CSI-RS 구성은 상위 계층에 의해 지시될 수 있다. 예를 들어, 상위 계층을 통해 전송되는 CSI-RS-Config IE(information element)가 CSI-RS 구성을 지시할 수 있다. 아래의 표는 CSI-RS-Config IE의 일 예를 나타낸다.CSI-RS-Config-r10 ::= SEQUENCE csi-RS-r10 CHOICE release NULL, setup SEQUENCE antennaPortsCount-r10 ENUMERATED an1, an2, an4, an8, resourceConfig-r10 INTEGER (0..31), subframeConfig-r10 INTEGER (0..154), p-C-r10 INTEGER (-8..15) OPTIONAL, -- Need ON zeroTxPowerCSI-RS-r10 CHOICE release NULL, setup SEQUENCE zeroTxPowerResourceConfigList-r10 BIT STRING (SIZE (16)), zeroTxPowerSubframeConfig-r10 INTEGER (0..154) OPTIONAL -- Need ON-- ASN1STOP위 표를 참조하면, ‘antennaPortsCount’ 필드는 CSI-RS의 전송을 위하여 사용되는 안테나 포트들의 개수를 지시한다. ‘resourceConfig’ 필드는 CSI-RS 구성을 지시한다. ‘SubframeConfig’ 필드 및 ‘zeroTxPowerSubframeConfig’ 필드는 CSI-RS가 전송되는 서브프레임 구성을 지시한다.‘zeroTxPowerResourceConfigList’ 필드는 영전력 CSI-RS의 구성을 지시한다. ‘zeroTxPowerResourceConfigList’ 필드를 구성하는 16비트의 비트맵(bitmap)에서 1로 설정된 비트에 대응되는 CSI-RS 구성이 영전력 CSI-RS로 설정될 수 있다. CSI-RS에 대한 시퀀스 rl,ns(m)은 다음 식과 같이 생성될 수 있다.상기 식에서 ns는 무선 프레임 내에서 슬롯 넘버이고, l은 슬롯 내에서의 OFDM 심벌 넘버이다. c(i)는 의사 랜덤 시퀀스(pseudo random sequence)이며 식 1에 표시된 cinit로 각 OFDM 심벌에서 시작된다. NIDcell은 물리적 셀 ID를 의미한다. CSI-RS를 전송하도록 설정된 서브프레임들에서, 참조 신호 시퀀스 rl,ns(m)는 안테나 포트 p에 대한 참조 심벌로 사용되는 복소값 변조 심벌 ak,l(p)에 맵핑된다. rl,ns(m)와 ak,l(p)의 관계는 다음 식과 같다.상기 수학식에서 (k' , l')과 ns는 후술하는 표 5 및 표 6에서 주어진다. CSI-RS는 (ns mod 2)가 후술하는 표 5 및 표 6의 조건을 만족하는 하향링크 슬롯에서 전송될 수 있다(여기서, mod는 모듈러 연산을 의미한다. 즉, (ns mod 2)는 2로 ns 를 나눈 나머지를 의미한다).아래의 표 는 노멀 CP에서의 CSI-RS의 구성을 나타낸다.구성되는 CSI-RS의 개수1 or 248CSI-RS 구성 인덱스(k`,l`)ns mod 2(k`,l`)ns mod 2(k`,l`)ns mod 2TDD 및FDD프레임0(9,5)0(9,5)0(9,5)01(11,2)1(11,2)1(11,2)12(9,2)1(9,2)1(9,2)13(7,2)1(7,2)1(7,2)14(9,5)1(9,5)1(9,5)15(8,5)0(8,5)06(10,2)1(10,2)17(8,2)1(8,2)18(6,2)1(6,2)19(8,5)1(8,5)110(3,5)011(2,5)012(5,2)113(4,2)114(3,2)115(2,2)116(1,2)117(0,2)118(3,5)119(2,5)1TDD프레임20(11,1)1(11,1)1(11,1)121(9,1)1(9,1)1(9,1)122(7,1)1(7,1)1(7,1)123(10,1)1(10,1)124(8,1)1(8,1)125(6,1)1(6,1)126(5,1)127(4,1)128(3,1)129(2,1)130(1,1)131(0,1)1아래의 표는 확장 CP에서의 CSI-RS의 구성을 나타낸다.구성되는 CSI-RS의 개수1 or 248CSI-RS 구성 인덱스(k`,l`)ns mod 2(k`,l`)ns mod 2(k`,l`)ns mod 2TDD 및FDD프레임0(11,4)0(11,4)0(11,4)01(9,4)0(9,4)0(9,4)02(10,4)1(10,4)1(10,4)13(9,4)1(9,4)1(9,4)14(5,4)0(5,4)05(3,4)0(3,4)06(4,4)1(4,4)17(3,4)1(3,4)18(8,4)09(6,4)010(2,4)011(0,4)012(7,4)113(6,4)114(1,4)115(0,4)1TDD프레임16(11,1)1(11,1)1(11,1)117(10,1)1(10,1)1(10,1)118(9,1)1(9,1)1(9,1)119(5,1)1(5,1)120(4,1)1(4,1)121(3,1)1(3,1) 122(8,1)123(7,1)124(6,1)125(2,1)126(1,1)127(0,1)1단말은 위 두 표에서 ns mod 2의 조건을 만족하는 하향링크 슬롯에서만 CSI-RS를 전송할 수 있다. 또한, 단말은 TDD 프레임의 특수 서브프레임(special subframe), CSI-RS의 전송이 동기화 신호(synchronization signal), PBCH(physical broadcast channel), 시스템 정보 블록 타입 1(SystemInformationBlockType1)과 충돌하는 서브프레임 또는 페이징 메시지가 전송되는 서브프레임에서는 CSI-RS를 전송하지 않는다. 또한, S=15, S=15, 16, S=17, 18, S=19, 20 또는 S=21, 22인 집합 S에서, 하나의 안테나 포트의 CSI-RS가 전송되는 자원 요소는 PDSCH나 다른 안테나 포트의 CSI-RS의 전송에 사용되지 않는다.아래의 표는 CSI-RS가 전송되는 서브프레임 구성의 일 예를 나타낸다.CSI-RS-SubframeConfigICSI-RSCSI-RS 주기TCSI-RS (서브프레임)CSI-RS 서브프레임 오프셋ΔCSI-RS (subframes)0 - 45ICSI-RS5 - 1410ICSI-RS-515 - 3420ICSI-RS-1535 - 7440ICSI-RS-3575 - 15480ICSI-RS-75위 표를 참조하면, CSI-RS 서브프레임 구성(ICSI-RS)에 따라 CSI-RS가 전송되는 서브프레임의 주기(TCSI-RS) 및 오프셋(ΔCSI-RS)가 결정될 수 있다. 위 표의 CSI-RS 서브프레임 구성은 위 표의 CSI-RS-Config IE의 ‘SubframeConfig’ 필드 또는 ‘ZeroTxPowerSubframeConfig’ 필드 중 어느 하나일 수 있다. CSI-RS 서브프레임 구성은 비영 전력 CSI-RS 및 영전력 CSI-RS에 대하여 분리되어(separately) 구성될 수 있다. 한편, 도면은 노멀 CP 구조에서 CSI-RS 구성 인덱스가 0일 때, CSI-RS를 위하여 사용되는 자원 요소들을 나타낸다. Rp는 안테나 포트 p 상의 CSI-RS 전송에 사용되는 자원 요소를 나타낸다. 도면을 참조하면, 안테나 포트 15 및 16에 대한 CSI-RS는 제1 슬롯의 6번째 및 7번째 OFDM 심벌(OFDM 심벌 인덱스 5, 6)의 3번째 부반송파(부반송파 인덱스 2)에 해당하는 자원 요소를 통해 전송된다. 안테나 포트 17 및 18에 대한 CSI-RS는 제1 슬롯의 6번째 및 7번째 OFDM 심벌(OFDM 심벌 인덱스 5, 6)의 9번째 부반송파(부반송파 인덱스 8)에 해당하는 자원 요소를 통해 전송된다. 안테나 포트 19 및 20에 대한 CSI-RS는 안테나 포트 15 및 16에 대한 CSI-RS가 전송되는 동일한 자원 요소를 통해, 안테나 포트 21 및 22에 대한 CSI-RS는 안테나 포트 17 및 18에 대한 CSI-RS가 전송되는 동일한 자원 요소를 통해 전송된다.만약, 단말에게 8개의 안테나 포트를 통한 CSI-RS가 전송된다면, 단말은 R15 내지 R22가 맵핑된 RB를 수신하게 될 것이다. 즉, 특정 패턴을 가지는 CSI-RS를 수신하게 될 것이다. 한편, 이하 소규모 셀에 대해서 설명하기로 한다. 003c#소규모 셀(small cell)의 도입003e#한편, 차세대 이동 통신 시스템에서는 셀 커버리지 반경이 작은 소규모 셀(small cell)이 기존 셀의 커버리지 내에 추가될 것으로 예상되고, 소규모 셀은 보다 많은 트래픽을 처리할 것으로 예상된다. 상기 기존 셀은 상기 소규모 셀에 비해 커버리지가 크므로, 매크로 셀(Macro cell)이라고 칭하기도 한다. 이하 도 7를 참조하여 설명하기로 한다.도 12는 차세대 무선 통신 시스템으로 될 가능성이 있는 매크로 셀과 소규모 셀의 혼합된 이종 네트워크의 환경을 도시한 도면이다.도 12를 참조하면, 기존 기지국(200)에 의한 매크로 셀은 하나 이상의 소규모 기지국(300a, 300b, 300c, 300d)에 의한 소규모 셀과 중첩된 이종 네트워크 환경이 나타나 있다. 상기 기존 기지국은 상기 소규모 기지국에 비해 큰 커버리지를 제공하므로, 매크로 기지국(Macro eNodeB, MeNB)라고도 불린다. 본 명세서에서 매크로 셀과 매크로 기지국이라는 용어를 혼용하여 사용하기로 한다. 매크로 셀(200)에 접속된 UE은 매크로 UE(Macro UE)로 지칭될 수 있다. 매크로 UE은 매크로 기지국으로부터 하향링크 신호를 수신하고, 매크로 기지국에게 상향링크 신호를 전송한다.이와 같은 이종 네트워크에서는 상기 매크로 셀을 프라이머리 셀(Pcell)로 설정하고, 상기 소규모 셀을 세컨더리 셀(Scell)로 설정함으로써, 매크로셀의 커버리지 빈틈을 메꿀 수 있다. 또한, 상기 소규모 셀을 프라이머리 셀(Pcell)로 설정하고, 상기 매크로 셀을 세컨더리 셀(Scell)로 설정함으로써, 전체적인 성능을 향상(boosting)시킬수 있다.그런데, 이러한 소규모 셀의 도입으로 인하여, 셀 간의 간섭(Inter-cell Interference)은 더 가중될 수 있다. 이러한 간섭 문제를 해결하는 가장 근본적인 방법은 셀들 간에 주파수를 서로 다르게 사용하는 것이다. 그러나, 주파수는 희소하고 값비싼 자원이기 때문에 사업자에게는 주파수 분할을 통한 해결 방법이 그다지 환영받지 못하였다.따라서, 3GPP에서는 이러한 셀 간의 간섭(inter-cell interference) 문제를 시간분할을 통해 해결하고자 하였다. 이에 따라 최근 3GPP 에서는 간섭 협력 방법의 하나로써 eICIC(enhanced inter-cell interference coordination) 에 대한 활발한 연구가 수행되고 있다.003c#eICIC 의 도입003e#LTE Release-10에 도입된 시간분할 방식은 기존의 주파수 분할 방식에 대비하여 진화했다는 의미로 enhanced ICIC(Enhanced inter-cell interference Coordination)라고 불리는데, 간섭을 일으키는 셀을 각각 공격자 셀(Aggressor cell) 또는 프라이머리 셀(Primary Cell)이라고 하고, 간섭을 받는 셀을 희생 셀(Victim cell) 또는 세컨더리 셀(Secondary Cell)로 정의하고, 특정 서브프레임에서는 공격자 셀(Aggressor cell) 또는 프라이머리 셀이 데이터 전송을 중지하여, UE가 해당 서브프레임에서 희생 셀(Victim cell) 또는 세컨더리 셀과 접속을 유지할 수 있게 하는 방법이다. 즉, 이 방법은 이종의 셀이 서로 공존할 경우, 어느 영역에서 상당히 높은 간섭을 받는 UE에 대해서 한쪽 셀이 신호의 전송을 잠시 중단함으로써 간섭 신호를 거의 보내지 않게 한다.한편, 상기 데이터 전송이 중지되는 특정 서브프레임을 ABS(Almost Blank Subframe)라고 하며, 상기 ABS에 해당하는 서브프레임에서는 꼭 필요한 제어 정보 외에는 어떠한 데이터도 전송도 되지 않는다. 상기 꼭 필요한 제어 정보는 예를 들어, CRS이다. 따라서, ABS가 적용된 서브프레임 상에서는 데이터는 전송되지 않고, 0, 4, 7, 11 번 심볼 상에서 CRS 신호만이 전송되게 된다. 도 13은 기지국 간 간섭을 해결하기 위한 eICIC(enhanced Inter-Cell Interference Coordination)를 나타낸 예시도이다.도 13을 참조하면, 매크로 셀의 기지국(200)은 도시된 서브프레임의 데이터 영역에서 데이터 전송을 수행한다.이때, 소규모 셀의 기지국(300)은 간섭을 해결하기 위하여, eICIC를 적용한다. 즉, 상기 eICIC가 적용되면, 해당 서브프레임은 ABS에 따라 운용되어, 데이터 영역에서는 아무런 데이터도 전송되지 않을 수 있다.다만, ABS에 따라 운용되는 서브프레임에서는 0, 4, 7, 11 번 심볼 상에서 CRS만이 전송될 수 있다.다른 한편, 이와 같이 소규모 셀이 배치됨으로써, 셀 간 간섭 문제가 더욱더 심화될 수 있다. 이를 해결하기 위해서, 도시된 바와 같이, 상기 소규모 셀의 커버리지 크기는 상황에 따라서 축소될 수 있다. 혹은 상기 소규모 셀은 상황에 따라서 off되었다가 다시 on될 수 있다. 도 14은 소규모 셀이 과밀하게 배치된 상황을 나타낸 예시도이다.도 14를 참조하면, 매크로 셀의 커버리지 내에 소규모 셀이 과밀하게 배치된 상황이 나타나 있다. 이러한 상황에서는 UE(100)가 상기 소규모 셀들을 빠른 시간 내에 검출하는데 어려움이 있을 수 있다. 특히, 앞서 설명한 바와 같이 셀 검출은 PSS/SSS의 수신을 통해 수행된다. 그런데, 수 많은 소규모 셀들이 PSS/SSS를 동일한 타이밍, 즉 0번 및 5번 서브프레임 상에서 전송하게 되면, UE(100)가 한꺼번에 이를 모두 수신하는데 어려움이 있을 수 있다. 더구나, 소규모 셀들이 PSS/SSS를 0번 및 5번 서브프레임 상에서 동시에 전송하면 서로 간섭을 일으켜, UE(100)가 올바르게 수신하는데 어려움이 발생할 수 있다. 003c#본 명세서의 개시들003e#따라서, 본 명세서의 일 개시는 이러한 문제점을 해결하는 방안을 제시하는 것을 목적으로 한다. 도 15은 본 명세서의 일 개시에 따라 소규모 셀이 탐색 신호를 전송하는 예를 나타낸다.전술한 문제점을 해결하기 위해, 도 15를 참조하여 알 수 있는 바와 같이, 본 명세서의 일 개시는 UE가 소규모 셀들을 효율적으로 검출할 수 있도록 하기 위해, 소규모 셀이 기존의 PSS/SSS 외에 새로운 탐색 신호(discovery signal: DS)를 전송하는 것을 제안한다. 상기 탐색 신호(DS)는 탐색 참조 신호(Discovery Reference Signal: DRS)로 불릴 수도 있다 이에 따라, UE는 기존의 PSS/SSS 외에 탐색 신호(DS)를 이용한 셀 탐색 과정(Cell Search Procedure) 또는 셀 검출 과정을 수행하여야 한다.여기서, 상기 탐색 신호(DS)는 긴 주기를 가지고 주기적으로 전송되는 신호를 의미하는 것일 수 있다.이러한 탐색 신호(DS)는 소규모 셀 뿐만 아니라, RRH(remote radio head), 전송 포인트(TP)(transmission point), 등에 의해서도 전송될 수 있다.상기 탐색 신호(DS)는 다음과 같은 특징을 가질 수 있다. - 기존 PSS/SSS 그리고 CRS에 비하여 더 많은 셀을 검출할 수 있게 함- 짧은 시간, 예컨대 하나의 서브프레임 동안에 더 많은 셀을 검출할 수 있게 함- 짧은 시간, 예컨대 하나의 서브프레임 동안에 측정을 수행할 수 있게 함- on/off 동작을 수행하는 소규모 셀에 대한 측정을 지원함. 다시 말해서 소규모 셀이 Off 상태일 때에도, 상기 소규모 셀은 탐색 신호(DS)를 전송함으로써, UE가 상기 탐색 신호에 기반하여 측정을 수행할 수 있게 함.상기 탐색 신호(DS)는 다음과 같은 신호로 구현될 수 있다. (a) PSS/SSS/CSI-RS/CRS 또는 PSS/SSS/설정가능한 CRS(b) PSS/SSS/CRS(c) PSS/SSS/CSI-RS(d) PSS/SSS/CSI-RS/CRS 또는 PSS/SSS/설정가능한 CSI-RS이러한 탐색 신호(DS)는 대략적인(coarse) 시간/주파수 트래킹(tracking), 측정을 위해서 사용될 수 있다. 한편, 탐색 신호(DS)는 아래의 요구 사항을 충족해야 한다. - 탐색 신호(DS)는 매우 높은 초기 타이밍 에러(예컨대, +- 2.5ms)를 가정할 때, 대략적인(coarse) 시간 동기를 지원해야 함- 탐색 신호(DS)는 매우 높은 초기 주파수 에러(예컨대, 20Khz)를 가정할 때, 대략적인 주파수 동기를 지원해야 함- 탐색 신호(DS)는 적어도 3개 이상의 셀을 검출할 수 있도록 지원해야 함한편, 탐색 신호(DS)의 주기는 다음의 제약을 고려하여 결정된다. - 여러 측정 갭 구간(measurement gap period): 40msec, 80msec, 160msec 또는 320msec - DRX 사이클과 정렬(align): 10, 20, 32, 40, 64, 80, 128, 160, 256, 320, 512, 640, 1024, 1280, 2048, 2560- 탐색 신호의 일부로서 PSS/SSS가 전송될 경우, 상기 탐색 신호의 주기는 5msec의 배수가 되어, on 상태에서 전송되는 일반적인 PSS/SSS는 상기 탐색 신호의 PSS/SSS에 의해 대체되어야 한다. 다만, 이러한 제약은 소규모 셀이 on 상태에서 탐색 신호를 전송하지 않을 경우에는 적용되지 않을 수 있다. 대안적으로 본 명세서의 개시에 따라 개선된 UE가 아닌 기존 UE의 영향을 최소화하기 위해서, 기존 PSS/SSS외에 탐색 신호를 위한 PSS/SSS가 별도로 전송될 수도 있다. 이와 같이 기존 PSS/SSS외에 탐색 신호를 위해 별도로 전송되는 PSS/SSS를 DS-PSS(혹은 DRS-PSS)/DS-SSS(혹은 DRS-SSS)라고 부를 수도 있다. 이 경우, DS-PSS(혹은 DRS-PSS)/DS-SSS(혹은 DRS-SSS)의 기반의 되는 셀 ID와 PSS/SSS의 기반의 되는 셀 IDㄴ느 서로 다를 수 있다. 다른 한편, 기존 CRS 외에 탐색 신호를 위해 별도로 CRS와 CSI-RS 중 하나 이상이 전송된다면, 이러한 CRS와 CSI-RS를 DS-CRS(혹은 DRS-CRS)와 DS-CSI-RS(혹은 DRS-CSI-RS)라고 각기 부를 수 있다. 또한, 기존 PRS 외에 탐색 신호를 위해 별도로 PRS가 전송된다면, 이러한 PRS를 DS-PRS(혹은 DRS-PRS)라고 부를 수도 있다.또한, 본 명세서에서 DRS-PSS, DRS-SSS, DRS-CRS, DRS-CSI-RS, 및 DRS-PRS는 각각 탐색 신호(DS)에 포함되는 PSS, SSS, CRS, CSI-RS, 및 PRS를 의미한다.한편, 특정 셀이 긴 주기로 전송하는 DRS가 앞에서 언급한 (a)-(d)의 형태 중 어느 하나의 형태라면, 우선 DRS-PSS, DRS-SSS, DRS-CRS 및 DRS-CSI-RS의 시퀀스 및 자원은 기존의 PSS, SSS, CRS, CSI-RS와 최대한 유사한 형태로 전송될수 있도록 하되 다른 스크램블링 초기 파라미터 그리고/또는 자원 위치(예컨대, 다른 주파수/시간 자원) 상에서 전송되는 형태로 종래의 PSS, SSS, CRS, CSI-RS와 차이를 가질 수 있다. 보다 구체적으로, DRS-CSI-RS는 기존 CSI-RS의 자원 패턴을 사용하되 전송 서브프레임 및 주기 혹은 스크램블링 ID는 다를 수 있다. 즉, 특정한 셀이 전송하는 DRS-CSI-RS와 CSI-RS의 스크램블링 ID, 안테나 포트의 개수, 전송 주기/오프셋 등은 다를 수 있다. 도 16은 클러스터 내의 다수의 전송 포인트(TP)(혹은 소규모 셀)이 동일한 물리적 셀 식별자(PCID)를 사용하는 예를 나타낸다.도 16을 참조하여 알 수 있는 바와 같이, 다수의 전송 포인트(TP)(혹은 소규모 셀)들이 클러스터(cluster)단위로 그룹화 되고, 각 클러스터 내의 전송 포인트(TP)(혹은 소규모 셀)들은 자신의 매크로 기지국과 동일한 물리 셀 식별자(Physical Cell ID; PCID)를 사용할 수 있다. 이러한 환경을 공유 셀-ID 시나리오라고 부를 수 있다. 이때 PCID는 현재 LTE 기술에서와 같이 PSS/SSS 및 CRS 전송을 위해 사용되는 셀 고유한 ID를 의미하거나, 혹은 특정 클러스터 내에서 공통적으로 사용하는 별도의 클러스터 ID일 수도 있다. 이러한 환경에서, 클러스터 내의 다수의 전송 포인트(TP)들간에 추가적인 셀 분산 이득(cell-splitting gain) 등을 얻기 위하여 각 전송 포인트(TP)별로 고유의 식별 정보가 부여될 수 있다. 이와 같이 전송 포인트(TP) 별 고유한 식별 정보를 전송 포인트(TP)ID라고 칭할 수 있다. 대표적인 실시 예로서 각 전송 포인트(TP)ID는 해당 전송 포인트(TP)에서 전송하는 CSI-RS 혹은 탐색 신호(DS) 중 어느 하나의 시퀀스 스크램블링 초기 파라미터(예컨대, scramblingIdentity)로서 사용될 수 있으며, 그 밖의 다른 전송 포인트(TP) 별 고유한 참조신호(RS)의 전송에 사용될 수도 있다.본 명세서에서는 각 전송 포인트(TP)가 고유의 전송 포인트(TP) 별로 고유한 탐색 참조 신호(DRS)를 전송하는 상황을 고려한다. DRS는 여러 개의 참조 신호(RS)로 구성될 수 있는데, 각 전송 포인트(TP)는 여러 개의 참조 신호(RS)를 전송하는 것을 가정하지는 않는다. 예를 들어, DRS가 DRS-PSS/DRS-SSS/DRS-CSI-RS/DRS-CRS로 구성되어 있다고 가정할 경우, DRS-PSS/DRS-SSS/DRS-CRS는 각 전송 포인트(TP)에서 전송될 수도 있고 대표적인 전송 포인트(TP)들에서 전송될 수도 있다. 한편, UE들이 탐색 신호(DS)을 통해 수행하는 역할 중 하나는 앞서 설명한 바와 같이 RSRP/RSRQ 측정이다. 기존 시스템에서 UE는 RSRP 측정 및 RSRQ 측정을 CRS를 통해 수행하였다. 이는, 소규모 셀에 대한 측정에 대해서도 마찬가지였다. 다만, 탐색 신호를 전송하는 소규모 셀에 대해서는 UE는 상기 탐색 신호를 통해 측정을 수행할 수도 있다. 그런데 CRS와 DRS는 서로 다른 시퀀스, RE 위치, RE 밀도(density)를 가질 수 있기 때문에, 동일 소규모 셀에 대해 CRS를 통해 측정한 RSRP, RSRQ의 값과 탐색 신호(DS)를 통해 측정한 RSRP, RSRQ 값은 서로 다를 수 있다. 이하, 설명의 편의상 기존에서 CRS를 이용해 측정한 RSRP, RSRQ의 값을 각각 C-RSRP, C-RSRQ라 칭하고, 기존과 달리 탐색 신호(DS)를 이용해 측정한 RSRP, RSRQ를 각각 D-RSRP, D-RSRQ라 칭한다.다른 한편, UE는 기지국으로부터 DRS 기반 측정을 위한 타이밍(timing) 정보인 DRS 측정 타이밍 설정(DRS Measurement Timing Configuration: DMTC)을 수신할 있다. 상기 DMTC는 측정 설정(measconfig) 내의 measobject 내에 포함되어 수신될 수 있다. 이러한 DMTC는 주기, 오프셋 값을 포함할 수 있으며, 추가적으로 구간(duration)의 값도 포함할 수 있다.다른 한편, 셀 간 간섭을 줄이기 위해 ABS가 운용되는 경우, UE는 어느 서브프레임이 ABS로 설정되어 있는지를 알지 못한다. 예를 들어, 공격자 셀이 ABS를 설정한 경우, 간섭 수준은 서브프레임 별로 크게 변동한다. 따라서, 일부 UE들은 특정 서브프레임들 상에서 자원 할당을 받지 못할 수도 있다. UE가 ABS가 설정된 서브프레임과 ABS가 설정되지 않은 서브프레임을 구별하지 못할 경우, UE는 서브프레임 별로 심하게 변동한 간섭 수준을 단순히 평균을 취한 후 보고해야 한다. 따라서, 부정확한 측정 결과가 보고된다. 이를 위해 해결하기 위해 앞서 설명한 시간 도메인 측정 리소스 제한 패턴(Time domain measurement resource restirction pattern), 즉 측정 서브프레임 패턴이 사용될 수 있다. 이와 같은 측정 서브페리임 패턴에 대한 정보를 UE에게 전달함으로써, UE는 특정 패턴의 서브프레임 상에서만 측정을 수행할 수 있다. 한편, 이웃 소규모 셀이 On/Off 동작을 수행하여, UE가 기존의 CRS을 이용해서는 상기 이웃 소규모 셀에 대한 측정을 수행하기 어려운 경우, 상기 UE는 상기 이웃 소규모 셀로부터의 탐색 신호(DS)를 이용하여 측정을 수행할 수 있다. 하지만 UE의 서빙 셀로서 on 상태로 동작하는 소규모 셀에 대해서는 UE가 CRS와 탐색 신호(DS) 중 어느 것을 이용하여 측정을 수행해야 하는지가 불분명해서 문제가 될 수 있다.다른 한편, 소규모 셀이 탐색 신호(DS)를 PSS/SSS/CRS(즉, DRS-PSS/DRS-SSS/DRS-CRS) 혹은 PSS/SSS/CSI-RS(즉, DRS-PSS/DRS-SSS/DRS-CSI-RS)의 조합으로 생성하고, 복수의 서브프레임(예컨대, 6개 또는 10개의 서브프레임) 상에서 전송하되, 일부 서브프레임은 ABS로 설정하는 경우, UE가 탐색 신호(DS)에 대해서도 측정 서브프레임 패턴에 의해서 지시된 제한된 서브프레임 상에서만 측정을 수행해야 하는지가 불분명하여 문제가 될 수 있다.또 다른 한편, 기존 정의에 따르면 RSSI는 CRS가 포함된 특정한 OFDM 심볼 상에서의 측정 결과를 기초로 산출된다. 그런데, 이러한 기존 정의를 탐색 신호(DS)에 대해서 바로 적용하면 문제가 될 수 있다. 왜 문제가 되는지를 설명하면 다음과 같다. 먼저, 기존 정의를 탐색 신호에도 적용하면, 탐색 신호에 대한 RSSI는 탐색 신호가 포함되는 OFDM 심볼 상에서만의 측정 결과를 기초로 산출된다. 그런데, 이웃 소규모 셀이 OFF 상태에서 탐색 신호를 전송하는 경우를 가정해보자. 이때에는, 하향링크 서브프레임 상에서 아무런 데이터가 전송되지 않기 때문에, 측정된 RSSI는 부정확하고, 그로 인해 RSRQ의 산출도 부정확해지는 문제점이 있다.언급한 문제점들을 각기 해결하기 위한 방안들에 대해서 이하 설명하기로 한다. I. 서빙 셀에 대한 RSRP/RSRQ 측정을 위한 참조 신호먼저, UE의 서빙 셀들 중에서 탐색 신호(DS)를 전송할 수 있는 서빙셀에 대해서 UE가 CRS와 탐색 신호(DS) 중 어느 것을 이용하여 RSRP/RSRQ 측정 수행해야 하는지에 대해서 설명하기로 한다. 다만, 아래의 예에서 특별한 언급이 없다면 UE의 서빙셀은 프라이머리 셀(PCell)을 가르키는 것으로 이해하여도 좋다.먼저 UE는 각 서빙 셀에 대한 탐색 신호 측정 타이밍 설정(Discovery signal Measurement Timing Configuration: DMTC)을 수신하지 않았을 경우, CRS 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 수 있다. 이때, 탐색 신호 측정 타이밍 설정 (DMTC)란, UE가 측정을 수행할 수 있는 서브프레임을 서빙 실에 UE에게 설정 해주는 것을 의미한다. 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)은 서브프레임 주기(ubframeperiod), 서브프레임 오프셋, 및/또는 서브프레임 구간(subframe duration)을 포함할 수 있다. UE가 각 서빙 셀에 대한 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)를 수신하였을 경우, UE는 다음과 같은 방안들 중 어느 하나의 방안에 따라 동작할 수 있다.첫 번째 방안으로서, UE가 서빙 셀과 연결(connection)을 맺고 있는 동안은 상기 서빙 셀은 항상 ON 상태에 있게 된다. 따라서 UE는 자신의 서빙 셀에 대해서는 항상 CRS 기반의 RSRP/RSRQ measurement를 수행할 수 있다. 즉, 상기 UE의 서빙 셀이 탐색 신호(DS)를 전송할지라도, 상기 UE는 탐색 신호(DS)가 아닌 CRS에 기반하여 RSRP/RSRQ 측정을 수행한다. 다시 말해서, UE는 자신의 서빙 셀에 대한 RSRP/RSRQ 보고를 수행할 시, C-RSRP, C-RSRQ 값만을 보고할 수 있다. 반면, 상기 UE는 이웃 셀에 대한 측정을 하려고 할 때에만 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 수 있다. 이러한 첫 번째 방안에 대해서 도면을 참조하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.도 17a은 CRS와 탐색 신호(DS) 중 어느 것을 이용하여 측정을 수행할지에 대한 첫 번째 해결 방안을 나타낸 예시도이다.도 17a를 참조하여 알 수 있는 바와 같이, UE가 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)를 수신하는 경우, 상기 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)을 적용하여 제2 셀에 대한 측정을 수행할 수 있다. 반면, 제1 셀에 대해서는 상기 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)를 적용하지 않고, CRS 기반의 측정을 수행할 수 있다.여기서, 상기 제1 셀이라 함은 UE의 서빙 셀 중 프라이머리 셀(Pcell)을 의미한다. 그리고 상기 제2 셀이라 함은 프라이머리 셀이 아닌 셀을 의미하는 것으로서, 예컨대 세컨더리 셀(Scell) 혹은 이웃 셀을 포함한다. 한편, 상기 제1 셀이 프라이머리 셀(Pcell)일 경우, 상기 UE는 프라이머리 셀(Pcell)에 대한 측정 서브프레임 패턴(예컨대, measSubframePatternPCell)을 수신할 수 있다. 이 경우, 상기 UE는 상기 측정 서브프레임 패턴을 적용하여 상기 프라이머리 셀(Pcell)에 대해 CRS 기반의 측정을 수행할 수 있다. 다시 말해서, 상기 UE는 상기 프라이머리 셀(Pcell)에 대한 측정 서브프레임 패턴에 의해 지시된 서브프레임 상에서 CRS 기반의 측정을 수행할 수 있다.도 17b은 CRS와 탐색 신호(DS) 중 어느 것을 이용하여 측정을 수행할지에 대한 첫 번째 해결 방안을 보다 상세하게 나타낸 예시도이다.도 17b를 참조하면, UE는 측정 서브프레임 패턴을 수신한다. 여기서 상기 수신은 프라이머리 셀(Pcell)에 대한 측정 서브프레임 패턴을 수신하는 것과 이웃 셀에 대한 측정 서브프레임 패턴을 수신하는 것을 모두 포함한다. 그러면, 상기 UE는 제1 셀, 예컨대 프라이머리 셀(Pcell)에 대해서는 상기 측정 서브프레임 패턴을 적용하여 CRS 기반의 측정을 수행한다. 즉, 상기 UE는 상기 측정 서브프레임 패턴에서 지시된 서브프레임 상에서 상기 제1 셀, 예컨대 프라이머리 셀(Pcell)로부터 수신되는 CRS를 이용하여 측정을 수행한다.한편, UE가 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)를 수신하는 경우에는, 상기 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)을 적용하여 제2 셀에 대한 측정을 수행하지만, 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)를 수신하지 못하는 경우에는 상기 측정 서브프레임 패턴을 적용하여 CRS 기반의 측정을 수행한다. 구체적으로, 상기 UE가 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)를 수신하지 못하는 경우에는, 상기 측정 서브프레임 패턴에서 지시된 서브프레임 상에서 상기 제2 셀로부터 수신되는 CRS를 이용하여 측정을 수행한다.이제 두 번째 해결 방안 및 세 번째 해결 방안에 대해서 설명하기로 한다.두 번째 방안에 따르면, UE는 서빙 셀에 대해 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 수 있다. 이 경우, UE는 서빙 셀과 이웃 셀을 구별하지 않고 특정 셀에 대한 탐색 신호(DS) 측정 타이밍 설정(DMTC)을 수신하면, 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 수 있다. 이 경우, UE는 자신의 서빙 셀에 대한 RSRP/RSRQ 측정 결과를 보고할 시, D-RSRP, D-RSRQ 값만을 보고할 수 있다.세 번째 방안에 따르면, UE는 CRS 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행하거나 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 수 있다. 즉, UE는 특정 참조 신호(RS)를 기반하여 측정을 수행하도록 제한되지 않고, CRS 또는 탐색 신호(DS) 기반의 측정을 수행하거나 CRS 기반의 측정과 탐색 신호(DS) 기반의 측정을 모두 수행할 수 있다. 이 경우, UE는 C-RSRP/C-RSRQ 및/또는 D-RSRP/D-RSRQ 값을 eNodeB에게 보고할 수 있다. 이 경우, UE는 RSRP/RSRQ 값을 eNodeB에게 보고하고, 해당 RSRP/RSRQ 값이 CRS 기반의 측정 값인지 탐색 신호(DS) 기반의 측정 값인지의 여부를 함께 report 할 수 있다. 위 경우에 UE가 eNodeB에게 RSRP/RSRQ 값을 보고할 시, 해당 RSRP/RSRQ 값이 CRS 기반의 측정 값인지 탐색 신호(DS) 기반의 측정 값인지의 여부에 대한 정보를 함께 전달할 수 있다.UE가 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 경우, 탐색 신호(DS)에 DS-CRS와 DS-CSI-RS가 모두 포함되어 있을 수 있다. 이 경우, UE는 RSRP/RSRQ 측정을 위해 DS-CRS를 이용하거나 DS-CSI-RS를 이용할 수 있다. 또는 UE는 DS-CRS와 DS-CSI-RS를 모두 이용할 수도 있다. 셀 ID(Cell ID) 운영 방식(즉, 공유 셀 ID 운영 방식 또는 비공유 셀ID 운영 방식)에 따라 UE는 특정 전송 포인트(TP)의 RSRP/RSRQ 측정을 DS-CRS로 수행해야 하는지 DS-CSI-RS로 수행해야 하는지의 여부가 달라질 수 있다. 비 공유 셀 ID 운영 방식에서는 전송 포인트(TP)마다 다른 (구분되는) DS-CRS (및 DS-CSI-RS)를 전송하게 되지만 공유 셀 ID 운영 방식에서는 전송 포인트(TP)간에 동일한 (구분되지 않는) DS-CRS를 전송하고 DS-CSI-RS만을 다르게 (구분되도록) 전송할 수 있기 때문이다. 이 경우, UE는 특정 셀 혹은 전송 포인트(TP)가 공유 셀 ID 운영 방식으로 동작하는지 아니면 비 공유 셀 ID 운영 방식으로 동작하는지를 알 수 없기 때문에, 어떠한 참조 신호(RS)를 이용하여 RSRP/RSRQ 측정을 수행해야 하는지 판단할 수 없을 수 있다. 이를 위해 eNodeB는 UE에게 상위 계층 시그널링을 통해 RSRP/RSRQ 측정을 DS-CRS(또는 CRS)로 수행할지 또는 DS-CSI-RS(또는 CSI-RS)로 수행할 지를 알려줄 수 있다. UE가 eNodeB로부터 상위 계층 시그널링을 통해 RSRP/RSRQ 측정을 DS-CRS로 수행 할 것을 설정받은 경우, UE는 DS-CRS로 RSRP/RSRQ 측정을 수행하고, 이를 eNodeB에게 보고할 수 있다. 또는 UE가 eNodeB로부터 상위 계층 시그널링을 통해 RSRP/RSRQ 측정을 DS-CSI-RS로 수행 할 것을 설정받은 경우, UE는 DS-CSI-RS로 RSRP/RSRQ 측정을 수행하고, 이를 eNodeB에게 보고할 수 있다II. Measurement subframe을 설정 받을 시, RSRP/RSRQ 측정한편, 앞서 설명한 바와 같이 UE가 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)를 수신하고 또한 측정 서브프레임 패턴도 수신하는 경우, 어느 서브프레임 상에서 측정을 수행해야 하는지가 불분명한 문제가 있다. 구체적으로 설명하면, UE가 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)을 수신한 경우, 상기 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)에 지시된 서브프레임 상에서 측정을 수행해야 한다. 아울러, 상기 UE가 측정 서브프레임 패턴을 수신하는 경우, 상기 UE는 상기 측정 서브프레임 패턴에 의해서 지시된 서브프레임 상에서 측정을 수행해야 한다. 그런데, 상기 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)에 의해서 지시된 서브프레임과 상기 측정 서브프레임 패턴에 의해서 지시된 서브프레임들이 서로 완전히 동일하지 않은 경우, 상기 UE는 어느 서브프레임 상에서 측정을 수행해야 하는지를 헷갈릴 수 다.이에 대한 해결 방안들에 대해서 설명하기로 한다. 먼저, 아래의 해결 방안들은 UE의 서빙 셀과 이웃 셀간에 서로 타이밍이 맞지 않는 상황 (asynchronous case)를 고려하여, UE가 이웃 셀의 SFN, 서브프레임 인덱스를 모르더라도 제한된(restricted) 측정을 수행할 수 있도록 측정 서브프레임 패턴은 서빙 셀의 타이밍을 기준으로 하여 설정되는 것을 전제로 할 수 있다. 이때, 서빙 셀이라 함은 CA나 이중 연결(dual connectivity)와 같은 환경을 고려할 때, UE의 프라이머리 셀(PCell)이거나 세컨더리 셀 그룹(SCG)의 sPCell이거나, 특정 세컨더리 셀(Scell), 또는 지원 정보(assistance information)를 보내주는 셀 일 수 있다.첫 번째 해결 방안은 탐색 신호(DS)가 PSS/SSS/CSI-RS을 포함하거나 PSS/SSS/CRS/CSI-RS를 포함하는 예에 대한 것이다. 이와 같이 탐색 신호(DS)가 PSS/SSS/CSI-RS 또는 PSS/SSS/CRS/CSI-RS를 포함하는 경우, UE는 해당 CSI-RS (즉, DS-CSI-RS)를 통해 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 수 있다. 이러한 경우, 간섭을 줄이기 위해 DS-CSI-RS는 인접한 셀 혹은 전송 포인트(TP) 간에 서로 다른 스크램블링 인덱스 및/또는 RE 위치를 사용하여 서로 직교(orthogonal)되도록 전송될 수 있다. 따라서 이러한 경우, UE는 eNodeB로부터 수신된 측정 서브프레임 패턴에 지시된 서브프레임 상에서 제한된 측정을 수행할 필요가 없어지게 된다. 따라서 첫 번째 해결 방안은 UE가 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 경우(D-RSRP, D-RSRQ를 측정하는 경우), UE가 측정 서브프레임 패턴을 수신하더라도, 해당 측정 서브프레임 패턴을 무시하고 측정을 수행할 것을 제안한다. 이 경우, UE는 측정 서브프레임 패턴, 즉 measSubframePatternPCell, measSubframePatternNeigh는 CRS로 RSRP/RSRQ 측정을 수행하는 경우에만 적용할 수 있다.두 번째 해결 방안은 탐색 신호가 PSS/SSS/CRS를 포함하거나, PSS/SSS/CRS/CSI-RS를 포함하는 예에 대한 것이다.탐색 신호(DS)가 PSS/SSS/CRS를 포함하는 경우, UE는 해당 CRS(즉, DS-CRS)를 통해 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 수 있다. 또는 탐색 신호(DS)가 PSS/SSS/CRS/CSI-RS를 포함하는 경우 경우, UE는 DS-CRS 및/또는 DS-CSI-RS를 이용하여 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 수 있다. 이와 같은 상황에서 UE가 측정 서브프레임 패턴을 수신하고 설정한 경우, UE는 아래와 같이 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 수 있다. 아래의 내용은 탐색 신호(DS)에 DS-CRS가 포함된 경우에 대해 설명하지만, 탐색 신호(DS)에 DS-CRS가 포함되지 않고 DS-CSI-RS만이 포함된 경우에도(즉, 탐색 신호(DS)는 PSS/SSS/CSI-RS를 포함하는 경우) 적용될 수 있다.두 번째 해결 방안의 첫 번째 실시예로서, UE는 측정 서브프레임 패턴에 의해서 지시된 서브프레임들 중에서 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)에 의해서 지시된 서브프레임과 중첩되는 서브프레임 상에서 탐색 신호 기반의 측정을 수행할 수 있다. 즉, UE가 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)에 따라 탐색 신호(DS)를 통해 RSRP/RSRQ를 측정하는 경우에도 상기 UE는 측정 서브프레임 패턴에 의해서 지시된 제한된 서브프레임 상에서만 측정을 수행해야 할 수 있다. 다시 말해서, UE가 CRS 뿐 아니라 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)에 따라 탐색 신호(DS)를 통해 RSRP/RSRQ 측정을 수행하는 경우에도 측정 서브프레임 패턴, 즉 measSubframePatternPCell, measSubframePatternNeigh가 적용될 수 있다. 구체적인 흐름을 도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.도 18은 측정 서브프레임 패턴과 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)를 모두 수신하는 경우, UE가 측정을 수행할 서브프레임을 결정하는 과정을 나타낸다.도 18을 참조하여 알 수 있는 바와 같이, UE는 측정 서브프레임 패턴을 수신한다. 그리고 상기 UE가 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)도 수신하는 경우, 상기 UE는 상기 측정 서브프레임 패턴과 상기 탐색 신호 측정 타이밍 설정에 모두 기초하여, 측정을 수행할 서브프레임을 선택하고, 상기 선택된 서브프레임 상에서 측정을 수행한다. 구체적으로, 상기 UE는 측정 서브프레임 패턴에 의해서 지시된 서브프레임들 중에서 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)에 의해서 지시된 서브프레임과 중첩되는 서브프레임을 선택한다. 이에 대해서 도면을 참조하여 예시적으로 설명하면 다음과 같다.도 19a 및 19b는 측정 서브프레임 패턴과 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC) 모두에 기초해 측정을 수행할 서브프레임을 결정하는 예를 나타낸다.도 19a에 도시된 바와 같이, 탐색 신호 측정 설정 타이밍(DMTC)에 따르면 탐색 신호(DS)가 복수의 서브프레임(예컨대 6개의 서브프레임) 상에서 수신될 수 수 있다. 이 때, DS-PSS, DS-SSS는 상기 서브프레임들 중 일부(예컨대, 1개의 서브프레임) 또는 전체 서브프레임 상에서 수신될 수 있으나, DS-CSI-RS는 전체 서브프레임 상에서 수신될 수 있다. 도 19b를 참조하면, 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)에 의해 지시된 서브프레임 들 중에서 측정 서브프레임 패턴에 의해서 지시된 서브프레임과 중첩되는 서브프레임 상에서만 UE는 측정을 수행할 수 있다.두 번째 해결 방안의 두 번째 실시예로서, 탐색 신호(DS)가 예를 들어 한 개 서브프레임과 같이 적은 수의 서브프레임으로 통해 전송될 것을 고려하면, 탐색 신호(DS)에 DS-CRS가 포함되더라도 측정 서브프레임 패턴에 의해서 지시된 제한된 서브프레임 상에서만 측정을 수행하는 것이 무의미 할 수 있다. 따라서 UE는 탐색 신호(DS)로 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 경우(즉, D-RSRP, D-RSRQ를 측정하는 경우), 측정 서브프레임 패턴을 수신하였더라도, 해당 측정 서브프레임 패턴을 무시하고 측정을 수행할 수 있다. 이 경우, 측정 서브프레임 패턴, 즉 measSubframePatternPCell, measSubframePatternNeigh는 UE가 CRS로 RSRP/RSRQ 측정을 수행하는 경우에만 적용 될 수 있다. 보다 구체적으로, measSubframePatternNeigh가 설정되면, UE는 상기 measSubframePatternNeigh가 포함되어 있는 measurement object(또는 이웃 셀 리스트)에 속하는 셀의 경우, CRS를 전송한다고 가정하고 CRS기반의 측정을 수행할 수 있다. 다시 말하면 측정 서브프레임 패턴을 수신하면, 상기 UE는 해당 셀들이 항상 ON 되어 있다고 가정할 수 있다. 또는 기지국은 해당 셀들의 ON/OFF상태를 알려주어, 해당 셀이 ON인 경우에는 상기 UE가 상기 측정 서브프레임 패턴에 의해서 지시된 제한된 서브프레임 상에서 CRS를 사용하여 측정을 수행하도록 할 수 있다. 반면, OFF인 경우에는 상기 UE는 측정 서브프레임 패턴을 무시하고, 즉 상기 측정 서브프레임 패턴에 의한 서브프레임의 제한을 받지 않고 탐색 신호(DS)를 사용하여 측정을 수행할 수 있다. UE가 해당 셀의 탐색 신호(DS)를 검출하거나 탐색 신호(DS)로 측정을 수행하도록 설정받았을 경우는, 상기 상기 측정 서브프레임 패턴을 무시하고 탐색 신호(DS) 기반의 측정을 수행한다. 다만, UE는 CRS 기반의 측정 보고와 탐색 신호 기반의 측정을 모두 보고할 수 있다. 한편, 탐색 신호(DS) 기반으로 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 경우 탐색 신호(DS)의 형태 및 전송 서브프레임 영역에 따라, 측정 서브프레임 패턴의 적용 여부가 달라질 수 있다. 따라서 본 명세서는 UE가 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정 시, 상기 첫 번째 실시예와 상기 두 번째 실시예 중 어떠한 기법을 사용할지 (즉, 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정 시, 측정 서브프레임 패턴에 지시된 제한된 서브프레임의 적용 여부)를 eNodeB가 UE에게 상위 계층 시그널링을 통해 알려줄 것을 제안한다. 구체적으로, 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정 시, 첫 번째 실시예의 기법과 상기 두 번째 실시예의 기법 중 어떠한 기법을 사용할지는 주파수 별로 또는 Measurement object 별로 각각 설정 될 수 있다. 이러한 설정은 measSubframePatternPCell와 measSubframePatternNeigh가 각각이 또는 전체가 CRS 기반의 RSRP/RSRQ 측정의 경우에만 적용되는 지, CRS 뿐 아니라 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행하는 경우에도 적용이 되는지의 여부를 알려주는 방식으로 설정될 수도 있다. 구체적으로, 특정 measSubframePatternNeigh가 CRS 기반의 RSRP/RSRQ 측정의 경우에만 적용되는 지, CRS 뿐 아니라 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행하는 경우에도 적용이 되는지의 여부는 Measurement object 별로 설정될 수 있다. measSubframePatternNeigh는 Measurement object 별로 존재하므로, Measurement object에 CRS 뿐 아니라 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행하는 경우에도 적용이 되는지의 여부를 지시 해주는 정보를 포함할 수 있다. 이는 네트워크에 유연성를 제공할 수 있다는 장점이 있다.III. RSSI 정의에 대한 개선앞서 설명한 바와 같이, 기존 정의에 따르면 RSSI는 CRS가 포함된 특정한 OFDM 심볼 상에서의 측정 결과를 기초로 산출된다. 그런데, 이러한 기존 정의를 탐색 신호(DS)에 대해서 바로 적용하면 다음과 같이 문제가 될 수 있다. 이웃 소규모 셀이 OFF 상태에서 탐색 신호를 전송하는 경우를 가정해보자. 이때에는, 하향링크 서브프레임 상에서 아무런 데이터가 전송되지 않기 때문에, 측정된 RSSI는 부정확하고, 그로 인해 RSRQ의 산출도 부정확해지는 문제점이 있다.이에 대한 해결 방안으로 다음과 같이 RSSI의 정의를 개선할 수 있다. 개선 방안의 첫 번째 예시(Option A)로서, RSSI 측정은 전체 OFDM 심볼 상에서 수행되도록 개선될 수 있다. 개선 방안의 두 번째 예시(Option B)로서, RSSI 측정은 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 심볼(non-DS-transmitting symbol) 상에서 수행되도록 개선될 수 있다.개선 방안의 세 번째 예시(Option C)로서, RSSI 측정은 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 서브프레임(non-DS-transmitting subframe) 상에서 수행되도록 개선될 수 있다.위 첫 번째 예시(Option A)에 대해서 상세하게 설명하면 다음과 같다. RSSI에 의해서 지시되는 간섭을 정확하게 반영하기 위해서 탐색 신호(DS)가 검출되는 서브프레임 상의 전체 OFDM 심볼 상에서 RSSI가 측정되도록 할 수 있다. 이는, 측정 서브프레임 패턴을 적용할 때 아주 효과적일 수 있다. 이는, 측정 서브프레임 패턴이 ABS를 고려하여 결정되기 때문이다.위 두 번째 예시(Option B)에 대해서 상세하게 설명하면 다음과 같다. 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 심볼(non-DS-transmitting symbol) 상에서 RSSI 측정이 수행되도록 하는 것은 다음과 같이 다양하게 나뉠 수 있다. 먼저, 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 OFDM 심볼들을 사용하여 RSSI 측정을 수행할 수 있다(Option B-1). 다음으로, 탐색 신호(DS) 전송을 위해 사용될 수 없는 OFDM 심볼들을 사용하여 RSSI 측정을 수행할 수 있다(Option B-2). 마지막으로, eNodeB에 의해서 설정된 또는 미리 정의된 OFDM 심볼들을 사용하여 RSSI 측정을 수행할 수 있다(Option B-3). 아래에서 DS-PSS/DS-SSS는 OFDM 심볼 #5, #6가 아닌 새로운 OFDM 심볼 영역을 통해 전송될 수도 있으나, 설명의 편의를 위해 OFDM symbol #5, #6을 통해 전송된다고 가정하겠다.Option B-1를 보다 구체적으로 설명하자면 다음과 같다. UE는 RSSI 측정을 수행하는 대상 셀 혹은 전송 포인트(TP)의 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 OFDM 심볼들을 사용하여 RSSI measurement를 사용할 수 있다. 예를 들어 특정 셀 혹은 전송 포인트(TP)의 탐색 신호(DS)가 DS-PSS/DS-SSS(OFDM 심볼 #5, #6 상에서 전송됨), DS-CRS(OFDM 심볼 #0, #4, #7, #11상에서 전송됨)를 포함하는 경우, UE는 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 OFDM 심볼 #1, #2, #3, #8, #9, #10, #12, #13을 사용하여 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 또 다른 예로 특정 셀 혹은 전송 포인트(TP)의 탐색 신호(DS)가 DS-PSS/DS-SSS(OFDM 심볼 #5, #6상에서 전송됨), DS-CSI-RS (OFDM 심볼 #9, #10상에 서 전송됨)을 포함하는 경우, UE는 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 OFDM 심볼 #0, #1, #2, #3, #4, #7, #8, #11, #12, #13 상에서 RSSI 측정을 수행하게 된다.또한 탐색 신호(DS)가 DS-PSS/DS-SSS/DS-CRS/DS-CSI-RS를 포함하는 경우, 측정을 수행하는 셀 혹은 전송 포인트(TP)에서 각각의 RS들이 모두 전송되지 않는 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행하게 된다. 또는 공유 셀 ID 운영 환경을 고려하여, DS-CSI-RS가 전송되지 않는 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수도 있다. 이러한 기법에서 UE는 RSSI 측정을 수행하는 대상 셀 혹은 전송 포인트(TP)의 탐색 신호(DS) 중 측정 수행을 위한 RS(DS-CRS 및/또는 DS-CSI-RS)가 전송되지 않는 OFDM 심볼 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다.Option B-2를 보다 구체적으로 설명하자면 다음과 같다. 먼저 탐색 신호(DS)가 DS-PSS/DS-SSS/DS-CRS를 포함하는 경우, UE는 DS-PSS/DS-SSS/DS-CRS가 전송될 수 있는 후보(candidate) OFDM 심볼 영역들을 제외 한 나머지 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 이러한 기법에서 UE는 측정 수행을 위한 RS (DS-CRS 및/또는 DS-CSI-RS)가 전송될 수 있는 후보(candidate) OFDM 심볼들을 제외 한 나머지 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행 할 수 있다. 즉, 이러한 경우에는 아래 예제들에서 언급한 RSSI 측정을 위한 OFDM 심볼의 영역 중에서 측정에 사용되는 RS가 전송되지 않는 심볼 영역은 제외된다. DS-PSS, DS-SSS만이 전송되는 OFDM 심볼 영역은 DS-PSS, DS-SSS가 전송되는 OFDM 심볼 영역도 RSSI 측정에서 제외하는 경우를 생각해 보면, 예를 들어 FDD를 기준으로 설명하면 DS-CRS가 전송되는 OFDM 심볼 영역이 특정 셀에서는 OFDM 심볼 #0, #4, #7, #11과 같고, 다른 셀에서는 OFDM 심볼 #0, #1, #4, #5, #7, #8, #11, #12와 같을 수 있다. 이 경우, UE는 OFDM 심볼 #0, #1, #4, #5, #6, #7, #8, #11, #12 를 제외 한 나머지 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 이러한 RSSI 측정을 위한 OFDM 심볼 영역은 DS-CRS가 전송되는 안테나 포트의 개수에 따라 달라질 수 있다. 안테나 포트 0, 1를 통해서는 DS-CRS가 OFDM 심볼 #0, #4, #7, #11 사에서는 전송되나, 안테나 포트 2, 3를 통해서는 DS-CRS가 OFDM 심볼 #0, #1, #4, #5, #7, #8, #11, #12 상에서 전송된다. 따라서 DS-CRS가 지닐 수 있는 안테나 포트의 개수에 따라 RSSI 측정을 수행하는 OFDM 심볼 영역이 달라질 수 있다. 즉, DS-CRS가 지닐 수 있는 안테나 포트의 개수가 1 및/또는 2이라면 UE는 OFDM 심볼 #0, #4, #5, #6, #7, #11를 제외 한 나머지 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 하지만 DS-CRS가 지닐 수 있는 안테나 포트의 개수가 1~4라면, UE는 OFDM 심볼 #0, #1, #4, #5, #6, #7, #8, #11, #12를 제외 한 나머지 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 이러한 DS-CRS가 지닐 수 있는 안테나 포트의 개수는 주파수 마다 다를 수 있으며, 이러한 경우 UE는 주파수 마다 설정받은 DS-CRS의 안테나 포트의 개수를 사용하여 다른 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행해야 할 수 있다. 탐색 신호(DS)가 DS-PSS/DS-SSS/DS-CSI-RS를 포함하는 경우, UE는 DS-PSS/DS-SSS/DS-CSI-RS가 전송될 수 있는 후보 (candidate) OFDM 심볼 영역들을 제외 한 나머지 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 예를 들어 FDD 기준으로 설명하면, DS-CSI-RS가 모든 CSI-RS RE 설정을 가질 수 있다고 할 때, DS-CSI-RS는 OFDM 심볼 #5, #6, #9, #10, #12, #13상에서 전송될 수 있다. 이 경우, UE는 OFDM 심볼 #5, #6, #9, #10, #12, #13를 제외 한 나머지 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 특히 ZP(zero-power) CSI-RS 설정을 통해 다른 셀 혹은 전송 포인트(TP)의 DS-CSI-RS가 전송 될 수 있는 RE 영역 상에 데이터를 뮤팅(muting) 시켜주는 것을 가정할 때, UE는 ZP CSI-RS로 설정 되지 않은 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. DS-CSI-RS가 전송될 수 있는 OFDM 심볼 영역은 FDD와 TDD의 경우에 서로 다르므로, UE가 RSSI 측정을 수행하는 OFDM 심볼 영역은 UE가 measurement를 수행하는 frequency의 FDD/TDD type에 따라 달라질 수 있다. 탐색 신호(DS)가 DS-PSS/DS-SSS/DS-CRS/DS-CSI-RS를 포함하는 경우, UE는 (측정을 수행하는 주파수 에서) 각각의 RS들이 모두 전송될 수 없는 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행하게 된다. 또는 공유 셀 ID 운영 환경을 고려하여, DS-CSI-RS가 전송될 수 없는 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수도 있다. 이러한 Option B-2를 사용하는 것은 이웃 셀들이 지닐 수 있는 모든 탐색 신호(DS)가 RSSI 측정에 영향을 미치는 것을 방지하기 위함이다. Option B-3에서는 UE는 미리 정의된 OFDM 심볼 영역 또는 eNodeB로부터 설정받은 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행한다. eNodeB로부터 RSSI 측정을 위한 OFDM 심볼 영역을 설정받을 경우, 이러한 RSSI 측정을 위한 OFDM 심볼 영역은 주파수 별로 설정될 수 있다. 이때 UE가 미리 정의된 OFDM 심볼 영역에서 RSSI 측정을 수행하는 경우, RSSI 측정을 위한 OFDM 심볼 영역은 제1 슬롯 내의 OFDM 심볼 #0, #1, #2, #3 in 으로 정해질 수 있다. 이러한 영역은 DS-PSS, DS-SSS, DS-CSI-RS 등의 위치를 최대한 배제한 위치이면서도, DS-CRS를 일부 포함하여 RSSI 값이 거의 영(zero) 값이 되는 것을 막을 수 있다. 또한 DS-CRS가 탐색 신호(DS)에 포함되지 않은 경우, ON 상태에서 전송되는 CRS를 RSSI 측정에 포함시킴으로써, 보다 정확한 RSSI 값을 측정하게 해준다. 또는 RSSI 측정을 위한 OFDM 심볼 영역은 제1 슬롯의 OFDM 심볼 #1, #2, #3으로 정해질 수 있다. 이러한 영역은 DS-PSS, DS-SSS, DS-CSI-RS, DS-CRS 등의 위치를 최대한 배제한 위치이다.한편, 공유 셀 ID 운영 환경을 가정하면 DS-PSS/DS-SSS(/DS-CRS)로 PCID를 검출하고 DS-CSI-RS로 전송 포인트의 ID(TPID)를 검출할 수 있다. 이때 TPID DS-CSI-RS의 RE 설정 인덱스 또는 스크램블링 인덱스 (또는 RE 설정 인덱스와 스크램블링 인덱스를 통해 설정되는 인덱스)를 의미할 수 있다. 이 경우, 특정 PCID에 대한 셀(클러스터)의 RSRP/RSRQ 측정은 DS-CRS를 사용하여 수행하고, 동일한 PCID를 사용하는 각 전송 포인트(TP)(즉, 클러스터 내의 각 전송 포인트(TP))에 대한 RSRP/RSRQ 측정은 DS-CSI-RS를 사용하여 수행할 수 있다. 이 때, DS-CRS를 사용하여 특정 PCID에 대한 셀(클러스터)의 RSSI 측정을 수행하는 OFDM 심볼 영역과 DS-CSI-RS를 사용하여 전송 포인트(TP)에 대한 RSSI 측정을 수행하는 OFDM 심볼 영역이 서로 다를 수 있다. 예를 들어, DS-CRS를 사용하여 특정 PCID에 대한 셀(혹은 클러스터)의 RSSI 측정을 수행하는 OFDM 심볼 영역이 DS-CRS가 전송되는 전체 또는 일부 OFDM 심볼 영역을 포함할 때, DS-CSI-RS를 사용하여 전송 포인트(TP)에 대한 RSSI 측정을 수행하는 경우에는, DS-CRS가 전송되는 OFDM 심볼 영역을 측정을 위한 심볼 영역에서 제외할 수 있다. 예를 들어 DS-CRS를 사용하여 셀(혹은 클러스터)의 RSRP/RSRQ를 측정할 때, RSSI 측정을 수행하는 OFDM 심볼 영역은 OFDM 심볼 제1 슬롯의 #0, #1, #2, #3과 같을 수 있다. 하지만 DS-CSI-RS를 사용하여 전송 포인트(TP)의 RSRP/RSRQ를 측정할 때, RSSI 측정을 수행하는 OFDM 심볼 영역은 DS-CRS가 전송되는 OFDM 심볼 영역을 제외하여 제1 슬롯의 OFDM 심볼 #1, #2, #3과 같을 수 있다.위 세 번째 예시(Option C)(즉, 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 서브프레임 상에서의 RSSI 측정)에 대해서 상세하게 설명하면 다음과 같다. 앞선 두 번째 예시(Option B)는 UE가 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 OFDM 심볼(non-DS-transmitted OFDM 심볼) 상에서 RSSI를 측정하도록 하는데, 이때 탐색 신호(DS)가 차지하는 OFDM 심볼의 양이 많은 경우 RSSI 측정을 수행할 OFDM 심볼의 양이 충분하지 않을 수 있다. 이를 해결하기 위해 세 번째 예시(Option C)는 UE가 RSSI 측정을 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 서브프레임 상에서 수행하도록할 수 있다. 이 경우, eNodeB가 UE에게 RSSI 측정을 수행 할 서브프레임 위치를 알려줄 수도 있지만, 시그널링 오버헤드 등을 줄이기 위해 또는 설정이 필요하지 않은 상황을 고려하여 UE가 묵시적(implicit)으로 RSSI 측정을 수행 할 서브프레임의 위치를 알도록 할 수 있다. UE는 eNodeB로부터 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)을 받을 수 있다. 이러한 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)은 주기 및 오프셋 값을 포함할 수 있으며, 추가적으로 구간(duration)의 값도 포함할 수 있다. 따라서, 여기서는 UE가 측정을 수행 할 셀 혹은 전송 포인트(TP)의 PCID(TPID)를 검출한 서브프레임의 다음(next) 서브프레임에서 RSSI 측정을 수행할 것을 제안한다. 또는 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)내에 주기 및 오프셋 값이 포함된 경우, UE는 해당 설정이 가리키는 서브프레임 위치(즉, n번째 서브프레임)의 하나 전 서브프레임(즉, n-1번째 서브프레임) 또는 다음 서브프레임에서(즉, n+1번째 서브프레임)상에서 RSSI 측정을 수행하도록 할 것을 제안한다. 또는 해당 설정이 가리키는 서브프레임 위치(즉, n번째 서브프레임)의 하나 전 서브프레임(즉, n-1번째 서브프레임) 또는 다음 서브프레임(즉, n+1번째 서브프레임)을 포함하는 서브프레임 상에서 UE가 RSSI 측정을 수행하도록 할 것을 제안한다. 또는 해당 설정이 가리키는 서브프레임 위치 외의 서브프레임 상에서 UE가 RSSI 측정을 수행하도록 할 것을 제안한다. 이러한 옵션들은 모든 셀 또는 전송 포인트(TP)들이 동일한 서브프레임에서 탐색 신호(DS)를 전송하고 탐색 신호(DS)는 1개의 서브프레임을 포함하는 경우에 유용할 수 있다.앞서 설명한 바와 같이 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)은 주기 및 오프셋 값과 추가적으로 구간(duration)의 값도 포함할 수 있다. 이 경우, UE는 eNodeB로부터 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)을 받았을 때, 수신한 타이밍 구간 외의 서브프레임 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 이때, UE는 상기 설정 내에 지시된 타이밍 구간이 끝나고 다음 서브프레임 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. UE가 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 서브프레임 상에서 RSSI 측정을 수행하는 또 다른 방법으로, 특정 구간 동안의 서브프레임 상에서 UE가 RSSI 측정을 수행하도록 할 것을 제안한다. 이때, 실제 탐색 신호(DS)는 해당 구간의 일부 서브프레임 상에서만 수신될 수도 있다. 이러한 측정 방법의 일례로 UE는 실제 탐색 신호(DS)가 전송되는 서브프레임의 위치를 고려하지 않고, 특정 구간 동안의 각 서브프레임 상에서 RSSI를 측정하여, 얻은 RSSI 값들 평균함으로써 RSSI 측정을 보고할 수 있다. 이때, 해당 구간의 값은 상기 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)에 포함될 수 있다. 또는 해당 구간의 값은 탐색 신호(DS)가 전송될 것으로 기대되는 구간 값 외에 별도로 eNodeB로부터 설정받은 RSSI 측정을 위한 구간 값일 수 있다. 또는 UE는 RSSI 측정을 위한 별도의 타이밍 설정(주기, 오프셋 및/또는 구간)을 설정받고, 해당 구간 동안의 서브프레임들을 상에서 RSSI 측정을 수행하고, 상기 해당 구간 동안 측정 된 RSSI 값을 평균내어 보고할 수도 있다. 다른 한편, eNodeB는 위에서 설명한 Option A의 기법과 Option B의 기법 중 어떠한 기법을 사용하여 RSSI 측정을 수행할 것인지를 UE에게 설정해 줄 수 있다. 구체적으로, 이런 설정은 주파수 별로 이루어질 수 있다. 즉, UE가 탐색 신호(DS)를 사용한 RSSI 측정을 수행할 경우에, eNodeB는 UE가 (Option A에서와 같이) 탐색 신호(DS)가 수신되는 서브프레임 상의 전 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행해야 할 지, (Option B에서와 같이) 탐색 신호(DS)가 수신되지 않는 혹은 수신될 수 없는 (일부) OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행해야 할 지 여부를 UE에게 설정해줄 수 있다.만약, 상위 계층이 RSSI를 모든 OFDM 심볼 상에서 수행하라고 지시할 경우, UE는 측정을 위한 서브프레임 내의 모든 심볼 상에서 RSSI를 측정할 수 있다. 다만, eNodeB는 UE에게 (특정 주파수에 대해) Option B 기법을 사용하여 탐색 신호(DS) 기반의 RSSI 측정을 수행하라고 설정하면서도, 한편으로는 UE에게 모든 OFDM 심볼 상에서 RSSI 측정을 수행하라고 설정할 수도 있다. 이러한 경우, UE는 탐색 신호(DS) 기반의 측정을 수행해야 하는 셀 혹은 전송 포인트(TP)에 대해서는 Option B의 기법을 통해 측정을 수행하고, 기존 기법대로 측정을 해야 하는 셀 혹은 전송 포인트(TP)에 대해서는 상위 계층 시그널에 따라 모든 OFDM 심볼 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 이를 일반화 시키면 UE는 기존 기법으로 측정을 수행하는 셀 혹은 전송 포인트(TP)에 대해서는 기존 기법에 따른 측정을 수행하고, 탐색 신호(DS) 기반의 측정을 수행하는 셀 혹은 전송 포인트(TP)에 대해서는 탐색 신호(DS) 관련 설정에 따라 측정을 수행할 수 있다. 대안적으로, UE는 모든 OFDM 심볼 상에서 RSSI 측정을 수행하라는 상위 계층 시그널링을 무시하고, Option B의 기법을 통해 측정을 수행할 수 있다. 이를 일반화 시키면 UE는 기존 기법으로 측정을 수행하는 셀 혹은 전송 포인트(TP)와 탐색 신호(DS) 기반의 측정을 수행하는 셀 혹은 전송 포인트(TP) 모두에 대해 탐색 신호(DS) 관련 설정이 가장 우선한다고 가정하고, 모든 셀 혹은 전송 포인트(TP)에 대해 탐색 신호(DS) 설정을 따를 수 있다. 다른 한편, 상위 계층이 RSSI 측정을 모든 OFDM 심볼 상에서 수행하라고 지시할 경우, 이러한 상위 계층의 지시는 탐색 신호(DS)를 사용한 RSSI 측정에도 적용될 수 있다. 이때, 이러한 상위 계층 시그널은 UE가 RSSI 측정을 위해 사용 할 OFDM 심볼 영역을 설정하는데 우선 순위를 지닐 것을 제안한다. 구체적으로, UE는 기본적으로 (Option B에서와 같이) 탐색 신호(DS)가 수신되지 않는 혹은 수신될 수 없는 (일부) OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 것을 가정하지만, eNodeB로부터 전 OFDM 심볼 영역을 사용하여 RSSI 측정을 수행하라는 상위 계층 시그널을 받으면, (Option A에서와 같이) 탐색 신호(DS)가 전송되는 서브프레임에서 전 OFDM 심볼 영역을 사용하여 RSSI 측정을 수행할 수 있다.또는 OFF 상태에 있는 셀의 탐색 신호(DS)로 인해 RSSI가 과대 측정(over-estimation)되는 현상을 방지하기 위해, UE는 전 OFDM 심볼로 RSSI를 측정하라는 상위 계층 시그널을 수신하더라도 해당 시그널을 무시할 수 있다. 예를 들어 UE는 (Option B에서와 같이) 탐색 신호(DS)가 수신되지 않는 혹은 수신될 수 없는 (일부) OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행하며, eNodeB로부터 전 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행하라는 상위 계층 시그널을 받더라도 이를 무시하고 (Option B에서와 같이) 탐색 신호(DS)가 수신되지 않는 혹은 수신될 수 없는 (일부) OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다.UE가 eNodeB로부터 제한된 서브프레임 상에서 측정을 수행하라는 측정 서브프레임 패턴을 수신하는 경우, UE는 상기 제한된 서브프레임 내의 전 OFDM 심볼 상에서 RSSI 측정을 수행하게 된다. 이때, 구체적으로, UE는 기본적으로 (Option B에서와 같이) 탐색 신호(DS)가 수신되지 않는 혹은 수신될 수 없는 (일부) OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 것을 가정하지만, UE가 eNodeB로부터 측정 서브프레임 패턴을 수신할 경우, 상기 제한된 서브프레임들 중 탐색 신호(DS)가 수신되는 서브프레임 내의 전 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다.또는 OFF 상태에 있는 셀의 탐색 신호(DS)로 인해 RSSI가 과대 측정(over-estimation)되는 현상을 방지하기 위해, UE는 eNodeB로부터 측정 서브프레임 패턴을 수신할 경우, 제한된 서브프레임에서 (Option B에서와 같이) 탐색 신호(DS)가 수신되지 않는 혹은 수신될 수 없는 (일부) OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다.또는 OFF 상태에 있는 셀의 탐색 신호(DS)로 인해 RSSI가 과대 측정(over-estimation)되는 현상을 방지하기 위해, UE는 eNodeB로부터 측정 서브프레임 패턴을 수신할 경우, 상기 측정 서브프레임 패턴의 설정을 무시할 수 있다.다른 한편, 탐색 신호(DS)가 PSS/SSS/CRS/CSI-RS를 포함하는 경우(구체적으로 탐색 신호가 DS-CSI-RS를 포함하는 경우), UE는 전 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행하라는 지시를 받더라도 상관없이 (Option B에서와 같이) 탐색 신호(DS)가 수신되지 않는 혹은 수신될 수 없는 (일부) OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 반면 탐색 신호(DS)가 PSS/SSS/CRS를 포함하는 경우 (즉, 탐색 신호가 DS-CSI-RS를 포함하지 않는 경우), UE는 전 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행하라는 지시를 받으면 상기 UE는 해당 지시에 따라 전 OFDM 심볼 상에서 RSSI 측정을 수행하고, 해당 지시를 수신하지 않으면 기존 RSSI 측정과 같이 CRS(DS-CRS)가 수신되는 OFDM 심볼 상에서만 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 이는 DS-CSI-RS가 설정된 경우에는 UE가 새로운 RSSI 측정 방식을 따르고, DS-CSI-RS가 설정되지 않은 경우에는 UE가 기존의 기법대로 RSSI 측정을 수행하도록 하는 방법이다.구체적으로, DS-PSS/DS-SSS가 수신되는 OFDM 심볼들 상에서 RSSI 측정을 수행하는 경우, DS-PSS/DS-SSS가 수신되는 대역폭(예컨대, 중심 6개의 PRB) 영역에서는 DS-PSS/DS-SSS가 수신되는 OFDM 심볼 영역 상에서 또는 전 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행하지 않을 수 있다. 또는 구체적으로, 탐색 신호(DS)가 수신되는 서브프레임에서 RSSI 측정을 수행할 때, 중심 6개의 PRB를 제외한 영역 상에서는 RSSI 측정을 수행하지 않을 수 있다. 이는 중심 6개의 PRB 내에서 탐색 신호(DS)가 차지하는 자원의 양이 많아서 탐색 신호(DS)에 편향(bias된 RSSI 측정 결과가 나타나는 것을 방지하기 위함이다. 또는 탐색 신호(DS)가 수신되지 않는 심볼 영역에 상에서만 RSSI 측정을 수행할 때, 탐색 신호(DS)가 수신되는 OFDM 심볼 영역이 많아서 중심 6개의 PRB 내에서는 RSSI 측정을 수행할 심볼 자원이 충분하지 않을 때 RSSI 측정을 수행하기 위함이다.IV. CSI/CQI 측정먼저, 앞서 설명한 바와 같이 RSSI를 어떻게 측정할 수 있는지는 여러 방안이 존재할 수 있는데, 이와 같이 RSSI 측정 방안이 다양화에 따라 CQI도 영향을 받을 수 있다. 따라서 이하에서는 다음을 제안한다.CQI 간섭 측정을 위해서, UE는 탐색 신호가 포함되는 OFDM 심볼(또는 주어진 서브프레임에서 탐색 신호가 포함되는 OFDM 심볼 상에서는 간섭을 측정하지 않을 수 있다. 예를 들어, CRS가 탐색 신호에 포함되는 경우, 탐색 신호 타이밍 설정에 따라 탐색 신호가 수신되되 CRS가 포함되는 OFDM 심볼 상에서는 간섭이 측정되지 않을 수 있다.CQI 간섭 측정을 위해서 탐색 신호가 수신되는 서브프레임과 다른 서브프레임 상에서 탐색 신호(DS) 기반의 RSSI가 측정되는 경우, CQI 간섭을 계산할 때에는 탐색 신호가 수신되는 서브프레임은 제외되어야 한다. 따라서 UE는 CQI 측정의 간섭 측정에 대해서는 DS가 수신되는 서브프레임은 사용하지 않는다. 다시 말해서, CQI 간섭 측정은 RSSI 정의를 따른다. 비주기적인 CQI 측정을 위해서, 비주기적인 CSI 요청에 의해서 지시된 하향링크 서브프레임이 탐색 신호 설정에 따라 탐색 신호가 수신되는 서브프레임일 경우, UE는 상기 서브프레임을 유효한 하향링크 서브프레임이라고 간주하지 않는다. 대안적을, 이러한 서브프레임은 네트워크 스케줄링에 의해서 제외될 수 있다. 이에 따르면 상기 서브프레임 상에 대해 비주기적인 CSI 요청이 존재하면, UE는 탐색 신호가 수신되는 서브프레임은 여전히 유효한 서브프레임이라고 간주할 수 있다. 비주기적인 CQI 요청에 대해서 만약 비주기적인 CSI 요청에 의해서 지시된 하향링크 서브프레임이 DMTC에 의해서 지시된 서브프레임 내에 포함된 다면, 해당 서브프레임은 유효한 하향링크 서브프레임이 아니라고 고려될 수 있다. 대안적으로, 이러한 서브프레임은 네트워크 스케줄링에 의해서 제외될 수 있다. 이에 의하면, 상기 서브프레임 상에 대해 비주기적인 CSI 요청이 존재하면, UE는 탐색 신호가 수신되는 서브프레임은 여전히 유효한 서브프레임이라고 간주할 수 있다. V. RSSI 측정 서브프레임소규모 셀 환경에서 소규모 셀들 간에 타이밍이 동기되어 있지 않다면, 셀들 간에 동일한 탐색 신호(DS) 전송 타이밍을 지니더라도 각 셀들이 실제 탐색 신호(DS)를 전송하는 타이밍은 서로 다를 수 있다. 예를 들어 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 도 20은 셀들 간에 탐색 신호의 전송 타이밍이 다른 예를 나타낸다.도 20을 참조하여 알 수 있는 바와 같이 셀#1, 셀#2, …, 셀#5의 탐색 신호(DS)가 모두 동일하게 서브프레임 #n, #n+1, …, #n+4에서 전송되더라도, 각 셀 간에 서브프레임 타이밍이 일치하지 않으면, 각 셀이 탐색 신호(DS)를 전송하는 시점은 서로 다를 수 있다.이와 같은 상황에서, 특정 UE의 서빙 셀을 셀#1이라 할 때, UE가 탐색 신호(DS) 기반 RSSI(혹은 DSSI라고 함) 측정을 수행하고자 하는 경우, 셀 들의 타이밍 동기가 맞지 않는 문제 때문에 측정을 수행하는 서브프레임의 위치의 구성에 따라 측정되는 DSSI 값이 달라지는 문제가 발생할 수 있다. 따라서 이하에서는 이러한 문제의 해결을 위해 다음과 같은 서브프레임 구간에서 탐색 DSSI를 측정할 것을 제안한다.첫 번째 방안은, UE는 DSSI의 측정을 위해 DMTC에 따라 탐색 신호(DS)를 전송하는 이웃 셀들이 공통적으로 탐색 신호(DS)를 전송하는 서브프레임 구간을 파악하여, 해당 서브프레임 구간만을 사용하여 DSSI를 측정할 것을 제안한다. 예를 들어 도 20에 도시된 바와 같이 UE가 서빙 셀인 셀#1과 이웃 셀인 셀#2, 셀#3, 셀# 4, 셀#5의 탐색 신호(DS) 전송 타이밍을 알 경우, 셀#1, …, 셀#5가 공통적으로 탐색 신호(DS)를 전송하는 서브프레임 영역인 서브프레임#n+1, #n+2, #n+3만을 DSSI 측정에 사용할 수 있다. 좀 더 나아가 TDD의 경우 이러한 문제가 없으므로, 이러한 설정은 FDD인 경우에 한정한다고 할 수 있다. 더불어 탐색 신호(DS) 기반 RSRP와 RSSI가 측정되는 서브프레임의 정렬을 맞추기 위해, DSSI에 측정에 사용되는 구간에서만 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP 측정을 수행한다고 가정할 수 있다.두 번째 방안은, eNodeB가 UE에게 DSSI의 측정을 위해 사용 할 서브프레임들의 위치를 설정해 줄 것을 제안한다. 예를 들어 DSSI 측정을 위한 서브프레임 위치는 DMTC 내에 포함되어 설정될 수 있으며, DSSI 측정을 위한 서브프레임 위치를 표현하기 위해 다음과 같은 값이 설정될 수 있다.- DSSI 측정을 위한 서브프레임들의 시작점을 나타내기 위한, DMTC 구간 시작점으로부터의 오프셋 값- DSSI 측정을 위한 서브프레임의 구간 값이 경우 UE는 DMTC 구간 내에서 설정받은 ‘DSSI 측정을 위한 서브프레임들’만을 DSSI의 측정에 사용할 수 있다. 더불어 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP와 RSSI가 측정되는 서브프레임의 정렬을 맞추기 위해, DSSI에 측정에 사용되는 구간에서만 탐색 신호(DS) 기반 RSRP 측정을 수행한다고 가정할 수 있다.세 번째 방안은, UE가 DSSI의 측정을 위해 실제 탐색 신호(DS)가 전송되는 서브프레임 위치에 상관없이 DMTC 구간 전체를 DSSI 측정에 사용할 것을 제안한다. 예를 들어 서브프레임 #n ~ #n+4가 DMTC로 설정되고 서브프레임 #n~#n+2에서만 서빙 셀의 탐색 신호(DS)가 전송된다고 하더라도, UE는 DMTC 구간인 서브프레임 #n ~ #n+4에서 DSSI를 측정할 수 있다. 더불어 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP와 RSSI가 측정되는 서브프레임의 정렬을 맞추기 위해, DSSI에 측정에 사용되는 구간에서만 탐색 신호(DS) based RSRP 측정을 수행한다고 가정할 수 있다.네 번째 방안은, UE는 DMTC를 통해 지시한 구간동안 탐색 신호(DS)가 수신될 수 있게끔 네트워크가 조정한다고 가정한다 그러나, 이러한 경우에도 셀간 동기가 맞아 있지 않으면 서브프레임 경계가 틀려질 수 있으므로, 최대 셀간 한 서브프레임의 차이가 있을 수 있다. 따라서 이러한 경우, DMTC의 시작점과 끝점에서 간섭의 변동이 생길 수 있다 (예를 들어, 몇 개의 셀만 탐색 신호(DS)를 전송할 수 있다). 따라서 단말은 DMTC가 수신되면 앞/뒤 1msec를 제외한 구간에서만 DSSI를 측정할 수 있다고 가정할 수 있다. 이러한 설정은 네트워크의 동기를 알거나 모르거나 적용할 수 있으며, 구체적으로 DMTC 구간에서 앞/뒤 1msec씩 DSSI 측정으로 사용되지 않는다고 가정할 수 있다. 좀 더 나아가 TDD 의 경우 이러한 문제가 없으므로, 이러한 설정은 FDD인 경우에 한정한다고 할 수 있다. 더불어 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP와 RSSI가 측정되는 서브프레임의 정렬을 맞추기 위해, 제안하는 방법에 의해 DSSI 측정에 사용되는 서브프레임 구간에서 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP 측정을 수행한다고 가정할 수 있다. 즉, DMTC 의 구간이 5msec인 경우, 중간 3msec에서만 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 수 있다.지금까지 설명한, 본 발명의 실시예들은 다양한 수단을 통해 구현될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시예들은 하드웨어, 펌웨어(firmware), 소프트웨어 또는 그것들의 결합 등에 의해 구현될 수 있다. 구체적으로는 도면을 참조하여 설명하기로 한다.도 21은 본 명세서의 개시가 구현되는 무선통신 시스템을 나타낸 블록도이다. 기지국(200)은 프로세서(processor, 201), 메모리(memory, 202) 및 RF부(RF(radio 주파수) unit, 203)을 포함한다. 메모리(202)는 프로세서(201)와 연결되어, 프로세서(201)를 구동하기 위한 다양한 정보를 저장한다. RF부(203)는 프로세서(201)와 연결되어, 무선 신호를 송신 및/또는 수신한다. 프로세서(201)는 제안된 기능, 과정 및/또는 방법을 구현한다. 전술한 실시 예에서 기지국의 동작은 프로세서(201)에 의해 구현될 수 있다. UE(100)는 프로세서(101), 메모리(102) 및 RF부(103)을 포함한다. 메모리(102)는 프로세서(101)와 연결되어, 프로세서(101)를 구동하기 위한 다양한 정보를 저장한다. RF부(103)는 프로세서(101)와 연결되어, 무선 신호를 송신 및/또는 수신한다. 프로세서(101)는 제안된 기능, 과정 및/또는 방법을 구현한다.프로세서는 ASIC(application-specific integrated circuit), 다른 칩셋, 논리 회로 및/또는 데이터 처리 장치를 포함할 수 있다. 메모리는 ROM(read-only memory), RAM(random access memory), 플래쉬 메모리, 메모리 카드, 저장 매체 및/또는 다른 저장 장치를 포함할 수 있다. RF부는 무선 신호를 처리하기 위한 베이스밴드 회로를 포함할 수 있다. 실시예가 소프트웨어로 구현될 때, 상술한 기법은 상술한 기능을 수행하는 모듈(과정, 기능 등)로 구현될 수 있다. 모듈은 메모리에 저장되고, 프로세서에 의해 실행될 수 있다. 메모리는 프로세서 내부 또는 외부에 있을 수 있고, 잘 알려진 다양한 수단으로 프로세서와 연결될 수 있다. 상술한 예시적인 시스템에서, 방법들은 일련의 단계 또는 블록으로써 순서도를 기초로 설명되고 있지만, 본 발명은 단계들의 순서에 한정되는 것은 아니며, 어떤 단계는 상술한 바와 다른 단계와 다른 순서로 또는 동시에 발생할 수 있다. 또한, 당업자라면 순서도에 나타낸 단계들이 배타적이지 않고, 다른 단계가 포함되거나 순서도의 하나 또는 그 이상의 단계가 본 발명의 범위에 영향을 미치지 않고 삭제될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서의 일 개시는 사용자 장치(UE)에서 측정을 수행하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 이웃 셀에 대한 측정 서브프레임 패턴과 탐색 신호에 대한 측정 타이밍 설정을 수신하는 단계와; 상기 측정 서브프레임 패턴과 상기 측정 타이밍 설정에 기초하여 측정을 수행할 하나 이상의 서브프레임을 선택하는 단계와; 상기 선택된 서브프레임 상에서 상기 이웃 셀의 탐색 신호를 이용하여 측정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 측정 수행 방법 및 단말METHOD AND USER EQUIPMENT FOR PERFORMING MEASUREMENT [ 기술분야 ] 본 발명은 이동통신에 관한 것이다. [ 배경기술 ] UMTS(Universal Mobile Telecommunications System)의 향상인 3GPP(3rd Generation Partnership Project) LTE(long term evolution)는 3GPP 릴리이즈(release) 8로 소개되고 있다. 3GPP LTE는 하향링크에서 OFDMA(orthogonal frequency division multiple access)를 사용하고, 상향링크에서 SC-FDMA(Single Carrier-frequency division multiple access)를 사용한다. 최대 4개의 안테나를 갖는 MIMO(multiple input multiple output)를 채용한다. 최근에는 3GPP LTE의 진화인 3GPP LTE-A(LTE-Advanced)에 대한 논의가 진행 중이다.3GPP TS 36.211 V10.4.0 (2011-12) "Evolved Universal Terrestrial Radio Access (E-UTRA); Physical Channels and Modulation (Release 10)"에 개시된 바와 같이, LTE에서 물리채널은 하향링크 채널인 PDSCH(Physical Downlink Shared Channel)와 PDCCH(Physical Downlink Control Channel), 상향링크 채널인 PUSCH(Physical Uplink Shared Channel)와 PUCCH(Physical Uplink Control Channel)로 나눌 수 있다.한편, 차세대 이동 통신 시스템에서는 셀 커버리지 반경이 작은 소규모 셀(small cell)이 기존 셀의 커버리지 내에 추가될 것으로 예상되고, 소규모 셀은 보다 많은 트래픽을 처리할 것으로 예상된다.그러나, 매크로 셀의 커버리지 내에 소규모 셀이 과밀하게 배치되게 도면, UE가 상기 소규모 셀들을 빠른 시간 내에 검출하는데 어려움이 있을 수 있다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 따라서, 본 명세서의 개시는 전술한 문제점을 해결하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 명세서의 일 개시는 사용자 장치(UE)에서 측정을 수행하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 탐색 신호(Discovery Signal: DS)에 대한 측정 타이밍 설정을 포함하는 측정 설정 정보를 수신하는 단계와; 제1 셀에 대한 측정과 제2 셀에 대한 측정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다. 여기서 상기 탐색 신호(DS)에 대한 상기 측정 타이밍 설정은 상기 제1 셀에 대한 측정이 아닌, 제2 셀에 대한 측정에 적용될 수 있다.상기 방법은 상기 제1 셀에 대한 제1 측정 서브프레임 패턴을 수신하는 단계와; 상기 제2 셀에 대한 제2 측정 서브프레임 패턴을 수신하는 단계를 더 포함할 수 있다.상기 제1 측정 서브프레임 패턴은 상기 제1 셀에 대한 시간 도메인 측정 자원 제한 패턴을 지시할 수 있고, 상기 제2 측정 서브프레임 패턴은 상기 제2 셀에 대한 시간 도메인 측정 자원 제한 패턴을 지시할 수 있다.상기 측정 타이밍 설정은 반송파 주파수 별로 설정될 수 있다.상기 방법은 상기 제2 셀이 비활성 상태에 있는 경우, 상기 측정 수행을 위해서 CRS(Cell-specific Reference Signal) 대신 상기 탐색 신호를 이용하는 단계를 더 포함할 수 있다.상기 탐색 신호는 CRS(cell-specific reference signal), CSI-RS(channel-state information reference signal), PSS(primary synchronization signal) 및 SSS(secondary synchronization signal) 중 하나 이상에 기초한 신호일 수 있다.상기 측정이 RSSI(received signal strength indicator)를 측정하기 위한 경우라면, 상기 측정은 서브프레임의 전체 OFDM 심볼 상에서 수행될 수 있다.전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 명세서의 일 개시는 사용자 장치(UE)에서 측정을 수행하는 방법을 또한 제공한다. 상기 방법은 제1 셀에 대한 제1 측정 서브프레임 패턴을 수신하는 단계와; 탐색 신호(Discovery Signal: DS)에 대한 측정 타이밍 설정을 수신하는 단계와; 상기 제1 셀이 프라이머리 서빙 셀에 해당하는 경우, 상기 제1 측정 서브프레임 패턴을 상기 제1 셀에 대한 측정에 적용하는 단계와; 상기 제2 셀이 상기 프라이머리 서빙 셀에 해당하지 않고, 상기 제2 셀에 비활성 상태에 있다면, 상기 측정 타이밍 설정을 상기 제2 셀의 탐색 신호에 대한 측정에 적용하는 단계를 포함할 수 있다.전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 명세서의 일 개시는 측정을 수행하는 사용자 장치(UE)를 또한 제공한다. 상기 사용자 장치는 탐색 신호(Discovery Signal: DS)에 대한 측정 타이밍 설정을 포함하는 측정 설정 정보를 수신하는 송수신부와; 제1 셀에 대한 측정과 제2 셀에 대한 측정을 수행하는 프로세서를 포함할 수 있따. 여기서 상기 탐색 신호(DS)에 대한 상기 측정 타이밍 설정은 상기 제1 셀에 대한 측정이 아닌, 제2 셀에 대한 측정에 적용될 수 있다. [ 발명의 효과 ] 본 명세서의 개시에 의하면, 전술한 종래 기술의 문제점이 해결되게 된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 무선 통신 시스템이다.도 2는 3GPP LTE에서 FDD에 따른 무선 프레임(radio frame)의 구조를 나타낸다.도 3은 3GPP LTE에서 TDD에 따른 하향링크 무선 프레임의 구조를 나타낸다. 도 4는 3GPP LTE에서 하나의 상향링크 또는 하향링크슬롯에 대한 자원 그리드(resource grid)를 나타낸 예시도이다.도 5는 하향링크 서브프레임의 구조를 나타낸다.도 6은 3GPP LTE에서 상향링크 서브프레임의 구조를 나타낸다. 도 7은 FDD 프레임 내에서 동기화 신호 전송을 위한 프레임 구조를 나타낸다. 도 8은 TDD 프레임에서 동기화 신호를 전송하는 프레임 구조의 예를 나타낸다.도 9는 기지국이 하나의 안테나 포트를 사용하는 경우, CRS가 RB에 맵핑되는 패턴의 일 예를 나타낸다.도 10은 측정 및 측정 보고 절차를 나타낸다.도 11은 참조 신호들 중 CSI-RS가 맵핑되는 RB의 일 예를 나타낸다. 도 12은 차세대 무선 통신 시스템으로 될 가능성이 있는 매크로 셀과 소규모 셀의 혼합된 이종 네트워크의 환경을 도시한 도면이다.도 13은 기지국 간 간섭을 해결하기 위한 eICIC(enhanced Inter-Cell Interference Coordination)를 나타낸 예시도이다.도 14는 소규모 셀이 과밀하게 배치된 상황을 나타낸 예시도이다.도 15는 본 명세서의 일 개시에 따라 소규모 셀이 탐색 신호를 전송하는 예를 나타낸다.도 16은 클러스터 내의 다수의 전송 포인트(TP)(혹은 소규모 셀)이 동일한 물리적 셀 식별자(PCID)를 사용하는 예를 나타낸다.도 17a은 CRS와 탐색 신호(DS) 중 어느 것을 이용하여 측정을 수행할지에 대한 첫 번째 해결 방안을 나타낸 예시도이다.도 17b은 CRS와 탐색 신호(DS) 중 어느 것을 이용하여 측정을 수행할지에 대한 첫 번째 해결 방안을 보다 상세하게 나타낸 예시도이다.도 18은 측정 서브프레임 패턴과 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)를 모두 수신하는 경우, UE가 측정을 수행할 서브프레임을 결정하는 과정을 나타낸다.도 19a 및 19b는 측정 서브프레임 패턴과 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC) 모두에 기초해 측정을 수행할 서브프레임을 결정하는 예를 나타낸다.도 20은 셀들 간에 탐색 신호의 전송 타이밍이 다른 예를 나타낸다.도 21은 본 명세서의 개시가 구현되는 무선통신 시스템을 나타낸 블록도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하에서는 3GPP(3rd Generation Partnership Project) 3GPP LTE(long term evolution) 또는 3GPP LTE-A(LTE-Advanced)를 기반으로 본 발명이 적용되는 것을 기술한다. 이는 예시에 불과하고, 본 발명은 다양한 무선 통신 시스템에 적용될 수 있다. 이하에서, LTE라 함은 LTE 및/또는 LTE-A를 포함한다. 본 명세서에서 사용되는 기술적 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아님을 유의해야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 기술적 용어는 본 명세서에서 특별히 다른 의미로 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 의미로 해석되어야 하며, 과도하게 포괄적인 의미로 해석되거나, 과도하게 축소된 의미로 해석되지 않아야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 기술적인 용어가 본 발명의 사상을 정확하게 표현하지 못하는 잘못된 기술적 용어일 때에는, 당업자가 올바르게 이해할 수 있는 기술적 용어로 대체되어 이해되어야 할 것이다. 또한, 본 발명에서 사용되는 일반적인 용어는 사전에 정의되어 있는 바에 따라, 또는 전후 문맥상에 따라 해석되어야 하며, 과도하게 축소된 의미로 해석되지 않아야 한다.또한, 본 명세서에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "구성된다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 여러 구성 요소들, 또는 여러 단계들을 반드시 모두 포함하는 것으로 해석되지 않아야 하며, 그 중 일부 구성 요소들 또는 일부 단계들은 포함되지 않을 수도 있고, 또는 추가적인 구성 요소 또는 단계들을 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다.또한, 본 명세서에서 사용되는 제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다. 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 발명의 사상을 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일뿐, 첨부된 도면에 의해 본 발명의 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니됨을 유의해야 한다. 본 발명의 사상은 첨부된 도면외에 모든 변경, 균등물 내지 대체물에 까지도 확장되는 것으로 해석되어야 한다.이하에서 사용되는 용어인 기지국은, 일반적으로 무선기기와 통신하는 고정된 지점(fixed station)을 말하며, eNodeB(evolved-NodeB), eNB(evolved-NodeB), BTS(Base Transceiver System), 액세스 포인트(Access Point) 등 다른 용어로 불릴 수 있다. 그리고 이하, 사용되는 용어인 UE(User Equipment)는, 고정되거나 이동성을 가질 수 있으며, 기기(Device), 무선기기(Wireless Device), 단말(Terminal), MS(mobile station), UT(user terminal), SS(subscriber station), MT(mobile terminal) 등 다른 용어로 불릴 수 있다.도 1은 무선 통신 시스템이다.도 1을 참조하여 알 수 있는 바와 같이, 무선 통신 시스템은 적어도 하나의 기지국(base station: BS)(20)을 포함한다. 각 기지국(20)은 특정한 지리적 영역(일반적으로 셀이라고 함)(20a, 20b, 20c)에 대해 통신 서비스를 제공한다. 셀은 다시 다수의 영역(섹터라고 함)으로 나누어질 수 있다..UE은 통상적으로 하나의 셀에 속하는데, UE이 속한 셀을 서빙 셀(serving cell)이라 한다. 서빙 셀에 대해 통신 서비스를 제공하는 기지국을 서빙 기지국(serving BS)이라 한다. 무선 통신 시스템은 셀룰러 시스템(cellular system)이므로, 서빙 셀에 인접하는 다른 셀이 존재한다. 서빙 셀에 인접하는 다른 셀을 인접 셀(neighbor cell)이라 한다. 인접 셀에 대해 통신 서비스를 제공하는 기지국을 인접 기지국(neighbor BS)이라 한다. 서빙 셀 및 인접 셀은 UE을 기준으로 상대적으로 결정된다. 이하에서, 하향링크는 기지국(20)에서 UE(10)로의 통신을 의미하며, 상향링크는 UE(10)에서 기지국(20)으로의 통신을 의미한다. 하향링크에서 송신기는 기지국(20)의 일부분이고, 수신기는 UE(10)의 일부분일 수 있다. 상향링크에서 송신기는 UE(10)의 일부분이고, 수신기는 기지국(20)의 일부분일 수 있다.한편, 무선 통신 시스템은 크게 FDD(frequency division duplex) 방식과 TDD(time division duplex) 방식으로 나눌 수 있다. FDD 방식에 의하면 상향링크 전송과 하향링크 전송이 서로 다른 주파수 대역을 차지하면서 이루어진다. TDD 방식에 의하면 상향링크 전송과 하향링크 전송이 같은 주파수 대역을 차지하면서 서로 다른 시간에 이루어진다. TDD 방식의 채널 응답은 실질적으로 상호적(reciprocal)이다. 이는 주어진 주파수 영역에서 하향링크 채널 응답과 상향링크 채널 응답이 거의 동일하다는 것이다. 따라서, TDD에 기반한 무선통신 시스템에서 하향링크 채널 응답은 상향링크 채널 응답으로부터 얻어질 수 있는 장점이 있다. TDD 방식은 전체 주파수 대역을 상향링크 전송과 하향링크 전송이 시분할되므로 기지국에 의한 하향링크 전송과 UE에 의한 상향링크 전송이 동시에 수행될 수 없다. 상향링크 전송과 하향링크 전송이 서브프레임 단위로 구분되는 TDD 시스템에서, 상향링크 전송과 하향링크 전송은 서로 다른 서브프레임에서 수행된다. 이하에서는, LTE 시스템에 대해서 보다 상세하게 알아보기로 한다. 도 2는 3GPP LTE에서 FDD에 따른 무선 프레임(radio frame)의 구조를 나타낸다.도 2에 도시된 무선 프레임은 3GPP TS 36.211 V10.4.0 (2011-12) "Evolved Universal Terrestrial Radio Access (E-UTRA); Physical Channels and Modulation (Release 10)"의 5절을 참조할 수 있다.도 2를 참조하면, 무선 프레임은 10개의 서브프레임(subframe)을 포함하고, 하나의 서브프레임은 2개의 슬롯(slot)을 포함한다. 무선 프레임 내 슬롯은 0부터 19까지 슬롯 번호가 매겨진다. 하나의 서브프레임이 전송되는 데 걸리는 시간을 전송시간구간(Transmission Time interval: TTI)라 한다. TTI는 데이터 전송을 위한 스케줄링 단위라 할 수 있다. 예를 들어, 하나의 무선 프레임의 길이는 10ms이고, 하나의 서브프레임의 길이는 1ms이고, 하나의 슬롯의 길이는 0.5ms 일 수 있다.무선 프레임의 구조는 예시에 불과하고, 무선 프레임에 포함되는 서브프레임의 수 또는 서브프레임에 포함되는 슬롯의 수 등은 다양하게 변경될 수 있다.한편, 하나의 슬롯은 복수의 OFDM(orthogonal frequency division multiplexing) 심볼을 포함할 수 있다. 하나의 슬롯에 몇개의 OFDM 심볼이 포함되는지는 순환전치(cyclic prefix: CP)에 따라 달라질 수 있다. 노멀(normal) CP에서 1 슬롯은 7 OFDM 심벌을 포함하고, 확장(extended) CP에서 1 슬롯은 6 OFDM 심벌을 포함한다. 여기서, OFDM 심벌은 3GPP LTE가 하향링크(downlink, DL)에서 OFDMA(orthogonal frequency division multiple access)를 사용하므로, 시간 영역에서 하나의 심벌 구간(symbol period)을 표현하기 위한 것에 불과할 뿐, 다중 접속 방식이나 명칭에 제한을 두는 것은 아니다. 예를 들어, OFDM 심벌은 SC-FDMA(single carrier-frequency division multiple access) 심벌, 심벌 구간 등 다른 명칭으로 불릴 수 있다.도 3은 3GPP LTE에서 TDD에 따른 하향링크 무선 프레임의 구조를 나타낸다. 이는 3GPP TS 36.211 V10.4.0 (2011-12) "Evolved Universal Terrestrial Radio Access (E-UTRA); Physical Channels and Modulation (Release 10)"의 4절을 참조할 수 있으며, TDD(Time Division Duplex)를 위한 것이다.인덱스 #1과 인덱스 #6을 갖는 서브프레임은 스페셜 서브프레임이라고 하며, DwPTS(Downlink Pilot Time Slot), GP(Guard Period) 및 UpPTS(Uplink Pilot Time Slot)을 포함한다. DwPTS는 UE에서의 초기 셀 탐색, 동기화 또는 채널 추정에 사용된다. UpPTS는 기지국에서의 채널 추정과 UE의 상향 전송 동기를 맞추는 데 사용된다. GP은 상향링크와 하향링크 사이에 하향링크 신호의 다중경로 지연으로 인해 상향링크에서 생기는 간섭을 제거하기 위한 구간이다.TDD에서는 하나의 무선 프레임에 DL(downlink) 서브프레임과 UL(Uplink) 서브프레임이 공존한다. 표 1은 무선 프레임의 설정(configuration)의 일 예를 나타낸다.UL-DL 설정스위치 포인트 주기(Switch-point periodicity)서브프레임 인덱스012345678905 msDSUUUDSUUU15 msDSUUDDSUUD25 msDSUDDDSUDD310 msDSUUUDDDDD410 msDSUUDDDDDD510 msDSUDDDDDDD65 msDSUUUDSUUD'D'는 DL 서브프레임, 'U'는 UL 서브프레임, 'S'는 스페셜 서브프레임을 나타낸다. 기지국으로부터 UL-DL 설정을 수신하면, UE은 무선 프레임의 설정에 따라 어느 서브프레임이 DL 서브프레임 또는 UL 서브프레임인지를 알 수 있다. 스페셜 서브프레임 설정하향링크에서 노멀 CP하향링크에서 확장 CPDwPTSUpPTSDwPTSDwPTS상향링크에서 노멀 CP상향링크에서 확장 CP상향링크에서 노멀 CP상향링크에서 확장 CP06592*Ts2192*Ts2560*Ts7680*Ts2192*Ts2560*Ts119760*Ts20480*Ts221952*Ts23040*Ts324144*Ts25600*Ts426336*Ts7680*Ts4384*Ts5120*Ts56592*Ts4384*Ts5120*ts20480*Ts619760*Ts23040*Ts721952*Ts-824144*Ts-도 4는 3GPP LTE에서 하나의 상향링크 또는 하향링크슬롯에 대한 자원 그리드(resource grid)를 나타낸 예시도이다.도 4를 참조하면, 슬롯은 시간 영역(time domain)에서 복수의 OFDM(orthogonal frequency division multiplexing) 심벌을 포함하고, 주파수 영역(frequency domain)에서 NRB 개의 자원블록(RB)을 포함한다. 예를 들어, LTE 시스템에서 자원블록(RB)의 개수, 즉 NRB은 6 내지 110 중 어느 하나일 수 있다. 자원블록(resource block: RB)은 자원 할당 단위로, 하나의 슬롯에서 복수의 부반송파를 포함한다. 예를 들어, 하나의 슬롯이 시간 영역에서 7개의 OFDM 심벌을 포함하고, 자원블록은 주파수 영역에서 12개의 부반송파를 포함한다면, 하나의 자원블록은 7×12개의 자원요소(resource element: RE)를 포함할 수 있다.한편, 하나의 OFDM 심벌에서 부반송파의 수는 128, 256, 512, 1024, 1536 및 2048 중 하나를 선정하여 사용할 수 있다. 도 4의 3GPP LTE에서 하나의 상향링크 슬롯에 대한 자원 그리드는 하향링크 슬롯에 대한 자원 그리드에도 적용될 수 있다.도 5는 하향링크 서브프레임의 구조를 나타낸다.도 5에서는 노멀 CP를 가정하여 예시적으로 하나의 슬롯 내에 7 OFDM 심벌이 포함하는 것으로 도시하였다. DL(downlink) 서브프레임은 시간 영역에서 제어영역(control region)과 데이터영역(data region)으로 나누어진다. 제어영역은 서브프레임내의 첫 번째 슬롯의 앞선 최대 3개의 OFDM 심벌을 포함하나, 제어영역에 포함되는 OFDM 심벌의 개수는 바뀔 수 있다. 제어영역에는 PDCCH(Physical Downlink Control Channel) 및 다른 제어채널이 할당되고, 데이터영역에는 PDSCH가 할당된다.3GPP LTE에서 물리채널은 데이터 채널인 PDSCH(Physical Downlink Shared Channel)와 PUSCH(Physical Uplink Shared Channel) 및 제어채널인 PDCCH(Physical Downlink Control Channel), PCFICH(Physical Control Format Indicator Channel), PHICH(Physical Hybrid-ARQ Indicator Channel) 및 PUCCH(Physical Uplink Control Channel)로 나눌 수 있다. 서브프레임의 첫 번째 OFDM 심벌에서 전송되는 PCFICH는 서브프레임내에서 제어채널들의 전송에 사용되는 OFDM 심벌의 수(즉, 제어영역의 크기)에 관한 CFI(control format indicator)를 나른다. 무선기기는 먼저 PCFICH 상으로 CFI를 수신한 후, PDCCH를 모니터링한다. PDCCH와 달리, PCFICH는 블라인드 복호를 사용하지 않고, 서브프레임의 고정된 PCFICH 자원을 통해 전송된다.PHICH는 UL HARQ(hybrid automatic repeat request)를 위한 ACK(positive-acknowledgement)/NACK(negative-acknowledgement) 신호를 나른다. 무선기기에 의해 전송되는 PUSCH 상의 UL(uplink) 데이터에 대한 ACK/NACK 신호는 PHICH 상으로 전송된다. PBCH(Physical Broadcast Channel)은 무선 프레임의 첫 번째 서브프레임의 두 번째 슬롯의 앞선 4개의 OFDM 심벌에서 전송된다. PBCH는 무선기기가 기지국과 통신하는데 필수적인 시스템 정보를 나르며, PBCH를 통해 전송되는 시스템 정보를 MIB(master information block)라 한다. 이와 비교하여, PDCCH에 의해 지시되는 PDSCH 상으로 전송되는 시스템 정보를 SIB(system information block)라 한다.PDCCH는 DL-SCH(downlink-shared channel)의 자원 할당 및 전송 포맷, UL-SCH(uplink shared channel)의 자원 할당 정보, PCH 상의 페이징 정보, DL-SCH 상의 시스템 정보, PDSCH 상으로 전송되는 랜덤 액세스 응답과 같은 상위 계층 제어 메시지의 자원 할당, 임의의 UE 그룹 내 개별 UE들에 대한 전송 파워 제어 명령의 집합 및 VoIP(voice over internet protocol)의 활성화 등을 나를 수 있다. 복수의 PDCCH가 제어 영역 내에서 전송될 수 있으며, UE은 복수의 PDCCH를 모니터링 할 수 있다. PDCCH는 하나 또는 몇몇 연속적인 CCE(control channel elements)의 집합(aggregation) 상으로 전송된다. CCE는 무선채널의 상태에 따른 부호화율을 PDCCH에게 제공하기 위해 사용되는 논리적 할당 단위이다. CCE는 복수의 자원 요소 그룹(resource element group)에 대응된다. CCE의 수와 CCE들에 의해 제공되는 부호화율의 연관 관계에 따라 PDCCH의 포맷 및 가능한 PDCCH의 비트수가 결정된다.PDCCH를 통해 전송되는 제어정보를 하향링크 제어정보(downlink control information: DCI)라고 한다. DCI는 PDSCH의 자원 할당(이를 DL 그랜트(downlink grant)라고도 한다), PUSCH의 자원 할당(이를 UL 그랜트(uplink grant)라고도 한다), 임의의 UE 그룹내 개별 UE들에 대한 전송 파워 제어 명령의 집합 및/또는 VoIP(Voice over Internet Protocol)의 활성화를 포함할 수 있다.기지국은 UE에게 보내려는 DCI에 따라 PDCCH 포맷을 결정하고, 제어 정보에 CRC(cyclic redundancy check)를 붙인다. CRC에는 PDCCH의 소유자(owner)나 용도에 따라 고유한 식별자(radio network temporary identifier: RNTI)가 마스킹된다. 특정 UE을 위한 PDCCH라면 UE의 고유 식별자, 예를 들어 C-RNTI(cell-RNTI)가 CRC에 마스킹될 수 있다. 또는, 페이징 메시지를 위한 PDCCH라면 페이징 지시 식별자, 예를 들어 P-RNTI(paging-RNTI)가 CRC에 마스킹될 수 있다. 시스템 정보 블록(system information block: SIB)을 위한 PDCCH라면 시스템 정보 식별자, SI-RNTI(system information-RNTI)가 CRC에 마스킹될 수 있다. UE의 랜덤 액세스 프리앰블의 전송에 대한 응답인 랜덤 액세스 응답을 지시하기 위해 RA-RNTI(random access-RNTI)가 CRC에 마스킹될 수 있다.3GPP LTE에서는 PDCCH의 검출을 위해 블라인드 복호를 사용한다. 블라인드 복호는 수신되는 PDCCH(이를 후보(candidate) PDCCH라 함)의 CRC(Cyclic Redundancy Check)에 원하는 식별자를 디마스킹하고, CRC 오류를 체크하여 해당 PDCCH가 자신의 제어채널인지 아닌지를 확인하는 방식이다. 기지국은 무선기기에게 보내려는 DCI에 따라 PDCCH 포맷을 결정한 후 DCI에 CRC를 붙이고, PDCCH의 소유자(owner)나 용도에 따라 고유한 식별자(RNTI)를 CRC에 마스킹한다.한편, 단말이 C-RNTI를 기반으로 PDCCH를 모니터링할 때, PDSCH의 전송 모드(transmission mode: TM)에 따라 모니터링할 DCI 포맷과 검색 공간이 결정된다. 다음 표는 C-RNTI가 설정된 PDCCH 모니터링의 예를 나타낸다.전송모드DCI 포맷검색 공간PDCCH에 따른 PDSCH의 전송모드전송 모드 1DCI 포맷 1A공용 및 단말 특정단일 안테나 포트, 포트 0DCI 포맷 1단말 특정단일 안테나 포트, 포트 0전송 모드 2DCI 포맷 1A공용 및 단말 특정전송 다이버시티(transmit diversity)DCI 포맷 1단말 특정전송 다이버시티전송 모드 3DCI 포맷 1A공용 및 단말 특정전송 다이버시티DCI 포맷 2A단말 특정CDD(Cyclic Delay Diversity) 또는 전송 다이버시티전송 모드 4DCI 포맷 1A공용 및 단말 특정전송 다이버시티DCI 포맷 2단말 특정폐루프 공간 다중화(closed-loop spatial multiplexing)전송 모드 5DCI 포맷 1A공용 및 단말 특정전송 다이버시티DCI 포맷 1D단말 특정MU-MIMO(Multi-user Multiple Input Multiple Output)모드 6DCI 포맷 1A공용 및 단말 특정전송 다이버시티DCI 포맷 1B단말 특정폐루프 공간 다중화전송 모드 7DCI 포맷 1A공용 및 단말 특정PBCH 전송 포트의 수가 1이면, 싱 글 안테나 포트, 포트 0, 아니면, 전송 다이버시티DCI 포맷 1단말 특정단일 안테나 포트, 포트 5전송 모드 8DCI 포맷 1A공용 및 단말 특정PBCH 전송 포트의 수가 1이면, 싱 글 안테나 포트, 포트 0, 아니면, 전송 다이버시티DCI 포맷 2B단말 특정이중 계층(dual layer) 전송(포트 7 또는 8), 또는 싱 글 안테나 포트, 포트 7 또는 8 전송 모드 9DCI 포맷 1A공용 및 단말 특정비-MBSFN 서브프레임: PBCH 안테나 포트의 개수가 1이면, 단독의 안테나 포트로서 포트 0이 사용되고, 그렇지 않으면, 전송 다이버시티(Transmit Diversity)MBSFN 서브프레임: 단독의 안테나 포트로서, 포트 7DCI 포맷 2C단말 특정8개까지의 전송 레이어, 포트7-14가 사용됨 또는 단독의 안테나 포트로서 포트 7 또는 포트 8이 사용됨전송 모드 10DCI 포맷 1A공용 및 단말 특정비-MBSFN 서브프레임: PBCH 안테나 포트의 개수가 1이면, 단독의 안테나 포트로서 포트 0이 사용되고, 그렇지 않으면, 전송 다이버시티(Transmit Diversity)MBSFN 서브프레임: 단독의 안테나 포트로서, 포트 7DCI 포맷 2D단말 특정8개까지의 전송 레이어, 포트7-14가 사용됨 또는 단독의 안테나 포트로서 포트 7 또는 포트 8이 사용됨DCI 포맷의 용도는 다음 표와 같이 구분된다.DCI 포맷내 용DCI 포맷 0PUSCH 스케줄링에 사용DCI 포맷 1하나의 PDSCH 코드워드(codeword)의 스케줄링에 사용DCI 포맷 1A하나의 PDSCH 코드워드의 간단(compact) 스케줄링 및 랜덤 액세스 과정에 사용DCI 포맷 1B프리코딩 정보를 가진 하나의 PDSCH 코드워드의 간단 스케줄링에 사용DCI 포맷 1C하나의 PDSCH 코드워드(codeword)의 매우 간단(very compact) 스케줄링에 사용DCI 포맷 1D프리코딩 및 전력 오프셋(power offset) 정보를 가진 하나의 PDSCH 코드워드의 간단 스케줄링에 사용DCI 포맷 2폐루프 공간 다중화 모드로 설정된 단말들의 PDSCH 스케줄링에 사용DCI 포맷 2A개루프(open-loop) 공간 다중화 모드로 설정된 단말들의 PDSCH 스케줄링에 사용DCI 포맷 2BDCI 포맷 2B는 PDSCH의 듀얼 레이어(dual-layer) 빔포밍을 위한 자원 할당을 위해 사용된다.DCI 포맷 2CDCI 포맷 2C는 8개 레이어(layer)까지의 페-루프 SU-MIMO 또는 MU-MIMO 동작을 위한 자원 할당을 위해서 사용된다.DCI 포맷 2DDCI 포맷 2C는 8개 레이어 까지의 자원 할당을 위해서 사용된다.DCI 포맷 32비트 전력 조정(power adjustments)을 가진 PUCCH 및 PUSCH의 전송 포인트(TP)C 명령의 전송에 사용DCI 포맷 3A1비트 전력 조정을 가진 PUCCH 및 PUSCH의 전송 포인트(TP)C 명령의 전송에 사용DCI 포맷 4다중 안테나 포트 전송 모드로 동작하는 상향링크(UL) 셀의 PUSCH 스케줄링에 사용도 6은 3GPP LTE에서 상향링크 서브프레임의 구조를 나타낸다. 도 6을 참조하면, 상향링크 서브프레임은 주파수 영역에서 제어 영역과 데이터 영역으로 나뉠 수 있다. 제어 영역에는 상향링크 제어 정보가 전송되기 위한 PUCCH(Physical Uplink Control Channel)가 할당된다. 데이터 영역은 데이터(경우에 따라 제어 정보도 함께 전송될 수 있다)가 전송되기 위한 PUSCH(Physical Uplink Shared Channel)가 할당된다. 하나의 UE에 대한 PUCCH는 서브프레임에서 자원블록 쌍(RB pair)으로 할당된다. 자원블록 쌍에 속하는 자원블록들은 제1 슬롯과 제2 슬롯 각각에서 서로 다른 부반송파를 차지한다. PUCCH에 할당되는 자원블록 쌍에 속하는 자원블록이 차지하는 주파수는 슬롯 경계(slot boundary)를 기준으로 변경된다. 이를 PUCCH에 할당되는 RB 쌍이 슬롯 경계에서 주파수가 홉핑(frequency-hopped)되었다고 한다. UE이 상향링크 제어 정보를 시간에 따라 서로 다른 부반송파를 통해 전송함으로써, 주파수 다이버시티(frequency diversity) 이득을 얻을 수 있다. m은 서브프레임 내에서 PUCCH에 할당된 자원블록 쌍의 논리적인 주파수 영역 위치를 나타내는 위치 인덱스이다. PUCCH 상으로 전송되는 상향링크 제어정보에는 HARQ(hybrid automatic repeat request) ACK(acknowledgement)/NACK(non-acknowledgement), 하향링크 채널 상태를 나타내는 CQI(channel quality indicator), 상향링크 무선 자원 할당 요청인 SR(scheduling request) 등이 있다. PUSCH는 전송 채널(transport channel)인 UL-SCH에 맵핑된다. PUSCH 상으로 전송되는 상향링크 데이터는 전송시간구간(TTI) 동안 전송되는 UL-SCH를 위한 데이터 블록인 전송 블록(transport block)일 수 있다. 상기 전송 블록은 사용자 정보일 수 있다. 또는, 상향링크 데이터는 다중화된(multiplexed) 데이터일 수 있다. 다중화된 데이터는 UL-SCH를 위한 전송 블록과 제어정보가 다중화된 것일 수 있다. 예를 들어, 데이터에 다중화되는 제어정보에는 CQI, PMI(precoding matrix indicator), HARQ, RI (rank indicator) 등이 있을 수 있다. 또는 상향링크 데이터는 제어정보만으로 구성될 수도 있다.003c#반송파 집성003e#이제 반송파 집성(carrier aggregation: CA) 시스템에 대해 설명한다. 반송파 집성 시스템은 다수의 요소 반송파(component carrier: CC)를 집성하는 것을 의미한다. 이러한 반송파 집성에 의해서, 기존의 셀의 의미가 변경되었다. 반송파 집성에 의하면, 셀이라 함은 하향링크 요소 반송파와 상향링크 요소 반송파의 조합, 또는 단독의 하향링크 요소 반송파를 의미할 수 있다.또한, 반송파 집성에서 셀은 프라이머리 셀(primary cell)과 세컨더리 셀(secondary cell), 서빙 셀(serving cell)로 구분될 수 있다. 프라이머리 셀은 프라이머리 주파수에서 동작하는 셀을 의미하며, UE이 기지국과의 최초 연결 확립 과정(initial connection establishment procedure) 또는 연결 재확립 과정을 수행하는 셀, 또는 핸드오버 과정에서 프라이머리 셀로 지시된 셀을 의미한다. 세컨더리 셀은 세컨더리 주파수에서 동작하는 셀을 의미하며, 일단 RRC 연결이 확립되면 설정되고 추가적인 무선 자원을 제공하는데 사용된다.상술한 바와 같이 반송파 집성 시스템에서는 단일 반송파 시스템과 달리 복수의 요소 반송파(CC), 즉, 복수의 서빙 셀을 지원할 수 있다. 이러한 반송파 집성 시스템은 교차 반송파 스케줄링을 지원할 수 있다. 교차 반송파 스케줄링(cross-carrier scheduling)은 특정 요소 반송파를 통해 전송되는 PDCCH를 통해 다른 요소 반송파를 통해 전송되는 PDSCH의 자원 할당 및/또는 상기 특정 요소 반송파와 기본적으로 링크되어 있는 요소 반송파 이외의 다른 요소 반송파를 통해 전송되는 PUSCH의 자원 할당을 할 수 있는 스케줄링 방법이다. 003c#동기 신호003e#한편, LTE/LTE-A 시스템에서는 셀 탐색 과정(Cell Search Procedure)에서 동기 신호(SS: Synchronization Signal)를 통해 셀과의 동기가 획득되게 된다.이하 도면을 참조하여 동기 신호에 대해 자세히 살펴본다.도 7은 FDD 프레임 내에서 동기화 신호 전송을 위한 프레임 구조를 나타낸다. 슬롯 번호 및 서브프레임 번호는 0부터 시작된다. UE은 기지국으로부터 수신되는 동기화 신호(synchronization signal)를 기반으로 시간 및 주파수 동기를 맞출 수 있다. 3GPP LTE-A의 동기화 신호는 셀 탐색을 수행할 때 사용되며 1차 동기화 신호(PSS; primary synchronization signal) 및 2차 동기화 신호(SSS; secondary synchronization signal)로 구분될 수 있다. 3GPP LTE-A의 동기화 신호는 3GPP TS V10.2.0 (2011-06)의 6.11절을 참조할 수 있다.PSS는 OFDM 심벌 동기 또는 슬롯 동기를 얻기 위해 사용되고, 물리 계층 셀 ID(PCI; physical-layer cell identity)와 연관되어 있다. 그리고, SSS는 프레임 동기를 얻기 위해 사용된다. 또한, SSS는 CP 길이 검출, 물리 계층 셀 그룹 ID를 획득하게 위해서 사용된다.동기화 신호는 RAT(radio access technology)간의 측정(inter-RAT measurement)의 용이함을 위해 GSM(global system for mobile communication) 프레임 길이인 4.6ms를 고려하여 서브프레임 0번과 서브프레임 5번에서 각각 전송될 수 있으며, 프레임에 대한 경계는 SSS를 통해 검출 가능하다. 보다 구체적으로, FDD 시스템에서는 PSS는 0번째 슬롯, 10번째 슬롯의 맨 마지막 OFDM 심볼에서 전송되고, SSS는 PSS 바로 앞 OFDM 심볼에서 전송된다. 동기화 신호는 3개의 PSS와 168개의 SSS의 조합을 통해 총 504개의 물리계층 셀 식별자(physical cell ID) 중 어느 하나를 전송할 수가 있다. PBCH(physical broadcast channel)는 1번째 슬롯의 최초 4개의 OFDM 심벌에서 전송된다. 동기화 신호 및 PBCH는 시스템 대역폭 내의 가운데 6 RB 내에서 전송되어, 전송 대역폭에 관계없이 UE이 검출 혹은 복호할 수 있도록 한다. PSS가 전송되는 물리 채널을 P-SCH, SSS가 전송되는 물리 채널을 S-SCH라 칭한다.도 8은 TDD 프레임에서 동기화 신호를 전송하는 프레임 구조의 예를 나타낸다.TDD 프레임에서는 PSS가 세 번째 슬롯 및 13번째 슬롯의 세번째 OFDM 심벌에서 전송된다. SSS는 PSS가 전송되는 OFDM 심벌에서 3개의 OFDM 심벌 전에 전송된다. PBCH는 첫 번째 서브프레임의 두 번째 슬롯의 최초 4 OFDM 심벌에서 전송된다.003c#참조 신호003e#한편, 이하 참조 신호(reference signal, RS)에 대해서 설명하기로 한다.일반적으로 전송 정보 예컨대, 데이터는 무선채널을 통해 전송되는 동안 쉽게 왜곡, 변경된다. 따라서, 이러한 전송 정보를 오류없이 복조하기 위해서는 참조신호가 필요하다. 참조신호는 전송기와 수신기 사이에 미리 알고 있는 신호로 전송 정보와 함께 전송된다. 전송기로부터 전송되는 전송 정보는 각 전송 안테나마다 또는 레이어마다 대응하는 채널을 겪기 때문에, 참조신호는 각 전송 안테나별 또는 레이어별로 할당될 수 있다. 각 전송 안테나별 또는 레이어별 참조신호는 시간, 주파수, 코드 등의 자원을 이용하여 구별될 수 있다. 참조신호는 2가지 목적 즉, 전송 정보의 복조(demodulation)와 채널 추정을 위해 사용될 수 있다. 하향링크 참조 신호는 셀 특정 참조 신호(cell-specific RS, CRS), MBSFN(multimedia broadcast and multicast single frequency network) 참조 신호, 단말 특정 참조 신호(UE-specific RS, URS), 포지셔닝 참조 신호(positioning RS, PRS) 및 CSI 참조 신호(CSI-RS)로 구분될 수 있다. CRS는 셀 내 모든 UE에게 전송되는 참조 신호로서 공통 참조 신호(Common Reference Signal)로 불리기도 한다, CRS는 CQI 피드백에 대한 채널 측정과 PDSCH에 대한 채널 추정에 사용될 수 있다. MBSFN 참조 신호는 MBSFN 전송을 위해 할당된 서브프레임에서 전송될 수 있다. URS는 셀 내 특정 UE 또는 특정 UE 그룹이 수신하는 참조 신호로, 복조 참조 신호(demodulation RS, DM-RS)로 불릴 수 있다. DM-RS는 특정 UE 또는 특정 UE 그룹이 데이터 복조에 주로 사용된다. PRS는 UE의 위치 추정에 사용될 수 있다. CSI-RS는 LTE-A UE의 PDSCH에 대한 채널 추정에 사용된다. CSI-RS는 주파수 영역 또는 시간 영역에서 비교적 드물게(sparse) 배치되며, 일반 서브프레임 또는 MBSFN 서브프레임의 데이터 영역에서는 생략(punctured)될 수 있다.도 9는 기지국이 하나의 안테나 포트를 사용하는 경우, CRS가 RB에 맵핑되는 패턴의 일 예를 나타낸다.도 9를 참조하면, R0은 기지국의 안테나 포트 번호 0에 의해 전송되는 CRS가 매핑되는 RE를 나타낸다.CRS는 PDSCH 전송을 지원하는 셀 내의 모든 하향링크 서브프레임에서 전송된다. CRS는 안테나 포트 0 내지 3 상으로 전송될 수 있으며, CRS는 Δf=15kHz에 대해서만 정의될 수 있다. 셀 ID(identity)를 기반으로 하는 시드(seed) 값에서 생성된 유사 랜덤 시퀀스(pseudo-random sequence) rl,ns(m)을 복수 값 변조 심벌(complex-valued modulation symbol) a(p)k,l로 자원 맵핑한다. 여기서, ns는 하나의 무선 프레임 내의 슬롯 번호이고, p는 안테나 포트이며, ℓ 은 슬롯 내의 OFDM 심벌 번호이다. k는 부반송파 인덱스이다. ℓ,k는 다음 식과 같이 표현된다.위 수학식에서 p는 안테나 포트를 나타내고, ns는 슬롯 번호 0또는 1을 나타낸다. k는 셀 ID(NCell　ID)에 따라 6개의 쉬프트된 인덱스를 가진다. 따라서, 6의 배수인 0, 6, 12 의 셀 ID를 갖는 셀들은 서로 동일한 부반송파 위치 k에서 CRS를 전송한다.위 수학식에 나타난 ℓ 은 안테나 포트 p에 따라 결정되는데, 가능한 ℓ 의 값은 0,4,7,11이다. 따라서, CRS는 0,4,7, 11 심볼 상에서 전송된다.하나의 안테나 포트의 CRS에 할당된 자원 요소(RE)는 다른 안테나 포트의 전송에 사용될 수 없고, 영(zero)로 설정되어야 한다. 또한, MBSFN(multicast-broadcast single frequency network) 서브프레임에서 CRS는 non-MBSFN 영역에서만 전송된다.도 10은 측정 및 측정 보고 절차를 나타낸다.이동 통신 시스템에서 UE(100)의 이동성(mobility) 지원은 필수적이다. 따라서, UE(100)은 현재 서비스를 제공하는 서빙 셀(serving cell)에 대한 품질 및 이웃셀에 대한 품질을 지속적으로 측정한다. UE(100)은 측정 결과를 적절한 시간에 네트워크에게 보고하고, 네트워크는 핸드오버 등을 통해 UE에게 최적의 이동성을 제공한다. 흔히 이러한 목적의 측정을 무선 자원 관리 측정(radio resource management: RRM)라고 일컫는다. 한편, UE(100)는 CRS에 기반하여 프라이머리 셀(Pcell)의 하향링크 품질을 모니터링 한다. 이를 RLM(Radio Link Monitoring)이라고 한다. RLM을 위해서, UE(100)는 하향링크 품질을 추정하고, 상기 추정된 하향링크 품질을 임계값들, 예컨대 Qout 및 Qin와 비교한다. 상기 임계값 Qout은 하향링크가 안정적으로 수신될 수 없는 레벨로 정의되며, 이는 PCFICH 에러를 고려하여 PDCCH 전송의 10% 에러에 해당한다. 상기 임계값 Qin은 하향링크가 Qout에 비해 너무 현저하게 신뢰할 만한 수준으로 정의되고, 이는 PCFICH 에러를 고려하여 PDCCH 전송의 2% 에러에 해당한다. 도 8a을 참조하여 알 수 있는 바와 같이, UE(100)로 상기 서빙셀(200a) 및 이웃셀(200b)이 각기 CRS(Cell-specific Reference Signal)를 전송하면, 상기 UE(100)은 상기 CRS를 통하여, 측정을 수행하고, 그 측정 결과를 포함하는 RRC 측정 보고 메시지를 서빙셀(200a)로 전송한다.이때, UE(100)은 다음 3가지 방법으로 측정을 수행할 수 있다.1) RSRP(reference signal received power): 전 대역에 걸쳐 전송되는 CRS를 운반하는 모든 RE의 평균 수신 전력을 나타낸다. 이때 CRS 대신 CSI RS를 운반하는 모든 RE의 평균 수신 전력을 측정할 수도 있다.2) RSSI(received signal strength indicator): 전체 대역에서 측정된 수신 전력을 나타낸다. RSSI는 신호, 간섭(interference), 열 잡음(thermal noise)을 모두 포함한다. 3) RSRQ(reference symbol received quality): CQI를 나타내며, 측정 대역폭(bandwidth) 또는 서브밴드에 따른 RSRP/RSSI로 결정될 수 있다. 즉, RSRQ는 신호 대 잡음 간섭 비(SINR; signal-to-noise interference ratio)를 의미한다. RSRP는 충분한 이동성(mobility) 정보를 제공하지 못하므로, 핸드오버 또는 셀 재선택(cell reselection) 과정에서는 RSRP 대신 RSRQ가 대신 사용될 수 있다. RSRQ = RSSI/RSSP로 산출될 수 있다.한편, UE(100)는 상기 측정을 위해 상기 서빙셀(200a)로부터 측정 설정(measurement configuration; 이하 ‘measconfing’라고도 함) 정보 엘리먼트(IE: Information Element)를 수신한다. 측정 설정 정보 엘리먼트(IE)를 포함하는 메시지를 측정 설정 메시지라 한다. 여기서 상기 측정 설정 정보 엘리먼트(IE)는 RRC 연결 재설정 메시지를 통해서 수신될 수도 있다. UE은 측정 결과가 측정 설정 정보 내의 보고 조건을 만족하면, 측정 결과를 기지국에게 보고한다. 측정 결과를 포함하는 메시지를 측정 보고 메시지라 한다. 상기 측정 설정 IE는 측정 오브젝트(Measurement object) 정보를 포함할 수 있다. 상기 측정 오브젝트 정보는 UE가 측정을 수행할 오브젝트에 관한 정보이다. 측정 오브젝트는 셀내 측정의 대상인 intra-frequency 측정 대상, 셀간 측정의 대상인 inter-frequency 측정 대상, 및 inter-RAT 측정의 대상인 inter-RAT 측정 대상 중 적어도 어느 하나를 포함한다. 예를 들어, intra-frequency 측정 대상은 서빙 셀과 동일한 주파수 밴드를 갖는 주변 셀을 지시하고, inter-frequency 측정 대상은 서빙 셀과 다른 주파수 밴드를 갖는 주변 셀을 지시하고, inter-RAT 측정 대상은 서빙 셀의 RAT와 다른 RAT의 주변 셀을 지시할 수 있다.구체적으로, 상기 측정 설정 IE는 아래의 표와 같은 IE(정보 엘리먼트)를 포함한다.MeasConfig ::= -- Measurement objects measObjectToRemoveList measObjectToAddModList상기 Measurement objects IE 내에는 제거될 measObject의 리스트를 나타내는 measObjectToRemoveList와 새로이 추가되거나 수정될 리스트를 나타내는 measObjectToAddModList가 포함된다.measObject에는 통신 기술에 따라 MeasObjectCDMA2000, MeasObjectEUTRA, MeasObjectGERAN 등이 포함된다.한편, MeasObjectEUTRA IE는 E-UTRA셀 측정에 대한 인트라 프리퀀시(intra-frequency) 또는 인터 프리퀀시(inter-frequency)를 위해 적용되는 정보를 포함한다. MeasObjectEUTRA IE를 표로 나타내면 아래와 같다.1) MeasObjectEUTRA- neighCellConfig- measSubframePatternConfigNeigh-r102) MeasSubframePatternConfigNeigh-r10 measSubframePatternNeigh-r10 measSubframeCellList-r10MeasObjectEUTRA IE를 보다 구체적으로 나타내면 아래와 같다.MeasObjectEUTRA 필드 설명carrierFreq이 구성이 유효한 E-UTRA 캐리어 주파수를 식별한다. neighCellConfig이웃 셀의 구성 정보를 나타낸다.measCycleSCell파라미터: Tmeasure_scc 이 파라미터는 세컨더리 셀(SCell)이 measObject에 지시되는 주파수로 동작하고, 비활성화된 상태일 때 사용된다. measSubframeCellListmeasSubframePatternNeigh이 적용되는 셀들의 리스트이다.만약 포함되어 있지 않으면, UE는 모든 이웃 셀에 대해서 시간 도메인 측정 리소스 제한 패턴이 적용되는 것으로 한다. measSubframePatternNeigh상기 carrierFreq에서 지시되는 캐리어 주파수 상의 이웃 셀에 대해 RSRP 및 RSRQ를 측정하는데 적용되는 시간 도메인 측정 리소스 제한 패턴이상과 같이, MeasObjectEUTRA IE는 이웃셀의 설정 정보(즉, NeighCellConfig)와, 이웃 셀에 대한 측정을 수행하는데 적용되는 시간 도메인 측정 리소스 제한 패턴(Time domain measurement resource restirction pattern)(즉, 이웃셀의 측정 서브프레임 패턴 또는 measSubframePatternNeigh)과 그 패턴이 적용되는 셀 리스트(즉 measSubframeCellList)를 포함한다.한편, UE(100)는 도시된 바와 같이 무선 자원 설정(Radio Resource Configuration) 정보 엘리먼트(IE)도 수신한다.상기 무선 자원 설정(Radio Resource Configuration Dedicated) 정보 엘리먼트(IE: Information Element)는 무선 베어러(Radio Bearer)를 설정/수정/해제하거나, MAC 구성을 수정하는 등을 위해서 사용된다. 상기 무선 자원 설정 IE는 서브프레임 패턴 정보를 포함한다. 상기 서브프레임 패턴 정보는 서빙 셀(예컨대 프라이머리 셀)에 대한 RSRP, RSRQ를 측정하는 데에 대한 시간 도메인 상의 측정 자원 제한 패턴에 대한 정보이다. 상기 무선 자원 설정(Radio Resource Configuration) IE는 아래의 표와 같은 필드들을 포함한다.- RadioResourceConfigDedicated- measSubframePatternPCell-r10상기 RadioResourceConfigDedicated 필드는 아래와 같은 인자들을 포함한다.RadioResourceConfigDedicated 필드 설명logicalChannelConfigSRB들을 위해 논리 채널 구성이 명백하게 시그널링되는지 또는 SRB1을 위한 디폴트 논리 채널 구성으로 설정되는지를 나타내기 위한 선택으로 사용된다.logicalChannelIdentity업링크(UL) 및 다운링크(DL) 모두를 식별하기 위한 논리 채널 식별자mac-MainConfigmac-MainConfig가 명백하게 시그널링되는지 혹은 디폴트 MAC main 구성으로 설정되는지를 나타내기 위해서 사용되는 선택이다. measSubframePatternPCell프라이머리 셀(PCell)(즉, 1차 셀)(또는 서빙셀)에 대한 측정(RSRP, RSRQ)를 수행하는데에 대한 시간 도메인 측정 자원 제한 패턴이상에서 설명한 바와 같이, RadioResourceConfigDedicated 필드 내에는 프라이머리 셀(PCell)(또는 서빙셀)에 대한 측정(RSRP, RSRQ)를 수행하는 데에 적용되는 시간 도메인 측정 자원 제한 패턴(즉, 서빙셀의 측정 서브프레임 패턴)을 나타내는 measSubframePatternPCell 또는 measSubframePattern-Serv이 포함되어 있다.도 11은 참조 신호들 중 CSI-RS가 맵핑되는 RB의 일 예를 나타낸다. CSI-RS는 LTE-A 단말의 PDSCH에 대한 채널 추정, 채널 정보 생성을 위한 채널 측정에 사용된다. CSI-RS는 주파수 영역 또는 시간 영역에서 비교적 드물게(sparse) 배치되며, 일반 서브프레임 또는 MBSFN 서브프레임의 데이터 영역에서는 생략(punctured)될 수 있다. CSI의 추정을 통해 필요한 경우에 CQI, PMI 및 RI 등이 단말로부터 보고될 수 있다. CSI-RS는 1개, 2개, 4개 또는 8개의 안테나 포트를 통하여 전송된다. 이때 사용되는 안테나 포트는 각각 p=15, p=15, 16, p=15,...,18 및 p=15,...,22이다. 즉, CSI-RS는 1, 2, 4, 8개의 안테나 포트를 통해 전송될 수 있다. CSI-RS는 부반송파 간격Δf=15kHz에 대해서만 정의될 수 있다. CSI-RS는 3GPP(3rd Generation Partnership Project) TS 36.211 V10.1.0 (2011-03) "Technical Specification Group Radio Access Network; Evolved Universal Terrestrial Radio Access (E-UTRA); Physical channels and modulation (Release 8)"의 6.10.5절을 참조할 수 있다.CSI-RS의 전송에 있어서, 이종 네트워크(HetNet; heterogeneous network) 환경을 포함하여 멀티 셀 환경에서 셀간 간섭(ICI; inter-cell interference)을 줄이기 위하여 최대 32개의 서로 다른 구성(configuration)이 제안될 수 있다. CSI-RS 구성은 셀 내의 안테나 포트의 개수 및 CP에 따라 서로 다르며, 인접한 셀은 최대한 다른 구성을 가질 수 있다. 또한, CSI-RS 구성은 프레임 구조에 따라 FDD 프레임과 TDD 프레임에 모두 적용하는 경우와 TDD 프레임에만 적용하는 경우로 나눠질 수 있다. 하나의 셀에서 복수의 CSI-RS 구성이 사용될 수 있다. 비영 전력(non-zero power) CSI-RS를 가정하는 단말에 대하여 0개 또는 1개의 CSI-RS 구성이, 영전력(zero power) CSI-RS를 가정하는 단말에 대하여 0개 또는 여러 개의 CSI-RS 구성이 사용될 수 있다. CSI-RS 구성은 상위 계층에 의해 지시될 수 있다. 예를 들어, 상위 계층을 통해 전송되는 CSI-RS-Config IE(information element)가 CSI-RS 구성을 지시할 수 있다. 아래의 표는 CSI-RS-Config IE의 일 예를 나타낸다.CSI-RS-Config-r10 ::= SEQUENCE csi-RS-r10 CHOICE release NULL, setup SEQUENCE antennaPortsCount-r10 ENUMERATED an1, an2, an4, an8, resourceConfig-r10 INTEGER (0..31), subframeConfig-r10 INTEGER (0..154), p-C-r10 INTEGER (-8..15) OPTIONAL, -- Need ON zeroTxPowerCSI-RS-r10 CHOICE release NULL, setup SEQUENCE zeroTxPowerResourceConfigList-r10 BIT STRING (SIZE (16)), zeroTxPowerSubframeConfig-r10 INTEGER (0..154) OPTIONAL -- Need ON-- ASN1STOP위 표를 참조하면, ‘antennaPortsCount’ 필드는 CSI-RS의 전송을 위하여 사용되는 안테나 포트들의 개수를 지시한다. ‘resourceConfig’ 필드는 CSI-RS 구성을 지시한다. ‘SubframeConfig’ 필드 및 ‘zeroTxPowerSubframeConfig’ 필드는 CSI-RS가 전송되는 서브프레임 구성을 지시한다.‘zeroTxPowerResourceConfigList’ 필드는 영전력 CSI-RS의 구성을 지시한다. ‘zeroTxPowerResourceConfigList’ 필드를 구성하는 16비트의 비트맵(bitmap)에서 1로 설정된 비트에 대응되는 CSI-RS 구성이 영전력 CSI-RS로 설정될 수 있다. CSI-RS에 대한 시퀀스 rl,ns(m)은 다음 식과 같이 생성될 수 있다.상기 식에서 ns는 무선 프레임 내에서 슬롯 넘버이고, l은 슬롯 내에서의 OFDM 심벌 넘버이다. c(i)는 의사 랜덤 시퀀스(pseudo random sequence)이며 식 1에 표시된 cinit로 각 OFDM 심벌에서 시작된다. NIDcell은 물리적 셀 ID를 의미한다. CSI-RS를 전송하도록 설정된 서브프레임들에서, 참조 신호 시퀀스 rl,ns(m)는 안테나 포트 p에 대한 참조 심벌로 사용되는 복소값 변조 심벌 ak,l(p)에 맵핑된다. rl,ns(m)와 ak,l(p)의 관계는 다음 식과 같다.상기 수학식에서 (k' , l')과 ns는 후술하는 표 5 및 표 6에서 주어진다. CSI-RS는 (ns mod 2)가 후술하는 표 5 및 표 6의 조건을 만족하는 하향링크 슬롯에서 전송될 수 있다(여기서, mod는 모듈러 연산을 의미한다. 즉, (ns mod 2)는 2로 ns 를 나눈 나머지를 의미한다).아래의 표 는 노멀 CP에서의 CSI-RS의 구성을 나타낸다.구성되는 CSI-RS의 개수1 or 248CSI-RS 구성 인덱스(k`,l`)ns mod 2(k`,l`)ns mod 2(k`,l`)ns mod 2TDD 및FDD프레임0(9,5)0(9,5)0(9,5)01(11,2)1(11,2)1(11,2)12(9,2)1(9,2)1(9,2)13(7,2)1(7,2)1(7,2)14(9,5)1(9,5)1(9,5)15(8,5)0(8,5)06(10,2)1(10,2)17(8,2)1(8,2)18(6,2)1(6,2)19(8,5)1(8,5)110(3,5)011(2,5)012(5,2)113(4,2)114(3,2)115(2,2)116(1,2)117(0,2)118(3,5)119(2,5)1TDD프레임20(11,1)1(11,1)1(11,1)121(9,1)1(9,1)1(9,1)122(7,1)1(7,1)1(7,1)123(10,1)1(10,1)124(8,1)1(8,1)125(6,1)1(6,1)126(5,1)127(4,1)128(3,1)129(2,1)130(1,1)131(0,1)1아래의 표는 확장 CP에서의 CSI-RS의 구성을 나타낸다.구성되는 CSI-RS의 개수1 or 248CSI-RS 구성 인덱스(k`,l`)ns mod 2(k`,l`)ns mod 2(k`,l`)ns mod 2TDD 및FDD프레임0(11,4)0(11,4)0(11,4)01(9,4)0(9,4)0(9,4)02(10,4)1(10,4)1(10,4)13(9,4)1(9,4)1(9,4)14(5,4)0(5,4)05(3,4)0(3,4)06(4,4)1(4,4)17(3,4)1(3,4)18(8,4)09(6,4)010(2,4)011(0,4)012(7,4)113(6,4)114(1,4)115(0,4)1TDD프레임16(11,1)1(11,1)1(11,1)117(10,1)1(10,1)1(10,1)118(9,1)1(9,1)1(9,1)119(5,1)1(5,1)120(4,1)1(4,1)121(3,1)1(3,1) 122(8,1)123(7,1)124(6,1)125(2,1)126(1,1)127(0,1)1단말은 위 두 표에서 ns mod 2의 조건을 만족하는 하향링크 슬롯에서만 CSI-RS를 전송할 수 있다. 또한, 단말은 TDD 프레임의 특수 서브프레임(special subframe), CSI-RS의 전송이 동기화 신호(synchronization signal), PBCH(physical broadcast channel), 시스템 정보 블록 타입 1(SystemInformationBlockType1)과 충돌하는 서브프레임 또는 페이징 메시지가 전송되는 서브프레임에서는 CSI-RS를 전송하지 않는다. 또한, S=15, S=15, 16, S=17, 18, S=19, 20 또는 S=21, 22인 집합 S에서, 하나의 안테나 포트의 CSI-RS가 전송되는 자원 요소는 PDSCH나 다른 안테나 포트의 CSI-RS의 전송에 사용되지 않는다.아래의 표는 CSI-RS가 전송되는 서브프레임 구성의 일 예를 나타낸다.CSI-RS-SubframeConfigICSI-RSCSI-RS 주기TCSI-RS (서브프레임)CSI-RS 서브프레임 오프셋ΔCSI-RS (subframes)0 - 45ICSI-RS5 - 1410ICSI-RS-515 - 3420ICSI-RS-1535 - 7440ICSI-RS-3575 - 15480ICSI-RS-75위 표를 참조하면, CSI-RS 서브프레임 구성(ICSI-RS)에 따라 CSI-RS가 전송되는 서브프레임의 주기(TCSI-RS) 및 오프셋(ΔCSI-RS)가 결정될 수 있다. 위 표의 CSI-RS 서브프레임 구성은 위 표의 CSI-RS-Config IE의 ‘SubframeConfig’ 필드 또는 ‘ZeroTxPowerSubframeConfig’ 필드 중 어느 하나일 수 있다. CSI-RS 서브프레임 구성은 비영 전력 CSI-RS 및 영전력 CSI-RS에 대하여 분리되어(separately) 구성될 수 있다. 한편, 도면은 노멀 CP 구조에서 CSI-RS 구성 인덱스가 0일 때, CSI-RS를 위하여 사용되는 자원 요소들을 나타낸다. Rp는 안테나 포트 p 상의 CSI-RS 전송에 사용되는 자원 요소를 나타낸다. 도면을 참조하면, 안테나 포트 15 및 16에 대한 CSI-RS는 제1 슬롯의 6번째 및 7번째 OFDM 심벌(OFDM 심벌 인덱스 5, 6)의 3번째 부반송파(부반송파 인덱스 2)에 해당하는 자원 요소를 통해 전송된다. 안테나 포트 17 및 18에 대한 CSI-RS는 제1 슬롯의 6번째 및 7번째 OFDM 심벌(OFDM 심벌 인덱스 5, 6)의 9번째 부반송파(부반송파 인덱스 8)에 해당하는 자원 요소를 통해 전송된다. 안테나 포트 19 및 20에 대한 CSI-RS는 안테나 포트 15 및 16에 대한 CSI-RS가 전송되는 동일한 자원 요소를 통해, 안테나 포트 21 및 22에 대한 CSI-RS는 안테나 포트 17 및 18에 대한 CSI-RS가 전송되는 동일한 자원 요소를 통해 전송된다.만약, 단말에게 8개의 안테나 포트를 통한 CSI-RS가 전송된다면, 단말은 R15 내지 R22가 맵핑된 RB를 수신하게 될 것이다. 즉, 특정 패턴을 가지는 CSI-RS를 수신하게 될 것이다. 한편, 이하 소규모 셀에 대해서 설명하기로 한다. 003c#소규모 셀(small cell)의 도입003e#한편, 차세대 이동 통신 시스템에서는 셀 커버리지 반경이 작은 소규모 셀(small cell)이 기존 셀의 커버리지 내에 추가될 것으로 예상되고, 소규모 셀은 보다 많은 트래픽을 처리할 것으로 예상된다. 상기 기존 셀은 상기 소규모 셀에 비해 커버리지가 크므로, 매크로 셀(Macro cell)이라고 칭하기도 한다. 이하 도 7를 참조하여 설명하기로 한다.도 12는 차세대 무선 통신 시스템으로 될 가능성이 있는 매크로 셀과 소규모 셀의 혼합된 이종 네트워크의 환경을 도시한 도면이다.도 12를 참조하면, 기존 기지국(200)에 의한 매크로 셀은 하나 이상의 소규모 기지국(300a, 300b, 300c, 300d)에 의한 소규모 셀과 중첩된 이종 네트워크 환경이 나타나 있다. 상기 기존 기지국은 상기 소규모 기지국에 비해 큰 커버리지를 제공하므로, 매크로 기지국(Macro eNodeB, MeNB)라고도 불린다. 본 명세서에서 매크로 셀과 매크로 기지국이라는 용어를 혼용하여 사용하기로 한다. 매크로 셀(200)에 접속된 UE은 매크로 UE(Macro UE)로 지칭될 수 있다. 매크로 UE은 매크로 기지국으로부터 하향링크 신호를 수신하고, 매크로 기지국에게 상향링크 신호를 전송한다.이와 같은 이종 네트워크에서는 상기 매크로 셀을 프라이머리 셀(Pcell)로 설정하고, 상기 소규모 셀을 세컨더리 셀(Scell)로 설정함으로써, 매크로셀의 커버리지 빈틈을 메꿀 수 있다. 또한, 상기 소규모 셀을 프라이머리 셀(Pcell)로 설정하고, 상기 매크로 셀을 세컨더리 셀(Scell)로 설정함으로써, 전체적인 성능을 향상(boosting)시킬수 있다.그런데, 이러한 소규모 셀의 도입으로 인하여, 셀 간의 간섭(Inter-cell Interference)은 더 가중될 수 있다. 이러한 간섭 문제를 해결하는 가장 근본적인 방법은 셀들 간에 주파수를 서로 다르게 사용하는 것이다. 그러나, 주파수는 희소하고 값비싼 자원이기 때문에 사업자에게는 주파수 분할을 통한 해결 방법이 그다지 환영받지 못하였다.따라서, 3GPP에서는 이러한 셀 간의 간섭(inter-cell interference) 문제를 시간분할을 통해 해결하고자 하였다. 이에 따라 최근 3GPP 에서는 간섭 협력 방법의 하나로써 eICIC(enhanced inter-cell interference coordination) 에 대한 활발한 연구가 수행되고 있다.003c#eICIC 의 도입003e#LTE Release-10에 도입된 시간분할 방식은 기존의 주파수 분할 방식에 대비하여 진화했다는 의미로 enhanced ICIC(Enhanced inter-cell interference Coordination)라고 불리는데, 간섭을 일으키는 셀을 각각 공격자 셀(Aggressor cell) 또는 프라이머리 셀(Primary Cell)이라고 하고, 간섭을 받는 셀을 희생 셀(Victim cell) 또는 세컨더리 셀(Secondary Cell)로 정의하고, 특정 서브프레임에서는 공격자 셀(Aggressor cell) 또는 프라이머리 셀이 데이터 전송을 중지하여, UE가 해당 서브프레임에서 희생 셀(Victim cell) 또는 세컨더리 셀과 접속을 유지할 수 있게 하는 방법이다. 즉, 이 방법은 이종의 셀이 서로 공존할 경우, 어느 영역에서 상당히 높은 간섭을 받는 UE에 대해서 한쪽 셀이 신호의 전송을 잠시 중단함으로써 간섭 신호를 거의 보내지 않게 한다.한편, 상기 데이터 전송이 중지되는 특정 서브프레임을 ABS(Almost Blank Subframe)라고 하며, 상기 ABS에 해당하는 서브프레임에서는 꼭 필요한 제어 정보 외에는 어떠한 데이터도 전송도 되지 않는다. 상기 꼭 필요한 제어 정보는 예를 들어, CRS이다. 따라서, ABS가 적용된 서브프레임 상에서는 데이터는 전송되지 않고, 0, 4, 7, 11 번 심볼 상에서 CRS 신호만이 전송되게 된다. 도 13은 기지국 간 간섭을 해결하기 위한 eICIC(enhanced Inter-Cell Interference Coordination)를 나타낸 예시도이다.도 13을 참조하면, 매크로 셀의 기지국(200)은 도시된 서브프레임의 데이터 영역에서 데이터 전송을 수행한다.이때, 소규모 셀의 기지국(300)은 간섭을 해결하기 위하여, eICIC를 적용한다. 즉, 상기 eICIC가 적용되면, 해당 서브프레임은 ABS에 따라 운용되어, 데이터 영역에서는 아무런 데이터도 전송되지 않을 수 있다.다만, ABS에 따라 운용되는 서브프레임에서는 0, 4, 7, 11 번 심볼 상에서 CRS만이 전송될 수 있다.다른 한편, 이와 같이 소규모 셀이 배치됨으로써, 셀 간 간섭 문제가 더욱더 심화될 수 있다. 이를 해결하기 위해서, 도시된 바와 같이, 상기 소규모 셀의 커버리지 크기는 상황에 따라서 축소될 수 있다. 혹은 상기 소규모 셀은 상황에 따라서 off되었다가 다시 on될 수 있다. 도 14은 소규모 셀이 과밀하게 배치된 상황을 나타낸 예시도이다.도 14를 참조하면, 매크로 셀의 커버리지 내에 소규모 셀이 과밀하게 배치된 상황이 나타나 있다. 이러한 상황에서는 UE(100)가 상기 소규모 셀들을 빠른 시간 내에 검출하는데 어려움이 있을 수 있다. 특히, 앞서 설명한 바와 같이 셀 검출은 PSS/SSS의 수신을 통해 수행된다. 그런데, 수 많은 소규모 셀들이 PSS/SSS를 동일한 타이밍, 즉 0번 및 5번 서브프레임 상에서 전송하게 되면, UE(100)가 한꺼번에 이를 모두 수신하는데 어려움이 있을 수 있다. 더구나, 소규모 셀들이 PSS/SSS를 0번 및 5번 서브프레임 상에서 동시에 전송하면 서로 간섭을 일으켜, UE(100)가 올바르게 수신하는데 어려움이 발생할 수 있다. 003c#본 명세서의 개시들003e#따라서, 본 명세서의 일 개시는 이러한 문제점을 해결하는 방안을 제시하는 것을 목적으로 한다. 도 15은 본 명세서의 일 개시에 따라 소규모 셀이 탐색 신호를 전송하는 예를 나타낸다.전술한 문제점을 해결하기 위해, 도 15를 참조하여 알 수 있는 바와 같이, 본 명세서의 일 개시는 UE가 소규모 셀들을 효율적으로 검출할 수 있도록 하기 위해, 소규모 셀이 기존의 PSS/SSS 외에 새로운 탐색 신호(discovery signal: DS)를 전송하는 것을 제안한다. 상기 탐색 신호(DS)는 탐색 참조 신호(Discovery Reference Signal: DRS)로 불릴 수도 있다 이에 따라, UE는 기존의 PSS/SSS 외에 탐색 신호(DS)를 이용한 셀 탐색 과정(Cell Search Procedure) 또는 셀 검출 과정을 수행하여야 한다.여기서, 상기 탐색 신호(DS)는 긴 주기를 가지고 주기적으로 전송되는 신호를 의미하는 것일 수 있다.이러한 탐색 신호(DS)는 소규모 셀 뿐만 아니라, RRH(remote radio head), 전송 포인트(TP)(transmission point), 등에 의해서도 전송될 수 있다.상기 탐색 신호(DS)는 다음과 같은 특징을 가질 수 있다. - 기존 PSS/SSS 그리고 CRS에 비하여 더 많은 셀을 검출할 수 있게 함- 짧은 시간, 예컨대 하나의 서브프레임 동안에 더 많은 셀을 검출할 수 있게 함- 짧은 시간, 예컨대 하나의 서브프레임 동안에 측정을 수행할 수 있게 함- on/off 동작을 수행하는 소규모 셀에 대한 측정을 지원함. 다시 말해서 소규모 셀이 Off 상태일 때에도, 상기 소규모 셀은 탐색 신호(DS)를 전송함으로써, UE가 상기 탐색 신호에 기반하여 측정을 수행할 수 있게 함.상기 탐색 신호(DS)는 다음과 같은 신호로 구현될 수 있다. (a) PSS/SSS/CSI-RS/CRS 또는 PSS/SSS/설정가능한 CRS(b) PSS/SSS/CRS(c) PSS/SSS/CSI-RS(d) PSS/SSS/CSI-RS/CRS 또는 PSS/SSS/설정가능한 CSI-RS이러한 탐색 신호(DS)는 대략적인(coarse) 시간/주파수 트래킹(tracking), 측정을 위해서 사용될 수 있다. 한편, 탐색 신호(DS)는 아래의 요구 사항을 충족해야 한다. - 탐색 신호(DS)는 매우 높은 초기 타이밍 에러(예컨대, +- 2.5ms)를 가정할 때, 대략적인(coarse) 시간 동기를 지원해야 함- 탐색 신호(DS)는 매우 높은 초기 주파수 에러(예컨대, 20Khz)를 가정할 때, 대략적인 주파수 동기를 지원해야 함- 탐색 신호(DS)는 적어도 3개 이상의 셀을 검출할 수 있도록 지원해야 함한편, 탐색 신호(DS)의 주기는 다음의 제약을 고려하여 결정된다. - 여러 측정 갭 구간(measurement gap period): 40msec, 80msec, 160msec 또는 320msec - DRX 사이클과 정렬(align): 10, 20, 32, 40, 64, 80, 128, 160, 256, 320, 512, 640, 1024, 1280, 2048, 2560- 탐색 신호의 일부로서 PSS/SSS가 전송될 경우, 상기 탐색 신호의 주기는 5msec의 배수가 되어, on 상태에서 전송되는 일반적인 PSS/SSS는 상기 탐색 신호의 PSS/SSS에 의해 대체되어야 한다. 다만, 이러한 제약은 소규모 셀이 on 상태에서 탐색 신호를 전송하지 않을 경우에는 적용되지 않을 수 있다. 대안적으로 본 명세서의 개시에 따라 개선된 UE가 아닌 기존 UE의 영향을 최소화하기 위해서, 기존 PSS/SSS외에 탐색 신호를 위한 PSS/SSS가 별도로 전송될 수도 있다. 이와 같이 기존 PSS/SSS외에 탐색 신호를 위해 별도로 전송되는 PSS/SSS를 DS-PSS(혹은 DRS-PSS)/DS-SSS(혹은 DRS-SSS)라고 부를 수도 있다. 이 경우, DS-PSS(혹은 DRS-PSS)/DS-SSS(혹은 DRS-SSS)의 기반의 되는 셀 ID와 PSS/SSS의 기반의 되는 셀 IDㄴ느 서로 다를 수 있다. 다른 한편, 기존 CRS 외에 탐색 신호를 위해 별도로 CRS와 CSI-RS 중 하나 이상이 전송된다면, 이러한 CRS와 CSI-RS를 DS-CRS(혹은 DRS-CRS)와 DS-CSI-RS(혹은 DRS-CSI-RS)라고 각기 부를 수 있다. 또한, 기존 PRS 외에 탐색 신호를 위해 별도로 PRS가 전송된다면, 이러한 PRS를 DS-PRS(혹은 DRS-PRS)라고 부를 수도 있다.또한, 본 명세서에서 DRS-PSS, DRS-SSS, DRS-CRS, DRS-CSI-RS, 및 DRS-PRS는 각각 탐색 신호(DS)에 포함되는 PSS, SSS, CRS, CSI-RS, 및 PRS를 의미한다.한편, 특정 셀이 긴 주기로 전송하는 DRS가 앞에서 언급한 (a)-(d)의 형태 중 어느 하나의 형태라면, 우선 DRS-PSS, DRS-SSS, DRS-CRS 및 DRS-CSI-RS의 시퀀스 및 자원은 기존의 PSS, SSS, CRS, CSI-RS와 최대한 유사한 형태로 전송될수 있도록 하되 다른 스크램블링 초기 파라미터 그리고/또는 자원 위치(예컨대, 다른 주파수/시간 자원) 상에서 전송되는 형태로 종래의 PSS, SSS, CRS, CSI-RS와 차이를 가질 수 있다. 보다 구체적으로, DRS-CSI-RS는 기존 CSI-RS의 자원 패턴을 사용하되 전송 서브프레임 및 주기 혹은 스크램블링 ID는 다를 수 있다. 즉, 특정한 셀이 전송하는 DRS-CSI-RS와 CSI-RS의 스크램블링 ID, 안테나 포트의 개수, 전송 주기/오프셋 등은 다를 수 있다. 도 16은 클러스터 내의 다수의 전송 포인트(TP)(혹은 소규모 셀)이 동일한 물리적 셀 식별자(PCID)를 사용하는 예를 나타낸다.도 16을 참조하여 알 수 있는 바와 같이, 다수의 전송 포인트(TP)(혹은 소규모 셀)들이 클러스터(cluster)단위로 그룹화 되고, 각 클러스터 내의 전송 포인트(TP)(혹은 소규모 셀)들은 자신의 매크로 기지국과 동일한 물리 셀 식별자(Physical Cell ID; PCID)를 사용할 수 있다. 이러한 환경을 공유 셀-ID 시나리오라고 부를 수 있다. 이때 PCID는 현재 LTE 기술에서와 같이 PSS/SSS 및 CRS 전송을 위해 사용되는 셀 고유한 ID를 의미하거나, 혹은 특정 클러스터 내에서 공통적으로 사용하는 별도의 클러스터 ID일 수도 있다. 이러한 환경에서, 클러스터 내의 다수의 전송 포인트(TP)들간에 추가적인 셀 분산 이득(cell-splitting gain) 등을 얻기 위하여 각 전송 포인트(TP)별로 고유의 식별 정보가 부여될 수 있다. 이와 같이 전송 포인트(TP) 별 고유한 식별 정보를 전송 포인트(TP)ID라고 칭할 수 있다. 대표적인 실시 예로서 각 전송 포인트(TP)ID는 해당 전송 포인트(TP)에서 전송하는 CSI-RS 혹은 탐색 신호(DS) 중 어느 하나의 시퀀스 스크램블링 초기 파라미터(예컨대, scramblingIdentity)로서 사용될 수 있으며, 그 밖의 다른 전송 포인트(TP) 별 고유한 참조신호(RS)의 전송에 사용될 수도 있다.본 명세서에서는 각 전송 포인트(TP)가 고유의 전송 포인트(TP) 별로 고유한 탐색 참조 신호(DRS)를 전송하는 상황을 고려한다. DRS는 여러 개의 참조 신호(RS)로 구성될 수 있는데, 각 전송 포인트(TP)는 여러 개의 참조 신호(RS)를 전송하는 것을 가정하지는 않는다. 예를 들어, DRS가 DRS-PSS/DRS-SSS/DRS-CSI-RS/DRS-CRS로 구성되어 있다고 가정할 경우, DRS-PSS/DRS-SSS/DRS-CRS는 각 전송 포인트(TP)에서 전송될 수도 있고 대표적인 전송 포인트(TP)들에서 전송될 수도 있다. 한편, UE들이 탐색 신호(DS)을 통해 수행하는 역할 중 하나는 앞서 설명한 바와 같이 RSRP/RSRQ 측정이다. 기존 시스템에서 UE는 RSRP 측정 및 RSRQ 측정을 CRS를 통해 수행하였다. 이는, 소규모 셀에 대한 측정에 대해서도 마찬가지였다. 다만, 탐색 신호를 전송하는 소규모 셀에 대해서는 UE는 상기 탐색 신호를 통해 측정을 수행할 수도 있다. 그런데 CRS와 DRS는 서로 다른 시퀀스, RE 위치, RE 밀도(density)를 가질 수 있기 때문에, 동일 소규모 셀에 대해 CRS를 통해 측정한 RSRP, RSRQ의 값과 탐색 신호(DS)를 통해 측정한 RSRP, RSRQ 값은 서로 다를 수 있다. 이하, 설명의 편의상 기존에서 CRS를 이용해 측정한 RSRP, RSRQ의 값을 각각 C-RSRP, C-RSRQ라 칭하고, 기존과 달리 탐색 신호(DS)를 이용해 측정한 RSRP, RSRQ를 각각 D-RSRP, D-RSRQ라 칭한다.다른 한편, UE는 기지국으로부터 DRS 기반 측정을 위한 타이밍(timing) 정보인 DRS 측정 타이밍 설정(DRS Measurement Timing Configuration: DMTC)을 수신할 있다. 상기 DMTC는 측정 설정(measconfig) 내의 measobject 내에 포함되어 수신될 수 있다. 이러한 DMTC는 주기, 오프셋 값을 포함할 수 있으며, 추가적으로 구간(duration)의 값도 포함할 수 있다.다른 한편, 셀 간 간섭을 줄이기 위해 ABS가 운용되는 경우, UE는 어느 서브프레임이 ABS로 설정되어 있는지를 알지 못한다. 예를 들어, 공격자 셀이 ABS를 설정한 경우, 간섭 수준은 서브프레임 별로 크게 변동한다. 따라서, 일부 UE들은 특정 서브프레임들 상에서 자원 할당을 받지 못할 수도 있다. UE가 ABS가 설정된 서브프레임과 ABS가 설정되지 않은 서브프레임을 구별하지 못할 경우, UE는 서브프레임 별로 심하게 변동한 간섭 수준을 단순히 평균을 취한 후 보고해야 한다. 따라서, 부정확한 측정 결과가 보고된다. 이를 위해 해결하기 위해 앞서 설명한 시간 도메인 측정 리소스 제한 패턴(Time domain measurement resource restirction pattern), 즉 측정 서브프레임 패턴이 사용될 수 있다. 이와 같은 측정 서브페리임 패턴에 대한 정보를 UE에게 전달함으로써, UE는 특정 패턴의 서브프레임 상에서만 측정을 수행할 수 있다. 한편, 이웃 소규모 셀이 On/Off 동작을 수행하여, UE가 기존의 CRS을 이용해서는 상기 이웃 소규모 셀에 대한 측정을 수행하기 어려운 경우, 상기 UE는 상기 이웃 소규모 셀로부터의 탐색 신호(DS)를 이용하여 측정을 수행할 수 있다. 하지만 UE의 서빙 셀로서 on 상태로 동작하는 소규모 셀에 대해서는 UE가 CRS와 탐색 신호(DS) 중 어느 것을 이용하여 측정을 수행해야 하는지가 불분명해서 문제가 될 수 있다.다른 한편, 소규모 셀이 탐색 신호(DS)를 PSS/SSS/CRS(즉, DRS-PSS/DRS-SSS/DRS-CRS) 혹은 PSS/SSS/CSI-RS(즉, DRS-PSS/DRS-SSS/DRS-CSI-RS)의 조합으로 생성하고, 복수의 서브프레임(예컨대, 6개 또는 10개의 서브프레임) 상에서 전송하되, 일부 서브프레임은 ABS로 설정하는 경우, UE가 탐색 신호(DS)에 대해서도 측정 서브프레임 패턴에 의해서 지시된 제한된 서브프레임 상에서만 측정을 수행해야 하는지가 불분명하여 문제가 될 수 있다.또 다른 한편, 기존 정의에 따르면 RSSI는 CRS가 포함된 특정한 OFDM 심볼 상에서의 측정 결과를 기초로 산출된다. 그런데, 이러한 기존 정의를 탐색 신호(DS)에 대해서 바로 적용하면 문제가 될 수 있다. 왜 문제가 되는지를 설명하면 다음과 같다. 먼저, 기존 정의를 탐색 신호에도 적용하면, 탐색 신호에 대한 RSSI는 탐색 신호가 포함되는 OFDM 심볼 상에서만의 측정 결과를 기초로 산출된다. 그런데, 이웃 소규모 셀이 OFF 상태에서 탐색 신호를 전송하는 경우를 가정해보자. 이때에는, 하향링크 서브프레임 상에서 아무런 데이터가 전송되지 않기 때문에, 측정된 RSSI는 부정확하고, 그로 인해 RSRQ의 산출도 부정확해지는 문제점이 있다.언급한 문제점들을 각기 해결하기 위한 방안들에 대해서 이하 설명하기로 한다. I. 서빙 셀에 대한 RSRP/RSRQ 측정을 위한 참조 신호먼저, UE의 서빙 셀들 중에서 탐색 신호(DS)를 전송할 수 있는 서빙셀에 대해서 UE가 CRS와 탐색 신호(DS) 중 어느 것을 이용하여 RSRP/RSRQ 측정 수행해야 하는지에 대해서 설명하기로 한다. 다만, 아래의 예에서 특별한 언급이 없다면 UE의 서빙셀은 프라이머리 셀(PCell)을 가르키는 것으로 이해하여도 좋다.먼저 UE는 각 서빙 셀에 대한 탐색 신호 측정 타이밍 설정(Discovery signal Measurement Timing Configuration: DMTC)을 수신하지 않았을 경우, CRS 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 수 있다. 이때, 탐색 신호 측정 타이밍 설정 (DMTC)란, UE가 측정을 수행할 수 있는 서브프레임을 서빙 실에 UE에게 설정 해주는 것을 의미한다. 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)은 서브프레임 주기(ubframeperiod), 서브프레임 오프셋, 및/또는 서브프레임 구간(subframe duration)을 포함할 수 있다. UE가 각 서빙 셀에 대한 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)를 수신하였을 경우, UE는 다음과 같은 방안들 중 어느 하나의 방안에 따라 동작할 수 있다.첫 번째 방안으로서, UE가 서빙 셀과 연결(connection)을 맺고 있는 동안은 상기 서빙 셀은 항상 ON 상태에 있게 된다. 따라서 UE는 자신의 서빙 셀에 대해서는 항상 CRS 기반의 RSRP/RSRQ measurement를 수행할 수 있다. 즉, 상기 UE의 서빙 셀이 탐색 신호(DS)를 전송할지라도, 상기 UE는 탐색 신호(DS)가 아닌 CRS에 기반하여 RSRP/RSRQ 측정을 수행한다. 다시 말해서, UE는 자신의 서빙 셀에 대한 RSRP/RSRQ 보고를 수행할 시, C-RSRP, C-RSRQ 값만을 보고할 수 있다. 반면, 상기 UE는 이웃 셀에 대한 측정을 하려고 할 때에만 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 수 있다. 이러한 첫 번째 방안에 대해서 도면을 참조하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.도 17a은 CRS와 탐색 신호(DS) 중 어느 것을 이용하여 측정을 수행할지에 대한 첫 번째 해결 방안을 나타낸 예시도이다.도 17a를 참조하여 알 수 있는 바와 같이, UE가 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)를 수신하는 경우, 상기 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)을 적용하여 제2 셀에 대한 측정을 수행할 수 있다. 반면, 제1 셀에 대해서는 상기 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)를 적용하지 않고, CRS 기반의 측정을 수행할 수 있다.여기서, 상기 제1 셀이라 함은 UE의 서빙 셀 중 프라이머리 셀(Pcell)을 의미한다. 그리고 상기 제2 셀이라 함은 프라이머리 셀이 아닌 셀을 의미하는 것으로서, 예컨대 세컨더리 셀(Scell) 혹은 이웃 셀을 포함한다. 한편, 상기 제1 셀이 프라이머리 셀(Pcell)일 경우, 상기 UE는 프라이머리 셀(Pcell)에 대한 측정 서브프레임 패턴(예컨대, measSubframePatternPCell)을 수신할 수 있다. 이 경우, 상기 UE는 상기 측정 서브프레임 패턴을 적용하여 상기 프라이머리 셀(Pcell)에 대해 CRS 기반의 측정을 수행할 수 있다. 다시 말해서, 상기 UE는 상기 프라이머리 셀(Pcell)에 대한 측정 서브프레임 패턴에 의해 지시된 서브프레임 상에서 CRS 기반의 측정을 수행할 수 있다.도 17b은 CRS와 탐색 신호(DS) 중 어느 것을 이용하여 측정을 수행할지에 대한 첫 번째 해결 방안을 보다 상세하게 나타낸 예시도이다.도 17b를 참조하면, UE는 측정 서브프레임 패턴을 수신한다. 여기서 상기 수신은 프라이머리 셀(Pcell)에 대한 측정 서브프레임 패턴을 수신하는 것과 이웃 셀에 대한 측정 서브프레임 패턴을 수신하는 것을 모두 포함한다. 그러면, 상기 UE는 제1 셀, 예컨대 프라이머리 셀(Pcell)에 대해서는 상기 측정 서브프레임 패턴을 적용하여 CRS 기반의 측정을 수행한다. 즉, 상기 UE는 상기 측정 서브프레임 패턴에서 지시된 서브프레임 상에서 상기 제1 셀, 예컨대 프라이머리 셀(Pcell)로부터 수신되는 CRS를 이용하여 측정을 수행한다.한편, UE가 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)를 수신하는 경우에는, 상기 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)을 적용하여 제2 셀에 대한 측정을 수행하지만, 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)를 수신하지 못하는 경우에는 상기 측정 서브프레임 패턴을 적용하여 CRS 기반의 측정을 수행한다. 구체적으로, 상기 UE가 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)를 수신하지 못하는 경우에는, 상기 측정 서브프레임 패턴에서 지시된 서브프레임 상에서 상기 제2 셀로부터 수신되는 CRS를 이용하여 측정을 수행한다.이제 두 번째 해결 방안 및 세 번째 해결 방안에 대해서 설명하기로 한다.두 번째 방안에 따르면, UE는 서빙 셀에 대해 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 수 있다. 이 경우, UE는 서빙 셀과 이웃 셀을 구별하지 않고 특정 셀에 대한 탐색 신호(DS) 측정 타이밍 설정(DMTC)을 수신하면, 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 수 있다. 이 경우, UE는 자신의 서빙 셀에 대한 RSRP/RSRQ 측정 결과를 보고할 시, D-RSRP, D-RSRQ 값만을 보고할 수 있다.세 번째 방안에 따르면, UE는 CRS 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행하거나 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 수 있다. 즉, UE는 특정 참조 신호(RS)를 기반하여 측정을 수행하도록 제한되지 않고, CRS 또는 탐색 신호(DS) 기반의 측정을 수행하거나 CRS 기반의 측정과 탐색 신호(DS) 기반의 측정을 모두 수행할 수 있다. 이 경우, UE는 C-RSRP/C-RSRQ 및/또는 D-RSRP/D-RSRQ 값을 eNodeB에게 보고할 수 있다. 이 경우, UE는 RSRP/RSRQ 값을 eNodeB에게 보고하고, 해당 RSRP/RSRQ 값이 CRS 기반의 측정 값인지 탐색 신호(DS) 기반의 측정 값인지의 여부를 함께 report 할 수 있다. 위 경우에 UE가 eNodeB에게 RSRP/RSRQ 값을 보고할 시, 해당 RSRP/RSRQ 값이 CRS 기반의 측정 값인지 탐색 신호(DS) 기반의 측정 값인지의 여부에 대한 정보를 함께 전달할 수 있다.UE가 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 경우, 탐색 신호(DS)에 DS-CRS와 DS-CSI-RS가 모두 포함되어 있을 수 있다. 이 경우, UE는 RSRP/RSRQ 측정을 위해 DS-CRS를 이용하거나 DS-CSI-RS를 이용할 수 있다. 또는 UE는 DS-CRS와 DS-CSI-RS를 모두 이용할 수도 있다. 셀 ID(Cell ID) 운영 방식(즉, 공유 셀 ID 운영 방식 또는 비공유 셀ID 운영 방식)에 따라 UE는 특정 전송 포인트(TP)의 RSRP/RSRQ 측정을 DS-CRS로 수행해야 하는지 DS-CSI-RS로 수행해야 하는지의 여부가 달라질 수 있다. 비 공유 셀 ID 운영 방식에서는 전송 포인트(TP)마다 다른 (구분되는) DS-CRS (및 DS-CSI-RS)를 전송하게 되지만 공유 셀 ID 운영 방식에서는 전송 포인트(TP)간에 동일한 (구분되지 않는) DS-CRS를 전송하고 DS-CSI-RS만을 다르게 (구분되도록) 전송할 수 있기 때문이다. 이 경우, UE는 특정 셀 혹은 전송 포인트(TP)가 공유 셀 ID 운영 방식으로 동작하는지 아니면 비 공유 셀 ID 운영 방식으로 동작하는지를 알 수 없기 때문에, 어떠한 참조 신호(RS)를 이용하여 RSRP/RSRQ 측정을 수행해야 하는지 판단할 수 없을 수 있다. 이를 위해 eNodeB는 UE에게 상위 계층 시그널링을 통해 RSRP/RSRQ 측정을 DS-CRS(또는 CRS)로 수행할지 또는 DS-CSI-RS(또는 CSI-RS)로 수행할 지를 알려줄 수 있다. UE가 eNodeB로부터 상위 계층 시그널링을 통해 RSRP/RSRQ 측정을 DS-CRS로 수행 할 것을 설정받은 경우, UE는 DS-CRS로 RSRP/RSRQ 측정을 수행하고, 이를 eNodeB에게 보고할 수 있다. 또는 UE가 eNodeB로부터 상위 계층 시그널링을 통해 RSRP/RSRQ 측정을 DS-CSI-RS로 수행 할 것을 설정받은 경우, UE는 DS-CSI-RS로 RSRP/RSRQ 측정을 수행하고, 이를 eNodeB에게 보고할 수 있다II. Measurement subframe을 설정 받을 시, RSRP/RSRQ 측정한편, 앞서 설명한 바와 같이 UE가 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)를 수신하고 또한 측정 서브프레임 패턴도 수신하는 경우, 어느 서브프레임 상에서 측정을 수행해야 하는지가 불분명한 문제가 있다. 구체적으로 설명하면, UE가 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)을 수신한 경우, 상기 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)에 지시된 서브프레임 상에서 측정을 수행해야 한다. 아울러, 상기 UE가 측정 서브프레임 패턴을 수신하는 경우, 상기 UE는 상기 측정 서브프레임 패턴에 의해서 지시된 서브프레임 상에서 측정을 수행해야 한다. 그런데, 상기 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)에 의해서 지시된 서브프레임과 상기 측정 서브프레임 패턴에 의해서 지시된 서브프레임들이 서로 완전히 동일하지 않은 경우, 상기 UE는 어느 서브프레임 상에서 측정을 수행해야 하는지를 헷갈릴 수 다.이에 대한 해결 방안들에 대해서 설명하기로 한다. 먼저, 아래의 해결 방안들은 UE의 서빙 셀과 이웃 셀간에 서로 타이밍이 맞지 않는 상황 (asynchronous case)를 고려하여, UE가 이웃 셀의 SFN, 서브프레임 인덱스를 모르더라도 제한된(restricted) 측정을 수행할 수 있도록 측정 서브프레임 패턴은 서빙 셀의 타이밍을 기준으로 하여 설정되는 것을 전제로 할 수 있다. 이때, 서빙 셀이라 함은 CA나 이중 연결(dual connectivity)와 같은 환경을 고려할 때, UE의 프라이머리 셀(PCell)이거나 세컨더리 셀 그룹(SCG)의 sPCell이거나, 특정 세컨더리 셀(Scell), 또는 지원 정보(assistance information)를 보내주는 셀 일 수 있다.첫 번째 해결 방안은 탐색 신호(DS)가 PSS/SSS/CSI-RS을 포함하거나 PSS/SSS/CRS/CSI-RS를 포함하는 예에 대한 것이다. 이와 같이 탐색 신호(DS)가 PSS/SSS/CSI-RS 또는 PSS/SSS/CRS/CSI-RS를 포함하는 경우, UE는 해당 CSI-RS (즉, DS-CSI-RS)를 통해 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 수 있다. 이러한 경우, 간섭을 줄이기 위해 DS-CSI-RS는 인접한 셀 혹은 전송 포인트(TP) 간에 서로 다른 스크램블링 인덱스 및/또는 RE 위치를 사용하여 서로 직교(orthogonal)되도록 전송될 수 있다. 따라서 이러한 경우, UE는 eNodeB로부터 수신된 측정 서브프레임 패턴에 지시된 서브프레임 상에서 제한된 측정을 수행할 필요가 없어지게 된다. 따라서 첫 번째 해결 방안은 UE가 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 경우(D-RSRP, D-RSRQ를 측정하는 경우), UE가 측정 서브프레임 패턴을 수신하더라도, 해당 측정 서브프레임 패턴을 무시하고 측정을 수행할 것을 제안한다. 이 경우, UE는 측정 서브프레임 패턴, 즉 measSubframePatternPCell, measSubframePatternNeigh는 CRS로 RSRP/RSRQ 측정을 수행하는 경우에만 적용할 수 있다.두 번째 해결 방안은 탐색 신호가 PSS/SSS/CRS를 포함하거나, PSS/SSS/CRS/CSI-RS를 포함하는 예에 대한 것이다.탐색 신호(DS)가 PSS/SSS/CRS를 포함하는 경우, UE는 해당 CRS(즉, DS-CRS)를 통해 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 수 있다. 또는 탐색 신호(DS)가 PSS/SSS/CRS/CSI-RS를 포함하는 경우 경우, UE는 DS-CRS 및/또는 DS-CSI-RS를 이용하여 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 수 있다. 이와 같은 상황에서 UE가 측정 서브프레임 패턴을 수신하고 설정한 경우, UE는 아래와 같이 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 수 있다. 아래의 내용은 탐색 신호(DS)에 DS-CRS가 포함된 경우에 대해 설명하지만, 탐색 신호(DS)에 DS-CRS가 포함되지 않고 DS-CSI-RS만이 포함된 경우에도(즉, 탐색 신호(DS)는 PSS/SSS/CSI-RS를 포함하는 경우) 적용될 수 있다.두 번째 해결 방안의 첫 번째 실시예로서, UE는 측정 서브프레임 패턴에 의해서 지시된 서브프레임들 중에서 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)에 의해서 지시된 서브프레임과 중첩되는 서브프레임 상에서 탐색 신호 기반의 측정을 수행할 수 있다. 즉, UE가 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)에 따라 탐색 신호(DS)를 통해 RSRP/RSRQ를 측정하는 경우에도 상기 UE는 측정 서브프레임 패턴에 의해서 지시된 제한된 서브프레임 상에서만 측정을 수행해야 할 수 있다. 다시 말해서, UE가 CRS 뿐 아니라 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)에 따라 탐색 신호(DS)를 통해 RSRP/RSRQ 측정을 수행하는 경우에도 측정 서브프레임 패턴, 즉 measSubframePatternPCell, measSubframePatternNeigh가 적용될 수 있다. 구체적인 흐름을 도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.도 18은 측정 서브프레임 패턴과 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)를 모두 수신하는 경우, UE가 측정을 수행할 서브프레임을 결정하는 과정을 나타낸다.도 18을 참조하여 알 수 있는 바와 같이, UE는 측정 서브프레임 패턴을 수신한다. 그리고 상기 UE가 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)도 수신하는 경우, 상기 UE는 상기 측정 서브프레임 패턴과 상기 탐색 신호 측정 타이밍 설정에 모두 기초하여, 측정을 수행할 서브프레임을 선택하고, 상기 선택된 서브프레임 상에서 측정을 수행한다. 구체적으로, 상기 UE는 측정 서브프레임 패턴에 의해서 지시된 서브프레임들 중에서 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)에 의해서 지시된 서브프레임과 중첩되는 서브프레임을 선택한다. 이에 대해서 도면을 참조하여 예시적으로 설명하면 다음과 같다.도 19a 및 19b는 측정 서브프레임 패턴과 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC) 모두에 기초해 측정을 수행할 서브프레임을 결정하는 예를 나타낸다.도 19a에 도시된 바와 같이, 탐색 신호 측정 설정 타이밍(DMTC)에 따르면 탐색 신호(DS)가 복수의 서브프레임(예컨대 6개의 서브프레임) 상에서 수신될 수 수 있다. 이 때, DS-PSS, DS-SSS는 상기 서브프레임들 중 일부(예컨대, 1개의 서브프레임) 또는 전체 서브프레임 상에서 수신될 수 있으나, DS-CSI-RS는 전체 서브프레임 상에서 수신될 수 있다. 도 19b를 참조하면, 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)에 의해 지시된 서브프레임 들 중에서 측정 서브프레임 패턴에 의해서 지시된 서브프레임과 중첩되는 서브프레임 상에서만 UE는 측정을 수행할 수 있다.두 번째 해결 방안의 두 번째 실시예로서, 탐색 신호(DS)가 예를 들어 한 개 서브프레임과 같이 적은 수의 서브프레임으로 통해 전송될 것을 고려하면, 탐색 신호(DS)에 DS-CRS가 포함되더라도 측정 서브프레임 패턴에 의해서 지시된 제한된 서브프레임 상에서만 측정을 수행하는 것이 무의미 할 수 있다. 따라서 UE는 탐색 신호(DS)로 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 경우(즉, D-RSRP, D-RSRQ를 측정하는 경우), 측정 서브프레임 패턴을 수신하였더라도, 해당 측정 서브프레임 패턴을 무시하고 측정을 수행할 수 있다. 이 경우, 측정 서브프레임 패턴, 즉 measSubframePatternPCell, measSubframePatternNeigh는 UE가 CRS로 RSRP/RSRQ 측정을 수행하는 경우에만 적용 될 수 있다. 보다 구체적으로, measSubframePatternNeigh가 설정되면, UE는 상기 measSubframePatternNeigh가 포함되어 있는 measurement object(또는 이웃 셀 리스트)에 속하는 셀의 경우, CRS를 전송한다고 가정하고 CRS기반의 측정을 수행할 수 있다. 다시 말하면 측정 서브프레임 패턴을 수신하면, 상기 UE는 해당 셀들이 항상 ON 되어 있다고 가정할 수 있다. 또는 기지국은 해당 셀들의 ON/OFF상태를 알려주어, 해당 셀이 ON인 경우에는 상기 UE가 상기 측정 서브프레임 패턴에 의해서 지시된 제한된 서브프레임 상에서 CRS를 사용하여 측정을 수행하도록 할 수 있다. 반면, OFF인 경우에는 상기 UE는 측정 서브프레임 패턴을 무시하고, 즉 상기 측정 서브프레임 패턴에 의한 서브프레임의 제한을 받지 않고 탐색 신호(DS)를 사용하여 측정을 수행할 수 있다. UE가 해당 셀의 탐색 신호(DS)를 검출하거나 탐색 신호(DS)로 측정을 수행하도록 설정받았을 경우는, 상기 상기 측정 서브프레임 패턴을 무시하고 탐색 신호(DS) 기반의 측정을 수행한다. 다만, UE는 CRS 기반의 측정 보고와 탐색 신호 기반의 측정을 모두 보고할 수 있다. 한편, 탐색 신호(DS) 기반으로 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 경우 탐색 신호(DS)의 형태 및 전송 서브프레임 영역에 따라, 측정 서브프레임 패턴의 적용 여부가 달라질 수 있다. 따라서 본 명세서는 UE가 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정 시, 상기 첫 번째 실시예와 상기 두 번째 실시예 중 어떠한 기법을 사용할지 (즉, 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정 시, 측정 서브프레임 패턴에 지시된 제한된 서브프레임의 적용 여부)를 eNodeB가 UE에게 상위 계층 시그널링을 통해 알려줄 것을 제안한다. 구체적으로, 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정 시, 첫 번째 실시예의 기법과 상기 두 번째 실시예의 기법 중 어떠한 기법을 사용할지는 주파수 별로 또는 Measurement object 별로 각각 설정 될 수 있다. 이러한 설정은 measSubframePatternPCell와 measSubframePatternNeigh가 각각이 또는 전체가 CRS 기반의 RSRP/RSRQ 측정의 경우에만 적용되는 지, CRS 뿐 아니라 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행하는 경우에도 적용이 되는지의 여부를 알려주는 방식으로 설정될 수도 있다. 구체적으로, 특정 measSubframePatternNeigh가 CRS 기반의 RSRP/RSRQ 측정의 경우에만 적용되는 지, CRS 뿐 아니라 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행하는 경우에도 적용이 되는지의 여부는 Measurement object 별로 설정될 수 있다. measSubframePatternNeigh는 Measurement object 별로 존재하므로, Measurement object에 CRS 뿐 아니라 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행하는 경우에도 적용이 되는지의 여부를 지시 해주는 정보를 포함할 수 있다. 이는 네트워크에 유연성를 제공할 수 있다는 장점이 있다.III. RSSI 정의에 대한 개선앞서 설명한 바와 같이, 기존 정의에 따르면 RSSI는 CRS가 포함된 특정한 OFDM 심볼 상에서의 측정 결과를 기초로 산출된다. 그런데, 이러한 기존 정의를 탐색 신호(DS)에 대해서 바로 적용하면 다음과 같이 문제가 될 수 있다. 이웃 소규모 셀이 OFF 상태에서 탐색 신호를 전송하는 경우를 가정해보자. 이때에는, 하향링크 서브프레임 상에서 아무런 데이터가 전송되지 않기 때문에, 측정된 RSSI는 부정확하고, 그로 인해 RSRQ의 산출도 부정확해지는 문제점이 있다.이에 대한 해결 방안으로 다음과 같이 RSSI의 정의를 개선할 수 있다. 개선 방안의 첫 번째 예시(Option A)로서, RSSI 측정은 전체 OFDM 심볼 상에서 수행되도록 개선될 수 있다. 개선 방안의 두 번째 예시(Option B)로서, RSSI 측정은 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 심볼(non-DS-transmitting symbol) 상에서 수행되도록 개선될 수 있다.개선 방안의 세 번째 예시(Option C)로서, RSSI 측정은 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 서브프레임(non-DS-transmitting subframe) 상에서 수행되도록 개선될 수 있다.위 첫 번째 예시(Option A)에 대해서 상세하게 설명하면 다음과 같다. RSSI에 의해서 지시되는 간섭을 정확하게 반영하기 위해서 탐색 신호(DS)가 검출되는 서브프레임 상의 전체 OFDM 심볼 상에서 RSSI가 측정되도록 할 수 있다. 이는, 측정 서브프레임 패턴을 적용할 때 아주 효과적일 수 있다. 이는, 측정 서브프레임 패턴이 ABS를 고려하여 결정되기 때문이다.위 두 번째 예시(Option B)에 대해서 상세하게 설명하면 다음과 같다. 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 심볼(non-DS-transmitting symbol) 상에서 RSSI 측정이 수행되도록 하는 것은 다음과 같이 다양하게 나뉠 수 있다. 먼저, 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 OFDM 심볼들을 사용하여 RSSI 측정을 수행할 수 있다(Option B-1). 다음으로, 탐색 신호(DS) 전송을 위해 사용될 수 없는 OFDM 심볼들을 사용하여 RSSI 측정을 수행할 수 있다(Option B-2). 마지막으로, eNodeB에 의해서 설정된 또는 미리 정의된 OFDM 심볼들을 사용하여 RSSI 측정을 수행할 수 있다(Option B-3). 아래에서 DS-PSS/DS-SSS는 OFDM 심볼 #5, #6가 아닌 새로운 OFDM 심볼 영역을 통해 전송될 수도 있으나, 설명의 편의를 위해 OFDM symbol #5, #6을 통해 전송된다고 가정하겠다.Option B-1를 보다 구체적으로 설명하자면 다음과 같다. UE는 RSSI 측정을 수행하는 대상 셀 혹은 전송 포인트(TP)의 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 OFDM 심볼들을 사용하여 RSSI measurement를 사용할 수 있다. 예를 들어 특정 셀 혹은 전송 포인트(TP)의 탐색 신호(DS)가 DS-PSS/DS-SSS(OFDM 심볼 #5, #6 상에서 전송됨), DS-CRS(OFDM 심볼 #0, #4, #7, #11상에서 전송됨)를 포함하는 경우, UE는 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 OFDM 심볼 #1, #2, #3, #8, #9, #10, #12, #13을 사용하여 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 또 다른 예로 특정 셀 혹은 전송 포인트(TP)의 탐색 신호(DS)가 DS-PSS/DS-SSS(OFDM 심볼 #5, #6상에서 전송됨), DS-CSI-RS (OFDM 심볼 #9, #10상에 서 전송됨)을 포함하는 경우, UE는 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 OFDM 심볼 #0, #1, #2, #3, #4, #7, #8, #11, #12, #13 상에서 RSSI 측정을 수행하게 된다.또한 탐색 신호(DS)가 DS-PSS/DS-SSS/DS-CRS/DS-CSI-RS를 포함하는 경우, 측정을 수행하는 셀 혹은 전송 포인트(TP)에서 각각의 RS들이 모두 전송되지 않는 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행하게 된다. 또는 공유 셀 ID 운영 환경을 고려하여, DS-CSI-RS가 전송되지 않는 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수도 있다. 이러한 기법에서 UE는 RSSI 측정을 수행하는 대상 셀 혹은 전송 포인트(TP)의 탐색 신호(DS) 중 측정 수행을 위한 RS(DS-CRS 및/또는 DS-CSI-RS)가 전송되지 않는 OFDM 심볼 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다.Option B-2를 보다 구체적으로 설명하자면 다음과 같다. 먼저 탐색 신호(DS)가 DS-PSS/DS-SSS/DS-CRS를 포함하는 경우, UE는 DS-PSS/DS-SSS/DS-CRS가 전송될 수 있는 후보(candidate) OFDM 심볼 영역들을 제외 한 나머지 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 이러한 기법에서 UE는 측정 수행을 위한 RS (DS-CRS 및/또는 DS-CSI-RS)가 전송될 수 있는 후보(candidate) OFDM 심볼들을 제외 한 나머지 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행 할 수 있다. 즉, 이러한 경우에는 아래 예제들에서 언급한 RSSI 측정을 위한 OFDM 심볼의 영역 중에서 측정에 사용되는 RS가 전송되지 않는 심볼 영역은 제외된다. DS-PSS, DS-SSS만이 전송되는 OFDM 심볼 영역은 DS-PSS, DS-SSS가 전송되는 OFDM 심볼 영역도 RSSI 측정에서 제외하는 경우를 생각해 보면, 예를 들어 FDD를 기준으로 설명하면 DS-CRS가 전송되는 OFDM 심볼 영역이 특정 셀에서는 OFDM 심볼 #0, #4, #7, #11과 같고, 다른 셀에서는 OFDM 심볼 #0, #1, #4, #5, #7, #8, #11, #12와 같을 수 있다. 이 경우, UE는 OFDM 심볼 #0, #1, #4, #5, #6, #7, #8, #11, #12 를 제외 한 나머지 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 이러한 RSSI 측정을 위한 OFDM 심볼 영역은 DS-CRS가 전송되는 안테나 포트의 개수에 따라 달라질 수 있다. 안테나 포트 0, 1를 통해서는 DS-CRS가 OFDM 심볼 #0, #4, #7, #11 사에서는 전송되나, 안테나 포트 2, 3를 통해서는 DS-CRS가 OFDM 심볼 #0, #1, #4, #5, #7, #8, #11, #12 상에서 전송된다. 따라서 DS-CRS가 지닐 수 있는 안테나 포트의 개수에 따라 RSSI 측정을 수행하는 OFDM 심볼 영역이 달라질 수 있다. 즉, DS-CRS가 지닐 수 있는 안테나 포트의 개수가 1 및/또는 2이라면 UE는 OFDM 심볼 #0, #4, #5, #6, #7, #11를 제외 한 나머지 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 하지만 DS-CRS가 지닐 수 있는 안테나 포트의 개수가 1~4라면, UE는 OFDM 심볼 #0, #1, #4, #5, #6, #7, #8, #11, #12를 제외 한 나머지 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 이러한 DS-CRS가 지닐 수 있는 안테나 포트의 개수는 주파수 마다 다를 수 있으며, 이러한 경우 UE는 주파수 마다 설정받은 DS-CRS의 안테나 포트의 개수를 사용하여 다른 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행해야 할 수 있다. 탐색 신호(DS)가 DS-PSS/DS-SSS/DS-CSI-RS를 포함하는 경우, UE는 DS-PSS/DS-SSS/DS-CSI-RS가 전송될 수 있는 후보 (candidate) OFDM 심볼 영역들을 제외 한 나머지 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 예를 들어 FDD 기준으로 설명하면, DS-CSI-RS가 모든 CSI-RS RE 설정을 가질 수 있다고 할 때, DS-CSI-RS는 OFDM 심볼 #5, #6, #9, #10, #12, #13상에서 전송될 수 있다. 이 경우, UE는 OFDM 심볼 #5, #6, #9, #10, #12, #13를 제외 한 나머지 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 특히 ZP(zero-power) CSI-RS 설정을 통해 다른 셀 혹은 전송 포인트(TP)의 DS-CSI-RS가 전송 될 수 있는 RE 영역 상에 데이터를 뮤팅(muting) 시켜주는 것을 가정할 때, UE는 ZP CSI-RS로 설정 되지 않은 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. DS-CSI-RS가 전송될 수 있는 OFDM 심볼 영역은 FDD와 TDD의 경우에 서로 다르므로, UE가 RSSI 측정을 수행하는 OFDM 심볼 영역은 UE가 measurement를 수행하는 frequency의 FDD/TDD type에 따라 달라질 수 있다. 탐색 신호(DS)가 DS-PSS/DS-SSS/DS-CRS/DS-CSI-RS를 포함하는 경우, UE는 (측정을 수행하는 주파수 에서) 각각의 RS들이 모두 전송될 수 없는 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행하게 된다. 또는 공유 셀 ID 운영 환경을 고려하여, DS-CSI-RS가 전송될 수 없는 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수도 있다. 이러한 Option B-2를 사용하는 것은 이웃 셀들이 지닐 수 있는 모든 탐색 신호(DS)가 RSSI 측정에 영향을 미치는 것을 방지하기 위함이다. Option B-3에서는 UE는 미리 정의된 OFDM 심볼 영역 또는 eNodeB로부터 설정받은 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행한다. eNodeB로부터 RSSI 측정을 위한 OFDM 심볼 영역을 설정받을 경우, 이러한 RSSI 측정을 위한 OFDM 심볼 영역은 주파수 별로 설정될 수 있다. 이때 UE가 미리 정의된 OFDM 심볼 영역에서 RSSI 측정을 수행하는 경우, RSSI 측정을 위한 OFDM 심볼 영역은 제1 슬롯 내의 OFDM 심볼 #0, #1, #2, #3 in 으로 정해질 수 있다. 이러한 영역은 DS-PSS, DS-SSS, DS-CSI-RS 등의 위치를 최대한 배제한 위치이면서도, DS-CRS를 일부 포함하여 RSSI 값이 거의 영(zero) 값이 되는 것을 막을 수 있다. 또한 DS-CRS가 탐색 신호(DS)에 포함되지 않은 경우, ON 상태에서 전송되는 CRS를 RSSI 측정에 포함시킴으로써, 보다 정확한 RSSI 값을 측정하게 해준다. 또는 RSSI 측정을 위한 OFDM 심볼 영역은 제1 슬롯의 OFDM 심볼 #1, #2, #3으로 정해질 수 있다. 이러한 영역은 DS-PSS, DS-SSS, DS-CSI-RS, DS-CRS 등의 위치를 최대한 배제한 위치이다.한편, 공유 셀 ID 운영 환경을 가정하면 DS-PSS/DS-SSS(/DS-CRS)로 PCID를 검출하고 DS-CSI-RS로 전송 포인트의 ID(TPID)를 검출할 수 있다. 이때 TPID DS-CSI-RS의 RE 설정 인덱스 또는 스크램블링 인덱스 (또는 RE 설정 인덱스와 스크램블링 인덱스를 통해 설정되는 인덱스)를 의미할 수 있다. 이 경우, 특정 PCID에 대한 셀(클러스터)의 RSRP/RSRQ 측정은 DS-CRS를 사용하여 수행하고, 동일한 PCID를 사용하는 각 전송 포인트(TP)(즉, 클러스터 내의 각 전송 포인트(TP))에 대한 RSRP/RSRQ 측정은 DS-CSI-RS를 사용하여 수행할 수 있다. 이 때, DS-CRS를 사용하여 특정 PCID에 대한 셀(클러스터)의 RSSI 측정을 수행하는 OFDM 심볼 영역과 DS-CSI-RS를 사용하여 전송 포인트(TP)에 대한 RSSI 측정을 수행하는 OFDM 심볼 영역이 서로 다를 수 있다. 예를 들어, DS-CRS를 사용하여 특정 PCID에 대한 셀(혹은 클러스터)의 RSSI 측정을 수행하는 OFDM 심볼 영역이 DS-CRS가 전송되는 전체 또는 일부 OFDM 심볼 영역을 포함할 때, DS-CSI-RS를 사용하여 전송 포인트(TP)에 대한 RSSI 측정을 수행하는 경우에는, DS-CRS가 전송되는 OFDM 심볼 영역을 측정을 위한 심볼 영역에서 제외할 수 있다. 예를 들어 DS-CRS를 사용하여 셀(혹은 클러스터)의 RSRP/RSRQ를 측정할 때, RSSI 측정을 수행하는 OFDM 심볼 영역은 OFDM 심볼 제1 슬롯의 #0, #1, #2, #3과 같을 수 있다. 하지만 DS-CSI-RS를 사용하여 전송 포인트(TP)의 RSRP/RSRQ를 측정할 때, RSSI 측정을 수행하는 OFDM 심볼 영역은 DS-CRS가 전송되는 OFDM 심볼 영역을 제외하여 제1 슬롯의 OFDM 심볼 #1, #2, #3과 같을 수 있다.위 세 번째 예시(Option C)(즉, 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 서브프레임 상에서의 RSSI 측정)에 대해서 상세하게 설명하면 다음과 같다. 앞선 두 번째 예시(Option B)는 UE가 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 OFDM 심볼(non-DS-transmitted OFDM 심볼) 상에서 RSSI를 측정하도록 하는데, 이때 탐색 신호(DS)가 차지하는 OFDM 심볼의 양이 많은 경우 RSSI 측정을 수행할 OFDM 심볼의 양이 충분하지 않을 수 있다. 이를 해결하기 위해 세 번째 예시(Option C)는 UE가 RSSI 측정을 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 서브프레임 상에서 수행하도록할 수 있다. 이 경우, eNodeB가 UE에게 RSSI 측정을 수행 할 서브프레임 위치를 알려줄 수도 있지만, 시그널링 오버헤드 등을 줄이기 위해 또는 설정이 필요하지 않은 상황을 고려하여 UE가 묵시적(implicit)으로 RSSI 측정을 수행 할 서브프레임의 위치를 알도록 할 수 있다. UE는 eNodeB로부터 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)을 받을 수 있다. 이러한 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)은 주기 및 오프셋 값을 포함할 수 있으며, 추가적으로 구간(duration)의 값도 포함할 수 있다. 따라서, 여기서는 UE가 측정을 수행 할 셀 혹은 전송 포인트(TP)의 PCID(TPID)를 검출한 서브프레임의 다음(next) 서브프레임에서 RSSI 측정을 수행할 것을 제안한다. 또는 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)내에 주기 및 오프셋 값이 포함된 경우, UE는 해당 설정이 가리키는 서브프레임 위치(즉, n번째 서브프레임)의 하나 전 서브프레임(즉, n-1번째 서브프레임) 또는 다음 서브프레임에서(즉, n+1번째 서브프레임)상에서 RSSI 측정을 수행하도록 할 것을 제안한다. 또는 해당 설정이 가리키는 서브프레임 위치(즉, n번째 서브프레임)의 하나 전 서브프레임(즉, n-1번째 서브프레임) 또는 다음 서브프레임(즉, n+1번째 서브프레임)을 포함하는 서브프레임 상에서 UE가 RSSI 측정을 수행하도록 할 것을 제안한다. 또는 해당 설정이 가리키는 서브프레임 위치 외의 서브프레임 상에서 UE가 RSSI 측정을 수행하도록 할 것을 제안한다. 이러한 옵션들은 모든 셀 또는 전송 포인트(TP)들이 동일한 서브프레임에서 탐색 신호(DS)를 전송하고 탐색 신호(DS)는 1개의 서브프레임을 포함하는 경우에 유용할 수 있다.앞서 설명한 바와 같이 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)은 주기 및 오프셋 값과 추가적으로 구간(duration)의 값도 포함할 수 있다. 이 경우, UE는 eNodeB로부터 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)을 받았을 때, 수신한 타이밍 구간 외의 서브프레임 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 이때, UE는 상기 설정 내에 지시된 타이밍 구간이 끝나고 다음 서브프레임 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. UE가 탐색 신호(DS)가 전송되지 않는 서브프레임 상에서 RSSI 측정을 수행하는 또 다른 방법으로, 특정 구간 동안의 서브프레임 상에서 UE가 RSSI 측정을 수행하도록 할 것을 제안한다. 이때, 실제 탐색 신호(DS)는 해당 구간의 일부 서브프레임 상에서만 수신될 수도 있다. 이러한 측정 방법의 일례로 UE는 실제 탐색 신호(DS)가 전송되는 서브프레임의 위치를 고려하지 않고, 특정 구간 동안의 각 서브프레임 상에서 RSSI를 측정하여, 얻은 RSSI 값들 평균함으로써 RSSI 측정을 보고할 수 있다. 이때, 해당 구간의 값은 상기 탐색 신호 측정 타이밍 설정(DMTC)에 포함될 수 있다. 또는 해당 구간의 값은 탐색 신호(DS)가 전송될 것으로 기대되는 구간 값 외에 별도로 eNodeB로부터 설정받은 RSSI 측정을 위한 구간 값일 수 있다. 또는 UE는 RSSI 측정을 위한 별도의 타이밍 설정(주기, 오프셋 및/또는 구간)을 설정받고, 해당 구간 동안의 서브프레임들을 상에서 RSSI 측정을 수행하고, 상기 해당 구간 동안 측정 된 RSSI 값을 평균내어 보고할 수도 있다. 다른 한편, eNodeB는 위에서 설명한 Option A의 기법과 Option B의 기법 중 어떠한 기법을 사용하여 RSSI 측정을 수행할 것인지를 UE에게 설정해 줄 수 있다. 구체적으로, 이런 설정은 주파수 별로 이루어질 수 있다. 즉, UE가 탐색 신호(DS)를 사용한 RSSI 측정을 수행할 경우에, eNodeB는 UE가 (Option A에서와 같이) 탐색 신호(DS)가 수신되는 서브프레임 상의 전 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행해야 할 지, (Option B에서와 같이) 탐색 신호(DS)가 수신되지 않는 혹은 수신될 수 없는 (일부) OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행해야 할 지 여부를 UE에게 설정해줄 수 있다.만약, 상위 계층이 RSSI를 모든 OFDM 심볼 상에서 수행하라고 지시할 경우, UE는 측정을 위한 서브프레임 내의 모든 심볼 상에서 RSSI를 측정할 수 있다. 다만, eNodeB는 UE에게 (특정 주파수에 대해) Option B 기법을 사용하여 탐색 신호(DS) 기반의 RSSI 측정을 수행하라고 설정하면서도, 한편으로는 UE에게 모든 OFDM 심볼 상에서 RSSI 측정을 수행하라고 설정할 수도 있다. 이러한 경우, UE는 탐색 신호(DS) 기반의 측정을 수행해야 하는 셀 혹은 전송 포인트(TP)에 대해서는 Option B의 기법을 통해 측정을 수행하고, 기존 기법대로 측정을 해야 하는 셀 혹은 전송 포인트(TP)에 대해서는 상위 계층 시그널에 따라 모든 OFDM 심볼 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 이를 일반화 시키면 UE는 기존 기법으로 측정을 수행하는 셀 혹은 전송 포인트(TP)에 대해서는 기존 기법에 따른 측정을 수행하고, 탐색 신호(DS) 기반의 측정을 수행하는 셀 혹은 전송 포인트(TP)에 대해서는 탐색 신호(DS) 관련 설정에 따라 측정을 수행할 수 있다. 대안적으로, UE는 모든 OFDM 심볼 상에서 RSSI 측정을 수행하라는 상위 계층 시그널링을 무시하고, Option B의 기법을 통해 측정을 수행할 수 있다. 이를 일반화 시키면 UE는 기존 기법으로 측정을 수행하는 셀 혹은 전송 포인트(TP)와 탐색 신호(DS) 기반의 측정을 수행하는 셀 혹은 전송 포인트(TP) 모두에 대해 탐색 신호(DS) 관련 설정이 가장 우선한다고 가정하고, 모든 셀 혹은 전송 포인트(TP)에 대해 탐색 신호(DS) 설정을 따를 수 있다. 다른 한편, 상위 계층이 RSSI 측정을 모든 OFDM 심볼 상에서 수행하라고 지시할 경우, 이러한 상위 계층의 지시는 탐색 신호(DS)를 사용한 RSSI 측정에도 적용될 수 있다. 이때, 이러한 상위 계층 시그널은 UE가 RSSI 측정을 위해 사용 할 OFDM 심볼 영역을 설정하는데 우선 순위를 지닐 것을 제안한다. 구체적으로, UE는 기본적으로 (Option B에서와 같이) 탐색 신호(DS)가 수신되지 않는 혹은 수신될 수 없는 (일부) OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 것을 가정하지만, eNodeB로부터 전 OFDM 심볼 영역을 사용하여 RSSI 측정을 수행하라는 상위 계층 시그널을 받으면, (Option A에서와 같이) 탐색 신호(DS)가 전송되는 서브프레임에서 전 OFDM 심볼 영역을 사용하여 RSSI 측정을 수행할 수 있다.또는 OFF 상태에 있는 셀의 탐색 신호(DS)로 인해 RSSI가 과대 측정(over-estimation)되는 현상을 방지하기 위해, UE는 전 OFDM 심볼로 RSSI를 측정하라는 상위 계층 시그널을 수신하더라도 해당 시그널을 무시할 수 있다. 예를 들어 UE는 (Option B에서와 같이) 탐색 신호(DS)가 수신되지 않는 혹은 수신될 수 없는 (일부) OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행하며, eNodeB로부터 전 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행하라는 상위 계층 시그널을 받더라도 이를 무시하고 (Option B에서와 같이) 탐색 신호(DS)가 수신되지 않는 혹은 수신될 수 없는 (일부) OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다.UE가 eNodeB로부터 제한된 서브프레임 상에서 측정을 수행하라는 측정 서브프레임 패턴을 수신하는 경우, UE는 상기 제한된 서브프레임 내의 전 OFDM 심볼 상에서 RSSI 측정을 수행하게 된다. 이때, 구체적으로, UE는 기본적으로 (Option B에서와 같이) 탐색 신호(DS)가 수신되지 않는 혹은 수신될 수 없는 (일부) OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 것을 가정하지만, UE가 eNodeB로부터 측정 서브프레임 패턴을 수신할 경우, 상기 제한된 서브프레임들 중 탐색 신호(DS)가 수신되는 서브프레임 내의 전 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다.또는 OFF 상태에 있는 셀의 탐색 신호(DS)로 인해 RSSI가 과대 측정(over-estimation)되는 현상을 방지하기 위해, UE는 eNodeB로부터 측정 서브프레임 패턴을 수신할 경우, 제한된 서브프레임에서 (Option B에서와 같이) 탐색 신호(DS)가 수신되지 않는 혹은 수신될 수 없는 (일부) OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다.또는 OFF 상태에 있는 셀의 탐색 신호(DS)로 인해 RSSI가 과대 측정(over-estimation)되는 현상을 방지하기 위해, UE는 eNodeB로부터 측정 서브프레임 패턴을 수신할 경우, 상기 측정 서브프레임 패턴의 설정을 무시할 수 있다.다른 한편, 탐색 신호(DS)가 PSS/SSS/CRS/CSI-RS를 포함하는 경우(구체적으로 탐색 신호가 DS-CSI-RS를 포함하는 경우), UE는 전 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행하라는 지시를 받더라도 상관없이 (Option B에서와 같이) 탐색 신호(DS)가 수신되지 않는 혹은 수신될 수 없는 (일부) OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 반면 탐색 신호(DS)가 PSS/SSS/CRS를 포함하는 경우 (즉, 탐색 신호가 DS-CSI-RS를 포함하지 않는 경우), UE는 전 OFDM 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행하라는 지시를 받으면 상기 UE는 해당 지시에 따라 전 OFDM 심볼 상에서 RSSI 측정을 수행하고, 해당 지시를 수신하지 않으면 기존 RSSI 측정과 같이 CRS(DS-CRS)가 수신되는 OFDM 심볼 상에서만 RSSI 측정을 수행할 수 있다. 이는 DS-CSI-RS가 설정된 경우에는 UE가 새로운 RSSI 측정 방식을 따르고, DS-CSI-RS가 설정되지 않은 경우에는 UE가 기존의 기법대로 RSSI 측정을 수행하도록 하는 방법이다.구체적으로, DS-PSS/DS-SSS가 수신되는 OFDM 심볼들 상에서 RSSI 측정을 수행하는 경우, DS-PSS/DS-SSS가 수신되는 대역폭(예컨대, 중심 6개의 PRB) 영역에서는 DS-PSS/DS-SSS가 수신되는 OFDM 심볼 영역 상에서 또는 전 심볼 영역 상에서 RSSI 측정을 수행하지 않을 수 있다. 또는 구체적으로, 탐색 신호(DS)가 수신되는 서브프레임에서 RSSI 측정을 수행할 때, 중심 6개의 PRB를 제외한 영역 상에서는 RSSI 측정을 수행하지 않을 수 있다. 이는 중심 6개의 PRB 내에서 탐색 신호(DS)가 차지하는 자원의 양이 많아서 탐색 신호(DS)에 편향(bias된 RSSI 측정 결과가 나타나는 것을 방지하기 위함이다. 또는 탐색 신호(DS)가 수신되지 않는 심볼 영역에 상에서만 RSSI 측정을 수행할 때, 탐색 신호(DS)가 수신되는 OFDM 심볼 영역이 많아서 중심 6개의 PRB 내에서는 RSSI 측정을 수행할 심볼 자원이 충분하지 않을 때 RSSI 측정을 수행하기 위함이다.IV. CSI/CQI 측정먼저, 앞서 설명한 바와 같이 RSSI를 어떻게 측정할 수 있는지는 여러 방안이 존재할 수 있는데, 이와 같이 RSSI 측정 방안이 다양화에 따라 CQI도 영향을 받을 수 있다. 따라서 이하에서는 다음을 제안한다.CQI 간섭 측정을 위해서, UE는 탐색 신호가 포함되는 OFDM 심볼(또는 주어진 서브프레임에서 탐색 신호가 포함되는 OFDM 심볼 상에서는 간섭을 측정하지 않을 수 있다. 예를 들어, CRS가 탐색 신호에 포함되는 경우, 탐색 신호 타이밍 설정에 따라 탐색 신호가 수신되되 CRS가 포함되는 OFDM 심볼 상에서는 간섭이 측정되지 않을 수 있다.CQI 간섭 측정을 위해서 탐색 신호가 수신되는 서브프레임과 다른 서브프레임 상에서 탐색 신호(DS) 기반의 RSSI가 측정되는 경우, CQI 간섭을 계산할 때에는 탐색 신호가 수신되는 서브프레임은 제외되어야 한다. 따라서 UE는 CQI 측정의 간섭 측정에 대해서는 DS가 수신되는 서브프레임은 사용하지 않는다. 다시 말해서, CQI 간섭 측정은 RSSI 정의를 따른다. 비주기적인 CQI 측정을 위해서, 비주기적인 CSI 요청에 의해서 지시된 하향링크 서브프레임이 탐색 신호 설정에 따라 탐색 신호가 수신되는 서브프레임일 경우, UE는 상기 서브프레임을 유효한 하향링크 서브프레임이라고 간주하지 않는다. 대안적을, 이러한 서브프레임은 네트워크 스케줄링에 의해서 제외될 수 있다. 이에 따르면 상기 서브프레임 상에 대해 비주기적인 CSI 요청이 존재하면, UE는 탐색 신호가 수신되는 서브프레임은 여전히 유효한 서브프레임이라고 간주할 수 있다. 비주기적인 CQI 요청에 대해서 만약 비주기적인 CSI 요청에 의해서 지시된 하향링크 서브프레임이 DMTC에 의해서 지시된 서브프레임 내에 포함된 다면, 해당 서브프레임은 유효한 하향링크 서브프레임이 아니라고 고려될 수 있다. 대안적으로, 이러한 서브프레임은 네트워크 스케줄링에 의해서 제외될 수 있다. 이에 의하면, 상기 서브프레임 상에 대해 비주기적인 CSI 요청이 존재하면, UE는 탐색 신호가 수신되는 서브프레임은 여전히 유효한 서브프레임이라고 간주할 수 있다. V. RSSI 측정 서브프레임소규모 셀 환경에서 소규모 셀들 간에 타이밍이 동기되어 있지 않다면, 셀들 간에 동일한 탐색 신호(DS) 전송 타이밍을 지니더라도 각 셀들이 실제 탐색 신호(DS)를 전송하는 타이밍은 서로 다를 수 있다. 예를 들어 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 도 20은 셀들 간에 탐색 신호의 전송 타이밍이 다른 예를 나타낸다.도 20을 참조하여 알 수 있는 바와 같이 셀#1, 셀#2, …, 셀#5의 탐색 신호(DS)가 모두 동일하게 서브프레임 #n, #n+1, …, #n+4에서 전송되더라도, 각 셀 간에 서브프레임 타이밍이 일치하지 않으면, 각 셀이 탐색 신호(DS)를 전송하는 시점은 서로 다를 수 있다.이와 같은 상황에서, 특정 UE의 서빙 셀을 셀#1이라 할 때, UE가 탐색 신호(DS) 기반 RSSI(혹은 DSSI라고 함) 측정을 수행하고자 하는 경우, 셀 들의 타이밍 동기가 맞지 않는 문제 때문에 측정을 수행하는 서브프레임의 위치의 구성에 따라 측정되는 DSSI 값이 달라지는 문제가 발생할 수 있다. 따라서 이하에서는 이러한 문제의 해결을 위해 다음과 같은 서브프레임 구간에서 탐색 DSSI를 측정할 것을 제안한다.첫 번째 방안은, UE는 DSSI의 측정을 위해 DMTC에 따라 탐색 신호(DS)를 전송하는 이웃 셀들이 공통적으로 탐색 신호(DS)를 전송하는 서브프레임 구간을 파악하여, 해당 서브프레임 구간만을 사용하여 DSSI를 측정할 것을 제안한다. 예를 들어 도 20에 도시된 바와 같이 UE가 서빙 셀인 셀#1과 이웃 셀인 셀#2, 셀#3, 셀# 4, 셀#5의 탐색 신호(DS) 전송 타이밍을 알 경우, 셀#1, …, 셀#5가 공통적으로 탐색 신호(DS)를 전송하는 서브프레임 영역인 서브프레임#n+1, #n+2, #n+3만을 DSSI 측정에 사용할 수 있다. 좀 더 나아가 TDD의 경우 이러한 문제가 없으므로, 이러한 설정은 FDD인 경우에 한정한다고 할 수 있다. 더불어 탐색 신호(DS) 기반 RSRP와 RSSI가 측정되는 서브프레임의 정렬을 맞추기 위해, DSSI에 측정에 사용되는 구간에서만 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP 측정을 수행한다고 가정할 수 있다.두 번째 방안은, eNodeB가 UE에게 DSSI의 측정을 위해 사용 할 서브프레임들의 위치를 설정해 줄 것을 제안한다. 예를 들어 DSSI 측정을 위한 서브프레임 위치는 DMTC 내에 포함되어 설정될 수 있으며, DSSI 측정을 위한 서브프레임 위치를 표현하기 위해 다음과 같은 값이 설정될 수 있다.- DSSI 측정을 위한 서브프레임들의 시작점을 나타내기 위한, DMTC 구간 시작점으로부터의 오프셋 값- DSSI 측정을 위한 서브프레임의 구간 값이 경우 UE는 DMTC 구간 내에서 설정받은 ‘DSSI 측정을 위한 서브프레임들’만을 DSSI의 측정에 사용할 수 있다. 더불어 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP와 RSSI가 측정되는 서브프레임의 정렬을 맞추기 위해, DSSI에 측정에 사용되는 구간에서만 탐색 신호(DS) 기반 RSRP 측정을 수행한다고 가정할 수 있다.세 번째 방안은, UE가 DSSI의 측정을 위해 실제 탐색 신호(DS)가 전송되는 서브프레임 위치에 상관없이 DMTC 구간 전체를 DSSI 측정에 사용할 것을 제안한다. 예를 들어 서브프레임 #n ~ #n+4가 DMTC로 설정되고 서브프레임 #n~#n+2에서만 서빙 셀의 탐색 신호(DS)가 전송된다고 하더라도, UE는 DMTC 구간인 서브프레임 #n ~ #n+4에서 DSSI를 측정할 수 있다. 더불어 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP와 RSSI가 측정되는 서브프레임의 정렬을 맞추기 위해, DSSI에 측정에 사용되는 구간에서만 탐색 신호(DS) based RSRP 측정을 수행한다고 가정할 수 있다.네 번째 방안은, UE는 DMTC를 통해 지시한 구간동안 탐색 신호(DS)가 수신될 수 있게끔 네트워크가 조정한다고 가정한다 그러나, 이러한 경우에도 셀간 동기가 맞아 있지 않으면 서브프레임 경계가 틀려질 수 있으므로, 최대 셀간 한 서브프레임의 차이가 있을 수 있다. 따라서 이러한 경우, DMTC의 시작점과 끝점에서 간섭의 변동이 생길 수 있다 (예를 들어, 몇 개의 셀만 탐색 신호(DS)를 전송할 수 있다). 따라서 단말은 DMTC가 수신되면 앞/뒤 1msec를 제외한 구간에서만 DSSI를 측정할 수 있다고 가정할 수 있다. 이러한 설정은 네트워크의 동기를 알거나 모르거나 적용할 수 있으며, 구체적으로 DMTC 구간에서 앞/뒤 1msec씩 DSSI 측정으로 사용되지 않는다고 가정할 수 있다. 좀 더 나아가 TDD 의 경우 이러한 문제가 없으므로, 이러한 설정은 FDD인 경우에 한정한다고 할 수 있다. 더불어 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP와 RSSI가 측정되는 서브프레임의 정렬을 맞추기 위해, 제안하는 방법에 의해 DSSI 측정에 사용되는 서브프레임 구간에서 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP 측정을 수행한다고 가정할 수 있다. 즉, DMTC 의 구간이 5msec인 경우, 중간 3msec에서만 탐색 신호(DS) 기반의 RSRP/RSRQ 측정을 수행할 수 있다.지금까지 설명한, 본 발명의 실시예들은 다양한 수단을 통해 구현될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시예들은 하드웨어, 펌웨어(firmware), 소프트웨어 또는 그것들의 결합 등에 의해 구현될 수 있다. 구체적으로는 도면을 참조하여 설명하기로 한다.도 21은 본 명세서의 개시가 구현되는 무선통신 시스템을 나타낸 블록도이다. 기지국(200)은 프로세서(processor, 201), 메모리(memory, 202) 및 RF부(RF(radio 주파수) unit, 203)을 포함한다. 메모리(202)는 프로세서(201)와 연결되어, 프로세서(201)를 구동하기 위한 다양한 정보를 저장한다. RF부(203)는 프로세서(201)와 연결되어, 무선 신호를 송신 및/또는 수신한다. 프로세서(201)는 제안된 기능, 과정 및/또는 방법을 구현한다. 전술한 실시 예에서 기지국의 동작은 프로세서(201)에 의해 구현될 수 있다. UE(100)는 프로세서(101), 메모리(102) 및 RF부(103)을 포함한다. 메모리(102)는 프로세서(101)와 연결되어, 프로세서(101)를 구동하기 위한 다양한 정보를 저장한다. RF부(103)는 프로세서(101)와 연결되어, 무선 신호를 송신 및/또는 수신한다. 프로세서(101)는 제안된 기능, 과정 및/또는 방법을 구현한다.프로세서는 ASIC(application-specific integrated circuit), 다른 칩셋, 논리 회로 및/또는 데이터 처리 장치를 포함할 수 있다. 메모리는 ROM(read-only memory), RAM(random access memory), 플래쉬 메모리, 메모리 카드, 저장 매체 및/또는 다른 저장 장치를 포함할 수 있다. RF부는 무선 신호를 처리하기 위한 베이스밴드 회로를 포함할 수 있다. 실시예가 소프트웨어로 구현될 때, 상술한 기법은 상술한 기능을 수행하는 모듈(과정, 기능 등)로 구현될 수 있다. 모듈은 메모리에 저장되고, 프로세서에 의해 실행될 수 있다. 메모리는 프로세서 내부 또는 외부에 있을 수 있고, 잘 알려진 다양한 수단으로 프로세서와 연결될 수 있다. 상술한 예시적인 시스템에서, 방법들은 일련의 단계 또는 블록으로써 순서도를 기초로 설명되고 있지만, 본 발명은 단계들의 순서에 한정되는 것은 아니며, 어떤 단계는 상술한 바와 다른 단계와 다른 순서로 또는 동시에 발생할 수 있다. 또한, 당업자라면 순서도에 나타낸 단계들이 배타적이지 않고, 다른 단계가 포함되거나 순서도의 하나 또는 그 이상의 단계가 본 발명의 범위에 영향을 미치지 않고 삭제될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서의 일 개시는 사용자 장치(UE)에서 측정을 수행하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 탐색 신호(Discovery Signal: DS)에 대한 측정 타이밍 설정을 포함하는 측정 설정 정보를 수신하는 단계와; 제1 셀에 대한 측정과 제2 셀에 대한 측정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다. 여기서 상기 탐색 신호(DS)에 대한 상기 측정 타이밍 설정은 상기 제1 셀에 대한 측정이 아닌, 제2 셀에 대한 측정에 적용될 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 반도체 장치SEMICONDUCTOR DEVICE [ 기술분야 ] 본 발명은, 산화물 반도체를 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.본 명세서에서, 반도체 장치란, 일반적으로 반도체 특성을 이용하여 기능할 수 있는 장치를 의미하며, 전기-광학 장치, 반도체 회로, 및 전자 장치는 모두 반도체 장치이다. [ 배경기술 ] 최근, 절연 표면을 갖는 기판 위에 형성된 (약 수 나노미터 내지 수백 나노미터의 두께를 갖는) 반도체 박막을 이용해 박막 트랜지스터(TFT)를 형성하는 기술이 주목받고 있다. 박막 트랜지스터는, IC나 전기-광학 장치와 같은 전자 장치에 넓게 응용되며, 특히, 화상 표시 장치의 스위칭 소자로서 이용될 박막 트랜지스터의 개발이 시급해지고 있다. 산화 인듐은 금속 산화물의 일례이며, 액정 디스플레이등에 필요한 투광성 전극 재료로서 이용되고 있다.일부 금속 산화물은 반도체 특성을 가진다. 예를 들어, 반도체 특성을 갖는 금속 산화물로서는, 산화 텅스텐, 산화 주석, 산화 인듐, 산화 아연 등이 포함된다. 이러한 반도체 특성을 갖는 금속 산화물을 이용하여 채널 형성 영역이 형성되는 박막 트랜지스터가 이미 알려져 있다(특허 문헌 1 내지 4, 비특허 문헌 1).또한, 금속 산화물로서 일원계 산화물 뿐만 아니라 다원계 산화물도 알려져 있다. 예를 들어, 동종 화합물 InGaO3(ZnO)m(m：자연수)은, In, Ga 및 Zn을 포함하는 다원계 산화물 반도체(In-Ga-Zn-O계 산화물이라고도 함)로서 알려진 물질이다(비특허 문헌 2 내지 4).또한, 이와 같은 In-Ga-Zn-O계 산화물을 포함하는 산화물 반도체는 박막 트랜지스터의 채널층에 적용될 수 있다는 것이 확인되었다(특허 문헌 5, 비특허 문헌 5 및 6). [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 공개 특허 출원 제S60-198861일본 공개 특허 출원 제H8-264794PCT 국제 출원 번호 제H11-505377호의 일본어 번역판일본 공개 특허 출원 제2000-150900일본 공개 특허 출원 제2004-103957 [ 비특허문헌 ] [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 안정적인 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것이 목적이다. [ 과제의 해결 수단 ] 채널 형성 영역을 포함한 반도체층이 산화물 반도체막으로서 역할하는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 산화물 반도체막의 순도를 높이고 수분과 같은 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)가 수행된다. 또한, 산화물 반도체막내 뿐만이 아니라, 소스 전극층, 드레인 전극층 및 게이트 절연층내에 존재하는 수분과 같은 불순물이 열 처리에 의해 저감되고, 산화물 반도체층의 상하에 접하는 막들과 산화물 반도체막 사이의 계면들에 존재하는 수분과 같은 불순물이 열 처리에 의해 저감된다.산화물 반도체층이 형성되고, 보호막 역할을 하는 산화물 절연막이 산화물 반도체층에 접하여 형성된 다음, 탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리가 수행된다. 열 처리는, 질소 분위기, 산소 분위기, 또는 희가스(아르곤, 헬륨등)의 불활성 가스 분위기하, 또는 감압하에서, 200℃이상 700℃이하, 바람직하게는 350℃이상 기판의 변형점미만의 온도에서 수행되어, 소스 전극층, 드레인 전극층, 게이트 절연층 및 산화물 반도체막 등의 함유 수분이 저감된다. 또한, 이 열 처리에 의해, 보호막 역할을 하는 산화물 절연막이 산화물 반도체층에 접하여 형성될 때 산화물 반도체층이 받는 플라즈마 데미지를 회복시킬 수 있다. 또한, 이 열 처리에 의해, 박막 트랜지스터의 전기적 특성의 격차를 저감할 수 있다.열 처리에 의해 함유 수분 등을 저감시키고 플라즈마 데미지를 회복시킨 산화물 반도체층을 이용하면, 박막 트랜지스터의 전기 특성을 향상시키고 양산성과 고성능의 양쪽 모두를 갖춘 박막 트랜지스터를 실현한다.본 명세서에서는, 질소 분위기, 산소 분위기, 또는 희가스(아르곤, 헬륨등)의 불활성 가스 분위기 또는 감압하에서의 열 처리를, 탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리라고 부른다. 본 명세서에서는, "탈수소화"란, 열 처리에 의한 H2만의 제거를 가리키는 것은 아니다. 본 명세서에서는 편의상, H, OH등의 제거를, "탈수화 또는 탈수소화"라고 부른다.산화물 반도체층에 접하여 있는 보호막 역할을 하는 산화물 절연막은, 수분, 수소 이온, 및 OH-과 같은 불순물을 차단하는 무기 절연막을 이용하여 형성된다는 점에 유의한다. 전형적으로는, 산화 규소막, 질화 산화 규소막, 산화 알루미늄막, 또는 산화 질화 알루미늄막을 이용한다. 또한, 산화물 절연막 위에 질화 규소막 또는 질화 알루미늄을 적층할 수도 있다.본 명세서에 개시된 본 발명의 한 실시예는, 내열성 도전 재료를 포함한 게이트 전극층을 형성하는 단계; 게이트 전극층 위에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 게이트 절연층 위에 산화물 반도체층을 형성하는 단계; 산화물 반도체층 위에, 각각 내열성 도전 재료를 포함하는 접속 전극층, 소스 전극층, 및 드레인 전극층을 형성하는 단계; 게이트 절연층, 산화물 반도체층, 접속 전극층, 소스 전극층 및 드레인 전극층 위에, 산화물 반도체층의 일부와 접하는 산화물 절연막을 형성하는 단계; 및 산화물 절연막을 형성한 후, 산화물 반도체층을 탈수화 또는 탈수소화하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이다.상기 구조를 통해, 전술된 문제점들 중 적어도 하나가 해결될 수 있다.본 명세서에 개시된 본 발명의 또 다른 실시예는, 절연 표면을 갖는 기판 위에, 내열성 도전성 재료를 포함한 게이트 전극층을 형성하는 단계; 게이트 전극층 위에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 게이트 절연층 위에 산화물 반도체층을 형성하는 단계; 산화물 반도체층 위에, 각각 내열성 도전 재료를 포함하는 접속 전극층, 소스 전극층 및 드레인 전극층을 형성하는 단계; 게이트 절연층, 산화물 반도체층, 접속 전극층, 소스 전극층 및 드레인 전극층 위에 산화물 반도체층의 일부와 접하는 산화물 절연막을 형성하는 단계; 산화물 절연막을 형성한 후, 산화물 반도체층을 탈수화 또는 탈수소화하는 단계; 산화물 절연막의 일부를 제거하고, 소스 전극층에 이르는 제1 콘택 홀과, 접속 전극층의 양단부에 이르는 제3 콘택 홀 및 제4 콘택 홀을 형성하는 단계; 산화물 절연막 및 게이트 절연층의 일부를 제거하고, 게이트 전극층에 이르는 제2 콘택 홀을 형성하는 단계; 및 산화물 절연막 위에, 제1 콘택 홀을 통해 소스 전극층에 접속되는 소스 배선과, 제2 콘택 홀을 통해 게이트 전극층에 그리고 제3 콘택 홀을 통해 접속 전극층에 접속되고 제3 콘택홀을 통해 접속 전극층에 접속되는 제1 게이트 배선과, 제4 콘택 홀을 통해 접속 전극층에 접속되는 제2 게이트 배선을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이다.본 명세서에 개시된 본 발명의 또 다른 실시예는, 절연 표면을 갖는 기판 위에, 내열성 도전성 재료를 포함한 게이트 전극층을 형성하는 단계; 게이트 전극층 위에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 게이트 절연층 위에 산화물 반도체층을 형성하는 단계; 산화물 반도체층 위에, 각각 내열성 도전 재료를 포함하는 접속 전극층, 소스 전극층 및 드레인 전극층을 형성하는 단계; 게이트 절연층, 산화물 반도체층, 접속 전극층, 소스 전극층 및 드레인 전극층 위에 산화물 반도체층의 일부와 접하는 산화물 절연막을 형성하는 단계; 산화물 절연막을 형성한 후, 산화물 반도체층을 탈수화 또는 탈수소화하는 단계; 산화물 절연막의 일부를 제거하고, 소스 전극층에 이르는 제1 콘택 홀과, 접속 전극층의 양단부에 이르는 제3 콘택 홀 및 제4 콘택 홀을 형성하는 단계; 산화물 절연막의 일부 및 게이트 절연층의 일부를 제거하고, 게이트 전극층에 이르는 제2 콘택 홀을 형성하는 단계; 및 산화물 절연막 위에, 제1 콘택 홀을 통해 소스 전극층에 그리고 제3 콘택 홀을 통해 접속 전극층에 접속되는 제1 소스 배선과, 제4 콘택 홀을 통해 접속 전극층에 접속되는 제2 소스 배선과, 제2 콘택 홀을 통해 게이트 전극층에 접속되는 게이트 배선을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이다.상기 제조 방법의 구성에 있어서, 탈수화 또는 탈수소화는, 질소 분위기, 산소 분위기, 또는 희가스 분위기, 또는 감압하의 가열인 것이 바람직하고, 산화물 반도체층은, 350℃이상 기판의 변형점미만의 온도로 가열되는 것이 더욱 바람직하다. 가열 후에 서냉하는 것이 바람직하다.내열성 도전 재료로서, 티타늄, 탄탈룸, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 네오디뮴, 또는 스칸듐으로부터 선택된 원소; 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 합금; 또는, 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 질화물을 단층 또는 적층으로 이용하는 것이 바람직하다. 소스 전극층 및 드레인 전극층보다 낮은 저항률을 갖는 저저항 도전 재료를 이용하여 소스 배선 및 게이트 배선을 형성하는 것이 바람직하다. 저저항 도전 재료로서 알루미늄 또는 구리를 이용하는 것이 바람직하다.본 발명의 또 다른 실시예는, 절연 표면을 갖는 기판 위에 제1 마스크를 이용해 형성된 게이트 전극층; 게이트 전극층 위의 게이트 절연층; 게이트 절연층 위에 제2 마스크를 이용해 형성된 산화물 반도체층; 제3 마스크를 이용해 형성된 접속 전극층, 소스 전극층 및 드레인 전극층(소스 전극층 및 드레인 전극층은 산화물 반도체층 위에 있음); 게이트 절연층, 산화물 반도체층, 소스 전극층 및 드레인 전극층을 덮고 산화물 반도체층의 일부와 접하는 산화물 절연막; 및 산화물 절연막 위에 제4 마스크를 이용해 형성된 게이트 배선, 제1 소스 배선 및 제2 소스 배선을 포함하는 반도체 장치이다. 제1 소스 배선은 소스 전극층에 전기적으로 접속되고, 게이트 배선은 게이트 전극층에 전기적으로 접속되고, 제1 소스 배선 및 제2 소스 배선은 접속 전극층에 전기적으로 접속되고, 접속 전극층은 중간에 산화물 절연막이 개재된 채 게이트 배선과 중첩한다. 여기서 제1 내지 제4 마스크란, 포토마스크(photomask)를 말한다.본 발명의 또 다른 실시예는, 절연 표면을 갖는 기판 위에 제1 마스크를 이용해 형성된 게이트 전극층; 게이트 전극층 위의 게이트 절연층; 게이트 절연층 위에 제2 마스크를 이용해 형성된 산화물 반도체층; 제3 마스크를 이용해 형성된 접속 전극층, 소스 전극층 및 드레인 전극층(소스 전극층 및 드레인 전극층은 산화물 반도체층 위에 있음); 게이트 절연층, 산화물 반도체층, 소스 전극층 및 드레인 전극층을 덮고 산화물 반도체층의 일부와 접하는 산화물 절연막; 및 산화물 절연막 위에 제4 마스크를 이용해 형성된 게이트 배선, 제1 소스 배선 및 제2 소스 배선을 포함하는 반도체 장치이다. 제1 소스 배선은 소스 전극층에 전기적으로 접속되고, 게이트 배선은 게이트 전극층에 전기적으로 접속되고, 제1 소스 배선 및 제2 소스 배선은 접속 전극층에 전기적으로 접속되고, 접속 전극층은 중간에 산화물 절연막이 개재된 채 게이트 배선과 중첩한다. 여기서 제1 내지 제4 마스크란, 포토마스크를 말한다.상기 반도체 장치의 임의의 구조에 있어서, 게이트 전극층, 접속 전극층, 소스 전극층 및 드레인 전극층에 대해, 티타늄, 탄탈룸, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 네오디뮴, 또는 스칸듐으로부터 선택된 원소; 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 합금; 또는, 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 질화물의 단층 또는 적층을 이용하는 것이 바람직하다. 소스 배선 및 게이트 배선은, 소스 전극층 및 드레인 전극층보다 낮은 저항률을 갖는 저저항 도전 재료를 이용하여 형성되는 것이 바람직하고, 알루미늄 또는 구리를 이용하는 것이 더욱 바람직하다.본 명세서에서 이용되는 산화물 반도체는, InMO3(ZnO)m (m＞0)로 표현되는 박막으로 형성되고, 이 박막을 산화물 반도체층으로서 이용한 박막 트랜지스터가 제조된다. 그러나, m은 항상 정수인 것은 아니다. 게다가, M은, Ga, Fe, Ni, Mn 및 Co로부터 선택된 하나 이상의 금속 원소를 나타낸다는 점에 유의해야 한다. 예를 들어, M은 Ga이거나, Ga에 추가하여 상기 금속 원소를 포함할 수 있으며, 예를 들어, M은 Ga 및 Ni이거나, Ga 및 Fe일 수 있다. 게다가, 상기 산화물 반도체에 있어서, 일부 경우에는, M으로서 포함되는 금속 원소 외에, 불순물 원소로서 Fe, Ni와 같은 천이 금속, 또는 천이 금속의 산화물이 포함된다. 본 명세서에 있어서, 조성식이 InMO3(ZnO)m (m＞0)로 표현되는 산화물 반도체층 중에서, M으로서 적어도 Ga를 포함하는 조성식의 산화물 반도체를 In-Ga-Zn-O계 산화물 반도체라고 부르며, In-Ga-Zn-O계 산화물 반도체의 박막을 In-Ga-Zn-O계 비-단결정 막이라고 부른다.산화물 반도체층에 적용되는 산화물 반도체로서 상기 외에도, In-Sn-Zn-O-계의 산화물 반도체; In-Al-Zn-O-계의 산화물 반도체; Sn-Ga-Zn-O-계의 산화물 반도체; Al-Ga-Zn-O-계의 산화물 반도체; Sn-Al-Zn-O-계의 산화물 반도체; In-Zn-O-계의 산화물 반도체; Sn-Zn-O-계의 산화물 반도체; Al-Zn-O-계의 산화물 반도체; In-O-계의 산화물 반도체; Sn-O-계의 산화물 반도체; Zn-O-계의 산화물 반도체를 적용할 수 있다. 산화물 반도체층에 산화 규소가 포함될 수도 있다. 또한, 산화물 반도체층에 포함되는, 결정화를 저해하는 산화 규소(SiOx(x＞0))는, 제조 공정에서 산화물 반도체층의 형성 후에 열 처리를 수행하는 경우 산화물 반도체층의 결정화를 억제할 수 있다. 산화물 반도체층은 아몰퍼스 상태인 것이 바람직하지만, 부분적으로 결정화되어도 좋다.또, 열 처리의 조건 또는 산화물 반도체층을 형성하는데 이용되는 재료에 따라, 아몰퍼스 상태의 산화물 반도체층이 미정질 상태 또는 다결정 상태로 변하는 경우도 있다.박막 트랜지스터는 정전기 등으로 인해 파괴되기 쉽기 때문에, 구동 회로를 보호하기 위한 보호 회로를 게이트선 또는 소스선과 동일한 기판 위에 제공하는 것이 바람직하다. 보호 회로는, 산화물 반도체를 포함하는 비선형 소자로 형성하는 것이 바람직하다.또한, 게이트 절연층 및 산화물 반도체막은, 대기에 노출되지 않고 연속적으로 처리(연속 처리, 인 시츄(insitu) 공정, 연속 성막이라고도 부름)될 수도 있다. 대기에 노출시키지 않고 연속 처리함으로써, 물이나 하이드로 카본등과 같은, 대기 성분이나 대기중에 부유하는 불순물에 오염되지 않은, 게이트 절연층과 산화물 반도체막 사이의 계면을 얻을 수 있다. 따라서, 박막 트랜지스터의 특성 격차를 저감할 수 있다.본 명세서에서 "연속 처리"란, PCVD법 또는 스퍼터링법에 의한 제1 처리 단계로부터 PCVD법 또는 스퍼터링법에 의한 제2 처리 단계까지의 공정 동안에, 피처리 기판이 놓여 있는 분위기가 대기와 같은 오염 분위기에 오염되지 않고, 진공 또는 불활성 가스 분위기(질소 분위기 또는 희가스 분위기)가 되도록 제어된다는 것을 의미한다는 점에 유의한다. 연속 처리에 의해, 세정된 피처리 기판에 수분 등이 재부착되는 것을 피하면서 막 형성 등의 처리가 수행될 수 있다.동일한 챔버에서 제1 처리 단계로부터 제2 처리 단계까지의 공정을 수행하는 것은, 본 명세서에서의 연속 처리의 범위 내에 있다.또한, 상이한 챔버에서 제1 처리 단계로부터 제2 처리 단계까지의 공정을 수행하는 경우, 제1 처리 단계후, 대기에 노출되지 않고 또 다른 챔버로 기판을 반송하여 제2 처리를 수행하는 것도 본 명세서에서의 연속 처리의 범위 내에 있다.제1 처리 단계와 제2 처리 단계 사이에, 기판 반송 단계, 배향 단계, 서냉 단계, 또는 기판의 온도가 제2 처리 단계에 적합하게 되도록 기판을 가열하거나 냉각하는 단계가 있는 경우도, 본 명세서에서의 연속 처리의 범위에 있다는 점에 주목한다.세정 단계, 습식 에칭, 또는 레지스트 형성과 같은 액체를 이용하는 단계가 제1 처리 단계와 제2 처리 단계 사이에 제공될 수 있다. 이와 같은 경우는, 본 명세서에서의 연속 처리의 범위 내에 있지 않다. [ 발명의 효과 ] 안정된 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 제공할 수 있다. 따라서, 양호한 전기 특성을 갖는 신뢰성이 높은 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치를 제공할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1a 내지 1e는 본 발명의 실시예에 따른 제조 공정을 나타내는 단면도이다.도 2a 내지 2d는 본 발명의 실시예에 따른 제조 공정을 나타내는 평면도이다.도 3a 내지 3d는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 나타내는 도면이다.도 4a 내지 4e는 본 발명의 실시예에 따른 제조 공정을 나타내는 단면도이다.도 5a 내지 5d는 본 발명의 실시예에 따른 제조 공정을 나타내는 평면도이다.도 6a 내지 6d는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 나타내는 도면이다.도 7의 (a) 내지 (d)는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 제조하기 위한 방법을 나타내는 단면도이다.도 8의 (a) 내지 (c)는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 제조하기 위한 방법을 나타내는 단면도이다.도 9의 (a) 및 (b)는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 제조하기 위한 방법을 나타내는 단면도이다.도 10은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 제조하기 위한 방법을 나타내는 평면도이다.도 11은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 제조하기 위한 방법을 나타내는 평면도이다.도 12는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 제조하기 위한 방법을 나타내는 평면도이다.도 13은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 제조하기 위한 방법을 나타내는 평면도이다.도 14a 내지 14d는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 나타내는 도면이다.도 15는 전기로(electric furnace)를 나타내는 단면도이다.도 16은 전기로를 나타내는 단면도이다.도 17은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 나타내는 단면도이다.도 18은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 나타내는 단면도이다.도 19a 내지 19c는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 나타내는 도면이다.도 20a 및 20b는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 나타내는 도면이다.도 21은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 나타내는 단면도이다.도 22a 및 22b는 표시 장치의 블록도이다.도 23a 및 23b는 주사선 구동 회로의 구조 및 그 타이밍 차트를 나타내는 도면이다.도 24a 내지 24c는 시프트 레지스터의 구조를 나타내는 회로도이다.도 25a 및 25b는 시프트 레지스터의 등가 회로도와, 시프트 레지스터의 동작을 나타내는 그 타이밍 차트를 예시하는 도면이다.도 26a 내지 26c는 반도체 장치를 나타내는 도면이다.도 27은 반도체 장치를 나타내는 도면이다.도 28은 반도체 장치를 나타내는 도면이다.도 29는 반도체 장치에 포함된 화소의 등가 회로를 나타내는 도면이다.도 30a 내지 30c는 반도체 장치를 나타내는 도면이다.도 31a 및 31b는 반도체 장치를 나타내는 도면이다.도 32는 전자 서적 리더의 예를 나타내는 외관도이다.도 33a는 텔레비전 장치예의 외관도이고, 도 33b는 디지털 포토 프레임예의 외관도이다.도 34a 및 34b는 오락 기기의 예를 나타내는 외관도이다.도 35a는 휴대형 컴퓨터예의 외관도이고, 도 35b는 휴대 전화기예의 외관도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명의 실시를 위한 최상의 모드이하에서부터, 본 발명의 실시예들이 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명될 것이다. 그러나, 본 발명은 이하의 설명으로만 제한되는 것은 아니며, 당업자라면 본 명세서에서 개시된 형태들과 세부사항들이 본 발명의 사상과 범위로부터 벗어나지 않고 다양한 방식으로 수정될 수 있다는 것을 용이하게 이해할 것이다. 따라서, 본 발명은 실시예들의 설명으로만 제한되는 것으로 해석되어서는 안된다.(실시예 1) 도 3a는 반도체 장치에 포함된 박막 트랜지스터(461)의 평면도이고, 도 3b는 도 3a의 라인 C1-C2를 따라 취해진 단면도이다. 박막 트랜지스터(461)는 역스태거형(inverted staggered) 박막 트랜지스터이다. 절연 표면을 갖는 기판(400) 위에 게이트 전극층(401)이 제공된다. 게이트 전극층(401) 위에 게이트 절연층(402)이 제공된다. 게이트 절연층(402) 위에 산화물 반도체층(403)이 제공된다. 산화물 반도체층(403) 위에 소스 전극층(405a) 및 드레인 전극층(405b)이 제공된다. 또한, 게이트 절연층(402), 산화물 반도체층(403), 소스 전극층 (405a), 및 드레인 전극층(405b)를 덮고, 산화물 반도체층(403)의 일부와 접하는 산화물 절연막(407)이 제공된다.산화물 절연막(407)에는, 소스 전극층(405a)에 이르는 제1 콘택 홀(421)과, 게이트 전극층(401)에 이르는 제2 콘택 홀(422)과, 접속 전극층(420)의 양단부에 이르는 제3 콘택 홀(423) 및 제4 콘택 홀(424)이 제공되고 있다. 여기서, 본 실시예에서는, 소스 배선 및 드레인 배선을 동일한 층에 형성하므로, 제1 게이트 배선(426)과 제2 게이트 배선(427)은, 이들 사이에 소스 배선(425)을 개재하도록 형성된다. 제1 게이트 배선(426)과 제2 게이트 배선(427)은, 소스 배선(425)과 중첩하도록 형성된 접속 전극층(420)을 통해 서로 전기적으로 접속된다. 여기서, 소스 배선(425)은, 제1 콘택 홀(421)을 통해 소스 전극층(405a)에 전기적으로 접속된다. 제1 게이트 배선(426)은, 제2 콘택 홀(422)을 통해 게이트 전극층(401)에 전기적으로 접속된다. 제1 게이트 배선(426) 및 제2 게이트 배선(427)은, 제3 콘택 홀(423) 및 제4 콘택 홀(424)을 통해 접속 전극층(420)에 전기적으로 접속된다. 소스 배선(425), 제1 게이트 배선(426), 및 제2 게이트 배선(427)은, 산화물 반도체층(403)의 외주부를 넘어 연장되고 있다.보호막으로서 역할하는 산화물 절연막(407)이 산화물 반도체층(403)에 접하여 형성된 후에, 산화물 반도체층(403)에, 수분 등의 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)를 수행한다.산화물 반도체층(403)내 뿐만이 아니라, 게이트 절연층(402)내, 소스 전극층(405a)내 및 드레인 전극층(405b)내, 및 산화물 반도체층(403)의 상하에 접하는 막들과 산화물 반도체층(403) 사이의 계면들, 구체적으로는 게이트 절연층(402)과 산화물 반도체층(403) 사이의 계면, 및 산화물 절연막(407)과 산화물 반도체층(403) 사이의 계면에 존재하는 수분 등의 불순물이 저감된다. 열 처리에 의해 산화물 반도체층(403) 내의 함유 수분을 저감시키면, 박막 트랜지스터의 전기 특성을 향상시킬 수 있다.이 열 처리에 의해, 산화물 절연막(407)이 형성할 때에 산화물 반도체층(403)이 받는 플라즈마 데미지가 회복된다.게이트 전극층(401), 접속 전극층(420), 소스 전극층(405a), 및 드레인 전극층(405b) 각각은, 내열성 도전 재료를 포함하는 것이 바람직하다. 내열성 도전 재료로서, 티타늄, 탄탈룸, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 네오디뮴, 또는 스칸듐으로부터 선택된 원소; 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 합금; 또는, 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 질화물을 이용할 수 있다. 게이트 전극층(401), 접속 전극층(420), 소스 전극층(405a), 및 드레인 전극층(405b)은, 티타늄, 탄탈룸, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 네오디뮴, 또는 스칸듐으로부터 선택된 원소; 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 합금; 또는, 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 질화물의 적층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들어, 제1층에 대해 질화 텅스텐, 제2층에 대해 텅스텐과 같은 조합이나, 제1층에 대해 질화 몰리브덴, 제2층에 대해 텅스텐과 같은 조합이나, 제1층에 대해 질화 티타늄, 제2층에 대해 티타늄과 같은 조합을 이용할 수도 있다.접속 전극층(420), 소스 전극층(405a) 및 드레인 전극층(405b)에 이용되는 내열성 도전 재료로서는, 인듐, 주석 또는 아연 중 임의의 것을 포함한 투명 도전성 산화물을 이용할 수도 있다. 예를 들어, 산화 인듐(In2O3)이나 산화 인듐 - 산화 주석 합금(In2O3-SnO2, ITO로 약기함)을 이용하는 것이 바람직하다. 대안으로서, 산화 실리콘 등의 절연성 산화물이 첨가된 투명 도전성 산화물이 이용될 수도 있다.투명 도전성 산화물에 산화 실리콘 등의 절연성 산화물을 포함시킴으로써, 투명 도전성 산화물의 결정화를 억제할 수 있고, 투명 도전성 산화물은 아몰퍼스 구조를 가질 수 있다. 투명 도전성 산화물의 결정화가 억제되고 아몰퍼스 구조가 형성되도록 함으로써, 열 처리를 수행해도, 투명 도전성 산화물의 결정화 또는 미정질 입자의 생성을 방지할 수 있다.게이트 전극층(401), 접속 전극층(420), 소스 전극층(405a) 및 드레인 전극층(405b)에 상기와 같은 내열성 도전 재료를 포함시키면, 게이트 전극층(401), 접속 전극층(420), 소스 전극층(405a) 및 드레인 전극층(405b)은, 산화물 절연막(407) 형성 후에 수행되는 열 처리를 견딜 수 있다.소스 배선(425), 제1 게이트 배선(426), 및 제2 게이트 배선(427)은, 소스 전극층(405a) 및 드레인 전극층(405b)보다 낮은 저항률을 갖는 저저항 도전 재료를 이용하여 형성되는 것이 바람직하고, 특히 알루미늄 또는 구리를 이용하는 것이 바람직하다. 소스 배선(425), 제1 게이트 배선(426), 및 제2 게이트 배선(427)으로서 저저항 도전 재료를 이용하면, 배선 저항 등이 저감될 수 있다.알루미늄 또는 구리 등의 저저항 도전 재료는 낮은 내열성을 가진다. 그러나, 산화물 절연막 형성 후에 열 처리를 수행한 다음, 소스 배선(425), 제1 게이트 배선(426), 및 제2 게이트 배선(427)을 제공함으로써, 소스 배선(425), 제1 게이트 배선(426), 및 제2 게이트 배선(427)으로서 상기 저저항 도전 재료가 이용될 수 있다.채널 형성 영역을 포함한 산화물 반도체층(403)으로서, 반도체 특성을 갖는 산화물 재료가 이용되며, 대표적으로는, In-Ga-Zn-O계 비-단결정이 이용된다.도 3c에 도시된 바와 같이, 제1 소스 배선(428)과 제2 소스 배선(429)이 이들 사이에 게이트 배선(430)을 개재시킨 채 형성될 수 있으며, 게이트 배선(430)과 중첩하도록 형성된 접속 전극층(420)을 통해 전기적으로 서로 접속될 수 있다. 여기서, 제1 소스 배선(428)은, 제1 콘택 홀(421)을 통해 소스 전극층(405a)에 전기적으로 접속된다. 게이트 배선(430)은, 제2 콘택 홀(422)을 통해 게이트 전극층(401)에 전기적으로 접속된다. 제1 소스 배선(428) 및 제2 소스 배선(429)은, 접속 전극층(420)의 양 단부에 이르는 제3 콘택 홀(423) 및 제4 콘택 홀(424)을 통해 접속 전극층(420)에 전기적으로 접속된다. 다른 부분들은, 도 3a 및 도 3b에 나타낸 박막 트랜지스터와 유사하다.도 3d에 도시된 바와 같이, 소스 전극층(405a)은 게이트 배선(430)과 중첩하도록 형성되며, 제1 소스 배선(428)과 제2 소스 배선(429)은, 소스 전극층(405a)을 통해 서로 전기적으로 접속될 수 있다. 여기서, 제1 소스 배선(428)은, 제1 콘택 홀(421)을 통해 소스 전극층(405a)에 전기적으로 접속된다. 제2 소스 배선(429)은, 소스 전극층(405a) 위에 제공된 제3 콘택 홀(490)을 통해 소스 전극층(405a)에 전기적으로 접속된다. 다른 부분들은, 도 3c에 나타낸 박막 트랜지스터와 유사하다.도 1a 내지 도 1e는, 도 3a 및 도 3b에 나타내는 박막 트랜지스터(461)의 제조 공정의 단면도이고, 도 2a 내지 도 2d는, 그 제조 공정의 평면도이다.우선, 절연 표면을 갖는 기판(400) 위에, 포토마스크를 이용해 포토리소그래피 공정에 의해 게이트 전극층(401)을 제공한다.사용될 수 있는 유리 기판에 관해서는 특별한 제한은 없지만, 유리 기판이, 적어도, 이후에 수행되는 열 처리를 견딜수 있는 내열성(heat resistance)을 갖는 것이 필요하다. 투광성 기판(400)으로서, 바륨 보로실리케이트 유리(barium borosilicate glass), 알루미노보로실리케이트 유리(aluminoborosilicate glass) 등으로 형성된 유리 기판을 이용할 수 있다.기판(400)으로서,이후의 열 처리의 온도가 높은 경우에는, 변형점이 730℃이상인 기판을 이용할 수 있다. 또한, 기판(400)의 재료로서, 예를 들어, 알루미노실리케이트 유리(aluminosilicate glass), 알루미노보로실리케이트 유리, 바륨 보로실리케이트 유리와 같은 유리 재료가 이용된다. 붕산(boric acid)보다 산화 바륨(BaO)을 더 많이 포함함으로써, 보다 실용적인 내열성 유리 기판을 얻을 수 있다는 점에 유의한다. 따라서, B2O3보다 BaO를 더 많이 포함한 유리 기판을 이용하는 것이 바람직하다.유리 기판(400)에 대신에, 세라믹 기판, 석영 유리 기판, 석영 기판, 또는 사파이어 기판과 같은 절연체로 형성된 기판을 이용할 수도 있다는 점에 유의한다. 대안으로서, 결정화된 유리 등을 이용할 수 있다.기초막의 역할을 하는 절연막을, 기판(400)과 게이트 전극층(401) 사이에 제공할 수도 있다. 기초막은, 기판(400)으로부터의 불순물 원소의 확산을 방지하는 기능을 갖고 있어, 질화 규소막, 산화 규소막, 질화 산화 규소막, 또는 산화 질화 규소막 중 하나 이상을 단층으로 또는 적층하여 형성할 수 있다.이후의 단계에서 열 처리를 수행하기 때문에, 게이트 전극층(401)의 재료는 내열성 도전 재료를 포함하는 것이 바람직하다. 내열성 도전 재료로서, 티타늄, 탄탈룸, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 네오디뮴, 또는 스칸듐으로부터 선택된 원소; 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 합금; 또는, 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 질화물을 이용할 수 있다. 게이트 전극층(401)은, 티타늄, 탄탈룸, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 네오디뮴, 또는 스칸듐으로부터 선택된 원소; 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 합금; 또는, 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 질화물의 단층 또는 적층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들어, 제1층에 대해 질화 텅스텐, 제2층에 대해 텅스텐과 같은 조합이나, 제1층에 대해 질화 몰리브덴, 제2층에 대해 텅스텐과 같은 조합이나, 제1층에 대해 질화 티타늄, 제2층에 대해 티타늄과 같은 조합을 이용할 수도 있다. 그러나, 게이트 전극층(401)의 재료는, 적어도, 이후의 열 처리를 견딜수 있는 내열성을 갖는 것이 바람직하다.이 때, 이후 단계에서 소스 전극층(405a) 및 드레인 전극층(405b)의 형성과 동시에 형성되는 접속 전극층(420)을, 게이트 전극층(401)의 형성과 동시에 형성할 수도 있다. 그 경우, 소스 전극층(405a) 및 드레인 전극층(405b)을 형성할 때에 접속 전극층(420)을 반드시 형성할 필요는 없다.그 다음, 게이트 전극층(401) 위에 게이트 절연층(402)이 형성된다.게이트 절연층(402)은, 플라즈마 강화 CVD법 또는 스퍼터링법 등에 의해, 산화 규소층, 질화 규소층, 산화 질화 규소층 및 질화 산화 규소층을 단층으로 또는 적층해 형성될 수 있다. 예를 들어, SiH4, 산소, 및 질소를 포함하는 성막 가스를 이용하여, 플라즈마 강화 CVD법에 의해 산화 질화 규소층을 형성할 수 있다.그 다음, 게이트 절연층(402) 위에, 산화물 반도체막이 형성된다.산화물 반도체막을 스퍼터링법에 의해 형성하기 이전에, 아르곤 가스를 도입해 플라즈마를 발생시키는 역스퍼터링에 의해, 게이트 절연층(402)의 표면에 부착된 막 형성시에 생성된 분말 물질(입자 또는 먼지라고도 함)을 제거하는 것이 바람직하다는 점에 유의한다. 역스퍼터링이란, RF 전원을 이용해 아르곤 분위기에서 기판측에 전압을 인가해 기판 근방에 플라즈마를 생성해 표면을 바꾸는 방법을 말한다. 아르곤 분위기 대신에, 질소 분위기, 헬륨 분위기 등을 이용할 수도 있다는 점에 유의한다.산화물 반도체막은, In-Ga-Zn-O-계 산화물 반도체 타겟을 이용한 스퍼터링법에 의해 형성된다. 대안으로서, 산화물 반도체막은, 희가스(대표적으로는, 아르곤) 분위기하, 산소 분위기하, 또는 희가스(대표적으로는, 아르곤) 및 산소를 포함하는 분위기하에서, 스퍼터링법에 의해 형성될 수 있다.게이트 절연층(402) 및 산화물 반도체막을 대기에 노출시키지 않고 연속적으로 형성할 수도 있다. 대기에 노출시키지 않고 연속적으로 막을 형성함으로써, 물이나 하이드로 카본등과 같은 대기 성분이나 대기중에 부유하는 불순물 원소에 오염되지 않은, 적층된 층들 사이의 각 계면을 얻을 수 있다. 따라서, 박막 트랜지스터의 특성 격차를 저감할 수 있다.포토마스크를 이용해 포토리소그래피 공정에 의해, 산화물 반도체막을 섬-형상의 산화물 반도체층으로 가공한다.그 다음, 게이트 절연층(402) 및 산화물 반도체층 위에 제1 도전막이 형성된다.제1 도전막에 이용되는 재료는, 이후의 단계에서 열 처리를 수행하기 위해 내열성 도전 재료를 포함하는 것이 바람직하다. 내열성 도전 재료로서, 티타늄, 탄탈룸, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 네오디뮴, 또는 스칸듐으로부터 선택된 원소; 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 합금; 또는, 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 질화물을 이용할 수 있다. 제1 도전막은, 티타늄, 탄탈룸, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 네오디뮴, 또는 스칸듐으로부터 선택된 원소; 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 합금; 또는, 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 질화물의 단층 또는 적층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들어, 제1층에 대해 질화 텅스텐, 제2층에 대해 텅스텐과 같은 조합이나, 제1층에 대해 질화 몰리브덴, 제2층에 대해 텅스텐과 같은 조합이나, 제1층에 대해 질화 티타늄, 제2층에 대해 티타늄과 같은 조합을 이용할 수도 있다. 그러나, 제1 도전막의 재료는, 적어도, 이후의 열 처리를 견딜수 있는 내열성을 갖는 것이 바람직하다.제1 도전막에 이용되는 내열성 도전 재료로서는, 인듐, 주석, 또는 아연 중 임의의 것을 포함한 투명 도전성 산화물을 이용할 수도 있다. 예를 들어, 산화 인듐(In2O3)이나 산화 인듐 - 산화 주석 합금(In2O3-SnO2, ITO로 약기함)을 이용하는 것이 바람직하다. 대안으로서, 산화 실리콘 등의 절연성 산화물이 첨가된 투명 도전성 산화물이 이용될 수도 있다.투명 도전성 산화물에 산화 실리콘 등의 절연성 산화물을 포함시킴으로써, 투명 도전성 산화물의 결정화를 억제할 수 있고, 투명 도전성 산화물은 아몰퍼스 구조를 가질 수 있다. 투명 도전성 산화물의 결정화가 억제되고 아몰퍼스 구조가 제공되도록 함으로써, 열 처리를 수행해도, 투명 도전성 산화물의 결정화 또는 미정질 입자의 생성을 방지할 수 있다.포토마스크를 이용해 포토리소그래피 공정에 의해, 산화물 반도체층 및 제1 도전막을, 산화물 반도체층(432), 소스 전극층(405a), 드레인 전극층(405b), 및 접속 전극층(420)으로 가공한다(도 1a 및 도 2a 참조). 산화물 반도체층의 일부만이 에칭되어 그루브(함몰부(depression))를 갖는 산화물 반도체층(432)이 된다는 점에 유의한다.게이트 전극층(401)의 형성과 동시에 접속 전극층(420)을 형성할 때, 접속 전극층(420)을 반드시 형성할 필요는 없다. 도 3d에 나타낸 구조를 갖는 경우에도, 접속 전극층(420)을 반드시 형성할 필요는 없다.게이트 절연층(402), 산화물 반도체층(432), 소스 전극층(405a), 및 드레인 전극층(405b)을 덮고, 산화물 반도체층(432)의 일부와 접하는 산화물 절연막(407)이 형성된다(도 1b 참조). 산화물 절연막(407)은, CVD법 또는 스퍼터링법 등의, 산화물 절연막(407)에 물과 수소 등의 불순물을 혼입시키지 않는 방법을 적절히 이용해, 적어도 1nm 이상의 두께로 형성될 수 있다. 여기서는, 산화물 절연막(407)은, 스퍼터링법을 이용해 형성된다. 산화물 반도체층(432)의 일부와 접하는 산화물 절연막(407)은, 수분, 수소 이온, 및 OH- 등의 불순물을 포함하지 않으며, 이것들이 외부로부터 침입하는 것을 차단하는 무기 절연막을 이용하여 형성된다. 구체적으로는, 산화 규소막, 질화 산화 규소막, 산화 알루미늄막, 또는 산화 질화 알루미늄막을 이용한다. 또한, 산화물 절연막(407) 위에 접하도록 질화 규소막 또는 질화 알루미늄을 적층할 수도 있다. 질화 규소막은, 수분, 수소 이온, 및 OH- 등의 불순물을 포함하지 않으며, 이것들이 외부로부터 침입하는 것을 방지한다.이후에 수행하는 열 처리 후에 산소 분위기하에서 서냉을 수행하면, 산화물 반도체층의 표면 근방에 고농도의 산소를 포함하는 영역을 형성할 수 있고, 산화물 반도체층이 충분한 고저항을 가질 수 있으며, 산화물 절연막(407)을 대신하여, 질화 규소막을 형성할 수도 있다. 예를 들어, 기판의 온도가 최고 가열 온도로부터 적어도 약 50℃ 내지 100 ℃ 만큼 낮아지도록 서냉할 수 있다.본 실시예에서는, 산화물 절연막(407)으로서 두께 300 nm를 갖는 산화 규소막이 형성된다. 성막 시의 기판 온도는, 실온 이상, 300℃ 이하일 수 있으며; 본 실시예에서는, 기판 온도는 100℃로 설정된다. 대안으로서, 산화 규소막은, 희가스(대표적으로는, 아르곤) 분위기하, 산소 분위기하, 또는 희가스(대표적으로는, 아르곤) 및 산소를 포함하는 분위기하에서, 스퍼터링법에 의해 형성될 수 있다. 또한, 타겟으로서 산화 규소 타겟이나 규소 타겟을 이용할 수도 있다. 예를 들어, 규소 타겟을 이용해, 산소 및 질소를 포함하는 분위기하에서 스퍼터링법에 의해 산화 규소막을 형성할 수 있다.그 다음, 산소 가스 분위기하, 불활성 가스 분위기(질소, 헬륨, 네온, 아르곤 등)하 또는 감압하에서, 소스 전극층(405a), 드레인 전극층(405b), 게이트 절연층(402), 산화물 절연막(407), 및 산화물 반도체층(432)에 열 처리가 수행되어, 산화물 반도체층(403)이 형성된다(도 1c 및 도 2b 참조). 열 처리는, 200℃ 이상 700℃ 이하, 바람직하게는 350℃ 이상, 기판(400)의 변형점 미만의 온도에서 수행된다. 상기 분위기하에서 소스 전극층(405a), 드레인 전극층(405b), 게이트 절연층(402), 산화물 절연막(407), 및 산화물 반도체층(403)을 열 처리함으로써, 소스 전극층(405a)내, 드레인 전극층(405b)내, 게이트 절연층(402)내, 산화물 절연막(407)내, 산화물 반도체층(403)내, 및 산화물 반도체층(403)의 상하에 접하는 막들과 산화물 반도체층(403) 사이의 계면들에 포함되는 수소 및 물 등의 불순물을 제거할 수 있다. 열 처리의 조건 또는 산화물 반도체층의 재료에 따라, 산화물 반도체층이 결정화되어 미정질막 또는 다결정막으로 변하는 경우도 있다.보호막의 역할을 하는 산화물 절연막(407)이 산화물 반도체층(432)에 접하여 형성될 때에, 산화물 반도체층(432)이 플라즈마 데미지를 받을 가능성이 있다. 그러나, 이 열 처리에 의해, 산화물 반도체층(432)이 받은 플라즈마 데미지를 회복시킬 수 있다.이 열처리에 의해, 산화물 절연막(407) 내의 산소가, 고상-확산(solid-phase diffusion)에 의해 산화물 반도체층(403)에 공급된다. 따라서, 산화물 반도체층(403)의 저항이 증가하므로, 양호한 전기 특성을 갖는 신뢰성이 좋은 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.이 열 처리는, 박막 트랜지스터의 전기 특성의 격차를 저감할 수 있다.열 처리에 있어서, 질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤과 같은 희가스에, 물, 수소 등이 포함되지 않는 것이 바람직하다는 점에 유의한다. 대안으로서, 열 처리 장치에 도입하는 질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤 등의 희가스의 순도를, 6N(99.9999%) 이상, 바람직하게는 7N(99.99999%) 이상, (즉, 불순물 농도를 1 ppm 이하, 바람직하게는 0.1 ppm 이하)로 하는 것이 바람직하다. 열 처리 후, 산호 분위기하에서 서냉을 수행하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 기판의 온도가 최고 가열 온도로부터 적어도 약 50℃ 내지 100 ℃ 만큼 낮아지도록 서냉할 수 있다.열 처리로서, 전기로를 이용한 가열 방법, 가열된 가스를 이용하는 GRTA(gas rapid thermal anneal) 법, 또는 램프광을 이용하는 LRTA(lamp rapid thermal anneal)법과 같은 순간 가열 방법을 이용할 수가 있다.여기서, 소스 전극층(405a), 드레인 전극층(405b), 게이트 절연층(402), 산화물 절연막(407), 및 산화물 반도체층(432)의 열 처리의 실시예로서, 전기로(601)를 이용한 가열 방법을 도 15를 참조하여 설명한다.도 15는 전기로(601)의 개략도이다. 챔버(602)의 외측에는 히터(603)가 제공되어, 챔버(602)를 가열한다. 챔버(602) 내에는, 기판(604)을 탑재하는 서셉터(605)가 제공된다. 기판은(604)은 챔버(602) 내로/로부터 이송된다. 또한, 챔버(602)에는 가스 공급 수단(606) 및 배기 수단(607)이 제공되고 있다. 가스 공급 수단(606)에 의해, 챔버(602) 내에 가스가 도입된다. 배기 수단(607)은 챔버(602) 내부를 배기하거나 챔버(602) 내의 압력을 줄인다. 전기로(601)의 온도 상승 특성을 0.1℃／min 이상, 20℃／min 이하로 하는 것이 바람직하다는 점에 유의한다. 전기로(601)의 강온 특성을 0.1℃／min 이상, 15℃／min 이하로 하는 것이 바람직하다.가스 공급 수단(606)은, 가스 공급원(611a), 가스 공급원(611b), 압력 조정 밸브(612a), 압력 조정 밸브(612b), 정제기(613a), 정제기(613b), 매스 플로우 콘트롤러(614a), 매스 플로우 콘트롤러(614b), 스톱 밸브(615a), 스톱 밸브(615b)를 포함한다. 본 실시예에서는, 가스 공급원(611a)과 챔버(602) 사이, 및 가스 공급원(611b)과 챔버(602) 사이에, 각각 정제기(613a) 및 정제기(613b)를 제공하는 것이 바람직하다. 정제기(613a) 및 정제기(613b)는, 가스 공급원(611a) 및 가스 공급원(611b)으로부터 챔버(602) 내에 도입되는 가스 내의, 물과 수소 등의 불순물을 제거할 수 있다; 따라서, 정제기(613a) 및 정제기(613b)의 제공에 의해, 챔버(602) 내로의 물, 수소 등의 침입을 억제할 수 있다.본 실시예에서는, 각각 가스 공급원(611a) 또는 가스 공급원(611b)으로부터 질소 또는 희가스를 챔버(602) 내에 도입하여, 챔버 내부를 산소 분위기, 질소 분위기, 또는 희가스 분위기에 있게 한다. 200℃ 이상 700℃ 이하, 바람직하게는 350℃이상 기판(400)의 변형점 미만의 온도에서 가열된 챔버(602)에서, 기판(400) 위에 형성된 산화물 반도체층(432)을 가열함으로써, 산화물 반도체층(432)의 탈수화 또는 탈수소화를 수행할 수 있다.대안으로서, 배기 수단에 의한 감압하에서, 200℃이상 700℃이하, 바람직하게는 350℃이상 기판(400)의 변형점 미만의 온도에서 챔버(602)가 가열된다. 이와 같은 챔버(602)에서, 기판(400) 위에 형성된 산화물 반도체층(432)을 가열하여, 산화물 반도체층(432)을 탈수화 또는 탈수소화할 수 있다.그 다음, 가스 공급원(611a)으로부터 챔버(602)로의 질소 또는 희가스의 도입을 멈추고, 히터를 오프 상태로 한다. 그 다음, 가스 공급원(611b)으로부터 챔버(602) 내에 산소를 도입하고, 가열 장치의 챔버(602)를 서냉한다. 즉, 챔버(602)는 산소 분위기를 가지며, 기판(604)이 서냉된다. 여기서는, 가스 공급원(611b)으로부터 챔버(602) 내에 도입되는 산소에, 물과 수소 등의 불순물이 포함되지 않는 것이 바람직하다. 대안으로서, 가스 공급원(611b)으로부터 챔버(602) 내에 도입되는 산소의 순도를 6N(99.9999%) 이상, 바람직하게는 7N(99.99999%) 이상, 즉, 산소중의 불순물 농도를 1 ppm이하, 바람직하게는 0.1 ppm 이하로 하는 것이 바람직하다.그 결과, 이후에 형성되는 박막 트랜지스터의 신뢰성을 높일 수 있다.감압하에서 열 처리를 수행하는 경우, 열 처리 후에 챔버(602) 내에 산소를 도입하고, 압력을 대기압으로 되돌린 다음, 냉각을 수행할 수 있다는 점에 주목한다.대안으로서, 가스 공급원(611b)으로부터 챔버(602) 내에 산소를 도입하고, 동시에, 헬륨, 네온, 또는 아르곤 등의 희가스와 질소 중 한쪽 또는 양쪽 모두를 챔버(602) 내에 도입할 수도 있다.가열 장치의 챔버(602) 내의 기판(604)을 300℃로 냉각한 후, 기판(604)을 실온의 분위기로 이송할 수도 있다. 그 결과, 기판(604)의 냉각 시간을 단축할 수가 있다.가열 장치가 멀티-챔버 구조를 가지는 경우, 열 처리와 냉각 처리를 서로 상이한 챔버에서 수행할 수 있다. 전형적으로는, 산소, 질소 또는 희가스로 충전되고 200℃ 이상, 700℃ 이하, 바람직하게는 350℃ 이상, 기판(400)의 변형점 미만의 온도에서 가열된 제1 챔버에서, 기판 위의 산화물 반도체층을 가열한다. 그 다음, 질소 또는 희가스가 도입된 반송 챔버를 거쳐, 산소로 충전되고 100℃이하, 바람직하게는 실온인 제2의 챔버 내로 상기 열 처리된 기판을 도입하여, 그 안에서 냉각 처리를 수행한다. 이 단계들을 통해, 처리율을 향상시킬 수 있다.불활성 가스 분위기하 또는 감압하에서 열 처리된 산화물 반도체층(432)은 아몰퍼스 상태인 것이 바람직하지만, 산화물 반도체층(432)의 일부가 결정화되어도 된다.이상과 같이, 보호막 역할을 하는 산화물 절연막을 산화물 반도체층에 접하여 형성한 후 열 처리를 수행하면, 소스 전극층, 드레인 전극층, 게이트 절연층, 산화물 절연막 및 산화물 반도체층내에 포함된 불순물(H2O, H, OH 등)을 저감할 수 있다. 이 열 처리에 의해, 보호막 역할을 하는 산화물 절연막을 산화물 반도체층에 접하여 형성하면 산화물 반도체층이 받는 플라즈마 데미지를 회복시킬 수가 있다. 이 열 처리에 의해, 박막 트랜지스터의 전기적 특성의 격차를 저감할 수 있다. 이상으로부터, 박막 트랜지스터(461)의 전기 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.그 다음, 산화물 절연막(407)에 제1 콘택 홀(421), 제2 콘택 홀(422), 제3 콘택 홀(423), 및 제4 콘택 홀(424)이 형성된다(도 1d 및 도 2c 참조). 먼저, 에칭에 의해 산화물 절연막(407)의 일부가 제거되어, 소스 전극층(405a)에 이르는 제1 콘택 홀(421)과, 게이트 전극층(401)에 이르는 제2 콘택 홀(422)의 일부와, 접속 전극층(420)의 양단부에 이르는 제3 콘택 홀(423) 및 제4 콘택 홀(424)이 형성된다. 또한, 에칭에 의해 게이트 절연층(402)의 일부가 제거됨으로써, 게이트 전극층(401)에 이르는 제2 콘택 홀(422)이 형성된다.그 다음, 게이트 절연막(407) 위에, 제2 도전막이 형성된다. 여기서, 제2 도전막은, 제1 콘택 홀(421), 제2 콘택 홀(422), 제3 콘택 홀(423), 및 제4 콘택 홀(424)을 통해, 소스 전극층(405a), 게이트 전극층(401) 및 접속 전극층(420)에 접속된다.제2 도전막은, 소스 전극층(405a) 및 드레인 전극층(405b)보다 낮은 저항률을 갖는 저저항 도전 재료를 이용하여 형성되는 것이 바람직하고, 특히 알루미늄 또는 구리를 이용하는 것이 바람직하다. 제2 도전막으로서 저저항 도전 재료를 이용하면, 배선 저항 등을 저감할 수 있다.알루미늄 또는 구리 등의 저저항 도전 재료는 낮은 내열성을 갖지만, 제2 도전막은 열 처리 후에 제공할 수가 있다; 따라서, 알루미늄 또는 구리 등의 저저항 도전 재료를 이용할 수 있다.그 다음, 포토마스크를 이용해 포토리소그래피 공정에 의해 제2 도전막이 가공되어, 산화물 절연막(407) 위에 소스 배선(425), 제1 게이트 배선(426), 및 제2 게이트 배선(427)이 형성된다(도 1e 및 도 2d 참조). 소스 배선(425)은, 접속 전극층(420)과 중첩하도록, 그리고 제1 콘택 홀(421)을 통해 소스 전극층(405a)에 접속되도록 형성된다. 제1 게이트 배선(426)과 제2 게이트 배선(427)은, 그들 사이에 소스 배선(425)을 개재하도록 형성된다. 여기서, 제1 게이트 배선(426)은, 제2 콘택 홀(422)을 통해 게이트 전극층(401)에 접속되도록, 그리고 제3 콘택 홀(423)을 통해 접속 전극층(420)에 접속되도록 형성된다. 제2 게이트 배선(427)은, 제4 콘택 홀(424)을 통해 게이트 전극층(420)에 전기적으로 접속되도록 형성된다. 따라서, 제1 게이트 배선(426)과 제2 게이트 배선(427)은, 접속 전극층(420)을 통해 서로 전기적으로 접속된다.이상의 단계들을 통해, 박막 트랜지스터(461)를 형성할 수 있다. 도 3c 및 도 3d에 나타낸 구조도, 유사한 공정으로 제조할 수 있다.이상과 같이, 보호막 역할을 하는 산화물 절연막을 산화물 반도체층에 접하여 형성한 후 열 처리를 수행하면, 소스 전극층, 드레인 전극층, 게이트 절연층, 및 산화물 반도체층내에 포함된 불순물(H2O, H, OH 등)을 저감할 수 있다. 이 열 처리에 의해, 보호막 역할을 하는 산화물 절연막을 산화물 반도체층에 접하여 형성하면 산화물 반도체층이 받는 플라즈마 데미지를 회복시킬 수가 있다. 이 열 처리에 의해, 박막 트랜지스터의 전기적 특성의 격차를 저감할 수 있다. 따라서, 박막 트랜지스터(461)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.본 실시예는, 다른 실시예에서 설명한 구조와 적절하게 조합하여 구현될 수 있다.(실시예 2) 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법이, 도 4a 내지 4e, 도 5a 및 5d, 및 도 6a 내지 6d를 참조하여 설명될 것이다. 실시예 1과 동일한 부분 또는 실시예1과 유사한 기능을 가지는 부분은, 실시예 1에서 설명된 것과 유사한 방식으로 형성될 수 있다; 따라서, 반복적 설명은 생략한다.도 6a는, 반도체 장치에 포함된 박막 트랜지스터(460)의 평면도이고, 도 6b는, 도 6a의 라인 D1-D2를 따라 취해진 단면도이다. 박막 트랜지스터(460)는 역스태거형 박막 트랜지스터이다. 절연 표면을 갖는 기판(450) 위에 게이트 전극층(451)이 제공된다. 게이트 전극층(451) 위에 게이트 절연층(452)이 제공된다. 게이트 절연층(452) 위에 소스 전극층(455a) 및 드레인 전극층(455b)이 제공된다. 소스 전극층(455a), 드레인 전극층(455b) 및 게이트 절연층(452) 위에 산화물 반도체층(453)이 제공된다. 게이트 절연층(452), 산화물 반도체층(453), 소스 전극층(455a), 및 드레인 전극층(455b)을 덮고, 산화물 반도체층(453)과 접하는 산화물 절연막(457)이 제공된다. 산화물 반도체층(453)을 위해, In-Ga-Zn-O계 비-단결정 막을 이용한다.또, 산화물 절연막(457)에는, 소스 전극층(455a)에 이르는 제1 콘택 홀(471)과 게이트 전극층(451)에 이르는 제2 콘택 홀(472)과 접속 전극층(470)의 양단부에 이르는 제3 콘택 홀(473) 및 제4 콘택 홀(474)이 제공되고 있다. 여기서, 본 실시예에서는, 소스 배선 및 드레인 배선이 동일한 층에 형성된다; 따라서, 제1 게이트 배선(476)과 제2 게이트 배선(477)은, 그들 사이에 소스 배선(475)이 개재되도록 형성된다. 제1 게이트 배선(476)과 제2 게이트 배선(477)은, 소스 배선(475)과 중첩하도록 형성된 접속 전극층(470)을 통해 서로 전기적으로 접속된다. 여기서, 소스 배선(475)은, 제1 콘택 홀(471)을 통해 소스 전극층(455a)에 전기적으로 접속된다. 제1 게이트 배선(476)은, 제2 콘택 홀(472)을 통해 게이트 전극층(451)에 전기적으로 접속된다. 제1 게이트 배선(476) 및 제2 게이트 배선(477)은, 제3 콘택 홀(473) 및 제4 콘택 홀(474)을 통해 접속 전극층(470)에 전기적으로 접속된다. 소스 배선(475), 제1 게이트 배선(476), 및 제2 게이트 배선(477)은, 산화물 반도체층(453)의 외주부를 넘어 연장되고 있다.보호막으로서 역할하는 산화물 절연막(457)이 산화물 반도체층(453)에 접하여 형성된 후에, 산화물 반도체층(453)에, 수분 등의 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)를 수행한다.산화물 반도체층(453)내 뿐만이 아니라, 게이트 절연층(452), 소스 전극층(455a) 및 드레인 전극층(455b)내, 또는 산화물 반도체층(453)의 상하에 접하는 막들과 산화물 반도체층(453) 사이의 계면들, 구체적으로는 게이트 절연층(452)과 산화물 반도체층(453) 사이의 계면, 및 산화물 절연막(457)과 산화물 반도체층(453) 사이의 계면에 존재하는 수분 등의 불순물이 저감된다. 열 처리에 의해 산화물 반도체층(453) 내의 함유 수분을 저감시키면, 박막 트랜지스터의 전기 특성을 향상시킬 수 있다.이 열 처리에 의해, 산화물 절연막(457)이 형성할 때에 산화물 반도체층(453)이 받는 플라즈마 데미지가 회복된다.게이트 전극층(451), 접속 전극층(470), 소스 전극층(455a), 및 드레인 전극층(455b) 각각은, 내열성 도전 재료를 포함하는 것이 바람직하다. 내열성 도전 재료로서, 티타늄, 탄탈룸, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 네오디뮴, 또는 스칸듐으로부터 선택된 원소; 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 합금; 또는, 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 질화물을 이용할 수 있다. 게이트 전극층(451), 접속 전극층(470), 소스 전극층(455a), 및 드레인 전극층(455b)은, 티타늄, 탄탈룸, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 네오디뮴, 또는 스칸듐으로부터 선택된 원소; 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 합금; 또는, 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 질화물의 적층 구조를 가질 수도 있다. 예를 들어, 제1층에 대해 질화 텅스텐, 제2층에 대해 텅스텐과 같은 조합이나, 제1층에 대해 질화 몰리브덴, 제2층에 대해 텅스텐과 같은 조합이나, 제1층에 대해 질화 티타늄, 제2층에 대해 티타늄과 같은 조합을 이용할 수도 있다.접속 전극층(470), 소스 전극층(455a) 및 드레인 전극층(455b)에 이용되는 내열성 도전 재료로서는, 인듐, 주석 또는 아연 중 임의의 것을 포함한 투명 도전성 산화물을 이용할 수도 있다. 예를 들어, 산화 인듐(In2O3)이나 산화 인듐 - 산화 주석 합금(In2O3-SnO2, ITO로 약기함)을 이용하는 것이 바람직하다. 대안으로서, 산화 실리콘 등의 절연성 산화물이 첨가된 투명 도전성 산화물이 이용될 수도 있다.투명 도전성 산화물에 산화 실리콘 등의 절연성 산화물을 포함시킴으로써, 투명 도전성 산화물의 결정화를 억제할 수 있고, 투명 도전성 산화물은 아몰퍼스 구조를 가질 수 있다. 투명 도전성 산화물의 결정화가 억제되고 투명 도전성 산화물이 아몰퍼스 구조를 가짐으로써, 열 처리를 수행해도, 투명 도전성 산화물의 결정화 또는 미정질 입자의 생성을 방지할 수 있다.게이트 전극층(451), 접속 전극층(470), 소스 전극층(455a) 및 드레인 전극층(455b)에 이와 같은 내열성 도전 재료를 포함시킴으로써, 게이트 전극층(451), 접속 전극층(470), 소스 전극층(455a) 및 드레인 전극층(455b)은, 산화물 절연막(457) 형성 후에 수행되는 열 처리를 견딜 수 있다.소스 배선(475), 제1 게이트 배선(476), 및 제2 게이트 배선(477)은, 소스 전극층(455a) 및 드레인 전극층(455b)보다 낮은 저항률을 갖는 저저항 도전 재료를 이용하여 형성되는 것이 바람직하고, 특히 알루미늄 또는 구리를 이용하는 것이 바람직하다. 소스 배선(475), 제1 게이트 배선(476), 및 제2 게이트 배선(477)으로서 저저항 도전 재료를 이용하면, 배선 저항 등이 저감될 수 있다.알루미늄 또는 구리 등의 저저항 도전 재료는 낮은 내열성을 가진다. 그러나, 열 처리를 수행하고 산화물 절연층을 형성한 후에 소스 배선(475), 제1 게이트 배선(476), 및 제2 게이트 배선(477)을 제공하면, 소스 배선(475), 제1 게이트 배선(476), 및 제2 게이트 배선(477)으로서 상기의 저저항 도전 재료를 이용할 수 있다.채널 형성 영역을 포함한 산화물 반도체층(453)으로서, 반도체 특성을 갖는 산화물 재료가 이용되며, 대표적으로는, In-Ga-Zn-O계 비-단결정이 이용된다.도 6c에 도시된 바와 같이, 제1 소스 배선(478)과 제2 소스 배선(479)이 이들 사이에 게이트 배선(480)을 개재시킨 채 형성될 수 있으며, 게이트 배선(480)과 중첩하도록 형성된 접속 전극층(470)을 통해 전기적으로 서로 접속될 수 있다. 여기서, 제1 소스 배선(478)은, 제1 콘택 홀(471)을 통해 소스 전극층(455a)에 전기적으로 접속된다. 게이트 배선(480)은, 제2 콘택 홀(472)을 통해 게이트 전극층(451)에 전기적으로 접속된다. 제1 소스 배선(478) 및 제2 소스 배선(479)은, 접속 전극층(470)의 양 단부에 이르는 제3 콘택 홀(473) 및 제4 콘택 홀(474)을 통해 접속 전극층(470)에 전기적으로 접속된다. 다른 부분들은, 도 6a 및 도 6b에 나타낸 박막 트랜지스터와 유사하다.도 6d에 도시된 바와 같이, 소스 전극층(455a)은 게이트 배선(480)과 중첩하도록 형성되며, 제1 소스 배선(478)과 제2 소스 배선(479)은, 소스 전극층(455a)을 통해 서로 전기적으로 접속될 수 있다. 여기서, 제1 소스 배선(478)은, 제1 콘택 홀(471)을 통해 소스 전극층(455a)에 전기적으로 접속된다. 제2 소스 배선(479)은, 소스 전극층(455a) 위에 제공된 제3 콘택 홀(491)을 통해 소스 전극층(455a)에 전기적으로 접속된다. 다른 부분들은, 도 6c에 나타낸 박막 트랜지스터와 유사하다.도 4a 내지 도 4e는, 도 6a 및 도 6b에 나타내는 박막 트랜지스터(460)의 제조 공정의 단면도이고, 도 5a 내지 도 5d는, 그 제조 공정의 평면도이다.절연 표면을 갖는 기판인 기판(450) 위에 게이트 전극층(451)이 제공된다. 기초막의 역할을 하는 절연막을, 기판(450)과 게이트 전극층(451) 사이에 제공할 수도 있다. 게이트 전극층(451)은, 실시예 1에서 설명된 게이트 전극층(401)과 유사한 재료를 이용하여 형성될 수 있다.실시예 1에서 설명된 것과 유사한 방식으로, 이후 단계에서 소스 전극층(455a) 및 드레인 전극층(455b)의 형성과 동시에 형성되는 접속 전극층(470)을, 게이트 전극층(451)의 형성과 동시에 형성할 수도 있다. 그 경우, 소스 전극층(455a) 및 드레인 전극층(455b)을 형성할 때에 접속 전극층(470)을 반드시 형성할 필요는 없다.게이트 전극층(451) 위에 게이트 절연층(452)이 형성된다. 게이트 절연층(452)은, 실시예 1에서 설명된 게이트 절연층(402)과 유사한 방식으로 형성될 수 있다.게이트 절연층(452) 위에 제1 도전막을 형성하고, 포토리소그래피 공정에 의해 섬-형상의 소스 전극층(455a), 섬-형상의 드레인 전극층(455b), 및 접속 전극층(470)으로 패터닝한다. 제1 도전막은, 실시예 1에서 설명된 제1 도전막에 이용된 재료와 유사한 재료를 이용하여 형성될 수 있다. 소스 전극층(455a) 및 드레인 전극층(455b)은, 실시예 1에서 설명된 소스 전극층(405a) 및 드레인 전극층(405b)과 유사한 방식으로 형성될 수 있다.게이트 전극층(451)의 형성과 동시에 접속 전극층(470)을 형성할 때, 접속 전극층(470)을 반드시 형성할 필요는 없다. 도 6d에 나타낸 구조를 갖는 경우에도, 접속 전극층(470)을 반드시 형성할 필요는 없다.그 다음, 게이트 절연층(452), 소스 전극층(455a), 및 드레인 전극층(455b) 위에 산화물 반도체막을 형성해, 포토리소그래피 공정에 의해 섬-형상의 산화물 반도체층(482)으로 패터닝한다(도 4a 및 도 5a 참조).산화물 반도체층(482)은 채널 형성 영역으로서 역할하므로, 실시예 1의 산화물 반도체층(432)과 유사한 방식으로 형성된다.산화물 반도체층(482)을 스퍼터링법에 의해 형성하기 이전에, 아르곤 가스를 도입해 플라즈마를 발생시키는 역스퍼터링에 의해, 게이트 절연층(452)의 표면에 부착된 막 형성시에 생성된 분말 물질(입자 또는 먼지라고도 함)을 제거하는 것이 바람직하다는 점에 유의한다.그 다음, 게이트 절연층(452), 산화물 반도체층(482), 소스 전극층(455a), 및 드레인 전극층(455b)을 덮고, 산화물 반도체층(482)과 접하는 산화물 절연막(457)이 스퍼터링법 또는 PCVD법에 의해 형성되고 있다(도 4b 참조). 산화물 절연막(457)은, 실시예 1에서 설명된 산화물 절연막(407)과 유사한 방식으로 형성될 수 있다. 본 실시예에서는, 산화물 절연막(457)으로서 두께 300 nm를 갖는 산화 규소막이 형성된다. 성막 시의 기판 온도는, 실온 이상, 300℃ 이하일 수 있으며; 본 실시예에서는, 기판 온도는 100℃로 설정된다.그 다음, 산소 가스 분위기하, 불활성 가스 분위기(질소, 헬륨, 네온, 아르곤 등)하 또는 감압하에서, 소스 전극층(455a), 드레인 전극층(455b), 게이트 절연층(452), 산화물 절연막(457), 및 산화물 반도체층(482)에 열 처리가 수행되어, 산화물 반도체층(453)이 형성된다(도 4c 및 도 5b 참조). 열 처리는, 200℃ 이상 700℃ 이하, 바람직하게는 350℃ 이상, 기판(450)의 변형점 미만의 온도에서 수행한다. 상기 분위기하에서 소스 전극층(455a), 드레인 전극층(455b), 게이트 절연층(452), 산화물 절연막(457), 및 산화물 반도체층(453)을 열 처리함으로써, 소스 전극층(455a)내, 드레인 전극층(455b)내, 게이트 절연층(452)내, 산화물 절연막(457)내, 산화물 반도체층(453)내, 및 산화물 반도체층(453)의 상하에 접하는 막들과 산화물 반도체층(453) 사이의 계면들에 포함되는 수소 및 물 등의 불순물을 제거할 수 있다. 열 처리의 조건 또는 산화물 반도체층의 재료에 따라, 산화물 반도체층이 결정화되어 미정질막 또는 다결정막으로 변하는 경우도 있다.보호막의 역할을 하는 산화물 절연막(457)이 산화물 반도체층(482)에 접하여 형성될 때에, 산화물 반도체층(482)이 플라즈마 데미지를 받을 가능성이 있다. 그러나, 이 열 처리에 의해, 산화물 반도체층(482)이 받은 플라즈마 데미지를 회복시킬 수 있다.이 열처리에 의해, 산화물 절연막(407) 내의 산소가, 고상-확산(solid-phase diffusion)에 의해 산화물 반도체층(403)에 공급된다. 따라서, 산화물 반도체층(403)의 저항이 증가하므로, 양호한 전기 특성을 갖는 신뢰성이 좋은 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.이 열 처리는, 박막 트랜지스터의 전기 특성의 격차를 저감할 수 있다.탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리에 있어서, 질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤 등의 희가스에, 물, 수소 등이 포함되지 않는 것이 바람직하다는 점에 주목한다. 대안으로서, 열 처리 장치에 도입하는 질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤 등의 희가스의 순도를, 6N(99.9999%) 이상, 바람직하게는 7N(99.99999%) 이상, (즉, 불순물 농도를 1 ppm 이하, 바람직하게는 0.1 ppm 이하)로 하는 것이 바람직하다. 열 처리 후, 산호 분위기하에서 서냉을 수행하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 기판의 온도가 최고 가열 온도로부터 적어도 약 50℃ 내지 100 ℃ 만큼 낮아지도록 서냉할 수 있다.열 처리로서, 전기로를 이용한 가열 방법, 가열된 가스를 이용하는 GRTA(gas rapid thermal anneal)법, 또는 램프광을 이용하는 LRTA(lamp rapid thermal anneal)법과 같은 순간 가열 방법을 이용할 수가 있다.여기서, 산화물 반도체층(482)에 대한 열 처리의 한 형태로서, 전기로(1601)를 이용한 가열 방법이, 도 16을 참조하여 설명된다.도 16은 전기로(1601)의 개략도이다. 챔버(1602)의 외측에는 히터(1603)가 제공되어, 챔버(1602)를 가열한다. 챔버(1602) 내에는, 기판(1604)을 탑재한 서셉터(1605)가 제공된다. 기판은(1604)은 챔버(1602) 내로/로부터 이송된다. 또한, 챔버(1602)에는 가스 공급 수단(1606) 및 배기 수단(1607)이 제공되고 있다. 가스 공급 수단(1606)에 의해, 챔버(1602) 내에 가스가 도입된다. 배기 수단(1607)에 의해, 챔버(1602) 내부를 배기하거나 챔버(1602) 내의 압력을 줄인다. 전기로(1601)의 온도 상승 특성을 0.1℃／min 이상, 20℃／min 이하로 하는 것이 바람직하다는 점에 유의한다. 전기로(1601)의 강온 특성을 0.1℃／min 이상, 15℃／min 이하로 하는 것이 바람직하다.가스 공급 수단(1606)은, 가스 공급원(1611), 압력 조정 밸브(1612), 정제기(1613), 매스 플로우 콘트롤러(1614), 및 스톱 밸브(1615)를 포함한다. 본 실시예에서는, 가스 공급원(1611)과 챔버(1602) 사이에 정제기(1613)를 제공하는 것이 바람직하다. 정제기(1613)는, 가스 공급원(1611)으로부터 챔버(1602) 내에 도입되는 가스 내의, 물과 수소 등의 불순물을 제거할 수 있다; 따라서, 정제기(1613)의 제공에 의해 챔버(1602) 내로의 물, 수소 등의 침입을 억제할 수 있다.본 실시예에서는, 가스 공급원(1611)으로부터, 산소, 질소, 또는 희가스를 챔버(1602) 내에 도입하여, 챔버 내부를 질소 분위기 또는 희가스 분위기에 있게 한다. 200℃ 이상 700℃ 이하, 바람직하게는 350℃ 이상, 기판(450)의 변형점 미만의 온도에서 가열된 챔버(1602)에서, 기판(450) 위에 형성된 산화물 반도체층을 가열함으로써, 산화물 반도체층의 탈수화 또는 탈수소화를 수행할 수 있다.대안으로서, 배기 수단에 의해 감압하에서, 200℃이상 700℃이하, 바람직하게는 350℃이상 기판(450)의 변형점 미만의 온도에서 챔버(1602)가 가열된다. 이와 같은 챔버(1602)에서, 기판(450) 위에 형성된 산화물 반도체층을 가열하여, 산화물 반도체층을 탈수화 또는 탈수소화할 수 있다.그 다음, 히터를 오프 상태로 해, 가열 장치의 챔버(1602)를 서서히 냉각한다.그 결과, 이후에 형성되는 박막 트랜지스터의 신뢰성을 높일 수 있다.감압하에서 열 처리를 수행하는 경우, 열 처리 후에 챔버(1602) 내에 불활성 가스를 도입하고, 압력을 대기압으로 되돌린 다음, 냉각을 수행할 수 있다는 점에 유의한다.가열 장치의 챔버(1602) 내의 기판(1604)을 300℃까지 냉각한 후, 기판(1604)을 실온의 분위기로 이송할 수도 있다. 그 결과, 기판(1604)의 냉각 시간을 단축할 수가 있다.가열 장치가 멀티-챔버 구조를 가지는 경우, 열 처리와 냉각 처리를 서로 상이한 챔버에서 수행할 수 있다. 전형적으로는, 산소, 질소 또는 희가스로 충전되고 200℃ 이상, 700℃ 이하, 바람직하게는 350℃ 이상, 기판(450)의 변형점 미만의 온도에서 가열된 제1 챔버에서, 기판 위의 산화물 반도체층을 가열한다. 그 다음, 질소 또는 희가스가 도입된 반송 챔버를 거쳐, 질소 또는 희가스로 충전되어 100℃이하, 바람직하게는 실온인 제2의 챔버 내로 상기 열 처리된 기판을 도입하여, 냉각 처리를 수행한다. 전술된 단계들을 통해, 처리율을 향상시킬 수 있다.불활성 가스 분위기하 또는 감압하에서 열 처리된 산화물 반도체층(482)은 아몰퍼스 상태인 것이 바람직하지만, 산화물 반도체층(482)의 일부가 결정화되어도 괜찮다.이상과 같이, 보호막 역할을 하는 산화물 절연막을 산화물 반도체층에 접하여 형성한 후 열 처리를 수행하면, 소스 전극층, 드레인 전극층, 게이트 절연층, 산화물 절연막 및 산화물 반도체층내에 포함되는 불순물(H2O, H, OH 등)을 저감할 수 있다. 이 열 처리에 의해, 보호막 역할을 하는 산화물 절연막을 산화물 반도체층에 접하여 형성하면 산화물 반도체층이 받는 플라즈마 데미지를 회복시킬 수가 있다. 이 열 처리에 의해, 박막 트랜지스터의 전기적 특성의 격차를 저감할 수 있다. 따라서, 박막 트랜지스터(460)의 전기 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.그 다음, 산화물 절연막(457)에 제1 콘택 홀(471), 제2 콘택 홀(472), 제3 콘택 홀(473), 및 제4 콘택 홀(474)이 형성된다(도 4d 및 도 5c 참조). 먼저, 에칭에 의해 산화물 절연막(457)의 일부가 제거됨으로써, 소스 전극층(455a)에 이르는 제1 콘택 홀(471)과, 게이트 전극층(451)에 이르는 제2 콘택 홀(472)의 일부와, 접속 전극층(470)의 양단부에 이르는 제3 콘택 홀(473) 및 제4 콘택 홀(474)이 형성된다. 또한, 에칭에 의해 게이트 절연층(452)의 일부가 제거됨으로써, 게이트 전극층(451)에 이르는 제2 콘택 홀이 형성된다.그 다음, 게이트 절연막(457) 위에 제2 도전막이 형성된다. 여기서, 제2 도전막은, 제1 콘택 홀(471), 제2 콘택 홀(472), 제3 콘택 홀(473), 및 제4 콘택 홀(474)을 통해, 소스 전극층(455a), 게이트 전극층(451) 및 접속 전극층(470)에 접속된다.제2 도전막은, 소스 전극층(455a) 및 드레인 전극층(455b)보다 낮은 저항률을 갖는 저저항 도전 재료를 이용하여 형성되는 것이 바람직하고, 특히 알루미늄 또는 구리를 이용하는 것이 바람직하다. 제2 도전막으로서 저저항 도전 재료를 이용하면, 배선 저항 등을 저감할 수 있다.알루미늄 또는 구리 등의 저저항 도전 재료는 낮은 내열성을 갖지만, 제2 도전막은 열 처리 후에 제공할 수가 있다; 따라서, 알루미늄 또는 구리 등의 저저항 도전 재료를 이용할 수 있다.그 다음, 에칭 공정에 의해 제2 도전막이 에칭되어, 산화물 절연막(457) 위에 소스 배선(475), 제1 게이트 배선(476), 및 제2 게이트 배선(477)이 형성된다(도 4e 및 도 5d 참조). 소스 배선(475)은, 접속 전극층(470)과 중첩하도록, 그리고 제1 콘택 홀(471)을 통해 소스 전극층(455a)에 접속되도록 형성된다. 제1 게이트 배선(476)과 제2 게이트 배선(477)은, 그들 사이에 소스 배선(475)을 개재하도록 형성된다. 여기서, 제1 게이트 배선(476)은, 제2 콘택 홀(472)을 통해 게이트 전극층(451)에 접속되도록, 그리고 제3 콘택 홀(473)을 통해 접속 전극층(470)에 접속되도록 형성된다. 제2 게이트 배선(477)은, 제4 콘택 홀(474)을 통해 게이트 전극층(470)에 전기적으로 접속되도록 형성된다. 따라서, 제1 게이트 배선(476)과 제2 게이트 배선(477)은, 접속 전극층(470)을 통해 서로 전기적으로 접속된다.이상의 단계들을 통해, 박막 트랜지스터(460)를 형성할 수 있다. 도 6c 및 도 6d에 나타낸 구조도, 유사한 공정으로 제조할 수 있다.이상과 같이, 보호막 역할을 하는 산화물 절연막을 산화물 반도체층에 접하여 형성한 후 열 처리를 수행하면, 소스 전극층, 드레인 전극층, 게이트 절연층, 및 산화물 반도체층내에 포함되는 불순물(H2O, H, OH 등)을 저감할 수 있다. 이 열 처리에 의해, 보호막 역할을 하는 산화물 절연막을 산화물 반도체층에 접하여 형성하면 산화물 반도체층이 받는 플라즈마 데미지를 회복시킬 수가 있다. 이 열 처리에 의해, 박막 트랜지스터의 전기적 특성의 격차를 저감할 수 있다. 따라서, 박막 트랜지스터(460)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.본 실시예는, 다른 실시예에서 설명한 구조와 적절하게 조합하여 구현될 수 있다.(실시예 3) 박막 트랜지스터를 포함한 반도체 장치의 제조 공정을, 도 7의 (a) 내지 (d), 도 8의 (a) 내지 (c), 도 9의 (a) 및 (b), 도 10, 도 11, 도 12, 및 도 13을 참조하여 설명한다. 도 7의 (a) 내지 (d), 도 8의 (a) 내지 (c), 도 9의 (a) 및 (b)는 제조 공정의 단면도이고, 도 10, 도 11, 도 12, 및 도 13은 제조 공정의 평면도이다.도 7의 (a)에 나타낸 투광성을 갖는 기판(100)으로서, 바륨 보로실리케이트 유리(barium borosilicate glass), 알루미노보로실리케이트 유리(aluminoborosilicate glass) 등의 유리 기판을 이용할 수 있다. 유리 기판(100)에 대신에, 세라믹 기판, 석영 유리 기판, 석영 기판, 또는 사파이어 기판과 같은 절연체로 형성된 기판을 이용할 수도 있다는 점에 유의한다. 대안으로서, 결정화된 유리 등을 이용할 수 있다.그 다음, 기판(100) 전체 표면 위에 도전층이 형성된 후, 제1 포토리소그래피 공정가 수행되어 레지스트 마스크가 형성된다. 그 다음, 에칭에 의해 불필요한 부분이 제거되어, 배선 및 전극(게이트 전극층(101), 커패시터 배선(108), 및 제1 단자(121))이 형성된다. 이 때, 적어도 게이트 전극층(101)의 단부가 테이퍼 형상(tapered shape)을 갖도록 에칭을 수행한다.게이트 전극층(101), 커패시터 배선(108), 및 단자부의 제1 단자(121)는, 실시예 1에서 설명된 게이트 전극층(401)의 재료를 적절히 이용하여 형성될 수 있다. 게이트 전극층(101), 커패시터 배선(108), 및 단자부의 제1 단자(121) 각각은, 이후 단계의 열 처리를 견딜 수 있도록 내열성 도전 재료를 이용하여 형성되는 것이 바람직하고, 티타늄(Ti), 탄탈룸(Ta), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 네오디뮴(Nd), 또는 스칸듐(Sc)으로부터 선택된 원소; 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 합금; 이들 원소들 중 임의의 원소를 조합한 것을 성분으로서 포함하는 합금막; 또는 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 질화물을 이용해, 단층 또는 적층으로 형성된다.이 때, 이후 단계에서 형성되는 소스 전극층(105a) 및 드레인 전극층(105b)의 형성과 동시에 형성되는 접속 전극층(220)을, 게이트 전극층(101)의 형성과 동시에 형성할 수도 있다. 그 경우, 소스 전극층(105a) 및 드레인 전극층(105b)을 형성할 때에 접속 전극층(220)을 반드시 형성할 필요는 없다.그 다음, 게이트 전극층(101)의 전체 표면 위에 게이트 절연층(102)이 형성된다. 게이트 절연층(102)은, 스퍼터링법, PCVD법 등에 의해 50 nm 내지 250 nm의 두께로 형성된다.예를 들어, 게이트 절연층(102)으로서, 스퍼터링법에 의해 100 nm 두께로 산화 규소막이 형성된다. 물론, 게이트 절연층(102)은, 이와 같은 산화 규소막으로 한정되지 않고, 산화 질화 규소막, 질화 규소막, 산화 알루미늄, 산화 탄탈룸막 등의 다른 절연막을 이용하여, 단층 또는 적층 구조를 갖도록 형성될 수도 있다.그 다음, 게이트 절연층(102) 위에, 산화물 반도체막(In-Ga-Zn-O계 비-단결정 막)이 형성된다. 플라즈마 처리 후 대기에 노출하지 않고 In-Ga-Zn-O계 비-단결정 막을 성막하는 것은, 게이트 절연층과 반도체막 사이의 계면에 먼지나 수분이 부착되지 않기 때문에 유용하다. 여기서는, 직경 8 인치의 In, Ga, 및 Zn을 포함한 산화물 반도체 타겟(In-Ga-Zn-O계 산화물 반도체 타겟(In2O3：Ga2O3：ZnO=1：1：1))을 이용해, 기판과 타겟의 사이의 거리를 170 mm, 압력 0.4 Pa, 직류(DC) 전원 0.5 kW의 조건에서, 산소 분위기, 아르곤 분위기, 또는 아르곤 및 산소를 포함하는 분위기하에서 산화물 반도체막이 형성된다. 펄스 직류(DC) 전원을 이용하면, 먼지를 경감할 수 있고 막두께를 균일하게 할 수 있기 때문에 바람직하다는 점에 주목한다. In-Ga-Zn-O계 비-단결정 막은, 5 nm 내지 200 nm의 두께로 형성된다. 산화물 반도체막으로서 In-Ga-Zn-O계 산화물 반도체 타겟을 이용해 스퍼터링법에 의해 두께 50 nm의 In-Ga-Zn-O계 비-단결정 막이 형성된다.스퍼터링법의 예로서, 스퍼터링용 전원으로서 고주파 전원을 이용하는 RF 스퍼터링법과, DC 스퍼터링법, 바이어스가 펄스화된 방식으로 인가되는 펄스 DC 스퍼터링법이 포함된다. RF 스퍼터링법은 주로 절연막을 형성하는 경우에 이용되고, DC 스퍼터링법은 주로 금속막을 형성하는 경우에 이용된다.또한, 상이한 재료의 복수개 타겟이 셋팅될 수 있는 멀티-소스 스퍼터링 장치도 있다. 멀티-소스 스퍼터링 장치를 이용하여, 동일한 챔버에서 상이한 재료의 막을 적층하여 성막할 수 있고, 동일한 챔버에서 복수 종류의 재료의 막을 전기 방전에 의해 동시에 성막할 수 있다.또한, 챔버 내부에 자석 시스템을 갖추고 마그네트론 스퍼터링법에 이용되는 스퍼터링 장치와, 글로우 방전을 사용하지 않고 마이크로파를 이용해 발생시킨 플라즈마를 이용하는 ECR 스퍼터링법에 이용되는 스퍼터링 장치가 있다.또한, 스퍼터링법을 이용한 성막 방법으로서, 성막 동안에 타겟 물질과 스퍼터링 가스 성분을 서로 화학반응시켜 그 화합물의 박막을 형성하는 리액티브 스퍼터링법과, 성막 동안에 기판에도 전압을 인가하는 바이어스 스퍼터링법이 있다.그 다음, 제2 포토리소그래피 공정을 수행하여 레지스트 마스크를 형성한 다음, 산화물 반도체막을 에칭한다. 예를 들어, 인산과 초산과 질산을 혼합한 용액을 이용한 습식 에칭에 의해 불필요한 부분들이 제거되어, 산화물 반도체층(133)이 형성된다(도 7의 (a) 및 도 10 참조). 여기서의 에칭은 습식 에칭으로 한정되지 않고 건식 에칭을 이용해도 좋다는 점에 유의한다.건식 에칭을 위한 에칭 가스로서, 염소를 포함하는 가스(염소(Cl2), 염화 붕소(BCl3), 염화 규소(SiCl4), 사염화탄소(CCl4)와 같은 염소계 가스)가 바람직하게 사용된다.대안으로서, 불소를 포함하는 가스(4 불화 탄소(CF4), 6 불화 유황(SF6), 3 불화 질소(NF3), 3 불화 메탄(CHF3)과 같은 불소계 가스); 산소(O2); 이러한 가스에 헬륨(He)이나 아르곤(Ar) 등의 희가스를 첨가한 가스 등을 건식 에칭용 에칭 가스로서 이용할 수가 있다.건식 에칭법으로서, 평행 평판형 RIE(reactive ion etching)법, ICP(inductively coupled plasma：유도 결합형 플라즈마) 에칭법 등을 이용할 수가 있다. 희망하는 형상으로 막을 에칭하기 위하여, 에칭 조건(코일형의 전극에 인가되는 전력량, 기판측의 전극에 인가되는 전력량, 기판측의 전극 온도 등)을 적절하게 조절한다.습식 에칭을 위해 이용하는 에칭제로서는, 인산과 초산과 질산을 혼합한 용액 등을 이용할 수가 있다. 대안으로서, (KANTO CHEMICAL CO., INC에 의해 생산되는) ITO07N을 이용할 수도 있다.습식 에칭에서 사용되는 에칭제는, 에칭된 재료와 함께 세정에 의해 제거된다. 에칭제 및 제거된 재료를 포함하는 폐수를 정제하여, 그 재료를 재이용할 수도 있다. 에칭후의 폐수로부터 산화물 반도체층에 포함된 인듐 등의 재료를 회수해 재이용하면, 자원을 효율적으로 사용하여 비용을 절감할 수 있다.희망하는 형상으로 막을 에칭할 수 있도록, 재료에 따라 에칭 조건(에칭제, 에칭 시간, 온도 등)을 적절하게 조절한다는 점에 유의한다.그 다음, 스퍼터링법이나 진공 증착법에 의해 산화물 반도체층(133) 위에 금속 재료로 구성된 제1 도전막(132)이 형성된다(도 7의 (b) 참조).제1 도전막(132)의 재료로서, 실시예 1에 설명된 소스 전극층(405a) 및 드레인 전극층(405b)과 유사한 재료를 적절히 이용할 수 있다. 제1 도전막(132)은, 이후 단계의 열 처리를 견딜 수 있도록 내열성 도전 재료를 이용하여 형성되는 것이 바람직하고, 티타늄(Ti), 탄탈룸(Ta), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 네오디뮴(Nd), 또는 스칸듐(Sc)으로부터 선택된 원소; 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 합금; 이들 원소들 중 임의의 원소를 조합한 것을 성분으로서 포함하는 합금막; 또는 이들 원소들 중 임의의 원소를 성분으로서 포함하는 질화물을 이용해, 단층 또는 적층으로 형성된다.제1 도전막(132)에 이용되는 내열성 도전 재료로서는, 인듐, 주석, 또는 아연 중 임의의 것을 포함한 투명 도전성 산화물을 이용할 수도 있다. 예를 들어, 산화 인듐(In2O3)이나 산화 인듐 - 산화 주석 합금(In2O3-SnO2, ITO로 약기함)을 이용하는 것이 바람직하다. 대안으로서, 산화 실리콘 등의 절연성 산화물이 첨가된 투명 도전성 산화물이 이용될 수도 있다.투명 도전성 산화물에 산화 실리콘 등의 절연성 산화물을 포함시킴으로써, 투명 도전성 산화물의 결정화를 억제할 수 있고, 투명 도전성 산화물은 아몰퍼스 구조를 가질 수 있다. 투명 도전성 산화물의 결정화가 억제되고 아몰퍼스 구조가 제공되도록 함으로써, 열 처리를 수행해도, 투명 도전성 산화물의 결정화 또는 미정질 입자의 생성을 방지할 수 있다.그 다음, 제3 포토리소그래피 공정이 수행된다. 레지스트 마스크를 형성하고, 에칭에 의해 불필요한 부분이 제거되어 소스 전극층(105a), 드레인 전극층(105b), 접속 전극층(220), 및 제2 단자(122)가 형성된다(도 7의 (c) 및 도 11 참조). 이 때의 에칭 방법으로서 습식 에칭 또는 건식 에칭을 이용한다. 예를 들어, 암모니아 과산화수소(과산화수소：암모니아：물의 비율 = 5：2：2)를 이용한 습식 에칭에 의해, 제1 도전막(132)을 에칭하여 소스 전극층(105a) 및 드레인 전극층(105b)을 형성할 수 있다. 이 에칭 단계에 있어서, 산화물 반도체층(133)의 노출 영역이 부분적으로 에칭되어 산화물 반도체층(135)이 된다. 따라서, 소스 전극층(105a)과 드레인 전극층(105b) 사이에 놓인 산화물 반도체층(135)의 영역은 얇은 두께를 가진다. 작은 두께를 갖는 영역은, 결정화를 더욱 저해하는 약 30 nm의 두께를 가진다; 따라서, 작은 두께를 갖는 영역은, 채널로서 역할하는 부분을 아몰퍼스 상태로 유지하고 싶은 경우에 유용하다. 도 7의 (c)에서, 소스 전극층(105a), 드레인 전극층(105b), 및 산화물 반도체층(135)을 형성하기 위한 에칭은 건식 에칭에 의해 한 번에 수행된다. 따라서, 소스 전극층(105a) 및 드레인 전극층(105b)의 단부는 산화물 반도체층(135)의 단부와 정렬된다; 따라서, 연속 구조가 형성된다.제3 포토리소그래피 공정에 있어서, 소스 전극층(105a) 및 드레인 전극층(105b)과 동일한 재료를 이용하여 형성된 제2 단자(122)를 단자부에 남긴다. 제2 단자(122)는, 이후의 단계에서 형성되는 소스 배선에 전기적으로 접속된다는 점에 유의한다.게이트 전극층(401)의 형성과 동시에 접속 전극층(420)을 형성할 때, 접속 전극층(420)을 반드시 형성할 필요는 없다.또한, 다계조(multi-tone) 마스크에 의해 형성한 복수 두께(전형적으로는 2개의 상이한 두께)의 영역을 갖는 레지스트 마스크를 이용하면, 레지스트 마스크의 수를 줄일 수가 있어서, 공정을 간략화하고 비용을 낮출 수 있다.그 다음, 레지스트 마스크가 제거되고, 게이트 절연층(102), 산화물 반도체층(135), 소스 전극층(105a) 및 드레인 전극층(105b)을 덮도록 보호 절연층(107)이 형성된다(도 7의 (d) 참조). 보호 절연층(107)은, CVD법 또는 스퍼터링법 등의, 보호 절연층(107)에 물과 수소 등의 불순물을 혼입시키지 않는 방법을 적절히 이용해, 적어도 1nm 이상의 두께로 형성될 수 있다. 여기서는, 보호 절연층(107)은 스퍼터링법을 이용해 형성된다. 산화물 반도체층(135)의 일부와 접하는 보호 절연층(107)은, 수분, 수소 이온, 및 OH- 등의 불순물을 포함하지 않으며, 이것들이 외부로부터 침입하는 것을 차단하는 무기 절연막을 이용하여 형성된다. 구체적으로는, 산화 규소막, 질화 산화 규소막, 산화 알루미늄막, 또는 산화 질화 알루미늄막을 이용한다. 또한, 보호 절연층(107) 위에 접하여 형성되도록 질화 규소막 또는 질화 알루미늄막을 적층할 수도 있다. 질화 규소막은, 수분, 수소 이온, 및 OH- 등의 불순물을 포함하지 않으며, 이것들이 외부로부터 침입하는 것을 방지한다.산화물 반도체층(135)에 접하여 스퍼터링법 또는 PCVD법 등에 의해 보호 절연층(107)을 형성하면, 적어도 보호 절연층(107)과 접하는 산화물 반도체층(135)의 영역이 고저항화 될 수 있어(캐리어 농도가, 바람직하게는 1 x 1018/cm3 미만으로 감소됨), 고저항 산화물 반도체 영역으로서 역할할 수 있다.그 다음, 산소 가스 분위기하, 불활성 가스 분위기(질소, 헬륨, 네온, 아르곤 등)하 또는 감압하에서, 소스 전극층(105a), 드레인 전극층(105b), 게이트 절연층(102), 및 산화물 반도체층(135)에 열 처리가 수행되어, 산화물 반도체층(103)이 형성된다(도 8의 (a) 참조). 열 처리는, 200℃ 이상 700℃ 이하, 바람직하게는 350℃ 이상, 기판(100)의 변형점 미만의 온도에서 수행한다. 상기 분위기하에서 소스 전극층(105a), 드레인 전극층(105b), 게이트 절연층(102), 및 산화물 반도체층(103)을 열 처리함으로써, 소스 전극층(105a)내, 드레인 전극층(105b)내, 게이트 절연층(102)내, 산화물 반도체층(103)내, 및 산화물 반도체층(103)의 상하에 접하는 막들과 산화물 반도체층(103) 사이의 계면들에 포함된 수소 및 물 등의 불순물을 제거할 수 있다. 열 처리의 조건 또는 산화물 반도체층의 재료에 따라, 산화물 반도체층이 결정화되어 미정질막 또는 다결정막으로 변하는 경우도 있다.보호막의 역할을 하는 보호 절연층(107)이 산화물 반도체층(133)에 접하여 형성될 때에, 산화물 반도체층(133)이 플라즈마 데미지를 받을 가능성이 있다. 그러나, 이 열 처리에 의해, 산화물 반도체층(133)이 받은 플라즈마 데미지를 회복시킬 수 있다.이 열처리에 의해, 보호 절연층(107) 내의 산소가, 고상-확산(solid-phase diffusion)에 의해 산화물 반도체층(103)에 공급된다. 따라서, 산화물 반도체층(103)의 저항이 증가하므로, 양호한 전기 특성을 갖는 신뢰성이 좋은 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.이 열 처리는, 박막 트랜지스터의 전기 특성의 격차를 저감할 수 있다. 열 처리 후, 산호 분위기하에서 서냉을 수행하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 기판의 온도가 최고 가열 온도로부터 적어도 약 50℃ 내지 100 ℃ 만큼 낮아지도록 서냉할 수 있다.그 다음, 제4 포토리소그래피 공정이 수행된다. 레지스트 마스크가 형성되고, 보호 절연층(107) 및 게이트 절연층(102)이 에칭되어 제1 콘택 홀(221), 제2 콘택 홀(222), 제3 콘택 홀(223), 및 제4 콘택 홀(224)이 형성된다(도 8의 (b) 및 도 12 참조). 먼저, 에칭에 의해 보호 절연층(107)의 일부를 제거하면, 소스 전극층(105a)에 이르는 제1 콘택 홀(221)과, 게이트 전극층(101)에 이르는 제2 콘택 홀(222)의 일부와, 접속 전극층(220)의 양단부에 이르는 제3 콘택 홀(223) 및 제4 콘택 홀(224)이 형성된다. 또한, 에칭에 의해 게이트 절연층(102)의 일부가 제거됨으로써, 게이트 전극층(101)에 이르는 제2 콘택 홀(222)이 형성된다.반사형 표시 장치를 제조하는 경우, 여기서, 드레인 전극층(105b)에 이르는 콘택 홀을 형성하고, 소스 배선 및 게이트 배선의 형성과 동시에 화소 전극층(110)을 형성할 수 있다.그 다음, 스퍼터링법이나 진공 증착법에 의해 보호 절연층(107) 위에 금속 재료로 구성된 제2 도전막이 형성된다. 여기서, 제2 도전막은, 제1 콘택 홀(221), 제2 콘택 홀(222), 제3 콘택 홀(223), 및 제4 콘택 홀(224)을 통해, 소스 전극층(105a), 게이트 전극층(101) 및 접속 전극층(220)에 접속된다.제2 도전막의 재료로서, 실시예 1에 설명된 제2 도전막과 유사한 재료를 적절히 이용할 수 있다. 제2 도전막은, 소스 전극층(105a) 및 드레인 전극층(105b)보다 낮은 저항률을 갖는 저저항 도전 재료를 이용하여 형성되는 것이 바람직하고, 특히 알루미늄 또는 구리를 이용하는 것이 바람직하다. 제2 도전막으로서 저저항 도전 재료를 이용하면, 배선 저항 등을 저감할 수 있다.그 다음, 제5 포토리소그래피 공정이 수행된다. 레지스트 마스크가 형성되고, 제2 도전막이 에칭되어, 보호 절연층(107) 위에 소스 배선(225), 제1 게이트 배선(226), 및 제2 게이트 배선(227)이 형성된다(도 8의 (c) 및 도 12 참조). 소스 배선(225)은 접속 전극층(220)과 중첩하며, 제1 콘택 홀(221)을 통해 소스 전극층(105a)에 접속되도록 형성된다. 제1 게이트 배선(226)과 제2 게이트 배선(227)은, 그들 사이에 소스 배선(225)을 개재하도록 형성된다. 여기서, 제1 게이트 배선(226)은, 제2 콘택 홀(222)을 통해 게이트 전극층(101)에 접속되도록, 그리고 제3 콘택 홀(223)을 통해 접속 전극층(220)에 접속되도록 형성된다. 또한, 제2 게이트 배선(227)은, 제4 콘택 홀(224)을 통해 게이트 전극층(220)에 전기적으로 접속되도록 형성된다. 따라서, 제1 게이트 배선(226)과 제2 게이트 배선(427)은, 접속 전극층(220)을 통해 서로 전기적으로 접속된다.이상의 단계들을 통해, 박막 트랜지스터(170)를 제조할 수 있다.그 다음, 제6 포토리소그래피 공정이 수행된다. 레지스트 마스크가 형성되고, 보호 절연층(107)이 에칭되어, 드레인 전극층(105b)에 이르는 콘택 홀(125)이 형성된다. 또한, 동일한 에칭 단계에서, 제2 단자(122)에 이르는 콘택 홀(127)과 제1 단자(121)에 이르는 콘택 홀(126)도 형성된다. 이 단계에서의 단면도를 도 9의 (a)에 나타낸다. 콘택 홀(125), 콘택 홀(126), 및 콘택 홀(127)은 제4 포토리소그래피 공정에서 동시에 형성될 수 있다는 점에 유의한다.그 다음, 레지스트 마스크가 제거된 다음, 투명 도전막이 형성된다. 투명 도전막은, 스퍼터링법이나 진공 증착법 등에 의해 산화 인듐(In2O3)이나 산화 인듐 산화 주석 합금(In2O3-SnO2, ITO로 약기함) 등을 이용하여 형성된다. 이와 같은 재료는 염산계의 용액에 의해 에칭된다. 그러나, 특히 ITO의 에칭시에는 찌꺼기가 발생하기 쉽기 때문에, 에칭 가공성을 개선하기 위해서 산화 인듐 - 산화 아연 합금(In2O3-ZnO)을 이용할 수도 있다. 투명 도전막의 저항을 감소시키기 위한 열 처리를 수행하는 경우, 산화물 반도체층(103)의 저항을 증가시키고, 트랜지스터의 전기 특성을 향상시키며, 및 전기 특성의 격차를 저감할 수 있다.그 다음, 제7 포토리소그래피 공정이 수행된다. 레지스터 마스크가 형성되고, 에칭에 의해 불필요한 부분이 제거되어 화소 전극층(110)이 형성된다.또한, 이 제7 포토리소그래피 공정에서, 커패시터부에서 게이트 절연층(102) 및 보호 절연층(107)을 유전체로서 이용하여 커패시터 배선(108)과 화소 전극층(110)이 함께 스토리지 커패시터를 형성한다.또한, 제7 포토리소그래피 공정에서, 제1 단자(121) 및 제2 단자(122)를 레지스트 마스크로 덮고, 투명 도전막(128 및 129)을 단자부에 남긴다. 투명 도전막(128 및 129)은 FPC와의 접속에 이용되는 전극 또는 배선으로서 기능한다. 제1 단자(121) 위에 형성된 투명 도전막(128)은, 게이트 배선의 입력 단자로서 기능하는 접속용의 단자 전극이다. 제2 단자(122) 위에 형성된 투명 도전막(129)은, 소스 배선의 입력 단자로서 기능하는 접속용의 단자 전극이다.그 다음, 레지스트 마스크가 제거되고, 이 단계에서의 단면도가 도 9의 (b)에 도시되어 있다. 이 단계에서의 상면도는 도 13에 대응한다는 점에 유의한다.또한, 도 14a 및 14b는, 각각, 이 단계에서의 게이트 배선 단자부의 단면도 및 평면도이다. 도 14a는, 도 14b의 라인 E1- E2를 따라 취해진 단면도에 대응한다. 도 14a에서, 보호 절연막(154) 위에 형성된 투명 도전막(155)은, 입력 단자로서 기능하는 접속용의 단자 전극이다. 또한, 도 14a의 단자부에서, 게이트 배선과 동일한 재료를 이용하여 형성되는 제1 단자(151)와, 소스 배선과 동일한 재료를 이용하여 형성되는 접속 전극층(153)은, 그들 사이에 게이트 절연층(152)이 개재된 채 서로 중첩하며, 투명 도전막(155)을 통해 전기적으로 접속된다. 도 9의 (b)에서 투명 도전막(128)과 제1 단자(121)가 서로 접촉하고 있는 부분이, 도 14a에서 투명 도전막(155)과 제1 단자(151)이 서로 접촉하고 있는 부분에 대응하고 있다는 점에 유의한다.도 14c 및 도 14d는 각각, 도 9의 (b)에 도시된 것과는 상이한 소스 배선 단자부의 단면도 및 상면도이다. 도 14c는, 도 14d의 라인 F1-F2를 따라 취해진 단면도이다. 도 14c에서, 보호 절연막(154) 위에 형성된 투명 도전막(155)은, 입력 단자로서 기능하는 접속용의 단자 전극이다. 도 14c의 단자부에서, 게이트 배선과 동일한 재료를 이용하여 형성되는 전극층(156)은, 소스 배선에 전기적으로 접속된 제2 단자(150)의 아래에 위치하며, 이들 사이에는 게이트 절연층(152)이 개재된다. 전극층(156)은 제2 단자(150)에 전기적으로 접속되지 않고, 전극층(156)의 전위를 제2 단자(150)와는 상이한 전위, 예를 들어, 플로팅, GND, 0 V 등으로 설정하면, 노이즈 또는 정전기 방지를 위한 커패시터를 형성할 수가 있다. 제2 단자(150)는, 보호 절연막(154)을 통해 투명 도전막(155)에 전기적으로 접속하고 있다.화소 밀도에 따라, 복수의 게이트 배선, 소스 배선, 및 커패시터 배선이 제공된다. 또한, 단자부에서, 게이트 배선과 동일한 전위의 제1 단자, 소스 배선과 동일한 전위의 제2 단자, 커패시터 배선과 동일한 전위의 제3의 단자 등이 각각 복수 배치된다. 단자들 각각의 수는, 임의의 갯수일 수 있으며, 단자들의 수는 실시자에 의해 적절하게 결정될 수 있다.이들 7회의 포토리소그래피 공정을 통해, 7개의 포토마스크를 사용해, 바텀-게이트 스태거형 박막 트랜지스터인 박막 트랜지스터(170)을 포함하는 화소 박막 트랜지스터부 및 스토리지 커패시터를 완성할 수 있다. 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 있는 화소부의 각 화소에 박막 트랜지스터 및 스토리지 커패시터를 배치함으로써, 액티브 매트릭스 표시 장치를 제조하기 위한 기판들 중 하나가 얻어진다. 본 명세서에서는, 편의상, 이와 같은 기판을 액티브 매트릭스 기판이라고 부른다.액티브 매트릭스 액정 표시 장치를 제조하는 경우, 액티브 매트릭스 기판과 대향 전극이 제공된 대향 기판은 서로 접합되며, 그 사이에 액정층이 개재된다. 대향 기판 위의 대향 전극에 전기적으로 접속된 공통 전극은, 액티브 매트릭스 기판 위에 제공되며, 공통 전극에 전기적으로 접속된 제4 단자가 단자부에 제공된다는 점에 유의한다. 이 제4 단자는, 공통 전극을, GND 또는 0 V 등의 고정 전위로 설정하기 위해 제공된다.커패시터 배선을 제공하지 않고, 화소 전극이 인접 화소의 게이트 배선과 중첩하고, 이들 사이에 보호 절연막 및 게이트 절연층이 개재되어 스토리지 커패시터를 형성할 수도 있다.액티브 매트릭스 액정 표시 장치에서, 매트릭스 형태로 배치된 화소 전극은, 화면에 표시 패턴을 형성하도록 구동된다. 구체적으로는, 선택된 화소 전극과 그 화소 전극에 대응하는 대향 전극 사이에 전압이 인가되어, 화소 전극과 대향 전극 사이에 제공된 액정층이 광학적으로 변조되고, 이 광학적 변조가 관찰자에게는 표시 패턴으로서 인식된다.동영상 표시에 있어서, 액정 표시 장치는, 액정 분자 자체의 긴 응답 시간이 동영상의 흐려짐과 잔상을 유발한다는 문제점을 가진다. 액정 표시 장치의 동영상 특성을 개선하기 위하여, 매 한 프레임 걸러 한 프레임마다 전체 화면에 검정색이 표시되는 소위, 검정색 삽입이라 불리는 구동 방법이 사용된다.대안으로서, 수직 동기 주파수가 통상의 수직 동기 주파수보다 1.5배 이상, 바람직하게는 2배 이상 높은, 배속 구동이라 불리는 구동 방법이 이용되어, 동영상 특성을 개선할 수 있다.추가의 대안으로서, 액정 표시 장치의 동영상 특성을 개선하기 위하여, 복수의 LED(발광 다이오드) 광원 또는 복수의 EL 광원을 이용해 백 라이트로서 면광원을 형성하고, 면광원의 각 광원을 1 프레임 기간 내에서 펄스화된 방식으로 독립적으로 구동하는 구동 방법이 이용될 수도 있다. 면광원으로서, 3 종류 이상의 LED가 이용될 수도 있고, 백색 발광의 LED가 이용될 수도 있다. 복수의 LED가 독립적으로 제어될 수 있기 때문에, LED의 발광 타이밍은, 액정층이 광학적으로 변조되는 타이밍과 동기화될 수 있다. 이 구동 방법에 따르면, LED들은 부분적으로 소등될 수 있기 때문에, 특히, 검정색 표시 영역의 비율이 많은 영상을 표시하는 경우, 소비 전력의 저감 효과를 얻을 수 있다.이러한 구동 방법들을 조합함으로써, 동영상 특성 등의, 액정 표시 장치의 표시 특성이 종래의 액정 표시 장치보다 개선될 수 있다.본 명세서에 개시된 n채널형의 트랜지스터는, 채널 형성 영역을 위해 산화물 반도체막을 이용하며, 우수한 동적 특성을 가지기 때문에, 이러한 구동 기술들과 조합될 수 있다.발광 표시 장치의 제조시, 유기 발광 소자의 한 전극(캐소드라고도 부름)은, GND 또는 0 V 등의 저전원 전위로 설정된다; 따라서, 캐소드를, GND 또는 0 V 등의 저전원 전위로 설정하기 위한 제4 단자가 단자부에 제공된다. 또한, 발광 표시 장치의 제조시, 소스 배선 및 게이트 배선 외에도 전원 공급선이 제공된다. 따라서, 전원 공급선에 전기적으로 접속된 제5 단자가 단자부에 제공된다.발광 표시 장치를 제조할 때, 일부 경우에는 유기 수지층을 이용하여 형성된 격벽이 유기 발광 소자들 사이에 제공될 수 있다. 그 경우, 유기 수지층에 수행되는 열 처리는, 산화물 반도체층(103)의 저항을 증가시켜 트랜지스터의 전기 특성의 향상 및 전기 특성의 격차를 경감하는 열처리를 겸할 수 있다.열 처리에 의해, 수분 등의 불순물들이 저감되고 산화물 반도체막의 순도가 높아진다. 성막 챔버내의 이슬점을 낮춘 특수한 스퍼터링 장치나 초고순도의 산화물 반도체 타겟을 이용하지 않아도, 양호한 전기 특성을 갖는 신뢰성이 높은 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치를 제조할 수 있다.산화물 반도체층의 채널 형성 영역은 고저항 영역이다; 따라서, 박막 트랜지스터의 전기적 특성은 안정화되고, 오프 전류의 증가가 방지될 수 있다. 따라서, 양호한 전기 특성을 갖는 신뢰성이 높은 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치를 제공할 수 있다.본 실시예는, 다른 실시예에서 설명한 구조와 적절하게 조합하여 구현될 수 있다.(실시예 4) 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법이, 도 17을 참조하여 설명될 것이다. 실시예 1과 동일한 부분 또는 실시예1과 유사한 기능을 가지는 부분 및 공정은, 실시예 1에서 설명된 것과 유사한 방식으로 형성될 수 있다; 따라서, 반복적 설명은 생략한다.도 17에 나타낸 박막 트랜지스터(462)에서, 도전층(409)이 게이트 전극층(401) 및 산화물 반도체층(403)의 채널 영역과 중첩하도록, 산화물 절연막(407) 위의 소스 배선(425)과 동일한 층에 도전층(409)이 제공된다.도 17은 반도체 장치에 포함된 박막 트랜지스터(462)의 단면도이다. 박막 트랜지스터(462)는 바텀-게이트형의 박막 트랜지스터이며, 절연 표면을 갖는 기판(400) 위에, 게이트 전극층(401), 게이트 절연층(402), 산화물 반도체층(403), 소스 전극층(405a), 드레인 전극층(405b), 산화물 절연막(407), 소스 배선(425), 및 도전층(409)을 포함한다. 도전층(409)은, 도전층(409)이 게이트 전극층(401)과 중첩하도록, 산화물 절연막(407) 위에 제공된다. 도 17에 도시되지는 않았지만, 실시예1과 유사한 방식으로 게이트 배선 및 접속 전극층도 역시 제공된다.도전층(409)은, 실시예 1에서 설명된 소스 배선(425)과 유사한 재료 및 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 화소 전극층을 제공하는 경우, 도전층은 화소 전극층과 유사한 재료 및 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 도전층(409)에 대해 알루미늄 또는 구리 등의 저저항 도전 재료를 이용한다.도전층(409)의 전위는, 게이트 전극층(401)과 동일하거나 상이한 전위일 수 있으며, 제2 게이트 전극층으로서 기능할 수 있다. 또한, 도전층(409)은 플로팅 상태일 수도 있다.산화물 반도체층(403)과 중첩하는 위치에 도전층(409)이 제공됨으로써, 박막 트랜지스터의 신뢰성을 검사하기 위한 바이어스-온도 스트레스 시험(이하, BT 시험이라고 언급)에 있어서, BT 시험 전과 후 사이의 박막 트랜지스터(462)의 임계 전압의 변화량이 저감될 수 있다. 특히, 기판 온도를 150℃까지 상승시킨 후에 게이트에 인가되는 전압을 -20 V로 설정하는 -BT 시험에 있어서, 임계 전압의 변동을 억제할 수 있다.본 실시예는 실시예 1과 자유로이 결합될 수 있다.(실시예 5) 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법이, 도 18을 참조하여 설명될 것이다. 실시예 1과 동일한 부분 또는 실시예1과 유사한 기능을 가지는 부분 및 공정은, 실시예 1에서 설명된 것과 유사한 방식으로 형성될 수 있다; 따라서, 반복적 설명은 생략한다.도 18에 나타낸 박막 트랜지스터(463)는 도전층(419)을 포함하고, 도전층(419)이 게이트 전극층(401) 및 산화물 반도체층(403)의 채널 영역과 중첩하도록, 도전층(419)과 게이트 전극층(401) 사이에 산화물 절연막(407)과 절연층(410)이 개재되어 있다.도 18은 반도체 장치에 포함된 박막 트랜지스터(463)의 단면도이다. 박막 트랜지스터(463)는 바텀-게이트형의 박막 트랜지스터이며, 절연 표면을 갖는 기판(400) 위에, 게이트 전극층(401), 게이트 절연층(402), 산화물 반도체층(403), 소스 영역(404a), 드레인 영역(404b), 소스 전극층(405a), 드레인 전극층(405b), 산화물 절연막(407), 절연층(410), 소스 배선(425), 및 도전층(419)을 포함한다. 도전층(419)은, 도전층(419)이 게이트 전극층(401)과 중첩하도록, 산화물 절연층(410) 위에 제공되고 있다. 도 18에 도시되지는 않았지만, 실시예1가 유사한 방식으로 게이트 배선 및 접속 전극층도 역시 제공된다.본 실시예에서, 게이트 절연층(402) 위에 산화물 반도체층이 형성된 후, 산화물 반도체층 위에 소스 영역(404a) 및 드레인 영역(404b)이 형성된다. 그 다음, 소스 전극층(405a) 및 드레인 전극층(405b)이 형성되고, 산화물 절연막(407)이 형성된다. 실시예 1과 유사한 방식으로, 산화물 절연막(407)이 형성된 후, 탈수화 또는 탈수소화의 열 처리가 수행되고, 산화물 반도체층(403)이 형성된다. 열 처리는, 산소 가스 분위기하 또는 불활성 가스 분위기(질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤 등)하 또는 감압하에서, 200℃ 이상 700℃ 이하, 바람직하게는 350℃ 이상, 기판(400)의 변형점 미만의 온도에서 수행된다. 열 처리 후, 불활성 분위기하 또는 산소 분위기하에서 서냉을 수행하는 것이 바람직하다. 이 열 처리에 의해, 산화물 절연막(407) 형성시의 플라즈마 데미지를 회복할 수 있다. 그 다음, 산화물 절연막(407)에 콘택 홀이 형성되고, 소스 전극층(405a)에 접속되는 소스 배선(425)이 형성된다.본 실시예에서는, 소스 영역(404a) 및 드레인 영역(404b) 각각은, Zn-O계 다결정막 또는 Zn계 미정질막을 이용하여 형성되고, 산화물 반도체층(403)의 성막 조건과는 상이한 성막 조건으로 형성되어, 각각은 산화물 반도체층(403)보다 낮은 저항을 가진다. 본 실시예에서는, 소스 영역(404a) 및 드레인 영역(404b)은, 다결정 상태 또는 미정질 상태이며, 산화물 반도체층(403)도 역시 다결정 상태 또는 미정질 상태이다. 산화물 반도체층(403)은 제2 열 처리에 의해 결정화되어, 다결정 상태 또는 미정질 상태가 될 수 있다.본 실시예에서 설명된 박막 트랜지스터에서, 평탄화막으로서 기능하는 절연층(410)이 산화물 절연막(407) 위에 적층되고, 드레인 전극층(405b)에 이르는 개구가 산화물 절연막(407) 및 절연층(410)에 형성되고, 산화물 절연막(407) 및 절연층(410)에 형성된 개구에 도전막이 형성되고, 미리결정된 형상을 갖도록 도전막이 에칭되어, 도전층(419) 및 화소 전극층(411)이 형성된다. 이와 같이 화소 전극층(411)을 형성하는 공정에서, 도전층(419)을 형성할 수 있다. 본 실시예에서, 화소 전극층(411) 및 도전층(419)으로, 산화 규소를 포함한 산화 인듐 - 산화 주석 합금(산화 규소를 포함한 In-Sn-O계 산화물)을 이용한다.대안으로서, 도전층(419)은, 게이트 전극층(401), 소스 전극층(405a), 드레인 전극층(405b), 및 소스 배선(425)과 유사한 재료 및 방법을 이용하여 형성될 수 있다.도전층(419)의 전위는, 게이트 전극층(401)과 동일하거나 상이한 전위일 수 있다. 도전층(419)은 제2 게이트 전극층으로서 기능할 수 있다. 또한, 도전층(419)은 플로팅 상태일 수도 있다.도전층(419)을 산화물 반도체층(403)과 중첩하도록 제공할 때, 박막 트랜지스터(463)의 임계 전압을 제어할 수 있다.이 실시예는 실시예 1과 자유로이 결합될 수 있다.(실시예 6)본 실시예에서는, 채널 스톱형의 박막 트랜지스터(1430)의 일례가 도 19a, 19b, 및 19c를 참조하여 설명된다. 도 19c는, 박막 트랜지스터의 상부도의 일례이며, 점선 Z1-Z2를 따라 취해진 단면도가 도 19b에 대응한다. 박막 트랜지스터(1430)의 산화물 반도체층에 갈륨이 포함되지 않는 예가 설명된다.도 19a에서, 게이트 전극층(1401)이 기판(1400) 위에 형성된다. 여기서, 게이트 전극층은, 이후의 공정에서 수행되는 열 처리를 견딜 수 있도록, 실시예 1에서 설명된 것과 같은 내열성 도전 재료를 이용하여 형성되는 것이 바람직하다. 그 다음, 게이트 전극층(1401)을 덮는 게이트 절연층(1402)이 형성된다. 그 다음, 게이트 절연층(1402) 위에 산화물 반도체층(1403)이 형성된다.본 실시예에서는, 산화물 반도체층(1403)으로서, 스퍼터링법을 이용하여 형성된 Sn-Zn-O계의 산화물 반도체를 이용한다. 산화물 반도체층에 갈륨을 이용하지 않으면, 산화물 반도체층(1403)이 비싼 타겟을 이용하지 않고 형성될 수 있기 때문에, 비용을 저감할 수 있다.그 다음, 산화물 반도체층(1403)에 접하여 채널 보호층(1418)이 형성된다. 산화물 반도체층(1403) 위에 채널 보호층(1418)을 형성함으로써, 이후의 소스 영역(1406a) 및 드레인 영역(1406b) 형성 단계에서의 데미지(에칭시의 플라즈마나 에칭제에 기인한 두께 감소등)를 방지할 수 있다. 따라서, 박막 트랜지스터(1430)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.대안으로서, 산화물 반도체층(1403)이 형성된 후, 대기에 노출되지 않고 연속적으로 채널 보호층(1418)을 형성할 수 있다. 대기에 노출시키지 않고 연속적으로 처리함으로써, 물이나 하이드로 카본 등의 대기 성분이나 대기중에 부유하는 불순물 원소에 오염되지 않은 적층된 층들의 각 계면을 얻을 수 있다. 따라서, 박막 트랜지스터의 특성 격차를 저감할 수 있다.채널 보호층(1418)은, 산소를 포함한 무기 재료(산화 규소, 산화 질화 규소, 질화 산화 규소 등)를 이용하여 형성될 수 있다. 채널 보호층(1418)의 형성 방법으로서, 플라즈마 강화 CVD법이나 열 CVD법과 같은 증착법, 또는 스퍼터링법을 이용할 수 있다. 채널 보호층(1418)의 형성 후, 그 형상을 에칭에 의해 가공한다. 여기서는, 스퍼터링법에 의해 산화 규소막이 형성되고 포토리소그래피에 의해 형성된 마스크를 이용한 에칭에 의해 가공되는 방식으로, 채널 보호층(1418)이 형성된다.그 다음, 채널 보호층(1418) 및 산화물 반도체층(1403) 위에 소스 영역(1406a) 및 드레인 영역(1406b)이 형성된다. 본 실시예에서는, 소스 영역(1406a) 및 드레인 영역(1406b) 각각은, Zn-O계 미정질막 또는 Zn-O계 다결정질막을 이용하여 형성되고, 산화물 반도체층(1403)의 성막 조건과는 상이한 성막 조건으로 형성되어, 각각은 더 낮은 저항을 가진다.그 다음, 소스 영역(1406a) 위에 소스 전극층(1405a)이 형성되고, 드레인 영역(1406b) 위에 드레인 전극층(1405b)이 형성되어, 박막 트랜지스터(1430)가 형성된다(도 19b 참조). 소스 전극층(1405a) 및 드레인 전극층(1405b)은, 실시예 1에서 설명된 소스 전극층(405a) 및 드레인 전극층(405b)과 유사한 방식으로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 내열성 도전 재료를 이용하여 형성된다. 이 때, 게이트 배선에 이용되는 접속 전극층(1420)이 동시에 형성된다.산화물 반도체층(1403)과 소스 전극층(1405a) 사이에 소스 영역(1406a)이 제공되고, 산화물 반도체층(1403)과 드레인 전극층(1405b) 사이에 드레인 영역(1406b)이 제공될 때, 금속층인 소스 전극층(1405a) 및 드레인 전극층(1405b) 각각이, 산화물 반도체층(1403)에 양호하게 접합될 수 있어서, 쇼트키 접합에 비해 열적으로 안정된 동작으로 이어진다. 게다가, 저항이 감소되기 때문에, 높은 드레인 전압에서도 양호한 이동도를 보장받을 수 있다.본 실시예는 소스 영역(1406a) 및 드레인 영역(1406b)을 갖는 구조로 한정되지 않는다; 예를 들어, 소스 영역 및 드레인 영역이 제공되지 않는 구조를 이용할 수도 있다.그 다음, 소스 전극층(1405a), 드레인 전극층(1405b) 및 채널 보호층(1418)을 덮도록 산화물 반도체층(1407)이 형성된다. 산화물 절연막(1407)은, CVD법 또는 스퍼터링법 등의, 산화물 절연막(1407)에 물과 수소 등의 불순물을 혼입시키지 않는 방법을 적절히 이용해, 적어도 1nm 이상의 두께로 형성될 수 있다. 산화물 절연막(1407)은, 수분, 수소 이온, 및 OH- 등의 불순물을 포함하지 않으며, 이것들이 외부로부터 침입하는 것을 차단하는 무기 절연막을 이용하여 형성된다. 구체적으로는, 산화 규소막, 질화 산화 규소막, 산화 알루미늄막, 또는 산화 질화 알루미늄막을 이용한다. 또한, 산화물 절연막(1407) 위에 접하도록 질화 규소막 또는 질화 알루미늄막을 적층할 수도 있다.그 다음, 탈수화 또는 탈수소화를 위해, 산소 가스 분위기하, 불활성 가스 분위기(질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤 등)하, 또는 감압하에서 열 처리를 수행한다. 열 처리는, 200℃ 이상 700℃ 이하, 바람직하게는 350℃ 이상, 기판(1400)의 변형점 미만의 온도에서 수행한다. 열 처리 후, 산호 분위기하에서 서냉을 수행하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 기판의 온도가 최고 가열 온도로부터 적어도 약 50℃ 내지 100 ℃ 만큼 낮아지도록 서냉할 수 있다. 본 실시예에서, 산화물 반도체층(1403)은 미정질 상태이거나 다결정 상태이다. 이 열 처리에 의해, 박막 트랜지스터의 전기적 특성의 격차를 저감할 수 있다.그 다음, 산화물 절연막(1407)에 제1 콘택 홀, 제2 콘택 홀, 제3 콘택 홀, 및 제4 콘택 홀이 형성된다. 먼저, 에칭에 의해 산화물 절연막(1407)의 일부가 제거되어, 소스 전극층(1405a)에 이르는 제1 콘택 홀과, 게이트 전극층(1401)에 이르는 제2 콘택 홀의 일부와, 접속 전극층(1420)의 양단부에 이르는 제3 콘택 홀 및 제4 콘택 홀이 형성된다. 또한, 에칭에 의해 게이트 절연층(1402)의 일부가 제거됨으로써, 게이트 전극층(1401)에 이르는 제2 콘택 홀이 형성된다.그 다음, 산화물 절연막(1407) 위에 제2 도전막이 형성된 다음, 산화물 절연막(1407) 위에 소스 배선(1425), 제1 게이트 배선(1426), 및 제2 게이트 배선(1427)이 형성된다(도 19c 참조). 제2 도전막은, 실시예 1에서 설명된 제2 도전막과 유사한 재료를 이용하여 형성되는 것이 바람직하고, 알루미늄 또는 구리 등의 저저항 도전 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 소스 배선(1425)은 접속 전극층(1420)과 중첩하며, 제1 콘택 홀을 통해 소스 전극층(1405a)에 접속되도록 형성된다. 제1 게이트 배선(1426)과 제2 게이트 배선(1427)은, 그들 사이에 소스 배선(1425)을 개재하도록 형성된다. 여기서, 제1 게이트 배선(1426)은, 제2 콘택 홀을 통해 게이트 전극층(1401)에 접속되도록, 그리고 제3 콘택 홀을 통해 접속 전극층(1420)에 접속되도록 형성된다. 제2 게이트 배선(1427)은, 제4 콘택 홀을 통해 게이트 전극층(1420)에 전기적으로 접속되도록 형성된다. 따라서, 제1 게이트 배선(1426)과 제2 게이트 배선(1427)은, 접속 전극층(1420)을 통해 서로 전기적으로 접속된다.이상의 단계들을 통해, 박막 트랜지스터(1430)가 형성될 수 있다.본 실시예는, 다른 실시예에서 설명한 구조와 적절하게 조합하여 구현될 수 있다.(실시예 7) 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법이, 도 20a 및 20b를 참조하여 설명될 것이다. 실시예 6과 동일한 부분 또는 실시예 6과 유사한 기능을 가지는 부분 및 공정은, 실시예 6에서 설명된 것과 유사한 방식으로 형성될 수 있다; 따라서, 반복적 설명은 생략한다.도 20a에 나타낸 박막 트랜지스터(1431)에서, 게이트 전극층(1401)과 중첩하도록 도전층(1409)이 제공되고, 이들 사이에는 채널 보호층(1418) 및 산화물 절연막(1407)이 개재되며, 산화물 반도체층(1403)과 중첩하도록 도전층(1409)이 제공되고, 이들 사이에는 채널 보호층(1418) 및 산화물 절연막(1407)이 개재된다.도 20a는 반도체 장치에 포함된 박막 트랜지스터(1431)의 단면도이다. 박막 트랜지스터(1431)는 바텀-게이트형의 박막 트랜지스터이며, 절연 표면을 갖는 기판(1400) 위에, 게이트 전극층(1401), 게이트 절연층(1402), 산화물 반도체층(1403), 소스 영역(1406a), 드레인 영역(1406b), 소스 전극층(1405a), 드레인 전극층(1405b), 산화물 절연막(1407), 소스 배선(1425), 및 도전층(1409)을 포함한다. 도전층(1409)은, 도전층(1409)이 게이트 전극층(1401)과 중첩하도록, 산화물 절연막(1407) 위에 제공되고 있다. 도 20a에 도시되지는 않았지만, 실시예1가 유사한 방식으로 게이트 배선 및 접속 전극층도 역시 제공된다.실시예 6과 유사한 방식으로, 산화물 절연막(1407)이 형성된 후, 열 처리가 수행되어 탈수화 또는 탈수소화된 산화물 반도체층(1403)이 형성된다.본 실시예에서는, 산화물 반도체층 위에 형성된 소스 영역(1406a) 및 드레인 영역(1406b) 각각은, Zn-O계 미정질막 또는 Zn계 다결정막을 이용하여 형성되고, 산화물 반도체층(1403)의 성막 조건과는 상이한 성막 조건하에서 형성되어, 각각은 산화물 반도체층(1403)보다 낮은 저항의 산화물 반도체층이 된다. 또한, 산화물 반도체층(1403)은 아몰퍼스 상태에 있다.도전층(1409)은, 실시예 1에서 설명된 소스 배선(1425)과 유사한 재료 및 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 화소 전극층이 제공되는 경우, 도전층은 화소 전극층과 유사한 재료 및 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 도전층(1409)에 대해 알루미늄 또는 구리 등의 저저항 도전 재료를 이용한다.도전층(1409)의 전위는, 게이트 전극층(1401)과 동일하거나 상이한 전위일 수 있으며, 제2 게이트 전극층으로서 기능할 수 있다. 또한, 도전층(1409)은 플로팅 상태일 수도 있다.또한, 산화물 반도체층(1403)과 중첩하는 위치에 도전층(1409)을 제공함으로써, 박막 트랜지스터의 신뢰성을 검사하기 위한 바이어스-온도 스트레스 시험(이하, BT 시험이라고 언급)에 있어서, BT 시험 전과 후의 박막 트랜지스터(1431)의 임계 전압의 변화량을 저감할 수가 있다.도 20b는, 도 20a와는 부분적으로 상이한 예를 나타낸다. 도 20a에서 설명한 것과 동일한 부분 또는 도 20a에서 설명한 것과 유사한 기능을 가지는 부분 및 공정은, 도 20a에서 설명한 것과 유사한 방식으로 형성될 수 있다; 따라서, 반복적 설명은 생략한다.예를 들어, 도 20b에 나타낸 박막 트랜지스터(1432)에서, 게이트 전극층(1401)과 중첩하도록 도전층(1409)이 제공되고, 이들 사이에는 채널 보호층(1418), 산화물 절연막(1407), 및 절연층(1408)이 개재되며, 산화물 반도체층(1403)의 채널 영역과 중첩하도록 도전층(1409)이 제공되고, 이들 사이에는 채널 보호층(1418), 산화물 절연막(1407), 및 절연층(1408)이 개재된다.박막 트랜지스터(1432)에 관하여, 실시예 1과 유사한 방식으로, 산화물 절연막(1407)이 형성된 후에, 탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리가 수행되고, 산화물 반도체층(1403)이 형성된다. 열 처리는, 산소 가스 분위기하 또는 불활성 가스 분위기(질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤 등)하 또는 감압하에서, 200℃ 이상 700℃ 이하, 바람직하게는 350℃ 이상, 기판(1400)의 변형점 미만의 온도에서 수행된다. 열 처리 후, 불활성 분위기하 또는 산소 분위기 하에서 서냉을 수행하는 것이 바람직하다. 그 다음, 산화물 절연막(1407)에 콘택 홀이 형성되고, 소스 전극층(1405 a)에 접속되는 소스 배선(1425)이 형성된다.도 20b에서, 평탄화막으로서 기능하는 절연층(1408)이 산화물 절연막(1407) 위에 적층된다.도 20b에서, 산화물 반도체층(1403)이, 소스 영역 및 드레인 영역없이, 소스 전극층(1405a) 및 드레인 전극층(1405b)과 직접 접하고 있다.도 20b에 나타낸 구조에서, 산화물 반도체층(1403)과 중첩하도록 도전층(1409)이 제공될 때, 박막 트랜지스터의 신뢰성을 검사하기 위한 BT 시험에 있어서, BT 시험 전과 후 사이의 박막 트랜지스터(1432)의 임계 전압의 변화량을 저감할 수가 있다.본 실시예는, 다른 실시예에서 설명한 구조와 적절하게 조합하여 구현될 수 있다.(실시예 8) 본 실시예에서, 실시예 1과는 부분적으로 상이한 구조의 일례가 도 21을 참조하여 설명된다. 실시예 1과 동일한 부분 또는 실시예1과 유사한 기능을 가지는 부분 및 공정은, 실시예 1에서 설명된 것과 유사한 방식으로 형성될 수 있다; 따라서, 반복적 설명은 생략한다.본 실시예에서는, 제1 산화물 반도체층이 형성된 후, 제1 산화물 반도체층 위에, 박막 트랜지스터의 소스 영역 및 드레인 영역(n+층, 버퍼층이라고도 함)으로서 이용되는 제2 산화물 반도체막이 형성된 다음, 도전막이 형성된다.그 다음, 제1 산화물 반도체층, 및 제2 산화물 반도체막, 및 도전막이 에칭 공정에 의해 선택적으로 에칭되어, 산화물 반도체층(403), 소스 영역(404a), 드레인 영역(404b), 소스 전극층(405a), 및 드레인 전극층(405b)이 형성된다. 산화물 반도체층(403)의 일부가 에칭되어 그루브(함몰부)를 가진다는 점에 유의한다.그 다음, 산화물 절연막(407)으로서의 산화 규소막이 스퍼터링법 또는 PCVD법에 의해 산화물 반도체층(403)에 접하여 형성된다. 저감된 저항을 갖는 산화물 반도체층과 접하는 산화물 절연막(407)은, 수분, 수소 이온, 및 OH- 등의 불순물을 포함하지 않으며, 이것들이 외부로부터 침입하는 것을 차단하는 무기 절연막을 이용하여 형성된다. 구체적으로는, 산화 규소막, 질화 산화 규소막, 산화 알루미늄막, 또는 산화 질화 알루미늄막을 이용한다. 또한, 산화물 절연막(407) 위에 질화 규소막 또는 질화 알루미늄막을 적층할 수도 있다.실시예 1과 유사한 방식으로, 산화물 절연막(407)이 형성된 후에, 탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리가 수행되고, 산화물 반도체층(403)이 형성된다. 열 처리는, 산소 가스 분위기하 또는 불활성 가스 분위기(질소, 또는 헬륨, 네온, 아르곤 등)하 또는 감압하에서, 200℃ 이상 700℃ 이하, 바람직하게는 350℃ 이상, 기판(400)의 변형점 미만의 온도에서 수행된다. 열 처리 후, 불활성 분위기하 또는 산소 분위기 하에서 서냉을 수행하는 것이 바람직하다. 이 열 처리에 의해, 산화물 절연막(407) 형성시의 플라즈마 데미지를 회복할 수 있다. 그 다음, 산화물 절연막(407)에 콘택 홀이 형성되고, 소스 전극층(405a)에 접속되는 소스 배선(425)이 형성된다. 이런 식으로, 박막 트랜지스터(464)가 제조될 수 있다(도 21 참조).도 21에 나타낸 구조의 소스 영역(404a) 및 드레인 영역(404b)로서, In-Ga-Zn-O계 비-단결정 막을 이용한다. 대안으로서, 소스 영역(404a) 및 드레인 영역(404b)에 대해, Al-Zn-O계 아몰퍼스 막을 이용할 수 있다. 추가의 대안으로서, 소스 영역(404a) 및 드레인 영역(404b)에 대해, 질소를 포함하는 Al-Zn-O계 아몰퍼스 막, 즉, Al-Zn-O-N계 아몰퍼스막(AZON막이라고도 부름)을 이용할 수도 있다.또한, 반도체층(403)과 소스 전극층 사이에 소스 영역이 제공되고, 반도체층(403)과 드레인 전극층 사이에 드레인 영역이 제공될 수도 있다.또, 박막 트랜지스터(464)의 소스 영역(404a) 및 드레인 영역(404b)에 이용되는 제2 산화물 반도체층은, 채널 형성 영역에 이용되는 제1 산화물 반도체층(403)보다 더 얇고, 더 높은 도전율(전기 전도도)을 갖는 것이 바람직하다.또한, 채널 형성 영역에 이용되는 제1 산화물 반도체층(403)은 아몰퍼스 구조를 가지며, 소스 영역 및 드레인 영역에 이용되는 제2 산화물 반도체층은 아몰퍼스 구조안에 결정립(나노 크리스탈)을 포함하는 경우가 있다. 소스 영역 및 드레인 영역에 이용되는 제2 산화물 반도체층 내의 결정립(나노 크리스탈)은 직경 1 nm 내지 10 nm, 전형적으로는 약 2 nm 내지 4 nm이다.본 실시예는, 다른 실시예에서 설명한 구조와 적절하게 조합하여 구현될 수 있다.(실시예 9) 본 실시예에서는, 적어도 구동 회로의 일부와 화소부에 배치되는 박막 트랜지스터가 하나의 기판 위에 형성되는 예를 이하에서 설명한다.화소부에 제공되는 박막 트랜지스터는 실시예 1 내지 8 중 임의의 실시예에 따라 형성된다. 또한, 실시예 1 내지 실시예 8 중 임의의 실시예에서 설명된 박막 트랜지스터는 n채널형 TFT이다. 따라서, 구동 회로들 중에서, n채널형 TFT를 이용하여 형성될 수 있는 구동 회로의 일부가 화소부의 박막 트랜지스터에 대한 구동 회로와 동일한 기판 위에 형성된다.도 22a는, 표시 장치의 일례인 액티브 매트릭스 표시 장치의 블록도의 일례를 나타낸다. 표시 장치의 기판(5300) 위에는, 화소부(5301), 제1 주사선 구동 회로(5302), 제2 주사선 구동 회로(5303), 및 신호선 구동 회로(5304)가 제공된다. 화소부(5301)에서, 신호선 구동 회로(5304)로부터 연장되는 복수의 신호선이 제공되고, 제1 주사선 구동 회로(5302) 및 제2 주사선 구동 회로(5303)으로부터 연장되는 복수의 주사선이 제공된다. 주사선과 신호선의 교차 영역에는, 각각 표시 소자를 갖는 화소들이 매트릭스 형태로 배치되고 있다는 점에 유의한다. 또한, 표시 장치의 기판(5300)은, FPC(Flexible Printed Circuit) 등의 접속부를 통해 타이밍 제어 회로(5305)(콘트롤러 또는 제어 IC라고도 함)에 접속되어 있다.도 22a에서, 화소부(5301)와 동일한 기판(5300) 위에는, 제1 주사선 구동 회로(5302), 제2 주사선 구동 회로(5303), 및 신호선 구동 회로(5304)가 형성된다. 따라서, 외부에 제공되는 구동 회로와 같은 부품의 개수가 줄어들어, 비용이 저감될 수 있다. 또한, 기판(5300) 외부에 구동 회로를 제공할 때 배선을 연장시키는데 이용되는 접속부가 더 작은 접속수를 가지기 때문에, 신뢰성과 수율을 향상시킬 수 있다.타이밍 제어 회로(5305)는, 일례로서 제1 주사선 구동 회로용 스타트 신호(GSP1) 및 주사선 구동 회로용 클록 신호(GCK1)를 제1 주사선 구동 회로(5302)에 공급한다는 점에 유의한다. 또한, 타이밍 제어 회로(5305)는, 일례로서 제2 주사선 구동 회로용 스타트 신호(GSP2)(스타트 펄스라고도 함) 및 주사선 구동 회로용 클록 신호(GCK2)을 제2 주사선 구동 회로(5303)에 공급한다는 점에 유의한다. 신호선 구동 회로용 스타트 신호(SSP), 신호선 구동 회로용 클록 신호(SCK), 비디오 신호용 데이터(DATA)(간단히 비디오 신호라고도 함), 래치 신호(LAT)가 신호선 구동 회로(5304)에 공급된다. 각 클록 신호는, 상이한 위상을 갖는 복수의 클록 신호일 수도 있고, 반전된 클록 신호(CKB)를 공급받을 수도 있다는 점에 유의한다. 제1 주사선 구동 회로(5302) 또는 제2 주사선 구동 회로(5303) 중 어느 한편은 생략될 수 있다는 점에 유의한다.도 22b에서는, 낮은 구동 주파수를 갖는 회로(예를 들어, 제1 주사선 구동 회로(5302) 및 제2 주사선 구동 회로(5303))는 화소부(5301)와 동일한 기판(5300) 위에 형성되고, 신호선 구동 회로(5304)는 화소부(5301)가 제공된 기판과는 상이한 또 다른 기판 위에 형성된다. 이러한 구조에 의해, 단결정 반도체를 이용하여 형성된 트랜지스터와 비교하여 낮은 전계 효과 이동도를 갖는 박막 트랜지스터를 이용하여 기판(5300) 위에 구동 회로를 형성할 수 있다. 따라서, 표시 장치의 대형화, 공정수의 감소, 비용 저감, 수율 향상등을 달성할 수 있다.실시예 1 내지 실시예 8에서 설명된 박막 트랜지스터는 n채널형 TFT이다. 도 23a 및 도 23b에서는, n채널형 TFT를 이용하여 형성된 신호선 구동 회로의 구조 및 동작의 일례가 설명된다.신호선 구동 회로는, 시프트 레지스터(5601) 및 스위칭 회로(5602)를 포함한다. 스위칭 회로(5602)는, 복수의 스위칭 회로(5602_1 내지 5602_N)(N은 자연수)를 포함한다. 스위칭 회로(5602_1 내지 5602_N) 각각은, 복수의 박막 트랜지스터(5603_1 내지 5603_k)(k는 자연수)를 포함한다. 박막 트랜지스터(5603_1 내지 5603_k)가 n채널형 TFT인 예를 설명한다.스위칭 회로(5602_1)를 예로서 이용하여 신호선 구동 회로의 접속 관계를 설명한다. 박막 트랜지스터(5603_1-5603_k)의 제1 단자는, 각각, 배선(5604_1 내지 5604_k)에 접속된다. 박막 트랜지스터(5603_1-5603_k)의 제2 단자는, 각각, 신호선(S1 내지 Sk)에 접속된다. 박막 트랜지스터(5603_1-5603_k)의 게이트는, 배선(5605_1)에 접속된다.시프트 레지스터(5601)는, 배선(5605_1 내지 5605_N)에 H 레벨(H 신호, 고전원 전위 레벨이라고도 함)의 신호를 순차적으로 출력하고, 스위칭 회로(5602_1-5602_N)를 순차적으로 선택하는 기능을 가진다.스위칭 회로(5602_1)는, 배선(5604_1 내지 5604_k)와 신호선(S1 내지 Sk) 사이의 도통 상태(제1 단자와 제2 단자 사이의 도통)를 제어하는 기능, 즉, 배선(5604_1 내지 5604_k)의 전위를 신호선(S1 내지 Sk)에 공급할지의 여부를 제어하는 기능을 가진다. 이런 식으로, 스위칭 회로(5602_1)는 선택기 기능을 가진다. 박막 트랜지스터(5603_1 내지 5603_k)는, 각각, 배선(5604_1 내지 5604_k)와 신호선(S1 내지 Sk) 사이의 도통 상태를 제어하는 기능, 즉, 배선(5604_1 내지 5604_k)의 전위를 신호선(S1 내지 Sk)에 공급하는 기능을 가진다. 이런 식으로, 박막 트랜지스터(5603_1 내지 5603_k) 각각은 스위치로서 기능한다.배선(5604_1 내지 5604_k)에는, 각각, 비디오 신호용 데이터(DATA)가 입력된다는 점에 유의한다. 비디오 신호용 데이터(DATA)는, 화상 정보 또는 화상 신호에 대응하는 아날로그 신호인 경우가 많다.그 다음, 도 23a에 나타낸 신호선 구동 회로의 동작을, 도 23b의 타이밍 차트를 참조하여 설명한다. 도 23b에서, 신호(Sout_1 내지 Sout_N) 및 신호(Vdata_1 내지 Vdata_k)의 일례를 나타낸다. 신호(Sout_1 내지 Sout_N)는, 각각, 시프트 레지스터(5601)의 출력 신호의 일례이며, 신호(Vdata_1 내지 Vdata_k)는, 각각, 배선(5604_1 내지 5604_k)에 입력되는 신호의 일례이다. 신호선 구동 회로의 1 동작 기간은, 표시 장치에서 1 게이트 선택 기간에 대응한다는 점에 유의한다. 예를 들어, 1 게이트 선택 기간은, 기간들(T1 내지 TN)로 분할된다. 기간(T1 내지 TN)은, 각각, 선택된 행의 화소들에 비디오 신호용 데이터(DATA)를 기입하기 위한 기간이다.기간(T1 내지 TN)에서, 시프트 레지스터(5601)는, H 레벨의 신호를 배선(5605_1 내지 5605_N)에 순차적으로 출력한다. 예를 들어, 기간 T1에서, 시프트 레지스터(5601)는, 하이레벨 신호를 배선(5605_1)에 출력한다. 그러면, 박막 트랜지스터(5603_1 내지 5603_k)는 온으로 되어, 배선(5604_1 내지 5604_k)과 신호선(S1 내지 Sk)이 도통 상태가 된다. 이 때, 배선(5604_1 내지 5604_k)에는, Data(S1 내지 Sk)가 입력된다. Data(S1 내지 Sk)는, 각각, 박막 트랜지스터(5603_1 내지 5603_k)를 통해 제1 열 내지 제k 열의 선택된 행의 화소에 입력된다. 따라서, 기간 T1 내지 TN에서, 비디오 신호용 데이터(DATA)가, k개 열마다 선택된 행에 속하는 화소들에 순차적으로 기입된다.복수의 열마다 비디오 신호용 데이터(DATA)를 화소에 기입함으로써, 비디오 신호용 데이터(DATA)의 수 또는 배선의 수를 줄일 수 있다. 따라서, 외부 회로로의 접속수를 줄일 수 있다. 또, 매번 복수의 열의 화소들에 비디오 신호용 데이터(DATA)를 기입함으로써, 기입 시간을 연장할 수 있어 비디오 신호용 데이터(DATA)의 기입 부족을 방지할 수 있다.시프트 레지스터(5601) 및 스위칭 회로부(5602)로서, 실시예 1 내지 실시예 8에 설명된 박막 트랜지스터를 이용하여 형성된 회로를 이용할 수 있다. 그 경우, 시프트 레지스터(5601)에 포함된 모든 트랜지스터들은 n채널형만의 트랜지스터이거나 p채널형만의 트랜지스터일 수 있다.주사선 구동 회로 및/또는 신호선 구동 회로의 일부로서 이용되는 시프트 레지스터의 한 형태가 도 24a 내지 24c와 도 25a 및 25b를 참조하여 설명된다.주사선 구동 회로는, 시프트 레지스터를 포함한다. 추가적으로, 일부 경우에는, 주사선 구동 회로는 레벨 시프터, 버퍼 등을 포함할 수도 있다. 주사선 구동 회로에서, 시프트 레지스터에 클록 신호(CK) 및 스타트 펄스 신호(SP)가 입력될 때, 선택 신호가 생성된다. 생성된 선택 신호는 버퍼에 의해 버퍼링 및 증폭되고, 그 결과의 신호는 대응하는 주사선에 공급된다. 1개 라인의 화소들의 트랜지스터들의 게이트 전극들이, 주사선에 접속된다. 1개 라인의 화소들 내의 트랜지스터들은 한번에 모두 온으로 되어야 하기 때문에, 많은 양의 전류를 공급할 수 있는 버퍼가 사용된다.시프트 레지스터는, 제1 내지 제N 펄스 출력 회로(10_1 내지 10_N)(N은 3이상의 자연수)를 포함한다(도 24a 참조). 도 24a에 나타낸 시프트 레지스터의 제1 내지 제N 펄스 출력 회로(10_1 내지 10_N)에는, 제1 배선(11)으로부터의 제1 클록 신호(CK1), 제2 배선(12)으로부터의 제2 클록 신호(CK2), 제3 배선(13)으로부터의 제3 클록 신호(CK3), 제4 배선(14)으로부터의 제4 클록 신호(CK4)가 공급된다. 제1 펄스 출력 회로(10_1)에는, 제5 배선(15)으로부터의 스타트 펄스 SP1(제1 스타트 펄스)이 입력된다. 2단째 및 그 이후단의 제n 펄스 출력 회로(10_n) (n은, 2이상 N이하의 자연수)에는, 전단의 펄스 출력 회로로부터의 신호(전단 신호 OUT(n-1)라고 함)(n은 2이상의 자연수)가 입력된다. 제1 펄스 출력 회로(10_1)에는, 제1 펄스 출력 회로(10_1)보다 2단 후단인 제3 펄스 출력 회로(10_3)으로부터의 신호가 입력되거나, 2단째 및 그 이후단의 제n 펄스 출력 회로(10_n)에는, 제n 펄스 출력 회로(10_n)보다 2단 후단인 제(n+2) 펄스 출력 회로(10_(n+2))로부터의 신호(후단 신호 OUT(n+2)라고 함)가 입력된다. 또 각 단의 펄스 출력 회로로부터, 전단 및/또는 후단의 펄스 출력 회로에 입력하기 위한 제1 출력 신호 OUT(1)(SR), 및 다른 배선 등에 입력되는 제2 출력 신호 OUT(1)가 출력된다. 도 24a에 도시된 바와 같이, 시프트 레지스터의 최종 2개 단에는, 후단 신호 OUT(n+2)가 입력되지 않는다; 따라서, 예로서, 제2 스타트 펄스 SP2, 제3 스타트 펄스 SP3가 각각 입력될 수 있다는 점에 유의한다.클록 신호(CK)는, 일정한 간격으로 H 레벨과 L 레벨(L 신호 또는 저전원 전위 레벨이라고도 함)을 반복하는 신호임에 유의한다. 여기서, 제1 내지 제4 클록 신호(CK1 내지 CK4)는, 1/4 주기만큼 순차적으로 지연되고 있다. 본 실시예에서, 제1 내지 제4 클록 신호(CK1 내지 CK4)를 이용함으로써, 펄스 출력 회로 구동의 제어 등을 수행한다. 클록 신호는, 클록 신호가 입력되는 구동 회로에 따라 GCK 또는 SCK로서 이용되지만, 여기서는 CK로서 설명된다.제1 입력 단자(21), 제2 입력 단자(22), 및 제3 입력 단자(23)는, 제1 배선 내지 제4 배선(11 내지 14) 중 임의의 배선에 전기적으로 접속된다. 예를 들어, 도 24a에서, 제1 펄스 출력 회로(10_1)의 제1 입력 단자(21)는 제1 배선(11)에 전기적으로 접속되고, 제1 펄스 출력 회로(10_1)의 제2 입력 단자(22)는 제2 배선(12)에 전기적으로 접속되며, 제1 펄스 출력 회로(10_1)의 제3 입력 단자(23)는 제3 배선(13)에 전기적으로 접속된다. 또한, 제2 펄스 출력 회로(10_2)의 제1 입력 단자(21)는 제2 배선(12)에 전기적으로 접속되고, 제2 펄스 출력 회로(10_2)의 제2 입력 단자(22)는 제3 배선(13)에 전기적으로 접속되며, 제2 펄스 출력 회로(10_2)의 제3 입력 단자(23)는 제4 배선(14)에 전기적으로 접속된다.제1 내지 제N 펄스 출력 회로(10_1 내지 10_N)의 각각은, 제1 입력 단자(21), 제2 입력 단자(22), 제3 입력 단자(23), 제4 입력 단자(24), 제5 입력 단자(25), 제1 출력 단자(26), 제2 출력 단자(27)를 포함한다(도 24b 참조). 제1 펄스 출력 회로(10_1)에서, 제1 입력 단자(21)에 제1 클록 신호(CK1)가 입력되고, 제2 입력 단자(22)에 제2 클록 신호(CK2)가 입력되고, 제3 입력 단자(23)에 제3 클록 신호(CK3)가 입력되고, 제4 입력 단자(24)에 스타트 펄스가 입력되고, 제5 입력 단자(25)에 후단 신호 OUT(3)가 입력되고, 제1 출력 단자(26)로부터 제1 출력 신호 OUT(1)(SR)가 출력되고, 제2 출력 단자(27)로부터 제2 출력 신호 OUT(1)가 출력된다.그 다음, 도 24b에 나타낸 펄스 출력 회로의 구체적인 회로 구성의 일례를, 도 24c를 참조하여 설명한다.도 24c에 나타낸 펄스 출력 회로는, 제1 내지 제13 트랜지스터(31 내지 43)를 포함한다. 제1 내지 제5 입력 단자(21 내지 25), 제1 출력 단자(26), 및 제2 출력 단자(27) 외에도, 제1 고전원 전위 VDD가 공급되는 전원선(51), 제2 고전원 전위 VCC가 공급되는 전원선(52), 저전원 전위 VSS가 공급되는 전원선(53)으로부터, 제1 내지 제13 트랜지스터(31 내지 43)에, 신호 또는 전원 전위가 공급된다. 여기서, 도 24c에 나타낸 각 전원선의 전원 전위들간의 대소 관계는 다음과 같이 설정된다: 제1 전원 전위 VDD는 제2 전원 전위 VCC보다 높거나 같고, 제2 전원 전위 VCC는 제3 전원 전위 VSS보다 높다. 제1 내지 제4 클록 신호(CK1 내지 CK4)는, 일정한 간격으로 H 레벨과 L 레벨을 반복하는 신호이지만, 클록 신호가 H 레벨일 때 전위는 VDD이고, 클록 신호가 L 레벨 때 전위는 VSS이다. 전원선(51)의 전위 VDD가 전원선(52)의 전위 VCC보다 높음으로써, 동작에 아무런 영향이 없이, 트랜지스터의 게이트 전극에 인가되는 전위가 낮게 될 수 있고, 트랜지스터의 임계 전압의 변화를 저감해 열화를 억제할 수 있다.도 24c에서, 제1 트랜지스터(31)의 제1 단자는 전원선(51)에 전기적으로 접속되고, 제1 트랜지스터(31)의 제2 단자는 제9 트랜지스터(39)의 제1 단자에 전기적으로 접속되며, 제1 트랜지스터(31)의 게이트 전극은 제4 입력 단자(24)에 전기적으로 접속된다. 제2 트랜지스터(32)의 제1 단자는 전원선(53)에 전기적으로 접속되고, 제2 트랜지스터(32)의 제2 단자는 제9 트랜지스터(39)의 제1 단자에 전기적으로 접속되며, 제2 트랜지스터(32)의 게이트 전극은 제4 트랜지스터(34)의 게이트 전극에 전기적으로 접속된다. 제3 트랜지스터(33)의 제1 단자는 제1 입력 단자(21)에 전기적으로 접속되고, 제3 트랜지스터(33)의 제2 단자는 제1 출력 단자(26)에 전기적으로 접속된다. 제4 트랜지스터(34)의 제1 단자는 전원선(53)에 전기적으로 접속되고, 제4 트랜지스터(34)의 제2 단자는 제1 출력 단자(26)에 전기적으로 접속된다. 제5 트랜지스터(35)의 제1 단자는 전원선(53)에 전기적으로 접속되고, 제5 트랜지스터(35)의 제2 단자는 제2 트랜지스터(32)의 게이트 전극 및 제4 트랜지스터(34)의 게이트 전극에 전기적으로 접속되며, 제5 트랜지스터(35)의 게이트 전극은 제4 입력 단자(24)에 전기적으로 접속된다. 제6 트랜지스터(36)의 제1 단자는 전원선(52)에 전기적으로 접속되고, 제6 트랜지스터(36)의 제2 단자는 제2 트랜지스터(32)의 게이트 전극 및 제4 트랜지스터(34)의 게이트 전극에 전기적으로 접속되며, 제6 트랜지스터(36)의 게이트 전극은 제5 입력 단자(25)에 전기적으로 접속된다. 제7 트랜지스터(37)의 제1 단자는 전원선(52)에 전기적으로 접속되고, 제7 트랜지스터(37)의 제2 단자는 제8 트랜지스터(38)의 제2 단자에 전기적으로 접속되며, 제7 트랜지스터(37)의 게이트 전극은 제3 입력 단자(23)에 전기적으로 접속된다. 제8 트랜지스터(38)의 제1 단자는 제2 트랜지스터(32)의 게이트 전극 및 제4 트랜지스터(34)의 게이트 전극에 전기적으로 접속되고, 제8 트랜지스터(38)의 게이트 전극은 제2 입력 단자(22)에 전기적으로 접속된다. 제9 트랜지스터(39)의 제1 단자는 제1 트랜지스터(31)의 제2 단자 및 제2 트랜지스터(32)의 제2 단자에 전기적으로 접속되고, 제9 트랜지스터(39)의 제2 단자는 제3 트랜지스터(33)의 게이트 전극 및 제10 트랜지스터(40)의 게이트 전극에 전기적으로 접속되며, 제9 트랜지스터(39)의 게이트 전극은 전원선(52)에 전기적으로 접속된다. 제10 트랜지스터(40)의 제1 단자는 제1 입력 단자(21)에 전기적으로 접속되고, 제10 트랜지스터(40)의 제2 단자는 제2 출력 단자(27)에 전기적으로 접속되며, 제10 트랜지스터(40)의 게이트 전극은 제9 트랜지스터(39)의 제2 단자에 전기적으로 접속된다. 제11 트랜지스터(41)의 제1 단자는 전원선(53)에 전기적으로 접속되고, 제11 트랜지스터(41)의 제2 단자는 제2 출력 단자(27)에 전기적으로 접속되며, 제11 트랜지스터(41)의 게이트 전극은 제2 트랜지스터(32)의 게이트 전극 및 제4 트랜지스터(34)의 게이트 전극에 전기적으로 접속된다. 제12 트랜지스터(42)의 제1 단자는 전원선(53)에 전기적으로 접속되고, 제12 트랜지스터(42)의 제2 단자는 제2 출력 단자(27)에 전기적으로 접속되며, 제12 트랜지스터(42)의 게이트 전극은 제7 트랜지스터(37)의 게이트 전극에 전기적으로 접속된다. 제13 트랜지스터(43)의 제1 단자는 전원선(53)에 전기적으로 접속되고, 제13 트랜지스터(43)의 제2 단자는 제1 출력 단자(26)에 전기적으로 접속되며, 제13 트랜지스터(43)의 게이트 전극은 제7 트랜지스터(37)의 게이트 전극에 전기적으로 접속된다.도 24c에서, 제3 트랜지스터(33)의 게이트 전극, 제10의 트랜지스터(40)의 게이트 전극, 및 제9 트랜지스터(39)의 제2 단자의 접속 부분이 노드 A이다. 제2 트랜지스터(32)의 게이트 전극, 제4 트랜지스터(34)의 게이트 전극, 제5 트랜지스터(35)의 제2 단자, 제6 트랜지스터(36)의 제2 단자, 제8 트랜지스터(38)의 제1 단자, 및 제11 트랜지스터(41)의 게이트 전극의 접속 부분이 노드 B이다.도 25a에는, 도 24c에 나타낸 펄스 출력 회로가 제1 펄스 출력 회로(10_1)에 적용될 때 제1 내지 제5 입력 단자(21 내지 25), 제1 출력 단자(26), 및 제2 출력 단자(27)에 입력되거나 이로부터 출력되는 신호들이 나타나 있다.구체적으로, 제1 입력 단자(21)에 제1 클록 신호(CK1)가 입력되고, 제2 입력 단자(22)에 제2 클록 신호(CK2)가 입력되고, 제3 입력 단자(23)에 제3 클록 신호(CK3)가 입력되고, 제4 입력 단자(24)에 스타트 펄스가 입력되고, 제5 입력 단자(25)에 후단 신호 OUT(3)가 입력되고, 제1 출력 단자(26)로부터 제1 출력 신호 OUT(1)(SR)가 출력되고, 제2 출력 단자(27)로부터 제2 출력 신호 OUT(1)가 출력된다.박막 트랜지스터는, 적어도 3개 단자, 게이트, 드레인, 및 소스를 갖는 소자임에 유의한다. 박막 트랜지스터는, 게이트와 중첩하는 영역에 채널 영역이 형성되어 있고 게이트의 전위가 제어되는 반도체를 포함함으로써, 채널 영역을 통해 드레인과 소스 사이에 흐르는 전류가 제어될 수 있다. 여기서, 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인은 박막 트랜지스터의 구조, 동작 조건 등에 따라 바뀔수 있기 때문에, 어느 것이 소스인지 또는 드레인인지를 정의하는 것은 어렵다. 따라서, 몇몇 경우에서는, 소스 및 드레인으로서 기능하는 영역은, 소스 또는 드레인이라고 불리지 않는다. 이와 같은 경우, 소스 및 드레인 중 하나는 제1 단자라 불리고, 다른 하나는 제2 단자라 불릴 수 있다.도 24c 및 25a에서, 플로팅 상태에서 노드 A에 의해 개시되는 부트스트랩 동작을 수행하기 위해 커패시터가 제공될 수 있다는 점에 유의한다. 노드 B의 전위를 유지하기 위해 한 전극이 노드 B에 전기적으로 접속되어 있는 커패시터가 제공될 수 있다.여기서, 도 25a에 나타낸 복수의 펄스 출력 회로가 제공된 시프트 레지스터의 타이밍 차트가 도 25b에 예시되어 있다. 도 25b에서, 시프트 레지스터가 주사선 구동 회로인 경우, 기간(61)은 수직 귀선 시간(vertical retrace period)이며, 기간(62)는 게이트 선택 기간임에 유의한다.도 25a에 나타낸 바와 같이, 제2 전원 전위 VCC가 인가되는 게이트를 갖는 제9 트랜지스터(39)가 제공되면 부트스트랩 동작의 전후에 대해, 다음과 같은 이점이 있다는 점에 유의한다.게이트 전극에 제2 전위 VCC가 공급되는 제9 트랜지스터(39)가 없는 경우, 부트스트랩 동작에 의해 노드 A의 전위가 상승하면, 제1 트랜지스터(31)의 제2 단자인 소스의 전위가, 제1 전원 전위 VDD보다 높은 값으로 증가한다. 그 다음, 제1 트랜지스터(31)의 소스가 제1 단자측, 즉, 전원선(51)측으로 스위칭된다. 따라서, 제1 트랜지스터(31)에서, 게이트와 소스 사이, 및 게이트와 드레인 사이에는, 큰 바이어스 전압이 인가되어 큰 스트레스가 걸리므로, 이것은 트랜지스터의 열화를 유발할 수 있다. 게이트 전극에 제2 전원 전위 VCC가 공급되는 제9 트랜지스터(39)가 제공되면, 부트스트랩 동작에 의해 노드 A의 전위가 상승하더라도, 제1 트랜지스터(31)의 제2 단자의 전위 상승을 방지할 수 있다. 즉, 제9 트랜지스터(39)에 의해, 제1 트랜지스터(31)의 게이트와 소스 사이에 인가되는 음의 바이어스 전압이 저감될 수 있다. 따라서, 본 실시예의 회로 구조에서, 제1 트랜지스터(31)의 게이트와 소스 사이에 인가되는 음의 바이어스 전압을 저감시킬 수 있어서, 스트레스에 기인한 제1 트랜지스터(31)의 열화를 억제할 수 있다.제9 트랜지스터(39)가 제1 단자와 제2 단자를 통해 제1 트랜지스터(31)의 제2 단자와 제3 트랜지스터(33)의 게이트 사이에 접속되는 임의의 장소에서 제9 트랜지스터(39)가 제공될 수 있다는 점에 유의한다. 본 실시예에서, 시프트 레지스터가 복수의 펄스 출력 회로를 포함할 때, 주사선 구동 회로보다 많은 단을 갖는 신호선 구동 회로에서는, 제9 트랜지스터(39)를 생략할 수 있어서, 트랜지스터 개수를 줄일 수 있는 이점이 있다.제1 내지 제13 트랜지스터(31 내지 43)의 반도체층으로서 산화물 반도체를 이용할 때, 박막 트랜지스터의 오프 전류를 저감할 수 있고, 온 전류 및 전계 효과 이동도를 높일 수가 있으며, 열화의 정도를 저감할 수가 있어서, 회로 내의 오동작을 저감할 수 있다. 산화물 반도체를 이용하여 형성된 트랜지스터 및 아몰퍼스 실리콘을 이용하여 형성된 트랜지스터와 비교해 볼 때, 게이트 전극에 고전위가 인가되는 것에 의해 트랜지스터의 열화의 정도가 작다. 따라서, 제2 전원 전위 VCC를 공급하는 전원선에 제1 전원 전위 VDD를 공급하더라도 유사한 동작을 얻을 수 있고, 회로들간에 이어지는 전원선의 수를 저감할 수 있다; 따라서, 회로의 크기를 줄일 수 있다.제3 입력 단자(23)로부터 제7 트랜지스터(37)의 게이트 전극에 공급되는 클록 신호와, 제2 입력 단자(22)로부터 제8 트랜지스터(38)의 게이트 전극에 공급되는 클록 신호는, 제2 입력 단자(22)로부터 제7 트랜지스터(37)의 게이트 전극에 공급되는 클록 신호와, 제3 입력 단자(23)로부터 제8 트랜지스터(38)의 게이트 전극에 공급되는 클록 신호와 각각 동일하다. 따라서, 접속관계를 바꾸더라도 이들 신호들은 각각의 신호에 대해 유사한 방식으로 기능한다. 도 25a에 나타낸 시프트 레지스터에서, 제7 트랜지스터(37) 및 제8 트랜지스터(38) 양자 모두가 온인 상태로부터, 제7 트랜지스터(37)가 오프이고 제8 트랜지스터(38)가 온 상태인 다음, 제7 트랜지스터(37)가 오프이고 제8 트랜지스터(38)가 오프인 상태로, 상태가 변한다. 따라서, 노드 B의 전위의 저하는, 제3 입력 단자(23)의 전위 저하에 의한 제7 트랜지스터(37)의 게이트 전극에 인가되는 전위의 저하, 및 제2 입력 단자(22)의 전위 저하에 의한 제8 트랜지스터(38)의 게이트 전극에 인가되는 전위의 저하로 인해, 2회 유발된다. 한편, 도 25a에 나타낸 시프트 레지스터가 도 25b에 나타낸 기간에 따라 동작할 때, 제7 트랜지스터(37) 및 제8 트랜지스터(38) 양자 모두가 온인 상태로부터, 제7 트랜지스터(37)가 온이고 제8 트랜지스터(38)가 오프인 상태 다음, 제7 트랜지스터(37)가 오프이고 제8 트랜지스터(38)가 오프인 상태로, 상태가 변한다. 따라서, 제2 입력 단자(22)의 전위 및 제3 입력 단자(23)의 전위의 저하로 인한 노드 B의 전위 저하의 횟수가, 제8 트랜지스터(38)의 게이트 전극의 전위 저하 때문에, 1회로 저감될 수 있다. 따라서, 클록 신호 CK3가 제3 입력 단자(23)로부터 제7 트랜지스터(37)의 게이트 전극에 공급되고, 클록 신호 CK2가 제2 입력 단자(22)로부터 제8 트랜지스터(38)의 게이트 전극에 공급되는 접속관계가 바람직하다. 이것은, 노드 B의 전위 변동 횟수를 저감함으로써, 노이즈를 저감할 수 있기 때문이다.이런 식으로, 제1 출력 단자(26) 및 제2 출력 단자(27)의 전위를 각각 L 레벨로 유지하는 기간에, 노드 B에 정기적으로 H 레벨의 신호를 공급한다; 따라서, 펄스 출력 회로의 오동작을 억제할 수 있다.본 실시예는, 다른 실시예에서 설명한 구조와 적절하게 조합하여 구현될 수 있다.(실시예 10)박막 트랜지스터가 제조되고, 이 박막 트랜지스터를 화소부와 더 나아가 구동 회로에도 이용하여, 표시 기능을 갖는 반도체 장치(표시 장치라고도 함)를 제조할 수 있다. 또한, 박막 트랜지스터를 이용하여, 화소부와 동일한 기판 위에 구동 회로의 일부 또는 전체를 형성해, 시스템-온-패널을 얻을 수 있다.표시 장치는 표시 소자를 포함한다. 표시 소자로서, 액정 소자(액정 표시 소자라고도 함), 발광 소자(발광 표시 소자라고도 함)를 이용할 수 있다. 발광 소자는, 그 범주에, 전류 또는 전압에 의해 휘도가 제어되는 소자를 포함하며, 구체적으로는, 그 범주에, 무기 EL(electro luminescence), 유기 EL등을 포함한다. 또한, 전자 잉크와 같은, 전기적 효과에 의해 콘트라스트가 변화하는 표시 매체도 이용할 수 있다.또한, 표시 장치는, 표시 소자가 밀봉되어 있는 패널과, 콘트롤러를 포함한 IC 등을 그 패널 위에 탑재한 모듈을 포함한다. 또한, 표시 장치의 제조 과정에서, 표시 소자가 완성되기 이전의 구현예에 대응하는 소자 기판에는, 복수의 화소들 각각의 표시 소자에 전류를 공급하기 위한 수단이 제공된다. 구체적으로는, 소자 기판은, 표시 소자의 화소 전극만이 형성된 상태일 수도 있고, 화소 전극이 되는 도전막을 형성한 이후, 및 도전막을 에칭하여 화소 전극을 형성하기 이전의 상태일 수도 있고, 기타의 상태일 수도 있다.본 명세서에서 표시 장치란, 화상 표시 장치, 표시 장치, 또는 광원(조명 장치 포함)을 의미한다는 점에 유의한다. 또한, 표시 장치는 그 범주 내에 다음과 같은 모듈들을 포함한다: FPC(flexible printed circuit) 또는 TAB(tape automated bonding) 테이프 또는 TCP(tape carrier package)와 같은 커넥터를 포함하는 모듈; TAB 테이프나 TCP의 끝에 인쇄 배선판이 제공된 모듈; 또는 COG(chip on glass) 방식에 의해 집적 회로(IC)가 표시 소자에 직접 탑재된 모듈.반도체 장치의 한 구현예인 액정 표시 패널의 외관 및 단면을, 도 26a 내지 26c를 참조하여 설명한다. 도 26a 및 26b는, 실시예 1 내지 8 중 임의의 실시예에서 설명된 산화물 반도체층을 각각 포함하는 신뢰성이 높은 박막 트랜지스터(4010 및 4011)와 액정 소자(4013)가 밀봉재(4005)를 이용하여 제1 기판(4001)과 제2 기판(4006) 사이에 밀봉되어 있는, 패널의 평면도이다. 도 26c는, 도 26a 및 26b의 라인 M-N을 따라 취해진 단면도이다.제1 기판(4001) 위에 제공된 화소부(4002)와 주사선 구동 회로(4004)를 둘러싸도록, 밀봉재(4005)가 제공되고 있다. 화소부(4002)와 주사선 구동 회로(4004) 위에 제2 기판(4006)이 제공되고 있다. 따라서, 화소부(4002)와 주사선 구동 회로(4004)는, 제1 기판(4001), 밀봉재(4005) 및 제2 기판(4006)에 의해, 액정층(4008)과 함께 밀봉되어 있다. 단결정 반도체막 또는 다결정 반도체막을 이용하여 별도 준비된 기판 위에 형성된 신호선 구동 회로(4003)가, 제1 기판(4001) 위의 밀봉재(4005)에 의해 둘러싸여 있는 영역과는 상이한 영역에 탑재되어 있다.별도 형성된 구동 회로의 접속 방법에는, 특별한 제한이 있는 것은 아니고, COG 방법, 와이어 본딩 방법, TAB 방법 등을 이용할 수 있다는 점에 유의한다. 도 26a는, COG 방법에 의해 신호선 구동 회로(4003)를 탑재하는 예를 나타내며, 도 26b는, TAB 방법에 의해 신호선 구동 회로(4003)를 탑재하는 예를 나타낸다.제1 기판(4001) 위에 제공된 화소부(4002)와 주사선 구동 회로(4004) 각각은, 복수의 박막 트랜지스터를 포함한다. 도 26c는, 화소부(4002)에 포함되는 박막 트랜지스터(4010)와, 주사선 구동 회로(4004)에 포함되는 박막 트랜지스터(4011)를 나타내고 있다. 박막 트랜지스터(4010 및 4011) 위에는, 절연층(4020 및 4021)이 제공되고 있다.실시예 1 내지 8 중 임의의 실시예에 설명된 산화물 반도체층을 포함한 임의의 신뢰성이 높은 박막 트랜지스터를, 박막 트랜지스터(4010 및 4011)로서 사용할 수 있다. 본 실시예에서, 박막 트랜지스터(4010 및 4011)는 n채널형 박막 트랜지스터이다.액정 소자(4013)에 포함된 화소 전극층(4030)은, 박막 트랜지스터(4010)에 전기적으로 접속되고 있다. 액정 소자(4013)의 대향 전극층(4031)은 제2 기판(4006)에 제공되고 있다. 화소 전극층(4030)과 대향 전극층(4031)과 액정층(4008)이 서로 중첩하고 있는 부분이, 액정 소자(4013)에 대응한다. 화소 전극층(4030) 및 대향 전극층(4031)에는 각각 배향막으로서 기능하는 절연층(4032) 및 절연층(4033)이 각각 제공되고, 액정층(4008)은 화소 전극층(4030)과 대향 전극층(4031) 사이에 끼워져 있고, 이들 사이에는 절연층(4032 및 4033)이 개재되어 있다는 점에 유의한다.제1 기판(4001) 및 제2 기판(4006)은, 유리, 금속(대표적으로는, 스텐레스강), 세라믹, 또는 플라스틱을 이용하여 형성될 수 있다는 점에 유의한다. 플라스틱으로서, FRP(fiberglass-reinforced plastics) 판, 폴리비닐 플루라이드(PVF; polyvinyl fluoride) 필름, 폴리에스테르 필름 또는 아크릴 수지 필름을 이용할 수 있다. 또한, PVF 필름들이나 폴리에스테르 필름들 사이에 알루미늄 호일을 끼워 둔 구조의 시트(sheet)를 이용할 수 있다.스페이서(4035)는 절연막을 선택적으로 에칭하여 얻어지는 기둥 모양의 스페이서를 가리키며, 화소 전극층(4030)과 대향 전극층(4031) 사이의 거리(셀 갭)를 제어하기 위해 제공되고 있다. 대안으로서, 구형 스페이서(spherical spacer)를 이용할 수도 있다. 또한, 대향 전극층(4031)은, 박막 트랜지스터(4010)와 동일한 기판 위에 형성된 공통 전위선에 전기적으로 접속된다. 공통 접속부를 이용하여, 한쌍의 기판 사이에 배치된 도전성 입자에 의해, 대향 전극층(4031)과 공통 전위선이 서로 전기적으로 접속될 수 있다. 도전성 입자는 밀봉재(4005)에 포함된다는 점에 유의한다.대안으로서, 배향막이 필요하지 않은 블루상(blue phase)을 나타내는 액정을 이용할 수도 있다. 블루상은 액정상들 중 하나로서, 콜레스테릭 액정의 온도를 상승시키는 동안 콜레스테릭상이 등방상으로 전이되기 직전에 나타나는 상이다. 블루상은 좁은 온도 범위에서만 나타나기 때문에, 온도 범위를 개선하기 위해서 액정층(4008)에 대해 5 중량% 이상의 카이럴제(chiral agent)를 포함하는 액정 조성물이 이용된다. 블루상을 나타내는 액정과 카이럴제를 포함하는 액정 조성물은, 1 msec 이하의 짧은 응답 시간을 가지며, 광학적 등방성을 갖기 때문에, 배향 처리가 불필요하고, 시야각 의존성이 작다.본 발명의 실시예는, 투과형 액정 표시 장치 외에도, 반사형 액정 표시 장치 또는 반투과형 액정 표시 장치에도 적용될 수 있다.또, 기판의 외측(관찰자 측)에 편광판을 제공하고 기판의 내측 표면에 착색층(컬러 필터) 및 표시 소자에 이용하는 전극층을 제공한, 액정 표시 장치의 예가 설명되지만, 편광판은 기판의 내측 표면에 제공될 수도 있다. 편광판과 착색층의 적층 구조는 본 실시예만으로 한정되지 않고, 편광판 및 착색층의 재료와 제조 공정 조건에 따라 적절하게 설정될 수 있다. 또한, 블랙 매트릭스(black matrix)로서 역할하는 차광막을 제공할 수도 있다.박막 트랜지스터의 표면 요철을 저감하기 위하여, 그리고, 박막 트랜지스터의 신뢰성을 향상시키기 위하여, 상기 실시예들 중 임의 실시예에서 얻어진 박막 트랜지스터를, 보호막이나 평탄화 절연막으로서 역할하는 절연층(절연층(4020) 및 절연층(4021))으로 덮는다. 보호막은, 대기중에 부유하는 유기물, 금속, 수증기와 같은 오염 불순물의 침입을 방지하기 위해 제공되며, 치밀한 막이 바람직하다는 점에 유의한다. 보호막은, 스퍼터링법을 이용해, 산화 규소막, 질화 규소막, 산화 질화 규소막, 질화 산화 규소막, 산화 알루미늄막, 질화 알루미늄막, 산화 질화 알루미늄막, 및/또는 질화 산화 알루미늄막의 단층, 또는 적층으로 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 스퍼터링법에 의해 보호막을 형성하는 예가 설명되었지만, 본 발명의 실시예는 이 방법으로만 한정되지 않고, 다양한 방법을 이용할 수 있다.본 실시예에서는, 적층 구조를 갖는 절연층(4020)이 보호막으로서 형성된다. 여기서는, 절연층(4020)의 제1 층으로서 스퍼터링법을 이용해 산화 규소막이 형성된다. 보호막으로서 산화 규소막을 이용하면, 소스 전극층 및 드레인 전극층에 이용되는 알루미늄막의 힐록(hillock) 방지에 효과가 있다.보호막의 제2 층으로서, 절연층이 형성된다. 여기서는, 절연층(4020)의 제2 층으로서 스퍼터링법을 이용해 질화 규소막이 형성된다. 보호막으로서 질화 규소막을 이용하면, 나트륨 이온 등의 이동성 이온(mobile ion)이 반도체 영역에 침입하는 것을 방지하여, TFT의 전기 특성을 변화시키는 것을 억제할 수 있다.또한, 보호막을 형성한 후에, 질소 분위기하 또는 대기 분위기하에서 열 처리(300℃ 이하)를 수행할 수도 있다.평탄화 절연막으로서 절연층(4021)이 형성된다. 절연층(4021)으로서, 폴리이미드, 아크릴, 벤조시크로부텐, 폴리아미드 또는 에폭시 등의, 내열성을 갖는 유기 재료를 이용할 수 있다. 이와 같은 유기 재료 외에도, 저유전율 재료(low-k 재료), 실록산계 수지, PSG(phosphosilicate glass), BPSG(borophosphosilicate glass) 등을 이용하는 것도 가능하다. 이러한 재료로 형성된 복수의 절연막을 적층함으로써 절연층(4021)을 형성할 수도 있다는 점에 유의한다.실록산계 수지는, 출발 재료로서 실록산계 재료를 이용하여 형성된 Si-O-Si 결합을 포함한 수지에 대응한다는 점에 유의한다. 실록산계 수지는, 치환기로서 유기기(예를 들어, 알킬기나 아릴기)나 플루오르기를 포함할 수 있다. 또한, 유기기는 플루오르기를 포함할 수도 있다.절연층(4021)의 형성 방법에 관해서는 특별한 제한이 없고, 그 재료에 따라, 스퍼터링법, SOG법, 스핀 코팅법, 딥 방법, 스프레이 코팅법, 액적 사출법(예를 들어, 잉크젯법, 스크린 인쇄, 오프셋 인쇄(offset printing)등), 닥터 나이프, 롤 코터, 커텐 코터, 나이프 코터 등을 이용할 수 있다. 절연층(4021)의 베이킹 단계가 반도체층의 어닐링을 겸함으로써, 반도체 장치를 효율적으로 제조할 수 있다.화소 전극층(4030) 및 대향 전극층(4031)은, 산화 텅스텐을 포함한 인듐 산화물, 산화 텅스텐을 포함한 인듐 아연 산화물, 산화 티타늄을 포함한 인듐 산화물, 산화 티타늄을 포함한 인듐 주석 산화물, 인듐 주석 산화물(이하, ITO라 언급함), 인듐 아연 산화물, 산화 규소를 첨가한 인듐 주석 산화물 등의 투광성 도전 재료를 이용하여 형성될 수 있다.화소 전극층(4030) 및 대향 전극층(4031)에 대하여, 도전성 고분자(도전성 폴리머라고도 함)를 포함한 도전성 조성물을 이용할 수 있다. 도전성 조성물을 이용해 형성된 화소 전극은, 시트 저항이 단위 면적당 10000Ω 이하, 파장 550 nm에서의 투광율이 70% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 도전성 조성물에 포함된 도전성 고분자의 저항률이 0.1Ω·cm이하인 것이 바람직하다.도전성 고분자로서, 이른바 π-전자 공액(π-electron conjugated) 도전성 고분자를 이용할 수 있다. 예를 들어, 폴리아닐린 또는 그 유도체, 폴리피롤 또는 그 유도체, 폴리치오펜 또는 그 유도체, 또는 이들의 2종 이상의 공중합체 등을 들 수 있다.또한, FPC(4018)로부터, 각종 신호 및 전위가, 별도 형성된 신호선 구동 회로(4003), 주사선 구동 회로(4004), 또는 화소부(4002)에 공급되고 있다.접속 단자 전극(4015)은, 액정 소자(4013)에 포함된 화소 전극층(4030)과 동일한 도전막을 이용하여 형성된다. 단자 전극(4016)은, 박막 트랜지스터(4011)에 포함된 소스 전극층 및 드레인 전극층과 동일한 도전막을 이용하여 형성된다.접속 단자 전극(4015)는, 이방성 도전막(4019)을 통해 FPC(4018)에 포함된 단자에 전기적으로 접속되고 있다.도 26a 내지 26c는, 신호선 구동 회로(4003)가 별도로 형성되어 제1 기판(4001) 위에 탑재된 예를 나타낸다; 그러나, 본 발명은 이 구조만으로 한정되지 않는다. 주사선 구동 회로가 별도로 형성되어 탑재되거나, 신호선 구동 회로의 일부 또는 주사선 구동 회로의 일부만이 별도로 형성되어 탑재될 수도 있다.도 27은, 본 명세서에서 개시된 제조 방법에 따라 제조되는 TFT 기판(2600)을 이용해 반도체 장치로서 액정 표시 모듈을 형성하는 일례를 나타내고 있다.도 27은, TFT 기판(2600)과 대향 기판(2601)이 밀봉재(2602)에 의해 서로 접합되고, 이들 기판들 사이에 TFT등을 포함한 화소부(2603), 액정층을 포함한 표시 소자(2604), 착색층(2605)이 제공되어 표시 영역을 형성하고 있는 액정 표시 모듈의 일례를 나타낸다. 착색층(2605)은 컬러 표시를 수행하는데 필요하다. RGB 시스템에서, 적, 녹, 청에 대응하는 각 착색층이 각 화소에 대해 제공되고 있다. 편광판(2606)은 대향 기판(2601)의 외측에 제공되는 반면, 편광판(2607) 및 확산판(2613)은 TFT 기판(2600)의 외측에 제공된다. 광원은 냉음극관(2610)과 반사판(2611)을 포함하고, 회로 기판(2612)은, 가요성 배선 기판(2609)에 의해 TFT 기판(2600)의 배선 회로부(2608)에 접속되며, 제어 회로나 전원 회로와 같은 외부 회로를 포함한다. 편광판과 액정층이, 그들 사이에 위상차판(retardation plate)을 가진 상태로 적층될 수도 있다.액정 표시 모듈은, TN(Twisted Nematic) 모드, IPS(In-Plane-Switching) 모드, FFS(Fringe Field Switching) 모드, MVA(Multi-domain Vertical Alignment) 모드, PVA(Patterned Vertical Alignment) 모드, ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell) 모드, OCB(Optical Compensated Birefringence) 모드, FLC(Ferroelectric Liquid Crystal) 모드, AFLC(Anti Ferroelectric Liquid Crystal) 모드 등을 이용할 수 있다.이상의 공정에 의해, 반도체 장치로서 신뢰성이 높은 액정 표시 패널을 제조할 수 있다.본 실시예는, 다른 실시예에서 설명한 구조와 적절하게 조합하여 구현될 수 있다.(실시예 11)반도체 장치로서 전자 페이퍼의 예를 설명할 것이다.반도체 장치는, 스위칭 소자에 전기적으로 접속된 소자에 의해 전자 잉크를 구동시키는 전자 페이퍼에 이용될 수 있다. 전자 페이퍼는, 전기영동 표시 장치(전기영동 디스플레이)라고도 불리며, 종이와 같은 수준의 가독성과, 다른 표시 장치들에 비해 낮은 소비 전력을 가지며, 얇고 가볍게 만들 수 있다는 점에서 유리하다.전기영동 디스플레이는, 다양한 형태를 가질 수 있다. 전기영동 디스플레이는, 용매 또는 용질에 분산된 복수의 마이크로캡슐을 포함하고, 각각의 마이크로캡슐은, 양으로 대전된 제1 입자와 음으로 대전된 제2 입자를 포함한다. 마이크로캡슐에 전계를 인가함으로써, 마이크로캡슐 내의 입자들이 서로 반대 방향으로 이동하고, 한측에 집합한 입자들의 색상만이 표시된다. 제1 입자 또는 제2 입자 각각이 색소를 포함하고, 전계가 없다면 이동하지 않는다는 점에 유의한다. 게다가, 제1 입자와 제2 입자는 상이한 색상(무색을 포함)을 가진다.따라서, 전기영동 디스플레이는, 높은 유전 상수를 갖는 물질이 높은 전계 영역쪽으로 이동하는 소위 유전체전기영동 효과(dielectrophoretic effect)를 이용하는 디스플레이이다. 전기영동 디스플레이 장치는, 액정 표시 장치에서 요구되는 편광판을 사용할 필요가 없다.상기 마이크로캡슐을 용매에 분산시킨 용액을 전자 잉크라 부른다. 이 전자 잉크는, 유리, 플라스틱, 옷감, 종이 등의 표면에 인쇄될 수 있다. 또한, 컬러 필터, 또는 색소를 갖는 입자를 이용함으로써, 컬러 표시도 가능하다.또한, 액티브 매트릭스 기판 위에서 2개의 전극의 사이에 개재되도록 상기 복수의 마이크로캡슐을 적절하게 배치하면, 액티브 매트릭스 표시 장치가 완성되고, 마이크로캡슐에 전계를 인가하여 표시를 수행할 수가 있다. 예를 들어, 실시예 1 내지 8 중 임의의 실시예에 설명된 박막 트랜지스터에 의해 얻어진 액티브 매트릭스 기판을 이용할 수가 있다.마이크로캡슐 내의 제1 입자 및 제2 입자는 각각, 도전체 재료, 절연체 재료, 반도체 재료, 자성 재료, 액정 재료, 강유전성 재료, 전자발광 재료, 전기변색 재료, 자기영동 재료로부터 선택된 하나의 재료, 또는 이들 중 임의의 재료들로 된 복합 재료로 형성될 수 있다는 점에 유의한다.도 28은, 반도체 장치의 예로서 액티브 매트릭스 전자 페이퍼를 나타낸다. 반도체 장치에 이용되는 박막 트랜지스터(581)는, 산화물 반도체층을 포함한 신뢰성이 높은 박막 트랜지스터인, 실시예1 내지 8 중 임의의 실시예에 설명된 박막 트랜지스터와 유사한 방식으로 형성될 수 있다.도 28의 전자 페이퍼는, 트위스트 볼 표시 시스템(twisting ball display system)을 이용한 표시 장치의 예이다. 트위스트 볼 표시 시스템이란, 표시 소자에 이용되는 전극층들인 제1 전극층과 제2 전극층 사이에 흰색과 흑색으로 착색된 구형 입자들을 배치하고, 제1 전극층과 제2 전극층 사이에 전위차를 생성해 구형 입자의 방향을 제어하여 표시를 수행하는 방법을 말한다.기판(580) 위에 형성된 박막 트랜지스터(581)는 바텀 게이트 박막 트랜지스터이며, 반도체층과 접하는 절연막(583)으로 덮여져 있다. 박막 트랜지스터(581)의 소스 전극층 또는 드레인 전극층은, 절연층(585)에 형성된 개구에서 제1 전극층(587)과 접해 있어, 박막 트랜지스터(581)는 제1 전극층(587)에 전기적으로 접속되고 있다. 기판(596) 위의 제1 전극층(587)과 제2 전극층(588) 사이에는, 구형 입자(589)가 제공된다. 각 구형 입자(589)는, 흑색 영역(590a), 백색 영역(590b), 및 이들 영역 주위의 액체로 채워진 공동(cavity)(594)을 포함한다. 구형 입자(589)의 주위는 수지 등의 충전재(595)로 채워지고 있다. 제1 전극층(587)은 화소 전극에 대응하고, 제2 전극층(588)은 공통 전극에 대응한다. 제2 전극층(588)은, 박막 트랜지스터(581)와 동일한 기판(580) 위에 제공된 공통 전위선에 전기적으로 접속된다. 공통 접속부를 이용해, 제2 전극층(588)은, 기판(580)과 기판(596) 사이에 제공된 도전성 입자를 통해 공통 전위선에 전기적으로 접속될 수 있다.또, 트위스트 볼 대신에, 전기영동 소자를 이용할 수도 있다. 투명한 액체와, 양으로 대전된 흰색 미립자와, 음으로 대전된 흑색 미립자를 봉입한 직경이 약 10μm 내지 200μm인 마이크로캡슐이 이용된다. 제1 전극층과 제2 전극층 사이에 제공되는 마이크로캡슐에서, 제1 전극층과 제2 전극층에 의해 전계가 인가될 때, 흰색 미립자와 흑색 미립자가 반대 방향으로 이동해, 흰색 또는 흑색을 표시할 수가 있다. 이 원리를 이용한 표시 소자가 전기영동 표시 소자이며, 일반적으로 전자 페이퍼라고 불리고 있다. 전기영동 표시 소자는, 액정 표시 소자에 비해 높은 반사율을 갖기 때문에, 보조 라이트가 불필요하고, 소비 전력이 작으며, 어두운 장소에서도 표시부를 인식할 수 있다. 또한, 표시부에 전원이 공급되지 않는 때에도, 한 번 표시된 상이 유지될 수 있다. 따라서, 표시 기능을 갖는 반도체 장치(간단히, 표시 장치, 또는 표시 장치를 구비한 반도체 장치라고도 함)가 전파 발신원으로부터 멀리 있더라도, 표시된 상이 보존될 수 있다.이상의 공정에 의해, 반도체 장치로서 신뢰성이 높은 전자 페이퍼가 제조될 수 있다.본 실시예는, 다른 실시예에서 설명한 구조와 적절하게 조합하여 구현될 수 있다.(실시예 12)반도체 장치로서 발광 표시 장치의 예를 설명할 것이다. 표시 장치에 포함된 표시 소자로서, 여기서는 전계발광(electroluminescence)을 이용하는 발광 소자를 설명한다. 전계발광을 이용하는 발광 소자는, 발광 재료가 유기 화합물인지 또는 무기 화합물인지에 따라 분류된다. 일반적으로, 전자는 유기 EL 소자라 불리고, 후자는 무기 EL 소자라 불린다.유기 EL 소자에서, 발광 소자에 전압을 인가함으로써, 한 쌍의 전극으로부터 발광 유기 화합물을 포함하는 층 내로 전자 및 정공이 주입되어, 전류가 흐른다. 캐리어들(전자 및 정공)이 재결합함으로써, 발광 유기 화합물이 여기된다. 발광 유기 화합물이 여기 상태로부터 기저 상태로 돌아옴으로써, 발광한다. 이러한 메카니즘에 기초하여, 이러한 발광 소자는, 전류 여기형 발광 소자라 불린다.무기 EL 소자는, 그 소자 구조에 따라 분산형 무기 EL 소자와 박막형 무기 EL소자로 분류된다. 분산형 무기 EL 소자는, 발광 재료의 입자를 바인더(binder) 내에 분산시킨 발광층을 가지며, 그 발광 메카니즘은 도너 준위와 억셉터-준위를 이용하는 도너-억셉터-재결합형 발광이다. 박막형 무기 EL 소자는, 유전체층들 사이에 발광층을 끼우고, 이것을 전극들 사이에 더 끼운 구조를 가지며, 그 발광 메카니즘은 금속 이온들의 내측-쉘 전자 천이를 이용하는 국부형 발광이다. 여기서는 발광 소자로서 유기 EL 소자의 예를 설명한다는 점에 유의한다.도 29는, 반도체 장치의 예로서, 디지털 시간 계조 구동을 적용할 수 있는 화소 구조의 예를 나타낸다.디지털 시간 계조 구동이 적용될 수 있는 화소의 구조 및 동작을 설명한다. 여기서는, 하나의 화소가 2개의 n채널형의 트랜지스터를 포함하고, 각 트랜지스터는 채널 형성 영역으로서 산화물 반도체층을 포함한다.화소(6400)는, 스위칭용 트랜지스터(6401), 발광 소자 구동용 트랜지스터(6402), 발광 소자(6404), 및 커패시터(6403)를 포함한다. 스위칭용 트랜지스터(6401)의 게이트는 주사선(6406)에 접속되고, 스위칭용 트랜지스터(6401)의 제1 전극(소스 전극 및 드레인 전극 중 하나)은 신호선(6405)에 접속되며, 스위칭용 트랜지스터(6401)의 제2 전극(소스 전극 및 드레인 전극 중 다른 하나)은 발광 소자 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트에 접속되고 있다. 발광 소자 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트는 커패시터(6403)를 통해 전원선(6407)에 접속되고, 발광 소자 구동용 트랜지스터(6402)의 제1 전극은 전원선(6407)에 접속되며, 발광 소자 구동용 트랜지스터(6402)의 제2 전극은 발광 소자(6404)의 제1 전극(화소 전극)에 접속되어 있다. 발광 소자(6404)의 제2 전극은 공통 전극(6408)에 대응한다. 공통 전극(6408)은, 동일한 기판 위에 제공된 공통 전위선에 전기적으로 접속된다.발광 소자(6404)의 제2 전극(공통 전극 6408)은 저전원 전위로 설정되어 있다. 저전원 전위란, 전원선(6407)에 설정된 고전원 전위를 기준으로 하여, 저전원 전위 003c# 상기 고전원 전위를 충족하는 전위임에 유의한다. 저전원 전위로서는, 예를 들어 GND, 0 V 등이 이용될 수 있다. 고전원 전위와 저전원 전위 사이의 전위차가 발광 소자(6404)에 인가되어, 발광 소자(6404)에 전류가 공급되어 발광 소자(6404)가 발광된다. 여기서, 발광 소자(6404)가 발광하도록 하기 위하여, 고전원 전위와 저전원 전위 사이의 전위차가 발광 소자(6404)의 순방향 임계 전압 이상이 되도록 각각의 전위가 설정된다.커패시터(6403) 대신에 발광 소자 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트 커패시턴스를 이용하면, 커패시터(6403)를 생략할 수 있다. 채널 형성 영역과 게이트 전극 사이에 발광 소자 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트 커패시턴스가 형성될 수도 있다.전압-입력 전압 구동 방법의 경우, 발광 소자 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트에는 비디오 신호가 입력되어, 발광 소자 구동용 트랜지스터(6402)가 충분히 온으로 되든지 또는 오프로 되든지의 2개 상태중 어느 하나가 된다. 즉, 발광 소자 구동용 트랜지스터(6402)는 선형 영역에서 동작한다. 발광 소자 구동용 트랜지스터(6402)는 선형 영역에서 동작하기 때문에, 전원선(6407)의 전압보다 높은 전압이 발광 소자 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트에 인가된다. 신호선(6405)에는, (전원선 전압＋발광 소자 구동용 트랜지스터(6402)의 Vth) 이상의 전압이 인가된다는 점에 유의한다.디지털 시간 계조 구동 대신에 아날로그 계조 구동을 수행하는 경우, 입력 신호를 변경함으로써, 도 29에서와 동일한 화소 구조가 이용될 수 있다.아날로그 계조 구동을 수행하는 경우, 발광 소자 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트에는, (발광 소자(6404)의 순방향 전압＋발광 소자 구동용 트랜지스터(6402)의 Vth) 이상의 전압이 인가된다. 발광 소자(6404)의 순방향 전압이란 소망 휘도를 달성하는 전압을 말하며, 적어도 순방향 임계 전압을 포함한다. 발광 소자 구동용 트랜지스터(6402)가 포화 영역에서 동작하는 것을 가능하게 하는 비디오 신호를 입력함으로써, 발광 소자(6404)에 전류를 공급할 수 있다. 발광 소자 구동용 트랜지스터(6402)가 포화 영역에서 동작할 수 있도록 하기 위해, 전원선(6407)의 전위는, 발광 소자 구동용 트랜지스터(6402)의 게이트 전위보다 높다. 아날로그 비디오 신호를 이용할 때, 비디오 신호에 따라 발광 소자(6404)에 전류를 공급하여 아날로그 계조 구동을 수행하는 것이 가능하다.본 발명의 실시예는 도 29에 나타낸 화소 구조만으로 제한되지 않는다는 점에 유의한다. 예를 들어, 도 29에 나타낸 화소에, 스위치, 저항, 커패시터, 트랜지스터 또는 논리 회로 등을 추가할 수도 있다.그 다음, 발광 소자의 구조가 도 30a 내지 30c를 참조하여 설명된다. n채널 발광 소자 구동용 TFT를 예로 들어, 화소의 단면 구조를 설명한다. 각각 도 30a, 30b, 및 30c에 도시된 반도체 장치에 이용되는 발광 소자 구동용 TFT(7001, 7011, 및 7021)는, 실시예 1 내지 8 중 임의의 실시예에 설명된 박막 트랜지스터와 유사한 방식으로 형성되어 화소에 배치될 수 있으며, 각각이 산화물 반도체층을 포함한 신뢰성이 높은 박막 트랜지스터이다.발광 소자로부터 방출된 광을 추출하기 위하여, 애노드(anode)와 캐소드(cathode) 중 적어도 하나가 광을 투과시킬 것이 요구된다. 기판 위에 박막 트랜지스터 및 발광 소자가 형성된다. 발광 소자는, 기판의 반대 면을 통해 광을 추출하는 전면 발광 구조나; 기판측의 면을 통해 광을 추출하는 배면 발광 구조나; 기판측 및 기판과는 반대측의 면을 통해 광을 추출하는 양면 발광 구조를 가질 수 있다. 화소 구조는, 이들 발광 구조들 중 임의의 구조를 갖는 발광 소자에 적용될 수 있다.도 30a를 참조하여 전면 발광 구조를 갖는 발광 소자를 설명한다.도 30a는, 발광 소자 구동용 TFT(7001)가 n형이고 발광 소자(7002)로부터 애노드(7005) 측으로 광이 방출되는 경우의 화소의 단면도이다. 도 30a에서, 발광 소자(7002)의 캐소드(7003)는 발광 소자 구동용 TFT(7001)에 전기적으로 접속되고, 발광층(7004) 및 애노드(7005)가 이 순서로 캐소드(7003) 위에 적층되어 있다. 캐소드(7003)는, 일 함수가 작고 광을 반사하는 다양한 도전 재료를 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 바람직하게는 Ca, Al, MgAg, AlLi 등이 사용된다. 발광층(7004)은, 단일 층 또는 적층된 복수의 층을 이용하여 형성할 수 있다. 복수의 층을 이용하여 발광층(7004)이 형성되는 경우, 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 홀 수송층, 홀 주입층을 이 순서대로 캐소드(7003) 위에 적층함으로써 발광층(7004)이 형성된다. 그러나, 이러한 층들을 모두 형성할 필요는 없다. 애노드(7005)는, 산화 텅스텐을 포함한 인듐 산화물막, 산화 텅스텐을 포함한 인듐 아연 산화물막, 산화 티타늄을 포함한 인듐 산화물막, 산화 티타늄을 포함한 인듐 주석 산화물막, 인듐 주석 산화물(이하, ITO라 언급됨)막, 인듐 아연 산화물, 산화 규소를 첨가한 인듐 주석 산화물 등의 투광성 도전 재료로 형성된다.캐소드(7003)의 일부를 덮도록 격벽(7009)이 제공된다. 격벽(7009)은, 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 에폭시 등의 유기 수지막, 무기 절연막, 또는 유기 폴리실록산을 이용해 형성된다. 특히 격벽(7009)은, 격벽(7009)의 측면이 연속 곡률을 갖는 경사진 면으로서 형성되도록 하여, 감광성 수지 재료를 이용해 형성되는 것이 바람직하다. 격벽(7009)이 감광성 수지 재료를 이용하여 형성될 때, 레지스트 마스크를 형성하는 단계는 생략할 수 있다.발광 소자(7002)는, 캐소드(7003)와 애노드(7005) 사이에 발광층(7004)이 끼워져 있는 영역에 대응한다. 도 30a에 나타낸 화소의 경우, 화살표로 표시된 바와 같이 발광 소자(7002)로부터 애노드(7005) 측으로 광이 방출된다.그 다음, 배면 발광 구조를 갖는 발광 소자를 도 30b를 참조하여 설명한다. 도 30b는, 발광 소자 구동용 TFT(7011)가 n채널형 트랜지스터이고 발광 소자(7012)로부터 캐소드(7013) 측으로 광이 방출되는 경우의 화소의 단면도이다. 도 30b에서, 발광 소자 구동용 TFT(7011)에 전기적으로 접속된 투광성 도전막(7017) 위에, 발광 소자(7012)의 캐소드(7013)가 형성되고, 발광층(7014) 및 애노드(7015)는 이 순서대로 캐소드(7013) 위에 적층되고 있다. 애노드(7015)가 투광성을 가질 때 애노드(7015)를 덮도록 광을 반사 또는 차단하기 위한 차광막(7016)이 형성될 수 있다. 캐소드(7013)의 경우, 일 함수가 작은 도전성 재료라면, 도 30a의 경우와 같이 다양한 재료를 이용할 수 있다. 캐소드(7013)는, 광을 투과시킬 수 있는 두께(바람직하게는, 약 5 nm 내지 30 nm정도)로 형성된다. 예를 들어, 20 nm의 두께를 갖는 알루미늄막을 캐소드(7013)로서 이용할 수 있다. 도 30a의 경우와 유사하게, 발광층(7014)은 단일층을 이용하여 형성하거나 또는 복수의 층을 적층하여 형성할 수도 있다. 애노드(7015)는 광을 투과시킬 필요는 없지만, 도 30a의 경우에서와 같이, 가시광에 대해 투광성을 갖는 도전 재료를 이용해 형성할 수 있다. 차광막(7016)으로서, 광을 반사하는 금속등을 이용할 수가 있다; 그러나, 금속막으로만 한정되지 않는다. 예를 들어, 흑색의 색소를 첨가한 수지 등을 이용할 수도 있다.도전막(7017)의 일부를 덮도록 격벽(7019)이 제공된다. 격벽(7019)은, 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 에폭시 등의 유기 수지막, 무기 절연막, 또는 유기 폴리실록산을 이용해 형성된다. 특히 격벽(7019)은, 격벽(7019)의 측면이 연속 곡률을 갖는 경사진 면으로서 형성되도록 하여, 감광성 수지 재료를 이용해 형성되는 것이 바람직하다. 격벽(7019)이 감광성 수지 재료를 이용하여 형성될 때, 레지스트 마스크를 형성하는 단계는 생략할 수 있다.발광 소자(7012)는, 캐소드(7013)와 애노드(7015) 사이에 발광층(7014)이 끼워져 있는 영역에 대응한다. 도 30b에 나타낸 화소의 경우, 화살표로 표시된 바와 같이 발광 소자(7012)로부터 캐소드(7013) 측으로 광이 방출된다.그 다음, 양면 발광 구조를 갖는 발광 소자를, 도 30c를 참조하여 설명한다. 도 30c에서, 발광 소자 구동용 TFT(7021)에 전기적으로 접속된 투광성 도전막(7027) 위에, 발광 소자(7022)의 캐소드(7023)가 형성되고, 발광층(7024) 및 애노드(7025)가 순차적으로 캐소드(7023) 위에 적층되고 있다. 캐소드(7023)의 경우, 일 함수가 작은 도전성 재료라면, 도 30a의 경우와 같이 다양한 재료를 이용할 수 있다. 캐소드(7023)는, 광을 투과시킬 수 있는 두께로 형성된다. 예를 들어, 20 nm의 두께를 갖는 Al막을 캐소드(7023)로서 이용할 수 있다. 도 30a에서와 같이, 발광층(7024)은 단일층을 이용하여 형성되거나 또는 복수의 층을 적층하여 형성될 수 있다. 도 30a와 유사한 방식으로, 애노드(7025)는 투광성 도전 재료를 이용하여 형성될 수 있다.도전막(7027)의 일부를 덮도록 격벽(7029)이 제공된다. 격벽(7029)은, 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 에폭시 등의 유기 수지막, 무기 절연막, 또는 유기 폴리실록산을 이용해 형성된다. 특히 격벽(7029)은, 격벽(7029)의 측면이 연속 곡률을 갖는 경사진 면으로서 형성되도록 하여, 감광성 수지 재료를 이용해 형성되는 것이 바람직하다. 격벽(7029)이 감광성 수지 재료를 이용하여 형성될 때, 레지스트 마스크를 형성하는 단계는 생략할 수 있다.발광 소자(7022)는, 캐소드(7023), 발광층(7024), 및 애노드(7025)가 서로 중첩하고 있는 영역에 대응한다. 도 30c에 도시된 화소의 경우, 화살표로 표시된 바와 같이 발광 소자(7022)로부터 애노드(7025) 및 캐소드(7023) 측으로 광이 방출된다.비록 여기서는 발광 소자로서 유기 EL 소자를 설명하였지만, 발광 소자로서 무기 EL 소자를 제공할 수도 있다.발광 소자의 구동을 제어하는 박막 트랜지스터(발광 소자 구동용 TFT)가 발광 소자에 전기적으로 접속되어 있는 예를 설명하였다; 그러나, 발광 소자 구동용 TFT와 발광 소자 사이에 전류 제어용 TFT가 접속되어 있는 구조를 이용할 수도 있다는 점에 유의한다.반도체 장치의 구조는 도 30a 내지 30c에 도시된 구조만으로 제한되는 것은 아니고, 본 명세서에 개시된 기술에 기초하여 다양한 방식으로 변형될 수 있다는 점에 유의한다.그 다음, 반도체 장치의 한 형태에 대응하는 발광 표시 패널(발광 패널이라고도 함)의 외관 및 단면을, 도 31a 및 31b를 참조하여 설명한다. 도 31a는, 제1 기판 위에 형성된 박막 트랜지스터 및 발광소자가, 밀봉재에 의해 제1 기판과 제2 기판 사이에서 밀봉되어 있는, 패널의 상면도이다. 도 31b는 도 31a의 라인 H-I를 따라 취해진 단면도이다.제1 기판(4501) 위에 제공된 화소부(4502), 신호선 구동 회로(4503a 및 4503b), 및 주사선 구동 회로(4504a 및 4504b)를 둘러싸도록, 밀봉재(4505)가 제공되고 있다. 또한, 화소부(4502), 신호선 구동 회로(4503a 및 4503b), 및 주사선 구동 회로(4504a 및 4504b) 위에, 제2 기판(4506)이 제공되고 있다. 따라서, 화소부(4502), 신호선 구동 회로(4503a 및 4503b), 및 주사선 구동 회로(4504a 및 4504b)는, 제1 기판(4501), 밀봉재(4505), 및 제2 기판(4506)에 의해, 충전재(4507)와 함께 밀봉되고 있다. 이런 식으로, 패널이 외부 대기에 노출되지 않도록 기밀성이 높고 탈가스가 적은 보호 필름(라미네이트 필름, 자외선 경화 수지 필름 등)이나 커버재로 패널을 패키징(밀봉)하는 것이 바람직하다.제1 기판(4501) 위에 제공된 화소부(4502), 신호선 구동 회로(4503a 및 4503b), 및 주사선 구동 회로(4504a 및 4504b)는 각각, 복수의 박막 트랜지스터를 포함하며, 화소부(4502)에 포함된 박막 트랜지스터(4510)와 신호선 구동 회로(4503a)에 포함된 박막 트랜지스터(4509)가 도 31b에 예로서 도시되어 있다.박막 트랜지스터(4509 및 4510)를 위해, 실시예 1 내지 8 중 임의의 실시예에 설명된 산화물 반도체층을 포함한 신뢰성이 높은 박막 트랜지스터가 이용될 수 있다. 박막 트랜지스터(4509 및 4510)는 n채널형 박막 트랜지스터이다.게다가, 참조 번호(4511)는 발광 소자를 가리킨다. 발광 소자(4511)에 포함된 화소 전극인 제1 전극층(4517)은, 박막 트랜지스터(4510)의 소스 전극층 또는 드레인 전극층에 전기적으로 접속되고 있다. 발광 소자(4511)의 구조는, 제1 전극층(4517), 전계발광층(4512), 및 제2 전극층(4513)을 포함하는 적층 구조이지만, 이것으로만 한정되지 않는다는 점에 유의한다. 발광 소자(4511)로부터 광이 추출되는 방향 등에 따라, 발광 소자(4511)의 구조는 적절하게 변경될 수 있다.격벽(4520)은, 유기 수지막, 무기 절연막 또는 유기 폴리실록산을 이용해 형성된다. 감광성 재료를 이용해 격벽(4520)을 형성하고 제1 전극층(4517) 위에 개구부를 형성하여, 그 개구부의 측벽이 연속한 곡률을 갖는 경사면으로서 형성되도록 하는 것이 바람직하다.전계발광층(4512)은, 단일 층 또는 적층된 복수의 층을 이용하여 형성될 수 있다.발광 소자(4511) 내에 산소, 수소, 수분, 이산화탄소 등이 침입하지 않도록 하기 위해, 제2 전극층(4513) 및 격벽(4520) 위에 보호막을 형성할 수도 있다. 보호막으로서는, 질화 규소막, 질화 산화 규소막, DLC막 등을 형성할 수 있다.또한, 신호선 구동 회로(4503a 및 4503b), 주사선 구동 회로(4504a 및 4504b), 또는 화소부(4502)에 공급되는 각종 신호 및 전위가, FPC(4518a 및 4518b)로부터 공급되고 있다.접속 단자 전극(4515)은, 발광 소자(4511)에 포함된 제1 전극층(4517)과 동일한 도전막을 이용하여 형성되고, 단자 전극(4516)은, 박막 트랜지스터(4509)에 포함된 소스 전극층 및 드레인 전극층과 동일한 도전막을 이용하여 형성된다.접속 단자 전극(4515)는, 이방성 도전막(4519)을 통해 FPC(4518a)에 포함된 단자에 전기적으로 접속되고 있다.발광 소자(4511)로부터 광이 추출되는 방향에 위치하는 제2 기판(4506)은 투광성을 가질 필요가 있다. 그 경우, 유리판, 플라스틱판, 폴리에스테르 필름 또는 아크릴 필름 등의 투광성 재료가 제2 기판(4506)에 사용된다.또, 충전재(4507)로서, 질소나 아르곤 등의 불활성 가스 외에도, 자외선 경화 수지 또는 열경화 수지를 이용할 수 있다. 예를 들어, PVC(폴리비닐 클로라이드), 아크릴, 폴리이미드, 에폭시 수지, 실리콘 수지, PVB(폴리비닐 부티랄) 또는 EVA(에틸렌 비닐 아세테이트)를 이용할 수 있다. 예를 들어, 충전재(4507)로서 질소가 이용될 수 있다.또한, 필요하다면, 편광판, 또는 원 편광판(타원 편광판을 포함), 위상차판(1/4파장 판 또는 1/2파장 판), 또는 컬러 필터와 같은 광학 필름이 발광 소자의 발광면 위에 적절하게 제공될 수도 있다. 또한, 편광판 또는 원 편광판에 반사 방지막을 제공할 수도 있다. 예를 들어, 표면 상의 요철에 의해 반사광이 확산되어 눈부심을 저감할 수 있는 안티-글래어 처리(anti-glare treatment)를 수행할 수 있다.신호선 구동 회로(4503a 및 4503b) 및 주사선 구동 회로(4504a 및 4504b)는, 별도 준비된 기판 위에 단결정 반도체막 또는 다결정 반도체막을 이용하여 형성된 구동 회로로서 탑재될 수 있다. 대안으로서, 신호선 구동 회로 단독 또는 그 일부, 또는 주사선 구동 회로 단독 또는 그 일부만이 별도로 형성되어 탑재될 수 있다. 본 실시예는 도 31a 및 31b에 나타낸 구조만으로 한정되지 않는다.이러한 공정에 의해, 반도체 장치로서 신뢰성이 높은 발광 표시 장치(디스플레이 패널)를 제조할 수 있다.본 실시예는, 다른 실시예에서 설명한 구조와 적절하게 조합하여 구현될 수 있다.(실시예 13)본 명세서에서 개시하는 반도체 장치는 전자 페이퍼에 적용될 수 있다. 전자 페이퍼는, 데이터를 표시할 수 있는 것이라면 다양한 분야의 전자 장치에 이용될 수 있다. 예를 들어, 전자 페이퍼는, 전자 서적(전자 북) 리더, 포스터, 전철등의 탈 것의 차내 광고, 신용 카드 등의 각종 카드의 표시 등에 적용될 수 있다. 전자 기기의 예를 도 32에 나타낸다.도 32는, 전자 서적 리더(2700)의 일례를 나타낸다. 예를 들어, 전자 서적 리더(2700)는, 2개의 하우징, 하우징(2701) 및 하우징(2703)을 포함한다. 하우징(2701) 및 하우징(2703)은 경첩(2711)에 의해 결합되어, 전자 서적 리더(2700)가 경첩(2711)을 축으로 하여 개폐될 수 있다. 이와 같은 구조에 의해, 전자 서적 리더(2700)가 종이 서적처럼 동작할 수 있다.표시부(2705) 및 표시부(2707)는, 각각 하우징(2701) 및 하우징(2703)에 병합된다. 표시부(2705) 및 표시부(2707)는 하나의 화상 또는 상이한 화상을 표시할 수 있다. 표시부(2705) 및 표시부(2707)가 상이한 화상을 표시하는 경우, 예를 들어, 우측의 표시부(도 32에서는 표시부(2705))는 텍스트를 표시하고, 좌측의 표시부(도 32에서는 표시부(2707))는 그래픽을 표시할 수 있다.도 32는, 하우징(2701)에 조작부 등이 제공되어 있는 예를 나타내고 있다. 예를 들어, 하우징(2701)에는 전원 스위치(2721), 조작 키(2723), 스피커(2725) 등이 제공되고 있다. 조작 키(2723)에 의해, 페이지를 넘길 수 있다. 하우징의 표시부와 동일한 면에는, 키보드, 포인팅 장치 등도 역시 제공될 수 있다는 점에 주목한다. 또한, 하우징의 이면이나 측면에, 외부 접속용 단자(이어폰 단자, USB 단자, 또는 AC 어댑터 및 USB 케이블 등의 각종 케이블에 접속가능한 단자 등), 기록 매체 삽입부 등이 제공될 수도 있다. 게다가, 전자 서적 리더(2700)는 전자 사전의 기능을 가질 수도 있다.전자 서적 리더(2700)는, 무선으로 데이터를 송수신 할 수 있는 구조를 가질 수도 있다. 무선 통신을 통해, 전자 서적 서버로부터 원하는 서적 데이터등을 구입해, 다운로드할 수 있다.(실시예 14)본 명세서에서 개시하는 반도체 장치는 (게임기를 포함한) 다양한 전자 장치에 적용될 수 있다. 전자 장치의 예로서는, 텔레비젼 세트(텔레비젼 또는 텔레비젼 수신기라고도 함), 컴퓨터용 등의 모니터, 디지털 카메라나 디지털 비디오 카메라와 같은 카메라, 디지털 포토 프레임, 휴대 전화기(휴대 전화, 휴대 전화 장치라고도 함), 휴대형 게임기, 휴대 정보 단말기, 오디오 재생 장치, 파칭코기 등과 같은 대형 게임기등이 포함된다.도 33a는, 텔레비젼 세트(9600)의 일례를 나타내고 있다. 텔레비젼 세트(9600)에서, 표시부(9603)는 하우징(9601) 내에 병합된다. 표시부(9603)는 화상을 표시할 수 있다. 여기서, 하우징(9601)은 스탠드(9605)에 의해 지지된다.텔레비젼 세트(9600)는, 하우징(9601)의 조작 스위치 또는 별개의 리모콘(9610)에 의해 작동될 수 있다. 리모콘(9610)의 조작 키(9609)에 의해 채널이나 음량을 제어하여 표시부(9603)에 표시되는 영상을 제어할 수 있다. 또한, 리모콘(9610)에는, 리모콘(9610)으로부터 출력되는 데이터를 표시하기 위한 표시부(9607)가 제공될 수 있다.텔레비젼 세트(9600)에는, 수신기, 모뎀 등이 제공될 수 있다는 점에 주목한다. 수신기를 사용하여, 일반적인 텔레비젼 방송을 수신할 수 있다. 또한, 텔레비젼 세트(9600)가 모뎀을 통해 유선 또는 무선에 의해 통신 네트워크에 접속될 때, 단방향(송신자로부터 수신자) 또는 쌍방향(송신자와 수신자간, 또한 수신자들간 등)의 데이터 통신이 수행될 수 있다.도 33b는, 디지털 포토 프레임(9700)의 일례를 나타내고 있다. 예를 들어, 디지털 포토 프레임(9700)에서, 표시부(9703)는 하우징(9701) 내에 병합된다. 표시부(9703)는 다양한 화상을 표시할 수 있다. 예를 들어, 표시부(9703)는 디지털 카메라등으로 촬영한 화상 데이터를 표시하며, 통상의 사진 프레임으로서 기능할 수가 있다.디지털 포토 프레임(9700)에는, 조작부, 외부 접속부(USB 단자, USB 케이블과 같은 다양한 케이블에 접속 가능한 단자 등), 기록 매체 삽입부 등이 제공된다는 점에 유의한다. 비록 이러한 구성들은, 표시부가 제공되는 면 위에 제공될 수 있지만, 디지털 포토 프레임(9700)의 설계를 위해 측면이나 배면에 제공하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 디지털 카메라로 촬영한 화상 데이터를 저장하는 메모리를 디지털 포토 프레임의 기록 매체 삽입부 내에 삽입함으로써, 화상 데이터를 전송하여 표시부(9703)에 표시할 수 있다.디지털 포토 프레임(9700)은, 무선으로 정보를 송수신할 수도 있다. 원하는 화상 데이터를 무선으로 전송하여 표시하는 구조를 이용할 수도 있다.도 34a는, 2개의 하우징, 하우징(9881) 및 하우징(9891)을 포함하는 휴대형 오락 기기이다. 하우징(9881) 및 하우징(9891)은 개폐될 수 있도록 접속부(9893)에 접속된다. 표시부(9882) 및 표시부(9883)는 각각 하우징(9881) 및 하우징(9891)에 병합된다. 또한, 도 34a에 도시된 휴대형 오락 기기는, 스피커부(9884), 기록 매체 삽입부(9886), LED 램프(9890), 입력 수단(조작 키(9885), 접속 단자(9887), 센서(9888)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 광,액, 자기, 온도, 화학물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경도, 진동, 향기나 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 센서), 마이크로폰(9889) 등을 포함한다. 물론, 휴대형 오락 기기의 구조는 전술된 것만으로 한정되지 않으며, 적어도 본 명세서에 개시된 반도체 장치를 갖춘 다른 구조도 이용할 수 있다. 휴대형 오락 기기는 적절하다면 다른 부속 장비를 포함할 수도 있다. 도 34a에 도시된 휴대형 오락 기기는, 기록 매체에 저장된 프로그램 또는 데이터를 판독하여 표시부에 표시하는 기능이나, 무선 통신에 의해 다른 휴대형 오락 기기와 정보를 공유하는 기능을 가진다. 도 34a에 도시된 휴대형 오락 기기는, 전술된 것으로만 제한되지 않고 다양한 기능을 가질 수 있다.도 34b는, 대형 오락 기기인 슬롯 머신(9900)의 일례를 나타내고 있다. 슬롯 머신(9900)에서, 표시부(9903)는 하우징(9901) 내에 병합된다. 또한, 슬롯 머신(9900)은, 스타트 레바나 스톱 스위치 등의 조작 수단, 코인 투입구, 스피커등을 포함한다. 물론, 슬롯 머신(9900)의 구조는 전술된 것만으로 한정되지 않으며, 적어도 본 명세서에 개시된 반도체 장치를 갖춘 다른 구조도 이용할 수 있다. 슬롯 머신(9900)은, 적절하다면 다른 부속 장비를 포함할 수도 있다.도 35a는, 휴대형 컴퓨터의 일례를 나타내는 사시도이다.도 35a의 휴대형 컴퓨터에서, 표시부(9303)를 갖는 상부 하우징(9301)과 키보드(9304)를 갖는 하부 하우징(9302)은, 상부 하우징(9301)과 하부 하우징(9302)을 접속하는 경첩 유닛을 닫음으로써 서로 중첩할 수 있다. 도 35a의 휴대형 컴퓨터는 운반하기 편리할 수 있으며, 입력을 위해 키보드를 사용하는 경우에는, 경첩 유닛이 개방되고, 사용자는 표시부(9303)를 보면서 입력할 수 있다.하부 하우징(9302)은, 키보드(9304) 외에도, 입력을 수행할 수 있는 포인팅 장치(9306)를 포함한다. 또한, 표시부(9303)가 터치 입력 패널일 때, 표시부의 일부를 터치함으로써 입력을 수행할 수 있다. 하부 하우징(9302)은 CPU와 같은 연산 기능부 또는 하드 디스크를 포함한다. 또한, 하부 하우징(9302)은, 또 다른 장치, 예를 들어, USB의 통신 규격에 따른 통신 케이블이 삽입되는 외부 접속 포트(9305)를 포함한다.상부 하우징(9301)은, 상부 하우징(9301) 내부에 슬라이드시켜 수납할 수 있는 표시부(9307)를 가지고 있어 넓은 표시 화면을 가질 수 있다. 또한, 사용자는 상부 하우징(9301)에 수납할 수 있는 표시부(9307)의 화면의 방향을 조절할 수 있다. 상부 하우징(9301)에 수납할 수 있는 표시부(9307)가 터치 입력 패널일 때, 입력은, 상부 하우징(9301)에 수납할 수 있는 표시부(9307)의 일부를 터치함으로써 수행될 수 있다.표시부(9303) 또는 상부 하우징(9301)에 수납가능한 표시부(9307)는, 액정 표시 패널, 유기 발광 소자 또는 무기 발광 소자와 같은 발광 표시 패널등의 영상 표시 장치를 이용하여 형성된다.또한, 도 35a의 휴대형 컴퓨터는, 수신기등을 갖추고, 텔레비젼 방송을 수신해 영상을 표시부에 표시할 수 있다. 상부 하우징(9301)과 하부 하우징(9302)을 접속하는 경첩 유닛을 닫힌 상태로 유지한 채, 표시부(9307)를 슬라이드시켜 디스플레이부(9307)의 전체 화면을 노출시키면, 사용자는 텔레비젼 방송을 볼 수 있다. 이 경우, 경첩 유닛은 개방되지 않고 표시부(9303)에서 표시는 수행되지 않는다. 또한, 텔레비젼 방송을 표시하기 위한 회로만의 기동이 수행된다. 따라서, 전력이 최소한으로 소비될 수 있어, 배터리 용량이 한정되어 있는 휴대형의 컴퓨터에 대해 유용하다.도 35b는, 손목 시계와 같이 사용자가 손목에 착용할 수 있는 휴대 전화의 일례를 나타내는 사시도이다.이 휴대 전화는, 적어도 전화 기능을 포함하는 통신 장치 및 배터리를 포함하는 본체; 본체를 손목에 착용할 수 있게 하는 밴드부(9204); 손목에 꼭 맞게 밴드부를 조절하는 조절부(9205); 표시부(9201); 스피커(9207); 및 마이크로폰(9208)으로 구성되어 있다.또한, 본체는, 조작 스위치(9203)를 포함한다. 조작 스위치(9203)는, 전원 스위치나, 표시 변환 스위치나, 촬상 개시 지시용 스위치 등으로 역할하는 것 외에도, 예를 들어, 누르면 인터넷용의 프로그램을 기동시키는 스위치로서 역할할 수 있으며, 각각의 기능을 가질 수 있다.이 휴대 전화로의 입력은, 손가락이나 입력 펜 등으로 표시부(9201)를 터치하거나, 조작 스위치(9203)를 작동하거나, 또는 마이크로폰(9208) 내에 음성을 입력함으로써 이루어진다. 도 35b에서, 표시부(9201)에는 표시 버튼(9202)이 표시된다. 입력은, 손가락 등으로 표시 버튼(9202)을 터치함으로써 수행될 수 있다.또한, 본체는, 카메라 렌즈를 통해 형성되는 피사체의 상을 전자 화상 신호로 변환하는 기능을 갖는 촬상 수단을 포함하는 카메라부(9206)를 포함한다. 카메라부는 반드시 제공될 필요는 없다는 점에 유의한다.도 35b에 나타낸 휴대 전화는, 텔레비젼 방송 수신기등을 갖추고, 텔레비젼 방송을 수신해 영상을 표시부(9201)에 표시할 수가 있다. 또한, 도 35b에 나타낸 휴대 전화는, 메모리와 같은 기억 장치 등을 갖추고, 텔레비젼 방송을 메모리에 녹화할 수 있다. 도 35b에 나타낸 휴대 전화는, GPS와 같은, 위치 정보를 수집하는 기능을 가질 수도 있다.액정 표시 패널, 유기 발광 소자 또는 무기 발광 소자와 같은 발광 표시 패널 등의 영상 표시 장치가 표시부(9201)로서 이용된다. 도 35b에 나타낸 휴대 전화는 작고 경량이어서, 제한된 배터리 용량을 가진다. 표시부(9201)를 위한 표시 장치로서, 낮은 소비 전력으로 구동할 수 있는 패널을 이용하는 것이 바람직하다.도 35b는 손목에 착용하는 전자 장치를 나타낸다; 그러나, 본 실시예는, 휴대할 수 있는 형상을 이용하는 한, 이것만으로 제한되지 않는다는 점에 유의한다.본 출원은, 본 명세서에서 참조용으로 그 전체를 인용하는 2009년 7월 10일 금요일 일본 특허청에 출원된 출원번호 제2009-164197호에 기초하고 있다. [ 부호의 설명 ] 11: 배선, 12: 배선, 13: 배선, 14: 배선, 15: 배선, 21: 단자, 22: 단자, 23: 단자, 24: 단자, 25: 단자, 26: 단자, 27: 단자, 31: 트랜지스터, 32: 트랜지스터, 33: 트랜지스터, 34: 트랜지스터, 35: 트랜지스터, 36: 트랜지스터, 37: 트랜지스터, 38: 트랜지스터, 39: 트랜지스터, 40: 트랜지스터, 41: 트랜지스터, 42: 트랜지스터, 43: 트랜지스터, 51: 전원선, 52: 전원선, 53: 전원선, 61: 기간, 62: 기간, 100 기판 , 101: 게이트 전극층, 102: 게이트 절연층 , 103: 산화물 반도체층, 105a: 소스 전극층, 105b: 드레인 전극층, 107: 보호 절연층, 108: 커패시터 배선, 110: 화소 전극층, 121: 단자 , 122: 단자 , 125: 콘택 홀, 126: 콘택 홀, 127: 콘택 홀, 128: 투명 도전막, 129: 투명 도전막, 132: 도전막, 133: 산화물 반도체층, 135: 산화물 반도체층, 150: 단자, 151: 단자, 152: 게이트 절연층, 153: 접속 전극층, 154: 보호 절연막, 155: 투명 도전막, 156: 전극층, 170: 박막 트랜지스터, 220: 접속 전극층, 221: 제1 콘택 홀, 222: 제2 콘택 홀, 223: 제3 콘택 홀, 224: 제4 콘택 홀, 225: 소스 배선, 226: 제1 게이트 배선, 227: 제2 게이트 배선, 400: 기판, 401: 게이트 전극층, 402: 게이트 절연층, 403: 산화물 반도체층, 404a: 소스 영역, 404b: 드레인 영역, 405a: 소스 전극층, 405b: 드레인 전극층, 407: 산화물 절연막, 408: 도전층, 409: 도전층, 410: 절연층, 411: 화소 전극층, 419: 도전층, 420: 접속 전극층, 421: 제1 콘택 홀, 422: 제2 콘택 홀, 423: 제3 콘택 홀, 424: 제4 콘택 홀, 425: 소스 배선, 426: 제1 게이트 배선, 427: 제2 게이트 배선, 428: 제1 소스 배선, 429: 제2 소스 배선, 430: 게이트 배선, 432: 산화물 반도체층, 450: 기판, 451: 게이트 전극층, 452: 게이트 절연층, 453: 산화물 반도체층, 455a: 소스 전극층, 455b: 드레인 전극층, 457: 산화물 절연막, 460: 박막 트랜지스터, 461: 박막 트랜지스터, 462: 박막 트랜지스터, 463: 박막 트랜지스터, 464: 박막 트랜지스터, 470: 접속 전극층, 471: 제1 콘택 홀, 472: 제2 콘택 홀, 473: 제3 콘택 홀, 474: 제4 콘택 홀, 475: 소스 배선, 476: 제1 게이트 배선, 477: 제2 게이트 배선, 478: 제1 소스 배선, 479: 제2 소스 배선, 480: 게이트 배선, 482: 산화물 반도체층, 490: 제3 콘택 홀, 491: 제3 콘택 홀, 580: 기판, 581: 박막 트랜지스터, 583: 절연막, 585: 절연층, 587: 전극층, 588: 전극층, 589: 구형 입자, 590a: 흑색 영역, 590b: 백색 영역, 594: 공동, 595: 충전재, 596: 기판, 601: 전기로, 602: 챔버, 603: 히터, 604: 기판, 605: 서셉터, 606: 가스 공급 수단, 607: 배기 수단, 611a: 가스 공급원, 611b: 가스 공급원, 612a: 압력 조정 밸브, 612b: 압력 조정 밸브, 613a: 정제기, 613b: 정제기, 614a: 매스 플로우 콘트롤러, 614b: 매스 플로우 콘트롤러, 615a: 스톱 밸브, 615b: 스톱 밸브, 1400: 기판, 1401: 게이트 전극층, 1402: 게이트 절연층, 1403: 산화물 반도체층, 1405a: 소스 전극층, 1405b: 드레인 전극층, 1406a: 소스 영역, 1406b: 드레인 영역, 1407: 절연층, 1408: 절연층, 1409: 도전층, 1418: 채널 보호층, 1420: 접속 전극층, 1425: 소스 배선, 1426: 제1 게이트 배선, 1427: 제2 게이트 배선, 1430: 박막 트랜지스터, 1431: 박막 트랜지스터, 1432: 박막 트랜지스터, 1601: 전기로, 1602: 챔버, 1603: 히터; 1470: 박막 트랜지스터, 1601: 전기로, 1602: 챔버, 1603: 히터, 1604: 기판, 1605: 서셉터, 1606: 가스 공급 수단, 1607: 배기 수단, 1611: 가스 공급원, 1612: 압력 조정 밸브, 1613: 정제기, 1614: 매스 플로우 콘트롤러, 1615:스톱 밸브, 2600: TFT 기판, 2601: 대향 기판, 2602: 밀봉재, 2603: 화소부, 2604: 표시 소자, 2605: 착색층, 2606: 편광판, 2607: 편광판, 2608: 배선 회로부, 2609: 가요성 배선 기판, 2610: 냉음극관, 2611: 반사판, 2612: 회로 기판, 2613: 확산판, 2700: 전자 서적, 2701: 하우징, 2703: 하우징, 2705: 표시부, 2707: 표시부, 2711: 경첩, 2721: 전원, 2723: 조작 키, 2725: 스피커, 4001: 기판, 4002: 화소부, 4003: 신호선 구동 회로, 4004: 주사선 구동 회로, 4005: 밀봉재, 4006: 기판, 4008: 액정층, 4010: 박막 트랜지스터, 4011: 박막 트랜지스터, 4013: 액정 소자, 4015: 접속 단자 전극, 4016: 단자 전극, 4018: FPC , 4019: 이방성 도전막, 4020: 절연층, 4020: 절연층, 4021: 절연층, 4030: 화소 전극층, 4031: 대향 전극층, 4032: 절연층, 4033: 절연층, 4035: 스페이서, 4501: 기판, 4502: 화소부, 4503a: 신호선 구동 회로, 4503b: 신호선 구동 회로, 4504a: 주사선 구동 회로, 4504b: 주사선 구동 회로, 4505: 밀봉재, 4506: 기판, 4507: 충전재, 4509: 박막 트랜지스터, 4510: 박막 트랜지스터, 4511: 발광 소자, 4512: 전계 발광층, 4513: 전극층, 4515: 접속 단자 전극, 4516: 단자 전극, 4517: 전극층, 4518a: FPC, 4518b: FPC, 4519: 이방성 도전막, 4520: 격벽, 5300: 기판, 5301: 화소부, 5302: 주사선 구동 회로, 5303: 주사선 구동 회로, 5304: 신호선 구동 회로, 5305: 타이밍 제어 회로, 5601: 시프트 레지스터, 5602: 스위칭 회로부, 5602: 스위칭 회로, 5603: 박막 트랜지스터, 5604: 배선, 5605: 배선, 6400: 화소, 6401: 스위칭용 트랜지스터, 6402: 구동용 트랜지스터, 6403: 커패시터, 6404: 발광 소자, 6405: 신호선, 6406: 주사선, 6407: 전원선, 6408: 공통 전극, 7001: TFT , 7002: 발광 소자, 7003: 캐소드, 7004: 발광층, 7005: 애노드, 7009: 격벽, 7011: 구동용 TFT, 7012: 발광 소자, 7013: 캐소드, 7014: 발광층, 7015: 애노드, 7016: 차광막, 7017: 도전막, 7019: 격벽, 7021: 구동용 TFT, 7022: 발광 소자, 7023, 캐소드, 7024: 발광층, 7025: 애노드, 7027: 도전막, 7029: 격벽, 9201: 표시부, 9202: 표시 버튼, 9203: 조작 스위치, 9204: 밴드부, 9205: 조절부, 9206: 카메라부, 9207: 스피커, 9208: 마이크로폰, 9301: 상부 하우징, 9302: 하부 하우징, 9303: 표시부, 9304: 키보드, 9305:외부 접속 포트, 9306: 포인팅 장치, 9307: 표시부, 9600: 텔레비젼 세트, 9601: 하우징, 9603: 표시부, 9605: 스탠드, 9607:표시부, 9609: 조작 키, 9610: 리모콘, 9700: 디지털 포토 프레임, 9701: 하우징, 9703: 표시부, 9881: 하우징, 9882: 표시부, 9883: 표시부, 9884: 스피커부, 9885: 입력 수단(조작 키), 9886: 기록 매체 삽입부, 9887: 접속 단자, 9888: 센서, 9889: 마이크로폰, 9890: LED 램프, 9891:하우징, 9893: 연결부, 9900: 슬롯 머신, 9901: 하우징, 9903: 표시부
안정된 전기 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 갖는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조 및 제공하는 것이 목적이다. 채널 형성 영역을 포함한 반도체층이 산화물 반도체막으로서 역할하는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 보호막 역할을 하는 산화물 절연막이 산화물 반도체층에 접하여 형성된 후에, 수분 등의 불순물을 저감하는 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)가 수행된다. 그 다음, 소스 전극층내, 드레인 전극층내, 게이트 절연층내, 및 산화물 반도체막내 외에도, 산화물 반도체층의 상하에 접하여 제공되는 막들과 산화물 반도체막 사이의 계면에 존재하는 수분 등의 불순물이 저감된다.
[ 발명의 명칭 ] MASP-2 의존적 보체 활성화를 억제하는 조성물COMPOSITIONS FOR INHIBITING MASP-2 DEPENDENT COMPLEMENT ACTIVATION [ 기술분야 ] 본 발명은 MASP-2 의존적 보체 활성화의 부작용을 억제하는데 사용되는 항-MASP-2 억제 항체 및 이러한 항체를 포함하는 조성물에 관한 것이다. 관련 출원에 대한 교차-참조본 출원은 2011년 5월 4일에 출원된 미국 가출원 번호 61/482,567의 이익을 주장하며, 이것은 전문이 본원에 참고로 포함된다. 서열 목록에 관한 진술이 출원에 관련된 서열 목록은 서류 사본 대신 텍스트 포맷으로 제공되고 명세서에 참고로 포함된다. 서열 목록을 함유하는 텍스트 파일의 이름은 MP_1_0115_PCT_SequenceListingasFiled_20120504_ST25이다. 텍스트 파일은 158 KB이고, 2012년 5월 4일에 생성되었고; 명세서의 출원과 함께 EFS-Web을 통해 제출된다. [ 배경기술 ] 보체 시스템은 사람 및 다른 척추동물에서 미생물 감염 및 다른 급성 상해에 대한 면역 반응을 시작하고, 증폭하고 조율하는, 초기 작동 메카니즘을 제공한다 (M.K. Liszewski and J.P. Atkinson, 1993, in Fundamental Immunology, Third Edition, edited by W.E. Paul, Raven Press, Ltd., New York). 보체 활성화는 잠재적 병원체에 대한 귀중한 1선 방어를 제공하는 한편, 보호적 면역 반응을 촉진하는 보체의 활성은 또한 숙주에 대한 잠재적 위협을 나타낼 수 있다 (K.R.　Kalli, et　al., Springer Semin. Immunopathol.　15:417-431, 1994; B.P.　Morgan, Eur.　J. Clinical Investig.　24:219-228, 1994). 예를 들어, C3 및 C5 단백질 가수분해 생성물은 호중구를 모집하고 활성화한다. 숙주의 방어에 필수적인 한편, 활성화된 호중구는 파괴적 효소의 방출에서 무차별적이고 기관 손상을 유발할 수도 있다. 게다가, 보체 활성화는 숙주 세포, 뿐만 아니라 미생물 표적의 근처에 용해성 보체 성분의 침착을 유발할 수도 있으며, 숙주 세포 용해를 일으킨다.보체 시스템은 또한 심근 경색 (myocardial infarction), 뇌졸중 (stroke), 급성 호흡곤란 증후군 (acute respiratory distress syndrome; ARDS), 재관류 손상 (재관류 손상), 패혈성 쇼크 (septic shock), 열 화상에 따른 모세관 누출, 후심폐 바이패스 염증 (postcardiopulmonary bypass inflammation), 이식 거부 (transplant rejection), 류머티스성 관절염 (rheumatoid arthritis), 다발성 경화증 (multiple sclerosis), 중증 근무력증 (myasthenia gravis), 및 알츠하이머 병 (Alzheimer's disease)을 포함하는, 많은 급성 및 만성 질환 상태의 발병의 원인이 되었다. 이들 질병 중 대부분에서, 보체는 발병의 원인이 아니지만 이에 수반된 인자 중 하나이다. 그럼에도 불구하고, 보체 활성화는 주요 병리학적 메카니즘일 수도 있고 이들 질병 상태 중 많은 것에서 임상적 조절을 위한 효과적인 시점을 나타낸다. 다양한 질병 상태에서 보체-매개된 조직 손상의 중요성의 증가하는 인식은 효과적인 보체 억제제에 대한 필요성을 강조한다. 지금까지, 에쿨리쥬맙 (Solaris��), C5에 대한 항체는 사람 사용에 대하여 승인된 유일한 보체-표적화 약물이다. 하지만, C5는 보체 시스템의 "다운스트림"에 위치한 여러 효과기 분자 중 하나이고, C5의 차단은 보체 시스템의 활성화를 억제하지 않는다. 그러므로, 보체 활성화의 시작 단계의 억제제는 "다운스트림" 보체 억제제보다 큰 이점을 가질 것이다. 현재, 세 개의 뚜렷한 경로를 통해 보체 시스템이 활성화될 수 있다는 것이 널리 인정된다: 고전적 경로, 렉틴 경로, 및 대체 경로. 고전적 경로는 보통 외부 입자 (즉, 항원)에 결합된 숙주 항체로 구성된 복합체에 의해 촉발되고 따라서 특이적 항체 반응의 발생을 위해 항원에 노출 전에 필요하다. 고전적 경로의 활성화가 숙주에 의한 이전의 적응성 면역 반응에 의존적이기 때문에, 고전적 경로는 후천적 면역 시스템의 일부이다. 반대로, 렉틴 및 대체 경로 둘 다는 적응성 면역력 면역에 독립적이고 선천적 면역 시스템의 일부이다. 보체 시스템의 활성화는 세린 프로테아제 치모겐의 순차적인 활성화를 일으킨다. 고전적 경로의 활성화의 첫 번째 단계는 항원-결합된 IgG 및 IgM 분자에 특이적 인식 분자, C1q의 결합이다. C1q는 C1으로 불리는 복합체로서 C1r 및 C1s 세린 프로테아제 프로 효소와 관련된다. 면역 복합체에 C1q의 결합시, C1r의 Arg-Ile 부위의 자가 단백질 가수분해 절단은 C1r-매개된 절단 및 C1s의 활성화로 이어지며, 그로 인해 C4 및 C2를 절단하는 능력을 얻는다. C4는 두 개의 단편으로 절단되고 C4a 및 C4b로 지정되고, 유사하게, C2는 C2a 및 C2b로 절단된다. C4b 단편은 인접한 히드록실 또는 아미노 기와 공유결합을 형성하고 활성화된 C2의 C2a 단편과 비공유 상호작용을 통해 C3 콘버타제 (C4b2a)를 발생시킬 수 있다. C3 콘버타제 (C4b2a)는 C3a 및 C3b 하위 성분으로 단백질 가수분해 절단에 의해 C3를 활성화하고 C5 콘버타제 (C4b2a3b)의 발생으로 이어지며, 이것은 C5를 절단함으로써 세포막을 붕괴하여 세포 용해로 이어질 수 있는 막 공격 복합체 (C6, C7, C8 및 C-9와 결합된 C5b, "MAC"로도 불림)의 형성으로 이어진다. C3 및 C4의 활성화된 형태 (C3b 및 C4b)는 외부 표적 표면에 공유결합으로 침착되며, 이것은 다수의 식세포 상의 보체 수용체에 의해 인식된다. 독립적으로, 렉틴 경로를 통한 보체 시스템의 활성화의 첫 번째 단계는 또한 특이적 인식 분자의 결합이며, 이것은 관련된 세린 프로테아제 프로효소 (proenzyme)의 활성화로 이어진다. 하지만, C1q에 의한 면역 복합체의 결합 대신에, 렉틴 경로의 인식 분자는 탄수화물-결합 단백질 (만난-결합 렉틴 (MBL), H-피콜린, M-피콜린, L-피콜린 및 C-타입 렉틴 CL-11)의 그룹을 포함하며, 전체적으로 렉틴으로 불린다. J.　Lu et　al., Biochim. Biophys. Acta　1572:387-400, 2002; Holmskov et　al., Annu. Rev. Immunol.　21:547-578 (2003); Teh et　al., Immunology　101:225-232 (2000)를 참고하면 된다. 또한 J. Luet et al., Biochim Biophys Acta 1572:387-400 (2002); Holmskov et al, Annu Rev Immunol 21:547-578 (2003); Teh et al., Immunology 101:225-232 (2000); Hansen S. et al., J. Immunol 185(10):6096-6104 (2010)를 참고하면 된다. Ikeda et al.은 처음에 C1q와 유사하게, MBL은 C4-의존적 방식으로 효모 만난-코팅된 적혈구에 결합시 보체 시스템을 활성화할 수 있다 (Ikeda et　al., J.　Biol. Chem.　262:7451-7454, 1987). MBL, 콜렉틴 단백질 패밀리의 멤버는 피라노스 고리의 적도면 (equatorial plane) 방향의 3- 및 4-히드록시 기를 가진 탄수화물과 결합하는 칼슘-의존적 렉틴이다. 따라서 MBL에 대한 중요한 리간드는 D-만노스 및 N-아세틸-D-글루코사민인 한편, 이 입체적 필요조건에 맞지 않는 탄수화물은 MBL에 대한 검출 불가능한 친화도를 갖는다 (Weis, W.I.,　et　al., Nature　360:127-134, 1992). MBL 및 일가 당 사이의 상호작용은 매우 약하며, 해리는 전형적으로 한자리 밀리 몰 단위로 일정하다. MBL은 서로 매우 근접하게 위치한 다중 단당류 잔기와의 결합력에 의해, 즉, 이들과 동시에 상호작용함으로써 글리칸 리간드에 단단하고, 특이적인 결합을 달성한다 (Lee, R.T.,　et　al., Archiv. Biochem. Biophys. 299:129-136, 1992). MBL은 보통 박테리아, 효모, 기생충 및 특정 바이러스와 같은 미생물을 장식하는 탄수화물 패턴을 인식한다. 반대로, MBL은 D-갈락토스 및 시알산, 포유동물 혈장 및 세포 표면 당단백질에 존재하는 일반적으로 "성숙한" 복합체 당접합체를 장식하는 끝에서 두 번째 및 마지막 당을 인식하지 않는다. 이 결합 특이성은 "외부" 표면의 인식을 촉진하고 "자가 활성화"로부터 보호를 돕는 것으로 생각된다. 하지만, MBL은 포유동물 세포의 소포체 및 골지체에서 격리된, N-결합된 당단백질 및 당지질 상에서 고-만노스 "전구체" 글리칸의 클러스터 (cluster)에 높은 친화도로 결합한다 (Maynard, Y.,　et　al., J. Biol. Chem.　257:3788-3794, 1982). 그러므로, 손상된 세포는 MBL 결합을 통해 렉틴 경로 활성화에 대한 잠재적 표적이다. 피콜린은 MBL 이외에 피브리노겐-유사 도메인으로 불리는, 다른 타입의 렉틴 도메인을 소유한다. 피콜린은 Ca++-의존적 방식으로 당 잔기에 결합한다. 사람에서, 세 종류의 피콜린 (L-피콜린, M-피콜린 및 H-피콜린)이 확인되었다. 두 개의 혈청 피콜린, L-피콜린 및 H-피콜린은 N-아세틸-D-글루코사민에 대한 일반적은 특이성을 갖지만, H-피콜린은 또한 N-아세틸-D-갈락토사민에 결합한다. L-피콜린, H-피콜린, CL-11, 및 MBL의 당 특이성의 차이는 다른 렉틴이 상보적일 수도 있고, 중첩을 통해, 다른 당접합체를 표적화할 수도 있다는 것을 의미한다. 이 개념은 렉틴 경로에서 알려진 렉틴 중에, 유일하게 L-피콜린만이 리포테이코산, 모든 그람 양성 박테리아에서 발견된 세포 벽 당접합체에 특이적으로 결합한다는 최근 보고에 의해 지지가 된다 (Lynch, N.J.,　et　al., J.　Immunol. 172:1198-1202, 2004). 콜렉틴 (즉, MBL) 및 피콜린은 아미노산 서열에서 큰 유사성을 함유하지 않는다. 하지만, 두 그룹의 단백질은 유사한 도메인 조직을 갖고, C1q와 유사하게, 올리고머 구조로 조립되며, 이것은 다점 결합의 가능성을 최대화한다. MBL의 혈청 농도는 건강한 집단에서 매우 가변적이고 이것은 MBL 유전자의 프로모터 및 암호화 영역 둘 다의 다형현상/돌연변이에 의해 유전적으로 조절된다. 급성기 단백질로서, MBL의 발현은 염증 동안 더 상향조절된다. L-피콜린은 MBL의 그것과 유사한 농도로 혈청에 존재한다. 그러므로, 렉틴 경로의 L-피콜린 가지는 힘이 MBL 팔과 잠재적으로 비슷하다. MBL 및 피콜린은 또한 옵소닌으로서 기능 할 수 있으며, 이것은 식세포가 MBL- 및 피콜린- 장식된 표면을 표적화할 수 있게 한다 (Jack et al., J Leukoc Biol., 77(3):328-36 (2004); Matsushita and Fujita, Immunobiology, 205(4-5):490-7 (2002); Aoyagi et al., J Immunol 174(1):418-25 (2005)를 참고하면 된다). 이 옵소닌화는 식세포 수용체와 이들 단백질의 상호작용을 필요로 하며 (Kuhlman, M.,　et　al., J. Exp. Med. 169:1733, 1989; Matsushita, M.,　et　al., J. Biol. Chem.　271:2448-54, 1996), 이것의 정체는 확립되지 않았다. 사람 MBL은 그것의 콜라겐-유사 도메인을 통해, MBL-관련 세린 프로테아제 (MASP)로 불리는, 독특한 C1r/C1s-유사 세린 프로테아제와 특이적 및 고-친화도 상호작용을 형성한다. 지금까지, 세 개의 MASP가 설명되었다. 먼저, 단일 효소 "MASP"를 확인하였고 보체 캐스케이드의 시작 (즉, C2 및 C4를 절단)의 원인이 되는 효소로서 특징지어졌다 (Matsushita M and Fujita T., J Exp Med 176(6):1497-1502 (1992), Ji, Y.H.,　et　al., J.　Immunol. 150:571-578, 1993). MASP 활성은, 사실은, 두 개의 프로테아제의 혼합물인 것을 이후에 결정되었다: MASP-1 및 MASP-2 (Thiel, S.,　et　al., Nature 386:506-510, 1997). 하지만, MBL-MASP-2 복합체 단독은 보체 활성화에 충분한 것이 입증되었다 (Vorup-Jensen, T.,　et　al., J. Immunol. 165:2093-2100, 2000). 게다가, 유일한 MASP-2는 높은 속도로 C2 및 C4를 절단하였다 (Ambrus, G.,　et　al., J.　Immunol. 170:1374-1382, 2003). 그러므로, MASP-2는 C3 콘버타제, C4b2a를 발생시키는 C4 및 C2의 활성화의 원인이 되는 프로테아제이다. 이것은 두 개의 특이적 세린 프로테아제 (C1r 및 C1s)의 협조적 작용이 보체 시스템의 활성화로 이어지는 경우, 고전적 경로의 C1 복합체와 큰 차이이다. 게다가, 세 번째 새로운 프로테아제, MASP-3이 분리되었다 (Dahl, M.R., et al., Immunity 15:127-35, 2001). MASP-1 및 MASP-3은 같은 유전자의 대안으로 스플라이싱된 (spliced) 생성물이다.MASP는 C1r 및 C1s, C1 복합체의 효소 성분의 그것과 동일한 도메인 조직을 공유한다 (Sim, R.B.,　et　al., Biochem. Soc. Trans. 28:545, 2000). 이들 도메인은 N-말단 C1r/C1s/성게 VEGF/뼈 형태형성 단백질 (CUB) 도메인, 외피 성장 인자-유사 도메인, 제 2 CUB 도메인, 보체 조절 단백질 도메인의 탠덤 (tandem), 및 세린 프로테아제 도메인을 포함한다. C1 프로테아제에서와 같이, MASP-2의 활성화는 세린 프로테아제 도메인에 인접하게 결합된 Arg-Ile의 절단을 통해 발생하며, 이것은 효소를 이황화-결합된 A 및 B 사슬로 분열하였고, 후자는 세린 프로테아제 도메인으로 구성된다. 최근에, 유전적으로 결정된 MASP-2의 결핍이 설명되었다 (Stengaard-Pedersen, K.,　et　al., New Eng. J. Med. 349:554-560, 2003). 단일 뉴클레오티드의 돌연변이는 CUB1 도메인에서 Asp-Gly 교환으로 이어지고 MASP-2가 MBL에 결합할 수 없게 한다. MBL은 또한 19 kDa (MAp19)의 MBL-관련 단백질 (Stover, C.M., J. Immunol. 162:3481-90, 1999) 또는 작은 MBL-관련 단백질 (sMAP) (Takahashi, M.,　et　al., Int. Immunol.　11:859-863, 1999)로 알려진, MASP-2의 대안으로 슬라이스된 (sliced) 형태와 관련될 수 있으며, 이것은 MASP 2의 촉매 활성이 결핍된다. MAp19는 MASP-2의 처음 두 개의 도메인에 이어서, 네 개의 독특한 아미노산의 추가 서열을 포함한다. MASP-1 및 MASP-2 유전자는 각각 사람 염색체 3 및 1에 위치한다 (Schwaeble, W.,　et　al., Immunobiology 205:455-466, 2002).여러 줄의 증거는 다른 MBL-MASP 복합체가 있고 혈청에 MASP의 큰 분획이 MBL과 복합체를 형성하지 않는다는 것을 제안한다 (Thiel,　S.,　et　al., J. Immunol. 165:878-887, 2000). MBL과 마찬가지로, H- 및 L-피콜린 둘 다는 모든 MASP에 결합하고 렉틴 보체 경로를 활성화한다 (Dahl,　M.R., et　al., Immunity 15:127-35, 2001; Matsushita, M., et　al., J. Immunol.　168:3502-3506, 2002). 렉틴 및 고전적 경로 둘 다는 일반적인 C3 콘버타제 (C4b2a)를 형성하고 두 개의 경로는 이 단계에서 만나게 된다.렉틴 경로는 나이브 (naive) 숙주의 감염에 대한 숙주 방어에서 중요한 역할을 갖는 것으로 널리 생각된다. 숙주 방어에서 MBL의 수반에 대한 강한 증거는 기능적 MBL의 감소한 혈청 수준을 갖는 환자의 분석으로부터 생긴다 (Kilpatrick, D.C., Biochim. Biophys. Acta 1572:401-413, 2002). 이러한 환자는 반복되는 박테리아 및 균류 감염에 민감성을 나타낸다. 이들 증상은 보통 젊을 때, 모체 유도된 항체 역가가 감소되는 만큼 겉보기에 취약한 동안, 하지만 항체 반응의 전체 레퍼토리가 발달하기 전에 분명하다. 이 증후군은 종종 MBL의 콜라겐성 부분의 여러 부위에서의 돌연변이로부터 발생하며, 이것은 MBL 올리고머의 적절한 형성을 방해한다. 하지만, MBL이 보체와 관계없이 옵소닌으로 기능 할 수 있기 때문에, 감염에 대한 증가한 민감성은 어느 정도가 손상된 보체 활성화로 인한 것인지 알려져 있지 않다. 고전적 및 렉틴 경로와 달리, 대체 경로의 개시자 (initiator)는 C1q 및 렉틴이 다른 두 개의 경로로 수행한다는 인식 기능을 수행하는 것으로 발견되지 않았다. 현재 대체 경로가 자발적으로 낮은 수준의 턴오버 (turnover) 활성화를 경험하며, 이것은 자발적으로 보체 활성화를 억제하는 적절한 분자 요소가 없는 외부 또는 다른 비정상적인 표면 (박테리아, 효모, 바이러스 감염된 세포 또는 손상된 조직)에서 쉽게 증폭될 수 있다는 것이 널리 인정된다. 대체 경로의 활성화에 직접적으로 수반된 네 개의 혈장 단백질이 있다: C3, 인자 B 및 D, 및 프로퍼딘. 비-감염성 사람 질환의 발병시 고전적 및 대체 보체 경로 둘 다와 연관된 광범위한 증거가 있지만, 렉틴 경로의 역할은 막 평가되기 시작한다. 최근 연구는 렉틴 경로의 활성화가 허혈성/재관류 손상시 보체 활성화 및 관련 염증의 원인이 될 수 있다는 증거를 제공한다. Collard et al. (2000)은 산화적 스트레스를 받은 배양된 내피 세포가 MBL에 결합하고 사람 혈청에 노출시 C3의 침착을 나타내는 것을 보고하였다 (Collard, C.D.,　et　al., Am. J. Pathol. 156:1549-1556, 2000). 게다가, 차단 항-MBL 단클론성 항체로 사람 혈청의 치료는 MBL 결합 및 보체 활성화를 억제하였다. 이들 발견은 래트 MBL과 관련된 차단 항체가 처리된 래트가 대조군 항체가 처리된 래트보다 관상 동맥의 폐색 시 훨씬 더 적은 심근 장애를 나타낸 심근 허혈-재관류의 래트 모델로 확장되었다 (Jordan,　J.E.,　et　al., Circulation 104:1413-1418, 2001). 산화적 스트레스 후에 혈관 내피에 결합하는 MBL의 분자적 메카니즘은 불분명하다; 최근 연구는 산화적 스트레스 후 렉틴 경로의 활성화가 혈관 내피 시토케라틴에 결합하지만, 당접합체에는 아닌 MBL에 의해 매개 될 수도 있다는 것을 제안한다 (Collard,　C.D.,　et　al., Am. J. Pathol. 159:1045-1054, 2001). 다른 연구는 허혈/재관류 손상의 발병시 고전적 및 대체 경로와 연관되고 이 질환에서 렉틴 경로의 역할은 논란이 남아있다 (Riedermann, N.C.,　et　al., Am. J. Pathol. 162:363-367, 2003).최근 연구는 MASP-1 (및 또한 아마도 MASP-3)은 대체 경로 활성화 효소 인자 D를 그것의 치모겐 형태로부터 그것의 효소의 의해 활성화된 형태로 전환하기 위해 필요하다 (Takahashi M. et al., J Exp Med 207(1):29-37 (2010)을 참고하면 된다). 이 과정의 생리학적 중요성은 MASP-1/3-결핍 마우스의 혈장의 대체 경로 기능적 활성화의 부재에 의해 강조된다. 원래의 C3으로부터 C3b의 단백질 가수분해 발생은 대체 경로가 기능 하기 위해 필요하다. 대체 경로 C3 콘버타제 (C3bBb)가 필수 서브유닛으로 C3b를 함유하기 때문에, 대체 경로를 통한 첫 번째 C3b의 기원과 관련된 질문은 당혹스러운 문제를 제시하고 상당한 연구를 자극했다. C3은 티오에스테르 결합으로 알려진 드문 번역 후 변형을 함유하는 단백질의 패밀리에 속한다 (C4 및 α-2 마크로글로불린과 함께). 티오에스테르 기는 말단 카르보닐기가 세 개의 아미노산 떨어진 시스테인의 술피딜 기와 공유결합에 의해 티오에스테르 결합을 형성하는 글루타민으로 구성된다. 이 결합은 불안정하고 친전자성 글루타밀-티오에스테르는 히드록실 또는 아미노 기와 같은 친핵성 모이어티와 반응할 수 있고 따라서 다른 분자와 공유결합을 형성할 수 있다. 티오에스테르 결합은 온전한 C3의 소수성 포켓 내에 격리될 때 상당히 안정적이다. 하지만, C3a 및 C3b로 C3의 단백질 가수분해 절단은 C3b상에서 매우 반응성인 티오에스테르 결합의 노출에 이은, 히드록실 또는 아미노 기를 포함하는 인접한 모이어티에 의한 친핵성 공격을 일으키고, C3b는 공유결합에 의해 표적과 결합한다. 보체 표적에 C3b의 공유결합에 의한 부착시 그것의 잘 기록된 역할 이외에, C3 티오에스테르는 또한 대체 경로를 촉발하는데 있어서 중심 역할을 하는 것으로 생각된다. 널리 인정된 "틱-오버 (tick-over) 이론"에 따라, 대체 경로는 유체상 콘버타제, iC3Bb의 발생에 의해 시작되며, 이것은 가수분해된 티오에스테르 (iC3; C3(H2O)) 및 인자 B를 가진 C3으로부터 형성된다 (Lachmann, P.J.,　et　al., Springer Semin. Immunopathol.　7:143-162, 1984). C3b-유사 C3(H2O)는 단백질의 내부 티오에스테르의 느린 자발적인 가수분해에 의해 원래의 C3으로부터 발생한다 (Pangburn, M.K.,　et　al., J. Exp. Med. 154:856-867, 1981). C3(H2O)Bb 콘버타제의 활성을 통해, C3b 분자는 표적 표면상에 침착되고 그로 인해 대체 경로를 시작한다. 대체 경로의 활성화의 개시자에 대하여 알려진 것은 매우 적다. 활성화제는 효모 세포벽 (치모산), 많은 순수한 다당류, 토끼 적혈구, 특정 면역글로불린, 바이러스, 균류, 박테리아, 동물 종양 세포, 기생충, 및 손상된 세포를 포함하는 것으로 생각된다. 이들 활성화제에 일반적인 유일한 특징은 탄수화물의 존재이지만, 탄수화물 구조의 복합성 및 다양성은 인식된 공유 분자 결정인자를 입증하는 것을 어렵게 만든다. 대체 경로 활성화는 이 경로의 억제 조절 성분, 예를 들어, 인자 H, 인자 I, DAF, 및 Cr1 및 프로퍼딘 사이의 좋은 균형을 통해 조절되며, 이것은 대체 경로의 유일한 양성 조절기이다는 것이 널리 인정되어 있다 (Schwaeble W.J. and Reid K.B., Immunol Today 20(1):17-21 (1999))를 참고하면 된다).상기 설명된, 겉보기에 미조절된 활성화 메카니즘 이외에, 발생한 어떤 C3b도 추가적인 대체 경로 C3 콘버타제 (C3bBb)의 형성에 있어서 인자 B와 함께 참여할 수 있기 때문에, 대체 경로는 또한 렉틴/고전적 경로 C3 콘버타제 (C4b2a)에 대한 강력한 증폭 루프를 제공할 수 있다. 대체경로 C3 콘버타제는 프로퍼딘의 결합에 의해 안정화된다. 프로퍼딘은 대체 경로 C3 콘버타제 반감기를 6 내지 10배로 확장된다. 대체 경로 C3 콘버타제에 C3b의 추가는 대체 경로 C5 콘버타제의 형성으로 이어진다. 모든 세 개의 경로 (즉, 고전적, 렉틴 및 대체)는 C5에서 만나는 것으로 생각되며, 이것은 절단되어 다수의 염증 전 효과를 갖는 생성물을 형성한다. 만나게 된 경로는 말단 보체 경로로 나타난다. C5a는 가장 강한 아나필라톡신이며, 민무늬근 및 혈관 긴장도, 뿐만 아니라 혈관 삼투성을 포함한다. 그것은 또한 강력한 케모탁신이고 호중구 및 단핵구 둘 다의 활성화제이다. C5a-매개된 세포 활성화는 시토킨, 가수분해 효소, 아라키돈산 대사산물, 및 활성산소종을 포함하는, 다수의 추가적인 염증 매개자의 방출을 유발함으로써 염증 반응을 크게 증폭시킬 수 있다. C5 절단은 막 공격 복합체 (mambrane attack complex; MAC)로도 알려진, C5b-9의 형성으로 이어진다. 현재 저 용해 MAC 침착이 용해성 기공 형성 복합체로서 그것의 역할 이외에 염증에 있어서 중요한 역할을 할 수도 있다는 강한 증거가 있다. 면역 방어에 있어서 그것의 필수적인 역할 이외에, 보체 시스템은 많은 임상적 질병의 조직 손상에 기여한다. 따라서, 이들 부작용을 방지하기 위해 치료적으로 유효한 보체 억제제를 개발할 긴급한 필요가 있다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 이 개요는 하기 상세한 설명에 추가로 설명된 단순화된 형태로 개념의 선택을 도입하기 위해 제공된다. 이 개요는 주장된 대상 물질의 주요 특징을 확인하기 위한 것이 아니고, 주장된 대상 물질의 범위의 결정에 대한 지원으로서 사용되기 위한 것도 아니다.한 양태에서, 본 발명은 사람 MASP-2에 결합하는 분리된 사람 단클론성 항체, 또는 이들의 항원 결합 단편을 제공하며, (i) CDR-H1, CDR-H2 및 CDR-H3 서열을 포함하는 중쇄 가변 영역; 및 (ii) CDR-L1, CDR-L2 및 CDR-L3을 포함하는 경쇄 가변 영역을 포함하며, 중쇄 가변 영역 CDR-H3 서열은 SEQ ID NO: 38 또는 SEQ ID NO: 90으로 제시된 아미노산 서열, 및 이들의 보존적 서열 변형을 포함하고, 경쇄 가변 영역 CDR-L3 서열은 SEQ ID NO: 51 또는 SEQ ID NO: 94로 제시된 아미노산 서열, 및 이들의 보존적 서열 변형을 설명하고, 분리된 항체는 MASP-2 의존적 보체 활성화를 억제한다.또 다른 양태에서, 본 발명은 사람 MASP-2에 결합하는 사람 항체를 제공하며, 항체는 I) a) i) SEQ ID NO: 21의 31-35개의 아미노산 서열을 포함하는 중쇄 CDR-H1; 및 ii) SEQ ID NO: 21의 50-65개의 아미노산 서열을 포함하는 중쇄 CDR-H2; 및 iii) SEQ ID NO: 21의 95-102의 아미노산 서열을 포함하는 중쇄 CDR-H3을 포함하는 중쇄 가변 영역; 및 b) i) SEQ ID NO: 25 또는 SEQ ID NO: 27의 24-34의 아미노산 서열을 포함하는 경쇄 CDR-L1; 및 ii) SEQ ID NO: 25 또는 SEQ ID NO: 27의 50-56개의 아미노산 서열을 포함하는 경쇄 CDR-L2; 및 iii) SEQ ID NO: 25 또는 SEQ ID NO: 27의 89-97개의 아미노산 서열을 포함하는 경쇄 CDR-L3를 포함하는 경쇄 가변 영역; 또는 II) 그렇지 않으면 상기 중쇄 가변 영역의 상기 CDR 영역 내에 조합된 최대 총 10개의 아미노산 치환 및 상기 경쇄 가변 영역의 상기 CDR 영역 내에 조합된 최대 총 10개의 아미노산 치환을 제외하고, 상기 가변 도메인과 동일한 이들의 변이체를 포함하며, 항체 또는 이들의 변이체는 MASP-2 의존적 보체 활성화를 억제한다.또 다른 양태에서, 본 발명은 사람 MASP-2에 결합하는 분리된 사람 단클론성 항체, 또는 이들의 항원 결합 단편을 제공하며, 항체는 I) a) i) SEQ ID NO: 20의 31-35개의 아미노산 서열을 포함하는 중쇄 CDR-H1; 및 ii) SEQ ID NO: 20의 50-65의 아미노산 서열을 포함하는 중쇄 CDR-H2; 및 iii) SEQ ID NO: 18 또는 SEQ ID NO: 20의 95-102개의 아미노산 서열을 포함하는 중쇄 CDR-H3을 포함하는 중쇄 가변 영역; 및 b) i) SEQ ID NO: 22 또는 SEQ ID NO: 24의 24-34의 아미노산 서열을 포함하는 경쇄 CDR-L1; 및 ii) SEQ ID NO: 22 또는 SEQ ID NO: 24의 50-56개의 아미노산 서열을 포함하는 경쇄 CDR-L2; 및 iii) SEQ ID NO: 22 또는 SEQ ID NO: 24의 89-97개의 아미노산 서열을 포함하는 경쇄 CDR-L3을 포함하는 경쇄 가변 영역; 또는 II) 그렇지 않으면 상기 중쇄의 상기 CDR 영역 내에 조합된 최대 총 10개의 아미노산 치환 및 상기 경쇄 가변 영역의 상기 CDR 영역 내에 조합된 최대 총 10개의 아미노산 치환을 제외하고, 상기 가변 도메인과 동일한 이들의 변이체를 포함하며, 항체 또는 이들의 변이체는 MASP-2 의존적 보체 활성화를 억제한다.또 다른 양태에서, 본 발명은 사람 MASP-2에 결합하는 분리된 단클론성 항체, 또는 이들의 항원-결합 단편을 제공하며, SEQ ID NO: 18, SEQ ID NO: 20 또는 SEQ ID NO: 21에 설명된 아미노산 서열 중 어느 하나라도 포함하는 중쇄 가변 영역을 포함한다. 또 다른 양태에서, 본 발명은 사람 MASP-2에 결합하는 분리된 단클론성 항체, 또는 이들의 항원-결합 단편을 제공하며, SEQ ID NO: 22, SEQ ID NO: 24, SEQ ID NO: 25 또는 SEQ ID NO: 27에 설명된 아미노산 중 하나를 포함하는 경쇄 가변 영역을 포함한다. 또 다른 양태에서, 본 발명은 본 발명의 항-MASP-2 항체, 또는 이들의 단편의 아미노산을 암호화하는 핵산 분자, 예를 들어, 표 2에 설명된 것들을 제공한다. 또 다른 양태에서, 본 발명은 본 발명의 항-MASP-2 항체, 또는 이들의 단편의 아미노산을 암호화하는 핵산 분자, 예를 들어, 표 2에 설명된 것들 중 적어도 하나를 포함하는 세포를 제공한다. 또 다른 양태에서, 본 발명은 항-MASP-2 항체를 암호화하고 상기 항-MASP-2 항체를 분리하는 핵산 분자의 발현을 허용하는 조건 하에 본 발명의 항-MASP-2 항체의 아미노산 서열을 암호화하는 핵산 분자 중 적어도 하나를 포함하는 세포를 배양하는 단계를 포함하는, 분리된 MASP-2 항체를 생성하는 방법을 제공한다. 또 다른 양태에서, 본 발명은 표면 플라스몬 공명 (surface plasmon resonance)에 의해 결정된 바와 같이 10 nM 이하의 KD를 갖는 사람 MASP-2와 분리하고 1% 혈청 중에 10 nM 이하의 IC50을 갖는 만난-코팅된 기질 상에서 C4 활성화를 억제하는 완전히 분리된 사람 단클론성 항체 또는 이들의 항원-결합 단편를 제공한다. 일부 구체예에서, 상기 항체 또는 이들의 항원 결합 단편은 참조 항체에 의해 인식된 에피토프의 적어도 부분을 특이적으로 인식하며, 상기 언급 항체는 SEQ ID NO: 20에 설명된 중쇄 가변 영역 및 SEQ ID NO: 24에 설명된 경쇄 가변 영역을 포함한다. 또 다른 양태에서, 본 발명은 사람 단클론성 항-MASP-2 항체 of 본 발명의 완전히 사람 단클론성 항-MASP-2 항체 및 약학적으로 허용 가능한 첨가제를 포함하는 조성물을 제공한다. 또 다른 양태에서, 본 발명은 상기 사람 대상체에서 MASp-2 의존적 보체 활성화를 억제하기 위해 충분한 양으로 본 발명의 사람 단클론성 항체를 투여하는 단계를 포함하는, 사람 대상체에서 MASP-2 의존적 보체 활성화를 억제하는 방법을 제공한다. 또 다른 양태에서, 본 발명은 사람 대상체에 치료적 투여에 적합한 본 발명의 사람 단클론성 MASP-2 항체의 단위 투여량을 포함하는 제조 물품을 제공하며, 단위 투여량은 1 mg 내지 1000 mg의 범위에 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 발명의 상기 언급된 양태 및 부수적인 이점 중 다수는 첨부된 도면과 함께 취해질 때, 같은 것이 다음 상세한 설명에 대한 참고로 더 잘 이해되는 것처럼 더 쉽게 인정될 것이다.도　1a는 사람 MASP-2의 유전적 구조를 설명하는 도면이다;도 1b는 사람 MASP-2 단백질의 도메인 구조를 설명하는 도면이다;도 2는 실시예 2에 설명된 바와 같이, 다양한 MASP-2 항원에 대하여 패닝된 (panned) scFcv 파지 (phage) 라이브러리로부터 선택된 다클론성 집단에서 수행된 ELISA 검정의 결과를 그래프로 설명한다;도 3a 및 3b는 실시예 3에 의해 설명된 바와 같이, 보체 검정에서 기능적 활성에 대하여 45개의 후보 scFv 클론의 테스트 결과를 나타낸다;도 4는 실시예 4에 설명된 바와 같이, 세 개의 혈청 (사람, 래트 및 NHP)에서 C3c 수준을 비교하기 위해 수행된 실험의 결과를 그래프로 설명한다;도 5a는 실시예 4에 설명된 바와 같이, 각각 VH2 및 VH6 유전자 패밀리에 속하는 두 개의 별개의 그룹을 나타내는 가장 활성인 클론의 중쇄 영역 (잔기 1-120)의 아미노산 서열 정렬이다;도 5b는 실시예 4에 설명된 바와 같이, scFv 클론 17D20, 17N16, 18L16 및 4D9의 아미노산 서열 정렬이다;도 6은 실시예 5에 설명된 바와 같이, 90% 사람 혈장을 사용하여 C3b 침착 검정에서 IgG4 전환된 모체 클론의 조제물의 억제 활성을 그래프로 설명한다:도 7a는 실시예 6에 설명된 바와 같이, huMASP2A상에 적정된 딸 클론에 비해 17N16 모체 클론의 ELISA 검정의 결과를 그래프로 설명한다;도 7b는 실시예 6에 설명된 바와 같이, huMASP2A상에 적정된 딸 클론에 비해 17D20 모체 클론의 ELISA 검정의 결과를 그래프로 설명한다;도 8은 실시예 6에 설명된 바와 같이, 경쇄 (SYE로 시작)가 두 개의 클론 사이에서 다른 17개의 아미노산 잔기를 갖는다는 것을 나타내는 모체 클론 17N16 및 17N9 딸 클론의 단백질 서열 정렬이다;도 9는 실시예 7에 설명된 바와 같이, 17D20 모체 클론과 비교하여 돌연변이 생성으로부터 발생한 클론 #35, #59 및 #90의 서열의 CDR-H3 영역의 단백질 서열 정렬이다;도　10a는 실시예 7에 설명된 바와 같이, 사슬 셔플링된 (shuffled)클론 17D20md21N11을 갖는 17D20 모체 클론의 CDR3 영역 및 17D20md21N11의 VL (VH35-VL21N11)과 결합된, 도 9에 나타난 돌연변이 생성 클론 #35 CDR-H3 클론의 단백질 서열 정렬이다;도 10b는 실시예 7에 설명된 바와 같이, 17D20 모체 클론 및 딸 클론 17D20md21N11의 VL 및 VH 영역의 단백질 서열 정렬이다;도 11a는 실시예 8에 설명된 바와 같이, 사람 항-MASP-2 단클론성 항체 모체 클론 17N16으로부터 유도된 딸 클론 이소타입 변이체 (MoAb#1-3)에 대하여 수행된 C3b 침착 검정의 결과를 그래프로 설명한다;도 11b는 실시예 8에 설명된 바와 같이, 사람 항-MASP-2 단클론성 항체 모체 클론 17D20으로부터 유도된 딸 클론 이소타입 변이체 (MoAb#4-6)에 대하여 수행된 C3b 침착 검정의 결과를 그래프로 설명한다;도 12a 및 12b는 실시예 8에 설명된 바와 같이, 95% 혈청에서 C3b 침착 검정에서 모체 클론 및 MoAb#1-6의 테스트를 그래프로 설명한다;도 13은 실시예 8에 설명된 바와 같이, 95% 정상 사람 혈청에서 C4b의 억제를 그래프로 설명한다; 도 14는 실시예 8에 설명된 바와 같이, 95% 아프리카 사바나 원숭이 (African Green monkey) 혈청에서 C3b 침착의 억제를 그래프로 설명한다; 도 15는 실시예 8에 설명된 바와 같이, MoAb#2-6에 의해 미리 조립된 MBL-MASP2 복합체의 C4 절단 활성의 억제를 그래프로 설명한다; 도　16은 실시예 8에 설명된 바와 같이, C1s와 비교하여 사람 MASP2에 MpAb#6의 우선적인 결합을 그래프로 설명한다;도 17은 실시예 10에 설명된 바와 같이, 렉틴 경로가 아프리카 사바나 원숭이에 항-사람 MoAb#OMS646의 정맥 내 투여 후 완벽히 억제되었다는 것을 그래프로 나타낸다; 도 18a는 실시예 11에 설명된 바와 같이, 대조군 마우스 및 항-쥐 MASP-2 항체 (mAbM11) 또는 항-사람 MASP-2 항체 (mAbOMS646)가 처리된 마우스에서 7.0 Gy 방사선에 노출 후 시간이 흐름에 따른 퍼센트 생존을 나타내는 카플란-마이어 (Kaplan-Meier) 생존 플롯이다; 도 18b는 실시예 11에 설명된 바와 같이, 대조군 마우스 및 항-쥐 MASP-2 항체 (mAbM11) 또는 항-사람 MASP-2 항체 (mAbOMS646)가 처리된 마우스에서 6.5 Gy 방사선에 노출 후 시간이 흐름에 따른 퍼센트 생존을 나타내는 카플란-마이어 (Kaplan-Meier) 생존 플롯이다; 도 18c는 실시예 11에 설명된 바와 같이, 대조군 마우스 및 항-사람 MASP-2 항체 (mAbOMS646)가 처리된 마우스에서 8.0 Gy 방사선에 노출 후 시간이 흐름에 따른 퍼센트 생존을 나타내는 카플란-마이어 (Kaplan-Meier) 생존 플롯이다; 도 19는 실시예 12에 설명된 바와 같이, 항-MASP-2 항체 OMS646에 대한 표면 플라스몬 공명 (Biacore) 분석의 결과 (초 단위의 시간에 대한 반응 단위 (결합))를 그래프로 설명하며, 고정된 OMS646이 약 1-3x10-4S-1의 Koff 속도 및 약 1.6-3x106M-1S-1의 Kon 속도로 재조합 MASP-2에 결합한다는 것을 나타낸다;도 20은 실시예 12에 설명된 바와 같이, 고정된 사람 MASP-2에 대한 항-MASP-2 항체 OMS646의 결합 친화도를 결정하기 위한 ELISA 검정의 결과를 그래프로 설명하며, OMS646은 대략 100 pM의 KD로 고정된 재조합 사람 MASP-2에 결합한다는 것을 나타낸다;도 21a는 실시예 12에 설명된 바와 같이, 항-MASP-2 항체 (OMS646)의 존재 또는 부재시 만난-코팅된 표면상의 C4 활성화의 수준을 그래프로 설명하며, OMS646이 1% 사람 혈청에서 대략 0.5 nM의 IC50으로 만난-코팅된 표면상의 C4 활성화를 억제한다는 것을 입증한다; 도 21b는 실시예 12에 설명된 바와 같이, 항-MASP-2 항체 (OMS646)의 존재 또는 부재시 IgG-코팅된 표면상의 C4 활성화의 수준을 그래프로 설명하며, OMS646이 보체 성분 C4의 고전적 경로-의존적 활성화를 억제하지 않는다는 것을 나타낸다;도 22a는 실시예 12에 설명된 바와 같이, 렉틴 경로-특이적 검정 조건 하에 항-MASP-2 항체 (OMS646)의 존재 또는 부재시 MAC 침착의 수준을 그래프로 설명하며, OMS646이 대략 1 nM의 IC50 값으로 렉틴-매개된 MAC 침착을 억제한다는 것을 입증한다; 도 22b는 실시예 12에 설명된 바와 같이, 고전적 경로-특이적 검정 조건 하에 항-MASP-2 항체 (OMS646)의 존재 또는 부재시 MAC 침착의 수준을 그래프로 설명하며, OMS646이 고전적 경로-매개된 MAC 침착을 억제하지 않는다는 것을 입증한다; 도 22c는 실시예 12에 설명된 바와 같이, 대체 경로-특이적 검정 조건 하에 항-MASP-2 항체 (OMS646)의 존재 또는 부재시 MAC 침착의 수준을 그래프로 설명하며, OMS646이 대체 경로-매개된 MAC 침착을 억제하지 않는다는 것을 입증한다;도 23a는 실시예 12에 설명된 바와 같이, 렉틴 경로-특이적 조건 하에 90% 사람 혈청의 다양한 농도에 걸쳐 항-MASP-2 항체 (OMS646)의 존재 또는 부재시 C3 침착의 수준을 그래프로 설명하며, OMS646이 생리학적 조건 하에 C3 침착을 차단한다는 것을 입증한다;도 23b는 실시예 12에 설명된 바와 같이, 90% 사람 혈청의 다양한 농도에 걸쳐 C4 침착 항-MASP-2 항체 (OMS646)의 존재 또는 부재시 C4 침착의 수준을 그래프로 설명하며, OMS646이 생리학적 조건 하에 C4 침착을 차단한다는 것을 입증한다; 도 24a는 실시예 12에 설명된 바와 같이, 렉틴 경로-특이적 조건 하에 90% 게먹이 원숭이 (cynomolgus monkey) 혈청에서 항-MASP-2 항체 (OMS646)의 부재 또는 존재시 C4 침착의 수준을 그래프로 설명하며, OMS646이 30 내지 50 nM의 범위의 IC50 값으로 용량-반응 방식으로 게먹이 원숭이 혈청에서 렉틴 경로 C4 침착을 억제한다는 것을 입증한다; 및도 24b는 실시예 12에 설명된 바와 같이, 렉틴 경로-특이적 조건 하에 90% 아프리카 사바나 원숭이 혈청에서 C4 침착 항-MASP-2 항체 (OMS646)의 부재 또는 존재시 C4 침착의 수준을 그래프로 설명하며, OMS646이 15 내지 30 nM의 범위의 IC50 값으로 용량-반응 방식으로 용량-반응 방식으로 아프리카 사바나 원숭이 혈청에서 렉틴 경로 C4 침착을 억제한다는 것을 입증한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 서열 목록의 설명SEQ ID NO: 1 사람 MASP-2 cDNASEQ ID NO: 2 사람 MASP-2 단백질 (선도 서열 포함)SEQ ID NO: 3 사람 MASP-2 단백질 (성숙)SEQ ID NO: 4 래트 MASP-2 cDNASEQ ID NO: 5 래트 MASP-2 단백질 (선도 서열 포함)SEQ ID NO: 6 래트 MASP-2 단백질 (성숙)항원 (사람 MASP-2 성숙한 단백질에 관하여)SEQ ID NO: 7 사람 MASP-2의 CUBI 도메인 (aa 1-121)SEQ ID NO: 8 사람 MASP-2의 CUBI/EGF 도메인 (aa 1-166)SEQ ID NO: 9 사람 MASP-2의 CUBI/EGF/CUBII 도메인 (aa 1-277)SEQ ID NO: 10 사람 MASP-2의 EGF 도메인 (aa 122-166)SEQ ID NO: 11 사람 MASP-2의 CCPI/CCPII/SP 도메인 (aa 278-671)SEQ ID NO: 12 사람 MASP-2의 CCPI/CCPII 도메인 (aa 278-429)SEQ ID NO: 13 사람 MASP-2의 CCPI 도메인 (aa 278-347)SEQ ID NO: 14 사람 MASP-2의 CCPII/SP 도메인 (aa348-671)SEQ ID NO: 15 사람 MASP-2의 CCPII 도메인 (aa 348-429)SEQ ID NO: 16 사람 MASP-2의 SP 도메인 (aa 429-671)SEQ ID NO: 17: 세린-프로테아제 불활성화된 돌연변이 (돌연변이된 Ser 618을 갖는 aa 610-625)항-MASP-2 단클론성 항체 VH 사슬SEQ ID NO: 18 17D20mc 중쇄 가변 영역 (VH) 폴리펩티드 SEQ ID NO: 19 17D20_dc35VH21N11VL (OMS646) 중쇄 가변 영역 (VH)을 암호화하는 DNA (신호 펩티드 없음)SEQ ID NO: 20 17D20_dc35VH21N11VL (OMS646) 중쇄 가변 영역 (VH) 폴리펩티드SEQ ID NO: 21 17N16mc 중쇄 가변 영역 (VH) 폴리펩티드항-MASP-2 단클론성 항체 VL 사슬SEQ ID NO: 22 17D20mc 경쇄 가변 영역 (VL) 폴리펩티드SEQ ID NO: 23 17D20_dc21N11VL (OMS644) 경쇄 가변 영역 (VL)을 암호화하는 DNA (신호 펩티드 없음)SEQ ID NO: 24 17D20_dc21N11VL (OMS644) 경쇄 가변 영역 (VL) 폴리펩티드SEQ ID NO: 25 17N16mc 경쇄 가변 영역 (VL) 폴리펩티드SEQ ID NO: 26 17N16_dc17N9 (OMS641) 경쇄 가변 영역 (VL)을 암호화하는 DNA (신호 펩티드 없음)SEQ ID NO: 27 17N16_dc17N9 (OMS641) 경쇄 가변 영역 (VL) 폴리펩티드항-MASP-2 단클론성 항체 중쇄 CDRSEQ ID NO: 28-31 CDR-H1 SEQ ID NO: 32-35 CDR-H2 SEQ ID NO: 36-40 CDR-H3항-MASP-2 단클론성 항체 경쇄 CDRSEQ ID NO: 41-45 CDR-L1SEQ ID NO: 46-50 CDR-L2SEQ ID NO: 51-54 CDR-L3MASP-2 항체 서열SEQ ID NO: 55: scFv 모체 클론 17D20 전체 길이 폴리펩티드SEQ ID NO: 56: scFv 모체 클론 18L16 전체 길이 폴리펩티드SEQ ID NO: 57: scFv 모체 클론 4D9 전체 길이 폴리펩티드SEQ ID NO: 58: scFv 모체 클론 17L20 전체 길이 폴리펩티드SEQ ID NO: 59: scFv 모체 클론 17N16 전체 길이 폴리펩티드SEQ ID NO: 60: scFv 모체 클론 3F22 전체 길이 폴리펩티드SEQ ID NO: 61: scFv 모체 클론 9P13 전체 길이 폴리펩티드SEQ ID NO: 62: 야생형 IgG4 중쇄 불변 영역을 암호화하는 DNASEQ ID NO: 63: 야생형 IgG4 중쇄 불변 영역 폴리펩티드SEQ ID NO: 64 돌연변이 S228P를 갖는 IgG4 중쇄 불변 영역을 암호화하는 DNASEQ ID NO: 65: 돌연변이 S228P 폴리펩티드를 갖는 IgG4 중쇄 불변 영역SEQ ID NO: 66: scFv 딸 클론 17N16m_d17N9 전체 길이 폴리펩티드SEQ ID NO: 67: scFv 딸 클론 17D20m_d21N11 전체 길이 폴리펩티드SEQ ID NO: 68: scFv 딸 클론 17D20m_d3521N11 전체 길이 폴리펩티드SEQ ID NO: 69: 야생형 IgG2 중쇄 불변 영역을 암호화하는 DNASEQ ID NO: 70: 야생형 IgG2 중쇄 불변 영역 폴리펩티드SEQ ID NO: 71: 17N16m_d17N9 경쇄 유전자 서열 (nt 1-57에 의해 암호화된 신호 펩티드를 가짐)SEQ ID NO: 72: 17N16m_d17N9 경쇄 단백질 서열 (aa 1-19 신호 펩티드를 가짐)SEQ ID NO: 73: 17N16m_d17N9 IgG2 중쇄 유전자 서열 (nt 1-57에 의해 암호화된 신호 펩티드를 가짐)SEQ ID NO: 74: 17N16m_d17N9 IgG2 중쇄 단백질 서열 (aa 1-19 신호 펩티드를 가짐)SEQ ID NO: 75: 17N16m_d17N9 IgG4 중쇄 유전자 서열 (nt 1-57에 의해 암호화된 신호 펩티드를 가짐) SEQ ID NO: 76: 17N16m_d17N9 IgG4 중쇄 단백질 서열 (aa 1-19 신호 펩티드를 가짐)SEQ ID NO: 77: 17N16m_d17N9 IgG4 돌연변이된 중쇄 유전자 서열 (nt 1-57에 의해 암호화된 신호 펩티드를 가짐)SEQ ID NO: 78: 17N17m_d17N9 IgG4 돌연변이된 중쇄 단백질 서열 (aa 1-19 신호 펩티드를 가짐)SEQ ID NO: 79: 17D20_3521N11 경쇄 유전자 서열 (nt 1-57에 의해 암호화된 신호 펩티드를 가짐) SEQ ID NO: 80: 17D20_3521N11 경쇄 단백질 서열 (aa 1-19 신호 펩티드를 가짐)SEQ ID NO: 81: 17D20_3521N11 IgG2 중쇄 유전자 서열 (nt 1-57에 의해 암호화된 신호 펩티드를 가짐) SEQ ID NO: 82: 17D20_3521N11 IgG2 중쇄 단백질 서열 (aa 1-19 신호 펩티드를 가짐)SEQ ID NO: 83: 17D20_3521N11 IgG4 중쇄 유전자 서열 (nt 1-57에 의해 암호화된 신호 펩티드를 가짐) SEQ ID NO: 84: 17D20_3521N11 IgG4 중쇄 단백질 서열 (aa 1-19 신호 펩티드를 가짐)SEQ ID NO: 85: 17D20_3521N11 IgG4 돌연변이된 중쇄 유전자 서열 (nt 1-57에 의해 암호화된 신호 펩티드를 가짐) SEQ ID NO: 86: 17D20_3521N11 IgG4 돌연변이된 중쇄 단백질 서열 (aa 1-19 신호 펩티드를 가짐)SEQ ID NO: 87: 전체 길이 폴리펩티드를 암호화하는 scFv 딸 클론 17N16m_d17N9 DNA (신호 펩티드 없음)SEQ ID NO: 88: 전체 길이 폴리펩티드를 암호화하는 scFv 딸 클론 17D20m_d21N11 DNA (신호 펩티드 없음)SEQ ID NO: 89: 전체 길이 폴리펩티드를 암호화하는 scFv 딸 클론 17D20m_d3521N11 DNA (신호 펩티드 없음)SEQ ID NO: 90: 17D20m 및 d3521N11의 공통 중쇄 CDR-H3SEQ ID NO: 91: 17D20m 및 d3521N11의 공통 경쇄 CDR-L1SEQ ID NO: 92: 17N16m 및 d17N9의 공통 경쇄 CDR-L1SEQ ID NO: 93: 17D20m, d3521N11, 17N16m 및 d17N9의 공통 경쇄 CDR-L2SEQ ID NO: 94: 17N16m 및 d17N9의 공통 경쇄 CDR-L3상세한 설명본 발명은 사람 MASP-2에 결합하고 면역 시스템의 고전적 (C1q-의존적) 경로 성분을 온전하게 두면서 렉틴-매개된 보체 활성화를 억제하는 완전한 사람 항체를 제공한다. 사람 항-MASP-2 항체는 실시예 2-9에 설명된 바와 같이, 파지 디스플레이 라이브러리 (phage display library)에 의해 확인되었다. 실시예 10-12에 설명된 바와 같이, 높은 친화도 항-MASP-2 항체는 시험관 내 검정 및 생체 내 둘 다에서 입증된 바와 같이, 렉틴-매개된 보체 활성화를 억제하는 능력으로 확인되었다. 항체의 가변 경쇄 및 중쇄 단편은 scFv 포맷 및 전체 길이 IgG 포맷 둘 다에서 분리되었다. 사람 항-MASP-2 항체는 면역 시스템의 고전적 (C1q-의존적) 경로 성분을 온전하게 두면서 렉틴-매개된 보체 경로 활성화와 관련된 세포 손상을 억제하는데 유용하다. I. 정의여기에서 달리 정의되지 않으면, 여기에 사용된 모든 용어는 본 발명의 당업자에 의해 이해되는 것과 같은 의미를 가진다. 다음 정의는 본 발명을 설명하기 위해 명세서 및 청구범위에 사용된 용어에 관한 명확성을 제공하기 위해 제공된다.여기에 사용된 바와 같이, 용어 "MASP-2 의존적 보체 활성화"는 렉틴 경로의 MASP-2 의존적 활성화를 포함하며, 이것은 렉틴 경로 C3 콘버타제 C4b2a의 형성으로 이어지는 생리학적 조건 하에 (즉, Ca++의 존재시) 및 이후에 C5 콘버타제 C4b2a(C3b)n의 형성으로 이어지는 C3 절단 생성물 C3b의 축적시 발생한다.여기에 사용된 바와 같이, 용어 "대체 경로"는, 예를 들어, 균류 및 효모 세포벽의 치모산, 그람 음성 외벽, 및 토끼 적혈구, 뿐만 아니라 많은 순수한 다당류, 토끼 적혈구, 바이러스, 박테리아, 동물 종양 세포, 기생충 및 손상된 세포의 지질다당류 (LPS)에 의해 촉발되고 전통적으로 보체 인자 C3로부터 C3b의 자발적 단백질 가수 분해 생성으로부터 발생하는 것으로 생각되는 보체 활성화를 나타낸다. 여기에 사용된 바와 같이, 용어 "렉틴 경로"는 만난- 결합 렉틴 (MBL), CL-11 및 피콜린 (H-피콜린, M-피콜린, 또는 L-피콜린)을 포함하는 혈청 및 비-혈청 탄수화물-결합 단백질의 특이적 결합을 통해 발생하는 보체 활성화를 나타낸다.여기에 사용된 바와 같이, 용어 "고전적 경로"는 외부 입자에 결합된 항체에 의해 촉발되고 인식 분자 C1q의 결합을 필요로 하는 보체 활성화를 나타낸다. 여기에 사용된 바와 같이, 용어 "MASP-2 억제 항체"는 MASP-2에 결합하거나 이와 직접적으로 상호작용하고 MASP-2 의존적 보체 활성화를 효과적으로 억제하는 어떤 항-MASP-2 항체, 또는 이들의 MASP-2 결합 단편도 나타낸다. 본 발명의 방법에 유용한 MASP-2 억제 항체는 MASP-2 의존적 보체 활성화를 20% 이상, 예를 들어, 30% 이상, 또는 40% 이상, 또는 50% 이상, 또는 60% 이상, 또는 70% 이상, 또는 80% 이상, 또는 90% 이상, 또는 95% 이상 감소시킬 수도 있다. 여기에 사용된 바와 같이, 용어 "MASP-2 차단 항체"는 MASP-2 의존적 보체 활성화를 90% 이상, 예를 들어, 95% 이상, 또는 98% 이상 감소시키는 MASP-2 억제 항체를 나타낸다 (즉, 단지 10%, 예를 들어, 단지 9%, 또는 단지 8%, 또는 단지 7%, 또는 단지 6%, 예를 들어, 단지 5% 이하, 또는 단지 4%, 또는 단지 4%, 또는 단지 3% 또는 단지 2% 또는 단지 1%의 MASP-2 보체 활성화를 일으킨다).용어 "항체" 및 "면역글로불린"은 여기에 교체 가능하게 사용된다. 이들 용어는 업계에서 잘 이해되고, 항원에 특이적으로 결합하는 하나 이상의 폴리펩티드로 구성된 단백질을 나타낸다. 항체의 한 형태는 항체의 염기성 구조 단위를 구성한다. 이것은 테트라머이고 항체 사슬의 두 개의 동일한 쌍으로 구성되며, 각각의 쌍은 하나의 경쇄 및 하나의 중쇄를 갖는다. 각 쌍에서, 경쇄 및 중쇄 가변 영역은 함께 항원에 결합의 원인이 되고, 불변 영역은 항체 효과기 기능에 원인이 된다. 여기에 사용된 바와 같이, 용어 "항체"는 항체 및 이들의 항체 단편을 포함하며, 어떤 항체-생성 포유동물 (예를 드렁, 마우스, 래트, 토끼, 및 사람을 포함하는 영장류), 또는 히브리도마 (hybridoma), 파지 선택, 재조합 발현 또는 형질전환 동물 (또는 항체 또는 항체 단편을 생성하는 다른 방법)로부터 유도되고, MASP-2 폴리펩티드 또는 이들의 일부에 특이적으로 결합한다. 용어 "항체"는 항체의 근원 또는 그것이 만들어진 방식 (예를 들어, 히브리도마, 파지 선택, 재조합 발현, 형질전환 동물, 펩티드 합성, 등에 의해)에 관하여 제한되는 것은 아니다. 전형적인 항체는 다클론성, 단클론성 및 재조합 항체; 다중 특이적 항체 (예를 들어, 이중 특이적 항체); 사람화된 항체; 쥐 항체; 키메라, 마우스-사람, 마우스-영장류, 영장류-사람 단클론성 항체; 및 항-유전자형 항체를 포함하고, 이들의 어떤 온전한 분자 또는 단편도 될 수 있다. 여기에 사용된 바와 같이, 용어 "항체"는 온전한 다클론성 또는 단클론성 항체, 뿐만 아니라 이들의 단편 (예를 들어, dAb, Fab, Fab', F(ab')2, Fv), 단일 사슬 (ScFv), 이들의 합성 변이체, 자연 발생 변이체, 필수적인 특이성의 항원-결합 단편을 갖는 항체 일부를 포함하는 융합 단백질, 사람화된 항체, 키메라 항체, 및 필수적인 특이성의 항원-결합 부위 또는 단편 (에피토프 인식 부위)을 포함하는 면역 글로불린 분자의 어떤 다른 변형된 구조도 포함한다. 여기에 사용된 바와 같이, 용어 "항원-결합 단편"은 사람 MASP-2에 결합하는 면역글로불린 중쇄 및/또는 경쇄의 적어도 하나의 CDR을 함유하는 폴리펩티드 단편을 나타낸다. 이점에서, 여기에 설명된 항체의 항원-결합 단편은 MASP-2에 결합하는 항체의, 여기에 설명된 VH 및 VL 서열의 1, 2, 3, 4, 5, 또는 모두 6개의 CDR을 포함할 수도 있다. 여기에 설명된 MASP-2-특이적 항체의 항원-결합 단편은 MASP-2에 결합할 수 있다. 특정 구체예에서, 항원-결합 단편 또는 항원-결합 단편을 포함하는 항체는 MASP-2 의존적 보체 활성화의 억제를 매개한다. 여기에 사용된 바와 같이, 용어 "항-MASP-2 단클론성 항체"는 동질한 항체 집단을 나타내며, 단클론성 항체는 MASP-2상에서 에피토프의 결합을 선택하는데 있어서 수반되는 아미노산으로 구성된다. 항-MASP-2 단클론성 항체는 MASP-2 표적 항원에 매우 특이적이다. 용어 "단클론성 항체"는 온전한 단클론성 항체 및 전체 길이 단클론성 항체, 뿐만 아니라 이들의 단편 (예를 들어, Fab, Fab', F(ab')2, Fv), 단일 사슬 (ScFv), 이들의 변이체, 항원-결합 부분을 포함하는 융합 단백질, 사람화된 단클론성 항체, 키메라 단클론성 항체, 및 필수적인 특이성의 항원-결합 단편 (에피토프 인식 부위) 및 에피토프에 결합하는 능력을 포함하는 면역글로불린 분자의 어떤 다른 변형된 구조도 포함한다. 여기에 사용된 바와 같이, 수식어 "단클론성"은 항체의 실질적으로 동질한 집단으로부터 얻어지는 것으로서 항체의 특징을 나타내고, 항체의 근원 또는 그것이 만들어진 방식 (예를 들어, 히브리도마, 파지 선택, 재조합 발현, 형질전환 동물, 등에 의해)에 관하여 제한되지 않는다. 용어는 "항체"의 정의 하에 상기 설명된 전체 면역글로불린, 뿐만 아니라 단편 등을 포함한다. 단클론성 항체는 배양시 지속적 세포주에 의해 항체 분자의 생성을 제공하는 어떤 기술, 예를 들어, Kohler, G., et　al., Nature　256:495, 1975에 설명된 히브리도마 방법을 사용하여 얻어질 수 있거나 그것들은 재조합 DNA 방법에 의해 만들어질 수도 있다 (예를 들어, Cabilly에 대한 미국 특허 번호 4,816,567을 참고하면 된다). 단클론성 항체는 또한 Clackson, T., et　al., Nature　352:624-628, 1991, 및 Marks, J.D., et　al., J. Mol. Biol.　222:581-597, 1991에 설명된 기술을 사용하여 파지 항체 라이브러리로부터 분리될 수도 있다. 이러한 항체는 IgG, IgM, IgE, IgA, IgD 및 이들의 어떤 하위 등급도 포함하는 어떤 면역글로불린 등급 중 하나일 수 있다.인식된 면역글로불린 폴리펩티드는 카파 및 람다 경쇄 및 알파, 감마 (IgG1, IgG2, IgG3, IgG4), 델타, 엡실론 (epsilon) 및 뮤 (mu) 중쇄 또는 다른 종의 동등물을 포함한다. 전체 길이 면역글로불린 "경쇄" (약 25 kDa 또는 약 214개의 아미노산의)는 NH2-말단에서 약 110개의 아미노산의 가변 영역 및 COOH-말단에서 카파 또는 람다 불변 영역을 포함한다. 전체 길이 면역글로불린 "중쇄" (약 50 kDa 또는 약 446개의 아미노산의)는 유사하게 가변 영역 (약 116개의 아미노산의) 및 상기 언급된 중쇄 불변 영역 중 하나, 예를 들어, 감마 (약 330개의 아미노산의)를 포함한다. 염기성 4-사슬 항체 단위는 두 개의 동일한 경쇄 (L) 및 두 개의 동일한 중쇄 (H)로 구성된 헤테로테트라머 당단백질이다. IgM 항체는 J 사슬로 불리는 추가적인 폴리펩티드와 함께 염기성 헤테로테트라머 단위 중 5개로 구성되고, 그러므로 10개의 항원 결합 부위를 함유한다. 분비된 IgA 항체는 폴리머화하여 J 사슬과 함께 염기성 4-사슬 단위 중 2-5개를 포함하는 다가 집합체 (assemblage)를 형성할 수 있다. 각각의 L 사슬은 한 공유 이황화 결합에 의해 H 사슬에 결합되는 한편, 두 개의 H 사슬은 H 사슬 이소타입에 의존적으로 하나 이상의 이황화 결합으로 하나 이상에 의해 서로 결합된다. 각각의 H 및 L 사슬은 또한 규칙적인 간격의 사슬 내 이황화 결합을 갖는다. VH 및 VL의 짝 이루기는 함께 단일 항원-결합 부위를 형성한다. 각각의 H 사슬은 N-말단에서, 가변 도메인 (VH)에 이어서, α 및 γ 사슬 각각에 대하여 세 개의 불변 도메인 (CH), 및 μ 및 ε 이소타입에 대하여 네 개의 CH 도메인 (CH)을 갖는다. 각각의 L 사슬은 N-말단에서, 가변 도메인 (VL)에 이어서, 그것의 다른 끝에서 불변 도메인 (CL)을 갖는다. VL은 VH와 함께 정렬되고 CL은 중쇄의 첫 번째 불변 도메인 (CH1)과 함RP 정렬된다. 어떤 척추동물 종의 L 사슬도 그것들의 불변 도메인 (CL)의 아미노산 서열에 기초하여, 카파 (κ) 및 람다 (λ)로 불리는 두 개의 명백하게 별개의 타입 중 하나에 할당될 수 있다. 그것들의 중쇄의 불변 도메인 (CH)의 아미노산 서열에 의존적으로, 면역글로불린은 다른 등급 또는 이소타입에 할당될 수 있다. 면역글로불린의 다섯 개의 등급이 있다: 각각 알파 (α), 델타 (δ), 엡실론 (ε), 감마 (γ) 및 뮤 (μ)로 지정된 중쇄를 갖는 IgA, IgD, IgE, IgG 및 IgM. γ 및 α 등급은 CH 서열 및 가능의 사소한 차이에 기초하여 하위 등급으로 더 나누어지고, 예를 들어, 사람은 다음 하위 등급을 발현한다: IgG1, IgG2, IgG3, IgG4, IgA1 및 IgA2. 다른 등급의 항체의 구조 및 성질에 대하여, 예를 들어, Basic and Clinical Immunology, 8th Edition, Daniel P. Stites, Abba I. Terr and Tristram G. Parslow (eds); Appleton and Lange, Norwalk, Conn., 1994, 페이지 71 및 제 6장을 참고하면 된다. 용어 "가변"은 V 도메인의 특정 세그먼트가 항체 사이의 서열이 광범위하게 다르다는 사실을 나타낸다. V 도메인은 항원 결합을 매개하고 그것의 특정 항원에 대한 특정 항체의 특이성을 정의한다. 하지만, 가변성은 가변 도메인의 110개의 아미노산 범위에 걸쳐 골고루 분배되지 않는다. 오히려, V 영역은 각각 9-12개의 아미노산 길이인 "초가변 영역"으로 불리는 극도의 가변성의 더 짧은 영역에 의해 분리된 15-30개의 아미노산의 프레임워크 영역 (FR)로 불리는 상대적으로 불변 스트레치 (stretch)로 구성된다. 본래의 중쇄 및 경쇄의 가변 도메인 각각은 네 개의 FR을 포함하며, 세 개의 초 가변 영역에 의해 연결된 베타-시트 구조를 주로 사용하며, 이것은 n-시트 구조를 연결하고, 일부 경우에 이의 일부를 형성하는 루프를 형성한다. 각각의 사슬에서 초가변 영역은 FR에서 가까운 거리에 유지되고, 다른 사슬의 초가변 영역과 함께, 항체의 항원-결합 부위의 형성에 기여한다 (Kabat, et　al., Sequences of Proteins of Immunological Interest, 5th Ed. Public Health Service, National Institutes of Health, Bethesda, Md (1991)을 참고하면 된다). 불변 도메인은 항원에 항체를 결합하는데 있어서 직접 수반되지는 않지만, 항체 의존적 세포 독성 (ADCC)에 항체의 참여와 같은, 다양한 효과기 기능을 나타낸다.여기에 사용된 바와 같이, 용어 "초가변 영역"은 항원 결합의 원인이 되는 항체의 아미노산 잔기를 나타낸다. 초가변 영역은 일반적으로 "상보성 결정 영역" 또는 "CDR" (즉, Kabat, et al., Sequences of Proteins of Immunological Interest, 5th Ed. Public Health Service, National Institutes of Health, Bethesda, Md (1991)에 설명된 바와 같이 카바트 번호 붙이기 (Kabat numbering) 시스템에 따라 번호를 붙일 때, 경쇄 가변 도메인에서 대략 잔기 24-34 (L1), 50-56 (L2) 및 89-97 (L3), 및 중쇄 가변 도메인에서 대략 31-35 (H1), 50-65 (H2) 및 95-102 (H3))의 아미노산 잔기; 및/또는 "초가변 루프" (즉, Chothia and Lesk, J. Mol. Biol. 196:901-917 (1987)에 설명된 바와 같이, 초티아 번호 붙이기 (chothia numbering) 시스템에 따라 번호를 붙일 때, 경쇄 가변 도메인에서 잔기 24-34 (L1), 50-56 (L2) 및 89-97 (L3), 및 중쇄 가변 도메인에서 26-32 (H1), 52-56 (H2) 및 95-101 (H3))의 그들의 잔기; 및/또는 "초가변 루프"/CDR (예를 들어, Lefranc, J.P., et　al., Nucleic Acids Res 27:209-212; Ruiz, M., et al., Nucleic Acids Res 28:219-221 (2000)에 설명된 바와 같이 IMGT 번호 붙이기 시스템에 따라 번호를 붙일 때, VL에서 잔기 27-38 (L1), 56-65 (L2) 및 105-120 (L3), 및 VH에서 27-38 (H1), 56-65 (H2), 및 105-120 (H3))의 그들의 잔기를 포함한다.여기에 사용된 바와 같이, 용어 "항체 단편"은 전체 길이 항-MASP-2 항체로부터 유도되거나 이와 관련된 부분을 나타내며, 일반적으로 이들의 항원 결합 영역 또는 가변 영역을 포함한다. 항체 단편의 구체적인 예는 Fab, Fab', F(ab)2, F(ab')2 및 Fv 단편, scFv 단편, 이중체, 선형 항체, 단일 사슬 항체 분자, 항체 단편에 의해 형성된 이중 특이적 및 다중 특이적 항체를 포함한다. 이중 특이적 항체가 사용될 경우에, 이들은 통상적인 이중 특이적 항체일 수도 있으며, 이것은 다양한 방법으로 제조될 수 있고 (Holliger, P. and Winter G. Current Opinion Biotechnol. 4, 446-449 (1993)), 예를 들어, 화학적으로 또는 잡종 히브리도마로부터 제조되거나, 상기 언급된 이중 특이적 항체 단편 중 어떤 것도 될 수 있다. 여기에 사용된 바와 같이, "단일 사슬 Fv" 또는 "scFv" 항체 단편은 항체의 VH 및 VL 도메인을 포함하며, 이들 도메인은 단일 폴리펩티드 사슬에 존재한다. 일반적으로, Fv 폴리펩티드는 VH 및 VL 도메인 사이의 폴리펩티드 결합자를 추가로 포함하며, 이것은 scFv가 항원 결합을 위해 바람직한 구조를 형성할 수 있게 한다. Pluckthun in The Pharmacology of Monoclonal Antibodies, Vol.　113, Rosenburg and Moore eds., Springer-Verlag, New York, pp.　269-315 (1994)를 참고하면 된다. "Fv"는 완벽한 항원-인식 및 결합 부위를 함유하는 최소 항체 단편이다. 이 단편은 단단한, 비-공유 결합에서 하나의 중쇄 및 하나의 경쇄 가변 영역 도메인의 다이머로 구성된다. 항원 결합을 위해 아미노산 잔기를 기부하고 항체에 대한 항원 결합 특이성을 부여하는 여섯 개의 초가변 루프 (H 및 L 사슬로부터 각각 세 개의 루프)가 이들 두 개의 도메인의 폴딩 (folding)으로부터 발산된다. 하지만, 단일 가변 도메인 (또는 항원에 특이적인 세 개의 CDR만을 포함하는 Fv의 절반)은 전체 결합 부위보다 더 낮은 친화도에도 불구하고 항원을 인식하고 이에 결합하는 능력을 가진다. 여기에 사용된 바와 같이, 용어 "특이적 결합"은 바람직하게 다른 분해물질의 동질의 혼합물에 존재하는 특정 분해물질에 결합하는 항체의 능력을 나타낸다. 특정 구체예에서, 특이적 결합 상호작용은 샘플의 원하는 분해물질 및 원하지 않는 분해물질 사이에서, 일부 구체예에서는, 약 10 내지 100배 이상보다 더 많은 (예를 들어, 약 1000배 또는 10,000배보다 더 많은) 차이가 있을 것이다. 특정 구체예에서, 유기 포획제 (capture agent) 및 분해물질 사이의 친화도는 그것들이 유기 포획제/분해물질 복합체에 특이적으로 결합될 때 약 100 nM 미만, 또는 약 50 nM 미만, 또는 약 25 nM 미만, 또는 약 10 nM 미만, 또는 약 5 nM 미만, 또는 약 1 nM 미만의 KD (해리 상수)를 특징으로 한다. 여기에 사용된 바와 같이, 용어 "변이체" 항-MASP-2 항체는 모체 항체 서열에서 하나 이상의 아미노산 잔기(들)의 추가, 삭제, 및/또는 치환의 장점에 의해 "모체" 또는 참조 항체 아미노산 서열의 아미노산 서열과 다른 분자를 나타낸다. 한 구체예에서, 변이체 항-MASP-2 항체는 중쇄 가변 영역의 CDR 영역 내에서 조합된 총 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 또는 10개의 아미노산 치환, 및/또는 경쇄 가변 영역의 상기 CDR 영역과 조합된 총 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 또는 10개의 아미노산 치환을 제외하고, 모체 가변 도메인과 동일한 가변 영역을 함유하는 분자를 나타낸다. 일부 구체예에서, 아미노산 치환은 보존적 서열 변형이다. 여기에 사용된 바와 같이, 용어 "모체 항체"는 변이체의 제조에 사용된 아미노산에 의해 암호화된 항체를 나타낸다. 바람직하게, 모체 항체는 사람 프레임워크 영역을 갖고, 존재하면, 사람 항체 불변 영역(들)을 갖는다. 예를 들어, 모체 항체는 사람화된 또는 완전히 사람 항체일 수도 있다. 여기에 사용된 바와 같이, 용어 "분리된 항체"는 그것의 자연 환경의 성분으로부터 확인되고 분리된 및/또는 회수된 항체를 나타낸다. 그것의 자연 환경의 오염물질 성분은 항체에 대한 진단적 또는 치료적 사용을 방해하는 물질이고, 효소, 호르몬, 및 다른 단백질성 또는 비단백질성 용질을 포함할 수도 있다. 바람직한 구체예에서, 항체는 (1) 로리 (Lowry) 방법에 의해 결정된 항체의 95 중량%, 가장 바람직하게 99 중량% 이상으로; (2) 회전 컵 배열 결정 장치 (spinning cup sequenator)의 사용에 의해 N-말단 또는 내부 아미노산 서열 중 적어도 15개의 잔기를 얻기 위해 충분한 정도로; 또는 (3) 쿠마시 블루 (coomassie blue) 또는, 바람직하게 은염색법 (silver stain)을 사용하여 환원 또는 비환원 조건 하에 SDS-PAGE에 의한 동질성으로 정제될 것이다. 분리된 항체는 항체의 자연의 환경 중 적어도 하나의 성분이 존재하지 않기 때문에 재조합 세포 내 제자리에서 항체를 포함한다. 하지만, 보통, 분리된 항체는 적어도 하나의 정제 단계에 의해 제조될 것이다. 여기에 사용된 바와 같이, 용어 "에피토프"는 단클론성 항체가 특이적으로 결합하는 항원의 일부를 나타낸다. 에피토프 결정요인은 보통 아미노산 또는 당 측쇄와 같은 분자를 그룹화하는 화학적 활성 표면으로 구성되고 보통 특정 3차원 구조적 특성, 뿐만 아니라 특정 전하적 특성을 갖는다. 더 특이적으로, 용어 "MASP-2 에피토프"는 여기에 사용된 바와 같이, 업계에 잘 알려진 어떤 방법에 의해, 예를 들어, 면역검정에 의해, 결정된 바와 같이 항체가 면역특이적으로 결합하는 해당 폴리펩티드의 일부를 나타낸다. 항원성 에피토프는 반드시 면역성일 필요는 없다. 이러한 에피토프는 자연에서 선형일 수 있거나 불연속 에피토프일 수 있다. 따라서, 여기에 사용된 바와 같이, 용어 "형태적 에피토프"는 파괴되지 않은 일련의 아미노산 이외의 항원의 아미노산 사이의 공간적 관계에 의해 형성된 불연속 에피토프를 나타낸다. 여기에 사용된 바와 같이, 용어 "만난-결합 렉틴" ("MBL")은 만난-결합 단백질 ("MBP")와 동등하다. 여기에 사용된 바와 같이, "막 공격 복합체 (membrane attack complex)" ("MAC")는 막에 삽입되거나 이를 붕괴하는 다섯 개의 말단 보체 성분 (C5-C9)의 복합체를 나타낸다. 또한 C5b-9로도 나타난다여기에 사용된 바와 같이, "대상체"는 사람, 비-사람 영장류, 개, 고양이, 말, 양, 염소, 소, 토끼, 돼지 및 설치류를 포함하지만 제한이 없는 모든 포유동물을 나타낸다. 여기에 사용된 바와 같이, 아미노산 잔기는 다음과 같이 축약된다: 알라닌 (Ala;A), 아스파라긴 (Asn;N), 아스파르트산 (Asp;D), 아르기닌 (Arg;R), 시스테인 (Cys;C), 글루탐산 (Glu;E), 글루타민 (Gln;Q), 글리신 (Gly;G), 히스티딘 (His;H), 이소류신 (Ile;I), 류신 (Leu;L), 리신 (Lys;K), 메티오닌 (Met;M), 페닐알라닌 (Phe;F), 프롤린 (Pro;P), 세린 (Ser;S), 트레오닌 (Thr;T), 트립토판 (Trp;W), 티로신 (Tyr;Y), 및 발린 (Val;V).가장 넓은 의미에서, 자연 발생한 아미노산은 각각의 아미노산의 측쇄의 화학적 성질에 기초하여 그룹으로 나누어질 수 있다. "소수성" 아미노산은 Ile, Leu, Met, Phe, Trp, Tyr, Val, Ala, Cys 또는 Pro를 의미한다. "친수성" 아미노산은 Gly, Asn, Gln, Ser, Thr, Asp, Glu, Lys, Arg 또는 His를 의미한다. 아미노산의 이 그룹은 다음과 같이 추가로 하위 등급으로 분류될 수 있다. "비전하 친수성" 아미노산은 Ser, Thr, Asn 또는 Gln을 의미한다. "산성" 아미노산은 Glu 또는 Asp를 의미한다. "염기성" 아미노산은ㅇ Lys, Arg 또는 His를 의미한다.여기에 사용된 바와 같이, 용어 "보존적 아미노산 치환"은 각각의 다음 그룹 내 아미노산 사이에서 치환으로 설명된다: (1)　글리신, 알라닌, 발린, 류신, 및 이소류신, (2)　페닐알라닌, 티로신, 및 트립토판, (3)　세린 및 트레오닌, (4)　아스파르테이트 및 글루타메이트, (5)　글루타민 및 아스파라긴, 및 (6)　리신, 아르기닌 및 히스티딘.여기에 사용된 바와 같이, "분리된 핵산 분자"는 유기체의 게놈 DNA에 포함되지 않는 핵산 분자 (예를 들어, 폴리뉴클레오티드)이다. 예를 들어, 세포의 게놈 DNA로부터 분리된 성장 인자를 암호화하는 DNA 분자는 분리된 DNA 분자이다. 분리된 핵산 분자의 또 다른 예는 유기체의 게놈에 포함되지 않는 화학적으로 합성된 핵산 분자이다. 특정 종으로부터 분리된 핵산 분자는 상기 종의 염색체의 완벽한 DNA 분자보다 더 작다. 여기에 사용된 바와 같이, "핵산 분자 구조"는 자연에 존재하지 않는 배열에서 결합되고 병치된 핵산의 세그먼트를 함유하는 사람 간섭을 통해 변형된, 단일- 또는 이중-가닥 핵산 분자이다. 여기에 사용된 바와 같이, "발현 벡터"는 숙주 세포에서 발현되는 유전자를 암호화하는 핵산 분자이다. 전형적으로, 발현 벡터는 전사 프로모터, 유전자, 및 전사 종결자를 포함한다. 유전자 발현은 보통 프로모터의 조절 하에 배치되고, 이러한 유전자는 프로모터에 "작동 가능하게 결합된" 것으로 나타난다. 유사하게는, 조절 요소 및 코어 프로모터는 조절 요소가 코어 프로모터의 활성을 조절하는 경우 작동 가능하게 결합된다. 여기에 사용된 바와 같이, 숫자에 대한 참조로 용어 "대략" 또는 "약"은 일반적으로 달리 진술되지 않거나 그렇지 않으면 문맥으로부터 명시되지 않으면 숫자의 어떤 방향의 5%의 범위 (이상 또는 이하)에 들어가는 숫자를 포함하도록 취해진다 (이러한 숫자가 가능한 값의 100%를 초과하는 경우를 제외). 범위가 진술된 경우, 종료점은 달리 진술되지 않거나 그렇지 않으면 문맥으로부터 명시되지 않으면 범위 내에 포함된다. 여기에 사용된 바와 같이, 단수형 "하나의", "하나의" 및 "그"는 문맥이 달리 명백하게 지시되지 않으면 복수의 양태를 포함한다. 따라서, 예를 들어, "하나의 세포"에 대한 참조는 단일 세포, 뿐만 아니라 둘 이상의 세포도 포함한다; "하나의 약제"에 대한 참조는 하나의 약제, 뿐만 아니라 둘 이상의 약제도 포함한다; "하나의 항체"에 대한 참조는 복수의 이러한 항체를 포함하고 "하나의 프레임워크 영역"에 대한 참조는 하나 이상의 프레임워크 영역 및 당업자에게 알려진 이들의 동등물, 등에 대한 참조를 포함한다. 이 명세서에서 각 구체예는 달리 명확히 진술되지 않으면 모든 다른 구체예에 필요한 부분만 약간 수정하여 적용될 것이다. 표준 기술은 재조합 DNA, 올리고뉴클레오티드 합성, 및 조직 배양 및 형질전환 (예를 들어, 전기 천공, 리포펙타민)에 사용될 수도 있다. 효소 반응 및 정제 기술은 제조사의 지시에 따라 또는 업계에서 보통 달성되는 바와 가팅 또는 여기에 설명된 바와 같이 수행될 수도 있다. 이들 및 관련된 기술 및 과정은 일반적으로 업계에 잘 알려진 통상적인 방법에 따라 및 본 명세서를 통해 인용되거나 논의된 다양한 일반적 및 더 특이적 참조에 설명된 바와 같이 수행될 수도 있다. 예를 들어, Sambrook et al., 2001, MOLECULAR CLONING: A LABORATORY MANUAL, 3d ed., Cold Spring Harbor Laboratory Press, Cold Spring Harbor, N.Y.; Current Protocols in Molecular Biology (Greene Publ. Assoc. Inc. 0026# John Wiley 0026# Sons, Inc., NY, NY); Current Protocols in Immunology (Edited by: John E. Coligan, Ada M. Kruisbeek, David H. Margulies, Ethan M. Shevach, Warren Strober 2001 John Wiley 0026# Sons, NY, NY); 또는 다른 적절한 현재 프로토콜 간행물 및 다른 유사한 참고문헌을 참고하면 된다. 특이적 정의가 제공되지 않으면, 여기에 설명된 분자 생물학, 분석화학, 합성 유기 화학, 및 의학적 및 약학적 화학 반응에 관하여 이용된 명명법, 및 이들의 실험 과정 및 기술은 업계에 잘 알려져 있고 보통 사용되는 것들이다. 표준 기술은 재조합 기술, 분자 생물학, 미생물학, 화학적 합성, 화학적 분석, 약학적 조제물, 조제, 및 전달, 및 환자의 치료에 사용될 수도 있다. 이 명세서에서 논의된 어떤 구체예도 본 발명의 어떤 방법, 키트, 시약, 또는 조성물, 및 그 반대에 관하여 시행될 수 있다고 생각된다. 게다가, 본 발명의 조성물은 본 발명의 방법을 달성하기 위해 사용될 수 있다. II. 개요렉틴 (MBL, M-피콜린, H-피콜린, L-피콜린 및 CL-11)은 선천적 보체 시스템응ㄹ 촉발하는 특이적 인식 분자이고 시스템은 렉틴 시작 경로 및 말단 보체 효과기 분자의 렉틴-시작된 활성화를 증폭하는 관련된 말단 경로 증폭 루프를 포함한다. C1q는 후천적 보체 시스템을 촉발하는 특이적 인식 분자이고 시스템은 고전적 시작 경로 및 말단 보체 효과기 분자의 C1q-시작된 활성화를 증폭하는 관련 말단 경로 증폭 루프를 포함한다. 우리는 이들 두 개의 주요 보체 활성화 시스템을 각각 렉틴-의존적 보체 시스템 및 C1q-의존적 보체 시스템으로 나타낸다. 면역 방어시 그것의 필수적인 역할 이외에, 보체 시스템은 많은 임상적 질병에서 조직 손상에 기여한다. 따라서, 이들 부작용을 방지하기 위해 치료적으로 효과적인 보체 억제제를 개발하는 것이 긴급하게 필요하다. 미국 특허 번호 7,919,094, 동시 계속 미국 특허 출원 일련 번호 12/905,972 (US 2011/0091450로서 공개됨), 및 동시계속 미국 특허 출원 일련 번호 13/083,441 (US2011/0311549로서 공개됨)에 설명된 바와 같이, 이것들 각각은 Omeros Corporation, 본 출원의 양수인에게 할당되고, 이것들 각각은 본원에 참고로 포함되며, MASP-2 -/- 마우스 모델의 사용을 통해 고전적 경로를 온전하게 두면서 렉틴 매개된 MASP-2 경로를 억제하는 것이 가능하다는 것이 결정되었다. 고전적 경로를 온전하게 두면서 렉틴 매개된 MASP-2 경로를 억제하는 것이 가능한 인식과 함께 보체의 면역 방어 능력을 완벽히 폐쇄하지 않고 특정 병리학을 유발하는 보체 활성화 시스템만을 특이적으로 억제하는 것이 매우 바람직할 것이라는 것이 실현될 것이다. 예를 들어, 보체 활성화가 렉틴-의존적 보체 시스템에 의해 대부분 매개되는 질환 상태에서, 이 시스템만을 특이적으로 억제하는 것이 이로울 것이다. 이것은 면역 복합체 가공을 조작하고 감염에 대한 숙주 방어를 지원하는 C1q-의존적 보체 활성화 시스템을 프로퍼딘 유지할 것이다. 렉틴-의존적 보체 시스템을 특이적으로 억제하는 치료제의 개발시 표적화하는 바람직한 단백질 성분은 MASP-2이다. 렉틴-의존적 보체 시스템의 모든 알려진 단백질 성분 (MBL, H-피콜린, M-피콜린, L-피콜린, MASP-2, C2-C9, 인자 B, 인자 D, 및 프로퍼딘) 중에, MASP-2만이 렉틴-의존적 보체 시스템에서 고유하고 작동할 시스템이 필요하다. 렉틴 (MBL, H-피콜린, M-피콜린, L-피콜린 및 CL-11)은 또한 렉틴-의존적 보체 시스템의 고유의 성분이다. 하지만, 렉틴 성분 중 어느 하나의 손실이 반드시 렉틴 반복으로 인한 시스템의 활성화를 반드시 억제하지 않는다. 렉틴-의존적 보체 활성화의 억제를 보장하기 위해 모두 다섯 개의 렉틴을 억제하는 것이 필요하다. 게다가, MBL 및 피콜린은 또한 보체 독립적인 옵소닌 활성을 갖는 것으로 알려져 이씩 때문에, 렉틴 기능의 억제는 감염에 대한 이 유익한 숙주 방어 메카니즘의 손실을 일으킬 것이다. 반대로, 이 보체-독립적 렉틴 옵소닌 활성은 MASP-2가 억제 표적인 경우 온전하게 유지될 것이다. 렉틴-의존적 보체 활성화 시스템을 억제하는 치료적 표적으로서 MASP-2의 추가적 이득은 MASP-2의 혈장 농도가 보체 단백질 중 가장 낮다는 것이다 (500　ng/ml); 그러므로, 상대적으로 낮은 농도의 MASP-2 고-친화도 억제제가 여기에서 실시예에 의해 입증된 바와 같이, 완전한 억제를 얻는데 충분하다. 상기 언급된 것에 따라, 여기에 설명된 바와 같이, 본 발명은 높은 친화도로 사람 MASP-2에 결합하고 렉틴-매개된 보체 경로 활성화를 억제할 수 있는 단클론성 완전한 사람 항-MASP-2 항체를 제공한다.III. MASP-2 억제 항체한 양태에서, 본 발명은 사람 MASP-2에 특이적으로 결합하고 MASP-2 의존적 보체 활성화를 억제하거나 차단하는 단클론성 완전한 사람 항-MASP-2 항체, 또는 이들의 항원 결합 단편을 제공한다. MASP-2 억제 항체는 MASP-2의 생물학적 기능을 억제하거나 차단함으로써 MASP-2 의존적 보체 활성화 시스템을 효과적으로 억제하거나 효과적으로 차단할 수도 있다. 예를 들어, 억제 항체는 MASP-2 단백질-대-단백질 상호작용을 효과적으로 억제하거나 차단할 수도 있고, MASP-2 다이머화 또는 조립을 방해할 수도 있고, Ca2+ 결합을 차단할 수도 있거나, MASP-2 세린 프로테아제 활성 부위를 방해할 수도 있다. MASP-2 에피토프본 발명은 사람 MASP-2에 특이적으로 결합하는 완전한 사람 항체를 제공한다. MASP-2 폴리펩티드는 MASP-1, MASP-3, 및 C1r 및 C1s. C1 보체 시스템의 프로테아제와 유사한 분자 구조를 나타낸다. SEQ ID NO: 1에 설명된 cDNA 분자는 MASP-2 (SEQ ID NO: 2에 설명된 아미노산 서열로 구성됨)의 대표적인 예를 암호화하고 분비 후 분열되는 선도 서열 (aa 1-15)를 갖는 사람 MASP-2 폴리펩티드를 제공하며, 사람 MASP-2 (SEQ ID NO: 3)의 성숙한 형태를 발생시킨다. 도 1a에 설명된 바와 같이, 사람 MASP　2 유전자는 열두 개의 엑손을 포함한다. 사람 MASP-2 cDNA는 엑손 B, C, D, F, G, H, I, J, K 및 L에 의해 암호화된다. SEQ ID NO: 4에 설명된 cDNA 분자는 래트 MASP-2 (SEQ ID NO: 5에 설명된 아미노산으로 구성됨)를 암호화하고 분비 후 분열되는 선도 서열을 갖는 래트 MASP-2 폴리펩티드를 제공하며, 래트 MASP-2 (SEQ ID NO: 6)의 성숙한 형태를 발생시킨다. 당업자는 SEQ ID NO: 1 및 SEQ ID NO: 4에 개시된 서열이 각각 사람 및 래트 MASP-2의 단일 대립 유전자를 나타내고, 대립 유전자 변이 및 대체 스플라이싱이 발생할 것으로 예상된다는 것을 인식할 것이다. SEQ ID NO: 1 및 SEQ ID NO: 4에 나타난 뉴클레오티드 서열의 대립 유전자 변이체는 침묵 돌연변이를 함유하는 것들 및 이 돌연변이에서 아미노산 서열 변화를 일으키는 것들을 포함하며, 본 발명의 범위 내에 있다. MASP-2 서열의 대립 유전자 변이체는 표준 과정에 따라 다른 개개의 cDNA 또는 게놈 라이브러리를 탐침함으로써 클로닝될 수 있다. 사람 MASP-2 단백질 (SEQ ID NO: 3)의 도메인은 하기 도 1B 및 표 1에 나타나고, N-말단 C1r/C1s/성게 VEGF/뼈 형태 형성 단백질 (CUBI) 도메인, 상피 성장 인자-유사 도메인, 제2 CUB 도메인 (CUBII), 뿐만 아니라 보체 대조군 단백질 도메인 CCP1 및 CCP2의 텐덤 (TANDEM), 및 세린 프로테아제 도메인을 포함한다. MASP-2 유전자의 대체 스플라이싱은 MAp19를 발생시킨다. MAp19는 네 개의 추가적 잔기 (EQSL)를 갖는 MASP-2의 N-말단 CUB1-EGF 영역을 함유하는 비효소 단백질이다. 다수의 단백질은 단백질-대-단백질 상호작용을 통해 MASP-2에 결합하거나, 이와 상호작용하는 것으로 나타났다. 예를 들어, MASP-2는 렉틴 단백질 MBL, H-피콜린 및 L-피콜린에 결합하거나, 이와 함께 Ca2+ 의존적 복합체를 형성하는 것으로 알려져 있다. 각각의 MASP-2/렉틴 복합체는 단백질 C4 및 C2의 MASP-2 의존적 절단을 통해 보체를 활성화하는 것으로 나타났다 (Ikeda, K., et　al., J. Biol. Chem.　262:7451-7454, 1987; Matsushita, M., et　al., J. Exp. Med. 176:1497-2284, 2000; Matsushita, M., et　al., J.　Immunol. 168:3502-3506, 2002). 연구는 MASP-2의 CUB1-EGF 도메인이 MBL과 MASP-2의 결합에 필수적이다는 것을 나타냈다 (Thielens, N.M., et　al., J.　Immunol. 166:5068, 2001). 또한 CUB1EGFCUBII 도메인이 MASP-2의 다이머화를 매개하며, 활성 MBL 복합체의 형성에 필요하다는 것이 나타났다 (Wallis, R., et　al., J. Biol. Chem.　275:30962-30969, 2000). 그러므로, MASP-2 억제 항체는 MASP-2 의존적 보체 활성화에 중요한 것으로 알려진 MASP-2 표적 영역에 결합하거나 이를 방해하는 것으로 확인될 수 있다.표 1: MASP-2 폴리펩티드 도메인한 구체예에서, 본 발명의 항-MASP-2 억제 항체는 전체 길이 사람 MASP-2 단백질 (SEQ ID NO: 3)의 일부, 예를 들어, MASP-2의 CUBI, EGF, CUBII, CCPI, CCPII, 또는 SP 도메인에 결합한다. 일부 구체예에서, 본 발명의 항-MASP-2 억제 항체는 CCP1 도메인 (SEQ ID NO: 13 (SEQ ID NO: 3의 aa 278-347))의 에피토프에 결합한다. 예를 들어, 항-MASP-2 항체 (예를 들어, OMS646)는 실시예 9에 설명된 바와 같이, CCP1 도메인을 함유하는 MASP-2 단편에만 결합하고 MASP-2 의존적 보체 활성화를 억제하는 것으로 확인되었다. MASP-2 억제 항체의 결합 친화도항-MASP-2 억제 항체는 보체 시스템에서 다른 항원보다 적어도 10배 더 큰 친화도로 사람 MASP-2 (SEQ ID NO: 3으로 설명되고, SEQ ID NO: 1에 의해 암호화됨)에 특이적으로 결합한다. 일부 구체예에서, MASP-2 억제 항체는 보체 시스템에서 다른 항원보다 적어도 100배 더 큰 친화도로 사람 MASP-2에 특이적으로 결합한다. 일부 구체예에서, MASP-2 억제 항체는 약 100 nM 미만, 또는 약 50　nM 미만, 또는 약 25 nM 미만, 또는 약 10 nM 미만, 또는 약 5 nM 미만, 또는 약 1　nM 이하, 또는 0.1nM 이하의 KD (해리 상수)로 사람 MASP-2에 특이적으로 결합한다. MASP-2 억제 항체의 결합 친화도는 여기에 실시예 3-5에 설명된 바와 같이, 업계에 알려져 있는 적합한 결합 검정, 예를 들어, ELISA 검정을 사용하여 결정될 수 있다.MASP-2 억제 항체의 힘한 구체예에서, MASP-2 억제 항체는 1% 혈청에서 측정될 때 IC50　=　30 nM, 바람직하게 또는 약 20　nM 미만, 또는 약 10 nM 미만, 또는 약 5 nM 미만, 또는 약 3nM 이하, 또는 약 1 nM 이하에서 MASP-2 의존적 보체 활성화를 억제하기 위해 충분히 강하다. 한 구체예에서, MASP-2 억제 항체는 90% 혈청에서 측정될 때 IC50　=　30 nM, 바람직하게 또는 약 20　nM 미만, 또는 약 10 nM 미만, 또는 약 5 nM 미만, 또는 약 3nM 이하, 또는 약 1 nM 이하에서 MASP-2 의존적 보체 활성화를 억제하기 위해 충분히 강하다. MASP-2 의존적 보체 활성화의 억제는 MASP-2 억제 항체의 투여의 결과로서 발생하는 보체 시스템의 성분의 다음 변화 중 적어도 하나를 특징으로 한다: MASP-2 의존적 보체 활성화 시스템 생성물 C4a, C3a, C5a 및/또는 C5b-9 (MAC) (예를 들어, 미국 특허 번호 7,919,094의 실시예 2에 설명된 바와 같이 측정됨), 뿐만 아니라 그것들의 이화작용 분해 생성물 (예를 들어, C3desArg)의 발생 또는 생성의 억제, C4 절단 및 C4b 침착 (예를 들어, 실시예 5에 설명된 바와 같이 측정됨) 및 그것의 이후의 이화작용 분해 생성물 (예를 들어, C4bc 또는 C4d)의 감소 또는 C3 절단 및 C3b 침착 (예를 들어, 실시예 5에 설명된 바와 같이 측정됨), 또는 그것의 이후의 이화작용 분해 생성물 (예를 들어, C3bc, C3d, 등)의 감소.일부 구체예에서, 본 발명의 MASP-2 억제 항체가 대조근 C3 침착의 80% 미만, 예를 들어, 70% 미만, 예를 들어, 60% 미만, 예를 들어, 50% 미만, 예를 들어, 40% 미만, 예를 들어, 30% 미만, 예를 들어, 20% 미만, 예를 들어, 15% 미만, 예를 들어, 10% 미만으로 전체 혈청의 C3 침착을 억제할 수 있다. 일부 구체예에서, 본 발명의 MASP-2 억제 항체가 대조근 C4 침착의 80% 미만, 예를 들어, 70% 미만, 예를 들어, 60% 미만, 예를 들어, 50% 미만, 예를 들어, 40% 미만, 예를 들어, 30% 미만, 예를 들어, 20% 미만, 예를 들어, 15% 미만, 예를 들어, 10% 미만으로 전체 혈청의 C4 침착을 억제할 수 있다. 일부 구체예에서, 항-MASP-2 억제 항체는 MASP-2 보체 활성화를 선택적으로 억제하며 (즉, C1r 또는 C1s보다 적어도 100배 이상의 친화도로 MASP-2에 결합한다), C1q-의존적 보체 활성화 시스템을 기능적으로 온전하게 둔다 (즉, 고전적 경로 활성의 적어도 80%, 또는 적어도 90%, 또는 적어도 95%, 또는 적어도 98%, 또는 100%가 유지된다).일부 구체예에서, 대상체 항-MASP-2 억제 항체는 다음 특성을 갖는다: (a) 사람 MASP-2에 대하여 높은 친화도 (예를 들어, 10 nM 이하의 KD, 바람직하게 1 nM 이하의 KD), 및 (b) 30 nM 이하의 IC50, 바람직하게 10 nM 이하의 IC50으로 90% 사람 혈청에서 MASP-2 의존적 보체 활성의 억제.실시예 2-12에 설명된 바와 같이, 완전한 사람 항체는 면역 시스템의 고전적 (C1q-의존적) 경로 성분을 온전하게 두면서 높은 친화도로 MASP-2에 결합하고 렉틴-매개된 보체 활성화를 억제하는 것으로 확인되었다. 항체의 가변 경쇄 및 중쇄 단편은 scFv 포맷 및 전체 길이 IgG 포맷에서 시퀀싱되었고, 분리되었고 분석되었다. 도 5a는 MASP-2에 대한 높은 결합 친화도 및 MASP-2 의존적 활성을 억제하는 능력을 가진 것으로 확인된 일곱 개의 scFv 항-MASP-2 클론의 아미노산 서열 정렬이다. 도　5b는 scFv 모체 클론 17D20, 17N16, 18L16 및 4D9 중 네 개의 아미노산 서열 정렬이며, 프레임워크 영역 및 CDR 영역을 나타낸다. scFv 모체 클론 17D20 및 17N16은 실시예 6 및 7에 설명된 바와 같이, 친화도 성숙화를 받았으며, 모체 클론과 비교하여 높은 친화도 및 증가된 힘을 갖는 딸 클론의 발생으로 이어졌다. 도 5a 및 5b에 나타난 scFv 클론 및 결과의 딸 클론의 중쇄 가변 영역 (VH) (aa 1-120) 및 경쇄 가변 영역 (VL) (aa 148-250)의 아미노산 서열은 하기 표 2에 제공된다.사람 항-MASP-2 억제 항체의 치환 가능한 위치, 뿐만 아니라 그들 위치에 치환될 수도 있는 아미노산의 선택은 상기 논의된 항-MASP-2 억제 항체의 중쇄 및 경쇄 아미노산 서열을 정렬하고, 이 아미노산이 그들 항체의 어느 위치에서 발생하는지 결정함으로써 나타난다. 한 전형적인 구체예에서, 도 5a 및 5b의 중쇄 및 경쇄 아미노산 서열이 정렬되고 전형적인 항체의 각 위치에서 아미노산의 정체성이 결정된다. 도 5a 및 5b에 설명된 바와 같이 (전형적인 MASP-2 억제 항체의 중쇄 및 경쇄의 각 위치에 존재하는 아미노산을 설명함), 다수의 치환 가능한 위치, 뿐만 아니라 그들 위치에서 치환될 수 있는 아미노산 잔기가 쉽게 확인된다. 도 다른 전형적인 구체예에서, 치환 가능한 위치, 뿐만 아니라 이들 위치에서 치환될 수 있는 아미노산 잔기를 결정하기 위해 모체 클론 및 딸 클론의 경쇄 아미노산 서열이 정렬되고 전형적인 항체의 각 위치에서 아미노산의 정체성이 결정된다. 표 2: 대표적인 항-MASP-2 항체의 서열특정 구체예에서, 대상 사람 항-MASP-2 단클론성 억제 항체는 표 2에 설명된 중쇄 가변 도메인 서열 중 어느 하나의 그것과 실질적으로 동일한 (예를 들어, 적어도 약 70%, 적어도 75%, 적어도 약 80%, 적어도 약 85%, 적어도 약 90%, 적어도 약 95%, 또는 적어도 약 96% 동일한, 또는 적어도 약 97% 동일한, 또는 적어도 약 98% 동일한, 또는 적어도 99% 동일한) 중쇄 가변 도메인을 갖는다.일부 구체예에서, 대상 사람 항-MASP-2 단클론성 억제 항체는 SEQ ID NO: 18로서 설명된, 17D20 (VH)와 실질적으로 동일한 (예를 들어, 적어도 약 70%, 적어도 75%, 적어도 약 80%, 적어도 약 85%, 적어도 약 90%, 적어도 약 95%, 또는 적어도 약 96% 동일한, 또는 적어도 약 97% 동일한, 또는 적어도 약 98% 동일한, 또는 적어도 99% 동일한) 중쇄 가변 도메인을 갖는다. 일부 구체예에서, 대상 사람 항-MASP-2 단클론성 억제 항체는 SEQ ID NO: 18을 포함하거나, 이로 구성된 중쇄 가변 도메인을 갖는다. 일부 구체예에서, 대상 사람 항-MASP-2 단클론성 억제 항체는 SEQ ID NO: 20으로 제시된, 17D20_cd35VH2N11 (VH)과 실질적으로 동일한 (예를 들어 적어도 약 70%, 적어도 75%, 적어도 약 80%, 적어도 약 85%, 적어도 약 90%, 적어도 약 95%, 적어도 약 96% 동일한, 적어도 약 97% 동일한, 적어도 약 98% 동일한, 또는 적어도 99% 동일한) 중쇄 가변 도메인을 갖는다. 일부 구체예에서, 대상 사람 항-MASP-2 단클론성 억제 항체는 SEQ ID NO: 20을 포함하거나, 이로 구성된 중쇄 가변 도메인을 갖는다. 일부 구체예에서, 대상 사람 항-MASP-2 단클론성 억제 항체는 SEQ ID NO: 21로 제시된, 17N16 (VH)과 실질적으로 동일한 (예를 들어, 적어도 약 70%, 적어도 75%, 적어도 약 80%, 적어도 약 85%, 적어도 약 90%, 적어도 약 95%, 또는 적어도 약 96% 동일한, 또는 적어도 약 97% 동일한, 또는 적어도 약 98% 동일한, 또는 적어도 99% 동일한) 중쇄 가변 도메인을 갖는다. 일부 구체예에서, 대상 사람 항-MASP-2 단클론성 억제 항체는 SEQ ID NO: 21을 포함하거나, 이로 구성된 중쇄 가변 도메인을 갖는다. 일부 구체예에서, 대상 사람 항-MASP-2 단클론성 억제 항체는 표 2에 설명된 경쇄 가변 도메인 서열 중 어느 하나의 그것과 실질적으로 동일한 (예를 들어, 적어도 약 70%, 적어도 75%, 적어도 약 80%, 적어도 약 85%, 적어도 약 90%, 적어도 약 95%, 또는 적어도 약 96% 동일한, 또는 적어도 약 97% 동일한, 또는 적어도 약 98% 동일한, 또는 적어도 99% 동일한) 중쇄 가변 도메인을 갖는다. 일부 구체예에서, 대상 사람 항-MASP-2 단클론성 억제 항체는 SEQ ID NO: 22로 제시된, 17D20 (VL)과 실질적으로 동일한 (예를 들어, 적어도 약 70%, 적어도 75%, 적어도 약 80%, 적어도 약 85%, 적어도 약 90%, 적어도 약 95%, 또는 적어도 약 96% 동일한, 또는 적어도 약 97% 동일한, 또는 적어도 약 98% 동일한, 또는 적어도 99% 동일한) 경쇄 가변 도메인을 갖는다. 일부 구체예에서, 대상 사람 항-MASP-2 단클론성 억제 항체는 SEQ ID NO: 22를 포함하거나, 이로 구성된 경쇄를 갖는다. 일부 구체예에서, 대상 사람 항-MASP-2 단클론성 억제 항체는 SEQ ID NO: 24로 제시된, 17D20_35VH-21N11VL (VL)과 실질적으로 동일한 (예를 들어, 적어도 약 70%, 적어도 75%, 적어도 약 80%, 적어도 약 85%, 적어도 약 90%, 적어도 약 95%, 또는 적어도 약 96% 동일한, 또는 적어도 약 97% 동일한, 또는 적어도 약 98% 동일한, 또는 적어도 99% 동일한) 경쇄 가변 도메인을 갖는다. 일부 구체예에서, 대상 사람 항-MASP-2 단클론성 억제 항체는 SEQ ID NO: 24를 포함하거나, 이로 구성된 경쇄를 갖는다. 일부 구체예에서, 대상 사람 항-MASP-2 단클론성 억제 항체는 SEQ ID NO: 25로 제시된, 17N16 (VL)과 실질적으로 동일한 (예를 들어, 적어도 약 70%, 적어도 75%, 적어도 약 80%, 적어도 약 85%, 적어도 약 90%, 적어도 약 95%, 또는 적어도 약 96% 동일한, 또는 적어도 약 97% 동일한, 또는 적어도 약 98% 동일한, 또는 적어도 99% 동일한) 경쇄 가변 도메인을 갖는다. 일부 구체예에서, 대상 사람 항-MASP-2 단클론성 억제 항체는 SEQ ID NO: 25를 포함하거나, 이로 구성된 경쇄를 갖는다. 일부 구체예에서, 대상 사람 항-MASP-2 단클론성 억제 항체는 SEQ ID NO: 27로 제시된, 17N16_17N9 (VL)와 실질적으로 동일한 (예를 들어, 적어도 약 70%, 적어도 75%, 적어도 약 80%, 적어도 약 85%, 적어도 약 90%, 적어도 약 95%, 또는 적어도 약 96% 동일한, 또는 적어도 약 97% 동일한, 또는 적어도 약 98% 동일한, 또는 적어도 99% 동일한) 경쇄 가변 도메인을 갖는다. 일부 구체예에서, 대상 사람 항-MASP-2 단클론성 억제 항체는 SEQ ID NO: 27을 포함하거나, 이로 구성된 경쇄를 갖는다. 일부 구체예에서, 표 2에 설명된 바와 같이, 본 발명의 항-MASP-2 항체는 중쇄 또는 경쇄를 암호화하는 뉴클레오티드 서열에 대한 높은 엄중 조건 하에 잡종화하는 뉴클레오티드 서열에 의해 암호화되는 중쇄 또는 경쇄를 함유한다. 높은 엄중 조건은 50 ℃에서 0.1x SSC (15　mM 식염수/0.15 mM 나트륨 시트레이트)에서 배양을 포함한다. 일부 구체예에서, 본 발명의 항-MASP-2 억제 항체는 도 5a 또는 5b에 나타나거나, 하기 표 3a-f 및 표 4에 설명된 중쇄 가변 서열 중 어느 하나의 CDR의 아미노산 서열과 비교하여 실질적으로 동일한 (예를 들어, 적어도 약 70%, 적어도 75%, 적어도 약 80%, 적어도 약 85%, 적어도 약 90%, 적어도 약 95%, 또는 적어도 약 96% 동일한, 또는 적어도 약 97% 동일한, 또는 적어도 약 98% 동일한, 또는 적어도 99% 동일한), 또는 동일한 서열을 포함하거나 이로 구성되는 하나 이상의 CDR (CDR1, CDR2 및/또는 CDR3)을 포함하는 중쇄 가변 영역을 갖는다. 일부 구체예에서, 본 발명의 항-MASP-2 억제 항체는 도 5a 또는 5b에 나타나거나, 하기 표 3a-f 및 표 4에 설명된 경쇄 가변 서열 중 어느 하나의 CDR의 아미노산 서열과 비교하여 실질적으로 동일한 (예를 들어, 적어도 약 70%, 적어도 75%, 적어도 약 80%, 적어도 약 85%, 적어도 약 90%, 적어도 약 95%, 또는 적어도 약 96% 동일한, 또는 적어도 약 97% 동일한, 또는 적어도 약 98% 동일한, 또는 적어도 99% 동일한), 또는 동일한 서열을 포함하거나 이로 구성되는 하나 이상의 CDR (CDR1, CDR2 및/또는 CDR3)을 포함하는 경쇄 가변 영역을 갖는다. 중쇄 가변 영역표 3a: 중쇄 (aa 1-20)표 3b: 중쇄 (aa 21-40)표 3c: 중쇄 (aa 41-60)표 3d: 중쇄 (aa 61-80)표 3e: 중쇄 (aa 81-100)표 3f: 중쇄 (aa 101-118)하기 제공된 것은 상기 표 2 및 표 3a-f에 나열된 모체 클론 및 딸 클론에 대한 중쇄 가변 영역 (VH) 서열이다. 카바트 CDR (31-35 (H1), 50-65 (H2) 및 95-102 (H3))은 볼드체이고; 초티아 CDR (26-32 (H1), 52-56 (H2) 및 95-101 (H3))은 밑줄 그어져 있다.17D20 중쇄 가변 영역 (VH) (SEQ ID NO: 18):QVTLKESGPVLVKPTETLTLTCTVSGFSLSRGKMGVSWIRQPPGKALEWLAHIFSSDEKSYRTSLKSRLTISKDTSKNQVVLTMTNMDPVDTATYYCARIRAGGIDYWGQGTLVTVSS17D20_35VH-21N11VL 중쇄 가변 영역 (VH) (SEQ ID NO: 20)QVTLKESGPVLVKPTETLTLTCTVSGFSLSRGKMGVSWIRQPPGKALEWLAHIFSSDEKSYRTSLKSRLTISKDTSKNQVVLTMTNMDPVDTATYYCARIRRGGIDYWGQGTLVTVSS17N16 중쇄 가변 영역 (VH) (SEQ ID NO: 21)QVQLQQSGPGLVKPSQTLSLTCAISGDSVSSTSAAWNWIRQSPSRGLEWLGRTYYRSKWYNDYAVSVKSRITINPDTSKNQFSLQLNSVTPEDTAVYYCARDPFGVPFDIWGQGTMVTVSS표 4: 중쇄 경쇄 가변 영역표 5a: 경쇄 (aa 1-20) 표 5b: 경쇄 (aa 21-40)표 5c: 경쇄 (aa 41-60)표 5d: 경쇄 (aa 61-80)표 5e: 경쇄 (aa 81-100)표 5f: 경쇄 (aa 101-120)하기 제공된 것은 상기 표 2 및 표 5a-f에 나열된 모체 클론 및 딸 클론에 대한 경쇄 가변 영역 (VL) 서열이다. 카바트 CDR (24-34 (L1); 50-56 (L2); 및 89-97 (L3))은 볼드체이고; 초티아 CDR (24-34 (L1); 50-56 (L2) 및 89-97 (L3))은 은 밑줄 그어져 있다. 이들 영역은 카바트 또는 초티아 시스템에 의해 번호가 붙여지는지에 관계없이 동일하다. 17D20m 경쇄 가변 영역 (VL) (SEQ ID NO: 22)QPVLTQPPSVSVSPGQTASITCSGDKLGDKFAYWYQQKPGHSPVLVIYQDNKRPSGIPGRFSGSNSGNTATLTISGTQAMDEADYYCQAWDSSTAVFGTGTKVTVLA17D20m_d3521N11 경쇄 가변 영역 (VL) (SEQ ID NO: 24)QPVLTQPPSLSVSPGQTASITCSGEKLGDKYAYWYQQKPGQSPVLVMYQDKQRPSGIPERFSGSNSGNTATLTISGTQAMDEADYYCQAWDSSTAVFGGGTKLTVL17N16m 경쇄 가변 영역 (VL) (SEQ ID NO: 25)SYVLTQPPSVSVAPGQTARITCGGNNIGSKNVHWYQQKPGQAPVLVVYDDSDRPSGIPERFSGSNSGNTATLTVSRVEAGDEADYYCQVWDTTTDHVVFGGGTKLTVLAAAGSEQKLISE17N16m_d17N9 경쇄 가변 영역 (VL) (SEQ ID NO: 27)SYELIQPPSVSVAPGQTATITCAGDNLGKKRVHWYQQRPGQAPVLVIYDDSDRPSGIPDRFSASNSGNTATLTITRGEAGDEADYYCQVWDIATDHVVFGGGTKLTVLAAAGSEQKLISE표 6: 경쇄 CDR (카바트/초티아)한 양태에서, 본 발명은 사람 MASP-2에 결합하는, 분리된 사람 단클론성 항체, 또는 이들의 항원 결합 단편을 제공하며, (i) CDR-H1, CDR-H2 및 CDR-H3 서열을 포함하는 중쇄 가변 영역; 및 (ii) CDR-L1, CDR-L2 및 CDR-L3을 포함하는 경쇄 가변 영역을 포함하며, 중쇄 가변 영역 CDR-H3 서열은 SEQ ID NO: 38 또는 SEQ ID NO: 90에 설명된 아미노산, 및 이들의 보존적 서열 변형을 포함하고, 경쇄 가변 영역 CDR-L3 서열은 SEQ ID NO: 51 또는 SEQ ID NO: 94에 설명된 아미노산 서열, 및 이들의 보존적 서열 변형을 포함하고, 분리된 항체는 MASP-2 의존적 보체 활성화를 억제한다. 한 구체예에서, 중쇄 가변 영역 CDR-H2 서열은 SEQ ID NO: 32 또는 33으로 제시된 아미노산 서열, 및 이들의 보존적 서열 변형을 포함한다. 한 구체예에서, 중쇄 가변 영역 CDR-H1 서열은 SEQ ID NO: 28 또는 SEQ ID NO: 29로 제시된 아미노산 서열, 및 이들의 보존적 변형을 포함한다. 한 구체예에서, 경쇄 가변 영역 CDR-L2 서열은 SEQ ID NO: 93으로 제시된 아미노산 및 이들의 보존적 변형을 포함한다. 한 구체예에서, 경쇄 가변 영역 CDR-L1 서열은 SEQ ID NO: 91 또는 SEQ ID NO: 92로 제시된 아미노산 서열 및 이들의 보존적 변형을 포함한다. 한 구체예에서, 중쇄 가변 영역의 CDR-H1은 SEQ ID NO: 28을 포함한다. 한 구체예에서, 중쇄 가변 영역의 CDR-H2는 SEQ ID NO: 32를 포함한다. 한 구체예에서, 중쇄 가변 영역의 CDR-H3은 SEQ ID NO: 90을 포함한다 (표 4에 나타난 바와 같음). 한 구체예에서, SEQ ID NO: 90에 설명된 아미노산 서열은 위치 8에서 R (Arg)을 함유한다. 한 구체예에서, 경쇄 가변 영역의 CDR-L1은 SEQ ID NO: 91을 포함한다 (표 6에 나타난 바와 같음). 한 구체예에서, SEQ ID NO: 91에 설명된 아미노산은 위치 2에서 E (Glu)를 함유한다. 한 구체예에서, SEQ ID NO: 91에 설명된 아미노산 서열은 위치 8에서 Y (Tyr)를 함유한다. 한 구체예에서, 경쇄 가변 영역의 CDR-L2는 SEQ ID NO: 93을 포함하며 (표 6에 나타난 바와 같음), SEQ ID NO: 93에 설명된 아미노산 서열은 위치 2에서 K (Lys)를 함유한다. 한 구체예에서, SEQ ID NO: 93에 설명된 아미노산 서열은 위치 3에서 Q (Gln)를 함유한다. 한 구체예에서, 경쇄 가변 영역의 CDR-L3은 SEQ ID NO: 51을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 항체 또는 이들의 항원 결합 단편은 10 nM 이하의 KD로 사람 MASP-2에 결합한다. 한 구체예에서, 상기 항체 또는 이들의 항원 결합 단편은 10 nM 이하의 IC50에서 1% 사람 혈청의 시험관 내 검정에서 C4 활성화를 억제한다. 한 구체예에서, 상기 항체 또는 이들의 항원 결합 단편은 30 nM 이하의 IC50에서 90% 사람 혈청의 시험관 내 검정에서 C4 활성화를 억제한다. 한 구체예에서, 이들의 보존적 서열 변형은 중쇄 가변 영역의 CDR 영역 내에서 조합된 총 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 또는 10개의 아미노산 치환, 및/또는 경쇄 가변 영역의 상기 CDR 영역과 조합된 총 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 또는 10개의 아미노산 치환을 제외하고, 나열된 가변 도메인(들)과 동일한 가변 영역을 함유하는 분자를 포함하거나 이로 구성된다. 또 다른 양태에서, 본 발명은 사람 MASP-2에 결합하는, 분리된 사람 항체, 또는 이들의 항원 결합 단편을 제공하며, 항체는 I) a)　i) SEQ ID NO: 21의 31-35개의 아미노산 서열을 포함하는 중쇄 CDR-H1; 및 ii) SEQ ID NO: 21의 50-65개의 아미노산 서열을 포함하는 중쇄 CDR-H2; 및 iii) SEQ ID NO: 21을 포함하는 중쇄 가변 영역; 및 b) i) SEQ ID NO: 25 또는 SEQ ID NO: 27의 24-34개의 아미노산 서열을 포함하는 경쇄 CDR-L1; 및 ii) SEQ ID NO: 25 또는 SEQ ID NO: 27의 50-56개의 아미노산 서열을 포함하는 경쇄 CDR-L2; 및 iii) SEQ ID NO: 25 또는 SEQ ID NO: 27의 89-97개의 아미노산 서열을 포함하는 경쇄 CDR-L3을 포함하는 경쇄 가변 영역; 또는 II) 그렇지 않으면 상기 중쇄 가변 영역의 상기 CDR 영역 내에서 조합된 총 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 또는 10개의 아미노산 치환 및 상기 경쇄 가변 영역의 상기 CDR 영역 내에서 조합된 총 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 또는 10개의 아미노산 치환을 제외하고, 상기 가변 도메인과 동일한 이들의 변이체를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 변이체는 상기 중쇄 가변 영역의 위치 31, 32, 33, 34, 35, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 95, 96, 97, 98, 99, 100 또는 102로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 위치에서 아미노산 치환을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 변이체는 상기 경쇄 가변 영역의 위치 25, 26, 27, 29, 31, 32, 33, 51, 52, 89, 92, 93, 95, 96 또는 97로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 위치에서 아미노산 치환을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 항체의 중쇄는 SEQ ID NO: 21을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 항체의 경쇄는 SEQ ID NO: 25를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 항체의 경쇄는 SEQ ID NO: 27을 포함한다. 또 다른 양태에서, 본 발명은 사람 MASP-2에 결합하는, 분리된 사람 단클론성 항체를 제공하며, 항체는 I) a)　i) SEQ ID NO: 20의 31-35개의 아미노산 서열을 포함하는 중쇄 CDR-H1; 및 ii) SEQ ID NO: 20의 50-65개의 아미노산 서열을 포함하는 중쇄 CDRH-2; 및 iii) SEQ ID NO: 18 또는 SEQ ID NO: 20의 95-102개의 아미노산 서열을 포함하는 중쇄 CDR-H3을 포함하는 중쇄 가변 영역; 및 b) i) SEQ ID NO: 22 또는 SEQ ID NO: 24의 24-34의 아미노산 서열을 포함하는 경쇄 CDR-L1; 및 ii) SEQ ID NO: 22 또는 SEQ ID NO: 24의 50-56개의 아미노산 서열을 포함하는 경쇄 CDR-L2; 및 iii) SEQ ID NO: 22 또는 SEQ ID NO: 24의 89-97개의 아미노산 서열을 포함하는 경쇄 CDR-L3을 포함하는 경쇄 가변 영역; 또는 II) 그렇지 않으면 그렇지 않으면 상기 중쇄 가변 영역의 상기 CDR 영역 내에서 조합된 총 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 또는 10개의 아미노산 치환 및 상기 경쇄 가변 영역의 상기 CDR 영역 내에서 조합된 총 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 또는 10개의 아미노산 치환을 제외하고, 상기 가변 도메인과 동일한 이들의 변이체를 포함하며, 항체 또는 이들의 변이체는 MASP-2 의존적 보체 활성화를 억제한다. 한 구체예에서, 상기 변이체는 상기 중쇄 가변 영역의 위치 31, 32, 33, 34, 35, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 95, 96, 97, 98, 99, 100 또는 102로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 위치에서 아미노산 치환을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 변이체는 상기 경쇄 가변 영역의 위치 25, 26, 27, 29, 31, 32, 33, 51, 52, 89, 92, 93, 95, 96 또는 97로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 위치에서 아미노산 치환을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 항체의 중쇄는 SEQ ID NO: 20, 또는 SEQ ID NO: 20과 적어도 80% 동일성 (예를 들어, SEQ ID NO: 20과 적어도 85%, 적어도 90%, 적어도 95% 또는 적어도 98% 동일성)을 포함하는 이들의 변이체를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 항체의 중쇄는 SEQ ID NO: 18, 또는 SEQ ID NO: 18과 적어도 80% 동일성 (예를 들어, SEQ ID NO: 18과 적어도 85%, 적어도 90%, 적어도 95% 또는 적어도 98% 동일성)을 포함하는 이들의 변이체를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 항체의 경쇄는 SEQ ID NO: 22, 또는 SEQ ID NO: 22와 적어도 80% 동일성 (예를 들어, SEQ ID NO: 22와 적어도 85%, 적어도 90%, 적어도 95% 또는 적어도 98% 동일성)을 포함하는 이들의 변이체를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 항체의 경쇄는 SEQ ID NO: 24, 또는 SEQ ID NO: 24와 적어도 80% 동일성 (예를 들어, SEQ ID NO: 24와 적어도 85%, 적어도 90%, 적어도 95% 또는 적어도 98% 동일성)을 포함하는 이들의 변이체를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 항체는 MASP-2의 CCP1 도메인의 에피토프에 결합한다. 한 구체예에서, 상기 항체는 10 nM 이하의 KD로 사람 MASP-2에 결합한다. 한 구체예에서, 상기 항체는 10 nM 이하의 IC50에서 1% 사람 혈청의 시험관 내 검정에서 C3b 침착을 억제한다. 한 구체예에서, 상기 항체는 30 nM 이하의 IC50에서 90% 사람 혈청의 시험관 내 검정에서 C3b 침착을 억제한다. 한 구체예에서, 상기 항체는 Fv, Fab, Fab', F(ab)2 및 F(ab')2로 구성된 그룹으로부터 선택된 항체 단편이다. 한 구체예에서, 상기 항체는 단일 사슬 분자이다. 한 구체예에서, 상기 항체는 IgG2 분자이다. 한 구체예에서, 상기 항체는 IgG1 분자이다. 한 구체예에서, 상기 항체는 IgG4 분자이다. 한 구체예에서, 상기 IgG4 분자는 S228P 돌연변이를 포함한다. 한 구체예에서, 상기 항체는 고전적 경로를 실질적으로 억제하지 않는다 (즉, 고전적 경로 활성은 적어도 80%, 또는 적어도 90% 또는 적어도 95%, 또는 적어도 95% 온전하다). 또 다른 양태에서, 본 발명은 표면 플라스몬 공명에 의해 결정된 바와 같이 10 nM 이하의 KD로 사람 MASP-2로부터 구분되고 1% 혈청에서 10nM 이하의 IC50로 만난-코팅된 기질에서 C4 활성화를 억제하는 분리된 완전한 사람 단클론성 항체 또는 이들의 항원-결합 단편을 제공한다. 일부 구체예에서, 상기 항체 또는 이들의 항원 결합 단편은 SEQ ID NO: 20에 설명된 중쇄 가변 영역 및 SEQ ID NO: 24에 설명된 경쇄 가변 영역을 포함하는 참조 항체, 예를 들어 참조 항체 OMS646에 의해 인식된 에피토프의 적어도 일부를 특이적으로 인식한다 (표 22를 참고하면 된다). 상기 언급된 내용에 따라, 본 출원의 특정 바람직한 구체예에 따르는 항체 또는 이들의 항원-결합 단편은 사람 MASP-2에 결합에 대하여 (i) 항원에 특이적으로 결합하고 (ii) 여기에 개시된 VH 및/또는 VL 도메인을 포함하거나, 여기에 개시된 CDR-H3, 또는 이들 중 어느 하나의 변이체를 포함하는, 여기에 개시된 어떤 항체와도 경쟁하는 것일 수도 있다. 결합 멤버들 사이의 경쟁은, 예를 들어, ELISA를 사용하여 및/또는 다른 태그되지 않은 결합 멤버(들)의 존재시 검출될 수 있는 하나의 결합 멤버에 특이적 리포터 분자를 태그함으로써 시험관 내에서 쉽게 검정되어 같은 에피토프 또는 중첩 에피토프에 결합하는 특이적 결합 멤버의 확인을 가능하게 할 수 있다. 따라서, 특이적 항체 또는 이들의 항원-결합 단편이 현재 제공되며, 사람 MASP-2에 결합에 대하여 사람 MASP-2에 결합하는, 여기에 개시된 항체, 예를 들어, 표 24에 설명된 OMS641 내지 OMS646 중 어느 하나와 경쟁하는 사람 항체 항원-결합 부위를 포함한다.변이체 MASP-2 억제 항체상기 설명된 사람 단클론성 항체는 MASP-2 의존적 보체 활성화를 억제하는 변이체 항체를 제공하도록 변형될 수도 있다. 변이체 항체는 상기 설명된 사람 단클론성 항체 중 적어도 하나의 아미노산을 치환, 추가, 또는 삭제함으로써 만들어질 수도 있다. 일반적으로, 이들 변이체 항체는 상기 설명된 사람 항체의 일반적인 특성을 갖고 상기 설명된 사람 항체 중 적어도 CDR, 또는, 특정 구체예에서, 상기 설명된 사람 항체의 CDR에 매우 유사한 CDR을 함유한다. 바람직한 구체예에서, 변이체는 모체 항체의 하나 이상의 초가변 영역(들)에서 하나 이상의 아미노산 치환(들)을 포함한다. 예를 들어, 변이체는 적어도 하나, 예를 들어, 약 하나 내지 약 열 개, 예를 들어, 적어도 1, 적어도 2, 적어도 3, 적어도 4, 적어도 5, 적어도 6, 적어도 7, 적어도 8, 적어도 9 또는 적어도 10개의 치환, 및 바람직하게 모체 항체의 하나 이상의 CDR 영역에서 약 둘 내지 약 여섯 개의 치환을 포함할 수도 있다. 한 구체예에서, 상기 변이체는 상기 중쇄 가변 영역의 위치 31, 32, 33, 34, 35, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 95, 96, 97, 98, 99, 100 또는 102로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 위치에서 아미노산 치환을 포함한다. 한 구체예에서, 상기 변이체는 상기 경쇄 가변 영역의 위치 25, 26, 27, 29, 31, 32, 33, 51, 52, 89, 92, 93, 95, 96 또는 97로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 위치에서 아미노산 치환을 포함한다. 일부 구체예에서, 변이체 항체는 상기 중쇄 가변 영역의 상기 CDR 영역 내에서 조합된 총 1, 2, 3, 4, 5 또는 6개의 아미노산 치환 및/또는 상기 경쇄 가변 영역의 상기 CDR 영역 내에서 조합된 총 1, 2, 3, 4, 5 또는 6개의 아미노산 치환을 제외하고, 표 2에 설명된 대상 항체의 가변 도메인과 동일한 아미노산 서열을 가지며, 항체 또는 이들의 변이체는 MASP-2 의존적 보체 활성화를 억제한다. 정상적으로는, 변이체는 모체 항체 중쇄 또는 경쇄 가변 도메인 서열과 적어도 75% 아미노산 서열 동일성, 더 바람직하게 적어도 80%, 더 바람직하게 적어도 85%, 더 바람직하게 적어도 90%, 및 가장 바람직하게 적어도 95%, 또는 적어도 96%, 또는 적어도 97%, 또는 적어도 98%, 또는 적어도 99% 동일성을 갖는 아미노산 서열을 가질 것이다. 이 서열에 관한 동일성 또는 상동성은, 필요하면, 최대 퍼센트 서열 동일성을 달성하기 위해 서열을 정렬하고 갭 (gap)을 도입한 후, 모체 항체 잔기와 동일한 후보 서열의 아미노산 잔기의 퍼센트로서 여기에 정의된다. N-말단, C-말단, 또는 내부 연장, 삭제, 또는 항체 서열 (예를 들어, 신호 펩티드 서열, 결합자 서열, 또는 태그, 예를 들어, HIS 태그)로 삽입 중 아무것도 서열 동일성 또는 상동성에 영향을 미치는 것으로 해석되지 않아야 한다. 변이체는 사람 MASP-2에 결합하는 능력을 유지하고 바람직하게 모체 항체의 그것보다 우수한 성질을 가진다. 예를 들어, 변이체는 더 강한 결합 친화도 및/또는 MASP-2 의존적 보체 활성화를 억제하거나 차단하는 향상된 능력을 가질 수도 있다. 이러한 성질을 분석하기 위해, 예를 들어, 항-MASP-2 항체의 포맷이 여기에 개시된 생물학적 활성 검정에서 그것의 활성에 영향을 미치는 것이 발견되었기 때문에, 변이체의 Fab 형태를 모체 항체의 Fab 형태에 또는 변이체의 전체 길이 형태를 모체 항체의 전체 길이 형태에 비교해야 한다. 여기에서 특히 흥미로운 변이체 항체는 모체 항체와 비교할 때 생물학적 활성의 적어도 약 10배, 바람직하게 적어도 약 20배, 및 가장 바람직하게 적어도 약 50배 향상을 나타내는 것이다. 본 발명의 항체는 원하는 성질을 향상시키도록 변형될 수도 있는데, 예를 들어, 항체의 혈청 반감기를 조절하는 것이 바람직할 수도 있다. 일반적으로 완벽한 항체 분자는 매우 긴 혈청 지속력을 갖는 반면에, 단편 (003c#60-80 kDa)은 신장을 통해 매우 신속하게 여과된다. 이런 이유로, MASP-2 항체의 장기간 작용이 바람직하면, MASP-2 항체는 바람직하게 완벽한 전체 길이 IgG 항체 (예를 들어, IgG2 또는 IgG4)인 반면에, MASP-2 항체의 더 짧은 작용이 바람직하면, 항체 단편이 바람직할 수도 있다. 실시예 5에 설명된 바와 같이, IgG4의 힌지 영역에서 S228P 치환은 혈청 안정성을 증가시킨다는 것이 결정되었다. 따라서, 일부 구체예에서, 대상 MASP-2 항체는 S228P 치환을 갖는 전체 길이 IgG4 항체이다. 단일 사슬 항체본 발명의 한 구체예에서, MASP-2 억제 항체는 단일 사슬 항체이고, 경쇄의 가변 영역, 중쇄의 가변 영역을 함유하는 유전적으로 조작된 분자로서 정의되고, 유전적으로 융합된 단일 사슬 분자로서 적합한 폴리펩티드 결합자에 의해 결합된다. 이러한 단일 사슬 항체는 또한 "단일 사슬 Fv" 또는 "scFv" 항체 단편으로 나타난다. 일반적으로, Fv 폴리펩티드는 scFv가 항원 결합에 바람직한 구조를 형성하게 할 수 있는 VH 및 VL 도메인 사이의 폴리펩티드 결합자를 추가로 포함한다. MASP-2에 결합하는 scFv 항체는 가변 경쇄 영역은 가변 경쇄 영역과 함께 아미노 말단을 가변 중쇄 영역으로 또는 카르복시 말단을 그것으로 향하게 할 수 있다. 본 발명의 전형적인 scFv 항체는 SEQ ID NO: 55-61 및 SEQ ID NO: 66-68로서 여기에 설명된다. 항체를 생산하는 방법많은 구체예에서, 대상 단클론성 항체를 암호화하는 핵산은 숙주 세포에 직접적으로 도입되고, 세포를 암호화된 항체의 발현을 유발하기 위해 충분한 조건 하에 배양하였다. 일부 구체예에서, 본 발명은 본 발명의 항-MASP-2 항체, 또는 이들의 단편, 예를 들어, 표 2에 설명된 항체 또는 이들의 단편을 암호화하는 핵산 분자를 제공한다. 일부 구체예에서, 본 발명은 SEQ ID NO: 19, SEQ ID NO: 23, SEQ ID NO: 26, SEQ ID NO: 71, SEQ ID NO: 73, SEQ ID NO: 75, SEQ ID NO: 77, SEQ ID NO: 79, SEQ ID NO: 81, SEQ ID NO: 83, SEQ ID NO: 85, SEQ ID NO: 97, SEQ ID NO: 88 및 SEQ ID NO: 89로 구성된 그룹으로부터 선택된 핵산 서열을 포함하는 핵산 분자를 제공한다. 일부 구체예에서, 본 발명은 본 발명의 항-MASP-2 항체를 암호화하는 핵산 분자를 포함하는 세포를 제공한다. 일부 구체예에서, 본 발명은 본 발명의 항-MASP-2 항체를 암호화하는 핵산 분자를 포함하는 발현 카세트를 제공한다. 일부 구체예에서, 본 발명은 본 발명의 항-MASP-2 항체를 암호화하는 핵산 분자를 포함하는 세포를 배양하는 단계를 포함하는, 항-MASP-2 항체를 생산하는 방법을 제공한다. 특정 관련 구체예에 따라, 여기에 설명된 바와 같이 하나 이상의 구조를 포함하는 재조합 숙주 세포, 어떤 항체도 암호화하는 핵산, CDR, VH 또는 VL 도메인, 또는 이들의 항원-결합 단편; 및 암호화된 생성물의 생산 방법이 제공되며, 이 방법은 그것을 위한 암호화 핵산으로부터 발현을 포함한다. 발현은 핵산을 함유하는 재조합 숙주 세포를 적절한 조건 하에 배양함으로써 편리하게 달성될 수도 있다. 발현에 의한 생산 후에, 항체 또는 이들의 항원-결합 단편은 어떤 적합한 기술을 사용하여 분리될 수도 있고 및/또는 정제될 수도 있고, 원하는 바와 같이 사용될 수도 있다. 예를 들어, 발현 카세트의 발현에 적합한 어떤 세포는 숙주 세포, 예를 들어, 효모, 곤충, 식물, 등의 세포로서 사용될 수도 있다. 많은 구체예에서, 정상적으로 항체를 생산하지 않는 포유동물 숙주 세포주가 사용되며, 이것의 예는 다음과 같다: 원숭이 신장 세포 (COS cells), SV40에 의해 형질전환된 원숭이 신장 CVI 세포 (COS-7, ATCC CRL 165 1); 사람 배아 신장 세포 (HEK-293, Graham et al., J. Gen Virol. 36:59 (1977)); 새끼 햄스터 신장 세포 (BHK, ATCC CCL 10); 중국 햄스터 난소 세포 (CHO, Urlaub and Chasin, Proc. Natl. Acad. Sci. (USA) 77:4216, (1980); 마우스 세르톨리 (sertoli) 세포 (TM4, Mather, Biol. Reprod. 23:243-251 (1980)); 원숭이 신장 세포 (CVI ATCC CCL 70); 아프리카 사바나 원숭이 신장 세포 (VERO-76, ATCC CRL-1587); 사람 자궁경부 암종 세포 (HELA, ATCC CCL 2); 개 신장 세포 (MDCK, ATCC CCL 34); 버팔로 래트 간세포 (BRL 3A, ATCC CRL 1442); 사람 폐 세포 (W138, ATCC CCL 75); 사람 간세포 (hep G2, HB 8065); 마우스 유선 종양 (MMT 060562, ATCC CCL 51); TRI 세포 (Mather et al., Annals N.Y. Acad. Sci 383:44-68 (1982)); NIH/3T3 세포 (ATCC CRL-1658); 및 마우스 L 세포 (ATCC CCL-1). 추가적인 세포주는 당업자에게 분명해질 것이다. 다양한 세포주가 American Type Culture Collection, 10801 University Boulevard, Manassas, Va. 20110-2209로부터 이용 가능하다. 핵산을 세포 내로 도입하는 방법은 업계에 잘 알려져 있다. 적합한 방법은 전기 천공, 입자 총 기술 (particle gun technology), 칼슘 포스페이트 침전, 직접적인 미량주사, 등을 포함한다. 방법의 선택은 일반적으로 형질전환되는 세포의 타입 및 형질전환이 일어나는 상황 (즉, 시험관 내, 생체 외, 또는 생체 내)에 의존적이다. 이들 방법의 일반적인 논의는 Ausubel, et al., Short Protocols in Molecular Biology, 3d ed., Wiley 0026# Sons, 1995에서 발견될 수 있다. 일부 구체예에서, 리포펙타민 및 칼슘 매개된 유전자 수송 기술이 사용된다. 대상 핵산이 세포에 도입된 후, 세포는 전형적으로 정상적으로 37 ℃에서, 가끔 선택 하에, 항체의 발현을 허용하는 적합한 시간 동안 배양된다. 대부분의 구체예에서, 항체는 전형적으로 세포가 성장하는 배지의 상층액으로 분비된다.포유동물 숙주 세포에서, 많은 바이러스-기반 발현 시스템이 대상 항체를 발현시키는데 이용될 수도 있다. 발현 벡터로서 아데노바이러스가 사용되는 경우에, 원하는 항체 암호화 서열이 아데노바이러스 전사/번역 조절 복합체, 예를 들어, 후반 프로모터 (late promoter) 및 삼자 선도 서열 서열 (tripartite leader sequence)에 결찰될 수도 있다. 이 키메라 유전자는 시험관 내 또는 생체 내 재조합에 의해 아데노바이러스 게놈에 삽입될 수도 있다. 바이러스 게놈의 비-필수 영역 (예를 들어, 영역 E1 또는 E3)에 삽입은 감염된 숙주가 살 수 있고 이것에서 항체 분자를 발현할 수 있는 재조합 바이러스를 발생시킬 것이다 (예를 들어, Logan 0026# Shenk, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 81:355-359 (1984)를 참고하면 된다). 발현의 효능은 적절한 전사 인핸서 (enhancer) 요소, 전사 종결자, 등의 포함에 의해 향상될 수도 있다 (Bittner et al., Methods in Enzymol. 153:51-544 (1987)을 참고하면 된다). 장기간, 재조합 항체의 고수율 생산을 위해, 안정한 발현이 사용될 수도 있다. 예를 들어, 항체 분자를 안정하게 발현하는 세포주가 조작될 수도 있다. 복제의 바이러스 기원을 함유하는 발현 벡터를 사용하는 것 대신에, 숙주 세포가 면역글로불린 발현 카세트 및 선택 가능한 마커로 형질전환될 수 있다. 외부 DNA의 도입 후에, 조작된 세포는 농축 배지에서 1-2일 동안 키우는 것이 허용될 수도 있고, 선택 배지로 바뀐다. 재조합 플라스미드의 선택 가능한 마커는 선택에 대한 저항성을 부여하고 세포가 플라스미드를 염색체 내로 안정하게 통합하고 성장하여 차례로 클로닝되고 확장될 수 있는 초점을 형성하는 것을 허용한다. 이러한 조작된 세포주는 항체 분자와 직접적으로 또는 간접적으로 상호작용하는 화합물의 스크리닝 및 평가에 특히 유용할 수도 있다. 본 발명의 항체 분자가 생산되면, 그것은 면역글로불린 분자의 정제를 위해 업계에 알려진 어떤 방법에 의해서도, 예를 들어, 크로마토그래피 (예를 들어, 이온 교환, 친화도, 특히 단백질 A 이후 특이적 항원에 대한 친화도, 및 크기 컬럼 크로마토그래피), 원심분리, 차등 용해도에 의해, 또는 단백질의 정제를 위한 어떤 다른 표준 기술에 의해서도 정제될 수도 있다. 많은 구체예에서, 항체는 세포로부터 배양 배지에 분비되고 배양 배지로부터 수확된다. 예를 들어, 신호 펩티드를 암호화하는 핵산 서열은, 예를 들어, SEQ ID NO: 71의 뉴클레오티드 1-57에 제공된 항체 또는 단편의 암호화 영역에 인접하게 포함될 수도 있으며, SEQ ID NO: 72의 아미노산 1-19에 제공된 바와 같이 신호 펩티드를 암호화한다. 이러한 신호 펩티드는 대상 항체의 생산을 가능하게 하기 위해 대상 항체에 대하여 여기에 설명된 아미노산 서열의 5' 끝에 인접하게 통합될 수도 있다. 약학적 담체 및 전달 비히클또 다른 양태에서, 본 발명은 사람 항-MASP-2 억제 항체 및 약학적으로 허용 가능한 담체의 치료적 유효량을 포함하는 MASP-2 의존적 보체 활성화의 부작용을 억제하는 조성물을 제공한다. 일반적으로, 본 발명의 사람 MASP-2 억제 항체 조성물은 어떤 다른 선택된 치료제와도 결합되고, 약학적으로 허용 가능한 담체에 적합하게 함유된다. 담체는 비-독성, 생체 적합성이고 MASP-2 억제 항체 (및 이들과 결합된 어떤 다른 치료제)의 생물학적 활성에 해롭게 영향을 미치지 않기 위해 선택된다. 폴리펩티드에 대하여 전형적인 약학적으로 허용 가능한 담체는 Yamada의 미국 특허 번호　5,211,657에 설명된다. 항-MASP-2 항체는 고체, 반고체, 겔, 액체 또는 가스 형태의 조제물, 예를 들어, 경구, 비경구 또는 수술적 투여를 허용하는 타블렛, 캡슐, 파우더, 과립, 연고, 용액, 침착물, 흡입제 및 주사제로 조제될 수도 있다. 본 발명은 또한 의료장비 등을 코팅함으로써 조성물의 국부적 투여를 고려한다. 주사 가능한, 투입 또는 관주법을 통한 비경구 전달 및 국부적 전달에 적합한 담체는 증류수, 생리학적 포스페이트-완충된 식염수, 정상 또는 락테이트화된 링거 용액, 덱스트로스 용액, 행크 용액 (Hank's solution), 또는 프로판디올을 포함한다. 게다가, 멸균되고, 고정된 오일이 용매 또는 현탁화 배지로서 이용될 수도 있다. 이 목적을 위해, 합성 모노- 또는 디글리세리드를 포함하는, 어떤 생체 적합성 오일도 이용될 수 있다. 게다가, 올레산과 같은 지방산은 주사 가능한 것들의 제조에 있어서 용도를 찾는다. 담체 및 약제는 액체, 현탁화제, 폴리머화 가능한 또는 비-폴리머화 가능한 겔, 페이스트 (paste) 또는 고약 (salve)으로 합성될 수도 있다.담체는 또한 약제(들)의 전달을 유지 (즉, 연장, 지연 또는 조절)하거나 치료제(들)의 전달, 흡수, 안정화 또는 약물동력학을 향상시키기 위해 전달 비히클을 포함할 수도 있다. 이러한 전달 비히클은 비-제한 예의 방법에 의해, 단백질, 리포솜, 탄수화물, 합성 유기 화합물, 무기 화합물, 폴리머 또는 코폴리머 히드로겔 및 폴리머 미셸로 구성된 미립자, 미소구체, 나노구체 또는 나오 입자를 포함한다. 적합한 히드로겔 및 미셸 전달 시스템은 PEO:PHB:PEO 코폴리머 및 WO　2004/009664　A2에 개시된 코폴리머/시클로덱스트린 복합체 및 미국 특허 출원 공개 번호 　2002/0019369　A1에 개시된 PEO 및 PEO/시클로덱스트린을 포함한다. 이러한 히드로겔은 지속적인 방출 디폿 (depot)을 형성하기 위해 의도된 작용의 부위에 국부적으로, 또는 피하에 또는 근육 내에 주사될 수도 있다.관절 내 전달을 위해, MASP-2 억제 항체는 주사 가능한 상기 설명된 액체 또는 겔 담체, 주사 가능한 상기 설명된 지속적-방출 전달 비히클, 또는 히알루론산 또는 히알루론산 유도체에서 운반될 수도 있다. 척추 강 내 (IT) 또는 뇌실 내 (ICV) 전달을 위해, 적절하게 멸균된 전달 시스템 (예를 들어, 액체; 겔, 현탁액, 등)은 본 발명을 투여하기 위해 사용될 수 있다. 본 발명의 조성물은 또한 분산제 또는 습윤제, 현탁화제, 희석제, 완충제, 흡수 촉진제, 에멀젼화제, 결합제, 농후화제, 방향제와 같은 생체 적합성 첨가제를 포함할 수도 있다 (경구 투여용).국부적 전달을 위해 항-MASP-2 항체의 고농도를 달성하기 위해, 항체는 이후의 주사를 위해, 예를 들어, 디폿의 근육 내 주사를 위해 용액 중의 입자성 물질 또는 결정으로 조제될 수도 있다. 항-MASP-2 항체에 관하여 더 특이적으로, 전형적인 제형은 물, 오일, 식염수, 글리세롤 또는 에탄올과 같은 멸균된 액체일 수 있는 약학적 담체와 함께 생리학적으로 허용 가능한 희석제 중의 화합물의 용액 또는 현탁액의 주사 가능한 투약량으로 비경구로 투여될 수 있다. 추가적으로, 습윤제 또는 에멀젼화제, 계면활성제, Ph 완충 물질 등과 같은 보조 물질이 항-MASP-2 항체를 포함하는 조성물에 존재할 수 있다. 약학적 조성물의 추가적인 성분은 석유 (예를 들어, 동물, 식물 또는 합성 기원의), 예를 들어, 대두 오일 및 미네랄 오일을 포함한다. 일반적으로, 프로필렌 글리콜 또는 폴리에틸렌 글리콜과 같은 글리콜은 주사 가능한 용액에 대한 바람직한 액체 담체이다. 항-MASP-2 항체는 또한 활성제의 지속성 또는 박동성 방출을 허용하기 위해 이러한 방식으로 조제될 수 있는 디폿 주사 또는 임플란트 (implant) 조제물의 형태로 투여될 수 있다. MASP-2 억제 항체를 포함하는 약학적 조성물은 투여의 국부적 또는 전신적 방식이 치료되는 질병에 가장 적절한지에 의존적인 다양한 방법에 의해 투여될 수도 있다. 추가적으로, 체외 재관류 수술에 관하여 여기에 상기 설명된 바와 같이, MASP-2 억제 항체는 재순환 혈액 또는 혈장에 본 발명의 조성물의 도입을 통해 투여될 수 있다. 게다가, 본 발명의 조성물은 이식 가능한 의료장비 상에 코팅하거나 조성물을 이에 통합함으로써 전달될 수 있다. 전신성 전달여기에 사용된 바와 같이, 용어 "전신성 전달" 및 "전신성 투여"는 근육 내 (IM), 피하, 정맥 내 (IV), 동맥 내, 흡입, 혀 밑, 볼, 국부, 경피, 비강, 직장, 질 및 의도된 치료적 작용의 단일 또는 다수 부위에 전달된 항체의 분산을 효과적으로 일으키는 투여의 다른 루트를 포함하는 경구 및 비경구 루트를 포함하지만 이에 제한되어서는 안 된다. 본 조성물에 대한 전신성 전달의 바람직한 루트는 정맥 내, 근육 내, 피하 및 흡입을 포함한다. 본 발명의 특정 조성물에 이용된 선택된 약제에 대한 정확한 전신성 투여 루트가 투여의 특정 루트와 관련된 물질대사 형질전환 경로에 대한 약제의 민감도를 부분적으로 설명하기 위해 결정된다는 것이 인정될 것이다. MASP-2 억제 항체 및 폴리펩티드가 어떤 적합한 방법에 의해서도 이들이 필요한 대상체에 전달될 수 있다. MASP-2 항체 및 폴리펩티드의 전달 방법은 투여의 경구, 폐, 비경구 (예를 들어, 근육 내, 복강 내, 정맥 내 (IV) 또는 피하 주사), 흡입 (예를 들어, 미세한 분말 제형을 통해), 경피, 비강, 질, 직장, 또는 혀 밑 루트에 의해 투여를 포함하고, 투여의 각각의 루트에 적합한 투약 형태로 조제될 수 있다. 대표적인 예시의 방법에 의해, MASP-2 억제 항체 및 펩티드는 폴리펩티드를 흡수할 수 있는 신체의 막, 예를 들어, 비강, 위장 및 직장 막에 적용에 의해 살아있는 생체 내로 도입될 수 있다. 폴리펩티드는 전형적으로 침투 강화제와 함께 흡수성 막에 적용된다 (예를 들어, Lee, V.H.L., Crit. Rev. Ther. Drug Carrier Sys.　5:69, 1988; Lee, V.H.L., J.　Controlled Release 13:213, 1990; Lee, V.H.L., Ed., Peptide and Protein Drug Delivery, Marcel Dekker, New York (1991); DeBoer, A.G.,　et　al., J.　Controlled Release　13:241, 1990을 참고하면 된다). 예를 들어, STDHF는 푸시딘산의 합성 유도체, 담즙산염과 구조가 유사하고, 비강 전달을 위한 침투 강화제로서 사용된 스테로이드성 계면강화제이다 (Lee, W.A., Biopharm.　22, Nov./Dec. 1990.)MASP-2 억제 항체 및 폴리펩티드는 효소의 분해로부터 폴리펩티드를 보호하기 위해 지질과 같은 또 다른 분자와 함께 도입될 수도 있다. 예를 들어, 폴리머, 특히 폴리에틸렌 글리콜 (PEG)의 공유 부착은 신체에서 효소의 가수분해로부터 특정 단백질을 보호하기 위해 사용되었고 따라서 반감기를 연장한다 (Fuertges, F.,　et　al., J.　Controlled Release　11:139, 1990). 많은 폴리머 시스템이 단백질 전달에 대하여 보고되었다 (Bae, Y.H.,　et　al., J.　Controlled Release　9:271, 1989; Hori, R.,　et　al., Pharm. Res.　6:813, 1989; Yamakawa, I.,　et　al., J. Pharm. Sci.　79:505, 1990; Yoshihiro, I.,　et　al., J.　Controlled Release　10:195, 1989; Asano, M.,　et　al., J.　Controlled Release　9:111, 1989; Rosenblatt, J., et　al., J.　Controlled Release　9:195, 1989; Makino, K., J.　Controlled Release　12:235, 1990; Takakura, Y., et　al., J.　Pharm. Sci.　78:117, 1989; Takakura, Y.,　et　al., J. Pharm. Sci.　78:219, 1989). 최근에, 리포솜은 개선된 혈청 안정성 및 순환 하프타임 (half-times)을 갖도록 개발되었다 (예를 들어, Webb의 미국 특허 번호　5,741,516을 참고하면 된다). 게다가, 잠재적 약물 담체로서 리포솜 및 리포솜-유사물의 다양한 제조 방법은 재검토되었다 (예를 들어, Szoka의 미국 특허 번호　5,567,434; Yagi의 미국 특허 번호　5,552,157; Nakamori의 미국 특허 번호　5,565,213; Shinkarenko의 미국 특허 번호　5,738,868; 및 Gao의 미국 특허 번호　5,795,587을 참고하면 된다).경피성 적용을 위해, MASP-2 억제 항체 및 폴리펩티드는 다른 적합한 성분, 예를 들어, 담체 및/또는 보조제와 결합될 수도 있다. 그것들의 의도된 투여를 위해 그것들이 약학적으로 허용 가능해야하고 조성물의 활성 성분의 활성을 분해할 수 없는 것을 제외하고는, 이러한 다른 성분의 성질에 대한 제한은 없다. 적합한 비히클의 예는 정제된 콜라겐과 함께 또는 없이, 연고, 크림, 겔, 또는 현탁액을 포함한다. MASP-2 억제 항체 및 폴리펩티드는 바람직하게 액체 또는 반액체 형태로 경피 패치, 플라스터 (plaster) 및 붕대에 주입될 수도 있다. 본 발명의 조성물은 원하는 수준의 치료적 효과를 유지하기 위해 결정된 간격으로 주기적으로 전신에 투여될 수도 있다. 예를 들어, 조성물은, 예를 들어, 피하 주사에 의해 2 내지 4주마다 또는 낮은 빈도의 간격으로 투여될 수도 있다. 투약 요법은 약제의 조합의 작용에 영향을 미칠 수도 있는 다양한 인자를 고려하여 의사에 의해 결정될 것이다. 이들 인자는 치료되는 질병의 진행의 정도, 환자의 나이, 성별 및 체중, 및 다른 임상적 인자를 포함할 것이다. 각 개개의 약제에 대한 투약은 조성물에 포함되는 MASP-2 억제 항체의 기능, 뿐만 아니라 어떤 약물 전달 비히클의 존재 및 성질 (예를 들어, 지속적인 방출 전달 비히클)에 따라 다를 것이다. 게다가, 투약의 양은 전달되는 약제(들)의 투여의 빈도 및 약물동력학적 행동의 변화를 설명하기 위해 조정될 수도 있다.국부적 전달여기에 사용된 바와 같이, 용어 "국부적"은 의도된 국부화된 작용의 부위에 또는 주위에 약물의 적용을 포함하고, 예를 들어, 피부 또는 다른 영향을 받은 조직에 국부적 전달, 눈 전달, 척추 강 내 (IT), 뇌실 내 (ICV), 관절 내, 공동 내, 두개 내 또는 방광 내 투여, 배치 또는 관주법 (irrigation)을 포함할 수도 있다. 국부적 투여는 전신성 부작용을 방지하기 위해, 및 국부적 전달의 부위에서 활성제의 전달의 시기 및 농도의 더 정확한 조절을 위해 저용량의 투여가 가능한 것이 가장 바람직할 수도 있다. 국부적 투여는 표적 부위에 대사, 혈류, 등에서 환자 내 가변성에 상관없이 알려진 농도를 제공한다. 개선된 투약 조절은 또한 직접적인 방식의 전달에 의해 제공된다. MASP-2 억제 항체의 국부적 전달은 예를 들어, 동맥 우회 수술 (arterial bypass surgery), 죽종 절제술 (atherectomy), 레이져 수술, 초음파 수술, 기구 혈관 형성 (balloon angioplasty) 및 스텐트 삽입술 (stent placement)과 같은 수술 중에, 질환 또는 질병의 치료를 위한 수술적 방법의 맥락에서 달성될 수도 있다. 예를 들어, MASP-2 억제제는 기구 혈관 형성 수술과 함께 대상체에 투여될 수 있다. 기구 혈관 형성 수술은 바람이 빠진 풍선이 달린 카테터 (catheter)를 동맥에 삽입하는 단계를 수반한다. 바람이 빠진 풍선은 동맥경화 플라크 (atherosclerotic plaque)의 가까이에 위치하고 혈관벽에 압축되도록 부풀려진다. 결과로서, 풍선 표면은 혈관의 표면상의 혈관 내피 세포층과 접촉된다. MASP-2 억제 항체는 동맥경화 플라크의 부위에서 약제의 방출을 허용하는 방식으로 기구 혈관 형성 카테터에 부착될 수도 있다. 약제는 업계에 알려진 표준 과정에 따라 풍선 카테터에 부착될 수도 있다. 예를 들어, 약제는 풍선이 부풀려질 때까지 풍선 카테터의 구획에 저장될 수도 있으며, 이 지점에서 그것이 국부적 환경으로 방출된다. 대안으로, 약제는 풍선 표면상에 주입될 수도 있으며, 그것은 풍선이 부풀려져 있기 때문에 동맥의 세포에 접촉한다. 약제는 또한 Flugelman, M.Y.,　et　al., Circulation　85:1110-1117, 1992에 개시된 것들과 같은 천공된 풍선 카테터에서 전달될 수도 있다. 또한 치료적 단백질을 기구 혈관 형성 카테터에 부착하는 전형적인 수술에 대하여 공개된 PCT 출원 WO　95/23161을 참고하면 된다. 유사하게, MASP-2 억제 항체는 스텐트에 적용된 겔 또는 폴리머 코팅에 포함될 수도 있거나, 스텐트의 재료에 통합될 수도 있으며, 스텐트는 혈관 배치 후 MASP-2 억제 항체를 용출한다. 치료 요법관절염 및 다른 근골격 장애의 치료에 사용된 MASP-2 억제 항체 조성물은 관절 내 주사에 의해 국부적으로 전달될 수도 있다. 이러한 조성물은 적합하게 지속적인 방출 전달 비히클을 포함할 수도 있다. 국부적 전달이 요구될 수도 있는 경우의 추가의 예로서, 비뇨생식기 질병의 치료에 사용된 MASP-2 억제 항체 조성물은 방광 내에 또는 또 다른 비뇨생식기 구조 내에 적합하게 주입될 수도 있다. 예방적 적용에서, 약학적 조성물은 질병의 증상에 걸릴 위험을 제거하거나 감소시키기 위해 충분한 양으로 MASP-2 의존적 보체 활성화와 관련된 질병에 걸린 것으로 의심되거나, 그렇지 않으면 걸릴 위험이 있는 대상체에 투여된다. 치료적 적용에서, 약학적 조성물은 질병의 증상을 완화하거나, 적어도 부분적으로 감소시키기 위해 충분한 치료적 유효량으로 MASP-2 의존적 보체 활성화와 관련된 질병에 걸린 것으로 의심되거나, 이미 이로 고통받는 대상체에 투여된다. 예방적 및 치료적 요법 둘 다에서, MASP-2 억제 항체를 포함하는 조성물은 대상체에서 충분한 치료적 결과가 달성될 때까지 다 회수 투약량으로 투여될 수도 있다. 본 발명의 MASP-2 억제 항체 조성물의 적용은 급성 질병, 예를 들어, 재관류 손상 또는 다른 외상성 손상의 치료를 위해 조성물의 단일 투여, 제한된 순서의 투여에 의해 수행될 수도 있다. 대안으로는, 조성물은 만성 질병, 예를 들어, 관절염 또는 건선의 치료를 위해 연장된 기간에 걸쳐 주기적으로 투여될 수도 있다. 본 발명에 사용된 MASP-2 억제 조성물은 렉틴 경로의 활성화를 일으키는 급성 이벤트 직후에 또는 이후 곧, 예를 들어, 허혈성 이벤트 및 허혈성 조직의 재관류 이후에 전달될 수도 있다. 예는 심근 허혈성 재관류 (myocardial ischemia reperfusion), 신장 허혈성 재관류 (renal ischemia reperfusion), 전뇌 허혈성 재관류 (cerebral ischemia reperfusion), 기관 이식 및 손(발)가락/손발 재부착 (digit/extremity reattachment)을 포함한다. 다른 급성 예는 패혈증 (sepsis)을 포함한다. 본 발명의 MASP-2 억제 조성물은 예를 들어렉틴 경로를 활성화하는 급성 이벤트 후 가능한 빨리, 바람직하게 이벤트의 촉발의 12시간 내에 및 더 바람직하게 두 시간 내지 세 시간 내에, 예를 들어, MASP-2 억제 조성물의 전신성 전달을 통해 투여될 수도 있다.본 발명의 방법 및 조성물은 전형적으로 진단적 및 치료적 의료 방법 및 수술 절차로부터 발생하는 염증 및 관련 절차를 억제하기 위해 사용될 수도 있다. 이러한 절차를 억제하기 위해, 본 발명의 MASP-2 억제 조성물이 수술시에 적용될 수도 있다. 여기에 사용된 바와 같이, "수술시에"는 수술 전에 및/또는 수술 중에 및/또는 수술 후에, 즉, 수술 전에, 수술 전에 및 중에, 수술 전에 및 후에, 수술 전이, 중에 및 후에, 수술 중에, 수술 중에 및 후에, 또는 수술 후에 억제 조성물의 투여를 나타낸다. 수술시 적용은 조성물의 수술 또는 수술 부위에 국부적 투여에 의해, 예를 들어, 주사 또는 부위의 연속적 또는 간헐성 관주법 또는 전신성 투여에 의해 수행될 수도 있다. MASP-2 억제 항체 용액의 국부적 수술시 전달에 적합한 방법은 ㅁ Demopulos의 미국 특허 번호 6,420,432 및 Demopulos의 6,645,168에 개시된다. MASP-2 억제 항체를 포함하는 연골 보호적 (chondroprotective) 조성물의 국부적 전달에 적합한 방법은 국제 PCT 특허 출원 WO　01/07067 A2에 개시된다. MASP-2를 포함하는 연골 보호적 조성물의 표적화된 전신성 전달에 적합한 방법 및 조성물은 국체 PCT 특허 출원 WO　03/063799　A2에 개시된다.투약MASP-2 억제 항체는 MASP-2 의존적 보체 활성화와 관련된 질병을 치료하거나 개선하기 위한 치료적 유효량으로 이들이 필요한 대상체에 투여될 수 있다. 치료적 유효량은 질병의 증상의 개선을 일으키는데 충분한 MASP-2 억제 항체의 양을 나타낸다. MASP-2 억제 항체의 독성 및 치료적 효능은 여기에 설명된 바와 같이, 아프리카 사바나 원숭이와 같은, 실험적 동물 모델을 이용하는 표준 약학적 과정에 의해 결정될 수 있다. 이러한 동물 모델을 사용하여, NOAEL (관찰된 부작용 수준 없음) 및 MED (최소 유효량)은 표준 방법을 사용하여 결정될 수 있다. NOAEL 및 MED 효과 사이의 용량 비율은 치료적 비율이며, 비율 NOAEL/MED로서 표현된다. 큰 치료적 비율 또는 지수를 나타내는 MASP-2 억제 항체가 가장 바람직하다. 세포 배양 검정 및 동물 연구로부터 얻은 데이터는 사람에 사용되는 다양한 투약량을 조제하는데 사용될 수 있다. MASP-2 억제 항체의 투약량은 바람직하게 거의 또는 전혀 독성이 없는 MED를 포함하는 다양한 순환 농도 내에 있다. 투약량은 이용된 투약 형태 및 활용된 투여의 루트에 의존적으로 이 범위 내에서 다를 수도 있다. 어떤 화합물 제형에 대해서도, 치료적 유효량은 동물 모델을 사용하여 측정될 수 있다. 예를 들어, 투여량은 MED를 포함하는 순환 혈장 농도 범위를 달성하기 위해 동물 모델에서 조제될 수도 있다. 혈장에서 MASP-2 억제 항체의 양적 수준이 또한, 예를 들어, 고성능 액체 크로마토그래피에 의해 측정될 수도 있다. 독성 연구 이외에, 유효량은 또한 살아있는 대상체에 존재하는 MASP-2 단백질의 양 및 MASP-2 억제 항체의 결합 친화도에 기초하여 추정될 수도 있다. 정상 사람 대상체에서 MASP-2 수준은 500　ng/ml의 범위의 낮은 수준으로 혈청에 존재하고, 특정 대상체에서 MASP-2 수준은 Moller-Kristensen M.,　et　al., J.　Immunol. Methods　282:159-167, 2003에 설명된 MASP-2에 대한 정량 검정을 사용하여 결정될 수 있으며, 본원에 참고로 포함된다. 일반적으로, MASP-2 억제 항체를 포함하는 투여된 조성물의 투약량은 대상체의 나이, 체중, 키, 성별, 일반적인 의학적 상태, 및 이전 병력과 같은 인자에 따라 다르다. 설명과 같이, MASP-2 억제 항체는 대상체 체중의 약　0.010 내지 10.0　mg/kg, 바람직하게　0.010 내지 1.0　mg/kg, 더 바람직하게　0.010 내지 0.1　mg/kg의 투약 범위에서 투여될 수 있다. 특정 대상체에서 본 발명의 MASP-2 억제 조성물의 치료적 효능 및 치료 방법, 및 적절한 투약량은 당업자에 의해 잘 알려진 보체 검정에 따라 결정될 수 있다. 보체는 많은 특이적 생성물을 생성한다. 지난 10년 동안, 예만하고 특이적인 검정들이 개발되었고 이들 활성화 생성물의 대부분에 대하여 상업적으로 이용 가능하며, 작은 활성화 단편 C3a, C4a, 및 C5a 및 큰 활성화 단편　iC3b, C4d, Bb, 및　sC5b-9를 포함한다. 이들 검정의 대부분은 단편에 노출되지만, 그것들이 형성되는 본래의 단백질에는 노출되지 않는 새로운 항원 (신항원)과 반응하는 항체를 이용하며, 이들 검정을 매우 단순하고 특이적으로 만든다. 대부분은 ELISA 기술에 의존하지만, 방사선면역검정이 C3a 및 C5a에 대해서는 여전히 가끔 사용된다. 이들 후자의 검정은 미가공된 단편 및 그것들의 'desArg' 단편 둘다를 측정하며, 이것은 순환에서 발견되는 대부분의 형태이다. 미가공된 단편 및 C5adesArg는 세포 표면 수용체에 결합함으로써 신속하게 제거되고 이런 이유로 매우 낮은 농도로 존재하는 반면에, C3adesArg는 세포에 결합하지 않고 혈장에 누적된다. C3a의 측정은 보체 활성화의 민감하고, 경로-독립적 지표를 제공한다. 대체 경로 활성화는 Bb 단편을 측정함으로써 평가될 수 있다. 막 공격 경로 활성화의 유체 단계 생성물,　sC5b-9의 검출은 보체가 완료될 때까지 활성화된다는 증거를 제공한다. 렉틴 및 고전적 경로 둘 다가 같은 활성화 생성물, 　C4a 및　C4d를 생성하기 때문에, 이들 두 개의 단편의 측정값은 이들 두 개의 경로 중 어느 하나가 활성화 생성물을 발생시키는지에 대한 어떤 정보도 제공하지 않는다. MASP-2 의존적 보체 활성화의 억제는 본 발명에 따르는 항-MASP-2 항체의 투여의 결과로서 나타나는 보체 시스템의 성분의 다음 변화 중 적어도 하나를 특징으로 한다: MASP-2 의존적 보체 활성화 시스템 생성물 C4b, C3a, C5a 및/또는 C5b-9 (MAC)의 생성 또는 생산의 억제, C4 절단 및 C4b 침착의 감소, 또는 C3 절단 및 C3b 침착의 감소.제조 물품또 다른 양태에서, 본 발명은 여기에 설명된 바와 같이 1 mg 내지 5000 mg, 예를 들어, 1 mg 내지 2000 mg, 예를 들어, 1 mg 내지 1000 mg, 예를 들어, 5 mg, 10 mg, 50 mg, 100 mg, 200 mg, 500 mg, 또는 1000 mg의 범위의 단위 투약량으로 사람 대상체에 치료적 투여에 적합한 단위 투약 형태로 사람 MASP-2 억제 항체, 또는 이들의 항원 결합 단편을 함유하는 제조 물품을 제공한다. 일부 구체예에서, 제조 물품은 용기 및 용기 상에 또는 이와 관련된 표지 또는 패키지 삽입물을 포함한다. 적합한 용기는, 예를 들어, 병, 바이알, 주사기, 등을 포함한다. 용기는 유리 또는 플라스틱과 같은 다양한 재료로 형성될 수도 있다. 용기는 질병의 치료에 유효한 조성물을 보유하고 있고 멸균 접근 포트를 가질 수도 있다 (예를 들어, 용기는 정맥 내 용액 가방 또는 피하 주사 바늘에 의해 관통 가능한 마개를 가진 바이알일 수도 있다). 조성물에서 적어도 하나의 활성제는 본 발명의 MASP-2 억제 항체 또는 이들의 항원 결합 단편이다. 표지 또는 패키지 삽입물은 조성물이 특정 질병의 치료에 사용된다는 것을 나타낸다. 표지 또는 패키지 삽입물은 환자에 항체 조성물을 투여하기 위해 설명서를 추가로 포함할 것이다. 제조 물품 및 여기에 설명된 조합 치료를 포함하는 키트가 또한 고려된다. 항-MASP-2 억제 항체의 치료적 사용또 다른 양태에서, 본 발명은 사람 대상체에서 MASP-2 의존적 보체 활성화를 억제하는 방법을 제공하며, 상기 사람 대상체의 MASP-2 의존적 보체 활성화를 억제하는데 충분한 양으로 본 발명의 사람 단클론성 항-MASP-2 억제 항체를 투여하는 단계를 포함한다. 본 발명의 이 양태에 따라, 실시예 10에 설명된 바와 같이, 본 발명의 MASP-2 억제 항체는 정맥 내 투여 후에 아프리카 사바나 원숭이의 렉틴 경로를 억제할 수 있다. 표 24, 실시예 8에 나타난 바와 같이, 이 연구에 사용된 항체, OMS646은 사람 혈청에서 더 강한 것으로 발견되었다. 당업자에게 알려진 바와 같이, 비-사람 영장류는 종종 항체 치료제를 평가하는 모델로서 사용된다. 미국 특허 번호　7,919,094, 동시계속 미국 특허 출원 일련 번호　13/083,441, 및 동시계속 미국 특허 출원 일련 번호 12/905,972에 설명된 바와 같이 (이것들 각각은 Omeros Corporation, 본 출원의 양수인에게 할당된다), MASP-2 의존적 보체 활성화는 MASP-2 의존적 보체 매개된 혈관 질환, 허혈성 재관류 손상, 아테롬성 동맥 경화증 (atherosclerosis), 염증성 위장 장애, 폐 질환, 체외 재관류 수술, 근골격 질환, 신장 질병, 피부 질환, 기관 또는 조직 이식, 신경계 장애 또는 손상, 혈액 장애, 비뇨생식기 질환, 당뇨병, 화학 요법 또는 방사선 요법, 악성 종양, 내분비계 장애, 응고 장애, 또는 안과 질환을 포함하는, 많은 급성 및 만성 질환 상태의 발병에 기여함으로써 연루되었고, 이것들 각각은 본원에 참고로 포함된다. 그러므로, 본 발명의 MASP-2 억제 항체는 상기 언급된 질환 및 질병을 치료하기 위해 사용될 수도 있다. 실시예 11에 더 설명된 바와 같이, 본 발명의 MASP-2 억제 항체는 급성 방사선 증후군의 부작용에 걸릴 위험이 있거나, 이로 고통받는 포유동물 대상체를 치료하는데 있어서 효과적이고, 그로 인해 생체 내 치료적 효능을 입증한다.다음 실시예는 단지 본 발명을 실행하기 위해 현재 고려되는 최고의 방식을 설명하지만, 본 발명을 제한하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 실시예 1이 실시예는 재조합 발현 및 재조합 전체 길이 사람, 래트 및 쥐 MASP-2, MASP-2 유도된 폴리펩티드, 및 MASP-2의 촉매작용에 의해 불활성화된 돌연변이 형태의 단백질 생산을 설명한다.전체 길이 사람 및 래트 MASP-2의 발현: 선도 서열을 갖는 사람 MASP-2 폴리펩티드 (SEQ ID NO: 2)를 암호화하는, 사람 MASP-2 (SEQ ID NO: 1)의 전체 길이 cDNA 서열을 포유동물 발현 벡터 pCI-Neo (Promega)에 서브클로닝하였으며, 이것은 CMV 인핸서/프로모터 영역의 조절 하에 진핵세포 발현을 구동한다 (Kaufman R.J.　et　al., Nucleic Acids Research 19:4485-90, 1991; Kaufman, Methods in Enzymology, 185:537-66 (1991)에 설명됨). 선도 서열을 갖는 래트 MASP-2 폴리펩티드 (SEQ ID NO: 5)을 암호화하는, 전체 길이 래트 MASP-2 cDNA (SEQ ID NO: 4)를 pED 발현 벡터에 서브클로닝하였다. MASP-2 발현 벡터를 Maniatis　et　al., 1989에 설명된 표준 칼슘 포스페이트 트랜스펙션 과정을 사용하여 부착된 중국 햄스터 난소 세포주 DXB1에 트랜스펙션하였다. 이들 구조로 트랜스펙션된 세포는 매우 느리게 자랐으며, 암호화된 프로테아제가 세포 독성이라는 것을 나타낸다. 사람 MASP-2 단백질 (SEQ ID NO: 3)의 성숙한 형태 및 래트 MASP-2 단백질 (SEQ ID NO: 6)의 성숙한 형태를 배양 배지로 분비하였고 하기 설명된 바와 같이 분리하였다. 전체 길이 촉매작용에 의한 불활성 MASP-2의 발현: 근거: MASP-2는 전체적으로 렉틴으로 나타나는 인식 하위 성분 MBL, C-타입 렉틴 CL-11, 또는 피콜린 (L-피콜린, H-피콜린 또는 M-피콜린) 이후의 자가촉매적 절단에 의해 활성화되고, 그것들의 각각의 탄수화물 패턴에 결합한다. MASP-2의 활성화를 일으키는 자가촉매적 절단은 종종 재조합 발현 후에 혈청으로부터 MASP-2의 분리 과정 중에, 또는 정제 중에 발생한다. 항원으로 사용되는 더 안정한 단백질 조제물을 얻기 위해, MASP-2A로 지정된, MASP-2의 촉매작용에 의한 불활성 형태를 프로테아제 도메인의 촉매 트라이어드 (triad)에 존재하는 세린 잔기를 성숙한 래트 MASP-2 단백질의 알라닌으로 (SEQ ID NO: 6 Ser617 내지 Ala617); 또는 성숙한 사람 MASP-2 단백질의 알라닌으로 (SEQ ID NO: 3 Ser618 내지 Ala618) 대체함으로써 생성하였다.촉매작용에 의한 불활성 사람 및 래트 MASP-2A 단백질을 생성하기 위해, 부위-관련 돌연변이 생성을 US2007/0172483에 설명된 바와 같이 수행하였으며, 본원에 참고로 포함된다. PCR 생성물을 아가로스 겔 전기영동 후 정제하였고 밴드 제조 및 단일 아데노신 중첩을 표준 테일링 (tailing) 방법을 사용하여 발생시켰다. 아데노신 테일링된 MASP-2A를 pGEM-T 이지 벡터 (easy vector)에 클로닝하였고, 이. 콜리 (E. coli)에 형질전환하였다. 사람 및 래트 MASP-2A를 하기 설명된 바와 같이 포유동물 발현 벡터 pED 또는 pCI-Neo에 각각 추가로 서브클로닝하였고 중국 햄스터 난소 세포주 DXB1에 트랜스펙션하였다. 사람 MASP-2로부터 유도된 폴리펩티드 영역을 함유하는 발현 플라스미드의 구조.MASP-2의 다양한 도메인을 분비하기 위해 다음 구조를 MASP-2 신호 펩티드 (SEQ ID NO: 2의 잔기 1-15)를 사용하여 생성하였다. 사람 MASP-2 CUBI 도메인 (SEQ ID NO: 7)을 발현하는 구조는 MASP-2 (SEQ ID NO: 3)의 잔기 1-121을 암호화하는 영역 (N-말단 CUB1 도메인에 해당)을 PCR 증폭함으로써 만들어졌다. 사람 MASP-2 CUBI/EGF 도메인 (SEQ ID NO: 8)을 발현하는 구조는 MASP-2 (SEQ ID NO: 3)의 잔기 122-166을 암호화하는 영역 (N-말단 CUB1/EGF 도메인에 해당)을 PCR 증폭함으로써 만들어졌다. 사람 MASP-2 CUBI/EGF/CUBII 도메인 (SEQ ID NO: 9)을 발현하는 구조는 MASP-2 (SEQ ID NO: 3)의 잔기 1-277을 암호화하는 영역 (N-말단 CUBIEGFCUBII 도메인에 해당)을 PCR 증폭함으로써 만들어졌다. 사람 MASP-2 EGF 도메인 (SEQ ID NO: 10)을 발현하는 구조는 MASP-2 (SEQ ID NO: 3)의 잔기 122-166을 암호화하는 영역 (EGF 도메인에 해당)을 PCR 증폭함으로써 만들어졌다. 사람 MASP-2 CCPI/CCPII/SP 도메인 (SEQ ID NO: 11)을 발현하는 구조는 MASP-2 (SEQ ID NO: 3)의 잔기 278-671을 암호화하는 영역 (CCPI/CCPII/SP 도메인에 해당)을 PCR 증폭함으로써 만들어졌다. 사람 MASP-2 CCPI/CCPII 도메인 (SEQ ID NO: 12)을 발현하는 구조는 MASP-2 (SEQ ID NO: 3)의 잔기 278-429를 암호화하는 영역 (CCPI/CCPII 도메인에 해당)을 PCR 증폭함으로써 만들어졌다. MASP-2의 CCPI 도메인 (SEQ ID NO: 13)을 발현하는 구조는 MASP-2 (SEQ ID NO: 3)의 잔기 278-347을 암호화하는 영역 (CCPI 도메인에 해당)을 PCR 증폭함으로써 만들어졌다. MASP-2의 CCPII/SP 도메인 (SEQ ID NO: 14)을 발현하는 구조는 MASP-2 (SEQ ID NO: 3)의 잔기 348-671을 암호화하는 영역 (CCPII/SP 도메인에 해당)을 PCR 증폭함으로써 만들어졌다. MASP-2의 CCPII 도메인 (SEQ ID NO: 15)을 발현하는 구조는 MASP-2 (SEQ ID NO: 3)의 잔기 348-429을 암호화하는 영역 (CCPII 도메인에 해당)을 PCR 증폭함으로써 만들어졌다. MASP-2의 SP 도메인 (SEQ ID NO: 16)을 발현하는 구조는 MASP-2 (SEQ ID NO: 3)의 잔기 429-671을 암호화하는 영역 (SP 도메인에 해당)을 PCR 증폭함으로써 만들어졌다. 상기 언급된 MASP-2 도메인을 VentR 폴리머라제 및 주형으로서 pBS-MASP-2를 사용하는 PCR에 의해 증폭하였다. 센스 프라이머의 5' 프라이머 서열는 PCR 생성물의 5' 끝에서 BamHI 제한 부위 (밑줄 그어짐)를 도입하였다. 각각의 MASP-2 도메인에 대한 안티센스 프라이머를 각 PCR 생성물의 끝에 종결 코돈에 이어 EcoRI 부위를 도입하도록 설계하였다. 증폭되면, 움 단편을 BamHI 및 EcoRI으로 분해하였고 pFastBac1 벡터의 해당 부위에 클로닝하였다. 결과의 구조는 제한 매핑 (mapping)을 특징으로 하였고 dsDNA 시퀀싱에 의해 확인되었다. MASP-2의 재조합 진핵세포 발현 및 효소적 불활성 래트 및 사람 MASP-2A의 단백질 생산상기 설명된 MASP-2 및 MASP-2A 발현 구조를 표준 칼슘 포스페이트 트랜스펙션 과정을 사용하여 DXB1 세포에 트랜스펙션하였다 (Maniatis　et　al., 1989). MASP-2A를 조제물이 다른 혈청 단백질로 오염되지 않았다는 것을 보장하기 위해 혈청이 없는 배지에서 생산하였다. 배지를 이틀마다 융합성 세포로부터 수확하였다 (총 네 번). 재조합 MASP-2A의 수준은 각각 두 종에 대하여 배양물의 대략 1.5 mg/리터를 평균으로 하였다. MASP-2A 단백질 정제: MASP-2A (상기 설명된 Ser-Ala 돌연변이)를 MBP-A-아가로스 컬럼 상의 친화도 크로마토그래피에 의해 정제하였다. 이 계획은 관련없는 태그를 사용하지 않고 신속한 정제를 가능하게 했다. MASP-2A (동량의 로딩 버퍼 (50　mM Tris-Cl, pH　7.5, 150　mM NaCl 및 25　mM CaCl2를 함유)로 희석된 배지의 100-200　ml)를 10 ml의 로딩 버퍼로 사전 평형화된 MBP-아가로스 친화도 컬럼 (4　ml)에 로딩하였다. 10 ml의 로딩 버퍼로 세척한 후, 단백질을 용출하였다. 1.25 M NaCl 및 10　mM EDTA를 함유하는 50　mM Tris-Cl, pH　7.5로 1 ml 분획에 용출하였다. MASP-2A를 함유하는 분획을 SDS-폴리아크릴아미드 겔 전기영동에 의해 확인하였다. 필요한 경우, MASP-2A를 MonoQ 컬럼 (HR 5/5)에서 이온 교환 크로마토그래피에 의해 추가로 정제하였다. 단백질을 50　mM NaCl을 함유하는 50　mM Tris-Cl pH　7.5로 투석하였고 같은 버퍼로 평형화된 컬럼에 로딩하였다. 세척 후, 결합된 MASP-2A를 10 ml에 걸쳐 0.05-1 M NaCl 구배로 용출하였다. 결과: MASP-2A 단백질의 0.25-0.5 mg의 수득율을 200 ml의 배지로부터 얻었다. MALDI-MS에 의해 결정된 77.5 kDa의 분자량은 글리코실화로 인해 변형되지 않은 폴리펩티드의 계산 값 (73.5　kDa)보다 더 크다. 각각의 N-글리코실화 부위에서 글리칸의 부착은 관찰된 질량을 설명한다. MASP-2A는 SDS-폴리아크릴아미드 겔 상에서 단일 밴드로 이동하며, 그것이 생합성 중에 단백질 가수분해에 의해 가공되지 않는다는 것을 입증한다. 평형 초원심분리에 의해 결정된 중량-평균 분자량은 글리코실화된 폴리펩티드의 호모다이머에 대한 계산값과 일치한다. 실시예 2이 실시예는 친화도 성숙화로 진행하는 MASP-2 기능적 활성을 차단하는 고 친화도 완전한 사람 항-MASP-2 scFv 항체 후보를 확인하기 위해 사용된 스크리닝 방법을 설명한다. 배경 및 근거: MASP-2는 많은 별도의 기능적 도메인을 가진 복합성 단백질이며, 다음을 포함한다: MBL 및 피콜린에 대한 결합 부위(들), 세린 프로테아제 촉매점, 단백질 가수분해 기질 C2에 대한 결합 부위, 단백질 가수분해 기질 C4에 대한 결합 부위, MASP-2 치모겐의 자가활성화를 위한 MASP-2 절단 부위, 및 두 개의 Ca++ 결합 부위. scFv 항체 단편이 높은 친화도로 MASP-2에 결합한다는 것을 확인하였고, 확인된 Fab2 단편을 그것들이 MASP-2 기능적 활성을 차단할 수 있는지 결정하기 위해 기능적 검정에서 테스트하였다.MASP-2 기능적 활성을 차단하기 위해, 항체 또는 scFv 또는 Fab2 항체 단편은 MASP-2 기능적 활성이 필요한 구조적 에피토프에 결합하여 이것을 방해해야 한다. 그러므로, 고 친화도 결합 항-MASP-2 scFvs 또는 Fab2s 중 다수 또는 모두는 그것들이 MASP-2 기느적 활성에 직접적으로 수반되는 MASP-2 상의 구조적 에피토프에 결합하징 않으면 MASP-2 기능적 활성을 억제하지 않을 수도 있다. 렉틴 경로 C3 콘버타제 형성의 억제를 측정하는 기능적 검정을 항-MASP-2 scFv의 "차단 활성"을 평가하기 위해 사용하였다. 렉틴 경로에서 MASP-2의 주요 생리학적 역할이 렉틴-매개된 보체 경로, 즉, 렉틴 경로 C3 콘버타제의 다음 기능적 성분을 발생시키는 것으로 알려져 있다. 렉틴 경로 C3 콘버타제는 단백질 가수분해에 의해 C3를 C3a 및 C3b로 분열시키는 중요한 효소 복합체 (C4b2a)이다. MASP-2는 렉틴 경로 C3 콘버타제 (C4b2a)의 구조 성분이 아니다; 하지만, MASP-2 기능적 활성은 렉틴 경로 C3 콘버타제를 포함하는 두 개의 단백질 성분 (C4b, C2a)을 생성하기 위해 필요하다. 게다가, 상기 나열된 MASP-2의 별개의 기능적 활성 모두는 MASP-2가 렉틴 경로 C3 콘버타제를 생성하기 위해 필요한 것으로 나타난다. 이들 이유에 대하여, 항-MASP-2 Fab2 및 scFv 항체 단편의 "차단 활성"을 평가하는데 사용된 바람직한 검정은 렉틴 경로 C3 콘버타제 형성의 억제를 측정하는 기능적 검정인 것으로 생각된다. 사람에 1 mg/kg의 투여 후 생체 내에서 003e#90% 렉틴 경로 제거를 수득하는 것으로 예상된 치료적 항-MASP-2 항체에 대한 표적 프로파일은 90% 혈장에서 003c#5 nM인 IC50이다. 이들 검정 포맷에서 시험관 내 약학적 활성 및 생체 내 약물동력학 사이의 관계를 항-설치류 MASP-2 항체를 사용하여 실험적으로 입증하였다. 치료적으로 사용되는 제 1 세대 MASP-2 차단 항체의 선택에 대한 기준은 다음과 같았다: MASP-2에 대한 높은 친화도 및 최대 ~25 nM의 기능적 IC50 값. 게다가, 후보를 비-사람 영장류 혈청, 및 래트 혈청과 교차 반응성에 대하여 스크리닝하였다. 방법:MASP-2 항원에 대한 scFv 파지미드 (phagemid) 라이브러리의 스크리닝항원: N-말단 5X His 태그를 가진 사람 MASP-2A, 및 N-말단 6X His 태그를 가진 래트 MASP-2A를 실시예 1에 설명된 시약을 사용하여 생성하였고 이전에 설명된 바와 같이, 니켈-친화도 크로마토그래피에 의해 배양 상층액으로부터 정제하였다 (Chen et al., J. Biol. Chem. 276:25894-02 (2001)). OMS100, Fab2 포맷의 사람 항-MASP-2 항체를 MASP-2에 결합하는 양성 대조군으로 사용하였다. 파지미드 라이브러리 설명:사람 면역글로불린 경쇄 및 중쇄 가변 영역 서열의 파지 디스프르레이 라이브러리는 항원 패닝 후 이어서 래트 MASP-2 단백질 및 사람 MASP-2 단백질에 대한 고 친화도 scFv 항체를 확인하기 위해 자동화된 항체 스크리닝 및 선택을 받았다.패닝 방법: 개요: 두 개의 패닝 계획을 사용하여 총 세 라운드의 패닝에서 MASP-2에 결합된 파지미드 라이브러리로부터 파지를 분리하였다. 두 계획은 용액에서 패닝 단계 및 MASP-2에 결합된 파지를 찾아내는 단계를 수반하였다. MASP-2를 His-태그를 통해 (NiNTA 비드를 사용하여) 또는 표적 상의 비오틴을 통해 (스트렙타비딘 비드를 사용하여) 마그네틱 비드에 고정하였다처음 두 번의 패닝 라운드는 알칼린 용출 (TEA)을 수반하였고, 세 번째 패닝 라운드를 통상적인 알칼린 (TEA) 용출 단계 전에 MBL로 처음으로 완벽히 용출하였다. 음성 선택을 라운드 2 및 3 전에 수행하였고, 이것은 고전적 보체 경로의 기능적 유사체 C1s 및 C1r에 대한 것이었다. 패닝 후, MASP-2A에 대하여 scFv 단편을 가진 파지의 특이적 농축을 관찰하였고, 패닝 계획이 성공적이었다는 것이 결정되었다 (데이터 미도시).하기 추가로 설명된 바와 같이 패닝 라운드 3의 scFv 유전자를 pHOG 발현 벡터에 클로닝하였고 MASP-2A에 대한 특이적 클론을 찾기 위해 소규모 필터 스크리닝에서 수행하였다. 표 7: 파지 패닝 방법 (비오틴/스트렙타비딘)표 8: 파지 패닝 방법 (HIS/NiNTA) 패닝 시약:사람 MASP-2A OMS100 항체 (양성 대조군)염소 항-사람 IgG (H+L) (Pierce #31412)NiNTA 비드 (Qiagen #LB13267)Dynabeads�� M-280 스트렙타비딘, 10 mg/ml (LB12321)정상 사람 혈청 (LB13294)다클론성 토끼 항-사람 C3c (LB13137)염소 항-토끼 IgG, HRP (American Qualex #A102PU)태그된 MASP-2A 항원을 테스트하기 위해, 각각 비오틴-태그된 MASP-2A 또는 HIS-태그된 MASP-2A 항원 (10 μg), 4% 탈지유 PBS 또는 200 μl 스트렙타비딘 비드 중의 50 μl NiNTA 비드와 함께 사전 배양된 양성 대조군 OMS100 항체 (200 ng/ml)를 캡쳐하는 실험을 수행하였다. 결합된 MASP-2A-OMS100 항체를 염소-항-사람 IgG (H+L) HRP (1:5000) 및 TMB (3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘) 기질로 검출하였다. NiNTA 비드 ELISA 검정50 μl NiNTA 비드를 포스페이트 완충된 식염수 (PBS) 중의 1 ml 4% 탈지유로 차단하였고 상온에서 1시간 동안 회전 바퀴에서 배양하였다. 유사하게, 10 μg의 MASP-2A 및 OMS100 항체 (4% 탈지유-PBS에서 200 ng/ml로 희석됨)를 한 시간 동안 사전 배양하였다. 비드를 각 단계 사이에 마그넷을 사용하여 1 ML PBS-T로 세 번 세척하였다. OMS100 항체와 함께 사전 배양된 MASP-2A를 세척된 비드에 추가하였다. 혼합물을 상온에서 1시간 동안 회전 바퀴에서 배양하였고, 상기 설명된 바와 같이 마그넷을 사용하여 1 ml PBS-T로 세 번 세척하였다. 튜브를 PBS 중의 4% 탈지유에 1:5000으로 희석된 염소 항-사람 IgG (H+L) HRP와 함께 상온에서 1시간 동안 배양하였다. 음성 대조군을 위해, 별도의 튜브에서 염소-항-사람 IgG (H+L) HRP (1:5000)를 추가하여 Ni-NTA 비드를 세척하고 차단하였다.샘플을 회전 바퀴에서 상온에서 1시간 동안 배양하였고 상기 설명된 바와 같이 마그넷을 사용하여 1 ml PBS-T로 세 번 및 1x PBS로 한번 세척하였다. 100 μl TMB 기질을 추가하였고 상온에서 3분 동안 배양하였다. 튜브를 비드를 농축하기 위해 마그네틱 랙 (rack)에 2분 동안 배치하였고 TMB 용액을 미세적정 플레이트로 옮겼고 반응을 100 μl 2M H2SO4로 중단하였다. 450nm에서 흡광도를 ELISA 리더로 측정하였다. 스트렙타비딘 비드 ELISA 검정NiNTA 비드 ELISA 검정에 대하여 상기 설명된 바와 같이, 하지만 대신에 샘플당 200 μl 스트렙타비딘 비드, 및 비-비오티닐화된 항원을 사용하여 이 검정을 수행하였다. 결과: 양성 대조군 OMS100 항체와 함께 사전 배양된 His-태그된 및 비오틴-태그된 MASP-2A 항원을 각각 NiNTA 비드, 또는 스트렙타비딘 비드로 성공적으로 캡쳐하였다. 패닝HIS-태그된 또는 비오틴-태그된 MASP-2A에 대한 scFv 파지 라이브러리의 세 라운드의 패닝을 각각 표 7 또는 표 8에 나타난 바와 같이 수행하였다. 패닝의 제 3 라운드를 처음에 MBL로 용출하였고, 이후에 TEA (알칼린)으로 용출하였다. 표적 MASP-2A에 대한 scFv 단편을 나타내는 파지의 특이적 농축을 관찰하기 위해, 고정된 MASP-2A에 대한 다클론성 파지 ELISA를 하기 설명된 바와 같이 수행하였다. 패닝 후 농축된 다클론성 파지에서 MASP-2A ELISA상기 설명된 바와 같이 사람 MASP-2에 대한 scFv 파지 라이브러리의 세 라운드의 패닝 후, 하기 설명된 바와 같이 표적 MASP-2A에 대하여 scFv 단편을 가진 파지의 특이적 농축을 고정된 MASP-2A에 대한 패닝에 의해 발생한 농축된 다클론성 파지 집단에서 ELISA 검정을 수행함으로써 관찰하였다. 방법:5 ng/ml MASP-2A를 4 ℃에서 하룻밤 동안 PBS에서 maxisorp ELISA 플레이트에 고정하였다. 모든 세 번의 패닝 라운드의 포장된 파지를 4% 탈지유-PBS로 1:3으로 희석하였고 3배 희석으로 적정하였다. 음성 대조군은 M13 헬퍼 (helper) 파지였다. 차단은 PBS 중의 4% 탈지유였다. 플레이트를 매 단계 사이에 200 μl PBS-Tween 0.05 부피%로 세 번 세척하였다. 1차 항체는 4 중량% 탈지유-PBS로 1:5000으로 희석된 토끼 α-fd (M13 코트 (coat) 단백질)였다. 콘쥬게이트 (conjugate)는 4 중량% 탈지유-PBS로 1:10,000으로 희석된 토끼 α-염소 HRP였다. 기질은 ABTS였다. 세척 및 차단을 제외한 모든 부피는 100 μl/웰이었다. 모두를 상온에서 흔들면서 1시간 동안 배양하였다. 결과:파지 ELISA의 결과는 패닝 계획에 대하여 MASP-2A에 대한 scFv의 특이적 농축을 나타낸다. 도 2를 참고하면 된다. 도 2에 나타난 바와 같이, NiNTA 마그네틱 비드에 의한 캡쳐를 수반하는 계획은 두 라운드의 패닝 후 MASP-2A에 대하여 파지에서 scFv의 농축을 제공하는 반면에, 세 라운드의 패닝 후, 두 계획은 경쟁적 및 TEA 용출 둘 다에서 좋은 농축을 가졌다. 음성 대조군 파지는 M13 헬퍼 파지였으며, 그것의 가장 낮은 희석에서 MASP-2A에 대한 교차 반응을 나타내지 않았다. 이들 결과는 관찰된 신호가 MASP-2A에 특이적으로 결합하는 scFv 때문이라는 것을 입증한다. 필터 스크리닝:세 라운드의 패닝으로부터 scFv 단편을 암호화하는 플라스미드를 함유하는 박테리아 콜로니를 골랐고, 니트로셀룰로스 막에 그리드화하였고 기준판을 생산하기 위해 비-유발 배지에서 하룻밤 동안 키웠다. 세 번째 패닝 라운드에서 총 18,000개의 콜로니를 골랐고 경쟁적 용출에서 반 및 이후의 TEA 용출에서 반을 분석하였다. 박테리아 콜로니가 있는 니트로셀룰로스 막을 IPTG로 유발하여 가용성 scFv 단백질을 발현하고 분비하였고 PBS 중의 5% 탈지유 (차단 용액)로 코팅된 평행 막과 함께 MASP-2A 항원으로 코팅된 제 2 니트로셀룰로스 막과 접촉되었다. MASP-2A에 결합된 ScFv를 마우스 α-cMyc mAb 및 토끼 α-마우스 HRP와 함께 그것들의 c-Mys 태그를 통해 검출하였다. MASP-2A에 양성이고 탈지유-PBS에 음성인 scFv 클론에 해당하는 히트를 추가의 발현, 및 이후의 ELISA 분석에 대하여 선택하였다. 결과: MASP-2A에 대한 scFv 파지미드 라이브러리의 패닝 후 이어서 scFv 전환 및 필터 스크린은 137개의 양성 클론을 수득하였다. 대부분의 양성 클론은 MBL로 경쟁적 클론으로부터 생겼으며, NiNTA 및 스트렙타비딘 계획을 사용한다. 모든 양성 클론은 소량의 발현 (200 μl 규모) 및 이후의 추출을 계속하였다. ScFv를 박테리아 현탁액을 수크로스 용해 버퍼 및 리소자임과 함께 한 시간 동안 배양함으로써 박테리아의 주변 세포질로부터 분리하였으며, 이후에 상층액을 원심분리 단계에 의해 분리하였다. 하기 더 상세히 설명된 바와 같이, 주변 세포질의 내용물과 함께 배지로 분비된 scFv를 함유하는 상층액을 두 개의 검정에 의해 분석하였다: 물리적으로 흡착된 MASP-2A를 사용하는 ELISA, 및 Biocore 상의 CM5 칩에 아민 커플링된 MASP-2Afmf 사용하는 결합 분석.패닝/scFv 전환 및 필터 스크리닝에 의해 확인된 ScFv 후보 클론에서 MASP-2A ELISA방법:4 μg/ml MASP-2A를 4 ℃에서 하룻밤 동안 PBS 중의 maxisorp ELISA 플레이트 (Nunc)에 고정하였다. 그 다음날, 플레이트를 PBS-Tween (0.05%)로 세 번 세척함으로써 차단하였다. 137개의 scFv 후보 (상기 설명된 바와 같이 발생함) 각각의 미가공 scFv 물질 (100 μl 배지-주변 세포질 추출물)을 플레이트에 웰 마다 추가하였다. 다음에, 항-cMyc를 추가하였고, 최종 단계에서 HRP-콘쥬게이션된 토끼 항-마우스를 적용하여 결합된 scFv를 검출하였다. 반응은 퍼옥시다제 기질 1-단계 ABTS (Calbiochem)에서 전개하였다. 양성 대조군은 PBS-Tween 0.05%의 10 μg/ml에 희석된 OMS100 (Fab2 포맷의 항-MASP-2 항체)였다. 음성 대조군은 플라스미드가 없는 XL1-Blue의 배지-주변 세포질이었다.3x 200 μl PBS-Tween 0.05 중량%의 세척을 매 단계 사이에 수행하였다. 1차 항체는 PBS-Tween 0.05 부피%에 1:5000으로 희석된 쥐 α-cMyc였다. 콘쥬게이트는 PBS-Tween 0.05 부피%에서 1:5000의 토끼 α-염소-HRP 또는 염소 항-사람 IgG (H+L, Pierce 31412)였다. 기질은 ABTS였고, 상온에서 15분 동안 배양하였다. 세척 및 차단을 제외한 모든 부피는 100 μl/웰이었다. 모두 상온에서 흔들면서 1시간 동안 배양하였다. 결과: 108/137 클론은 이 ELISA 검정에서 양성이었으며 (데이터 미도시), 이것들 중 45개의 클론을 하기 설명된 바와 같이 추가로 분석하였다. 양성 대조군은 PBS-Tween의 10 μg/ml에 희석된 OMS100 Fab2였고, 이 클론은 양성이었다. 음성 대조군은 플라스미드가 없는 XL1-Bluedml 배지-주변 세포질이었으며, 이것은 음성이었다.실시예 3이 실시예는 고 친화도 완전한 사람 항-MASP-2 scFv 항체 후보를 정상 사람 혈청에서 MASP-2 활성을 차단하는 능력에 대하여 분석하기 위해 사용된 MASP-2 기능적 스크리닝 방법을 설명한다. 근거/배경렉틴 경로 C3 콘버타제의 형성의 억제를 측정하는 검정:렉틴 경로 C3 콘버타제 형성의 억제를 측정하는 기능적 검정을 항-MASP-2 scFv 후보 클론의 "차단 활성"을 평가하기 위해 사용하였다. 렉틴 경로 C3 콘버타제는 C3을 두 개의 강한 전염증성 단편, 아나필라톡신 C3a 및 옵소닌 C3b로 단백질 가수분해에 의해 분열시키는 효소 복합체 (C4b2a)이다. C3 콘버타제의 형성은 염증의 매개에 관하여 렉틴 경로의 주요 단계에 나타난다. MASP-2는 렉틴 경로 C3 콘버타제 (C4b2a)의 구조적 성분이 아니다; 그러므로 항-MASP-2 항체 (또는 Fab2)는 기존의 C3 콘버타제의 활성을 직접적으로 억제하지 않을 것이다. 하지만, MASP-2 세린 프로테아제 활성은 렉틴 경로 C3 콘버타제를 포함하는 두 개의 단백질 성분 (C4b, C2a)을 발생시키기 위해 필요하다. 그러므로, MASP-2 기능적 활성을 억제하는 (즉, 항-MASP-2 scFv를 차단하는) 항-MASP-2 scFv는 렉틴 경로 C3 콘버타제의 데 노보 (de novo) 형성을 억제할 것이다. C3는 그것의 구조의 일부로서 특이하고 매우 반응성인 티오에스테르 기를 함유한다. 이 검정에서 C3 콘버타제에 의한 C3의 절단시, C3b 상의 티오에스테르 기는 에스테르 또는 아미드 결합을 통해 플라스틱 웰의 바닥에 고정된 거대 분자의 히드록실 또는 아미노기와 공유 결합을 형성할 수 있고, 따라서 ELISA 검정에서 C3bDML 검출을 가능하게 한다. 효모 만난은 렉틴 경로의 알려진 활성화제이다. C3 콘버타제의 형성을 측정하는 다음 방법에서, 만난으로 코팅된 플라스틱 웰을 렉틴 경로를 활성화하기 위해 희석된 사람 혈청과 함께 배양하였다. 웰을 세척하였고 표준 ELISA 방법을 사용하여 웰에 고정된 C3bDP 대하여 검정하였다. 이 검정에서 발생한 C3b의 양은 렉틴 경로 C3 콘버타제의 데 노보 형성의 직접적인 반영이다. 선택된 농도의 항-MASP-2 scFv를 그것들의 C3 콘버타제 형성 및 이후의 C3B 발생을 억제하는 능력에 대하여 이 검정에서 테스트하였다.방법:실시예 2에 설명된 바와 같이 확인된 45개의 후보 클론을 발현시켰고, 정제하였고 같은 스톡 (stock) 농도로 희석하였으며, 이것을 모든 클론이 같은 양의 버퍼를 가진다는 것을 확인하기 위해 Ca++ 및 Mg++ 함유 GVB 버퍼 (4.0 mM 바비탈, 141 mM NaCl, 1.0 mM MgCl2, 2.0 mM CaCl2, 0.1% 겔atin, pH 7.4)에 다시 희석하였다. scFv 클론을 2 μg/ml의 농도에서 3배수로 각각 테스트하였다. 양성 대조군은 OMS100 Fab2였고 0.4 μg/ml로 테스트하였다. scFv/IgG 클론의 존재 및 부재시 C3c 형성을 관찰하였다. 만난을 50 mM 카르보네이트 버퍼 (15 mM Na2CO3 + 35 mM NaHCO3 + 1.5 mM NaN3), pH 9.5에서 20 μg/ml (1 μg/웰)의 농도로 희석하였고 4 ℃에서 하룻밤 동안 ELISA 플레이트에 코팅하였다. 그 다음날, 만난 코팅된 플레이트를 200　μl PBS로 세 번 세척하였다. 1% HSA 차단 용액의 100 μl를 웰에 추가하였고 상온에서 1시간 동안 배양하였다. 플레이트를 200 μl PBS로 세 번 세척하였고, 샘플을 추가할 때까지 200 μl PBS와 함께 얼음 위에 저장하였다. 정상 사람 혈청을 CaMgGVB 버퍼에서 0.5%로 희석하였고, scFv 클론 또는 OMS100 Fab2 양성 대조군을 이 버퍼에 0.01 μg/ml; 1 μg/ml (단지 OMS100 대조군) 및 10 μg/ml로 세 번 추가하였고 차단된 ELISA 플레이트에 추가 전에 얼음 위에서 45분 사전 배양하였다. 반응은 37 ℃에서 한 시간 동안 배양에 의해 시작되었고 얼음이 담긴 그릇에 플레이트를 옮김으로써 중단되었다. C3b 침착을 토끼 α-마우스 C3c 항체에 이어 염소 α-토끼 HRP로 검출하였다. 음성 대조군은 항체가 없는 버퍼였고 (OMS100 없음 = 최대 C3b 침착), 양성 대조군은 EDTA가 있는 버퍼였다 (C3b 침착 없음). 같은 검정을 수행하였지만, 만난 음성 웰에서 배경을 결정하였다. 만난이 없는 플레이트에 대한 배경 신호를 만난 양성 신호에서 뺐다. 컷-오프 (cut-off) 기준을 무관한 scFv 클론 (VZV) 및 버퍼 단독의 활성의 절반으로 설정하였다. 결과: 컷-오프 기준에 기초하여, 총 13개의 클론은 도 3a 및 3b에 나타난 바와 같이 MASP-2의 활성을 차단하는 것으로 발견되었다. 표 9에 설명된 바와 같이, 003e# 50% 경로 억제를 생성하는 13개의 클론 모두를 선택하였고 시퀀싱하였으며, 10개의 독특한 클론을 수득하였다. 표 9에 나타난 10개의 다른 클론은 보체 검정에서 허용 가능한 기능적 활성을 일으키는 것으로 발견되었다. 열 개의 클론 모두는 같은 경쇄 하위 단계, λ3을 갖지만, 세 개의 다른 중쇄 하위 단계, VH2, VH3 및 VH6을 갖는 것으로 발견되었다. 생식세포 서열과 클론의 서열 동일성은 또한 표 9에 나타난다. 표 9: 기능적 GD-MASP-2 활성을 가진 10개의 독특한 클론상기 표 9에 나타난 바와 같이, 허용 가능한 기능적 활성 및 독특한 서열을 가진 10개의 다른 클론을 추가의 분석을 위해 선택하였다. 표 9에 지적된 바와 같이 클론 중 일부는 동일한 서열에 기초하여, 두 번 또는 세 번 검출되었다 (클론 이름이 적힌 표 9의 첫 번째 컬럼을 참고하면 된다) 10개의 scFv 후보 클론의 발현 및 정제표 9에 나타난 열 개의 후보 클론을 1리터 규모로 발현시켰고 니켈 크로마토그래피에서 이온 교환을 통해 정제하였다. 그 후 각 클론의 샘플을 모노머 및 다이머 함량을 평가하기 위해 크기 배제 크로마토그래피 컬럼에서 실행하였다. 하기 표 10에 나타난 바와 같이, 거의 모든 scFv 클론은 모노머 형태로 존재하였고 이 모노머 분획을 추가의 테스트 및 순위를 위해 분리하였다. 표 10: 모노머 함량의 분석결합 및 기능적 활성에 대한 모노머 분획의 테스트표 10에 나타난 클론을 1 L 규모로 발현시켰고, 금속 크로마토그래피 및 이온 교환에서 정제하였고, 크기 배제 크로마토그래피 (SEC)에 의해 모노머 분획으로 분리하였고 기능적 검정을 IC50 값 및 교차 반응성을 결정하기 위해 반복하였다.모노머 분획에 대한 기능적 검정:표 10에 나타난 상위 열 개의 클론의 모노머 분획을 정제하였고 칼슘 및 마그네슘이 들어있는 GVB 버퍼 및 사람 혈청의 같은 농도를 받는 희석 단계에서 기능적 IC50 nM에 대하여 테스트하였다. scFv 클론을 12번의 희석으로 세 번 테스트하였다. 양성 대조군은 OMS100 Fab2였다. C3b 침착을 항체의 존재 및 부재시 관찰하였다. 결과는 하기 표 11에 나타난다. 결합 검정:열 개의 후보 scFv 클론의 정제된 모노머 분획에 대한 결합 친화도 KD를 두 개의 다른 방법으로 결정하였다. MASP-2A를 CM5 칩에 커플링된 아민에 의해 고정하거나, 고정된 농도의 scFv (50 nM)를 높은 친화도 α-cMyc 항체와 커플링된 아민으로 먼저 캡쳐하였고, 다음에 용액에서 MASP-2ADML 농도 단계를 칩을 통해 전달하였다. 결과는 하기 표 11에 나타난다. 결과:표 11: 모노머 상태에서 검정된 열 개의 후보 scFv 클론에 대한 기능적 억제 활성 (IC50) 및 MASP-2 결합 친화도 (KD)의 요약결과의 논의:표 11에 나타난 바와 같이, 기능적 검정에서, 열 개의 scFv 클론 중 다섯 개는 0.5% 사람 혈청을 사용하여 25 nM 표적 기준보다 낮은 IC50 nM 값을 제공하였다. 하기 설명된 바와 같이, 이들 클론을 다른 종에서 기능적 활성을 결정하기 위해비-사람 영장류 혈청 및 래트 혈청의 존재시 추가로 테스트하였다. 결합 친화도에 관하여, 용액에서, 모든 결합 친화도는 낮은 nM의 범위에 있거나 더 좋은 반면에, 고정된 MASP-2로 통상적인 검정에서, 두 개의 클론 (4D9 및 17D20)만이 낮은 nM 범위의 친화도를 가졌다. 검정에 기초하여 용액에서 더 높은 친화도의 관찰은 항원이 용액에서 멀티머화된다는 사실의 결과일 것이다. 또한, 표적이 칩에 고정될 때 (방향 조정된 커플링을 통해) 에피토프를 가릴 수도 있고, 그로 인해 고정된 검정에서 관찰된 친화도를 감소시킨다. 실시예 4이 실시예는 래트 MASP-2와 교차 반응성에 대하여 열 개의 후보 사람 항-MASP-2 scFv 클론의 테스트 및 사람 혈청, 비-사람 영장류 혈청, 및 래트 혈청에서 MASP-2 의존적 보체 활성화를 억제하는 그것들의 능력을 결정하는 기능적 검정에서 사람 혈청 이들 scFv 클론의 IC50 값의 결정의 결과를 설명한다. 방법:래트 MASP-2와 교차 반응성실시예 3의 표 9에 나타난 열 개의 후보 scFv 클론을 흡착된 래트 MASP-2A에 대한 통상적인 ELISA 검정에서 래트 MASP-2A에 대한 교차 반응성에 대하여 테스트하였다. 래트 MASP-2A를 PBS에서 4 μg/ml로 희석하였고 4 ℃에서 하룻밤 동안 Maxisorp ELISA 플레이트 (Nunc)에 코팅하였다. 그 다음날, 플레이트를 PBS-Tween (0.05%)에서 세 번 세척함으로써 차단하였다. PBS-Tween에서 20 μg/ml으로 희석된 ScFv 클론 (100 μl)을 플레이트에 추가하였고, 4배 희석으로 세 번 추가로 적정하였다. MASP-2A 특이적 svFc 클론 (결합된 scFv를 함유하는 웰)을 항-cMyc 및 토끼 항-마우스 HRP 2차 항체로 검출하였다. 반응을 퍼옥시다제 기질 TMB (Pierce)에서 전개하였다. 양성 대조군은 PBS-Tween에서 10 μg/ml로 희석된 OMS100 Fab2였다. 테스트된 클론 모두는 래트 MASP-2A와 교차 반응을 나타냈으며, 이것은 2차 패닝 라운드가 래트 MASP-2였기 때문인 것으로 예상되었다 (데이터 미도시). 사람 혈청, 비-사람 영장류 (NHP) 혈청 및 래트 혈청에서 열 개의 후보 scFv 클론의 기능적 특성다른 혈청에서 기준 C3c 수준의 결정먼저, 실험을 세 개의 혈청 (사람, 래트 및 NHP)의 기준 C3b 수준을 비교하기 위해 다음과 같이 수행하였다. 만난을 20 μg/ml로 희석하였고 4 ℃에서 하룻밤 동안 ELISA 플레이트에 코팅하였다. 그 다음날 웰을 1% HSA로 차단하였다. 정상 사람, 래트 및 아프리카 사바나 원숭이 (비-사람 영장류 "NHP") 혈청을 CaMgGVB 버퍼에서 2배 희석으로 2%에서 시작하여 희석하였다. 반응을 37 ℃에서 한 시간 동안 배양에 의해 시작하였고, 얼음이 담긴 그릇에 플레이트를 옮김으로써 중단하였다. C3b 침착을 토끼 항-마우스 C3c 항체에 이어, 염소 항-토끼 HRP로 검출하였다. 음성 대조군은 항체가 없는 버퍼였고 (OMS100은 최대 C3b 침착을 일으키지 않는다) 억제되는 양성 대조군은 EDTA가 들어있는 버퍼였다 (C3b 침착 없음). 도 4는 세 개의 혈청 (사람, 래트 및 NHP)의 기준 C3c 수준을 그래프로 설명한다. 도 4에 나타난 바와 같이, C3c 수준은 테스트된 다른 혈청과 매우 달랐다. C3c 수준과 비교할 때, 1% 사람 혈청이 0.2% NHP 및 0.375% 래트 혈청과 동등한 수준을 제공한다는 것으로 나타났다. 이들 결과에 기초하여, 혈청의 농도는 scFv 결과가 세 개의 다른 타입의 혈청에서 직접적으로 비교될 수 있도록 표준화되었다. 다른 혈청의 ScFv 클론의 기능적 검정열 개의 후보 scFv 클론의 정제된 모노머 분획을 사람 혈청, 래트 혈청 및 아프리카 사바나 원숭이 혈청 (비-사람 영장류 "NHP")의 기능적 IC50 nM에 대하여 테스트하였다. 검정을 실시예 3에 설명된 바와 같이, 1000 nM scFv 정제된 단백질 및 CaMgGVB 버퍼에서 0.95로 희석된 정상 사람 혈청; CaMgGVB 버퍼에서 0.2%로 희석된 아프리카 사바나 원숭이 혈청; 또는 CaMgGVB 버퍼에서 0.375%로 희석된 래트 혈청을 사용하여 수행하였다. 열 개의 scFv 클론 모두를 그것들이 칼슘 및 마그네슘이 있는 GVB 버퍼 및 혈청의 같은 농도을 받는 희석 단계에서 테스트하였다. scFv 클론을 열두 번의 희석에서 세 번 테스트하였다. 양성 대조군은 100 ng/ml의 OMS100 Fab2였거나 반응물에 EDTA를 추가한 것이었다. 음성 대조군은 무관한 scFv 대조군 또는 scFv가 없는 PBS였다. C3b 침착을 scFv 또는 Fab2 항체의 존재 및 부재시 관찰하였다. 100 ng/ml에서 OMS100의 배경 신호를 모든 신호에서 뺐다. 표 12는 세 개의 혈청 모두에서 기능적 검정의 결과를 요약한다. 표: 12: 세 개의 다른 타입의 혈청에서 scFv 클론의 기능적 IC50 (nM) 활성.주: * 사람 혈청 (Exp #1)에 대한 데이터의 첫 번째 세트를 농축되지 않은 scFv 샘플에서 실행하였다. 그러므로, 저농도의 클론은 완전히 적정될 수 없다. 나머지 실험에서, 모든 클론을 농축하였고 동일한 농도에서 적정을 시작하였다. 다른 혈청에서 scFv 후보 클론의 기능적 활성에 대한 결과의 요약: scFv 클론 중 열 개 모두는 혈청이 C3b 침착 수준에 관하여 표준화된 후 사람 및 비-사람 영장류 (NHP) 혈청 둘 다에서 기능을 나타냈다. 사람 혈청에서 여섯 개의 가장 활성인 클론은 최고에서 최악으로 정렬시킬 때, 9P13003e#17N16003e#17D20003e#4D9003e#3F22003e#18L16이었다. NHP 혈청에서, 클론을 정렬하였다 (최고에서 최악으로): 17L20003e#17N16003e#17D20003e#9P13003e#18L16003e#3F22. 17N16 및 17D20 둘 다는 사람 및 NHP 혈청 둘 다에 대하여 상위 세 개에 랭크되었다. 17D20은 래트 혈청에서도 일부 활성을 나타냈다. 이들 결과에 기초하여, 상위 세 개의 scFv 클론은 18L16, 17D20 및 17N16인 것으로 결정되었다. 이들 세 개의 클론을 하기 표 13에 나타난 바와 같이 희석 사람 혈청 (1% 혈청)에서 추가로 분석하였다. 표 13: 세 개의 후보 클론의 C3 검정: 희석 혈청 (1%)에서 (IC50 nM)도　5a는 전체 길이 scFv 클론 17D20, 18L16, 4D9, 17L20, 17N16, 3F22 및 9P13의 아미노산 서열 정렬이다. scFv 클론은 중쇄 가변 영역 (aa1-120), 결합자 영역 (aa121-145), 및 경쇄 가변 영역 (aa 146-250)을 포함한다. 도 5a에 나타난 바와 같이, 가장 활성인 클론의 중쇄 영역 (잔기 1-120)의 정렬은 각각 VH2 및 VH6 유전자 패밀리에 속하는 두 개의 별개의 그룹을 나타낸다. 도 5a에 나타난 바와 같이, VH2 등급의 클론에 대한 VH 영역 17D20, 18L16 및 4D9는 총 120개의 아미노산 영역 중에 20개의 aa 위치에서 가변성을 가진다 (즉 83% 동일성). 도 5a에 더 나타난 바와 같이, VH6 등급의 클론에 대한 VH 영역 17L20, 17N16, 3F22, 및 9P13은 120개의 아미노산 영역 중에 18개의 aa 위치에서 가변성을 가진다 (즉 85% 동일성).도 5b는 scFv 클론 17D20, 17N16, 18L16 및 4D9의 서열 정렬이다.표 14: 도 5a 및 5b에 나타난 ScFv 후보 클론의 서열랭킹 우선 순위는 (1) 사람 혈청 기능적 힘 및 완전한 차단; (2) NHP 교차 반응성 및 (3) 서열 다양성이었다. 17D20 및 17N16을 각각의 유전자 패밀리의 최고의 대표로서 선택하였다. 18L16을 주목할 만한 CDR3 서열 다양성을 가진 세 번째 후보로서 선택하였다. 17N16 및 17D20은 사람에 대하여 최고의 기능적 힘으로 완벽한 기능적 차단, 주목할 만한 원숭이 교차 반응성 및 다른 VH 유전자 패밀리로 인해 상위 두 개의 선택이었다. 3F22 및 9P13을 17N16과 거의 동일한 VH 서열로 인해 제거하였다. 18P15, 4J9 및 21B17을 보통의 힘으로 인해 제거하였다. 17L20은 그것이 부분적으로만 차단하기 때문에 추구하지 않았다. 18L16 및 4D9는 17D20과 비교하여 유사한 활성 및 주목할 만한 다양성을 을 가졌다. 18L16을 4D9보다 더 큰 영장류 교차 반응성으로 인해 선택하였다. 그러므로, 이들 기준에 기초하여, 다음 세 개의 모체 클론 17D20, 17N16 및 18L16은 하기 추가로 설명된 바와 같이 친화도 성숙으로 발전하였다. 실시예 5이 실시예는 야생형 IgG4 포맷에 세 개의 모체 클론 17D20, 17N16 및 18L16의 클로닝, 및 전체 길이 IgG로서 세 개의 모체 클론의 기능성의 평가를 설명한다 (실시예 2-4에 설명된 바와 같이 확인됨).근거:완전한 사람 항-MASP-2 scFv 항체를 실시예 2-4에 설명된 바와 같이 파지 디스플레이를 사용하여 확인하였다. 이러한 세 개의 모체 클론, 17D20, 17N16 및 18L16을 친화도 성숙에 대하여 선택하였다. 전체 길이 IgG로서 이들 모체 클론의 기능성을 평가하기 위해, 이들 항체의 IgG4 야생형 및 S228P 힌지 영역 IgG4 돌연변이 형태를 생산하였다. S228P 힌지 영역 돌연변이는 혈청 안정성을 증가시키기 위해 포함되었다. (Labrijn A.F. et al., Nature Biotechnology 27:767 (2009)를 참고하면 된다).IgG4 야생형의 아미노산은 SEQ ID NO: 63로서 설명되고, SEQ ID NO: 62에 의해 암호화된다. IgG4 S228P의 아미노산은 SEQ ID NO: 65로서 설명되고, SEQ ID NO: 64에 의해 암호화된다.IgG4 분자는 또한 모체 클론을 OMS100 대조군 항체와 직접적으로 비교하기 위해 펩신 분해로 F(ab')2 포맷으로 분열되었고 크기 배제 크로마토그래피에 의해 분획화되었으며, 이것은 F(ab)2 분자이다.방법:전체 길이 포맷에 클론의 생성세 개의 모체 클론을 야생형 IgG4 포맷 및 IgG4 돌연변이 S228P 포맷으로 전환하였다. 이것은 상기 언급된 모체 클론으로부터 적절한 VH 및 VL 영역의 PCR 분리 및 그것들을 원하는 항체를 생산하는 인 프레임 (in-frame) 융합체를 생성하기 위해 적절한 중쇄 불변 영역을 보호하는 pcDNA3 발현 벡터에 클로닝에 의해 달성되었다. 돌연변이 IgG4 포맷의 세 개의 모체 클론을 F(ab')2 단편을 생성하기 위해 펩신을 가지고 분열시켰고 후자를 크기 배제 크로마토그래피 컬럼에서 분획화에 의해 정제하였다. 결합 검정IgG4 포맷으로 전환된 후보 모체 클론을 HEK 293 세포에 일시적으로 트랜스펙션하였고 일시적 트랜스펙션의 상층액을 ELISA 검정에서 적정하였다. 클론은 물리적으로 흡착된 사람 MASP-2A과 훌륭한 반응성을 나타냈고, 다음 순서로 정렬된다: 17N16003e#17D20003e#18L16 (데이터 미도시). 클론을 정제하였고 다음과 같이 ELISA 및 활성 검정에서 다시 테스트하였다. 사람 MASP-2A를 maxisorp 플레이트에서 PBS의 3 μg/ml로 코팅하였고, IgG (45 μg/ml) 및 Fab'2 (30 μg/ml)를 PBS-Tween에서 300 nM의 시작 농도로 희석하였고, 추가로 3배 희석하였다. IgG를 HRP 콘쥬게이션된 염소 α-사람 IgG (Southern Biotech)로 검출하였고 F(ab')2를 HRP-콘쥬게이션된 염소 α-사람 IgG H+L (Pierce 31412)로 검출하였다. 반응을 TMB 기질로 전개하였고 2 M H2SO4로 중단하였다. 결과는 하기 표 15에 나타난다. 표 15: 사람 MASP-2에 대한 결합 친화도기능적 검정1% 정상 사람 혈청 (NHS)을 사용하는 C3 콘버타제 검정을 실시예 4에 설명된 바와 같이, 1% NHS에서 모체 scFv 클론 및 전체 길이 IgG4 대응물의 기능적 활성을 비교하는데 사용하였다. 만난을 20 μg/ml의 농도로 희석하였고 4 ℃에서 하룻밤 동안 ELISA 플레이트를 코팅하였다. 그 다음날, 웰을 1% 사람 혈청으로 차단하였다. 사람 혈청을 CaMgGVB 버퍼에서 1%로 희석하였고 정제된 항체 scFv (900 nM), F(ab')2 (300 nM), IgG (300 nM)를 같은 양의 버퍼에 다른 희석의 시리즈로 두 번 추가하였고 차단된 ELISA 플레이트에 추가하기 전에 얼음에서 45분 동안 사전 배양하였다. 반응을 37 ℃에서 한 시간 동안 배양함으로써 시작하였고 얼음 위에 플레이트를 배치함으로써 중단하였다. C3b 침착을 토끼 α-마우스 C3c 항체에 이어 염소 α-토끼 HRP로 검출하였다. 만난 양성 플레이트에서 50 nM에서 OMS100의 배경을 곡선에서 뺐다. 이 분석의 결과의 요약은 하기 표 16에 나타난다. 표 16: 1% 사람 혈청을 사용하는 C3 콘버타제 검정 (IC50 nM)주: 표 16의 컬럼 2-4에 나타난 두 개의 값은 두 개의 별도의 실험의 결과를 나타낸다. 각 클론에 대하여 IgG4 모체 클론의 기능적 힘을 또한 IgG4 힌지 돌연변이 (S228P) 포맷에 비교하였다. 1% NHS를 사용하는 C3b 침착 검정에 대한 수치 IC50 값은 하기 표 17에 나타난다. 표 17: 1% 사람 혈청 (IC50 nM)의 C3b 침착 검정에서 야생형 (IgG4) 대 힌지 돌연변이 포맷 (S228P)상기 표 17에 나타난 바와 같이, 일부 경우에, 예상되지 않은 작용제 약리학이 길항적 scFv's로부터 유도된 IgG's에 대하여 지적되었다. 이 관찰에 대한 기계론적 기반은 이해되지 않는다. 1% NHS의 억제 기능을 갖는 IgG4 전환된 모체 클론의 활성을 생리학적 조건을 더 자세히 모방하는 더 엄중한 검정 조건 하에 평가하였다. 생리학적 조건 하에 항체 활성을 평가하기 위해, 모체 클론 IgG4 조제물의 테스트를 최소한으로 희석된 (90%) 사람 혈장을 사용하는 엄중 검정 조건 하에 만난-코팅된 플레이트에 렉틴-경로 (LP) 의존적 C3b 침착을 억제하는 그것들의 능력에 대하여 수행하였다. 90% 사람 혈장에서 C3b 침착 검정의 결과는 도 6에 나타난다. MASP-2 및 그것의 기질이 1% 정상 사람 혈청을 사용하는 희석 혈청 검정보다 대략 100배 더 높은 농도의 검정 혼합물에 존재하기 때문에 길항제 용량-반응 곡선의 오른쪽 이동 (right-shift)이 일반적으로 예측된다. 도 6에 나타난 바와 같이, 예상된 바와 같이, 더 낮은 겉보기 힘 (apparent potency)으로 오른쪽 이동을 OMS100 및 테스트된 모든 MASP-2 항체에 대하여 관찰하였다. 하지만, 놀랍게도, 겉보기 힘의 감소가 17D20의 힌지 영역 돌연변이 (S228P)에 대하여 관찰되지 않았고, 이 포맷의 힘은 1% 혈장에서 측정된 것과 비슷하였다 (표 17을 참고하면 된다). 90% NHS 검정 포맷에서, 17D20 IgG4 (S228)의 기능적 힘은 OMS100 Fab2보다 약간 더 낮은 것으로 발견되었으며, 이것은 OMS100이 17D20 IgG4 S228P보다 50 내지 100배 더 강한 경우에 1% NHS의 검정 결과와 대조적이다 (데이터 미도시). 도 6에 설명된 바와 같이, 18L16의 야생형 IgG4 형태가 덜 강하고 부분적으로만 억제하는 한편, 17N16의 야생형 IgG4 형태는 또한 90% NHS에서 완전한 억제를 나타냈지만 이 검정 포맷에서 약간 덜 강했다 (~15 nM의 IC50).이들 발견에 기초하여, IgG4 전환된 모체 클론의 활성을 엄중 검정 조건 (90% NHS) 하에 C4b 침착을 검사함으로써 추가로 평가하였다. 이 검정 포맷은 MASP-2에 의해 촉진된 효소 반응에 대한 항체 활성의 직접적인 측정값을 제공한다. MASP-2 의존적 C4 절단의 억제를 측정하는 검정배경: MASP-2의 세린 프로테아제 활성은 매우 특이적이고 MASP-2에 대한 두 개의 단백질 기질만이 확인되었다; C2 및 C4. C4의 절단은 C4a 및 C4b를 발생시켰다. 항-MASP-2 Fab2는 C4 절단에 직접적으로 수반되는 MASP-2 상의 구조적 에피토프 (예를 들어, C4에 대한 MASP-2 결합 부위; MASP-2 세린 프로테아제 촉매점)에 결합할 수도 있고 그로 인해 MASP-2의 C4 절단 기능적 활성을 억제한다. 효모 만난은 렉틴 경로의 알려진 활성화제이다. MASP-2의 C4 절단 활성을 측정하는 다음 방법에서, 만난으로 코팅된 플라스틱 웰을 90% 사람 혈청과 함께 4 ℃에서 90분 동안 배양하여 렉틴 경로를 활성화하였다. 웰을 세척하였고 표준 ELISA 방법을 사용하여 웰에 고정된 사람 C4b에 대하여 검정하였다. 이 검정에서 발생한 C4b의 양은 MASP-2 의존적 C4 절단 활성의 측정값이다. 선택된 농도에서 항-MASP-2 항체를 이 검정에서 C4 절단을 억제하는 그것들의 능력에 대하여 테스트하였다.방법: 96-웰 Costar 배지 결합 플레이트를 1.0 μg/50 μL/웰에서 50 mM 카르보네이트 버퍼, pH 9.5에서 희석된 만난과 함께 5 ℃에서 하룻밤 동안 배양하였다. 각 웰을 200 μL PBS로 세 번 세척하였다. 웰을 PBS 중의 1% 소 혈청 알부민의 100 μL/웰로 차단하였고 부드럽게 혼합하면서 상온에서 한 시간 동안 배양하였다. 각 웰을 PBS의 200 μL로 세 번 세척하였다. 항-MASP-2 항체 샘플을 5 ℃에서 Ca++ 및 Mg++ 함유 GVB 버퍼 (4.0　mM 바비탈, 141　mM NaCl, 1.0　mM MgCl2, 2.0　mM CaCl2, 0.1% 젤라틴, pH　7.4)에서 선택된 농도로 희석하였다. 90% 사람 혈청을 5 ℃에서 상기 샘플에 추가하였고 100 μL를 각 웰로 옮겼다. 플레이트를 커버하였고 보체 활성화를 허용하기 위해 차가운 항온조에서 90분 동안 배양하였다. 반응을 반응 혼합물에 EDTA를 추가함으로써 중단하였다. 각 웰을 PBS-Tween　20 (PBS 중의 0.05% Tween　20) 200 μL로 다섯 번 세척하였고, 각 웰을 200 μL PBS로 두 번 세척하였다. 비오틴-콘쥬게이션된 닭 항-사람 C4c (Immunsystem AB, Uppsala, Sweden)의 1:700 희석액의 100 μL/웰을 2.0 mg/ml 소 혈청 알부민 (BSA)를 함유하는 PBS에 추가하였고 부드럽게 혼합하면서 상온에서 한 시간 동안 배양하였다. 각 웰을 200 μL PBS로 다섯 번 세척하였다. 퍼옥시다제-콘쥬게이션된 스트렙타비딘 (Pierce Chemical #21126)의 0.1 μg/ml의 100 μL/웰을 2.0 mg/ml BSA를 함유하는 PBS에 추가하였고 부드럽게 혼합하는 셰이커에서 상온에서 한 시간 동안 배양하였다. 각 웰을 200 μL PBS로 다섯 번 세척하였다. 퍼옥시다제 기질 TMB (Kirkegaard 0026# Perry Laboratories)의 100 μL/웰을 추가하였고 상온에서 16분 동안 배양하였다. 퍼옥시다제 반응을 1.0 M H3PO4의 100　μL/웰을 추가함으로써 중단하였고 OD450를 측정하였다. 결과:이 포맷에서, IC50 값이 C3b 침착 검정과 비교하여 ~3배 더 높지만, 17D20의 IgG4 형태 둘 다는 렉틴 경로 구동된 C4b 침착을 억제한다. 흥미롭게도, 17N16 IgG4 야생형은 이 검정에서 좋은 활성을 나타냈으며 IC50 값 및 용량-반응 프로파일은 C3b 침착 검정과 비슷하다. 18L16은 훨씬 덜 강하고 이 포맷에서 완벽한 억제를 달성하지 않았다 (데이터 미도시). 논의: 실시예 2-5에 설명된 바와 같이, 기능적 차단 활성을 갖는 완전한 사람 항-MASP-2 scFv 항체를 파지 디스플레이를 사용하여 확인하였다. 이러한 세 개의 클론 17N16, 17D20 및 18L16을 친화도 성숙 및 추가의 테스트에 대하여 선택하였다. 전체 길이 IgG로서 이들 모체 클론의 기능성을 평가하기 위해, 이들 항체의 IgG4 야생형 및 IgG4 S228P 힌지 영역 돌연변이 형태를 생산하였다. 이 실시예에 설명된 바와 같이, 1% 사람 혈장으로 표준 기능적 검정 포맷에서 테스트될 때 전체 길이 IgG의 대부분은 그것들의 scFv 대응물과 비교하여 개선된 기능적 활성을 가졌다. 생리학적 조건 하에 항체 활성을 평가하기 위해, 모체 클론 IgG4 조제물의 테스트를 90% 사람 혈장을 사용하는 엄중 검정 조건 하에 수행하였다. 이들 조건 하에, 여러 항체는 표준 (1%) 혈장 기능적 검정에서 그것들의 성능에 기초하여 예측된 것보다 실질적으로 더 나은 기능적 힘을 나타냈다. 실시예 6이 실시예는 모체 클론 17D20, 17N16 및 18L16의 사슬 셔플링 및 친화도 성숙, 및 결과의 딸 클론의 분석을 설명한다. 방법: 개선된 힘을 갖는 항체를 확인하기 위해, 실시예 2-5에 설명된 바와 같이 확인된, 세 개의 모체 scFv 클론 17D20, 17N16 및 18L16은 경쇄 셔플링을 받았다. 이 공정은 여섯 명의 건강한 기증자로부터 유도된 나이브 (naive), 사람 람다 경쇄 (VL)의 라이브러리와 짝을 이룬 모체 클론 각각의 VH로 구성된 조합 라이브러리의 발생을 수반하였다. 이 라이브러리를 개선된 결합 친화도 및/또는 기능성을 갖는 scFv 클론에 대하여 스크리닝하였다. 총 27,000개의 클론에 대하여, 9,000개의 경쇄가 셔플링된 딸 클론을 모체 클론마다 분석하였다. 각각의 딸 클론을 가용성 scFv를 발현하고 분비하기 위해 유발하였고 사람 MASP-2A에 결합하는 능력에 대하여 스크리닝하였다. 사람 MASP-2A에 결합하는 ScFv를 그것들의 c-Myc 태그를 통해 검출하였다. 이 처음의 스크리닝은 총 119개의 클론의 선택을 발생시켰으며, 이것은 17N16 라이브러리의 107개의 딸 클론, 17D20 라이브러리의 8개의 딸 클론, 및 18L16 라이브러리의 4개의 딸 클론을 포함하였다. 119개의 클론을 소규모로 발현시켰고, NiNTA 컬럼에서 정제하였고 물리적으로 흡착된 사람 MASP-2A에 대한 ELISA 검정에서 결합 친화도에 대하여 테스트하였다. 결과: 119개의 딸 클론의 대표적인 서브세트에 대한 ELISA 검정의 결과는 도 7a 및 7b에 나타난다. 도 7a는 17N16 모체 클론 대 huMASP-2A에서 적정된 딸 클론에 대한 ELISA 검정의 결과를 그래프로 설명한다. 도 7b는 17D20 모체 클론 대 huMASP-2A에서 적정된 딸 클론에 대한 ELISA 검정의 결과를 그래프로 설명한다.도 7a에 나타난 바와 같이, 17N16 모체 클론으로부터 유도된 딸 클론 17N16m_d16E12 및 17N16m_d17N9는 모체 클론보다 더 높은 친화도를 가졌다. 또한 도 7b에 나타난 바와 같이, 17D20 모체 클론으로부터 유도된 한 클론, 17D20m_d18M24는 모체 클론보다 더 높은 친화도를 가졌다. 이들 세 개의 클론, 및 추가적인 세 개의 클론 17N16m_d13L12, 17N16m_d16K5, 17N16m_d1G5, 및 낮은 발현 수준을 갖는 17D20m_d1824은 0.5 L 규모로 발현되었고, 크기 배제 크로마토그래피에 의해 모노머 분획으로 정제되었고 ELISA 및 기능적 검정으로 다시 테스트 되었다. 18L16 라이브러리는 원하는 결합 친화도로 어떤 딸 클론도 생산하지 않았다. 정제 후, 여섯 개의 딸 클론을 억제 활성에 대하여 보체 검정으로 테스트하였다. 결과는 표 18에 나타난다. 표 18: 모체 및 딸 클론의 보체 검정상기 표 18에 나타난 바와 같이, 클론 17N16m_d17N9 중 하나만이 모체 클론과 같은 범위의 친화도 및 활성을 가졌다. 도 8은 전체 길이 scFv 모체 클론 17N16 (SEQ ID NO: 59) 및 17N16m_d17N9 딸 클론 (SEQ ID NO: 66)의 아미노산 서열 정렬이며, 경쇄 (SYE로 시작함)가 두 개의 클론마다 다른 17개의 아미노산 잔기를 갖는다.17N16 람다 라이브러리의 재 스크리닝은 여러 추가적인 후보 딸 클론을 발생시켰으며, 이들 중에 17N16m_d27E13을 ELISA 및 보체 검정에서 확인하였고, 추가의 분석을 위해 후보 딸 클론의 세트에 포함시켰다. 다른 혈청에서 딸 클론의 검정후보 딸 클론을 다음과 같이 다른 혈청에서 분석하였다. 만난을 20 μg/ml로 희석하였고 4 ℃에서 하룻밤 동안 ELISA 플레이트에서 코팅하였다. 그 다음날, 웰을 1% HSA로 차단하였다. 아프리카 사바나 원숭이 혈청을 CaMgGVB 버퍼에서 0.2%로 희석하였고, 래트 혈청을 0.375%로 희석하였고 사람 혈청을 1%로 희석하였다.각 후보 딸 클론의 정제된 scFv를 같은 양의 버퍼에 다른 농도의 시리즈로 두 번 추가하였고 차단된 ELISA 플레이트에 추가 전에 얼음 위에서 45분 동안 사전 배양하였다. 반응을 37 ℃에서 한 시간 동안 배양에 의해 시작하였고 얼음이 담긴 그릇에 플레이트를 옮김으로써 중단하였다. C3c 방출을 토끼 α-마우스 C3c 항체에 이어 염소 α-토끼 HRP로 검출하였다. 만난 음성 플레이트에서 0.1 μg/ml에서 OMS100의 배경을 이들 곡선에서 뺐다. 결과는 하기 표 19에서 요약된다. 표 19: 다른 혈청에서 모체 클론 17N16 및 딸 클론 17N16m_d17N9 및 17N16m_d27E13에 대한 IC50 값.주: 컬럼 2-4에 나타난 두 개의 값은 두 개의 별개의 실험의 결과를 나타낸다. 결과의 논의:표 19에 나타난 바와 같이, 딸 클론 17N16m_d17N9는 모체 클론보다 더 높은 기능적 활성을 갖는다. 모체 클론과 비교하여 경쇄에서 열일곱 개의 아미노산 서열 차이 이외에 래트 혈청의 개선된 기능은 이 클론을 양성 후보로 만든다. 이 데이터에 기초하여, 딸 클론 17N16m_d17N9를 추가의 분석을 위해 선택하였다. 실시예 7이 실시예는 모체 클론 17D20으로부터 유도된 딸 클론 17D20m_d3521N11의 발생 및 분석을 설명한다. 배경/근거:모체 클론 후보 17D20mc의 친화도를 개선하기 위해, 추가적인 "돌연변이 생성의 검토 (look-through-mutagenesis)"FMF 중쇄의 CDR3 (CDR-H3)의 처음 세 개의 아미노산에서 수행하였다. 이것은 17D20mc의 정상 경쇄 셔플링과 유사한 돌연변이 생성 캠페인이었다. 그러므로, 세 개의 다른 scFv 라이브러리를 아미노산 위치 1, 2 및 3이 동의 코돈을 사용하여 모든 가능한 20개의 아미노산의 세트에 무작위로 추출되는 경우 PCR에 의해 구성하였다. 라이브러리를 클로닝한 후, 미소 규모 발현을 수행하였고 MASP-2A 코팅된 CM5 칩에서 scFv 결합을 관찰하였다 (미도시). ㅁ미소 규모의 BIAcore 분석을 MASP-2A로 코팅된 칩 상의 세 개의 다른 라이브러리에서 수행하였고, 위치 1, 2, 또는 3에서 무작위로 추출하였고 잠재적으로 흥미로운 딸 클론을 확인하였다. CDR-H3의 아미노산 위치 1 및 2에 대하여, 모체 후보 클론 17D20m과 비교하여 개선된 오프-레이트 (off-rate)를 갖는 클론이 발견되지 않았다는 것이 관찰되었다. 하지만, CDR-H3의 아미노산 위치 3에서 돌연변이를 갖는 소수의 후보는 모체 클론 17D20m과 비교하여 개선된 오프-레이트를 입증하였다. 이들 클론 (#35, #59 및 #90)을 돌연변이를 확인하기 위해 시퀀싱하였다. 두 개의 "돌연변이 생성의 검토" 유도된 클론의 서열을 17D20mc (원래의 서열)와 비교하였다. 흥미롭게도, 하나 (#90)를 제외한 모든 시퀀싱된 클론은 모체 후보와 비교하여 Ala-Arg 치환을 보호하였다. 도 9는 scFv 모체 클론 17D20m의 중쇄 영역의 아미노산 서열 (SEQ ID NO: 18의 aa 61-119) 및 CDR-H3의 돌연변이를 갖는 scFv 클론, 클론 #35 (SEQ ID NO: 20의 aa 61-119, SEQ ID NO: 18의 위치 102의 A에 대하여 R의 치환을 가짐), 클론 #59 (클론 #35와 같은 서열), 및 클론 #90 (SEQ ID NO: 18의 위치 12의 A에 대하여 P의 치환)의 CDR-H3 영역의 아미노산 서열의 서열 비교이다. 돌연변이 클론 #35 및 #59의 분석돌연변이 클론 #35 및 #59는 소규모로 발현되었고 모체 후보 클론 17D20와 비교하여 고정된 MASP-2A (10 μg/ml)에서 적정-ELISA로 추가로 테스트하였다. scFv는 5배 단계 희석하여 20 μg/ml에서 시작하고 결합을 항-Myc (마우스)/항-마우스 HRP를 사용하여 검출하였다. 약간 개선된 결합을 모체 후보 클론 17D20과 비교하여 후보 클론 #35 및 #59에 대한 ELISA 검정에서 관찰하였다 (데이터 미도시).개선된 클론 #35를 최고의 경쇄 셔플링된 클론 17D20m_d21N11과 결합시켰다. 후보 17D20md35의 VH에서 돌연변이 (Ala-Arg)를 후보 17D20m_d21N11의 경쇄와 결합시켰고, 따라서 VH35-VL21N11로 불리는, 아니면 3521N11로 나타나는 클론을 발생시켰다.도 10a는 모체 클론 17D20의 CDR3 영역 (SEQ ID NO: 18의 aa 61-119), 같은 서열을 갖는 딸 클론 17D20m_d21N11의 같은 영역 및 "3521N11"로 나타나는, 17D20m_d21N11의 VL과 결합된 돌연변이 생성 클론 #35의 같은 영역 (SEQ ID NO: 20의 aa 61-119)의 서열의 아미노산 서열 정렬이다. 강조된 VH 서열 영역은 CDRH3을 포함하고, 돌연변이된 표적 잔기 영역은 밑줄 그어져 있다. 도 10b는 17D20 모체 클론 (SEQ ID NO: 55) 및 딸 클론 17D20m_d21N11 (SEQ ID NO: 67)의 VL 및 VH 영역을 포함하는 전체 길이 scFv의 단백질 서열 정렬이다. scFv 딸 클론 17D20m_d3521N11은 SEQ ID NO: 68로 제시된다. 주: 위치 220에서 도 10b의 X 잔기가 SEQ ID NO: 68에 설명된 바와 같이 "E"라는 것이 결정되었다. 도 10에 나타난 scFv의 세트의 적정 ELISA 검정을 MASP-2 (10 μg/ml)에서 실행하였다. 결과는 표 20에 나타난다.표 20: 사람 MASP-2의 ELISA17D20m_d3521N11 딸 클론을 하기 실시예 8에 설명된 바와 같이 기능적 활성에 대하여 추가로 분석하였다.실시예 8이 실시예는 후보 딸 클론 17N16m_d17N9 및 17D20m_d3521N11의 IgG4, IgG4/S228P 및 IgG2 포맷으로 전환 및 17N16m_d17N9 및 17D20m_d3521N11의 분석을 설명한다. 근거/배경실시예2-7에 설명된 항체 스크리닝 방법은 두 개의 모체 클론, 17N16 및 17D20을 확인하였으며, 적합한 기능성을 갖는다. 이들 모체 클론의 친화도 성숙화는 scFv 수준의 대리의 기능적 검정에서 모체 클론에 비교하여 힘에서 대략 2배 개선을 나타내는 딸 클론을 수득하였다. 최고의 활성을 가진 딸 클론은 17N16m_d17N9 및 17D20m_d3521N11이었다. 실시예 6에 설명된 바와 같이, 경쇄 셔플링된 딸 클론을 갖는 17N16 모체 클론의 기능적 활성과 비교하여 (scFv 포맷, 1% NHS 검정) 17N16m_d17N9은 모체 클론보다 약간 더 강하고 이 검정에서 테스트된 모든 딸 클론의 최고의 기능적 힘을 갖는다는 것이 결정되었다.방법:후보 scFv 클론의 기능적 힘의 비교를 실시예 5에 설명된 바와 같이 수행된, C3 전환 검정에서 (1% 사람 혈청 및 90% 사람 혈청), 및 C4 전환 검정에서 (90% 사람 혈청) 수행하였다.결과는 하기 표 21에 나타난다. 표 21: 선도 딸 클론 및 그것들의 각각의 모체 클론 (scFv 포맷의 모든 것)의 IC50 (nM)에서 기능적 힘의 비교 상기 표 21에 나타난 바와 같이, 17N16m_d17N9는 C3 검정으로 90% 정상 사람 혈청 (NHS)에서 검정될 때 좋은 활성을 갖고 이 포맷의 다른 딸 클론보다 더 강하다. IgG4, IgG4/S228P 및 IgG2 포맷으로 후보 클론의 전환이들 후보 클론 모두를 추가의 분석을 위해 IgG4, IgG4/S228P 및 IgG2 포맷으로 전환하였다. SEQ ID NO: 62: cDNA 암호화 야생형 IgG4 SEQ ID NO: 63: 야생형 IgG4 폴리펩티드 SEQ ID NO: 64 cDNA 암호화 IgG4 돌연변이 S228P SEQ ID NO: 65: IgG4 돌연변이 S228P 폴리펩티드 SEQ ID NO: 69: cDNA 암호화 야생형 IgG2 SEQ ID NO: 70: 야생형 IgG2 폴리펩티드표 22: 후보 클론의 요약:단클론성 항체 #1-6을 이들 항체가 사람에 대하여 예측하는 동물 모델에서 독성에 대하여 테스트하는데 사용될 수 있는지 결정하기 위해 C3 검정에서 비-사람 MASP-2 단백질 (아프리카 사바나 (AG) 원숭이)와 교차 반응하는 능력에 대하여 테스트하였다. 단클론성 항체 #1-6를 또한 90% 사람 혈청에서 C3b 침착 검정 및 C4 검정으로 테스트하였다. 결과는 하기 표 23에 나타난다. 표 23: 90% 사람 혈청에서 사람 항-MASP-2 MoAbs (IC50 nM)도 11a는 사람 항-MASP-2 단클론성 항체 모체 클론 17N16으로부터 유도된, 딸 클론 이소타입 변이체 (MoAb#1-3)에 대하여 수행된 C3b 침착 검정의 결과를 그래프로 설명한다. 도 11b는 사람 항-MASP-2 단클론성 항체 모체 클론 17D20으로부터 유도된, 딸 클론 이소타입 변이체 (MoAb#4-6)에 대하여 수행된 C3b 침착 검정의 결과를 그래프로 설명한다. 표 23 및 도 11a 및 11b에 나타난 바와 같이, 사람 항-MASP-2 단클론성 항체 (MoAb#1-6)는 높은 친화도로 MASP-2에 결합하고, 90% 사람 혈청에서 C3 및 C4 활성의 기능을 억제한다. 또한 사람 항-MASP-2 MoAb가 비-사람 MASP-2 단백질과 교차 반응하며, 이것은 사람에 대하여 예측하는 독성 연구를 위한 동물 모델을 제공한다는 것이 지적된다. MoAb#1-6을 95% 사람 혈청, 95% 아프리카 사바나 원숭이 혈청에서 추가로 분석하였다. 결과는 하기 표 24에 요약된다. 표 24도 12a 및 도 12b는 95% 사람 혈청에서 C3b 침착 검정으로 모체 클론 및 MoAb#1-6의 테스트를 그래프로 설명한다. 도 13은 95% 정상 사람 혈청에서 C4b 침착의 억제를 그래프로 설명한다.도 14는 95% 아프리카 사바나 원숭이 혈청에서 C3b 침착의 억제를 그래프로 설명한다. MoAb#1-6을 래트 C3b의 억제, 미리 조립된 MBL-MASP-2 복합체의 억제; 고전적 경로 억제, 및 C1s를 통한 선택성에 대하여 검정함으로써 렉틴 경로를 선택적으로 억제하는 능력에 대하여 추가로 테스트하였다. 결과는 표 25에 요약된다. 표 25: 기능적 검정 결과의 요약도 15는 MoAb#2, 3, 5 및 6에 의해 미리 조립된 MBL-MASP-2 복합체의 C4 절단 활성의 억제를 그래프로 설명한다. 도 16은 C1s와 비교하여 사람 MASP-2에 대한 MoAb#6의 우선적 결합을 그래프로 설명한다. 표 26: 다양한 포맷의 딸 클론의 서열의 요약:실시예 9이 실시예는 다수의 차단 사람 항-MASP-2 MoAb에 대하여 수행된 에피토프 매핑을 설명한다. 방법:다음 재조합 단백질을 실시예 1에 설명된 바와 같이 생산하였다:사람 MAp19사람 MASP2A사람 MASP-2 SP사람 MASP-2 CCP2-SP사람 MASP-2 CCP1-CCP2-SP사람 MASP-1/3 CUB1-EGF-CUB2사람 MASP-1 CCP1-CCP2-SP항-MASP-2 항체 OMS100 및 MoAb#6 (35VH-21N11VL)은 높은 친화도로 사람 MASP-2에 결합하고 기능적 보체 활성을 차단하는 능력을 갖는 것으로 (실시예 6-8을 참고하면 된다) 입증되었으며, 도트 블롯 (dot blot) 분석에 의해 결합하는 에피토프에 관하여 분석되었다.도트 블롯 분석상기 설명된 재조합 MASP-2 폴리펩티드의 단계 희석을 니트로셀룰로스 막에 스폿팅하였다 (spotted). 스폿팅된 단백질의 양은 10배 단계에서, 50 ng 내지 5 pg의 범위에 있었다. 이후의 실험에서, 스폿팅된 단백질의 양은 다시 5배 단계에서, 50 ng 이하 내지 16 pg의 범위에 있었다. 막을 TBS 중의 5% 탈지유 분말 (차단 버퍼)로 차단하였고 차단 버퍼 중의 1.0 μg/ml 항-MASP-2 Fab2s (5.0　mM Ca2+ 함유)와 함께 배양하였다. 결합된 Fab2s를 HRP-콘쥬게이션된 항-사람 Fab (AbD/Serotec; 1/10,000 희석됨) 및 ECL 검출 키트 (Amersham)를 사용하여 검출하였다. 한 막을 양성 대조군으로서 다클론성 토끼-항 사람 MASP-2 Ab와 함께 배양하였다 (Stover　et　al., J Immunol 163:6848-59 (1999)에 설명됨). 이 경우에서, 결합된 Ab를 HRP-콘쥬게이션된 염소 항-토끼 IgG를 사용하여 검출하였다 (Dako; 1/2,000 희석됨).결과:결과는 표 27에 요약된다. 표 27: 에피토프 매핑결과는 MoAb#6 및 OMS100 항체가 MASP-2에 대하여 매우 특이적이고 MASP-2 또는 MASP-3에 결합하지 않는다는 것을 나타낸다. 항체는 Map19 및 MASP-2의 CCP1 도메인을 함유하지 않는 MASP-2 단편에 결합되지 않았고, 결합 부위가 CCP1 도메인을 포함한다는 결론으로 이어졌다. 실시예 10이 실시예는 사람 항-MASP-2 MoAb#6이 정맥 내 투여 후 아프리카 사바나 원숭이의 렉틴 경로를 억제한다는 것을 입증한다. 방법:MoAb#6을 1 mg/kg의 투약량으로 세 마리의 아프리카 사바나 원숭이의 제1 그룹에 및 3 mg/kg의 투약량으로 세 마리의 아프리카 사바나 원숭이의 제2 그룹에 정맥 내 투여하였다. 혈액 샘플을 투여 2, 4, 8, 10, 24, 48, 72 및 98시간 후에 얻었고 렉틴 경로 활성의 존재에 대하여 테스트하였다. 도 17에 나타난 바와 같이, 렉틴 경로는 항-사람 MoAb#6의 정맥 내 투여 후 완벽히 억제되었다. 실시예 11이 실시예는 MASP-2 억제제, 예를 들어, 항-MASP-2 항체가 방사선 노출의 치료 및/또는 급성 방사선 증후군의 치료, 개선 또는 방지에 효과적이다는 것을 입증한다. 근거:이온화 방사선의 고선량에 노출은 두 개의 주요 메카니즘에 의해 치사를 유발한다: 골수에 대한 독성 및 위장 증후군. 골수 동성은 모든 혈액 세포의 몰락을 일으키며, 유기체가 감염 및 출혈에 의해 죽기 쉽게 한다. 위장 신드롬은 더 심각하고 소화관 표층의 분해 및 장 내분비 기능의 손실로 인한 장 장애물 기능의 손실에 의해 구동된다. 이것은 패혈증 및 죽음을 일으킬 수 있는 관련된 전신성 염증 반응 증후군으로 이어진다.보체의 렉틴 경로는 조직 손상 및 외부 표면 (즉, 박테리아)에 노출에 반응하여 염증을 시작하는 선천적 면역 메카니즘이다. 이 경로의 차단은 허혈성 장 조직 손상 또는 패혈성 쇼크의 마우스 모델에서 더 나은 결과로 이어진다. 렉틴 경로가 방사선-유발된 조직 손상에 반응하여 과도하고 해로운 염증을 촉발할 수도 있다는 것을 가정한다. 따라서 렉틴 경로의 차단은 급성 방사선 노출 후 2차적 손상을 감소시키고 생존을 증가시킬 수도 있다. 이 실시예에 설명된 바와 같이 수행된 연구의 목적은 항-쥐 MASP-2 항체를 투여함으로써 방사선 손상의 마우스 모델에서 생존에 대한 렉틴 경로 차단의 효과를 평가하는 것이었다. 연구 #1방법 및 재료:재료. 이 연구에 사용된 테스트 물품은 트랜스펙션된 포유동물 세포에서 생산되는 렉틴 보체 경로의 MASP-2 단백질 성분을 차단하는 (i) 고 친화도 항-쥐 MASP-2 항체 (mAbM11) 및 (ii) 고 친화도 항-사람 MASP-2 항체 (mAbOMS646)였다. 투여 농도는 항-쥐 MASP-2 항체 (mAbM11)의 1　mg/kg, 항-사람 MASP-2 항체 (mAbOMS646)의 5mg/kg, 또는 멸균 식염수였다. 각각의 투여 세션을 위해, 충분한 양의 신선한 투여 용액을 제조하였다. 동물. 젊은 성체 수컷 Swiss-Webster 마우스를 Harlan Laboratories (Houston, TX)에서 얻었다. 동물을 Alpha-Dri 베딩 (bedding)이 들어있는 딱딱한 바닥의 케이지에서 사육하였고 임의로 보증된 PMI 5002 Rodent Diet (Animal Specialties, Inc., Hubbard OR) 및 물을 제공하였다. 온도를 관찰하였고 동물 유지실을 12시간 명/12시간 암 주기로 작동하였다. 조사. 시설에서 2주 순응 후, 마우스를 320-kV 고안정성 X-선 발생기, 금속 세라믹 X-선 튜브, 가변 X-선 빔 콜리메이터 (collimator) 및 필터가 장착된 Therapax X-RAD 320 시스템 (Precision X-ray Incorporated, East Haven, CT)을 사용하여 0.78 Gy/분의 선량률로 10마리의 그룹에 전신 노출에 의해 6.5, 7.0 및 8.0 Gy로 조사하였다. 약물 조제 및 투여. 농축된 스톡 용액의 적절한 양을 차가운 식염수로 희석하여 프로토콜에 따라 0.2 mg/ml 항-쥐 MASP-2 항체 (mAbM11) 또는 0.5 mg/ml 항-사람 MASP-2 항체 (mAbOMS646)의 투여 용액을 제조하였다. 항-MASP-2 항체 mAbM11 및 mAbOMS646의 투여는 1 mg/kg mAbM11, 5mg/kg mAbOMS646, 또는 식염수 비히클을 전달하기 위해 동물 체중에 기초하여 25-게이지 바늘을 사용하는 IP 주사를 통해서 되었다. 연구 설계. 마우스를 표 28에 설명된 바와 같이 무작위로 그룹에 할당하였다. 체중 및 온도를 매일 측정하고 기록하였다. 그룹 7, 11 및 13의 마우스를 조사 후 7일에 희생시켰고 깊은 마취 하에 심장 천자에 의해 혈액을 수거하였다. 조사 후 30일에 생존한 동물을 같은 방식으로 희생시켰고 혈액을 수거하였다. 프로토콜에 따라 수거된 샘플로부터 혈장을 제조하였고 분석을 위해 스폰서에게 반환하였다. 표 28: 연구 그룹통계 분석. 카플란-마이어 생존 곡선을 생성하였고 로그-랭크 (log-Rank) 및 윌콕슨 (Wilcoxon) 방법을 사용하여 처리 그룹 사이의 평균 생존 시간을 비교하기 위해 사용하였다. 평균과 표준 편차, 또는 평균과 상기 평균의 표준 오차를 보고하였다. 제어된 조사된 동물 및 개개의 처리 그룹 사이에서 통계적 비교는 양방향 짝을 이루지 않은 t-테스트 (two-tailed unpaired t-test)를 사용하여 이루어졌다. 연구 #1의 결과6.5, 7.0 및 8.0 Gy 노출 그룹에 대한 카플란-마이어 생존 플롯은 각각 도 18a, 18b 및 18c에 제공되고, 하기 표 29에 요약된다. 전체적으로, 항-쥐 MASP-2 ab (mAbM11)의 조사 전 처리는 비히클 처리된 조사된 대조군 마우스와 비교하여 6.5 (20% 증가) 및 7.0 Gy (30% 증가) 노출 수준 둘 다에서 조사된 마우스의 생존을 증가시켰다. 6.5 Gy 노출 수준에서, 항-쥐 MASP-2 ab의 조사 후 처리는 비히클 대조군 조사된 동물과 비교하여 생존의 소규모 증가 (15%)를 일으켰다. 대조적으로, 7.0 Gy 및 8.0 Gy 노출 수준에서 처리된 모든 동물은 비히클 처리된 조사된 대조군 동물과 비교하여 생존의 증가를 나타냈다. 생존의 가장 큰 변화는 mAbOMS646를 받은 동물에서 나타났으며, 7.0 Gy 노출 수준에서 대조군 동물에 비해 생존이 45% 증가하였고, 8.0 Gy 노출 수준에서 생존이 12% 증가하였다. 게다가, 7.0 Gy 노출 수준에서, mAbOMS646 처리된 그룹의 치사는 비히클 처리된 조사된 대조군 동물에 대한 조사 후 8일과 비교하여 조사 후 15일에 처음 발생하였다. mAbOMS646을 받은 마우스에 대한 치사의 평균 시간 (27.3 ± 1.3일)은 7.0 Gy 노출 수준에서 대조군 동물 (20.7 ± 2.0일)과 비교하여 크게 증가하였다 (p = 0.0087).조사 전 날 (-1일)과 비교하여 체중의 퍼센트 변화를 연구하는 동안 기록하였다. 일시적인 체중 감소는 모든 조사된 동물에서 발생하였으며, 대조군과 비교하여 mAbM11 또는 mAbOMS646으로 인한 차별적 변화의 증거는 없었다 (데이터 미도시). 연구 종료시, 모든 살아있는 동물은 시작 (-1일) 체중으로부터 체중의 증가를 나타냈다. 표 29: 조사에 노출된 테스트 동물의 생존율*같은 조사 노출 수준에서 제어된 조사된 동물 및 처리 그룹 사이의 양방향 짝을 이루지 않은 t-테스트에 의해 p = 0.0087.논의 급성 방사선 증후군은 세 개의 한정된 하위 증후군으로 구성된다: 조혈성, 위장성, 및 뇌혈관성. 관찰된 증후군은 방사선 선량에 의존적이며, 조혈성 효과가 1 Gy를 초과하는 상당한 부분적 또는 전신 조사 노출된 사람에서 관찰된다. 조혈성 증후군은 면역 시스템에 대한 손상의 수반을 발생시키는 혈구 수치, 적혈구 및 백혈구, 및 혈소판의 변화를 갖는 범혈구감소증 (pancytopenia)로 이어지는 골수 기능의 극심한 저하를 특징으로 한다. 말초 혈액에 존재하는 소수의 호중구 및 혈소판과 함께, 나디르 (nadir)가 발생하면, 호중구감소증 (neutropenia), 열병 (fever), 패혈성 및 제어 불가능한 출혈의 합병증은 죽음으로 이어진다. 본 연구에서, mAbH6의 투여는 7.0 Gy으로 조사된 Swiss-Webster 수컷 마우스에서 전신 x-선 조사의 생존 가능성을 증가시키는 것으로 발견되었다. 특히, 7.0 Gy 노출 수준에서, 30일에 생존한 mAbOMS646을 받은 동물 중 80%를 비히클 처리된 대조군 조사된 동물의 35%와 비교하였다. 중요하게는, 이 처리된 그룹의 죽음의 첫번 째 날은 조사 후 15일까지 발생하지 않았고, 비히클 처리된 대조군 조사된 동물에서 관찰된 것 보다 7일 증가하였다. 신기하게도, 더 낮은 X-선 노출 (6.5 Gy)에서, mAbOMS646의 투여는 비히클 처리된 대조군 조사된 동물과 비교하여 생존 가능성 또는 치사의 연장에 영향을 미치지 않는 것으로 나타났다. 어떤 가정의 증명도 미생물 배양 및 혈액학적 파라미터를 위한 중간 샘플 수거를 포함하는, 추가적인 연구가 필요할 수 있지만, 노출 수준 사이의 반응의 이 차이에 대한 다중적인 이유가 있을 수 있다. 한 설명은 간단하게 그룹에 할당된 동물의 수가 어떤 미묘한 처리-관련 차이를 보이는 것도 배제할 수도 있다는 것이다. 예를 들어, n=20인 그룹 크기로, 65% (6.5 Gy 노출에서 mAbOMS646) 및 80% (7.0 Gy 노출에서 mAbH6) 사이의 생존의 차이는 3마리 동물이다. 반면에, 35% (7.0 Gy 노출에서 비히클 대조군) 및 80% (7.0 Gy 노출에서 mAbOMS646) 사이의 차이는 9마리의 동물이고, 처리-관련 차이의 타당한 증거를 제공한다. 이들 결과는 항-MASP-2 항체가 급성 방사선 증후군의 해로운 영향에 걸릴 위험이 있거나, 이로 고통받는 포유동물 대상체를 치료하는데 있어서 효과적이다는 것을 입증한다. 연구 #2Swiss Webster 마우스 (n=50)를 이온화 방사선 (8.0 Gy)에 노출시켰다. 치사에 대한, 방사선 노출 18시간 전 및 2시간 후, 및 이후 매주 투여된, 항-MASP-2 항체 치료 (OMS646 5mg/kg)의 효과를 평가하였다. 연구 #2의 결과항-MASP-2 항체 OMS646의 투여가 8.0 Gy에 노출된 마우스의 생존을 증가시키며, 비히클 대조군을 받은 마우스와 비교하여 4 내지 6일의 조정된 중간 생존율, 및 비히클 대조군을 받은 마우스와 비교할 때 12% 감소된 치사율 (로그-랭크 테스트, p=0.040)을 갖는 것으로 결정되었다. 연구 #3Swiss Webster 마우스 (n=50)를 다음 그룹으로 이온화 방사선 (8.0 Gy)에 노출시켰다: (I: 비히클) 식염수 대조군; (II: 낮음) 조사 18시간 전 및 조사 2시간 후 투여된 항-MASP-2 항체 OMS646 (5mg/kg), (III: 높음) 조사 18시간 전 및 조사 2시간 후 투여된 OMS646 (10mg/kg); 및 (IV: 높고 이후) 조사 2시간 후에만 투여된 OMS646 (10mg/kg).연구 #3의 결과조사 전 및 조사 후 항-MASP-2 항체의 투여는 비히클 대조군을 받은 동물과 비교하여 4 내지 5일의 평균 생존을 조정한다는 것으로 결정되었다. 항-MASP-2 항체-처리된 마우스의 치사율은 비히클 대조군 마우스와 비교하여 6-12% 감소하였다. 상당한 해로운 처리 효과는 관찰되지 않았다는 것이 추가로 지적되었다. 요약하면, 이 실시예의 결과는 본 발명의 항-MASP-2 항체가 급성 방사선 증후군의 해로운 효과에 걸릴 위험이 있거나, 이로 고통받는 포유동물 대상체를 치료하는데 있어서 효과적이다는 것을 입증한다. 실시예 12이 실시예는 OMS646 항체 (17D20m_d3521N11), 힌지 영역에서 돌연변이된 완전한 사람 항-사람 MASP-2 IgG4 항체의 추가의 특성을 설명한다. 방법:OMS646 (17D20m_d3521N11), 힌지 영역에서 돌연변이된 완전한 사람 항-사람 MASP-2 IgG4 항체를 상기 실시예 2-8에 설명된 바와 같이 발생시켰다. OMS646 항체를 OMS646의 중쇄 및 경쇄를 암호화하는 발현 구조로 안정하게 트랜스펙션된 CHO 세포주의 배양 상층액으로부터 정제하였다. 세포는 PF-CHO 배지에서 16 내지 20일 동안 키워졌고 세포 생존 능력이 50% 이하로 떨어졌을 때 세포가 없는 상층액을 수거하였다. OMS646을 단백질 A 친화도 크로마토그래피에 이어 이온 교환, 농축 및 PBS로 버퍼 교환에 의해 정제하였다.1. OMS646은 높은 친화도로 사람 MASP-2에 결합한다재조합 사람 MASP-2에 결합하는 고정된 OMS646의 표면 플라스몬 공명 (Biocore) 분석방법:OMS646을 CM5 칩에 커플링하는 아민에 의해 다양한 밀도로 고정하였고 9 nM, 3 nM, 1 nM 또는 0.3 nM에서 용해된 재조합 사람 MASP-2의 결합 및 해리를 결합 (Kon) 및 해리 속도 상수 (Koff)를 결정하기 위해 시간이 흐름에 따라 기록하였다. 평형 결합 상수 (KD)를 실험적 Kon 및 Koff 값에 기초하여 계산하였다. 결과:도 19는 OMS646에 대한 표면 플라스몬 공명 (Biocore) 분석의 결과를 그래프로 설명하며, 고정된 OMS646은 약 1-3x10-4 S-1의 Koff 속도 및 약 1.6-3x106M-1S-1의 Kon 속도로 재조합 MASP-2에 결합한다는 것을 나타내고, 이들 실험 조건 하에서 친화도 (약 92 pM의 KD)를 나타낸다. 용액에서 고정된 OMS646의 밀도 및 MASP-2의 농도에 의존하여, 50 내지 250 pM의 범위에서 실험적 KD 값을 결정하였다.고정된 재조합 사람 MASP-2에 결합하는 OMS646의 ELISA 검정방법: 고정된 재조합 MASP-2에 결합하는 OMS646의 용량-반응을 평가하기 위해 ELISA 검정을 수행하였다. 재조합 사람 MASP-2 (50 ng/웰)을 4 ℃에서 하룻밤 동안 PBS에서 maxisorp ELISA 플레이트 (Nunc)에 고정하였다. 그 다음날, 플레이트를 PBS-Tween (0.05%)로 세 번 세척함으로써 차단하였다. 차단 버퍼에서 OMS646의 단계 희석 시리즈 (0.001 내지 10 nM의 범위의 농도)를 MASP-2 코팅된 웰에 추가하였다. OMS646이 고정된 항원에 결합하는 것을 허용하기 위해 1시간 배양 후, 웰을 결합되지 않은 OMS646을 제거하기 위해 세척하였다. 결합된 OMS646을 HRP-표지된 염소 항-사람 IgG 항체 (Qualex; diluted 1:5000 in blocking 버퍼)를 사용한 후 이어서 TMB 퍼옥시다제 기질 (Kirkegaard 0026# Perry Laboratories)로 전개하여 검출하였다. 퍼옥시다제 반응을 100 μL/웰의 1.0 M H3PO4를 추가하으로써 중단하였고, 기질 전환을 96 웰 플레이트 리더 (Spectramax)를 사용하여 450 nM에서 광도 측정에 의해 정량하였다. 단일 결합 부위 곡선 맞춤 알고리즘 (Graphpad)을 사용하여 KD 값을 계산하였다. 결과: 도 20은 고정된 사람 MASP-2에 대한 OMS646의 결합 친화도를 결정하기 위한 ELISA 검정의 결과를 그래프로 설명한다. 도 20에 나타난 바와 같이, OMS646은 85 ± 5 pM의 KD로 고정된 재조합 사람 MASP-2에 결합하며, 이것은 도 19에 나타난 바와 같이 Biocore 분석에서 얻어진 결과와 일치한다는 것이 결정되었다. 이들 결과는 OMS646이 사람 MASP-2에 대한 높은 친화도를 가지며, 대략 100pM의 KD를 갖는다는 것을 입증한다. 2. OMS646은 만난-코팅된 표면에서 C4 활성화를 억제하지만, 면역 복합체-코팅된 표면에서는 아니다. 방법:C4 활성화를 각각 다음과 같이, 도 21a 및 21b에 나타난 농도 범위에서 OMS646의 존재 또는 부재시 만난-코팅된 표면 또는 면역 복합체-코팅된 표면에서 측정하였다. MASP-2의 C4 절단 활성을 측정하기 위한 다음 방법에서, 만난으로 코팅된 플라스틱 웰을 렉틴 경로를 활성화하기 위해 1% 사람 혈청과 함께 37 ℃에서 60분 동안 배양하였다. 웰을 세척하였고 표준 ELISA 방법을 사용하여 웰에 고정된 사람 C4b에 대하여 검정하였다. 이 검정에서 발생한 C4b의 양은 MASP-2 의존적 C4 절단 활성의 측정값이다. 선택된 농도의 항-MASP-2 항체를 이 검정에서 C4 절단을 억제하는 그것들의 능력에 대하여 테스트하였다.방법: 만난-코팅된 표면에서 C4 활성화:렉틴-경로에서 OMS646의 효과를 결정하기 위해, 96-웰 Costar 배지 결합 플레이트를 5 ℃에서 하룻밤 동안 만난으로 코팅하였으며, 만난의 40 μg/mL 용액의 50 μL은 50　mM 카르보네이트 버퍼, pH　9.5에 희석되었다. 각 웰을 200 μL PBS로 세 번 세척하였다. 웰을 PBS 중의 1% 소 혈청 알부민의 100 μL/웰로 차단하였고 부드럽게 혼합하면서 상온에서 한 시간 동안 배양하였다. 각 웰을 PBS의 200 μL로 세 번 세척하였다. 별도의 96 웰 플레이트에서, MASP-2 항체 (OMS646)의 단계 희석액을 Ca++ 및 Mg++ 함유 GVB 버퍼 (4.0　mM 바비탈, 141　mM NaCl, 1.0　mM MgCl2, 2.0　mM CaCl2, 0.1% 젤라틴, pH　7.4)에서 5 ℃에서 1시간 동안 1% 사람 혈청과 사전 배양하였다. 이들 항체-형성 사전 배양 혼합물은 이후에 만난-코팅된 검정 플레이트의 해당하는 웰로 옮겨졌다. 보체 활성화를 검정 플레이트의 37 ℃ 항온조로의 이동에 의해 시작하였다. 60분 배양 후, 반응 혼합물에 EDTA를 추가함으로써 반응을 중단하였다. 각 웰을 200 μL PBS-Tween　20 (PBS 중의 0.05% Tween　20)로 다섯 번 세척하였고, 각 웰을 200 μL PBS로 두 번 세척하였다. 비오틴-콘쥬게이션된 닭 항-사람 C4c (Immunsystem AB, Uppsala, Sweden)의 1:100 희석의 100 μL/웰을 2.0　mg/ml 소 혈청 알부민 (BSA)를 함유하는 PBS에 추가하였고 부드럽게 혼합하면서 상온에서 한 시간 동안 배양하였다. 각 웰을 200 μL PBS로 다섯 번 세척하였다. 퍼옥시다제-콘쥬게이션된 스트렙타비딘 (Pierce Chemical #21126)의 0.1 μg/ml의 100 μL/웰을 2.0 mg/ml BSA를 함유하는 PBS에 추가하였고 부드럽게 혼합하면서 상온에서 한 시간 동안 배양하였다. 각 웰을 200 μL PBS로 다섯 번 세척하였다. 퍼옥시다제 기질 TMB (Kirkegaard 0026# Perry Laboratories)의 100 μL/웰을 추가하였고 상온에서 10분 동안 배양하였다. 퍼옥시다제 반응을 1.0 M H3PO4의 100　μL/웰을 추가함으로써 중단하였고 OD450을 측정하였다. 면역-복합체 코팅된 표면에서 C4 활성화고전적 경로에 대한 OMS646의 효과를 측정하기 위해, 상기 설명된 검정을 면역-복합체 코팅된 플레이트를 사용하는 것으로 변형하였다. 검정을 상기 렉틴 경로에 대하여 상세히 설명된 바와 같이 수행하였으며, 고전적 경로를 통해 C4 활성화를 자극하기 위해 사용된 정제된 양 IgG로 코팅되었다는 차이를 갖는다.결과:도 21a는 OMS646의 존재 또는 부재시 만난-코팅된 표면상에서 C4 활성화의 수준을 그래프로 설명한다. 도 21b는 OMS646의 존재 또는 부재시 IgG-코팅된 표면상에서 C4 활성화의 수준을 그래프로 설명한다. 도 21a에 나타난 바와 같이, OMS646은 1% 사람 혈청에서 대략 0.5 nM의 IC50로 만난-코팅된 표면상에서 C4 활성화를 억제한다. 10번의 독립적인 실험에서 얻어진 IC50 값은 0.52 ± 0.28 nM (평균 ± SD). 반대로, 도 21b에 나타난 바와 같이, OMS646은 IgG-코팅된 표면상에서 C4 활성화를 억제하지 않았다. 이들 결과는 OMS646이 보체 성분 C4의 렉틴-의존적 활성화를 차단하지만 고전적 경로-의존적 활성화를 차단하지 않는다는 것을 입증한다. 3. OMS646은 말단 보체 성분의 렉틴-의존적 활성화를 차단한다방법:막 공격 복합체 (MAC) 침착에 대한 OMS646의 효과를 렉틴 경로, 고전적 경로 및 대체 경로에 대한 경로-특이적 조건을 사용하여 분석하였다. 이 목적을 위해, Wieslab Comp300 보체 스크리닝 키트 (Wieslab, Lund, Sweden)를 제조사의 지시에 따라 사용하였다. 결과:도 22a는 렉틴 경로-특이적 검정 조건 하에 항-MASP-2 항체 (OMS646)의 존재 또는 부재시 MAC 침착의 수준을 그래프로 설명한다. 도 22b는 고전적 경로-특이적 검정 조건 하에 항-MASP-2 항체 (OMS646)의 존재 또는 부재시 MAC 침착의 수준을 그래프로 설명한다. 도 22c는 대체 경로-특이적 검정 조건 하에 항-MASP-2 항체 (OMS646)의 존재 또는 부재시 MAC 침착의 수준을 그래프로 설명한다.도 22a에 나타난 바와 같이, OMS646은 대략 1 nM의 IC50 값으로 MAC 침착의 렉틴 경로-매개된 활성화를 차단한다. 하지만, OMS646은 고전적 경로-매개된 활성화 (도 22b) 또는 대체 경로-매개된 활성화 (도 22c)로부터 발생한 MAC 침착에 대하여 아무런 효과가 없었다. 4. OMS646은 생리학적 조건 하에 렉틴 경로 활성화를 효과적으로 억제한다방법:렉틴 의존적 C3 및 C4 활성화를 다음과 같이 다양한 농도의 OMS646의 부재 및 존재시 90% 사람 혈청에서 평가하였다:C4 활성화 검정렉틴-의존적 C4 활성화에 대한 OMS646의 효과를 평가하기 위해, 96-웰 Costar 배지 결합 플레이트를 만난 (50 mM 카르보네이트 버퍼의 40 μg/mL 용액의 50 μL, pH 9.5)의 2 μg으로 5 ℃에서 하룻밤 동안 코팅하였다. 플레이트를 200 μL PBS로 세 번 세척하였고 부드럽게 혼합하면서 상온에서 한 시간 동안 PBS 중의 1% 소 혈청 알부민의 100 μL/웰로 차단하였다. 별도의 사전 배양 플레이트에서, OMS646의 선택 농도를 90% 사람 혈청과 혼합하였고 얼음 위에서 1시간 동안 배양하였다. 이들 항체-혈청 사전 배양 혼합물을 얼음 상의 검정 플레이트의 만난-코팅된 웰로 옮겼다. 검정 플레이트를 보체 활성화를 허용하는 얼음이 들어있는 그릇에서 90분 동안 배양하였다. 반응 혼합물에 EDTA를 추가함으로써 반응을 중단하였다. 각 웰을 200 μL의 PBS-Tween 20 (PBS 중의 0.05% Tween 20)로 다섯 번 세척하였고, 각 웰을 200 μL PBS로 두 번 세척하였다. 비오틴-콘쥬게이션된 닭 항-사람 C4c (Immunsystem AB, Uppsala, Sweden)의 1:1000 희석액의 100 μL/웰을 2.0 mg/ml 소 혈청 알부민 (BSA)을 함유하는 PBS에 추가하였고 부드럽게 혼합하면서 상온에서 1시간 동안 배양하였다. 각 웰을 200 μL PBS로 5번 세척하였다. 퍼옥시다제-콘쥬게이션된 스트렙타비딘 (Pierce Chemical #21126)의 0.1 μg/mL의 100 μL/웰을 2.0 mg/ml BSA를 함유하는 PBS에 추가하였고 부드럽게 혼합하면서 상온에서 1시간 동안 배양하였다. 각 웰은 200 μL PBS로 다섯 번 세척하였다. 퍼옥시다제 기질 TMB (Kirdegaard 0026# Perry Laboratories)의 100 μL/웰을 추가하였고 상온에서 16분 동안 배양하였다. 1.0M H3PO4의 100 μL/웰을 추가함으로써 퍼옥시다제 반응을 중단하였고 OD450을 측정하였다.C3 활성화 검정렉틴-의존적 C3 활성화에 대한 OMS646의 효과를 평가하기 위해, 검정을 종료점으로서 C3 침착을 평가한 점을 제외하고, 상기 설명된 C4 활성화 검정과 동일한 방식으로 수행하였다. C3 침착을 다음과 같이 정량하였다. 보체 침착 반응의 끝에, 플레이트를 상기 설명된 바와 같이 세척하였고 이후에 2.0 mg/ml 소 혈청 알부민 (BSA)을 함유하는 PBS 중의 토끼 항-사람 C3c 항체 (Dako)의 1:5000 희석액의 100 μL/웰과 함께 1시간 동안 배양하였다. 각 플레이트를 200 μL PBS로 다섯 번 세척하였고 2.0 mg/ml BSA를 함유하는 PBS 중의 HRP-표지된 염소 항-토끼 IgG (American Qualex Antibodies)의 100 μL/웰과 함께 상온에서 1시간 동안 배양하였다. 플레이트를 200 μL PBS로 다섯 번 세척하였고 퍼옥시다제 기질 TMB (Kirkegaard 0026# Perry Laboratories)의 100 μL/웰을 추가하였고 상온에서 10분 동안 배양하였다. 퍼옥시다제 반응을 1.0M H3PO4의 l00 μL/웰을 추가함으로써 중단하였고 OD450을 측정하였다. 에스자 용량-반응 곡선 맞춤 알고리즘 (GraphPad)을 실험 데이터 세트에 적용하여 IC50 값을 유도하였다. 결과:도 23a는 항-MASP-2 항체 (OMS646)의 존재 또는 부재시 렉틴 경로 특이적 조건 하에 90% 사람 혈청의 다양한 농도에서 C3 침착의 수준을 그래프로 설명한다. 도 23b는 항-MASP-2 항체 (OMS646)의 존재 또는 부재시 렉틴 경로 특이적 조건 하에 90% 사람 혈청의 다양한 농도에서 C4 침착의 수준을 그래프로 설명한다. 도 23a에 나타난 바와 같이, OMS646은 90% 사람 혈청에서 IC50 = 3 ± 1.5 nM로 C3 침착을 차단한다 (n=6). 도 23b에 나타난 바와 같이, OMS646은 IC50 = 2.8 ± 1.3 nM로 C4 침착을 차단한다 (n=6). 이들 결과는 OMS646은 생리학적 조건 하에 렉틴 경로 활성화의 강한, 효과적인 차단을 제공하고, 그로 인해 OMS646의 낮은 치료적 용량의 사용에 대한 지지를 제공한다. 이들 데이터이 기초하여, OMS646이 20 nM (3μg/mL) 이하의 혈장 농도로 환자의 순환에서 렉틴 경로의 003e#90%를 차단하는 것으로 결정되었다. 대략 3L의 전형적인 사람의 혈장 부피, 및 투여된 항체 물질의 대부분이 혈장에 유지된다는 지식 (Lin Y.S. et al., JPET 288:371 (1999))에 기초하여, 정맥 내 투여된 10 mg만큼 낮은 OMS646의 용량이 급성 기간 동안 (즉, 일시적인 기간, 예를 들어, 1 내지 3일) 렉틴 경로를 차단하는데 있어서 효과적일 것으로 예상된다. 만성 질환의 맥락에서, 최대한의 치료 효과를 달성하기 위해 연장된 기간 동안 렉틴 경로를 차단하는 것이 유리할 수도 있다. 따라서, 이러한 만성 질병에 대하여, 100 mg의 OMS646 투여가 바람직할 수도 있으며, 이것은 적어도 1주 이상 동안 성인 사람 대상체에서 렉틴 경로를 차단하는데 있어서 효과적인 것으로 예상된다. 사람의 항체에 대하여 일반적으로 관찰되는 느린 제거 및 긴 반감기가 제공되면, OMS646의 100 mg은 일주일보다 더 긴 기간 동안, 예를 들어, 2주, 또는 4주 동안 효과적일 수도 있다는 것이 가능하다. 더 많은 용량의 항체 (즉, 100 mg 이상, 예를 들어, 200 mg, 500 mg 이상, 예를 들어, 700 mg 또는 1000 mg 이상)가 더 긴 작용 기간 (예를 들어, 2주 이상)을 갖는 것으로 예상된다. 5. OMS646은 원숭이에서 렉틴 경로 활성화를 차단한다 실시예 10에 상기 설명되고 도 17에 나타난 바와 같이, OMS646이 아프리카 사바나 원숭이에 OMS646 (3 mg/kg)의 정맥 내 투여 후 이어서 렉틴 경로 활성의 회복 후 약 72시간의 기간 동안 전신성 렉틴 경로 활성을 제거하는 것으로 결정되었다.이 실시예는 다음과 같이, 렉틴 의존적 C4 활성화가 다양한 농도의 OMS646의 범위에서 및 OMS646의 부재시 90% 아프리카 사바나 원숭이 혈청 또는 90% 게먹이 원숭이 혈청에서 평가되는 추적 연구를 설명한다:다른 비-사람 영장류 종에서 렉틴-의존적 C4 활성화에 대한 OMS646의 효과를 평가하기 위해, 96-웰 Costar 배지 결합 플레이트를 2 μg의 만난 (50 mM 카르보네이트 버퍼 중의 40 μg/mL 용액의 50 μL, pH 9.5)으로 5 ℃에서 하룻밤 동안 코팅하였다. 플레이트를 200 μL PBS로 세 번 세척하였고 PBS 중의 1% 소 혈청 알부민의 100 μL/웰로 부드럽게 혼합하면서 상온에서 한 시간 동안 차단하였다. 별도의 사전 배양 플레이트에서, OMS646의 선택 농도를 아프리카 사바나 원숭이 또는 게먹이 원숭이로부터 수거된 90% 혈청과 혼합하였고 얼음 위에서 1시간 동안 배양하였다. 이들 항체-혈청 사전 배양 혼합물을 얼음 위의 검정 플레이트의 만난-코팅된 웰로 옮겼다. 검정 플레이트를 보체 활성화를 허용하기 위해 얼음이 들어있는 그릇에서 90분 동안 배양하였다. 반응 혼합물에 EDTA를 추가함으로써 반응을 중단하였다. 각 웰을 200 μL PBS-Tween 20 (PBS 중의 0.05% Tween 20)로 다섯 번 세척하였고, 각 웰을 200 μL PBS로 두 번 세척하였다. 비오틴-콘쥬게이션된 닭 항-사람 C4c (Immunosystem AB, Uppsala, Sweden)의 1:1000 희석액의 100 μL/웰을 2.0 mg/ml BSA를 함유하는 PBS에 추가하였고 부드럽게 혼합하면서 상온에서 한 시간 동안 배양하였다. 각 웰을 200 μL PBS로 다섯 번 세척하였다. 퍼옥시다제-콘쥬게이션된 스트렙타비딘 (Pierce Chemical #21126)의 0.1 μg/mL의 100 μL/웰을 2.0 mg/ml BSA를 함유하는 PBS에 추가하였고 부드럽게 혼합하면서 상온에서 한 시간 동안 배양하였다. 각 웰을 200 μL PBS로 다섯 번 세척하였다. 퍼옥시다제 기질 TMB (Kirkegaard 0026# Perry Laboratories)의 100 μL/웰을 추가하였고 상온에서 10분 동안 배양하였다. 퍼옥시다제 반응을 1.0 M H3PO4의 100 μL/웰을 추가함으로써 중단하였고 OD450을 측정하였다. 에스자 용량-반응 곡선 맞춤 알고리즘 (GraphPad)을 실험 데이터 세트에 적용하여 IC50 값을 유도하였다.결과:90% 게먹이 원숭이 혈청 (도 24a) 및 90% 아프리카 사바나 원숭이 혈청 (도 24b)에서 렉틴 경로 억제의 용량 반응은 각각 30 nM 내지 50 nM, 및 15 nM 내지 30 nM의 범위의 IC50 값을 갖는 것으로 관찰되었다. 요약하면, OMS646, 완전한 사람 항-사람 MASP-2 IgG4 항체 (힌지 영역에서 돌연변이됨)는 다음 유리한 성질을 갖는 것으로 관찰되었다: 사람 MASP-2에 고 친화도 결합 (1-3x10-4 S-1 범위의 Koff 속도 및 1.6-3x106M-1S-1 범위의 Kon 속도를 갖는 50 내지 250 pM의 범위의 KD; 1% 사람 혈청에서 0.52 ± 0.28 nM의 IC50 (n=10); 및 90% 혈청에서 3 ± 1.5nM의 IC50으로 C4 침착의 억제하는 사람 혈청의 기능적 힘); 및 15 내지 50 nM의 범위의 IC50으로 C4 침착의 억제를 나타내는 원숭이에서 교차 반응성 (90% 원숭이 혈청). 상기 설명된 바와 같이, 100 mg의 용량의 OMS646 (평균 사람에 대하여 0.15 mg/kg에 해당)이 적어도 일주일 이상 동안 환자의 순환에서 렉틴 경로를 차단하는 것으로 예상되는 한편, 10 mg만큼 낮은 용량의 OMS646 (평균 사람에 대하여 0.15 mg/kg에 해당)은 사람 순환에서 렉틴 경로를 급성으로 차단하는데 있어서 효과적인 것으로 예상된다 (예를 들어, 적어도 1 내지 3일의 기간 동안). 더 큰 용량의 OMS646 (예를 들어, 100 mg 이상, 예를 들어, 적어도 200 mg, 적어도 300 mg, 적어도 400 mg, 적어도 500 mg 이상), 및 바람직하게 피하 (sc) 또는 근육 내 (im) 투여 루트를 효과적인 렉틴 경로 제거의 시간 창을 2주 및 바람직하게 4주로 더 연장하기 위해 이용할 수 있다. 예를 들어, 여기에서 실험 데이터에 나타난 바와 같이, 영장류에서 1 mg/kg OMS646의 용량은 1일 동안 렉틴 경로의 억제를 일으켰고, OMS646의 3 mg/kg 용량은 약 3일 (72시간) 동안 렉틴 경로의 억제를 일으켰다. 그러므로, 7 내지 10 mg/kg의 더 큰 용량은 약 7일의 기간 동안 렉틴 경로를 억제하는데 효과적일 것으로 추정된다. 여기에 나타난 바와 같이, OMS646은 원숭이 MASP-2에 비해 사람 MASP-2에 대하여 5-10배 더 큰 힘을 갖는다. 비슷한 약물동력학을 가정하면, 사람에서 효과적인 렉틴 경로 제거를 달성하기 위한 예상된 용량 범위는 하기 표 30에 나타난다. 표 30: 생체 내 렉틴 경로를 억제하는 OMS646 투여본 발명의 바람직한 구체예가 예시되고 설명되는 한편, 본 발명의 사상 및 범위로부터 벗어나지 않고 다양한 변화가 이루어질 수 있다는 것이 인정될 것이다.
본 발명은 MASP-2 의존적 보체 활성화의 부작용을 억제하는데 사용되는 항-MASP-2 억제 항체 및 이러한 항체를 포함하는 조성물에 관한 것이다.
[ 발명의 명칭 ] 스파크 플러그의 제조 방법METHOD FOR MANUFACTURING SPARK PLUG [ 기술분야 ] 본 발명은, 스파크 플러그의 제조 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 일반적으로, 스파크 플러그는, 그 선단측에 중심 전극과 접지 전극을 갖고, 그 후단측에 전력의 공급을 받기 위한 단자 금구를 갖고 있다. 단자 금구는 절연체의 후단으로부터 돌출되어 있고, 절연체는 주체 금구의 내부에 수용되어 유지되어 있다. 스파크 플러그의 제조 공정에서는, 절연체를 통상의 주체 금구의 내부에 삽입하고, 주체 금구의 후단에 있는 피크림프부를 크림핑하여 절연체를 고정시키는 크림핑 공정이 실시된다 (예를 들어 특허문헌 1). 주체 금구는, 피크림프부보다 선단측에 후육 (厚肉) 의 공구 걸어 맞춤부와 박육 (薄肉) 의 피좌굴부 (「박육부」라고도 부른다) 를 갖고 있고, 크림핑 공정에서는 이 피좌굴부가 좌굴된다. 또한, 크림핑 공정은 크림핑 프레스기를 사용하여 실시되기 때문에,「크림핑 프레스 공정」이라고도 불린다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 공개특허공보 2013-101805호 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 크림핑 프레스 공정에 있어서의 피좌굴부의 좌굴량은, 절연체와 주체 금구의 고정 상태, 및 단자 금구와 주체 금구의 위치 관계를 결정하는 큰 요인이기 때문에, 스파크 플러그의 성능 (특히 내구성이나 착화성) 에 큰 영향을 미친다. 따라서, 크림핑 프레스 공정에 있어서의 좌굴량을, 미리 정해진 목표 좌굴량에 가능한 한 가깝게 하는 것이 요망되고 있다. 또, 이 좌굴량은, 크림핑 프레스 공정에 있어서 주체 금구의 피크림프부에 가압되는 크림핑 프레스기의 지그 (「크림핑 지그」라고 부른다) 의 이동량에 직접적으로 의존한다. 따라서, 크림핑 프레스 공정에서는, 크림핑 지그의 이동 거리를, 미리 정해진 목표 이동 거리에 가능한 한 가깝게 하는 것이 요망되고 있다. 특히, 이른바 절연체 마크 직경 (주체 금구의 후단 위치에 있어서의 절연체의 외경) 이 작은 소직경 스파크 플러그에서는, 주체 금구의 피크림프부의 두께가 얇기 때문에, 상기 서술한 과제가 특히 중요하다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명은, 상기 서술한 과제를 해결하기 위하여 이루어진 것으로서, 이하의 형태로서 실현하는 것이 가능하다.(1) 본 발명의 일 형태에 의하면, 후단에 피크림프부를 가짐과 함께 상기 피크림프부보다 선단측에 공구 걸어 맞춤부와 피좌굴부를 갖는 통상의 주체 금구의 내부에, 절연체를 삽입한 상태에서, 크림핑 프레스기를 사용하여 상기 피크림프부를 크림핑하여 상기 절연체를 고정시킴과 함께 상기 피좌굴부를 좌굴시키는 크림핑 프레스 공정을 구비하는 스파크 플러그의 제조 방법이 제공된다. 상기 크림핑 프레스 공정은 : (1) 상기 크림핑 프레스기의 크림핑 지그를 상기 피크림프부에 접촉 전진시키고, 상기 크림핑 프레스기의 압력 센서에 의해 검출되는 상기 크림핑 지그의 하중을 설정 접촉 하중에 도달시키는 공정과 ; (2) 상기 공정 (1) 의 후, 상기 크림핑 지그를 더욱 설정 거리에 걸쳐서 전진시킨 후에 정지시키고, 상기 크림핑 지그를 정지 상태로 유지하는 좌굴 공정 ; 을 포함한다. 이 방법은, 상기 공정 (1) 에 있어서의 상기 크림핑 지그의 과이동인 제 1 오버슈트량과, 상기 공정 (2) 에 있어서의 상기 크림핑 지그의 과이동인 제 2 오버슈트량의 적어도 일방에 기초하여, 상기 설정 접촉 하중과 상기 설정 거리 중 적어도 일방을 조정함으로써, 상기 크림핑 지그가 상기 피크림프부에 접촉하고 나서 상기 정지 상태에 이를 때까지의 목표 이동 거리와, 상기 크림핑 지그의 실제 이동 거리의 차를 저감시키는 것을 특징으로 한다.이 방법에 의하면, 제 1 오버슈트량과 제 2 오버슈트량의 적어도 일방에 기초하여, 설정 접촉 하중과 설정 거리 중 적어도 일방을 조정함으로써, 크림핑 지그의 목표 이동 거리와 실제 이동 거리의 차를 저감시키기 때문에, 크림핑 지그의 이동 거리를, 미리 정해진 목표 이동 거리에 가깝게 할 수 있다.(2) 상기 방법에 있어서, 상기 제 1 오버슈트량의 실측값 또는 추정값과, 상기 제 2 오버슈트량의 추정값 중 적어도 하나를 상기 설정 거리로부터 감산하는 설정 거리 조정을 실시함으로써, 상기 목표 이동 거리와 상기 실제 이동 거리의 차를 저감시키는 것으로 해도 된다.이 방법에 의하면, 제 1 오버슈트량과 제 2 오버슈트량의 적어도 일방의 값을 설정 거리로부터 감산하기 때문에, 크림핑 지그의 이동 거리를 목표 이동 거리에 가깝게 할 수 있다.(3) 상기 방법에 있어서, 상기 제 1 오버슈트량의 과거의 실측값으로부터 산출된 추정값을 상기 설정 거리로부터 감산함으로써 상기 설정 거리 조정을 실시하는 것으로 해도 된다.이 방법에 의하면, 크림핑 프레스 공정에서 처리 중인 개개의 워크에 관한 제 1 오버슈트량을 즉시 구하여 고속으로 제어 처리를 실시할 필요가 없다.(4) 상기 방법에 있어서, 상기 제 1 오버슈트량의 상기 추정값은 상기 제 1 오버슈트량의 과거의 실측값으로부터 산출된 평균값인 것으로 해도 된다.이 방법에 의하면, 제 1 오버슈트량에 상당한 편차가 있는 경우에도, 설정 거리를 적절히 조정하는 것이 가능하다.(5) 상기 방법에 있어서, 상기 공정 (1) 에 있어서 상기 크림핑 지그가 상기 피크림프부에 접촉할 때의 상기 크림핑 지그의 이동 속도와, 상기 제 1 오버슈트량의 과거의 실측값 사이의 관계에 기초하여, 상기 공정 (1) 에 있어서의 상기 크림핑 지그의 현실의 당해 이동 속도로부터 상기 제 1 오버슈트량의 상기 추정값을 결정하는 것으로 해도 된다.이 방법에 의하면, 크림핑 지그의 현실의 이동 속도로부터 제 1 오버슈트량을 적절히 추정할 수 있다.(6) 상기 방법에 있어서, 상기 제 2 오버슈트량의 과거의 실측값으로부터 산출된 추정값을 상기 설정 거리로부터 감산함으로써 상기 설정 거리 조정을 실시하는 것으로 해도 된다.이 방법에 의하면, 제 2 오버슈트량에 상당한 편차가 있는 경우에도, 설정 거리를 적절히 조정하는 것이 가능하다.(7) 상기 방법에 있어서, 상기 제 2 오버슈트량의 상기 추정값은 상기 제 2 오버슈트량의 과거의 실측값의 평균값인 것으로 해도 된다.이 방법에 의하면, 제 2 오버슈트량에 상당한 편차가 있는 경우에도, 설정 거리를 적절히 조정하는 것이 가능하다.(8) 상기 방법에 있어서, 상기 공정 (2) 에 있어서 상기 크림핑 지그가 상기 피좌굴부를 좌굴시킬 때의 상기 크림핑 지그의 이동 속도와, 상기 제 2 오버슈트량의 과거의 실측값 사이의 관계에 기초하여, 상기 공정 (2) 에 있어서의 상기 크림핑 지그의 현실의 당해 이동 속도로부터 상기 제 2 오버슈트량의 상기 추정값을 결정하는 것으로 해도 된다.이 방법에 의하면, 크림핑 지그의 현실의 이동 속도로부터 제 2 오버슈트량을 적절히 추정할 수 있다.(9) 상기 방법에 있어서, 상기 제 1 오버슈트량에 대응하는 상기 크림핑 지그의 과하중의 과거의 실측값에 기초하여 상기 제 1 오버슈트량에 대응하는 상기 크림핑 지그의 과하중의 추정값을 구하고,상기 크림핑 지그의 과하중의 상기 추정값을 상기 설정 접촉 하중으로부터 감산하는 접촉 하중 조정을 실시함으로써, 상기 목표 이동 거리와 상기 실제 이동 거리의 차를 저감시키는 것으로 해도 된다.이 방법에 의하면, 개개의 워크에 관한 과하중 (OL) 을 즉시 구하여 고속으로 제어 처리를 실시할 필요가 없다.(10) 상기 방법에 있어서, 상기 크림핑 지그의 과하중의 상기 추정값은, 상기 제 1 오버슈트량에 대응하는 상기 크림핑 지그의 과하중의 과거의 실측값의 평균값인 것으로 해도 된다.이 방법에 의하면, 크림핑 지그의 과하중에 상당한 편차가 있는 경우에도, 설정 접촉 하중을 적절히 조정하는 것이 가능하다.(11) 상기 방법에 있어서, 상기 공정 (1) 에 있어서 상기 크림핑 지그가 상기 피크림프부에 접촉할 때의 상기 크림핑 지그의 이동 속도와, 상기 제 1 오버슈트량에 대응하는 상기 크림핑 지그의 과하중의 과거의 실측값 사이의 관계에 기초하여, 상기 공정 (1) 에 있어서의 상기 크림핑 지그의 현실의 당해 이동 속도로부터 상기 크림핑 지그의 과하중의 상기 추정값을 결정하는 것으로 해도 된다.이 방법에 의하면, 크림핑 지그의 현실의 이동 속도로부터 크림핑 지그의 과하중을 적절히 추정할 수 있다.(12) 상기 방법에 있어서, 상기 주체 금구의 후단 위치에 있어서의 상기 절연체의 외경이 9 ㎜ 이하인 것으로 해도 된다.이 방법에 의하면, 절연체의 외경이 9 ㎜ 이하인 소직경 스파크 플러그에 있어서, 크림핑 지그의 이동 거리를 목표 이동 거리에 가깝게 하는 것이 가능하다.또한, 본 발명은, 여러 가지 양태로 실현하는 것이 가능하다. 예를 들어, 스파크 플러그의 제조 방법, 스파크 플러그의 제조 장치, 제조 시스템 등의 형태로 실현할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 의해 제조되는 스파크 플러그의 전체 구성을 나타내는 설명도.도 2 는 크림핑 프레스기의 구성예를 나타내는 설명도.도 3 은 크림핑 프레스 공정의 순서를 나타내는 플로차트.도 4 는 크림핑 프레스 공정에 있어서의 주체 금구와 절연체의 상태를 나타내는 설명도.도 5 는 이상적인 크림핑 프레스 공정에 있어서의 크림핑 지그의 상하 위치와 하중의 변화를 나타내는 그래프.도 6 은 현실의 크림핑 프레스 공정에 있어서의 크림핑 지그의 상하 위치와 하중의 변화를 나타내는 그래프.도 7 은 설정 거리 조정 방법 1 의 동작을 나타내는 설명도.도 8 은 설정 거리 조정 방법 3 에 있어서의 오버슈트량의 추정값의 결정 방법의 예를 나타내는 그래프.도 9 는 설정 접촉 하중 조정 방법 2 에 있어서의 오버슈트 하중의 추정값의 결정 방법의 예를 나타내는 그래프. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 의해 제조되는 스파크 플러그 (100) 의 전체 구성을 나타내는 설명도이다. 여기서는, 축선 (O) 의 우측에 스파크 플러그 (100) 의 외관을 나타내고, 축선 (O) 의 좌측에 스파크 플러그 (100) 를 축선 (O) 을 통과하는 면에서 절단한 단면 (斷面) 을 나타내고 있다. 도 1 의 하측 (발화부측) 을 스파크 플러그 (100) 의 선단측이라고 부르고, 상측 (단자측) 을 후단측이라고 부른다. 스파크 플러그 (100) 는, 절연체 (10) 와, 주체 금구 (50) 와, 중심 전극 (20) 과, 접지 전극 (30) 과, 단자 금구 (40) 를 구비하고 있다.절연체 (10) 는, 축선 (O) 을 따라 연장되는 축공 (12) 이 형성된 통상체이다. 절연체 (10) 의 축선 방향 (OD) 의 대략 중앙에는, 외경이 가장 큰 플랜지부 (19) 가 형성되어 있고, 그것보다 후단측에는 후단측 동체부 (18) 가 형성되어 있다. 후단측 동체부 (18) 에는, 표면 길이를 길게 하여 절연성을 높이기 위한 주름부 (11) (「코르게이션」이라고도 부른다) 가 형성되어 있다. 플랜지부 (19) 보다 선단측에는, 후단측 동체부 (18) 보다 외경이 작은 선단측 동체부 (17) 가 형성되어 있다. 선단측 동체부 (17) 보다 더욱 선단측에는, 선단측 동체부 (17) 보다 외경이 작은 레그부 (13) 가 형성되어 있다. 레그부 (13) 는, 선단측일수록 외경이 작아진다. 이 레그부 (13) 는, 스파크 플러그 (100) 가 내연 기관의 엔진 헤드 (200) 에 장착되었을 때에는, 내연 기관의 연소실 내에 노출된다. 레그부 (13) 와 선단측 동체부 (17) 사이에는 단부 (斷部) (15) 가 형성되어 있다.중심 전극 (20) 은, 절연체 (10) 의 선단측으로부터 후단측을 향하여 축선 (O) 을 따라 연장되어 있고, 절연체 (10) 의 선단측에 있어서 노출되어 있다. 중심 전극 (20) 은, 전극 모재 (21) 의 내부에 심재 (25) 를 매설한 구조를 갖는 봉상의 전극이다. 축공 (12) 내에 있어서, 중심 전극 (20) 은, 시일체 (4) 및 세라믹 저항 (3) 을 개재하여, 절연체 (10) 의 후단측에 형성된 단자 금구 (40) 에 전기적으로 접속되어 있다.주체 금구 (50) 는, 저탄소강재로 형성된 통상의 금구이며, 절연체 (10) 를 내부에 수용하여 유지하고 있다. 절연체 (10) 의 후단측 동체부 (18) 의 일부로부터 레그부 (13) 에 걸친 부위는, 주체 금구 (50) 에 의해 둘러싸여 있다. 주체 금구 (50) 는, 공구 걸어 맞춤부 (51) 와, 장착 나사부 (52) 를 구비하고 있다. 공구 걸어 맞춤부 (51) 는, 스파크 플러그 렌치 (도시 생략) 를 끼워 맞추는 부위이며, 본 실시형태에서는, 축선 방향 (OD) 에서 본 경우에 육각형의 형상을 갖고 있다. 장착 나사부 (52) 는, 스파크 플러그 (100) 를 엔진 헤드 (200) 에 장착하기 위하여 나사산이 형성된 부위이며, 내연 기관의 상부에 형성된 엔진 헤드 (200) 의 장착 나사 구멍 (201) 에 나사 결합한다.주체 금구 (50) 의 공구 걸어 맞춤부 (51) 와 장착 나사부 (52) 사이에는, 직경 방향 외측으로 팽출되는 플랜지상의 플랜지부 (54) 가 형성되어 있다. 장착 나사부 (52) 와 플랜지부 (54) 사이의 나사목 (59) 에는, 판체를 절곡하여 형성한 환상의 개스킷 (5) 이 끼워 넣어져 있다. 이 개스킷 (5) 의 변형에 의해, 스파크 플러그 (100) 와 엔진 헤드 (200) 사이가 봉지되고, 장착 나사 구멍 (201) 을 통한 연소 가스의 누출이 억제된다.주체 금구 (50) 의 공구 걸어 맞춤부 (51) 보다 후단측에는, 박육의 피크림프부 (53) 가 형성되어 있다. 이 피크림프부 (53) 는, 크림핑 프레스 공정에 의해 크림핑된 부분이다. 공구 걸어 맞춤부 (51) 보다 후단측으로서 피크림프부 (53) 보다 선단측에는, 경사면 (51f) 이 형성되어 있다. 플랜지부 (54) 와 공구 걸어 맞춤부 (51) 사이에는, 박육의 피좌굴부 (58) 가 형성되어 있다. 주체 금구 (50) 의 공구 걸어 맞춤부 (51) 로부터 피크림프부 (53) 에 걸친 내주면과, 절연체 (10) 의 후단측 동체부 (18) 의 외주면 사이에는, 원환상의 링 부재 (6, 7) 가 삽입되어 있다. 또한, 양 링 부재 (6, 7) 사이에는, 기밀 (氣密) 을 유지하기 위한 충전재로서, 탤크 (활석) (9) 의 분말이 충전되어 있다. 후술하는 크림핑 프레스 공정에서는, 크림핑 프레스기의 크림핑 지그를 사용하여 피크림프부 (53) 를 내측으로 절곡하여 크림핑함으로써, 주체 금구 (50) 와 절연체 (10) 가 고정된다. 또, 이 크림핑 프레스 공정에서는 피좌굴부 (58) 도 좌굴한다. 크림핑 프레스 공정은, 냉간으로도 열간으로도 실시할 수 있다. 주체 금구 (50) 와 절연체 (10) 사이의 기밀성은, 주체 금구 (50) 의 내주면에 형성된 단부 (56) 와, 절연체 (10) 의 단부 (15) 사이에 개재하는 환상의 판 패킹 (8) 에 의해 유지되고, 연소 가스의 누출이 방지된다. 피좌굴부 (58) 는, 크림핑시에, 압축력의 부가에 수반하여 외향으로 휨 변형하도록 구성되어 있고, 탤크 (9) 의 압축 길이를 확보하여 주체 금구 (50) 내의 기밀성을 높이고 있다. 또한, 본 명세서에서는, 주체 금구 (50) 의 후단 부분 중에서 크림핑 가공되는 박육부를, 크림핑 프레스 공정의 전후 중 어느 것에 있어서도「피크림프부 (53)」라고 부른다. 또, 공구 걸어 맞춤부 (51) 의 선단측에 형성된 박육부로서 크림핑 프레스 공정에 있어서 좌굴하는 부분을, 크림핑 프레스 공정의 전후 중 어느 것에 있어서도「피좌굴부 (58)」라고 부른다.주체 금구 (50) 의 선단부 (端部) 에는, 굴곡된 접지 전극 (30) 이 접합되어 있다. 접지 전극 (30) 의 선단부 (33) 는, 중심 전극 (20) 과 대향하고 있다. 중심 전극 (20) 과 접지 전극 (30) 에는, 각각 귀금속칩 (90, 95) 이 장착되어 있다. 단, 귀금속칩 (90, 95) 은 생략 가능하다.도 2 는, 스파크 플러그 (100) 의 크림핑 프레스 공정에 사용되는 크림핑 프레스기의 구성예를 나타내는 설명도이다. 이 크림핑 프레스기 (500) 는, 구동 장치 (510) 와, 로드 셀 (520) (하중 센서) 과, 크림핑 지그 (530) 와, 리니어 스케일 (540) (위치 센서) 과, 제어 장치 (550) 를 구비하고 있다. 크림핑 지그 (530) 는, 구동 장치 (510) 에 의해 상하 방향으로 이동 가능하고, 주체 금구 (50) 의 후단에 있는 피크림프부 (53) 를 하방으로 가압하는 지그이다. 크림핑 지그 (530) 에 가해지는 하중은, 로드 셀 (520) 에 의해 측정된다. 또, 크림핑 지그 (530) 의 상하 방향의 이동 거리는, 리니어 스케일 (540) 에 의해 측정된다. 로드 셀 (520) 의 출력 (Q520) (크림핑 지그 (530) 의 하중) 과, 리니어 스케일 (540) 의 출력 (Q540) (크림핑 지그 (530) 의 위치) 은, 제어 장치 (550) 에 부여된다. 제어 장치 (550) 는, 구동 장치 (510) 에 구동 신호 (DRV) 를 공급함으로써, 크림핑 지그 (530) 를 상하 방향으로 이동시킨다. 후술하는 바와 같이, 제어 장치 (550) 는, 센서 (520, 540) 의 출력 (Q520, Q540) 을 이용하여, 구동 신호 (DRV) 를 적절히 수정하는 것이 가능하다.도 3 은, 스파크 플러그의 제조 공정에 있어서의 크림핑 프레스 공정의 순서를 나타내는 플로차트이다. 도 4 는, 크림핑 프레스 공정에 있어서의 주체 금구 (50) 와 절연체 (10) 의 상태를 나타내는 설명도이다.공정 S100 (도 3) 에서는, 주체 금구 (50) 와 절연체 (10) 를 고정시키는 공정에 앞서, 주체 금구 (50) 의 내부에 절연체 (10) 가 삽입된 상태의 부재 (「워크」라고도 부른다) 를 준비한다 (도 4(A)). 크림핑 지그 (530) 는 통상이며, 테이퍼상으로 형성된 테이퍼면 (534) 과, 테이퍼면 (534) 의 후단측에 형성된 만곡부 (532) 를 갖고 있다.공정 S200 에서는, 크림핑 지그 (530) 의 만곡부 (532) 를, 주체 금구 (50) 의 피크림프부 (53) 에 접촉시킨다 (도 4(B)). 이 때, 주체 금구 (50) 의 경사면 (51f) 에는, 크림핑 지그 (530) 의 테이퍼면 (534) 은 접촉하고 있지 않고, 주체 금구 (50) 의 피크림프부 (53) 가, 선단측으로부터 약간 변형된다.공정 S300 에서는, 크림핑 지그 (530) 를 더욱 전진시켜 피좌굴부 (58) 를 좌굴시키고, 이 상태로 일정 시간 유지한다 (도 4(C)). 이 때, 크림핑 지그 (530) 의 테이퍼면 (534) 은, 주체 금구 (50) 의 경사면 (51f) 에 접촉하고 있고, 주체 금구 (50) 를 강하게 하방으로 가압하기 때문에, 피좌굴부 (58) 를 좌굴시킬 수 있다. 공정 S300 을 끝내면, 크림핑 지그 (530) 를 후퇴시켜, 워크 (절연체 (10) 와 주체 금구 (50)) 를 해방한다. 그리고, 접지 전극 (30) 을 중심 전극 (20) 에 대향시키도록 만곡시키는 공정 등의 다음 제조 공정으로 이행한다.도 5 는, 이상적인 크림핑 프레스 공정에 있어서의 크림핑 지그 (530) 의 상하 위치와 하중의 변화를 나타내는 그래프이다. 가로축은 시간 경과이며, 이 예에서는, 다음의 5 개의 공정으로 나누어져 있다. (1) 어프로치 공정 : 이 공정은, 크림핑 지그 (530) 를, 워크 (절연체 (10) 와 주체 금구 (50)) 의 상방으로 퇴피한 작업 원점으로부터, 워크에 접촉하는 앞쪽의 위치 (로케이팅 개시 위치) 까지 고속으로 이동시키는 공정이다. (2) 로케이팅 공정 : 이 공정은, 크림핑 지그 (530) 를 저속으로 이동시킴으로써, 주체 금구 (50) 의 피크림프부 (53) 에 접촉시키는 공정이다. 이 로케이팅 공정의 도중에 있어서, 크림핑 지그 (530) 가 피크림프부 (53) 에 접촉한다. 로케이팅 공정의 종점은, 도 4(B) 의 상태에 대응하고 있고, 로드 셀 (520) 에 의해 검출되는 하중 (접촉 하중) 이, 미리 설정된 설정 접촉 하중 (Lt) 까지 도달하고 있다. 이 설정 접촉 하중 (Lt) 은, 크림핑 지그 (530) 가 피크림프부 (53) 에 접촉한 상태를 검출하기 위한 하중이며, 제로보다 약간 큰 값으로 설정된다. (3) 가압 구동 공정 : 이 공정은, 로케이팅 공정보다 높은 속도로 크림핑 지그 (530) 를 더욱 전진 (도 2 에서는 하강) 시켜, 피크림프부 (53) 를 크림핑함과 함께 피좌굴부 (58) 를 좌굴시키는 공정이다. 또한, 크림핑 지그 (530) 는, 로케이팅 공정의 종점에서 정지하지 않고 그대로 가압 구동 공정으로 추이한다. 가압 구동 공정에서는, 크림핑 지그 (530) 가 미리 설정된 목표 이동 거리 (At) 만큼 이동한다. 가압 구동 공정의 종점은, 도 4(C) 의 상태에 대응하고 있다. 「목표 이동 거리 (At)」는, 가압 구동 공정에 있어서 크림핑 지그 (530) 가 이동하는 거리의 목표값이다. 또, 이「목표 이동 거리 (At)」는, 로케이팅 공정에 있어서 크림핑 지그 (530) 가 피크림프부 (53) 에 접촉하고 나서 가압 구동 공정의 마지막에 정지할 때까지 사이에 크림핑 지그 (530) 가 이동하는 거리의 목표값이다. 즉, 이상적인 동작에서는, 로케이팅 공정에 있어서의 과이동 (후술하는 제 1 오버슈트량) 이 제로이기 때문에, 가압 구동 공정 단독의 목표 이동 거리 (At) 와, 로케이팅 공정 및 가압 구동 공정의 양 공정에 걸친 목표 이동 거리 (At) 는 동등하다. 후술하는 현실의 동작에 있어서는, 현실의 이동 거리를, 이상적인 동작에 있어서의「목표 이동 거리 (At)」에 가능한 한 가깝게 하는 것이 요망된다. (4) 정지 공정 : 이 공정은, 크림핑 지그 (530) 를 정지시킨 상태로 유지함으로써, 피좌굴부 (58) 를 확실하게 좌굴시키는 공정이다. 상기 가압 구동 공정과 정지 공정을 합한 공정을「좌굴 공정」이라고도 부른다. (5) 복귀 공정 : 이 공정은, 크림핑 지그 (530) 를 작업 원점까지 후퇴시킴으로써, 워크를 해방하는 공정이다. 이들 5 개의 공정을 갖는 크림핑 프레스 공정을 실행함으로써, 피크림프부 (53) 의 크림핑과, 피좌굴부 (58) 의 좌굴을 실행할 수 있다. 또, 피좌굴부 (58) 를, 미리 설정된 목표 좌굴량만큼 좌굴시키는 것이 가능하다.도 6 은, 현실의 크림핑 프레스 공정에 있어서의 크림핑 지그 (530) 의 상하 위치와 하중의 변화를 나타내는 그래프이다. 여기서는, 이상적인 동작을 파선으로 그리고, 이상으로부터 벗어난 현실의 동작을 실선으로 그리고 있다. 현실의 로케이팅 공정의 종점 부근에 있어서, 크림핑 지그 (530) 가 설정 접촉 하중 (Lt) 의 위치에서는 로케이팅 공정이 종료되지 않고, 과하중 (OL) 만큼 설정 접촉 하중 (Lt) 보다 큰 하중의 위치에서 크림핑 지그 (530) 가 로케이팅 공정으로부터 가압 구동 공정으로 추이한다. 이 때의 과하중 (OL) 을「오버슈트 하중 (OL)」이라고도 부른다. 또, 현실의 로케이팅 공정의 종점에 있어서, 크림핑 지그 (530) 의 위치는, 이상적인 동작에 있어서의 로케이팅 공정의 종점 위치보다 미소한 거리 (OD1) 만큼 전진한 위치에 도달할 가능성이 있다. 이 과이동의 거리 (OD1) 는, 과하중 (OL) 에 대응하는 거리이며,「제 1 오버슈트량 (OD1)」이라고도 부른다. 또한, 도 6 에 있어서, 각 공정의 경계를 나타내는 파선은, 이상적인 동작에 관한 것이며, 현실의 동작에서는 각 공정의 경계는 이것으로부터 어긋난 것으로 되어 있다.로케이팅 공정 후의 가압 구동 공정에서는, 구동 장치 (510) 가 크림핑 지그 (530) 를 미리 설정된 목표 이동 거리 (At) 만큼 이동시킨다. 단, 현실의 가압 구동 공정의 종점에 있어서, 크림핑 지그 (530) 가, 가압 구동 공정의 개시 위치로부터 목표 이동 거리 (At) 만큼 이동한 위치에서는 정지하지 않고, 더욱 미소한 거리 (OD2) 만큼 전진한 위치에 도달할 가능성이 있다. 이와 같은 과이동은, 가압 구동 공정에 있어서의 설정 거리 (As) (제어 장치 (550) 에 있어서의 설정값) 를, 목표 이동 거리 (At) 보다 약간 작은 값으로 설정한 경우에도 동일하게 발생할 가능성이 있다. 이들 경우에 있어서, 가압 구동 공정에 있어서의 과이동 (OD2), 즉, 가압 구동 공정에 있어서의 현실의 이동 거리로부터 목표 이동 거리 (At) 를 감산한 값 (OD2) 을「제 2 오버슈트 거리 (OD2)」또는「제 2 오버슈트량 (OD2)」이라고 부른다. 그 후에는, 이상적인 동작과 동일한 정지 공정 및 복귀 공정을 실시함으로써, 크림핑 프레스 공정이 종료된다.현실의 로케이팅 공정과 가압 구동 공정에 있어서, 만일, 상기 서술한 2 개의 오버슈트량 (OD1, OD2) 이 발생하면, 실제로 크림핑 지그 (530) 가 피크림프부 (53) 에 접촉한 위치로부터 가압 구동 공정의 종점까지의 사이에 크림핑 지그 (530) 가 이동하는 이동 거리 (Ar) 는, 목표 이동 거리 (At) 보다, 이들의 오버슈트량 (OD1, OD2) 의 합 (OD1 ＋ OD2) 만큼 큰 값이 된다. 그 결과, 피좌굴부 (58) 의 좌굴량이, 미리 정해진 목표 좌굴량보다 상당히 커질 가능성이 있다. 이 문제는, 2 개의 오버슈트량 (OD1, OD2) 의 일방만이 발생하는 경우 (타방을 무시할 수 있을 정도로 작은 경우) 에도 동일하게 발생한다.그래서, 본 실시형태에서는, 제 1 오버슈트량 (OD1) 과 제 2 오버슈트량 (OD2) 의 적어도 일방에 기초하여, 로케이팅 공정에 있어서의 설정 접촉 하중 (Lt) 과, 가압 구동 공정에 있어서의 설정 거리 (As) 중 적어도 일방을 조정한다. 그리고, 이 조정에 의해, 크림핑 지그 (530) 가 피크림프부 (53) 에 접촉하고 나서 정지 공정에 이를 때까지의 목표 이동 거리 (At) 와, 크림핑 지그 (530) 의 실제 이동 거리 (Ar) 의 차를 저감시킨다. 그 결과, 피좌굴부 (58) 의 현실의 좌굴량을, 미리 정해진 목표 좌굴량에 가깝게 하는 것이 가능해진다. 구체적인 조정 방법은, 예를 들어 이하와 같다.003c#설정 거리 (As) 의 조정 방법003e#(1) 설정 거리 조정 방법 1 : 로케이팅 공정에 있어서의 제 1 오버슈트량 (OD1) 의 실측값을, 그 직후의 가압 구동 공정에 있어서의 설정 거리 (As) 로부터 감산함으로써, 새로운 설정 거리 (As － OD1) 를 구한다. 여기서,「제 1 오버슈트량 (OD1) 의 실측값」이란, 로케이팅 공정에 있어서의 과하중 (OL) 에 대응하는 거리 (OD1) 를 의미하고 있다 (도 6). 즉, 제 1 오버슈트량 (OD1) 의 실측값은, 로드 셀 (520) 에 의해 측정된 하중이 설정 접촉 하중 (Lt) 에 도달한 시점에 있어서의 리니어 스케일 (540) 의 제 1 측정값과, 과하중 (OL) 에 도달한 시점에 있어서의 리니어 스케일 (540) 의 제 2 측정값의 차분으로서 결정된다. 또한, 조정 전의 설정 거리 (As) 는, 목표 이동 거리 (At) 와 동등한 값, 또는 목표 이동 거리 (At) 보다 약간 작은 값으로 설정되는 것이 보통이다.도 7(A) 는, 설정 거리 조정 방법 1 에 의한 조정 전의 동작을 나타내고 있고, 도 7(B) 는 조정 후의 동작을 나타내고 있다. 단, 도 7(A), (B) 에서는, 도시의 편의상 가압 구동 공정까지의 동작만을 그리고 있다. 조정 전의 동작은, 도 6 에 나타낸 것과 동일하다. 일방의 조정 후의 동작에서는, 가압 구동 공정에 있어서의 설정 거리 (As) 로부터, 제 1 오버슈트량 (OD1) 의 실측값을 감산한 값 (As － OD1) 을 새로운 설정 거리로서 사용하여, 그 워크에 대한 가압 구동 공정을 실행하고 있다. 이 설정 거리 조정 방법 1 에서는, 개개의 워크의 크림핑 프레스 공정에 있어서, 그 로케이팅 공정에 있어서의 제 1 오버슈트량 (OD1) 의 실측값을, 그 직후에 있어서의 가압 구동 공정에 있어서의 설정 거리 (As) 로부터 감산하기 때문에, 개개의 워크에 관한 제 1 오버슈트량 (OD1) 의 영향을 해소하여, 크림핑 지그 (530) 의 현실의 이동 거리를 목표 이동 거리 (At) 에 가깝게 하는 것이 가능하다. 단, 설정 거리 조정 방법 1 에서는, 센서 (520, 540) 의 출력 (Q520, Q540) 을 받은 제어 장치 (550) 가, 즉시 조정 후의 설정 거리 (As － OD1) 를 나타내는 구동 신호 (DRV) 를 구동 장치 (510) 에 공급하는 것이 가능하도록, 신속한 처리를 실시할 수 있는 프레스 설비를 이용한다.(2) 설정 거리 조정 방법 2 : 로케이팅 공정에 있어서의 제 1 오버슈트량 (OD1) 의 과거의 실측값으로부터 산출된 평균값 (OD1ave) 을 설정 거리 (As) 로부터 감산함으로써, 새로운 설정 거리 (As － OD1ave) 를 구한다. 여기서,「평균값 (OD1ave)」으로는, 동일한 품번 (또는 형번) 의 스파크 플러그용의 워크 (절연체 (10) 와 주체 금구 (50)) 에 대한 실측값으로부터 산출된 평균값을 사용하는 것이 바람직하다. 특히, 가장 최근의 소정 기간 (예를 들어 가장 가까운 1 시간) 에 걸친 평균값이나, 혹은 가장 최근의 소정 개수 (예를 들어 가장 가까운 20 개) 에 걸친 평균값을 사용하는 것이 바람직하다. 이것들은, 이른바「이동 평균」이며, 크림핑 프레스 공정의 환경의 변화를 반영한 적절한 평균값으로서 사용하는 것이 가능하다. 이들 점은, 과거의 실측값이나 평균값을 사용하는 다른 조정 방법 (후술) 에 있어서도 동일하다. 이 설정 거리 조정 방법 2 에 의하면, 제 1 오버슈트량 (OD1) 에 상당한 편차가 있는 경우에도, 설정 거리 (As) 를 적절히 조정하는 것이 가능하다. 또, 개개의 워크에 관한 제 1 오버슈트량 (OD1) 을 즉시 구하여 고속으로 제어 처리를 실시할 필요가 없기 때문에, 프레스 설비의 응답성이나 제어 장치 (550) 의 처리 속도가 느린 경우에도, 적절한 설정 거리 조정을 실시할 수 있다. 단, 새로운 품번 (또는 형번) 의 스파크 플러그용의 워크에 대해서는, 이 설정 거리 조정 방법 2 를 채용할 수 없기 때문에, 어느 정도의 개수의 워크에 대한 실측값이 얻어질 때까지는, 다른 조정 방법을 채용하는 것이 바람직하다. 이 점은, 과거의 실측값이나 평균값을 사용하는 다른 조정 방법 (후술) 에 있어서도 동일하다.(3) 설정 거리 조정 방법 3 : 로케이팅 공정에 있어서 크림핑 지그 (530) 가 피크림프부 (53) 에 접촉할 때의 크림핑 지그 (530) 의 이동 속도와, 제 1 오버슈트량 (OD1) 의 과거의 실측값 사이의 관계에 기초하여, 로케이팅 공정에 있어서의 크림핑 지그 (530) 의 현실의 이동 속도로부터 제 1 오버슈트량 (OD1) 의 추정값 (OD1pre) 을 결정하고, 이 추정값 (OD1pre) 을 설정 거리 (As) 로부터 감산함으로써, 새로운 설정 거리 (As － OD1pre) 를 구한다.도 8 은, 이 설정 거리 조정 방법 3 에 있어서의 오버슈트량 (OD1) 의 추정값 (OD1pre) 의 결정 방법의 예를 나타내는 그래프이다. 도 8 의 가로축은, 로케이팅 공정에 있어서 크림핑 지그 (530) 가 피크림프부 (53) 에 접촉할 때의 크림핑 지그 (530) 의 이동 속도를 나타내고, 세로축은, 제 1 오버슈트량 (OD1) 을 나타내고 있다. 또, 그래프 중의「X」마크는, 과거의 실측값을 나타내고 있다. 이 예에서는, 개개의 워크의 로케이팅 공정에 있어서의 크림핑 지그 (530) 의 현실의 이동 속도 (Va) 로부터, 제 1 오버슈트량 (OD1) 의 추정값 (OD1pre) 을 결정하고 있다. 이 설정 거리 조정 방법 3 에 의하면, 크림핑 지그 (530) 의 현실의 이동 속도로부터, 제 1 오버슈트량 (OD1) 을 적절히 추정할 수 있다. 또, 개개의 워크에 관한 제 1 오버슈트량 (OD1) 을 즉시 구하여 고속으로 제어 처리를 실시할 필요가 없기 때문에, 프레스 설비의 응답성이나 제어 장치 (550) 의 처리 속도가 느린 경우에도, 적절한 설정 거리 조정을 실시하는 것이 가능하다.또한, 상기 서술한 설정 거리 조정 방법 2 에서 사용한 제 1 오버슈트량 (OD1) 의 평균값 (OD1ave) 도, 현실의 제 1 오버슈트량 (OD1) 을 추정한 추정값의 일종이라고 생각할 수 있다. 이 의미에서는, 설정 거리 조정 방법 2, 3 은, 모두 제 1 오버슈트량 (OD1) 의 과거의 실측값으로부터 산출된 추정값을 설정 거리 (As) 로부터 감산함으로써, 새로운 설정 거리를 구하는 방법이라는 점에서 공통된다.(4) 설정 거리 조정 방법 4 : 가압 구동 공정에 있어서의 제 2 오버슈트량 (OD2) 의 과거의 실측값으로부터 산출된 평균값 (OD2ave) 을 설정 거리 (As) 로부터 감산함으로써, 새로운 설정 거리 (As － OD2ave) 를 구한다. 이 설정 거리 조정 방법 4 는, 상기 서술한 설정 거리 조정 방법 2 에 있어서의「제 1 오버슈트량 (OD1) 의 과거의 실측값으로부터 산출된 평균값 (OD1ave)」을「제 2 오버슈트량 (OD2) 의 과거의 실측값으로부터 산출된 평균값 (OD2ave)」으로 치환한 것이다. 따라서, 상기 서술한 설정 거리 조정 방법 2 와 동일한 효과를 갖고 있다. 또, 설정 거리 조정 방법 2 와 동일한 변형이 가능하다.(5) 설정 거리 조정 방법 5 : 가압 구동 공정에 있어서 크림핑 지그 (530) 가 피좌굴부 (58) 를 좌굴시킬 때의 크림핑 지그 (530) 의 이동 속도와, 제 2 오버슈트량 (OD2) 의 과거의 실측값 사이의 관계에 기초하여, 가압 구동 공정에 있어서의 크림핑 지그 (530) 의 현실의 이동 속도로부터 제 2 오버슈트량 (OD2) 의 추정값 (OD2pre) 을 결정하고, 이 추정값 (OD2pre) 을 설정 거리 (As) 로부터 감산함으로써, 새로운 설정 거리 (As － OD2pre) 를 구한다. 이 설정 거리 조정 방법 5 는, 상기 서술한 설정 거리 조정 방법 3 에 있어서의「제 1 오버슈트량 (OD1) 의 추정값 (OD1pre)」을「제 2 오버슈트량 (OD2) 의 추정값 (OD2pre)」으로 치환한 것이다. 따라서, 상기 서술한 설정 거리 조정 방법 3 과 동일한 효과를 갖고 있다. 또, 설정 거리 조정 방법 3 과 동일한 변형이 가능하다.또한, 상기 서술한 설정 거리 조정 방법 4 에서 사용한 제 2 오버슈트량 (OD2) 의 평균값 (OD2ave) 도, 현실의 제 2 오버슈트량 (OD2) 을 추정한 추정값의 일종이라고 생각할 수 있다. 이 의미에서는, 설정 거리 조정 방법 4, 5 는, 모두 제 2 오버슈트량 (OD2) 의 과거의 실측값으로부터 산출된 추정값을 설정 거리 (As) 로부터 감산함으로써, 새로운 설정 거리를 구하는 방법이라는 점에서 공통된다.또한, 통상적으로는, 제 1 오버슈트량 (OD1) 쪽이, 제 2 오버슈트량 (OD2) 보다 크다. 따라서, 제 1 오버슈트량 (OD1) 을 사용하는 설정 거리 조정 방법 2 나 설정 거리 조정 방법 3 쪽이, 제 2 오버슈트량 (OD2) 을 사용하는 설정 거리 조정 방법 4 나 설정 거리 조정 방법 5 보다 효과가 클 것으로 기대된다.상기 서술한 5 종류의 설정 거리 조정 방법 1 ∼ 5 중, 최초의 3 개의 설정 거리 조정 방법 1 ∼ 3 은, 제 1 오버슈트량 (OD1) 의 실측값 또는 추정값을 설정 거리 (As) 로부터 감산하는 방법인 점에서 공통된다. 또, 다른 2 개의 설정 거리 조정 방법 4, 5 는, 제 2 오버슈트량 (OD2) 의 추정값 (OD2pre) 을 설정 거리 (As) 로부터 감산하는 방법인 점에서 공통된다. 제 1 오버슈트량 (OD1) 과 제 2 오버슈트량 (OD2) 은, 서로 독립적으로 발생하기 때문에, 제 1 오버슈트량 (OD1) 의 실측값 또는 추정값을 이용하는 설정 거리 조정 방법 1 ∼ 3 중 어느 하나와, 제 2 오버슈트량 (OD2) 의 추정값을 이용하는 설정 거리 조정 방법 4, 5 중 어느 하나를 함께 이용하여, 설정 거리 (As) 를 실시하도록 해도 된다. 예를 들어, 설정 거리 조정 방법 1, 4 를 함께 이용하여, 로케이팅 공정에 있어서의 제 1 오버슈트량 (OD1) 의 실측값과, 가압 구동 공정에 있어서의 제 2 오버슈트량 (OD2) 의 과거의 실측값으로부터 산출된 평균값 (OD2ave) 의 양방을 설정 거리 (As) 로부터 감산함으로써, 새로운 설정 거리 (As － OD1 － OD2ave) 를 구할 수 있다. 이렇게 하면, 크림핑 지그 (530) 의 목표 이동 거리 (At) 와 현실의 이동 거리의 차를 더욱 작게 하는 것이 가능하다. 이와 같은 각종 설정 거리 조정 방법의 조합을 고려하면, 제 1 오버슈트량 (OD1) 의 실측값 또는 추정값과, 제 2 오버슈트량 (OD2) 의 추정값 중 적어도 일방을 설정 거리 (As) 로부터 감산함으로써, 크림핑 지그 (530) 의 목표 이동 거리 (At) 와 실제 이동 거리의 차를 저감시킨다는 조정 방법을 채용하는 것이 가능하다.003c#설정 접촉 하중 (Lt) 의 조정 방법003e#(1) 설정 접촉 하중 조정 방법 1 : 로케이팅 공정에 있어서의 제 1 오버슈트량 (OD1) 에 대응하는 크림핑 지그 (530) 의 과하중 (OL) 의 과거의 실측값으로부터 산출된 평균값 (OLave) 을 설정 접촉 하중 (Lt) 으로부터 감산함으로써, 새로운 설정 접촉 하중 (Lt － OLave) 을 구한다. 여기서,「평균값 (OLave)」으로는, 동일한 품번 (또는 형번) 의 스파크 플러그용의 워크 (절연체 (10) 와 주체 금구 (50)) 에 대한 실측값으로부터 산출된 평균값을 사용하는 것이 바람직하다. 특히, 가장 최근의 소정 기간 (예를 들어 가장 가까운 1 시간) 에 걸친 평균값이나, 혹은 가장 최근의 소정 개수 (예를 들어 가장 가까운 20 개) 에 걸친 평균값을 사용하는 것이 바람직하다. 이 설정 접촉 하중 조정 방법 1 에 의하면, 크림핑 지그 (530) 의 과하중 (OL) 에 상당한 편차가 있는 경우에도, 설정 접촉 하중 (Lt) 을 적절히 조정하는 것이 가능하다. 또, 개개의 워크에 관한 과하중 (OL) 을 즉시 구하여 고속으로 제어 처리를 실시할 필요가 없기 때문에, 프레스 설비의 응답성이나 제어 장치 (550) 의 처리 속도가 느린 경우에도, 적절한 설정 접촉 하중 조정을 실시할 수 있다. 단, 새로운 품번 (또는 형번) 의 스파크 플러그용의 워크에 대해서는, 이 설정 접촉 하중 조정 방법 1 을 채용할 수는 없기 때문에, 어느 정도의 개수의 워크에 대한 실측값이 얻어질 때까지는, 다른 조정 방법을 채용하는 것이 바람직하다.(2) 설정 접촉 하중 조정 방법 2 : 로케이팅 공정에 있어서 크림핑 지그 (530) 가 피크림프부 (53) 에 접촉할 때의 크림핑 지그 (530) 의 이동 속도와, 제 1 오버슈트량 (OD1) 에 대응하는 과하중 (OL) 의 과거의 실측값 사이의 관계에 기초하여, 로케이팅 공정에 있어서의 크림핑 지그 (530) 의 현실의 이동 속도로부터 크림핑 지그 (530) 의 과하중 (OL) 의 추정값 (OLpre) 을 결정하고, 이 추정값 (OLpre) 을 설정 접촉 하중 (Lt) 으로부터 감산함으로써, 새로운 설정 접촉 하중 (Lt － OLpre) 을 구한다.도 9 는, 이 설정 접촉 하중 조정 방법 2 에 있어서의 오버슈트 하중 (OL) 의 추정값 (OLpre) 의 결정 방법의 예를 나타내는 그래프이다. 도 9 의 가로축은, 로케이팅 공정에 있어서 크림핑 지그 (530) 가 피크림프부 (53) 에 접촉할 때의 크림핑 지그 (530) 의 이동 속도를 나타내고, 세로축은, 오버슈트 하중 (OL) 을 나타내고 있다. 또, 그래프 중의「X」마크는, 과거의 실측값을 나타내고 있다. 이 예에서는, 개개의 워크의 로케이팅 공정에 있어서의 크림핑 지그 (530) 의 현실의 이동 속도 (Va) 로부터, 오버슈트 하중 (OL) 의 추정값 (OLpre) 을 결정하고 있다. 이 설정 접촉 하중 조정 방법 2 에 의하면, 현실의 오버슈트 하중 (OL) 을 적절히 추정할 수 있기 때문에, 적절한 설정 접촉 하중 조정을 실시할 수 있고, 그 결과, 크림핑 지그 (530) 의 현실의 이동 거리를, 목표 이동 거리 (At) 에 가깝게 하는 것이 가능하다. 또, 개개의 워크에 관한 과하중 (OL) 을 즉시 구하여 고속으로 제어 처리를 실시할 필요가 없기 때문에, 프레스 설비의 응답성이나 제어 장치 (550) 의 처리 속도가 느린 경우에도, 적절한 설정 접촉 하중 조정을 실시하는 것이 가능하다.또한, 상기 서술한 설정 접촉 하중 조정 방법 1 에서 사용한 오버슈트 하중 (OL) 의 평균값 (OLave) 도, 현실의 오버슈트 하중 (OL) 을 추정한 추정값의 일종이라고 생각할 수 있다. 이 의미에서는, 설정 거리 조정 방법 1, 2 는, 모두 오버슈트 하중 (OL) 의 과거의 실측값으로부터 산출된 추정값을 설정 접촉 하중 (Lt) 으로부터 감산함으로써, 새로운 설정 접촉 하중을 구하는 방법이라는 점에서 공통된다.또한, 설정 접촉 하중 조정 방법 1 ∼ 2 의 어느 하나와, 제 2 오버슈트량 (OD2) 의 추정값 (OD2pre) 을 설정 거리 (As) 로부터 감산하는 상기 서술한 설정 거리 조정 방법 4 및 5 의 어느 하나를 적절히 조합하여 적용하는 것이 가능하다. 예를 들어, 설정 접촉 하중 조정 방법 1 을 이용하여, 로케이팅 공정에 있어서의 제 1 오버슈트량 (OD1) 에 대응하는 크림핑 지그 (530) 의 과하중 (OL) 의 과거의 실측값으로부터 산출된 평균값 (OLave) 을 설정 접촉 하중 (Lt) 으로부터 감산하여 새로운 설정 접촉 하중 (Lt － OLave) 을 구하고, 또한 설정 거리 조정 방법 4 를 이용하여, 가압 구동 공정에 있어서의 제 2 오버슈트량 (OD2) 의 과거의 실측값으로부터 산출된 평균값 (OD2ave) 을 설정 거리 (As) 로부터 감산함으로써 새로운 설정 거리 (As － OD2ave) 를 구해도 된다. 이렇게 하면, 크림핑 지그 (530) 의 목표 이동 거리 (At) 와 현실의 이동 거리의 차를 더욱 작게 하는 것이 가능하다. 따라서, 본 실시형태에 있어서는, 제 1 오버슈트량 (OD1) 과 제 2 오버슈트량 (OD2) 의 적어도 일방에 기초하여, 로케이팅 공정에 있어서의 설정 접촉 하중 (Lt) 과, 가압 구동 공정에 있어서의 설정 거리 (As) 중 적어도 일방을 조정하는 것이 가능하다. 그리고, 이 조정에 의해, 크림핑 지그 (530) 가 피크림프부 (53) 에 접촉하고 나서 정지 공정에 이를 때까지의 목표 이동 거리 (At) 와, 크림핑 지그 (530) 의 실제 이동 거리의 차를 저감시킬 수 있다. 그 결과, 피좌굴부 (58) 의 현실의 좌굴량을, 미리 정해진 목표 좌굴량에 가깝게 하는 것이 가능해진다.그런데, 크림핑 프레스 공정에 있어서의 크림핑 지그 (530) 의 목표 이동 거리 (At) 로부터의 어긋남이나, 피좌굴부 (58) 의 목표 좌굴량으로부터의 어긋남은, 특히, 절연체 마크 직경 (주체 금구 (50) 의 후단 위치에 있어서의 절연체 (10) 의 외경) 이 작은 소직경 스파크 플러그에 있어서 중요해진다. 그 이유는, 절연체 마크 직경이 작은 스파크 플러그에서는, 피크림프부 (53) 의 두께가 얇기 때문에, 목표 이동 거리 (At) 로부터의 어긋남이나, 피좌굴부 (58) 의 목표 좌굴량으로부터의 어긋남이 커지기 쉽기 때문이다. 이 의미에서는, 상기 서술한 각종 조정은, 절연체 마크 직경이 9 ㎜ 이하인 스파크 플러그에 적용하는 것이 바람직하다. 또한, 절연체 마크 직경의 9 ㎜ 는, 주체 금구 (50) 의 장착 나사부 (52) 의 나사 직경이 M12 인 것에 대응한다. 따라서, 상기 서술한 각종 조정은, 주체 금구 (50) 의 장착 나사부 (52) 의 나사 직경이 M12 이하인 스파크 플러그에 적용하는 것이 바람직하고, 특히 나사 직경이 M10 이하인 스파크 플러그에 적용하는 것이 바람직하다.·변형예또한, 이 발명은 상기 실시예나 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 여러 가지 양태에서 실시하는 것이 가능하다.·변형예 1 : 상기 실시형태에서는, 리니어 스케일 (540) 을 사용하여 크림핑 지그 (530) 의 이동 거리를 측정했지만, 리니어 스케일 이외의 위치 센서를 사용하여 크림핑 지그 (530) 의 이동 거리를 측정해도 된다. 또, 위치 센서를 사용하지 않고, 크림핑 지그 (530) 의 이동 거리를 결정해도 된다. 예를 들어, 구동 장치 (510) 가 펄스 모터 (스테핑 모터) 를 사용하고 있는 경우에는, 펄스 모터의 구동 펄스수에 기초하여 크림핑 지그 (530) 의 이동 거리를 결정하는 것이 가능하다.·변형예 2 : 스파크 플러그로는, 도 1 에 나타낸 것 이외의 여러 가지 구성을 갖는 스파크 플러그를 본 발명에 적용하는 것이 가능하다. [ 부호의 설명 ] 3 : 세라믹 저항4 : 시일체5 : 개스킷6 : 링 부재8 : 판 패킹9 : 탤크10 : 절연체11 : 주름부12 : 축공13 : 레그부15 : 단부17 : 선단측 동체부18 : 후단측 동체부19 : 플랜지부20 : 중심 전극21 : 전극 모재25 : 심재30 : 접지 전극33 : 선단부40 : 단자 금구50 : 주체 금구51 : 공구 걸어 맞춤부51f : 경사면52 : 장착 나사부53 : 피크림프부54 : 플랜지부56 : 단부58 : 피좌굴부 59 : 나사목90 : 귀금속칩100 : 스파크 플러그200 : 엔진 헤드201 : 장착 나사 구멍500 : 프레스기510 : 구동 장치520 : 로드 셀530 : 크림핑 지그532 : 만곡부534 : 테이퍼면540 : 리니어 스케일550 : 제어장치
크림핑 프레스 공정에 있어서의 크림핑 지그의 이동 거리를, 미리 정해진 목표 이동 거리에 가깝게 한다. 크림핑 프레스 공정은, (1) 크림핑 지그를 피크림프부에 접촉 전진시켜 크림핑 지그의 하중을 설정 접촉 하중에 도달시키는 공정과, (2) 크림핑 지그를 더욱 설정 거리에 걸쳐서 전진시킨 후에 정지시키는 좌굴 공정을 포함한다. 공정 (1) 에 있어서의 제 1 오버슈트량과, 공정 (2) 에 있어서의 제 2 오버슈트량의 적어도 일방에 기초하여, 설정 접촉 하중과 설정 거리 중 적어도 일방을 조정함으로써, 크림핑 지그의 목표 이동 거리와 실제 이동 거리의 차를 저감시킨다.
[ 발명의 명칭 ] 기지국 트랜시버와 모바일 트랜시버를 위한 빔포밍 장치, 방법 및 컴퓨터 프로그램BEAMFORMING APPARATUSES, METHODS AND COMPUTER PROGRAMS FOR A BASE STATION TRANSCEIVER AND A MOBILE TRANSCEIVER [ 기술분야 ] 실시예들은, 기지국 트랜시버와 모바일 트랜시버를 위한 빔포밍 장치, 방법, 및 컴퓨터 프로그램에 관한 것으로, 전적인 것은 아니지만 더욱 구체적으로는, 모바일 통신 시스템에서의 효율적인 빔포밍(beamforming)에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 본 절은 발명(들)의 더 나은 이해를 용이하게 하는 데 있어서 도움이 될 수 있는 양태들을 소개한다. 따라서, 본 절의 기재사항들은 이에 비추어 읽혀져야 하고 종래 기술에 해당하는 것 또는 종래 기술에 해당하지 않는 것에 대한 인정으로서 해석되어서는 안 된다.데이터 서비스에 대한 증가하는 수요에 따라, 무선 시스템은 더욱더 많은 대역폭과 더 높은 캐리어 주파수를 이용하는 경향이 있다. 예를 들어, 제5세대(5G) 무선 액세스는, 전형적으로는 펨토, 피코, 또는 메트로 셀 유형의 배치에서, mm-파 주파수를 포괄하여 멀티-Gbps 데이터 레이트를 제공할 것으로 예상된다. 자유 공간 전파 또는 경로 손실은 더 높은 주파수에서 증가하고 안테나 다이버시티를 활용함으로써 보상될 수 있다. 이것은 고이득 적응형 빔포밍(BF; BeamForming) 솔루션을 이용하여 달성될 수 있다. 적응형 빔-조향(beam-steering)은, 아날로그 위상 시프터에 의해, 완전히 디지털적으로, 예를 들어, 각각의 안테나에 완전 디지털 전송/수신 경로를 장착함으로써, 또는 하이브리드 디지털/아날로그 솔루션으로서, 예를 들어, 각각의 디지털 전송/수신 경로를 아날로그 위상 시프터를 통해 한 세트의 안테나에 접속함으로써 구현될 수 있다. 기지국 안테나 어레이는, 예를 들어, 8, 16, 32, 64 또는 그 이상의 안테나 요소들, 예를 들어, 작은 혼 안테나(horn antenna) 요소들을 포함할 수 있다.문서 US 2013/0301454 A1호는 아날로그 및 디지털 하이브리드 빔포밍을 이용한 통신 방법 및 장치를 기술한다. 문서 US 2013/0272263 A1호는, 기지국에 대한 무선 전송 섹터의 다수의 슬라이스에서 동기화 신호를 전송함으로써 기지국과 이동국 사이의 통신을 위한 시간, 주파수 및 공간 처리 파라미터를 선택하는 것을 개시하고 있다. [ 발명의 개요 ] 다양한 예시적 실시예들의 일부 양태를 강조하고 소개하기 위한 의도로서 이하의 요약에서 일부 간소화가 이루어질 수 있지만, 이러한 간소화는 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니다. 본 기술분야의 통상의 기술자가 본 발명의 개념을 이용하는 것을 허용하기에 적합한 바람직한 예시적 실시예의 상세한 설명이 이하의 절에서 후속될 것이다.다양한 실시예들은, 기지국 트랜시버를 위한 장치, 방법 및 컴퓨터 프로그램과, 모바일 트랜시버를 위한 장치, 방법 및 컴퓨터 프로그램을 제공한다. 실시예들은 기지국 트랜시버에 의한 모바일 트랜시버의 포착(acquisition)을 위한 효율적인 개념을 제공하여 사용자-특유의 빔포밍된 링크를 셋업할 수 있다. 실시예들은, 이러한 포착의 시작에서 이용가능할 수 있는 제한된 BF 이득으로 인해 중요하다고 간주될 수 있는 효율적인 포착을 mm-파 액세스 시스템에서 제공할 수 있다.실시예들은, 모바일 통신 시스템의 기지국 트랜시버에서 동작할 수 있는 장치를 제공한다. 이 장치는 전송 및/또는 수신 안테나에 대응할 수 있는 복수의 안테나에 대한 인터페이스들을 포함하는, 트랜시버 모듈을 포함한다. 트랜시버 모듈은 인터페이스들을 이용하여 복수의 안테나를 복수의 서브그룹으로 세분하도록 동작할 수 있다. 트랜시버 모듈은 또한, 서브그룹의 하나 이상의 안테나를 이용하여 제1 빔 패턴을 형성하도록 동작할 수 있다. 이 장치는, 트랜시버 모듈과 제1 빔 패턴을 이용하여 동기화 신호를 전송하도록 동작할 수 있는 제어 모듈을 더 포함한다. 제어 모듈은 또한, 트랜시버 모듈을 이용하여 모바일 트랜시버로부터 동기화 신호의 전송 이후에 응답 신호를 수신하도록 동작할 수 있다. 제어 모듈은 또한, 모바일 트랜시버로부터의 응답 신호에 기초하여 제2 빔 패턴을 판정하도록 동작할 수 있고, 제어 모듈은 제2 빔 패턴과 트랜시버 모듈을 이용하여 모바일 트랜시버에 신호를 전송하도록 동작할 수 있다. 제2 빔 패턴은 제1 빔 패턴보다 높은 안테나 이득을 가진다. 예를 들어, 제2 빔 패턴은 제1 빔 패턴보다 많은 안테나를 이용할 수 있다.실시예들은 기지국 트랜시버가 모바일 트랜시버로부터의 동기화 신호에 대한 응답의 수신 이후에 BF 이득을 증가시킬 수 있게 할 수 있다. 즉, 기지국 트랜시버는 감소된 BF 이득을 이용하여 모바일 트랜시버로부터 응답 신호를 수신하고 더 높은 이득 BF를 상기 응답에 의거할 수 있다.일부 실시예에서 안테나는 기지국 트랜시버의 섹터를 커버하는 개개의 빔 패턴을 이용할 수 있다. 제1 빔 패턴은 이 섹터의 서브섹터에 대응할 수 있다. 제어 모듈은 안테나의 개개의 빔 패턴이나 제1 빔 패턴을 이용하여 동기화 신호를 전송하도록 동작할 수 있다. 즉, 일부 실시예에서 동기화 신호는 섹터에서 또는 섹터 내의 서브섹터에서 전송될 수 있다. 일부 실시예는 서브섹터화를 이용하여 동기화 신호 및/또는 모바일 트랜시버로부터의 그 응답에 대해 BF 이득을 활용하는 것을 허용할 수 있다. 일부 실시예는, 모바일 트랜시버가 동기화 신호에 의해 상이한 서브섹터들을 구분할 수 있도록, 상이한 서브섹터들에서 상이한 동기화 신호들을 이용할 수 있다. 결국, 모바일 트랜시버는, 예를 들어, 서브섹터 특유의 무선 자원 상에서 응답 표시를 전송함으로써 상이한 응답 신호들을 이용할 수 있어서, 기지국 트랜시버는, 응답을 운반하는 무선 자원으로부터 모바일 트랜시버에 의해 어느 서브섹터의 동기화 신호가 수신되었는지를 판정할 수 있다. 실시예들은 효율적인 서브섹터 검출을 가능케할 수 있다.일부 실시예에서 제어 모듈은 안테나의 개개의 빔 패턴을 이용하여 동기화 신호를 전송하도록 동작할 수 있다, 예를 들어, 동기화 신호는 전체의 섹터에 걸쳐 전송될 수 있다. 예를 들어, 서브섹터들은, 응답 신호에 대해 적어도 일부 BF 이득이 실현될 수 있도록 모바일 트랜시버로부터 응답 신호를 수신하는데 이용될 수 있다. 일부 실시예에서 안테나는 기지국 트랜시버의 섹터를 커버하는 개개의 빔 패턴을 이용할 수 있다. 트랜시버 모듈은 섹터를 커버하는 서브섹터들을 포함하는 제1 세트의 빔 패턴을 형성하도록 동작할 수 있고 제1 빔 패턴은 이러한 서브섹터에 대응할 수 있다.일부 실시예에서 제어 모듈은 섹터의 복수의 서브섹터들에 대한 동기화 신호를 전송하도록 동작할 수 있다. 추가로 또는 대안으로서, 제어 모듈은, 모바일 트랜시버의 응답 신호의 최고 수신 신호 품질을 제공하는 서브섹터를 제1 세트의 빔 패턴으로부터 판정하도록 동작할 수 있다. 제어 모듈은 최고 수신 신호 품질을 갖는 서브섹터를 제1 빔 패턴으로서 선택하도록 동작할 수 있다. 즉, 제어 모듈은, 응답 신호에 대해 최고 수신 신호 품질을 갖는 서브섹터를 판정하고 이 서브섹터를 제1 빔 패턴으로서 선택하기 위하여 한 세트의 서브섹터들을 스캔할 수 있다. 실시예들은 효율적인 서브섹터 판정을 가능케 할 수 있다.제어 모듈은 제1 빔 패턴을 이용하여 모바일 트랜시버로부터 랜덤 액세스 프리앰블 신호(random access preamble signal)를 수신하도록 동작할 수 있다. 제어 모듈은 또한, 제1 빔 패턴을 이용하여 모바일 트랜시버에 랜덤 액세스 응답을 전송하고 모바일 트랜시버로부터 파일럿 신호를 수신하도록 동작할 수 있다. 제어 모듈은 또한, 파일럿 신호에 기초하여 제2 빔 패턴을 판정하고 제2 빔 패턴을 이용하여 후속 신호를 전송하도록 동작할 수 있다. 따라서, 일부 실시예에서, 모바일 트랜시버에 의해 전송되고 기지국에서 수신되는 파일럿 또는 기준 신호는 제2 빔 패턴을 판정하는데 이용될 수 있다.일부 실시예에서 제어 모듈은 제1 빔 패턴을 이용하여 모바일 트랜시버로부터 하나 이상의 랜덤 액세스 프리앰블 신호를 수신하도록 동작할 수 있다. 제어 모듈은 하나 이상의 랜덤 액세스 프리앰블 신호에 기초하여 제2 빔 패턴을 판정하고 제2 빔 패턴을 이용하여 모바일 트랜시버에 랜덤 액세스 응답을 전송하도록 동작할 수 있다. 따라서, 일부 실시예에서 모바일 트랜시버에 의해 전송되고 기지국에서 수신되는 랜덤 액세스 프리앰블 신호는 모바일 트랜시버에 랜덤 액세스 응답을 전송하는데 이용될 수 있는 제2 빔 패턴을 판정하는데 이용될 수 있다.트랜시버 모듈은 일부 추가 실시예에서 아날로그 BF를 이용하여 제1 빔 패턴을 형성하도록 동작할 수 있고 제어 모듈은 디지털 BF를 이용하여 제2 빔 패턴을 형성하도록 동작할 수 있다. 실시예들은 아날로그 및 디지털 BF의 효율적인 조합을 허용할 수 있다. 일부 실시예에서 트랜시버 모듈은 아날로그 BF를 이용하여 제1 빔 패턴 및 제2 빔 패턴을 형성하도록 동작할 수 있다. 제어 모듈은 트랜시버 모듈에서 빔 패턴을 선택하도록 동작할 수 있다. 따라서, 실시예들은 아날로그 BF의 효율적인 활용을 가능케할 수 있다.제어 모듈은, 점점 더 좁아지는 빔 패턴을 후속해서 평가함으로써 제2 빔 패턴을 반복적으로 판정하도록 동작할 수 있다. 즉, 제어 모듈은 한 세트의 더 넓은 빔 패턴으로부터 하나의 더 넓은 빔 패턴을 먼저 선택하도록 동작할 수 있고, 그 다음 이전에 선택된 더 넓은 빔 패턴 내에서 더 좁은 빔 패턴을 선택할 수 있다. 후속해서 제어 모듈은 더 좁은 빔 패턴 내에서 훨씬 더 좁은 빔을 선택할 수 있는 등등이다. 실시예들은 계층적 빔 패턴 선택과 효율적인 빔 선택을 가능케 할 수 있다.일부 실시예에서 제어 모듈은 동기화 신호에 관한 제1 미리정의된 타임 슬롯에서 트랜시버 모듈을 이용하여 모바일 트랜시버로부터 동기화 신호에 대한 응답 신호를 수신하도록 동작할 수 있다. 제어 모듈은 제1 타임 슬롯과는 상이한 제2 미리정의된 타임 슬롯에서 트랜시버 모듈을 이용하여 모바일 트랜시버에 특유한 제어 데이터를 전송하도록 동작할 수 있다. 실시예들은, 타임 멀티플렉싱된 방식에서, 예를 들어, 시분할 듀플렉스 시스템에서 효율적인 포착을 가능케할 수 있다.실시예들은 또한, 모바일 통신 시스템의 모바일 트랜시버에서 동작할 수 있는 장치를 제공한다. 모바일 트랜시버는 빔포밍을 실행하도록 동작할 수 있다. 모바일 트랜시버 장치는 전송 및/또는 수신 안테나에 대응할 수 있는 복수의 안테나에 대한 인터페이스들을 포함하는 트랜시버 모듈을 포함한다. 모바일 트랜시버 장치는, 복수의 안테나에 기초하여 제1 세트의 빔 패턴을 판정하도록 동작할 수 있는 제어 모듈을 포함한다. 제어 모듈은 또한, 트랜시버 모듈을 이용하여 제1 세트의 빔 패턴으로부터의 제1 빔 패턴을 이용해 기지국 트랜시버로부터 신호를 수신하도록 동작할 수 있다. 제어 모듈은 또한, 복수의 안테나에 기초하여 제2 세트의 빔 패턴을 판정하도록 동작할 수 있다. 제2 세트의 빔 패턴은 제1 세트의 빔 패턴보다 많은 빔 패턴을 포함한다. 제어 모듈은 또한, 제2 빔 패턴을 이용하고 트랜시버 모듈을 이용해 기지국 트랜시버에 신호를 전송하도록 동작할 수 있다. 실시예들은 모바일 트랜시버에서 효율적인 BF를 가능케할 수 있다.일부 실시예에서 제어 모듈은 기지국 트랜시버로부터 신호로서 동기화 신호를 수신하고 동기화 신호에 기초하여 랜덤 액세스 프리앰블의 전송을 위한 무선 자원에 관련된 정보를 판정하도록 동작할 수 있다. 제어 모듈은 또한, 동기화 신호에 기초하여 판정된 무선 자원을 이용하여 기지국 트랜시버에 랜덤 액세스 프리앰블을 전송하도록 동작할 수 있다.상기에 따라, 일부 실시예에서, 제어 모듈은 또한, 트랜시버 모듈을 이용하여 제1 세트의 빔 패턴으로부터의 제1 빔 패턴을 이용해 기지국 트랜시버로부터 신호로서 동기화 신호를 수신하도록 동작할 수 있다. 제어 모듈은 또한, 트랜시버 모듈을 이용하고 제2 빔 패턴을 이용해 기지국 트랜시버에 랜덤 액세스 프리앰블을 전송하도록 동작할 수 있다. 일부 실시예에서, 제어 모듈은 트랜시버 모듈을 이용하여 제1 세트의 빔 패턴으로부터의 제1 빔 패턴을 이용해 기지국 트랜시버로부터 신호로서 동기화 신호를 수신하고 트랜시버 모듈을 이용하고 제1 빔 패턴을 이용해 기지국 트랜시버에 랜덤 액세스 프리앰블을 전송하도록 동작할 수 있다. 제어 모듈은 또한, 트랜시버 모듈을 이용하고 제1 빔 패턴을 이용해 랜덤 액세스 응답을 수신하고 트랜시버 모듈을 이용하고 제2 빔 패턴을 이용해 파일럿 신호를 전송하도록 동작할 수 있다.실시예들은 또한, 모바일 통신 시스템의 기지국 트랜시버를 위한 방법을 제공한다. 이 방법은, 복수의 안테나를 복수의 서브그룹으로 세분하는 단계, 및 서브그룹의 하나 이상의 안테나를 이용하여 제1 빔 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 이 방법은, 제1 빔 패턴을 이용하여 동기화 신호를 전송하는 단계, 및 트랜시버 모듈을 이용하여 모바일 트랜시버로부터 동기화 신호의 전송 이후에 응답 신호를 수신하는 단계를 더 포함한다. 이 방법은, 모바일 트랜시버로부터의 응답 신호에 기초하여 제2 빔 패턴을 판정하는 단계, 및 제2 빔 패턴을 이용하여 모바일 트랜시버에 신호를 전송하는 단계를 더 포함한다. 제2 빔 패턴은 제1 빔 패턴보다 높은 안테나 이득을 가진다.실시예들은 또한, 모바일 통신 시스템의 모바일 트랜시버를 위한 방법을 제공한다. 이 방법은 복수의 전송 및/또는 안테나에 기초하여 제1 세트의 빔 패턴을 판정하는 단계, 및 제1 세트의 빔 패턴으로부터의 제1 빔 패턴을 이용하여 기지국 트랜시버로부터 신호를 수신하는 단계를 포함한다. 이 방법은, 복수의 안테나에 기초하여 제2 세트의 빔 패턴을 판정하는 단계를 더 포함한다. 제2 세트의 빔 패턴은 제1 세트의 빔 패턴보다 많은 빔 패턴을 포함한다. 이 방법은 제2 빔 패턴을 이용하여 기지국 트랜시버에 신호를 전송하는 단계를 더 포함한다.실시예들은, 컴퓨터, 프로세서, 또는 프로그램가능한 하드웨어 컴포넌트 상에서 실행될 때 전술된 방법들 중 하나 이상을 수행하기 위한 프로그램 코드를 갖는 컴퓨터 프로그램을 더 제공한다. 추가 실시예는, 컴퓨터, 프로세서, 또는 프로그램가능한 하드웨어 컴포넌트에 의해 실행될 때, 컴퓨터로 하여금 여기서 설명된 방법들 중 하나를 구현하게 하는 명령어들을 저장한 컴퓨터 판독가능한 저장 매체이다. [ 도면의 간단한 설명 ] 단지 예로서 장치들 또는 방법들 또는 컴퓨터 프로그램들 또는 컴퓨터 프로그램 제품들에 대한 이하의 비제한적 실시예들을 이용하여, 일부 다른 피쳐들 또는 양태들이 첨부된 도면들을 참조해 설명될 것이다.도 1은 기지국 트랜시버를 위한 장치의 실시예의 블록도를 나타낸다;도 2는 기지국 트랜시버에서의 mm파 빔포머(mmWave beamformer)를 위한 실시예의 블록도를 나타낸다;도 3은 실시예의 다운링크 타이밍도를 나타낸다;도 4는 실시예의 계층적 서브섹터화를 나타낸다.도 5는 모바일 트랜시버를 위한 장치의 실시예의 블록도를 나타낸다;도 6은 기지국 트랜시버를 위한 방법의 실시예의 플로차트의 블록도를 나타낸다;도 7은 모바일 트랜시버를 위한 방법의 실시예의 플로차트의 블록도를 나타낸다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이제 다양한 실시예들이, 일부 실시예를 나타내고 있는 첨부된 도면을 참조하여 더 완전하게 기술될 것이다. 도면들에서, 라인, 층 또는 영역의 두께는 명료성을 위해 과장될 수도 있다.따라서, 예시적 실시예들은 다양한 수정 및 대안적 형태가 가능하지만, 그 실시예들이 도면에서 예를 통해 도시되고 여기서 상세히 설명될 것이다. 그러나, 예시적 실시예들을 개시된 특정한 형태로 제한하고자 하는 의도는 없고, 오히려, 예시적 실시예들은 본 발명의 범위 내에 드는 모든 수정, 균등물, 및 대안들을 포괄하고자 한다는 점을 이해해야 한다. 유사한 참조 번호는 도면의 설명 전체를 통해 비슷한 또는 유사한 요소를 가리킨다.여기서 사용될 때, 용어 "또는"은, 달리 표시되지 않는 한, 비-배타적 논리합(non-exclusive or)(예를 들어, "또는 그밖의" 또는 "또는 대안으로서")을 말한다. 나아가, 여기서 사용될 때, 요소들 사이의 관계를 기술하는 데 이용되는 용어는, 달리 표시되지 않는 한, 중간 요소들의 존재 또는 직접적인 관계를 포함하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 예를 들어, 한 요소가 또 다른 요소에 "접속"되거나 "결합"된다고 언급될 때, 이 요소는 그 또 다른 요소에 직접 접속되거나 결합될 수 있고, 또는 중간 요소가 존재할 수도 있다. 대조적으로, 한 요소가 또 다른 요소에 "직접 접속"되거나 "직접 결합"된다고 언급될 때, 아무런 중간 요소도 존재하지 않는다. 유사하게, "사이의", "인접한" 등의 용어들은 유사한 방식으로 해석되어야 한다.본 명세서에서 사용되는 용어는 특정한 실시예를 설명하기 위한 목적일 뿐이며, 예시적 실시예를 제한하고자 함이 아니다. 본 명세서에서 사용될 때, 단수 형태 "한(a)", "하나의(an)" 및 "그(the)"는, 문맥상 명확하게 달리 표시하지 않는 한, 복수 형태도 역시 포함하는 것을 의도한다. 용어 "포함한다", "포함하는", "내포한다", 또는 "내포하는"은, 본 명세서에서 사용될 때, 진술된 특징, 정수, 단계, 동작, 요소, 또는 컴포넌트의 존재를 명시하지만, 하나 이상의 다른 특징, 정수, 단계, 동작, 요소, 컴포넌트, 또는 이들의 그룹의 존재나 추가를 배제하는 것은 아님을 추가로 이해할 것이다.달리 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 (기술적 및 과학적 용어를 포함한) 모든 용어는 예시적 실시예가 속하는 기술분야의 통상의 기술자가 통상적으로 이해하는 바와 동일한 의미를 가진다. 흔히 사용되는 사전에 정의된 것과 같은 용어들은, 관련 기술의 정황에서의 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명시적으로 특별히 정의하지 않는 한 이상적이거나 과도하게 형식적 의미로 해석되어서는 안 된다는 점을 추가로 이해할 것이다.이하에서 기지국 트랜시버 및 모바일 트랜시버를 위한 장치, 방법 및 컴퓨터 프로그램의 일부 실시예가 설명될 것이다. 도 1은 기지국 트랜시버(100)를 위한 장치(10)의 실시예의 블록도를 나타낸다. 즉, 장치(10)는 기지국 트랜시버(100)에 맞게 적응되거나 기지국 트랜시버(100)에서 동작할 수 있다; 장치(10)는 기지국 트랜시버(100)에서 동작되거나 이에 포함될 수 있다. 실시예들은 또한 장치(10)를 포함하는 기지국 트랜시버(100)를 제공할 수 있다. 도 1은 또한, 장치(10)를 포함하는 기지국 트랜시버(100)의 실시예(점선)를 도시한다. 기지국 트랜시버(100)는 모바일 통신 시스템에서 동작할 수 있다. 즉, 기지국 트랜시버(100), 그 장치(10)는, 각각, 모바일 통신 시스템을 준수하도록 적응, 동작가능, 또는 구성될 수 있다.모바일 통신 시스템은, 예를 들어, 제3세대 파트너쉽 프로젝트(3GPP)-표준화된 모바일 통신 네트워크들 중 하나에 대응하고, 여기서, 용어 모바일 통신 시스템은 모바일 통신 네트워크와 동의어로 사용된다. 모바일 또는 와이어리스 통신 시스템은, 예를 들어, LTE(Long-Term Evolution), LTE-A(LTE-Advanced), HSPA(High Speed Packet Access), UMTS(Universal Mobile Telecommunication System) 또는 UTRAN(UMTS Terrestrial Radio Access Network), e-UTRAN(evolved-UTRAN), GSM(Global System for Mobile communication) 또는 EDGE(Enhanced Data rates for GSM Evolution) 네트워크, GERAN(GSM/EDGE Radio Access Network), 또는 상이한 표준들을 갖는 모바일 통신 네트워크, 예를 들어, WIMAX(Worldwide Interoperability for Microwave Access) 네트워크 IEEE 802.16 또는 WLAN(Wireless Local Area Network) IEEE 802.11, OFDMA(Orthogonal Frequency Division Multiple Access) 네트워크, TDMA(Time Division Multiple Access) 네트워크, CDMA(Code Division Multiple Access) 네트워크, WCDMA(Wideband-CDMA) 네트워크, FDMA(Frequency Division Multiple Access) 네트워크, SDMA(Spatial Division Multiple Access) 네트워크 등에 대응할 수 있다.기지국 트랜시버는 하나 이상의 활성 모바일 트랜시버와 통신하도록 동작할 수 있고 기지국 트랜시버는 또 다른 기지국 트랜시버, 예를 들어, 매크로 셀 기지국 트랜시버 또는 소형 셀 기지국 트랜시버의 커버리지 영역에 또는 그에 인접하게 위치할 수 있다. 따라서, 실시예들은 하나 이상의 모바일 트랜시버와 하나 이상의 기지국 트랜시버를 포함하는 모바일 통신 시스템을 제공할 수 있고, 여기서, 기지국 트랜시버는 매크로 셀 또는 소형 셀, 예를 들어, 피코-, 메트로-, 펨토- 셀을 확립할 수 있다. 모바일 트랜시버는, 스마트폰, 셀 전화, 사용자 장비, 랩탑, 노트북, 개인용 컴퓨터, 개인용 디지털 보조도구(PDA), USB(Universal Serial Bus)-스틱, 차량 등에 대응할 수 있다. 모바일 트랜시버는 또한, 3GPP 용어에 따라 사용자 장비(UE) 또는 모바일이라고도 할 수 있다.기지국 트랜시버는 네트워크 또는 시스템의 고정된 또는 정적 부분에 위치할 수 있다. 기지국 트랜시버는, 원격 라디오 헤드(remote radio head), 전송 포인트, 액세스 포인트, 매크로 셀, 소형 셀, 마이크로 셀, 펨토 셀, 메트로 셀 등에 대응할 수 있다. 기지국 트랜시버는, UE 또는 모바일 트랜시버로의 무선 신호의 전송을 가능케하는, 유선 네트워크의 무선 인터페이스일 수 있다. 이러한 무선 신호는, 예를 들어, 3GPP에 의해 표준화된, 또는 일반적으로 상기 열거된 시스템들 중 하나 이상을 따르는, 무선 신호를 준수할 수 있다. 따라서, 기지국 트랜시버는, 원격 유닛 및 중앙 유닛으로 더욱 세분될 수 있는, NodeB, eNodeB, 베이스 트랜시버 스테이션(BTS), 액세스 포인트, 원격 라디오 헤드, 전송 포인트 등에 대응할 수 있다.모바일 트랜시버는, 기지국 트랜시버 또는 셀과 연관되거나, 이에 캠핑(camp)하거나, 이에 등록될 수 있다. 용어 셀이란, 기지국 트랜시버, 예를 들어, NodeB(NB), eNodeB(eNB), 원격 라디오 헤드, 전송 포인트 등에 의해 제공되는 무선 서비스들의 커버리지 영역을 말한다. 기지국 트랜시버는 하나 이상의 주파수 층들 상에서 하나 이상의 셀들을 운영할 수 있고, 일부 실시예에서는 셀은 섹터에 대응할 수 있다. 예를 들어, 섹터는, 원격 유닛이나 기지국 트랜시버 주변의 각도 섹션을 커버하기 위한 특성을 제공하는, 섹터 안테나를 이용하여 달성될 수 있다. 일부 실시예에서, 기지국 트랜시버는, 예를 들어, 각각, 120°(3셀의 경우), 60°(6셀의 경우)의 섹터들을 커버하는 3 또는 6 셀들을 운영할 수 있다. 기지국 트랜시버는 복수의 섹터화된 안테나를 운영할 수 있다. 이하에서 셀은 그 셀을 생성하는 해당 기지국 트랜시버를 나타낼 수 있고, 또는 마찬가지로, 기지국 트랜시버는 기지국 트랜시버가 생성하는 셀을 나타낼 수도 있다.즉, 실시예들에서 모바일 통신 시스템은, 상이한 셀 유형들, 즉, CSG(Closed Subscriber Group) 셀들 및 개방 셀들, 및 상이한 크기의 셀들, 예를 들어, 매크로 셀들 및 소형 셀들을 이용하는 HetNet에 대응할 수 있고, 여기서, 소형 셀의 커버리지 영역은 매크로 셀의 커버리지 영역보다 작다. 소형 셀은, 메트로 셀, 마이크로 셀, 피코 셀, 펨토 셀 등에 대응할 수 있다. 이러한 셀들은, 그들의 커버리지 영역이 그들의 전송 전력 및 간섭 상태에 의해 결정되는 기지국 트랜시버에 의해 설정된다. 일부 실시예에서, 소형 셀의 커버리지 영역은, 또 다른 기지국 트랜시버에 의해 설정된 매크로 셀의 커버리지 영역에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸일 수 있다. 소형 셀들은 네트워크의 용량을 확장시키기 위해 배치될 수 있다. 따라서 메트로 셀은 매크로 셀보다 작은 영역을 커버하기 위해 이용될 수 있다, 예를 들어, 메트로 셀은 메트로폴리탄 영역 내의 거리 또는 섹션을 커버할 수 있다. 매크로 셀의 경우 커버리지 영역은 1 킬로미터 이상 정도의 직경을 가질 수 있고, 마이크로 셀의 경우 커버리지 영역은 1 킬로미터 아래의 직경을 가질 수 있으며, 피코 셀의 경우 커버리지 영역은 100m 아래의 직경을 가질 수 있다. 펨토 셀은 가장 작은 셀일 수 있고 공항의 게이트 섹션이나 가정을 커버하는데 이용될 수 있다, 즉, 그 커버리지 영역은 50m 아래의 직경을 가질 수 있다. 따라서, 기지국 트랜시버는 셀이라고도 할 수 있다.도 1에 도시된 바와 같이, 기지국 트랜시버 장치(10)는, 전송 및/또는 수신 안테나에 대응할 수 있는 복수의 안테나에 대한 인터페이스들을 더 포함하는, 트랜시버 모듈(12)을 포함한다. 복수의 안테나가 도 1에서 트랜시버 모듈(12)의 인터페이스들에 접속된 전송/수신 안테나들의 어레이(15)로 표시되어 있다. 트랜시버 모듈(12)은, 하나 이상의 트랜시버 디바이스, 하나 이상의 트랜시버 유닛, 송수신, 즉, 수신 및/또는 전송을 위한 임의의 수단에 대응할 수 있고, 하나 이상의 저잡음 증폭기(LNA), 하나 이상의 전력 증폭기(PA), 하나 이상의 필터나 필터 회로, 하나 이상의 다이플렉서, 하나 이상의 듀플렉서, 하나 이상의 아날로그-대-디지털 변환기(A/D), 하나 이상의 디지털-대-아날로그 변환기(D/A), 하나 이상의 변조기 또는 복조기, 하나 이상의 믹서 등의 그룹 중에서의 하나 이상의 요소와 같은, 전형적인 수신기와 전송기 컴포넌트를 포함할 수 있다.도 1에 도시된 실시예에서, 트랜시버 모듈(12)은 인터페이스들을 이용하여 복수의 전송/수신 안테나(15)를 복수의 서브그룹으로 세분하도록 동작할 수 있다. 또한, 트랜시버 모듈(12)은 또한, 서브그룹의 하나 이상의 전송/수신 안테나를 이용하여 제1 빔 패턴(16)을 형성하도록 동작할 수 있다. 기지국 트랜시버 장치(10)는, 트랜시버 모듈(12)에 결합된 제어 모듈(14)을 더 포함한다. 제어 모듈(14)은, 트랜시버 모듈(12)과 제1 빔 패턴(16)을 이용하여 동기화 신호를 전송하도록 동작할 수 있다. 제어 모듈(14)은 또한, 트랜시버 모듈(12)을 이용하여 모바일 트랜시버(200)로부터 동기화 신호의 전송 이후에 응답 신호를 수신하도록 동작할 수 있다. 또한, 제어 모듈(12)은 모바일 트랜시버(200)로부터의 응답 신호에 기초하여 제2 빔 패턴(18)을 판정하도록 동작할 수 있다. 제2 빔 패턴(18)은 제1 빔 패턴(16)보다 높은 안테나 이득을 가진다. 예를 들어, 제2 빔 패턴(18)은 제1 빔 패턴(16)보다 많은 전송/수신 안테나를 이용할 수 있다. 제어 모듈(14)은 또한, 제2 빔 패턴(18)을 이용하고 트랜시버 모듈(12)을 이용해 모바일 트랜시버(200)에 신호를 전송하도록 동작할 수 있다. 도 1에서, 제1 및 제2 빔 패턴(16 및 18)이 도시되어 있고, 제2 빔 패턴(18)은 제1 안테나 패턴(16)보다 높은 안테나 또는 BF 이득을 제공할 수 있으며 제2 빔 패턴(18)은 제1 빔 패턴(16)보다 좁을 수 있다는 것이 역시 도시되어 있다.실시예에서 제어 모듈(14)은, 하나 이상의 제어 유닛, 제어 디바이스, 적절히 구성된 소프트웨어와 함께 동작할 수 있는 프로세서, 컴퓨터 또는 프로그램가능한 하드웨어 컴포넌트 등의, 제어하기 위한 임의의 수단을 이용하여 구현될 수 있다. 즉, 제어 모듈(14)의 상기 설명된 기능들도 역시 소프트웨어로 구현된 다음, 하나 이상의 프로그램가능한 하드웨어 컴포넌트 상에서 실행될 수 있다. 이러한 하드웨어 컴포넌트들은, 범용 프로세서, 디지털 신호 프로세서(DSP), 마이크로-제어기 등을 포함할 수 있다. 복수의 전송/수신 안테나에 접속하는데 이용되는 트랜시버 모듈(12)의 인터페이스들은, 동축 와이어를 이용하여, 임의의 적절한 인터페이스, 예를 들어, 고주파 인터페이스에 대응할 수 있고, 다른 실시예에서는 복수의 안테나(15) 중 적어도 일부는 원격지에 위치하여, 인터페이스들이, 여전히 전술된 서브그룹화 및 BF를 허용하는 원격지 안테나로의 광학적 인터페이스에 대응할 수 있다.전술된 바와 같이, 실시예들은, 개개의 전송/수신 안테나에 의해 전송된 신호들의 정의된 또는 제어된 중첩을 달성하기 위한 신호 처리 수단으로서 이해되어야 하는 BF를 이용한다. 예를 들어, 복수의 전송/수신 안테나(15)의 지오메트리는, 선형 안테나 어레이, 원형 안테나 어레이, 삼각형 어레이, 임의의 2차원 안테나 어레이 또는 필드, 또는, 안테나 요소들간의 기하학적 관계가 공지되거나 제어되는 한, 심지어 임의의 안테나 어레이에 대응할 수 있다. 일부 실시예에서, 복수의 안테나 요소 또는 전송/수신 안테나(15)는 균일한 선형 안테나 어레이에 대응할 수 있고, 여기서, 전송/수신 안테나는 균일하게 이격되어 있으며, 안테나 요소들간의 거리는, 예를 들어, 이들 안테나를 이용하여 전송/수신되는 신호의 캐리어 주파수의 파장의 절반에 대응할 수 있다. BF에 대해 알려진 바와 같이, 동일한 신호의 위상 이동된 버전들을 상이한 안테나에 제공함으로써, 이들 안테나에 관한 상이한 각도 방향들에 대해 전송된 신호의 건설적 또는 파괴적 중첩이 달성될 수 있다. 더 많은 안테나들이 이용될수록, 전체 빔포밍 이득이 높고 더 좁은 빔이 형성될 수 있다. 실시예들에서 전송/수신 안테나 또는 전송/수신 안테나 요소는, 기지국 트랜시버(100)의 섹터 또는 셀을 커버하는 개개의 빔 패턴, 예를 들어, 120° 섹터 또는 셀을 커버하는 90° 반치 빔폭 안테나 패턴(half power beam width antenna pattern)을 이용할 수 있다.실시예들에서 제1 빔 패턴(16)은 이러한 섹터의 서브섹터에 대응할 수 있고, 제어 모듈(14)은 전송/수신 안테나의 개개의 빔 패턴 또는 제1 빔 패턴(16)을 이용하여 동기화 신호를 전송하도록 동작할 수 있다. 즉, 개개의 안테나는, 특정 빔폭을 갖는, 예를 들어, 90°, 120° 등의 반치 빔폭을 갖는 안테나에 대응할 수 있다. 전송/수신 안테나의 개개의 빔 패턴은 BF뿐만 아니라 제1 빔 패턴(16)에 영향을 미칠 수 있다. 예를 들어, 제1 빔 패턴(16)은 120°의 반치 빔폭을 갖는 2개의 안테나 요소를 이용하여 형성될 수 있다. 제어 모듈(14)은, 예를 들어, 전체 섹터보다 좁을 수 있는 120°의 반치 빔폭, 또는 제1 빔 패턴(16)을 갖는 하나의 단일 안테나를 이용하여 동기화 신호를 전송하도록 동작할 수 있다. 따라서, 일부 실시예에서, 제1 빔 패턴(16)은 섹터의 서브섹터에 대응할 수 있다.일부 실시예에서 전송/수신 안테나는 기지국 트랜시버(100)의 섹터를 커버하는 개개의 빔 패턴을 이용할 수 있다. 트랜시버 모듈(12)은 섹터를 커버하는 서브섹터들을 포함하는 제1 세트의 빔 패턴을 형성하도록 동작할 수 있고 제1 빔 패턴(16)은 서브섹터에 대응할 수 있다. 즉, 제1 빔 패턴(16)은 한 세트의 서브섹터들에 대응할 수 있고, 여기서, 한 세트의 서브섹트들은 기지국 트랜시버(100)의 전체 섹터를 커버한다.도 2는 K개의 디지털 경로를 갖는 하이브리드 아날로그/디지털 BF 트랜시버의 블록도를 나타내고, 여기서 각각의 디지털 경로는 L-안테나 요소들의 (별개의(disjoint)) 서브어레이에 접속된다. 즉, 도 2에 도시된 실시예에서, 복수의 안테나 요소(15)는 L×K 안테나 요소의 필드 어레이(15)로서 구현된다. 게다가, 복수의 안테나 요소(15)는 서브그룹들로 세분되고, 서브그룹들 각각은 서브어레이라고도 한다. 도 2에 도시된 실시예에서, 트랜시버 모듈(12)은 아날로그 BF 능력을 포함하고, 신호의 전송과 수신을 위해, 각각의 서브어레이 내에서 독립된 아날로그 BF가 적용될 수 있다고 가정할 수 있다. 현재의 실시예에서, 제어 모듈(14)은 디지털 BF를 운반하고, 디지털 BF는 서브어레이들을 이용하여 적용된다. 도 2에서, 제어 모듈(14)은 서브어레이 1...K당 하나의 D/A 변환기를 포함하고, 제어 모듈(14)은 해당 경로들에서 적응된 복소 가중치 wd1 ... wdK를 적용한다. 제어 모듈(14)은 또한 트랜시버 모듈(14)에서의 아날로그 BF를 특정 범위까지 제어하도록 동작할 수 있다는 점에 유의해야 한다. 예를 들어, 제어 모듈(14) 또는 다른 제어 엔티티는, 예를 들어, 각각이 m 비트를 갖는 K개의 디지털 제어 인터페이스들에 의해, 아날로그 BF 가중치를 조절하거나; 아날로그 BF에 대해 아날로그 버틀러(Butler) 행렬이 적용되는 경우 입력 포트(들)를 선택하는 책임을 질 수 있다.트랜시버 모듈(12)은, 예를 들어, 아날로그 위상 시프터 또는 버틀러 행렬에 의해 실행될 수 있는 아날로그 BF를 적용한다. 즉, 도 2에 도시된 실시예에서, 트랜시버 모듈(12)은, 각각의 서브어레이를 이용하기 위해 각각의 서브어레이 내에서 아날로그 BF 가중치를 적용하여, 각각 특정 빔, 한 세트의 빔을 형성한다. 각각의 신호와 가중치 wa11 .. waKL의 아날로그 곱셈에 의한 그에 따른 아날로그 가중치 적용이 도 2에 도시되어 있다. 일부 실시예에서 하이브리드 디지털/아날로그 BF는 완전 디지털 BF 구현에 비해 감소된 복잡성을 제공하기 때문에, 하이브리드 디지털/아날로그 BF가 이용될 수 있다.게다가, 도 2는 기지국 트랜시버 장치(10)를 도시한다, 즉, 기지국 트랜시버(100)에서 각각의 개념이 적용된다고 가정된다. 도 2는 기지국 트랜시버(100)의 섹터를 커버하는 것으로 가정되는 개개의 안테나 패턴(17)을 나타낸다. 게다가 도 2는, 후속해서 상세히 설명되는 바와 같이 본 실시예에서, 복수의 안테나(15)의 한 서브그룹이 이용될 수 있는 제1 빔 패턴(16)과, 모든 안테나 요소들이 이용될 수 있는 제2 빔 패턴(18)의 예를 나타낸다. 도 2에 표시된 바와 같이, 상이한 서브섹터들에서 상이한 파일럿 신호들 pilot1.. pilotK가 이용될 수 있다. 게다가, 개개의 모바일 트랜시버(200)에 대한 데이터는 제2 빔 패턴(18)을 이용하여 전송될 수 있다. 게다가, 실시예에서, K=4 및 L=16인 것으로 가정된다. 64개의 전송/수신 안테나 요소들 각각은 7dBi 요소 이득, 즉, 개개의 안테나 패턴(17)에 대해 7dBi 섹터 이득을 갖는 것으로 가정된다.모든 64개의 전송/수신 안테나를 이용하여 25 dBi 펜슬 빔(pencil beam)이 모든 가용 안테나 요소를 수반하는 전술된 하이브리드 A/D BF에 의해 실현될 수 있다. 또한, 모든 안테나 요소들은 동일한 섹터, 예를 들어, 90°-섹터를 조사(illuminate)하는 것으로 가정된다. 또한, 아날로그 빔포밍이 미리정의된 섹터 가중치, 예를 들어, 도 1에 표시된 K 직교/인접 서브섹터들을 이용하는 동안 서브섹터화는 디지털 BF에 의해 구현될 수 있다. 대안으로서, 이들 서브섹터들은 유사하게 예를 들어 트랜시버 모듈(12) 내의 아날로그 위상 시프터에 제공된 K*m 비트들에 의해 형성될 수 있다.실시예들은, BF 이득이 포착 절차의 시작에서 제한될 수 있기 때문에 이러한 높은 BF 이득에 의해 모바일 트랜시버(200)에 대한 포착 절차가 더욱 복잡해진다는 것을 고려할 수 있다. 따라서, 실시예들은 모든 전송/수신 안테나를 이용하지 않고 감소된 BF 이득으로 동기화 신호의 전송을 시작하고 나중에 적어도 제1 응답 신호가 모바일 트랜시버(200)로부터 수신될 때 전체 BF 이득을 설정함으로써 포착을 실행할 수 있다. 게다가, 실시예들은 다운링크 및 업링크 통신을 위한 주기적 포착 타임 슬롯들(periodic acquisition time slots)을 도입할 수 있다. 포착은 후속해서 상세히 설명되는 계층적 서브섹터화(hierarchical sub-sectorization)를 수반한 복수의 단계들에서 수행될 수 있다. 게다가, 실시예들은 서브섹터-특유의 랜덤 액세스 프리앰블을 이용할 수 있다.실시예들에서, 제어 모듈(14)은 섹터의 복수의 서브섹터들에 대한 동기화 신호를 전송하도록 동작할 수 있다. 즉, 동기화 신호는 서브섹터-특유 또는 섹터-특유일 수 있다. 제어 모듈(14)은 또한, 모바일 트랜시버(200)로부터의 수신된 신호의 품질을 평가함으로써 제1 세트의 빔 패턴으로부터 서브섹터를 판정하도록 동작할 수 있다. 예를 들어, 제어 모듈(14)은, 모바일 트랜시버(200)의 응답 신호의 최고 수신 신호 품질을 제공하는 제1 세트의 빔 패턴으로부터 서브섹터를 판정할 수 있고, 제어 모듈(14)은 최고 수신 신호 품질을 갖는 서브섹터를 제1 빔 패턴(16)으로서 선택하도록 동작할 수 있다. 즉, 제1 빔 패턴(16)은, 도 2에 나타낸 바와 같이, 한 세트의 서브섹터들 중의 하나의 서브섹터에 대응할 수 있다. 세트 내의 서브섹터들을 평가함으로써, 제어 모듈(14)은 최상의 신호 품질을 갖는 서브섹터를 판정 및 선택하고 상기 서브섹터를 제1 빔 패턴(16)으로서 선택할 수 있다. 포착 국면 동안에, 최대 BF 이득의 일부만이 실현될 수 있다. 예시적 포착 절차가 후속해서 설명될 것이고, 여기서 모바일 트랜시버(200)에는 단 하나의 안테나만이 있다고 가정된다. 기지국 트랜시버(100)는 주기적으로 13dBi의 안테나 이득을 갖는 각각의 서브섹터에서 디지털적으로 프리코딩된 동기화 신호를 주기적으로 전송하는 것으로 가정된다. 앞서 이미 언급된 바와 같이, 대안으로서, 더 넓은 빔을 이용하여 그러나 그에 따라 감소된 안테나 이득과 함께 전체 섹터에 걸쳐 더욱 견고한 동기화 신호가 전송될 수 있다.모바일 트랜시버(200)는 후속 단계들을 수행하는 트리거 또는 트리거 신호를 수신할 수 있다. 이러한 트리거는 모바일 트랜시버(200)에서의 이벤트, 예를 들어, 데이터가 전송되려 하거나, 모바일 트랜시버(200)의 사용자에 의해 숫자가 다이얼링되거나 하는 등에 대응할 수 있다. 또 다른 트리거는 모바일 트랜시버(200)에 의해 수신되는 페이징 신호일 수 있다. 예를 들어, 모바일 트랜시버(200)에 대한 착신 콜(incoming call) 또는 데이터는 모바일 트랜시버(200)에 전송될 것이다. 이러한 트리거는 기지국 트랜시버(100)로부터 예를 들어 페이징 채널(PCH; Paging CHannel) 상에서 수신되거나, 상이한 기지국 트랜시버로부터, 예를 들어, 상이한 시스템으로부터 수신되거나, 및/또는 상이한 주파수 캐리어 상에서 수신될 수 있다. 예를 들어 시스템간 또는 주파수간 핸드오버가 또 다른 시스템에서 또는 또 다른 주파수 상에서 개시되었을 수 있다. 모바일 트랜시버(200)는 또한, 동기화 채널을 수신하기 위해 및/또는 시스템이나 기지국 트랜시버(100)에 응답하거나 이에 액세스하기 위해(예를 들어, 랜덤 액세스 정보) 어느 무선 자원 또는 코드 자원, 주파수 캐리어 등이 이용되어야 하는지에 관한 구성 정보를 수신할 수 있다. 예를 들어, 이러한 정보는 브로드캐스트 채널(BCH; Broadcast CHannel) 상에서 제공될 수 있다.그러면 모바일 트랜시버(200)는 주기적 동기화 신호를 탐색하고 기지국 트랜시버(100)와의 다운링크 동기화를 확립한다. 즉, 모바일 트랜시버(200)는 동기화 신호를 수신하고 무선 프레임 패턴의 경계를 판정하며, 무선 프레임 경계는 후속해서 기지국 트랜시버(100)와 통신하는데 이용될 것이다. 그 다음, 모바일 트랜시버(200)는 미리정의된 무선 자원 상에서 랜덤 액세스 프리앰블(RAP; Random Access Preamble)을 전송한다. 일부 실시예에서 이들 무선 자원은 섹터 또는 셀 기반으로 미리정의되며, 다른 실시예에서는 이들 무선 자원은 서브섹터 기반으로 정의될 수 있다. 기지국 트랜시버(100)는 각각의 서브섹터에서 병렬로 RAP를 스캔한다. 하나 이상의 복수의 서브섹터들 상에서 RAP가 검출된다면, 기지국 트랜시버(100)는 가장 강한 RAP-신호를 갖는 서브섹터를 선택하고 이 서브섹터에서 랜덤 액세스 응답(RAR; Random Access Response)을 트리거/전송한다. 본 실시예에서는 다운링크와 업링크 서브섹터들은 동일한 것으로 가정된다는 점에 유의한다. 일부 다른 실시예에서, 다운링크와 업링크 서브섹터들은 역시 상이할 수 있고, 모바일 트랜시버를 업링크 및 다운링크에서 각각의 섹터/서브섹터에 할당하기 위해 임의의 개루프 또는 폐루프 개념이 이용될 수 있다고 가정될 수 있다.RAR은, 업링크 타이밍 조절을 위한 또는 모바일 트랜시버 ID의 할당을 위한 정보를 포함할 수 있다. 그 다음, 모바일 트랜시버(200)는 RAR을 검출할 수 있고 적어도 파일럿 신호의 전송을 개시할 수 있다. 기지국 트랜시버(100)는 선택된 서브섹터 상에서 파일럿 신호를 수신한 다음 아날로그 BF에 대한 최상의 가중치를 선택할 수 있다. 이것은, 서브섹터의 4개의 아날로그 빔들 각각 상에서 파일럿 신호를 연속적으로 수신함으로써, 예를 들어, 4개의 아날로그 빔들을 차례로 전환함으로써 이루어질 수 있다. 이러한 전환은, 모바일 트랜시버(200)에 의해 적어도 4개의 타임 유닛 또는 타임 슬롯에 걸쳐 파일럿 신호를 전송하는 것을 포함할 수 있는, 버틀러 행렬의 상이한 입력들을 선택함으로써 또는 서브어레이 내의 대응하는 위상 시프터 구조에 대해 상이한 가중치들을 이용함으로써 달성될 수 있다. 일단 최상의 아날로그 빔 패턴, 예를 들어, 19dBi 안테나 이득을 갖는 패턴이 기지국 트랜시버(100)에 의해 선택되고 나면, 파일럿 신호는 디지털 가중치를 미세 튜닝하여 25 dBi 펜슬 빔을 획득하는데 이용될 수 있다. 즉, 이 실시예에서 모바일 트랜시버(200)에 의해 전송된 파일럿 신호는 빔 패턴을 미세 튜닝하는데 이용되고, 제1 빔 패턴(16)은 동기화 신호의 전송에 의해 섹터 또는 서브섹터에 대응할 수 있고, 여기서 제2 빔 패턴(18)은 모바일 트랜시버(200)로부터의 수신된 파일럿 신호에 기초하여 형성될 수 있다.즉, 상기 실시예에서, 기지국 트랜시버 장치(10)의 제어 모듈(14)은 제1 빔 패턴(16)을 이용하여 모바일 트랜시버(200)로부터 RAP 신호를 수신하도록 동작할 수 있다. 제어 모듈(14)은 또한, 제1 빔 패턴(16)을 이용하여 모바일 트랜시버(200)에 RAR을 전송하고 모바일 트랜시버(200)로부터 파일럿 신호를 수신하도록 동작할 수 있다. 제어 모듈(14)은 또한, 파일럿 신호에 기초하여 제2 빔 패턴(18)을 판정하고 제2 빔 패턴(18)을 이용하여 후속 신호를 전송하도록 동작할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 모바일 트랜시버(200)는, 기지국 트랜시버(100)가 디지털 및 아날로그 빔포밍의 가중치를 선택할 때까지 RAP 전송을 반복할 수 있다. 그 다음, 기지국 트랜시버(100)는 전체 BF 이득으로 RAR을 전송할 수 있다.추가 실시예에서, 서브섹터에 대해 RAP 자원이 정의되고 모바일 트랜시버(200)는 수신된 동기화/파일럿 신호에 기초하여 최상의 서브섹터를 선택한다. 그러면, 모바일 트랜시버(200)는 서브섹터-특유의 RAP를 전송할 수 있다. 즉, 제어 모듈(14)은 제1 빔 패턴(16)을 이용하여 모바일 트랜시버로부터 하나 이상의 RAP 신호를 수신하도록 동작할 수 있다. 제어 모듈(14)은 또한, 하나 이상의 RAP 신호에 기초하여 제2 빔 패턴(18)을 판정하도록 동작할 수 있다. 그 다음, 제어 모듈(14)은 제2 빔 패턴(18)을 이용하여 모바일 트랜시버(200)에 RAR을 전송하도록 동작할 수 있다. 즉, 일부 실시예에서 RAR를 전송하기 위한 전체 BF 이득이 이미 달성될 수 있다.상기 실시예들 양쪽 모두는 기지국 트랜시버(100)가 데이터와 제어 정보를 전체 빔포밍 이득으로 모바일 트랜시버(200)에 전송하는 것을 허용할 수 있다. 마찬가지로 기지국 트랜시버(100)는 모바일 트랜시버(200)로부터 전체 BF 이득으로 데이터와 제어 정보를 수신할 수 있다. 모바일 트랜시버(200)는 기지국 트랜시버(100)가 BF 가중치를 업데이트하는 것이 인에이블되도록 일부 업링크 파일럿 신호를 계속 전송할 수 있다.예를 들어, 트랜시버 모듈(12)은 아날로그 BF를 이용하여 제1 빔 패턴(16)을 형성하도록 동작할 수 있다. 그러면 제어 모듈(14)은 디지털 BF를 이용하여 제2 빔 패턴(18)을 형성하도록 동작할 수 있다. 다른 실시예에서 트랜시버 모듈(12)은 아날로그 BF를 이용하여 제1 빔 패턴(16) 및 제2 빔 패턴(18)을 형성하도록 동작할 수 있다. 그 다음, 제어 모듈(14)은 트랜시버 모듈(12)에서 빔 패턴을 선택하도록 동작할 수 있다. 즉, 트랜시버 모듈(12)은, 예를 들어, 버틀러 행렬에 의해, 또는 아날로그 위상 시프터에 의해 아날로그 BF를 실행하도록 동작할 수 있고, 여기서, 이러한 위상 시프터의 조절을 위한 입력은 디지털적으로 제공될 수 있다. 그러면, 트랜시버 모듈(12)은, 제어 모듈(14)이 선택하기 위한 다수의 유사하게 형성된 빔들을 제공할 수 있다. 일부 실시예에서 제어 모듈(14)은 그에 따라 고정된 빔 전환을 실행하도록 동작할 수 있고, 여기서, 빔들은 고정되고 트랜시버 모듈(12)에 의해 제공된다. 용어 "고정"은, BF가 무선 프레임당 또는 무선 슬롯당 등의 단시간 스케쥴 또는 프레임 상에서 적응될 수 없고, 오히려 1s, 2s, 5s 등의 더 긴 시간에서 가능하다는 것을 나타낸다. 그러면 이러한 적응(adaptation)은 예를 들어 적응된 디지털 가중치를 아날로그 위상 시프터에 제공함으로써 실행될 수 있다. 다른 실시예에서, 빔은 사실상 미리정의되고 고정될 수 있다.추가 실시예에서 제어 모듈(14)은 동기화 신호에 관한 제1 미리정의된 타임 슬롯에서 트랜시버 모듈(12)을 이용하여 모바일 트랜시버(200)로부터 동기화 신호에 대한 응답 신호를 수신하도록 동작할 수 있다. 제어 모듈(14)은 또한, 제1 타임 슬롯과는 상이한 제2 미리정의된 타임 슬롯에서 트랜시버 모듈(12)을 이용하여 모바일 트랜시버(200)에 특유한 제어 데이터를 전송하도록 동작할 수 있다.한 실시예에서 이용될 수 있는 타임 슬롯 또는 프레임 구조가 도 3에 도시되어 있다. 도 3은 주기적 포착 타임 슬롯들을 갖는 다운링크 타이밍도를 도시한다. 도 3은 상부에 프레임 구조의 제1 실시예를 도시하고, 여기서, 무선 프레임(300)은, 포착 부분(310), 업링크 제어 부분(320), 다운링크 제어 부분(330), 및 업링크/다운링크 데이터 부분(340)을 포함한다. 도 3에 표시된 바와 같이, 업링크/다운링크 제어 및 데이터 부분(320, 330 및 340)은 하나의 프레임에서 반복적으로 전송되며, 여기서, 포착 부분(310)은 전체 프레임의 시작에서 연결된다. 게다가, 상부의 도 3의 예로부터 알 수 있는 바와 같이, 업링크/다운링크 데이터와 제어 부분 + 업링크/다운링크 데이터 부분 중 하나의 지속기간은 T와 같다. 실시예의 또 다른 예는 도 3의 하부에 도시되어 있다. 도 3의 하부에서, 또 다른 무선 프레임(350)이 도시되어 있고, 이것은 또한, 포착 부분(310), 업링크 제어 부분(320), 다운링크 제어 부분(330), 및 업링크와 다운링크 데이터 부분(340)을 포함하며, 이 실시예에서, 데이터 부분은 포착 부분(310)의 전송을 허용하도록 단축된다. 즉, 도 3의 제2 실시예에서, 포착 부분(310)은 특정 기간으로 전송되고, 이것이 전송될 때 후속하는 데이터 부분(340)은 단축되어, 포착 부분(310), 업링크 제어 부분(320), 다운링크 제어 부분(330) 및 단축된 데이터 부분(340)은 지속시간 T를 가진다.하이브리드 아날로그/디지털 BF는 시분할 멀티플렉싱(TDM)을 이용하여 사용자-특유의 제어 및 데이터의 포착과 전송을 분리할 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 다운링크 및 업링크에서 주기적 포착 타임 슬롯(310)이 이용될 수 있다. 실시예에서 도 2에 도시된 트랜시버가 이용될 수 있고, 포착 타임 슬롯(310) 동안에, 아날로그 BF는 미리정의된 섹터 가중치를 이용할 수 있으며, 순수 디지털 BF가 적용될 수 있다. 도 3은, 업링크 제어(320), 다운링크 제어(330) 및 업링크/다운링크 데이터(340)를 포함하는 (동적) TDM을 위한 서브프레임 구조를 도시하며, 여기서, 각각의 부분은, 도 3에 도시된 바와 같이, 시간 영역에서 분리된, 하나 또는 복수의 심볼을 포함한다. 도 3의 상부의 실시예는, 업링크 제어(320), 다운링크 제어(330), 및 업링크/다운링크 데이터(340)에 대한 부분들의 고정된 지속시간 T를 가정한다. 다운링크 포착 부분(310)은 주기적으로 삽입된다. 도 3의 하부의 예는, 다운링크 포착 타임 슬롯(310)의 기간은, 일부 업링크/다운링크 데이터 부분들(340), 예를 들어, 다운링크 포착 부분에 후속되는 첫 번째 업링크/다운링크 데이터 부분을 단축시킴으로써 달성되는, T의 정수배인 것으로 가정한다.일부 실시예에서, 제어 모듈(14)은, 점점 더 좁아지는 빔을 후속해서 평가함으로써 제2 빔 패턴(18)을 반복적으로 판정하도록 동작할 수 있다. 이것은 계층적 BF라 부를 수 있는 개념이다. 즉, 제어 모듈(14)은 다소 적은 개수의 빔을 갖는 한 세트의 빔들과 더 낮은 이득을 갖는 빔들을 먼저 평가한 다음, 후속해서 더 높은 이득을 갖는 더 많은 수의 빔들을 갖는 세트를 평가하도록 동작할 수 있다. 예를 들어, 제어 모듈(14)은 섹터를 커버하는 2개의 빔을 체크하고, 2개의 빔들 중 하나를 선택하며, 선택된 빔을 커버하는 2개의 더 좁은 빔을 평가하는 등등을 할 수 있다.도 4는, 제어 모듈(14)의 일부 실시예에서 실행될 수 있는, 계층적 빔 검색을 이용하는 실시예를 나타낸다. 도 4는, 3개의 단계들(41, 42, 및 43)로 세분된, 빔 검색의 시퀀스를 나타낸다. 제1 단계(41)에서, 2개의 넓은 빔이 평가되고, 제2 단계(42)에서, 제1 단계에서 선택된 넓은 빔들의 영역에서 2개의 더 좁은 빔이 평가되고, 그 중 하나가 선택된다. 이제-선택된 빔은 단계(43)에서 평가되고, 여기서, 단계(42)에서 선택된 빔의 영역에서 훨씬 더 좁은 빔들이 이제 고려된다. 도 4는 3개의 후속하는 타임 슬롯들에서의 이러한 방법을 나타내며, 단계(43)에 도시된 8개의 펜슬 빔들 중 최상의 것이 3개의 단계 또는 3개의 타임 슬롯에서 선택될 수 있다.상기 설명된 바와 같이, 포착 국면은 빔포밍된 링크를 셋업하는데에 관련있을 뿐만 아니라, 사용자가 이동하거나 어떤 전송 경로가 차단된 경우에 BF 가중치를 적응하는 데에도 관련될 수 있다. 이것이 역시 도 4에 도시되어 있다. 이하의 실시예에서 예를 들어 16개의 빔을 가지며 단일의 디지털 경로를 이용하는 순수 아날로그 BF가 고려될 것이다. 실시예에서, 최상의 빔을 발견하기 위해, 하나의 방법은, 예를 들어, 사용자 또는 모바일 트랜시버(200)의 전술된 업링크 파일럿 신호에 기초하여, 한 번에 16개 모두의 빔을 스캔하는 것일 것이다. 이러한 실시예에서, 후속 평가를 이용하여 최상의 빔을 발견하기 위해 16개의 타임 슬롯이 이용될 수 있다. 아날로그 버틀러 행렬과 유사한 접근법을 이용하는 일부 실시예에서, 단일의 디지털 경로만이 이용가능할 때 단 하나의 빔만이 측정될 수 있다.일부 실시예는 서브섹터화라고도 부를 수 있는 더 빠른 기술을 이용할 수 있다. 이러한 실시예에서 제어 모듈(14)은, 4개의 서브섹터 중 최상의 것을, 그 시점에서 하나의 서브섹터를 선택한 다음, 서브섹터마다 최상의 빔을 선택할 수 있다. 이것은 선택 시간을 8개의 타임 슬롯으로 감소시킬 수 있다. 도 4에 나타낸 바와 같이 및 전술된 바와 같이, 일부 실시예에 의해 이용되는 훨씬 더 빠른 기술은 계층적 서브섹터화라 부를 수 있다. 제1 타임 슬롯(41)에서 2개의 섹터가 도입되고 최상의 것이 선택된다. 제2 타임 슬롯(42)에서 4개의 서브섹터들이 정의되고, 그 중 2개는 단계(41)에서 선택된 섹터에 놓여 있다. 이들 2개 중 최상의 것은 이제 후속 단계들에 대한 기초로서 선택될 수 있다. 후속 단계들 중 하나가 도 4의 단계(43)로 예시화되어 있으며, 이전 단계(42)의 선택된 서브섹터들은 2개 이상의 더 좁은 서브섹터들로 세분되고, 그 중 최상의 것이 이제 선택된다. 마지막 타임 슬롯에서 빔들의 작은 서브셋으로부터 최상의 빔이 선택된다. 16개 빔을 갖는 예에서, 이 절차는 단지 4개의 타임 슬롯만을 필요로 할 수 있다.실시예들에서 유사한 절차가 하이브리드 디지털/아날로그 BF와 연계하여서도 적용될 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 트랜시버(100)에 대해, K=4 서브섹터들이 순수 디지털 BF에 의해 정의된다고, 즉, 4개의 서브섹터들은 최소 하나의 타임 슬롯을 요구하는 업링크에서 동시에 처리될 수 있다고 가정하자. 일단 최상의 서브섹터가 선택되고 나면, 서브섹터 내의 4개의 빔들 중 최상의 것이 판정될 수 있다. 이것은 빔별로 이루어지거나, 계층적 서브섹터화를 이용하여 이루어질 수 있다. 계층적 서브섹터화는 마찬가지로 순수 디지털 BF와 함께 이용될 수 있고, 많은 수이 빔을 동시에 스캔하는 것과 비교해 계산 복잡성을 감소시킬 수 있다.일부 실시예에서, 서브섹터-특유의 RAP가 이용될 수 있다. 실시예들은, 상기 설명에 따라, 다운링크에서 서브섹터-특유의 RAR 및/또는 업링크에서 RAP를 정의하도록 인에이블될 수 있는, 서브섹터-특유의 동기화 또는 파일럿 신호에 의해 다운링크 전송을 위한 서브섹터들을 정의할 수 있다. 실시예들은, 이동국(200)이 다운링크 측정으로부터 최상의 서브섹터를 판정하고 업링크에서 서브섹터-특유의 RAP에 의해 그 선택을 표시한다는 점에서 포착 속도 또는 효율이 증가될 수 있다는 이점을 제공할 수 있다. 실시예들은 직교 빔들 상의 SDMA를 활용함으로써 RA에 대한 용량을, 예를 들어, K배만큼, 향상시킬 수 있다.추가 실시예에서, 셀 식별자를 운반하는 1차 동기화 신호는 전체 섹터에 걸쳐 다운링크 포착 부분 동안에 브로드캐스트될 수 있고, 서브섹터 식별자를 운반하는 K개의 2차 동기화 신호는 K개의 서브섹터들에 걸쳐, 예를 들어, 디지털 빔포밍에 의해 동시에 전송될 수 있다. 그러면 모바일 트랜시버(200)는 셀 식별자를 검출하고, 최상의 수신된 서브섹터 동기화 신호를 선택할 수 있으며, 선택된 서브섹터에 기초하여, 서브섹터에 대해 정의된 세트, 예를 들어, Zadoff-Chu 시퀀스들의 세트로부터 RAP를 전송할 수 있다. 일부 실시예에서, 서브섹터당 RA는 또한, RA 생성을 위한 스크램블링 코드가 2차 스크램블링 코드로부터 유도될 수 있는, 종래의 셀룰러 통신 시스템, 예를 들어, WCDMA 시스템에서 적용될 수 있다도 5는 모바일 통신 시스템의 모바일 트랜시버(200)에서 동작할 수 있는 장치(20)의 실시예를 나타낸다. 즉, 장치(20)는 모바일 트랜시버(200)에 맞게 적응되거나 모바일 트랜시버(200)에서 동작할 수 있으며; 모바일 트랜시버(200)에서 동작되거나 이에 포함될 수 있다. 실시예들은 또한 장치(20)를 포함하는 모바일 트랜시버(200)를 제공한다. 도 5는 또한, 장치(20)를 포함하는 모바일 트랜시버(200)의 실시예(점선)를 도시한다. 장치(20)는 트랜시버 모듈을 포함한다. 트랜시버 모듈(22)은 전술된 바와 유사한 트랜시버 모듈에 대응할 수 있지만, 전술된 전형적인 트랜시버 컴포넌트들을 포함하는 모바일 트랜시버(200)에 맞게 적응될 수 있다. 유사한 방식으로, 트랜시버 모듈(22)은, 하나 이상의 트랜시버 디바이스, 하나 이상의 트랜시버 유닛, 송수신, 즉, 수신 및/또는 전송하기 위한 임의의 수단으로서 구현될 수 있다. 트랜시버 모듈(22)은, 전송 및/또는 수신 안테나(25)에 대응할 수 있는, 복수의 안테나에(25) 대한 인터페이스들을 포함한다. 인터페이스들에 관하여 전술된 인터페이스들을 역시 참조한다. 트랜시버 모듈(22)은 제어 모듈(24)에 결합된다. 제어 모듈(24)은 복수의 전송/수신 안테나(25)에 기초하여 제1 세트의 빔 패턴들(26)을 판정하도록 동작할 수 있다. 제어 모듈(24)은 또한, 트랜시버 모듈(22)을 이용하여 제1 세트의 빔 패턴들(26)로부터의 제1 빔 패턴을 이용해 기지국 트랜시버(100)로부터 신호를 수신하도록 동작할 수 있다. 제어 모듈(24)은 또한, 복수의 전송/수신 안테나(25)에 기초하여 제2 세트의 빔 패턴(28)을 판정하도록 동작할 수 있다. 도 5에 표시된 바와 같이, 제2 세트의 빔 패턴(28)은 제1 세트의 빔 패턴들(26)보다 많은 빔 패턴을 포함한다. 제어 모듈(24)은 또한, 제2 빔 패턴(28)을 이용하고 트랜시버 모듈(22)을 이용해 기지국 트랜시버(100)에 신호를 전송하도록 동작할 수 있다.상기에서 이미 설명된 바와 같이, 제어 모듈(24)은 기지국 트랜시버(100)로부터 신호로서 동기화 신호를 수신하고 동기화 신호에 기초하여 RAP의 전송을 위한 무선 자원에 관련된 정보를 판정하도록 동작할 수 있다. 그러면, 제어 모듈(24)은 동기화 신호에 기초하여 판정된 무선 자원을 이용하여 기지국 트랜시버(100)에 RAP를 전송하도록 동작할 수 있다. 즉, 동기화 신호는, 섹트별로 또는 서브섹터별로 전송된다면, 무선 자원을 판정할 수 있다. 추가 실시예에서, 제어 모듈(24)은 제1 세트의 빔 패턴들(26)로부터의 제1 빔 패턴을 이용하고 트랜시버 모듈(22)을 이용해 기지국 트랜시버(100)로부터 신호로서 동기화 신호를 수신하도록 동작할 수 있다. 제어 모듈(24)은 또한, 제2 세트의 빔 패턴들(28)로부터의 제2 빔 패턴을 이용하고 트랜시버 모듈(22)을 이용해 기지국 트랜시버(100)에 RAP를 전송하도록 동작할 수 있다.즉, 모바일 트랜시버(200)는 복수의 전송/수신 안테나(25)를 이용할 수 있다. 동기화 신호의 처리는, 작은 개수의(미리정의된) 수신 빔에 대해, 예를 들어, 도 2에 도시된 것과 유사한 모바일 트랜시버(200)에서 4개의 디지털 경로를 가정할 때 4개의 수신 빔에 대해, 병렬로 수행될 수 있다. 그러면 4개의 빔은 제1 세트의 빔 패턴(26)에 대응할 수 있다. 다운링크 동기화가 확립되었다면, 이동국(200)은 더 큰(4보다 큰) 세트의 수신 빔, 즉, 제2 세트의 빔 패턴(28)을 이용하여 디지털 BF에 대한 가중치를 미세-튜닝할 수 있다. 이 미세-튜닝은 모바일 트랜시버(200)에 의해 시간/주파수/공간 영역에서 동기화를 유지하기 위해 주기적으로 실행될 수 있다. 그러면, 미세-튜닝된 BF 가중치들은 모바일 트랜시버(200)에 의해 전송과 수신을 위해, 예를 들어, RAR을 수신하고 RAP, 업링크 파일럿 신호 등을 전송하기 위해 적용될 수 있다.추가 실시예에서, 제어 모듈(24)은 제1 세트의 빔 패턴들(26)로부터의 제1 빔 패턴을 이용하고 트랜시버 모듈(22)을 이용해 기지국 트랜시버(100)로부터 신호로서 동기화 신호를 수신하도록 동작할 수 있다. 제어 모듈(24)은 또한, 제1 빔 패턴을 이용하고 트랜시버 모듈(22)을 이용해 기지국 트랜시버(100)에 RAP를 전송하도록 동작할 수 있다. 그 다음, 제어 모듈(24)은 또한, 제1 빔 패턴을 이용하고 트랜시버 모듈(22)을 이용해 RAR을 수신하고 제2 빔 패턴을 이용하고 트랜시버 모듈(22)을 이용해 파일럿 신호를 전송하도록 동작할 수 있다.도 6은 모바일 통신 시스템의 기지국 트랜시버를 위한 방법의 실시예의 블록도를 나타낸다. 이 방법은, 복수의 안테나(15)를 복수의 서브그룹으로 세분하는 단계(30), 및 서브그룹으로서 하나 이상의 안테나를 이용하여 제1 빔 패턴(16)을 형성하는 단계(32)를 포함한다. 이 방법은, 제1 빔 패턴(16)을 이용하여 동기화 신호를 전송하는 단계(34), 및 모바일 트랜시버(200)로부터 동기화 신호의 전송 이후에 응답 신호를 수신하는 단계(36)를 더 포함한다. 이 방법은, 모바일 트랜시버(200)로부터의 응답 신호에 기초하여 제2 빔 패턴(18)을 판정하는 단계(38), 및 제2 빔 패턴(18)을 이용하여 모바일 트랜시버(200)에 신호를 전송하는 단계(40)를 더 포함한다. 제2 빔 패턴(18)은 제1 빔 패턴(16)보다 높은 안테나 이득을 가진다.도 7은 모바일 통신 시스템의 모바일 트랜시버(200)를 위한 방법의 실시예의 블록도를 나타낸다. 이 방법은, 복수의 안테나(25)에 기초하여 제1 세트의 빔 패턴들(26)을 판정하는 단계(42)를 포함한다. 이 방법은, 제1 세트의 빔 패턴들(26)로부터의 제1 빔 패턴을 이용하여 기지국 트랜시버(100)로부터 신호를 수신하는 단계(44)를 더 포함한다. 이 방법은, 복수의 안테나(25)에 기초하여 제2 세트의 빔 패턴(28)을 판정하는 단계를 더 포함한다. 제2 세트의 빔 패턴(28)은 제1 세트의 빔 패턴들(26)보다 많은 빔 패턴을 포함한다. 이 방법은, 제2 세트의 빔 패턴들(28)로부터의 제2 빔 패턴을 이용하여 기지국 트랜시버(100)에 신호를 전송하는 단계(48)를 더 포함한다.추가 실시예는, 컴퓨터에 의해 실행될 때, 컴퓨터로 하여금 여기서 설명된 방법들 중 하나를 구현하게 하는 명령어들을 저장한 컴퓨터 판독가능한 저장 매체이다. 다른 실시예는, 프로세서, 컴퓨터, 또는 프로그램가능한 하드웨어 상에서 실행될 때, 전술된 방법들 중 임의의 것을 수행하기 위한 프로그램 코드를 갖는 컴퓨터 프로그램 또는 컴퓨터 프로그램 제품이다.본 기술분야의 통상의 기술자라면, 다양한 전술된 방법들의 단계들은 프로그램된 컴퓨터에 의해 수행될 수 있다는 것을 용이하게 인식할 것이다. 여기서, 일부 실시예는 또한, 프로그램 저장 디바이스, 예를 들어, 머신 또는 컴퓨터 판독가능하고 머신-실행가능하거나 컴퓨터-실행가능한 명령어들의 프로그램인 디지털 데이터 저장 매체를 포괄하도록 의도되며, 여기서 상기 명령어들은 여기서 설명된 방법들의 단계들의 일부 또는 전부를 수행한다. 프로그램 저장 디바이스는, 예를 들어, 디지털 메모리, 자기 디스크 및 자기 테이프 등의 자기 저장 매체, 하드 드라이브, 또는 광학적으로 판독가능한 디지털 데이터 저장 매체일 수 있다. 실시예들은 또한, 여기서 설명된 방법들의 상기 단계들을 수행하도록 프로그램된 컴퓨터, 또는 전술된 방법들의 상기 단계들을 수행하도록 프로그램된 (필드) 프로그래머블 로직 어레이((F)PLA) 또는 (필드) 프로그래머블 게이트 어레이((F)PGA)를 포괄하도록 의도된다.상기 설명과 도면은 단지 본 발명의 원리를 예시할 뿐이다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 기술자라면, 여기서 명시적으로 설명되거나 도시되지는 않았지만, 본 발명의 원리를 구현하고 본 발명의 사상과 범위 내에 있는 다양한 구조를 고안할 수 있을 것이라는 것을 이해할 것이다. 또한, 여기서 기재된 모든 예들은 본 분야를 발전시키기 위해 발명자(들)가 기여한 본 발명의 원리와 개념을 이해하는데 있어서 독자를 돕기 위한 교육적 목적을 위한 것일 뿐임을 명시적으로 의도하며, 이러한 구체적으로 기재된 예와 조건들로 제한되지 않는 것으로 이해되어야 한다. 게다가, 본 발명의 원리, 양태, 및 실시예를 인용하는 여기서의 모든 진술 뿐만 아니라 그 구체적인 예들은 그 균등물들을 포괄하는 것으로 의도한다.(특정 기능을 수행하는) "...하기 위한 수단"으로서 표기된 기능 블록들은 각각 특정 기능을 수행하도록 적응되는 회로를 포함하는 기능 블록으로서 이해되어야 한다. 따라서, "~을 위한 수단"은 역시 "~을 위해 적응된 또는 ~을 위해 적합한 수단"으로서 이해될 수 있다. 따라서, 특정 기능을 수행하도록 적응되는 수단은, 이러한 수단이 (어떤 주어진 시점에서) 반드시 상기 기능을 수행하고 있다는 것을 암시하지는 않는다."수단", "송수신하기 위한 수단", "제어하기 위한 수단" 등으로서 라벨링된 임의의 기능 블록을 포함한, 도면에 도시된 다양한 요소들의 기능들은, "트랜시버", "제어기/프로세서" 등의 전용 하드웨어뿐만 아니라, 적절한 소프트웨어와 연관하여 소프트웨어를 실행할 수 있는 하드웨어의 이용을 통해 제공될 수 있다. 게다가, 여기서 "수단"으로서 설명된 임의의 엔티티는, "하나 이상의 모듈", "하나 이상의 디바이스", "하나 이상의 유닛" 등에 대응하거나 이들로서 구현될 수 있다. 프로세서에 의해 제공될 때, 기능들은, 단일의 전용 프로세서에 의해, 단일의 공유된 프로세서에 의해, 또는 일부가 공유될 수 있는 복수의 개별 프로세서에 의해 제공될 수 있다. 게다가, 용어 "프로세서" 또는 "제어기"의 명시적 사용은, 소프트웨어를 실행할 수 있는 하드웨어만을 배타적으로 지칭하는 것으로 해석되어서는 안되며, 제한없이, 디지털 신호 프로세서(DSP) 하드웨어, 네트워크 프로세서, 주문형 집적 회로(ASIC), 필드 프로그래머블 게이트 어레이(FPGA), 소프트웨어를 저장하기 위한 판독 전용 메모리(ROM), 랜덤 액세스 메모리(RAM), 및 비휘발성 스토리지를 묵시적으로 포함할 수 있다. 종래형이든 및/또는 맞춤형이든 기타의 하드웨어도 역시 포함될 수 있다. 그들의 기능은 프로그램 로직의 동작을 통해, 전용 로직을 통해, 프로그램 제어와 전용 로직의 상호작용을 통해, 또는 심지어 수동으로, 문맥으로부터 더 구체적으로 이해되는 바와 같이 구현자에 의해 선택가능한 특정한 기술을 통해 실행될 수도 있다.본 기술분야의 통상의 기술자라면, 여기서의 임의의 블록도들은 본 발명의 원리를 구현하는 예시적 회로의 개념적 뷰를 나타낸다는 것을 이해해야 한다. 유사하게, 임의의 플로차트, 흐름도, 상태 천이도, 의사 코드 등은, 실질적으로 컴퓨터 판독가능한 매체로 표현되고 명시적으로 도시되었든 아니든 컴퓨터 또는 프로세서에 의해 실행될 수 있는 다양한 프로세스들을 나타낸다는 것을 이해할 것이다.또한, 이하의 청구항들은 상세한 설명 내에 병합되는 것이며, 여기서, 각각의 청구항은 그 자체로 별개의 실시예를 나타낼 수 있다. 각각의 청구항이 그 자체로 별개의 실시예를 나타낼 수 있지만, - 종속항이 청구항들에서 하나 이상의 다른 청구항과의 특정한 조합을 참조할 수 있더라도 - 다른 실시예들은 그 종속항과 각각의 다른 종속항의 청구대상과의 조합을 역시 포함할 수 있다는 점에 유의해야 한다. 이러한 조합들은, 특정한 조합을 의도하지 않는다고 기재하지 않는 한 여기서 의도된다. 또한, 한 청구항이 임의의 다른 독립항에 직접적으로 의존하지 않더라도, 이 청구항의 피쳐를 그 독립항에 포함시키고자 한다.본 명세서 또는 청구항에서 개시된 방법들은 이들 방법들의 해당 단계들 각각을 수행하기 위한 수단을 갖는 디바이스에 의해 구현될 수 있다는 점에도 유의해야 한다.
실시예들은 기지국 트랜시버와 모바일 트랜시버를 위한 빔포밍 장치, 방법 및 컴퓨터 프로그램을 제공한다. 모바일 통신 시스템의 기지국 트랜시버(100)에서 동작할 수 있는 장치(10)는 복수의 안테나(15)에 대한 인터페이스들을 포함하는 트랜시버 모듈(12)을 포함한다. 트랜시버 모듈(12)은 인터페이스들을 이용하여 복수의 안테나(15)를 복수의 서브그룹으로 세분하고, 서브그룹의 하나 이상의 안테나를 이용하여 제1 빔 패턴(16)을 형성하도록 동작할 수 있다. 장치(10)는, 트랜시버 모듈(12)과 제1 빔 패턴(16)을 이용하여 동기화 신호를 전송하도록 동작할 수 있는 제어 모듈(14)을 더 포함한다. 제어 모듈(14)은 또한, 트랜시버 모듈(12)을 이용하여 모바일 트랜시버(200)로부터 동기화 신호의 전송 이후에 응답 신호를 수신하고, 모바일 트랜시버(200)로부터의 응답 신호에 기초하여, 제1 빔 패턴(16)보다 높은 안테나 이득을 갖는 제2 빔 패턴(18)을 판정하며, 제2 빔 패턴(18)과 트랜시버 모듈(12)을 이용하여 모바일 트랜시버(200)에 신호를 전송하도록 동작할 수 있다. 모바일 통신 시스템의 모바일 트랜시버(200)에서 동작할 수 있는 장치(20)는, 복수의 안테나(25)에 대한 인터페이스들을 포함하는 트랜시버 모듈(22), 및 복수의 안테나(25)에 기초하여 제1 세트의 빔 패턴들(26)을 판정하고, 트랜시버 모듈(22)을 이용하여 제1 세트의 빔 패턴들(26)로부터의 제1 빔 패턴을 이용하여 기지국 트랜시버(100)로부터 신호를 수신하도록 동작할 수 있는 제어 모듈(24)을 포함한다. 제어 모듈(24)은 또한, 복수의 안테나(25)에 기초하여 제1 세트의 빔 패턴들(26)보다 많은 빔 패턴들을 포함하는 제2 세트의 빔 패턴들(28)을 판정하고, 제2 세트의 빔 패턴들(28)로부터의 제2 빔 패턴을 이용하고 트랜시버 모듈(22)을 이용하여 기지국 트랜시버(100)에 신호를 전송하도록 동작할 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 진동 용접 방법OSCILLATING WELDING METHOD [ 기술분야 ] 본 발명은 용접 빔이 진동 이동하는 용접 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 높은 금속 상 γ' 부분을 갖는 니켈기-초합금의 레이저 살붙임 용접(laser deposition welding) 시에, 용융물의 응고 중에 이미 고온 균열이 발생할 수 있다. 원형 강도 분포를 갖는 레이저의 빔 직경의 축소를 통해, 더 작은 입자가 달성되고 응고 균열이 방지될 수 있으나, 이에 의해 재료의 용착 속도(deposition rates)가 낮아진다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명의 과제는 미세 입자 및 높은 용착 속도가 달성될 수 있는 용접 방법을 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 과제는 청구항 제1항에 따른 방법에 의해 해결된다.추가의 장점을 달성하기 위해, 임의로 서로 조합될 수 있는 추가의 바람직한 조치들이 종속 청구항에 명시된다.수평 방향으로의 진동 이동을 통해, 응고 선단(solidification front)이 항상 변경되어야 함으로써, 진동 응고 형태가 구현된다. 항상 변경되는 응고 기능으로 인해, 용융물의 응고 중에 입자 성장이 중단되고 미세 조직이 세립(fine grained form)으로 응고된다. 미세 조직의 세립화를 통해, 남아있는 용접 잔류 응력이 결정 경계 상에 분포됨으로써, 용접 시임 내 또는 용접 비드 내에서 균열이 방지된다.용접 방법은 재용융 또는 살붙임 용접을 나타낼 수 있다. 상기 두 방법에서, 용융물 및 응고 선단이 형성된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 용접을 위한 배열을 도시한다.도 2 내지 도 4는 진동 이동의 진행을 도시한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도면 및 상세한 설명은 본 발명의 단지 실시예 만을 설명한다.도 1은 용접 방법, 특히 레이저 용접 방법의 장치(1)를 도시하며, 이러한 용접 방법을 참조로, 한정되지 않는 방식으로 본 발명이 설명된다.이러한 방법은 레이저 용접 방법으로 한정되는 것이 아니라, 전자 빔 용접 방법 및 상응하는 에너지 원을 갖는 다른 플라즈마 용접 방법에 대해서도 유효하다.터빈 블레이드에서 높은 γ'-부분을 갖는 니켈기 또는 코발트기 초합금 및 따라서 통상 어렵게 용접 가능한 합금을 나타내는 기판(3) 상에 재료(8)가 용착된다.용접 비드(6)가 살붙임 용접의 부분으로서 이미 형성되어 있다. 재용융 방법의 경우에, 용접 비드는 재용융된 영역을 나타낸다.레이저가 예시적인 에너지원(13)으로서 레이저 방사선(15)(도 2)을 기판(3) 상으로 향한 위치에 용융 풀(7, melt pool)이 존재한다.바람직하게는, 재료 공급부(14)로서의 분말 노즐이 분말(8)을 공급하며, 본 실시예에서 레이저 방사선(15)에 의해 분말(8)이 용융된다. 재료(8)가 분말 형태로 공급되나, 와이어로서도 공급될 수 있다. 레이저 방사선(15)은 특히 펄스화된다.용접될 면은 나란히 그리고 경우에 따라 중첩되어 놓인 복수의 용접 비드로 형성되며, 바람직하게는 적어도 하나의 방향에서 4mm보다 크거나 같은 길이를 포함한다.도 2, 도 3, 도 4에는 예를 들어 레이저 방사선(15)의 삼각형(44; 31, 34; 43, 49, 55)의 진동 이동이 도시된다.진동 이동은 바람직하게는 단지 평면 내에서 수행된다.삼각형(44; 31, 34; 43, 49, 55)은 바람직하게는 예각 삼각형이며, 바람직하게는 삼각형(44)의 [진행 방향(2)으로의] 높이는 바닥(24)보다 적어도 2배이다.바람직하게는, 진동 이동은 이하와 같이 진행된다: 제1 시작점(21)(도 2)으로부터, 레이저 방사선(15)은 진행 방향(2) 반대로 제1 전향점(22)까지 진행 방향(2)에 대해 소정의 각도 하에 이동한 후, 이곳에서 레이저 방사선(15)은 진행 방향(2)에 대해 수직으로 방향(24)으로 제2 전향점(23)까지 진행한다.레이저 방사선(15)이 전체적으로 진행 방향(2)으로 계속 속행하기 때문에, 레이저 방사선은, 진행 방향(2)에 대해 비스듬히, 진행 방향(2)으로 제1 경사 방향(30)(도 3)으로, 진행 방향(2)에서 제1 전향점(22) 후방에 있는 제2 시작점(31)으로 이동한다. 제2 시작점(31)은 간격(4) 만큼 제1 전향점(22)의 높이로 변위되어 놓인다.그곳으로부터, 레이저 방사선(15)은 다시 전진하여 제3 전향점(33)까지 이동한다. 제3 전향점(33)은 진행 방향(2)에서 제1 시작점(21) 후방에 놓인다. 지점(21, 33)들 사이의 연결 라인은 진행 방향(2)에 대해 평행이다. 그곳으로부터, 레이저 방사선(15)은 진행 방향(2)에 대해 소정의 각도로, 진행 방향(2)의 반대로 제4 전향점(34)까지 다시 진동한다. 제4 전향점(34)은 진행 방향(2)에 대해 수직 방향으로 제2 시작점(31)의 높이에, 그리고 진행 방향(2)으로 제2 전향점(23)의 높이에 놓인다.제2 수직 진행 방향(36)에서 진행 방향(2)에 대해 수직으로, 레이저 방사선(15)이 삼각형 진동 이동의 제2 시작점(31)으로 복귀 이동한다(도 3).도 4에서, 도 3으로부터의 추가의 삼각형 진동 이동을 볼 수 있으며, 레이저 방사선(15)이 진행 방향(2)에 대해 제2 경사 방향(40)에서, 진행 방향(2)으로 제7 전향점(55)으로 진동한다. 제7 전향점(55)은 지점(34)의 높이에 놓인다. 그곳으로부터, 레이저 방사선(15)은 제3 전향점(33) 방향으로, 도 3에 따라 전향점(33) 후방에 놓인 제5 전향점(43)으로 이동한다.제5 전향점(43)으로부터, 레이저 방사선(15)이 진행 방향(2)의 반대로 진행 방향(2)에 대해 비스듬히, 제3 후진 이동(46)으로 제6 전향점(49)까지 이동한다. 제6 전향점(49)으로부터, 레이저 방사선(15)은 진행 방향(2)에 대해 수직으로 제7 전향점(55)으로 진동한다.유사하게, 레이저 방사선(15)의 진행을 위해, 항상 삼각형이 진행 방향(2)으로 변위되기 때문에, 삼각형의 중첩이 수행된다.이는 바람직하게는 삼각형 진동 시에 단지 하나의 절차를 나타낸다.이러한 절차를 통해, 본 발명을 기초로 하여 개선된 재료 특성이 달성된다.
수직 및/또는 수평 방향으로의 용접 시 진동 이동을 통해, 용접 시에 균열 형성을 방지하는 더 작은 입자가 달성된다. 본 발명은 기판(3)의 용접 방법에 관한 것으로서, 에너지 원(13) 및/또는 재료 공급부(14)가 기판(3)의 표면(5)에 대해 진동식으로 이동한다.
[ 발명의 명칭 ] 가상 환경에서 주변 컴포넌트 인터커넥트 익스프레스 (PCIE) 디바이스를 사용하는 방법METHODS OF USING A PERIPHERAL COMPONENT INTERCONNECT EXPRESS (PCIE) DEVICE IN A VIRTUAL ENVIRONMENT [ 기술분야 ] 우선권 주장본 출원은, 2013년 12월 20일에 출원되고 발명의 명칭이 "METHODS OF USING A PERIPHERAL COMPONENT INTERCONNECT EXPRESS (PCIe) DEVICE IN A VIRTUAL ENVIRONMENT"인 미국 특허 출원 일련 번호 14/136,180을 우선권 주장하며, 이는 그 전체가 본원에 참조로써 포함된다.개시의 분야본 개시의 기술은 일반적으로 컴퓨팅 디바이스들 내의 가상 환경들에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 컴퓨팅 디바이스들은 사회 전반에 걸쳐 공통되고 있다. 이들 디바이스들을 위해 소수의 운영 시스템들이 사용되지만, 컴퓨팅 디바이스에서 사용하기 위해 이용가능한 실질적으로 배타적인 복수의 운영 시스템들이 존재한다는 것은 사실 그대로이다. 컴퓨팅 디바이스의 사용자가 동시에 다수의 운영 시스템들을 동작시키기를 원할 수도 있는 상황이 있을 수도 있다.사용자가 다수의 운영 시스템들을 동시에 동작할 수 있게 하기 위한 하나의 해결책은 가상 환경의 이용이다. 이러한 컨셉의 하나의 성공적인 상업용 구현예는 윈도우 환경을 애플 운영 시스템과 동시에 실행하는 애플의 능력이다. 윈도우에 대한 가상 환경들이 상업적으로서 성공할 수 있다는 것을 애플이 나타냈지만, 이러한 옵션은 가상 환경을 조정하도록 설계된 데스크 탑 머신들 및 랩 탑들에 한정된다.다른 컴퓨팅 디바이스들, 및 특히 모바일 컴퓨팅 디바이스들은 애플 아키텍처의 혜택이 없다. 무수히 많은 능력을 갖는 애플의 iPHONE�� 이라도 효과적인 가상 환경들을 제공하지 않는다. 보다 많은 가상 환경 옵션들이 있는 경우, 최종 사용자들은 그들이 이러한 모바일 디바이스들을 사용하는 방법에 있어서 보다 많은 유연성을 가질 것이다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 상세한 설명에 개시된 실시형태들은 가상 환경에서 주변 컴포넌트 인터커넥트 익스프레스 (PCIe) 디바이스를 사용하는 방법을 포함한다. 본 개시의 예시적인 실시형태들은, 2개의 운영 시스템들이 프라이머리 디바이스 상에서 동작할 수 있게 하는 기법들에 관한 것이다. 하나의 운영 시스템은 프라이머리 디바이스 내의 가상 환경에서 게스트의 역할을 한다. 주변 디바이스는 무선 접속을 통해 프라이머리 디바이스에 커플링된다. 예시적인 실시형태에서, 무선 접속은 PCIe 브릿지이다. 호스트 운영 시스템은 프라이머리 디바이스의 하드웨어 및 메모리 소자들과 직접 인터페이스한다. 게스트 운영 시스템은 주변 디바이스의 하드웨어 및 메모리 소자들과 연동된다. PCIe 무선 링크의 이용은, 게스트 운영 시스템이 비교적 작은 대기시간을 가지고 주변 디바이스의 소자들과 인터페이스할 수 있게 한다.본 개시의 제 2 실시형태는 메카니즘에 관한 것으로, 그 메카니즘을 통해 가상 환경이 생성된다. 특히, 가상화 테이블은 호스트 메모리에서의 실제 물리적 어드레스를 주변 디바이스에서의 또 다른 물리적 메모리로 트랜스레이팅할 것이다. 이러한 방식으로, 어드레스가 위임되면, 가상 환경 클라이언트는 원격 하드웨어에 직접 접속할 것이다.이와 관련하여 하나의 실시형태에서, 컴퓨팅 시스템이 개시되어 있다. 컴퓨팅 디바이스는, 주변 메모리 컴포넌트 및 주변 무선 트랜시버를 포함하는 주변 디바이스를 포함한다. 컴퓨팅 시스템은 프라이머리 디바이스를 더 포함한다. 프라이머리 디바이스는 사용자 인터페이스 및 프라이머리 메모리 소자를 포함한다. 프라이머리 디바이스는 또한, 프라이머리 디바이스와 주변 디바이스가 통신으로 커플링되도록 주변 무선 트랜시버와 통신하도록 구성된 프라이머리 무선 트랜시버를 포함한다. 프라이머리 디바이스는 또한 제어 시스템을 포함한다. 제어 시스템은 2개의 운영 시스템들을 지원하도록 구성되어, 2개의 운영 시스템들 중 제 1 의 운영 시스템은 프라이머리 메모리 소자와 인터액트하지만 주변 메모리 소자와 인터액트하지 않도록 구성되게 하고 2개의 운영 시스템들 중 제 2 의 운영 시스템은 가상 운영 시스템이 되도록 그리고 무선 트랜시버들을 통해 주변 메모리 소자와 인터액트하도록 구성되게 한다.또 다른 실시형태에서, 컴퓨팅 시스템이 개시된다. 컴퓨팅 시스템은 프라이머리 디바이스를 포함한다. 프라이머리 디바이스는 사용자 인터페이스를 포함한다. 프라이머리 디바이스는 또한 프라이머리 메모리 소자를 포함한다. 프라이머리 디바이스는 또한, 프라이머리 디바이스와 주변 디바이스가 통신으로 커플링되도록 하기 위해 주변 디바이스에서의 주변 무선 트랜시버와 통신하도록 구성된 프라이머리 무선 트랜시버를 포함한다. 프라이머리 디바이스는 또한 제어 시스템을 포함한다. 제어 시스템은 2개의 운영 시스템들을 지원하도록 구성되어, 2개의 운영 시스템들 중 제 1 의 운영 시스템은 프라이머리 메모리 소자와 인터액트하지만 주변 메모리 소자와 인터액트하지 않도록 구성되게 하고 2개의 운영 시스템들 중 제 2 의 운영 시스템은 가상 운영 시스템이 되도록 그리고 무선 트랜시버들을 통해 주변 메모리 소자와 인터액트하도록 구성되게 한다.또 다른 실시형태에서, 컴퓨팅 시스템이 개시된다. 컴퓨팅 시스템은 프라이머리 디바이스를 포함한다. 프라이머리 디바이스는 사용자 인터페이스를 포함한다. 프라이머리 디바이스는 또한 프라이머리 메모리 소자를 포함한다. 프라이머리 디바이스는 또한 주변 디바이스에서의 주변 스위치와 통신하도록 구성된 프라이머리 와이어 기반의 PCIe 브릿지를 포함하여, 프라이머리 디바이스와 주변 디바이스가 통신으로 커플링되도록 한다. 프라이머리 디바이스는 또한 제어 시스템을 포함한다. 제어 시스템은 2개의 운영 시스템들을 지원하도록 구성되어, 2개의 운영 시스템들 중 제 1 의 운영 시스템은 프라이머리 메모리 소자와 인터액트하지만 주변 메모리 소자와 인터액트하지 않도록 구성되게 하고 2개의 운영 시스템들 중 제 2 의 운영 시스템은 가상 운영 시스템이 되도록 그리고 PCIe 브릿지를 통해 주변 메모리 소자와 인터액트하도록 구성되게 한다.또 다른 실시형태에서, 모바일 단말기를 이용하여 주변 디바이스를 사용하는 방법이 개시된다. 방법은 모바일 단말기에서 무선 PCIe 브릿지를 제공하는 것을 포함한다. 방법은 또한 PCIe 브릿지를 주변 디바이스에서 무선 PCIe 트랜시버에 무선 접속하는 것을 포함한다. 방법은 또한, 제 1 의 운영 시스템이 모바일 단말기 내에서만 메모리 리소스들을 사용하도록 모바일 단말기 상에서 제 1 의 운영 시스템을 동작시키는 것을 포함한다. 방법은 또한, 제 2 의 운영 시스템이 무선 PCIe 브릿지를 통해 주변 디바이스의 메모리 리소스들을 사용하도록 모바일 단말기 상의 가상 환경 내에서 제 2 의 운영 시스템을 동작시키는 것을 포함한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 개시의 예시적인 실시형태들에 따라 통신할 수 있는 주변 디바이스들과 모바일 단말기의 사시도이고;도 2는 도 1의 모바일 단말기의 컴포넌트들의 블록도이고;도 3은 본 개시에 따른 주변 디바이스와 통신하는 모바일 단말기 내의 제 2 의 운영 시스템의 예시적인 실시형태의 블록도이고;도 4는 본 개시에 따른 주변 디바이스와 통신하는 컴퓨팅 디바이스 내의 제 2 의 운영 시스템의 예시적인 실시형태의 블록도이고;도 5는 본 개시의 프로세스의 예시적인 실시형태의 플로우 차트이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 도시된 도면들을 참조하여 본 개시의 여러 예시적인 실시형태들을 설명한다. 단어 "예시적인" 은 본 명세서에서 "예, 사례, 또는 예시로서 기능하는 것" 을 의미하는데 사용된다. 본 명세서에서 "예시적인" 으로서 설명된 임의의 실시형태가 반드시 다른 실시형태들에 비해 선호되거나 또는 유리한 것으로서 해석되는 것은 아니다.상세한 설명에 개시된 실시형태들은 가상 환경에서 주변 컴포넌트 인터커넥트 익스프레스 (PCIe) 디바이스를 사용하는 방법을 포함한다. 본 개시의 예시적인 실시형태들은, 2개의 운영 시스템들이 프라이머리 디바이스 상에서 동작할 수 있게 하는 기법들에 관한 것이다. 하나의 운영 시스템은 프라이머리 디바이스 내의 가상 환경에서 게스트의 역할을 한다. 주변 디바이스는 무선 접속을 통해 프라이머리 디바이스에 커플링된다. 예시적인 실시형태에서, 무선 접속은 PCIe 브릿지이다. 호스트 운영 시스템은 프라이머리 디바이스의 하드웨어와 메모리 소자들과 직접 인터페이스한다. 게스트 운영 시스템은 주변 디바이스의 하드웨어와 메모리 소자들과 연동된다. PCIe 무선 링크의 이용은, 게스트 운영 시스템이 비교적 작은 대기시간을 갖는 주변 디바이스의 소자들과 인터페이스할 수 있게 한다.본 개시의 제 2 실시형태는 메카니즘에 관한 것으로, 그 메카니즘을 통해 가상 환경이 생성된다. 특히, 가상화 테이블은 호스트 메모리에서의 실제 물리적 어드레스를 주변 디바이스에서의 또 다른 물리적 메모리로 트랜스레이팅할 것이다. 이러한 방식으로, 어드레스가 위임되면, 가상 환경 클라이언트는 원격 하드웨어에 직접 접속할 것이다.본 개시의 예시적인 실시형태들을 언급하기 이전에, 스마트 폰과 태블릿과 같은 모바일 단말기들의 증가하는 유병률은 사람들이 이러한 디바이스를 사용하는 새로운 방법을 계속 생각함에 따라 새로운 기회를 창조했다는 점에서 주목할 가치가 있다. 예를 들어, iPHONE�怜� 같은 스마트 폰의 비교적 작은 화면 크기는, 어떤 사람들은 무리해서 디스플레이의 컨텐츠를 읽는다는 것을 의미한다. KINDLE™ 또는 iPAD™와 같은 태블릿 스타일 디바이스들의 보다 큰 화면이더라도 여전히 전통적인 텔레비전 화면이나 데스크탑 컴퓨터 모니터보다 훨씬 더 작다. 따라서, 이러한 모바일 단말기들을 큰 화면의 모니터들과 같은 다양한 주변 디바이스들과 연동시키기 위한 노력들이 이루어져 왔다. 그러나, 지금까지, 이러한 주변 모니터들의 연동은 모바일 단말기의 데스크톱을 단순 복제하는 슬레이브 디바이스로서 모니터를 처리한다 (예를 들어, 스마트 폰의 바탕화면 및 아이콘이 모니터에 변경없이 표시된다). 많은 경우, 스마트 폰의 운영 시스템은 이러한 주변 모니터들의 개선된 해상도 및 크기를 이용하는데 최적화되어 있지 않다.키보드 및 모니터와 같은 주변 디바이스들의 가용성에도, 주변 디바이스의 기능성은 모바일 단말기의 기본 운영 시스템의 기능성에 의해 여전히 제한된다. 즉, UBUNTU와 같은 일부 운영 시스템들은 비디오 콘텐츠를 표시하기 위해 최적화될 수 있는 한편, 다른 운영 시스템들은 다른 형태의 프로세싱을 용이하게 하기 위해 최적화될 수도 있다. 하나의 해결책은 모바일 단말기 상의 가상 환경에서 제 2 의 운영 시스템을 실행하는 것이다. 하지만, 모바일 단말기의 슬레이브 디바이스로서 모니터를 처리하는 현재의 한계는, 제 2 의 운영 시스템이 주변 디바이스의 리소스들을 충분히 이용할 수 없다는 것을 의미한다.본 개시의 예시적인 실시형태들은 2개의 운영 시스템들을 이용하여 주변 디바이스를 프라이머리 또는 호스트 컴퓨팅 디바이스에 접속하는 것을 제안한다. 제 1 의 운영 시스템은 고유의 또는 디폴트 운영 시스템이고 제 2 의 운영 시스템은 호스트 컴퓨팅 디바이스 내의 가상 환경에서 동작하는 게스트 운영 시스템이다. 가상화 테이블은 제 2 의 운영 시스템으로부터의 명령들을 PCIe 접속을 통해 주변 디바이스 내의 메모리 소자들로 리디렉팅한다. 예시적인 실시형태에서, PCIe 접속은 대략 60 GHz에서 동작되는 WiGig 접속이다. 이러한 접속의 속도는 대기시간이 거의 없다는 것을 의미한다. 이 방식으로, 컴퓨팅 디바이스의 동작에 최적화된 운영 시스템은 고유의 운영 시스템일 수도 있고 가상 운영 시스템은 주변 디바이스를 사용하기에 최적화될 수도 있다. 예를들어, 안드로이드 운영 시스템은 스마트 폰에 대해 고유한 것일 수도 있고, UBUNTU는 주변 모니터에 영상을 보여주기 위한 가상 운영 시스템일 수도 있다.본 개시의 실시형태들이 다양한 컴퓨팅 디바이스들에 적용가능하지만, 예시적인 실시형태는 스마트 폰, 태블릿 등과 같은 모바일 단말기이다. 즉, 도 1에는 주변부들 (12) 과 모바일 단말기 (10) 가 예시되어 있다. 예시적인 실시형태에서, 모바일 단말기 (10) 는 iPHONE�� 또는 SAMSUNG�� GALAXY™ 와 같은 스마트 폰이다. 주변부들 (12) 은 모니터 (14) (때로는 디스플레이로 지칭), 키보드 (16), USB 드라이브 (18) 등일 수도 있다. 예시적인 실시형태에서, 모바일 단말기 (10) 는 이하 보다 상세히 설명되는 바와 같이 주변부들 (12) 과 무선 통신한다. 대안으로, 모바일 디바이스 (10) 는 도킹 스테이션 (20) 에 커플링될 수 있고, 도킹 스테이션 (20) 은 와이어를 통해 주변부 (12) (예를 들어, 키보드 (16)) 에 커플링될 수도 있다.도 2를 참조하면, 모바일 단말기 (10) 의 일부 소자들의 블록도가 도시되어 있다. 모바일 단말기 (10) 는 수신기 경로 (22), 송신기 경로 (24), 안테나 (26), 스위치 (28), 베이스밴드 프로세서 (BBP) (30), 제어 시스템 (32), 주파수 합성기 (34), 사용자 인터페이스 (36) 및 소프트웨어 (40) 가 내부에 저장된 메모리 (38) 를 포함할 수 있다.수신기 경로 (22) 는 기지국 (미도시) 에 의해 제공된 하나 이상의 원격 송신기들로부터 정보 베어링 RF 신호를 수신한다. 저잡음 증폭기 (미도시) 는 신호를 증폭시킨다. 필터 (미도시) 는, 하향 변환 및 디지털화 회로 (미도시) 가 필터링된 수신 신호를 중간 또는 기저대역 주파수 신호로 하향 변환하고, 이것을 하나 이상의 디지털 스트림들로 디지털화하는 동안, 수신 신호에서의 광대역 간섭을 최소화한다. 수신기 경로 (22) 는 일반적으로 주파수 합성기 (34) 에 의해 발생된 하나 이상의 혼합 주파수들을 이용한다. BBP (30) 는 신호에 반송된 정보 또는 데이터 비트들을 추출하기 위해 디지털화된 수신 신호를 프로세싱한다. 이와 같이, BBP (30) 는 통상적으로 하나 이상의 디지털 신호 프로세서들 (DSPs) 에서 구현된다.도 2를 계속 참조하면, 송신측에서, BBP (30) 는, 송신을 위해 인코딩되고 있는, 제어 시스템 (32) 으로부터의 음성, 데이터, 또는 제어 정보를 나타낼 수 있는 디지털화된 데이터를 수신한다. 인코딩된 데이터는 송신기 경로 (24) 로 출력되며, 여기서 원하는 송신 주파수로 캐리어 신호를 변조하기 위해 인코딩된 데이터가 변조기 (미도시) 에 의해 사용된다. RF 전력 증폭기 (미도시) 는 변조된 캐리어 신호를 송신을 위한 적절한 레벨로 증폭하고, 증폭 및 변조된 캐리어 신호를 스위치 (28) 를 통해 안테나 (26) 로 전달한다.도 2를 계속 참조하면, 사용자는 마이크로폰, 스피터, 키보드 및 디스플레이와 같은 사용자 인터페이스 (36) 를 통해 모바일 단말기 (10) 와 인터액트할 수도 있다. 수신 신호에서 인코딩된 오디오 정보는 BBP (30) 에 의해 회수되고, 스피커를 구동하기에 적합한 아날로그 신호로 변환된다. 키패드 및 디스플레이는 사용자가 모바일 단말기 (10) 와 인터액트할 수 있게 한다. 예를 들어, 키패드 및 디스플레이는 사용자가 다이얼링될 숫자들을 입력할 수 있게 하고, 주소록 정보 등을 액세스할 수 있게 하며, 그리고 호출 진행 정보를 모니터링할 수 있게 할 수도 있다. 안테나 (26) 에 더하여, 모바일 단말기 (10) 는 주변 인터페이스 (42) 를 가질 수도 있으며, 주변 인터페이스 (42) 는 예시적인 실시형태에서 PCIe 인터페이스이고, 보다 구체적으로 무선 인터페이스이며, 그리고 보다 구체적으로 PCIe 프로토콜 내의 WiGig 프로토콜에 따라 대략 60 GHz 에서 동작한다. WiGig 인터페이스가 고려되지만, 본 개시는 이에 한정되지 않으며 다른 주변 인터페이스들은 본 개시의 범위 내에 있다. 하지만, WiGig 인터페이스는 본 명세서에 개시된 액티비티에 최저 대기시간을 제공하는 것으로 여겨진다.도 2를 계속 참조하면, 상기에 언급된 바와 같이, 메모리 (38) 는 내부에 소프트웨어 (40) 를 가질 수도 있다. 소프트웨어 (40) 는 모바일 단말기 (10) 에 기능성을 제공하기 위해 최적화된 애플리케이션들 및 고유의 운영 시스템을 포함할 수도 있다. 예시적인 실시형태에서, 소프트웨어 (40) 는 도 3을 참조하여 보다 잘 설명된 가상 환경 내에서 동작하는 게스트 운영 시스템을 또한 갖는다.이와 관련하여, 도 3은 주변부 (44) 에 커플링된 모바일 단말기 (10) 의 블록도를 도시한다. 모바일 단말기 (10) 는 소프트웨어 (40) 내에 고유의 또는 제 1 의 운영 시스템 (46) 을 갖는다. 소프트웨어 (40) 는 가상 환경 (48) 내에서 활성화된 제 2 의 또는 게스트 운영 시스템 (50) 으로 가상 환경 (48) 을 더욱 지원한다. 예시적인 실시형태에서, 제 1 의 운영 시스템 (46) 은 안드로이드 운영 시스템이고 제 2 의 운영 시스템 (50) 은 UBUNTU, Chrome OS, 또는 Debian과 같은 풀 화면 운영 시스템이다. 제 1 의 운영 시스템 (46) 은 잘 이해되는 바와 같이 메모리 (38) 와 연동한다. 또한 메모리 (38) 내에는, 제 2 의 운영 시스템 (50) 으로부터 다이렉트 메모리 액세스 (DMA) 요청들을 트랜스레이팅하는 가상화 테이블 (52) 이 있다. 즉, 제 2 의 운영 시스템 (50) 이 특정 메모리 어드레스에서 로컬 메모리와 통신한다는 것이 믿어지지만, 사실상 가상화 테이블 (52) 과 가상 환경 (48) 은 이러한 통신들을 가상 환경의 미리정의된 규칙들에 따라 리디렉팅한다. 특히, 가상화 테이블 (52) 은 DMA 요청들을 모바일 단말기 (10) 내의 다른 메모리로 단순히 매핑하지 않지만, 본 개시의 예시적인 실시형태들에서는 DMA 요청들을 주변부 (44) 내의 주변 메모리 (54) 로 매핑한다. 즉, 가상 환경 (40) 을 통한 제어 시스템 (32) 은 제 2 의 운영 시스템 (50) 이 제 1 의 운영 시스템 (46) 의 오버레이없이 주변부 (44) 를 제어할 수 있게 한다. 주변부 (44) 는, 모바일 단말기 (10) 의 주변 인터페이스 (42) 로부터 통신들을 수신하도록 구성되는, 호스트 인터페이스 (56) 를 포함한다. 즉, 예시적인 실시형태에서, 호스트 인터페이스 (56) 는 대략 60 GHz 에서 WiGig 프로토콜에 따라 동작되는 PCIe 인터페이스이다. 제 1 의 운영 시스템 (46) 은, 가상 환경 (48) 을 제어하는 정도를 제외하고, 주변부 (44) 와 인터페이스하지 않음에 더 주의한다. 마찬가지로, 제 2 의 운영 시스템 (50) 은, 가상화 테이블 (52) 에 액세할 필요가 있는 정도를 제외하고, 모바일 단말기의 메모리 (38) 와 인터액트하지 않는다.WiGig 프로토콜의 무선 인터페이스들이 제 2 의 운영 시스템 (50) 의 최소의 대기시간 및 가상 경험을 위한 원활한 확장을 제공하지만, 본 개시는 이에 한정되지 않는다. 다른 예시적인 실시형태에서, 무선 링크는 도킹 스테이션 (20) 과 키보드 (16) 사이와 같이 와이어 기반의 링크로 대체된다 (도 1). 이와 관련하여, 도 4는 도 3의 모바일 단말기 (10) 와 실질적으로 유사한 모바일 단말기 (10') 와 실질적으로 유사하지만, 모바일 단말기 (10') 는 주변 인터페이스 (42) 대신에 주변 브릿지 (58) 를 가지며, 주변 브릿지 (58) 는 예시적인 실시형태에서 와이어 기반의 PCIe 브릿지이다. 마찬가지로, 주변부 (44') 는 호스트 스위치 (60) 를 가지며, 호스트 스위치 (60) 는 예시적인 실시형태에서 PCIe 스위치이다. 이 PCIe 브릿지 및 스위치는 본 개시물을 유효하게 할 수 있지만, 이러한 배열은 도 3과 관련하여 상술한 무선 실시형태보다 많은 대기시간을 갖는다.추가 개요로서, 도 5는 본 개시물의 예시적인 프로세스 (70) 의 플로우 차트를 나타낸다. 프로세스 (70) 는 모바일 단말기 (10) 에서 무선 PCIe 브릿지 (즉, 주변 인터페이스 (42)) 를 제공하는 것으로 시작한다 (블록 72). 모바일 단말기 (10) 는, 예컨대 PCIe WiGig 표준을 통해 주변부 (44) 에 무선 접속된다 (블록 74). 제 1 의 운영 시스템 (46) 은 메모리 (38) 를 이용하여 동작되며 (블록 76), 제 2 의 운영 시스템 (50) 은 PCIe 브릿지를 통해 주변부를 이용하여 동작된다 (블록 78). 프로세스 (70) 가 무선 접속을 상정하는 동안, 와이어 기반의 시스템에 대한 다른 실시형태도 또한 본 개시물의 범위 내에 있다 (예를 들어, 프로세스 (70) 는 모바일 단말기 (10') 를 이용하여 작업하도록 변경될 수도 있다).또한, 본 명세서의 예시적인 실시형태들 중 임의의 것에서 설명된 동작 단계들은 예들 및 논의를 제공하기 위해 설명된다는 것에 유의한다. 설명된 동작들은 예시된 시퀀스들과는 다른 다수의 상이한 시퀀스들로 수행될 수도 있다. 더욱이, 단일의 동작 단계에서 설명된 동작들은 실제로 다수의 상이한 단계들로 수행될 수도 있다. 추가적으로, 예시적인 실시형태들에서 논의된 하나 이상의 동작 단계들은 조합될 수도 있다. 플로우 차트 다이어그램들에서 예시된 동작 단계들은 당업자들에게 용이하게 명백할 바와 같이 다수의 상이한 수정들의 대상일 수도 있다는 것이 이해될 것이다. 당업자들은 또한, 정보 및 신호들이 다양한 상이한 기술들 및 기법들 중 임의의 것을 사용하여 표현될 수도 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 상기 설명 전반에 걸쳐 참조될 수도 있는 데이터, 명령들, 커맨드들, 정보, 신호들, 비트들, 심볼들, 및 칩들은 전압들, 전류들, 전자기파들, 자기장들 또는 자기 입자들, 광학장들 또는 광학 입자들, 또는 그 임의의 조합에 의해 표현될 수도 있다.본 개시의 이전의 설명은 임의의 당업자가 본 개시를 제조하거나 또는 이용하는 것을 가능하게 하기 위해 제공된다. 본 개시에 대한 다양한 수정들은 당업자들에게 용이하게 명백할 것이고, 본 명세서에서 정의된 일반적인 원리들은 본 개시의 사상 또는 범위로부터 벗어남 없이 다른 변형들에 적용될 수도 있다. 따라서, 본 개시는 본 명세서에서 설명된 예들 및 설계들에 제한되도록 의도되지 않고 본 명세서에서 개시된 원리들 및 신규한 특징들과 일치하는 최광의 범위에 부합되고자 한다.
가상 환경에서 주변 컴포넌트 인터커넥트 익스프레스 (PCIe) 디바이스를 사용하는 방법이 개시된다. 2개의 운영 시스템들은 프라이머리 디바이스 상에서 동작한다. 하나의 운영 시스템은 프라이머리 디바이스 내의 가상 환경에서 게스트의 역할을 한다. 주변 디바이스는 무선 접속을 통해 프라이머리 디바이스에 커플링된다. 예시적인 실시형태에서, 무선 접속은 PCIe 브릿지이다. 호스트 운영 시스템은 프라이머리 디바이스의 하드웨어와 메모리 소자들과 직접 인터페이스한다. 게스트 운영 시스템은 주변 디바이스의 하드웨어와 메모리 소자들과 연동된다. PCIe 무선 링크의 이용은, 게스트 운영 시스템이 비교적 작은 대기시간을 가지고 주변 디바이스의 소자들과 인터페이스할 수 있게 한다.
[ 발명의 명칭 ] 유리 섬유 제조용 부싱BUSHING FOR MANUFACTURING GLASS FIBER [ 기술분야 ] 본 발명은, 용융 유리로부터 유리 섬유를 제조하기 위한 부싱에 관한 것이다. 또한, 이 유리 섬유 제조용 부싱을 사용한 유리 섬유의 제조 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 유리 섬유는, 유리 원료(컬렛)를 고온 가열한 용융 유리를 청징·균질화하여 얻어진 유리 소지를 부싱에 공급하여 제조된다. 이 유리 섬유 제조용 부싱은, 저면에 부싱 플레이트를 구비한 상자형 용기이다. 부싱 플레이트는, 베이스 플레이트의 저면에, 다수의 노즐을 정렬 배치하여 설치한 것이며, 이 노즐로부터 유리 소지가 섬유 형상이 되어 토출된다. 노즐로부터 토출된 유리 섬유는 냉각되면서 권취된다. 이 부싱을 사용한 유리 섬유의 제조 공정의 예로서는, 특허문헌 1이 있다.용융 상태에 있는 유리 소지는 1500℃ 이상의 고온이고, 유리 소지가 노즐로부터 토출될 때의 속도는 매분 수천m인 점에서, 부싱 플레이트의 사용 환경은 상당히 가혹한 것이다. 또한, 제품으로서의 유리 섬유에는 조금의 불순물의 혼입도 허용되지 않는다. 이러한 점에서, 부싱 플레이트는 유리 소지를 오염시키는 일이 없도록, 높은 안정성 및 강도를 갖는 재료의 적용이 요구된다. 그리고, 이 점을 고려하여 부싱 플레이트의 구성 재료로서는, 백금, 백금 합금 등의 귀금속 재료가 사용되고 있다. 귀금속 및 그 합금은, 화학적 안정성, 고온 강도가 우수하고, 특히 고온 크리프 특성이 양호하며, 유리 제조 장치와 같은 고온 하에서 응력 부하를 받는 구조체의 구성 재료로서 적격이다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특허 공표 제2001-513478호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 지금까지, 유리 제조 장치의 구조 재료인 백금계 재료에 관해서는, 수많은 검토가 이루어지고 있으며, 그것들은 유리 제조용 부싱 플레이트에 대해서도 피드백되고 있다. 따라서, 상기와 같은 가혹한 사용 환경 하에 있어서도 충분한 사용 기간을 확보한 설계가 이루어져 왔다. 그러나, 본 발명자들에 의하면, 이러한 유리 제조용 부싱 플레이트에 있어서 상정 외의 손상 예가 있음이 확인되고 있다.특히, 부싱 플레이트의 손상 예로서는, 정렬 배치된 노즐의 최외층이 되는 노즐 열에 대해서, 노즐 선단부에 마모에 의한 것이라 생각되는 손상이 확인되고 있다. 이러한 노즐의 손상은, 가령 그것이 일부의 노즐에서 발생한 것이어도, 유리 섬유의 안정적 제조에 지장을 초래하는 것이 된다.따라서 본 발명은, 유리 섬유 제조용 부싱 플레이트에 대해서, 상술한 바와 같은 노즐의 손상을 억제할 수 있는 것을 제공하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명자들은, 먼저 상술한 노즐 손상의 요인에 대하여 검토를 행하였다. 노즐의 마모 요인으로서 첫째로 생각되는 것은, 백금의 휘발에 의한 마모이다. 상기와 같이, 부싱 플레이트에 공급되는 유리 소지는 1500℃ 이상의 고온이다. 이러한 고온 하에 있어서 발생하는 백금, 백금 합금에 있어서의 백금의 휘발 손실에 관해서는, 유리 제조 분야에 있어서도 종래부터 알려져 있다. 단, 백금의 휘발 손실이 노즐 손상의 요인이라고 하더라도, 그것만으로는 최외층의 노즐 열이 선택적으로 손상되는 것으로는 이어지지 않을 것이다. 따라서, 본 발명자들은, 추가적인 고찰을 행한 결과, 부싱 플레이트 주변의 공기의 흐름(기류)이 최외층의 노즐 열의 마모를 가속시키고 있다고 추정하였다. 상술한 바와 같이, 노즐로부터의 섬유형 유리의 토출 속도는 매분 수천m이고, 이러한 고속으로 고온의 유리 섬유가 토출되는 부싱 플레이트의 주위에는 유리 토출 방향에 따른 고속의 기류가 발생하고 있다. 그리고, 이 기류의 영향을 가장 받는 것이 최외층 노즐의 선단부이며, 이 부위에서 기류에 의해 백금의 휘발 손실이 가속되어 마모가 발생하고 있다고 생각된다(도 1의 (a)).본 발명자들은, 상기의 고찰을 바탕으로, 정렬 배치된 노즐 중 최외층의 노즐 열을 기류로부터 보호함으로써 노즐의 마모를 억제할 수 있다고 하여 본 발명에 상도했다(도 1의 (b)).즉, 본 발명은, 베이스 플레이트와, 용융 유리를 토출하는 노즐을 구비하고, 상기 노즐이 상기 베이스 플레이트 상에 복수 정렬 배치되어 노즐 열을 형성하는 유리 섬유 제조용 부싱 플레이트에 있어서, 상기 정렬 배치된 노즐의 최외층의 노즐 열에 따라, 상기 베이스 플레이트 표면으로부터 돌출되는 방풍벽이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 유리 섬유 제조용 부싱 플레이트이다.상기와 같이, 본 발명에 관한 유리 섬유 제조용 부싱 플레이트는, 정렬 배치된 노즐의 최외층의 노즐에 대하여 기류로부터 보호하기 위한 방풍벽을 설치하는 것이다. 따라서, 다른 구성(베이스 플레이트, 노즐 본체)에 대해서는 기본적으로는 종래의 부싱 플레이트와 마찬가지이다.베이스 플레이트는, 용융 상태의 유리 소지를 정류시키는 부재이고, 판상 또는 굽힘 가공에 의해 상자 형상을 갖는 것이다. 베이스 플레이트는, 노즐과의 접속 위치에 관통 구멍을 구비한다. 베이스 플레이트의 재질은, 백금 또는 백금 합금을 포함하고, 바람직하게는 백금, 백금-로듐 합금(로듐 농도: 5 ~ 20wt％) 외에, 강도 향상의 목적으로 분산형 강화 백금 합금, 분산형 강화 백금-로듐 합금이 적용된다.노즐은, 원통형의 통체이며, 베이스 플레이트의 저면에 복수 정렬 배치되어 접합되어 있다. 유리 섬유 제조용 부싱 플레이트에 있어서의 노즐의 설치 개수는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 통상 200 ~ 8000개의 노즐을 구비하는 경우가 많다. 노즐의 형상에 대해서도, 특별히 한정은 없고, 스트레이트한 직관이어도 되고, 끝이 가는 테이퍼 형상의 통체여도 된다. 노즐의 재질에 대해서도, 백금 또는 상기한 백금 합금이 적용된다.그리고, 본 발명에서는, 베이스 플레이트 상에 최외층의 노즐 열에 따라 설치된 방풍벽을 구비한다. 방풍벽은, 기류에 의한 공기의 충격으로부터 최외층의 노즐을 보호하기 위한 것이다. 여기서, 방풍벽의 높이에 대해서는, 바람직하게는 최외층의 노즐 높이에 비해 0.1㎜ ~ 20.0㎜ 높은 것이 바람직하다. 기류로부터 노즐을 보호하는 관점에서, 방풍벽의 높이는 노즐보다도 높은 것이 바람직하다. 한편, 부싱 플레이트 주위의 공기는, 노즐 전체를 냉각하기 위한 냉매로서 작용하는 것이며, 노즐의 설치 영역에 공기가 전혀 침입하지 않으면, 노즐의 과열에 의한 손상이 염려된다. 방풍벽의 높이가 너무 높으면, 이러한 상태가 되는 것을 생각할 수 있으므로, 방풍벽의 높이에 대해서는, 상기와 같이 제한하는 것이 바람직하다.방풍벽의 형상으로서는, 노즐 열을 전면적으로 덮는 것을 설치해도 된다. 단, 상기한 노즐 전체에 냉매가 되는 공기를 보내는 것을 고려하면, 노즐과 노즐의 간극에 대응하는 부위에 절결을 형성한 방풍벽이 바람직하다. 절결을 적절하게 배치함으로써, 기류에 의한 노즐 손상을 억제하면서, 노즐의 설치 영역에 공기를 침입시킬 수 있다. 이러한 절결을 형성하여 방풍벽을 분단하는 경우, 개개의 방풍벽의 폭은 노즐의 폭에 대하여, 대략 동 폭 ~ 플러스 5.0㎜ 폭을 확보하는 것이 바람직하다. 절결의 형상은, 직사각형, 웨지형 중 어느 것이어도 된다.또한, 방풍벽은 일체적인 판재로 형성된 것이어도 되지만, 복수의 부재로 구성해도 된다. 예를 들어, 노즐 열에 따라 베이스 플레이트에 접합되는 얇은 판상의 베이스재에, 방풍판을 노즐 위치에 대응하는 개소에 순차 접합한 2피스 구성의 방풍벽을 적용할 수 있다. 이러한 복수 부재로 구성함으로써, 예를 들어 일부의 방풍판이 기류에 의해 마모·손상되었을 경우 등에 있어서, 부분적인 보수가 가능하게 된다.또한, 방풍벽의 설치 위치에 대해서는, 방풍벽의 노즐측 단부면과 최외층 노즐의 중심선 사이의 간격을, 1㎜ ~ 50㎜로 하는 것이 바람직하다. 거리가 너무 가까우면 노즐에 간섭되어 버리고, 너무 멀면 방풍 효과를 발휘하지 않고 노즐의 손상 억제를 할 수 없기 때문이다. 또한, 방풍벽의 두께는 0.1㎜ ~ 10㎜로 하는 것이 바람직하다. 너무 얇으면 용이하게 손상되어 방풍벽으로서의 효과를 갖지 않는 한편, 너무 두꺼우면 부싱 플레이트 전체의 중량 증가의 요인이 된다.방풍벽의 재질은, 베이스 플레이트 및 노즐과 마찬가지로, 백금 또는 백금 합금으로 구성하는 것이 바람직하다. 방풍벽도 고온 환경에 노출되기 때문이다. 방풍벽과 베이스 플레이트의 접합은, 용접에 의한 것이 바람직하다. [ 발명의 효과 ] 이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 관한 유리 섬유 제조용 부싱 플레이트는, 종래의 부싱 플레이트에 방풍벽을 설치하는 것이며, 이에 의해 종래 발생하고 있었던 최외층 노즐의 마모·손상을 억제할 수 있다. 이에 의해, 유리 제조 장치의 사용 기간을 연장할 수 있고, 안정적인 유리 섬유의 제조를 행할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 기류에 의한 최외층의 노즐 선단의 마모 상태를 설명하는 도면.도 2는 본 실시 형태에 관한 유리 섬유 제조용 부싱 플레이트의 외관.도 3은 본 실시 형태에 있어서의 방풍벽의 구성을 설명하는 도면.도 4는 본 실시 형태에 관한 유리 섬유 제조용 부싱 플레이트의 방풍벽 부근의 단면도.도 5는 방풍벽의 다른 구성을 설명하는 도면.도 6은 방풍벽에 대하여 단면 형상의 다른 형태를 설명하는 도면. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 2는 본 실시 형태에 관한 유리 섬유 제조용 부싱 플레이트(100)를 개략 도시하는 것이다. 도 2에 있어서, 유리 섬유 제조용 부싱 플레이트는, 베이스 플레이트(10)와, 그 저면에 정렬 배치된 복수의 노즐(20)을 구비한다.베이스 플레이트(10)는, 백금제의 판재(두께 1.5㎜)를 굽힘 가공하여 성형된 것이며, 중앙에 볼록부를 형성하면서 단부를 꺾어 구부려 가공한 것이다(저면 치수: 444㎜×120㎜). 중앙에 볼록부를 형성하는 것은, 상방으로부터 유입되는 용융 유리 소지의 정류를 위해서이다.노즐(20)은 두께 0.35㎜이고 1.65㎜(내경)×2.94㎜(상단부 외경)×2.35㎜(하단부 외경)의 테이퍼 형상의 원통체이며, 백금제이다. 노즐(20)은, 베이스 플레이트(10)에 대하여 6.4㎜ 간격으로 60개×24개, 합계 1440개 설치되어 있다. 노즐(20)의 베이스 플레이트(10)에 대한 설치는, 베이스 플레이트(10)의 노즐 설치 개소에 미리 2.81㎜의 구멍을 천공하고, 여기에 노즐(20)을 관입, 확관하여 밀착 고정하였다.그리고, 이 유리 섬유 제조용 부싱 플레이트(100)는, 상기와 같이 정렬 배치된 노즐 군의 최외층 노즐 열에 따라 방풍벽(30)을 구비한다. 도 3은 이 방풍벽(30)의 외관을 도시한다. 본 실시 형태의 방풍벽(30)은, 베이스 플레이트에 접합되는 두께 1.5㎜의 평판 막대형의 베이스 부재(31)와, 노즐 설치 위치에 대응하는 위치 상에 설치되는 복수의 방풍판(32)(두께 1.0㎜, 높이 5.0㎜)과의 조합으로 구성된다. 방풍벽의 재질은, 양쪽 부재 모두 백금제이다. 방풍벽은, 미리 베이스 부재(31)에 방풍판(32)을 순차 용접한 것을 제작하고, 이것을 베이스 플레이트에 용접하였다. 이때, 방풍 부재의 벽면(노즐측)과 노즐의 간격은 6.4㎜로 하였다. 이 방풍벽(30)을 설치한 유리 섬유 제조용 부싱 플레이트의 단면도를 도 4에 도시한다.또한, 방풍벽(30)의 형태로서는, 도 3과 같이, 복수의 방풍판을 공통된 1개의 베이스재에 접합한 것 외에, 노즐에 대응하여 분단된 베이스 부재를 준비해 개별적으로 방풍벽을 형성해도 된다(도 5). 또한, 방풍벽의 단면 형상에 대해서도, 도 4와 같이 방풍면이 수직인 것 외에, 방풍면이 경사진 것이나, 지그재그형인 것을 적용할 수 있다(도 6). 방풍벽은, 부싱 외주로부터의 기류가 노즐 열에 접촉하는 것을 억제할 것을 목적으로 하는 것이며, 단면 형상에 제한은 없고, 도 6 이외에도 원기둥형 방풍벽이어도 된다.본 실시 형태에 관한 유리 섬유 제조용 부싱 플레이트를 사용한 유리 섬유의 제조예로서는, 먼저, 상기의 부싱 플레이트에 터미널 및 상자형의 사이드 플랜지를 접합하여 상자형 용기인 부싱을 구성한다. 이 부싱을 유리 제조 장치에 내장한다. 유리 제조 장치는, 목적 조성으로 조합된 유리 원료의 용해조, 용융 유리의 청징 조, 청징된 용융 유리를 교반하여 균질화하는 교반조를 구비하고, 이것들의 하류측에 부싱이 설치된다. 부싱으로부터 토출되는 유리 섬유는 적절하게 권취된다.여기서, 도 2에서 도시한 본 실시 형태에 관한 유리 섬유 제조용 부싱 플레이트를 구비하는 유리 제조 장치에 의해, 유리 섬유 제조를 1년간 행하였다. 그 동안, 부싱 플레이트에 현저한 이상은 보이지 않았다. 그리고, 1년간의 장치 가동 후, 장치를 셧다운하여 부싱 플레이트의 노즐을 검사한 결과, 모든 노즐에 있어서 마모는 보이지 않았다. [ 산업상 이용가능성 ] 본 발명에 관한 유리 섬유 제조용 부싱 플레이트는, 방풍벽을 설치함으로써, 저면에 구비한 노즐 군의 마모 손상을 억제하는 것이다. 본 발명에 따르면, 유리 제조 장치에 대하여 장기간의 가동 기간에 있어서의 안정적 운용을 가능하게 할 수 있고, 양질의 유리 섬유를 효율적으로 제조할 수 있다.
본 발명은, 베이스 플레이트와, 용융 유리를 토출하는 노즐을 구비하고, 상기 노즐이 상기 베이스 플레이트 상에 복수 정렬 배치되어 노즐 열을 형성하는 유리 섬유 제조용 부싱에 있어서, 상기 정렬 배치된 노즐의 최외층의 노즐 열에 따라, 상기 베이스 플레이트 표면으로부터 돌출된 방풍벽이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 유리 섬유 제조용 부싱이다. 방풍벽의 치수는, 외기에 의한 노즐의 냉각 작용을 고려하면서 조정할 수 있다. 본 발명의 유리 섬유 제조용 부싱은, 그 사용 과정에서 발생할 우려가 있는, 노즐의 마모 손상을 억제하는 것이다.
[ 발명의 명칭 ] 스펙트럼 분석을 위한 분광 기기 및 방법SPECTROSCOPIC INSTRUMENT AND PROCESS FOR SPECTRAL ANALYSIS [ 기술분야 ] 본 발명은 분광 기기(특히 분광 기기용 영상화 시스템), 광간섭 단층 촬영 시스템, 및 스펙트럼 분석 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 광간섭 단층 촬영(optical coherence tomography)(약칭 OCT)은 시료의 2차원 및 3차원(약칭 2D 및 3D) 구조를 검사하는 역할을 한다. 이른바 스펙트럼 영역의 OCT(spectrum-domain OCT)(약칭 SC OCT) 또는 이른바 주파수 영역의 OCT(frequency-domain OCT)(약칭 FD OCT)에 있어서는, 광대역 스펙트럼의 광선(즉, 다색광)을 스펙트럼 분석한다. 이를 위해 분광 기기를 작동시킨다. 광선을 분광 기기에 연결시키고 분광 기기 내에서 스펙트럼을 분할하여서, 수 개의 감광소자로 이루어진 센서를 이용하여 스펙트럼 강도 분포 I를 기록한다. 이 스펙트럼 강도 분포 I로부터, 시료의 공간적 구조를 유추할 수 있고, 시료의 1차원(약칭 1D) 단층영상(이른바, A스캔(A-scan))을 결정할 수 있다.A스캔을 결정하기 위해, 스펙트럼 강도 분포 I는, 파수(wavenumber) k에 대한 분포이어야 한다 - 즉, I = I(k). 여기서 일어나는 주기성(이른바, 변조 주파수)은 시료의 공간적 구조에 관한 정보를 직접적으로 알려 준다. 변조 주파수는, 스펙트럼 강도 분포의 강도 값이 여러 파수 k(이들 파수는 고정된 파수 범위 Δk(또는 그 배수)만큼씩 서로 차이가 남)에 대해서 가용적일 경우에, 스펙트럼 강도 분포로부터 용이하게 확정될 수 있다. 이로써, 파수 k에 대해서 선형적으로 스펙트럼의 영상화(imaging)를 할 수 있게 된다.그러나, 스펙트럼 강도 분포 측정을 위한 통상적인 분광 기기에서는 일반적으로, 스펙트럼이 센서 상에 영상화될 때에 여러 파장(wavelength) λ(이들 파장은 고정된 파장 범위 Δλ(또는 그 배수)만큼씩 서로 차이가 남)별로 기록된다. 즉, 스펙트럼 강도 분포는 파장 λ에 대해서 선형으로 샘플링된다. 파장 λ와 파수 k는 k=2π/λ에 따라 서로 비선형적인 관계를 갖기 때문에, 스펙트럼은 k에 대해서 비선형 형태로 사용가능하다. 변조 주파수의 결정을 위해, k에 대해서 선형인 스펙트럼 I(k)는, 적절한 데이터 처리를 행하여서, λ에 대해서 선형인 스펙트럼 Ι(λ)로부터 확정하여야 한다. 이 절차를 리샘플링(re-sampling)이라고 한다. 리샘플링은 특정의 컴퓨팅 시간을 필요로 하는바, 이는, 특히 많은 양의 데이터를 스펙트럼 강도 분포에 대해서 확정할 경우에 OCT 신호의 신속한 표시를 어렵게 한다. 또한, 리샘플링은 일반적으로, 측정 심도에 있어서의 감도 저하(즉, 신호대 잡음비의 품질 손상. 이를 SNR 저하, SNR 타협, 또는 감도 저하라 부름)를 수반한다.광간섭 단층 촬영에 관한, 특히, 광간섭 단층 촬영에 관련된 스펙트럼 분석에 관한 보다 자세한 정보는 다음과 같은 간행물에서 얻을 수 있다.W. Drexler, J.G. Fujimoto: Optical Coherence Tomography: Technology and Applications(광간섭 단층 촬영: 기술 및 응용), Springer Verlag, Berlin Heidelberg New York 2010;V.M. Gelikonov, G.V. Gelikonov, P.A. Shilyagin: Linear-Wavenumber Spectrometer for High-Speed Spectral-Domain Optical Coherence Tomography(고속 스펙트럼 영역 광간섭 단층 촬영을 위한 선형 파수 분광계), Optics and Spectroscopy, 106, 459-465, 2009;V.M. Gelikonov, G.V. Gelikonov, P.A. Shilyagin: Linear wave-number spectrometer for spectral domain optical coherence tomography(스펙트럼 영역 광간섭 단층 촬영을 위한 선형 파수 분광계), Proc. SPIE 6847, 68470N, 2008;Z. Hu, A.M. Rollins: Fourier domain optical coherence tomography with a linear-in-wavenumber spectrometer(선형 파수 분광계가 포함된 퓨리에 영역 광간섭 단층 촬영), Optics Letters, 32, 3525-3527, 2007. [ 발명의 개요 ] 본 발명의 실시예들의 목적은 분석 기기, 특히, 분석 기기용 영상화 시스템, 광간섭 단층 촬영 시스템, 및 고화질의 단층 영상의 신속한 확정을 가능케 하는 스펙트럼 분석 방법을 특정하는 것이다.유리한 실시예에 따르면, 분광 기기는, 입사된 다색 광선(polychromatic beam of light)을 공간 스펙트럼으로 분할하는 제1 광학 요소(optical component)와, 분할된 광선(이하, 분할 광선)의 여러 스펙트럼 영역(spectrum region)을 상이한 공간 영역으로 보내는 대물렌즈(objective)와, 대물렌즈의 하류에, 분할 광선의 광로 내에 위치하는, 복수의 감광소자를 갖는 센서를 포함한다. 이들 감광소자는, 각 감광소자가 광선의 스펙트럼 부분의 강도를 기록하도록 분할 광선의 광로 내에 배치되며, 스펙트럼 부분(spectrum sector)들의 중앙값(median)은 k 공간(k는 파수(wavenumber)를 의미함) 내에서 상호 간에 등거리에 위치한다. 다른 말로 말하자면, 다색 광선의 스펙트럼은, 제1 광학 요소 및 대물렌즈를 통과한 후에, 파수 k에 대해서 선형적으로 센서 상에 영상화된다.결론적으로, 분광 기기는 자체적으로 파수 k에 대해서 선형인 스펙트럼 강도 분포(spectral intensity distribution)를 출력한다. 따라서 분광 기기에서 출력 된 원시 데이터를 나중에 다시 리샘플링할 필요가 없다. 결과적으로 본 발명의 분광 기기는 OCT 단층 영상의 추출에 필요한 시간을 줄일 수 있다. 또한 리샘플링으로 인한 측정 심도에 대한 감도의 손실을 회피 및/또는 억제할 수 있다.제1 광학 요소는 회절 요소의 형태를 취할 수 있다. 구체적으로, 회절 요소는 회절 격자(diffraction grating), 투과 격자(transmission grating), 반사 격자(reflection grating), 체적 격자(volume grating), 릴리프 격자(relief grating), 진폭 격자(amplitude grating), 홀로그래픽 격자(holographic grating), 및/또는 프레넬 존 플레이트(Fresnel zone plate)의 형태를 취할 수 있다. 회절 요소의 회절 중심은, 특히, 슬릿(slit), 홈(groove), 칸막이(slat), 랜드(land), 및/또는 프레넬 존(Fresnel zone)으로 구성된다. 제1 광학 요소의 회절 중심은 상호 간에 등거리로 배치되지 않을 수 있다. 특히, 상호 간에 회절 중심 간격이 약간씩 다를 수 있다. 특히, 제1 광학 요소의 회절 중심들의 상호 간의 배치 및/또는 제1 광학 구성 요소의 입사 광선에 대한 배치는, 제1 광학 요소로부터 출사되는 광선의, 제1 광학 요소로 입사되는 광선에 대한 회절 각도 θ가 파수 k에 선형적으로 의존하는 경우에, 제1 광학 요소가 각도 분산(angular dispersion) dθ/dk를 나타내도록 이루어진다. 회절이 문제시되는 경우에 있어서 이하에서는 1차 회절에 대해서만 논하기로 한다. 회절 중심은 약간씩 다른 격자 상수를 나타낼 수 있다.제1 광학 요소는 분산 요소의 형태를 취할 수 있다. 분산 요소는 쐐기형 구조 및/또는 프리즘, 특히, 분산 프리즘 및/또는 반사 프리즘의 형태를 취할 수 있다. 프리즘의 기하학적 형상(예를 들어, 굴절 각도 α), 재료(예를 들어, 글라스), 및/또는 재료의 광학적 특성(예를 들어, 굴절률 n(k) 및/또는 분산 dn/dk)의 선정 및/또는 입사 광선에 대한 프리즘의 배치는, 제1 광학 요소로부터 출사되는 광선의, 제1 광학 요소로 입사되는 광선에 대한 편향 각도 θ가 파수 k에 선형적으로 의존하는 경우에, 제1 광학 요소가 각도 분산 dθ/dk를 나타내도록 이루어질 수 있다.제1 광학 요소는 격자 프리즘(이른바, grism)의 형태를 취할 수 있다. 격자 프리즘은 분산 요소(예를 들어, 프리즘)와 회절 요소(예를 들어, 회절 격자)로 구성된 모듈형 유닛의 형태를 취할 수 있다. 모듈형 유닛은 분산 요소 및 회절 요소가 서로에 대해 조정할 수 없게 배치되도록 설계되어 있을 수 있다. 이를 위해 복수의 회절 중심이 (예를 들어, 적절한 코팅, 증착, 엠보싱, 스코어링(scoring) 등의 형태로) 프리즘 표면 상에 도포되어 있을 수 있다. 프리즘의 기하학적 형상(예를 들어, 굴절 각도 α), 재료(예를 들어, 글라스), 및/또는 재료의 광학적 특성(예를 들어, 굴절률 n(k) 및/또는 분산 dn/dk)의 선정, 및/또는 프리즘에 적용되는 회절 격자의 회절 중심의 상호간의 배치, 및/또는 입사 광선에 대한 격자 프리즘의 배치는, 제1 광학 요소로부터 출사되는 광선의, 제1 광학 요소로 입사되는 광선에 대한 편향 각도 θ가 파수 k에 선형적으로 의존하는 경우에, 격자 프리즘의 격자의 격자 각도 분산 및 격자 프리즘의 프리즘의 프리즘 각도 분산이 결합된 각도 분산 dθ/dk에 따라 격자 프리즘이 광선을 분할할 수 있도록 이루어질 수 있다.대물렌즈는, 대물렌즈를 통과한 후에 대물렌즈의 광축으로부터의 횡방향 간격이, 대물렌즈의 광축에 대해서 광 다발이 대물렌즈에 입사되는 입사 각도가 증가할수록 이에 따라 선형적으로 증가하도록, 피사체 측에서 제1 광학 요소로부터 출사되는 분할 광선의 시준된 광 다발을 영상 측의 초점에 결상하는 특성을 갖는다.대물렌즈는 회전 대칭으로 설계할 수 있다. 특히, 대물렌즈는 그 광학적 축(광축)에 대해 원통 대칭형으로 설계할 수 있다. 대물렌즈는, 특히, 플랫필드 스캔 렌즈(flat-field scanning lens), f-θ 대물렌즈, 또는 텔레센트릭(telecentric) f-θ 대물렌즈, 특히 영상 측에서 텔레센트릭 형태인 f-θ 대물렌즈의 형태를 취한다. 대물렌즈는 이 대물렌즈의 외부에 위치하는 입사 동공(entrance pupil)을 포함할 수 있다. 대물렌즈는, 제1 광학 요소(뿐만 아니라 제1 광학 요소로부터 분할 광선이 출사되는 제1 광학 요소 상의 지점도 또한)가 대물렌즈의 입사 동공의 중심에 위치하도록, 제1 광학 요소에 상대적으로 배치될 수 있다. 이와 달리 또는 이에 덧붙여, 대물렌즈는 왜곡 포함된 그리고/또는 횡방향의 색 영상화 특성(distortion-burdened and/or lateral chromatic imaging property)을 나타낸다. 대물렌즈는, 제1 광학 요소에 의해 분할된 광선을, 여러 스펙트럼 영역의 중앙값들(median)(k 공간 내에서 서로 간에 등거리에 위치함)이 상이한 초점들(그 중심들은 구성 공간 내에서 서로 간에 등거리에 위치함)에 결상되게끔 보내도록 구성될 수 있다. 이를 위해, 대물렌즈 내에 굴절 요소로서 사용되는 글라스, 특히, 그 재질 및/또는 형상을 적절하게 선정함으로써, 대물렌즈는, 파장에 의존하여 비선형 함수를 따르는 결과를 낳는 축외 간격형성(extra-axial spacing)인, 상기 왜곡 포함된 그리고/또는 횡방향의 색 영상화 특성을 가질 수 있다. 특히, 이 효과는, 여러 스펙트럼 부분의 중앙값(k 공간 내에서 서로 간에 등거리에 위치함)을 상이한 초점들(이들의 중심은 구성 공간 내에서 서로 간에 등거리에 위치함)에 결상되도록 대물렌즈의 위치(position) 및/또는 배향(orientation)을, 제1 광학 요소에 의해 분할된 광선의 광로에 대하여 조절함으로써 활용된다.상기 '횡방향'이란 대물렌즈의 광축에 수직으로 배향된 축을 따른다는 것을 의미한다. '색'은 파장 λ에 의존한다는 것을 의미한다. '축외'란 광축에 대해서 소실점이 없는 간격을 갖는 횡 방향을 의미한다.대물렌즈는, 대물렌즈의 광축이 위치하고 있는 평면 위에 상당히 또는 완전히 떨어져 있는 대물렌즈를 광선이 통과하도록, 제1 광학 요소에 상대적으로 배치될 수 있다. 이에 덧붙여 또는 이와 달리, 대물렌즈는, k 공간에서의 다색 광선의 전체 스펙트럼(66)의 중앙값을 나타내는 분할 광선의 파동열(wave train)의 전파 방향에 대해서 대물렌즈의 광축이 기울어지도록 제1 광학 요소에 상대적으로 배치되어 있을 수 있다. 분광 기기는 분산 요소 및/또는 회절 요소 형태의 제2 광학 요소를 포함할 수 있는데, 이는, 대물렌즈와 결합되어, 대물렌즈 및 제2 광학 요소가 서로 조절할 수 없도록 배치되는 모듈형 유닛을 구성할 수 있다. 특히, 제2 광학 요소는 대물렌즈의 부속물의 형태를 취할 수 있다. 제2 광학 요소는 광로 내에서 대물렌즈의 상류에 배치될 수 있다. 또는 이와 달리 제2 광학 요소는 광로 내에서 대물렌즈의 하류에 배치될 수 있다.분광 기기의 제1 광학 요소, 대물렌즈, 센서, 감광소자들, 상술한 모듈형 유닛 중의 하나, 및/또는 다른 모든 구성요소는, 분광 기기의 기저판(base plate) 상에 구성되어서, 여기에 구비된 조정 수단(예컨대, 레일, 슬라이딩 테이블, 봉 연결 기구, 거울 지지대, 평행이동 스테이지, 또는 회전 스테이지 등)을 이용하여 위치 조절을 할 수 있도록 구성된다. 특히, 제1 광학 요소, 대물렌즈, 센서, 감광소자들, 및/또는 모듈형 유닛의 상호 위치 및/또는 배향을 상호 간에, 특히, 수동으로 조절가능하다. 반면에, 모듈형 유닛의 구성요소들은, 이들의 상대 위치 및/또는 배향을 조절할 수 없도록 사전에 확고하게 고정 연결되어 있다. 센서의 감광소자들의 감광면들의 중심은 서로 등거리에 배치될 수 있다. 또는 이와 달리, 센서의 감광소자들의 감광면들의 중심은, 광선의 여러 스펙트럼 영역들의 중앙값들(k 공간 내에서 서로 간에 등거리에 위치함)이 대물렌즈에 의해서 영상 측에서 결상되는 초점들 또는 초점들의 중심에 따라 공간에 배치될 수 있다. 특히, 센서는, 감광소자의 감광면의 중심이 직선상에 위치하는 CCD 라인센서 또는 CMOS 라인센서의 형태를 취할 수 있다. 감광소자의 감광면은 동일한 크기로 설계될 수도 있고 다른 크기로 설계될 수도 있다. 분광 기기를 포함하는 영상화 시스템은 상술한 제1 광학 요소 중 하나, 상술한 대물렌즈 중 하나, 및/또는 상술한 모듈형 유닛 중 하나를 포함한다.광간섭 단층 촬영을 위한 시스템은 상기 설명한 분광 기기들 중 하나를 포함한다. 이 시스템은 추가적으로, 사용가능한 간섭성 다색 광을 방출하는 광원과, 간섭성 다색 광을 기준 분지(reference arm) 및 시료 분지(specimen arm)로 연결시키고, 기준 분지와 시료 분지로부터 후방 산란된 광을 중첩하여서 다색 광선을 형성하고, 스펙트럼 분석을 위하여 이 다색 광선을 분광 기기에 연결시키도록 구성된 광 분할기를 포함한다.스펙트럼 분석 방법은, - 제1 광학 요소로 입사되는 다색 광선을 공간 스펙트럼으로 분할하는 단계,- 분할된 광선의 복수의 스펙트럼 영역을, 대물렌즈를 이용하여, 복수의 상이한 공간 영역으로 보내는 단계,- 대물렌즈의 하류에, 분할 광선의 광로 내에 위치하는, 복수의 감광소자를 갖는 센서를 이용하여, 하나 이상의 분할 광선의 강도를 기록하는 단계를 포함한다. 여기서 각 감광소자는 광선의 스펙트럼 부분의 강도를 기록하며, 스펙트럼 부분들의 중앙값은 k 공간(k는 파수를 의미함) 내에서 상호 간에 등거리에 위치한다. 본 명세서에서 설명한 스펙트럼 분석을 위한 방법 또는 개별적 단계의 범위 내에서, 이 방법 또는 방법의 개별 단계는 적절히 구성된 장치에 의해서 실행될 수 있다. 이상의 설명은 방법상의 단계를 실행하는 장치의 동작 형태에 대해서도 적용된다. 이러한 범위 내에서, 본 명세서의 장치의 기능 및 방법의 기능은 동등하다. 특히, 본 방법 또는 방법의 개별적 단계는, 본 발명에 따른 적절한 프로그램이 실행되는 컴퓨터에 의해서 실현될 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 이하에서 본 발명을 아래의 첨부 도면에 기초하여 보다 상세히 설명한다.도 1은 일 실시예에 따른 광간섭 단층 촬영 시스템의 개략도이다.도 2는 분광 기기의 개략도를 도시한다.도 3a 내지 도 3e는 다양한 스펙트럼 영역의 중앙값의 분포를 개략적으로 보여준다도 4a와 도 4b는 파수 k에 대해서 비선형이고 파장 λ에 대해서 선형인 스펙트럼을 도시한다.도 5a 및 도 5b는 파수 k에 대해서 선형이고 파장 λ에 대해서 비선형인 스펙트럼을 도시한다. 도 6은 제1 실시예에 따른 분광 기기의 개략도이다.도 7은 제2 실시예에 따른 분광 기기의 개략도이다.도 8은 제3 실시예에 따른 분광 기기의 개략도이다.도 9는 제4 실시예에 따른 분광 기기의 개략도이다.도 10a 및 도 10b는 각각 제5 및 제6 실시예에 따른 분광 기기의 개략도이다.도 11은 제7 실시예에 따른 분광 기기의 개략도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 광간섭 단층 촬영 시스템(10)을 도 1에 개략적으로 도시한다. 이 시스템(10)은 예시적 사례로서, 인간의 눈 형태로 표시한 피사체(12)를 검사하는 역할을 한다. 광간섭 단층 촬영은 SD OCT 또는 FD OCT를 기반으로 한 것이다.이 시스템(10)은 간섭성의 다색 광선(16)을 출사하는 광원(14)을 포함한다. 광원(14)은 주파수 공간에 있어서 광대역인 간섭성 광의 스펙트럼을 출사한다. 광원(14)으로부터 출사되는 광선은 광 분할기(18)로 향한다. 광 분할기(18)는 간섭계(20)의 구성요소이며, 입사된 광선(16)의 출력광을 소정의 분할 비율로, 예컨대 50:50으로 분할한다. 한쪽 광 다발(22)은 기준 분지(24)로 진행하고, 다른 쪽 광 다발(26)은 시료 분지(28)로 진행한다. 기준 분지(24)로 분기되는 광 다발(22)은 거울(30)에 조사되어서 동일 선상에서 다시 광 분할기(18) 쪽으로 반사된다. 결상 광학계(32)와 가제어 스캔부(34)가 시료 분지(28)에 구비된다. 가제어 스캔부(34)는 광 분할기(18)로부터 들어오는 광 다발(26)을 결상 광학계(32)를 통해 피사체(12)로 보내도록 설정되어 있다. 이와 관련하여, 광 분할기(18)로부터 나온 광 다발(26)이 결상 광학계(32)로 들어가는 입사각은 스캔부(34)를 이용하여 조정된다. 도 1에 나타낸 예에서, 스캔부(34)는 이러한 목적을 위해 회전 가능하게 지지되는 거울들로서 설계되었다. 거울들의 회전축은 서로 수직이 될 수 있다. 거울들의 회전 각도는, 예컨대 갈바노미터(galvanometer)의 원리에 따라 동작하는 요소에 의해서 정해진다. 결상 광학계(32)는 광 다발(26)을 피사체(12) 상에 또는 피사체 내에 초점을 맞추어 결상한다.피사체(12)로부터 시료 분지(28)로 후방 산란된 광 다발(26)은 기준 분지(24)의 거울(30)에서 반사된 광 다발(22)과 동일 선상에서 중첩되어서 다색 광선(36)을 형성한다. 기준 분지(24)와 시료 분지(28)에서의 광로 길이는 거의 동일하기 때문에, 광선(36)은 기준 분지(24)와 시료 분지(28)에서 후방 산란된 광 다발(22) 및 광 다발(26) 간에 간섭성을 띤다. 분광 기기 또는 분광계(38)는 다색 광선(36)의 스펙트럼 강도 분포를 기록한다. 간섭계(20)는, 도 1에 나타낸 자유 공간에서의 구성 대신에, 부분적으로 또는 전체적으로 광섬유 요소로써도 구현할 수 있다. 특히, 광 분할기(18)는 광섬유로 된 광 분할기의 형태를 취할 수 있고 광선(16, 22, 26, 36)을 광섬유를 통해서 보낼 수 있다. 분광 기기(38)는 도 2에서 더 상세히 나타낸다. 도 2에서 볼 수 있듯, 광 분할기(18)로부터 나온 광선(36)은 광섬유(40)의 도움으로 분광 기기(38)에 연결된다. 광섬유는, 광섬유 연결기(42)를 거쳐서 시준기(collimator)(44)에서 종결된다. 시준기(44)는 수 개의 렌즈를 포함할 수 있고, 광섬유(40)로부터 분산되어 방출된 광선(36)을 모아서, 시준된 다색 광선(46)을 형성하여 제1 광학 요소(48)로 보낸다. 시준기(44)와 제1 광학 요소(48) 사이의 컴팩트한 구조 설계를 위해서, 광선(46)의 광로 내에 추가적인 편향 거울(도시하지 않았음)을 설치할 수 있는데, 이는, 시준된 광선(46)을 제1 광학 요소(48)로 보내도록 설정되어 있다.제1 광학 요소(48)는, 이 제1 광학 요소(48)에 조사되는 다색 광선(46)을, 그 스펙트럼 성분으로 공간 분할하도록 설정되어 있다. 도면에는 예시적으로, 다색 광선(46)의 여러 스펙트럼 영역의 세 개의 시준된 광선(46a, 46b, 46c)을 도시하고 있다. 대물렌즈(50)가 이들 광선(46a, 46b, 46c)을 모아서 상이한 공간 영역(52a, 52b, 52c)으로 보낸다. 대물렌즈(50)는 여러 개의 렌즈로 구성될 수 있다. 이 대물렌즈(50)의 모든 굴절면의 상류에는, 분할 광선(46a, 46b, 46c)의 광로 내에 위치하는 입사 동공(도시하지 않았음)이 있다. 대물렌즈(50)는, 제1 광학 요소(48)에서 분할 광선(46a, 46b, 46c)이 나오는 지점이 대물렌즈(50)의 입사 동공의 중심에 위치하도록 설치될 수 있다. 대물렌즈(50) 하류의 분할 광선(46a, 46b, 46c)의 광로에는 복수의 감광소자(54a, 54b, 54c)를 갖는 센서(54)가 위치한다. 여기에 도시된 예에서, 센서(54)는, 복수의 화소(예를 들면 4096 픽셀)를 갖는 CMOS 카메라 또는 CCD 카메라(또는 라인 카메라)의 형태를 취한다. 감광소자(54a, 54b, 54c)는 결과적으로 카메라(54)의 개별 픽셀들을 나타낸다. 감광소자(54a, 54b, 54c)는, 이들 각 감광소자(54a, 54b, 54c)가 광선(46a, 46b, 46c)의 스펙트럼의 상이한 스펙트럼 부분(sector)(A1, A2, A3)의 강도를 기록할 수 있도록 분할 광선(46a, 46b, 46c)의 광로에 배치된다. 각 감광소자(54a, 54b, 54c)에 의해 기록되는 강도 값들의 총합은 출력 신호(56)의 형태로 스펙트럼 강도 분포를 출력한다.분광 기기(38)에서 생성된 출력 신호(56)는 제어 장치(60)에 전송된다(도 1 참조). 제어 장치(60)는 기록된 스펙트럼 강도 분포에 기초하여, 피사체(12)의 단층영상을 확정한다. 제어 장치(60)는 1D, 2D, 및/또는 3D 단층영상의 추출을 가능케 하도록 스캔부(34)를 제어한다. 확정된 단층영상은 표시부(62) 상에 표시되며 메모리(64)에 기록될 수 있다.시준된 다색 광선(46)은 거의 평행하게 전파되는 매우 많은 수의 파동열(wave train)로 구성된다. 파동열의 경우에는, 단순화를 위해서 고조파 평면파인 것으로 가정할 수 있다. 광선(46)의 각 파동열은 정확하게 하나인 파동 벡터 k에 의해 특징지어진다. 파동 벡터 k의 방향/배향은 파동열의 전파 방향을 나타낸다. 벡터 k의 크기 k(파수 k라고 함)는 파동열 내의 두 파면의 공간 간격의 척도이다. 파동열의 공간 주기성은 파장 λ에 반영된다. 즉, λ=(2π)/k이다.광선(46)의 스펙트럼(66)을 도 3a에 개략적으로 나타낸다. k 공간(k-space)에서의 스펙트럼(66)이 세 개의 스펙트럼 영역(region) B1, B2, B3로 구성되어 있는 것을 예로 들고 있다. 'k 공간'에 있어서의 직선 또는 축은, 파수 k가 크기 순으로 선형적으로 배열된다는 것을 이해하여야 한다. 각 스펙트럼 영역 B1, B2, B3은 중앙값 Mk1, Mk2, Mk3로써 특징지어진다. 그러나, 이와 달리 이하의 구현에서는(예를 들어, 4096 픽셀을 사용하는 경우) 또한, 각각 대응하는 중앙값을 갖는 상이한 스펙트럼 영역을 정의할 수 있다. 이하에서, 중앙값 Mk2는 동시에, k 공간의 전체 스펙트럼(66)의 중앙값을 나타낸다.k 공간에서의 중앙값 Mki(i=1, 2, 3)는 다음과 같이 결정된다. 스펙트럼 영역 Bi(또는, 스펙트럼 부분 Ai) 내의 파수 k1 ~ kni(ni는 영역 Bi(부분 Ai) 내의 파수의 개수임)가 수학적 순열로서 크기순으로 배열되는 경우에, 홀수 ni인 경우의 중앙값 Mki는 (ni+1/2)번째 자리에서의 값을 의미하고 짝수 n의 경우에는 ni/2번째 및 (ni/2+1)번째 자리에서의 값으로부터 도출된 값을 의미한다. 스펙트럼 영역 Bi(부분 Ai) 내에서 나타나는 파수 k1 ~ kni의 연속적 또는 준연속적인 분포에 있어서는, 이와 달리, 중앙값은 k1 및 kni로부터 도출된 평균 값으로 구성될 수 있다. 여기서, k1은 스펙트럼 영역 Bi(부분 Ai) 내에서 나타나는 가장 작은 파수를 나타내며 kni는 가장 큰 파수를 나타낸다. 이상의 사항은 λ 공간에서의 중앙값의 결정에도 적용된다.광선(46)이 제1 광학 요소(48)에 조사되기 전에, 중앙값 Mk1, Mk2, Mk3에 상응하는 파수 k1, k2, k3로 특징지어지는 파동열은 동일한 광로 67(도 2에서 점선으로 나타내었음)을 따라 이동한다. 이 광로(67)의 방향은 파동 벡터 k1, k2, k3의 방향으로부터 결정된다. 따라서, 세 개의 파동열은 모두 도 2에 표시한 직선 x를 통과한다. 이 직선은 광선(46)과 동일한 위치 x1=x2=x3에서 교차한다(도 3b 참조).제1 광학 요소(48)를 통과한 후, 스펙트럼(66)은 공간에서 분할된다(예를 들어, 특정 각도로 분산됨). 제1 광학 요소(48)는 파수 k에 따라 파동 벡터 k1, k2, k3의 배향을 바꾸지만, 그 크기(즉, 각자의 파수 k1, k2, k3)는 변화시키지 않는다. 이는, 중앙값 Mk1, Mk2, Mk3에 대응하는 파동열이 도 2에 점선으로 나타낸 상이한 광로 68a, 68b, 68c를 따라 이동한다는 것을 의미한다. 광로 68a, 68b, 68c의 방향은 파동 벡터 k1, k2, k3의 각 방향으로부터 결정된다. 따라서, 세 개의 파동열은 도 2에 표시한 직선 y를 통과한다. 이 직선은 광로 68a, 68b, 68c와 상이한 위치 y1, y2, y3에서 교차한다(도 3c 참조).광로 68a, 68b, 68c는 또한, 대물렌즈(50)에 의해서 더욱 경로에서 영향을 받으며/보내지며 특히, 편향된다. 이로써, 중앙값 Mk1, Mk2, Mk3에 대응하는 파동열이 도 2에 나타낸 직선 z를 통과한다. 이 직선은 대물렌즈(50)에 의해 보내지는 광로 68a, 68b, 68c와 상이한 위치 z1, z2, z3에서 교차한다(도 3d 참조).광로 68a, 68b, 68c를 따른 파동열이 감광소자(54a, 54b, 54c) 상에 도달됨에 의해서 스펙트럼(66)이 센서(54) 상에 영상화된다. 감광소자(54a, 54b, 54c)는 각각, 스펙트럼 영역 B1, B2, B3 또는 (보다 일반적으로는) 스펙트럼 영역 B1, B2, B3의 부분 A1, A2, A3 중 하나를 기록한다(도 3e 참조). 스펙트럼 영역 B1, B2, B3의 중앙값 Mk1, Mk2, Mk3는 스펙트럼 부분 A1, A2, A3의 중앙값 Mk1, Mk2, Mk3와 일치하지만, 이들이 반드시 일치하는 것은 아님을 유의해야 한다.통상적인 분광 기기(38)에서는, 센서(54)의 감광소자(54a, 54b, 54c)가 스펙트럼 부분 A1, A2, A3(λ 공간에서의 그 중앙값 Mλ1, Mλ2, Mλ3는 서로 동일한 거리에 위치하거나 k 공간 내에서 적어도 비선형적으로 위치함)를 기록하도록, 각 감광소자(54a, 54b, 54c)는 분할 광선(46, 46a, 46b, 46c)의 광로 내에 배치된다. 이러한 상황에 대해서 도 4a와 도 4b에 보다 정확하게 그래프로서 표시하였다. 세로축은 감광소자(54a, 54b, 54c)의 연속 번호(여기에 나타낸 예에서는 1에서부터 시작하여 끝까지(예컨대, 4096))를 나타낸다. 도 4a의 가로축은 감광소자(54a, 54b, 54c)에 기록되는 상이한 스펙트럼 부분 A1, A2, A3의 중앙값 Μλ1, Μλ2, Μλ3의 파장 λ를 나타낸다(단위는 ㎛임). 도 4a에 표시된 곡선 70은 파장 λ에 대해서 대략 직선으로 진행됨을 나타낸다(비교를 위해, 직선 71을 함께 표시해 놓았음). 스펙트럼(66)은 그에 따라 λ에 대해서 거의 선형으로 센서(54) 상에 영상화된다.한편, 이것은 통상적인 분광 기기(38)의 경우에 다색 광선(46)의 스펙트럼(66)이 파수 k에 대해서 비선형적으로 센서(54)에 영상화된다는 것을 나타내는데, 그 이유는, 파수 k 및 파장 λ 간의 비선형적 관계 k=2π/λ 때문이다. 이는, 도 4a의 데이터로부터 상기 공식을 이용하여 계산한 도 4b에 의해서 명확해진다. 도 4b에서 가로축은 감광소자(54a, 54b, 54c)에 기록되는 상이한 스펙트럼 부분 A1, A2, A3의 중앙값 Μk1, Μk2, Μk3의 파수 k를 1/㎛ 단위로 나타낸다(비교를 위해서, 직선 71을 추가로 표시해 놓았다).본 발명에 따른 분광 기기(38)의 경우, 센서(54)의 감광소자(54a, 54b, 54c)는, 이들 감광소자(54a, 54b, 54c)에 기록되는 광선(46)의 스펙트럼(66)의 스펙트럼 부분 A1, A2, A3의 중앙값 Μk1, Μk2, Μk3가 k 공간에서 서로 등거리에 위치하도록, 분할 광선(46a, 46b, 46c)의 광로에 배치된다.이러한 상황을 또한 도 5b에 나타내었다. 여기서도 세로축은 1~4096의 감광소자(54a, 54b, 54c)의 연속 번호를 나타낸다. 가로축은 감광소자(54a, 54b, 54c)에 기록된 상이한 스펙트럼 부분 A1, A2, A3의 중앙값 Μk1, Μk2, Μk3의 파수 k를 1/㎛ 단위로 나타낸다. 예시적으로 표시한 6.9/㎛ 내지 9.3/㎛ 의 범위 내에서, 곡선 72는 파수 k에 대해서 선형으로 진행됨을 보여준다. 다색 광선(46)의 스펙트럼(66)은 이에 따라 파수 k에 대해서 센서(54)에 선형으로 영상화된다. 도 5a는 도 5b로부터의 결과를 파장 λ에 대해서 계산한 것으로 비선형 진행을 보여준다(비교를 위해서, 직선 71을 추가로 표시해 놓았다).도 6 내지 도 11에 본 발명에 따른 분광 기기(38)의 다양한 실시예들을 도시하였다. 단지 보다 명확하게 하기 위한 목적으로, 이들 사례 중 일부에서, 광선 46b는 생략하고 광선 46a와 46c의 두 광선만을 표시하고 있다. 광선 46a(46b 또는 46c)는, 스펙트럼 영역 B1(B2 또는 B3)의 중앙값 Mk1(Mk2 또는 Mk3)에 해당하는 파수 k1(k2 또는 k3)에 의해 특징지어지는 파동열을 나타낸다. 여기서 Mk1 003c# Mk2 003c# Mk3이다.도 6에 나타낸 제1 실시예에서, 제1 광학 요소(48)는 회절 격자의 형태를 취한다. 회절 격자(48)의 회절 중심의 상호 간의 배치와, 입사 광선(46)에 대한 회절 격자(48)의 배향은, 제1 광학 요소(48)로부터 출사되는 광선(46a, 46c)의, 제1 광학 요소(48)로 입사되는 광선(46)에 대한 회절 각도 θ가 파수 k에 선형적으로 의존하는 경우(즉, dθ/dk=상수)에 제1 광학 요소(48)가 각도 분산 dθ/dk를 나타내도록 이루어진다. 따라서 θ1/k1=θ3/k3이 된다. 여기서 θ1은 광선 46a을 편향시키는 회절각이고, θ3은 광선 46c를 편향시키는 회절각이다.도 7에 나타낸 제2 실시예에서, 제1 광학 요소(48)는 격자 프리즘의 형태를 취하며, 프리즘(74)과 이 프리즘(74)의 입사면(77a) 상에 설치되어 있는 복수의 회절 중심을 갖는 회절 격자(76)를 포함한다. 또는 이와 다르게, 회절 격자(76)가 프리즘(74)의 출사면(77b) 상에 설치되어 있을 수도 있다. 프리즘(74)의 굴절 각도 α, 재료, 및 재료 굴절률 n(k)의 선정과, 회절 격자(76)의 회절 중심의 상호 간의 배치와, 그리고 격자 프리즘(48)의 입사 광선(46)에 대한 배향은, 격자 프리즘(48)에서 출사되는 광선(46a, 46c)의, 격자 프리즘(48)으로 입사되는 광선(46)에 대한 회절 각도 θ가 파수 k에 선형적으로 의존하는 경우(즉, dθ/dk=상수)에, 프리즘(76)의 프리즘 각도 분산 및 격자(74)의 격자 각도 분산이 결합된 각도 분산 dθ/dk에 따라 격자 프리즘(48)이 광선(46)을 분할하도록 이루어졌다. 따라서 여기서도 θ1/k1=θ3/k3이 된다. 여기서 θ1은 광선 46a을 편향시키는 회절각이고, θ3은 광선 46c를 편향시키는 회절각이다.도 6과 도 7에 도시된 제1 및 제2 실시예의 대물렌즈(50)는 피사체 측에서 제1 광학 요소(48)로부터 출사되는 분할 광선(46)의 실질적 시준된 광 다발(46a 또는 46c)을 영상 측에 있는 초점(78a, 78c)에 결상하는 특성을 갖는데, 이때에 초점(78a, 78c)의 횡간격 Da, Dc는, 대물렌즈(50)를 통과한 후에, 입사각 δ1, δ3가 증가할수록 이에 따라 선형적으로 대물렌즈(50)의 광축(80)으로부터 증가한다. 여기서 δ1, δ3는 광축(80)에 대해서 광 다발(46a 또는 46c)이 대물렌즈(50)에 입사되는 각도이다. 이를 위해 대물렌즈는 예컨대 f-θ 렌즈의 형태를 취한다.도 8, 도 9, 도 10a, 도 10b 및 도 11에 제3, 제4, 제5, 제6, 및 제7 실시예를 나타내었다. 이들 실시예에서 제1 광학 요소(48)는, 예를 들어, 통상적인 분산 프리즘의 형태, 또는 회절 중심들이 서로 간에 공간에서 등거리에 배치된 통상적인 회절 격자의 형태를 취한다. 제1 광학 요소(48)는, 제1 광학 요소(48)로부터 출사되는 광선(46a, 46c)의, 제1 광학 요소(48)로 입사되는 광선(46)에 대한 회절 각도 θ가 파수 k에 비선형적으로 의존하는 경우에(즉, dθ/dk≠상수), 각도 분산 dθ/dk를 나타낸다. 제3, 제4, 제5 및 제6 실시예에서, 대물렌즈(50)는, 제1 광학 요소(48)에 의해 분할된 광선(46a, 46b, 46c)을, 여러 스펙트럼 영역 B1, B2, B3의 중앙값 Mk1, Mk2, Mk3(k 공간 내에서 서로 간에 등거리에 위치함)이 상이한 초점 78a, 78b, 78c(이들의 중심은 구성 공간 내에서 서로 간에 등거리에 위치함)에 결상되도록 보내는 영상화 특성을 갖는다(도 9, 10a, 10b 참조). 따라서 대물렌즈(50)는 광선(46a, 46b, 46c)을 도 2의 직선 z의 위치 z1, z2, z3로 보낸다. 이 직선 z는 공간에서 등거리에 위치하는, 대물렌즈(50)가 보낸 분할 광선(46a, 46b, 46c)의 광로와 교차한다(도 3d 참조). 이를 위해 대물렌즈(50)는, 광선(46a, 46b, 46c)이 그 파수 k에 의존하여 전파되는 특성을 갖는다. 도 8 및 도 9에 제3 및 제4 실시예를 나타낸다. 이들 경우에, 대물렌즈(50) 내에 사용되는 굴절 요소로서 글라스를 적절히 선택함으로써 대물렌즈(50)는 횡방향 색 영상화 특성을 갖는다. 이 횡방향 색 영상화 특성은, 파장에 의존하여 비선형 함수를 따르게 되는 축외 간격형성이다. 이 효과는, 여러 스펙트럼 영역 B1, B2, B3의 중앙값 Mk1, Mk2, Mk3(k 공간 내에서 서로 간에 등거리에 위치함)를 상이한 초점 78a, 78b, 78c(이들의 중심은 구성 공간 내에서 서로 간에 등거리에 위치함)에 결상되게끔 대물렌즈(50)가 분할 광선(46a, 46b, 46c)을 보내도록 대물렌즈(50)의 위치 및/또는 배향을 분할 광선(46a, 46b, 46c)의 광로에 대하여 조절함으로써 활용된다. 이 조절은 대물렌즈(50)의 중심을 이동시키고 및/또는 기울임으로써 시행된다.도 8의 제3 실시예에서는, 대물렌즈(50)의 중심이 이동한 것을 볼 수 있다. 대물렌즈(50)의 광축(80)이 위치한 평면(82)에서 상당히 떨어져 있는 위쪽으로 분할 광선(46a, 46c)이 대물렌즈(50)를 통과하도록, 제1 광학 요소(48)에 상대적으로 배치되어 있다. 도 9의 제4 실시예에서는 대물렌즈(50)의 기울어짐을 볼 수 있다. 대물렌즈(50)는, k 공간에서의 다색 광선(46)의 스펙트럼(66)의 중앙값 Mk2를 나타내는 분할 광선(46b)의 파동열의 전파 방향 k2에 대해서 대물렌즈(50)의 광축(80)이 기울어지도록 제1 광학 요소(48)에 상대적으로 배치되어 있다. 도 9에서, 광축(80)과 전파 방향 k2 사이의 각도 ε2는 결과적으로 0과 다르게 된다.도 10a와 10b는 각각 제5 및 제6 실시예를 나타낸다. 이들 경우에, 분광 기기(38)는 프리즘 형태의 제2 광학 요소(82')를 포함하는데, 이는, 대물렌즈(50)와 결합되어서 모듈형 유닛(84)를 구성한다. 여기서 대물렌즈(50) 및 제2 광학 요소(82')는 서로 간에 조정불가하도록 배치된다. 또는 이와 다르게, 제2 광학 요소(82')는 쐐기형 광학 요소의 형태를 취할 수도 있다. 제2 광학 요소(82')와 대물렌즈는 서로 조합되어서, 광선(46)의 스펙트럼(66)의 여러 스펙트럼 영역 B1, B2, B3의 중앙값 Mk1, Mk2, Mk3(k 공간 내에서 서로 간에 등거리에 위치함)가 모듈형 유닛(84)를 통과하면서 상이한 초점 78a, 78b, 78c(이들의 중심은 구성 공간 내에서 서로 간에 등거리에 위치함)에 결상되게끔 분할 광선(46a, 46b, 46c)을 보내는 특성을 갖는다.도 10a에는, 제 2 광학 요소(82')가 광선(46a, 46b, 46c)의 광로에서 대물렌즈(50)의 상류에 배치된다. 이 경우 제2 광학 요소(82')는 대물렌즈의 부속물의 형태를 취한다. 반면, 도 10b에는, 제2 광학 요소(82')가 광선(46a, 46b, 46c)의 광로에서 대물렌즈(50)의 하류에 배치된다.분광 기기(38)의 제1 광학 요소(48), 대물렌즈(50), 센서(54), 감광소자들(54a, 54b, 54c), 모듈형 유닛(84), 및/또는 다른 모든 구성요소(40, 42, 44)는, 분광 기기(38)의 기저판(88) 상에 구성되어서, 여기에 구비된 조정 수단(86)(예컨대, 레일, 슬라이딩 테이블, 봉 연결 기구, 거울 지지대, 평행이동 스테이지, 또는 회전 스테이지 등)을 이용하여 위치 조절을 할 수 있도록 구성된다. 특히, 제1 광학 요소(48), 대물렌즈(50), 센서(54), 감광소자들(54a, 54b, 54c), 및/또는 모듈형 유닛(84)의 상호 위치 및/또는 배향을 상호 간에 조절가능, 특히 수동으로 조절 가능하다. 반면에, 모듈형 유닛(48, 84)의 구성품 74 및 78 또는 50 및 82'는 각각, 이들의 상대 위치 및/또는 배향을 조절할 수 없도록 사전에 확고하게 고정 연결되어 있다. 도 6 내지 도 10b에 도시된 제1 내지 제6 실시예에서 센서(54)의 감광소자(54a, 54b, 54c)의 감광면은 동일한 크기로 설계된다. 또한 감광면의 중심은 이 구성 공간 내에서 상호 간에 등거리에 배치된다.도 11에는 분광 기기(38)의 제7 실시예가 도시되어 있다. 이 경우 대물렌즈(50)는 통상적인 대물렌즈의 형태를 취한다. 대물렌즈(50)는, k 공간 내에서 서로 간에 등거리에 위치한 여러 스펙트럼 영역 B1, B2, B3의 중앙값 Mk1, Mk2, Mk3를 구성 공간 내에서 그 중심이 서로 간에 부등거리에 위치한 상이한 초점 78a, 78b, 78c에 결상되게 대물렌즈(50)가 제1 광학 요소(48)에 의해 분할된 분할 광선(46a, 46b, 46c)을 보내도록 하는 영상화 특성을 갖는다. 한편, 본 실시예에서는, 센서(54)의 감광소자(54a, 54b, 54c)의 감광면의 중심들은, k 공간 내에서 서로 간에 등거리에 위치한 여러 스펙트럼 영역 B1, B2, B3의 중앙값 Mk1, Mk2, Mk3를 대물렌즈(50)가 영상 측에 결상하는 초점(78a, 78b, 78c)에 따라 배열된다. 이와 관련하여, 감광소자(54a, 54b, 54c)들의 감광면들의 중심들은 구성 공간 내에서 서로에 대해 부등거리에 위치한다. 감광소자(54a, 54b, 54c)들의 감광면들의 크기는 가변적이다.
본 발명의 분광 기기(38)는, 제1 광학 요소(48)에 입사되는 다색 광선을 공간 스펙트럼으로 분할하는 제1 광학 요소(48)와, 분할 광선(46a, 46b, 46c)의 여러 스펙트럼 영역(B1, B2, B3)을 상이한 공간 영역(52a, 52b, 52c)으로 보내도록 구성된 대물렌즈(50)와, 그리고 대물렌즈(50)의 하류에 분할 광선(46a, 46b, 46c)의 광로 내에 위치하는, 복수의 감광소자(54a, 54b, 54c)를 갖는 센서(54)를 포함한다. 감광소자(54a, 54b, 54c)는, 각 감광소자(54a, 54b, 54c)가 광선(46)의 스펙트럼 부분(A1, A2, A3)의 강도를 기록하도록 분할 광선(46a, 46b, 46c)의 광로 내에 배치되며, 스펙트럼 부분(A1, A2, A3)들의 중앙값(Mk1, Mk2, Mk3)은 k 공간(k는 파수를 의미함) 내에서 상호 간에 등거리에 위치한다.
[ 발명의 명칭 ] 표면의 도전성을 갖는 티타늄재 또는 티타늄 합금재, 이것을 사용한 연료 전지 세퍼레이터와 연료 전지TITANIUM MATERIAL OR TITANIUM ALLOY MATERIAL THAT HAVE SURFACE CONDUCTIVITY, FUEL CELL SEPARATOR USING SAME, AND FUEL CELL [ 기술분야 ] 본 발명은, 표면이 도전성을 갖고 또한 내식성이 우수한 티타늄재 또는 티타늄 합금재에 관한 발명이며, 특히 전력을 구동원으로 하는 자동차, 또는, 발전 시스템 등에 사용하는 저접촉 저항성의 고체 고분자형 연료 전지 세퍼레이터에 사용하는 티타늄재 또는 티타늄 합금재, 즉, 대 카본 접촉 도전성과 내구성이 우수한 연료 전지 세퍼레이터용 티타늄재 또는 티타늄 합금재, 이것을 사용한 연료 전지 세퍼레이터 및 연료 전지에 적합하다. 이하, 연료 전지 세퍼레이터를 예로 들어 설명한다. [ 배경기술 ] 최근 들어, 자동차용 연료 전지로서, 고체 고분자형 연료 전지의 개발이 급속하게 진전되기 시작하고 있다. 고체 고분자형 연료 전지는, 수소와 산소를 사용하여, 수소 이온 선택 투과형의 유기물 막(무기물과의 복합화의 개발도 진행되고 있음)을 전해질로서 사용하는 연료 전지이다. 연료의 수소로서는, 순수소 외에, 알코올류의 개질로 얻은 수소 가스 등이 사용된다.그러나, 현상의 연료 전지 시스템은, 구성 부품이나 부재의 단가가 높아, 민간용으로 적용하기에는, 구성 부품이나 부재가 대폭적인 저비용화가 불가결해진다. 또한, 자동차 용도에의 적용에서는, 저비용화와 함께, 연료 전지의 심장부가 되는 스택의 콤팩트화도 요구되고 있다.고체 고분자형 연료 전지는, Membrane Electrode Assembly(이하 「MEA」라 기재하는 경우가 있음)라 불리는 고체 고분자막과 전극 및 가스 확산층이 일체가 되었지만 양측을 세퍼레이터가 가압하는 구조를 취하고, 이것을 다수 적층해서 스택을 구성한다.세퍼레이터에 요구되는 특성은, 전자 전도성, 양극의 산소 가스와 수소 가스의 분리성, MEA와의 접촉 저항이 낮은 것, 나아가, 연료 전지 내의 환경에서 양호한 내구성을 갖는 것 등이다. 여기서, MEA 중, 가스 확산층(Gas Diffusion Layer, GDL)은, 일반적으로, 탄소 섬유를 집적한 카본 페이퍼로 되어 있으므로, 세퍼레이터에는, 대 카본 접촉 도전성이 양호한 것이 요구된다.세퍼레이터용 재료로서의 스테인리스강이나 티타늄 재료 등은, 그 상태에서는, 일반적으로, 대 카본 접촉 도전성이 낮으므로, 이것을 높이기 위해서 많은 제안이 이루어지고 있다. 대 카본 접촉 도전성을 높이는 데 있어서, 도전성이 낮은 부동태 피막의 존재가 장해가 된다. 내구성을 희생으로 하면 해결할 수 있는 과제라고도 할 수 있지만, 연료 전지 내는 심한 부식 환경이 되므로, 세퍼레이터에는 매우 높은 내구성이 요구된다.이로 인해, 만족이 가는 세퍼레이터용의 금속 재료의 개발은 극도로 곤란한 것이 실정이다. 지금까지는, 카본 세퍼레이터가 주류였지만, 메탈 세퍼레이터가 실용화되면, 연료 전지 자체를 콤팩트화 할 수 있고, 나아가, 연료 전지 생산 공정에서 깨짐이 발생하지 않는 것을 보장할 수 있으므로, 양산화와 보급에는, 세퍼레이터의 메탈화가 필수적이다.이러한 배경에 있어서, 예를 들어 특허문헌 1에는, 박육, 경량화 등의 관점에서, 강재중에 도전성을 갖는 화합물을 석출시킨 특수한 스테인리스강을 사용함으로써, 스테인리스강의 접촉 저항을 유효하게 저감시킬 수 있는 기술이 개시되어 있다.내구성이 우수한 티타늄을 세퍼레이터에 적용하는 검토도 행하여지고 있다. 티타늄의 경우도, 스테인리스강과 마찬가지로, 티타늄 최외표면의 부동태 피막의 존재에 의해, MEA와의 접촉 저항이 높다. 그 때문에, 예를 들어 특허문헌 2에는, 티타늄중에 TiB계 석출물을 분산시켜, MEA와의 접촉 저항을 저감시키는 기술이 개시되어 있다.특허문헌 3에는, 질량%로, Ta: 0.5 내지 15%를 함유하고, 필요에 따라, Fe 및 O량을 제한한 티타늄 합금으로 이루어지고, 최외표면으로부터 깊이 0.5㎛까지의 범위의 평균 질소 농도가 6원자% 이상이고, 또한, 그 영역에 질화탄탈륨 및 질화티타늄이 존재하는 것을 특징으로 하는 세퍼레이터용 티타늄 합금이 개시되어 있다.또한, 특허문헌 3에는, 세퍼레이터용 티타늄 합금의 제조 방법에 있어서, 질소 분위기 내에서, 또한, 600 내지 1000℃의 온도 범위에서 3초 이상 가열하는 것이 개시되어 있다.특허문헌 4, 5 및 6에는, 티타늄 또는 스테인리스제 메탈 세퍼레이터의 제작 공정에 있어서, 도전 물질을, 블라스트법 또는 롤 가공법으로 표층부에 억지로 밀어 넣는 기술이 개시되어 있다. 이 기술에 있어서는, 금속 표면의 부동태 피막을 관통하는 형으로 도전 물질을 배치하는 표면 미세 구조에 의해, 대 카본 도전성과 내구성을 양립시킨다.특허문헌 7에는, 티타늄 표면에 형성되는 탄화티타늄 또는 질화티타늄을 포함하는 불순물을 양극 산화 처리에서 산화물로 전환하고, 그 후, 도금 처리를 실시하는 연료 전지 세퍼레이터의 제조 방법이 개시되어 있다. 티타늄 표면에 형성되는 탄화티타늄 또는 질화티타늄은, 부식 환경에 노출되어 있는 동안에 용해하고, 접촉 도전성을 저해하는 산화물로서 재석출하여, 접촉 도전성을 저하시킨다.상기 방법은, 발전 시(사용 시)에 있어서의 불순물의 산화를 억제하여, 내구성을 높이는 것이다. 단, 도전성과 내구성을 확보하기 위해서는, 고가인 도금 막이 필수가 된다.특허문헌 8에는, 주기율표의 3족 원소를 합금화한 티타늄계 합금을 모재로 하여, 그 표면에 BN 분말을 도포하고, 가열 처리를 실시하여 산화 피막을 형성하고, 내식 도전성 피막을 형성하는 기술이 개시되어 있다.이 기술은, 티타늄 합금의 부동태 피막이 되는 산화물 피막 결정 격자에 있어서의 티타늄 원자의 위치에 불순물 원자를 도프해서 도전성을 높이는 것이다.특허문헌 9 및 10에는, 티타늄제 연료 전지 세퍼레이터를 압연 가공할 때, 탄소 함유 압연유를 사용해서 압연하여, 표층에 탄화티타늄을 포함하는 변질층을 형성하고, 그 위에, 막 밀도가 높은 탄소 막을 형성하여, 도전성과 내구성을 확보하는 기술이 개시되어 있다.이 기술에 있어서는, 대 카본 페이퍼 도전성은 높아지지만, 내구성은, 탄소 막으로 유지하게 되므로, 치밀한 탄소 막을 형성할 필요가 있다. 단순한 탄소와 티타늄의 계면에서는 접촉 저항이 높아지므로, 양자간에, 도전성을 높이는 탄화티타늄을 배치하고 있다. 그러나, 탄소 막에 결함이 있으면, 변질층(탄화티타늄을 포함함) 및 모재의 부식을 방지할 수 없어, 접촉 도전성을 저해하는 부식 생성물이 발생할 수 있다.특허문헌 11, 12, 13, 14 및 15에는, 특허문헌 9에 기재된 구조와 유사하지만, 탄소층/탄화티타늄 중간층/티타늄 모재를 주요한 구조로 하는 티타늄 및 티타늄제 연료 전지 세퍼레이터가 개시되어 있다. 탄소층을 미리 형성하고, 그 후에, 탄화티타늄 중간층을 형성한다는 제조 수순은, 특허문헌 9에 기재된 제조 수순과 상이하지만, 탄소층에 의해 내구성을 높이는 기구는 동일하다.특허문헌 16에는, 양산화를 위해서, 흑연분을 도포해서 압연하고, 어닐링하는 기술이 개시되어 있다. 이 기술은, 종래의 카본 세퍼레이터의 기능을, 깨지지 않는 모재 티타늄 표면에 탄소층과 탄화티타늄 중간층을 부여함으로써 실현한 것이다. 단, 탄화티타늄 중간층에는 내구성이 없으므로, 탄소층에 결함이 있으면, 탄화티타늄 중간층 및 모재의 부식을 방지할 수 없어, 접촉 도전성을 저해하는 부식 생성물을 생성할 수 있는 표면 구조가 되어 있을 우려가 있다.이러한 실정 속에서, 도전성 물질인 탄화티타늄이나 질화티타늄을 티타늄 표면에 배치하고, 티타늄뿐만 아니라, 이들 도전 물질도 부동태화 작용이 있는 티타늄 산화물로 덮는 기술이 특허문헌 17에 개시되어 있다. 이 기술에 의해, 접촉 도전성의 확보뿐만 아니라, 내구성도 향상되었지만, 연료 전지 수명을 더욱 늘리기 위해서는, 도전 물질을 덮는 티타늄 산화막의 내환경 열화성을 더욱 높일 필요가 있다.따라서, 본 출원인은, 특허문헌 18에서, 티타늄 산화 피막에, 질산 크롬산 등의 산화제를 포함하는 수용액 내에 침지하는 부동태화 처리를 실시해서 내구성을 높이는 것을 기본 축으로 하고, 티타늄 또는 티타늄 합금재의 표면 산화 피막 내에 미세 도전성 물질인 탄소나 질소를 포함하는 티타늄 화합물 입자를 분산시켜서, 대 카본 접촉 도전성을 높인 연료 전지 세퍼레이터용의 티타늄 또는 티타늄 합금재를 제안하였다.특허문헌 19에서는, 미세 도전성 물질로서 탄탈륨, 티타늄, 바나듐, 지르코늄 또는 크롬의 탄화물, 질화물, 탄질화물, 붕화물을 적용하고, 또한, 수용액 내에서 부동태화 처리 후에 안정화 처리를 실시하는 것을 제안하였다. 이 안정화 처리는, 아민계 화합물, 아미노카르본산계 화합물, 인지질, 전분, 칼슘 이온, 폴리에틸렌글리콜 중 어느 1종 또는 2종 이상 포함하는 천연 유래물이나 인공 합성물인, 쌀가루, 소맥분, 녹말, 옥수수 가루, 대두 가루, 산 세정 부식 억제제 등을 포함하는 수용액을 사용한다.고체 고분자형 연료 전지의 내부 환경이나 그 모의 평가 조건에 대해서 설명한다.특허문헌 20, 21, 22, 23 및 24에는, 전해질막에 불소계 고체 고분자를 사용하면, 미량의 불소가 용출되어 불화수소 환경이 발생하는 것이 개시되어 있다. 탄화수소 고분자를 사용하는 경우에는, 전해질막으로부터의 불소 용출은 없다고 생각된다.또한, 특허문헌 24에는, 실험적으로 배출액의 pH를 약 3으로 하는 것이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 10에서는, pH 4에서 50℃의 황산 수용액 내에서 전위 1V를 인가하는 정전위 부식 시험을 채용하고, 특허문헌 11, 12, 13 및 14에서는, pH 약 2에서 80℃의 황산 수용액 내에서 전위 0.6V를 인가하는 내구성 평가 시험을 채용하고 있다.특허문헌 25에는, 운전 온도가 80 내지 100℃인 것이 개시되어 있다. 특허문헌 21 및 24에서는, 평가 조건으로서 80℃를 채용하고 있다. 이상으로부터, 고체 고분자형 연료 전지를 모의하는 평가 조건은, (1) pH 2 내지 4에서 전해질막의 고체 고분자에 의해 불소가 용해되어 있는 수용액, (2) 온도 50 내지 100℃, (3) 셀 전압 변화 0 내지 1V(미발전 시에는 전압 0)인 것이 용이하게 상정된다.한편, 티타늄의 내환경성의 관점에서 보면, 티타늄이 불화수소 수용액(불산)으로 녹는 것이 알려져 있다. 비특허문헌 1에는, pH 3의 황산 수용액에 불소를 약 2ppm 또는 약 20ppm 첨가하면, 티타늄의 변색이 촉진되는 것이 개시되어 있다.특허문헌 26에는, 백금족계 원소(Pd, Pt, Ir, Ru, Rh, Os), Au, Ag의 1종 또는 2종 이상의 원소를 함유하는 티타늄 합금을, 비산화성의 산에 침지해서 표면에 이들 합계로 40 내지 100원자%의 층을 형성하는 방법이 개시되어 있다. 특허문헌 27에는, 백금족 원소를 0.005 내지 0.15질량% 및 희토류 원소를 0.002 내지 0.10질량% 함유한 티타늄 합금을 비산화성 산으로 산 세정하여 표면에 백금족 원소를 농화시킨 세퍼레이터용 티타늄재가 개시되어 있다. 특허문헌 28에는, 티타늄재 표면에 티타늄 수소화물을 포함하는 층을 갖는 티타늄재가 개시되어 있다.특허문헌 25에 기재된 변색 현상은, 티타늄이 용해되어 산화물로서 표면에 재석출함으로써 산화막이 성장한 결과, 간섭 색을 발생하는 현상이다. 상술한 바와 같이, 이 재석출한 산화물은 접촉 도전성을 저해하는 물질이므로, 연료 전지로 불소가 용출된 환경은, 티타늄에 있어서 보다 심각한 환경이며, 접촉 저항을 증대시키지 않도록 내구성을 더 높일 필요가 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특허 공개 제2000-328200호 공보일본 특허 공개 제2004-273370호 공보일본 특허 공개 제2007-131947호 공보일본 특허 공개 제2007-005084호 공보일본 특허 공개 제2006-140095호 공보일본 특허 공개 제2007-234244호 공보일본 특허 공개 제2010-097840호 공보일본 특허 공개 제2010-129458호 공보일본 특허 공개 제2010-248570호 공보일본 특허 공개 제2010-248572호 공보일본 특허 공개 제2012-028045호 공보일본 특허 공개 제2012-028046호 공보일본 특허 공개 제2012-043775호 공보일본 특허 공개 제2012-043776호 공보일본 특허 공개 제2012-028047호 공보일본 특허 공개 제2011-077018호 공보국제 공개 제2010/038544호국제 공개 제2011/016465호일본 특허 출원 제2012-170363호일본 특허 공개 제2005-209399호 공보일본 특허 공개 제2005-056776호 공보일본 특허 공개 제2005-038823호 공보일본 특허 공개 제2010-108673호 공보일본 특허 공개 제2009-238560호 공보일본 특허 공개 제2006-156288호 공보일본 특허 공개 제2006-190643호 공보일본 특허 공개 제2013-109891호 공보일본 특허 제4361834호 공보 [ 비특허문헌 ] Ti-2003 Science and Technology, G.Lutjering과 JAlbrecht, Wiley-VCH Verlag GmbH 0026# Co., Hamburg, 2004년, 3117 내지 3124페이지 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은, 대 카본 접촉 도전성이 높은 연료 전지 세퍼레이터용의 티타늄재 또는 티타늄 합금재에 있어서, 대 카본 접촉 도전성(낮은 접촉 저항) 및 내구성을 높여서, 연료 전지의 수명을 더욱 늘리는 것을 과제로 한다. 내구성은, 구체적으로는, 산성 환경중에 있어서의, (1) F 이온(불소 이온)에 대한 내식성과, (2) 인가 전압에 대한 내구성이다. [ 과제의 해결 수단 ] 종래, 티타늄 및 티타늄 합금과 카본의 접촉 저항을 저감시키는 기술은, 탄소(도전성 물질)층에서 티타늄 및 티타늄 합금의 표면을 피복하는 기술, 또는, 상기 표면의 산화 피막중에 티타늄이나 탄탈륨 등의 탄화물, 질화물, 탄질화물, 및/또는, 붕화물을 미세 분산시키는 기술, 백금족 원소나 Au, Ag를 표면에 농화시키는 기술이 주류이다.그러나, 본 발명자들은, 종래 기술에 불구하고, 상기 과제를 해결하는 방법에 대해서 예의 연구하였다. 그 결과, 티타늄재 또는 티타늄 합금재의 표면 구조가, 대 카본 접촉 도전성 및 내구성에 크게 영향을 미치는 것이 판명되었다.그리고, 본 발명자들이 더욱 예의 연구한 결과, 탄소층(도전성 물질)이나, 상기 탄화물, 질화물, 탄질화물, 및/또는, 붕화물, 또는 백금족 원소나 Au, Ag를 활용하는 종래 기술과는 기본적으로 상이하고, 티타늄 및 티타늄 합금의 표면에 필요한 형태의 티타늄 수소화물이 형성되어 있고, 또한, 최표면에 산화티타늄 피막을 형성하면, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 찾아냈다. 또한, 백금족계 원소나 Au, Ag가 그 표면에 함유되는지 여부에 상관없이, 본 발명의 효과가 발휘되는 것도 찾아냈다.본 발명은, 상기 지견에 기초해서 이루어진 것으로, 그 요지는 이하와 같다.[1]티타늄 또는 티타늄 합금의 표면에 있어서, 표면에의 입사각 0.3°로 측정한 X선 회절 피크에서 금속 티타늄의 최대 강도(ITi)와 티타늄 수소화물의 최대 강도(ITi-H)로부터 구한 티타늄 수소화물의 구성률([ITi-H/(ITi+ITi-H)]×100)이 55% 이상이며, 그 최표면에 산화티타늄 피막이 형성되어 있고, 또한, 표면을 아르곤으로 5nm 스퍼터한 위치에서 C가 10원자% 이하, N이 1원자% 이하, B가 1원자% 이하이고, 이하의 열화 시험 1 및 열화 시험 2에서 그 시험 전후의 접촉 저항의 증가량이 모두 10mΩcm2 이하인 것을 특징으로 하는 티타늄재 또는 티타늄 합금재.열화 시험 1: 2ppm의 F 이온을 포함한 80℃의 pH 3의 황산 용액 내에서 4일간 침지.열화 시험 2: 80℃의 pH 3의 황산 용액 내에서, 전위 1.0V(vs SHE)를 24시간 인가.[2]상기 [1]의 티타늄재 또는 티타늄 합금재로 구성한 것을 특징으로 하는 연료 전지 세퍼레이터.[3]상기 [2]의 연료 전지 세퍼레이터를 구비하는 것을 특징으로 하는 고체 고분자형 연료 전지. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 따르면, 대 카본 접촉 도전성과 내구성이 우수한 티타늄재 또는 티타늄 합금재와, 대 카본 접촉 도전성과 내구성이 우수한 연료 전지 세퍼레이터를 제공할 수 있다. 이 연료 전지 세퍼레이터를 사용하면, 연료 전지의 수명을 대폭 늘릴 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은, 티타늄재 또는 티타늄 합금재의 표면 X선 회절 프로파일(XRD)을 나타내는 도면이다. (a)는, 비교가 되는 종래재의 표면(일반적인 니트로하이드로플로릭산 산 세정 후의 표면)의 XRD를 나타내고, (b)와 (c)는, 본 발명의 티타늄재 또는 티타늄 합금재(본 발명재의 1, 2)의 표면의 XRD를 나타낸다.도 2는, 본 발명의 2개의 티타늄재 또는 티타늄 합금재의 표면의 X선 광전자 분광 분석(XPS)의 결과를 나타내는 도면이다. (a)는, 한쪽 티타늄재 또는 티타늄 합금재의 표면의 X선 광전자 분광 분석(XPS)의 결과를 나타내고, (b)는 다른 한쪽 티타늄재 또는 티타늄 합금재의 표면의 X선 광전자 분광 분석(XPS)의 결과를 나타낸다.도 3은, 본 발명의 티타늄재 또는 티타늄 합금재의 표면 직하의 단면의 투과 전자 현미경상을 나타내는 도면이다.도 4는, 티타늄재 또는 티타늄 합금재의 표면에서 측정한 X선 회절 결과로부터 구한 [ITi-H/(ITi+ITi-H)]×100((1)식)의 값과, 그 열화 시험 후의 카본 페이퍼와의 접촉 저항 및 열화 시험 전후의 접촉 저항 증가량의 관계를 나타내는 도면이다. 또한, 상술한 열화 시험 1, 2 모두 나타낸다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명의 대 카본 접촉 도전성과 내구성이 우수한 연료 전지 세퍼레이터용에 적합한 티타늄재 또는 티타늄 합금재(이하 「본 발명재」라 하는 경우가 있음)는, 그 표면의 X선 회절 피크의 강도가 하기 (1)식을 만족하고, 또한, 그 최표면에 산화티타늄 피막이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 수소화물의 구성률([ITi-H/(ITi+ITi-H)]×100)은, 60% 이상인 것이 바람직하다. 수소화물의 구성률([ITi-H/(ITi+ITi-H)]×100)이 60% 이상이면, 후술하는 열화 시험 1 및 열화 시험 2에서 그 시험 전후의 접촉 저항 증가량이 모두 4mΩcm2 이하가 된다.[ITi-H/(ITi+ITi-H)]×100≥55% …(1)ITi-H: 티타늄 수소화물(TiH, TiH1.5, TiH2 등)의 X선 회절 피크의 최대 강도ITi: 금속 Ti의 X선 회절 피크의 최대 강도ITi-H/(ITi+ITi-H)는, 티타늄재 또는 티타늄 합금재의 표면에 있어서의 금속 티타늄과 티타늄 수소화물의 구성률을 나타내는 지표이며, 큰 쪽이, 티타늄 수소화물을 많이 포함하는 상 구성인 것을 의미한다.X선 회절은, 티타늄재 또는 티타늄 합금재의 표면에 대하여, X선의 입사각을 저각으로, 예를 들어 0.3°로 고정해서 경사 입사하여 행한다. 이 X선 회절에서, 표면 직하의 구조를 동정할 수 있다.본 발명재에 있어서는, 또한, 그 최표면에 산화티타늄 피막이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 티타늄재 또는 티타늄 합금재의 표면을 X선 광전자 분광 분석을 행함으로써, Ti2p 스펙트럼으로 티타늄 산화물인 TiO2의 결합 에너지 약 459.2eV의 위치에 피크가 검출된다. 이 검출에서, 산화티타늄 피막의 형성을 확인할 수 있다.산화티타늄의 두께는 3 내지 10nm가 바람직하다. 산화티타늄 피막의 두께는, 예를 들어 표면 직하·단면의 투과 전자 현미경으로 관찰해서 측정할 수 있다.본 발명재를 제조하는 제조 방법(이하 「본 발명재 제조 방법」이라 하는 경우가 있음)은, 티타늄재 또는 티타늄 합금재를,(i) 티타늄재 또는 티타늄 합금재의 표층에 티타늄 수소화물을 형성하고, 그 후,(ii) 소정의 수용액 내에서, 부동태화 처리와 안정화 처리를 실시하는 것에 의해 행하여진다.티타늄재 또는 티타늄 합금재의 표층에 티타늄 수소화물을 형성하는 처리(이하 「수소화물 형성 처리」라 하는 경우가 있음)는, 특히, 특정한 방법에 한정되지 않는다. 예를 들어, 티타늄재 또는 티타늄 합금재를, (x) 비산화성의 산인 염산이나 황산에 침지하는 방법, (y) 캐소드 전해하는 방법 및 (z) 수소 함유 분위기에서 열처리하는 방법을 들 수 있다. 이들 중 어느 한쪽의 방법으로도, 티타늄재 또는 티타늄 합금재의 표층에 티타늄 수소화물을 형성할 수 있다.부동태화 처리에 사용하는 수용액은, 질산이나 크롬산 등의 산화제가 첨가 된 수용액이다. 안정화 처리에 사용하는 소정의 수용액은, 아민계 화합물, 아미노카르본산계 화합물, 인지질, 전분, 칼슘 이온, 폴리에틸렌글리콜 중 어느 1종 또는 2종 이상 포함하는 천연 유래물이나 인공 합성물인, 쌀가루, 소맥분, 녹말, 옥수수 가루, 대두 가루, 산 세정 부식 억제제 등을 포함하는 수용액이며, 부동태화 처리에 사용하는 수용액도, 통상의 수용액이다.본 발명재에 있어서는, 최표면의 산화티타늄 피막중 및 그 바로 밑에, 티타늄의 탄화물, 질화물, 탄질화물, 및/또는, 붕화물이 세퍼레이터로서 실용적으로 사용 가능한 범위에서 비용도 고려하여 저감하도록 만들어 넣어져 있다.C, N 및 B 중 적어도 1종이, 티타늄 기재중에 불가피적 혼입 원소로서 존재하면, 열처리 과정에서, 티타늄의 탄화물, 질화물, 탄질화물, 및/또는, 붕화물이 형성될 가능성이 있다. 티타늄의 탄화물, 질화물, 탄질화물, 및/또는, 붕화물의 형성을 최대한 억제하기 위해서, 티타늄 기재중의 C, N, B의 합계 함유량을 0.1질량% 이하로 하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.05질량% 이하이다.또한, 본 발명재에 있어서는, 산화티타늄 피막중에, C, N 및 B 중 적어도 1종을 포함하는 티타늄 화합물이 존재하지 않는 것이 바람직하는데, 대폭적인 비용 상승을 초래하는 점에서 세퍼레이터로서 실용적으로 사용 가능한 범위에서 저감시키는 것이 바람직하다. 표면을 아르곤으로 5nm 스퍼터한 후, X선 광전자 분광법(XPS)을 이용해서 표면을 분석한 결과, C가 10원자% 이하, N이 1원자% 이하, B가 1원자% 이하이면, 본 발명의 효과가 얻어진다.여기서, 아르곤 스퍼터 깊이는, SiO2를 스퍼터했을 때의 스퍼터 레이트로부터 환산된 값이다. 5nm 스퍼터한 후의 표면으로부터도, Ti2p 스펙트럼으로 티타늄 산화물인 TiO2의 결합 에너지 약 459.2eV의 위치에 피크가 검출되어 있는 점에서, 산화티타늄 피막중의 분석 결과이다.또한, 데이터 해석에는 Ulvac-phi사제 해석 소프트인 MutiPak V.8.0을 사용하였다.종래, 냉간 압연의 유분이 잔존한 상태나, 질소 가스 분위기에서 가열되어 표면에 도전성 물질인 티타늄의 탄화물, 질화물, 및/또는, 탄질화물이 분산된 상태이면, 그 접촉 저항은 비교적 작은 값이 되는 것이 알려져 있다. 그러나, 그 상태에서는, 실사용의 산성 부식 환경에 노출되어 있는 동안에, 이들 티타늄 화합물이 용해되고, 접촉 도전성을 저해하는 산화물로서 재석출하여, 접촉 도전성을 저하시킨다.이하, 도면을 참조하면서, 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명한다.본 발명재는, 예를 들어 티타늄 기재의 표면 근방에, 수소화물 형성 처리에 의해 티타늄 수소화물을 형성하고, 그 후, 질산이나 크롬산 등의 산화제가 첨가된 수용액 내에서 부동태화 처리를 실시하고, 또한, 소정의 수용액으로 안정화 처리를 실시해서 얻을 수 있다.도 1에, 연료 전지 세퍼레이터용 티타늄재 또는 티타늄 합금재의 표면 X선 회절 프로파일(XRD)을 나타냈다. 도 1의 (a)에, 비교가 되는 종래재의 표면(일반적인 니트로하이드로플로릭산 산 세정후의 표면)의 XRD를 나타내고, 도 1의 (b)와 (c)에, 본 발명의 연료 전지 세퍼레이터용 티타늄재 또는 티타늄 합금재(본 발명재)의 표면의 XRD를 나타냈다. (b)에 나타낸 본 발명예 1은 티타늄 수소화물의 구성률([ITi-H/(ITi+ITi-H)]×100)이 63%, (c)에 나타낸 본 발명예 2는 티타늄 수소화물의 구성률([ITi-H/(ITi+ITi-H)]×100)이 55%이다.X선 회절 피크는, (a) 종래재에서는, 금속 티타늄(도면 중의 ●)의 회절 피크만이 검출되지만, (b)와 (c)의 본 발명재에서는, 티타늄 수소화물(도면 중의 ▼)의 매우 강한 피크가 검출된다. 이 티타늄 수소화물은, 회절 피크의 위치로부터 TiH1.5이다. 또한, 글로우 방전 발광 분석으로 표면으로부터 깊이 방향으로의 원소 농도 분포를 측정하고, 수소가 표층부에 농화되어 있는 것을 확인하고 있다.여기서, X선 회절의 측정 방법과 회절 피크의 동정 방법에 대해서 설명한다. 티타늄재 또는 티타늄 합금재의 표면에 대하여 X선의 입사각을 0.3°로 고정하는 경사 입사로, X선 회절 프로파일을 측정하고, 그 회절 피크를 동정하였다.리가쿠제 X선 회절 장치 SmartLab를 사용하여, 입사각 0.3°에서, 타깃에 Co-Kα(파장(λ)=1.7902Å)를 사용하고, Kβ 제거법은, W/Si 다층막 미러(입사측)를 사용하였다. X선원 부하 전력(관 전압/관 전류)은, 9.0kW(45kV/200mA)이다. 사용한 해석 소프트는, 스펙트리스제 엑스퍼트·하이스코어·플러스이다.측정한 X선 회절 프로파일을, ICDD 카드의 No.01-078-2216, 98-002-1097, 01-072-6452, 98-006-9970 등의 티타늄 수소화물을 표준 물질로 한 데이터 베이스와 대비함으로써, 회절 피크를 동정할 수 있다.또한, 상기 측정 조건에서의 X선 침입 깊이는, 금속 티타늄에서 약 0.18㎛, 티타늄 수소화물에서 약 0.28㎛이므로, X선 회절 피크는, 표면으로부터 약 0.2 내지 0.3㎛ 깊이의 구조를 반영한 X선 회절 피크이다.도 2에, 본 발명재의 최표면의 XPS로 측정한 Ti2p의 광전자 스펙트럼을 나타냈다. 도 3에, 본 발명재의 표면 직하의 단면의 투과 전자 현미경상을 나타냈다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 최표면으로부터, 티타늄 산화물인 TiO2의 결합 에너지 약 459.2eV의 위치에, 매우 강한 피크가 검출되고 있다.도 3에 있어서, Ti1을 덮고 있는 밝은(흰 빛을 띤) 막 형상의 부위(2)가 산화티타늄 피막이다. 이 부위로부터, 에너지 분산 분광 분석(EDS)으로 Ti와 O가 검출되고, 이 부위에 산화티타늄 피막이 형성되어 있는 것을 알 수 있다.종래재에서도, 산화티타늄 피막에, 소정의 부동태화 처리와 안정화 처리를 실시하면, 단순한 산성 환경에의 내구성은 높아지지만, 불소를 포함하는 부식 환경이나 전위가 인가되는 사용 환경에 있어서는, 내구성을 유지할 수 없는 경우가 있다. 백금족 원소나 Au, Ag가 첨가된 티타늄 합금에 있어서도 마찬가지이다. 또한, 백금족 원소의 불순물 레벨은 0.005질량% 미만이고, 백금족 원소나 Au, Ag의 합계의 함유량이 0.005질량% 미만인 경우에는, 백금족 원소나 Au, Ag가 첨가된 티타늄 합금(티타늄)으로 간주한다.카본 페이퍼와의 접촉 저항은, 불소 이온 농도가 2ppm 이상이 되면, 종래재에서는, 약 100mΩ·cm2 이상으로 증가하여 그 증가량은 약 90mΩ·cm2 이상으로도 되지만, 본 발명재에서는, 불소 이온 농도 2 내지 5ppm에서도 10 내지 20mΩ·cm2 이하로 낮고, 그 증가량은 크더라도 10mΩcmm2 이하, 적합한 경우에는 4mΩcm2 이하로 억제할 수 있어, 불소에 대하여 높은 내성을 나타낸다.따라서, 본 발명재에 있어서는, pH 3으로 조정한 2ppm의 F 이온을 포함한 황산 수용액 내에 80℃에서 4일간 침지하는 열화 시험 1에서, 카본 페이퍼와의 접촉 저항의 열화 시험 후의 증가량이, 면압 10kgf/cm2에서, 10mΩcm2 이하이다. 바람직하게는 4mΩcm2 이하이다. 참고로, 열화 시험 1 후의 접촉 저항의 값은, 20mΩ·cm2 이하, 바람직하게는 10mΩ·cm2 이하이다.또한, 80℃의 pH 3의 황산 수용액 내에서 전위 1.0V(vsSHE)를 24시간 인가하는 열화 시험 2에서, 카본 페이퍼와의 접촉 저항의 열화 시험 후의 증가량이, 면압 10kgf/cm2에서, 10mΩcm2 이하이다. 바람직하게는 4mΩcm2 이하이다. 참고로, 열화 시험 2 후의 접촉 저항의 값은, 본 발명재에서는 20mΩ·cm2 이하, 바람직하게는 10mΩ·cm2 이하로 낮아, 전위를 인가해도 높은 내성을 유지할 수 있다. 한편, 종래재에서는 접촉 저항의 값은 약 30mΩ·cm2로 그 증가량은 약 20mΩ·cm2로도 되어버린다.열화 시험 1, 2는, 그 접촉 저항의 증가량에서, 각각, 불소와 인가 전압에의 내성(안정도)을 측정할 수 있다. 또한, 충분히 유의차를 판별할 수 있는 시험 시간으로서, 각각 4일과 24시간을 선택하고 있다. 일반적으로, 접촉 저항은 시험 시간과 함께 거의 직선적으로 증가하고, 그 값이 약 30mΩ·cm2 이상이 되면, 그 이후에는 급증해가는 경향을 볼 수 있다.또한, 접촉 저항은, 사용하는 카본 페이퍼에 의존해서 변화하므로, 열화 시험에서는, 도레이(주)제의 TGP-H-120을 사용하여 측정한 접촉 저항을 표준으로 하였다.본 발명자들은, 본 발명재의 접촉 저항이 종래의 접촉 저항에 비하여 낮게 안정된 원인은, 표층에 형성되어 있는 티타늄 수소화물에 있다고 발상하였다. 도 1에 나타낸 티타늄 수소화물로부터의 X선 회절 피크에 착안하여, 금속 티타늄(Ti)의 X선 회절 강도와 티타늄 수소화물(Ti-H)로부터의 X선 회절 강도의 상관에 대해서 예의 검토하였다.그 결과를 도 4에 나타냈다. 횡축의 [ITi-H/(ITi+ITi-H)]×100은, 티타늄 또는 티타늄 합금재의 표면에 대하여 X선의 입사각을 0.3°로 고정하는 경사 입사로, X선 회절 프로파일을 측정하고, 그 회절 피크를 동정한 결과로부터 구하였다.[ITi-H/(ITi+ITi-H)]×100은, 티타늄 또는 티타늄 합금재의 표면에 있어서의 금속 티타늄과 티타늄 수소화물의 구성률의 지표이며, 값이 큰 쪽이, 티타늄 수소화물을 많이 포함하는 상 구성인 것을 정량적으로 나타내고 있다. 종축은, 열화 시험 1, 2를 행하여 측정한 접촉 저항과 그 증가량이다. 또한, 모두 소정의 수용액 내에서, 부동태화 처리를 실시한 후에 안정화 처리를 실시하였다. 그 후, 상술한 열화 시험 1(pH 3에서 불소 이온 농도 2ppm의 황산 수용액 중에, 80℃에서 4일간 침지)과 열화 시험 2(pH 3의 황산 수용액 내에서 전위 1.0V(vsSHE)를 24시간 인가)를 실시하였다. (vsSHE)는, 표준 수소 전극(standard hydrogen electrode: SHE)에 대한 값을 나타낸다.도 4에 나타낸 바와 같이, [ITi-H/(ITi+ITi-H)]×100이 55% 이상으로 열화 시험 1, 2 후의 접촉 저항이 매우 낮아져 있다. 그리고, 본 발명자들은, 본 발명재에 있어서는, 금속 티타늄(Ti)의 X선 회절 강도와 티타늄 수소화물(Ti-H)로부터의 X선 회절 강도의 사이에, 상기 (1)식의 상관 관계가 있는 것을 찾아냈다.따라서, 본 발명재에 있어서는, [ITi-H/(ITi+ITi-H)]×100을 55% 이상으로 한다. 바람직하게는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 열화 촉진 시험 후(열화 시험 1, 2 후)의 접촉 저항이 저위 안정되는 60% 이상으로 한다. 그 상한은, 당연 100% 이하가 된다. 티타늄 수소화물에 의한 취화가 우려되는 점에서, 염산으로 수소화물 형성 처리를 실시한 [ITi-H/(ITi+ITi-H)]×100이 85%의 재료로 변형 보정 가공해도, 본 발명재가 목적으로 하는 접촉 저항이 얻어지고 있다.티타늄 수소화물의 작용으로서는, 산 세정 환경중의 불소 이온에 의해 최표면의 산화티타늄 피막이 어택되었을 때, 티타늄중의 수소는 확산이 용이한 점에서 부수어진 산화 피막의 보수를 촉진시키는 작용, 최표면의 산화티타늄 피막이 티타늄 수소화물과 접촉함으로써 불활성화되는 작용, 녹기 시작한 티타늄 이온은 티타늄 산화물로서 표면에 석출되어 통상은 접촉 저항을 높여버리지만 티타늄 수소화물의 수소 작용에 의해 산화가 진행되지 않고, 도전성을 갖는 석출물을 형성하는 작용 등이 추측된다. 이러한 작용으로부터, 백금족 원소나 Au, Ag가 함유되어 있는지 여부에 상관없이, 본원에서 규정하는 피막 구조를 갖고 있으면, 충분히 효과가 얻어진다고 생각된다.어느 쪽의 작용이어도, 그 효과를 발휘하기 위해서는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 소정량 이상의 티타늄 수소화물의 존재가 필요하다.수소화물 형성 처리 후, 소정의 수용액중에서, 본 발명재에 부동태화 처리와 안정화 처리를 실시한다. 이 처리에 의해, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 최표면에 산화티타늄 피막이 형성된다. 이 산화티타늄 피막의 두께는, 초기의 접촉 저항을 낮게 억제하고, 또한, 노출되는 환경중의 불소나 전압 인가에의 내구성을 확보하는 점에서, 3 내지 10nm가 바람직하다.산화티타늄 피막의 두께가 3nm 미만이면, 불소 첨가 또는 전압 인가한 열화 시험 후의 접촉 저항이 20mΩ·cm2를 초과하여, 그 증가량도 10mΩ·cm2를 초과해버려, 내구성이 불충분해진다. 한편, 산화티타늄 피막의 두께가 10nm를 초과하면, 초기의 접촉 저항이 10mΩ·cm2를 초과해버리는 경우가 있다.또한, 최표면의 산화티타늄 피막의 두께는, 표면 직하·단면을 투과 전자 현미경으로 관찰해서 측정할 수 있다. 도 3에 있어서, 밝은(흰 빛을 띤) 막 형상의 부위(2)가 산화티타늄 피막이다.소정의 수용액 내에서 실시하는 부동태화 처리의 조건과, 그 후의 안정화 처리의 조건은 하기대로이다.부동태화 처리에 사용하는 수용액은, 질산이나 크롬산 등의 산화제를 포함하는 수용액이다. 그 산화력에 의해, 산화티타늄 피막이 치밀화된다고 생각된다.안정화 처리에 사용하는 수용액은, 아민계 화합물, 아미노카르본산계 화합물, 인지질, 전분, 칼슘 이온, 폴리에틸렌글리콜 중 어느 1종 또는 2종 이상을 포함하는, 천연 유래물이나 인공 합성물인, 쌀가루, 소맥분, 녹말, 옥수수 가루, 대두 가루, 산 세정 부식 억제제 등을 포함하는 수용액이며, 폭로 환경에 존재하는 산 성분이나 할로겐 이온(염소, 불소 등) 등으로부터의 어택을 억제하는 효과를 발휘한다.종래재에서는, 수용액 내에서 부동태화 처리나 안정화 처리를 실시해서 형성한 산화티타늄 피막이어도, 산화티타늄 피막 안이나, 바로 아래에 많이 존재하는 티타늄의 탄화물, 질화물, 및/또는, 탄질화물이, 불소가 포함되는 부식 환경이나 전위가 인가되어 사용 환경에서 용출하여, 접촉 도전성을 저해하는 산화물로서 재석출되어버린다.한편, 본 발명재에서는, 전처리로서, 냉간 압연 후에 산 세정에 의해 탄화물 형성의 원인이 되는 C 등을 포함하는 냉간 압연 유분을 제거하거나, 광휘 어닐링 후에 니트로하이드로플로릭산에 의한 산 세정이나 수소화물 형성 처리에 의해, 광휘 어닐링으로 표면에 생성한 티타늄의 탄화물, 질화물, 및/또는, 탄질화물을 대략 제거할 수 있다.또한, 상술한 바와 같이, X선 광전자 분광법(XPS)을 이용하여, 표면을 아르곤으로 5nm 스퍼터한 후의 표면을 분석한 결과, C가 10원자% 이하, N이 1원자% 이하, B가 1원자% 이하이면, 본 발명의 효과가 얻어지고 있다.그 후에 소정의 수용액 내에서 부동태화 처리와 안정화 처리를 행하여, 용출되기 쉬운 티타늄의 탄화물, 질화물, 및/또는, 탄질화물이, 세퍼레이터로서 실용적으로 사용 가능한 범위에서 비용도 고려하여 저감하는 바와 같은 표면 구조를 형성한다. 이 표면 구조에 의해, 불소를 포함하는 부식 환경이나 전위가 인가되는 사용 환경에서의 내구성이 현저하게 향상된다.또한, 필요한 수용액 내에서 부동태화 처리와 안정화 처리의 양쪽을 실시하지 않을 경우에는, 초기의 접촉 저항은 낮으나, 열화 촉진 시험 후에, 섭정 저항이 약 30mΩ·cm2 이상으로 증가해버린다.그로 인해, 본 발명재에 있어서, 열화 촉진 시험 후의 접촉 저항은 20mΩ·cm2 이하이다. 바람직하게는 10mΩ·cm2 이하이다. 보다 바람직하게는 8mΩ·cm2 이하이다.이어서, 본 발명재의 제조 방법의 일례에 대해서 설명한다.티타늄 기재가 되는 박을 제조할 때에는, 그 표면에, 티타늄의 탄화물, 질화물, 및/또는, 탄질화물이 생성되기 어렵도록, 상술한 성분 설계를 실시함과 함께, 냉간 압연, 세정(산 세정도 포함함), 어닐링(분위기, 온도, 시간 등)의 각 조건을 선택해서 행한다. 필요에 따라, 어닐링에 이어서, 니트로하이드로플로릭산 수용액(예를 들어, 3.5질량%의 불화수소+4.5질량%의 질산)으로 산 세정한다.그 후, 티타늄 기재에, (x) 비산화성의 산인 염산이나 황산에 침지하는, (y) 캐소드 전해하는, 및, (z) 수소 함유 분위기에서 열처리하는, 중 어느 하나의 처리를 실시하여, 티타늄 또는 티타늄 합금재의 표층에 티타늄 수소화물(TiH, TiH 1.5, TiH2)을 형성한다.티타늄 기재의 내부까지 다량의 수소화물이 형성되면 기재 전체가 취화되어버릴 가능성이 있으므로, 비교적 표면 근방에만 수소를 농화시킬 수 있는 (x) 비산화성의 산인 염산이나 황산에 침지하는 방법이 바람직하다.계속해서, 티타늄 수소화물이 형성된 표층에 부동태화 처리를 실시한다. 부동태화 처리는, 예를 들어 티타늄 기재를, 소정 온도의 질산 또는 무수 크롬산을 포함하는 혼합 수용액에서, 예를 들어 질산 30질량%를 포함하는 수용액 또는 무수 크롬산 25질량%와 황산 50질량%를 포함하는 혼합 수용액에 소정 시간 침지해서 행한다. 이 부동태 처리에 의해, 티타늄 기재의 최표면에 안정적인 부동태화된 산화티타늄 피막이 형성되어, 부식이 억제된다.상기 수용액의 온도는, 생산성의 향상을 위하여 50℃ 이상이 바람직하다. 보다 바람직하게는 60℃ 이상, 더욱 바람직하게는 85℃ 이상이다. 온도의 상한은 120℃가 바람직하다. 침지 시간은, 수용액의 온도에 따라 다르지만, 일반적으로 0.5 내지 1분 이상이다. 바람직하게는 1분 이상이다. 침지 시간의 상한은 45분이 바람직하고, 보다 바람직하게는 30분 정도이다.또한, 부동태화 처리를 실시한 후, 산화티타늄 피막을 안정화하기 위해서, 소정 온도의 안정화 처리액을 사용하여, 소정 시간, 안정화 처리를 행한다.안정화 처리액은, 아민계 화합물, 아미노카르본산계 화합물, 인지질, 전분, 칼슘 이온, 폴리에틸렌글리콜 중 어느 1종 또는 2종 이상을 포함하는, 천연 유래물이나 인공 합성물인, 쌀가루, 소맥분, 녹말, 옥수수 가루, 대두 가루, 산 세정 부식 억제제 등을 포함하는 수용액이다.예를 들어, 산 세정 부식 억제제([스기무라가가쿠고교(주)제 히비론(등록 상표 제4787376호)AS-25C])를 포함하는 수용액을 사용할 수 있다. 안정화 처리는, 45 내지 100℃의 안정화 처리액을 사용하여, 1 내지 10분 행하는 것이 바람직하다.본 발명재는, 이상 설명한 바와 같이, 우수한 도전성과 내구성을 구비하고 있으며, 연료 전지용 세퍼레이터용의 기재로서 매우 유용하다.본 발명재를 기재로 하는 연료 전지 세퍼레이터는, 당연히, 본 발명재의 표면을 그대로 살려서 사용한 것이다.본 발명재의 표면에, 또한, 금 등의 귀금속계 금속, 탄소 또는 탄소 함유 도전성 피막을 형성하는 경우도 상정된다. 그 경우, 본 발명재를 기재로 하는 연료 전지 세퍼레이터에 있어서는, 금 등의 귀금속계 금속이나 탄소 막 또는 탄소 함유 피막에 결함이 있어도, 그 바로 밑에, 본 발명재의 접촉 도전성과 내식성이 우수한 표면이 존재하므로, 티타늄 기재의 부식이 종래 이상으로 억제된다.본 발명재를 기재로 하는 연료 전지 세퍼레이터는, 표면이 종래의 카본 세퍼레이터와 동일 수준의 접촉 도전성과 내구성을 갖고, 또한, 깨지기 어려우므로, 연료 전지의 품질과 수명을 장기에 걸쳐서 보장할 수 있다.(실시예)이어서, 본 발명의 실시예에 대해서 설명하는데, 실시예에서의 조건은, 본 발명의 실시 가능성 및 효과를 확인하기 위해서 채용한 일조건예이며, 본 발명은 이 일조건예에 한정되지 않는다. 본 발명은, 본 발명의 요지를 일탈하지 않고, 본 발명의 목적을 달성하는 한에 있어서, 다양한 조건을 채용할 수 있는 것이다.(실시예 1)본 발명 중간재와 본 발명 합금재의 표면 성상 및 접촉 특성을 확인하기 위해서, 티타늄 또는 티타늄 합금재(이하 「티타늄 기재」라 함), 전처리, 수소 처리(수소화물 형성 처리), 부동태화 처리 및 안정화 처리의 여러 조건을 변화시켜서, 시험재를 제작하고, 티타늄 기재의 표면 성상을 X선 회절로 조사함과 함께, 열화 촉진 시험에서 접촉 도전성을 측정하였다. 투과 전자 현미경상은 도 3에 나타낸 대로이다. 측정 결과를 여러 조건과 함께, 표 1 내지 7에 나타낸다.[티타늄 기재]티타늄 기재(소재)는 이하와 같다.M01: 티타늄(JIS H 4600 1종 TP270C) 공업용 순티타늄 1종M02: 티타늄(JIS H 4600 3종 TP480C) 공업용 순티타늄 2종M03: 티타늄 합금(JIS H 4600 61종) 2.5 내지 3.5질량% Al-2 내지 3질량% V-TiM04: 티타늄 합금(JIS H 4600 16종) 4 내지 6질량% Ta-TiM05: 티타늄 합금(JIS H4600 17종) 0.04 내지 0.08질량% Pd-TiM06: 티타늄 합금(JIS H4600 19종) 0.04 내지 0.08질량% Pd-0.2 내지 0.8질량% Co-TiM07: 티타늄 합금(JIS H4600 21종) 0.04 내지 0.06질량% Ru-0.4 내지 0.6질량% Ni-TiM08: 티타늄 합금 0.02질량% Pd-0.002질량% Mm-Ti여기서, Mm은 분리 정제 전의 혼합 희토류 원소(미슈 메탈)이며, 사용한 Mm의 조성은, 55질량% Ce, 31질량% La, 10질량% Nd, 4질량% Pr이다.M09: 티타늄 합금 0.03질량% Pd-0.002질량% Y-TiM10: 티타늄 합금(JIS H4600 11종) 0.12 내지 0.25질량% Pd-Ti주) JIS 규격 이외의 티타늄 합금인 M08, M09는, 실험실적으로 용제하고, 열연 및 냉연하여 얻은 기재인 것을 의미한다.[전처리]티타늄 기재의 전처리는 이하와 같다.P01: 두께 0.1mm까지 냉간 압연하고, 알칼리 세정한 후, Ar 분위기에서 800℃에서 20초의 광휘 어닐링을 실시하고, 그 후, 니트로하이드로플로릭산 산 세정으로 표면을 세정P02: 두께 0.1mm까지 냉간 압연하고, 니트로하이드로플로릭산 산 세정으로 세정하여 압연유를 제거한 후, Ar 분위기에서 800℃에서 20초의 광휘 어닐링P03: 두께 0.1mm까지 냉간 압연하고, 알칼리 세정한 후, Ar 분위기에서 800℃에서 20초의 광휘 어닐링또한, P01, P02의 니트로하이드로플로릭산에 의한 표면 세정은, 불화수소(HF)가 3.5질량%, 질산(HNO3)이 4.5질량%인 수용액에, 45℃에서 1분간 침지하였다. 표면으로부터 약 5㎛ 깊이를 녹였다.[수소화물 형성 처리](x) 산 세정H01: 농도 30질량%의 염산 수용액H02: 농도 30질량%의 황산 수용액(y) 캐소드 전해 처리H03: pH 1의 황산 수용액, 전류 밀도 1mA/cm2(z) 수소 함유 분위기중에서의 열처리H04: 20% 수소+80% Ar 가스의 분위기(450℃)[부동태화 처리]부동태화 처리에 사용한 수용액은 이하와 같다.A01: 질산 30질량%를 포함하는 수용액A02: 질산 20질량%를 포함하는 수용액A03: 질산 10질량%를 포함하는 수용액A04: 질산 5질량%를 포함하는 수용액A05: 무수 크롬산 25질량%와 황산 50질량%를 포함하는 혼합 수용액A06: 무수 크롬산 15질량%와 황산 50질량%를 포함하는 혼합 수용액A07: 무수 크롬산 15질량%와 황산 70질량%를 포함하는 혼합 수용액A08: 무수 크롬산 5질량%와 황산 50질량%를 포함하는 혼합 수용액A09: 무수 크롬산 5질량%와 황산 70질량%를 포함하는 혼합 수용액.주) 모두 고형분이 발생한 경우에는, 액 내에 분산된 상태 그대로 사용하였다.주) 수용액의 온도는, 40 내지 120℃, 침지 처리 시간은, 0.5 내지 25분의 범위에서 변화시켰다.[안정화 처리]안정화 처리에 사용한 수용액은 이하와 같다.B01: 쌀가루 0.25질량%, 잔부 이온 교환수B02: 소맥분 0.25질량%, 잔부 이온 교환수B03: 녹말 0.25질량%, 잔부 이온 교환수B04: 옥수수 가루 0.25질량%, 잔부 이온 교환수B05: 대두 가루 0.25질량%, 잔부 이온 교환수B06: 폴리에틸렌글리콜 0.02질량%, 쌀가루 0.05질량%, 탄산칼슘 0.0001질량%, 수산화칼슘 0.0001질량%, 산화칼슘 0.0001질량%, 잔부 증류수B07: 산 세정 부식 억제제([스기무라가가쿠고교(주)제 히비론(등록 상표 제4787376호) AS-20K]) 0.10질량%, 잔부 이온 교환수 B08: 산 세정 부식 억제제([스기무라가가쿠고교(주)제 히비론(등록 상표 제4787376호) AS-35N]) 0.05질량%, 잔부 이온 교환수B09: 산 세정 부식 억제제([스기무라가가쿠고교(주)제 히비론(등록 상표 제4787376호) AS-25C]) 0.08질량%, 잔부 수도물B10: 산 세정 부식 억제제([스기무라가가쿠고교(주)제 히비론(등록 상표 제4787376호) AS-561]) 0.10질량%, 잔부 수도물B11: 산 세정 부식 억제제([스기무라가가쿠고교(주)제 히비론(등록 상표 제4787376호) AS-561]) 0.30질량%, 잔부 수도물B12: 산 세정 부식 억제제([켈레스트(주)제 켈레스빗(등록 상표 제4305166호) 17C-2]) 0.01질량%, 잔부 우물물B13: 산 세정 부식 억제제(아시하가가쿠고교(주)제 이빗(등록 상표 제2686586호) 뉴하이퍼DS-1) 0.04질량%, 잔부 공업용수주) 모두 고형분이 발생한 경우에는, 액 내에 분산된 상태 그대로 사용하였다.주) 수용액의 온도는, 45 내지 100℃, 침지 처리 시간은, 1 내지 10분의 범위에서 변화시켰다.[열화 시험]열화 시험 1: 2ppm의 F 이온을 포함한 80℃의 pH 3의 황산 용액 내에서 4일간 침지해서 행한다.열화 시험 2: 80℃의 pH 3의 황산 용액 내에서, 전위 1.0V(vs SHE)를 24시간 인가해서 행한다.[평가 판정]접촉 저항의 증가량에 있어서, ◎은 4mΩcm2 이하, ○는 4mΩcm2 초과 10mΩcm2 이하, ×는 10mΩcm2 초과로 한다. 또한, 상술한 조건에서 측정한 접촉 저항의 값은, ◎의 경우에는 10mΩcm2 이하, ○의 경우에는 10 초과 20mΩcm2 이하, ×의 경우에는 20mΩcm2 초과였다.상기 조건을 바꾸어서 제작한 시험재로부터, 필요한 크기의 시험편을 채취하여, 표면의 특징을 계측함과 함께, 열화 시험 1, 2를 행해서 접촉 도전성을 측정하였다. 측정 결과를, 여러 조건과 함께, 표 1 내지 7에 나타낸다. 또한, 표 중의 표면의 특징 중, C, N, B의 농도(XPS의 결과)는, 표면을 아르곤으로 5nm 스퍼터한 후의 X선 광전자 분광법(XPS)으로 분석한 결과, ○가 C가 10원자% 이하 또한 N이 1원자% 이하 또한 B가 1원자% 이하, ×가 이들 원소 중 어느 하나 상기 농도를 초과하는 경우이다.티타늄 기재와 전처리의 조건을 변화시킨 경우의 결과를, 표 1에 나타낸다.[표 1]수소화물 형성 처리에 있어서, 처리 방법, 처리 시간 및 처리 온도를 바꾸었을 경우의 결과를 표 2에 나타낸다.[표 2]부동태화 처리에 있어서, 처리 시간과 처리 온도를 바꾸었을 경우의 결과를 표 3에 나타낸다.[표 3]부동태화 처리에 있어서, 처리액을 바꾸었을 경우의 결과를 표 4에 나타낸다.[표 4] 안정화 처리에 있어서, 처리액을 바꾸었을 경우의 결과를 표 5에 나타낸다.[표 5]안정화 처리에 있어서, 처리 온도를 바꾸었을 경우의 결과를 표 6에 나타낸다.[표 6]각종 조건을 바꾸었을 경우의 결과를 표 7에 나타낸다.[표 7]표 1 내지 7로부터, 발명예의 접촉 도전성은, 비교예(종래재)의 접촉 도전성에 비해, 현저히 우수한 것을 알 수 있다. [ 산업상 이용가능성 ] 상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 대 카본 접촉 도전성과 내구성이 우수한 연료 전지 세퍼레이터용 티타늄 또는 티타늄 합금재와, 대 카본 접촉 도전성과 내구성이 우수한 연료 전지 세퍼레이터를 제공할 수 있다. 이 연료 전지 세퍼레이터를 사용하면, 연료 전지의 수명을 대폭 늘릴 수 있다. 따라서, 본 발명은 전지 제조 산업에 있어서 이용 가능성이 높은 것이다. [ 부호의 설명 ] 1 : Ti(티타늄 또는 티타늄 합금재)2 : 산화티타늄 피막
티타늄 또는 티타늄 합금의 표면에 있어서, 표면에의 입사각 0.3°에서 측정한 X선 회절 피크로 금속 티타늄의 최대 강도(ITi)와 티타늄 수소화물의 최대 강도(ITi-H)로부터 구한 티타늄 수소화물의 구성률([ITi-H/(ITi+ITi-H)]×100)이 55% 이상이며, 그 최표면에 산화티타늄 피막이 형성되어 있고, 또한, 표면을 아르곤으로 5nm 스퍼터한 위치에서 C가 10원자% 이하, N이 1원자% 이하, B가 1원자% 이하로 한다. 또한, 상기 산화티타늄 피막이, 소정의 수용액 내에서, 부동태화 처리를 실시한 후에 안정화 처리해서 형성된 두께 3 내지 10nm이다.
[ 발명의 명칭 ] 시클로메탈화 이리듐 착체의 원료 및 제조 방법 RAW MATERIAL AND PRODUCTION METHOD FOR CYCLOMETALATED IRIDIUM COMPLEX [ 기술분야 ] 본 발명은 시클로메탈화 이리듐 착체의 원료 및 제조 방법에 관한 것이며, 유기 전해 발광(EL) 소자, 유기 전기 화학 발광(ECL) 소자, 발광 센서, 광 증감 색소, 각종 광원 등에 적용 가능한 시클로메탈화 이리듐 착체를 제공하기 위한 기술에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 시클로메탈화 이리듐 착체는 이리듐 원자에 다좌 배위자가 환상으로 배위되어 이루어지고, 적어도 1개의 이리듐-탄소 결합을 갖는 유기 이리듐 착체의 총칭이며, 예를 들어 트리스(2-페닐피리딘)이리듐 Ir(ppy)3 등을 들 수 있다(화학식 1). 시클로메탈화 이리듐 착체 중, 배위자로서, 화학식 1처럼 2-페닐피리딘 유도체, 2-페닐퀴놀린 유도체, 1-페닐이소퀴놀린 유도체 등의 방향족 복소환 2좌 배위자가 배위된 것은 유기 전해 발광(EL) 소자, 유기 전기 화학 발광(ECL) 소자 등의 인광 재료로서 사용할 수 있다(특허문헌 1). 인광 재료는 유기 EL 소자 등의 개발에 있어서 종래 사용되고 있던 형광 재료보다 발광 효율이 약 3 내지 4배 높기 때문에, 고효율화·에너지 절약화에 대하여 실용화가 기대되고 있다.[화학식 1]시클로메탈화 이리듐 착체로서는, 이리듐 원자에 2개의 방향족 복소환 2좌 배위자가 배위된 비스시클로메탈화 이리듐 착체나, 이리듐 원자에 3개의 방향족 복소환 2좌 배위자가 배위된 트리스시클로메탈화 이리듐 착체 등이 있다. 이 중, 트리스시클로메탈화 이리듐 착체는 열적 안정성이 특히 높아, 유기 EL 소자 등에 적용했을 경우에 장수명화를 기대할 수 있다.이상의 시클로메탈화 이리듐 착체는, 예를 들어 3염화이리듐을 원료로 하여 2-페닐피리딘(ppy) 등의 방향족 복소환 2좌 배위자와 반응시켜 1단계로 합성할 수 있다(화학식 2, 비특허문헌 1). 또한 3개의 2,4-펜탄디온이 이리듐에 배위된 트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)(이하, Ir(acac)3이라고도 칭함)을 원료로 하여 2-페닐피리딘(ppy) 등의 방향족 복소환 2좌 배위자를 반응시킴으로써, 시클로메탈화 이리듐 착체를 1단계로 얻을 수 있다(화학식 3, 비특허문헌 2). 또한 특허문헌 2에서는, 3염화이리듐을 원료로 하여 2-페닐피리딘(ppy) 등의 방향족 복소환 2좌 배위자를 반응시키고 염소 가교 이량체를 경유한 다단계 합성법이 개시되어 있다(화학식 4).[화학식 2][화학식 3][화학식 4]그러나 비특허문헌 1과 같이, 3염화이리듐을 원료로 하여 1단계의 합성으로 얻어진 시클로메탈화 이리듐 착체에는, 3염화이리듐 유래의 염소분이 시클로메탈화 이리듐 착체 중에 잔류하는 문제가 있다. 이들 염소분은 유기 EL 소자에 적용했을 경우, 발광 특성에 악영향을 준다고 지적되고 있다(특허문헌 3).한편, 비특허문헌 2에서는, 비염소계의 트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)을 원료로서 사용하고 있기 때문에, 이리듐 원료 유래의 염소분이 전혀 잔류하지 않는다. 그러나 트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)은 열적으로 안정하여 반응성이 부족하여, 시클로메탈화 이리듐 착체의 합성 수율이 낮다는 문제가 있었다.구체적으로는, 트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)은 열적으로 안정한 점에서, 시클로메탈화 이리듐 착체를 고수율로 얻기 위하여 일반적으로는 200℃ 이상의 고온 조건 하에서 합성이 행해진다. 이 때문에, 예기치 못한 분해 반응이 진행되어 수율이나 순도가 저하되는 경우가 있었다. 또한 반응의 진행에 수반하여 발생하는 2,4-펜탄디온에 의하여 반응 용액 중의 온도가 충분히 상승하기 어려워져, 시클로메탈화 이리듐 착체의 수율이 저하되는 한 요인이 되고 있다고 지적되고 있다(특허문헌 4).또한 트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)은 대칭 구조의 β-디케톤 배위자를 갖고 있기 때문에 결정성이 양호하여, 실온에서 고체 상태이다. 이러한 고체 상태의 트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)에는 승화성이 있으며, 본 발명자들의 지견에 따르면, 시클로메탈화 이리듐 착체의 제조 과정에 있어서 반응 용기 내의 상부에 석출되어, 트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)이 반응계 외로 나와 버리는 경우가 있다. 이것도 시클로메탈화 이리듐 착체의 수율을 저하시키는 한 요인이라 생각된다.이 때문에, 트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)을 원료로서 사용하여 시클로메탈화 이리듐 착체를 얻는 경우, 시클로메탈화 이리듐 착체의 수율을 개선하기 위하여 반응 촉진제를 반응계에 첨가하는 것이 제안되어 있다. 특허문헌 5에서는 반응 촉진제로서 루이스산, 특허문헌 3에서는 반응 촉진제로서 브뢴스테드산을 반응계에 첨가하여 시클로메탈화 이리듐 착체를 얻는 것이 기재되어 있다.그러나 특허문헌 3 및 특허문헌 5에 기재된 제조 방법은 방향족 복소환 2좌 배위자나 반응 생성물이 산에 불안정한 경우, 적용할 수 없다는 본질적인 문제가 있다. 이 때문에, 이들 제조 방법에서는, 반드시 시클로메탈화 이리듐 착체의 수율을 충분히 향상시킬 수는 없어, 새로운 제조 방법의 개발이 갈망되고 있다. 또한 특허문헌 2에서 개시되어 있는 제조 방법은 다단계 합성법이기 때문에 수고와 시간이 드는 데다, 각각의 단계에서 생성물을 단리·정제할 필요가 있기 때문에 제조 비용적으로 불리한 문제를 안고 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특허 공개 제2012-6914호 공보일본 특허 공개 제2002-105055호 공보일본 특허 제4913059호 명세서일본 특허 공개 제2004-337802호 공보일본 특허 제4917751호 명세서 [ 비특허문헌 ] J. Am Chem. Soc., 107권, 1431페이지, 1985년Inorg. Chem., 30권, 1685페이지, 1991년 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 이상의 사정을 감안하여, 본 발명은 비염소계인 시클로메탈화 이리듐 착체의 원료(이하, 경우에 따라 유기 이리듐 재료나 이리듐 원료라 함)에 관한 것이며, 시클로메탈화 이리듐 착체를, 트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)을 사용했을 경우보다 낮은 반응 온도에서, 이리듐 원료로부터 1단계의 합성 반응으로 고수율로 얻을 수 있는 기술의 제공을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명자는 염소 원자를 포함하지 않는 원료인 트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)을 출발점으로 하여, 방향족 복소환 2좌 배위자와의 반응성을 향상시키기 위하여 예의 검토하였다. 그 결과, β-디케톤 배위자로서 비대칭 치환기를 갖는 이리듐 원료에 주목하여 이하의 본 발명에 상도하였다.본 발명은 시클로메탈화 이리듐 착체를 제조하기 위한 원료인 유기 이리듐 재료에 있어서, 유기 이리듐 재료는 일반식 (1)로 표시되는 이리듐에 비대칭 β-디케톤이 배위된 트리스(β-디케토나토)이리듐(Ⅲ)인 시클로메탈화 이리듐 착체의 원료와 제조 방법에 관한 것이다. 일반식 (1) 중, Ra와 Rb는 탄화수소기 또는 복소환기, Rc는 수소 원자, 탄화수소기 또는 복소환기, O는 산소 원자, Ir은 이리듐 원자이다.일반식 (1)본 발명의 원료는 동일한 구조의 3개의 β-디케톤이 이리듐에 배위되어 이루어지는 유기 이리듐 재료를 포함하며, 이들 β-디케톤이 비대칭인 점에 특징을 갖는다. 구체적으로는, 상기 일반식 (1)에 있어서, β-디케톤의 치환기 Ra 및 Rb로서 종류가 상이한 치환기를 갖는다. 본 발명의 원료를 사용했을 경우, 종래, 원료로서 사용되어 온 트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)에 비하여 낮은 반응 온도에서 시클로메탈화 이리듐 착체를 고수율로 제조할 수 있다.β-디케톤의 치환기 Ra, Rb, Rc로서 구체적으로는 이하의 치환기를 취할 수 있다. 치환기 Ra 및 Rb는 탄화수소기 또는 복소환을 포함하는 치환기이며, 비대칭이기 때문에 Ra와 Rb는 동일하지 않다. Rc는 수소 원자, 탄화수소기 또는 복소환기이다. Ra와 Rc, 또는 Rb와 Rc가 서로 결합하여 포화 탄화수소환 또는 불포화 탄화수소환을 형성할 수도 있다.Ra 및/또는 Rb가 탄화수소기인 경우, 지방족 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기인 것이 바람직하고, 지방족 탄화수소기인 것이 보다 바람직하며, 직쇄상 또는 분지쇄상 탄화수소기인 것이 특히 바람직하다. 여기서, 본 발명에 있어서의 지방족 탄화수소는 방향족 탄화수소 이외의 탄화수소를 의미하며, 방향족 이외의 환상 탄화수소를 포함한다. Ra 및 Rb가 지방족 탄화수소기이면, 시클로메탈화 이리듐 착체를 보다 고수율로 제조할 수 있다.Ra 및/또는 Rb는 지방족 탄화수소기인 경우, 탄소수 1 내지 20의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 알킬기(바람직하게는 탄소수 1 내지 10이고, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 5이다. 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, n-옥틸기, n-데실기, n-헥사데실기, 시클로프로필기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다), 알케닐기(바람직하게는 탄소수 2 내지 10이고, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 5이다. 예를 들어 비닐, 알릴, 2-부테닐, 3-펜테닐 등을 들 수 있다), 또는 알키닐기(바람직하게는 탄소수 2 내지 10이고, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 5이다. 예를 들어 프로파르길, 3-펜티닐 등을 들 수 있다)가 보다 바람직하며, 알킬기인 것이 더욱 바람직하고 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기 또는 t-부틸기인 것이 특히 바람직하다. Ra 또는 Rb 중 어느 한쪽이 메틸기인 것이 특히 바람직하다. 이들 지방족 탄화수소기 중의 수소 원자는 후술하는 R 및 R1 내지 R48로 정의되는 치환기로 치환되어 있을 수도 있으며, 불소로 치환되는 것도 바람직하다.Ra 및/또는 Rb는 방향족 탄화수소기인 경우, 바람직하게는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소기이고, 보다 바람직하게는 탄소수 6 내지 10의 방향족 탄화수소기이다. 방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 페닐기, 나프틸기, 비페닐기, 플루오레닐기, 페난트릴기, 안트라세닐기, 트리페닐레닐기, 터페닐기, 피레닐기, 메시틸기, 톨릴기, 크실릴기, 아줄레닐기, 아세나프테닐기, 인데닐기 등이 있다. 이들 방향족 탄화수소기 중의 수소 원자는 후술하는 R 및 R1 내지 R48로 정의되는 치환기로 치환되어 있을 수도 있으며, 불소로 치환되는 것도 바람직하다.Ra 및/또는 Rb가 복소환기인 경우, 바람직하게는 탄소수 1 내지 20의 복소환기이며, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 10의 복소환기이다. 복소환기로서 구체적으로는, 피리딜기, 피라지닐기, 피리미딜기, 피리다지닐기, 피롤릴기, 피라졸릴기, 트리아졸릴기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기, 이속사졸릴기, 이소티아졸릴기, 퀴놀릴기, 푸릴기, 티에닐기, 셀레노페닐기, 텔루로페닐기, 피페리딜기, 피페리디노기, 모르폴리노기, 피롤리딜기, 피롤리디노기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 카르바졸릴기, 아제피닐기, 실롤릴기 등이 있다. 이들 복소환기 중의 수소 원자는 후술하는 R 및 R1 내지 R48로 정의되는 치환기로 치환되어 있을 수도 있다.Ra와 Rc, 또는 Rb와 Rc가 서로 결합하여 포화 또는 불포화 탄화수소환을 형성하는 경우에 있어서, 바람직한 형태는 이하의 일반식 (2)로 표시된다.일반식 (2)(일반식 (2) 중, Ir은 이리듐을 나타낸다. O는 산소 원자를 나타낸다. Ra 및 Rb는 탄화수소기 또는 복소환기를 나타낸다. X는 탄소 또는 수소를 포함하는 5원환 또는 6원환의 포화 또는 불포화 탄화수소환을 나타낸다)일반식 (2) 중에 있어서, Ra 및 Rb로서 취할 수 있는 치환기는 일반식 (1)과 마찬가지이며, 적합 범위도 마찬가지이다. X는 5원환 또는 6원환의 포화 또는 불포화 탄화수소환을 나타내며, 바람직하게는 탄소수 5 내지 20이고, 보다 바람직하게는 탄소수 5 내지 10이다.본 발명에 있어서, 비대칭 β-디케톤으로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 평8-85873호 공보, 일본 특허 공개 제2000-212744호 공보, 일본 특허 공개 제2003-64019호 공보, 일본 특허 공개 제2003-321416호 공보, 일본 특허 공개 제2005-35902호 공보, 일본 특허 공개 제2013-136567호 공보 등에 기재가 있다. 이들 비대칭 β-디케톤 배위자는 시판품을 입수할 수도 있으며, 예를 들어 상기 특허문헌 외에, 일본 특허 공개 평11-255700호 공보, 일본 특허 공개 제2000-319236호 공보, 일본 특허 공개 제2001-233880호 공보 등에 기재된 방법에 의하여 용이하게 제조할 수 있다.일반식 (1)에 있어서의 Rc는 수소 원자 또는 탄화수소기가 바람직하며, 수소 원자가 보다 바람직하다. Rc로서 바람직한 탄화수소기 또는 복소환기는 상기 Ra, Rb에 있어서의 적합한 치환기와 마찬가지이다.일반식 (1)로 표시되는 본 발명의 이리듐 원료는 일본 특허 공개 평7-316176호 공보, 일본 특허 공개 제2003-321415호 공보, 일본 특허 공개 제2003-321416호 공보, 일본 특허 공개 제2003-64019호 공보, Organometallics, 1995년, 14권, 3호, 1232페이지 등에 기재된 방법을 참고로 하여 제조할 수 있다.이하에, 일반식 (1)로 표시되는 이리듐 원료의 대표예 (A-1) 내지 (A-80)을 도시하지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다.일반식 (1)로 표시되는 이리듐 원료의 예를 (A-1) 내지 (A-80)에 도시했지만, 이 중 바람직하게는 (A-1) 내지 (A-50)이고, 보다 바람직하게는 (A-1) 내지 (A-25)이며, 특히 바람직하게는 (A-3)과 (A-7)이다.또한 일반식 (1)로 표시되는 이리듐 원료 중에서도, TG-DTA 동시 측정 장치에서 측정한 5% 중량 감소 온도가 트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)의 측정 온도보다 낮은 원료가 바람직하다. 또한 5% 중량 감소 온도는 측정 조건에 따라 변화된다. 예를 들어 승온 속도 5℃/min, 질소 가스 기류 하(200mL/min), 상압에 있어서의 5% 중량 감소 온도가 222℃ 미만인 원료가 바람직하다.일반식 (1)로 표시되는 이리듐 원료는 이리듐 금속을 중심으로 하여 3개의 β-디케톤 배위자가 8면체형으로 배치된 입체 구조를 갖는다. 이 입체 구조에 있어서, 배위자인 β-디케톤이 비대칭이기 때문에 2종의 기하 이성체(페이셜(facial)체와 메리디오널(meridional)체)가 존재한다. 페이셜체와 메리디오널체에 대해서는, 6배위 8면체형 착체의 이성체의 명명법이며, 유기 금속 화학-기초와 응용-야마모토 아키오 저(쇼카보) 143페이지에 기재가 있다. 예를 들어 구체적으로 설명하자면, 하기 식으로 표시한 바와 같이 페이셜체는, Ra와 Ir이 O를 개재하여 결합하고 있는 연장 상에 반드시 Rb가 존재하는 구조를 취하는 이성체이다. 한편, 메리디오널체는, Ra와 Ir이 O를 개재하여 결합하고 있는 연장 상에 Rb 이외에 Ra이 존재하는 경우가 있고, Rb와 Ir이 O를 개재하여 결합하고 있는 연장 상에 Ra 이외에 Rb가 존재하는 경우가 있는 구조의 이성체이다.일반식 (1)로 표시되는 이리듐 원료의 기하 이성체일반식 (1)의 이리듐 원료를 제조하면, 페이셜체와 메리디오널체의 혼합물로서 얻어지는 경우가 많다. 이들 기하 이성체는 목적에 따라 칼럼 크로마토그래피나 증류 등의 방법에 의하여 페이셜체와 메리디오널체로 분리할 수 있다. 예를 들어 상기 (A-3)과 (A-7)의 이리듐 원료에서는, 실리카 겔 크로마토그래피에 의하여 기하 이성체를 분리할 수 있다.시클로메탈화 이리듐 착체의 원료로서는, 시클로메탈화 이리듐 착체의 제조 프로세스에 있어서의 조작성의 관점에서 페이셜체와 메리디오널체의 혼합물을 사용하는 것도 바람직하다. 혼합물로서는, 특히 어느 한쪽의 기하 이성체가 0.01몰% 이상, 바람직하게는 0.1몰% 이상, 보다 바람직하게는 1몰% 이상, 특히 바람직하게는 10몰% 이상 함유되어 있는 것이 특히 바람직하다. 기하 이성체의 동정은 1H-NMR 등 각종 기기 분석에 의하여 행할 수 있다. 페이셜체와 메리디오널체의 각 함유율은 1H-NMR, 가스 크로마토그래피 또는 고속 액체 크로마토그래피 등을 이용하여 정량할 수 있다.시클로메탈화 이리듐 착체는 이상 설명한 바와 같이, 비대칭 β-디케톤이 배위된 유기 이리듐 재료(원료)와, 이리듐-탄소 결합을 형성할 수 있는 방향족 복소환 2좌 배위자를 반응시키는 방법에 의하여 제조할 수 있다. 본 발명의 원료를 적용함으로써, 트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)을 사용했을 경우보다 낮은 반응 온도에서 고수율로 시클로메탈화 이리듐 착체를 1단계로 얻는 것이 가능해진다.이하, 시클로메탈화 이리듐 착체의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다.유기 이리듐 재료(원료)와 반응시키는 방향족 복소환 2좌 배위자로서는, 이리듐-탄소 결합을 형성할 수 있는 방향족 복소환 2좌 배위자이며, 1개의 이리듐-질소 결합과 1개의 이리듐-탄소 결합을 형성하는 방향족 복소환 2좌 배위자, 또는 2개의 이리듐-탄소 결합을 형성하는 방향족 복소환 2좌 배위자가 바람직하고, 1개의 이리듐-질소 결합과 1개의 이리듐-탄소 결합을 형성하는 방향족 복소환 2좌 배위자가 보다 바람직하다.방향족 복소환 2좌 배위자로서 보다 구체적으로는, 2-페닐피리딘 유도체, 2-페닐퀴놀린 유도체, 1-페닐이소퀴놀린 유도체, 3-페닐이소퀴놀린 유도체, 2-(2-벤조티오페닐)피리딘 유도체, 2-티에닐피리딘 유도체, 1-페닐피라졸 유도체, 1-페닐-1H-인다졸 유도체, 2-페닐벤조티아졸 유도체, 2-페닐티아졸 유도체, 2-페닐벤즈옥사졸 유도체, 2-페닐옥사졸 유도체, 2-푸라닐피리딘 유도체, 2-(2-벤조푸라닐)피리딘 유도체, 7,8-벤조퀴놀린 유도체, 7,8-벤조퀴녹살린 유도체, 디벤조[f,h]퀴놀린 유도체, 디벤조[f,h]퀴녹살린 유도체, 벤조[h]-5,6-디히드로퀴놀린 유도체, 9-(2-피리딜)카르바졸 유도체, 1-(2-피리딜)인돌 유도체, 1-(1-나프틸)이소퀴놀린 유도체, 1-(2-나프틸)이소퀴놀린 유도체, 2-(2-나프틸)퀴놀린 유도체, 2-(1-나프틸)퀴놀린 유도체, 3-(1-나프틸)이소퀴놀린 유도체, 3-(2-나프틸)이소퀴놀린 유도체, 2-(1-나프틸)피리딘 유도체, 2-(2-나프틸)피리딘 유도체, 6-페닐페난트리딘 유도체, 6-(1-나프틸)페난트리딘 유도체, 6-(2-나프틸)페난트리딘 유도체, 벤조[c]아크리딘 유도체, 벤조[c]페나진 유도체, 디벤조[a,c]아크리딘 유도체, 디벤조[a,c]페나진 유도체, 2-페닐퀴녹살린 유도체, 2,3-디페닐퀴녹살린 유도체, 2-벤질피리딘 유도체, 2-페닐벤즈이미다졸 유도체, 3-페닐피라졸 유도체, 4-페닐이미다졸 유도체, 1-페닐이미다졸 유도체, 4-페닐트리아졸 유도체, 5-페닐테트라졸 유도체, 2-알케닐피리딘 유도체, 5-페닐-1,2,4-트리아졸 유도체, 이미다조[1,2-f]페난트리딘 유도체, 1-페닐벤즈이미다졸륨염 유도체, 또는 1-페닐이미다졸륨염 유도체가 바람직하다.방향족 복소환 2좌 배위자로서는, 상기 중, 2-페닐피리딘 유도체, 2-페닐퀴놀린 유도체, 1-페닐이소퀴놀린 유도체, 3-페닐이소퀴놀린 유도체, 1-페닐피라졸 유도체, 7,8-벤조퀴놀린 유도체, 7,8-벤조퀴녹살린 유도체, 디벤조[f,h]퀴놀린 유도체, 디벤조[f,h]퀴녹살린 유도체, 벤조[h]-5,6-디히드로퀴놀린 유도체, 6-페닐페난트리딘 유도체, 2-페닐퀴녹살린 유도체, 2,3-디페닐퀴녹살린 유도체, 2-페닐벤즈이미다졸 유도체, 3-페닐피라졸 유도체, 4-페닐이미다졸 유도체, 1-페닐이미다졸 유도체, 4-페닐트리아졸 유도체, 5-페닐테트라졸 유도체, 5-페닐-1,2,4-트리아졸 유도체, 이미다조[1,2-f]페난트리딘 유도체, 1-페닐벤즈이미다졸륨염 유도체, 또는 1-페닐이미다졸륨염 유도체가 보다 바람직하다. 또한 2-페닐피리딘 유도체, 1-페닐이소퀴놀린 유도체, 1-페닐이미다졸 유도체, 또는 이미다조[1,2-f]페난트리딘 유도체가 특히 바람직하고, 2-페닐피리딘 유도체, 1-페닐이소퀴놀린 유도체, 1-페닐이미다졸 유도체가 특히 바람직하다.본 발명에서 사용되는 방향족 복소환 2좌 배위자의 구체적인 구조로서는, 예를 들어 이하의 구조예 1 내지 3에 도시하는 것을 들 수 있다. 이 중, 일반식 (3) 내지 (7)로 표시하는 구조를 갖는 것이 특히 바람직하다. 구조예 1 내지 3 및 일반식 (3) 내지 (7) 중의 *는 이리듐과의 결합 부위이다.방향족 복소환 2좌 배위자의 구조예 1방향족 복소환 2좌 배위자의 구조예 2방향족 복소환 2좌 배위자의 구조예 3일반식 (3)일반식 (4)일반식 (5)일반식 (6)일반식 (7)구조예 1 내지 3 및 일반식 (3) 내지 (7)에 있어서, R 및 R1 내지 R48은 수소 원자 또는 이하에 나타내는 치환기이다. 치환기로서는, 예를 들어 알킬기(바람직하게는 탄소수 1 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 10이며, 예를 들어 메틸, 에틸, iso-프로필, tert-부틸, n-옥틸, n-데실, n-헥사데실, 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실 등을 들 수 있다), 알케닐기(바람직하게는 탄소수 2 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 2 내지 10이며, 예를 들어 비닐, 알릴, 2-부테닐, 3-펜테닐 등을 들 수 있다), 알키닐기(바람직하게는 탄소수 2 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 2 내지 10이며, 예를 들어 프로파르길, 3-펜티닐 등을 들 수 있다), 아릴기(바람직하게는 탄소수 6 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 6 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 6 내지 12이며, 예를 들어 페닐, p-메틸페닐, 나프틸, 안트라닐 등을 들 수 있다),아미노기(바람직하게는 탄소수 0 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 0 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 0 내지 10이며, 예를 들어 아미노, 메틸아미노, 디메틸아미노, 디에틸아미노, 디벤질아미노, 디페닐아미노, 디톨릴아미노 등을 들 수 있다), 알콕시기(바람직하게는 탄소수 1 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 10이며, 예를 들어 메톡시, 에톡시, 부톡시, 2-에틸헥실옥시 등을 들 수 있다), 아릴옥시기(바람직하게는 탄소수 6 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 6 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 6 내지 12이며, 예를 들어 페닐옥시, 1-나프틸옥시, 2-나프틸옥시 등을 들 수 있다), 헤테로환 옥시기(바람직하게는 탄소수 1 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 12이며, 예를 들어 피리딜옥시, 피라질옥시, 피리미딜옥시, 퀴놀릴옥시 등을 들 수 있다), 아실기(바람직하게는 탄소수 1 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 12이며, 예를 들어 아세틸, 벤조일, 포르밀, 피발로일 등을 들 수 있다), 알콕시카르보닐기(바람직하게는 탄소수 2 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 2 내지 12이며, 예를 들어 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐 등을 들 수 있다), 아릴옥시카르보닐기(바람직하게는 탄소수 7 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 7 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 7 내지 12이며, 예를 들어 페닐옥시 카르보닐 등을 들 수 있다),아실옥시기(바람직하게는 탄소수 2 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 2 내지 10이며, 예를 들어 아세톡시, 벤조일옥시 등을 들 수 있다), 아실아미노기(바람직하게는 탄소수 2 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 2 내지 10이며, 예를 들어 아세틸아미노, 벤조일아미노 등을 들 수 있다), 알콕시카르보닐아미노기(바람직하게는 탄소수 2 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 2 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 2 내지 12이며, 예를 들어 메톡시카르보닐아미노 등을 들 수 있다), 아릴옥시카르보닐아미노기(바람직하게는 탄소수 7 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 7 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 7 내지 12이며, 예를 들어 페닐옥시카르보닐아미노 등을 들 수 있다),술포닐아미노기(바람직하게는 탄소수 1 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 12이며, 예를 들어 메탄술포닐아미노, 벤젠술포닐아미노 등을 들 수 있다), 술파모일기(바람직하게는 탄소수 0 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 0 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 0 내지 12이며, 예를 들어 술파모일, 메틸술파모일, 디메틸술파모일, 페닐술파모일 등을 들 수 있다), 카르바모일기(바람직하게는 탄소수 1 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 12이며, 예를 들어 카르바모일, 메틸카르바모일, 디에틸카르바모일, 페닐카르바모일 등을 들 수 있다), 알킬티오기(바람직하게는 탄소수 1 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 12이며, 예를 들어 메틸티오, 에틸티오 등을 들 수 있다), 아릴티오기(바람직하게는 탄소수 6 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 6 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 6 내지 12이며, 예를 들어 페닐티오 등을 들 수 있다), 헤테로환 티오기(바람직하게는 탄소수 1 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 12이며, 예를 들어 피리딜티오, 2-벤즈이미졸릴티오, 2-벤즈옥사졸릴티오, 2-벤조티아졸릴티오 등을 들 수 있다),술포닐기(바람직하게는 탄소수 1 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 12이며, 예를 들어 메실, 토실 등을 들 수 있다), 술피닐기(바람직하게는 탄소수 1 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 12이며, 예를 들어 메탄술피닐, 벤젠술피닐 등을 들 수 있다), 우레이도기(바람직하게는 탄소수 1 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 12이며, 예를 들어 우레이드, 메틸우레이드, 페닐우레이드 등을 들 수 있다), 인산아미드기(바람직하게는 탄소수 1 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 20, 특히 바람직하게는 탄소수 1 내지 12이며, 예를 들어 디에틸인산아미드, 페닐인산아미드 등을 들 수 있다),히드록시기, 머캅토기, 할로겐 원자(예를 들어 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자), 시아노기, 술포기, 카르복실기, 니트로기, 트리플루오로메틸기, 히드록삼산기, 술피노기, 히드라지노기, 이미노기, 복소환기(바람직하게는 탄소수 1 내지 30, 보다 바람직하게는 탄소수 1 내지 12이며, 헤테로 원자로서는, 예를 들어 질소 원자, 산소 원자, 황 원자, 구체적으로는 이미다졸릴, 피리딜, 퀴놀릴, 푸릴, 티에닐, 피페리딜, 모르폴리노, 벤즈옥사졸릴, 벤즈이미다졸릴, 벤조티아졸릴, 카르바졸릴기, 아제피닐기 등을 들 수 있다), 실릴기(바람직하게는 탄소수 3 내지 40, 보다 바람직하게는 탄소수 3 내지 30, 특히 바람직하게는 탄소수 3 내지 24이며, 예를 들어 트리메틸실릴, 트리페닐실릴 등을 들 수 있다), 실릴옥시기(바람직하게는 탄소수 3 내지 40, 보다 바람직하게는 탄소수 3 내지 30, 특히 바람직하게는 탄소수 3 내지 24이며, 예를 들어 트리메틸실릴옥시, 트리페닐실릴옥시 등을 들 수 있다) 등을 들 수 있다. 특히 바람직한 치환기는 시아노기, 트리플루오로메틸기, 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 아미노기, 복소환기이다.그리고 시클로메탈화 이리듐 착체를 합성하는 반응은 본 발명의 일반식 (1)로 표시되는 이리듐 원료와 상술한 방향족 복소환 2좌 배위자를 반응시킴으로써 행해진다.상기 반응은 공기 또는 불활성 가스(질소, 아르곤 등) 분위기 하에서 행할 수 있으며, 불활성 가스 분위기 하에서 행하는 것이 바람직하다.본 발명에 있어서는, 상기 반응을 더 원활히 진행시키기 위하여 합성 반응의 반응계에 용매를 첨가할 수도 있다. 용매를 첨가하지 않는 경우에는, 합성 반응의 반응 온도는 200℃ 내지 300℃가 바람직하고, 반응 시간은 10시간 내지 20시간이 바람직하다.반응계에 첨가하는 용매로서는, 포화 지방족 탄화수소, 할로겐화 지방족 탄화수소, 케톤류, 아미드류, 에스테르류, 방향족 탄화수소, 할로겐화 방향족 탄화수소, 질소 함유 방향족 화합물, 에테르류, 니트릴류, 알코올류, 이온성 액체 등 다양한 유기 용매를 들 수 있다. 구체적으로는, 트리데칸, 에틸렌글리콜, 글리세린, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈, 이미다졸륨염, 디메틸술폭시드, 1,2-프로판디올, 1,3-프로판디올, 1,3-부탄디올 등을 들 수 있다. 또한 이상의 용매를 2종 이상 포함하는 혼합 용매를 사용하는 것도 바람직하다.상기 용매로서는, 상압에 있어서의 비점이 160℃ 내지 300℃인 것이 바람직하고, 170℃ 내지 300℃인 것이 보다 바람직하며, 180℃ 내지 300℃인 것이 특히 바람직하다.시클로메탈화 이리듐 착체의 합성에 있어서 용매를 사용하는 경우, 일반식 (1)의 이리듐 원료의 반응계 내의 농도는 제한되는 것은 아니지만, 0.001몰/L 내지 10.0몰/L이 바람직하고, 0.001몰/L 내지 1.0몰/L이 보다 바람직하며, 0.01몰/L 내지 1.0몰/L이 특히 바람직하고, 0.05몰/L 내지 0.5몰/L이 가장 바람직하다.일반식 (1)의 유기 이리듐 원료는 비대칭 β-디케톤을 갖는 비대칭 구조이기 때문에, 융점이 낮아 실온에서 액체 상태, 또는 가열에 의하여 액체 상태가 되기 쉽다. 이 때문에, 이 원료는 특히 무용매 하에서의 합성에도 적합하다.이상 설명한 시클로메탈화 이리듐 착체의 합성 반응은 반응을 촉진시키기 위하여 적절히 산성 물질이나 염기성 물질을 첨가하여 행할 수도 있다. 산성 물질은 β-디케톤 배위자의 탈리를 촉진하고, 한편, 염기성 물질은 방향족 복소환 2좌 배위자의 시클로메탈화 반응을 촉진한다. 그러나 산성 물질 또는 염기성 물질을 첨가함으로써, 이리듐 원료, 방향족 복소환 2좌 배위자, 또는 시클로메탈화 이리듐 착체가 분해되는 경우가 있어, 시클로메탈화 이리듐 착체의 수율이나 순도를 저하시키는 경향이 되는 점에서, 산성 물질이나 염기성 물질은 첨가하지 않는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 일반식 (6) 및 일반식 (7)에 기재된 방향족 복소환 2좌 배위자를 사용했을 경우, 반응계에 산성 물질을 첨가하면 시클로메탈화 이리듐 착체의 수율이 크게 저하되어, 거의 얻어지지 않는 경우가 많다.상기 산성 물질을 첨가하는 경우, 반응계 내에서 양성자원으로서 작용하는 것, 또는 루이스산, 고체산 등과 같이 전자쌍을 수용할 수 있는 것을 적용할 수 있다. 특히 아세트산, 옥살산, 발레르산, 부티르산, 타르타르산 등의 유기산, 염산, 황산, 인산 등의 무기산 등의 브뢴스테드산이 바람직하다. 이들은 단독 또는 2종 이상의 혼합물로서 사용할 수 있다. 또한 이들 산성 물질은 비점이 150℃ 이상인 것이 바람직하다. 산성 물질의 비점이 반응 온도보다 낮으면 산성 물질이 환류되어 버려, 반응계 내의 온도가 반응을 진행시키는 데 충분한 온도까지 상승하기 어렵기 때문이다.산성 물질을 첨가하는 경우, 산성 물질과 이리듐 원료의 몰비를, 이리듐 원료 1몰에 대하여 산성 물질을 0.5몰 이상으로 하고, 바람직하게는 (산성 물질:이리듐 원료를) 0.5:1 내지 20:1, 보다 바람직하게는 3:1 내지 20:1로 한다. 이리듐 원료 1몰에 대하여 산성 물질이 0.5몰보다 적으면 충분한 반응 촉진 효과가 얻어지지 않아, 단시간에 반응을 종결시킬 수 없기 때문에 적합하지 않다. 이리듐 원료 1몰에 대하여 산성 물질이 0.5몰 이상이면 특별히 상한은 없지만, 필요 이상으로 산성 물질의 첨가량이 많으면 경제적으로 비효율적이다.염기성 물질을 첨가하는 경우, 알칼리 금속을 포함하는 무기 염기, 지방족 아민이나 방향족 아민 등의 유기 아민, 알칼리 금속 알콕시드 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상의 혼합물로서 사용할 수도 있다. 예를 들어 탄산수소나트륨, 탄산수소칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리에탄올아민, 트리이소프로필아민, 트리이소부틸아민, 양성자 스펀지, 디아자비시클로운데센, 피리딘, 2-페닐피리딘, 나트륨메톡시드, 나트륨-t-부톡시드, 칼륨-t-부톡시드 등을 들 수 있으며, 탄산수소나트륨, 탄산수소칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 트리에탄올아민 등이 바람직하고, 탄산나트륨 또는 탄산칼륨이 특히 바람직하다.염기성 물질을 첨가하는 경우, 염기성 물질과 이리듐 원료의 몰비는, 바람직하게는 이리듐 원료 1몰에 대하여 염기성 물질 0.001몰 이상으로 하고, 보다 바람직하게는 (염기성 물질:이리듐 원료를) 0.01:1 내지 5:1, 특히 바람직하게는 0.01:1 내지 3:1로 한다. 사용하는 염기성 물질의 사용량에 제한은 없지만, 필요 이상으로 많게 하면 일반식 (1)의 이리듐 원료가 분해되기 때문에 바람직하지 않다.시클로메탈화 이리듐 착체를 합성할 때, 반응 온도는 100℃ 내지 300℃가 바람직하고, 150℃ 내지 300℃가 더욱 바람직하며, 180℃ 내지 300℃가 특히 바람직하다.시클로메탈화 이리듐 착체를 합성할 때, 반응 시간은 1 내지 100시간이 바람직하고, 3 내지 80시간이 보다 바람직하며, 5 내지 50시간이 특히 바람직하다.시클로메탈화 이리듐 착체의 합성에 있어서, 가열 수단은 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 오일 배스, 샌드 배스, 맨틀 히터, 블록 히터, 열 순환식 재킷에 의한 외부 가열, 나아가 마이크로파 조사에 의한 가열 등을 이용할 수 있다.시클로메탈화 이리듐 착체의 합성은 통상, 상압에서 행해지지만, 필요에 따라 가압 하 또는 감압 하에서 행할 수도 있다.시클로메탈화 이리듐 착체의 합성에 있어서, 방향족 복소환 2좌 배위자의 사용량은 특별히 제한은 없지만, 이리듐 원료에 대하여 3 내지 100배 몰이 바람직하고, 3 내지 50배 몰이 보다 바람직하며, 3 내지 30배 몰이 특히 바람직하고, 3 내지 10배 몰이 가장 바람직하다.본 발명의 제조 방법에서는, 상기 시클로메탈화 이리듐 착체 합성에 있어서의 부생되는 비대칭 β-디케톤을 반응계 중에서 증류 제거하면서 합성하는 것도 바람직하다. β-디케톤을 증류 제거하는 방법으로서는 특별히 제한은 없지만, 예를 들어 일본 특허 공개 제2004-337802호 공보나 국제 공개 제2006/014599호 공보 등에 기재된 방법을 이용할 수 있다.이상 설명한 합성 방법에 의하여 얻어진 시클로메탈화 이리듐 착체는 일반적인 후처리 방법으로 처리한 후, 필요가 있으면 정제하거나, 또는 정제하지 않고 고순도품으로서 사용할 수 있다. 후처리의 방법으로서는, 예를 들어 추출, 냉각, 물이나 유기 용매를 첨가하는 것에 의한 정석, 반응 혼합물로부터의 용매를 증류 제거하는 조작 등을 단독 또는 조합하여 행할 수 있다. 정제의 방법으로서는, 재결정, 증류, 승화 또는 칼럼 크로마토그래피 등을 단독 또는 조합하여 행할 수 있다.본 발명의 제조 방법에 의하여 제조되는 시클로메탈화 이리듐 착체로서는, 비스시클로메탈화 이리듐 착체 또는 트리스시클로메탈화 이리듐 착체가 바람직하며, 트리스시클로메탈화 이리듐 착체가 더 바람직하다. 이러한 시클로메탈화 이리듐 착체의 구체예로서는, 일본 특허 공개 제2007-224025호 공보, 일본 특허 공개 제2006-290891호 공보, 일본 특허 공개 제2006-213723호 공보, 일본 특허 공개 제2006-111623호 공보, 일본 특허 공개 제2006-104201호 공보, 일본 특허 공개 제2006-063080호 공보, 일본 특허 공표 제2009-541431호 공보, 일본 특허 공표 제2009-526071호 공보, 일본 특허 공표 제2008-505076호 공보, 일본 특허 공표 제2007-513159호 공보, 일본 특허 공표 제2007-513158호 공보, 일본 특허 공표 제2002-540572호 공보, 일본 특허 공표 제2009-544167호 공보, 일본 특허 공표 제2009-522228호 공보, 일본 특허 공표 제2008-514005호 공보, 일본 특허 공표 제2008-504342호 공보, 일본 특허 공표 제2007-504272호 공보, 일본 특허 공표 제2006-523231호 공보, 일본 특허 공표 제2005-516040호 공보, 국제 공개 제2010/086089호 공보 등에 기재가 있다.그리고 일반식 (1)의 이리듐 원료를 사용함으로써 시클로메탈화 이리듐 착체의 수율이 개선되는 이유로서는 복수의 요인이 생각된다. 이 때문에 단일하게는 요인이 특정되어 있지는 않지만, 본 발명자들은 이하와 같이 생각하고 있다.먼저, 본 발명의 원료를 구성하는 β-디케톤 배위자의 비점이, 트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)의 배위자인 2,4-펜탄디온보다 높아, 반응의 진행에 수반하여 발생한 β-디케톤이 반응 용액의 온도를 저하시키기 어렵다는 것을 들 수 있다.다음으로, 본 발명의 원료는 비대칭 구조의 β-디케톤 배위자를 가져 원료의 결정성이 악화됨과 함께, 융점이 낮아져 실온 또는 가열에 의하여 액체 상태가 되기 쉽다. 특히 2종의 기하 이성체를 포함하는 경우, 이러한 경향이 현저하다. 원료가 액체 상태가 됨으로써, 방향족 복소환 2좌 배위자와의 친화성이 개선되어 반응성이 양호해진 것으로 생각된다.또한 본 발명의 원료는 시클로메탈화 이리듐 착체의 합성 반응 중의 가열에 의하여 액체 상태로 되어 승화는 억제되기 때문에, 트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)이 안고 있던 문제점(승화에 의하여 원료가 반응계 외로 제거되어 버리는 점)을 해결할 수 있었던 것으로 생각된다.게다가 본 발명의 원료는 트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)보다 낮은 온도에서 β-디케톤 배위자가 탈리하기 쉽다고 생각된다. 이는, TG-DTA 동시 측정 장치를 사용하여 이리듐 원료의 열적 안정성의 평가를 행한 결과, 밝혀졌다(하기 실시예 참조).이상 설명한 바와 같은 복수의 요인이 복잡하게 조합되어, 본 발명의 일반식 (1)로 표시되는 이리듐 원료를 사용함으로써 시클로메탈화 이리듐 착체의 수율이 개선되었다고 생각하고 있다.본 발명의 원료를 사용하여 얻어지는 시클로메탈화 이리듐 착체는 이리듐 원료 유래의, 발광 소자 특성에 악영향을 주는 염소를 포함하지 않으며, 이 착체를 발광 소자의 발광층, 또는 발광층을 포함하는 복수의 유기 화합물층에 함유시킴으로써, 종래보다 발광 효율이나 내구성이 우수한 발광 소자로 할 수 있다. [ 발명의 효과 ] 이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 시클로메탈화 이리듐 착체를, 트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)을 사용했을 경우보다 낮은 반응 온도에서 고수율로 얻는 것이 가능해진다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 실시예다음으로 본 발명을 실시예에 의하여 상세히 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 실시예에서 사용한 화합물의 구조를 이하에 도시한다.본 발명의 이리듐 원료인 (A-3)은 일본 특허 공개 제2003-321416호 공보를 참고로 하여 합성하였다. 1H-NMR, 가스 크로마토그래피, 고속 액체 크로마토그래피를 이용하여 분석한 바, 페이셜체와 메리디오널체의 몰 비율은 1:3이었다. 이하에 나타내는 시클로메탈화 이리듐 착체의 합성예에서는 이대로 사용하였다.본 발명의 이리듐 원료인 (A-7)은 일본 특허 공개 제2003-64019호 공보를 참고로 하여 합성하였다. 1H-NMR, 가스 크로마토그래피, 고속 액체 크로마토그래피를 이용하여 분석한 바, 페이셜체와 메리디오널체의 몰 비율은 1:3이었다. 이하에 나타내는 시클로메탈화 이리듐 착체의 합성예에서는 이대로 사용하였다.공지된 이리듐 원료인 트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ) 및 트리스(디피발로일메타나토)이리듐(Ⅲ) Ir(DPM)3은 일본 특허 공개 평7-316176호 공보, 일본 특허 공개 평8-85873호 공보 등을 참고로 하여 합성하였다. 이하에 나타내는 시클로메탈화 이리듐 착체의 합성예(비교예)에 사용하였다.003c#실시예 1003e# 화합물 (1)의 합성화합물 (A-7)(344㎎), 화합물 (A)(558㎎) 및 에틸렌글리콜(30ml)을 아르곤 분위기 하에서 180℃(오일 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (1)임을 확인하였다. 화합물 (1)의 단리 수율은 22%였다. 또한 얻어진 화합물 (1)은 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#실시예 2003e# 화합물 (1)의 합성화합물 (A-7)(95㎎), 화합물 (A)(158㎎) 및 에틸렌글리콜(8.5ml)을 아르곤 분위기 하에서 140℃(오일 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (1)임을 확인하였다. 화합물 (1)의 단리 수율은 9%였다. 또한 얻어진 화합물 (1)은 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#실시예 3003e# 화합물 (1)의 합성화합물 (A-7)(344㎎), 화합물 (A)(558㎎) 및 1,3-프로판디올(5ml)을 아르곤 분위기 하에서 190℃(오일 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (1)임을 확인하였다. 화합물 (1)의 단리 수율은 35%였다. 또한 얻어진 화합물 (1)은 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#실시예 4003e# 화합물 (1)의 합성화합물 (A-3)(369㎎), 화합물 (A)(558㎎) 및 에틸렌글리콜(5ml)을 아르곤 분위기 하에서 180℃(오일 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (1)임을 확인하였다. 화합물 (1)의 단리 수율은 7%였다. 또한 얻어진 화합물 (1)은 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#비교예 1003e# 화합물 (1)의 합성트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)(98㎎), 화합물 (A)(186㎎) 및 에틸렌글리콜(5ml)을 아르곤 분위기 하에서 180℃(오일 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 화합물 (1)은 전혀 얻어지지 않았다.003c#비교예 2003e# 화합물 (1)의 합성트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)(98㎎), 화합물 (A)(186㎎) 및 에틸렌글리콜(5ml)을 아르곤 분위기 하에서 140℃(오일 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 화합물 (1)은 전혀 얻어지지 않았다.003c#비교예 3003e# 화합물 (1)의 합성Ir(DPM)3(71㎎), 화합물 (A)(93㎎) 및 에틸렌글리콜(5ml)을 아르곤 분위기 하에서 180℃(오일 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 화합물 (1)은 전혀 얻어지지 않았다.003c#실시예 5003e# 화합물 (1)의 합성화합물 (A-7)(344㎎), 화합물 (A)(558㎎), 인산 85% 수용액(69㎎) 및 에틸렌글리콜(5ml)을 아르곤 분위기 하에서 180℃(오일 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (1)임을 확인하였다. 화합물 (1)의 단리 수율은 36%였다. 또한 얻어진 화합물 (1)은 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#비교예 4003e# 화합물 (1)의 합성트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)(98㎎), 화합물 (A)(186㎎), 인산 85% 수용액(69㎎) 및 에틸렌글리콜(10ml)을 아르곤 분위기 하에서 180℃(오일 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (1)임을 확인하였다. 화합물 (1)의 단리 수율은 12%였다. 또한 얻어진 화합물 (1)은 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#실시예 6003e# 화합물 (1)의 합성화합물 (A-7)(344㎎), 화합물 (A)(558㎎), 인산 85% 수용액(69㎎) 및 에틸렌글리콜(5ml)을 가지형 플라스크에 투입하고, 환류 냉각관을 설치한 마이크로파 조사 장치에 세팅하여, 아르곤 분위기 하에서 마이크로파를 30분 간 조사하였다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (1)임을 확인하였다. 화합물 (1)의 단리 수율은 31%였다. 또한 얻어진 화합물 (1)은 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#실시예 7003e# 화합물 (1)의 합성화합물 (A-3)(369㎎), 화합물 (A)(558㎎), 인산 85% 수용액(69㎎) 및 에틸렌글리콜(5ml)을 가지형 플라스크에 투입하고, 환류 냉각관을 설치한 마이크로파 조사 장치에 세팅하여, 아르곤 분위기 하에서 마이크로파를 30분 간 조사하였다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (1)임을 확인하였다. 화합물 (1)의 단리 수율은 17%였다. 또한 얻어진 화합물 (1)은 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#비교예 5003e# 화합물 (1)의 합성트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)(294㎎), 화합물 (A)(558㎎), 인산 85% 수용액(69㎎) 및 에틸렌글리콜(5ml)을 가지형 플라스크에 투입하고, 환류 냉각관을 설치한 마이크로파 조사 장치에 세팅하여, 아르곤 분위기 하에서 마이크로파를 30분 간 조사하였다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (1)임을 확인하였다. 화합물 (1)의 단리 수율은 8%였다. 또한 얻어진 화합물 (1)은 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#실시예 8003e# 화합물 (1)의 합성화합물 (A-7)(344㎎)과 화합물 (A)(558㎎)를, 반응계에 용매를 첨가하지 않고 아르곤 분위기 하에서 250℃(샌드 배스 온도)에서 17시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (1)임을 확인하였다. 화합물 (1)의 단리 수율은 80%였다. 또한 얻어진 화합물 (1)은 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#실시예 9003e# 화합물 (1)의 합성화합물 (A-7)(344㎎)과 화합물 (A)(558㎎)를, 반응계에 용매를 첨가하지 않고 아르곤 분위기 하에서 250℃(샌드 배스 온도)에서 7시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (1)임을 확인하였다. 화합물 (1)의 단리 수율은 55%였다. 또한 얻어진 화합물 (1)은 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#비교예 6003e# 화합물 (1)의 합성트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)(294㎎)과 화합물 (A)(558㎎)를, 반응계에 용매를 첨가하지 않고 아르곤 분위기 하에서 250℃(샌드 배스 온도)에서 17시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (1)임을 확인하였다. 화합물 (1)의 단리 수율은 57%였다. 또한 얻어진 화합물 (1)은 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#비교예 7003e# 화합물 (1)의 합성트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)(294㎎)과 화합물 (A)(558㎎)를, 반응계에 용매를 첨가하지 않고 아르곤 분위기 하에서 250℃(샌드 배스 온도)에서 7시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (1)임을 확인하였다. 화합물 (1)의 단리 수율은 30%였다. 또한 얻어진 화합물 (1)은 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#실시예 10003e# 화합물 (2)의 합성화합물 (A-7)(344㎎), 화합물 (B)(738㎎) 및 에틸렌글리콜(5ml)을 아르곤 분위기 하에서 180℃(오일 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (2)임을 확인하였다. 화합물 (2)의 단리 수율은 25%였다. 또한 얻어진 화합물 (2)는 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#비교예 8003e# 화합물 (2)의 합성트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)(294㎎), 화합물 (B)(738㎎) 및 에틸렌글리콜(5ml)을 아르곤 분위기 하에서 180℃(오일 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (2)임을 확인하였다. 화합물 (2)의 단리 수율은 8%였다. 또한 얻어진 화합물 (2)는 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#실시예 11003e# 화합물 (3)의 합성화합물 (A-7)(172㎎), 화합물 (C)(396㎎) 및 에틸렌글리콜(2.5ml)을 아르곤 분위기 하에서 180℃(오일 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (3)임을 확인하였다. 화합물 (3)의 단리 수율은 18%였다. 또한 얻어진 화합물 (3)은 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#비교예 9003e# 화합물 (3)의 합성트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)(147㎎), 화합물 (C)(396㎎) 및 에틸렌글리콜(2.5ml)을 아르곤 분위기 하에서 180℃(오일 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 화합물 (3)은 전혀 얻어지지 않았다.003c#비교예 10003e# 화합물 (3)의 합성Ir(DPM)3(71㎎), 화합물 (C)(132㎎) 및 에틸렌글리콜(5ml)을 아르곤 분위기 하에서 180℃(오일 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 화합물 (3)은 전혀 얻어지지 않았다.003c#실시예 12003e# 화합물 (3)의 합성화합물 (A-7)(172㎎), 화합물 (C)(396㎎) 및 에틸렌글리콜(2.5ml)을 아르곤 분위기 하에서 210℃(오일 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (3)임을 확인하였다. 화합물 (3)의 단리 수율은 22%였다. 또한 얻어진 화합물 (3)은 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#비교예 11003e# 화합물 (3)의 합성트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)(147㎎), 화합물 (C)(396㎎) 및 에틸렌글리콜(2.5ml)을 아르곤 분위기 하에서 210℃(오일 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (3)임을 확인하였다. 화합물 (3)의 단리 수율은 2%였다. 또한 얻어진 화합물 (3)은 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#실시예 13003e# 화합물 (3)의 합성화합물 (A-7)(172㎎)과 화합물 (C)(396㎎)를, 반응계에 용매를 첨가하지 않고 아르곤 분위기 하에서 250℃(샌드 배스 온도)에서 17시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (3)임을 확인하였다. 화합물 (3)의 단리 수율은 63%였다. 또한 얻어진 화합물 (3)은 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#비교예 12003e# 화합물 (3)의 합성트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)(147㎎)과 화합물 (C)(396㎎)를, 반응계에 용매를 첨가하지 않고 아르곤 분위기 하에서 250℃(샌드 배스 온도)에서 17시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (3)임을 확인하였다. 화합물 (3)의 단리 수율은 16%였다. 또한 얻어진 화합물 (3)은 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#실시예 14003e# 화합물 (3)의 합성화합물 (A-7)(172㎎), 화합물 (C)(396㎎) 및 트리데칸(2.5ml)을 아르곤 분위기 하에서 250℃(샌드 배스 온도)에서 17시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (3)임을 확인하였다. 화합물 (3)의 단리 수율은 27%였다. 또한 얻어진 화합물 (3)은 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#비교예 13003e# 화합물 (3)의 합성트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)(147㎎), 화합물 (C)(396㎎) 및 트리데칸(2.5ml)을 아르곤 분위기 하에서 250℃(샌드 배스 온도)에서 17시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (3)임을 확인하였다. 화합물 (3)의 단리 수율은 3%였다. 또한 얻어진 화합물 (3)은 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#실시예 15003e# 화합물 (4)의 합성화합물 (A-7)(115㎎), 화합물 (D)(298㎎) 및 에틸렌글리콜(2.5ml)을 아르곤 분위기 하에서 180℃(오일 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (4)임을 확인하였다. 화합물 (4)의 단리 수율은 15%였다. 또한 얻어진 화합물 (4)는 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#비교예 14003e# 화합물 (4)의 합성트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)(98㎎), 화합물 (D)(298㎎) 및 에틸렌글리콜(2.5ml)을 아르곤 분위기 하에서 180℃(오일 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (4)임을 확인하였다. 화합물 (4)의 단리 수율은 0.5%였다. 또한 얻어진 화합물 (4)는 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#실시예 16003e# 화합물 (4)의 합성화합물 (A-7)(115㎎), 화합물 (D)(298㎎) 및 에틸렌글리콜(2.5ml)을 아르곤 분위기 하에서 210℃(오일 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (4)임을 확인하였다. 화합물 (4)의 단리 수율은 30%였다. 또한 얻어진 화합물 (4)는 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#비교예 15003e# 화합물 (4)의 합성트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)(98㎎), 화합물 (D)(298㎎) 및 에틸렌글리콜(2.5ml)을 아르곤 분위기 하에서 210℃(오일 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 석출된 고체를 메탄올로 세정하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (4)임을 확인하였다. 화합물 (4)의 단리 수율은 10%였다. 또한 얻어진 화합물 (4)는 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#실시예 17003e# 화합물 (5)와 화합물 (6)의 합성화합물 (A-7)(344㎎)과 화합물 (E)(659㎎)를, 반응계에 용매를 첨가하지 않고 아르곤 분위기 하에서 270℃(샌드 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 디클로로메탄(5ml)을 첨가하고 셀라이트층을 통과시켜 여과를 행하여, 침전물을 제거하였다. 얻어진 오렌지색의 여과액을 농축하고, 석출된 고체를 실리카 겔 크로마토그래피(용리액: 디클로로메탄-헥산의 혼합 용매)로 정제하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (5)와 화합물 (6)임을 확인하였다. 화합물 (5)의 단리 수율은 27%였다. 화합물 (6)의 단리 수율은 60%였다. 또한 얻어진 화합물 (5)는 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.003c#비교예 16003e# 화합물 (5)와 화합물 (6)의 합성트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)(294㎎)과 화합물 (E)(659㎎)를, 반응계에 용매를 첨가하지 않고 아르곤 분위기 하에서 270℃(샌드 배스 온도)에서 15시간 가열 반응시켰다. 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 디클로로메탄(5ml)을 첨가하고 셀라이트층을 통과시켜 여과를 행하여, 침전물을 제거하였다. 얻어진 오렌지색의 여과액을 농축하고, 석출된 고체를 실리카 겔 크로마토그래피(용리액: 디클로로메탄-헥산의 혼합 용매)로 정제하였다. 화합물의 동정은 1H-NMR을 이용하여 행하였으며, 화합물 (5)와 화합물 (6)임을 확인하였다. 화합물 (5)의 단리 수율은 15%였다. 화합물 (6)의 단리 수율은 50%였다. 또한 얻어진 화합물 (5)는 페이셜체였으며, 1H-NMR에 있어서 메리디오널체는 검출되지 않았다.이상의 실시예 및 비교예로부터, (A-3) 또는 (A-7)의 이리듐 원료를 사용했을 경우, 트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)이나 Ir(DPM)3을 사용했을 경우와 비교하여 시클로메탈화 이리듐 착체를 고수율로 합성할 수 있음을 알 수 있었다.다음으로, 시클로메탈화 이리듐 착체의 수율이 향상된 원인을 밝히기 위하여, (A-3), (A-7), Ir(acac)3의 열적 안정성을 TG-DTA 동시 측정 장치를 사용하여 분석하였다.구체적으로는, 각 유기 이리듐 원료에 대하여 TG-DTA 동시 측정 장치를 사용하여 열적 안정성의 평가를 행하였다. 승온 속도를 5℃/min으로 설정하고, 질소 가스 기류 하(200ml/min), 상압에서 승온시켜 5% 중량 감소 온도를 측정하였다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다.표 1로부터, 실시예인 (A-3)과 (A-7)의 5% 중량 감소 온도는, 비교예인 Ir(acac)3보다 각각 9℃ 및 41℃나 낮은 것이 밝혀졌다. 이 결과는, (A-3)과 (A-7)의 β-디케톤 배위자가 Ir(acac)3보다 낮은 온도에서 탈리하는 것을 시사하고 있다.본 발명의 일반식 (1)로 표시되는 이리듐 원료는 Ir(acac)3보다 낮은 온도에서 β-디케톤 배위자가 탈리하기 쉬워, 본 발명의 일반식 (1)로 표시되는 이리듐 원료를 사용함으로써 시클로메탈화 이리듐 착체를 온화한 조건에서 고수율로 합성할 수 있다. [ 산업상 이용가능성 ] 본 발명에 따르면, 트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)을 원료로서 사용했을 경우보다 시클로메탈화 이리듐 착체를 고수율로 제조하는 것이 가능하여, 유기 EL 등의 인광 재료의 제공에 기여한다.
본 발명은 시클로메탈화 이리듐 착체의 원료에 관한 것이며, 트리스(2,4-펜탄디오나토)이리듐(Ⅲ)을 사용했을 경우보다 낮은 반응 온도에서 시클로메탈화 이리듐 착체를 고수율로 얻을 수 있는 기술을 제공한다. 본 발명은 시클로메탈화 이리듐 착체를 제조하기 위한 유기 이리듐 재료를 포함하는 원료에 있어서, 상기 유기 이리듐 재료는 이리듐에 비대칭 β-디케톤이 배위된 트리스(β-디케토나토)이리듐(Ⅲ)인 시클로메탈화 이리듐 착체의 원료에 관한 것이다.
[ 발명의 명칭 ] 레인지-비종속 근접도 결정을 위한 방법 및 디바이스METHOD AND DEVICE FOR RANGE-FREE PROXIMITY DETERMINATION [ 기술분야 ] 본 발명은 대체로 위치 결정에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 일부 모바일 디바이스들은 위치-기반 서비스들을 제공하기 위한 특성들을 갖는다. 예를 들어, 모바일 디바이스는, 지오펜스(geofence)에 진입하거나 지오펜스를 퇴장할 시에, 미리-특정된 애플리케이션 프로그램 또는 존재하는 특정한 콘텐츠를 실행할 수 있다. 지오펜스는 포인트 위치 및 반경에 의해 정의될 수 있다. 포인트 위치는 경도 좌표 및 위도 좌표를 가질 수 있다. 모바일 디바이스는, 모바일 디바이스의 추정된 위치를 결정하고 추정된 위치와 포인트 위치 사이의 거리를 계산함으로서, 모바일 디바이스가 지오펜스에 진입하거나 지오펜스를 퇴장한다고 결정할 수 있다. 계산된 거리가 지오펜스의 반경을 초과하는지에 기초하여, 모바일 디바이스는, 모바일 디바이스가 지오펜스에 진입하는지 또는 지오펜스를 퇴장하는지를 결정할 수 있다. 모바일 디바이스는, 다양한 기술들을 사용하여 거리를 계산할 수 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스는, 글로벌 네비게이션 시스템(예를 들어, GPS)로부터의 위치 좌표들을 사용하여 거리를 계산할 수 있다. [ 발명의 개요 ] 레인지-비종속 근접도 결정의 기술들이 설명된다. 모바일 디바이스는, 모바일 디바이스가 신호 소스에 충분히 근접한다고 결정할 시에, 근접 펜스로의 진입 또는 근접 펜스로부터의 퇴장을 결정할 수 있다. 근접 펜스는, 신호 소스에 의해 정의되고 서비스와 연관되는 가상 펜스일 수 있다. 모바일 디바이스는 다수의 신호 소스들로부터의 신호들을 검출할 수 있다. 모바일 디바이스는, 신호 강도를 사용하는 신호 소스들의 랭킹에 기초하여, 신호 소스들 중에서, 하나 이상의 신호 소스들이 모바일 디바이스에 가장 근접하게 로케이팅된다고 결정할 수 있다. 모바일 디바이스는, 랭킹의 신뢰 레벨을 표시하는 확률을 결정할 수 있다. 모바일 디바이스는, 모바일 디바이스가 신뢰 임계치를 충족시키는 가장 높게 랭킹된 신호 소스와 연관된 근접 펜스에 진입했거나 그 근접 펜스를 퇴장했다고 결정할 수 있다.본 명세서에 설명되는 특징들은 하나 이상의 이점들을 달성하도록 구현될 수 있다. 예를 들어, 신호 소스들에 기초한 종래의 위치 결정과 비교하여, 레인지-비종속 근접도 결정이 더 일관적일 수 있다. 종래의 위치 결정 시스템은, 레인징에 기초하여 모바일 디바이스가 신호 소스에 근접하다고 결정할 수 있으며, 여기서, 시스템은 자유 공간 신호 전파 모델에 기초하여 거리를 결정하고, 여기서, 원칙적으로 신호의 전력 밀도는 신호의 소스로부터의 거리의 제곱에 반비례한다.레인징 기술에서 사용된 모델은 환경에 기초하여 상당히 변할 수 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스와 신호 소스 사이의 벽들 또는 사람들과 같은 오브젝트들은 전력 밀도 및 측정된 신호 강도에 영향을 줄 수 있다. 부가적으로, 모델은, 각각의 디바이스의 라디오 수신 특징들에서의 차이들 및 디바이스들 사이의 안테나 변동들에 대응하여, 디바이스마다 상당히 변할 수 있다. 환경 및 디바이스들에 의해 야기된 가변성은 근접도 결정에서 부정확성들을 야기할 수 있다. 본 명세서에서 설명된 기술들은, 자유 공간 신호 전파 모델과는 독립적일 수 있고, 환경에 의해 야기된 불일치들을 해결할 수 있으며, 디바이스들에 걸쳐 일치할 수 있다. 따라서, 본 명세서에 설명된 기술들은, 더 정확한 근접도 결정 및 더 양호한 사용자 경험을 제공할 수 있다.종래의 지오펜싱 기술들과 비교하여, 본 명세서에 설명된 기술들은 더 복잡한 위치-위치-기반 서비스들의 구현을 허용한다. 짧은 통신 레인지들(예를 들어, 50미터 또는 그 미만)을 갖는 다수의 낮은 에너지 신호 소스들이 다양한 서비스들을 정의하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 상이한 블루투스™ 낮은 에너지(BLE) 비컨(beacon)이 상점의 각각의 통로에 배치될 수 있다. 다수의 비컨들로부터 신호들을 검출하는 모바일 디바이스는, 모바일 디바이스에 가장 근접하게 로케이팅된 비컨을 결정할 수 있고, 그 후, (예를 들어, 특정한 통로에 배치된 제품들에 대한 정보를 디스플레이함으로써) 그 비컨에 관련된 서비스들을 활성화시킬 수 있다.레인지-비종속 근접도 결정의 하나 이상의 구현들의 세부사항들이 첨부한 도면들 및 아래의 설명에서 기재된다. 레인지-비종속 근접도 결정의 다른 특성들, 양상들, 및 이점들이 본 명세서, 도면들, 및 청구범위들로부터 명백해질 것이다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은, 레인지-비종속 근접도 결정에 기초하여 위치-기반 서비스를 트리거링하는 예시적인 모바일 디바이스를 도시한 다이어그램이다.도 2는 예시적인 레인지-비종속 근접도 결정의 기술적인 개관을 제공하는 다이어그램이다.도 3a 및 도 3b는, 레인지-비종속 근접도 결정에서 사용되는 잘못된 분류의 확률을 결정하기 위한 예시적인 기술들을 도시한다.도 4는 모바일 디바이스의 예시적인 레인지-비종속 근접도 결정 서브시스템의 컴포넌트들을 도시한 블록도이다.도 5는 레인지-비종속 근접도 결정의 예시적인 절차의 흐름도이다.도 6은 도 1 내지 도 5의 특성들 및 동작들을 구현하는 모바일 디바이스의 예시적인 디바이스 아키텍처를 도시한 블록도이다.도 7은 도 1 내지 도 5의 특성들 및 동작들을 구현하는 모바일 디바이스들에 대한 예시적인 네트워크 운영 환경의 블록도이다.다양한 도면들에서의 유사한 도면 부호들은 유사한 요소들을 가리킨다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 예시적인 레인지-비종속 근접도 결정도 1은, 레인지-비종속 근접도 결정에 기초하여 위치-기반 서비스를 트리거링하는 예시적인 모바일 디바이스를 도시한 다이어그램이다. 모바일 디바이스(102)는, 근접 펜스에 진입할 시에 상이한 기능을 트리거링하도록 프로그래밍된 예시적인 디바이스일 수 있다. 근접 펜스는, 어떠한 지리적 위치 정보도 갖지 않는 신호 소스들에 의해 정의된 위치-독립적인(location-agnostic) 펜스일 수 있다. 각각의 근접 펜스는, 위도 및 경도 좌표들에 고정된 포인트 위치 대신 하나 이상의 신호 소스들의 그룹에 대응할 수 있다. 도시된 예에서, 신호 소스들(104, 106, 108, 및 110) 각각은 장소(venue)(120)에 로케이팅된 상이한 근접 펜스에 대응할 수 있다. 모바일 디바이스(102)는 신호 소스들(104, 106, 108, 및 110) 각각으로부터 신호들을 검출할 수 있다. 모바일 디바이스(102)는, 레인지-비종속 근접도 결정을 사용하여 모바일 디바이스(102)가 근접 펜스들 중 어떤 펜스에 진입하는지를 결정할 수 있다.신호 소스들(104, 106, 108, 및 110) 각각은 신호, 예를 들어, 비컨 신호를 브로드캐스팅하도록 구성된 무선 비컨일 수 있다. 일부 구현들에서, 신호 소스들(104, 106, 108, 및 110)은 라디오 주파수(RF) 송신기들이다. 일부 구현들에서, 신호 소스들(104, 106, 108, 및 110)은 전기 및 전자 엔지니어들의 협회(IEEE) 802.11u 준수 Wi-Fi™ 비컨들일 수 있다. 일부 구현들에서, 신호 소스들(104, 106, 108, 및 110)은 블루투스™ 낮은 에너지(BLE) 또는 근접장 통신(NFC) 비컨들일 수 있다. 신호 소스들(104, 106, 108, 및 110)은 동일한 디바이스 타입 또는 상이한 디바이스 타입들을 가질 수 있다. 신호 소스들(104, 106, 108, 및 110) 각각은 하나 이상의 특정된 채널들을 통해 비컨 신호를 브로드캐스팅할 수 있다. 비컨 신호는 각각의 신호 소스의 식별자를 포함할 수 있다. 식별자는 보편적으로 고유한 식별자(UUID), 매체 액세스 제어(MAC) 어드레스, 또는 미리-저장된 라벨을 포함할 수 있다. 이러한 예에서, 신호 소스들(104, 106, 108, 및 110)에 대한 식별자들은, 각각 1, 2, 3, 및 4이다.신호 소스들(104, 106, 108, 및 110) 각각은 장소(120)의 상이한 위치에 배치될 수 있다. 장소(120), 예를 들어, "ABC 스토어"는 모바일 디바이스(102)를 휴대한 보행자에 의해 액세스가능한 실내 또는 실외 공간일 수 있다. 장소(120)는 다수의 섹션들, 예를 들어, 기구 섹션, 장난감 섹션, 툴 섹션, 및 도서 섹션을 가질 수 있다. 신호 소스들(104, 106, 108, 및 110) 각각은, 각각의 섹션에 로케이팅될 수 있으며, 그 섹션에 특정한 근접 펜스에 대응할 수 있다. 예를 들어, 툴 섹션에 배치된 신호 소스(108)는, ABC 스토어에서 판매되는 툴들에 대한 정보를 디스플레이하기 위한 근접 펜스에 대응할 수 있다.신호 소스들(104, 106, 108, 및 110) 각각의 도달범위(reach)는 장소(120)의 전체 공간을 커버할 수 있다. 예를 들어, 신호 소스들(104, 106, 108, 및 110) 각각으로부터의 신호는, 모바일 디바이스(102)가 장소(120)에 로케이팅되는 경우, 모바일 디바이스(102)에 의해 검출될 수 있다. 가장 관련있는 정보를 사용자에게 디스플레이하기 위해, 모바일 디바이스(102)는, 장소(120)의 어떤 섹션에 모바일 디바이스(102)가 로케이팅되는지를 결정할 수 있다. 섹션을 결정하기 위해, 모바일 디바이스(102)는, 신호 소스들(104, 106, 108, 및 110) 중 어떤 신호 소스가 모바일 디바이스(102)에 가장 근접하게 로케이팅되는지를 결정할 수 있다. 구조물들(예를 들어, 벽들), 오브젝트들(예를 들어, 선반들 상의 아이템들), 및 사람들은, 자유 공간 신호 전파 모델의 적용을 어렵게 하는 예측가능하지 않은 방식으로 신호 소스들(104, 106, 108, 및 110)로부터의 신호들을 감쇠시킬 수 있다.모바일 디바이스(102)는, 레인지-비종속 근접도 결정 기술들을 사용하여 가장 근접한 신호 소스를 결정할 수 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스(102)는, 신호 소스들(104, 106, 108, 및 110) 중에서, 신호 소스(108)가 모바일 디바이스(102)에 가장 근접하게 로케이팅된다고 결정할 수 있다. 부가적으로, 신호 소스(108)의 식별자에 기초하여, 모바일 디바이스(102)는, 예를 들어, 신호 소스 식별자들과 장소(120)의 섹션들을 매핑하는 인덱스를 탐색함으로써, (''3의 식별자를 갖는) 신호 소스(108)가 장소(120)의 툴 섹션과 연관된다고 결정할 수 있다. 따라서, 모바일 디바이스(102)는, 모바일 디바이스(102)가 툴 섹션에 대한 근접 펜스 내에 로케이팅된다고 결정할 수 있으며, 장소(120)의 툴 섹션에 관련된 기능을 트리거링할 수 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스(102)는, 툴 섹션의 아이템들에 대한 정보를 프리젠테이션하는 사용자 인터페이스(122)를 디스플레이할 수 있다.도 2는 레인지-비종속 근접도 결정의 기술적인 개관을 제공하는 다이어그램이다. 모바일 디바이스(102)는 신호 소스들(104, 106, 108, 및 110)로부터 비컨 신호들을 검출할 수 있으며, 각각의 신호 소스는 상이한 근접 펜스에 대응한다. 모바일 디바이스(102)는, 모바일 디바이스(102)가 어떤 근접 펜스에 진입했는지를 결정할 수 있다.모바일 디바이스(102)는 신호 소스들(104, 106, 108, 및 110) 각각으로부터의 신호들에 대한 추정된 수신 신호 강도(RSS)를 결정할 수 있다. 신호 소스들(104, 106, 108, 및 110) 각각으로부터의 신호들의 측정된 RSS는, 다수의 제어되지 않는 팩터들(예를 들어, 환경, 모바일 디바이스(102)의 자세(attitude), 또는 모바일 디바이스(102)의 센서 특징들)로 인해 시간에 따라 변할 수 있다. 모바일 디바이스는, N초의 시간 윈도우로부터 수신된 신호들의 측정된 RSS에 기초하여, 추정된 RSS를 결정할 수 있다. 각각의 추정된 RSS는, 측정된 RSS에 기초하여 결정된 사전-교정값, 및 교정값을 가질 수 있다.교정된 RSS 및 사전-교정 RSS가 그래프(212)에 도시되어 있다. 추정된 RSS(204, 206, 208, 및 210) 각각은 수직축에 걸쳐 도시된 바와 같이, 예를 들어, 1 밀리와트에 대한 데시벨(dBm) 단위의 교정된 값일 수 있다. 추정된 RSS(206, 204, 210, 및 208) 각각은 사전-교정값(204A, 206A, 208A, 또는 210A)을 각각 가질 수 있다. 사전-교정값들(204A, 206A, 208A, 및 210A)은, 각각, 신호 소스들(104, 106, 108, 및 110) 각각에 대한 측정된 RSS 값일 수 있다. 신호 소스 타입들 또는 브랜드(brand)들에서의 변화들, 제조 변화들, 또는 환경으로 인해, 신호 소스들(104, 106, 108, 및 110) 각각은 상이한 전력으로 신호들을 송신할 수 있다. 신호 소스들(104, 106, 108, 및 110) 각각의 주어진 거리, 예를 들어, 1미터에서의 측정이 취해진다. 그 후, 신호 소스들(104, 106, 108, 및 110) 각각은 교정값으로서 측정을 브로드캐스팅한다.예를 들어, 1 미터에서, 신호 소스(104)는 -57 dBm의 측정된 RSS 값을 가질 수 있는 반면, 신호 소스(106)는 -61 dBm의 측정된 RSS 값을 가질 수 있다. 신호 소스(104) 및 신호 소스(106) 각각은 각각의 교정값을 브로드캐스팅할 수 있다. 모바일 디바이스(102)는 일 위치에서, 신호 소스(104) 및 신호 소스(106) 각각으로부터, 측정된 RSS 값들 -61 dBm 및 -62 dBm을 검출할 수 있으며, 이는, 모바일 디바이스(102)가 신호 소스(106)보다 신호 소스(104)에 더 인접하게 로케이팅되는 것으로 나타난다는 것을 표시한다. 교정 동안, 모바일 디바이스(102)는, 제조 또는 환경 변화들을 제거하기 위해, 측정된 RSS 값들로부터 교정값을 차감한다. 도시된 예에서, 추정된 RSS(204 및 206)는 각각, -4 dBm((-61) - (-57)) 및 ― 1 dBm((-62) - (-60))이며, 이는, 모바일 디바이스(102)가 신호 소스(104)보다 신호 소스(106)에 더 근접하게 로케이팅된다는 것을 표시한다.모바일 디바이스(102)는, 교정된 RSS 값들에 기초하여 신호 소스들을 분류할 수 있다. 추정된 RSS(204, 206, 208, 및 210)에 기초하여 - 여기서, RSS(210)가 가장 큰 크기를 가짐 -, 모바일 디바이스(102)는 분류된 리스트(214)를 결정할 수 있으며, 여기서, 신호 소스(108)(그의 식별자는 "3"임)가 가장 높게 랭킹된다.그 후, 모바일 디바이스(102)는, 분류된 리스트(214) 내의 추정된 RSS(204, 206, 208, 및 210) 각각의 랭크에 대한 신뢰 레벨을 결정할 수 있다. 랭크에 대한 신뢰 레벨은, 추정된 RSS의 정확도의 신뢰 레벨과는 상이할 수 있다. 모바일 디바이스(102)는, 특정한 추정된 RSS(예를 들어, 추정된 RSS(208))의 사전-교정 또는 사후-교정값과 다른 추정된 RSS의 사전-교정 또는 사후-교정값 사이의 차이에 기초하여, 그 특정한 추정된 RSS의 랭크의 신뢰 레벨을 결정할 수 있다. 더 큰 차이는 더 높은 신뢰 레벨에 대응할 수 있다. 모바일 디바이스(102)는, 임계치를 신뢰 레벨에 적용함으로써, 분류된 리스트(214)의 서브리스트를 결정할 수 있다. 모바일 디바이스(102)는, 대응하는 신뢰 레벨이 임계치를 충족시킨다고 결정할 시에, 신호 소스가 서브리스트에 포함된다고 결정할 수 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스(102)는, 신호 소스(108 및 110)가 임계치를 충족시키는 신뢰 레벨들에 대응한다고 결정할 수 있다. 그 후, 모바일 디바이스(102)는, 모바일 디바이스(102)가 진입했던 근접 펜스를 결정하기 위해, 그 순서로 신호 소스들(108 및 110)을 포함하는 분류된 리스트(214)의 서브리스트를 사용할 수 있다. 모바일 디바이스(102)는, 모바일 디바이스(102)에 가장 근접하게 로케이팅된 신호 소스로서 서브리스트 내의 가장 높게 랭킹된 신호 소스, 이러한 예에서는 신호 소스(108)를 지정할 수 있다. 따라서, 모바일 디바이스(102)는, 모바일 디바이스(102)가 신호 소스(108)와 연관된 근접 펜스에 진입했다고 결정할 수 있다.예시적인 잘못된 분류 결정도 3a는 레인지-비종속 근접도 결정에서의 예시적인 잘못된 분류 결정 기술들을 도시한 그래프이다. 그래프는 도 2의 그래프(212)의 일부에 대응할 수 있다. 추정된 RSS(204, 206, 208, 및 210)는, 교정된 경우, 그들 각각의 사전-교정 또는 사후-교정값에 기초하여 분류될 수 있다. 수평축(302)은 상이한 신호 소스들, 예를 들어, 신호 소스들(108 및 110)을 표현한다. 수직축(304)은 교정된 RSS 값을 표현한다. 예를 들어, 추정된 RSS(208)는 A의 더 높은 평균값을 가질 수 있는 반면, 추정된 RSS(210)는 B의 더 낮은 평균값을 가질 수 있다. 모바일 디바이스(102)는, 분류된 리스트에서, 더 높은 평균값 A에 대응하는 신호 소스(108)가 더 낮은 평균값 B에 대응하는 신호 소스(110)보다 더 높게 랭킹되도록 신호 소스들(108 및 110)을 분류할 수 있다.모바일 디바이스(102)는, 모바일 디바이스(102)와 신호 소스(108) 사이의 거리가 모바일 디바이스(102)와 신호 소스(110) 사이의 거리보다 더 작다는 것을 더 높은 랭크의 신호 소스(108)가 정확하게 표시하는 신뢰 레벨을 포함하는 분류된 리스트의 신뢰 레벨을 결정할 수 있다. 모바일 디바이스(102)는 RSS(208)와 RSS(210) 사이에서 전력 분리도를 결정할 수 있다. 전력 분리도는 도 3a에 도시된 바와 같이 값들 A와 B 사이의 거리 d로서 개념적으로 표현된다. 거리 d는, 신호 소스(108) 및 신호 소스(110)에 대응하는 교정된 값들 각각의 분산에 의존할 수 있으며, A 빼기 B의 산술값에 대응할 수 있거나 대응하지 않을 수 있다. 모바일 디바이스(102)는, 신호 소스들 사이의 전력 분리도에 기초하여 결정된 잘못된 분류의 확률(PFS)을 사용하여 신뢰 레벨을 결정할 수 있다.모바일 디바이스(102)는, 확률 분포에 기초하여 불일치를 식별할 시에, 예를 들어, 에러 조건 (1) A003e#B 하지만 A'003c#B', 또는 에러 조건 (2) A003c#B 하지만 A'003e#B' 가 충족된다고 결정할 시에, 분류가 잘못됐다고 결정할 수 있다. 에러 조건들 (1) 및 (2)에서, A 및 B 각각은 추정된 RSS의 값이다. 부가적으로, 에러 조건들 (1) 및 (2)에서, A' 및 B'는 A'=A+t(A), 및 B'=B+t(B)로서 정의되며, 여기서, t(A) 및 t(B)는 RSS 잡음을 표현하는 확률 분포 함수들이다. 확률 분포 함수들은, 평균 및 분산을 갖는 Q(A) 및 Q(B)로서 표현될 수 있다. 모바일 디바이스(102)는, 아래의 법칙 (3)을 사용하여 표현되는 누산 확률 분포에 기초하여, 잘못된 분류의 확률, 여기에서는 에러 조건 (1) A003e#B 하지만 A'003c#B'가 충족된다고 결정할 수 있다. (3)여기서, PFS(A'003c#B'|A003e#B)는 잘못된 분류의 조건부 확률이고, 여기서, A003e#B 하지만 A'003c#B'이다.모바일 디바이스(102)는, 아래의 법칙 (4)를 사용하여 표현되는 누산 확률 분포에 기초하여, 잘못된 분류의 확률, 여기에서는 에러 조건 (2) A003c#B 하지만 A'003e#B'가 충족된다고 결정할 수 있다. (4)여기서, PFS(A'003e#B'|A003c#B)는 잘못된 분류의 조건부 확률이고, 여기서, A003c#B 하지만 A'003e#B'이다.그 후, 모바일 디바이스(102)는, 아래의 선택 조건 (5)에 기초하여, 분류된 리스트로부터 신호 소스들의 서브리스트를 선택하는 것을 포함하여, 법칙 (3) 및 법칙 (4)를 분류된 리스트에 적용할 수 있다., (5)여기서, T(PFS)는, 미리-특정된 PFS 값(예를 들어, 0.5)에 기초하여 결정된 임계치이다. 모바일 디바이스(102)는, 서브리스트에 포함되도록 조건 (5)를 충족시키는 그 신호 소스들을 선택할 수 있다.도 3b는, 추정된 RSS의 확률 분포를 결정하기 위한 기술들을 도시한 그래프이다. 확률 분포는 도 3a를 참조하여 설명된 Q(A) 또는 Q(B)일 수 있다. 수평축(312)은 시간을 표현한다. 수직축(314)은, 신호 소스(예를 들어, 신호 소스(104, 106, 108, 또는 110))로부터의 신호들의 측정된 RSS를 표현한다. 각각의 원(예를 들어, 원(316))은 모바일 디바이스(102)의 센서로부터 취해진 측정을 표현한다.모바일 디바이스(102)는, 시간 T0와 시간 Tn 사이의 N초의 시간 윈도우에서 신호 소스들(104, 106, 108, 및 110)로부터의 신호들을 측정할 수 있다. 각각의 신호 소스는 대응하는 측정된 RSS를 가질 수 있다. 다중경로 효과 및 잡음을 포함하는 팩터들로 인해, 신호들의 측정된 RSS 값들은 시간 윈도우에 따라 변할 수 있다. 모바일 디바이스(102)는, 평균값 및 분산을 갖는 확률 분포로서 표현되는 사전-교정값(208A)을 결정할 수 있다. 분산은 측정들의 확산을 표현할 수 있다. 분산은, 측정들의 세트가 시간 T0와 시간 Tn 사이에서 얼마나 멀리 확산되는지에 기초하여 결정될 수 있다.예시적인 디바이스 컴포넌트들도 4는 모바일 디바이스(102)의 예시적인 근접도 결정 서브시스템(402)의 컴포넌트들을 도시한 블록도이다. 서브시스템(402)의 각각의 컴포넌트는 하드웨어, 소프트웨어, 및 펌웨어 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 서브시스템(402)은 무선 서브시스템(404) 및 근접도 계산 서브시스템(406)을 포함할 수 있다.무선 서브시스템(404)은, 안테나, 무선 프로세서, 및 소프트웨어 또는 펌웨어를 포함하는 서브시스템(402)의 컴포넌트이다. 무선 서브시스템(404)은 스캔 파라미터 레지스트리(408)를 포함할 수 있다. 스캔 파라미터 레지스트리(408)는 스캐닝을 위한 하나 이상의 파라미터들을 저장할 수 있다. 파라미터들은, 시간 윈도우 길이, 및 스캐닝을 위해 채널들을 식별하는 하나 이상의 식별자들을 포함할 수 있다. 무선 서브시스템(404)은 신호 소스 인터페이스(410)를 포함할 수 있다. 신호 소스 인터페이스(410)는, 신호 소스들로부터의 비컨 신호들에 대해 하나 이상의 통신 채널들을 스캐닝하고, 스캔들로부터 신호 소스 식별자들을 검출하며, 각각의 비컨 신호에 대한 측정된 RSS를 결정하도록 구성된 하드웨어 및 소프트웨어를 포함하는 무선 서브시스템(404)의 컴포넌트이다. 무선 서브시스템(404)은 측정된 RSS 데이터를 근접도 계산 서브시스템(406)에 제공할 수 있다.근접도 계산 서브시스템(406)은, 모바일 디바이스(102)와 신호 소스들 사이의 근접도를 결정하도록 구성된 하나 이상의 프로세서들(예를 들어, 애플리케이션 프로세서들)을 포함할 수 있다. 근접도 계산 서브시스템(406)은, 무선 서브시스템(404)으로부터 수신된 측정된 RSS 데이터를 저장하기 위한 RSS 데이터 저장부(412)를 포함할 수 있다.근접도 계산 서브시스템(406)은 근접도 계산기(414)를 포함할 수 있다. 근접도 계산기(414)는, 모바일 디바이스(102)에 가장 근접하게 로케이팅된 하나 이상의 신호 소스들의 그룹을 충분한 신뢰도로 결정하도록 구성된 근접도 계산 서브시스템(406)의 컴포넌트이다. 근접도 계산기(414)는, 측정 정규화기(416) 및 PFS 계산기(418)를 포함할 수 있다. 측정 정규화기(416)는, 무선 서브시스템(404)으로부터 수신된 RSS 데이터에 기초하여 각각의 신호 소스에 대한 추정된 RSS를 결정하도록 구성된 근접도 계산기(414)의 컴포넌트이다. 측정 정규화기(416)는, 추정된 RSS를 교정하며, 각각의 추정된 RSS의 사전-교정값에 기초하여 RSS 데이터 저장부(412)에서 신호 소스들을 분류할 수 있다. 측정 정규화기(416)는, 신호 소스들의 분류된 리스트를 RSS 데이터 저장부(412)에 저장할 수 있다.PFS 계산기(418)는, 그 신호 소스 및 다른 신호 소스들의 각각의 추정된 RSS의 사전-교정값 사이의 분리도에 기초하여, 분류된 리스트 내의 각각의 신호 소스에 대한 PFS를 결정하도록 구성된 근접도 계산기(414)의 컴포넌트이다. PFS 계산기(418)는, 신뢰 임계치를 충족시키는 대응하는 PFS 값을 갖는 그 신호 소스들을 분류된 리스트로부터 선택함으로써, 분류된 리스트를 필터링할 수 있다. PFS 계산기(418)는, 선택된 신호 소스들에 기초하여 서브리스트를 결정하고, 서브리스트를 RSS 데이터 저장부(412)에 저장할 수 있다.근접도 계산 서브시스템(406)은 위치 인터페이스(420)를 포함할 수 있다. 위치 인터페이스(420)는, 모바일 디바이스(102)의 애플리케이션 프로그램 또는 다른 서브시스템으로부터 요청을 수신하고, 요청에 대한 응답으로 신호 소스들의 서브리스트를 제공하도록 구성된 근접도 계산 서브시스템(406)의 컴포넌트이다. 애플리케이션 프로그램 또는 다른 서브시스템은, 서브리스트 내의 신호 소스 식별자들에 기초하여 기능을 수행할 수 있다. 예를 들어, 프로그램은, 모바일 디바이스(102)에 가장 가깝게 로케이팅되는 것으로 결정되는 신호 소스에 연관된 근접 펜스에 특정한 기능을 수행할 수 있다. 기능은 사용자 인터페이스 아이템을 활성화시킬 수 있다. 사용자 인터페이스 아이템은, 시각적인 아이템(예를 들어, 스크린 상에 디스플레이되는 환영(welcome) 메시지), 오디오 아이템(예를 들어, 합성된 또는 녹음된 음성 메시지), 또는 물리적인 아이템(예를 들어, 사용자에게 리마인드하기 위한 모바일 디바이스(102)의 진동)일 수 있다.예시적인 절차들도 5는 레인지-비종속 근접도 결정의 예시적인 절차(500)의 흐름도이다. 절차(500)는 모바일 디바이스(102)에 의해 수행될 수 있다.모바일 디바이스(102)는 무선 서브시스템(404)을 사용하여, 일 그룹의 신호 소스들 각각으로부터 일련의 신호들을 수신할 수 있다(502). 신호 소스들은 모바일 디바이스(102)에 의해 검출가능한 신호 소스일 수 있다. 신호들은 RF 신호들일 수 있다. 각각의 신호 소스는 BLE 디바이스, NFC 디바이스, 또는 로컬 영역 네트워크 또는 개인 영역 네트워크 내의 무선 액세스 포인트일 수 있다. 일련의 신호들은, 미리-특정된 길이를 갖는 시간 윈도우에서 검출된 신호들일 수 있다.모바일 디바이스(102)는 측정 정규화기(416)를 사용하여, 신호 소스들 각각으로부터의 신호들의 추정된 신호 강도에 기초하여 신호 소스들의 분류된 리스트를 결정할 수 있다(504). 모바일 디바이스(102)는, 신호 소스가 더 높은 추정된 신호 강도와 연관된다고 결정할 시에, 분류된 리스트에서 신호 소스에 더 높은 랭킹을 부여할 수 있다. 분류된 리스트를 결정하는 것은, 누산 분포 필터가 미리-결정된 시간 윈도우에 걸쳐 신호 소스에 대응하는 일련의 신호들에 적용되는 것에 기초하여, 각각의 신호들 중 신호들의 추정된 신호 강도를 계산하는 것을 포함할 수 있다. 모바일 디바이스(102)는, 각각의 신호 소스로부터의 신호들의 계산된 신호 강도에 기초하여, 분류된 리스트를 결정할 수 있다.모바일 디바이스(102)는 PFS 계산기(418)을 사용하여, 신호 소스에 대응하는 신호들과 다른 수신된 신호들 사이의 신호 강도 분리도에 기초하여, 분류된 리스트 내의 신호 소스들 각각에 대한 잘못된 분류의 확률을 결정할 수 있다(506). 신호 소스의 잘못된 분류의 확률은, 신호 소스의 랭크가 정확하지 않은 확률을 표시할 수 있다. 모바일 디바이스(102)는, 추정된 RSS 값과 다른 추정된 RSS 값 사이의 더 큰 신호 강도 분리도가 잘못된 분류의 더 낮은 확률에 대응한다고 결정할 수 있다. 신호 소스들 각각에 대한 잘못된 분류의 확률을 결정하는 것은, 각각의 신호 소스에 대해 시간에 따른 신호 강도 잡음의 누산값을 결정하는 것을 포함할 수 있다.모바일 디바이스(102)는 PFS 계산기(418)를 사용하여, 잘못된 분류의 확률들에 기초하여, 분류된 리스트의 서브리스트를 결정할 수 있다(508). 서브리스트는 하나 이상의 신호 소스들을 포함할 수 있으며, 그 신호 소스들 각각은, 임계값을 충족시키는 잘못된 분류의 확률과 연관된다. 서브리스트를 결정하는 것은, 임계값을 충족시키는 잘못된 분류의 확률과 연관되는 가장 높게 랭킹된 신호 소스를 포함하는 하나 이상의 신호 소스들의 그룹을, 분류된 리스트로부터 선택하는 것을 포함할 수 있다. 모바일 디바이스(102)는 선택된 그룹을 서브리스트로서 지정할 수 있다. 모바일 디바이스(102)는, 자유 공간 신호 전파 모델을 사용하여 근접도 추정과는 독립적으로 서브리스트를 결정할 수 있다.일부 구현들에서, 모바일 디바이스(102)는, 서브리스트 내의 신호 소스의 랭킹의 검출된 변화에 기초하여 서브리스트를 필터링할 수 있다. 모바일 디바이스(102)는, 모바일 디바이스(102)의 모션 센서로부터의 판독 및 회귀형 필터(recursive filter)를 사용하여 서브리스트를 필터링할 수 있다. 모바일 디바이스(102)는, 모바일 디바이스(102)가 정지상태라는 것을 판독이 표시하는 동안, 신호 소스의 랭크에서의 변화를 결정할 시에 신호 소스를 필터링 아웃(filter out)할 수 있다.모바일 디바이스(102)는 위치 인터페이스(420)를 사용하여, 모바일 디바이스의 위치를 결정하기 위한 근접 신호 소스들로서 신호 소스들의 서브리스트를 모바일 디바이스의 서브시스템에 제공할 수 있다(510). 위치는, 위도, 경도, 및 고도 좌표들을 갖는 포인트 위치일 수 있다. 대안적으로, 위치는 근접 펜스에 대응하는 위치일 수 있으며, 여기서, 서비스는 신호 소스와 연관된다. 모바일 디바이스(102)는, 모바일 디바이스(102)가 다른 신호 소스들보다는 그 신호 소스에 대해 더 근접하게 로케이팅된다고 결정할 시에, 표면을 트리거링할 수 있다.예시적인 모바일 디바이스 아키텍처도 6은 도 1 내지 도 5의 특성들 및 동작들을 구현하는 모바일 디바이스의 예시적인 디바이스 아키텍처(600)를 도시한 블록도이다. 모바일 디바이스(예를 들어, 모바일 디바이스(102))는 메모리 인터페이스(602), 하나 이상의 데이터 프로세서들, 이미지 프로세서들 및/또는 프로세서들(604), 및 주변기기 인터페이스(606)를 포함할 수 있다. 메모리 인터페이스(602), 하나 이상의 프로세서들(604) 및/또는 주변기기 인터페이스(606)는 별개의 컴포넌트들일 수 있거나 또는 하나 이상의 집적 회로들에 통합될 수 있다. 프로세서들(604)은 애플리케이션 프로세서들, 기저대역 프로세서들, 및 무선 프로세서들을 포함할 수 있다. 모바일 디바이스(102) 내의 다양한 컴포넌트들은, 예를 들어, 하나 이상의 통신 버스들 또는 신호 라인들에 의해 커플링될 수 있다.다수의 기능들을 용이하게 하기 위해 센서들, 디바이스들, 및 서브시스템들이 주변기기 인터페이스(606)에 커플링될 수 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스의 배향, 조명, 및 근접 기능들을 용이하게 하기 위해 모션 센서(610), 조명 센서(612), 및 근접 센서(614)가 주변기기 인터페이스(606)에 커플링될 수 있다. 지오포지셔닝(geopositioning)을 제공하기 위해 위치 프로세서(615)(예를 들어, GPS 수신기)가 주변기기 인터페이스(606)에 접속될 수 있다. 자북의 방향을 결정하는 데 사용될 수 있는 데이터를 제공하기 위해 전자 자력계(616)(예를 들어, 집적 회로 칩)가 또한 주변기기 인터페이스(606)에 접속될 수 있다. 따라서, 전자 자력계(616)는 전자 나침반으로 사용될 수 있다. 모션 센서(610)는 모바일 디바이스의 이동 속도 및 이동 방향의 변화를 결정하도록 구성된 하나 이상의 가속도계들을 포함할 수 있다. 기압계(617)는 주변기기 인터페이스(606)에 접속되어 모바일 디바이스 주위의 대기압을 측정하도록 구성된 하나 이상의 디바이스들을 포함할 수 있다.사진들 및 비디오 클립들을 녹화하는 것과 같은 카메라 기능들을 용이하게 하기 위해 카메라 서브시스템(620) 및 광학 센서(622), 예를 들어, 전하 커플링된 디바이스(CCD) 또는 상보형 금속-산화물 반도체(CMOS) 광학 센서가 이용될 수 있다.무선 주파수 수신기들 및 송신기들 및/또는 광학(예를 들어, 적외선) 수신기들 및 송신기들을 포함할 수 있는 하나 이상의 무선 통신 서브시스템들(624)을 통해 통신 기능들이 용이하게 될 수 있다. 통신 서브시스템(624)의 구체적인 설계 및 구현은 모바일 디바이스가 동작하도록 의도되는 통신 네트워크(들)에 의존할 수 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스는 GSM 네트워크, GPRS 네트워크, EDGE 네트워크, Wi-Fi™ 또는 WiMax™ 네트워크, 및 Bluetooth™ 네트워크를 통해 동작하도록 설계된 통신 서브시스템들(624)을 포함할 수 있다. 특히, 무선 통신 서브시스템들(624)은, 모바일 디바이스가 다른 무선 디바이스들에 대한 기지국으로서 구성될 수 있도록 호스팅 프로토콜들을 포함할 수 있다.음성 인식, 음성 복제, 디지털 녹음, 및 전화 기능들과 같은 음성-가능 기능들을 용이하게 하기 위해 오디오 서브시스템(626)이 스피커(628) 및 마이크로폰(630)에 커플링될 수 있다. 오디오 서브시스템(626)은 사용자로부터 음성 커맨드들을 수신하도록 구성될 수 있다.I/O 서브시스템(640)은 터치 표면 제어기(642) 및/또는 다른 입력 제어기(들)(644)를 포함할 수 있다. 터치 표면 제어기(642)는 터치 표면(646) 또는 패드에 커플링될 수 있다. 터치 표면(646) 및 터치 표면 제어기(642)는, 예를 들어 용량성, 저항성, 적외선, 및 표면 음파 기술들뿐만 아니라, 터치 표면(646)과의 하나 이상의 접촉 포인트들을 결정하기 위한 다른 근접 센서 어레이들 또는 다른 엘리먼트들을 포함하지만 이들로 제한되지 않는 복수의 터치 감응 기술들 중 임의의 기술을 사용하여 접촉 및 이동 또는 그의 중단을 검출할 수 있다. 터치 표면(646)은, 예를 들어 터치 스크린을 포함할 수 있다.다른 입력 제어기(들)(644)는 하나 이상의 버튼들, 로커 스위치(rocker switch)들, 지동륜(thumb-wheel), 적외선 포트, USB 포트, 및/또는 포인터 디바이스, 예컨대 스타일러스와 같은 다른 입력/제어 디바이스들(648)에 커플링될 수 있다. 하나 이상의 버튼들(도시되지 않음)은 스피커(628) 및/또는 마이크로폰(630)의 볼륨 제어를 위한 업/다운 버튼을 포함할 수 있다.일 구현에서, 제1 지속기간 동안의 버튼의 누름은 터치 표면(646)의 잠금을 해제할 수 있고; 제1 지속기간보다 더 긴 제2 지속기간 동안의 버튼의 누름은 모바일 디바이스(102)에 대한 전원을 켜거나 끌 수 있다. 사용자는 버튼들 중 하나 이상의 버튼들의 기능을 커스텀화(customize)할 수 있을 수 있다. 터치 표면(646)은, 예를 들어 가상 또는 소프트 버튼들 및/또는 키보드를 구현하는데 또한 사용될 수 있다.일부 구현들에서, 모바일 디바이스(102)는 MP3, AAC, 및 MPEG 파일들과 같이 녹음된 오디오 파일들 및/또는 녹화된 비디오 파일들을 프리젠테이션할 수 있다. 일부 구현들에서, 모바일 디바이스(102)는 MP3 플레이어의 기능을 포함할 수 있다. 따라서, 모바일 디바이스(102)는 아이팟(iPod)과 호환가능한 핀 커넥터를 포함할 수 있다. 다른 입력/출력 및 제어 디바이스들이 또한 사용될 수 있다.메모리 인터페이스(602)는 메모리(650)에 커플링될 수 있다. 메모리(650)는 고속 랜덤 액세스 메모리 및/또는 비-휘발성 메모리, 예컨대 하나 이상의 자기 디스크 저장 디바이스들, 하나 이상의 광학적 저장 디바이스들, 및/또는 플래시 메모리(예를 들어, NAND, NOR)를 포함할 수 있다. 메모리(650)는 다윈(Darwin)��, RTXC��, LINUX��, UNIX��, OS X��, WINDOWS��, iOS��, 또는 임베디드 운영 체제, 예컨대 VxWorks�玲� 같은 운영 체제(652)를 저장할 수 있다. 운영 체제(652)는 기본 시스템 서비스들을 처리하기 위한 그리고 하드웨어 종속 태스크들을 수행하기 위한 명령들을 포함할 수 있다. 일부 구현들에서, 운영 체제(652)는 커널(예를 들어, UNIX�� 커널)을 포함할 수 있다.메모리(650)는 또한, 하나 이상의 부가적인 디바이스들, 하나 이상의 컴퓨터들 및/또는 하나 이상의 서버들과의 통신을 용이하게 하는 통신 명령들(654)을 저장할 수 있다. 메모리(650)는 그래픽 사용자 인터페이스 프로세싱을 용이하게 하기 위한 그래픽 사용자 인터페이스 명령들(656); 센서-관련 프로세싱 및 기능들을 용이하게 하기 위한 센서 프로세싱 명령들(658); 전화-관련 프로세스들 및 기능들을 용이하게 하기 위한 전화 명령들(660); 전자-메시징 관련 프로세스들 및 기능들을 용이하게 하기 위한 전자 메시징 명령들(662); 웹 브라우징-관련 프로세스들 및 기능들을 용이하게 하기 위한 웹 브라우징 명령들(664); 미디어 프로세싱-관련 프로세스들 및 기능들을 용이하게 하기 위한 미디어 프로세싱 명령들(666); GPS 및 내비게이션-관련 프로세스 및 명령어들을 용이하게 하기 위한 GPS/내비게이션 명령들(668); 카메라-관련 프로세스들 및 기능들을 용이하게 하기 위한 카메라 명령들(670); 및 자력계 교정을 용이하게 하기 위한 자력계 데이터(672) 및 교정 명령들(674)을 포함할 수 있다. 메모리(650)는 또한, 다른 소프트웨어 명령들(도시되지 않음), 예컨대 보안 명령들, 웹 비디오-관련 프로세스들 및 기능들을 용이하게 하기 위한 웹 비디오 명령들, 및/또는 웹 쇼핑 관련-프로세스들 및 기능들을 용이하게 하기 위한 웹 쇼핑 명령들을 저장할 수 있다. 일부 구현들에서, 미디어 프로세싱 명령들(666)은 오디오 프로세싱-관련 프로세스들 및 기능들과 비디오 프로세싱-관련 프로세스들 및 기능들을 각각 용이하게 하기 위한 오디오 프로세싱 명령들과 비디오 프로세싱 명령들로 분할된다. 활성화 레코드 및 국제 모바일 장비 아이덴티티(International Mobile Equipment Identity: IMEI) 또는 유사한 하드웨어 식별자가 또한 메모리(650)에 저장될 수 있다. 메모리(650)는, 실행되는 경우, 프로세서(604)로 하여금 절차(500)를 실행하는 것을 포함하여 근접도 결정 서브시스템(402)의 동작들을 수행하게 할 수 있는 근접도 검출 명령들(676)을 저장할 수 있다.위에 식별된 명령들 및 애플리케이션들 각각은 위에서 설명한 하나 이상의 기능들을 수행하기 위한 명령들의 세트에 대응할 수 있다. 이들 명령들은 별개의 소프트웨어 프로그램들, 절차들, 또는 모듈들로서 구현될 필요는 없다. 메모리(650)는 부가적인 명령들 또는 더 적은 명령들을 포함할 수 있다. 더욱이, 모바일 디바이스의 다양한 기능들은 하나 이상의 신호 프로세싱 및/또는 주문형 집적회로(application specific integrated circuit)들에서 구현되는 것을 포함하여, 하드웨어로 그리고/또는 소프트웨어로 구현될 수 있다.예시적인 운영 환경도 7은 도 1 내지 도 5의 특성들 및 동작들을 구현하는 모바일 디바이스들에 대한 예시적인 네트워크 운영 환경(700)의 블록도이다. 모바일 디바이스들(702a 및 702b)은, 예를 들어, 데이터 통신에서 하나 이상의 유선 및/또는 무선 네트워크들(710)을 통해 통신할 수 있다. 예를 들어, 무선 네트워크(712), 예를 들어, 셀룰러 네트워크는 게이트웨이(716)의 사용에 의해 인터넷과 같은 광역 네트워크(WAN)(714)와 통신할 수 있다. 마찬가지로, 802.11g 무선 액세스 포인트와 같은 액세스 디바이스(718)는 광역 네트워크(714)로의 통신 액세스를 제공할 수 있다. 모바일 디바이스들(702a 및 702b) 각각은 모바일 디바이스(102)일 수 있다.일부 구현들에서, 음성 및 데이터 통신들 둘 모두는, 무선 네트워크(712) 및 액세스 디바이스(718)를 통해 설정될 수 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스(702a)는 (예를 들어, 보이스 오버 인터넷 프로토콜(voice over Internet Protocol: VoIP) 프로토콜들을 사용하여) 전화 통화들을 걸고 수신할 수 있고, (예를 들어, 포스트 오피스 프로토콜 3(Post Office Protocol 3: POP3)을 사용하여) 이메일 메시지들을 전송 및 수신할 수 있으며, (예를 들어, 송신 제어 프로토콜/인터넷 프로토콜(Transmission Control Protocol/Internet Protocol: TCP/IP) 또는 사용자 데이터그램 프로토콜(User Datagram Protocol: UDP)을 사용하여) 무선 네트워크(712), 게이트웨이(716), 및 광역 네트워크(714)를 통해 웹 페이지들, 사진들, 및 비디오들과 같은 전자 문서들 및/또는 스트림들을 검색할 수 있다. 마찬가지로, 일부 구현들에서, 모바일 디바이스(702b)는 전화 통화들을 걸고 수신할 수 있고, 이메일 메시지들을 전송 및 수신할 수 있으며, 액세스 디바이스(718) 및 광역 네트워크(714)를 통해 전자 문서들을 검색할 수 있다. 일부 구현들에서, 모바일 디바이스(702a 또는 702b)는 하나 이상의 케이블들을 사용하여 액세스 디바이스(718)에 물리적으로 접속될 수 있으며, 액세스 디바이스(718)는 개인용 컴퓨터일 수 있다. 이러한 구성에서, 모바일 디바이스(702a 또는 702b)는 "테더링된(tethered)" 디바이스로 지칭될 수 있다.모바일 디바이스들(702a, 702b)은 또한 다른 수단에 의해 통신들을 설정할 수 있다. 예를 들어, 모바일 디바이스(702a)는 무선 네트워크(712)를 통해 다른 무선 디바이스들, 예를 들어, 다른 모바일 디바이스들, 셀폰들 등과 통신할 수 있다. 마찬가지로, 모바일 디바이스들(702a, 702b)은 Bluetooth™ 통신 디바이스와 같은 하나 이상의 통신 서브시스템들의 사용에 의해, 피어-투-피어 통신들(720), 예를 들어, 개인 영역 네트워크를 설정할 수 있다. 다른 통신 프로토콜들 및 토폴로지들이 또한 구현될 수 있다.모바일 디바이스(702a 또는 702b)는, 예를 들어, 하나 이상의 유선 및/또는 무선 네트워크를 통해 하나 이상의 서비스들(730 및 740)과 통신할 수 있다. 예를 들어, 근접 펜스 서비스(730)는, 근접 펜스-트리거링된 애플리케이션 프로그램들 및 연관된 식별자들을 모바일 디바이스들(702a 및 702b)에 제공할 수 있다. 지오펜스 서비스(740)는 위치 기반 서비스들을 제공할 수 있다. 모바일 디바이스들(702a 및 702b)이 신호 소스와 근접하게 로케이팅된다고 결정할 시에, 모바일 디바이스들(702a 및 702b)은 근접 펜스 서비스(730) 또는 지오펜스 서비스(740)에 액세스할 수 있다.모바일 디바이스(702a 또는 702b)는 하나 이상의 신호 소스들(750)과 통신할 수 있다. 각각의 신호 소스(750)는, 신호 소스 식별자를 브로드캐스팅하도록 구성된 무선 비컨일 수 있다. 신호 소스 식별자는, 고-레벨 근접 펜스 및 저-레벨 근접 펜스에 각각 대응하는 UUID 및 하나 이상의 라벨들을 포함할 수 있다. 각각의 신호 소스(750)는, 광역 네트워크(714)를 통해 다른 디바이스들에 통신할 수 있거나, 또는 모바일 디바이스(702a 또는 702b)와 다른 디바이스들 사이의 통신을 용이하게 할 수 있다. 일부 구현들에서, 각각의 신호 소스(750)는, 통신 네트워크와는 독립적일 수 있으며, 오직 근접 펜스들의 비컨들로서만 기능할 수 있다.모바일 디바이스(702a 또는 702b)는 또한 하나 이상의 유선 및/또는 무선 네트워크들을 통해 다른 데이터 및 콘텐츠에 액세스할 수 있다. 예를 들어, 뉴스 사이트들, 매우 간단한 배급(Really Simple Syndication: RSS) 피드들, 웹 사이트들, 블로그들, 소셜 네트워킹 사이트들, 개발자 네트워크들 등과 같은 콘텐츠 게시자들은 모바일 디바이스(702a 또는 702b)에 의해 액세스될 수 있다. 그러한 액세스는 사용자가, 예를 들어 웹 오브젝트를 터치하는 것에 대한 응답으로 웹 브라우징 기능 또는 애플리케이션(예를 들어, 브라우저)의 호출에 의해 제공될 수 있다.본 발명의 다수의 구현들이 설명되었다. 그럼에도 불구하고, 본 발명의 사상 및 범주를 벗어남이 없이 다양한 변형들이 행해질 수 있다는 것이 이해될 것이다.
레인지 비종속 근접도 결정의 기술들이 설명된다. 모바일 디바이스는, 모바일 디바이스가 신호 소스에 충분히 근접한다고 결정할 시에, 근접 펜스로의 진입 또는 근접 펜스로부터의 퇴장을 결정할 수 있다. 근접 펜스는, 신호 소스에 의해 정의되고 서비스와 연관되는 가상 펜스일 수 있다. 모바일 디바이스는 다수의 신호 소스들로부터의 신호들을 검출할 수 있다. 모바일 디바이스는, 신호 강도를 사용하는 신호 소스들의 랭킹에 기초하여, 신호 소스들 중에서, 하나 이상의 신호 소스들이 모바일 디바이스에 가장 근접하게 로케이팅된다고 결정할 수 있다. 모바일 디바이스는, 랭킹의 신뢰 레벨을 표시하는 확률을 결정할 수 있다. 모바일 디바이스는, 모바일 디바이스가 신뢰 임계치를 충족시키는 가장 높게 랭킹된 신호 소스와 연관된 근접 펜스에 진입했거나 그 근접 펜스를 퇴장했다고 결정할 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 데이터베이스 시스템에서 온라인 분석 처리를 위한 데이터를 유지하는 방법 및 장치METHOD AND APPARATUS OF MAINTAINING DATA FOR ONLINE ANALYTICAL PROCESSING IN A DATABASE SYSTEM [ 기술분야 ] 본 명세서는 데이터 처리 기술 분야에 관한 것으로서, 구체적으로는 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 방법 및 장치에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 온라인 업무 처리(online transaction processing, OLTP)와 온라인 분석 처리(online analytical processing, OLAP)는 데이터베이스 시스템의 2가지 유형에 해당한다. OLTP 시스템은 업무를 관리 및 처리하기 위해 사용된다. 이러한 업무 처리 시스템의 전형적인 예시는 판매 주문 엔트리 또는 은행 업무 처리 시스템이다. OLAP 시스템은 비즈니스 전문가를 위해 데이터를 분석하거나 보고서를 작성하기 위해 사용된다. 일반적인 보고서는 지리적 영역, 또는 제품 카테고리, 또는 고객 분류 등에 의해 그룹화된 총합 판매 통계를 포함한다.OLAP 질의 처리가 자원 경쟁(resource contention)을 야기하고 임무에 필수적인(mission-critical) 업무 처리를 심각하게 훼손하기 때문에, 동작 가능한 OLTP 데이터베이스에 대해 OLAP 질의를 실행하는 최초의 시도는 거절된다. 따라서 전용 OLTP 데이터베이스 시스템 상에서 업무 처리가 수행되는 데이터 계층화 아키텍처가 고안되었다. 또한, 독립된 데이터 보관소 시스템이 OLAP 질의 처리를 위해 설치된다. 주기적으로, 예를 들면 한 밤 중에, OLTP 데이터베이스의 변경이 추출되어 데이터 보관소 시스템의 레이아웃으로 변형되며, 데이터 보관소 내에 로드된다. 이러한 데이터 계층화와 그와 관련된 ETL(Extract-Transform-Load, 추출-변형-로드)는, ETL 프로세스가 주기적으로 실행될 수밖에 없다는 점에서, 데이터 부패(data staleness)라는 문제점을 명백하게 발생시킨다.실시간/동작 가능한 비즈니스 인텔리전스(business intelligence)는 업무적인 OLTP 데이터의 현재의, 최신의 상태에 대해 OLAP 질의를 실행하길 요구한다. 그 해결책으로, 업무적인 데이터의 일관된 스냅샷(consistent snapshot)을 유지하기 위해, 하드웨어-보조 복제 메커니즘(hardware-assisted replication mechanism)을 사용함으로써 OLTP와 OLAP를 모두 동시에 취급하도록, 메인 메모리 데이터베이스를 가지는 현재의 하이브리드 시스템이 제안되었다. 이 시스템은 동일한, 임의의 현재의 일관된 스냅샷에 대해 OLAP 질의 세션을 실행한다. 이러한 스냅샷은 OLTP 프로세스를 포크(fork)함으로써 생성되고, 이에 따라 일관된 가상 메모리 스냅샷을 생성한다. 시스템은, 주기적으로 새로운 스냅샷을 포크하여 새로운 OLAP 질의 세션 프로세서를 시작함으로써 임의의 현재의 스냅샷을 허용한다.현재의 하이브리드 시스템이 유망해 보일지라도, 이는 이하의 기술적 문제점들을 야기한다. 큰 프로세스를 포크하는 것은 일반적으로 밀리세컨드(milli-second)의 수준에서 시간을 소비한다. 이는 많은 수의 페이지 테이블 엔트리(page table entry, PTE)가 복제되어야 하기 때문이다. 하나의 기준을 참고하면, 384M의 데이터는 약 100K의 페이지를 포함한다. 따라서 주기적인 포크는 온라인 데이터 처리의 성능에 영향을 줄 수 있다. 또한, 이러한 포크가 PET의 폭발적인 복사를 이행하지만, 변경되었을 수 있는 스몰 델타(small delta)에 대한 복사를 최적화하지는 않는다. [ 발명의 개요 ] 본 명세서의 실시예들은, 온라인 데이터 처리의 성능을 향상시키고 주기적인 포크를 회피하기 위한, 데이터베이스 시스템에서의 온라인 분석 처리를 위해 데이터를 유지하는 방법 및 장치를 제공한다.제1 태양에 따르면, 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 방법은:운영 시스템 커널(operating system kernel)이, 데이터베이스 시스템 내에서 실행되고 온라인 업무를 실행하는 메인 프로세스에 의해 변경된 페이지를 추적하는 단계; 및상기 운영 시스템 커널이, 상기 데이터베이스 시스템 내에서 실행되고 온라인 분석 처리를 실행하는 자식 프로세스(child process)에 상기 변경된 페이지를 동기화하는 단계를 포함한다.제1 태양에 따른 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 방법의 가능한 제1 구현 형태에서는, 상기 변경된 페이지를 추적하는 단계가: 기록 시 복사(copy-on-write) 페이지 및/또는 새로운 페이지를 추적하는 단계를 포함한다.제1 태양에 따른 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 방법의 가능한 제2 구현 형태에서는, 상기 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 방법이 추적될 메모리의 주소 범위를 저장하는 단계를 더 포함하고; 여기서 상기 변경된 페이지를 추적하는 단계가: 페이지에 데이터를 기록하는 것이 페이지 결함(page fault)을 야기하면, 상기 페이지가 상기 변경된 페이지인 것으로 결정하고, 상기 변경된 페이지의 물리적 페이지 주소가 상기 주소 범위 내에 있다면, 상기 물리적 페이지 주소를 제1 데이터 구조 내에 저장하는 단계를 포함한다.제1 태양의 가능한 제2 구현 형태에 따른 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 방법의 가능한 제3 구현 형태에서는, 상기 자식 프로세스에 상기 변경된 페이지를 동기화하는 단계가:상기 메인 프로세스로부터 저장되어 있는 물리적 페이지 주소를 획득하는 단계;상기 저장되어 있는 물리적 페이지 주소를 가리키는 상기 자식 프로세스 내의 가상 페이지 주소를 찾는 단계;상기 가상 페이지 주소가 존재하면, 상기 가상 페이지 주소의 페이지 테이블 엔트리를 상기 저장되어 있는 물리적 페이지 주소로 업데이트하고; 대응하는 가상 페이지 주소가 존재하지 않으면, 상기 저장되어 있는 물리적 페이지 주소에 새로운 가상 페이지 주소를 맵핑하는 새로운 페이지 테이블 엔트리가 생성되는 단계; 및공유 페이지 카운트를 증가시키고, 상기 저장되어 있는 물리적 페이지 주소에 대응하는 페이지 플래그를 기록 가능하게 되도록 설정하는 단계를 포함한다.제1 태양에 따른 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 방법의 가능한 제4 구현 형태에서는, 상기 자식 프로세스에 상기 변경된 페이지를 동기화하는 단계가 미리 결정되어 있는 동기화 시간 포인트(sync time point)에서 상기 자식 프로세스에 상기 변경된 페이지를 동기화하는 단계를 포함한다.제1 태양에 따른 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 방법의 가능한 제5 구현 형태에서는, 상기 변경된 페이지를 추적하는 단계 이전에, 상기 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 방법이: 상기 메인 프로세스에 대한 자식인 상기 자식 프로세스를 포크하는(forking) 단계를 더 포함한다.제1 태양의 가능한 제5 구현 형태에 따른 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 방법의 가능한 제6 구현 형태에서는, 상기 자식 프로세스를 포크하는 단계가: 상기 메인 프로세스에 대한 자식인 중개(intermediate) 프로세스를 포크하고; 상기 중개 프로세스에 대한 자식인 상기 자식 프로세스를 포크하는 단계를 포함하고; 여기서 상기 자식 프로세스에 상기 변경된 페이지를 동기화하는 단계가 상기 중개 프로세스에 상기 변경된 페이지를 동기화하고; 상기 중개 프로세스와 상기 자식 프로세스를 동기화하는 단계를 포함한다.제1 태양에 따른 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 방법의 가능한 제7 구현 형태에서는, 복수의 자식 프로세스가 존재하고, 상기 변경된 페이지는 상기 복수의 자식 프로세스 중 적어도 하나의 자식 프로세스에 동기화되며; 상기 복수의 자식 프로세스의 다른 자식 프로세스는, 상기 변경된 페이지가 동기화된 적어도 하나의 자식 프로세스와 동기화된다.제1 태양에 따른 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 방법의 가능한 제8 구현 형태에서는, 동기화 시간에 도달한 때, 상기 자식 프로세스가 동기화될 때까지 온라인 업무 처리가 블록(block)되고; 상기 변경된 페이지가 공유되도록 그리고 상기 자식 프로세스로부터 기록 가능하도록 설정된다.제1 태양의 가능한 제2 구현 형태에 따른 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 방법의 가능한 제9 구현 형태에서는, 동기화 시간에 도달한 때, 상기 변경된 페이지가 기록 가능하도록 설정되고, 상기 자식 프로세스가 상기 제1 데이터 구조에 따라 상기 변경된 페이지와 동기화되며; 새로운 변경된 페이지가 추적되고 상기 새로운 변경된 페이지의 페이지 주소가 제2 데이터 구조 내에 저장된다.제2 태양에 따르면, 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 장치는:데이터베이스 시스템 내에서 실행되고 온라인 업무 처리를 실행하는 메인 프로세스에 의해 변경된 페이지를 추적하도록 구성된 추적 유닛; 및상기 데이터베이스 시스템 내에서 실행되고 온라인 분석 처리를 실행하는 자식 프로세스에, 상기 변경된 페이지를 동기화하도록 구성된 동기화 유닛을 포함한다.제2 태양에 따른 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 장치의 가능한 제1 구현 형태에서는, 상기 추적 유닛이 구체적으로, 록 시 복사 페이지 및/또는 새로운 페이지를 추적하도록 구성된다.제2 태양에 따른 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 장치의 가능한 제2 구현 형태에서는, 상기 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 장치가: 추적될 메모리의 주소 범위를 저장하도록 구성된 제1 저장 유닛; 상기 변경된 페이지의 물리적 페이지 주소를 저장하도록 구성된 제2 저장 유닛을 더 포함하고; 여기서 상기 추적 유닛이 구체적으로, 페이지에 데이터를 기록하는 것이 페이지 결함을 야기하고 상기 페이지의 물리적 페이지 주소가 상기 주소 범위 내에 있다면, 상기 물리적 페이지 주소를 제2 저장 유닛 내에 저장하도록 구성된다.제2 태양의 가능한 제2 구현 형태에 따른 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 장치의 가능한 제3 구현 형태에서는, 상기 동기화 유닛이 구체적으로:상기 제2 저장 유닛으로부터 상기 물리적 페이지 주소를 획득하고;상기 물리적 페이지 주소를 가리키는 가상 페이지 주소를 상기 자식 프로세스 내에서 찾으며;상기 가상 페이지 주소가 존재하면, 상기 가상 페이지 주소의 페이지 테이블 엔트리를 상기 제2 저장 유닛으로부터 획득된 물리적 페이지 주소로 업데이트하고; 그렇지 않으면, 상기 제2 저장 유닛으로부터 획득된 물리적 페이지 주소에 상기 자식 프로세스 내의 새로운 가상 페이지 주소를 맵핑하는 새로운 페이지 테이블 엔트리를 생성하며;공유 페이지 카운트를 증가시키고, 상기 획득된 물리적 페이지 주소에 대응하는 페이지 플래그를 기록 가능하게 되도록 설정하도록 구성된다.제2 태양에 따른 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 장치의 가능한 제4 구현 형태에서는, 상기 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 장치가, 상기 데이터베이스 시스템에 의해 요구되는 메모리가 할당될 때, 상기 온라인 분석 처리를 위해 상기 자식 프로세스를 포크하도록 구성되는 포크 유닛을 더 포함한다.제2 태양에 따른 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 장치의 가능한 제5 구현 형태에서는, 상기 동기화 유닛이 구체적으로, 미리 결정되어 있는 동기화 시간 포인트에서 상기 자식 프로세스에 상기 변경된 페이지를 동기화하도록 구성된다.제2 태양의 가능한 제4 구현 형태에 따른 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 장치의 가능한 제6 구현 형태에서는, 상기 포크 유닛이 구체적으로, 중개 프로세스와 자식 프로세스를 포크하도록 구성되고, 여기서 상기 중개 프로세스는 상기 메인 프로세스에 대한 자식이며, 상기 자식 프로세스는 상기 중개 프로세스에 대한 자식 프로세스이며; 상기 동기화 유닛이 구체적으로, 상기 중개 프로세스에 상기 변경된 페이지를 동기화하고; 상기 중개 프로세스와 상기 자식 프로세스를 동기화하도록 구성된다.제2 태양에 따른 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 장치의 가능한 제7 구현 형태에서는, 복수의 자식 프로세스가 존재하고, 상기 동기화 유닛이 구체적으로, 상기 복수의 자식 프로세스의 적어도 하나의 자식 프로세스에 상기 변경된 페이지를 동기화하고; 상기 복수의 자식 프로세스의 다른 자식 프로세스를, 상기 변경된 페이지가 동기화된 적어도 하나의 자식 프로세스와 동기화하도록 구성된다.제3 태양에 따르면, 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 장치는:데이터베이스를 저장하기 위한 메모리; 프로세서; 및상기 프로세서와 연결되고, 실행될 때, 상기 프로세서가 상술한 방법을 수행하도록 하는 명령을 저장하는 저장장치를 포함한다.데이터베이스 시스템에서 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 방법 및 장치에서는, 데이터베이스 시스템 내에서 실행되고 온라인 업무를 실행하는 메인 프로세스에 의해 변경된 페이지가 추적되고, 변경된 페이지가, 데이터베이스 시스템에서 실행되고 온라인 분석 처리를 실행하는 자식 프로세스에 동기화된다. 업무적인 데이터의 일관된 스냅샷을 유지하기 위해 주기적으로 자식 프로세스를 포크하는 해결수단과 비교할 때, 변경된 페이지가 추적되고 자식 프로세스에 동기화되어서, 주기적인 포크가 회피되고, 종래기술에서 주기적 포크에 의해 발생하는 포크 오버헤드가 제거되며, 변경된 페이지만이 동기화되므로 동기화가 빨라지고, 온라인 데이터 처리의 성능이 향상된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따르는 데이터베이스 시스템 토폴로지의 개략도이다.도 2는 본 발명의 일 실시예에 따르는, 데이터베이스 시스템에서 온라인 분석 처리를 위해 데이터를 유지하는 방법의 흐름도이다.도 3은 본 발명의 일 실시예에 따르는, 데이터베이스 시스템에서 온라인 분석 처리를 위해 데이터를 유지하는 방법의 흐름도이다.도 4는 본 발명의 일 실시예에 따르는 동기화 시간 포인트를 보여주는 개략도이다.도 5는 본 발명의 일 실시에에 따르는, 데이터베이스 시스템에서 온라인 분석 처리를 위해 데이터를 유지하는 방법에서의 변경된 페이지를 추적하는 프로세스의 흐름도이다.도 6은 본 발명의 일 실시예에 따르는, 데이터베이스 시스템에서 온라인 분석 처리를 위한 데이터를 유지하는 방법에서 자식 프로세스에 변경된 페이지를 동기화하는 프로세스의 흐름도이다.도 7은 본 발명의 일 실시예에 따르는, 데이터베이스 시스템 토폴로지의 개략도이다.도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따르는, 데이터베이스 시스템의 개략도이다.도 9는 본 발명의 일 실시예에 따르는, 데이터베이스 시스템에서의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 장치의 도식적인 블록도이다.도 10은 본 발명의 일 실시예에 따르는, 데이터베이스 시스템에서의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 장치의 도식적인 블록도이다.도 11은 본 발명의 일 실시예에 따르는, 데이터베이스 시스템에서의 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 장치의 도식적인 블록도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명의 실시예들에서의 기술적 해결수단들은 첨부한 도면들을 참고하여 이하에서 상세히 설명된다. 분명한 것은, 이하에서 설명되는 실시예들은 단지 예시적인 목적을 위한 것이며, 본 발명의 모든 실시예를 아우르는 것은 아니라는 것이다. 통상의 기술자라면 창작적 노력을 가하지 않고도 본 명세서에서 제공되는 실시예들로부터 다른 실시예들을 도출할 수 있고, 모든 이러한 실시예들은 본 발명의 보호범위로 커버된다.본 발명은 OLTP 작업부하(workload)와 OLAP 작업부하를 관리하기 위해 복수의 프로세스를 사용하며, 실시간 OLAP 데이터베이스를 실현하기 위해 협동 프로세스 동기화(co-operative process synchronization)를 사용한다.도 1에 도시된 것처럼, 데이터베이스 시스템(100)에서는, OLTP를 책임지는 메인 프로세스(110)로서의 하나의 멀티-스레드 프로세스(multi-threaded process)가 존재한다. 메인 프로세스(110)는 오직 데이터베이스 시스템(100) 내에서 기록이 가능한 프로세스이다. 또한 데이터베이스 시스템(100)은 메인 프로세스(110)에 대한 자식 프로세스이고 OLAP 질의를 위해 사용되는 적어도 하나의 읽기만 가능한 멀티-스레드 프로세스(read-only multi-threaded process)(120)를 포함한다. 본 발명은 메인 프로세스(110) 상의 델타 변화(delta change)를 추적하는 것과 주기적인 포크없이 자식 프로세스에 대한 이러한 변경을 동기화하는 것에 의존한다.도 2는 본 발명의 일 실시예에 따르는, 데이터베이스 시스템에서 온라인 분석 처리를 위한 데이터를 유지하는 방법의 흐름도이다. 본 실시예는 운영 시스템(operating system, OS)에 의지한, 메인 프로세스와 적어도 하나의 자식 프로세스 사이의 협동을 통해 작동한다. 이 협동은 메모리 데이터 공유 및 실행 제어에 관한 것이다. 본 방법은 이하의 단계들을 포함한다:단계 201, OS 커널이, 데이터베이스 시스템 내에서 실행되고 온라인 업무 처리를 실행하는 메인 프로세스에 의해 변경된 페이지를 추적함; 및단계 202, OS 커널이, 데이터베이스 시스템 내에서 실행되고 온라인 분석 처리를 실행하는 자식 프로세스에 그 변경된 페이지를 동기화함.데이터베이스 시스템 내에서 온라인 분석 처리를 위해 데이터를 유지하는 방법의 본 실시예에서는, 변경된 페이지가 추적되고, 온라인 분석 처리를 위한 자식 프로세스가 변경된 페이지와 동기화된다. 업무적인 데이터의 일관된 스냅샷을 유지하기 위해 주기적으로 자식 프로세스를 포크하는 해결수단과 비교할 때, 본 실시예는 변경된 페이지를 현재의 자식 프로세스와 동기화하기 때문에, 주기적인 포크가 회피되고, 주기적 포크에 의해 발생하는 포크 오버헤드가 제거되며, 변경된 페이지만이 동기화된다는 점에서 동기화가 빨라지고, 온라인 데이터 처리의 성능이 향상된다.도 3은 본 발명의 일 실시예에 따르는, 데이터베이스 시스템에서 온라인 분석 처리를 위해 데이터를 유지하는 방법의 흐름도를 보여준다. 본 방법은 이하의 단계들을 포함한다:단계 301, 온라인 분석 처리를 위해 읽기만 가능한 자식 프로세스(read-only child process)를 포크함.테이블 공간, 제어 메모리 등과 같은, 데이터베이스 시스템에 의해 요되는 메모리가 사전에 할당될 때, 온라인 분석 처리를 위한 자식 프로세스가 한 번에 포크된다. 일 실시예에서는, 메인 프로세스가, 리눅스 시스템 콜 포크()(Linux system call fork())를 통해 자식 프로세스를 포크하도록 OS에 통지한다.단계 302, 변경된 페이지를 추적함.메인 프로세스는 추적될 그리고 동기화될 메모리의 주소 범위를 알고 있으며, 변경을 위해 추적될 메모리의 주소 범위에 관하여 OS에 통지한다. OS는 프로세스 주소 공간 내에 추적될 주소 범위를 저장할 수 있다. 이러한 델타 변화의 추적은 OS 커널에 의해 완료된다.OS는 페이지 테이블 내에, 물리적 주소에 대한 가상 주소의 맵핑을 저장한다. 각각의 맵핑은 페이지 테이블 엔트리(PTE)로서도 알려져있다. 각각의 PTE는 가상 주소 및 그 대응하는 물리적 주소를 포함한다.일 실시예에서는, 모든 기록 시 복사(copy-on-write, CoW) 페이지와 새로운 페이지가 추적되고, 자식 프로세스 PTE가 변경된 페이지의 가장 최근의 물리적 주소와 바로 동기화된다.이 추적은 메모리와 관련된 데이터베이스 데이터에 대해 이루어져야 한다. 메인 메모리 데이터베이스에 있어서, 데이터베이스 정보를 포함하는 모든 글로벌 데이터 구조, 모든 데이터 페이지와 업무적인 페이지, 제어 페이지와 같은 모든 데이터베이스 메타데이터 정보가, 추적될 메모리 내에 포함된다.추적될 메모리는 힙 상에 또는 사설 공유 메모리 상에 할당될 수 있다. 본 발명은 이들 2가지 경우를 구분하지 않는다.단계 303, 변경된 페이지를 자식 프로세스에 동기화함.본 단계에서는, 자식 프로세스가 OS에 통지하여 변경된 페이지를 동기화한다.일 실시예에서는, 동기화 시간 포인트가 메인 프로세스 내에서 미리 결정될 수 있고, 자식 프로세스가 메인 프로세스에 의해 통지되어, 모든 동기화 시간 포인트에서 동기화를 수행한다. 동기화를 수행하기 위해 신호를 수신하면, 자식 프로세스는 OS에 통지하고, OS 커널은 변경된 페이지를 자식 프로세스와 동기화한다.예를 들어, 도 4에 도시된 것처럼, 처음에는, 자식 프로세스 1, 자식 프로세스 2 및 자식 프로세스 3이 포크되고; 이후 동기화 시간 포인트(1-5)의 각각의 동기화 시간 포인트에서, 메인 프로세스는 자식 프로세스 1, 2, 및 3에게 동기화하도록 통지한다. 동기화 시간 포인트(1-5)는 메인 프로세스 내에서 사전에 결정될 수 있다. 메인 프로세스는 또한 실제 OLTP 상황에 기초하여 동기화를 수행하도록 자식 프로세스에 통지할 시기를 결정할 수도 있다. 예를 들어, 동기화 시간 포인트에 도달했지만 마지막 동기화 시간 포인트라서 어떠한 페이지도 수정되지 않으면, 메인 프로세스는 자식 프로세스에 동기화하도록 통지하지 않을 것이다. 다음의 동기화 시간 포인트에 도달하지 않았으나 변경된 페이지의 수가 특정 값을 초과하였다면, 메인 프로세스는 다음의 동기화 시간 포인트 이전에 동기화하도록 자식 프로세스에 통지할 수 있다.데이터베이스 시스템에서 온라인 분석 처리를 위한 데이터의 유지 방법의 본 실시예에서는, 온라인 분석 처리를 위한 자식 프로세스가 포크되고, 변경된 페이지가 추적되며, 자식 프로세스가 그 변경된 페이지와 동기화된다. 업무적인 데이터의 일관된 스냅샷을 유지하기 위해 주기적으로 자식 프로세스를 포크하는 해결수단과 비교할 때, 본 실시에는 변경된 페이지를 자식 프로세스에 동기화하기 때문에, 주기적인 포크가 회피되고, 주기적 포크에 의해 발생하는 포크 오버헤드가 제거되며, 변경된 페이지만이 동기화되므로 동기화가 빨라지고, 온라인 데이터 처리의 성능이 향상된다.또한, 종래기술의 주기적인 포크의 해결책과 비교할 때, 본 발명의 실시예들에서는, 많은 수의 다른 데이터 복사와 처리 설정이 또한 감소한다. 관련된 페이지가 변경되지 않으면, 자식 프로세스는 온전한 상태로 남아있는 캐시 엔트리와 변환 색인 버퍼(translation lookaside buffer, TLB) 엔트리를 로드한다. 따라서 데이터가 최신의 상태로 남아있고 캐시 미스(cache miss)가 감소하며, 따라서 자식 프로세스 성능이 또한 개선된다.종래기술에서의 주기적인 포크 해결수단에서는, 시간의 일부 포인트에서, 시스템 내에 많은 수의 자식 프로세스가 존재할 수 있기 때문에, 메모리와 CPU를 소비하였다. 그러나, 본 발명의 본 실시예에서는, 자식 프로세스의 수가 고정되고 제어된다. 따라서 너무 지나친 시스템 자원 소비라는 문제가 발생하지 않는다.게다가, 많은 수의 메인 메모리 데이터베이스가 내장된 모드에서 사용되는데, 예를 들면 애플리케이션으로부터의 질의 실행이 데이터베이스 상의 애플리케이션 프로그램 인터페이스(application program interface, API) 콜을 통해 이루어진다. 내장된 모드에서는, 종래기술에서의 주기적인 포크 해결책이 애플리케이션 링크의 손실을 가져올 것이다. 이와 반대로 본 발명의 실시예들에서는, 주기적으로 오래된 자식 프로세스를 죽이고 새로운 자식 프로세스를 포크하는 대신에 자식 프로세스가 초기에 생성되어 소멸하지 않고 유지되기 때문에 자식 프로세스 내장된 모드 내의 애플리케이션 링크가 유지되고, 이에 따라 내장된 모드에서의 애플리케이션 링크의 손실이 회피된다.도 5는 본 발명의 일 실시예에 따르는, 데이터베이스 시스템에서 온라인 분석 처리를 위해 데이터를 유지하는 방법에서 변경된 페이지를 추적하는 프로세스의 흐름도를 보여준다. 도 5에 도시된 것처럼, 변경된 페이지를 추적하는 프로세스는 다음을 포함한다:단계 501, 페이지에 데이터를 기록하는 것이 페이지 결함 상의 기록 시 복사(CoW)를 야기하고, 페이지가 변경된 페이지인 것으로 결정함.단계 502, 추적된 주소 변경 내에 이 페이지의 물리적 페이지 주소가 있는지를 확인하고, 있다면, 단계 503을 수행함. 추적될 주소 범위는 프로세스 주소 공간 내에 저장될 수 있다.단계 503, 물리적 페이지 주소를 저장함. 동일한 방식으로, 모든 CoW 페이지 주소가 저장된다. 물리적 페이지 주소는, 예를 들어 메인 프로세스 데이터 구조와 같은 일부의 데이터 구조에 저장될 수 있다.변경된 페이지의 물리적 페이지 주소만이 저장되기 때문에, 자식 프로세스는 오직 변경된 페이지와만 동기화된다. 따라서 PET 복사가 변경이 가능한 스몰 델타(small delta)에 대해 최적화되고, 동기화가 더 빨라진다.동기화를 위해 메인 프로세스로부터 신호를 수신하면, 자식 프로세스는 OS에 동기화하도록 통지한다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따르는, 데이터베이스 시스템에서 온라인 분석 처리를 위해 데이터를 유지하는 방법에서의, 자식 프로세스에 변경된 페이지를 동기화하는 프로세스의 흐름도를 보여준다.단계 601, 저장된 물리적 페이지 주소를 획득함.OS는 변경된 페이지의 물리적 페이지 주소의 목록을 획득한다. 일 실시예에서는, 변경된 페이지의 물리적 페이지 주소가 메인 프로세스 구조 내에 저장될 때, OS는 메인 프로세스 구조를 획득하고 변경된 페이지의 물리적 페이지 주소의 목록을 획득한다.단계 602, 동기화될 물리적 페이지 주소가 있으면, 단계 603을 수행하고, 없다면 프로세스를 종료한다.단계 603, 물리적 페이지 주소를 획득하고, 물리적 페이지 주소를 가리키는 자식 프로세스 내의 가상 페이지 주소를 찾음.저장된 물리적 페이지 주소를 가리키는 자식 프로세스 내의 가상 페이지 주소가 OS 특정 방법을 사용함으로써, 예컨대 함수 find_vma를 호출하는 방식을 통해 발견될 수 있다.단계 604, 가상 페이지 주소가 존재하면, 단계 605를 수행하고, 존재하지 않는다면 단계 606을 수행함.단계 605, 가상 페이지 주소의 PTE를 물리적 페이지 주소로 업데이트하고, 단계 607을 수행함.OS가 물리적 주소에 대한 자신의 가상 주소의 맵핑을 페이지 테이블 내에 저장한다. 각각의 맵핑은 또한 페이지 테이블 엔트리(PTE)로도 알려져있다. 각각의 PTE는 가상 주소와 그 대응하는 물리적 주소를 포함한다.단계 606, 물리적 페이지 주소에 새로운 가상 페이지 주소를 맵핑하는 새로운 PTE를 생성함.단계 607, 공유 페이지 카운트를 증가시키고, 물리적 페이지 주소에 대응하는 페이지 플래그를 기록 가능하게 되도록 설정하며, 이후 단계 602로 복귀한다. 이 페이지는 메인 프로세스와 자식 프로세스 상의 MAYWRITE로 설정되어, CoW를 트리거한다. 공유 페이지 카운트는 이 페이지를 공유하는 프로세스의 수를 추적하기 위해 OS에 의해 유지되는 카운터이다. 공유 페이지 카운트가 1보다 크면, 이 페이지 내의 데이터 변경은 CoW를 트리거할 것이다.본 실시예에서는, 관련된 PTE만이, 즉 델타 변화만이 동기화된다. 1%의 데이터 변경을 통한 동기화의 샘플 케이스를 취하면, 99%의 PTE 복사가 감소한다. 따라서 주기적인 포크보다 동기화가 더욱 빨라진다.동기화는 다음의 2개의 상이한 모드에서 구현될 수 있다.동기 모드(Synchronous Mode)동기화 시간 포인트에 도달할 때, 모든 자식 프로세스가 동기화될 때까지 메인 프로세스 상의 동작들은 차단된다. 메인 프로세스는 모든 자식 프로세스에 신호를 송신하고 그들이 동기화를 완료할 때까지 기다린다. 동기화가 시작되면, 메인 프로세스 내의 변경된 페이지는 모든 자식 프로세스에서 MAYWRITE로 설정되는데, 즉 공유될 그리고 변경된 페이지를 기록 가능하게 되도록 설정한다. 공유 페이지 카운트는 또한 각각의 자식 프로세스에 의해 구현되어 CoW를 트리거한다.비동기 모드(Asynchronous Mode)동기화 시간 포인트에 도달할 때, 메인 프로세스는 먼저 모든 변경된 페이지를 MAYWRITE로 설정하여 CoW를 트리거하고, 자식 프로세스에, 동기화가 완료될 때까지 대기하는 대신 동기화를 수행하고 이하의 동작들을 계속하도록 통지한다. 이 모드에서는, 어떠한 새로운 변경도 추적될 것이고 새로운 데이터 구조 내에 저장될 것이다. 오래된 데이터 구조는, 모든 자식 프로세스가 동기화를 완료한 이후에 버려질 것이다. 변경된 페이지의 물리적 페이지 주소를 저장하기 위한 데이터 구조는 모든 동기화 시간 포인트 상에서 스위칭(switching)될 수 있다. 예를 들면, 변경된 페이지의 물리적 페이지 주소를 저장하기 위한 2개의 데이터 구조, 제1 데이터 구조와 제2 구조가 존재한다. 처음에는, 물리적 페이지 주소가 제1 데이터 구조 내에 저장된다. 동기화 시간 포인트에 도달할 때, 메인 프로세스는 제1 데이터 구조 내에 저장되어 있는 물리적 페이지 주소에 따라 동기화를 수행하도록 자식 프로세스에 통지하고, 제2 데이터 구조 내에 새로이 변경된 페이지의 페이지 주소가 저장된다. 이후, 다음의 동기화 시간 포인트에 도달하면, 2개의 데이터 구조가 스위칭되는데, 즉, 제2 데이터 구조에 따라 자식 프로세스를 동기화하고, 새로이 변경된 페이지의 물리적 페이지 주소가 제1 데이터 구조 내에 저장된다.도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따르는 데이터베이스 시스템 토폴로지의 개략도이다. 도 1에 도시된 토폴로지와 비교하면, 이 데이터베이스 시스템(700)은 OLTP를 위한 메인 프로세스(710)와 OLAP를 위한 자식 프로세스(720) 사이의 중개 프로세스(730)를 가진다. 중개 프로세스(730)는 필요한 수의 자식 프로세스(720)를 포크하고 자식 프로세스(720)를 동기화하는 역할을 한다. 메인 프로세스(710)는 변경된 페이지와 오직 중개 프로세스(730)만을 직접 동기화하고, 다른 자식 동기화(children synchronization)는 이 중개 프로세스(730)에 위임한다. 이후 다른 자식 프로세스(720)는 중개 프로세스(730)와 동기화된다. 이 실시예는 메인 프로세스의 부하를 감소시킨다. 이는, 많은 수의 자식 프로세스가 있거나 또는 자식 프로세스의 동기화가 느린 경우에 유용하다.도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 데이터베이스 시스템 토폴로지의 개략도이다. 이 데이터베이스 시스템(800)에서는, 자식 프로세스 820-1, 820-2, 및 820-3 사이의 피어-피어 동기화가 있을 수 있다. 메인 프로세스(810)는 어떤 자식 프로세스가 자유롭거나 최소의 작업부하를 가지는지에 따라 자식 프로세스 중 임의의 하나를 동기화할 것이다. 다른 자식 프로세스는 피어 동기화된 자식 프로세스를 사용하여 동기화되는데, 예를 들어 메인 프로세스로부터 직접 동기화된 자식 프로세스와 동기화된다. 예를 들면, 동기화 시간 포인트에 도달하면, 메인 프로세스(810)는, 자식 프로세스 820-1가 자식 프로세스 820-1, 820-2, 및 820-3 중에서 자유이거나 또는 최소의 작업부하를 가지는 것임을 판정하고, 메인 프로세스(810)는 메인 프로세스(810)와 동기화하도록 자식 프로세스 820-1에 통지하고, 자식 프로세스 820-1과 동기화하도록 자식 프로세스 820-2 및 820-3에 통지한다. 이 실시예는 메인 프로세스와 자식 프로세스 사이의 동기화를 구성한다.도 9는 본 발명의 일 실시예에 따르는, 데이터베이스 시스템 내의 온라인 분석 처리를 위해 데이터를 유지하는 장치의 도식적인 블록도이다. 이 장치는 추적 유닛(910)과 동기화 유닛(920)을 포함한다. 추적 유닛은 데이터베이스 시스템 내에서 실행되고 온라인 업무 처리를 실행하는 메인 프로세스에 의해 변경되는 페이지를 추적하도록 구성된다. 동기화 유닛(920)은 데이터베이스 시스템 내에서 실행되고 온라인 분석 처리를 실행하는 자식 프로세스와 그 변경된 페이지를 동기화하도록 구성된다.데이터베이스 시스템 내에서 온라인 분석 처리를 위한 장치의 실시예에서는, 변경된 페이지가 추적되고, 온라인 분석 처리를 위한 자식 프로세스가 변경된 페이지와 동기화된다. 업무적인 데이터의 일관된 스냅샷을 유지하기 위해 주기적으로 자식 프로세스를 포크하는 해결수단과 비교할 때, 본 실시예는 변경된 페이지를 현재의 자식 프로세스와 동기화하기 때문에, 주기적인 포크가 회피되고, 주기적 포크에 의해 발생하는 포크 오버헤드가 제거되며, 변경된 페이지만이 동기화된다는 점에서 동기화가 빨라지고, 온라인 데이터 처리의 성능이 향상된다.도 10은 본 발명의 일 실시예에 따르는, 데이터베이스 시스템에서 온라인 분석 처리를 위해 데이터를 유지하는 장치의 도식적인 블록도를 보여준다. 도 9에 도시된 온라인 분석 처리 장치와 비교할 때, 도 18의 장치는 포크 유닛(1030), 제1 저장 유닛(1040), 및 제2 저장 유닛(1050)을 더 포함한다. 포크 유닛(1030)은 온라인 분석 처리를 위한 자식 프로세스를 포크하도록 구성된다. 데이터베이스 시스템에 의해 요구되는 메모리가 할당되면, 포크 유닛(1030)은 자식 프로세스를 한 번에 포크한다. 제1 저장 유닛(1040)은 추적될 메모리의 주소 범위를 저장하도록 구성된다. 제2 저장 유닛(1050)은 변경된 페이지의 물리적 페이지 주소를 저장하도록 구성된다.추적 유닛(1010)은 기록 시 복사 페이지 및/또는 새로운 페이지를 추적한다. 페이지에 데이터를 기록하는 것이 페이지 결함을 야기하면, 추적 유닛(1010)은 그 페이지의 물리적 페이지 주소가 제1 저장 유닛(1040) 내에 저장되어 있는 주소 범위 내에 있는지를 확인한다. 물리적 페이지 주소가 주소 범위 내에 있으면, 추적 유닛(1010)은 제2 저장 유닛(1050) 내에 변경된 페이지의 물리적 페이지 주소를 저장한다. 변경된 페이지의 물리적 페이지 주소만이 저장되기 때문에, 자식 프로세스는 오직 변경된 페이지와만 동기화된다. 따라서 PET 복사가, 변경할 수 있는 스몰 델타에 대해 최적화되고, 동기화가 더 빨라진다.동기화 유닛(1020)은 제2 저장 유닛(1050)으로부터 물리적 페이지 주소를 획득하고, 획득된 물리적 페이지 주소를 가리키는 가상 페이지 주소를 자식 프로세스 안에서 찾는다. 가상 페이지 주소가 존재하면, 동기화 유닛(1020)은 가상 페이지 주소의 PTE를 제2 저장 유닛(1050)으로부터 획득된 물리적 페이지 주소로 업데이트한다. 가상 페이지 주소가 존재하지 않으면, 동기화 유닛(1020)은 자식 프로세스 내의 새로운 가상 페이지 주소를 물리적 페이지 주소에 맵핑하는 새로운 PTE를 생성한다. 동기화 유닛(1020)은 공유 페이지 카운트를 증가시키고, 획득된 페이지 주소에 대응하는 페이지 플래그를 기록 가능하게 되도록, 즉 MAYWRITE로 설정한다.일 실시예에서는, 동기화를 위한 시간 포인트, 즉 동기화 시간 포인트가 사전에 결정되고, 동기화 유닛(1020)이 사전에 결정되어 있는 동기화 시간 포인트 상에서 자식 프로세스에 대해 변경된 페이지를 동기화한다.일 실시예에서는, 포크 유닛(1030)은 구체적으로, 온라인 분석 처리를 위한 자식 프로세스와 중개 프로세스를 포크하도록 구성되는데, 온라인 분석 처리를 위한 자식 프로세스는 중개 자식 프로세스의 자식이다. 동기화 유닛(1020)은 구체적으로, 중개 프로세스에 대해 변경된 페이지를 먼저 동기화하고, 이후 온라인 분석 처리를 위한 자식 프로세스를 중개 프로세스에 동기화하도록 구성된다.일 실시예에서는, 자식 프로세스들 사이의 피어-피어 동기화가 있을 수 있다. 동기화 유닛(1020)은 구체적으로, 자식 프로세스 중 하나에 변경된 페이지를 동기화하고, 이후 다른 자식 프로세스와 메인 프로세스로부터 직접 동기화된 자식 프로세스를 동기화하도록 구성된다. 변경된 페이지와 직접 동기화된 자식 프로세스는 어떤 자식 프로세스가 자유 또는 최소의 작업부하를 가지는지에 따라 결정될 수 있다.데이터베이스 시스템 내에서 온라인 분석 처리를 위한 데이터를 유지하는 장치의 본 실시예에서는, 온라인 분석 처리를 위한 자식 프로세스가 포크되고, 변경된 페이지가 추적되며 포크된 자식 프로세스가 변경된 페이지와 동기화된다. 업무적인 데이터의 일관된 스냅샷을 유지하기 위해 주기적으로 자식 프로세스를 포크하는 해결수단과 비교할 때, 본 실시예는 변경된 페이지를 현재의 자식 프로세스와 동기화하기 때문에, 주기적인 포크가 회피되고, 주기적 포크에 의해 발생하는 포크 오버헤드가 제거되며, 변경된 페이지만이 동기화된다는 점에서 동기화가 빨라지고, 온라인 데이터 처리의 성능이 향상된다.또한, 종래기술의 주기적인 포크의 해결책과 비교할 때, 본 발명의 실시예들에서는, 많은 수의 다른 데이터 복사와 처리 설정이 또한 감소한다. 관련된 페이지가 변경되지 않으면, 자식 프로세스는 온전한 상태로 남아있는 캐시 엔트리와 TLB 엔트리를 로드한다. 따라서 데이터가 최신의 상태로 남아있고 캐시 미스가 감소하며, 따라서 자식 프로세스 성능이 또한 개선된다.종래기술에서의 주기적인 포크 해결수단에서는, 시간의 일부 포인트에서, 시스템 내에 많은 수의 자식 프로세스가 존재할 수 있기 때문에, 메모리와 CPU를 소비하였다. 그러나, 본 발명의 본 실시예에서는, 자식 프로세스의 수가 고정되고 제어된다. 따라서 너무 지나친 시스템 자원 소비라는 문제가 발생하지 않는다.게다가, 많은 수의 메인 메모리 데이터베이스가 내장된 모드에서 사용되는데, 예를 들면 애플리케이션으로부터의 질의 실행이 데이터베이스 상의 API 콜을 통해 이루어진다. 내장된 모드에서는, 종래기술에서의 주기적인 포크 해결책이 애플리케이션 링크의 손실을 가져올 것이다. 이와 반대로 본 발명의 실시예들에서는, 주기적으로 오래된 자식 프로세스를 죽이고 새로운 자식 프로세스를 포크하는 대신에 자식 프로세스가 초기에 생성되어 소멸하지 않고 유지되기 때문에 자식 프로세스 내장된 모드 내의 애플리케이션 링크가 유지되고, 이에 따라 내장된 모드에서의 애플리케이션 링크의 손실이 회피된다.도 11은 본 발명의 일 실시예에 따르는, 온라인 분석 처리를 위해 데이터를 유지하는 장치의 도식적인 블록도를 보여준다. 데이터베이스 시스템에서 온라인 분석 처리를 위해 데이터를 유지하는 장치는 데이터베이스를 저장하기 위한 메모리(1110); 프로세서(1120); 및 프로세서(1120)와 연결되고, 프로세서(1120)에 의해 실행될 때 프로세서(1120)로 하여금 본 발명의 실시예들에 따르는 데이터베이스 시스템에서 온라인 분석 처리를 위해 데이터를 유지하는 방법을 수행하도록 하는 명령을 저장하는 저장장치(1130)를 포함한다.메모리(1110)는 고속 RAM을 포함할 수 있으며, 또한 비휘발성 메모리를 포함할 수도 있다.프로세서(1120)는 중앙 처리 유닛(CPU) 또는 애플리케이션 특정 집적 회로(ASIC) 또는 본 발명의 실시예들을 구현하도록 구성된 하나 이상의 집적 회로 일 수 있다.다르게는, 특정 구현에서는, 메모리(1110), 프로세서(1120), 및 저장장치(1130)가 개별적으로 구현되면, 메모리(1110), 프로세서(1120), 및 저장장치(1130)는 버스를 통해 통신할 수 있다. 버스는 산업 표준 아키텍처(ISA) 버스, 주변 요소 상호접속(PCI) 버스 EH는 확장된 산업 표준 아키텍처(EISA) 버스 등일 수 있다. 버스는 주소 버스, 데이터 버스, 및 제어 버스 등으로 나뉠 수 있다. 일반적인 표현으로는, 버스는 단일의 얇은 선에 의해 나타낼 수 있지만, 오직 하나의 버스만이 있다거나 한 종류의 버스만이 있다는 것을 의미하지는 않는다.다르게는, 특정 구현에서는, 메모리(1110), 프로세서(1120) 및 저장 장치(1130)가 단일 칩 내에 집적되고, 메모리(1110), 프로세서(1120) 및 저장장치(1130)는 내부 인터페이스를 통해 통신할 수 있다.통상의 기술자라면, 상술한 실시예들의 방법에서의 단계들의 일부 또는 전부가 프로그램 명령 하의 관련 하드웨어에 의해 완료될 수 있고, 이 프로그램은 컴퓨터가 판독 가능한 저장 매체 내에 저장될 수 있으며, 프로그램이 실행될 때, 상술한 방법 실시예들의 단계들이 수행된다는 것을 인식하여야 한다. 저장 매체는, 읽기 전용 메모리(ROM)/랜덤 액세스 메모리(RAM), 플로피 디스크, 또는 광디스크와 같은 것일 수 있다.상술한 실시예들은 단지 본 발명의 기술적 해결수단들을 설명하기 위해 제공된 것이며, 본 발명을 한정하는 것으로 의도된 것이 아님을 알아야 한다. 통상의 기술자라면, 본 발명이 전술한 실시예들을 참고하여 상세히 설명되었으나, 수정이나 동등물 대체가, 대응하는 기술적 해결수단의 본질을 본 발명의 범위로부터 벗어나도록 하지 않는 한, 전술한 실시예들에서 설명된 기술적 해결수단들에 대해 수정이 가능하거나 또는 기술적 해결수단의 일부 기술적 특징들에 대해 동등물 대체가 가능하다는 것을 이해하여야 한다.
본 발명의 실시예는 데이터베이스 시스템에서 온라인 분석 처리를 위한 데이터를 유지하는 방법 및 장치를 개시한다. 본 방법은: 메인 프로세스에서 변경된 페이지를 추적하는 단계; 및 온라인 분석 처리를 위한 자식 프로세스에 변경된 페이지를 동기화하는 단계를 포함한다. 온라인 분석 처리를 위한 데이터를 유지하는 방법 및 장치에서는, 변경된 페이지가 추적되고 자식 프로세스가 변경된 페이지와 동기화된다. 따라서 주기적인 포크가 회피되고, 종래기술에서 주기적 포크에 의해 발생하는 포크 오버헤드가 제거되며, 변경된 페이지만이 동기화되므로 동기화가 빨라지고, 온라인 데이터 처리의 성능이 향상된다.
[ 발명의 명칭 ] 터치 컨트롤 디스플레이장치 및 그 제조 방법TOUCH CONTROL DISPLAY DEVICE AND PREPARATION METHOD THEREFOR [ 기술분야 ] 본 발명은 디스플레이 기술분야에 관한 것이며, 구체적으로 내장형 터치 컨트롤 구조를 구비하는 유기발광 디스플레이장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 터치스크린(영문 전칭: Touch Panel)은 터치 컨트롤 스크린, 터치패널이라고도 칭하며, 커넥터 등의 신호 입력을 수신 가능한 유도식 디스플레이장치로서, 각종 전자제품에 광범위하게 응용된다. 터치스크린은 그 작동 원리 및 신호 전송 매체에 따라 저항 방식, 정전용량 방식, 적외선 방식 및 표면 음파 방식 4가지 종류로 분류될 수 있다.정전용량 방식 터치 스크린(영문 전칭: Capacitive Touch Panel, CTP로 약칭)은 인체의 유도 전류를 이용하여 스크린을 제어한다. 터치 구역의 정전용량 변화를 감지하여 손가락의 위치를 계산하는데, 정확도가 99%에 달할 수 있고, 응답시간이 3ms 보다 작다. CTP는 감도가 높고 다중 터치 기술 실현이 용이한 등 장점을 구비하며, 점차적으로 스마트폰, 태블릿PC 등 전자제품에 응용되는 주된 터치 스크린으로 부각되고 있다.종래 기술에 있어서 CTP는 터치 적층구조 및 디스플레이 패널의 상대위치에 따라 out cell(터치 컨트롤 장치가 디스플레이 패널의 외부에 설치됨), on cell(터치 컨트롤 장치가 디스플레이 패널 상에 설치됨) 및 in cell(터치 컨트롤 장치가 디스플레이 패널 내에 통합됨)등 기술구조로 분류될 수 있다. out cell과 on cell은 기술이 성숙되고 중소 사이즈의 디스플레이 패널에 광범위하게 적용되고 있으며, out cell기술 중의 OFS(영문 전칭: One Film Solution, 원 필름 솔루션)는 유기전계발광 디스플레이장치에 적용 가능하여 플렉서블 타입 터치 디스플레이가 가능하게 되었다. in cell은 디스플레이 패널이 더욱 얇고 가벼우며, 투과율이 더욱 높고 공률을 더욱 작게 할 수 있을 뿐만 아니라, 유연성을 실현할 수 있어, 터치 디스플레이로 불리며, 특히 유기전계발광 디스플레이 터치 컨트롤의 최종 솔루션은 점차적으로 유기전계발광 디스플레이장치 중의 터치 컨트롤 기술의 발전 주류가 될 것이다.중국 특허 CN101635276A에는 기판, OLED소자 및 광학 감지소자를 포함하는 유기발광 다이오드 터치패널이 개시되었다. 기판 상에 적어도 하나의 화소구역이 마련되어 있으며, 화소구역 중에는 표시구역과 감지구역이 정의되어 있다. OLED소자는 표시구역 중의 기판 상에 마련되고, 제1 박막 트랜지스터, 발광하전극부, 패터닝 유기발광층 및 발광상전극부를 포함한다. 발광하전극부는 발광상전극부에 마련되며 제1 박막 트랜지스터에 전기연결된다. 패터닝 유기발광층은 발광하전극부에 마련된다. 발광상전극부는 패터닝 유기발광층에 마련된다. 광학 감지소자는 감지구역 중의 기판 상에 마련되며, 제2 박막 트랜지스터, 감광하전극부, 패터닝 감광유전층 및 감광상전극부를 포함한다. 감광하전극부는 제2 박막 트랜지스터에 마련되며 제2 박막 트랜지스터에 전기연결된다. 패터닝 감광유전층은 감광하전극부에 마련되며, 감광상전극부는 패터닝 감광유전층 상에 마련된다. 해당 특허는 감도가 높지만 in-cell형 광학 터치 방식에 속하는데, 구조와 제조공정이 복잡할 뿐만 아니라 다중 터치를 실현하기 어려운바 주류적 터치 컨트롤 기술에 속하지 않는다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 종래 기술 중 in-cell형 터치 컨트롤 기술 구조와 제조 방법이 복잡한 문제를 해결하는 것으로서, 구조와 공정이 간단하고 내장형 컨트롤 구조를 가지는 유기발광 디스플레이장치 및 그 제조 방법을 제공한다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 기술적 과제를 해결하기 위해 본 발명은 아래와 같은 기술방안을 적용한다.본 발명에 기재된 터치 컨트롤 디스플레이장치는 기판, 기판 상에 마련된 복수개의 유기발광 다이오드를 포함하고, 상기 유기발광 다이오드는 순차적으로 적층 설치된 제1 전극, 유기재료층 및 제2 전극을 포함하며, 상기 제1 전극은 독립적으로 설치되고, 상기 제2 전극은 각각 직렬연결되어 여러 개의 평행 배열된 제1 버스바와 여러 개의 평행 배열된 제2 버스바를 형성하며, 상기 제1 버스바와 상기 제2 버스바는 서로 절연된 교차 네트워크를 형성한다.상기 제1 버스바는 제1 방향에 따라 배치되는 상기 제2 전극이 동일층에 직렬연결되어 형성되고, 상기 제2 버스바는 제2 방향에 따라 배치되는 상기 제2 전극이 상기 유기발광 다이오드 외부에 마련된 전도성 브리지를 통해 직렬연결되어 형성된다.상기 전도성 브리지는 상기 기판 상에 설치되며, 상기 전도성 브리지를 직접 피복하는 절연층을 통해 상기 유기발광 다이오드와 절연된다.상기 전도성 브리지는 금속 전도성 브리지이다.상기 전도성 브리지의 두께는 10nm~1000nm이다.상기 기판 상에는 인접한 상기 유기발광 다이오드를 이격하는 화소제한층이 추가로 설치된다.상기 화소제한층에는 인접한 상기 제1 버스바와 상기 제2 버스바를 구획하는 이격기둥층이 추가로 직접 설치된다.상기 제2 전극의 두께는 1nm~500nm이다.상기 기판 상에 설치된 여러 개의 구동 박막 트랜지스터를 추가로 포함하며, 각 상기 제1 전극은 각 상기 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극에 접촉 연결된다.본 발명에 기재된 터치 컨트롤 장치의 제조 방법은 기판 상에 제1 전도층을 형성하고, 제2 방향을 따라 평행 설치된 복수개의 전도성 브리지를 패턴형성하는 단계(S1),상기 기판 상에 전도성 브리지를 피복하는 절연층을 형성하고, 절연층에 전도성 브리지를 도통하는 도통홀을 설치하는 단계(S2),절연층 상에서로 독립적인 제1 전극을 직접 형성하고, 각 제1 전극 상에 유기재료층을 형성하는 단계(S3), 및유기재료층 상에 제2 전극을 형성하고, 제1 방향을 따라 배치된 여러 개의 제2 전극은 동일 층에 직렬연결되어 복수개의 평행 배열된 제1 버스바를 형성하고, 제2 방향을 따라 배치된 여러 개의 제2 전극은 도통홀을 통해 전도성 브리지에 직렬연결되어 복수개의 평행 배열된 제2 버스바를 형성하며, 상기 제1 버스바와 상기 제2 버스바는 서로 절연된 교차 네트워크를 형성하는 단계(S4)를 포함한다.단계(S3)에 있어서, 상기 제1 전극을 형성한 후 상기 기판 상에 상기 제1 전극을 감싸는 화소제한층을 형성하는 단계를 추가로 포함한다.단계(S3)에 있어서, 상기 화소제한층상에 이격기둥층을 형성하는 단계를 추가로 포함하며, 단계(S4)에서 형성된 인접한 상기 제1 버스바와 상기 제2 버스바는 상기 이격기둥층에 의해 이격된다.단계(S2)에 있어서 상기 도통홀의 축방향 및 상기 기판이 이루는 각은 10°~90°이다. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 상기 기술방안은 종래 기술에 비해 아래와 같은 장점이 있다.1. 본 발명에 기재된 터치 컨트롤 디스플레이장치는 기판, 기판에 마련된 유기발광 다이오드를 포함하고, 상기 제1 전극은 독립적으로 설치되며, 상기 제2 전극은 각각 직렬연결되어 여러 개의 평행 배열된 제1 버스바와 여러 개의 평행 배열된 제2 버스바를 형성하며, 상기 제1 버스바와 상기 제2 버스바는 서로 절연된 교차 네트워크를 형성한다. 제2 전극을 형성하는 동시에 제2 전극은 각각 수평방향과 수직방향을 따라 직렬연결되어 서로 절연된 교차 네트워크, 즉 터치 컨트롤 감지층을 형성하며, 터치 컨트롤 기능을 상기 유기발광 다이오드의 제2 전극에 통합하여 구조가 간단하고 또한 다중 터치를 실현할 수 있다.2. 본 발명에 기재된 터치 컨트롤 디스플레이장치는 터치 컨트롤 기능을 상기 유기발광 다이오드에 통합시켜 별도로 터치 부재를 설치하지 않고 발광효율이 높고 응답 속도가 빠르다.3, 본 발명에 기재되는 터치 컨트롤 디스플레이장치의 제조 방법은 제2 전극을 각각 수평방향과 수직방향을 따라 직렬연결한 구조로 제조하고, 유기발광 다이오드를 제조 완성하는 동시에 능숙한 리소그래피 및 에칭 공정을 통해 터치 컨트롤 기능을 통합시킬 수 있어, 제조 방법이 간단하고 공정 원가을 저감시켰다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 발명의 내용을 더욱 용이하고 정확하게 이해하기 위해 이하 본 발명의 구체적인 실시예와 도면에 근거하여 진일보 구체적으로 본 발명에 대해 설명한다. 그 중,도1은 본 발명의 실시예1에 기재된 터치 컨트롤 디스플레이장치의 구조모식도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명의 목적, 기술방안과 장점을 더욱 명확하게 설명하기 위하여 이하 도면을 결합하여 본 발명의 구체적인 실시방식에 대해 진일보 구체적으로 설명한다.본 발명은 여러 가지 부동한 방식에 의해 실시될 수 있는 것으로, 여기에 기재된 실시예에 의해 한정되는 것으로 이해해서는 안된다. 반대로, 이러한 실시예들을 제공함으로써 공개되는 내용이 철저하고 완전하도록 하고 본 발명의 사상을 본 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 충분히 전달하며, 본 발명은 단지 청구항에 의해 한정된다. 도면에 있어서, 명확하게 설명하기 위하여 층과 구역의 사이즈와 상대 사이즈를 확대하여 설명할 수 있다. 소자 예를 들어 층, 구역 또는 기판이 다른 소자 "상"에 "형성되어" 또는 "설치되어"라고 언급할 때에는 해당 소자가 직접적으로 상기 다른 소자 상에 설치되거나, 또는 중간 소자가 존재할 수 있는 것으로 이해하여야 한다. 반대로, 다른 소자 "상"에 "직접 형성되어" 또는 "직접 설치되어"라고 언급할 때에는 중간 소자가 존재하지 않는 것으로 이해하여야 한다.본 실시예는 도1에 나타낸 바와 같이, 기판(100), 기판(100) 상에 마련된 유기발광 다이오드를 포함하고, 제1 전극(102)은 독립적으로 설치되고, 상기 제2 전극(104) 및 (105)은 각각 직렬연결되어 여러 개의 평행 배열된 제1 버스바와 여러 개의 평행 배열된 제2 버스바를 형성하며, 상기 제1 버스바와 상기 제2 버스바는 서로 절연된 교차 네트워크를 형성하는 터치 컨트롤 디스플레이장치를 제공한다.상기 제1 버스바는 제1방향에 따라 배치된 상기 제2 전극(105)이 동일 층에 직렬연결되어 형성되고, 상기 제2 버스바는 제2 방향에 따라 배치되는 상기 제2 전극(104)이 상기 유기발광 다이오드 외부에 마련된 전도성 브리지를 통해 직렬연결되어 형성된다.상기 전도성 브리지(108)는 상기 기판(100)과 상기 유기발광 다이오드 사이의 절연층(101)에 설치되며, 상기 전도성 브리지(108)는 단층 또는 다층 전도성 중합체 또는 몰리브덴, 알루미늄, 티탄, 텅스텐 등 금속 또는 그 합금 필름 중에서 선택되되 이에 한정되지 않으며, 다층 금속 전도성 브리지인 것이 바람직하며, 본 실시예는 순차적으로몰리브덴/알루미늄/몰리브덴으로 적층된 3층 금속막이 더욱 바람직하다.본 실시예에 있어서, 상기 전도성 브리지(108) 중의 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴은 각각 50nm/250nm/50nm이며, 본 발명의 기타 실시예로서, 상기 전도성 브리지(108)의 두께는 10nm~1000nm일 수 있으며, 모두 본 발명의 목적을 실현할 수 있으며, 본 발명의 보호범위에 속한다.상기 절연층(101)은 질화규소, 산화규소, 실리콘 옥시카바이드, 산화알루미늄 등 중에서 선택되되 이에 한정되지 않는 한층 또는 다층 적층구조이며, 본 실시예는 단층의 질화규소층이 바람직하다.본 발명의 상기 제1 전극(102), 상기 유기재료층(103), 상기 제2 전극에 사용되는 재료 및 두께는 모두 종래의 기술과 같으며, 그 중 상기 제2 전극의 두께는 1nm~500nm인 것이 바람직하다. 본 실시예에 있어서, 상기 제1 전극(102)은 순차적으로 적층된 ITO/Ag/ITO층이고 두께는 15nm/110nm/7nm이며, 상기 유기재료층(103)은 발광층, 정공 주입층, 정공 전송층, 전자 차단층, 정공 차단층, 전자 전송층 및 전자 주입층 중의 하나 또는 복수를 포함하는 조합이며, 본 실시예에 있어서, 상기 유기재료층(103)은 순차적으로 적층 설치된 정공 전송층, 발광층 및 전자 전송층을 포함하고 총 두께는 200nm이며, 상기 제2 전극은 Ag이고 두께는 5nm이다.상기 기판(100) 상에는 인접한 상기 유기발광 다이오드를 이격하는 화소제한층(110)이 추가로 마련되며, 상기 화소제한층(110) 상에는 인접한 상기 제1 버스바와 상기 제2 버스바를 구획하는 이격기둥층(106)이 추가로 직접 설치된다.본 실시예에 있어서, 상기 제2 전극층을 상기 제1버스바와 상기 제2 버스바로 구획하는 이격기둥층(106)이 폴리이미드층인 것이 바람직하고, 그 높이는 0.1㎛~5㎛이며, 본 실시예에서 1㎛이고 두께는 1㎛인 것이 바람직하다. 본 발명의 기타 실시예에 있어서, 상기 이격기둥층(106)은 기타 절연재료를 통해 제조될 수 있으며, 상기 제2 전극 사이에 이격기둥층(106)을 설치하지 않아도 되며, 인접한 상기 제1 버스바와 상기 제2 버스바의 절연을 보장하기만 하면 본 발명의 목적을 실현할 수 있으며, 본 발명의 보호범위에 속한다.본 실시예에 기재된 터치 컨트롤 디스플레이장치는 액티브 매트릭스 유기발광 디스플레이장치이고 상기 기판(100) 상에 설치된 여러개의 구동 박막트랜지스터를 추가로 포함하며, 각 상기 제1 전극(102)은 각 상기 구동 박막트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극에 접촉 연결된다.본 실시예에 기재된 터치 컨트롤 디스플레이장치는 톱 에미션 방식의 유기발광 디스플레이장치인 것이 바람직하며, 다시 말해서 상기 제2 전극(102)은 투명 전극이다.본 실시예에 있어서, 상기 제2 전극(104) 및 (105)에는 패키지층(109)이 더 설치되며, 상기 패키지층(109)은 한층 또는 다층이 교호 설치된 유기 필름 및/또는 무기 필름의 필름층을 포함하며, 무기 필름은 질화규소, 산화규소 등 필름 중에서 선택되되 이에 한정되지 않으며, 유기필름은 UV경화성수지, 이산화규소-아크릴수지 복합재료 등 필름 중에서 선택된다. 본 실시예에 있어서, 상기 패키지층(109)은 4쌍의 교호적으로 증착되는 폴리아크릴레이트층과 산화알루미늄층인 것이 바람직하고, 폴리아크릴레이트층의 막 두께는 모두 1.5㎛이고, 산화알루미늄의 막 두께는 모두 50nm이다.본 실시예에 기재된 터치 컨트롤 디스플레이장치에 있어서, 상기 제2 전극은 각각 수평방향과 수직방향을 따라 직렬연결된 구조로 마련되어 서로 절연된 교차 네트워크를 형성하며, 제2 전극을 형성하는 동시에 터치 컨트롤 감지층을 형성하여 터치 컨트롤 기능을 상기 유기발광 다이오드에 통합시켜 구조를 간단하고, 또한 터치 컨트롤 기능을 상기 유기발광 다이오드에 통합시켜 터치 컨트롤 부재를 별도로 마련하지 않고도 발광효율이 높고 응답속도가 빠르다.상기 터치 컨트롤 장치의 제조 방법은 아래와 같은 단계를 포함한다.S1. 스퍼터링 공정을 통해 기판(100) 상에 제1 전도층을 형성하고, 수직방향으로 평행 설치되고 연속적인 복수개의 버스바가 패턴 형성되며, 다시 말해서 전도성 브리지(108)가 형성된다.본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 제1 전도층에는 도선형상의 전도성 브리지(108)가 패턴형성될 수도 있으며, 상기 도선 또는 버스바는 연속되지 않을 수도 있다.S2. 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)공정을 통해 상기 전도성 브리지(108)를 피복하는 절연층(101)을 형성하며, 리소크래피 공정을 통해 동일열의 인접한 상기 제2 유기발광 다이오드 사이의 절연층(101)에는 동일한 상기 전도성 브리지(108)를 도통하는 도통홀(107)이 마련된다. 상기 도통홀(107)의 축방향 및 상기 기판(100)이 이루는 각이 50°이며, 본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 도통홀은 레이저 어블레이션, 이온빔 식각, 전자빔 식각 등 공정을 통해 제조될 수 있으며, 상기 도통홀(107)의 축방향 및 상기 기판(100)이 이루는 각은 10°~90° 중의 임의의 각일 수 있으며, 모두 본 발명의 목적을 실현할 수 있으며 본 발명의 보호범위에 속한다.S3, 스퍼터링 공정을 통해 절연층(101) 상에 제2 전도층을 직접 형성하고, 리소그래피 및 식각 공정을 통해 서로 독립적인 제1 전극(102)을 패턴형성한다.본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 제2 전도층은 CVD, 전기 화학 증착 등 공정을 통해 제조될 수 있으며, 모두 본 발명의 목적을 실현할 수 있으며 본 발명의 보호범위에 속한다.코팅공정을 통해 기판 상에 상기 제1 전극(102)을 피복하는 화소제한층(110)을 형성하고, 리소그래피 공정을 통해 패터닝함으로써 상기 제1 전극(102)과 도통홀(107)을 노출한다.그 후 코팅공정과 리소그래피 공정을 통해 화소제한층(110)에 이격기둥층(106)을 형성한다.정밀한 마스크 증착 공정을 통해 상기 제1 전극(102)에 유기재료층(103)을 형성한다.S4, 증착공정을 통해 상기 이격기둥층(106)을 마스크로 하여 상기 유기재료층(103) 상에 제1 방향을 따라 동일층에 직렬연결되는 제2 전극(105)과 제2 방향을 따라 서로 이격되는 제2 전극(104)을 형성하되, 제2 전극(104)과 제2 전극(105)은 마이너스 각도인 이격기둥층(106)을 통해 자연적으로 이격된다. 상기 제2 전극(105)은 직렬연결되어 제1 버스바를 형성하고, 상기 제2 전극을 형성하는 재료는 상기 도통홀(107)에 충전되는 동시에 상기 전도성 브리지(108)에 전기 접촉 연결되어, 상기 제2 전극(104)이 제2 방향을 따라 직렬연결되어 제2 버스바를 형성하도록 한다.본 실시예에 있어서 상기 단계 S4 다음에 상기 기판(100) 상에 상기 제2 전극(104) 및 (105)를 피복하는 패키지층(109)을 제조하는 단계를 추가로 포함하며, 구체적인 실시방식은 종래기술과 같다.본 실시예에서 설명한 터치 컨트롤 디스플레이장치의 제조 방법은 상기 제2 전극을 각각 수평방향과 수직방향을 따라 직렬연결된 구조로 제조하고, 유기발광 다이오드를 제조 완성하는 동시에 능숙한 리소그래피 공정을 통해 터치 컨트롤 기능을 통합시킬 수 있어, 제조 방법이 간단하고 공정비용을 저감시켰다.위로부터 알 수 있다시피, 상기 실시예는 본 발명을 명확하게 설명하기 위한 예시이며 실시형태를 한정하는 것이 아니다. 본 분야의 통상의 지식을 가진 자는 상기 설명에 기초하여 기타 다른 형태의 변화 또는 변동을 실시할 수 있다. 여기서는 모든 실시형태에 대해 전부 예시할 필요가 없거니와 예시할 수도 없지만 이에 근거한 자명한 변화 또는 변동은 여전히 본 발명의 보호 범위에 속한다. [ 부호의 설명 ] 100: 기판101: 절연층102: 제1 전극103: 유기재료층104: 제2 버스바 중의 제2 전극105: 제1 버스바 중의 제2 전극106: 이격기둥층107: 도통홀108: 전도성 브리지109: 패키지층110: 화소제한층
본 발명에 기재된 터치 컨트롤 디스플레이장치는 제2 전극을 형성하는 동시에 제2 전극이 각각 수평방향과 수직방향을 따라 직렬연결되어 서로 절연된 교차 네트워크, 즉 터치 컨트롤 감지층을 형성하며, 터치 컨트롤 기능을 상기 유기발광 다이오드에 통합시킴으로써 구조가 간단하고, 터치 컨트롤 부재를 별도로 마련하지 않아도 발광효율이 높고 응답속도가 빠르다. 본 발명에 기재된 터치 컨트롤 디스플레이장치의 제조 방법은 제2 전극을 각각 수평방향과 수직방향을 따라 직렬연결된 구조로 제조하여, 유기발광 다이오드를 제조 완성하는 동시에 능숙한 리소그래피 및 에칭 공정을 통해 터치 컨트롤 기능을 통합시킬 수 있어, 제조 방법이 간단하고 공정원가를 저감시켰다.
[ 발명의 명칭 ] 합판 유리용 중간막, 및 합판 유리INTERLAYER FOR LAMINATED GLASS AND LAMINATED GLASS [ 기술분야 ] 본 발명은, 0 ℃ 이하의 환경하에 있어서 고체음의 차음성이 우수한 합판 유리용 중간막에 관한 것이다. 또, 그 합판 유리용 중간막을 사용하여 이루어지는 합판 유리에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 합판 유리는, 외부 충격을 받아 파손해도 유리의 파편이 비산하는 것이 적기 때문에, 안전성이 높다. 그 때문에, 자동차 등의 차량, 항공기, 건축물 등의 창유리 등으로서 널리 사용되고 있다. 합판 유리로서, 적어도 1 쌍의 유리판 사이에, 예를 들어, 폴리비닐부티랄 수지 등의 폴리비닐아세탈 수지와 가소제를 함유하는 합판 유리용 중간막을 개재시키고, 적층하여 일체화시킨 합판 유리 등을 들 수 있다. 최근, 합판 유리를 경량화하기 위해서, 합판 유리의 두께를 얇게 하는 것이 검토되고 있다. 그러나, 합판 유리의 두께를 얇게 하면, 차음성이 저하된다는 문제가 있었다. 이와 같은 합판 유리를 자동차 등의 프론트 유리로서 사용한 경우, 풍절음이나 와이퍼의 구동음 등의 5000 Hz 정도 음역의 차음성이 충분히 얻어지지 않는다. 이와 같은 문제에 대해, 예를 들어, 특허문헌 1 에는, 복수 장의 유리판과, 그 복수 장의 유리판 사이에 개재된 중간막을 구비한 합판 유리로서, 중간막은, 아세탈화도가 60∼85 mol％ 인 폴리비닐아세탈 수지와, 알칼리 금속염 또는 알칼리 토금속염과, 가소제를 함유하고, 폴리비닐아세탈 수지 100 질량부에 대한 가소제의 함유량이 30 질량부를 초과하고, 알칼리 금속염 또는 알칼리 토금속염의 함유량이 0.001∼1.0 질량부인 차음층을 갖는 합판 유리가 개시되어 있다. 특허문헌 1 에 개시되어 있는 합판 유리는 차음성이 우수한 것으로 여겨지고 있다. 차의 소음이나 경적 소리 등의 공기음과, 차의 엔진 진동에 의한 소리 등의 고체음이 있지만, 특허문헌 1 에 기재된 합판 유리는, 0 ℃ 이하의 환경하에 있어서 고체음의 차음성이 열등하다는 문제가 있었다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 공개특허공보 2007-070200호 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은, 0 ℃ 이하의 환경하에 있어서 고체음의 차음성이 우수한 합판 유리용 중간막을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또, 그 합판 유리용 중간막을 사용하여 이루어지는 합판 유리를 제공하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명은, 주파수 1 Hz 에서의 tanδ 의 최대값을 나타내는 온도 T1 이 -30 ℃∼0 ℃ 의 범위 내인 차음층을 갖는 합판 유리용 중간막이다. 이하에 본 발명을 상세히 서술한다. 본 명세서에 있어서 tanδ 란, 동적 점탄성 측정에 의해 얻어지는 손실 정접의 값을 의미한다. 본 발명에 있어서, tanδ 는, 이하의 방법으로 측정할 수 있다. 얻어진 합판 유리용 중간막을 사용하여, 시험 시트 (직경 8 ㎜) 를 제조한다. 이 시험 시트의 동적 점탄성을, 전단법으로, 변형량 1.0 ％ 및 주파수 1 Hz 의 조건하에 있어서, 승온 속도 3 ℃/분으로 동적 점탄성의 온도 분산을 측정함으로써, tanδ 를 측정할 수 있다. 상기 tanδ 의 최대값을 나타내는 온도란, 얻어진 손실 정접의 최대값을 나타내는 온도를 의미한다. 상기 tanδ 의 최대값을 나타내는 온도는, 예를 들어, 점탄성 측정 장치 (레오메트릭스사 제조 「ARES」) 를 사용하여 측정할 수 있다. 본 발명의 합판 유리용 중간막은, 주파수 1 Hz 에서의 tanδ 의 최대값을 나타내는 온도 T1 이 -30 ℃∼0 ℃ 의 범위 내인 차음층을 갖는다. 차음층의 tanδ 의 최대값을 나타내는 온도 T1 이 -30 ℃ 미만이면, 합판 유리용 중간막의 강도가 저하되고, 0 ℃ 을 초과하면, 0 ℃ 이하의 환경하에 있어서, 고체음의 차음성이 저하된다. 차음층의 tanδ 의 최대값을 나타내는 온도 T1 의 보다 바람직한 하한은 -25 ℃, 보다 바람직한 상한은 -5 ℃ 이고, 더욱 바람직한 하한은 -22 ℃, 더욱 바람직한 상한은 -6 ℃ 이며, 특히 바람직한 하한은 -18 ℃, 특히 바람직한 상한은 -10 ℃ 이다. tanδ 의 최대값을 나타내는 온도 T1 이 상기 범위에 있는 차음층은, 예를 들어, 이하의 2 개의 양태가 있다. 제 1 양태는, 아세탈기의 탄소수가 3 또는 4 인 폴리비닐아세탈 수지 100 중량부에 대해 가소제를 71 중량부 이상 함유하는 차음층이다. 제 2 양태는, 아세탈기의 탄소수가 5 이상인 폴리비닐아세탈 수지 100 중량부에 대해 가소제를 50 중량부 이상 함유하는 차음층이다. 이하에 이들 양태에 대해 상세하게 설명한다. 제 1 양태의 차음층은, 아세탈기의 탄소수가 3 또는 4 인 폴리비닐아세탈 수지 (이하, 「폴리비닐아세탈 수지 A」라고도 한다) 100 중량부에 대해 가소제를 71 중량부 이상 함유한다. 본 발명자들은, 대량의 가소제와 폴리비닐아세탈 수지를 함유하는 차음층은 유리 전이 온도가 충분히 낮고, 주파수 1 Hz 에서의 tanδ 의 최대값을 나타내는 온도 T1 을 -30 ℃∼0 ℃ 의 범위 내로 조정할 수 있는 것을 알아내었다. 제 1 양태의 차음층은, 폴리비닐아세탈 수지에 대해 대량의 가소제를 함유하고 있으므로, 0 ℃ 이하의 환경하라도, 고체음의 차음성이 우수하다.상기 폴리비닐아세탈 수지 A 는 폴리비닐알코올을 알데히드에 의해 아세탈화함으로써 제조된다.상기 폴리비닐아세탈 수지 A 에 함유되는 아세탈기의 탄소수는 3 또는 4 이다. 즉, 상기 폴리비닐아세탈 수지 A 를 제조하는 데에 사용하는 알데히드는, 탄소수가 3 또는 4 의 알데히드이다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 A 에 함유되는 아세탈기의 탄소수가 3 미만이면, 유리 전이 온도가 충분히 저하되지 않고, 0 ℃ 이하의 환경하에 있어서, 고체음의 차음성이 저하되는 경우가 있다.상기 탄소수가 3 또는 4 의 알데히드는, 예를 들어, 프로피온알데히드, n-부틸알데히드, 이소부틸알데히드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, n-부틸알데히드가 바람직하다. 상기 알데히드는, 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 A 의 아세틸기량의 바람직한 하한은 15 mol％ 이다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 A 의 아세틸기량이 15 mol％ 미만이면, 가소제와 폴리비닐아세탈 수지 A 의 상용성이 낮아, 가소제가 블리드 아웃하는 경우가 있다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 A 의 아세틸기량의 상한은 특별히 없지만, 실질적인 상한은 30 mol％ 이다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 A 의 아세틸기량이 30 mol％ 를 초과하면, 상기 폴리비닐알코올과 알데히드의 반응성이 현저하게 저하되므로 폴리비닐아세탈 수지의 제조가 곤란해지는 경우가 있다. 상기 아세틸기량의 보다 바람직한 하한은 17 mol％, 보다 바람직한 상한은 25 mol％ 이고, 더욱 바람직한 하한은 17.5 mol％, 더욱 바람직한 상한은 22 mol％ 이다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 A 의 수산기량의 바람직한 상한은 21.5 mol％ 이다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 A 의 수산기량이 21.5 mol％ 를 초과하면, 가소제와 폴리비닐아세탈 수지 A 의 상용성이 낮아, 가소제가 블리드 아웃하는 경우가 있다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 A 의 수산기량의 하한은 특별히 없지만, 실질적인 하한은 10 mol％ 이다. 상기 수산기량의 보다 바람직한 상한은 20 mol％, 더욱 바람직한 상한은 18.5 mol％ 이다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 A 의 평균 중합도의 바람직한 하한은 500, 바람직한 상한은 5000 이다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 A 의 평균 중합도가 500 미만이면, 합판 유리의 내관통성이 저하되는 경우가 있다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 A 의 평균 중합도가 5000 을 초과하면, 합판 유리용 중간막의 성형이 곤란해지는 경우가 있다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 A 의 평균 중합도의 보다 바람직한 하한은 800, 보다 바람직한 상한은 3500 이며, 더욱 바람직한 상한은 3000 이다. 또, 얻어지는 합판 유리의 판 어긋남을 방지하는 효과를 얻기 위해서는, 상기 폴리비닐아세탈 수지 A 의 평균 중합도가 2600 이상인 것이 바람직하고, 2700 이상인 것이 보다 바람직하다. 여기서 판 어긋남이란, 합판 유리를 기대어 세운 상태에서 고온 환경하에 보관했을 때에, 유리판의 무게에 의해 일방의 유리판에 대해 타방의 유리판이 어긋나 버리는 현상을 의미한다. 상기 가소제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 1 염기성 유기산 에스테르, 다염기성 유기산 에스테르 등의 유기 에스테르 가소제, 유기 인산 가소제, 유기 아인산 가소제 등의 인산 가소제 등을 들 수 있다. 상기 1 염기성 유기산 에스테르는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 트리프로필렌글리콜 등의 글리콜과 부티르산, 이소부티르산, 카프로산, 2-에틸부티르산, 헵틸산, n-옥틸산, 2-에틸헥실산, 페라르곤산(n-노닐산), 데실산 등의 1 염기성 유기산의 반응에 의해 얻어진 글리콜 에스테르 등을 들 수 있다. 상기 다염기성 유기산 에스테르는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 아디프산, 세바스산, 아젤라인산 등의 다염기성 유기산과, 탄소수 4∼8 의 직사슬 또는 분기 구조를 갖는 알코올의 에스테르 화합물을 들 수 있다. 상기 유기 에스테르 가소제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 트리에틸렌글리콜디-2-에틸부틸레이트, 트리에틸렌글리콜디-2-에틸헥사노에이트, 트리에틸렌글리콜디카프릴레이트, 트리에틸렌글리콜디-n-옥타노에이트, 트리에틸렌글리콜디-n-헵타노에이트, 테트라에틸렌글리콜디-n-헵타노에이트, 디부틸세바케이트, 디옥틸아젤레이트, 디부틸카르비톨아디페이트, 에틸렌글리콜디-2-에틸부틸레이트, 1,3-프로필렌글리콜디-2-에틸부틸레이트, 1,4-프로필렌글리콜디-2-에틸부틸레이트, 1,4-부틸렌글리콜디-2-에틸부틸레이트, 1,2-부틸렌글리콜디-2-에틸부틸레이트, 디에틸렌글리콜디-2-에틸부틸레이트, 디에틸렌글리콜디-2-에틸헥사노에이트, 디프로필렌글리콜디-2-에틸부틸레이트, 트리에틸렌글리콜디-2-에틸펜타노에이트, 테트라에틸렌글리콜디-2-에틸부틸레이트, 디에틸렌글리콜디카프릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디-n-헵타노에이트, 트리에틸렌글리콜디-2-에틸부틸레이트, 트리에틸렌글리콜디헵타노에이트, 테트라에틸렌글리콜디헵타노에이트, 디헥실아디페이트, 아디프산디옥틸, 아디프산헥실시클로헥실, 아디프산디이소노닐, 아디프산헵틸노닐, 세바스산디부틸 등을 들 수 있다. 상기 유기 인산 가소제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 트리부톡시에틸 포스페이트, 이소데실페닐포스페이트, 트리이소프로필포스페이트 등을 들 수 있다.상기 가소제는, 디헥실아디페이트 (DHA), 트리에틸렌글리콜디-2-에틸헥사노에이트 (3GO), 테트라에틸렌글리콜디-2-에틸헥사노에이트 (4GO), 트리에틸렌글리콜디-2-에틸부틸레이트 (3GH), 테트라에틸렌글리콜디-2-에틸부틸레이트 (4GH), 테트라에틸렌글리콜디-n-헵타노에이트 (4G7) 및 트리에틸렌글리콜디-n-헵타노에이트 (3G7) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 트리에틸렌글리콜디-2-에틸헥사노에이트 (3GO), 테트라에틸렌글리콜디-2-에틸헥사노에이트 (4GO), 트리에틸렌글리콜디-2-에틸부틸레이트 (3GH), 테트라에틸렌글리콜디-2-에틸부틸레이트 (4GH), 테트라에틸렌글리콜디-n-헵타노에이트 (4G7), 트리에틸렌글리콜디-n-헵타노에이트 (3G7) 등의 디에스테르 화합물이 보다 바람직하고, 트리에틸렌글리콜디-2-에틸헥사노에이트 (3GO) 가 더욱 바람직하다. 제 1 양태의 차음층에 있어서의 가소제의 함유량은, 상기 폴리비닐아세탈 수지 A 100 중량부에 대해 하한이 71 중량부이다. 제 1 양태의 차음층에 있어서의 가소제의 함유량이 71 중량부 미만이면, 주파수 1 Hz 에서의 tanδ 의 최대값을 나타내는 온도 T1 이 -30 ℃∼0 ℃ 을 범위 내로 할 수 없고, 0 ℃ 이하의 환경하에 있어서 고체음의 차음성이 저하된다. 제 1 양태의 차음층에 있어서의 가소제 함유량의 바람직한 하한은 80 중량부, 보다 바람직한 하한은 100 중량부이다. 제 1 양태의 차음층에 있어서의 가소제 함유량의 상한은 특별히 없지만, 상기 폴리비닐아세탈 수지 A 100 중량부에 대한 바람직한 상한은 160 중량부이다. 제 1 양태의 차음층에 있어서의 가소제의 함유량이 160 중량부를 초과하면, 가소제가 블리드 아웃하여 합판 유리용 중간막의 투명성이 저하되거나, 얻어지는 합판 유리를 기대어 세운 상태에서 고온 환경하에 보관했을 때에 판 어긋남이 발생하거나 하는 경우가 있다. 제 1 양태의 차음층에 있어서의 가소제의 함유량의 보다 바람직한 상한은 150 중량부이며, 더욱 바람직한 상한은 140 중량부이며, 특히 바람직한 상한은 120 중량부이다. 제 2 양태의 차음층은, 아세탈기의 탄소수가 5 이상인 폴리비닐아세탈 수지(이하, 「폴리비닐아세탈 수지 B」라고도 한다) 100 중량부에 대해 가소제를 50 중량부 이상 함유한다. 본 발명자들은, 아세탈기의 탄소수가 특정의 범위에 있는 폴리비닐아세탈 수지 B 는, 유리 전이 온도가 충분히 낮고, 일정 이상의 가소제를 배합함으로써, 주파수 1 Hz 에서의 tanδ 의 최대값을 나타내는 온도 T1 을 -30 ℃∼0 ℃ 의 범위 내로 조정할 수 있는 것을 알아내었다. 제 2 양태의 차음층은, 아세탈기의 탄소수가 5 이상인 폴리비닐아세탈 수지를 함유하고 있으므로, 0 ℃ 이하의 환경하에서도 고체음의 차음성이 우수하다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 B 는 폴리비닐알코올을 알데히드에 의해 아세탈화함으로써 제조된다. 상기 폴리비닐알코올은, 폴리아세트산 비닐을 비누화함으로써 제조된다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 B 에 함유되는 아세탈기의 탄소수는 5 이상이다. 즉, 상기 폴리비닐아세탈 수지 B 를 제조하는 데에 사용하는 알데히드는, 탄소수가 5 이상의 알데히드이다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 B 에 함유되는 아세탈기의 탄소수가 5 미만이면, 유리 전이 온도가 충분히 저하되지 않아, 대량의 가소제를 이용하지 않으면, 0 ℃ 이하의 환경하에 있어서, 차음성이 저하되는 경우가 있다. 상기 아세탈기의 탄소수는 특별히 없지만, 실질적으로는 12 가 상한이다. 탄소수가 12 를 초과하는 알데히드를 사용하여 공업적으로 폴리비닐아세탈 수지를 합성하는 것은 곤란하고, 현시점에 있어서 아세탈기의 탄소수가 12 를 초과하는 폴리비닐아세탈 수지의 시판품도 없다. 상기 아세탈기의 탄소수의 보다 바람직한 하한은 6, 보다 바람직한 상한은 11 이다. 상기 탄소수가 5 이상의 알데히드는, 예를 들어, n-발레르알데히드, n-헥실알데히드, 2-에틸헥실알데히드, 2-에틸부틸알데히드, n-헵틸알데히드, n-옥틸알데히드, n-노닐알데히드, n-데실알데히드, 벤즈알데히드, 신남알데히드, n-운데실알데히드, n-도데실알데히드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, n-헥실알데히드, 2-에틸헥실알데히드, n-옥틸알데히드, n-데실알데히드 등이 바람직하다. 상기 알데히드는, 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 B 의 아세틸기량의 바람직한 하한은 5 mol％ 이다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 B 의 아세틸기량이 5 mol％ 미만이면, 가소제와 폴리비닐아세탈 수지 B 의 상용성이 낮아, 가소제가 블리드 아웃하는 경우가 있다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 B 의 아세틸기량의 상한은 특별히 없지만, 실질적인 상한은 30 mol％ 이다. 상기 아세틸기량의 보다 바람직한 하한은 8 mol％, 더욱 바람직한 하한은 10 mol％, 특히 바람직한 하한은 12 mol％ 이다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 B 의 수산기량의 바람직한 상한은 39 mol％ 이다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 B 의 수산기량이 39 mol％ 를 초과하면, 가소제와 폴리비닐아세탈 수지 B 의 상용성이 낮아, 가소제가 블리드 아웃하는 경우가 있다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 B 의 수산기량의 하한은 특별히 없지만, 실질적인 하한은 10 mol％ 이다. 상기 수산기량의 보다 바람직한 상한은 35 mol％ 이다.상기 폴리비닐아세탈 수지 B 의 평균 중합도의 바람직한 하한은 2600, 바람직한 상한은 5000 이다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 B 의 평균 중합도가 2600 미만이면, 합판 유리의 내관통성이 저하되거나, 얻어지는 합판 유리를 기대어 세운 상태에서 고온 환경하에 보관했을 때에 판 어긋남이 발생하거나 하는 경우가 있다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 B 의 평균 중합도가 5000 을 초과하면, 합판 유리용 중간막의 성형이 곤란해지는 경우가 있다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 B 의 평균 중합도의 보다 바람직한 하한은 2700, 보다 바람직한 상한은 3200 이다. 상기 가소제는 특별히 한정되지 않고, 제 1 양태의 차음층에서 사용하는 가소제와 동일한 가소제를 사용할 수 있다. 제 2 양태의 차음층에 있어서의 가소제의 함유량은, 상기 폴리비닐아세탈 수지 B 100 중량부에 대한 하한이 50 중량부이다. 제 2 양태의 차음층에서는, 아세탈기의 탄소수가 5 이상인 폴리비닐아세탈 수지 B 를 사용함으로써, 제 1 양태의 차음층에 비해 소량의 가소제의 배합이어도 주파수 1 Hz 에서의 tanδ 의 최대값을 나타내는 온도 T1 을 -30 ℃∼0 ℃ 의 범위 내로 조정할 수 있어, 0 ℃ 이하의 환경하에서의 고체음의 차음성을 실현할 수 있다. 제 2 양태의 차음층에 있어서의 가소제의 함유량의 바람직한 하한은 60 중량부이다.제 2 양태의 차음층에 있어서의 가소제의 함유량의 상한은 특별히 없지만, 상기 폴리비닐아세탈 수지 B 100 중량부에 대한 바람직한 상한은 80 중량부이다. 제 2 양태의 차음층에 있어서의 가소제의 함유량이 80 중량부를 초과하면, 가소제가 블리드 아웃하여 합판 유리용 중간막의 투명성이 저하되거나, 얻어지는 합판 유리를 기대어 세운 상태에서 고온 환경하에 보관했을 때에 판 어긋남이 발생하거나 하는 경우가 있다. 제 2 양태의 차음층에 있어서의 가소제의 함유량의 보다 바람직한 상한은 75 중량부이다. 상기 차음층의 두께의 바람직한 하한은 20 ㎛, 바람직한 상한은 1800 ㎛ 이다. 상기 차음층의 두께가 20 ㎛ 미만이면, 충분한 차음성을 발휘할 수 없는 경우가 있다. 상기 차음층의 두께가 1800 ㎛ 를 초과하면, 합판 유리용 중간막 전체의 두께가 두꺼워져 실용적이지 않은 경우가 있다. 상기 차음층의 두께의 보다 바람직한 하한은 50 ㎛, 보다 바람직한 상한은 500 ㎛ 이다. 본 발명의 합판 유리용 중간막은, 차음층이 2 장의 보호층 사이에 협지되어 있고, 보호층, 차음층, 보호층의 순서로 적층되어 있는 것이 바람직하다. 상기 보호층은, 상기 차음층과 조합함으로써, 0 ℃ 이하의 환경하뿐만 아니라, 0 ℃ 을 초과하는 환경하에 있어서의 고체음의 차음성을 부여하는 역할을 갖는다. 상기 보호층은, 제 1 양태의 차음층을 사용하는 경우에 있어서는, 상기 차음층으로부터의 가소제의 블리드 아웃을 방지하는 역할도 갖는다. 상기 보호층은, 주파수 1 Hz 에서의 tanδ 의 최대값을 나타내는 온도 T2 가 상기 T1 보다 높은 것이 바람직하고, 0 ℃ ∼40 ℃ 의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 상기 보호층의 tanδ 의 최대값을 나타내는 온도 T2 가 상기 T1 보다 높음으로써, 0 ℃ 이하의 환경하뿐만 아니라, 0 ℃ 을 초과하는 환경하에 있어서의 고체음의 차음성이 얻어진다. 또한, 상기 T2 를 0 ℃ ∼40 ℃ 의 범위 내로 함으로써, 상온역에 있어서의 고체음의 차음성이 얻어진다. 또한, 상온역이란, 5 ℃ ∼ 35 ℃ 의 범위 내를 의미한다. 상기 T2 의 보다 바람직한 하한은 3 ℃, 보다 바람직한 상한은 39 ℃ 이다. 상기 보호층은, 폴리비닐아세탈 수지 (이하, 「폴리비닐아세탈 수지 C」라고도 한다) 와 가소제를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 C 는 폴리비닐알코올을 알데히드에 의해 아세탈화함으로써 제조된다. 상기 폴리비닐알코올은, 폴리아세트산 비닐을 비누화함으로써 제조된다.상기 폴리비닐알코올의 비누화도의 바람직한 하한은 80 mol％, 바람직한 상한은 99.8 mol％ 이다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 C 에 함유되는 아세탈기의 탄소수는 특별히 한정되지 않는다. 즉, 상기 폴리비닐아세탈 수지 C 를 제조하는 데에 사용하는 알데히드는 특별히 한정되지 않고, 상기 폴리비닐아세탈 수지 A, 폴리비닐아세탈 수지 B 에 사용하는 알데히드와 동일한 알데히드를 사용할 수 있다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 C 에 함유되는 아세탈기의 탄소수는 3 또는 4 인 것이 바람직하다. 상기 알데히드는, 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다. 상기 폴리비닐아세탈 수지는 폴리비닐부티랄 수지인 것이 바람직하다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 C 의 아세틸기량은 10 mol％ 이하인 것이 바람직하다. 아세틸기량이 10 mol％ 를 초과하면, 합판 유리용 중간막의 강도가 충분히 얻어지지 않는 경우가 있다. 또, 상기 제 1 양태의 차음층과 조합하는 경우에는, 상기 폴리비닐아세탈 수지 C 의 아세틸기량은 3 mol％ 이하인 것이 바람직하다. 아세틸기량이 3 mol％ 이하인 폴리비닐아세탈 수지는 가소제와의 상용성이 낮다. 가소제와의 상용성이 낮은 폴리비닐아세탈 수지 C 를 함유하는 보호층을 사용함으로써, 제 1 양태의 차음층에 함유되는 대량의 가소제가 블리드 아웃하는 것을 방지할 수 있다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 C 의 아세틸기량의 보다 바람직한 상한은 2.5 mol％ 이다.상기 폴리비닐아세탈 수지 C 의 아세탈화도의 바람직한 하한은 60 mol％, 바람직한 상한은 75 mol％ 이다. 이와 같은 폴리비닐아세탈 수지 C 를 함유하는 보호층을 사용함으로써, 특히 제 1 양태의 차음층에 함유되는 대량의 가소제가 블리드 아웃하는 것을 방지할 수 있다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 C 의 아세탈화도가 60 mol％ 미만이면, 보호층의 내습성이 저하되는 경우가 있다. 상기 폴리비닐아세탈 수지 C 의 아세탈화도가 75 mol％ 를 초과하면, 아세탈화 반응이 잘 진행되지 않으므로 바람직하지 않다. 상기 보호층에 사용하는 가소제는, 상기 서술한 가소제를 사용할 수 있다. 상기 보호층에 사용하는 가소제는, 상기 차음층에 사용하는 가소제와 동일해도 되고, 상이해도 된다. 상기 보호층에 있어서의 가소제의 함유량은, 상기 폴리비닐아세탈 수지 C 100 중량부에 대해 바람직한 하한이 25 중량부, 바람직한 상한이 50 중량부이다. 상기 보호층에 있어서의 가소제의 함유량이 25 중량부 미만이면, 합판 유리의 내관통성이 현저하게 저하되는 경우가 있다. 상기 보호층에 있어서의 가소제의 함유량이 50 중량부를 초과하면, 상기 보호층으로부터 가소제가 블리드 아웃함으로써, 합판 유리용 중간막의 투명성이 저하되는 경우가 있다. 상기 보호층에 있어서의 가소제의 함유량의 바람직한 하한은 30 중량부, 바람직한 상한은 45 중량부이다. 상기 보호층의 두께의 바람직한 하한은 100 ㎛, 바람직한 상한은 1000 ㎛ 이다. 상기 보호층의 두께가 100 ㎛ 미만이면, 상온역에 있어서의 고체음의 차음성이 저하되거나, 상기 차음층으로부터 가소제가 블리드 아웃하거나 하는 경우가 있다. 상기 보호층의 두께가 1000 ㎛ 를 초과하면, 합판 유리용 중간막 전체의 두께가 두꺼워져 실용적이지 않은 경우가 있다. 상기 보호층의 두께의 보다 바람직한 하한은 200 ㎛, 보다 바람직한 상한은 500 ㎛ 이다. 상기 차음층 및 상기 보호층은, 필요에 따라 분산 보조제, 산화 방지제, 광 안정제, 난연제, 대전 방지제, 접착력 조정제, 내습제, 열선 반사제, 열선 흡수제, 형광 증백제, 청색 안료 등의 첨가제를 함유해도 된다. 본 발명의 합판 유리용 중간막이, 상기 차음층 및 상기 보호층을 갖는 것인 경우, 상기 차음층은, 상기 주파수 1 Hz 에서의 tanδ 의 최대값을 나타내는 온도 T1 이 -30 ℃∼0 ℃ 의 범위 내인 영역 (1) 과, 상기 보호층을 구성하는 수지 조성물로 이루어지는 영역 (2) 이 수평으로 배치되어 있지 않아도 된다. 상기 차음층을 이와 같은 구조로 함으로써, 판 어긋남의 발생을 효과적으로 방지할 수 있다. 상기 영역 (1) 과 영역 (2) 의 배치는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 상기 영역 (1) 과 영역 (2) 이 스트라이프상으로 교대로 배치되어 있어도 되고, 상기 영역 (1) 이 중앙부에, 그 영역 (1) 을 둘러싸도록 상기 영역 (2) 이 주변부에 배치되어 있어도 된다. 본 발명의 합판 유리용 중간막은, 필요에 따라 추가로 다른 층을 가지고 있어도 된다. 예를 들어, 다른 층으로서, 열선 흡수 입자를 함유하는 층을 갖는 경우에는, 본 발명의 합판 유리용 중간막에 차열성의 기능을 부여할 수 있다. 본 발명의 합판 유리용 중간막의 두께의 바람직한 하한은 300 ㎛, 바람직한 상한은 2000 ㎛ 이다. 본 발명의 합판 유리용 중간막의 두께가 300 ㎛ 미만이면, 충분한 고체음의 차음성이나 내관통성이 얻어지지 않는 경우가 있다. 본 발명의 합판 유리용 중간막의 두께가 2000 ㎛ 를 초과하면, 실용화되어 있는 합판 유리의 두께를 초과하는 경우가 있다. 본 발명의 합판 유리용 중간막의 두께의 보다 바람직한 하한은 400 ㎛, 보다 바람직한 상한은 1200 ㎛ 이다.본 발명의 합판 유리용 중간막의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 상기 차음층을 형성하기 위한 수지 조성물, 및, 보호층을 형성하기 위한 수지 조성물을 각각 조제한 후, 공압출하는 방법이나, 각각을 압출이나 프레스 성형에 의해 시트화한 후에 적층하고, 일체화시키는 방법 등을 들 수 있다. 본 발명의 합판 유리용 중간막이, 2 장의 투명판 사이에 협지되어 있는 합판 유리도 또한, 본 발명의 하나이다. 또한, 본 발명의 합판 유리를 페어 유리의 일부로서 사용해도 된다. 본 발명의 합판 유리에 사용되는 투명판은 특별히 한정되지 않고, 일반적으로 사용되고 있는 투명 판유리를 사용할 수 있고, 예를 들어, 플로트 판유리, 마판 유리, 형판 유리, 망입 판유리, 선입 판유리, 착색된 판유리, 열선 흡수 판유리, 열선 반사 판유리, 그린 유리 등의 무기 유리를 들 수 있다. 또, 폴리카보네이트나 폴리아크릴레이트 등의 유기 플라스틱스판을 사용할 수도 있다. 상기 판유리로서, 2 종류 이상의 판유리를 사용해도 된다. 예를 들어, 투명 플로트 판유리와 그린 유리와 같은 착색된 판유리 사이에, 본 발명의 합판 유리용 중간막을 협지함으로써 얻어진 합판 유리를 들 수 있다. 또, 상기 무기 유리와, 상기 유기 플라스틱스판 사이에, 본 발명의 합판 유리용 중간막을 협지함으로써 얻어진 합판 유리를 들 수 있다. 본 발명의 합판 유리는, 자동차용 유리로서 사용하는 경우에는, 프론트 유리, 사이드 유리, 리어 유리, 루프 유리, 파노라마 유리로서 사용할 수 있다.또, 본 발명의 합판 유리의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 제조 방법을 사용할 수 있다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 의하면, 0 ℃ 이하의 환경하에 있어서 고체음의 차음성이 우수한 합판 유리용 중간막을 제공할 수 있다. 또, 그 합판 유리용 중간막을 사용하여 이루어지는 합판 유리를 제공할 수 있다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하에 실시예를 들어 본 발명의 양태를 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에만 한정되지 않는다. (실시예 1)(1) 수지 조성물 A 의 조제아세탈기의 탄소수가 4, 아세틸기량이 13 mol％, 수산기량이 22.5 mol％, 평균 중합도가 2300 인 폴리비닐부티랄 수지 100 중량부에 대해, 가소제로서 트리에틸렌글리콜-디-2-에틸헥사노에이트 (3GO) 71 중량부를 첨가하고, 믹싱 롤로 충분히 혼련함으로써, 차음층용의 수지 조성물 A 를 조제하였다. 또한, n-부틸알데히드에 의해 아세탈화되어 있는 폴리비닐부티랄 수지를 사용하였다. (2) 수지 조성물 C 의 조제아세탈기의 탄소수가 4, 아세틸기량이 1 mol％, 부티랄화도가 65 mol％ 인 폴리비닐부티랄 수지 100 중량부에 대해, 가소제로서 트리에틸렌글리콜-디-2-에틸헥사노에이트 (3GO) 30.5 중량부를 첨가하고, 믹싱 롤로 충분히 혼련함으로써, 보호층용의 수지 조성물 C 를 조제하였다. 또한, n-부틸알데히드에 의해 아세탈화되어 있는 폴리비닐부티랄 수지를 사용하였다. (3) 합판 유리용 중간막의 제조수지 조성물 A 를 2 장의 테플론 (등록상표) 시트 사이에 0.1 ㎜ 의 클리어런스판을 개재하여 협지하고, 150 ℃ 에서 프레스 성형하여, 두께 0.1 ㎜ 의 수지 조성물 시트 A 를 얻었다. 수지 조성물 C 를 2 장의 테플론 (등록상표) 시트 사이에 0.35 ㎜ 의 클리어런스판을 개재하여 협지하고, 150 ℃ 에서 프레스 성형하여, 두께 0.35 ㎜ 의 수지 조성물 시트 C 를 얻었다. 얻어진 수지 조성물 시트 A, C 를 C/A/C 의 순서로 적층하였다. 그 적층체를 2 장의 테플론 (등록상표) 시트 사이에 0.8 ㎜ 의 클리어런스판을 개재하여 협지하고, 150 ℃ 에서 프레스 성형하여, 두께 0.8 ㎜ 의 합판 유리용 중간막을 얻었다. (실시예 2∼27, 비교예 1)수지 조성물 A 에 함유되는 폴리비닐아세탈 수지의 종류 및 가소제의 배합량을 표 1∼4 에 나타낸 바와 같이 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 합판 유리용 중간막을 얻었다. 또한, 실시예 20 에서는, 실시예 2 의 수지 조성물 A 의 조제에 있어서, 폴리비닐부티랄 수지 대신에, 프로피온알데히드에 의해 아세탈화되어 있는 폴리비닐아세탈 수지를 사용하였다. (실시예 28)수지 조성물 A 및 수지 조성물 C 의 조제에 있어서, 가소제로서 트리에틸렌글리콜디-2-에틸부틸레이트 (3GH) 를 사용한 것 이외에는 실시예 5 와 동일하게 하여 합판 유리용 중간막을 얻었다. (실시예 29)수지 조성물 A 및 수지 조성물 C 의 조제에 있어서, 가소제로서 트리에틸렌글리콜디-n-헵타노에이트 (3G7) 를 사용한 것 이외에는 실시예 5 와 동일하게 하여 합판 유리용 중간막을 얻었다. (실시예 30)수지 조성물 A 및 수지 조성물 C 의 조제에 있어서, 가소제로서 테트라에틸렌글리콜디-2-에틸헥사노에이트 (4GO) 를 사용한 것 이외에는 실시예 5 와 동일하게 하여 합판 유리용 중간막을 얻었다. (실시예 31)수지 조성물 A 및 수지 조성물 C 의 조제에 있어서, 가소제로서 테트라에틸렌글리콜디-2-에틸부틸레이트 (4GH) 를 사용한 것 이외에는 실시예 5 와 동일하게 하여 합판 유리용 중간막을 얻었다. (실시예 32)수지 조성물 A 및 수지 조성물 C 의 조제에 있어서, 가소제로서 테트라에틸렌글리콜디-n-헵타노에이트 (4G7) 를 사용한 것 이외에는 실시예 5 와 동일하게 하여 합판 유리용 중간막을 얻었다. (평가)실시예 및 비교예에서 얻어진 합판 유리용 중간막에 대해 이하의 평가를 실시하였다. 결과를 표 1∼4 에 나타내었다. (1) 주파수 1 Hz 에서의 tanδ 의 최대값을 나타내는 온도 T1 및 T2 의 측정 실시예 및 비교예에서 얻어진 수지 조성물 A, B 및 C 를 각각 150 ℃ 에서 프레스 성형하여, 두께 0.8 ㎜ 의 시트를 제조하였다. 이어서, 시트를 직경 8 ㎜ 의 원형으로 오려내어, 시험 시트를 제조하였다. 시험 시트의 동적 점탄성을, 점탄성 측정 장치 (레오메트릭스사 제조 「ARES」) 를 사용하고, 전단법으로, 변형량 1.0 ％ 및 주파수 1 Hz 의 조건하에 있어서, 승온 속도 3 ℃/분으로 동적 점탄성의 온도 분산을 측정함으로써, tanδ 를 측정하고, 주파수 1 Hz 에서의 tanδ 의 최대값을 나타내는 온도 T1 및 T2 를 측정하였다. (2) 손실 계수 (Loss factor) 평가얻어진 합판 유리용 중간막을 세로 30 ㎜×가로 320 ㎜ 로 잘라내고, 2 장의 투명한 플로트 유리 (세로 25 ㎜×가로 305 ㎜×두께 2.0 ㎜) 로 협지하고, 진공 라미네이터로 90 ℃ 에서 30 분 유지하여 진공 프레스하였다. 유리에서 튀어 나온 합판 유리용 중간막을 잘라내어, 평가용 샘플을 제조하였다. 얻어진 평가용 샘플에 대해, 측정 장치 「SA-01」(리온사 제조) 을 사용하여 0 ℃ 의 조건하에서 중앙 가진법에 의해 손실 계수를 측정하였다. 얻어진 손실 계수의 공진 주파수의 1 차 모드 (100 Hz 근방) 의 손실 계수를 평가하였다. (3) 판 어긋남의 평가얻어진 합판 유리용 중간막 (15×30 ㎝) 을 2 장의 투명한 플로트 유리 (세로 15 ㎝×가로 30 ㎝×두께 2.0 ㎜) 에 의해 협지하고, 진공 라미네이터로 90 ℃ 에서 30 분 유지하고, 진공 프레스하여 평가용 샘플을 얻었다. 얻어진 평가용 샘플의 일방의 면을 수직면에 고정시키고, 타방의 면에 양면 테이프를 사용하여 플로트 유리 (15×30 ㎝×두께 15 ㎜) 를 접착하였다. 합판 유리의 측면에 어긋남량을 측정하기 위한 기준선을 긋고, 80 ℃ 의 환경하에서 30 일간 방치하였다. 30 일 경과한 후, 평가용 샘플의 2 장의 유리의 어긋남량을 측정하였다. (4) 블리드 아웃 평가얻어진 합판 유리용 중간막을 세로 100 ㎜×가로 100 ㎜ 로 잘라내고, 이형 처리된 두께 100 ㎛ 의 PET 필름 (세로 100 ㎜×가로 100 ㎜) 과 투명한 플로트 유리 (세로 100 ㎜×가로 100 ㎜) 를, 유리/PET 필름/합판 유리용 중간막/PET 필름/유리의 순서로 적층하고, 진공 라미네이터로 90 ℃ 에서 30 분 유지하고, 진공 프레스하였다. 그 후, 유리 및 PET 필름을 제거하고, 합판 유리용 중간막을 꺼내어, 23 ℃ 의 환경하에서, 유성 매직을 사용하여, 합판 유리용 중간막의 표면에 길이 8 ㎝ 의 선을 5 개 그었다. 합판 유리용 중간막을 23 ℃ 에서 4 주간 보관하였다. 합판 유리용 중간막을 육안으로 관찰하고, 4 주간 보관해도 모든 선이 번지지 않은 경우를 「◎」, 3 주간 보관 후에는 모든 선이 번지지 않았지만, 4 주간 보관 후에는 적어도 1 개의 선이 번진 경우를 「○」, 2 주간 보관 후에는 모든 선이 번지지 않았지만, 3 주간 보관 후에는 적어도 1 개의 선이 번진 경우를 「△」로 평가하였다. (실시예 33)(1) 수지 조성물 B 의 조제아세탈기의 탄소수가 5, 아세틸기량이 13 mol％, 수산기량이 22.5 mol％, 평균 중합도가 2300 인 폴리비닐아세탈 수지 100 중량부에 대해, 가소제로서 트리에틸렌글리콜-디-2-에틸헥사노에이트 (3GO) 60 중량부를 첨가하고, 믹싱 롤로 충분히 혼련함으로써, 차음층용의 수지 조성물 A 를 조제하였다. 또한, n-발레르알데히드에 의해 아세탈화되어 있는 폴리비닐아세탈 수지를 사용하였다. (2) 수지 조성물 C 의 조제아세탈기의 탄소수가 4, 아세틸기량이 1 mol％, 부티랄화도가 65 mol％ 인 폴리비닐부티랄 수지 100 중량부에 대해, 가소제로서 트리에틸렌글리콜-디-2-에틸헥사노에이트 (3GO) 30.5 중량부를 첨가하고, 믹싱 롤로 충분히 혼련함으로써, 보호층용의 수지 조성물 C 를 조제하였다. 또한, n-부틸알데히드에 의해 아세탈화되어 있는 폴리비닐부티랄 수지를 사용하였다. (3) 합판 유리용 중간막의 제조수지 조성물 B 를 2 장의 테플론 (등록상표) 시트 사이에 0.1 ㎜ 의 클리어런스판을 개재하여 협지하고, 150 ℃ 에서 프레스 성형하여, 두께 0.1 ㎜ 의 수지 조성물 시트 B 를 얻었다. 수지 조성물 C 를 2 장의 테플론 (등록상표) 시트 사이에 0.35 ㎜ 의 클리어런스판을 개재하여 협지하고, 150 ℃ 에서 프레스 성형하여, 두께 0.35 ㎜ 의 수지 조성물 시트 C 를 얻었다. 얻어진 수지 조성물 시트 B, C 를 C/B/C 의 순서로 적층하였다. 그 적층체를 2 장의 테플론 (등록상표) 시트 사이에 0.8 ㎜ 의 클리어런스판을 개재하여 협지하고, 150 ℃ 에서 프레스 성형하여, 두께 0.8 ㎜ 의 합판 유리용 중간막을 얻었다. (실시예 34∼51, 비교예 2, 3)수지 조성물 B 에 함유되는 폴리비닐아세탈 수지의 종류 및 가소제의 배합량을 표 4∼6 에 나타낸 바와 같이 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 합판 유리용 중간막을 얻어, 동일한 평가를 실시하였다. 결과를 표 5∼7 에 나타내었다. 또한, 아세탈기의 탄소수가 5 인 폴리비닐아세탈 수지는, n-발레르알데히드에 의해 아세탈화되어 있는 폴리비닐아세탈 수지를 사용하였다. 아세탈기의 탄소수가 6 인 폴리비닐아세탈 수지는, n-헥실알데히드에 의해 아세탈화되어 있는 폴리비닐아세탈 수지를 사용하였다. 아세탈기의 탄소수가 7 인 폴리비닐아세탈 수지는, n-헵틸알데히드에 의해 아세탈화되어 있는 폴리비닐아세탈 수지를 사용하였다. 아세탈기의 탄소수가 8 인 폴리비닐아세탈 수지는, n-옥틸알데히드에 의해 아세탈화되어 있는 폴리비닐아세탈 수지를 사용하였다. 아세탈기의 탄소수가 9 인 폴리비닐아세탈 수지는, n-노닐알데히드에 의해 아세탈화되어 있는 폴리비닐아세탈 수지를 사용하였다. 아세탈기의 탄소수가 10 인 폴리비닐아세탈 수지는, n-데실알데히드에 의해 아세탈화되어 있는 폴리비닐아세탈 수지를 사용하였다. 아세탈기의 탄소수가 11 인 폴리비닐아세탈 수지는, n-운데실알데히드에 의해 아세탈화되어 있는 폴리비닐아세탈 수지를 사용하였다. 아세탈기의 탄소수가 12 인 폴리비닐아세탈 수지는, n-도데실알데히드에 의해 아세탈화되어 있는 폴리비닐아세탈 수지를 사용하였다. 산업상 이용가능성본 발명에 의하면, 0 ℃ 이하의 환경하에 있어서 고체음의 차음성이 우수한 합판 유리용 중간막을 제공할 수 있다. 또, 그 합판 유리용 중간막을 사용하여 이루어지는 합판 유리를 제공할 수 있다.
본 발명은, 0 ℃ 이하의 환경하에 있어서 고체음의 차음성이 우수한 합판 유리용 중간막을 제공한다. 또, 그 합판 유리용 중간막을 사용하여 이루어지는 합판 유리를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, 주파수 1 Hz 에서의 tanδ 의 최대값을 나타내는 온도 T1 이 -30 ℃∼0 ℃ 의 범위 내인 차음층을 갖는 합판 유리용 중간막이다.
[ 발명의 명칭 ] 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD [ 기술분야 ] 관련 출원에 대한 상호 참조본 출원은 2013년 12월 20일자로 출원된 EP 출원 13198925.3에 대해 우선권을 주장하며, 이 특허 출원은 그 전체 내용이 원용에 의해 본 명세서에 통합되어 있다.발명의 분야본 발명은 멀티-바디 시스템의 동기식 위치설정을 제어하는 제어 디바이스, 멀티-바디 시스템의 동기식 작동을 제어하는 제어 방법, 리소그래피 장치, 및 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 리소그래피 장치는 기판 상에 통상적으로는 기판의 타겟 영역 상에 원하는 패턴을 부여하는 장치이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 마스크 또는 레티클(reticle)로도 지칭되는 패터닝 장치가 집적회로의 개개의 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟 영역(예컨대, 하나의 다이(die)의 일부분, 하나의 다이, 또는 여러 개의 다이를 포함) 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)의 층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 이루어진다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 타겟 영역들의 네트워크를 포함할 것이다. 종래의 리소그래피 장치는, 타겟 영역 상에 패턴 전체를 한번에 노광함으로써 각각의 타겟 영역을 조사(照射)하는 소위 스테퍼(stepper), 및 소정의 방향("스캐닝"-방향)의 방사선 빔을 통해 패턴을 스캐닝하는 동시에 이 방향과 평행한 방향(동일 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 스캐닝함으로써 각각의 타겟 영역을 조사하는 소위 스캐너를 포함한다.이러한 동기식 스캐닝 동안, 타겟 영역과 패턴 간의 상대적 위치는 요구된 위치 또는 설정점(set point)에 따라 이루어져서 패턴이 기판 상의 적절한 위치 상에 투영되게 하여야 한다. 패턴이 기판 상의 적절한 위치 상에 투영되지 않으면, 소위 오버레이 오차가 발생하여, 집적회로의 적절한 작동에 악영향을 줄 수도 있다. 통상적으로, 기판(타겟 영역을 포함하는)과 패터닝 장치의 위치는 기판과 패터닝 장치가 탑재되는 지지체(또는 스테이지)의 위치를 제어함으로써 제어된다. 일반적으로, 둘 모두가 패터닝 장치(또는 레티클)가 제공된 스테이지가 후속될 설정점을 제어하고 기판이 제공된 스테이지가 후속될 설정점을 제어하는 별도의 폐루프 컨트롤러의 쌍이 적용된다.이러한 접근법에서, 둘 모두의 스테이지는 특정한 설정점을 각각 후속하도록 독립적으로 제어되며, 설정점은 요구된 동기식 작동이 달성되도록 하는 양상으로 구성된다. 더욱 진보된 제어 전략(예컨대, 미국 특허 제6,373,072호에 설명된 것과 같은)에서, 둘 모두의 스테이지의 제어가 결합된다. 이러한 결합된 제어 전략에서, 기판 스테이지(즉, 기판이 제공된 스테이지)의 위치 오차는 레티클 스테이지 설정점에 부가하여 레티클 스테이지(즉, 레티클이 제공된 스테이지)의 위치를 제어하기 위한 제어 신호를 구하기 위해 사용될 수 있다, 미국 특허 제6,373,072호에서, 이러한 접근법은 피드쓰루 방법(feedthrough method)으로서 지칭되며, 이에 의해 기판 스테이지의 위치 오차가 레티클 스테이지의 컨트롤러에 피드 쓰루된다. [ 발명의 개요 ] 멀티-바디 시스템의 2개 이상의 바디의 동기화된 작동을 제어하기 위한 개선된 제어 전략을 갖는 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명의 제1 양태에 따라, 멀티-바디 시스템의 동기식 위치설정을 제어하기 위한 제어 디바이스가 제공되며, 상기 제어 디바이스는,상기 멀티-바디 시스템의 제1 바디의 요구된 위치와 상기 제1 바디의 측정 위치 간의 차이를 나타내는 제1 오차 신호와, 상기 멀티-바디 시스템의 제2 바디의 요구된 위치와 상기 제2 바디의 측정 위치 간의 차이를 나타내는 제2 오차 신호를 수신하기 위한 입력단을 포함하며,상기 제어 디바이스가,- 상기 제1 오차 신호를 기반으로, 상기 제1 바디를 구동하도록 구성된 위치설정 디바이스를 구동하기 위한 1차의 제1 구동 신호를 결정하고,- 상기 제2 오차 신호를 기반으로, 상기 제2 바디를 구동하도록 구성된 위치설정 디바이스를 구동하기 위한 1차의 제2 구동 신호를 결정하고,- 상기 제2 오차 신호를 기반으로 하는, 상기 제1 바디를 구동하도록 구성된 위치설정 디바이스를 구동하기 위한 2차의 제1 구동 신호를 결정하고,- 상기 제1 오차 신호를 기반으로 하는, 상기 제2 바디를 구동하도록 구성된 위치설정 디바이스를 구동하기 위한 2차의 제2 구동 신호를 결정하고,- 결합된 제1 구동 신호를 획득하기 위해 상기 1차의 제1 구동 신호와 상기 2차의 제1 구동 신호를 결합하고, 결합된 제2 구동 신호를 획득하기 위해 상기 1차의 제2 구동 신호와 상기 2차의 제2 구동 신호를 결합하도록 구성되며,상기 제어 디바이스는 또한 상기 결합된 제1 구동 신호 및 상기 결합된 제2 구동 신호를 각자의 위치설정 디바이스에 출력하기 위한 출력단을 포함한다.본 발명의 제2 양태에 따라, 멀티-바디 시스템의 동기식 작동을 제어하기 위한 제어 방법이 제공되며, 상기 제어 방법은,- 상기 멀티-바디 시스템의 제1 바디의 요구된 위치를 나타내는 제1 설정점 및 상기 멀티-바디 시스템의 제2 바디의 요구된 설정점을 나타내는 제2 설정점을 결정하는 단계;- 상기 제1 바디의 요구된 위치와 상기 제1 바디의 측정 위치 간의 차이를 나타내는 제1 오차 신호와, 상기 제2 바디의 요구된 위치와 상기 제2 바디의 측정 위치 간의 차이를 나타내는 제2 오차 신호를 수신하는 단계;- 상기 제1 오차 신호를 기반으로 상기 제1 바디를 구동하는 위치설정 디바이스를 구동하기 위한 1차의 제1 구동 신호를 결정하는 단계;- 상기 제2 오차 신호를 기반으로 상기 제2 바디를 구동하는 위치설정 디바이스를 구동하기 위한 1차의 제2 구동 신호를 결정하는 단계;- 상기 제2 오차 신호를 기반으로 하는, 상기 제1 바디를 구동하는 위치설정 디바이스를 구동하기 위한 2차의 제1 구동 신호를 결정하는 단계;- 상기 제1 오차 신호를 기반으로 하는, 상기 제2 바디를 구동하는 위치설정 디바이스를 구동하기 위한 2차의 제2 구동 신호를 결정하는 단계;- 결합된 제1 구동 신호를 획득하기 위해 상기 1차의 제1 구동 신호와 상기 2차의 제1 구동 신호를 결합하고, 결합된 제2 구동 신호를 획득하기 위해 상기 1차의 제2 구동 신호와 상기 2차의 제2 구동 신호를 결합하는 단계; 및- 상기 결합된 제1 구동 신호 및 상기 결합된 제2 구동 신호를 각자의 위치설정 디바이스에 제공하는 단계를 포함한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 이하에서는 본 발명의 실시예를 대응하는 도면 부호가 대응하는 부분을 나타내고 있는 첨부 개략 도면을 참조하여 예로서만 설명할 것이다:도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면이다.도 2는 레티클 스테이지 및 기판 스테이지의 동기화된 위치설정을 제어하기 위해 종래 기술로 공지된 바와 같은 제어 방식(control scheme)을 도시하는 도면이다.도 3은 오차 피드쓰루가 기판 스테이지로부터 레티클 스테이지로 적용되는 종래 기술로 공지된 바와 같은 다른 제어 방식을 도시하는 도면이다.도 4는 본 발명에 따른 제1 제어 방식을 도시하는 도면이다.도 5는 본 발명에 따른 제2 제어 방식을 도시하는 도면이다.도 6은 본 발명에 따른 제2 제어 방식의 상세를 도시하는 도면이다.도 7은 본 발명에 따른 제2 제어 방식의 대안의 모델을 도시하는 도면이다.도 8은 본 발명에 따른 제3 제어 방식을 도시하는 도면이다.도 9는 본 발명에 따른 제3 제어 방식의 상세를 도시하는 도면이다.도 10은 본 발명에 따른 제4 제어 방식을 도시하는 도면이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하고 있다. 본 리소그래피 장치는, 방사선 빔(B, 예컨대 UV 방사선 또는 임의의 다른 적합한 방사선)을 조절하도록 구성된 조명 시스템(조명기)(IL)과, 패터닝 장치(예컨대, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 또한 특정 파라미터에 따라 패터닝 장치를 정확히 위치시키도록 구성된 제1 위치설정 디바이스(PM)에 연결된 마스크 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블)(MT)를 포함한다. 또한, 본 리소그래피 장치는, 기판(예컨대, 레지스트가 코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 특정 파라미터에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제2 위치설정 디바이스(PW)에 연결된 기판 테이블(예컨대, 웨이퍼 테이블)(WT) 또는 "기판 지지체"와, 패터닝 장치(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여한 패턴을 기판(W)의 타겟 영역(C)(예컨대, 하나 이상의 다이를 포함하는) 상에 투영하도록 구성된 투영 시스템(예컨대, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위한 굴절식, 반사식, 자기식, 전자기식, 정전식, 다른 형태의 광학 요소, 또는 이들의 임의의 조합과 같은 다양한 형태의 광학 요소들을 포함할 수 있다.마스크 지지 구조체는 패터닝 장치를 지지, 즉 패터닝 장치의 무게를 지탱한다. 마스크 지지 구조체는 패터닝 장치의 배향, 리소그래피 장치의 설계, 및 예컨대 패터닝 장치가 진공 분위기에 유지되는지의 여부와 같은 기타 조건들에 좌우되는 방식으로 패터닝 장치를 유지한다. 마스크 지지 구조체는 패터닝 장치를 유지하기 위해 기계식, 진공식, 정전식, 또는 기타 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 마스크 지지 구조체는 예컨대 필요에 따라 고정되거나 이동시킬 수 있는 프레임(frame) 또는 테이블일 수도 있다. 마스크 지지 구조체는 패터닝 장치가 예컨대 투영 시스템에 대하여 요구된 위치에 있도록 할 수 있다. 본 명세서에서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 장치"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.본 명세서에서 사용되는 "패터닝 장치"라는 용어는, 기판의 타겟 영역에 패턴을 생성하기 위하여 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하기 위해 사용될 수 있는 모든 디바이스를 지칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예컨대 그 패턴이 위상 편이 피처(phase shifting feature) 또는 이른바 어시스트 피처(assist feature)를 포함하는 경우, 기판의 타겟 영역 내의 요구된 패턴과 정확하게 대응하지 않을 수도 있다는 것에 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적회로와 같은 타겟 영역 내에 생성되는 디바이스에서의 특정 기능층에 대응할 것이다.패터닝 장치는 투과형일 수도 있고 또는 반사형일 수도 있다. 패터닝 장치의 예로는 마스크, 프로그래머블 미러 어레이, 및 프로그래머블 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상 반전형 및 감쇠 위상 반전형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라 다양한 하이브리드 마스크 타입들을 포함한다. 프로그래머블 미러 어레이의 예는 소형 미러들의 매트릭스 배열을 채용하며, 그 각각의 미러들은 입사 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 경사지는 것이 가능하다. 경사진 미러들은 미러 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 이용되고 있는 노광 방사선에 대하여 적합하거나 또는 액침액(immersion liquid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인들에 대하여 적합한, 굴절형, 반사형, 반사 굴절형(catadioptric), 자기형, 전자기형, 및 정전형 광학 시스템, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 어떠한 타입의 투영 시스템도 포함하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서 사용되는 "투영 렌즈"라는 용어는 "투영 시스템"이라는 좀더 일반적인 용어의 동의어로 간주할 수 있다.여기에서 도시된 바와 같이, 리소그래피 장치는 투과형의 것(예컨대, 투과형 마스크를 채용함)이다. 이와 달리, 리소그래피 장치는 반사형의 것(예컨대, 전술한 바와 같은 유형의 프로그래머블 미러 어레이를 채용하거나, 또는 반사형 마스크를 채용함)일 수도 있다.리소그래피 장치는 2개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블 또는 "기판 지지체"(및/또는 2개 이상의 마스크 테이블 또는 "마스크 지지체")을 갖는 타입의 것으로 될 수도 있다. 이러한 "멀티 스테이지" 장치에서는, 추가의 테이블 또는 지지체가 병행하여 사용될 수도 있고, 또는 하나 이상의 테이블 또는 지지체를 노광을 위해 사용하면서 다른 하나 이상의 테이블 또는 지지체 상에서 예비 단계를 수행할 수도 있다.리소그래피 장치는 또한 기판의 적어도 일부분이 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해 예컨대 물과 같은 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체에 의해 덮여질 수 있는 유형의 것으로도 될 수 있다. 액침액은 또한 예컨대 마스크와 투영 시스템 사이와 같은 리소그래피 장치의 다른 공간에도 가해질 수 있다. 액침 기술은 투영 시스템의 개구도(numerical aperture)를 증가시키기 위해 사용될 수 있다. 여기에서 사용된 바와 같은 "액침"이라는 표현은 기판과 같은 구조체가 액체에 잠겨져야 하는 것을 의미하지 않고, 단지 노광 동안 투영 시스템과 기판 사이에 액체가 위치된다는 것을 의미한다.도 1을 참조하면, 조명기(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수광한다. 예컨대, 방사선 소스가 엑시머 레이저인 경우, 방사선 소스와 리소그래피 장치는 별도의 구성요소일 수도 있다. 이러한 경우, 방사선 소스는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선 빔은 예컨대 적합한 지향 미러 및/또는 빔 확장기(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)을 이용하여 방사선 소스(SO)로부터 조명기(IL)로 전달된다. 다른 경우에, 예컨대 방사선 소스가 수은 램프인 경우에, 이 방사선 소스는 리소그래피 장치에 통합된 부품일 수도 있다. 방사선 소스(SO) 및 조명기(IL)는 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사 시스템으로 지칭될 수도 있다.조명기(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포(angular intensity distribution)를 조정하도록 구성된 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 조명기의 퓨필 평면에서의 세기 분포의 적어도 외측 반경 및/또는 내측 반경 범위(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 조명기(IL)는 집속기(integrator)(IN) 및 집광기(condenser)(CO)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 조명기는 방사선 빔의 단면에서 요구된 균일성 및 세기 분포를 갖도록 방사선 빔을 조절하기 위해 사용될 수 있다.방사선 빔(B)은 마스크 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 장치(예컨대, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 장치에 의해 패터닝된다. 마스크(MA)를 종단한 후, 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하고, 투영 시스템(PS)이 빔을 기판(W)의 타겟 영역(C) 상에 집속시킨다. 제2 위치설정 디바이스(PW) 및 위치 센서(IF)(예컨대, 간섭계 디바이스, 선형 인코더, 또는 용량형 센서)를 이용하여, 예컨대 방사선 빔(B)의 경로에 상이한 타겟 영역(C)을 위치시키도록 기판 테이블(WT)을 정확하게 이동시킬 수 있다. 마찬가지로, 제1 위치설정 디바이스(PM) 및 다른 위치 센서(도 1에 명시되어 도시되어 있지는 않음)를 이용하여, 예컨대 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적 인출 후에 또는 스캔하는 동안에, 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키는 것이 가능하다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 제1 위치설정 디바이스(PM)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈(long-stroke module; 개략적 위치 설정) 및 숏-스트로크 모듈(short-stroke module; 미세 위치 설정)을 이용하여 실현될 것이다. 마찬가지로, 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"의 이동은 제2 위치설정 디바이스(PW)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈 및 숏-스트로크 모듈을 이용하여 실현될 수 있다. 리소그래피 장치는 적어도 마스크 스테이지(마스크 테이블(MT)이 제공된) 및 기판 스테이지(기판 테이블(WT)이 제공된)의 동기식 변위(displacement) 및 위치설정을 제어하기 위한 본 발명에 따른 제어 디바이스(CU)를 더 포함한다. 그러나, 일실시예에서, 제어 디바이스(CU)는 리소그래피 장치의 다른 부분 또는 이동 가능 바디의 변위 또는 위치설정을 제어하도록 구성될 수도 있다. 리소그래피 장치에서의 다른 이동 가능 바디는 예컨대 렌즈 또는 미러 또는 레티클 마스킹 블레이드(reticle masking blade)와 같은 광학 부품 또는 디바이스를 포함할 수 있다. 이러한 점에서, 본 발명에 따라, "스테이지"는 또한 센서 또는 광학 부품(미러, 렌즈 또는 마스킹 블레이드와 같은)을 위치시키도록 구성된 위치설정기 또는 위치설정 디바이스를 지칭하기 위해서도 사용될 수 있다. 이러한 센서 또는 부품이 기판 스테이지 또는 마스크 스테이지와 동기하여 변위되거나 위치될 필요가 있는 경우, 본 발명에 따른 제어 디바이스는 이들 스테이지도 제어하도록 적용될 수도 있다. 스테퍼의 경우(스캐너와 반대되는 것으로서의), 마스크 테이블(MT)은 숏-스트로크 액추에이터에만 연결될 수도 있고, 또는 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 전용의 타겟 영역을 점유하고 있지만, 이들 마크들은 타겟 영역(C) 사이의 공간에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있다). 마찬가지로, 마스크(MA) 상에 하나보다 많은 다이가 제공되는 상황에서는, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.도시된 장치는 다음 모드들 중 하나 이상의 모드로 사용될 수 있다:1. 스텝 모드에서는, 마스크 테이블(MT) 또는 "마스크 지지체" 및 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"를 기본적으로 정지 상태로 유지한 채로, 방사선 빔(B)에 부여한 패턴 전체를 한 번에 타겟 영역(C) 상에 투영한다(즉, 단일 정지 노광). 그리고나서, 상이한 타겟 영역(C)이 노광될 수 있도록 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"를 X 방향 및/또는 Y 방향으로 이동시킨다. 스텝 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기에 의해, 단일 정지 노광시에 이미징되는 타겟 영역(C)의 크기가 한정된다.2. 스캔 모드에서는, 마스크 테이블(MT) 또는 "마스크 지지체" 및 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"를 동기적으로 스캐닝하면서, 방사선 빔(B)에 부여한 패턴을 타겟 영역(C) 상에 투영한다(즉, 단일 동적 노광). 마스크 테이블(MT) 또는 "마스크 지지체"에 대한 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대율(축소율) 및 상 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기에 의해 단일 동적 노광시의 타겟 영역의 폭(스캐닝되지 않는 방향에서의 폭)이 한정되는 한편, 스캐닝 동작의 길이에 의해 타겟 영역의 높이(스캐닝 방향에서의 높이)가 결정된다.3. 또 다른 모드에서는, 프로그래머블 패터닝 장치를 유지한 채로 마스크 테이블(MT) 또는 "마스크 지지체"를 기본적으로 정지 상태로 하고, 또한 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"를 이동시키거나 스캐닝하면서, 방사선 빔에 부여한 패턴을 타겟 영역(C) 상에 투영한다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사선 소스가 채용되며, 프로그래머블 패터닝 장치는 기판 테이블(WT) 또는 "기판 지지체"의 각각의 이동 후에 또는 스캔 동안의 연속적인 방사 펄스의 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급한 바와 같은 타입의 프로그래머블 미러 어레이와 같은 프로그래머블 패터닝 장치를 이용하는 마스크 없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.또한, 전술한 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 전혀 다른 사용 모드들이 채용될 수도 있다.도 2는 레티클 스테이지(또는 마스크 스테이지)와 웨이퍼 스테이지(또는 기판 스테이지)의 동기식 변위를 제어하기 위한 공지의 리소그래피 장치에 적용된 바와 같은 제어 방식을 개략적으로 도시하고 있다.도 2에서, r은 웨이퍼 스테이지(첨자 ws)가 후속되는 요구된 궤적(trajectory) 또는 설정점을 나타낸다. 레티클 스테이지(첨자 rs)는 리소그래피 장치의 투영 시스템의 확대율을 고려하기 위해 계수 k(전형적으로는 4 또는 5)가 곱해진 궤적 r을 따를 필요가 있다. 제어 방식은 또한 레티클 스테이지의 요구된 위치와 레티클 스테이지의 실제 측정 위치 xrs 간의 차이를 나타내는 오차 신호 ers를 기반으로 하는 구동 신호 Frs를 결정하기 위한 제1 컨트롤러 Crs(s)와, 웨이퍼 스테이지의 요구된 위치와 웨이퍼 스테이지의 실제 측정 위치 xws 간의 차이를 나타내는 오차 신호 ews를 기반으로 하는 구동 신호 Fws를 결정하기 위한 제2 컨트롤러 Cws(s)를 도시하고 있다. 도 2에서, Hrs(s) 및 Hws(s)는 각자의 구동력 Frs 및 Fws를 레티클 스테이지와 웨이퍼 스테이지의 실제 위치 xrs 및 xws로 변환하는 것을 도식적으로 나타내고 있다. 그러므로, Hrs(s) 및 Hws(s)는 레티클 스테이지와 웨이퍼 스테이지의 기계적 전달 함수(mechanical transfer function)로서 간주될 수도 있다. 도 2는 또한 레티클 스테이지와 웨이퍼 스테이지의 실제 위치 xrs 및 xws를 기반으로 하는 레티클 스테이지와 웨이퍼 스테이지 간의 위치 오차 ewr의 결정을 도시하고 있다. 도 2의 제어 방식에서, 컨트롤러 Crs(s) 및 Cws(s) 둘 모두는 서로 독립적으로 작동하며, 각각 각자의 스테이지의 위치 오차를 감소시키기 위해 구동력(Frs/Fws)을 결정한다.도 3에는 공지의 리소그래피 장치에 적용되는 또 다른 제어 방식이 개략적으로 도시되어 있다. 도 2에서와 동일한 부호가 사용되어 있다. 도 2의 제어 방식에 부가하여, 도 3의 제어 방식은 레티클 스테이지 컨트롤러에 대한 웨이퍼 스테이지 위치 오차의 소위 피드쓰루 경로를 추가로 포함한다. 이 접근법에 관해서는 예컨대 미국 특허 제6,373,072호가 참조될 수 있다. 도 3에서 알 수 있는 바와 같이, 웨이퍼 스테이지 오차 ews가 전달 함수 Hr1(s)를 통해 컨트롤러 Crs(s)에 대한 입력으로서 제공되고, 전달함수 Hr2(s)를 통해 레티클 스테이지(전달 함수 Hrs(s)에 의해 표현된)를 제어하기 위한 추가의 구동력으로서 제공된다. 그러므로, Hr2(s)는 웨어퍼 스테이지 오차 ews를 추가의 구동력으로 변환한다. 이것은 예컨대 가속 오차(acceleration error)를 획득하기 위해 오차 신호를 2회 미분하고 이 가속 오차를 레티클 스테이지의 질량 M과 승산함으로써 또는 Hr2(s)=Ms2로 함으로써 실현될 수 있으며, 여기에서 s는 라플라스 연산자(Laplace operator)이다. 도 3의 제어 방식은 레티클 스테이지의 응답 속도가 웨이퍼 스테이지의 응답 속도보다 빠른 경우에 적용될 수 있어서 이롭다. 이러한 상황에서, 웨이퍼 스테이지 오차를 레티클 스테이지(즉, 더 빠른 응답을 갖는 스테이지)에 피딩하는 것은 레티클 스테이지와 웨이퍼 스테이지 간의 위치 오차를 표현하는 오차 ewr을 감소시키는데 도움을 주며, 이 오차는 노광 프로세스, 즉 레티클 스테이지 상에 탑재되는 레티클 상에 제공된 패턴이 웨이퍼 스테이지 상에 탑재되는 웨이퍼의 타겟 영역 상으로 투영되게 하는 프로세스의 품질에 직접적으로 영향을 준다.이 발명의 발명자는 미국 특허 제6,373,072호에 설명된 바와 같은 방법에 대한 추가의 개선을 고안하였으며, 이에 의해 이 발명은 스테이지들 간의 응답 속도 또는 응답성에서의 차이가 있든지 간에 무관하게 적용될 수 있다. 전형적으로, 공지의 구성에서는, 웨이퍼 스테이지가 레티클 스테이지보다 낮은 고유주파수(eigenfrequency)를 가질 수 있다. 그 결과, 덜 공격적인 제어 방식이 채택될 필요가 있으며, 그 결과로 웨이퍼 스테이지가 외란(disturbance) 또는 요구된 위치설정에 응답함에 있어서 더 느려지게 된다.도 4는 본 발명에 따른 제어 디바이스(CU)의 제1 실시예를 개략적으로 도시하고 있다. 도 4는 리소그래피 장치에서 레티클 스테이지 및 웨이퍼 스테이지를 제어하기 위해 적용될 수 있는 제어 방식을 개략적으로 도시하고 있다. 그러나, 도시된 바와 같은 제어 디바이스(CU)는 또한 다른 타입의 스테이지의, 일반적으로는 다른 이동 물체 또는 바디의, 동기식 이동을 제어하기 위해 적용될 수도 있다.도시된 바와 같은 실시예에서, 설정점 또는 궤적 r은 웨이퍼 스테이지의 요구된 위치를 나타내는 한편, k 배의 r(k times r)은 레티클 스테이지의 요구된 위치를 나타낸다. 일반적으로, 제1 물체 또는 바디의 요구된 위치(또는 설정점)와 제2 물체 또는 바디의 요구된 위치(또는 설정점) 간에는 사전에 정해진 관계가 존재할 수도 있다. 제어 디바이스(CU)는, 예컨대 입력 단자(도시하지 않음)를 통해, 레티클 스테이지의 요구된 위치와 레티클 스테이지의 측정 위치 xrs 간의 차이를 나타내는 제1 오차 신호 ers, 웨이퍼 스테이지의 요구된 위치 r과 웨이퍼 스테이지의 측정 위치 xws 간의 차이를 나타내는 제2 오차 신호 ews를 수신하도록 구성된다. 제어 디바이스(CU)는, 도 2에 도시된 구성과 유사하게, 오차 신호 ers를 기반으로 하는 1차 구동 신호(Fr1)를 결정하기 위한 제1 컨트롤러 Crs(s)와, 오차 신호 ews를 기반으로 하는 1차 구동 신호(Fw1)를 결정하기 위한 제2 컨트롤러 Cws(s)를 포함한다. 일실시예에서, 컨트롤러 Crs(s) 및 Cws(s)는 예컨대 PID 컨트롤러 등을 포함할 수도 있다. 본 발명에 따라, 2차 구동 신호가 둘 모두의 스테이지에 추가로 제공된다. 알 수 있는 바와 같이, 제어 디바이스(CU)는 웨이퍼 스테이지의 오차 신호 ews를 기반으로 하는 레티클 스테이지를 위한 2차 구동 신호 Fr2와, 레티클 스테이지의 오차 신호 ers를 기반으로 하는 웨이퍼 스테이지를 위한 2차 구동 신호 Fw2를 결정하도록 구성된다. 1차 구동 신호와 2차 구동 신호는 레티클 스테이지(기계적 전달 함수 Hrs(s)에 의해 표현된)와 웨이퍼 스테이지(기계적 전달 함수 Hws(s)에 의해 표현된)를 각각 구동하기 위한 결합된 구동 신호 Frc와 Fwc를 획득하기 위해 결합된다. 기계적 전달 함수는 구동 신호 또는 구동력으로부터 실제 위치 또는 변위로의 변환을 표현한다. 즉, 기계적 전달 함수는 힘(Frc 또는 Fwc)이 가해지는 때의 웨이퍼 스테이지 및 레티클 스테이지를 표현하는 시스템(H)의 실제 동작(actual behavior)을 표현한다. 피드쓰루 경로, 즉 웨이퍼 스테이지 오차 ews와 레티클 스테이지 오차 ers의 피드쓰루에 적용된 바와 같은 전달 함수는 기계적 전달 함수에 의해 제공된 것과 같은 역변환(inverse conversion)이 되는 변환을 표현한다. 즉, 이들은 위치 또는 변위로부터 힘(즉, 2차 구동 신호 Fr2 및 Fw2)으로의 변환을 표현한다. 이상적으로, 기계적 전달 함수가 알려져 있을 경우에, 그로부터 이들 함수가 구해질 수 있다. 구체적으로, Hr2(s)=1/Hrs(s)인 경우, 2차 구동 신호 Fr2는 웨이퍼 스테이지 오차 ews를 보상하기 위해 요구된 레티클 스테이지 입력에 대응할 것이다. 마찬가지로, 동등한 Hw2(s)=1/Hws(s)에 의해, 2차 구동 신호 Fw2는 레티클 스테이지 오차 ers를 보상하기 위해 요구된 웨이퍼 스테이지 입력에 대응할 것이다.그러나, 레티클 스테이지와 웨이퍼 스테이지의 실제 기계적 동작은 어느 정도까지만 알려져 있다. 구체적으로, 스테이지들의 고주파 동작은 예측하거나 또는 정확하게 모델링되기가 어려울 수도 있다. 계산된 보상력 Fr2와 실제 요구된 힘 간에 불일치(discrepancy)가 있는 때에, 이것은 감소된 오차 대신에 증가된 위치 오차를 야기할 수 있다. 이를 방지하기 위해, 전달 함수 Hr2(s)는 예컨대 -4 또는 -2 이득을 갖는 저역 통과 필터와 같은 저역 통과 필터(LPF)를 포함하는 것이 바람직하다. 마찬가지로, 전달 함수 Hw2(s) 또한 예컨대 -4 또는 -2 이득을 갖는 저역 통과 필터와 같은 저역 통과 필터(LPF)를 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 보상력(Fr2 및 Fw2)이 각각 레티클 스테이지와 웨이퍼 스테이지에 피드 포워드되는 때에는, 어떠한 추가의 방안 없이, 제1 및 제2 컨트롤러 Crs(s) 및 Cws(s)는 이 힘을 외란으로서 간주할 것이고, 피드포워드 힘의 영향에 반응하거나 축소하려고 시도할 것이다. 그 결과, 2차 구동 신호의 피드쓰루는 그 영향이 적어지게 될 수 있다. 이 영향은 또한 위치 오차 ews 및 ers를 각자의 컨트롤러에 피딩함으로써 방지되거나 또는 완화될 수 있다. 본 발명에 따라, 스테이지들의 위치 오차의 이러한 피드쓰루를 제공하기 위한 다양한 옵션이 존재한다.제1 실시예에서는, 제1 스테이지에 연관된 컨트롤러 입력 신호가 제2 스테이지의 컨트롤러에 대한 입력으로 제공되고, 제2 스테이지에 연관된 컨트롤러 입력 신호가 제1 스테이지의 컨트롤러에 대한 입력으로 제공된다. 이러한 실시예가 도 5에 개략적으로 도시되어 있다. 알 수 있는 바와 같이, 오차 신호 ews는 전달 함수 Hr1(s)를 통해 레티클 스테이지 컨트롤러 Crs(s)의 입력에 피드쓰루된다. 마찬가지로, 오차 신호 ers는 전달 함수 Hw1(s)를 통해 웨이퍼 스테이지 컨트롤러 Cws(s)의 입력에 피드쓰루된다. 이 피드쓰루가 둘 모두의 스테이지에 대해 적용되기 때문에, 추가의 피드백 루프가 생성된다. 구체적으로, 웨이퍼 스테이지 컨트롤러 Cws(s)는 이제는 레티클 스테이지 폐루프에 의해 부분적으로 정해지는 전달 함수를 만나게 된다. 마찬가지로, 레티클 스테이지 컨트롤러 Crs(s)는 이제는 웨이퍼 스테이지 폐루프에 의해 부분적으로 정해지는 전달 함수를 만나게 된다.도 6에는, 이것이 일반화된 형태로 예시되어 있으며, 여기서 rr 및 rw는 레티클 스테이지(첨자 r)와 웨이퍼 스테이지(첨자 w)의 설정점(또는 요구된 위치)을 나타내고, yr 및 yw는 스테이지들로부터 획득된 실제 위치 피드백 신호를 나타내며, Hw1 및 Hr1은 하나의 스테이지의 위치 피드백 신호와 설정점 간의 차이를 다른 스테이지에 피딩하기 위해 적용된 바와 같은 전달 함수를 나타내고, ur 및 uw는 스테이지들의 컨트롤러(도시하지 않음)에 적용된 바와 같은 결과 입력 신호를 나타낸다. 도시된 바와 같은 구성에 대해서, ur에 대해 아래의 표현을 구할 수 있다: (1)알 수 있는 바와 같이, 레티클 스테이지 컨트롤러는 Hw1의 함수인 신호 ur을 입력으로서 수신한다. 웨이퍼 스테이지 컨트롤러에 대한 입력 신호 uw에 관하여 유사한 고찰(observations)이 이루어질 수 있다. 다시 도 5를 참조하면, 오차 ews 및 ers 둘 모두는 그러므로 도 6에 도시된 바와 같은 양상으로 전달 함수 Hr1(s) 및 Hw1(s)를 사용하여 각자의 컨트롤러 Crs(s) 및 Cws(s)에 피드쓰루된다. 일실시예에서, 전달 함수 Hr1(s) 및 Hw1(s)는 저역 통과 필터이다. 식 (1)로부터, 당연한 결과로, Hr1(s)Hw1(s)가 1에 근접하면, 안정성 위험이 발생한다.일실시예에서는, Hr1(s) 및 Hr2(s)가 동일한 LPF를 포함할 수 있다. 마찬가지로, Hw1(s) 및 Hw2(s)는 동일한 LPF를 포함할 수 있다.도 5에 도시된 바와 같은 둘 모두의 오차의 특정한 피드쓰루에 의해, 제어 루프의 안정성을 보장하기 위한 주의가 취해져야 한다. 안정성을 평가하기 위해서는 이하의 것이 고려될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같은 제어 디바이스(CU) 및 시스템(H)은 SISO(단일 입력/단일 출력) 시스템을 제어하는 각자의 MIMO(다중 입력/다중 출력) 컨트롤러로 고려될 수 있다. 도 5에 나타낸 바와 같이 피드쓰루가 적용되는 이러한 시스템은 또한 도 7에 나타낸 바와 같이 도시될 수도 있다. 도 7은 2개의 위치 입력 신호 rw(예컨대, 웨이퍼 스테이지 설정점) 및 rr(가능하게는 k × rw와 동일한 예컨대 레티클 스테이지 설정점)를 갖는 시스템과, 도 5에 도시된 것과 유사한 오차 피드쓰루를 갖는 제어 디바이스(CU)를 개략적으로 도시하고 있다. 도 5와 비교하면, 투영 시스템의 확대율을 고려하는 계수 k 및 1/k는 더욱 명시적(explicit)으로 되어 있다. 도시된 시스템의 개루프 동작은 이하의 식에 의해 표현될 수 있다: (2)MIMO 시스템의 안정성은 (I+CㆍP)의 행렬식(determinant)을 고려함으로써 평가될 수 있으며, 여기서 I는 단위 행렬이다. 시스템이 안정하게 되도록 하기 위해서는 이하의 조건이 충족되어야 한다: (3)또는 (4)전술한 바와 같이, 2차 구동 신호(Fr2 또는 Fw2)가 위치 오차 ews 또는 ers에 기초하여 결정된 때에(도 5를 참조), 각각 Hrs와 Hws의 역이어야 하는 것이 이상적인 전달 함수 Hr2와 Hw2가 적용된다. 실제로, 전달 함수 Hr2와 Hw2는, 일실시예에서는, 저역 통과 필터(LPF)와, 역 기계적 전달 함수(inverse mechanical transfer function) Hrs와 Hws를 근사하는 모델의 조합으로서 기술될 수 있다. Hr1와 Hw1은 일실시예에서는 저역 통과 필터로서 기술될 수 있다. 그러므로, 아래의 안정성 고려에서, Hr2, Hw2, Hr1 및 Hw1은 아래와 같이 기술된다: (5)여기에서, 계수 α와 β는 피드쓰루의 증폭 또는 이득을 나타내고, LPFr 및 LPFw는 레티클 스테이지와 웨이퍼 스테이지의 피드쓰루 경로에 적용된 바와 같은 저역 통과 필터이며, 와 는 도 5에 도시된 바와 같은 기계적 전달 함수 Hrs(s)와 Hws(s)의 근사 모델을 나타낸다. 제1 근사로서, 전달 함수 와 는 예컨대 이차 미분(double differentiation) 및 각각 레티클 스테이지 질량과 웨이퍼 스테이지 질량과의 승산을 포함할 수 있다.식 (5)가 식 (4)에 적용되는 때에, 안정성 조건은 다음과 같이 된다: (6)실제로 이 조건이 충족되도록 하기 위해, 저주파 대역과 고주파 대역 간의 구별이 이루어질 수 있다.저주파수에서는, 모델 와 가 기계적 전달 함수 Hrs(s)와 Hws(s)의 근사 모델을 정확하게 표현하는 것으로 가정될 수 있으며, 그러므로 다음과 같이 된다: 및 (7)저주파수에서 LPFr 및 LPFw=1인 것을 추가로 고려하는 것은 안정성을 보장하기 위해 충족될 조건 (8)을 야기한다.더 높은 주파수, 구체적으로 공진 주파수에서는, 이하의 식이 관찰될 수 있다: 및 (9)이러한 주파수에서, 필터 LPFr 및 LPFw의 적절한 선택에 의해 을 보장할 수 있다.α=β=0.8 및 -2 이득을 갖는 LPF의 선택은 도 5 및 도 7에 설명된 시스템의 안정성을 보장하기에 충분한 것으로 판명되었다. 적용될 수 있는 LPF의 예로서는, 500-1500㎐의 차단 주파수를 갖는 LPF가 언급될 수 있다. 특정한 예에서, 대략 1800㎐의 제1 고유 주파수를 갖는 레티클 스테이지가 제어되는 경우에 600㎐의 차단 주파수를 갖는 LPF가 적용될 수 있다.도 5 내지 도 7에서 설명된 바와 같은 웨이퍼 스테이지 및 레티클 스테이지 둘 모두의 위치 오차의 피드쓰루에 의해, 전달 함수 Hr1(s) 및 Hw1(s)를 통해 피드 쓰루된 바와 같은 오차 신호는 더 이상 단독적으로 레티클 스테이지 오차 또는 웨이퍼 스테이지 오차인 것은 아니라는 것에 유의하기 바란다. 구체적으로, 예컨대 도 5로부터 알 수 있는 바와 같이, 오차 신호 ers(전달 함수 Hw1(s)를 통해 웨이퍼 스테이지 컨트롤러에 적용되는)는 또한 웨이퍼 스테이지 오차를 포함하는 ews를 기반으로 하는 성분도 포함한다. 이를 방지하기 위해, 본 발명의 실시예는 하나의 스테이지의 위치 오차의 다른 스테이지로의 대안의 피드쓰루를 제공한다. 이러한 구성은 도 8에 개략적으로 도시되어 있다.도 5와 비교하면, 실제 레티클 스테이지 오차 ers(즉, rr과 xrs 간의 차이)만이 피드쓰루(전달 함수 Hw1(s)를 통해)되는 반면, 도 5에서는 ers가 전달된 웨이퍼 스테이지 오차 ews도 포함한다는 것을 알 수 있다.이와 같이 함으로써, 웨이퍼 스테이지 제어 루프와 레티클 스테이지 제어 루프 간의 교차 결합(cross-linkage)이 감소된다. 도 9는, 도 6과 유사한 양상으로, 이러한 피드쓰루의 일반화된 형태를 개략적으로 도시하며, 여기서 신호 ur은 아래와 같이 결정될 수 있다: (10)알 수 있는 바와 같이, 도 9의 구성을 사용하면, 신호 ur은 더 이상 전달 함수 Hw1(s)의 함수가 아니고 단지 레티클 스테이지 오차 및 피드 쓰루된 웨이퍼 스테이지 오차의 함수이다. 추가로 알 수 있는 바와 같이, Hr1(s)Hw1(s)가 1에 근접하는 때의(식 1을 참조) 안정성 위험이 감소된다.도 10에는 본 발명의 실시예에 따른 제어 방식의 제4 실시예가 개략적으로 도시되어 있다. 도 8의 실시예와 비교하여, 이하의 것을 알 수 있다:컨트롤러에의 오차 성분의 피드쓰루에 대해서, 도 10의 구성은 도 8의 구성에 대응한다. 즉, 실제 레티클 스테이지 오차 ers(즉, rr과 xrs 간의 차이)가 웨이퍼 스테이지의 웨이퍼 스테이지 컨트롤러 Cws(s)에 피드쓰루되는(전달 함수 Hw1(s)를 통해) 한편, 도 5에서는 ers가 전달된 웨이퍼 스테이지 오차 ews도 포함한다. 마찬가지로, 실제 웨이퍼 스테이지 오차 ews(즉, rw와 xws 간의 차이)가 레티클 스테이지 컨트롤러 Crs(s)에 피드쓰루된다(전달 함수 Hr1(s)를 통해). 피드쓰루 힘, 즉 전달 함수 Hr2(s) 및 Hw2(s)에 대해서는, 도 10의 구성이 도 5의 구성에 대응하며, 이에 의해 피드쓰루 힘이 컨트롤러 Cws(s) 및 Crs(s)의 입력 신호를 기반으로 한다는 것을 알 수 있다. 본 발명에 따른 제어 방식, 즉 양방향 피드쓰루를 갖는 제어 방식의 안정성의 평가에 대해서는, 아래의 것이 언급될 수 있다. 본 발명에 따른 제어 방법은, 도 3의 공지의 방법에 비하여, 동기하여(in synchronism) 작동할 필요가 있는 2개 이상의 스테이지 또는 바디 또는 물체들 간에 관측된 위치 오차의 개선을 제공한다. 도 3의 컨트롤러 Cws(s) 및 Crs(s)와 레티클 스테이지 전달 함수 Hrs(s) 및 웨이퍼 스테이지 전달 함수 Hws(s)를 포함하는 스테이지 시스템을 각자의 MIMO(다중 입력/다중 출력) 컨트롤러 및 SISO(단일 입력/단일 출력) 시스템으로서 간주하는 때에는, 공지의 시스템의 안정성은 전술한 것과 유사한 양상으로 평가될 수 있으며, 이에 대해서는 식 (3)을 참조하기 바란다. 이 시스템에 대한 CㆍP를 결정하는 것은 다음과 같이 된다: (11)위쪽 대각 구조(upper diagonal structure) 때문에, SISO 전달 함수 Cws(s)Hws(s) 및 Crs(s)Hrs(s)가 안정할 때에, MIMO 안정성이 기본적으로 획득된다. 이와 같이, 예컨대 도 3의 제어 방식에서 행해진 바와 같이 단일 피드쓰루만을 적용할 때에는, SISO 전달이 안정한 경우에, 시스템의 안정성을 위해 요구되는 추가의 고려사항은 없다. 달리 말하면, 폐루프 안정성은 식 (11)에서의 피드쓰루 컨트롤러 kCrs(s)Hr1(s)+kHr2(s)에 독립적으로 고려될 수 있다. 그러나, 본 발명에서 적용된 바와 같이, 양방향 피드쓰루의 경우에, 컨트롤러 행렬 C의 대각선 아래의 요소는 비-제로(non-zero)가 되며, 이에 대해서는 도 7의 구성에 대해 CㆍP가 계산되는 식 (2)를 참조하기 바란다. CㆍP의 유사한 결정이 도 8 및 도 10의 구성에 대해서도 이루어질 수 있다는 것을 유의하기 바란다. 이러한 통찰력으로, 본 발명의 발명자는, 양방향 피드쓰루를 갖는 MIMO 시스템의 안정성을 보장하기 위해서는, 대각선 아래의 컨트롤러 행렬의 요소가 충분히 작도록 하는 것에 초점을 두어야 한다는 것을 창안하였다. 실제로, 이것은 예컨대 도 7의 실시예에 대해 식 (3) 내지 (9)에서 예시한 바와 같이 적절한 필터링을 적용함으로써 실현될 수 있다. 이 실시예 및 기타 실시예에 대해서는, 예컨대 노치 필터(notch filter) 등을 포함하는 다른 타입의 필터링이 고려될 수도 있다. 그러므로, 일반적으로 말하자면, SISO 전달(즉, CㆍP 행렬의 대각선 요소)이 안정한 때에, 비대각선 요소의 적절한 필터링은 양방향 피드쓰루가 안정한 제어를 야기한다는 것을 보장할 수 있다. 본 발명에 따른 제어 방법 또는 제어 디바이스는 동기하여 작동하도록 요구되는 2개 이상의 스테이지 간의 위치 오차가 감소될 수 있도록 한다. 구체적으로, 리소그래피 장치에서 본 발명에 따른 방법을 적용하는 것은 레티클 스테이지와 웨이퍼 스테이지 간의 이동 평균(MA) 오차(moving average(MA) error)를 크게 감소시키는 것으로 판명되었다. 이와 동시에, 이동 표준 편차(MSD) 오차(moving standard deviation(MSD) error)는 영향을 받지 않은 채로 유지되거나 또는 약간 개선되는 것으로 판명되었다.위의 설명이 주로 리소그래피 장치에서의 레티클 스테이지와 웨이퍼 스테이지의 동기식 작동을 설명하지만, 본 발명은 또한 2개보다 많은 스테이지의 동기화된 작동을 향상시키기 위해 적용될 수도 있고, 리소그래피의 분야에서 벗어나서 적용될 수도 있다. 전자의 예로서, 본 발명에 따른 제어 디바이스 또는 제어 방법은 또한 리소그래피 장치에서의 광학 요소 또는 디바이스의 위치를 제어하는 스테이지와 같은 리소그래피 장치에서의 다른 스테이지를 제어하기 위해 사용될 수도 있다. 그 예로서, 리소그래피 장치는 또한 예컨대 하나의 스테이지와 동기하여 위치될 필요가 있는 렌즈, 미러 또는 마스킹 블레이드와 같은 광학 부품을 포함할 수도 있다.본 명세서에서는 집적회로의 제조에 리소그래피 장치를 사용하는 것을 구체적으로 언급하였을 수도 있지만, 본 명세서에 설명된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같은 다른 응용예를 가질 수도 있다는 것을 이해하여야 한다. 당업자는, 이러한 대안의 응용예의 맥락에서, 본 명세서에서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟 영역"이라는 보다 일반적인 용어와 동의어인 것으로 간주될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 여기에서 지칭되는 기판은 예컨대 트랙(전형적으로 레지스트의 층을 기판에 입히고 노광된 레지스트를 현상하는 장치), 계측 장치 및/또는 검사 장치에서 노광 전 또는 후에 처리될 수도 있다. 적용 가능한 곳에서, 본 명세서에서의 개시내용은 이러한 기판 처리 장치 및 기타 기판 처리 장치에 적용될 수도 있다. 또한, 기판은 예컨대 다층 IC를 생성하기 위해 1회보다 많은 횟수로 처리될 수도 있으며, 이로써 본 명세서에서 사용된 기판이라는 표현은 복수의 처리 층을 이미 포함하고 있는 기판을 지칭할 수도 있다.위에서는 광학 리소그래피의 맥락에서 본 발명의 실시예를 이용하는 것을 구체적으로 언급하였을 수도 있지만, 본 발명은 예컨대 임프린트 리소그래피와 같은 다른 응용예에도 이용될 수 있으며, 문맥이 허용하는 곳에서는 광학 리소그래피로 한정되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서는, 패터닝 장치에서의 토포그래피가 기판 상에 생성되는 패턴을 규정한다. 패터닝 장치의 토포그래피는 기판에 공급되는 레지스트의 층으로 프레스될 수 있으며, 그러므로 이 레지스트가 전자기 방사선, 열, 압력 또는 이들의 조합을 가함으로써 경화된다. 패터닝 장치가 레지스트에서 멀어지게 이동됨에 따라 레지스트에 패턴이 잔류하게 되며, 그 후 레지스트가 경화된다.본 명세서에 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는, 자외(UV) 방사선(예컨대, 365, 248, 193, 157, 또는 126nm의 파장 또는 그 부근의 파장을 가짐) 및 극자외(EUV) 방사선(예컨대, 5∼20nm 범위의 파장을 가짐)뿐만 아니라 이온빔 또는 전자빔과 같은 입자빔을 포함하는 모든 유형의 전자기 방사선을 포괄한다."렌즈"라는 표현은 문맥이 허용하는 곳에서는 굴절성, 반사성, 자기성, 전자기성, 및 정전성 광학 요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 요소들 중 어느 하나 또는 그 조합을 지칭할 수도 있다.위에서는 본 발명의 구체적인 실시예를 설명하였지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수도 있다는 것을 이해할 것이다. 예컨대, 본 발명은 전술한 바와 같은 방법을 기술하는 기기 판독 가능 명령어의 하나 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램을 그 안에 저장하고 있는 데이터 저장 매체(예컨대, 반도체 메모리, 자기 디스크, 또는 광디스크)의 형태를 취할 수 있다.이상의 설명은 본 발명을 한정하려는 것이 아니라 예시를 위한 것이다. 그러므로, 아래에서 정해지는 청구항들의 범위에서 벗어나지 않고서 위에서 설명한 본 발명에 대해 수정이 이루어질 수도 있음은 당업자에게는 자명할 것이다.
멀티-바디 시스템의 동기식 위치설정을 제어하기 위한 제어 디바이스를 개시하며, 이 제어 디바이스는, 멀티-바디 시스템의 제1 바디(MT)의 요구된 위치와 제1 바디의 측정 위치 간의 차이를 나타내는 제1 오차 신호(ers)와, 멀티-바디 시스템의 제2 바디(WT)의 요구된 위치와 제2 바디의 측정 위치 간의 차이를 나타내는 제2 오차 신호(ews)를 수신하기 위한 입력단을 포함하며, 이 제어 디바이스는, 제1 오차 신호(ers)를 기반으로 하는, 제1 바디를 구동하도록 구성된 위치설정 디바이스를 구동하기 위한 1차의 제1 구동 신호(Fr1)를 결정하고, 제2 오차 신호(ews)를 기반으로 하는, 제2 바디를 구동하도록 구성된 위치설정 디바이스를 구동하기 위한 1차의 제2 구동 신호(Fw1)를 결정하고, 제2 오차 신호(ews)를 기반으로 하는, 제1 바디를 구동하도록 구성된 위치설정 디바이스를 구동하기 위한 2차의 제1 구동 신호(Fr2)를 결정하고, 제1 오차 신호(ers)를 기반으로 하는, 제2 바디를 구동하도록 구성된 위치설정 디바이스를 구동하기 위한 2차의 제2 구동 신호(Fw2)를 결정하고, 결합된 제1 구동 신호(Frc)를 획득하기 위해 1차의 제1 구동 신호(Fr1)와 2차의 제1 구동 신호(Fr2)를 결합하고, 결합된 제2 구동 신호(Fwc)를 획득하기 위해 1차의 제2 구동 신호(Fw1)와 2차의 제2 구동 신호(Fw2)를 결합하도록 구성되며, 이 제어 디바이스는 또한 결합된 제1 구동 신호(Frc) 및 결합된 제2 구동 신호(Fwc)를 각자의 위치설정 디바이스에 출력하기 위한 출력단을 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 보간을 이용하는 루마 및 크로마의 위상 정렬을 위한 컬러 색역 스케일러블 비디오 코딩 디바이스 및 방법COLOR GAMUT SCALABLE VIDEO CODING DEVICE AND METHOD FOR THE PHASE ALIGNMENT OF LUMA AND CHROMA USING INTERPOLATION [ 기술분야 ] 교차 참조본 출원은 2013년 12월 13일자로 출원된 미국 특허 가출원 제61/915,892호의 이점을 주장하는데, 상기 출원의 내용 각각은 참조에 의해 그 전체가 본원에 통합된다. [ 배경기술 ] 배경입력 비디오 스트림의 루마(luma) 및 크로마(chroma) 샘플 위치의 위상은 정렬되지 않을 수도 있다. 루마 및 크로마 샘플 위치의 이러한 오정렬은 3D LUT 보간(interpolation)의 정확성에 영향을 끼칠 수도 있고, 그에 따라, 추정될 수도 있는 3D LUT에도 영향을 끼칠 수도 있다. [ 발명의 개요 ] [ 과제의 해결 수단 ] 개요컬러 변환 성분을 추정하기 위한 시스템 및/또는 방법. 비디오 코딩 디바이스가 제1 컬러 공간과 관련되는 픽쳐를 수신할 수도 있다. 픽쳐는 제1 샘플링 위치에 있는 제1 성분, 제2 샘플링 위치에 있는 제2 성분, 및 제3 샘플링 위치에 있는 제2 성분을 포함할 수도 있다. 비디오 코딩 디바이스는, 제1 샘플링 위치에 있는 제2 성분을 결정하기 위해, 제2 샘플링 위치에 있는 제2 성분 및 제3 샘플링 위치에 있는 제2 성분에 제1 보간 필터를 적용할 수도 있다. 제1 샘플링 위치에 있는 제2 성분은 제1 컬러 공간과 관련될 수도 있다. 비디오 코딩 디바이스는, 제1 샘플링 위치에 있는 제1 성분을 제2 컬러 공간으로 변환하기 위해, 컬러 변환 모델을, 제1 샘플링 위치에 있는 제1 성분에 그리고 제1 샘플링 위치에 있는 제2 성분에 적용할 수도 있다. 제1 성분은 루마 성분일 수도 있고, 제2 성분은 제1 크로마 성분(예를 들면, 레드 차이 크로마 성분 및/또는 블루 차이 크로마 성분) 또는 제2 크로마 성분(예를 들면, 레드 차이 크로마 성분 및/또는 블루 차이 크로마 성분)일 수도 있다. 제1 성분은 제1 크로마 성분(예를 들면, 레드 차이 크로마 성분 및/또는 블루 차이 크로마 성분) 또는 제2 크로마 성분일 수도 있고, 제2 성분은 루마 성분일 수도 있다.비디오 코딩 디바이스는 제1 보간 필터를 적용할 수도 있다. 제1 보간 필터는: 제2 샘플링 위치에 있는 제2 성분을 3으로 승산하는 것; 제2 샘플링 위치에 있는 승산된 제2 성분, 제3 샘플링 위치에 있는 제2 성분, 및 2를 가산하여 합을 결정하는 것; 및 그 합을 4로 제산하는 것을 포함할 수도 있다. 제1 보간 필터는: 제2 샘플링 위치에 있는 제2 성분, 제3 샘플링 위치에 있는 제2 성분, 및 1을 가산하여 합을 결정하는 것; 및 그 합을 2로 제산하는 것을 포함할 수도 있다.픽쳐는 제4 샘플링 위치에 있는 제2 성분 및 제5 샘플링 위치에 있는 제2 성분을 포함할 수도 있다. 비디오 코딩 디바이스는, 제1 샘플링 위치에 있는 제2 성분을 결정하기 위해, 제1 보간 필터를, 제2 샘플링 위치에 있는 제2 성분, 제3 샘플링 위치에 있는 제2 성분, 제4 샘플링 위치에 있는 제2 성분, 및 제5 샘플링 위치에 있는 제2 성분에 적용할 수도 있다. 제1 보간 필터는: 제2 샘플링 위치에 있는 제2 성분 및 제3 샘플링 위치에 있는 제2 성분을 가산하여 제1 합을 결정하는 것; 제4 샘플링 위치에 있는 제2 성분 및 제5 샘플링 위치에 있는 제2 성분을 가산하여 제2 합을 결정하는 것; 제2 합을 3으로 승산하여 제3 합을 결정하는 것; 제1 합, 제3 합, 및 4를 가산하여 제4 합을 결정하는 것; 및 제4 합을 8로 제산하는 것을 포함할 수도 있다.픽쳐는 제2 샘플링 위치에 있는 제3 성분 및 제3 샘플링 위치에 있는 제3 성분을 포함할 수도 있다. 제1 성분은 루마 성분일 수도 있고, 제2 성분은 레드 차이 크로마 성분(red difference chroma component)일 수도 있고, 제3 성분은 블루 차이 크로마 성분(blue difference chroma component)일 수도 있다. 비디오 코딩 디바이스는, 제1 샘플링 위치에 있는 제3 성분을 결정하기 위해, 제1 보간 필터를, 제2 샘플링 위치에 있는 제3 성분 및 제3 샘플링 위치에 있는 제3 성분에 적용할 수도 있다. 제1 샘플링 위치에 있는 제3 성분은 제1 컬러 공간과 관련될 수도 있다. 비디오 코딩 디바이스는, 제1 샘플링 위치에 있는 제1 성분을 제2 컬러 공간으로 변환하기 위해, 컬러 변환 모델을, 제1 샘플링 위치에 있는 제1 성분, 제1 샘플링 위치에 있는 제2 성분에, 그리고 제1 샘플링 위치에 있는 제3 성분에 적용할 수도 있다.픽쳐는 제1 샘플링 위치에 있는 제3 성분을 포함할 수도 있다. 비디오 코딩 디바이스는, 제1 샘플링 위치에 있는 제1 성분을 제2 컬러 공간으로 변환하기 위해, 컬러 변환 모델을, 제1 샘플링 위치에 있는 제1 성분에, 제1 샘플링 위치에 있는 제3 성분에, 그리고 제1 샘플링 위치에 있는 제2 성분에 적용할 수도 있다. 제1 성분은 제1 크로마 성분일 수도 있고, 제2 성분은 루마 성분일 수도 있고, 제3 성분은 제2 크로마 성분일 수도 있다. 제1 성분은 제2 크로마 성분일 수도 있고, 제2 성분은 루마 성분일 수도 있고, 제3 성분은 제1 크로마 성분일 수도 있다.픽쳐는 4:2:0 크로마 포맷을 특징으로 할 수도 있다. 컬러 변환 모델은 3차원 룩업 테이블(look up table; LUT)에 기초할 수도 있다.제1항의 비디오 코딩 디바이스에 있어서, 프로세서는 또한 스케일러블 비트스트림(scalable bitstream) - 스케일러블 비트스트림은 베이스 레이어(base layer) 및 향상 레이어(enhancement layer)를 포함함 - 을 수신하도록 구성되고, 베이스 레이어는 픽쳐를 포함하고, 베이스 레이어는 제1 컬러 공간과 관련되고 향상 레이어는 제2 컬러 공간과 관련된다.비디오 코딩 디바이스가 제1 컬러 공간과 관련되는 픽쳐를 수신할 수도 있다. 픽쳐는 제1 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분, 제1 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분, 제2 샘플링 위치에 있는 루마 성분, 제3 샘플링 위치에 있는 루마 성분, 제4 샘플링 위치에 있는 루마 성분, 및 제5 샘플링 위치에 있는 루마 성분을 포함할 수도 있다. 비디오 코딩 디바이스는, 제1 샘플링 위치에 있는 루마 성분을 결정하기 위해, 제1 보간 필터를, 제2 샘플링 위치에 있는 루마 성분, 제3 샘플링 위치에 있는 루마 성분, 제4 샘플링 위치에 있는 루마 성분, 및 제5 샘플링 위치에 있는 루마 성분 중 둘 이상에 적용할 수도 있는데, 제1 샘플링 위치에 있는 루마 성분은 제1 컬러 공간과 관련된다. 비디오 코딩 디바이스는, 제1 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분을 제2 컬러 공간으로 변환하기 위해, 컬러 변환 모델을, 제1 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분에, 제1 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분에, 그리고 제1 샘플링 위치에 있는 루마 성분에 적용할 수도 있다. 비디오 코딩 디바이스는, 제1 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분을 제2 컬러 공간으로 변환하기 위해, 컬러 변환 모델을, 제1 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분에, 제1 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분에, 그리고 제1 샘플링 위치에 있는 루마 성분에 적용할 수도 있다. 제1 크로마 성분 및/또는 제2 크로마 성분은 레드 차이 크로마 성분 및/또는 블루 차이 크로마 성분일 수도 있다.비디오 코딩 디바이스가 제1 컬러 공간과 관련되는 픽쳐를 수신할 수도 있다. 픽쳐는, 제1 샘플링 위치에 있는 루마 성분, 제2 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분, 제2 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분, 제3 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분, 제3 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분, 제4 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분, 제4 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분, 제5 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분, 및 제5 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분을 포함할 수도 있다. 비디오 코딩 디바이스는, 제1 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분을 결정하기 위해, 제1 보간 필터를, 제2 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분, 제3 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분, 제4 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분, 및 제5 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분 중 둘 이상에 적용할 수도 있는데, 제1 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분은 제1 컬러 공간과 관련된다. 비디오 코딩 디바이스는, 제1 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분을 결정하기 위해, 제1 보간 필터를, 제2 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분, 제3 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분, 제4 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분, 및 제5 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분 중 둘 이상에 적용할 수도 있는데, 제1 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분은 제1 컬러 공간과 관련된다. 비디오 코딩 디바이스는, 제1 샘플링 위치에 있는 루마 성분을 제2 컬러 공간으로 변환하기 위해, 컬러 변환 모델을, 제1 샘플링 위치에 있는 루마 성분, 제1 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분, 및 제1 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분에 적용할 수도 있다. 제1 크로마 성분 및/또는 제2 크로마 성분은 레드 차이 크로마 성분 및/또는 블루 차이 크로마 성분일 수도 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 N개의 레이어와 같은 하나 이상의 레이어를 갖는 스케일러블 비디오 코딩 시스템의 한 예의 블록도이다.도 2는 MVC를 사용하는 입체(예를 들면 2뷰) 비디오 코딩을 위한 시간적 및/또는 레이어간 예측의 예이다.도 3은 CIE 컬러 정의 또는 공간에서의 BT.709(HDTV)와 BT.2020(UHDTV) 사이의 예시적인 컬러의 주요 비교이다.도 4a는 BT.709에서 보정된(graded) 픽쳐와 BT.709에서 렌더링된 픽쳐 사이의 엔드 유저에 대한 시각적 차이의 예이다.도 4b는 BT.2020에서 보정된 픽쳐와 BT.709에서 렌더링된 픽쳐 사이의 엔드 유저에 대한 시각적 차이의 예이다.도 5는 픽쳐 레벨 레이어간 예측(inter-layer prediction; ILP)을 갖는 컬러 색역 스케일러빌러티(color gamut scalability; CGS) 코딩의 예이다.도 6은 8비트 YUV 신호에 대한 3D 룩업 테이블의 예이다.도 7은 (예를 들면, 3D LUT 추정에서 사용될 수도 있는) 3중선형 보간(tri-linear interpolation) 또는 사면체 보간(tetrahedral interpolation)에서의 가중치 계산의 예이다.도 8은 (예를 들면, 3D LUT 추정에서 사용될 수도 있는) 사면체 보간의 예이다.도 9a 내지 도 9f는, (예를 들면, 3D LUT 추정에서 사용될 수도 있는) 보간 포인트를 포괄하는 사면체(tetrahedron)의 예이다.도 10은, 정사각형이 루마 픽셀 그리드를 나타낼 수도 있고 원이 크로마 그리드를 나타낼 수도 있는 크로마 포맷에 대한(예를 420 크로마 포맷에 대한) 루마 성분과 크로마 성분 사이의 위상 시프트의 예이다.도 11a는 하나 이상의 개시된 실시형태가 구현될 수도 있는 예시적인 통신 시스템의 도면이다.도 11b는 도 11a에서 예시되는 통신 시스템 내에서 사용될 수도 있는 예시적인 무선 송수신 유닛(wireless transmit/receive unit; WTRU)의 시스템 도면이다.도 11c는 도 11a에서 예시되는 통신 시스템 내에서 사용될 수도 있는 예시적인 코어 네트워크와 예시적인 무선 액세스 네트워크의 시스템 도면이다.도 11d는 도 11a에서 예시되는 통신 시스템 내에서 사용될 수도 있는 예시적인 코어 네트워크 및 다른 예시적인 무선 액세스 네트워크의 시스템 도면이다.도 11e는 도 11a에서 예시되는 통신 시스템 내에서 사용될 수도 있는 예시적인 코어 네트워크 및 다른 예시적인 무선 액세스 네트워크의 시스템 도면이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 상세한 설명H.261, MPEG-1, MPEG-2, H.263, MPEG-4 파트 2 및 H.264/MPEG-4 파트 10 AVC과 같은 디지털 비디오 압축 기술은 효율적인 디지털 비디오 통신, 배포 및 소비를 가능하게 할 수도 있다.전통적인 디지털 비디오 서비스, 예컨대 위성, 케이블 및 지상 송신 채널을 통해 TV 신호를 전송하는 것과 비교하여, IPTV, 비디오 챗(video chat), 모바일 비디오, 및 스트리밍 비디오과 같은 점점 더 많은 비디오 애플리케이션이 이질적인 환경(heterogeneous environment)에 배치될 수도 있다. 예를 들면, 비디오 애플리케이션은 상이한 사이즈의 셀, 및/또는 등등을 갖는 네트워크에서 비디오 스트림을 제공할 수도 있다. 이질성은 클라이언트 상에 또는 클라이언트에서뿐만 아니라, 네트워크에서 존재할 수도 있다. 예를 들면, 클라이언트 측에서, 스마트폰, 태블릿, PC 및 TV, 및/또는 등등을 포함해서, 다양한 스크린 사이즈 및 디스플레이 성능을 갖는 디바이스 상에서 비디오 컨텐츠를 소비하고 있는 N 스크린(N-screen) 시나리오가 제공될 수도 있고/있거나 사용될 수도 있다. 네트워크 측에서, 비디오는 인터넷, 와이파이(WiFi) 네트워크, 모바일(3G 및 4G) 네트워크, 및/또는 이들의 임의의 조합을 통해 송신될 수도 있다.스케일러블 비디오 코딩은 가장 높은 해상도에서 한 번 신호를 인코딩할 수도 있다. 스케일러블 비디오 코딩은 소정의 애플리케이션에 의해 요구되는 및/또는 클라이언트 디바이스에 의해 지원되는 특정 레이트 및 해상도에 의존하여 스트림의 서브셋으로부터 디코딩을 인에이블할 수도 있다. 해상도는, 공간 해상도(예를 들면, 픽쳐 사이즈), 시간 해상도(예를 들면, 프레임 레이트), 비디오 품질(예를 들면, MOS와 같은 주관적 품질, 및/또는 PSNR 또는 SSIM 또는 VQM과 같은 객관적 품질), 및/또는 등등을 포함하지만 이들로 제한되지는 않는 다수의 비디오 파라미터에 의해 정의될 수도 있다. 다른 공통적으로 사용되는 비디오 파라미터는, (예를 들면, YUV420 또는 YUV422 또는 YUV444와 같은) 크로마 포맷, (예를 들면, 8비트 또는 10비트와 같은) 비트 깊이, 복잡도, 뷰, 색역(gamut), 및/또는 종횡비(예를 들면, 16:9 또는 4:3)를 포함할 수도 있다. MPEG-2 비디오, H.263, MPEG4 비주얼 및 H.264와 같은 국제 비디오 표준은 스케일러빌러티 모드를 지원하는 프로파일 및/또는 툴을 구비할 수도 있다.스케일러블 비디오 코딩은 부분적인 비트스트림의 송신 및 디코딩을 인에이블할 수도 있다. 부분적인 비트스트림의 송신 및 디코딩은, (예를 들면, 부분적인 비트스트림의 각각의 레이트가 주어지면) 상대적으로 높은 재구성 품질을 유지하면서, 스케일러블 비디오 코딩(scalable video coding; SVC) 시스템이, 더 낮은 시간 및/또는 공간 해상도를 갖는 비디오 서비스를 제공하는 것을 가능하게 할 수도 있다. SVC는 단일 루프 디코딩으로 구현될 수도 있고, 따라서, SVC 디코더는 디코딩되고 있는 레이어에서 모션 보상 루프를 셋업할 수도 있고, 하나 이상의 다른 하위 레이어(들)에서 모션 보상 루프(들)를 셋업하지 않을 수도 있다. 예를 들면, 비트스트림은, 베이스 레이어일 수도 있는 제1 레이어(레이어1) 및 향상 레이어일 수도 있는 제2 레이어(레이어2)를 포함해서, 두 개의 레이어를 포함할 수도 있다. 이러한 SVC 디코더가 레이어2 비디오를 재구성하는 경우, 모션 보상된 픽쳐 및 디코딩된 픽쳐 버퍼의 셋업은 레이어2로 제한될 수도 있다. SVC의 이러한 구현예에서, 하위 레이어(lower layer)로부터의 각각의 참조 픽쳐(reference picture)는 완전히 재구성되지 않을 수도 있고, 이것은 디코더에서 계산적 복잡도 및/또는 메모리 소비를 감소시킬 수도 있다.단일 루프 디코딩은 제약된 레이어간 텍스쳐 예측(inter-layer texture prediction)에 의해 달성될 수도 있는데, 여기서는, 주어진 레이어의 현재 블록에 대해, 대응하는 하위 레이어 블록이 인트라 모드에서 코딩되면, 하위 레이어로부터의 공간 텍스쳐 예측이 허용될 수도 있다. 이것은 제한된 인트라 예측으로 칭해질 수도 있다. 하위 레이어 블록이 인트라 모드에서 코딩되는 경우, 하위 레이어 블록은 모션 보상 동작 및/또는 디코딩된 픽쳐 버퍼 없이 재구성될 수도 있다.SVC는, 하나 이상의 하위 레이어로부터, 모션 벡터 예측, 잔차 예측, 모드 예측 등등과 같은 하나 이상의 추가적인 레이어간 예측 기술을 구현할 수도 있다. 이것은 향상 레이어(enhancement layer)의 레이트-왜곡 효율성을 향상시킬 수도 있다. 단일 루프 디코딩을 갖는 SVC 구현은, 디코더에서, 감소된 계산적 복잡도 및/또는 감소된 메모리 소비를 나타낼 수도 있고, 예를 들면, 블록 레벨 레이어간 예측에 대한 의존성에 기인하여, 증가된 구현 복잡도를 나타낼 수도 있다. 단일 루프 디코딩 제약을 부과하는 것에 의해 초래될 수도 있는 성능 페널티를 보상하기 위해, 인코더 설계 및 계산 복잡성은, 소망의 성능이 달성되도록, 증가될 수도 있다. 인트레이스식 컨텐츠(interlaced content)의 코딩은 SVC에 의해 지원되지 않을 수도 있다.도 1은 예시적인 블록 기반의 하이브리드 스케일러블 비디오 코딩(SVC) 시스템을 묘사하는 단순화된 블록도이다. 레이어1(예를 들면, 베이스 레이어)에 의해 표현될 공간 및/또는 시간 신호 해상도는 입력 비디오 신호의 다운샘플링에 의해 생성될 수도 있다. 후속하는 인코딩 단계에서, Q1과 같은 양자화기의 설정은 기본 정보의 품질 레벨로 이어질 수도 있다. 하나 이상의 후속하는 상위(higher) 레이어(들)는, 상위 레이어 해상도 레벨의 근사를 나타낼 수도 있는 베이스 레이어 재구성(Y1)을 사용하여 인코딩될 수도 있고/있거나 디코딩될 수도 있다. 업샘플링 유닛은, 베이스 레이어 재구성 신호를 레이어2의 해상도로 업샘플링하는 것을 수행할 수도 있다. 다운샘플링 및/또는 업샘플링은 복수의 레이어(예를 들면, N개의 레이어의 경우, 레이어1, 레이어2, …, 레이어N) 전체에 걸쳐 수행될 수도 있다. 다운샘플링 및/또는 업샘플링 비율은, 예를 들면, 두 레이어 사이의 스케일러빌러티의 차원에 의존하여 상이할 수도 있다.도 1의 예시적인 스케일러블 비디오 코딩 시스템에서, 주어진 상위 레이어n(예를 들면, 2≤n≤N, N은 레이어의 총 수)에 대해, 현재의 레이어n 신호로부터, 업샘플링된 하위 레이어 신호(예를 들면, 레이어n-1 신호)를 감산하는 것에 의해 차분 신호(differential signal)가 생성될 수도 있다. 이 차분 신호는 인코딩될 수도 있다. 두 레이어(레이어n1 및 레이어n2)에 의해 표현되는 각각의 비디오 신호가 동일한 공간 해상도를 가지면, 대응하는 다운샘플링 및/또는 업샘플링 동작은 바이패스될 수도 있다. 상위 레이어로부터의 디코딩 정보를 사용하지 않고도 레이어n(예를 들면, 1≤n≤N) 또는 복수의 레이어가 디코딩될 수도 있다.예를 들면, 도 1의 예시적인 SVC 시스템을 사용하여, 베이스 레이어 이외의 레이어에 대한 잔차 신호(예를 들면, 두 레이어 사이의 차분 신호)의 코딩에 의존하는 것은, 시각적 아티팩트(visual artifact)를 야기할 수도 있다. 이러한 시각적 아티팩트는, 예를 들면, 잔차 신호의 다이나믹 레인지를 제한하기 위한 잔차 신호의 양자화 및/또는 정규화 및/또는 잔차의 코딩 동안 수행되는 양자화에 기인할 수도 있다. 하나 이상의 상위 레이어 인코더는, 각각의 인코딩 모드로서 모션 추정 및/또는 모션 보상된 예측을 채택할 수도 있다. 잔차 신호에서의 모션 추정 및/또는 보상은 종래의 모션 추정과는 상이할 수도 있고, 시각적 아티팩트로 나타나기 쉬울 수도 있다. 시각적 아티팩트의 발생을 감소시키기 위해(예를 들면, 최소화하기 위해), 예를 들면, 잔차 신호의 다이나믹 레인지를 제한하기 위한 잔차 신호의 양자화 및/또는 정규화 및/또는 잔차의 코딩 동안 수행되는 양자화 둘 다를 포함할 수도 있는 조인트 양자화 프로세스와 함께, 더 복잡한 잔차 양자화가 구현될 수도 있다. 이러한 양자화 프로세스는 SVC 시스템의 복잡도를 증가시킬 수도 있다.다중 뷰 비디오 코딩(multi-view video coding; MVC)은 뷰 스케일러빌러티를 제공할 수도 있다. 뷰 스케일러빌러티의 한 예에서, 종래의 2차원(two dimensional; 2D) 비디오를 재구성하기 위해 베이스 레이어 비트스트림이 디코딩될 수도 있고, 동일한 비디오 신호의 다른 뷰 표현을 재구성하기 위해, 하나 이상의 추가적인 향상 레이어가 디코딩될 수도 있다. 이러한 뷰가 결합되어 3차원(three dimensional; 3D) 디스플레이에 의해 디스플레이될 때, 적절한 깊이감을 갖는 3D 비디오가 생성될 수도 있다.도 2는 좌측 뷰(레이어1) 및 우측 뷰(레이어2)를 갖는 입체 비디오를 코딩하기 위해 MVC를 사용하는 예시적인 예측 구조를 묘사한다. 좌측 뷰 비디오는 I-B-B-P 예측 구조로 코딩될 수도 있고, 우측 뷰 비디오는 P-B-B-B 예측 구조로 코딩될 수도 있다. 도 2에서 도시되는 바와 같이, 우측 뷰에서, 좌측 뷰의 제1의 I픽쳐와 병치되는(collocated) 제1 픽쳐는 P 픽쳐로서 코딩될 수도 있고, 우측 뷰에서의 후속하는 픽쳐는 우측 뷰에서 시간 참조로부터 유래하는 제1 예측, 및 좌측 뷰에서 레이어간 참조로부터 유래하는 제2 예측을 갖는 B 픽쳐로서 코딩될 수도 있다. MVC는 단일 루프 디코딩 피쳐를 지원하지 않을 수도 있다. 예를 들면, 도 2에서 도시되는 바와 같이, 우측 뷰(레이어2) 비디오의 디코딩은, 좌측 뷰(레이어1)의 픽쳐 전체의 이용가능성을 조건으로 할 수도 있는데, 하나 이상의(예를 들면, 각각의) 레이어(예를 들면, 뷰)는 각각의 보상 루프를 갖는다. MVC의 구현은 하이 레벨 구문 변경을 포함할 수도 있고, 블록 레벨 변경을 포함하지 않을 수도 있다. 이것은 MVC의 구현을 용이하게 할 수도 있다. 예를 들면, MVC는 슬라이스 및/또는 픽쳐 레벨에서 참조 픽쳐를 구성하는 것에 의해 구현될 수도 있다. MVC는, 다수의 뷰에 걸쳐 레이어간 예측을 수행하도록 도 2에서 도시되는 예를 확장하는 것에 의해, 두 개보다 많은 뷰의 코딩을 지원할 수도 있다.MPEG 프레임 호환(MPEG frame compatible; MFC) 비디오 코딩은 3D 비디오 코딩에 대해 스케일러블 확장을 제공할 수도 있다. 예를 들면, MFC는 프레임 호환 베이스 레이어 비디오(예를 들면, 동일한 프레임으로 패킹된 두 개의 뷰)에 스케일러블 확장을 제공할 수도 있고, 풀 해상도 뷰를 복원하기 위한 하나 이상의 향상 레이어를 제공할 수도 있다. 입체 3D 비디오는, 좌측 및 우측 뷰를 포함해서, 두 개의 뷰를 구비할 수도 있다. 입체 3D 컨텐츠는, 두 개의 뷰를 하나의 프레임으로 패킹하고/하거나 멀티플렉싱하는 것에 의해, 그리고 패킹된 비디오를 압축하여 송신하는 것에 의해 전달될 수도 있다. 수신기 측에서, 디코딩 이후, 프레임은 언패킹되고 두 개의 뷰로서 디스플레이될 수도 있다. 뷰의 이러한 멀티플렉싱은 시간 도메인 및/또는 공간 도메인에서 수행될 수도 있다. 공간 도메인에서 수행되는 경우, 동일한 픽쳐 사이즈를 유지하기 위해, 두 개의 뷰는 (예를 들면, 2의 인자에 의해) 공간적으로 다운샘플링될 수도 있고 하나 이상의 배치예에 따라 패킹될 수도 있다. 예를 들면, 좌우(side-by-side) 배치예는 다운샘플링된 좌측 뷰를 픽쳐의 좌측 절반 상에 그리고 다운샘플링된 우측 뷰를 픽쳐의 우측 절반 상에 둘 수도 있다. 다른 배치예는 상하(top-and-bottom), 라인별(line-by-line), 체커보드 등등을 포함할 수도 있다. 프레임 호환 3D 비디오를 달성하기 위해 사용되는 배치예는, 예를 들면, 하나 이상의 프레임 패킹 배치 SEI 메시지에 의해 전달될 수도 있다. 이러한 배치예가 대역폭 소비를 최소한으로 증가시키면서 3D 전달을 달성할 수도 있지만, 공간적 다운샘플링은 뷰에서 앨리어싱(aliasing)을 야기할 수도 있고/있거나 3D 비디오의 시각적 품질 및 유저 경험을 감소시킬 수도 있다.비디오 애플리케이션, 예컨대 IPTV, 비디오 챗, 모바일 비디오, 및/또는 스트리밍 비디오는 이질적 환경에 배치될 수도 있다. 이질성은 클라이언트 측에서 존재할 수도 있다. 이질성은 네트워크에서 존재할 수도 있다. N 스크린은, 스마트폰, 태블릿, PC, 및/또는 TV를 포함해서, 다양한 스크린 사이즈 및/또는 디스플레이 성능을 갖는 디바이스 상에서 비디오 컨텐츠를 소비하는 것을 포함할 수도 있다. N 스크린은, 예를 들면, 클라이언트 측에 대한 이질성에 기여할 수도 있다. 비디오는, 예를 들면, 네트워크 측에서, 인터넷, 와이파이 네트워크, 모바일 네트워크(예를 들면, 3G 및/또는 4G), 및/또는 이들 네트워크의 임의의 조합을 통해 송신될 수도 있다. 스케일러블 비디오 코딩은 서비스의 유저 경험 및/또는 비디오 품질을 향상시킬 수도 있다. 스케일러블 비디오 코딩은 가장 높은 해상도에서 한 번 신호를 인코딩하는 것을 포함할 수도 있다. 스케일러블 비디오 코딩은, 예를 들면, 소정의 애플리케이션에 의해 사용되는 및/또는 클라이언트 디바이스에 의해 지원되는 이용가능한 네트워크 대역폭 및/또는 비디오 해상도에 의존하여 스트림의 서브셋으로부터 디코딩을 인에이블하는 것을 수반할 수도 있다. 해상도는 비디오 파라미터의 수를 특징으로 할 수도 있다. 비디오 파라미터는 다음 중 하나 이상을 포함할 수도 있다: 공간 해상도, 시간 해상도, 비디오 품질, 크로마 포맷, 비트 깊이, 복잡도, 뷰, 컬러 색역, 및/또는 종횡비 등등. 공간 해상도는 픽쳐 사이즈를 포함할 수도 있다. 시간 해상도는 프레임 레이트를 포함할 수도 있다. 비디오 품질은 MOS와 같은 주관적 품질 및/또는 PSNR, SSIM 또는 VQM과 같은 객관적 품질을 포함할 수도 있다. 크로마 포맷은 YUV420, YUV422 또는 YUV444 등등을 포함할 수도 있다. 비트 깊이는 8비트 비디오, 10비트 비디오 등등을 포함할 수도 있다. 종횡비는 16:9 또는 4:3 등등을 포함할 수도 있다. HEVC 스케일러블 확장은 적어도 공간적 스케일러빌러티(예를 들면, 스케일러블 비트스트림은 하나보다 많은 공간 해상도의 신호를 포함할 수도 있다), 품질 스케일러빌러티(예를 들면, 스케일러블 비트스트림은 하나보다 많은 품질 레벨의 신호를 포함할 수도 있다), 및/또는 표준 스케일러빌러티(예를 들면, 스케일러블 비트스트림은 H.264/AVC를 사용하여 코딩된 베이스 레이어 및 HEVC를 사용하여 코딩된 하나 이상의 향상 레이어를 포함할 수도 있다)를 지원할 수도 있다. 공간적 스케일러빌러티에서, 스케일러블 비트스트림은 하나 이상의 공간 해상도의 신호를 포함할 수도 있다. 품질 스케일러빌러티에서, 스케일러블 비트스트림은 하나 이상의 품질 레벨의 신호를 포함할 수도 있다. 표준 스케일러빌러티에서, 스케일러블 비트스트림은, 예를 들면, H.264/AVC를 사용하여 코딩된 베이스 레이어, 및 예를 들면, HEVC를 사용하여 코딩된 하나 이상의 향상 레이어를 포함할 수도 있다. 품질 스케일러빌러티는 SNR 스케일러빌러티로 칭해질 수도 있다. 뷰 스케일러빌러티는 3D 비디오 애플리케이션을 지원할 수도 있다. 뷰 스케일러빌러티에서, 스케일러블 비트스트림은 2D 및 3D 비디오 신호 둘 다를 포함할 수도 있다.비디오 코딩 시스템(예를 들면, 고효율 비디오 코딩의 스케일러블 확장(scalable extensions of high efficiency video coding; SHVC)에 따른 비디오 코딩 시스템)은, 비디오 코딩을 수행하도록 구성되는 하나 이상의 디바이스를 포함할 수도 있다. 비디오 코딩을 수행하도록(예를 들면, 비디오 신호를 인코딩하도록 및/또는 디코딩하도록) 구성되는 디바이스는 비디오 코딩 디바이스로서 칭해질 수도 있다. 이러한 비디오 코딩 디바이스는 비디오 대응 디바이스(video-capable device), 예를 들면, 텔레비전, 디지털 미디어 플레이어, DVD 플레이어, Blu-ray™ 플레이어, 네트워크형 미디어 플레이어 디바이스(networked media player device), 데스크탑 컴퓨터, 랩탑 퍼스널 컴퓨터, 태블릿 디바이스, 모바일 폰, 비디오 회의 시스템, 하드웨어 및/또는 소프트웨어 기반의 비디오 인코딩 시스템, 또는 등등을 포함할 수도 있다. 이러한 비디오 코딩 디바이스는 무선 통신 네트워크 엘리먼트, 예컨대 무선 송수신 유닛(wireless transmit/receive unit; WTRU), 기지국, 게이트웨이, 또는 다른 네트워크 엘리먼트를 포함할 수도 있다.HEVC의 스케일러블 향상이 본원에서 논의될 수도 있다. 예를 들면, 공간 스케일러빌러티에 대해, 하나 이상의 목표가 확립될 수도 있다. 예를 들면, 더 높은 해상도 비디오에 대해 측정된, 넌스케일러블(non-scalable) 코딩을 사용하는 것과 비교하여, 2x 공간 스케일러빌러티에 대해 25% 비트율 감소 및 1.5x 공간 스케일러빌러티에 대해 50% 비트율 감소의 목표가 달성될 수도 있다. 스케일러빌러티는, 예를 들면, 스케일러블 HEVC에 대한 사용 사례를 확장시키기 위해 사용될 수도 있다. 스케일러빌러티는, 하나 이상의 향상 레이어가, 예를 들면, HEVC를 사용하여 인코딩되는 동안, 베이스 레이어가 H.264/AVC, 또는 MPEG2로 인코딩될 수도 있는 경우의 스케일러빌러티의 타입을 지칭할 수도 있다. 스케일러빌러티는, H.264/AVC, 또는 MPEG2를 사용하여 인코딩될 수도 있는 레거시 컨텐츠에 대한 이전 버전과의 호환성(backward compatibility)을 제공할 수도 있고, 더 나은 코딩 효율성을 제공할 수도 있는, HEVC로 인코딩된 하나 이상의 향상 레이어로 레거시 컨텐츠의 품질을 향상시킬 수도 있다.3D 스케일러블 비디오 코딩 기술은 3D 비디오 코딩 또는 3DV로 칭해질 수도 있다. 3DV가 본원에서 논의될 수도 있다. 3DV는, 자동입체 애플리케이션(autostereoscopic application)을 목표로 할 수도 있는 뷰 스케일러빌러티의 다양한 묘미를 개발할 수도 있다. 자동입체 디스플레이 및 애플리케이션은, 성가신 안경 없이, 사람들이 3D를 경험하는 것을 허용할 수도 있거나 또는 가능하게 할 수도 있다. 안경 없이, 적절한 또는 양호한 3D 경험을 달성하기 위해, 두 개보다 많은 뷰가 제공될 수도 있고/있거나 사용될 수도 있다. (예를 들면, 9개의 뷰 또는 10개의 뷰와 같은) 많은 뷰를 코딩하는 것은 비용이 많이 들 수도 있다. 3DV는, 뷰의 깊이 정보를 제공할 수도 있는 깊이 맵과 함께, 상대적으로 큰 디스패리티를 갖는 몇몇 뷰(예를 들면, 2개 또는 3개의 뷰)를 코딩하는 하이브리드 방식을 제공할 수도 있고/있거나 사용할 수도 있다. 디스플레이 측에서, 코딩된 뷰 및 깊이 맵은 디코딩될 수도 있고, 나머지 뷰는, 디코딩된 뷰 및 그들의 깊이 맵을 사용하여, 예를 들면, 뷰 합성 기술을 사용하여, 생성될 수도 있다. 3DV는 뷰 및 깊이 맵을 고려하기 위해 다양한 방법, 예를 들면, H.264/AVC, MVC 및 HEVC와 같은 상이한 기술의 조합을 사용하여 뷰 및 깊이 맵을 코딩하는 것을 고려할 수도 있는데, 하나의 기술(예를 들면, H.264/AVC)로 베이스 레이어를 코딩하고 다른 기술(예를 들면, HEVC)로 하나 이상의 향상 레이어를 코딩하는 것을 포함한다. 3DV는 애플리케이션이 선택할 수도 있는 상이한 옵션의 메뉴를 제공할 수도 있다.테이블 1은 본원에서 논의되는 상이한 타입의 스케일러빌러티의 예를 요약할 수도 있다. 테이블 1의 하부에서, 비트 깊이 스케일러빌러티 및 크로마 포맷 스케일러빌러티가, 전문가용 비디오 애플리케이션에서 사용되는 비디오 포맷(예를 들면, 8비트 비디오보다 더 높은 및/또는 YUV 4:2:0보다 더 높은 크로마 샘플링 포맷)에 관련될 수도 있다. 비트 깊이 스케일러빌러티 및 크로마 포맷 스케일러빌러티가 활용될 수도 있다. 종횡비 스케일러빌러티 및 컬러 색역 스케일러빌러티는 바람직한 스케일러빌러티로서 제공될 수도 있고/있거나 사용될 수도 있다(예를 들면, 그러나 스케일러블 HEVC 개발의 제1 국면에 대해, 현재로서는 제공, 사용, 및/또는 계획되지 않을 수도 있다).도 3은 CIE 컬러 정의에서의 BT.709(HDTV)와 BT.2020(UHDTV) 사이의 비교를 예시한다. 진보된 디스플레이 기술과 함께, 초고선명 TV(ultra-high definition TV; UHDTV)는, HDTV 명세(specification)(예를 들면, BT.709)와 비교하여, 더 높은 해상도, 더 높은 비트 깊이, 더 높은 프레임율, 및 더 넓은 컬러 색역을 지원할 수도 있다. 유저 경험은, BT.2020가 제공할 수도 있는 고충실 품질(high fidelity quality)로 인해 크게 향상될 수도 있다. UHDTV는, 120Hz까지인 프레임율, 및 10비트 또는 12비트인 픽쳐 샘플의 비트 깊이를 가지고, 4K(3840×2160) 및 8K(7680×4320) 해상도까지 지원할 수도 있다. UHDTV(310)의 컬러 공간은 BT.2020에 의해 정의될 수도 있다. UHDTV(320)의 컬러 공간은 BT.790에 의해 정의될 수도 있다. BT.2020(310)에서 렌더링되는 컬러의 볼륨은 HDTV(320)(예를 들면, BT.709)에서의 컬러 공간의 볼륨보다 더 넓을 수도 있고, 이것은 UHDTV 명세를 사용하여 더 많은 가시적인 컬러 정보가 렌더링될 수도 있다는 것을 의미할 수도 있다.컬러 색역 스케일러빌러티. 컬러 색역 스케일러블(color gamut scalable; CGS) 코딩은, 두 개 이상의 레이어가 상이한 컬러 색역 및 비트 깊이를 가질 수도 있는 멀티 레이어 코딩(multi-layer coding)일 수도 있다. 예를 들면, 테이블 1에서 나타내어지는 바와 같이, 2 레이어 스케일러블 시스템에서, 베이스 레이어는 BT.709에서 정의되는 바와 같은 HDTV 컬러 색역일 수도 있고 향상 레이어는 BT.2020에서 정의되는 바와 같은 UHDTV 컬러 색역일 수도 있다. P3 컬러 색역은, 사용될 수도 있는 컬러 색역이다. P3 컬러 색역은 디지털 시네마 애플리케이션에서 사용될 수도 있다. CGS 코딩에서의 레이어간 프로세스는, 베이스 레이어 컬러 색역을 향상 레이어 컬러 색역으로 변환하기 위해 컬러 색역 변환 기술을 사용할 수도 있다. 컬러 색역 변환이 적용될 수도 있은 이후, 생성되는 레이어간 참조 픽쳐는, 예를 들면, 더 나은 또는 향상된 정확도를 가지고, 향상 레이어 픽쳐를 예측하기 위해 사용될 수도 있다.도 4a 및 도 4b는, 각각, BT.709 컬러 색역과 BT.2020 컬러 색역 사이의 엔드 유저에 대한 시각적 차이의 예를 묘사할 수도 있다. 도 4a 및 도 4b에서, 동일한 컨텐츠는 상이한 컬러 색역을 사용하여 두 번 색보정될 수도 있다. 예를 들면, 도 4a의 컨텐츠는 BT.709에서 색보정될 수도 있고 BT.709 디스플레이 상에서 렌더링/디스플레이될 수도 있다. 도 4b의 컨텐츠는 BT.2020에서 색보정될 수도 있고 BT.709 디스플레이 상에서 렌더링/디스플레이될 수도 있다. 도시되는 바와 같이, 두 이미지 사이의 컬러 차이는 상이할 수도 있다.도 5는 픽쳐 레벨 레이어간 예측을 갖는 예시적인 컬러 색역 스케일러빌러티(CGS)를 예시할 수도 있다. 예시적인 실시형태에서, 도 4a는 베이스 레이어에서 코딩될 수도 있고 도 4b는 향상 레이어에서 코딩될 수도 있다. 예를 들면, 도 5의 CGS 코딩 시스템을 사용하여, 향상 레이어 코딩 효율성을 향상시키기 위해, 추가적인 레이어간 프로세싱이 제공될 수도 있고/있거나 사용될 수도 있다. 컬러 색역 변환은 CGS를 위한 레이어간 프로세싱에서 사용될 수도 있다. 컬러 색역 변환의 사용을 통해, BT.709 공간에서의 컬러는 BT.2020 공간으로 변환될 수도 있다. BT.709 공간에서의 컬러는 BT.2020 공간에서의 향상 레이어 신호를 보다 효율적으로 예측하기 위해 사용될 수도 있다.도 5에서 도시되는 바와 같이, 베이스 레이어(base layer; BL) 비디오 입력(530)은 HD 비디오 신호일 수도 있고, 향상 레이어(enhancement layer; EL) 비디오 입력(502)은 UHD 비디오 신호일 수도 있다. HD 비디오 신호(530) 및 UHD 비디오 신호(502)는, 예를 들면, 다음 중 하나에 의해 서로 대응할 수도 있다: 하나 이상의 다운샘플링 파라미터(예를 들면, 공간적 스케일러빌러티); 하나 이상의 컬러 보정 파라미터(color grading parameter)(예를 들면, 컬러 색역 스케일러빌러티), 또는 하나 이상의 색조(tone) 매핑 파라미터(예를 들면, 비트 깊이 스케일러빌러티)(528).BL 인코더(518)는, 예를 들면, 고효율 비디오 코딩(HEVC) 비디오 인코더 또는 H.264/AVC 비디오 인코더를 포함할 수도 있다. BL 인코더(518)는, 예측을 위해 하나 이상의 BL 재구성 픽쳐(BL reconstructed picture)(예를 들면, BL DPB(320)에 저장됨)를 사용하여 BL 비트스트림(532)을 생성하도록 구성될 수도 있다. EL 인코더(504)는, 예를 들면, HEVC 인코더를 포함할 수도 있다. EL 인코더(504)는, 예를 들면, EL DPB에 레이어간 참조 픽쳐를 추가하는 것에 의해 레이어간 예측을 지원하기 위한 하나 이상의 하이 레벨 구문 수정을 포함할 수도 있다. EL 인코더(504)는, 예측을 위해 하나 이상의 EL 재구성 픽쳐(예를 들면, EL DPB(506)에 저장됨)를 사용하여 EL 비트스트림(508)을 생성하도록 구성될 수도 있다.BL DPB(520)에서의 하나 이상의 재구성된 BL 픽쳐는, 업샘플링(예를 들면, 공간적 스케일러빌러티의 경우), 컬러 색역 변환(예를 들면, 컬러 색역 스케일러빌러티의 경우), 또는 역 색조 매핑(예를 들면, 비트 깊이 스케일러빌러티의 경우) 중 하나 이상을 포함하는 하나 이상의 픽쳐 레벨 레이어간 프로세싱 기술을 사용하여, 레이어간 프로세싱(inter-layer processing; ILP) 유닛(522)에서 프로세싱될 수도 있다. 하나 이상의 프로세싱된 재구성된 BL 픽쳐는 EL 코딩에 대한 참조 픽쳐로서 사용될 수도 있다. 레이어간 프로세싱은 EL 인코더(504)로부터 수신되는 향상 비디오 정보(514) 및/또는 BL 인코더(518)로부터 수신되는 베이스 비디오 정보(516)에 기초하여 수행될 수도 있다. 이것은 EL 코딩 효율성을 향상시킬 수도 있다.526에서, EL 비트스트림(508), BL 비트스트림(532), 및 레이어간 프로세싱에서 사용되는 파라미터, 예컨대 ILP 정보(524)는, 함께, 스케일러블 비트스트림(512)으로 멀티플렉싱될 수도 있다. 예를 들면, 스케일러블 비트스트림(512)은 SHVC 비트스트림을 포함할 수도 있다.컬러 색역 변환을 위한 모델 파라미터는, 예를 들면, BL 컬러 색역 및 EL 컬러 색역이 고정될 수도 있는 경우이더라도, 상이한 컨텐츠에 대해 상이할 수도 있다(예를 들면, BL은 709에 있을 수도 있고 EL은 2020에 있을 수도 있다). 이들 파라미터는, 채색전문가(colorist)가 그의 또는 그녀의 아티스트적 의도를 반영하기 위해 상이한 공간 및/또는 상이한 컨텐츠에 상이한 보정 파라미터(grading parameter)를 적용할 수도 있는, 컨텐츠 생성에서의 후반 제작(post production) 동안의 색 보정 프로세스에 의존할 수도 있다. 컬러 보정을 위한 입력 비디오는 고충실 픽쳐를 포함할 수도 있다. 스케일러블 코딩 시스템에서, BL 픽쳐의 코딩은 양자화 노이즈(quantization noise)를 도입할 수도 있다. 계층적 예측 구조와 같은 코딩 구조에서, 양자화의 레벨은 픽쳐마다 및/또는 픽쳐의 그룹마다 조정될 수도 있다. 컬러 조정으로부터 생성되는 모델 파라미터는 코딩 목적에 충분히 정확하지 않을 수도 있다. 한 실시형태에서, 임의의 포인트에서 모델 파라미터를 추정하는 것에 의해 인코더가 코딩 노이즈를 보상하는 것이 보다 효과적일 수도 있다. 인코더는 픽쳐마다 또는 픽쳐의 그룹마다 모델 파라미터를 추정할 수도 있다. 예를 들면, 컬러 조정 프로세스 동안 및/또는 인코더에 의해 생성되는 이들 모델 파라미터는, 레이어간 예측 동안 디코더가 동일한 컬러 색역 변환을 수행할 수도 있도록 시퀀스 및/또는 픽쳐 레벨에서 디코더로 시그널링될 수도 있다.컬러 색역 변환 예는, 선형 컬러 변환 또는 조각 단위의 선형 컬러 변환을 포함할 수도 있지만, 이들로 제한되지는 않는다. 영화 산업계에서, 하나의 컬러 색역 방법 또는 기술에서 다른 것으로의 컬러 색역 변환에 대해 3D 룩업 테이블(3D LUT)이 사용될 수도 있다. 추가적으로, CGS 코딩을 위한 3D LUT가 제공될 수도 있고/있거나 사용될 수도 있다. 도 5는 픽쳐 레벨 레이어간 예측(ILP)을 갖는 예시적인 CGS 코딩 스킴을 묘사한다. ILP는 베이스 레이어(BL) 컬러 색역으로부터 향상 레이어(EL) 컬러 색역으로의 컬러 색역 변환, BL 공간 해상도로부터 EL 공간 해상도로의 업샘플링, 및/또는 BL 샘플 비트 깊이로부터 EL 샘플 비트 깊이로의 역 색조 매핑(inverse tone mapping)을 포함한다.도 6은 8비트 YUV 신호에 대한 예시적인 3D 룩업 테이블을 예시한다. 도 7은 3중선형 또는 사면체 보간에서의 예시적인 가중치 계산을 예시한다. 본원에서 설명되는 바와 같이, 컬러 색역 변환을 위해 컬러 변환 모델, 예컨대 3D LUT가 사용될 수도 있다. 예를 들면, (y, u, v)는 베이스 레이어의 컬러 색역에서 샘플 삼중선(sample triplet)으로서 표기될 수도 있고, (Y, U, V)는 EL 컬러 색역에서 삼중선으로 표기될 수도 있다. 3D LUT에서, BL 컬러 공간의 범위는, 예를 들면, 도 6에서 도시되는 바와 같이, 동일한 팔분공간(octant)으로 분할될 수도 있다.3D LUT의 입력은 BL 컬러 색역에서 (y, u, v)일 수도 있고 3D LUT의 출력은 EL 컬러 색역에서 매핑된 삼중선 (Y, U, V)일 수도 있다. 예를 들면, 도 7을 참조하면, 입력은 팔분공간(700) 내에 존재하는 인덱스(y, u, v)일 수도 있다. 변환 프로세스 동안, 입력 (y, u, v)가 팔분공간의 정점 중 하나와 중첩하면, 출력 (Y, U, V)는, 3D LUT 엔트리 중 하나, 예를 들면, 자신의 각각의 정점에 중첩하는 성분 (y, u, v)를 직접적으로 참조하는 것에 의해 유도될 수도 있다. 입력 (y, u, v)(예를 들면, 또는 입력의 성분 중 임의의 하나), 예컨대 도 7의 입력 (y, u, v)가 (예를 들면, 팔분공간의 정점 중 하나 상에 놓이는 것이 아니라) 팔분공간 내부에 놓이면, 보간 프로세스가 적용될 수도 있다. 예를 들면, 동일한 것을 수행하기 위한 삼중선형 및/또는 사면체 보간 및 방법이 적용될 수도 있다. 삼중선형 보간은, 예를 들면, 도 7에서 도시되는 바와 같이, 그것의 가장 가까운 8개의 정점과 함께 적용될 수도 있다. 삼중선형 보간은 다음 식 중 하나 이상을 사용하여 실행될 수도 있다:예를 들면, 식 (1) 내지 (3) 및 도 7을 참조하면, (yi, uj, vk)는 BL 컬러 색역의 정점(즉, 3D LUT에 대한 입력)을 나타낼 수도 있다. LUT[yi][uj][vk]는 EL 컬러 색역의 정점(즉, 엔트리 (yi, uj, vk)에서의 3D LUT의 출력)을 나타낼 수도 있다. LUT[yi][uj][vk].Y, LUT[yi][uj][vk].U, LUT[yi][uj][vk].V는, 각각, 정점 LUT[yi][uj][vk]의 Y, U, 및 V 성분을 나타낼 수도 있다. i,j,k = 0, 1, 및 s0(y) = y1-y, s1(y) = y-y0, s0(u) = u1-u, s1(u) = u-u0, s0(v) = v1-v, s1(v) = v-v0은, 예를 들면, 도 7에서 도시되는 바와 같이, 적용되는 가중치일 수도 있다.도 8은 예시적인 사면체 보간을 예시한다. 도 9a, 도 9b, 도 9c, 도 9d, 도 9e 및 도 9f는 보간 포인트를 포괄하기 위한 사면체의 타입을 예시한다. 사면체 보간은, 계산을 위해 보간될 포인트 P(y, u, v)를 포함하는 사면체의 네 개의 정점을 사용할 수도 있다. 도 8에서 입력 포인트 P(즉, P(y, u, v))는, 그 정점이 P0, P1, P5, P7일 수도 있는 사면체 내부에 들어갈 수도 있다. 사면체 보간은 각각의 성분에 대해 식 (4), (5), (6)에서 계산될 수도 있다. 보간될 포인트 P를 포함할 수도 있는 사면체의 여섯 개의 가능한 선택권이 존재할 수도 있다. 도 9a 내지 도 9f는 여섯 개의 가능한 경우를 도시하거나 열거할 수도 있다. 한 예에서, 정점 P0 및 P7은 사면체에 포함될 수도 있다.3D LUT는, 예를 들면, 하나의 컬러 공간에서의 원래의 신호 및 다른 컬러 공간에서의 대응하는 신호를 사용하여, 인코더에 의해 추정될 수도 있다. 예를 들면, 3D LUT 보간 기술 또는 프로세스가 선형적이면, 3D LUT를 추정하기 위해, 예를 들면, 최소 자승(Least Square; LS) 추정법이 사용될 수도 있다. 추정을 위해, 기울기 하강 기반의 반복 기술(gradient descent based iterative technique)이 사용될 수도 있다. 본원에서 설명되는 바와 같이, 3D LUT 추정은 LS 추정법으로 수행될 수도 있다.LS를 사용한 3D LUT 추정에 대해 도전과제가 존재할 수도 있다. 예를 들면, 추정될 수도 있는 3D LUT 파라미터의 스케일은 클 수도 있다. 도 6에서, 샘플 비트 깊이는 8비트일 수도 있다. 단위 팔분공간 사이즈가 16×16×16이면, 3D LUT 테이블에 17×17×17 엔트리가 존재할 수도 있다. 3D LUT의 하나 이상의(예를 들면, 각각의) 엔트리는 세 개의 성분을 포함할 수도 있다. 각각의 성분의 4913(17×17×17)개의 미지의 파라미터가 존재할 수도 있다. 이러한 대규모 선형 시스템 추정은 많은 양의 메모리를 사용할 수도 있고 많은 수의 계산을 호출할 수도 있다.3D LUT는 주어진 비디오 입력의 컬러 색역 변환을 위해 완전히 사용되지 않을 수도 있다. 예를 들면, 컬러 색역 스케일러빌러티의 핵심 실험에서 사용되는 하나 이상의 테스트 시퀀스의 통계적 분석에서, 3D LUT에서의 사용되는 엔트리의 비율은 20% 미만일 수도 있다. 이러한 실시형태에서, LS 추정법은 직접적으로 적용될 수 없을 수도 있는데, 측정되지 않을 수도 있는 하나 이상의 엔트리가 존재할 수도 있기 때문이다.BL 픽셀의 분포는 3D 컬러 공간에서 균일하지 않을 수도 있다. 예를 들면, 이러한 BL 픽셀은 몇몇 컬러(예를 들면, 주 컬러(major color)) 근처에 집중될 수도 있고, 다른 컬러 근처에 성기게 분포될 수도 있다. 이 불균형 특성은, 본원에서 설명될 수도 있는 바와 같이, LS 추정의 안정성에 관련될 수도 있다.도 10은 YUV 4:2:0 비디오의 루마 및 크로마 샘플 위치의 예를 예시한다. 입력 비디오의 루마 및 크로마의 위상은 정렬되지 않을 수도 있다. 하나 이상의(예를 들면, 각각의) 성분에 대해 3D LUT를 추정하고 적용하기 위해, 세 성분에 의해 형성되는 삼중선이 사용될 수도 있다. 삼중선은, 동일한 샘플링 위치에 있는 하나의 루마 성분 및 두 개의 크로마 성분(예를 들면, 동일한 샘플링 위치에 있는 루마 성분, 레드 차이 크로마 성분, 및 블루 차이 크로마 성분)을 가리킬 수도 있다. 루마 및 크로마 샘플 위치의 오정렬은 3D LUT 보간의 정확성에 영향을 끼칠 수도 있다.이러한 도전과제 중 하나 이상을 해결하기 위해, 3D LUT 추정을 향상시키기 위한 시스템 및/또는 방법이 제공될 수도 있다. 예를 들면, BT.709에서 BT.2020로의 컬러 색역 변환이 본원에서 설명될 수도 있다. 예를 들면, 3D LUT 추정에서의 입력 신호는 BT.709 압축/압축해제 비디오일 수도 있고, 출력 신호는 BT.2020 비디오(예를 들면, 이것은 트레이닝 기준 또는 목표일 수도 있음)일 수도 있다. 식 (7)은 3D LUT를 갖는 컬러 색역 변환 프로세스를 설명하기 위해 사용될 수도 있다.여기서 x는 BT.709에서의 삼중선 (y, u, v)의 형태의 입력 신호를 나타낼 수도 있다. z(c)는 성분 c의 출력 신호일 수도 있는데, 여기서 c는 BT.2020에서의 Y, U 또는 V일 수도 있다. P(c)는 추정될 성분 c의 파라미터일 수도 있다. P(c)는 성분 c의 3D LUT 출력일 수도 있다. fP(c)는 보간 함수일 수도 있다. fP(c)는 본원에서 설명되는 바와 같은 삼중선형 또는 사면체와 같은 선형 함수일 수도 있다. i는 입력 픽셀의 인덱스일 수도 있다. N은 입력 픽셀의 총 수일 수도 있다. 매트릭스의 형태로 다시 기록하면, 그것은 다음과 같을 수도 있다:여기서 식 (8)에서 *는 매트릭스 곱셈일 수도 있다. 는 i번째 입력 픽셀에 대한 가중 벡터일 수도 있다. wi,j는 i번째 입력 픽셀에 대한 3D LUT의 j번째 출력 엔트리의 가중치일 수도 있다. 한 예에서, wi,j는 선형 보간의 경우 식 (1) 내지 (3)에 따라 그리고 사면체 보간의 경우 식 (4) 내지 (6)에 따라 계산될 수도 있다. 가중 벡터는 한 예에서 다음과 같을 수도 있다:P(c)는, 3D LUT의 출력 엔트리일 수도 있는 추정될 파라미터 벡터일 수도 있고, 다음과 같을 수도 있다:M은 3D LUT 출력 엔트리의 수일 수도 있다. 예를 들면, M은 17×17×17 사이즈의 3D LUT에 대해 4913일 수도 있다. 한 예에서, 성분 c는 다음의 식에서 생략될 수도 있는데, 하나 이상의(예를 들면, 각각의) 성분의 3D LUT가 독립적으로 추정될 수도 있기 때문이다. 하나 이상의(예를 들면, 모든) 픽셀에 대한 식 (8)을 집성하면, 다음의 것이 정의되거나 제공될 수도 있다:최소 자승 추정에 의해, 해(solution)는 다음과 같을 수도 있다:여기서 H는 자동 상관 매트릭스일 수도 있다.3D LUT 추정이 본원에서 설명될 수도 있다. 예를 들면, BT.709와 같은 입력 비디오 신호의 경우, 3D LUT 엔트리(예를 들면, 3D LUT 엔트리의 20%)는 3D LUT를 갖는 컬러 변환에서 사용될 수도 있다. 이것은 식 (10)의 매트릭스(W)가 희소할(sparse) 수도 있고 그 엘리먼트 중 하나 이상은 제로일 수도 있다. 식 (12)에서 자동 보정 매트릭스 H가 정의될 수도 있다. 자동 보정 매트릭스 H는 희소할 수도 있다. 자동 보정 매트릭스 H는 역행렬이 없을 수도 있다. 식 (11)의 해는 자동 보정 매트릭스 H에 대해 이용가능하지 않을 수도 있다. 한 예에서, 매트릭스 W는 3D LUT의 참조된 엔트리를 고려하는 것에 의해 컴팩트하게 될 수도 있다. 매트릭스를 컴팩트하게 하기 위해, 입력 비디오의 입력 픽셀 (y, u, v)는 스캔될 수도 있다. 3D LUT 정점은, 예를 들면, 정점이 3D LUT 보간 프로세스에서 사용될 수도 있으면, 마스킹될 수도 있다. 컴팩트 파라미터 세트 P'는, 미사용 정점을 제거하는 것에 의해, 결정, 계산, 또는 생성될 수도 있다. P' 이후 P를 재구성하기 위해 사용될 수도 있는 P로의 P'으로부터의 매핑이, 예를 들면,P' = compact(P)로서 추정될 수도 있고/있거나 만들어질 수도 있다.W' 및 H'는 컴팩트하게 된 P'을 사용하여 계산될 수도 있는데, 예를 들면, 이 경우 미사용 정점은 제거되었을 수도 있다. 해는 다음으로서 정의될 수도 있다:3D LUT 추정은 매트릭스 W의 희소성(sparsity)을 감소시킬 수도 있다. 3D LUT 추정을 위한 자동 상관 매트릭스 H를 저장하기 위해 사용될 수도 있는 메모리는, 예를 들면, 컴팩트화(compaction) 이후에 감소될 수도 있는데, H'의 사이즈가 H보다 더 작을 수도 있기 때문이다.본원에서 설명되는 바와 같이, 입력 비디오의 컬러 분포는 균일하지 않을 수도 있다. 예를 들면, 픽셀은 유사한 컬러를 가질 수도 있다. 높은 발생률을 갖는 컬러는 주요 컬러일 수도 있다. 이것은 W'에서 불균형 문제를 야기할 수도 있다. 예를 들면, W'의 엘리먼트는 큰 값을 가질 수도 있는 주요 컬러에 대응할 수도 있다. 자주(예를 들면, 상대적으로 자주 또는 드물게) 나타나지 않을 수도 있는 컬러에 대응할 수도 있는 W'에서의 다른 엘리먼트는 더 낮은 또는 더 작은 값을 가질 수도 있다. 결과는, 자동 상관 매트릭스 H'에서의 엘리먼트의 다이나믹 레인지가 커질 수도 있다는 것일 수도 있고, 이것은 H'의 역변환 프로세스(inversion process)가 불안정하게 되게 할 수도 있다. P'의 추정은 불안정하게 될 수도 있다. 이러한 문제점을 감소시키기 위해, 정확한 추정 결과와 추정 프로세스의 안정성 사이에 절충(trade-off)을 확립하기 위한 제약사항이 제공될 수도 있고/있거나 사용될 수도 있다. 예를 들면,인데, 여기서, I는 단위 행렬이고, λ는 추정 정확도와 프로세스의 안정성 사이의 균형에 대한 인자일 수도 있다. 더 큰 λ는, 방법 또는 프로세스의 안정성에 더 많은 바이어스가 놓일 수도 있다는 것을 의미할 수도 있다. λ의 값은 W'에서의 불균형의 정도에 기초하여 결정될 수도 있다.원래의 파라미터 벡터 P는, 예를 들면, 컴팩트 파라미터 벡터 P'이 추정될 수도 있은 이후, 추정된 정점을 P'으로부터 P로 매핑하는 것에 의해 획득될 수도 있다. 예를 들면,P에서의 미사용 정점은, 예를 들면, 3D LUT 코딩에서 보간 프로세스(예를 들면, 삼중선형 보간 또는 사면체 보간)를 사용하여, P'에서의 대응하는 정점을 사용하여 채워질 수도 있다.본원에서 설명되는 바와 같이, 도 10은 4:2:0 크로마 포맷에 대한 루마 성분과 크로마 성분 사이의 위상을 예시한다. 3D LUT 추정에서의 루마 및 크로마 위상 정렬이 본원에서 설명될 수도 있다. 예를 들면, 식 (1) 내지 (3)에서의 삼중선형 보간 또는 식 (4) 내지 식 (6)에서의 사면체 보간으로부터, 하나 이상의(예를 들면, 각각의) 출력 성분에 대한 3D LUT 보간은 입력 신호의 세 개의 입력 성분을 사용할 수도 있다.도 10에서 도시되고 본원에서 설명되는 바와 같이, 한 예에서, 루마 성분 샘플링 위치 및 크로마 성분 샘플링 위치는 정렬되지 않을 수도 있다. 도 10은 4:2:0 크로마 포맷을 묘사할 수도 있다. 성분 변환이 도 10 및/또는 4:2:0 크로마 포맷에 관하여 설명될 수도 있지만, 본원에서 설명되는 예는 4:1:0 크로마 포맷, 4:2:2:0 크로마 포맷, 4:4:4 크로마 포맷, 등등에 대해 활용될 수도 있다. 도 10이 YCbCr 포맷을 참조로 설명되지만, 다른 컬러 포맷이 사용될 수도 있다.도 10에서, 샘플 위치(L0-L15)는 루마 성분의 샘플링 위치를 나타낼 수도 있다. 도 10에서, L은 루마 성분을 나타낼 수도 있고 숫자(예를 들면, 0-15)는 샘플링 위치를 나타낼 수도 있다. 샘플링 위치(C0-C3)는 하나 이상의(예를 들면, 두 개의) 중첩하는 크로마 성분(예를 들면, 레드 차이 크로마 성분 및 블루 차이 크로마 성분)의 샘플링 위치를 나타낼 수도 있다. 도 10에서, C는 하나 이상의(예를 들면 두 개의) 중첩하는 크로마 성분(예를 들면, 레드 차이 크로마 성분 및 블루 차이 크로마 성분)을 나타낼 수도 있고 숫자(예를 들면, 0-3)는 샘플링 위치를 나타낼 수도 있다.도 10은 x 축 및 y 축을 갖는 그리드일 수도 있는데, 여기서 x 축은 수평 축일 수도 있고 y 축은 수직 축일 수도 있다. 샘플링 위치(L0-L15)에서의 루마 성분은 x 좌표 및 y 좌표를 가질 수도 있다. 샘플링 위치(C0-C3)에 있는 하나 이상의(예를 들면, 두 개의) 중첩하는 크로마 성분(예를 들면, 레드 차이 크로마 성분 및 블루 차이 크로마 성분)은 x 좌표 및 y 좌표를 구비할 수도 있다.샘플링 위치의 오정렬은 3D LUT 추정의 정확도를 감소시킬 수도 있다. 예를 들면, 도 10에서 도시되는 바와 같이, 루마 성분 샘플링 위치인 L0-L15는 크로마 성분 샘플링 위치인 C0-C3과 중첩하지 않는다. 샘플링 위치의 오정렬은 4:2:0 또는 4:2:2와 같은 크로마 포맷에서 존재할 수도 있는데, 이 경우 크로마 성분은 양방향(예를 들면, 4:2:0, 여기서는 매 네 개의 루마 성분에 대해 하나의 레드 차이 크로마 성분 샘플과 하나의 블루 차이 크로마 성분 샘플이 존재함)에서 또는 수평 방향(예를 들면, 4:2:2)에서 서브샘플링된다. 크로마 서브샘플링 프로세스의 결과로서, 루마 및 크로마 위치의 샘플 위치는 오정렬될 수도 있다.루마 성분 보간을 위해, 크로마 성분을 루마 성분 샘플 위치에 정렬하도록 하나 이상의 크로마 성분(예를 들면, 레드 차이 크로마 성분 및/또는 블루 차이 크로마 성분)의 복수의 샘플링 위치가 사용될 수도 있다. 크로마 성분 보간을 위해, 루마 성분을, 크로마 성분 샘플링 위치에 정렬하도록 루마 성분의 하나 이상의 샘플링 위치가 사용될 수도 있다. 일단 정렬되면, 성분(예를 들면, 루마 또는 크로마)을 하나의 컬러 공간으로부터 다른 것으로 변환하기 위해, 컬러 성분 변환 모델, 예컨대 3D LUT가 사용될 수도 있다. 성분을 하나의 컬러 공간으로부터 다른 컬러 공간으로 변환하는 것은, 예를 들면, 제1 컬러 공간에서의 (예를 들면, 특정한 샘플링 위치에 있는) 성분을 사용하여, 제2 컬러 공간에서의 성분을 결정하는 것일 수도 있다.비디오 코딩 디바이스는 스케일러블 비트스트림을 수신할 수도 있다. 스케일러블 비트스트림은 베이스 레이어 및 향상 레이어를 포함할 수도 있다. 베이스 레이어는 픽쳐를 포함할 수도 있고 베이스 레이어는 제1 컬러 공간과 관련될 수도 있다. 향상 레이어는 제2 컬러 공간과 관련될 수도 있다.3D LUT 변환을 위한 입력은 하나의 컬러 공간(예를 들면, BT.709)에서의 성분(예를 들면, (y, u, v))을 시그널링할 수도 있고, 3D LUT 변환의 출력은 다른 컬러 공간(예를 들면, BT.2020)에서의 성분(예를 들면, (Y, U, V))일 수도 있다. 크로마 성분 변환을 위해, 루마 성분(y)은, 크로마 성분 샘플링 위치에 정렬하도록 y'로 조정될 수도 있다. 보간 필터는 식 (17)-(18)일 수도 있다. 크로마 성분의 3D LUT 변환을 위한 입력은 (y', u, v)일 수도 있고, 출력은 U 또는 V일 수도 있다. 보간 필터는 2탭 필터 [1,1], 4탭 필터, 및/또는 등등일 수도 있다.비디오 코딩 디바이스가 제1 컬러 공간과 관련되는 픽쳐를 수신할 수도 있다. 픽쳐는 제1 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분, 제1 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분, 제2 샘플링 위치에 있는 루마 성분, 제3 샘플링 위치에 있는 루마 성분, 제4 샘플링 위치에 있는 루마 성분, 및 제5 샘플링 위치에 있는 루마 성분을 포함할 수도 있다. 비디오 코딩 디바이스는, 제1 샘플링 위치에 있는 루마 성분을 결정하기 위해, 제1 보간 필터를, 제2 샘플링 위치에 있는 루마 성분, 제3 샘플링 위치에 있는 루마 성분, 제4 샘플링 위치에 있는 루마 성분, 및 제5 샘플링 위치에 있는 루마 성분 중 둘 이상에 적용할 수도 있는데, 제1 샘플링 위치에 있는 루마 성분은 제1 컬러 공간과 관련된다. 비디오 코딩 디바이스는, 제1 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분을 제2 컬러 공간으로 변환하기 위해, 컬러 변환 모델을, 제1 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분에, 제1 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분에, 그리고 제1 샘플링 위치에 있는 루마 성분에 적용할 수도 있다. 비디오 코딩 디바이스는, 제1 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분을 제2 컬러 공간으로 변환하기 위해, 컬러 변환 모델을, 제1 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분에, 제1 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분에, 그리고 제1 샘플링 위치에 있는 루마 성분에 적용할 수도 있다. 제1 크로마 성분 및/또는 제2 크로마 성분은, 예를 들면, YCbCr 포맷이 사용되면, 레드 차이 크로마 성분 및/또는 블루 차이 크로마 성분일 수도 있다. 제1 크로마 성분 및/또는 제2 크로마 성분은, 예를 들면, YCgCo 포맷이 사용되면, 그린 차이 크로마 성분 및/또는 오렌지 차이 크로마 성분일 수도 있다. 본원의 설명은 다른 포맷으로 표현되는 컬러 공간에 적용될 수도 있다는 것을 유의해야 한다.도 10에서 도시되는 바와 같이, 예를 들면, 하나 이상의 보간 필터(예를 들면, 식 (17)-(18)에서 나타내어진 것)는, 루마 성분을, 오정렬된 크로마 성분의 샘플링 위치에 정렬시키기 위해 사용될 수도 있다. 일단 정렬되면, 변환 모델, 예컨대 3D LUT는 크로마 성분을 제1 컬러 공간으로부터 제2 컬러 공간으로 변환하기 위해 사용될 수도 있다. 예를 들면, 크로마 성분이 샘플링 위치를 가지면, 크로마 성분의 3D LUT 변환을 위한 입력은 (y', u, v)일 수도 있는데, 여기서 y'은 조정된 루마 성분(예를 들면, 크로마 성분(u, v)의 샘플링 위치와 중첩하는 샘플링 위치에 있는 루마 성분)이다. 성분 (y', u, v)는 제1 컬러 공간과 관련될 수도 있다. 3D LUT의 출력은, 제2 컬러 공간에서의 크로마 성분 U 또는 V를 가리킬 수도 있는 U 또는 V일 수도 있다.보간 필터(예를 들면, 식 (17)-(18)에서 도시된 것)는, 변환 모델이 사용될 수도 있도록, 루마 성분을, 크로마 성분의 샘플링 위치에 정렬시키기 위해 사용될 수도 있다. 예를 들면, 크로마 성분의 샘플링 위치(예를 들면, 샘플링 위치(C0))에 있는 루마 성분은, 예를 들면, 식 (17)-(18)을 참조로 설명된 바와 같이, 두 개 이상의 루마 샘플링 위치(예를 들면, 샘플링 위치(L0, L1, L4, 및/또는 L5))에서 루마 성분을 사용하여 보간 필터를 적용하는 것에 의해 결정될 수도 있다. 크로마 성분의 샘플링 위치는 두 개 이상의 크로마 성분, 예를 들면, 레드 차이 크로마 성분(Cr0) 및 대응하는 블루 차이 크로마 성분(Cb0)을 포함할 수도 있다. 샘플링 위치(C0)에 있는 루마 성분 및 샘플링 위치(C0)에 있는 크로마 성분은, 위치(C0)에 있는 크로마 성분을 제1 컬러 공간으로부터 제2 컬러 공간으로 변환하기 위해 사용될 수도 있다.예를 들면, 본원에서 논의되는 바와 같이, 크로마 성분을 하나의 컬러 공간으로부터 다른 것으로 변환할 때, 크로마 성분 샘플링 위치에 있는 루마 성분의 값은 결정될 수도 있다. 크로마 성분의 샘플링 위치(예를 들면, 샘플링 위치(C0))에 있는 루마 성분의 값을 결정하기 위해, 비디오 코딩 디바이스는 4탭 보간 필터(four-tap interpolation filter) 또는 2탭 보간 필터를 사용할 수도 있다. 비디오 코딩 디바이스는, 도 10의 x-y 축 상의 크로마 성분의 샘플링 위치에 기초하여 어떤 보간 필터를 사용할지를 결정할 수도 있다. 예를 들면, 비디오 코딩 디바이스는 샘플링 위치에 있는 크로마 성분의 x 및 y 성분을 결정할 수도 있다. 그 다음, 비디오 코딩 디바이스는 크로마 성분 샘플링 위치의 x 좌표를 2로 제산할 수도 있고, 비디오 코딩 디바이스는 크로마 성분 샘플링 위치의 y 좌표를 2로 나눌 수도 있다. 2에 의한 x 좌표의 제산의 나머지가 1이고, 2에 의한 y 좌표의 제산의 나머지가 1이면, 비디오 코딩 디바이스는 크로마 성분의 샘플링 위치에 있는 루마 성분을 결정하기 위해 식 (17) 또는 식 (18)에서 보간 필터를 활용할 수도 있다. 2에 의한 x 좌표의 제산의 나머지가 제로이고, 2에 의한 y 좌표의 제산의 나머지가 1이면, 비디오 코딩 디바이스는 크로마 성분의 샘플링 위치에 있는 루마 성분을 결정하기 위해 식 (17) 또는 식 (18)에서 보간 필터를 활용할 수도 있다. 2에 의한 x 좌표의 제산의 나머지가 1이고, 2에 의한 y 좌표의 제산의 나머지가 제로이면, 비디오 코딩 디바이스는 크로마 성분의 샘플링 위치에 있는 루마 성분을 결정하기 위해 식 (17) 또는 식 (18)에서 보간 필터를 활용할 수도 있다. 2에 의한 x 좌표의 제산의 나머지가 제로이고, 2에 의한 y 좌표의 제산의 나머지가 제로이면, 비디오 코딩 디바이스는 크로마 성분의 샘플링 위치에 있는 루마 성분을 결정하기 위해 식 (17) 또는 식 (18)에서 보간 필터를 활용할 수도 있다. 비디오 코딩 디바이스는, 크로마 성분의 샘플링 위치에 있는 루마 성분을 결정하기 위해(예를 들면, 정렬하기 위해) 식 (17)-(18)을 상호교환적으로 사용할 수도 있다.예를 들면, 샘플링 위치(C0)에 있는 루마 성분은, 예를 들면, 식 (17)에서 나타내어지는 바와 같이, 4탭 필터를 사용하여 결정될 수도 있다:여기서 003e#003e#3은, ((L0+L4)*3+(L1+L5)+4)의 합이 23에 의해 제산된다는 것을 의미할 수도 있고 및/또는 003e#003e#3은 3만큼의 우측 시프트를 사용하여 계산된다. ((L0+L4)*3+(L1+L5)+4)의 합이 정수가 아니면, 소수는 23에 의해 합을 제산하기 이전에 버려질 수도 있다. 식 17에서, 샘플링 위치(C0)에 있는 루마 성분을 결정하기 위해, 비디오 코딩 디바이스는, 샘플링 위치(L0)에 있는 루마 성분이 상이한 샘플링 위치(L4)에 있는 루마 성분에 가산되어 합을 결정하게 되는 보간 필터를 적용할 수도 있다. 그 다음, 비디오 코딩 디바이스는 그 합을 3으로 승산할 수도 있고, 승산된 합을 샘플링 위치(L1)에 있는 루마 성분, 샘플링 위치(L5)에 있는 루마 성분 및 4에 가산하여, 최종 합을 결정할 수도 있다. 최종 합의 정수 합이 결정될 수도 있다. 그 다음, 비디오 코딩 디바이스는 이 정수 합을 8로 제산하여 샘플링 위치(C0)에 있는 루마 성분을 결정할 수도 있다. 샘플링 위치(C1, C2, 및 C3)에 있는 루마 성분은 적절한 루마 성분을 가지고 식 (17)을 사용하여 결정될 수도 있다.샘플링 위치(C0)에 있는 루마 성분은 2탭 필터를 사용하여 결정될 수도 있다. 사용될 수도 있는 2탭 필터의 예는 식 (18)에서 제공된다:여기서 003e#003e#1은 (L0 + L4 + 1)의 합이 21에 의해 제산된다는 것을 의미할 수도 있고 및/또는 003e#003e#1은 1만큼의 우측 시프트를 사용하여 계산된다. (L0 + L4 + 1)의 합이 정수가 아니면, 소수는 21에 의해 합을 제산하기 이전에 버려질 수도 있다. 식 18에서, 샘플링 위치(C0)에 대한 루마 성분을 결정하기 위해, 비디오 코딩 디바이스는, 샘플링 위치(L0)에 있는 루마 성분이 상이한 샘플링 위치(L4)에 있는 루마 성분 및 1에 가산되어 합을 결정하는 2탭 필터를 적용할 수도 있다. 최종 합의 정수 합이 결정될 수도 있다. 그 다음, 비디오 코딩 디바이스는 그 합의 정수 값을 2로 제산하여 샘플링 위치(C0)에 있는 루마 성분을 결정할 수도 있다. 샘플링 위치(C1, C2, 및 C3)에 있는 루마 성분은 적절한 루마 성분을 가지고 식 (18)을 사용하여 결정될 수도 있다.비디오 코딩 디바이스는, 변환 모델, 예를 들면, 본원에서 설명되는 바와 같은 3D LUT를 사용하여, 제2 컬러 공간에서의 샘플링 위치(C0)에 있는 크로마 성분을, 제1 컬러 공간에서의 샘플링 위치(C0)에 있는 루마 성분 및 제1 컬러 공간에서의 샘플링 위치(C0)에 있는 크로마 성분 둘 다를 사용하여 변환(예를 들면, 결정)할 수도 있다. 언급된 바와 같이, 샘플링 위치(C0)에 있는 루마 성분은, 예를 들면, 식 (17) 또는 (18)에서 나타내어지는 바와 같이, 보간 필터를 사용하여 결정될 수도 있다.비디오 코딩 디바이스가 제1 컬러 공간과 관련되는 픽쳐를 수신할 수도 있다. 픽쳐는, 제1 샘플링 위치에 있는 루마 성분, 제2 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분, 제2 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분, 제3 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분, 제3 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분, 제4 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분, 제4 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분, 제5 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분, 및 제5 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분을 포함할 수도 있다. 비디오 코딩 디바이스는, 제1 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분을 결정하기 위해, 보간 필터를, 제2 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분, 제3 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분, 제4 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분, 및 제5 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분 중 둘 이상에 적용할 수도 있는데, 제1 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분은 제1 컬러 공간과 관련된다. 비디오 코딩 디바이스는, 제1 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분을 결정하기 위해, 보간 필터를, 제2 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분, 제3 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분, 제4 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분, 및 제5 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분 중 둘 이상에 적용할 수도 있는데, 제1 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분은 제1 컬러 공간과 관련된다. 비디오 코딩 디바이스는, 제1 샘플링 위치에 있는 루마 성분을 제2 컬러 공간으로 변환하기 위해, 컬러 변환 모델을, 제1 샘플링 위치에 있는 루마 성분, 제1 샘플링 위치에 있는 제1 크로마 성분, 및 제1 샘플링 위치에 있는 제2 크로마 성분에 적용할 수도 있다. 제1 크로마 성분 및/또는 제2 크로마 성분은 레드 차이 크로마 성분 및/또는 블루 차이 크로마 성분일 수도 있다.도 10에서 도시되는 바와 같이, 예를 들면, 하나 이상의 보간 필터(예를 들면, 식 (19)-(22)에서 나타내어진 것)는, 하나 이상의 크로마 성분을, 오정렬된 크로마 성분의 샘플링 위치에 정렬시키기 위해 사용될 수도 있다. 일단 정렬되면, 변환 모델, 예컨대 3D LUT는 루마 성분을 제1 컬러 공간으로부터 제2 컬러 공간으로 변환하기 위해 사용될 수도 있다. 루마 성분에 대한 3D LUT 변환을 위한 입력은 (y, u', v')일 수도 있는데, 여기서 u' 및 v'는 조정된 크로마 성분(예를 들면, 루마 성분의 샘플링 위치와 중첩하는 샘플링 위치에 있는 크로마 성분)이다. 성분 (y, u', v')는 제1 컬러 공간과 관련될 수도 있다. 3D LUT의 출력은 Y인데, 이것은 제2 컬러 공간에서의 루마 성분을 가리킬 수도 있다.보간 필터(예를 들면, 식 (19)-(22)에서 도시된 것)는, 변환 모델이 사용될 수도 있도록, 크로마 성분을, 루마 성분의 샘플링 위치에 정렬시키기 위해 사용될 수도 있다. 예를 들면, 루마 성분의 샘플링 위치(예를 들면, 샘플링 위치(L4, L5, L8, 및/또는 L9))에 있는 크로마 성분은, 두 개 이상의 샘플링 위치(예를 들면, 샘플링 위치(C0, C1, C2, 및 또는 C3)에 있는 크로마 성분을 사용하여 재샘플링 필터를 적용하는 것에 의해 결정될 수도 있다. 이와 같이, 성분의 재샘플링된 값(예를 들면, 상이한 재샘플링 위치에 있는 성분의 값)은 복수의 다른 샘플링 위치에 있는 성분을 사용하여 결정될 수도 있다. 예를 들면, 도 10의 샘플링 위치(L4, L5, L8, 및/또는 L9)에 있는 루마 성분은 3D LUT를 사용하여 보간될 수도 있다. 샘플링 위치(L4, L5, L8, 및/또는 L9)에 있는 루마 성분을 보간하기 위해, 샘플링 위치(L4, L5, L8, 및/또는 L9)에 있는 크로마 성분(예를 들면, u, v)이 결정될 수도 있다. 샘플링 위치(L4, L5, L8, 및/또는 L9)에 있는 크로마 성분은, 예를 들면, 본원에서 설명되는 바와 같이, 하나 이상의 재샘플링 필터(예를 들면, 식 (19)-(22))를 사용하여 유도될 수도 있다. 샘플링 위치(L4, L5, L8, 및/또는 L9)에 있는 루마 성분 및 샘플링 위치(L4, L5, L8, 및/또는 L9)에 있는 크로마 성분은, 샘플링 위치(L4, L5, L8, 및/또는 L9)에 있는 루마 성분을 제1 컬러 공간으로부터 제2 컬러 공간으로 변환하기 위해 사용될 수도 있다.예를 들면, 본원에서 논의되는 바와 같이, 루마 성분을 하나의 컬러 공간으로부터 다른 것으로 변환할 때, 루마 성분 샘플링 위치에 있는 크로마 성분(예를 들면, 레드 차이 크로마 성분 및/또는 블루 차이 크로마 성분)의 값이 결정될 수도 있다. 루마 성분의 샘플링 위치(예를 들면, 샘플링 위치(L0, L1, L4, L5))에 있는 크로마 성분의 값을 결정하기 위해, 비디오 코딩 디바이스는 4탭 보간 필터 또는 2탭 보간 필터를 사용할 수도 있다. 비디오 코딩 디바이스는, 도 10의 x-y 축 상의 루마 성분의 샘플링 위치에 기초하여 어떤 보간 필터를 사용할지를 결정할 수도 있다. 예를 들면, 비디오 코딩 디바이스는 샘플링 위치에 있는 크로마 성분의 x 및 y 성분을 결정할 수도 있다. 그 다음, 비디오 코딩 디바이스는 루마 성분 샘플링 위치의 x 좌표를 2로 제산할 수도 있고, 비디오 코딩 디바이스는 루마 성분 샘플링 위치의 y 좌표를 2로 제산할 수도 있다. 2에 의한 x 좌표의 제산의 나머지가 제로이고, 2에 의한 y 좌표의 제산의 나머지가 1이면, 비디오 코딩 디바이스는 루마 성분의 샘플링 위치에 있는 크로마 성분(예를 들면, 레드 차이 크로마 성분 및/또는 블루 차이 크로마 성분)을 결정하기 위해 식 (19)에서 보간 필터를 활용할 수도 있다. 도 10에서 도시되는 바와 같이, 식 (19)는 루마 성분 샘플링 위치(L4, L6, L12 및 L14)에 있는 크로마 성분(예를 들면, 레드 차이 크로마 성분 및/또는 블루 차이 크로마 성분)을 결정하기 위해 활용될 수도 있다. 2에 의한 x 좌표의 제산의 나머지가 1이고, 2에 의한 y 좌표의 제산의 나머지가 1이면, 비디오 코딩 디바이스는 루마 성분의 샘플링 위치에 있는 크로마 성분(예를 들면, 레드 차이 크로마 성분 및/또는 블루 차이 크로마 성분)을 결정하기 위해 식 (20)에서 보간 필터를 활용할 수도 있다. 도 10에서 도시되는 바와 같이, 식 (20)은 루마 성분 샘플링 위치(L5, L7, L13 및 L15)에 있는 크로마 성분(예를 들면, 레드 차이 크로마 성분 및/또는 블루 차이 크로마 성분)을 결정하기 위해 활용될 수도 있다. 2에 의한 x 좌표의 제산의 나머지가 제로이고, 2에 의한 y 좌표의 제산의 나머지가 제로이면, 비디오 코딩 디바이스는 루마 성분의 샘플링 위치에 있는 크로마 성분(예를 들면, 레드 차이 크로마 성분 및/또는 블루 차이 크로마 성분)을 결정하기 위해 식 (21)에서 보간 필터를 활용할 수도 있다. 도 10에서 도시되는 바와 같이, 식 (21)은 루마 성분 샘플링 위치(L0, L2, L8 및 L10)에 있는 크로마 성분(예를 들면, 레드 차이 크로마 성분 및/또는 블루 차이 크로마 성분)을 결정하기 위해 활용될 수도 있다. 2에 의한 x 좌표의 제산의 나머지가 1이고, 2에 의한 y 좌표의 제산의 나머지가 제로이면, 비디오 코딩 디바이스는 루마 성분의 샘플링 위치에 있는 크로마 성분(예를 들면, 레드 차이 크로마 성분 및/또는 블루 차이 크로마 성분)을 결정하기 위해 식 (22)에서 보간 필터를 활용할 수도 있다. 도 10에서 도시되는 바와 같이, 식 (22)는 루마 성분 샘플링 위치(L1, L3, L9 및 L11)에 있는 크로마 성분(예를 들면, 레드 차이 크로마 성분 및/또는 블루 차이 크로마 성분)을 결정하기 위해 활용될 수도 있다.샘플링 위치(L4)에 있는 크로마 성분은 식 (19)를 사용하여 유도될 수도 있다:여기서 003e#003e#2는 (C0*3 + C2 + 2)의 합이 22에 의해 제산된다는 것을 의미할 수도 있고 및/또는 003e#003e#2는 2만큼의 우측 시프트를 사용하여 계산된다. (C0*3 + C2 + 2)의 합이 정수가 아니면, 소수는 22에 의해 합을 제산하기 이전에 버려질 수도 있다. 식 (19)에서, 샘플링 위치(L4)에 있는 크로마 성분을 결정하기 위해, 비디오 코딩 디바이스는, 샘플링 위치(C0)에 있는 크로마 성분(예를 들면, Cr0 또는 Cb0)이 3에 의해 승산되고, 그 다음 그 합이 상이한 크로마 샘플링 위치(C2)에 있는 크로마 성분(예를 들면, Cr2 또는 Cb2)에 가산되고, 그 합이 2에 가산되어 최종 합을 결정하게 되는 보간 필터를 적용할 수도 있다. 최종 합의 정수 합이 결정될 수도 있다. 보간 필터는 정수 합을 4로 제산하여 샘플링 위치(L4)에 있는 크로마 성분을 결정할 수도 있다. 샘플링 위치(L4)에 있는 복수의 크로마 성분(예를 들면, Cr 및 Cb, u 및 v, 등등)의 값은 보간 필터(예를 들면, 식 (19))를 사용하여 결정될 수도 있다. 다른 샘플링 위치(예를 들면, 샘플링 위치(L6, L14, L112))에 있는 크로마 성분은, 적절한 샘플링 위치에 있는 크로마 성분을 사용하여 식 (19)를 사용하여 결정될 수도 있다.샘플링 위치(L8)에 있는 크로마 성분은 식 (20)을 사용하여 유도될 수도 있다: 샘플링 위치(L8)에 있는 크로마 성분은 샘플링 위치(L4)에 대한 유도된 크로마 성분과 유사할 수도 있다. 식 (20)이 본원에서 제공된다:여기서 003e#003e#2는 (C0 + C2*3 + 2)의 합이 22에 의해 제산된다는 것을 의미할 수도 있고 및/또는 003e#003e#2는 2만큼의 우측 시프트를 사용하여 계산된다. (C0 + C2*3 + 2)의 합이 정수가 아니면, 소수는 22에 의해 합을 제산하기 이전에 버려질 수도 있다. 식 (20)에서, 샘플링 위치(L8)에 있는 크로마 성분을 결정하기 위해, 비디오 코딩 디바이스는, 샘플링 위치(C2)에 있는 크로마 성분(예를 들면, Cr2 또는 Cb2)이 3에 의해 승산되고, 그 다음 그 합이 상이한 크로마 샘플링 위치(C0)에 있는 크로마 성분(예를 들면, Cr0 또는 Cb0)에 가산되고, 그 합이 2에 가산되어 최종 합을 결정하게 되는 보간 필터를 적용할 수도 있다. 최종 합의 정수 합이 결정될 수도 있다. 보간 필터는 정수 합을 4로 제산하여 샘플링 위치(L8)에 있는 크로마 성분을 결정할 수도 있다. 샘플링 위치(L8, L2, L10)에 대한 크로마 성분은, 크로마 성분의 적절한 샘플링 위치를 가지고 식 (20)을 사용하여 결정될 수도 있다. 샘플링 위치(L8)에 있는 복수의 크로마 성분(예를 들면, Cr 및 Cb, u 및 v, 등등)의 값은 보간 필터(예를 들면, 식 (20))를 사용하여 결정될 수도 있다.샘플링 위치(L5)에 있는 크로마 성분은 식 (21)을 사용하여, 예를 들면, 다음과 같이 결정될 수도 있다:여기서 003e#003e#3은 ((C0+C1)*3 + (C2+C3) + 4)의 합이 23에 의해 제산된다는 것을 의미할 수도 있고 및/또는 003e#003e#3은 3만큼의 우측 시프트를 사용하여 계산된다. ((C0+C1)*3 + (C2+C3) + 4)의 합이 정수가 아니면, 소수는 23에 의해 합을 제산하기 이전에 버려질 수도 있다. 식 (21)에서, 샘플링 위치(L5)에 있는 크로마 성분을 결정하기 위해, 비디오 코딩 디바이스는, 샘플링 위치(C0)에 있는 크로마 성분(예를 들면, Cr0 또는 Cb0)이 상이한 샘플링 위치(C1)에 있는 크로마 성분(예를 들면, Cr1 및 Cb1)에 가산되는 보간 필터를 적용할 수도 있다. 그 다음, 비디오 코딩 디바이스는 샘플링 위치(C1) 및 샘플링 위치(C0)의 합을 3으로 승산하고, 승산된 합을 샘플링 위치(C2)에 있는 크로마 성분(예를 들면, Cr2 및 Cb2), 샘플링 위치(C3)에 있는 크로마 성분(예를 들면, Cr3 및 Cb3) 및 4에 가산하여 최종 합을 결정할 수도 있다. 최종 합의 정수 합이 결정될 수도 있다. 그 다음, 비디오 코딩 디바이스는 이 정수 값을 8로 제산하여 샘플링 위치(L5)에 있는 크로마 성분을 결정할 수도 있다. 샘플링 위치(L7, L13, L15)에 대한 크로마 성분은, 크로마 성분의 적절한 샘플링 위치를 가지고 식 (21)을 사용하여 결정될 수도 있다. 샘플링 위치(L5)에 있는 복수의 크로마 성분(예를 들면, Cr 및 Cb, u 및 v, 등등)의 값은 보간 필터(예를 들면, 식 (21))를 사용하여 결정될 수도 있다.샘플링 위치(L9)에 있는 루마 성분에 대한 유도된 크로마 성분은, 샘플링 위치(L5)에 있는 루마 성분에 대한 유도된 크로마 성분과 유사할 수도 있다. 샘플링 위치(L9)에 있는 크로마 성분은 식 (22)를 사용하여, 예를 들면, 다음과 같이 결정될 수도 있다:여기서 003e#003e#3은 ((C0+C1) + (C2+C5)*3 + 4)의 합이 23에 의해 제산된다는 것을 의미할 수도 있고 및/또는 003e#003e#3은 3만큼의 우측 시프트를 사용하여 계산된다. ((C0+C1) + (C2+C5)*3 + 4)의 합이 정수가 아니면, 소수는 23에 의해 합을 제산하기 이전에 버려질 수도 있다. 식 (22)에서, 샘플링 위치(L9)에 있는 크로마 성분을 결정하기 위해, 비디오 코딩 디바이스는, 샘플링 위치(C0)에 있는 크로마 성분(C0)(예를 들면, Cr0 또는 Cb0)이 샘플링 위치(C1)에 있는 크로마 성분(C1)(예를 들면, Cr1 및 Cb1)에 가산되는 보간 필터를 적용할 수도 있다. 그 다음, 비디오 코딩 디바이스는 샘플링 위치(C2)에 있는 크로마 성분(예를 들면, Cr2 또는 Cb2)을 상이한 샘플링 위치(C5)에 있는 크로마 성분(예를 들면, Cr5 또는 Cb5)에 가산할 수도 있다. 그 다음, 비디오 코딩 디바이스는 샘플링 위치(C2)에 있는 크로마 성분과 샘플링 위치(C5)에 있는 크로마 성분의 합을 3으로 승산할 수도 있고, 승산된 합은 샘플링 위치(C0)에 있는 크로마 성분 및 샘플링 위치(C1)에 있는 크로마 성분의 합 및 4에 가산하여 최종 합을 결정할 수도 있다. 최종 합의 정수 합이 결정될 수도 있다. 그 다음, 비디오 코딩 디바이스는 이 정수 값을 8로 제산하여 샘플링 위치(L9)에 있는 크로마 성분을 결정할 수도 있다. 샘플링 위치(L11, L1, L3)에 대한 크로마 성분은 적절한 크로마 성분 샘플링 위치를 가지고 식 (22)를 사용하여 결정될 수도 있다.샘플링 위치(L4 및 L8)에 있는 루마 성분에 대한 보간 필터는, 각각, 2탭 필터, 예를 들면, 2탭 필터 [1, 3] 및 [3, 1]일 수도 있다. 예를 들면, 샘플링 위치(L4 및 L8)에 있는 루마 성분에 대한 보간 필터는, 각각, 식 (19) 및 식 (20)을 참조로 설명된 보간 필터일 수도 있다. 샘플링 위치(L5 및 L9)에 있는 루마 성분에 대한 보간 필터는, 각각, 4탭 필터, 예를 들면, 4탭 필터 [3, 3, 1, 1] 및 [1, 1, 3, 3]일 수도 있다. 예를 들면, 샘플링 위치(L5 및 L9)에 있는 루마 성분에 대한 보간 필터는, 각각, 식 (21) 및 식 (22)를 참조로 설명된 보간 필터일 수도 있다.비디오 코딩 디바이스는 제1 샘플링 위치에 있는 크로마 성분에 제1 보간 필터를 적용하도록 그리고 제2 샘플링 위치에 있는 크로마 성분에 제2 보간을 적용하도록, 등등을 하도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 비디오 코딩 디바이스는, 식 (17)-(18) 중 하나 이상을, 하나 이상의 샘플링 위치에 있는 두 개의 중첩하는 크로마 성분(예를 들면, 레드 차이 크로마 성분 및/또는 블루 차이 크로마 성분) 중 하나 이상에 적용하도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 비디오 코딩 디바이스는 제1 샘플링 위치에 있는 크로마 성분에 식 (17)을 적용하고 그 다음 제2 샘플링 위치에 있는 크로마 성분에 식 (18)을 적용하고, 그 다음 제3 샘플링 위치에 있는 크로마 성분에 식 (17)을 적용하고, 등등을 할 수도 있다. 마찬가지로, 비디오 코딩 디바이스는 제1 샘플링 위치에 있는 루마 성분에 제1 보간 필터를 적용하도록 그리고 제2 샘플링 위치에 있는 루마 성분에 제2 보간을 적용하도록, 등등을 하도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 비디오 코딩 디바이스는 식 (19)-(22) 중 하나 이상을, 하나 이상의 샘플링 위치에 있는 루마 성분에 적용하도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 비디오 코딩 디바이스는 제1 샘플링 위치에 있는 루마 성분에 식 (19)를, 제2 샘플링 위치에 있는 루마 성분에 식 (20)을, 제3 샘플링 위치에 있는 루마 성분에 식 (21)을, 제4 샘플링 위치에 있는 루마 성분에 식 (22)를 적용할 수도 있고, 등등을 할 수도 있다.도 11a는, 하나 이상의 개시된 실시형태가 구현될 수도 있고/있거나 사용될 수도 있는 예시적인 통신 시스템(1100)의 도면을 묘사한다. 통신 시스템(1100)은 보이스, 데이터, 비디오, 메시징, 브로드캐스트 등등과 같은 컨텐츠를 다수의 무선 유저에게 제공하는 다중 액세스 시스템일 수도 있다. 통신 시스템(1100)은, 무선 대역폭을 포함한 시스템 리소스의 공유를 통해 다수의 무선 유저가 이러한 컨텐츠에 액세스하는 것을 가능하게 할 수도 있다. 예를 들면, 통신 시스템(1100)은, 코드 분할 다중 액세스(code division multiple access; CDMA), 시분할 다중 액세스(time division multiple access; TDMA), 주파수 분할 다중 액세스(frequency division multiple access; FDMA), 직교 FDMA(orthogonal FDMA; OFDMA), 싱글 캐리어 FDMA(single-carrier FDMA; SC-FDMA) 등등과 같은 하나 이상의 채널 액세스 방법을 활용할 수도 있다.도 11a에서 도시되는 바와 같이, 통신 시스템(1100)은 무선 송수신 유닛(WTRU)(1102a, 1102b, 1102c 및/또는 1102d)(일반적으로 또는 일괄적으로 WTRU(1102)로 칭해질 수도 있음), 무선 액세스 네트워크(radio access network; RAN)(1103/1104/1105), 코어 네트워크(1106/1107/1109), 공중 교환 전화망(public switched telephone network; PSTN)(1108), 인터넷(1110), 및 기타 네트워크(1112)를 포함할 수도 있지만, 개시된 실시형태는 임의의 수의 WTRU, 기지국(base station), 네트워크, 및/또는 네트워크 엘리먼트를 고려한다는 것을 알 수 있을 것이다. WTRU(1102a, 1102b, 1102c, 및/또는 1102d)의 각각은 무선 환경에서 동작 및/또는 통신하도록 구성되는 임의의 타입의 디바이스일 수도 있다. 예로서, WTRU(1102a, 1102b, 1102c, 및/또는 1102d)는 무선 신호를 송신 및/또는 수신하도록 구성될 수도 있고 유저 기기(user equipment; UE), 이동국(mobile station), 고정식 또는 이동식 가입자 유닛, 페이저, 셀룰러 전화, 개인 휴대형 정보 단말기(personal digital assistant; PDA), 스마트폰, 랩탑, 넷북, 퍼스널 컴퓨터, 무선 센서, 가전기기(consumer electronics) 등등을 포함할 수도 있다.통신 시스템(1100)은 기지국(1114a) 및 기지국(1114b)을 또한 포함할 수도 있다. 기지국(1114a, 1114b)의 각각은, 코어 네트워크(1106/1107/1109), 인터넷(1110), 및/또는 네트워크(1112)와 같은 하나 이상의 통신 네트워크에 대한 액세스를 용이하게 하기 위해 WTRU(1102a, 1102b, 1102c, 및/또는 1102d) 중 적어도 하나와 무선으로 인터페이싱하도록 구성되는 임의의 타입의 디바이스일 수도 있다. 예로서, 기지국(1114a, 1114b)은 기지국 트랜스시버(base transceiver station; BTS), 노드 B, eNode B, 홈 노드 B, 홈 eNode B, 사이트(site) 컨트롤러, 액세스 포인트(access point; AP), 무선 라우터 등등일 수도 있다. 기지국(1114a, 1114b) 각각이 단일의 엘리먼트로서 묘사되지만, 기지국(1114a, 1114b)은 임의의 수의 인터커넥트된(interconnected) 기지국 및/또는 네트워크 엘리먼트를 포함할 수도 있다는 것을 알 수 있을 것이다.기지국(1114a)은, 기지국 컨트롤러(base station controller; BSC), 무선 네트워크 컨트롤러(radio network controller; RNC), 중계 노드 등등과 같은 다른 기지국 및/또는 네트워크 엘리먼트(도시되지 않음)를 또한 포함할 수도 있는 RAN(1103/1104/1105)의 일부일 수도 있다. 기지국(1114a) 및/또는 기지국(1114b)은, 셀(도시되지 않음)로서 칭해질 수도 있는 특정 지리적 영역 내에서 무선 신호를 송신 및/또는 수신하도록 구성될 수도 있다. 셀은 셀 섹터로 더 분할될 수도 있다. 예를 들면, 기지국(1114a)과 관련되는 셀은 3개의 섹터로 분할될 수도 있다. 따라서, 일 실시형태에서, 기지국(1114a)은 3개의 트랜스시버, 즉, 셀의 각각의 섹터에 대해 하나의 트랜스시버를 포함할 수도 있다. 다른 실시형태에서, 기지국(1114a)은 다중입력 다중출력(multiple-input multiple-output; MIMO) 기술을 활용할 수도 있고, 따라서, 셀의 각각의 섹터에 대해 다수의 트랜스시버를 활용할 수도 있다.기지국(1114a 및/또는 1114b)은, 임의의 적절한 무선 통신 링크(예를 들면, 무선 주파수(radio frequency; RF), 마이크로파, 적외선(infrared; IR), 자외선(ultraviolet; UV), 가시광 등등)일 수도 있는 무선 인터페이스(air interface; 1115/1116/1117)를 통해 WTRU(1102a, 1102b, 1102c, 및/또는 1102d) 중 하나 이상과 통신할 수도 있다. 무선 인터페이스(1115/1116/1117)는 임의의 적절한 무선 액세스 기술(radio access technology; RAT)을 사용하여 확립될 수도 있다.더 구체적으로는, 위에서 언급된 바와 같이, 통신 시스템(1100)은 다중 액세스 시스템일 수도 있고 CDMA, TDAM, FDAM, OFDMA, SC-FDMA 등등과 같은 하나 이상의 채널 액세스 방식을 활용할 수도 있다. 예를 들면, RAN(1103/1104/1105) 내의 기지국(1114a) 및 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)는, 광대역 CDMA(wideband CDMA; WCDMA)를 사용하여 무선 인터페이스(1115/1116/1117)를 확립할 수도 있는, 범용 이동 통신 시스템(Universal Mobile Telecommunications System; UMTS) 지상 무선 액세스(Terrestrial Radio Access)(UTRA)와 같은 무선 기술을 구현할 수도 있다. WCDMA는 고속 패킷 액세스(High-Speed Packet Access; HSPA) 및/또는 진화된 HSPA(Evolved HSPA; HSPA+)와 같은 통신 프로토콜을 포함할 수도 있다. HSPA는 고속 다운링크 패킷 액세스(High-Speed Downlink Packet Access; HSDPA) 및/또는 고속 업링크 패킷 액세스(High-Speed Uplink Packet Access; HSUPA)를 포함할 수도 있다.다른 실시형태에서, 기지국(1114a) 및 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)는, 롱 텀 에볼루션(LTE) 및/또는 LTE-어드밴스드(LTE- Advanced; LTE-A)를 사용하여 무선 인터페이스(1115/1116/1117)를 확립할 수도 있는 진화된 UMTS 지상 무선 액세스(Evolved UMTS Terrestrial Radio Access; E-UTRA)와 같은 무선 기술을 구현할 수도 있다.다른 실시형태에서, 기지국(1114a) 및 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)는, IEEE 802.16(즉, 와이맥스(Worldwide Interoperability for Microwave Access; WiMAX)), CDMA2000, CDMA2000 1X, CDMA2000 EV-DO, IS-2000(Interim Standard 2000), IS-95(Interim Standard 95), IS-856(Interim Standard 856), 이동 통신용 글로벌 시스템(Global System for Mobile communications; GSM), EDGE(Enhanced Data rates for GSM Evolution), GSM EDGE(GERAN) 등등과 같은 무선 기술을 구현할 수도 있다.도 11a의 기지국(1114b)은, 예를 들면, 무선 라우터, 홈 노드 B, 홈 eNode B, 또는 액세스 포인트일 수도 있고, 사업장, 가정, 차량, 캠퍼스 등등과 같은 국소화된 영역에서 무선 연결성을 용이하게 하기 위해 임의의 적절한 RAT를 활용할 수도 있다. 일 실시형태에서, 기지국(1114b) 및 WTRU(1102c, 1102d)는 무선 근거리 통신망(wireless local area network; WLAN)을 확립하기 위해 IEEE 802.11과 같은 무선 기술을 구현할 수도 있다. 다른 실시형태에서, 기지국(1114b) 및 WTRU(1102c, 1102d)는 무선 사설 영역 네트워크(wireless personal area network; WPAN)를 확립하기 위해 IEEE 802.15와 같은 무선 기술을 구현할 수도 있다. 또 다른 실시형태에서, 기지국(114b) 및 WTRU(102c, 1102d)는 피코셀 또는 펨토셀을 확립하기 위해 셀룰러 기반 RAT(예를 들면, WCDMA, CDMA2000, GSM, LTE, LTE-A 등등)를 활용할 수도 있다. 도 11a에서 도시되는 바와 같이, 기지국(1114b)은 인터넷(1110)에 대한 직접 연결을 구비할 수도 있다. 따라서, 기지국(1114b)은 코어 네트워크(1106/1107/1109)를 통해 인터넷(1110)에 액세스할 필요가 없을 수도 있다.RAN(1103/1104/1105)은, WTRU(1102a, 1102b, 1102c, 및/또는 1102d) 중 하나 이상으로 보이스, 데이터, 애플리케이션, 및/또는 인터넷 전화 프로토콜(voice over internet protocol; VoIP) 서비스를 제공하도록 구성되는 임의의 타입의 네트워크일 수도 있는 코어 네트워크(1106/1107/1109)와 통신할 수도 있다. 예를 들면, 코어 네트워크(1106/1107/1109)는 호 제어(call control), 과금 서비스, 모바일 위치 기반 서비스, 선불 통화, 인터넷 연결성, 비디오 분배 등등을 제공할 수도 있고 및/또는 유저 인증과 같은 하이 레벨의 보안 기능을 수행할 수도 있다. 도 11a에서 도시되지는 않지만, RAN(1103/1104/1105) 및/또는 코어 네트워크(1106/1107/1109)는, RAN(1103/1104/1105)과 동일한 RAT 또는 상이한 RAT를 활용하는 다른 RAN과 직접 또는 간접 통신할 수도 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 예를 들면, E-UTRA 무선 기술을 활용할 수도 있는 RAN(1103/1104/1105)에 연결되는 것 외에, 코어 네트워크(1106/1107/1109)는 GSM 무선 기술을 활용하는 다른 RAN(도시되지 않음)과 또한 통신할 수도 있다.코어 네트워크(1106/1107/1109)는 WTRU(1102a, 1102b, 1102c, 및/또는 1102d)가 PSTN(1108), 인터넷(1110), 및/또는 기타 네트워크(112)에 액세스하는 데 게이트웨이로서 또한 기능할 수도 있다. PSTN(1108)은, 기존 전화 서비스(plain old telephone service; POTS)를 제공하는 회선 교환 전화 네트워크를 포함할 수도 있다. 인터넷(1110)은, TCP/IP(transmission control protocol/internet protocol; 전송 제어 프로토콜/인터넷 프로토콜) 일군(suite)에서의 TCP, 유저 데이터그램 프로토콜(user datagram protocol; UDP) 및 IP와 같은 일반적인 통신 프로토콜을 사용하는 인터커넥트된 컴퓨터 네트워크 및 디바이스의 글로벌 시스템을 포함할 수도 있다. 네트워크(1112)는 다른 서비스 공급자에 의해 소유되고/되거나 운영되는 유선 또는 무선 통신 네트워크를 포함할 수도 있다. 예를 들면, 네트워크(1112)는, RAN(1103/1104/1105)과 동일한 RAT 또는 상이한 RAT를 활용할 수도 있는, 하나 이상의 RAN에 연결되는 다른 코어 네트워크를 포함할 수도 있다.통신 시스템(1100)에서의 WTRU(1102a, 1102b, 1102c, 및/또는 1102d) 중 몇몇 또는 전체는 다중 모드 성능을 포함할 수도 있다, 즉, WTRU(1102a, 1102b, 1102c, 및/또는 1102d)는 상이한 무선 링크를 통해 상이한 무선 네트워크와 통신하기 위한 다수의 트랜스시버를 포함할 수도 있다. 예를 들면, 도 11a에서 도시되는 WTRU(1102c)는, 셀룰러 기반 무선 기술을 활용할 수도 있는 기지국(1114a)과, 그리고 IEEE 802 무선 기술을 활용할 수도 있는 기지국(1114b)과 통신하도록 구성될 수도 있다.도 11b는 예시적인 WTRU(1102)의 시스템 도면이다. 도 11b에서 도시되는 바와 같이, WTRU(1102)는 프로세서(1118), 트랜스시버(1120), 송신/수신 엘리먼트(1122), 스피커/마이크(1124), 키패드(1126), 디스플레이/터치패드(1128), 비착탈식 메모리(1130), 착탈식 메모리(1132), 전원(1134), 글로벌 포지셔닝 시스템(global positioning system; GPS) 칩셋(1136), 및 기타 주변장치(1138)를 포함할 수도 있다. WTRU(1102)는 한 실시형태와 여전히 부합하면서 상기 엘리먼트의 임의의 부조합을 포함할 수도 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 또한, 실시형태는, 기지국(1114a 및 1114b), 및/또는, 다른 것들 중에서도, 기지국 트랜스시버(BTS), 노드 B, 사이트 컨트롤러, 액세스 포인트(AP), 홈 노드 B, 진화형 홈 노드 B(eNodeB), 홈 진화형 노드 B(home evolved node-B; HeNB), 홈 진화형 노드 B 게이트웨이, 프록시 노드와 같은 그러나 이들에 한정되지 않는 기지국(1114a 및 1114b)이 나타낼 수도 있는 노드가 도 11b에서 묘사되고 본원에서 설명되는 엘리먼트 중 일부 또는 전체를 포함할 수도 있다는 것을 고려한다.프로세서(1118)는 범용 프로세서, 특수 목적의 프로세서, 종래의 프로세서, 디지털 신호 프로세서(digital signal processor; DSP), 복수의 마이크로프로세서, DSP 코어와 관련하는 하나 이상의 마이크로프로세서, 컨트롤러, 마이크로컨트롤러, 주문형 반도체(Application Specific Integrated Circuit; ASIC), 필드 프로그래머블 게이트 어레이(Field Programmable Gate Array; FPGA) 회로, 임의의 다른 타입의 집적 회로(integrated circuit; IC), 상태 머신 등등일 수도 있다. 프로세서(1118)는 신호 코딩, 데이터 프로세싱, 전력 제어, 입/출력 프로세싱, 및/또는 WTRU(1102)가 무선 환경에서 동작하는 것을 가능하게 하는 임의의 다른 기능성(functionality)을 수행할 수도 있다. 프로세서(1118)는, 송신/수신 엘리먼트(1122)에 커플링될 수도 있는 트랜스시버(1120)에 커플링될 수도 있다. 도 11b가 프로세서(1118)와 트랜스시버(1120)를 별개의 컴포넌트로서 묘사하지만, 프로세서(1118)와 트랜스시버(1120)는 전자적 패키지 또는 칩에 함께 집적될 수도 있다는 것을 알 수 있을 것이다.송신/수신 엘리먼트(1122)는 무선 인터페이스(1115/1116/1117)를 통해 기지국(예를 들면, 기지국(1114a))으로 신호를 송신하거나, 또는 그 기지국으로부터 신호를 수신하도록 구성될 수도 있다. 예를 들면, 하나의 실시형태에서, 송신/수신 엘리먼트(1122)는 RF 신호를 송신 및/또는 수신하도록 구성되는 안테나일 수도 있다. 다른 실시형태에서, 송신/수신 엘리먼트(1122)는, 예를 들면, IR, UV, 또는 가시광 신호를 송신 및/또는 수신하도록 구성되는 방출기(emitter)/검출기일 수도 있다. 또 다른 실시형태에서, 송신/수신 엘리먼트(1122)는 RF 및 광 신호 둘 다를 송신 및 수신하도록 구성될 수도 있다. 송신/수신 엘리먼트(1122)는 무선 신호의 임의의 조합을 송신 및/또는 수신하도록 구성될 수도 있다는 것을 알 수 있을 것이다.또한, 송신/수신 엘리먼트(1122)가 도 11b에서 단일의 엘리먼트로서 묘사되지만, WTRU(1102)는 임의의 수의 송신/수신 엘리먼트(1122)를 포함할 수도 있다. 더 구체적으로는, WTRU(1102)는 MIMO 기술을 활용할 수도 있다. 따라서, 하나의 실시형태에서, WTRU(1102)는, 무선 인터페이스(1115/1116/1117)를 통해 무선 신호를 송신 및 수신하기 위한 두 개 이상의 송신/수신 엘리먼트(1122)(예를 들면, 다수의 안테나)를 포함할 수도 있다.트랜스시버(1120)는, 송신/수신 엘리먼트(1122)에 의해 송신될 신호를 변조하도록 그리고 송신/수신 엘리먼트(1122)에 의해 수신되는 신호를 복조하도록 구성될 수도 있다. 위에서 언급된 바와 같이, WTRU(1102)는 다중 모드 성능을 가질 수도 있다. 따라서, 트랜스시버(1120)는, WTRU(1102)가, 예를 들면, UTRA 및 IEEE 802.11과 같은 다수의 RAT를 통해 통신하는 것을 가능하게 하기 위한 다수의 트랜스시버를 포함할 수도 있다.WTRU(1102)의 프로세서(1118)는, 스피커/마이크(1124), 키패드(1126), 및/또는 디스플레이/터치패드(1128)(예를 들면, 액정 디스플레이(liquid crystal display; LCD) 디스플레이 유닛 또는 유기 발광 다이오드(organic light- emitting diode; OLED) 디스플레이 유닛)에 커플링될 수도 있고, 그리고 이들로부터 유저 입력 데이터를 수신할 수도 있다. 프로세서(1118)는 유저 데이터를 스피커/마이크(1124), 키패드(1126), 및/또는 디스플레이/터치패드(1128)로 또한 출력할 수도 있다. 또한, 프로세서(1118)는, 비착탈식 메모리(1130) 및/또는 착탈식 메모리(1132)와 같은 임의의 타입의 적절한 메모리로부터의 정보에 액세스할 수도 있고, 그리고 그 임의의 타입의 적절한 메모리에 데이터를 저장할 수도 있다. 비착탈식 메모리(1130)는 랜덤 액세스 메모리(random-access memory; RAM), 리드 온리 메모리(read-only memory; ROM), 하드디스크, 또는 임의의 다른 타입의 메모리 스토리지 디바이스를 포함할 수도 있다. 착탈식 메모리(1132)는 가입자 식별 모듈(subscriber identity module; SIM) 카드, 메모리 스틱, 시큐어 디지털(secure digital; SD) 메모리 카드 등등을 포함할 수도 있다. 다른 실시형태에서, 프로세서(1118)는, 서버 또는 가정용 컴퓨터(도시되지 않음) 상에서와 같은 WTRU(1102) 상에 물리적으로 위치되지 않는 메모리로부터의 정보에 액세스할 수도 있고, 그리고 그 메모리에 데이터를 저장할 수도 있다.프로세서(1118)는 전원(1134)으로부터 전력을 수신할 수도 있고, WTRU(1102)의 다른 컴포넌트로 전력을 분배하도록 및/또는 그 전력을 제어하도록 구성될 수도 있다. 전원(1134)은 WTRU(1102)에 전력을 공급하기 위한 임의의 적절한 디바이스일 수도 있다. 예를 들면, 전원(1134)은 하나 이상의 드라이 셀 배터리(예를 들면, 니켈 카드뮴(NiCd), 니켈 아연(NiZn), 니켈 금속 수소(NiMH), 리튬 이온(Li ion) 등등), 솔라 셀, 연료 전지 등등을 포함할 수도 있다.프로세서(1118)는, WTRU(1102)의 현재 위치에 관한 위치 정보(예를 들면, 경도 및 위도)를 제공하도록 구성될 수도 있는 GPS 칩셋(1136)에 또한 커플링될 수도 있다. 또한, GPS 칩셋(1136)으로부터의 정보 외에, 또는 그 정보 대신, WTRU(1102)는 무선 인터페이스(1115/1116/1117)를 통해 기지국(예를 들면, 기지국(1114a, 1114b))으로부터 위치 정보를 수신할 수도 있고/있거나 두 개 이상의 가까운 기지국으로부터 수신되고 있는 신호의 타이밍에 기초하여 자신의 위치를 결정할 수도 있다. WTRU(1102)는 한 실시형태와 여전히 부합하면서 임의의 적절한 위치 결정 방법을 통해 위치 정보를 획득할 수도 있다는 것을 알 수 있을 것이다.프로세서(1118)는, 추가적인 피쳐, 기능성, 및/또는 유선 또는 무선 연결성을 제공하는 하나 이상의 소프트웨어 및/또는 하드웨어 모듈을 포함할 수도 있는 기타 주변장치(1138)에 추가로 커플링될 수도 있다. 예를 들면, 주변장치(1138)는 가속도계, 전자 콤파스, 위성 트랜스시버, (사진 및 비디오용의) 디지털 카메라, 범용 직렬 버스(universal serial bus; USB) 포트, 진동 디바이스, 텔레비전 트랜스시버, 핸즈프리 헤드셋, Bluetooth�� 모듈, 주파수 변조(frequency modulated; FM) 라디오 유닛, 디지털 뮤직 플레이어, 미디어 플레이어, 비디오 게임 플레이어 모듈, 인터넷 브라우저 등등을 포함할 수도 있다.도 11c는 한 실시형태에 따른 RAN(1103)과 코어 네트워크(1106)의 시스템 도면을 묘사한다. 위에서 언급되는 바와 같이, RAN(1103)은 무선 인터페이스(1115)를 통해 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)와 통신하기 위해 UTRA 무선 기술을 활용할 수도 있다. RAN(1103)은 코어 네트워크(1106)와 또한 통신할 수도 있다. 도 11c에서 도시되는 바와 같이, RAN(1103)은, 무선 인터페이스(1115)를 통해 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)와 통신하기 위한 하나 이상의 트랜스시버를 각각 포함할 수도 있는 노드 B(1140a, 1140b, 및/또는 1140c)를 포함할 수도 있다. 노드 B(1140a, 1140b, 및/또는 1140c) 각각은 RAN(1103) 내의 특정 셀(도시되지 않음)과 관련될 수도 있다. RAN(1103)은 또한 RNC(1142a 및/또는 1142b)를 포함할 수도 있다. RAN(1103)은, 한 실시형태와 여전히 부합하면서, 임의의 수의 노드 B 및 RNC를 포함할 수도 있다는 것을 알 수 있을 것이다.도 11c에서 도시되는 바와 같이, 노드 B(1140a 및/또는 1140b)는 RNC(1142a)와 통신할 수도 있다. 추가적으로, 노드 B(1140c)는 RNC(1142b)와 통신할 수도 있다. 노드 B(1140a, 1140b, 및/또는 1140c)는 Iub 인터페이스를 통해 각각의 RNC(1142a, 1142b)와 통신할 수도 있다. RNC(1142a, 1142b)는 Iur 인터페이스를 통해 서로 통신할 수도 있다. RNC(1142a, 1142b)의 각각은, 자신이 연결되는 각각의 노드 B(1140a, 1140b, 및/또는 1140c)를 제어하도록 구성될 수도 있다. 또한, RNC(1142a, 1142b)의 각각은 다른 기능성, 예컨대 외부 루프 전력 제어, 부하 제어, 수락 제어(admission control), 패킷 스케줄링, 핸드오버 제어, 매크로다이버시티, 보안 기능, 데이터 암호화 등등을 수행하거나 지원하도록 구성될 수도 있다.도 11c에서 도시되는 코어 네트워크(1106)는 미디어 게이트웨이(media gateway; MGW)(1144), 모바일 스위칭 센터(mobile switching center; MSC)(1146), 서빙 GPRS 지원 노드(serving GPRS support node; SGSN)(1148), 및/또는 게이트웨이 GPRS 지원 노드(gateway GPRS support node; GGSN)(1150)를 포함할 수도 있다. 상기 엘리먼트의 각각이 코어 네트워크(1106)의 일부로서 묘사되지만, 이들 엘리먼트 중 임의의 하나는 코어 네트워크 운영자 이외의 엔티티에 의해 소유되고/되거나 그 엔티티에 의해 동작될 수도 있다는 것을 알 수 있을 것이다.RAN(1103)에서의 RNC(1142a)는 IuCS 인터페이스를 통해 코어 네트워크(1106)의 MSC(1146)에 연결될 수도 있다. MSC(1146)는 MGW(1144)에 연결될 수도 있다. MSC(1146) 및 MGW(1144)는, WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)와 전통적인 지상 회선(land-line) 통신 디바이스 사이의 통신을 용이하게 하기 위해, PSTN(1108)과 같은 회선 교환 네트워크에 대한 액세스를 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)에게 제공할 수도 있다.RAN(1103)에서의 RNC(1142a)는 IuPS 인터페이스를 통해 코어 네트워크(1106)의 SGSN(1148)에 또한 연결될 수도 있다. SGSN(1148)은 GGSN(1150)에 연결될 수도 있다. SGSN(1148) 및 GGSN(1150)은, WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)와 IP 대응 디바이스(IP-enabled device) 사이의 통신을 용이하게 하기 위해, 패킷 교환 네트워크, 예컨대 인터넷(1110)에 대한 액세스를 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)에게 제공할 수도 있다.위에서 언급된 바와 같이, 코어 네트워크(1106)는 네트워크(1112)에 또한 연결될 수도 있는데, 네트워크(1112)는 다른 서비스 공급자에 의해 소유되고/되거나 운영되는 다른 유선 또는 무선 네트워크를 포함할 수도 있다.도 11d는 한 실시형태에 따른 RAN(1104)과 코어 네트워크(1107)의 시스템 도면을 묘사한다. 위에서 언급되는 바와 같이, RAN(1104)은 무선 인터페이스(1116)를 통해 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)와 통신하기 위해 E-UTRA 무선 기술을 활용할 수도 있다. RAN(1104)은 코어 네트워크(1107)와 또한 통신할 수도 있다.RAN(1104)은 eNode B(1160a, 1160b, 및/또는 1160c)를 포함할 수도 있지만, RAN(1104)은 한 실시형태와 여전히 부합하면서 임의의 수의 eNode B를 포함할 수도 있다는 것을 알 수 있을 것이다. eNode B(1160a, 1160b, 및/또는 1160c) 각각은 무선 인터페이스(1116)를 통해 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)와 통신하기 위한 하나 이상의 트랜스시버를 포함할 수도 있다. 하나의 실시형태에서, eNode B(1160a, 1160b, 및/또는 1160c)는 MIMO 기술을 구현할 수도 있다. 따라서, eNode B(1160a)는, 예를 들면, WTRU(1102a)로 무선 신호를 송신하고 그 WTRU(1102a)로부터 무선 신호를 수신하기 위해 다수의 안테나를 사용할 수도 있다.eNode B(1160a, 1160b, 및/또는 1160c)의 각각은 특정한 셀(도시되지 않음)과 관련될 수도 있고 무선 리소스 관리 결정, 핸드오버 결정, 업링크 및/또는 다운링크에서의 유저의 스케줄링 등등을 핸들링하도록 구성될 수도 있다. 도 11d에서 도시되는 바와 같이, eNode B(1160a, 1160b, 및/또는 1160c)는 X2 인터페이스를 통해 서로 통신할 수도 있다.도 11d에서 도시되는 코어 네트워크(1107)는 이동성 관리 엔티티 게이트웨이(mobility management entity gateway; MME)(1162), 서빙 게이트웨이(1164), 및 패킷 데이터 네트워크(packet data network; PDN) 게이트웨이(1166)를 포함할 수도 있다. 상기 엘리먼트의 각각이 코어 네트워크(1107)의 일부로서 묘사되지만, 이들 엘리먼트 중 임의의 하나는 코어 네트워크 운영자 이외의 엔티티에 의해 소유되고/되거나 그 엔티티에 의해 동작될 수도 있다는 것을 알 수 있을 것이다.MME(1162)는 S1 인터페이스를 통해 RAN(1104) 내의 eNode B(1160a, 1160b, 및/또는 1160c)의 각각에 연결될 수도 있고 제어 노드로서 기능할 수도 있다. 예를 들면, MME(1162)는 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)의 유저를 인증하는 것, 베어러 활성/비활성, WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)의 초기 연결 동안 특정 서빙 게이트웨이를 선택하는 것 등등을 담당할 수도 있다. MME(1162)는, GSM 또는 WCDMA와 같은 다른 무선 기술을 활용하는 다른 RAN(도시되지 않음)과 RAN(104) 사이를 스위칭하기 위한 제어 플레인 기능을 또한 제공할 수도 있다.서빙 게이트웨이(1164)는 S1 인터페이스를 통해 RAN(1104) 내의 eNode B(1160a, 1160b, 및/또는 1160c)의 각각에 연결될 수도 있다. 서빙 게이트웨이(1164)는 일반적으로 유저 데이터 패킷을 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)로 라우팅하고 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)로부터 포워딩할 수도 있다. 서빙 게이트웨이(1164)는 다른 기능, 예컨대 eNode B간 핸드오버 동안 유저 플레인을 앵커링하는 것, 다운링크 데이터가 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)에 대해 이용가능할 때 페이징을 트리거하는 것, WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)의 상황(context)을 관리하고 저장하는 것 등등을 또한 수행할 수도 있다.서빙 게이트웨이(1164)는, WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)와 IP 대응 디바이스 사이의 통신을 용이하게 하기 위해, 인터넷(1110)과 같은 패킷 교환 네트워크에 대한 액세스를 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)에게 제공할 수도 있는 PDN 게이트웨이(1166)에 또한 연결될 수도 있다.코어 네트워크(1107)는 다른 네트워크와의 통신을 용이하게 할 수도 있다. 예를 들면, 코어 네트워크(1107)는, WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)와 전통적인 지상 회선 통신 디바이스 사이의 통신을 용이하게 하기 위해, PSTN(1108)과 같은 회선 교환 네트워크에 대한 액세스를 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)에게 제공할 수도 있다. 예를 들면, 코어 네트워크(1107)는, 코어 네트워크(1107)와 PSTN(1108) 사이의 인터페이스로서 기능하는 IP 게이트웨이(예를 들면, IP 멀티미디어 서브시스템(IP multimedia subsystem; IMS) 서버)를 포함할 수도 있거나, 또는 그 IP 게이트웨이와 통신할 수도 있다. 또한, 코어 네트워크(1107)는, 다른 서비스 공급자에 의해 소유되고/되거나 다른 서비스 공급자에 의해 운영되는 다른 유선 또는 무선 네트워크를 포함할 수도 있는 네트워크(1112)에 대한 액세스를 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)에게 제공할 수도 있다.도 11e는 한 실시형태에 따른 RAN(1105)과 코어 네트워크(1109)의 시스템 도면을 묘사한다. RAN(1105)은, 무선 인터페이스(1117)를 통해 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)와 통신하기 위해 IEEE 802.16 무선 기술을 활용하는 액세스 서비스 네트워크(access service network; ASN)일 수도 있다. 하기에 더 논의되는 바와 같이, WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c), RAN(1105), 및 코어 네트워크(1109)의 상이한 기능적 엔티티 사이의 통신 링크는 기준 포인트(reference point)로서 정의될 수도 있다.도 11e에서 도시되는 바와 같이, RAN(1105)은 기지국(1180a, 1180b, 및/또는 1180c) 및 ASN 게이트웨이(1182)를 포함할 수도 있지만, RAN(1105)은, 한 실시형태와 여전히 부합하면서, 임의의 수의 기지국 및 ASN 게이트웨이를 포함할 수도 있다는 것이 인식되어야 한다. 기지국(1180a, 1180b, 및/또는 1180c) 각각은, RAN(1105) 내의 특정 셀(도시되지 않음)과 관련될 수도 있고 무선 인터페이스(1117)를 통해 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)와 통신하기 위한 하나 이상의 트랜스시버를 포함할 수도 있다. 하나의 실시형태에서, 기지국(1180a, 1180b, 및/또는 1180c)은 MIMO 기술을 구현할 수도 있다. 따라서, 기지국(1180a)은, 예를 들면, WTRU(1102a)로 무선 신호를 송신하고 그로부터 무선 신호를 수신하기 위해 다수의 안테나를 사용할 수도 있다. 또한, 기지국(1180a, 1180b, 및/또는 1180c)은, 핸드오프 트리거링(handoff triggering), 터널 확립, 무선 리소스 관리, 트래픽 분류, 서비스 품질(quality of service; QoS) 정책 강화(enforcement) 등등과 같은 이동성 관리 기능을 제공할 수도 있다. ASN 게이트웨이(1182)는 트래픽 집성 포인트(traffic aggregation point)로서 기능할 수도 있으며 페이징, 가입자 프로파일의 캐싱, 코어 네트워크(1109)로의 라우팅 등등을 담당할 수도 있다.WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)와 RAN(1105) 사이의 무선 인터페이스(1117)는, IEEE 802.16 명세를 구현하는 R1 기준 포인트로서 정의될 수도 있다. 또한, WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)의 각각은 코어 네트워크(1109)와의 논리 인터페이스(logical interface)(도시되지 않음)를 확립할 수도 있다. WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)와 코어 네트워크(1109) 사이의 논리 인터페이스는 R2 기준 포인트로서 정의될 수도 있는데, R2 기준 포인트는 인증(authentication), 인가(authorization), IP 호스트 구성 관리, 및/또는 이동성 관리에 대해 사용될 수도 있다.기지국(1180a, 1180b, 및/또는 1180c) 각각의 사이의 통신 링크는, WTRU 핸드오버 및 기지국 사이의 데이터의 전송을 용이하게 하기 위한 프로토콜을 포함하는 R8 참조 포인트로서 정의될 수도 있다. 기지국(1180a, 1180b, 및/또는 1180c)과 ASN 게이트웨이(1182) 사이의 통신 링크는 R6 기준 포인트로서 정의될 수도 있다. R6 기준 포인트는 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)의 각각과 관련된 이동성 이벤트에 기초하여 이동성 관리를 용이하게 하기 위한 프로토콜을 포함할 수도 있다.도 11e에서 도시되는 바와 같이, RAN(1105)은 코어 네트워크(1109)에 연결될 수도 있다. RAN(1105)과 코어 네트워크(1109) 사이의 통신 링크는, 예를 들면, 데이터 전송 및 이동성 관리 성능을 용이하게 하기 위한 프로토콜을 포함하는 R3 기준 포인트로서 정의될 수도 있다. 코어 네트워크(1109)는 모바일 IP 홈 에이전트(mobile IP home agent; MIP-HA)(1184), 인증, 인가, 어카운팅(authentication, authorization, accounting; AAA) 서버(1186), 및 게이트웨이(1188)를 포함할 수도 있다. 상기 엘리먼트의 각각이 코어 네트워크(1109)의 일부로서 묘사되지만, 이들 엘리먼트 중 임의의 하나는 코어 네트워크 운영자 이외의 엔티티에 의해 소유되고/되거나 그 엔티티에 의해 동작될 수도 있다는 것을 알 수 있을 것이다.MIP-HA는 IP 어드레스 관리를 담당할 수도 있고, WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)가 상이한 ASN 및/또는 상이한 코어 네트워크 사이에서 로밍하는 것을 가능하게 할 수도 있다. MIP-HA(1184)는, WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)와 IP 대응 디바이스 사이의 통신을 용이하게 하기 위해, 패킷 교환 네트워크, 예컨대 인터넷(1110)에 대한 액세스를 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)에게 제공할 수도 있다. AAA 서버(1186)는 유저 인증 및 유저 서비스 지원을 담당할 수도 있다. 게이트웨이(1188)는 다른 네트워크와의 상호연동(interworking)을 용이하게 할 수도 있다. 예를 들면, 게이트웨이(1188)는, WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)와 전통적인 지상 회선 통신 디바이스 사이의 통신을 용이하게 하기 위해, PSTN(1108)과 같은 회선 교환 네트워크에 대한 액세스를 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)에게 제공할 수도 있다. 또한, 게이트웨이(1188)는, 다른 서비스 공급자에 의해 소유되고/되거나 다른 서비스 공급자에 의해 운영되는 다른 유선 또는 무선 네트워크를 포함할 수도 있는 네트워크(1112)에 대한 액세스를 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)에게 제공할 수도 있다.도 11e에서 도시되지 않지만, RAN(1105)은 다른 ASN에 연결될 수도 있고 코어 네트워크(1109)는 다른 코어 네트워크에 연결될 수도 있다는 것이 인식되어야 하고, 인식될 수도 있고, 및/또는 인식될 것이다. RAN(1105)과 다른 ASN 사이의 통신 링크는 R4 기준 포인트로서 정의될 수도 있는데, R4 기준 포인트는 RAN(1105)과 다른 ASN 사이에서 WTRU(1102a, 1102b, 및/또는 1102c)의 이동성을 조정하기(coordinating) 위한 프로토콜을 포함할 수도 있다. 코어 네트워크(1109)와 다른 코어 네트워크 사이의 통신 링크는 R5 기준으로서 정의될 수도 있는데, R5 기준은 홈 코어 네트워크와 방문 코어 네트워크(visited core network) 사이에서의 상호연동을 용이하게 하기 위한 프로토콜을 포함할 수도 있다.피쳐 및 엘리먼트가 특정 조합으로 위에서 설명되었지만, 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 각각의 피쳐 또는 엘리먼트는 단독으로 사용될 수 있거나 또는 다른 피쳐 및 엘리먼트와의 임의의 조합으로 사용될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 또한, 본원에서 설명되는 방법은, 컴퓨터 또는 프로세서에 의한 실행을 위해 컴퓨터 판독가능 매체에 통합되는 컴퓨터 프로그램, 소프트웨어, 또는 펌웨어에서 구현될 수도 있다. 컴퓨터 판독가능 매체의 예는 전자 신호(유선 또는 무선 연결을 통해 송신됨) 및 컴퓨터 판독가능 저장 매체를 포함한다. 컴퓨터 판독가능 저장 매체의 예는, 리드 온리 메모리(ROM), 랜덤 액세스 메모리(RAM), 레지스터, 캐시 메모리, 반도체 메모리 디바이스, 내장 하드 디스크 및 착탈식 디스크와 같은 자기 매체, 광자기 매체, 및 CD-ROM 디스크 및 디지털 다기능 디스크(digital versatile disk; DVD)와 같은 광학 매체를 포함하지만, 이들로 한정되는 것은 아니다. 소프트웨어와 관련하는 프로세서는, WTRU, UE, 단말, 기지국, RNC, 또는 임의의 호스트 컴퓨터에서 사용하기 위한 무선 주파수 트랜스시버를 구현하기 위해 사용될 수도 있다.
제1 컬러 공간과 관련되는 픽쳐 - 픽쳐는 제1 샘플링 위치(C0)에 있는 제1 성분, 제2 샘플링 위치(L0)에 있는 제2 성분 및 제3 샘플링 위치(L4)에 있는 제2 성분을 포함함 - 를 수신하기 위한 비디오 코딩 디바이스 및 방법. 제1 보간 필터가 제2 샘플링 위치(L0)에 있는 제2 성분 및 제3 샘플링 위치(L4)에 있는 제2 성분에 적용되어 제1 샘플링 위치(L(C0))에 있는 제2 성분을 결정한다. 제1 샘플링 위치(L(C0))에 있는 제2 성분은 제1 컬러 공간과 관련될 수도 있다. 제1 샘플링 위치에 있는 제1 성분을 제2 컬러 공간으로 변환하기 위해, 컬러 변환 모델이 제1 샘플링 위치(C0)에 있는 제1 성분에 그리고 제1 샘플링 위치(L(C0))에 있는 제2 성분에 적용된다.
[ 발명의 명칭 ] 연속 주조 및 압연 공정에서 금속 스트립 제조 방법 및 그 장치METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING A METAL STRIP IN A CONTINUOUS CASTING AND ROLLING PROCESS [ 기술분야 ] 본 발명은 연속 주조 및 압연 공정에서 금속 스트립을 제조하기 위한 방법에 관한 것이며, 상기 방법의 경우, 맨 먼저 슬래브가 주조기에서 주조되며, 그리고 스트립의 이송 방향에서 하류에 배치되는 다듬질 압연기로 공급되어 여기서 압연된다. 또한, 본 발명은 상기 방법의 실행을 위한 장치에도 관한 것이다.따라서, 본 발명은, 연속 작동 모드로 액상 금속에서 최종 스트립을 제조하는 주조 및 압연 설비에서 이용된다. 상기 유형의 설비의 경우, 다듬질 압연기 내에서 의도와 무관하게 압연 작동 모드의 중단이 일어날 때 이용될 수 있는 전략이 제안된다. [ 배경기술 ] 공지된 주조기 및 압연기열은 조밀한 설비에서 용강을 열연 스트립으로 전환한다. 이 경우, 맨 먼저 무한한 길이를 갖는 슬래브들이 주조된다.상기 슬래브들은, 자체의 치수와 관련하여 원하는 열연 코일 크기에 상응하는 전단기들에 의해 절단된다. 보통 롤러 허스로(roller hearth furnace)로서 실현되는 가열로에서 슬래브들은 온도와 관련하여 상태 조절된다. 그런 다음, 슬래브들은 개별적으로 압연기열로 공급되어 압연된다. 이어서 스트립들은 냉각 구역에서 냉각되고 권취된다. 그리고 코일들은 압연 라인에서 추가 가공을 위한 설비로 이송된다.이른바 반연속 공정의 경우, 슬래브들은, 해당 슬래브로 2개 또는 그 이상의 코일이 제조될 수 있도록 절단된다. 압연기의 하류에는, 길이가 긴 열연 스트립을 절단함으로써 원하는 코일 크기가 달성되게 하는 플라잉 전단기(flying shear)가 추가로 배치된다. 이런 방법에 의해, 압연 동안 임계의 인입 및 인출 공정의 횟수는 감소되며, 그럼으로써 상대적으로 얇은 열연 스트립들이 상대적으로 더 신뢰성 있게 제조될 수 있다.두 공정 형태의 공통점은, 슬래브를 분리하는, 특히 절단하는 것을 통해 주조 공정과 압연 공정이 분리되어 진행될 수 있다는 점에 있다. 그에 따라, 주조기 및 압연기열의 가능하고 필요한 각각의 공정 속도는 서로 독립적으로 설정될 수 있다.오늘날엔, 주조기에서, 그리고 공정 제어에서, 예컨대 가열 장치들에 의한 진보를 통해 압연 단계 전 슬래브의 분할을 배제할 수 있다. 이른바 완전 연속 공정이 개발되었다. 이 경우, 슬래브는 응고 후에 절단되지 않고 압연기열 내로 유입되며, 그에 반해 주조기에서는 여전히 동일한 주조 스트랜드가 주조된다. 코일들을 형성하기 위해 재료를 절단하는 단계는 압연기열의 하류에 있는 플라잉 전단기에서 비로소 진행된다.다시 말하면, 전술한 완전 연속 공정의 경우, 재료가 주조기에서부터 권취기까지 여전히 하나의 물리적 몸체로서 연결되어 있는 작동 상태들이 규칙적으로 발생한다. 그에 따라, 전체 공정은 연속적으로, 또는 한없이 진행된다.수백 미터에 걸쳐 연장될 수 있는 크기의 설비들의 경우 고장은 드물게 발생한다. 따라서 예컨대 열연 압연기열 내에서, 또는 전단기 상에서 오작동이 있을 경우 생산 공정은 중단되어야 한다. 이런 경우 설비는 운전 중지되고 스트립 또는 슬래브의 모든 이동은 정지된다. 이 경우, 전체 설비 길이에 걸쳐서 상이한 가공 정도를 갖는 절단되지 않은 스트랜드가 존재하는 점이 발생할 수 있다. 다양한 장비들(주조기, 전단기들, 노, 압연기열, 권취기) 내에 상기 스트랜드가 100m 이상의 길이에 걸쳐 위치하는 것을 통해, 서로 독립적인 이동은 불가능하다.고장은 기본적으로 모든 부분 장비들에서, 다시 말하면 권취기, 플라잉 전단기(들), 다듬질 압연기열, 롤러 허스로 등의 영역에서 발생할 수 있다. 따라서 다듬질 압연기열 내에서 예컨대 마지막 두 롤 스탠드 사이에서 스트립 균열에 의한 압연 오류는 최단시간 이내에 상기 롤 스탠드들 사이에서 재료 잼(material jam)을 야기하며, 이 재료 잼은 차후 수작업을 통해서만 제거될 수 있다. 이를 위해 시간 집약적인 작업이 필요하고 후속하여 설비 부분들의 검사와 경우에 따른 유지보수도 필요하다.설비 운전자 또는 자동 시스템은 고장이 있는 경우에 압연을 중지시킨다. 롤 스탠드들은 일반적으로 최대한 최단 시간에 개방되고, 모든 구동 장치는 작동 중지되며, 그리고 스트랜드도 정지된다. 슬래브는 영구 몰드에 이르기까지 분할되어 있지 않기 때문에, 주조기 역시도 강제적으로 작동 중지되어야 하는 경우들도 존재한다.이 경우, 상기 장비는 특히 임계 사항으로 간주된다. 정지 상태가 너무 오래 지속되면, 영구 몰드 내의 강재는 응고되고 그에 따라 매우 복잡하게만 제거될 수 있거나, 또는 강재의 제거 시 영구 몰드를 손상시킬 수밖에 없다. 영구 몰드 및 스트랜드 가이드의 통제되지 않는 개방은 대개 스트랜드 파손을 야기할 수도 있고, 그럼으로써 용강이 장비 위쪽으로 흘러 들어가 상당한 손상을 초래하게 된다. 특히 스트랜드 가이드 롤러들은 정지 상태가 상대적으로 더 길어지는 경우 열적 과부하에 대해 민감하다.주조기에서 응고된 주조 스트랜드를 제거하는 작업 역시 매우 시간 소모적이며 보통 수동 절단(예: 화염 절단)을 통해서만 가능하다. 이를 위해, 크레인 작업도 필요하고 영구 몰드 및 경우에 따라서는 연속 주조 설비의 부분들도 교환되어야만 한다. 이는 높은 정지 시간 및 생산 손실을 초래하고 그 외에 수작업과도 결부된다.이와 관련하여, EP 2 259 886 B1에서는, 스트립 내에 절단면을 형성하고 이송 방향에서 그 상류에 위치하는 스트립 말단을 위로 굽히고 후속하는 스트립을 여러 조각으로 절단하는 점이 제안되어 있다. 그러나 이는 개념에 따라 후속하는 스트립 재료가 여전히 이동하고 있는 점을 전제조건으로 한다. 슬래브 또는 스트립을 절단하는 추가 또는 유사한 해결책들 및 특별한 양태들은 EP 0 625 383 B1, DE 198 56 767 A1, DE 42 20 424 A1, JP 0122 4102 A, JP 0527 7539 A, JP 6315 7750 A 및 JP 2001 276 910 A에 주요 문제로 다루어져 있다. 또한, 절단 장치의 하류에서 스트립을 위해 스트립 저장부를 이용하는 KR 2013 0053111 A 및 KR 2013 0053110 A 역시도 종래 기술로 인용된다.그러므로 연속 설비에서 연속적인 주조 작동 모드의 경우 압연롤 교환이 계획된 때에도 작동은 최대한 중단되지 않아야 한다. 스트랜드는 절단되고, 절단된 스트립은 압연된다. 그런 다음, 스트랜드에서 플레이트들이 절단되고, 이 플레이트들은 배출 장치에 의해 스크랩으로서 배출 이송된다.이 경우, 전단기의 하류에 경우에 따라 쌓이는 스크랩(이에 대해서는 전술한 EP 2 259 886 B1 참조)은 무조건 직접 노 내로 반송될 수 없다. 이런 경우, 스크랩은 오히려 중단 단계에서 여러 조각으로 절단되어야 한다. 설비에 고장이 있을 때 전단기는 역방향으로는 여러 조각으로 절단하지 못한다. 또한, 스크랩 슈트(scrap chute)도 제공되어 있지 않다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명의 과제는, 다듬질 압연기열 내에서 (예컨대 압연롤 교환으로 인한) 의도와 무관하게 생산 중단이 발생한 후에 생산 라인을 확실하면서도 신속하고 경제적으로, 그리고 바람직하게는 부분 또는 완전 자동으로 다시 정규 작동 상태로 전환하는 것에 있다. 또 다른 과제는, 손상 및 정지 시간을 최소화하기 위해 영구 몰드에서, 그리고 계속해서 주조기에서 유출되는 강재, 또는 이 강재로 형성되는 슬래브, 또는 강재로 주조되는 스트립을 최대한 신속하게 제거하고, 이와 동시에 설비에서 제거되는 재료(즉, 스크랩)는 최대한 간단한 추가 가공(즉, 용융)이 가능하도록 처리되게 하며, 그에 따라 스크랩의 재사용을 가능하게 하는 것에 있다. 또한, 본 발명의 과제는, 설비의 조밀한 구조를 확보할 수 있도록 하는 것에 있다. 또 다른 과제는, 곧바로 다시 용융될 수 있는 작은 스크랩 조각들이 간단한 방식으로 생성될 수 있게 하는 것에 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명을 통한 상기 과제의 해결책은, 다듬질 압연기 내에서 의도와 무관하게 생산 중단이 있는 경우 하기 단계들이 실행되는 것을 특징으로 한다.a) 주조기와 다듬질 압연기 사이의 한 위치에서 절단 장치를 이용하여 스트립을 절단하는 단계; b) 구동기가 이송 방향에서 절단 장치의 하류에 배치되어 있는 조건에서 이송 방향에서 절단면에 후속하는 스트립의 부분을 구동기를 이용하여 스트립 저장부 내로 이송하는 단계; c) 절단 장치를 이용하여 스트립을 다시 절단하고 절단 장치를 이용하여 이송 방향에서 후속하는 스트립의 부분을 바람직하게는 정의된 길이방향 크기를 갖는 여러 조각으로 절단하는 단계; d) 저장되었던 스트립 섹션을 바람직하게는 정의된 길이방향 크기를 갖는 여러 조각으로 절단하는 단계.이 경우, 바람직하게는 상기 단계 d)에서 이송 방향의 반대 방향으로 구동기에 의해 절단 장치 쪽으로 스트립 저장부 내에 있던 스트립의 역이송이 수행되며, 그리고 해당 위치에서 절단 장치를 이용하여 저장되었던 스트립 섹션을 여러 조각으로 절단하는 단계가 진행된다.이 경우, 단계 c) 및 d)에서 생성되는 부분들은 바람직하게는 수집 챔버 내로 배출된다.이 경우, 상기 단계 a) 내지 d)는 바람직하게는 앞서 기재한 시간 순서로 실행된다.상기 단계 c)의 경우, 스트립 섹션들은 이송 방향으로 0.1m와 5m 사이의 길이로 절단될 수 있다.주조기와, 스트립의 이송 방향에서 하류에 배치되는 다듬질 압연기를 포함하여 연속 주조 및 압연 공정에서 금속 스트립을 제조하기 위한 본원의 장치는, 본 발명에 따라서, 주조기와 다듬질 압연기 사이에 절단 장치가 배치되고, 이송 방향에서 절단 장치에 후속하여 스트립 섹션의 수용을 위한 스트립 저장부가 배치되며, 이송 방향에서 절단 장치의 하류에, 그리고 스트립 저장부의 상류에는 스트립 저장부 내로 스트립을 이송하도록 형성되는 구동기가 배치되며, 그리고 구동기는 스트립을 다시 절단 장치 쪽으로 이송하기 위해서도 형성되는 것을 특징으로 한다.이 경우, 바람직하게는, 구동기는 스트립을 다시 절단 장치 쪽으로 이송하기 위해서도 형성된다.절단 장치는 바람직하게는 드럼 전단기이다. 그러나 진자 전단기 또는 이동 가능한 문형 전단기의 이용 역시도 가능하다.절단 장치의 하부에 바람직하게는 스트립 부분들을 위한 수집 챔버가 배치된다. 절단 장치와 수집 챔버 사이에 스크랩 슈트가 배치될 수 있다.이송 방향에서 절단 장치의 상류에 추가 구동기가 배치될 수 있다.또한, 이송 방향에서 절단 장치의 상류에 노 역시도 배치될 수 있다.이런 점에 있어, 본원의 개념은, 주조기, 조압연기, 노, 중간 압연기 및 다듬질 압연기가 임의로 조합되는 모든 설비 개념에서 이용될 수 있다.따라서, 본 발명에 따라, 특히 초핑 전단기(chopping shear)가 스트립 저장부와 조합되어 이용된다. 고장이 있거나 비상 정지 시, 또는 예컨대 다듬질 압연기열에서 압연롤 교환으로 인해 작동 중단이 계획된 경우, 주조기로부터 도달하는 스트립은 스트립 저장부 내에 중간 저장된다. 바람직하게는 드럼 전단기가 스트립을 절단 분할한다. 절단 장치 하류의 구동기는 스트립을 스트립 저장부 내로 이송한다. 그에 따라, 짧은 틈새가 형성된다. 절단 장치는 도달하는 스트립을 스크랩 조각들로 절단하며, 이 스크랩 조각들은 바람직하게는 스크랩 슈트를 통해 스크랩 처리 영역으로 미끄러져 이송된다.주조기 하류의 절단 장치는 스트랜드를 절단한다. 나머지 스트립은 가속 이송되고 절단 장치(드럼 전단기)는 가속 이송되는 스트립을 절단한다. 이때 주조되는 스트랜드는 주조기 하류의 절단 장치에 의해 플레이트들로 절단되어 배출 장치에 의해 배출 이송된다.다듬질 압연기열 내에서의 재료 잼은 제거되며, 예컨대 재료 잼은 수동으로 폐기된다. 그런 다음, 다듬질 압연기열과 절단 장치(드럼 전단기) 사이의 스트립은 역방향으로(즉, 이송 방향의 반대 방향으로) 스트립 저장부로부터 절단 장치를 통과하여 이송되면서 절단 장치에 의해 여러 조각으로 절단될 수 있다.상기 단계가 수행되면, 주조기와 전체 설비는 다시 정상 모드로 전환될 수 있다.스크랩 조각들은 곧바로 다시 용융될 수 있다. 드럼 전단기와 다듬질 압연기열 사이의 영역은 역방향으로 청소될 수 있다. 제안되는 구조는 조밀하고 에너지를 절약하는 방식으로 운영될 수 있다. 스트립 저장부는 장력 조절부로서도 이용될 수 있다.드럼 전단기는 스크랩을 신속하면서도 효율적으로 폐기할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도면에는 본 발명의 한 실시예가 도시되어 있다.도 1은 강재 스트립의 제조를 위한 주조 및 압연 설비를 도시한 개략도이다.도 2는 설비의 주조기와 다듬질 압연기 사이에 배치되는 전단기 형태의 절단 장치를 도시한 확대도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1에는, 완전 연속 설비로서 형성되어 중앙 요소로서 주조기(2)와 다듬질 압연기(3)를 포함하는 주조 및 압연 설비에 대한 한 예시가 개략적으로 도시되어 있다. 주조기(2)의 하류에는 조압연기(12)가 제공되며, 이 조압연기에는 (각각의 설비 개념에 따라서) 노(11)(가열 기능을 갖는 연결 롤러 테이블)가 이어진다. 노(11)의 하류에는 다듬질 압연기(3)가 후속된다. 다듬질 압연기(3)의 하류에는 냉각 구역(13) 및 플라잉 전단기(14) 형태인 절단 장치가 위치된다. 그런 다음 이송 방향(F)으로 적어도 하나의 권취기(15 및 16)가 이어진다.조압연기(12)와 노(11) 사이에는 스트립(1)을 위한 전단기(17) 형태의 절단 장치가 배치된다. 추가 전단기(5)(절단 장치)는 노(11)와 다듬질 압연기(3) 사이에서 어느 한 위치(4)에 위치된다. 마지막으로, 여전히 추가 전단기(절단 장치)(14)가 냉각 구역(13)의 하류에, 그리고 권취기(15, 16)들의 상류에 배치된다. 도 1에서는, 주조기(2) 및 노(11)의 하류에 배치되는 여전히 하나의 전단기(절단 장치)(17)를 확인할 수 있다.위치(4)에서, (언급한 것처럼) 도 2에 더 상세하게 도시된 추가 절단 장치(전단기)(5)가 배치된다. 또한, 도 2에 도시된 설비 부분에서는, 이송 방향(F)에서 절단 장치(5)의 하류에 개략적으로만 지시되어 있는 스트립 저장부(6)가 배치되어 있는 점도 알 수 있다. 노(11)에서 유출되는 스트립(1)은 구동기(10)를 통해 이송된다. 스트립(1)은 선택적으로 드럼 전단기로서 형성되는 절단 장치(5)에 의해 절단 분할되거나 절단될 수 있다. 그런 다음, 분할된 스트립(1)은 추가 구동기(7)에 의해 스트립 저장부(6) 내로 이송될 수 있다.앞에서 설명한 것처럼, 다듬질 압연기(3) 내에서 생산 중단 동안 스트립(1)은 위치(4)에서 절단 장치(5)에 의해 절단된다. 그런 다음, 이송 방향(F)에서 절단 장치(5)의 하류에 위치하는 스트립(1)의 부분이 스트립 저장부(6) 내로 이송되며, 이를 위해서는 구동기(7)가 이용된다. 그런 다음, 절단 장치(5)에 의한 스트립(1)의 재절단 분할 또는 재절단 후에, 주조기(2)로부터 후속해서 도달하는 스트립 섹션을 여러 조각으로 절단하는 단계가 실행될 수 있다. 스트립은 공지된 방식으로(이에 대해서는 EP 2 259 886 B1 참조) 바람직하게는 정의된 길이를 갖는 부분들로 절단되고 스크랩 슈트(9)를 통해 수집 챔버(8) 내로 배출된다.상기 공정이 종료되면, 스트립 저장부(6) 내에 있던 스트립(1)은 이송 방향(F)과 반대 방향으로 구동기(7)에 의해 절단 장치(5) 쪽으로 역이송되고 절단 장치(5)에 의해 여러 조각으로 절단되며 동일하게 수집 챔버(8) 내로 배출된다.당연히 본원에서 제안되는 방법은 주조 및 압연 설비의 본원에서와 다른 설비 개념에서도 역시 이용될 수 있다. [ 부호의 설명 ] 1: 스트립2: 주조기3: 다듬질 압연기4: 위치5: 절단 장치(전단기)6: 스트립 저장부7: 구동기8: 수집 챔버9: 스크랩 슈트10: 구동기11: 노12: 조압연기13: 냉각 구역14: 절단 장치(플라잉 전단기)15: 권취기16: 권취기17: 절단 장치(전단기)F: 이송 방향
본 발명은 연속 주조 및 압연 공정에서 금속 스트립(1)을 제조하기 위한 방법에 관한 것이며, 상기 방법의 경우, 맨 먼저 슬래브가 주조기에서 주조되며, 그리고 스트립(1)의 이송 방향(F)에서 하류에 배치되는 다듬질 압연기로 공급되어 여기서 압연된다. 본 발명에 따라서, 구조가 조밀한 조건에서 스크랩의 재사용을 가능하게 하기 위해, 다듬질 압연기 내에서 계획과 무관하게 생산 중단이 있는 경우 하기 단계들, 즉 a) 주조기(2)와 다듬질 압연기 사이의 한 위치(4)에서 절단 장치(5)를 이용하여 스트립(1)을 절단하는 단계; b) 구동기(7)가 이송 방향(F)에서 절단 장치(5)의 하류에 배치되어 있는 조건에서 절단면에 후속하는 스트립(1)의 부분을 구동기(7)를 이용하여 스트립 저장부(6) 내로 이송하는 단계; c) 절단 장치(5)를 이용하여 스트립(1)을 다시 절단하고 절단 장치(5)를 이용하여 스트립(1)의 후속하는 부분을 여러 조각으로 절단하는 단계; d) 저장되었던 스트립 섹션을 바람직하게는 정의된 길이방향 크기를 갖는 여러 조각으로 절단하는 단계;가 실행된다. 또한, 본 발명은 본원의 방법의 실행을 위한 장치에도 관한 것이다.
[ 발명의 명칭 ] 선박용 단강품MARINE STEEL FORGING [ 기술분야 ] 본 발명은 선박용 단강품에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 선박의 저연비화의 관점에서 선박용 부재에 경량화가 요구되고 있으며, 그 때문에 선박용 부재에 이용되는 강재의 고강도화가 요구되고 있다. 일반적으로, 강재의 고강도화는, 열처리 공정에 있어서 오스테나이트화 후의 냉각을 빠르게 하여, 경질인 베이나이트나 마르텐사이트를 생성시킴으로써 달성할 수 있다. 그러나, 중량이 수 톤 내지 수십 톤의 대형 후육(厚肉) 부재인 경우는, 오스테나이트화 후의 급랭을 위해 수냉하면, 냉각시의 열 응력이나 변태 응력에 의해 균열이 발생해 버릴 우려가 있다. 그 때문에, 오스테나이트화 후의 냉각은 냉각 속도가 느린 공냉에 의하지 않을 수 없어, 대형 후육 부재로 고강도를 얻는 것은 어렵다.이에 반하여, 고강도의 대형 후육 부재로서, (1) 합금 원소 첨가량을 적정 범위로 제어함으로써, 공냉 등 냉각 속도가 느린 경우에도 담금질성을 높여서, 고강도화를 실현하는 주강품(일본 특허 제 3509634 호 공보 및 일본 특허 제 5229823 호 공보 참조)이나, (2) 비금속 개재물의 제어에 주목하여, 비금속 개재물 저감을 위해 S 함유량을 저감함으로써 우수한 피로 강도를 실현하는 단강품(일본 특허 공개 제 2009-91649 호 공보 참조)이 개발되어 있다.그러나, 상기 (1)의 주강품은, 주조에 기인하여 마이크로 기공(microporosity) 등의 주조 결함이 불가피적으로 존재하여, 바람직한 피로 강도의 실현이 곤란하다. 또한, 상기 (1)의 주강품은, 단조하는 것에 의해 주조 결함을 저감할 수 있지만, 결정 입경이 주강품보다 미세해진다. 일반적으로 알려진 바와 같이, 강의 담금질성은 결정 입경이 작아지면 저하되어 버리기 때문에, 상기 (1)의 제어를 단강품에 적용해도 충분한 강도를 얻는 것이 곤란하다.한편, 단강품은, 대형 부재가 될수록 강괴 내부의 편석이 현저해져 편석부에 있어서 수소가 농화(濃化)되는 경향이 있다. 상기 (2)의 단강품과 같이 S 함유량이 저감되면, 피로 강도가 향상하지만, 수소 트랩 사이트가 되는 MnS량이 감소하기 때문에, 수소가 농화된 편석부에 있어서 수소 균열이 생기기 쉬워진다. 그 때문에, 상기 (2)의 단강품은 대형 부재에는 적용하기 어렵다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특허 제 3509634 호 공보일본 특허 제 5229823 호 공보일본 특허 공개 제 2009-91649 호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은, 상술한 바와 같은 사정에 근거하여 이루어진 것으로서, 고강도를 갖고, 대형 후육 부재에도 호적하게 이용되는 선박용 단강품의 제공을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 하나의 국면은, C(탄소): 0.13 질량% 이상 0.25 질량% 이하, Si(규소): 0.15 질량% 이상 0.45 질량% 이하, Mn(망간): 0.3 질량% 이상 1.0 질량% 이하, Ni(니켈): 1.2 질량% 이상 2.6 질량% 이하, Cr(크롬): 0.4 질량% 이상 0.9 질량% 이하, Mo(몰리브덴): 0.15 질량% 이상 0.8 질량% 이하, V(바나듐): 0.05 질량% 이상 0.15 질량% 이하, N(질소): 0 질량% 초과 0.02 질량% 이하, S(유황): 0.002 질량% 이상 0.015 질량% 이하, Ti(티탄) 및 Al(알루미늄) 중 1종 이상의 원소: 합계 0.003 질량% 이상 0.05 질량% 이하의 기본 성분을 포함하며, 잔부가 Fe(철) 및 불가피적 불순물인 조성을 갖고, 하기 식 (1)을 만족하며, 금속 조직이 페라이트-베이나이트 또는 페라이트-펄라이트-베이나이트의 복합 조직이며, 표면에 있어서의 페라이트 조직 및 펄라이트 조직의 합계 면적률이 70% 이하인 선박용 단강품에 관한 것이다.14×(Ti/48＋Al/27)≥N ···(1) [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 실시예에 있어서의 V 함유량과 인장 강도의 관계를 나타내는 그래프,도 2는 실시예에 있어서의 페라이트 및 펄라이트의 면적률과 인장 강도의 관계를 나타내는 그래프. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명의 선박용 단강품은, C(탄소): 0.13 질량% 이상 0.25 질량% 이하, Si(규소): 0.15 질량% 이상 0.45 질량% 이하, Mn(망간): 0.3 질량% 이상 1.0 질량% 이하, Ni(니켈): 1.2 질량% 이상 2.6 질량% 이하, Cr(크롬): 0.4 질량% 이상 0.9 질량% 이하, Mo(몰리브덴): 0.15 질량% 이상 0.8 질량% 이하, V(바나듐): 0.05 질량% 이상 0.15 질량% 이하, N(질소): 0 질량% 초과 0.02 질량% 이하, S(유황): 0.002 질량% 이상 0.015 질량% 이하, Ti(티탄) 및 Al(알루미늄 중 1종 이상의 원소: 합계 0.003 질량% 이상 0.05 질량% 이하의 기본 성분을 포함하며, 잔부가 Fe(철) 및 불가피적 불순물인 조성을 갖고, 하기 식 (1)을 만족하며, 금속 조직이 페라이트-베이나이트 또는 페라이트-펄라이트-베이나이트의 복합 조직이며, 표면에 있어서의 페라이트 조직 및 펄라이트 조직의 합계 면적률이 70% 이하인 선박용 단강품인 것을 특징으로 한다.14×(Ti/48＋Al/27)≥N ···(1)강재의 각 조성의 함유량을 상기 범위에서 또한 상기 식 (1)을 만족하는 것으로 하고, 금속 조직을, 페라이트-베이나이트 또는 페라이트-펄라이트-베이나이트의 복합 조직이며, 또한 표면에 있어서의 페라이트 조직 및 펄라이트 조직의 합계 면적률이 상기 상한 이하의 것으로 하는 것에 의해, 열처리 공정에 있어서 오스테나이트화 후의 냉각 속도를 빠르게 하지 않아도 충분한 강도를 확보할 수 있다. 또한, 해당 선박용 단강품은, 강재의 조성을 상기 식 (1)을 만족시킴으로써, 질소(N)와의 친화성이 높은 티탄(Ti) 또는 알루미늄(Al)에 의해 질소(N)가 고정되어 바나듐 질화물(이하, V 질화물이라 약칭함)의 생성이 억제된다. 즉, 질소(N)와의 결합에 의한 바나듐(V)의 소비량이 저감되므로 바나듐 탄화물(이하, V 탄화물이라 약칭함)의 감소가 억제되어, 오스테나이트화 후의 냉각 속도가 느린 경우라도 바나듐 탄화물의 석출 강화능(냉각 중에 변태와 동시에 경질 입자를 석출시키는 능력)에 의해 해당 선박용 단강품의 강도를 높일 수 있다.본 발명의 선박용 단강품은 고강도를 갖고, 대형 후육 부재에도 호적하게 이용된다.이하, 본 발명에 따른 선박용 단강품의 실시형태에 대하여 설명한다.＜금속 조직＞ 본 실시형태에 있어서의 선박용 단강품의 금속 조직은, 페라이트-베이나이트 또는 페라이트-펄라이트-베이나이트의 복합 조직이며, 표면에 있어서의 페라이트 조직 및 펄라이트 조직의 합계 면적률이 70% 이하이다. 페라이트 조직 및 펄라이트 조직이 많아지면, 충분한 강도를 확보하는 것이 곤란해진다. 그 때문에, 이와 같이 금속 조직을 페라이트-베이나이트 또는 페라이트-펄라이트-베이나이트의 복합 조직으로 하고, 페라이트 조직 및 펄라이트 조직의 합계 면적률을 상기 상한 이하로 함으로써, 해당 선박용 단강품은 높은 강도를 갖는다. 또한, 페라이트 조직 및 펄라이트 조직의 면적률의 측정 방법으로서는, 예를 들면, 단강품으로부터 마이크로 조직 관찰용의 시험편을 절출(切出)하고, 이러한 시험편의 평행면을 단조 신장 방향으로 경면 연마하고, 나이탈(nital)로 부식시켜 광학 현미경으로 관찰하는 것에 의해 실행할 수 있다.＜조성＞본 실시형태의 선박용 단강품은, C: 0.13 질량% 이상 0.25 질량% 이하, Si: 0.15 질량% 이상 0.45 질량% 이하, Mn: 0.3 질량% 이상 1.0 질량% 이하, Ni: 1.2 질량% 이상 2.6 질량% 이하, Cr: 0.4 질량% 이상 0.9 질량% 이하, Mo: 0.15 질량% 이상 0.8 질량% 이하, V: 0.05 질량% 이상 0.15 질량% 이하, N: 0 질량% 초과 0. 02 질량% 이하, S: 0.002 질량% 이상 0.015 질량% 이하, Ti 및 Al 중 1종 이상의 원소: 합계 0.003 질량% 이상 0.05 질량% 이하의 기본 성분을 포함하며, 잔부가 Fe 및 불가피적 불순물인 조성을 갖고, 또한 하기 식 (1)을 만족한다.14×(Ti/48＋Al/27)≥N ···(1)본 실시형태에 있어서, 선박용 단강품의 C 함유율의 하한으로서는, 0.13 질량%이며, 0.15 질량%가 바람직하다. 한편, 선박용 단강품의 C 함유율의 상한으로서는, 0.25 질량%이며, 0.23 질량%가 바람직하다. 선박용 단강품의 C 함유율이 상기 하한 미만이면, 충분한 담금질성과 강도를 확보할 수 없을 우려가 있다. 반대로, 선박용 단강품의 C 함유율이 상기 상한을 초과하면, 용접 균열의 감수성이 높아져, 용접 균열이 생기기 쉬워진다. 선박용 단강품의 C 함유율을 상기 범위로 하는 것에 의해, 선박용 단강품의 담금질성 및 강도를 적절히 확보할 수 있다.본 실시형태의 선박용 단강품에 있어서, Si 함유율의 하한으로서는, 0.15 질량%이며, 0.16 질량%가 바람직하다. 한편, 상기 Si 함유율 상한으로서는, 0.45 질량%이며, 0.30 질량%가 바람직하다. 상기 Si 함유율이 상기 하한 미만이면, 탈산을 충분히 할 수 없을 우려나, 강도를 확보할 수 없을 우려가 있다. 반대로, 상기 Si 함유율이 상기 상한을 초과하면, 역 V 편석을 조장할 우려가 있다. 상기 Si 함유율을 상기 범위로 하는 것에 의해, 선박용 단강품의 강도를 적절히 확보할 수 있다.본 실시형태의 선박용 단강품에 있어서, Mn 함유율의 하한으로서는, 0.3 질량%이며, 0.31 질량%가 바람직하다. 한편, 상기 Mn 함유율의 상한으로서는, 1.0 질량%이며, 0.95 질량%가 바람직하다. 상기 Mn 함유율이 상기 하한 미만이면, 충분한 강도와 담금질성을 확보할 수 없을 우려가 있다. 반대로, 상기 Mn 함유율이 상기 상한을 초과하면, 뜨임(tempering) 취화를 조장할 우려나, 용접성을 저해할 우려가 있다. 상기 Mn 함유율을 상기 범위로 함으로써, 선박용 단강품의 담금질성, 강도 및 용접성을 적절히 확보할 수 있다.본 실시형태의 선박용 단강품에 있어서, Ni 함유율의 하한으로서는, 1.2 질량%이며, 1.4 질량%가 바람직하다. 한편, 상기 Ni 함유율의 상한으로서는, 2.6 질량%이며, 2.5 질량%가 바람직하다. 상기 Ni 함유율이 상기 하한 미만이면, 충분한 강도와 담금질성을 확보할 수 없을 우려가 있다. 또한, Ni는 고가의 원소이기 때문에, 상기 Ni 함유율이 상기 상한을 초과하면, 강도 및 담금질성 향상 효과가 한계점에 도달하는 한편, 제조 비용이 증대하기 때문에 공업적인 관점에서 바람직하지 않다. 상기 Ni 함유율을 상기 범위로 하는 것에 의해, 선박용 단강품의 담금질성 및 강도를 적절히 확보할 수 있다.본 실시형태의 선박용 단강품에 있어서, Cr 함유율의 하한으로서는, 0.4 질량%이며, 0.41 질량%가 바람직하다. 한편, 상기 Cr 함유율의 상한으로서는, 0.9 질량%이며, 0.85 질량%가 바람직하다. 상기 Cr 함유율이 상기 하한 미만이면, 충분한 담금질성과 뜨임 연화 저항을 확보할 수 없을 우려가 있다. 반대로, 상기 Cr 함유율이 상기 상한을 초과하면, 용접성이 저하될 우려나, 역 V편석을 조장할 우려가 있다. 상기 Cr 함유율을 상기 범위로 함으로써, 선박용 단강품의 담금질성, 뜨임 연화 저항 및 용접성을 적절히 확보할 수 있다.본 실시형태의 선박용 단강품에 있어서, Mo 함유율의 하한으로서는, 0.15 질량%이다. 한편, 상기 Mo 함유율의 상한으로서는, 0.8 질량%이며, 0.7 질량%가 바람직하다. 상기 Mo 함유율이 상기 하한 미만이면, 충분한 담금질성과 뜨임 연화 저항을 확보할 수 없을 우려가 있다. 반대로, 상기 Mo 함유율이 상기 상한을 초과하면, 용접성이 저하될 우려, 강괴 중의 마이크로 편석을 조장할 우려, 또는 중력 편석이 발생하기 쉬워질 우려가 있다. 상기 Mo 함유율을 상기 범위로 함으로써, 선박용 단강품의 담금질성, 뜨임 연화 저항 및 용접성을 적절히 확보할 수 있다.V은 미세한 V 탄화물을 형성하여 석출 강화에 의해 강도를 높이는 원소이다. 오스테나이트화 후의 냉각이 공냉과 같이 느린 경우는, 연질인 페라이트가 생성되어 강도가 저하되어 버리지만, V 탄화물을 페라이트 중에 석출시킴으로써 연질인 페라이트를 경화시켜, 강도를 높일 수 있다.본 실시형태의 선박용 단강품에 있어서, V 함유율의 하한으로서는, 0.05 질량%이며, 상기 V 함유율의 상한으로서는, 0.15 질량%이다. 상기 V 함유율이 상기 하한 미만이면, 강도가 불충분하게 된다. 반대로, 상기 V 함유율이 상기 상한을 초과하면, 강도 향상 효과가 작아질 뿐만 아니라 용접성을 저해할 우려가 있다. 상기 V 함유율을 상기 범위로 함으로써, 선박용 단강품의 강도 및 용접성을 적절히 확보할 수 있다.N는 강 중의 V와 결합하여 V 질화물을 생성한다. V 질화물은 V 탄화물보다 용해 온도가 높으므로 오스테나이트화시에 미고용으로 잔류하는 경우가 있으며, 탄화물 석출에 의한 석출 강화능을 저감시킨다. 그 때문에, N의 함유량은 낮은 것이 바람직하다. 단, N는 불가피적으로 불순물로서 혼재되어 버리므로, N의 함유량은 0으로는 할 수 없다. 따라서, 본 실시형태의 선박용 단강품의 N 함유율의 하한으로서는, 0 질량% 초과이다. 한편, 상기 N 함유율의 상한으로서는, 0.02 질량%이며, 0.015 질량%가 바람직하며, 0.012 질량%가 보다 바람직하다. 상기 N 함유율이 상기 상한을 초과하면, 석출 강화능이 저감하여 충분한 강도를 확보할 수 없을 우려가 있다. 상기 N 함유율을 상기 범위로 함으로써, 선박용 단강품의 강도를 적절히 확보할 수 있다.본 실시형태의 선박용 단강품에 있어서, S 함유율의 하한으로서는, 0.002 질량%이며, 0.003 질량%가 바람직하다. 한편, 본 실시형태의 선박용 단강품의 V 함유율의 상한으로서는, 0.015 질량%이며, 0.01 질량%가 바람직하다. S은 강 중에서 Mn과 결합하여 MnS을 형성하고, MnS은 강 중의 수소 트랩 사이트가 되어 수소 균열을 방지한다. 그 때문에, 상기 S 함유율이 상기 하한 미만이면, 수소 균열이 발생할 우려가 있다. 반대로, 상기 S 함유율이 상기 상한을 초과하면, 주 단조 방향에 대하여 수직 방향의 연성이나 인성이 저하될 우려가 있다. 상기 S 함유율을 상기 범위로 하는 것에 의해, 선박용 단강품의 수소 균열을 적절히 방지할 수 있다.본 실시형태의 선박용 단강품에 있어서, Ti 및 Al중 1종 이상의 원소의 합계 함유율의 하한으로서는, 0.003 질량%이며, 0.005 질량%가 바람직하다. 한편, 상기 Ti 및 Al의 합계 함유율의 상한으로서는, 0.05 질량%이며, 0.045 질량%가 바람직하다. V 탄화물에 의한 석출 강화능을 충분히 발휘시키기 위해서는, V 질화물의 생성을 억제할 필요가 있지만, N와의 친화력이 V보다 높은 Ti이나 Al을 첨가하는 것에 의해 N를 고정시킬 수 있어, V 질화물의 생성을 억제할 수 있다. 그 때문에, 상기 Ti 및 Al의 합계 함유율이 상기 하한 미만이면, 충분히 V 질화물의 생성을 억제할 수 없다. 한편, Ti 및 Al는 다른 원소와도 결합하기 때문에, 상기 Ti 및 Al의 합계 함유율이 상기 상한을 초과하면, 비금속 개재물이나 금속간 화합물이 생성되어 내부 결함이 될 우려가 있다. 상기 Ti 및 Al의 합계 함유율을 상기 범위로 함으로써, V 탄화물에 의한 석출 강화능이 충분히 발휘되어, 선박용 단강품의 강도를 적절히 확보할 수 있다.본 실시형태의 선박용 단강품은, 상술한 기본 성분 이외에 잔부에 Fe 및 불가피적 불순물을 포함한다. 또한, 불가피적 불순물로서는, 예를 들면 원료, 자재, 제조 설비 등의 상황에 따라서 혼입되는 P(인), Sn(주석), As(비소), Pb(납) 등의 원소의 혼입이 허용된다. 또한, 추가로 그 이외의 조성을 적극적으로 함유시키는 것도 유효하며, 함유되는 조성의 종류에 따라서 단강재의 특성이 더욱 개선된다.본 실시형태의 선박용 단강품의 불가피 불순물인 P의 함유율의 상한으로서는, 0.1 질량%가 바람직하고, 0.05 질량%가 보다 바람직하며, 0.01 질량%가 더욱 바람직하다. 상기 P 함유율이 상기 상한을 초과하면, 입계 편석에 의한 입계 파괴를 조장할 우려가 있다.＜각 조성의 관계식＞본 실시형태의 선박용 단강품에 있어서, 각 원소의 함유량이 하기 식 (1)을 만족한다.14×(Ti/48＋Al/27)≥N ···(1)상기 식 (1)의 좌변은, TiN이나 AlN으로서 화학양론적으로 소비되는 N량을 나타내고 있다. 상기 식 (1)에 나타내는 바와 같이, 이러한 소비되는 N량이 N 함유량 이상이 되면, N가 TiN이나 AlN으로서 전량 소비되게 되고, V 질화물의 생성을 억제할 수 있어, V 탄화물에 의한 석출 강화능을 충분히 발휘시킬 수 있다.또한, 본 실시형태의 선박용 단강품은, 각 원소의 함유량이 하기와 같이 식 (2)를 만족하는 것이 바람직하다.C＋Mn/6＋Ni/15＋(Cr＋Mo＋V)/5≤0.8 ···(2)상기 식 (2)의 좌변은, 강의 경화성 및 용접성에 미치는 합금 원소의 영향을 탄소량으로 환산한 탄소 당량(Ceq: equivalent carbon content)이며, 강재의 용접성의 지표로서 이용된다(예를 들면, 일본 특허 제 3863413 호 공보 참조). Ceq가 커지면, 용접 열영향부(HAZ: Heat-Affected Zone)의 경도가 높아져 균열 발생을 조장한다. 일반적으로 Ceq와 HAZ 최고 경도에는 상관이 있는 것이 알려져 있으며, Ceq가 높은 경우는, 용접시의 예열 온도를 높게 할 필요가 있다. 그러나, 대형 단강품인 경우는 고온에서의 예열이 곤란하기 때문에, 본 실시형태의 선박용 단강품에서는, 예열 온도 50℃ 이하에서 용접 가능하게 하기 위한 용접성 지수로서 Ceq를 0.8 이하로 한다. 이에 의해, 본 실시형태의 선박용 단강품은 용접성이 우수하고, 용접 시행을 필요로 하는 단강품으로서 호적하게 이용할 수 있다.＜기계적 성질＞ 본 실시형태의 선박용 단강품의 인장 강도(TS)의 하한으로서는, 600㎫가 바람직하다. 상기 인장 강도가 상기 하한 이상이면, 선박용의 대형 후육 부재에 요구되는 강도를 만족할 수 있다. 인장 강도의 평가는, 예를 들어 JIS-Z2241(1998)에 따른 인장 시험에 의해 실행할 수 있다.본 실시형태의 선박용 단강품의 0.2% 내력(YS)의 하한으로서는, 400㎫가 바람직하다. 해당 선박용 단강품의 0.2% 내력이 상기 하한 이상이면, 선박용의 대형 후육 부재에 요구되는 강도를 만족할 수 있다. 0.2% 내력의 평가는, 예를 들어 JIS-Z2241(1998)에 의한 인장 시험에 의해 실행할 수 있다.＜제조 방법＞ 본 실시형태의 선박용 단강품은, 예를 들어 이하의 용해 공정, 주조 공정, 가열 공정, 단조 공정 및 열처리 공정에 의해 제조된다.(용해 공정) 용해 공정에서는, 우선 고주파 용해로, 전기로, 전로 등을 이용하여, 상술한 소정의 조성으로 조정한 강을 용해한다. 그 후, 성분 조정 후의 용해한 강에 진공 처리를 실시하여, O(산소), H(수소) 등의 가스 성분이나 불순 원소를 제거한다.(주조 공정) 주조 공정에서는, 대형 단조용 강인 경우는 주로 잉곳(강괴) 주조가 채용된다. 비교적 소형의 단강품인 경우는 연속 주조법을 채용하는 것도 가능하다.(가열 공정)가열 공정에서는, 소정의 온도로 소정 시간, 강괴를 가열한다. 저온이 되면 재료의 변형 저항이 증대되므로, 재료의 변형능의 양호한 범위에서 가공을 실시하기 위해, 가열 온도는 1150℃ 이상으로 한다. 또한, 강괴의 표면과 내부의 온도를 균일하게 하기 위해 소정의 가열 시간이 필요하며, 가열 시간을 3시간 이상으로 한다. 가열 시간은, 일반적으로 피가공물의 직경의 2승에 비례하는 것으로 고려되고 있으며, 대형재일수록 가열 보지 시간은 길어진다.(단조 공정) 단조 공정에서는, 가열 공정에서 1150℃ 이상의 온도로 가열된 강괴를 단조한다. 수축공(shrinkage cavity)이나 마이크로 기공 등의 주조 결함을 압착시키기 위해서, 단련 성형비로서는 3S 이상이 바람직하다.(열처리 공정)본 실시형태에 있어서, 선박용 단강품의 구성은, 화학 조성뿐만이 아니라 마이크로 조직을 적절히 제어하는 것에 의해서 달성되는 것이기 때문에, 소정의 마이크로 조직을 얻기 위해서 열처리를 실시한다. 열처리 공정은, 불림(normalizing) 처리를 실행한 후, 뜨임 처리를 실행한다. 불림 처리는, 우선 오스테나이트화 처리를 실행하고, 오스테나이트화 후에 냉각 처리를 실행한다.불림 처리에 있어서, 우선 강재의 오스테나이트화를 실행한다. 오스테나이트화는, Ac3 변태점(830℃) 이상으로 승온 속도 30~70℃/hr로 가열하고, 일정 시간(예를 들면 1시간 이상) 보지한다. 구 오스테나이트 결정립 조대화 억제의 관점에서, 오스테나이트화는 940℃ 이하로 처리하는 것이 바람직하다. 또한, 대형품인 경우, 가열시에 재료의 내외에서 온도차가 생기기 때문에, 오스테나이트화 온도까지 서서히 가열하고, 강재의 표면과 내부의 온도를 균일하게 하기 위해서 일정 시간 보지할 필요가 있다. 이러한 보지 시간은 강재 직경에 의존하며, 대형재일수록 길게 할 필요가 있다.다음에, 불림 처리에 있어서, 오스테나이트화에 의해 강재의 온도가 균질이 된 후, 강재를 냉각한다. 중량이 수 톤 내지 수십 톤의 대형 후육 부재의 경우, 수냉하면 냉각시의 열 응력이나 변태 응력에 의해 균열이 발생해버리기 때문에, 오스테나이트화 후의 냉각은, 수냉보다 느린 공냉 등의 방법으로 냉각하는 것이 바람직하다. 공냉에서의 냉각 속도는 직경 D(㎜)에 따라서 상이하지만, 예를 들어 D/4 위치에 있어서의 공냉의 냉각 속도는 φ200㎜에서 약 300℃/hr, φ500㎜에서 약 150℃/hr, φ1000㎜에서 약 70℃/hr가 된다. 또한, 완전하게 변태를 완료시키기 위해서 200℃ 이하까지 강재를 냉각한다. 냉각이 불충분한 경우, 미변태의 잔류 오스테나이트가 잔존하여, 특성 편차의 원인이 된다.상기 냉각 후, 뜨임 처리를 실행하는 것에 의해 해당 선박용 단강품이 얻어진다. 강재의 뜨임은, 소정의 온도까지 승온 속도 30~70℃/hr로 서서히 가열하고, 일정 시간(예를 들면 5~20시간) 보지한다. 뜨임은, 강도, 연성 및 인성의 밸런스를 조정하는 동시에, 상변태로 생긴 내부 응력(잔류 응력)을 제거하기 위해서 550℃ 이상에서 실행한다. 다만, 고온이 되면 탄화물의 조대화, 전위 조직의 회복 등에 의해 강재가 연화되며, 충분한 강도를 확보할 수 없기 때문에 650℃ 이하로 한다.＜기계 가공＞ 필요에 따라서, 열처리 후에 본 실시형태의 선박용 단강품의 표층의 적어도 일부의 연삭을 포함하는 마무리 기계 가공을 함으로써, 선박용의 강재로 할 수 있다.《실시예》이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.[시험 시료의 작성]표 1에 나타내는 조성을 갖는 강 A~P를 용해했다. 강 A, B, C, E, F, G, H, I, J, K, M은 고주파 용해로에 의해 용해되고, 강 D, L, N, O, P는 진공 용해로에 의해 용해되며, 각각 20~150kg의 잉곳(강괴)을 주조했다. 얻어진 강괴를 1230℃로 3시간 가열한 후, 단련 성형비를 3S~6S로 하여 열간에서 단조 신장하여, 대기 중에서 실온까지 방랭(放冷)했다. 그 후, 각 단조 신장재로부터 20㎜×20㎜×150㎜의 시험편을 절출했다. 이러한 절출한 시험편에 대하여, 기계적 특성을 확보하기 위한 열처리(불림 처리 및 뜨임 처리)를 실행했다. 불림 조건에 대해서는, 러더 스톡(rudder stock)이나 중간축과 같은 대형 단강품의 가열 속도 및 냉각 속도를 모의한 열처리를 실시했다. 구체적으로는, 소형 열처리로를 이용하여 오스테나이트화 온도(850~920℃)까지 40℃/hr로 승온하고, 그 온도에서 1시간 이상 보지했다. 그 후, 800~500℃의 온도 범위에 있어서의 평균 냉각 속도가 30~300℃/hr가 되도록 냉각을 실행했다. 뜨임 처리는, 580~640℃에서 10시간 이상 보지하고나서 노냉(爐冷)했다. 이와 같이 하여 표 2에 나타내는 실시예 1~19 및 비교예 1~8의 단강품의 시험 시료를 작성했다.또한, 표 1 중 "-"는 측정 한계 이하를 나타낸다. 강 A~P는, 모두 용접성을 고려하여, 상기 식 (2)의 좌변에 나타내는 탄소 당량 Ceq이 0.8 이하가 되도록 성분 설계했다. 또한, 표 2 중의 "N-14×(Ti/48＋Al/27)"은 N 함유량으로부터 상기 식 (1)의 좌변을 줄인 것이며, Ti 또는 Al에 의해서 소비되지 않고 잔류하는 N의 양을 나타내고 있으며, 이러한 값이 0 이하이면, N가 TiN이나 AlN으로서 전량 소비된다고 말할 수 있다.(실시예 1~19)실시예 1~19의 시험 시료는, C, Si, Mn, Ni, Cr, Mo, V, N, S, Ti, Al의 함유율이 본 발명의 범위 내에서, 또한 상기 식 (1)을 만족하는 강 A~J를 이용하여, 상술한 작성 방법에 의해 작성한 것이다. 실시예 6~8의 시험 시료는, 동일 조성의 강(F)을 이용하여, 표 2에 나타내는 바와 같이 불림 처리에 있어서의 냉각 속도를 상이하게 하여 작성한 것이다. 마찬가지로, 실시예 9~12, 실시예 13~15, 실시예 16~18의 시험 시료도, 각각 동일 조성의 강 G, H, I를 이용하여, 불림 처리에 있어서의 냉각 속도를 상이하게 하여 작성한 것이다.(비교예 1, 2) 비교예 1 및 2의 시험 시료는, C, Si, Mn, Ni, Cr, Mo, V, N, S, Ti, Al의 함유율이 본 발명의 범위 내인 강 E, F를 이용하여 작성한 것이지만, 불림 처리에 있어서의 냉각 속도를 느리게 하여, 페라이트 조직 또는 펄라이트 조직을 많이 생성시킨 것이다.(비교예 3~5, 7, 8)비교예 3~5, 7, 8의 시험 시료는, C, Ni, Cr, Mo, V 중 적어도 어느 하나의 함유율이 본 발명의 범위 이외인 강 K~M, O, P를 이용하여 작성한 것이다.(비교예 6)강 N의 조성은, C, Si, Mn, Ni, Cr, Mo, V, N, S, Ti, Al의 함유율이 본 발명의 범위 내이지만, 상기 식 (1)을 만족하지 않는 것이다.비교예 6의 시험 시료는 이러한 강 N을 이용하여 작성한 것이다.[표 1][마이크로 조직의 관찰]열처리 후, 시험 시료로부터 마이크로 조직 관찰용의 시험편을 절출하고, 그 시험편의 평행면을 단조 신장 방향으로 경면 연마하고, 나이탈로 부식시켜 광학 현미경으로 관찰했다. 관찰은 400배의 배율로 실행하고, 임의로 4시야로 관찰하여 마이크로 조직을 판정하고, 4시야 각각의 페라이트 조직 및 펄라이트 조직의 면적 비율을 구하여 평균화했다. 각 시험 시료에 대하여 구한 금속 조직의 면적률을 표 2에 나타낸다. 표 2에서는, 페라이트 조직을 "F", 펄라이트 조직을 "P", 베이나이트 조직을 "B"라고 기재했다.[기계적 성질의 측정] 열처리 후, 시험편의 길이 방향이 단조 신장 방향으로 평행하게 되도록 시험 시료를 가공하여 인장 시험을 실시했다. 시험편 형상은, JIS-Z2201(1998)의 14호 시험편으로 φ6×G.L.30㎜로 했다. 인장 시험은, JIS-Z2241(1998)에 근거하여 실시하고, 인장 강도, 0.2% 내력, 신율 및 단면 수축률을 측정했다. 인장 강도가 600㎫ 이상이며, 또한 0.2% 내력이 400㎫ 이상인 것을 선박용의 대형 후육 부재에 요구되는 강도를 만족하는 것으로서 총합 평가 "A"로 하고, 이들 강도를 만족하지 않는 것을 총합 평가 "B"로 했다. 이들 측정 결과를 표 2에 나타낸다.[표 2][측정 결과] 실시예 1~19의 시험 시료는 모두 페라이트 조직 및 펄라이트 조직의 합계 면적률이 70% 이하였다. 또한, 모두 인장 강도가 600㎫ 이상이며, 0.2% 내력이 400㎫ 이상이었다.이에 반하여, 비교예 1, 2 및 8의 시험 시료는, 페라이트 조직 및 펄라이트 조직의 합계 면적률이 70%를 초과하고 있었다. 또한, 비교예 1~8의 시험 시료에서는, 모두 인장 강도가 600㎫ 미만이며, 또한 비교예 1, 4, 5, 8의 시험 시료에서는, 0.2% 내력이 400㎫ 미만이었다.비교예 3, 4, 5, 7, 8에서는, 본 발명의 범위 외인 조성을 갖는 강 K, L, M, O, P를 이용했기 때문에, 대형 후육 부재로서 요구되는 강도가 얻어지지 않는다고 말할 수 있다. 또한, 비교예 6에 있어서는, 본 발명의 상기 식 (1)을 만족하지 않는 조성을 갖는 강 N을 이용했기 때문에, 대형 후육 부재로서 요구되는 강도가 얻어지지 않는다고 말할 수 있다. 또한, 비교예 1 및 2에서는, 동일한 강 E, F를 이용한 실시예 5~8에 비하여 오스테나이트화 후의 냉각 속도가 느리기 때문에, 이들 실시예에 비하여 페라이트 및 펄라이트의 면적률이 커져서 강도가 저하되어, 대형 후육 부재로서 요구되는 강도가 얻어지지 않는다고 말할 수 있다. 또한, 비교예 8에서는, 이용한 강 P의 조성이 본 발명의 범위와는 크게 상이한 것에 기인하여 오스테나이트화 후의 페라이트의 면적률이 커지고 있고, 그 때문에 다른 비교예와 비교하여 더욱 강도가 저하되었다고 말할 수 있다.(V 함유량과의 관계) 기본 조성(C, Si, Mn, Ni, Cr, Mo)이 대략 동등하고, V 및 상기 식 (1)에 포함되는 원소(Ti, Al, N)가 상이한 강 A~D, K~N를 이용하여 작성한 시험 시료(실시예 1~4 및 비교예 3~6)에 대한 V 함유량과 인장 강도의 관계를 도 1에 나타낸다. 도 1로부터, V 함유량이 동일한 시험 시료를 보면, 상기 식 (1)을 만족하는 것은 고강도가 얻어지고 있으며, V 탄화물의 석출 강화가 크게 발휘되고 있다는 것을 알 수 있다. 또한, 600㎫ 이상의 인장 강도를 확보하려면, 상기 식 (1)을 만족하고, 또한 V을 0.05 질량% 이상 함유시킬 필요가 있다는 것을 알 수 있다.(페라이트 및 펄라이트 면적률과의 관계)본 발명에서 규정하는 조성을 만족하는 강 A~J를 이용한 실시예 및 비교예의 시험 시료 표면에 있어서의 페라이트 및 펄라이트 면적률과 인장 강도의 관계를 도 2에 나타낸다. 도 2로부터, 페라이트 및 펄라이트가 많아질수록 강도는 저하되지만, 페라이트 및 펄라이트의 합계 면적을 70% 이하로 하는 것에 의해, 600㎫ 이상의 인장 강도를 확보할 수 있다는 것을 알 수 있다.본 출원은 2013년 12월 16일에 출원된 일본 특허 출원 제 2013-259564 호를 기초로 하는 것이며, 그 내용은 본원에 포함되는 것이다.본 발명을 표현하기 위해서, 전술에 있어서 도면 등을 참조하면서 실시형태를 통하여 본 발명을 적절하고 충분히 설명했지만, 당업자라면 전술한 실시형태를 변경 및/또는 개량하는 것은 용이하게 이룰 수 있는 것이라고 인식해야 한다. 따라서, 당업자가 실시하는 변경 형태 또는 개량 형태가 청구범위에 기재된 청구항의 권리 범위를 이탈하는 레벨의 것이 아닌 한, 해당 변경 형태 또는 해당 개량 형태는 해당 청구항의 권리 범위에 포괄되는 것으로 해석된다.[산업상의 이용 가능성]본 발명은 선박용 단강품의 기술 분야에 있어서, 광범위한 산업상의 이용 가능성을 갖는다. 특히, 러더 스톡, 타판(舵板) 플랜지, 타용(舵用) 볼트, 축용 볼트, 핀틀(pintle), 추진축, 중간축 등의 선박용 대형 후육 부재로서 유용하다.
본 발명은, C: 0.13 질량% 이상 0.25 질량% 이하, Si: 0.15 질량% 이상 0.45 질량% 이하, Mn: 0.3 질량% 이상 1.0 질량% 이하, Ni: 1.2 질량% 이상 2.6 질량% 이하, Cr: 0.4 질량% 이상 0.9 질량% 이하, Mo: 0.15 질량% 이상 0.8 질량% 이하, V: 0.05 질량% 이상 0.15 질량% 이하, N: 0.02 질량% 이하, S: 0.002 질량% 이상 0.015 질량% 이하, Ti 및 Al: 합계 0.003 질량% 이상 0.05 질량% 이하의 기본 성분을 포함하며, 잔부가 Fe 및 불가피적 불순물인 조성을 갖고, 14×(Ti/48＋Al/27)≥N를 만족하며, 페라이트-베이나이트 또는 페라이트-펄라이트-베이나이트의 복합 조직이며, 표면에 있어서의 페라이트 조직 및 펄라이트 조직의 합계 면적률이 70% 이하인, 선박용 단강품에 관한 것이다.
[ 발명의 명칭 ] LTE-A에서의 시간 트래킹을 위한 개선된 기준 신호 설계IMPROVED REFERENCE SIGNALS DESIGN FOR TIME TRACKING IN LTE-A [ 기술분야 ] 관련 출원(들)에 대한 상호-참조본 출원은, 발명의 명칭이 "IMPROVED REFERENCE SIGNALS DESIGN FOR TIME TRACKING IN LTE-A"로 2011년 12월 22일자로 출원된 미국 가출원 제 61/579,428호, 발명의 명칭이 "IMPROVED REFERENCE SIGNALS DESIGN FOR TIME TRACKING IN LTE-A"로 2012년 2월 17일자로 출원된 미국 가출원 제 61/600,190호, 및 발명의 명칭이 "IMPROVED REFERENCE SIGNALS DESIGN FOR TIME TRACKING IN LTE-A"로 2012년 4월 17일자로 출원된 미국 가출원 제 61/625,577호, 그리고 발명의 명칭이 "IMPROVED REFERENCE SIGNALS DESIGN FOR TIME TRACKING IN LTE-A"로 2012년 12월 13일자로 출원된 미국 특허출원 제 13/714,181호를 우선권으로 주장하며, 이들은 그 전체가 본 명세서에 인용에 의해 명백히 포함된다.본 발명은 일반적으로 통신 시스템들에 관한 것으로, 더 상세하게는, 롱텀 에볼루션(LTE) 어드밴스드(LTE-A)에서 시간 트래킹(tracking)을 위한 개선된 기준 신호 설계를 위한 방법들 및 그 설계를 이용한 장치들에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 무선 통신 시스템들은 전화통신, 비디오, 데이터, 메시징, 및 브로드캐스트들과 같은 다양한 원격통신 서비스들을 제공하도록 광범위하게 배치된다. 통상적인 무선 통신 시스템들은 이용가능한 시스템 리소스들(예를 들어, 대역폭, 송신 전력)을 공유함으로써 다수의 사용자들과의 통신을 지원할 수 있는 다중-액세스 기술들을 이용할 수도 있다. 그러한 다중-액세스 기술들의 예들은, 코드 분할 다중 액세스(CDMA) 시스템들, 시분할 다중 액세스(TDMA) 시스템들, 주파수 분할 다중 액세스(FDMA) 시스템들, 직교 주파수 분할 다중 액세스(OFDMA) 시스템들, 단일-캐리어 주파수 분할 다중 액세스(SC-FDMA) 시스템들, 및 시분할 동기식 코드 분할 다중 액세스(TD-SCDMA) 시스템들을 포함한다.이들 다중 액세스 기술들은, 상이한 무선 디바이스들이, 도시 레벨, 국가 레벨, 지역 레벨, 및 심지어 글로벌 레벨 상에서 통신할 수 있게 하는 공통 프로토콜을 제공하기 위해 다양한 원격통신 표준들에서 채택되어 왔다. 신생(emerging) 원격통신 표준의 일 예는 LTE이다. LTE는 3세대 파트너쉽 프로젝트(3GPP)에 의해 발표된 유니버셜 모바일 원격통신 시스템(UMTS) 모바일 표준에 대한 향상들의 세트이다. 그것은, 스펙트럼 효율도를 개선시킴으로써 모바일 브로드밴드 인터넷 액세스를 더 양호하게 지원하고, 비용들을 낮추고, 서비스들을 개선시키고, 새로운 스펙트럼을 사용하며, 다운링크(DL) 상에서는 OFDMA, 업링크(UL) 상에서는 SC-FDMA, 그리고 다중-입력 다중-출력(MIMO) 안테나 기술을 사용하여 다른 개방형(open) 표준들과 더 양호하게 통합하도록 설계된다. 그러나, 모바일 브로드밴드 액세스에 대한 요구가 계속 증가함에 따라, LTE 기술에서의 추가적인 개선들에 대한 필요성이 존재한다. 바람직하게, 이들 개선들은 다른 다중-액세스 기술들 및 이들 기술들을 이용하는 원격통신 표준들에 적용가능해야 한다. [ 발명의 개요 ] 현재의 통신 시스템들에서의 시간 트래킹은 종래에, 공통 기준 신호들(CRS)에 기초할 수도 있다. 그러나, 특정한 통신 시스템들에서, CRS-기반 시간 트래킹은 구현하기에 불가능하거나 적절하지 않을 수도 있다. 따라서, 개선된 기준 신호 설계를 위한 방법들 및 그 설계를 이용한 장치들이 아래에 제공된다. 방법들/장치들은 사용자 장비(UE)가, 개선된 시간 트래킹을 위해, 수신된 사용자 장비 특정 기준 신호들(UE-RS) 및/또는 채널 상태 정보 기준 신호들(CSI-RS)을 이용하게 한다.본 발명의 일 양상에서, 방법, 컴퓨터 프로그램 물건, 및 장치가 제공된다. 이벌브드 노드 B(eNB)일 수도 있는 장치는, 2보다 크거나 2와 동일하도록 다운링크 할당에서 UE에 할당될 수 있는 리소스 블록들의 수를 제한한다. 부가적으로, 장치는 UE로의 다운링크 할당에 대응하는 다운링크 송신을 송신한다.본 발명의 일 양상에서, 방법, 컴퓨터 프로그램 물건, 및 장치가 제공된다. UE일 수도 있는 장치는 송신에서 복수의 리소스 블록들을 수신한다. 복수의 리소스 블록들은, 프리코딩 리소스 블록 그룹(PRG)을 포함한다. 장치는, PRG 내의 리소스 블록들의 송신에 대한 가정된 동일한 프리코딩에 기초하여 UE-RS를 디코딩한다. 장치는 PRG 내의 디코딩된 UE-RS에 기초하여 시간 트래킹을 수행한다.본 발명의 일 양상에서, 방법, 컴퓨터 프로그램 물건, 및 장치가 제공된다. UE일 수도 있는 장치는 송신에서 적어도 하나의 리소스 블록을 수신한다. 적어도 하나의 리소스 블록의 각각은 UE-RS의 제 1 세트를 포함한다. 장치는, 적어도 하나의 리소스 블록 중 일 리소스 블록이 UE-RS의 제 2 세트를 포함하는지를 결정한다. 장치는, UE-RS의 제 1 세트에 기초하여 그리고 리소스 블록이 UE-RS의 제 2 세트를 포함하는 것으로 결정된 경우 UE-RS의 제 2 세트에 기초하여 시간 트래킹을 수행한다.본 발명의 일 양상에서, 방법, 컴퓨터 프로그램 물건, 및 장치가 제공된다. eNB일 수도 있는 장치는, 랭크 1 송신 또는 랭크 2 송신 중 하나를 수신하도록 UE를 구성한다. 장치는 리소스 블록을 UE에 송신한다. 리소스 블록은, UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트를 포함한다. UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 중 하나는 UE에 대한 것이고, UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 중 다른 하나는 다른 UE에 대한 것이거나, 어떤 다른 UE들에 대한 것이 아니다.본 발명의 일 양상에서, 방법, 컴퓨터 프로그램 물건, 및 장치가 제공된다. UE일 수도 있는 장치는, 적어도 하나의 리소스 블록의 각각의 리소스 블록에서 제 1 수의 CSI-RS 포트들을 이용하여 적어도 하나의 리소스 블록을 수신하기 위한 구성을 수신한다. 장치는 송신에서 적어도 하나의 리소스 블록을 수신한다. 장치는, 적어도 하나의 리소스 블록 중 일 리소스 블록이 제 1 수의 CSI-RS 포트들보다 큰 제 2 수의 CSI-RS 포트들을 포함한다고 가정한다. 장치는, CSI-RS 포트들의 가정된 제 2 수에 대응하는 리소스 엘리먼트들 내의 신호들에 기초하여 시간 트래킹을 수행한다.본 발명의 일 양상에서, 방법, 컴퓨터 프로그램 물건, 및 장치가 제공된다. eNB일 수도 있는 장치는 제 1 수의 CSI-RS 포트들을 수신하도록 UE를 구성한다. 장치는, 제 1 수의 CSI-RS보다 큰 제 2 수의 CSI-RS 포트들을 포함하는 리소스 블록을 UE에 송신한다. 제 2 수의 CSI-RS 포트들은 UE에 의한 개선된 시간 트래킹을 가능하게 한다.본 발명의 일 양상에서, 방법, 컴퓨터 프로그램 물건, 및 장치가 제공된다. UE일 수도 있는 장치는 적어도 하나의 리소스 블록에서 UE-RS 및 CSI-RS를 수신한다. UE는 수신된 UE-RS 및 CSI-RS에 기초하여 시간 트래킹을 수행한다.본 발명의 일 양상에서, 방법, 컴퓨터 프로그램 물건, 및 장치가 제공된다. UE일 수도 있는 장치는 송신에서 적어도 하나의 리소스 블록들을 수신하며, 적어도 하나의 리소스 블록들의 각각은 제 1 안테나 포트와 연관된 UE-기준 신호들(UE-RS)의 제 1 그룹을 포함한다. 장치는, 적어도 하나의 리소스 블록들이 하나 또는 그 초과의 다른 안테나 포트들과 연관된 UE-RS의 제 2 그룹을 포함하는지를 결정하며, UE-RS의 제 1 그룹에 기초하여 그리고 적어도 하나의 리소스 블록들이 UE-RS의 제 2 그룹을 포함하는 것으로 결정된 경우 UE-RS의 제 2 그룹에 추가적으로 기초하여, 수신된 적어도 하나의 리소스 블록들을 프로세싱한다.본 발명의 일 양상에서, 방법, 컴퓨터 프로그램 물건, 및 장치가 제공된다. UE일 수도 있는 장치는 송신에서 적어도 하나의 리소스 블록을 수신하며, 여기서, 적어도 하나의 리소스 블록은, UE에 특정한 기준 신호들(RS)의 제 1 세트를 포함하고, UE에 특정한 RS의 제 2 세트가 송신에서 이용가능한지를 결정하며, RS의 제 1 세트에 기초하여 그리고 이용가능한 것으로 결정되면 RS의 제 2 세트에 추가적으로 기초하여, 수신된 적어도 하나의 리소스 블록을 프로세싱한다.본 발명의 일 양상에서, 방법, 컴퓨터 프로그램 물건, 및 장치가 제공된다. eNB일 수도 있는 장치는, 송신을 수신하도록 사용자 장비(UE)를 구성하고, 송신에서 적어도 하나의 리소스 블록을 UE에 송신하며 － 여기서, 적어도 하나의 리소스 블록은 UE에 특정한 기준 신호들(RS)의 제 1 세트를 포함함 －, 송신에서 RS의 제 2 세트를 제공한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 네트워크 아키텍처의 일 예를 도시한 다이어그램이다.도 2는 액세스 네트워크의 일 예를 도시한 다이어그램이다.도 3은 LTE에서의 DL 프레임 구조의 일 예를 도시한 다이어그램이다.도 4는 LTE에서의 UL 프레임 구조의 일 예를 도시한 다이어그램이다.도 5는 사용자 및 제어 평면들에 대한 라디오 프로토콜 아키텍처의 일 예를 도시한 다이어그램이다.도 6은 액세스 네트워크 내의 이벌브드 노드 B 및 사용자 장비의 일 예를 도시한 다이어그램이다.도 7은, 다양한 타입들의 서브프레임들 내의 UE-RS의 위치를 도시하고, UE-RS-기반 시간 트래킹을 위한 예시적인 방법을 설명하는 다이어그램이다.도 8은, 리소스 블록들의 세트 내의 기준 신호 구성들의 다이어그램 및 CSI-RS-기반 시간 트래킹을 위한 예시적인 방법들을 설명하기 위한 다이어그램이다.도 9는 예시적인 방법들을 도시하기 위한 다이어그램이다.도 10은 서브프레임에서 안테나 포트들(7 및 8)을 통해 수신된 UE-RS 신호들의 포지션들을 도시한 다이어그램이다.도 11은 무선 통신의 방법의 흐름도이다.도 12는 무선 통신의 방법의 흐름도이다.도 13은 무선 통신의 방법의 흐름도이다.도 14는 무선 통신의 방법의 흐름도이다.도 15는 무선 통신의 방법의 흐름도이다.도 16은 무선 통신의 방법의 흐름도이다.도 17은 무선 통신의 방법의 흐름도이다.도 18은 무선 통신의 방법의 흐름도이다.도 19는 무선 통신의 방법의 흐름도이다.도 20은 예시적인 장치 내의 상이한 모듈들/수단/컴포넌트들 사이의 데이터 흐름을 도시하는 개념적인 데이터 흐름도이다.도 21은 예시적인 장치 내의 상이한 모듈들/수단/컴포넌트들 사이의 데이터 흐름을 도시하는 개념적인 데이터 흐름도이다.도 22는 프로세싱 시스템을 이용하는 장치에 대한 하드웨어 구현의 일 예를 도시한 다이어그램이다.도 23은 프로세싱 시스템을 이용하는 장치에 대한 하드웨어 구현의 일 예를 도시한 다이어그램이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 첨부된 도면들과 관련하여 아래에 기재된 상세한 설명은 다양한 구성들의 설명으로서 의도되며, 본 명세서에 설명된 개념들이 실시될 수도 있는 구성들만을 표현하도록 의도되지 않는다. 상세한 설명은 다양한 개념들의 완전한 이해를 제공하려는 목적을 위한 특정한 세부사항들을 포함한다. 그러나, 이들 개념들이 이들 특정한 세부사항들 없이도 실시될 수도 있다는 것은 당업자들에게는 명백할 것이다. 몇몇 예시들에서, 잘 알려진 구조들 및 컴포넌트들은 그러한 개념들을 불명료하게 하는 것을 회피하기 위해 블록도 형태로 도시된다.원격통신 시스템들의 수 개의 양상들은 이제 다양한 장치 및 방법들을 참조하여 제시될 것이다. 이들 장치 및 방법들은, 다양한 블록들, 모듈들, 컴포넌트들, 회로들, 단계들, 프로세스들, 알고리즘들 등(집합적으로, "엘리먼트들"로서 지칭됨)에 의해 다음의 상세한 설명에서 설명되고 첨부한 도면들에서 도시될 것이다. 이들 엘리먼트들은 전자 하드웨어, 컴퓨터 소프트웨어, 또는 이들의 임의의 결합을 사용하여 구현될 수도 있다. 그러한 엘리먼트들이 하드웨어로서 구현될지 소프트웨어로서 구현될지는 특정한 애플리케이션 및 전체 시스템에 부과된 설계 제약들에 의존한다.예로서, 엘리먼트, 또는 엘리먼트의 임의의 일부, 또는 엘리먼트들의 임의의 결합은, 하나 또는 그 초과의 프로세서들을 포함하는 "프로세싱 시스템" 을 이용하여 구현될 수도 있다. 프로세서들의 예들은 마이크로프로세서들, 마이크로제어기들, 디지털 신호 프로세서(DSP)들, 필드 프로그래밍가능 게이트 어레이(FPGA)들, 프로그래밍가능 로직 디바이스(PLD)들, 상태 머신들, 게이팅된 로직, 이산 하드웨어 회로들, 및 본 발명 전반에 걸쳐 설명된 다양한 기능을 수행하도록 구성된 다른 적절한 하드웨어를 포함한다. 프로세싱 시스템의 하나 또는 그 초과의 프로세서들은 소프트웨어를 실행할 수도 있다. 소프트웨어는, 소프트웨어, 펌웨어, 미들웨어, 마이크로코드, 하드웨어 디스크립션 언어 등으로 지칭되는지에 관계없이, 명령들, 명령 세트들, 코드, 코드 세그먼트들, 프로그램 코드, 프로그램들, 서브프로그램들, 소프트웨어 모듈들, 애플리케이션들, 소프트웨어 애플리케이션들, 소프트웨어 패키지들, 루틴들, 서브루틴들, 오브젝트들, 실행가능물들, 실행 스레드들, 절차들, 함수들 등을 의미하도록 광범위하게 해석되어야 한다.따라서, 하나 또는 그 초과의 예시적인 실시예들에서, 설명된 기능들은 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어, 또는 이들의 임의의 결합으로 구현될 수도 있다. 소프트웨어로 구현되면, 기능들은 컴퓨터 판독가능 매체 상에 하나 또는 그 초과의 명령들 또는 코드로서 저장되거나 이들로서 인코딩될 수도 있다. 컴퓨터 판독가능 매체들은 컴퓨터 저장 매체들을 포함한다. 저장 매체들은 컴퓨터에 의해 액세스될 수 있는 임의의 이용가능한 매체들일 수도 있다. 제한이 아닌 예로서, 그러한 컴퓨터-판독가능 매체들은 RAM, ROM, EEPROM, CD-ROM 또는 다른 광학 디스크 저장부, 자기 디스크 저장 또는 다른 자기 저장 디바이스들, 클라우드/네트워크 저장부, 또는 명령들 또는 데이터 구조들의 형태로 원하는 프로그램 코드를 반송(carry) 또는 저장하는데 사용될 수 있고, 컴퓨터에 의해 액세스될 수 있는 임의의 다른 매체를 포함할 수 있다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 디스크(disk) 및 디스크(disc)는 컴팩트 디스크(disc)(CD), 레이저 디스크(disc), 광학 디스크(disc), 디지털 다기능 디스크(digital versatile disc)(DVD), 플로피 디스크(disk) 및 블루-레이 디스크(disc)를 포함하며, 여기서 디스크(disk)들은 일반적으로 데이터를 자기적으로 재생하지만, 디스크(disc)들은 레이저를 이용하여 광학적으로 데이터를 재생한다. 상기한 것들의 결합들이 또한 컴퓨터-판독가능 매체들의 범위 내에 포함되어야 한다.도 1은 LTE 네트워크 아키텍처(100)를 도시한 다이어그램이다. LTE 네트워크 아키텍처(100)는 이벌브드 패킷 시스템(EPS)(100)으로 지칭될 수도 있다. EPS(100)는 하나 또는 그 초과의 사용자 장비(UE)(102), E-UTRAN(Evolved UMTS Terrestrial Radio Access Network)(104), EPC(Evolved Packet Core)(110), HSS(Home Subscriber Server)(120), 및 오퍼레이터의 IP 서비스들(122)을 포함할 수도 있다. EPS는 다른 액세스 네트워크들과 상호접속할 수 있지만, 간략화를 위해, 그들 엔티티들/인터페이스들은 도시되지 않는다. 도시된 바와 같이, EPS는 패킷-교환 서비스들을 제공하지만, 당업자들이 용이하게 인식할 바와 같이, 본 발명 전반에 걸쳐 제시된 다양한 개념들은 회선-교환 서비스들을 제공하는 네트워크들로 확장될 수도 있다.E-UTRAN은 이벌브드 노드B(eNB)(106) 및 다른 eNB들(108)을 포함한다. eNB(106)는 UE(102)를 향한 사용자 및 제어 평면 프로토콜 종단(termination)들을 제공한다. eNB(106)는 X2 인터페이스(예를 들어, 백홀)를 통해 다른 eNB들(108)에 접속될 수도 있다. eNB(106)는 또한, 기지국, 베이스 트랜시버 스테이션, 라디오 기지국, 라디오 트랜시버, 트랜시버 기능, 기본 서비스 세트(BSS), 확장된 서비스 세트(ESS), 또는 몇몇 다른 적절한 용어로 지칭될 수도 있다. eNB(106)는 UE(102)에 대해 EPC(110)로의 액세스 포인트를 제공한다. UE들(102)들의 예들은 셀룰러 전화기, 스마트폰, 세션 개시 프로토콜(SIP) 전화기, 랩탑, 개인 휴대 정보 단말(PDA), 위성 라디오, 글로벌 포지셔닝 시스템, 멀티미디어 디바이스, 비디오 디바이스, 디지털 오디오 플레이어(예를 들어, MP3 플레이어), 카메라, 게임 콘솔, 또는 임의의 다른 유사한 기능 디바이스를 포함한다. UE(102)는 또한, 모바일 스테이션, 가입자 스테이션, 모바일 유닛, 가입자 유닛, 무선 유닛, 원격 유닛, 모바일 디바이스, 무선 디바이스, 무선 통신 디바이스, 원격 디바이스, 모바일 가입자 스테이션, 액세스 단말, 모바일 단말, 무선 단말, 원격 단말, 핸드셋, 사용자 에이전트, 모바일 클라이언트, 클라이언트, 또는 몇몇 다른 적절한 용어로 당업자들에 의해 지칭될 수도 있다.eNB(106)는 S1 인터페이스에 의해 EPC(110)에 접속된다. EPC(110)는 MME(Mobility Management Entity)(112), 다른 MME들(114), 서빙 게이트웨이(116), 및 패킷 데이터 네트워크(PDN) 게이트웨이(118)를 포함한다. MME(112)는 UE(102)와 EPC(110) 사이의 시그널링을 프로세싱하는 제어 노드이다. 일반적으로, MME(112)는 베어러(bearer) 및 접속 관리를 제공한다. 모든 사용자 IP 패킷들은 서빙 게이트웨이(116)를 통해 전달되며, 서빙 게이트웨이(116) 그 자체는 PDN 게이트웨이(118)에 접속된다. PDN 게이트웨이(118)는 UE IP 어드레스 할당 뿐만 아니라 다른 기능들을 제공한다. PDN 게이트웨이(118)는 오퍼레이터의 IP 서비스들(122)에 접속된다. 오퍼레이터의 IP 서비스들(122)은 인터넷, 인트라넷, IP 멀티미디어 서브시스템(IMS), 및 PS 스트리밍 서비스(PSS)를 포함할 수도 있다.도 2는 LTE 네트워크 아키텍처 내의 액세스 네트워크(200)의 일 예를 도시한 다이어그램이다. 이러한 예에서, 액세스 네트워크(200)는 다수의 셀룰러 영역들(셀들)(202)로 분할된다. 하나 또는 그 초과의 더 낮은 전력 클래스 eNB들(208)은, 셀들(202) 중 하나 또는 그 초과와 중첩하는 셀룰러 영역들(210)을 가질 수도 있다. 더 낮은 전력 클래스 eNB(208)는 원격 라디오 헤드(RRH)로 지칭될 수도 있다. 더 낮은 전력 클래스 eNB(208)는 펨토 셀(예를 들어, 홈 eNB(HeNB)), 피코 셀, 또는 마이크로 셀일 수도 있다. 매크로 eNB들(204)은 각각, 각각의 셀(202)에 할당되고, 셀들(202) 내의 모든 UE들(206)에 대해 EPC(110)로의 액세스 포인트를 제공하도록 구성된다. 이러한 예의 액세스 네트워크(200)에는 중앙화된 제어기가 존재하지 않지만, 중앙화된 제어기가 대안적인 구성들에서 사용될 수도 있다. eNB들(204)은, 라디오 베어러 제어, 승인 제어, 모바일러티 제어, 스케줄링, 보안, 및 서빙 게이트웨이(116)로의 접속을 포함하는 모든 라디오 관련 기능들을 담당한다.액세스 네트워크(200)에 의해 이용되는 변조 및 다중 액세스 방식은, 이용되고 있는 특정한 원격통신 표준에 의존하여 변할 수도 있다. LTE 애플리케이션들에서, 주파수 분할 듀플렉싱(FDD) 및 시분할 듀플렉싱(TDD) 양자를 지원하기 위해, OFDM이 DL 상에서 사용되고, SC-FDMA가 UL 상에서 사용된다. 당업자들이 후속할 상세한 설명으로부터 용이하게 인식할 바와 같이, 본 명세서에 제시된 다양한 개념들은 LTE 애플리케이션들에 매우 적합하다. 그러나, 이들 개념들은 다른 변조 및 다중 액세스 기술들을 이용하는 다른 원격통신 표준들에 용이하게 확장될 수도 있다. 예로서, 이들 개념들은 EV-DO(Evolution-Data Optimized) 또는 UMB(Ultra Mobile Broadband)로 확장될 수도 있다. EV-DO 및 UMB는, CDMA2000 표준군의 일부로서 3세대 파트너쉽 프로젝트 2(3GPP2)에 의해 발표된 에어 인터페이스 표준들이며, 모바일 스테이션들에 브로드밴드 인터넷 액세스를 제공하도록 CDMA를 이용한다. 이들 개념들은 또한, 광대역-CDMA(W-CDMA) 및 TD-SCDMA와 같은 CDMA의 다른 변형들을 이용하는 UTRA(Universal Terrestrial Radio Access); TDMA를 이용하는 모바일 통신들을 위한 글로벌 시스템(GSM); 및 이벌브드 UTRA(E-UTRA), IEEE 802.11(Wi-Fi), IEEE 802.16(WiMAX), IEEE 802.20, 및 OFDMA를 이용하는 Flash-OFDM으로 확장될 수도 있다. UTRA, E-UTRA, UMTS, LTE 및 GSM은 3GPP 조직으로부터의 문헌들에 설명되어 있다. CDMA2000 및 UMB는 3GPP2 조직으로부터의 문헌들에 설명되어 있다. 이용되는 실제 무선 통신 표준 및 다중 액세스 기술은 특정한 애플리케이션 및 시스템에 부과된 전체 설계 제약들에 의존할 것이다.eNB들(204)은 MIMO 기술을 지원하는 다수의 안테나들을 가질 수도 있다. MIMO 기술의 사용은 eNB들(204)이 공간 멀티플렉싱, 빔포밍, 및 송신 다이버시티를 지원하도록 공간 도메인을 활용할 수 있게 한다. 공간 멀티플렉싱은, 동일한 주파수 상에서 동시에 데이터의 상이한 스트림들을 송신하는데 사용될 수도 있다. 데이터 스트림들은, 데이터 레이트를 증가시키도록 단일 UE(206)에 또는 전체 시스템 용량을 증가시키도록 다수의 UE들(206)에 송신될 수도 있다. 이것은, 각각의 데이터 스트림을 공간적으로 프리코딩(precode)(즉, 진폭 및 위상의 스캐일링을 적용)하고, 그 후, DL 상에서 다수의 송신 안테나들을 통해 각각의 공간적으로 프리코딩된 스트림을 송신함으로써 달성된다. 공간적으로 프리코딩된 데이터 스트림들은, 상이한 공간 서명들을 이용하여 UE(들)(206)에 도달하며, 이는 UE(들)(206) 각각이 그 UE(206)에 대해 예정된 하나 또는 그 초과의 데이터 스트림들을 복원할 수 있게 한다. UL 상에서, 각각의 UE(206)는 공간적으로 프리코딩된 데이터 스트림을 송신하며, 이는 eNB(204)가 각각의 공간적으로 프리코딩된 데이터 스트림의 소스를 식별할 수 있게 한다.채널 조건들이 양호할 경우, 공간 멀티플렉싱이 일반적으로 사용된다. 채널 조건들이 덜 바람직할 경우, 하나 또는 그 초과의 방향들로 송신 에너지를 포커싱하기 위해 빔포밍이 사용될 수도 있다. 이것은, 다수의 안테나들을 통한 송신을 위해 데이터를 공간적으로 프리코딩함으로써 달성될 수도 있다. 셀의 에지들에서 양호한 커버리지를 달성하기 위해, 단일 스트림 빔포밍 송신이 송신 다이버시티와 결합하여 사용될 수도 있다.후속하는 상세한 설명에서, 액세스 네트워크의 다양한 양상들이, DL 상에서 OFDM을 지원하는 MIMO 시스템을 참조하여 설명될 것이다. OFDM은, OFDM 심볼 내의 다수의 서브캐리어들을 통해 데이터를 변조하는 확산-스펙트럼 기술이다. 서브캐리어들은 정확한 주파수들로 이격된다. 간격은, 수신기가 서브캐리어들로부터 데이터를 복원할 수 있게 하는 "직교성(orthogonality)"을 제공한다. 시간 도메인에서, 가드 간격(예를 들어, 사이클릭 프리픽스)은 인터-OFDM-심볼 간섭에 대항하기 위해 각각의 OFDM 심볼에 부가될 수도 있다. UL은, 높은 피크-투-평균 전력 비(PAPR)를 보상하기 위해 DFT-확산 OFDM 신호의 형태로 SC-FDMA를 사용할 수도 있다.도 3은 LTE에서의 DL 프레임 구조의 일 예를 도시한 다이어그램(300)이다. 프레임(10ms)은 10개의 동등하게 사이징(size)된 서브-프레임들로 분할될 수도 있다. 각각의 서브-프레임은 2개의 연속하는 시간 슬롯들을 포함할 수도 있다. 리소스 그리드는 2개의 시간 슬롯들을 표현하는데 사용될 수도 있으며, 각각의 시간 슬롯은 리소스 블록을 포함한다. 리소스 그리드는 다수의 리소스 엘리먼트들로 분할된다. LTE에서, 리소스 블록은 주파수 도메인에서 12개의 연속하는 서브캐리어들, 그리고 각각의 OFDM 심볼 내의 정규 사이클릭 프리픽스에 대해, 시간 도메인에서 7개의 연속하는 OFDM 심볼들, 또는 84개의 리소스 엘리먼트들을 포함한다. 확장된 사이클릭 프리픽스에 대해, 리소스 블록은 시간 도메인에서 6개의 연속하는 OFDM 심볼들을 포함하고, 72개의 리소스 엘리먼트들을 갖는다. 리소스 엘리먼트들 중 몇몇은 R(302, 304)로서 표시된 바와 같이, DL 기준 신호들(DL-RS)을 포함한다. DL-RS는 셀-특정 RS(CRS)(또는 종종 공통 RS로 지칭됨)(302) 및 UE-특정 RS(UE-RS)(또한 복조 기준 신호들(DM-RS)로 알려짐)(304)를 포함한다. UE-RS(304)는, 대응하는 물리 DL 공유 채널(PDSCH)이 매핑되는 리소스 블록들 상에서만 송신된다. 각각의 리소스 엘리먼트에 의해 반송된 비트들의 수는 변조 방식에 의존한다. 따라서, UE가 수신하는 리소스 블록들이 많아지고 변조 방식이 고차가 될수록, UE에 대한 데이터 레이트가 더 높아진다.도 4는, LTE에서의 UL 프레임 구조의 일 예를 도시한 다이어그램(400)이다. UL에 대한 이용가능한 리소스 블록들은 데이터 섹션 및 제어 섹션으로 분할될 수도 있다. 제어 섹션은 시스템 대역폭의 2개의 에지들에서 형성될 수도 있으며, 구성가능한 사이즈를 가질 수도 있다. 제어 섹션 내의 리소스 블록들은 제어 정보의 송신을 위해 UE들에 할당될 수도 있다. 데이터 섹션은 제어 섹션에 포함되지 않는 모든 리소스 블록들을 포함할 수도 있다. UL 프레임 구조는, 데이터 섹션이 인접한 서브캐리어들을 포함하는 것을 초래하며, 이는 단일 UE가 데이터 섹션에서 인접한 서브캐리어들 모두를 할당받게 할 수도 있다.UE는 eNB로 제어 정보를 송신하기 위해 제어 섹션에서 리소스 블록들(410a, 410b)을 할당받을 수도 있다. UE는 또한, eNB로 데이터를 송신하기 위해 데이터 섹션에서 리소스 블록들(420a, 420b)을 할당받을 수도 있다. UE는, 제어 섹션 내의 할당된 리소스 블록들 상의 물리 UL 제어 채널(PUCCH)에서 제어 정보를 송신할 수도 있다. UE는 데이터 섹션 내의 할당된 리소스 블록들 상의 물리 UL 공유 채널(PUSCH)에서 데이터만을 또는 데이터 및 제어 정보 양자를 송신할 수도 있다. UL 송신은 서브프레임의 양자의 슬롯들에 걸쳐 있을 수도 있으며, 주파수에 걸쳐 홉핑할 수도 있다.리소스 블록들의 세트는, 초기 시스템 액세스를 수행하고, 물리 랜덤 액세스 채널(PRACH)(430)에서 UL 동기화를 달성하는데 사용될 수도 있다. PRACH(430)는 랜덤 시퀀스를 반송하고, 어떠한 UL 데이터/시그널링도 반송할 수 없다. 각각의 랜덤 액세스 프리앰블은 6개의 연속하는 리소스 블록들에 대응하는 대역폭을 점유한다. 시작 주파수는 네트워크에 의해 특정된다. 즉, 랜덤 액세스 프리앰블의 송신은 특정한 시간 및 주파수 리소스들로 제약된다. PRACH에 대한 어떤 주파수 홉핑도 존재하지 않는다. PRACH 시도는 단일 서브프레임(1ms) 또는 몇몇 인접한 서브프레임들의 시퀀스에서 반송되고, UE는 프레임(10ms) 당 단일 PRACH 시도만을 행할 수 있다.도 5는, LTE에서의 사용자 및 제어 평면들에 대한 라디오 프로토콜 아키텍처의 일 예를 도시한 다이어그램(500)이다. UE 및 eNB에 대한 라디오 프로토콜 아키텍처는 3개의 계층들, 즉 계층 1, 계층 2, 및 계층 3을 갖는 것으로 도시되어 있다. 계층 1(L1 계층)은 가장 낮은 계층이며, 다양한 물리 계층 신호 프로세싱 기능들을 구현한다. L1 계층은 물리 계층(506)으로 본 명세서에서 지칭될 것이다. 계층 2(L2 계층)(508)는 물리 계층(506) 위에 있으며, 물리 계층(506)을 통한 UE와 eNB 사이의 링크를 담당한다.사용자 평면에서, L2 계층(508)은 매체 액세스 제어(MAC) 서브계층(510), 라디오 링크 제어(RLC) 서브계층(512), 및 패킷 데이터 컨버전스 프로토콜(PDCP)(514) 서브계층을 포함하며, 이들은 네트워크 측 상의 eNB에서 종단된다. 도시되지는 않았지만, UE는, 네트워크 측 상의 PDN 게이트웨이(118)에서 종단되는 네트워크 계층(예를 들어, IP 계층), 및 접속의 다른 단부(예를 들어, 원단(far end) UE, 서버 등)에서 종단되는 애플리케이션 계층을 포함하는 수 개의 상부 계층들을 L2 계층(508) 위에 가질 수도 있다.PDCP 서브계층(514)은 상이한 라디오 베어러들과 로직 채널들 사이에 멀티플렉싱을 제공한다. PDCP 서브계층(514)은 또한, 라디오 송신 오버헤드를 감소시키기 위해 상부 계층 데이터 패킷들에 대한 헤더 압축, 데이터 패킷들을 암호화함으로써 보안, 및 eNB들 사이의 UE들에 대한 핸드오버 지원을 제공한다. RLC 서브계층(512)은 상부 계층 데이터 패킷들의 세그먼트화 및 리어셈블리, 손실된 데이터 패킷들의 재송신, 및 데이터 패킷들의 재순서화를 제공하여, 하이브리드 자동 반복 요청(HARQ)으로 인한 비순차적인(out-of-order) 수신을 보상한다. MAC 서브계층(510)은 로직 채널과 전송 채널 사이에 멀티플렉싱을 제공한다. MAC 서브계층(510)은 또한, 하나의 셀의 다양한 라디오 리소스들(예를 들어, 리소스 블록들)을 UE들 사이에 할당하는 것을 담당한다. MAC 서브계층(510)은 또한, HARQ 동작들을 담당한다.제어 평면에서, UE 및 eNB에 대한 라디오 프로토콜 아키텍처는, 제어 평면에 대한 어떤 헤더 압축 기능도 존재하지 않는다는 것을 제외하고, 물리 계층(506) 및 L2 계층(508)에 대해 실질적으로 동일하다. 제어 평면은 또한, 계층 3(L3 계층)에 라디오 리소스 제어(RRC) 서브계층(516)을 포함한다. RRC 서브계층(516)은 라디오 리소스들(즉, 라디오 베어러들)을 획득하는 것, 및 eNB와 UE 사이에서 RRC 시그널링을 사용하여 하부 계층들을 구성하는 것을 담당한다.도 6은 액세스 네트워크에서 UE(650)와 통신하는 eNB(610)의 블록도이다. DL에서, 코어 네트워크로부터의 상부 계층 패킷들은 제어기/프로세서(675)에 제공된다. 제어기/프로세서(675)는 L2 계층의 기능을 구현한다. DL에서, 제어기/프로세서(675)는 헤더 압축, 암호화, 패킷 세그먼트화 및 재순서화, 로직 채널과 전송 채널 사이의 멀티플렉싱, 및 다양한 우선순위 메트릭들에 기초한 UE(650)로의 라디오 리소스 할당들을 제공한다. 제어기/프로세서(675)는 또한, HARQ 동작들, 손실된 패킷들의 재송신, 및 UE(650)로의 시그널링을 담당한다.송신(TX) 프로세서(616)는 L1 계층(즉, 물리 계층)에 대한 다양한 신호 프로세싱 기능들을 구현한다. 신호 프로세싱 기능들은, UE(650)에서의 순방향 에러 정정(FEC)을 용이하게 하기 위한 코딩 및 인터리빙, 및 다양한 변조 방식들(예를 들어, 바이너리 위상-시프트 키잉(BPSK), 직교 위상-시프트 키잉(QPSK), M-위상-시프트 키잉(M-PSK), M-직교 진폭 변조(M-QAM))에 기초한 신호 성상도(constellation)들로의 매핑을 포함한다. 그 후, 코딩되고 변조된 심볼들은 병렬 스트림들로 분할된다. 그 후, 각각의 스트림은, OFDM 서브캐리어로 매핑되고, 시간 및/또는 주파수 도메인에서 기준 신호(예를 들어, 파일럿)와 멀티플렉싱되며, 그 후, 고속 푸리에 역변환(IFFT)을 사용하여 함께 결합되어, 시간 도메인 OFDM 심볼 스트림을 반송하는 물리 채널을 생성한다. OFDM 스트림은 다수의 공간 스트림들을 생성하기 위해 공간적으로 프리코딩된다. 채널 추정기(674)로부터의 채널 추정치들은 코딩 및 변조 방식을 결정하기 위해 뿐만 아니라 공간 프로세싱을 위해 사용될 수도 있다. 채널 추정치는, 기준 신호 및/또는 UE(650)에 의해 송신된 채널 조건 피드백으로부터 도출될 수도 있다. 그 후, 각각의 공간 스트림은 별개의 송신기(618TX)를 통해 상이한 안테나(620)로 제공된다. 각각의 송신기(618TX)는 송신을 위해 각각의 공간 스트림으로 RF 캐리어를 변조한다.UE(650)에서, 각각의 수신기(654RX)는 자신의 각각의 안테나(652)를 통해 신호를 수신한다. 각각의 수신기(654RX)는 RF 캐리어 상으로 변조된 정보를 복원하고, 그 정보를 수신(RX) 프로세서(656)에 제공한다. RX 프로세서(656)는 L1 계층의 다양한 신호 프로세싱 기능들을 구현한다. RX 프로세서(656)는 UE(650)에 대해 예정된 임의의 공간 스트림들을 복원하도록 정보에 대해 공간 프로세싱을 수행한다. 다수의 공간 스트림들이 UE(650)에 대해 예정되면, 그들은 RX 프로세서(656)에 의해 단일 OFDM 심볼 스트림으로 결합될 수도 있다. 그 후, RX 프로세서(656)는 고속 푸리에 변환(FFT)을 사용하여 시간-도메인으로부터 주파수 도메인으로 OFDM 심볼 스트림을 변환한다. 주파수 도메인 신호는, OFDM 신호의 각각의 서브캐리어에 대한 별개의 OFDM 심볼 스트림을 포함한다. 각각의 서브캐리어 상의 심볼들, 및 기준 신호는 eNB(610)에 의해 송신된 가장 가능성있는 신호 성상도 포인트들을 결정함으로써 복원 및 복조된다. 이들 연판정들은, 채널 추정기(658)에 의해 계산된 채널 추정치들에 기초할 수도 있다. 그 후, 연판정들은, 물리 채널 상에서 eNB(610)에 의해 본래 송신되었던 데이터 및 제어 신호들을 복원하기 위해 디코딩 및 디인터리빙된다. 그 후, 데이터 및 제어 신호들은 제어기/프로세서(659)에 제공된다.제어기/프로세서(659)는 L2 계층을 구현한다. 제어기/프로세서는 프로그램 코드들 및 데이터를 저장하는 메모리(660)와 연관될 수 있다. 메모리(660)는 컴퓨터-판독가능 매체로 지칭될 수도 있다. UL에서, 제어기/프로세서(659)는, 전송 채널과 로직 채널 사이의 디멀티플렉싱, 패킷 리어셈블리, 암호해독, 헤더 압축해제, 제어 신호 프로세싱을 제공하여, 코어 네트워크로부터의 상부 계층 패킷들을 복원한다. 그 후, 상부 계층 패킷들은, L2 계층 위의 모든 프로토콜 계층들을 표현하는 데이터 싱크(662)에 제공된다. 다양한 제어 신호들은 또한, L3 프로세싱을 위해 데이터 싱크(662)에 제공될 수도 있다. 제어기/프로세서(659)는 또한, HARQ 동작들을 지원하기 위해 확인응답(ACK) 및/또는 부정 확인응답(NACK) 프로토콜을 사용하여 에러 검출을 담당한다.UL에서, 데이터 소스(667)는 상부 계층 패킷들을 제어기/프로세서(659)에 제공하는데 사용된다. 데이터 소스(667)는, L2 계층 위의 모든 프로토콜 계층들을 나타낸다. eNB(610)에 의한 DL 송신과 관련하여 설명된 기능과 유사하게, 제어기/프로세서(659)는, 헤더 압축, 암호화, 패킷 세그먼트화 및 재순서화, 및 eNB(610)에 의한 라디오 리소스 할당들에 기초한 로직 채널과 전송 채널 사이의 멀티플렉싱을 제공함으로써 사용자 평면 및 제어 평면에 대해 L2 계층을 구현한다. 제어기/프로세서(659)는 또한, HARQ 동작들, 손실된 패킷들의 재송신, 및 eNB(610)로의 시그널링을 담당한다.기준 신호 또는 eNB(610)에 의해 송신된 피드백으로부터 채널 추정기(658)에 의해 도출된 채널 추정치들은, 적절한 코딩 및 변조 방식들을 선택하고, 공간 프로세싱을 용이하게 하도록 TX 프로세서(668)에 의해 사용될 수도 있다. TX 프로세서(668)에 의해 생성된 공간 스트림들은 별개의 송신기들(654TX)을 통해 상이한 안테나(652)에 제공된다. 각각의 송신기(654TX)는 송신을 위해 각각의 공간 스트림으로 RF 캐리어를 변조한다.UL 송신은, UE(650)의 수신기 기능과 관련하여 설명된 것과 유사한 방식으로 eNB(610)에서 프로세싱된다. 각각의 수신기(618RX)는 자신의 각각의 안테나(620)를 통해 신호를 수신한다. 각각의 수신기(618RX)는 RF 캐리어 상으로 변조된 정보를 복원하고, 그 정보를 RX 프로세서(670)에 제공한다. RX 프로세서(670)는 L1 계층을 구현할 수도 있다.제어기/프로세서(675)는 L2 계층을 구현한다. 제어기/프로세서(675)는 프로그램 코드들 및 데이터를 저장하는 메모리(676)와 연관될 수 있다. 메모리(676)는 컴퓨터-판독가능 매체로 지칭될 수도 있다. UL에서, 제어기/프로세서(675)는 전송 채널과 로직 채널 사이의 디멀티플렉싱, 패킷 리어셈블리, 암호해독, 헤더 압축해제, 제어 신호 프로세싱을 제공하여, UE(650)로부터의 상부 계층 패킷들을 복원한다. 제어기/프로세서(675)로부터의 상부 계층 패킷들은 코어 네트워크에 제공될 수도 있다. 제어기/프로세서(675)는 또한, HARQ 동작들을 지원하기 위해 ACK 및/또는 NACK 프로토콜을 사용하여 에러 검출을 담당한다.유니캐스트 및 멀티캐스트/브로드캐스트 서비스들에 관해, UE는, 그들 서비스들과 연관된 신호들을 수신하기 위한 다운링크 타이밍을 업데이팅하기 위해 (타이밍 트래킹으로 또한 지칭되는) 시간 트래킹을 수행할 수도 있다. 시간 트래킹은, 인터-심볼 간섭이 최소화되도록 하는 FFT 윈도우의 정확한 시작 포인트를 그것이 허용하므로, 수신기 성능에서 중요한 인자이다. 시간 트래킹에 의해 결정된 타이밍 오프셋은, 현재의 서브프레임에서 채널 추정을 위해 추가적으로 사용될 수 있으며, 다음의 서브프레임에 대한 다운링크 타이밍(즉, FFT 윈도우의 시작 포인트)을 업데이팅하는데 사용된다.종래에, 현재의 통신 시스템들(예를 들어, LTE Rel-8/9/10)에서의 시간 트래킹은 공통 기준 신호들(CRS)에 기초할 수도 있다. CRS는 넓은-대역(wide-band)이고, 모든 서브프레임들에서 존재할 수도 있다. 신뢰가능한 시간 트래킹이 그에 따라 가능하며, 시간 트래킹은 개선된 성능을 위해 2개 또는 그 초과의 서브프레임들을 이용(예를 들어, 평균)할 수도 있다. 다른 통신 시스템들(예를 들어, LTE Rel-11 및 그 이후의 버전)에서, CRS 시간 트래킹은 불가능하거나 부적절할 수도 있다. 몇몇 서브프레임들 또는 캐리어들에서, CRS는 존재하지 않을 수도 있다. 예를 들어, 통신 시스템(예를 들어, LTE Rel-11)은 백워드 호환가능한 부가적인 캐리어 타입들을 정의할 수도 있다. 따라서, CRS는 모든 서브프레임들 내의 이들 캐리어들에 항상 존재하지는 않을 수도 있다. 부가적인 캐리어 타입들에서, CRS는 몇몇 서브프레임들에서만 존재할 수도 있다. 또한, 몇몇 시나리오들(예를 들어, CoMP(coordinated multipoint) Tx/Rx)에서, CRS의 사용은 시간 트래킹에 대해 부적절할 수도 있다. CoMP에서, 제어 및 데이터는 상이한 셀들로부터 도착할 수도 있다. 따라서, UE는 CRS-기반 시간 트래킹에 대해 잘못된 셀을 가정할 수도 있다.비-CRS-기반 시간 트래킹이 특정한 통신 시스템들(예를 들어, LTE Rel-11 및 그 이후의 버전)에서 필요할 수도 있다. 그러므로, 시간 트래킹은 UE-RS, CSI-RS, 및/또는 다른 기준 신호들에 기초하여 수행될 수도 있다. 그러나, CRS-기반 시간 트래킹과는 달리, UE-RS/CSI-RS 대역폭/밀도가 제한될 수도 있으므로, UE들은 시간 트래킹을 위해 항상 UE-RS 및/또는 CSI-RS에 의존할 수는 없다. 예를 들어, UE-RS는, UE가 스케줄링되는 경우에만 UE에 대해 존재할 수도 있다. 즉, UE-RS는, 하나의 리소스 블록(RB)(또한, 물리 RB(PRB)로 지칭됨)으로부터 개의 RB들까지의 범위에 있을 수도 있는 스케줄링된 PDSCH 대역폭에서만 UE에 대해 이용가능하며, 여기서, 는 RB들의 유닛들의 다운링크 시스템 대역폭이다. 따라서, UE-RS 안테나 포트는 상이한 서브프레임들에 걸쳐 동일한 물리 안테나 포트(들)에 매핑되지 않을 수도 있다. 또한, CSI-RS는, CSI-RS 포트 당 RB 당 하나의 리소스 엘리먼트(RE)만이 존재하므로, 서브프레임들의 서브세트에만 존재할 수도 있으며, 낮은 밀도를 가질 수도 있다. 결과로서, 시간 트래킹은, 수신기 성능을 개선시키도록 평균하기 위해 다수의 서브프레임들에 용이하게 의존할 수 없다. 부가적으로, 할당된 PDSCH 대역폭이 매우 작다면(예를 들어, 하나 또는 몇몇의 RB들), UE-RS-기반 시간 트래킹 성능은 엄격하게 협상될 수 있다. 추가적으로, CSI-RS 시간 트래킹 성능은 낮은 밀도로 인해 또한 협상될 수 있다.통신 시스템(예를 들어, LTE Rel-11)에서, 향상된 PDCCH(ePDCCH)가 제공될 수도 있다. 서브프레임에서 첫번째 수 개의 제어 심볼들을 점유하는 레거시 PDCCH와는 달리, ePDCCH는 PDSCH와 유사하게 데이터 영역을 점유한다. 자신의 대역폭이 종종 큰 PDSCH와는 달리, 하나의 ePDCCH는 단지 하나의 RB 또는 매우 제한된 수의 RB들만을 소비할 수도 있다. UE-RS-기반 ePDCCH가 통신 시스템에서 지원될 수도 있다. ePDCCH/PDCCH를 사용하도록 구성된 UE는, (예를 들어, 이종 네트워크들 내의 이웃한 셀들로부터의 압도적인 간섭으로 인해) CRS를 신뢰가능하게 수신하지 못할 수도 있거나, CRS가 이용가능하지 않을 수도 있다(예를 들어, CRS가 존재하지 않는다). 따라서, 시간 트래킹은, 특히, 대응하는 대역폭이 제한된 경우, PDSCH 성능에 영향을 줄 뿐만 아니라 PDCCH/ePDCCH 성능에 영향을 줄 것이다. 따라서, 특히 할당된 대역폭 및/또는 RS 밀도가 (주파수 및/또는 시간에서) 낮은 경우, UE-RS 및/또는 CSI-RS 기반 시간 트래킹에 대한 시간 트래킹 성능을 개선시키기 위한 방법들이 필요하다.도 7은, 다양한 타입들의 서브프레임들 내의 UE-RS의 위치를 도시하고, UE-RS-기반 시간 트래킹을 위한 예시적인 방법들을 설명하는 다이어그램(700)이다. 도 7에서, 다이어그램(710)은 정규 서브프레임 내의 UE-RS의 위치를 도시한다. 다이어그램(720)은, 11, 12개의 심볼들을 갖는 다운링크 파일럿 시간 슬롯(DwPTS) 서브프레임 내의 UE-RS의 위치를 도시한다. 다이어그램(730)은, 9, 10개의 심볼들을 갖는 DwPTS 서브프레임 내의 UE-RS의 위치를 도시한다. UE는 UE-RS에 대해 RB 당 최대 24개의 RE들을 이용할 수 있을 수도 있다. 랭크 1 및 랭크 2 송신들에 대해, UE-RS RE들(702)(도 7에서 더 어두운 음영의 RE들)만이 존재하여, UE-RS에 대해 RB 당 12개의 RE들을 초래한다. 랭크 2보다 큰 송신들에 대해, UE-RS RE들(702) 및 UE-RS RE들(704)(도 7에서 더 밝은 음영의 RE들)이 존재하여, UE-RS에 대해 RB 당 24개의 RE들을 초래한다. 제한된 수의 RB들(PDSCH 및/또는 ePDCCH)에 대해, 시간 트래킹 성능은, 특히 12개의 UE-RS RE들/RB만이 이용가능할 경우(즉, UE가 랭크 1 또는 랭크 2 송신들을 수신하도록 구성되는 경우), 엄격히 협상될 수도 있다.UE-RS-기반 시간 트래킹 이슈를 처리하기 위해, 제 1 예시적인 방법에서, eNB는 작은 PDSCH/PDCCH 할당들을 명시적으로 제한할 수도 있다. 예를 들어, eNB는 1개의 RB PDSCH 할당들을 허용하지 않을 수도 있다. 대안적으로, eNB는 변조 차수(order)에 기초하여 작은 PDSCH/PDCCH 할당들을 제한할 수도 있다. 예를 들어, eNB는 1RB＋QPSK 결합을 허용할 수도 있지만, 16/64-QAM과 1RB의 결합은 허용하지 않을 수도 있다. 더 높은 변조 차수에 대해, 더 높은 정확도의 시간 트래킹이 요구될 수도 있다. 따라서, eNB는 더 높은 변조 차수들에 대해서만 작은 PDSCH/PDCCH 할당들을 제한할 수도 있다.제 1 예시적인 방법에 따르면, eNB는, 일반적으로 또는 변조 차수에 기초하여, 다운링크 할당에서 타겟 UE에 할당될 수 있는 RB들의 수를 2(3, 4 등)보다 크거나 2와 동일하도록 제한할 수도 있다. 용어 "타겟 UE"는 리소스 할당의 포커스인 eNB의 셀 내의 UE를 지칭할 수도 있다. 예를 들어, eNB는, 다운링크 할당에서 타겟 UE에 할당될 수 있는 RB들의 수를 2 또는 3이 되도록 제한할 수도 있다. 따라서, eNB는 타겟 UE로의 다운링크 할당에 대응하는 다운링크 송신(데이터/제어)을 송신할 수도 있다. 또한, eNB는, 다운링크 송신에 대한 변조 차수(예를 들어, QPSK, 16-QAM, 64-QAM)를 결정할 수도 있고, 결정된 변조 차수에 기초하여 RB들의 수를 제한할지를 결정할 수도 있다. 예를 들어, 변조 차수가 임계치(예를 들어, 임계치는 QPSK일 수도 있음)보다 큰 경우에만, eNB는, 다운링크 할당에서 타겟 UE에 할당될 수 있는 RB들의 수를 2보다 크거나 2와 동일하도록 제한할 수도 있다.제 2 예시적인 방법에서, 타겟 UE는 UE-RS-기반 시간 트래킹을 위해 프리코딩 리소스 블록 그룹(PRG) 특성을 이용할 수도 있다. 통신 시스템(예를 들어, LTE Rel-10)에서, PRG들은, 송신 모드 9 및 프리코딩 매트릭스 표시자(PMI)/랭크 표시자(RI) 채널 피드백을 이용하여 구성되는 타겟 UE에 대해 지원될 수도 있다. 제 2 예시적인 방법에서, 타겟 UE는, 프리코딩 입도(granularity)가 주파수 도메인에서 (통상적인 경우에서와 같은 하나의 RB 대신에) 2개 또는 그 초과의 RB들이라고 가정할 수도 있다. 따라서, 타겟 UE는, 동일한 프리코더가 PRG 내의 모든 스케줄링된 RB들 상에 적용된다고 가정할 수도 있다. 각각의 PRG는 동일한 프로코딩을 이용한 연속하는 RB들을 포함한다. PRG 사이즈는 다음의 테이블에 도시된 바와 같이, 다운링크 시스템 대역폭 의존적이다.타겟 UE가 PRG에서 UE-RS를 포함하는 복수의 RB들을 수신하는 경우, 타겟 UE는, PRG에서의 RB들의 송신을 위한 가정된 동일한 프리코딩에 기초하여 복수의 리소스 블록들에서 UE-RS를 디코딩할 수도 있다. 그 후, 타겟 UE는 디코딩된 UE-RS의 코히런트 결합에 기초하여 시간 트래킹을 수행할 수 있을 수도 있다. 대안적으로, 타겟 UE가 상이한 프리코딩에 기초하여 복수의 RB들에서 UE-RS를 디코딩하면, 타겟 UE는, 각각의 프리코딩 서브그룹에 대해 시간 트래킹을 독립적으로 수행하고, 그 후, (예를 들어, 평균을 통해) 결과들을 결합해야 할 것이며, 이는 코히런트 결합보다 더 불량한 성능을 갖는다. 그러므로, 코히런트 결합에서, 시간 트래킹 알고리즘은 모든 디코딩된 UE-RS를 이용하여 1회 수행되지만, 코히런트 결합이 없다면, 시간 트래킹은 다수회 수행되고 평균을 통해 결합된다. 따라서, 제 2 예시적인 방법에서, 타겟 UE는, UE-RS-기반 시간 트래킹의 개선된 성능을 위해 PRG 내에서 동일한 프리코딩을 활용할 수도 있다.제 3 예시적인 방법에서, RB는, 개선된 시간 트래킹을 위해 24개의 UE-RS RE들(12개의 UE-RS RE들(702)(도 7에서 더 어두운 음영의 RE들) 및 12개의 UE-RS RE들(704)(도 7에서 더 밝은 음영의 RE들))을 포함하는 것으로 가정될 수도 있다. 12개의 UE-RS(예를 들어, 12개의 UE-RS RE들(704))의 부가적인 제 2 세트는 시간 트래킹(및 PDSCH/ePDCCH 디코딩)을 개선시키는 것을 돕는다. 12개의 UE-RS의 부가적인 제 2 세트는 작은 수의 RB들만의 할당들과 연관될 수도 있다. 예를 들어, 다운링크 할당이 하나의 RB PDSCH 및/또는 PDCCH를 포함하는 경우, RB는 24개의 UE-RS RE들을 포함하는 것으로 가정될 수도 있다. 그렇지 않고, 다운링크 할당이 1개 초과의 RB PDSCH 및/또는 PDCCH를 포함하는 경우, RB는, 구성 또는 할당에 의존하여 12개의 UE-RS RE들 또는 24개의 UE-RS RE들을 포함하는 것으로 가정될 수도 있다. 예를 들어, 랭크 1 또는 랭크 2 송신들은 12개의 UE-RS RE들을 포함할 수도 있고, 랭크 2 송신들보다 큰 송신들은 24개의 UE-RS RE들을 포함할 수도 있다. 타겟 UE는, eNB로부터의 시그널링 없이 부가적인 12개의 UE-RS RE들의 존재를 결정하기 위해 블라인드(blind) 검출을 수행할 수도 있다.12개의 UE-RS RE들의 제 2 세트는 다른 UE들에 대해 의도되지 않을 수도 있다. 따라서, eNB는, 12개의 UE-RS RE들의 제 1 세트를 송신하는데 사용되는 것과 동일한 프리코딩을 사용하여, 12개의 UE-RS RE들의 제 2 세트를 송신할 수도 있다. 대안적으로, 12개의 UE-RS RE들의 제 2 세트는 다른 UE들에 대해 의도될 수도 있으며, 따라서, 상이한 프리코딩을 가질 수도 있다. 예를 들어, UE-RS RE들의 제 2 세트는, PDSCH에 대해 멀티사용자 MIMO(MU-MIMO) 동작 또는 ePDCCH에 대해 MU-MIMO 동작에 대하여 사용될 수도 있다. 다른 예에서, 2개 또는 그 초과의 ePDCCH들은 주파수 분할 멀티플렉싱(FDM) 방식으로 동일한 RB를 공유할 수도 있고, 상이한 안테나 포트들을 사용할 수도 있다.따라서, UE-RS RE들의 제 2 세트가 다른 UE들에 대해 의도되는지 아닌지에 의존하여, UE-RS RE들의 제 2 세트는, 프리코더가 UE-RS RE들의 제 1 세트에 대해 사용했던 것과는 상이한 프리코딩을 이용하여 송신될 수도 있다. 예를 들어, eNB가 상이한 프리코딩을 이용하여 UE-RS RE들의 제 2 세트를 송신하면, UE-RS RE들의 제 2 세트는 적어도 하나의 다른 UE에 의해 사용된다. 다른 예에서, eNB가 (전력 랜덤화를 달성하기 위해) UE-RS RE들의 제 1 세트와 동일한 프리코딩을 이용하여 UE-RS RE들의 제 2 세트를 송신하면, UE-RS RE들의 제 2 세트는 적어도 하나의 다른 UE에 의해 사용될 수도 있거나, 어떤 다른 UE들에 의해서도 사용되지 않을 수도 있다. UE-RS RE들의 제 2 세트가 어떤 다른 UE들에 의해서도 사용되지 않고, 타겟 UE가 (예를 들어, 랭크 1 또는 2 송신들에서) UE-RS RE들의 제 2 세트를 수신하도록 구성되지 않는 경우, eNB는, 개선된 시간 트래킹 성능을 가능하게 하기 위해 UE-RS RE들의 제 2 세트를 타겟 UE에 특정하게 송신한다.동일한 프리코딩을 갖는 UE-RS RE들의 제 1 및 제 2 세트들 양자는 PRG 모델과 유사하며, 차이점은, PRG 경우에서와 같은 RB들 대신에 RB 내의 UE-RS RE들의 2개의 세트들에 걸쳐 동일한 프리코딩이 사용된다는 것이다. 안테나 포트 7 및 안테나 포트 8 양자가 UE-RS RE들의 제 1 세트에 존재하면, 안테나 포트 7 또는 안테나 포트 8 중 하나 또는 안테나 포트들 7 및 8 양자가 UE-RS-기반 시간 트래킹에 대해 의존되는지에 따라, 안테나 포트 7 또는 안테나 포트 8 중 하나 또는 안테나 포트들 7 및 8 양자에 프리코딩의 복제가 적용될 수 있다. PDSCH에 대해, MU-MIMO가 단지 (12개의 UE-RS RE들의 제 1 세트에 매핑되는) 안테나 포트 7 및 안테나 포트 8을 이용하여 지원되기 때문에, 타겟 UE가 안테나 포트 7 및/또는 안테나 포트 8을 이용하여 다운링크 송신을 수신하도록 구성되는 경우, eNB는 UE-RS RE들의 제 1 및 제 2 세트들에 대해 동일한 프리코딩을 사용할 수도 있다. 즉, 타겟 UE가 안테나 포트 7 및/또는 안테나 포트 8을 이용하여 다운링크 송신을 수신하도록 구성되는 경우, UE-RS RE들의 제 2 세트는 다른 UE들에 의해 이용되지 않는다. 따라서, 특정한 UE에 대한 더 양호한 시간 트래킹을 가능하게 하기 위해, 특정한 UE가 UE-RS RE들의 제 1 세트만을 수신하도록 구성되더라도(예를 들어, 랭크 1 또는 2 송신들을 수신하도록 구성되는 경우), eNB는 동일한 프리코딩을 이용하여 특정한 UE에 UE-RS RE들의 제 2 세트를 송신할 수도 있다.e-PDCCH에 대해, 하나의 RB 내에, 안테나 포트 7 및/또는 안테나 포트 8이 존재할 수도 있다. 대안적으로 하나의 RB 내에, 안테나 포트들 7, 8, 9, 또는 10 중 적어도 하나가 존재할 수도 있다. 안테나 포트들 7 및/또는 8만이 하나의 RB 내에 ePDCCH에 대해 존재하면, UE-RS RE들의 제 2 세트에 대해 어떤 MU-MIMO도 존재하지 않으므로, eNB는 UE-RS RE들의 제 1 및 제 2 세트들 양자에 대해 동일한 프리코딩을 사용할 수도 있다. 안테나 포트들 7 및/또는 8 및 안테나 포트들 9 및/또는 10이 하나의 RB 내에 ePDCCH에 대해 존재하면, UE-RS RE들의 제 2 세트가 다른 UE들에 의해 사용될 수도 있다. 따라서, eNB는, UE-RS RE들의 제 2 세트가 다른 UE들에 대해 의도되는지를 타겟 UE에 통지할 수도 있다. 타겟 UE가 그러한 정보를 수신하면, 타겟 UE는, UE-RS RE들의 제 2 세트가 UE-RS RE들의 제 1 세트와는 상이한 프리코딩을 갖는다는 것을 알 것이다. 그렇지 않고, 타겟 UE가 그러한 정보를 수신하지 않으면, 타겟 UE는, UE-RS RE들의 제 2 세트가 UE-RS RE들의 제 1 세트와 동일한 프리코딩을 갖는다고 가정할 것이다. eNB는, UE-RS RE들의 제 2 세트가 다른 UE들에 대해 사용되는지를, 1-비트 시그널링을 통해 또는 하드-코딩된 정보를 통해 (예를 들어, 하나의 RB 동작에 대해서는 MU-MIMO 없음) 타겟 UE에 통지할 수도 있다.부가적으로, UE가 동일한 PRG의 동일한 PRB 쌍 또는 PRB 쌍들에서 2개 또는 그 초과의 ePDCCH 송신들을 수신하면, UE는, 동일한 프리코딩이 2개 또는 그 초과의 ePDCCH 송신들과 연관된 상이한 안테나 포트들에 적용된다고 가정할 수도 있다. 2개 또는 그 초과의 ePDCCH 송신들은 로컬화된 송신들일 수도 있으므로, ePDCCH에 의해 점유된 리소스들은 동일한 PRG의 주어진 PRB 쌍 또는 PRB 쌍들 내에 존재한다. 동일한 UE에 대한 2개 또는 그 초과의 ePDCCH 송신들은, 브로드캐스트 ePDCCH(예를 들어, 시스템 정보 브로드캐스트), 그룹 캐스트 ePDCCH(예를 들어, 그룹 전력 제어), 유니캐스트 ePDCCH 스케줄링 다운링크 채널들, 유니캐스트 ePDCCH 스케줄링 업링크 채널들, 또는 이들의 결합일 수도 있다.2개 또는 그 초과의 ePDCCH 송신들은 안테나 포트들 7, 8, 9, 및/또는 10과 연관될 수도 있다. 예를 들어, UE는, 안테나 포트 7과 연관된 다운링크 스케줄링을 위한 ePDCCH 및 안테나 포트 8을 이용한 업링크 스케줄링을 위한 ePDCCH를 수신할 수도 있다. UE는, 동일한 프리코딩이 2개의 ePDCCH 송신들에 대한 안테나 포트 7 및 안테나 포트 8에 대해 적용된다고 가정할 수도 있다. UE는 추가적으로, UE-RS RE들의 제 2 세트가 UE에 대한 ePDCCH 디코딩에 대해 이용가능하면, 동일한 프리코딩이 안테나 포트 9 및 10에 대해 또한 적용된다고 가정할 수도 있다.다른 예에서, UE는, 안테나 포트 7과 연관된 다운링크 스케줄링을 위한 ePDCCH 및 안테나 포트 9를 이용한 업링크 스케줄링을 위한 ePDCCH를 수신할 수도 있다. UE는, 동일한 프리코딩이 2개의 ePDCCH 송신들에 대한 안테나 포트 7 및 안테나 포트 9에 대해 적용된다고 가정할 수도 있다. 동일한 PRG의 동일한 PRB 쌍 또는 PRB 쌍들에서의 2개 또는 그 초과의 ePDCCH 송신들이 UE로 송신되는지 아닌지를 결정하기 위해, UE는 병렬 또는 직렬 방식으로 ePDCCH 디코딩을 수행할 수도 있다. 병렬 디코딩에서, UE는, 동일한 프리코딩이 2개 또는 그 초과의 안테나 포트들에 적용되도록 2개 또는 그 초과의 ePDCCH 송신들이 존재한다고 가정할 수도 있으며, 2개 또는 그 초과의 ePDCCH 송신들에 대한 디코딩을 동시에 수행할 수도 있다. 직렬 디코딩에서, UE는 하나의 안테나 포트를 이용한 ePDCCH 디코딩을 먼저 수행할 수도 있으며, 적어도 하나의 성공적인 ePDCCH 디코딩 이후, UE는, 대응하는 안테나 포트들의 동일한 프리코딩을 가정하는 동일한 PRG의 동일한 PRB 쌍 또는 PRB 쌍들 내에서 부가적인 ePDCCH 디코딩을 추가적으로 수행할 수도 있다. ePDCCH 디코딩을 용이하게 하기 위해, eNB는, 동일한 UE에 대한 2개 또는 그 초과의 ePDCCH 송신들이 동일한 PRG의 동일한 PRB 쌍 또는 PRB 쌍들에 위치된다는 것을 보장할 수도 있다.동일한 UE에 대한 2개 또는 그 초과의 ePDCCH 송신들과 연관된 안테나 포트들의 가능한 결합들이 제한될 수 있다. 예를 들어, UE는, 안테나 포트들의 하나의 결합, 예를 들어, 7, 9만이 동일한 PRG의 동일한 PRB 쌍 또는 PRB 쌍들에서 동일한 UE에 대한 2개의 ePDCCH 송신들을 위해 사용될 수 있다고 가정할 수도 있다.일 구성에서, RB 내의 4개의 포트들이 필요하면, eNB는, (12개의 UE-RS RE들의 제 1 세트에 매핑되는) 안테나 포트들 7, 8, 11, 및 13을 사용하도록 구성될 수도 있으며, 따라서, 타겟 UE는 UE-RS RE들의 제 1 및 제 2 세트들 양자에 대해 동일한 프리코딩을 가정할 수도 있다. 대안적으로, eNB는 (12개의 UE-RS RE들의 제 2 세트에 매핑되는)안테나 포트들 9, 10, 12, 및 14를 사용하도록 구성될 수도 있으며, 따라서, 타겟 UE는 UE-RS RE들의 제 1 및 제 2 세트들 양자에 대해 동일한 프리코딩을 가정할 수도 있다.3개의 설계 대안들이 반드시 서로에 대해 배타적인 것은 아니다. 즉, 부가적인 예시적인 방법들은 제 1, 제 2, 및 제 3 예시적인 방법들 중 적어도 2개를 결합시킬 수도 있다. 예를 들어, 동일한 PRG에서 2개의 RB들을 이용한 PDSCH의 랭크 1 또는 랭크 2 송신에 대한 제 2 예시적인 방법 및 제 3 예시적인 방법의 결합이 사용될 수도 있으며, 여기서, 24개의 UE-RS RE들이 2개의 RB들의 각각에 존재하고, 12개의 RE들의 각각의 세트는 동일한 프리코더를 갖는다.도 8은, 리소스 블록들의 세트 내의 기준 신호 구성들에 대한 그리고 CSI-RS-기반 시간 트래킹을 위한 예시적인 방법들을 설명하기 위한 다이어그램들(800, 802, 및 804)을 도시한다. 리소스 블록들의 세트는, 포트들 1, 2, 3, 및 4에 대한 공통 또는 셀-특정 기준 신호들(CRS), 복조 기준 신호들(DM-RS), 및 채널 상태 정보 기준 신호들(CSI-RS)을 포함할 수도 있다. 다이어그램(800)은 2개의 CSI-RS에 대한 구성을 도시하고, 다이어그램(802)은 4개의 CSI-RS에 대한 구성을 도시하며, 다이어그램(804)은 8개의 CSI-RS에 대한 구성을 도시한다. 물리 다운링크 제어 채널(PDCCH) 및 PDSCH가 또한 도시된다. CSI-RS에 대해, CSI-RS 포트 당 하나의 RE 그리고 CSI-RS 리소스들의 세트 당 최대 8개의 CSI-RS 포트들이 존재한다. 현재, CSI-RS는 5ms의 가장 작은 주기를 갖는다(많아봐야 매 5ms마다 일회 제공됨). 통신 시스템(예를 들어, LTE Rel-11)에서, 타겟 UE는 CSI-RS 리소스들의 2개 또는 그 초과의 세트들을 이용하여 구성될 수도 있다. 예를 들어, 타겟 UE가 CSI-RS 리소스들의 2개의 세트들을 이용하여 구성되고 각각의 세트가 8개의 CSI-RS 포트들을 포함하면, 타겟 UE는 16개의 CSI-RS 포트들을 이용하여 구성될 수도 있다.제 4 예시적인 방법에서, 타겟 UE는, 더 작은 수(예를 들어, 4)의 요구된 CSI-RS 포트들이 존재하더라도, 그것이 8개의 CSI-RS 포트들을 이용하여 구성된다고 가정할 수도 있다. CSI-RS가 프리코딩되면, 동일한 프리코딩이 부가적으로 가정된 CSI-RS 포트들에 적용될 수 있다. 부가적으로, eNB는 2개 또는 그 초과의 CSI-RS 리소스 세트들의 근접도를 브로드캐스팅할 수 있다. 통상적으로, 타겟 UE에 대한 CSI-RS 리소스들의 2개 또는 그 초과의 구성된 세트들은, 물리적으로 콜로케이트(collocate)되지 않을 수 있는 (예를 들어, CoMP에서) 상이한 셀들에 속할 수도 있다. 그러나, 2개 또는 그 초과의 셀들이 타겟 UE에 대해 대략적으로 동일한 거리를 가져서, 셀들이 타겟 UE 수신에서 (전파 지연, 중계기 지연 등을 포함함) 대략적으로 동일한 다운링크 타이밍을 갖는다면, 타겟 UE는 개선된 시간 트래킹을 위해 2개 또는 그 초과의 CSI-RS 세트들을 안전하게 결합시킬 수 있다. 그렇지 않으면, 2개 또는 그 초과의 CSI-RS 세트들이 타겟 UE 수신에서 상이한 다운링크 타이밍들을 가질 수도 있으므로, 타겟 UE는 시간 트래킹을 위해 2개 또는 그 초과의 CSI-RS 세트들을 결합시키지 않을 수도 있다. 2개 또는 그 초과의 CSI-RS 세트들의 근접도를 타겟 UE에 통지함으로써, 타겟 UE는 시간 트래킹을 위해 적절한 작동을 취할 수 있다.가정된 부가적인 CSI-RS는 협대역일 수도 있다. 따라서, 타겟 UE는, 부가적인 CSI-RS가 CSI-RS를 반송하는 서브프레임들의 서브세트에만 존재한다고 가정할 수도 있다. 그러므로, CSI 피드백을 위한 광대역 CSI-RS의 하나의 세트 및 시간 트래킹을 위한 (할당된 PDSCH 대역폭에만 로컬화된) 협대역 CSI-RS의 상이한 세트가 존재할 수도 있다. 레거시 UE들과의 백워드 호환가능성에 대해, eNB는 레거시 UE들에 대한 뮤팅(mute)된 RE들로서 CSI-RS의 제 2 세트를 브로드캐스팅할 필요가 있을 수도 있다. 예시적인 방법들은 또한, PDSCH/ePDCCH에 대한 채널 추정 또는 다른 기능들에 적용될 수도 있다. 접근법들에 기초한 UE-RS와 CSI-RS의 결합들이 또한 가능하다.도 9는 예시적인 방법들을 예시하기 위한 다이어그램(900)이다. 제 1 구성에서, eNB(902)는 다운링크 할당(909)에서 UE(904)에 할당될 수 있는 RB들의 수를 N보다 크거나 N과 동일하도록 제한하며, 여기서, N＞1(예를 들어, N＝2)이다. eNB(902)는 다운링크 할당(909)에 대응하는 다운링크 송신(910)을 UE(904)에 송신한다. eNB(902)는, 다운링크 송신(910)에 대한 변조 차수를 결정할 수도 있으며, 결정된 변조 차수에 기초하여 UE(904)에 할당될 수 있는 RB들의 수를 제한할지를 결정할 수도 있다. eNB(902)는, 변조 차수가 임계치보다 큰 경우(예를 들어, 1RB＋QPSK는 허용되지만, 1RB＋16-QAM은 허용되지 않음)에만 다운링크 할당(909)에서 UE(904)에 할당될 수 있는 RB들의 수를 2보다 크거나 2와 동일하도록 제한함으로써, 결정된 변조 차수에 기초하여 RB들의 수를 제한할 수도 있다. 다운링크 송신(910) 내의 복수의 RB들 내의 UE-RS 및/또는 CSI-RS에 기초하여, UE(904)는 시간 트래킹(912)을 수행한다.제 2 구성에서, UE(904)는 eNB(902)로부터의 송신(910)에서 복수의 RB들을 수신한다. 복수의 RB들은 PRG를 포함한다. UE(904)는, PRG에서의 RB들의 송신을 위한 가정된 동일한 프리코딩에 기초하여 UE-RS를 디코딩한다. UE(904)는 PRG에서의 디코딩된 UE-RS에 기초하여 시간 트래킹(912)을 수행한다. UE(904)는, CoMP 송신을 지원하는 송신 모드(예를 들어, 송신 모드 9)를 사용하여 송신(910)을 수신하기 위해 eNB(902)로부터 구성을 수신할 수도 있다.제 3 구성에서, UE(904)는 송신(910)에서 적어도 하나의 RB를 수신한다. 적어도 하나의 RB의 각각은 UE-RS의 제 1 세트(예를 들어, 12개의 UE-RS RE들을 포함하는 UE-RS(702))를 포함한다. UE(904)는, 적어도 하나의 RB 중 일 RB가 UE-RS의 제 2 세트(예를 들어, 12개의 UE-RS RE들을 포함하는 UE-RS(704))를 포함하는지를 결정한다. UE(904)는, UE-RS의 제 1 세트에 기초하여 그리고 RB가 UE-RS의 제 2 세트를 포함하는 것으로 결정되는 경우 UE-RS의 제 2 세트에 기초하여 시간 트래킹(912)을 수행한다. UE(904)는, 적어도 하나의 RB가 RB만을 포함하는 경우에만 적어도 하나의 RB 중 일 RB가 UE-RS의 제 2 세트를 포함하는지를 결정할 수도 있다. 즉, UE(904)는, 임계치 수 미만의 RB들(예를 들어, 2개의 RB들)이 수신되는 경우에만 UE-RS의 제 2 세트가 다운링크 송신에 포함되는지를 (예를 들어, 블라인드 검출 또는 명시적인 시그널링을 통해) 결정할 수도 있다. 송신(910)은 랭크 1 송신 또는 랭크 2 송신일 수도 있다. UE-RS의 제 1 세트는 UE(904)에 대해 의도될 수도 있고, UE-RS의 제 2 세트는 다른 UE(예를 들어, UE(908))들에 대해 의도될 수도 있거나 어떤 다른 UE들에 대해서도 의도되지 않을 수도 있다. UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트는 상이한 프리코딩을 가질 수도 있으며, 따라서, UE-RS의 제 2 세트는 UE(908)와 같은 다른 UE에 대해 의도될 수도 있다. 물론, UE-RS의 제 2 세트가 어떤 다른 UE들에 대한 것이 아니더라도, eNB는 UE-RS의 제 1 세트에 대해 사용된 것과는 상이한 프리코딩을 이용하여 UE-RS의 제 2 세트를 송신할 수도 있다. UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트는 동일한 프리코딩을 가질 수도 있다. UE(904)는, 적어도 하나의 RB 중 일 RB가 블라인드 검출을 수행함으로써 UE-RS의 제 2 세트를 포함하는지를 결정할 수도 있다. UE(904)는, 적어도 하나의 RB 중 일 RB가 UE-RS의 제 2 세트를 포함하는지를 표시하는 정보를 eNB(902)로부터 수신함으로써, 적어도 하나의 RB 중 일 RB가 UE-RS의 제 2 세트를 포함하는지를 결정할 수도 있다.제 4 구성에서, eNB(902)는 랭크 1 송신 또는 랭크 2 송신 중 하나를 수신하도록 UE(904)를 구성한다. eNB(902)는 RB를 UE(904)에 송신한다. RB는 UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트를 포함한다. UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 중 하나는 UE(904)에 대해 의도된다. UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 중 다른 하나는 다른 UE(예를 들어, UE(908))에 대해 의도되거나 어떤 다른 UE들에 대해서도 의도되지 않는다. 총 24개의 UE-RS에 대해, UE-RS의 제 1 세트는 12개의 UE-RS를 포함할 수도 있고, UE-RS의 제 2 세트는 12개의 UE-RS를 포함할 수도 있다. eNB(902)는 RB들의 세트를 이용하여 RB를 송신할 수도 있고, eNB(902)는, RB들의 세트 내의 RB들의 수가 임계치 수보다 작은 경우 (예를 들어, 2) 적어도 하나의 UE-RS를 이용하여 UE-RS의 제 2 세트를 송신할 수도 있다. eNB(902)는 UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트에 대해 동일한 프리코딩을 사용할 수도 있다. eNB(902)는 UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트에 대해 상이한 프리코딩을 사용할 수도 있으며, 따라서, UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 중 다른 하나는 UE(908)와 같은 다른 UE에 대한 것이다. eNB(902)는, 4개의 안테나 포트들을 이용하여 RB를 송신하고, 안테나 포트들 7, 8, 11, 및 13을 포함하기 위해 4개의 안테나 포트들을 선택하는 것으로 결정할 수도 있다. 안테나 포트들 7, 8, 11, 및 13은 UE-RS의 제 1 세트로의 UE-RS의 매핑을 제공할 수도 있다. UE-RS의 제 1 세트는 UE(904)에 대한 것일 수도 있고, UE-RS의 제 2 세트는 어떤 다른 UE들에 대한 것이 아닐 수도 있으며, eNB(902)는, UE(904)가 UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 양자에 기초하여 시간 트래킹을 수행할 수 있도록 RB에서 UE-RS의 제 2 세트를 포함할 수도 있다. eNB(902)는, 4개의 안테나 포트들을 이용하여 RB를 송신하고, 안테나 포트들 9, 10, 12, 및 14를 포함하기 위해 4개의 안테나 포트들을 선택하는 것으로 결정할 수도 있다. 안테나 포트들 9, 10, 12, 및 14는 UE-RS의 제 2 세트로의 UE-RS의 매핑을 제공할 수도 있다. UE-RS의 제 2 세트는 UE(904)에 대한 것일 수도 있고, UE-RS의 제 1 세트는 어떤 다른 UE들에 대한 것이 아닐 수도 있으며, eNB(902)는, UE(904)가 UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 양자에 기초하여 시간 트래킹을 수행할 수 있도록 RB에서 UE-RS의 제 1 세트를 포함할 수도 있다.제 5 구성에서, UE(904)는 적어도 하나의 RB의 각각의 RB에서 제 1 수의 CSI-RS 포트들(예를 들어, 4개의 CSI-RS 포트들)을 이용하여 적어도 하나의 RB를 수신하기 위한 구성을 수신한다. UE(904)는 송신(910)에서 적어도 하나의 RB를 수신한다. UE(904)는, 적어도 하나의 RB 중 일 RB가 제 1 수의 CSI-RS 포트들보다 큰 제 2 수의 CSI-RS 포트들(예를 들어, 8개의 CSI-RS 포트들)을 포함한다고 가정한다. UE(904)는, 가정된 제 2 수의 CSI-RS 포트들에 대응하는 RE들 내의 신호들에 기초하여 시간 트래킹(912)을 수행한다. UE(904)는, 적어도 하나의 RB가 임계치 수 미만(예를 들어, 8개)의 RB들을 포함하고 CSI-RS 포트들의 제 1 수가 CSI-RS 포트들의 임계치 수보다 작을 경우, RB가 제 2 수의 CSI-RS 포트들을 포함한다고 가정할 수도 있다. 제 2 수의 CSI-RS 포트들은, eNB(902)에 의해 송신된 CSI-RS 포트들의 제 1 세트, 및 제 2 eNB(906)에 의해 송신된 CSI-RS 포트들의 제 2 세트를 적어도 포함한다. UE(904)는, eNB(902) 및 eNB(906)의 각각으로부터의 거리, eNB(902) 및 eNB(906)의 각각으로부터의 전파 시간, eNB(902) 및 eNB(906)로부터의 거리 사이의 관계, 또는 eNB(902) 및 eNB(906)로부터의 전파 시간 사이의 관계 중 하나를 표시하는 근접도 정보를 eNB(902)로부터 수신할 수도 있다. UE(904)는, 수신된 근접도 정보에 기초하여 시간 트래킹(912)을 수행할 수도 있다.제 6 구성에서, eNB(902)는 제 1 수의 CSI-RS 포트들을 수신하도록 UE(904)를 구성한다. eNB(902)는, 제 1 수의 CSI-RS 포트들보다 큰 제 2 수의 CSI-RS 포트들을 포함하는 RB를 UE(904)에 송신한다. 제 2 수의 CSI-RS 포트들은 UE(904)에 의한 개선된 시간 트래킹을 가능하게 한다. 제 1 수의 CSI-RS 포트들은 CSI-RS 포트들의 제 1 세트에 대응할 수도 있고, 제 2 수의 CSI-RS 포트들 내의 부가적인 CSI-RS 포트들은 CSI-RS 포트들의 제 2 세트에 대응할 수도 있으며, 송신된 RB 내의 CSI-RS 포트들의 제 1 세트 및 CSI-RS 포트들의 제 2 세트에 동일한 프리코딩이 적용될 수도 있다. eNB(902)는 근접도 정보를 UE(904)에 송신할 수도 있다. 근접도 정보는, UE(904)와 eNB(902) 사이의 거리 및 UE(904)와 제 2 eNB(906) 사이의 거리, eNB(902)로부터 UE(904)로의 그리고 제 2 eNB(906)로부터 UE(904)로의 전파 시간, eNB(902) 및 제 2 eNB(906)으로부터의 거리 사이의 관계, 또는 eNB(902) 및 제 2 eNB(906)으로부터의 전파 시간 사이의 관계 중 하나를 포함할 수도 있다. 제 1 수의 CSI-RS 포트들은 제 1 구성에 대응할 수도 있고, 제 1 수의 CSI-RS 포트들과 비교하여 제 2 수의 CSI-RS 포트들 내의 부가적인 CSI-RS 포트들은 제 2 구성에 대응할 수도 있으며, eNB(902)는 제 1 구성에만 대응하는 CSI-RS 포트들을 포함하는 제 2 RB를 송신할 수도 있다.제 7 구성에서, UE(904)는 적어도 하나의 RB에서 UE-RS 및 CSI-RS를 수신하고, 수신된 UE-RS 및 CSI-RS에 기초하여 시간 트래킹(912)을 수행한다.UE-RS 기반 타이밍 추정CoMP(coordinated multipoint) Tx/Rx에서, 제어 및 데이터는 상이한 셀들로부터 도래할 수도 있다. 따라서, 제어 및 데이터 송신들 사이에 타이밍 차이가 존재할 수도 있다. CRS가 시간 트래킹을 수행하는데 사용되면, 제어 채널이 트래킹될 수도 있고, 정확한 타이밍을 가질 수도 있다. 그러나, 데이터 채널의 타이밍은 오정렬될 수도 있다. 따라서, CRS의 사용은 그러한 시나리오에서 시간 트래킹에 적절하지 않을 수도 있다.일 양상에서, UE-RS는 시간 트래킹을 개선시키는데 사용될 수도 있다. UE-RS가 데이터에 속박되어 있기 때문에, UE-RS 신호는 데이터 채널에 대한 타이밍을 측정하는데 사용될 수도 있다. 안테나 포트들 7 및 8을 통한 송신들이 상이한 타이밍을 가질 경우, UE-RS에 기초한 시간 트래킹이 적용될 수도 있다.원리적으로, 시간 도메인에서의 채널의 타이밍 에러 △t는 주파수 도메인에서의 위상 램핑(ramp)에 대응한다. 채널 h는,와 같은 수학식에 의해 정의될 수도 있으며, 여기서, h0는 본래의 채널이고, k는 리소스 블록(RB) 인덱스이고, m은 심볼 인덱스이고, n은 톤 인덱스이며, n0는 가산 화이트 가우시안 잡음(AWGN) 컴포넌트이다.도 10은 서브프레임에서 안테나 포트들 7 및 8을 통해 수신된 UE-RS 신호들의 포지션들을 도시한 다이어그램(1000)이다. 본래의 UE-RS 신호는 x로서 정의될 수도 있으며, 여기서, x는 하나의 리소스 상에서 멀티플렉싱된 안테나 포트 7 및 안테나 포트 8 송신들을 갖는 멀티플렉싱된 신호이다. 안테나 포트 7 및 안테나 포트 8 송신들은 동일하거나 상이한 위상 램핑을 가질 수도 있다. 리소스 쌍(예를 들어, 동일한 톤을 갖고 동일한 RB 내의 인접한 OFDM 심볼들의 쌍 또는 리소스)에 대해, 각각의 리소스는 다음의 수학식들, 즉에 의해 정의된 멀티플렉싱된 안테나 포트 7 및 안테나 포트 8 송신들을 갖는 본래의 UE-RS 신호 x를 수신할 수도 있으며, 여기서, x1은 리소스 쌍의 제 1 리소스에서 수신된 본래의 UE-RS 신호이고, x2는 리소스 쌍의 제 2 리소스에서 수신된 본래의 UE-RS 신호이고, k는 리소스 블록(RB) 인덱스이고, m은 심볼 인덱스이고, n은 톤 인덱스이고, h_P7은 안테나 포트 7 송신이며, h_P8은 안테나 포트 8 송신이다.본래의 UE-RS 신호 x가 수신된 이후, x는 디멀티플렉싱되거나 역확산될 수도 있다. y는 역확산 이후의 수신된 UE-RS 신호로서 정의될 수도 있다. 상기 수학식들 (2) 및 (3)을 참조하면, 리소스 쌍에 대해, 각각의 리소스 내의 y의 값은 다음의 수학식들, 즉에 의해 결정되며, 여기서, y1은 리소스 쌍의 제 1 리소스 내의 역확산된 UE-RS 신호의 값이고, y2는 리소스 쌍의 제 2 리소스 내의 역확산된 UE-RS 신호의 값이다. 예를 들어, 도 10에서, 리소스들(1002 및 1008)의 쌍에 대해, y1은 리소스(1002) 내의 역확산된 UE-RS 신호의 값이고, y2는 리소스(1008) 내의 역확산된 UE-RS 신호의 값이다.도 10을 참조하면, 본래의 UE-RS 신호가 역확산된 이후, 각각의 RB 내의 총 6개의 y 값들(즉, 6개의 역확산된 UE-RS 신호 값들)이 결정될 수도 있다. 예를 들어, RB1에서, y 값들은 OFDM 심볼(5) 내의 리소스들(1002, 1004, 및 1006)에서 그리고 OFDM 심볼(6) 내의 리소스들(1008, 1010, 및 1012)에서 결정될 수도 있다. RB2에서, y 값들은 OFDM 심볼(5) 내의 리소스들(1014, 1016, 및 1018)에서 그리고 OFDM 심볼(6) 내의 리소스들(1020, 1022, 및 1024)에서 결정될 수도 있다. 따라서, RB들 1 및 2를 포함하는 서브프레임은 총 12개의 y 값들을 가질 수도 있다.또한, 역확산된 UE-RS 신호 값들은 특정한 안테나 포트의 채널 추정을 위해 사용될 수도 있다. 예를 들어, 도 10을 참조하면, RB1의 OFDM 심볼(5) 내의 리소스들(1002, 1004, 및 1006)에서의 UE-RS 신호 값들, 및 RB2의 OFDM 심볼(5) 내의 리소스들(1014, 1016, 및 1018)에서의 UE-RS 신호 값들은 안테나 포트 7에 대한 채널 추정을 위해 사용될 수도 있다. 또한, RB1의 OFDM 심볼(6) 내의 리소스들(1008, 1010, 및 1012)에서의 UE-RS 신호 값들, 및 RB2의 OFDM 심볼(6) 내의 리소스들(1020, 1022, 및 1024)에서의 UE-RS 신호 값들은 안테나 포트 8에 대한 채널 추정을 위해 사용될 수도 있다.도 10에서, OFDM 심볼 내에서, 각각의 UE-RS 신호가 5개의 톤들의 거리에 의해 가장 근접하게 인접한 UE-RS 신호로부터 분리됨을 유의한다. 일 양상에서, (위상 램핑없는) 본래의 채널 h0가 OFDM 심볼 내의 2개의 인접한 UE-RS 신호 값들(75kHz의 코히런트 대역폭)에 걸쳐 일정하다고 가정된다. 따라서, 이며, 여기서, k는 리소스 블록(RB) 인덱스이고, m은 심볼 인덱스이며, n은 톤 인덱스이다.또한, 각각의 OFDM 심볼에서, 동일한 것으로 가정된 3개의 UE-RS 신호 값들이 존재하며, 여기서, 3개의 UE-RS 신호 값들은 2개의 쌍들에 대응한다. 예를 들어, 도 10에서, RB1의 OFDM 심볼(5) 내의 리소스들(1002, 1004, 및 1006)에서의 UE-RS 신호 값들은 동일한 것으로 가정되고, 2개의 쌍들에 대응한다. 제 1 쌍은, 리소스(1002)에서 제 1 UE-RS 신호값 및 리소스(1004)에서 제 2 UE-RS 신호값을 포함할 수도 있다. 제 2 쌍은, 리소스(1004)에서 제 2 UE-RS 신호값 및 리소스(1006)에서 제 3 UE-RS 신호값을 포함할 수도 있다. 유사한 페어링(pairing) 구성이 RB1의 OFDM 심볼(6) 및 RB2의 OFDM 심볼들(5 및 6)에서의 UE-RS 신호값들에 적용된다.각각의 쌍 내의 본래의 채널 h0이 일정하다고 가정되고, 제 1 쌍의 제 1 및 제 2 UE-RS 신호 값들 사이에 어떤 타이밍 에러도 존재하지 않으면, 채널은 동일하다. 또한, 제 2 쌍의 제 2 및 제 3 UE-RS 신호 값들 사이에 어떤 타이밍 에러도 존재하지 않으면, 채널은 동일하다. 따라서, 다음의 수학식, 즉에 의해 정의된 OFDM 심볼 내의 y 값들 사이에서 접속이 도출(draw)될 수도 있으며, 여기서, k는 리소스 블록(RB) 인덱스이고, m은 심볼 인덱스이고, n은 톤 인덱스이며, 은 잡음 컴포넌트이다. 수학식 (6)은 타이밍 추정을 수행하는데 사용될 수도 있다. 예를 들어, 수학식 (6)으로부터, 최대 비율 결합기(MRC)가 y로부터 주파수 램핑항(ramping term)을 추정(예를 들어, 샘플을 구성)하는데 사용될 수도 있다.일 구성에서, UE(904)는 송신에서 적어도 하나의 리소스 블록들을 수신하며, 적어도 하나의 리소스 블록들의 각각은 제 1 안테나 포트와 연관된 UE-기준 신호들(UE-RS)의 제 1 그룹을 포함한다. 그 후, UE(904)는, 적어도 하나의 리소스 블록들이 하나 또는 그 초과의 다른 안테나 포트들과 연관된 UE-RS의 제 2 그룹을 포함하는지를 결정하고, UE-RS의 제 1 그룹에 기초하여 그리고 적어도 하나의 리소스 블록들이 UE-RS의 제 2 그룹을 포함하는 것으로 결정되는 경우 UE-RS의 제 2 그룹에 추가적으로 기초하여, 수신된 적어도 하나의 리소스 블록들을 프로세싱한다. 송신은 제어 채널 송신, 데이터 채널 송신, 또는 이들의 결합과 연관될 수도 있다.UE(904)는, 채널 추정 또는 타이밍 추정 중 적어도 하나를 수행하기 위해 다수의 샘플들을 구성함으로써, 수신된 적어도 하나의 리소스 블록들을 프로세싱할 수도 있다. UE-RS의 제 1 그룹 및 UE-RS의 제 2 그룹은, 동일한 주파수-시간 리소스들을 공유하는 코드 도메인에서 멀티플렉싱될 수도 있다. 또한, UE-RS의 제 1 그룹 및 UE-RS의 제 2 그룹은 직교 주파수-시간 리소스들에서 송신될 수도 있다. 또한, 동일한 프리코딩이 UE-RS의 제 1 그룹 및 UE-RS의 제 2 그룹에 적용될 수도 있다.다운링크 제어 정보(DCI)가 랭크 2 송신 또는 랭크 2보다 큰 송신을 시그널링하면, 제 1 안테나 포트 및 하나 또는 그 초과의 안테나 포트들로부터의 송신은 동일한 이벌브드 노드 B(eNB)로부터 도래하며, 따라서 공통 위상 램핑을 갖는다. 따라서, UE(904)는, 적어도 하나의 리소스 블록들이 UE-RS의 제 2 그룹을 포함하며, 적어도 하나의 리소스 블록들의 각각에 대해, 제 1 안테나 포트와 연관된 UE-RS의 제 1 그룹에 기초하여 샘플들을 구성하고, 하나 또는 그 초과의 다른 안테나 포트들과 연관된 UE-RS의 제 2 그룹에 기초하여 샘플들을 구성한다고 결정한다. 그 후, UE(904)는, UE-RS의 제 1 그룹에 기초하여 그리고 UE-RS의 제 2 그룹에 기초하여, 결합된 샘플들을 프로세싱함으로써, 수신된 적어도 하나의 리소스 블록들을 프로세싱한다.DCI가 랭크 1 송신을 시그널링하면, UE(904)는, 송신이 단일-사용자 송신인지 멀티-사용자 송신인지를 결정한다. UE(904)는, 단일-사용자 송신과 멀티-사용자 송신 사이를 구별하기 위해 단일-사용자/멀티-사용자 검출기를 이용할 수도 있다. 그렇지 않으면, UE(904)는, 단일-사용자 송신 또는 멀티-사용자 송신을 표시하는 (eNB로부터 수신된) 비트에 따라 송신을 단일-사용자 송신 또는 멀티-사용자 송신인 것으로 결정할 수도 있다.UE(904)가 송신을 단일-사용자 송신인 것으로 결정하는 경우, UE(904)는, 적어도 하나의 리소스 블록들이 제 2 안테나 포트와 연관된 UE-RS의 제 2 그룹을 포함하지 않는다고 결정한다. 따라서, UE(904)는, 적어도 하나의 리소스 블록들의 각각에 대해 제 1 안테나 포트와 연관된 UE-RS의 제 1 그룹에 기초하여 샘플들을 구성한다. 그 후, UE(904)는, 제 1 안테나 포트와 연관된 UE-RS의 제 1 그룹에 기초하여, 구성된 샘플들을 프로세싱함으로써, 수신된 적어도 하나의 리소스 블록들을 프로세싱한다.UE(904)가 송신을 멀티-사용자 송신인 것으로 결정하는 경우, UE(904)는, 적어도 하나의 리소스 블록들이 제 2 안테나 포트와 연관된 UE-RS의 제 2 그룹을 포함한다고 결정한다. 여기서, 제 1 안테나 포트 및 제 2 안테나 포트를 통해 수신된 송신들은 상이한 eNB들로부터 도래할 수도 있으며, 따라서, 상이한 위상 램핑을 가질 수도 있다. 그러므로, 송신들이 결합될 수 없기 때문에, 제 1 안테나 포트 및 제 2 안테나 포트와 연관된 송신들은 별개로 추정되어야 한다. 따라서, UE(904)는, UE-RS의 제 1 그룹 및 UE-RS의 제 2 그룹이 동일한 eNB로부터 또는 상이한 eNB들로부터 수신되는지를 추가적으로 결정한다. UE(904)는, UE-RS의 제 1 그룹 및 UE-RS의 제 2 그룹이 동일한 eNB로부터 또는 상이한 eNB들로부터 수신되는지를 결정하기 위해 단일-사용자/멀티-사용자 검출기를 이용할 수도 있다.UE-RS의 제 1 그룹 및 UE-RS의 제 2 그룹이 동일한 eNB로부터 수신되는 경우, UE(904)는, 적어도 하나의 리소스 블록들의 각각에 대해, 제 1 안테나 포트와 연관된 UE-RS의 제 1 그룹에 기초하여 샘플들을 구성하고, 제 2 안테나 포트와 연관된 UE-RS의 제 2 그룹에 기초하여 샘플들을 구성한다. 그 후, UE(904)는, UE-RS의 제 1 그룹에 기초하여 그리고 UE-RS의 제 2 그룹에 기초하여, 결합된 샘플들을 프로세싱함으로써, 수신된 적어도 하나의 리소스 블록들을 프로세싱한다.UE-RS의 제 1 그룹 및 UE-RS의 제 2 그룹이 상이한 eNB들로부터 수신되는 경우, UE(904)는, 적어도 하나의 리소스 블록들의 각각에 대해, 제 1 안테나 포트와 연관된 UE-RS의 제 1 그룹에 기초하여 샘플들을 구성한다. 그 후, UE(904)는, 제 1 안테나 포트와 연관된 UE-RS의 제 1 그룹에 기초하여, 구성된 샘플들을 프로세싱함으로써, 수신된 적어도 하나의 리소스 블록들을 프로세싱한다.대안적으로, UE-RS의 제 1 그룹 및 UE-RS의 제 2 그룹이 상이한 eNB들로부터 수신되는 경우, UE(904)는, 적어도 하나의 리소스 블록들의 각각에 대해, 제 2 안테나 포트와 연관된 UE-RS의 제 2 그룹에 기초하여 샘플들을 구성한다. 그 후, UE(904)는, 제 2 안테나 포트와 연관된 UE-RS의 제 2 그룹에 기초하여, 구성된 샘플들을 프로세싱함으로써, 수신된 적어도 하나의 리소스 블록들을 프로세싱한다.도 11은 무선 통신의 방법의 흐름도(1100)이다. 방법은 eNB에 의해 수행될 수도 있다. 단계(1102)에서, eNB는 다운링크 송신을 위한 변조 차수를 결정할 수도 있다.단계(1104)에서, eNB는, 다운링크 할당에서 사용자 장비(UE)에 할당될 수 있는 리소스 블록들의 수를 N보다 크거나 N과 동일하도록 제한하며, 여기서, N은 1보다 크다. 제한은 결정된 변조 차수에 기초할 수도 있다. 예를 들어, eNB는, 변조 차수가 임계치보다 큰 경우에만, 다운링크 할당에서 UE에 할당될 수 있는 리소스 블록들의 수를 2보다 크거나 2와 동일하도록 제한할 수도 있다.단계(1106)에서, eNB는 다운링크 할당에 대응하는 다운링크 송신을 UE에 송신한다.도 12는 무선 통신의 방법의 흐름도(1200)이다. 방법은 UE에 의해 수행될 수도 있다. 단계(1202)에서, UE는, CoMP(cooperative multipoint) 송신을 지원하는 송신 모드를 사용하여 송신을 수신하기 위한 구성을 수신할 수도 있다.단계(1204)에서, UE는 송신에서 복수의 리소스 블록들을 수신한다. 복수의 리소스 블록들은 프리코딩 리소스 블록 그룹(PRG)을 포함할 수도 있다.단계(1206)에서, UE는, PRG에서의 리소스 블록들의 송신을 위한 가정된 동일한 프리코딩에 기초하여 사용자 장비 특정 기준 신호들(UE-RS)을 디코딩한다. 그 후, 단계(1208)에서, UE는 PRG 내의 디코딩된 UE-RS에 기초하여 시간 트래킹을 수행한다.도 13은 무선 통신의 방법의 흐름도(1300)이다. 방법은 UE에 의해 수행될 수도 있다. 단계(1302)에서, UE는 송신에서 적어도 하나의 리소스 블록을 수신한다. 송신은, 랭크 1 송신 또는 랭크 2 송신일 수도 있다. 적어도 하나의 리소스 블록의 각각은 사용자 장비 특정 기준 신호들(UE-RS)의 제 1 세트를 포함할 수도 있다.단계(1304)에서, UE는, 적어도 하나의 리소스 블록 중 일 리소스 블록이 UE-RS의 제 2 세트를 포함하는지를 결정한다. 일 양상에서, 적어도 하나의 리소스 블록 중 리소스 블록이 UE-RS의 제 2 세트를 포함하는지의 결정은, 적어도 하나의 리소스 블록이 리소스 블록만을 포함하는 경우에만 수행된다. 다른 양상에서, 결정은, 리소스 블록이 UE-RS의 제 2 세트를 포함하는지를 결정하기 위해 블라인드 검출을 수행하는 것을 포함한다. 추가적인 양상에서, 결정은, 리소스 블록이 UE-RS의 제 2 세트를 포함하는지를 표시하는 정보를 eNB로부터 수신하는 것을 포함한다.단계(1306)에서, UE는, UE-RS의 제 1 세트에 기초하여 그리고 리소스 블록이 UE-RS의 제 2 세트를 포함하는 것으로 결정되는 경우 UE-RS의 제 2 세트에 기초하여 시간 트래킹을 수행한다.일 양상에서, 송신은 UE에 대해 의도될 수도 있고, UE-RS의 제 1 세트는 UE에 대해 의도될 수도 있으며, UE-RS의 제 2 세트는 다른 UE에 대해 의도될 수도 있거나, 어떤 다른 UE들에 대해서도 의도되지 않을 수도 있다. 따라서, UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트는 상이한 프리코딩을 가질 수도 있다. 대안적으로, UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트는 동일한 프리코딩을 가질 수도 있다.도 14는 무선 통신의 방법의 흐름도(1400)이다. 방법은 eNB에 의해 수행될 수도 있다. 단계(1402)에서, eNB는, 랭크 1 송신 또는 랭크 2 송신 중 하나를 수신하도록 사용자 장비(UE)를 구성한다.단계(1404)에서, eNB는 4개의 안테나 포트들을 이용하여 리소스 블록을 송신하는 것으로 결정한다. 단계(1406)에서, eNB는 4개의 안테나 포트들을 선택한다. 선택된 4개의 안테나 포트들은 안테나 포트들 7, 8, 11, 및 13일 수도 있다. 대안적으로, 선택된 4개의 안테나 포트들은 안테나 포트들 9, 10, 12, 및 14일 수도 있다.단계(1408)에서, eNB는 리소스 블록을 UE에 송신한다. 리소스 블록은, 사용자 장비 특정 기준 신호들(UE-RS)의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트를 포함할 수도 있다. UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 중 하나는 UE에 대해 의도될 수도 있다. UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 중 다른 하나는 다른 UE에 대해 의도될 수도 있거나 어떤 다른 UE들에 대해서도 의도되지 않을 수도 있다.총 24개의 UE-RS에 대해, UE-RS의 제 1 세트는 12개의 UE-RS를 포함할 수도 있고, UE-RS의 제 2 세트는 12개의 UE-RS를 포함할 수도 있다. 리소스 블록은 리소스 블록들의 세트로 송신될 수도 있다. 또한, 리소스 블록들의 세트 내의 리소스 블록들의 수가 임계치 수보다 작은 경우, UE-RS의 제 2 세트는 적어도 하나의 UE-RS를 포함할 수도 있다.일 양상에서, 동일한 프리코딩이 UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트에 대해 사용될 수도 있다. 대안적으로, 상이한 프리코딩이 UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트에 대해 사용될 수도 있으며, 여기서, UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 중 다른 하나는 다른 UE에 대해 의도될 수도 있다.추가적인 양상에서, 안테나 포트들 7, 8, 11, 및 13은 UE-RS의 제 1 세트로의 UE-RS의 매핑을 제공하며, 여기서, UE-RS의 제 1 세트는 UE에 대해 의도되고, UE-RS의 제 2 세트는 어떤 다른 UE들에 대해서도 의도되지 않는다. 따라서, eNB는, UE가 UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 양자에 기초하여 시간 트래킹을 수행할 수 있도록 리소스 블록에 UE-RS의 제 2 세트를 포함할 수도 있다.다른 양상에서, 안테나 포트들 9, 10, 12, 및 14는 UE-RS의 제 2 세트로의 UE-RS의 매핑을 제공하며, 여기서, UE-RS의 제 2 세트는 UE에 대해 의도되고, UE-RS의 제 1 세트는 어떤 다른 UE들에 대해서도 의도되지 않는다. 따라서, eNB는, UE가 UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 양자에 기초하여 시간 트래킹을 수행할 수 있도록 리소스 블록에 UE-RS의 제 1 세트를 포함할 수도 있다.도 15는 무선 통신의 방법의 흐름도(1500)이다. 방법은 UE에 의해 수행될 수도 있다. 단계(1502)에서, UE는 적어도 하나의 리소스 블록의 각각의 리소스 블록에서 제 1 수의 채널 상태 정보 기준 신호(CSI-RS) 포트들을 이용하여 적어도 하나의 리소스 블록을 수신하기 위한 구성을 수신한다. 단계(1504)에서, UE는 송신에서 적어도 하나의 리소스 블록을 수신한다.단계(1506)에서, UE는, 적어도 하나의 리소스 블록 중 일 리소스 블록이 제 1 수의 CSI-RS 포트들보다 큰 제 2 수의 CSI-RS 포트들을 포함한다고 가정한다. UE는, 적어도 하나의 리소스 블록이 임계치 수 미만의 리소스 블록들을 포함하고, 제 1 수의 CSI-RS 포트들이 임계치 수의 CSI-RS 포트들보다 작을 경우, 리소스 블록이 제 2 수의 CSI-RS 포트들을 포함한다고 가정한다.단계(1508)에서, UE는, 제 2 수의 CSI-RS 포트들이, 제 1 eNB에 의해 송신된 CSI-RS 포트들의 제 1 세트 및 제 2 eNB에 의해 송신된 CSI-RS 포트들의 제 2 세트를 적어도 포함하는지를 결정한다. 부정적인 결과에 기초하여, UE는, 가정된 제 2 수의 CSI-RS 포트들에 대응하는 리소스 엘리먼트들 내의 신호들에 기초하여 시간 트래킹을 수행하기 위해 단계(1512)로 진행한다.단계(1510)에서, 단계(1508)의 긍정적인 결과에 기초하여, UE는 서빙 eNB로부터 근접도 정보를 수신한다. 근접도 정보는, 제 1 eNB 및 제 2 eNB의 각각으로부터의 거리, 제 1 eNB 및 제 2 eNB의 각각으로부터의 전파 시간, 제 1 eNB 및 제 2 eNB로부터의 거리 사이의 관계, 또는 제 1 eNB 및 제 2 eNB로부터의 전파 시간 사이의 관계 중 하나를 표시할 수도 있다. 그 후, 단계(1512)에서, UE는 수신된 근접도 정보에 추가적으로 기초하여 시간 트래킹을 수행한다.도 16은 무선 통신의 방법의 흐름도(1600)이다. 방법은 eNB에 의해 수행될 수도 있다. 단계(1602)에서, eNB는 제 1 수의 채널 상태 정보 기준 신호(CSI-RS) 포트들을 수신하도록 사용자 장비(UE)를 구성한다.단계(1604)에서, eNB는, 제 1 수의 CSI-RS 포트들보다 큰 제 2 수의 CSI-RS 포트들을 포함하는 리소스 블록을 UE에 송신한다. 제 2 수의 CSI-RS 포트들은 UE에 의한 개선된 시간 트래킹을 가능하게 한다. 일 양상에서, 제 1 수의 CSI-RS 포트들은 CSI-RS 포트들의 제 1 세트에 대응하고, 제 2 수의 CSI-RS 포트들 내의 부가적인 CSI-RS 포트들은 CSI-RS 포트들의 제 2 세트에 대응하며, 송신된 리소스 블록 내의 CSI-RS 포트들이 제 1 세트 및 CSI-RS 포트들이 제 2 세트에 동일한 프리코딩이 적용된다.단계(1606)에서, eNB는 UE에 근접도 정보를 송신한다. 근접도 정보는, UE와 eNB 사이의 거리 및 UE와 제 2 eNB 사이의 거리, eNB로부터 UE로의 그리고 제 2 eNB로부터 UE로의 전파 시간, eNB 및 제 2 eNB로부터의 거리 사이의 관계, 또는 eNB 및 제 2 eNB로부터의 전파 시간 사이의 차이 중 하나를 포함할 수도 있다.일 양상에서, 제 1 수의 CSI-RS 포트들은 제 1 구성에 대응할 수도 있으며, 제 1 수의 CSI-RS 포트들과 비교하여 제 2 수의 CSI-RS 포트들 내의 부가적인 CSI-RS 포트들은 제 2 구성에 대응할 수도 있다. 따라서, 단계(1608)에서, eNB는 제 1 구성에만 대응하는 CSI-RS 포트들을 포함하는 제 2 리소스 블록을 송신할 수도 있다.도 17은 무선 통신의 방법의 흐름도(1700)이다. 방법은 UE에 의해 수행될 수도 있다. 단계(1702)에서, UE는, 적어도 하나의 리소스 블록에서 사용자 장비 특정 기준 신호들(UE-RS) 및 채널 상태 정보 기준 신호들(CSI-RS)을 수신한다. 단계(1704)에서, UE는 수신된 UE-RS 및 CSI-RS에 기초하여 시간 트래킹을 수행한다.도 18은 무선 통신의 방법의 흐름도(1800)이다. 방법은 UE에 의해 수행될 수도 있다. 단계(1802)에서, UE는, CoMP(cooperative multipoint) 송신을 지원하는 송신 모드를 사용하여 송신을 수신하기 위한 구성을 수신할 수도 있다. 단계(1804)에서, UE는 송신에서 적어도 하나의 리소스 블록을 수신한다. 적어도 하나의 리소스 블록은 UE에 특정한 기준 신호들(RS)의 제 1 세트를 포함한다.단계(1806)에서, UE는, UE에 특정한 RS의 제 2 세트가 송신에서 이용가능한지를 결정한다. 결정 동작은, UE가 RS의 제 2 세트의 이용가능성을 결정하기 위해 블라인드 검출을 수행하는 것을 포함할 수도 있다. 대안적으로, 결정 동작은, RS의 제 2 세트가 이용가능한지 아닌지를 표시하는 정보를 UE가 이벌브드 노드 B(eNB)로부터 수신하는 것을 포함할 수도 있다.단계(1808)에서, UE는 eNB로부터 근접도 정보를 수신할 수도 있다. 근접도 정보는, RS의 제 1 세트 및 RS의 제 2 세트의 전파 시간 차이를 포함할 수도 있다. 그 후, 단계(1810)에서, UE는, RS의 제 1 세트에 기초하여 그리고 RS의 제 2 세트가 이용가능한 것으로 결정되면 RS의 제 2 세트에 추가적으로 기초하여, 수신된 적어도 하나의 리소스 블록을 프로세싱한다. 프로세싱은 채널 추정 및/또는 타이밍 추정을 수행하는 것을 포함할 수도 있다.일 양상에서, RS의 제 1 세트 및 RS의 제 2 세트는 복조를 위한 UE-특정 RS(UE-RS)이다. UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트는 상이한 프리코딩 또는 동일한 프리코딩을 가질 수도 있다. UE-RS의 제 2 세트의 이용가능성은, UE-RS의 제 2 세트가 적어도 하나의 리소스 블록 내에 포함되는 경우 결정될 수도 있다. 대안적으로, UE-RS의 제 2 세트의 이용가능성은, UE-RS의 제 2 세트를 포함하는 리소스 블록이 적어도 하나의 리소스 블록과 동일한 프리코딩 리소스 블록 그룹(PRG)과 연관되는 경우 결정될 수도 있다. 다른 양상에서, 송신은 UE에 대한 것일 수도 있고, UE-RS의 제 1 세트는 UE에 대한 것일 수도 있으며, UE-RS의 제 2 세트는 다른 UE에 대한 것일 수도 있거나 어떤 다른 UE들에 대한 것이 아닐 수도 있다.추가적인 양상에서, RS의 제 1 세트 및 RS의 제 2 세트는 채널 상태 정보 기준 신호들(CSI-RS)이다. CSI-RS의 제 1 세트 및 CSI-RS의 제 2 세트는 상이한 리소스들과 연관될 수도 있다. 대안적으로, CSI-RS의 제 1 세트 및 CSI-RS의 제 2 세트는, 동일 한 세트의 리소스들과 연관될 수도 있지만 상이한 안테나 포트들과 연관될 수도 있다. 또한, 송신된 리소스 블록 내의 CSI-RS 포트들의 제 1 세트 및 CSI-RS 포트들의 제 2 세트에 동일한 프리코딩이 적용될 수도 있다.또 다른 양상에서, RS의 제 1 세트는 복조를 위한 UE-특정 RS(UE-RS)를 포함할 수도 있으며, RS의 제 2 세트는 채널 상태 정보 기준 신호들(CSI-RS)을 포함할 수도 있다.도 19는 무선 통신의 방법의 흐름도(1900)이다. 방법은 이벌브드 노드 B(eNB)에 의해 수행될 수도 있다. 단계(1902)에서, eNB는 송신을 수신하도록 사용자 장비(UE)를 구성한다. 이것은, eNB가 CoMP(cooperative multipoint) 송신을 지원하는 송신 모드를 사용하여 송신을 수신하기 위한 구성을 UE에 송신하는 것을 포함할 수도 있다.단계(1904)에서, eNB는 송신에서 적어도 하나의 리소스 블록을 UE에 송신한다. 적어도 하나의 리소스 블록은 UE에 특정한 기준 신호(RS)의 제 1 세트를 포함한다. 단계(1906)에서, eNB는 송신에서 RS의 제 2 세트를 제공한다.단계(1908)에서, eNB는, RS의 제 2 세트가 UE에 이용가능한지 아닌지를 표시하는 정보를 UE에 송신할 수도 있다. 단계(1910)에서, eNB는 또한 근접도 정보를 UE에 송신할 수도 있다. 근접도 정보는, RS의 제 1 세트 및 RS의 제 2 세트의 전파 시간 차이를 포함한다. 따라서, UE는, RS의 제 1 세트에 기초하여 그리고 RS의 제 2 세트가 UE에 이용가능하면 RS의 제 2 세트에 추가적으로 기초하여, 채널 추정 및/또는 타이밍 추정을 수행할 수도 있다.일 양상에서, RS의 제 1 세트 및 RS의 제 2 세트는 복조를 위한 UE-특정 RS(UE-RS)이다. UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트는 상이한 프리코딩 또는 동일한 프리코딩을 가질 수도 있다. UE-RS의 제 2 세트는, UE-RS의 제 2 세트가 적어도 하나의 리소스 블록 내에 포함되는 경우, UE에 이용가능할 수도 있다. 대안적으로, UE-RS의 제 2 세트는, UE-RS의 제 2 세트를 포함하는 리소스 블록이 적어도 하나의 리소스 블록과 동일한 프리코딩 리소스 블록 그룹(PRG)과 연관되는 경우, UE에 이용가능할 수도 있다. 다른 양상에서, 송신은 UE에 대한 것일 수도 있고, UE-RS의 제 1 세트는 UE에 대한 것일 수도 있으며, UE-RS의 제 2 세트는 다른 UE에 대한 것일 수도 있거나 어떤 다른 UE들에 대한 것이 아닐 수도 있다.추가적인 양상에서, RS의 제 1 세트 및 RS의 제 2 세트는 채널 상태 정보 기준 신호들(CSI-RS)이다. CSI-RS의 제 1 세트 및 CSI-RS의 제 2 세트는 상이한 리소스들과 연관될 수도 있다. 대안적으로, CSI-RS의 제 1 세트 및 CSI-RS의 제 2 세트는, 동일한 세트의 리소스들과 연관될 수도 있지만 상이한 안테나 포트들과 연관될 수도 있다. 또한, 송신된 리소스 블록 내의 CSI-RS 포트들의 제 1 세트 및 CSI-RS 포트들의 제 2 세트에 동일한 프리코딩이 적용될 수도 있다.또 다른 양상에서, RS의 제 1 세트는 복조를 위한 UE-특정 RS(UE-RS)를 포함하고, RS의 제 2 세트는 채널 상태 정보 기준 신호들(CSI-RS)을 포함한다.도 20은, 예시적인 장치(2002)에서의 상이한 모듈들/수단/컴포넌트들 사이의 데이터 흐름을 도시한 개념적인 데이터 흐름도(2000)이다. 장치는 eNB일 수도 있다. 장치는 수신 모듈(2004), 변조 차수 결정 모듈(2006), 리소스 블록 프로세싱 모듈(2008), 데이터 프로세싱 모듈(2010), 랭크 구성 모듈(2012), 포트 프로세싱 모듈(2014), 기준 신호 프로세싱 모듈(2016), 근접도 정보 모듈(2018), 및 송신 모듈(2020)을 포함한다.변조 차수 결정 모듈(2006)은 다운링크 송신을 위해 변조 차수를 결정할 수도 있다. 리소스 블록 프로세싱 모듈(2008)은, 다운링크 할당에서 사용자 장비(UE)(2050)에 할당될 수 있는 리소스 블록들의 수를 N보다 크거나 N과 동일하도록 제한하며, 여기서, N은 1보다 크다. 제한은, 변조 차수 결정 모듈(2006)에 의해 결정된 변조 차수에 기초할 수도 있다. 예를 들어, 리소스 블록 프로세싱 모듈(2008)은, 변조 차수가 임계치보다 큰 경우에만, 다운링크 할당에서 UE(2050)에 할당될 수 있는 리소스 블록들의 수를 2보다 크거나 2와 동일하도록 제한할 수도 있다. 데이터 프로세싱 모듈(2010)은, 다운링크 할당에 대응하는 다운링크 송신을 UE(2050)에 송신할 수도 있다.랭크 구성 모듈(2012)은 랭크 1 송신 또는 랭크 2 송신 중 하나를 수신하도록 UE(2050)를 구성한다. 리소스 블록 프로세싱 모듈(2008)은 4개의 안테나 포트들을 이용하여 리소스 블록을 송신하는 것으로 결정할 수도 있다. 그러므로, 포트 프로세싱 모듈(2014)은 4개의 안테나 포트들을 선택한다. 선택된 4개의 안테나 포트들은 안테나 포트들 7, 8, 11, 및 13일 수도 있다. 대안적으로, 선택된 4개의 안테나 포트들은 안테나 포트들 9, 10, 12, 및 14일 수도 있다.리소스 블록 프로세싱 모듈(2008)은 송신 모듈(2020)을 통해 UE(2050)에 리소스 블록을 송신한다. 리소스 블록은, 기준 신호 프로세싱 모듈(2016)에 의해 생성된 사용자 장비 특정 기준 신호들(UE-RS)의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트를 포함할 수도 있다. UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 중 하나는 UE(2050)에 대해 의도될 수도 있다. UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 중 다른 하나는 다른 UE에 대해 의도될 수도 있거나 어떤 다른 UE들에 대해서도 의도되지 않을 수도 있다.총 24개의 UE-RS에 대해, UE-RS의 제 1 세트는 12개의 UE-RS를 포함할 수도 있고, UE-RS의 제 2 세트는 12개의 UE-RS를 포함할 수도 있다. 리소스 블록은 리소스 블록들의 세트로 송신될 수도 있다. 또한, 리소스 블록들의 세트 내의 리소스 블록들의 수가 임계치 수보다 작은 경우, UE-RS의 제 2 세트는 적어도 하나의 UE-RS를 포함할 수도 있다.일 양상에서, 동일한 프리코딩이 UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트에 대해 사용될 수도 있다. 대안적으로, 상이한 프리코딩이 UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트에 대해 사용될 수도 있으며, 여기서, UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 중 다른 하나는 다른 UE에 대해 의도될 수도 있다.추가적인 양상에서, 안테나 포트들 7, 8, 11, 및 13은 UE-RS의 제 1 세트로의 UE-RS의 매핑을 제공하며, 여기서, UE-RS의 제 1 세트는 UE(2050)에 대해 의도되고, UE-RS의 제 2 세트는 어떤 다른 UE들에 대해서도 의도되지 않는다. 따라서, 리소스 블록 프로세싱 모듈(2008)은, UE(2050)가 UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 양자에 기초하여 시간 트래킹을 수행할 수 있도록 리소스 블록에 UE-RS의 제 2 세트를 포함할 수도 있다.다른 양상에서, 안테나 포트들 9, 10, 12, 및 14는 UE-RS의 제 2 세트로의 UE-RS의 매핑을 제공하며, 여기서, UE-RS의 제 2 세트는 UE(2050)에 대해 의도되고, UE-RS의 제 1 세트는 어떤 다른 UE들에 대해서도 의도되지 않는다. 따라서, 리소스 블록 프로세싱 모듈(2008)은, UE(2050)가 UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 양자에 기초하여 시간 트래킹을 수행할 수 있도록 리소스 블록에 UE-RS의 제 1 세트를 포함할 수도 있다.기준 신호 프로세싱 모듈(2016)은 제 1 수의 채널 상태 정보 기준 신호(CSI-RS) 포트들을 수신하도록 UE(2050)를 구성한다. 리소스 블록 프로세싱 모듈(2008)은, 제 1 수의 CSI-RS 포트들보다 큰 제 2 수의 CSI-RS 포트들을 포함하는 리소스 블록을 UE(2050)에 송신한다. 제 2 수의 CSI-RS 포트들은 UE(2050)에 의한 개선된 시간 트래킹을 가능하게 한다. 일 양상에서, 제 1 수의 CSI-RS 포트들은 CSI-RS 포트들의 제 1 세트에 대응하고, 제 2 수의 CSI-RS 포트들 내의 부가적인 CSI-RS 포트들은 CSI-RS 포트들의 제 2 세트에 대응하며, 송신된 리소스 블록 내의 CSI-RS 포트들의 제 1 세트 및 CSI-RS 포트들의 제 2 세트에 동일한 프리코딩이 적용된다.근접도 정보 모듈(2018)은 수신 모듈(2004)을 통해 수신된 신호들을 통하여 근접도 정보를 결정하고 근접도 정보를 UE(2050)에 송신할 수도 있다. 근접도 정보는, UE(2050)와 장치(2002) 사이의 거리 및 UE(2050)와 다른 eNB 사이의 거리, 장치(2002)로부터 UE(2050)로의 그리고 다른 eNB로부터 UE(2050)로의 전파 시간, 장치(2002) 및 다른 eNB로부터의 거리 사이의 관계, 또는 장치(2002) 및 다른 eNB로부터의 전파 시간 사이의 관계 중 하나를 포함할 수도 있다.일 양상에서, 제 1 수의 CSI-RS 포트들은 제 1 구성에 대응할 수도 있고, 제 1 수의 CSI-RS 포트들과 비교하여 제 2 수의 CSI-RS 포트들 내의 부가적인 CSI-RS 포트들은 제 2 구성에 대응할 수도 있다. 따라서, 리소스 블록 프로세싱 모듈(2008)은 제 1 구성에만 대응하는 CSI-RS 포트들을 포함하는 제 2 리소스 블록을 송신할 수도 있다.일 양상에서, 랭크 구성 모듈(2012) 및/또는 변조 차수 결정 모듈(2006)은, 송신을 수신하도록 사용자 장비(UE)(2050)를 구성한다. 이것은, 송신 모듈(2020)이 CoMP(cooperative multipoint) 송신을 지원하는 송신 모드를 사용하여 송신을 수신하기 위한 구성을 UE(2050)에 송신하는 것을 포함할 수도 있다.리소스 블록 프로세싱 모듈(2008)은 송신에서 적어도 하나의 리소스 블록을 (송신 모듈(2020)을 통해) UE(2050)에 송신한다. 적어도 하나의 리소스 블록은 UE(2050)에 특정한 기준 신호들(RS)의 제 1 세트를 포함한다. 리소스 블록 프로세싱 모듈(2008)은 또한, 송신에서 RS의 제 2 세트를 제공한다.기준 신호 프로세싱 모듈(2016)은, RS의 제 2 세트가 UE(2050)에 이용가능한지 아닌지를 표시하는 정보를 (송신 모듈(2020)을 통해) UE(2050)에 송신할 수도 있다. 근접도 정보 모듈(2018)은 또한, 근접도 정보를 UE(2050)에 송신할 수도 있다. 근접도 정보는, RS의 제 1 세트 및 RS의 제 2 세트의 전파 시간 차이를 포함한다. 따라서, UE(2050)는, RS의 제 1 세트에 기초하여 그리고 RS의 제 2 세트가 UE(2050)에 이용가능하면 RS의 제 2 세트에 추가적으로 기초하여 채널 추정 및/또는 타이밍 추정을 수행할 수도 있다.일 양상에서, RS의 제 1 세트 및 RS의 제 2 세트는 복조를 위한 UE-특정 RS(UE-RS)이다. UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트는 상이한 프리코딩 또는 동일한 프리코딩을 가질 수도 있다. UE-RS의 제 2 세트는, UE-RS의 제 2 세트가 적어도 하나의 리소스 블록 내에 포함되는 경우, UE(2050)에 이용가능할 수도 있다. 대안적으로, UE-RS의 제 2 세트는, UE-RS의 제 2 세트를 포함하는 리소스 블록이 적어도 하나의 리소스 블록과 동일한 프리코딩 리소스 블록 그룹(PRG)과 연관되는 경우, UE(2050)에 이용가능할 수도 있다. 다른 양상에서, 송신은 UE(2050)에 대한 것일 수도 있고, UE-RS의 제 1 세트는 UE(2050)에 대한 것일 수도 있으며, UE-RS의 제 2 세트는 다른 UE에 대한 것일 수도 있거나 어떤 다른 UE들에 대한 것이 아닐 수도 있다.추가적인 양상에서, RS의 제 1 세트 및 RS의 제 2 세트는 채널 상태 정보 기준 신호들(CSI-RS)이다. CSI-RS의 제 1 세트 및 CSI-RS의 제 2 세트는 상이한 리소스들과 연관될 수도 있다. 대안적으로, CSI-RS의 제 1 세트 및 CSI-RS의 제 2 세트는 동일한 세트의 리소스들과 연관될 수도 있지만 상이한 안테나 포트들과 연관될 수도 있다. 또한, 송신된 리소스 블록 내의 CSI-RS 포트들의 제 1 세트 및 CSI-RS 포트들의 제 2 세트에 동일한 프리코딩이 적용될 수도 있다.또 다른 양상에서, RS의 제 1 세트는 복조를 위한 UE-특정 RS(UE-RS)를 포함하고, RS의 제 2 세트는 채널 상태 정보 기준 신호들(CSI-RS)을 포함한다.장치는, 도 11, 14, 16, 및 19의 전술된 흐름도들에서 알고리즘의 단계들의 각각을 수행하는 부가적인 모듈들을 포함할 수도 있다. 그러므로, 도 11, 14, 16, 및 19의 전술된 흐름도들의 각각의 단계는 모듈에 의해 수행될 수도 있으며, 장치는 그들 모듈들 중 하나 또는 그 초과를 포함할 수도 있다. 모듈들은, 나타낸 프로세스들/알고리즘을 수행하도록 특정하게 구성된 하나 또는 그 초과의 하드웨어 컴포넌트들일 수도 있거나, 나타낸 프로세스들/알고리즘을 수행하도록 구성된 프로세서에 의해 구현될 수도 있거나, 프로세서에 의한 구현을 위해 컴퓨터-판독가능 매체 내에 저장될 수도 있으며, 이들의 몇몇 결합일 수도 있다.도 21은, 예시적인 장치(2102)에서의 상이한 모듈들/수단/컴포넌트들 사이의 데이터 흐름을 도시한 개념적인 데이터 흐름도(2100)이다. 장치는 UE일 수도 있다. 장치는 수신 모듈(2104), 리소스 블록 프로세싱 모듈(2106), 기준 신호 프로세싱 모듈(2108), 채널/타이밍 추정 모듈(2110), 포트 프로세싱 모듈(2112), 근접도 정보 모듈(2114), 및 송신 모듈(2116)을 포함한다.일 양상에서, 수신 모듈(2104)은, CoMP(cooperative multipoint) 송신을 지원하는 송신 모드를 사용하여 송신을 수신하기 위한 구성을 수신할 수도 있다. 따라서, 리소스 블록 프로세싱 모듈(2106)은 송신에서 복수의 리소스 블록들을 (수신 모듈(2104)을 통해) 수신할 수도 있다. 복수의 리소스 블록들은 프리코딩 리소스 블록 그룹(PRG)을 포함할 수도 있다. 그 후, 기준 신호 프로세싱 모듈(2108)은, PRG에서의 리소스 블록들의 송신을 위해, 가정된 동일한 프리코딩에 기초하여 사용자 장비 특정 기준 신호들(UE-RS)을 디코딩할 수도 있다. 그 후, 채널/타이밍 추정 모듈(2110)은, 기준 신호 프로세싱 모듈(2108)에 의해 디코딩된 PRG에서 UE-RS에 기초하여 시간 트래킹을 수행한다.다른 양상에서, 리소스 블록 프로세싱 모듈(2106)은 송신에서 적어도 하나의 리소스 블록을 수신할 수도 있다. 송신은 랭크 1 송신 또는 랭크 2 송신일 수도 있다. 또한, 적어도 하나의 리소스 블록의 각각은 사용자 장비 특정 기준 신호들(UE-RS)의 제 1 세트를 포함할 수도 있다. 기준 신호 프로세싱 모듈(2108)은, 적어도 하나의 리소스 블록 중 일 리소스 블록이 UE-RS의 제 2 세트를 포함하는지를 결정할 수도 있다. 적어도 하나의 리소스 블록 중 리소스 블록이 UE-RS의 제 2 세트를 포함하는지의 결정은, 적어도 하나의 리소스 블록이 리소스 블록만을 포함하는 경우에만 수행될 수도 있다. 대안적으로, 결정은, 리소스 블록이 UE-RS의 제 2 세트를 포함하는지를 결정하기 위해 블라인드 검출을 수행하는 것을 포함할 수도 있다. 다른 대안에서, 결정은, 리소스 블록이 UE-RS의 제 2 세트를 포함하는지를 표시하는 정보를 eNB(2150)로부터 수신하는 것을 포함할 수도 있다. 채널/타이밍 추정 모듈(2110)은, UE-RS의 제 1 세트에 기초하여 그리고 리소스 블록이 UE-RS의 제 2 세트를 포함하는 것으로 결정되는 경우 UE-RS의 제 2 세트에 기초하여 시간 트래킹을 수행할 수도 있다.일 양상에서, 송신은 장치(2102)에 대해 의도될 수도 있고, UE-RS의 제 1 세트는 장치(2102)에 대해 의도될 수도 있으며, UE-RS의 제 2 세트는 다른 UE에 대해 의도될 수도 있거나 어떤 다른 UE들에 대해서도 의도되지 않을 수도 있다. 따라서, UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트는 상이한 프리코딩을 가질 수도 있다. 대안적으로, UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트는 동일한 프리코딩을 가질 수도 있다.추가적인 양상에서, 수신 모듈(2104)은, 적어도 하나의 리소스 블록의 각각의 리소스 블록에서 제 1 수의 채널 상태 정보 기준 신호(CSI-RS) 포트들을 이용하여 적어도 하나의 리소스 블록을 수신하기 위한 구성을 수신할 수도 있다. 따라서, 리소스 블록 프로세싱 모듈(2106)은 송신에서 적어도 하나의 리소스 블록을 (수신 모듈(2104)을 통해) 수신할 수도 있다. 포트 프로세싱 모듈(2112)은, 적어도 하나의 리소스 블록 중 일 리소스 블록이 제 1 수의 CSI-RS 포트들보다 큰 제 2 수의 CSI-RS 포트들을 포함한다고 가정할 수도 있다. 상세하게, 포트 프로세싱 모듈(2112)은, 적어도 하나의 리소스 블록이 임계치 수 미만의 리소스 블록들을 포함하고, 제 1 수의 CSI-RS 포트들이 임계치 수의 CSI-RS 포트들보다 작은 경우, 리소스 블록이 제 2 수의 CSI-RS 포트들을 포함한다고 가정할 수도 있다.포트 프로세싱 모듈(2112)은 또한, 제 2 수의 CSI-RS 포트들이 제 1 eNB(예를 들어, eNB(2150))에 의해 송신된 CSI-RS 포트들의 제 1 세트 및 제 2 eNB에 의해 송신된 CSI-RS 포트들의 제 2 세트를 적어도 포함하는지를 결정한다. 포트 프로세싱 모듈(2112)에 의해 결정된 부정적인 결과에 기초하여, 채널/타이밍 추정 모듈(2110)은, 가정된 제 2 수의 CSI-RS 포트들에 대응하는 리소스 엘리먼트들 내의 신호들에 기초하여 시간 트래킹을 수행한다. 그러나, 포트 프로세싱 모듈(2112)에 의해 결정된 긍정적인 결과에 기초하여, 근접도 정보 모듈(2114)은 서빙 eNB(예를 들어, eNB(2150))로부터 근접도 정보를 수신한다. 근접도 정보는, 제 1 eNB 및 제 2 eNB의 각각으로부터의 거리, 제 1 eNB 및 제 2 eNB의 각각으로부터의 전파 시간, 제 1 eNB 및 제 2 eNB로부터의 거리 사이의 관계, 또는 제 1 eNB 및 제 2 eNB로부터의 전파 시간 사이의 관계 중 하나를 표시할 수도 있다. 그 후, 채널/타이밍 추정 모듈(2110)은 수신된 근접도 정보에 추가적으로 기초하여 시간 트래킹을 수행한다.다른 양상에서, 기준 신호 프로세싱 모듈(2108)은, 적어도 하나의 리소스 블록에서 사용자 장비 특정 기준 신호들(UE-RS) 및 채널 상태 정보 기준 신호들(CSI-RS)을 (수신 모듈(2104)을 통해) 수신한다. 그 후, 채널/타이밍 추정 모듈(2110)은 수신된 UE-RS 및 CSI-RS에 기초하여 시간 트래킹을 수행할 수도 있다.추가적인 양상에서, 수신 모듈(2104)은, CoMP(cooperative multipoint) 송신을 지원하는 송신 모드를 사용하여 송신을 수신하기 위한 구성을 수신할 수도 있다. 리소스 블록 프로세싱 모듈(2106)은 송신에서 적어도 하나의 리소스 블록을 (수신 모듈(2104)을 통해) 수신한다. 적어도 하나의 리소스 블록은 장치(2102)에 특정한 기준 신호들(RS)의 제 1 세트를 포함할 수도 있다.기준 신호 프로세싱 모듈(2108)은, 장치(2102)에 특정한 RS의 제 2 세트가 송신에서 이용가능한지를 결정한다. 결정 동작은, 기준 신호 프로세싱 모듈(2108)이 RS의 제 2 세트의 이용가능성을 결정하기 위해 블라인드 검출을 수행하는 것을 포함할 수도 있다. 대안적으로, 결정 동작은, 기준 신호 프로세싱 모듈(2108)이, RS의 제 2 세트가 이용가능한지 아닌지를 표시하는 정보를 이벌브드 노드 B(eNB)(2150)로부터 수신하는 것을 포함할 수도 있다.근접도 정보 모듈(2114)은 eNB(2150)로부터 근접도 정보를 수신할 수도 있다. 근접도 정보는, RS의 제 1 세트 및 RS의 제 2 세트의 전파 시간 차이를 포함할 수도 있다. 채널/타이밍 추정 모듈(2110)은, RS의 제 1 세트에 기초하여 그리고 RS의 제 2 세트가 이용가능한 것으로 결정되면 RS의 제 2 세트에 추가적으로 기초하여, 수신된 적어도 하나의 리소스 블록을 프로세싱한다. 프로세싱은 채널 추정 및/또는 타이밍 추정을 수행하는 것을 포함할 수도 있다.일 양상에서, RS의 제 1 세트 및 RS의 제 2 세트는 복조를 위한 UE-특정 RS(UE-RS)이다. UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트는 상이한 프리코딩 또는 동일한 프리코딩을 가질 수도 있다. UE-RS의 제 2 세트의 이용가능성은, UE-RS의 제 2 세트가 적어도 하나의 리소스 블록 내에 포함되는 경우 결정될 수도 있다. 대안적으로, UE-RS의 제 2 세트의 이용가능성은, UE-RS의 제 2 세트를 포함하는 리소스 블록이 적어도 하나의 리소스 블록과 동일한 프리코딩 리소스 블록 그룹(PRG)과 연관되는 경우 결정될 수도 있다. 다른 양상에서, 송신은 장치(2102)에 대한 것일 수도 있고, UE-RS의 제 1 세트는 UE(2102)에 대한 것일 수도 있으며, UE-RS의 제 2 세트는 다른 UE에 대한 것일 수도 있거나 어떤 다른 UE들에 대한 것이 아닐 수도 있다.추가적인 양상에서, RS의 제 1 세트 및 RS의 제 2 세트는 채널 상태 정보 기준 신호들(CSI-RS)이다. CSI-RS의 제 1 세트 및 CSI-RS의 제 2 세트는 상이한 리소스들과 연관될 수도 있다. 대안적으로, CSI-RS의 제 1 세트 및 CSI-RS의 제 2 세트는 동일한 세트의 리소스들과 연관될 수도 있지만 상이한 안테나 포트들과 연관될 수도 있다. 또한, 송신된 리소스 블록 내의 CSI-RS 포트들의 제 1 세트 및 CSI-RS 포트들의 제 2 세트에 동일한 프리코딩이 적용될 수도 있다.또 다른 양상에서, RS의 제 1 세트는 복조를 위한 UE-특정 RS(UE-RS)를 포함할 수도 있고, RS의 제 2 세트는 채널 상태 정보 기준 신호들(CSI-RS)을 포함할 수도 있다.장치는, 도 12, 13, 15, 17, 및 18의 전술된 흐름도들에서 알고리즘의 단계들의 각각을 수행하는 부가적인 모듈들을 포함할 수도 있다. 그러므로, 도 12, 13, 15, 17, 및 18의 전술된 흐름도들의 각각의 단계는 모듈에 의해 수행될 수도 있으며, 장치는 그들 모듈들 중 하나 또는 그 초과를 포함할 수도 있다. 모듈들은, 나타낸 프로세스들/알고리즘을 수행하도록 특정하게 구성된 하나 또는 그 초과의 하드웨어 컴포넌트들일 수도 있거나, 나타낸 프로세스들/알고리즘을 수행하도록 구성된 프로세서에 의해 구현될 수도 있거나, 프로세서에 의한 구현을 위해 컴퓨터-판독가능 매체 내에 저장될 수도 있으며, 이들의 몇몇 결합일 수도 있다.도 22는, 프로세싱 시스템(2214)을 이용하는 장치(2002')에 대한 하드웨어 구현의 일 예를 도시한 다이어그램(2200)이다. 프로세싱 시스템(2214)은, 버스(2224)에 의해 일반적으로 표현되는 버스 아키텍처를 이용하여 구현될 수도 있다. 버스(2224)는 프로세싱 시스템(2214)의 특정한 애플리케이션 및 전체 설계 제약들에 의존하는 임의의 수의 상호접속 버스들 및 브리지들을 포함할 수도 있다. 버스(2224)는, 프로세서(2204)에 의해 표현되는 하나 또는 그 초과의 프로세서들 및/또는 하드웨어 모듈들, 모듈들(2004, 2006, 2008, 2010, 2012, 2014, 2016, 2018, 2020), 및 컴퓨터-판독가능 매체(2206)를 포함하는 다양한 회로들을 함께 링크시킨다. 버스(2224)는 또한, 당업계에 잘 알려져 있고, 따라서 더 추가적으로 설명되지 않을 타이밍 소스들, 주변기기들, 전압 조정기들, 및 전력 관리 회로들과 같은 다양한 다른 회로들을 링크시킬 수도 있다.프로세싱 시스템(2214)은 트랜시버(2210)에 커플링될 수도 있다. 트랜시버(2210)는 하나 또는 그 초과의 안테나들(2220)에 커플링된다. 트랜시버(2210)는 송신 매체를 통해 다양한 다른 장치와 통신하기 위한 수단을 제공한다. 트랜시버(2210)는, 하나 또는 그 초과의 안테나들(2220)로부터 신호를 수신하고, 수신된 신호로부터 정보를 추출하며, 추출된 정보를 프로세싱 시스템(2214), 상세하게는 수신 모듈(2004)에 제공한다. 부가적으로, 트랜시버(2210)는, 프로세싱 시스템(2214), 상세하게는 송신 모듈(2020)로부터 정보를 수신하고, 수신된 정보에 기초하여, 하나 또는 그 초과의 안테나들(2220)에 적용될 신호를 생성한다. 프로세싱 시스템(2214)은 컴퓨터-판독가능 매체(2206)에 커플링된 프로세서(2204)를 포함한다. 프로세서(2204)는, 컴퓨터-판독가능 매체(2206) 상에 저장된 소프트웨어의 실행을 포함하는 일반적인 프로세싱을 담당한다. 소프트웨어는 프로세서(2204)에 의해 실행될 경우, 프로세싱 시스템(2214)으로 하여금 임의의 특정한 장치에 대해 상술된 다양한 기능들을 수행하게 한다. 컴퓨터-판독가능 매체(2206)는 또한, 소프트웨어를 실행할 경우 프로세서(2204)에 의해 조작되는 데이터를 저장하기 위해 사용될 수도 있다. 프로세싱 시스템은, 모듈들(2004, 2006, 2008, 2010, 2012, 2014, 2016, 2018, 및 2020) 중 적어도 하나를 더 포함한다. 모듈들은, 프로세서(2204)에서 구동하거나, 컴퓨터 판독가능 매체(2206)에 상주/저장된 소프트웨어 모듈들, 프로세서(2204)에 커플링된 하나 또는 그 초과의 하드웨어 모듈들, 또는 이들의 몇몇 결합일 수도 있다. 프로세싱 시스템(2214)은 eNB(610)의 컴포넌트일 수도 있으며, 메모리(676) 및/또는 TX 프로세서(616), RX 프로세서(670), 및 제어기/프로세서(675) 중 적어도 하나를 포함할 수도 있다.일 구성에서, 무선 통신을 위한 장치(2002/2002')는, 다운링크 할당에서 사용자 장비(UE)에 할당될 수 있는 리소스 블록들의 수를 N보다 크거나 N과 동일하도록 제한하기 위한 수단 － N은 1보다 큼 －, 다운링크 할당에 대응하는 다운링크 송신을 UE에 송신하기 위한 수단, 다운링크 송신을 위해 변조 차수를 결정하기 위한 수단 － 제한하기 위한 수단은, 결정된 변조 차수에 기초하여 리소스 블록들이 수를 제한함 －, 랭크 1 송신 또는 랭크 2 송신 중 하나를 수신하도록 사용자 장비(UE)를 구성하기 위한 수단, UE에 리소스 블록을 송신하기 위한 수단 － 리소스 블록은 사용자 장비 특정 기준 신호들(UE-RS)의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트를 포함하고, UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 중 하나는 UE에 대한 것이고, UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 중 다른 하나는 다른 UE에 대한 것이거나 어떤 UE들에 대한 것도 아님 －, UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트에 대해 동일한 프리코딩을 사용하기 위한 수단, UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트에 대해 상이한 프리코딩을 사용하기 위한 수단 － UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 중 상기 다른 하나는 상기 다른 UE에 대한 것임 －, 4개의 안테나 포트들을 이용하여 리소스 블록을 송신하는 것으로 결정하기 위한 수단, 안테나 포트들 7, 8, 11, 및 13을 포함하도록 4개의 안테나 포트들을 선택하기 위한 수단 － 안테나 포트들 7, 8, 11, 및 13은 UE-RS의 제 1 세트로의 UE-RS의 매핑을 제공하고, UE-RS의 제 1 세트는 UE에 대한 것이며, UE-RS의 제 2 세트는 어떤 다른 UE들에 대한 것도 아님 －, UE가 UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 양자에 기초하여 시간 트래킹을 수행할 수 있도록 리소스 블록에 UE-RS의 제 2 세트를 포함하기 위한 수단, 안테나 포트들 9, 10, 12, 및 14를 포함하도록 4개의 안테나 포트들을 선택하기 위한 수단 － 안테나 포트들 9, 10, 12, 및 14는 UE-RS의 제 2 세트로의 UE-RS의 매핑을 제공하고, UE-RS의 제 2 세트는 UE에 대한 것이며, UE-RS의 제 1 세트는 어떤 다른 UE들에 대한 것도 아님 －, UE가 UE-RS의 제 1 세트 및 UE-RS의 제 2 세트 양자에 기초하여 시간 트래킹을 수행할 수 있도록 리소스 블록에 UE-RS의 제 1 세트를 포함하기 위한 수단, 제 1 수의 채널 상태 정보 기준 신호(CSI-RS) 포트들을 수신하도록 사용자 장비(UE)를 구성하기 위한 수단, 제 1 수의 CSI-RS 포트들보다 큰 제 2 수의 CSI-RS 포트들을 포함하는 리소스 블록을 UE에 송신하기 위한 수단 － 제 2 수의 CSI-RS 포트들은 UE에 의한 개선된 시간 트래킹을 가능하게 함 －, 근접도 정보를 UE에 송신하기 위한 수단 － 근접도 정보는, UE와 eNB 사이의 거리 및 UE와 제 2 eNB 사이의 거리, eNB로부터 UE로의 그리고 제 2 eNB로부터 UE로의 전파 시간, eNB 및 제 2 eNB로부터의 거리 사이의 관계, 또는 eNB 및 제 2 eNB로부터의 전파 시간 사이의 관계 중 하나를 포함함 －, 제 1 구성에만 대응하는 CSI-RS 포트들을 포함하는 제 2 리소스 블록을 송신하기 위한 수단 － 제 1 수의 CSI-RS 포트들은 제 1 구성에 대응하고, 제 1 수의 CSI-RS 포트들과 비교하여 제 2 수의 CSI-RS 내의 부가적인 CSI-RS 포트들은 제 2 구성에 대응함 －, 송신을 수신하도록 사용자 장비(UE)를 구성하기 위한 수단, 송신에서 적어도 하나의 리소스 블록을 UE에 송신하기 위한 수단 － 적어도 하나의 리소스 블록은 UE에 특정한 기준 신호들(RS)의 제 1 세트를 포함함 －, 송신에서 RS의 제 2 세트를 제공하기 위한 수단, RS의 제 2 세트가 UE에 이용가능한지 아닌지를 표시하는 정보를 UE에 송신하기 위한 수단, 근접도 정보를 UE에 송신하기 위한 수단 － 근접도 정보는 RS의 제 1 세트 및 RS의 제 2 세트의 전파 시간 차이를 포함함 －, 및 CoMP(cooperative multipoint) 송신을 지원하는 송신 모드를 사용하여 송신을 수신하기 위한 구성을 UE에 송신하기 위한 수단을 포함한다.전술된 수단은, 전술된 수단에 의해 인용된 기능들을 수행하도록 구성된 장치(2002)의 전술된 모듈들 중 하나 또는 그 초과 및/또는 장치(2002')의 프로세싱 시스템(2214)일 수도 있다. 상술된 바와 같이, 프로세싱 시스템(2214)은 TX 프로세서(616), RX 프로세서(670), 및 제어기/프로세서(675)를 포함할 수도 있다. 그러므로, 일 구성에서, 전술된 수단은 전술된 수단에 의해 인용된 기능들을 수행하도록 구성된 TX 프로세서(616), RX 프로세서(670), 및 제어기/프로세서(675)일 수도 있다.도 23은, 프로세싱 시스템(2314)을 이용하는 장치(2102')에 대한 하드웨어 구현의 일 예를 도시한 다이어그램(2300)이다. 프로세싱 시스템(2314)은, 버스(2324)에 의해 일반적으로 표현되는 버스 아키텍처를 이용하여 구현될 수도 있다. 버스(2324)는 프로세싱 시스템(2314)의 특정한 애플리케이션 및 전체 설계 제약들에 의존하는 임의의 수의 상호접속 버스들 및 브리지들을 포함할 수도 있다. 버스(2324)는, 프로세서(2304)에 의해 표현되는 하나 또는 그 초과의 프로세서들 및/또는 하드웨어 모듈들, 모듈들(2104, 2106, 2108, 2110, 2112, 2114, 2116), 및 컴퓨터-판독가능 매체(2306)를 포함하는 다양한 회로들을 함께 링크시킨다. 버스(2324)는 또한, 당업계에 잘 알려져 있고, 따라서 더 추가적으로 설명되지 않을 타이밍 소스들, 주변기기들, 전압 조정기들, 및 전력 관리 회로들과 같은 다양한 다른 회로들을 링크시킬 수도 있다.프로세싱 시스템(2314)은 트랜시버(2310)에 커플링될 수도 있다. 트랜시버(2310)는 하나 또는 그 초과의 안테나들(2320)에 커플링된다. 트랜시버(2310)는 송신 매체를 통해 다양한 다른 장치와 통신하기 위한 수단을 제공한다. 트랜시버(2310)는, 하나 또는 그 초과의 안테나들(2320)로부터 신호를 수신하고, 수신된 신호로부터 정보를 추출하며, 추출된 정보를 프로세싱 시스템(2314), 상세하게는 수신 모듈(2104)에 제공한다. 부가적으로, 트랜시버(2310)는, 프로세싱 시스템(2314), 상세하게는 송신 모듈(2116)로부터 정보를 수신하고, 수신된 정보에 기초하여, 하나 또는 그 초과의 안테나들(2320)에 적용될 신호를 생성한다. 프로세싱 시스템(2314)은 컴퓨터-판독가능 매체(2306)에 커플링된 프로세서(2304)를 포함한다. 프로세서(2304)는, 컴퓨터-판독가능 매체(2306) 상에 저장된 소프트웨어의 실행을 포함하는 일반적인 프로세싱을 담당한다. 소프트웨어는 프로세서(2304)에 의해 실행될 경우, 프로세싱 시스템(2314)으로 하여금 임의의 특정한 장치에 대해 상술된 다양한 기능들을 수행하게 한다. 컴퓨터-판독가능 매체(2306)는 또한, 소프트웨어를 실행할 경우 프로세서(2304)에 의해 조작되는 데이터를 저장하기 위해 사용될 수도 있다. 프로세싱 시스템은, 모듈들(2104, 2106, 2108, 2110, 2112, 2114, 및 2116) 중 적어도 하나를 더 포함한다. 모듈들은, 프로세서(2304)에서 구동하거나, 컴퓨터 판독가능 매체(2306)에 상주/저장된 소프트웨어 모듈들, 프로세서(2304)에 커플링된 하나 또는 그 초과의 하드웨어 모듈들, 또는 이들의 몇몇 결합일 수도 있다. 프로세싱 시스템(2314)은 UE(650)의 컴포넌트일 수도 있으며, 메모리(660) 및/또는 TX 프로세서(668), RX 프로세서(656), 및 제어기/프로세서(659) 중 적어도 하나를 포함할 수도 있다.일 구성에서, 무선 통신을 위한 장치(2102/2102')는, 송신에서 복수의 리소스 블록들을 수신하기 위한 수단 － 복수의 리소스 블록들은 프리코딩 리소스 블록 그룹(PRG)을 포함함 －, PRG에서의 리소스 블록들의 송신을 위해, 가정된 동일한 프리코딩에 기초하여 사용자 장비 특정 기준 신호들(UE-RS)을 디코딩하기 위한 수단, PRG 내의 디코딩된 UE-RS에 기초하여 시간 트래킹을 수행하기 위한 수단, CoMP(cooperative multipoint) 송신을 지원하는 송신 모드를 사용하여 송신을 수신하기 위한 구성을 수신하기 위한 수단, 송신에서 적어도 하나의 블록을 수신하기 위한 수단 － 상기 적어도 하나의 리소스 블록의 각각은 사용자 장비 특정 기준 신호들(UE-RS)의 제 1 세트를 포함함 －, 적어도 하나의 리소스 블록 중 일 리소스 블록이 UE-RS의 제 2 세트를 포함하는지를 결정하기 위한 수단, UE-RS의 제 1 세트에 기초하여 그리고 리소스 블록이 UE-RS의 제 2 세트를 포함하는 것으로 결정되는 경우 UE-RS의 제 2 세트에 기초하여 시간 트래킹을 수행하기 위한 수단, 적어도 하나의 리소스 블록의 각각의 리소스 블록에서 제 1 수의 채널 상태 정보 기준 신호(CSI-RS) 포트들을 이용하여 적어도 하나의 리소스 블록을 수신하기 위한 구성을 수신하기 위한 수단, 송신에서 적어도 하나의 리소스 블록을 수신하기 위한 수단, 적어도 하나의 리소스 블록 중 일 리소스 블록이 제 1 수의 CSI-RS 포트들보다 큰 제 2 수의 CSI-RS 포트들을 포함한다고 가정하기 위한 수단, 가정된 제 2 수의 CSI-RS 포트들에 대응하는 리소스 엘리먼트들 내의 신호들에 기초하여 시간 트래킹을 수행하기 위한 수단 － 제 2 수의 CSI-RS 포트들은, 제 1 이벌브드 노드 B(eNB)에 의해 송신된 CSI-RS 포트들의 제 1 세트 및 제 2 eNB에 의해 송신된 CSI-RS 포트들의 제 2 세트를 적어도 포함함 －, 제 1 eNB 및 제 2 eNB의 각각으로부터의 거리, 제 1 eNB 및 제 2 eNB의 각각으로부터의 전파 시간, 제 1 eNB 및 제 2 eNB로부터의 거리 사이의 관계, 또는 제 1 eNB 및 제 2 eNB로부터의 전파 시간 사이의 관계 중 하나를 표시하는 근접도 정보를 서빙 eNB로부터 수신하기 위한 수단 － 시간 트래킹은, 수신된 근접도 정보에 추가적으로 기초하여 수행됨 －, 적어도 하나의 리소스 블록에서 사용자 장비 특정 기준 신호들(UE-RS) 및 채널 상태 정보 기준 신호들(CSI-RS)을 수신하기 위한 수단, 수신된 UE-RS 및 CSI-RS에 기초하여 시간 트래킹을 수행하기 위한 수단, 송신에서 적어도 하나의 리소스 블록을 수신하기 위한 수단 － 적어도 하나의 리소스 블록은 UE에 특정한 기준 신호들(RS)의 제 1 세트를 포함함 －, UE에 특정한 RS의 제 2 세트가 송신에서 이용가능한지를 결정하기 위한 수단, RS의 제 1 세트에 기초하여 그리고 이용가능하다고 결정되면 RS의 제 2 세트에 추가적으로 기초하여, 수신된 적어도 하나의 리소스 블록을 프로세싱하기 위한 수단, 이벌브드 노드 B(eNB)로부터 근접도 정보를 수신하기 위한 수단 － 근접도 정보는 RS의 제 1 세트 및 RS의 제 2 세트의 전파 시간 차이를 포함함 －, 및 CoMP(cooperative multipoint) 송신을 지원하는 송신 모드를 사용하여 송신을 수신하기 위한 구성을 수신하기 위한 수단을 포함한다.전술된 수단은, 전술된 수단에 의해 인용된 기능들을 수행하도록 구성된 장치(2102)의 전술된 모듈들 중 하나 또는 그 초과 및/또는 장치(2102')의 프로세싱 시스템(2314)일 수도 있다. 상술된 바와 같이, 프로세싱 시스템(2314)은 TX 프로세서(668), RX 프로세서(656), 및 제어기/프로세서(659)를 포함할 수도 있다. 그러므로, 일 구성에서, 전술된 수단은 전술된 수단에 의해 인용된 기능들을 수행하도록 구성된 TX 프로세서(668), RX 프로세서(656), 및 제어기/프로세서(659)일 수도 있다.기재된 프로세스들 내의 단계들의 특정한 순서 또는 계층이 예시적인 접근법들의 예시임을 이해한다. 설계 선호도들에 기초하여, 프로세스들의 단계들의 특정한 순서 또는 계층이 재배열될 수도 있음을 이해한다. 추가적으로, 몇몇 단계들이 결합 또는 생략될 수도 있다. 첨부한 방법 청구항들은 샘플 순서로 다양한 단계들의 엘리먼트들을 제시하며, 제시된 특정한 순서 또는 계층으로 제한되도록 의도되지 않는다.이전의 설명은 당업자가 여기에 설명된 다양한 양상들을 실시할 수 있도록 제공된다. 이들 양상들에 대한 다양한 변형들은 당업자들에게는 용이하게 명백할 것이며, 여기에 정의된 일반적인 원리들은 다른 양상들에 적용될 수도 있다. 따라서, 청구항들은 여기에 설명된 양상들로 제한되도록 의도되는 것이 아니라, 청구항 문언들에 부합하는 최대 범위를 부여하려는 것이며, 여기서, 단수형의 엘리먼트에 대한 참조는 달리 그렇게 나타내지 않으면 "하나 및 오직 하나"를 의미하기보다는 오히려 "하나 또는 그 초과"를 의미하도록 의도된다. 달리 그렇게 나타내지 않으면, "몇몇" 이라는 용어는 하나 또는 그 초과를 지칭한다. 당업자들에게 알려졌거나 추후에 알려지게 될 본 발명 전반에 걸쳐 설명된 다양한 양상들의 엘리먼트들에 대한 모든 구조적 및 기능적 등가물들은, 인용에 의해 본 명세서에 명백히 포함되고, 청구항들에 의해 포함되도록 의도된다. 또한, 본 명세서에 개시된 내용은, 청구항들에 이러한 개시 내용이 명시적으로 기재되어 있는지 여부와 관계없이, 공중이 사용하도록 의도되는 것은 아니다. 어떤 청구항 엘리먼트도, 그 엘리먼트가 "하기 위한 수단"이라는 어구를 사용하여 명시적으로 언급되지 않으면, 수단 플러스 기능으로서 해석되지 않을 것이다.
현재의 통신 시스템들에서의 시간 트래킹은 종래에, 공통 기준 신호들(CRS)에 기초할 수도 있다. 그러나, 특정한 통신 시스템들에서, CRS-기반 시간 트래킹은, 특정한 서브프레임들 또는 캐리어들에서 CRS의 부재로 인해 구현하기 불가능할 수도 있다. CRS-기반 시간 트래킹은 또한, CoMP(coordinated multipoint) 시스템과 같은 특정한 통신 시스템들에서 구현하기에 부적절할 수도 있으며, 여기서, 제어 및 데이터는 상이한 셀들로부터 도착할 수도 있고, 따라서 UE가 CRS-기반 시간 트래킹을 위해 잘못된 셀을 가정할 수도 있다. 따라서, 무선 통신을 위한 방법들, 장치들, 및 컴퓨터 프로그램 물건들이 제공되며, 여기서, 부가적인 UE 특정 기준 신호들(UE-RS) 및/또는 채널 상태 정보 기준 신호들(CSI-RS)이 UE에 이용가능하게 되어, UE가 개선된 채널 추정 및/또는 시간 트래킹 성능을 가질 수도 있게 한다.
[ 발명의 명칭 ] 가교된 카르벤 리간드를 포함하는 전이 금속 착물 및 이의 용도TRANSITION METAL COMPLEXES COMPRISING BRIDGED CARBENE LIGANDS AND THE USE THEREOF IN OLEDS [ 기술분야 ] 본 발명은 가교된 고리금속화 카르벤 착물, 상기 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 제조 방법, 유기 발광 다이오드에서 상기 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도, 본 발명의 1 이상의 가교된 고리금속화 카르벤 착물을 포함하는 유기 발광 다이오드, 본 발명의 1 이상의 가교된 고리금속화 카르벤 착물을 포함하는 발광층, 1 이상의 본 발명 발광층을 포함하는 유기 발광 다이오드 및 1 이상의 본 발명 유기 발광 다이오드를 포함하는 소자에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 유기 발광 다이오드(OLED)는 전류에 의하여 여기될 때 빛을 방출하는 재료의 특성을 이용한다. 0LED는 특히 평면 영상 표시 장치의 제조를 위한 액정 디스플레이 및 음극선관에 대한 대체물로서 주목된다. 매우 콤팩트한 디자인 및 본래 낮은 전력 소모로 인하여, OLED를 포함하는 소자는 특히 이동식 제품에, 예컨대 휴대폰, 노트북 컴퓨터 등에서의 사용에 적당하다.OLED가 작동하는 방식의 기본적인 원리 및 OLED의 적당한 어셈블리(층)은 예컨대 WO 2005/113704호 및 여기에 인용된 문헌에 개시된다.전류에 의한 여기시 발광하는 다수의 재료가 선행 기술에서 이미 제안되었다.WO 2005/019373호는 OLED에서 1 이상의 카르벤 리간드를 포함하는 비하전된 전이 금속 착물의 용도를 처음으로 개시한다. WO 2005/019373호에 따르면, 이들 전이 금속 착물은 OLED의 임의의 층에 사용될 수 있으며, 리간드 구조 및 중심 금속은 전이 금속 착물의 소정 특성에 따른 조절을 위해 달라질 수 있다. 예컨대, OLED의 전자 차단층, 엑시톤 차단층, 정공 차단층 또는 발광층에서의 전이 금속 착물의 사용이 가능하며, OLED에서 에미터 분자로서 전이 금속 착물을 사용하는 것이 바람직하다.WO 2006/056418호는 비하전된 전이 금속-카르벤 착물의 용도를 개시하며, 여기서 사용되는 카르벤 리간드는 가교된 카르벤 리간드이다. 적당한 가교된 카르벤 리간드는 이하의 화학식을 가진다:상기 식에서, *는 n-결합 비닐 탄소 원자에 대한 알파 위치에서 가교 A의 탄소 원자 또는 적합한 헤테로 원자를 나타내고, B는 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴 또는 헤테로아릴 라디칼(Y1) 및 화학 단일 결합, C(Y4)2, C(O), 0, S, S(O), S02 또는 NY5로 이루어진 가교를 나타낸다.WO 2005/113704호는 OLED에서의 사용을 위한 카르벤-금속 착물에 관한 것이다. 언급된 다수의 적당한 카르벤 리간드 중에서, 하기 두 가교된 리간드가 언급된다:우선일이 먼저이지만 본 출원의 우선일에 공개되지 않았던 출원 PCT/EP2007/053262호는 카르벤 리간드 및 복소환식 비카르벤 리간드를 모두 포함하는 이종리간드 카르벤 착물을 개시한다. 카르벤 착물은 카르벤 리간드에 의하여 가교될 수 있고 언급된 가교된 카르벤 리간드는 하기 화학식의 것들을 포함한다.WO 2007/095118호는 고리금속화된 이미다조[1,2-f]페난트리딘 및 디이미다조[1,2-a:1',2'-c]퀴나졸린 리간드의 금속 착물 및 또한 등전자수의 벤조융합된 이의 유사체에 관한 것이다. WO 2007/095118에 따르면, 연장된 수명을 갖는 청색-인광성 OLED가 제공된다.OLED에서, 특히 발광 물질로서 사용하기 적당한 가교된 카르벤 착물이 이미 공지되어 있으나, 공업적으로 사용될 수 있는 더 안정하고 및/또는 더 효율적인 화합물의 제공이 요망된다.본 출원의 내용에서, 전계발광성은 전계형광성 및 전계인광성을 모두 의미하는 것으로 이해된다. [ 발명의 개요 ] 따라서, 본 출원의 목적은 OLED에 사용하기 적당한 가교된 카르벤 착물을 제공하는 것이다. 특히, 공지된 전이 금속 착물에 비하여 개선된 적절한 스펙트럼, 예컨대 개선된 효율 및/또는 개선된 수명 안정성을 보이는 전이 금속 착물을 제공하는 것이 바람직하다.이 목적은 하기 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 제공으로 달성된다:상기 식에서 기호는 각각 다음과 같이 정의된다M은 적절한 금속 원자에 가능한 임의의 산화 상태에서 원소 주기율표(CAS 버젼)의 IB, IIB, IIIB, IVB, VB, VIB, VIIB, VIIIB, 란탄 계열 및 IIIA족의 금속; 더 특히 바람직하게는 Fe, Os, Co, Rh, Ir, Ni, Ru, Pd 및 Pt, Cu, Au, Ce, Tb, Eu, 더욱 특히 바람직하게는 Os, Ru, Rh, Ir 및 Pt, 매우 특히 바람직하게는 Ir, Os 및 Pt로 구성된 군에서 선택되는 금속 원자이고;K는 하전되지 않은 한자리 또는 두자리 리간드이며;L은 한자리 또는 두자리일 수 있는 1가 음이온성 또는 2가 음이온성 리간드, 바람직하게는 1가 음이온성 리간드이고;X는 CH, CR1 또는 N이며;Y는 S, O, PR2 또는 SiR22이고;A, D, G, E, A', D', G' 및 E'는 각각 독립적으로 CH, CR3 또는 N이며;R1, R2, R3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C20-알킬, 치환 또는 비치환된 C5-C20-시클로알킬, 치환 또는 비치환된 C5-C20-시클로알케닐, 5∼30개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬, 5∼30개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알케닐, 치환 또는 비치환된 C2-C2O-알케닐, 치환 또는 비치환된 C2-C2O-알키닐, 치환 또는 비치환된 C6-C30-아릴, 5∼30개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴 또는 C1-C2O-알콕시, C6-C3O-아릴옥시, C1-C2O-알킬티오, C6-C3O-아릴티오, SiR4R5R6, 할로겐 라디칼, 할로겐화 C1-C20-알킬 라디칼, 카르보닐(-CO(R4)), 카르보닐티오(-C=0(SR4)), 카르보닐옥시(-C=0(OR4)), 옥시카르보닐(-OC=0(R4)), 티오카르보닐(-SC=0(R4)), 아미노(-NR4R5), OH, 유사할로겐 라디칼, 아미도(-C=0(NR4R5)), -NR4C=0(R5), 포스포네이트(-P(0)(OR4)2), 포스페이트(-OP(0)(OR4)2), 포스핀(-PR4R5), 포스핀 옥시드(-P(0)R42), 설페이트(-0S(0)2OR4), 설폭시드(-S(0)R4), 설포네이트(-S(0)2OR4), 설포닐(-S(0)2R4), 설폰아미드(-S(0)2NR4R5), NO2, 보론산 에스테르(-B(OR4)2), 이미노(-C=NR4R5), 보란 라디칼, 주석산염 라디칼, 히드라진 라디칼, 히드라존 라디칼, 옥심 라디칼, 니트로소기, 디아조기, 비닐기, 설폭시민, 알란, 게르만, 보록신 및 보라진으로 구성된 군에서 선택되는 공여체 또는 수용체 작용을 갖는 치환기이거나;또는R1 및 R2는 이들 라디칼이 X-Y기와 함께 5∼8원 고리를 형성하도록 함께 3∼6개의 원자를 포함하는 포화 또는 불포화, 치환 또는 비치환된 가교를 형성하거나;또는두 인접 R3 라디칼은 이것이 A=D, D-E, A'=D', D'-E', E'=G' 부분 중 하나와 함께 5∼8원 고리를 형성하도록 함께 3∼6개의 원자를 포함하는 포화 또는 불포화, 치환 또는 비치환된 가교를 형성하거나;또는G' 및 A 위치에서 R3 라디칼은 이것이 -G'-C-C-A- 부분과 함께 5∼8원 고리를 형성하도록 함께 1∼4개의 원자를 포함하는 포화 또는 불포화, 치환 또는 비치환된 가교를 형성하며;R4, R5, R6은 각각 독립적으로 H, 치환 또는 비치환된 C1-C20-알킬 또는 치환 또는 비치환된 C6-C30-아릴 또는 5∼30개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴이고;n은 카르벤 리간드의 수로서 1 이상이며, n 003e# 1일 경우, 화학식 I의 착물에서 카르벤 리간드는 동일하거나 상이할 수 있고;m은 리간드 K의 수로서 0 또는 1 이상이며, m 003e# 1일 경우, 리간드 K는 동일하거나 상이할 수 있고;o는 리간드 L의 수로서, 0 또는 1 이상이며, o 003e# 1일 경우, 리간드 L은 동일하거나 상이할 수 있고;여기서, n + m + o의 합은 사용되는 금속 원자의 산화 상태와 배위수 및 리간드 L 및 K의 자리수 및 또한 n이 1 이상인 조건에서 리간드 L의 전하에 따라 달라진다.본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물은 카르벤 리간드(들)의 가교를 갖고 Y 위치에서 S, 0, PR2 및 SiR22에서 선택된 기를 갖는다. 본 발명의 가교된 카르벤 착물은 양호한 안정성을 가지며 화학식 I의 본 발명 카르벤 착물에 의하면 개선된 특성 스펙트럼, 예컨대 개선된 효율 및/또는 개선된 수명을 갖는 OLED가 얻어질 수 있다.치환 또는 비치환된 C1-C20-알킬은 1∼20개의 탄소 원자를 갖는 알킬 라디칼을 의미하는 것으로 이해된다. C1- 내지 C10-알킬 라디칼이 바람직하고, C1- 내지 C6-알킬 라디칼이 특히 바람직하다. 알킬 라디칼은 직쇄형 또는 분지형일 수 있다. 또한, 알킬 라디칼은 C1-C20-알킬, C1-C20-알콕시, 할로겐, 바람직하게는 F, C1-C20-할로알킬, 예컨대 CF3 및 치환 또는 비치환될 수 있는 C6-C30-아릴로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환될 수 있다. 적당한 아릴 치환기 및 적당한 알콕시 및 할로겐 치환기는 이하에 개시된다. 적당한 알킬기의 예는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸 및 옥틸, 및 또한 C1-C20-알킬, C1-C20-할로알킬, C6-C30-아릴, C1-C20-알콕시 및/또는 할로겐, 특히 F, 예컨대 CF3로 치환된 언급된 알킬기의 유도체이다. 이것은 또한 언급된 라디칼의 n-이성질체 및 이소프로필, 이소부틸, 이소펜틸, sec-부틸, tert-부틸, 네오펜틸, 3,3-디메틸부틸, 3-에틸헥실 등과 같은 분지형 이성질체를 포함한다. 바람직한 알킬기는 메틸, 에틸, 이소프로필, tert-부틸 및 CF3이다.치환 또는 비치환된 C5-C20-시클로알킬은 기본 골격(고리)에 5∼20, 바람직하게는 5∼10, 더 바람직하게는 5∼8개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기를 의미하는 것으로 이해된다. 적당한 치환기는 알킬기에 대해 언급된 치환기이다. 알킬기에 대하여 상기 언급한 라디칼로 치환 또는 비치환될 수 있는 적당한 시클로알킬기의 예는 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸, 시클로노닐 및 시클로데실이다. 적절할 경우, 데칼리닐, 노르보르닐, 보르나닐 또는 아다만틸과 같은 다환식 고리계일 수 있다.치환 또는 비치환된 C5-C20-시클로알케닐은 기본 골격(고리)에 5∼20, 바람직하게는 5∼10, 더 바람직하게는 5∼8개의 탄소 원자를 갖는 시클로알케닐기를 의미하는 것으로 이해된다. 적당한 치환기는 알킬기에 대해 언급된 치환기이다. 시클로알케닐은 시클로알케닐 고리 내에 하나의 이중 결합을 갖거나 또는 - 고리 크기에 따라 - 하나 초과의 이중 결합을 가질 수 있다. 이중 결합은 공액 또는 비공액될 수 있다. 시클로알케닐기는 바람직하게는 시클로알케닐 고리 내에 하나의 이중 결합을 가진다. 알킬기에 대하여 상기 언급한 라디칼로 치환 또는 비치환될 수 있는 적당한 시클로알케닐기의 예는 시클로펜테닐, 시클로헥세닐, 시클로헵테닐, 시클로옥테닐, 시클로노네닐 및 시클로데세닐이다. 적절할 경우, 이들은 또한 다환식 고리계일 수 있으며, 이 경우 고리 중 하나 이상은 시클로알케닐 고리이다.5∼30개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬은 5∼30, 바람직하게는 5∼10, 더 바람직하게는 5∼8개의 고리 원자를 갖는 헤테로시클로알킬기를 의미하는 것으로 이해되며, 헤테로시클로알킬 기본 골격 중의 1 이상의 탄소 원자는 헤테로원자로 치환된다. 바람직한 헤테로원자는 N, 0 및 S이다. 적당한 치환기는 알킬기에 대해 언급된 치환기이다. 알킬기에 대하여 상기 언급한 라디칼로 치환 또는 비치환될 수 있는 적당한 헤테로시클로알킬기의 예는 이하의 복소환에서 유도된 라디칼이다: 피롤리딘, 티올란, 테트라히드로푸란, 1,2-옥사티올란, 옥사졸리딘, 피페리딘, 티안, 옥산, 디옥산, 1,3-디티안, 모르폴린, 피페라진. 적절할 경우, 이들은 또한 다환식 고리계일 수 있다.5∼30개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알케닐은 5∼30, 바람직하게는 5∼10, 더 바람직하게는 5∼8개의 고리 원자를 갖는 헤테로시클로알케닐기를 의미하는 것으로 이해되며, 헤테로시클로알케닐 기본 골격 중의 1 이상의 탄소 원자는 헤테로원자로 치환되고 1 이상의 이중 결합은 헤테로시클로알케닐 기본 골격 중에 존재한다. 헤테로시클로알케닐기는 헤테로시클로알케닐 고리 내에 하나의 이중 결합을 갖거나 또는 - 고리 크기에 따라 - 하나 초과의 이중 결합을 가질 수 있다. 이중 결합은 공액 또는 비공액될 수 있다. 헤테로시클로알케닐기는 바람직하게는 헤테로시클로알케닐 고리 내에 하나의 이중 결합을 가진다. 바람직한 헤테로원자는 N, 0 및 S이다. 적당한 치환기는 알킬기에 대해 언급된 치환기이다.치환 또는 비치환된 C2-C20-알케닐은 2∼20개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 라디칼을 의미하는 것으로 이해된다. C2- 내지 C10-알케닐 라디칼이 바람직하고, C2- 내지 C6-알케닐 라디칼이 특히 바람직하다. 알케닐 라디칼은 직쇄형 또는 분지형일 수 있다. 또한, 알케닐 라디칼은 알킬 라디칼에 대하여 언급된 하나 이상의 치환기로 치환될 수 있다. 알케닐 라디칼은 - 사슬 길이에 따라 - 하나 이상의 이중 결합을 가질 수 있으며, 이 경우 이중 결합은 서로 공액되거나 서로 분리될 수 있다. 적당한 알케닐기의 예는 상기 언급된 라디칼 중의 임의의 위치에 이중 결합이 존재할 수 있는 경우 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 헥세닐, 헵테닐 및 옥테닐 및 또한 C1-C20-알킬, C1-C20-할로알킬, C6-C30-아릴, C1-C20-알콕시 및/또는 할로겐, 특히 F로 치환된 언급된 알케닐기의 유도체이다.치환 또는 비치환된 C2-C20-알키닐은 2∼20개의 탄소 원자를 갖는 알키닐 라디칼을 의미하는 것으로 이해된다. C2- 내지 C10-알키닐 라디칼이 바람직하고, C2- 내지 C6-알키닐 라디칼이 특히 바람직하다. 알키닐 라디칼은 직쇄형 또는 분지형일 수 있다. 또한, 알키닐 라디칼은 알킬 라디칼에 대하여 언급된 하나 이상의 치환기로 치환될 수 있다. 알키닐 라디칼은 - 사슬 길이에 따라 - 하나 이상의 삼중 결합을 가질 수 있으며, 이 경우 삼중 결합은 서로 공액되거나 서로 분리될 수 있다. 적당한 알키닐기의 예는 상기 언급된 라디칼 중의 임의의 위치에 삼중 결합이 존재할 수 있는 경우 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐, 헵티닐 및 옥티닐 및 또한 C1-C20-알킬, C1-C20-할로알킬, C6-C30-아릴, C1-C20-알콕시 및/또는 할로겐, 특히 F로 치환된 언급된 알키닐기의 유도체이다.적당한 C1-C20-알콕시 및 C1-C20-알킬티오기는 상응하여 언급된 C1-C20-알킬 라디칼로부터 유도된다. 여기서 예는 OCH3, OC2H5, OC3H7, OC4H9 및 OC8H17, 및 SCH3, SC2H5, SC3H7, SC4H9 및 SC8H17을 포함한다. C3H7, C4H9 및 C8H17은 이소프로필, 이소부틸, sec-부틸, tert-부틸 및 2-에틸헥실과 같은 n-이성질체 및 분지형 이성질체를 모두 포함한다. 특히 바람직한 알콕시 또는 알킬티오 기는 메톡시, 에톡시, n-옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시 및 SCH3이다.본 출원의 상황에서 적당한 할로겐 라디칼 또는 할로겐 치환기는 불소, 염소, 브롬 및 요오드, 바람직하게는 불소, 염소 및 브롬, 더 바람직하게는 불소 및 염소, 가장 바람직하게는 불소이다.본 출원의 상황에서 적당한 유사할로겐 라디칼은 CN, SCN, OCN, N3 및 SeCN, 바람직하게는 CN 및 SCN이다. 매우 특히 바람직하게는 CN이다.C6-C30-아릴은 본 발명에서 단환식, 이환식 또는 삼환식 방향족에서 유도되고 임의의 고리 헤테로원자를 포함하지 않는 라디칼을 의미한다. 계가 단환식 계가 아닌 경우, 특정 형태가 공지되고 안정한 경우, 포화 형태(퍼히드로 형태) 또는 부분 불포화 형태(예컨대 디히드로 형태 또는 테트라히드로 형태)도 또한 용어 "아릴"에서 제2 고리에 가능하다. 이것은 본 발명에서 용어 "아릴"이 예를 들면 3개의 라디칼 중 2개 또는 전부가 방향족인 이환식 또는 삼환식 라디칼 및 또한 오직 1개의 고리가 방향족인 이환식 또는 삼환식 라디칼 및 2개의 고리가 방향족인 삼환식 라디칼을 포함함을 의미한다. 아릴의 예는 페닐, 나프틸, 인다닐, 1,2-디히드로나프테닐, 1,4-디히드로나프테닐, 인데닐, 안트라세닐, 페난트레닐 또는 1,2,3,4-테트라히드로나프틸이다. C6-C10-아릴 라디칼, 예컨대 페닐 또는 나프틸이 특히 바람직하고, C6-아릴 라디칼, 예컨대 페닐이 매우 특히 바람직하다.C6-C30-아릴 라디칼은 하나 이상의 추가의 라디칼로 치환 또는 비치환될 수 있다. 적당한 추가의 라디칼은 C1-C20-알킬, C6-C30-아릴 또는 공여체 또는 수용체 작용을 갖는 치환기로 구성된 군에서 선택되며, 공여체 또는 수용체 작용을 갖는 적당한 치환기는 이하에 개시된다. C6-C30-아릴 라디칼은 바람직하게는 하나 이상의 C1-C20-알킬기, C1-C20-알콕시기, CN, CF3, F 또는 아미노기(NR4R5 여기서 적당한 R4 및 R5 라디칼은 상기 개시됨)로 치환 또는 비치환된다. 추가의 바람직한 치환기는 C6-C30-아릴 라디칼은 화학식 I의 화합물의 최종 용도에 따라 달라지며 이하에 개시된다.적당한 C6-C30-아릴옥시, C6-C30-아릴티오 라디칼은 상응하게 상기 언급된 C6-C30-아릴 라디칼로부터 유도된다. 페녹시 및 페닐티오가 특히 바람직하다.5∼30개의 고리 원자를 갖는 비치환 또는 치환 헤테로아릴은 상기 언급된 아릴에서 부분적으로 유도될 수 있고 아릴 기본 골격 내의 1 이상의 탄소 원자가 헤테로원자로 대체된 단환식, 이환식 또는 삼환식 헤테로방향족을 의미하는 것으로 이해된다. 바람직한 헤테로원자는 N, 0 또는 S이다. 더 바람직하게는, 헤테로아릴 라디칼은 5∼13개의 고리 원자를 가진다. 특히 바람직하게는, 헤테로아릴 라디칼의 기본 골격은 피리딘 및 티오펜, 피롤, 이미다졸, 티아졸, 옥사졸 또는 푸란과 같은 5원 헤테로방향족과 같은 계로부터 선택된다. 이들 기본 골격은 임의로 하나 또는 두 6원 방향족 라디칼에 융합될 수 있다. 적당한 융합 헤테로방향족은 카르바졸릴, 벤즈이미다졸릴, 벤조푸릴, 벤조티아졸, 벤족사졸, 디벤조푸릴 또는 디벤조티오페닐이다.기본 골격은 하나, 하나 초과 또는 모든 치환 가능한 위치에서 치환될 수 있으며 적당한 치환기는 C6-C30-아릴의 정의 하에 이미 언급된 것과 동일하다. 그러나, 헤테로아릴 라디칼은 바람직하게는 비치환된다. 적당한 헤테로아릴 라디칼은 예컨대, 피리딘-2-일, 피리딘-3-일, 피리딘-4-일, 티오펜-2-일, 티오펜-3-일, 피롤-2-일, 피롤-3-일, 푸란-2-일, 푸란-3-일, 티아졸-2-일, 옥사졸-2-일 및 이미다졸-2-일, 해당 벤조융합 라디칼, 특히 카르바졸릴, 벤즈이미다졸릴, 벤조푸릴, 벤조티아졸, 벤족사졸, 디벤조푸릴 또는 디벤조티오페닐이다.본 출원의 상황에서, 공여체 또는 수용체 작용을 갖는 기는 이하의 기를 의미하는 것으로 이해된다:C1-C2O-알콕시, C5-C3O-아릴옥시, C1-C2O-알킬티오, C6-C3O-아릴티오, SiR4R5R6, 할로겐 라디칼, 할로겐화 C1-C20-알킬 라디칼, 카르보닐(-CO(R4)), 카르보닐티오(-C=0(SR4)), 카르보닐옥시(-C=0(OR4)), 옥시카르보닐(-OC=0(R4)), 티오카르보닐(-SC=0(R4)), 아미노(-NR4R5), OH, 유사할로겐 라디칼, 아미도(-C=0(NR4R5)), -NR4C=0(R5), 포스포네이트(-P(0)(OR4)2), 포스페이트(-OP(0)(OR4)2), 포스핀(-PR4R5), 포스핀 옥시드(-P(0)R42), 설페이트(-0S(0)2OR4), 설폭시드(-S(0)R4), 설포네이트(-S(0)2OR4), 설포닐(-S(0)2R4), 설폰아미드(-S(0)2NR4R5), NO2, 보론산 에스테르(-OB(OR4)2), 이미노(-C=NR4R5), 보란 라디칼, 주석산염 라디칼, 히드라진 라디칼, 히드라존 라디칼, 옥심 라디칼, 니트로소기, 디아조기, 비닐기, 설폭시민, 알란, 게르만, 보록신 및 보라진.공여체 또는 수용체 작용을 갖는 바람직한 치환기는 이하로 구성된 군에서 선택된다: C1-C20-알콕시, 바람직하게는 C1-C6-알콕시, 더 바람직하게는 에톡시 또는 메톡시; C6-C30-아릴옥시, 바람직하게는 C6-C10-아릴옥시, 더 바람직하게는 페닐옥시; SiR4R5R6(여기서, R4, R5 및 R6은 바람직하게는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬 또는 치환 또는 비치환된 페닐이고, 적당한 치환기는 상기 개시됨); 할로겐 라디칼, 바람직하게는 F, Cl, Br, 더 바람직하게는 F 또는 Cl, 가장 바람직하게는 F, 할로겐화 C1-C20-알킬 라디칼, 바람직하게는 할로겐화 C1-C6-알킬 라디칼, 가장 바람직하게는 불화 C1-C6-알킬 라디칼, 예컨대 CF3, CH2F, CHF2 또는 C2F5; 아미노, 바람직하게는 디메틸아미노, 디에틸아미노 또는 디페닐아미노; OH, 유사할로겐 라디칼, 바람직하게는 CN, SCN 또는 OCN, 더 바람직하게는 CN, -C(0)OC1-C4-알킬, 바람직하게는 -C(0)OMe, P(0)R2, 바람직하게는 P(0)Ph2 및 S02R2, 바람직하게는 S02Ph.공여체 또는 수용체 작용을 갖는 매우 특히 바람직한 치환기는 메톡시, 페닐옥시, 할로겐화 C1-C4-알킬, 바람직하게는 CF3, CH2F, CHF2, C2F5, 할로겐, 바람직하게는 F, CN, SiR4R5R6(여기서, R4, R5 및 R6 라디칼은 이미 개시됨), 디페닐아미노, -C(0)OC1-C4-알킬, 바람직하게는 -C(0)OMe, P(0)Ph2 및 S02Ph로 구성된 군에서 선택된다.공여체 또는 수용체 작용을 갖는 상기 언급된 기는 상기 언급된 것들 중에서 추가의 라디칼 및 기가 또한 공여체 또는 수용체 작용을 가질 수 있다는 가능성을 배제하려는 의도는 아니다. 예컨대, 상기 언급된 헤테로아릴 라디칼도 마찬가지로 공여체 또는 수용체 작용을 갖는 기이고, C1-C20-알킬 라디칼은 공여체 작용을 갖는 기이다.공여체 또는 수용체 작용을 갖는 상기 언급된 기에서 언급된 R4, R5 및 R6은 각각 상기에서 이미 정의된 바와 같다. 즉, R4, R5 및 R6은 각각 독립적으로: 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C20-알킬 또는 치환 또는 비치환된 C6-C30-아릴 또는 5∼30개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴, 상기 개시된 적당하고 바람직한 알킬 및 아릴 라디칼이다. 더 바람직하게는,R4, R5 및 R6 라디칼은 각각 C1-C6-알킬, 예컨대 메틸, 에틸, i-프로필 또는 tert-부틸, 또는 페닐 또는 피리딜이다.본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물에서 금속 원자 M은 적절한 금속 원자에 가능한 임의의 산화 상태에서 원소 주기율표(CAS 버젼)의 IB, IIB, IIIB, IVB, VB, VIB, VIIB, VIIIB, 란탄 계열 및 IIIA족의 금속; 바람직하게는 Fe, Os, Co, Rh, Ir, Ni, Ru, Pd 및 Pt, Cu, Au, Ce, Tb, Eu, 더 바람직하게는 Os, Ru, Rh, Ir 및 Pt, 가장 바람직하게는 Ir, Os 및 Pt로 구성된 군에서 선택된다.더 바람직하게는, 금속 M은 Ir, Os 및 Pt로 구성된 군에서 선택되며, Os(II), Ir(III) 및 Pt(II)가 바람직하고 Ir(III)이 특히 바람직하다.카르벤 리간드의 수 n 및 존재하는 임의의 리간드 K 및 L의 수 m 및 o는 금속 M의 산화 상태와 배위수, 및 화학식 I의 본 발명 카르벤 착물에 1 이상의 카르벤 리간드가 존재할 경우, 즉 n이 1 이상일 경우 리간드 L의 자리수 및 전하에 의존한다.사용되는 금속 M의 전하 및 배위수에 의존하는 화학식 I의 본 발명 카르벤 착물의 바람직한 실시양태는 이하에 개시된다:M이 4의 배위수를 갖는 금속[예컨대, Pt(II) 또는 Pd(II), Ir(I), Rh(I)]일 경우, 화학식 I의 본 발명 카르벤 착물은 하나 또는 두 카르벤 리간드를 보유, 즉 n은 1 또는 2이고, n이 1이고 M이 4의 배위수를 갖는 금속일 경우, 하나의 1가 음이온성 두자리 리간드 L은 본 발명 카르벤 착물 중에 카르벤 리간드와 마찬가지로 존재한다. 즉 o는 1이다. M이 6의 배위수를 갖는 금속[예컨대, Ir(III), Co(II), Co(III), Rh(III), Os(II), Pt(IV)]일 경우, 화학식 I의 본 발명 카르벤 착물은 전하에 따라 바람직하게는 1, 2 또는 3, 바람직하게는 2 또는 3의 동일하거나 상이할 수 있는 화학식 I의 카르벤 리간드를 가진다. 즉 n은 1, 2 또는 3, 바람직하게는 2 또는 3이다. 예컨대, Ir(III), Co(III) 또는 Rh(III)의 경우에 n은 일반적으로 1, 2 또는 3인데, 여기서, n = 1인 경우, 두 추가의 1가 음이온성 두자리 리간드 L이 존재, 즉 o가 2이다. n = 2인 경우, 상기 언급된 카르벤 착물은 한 추가의 1가 음이온성 두자리 리간드 L을 보유, 즉 o는 1이다. 특히 바람직한 n = 3인 경우, 상기 언급된 카르벤 착물은 임의의 추가의 리간드 K 및 L을 비보유, 즉 m 및 o는 각각 0이다. Os(II)의 경우, n은 일반적으로 1 또는 2인데, 여기서, n = 1인 경우, 한 추가의 1가 음이온성 두자리 리간드 L 및 한 추가의 비하전된 두자리 리간드 K가 존재, 즉 o가 1이고 m이 1이다. 특히 바람직한 n = 2인 경우, 상기 언급된 카르벤 착물은 한 추가의 비하전된 두자리 리간드 K를 보유, 즉 m은 1이다. 금속 원자 M이 8 이상의 배위수를 갖는 경우, 화학식 I의 본 발명 카르벤 착물은 1, 2 또는 3개의 카르벤 리간드 뿐만 아니라 하나 이상의 추가의 카르벤 리간드 및/또는 하나 이상의 추가의 리간드 K 및/또는 L을 가질 수 있다. 바람직한 실시양태에서, 본 발명은 배위수 0의 금속 M, 바람직하게는 Ir(III)을 갖는 화학식 I(여기서, n = 3이고 m과 o는 각각 0임)의 가교된 고리금속화 카르벤 착물에 관한 것이다.사용되는 금속 M의 배위수 및 사용되는 카르벤 리간드의 수(n) 및 사용될 수 있는 추가의 리간드 K 및 L의 수(m 및 o)에 따라 사용되는 카르벤 리간드 및 추가의 리간드의 동일한 금속 M 및 동일한 성질을 갖는 해당 금속 착물의 상이한 이성질체가 존재할 수 있다. 예컨대, 배위수 6의 금속 M을 갖는 착물(즉, 8면체 착물), 예컨대 Ir(III) 착물의 경우, 착물이 일반 조성 M(AB)3(여기서, AB는 두자리 리간드임)의 착물일 때, "fac-mer 이성질체"(면/자오선 이성질체)가 가능하다. 본 출원의 상황에서, "fac-mer 이성질체"는 이하에 도시된 이성질체를 의미하는 것으로 이해된다:배위수 4의 금속 M을 갖는 사각 평면 착물, 예컨대 Pt(II) 착물의 경우, 착물이 일반 조성 M(AB)2(여기서, AB는 두자리 리간드임)의 착물일 때, "시스/트랜스 이성질체"가 가능하다. 본 출원의 상황에서, "이성질체"는 이하에 도시된 이성질체를 의미하는 것으로 이해된다:기호 A 및 B는 각각 리간드의 한 결합 부위이며, 오직 두자리 리간드만이 존재한다. 상기 언급된 일반 조성에 따라, 두자리 리간드는 두 A기 및 두 B기를 가진다.시스/트랜스 및 fac-mer 이성질체의 의미는 원칙적으로 당업자에게 공지이다. 조성 MA3B3의 착물에서, 동일한 유형의 세 기는 한 팔면체 면의 코너를 점유하거나(면 이성질체) 또는 자오선, 즉 세 리간드 결합 부위의 두 결합 부위가 서로에 대하여 트랜스일 수 있다(자오선 이성질체). 팔면체 금속 착물에서 시스/트랜스 이성질체 및 fac-mer 이성질체의 정의에 대해서는, 예컨대, 문헌[J. Huheey, E. Keiter, R. Keiter, Anorganische Chemie: Prinzipien von Struktur und Reaktivitat(Inorganic Chemistry: Principles of Structure and Reactivity), 제2 신개정판, 독일어로 번역되고 Ralf Steudel, Berlin가 부연함, Berlin; New York: do Gruyter, 1995, 575∼576 페이지] 참조.사각 평면 착물의 경우 시스 이성체화는 조성 MA2B2의 착물에서 2개의 A 기 및 2개의 B 기 둘 다가 평면의 인접한 코너를 차지하는 반면, 트랜스 이성체화의 경우 2개의 A 기 및 2개의 B 기 둘 다가 각각 평면의 2개의 상호 대각선 반대 코너를 차지한다는 것을 의미한다. 사각 평면 금속 착물에서 시스/트랜스 이성체의 정의와 관련하여, 예를 들면 문헌[J. Huheey, E. Keiter, R. Keiter, Anorganische Chemie: Prinzipien von Struktur und Reaktivitat[Inorganic Chemistry: Principles of Structure and Reactivity], 2판, 새 개정판, 독일어로 번역되고 Ralf Steudel, Berlin가 부연함; New York: do Gruyter, 1995, 557 내지 559 페이지]을 참조한다. 일반적으로, 화학식 I의 본 발명 카르벤 착물의 상이한 이성질체는 당업자에게 공지된 방법, 예컨대 크로마토그래피, 승화 또는 결정화에 의하여 분리될 수 있다.따라서, 본 발명은 각 경우 화학식 I의 카르벤 착물의 개개의 이성질체 및 임의의 혼합비의 상이한 이성질체 혼합물 모두에 관한 것이다.전이 금속 원자 M의 배위수가 6이고 산화 상태가 III인 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물, 특히 바람직하게는 Ir(III)에서 카르벤 리간드의 수 n은 바람직하게는 3이고, 이들 착물 중의 추가 리간드 K 및 L의 수 m 및 o는 바람직하게는 각각 0이다.전이 금속 원자 M의 배위수가 6이고 산화 상태가 II인 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물, 특히 바람직하게는 Os(II)에서 카르벤 리간드의 수 n은 바람직하게는 2이고, 이 경우 한 추가의 비하전된 두자리 리간드 K가 존재, 즉 m은 바람직하게는 1이다. 이들 착물에서 o는 바람직하게는 0이다.전이 금속 원자 M의 배위수가 4인 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물, 특히 바람직하게는 Pt(II)에서 카르벤 리간드의 수 n은 바람직하게는 1 또는 2이고, 여기서, n = 1인 경우, 바람직하게는 하나의 추가의 1가 음이온성 두자리 리간드 L이 존재, 즉 o도 역시 바람직하게는 1이고 m은 바람직하게는 0이다. n = 2인 경우, m 및 o는 바람직하게는 각각 0이다.매우 특히 바람직한 실시양태에서, 화학식 I의 카르벤 착물 중의 M은 Ir(III)이고 n은 3이며 m과 o는 각각 0이다.n 003e# 1인 경우 카르벤 착물 중의 n개의 카르벤 리간드는 동일하거나 상이할 수 있다. 이들은 바람직하게는 동일하다. 즉 M = Ir(III)이고 n = 3인 경우, 3개의 카르벤 리간드는 바람직하게는 동일하다.한자리 또는 두자리일 수 있는 적당한 1가 또는 2가 음이온성 리간드 L, 바람직하게는 1가 음이온성 리간드 L은 한자리 또는 두자리, 1가 또는 2가 음이온성 리간드로서 일반적으로 사용되는 리간드이다.적당한 1가 음이온성 한자리 리간드는 예컨대 할로겐화물, 특히 Cl- 및 Br-, 유사할로겐화물, 특히 CN-, 시클로펜타디에닐(Cp-), 수소화물, 알콕시, 아릴옥시, 시그마 결합에 의하여 전이 금속 M1에 결합된 알킬 라디칼, 예컨대 CH3, 시그마 결합에 의하여 전이 금속 M1에 결합된 알킬아릴 라디칼, 예컨대 벤질이다. 적당한 1가 음이온성 두자리 리간드는 예컨대 아세틸아세토네이트 및 이의 유도체, 피콜리네이트, Schiff 염기, 아미노산, 아릴아졸, 예컨대 페닐피리딘, 및 WO 02/15645호에 개시된 추가의 두자리 1가 음이온성 리간드이고, 아세틸아세토네이트 및 피콜리네이트가 바람직하다.적당한 2가 음이온성 두자리 리간드는 예컨대 디알콕시드, 디카르보네이트, 디카르복실레이트, 디아미드, 디이미드, 디티올레이트, 비스시클로펜타디에닐, 비스포스포네이트, 비스설포네이트 및 3-페닐피라졸이다.적당한 비하전된 한자리 또는 두자리 리간드 K는 바람직하게는 포스핀, 모노포스핀 및 비스포스핀; 포스포네이트, 모노포스포네이트 및 비스포스포네이트, 및 이들의 유도체, 비산염(모노비산염 및 디비산염) 및 이의 유도체; 포스파이트(모노포스파이트 및 비스포스파이트); CO; 피리딘(모노피리딘 및 비스피리딘; M1과 π-착물을 형성하는 니트릴, 디니트릴, 알릴, 디이민, 비공액 디엔 및 공액 디엔으로 구성된 군에서 선택된다. 특히 바람직한 비하전된 한자리 또는 두자리 리간드 K는 포스핀(모노포스핀 및 비스포스핀), 바람직하게는 트리알킬-, 트리아릴- 또는 알킬아릴포스핀, 더 바람직하게는 PAr3(여기서, Ar은 치환 또는 비치환된 아릴 라디칼이고 PAr3에서 세 아릴 라디칼은 동일하거나 상이할 수 있음), 더 바람직하게는 PPh3, PEt3, PnBu3, PEt2Ph, PMe2Ph, PnBu2Ph; 포스포네이트 및 이의 유도체, 비산염 및 이의 유도체, 포스파이트, CO; 피리딘(모노피리딘 및 비스피리딘)(여기서, 피리딘은 알킬 또는 아릴 기로 치환될 수 있음); M1과 π-착물을 형성하는 니트릴 및 디엔, 바람직하게는 η4-1,4-디페닐-1,3-부타디엔, η4-1,3-펜타디엔, η4-1-페닐-1,3-펜타디엔, η4-1,4-디벤질-1,3-부타디엔, η4-2,4-헥사디엔, η4-3-메틸-1,3-펜타디엔, η4-1,4-디톨릴-1,3-부타디엔, η4-1,4-비스(트리메틸실릴)1,3-부타디엔 및 η2- 또는 η4-시클로옥타디엔(각 경우 1,3 및 각 경우 1,5), 더 바람직하게는 1,4-디페닐-1,3-부타디엔, 1-페닐-1,3-펜타디엔, 2,4-헥사디엔, 부타디엔, η2-시클로옥텐, η4-1,3-시클로옥타디엔 및 η4-1,5-시클로옥타디엔으로 구성된 군에서 선택된다. 매우 특히 바람직한 비하전된 한자리 리간드는 PPh3, P(OPh)3, AsPh3, CO, 피리딘, 니트릴 및 이들의 유도체로 구성된 군에서 선택된다. 적당한 비하전된 한자리 또는 두자리 리간드는 바람직하게는 1,4-디페닐-1,3-부타디엔, 1-페닐-1,3-펜타디엔, 2,4-헥사디엔, η4-시클로옥타디엔 및 η2-시클로옥타디엔(각 경우 1,3 및 각 경우 1,5)로 구성된 군에서 선택된다.화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물에서 R1, R2 및 R3 라디칼은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C20-알킬, 치환 또는 비치환된 C5-C2O-시클로알킬, 치환 또는 비치환된 C5-C2O-시클로알케닐, 5∼30개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬, 5∼30개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알케닐, 치환 또는 비치환된 C2-C20-알케닐, 치환 또는 비치환된 C2-C20-알키닐, 치환 또는 비치환된 C6-C30-아릴, 5∼30개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴 또는 C1-C2O-알콕시, C6-C3O-아릴옥시, C1-C2O-알킬티오, C6-C3O-아릴티오, SiR4R5R6, 할로겐 라디칼, 할로겐화 C1-C20-알킬 라디칼, 카르보닐(-CO(R4)), 카르보닐티오(-C=0(SR4)), 카르보닐옥시(-C=0(OR4)), 옥시카르보닐(-OC=0(R4)), 티오카르보닐(-SC=0(R4)), 아미노(-NR4R5), OH, 유사할로겐 라디칼, 아미도(-C=0(NR4R5)), -NR4C=0(R5), 포스포네이트(-P(0)(OR4)2), 포스페이트(-OP(0)(OR4)2), 포스핀(-PR4R5), 포스핀 옥시드(-P(0)R42), 설페이트(-0S(0)2OR4), 설폭시드(-S(0)R4), 설포네이트(-S(0)2OR4), 설포닐(-S(0)2R4), 설폰아미드(-S(0)2NR4R5), NO2, 보론산 에스테르(-B(OR4)2), 이미노(-C=NR4R5), 보란 라디칼, 주석산염 라디칼, 히드라진 라디칼, 히드라존 라디칼, 옥심 라디칼, 니트로소기, 디아조기, 비닐기, 설폭시민, 알란, 게르만, 보록신 및 보라진으로 구성된 군에서 선택되는 공여체 또는 수용체 작용을 갖는 치환기이거나;또는R1 및 R2는 이들 라디칼이 X-Y기와 함께 5∼8원 고리, 바람직하게는 5원 또는 6원 고리를 형성하도록 함께 3∼6개의 원자, 바람직하게는 3개 또는 4개의 원자를 포함하는 포화 또는 불포화, 치환 또는 비치환된 가교를 형성하거나;또는두 인접 R3 라디칼은 이것이 A=D, D-E, A'=D', D'-E', E'=G' 부분 중 하나와 함께 5∼8원 고리, 바람직하게는 5원 또는 6원 고리를 형성하도록 함께 3∼6개의 원자, 바람직하게는 3개 또는 4개의 원자를 포함하는 포화 또는 불포화, 치환 또는 비치환된 가교를 형성하거나;또는 G' 및 A 위치에서 R3 라디칼은 이것이 -G'-C-C-A- 부분과 함께 5∼8원 고리를 형성하도록 함께 1∼4개의 원자를 포함하는 포화 또는 불포화, 치환 또는 비치환된 가교를 형성하며;가교는 바람직하게는 C1-C4-알킬, 더 바람직하게는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, sec-부틸 또는 tert-부틸, 치환 또는 비치환된 페닐, 바람직하게는 비치환된 페닐, 톨릴, 디메틸페닐, 트리메틸페닐, F-, CN-, 메톡시- 및/또는 CF3-치환된 페닐, 5∼13개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴, 바람직하게는 피리딜, 티에닐, 피롤릴, 푸릴 또는 이미다졸릴, C1-C4-알콕시, 더 바람직하게는 메톡시, C6-C10-아릴옥시, 특히 페녹시, C1-C4-알킬티오, 바람직하게는 SCH3, C6-C10-아릴티오, 바람직하게는 SPh, SiR4R5R6, 바람직하게는 SiMe3 또는 SiPh3, F, Cl, Br, 바람직하게는 F, 할로겐화 C1-C10-알킬 라디칼, 바람직하게는 CF3, 및 유사할로겐 라디칼, 바람직하게는 CN으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 라디칼에 의하여 치환되거나 또는 비치환(즉 모든 치환 가능한 위치가 수소로 치환됨)되고; 여기서 가교는 바람직하게는 탄소 원자로 형성되고 임의로 1 또는 2 개의 헤테로원자, 바람직하게는 1 또는 2 개의 질소 원자를 가진다.바람직한 실시양태에서, R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C20-알킬, 치환 또는 비치환된 C2-C20-알케닐, 치환 또는 비치환된 C2-C20-알키닐, 치환 또는 비치환된 C6-C3O-아릴, 5∼30개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴, C1-C20-알콕시, C6-C3O-아릴옥시, C1-C20-알킬티오, C6-C3O-아릴티오, SiR4R5R6, 할로겐 라디칼, 할로겐화 C1-C20-알킬 라디칼 및 유사할로겐 라디칼로 구성된 군에서 선택된다. 더 바람직하게는, R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C20-알킬, 바람직하게는 C1-C4-알킬, 더 바람직하게는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, sec-부틸 또는 tert-부틸, 치환 또는 비치환된 C6-C30-아릴, 바람직하게는 치환 또는 비치환된 페닐, 더 바람직하게는 비치환된 페닐, 톨릴, 디메틸페닐, 트리메틸페닐, F-, CN-, 메톡시- 및/또는 CF3-치환된 페닐, 5∼30개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴, 바람직하게는 5∼13개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴, 더 바람직하게는 피리딜, 티에닐, 피롤릴, 푸릴, 티아졸릴, 옥사졸릴, 피라졸릴 또는 이미다졸릴, C1-C20-알콕시, 바람직하게는 C1-C4-알콕시, 더 바람직하게는 메톡시, C6-C30-아릴옥시, 바람직하게는 C6-C10-아릴옥시, 더 바람직하게는 페녹시, C1-C20-알킬티오, 바람직하게는 C1-C4-알킬티오, 더 바람직하게는 SCH3, C6-C30-아릴티오, 바람직하게는 C6-C10-아릴티오, 더 바람직하게는 SPh, SiR4R5R6, 바람직하게는 SiMe3 또는 SiPh3, 할로겐 라디칼, 바람직하게는 F, Cl, Br, 더 바람직하게는 F, 할로겐화 C1-C20-알킬 라디칼, 바람직하게는 할로겐화 C1-C10-알킬 라디칼, 더 바람직하게는 CF3, 및 유사할로겐 라디칼, 바람직하게는 CN으로 구성된 군에서 선택되거나;또는R1 및 R2는 이들 라디칼이 X-Y기와 함께 5원 또는 6원 고리를 형성하도록 함께 3개 또는 4개의 탄소 원자를 포함하는 포화 또는 불포화 메틸-, 페닐-, 메톡시-, SiMe3-, SiPh3-, F-, CF3- 또는 CN-치환된 또는 비치환된 가교를 형성하거나;또는두 인접 R3 라디칼은 이것이 A=D, D-E, A'=D', D'-E', E'=G' 부분 중 하나와 함께 5원 또는 6원 고리를 형성하도록 함께 3개 또는 4개의 탄소 원자를 포함하는 포화 또는 불포화 메틸-, 메톡시-, SiMe3-, SiPh3-, F-, CF3- 또는 CN-치환된 또는 비치환된 가교를 형성하거나;또는G' 및 A 위치에서 R3 라디칼은 이것이 -G'-C-C-A- 부분과 함께 5원 또는 6원 고리를 형성하도록 함께 1개 또는 2개의 탄소 원자를 포함하는 포화 또는 불포화 메틸-, 페닐-, 메톡시-, SiMe3-, SiPh3-, F-, CF3- 또는 CN-치환된 또는 비치환된 가교를 형성한다.특히 바람직한 실시양태에서, R1 및 R3은 각각 상기 정의된 바와 같고 R2는 1 위치에서 분지된 치환 또는 비치환된 C1-C20-알킬, 바람직하게는 이소프로필, 이소부틸, 이소펜틸, sec-부틸 또는 tert-부틸; 치환 또는 비치환된 C6-아릴, 바람직하게는 비치환된 페닐 또는 2- 및/또는 6-위치에서 바람직하게는 메틸, 메톡시, CF3, CN 및/또는 F로 치환된 페닐; 더 바람직하게는 2-톨릴, 2-메톡시페닐, 2-시아노페닐, 2-트리플루오로메틸페닐, 2,6-디플루오로페닐, 2,3-, 2,4-, 2,5- 또는 2,6-디메틸페닐 또는 2,4,6-, 2,3,4- 또는 2,3,5-트리메틸페닐; 5∼13개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴, 바람직하게는 피리딘-2-일, 피리딘-3-일, 피리딘-4-일, 티오펜-2-일, 티오펜-3-일, 피롤-2-일, 피롤-3-일, 푸란-2-일, 푸란-3-일, 티아졸-2-일, 옥사졸-2-일, 피라졸-3-일 또는 이미다졸-2-일, 및 해당 벤조융합된 라디칼; F. Cl, Br; CF3 및 CN으로 구성된 군에서 선택된다.상기 언급된 특히 바람직한 R2 라디칼을 갖는 화학식 I의 카르벤 착물은 특히 양호한 안정성을 갖는 것으로 밝혀졌다.바람직한 실시양태에서, 본 발명은 화학식 I(여기서, X는 CH 또는 N, 바람직하게는 N이고, Y는 바람직하게는 S 또는 0임)의 가교된 고리금속화 카르벤 착물에 관한 것이다. 따라서, X가 CH 또는 N, 바람직하게는 N이고Y가 S 또는 0인 화학식 I의 카르벤 착물이 특히 바람직하다.화학식 I의 카르벤 착물에서 A, D, G, E, A', D', G' 및 E' 기는 각각 독립적으로 CH, CR3 또는 N이다. A, D, G 및 E 기에서 선택된 또는 A', D', G' 및 E' 에서 선택된 바람직하게는 0개, 1개 또는 2개의 기, 더 바람직하게는 0개 또는 1개의 기는 N이다. 특히 바람직한 실시양태에서, A, D, G, E, A', D', G' 및 E' 기는 각각 CH 또는 CR3, 가장 바람직하게는 CH이다. 적당한 R3 라디칼은 상기 개시되어 있다.특히 바람직한 화학식 I의 카르벤 착물은 하기 화학식 Ia 및 Ib의 카르벤 착물에서 선택된다:상기 식 중:A, D, G, E, A', D', G' 및 E'은 각각 독립적으로 CH, CR3 또는 N, 바람직하게는 CH 또는 CR3, 더 바람직하게는 CH이고;X는 CH 또는 CR1이며;R1은 F, CN, C1-C20-알콕시, C6-C30-아릴옥시, C1-C20-알킬티오, C6-C30-아릴티오, 치환 또는 비치환된 C6-C30-아릴 또는 5∼30개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴, 바람직하게는 F, CN, C1- 내지 C4-알콕시, 더 바람직하게는 메톡시, C6- 내지 C10-아릴옥시, 더 바람직하게는 페녹시, C1- 내지 C4-알킬티오, 더 바람직하게는 SCH3, C6- 내지 C10-아릴티오, 치환 또는 비치환된 페닐, 더 바람직하게는 비치환된 페닐, 톨릴, 디메틸페닐, 트리메틸페닐, F-, CN-, 메톡시- 및/또는 CF3-치환된 페닐, 또는 5∼13개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴, 더 바람직하게는 피리딜, 티에닐, 피롤릴, 푸릴, 티아졸릴, 옥사졸릴, 피라졸릴 또는 이미다졸릴, 가장 바람직하게는 F, CN 또는 메톡시, 페닐, 피리딜이고; R2, R3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C20-알킬, 치환 또는 비치환된 C5-C20-시클로알킬, 치환 또는 비치환된 C5-C20-시클로알케닐, 5∼30개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬, 5∼30개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알케닐, 치환 또는 비치환된 C2-C2O-알케닐, 치환 또는 비치환된 C2-C2O-알키닐, 치환 또는 비치환된 C6-C30-아릴, 5∼30개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴 또는 C1-C2O-알콕시, C6-C3O-아릴옥시, C1-C2O-알킬티오, C6-C3O-아릴티오, SiR4R5R6, 할로겐 라디칼, 할로겐화 C1-C20-알킬 라디칼, 카르보닐(-CO(R4)), 카르보닐티오(-C=0(SR4)), 카르보닐옥시(-C=0(OR4)), 옥시카르보닐(-OC=0(R4)), 티오카르보닐(-SC=0(R4)), 아미노(-NR4R5), OH, 유사할로겐 라디칼, 아미도(-C=0(NR4R5)), -NR4C=0(R5), 포스포네이트(-P(0)(OR4)2), 포스페이트(-OP(0)(OR4)2), 포스핀(-PR4R5), 포스핀 옥시드(-P(0)R42), 설페이트(-0S(0)2OR4), 설폭시드(-S(0)R4), 설포네이트(-S(0)2OR4), 설포닐(-S(0)2R4), 설폰아미드(-S(0)2NR4R5), NO2, 보론산 에스테르(-B(OR4)2), 이미노(-C=NR4R5), 보란 라디칼, 주석산염 라디칼, 히드라진 라디칼, 히드라존 라디칼, 옥심 라디칼, 니트로소기, 디아조기, 비닐기, 설폭시민, 알란, 게르만, 보록신 및 보라진으로 구성된 군에서 선택되는 공여체 또는 수용체 작용을 갖는 치환기이거나;또는두 인접 R3 라디칼은 이것이 A=D, D-E, A'=D', D'-E', E'=G' 부분 중 하나와 함께 5∼8원 고리를 형성하도록 함께 3∼6개의 원자를 포함하는 포화 또는 불포화의 치환된, 바람직하게는 메틸-, 페닐-, 메톡시-, SiMe3-, SiPh3-, F-, CF3- 또는 CN-치환된 또는 비치환된 가교를 형성하거나;또는G' 및 A 위치에서 R3 라디칼은 이것이 -G'-C-C-A- 부분과 함께 5∼8원 고리를 형성하도록 함께 1∼4개의 원자를 포함하는 포화 또는 불포화의 치환된, 바람직하게는 메틸-, 페닐-, 메톡시-, SiMe3-, SiPh3-, F-, CF3- 또는 CN-치환된 또는 비치환된 가교를 형성하는데;여기서 R2는 바람직하게는 1 위치에서 분지된 치환 또는 비치환된 C1-C20-알킬, 바람직하게는 이소프로필, 이소부틸, 이소펜틸, sec-부틸 또는 tert-부틸; 치환 또는 비치환된 C6-아릴, 바람직하게는 비치환된 페닐 또는 2- 및/또는 6-위치에서 바람직하게는 메틸, 메톡시, CF3, CN 및/또는 F로 치환된 페닐; 더 바람직하게는 2-톨릴, 2-메톡시페닐, 2-시아노페닐, 2-트리플루오로메틸페닐, 2,6-디플루오로페닐, 2,3-, 2,4-, 2,5- 또는 2,6-디메틸페닐 또는 2,4,6-, 2,3,4- 또는 2,3,5-트리메틸페닐; 5∼13개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴, 바람직하게는 피리딘-2-일, 피리딘-3-일, 피리딘-4-일, 티오펜-2-일, 티오펜-3-일, 피롤-2-일, 피롤-3-일, 푸란-2-일, 푸란-3-일, 티아졸-2-일, 옥사졸-2-일, 피라졸-3-일 또는 이미다졸-2-일, 및 해당 벤조융합된 라디칼; F, Cl, Br; CF3 및 CN으로 구성된 군에서 선택되고;R4, R5, R6는 각각 독립적으로 H, 치환 또는 비치환된 C1-C20-알킬 또는 치환 또는 비치환된 C6-C30-아릴, 또는 5∼30개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴이며;Y는 S 또는 O이고;M은 Ir, Os 또는 Pt; 바람직하게는 Ir(III), Os(II) 또는 Pt(II), 더 바람직하게는 Ir(III)이며;K는 비하전된 두자리 리간드이고;L은 1가 음이온성 두자리 리간드이며;n은 카르벤 리간드의 수인데, 여기서 n은 Ir의 경우 3이고, Os의 경우 2이며, Pt의 경우 1 또는 2이고, 화학식 Ia, Ib, Ic 및 Id의 착물에서 카르벤 리간드는 동일하거나 상이할 수 있고;m은 M = Ir 또는 Pt인 경우 0이고 Os의 경우 1이며;o는 M = Ir 또는 Os 및 Pt이고 n = 2인 경우 0이고, Pt이고 n = 1인 경우 1이다.특히 바람직한 라디칼, 기 및 지수 M, R1, R2, R3, R4, R5, R6, A, D, G, E, A', D', G', E', Y, M, K, L, n, m 및 o는 상기 개시되어 있다. 가장 바람직하게는, 화학식 Ia, Ib, Ic 및 Id의 카르벤 착물에서 M은 Ir(III)이고, n은 3이며, m과 o는 각각 0이다.하기 화학식의 카르벤 착물이 매우 특히 바람직하다:상기 언급된 화합물은 화학식 I의 정의에 따라 임의로 하나 이상의 추가의 치환기로 치환될 수 있다.본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물은 원칙적으로 당업자에게 공지된 방법과 유사하게 제조될 수 있다. 카르벤 착물의 제조를 위한 적당한 방법은 예컨대 문헌[review articles W.A. Hermann et al., Advances in Organometallic Chemistry, 2001 48권, 1∼69, W.A. Hermann et al, Angew. Chem. 1997, 109, 2256∼2282 및 G. Bertrand et al. Chem. Rev. 2000, 100, 39∼91과 상기에 언급된 문헌, 및 또한 WO 2005/113704호, WO 2005/019373호 및 WO 2007/088093호]에 상술된다.일 실시양태에서, 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물은 소정 금속을 포함하는 적당한 금속 착물 및 카르벤 리간드에 상응하는 리간드 전구체로부터 제조된다.카르벤 리간드의 적당한 리간드 전구체는 당업자에게 공지이다. 이들은 바람직하게는 하기 화학식 III의 카르벤 리간드의 양이온성 전구체이다:[상기 식 중,Q-는 1가 음이온성 짝이온, 바람직하게는 할로겐화물, 유사 할로겐화물, BF4-, BPh4-, PF6-, AsF6- 또는 SbF6-이고;추가의 라디칼, 기호 및 지수는 각각 화학식 III의 리간드 전구체에서 상기 정의된 바와 같다.화학식 III의 리간드 전구체는 당업자에게 공지된 방법과 유사하게 제조될 수 있다. 적당한 방법은 이하에 개시된다.바람직한 실시양태에서, 본 발명은 하기 화학식 III의 1 이상의 리간드 전구체와 1 이상의 하기 금속 M을 포함하는 금속 착물의 반응을 포함하는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 제조 방법에 관한다:상기 식 중Q-는 1가 음이온성 짝이온, 바람직하게는 할로겐화물, 유사 할로겐화물, BF4-, BPh4-, PF6-, AsF6- 또는 SbF6-이고;추가의 라디칼, 기호 및 지수는 각각 하기 정의되는 바와 같다:X는 CH, CR1 또는 N이고;Y는 S, 0, PR2 또는 SiR22, 바람직하게는 S 또는 0이며;A, D, G, E, A', D', G' 또는 E'은 각각 독립적으로 CH, CR3 또는 N이고;R1, R2, R3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C20-알킬, 치환 또는 비치환된 C5-C20-시클로알킬, 치환 또는 비치환된 C5-C20-시클로알케닐, 5∼30개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬, 5∼30개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알케닐, 치환 또는 비치환된 C2-C2O-알케닐, 치환 또는 비치환된 C2-C2O-알키닐, 치환 또는 비치환된 C6-C30-아릴, 5∼30개의 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴 또는 C1-C2O-알콕시, C6-C3O-아릴옥시, C1-C2O-알킬티오, C6-C3O-아릴티오, SiR4R5R6, 할로겐 라디칼, 할로겐화 C1-C20-알킬 라디칼, 카르보닐(-CO(R4)), 카르보닐티오(-C=0(SR4)), 카르보닐옥시(-C=0(OR4)), 옥시카르보닐(-OC=0(R4)), 티오카르보닐(-SC=0(R4)), 아미노(-NR4R5), OH, 유사할로겐 라디칼, 아미도(-C=0(NR4R5)), -NR4C=0(R5), 포스포네이트(-P(0)(OR4)2), 포스페이트(-OP(0)(OR4)2), 포스핀(-PR4R5), 포스핀 옥시드(-P(0)R42), 설페이트(-0S(0)2OR4), 설폭시드(-S(0)R4), 설포네이트(-S(0)2OR4), 설포닐(-S(0)2R4), 설폰아미드(-S(0)2NR4R5), NO2, 보론산 에스테르(-B(OR4)2), 이미노(-C=NR4R5), 보란 라디칼, 주석산염 라디칼, 히드라진 라디칼, 히드라존 라디칼, 옥심 라디칼, 니트로소기, 디아조기, 비닐기, 설폭시민, 알란, 게르만, 보록신 및 보라진으로 구성된 군에서 선택되는 공여체 또는 수용체 작용을 갖는 치환기이거나;또는R1 및 R2는 이들 라디칼이 X-Y기와 함께 5∼8원 고리를 형성하도록 함께 3∼6개의 원자를 포함하는 포화 또는 불포화, 치환 또는 비치환된 가교를 형성하거나;또는두 인접 R3 라디칼은 이것이 A=D, D-E, A'=D', D'-E', E'=G' 부분 중 하나와 함께 5∼8원 고리를 형성하도록 함께 3∼6개의 원자를 포함하는 포화 또는 불포화 치환 또는 비치환된 가교를 형성하거나;또는G' 및 A 위치에서 R3 라디칼은 이것이 -G'-C-C-A- 부분과 함께 5∼8원 고리를 형성하도록 함께 1∼4개의 원자를 포함하는 포화 또는 불포화, 치환 또는 비치환된 가교를 형성하며;R4, R5, R6는 각각 독립적으로 H, 치환 또는 비치환된 C1-C20-알킬 또는 치환 또는 비치환된 C6-C30-아릴, 또는 5∼30개의 고리 원자를 갖는 헤테로아릴임]이고,M은 적절한 금속 원자에 대하여 가능한 임의의 산화 상태에서 원소 주기율표(CAS 버젼)의 IB, IIB, IIIB, IVB, VB, VIB, VIIB, VIIIB, 란탄 계열 및 IIIA족의 금속; 바람직하게는 Fe, Os, Co, Rh, Ir, Ni, Ru, Pd 및 Pt, Cu, Au, Ce, Tb, Eu, 더 바람직하게는 Os, Ru, Rh, Ir 및 Pt, 가장 바람직하게는 Ir, Os 및 Pt로 구성된 군에서 선택되는 금속 원자이다.특히 바람직한 라디칼, 기 및 지수 M, R2, R3, R4, R5, R6, A, D, G, E, A', D', G', E', Y, M, K, L, n, m 및 o는 상기 개시하였다.적절할 경우, 화학식 I의 카르벤 착물에서 m 및/또는 o가 0이 아니라면, 화학식 III의 리간드 전구체와 금속 착물의 반응은 리간드 K 및/또는 L("원포트 공정")의 적당한 리간드 전구체의 존재하에 실시된다. 리간드 K 및 L의 적당한 리간드 전구체는 당업자에게 공지이다. 또는, m 및/또는 o가 0이 아닐 경우, 순차 반응이 실시된다. 순차 반응은 제1 단계에서 화학식 III의 1 이상의 카르벤 리간드 전구체와 금속 착물을 반응시킴으로서 실시할 수 있는데, 이 경우 고리금속화되거나 되지 않은 형태로 1 이상의 카르벤 리간드를 갖고 1 이상의 추가의 두자리 리간드 K 및/또는 L에 대한 1 이상의 추가의 배위 수단(여기서, 추가의 배위 수단은 금속 M 상의 자유 배위 부위를 통하여 또는 다른 리간드의 치환을 통하여 존재함)을 갖는 카르벤 착물이 먼저 중간체로서 제조하거나; 또는 제1 단계에서 금속 착물을 리간드 K 및/또는 L의 리간드 전구체 1 이상과 반응시킴으로써 1 이상의 리간드 K 및/또는 L 및 1 이상의 두자리 카르벤 리간드를 위한 1 이상의 추가의 배위 수단(여기서, 추가의 배위 수단은 금속 M' 상의 자유 배위 부위를 통하여 또는 다른 리간드의 치환을 통하여 존재함)을 갖는 카르벤 착물을 먼저 중간체로서 제조한다. 제1 단계에 후속되는 제2 단계에서는, 제1 단계에서 얻어진 특정 착물을 리간드 K 및/또는 L의 1 이상의 리간드 전구체(제1 단계에서 1 이상의 카르벤 리간드 전구체가 사용된 경우)와 반응시키거나 또는 화학식 III의 1 이상의 카르벤 리간드 전구체(제1 단계에서 리간드 K 및/또는 L의 1 이상의 리간드 전구체가 사용된 경우)와 반응시킨다.화학식 I의 본 발명 카르벤 착물에서 금속 M이 배위수 6의 Ir(III)이고 n = 3이며 m과 o가 각각 0인 특히 바람직한 경우, 하나의 카르벤 리간드 전구체 또는 화학식 III의 상이한 카르벤 리간드 전구체로 반응이 실시된다. 화학식 III의 상이한 카르벤 리간드 전구체를 사용하는 경우, 반응은 카르벤 전구체 및 리간드 K 및 L의 리간드 전구체를 사용하여 상기 개시된 바와 같이 "원포트 반응"의 형태로 또는 순차적으로 실시될 수 있다. 화학식 III의 카르벤 리간드 전구체의 반응이 적당한 금속 착물로 실시되도록 화학식 I의 카르벤 착물에서 카르벤 리간드는 바람직하게는 동일하다.매우 특히 바람직한 경우(M = Ir(111), n = 3), 금속:리간드 전구체 화학양론은 일반적으로 1:3 내지 1:9, 바람직하게는 1:3 내지 1:6이다.화학식 I의 본 발명 카르벤 착물에 카르벤 리간드가 존재하고 금속 원자가 Ir(III)(M = Ir(III), n = 1)인 경우, 금속:리간드 전구체 화학양론은 일반적으로 1:1 내지 1:3, 바람직하게는 1:1 내지 1:2이다. 1 이상의 금속 M을 포함하는 금속 착물은 적절한 금속 원자, 바람직하게는 Fe, Os, Co, Rh, Ir, Ni, Ru, Pd 및 Pt, Cu, Au, Ce, Tb, Eu, 더 바람직하게는 Os, Ru, Rh, Ir 및 Pt, 가장 바람직하게는 Ir, Os 및 Pt에 대하여 가능한 임의의 산화 상태에서 주기율표(CAS 버전) IB, IIB, IIIB, IVB, VB, VIB, VIIB, VIIIB, 란탄족 및 IIIA족 금속으로 구성된 군에서 선택된 1 이상의 금속을 포함하는 금속 착물이다. 본 발명에 따른 방법에 사용되는 금속 착물에서 Pt(II), Os(II), Ir(I) 또는 Ir(III)을 사용하는 것이 바람직하고, Ir(I) 및 Ir(III)이 특히 바람직하고 Ir(I)이 매우 특히 바람직하다. 적당한 금속 착물은 당업자에게 공지이다. 적당한 금속 착물의 예는 Pt(cod)Cl2, Pt(cod)Me2, Pt(acac)2, Pt(PPh3)2Cl2, PtCl2, [Rh(cod)Cl]2, Rh(acac)CO(PPh3), Rh(acac)(CO)2, Rh(cod)2BF4, RhCl(PPh3)3, RhCl3 x n H2O, Rh(acac)3, [0s(CO)3I2]2, [0s3(CO)12], OsH4(PPH3)3, Cp2Os, CP*2Os, H2OsCl6 x 6H20, OsCl3 x H20), 및 [(μ-Cl)Ir(η4-1,5-cod)]2, [(μ-Cl)Ir(η2-coe)2]2, Ir(acac)3, IrCl3 x n H2O, (tht)3IrCl3, Ir(η3-알릴)3, Ir(η3-메트알릴)3이고, 여기서 cod는 시클로옥타디엔이고, coe는 시클로옥텐이며, acac는 아세틸아세토네이트이고, tht는 테트라히드로티오펜이다. 금속 착물은 당업자에게 공지된 방법으로 제조될 수 있거나 또는 시중에서 구입할 수 있다.본 출원에 따라 특히 바람직한 화학식 I(화학식 I에서 M은 Ir임)의 이리듐(III) 착물의 제조에서, 상기 언급된 이리듐(I) 또는 (III) 착물, 특히 [(μ-Cl)Ir(η4-1,5-cod)]2, [(μ-Cl)Ir(η2-coe)2]2, Ir(acac)3, IrCl3 x n H2O, (tht)3IrCl3, Ir(η3-알릴)3, Ir(η3-메트알릴)3이 사용될 수 있고, [(μ-Cl)Ir(η4-1,5-cod)]2(여기서, cod는 시클로옥타디엔이고, coe는 시클로옥텐이며, acac는 아세틸아세토네이트이고, tht는 테트라히드로티오펜임)를 사용하는 것이 매우 특히 바람직하다.염기 및 보조 시약 또는 염기성 보조 시약의 존재 하에 본 발명의 화학식 III의 카르벤 리간드 전구체와 적당한 금속 착물의 반응을 실시하는 것이 특히 바람직한데, 이 경우 염기성 보조 시약 또는 보조 시약은 Ag, Hg, Sb, Mg, B 및 Al로 구성된 군에서 선택되는 1 이상의 금속을 포함하며, Ag2O의 존재 하에 본 발명 반응을 실시하는 것이 바람직하다. 화학식 I의 본 발명 카르벤 착물의 제조에 사용될 수 있는 적당한 방법은 예컨대 WO 2007/088093호에 개시되어 있다.Y가 S 또는 0인 경우, 화학식 III의 적당한 리간드 전구체는 예컨대 실시예로서 이하 나타내는 바와 같이 H2O2를 사용한 탈황에 의하여 예컨대 하기 화학식 IVa 또는 IVb의 리간드 전구체로부터 제조한다:상기 식 중, 기호는 각각 상기 정의된 바와 같다.Y는 0인 경우, 화학식 III의 적당한 리간드 전구체가 예컨대 고리화에 의하여 예컨대 하기 화학식 IVc의 리간드 전구체로부터 추가로 제조될 수 있다:상기 식 중, 기호는 각각 상기 정의된 바와 같다.화학식 I(Y는 PR2 또는 SiR22)의 카르벤 착물은 해당 공정으로 제조될 수 있다.상기 언급된 화학식 IVa, IVb 및 IVc의 화합물은 당업자에게 공지된 방법으로 제조될 수 있으며 적절할 경우 제조하고자 하는 화학식 IVa, IVb 및 IVc에 따라 당업자의 지식에 따라 적응된 적당한 방법은 예컨대 문헌[Reese, J. Chem. Soc. 1958, 895; F. Gug, S. Bach, M. Blondel, J.-M. Vierfond, A.-S. Martin, H. Galons, Tetrahedron 2004, 60, 4705 및 A.G. Mikhailovskii, V.S. Shklyaev, Chem. Heterocycl. Comp. 1992, 445]에 나와 있다.매우 특히 바람직한 본 발명의 화학식 I의 카르벤 착물의 제조 및 제조 공정을 이하에 실시예로서 예시하며, 이하의 실시예는 당업자에게 공지된 방법에 의하여 시중에서 구입할 수 있는 화합물 또는 당업자에게 공지된 화합물로부터 화학식 IVa, IVb 및 IVc의 적당한 화합물의 제조 및 화학식 III의 적당한 리간드 전구체의 제조를 포함한다. 이하의 실시예에 개시된 화합물은 예시적이며 화학식 I의 화합물에 따라 고리계에 헤테로원자를 가지며 및/또는 화학식 I의 화합물의 치환 패턴에 따라 치환될 수 있다.6-아미노페난트리딘으로부터 티아디아졸로페난트리딘계 착물 1의 합성[a) Reese, J. Chem. Soc. 1958, 895; b) F. Gug, S. Bach, M. Blondel, J.-M. Vierfond, A.-S. Martin, H. Galons, Tetrahedron 2004, 60, 4705]:옥사디아졸로페난트리딘계 착물 2의 합성:반응 후, 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물을 워크업 처리하고 적절할 경우 당업자에게 공지된 방법에 의하여 정제한다. 일반적으로, 워크업 및 정제는 당업자에게 공지된 방법에 의하여 추출, 칼럼 크로마토그래피 및/또는 재결정으로 실시한다.본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물은 전자기 스펙트럼의 가시 영역, 바람직하게는 전자기 스펙트럼의 청색 영역에서 방출하므로(전계발광성) 인광성 에미터 재료로서 매우 적당하다. 에미터 재료로서 본 발명의 화학식 I의 카르벤 착물의 도움으로, 양호한 효율의 전계발광성을 보이는 화합물을 제공할 수 있으며, 본 발명 카르벤 착물은 소자에서의 양호한 안정성에 유리하다. 동시에, 양자 효율이 높다.또한, 본 발명의 화학식 I의 카르벤 착물은 일반적으로 사용되는 중심 금속 및 사용되는 리간드에 따라 OLED에서 전자 차단제, 엑시톤 차단제 또는 정공 차단제 또는 정공 전도체, 전자 전도체, 정공 주입층 또는 매트릭스 재료로서 적당하다.따라서, 본 발명은 또한 유기 발광 다이오드에서, 바람직하게는 에미터 재료, 매트릭스 재료, 전하 차단 재료 및/또는 전하 운반 재료로서, 더 바람직하게는 에미터 재료로서, 가장 바람직하게는 청색 에미터로서 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도를 제공한다.유기 발광 다이오드(OLED)는 원칙적으로 예컨대 다음과 같은 몇개의 층으로 형성된다:1. 애노드(1)2. 정공 운반층(2)3. 발광층(3)4. 전자 운반층(4)5. 캐소드(5).그러나, OLED가 언급된 층을 모두 구비하지 않을 수도 있어, 예컨대 (1) (애노드), (3) (발광층) 및 (5) (캐소드) 층을 구비한 OLED도 적당한데, 이 경우 층 (2) (정공 운반층) 및 (4) (전자 운반층)의 기능은 인접 층이 담당한다. 층 (1), (2), (3) 및 (5) 또는 층 (1), (3), (4) 및 (5)를 구비하는 OLED도 적당하다.본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물을 OLED의 상이한 층들에 사용할 수 있다. 화학식 I의 카르벤 착물은 OLED의 한 층에 사용될 수 있으나, 화학식 I의 2 이상의 상이한 카르벤 착물이 OLED의 하나 이상의 층에 사용될 수도 있다. 예컨대, OLED의 발광층 중의 에미터 재료 및 매트릭스 재료가 화학식 I의 카르벤 착물을 포함할 수 있는데, 이 경우 에미터 재료로서 사용되는 화학식 I의 카르벤 착물 및 매트릭스 재료로서 사용되는 것은 일반적으로 상이하다. 에미터 재료 및 정공 전도체 재료가 화학식 I의 카르벤 착물을 포함할 수도 있으며, 이 경우 화학식 I의 카르벤 착물은 일반적으로 상이하다. 상이한 카르벤 착물의 추가의 조합이 가능하며 당업자가 결정할 수 있다. 따라서, 본 발명은 추가로 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물을 1 이상 포함하는 OLED를 제공한다. 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물은 바람직하게는 발광층에서, 예컨대 매트릭스 분자 또는 에미터 분자로서, 더 바람직하게는 에미터 분자로서 사용된다. 따라서, 본 발명은 추가로 바람직하게는 에미터 분자로서 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물을 1 이상 포함하는 발광층을 제공한다. 바람직한 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물은 상기 개시하였다.본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물은 발광층 또는 OLED의 또다른 층에, 바람직하게는 발광층에 -추가의 첨가제 없이- 벌크로 존재할 수 있다. 그러나, 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물 뿐만 아니라 추가의 화합물이 1 이상의 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물을 포함하는 층에, 바람직하게는 발광층에 존재하는 것도 가능하고 바람직하다. 예컨대, 에미터 분자로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 발광 색을 변화시키기 위하여 발광층에 형광 염료가 존재할 수 있다. 또한 -바람직한 실시양태에서- 희석제 물질을 사용할 수 있다. 이러한 희석제 물질은 중합체, 예컨대 폴리(N-비닐카르바졸) 또는 폴리실란일 수 있다. 그러나, 희석제 물질은 소분자, 예컨대 4,4'-N,N'-디카르바졸비페닐(CDP=CBP) 또는 3급 방향족 아민일 수도 있다. 또한, 발광층에 화학식 I의 카르벤 착물을 매트릭스 재료와 함께 사용할 수 있으며, 적당한 매트릭스 재료는 이하 개시된다. 매트릭스 재료로서 본 발명의 화학식 I의 카르벤 착물을 사용하는 것은 [에미터 재료로서 화학식 I의 카르벤 착물을 사용하는 것과 함께 (이 경우 매트릭스 재료 및 에미터 재료로서 사용되는 카르벤 착물은 일반적으로 상이함)] 이미 위에서 언급하였다.상기 언급된 것들 중에서 OLED의 개개의 층들은 2 이상의 층으로부터 형성될 수 있다. 예컨대, 정공 운반층은 정공이 전극으로부터 주입되는 층 및 정공을 정공 주입층으로부터 발광층으로 운반하는 층으로부터 형성될 수 있다. 전자 운반층은 또한 복수의 층, 예컨대 전극을 통하여 전자를 주입하는 층 및 전자 주입층으로부터 전자를 받아 이것을 발광층으로 운반하는 층으로 이루어질 수 있다. 당업자라면 바람직하게는 에미터 재료로서 본 발명에 따라 사용되는 본 발명의 화학식 I의 카르벤 착물에 맞게 최적으로 조절되도록 OLED의 구조를 선택할 수 있다.특히 효율적인 OLED를 얻기 위하여, 정공 운반층의 HOMO(최고 점유 분자 오비탈)는 애노드의 일함수에 맞춰 조정되어야 하며, 전자 운반층의 LUMO(최저 비점유 분자 오비탈)는 캐소드의 일함수에 맞춰 조정되어야 한다.본 출원은 1 이상의 본 발명 발광층을 포함하는 OLED를 추가로 제공한다. OLED 중의 추가의 층은 이러한 층에 일반적으로 사용되고 당업자에게 공지된 임의의 재료로부터 형성될 수 있다.상기 언급한 층(애노드, 캐소드, 정공 및 전자 주입 재료, 정공 및 전자 운반 재료, 및 정공 및 전자 차단 재료, 매트릭스 재료, 형광 및 인광 에미터)에 적당한 재료는 당업자에게 공지이며 예컨대 문헌[H. Meng, N. Herron, Organic Small Molecule Materials for Organic Light-Emitting Devices in Organic Light-Emitting Materials and Devices, Ed.: Z. Li, H. Meng, Taylor 0026# Francis, 2007, 3장, 295∼411 페이지]에 개시된다.애노드(1)는 양전하 운반체를 제공하는 전극이다. 이것은 예컨대 금속, 상이한 금속들의 혼합물, 금속 합금, 금속 산화물 또는 상이한 금속 산화물들의 혼합물을 포함하는 재료를 포함할 수 있다. 이와는 다르게, 애노드는 전도성 중합체일 수 있다. 적당한 금속은 원소 주기율표의 11, 4, 5 및 6족 금속, 및 또한 8∼10족 전이 금속을 포함한다. 애노드가 투명할 경우, 원소 주기율표의 12, 13 및 14족의 혼합 금속 산화물, 예컨대 인듐 주석 산화물(ITO)이 일반적으로 사용된다. 예컨대 문헌[Nature, 357권, 477∼479페이지(1992년 6월 11일)]에 개시된 바와 같이 애노드(1)가 유기 재료, 예컨대 폴리아닐린을 포함하는 것도 가능하다. 형성된 광을 방출하기 위하여 애노드 또는 캐소드 중 적어도 어느 쪽은 적어도 부분적으로 투명하여야 한다.본 발명 OLED의 층(2)을 위한 적당한 정공 운반 재료는 예컨대 문헌[Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, 4판, 18권, 837∼860페이지, 1996]에 개시된다. 정공 운반 분자 또는 중합체가 정공 운반 재료로서 사용될 수 있다. 통상적으로 사용되는 정공 운반 분자는 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(α-NPD), N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민(TPD), 1,1-비스[(디-4-톨릴아미노)페닐]-시클로헥산(TAPC), N,N'-비스(4-메틸페닐)-N,N'-비스(4-에틸페닐)-[1,1'-(3,3'-디메틸)-비페닐]-4,4'-디아민(ETPD), 테트라키스(3-메틸페닐)-N,N,N',N'-2,5-페닐렌디아민(PDA), α-페닐-4-N,N-디페닐아미노스티렌(TPS), p-(디에틸아미노)벤즈알데히드디페닐-히드라존(DEH), 트리페닐아민(TPA), 비스[4-(N,N-디에틸아미노)-2-메틸페닐](4-메틸페닐)메탄(MPMP), 1-페닐-3-[p-(디에틸아미노)스티릴]-5-[p-(디에틸아미노)페닐]피라졸린(PPR 또는 DEASP), 1,2-트랜스-비스(9H-카르바졸-9-일)시클로부탄(DCZB), N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민(TTB), 4,4',4"-트리스(N,N-디페닐아미노)트리페닐아민(TDTA), 4,4',4"-트리스(N-3-메틸페닐-N-페닐아미노)트리페닐아민(m-MTDATA), 2,2,7,7-테트라키스(디페닐아미노)-9,9-스피로비플루오렌(Spiro-TAD), 4,4',4"-트리스(카르바졸-9-일)트리페닐아민(TCTA) 및 포르피린 화합물, 및 또한 구리 프탈로시아닌과 같은 프탈로시아닌으로 구성된 군에서 선택된다. 통상적으로 사용되는 정공 운반 중합체는 폴리비닐카르바졸, (페닐메틸)폴리실란, PEDOT(폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)), 바람직하게는 PSS로 도핑된 PEDOT(폴리스티렌설포네이트), 및 폴리아닐린으로 구성된 군에서 선택된다. 또한 정공 운반 분자를 폴리스티렌 및 폴리카르보네이트와 같은 중합체로 도핑함으로써 정공 운반 중합체를 얻을 수 있다. 적당한 정공 운반 분자는 위에서 이미 언급된 분자이다.본 발명의 OLED의 층(4)에 대한 적당한 전자 운반 재료는 트리스(8-히드록시퀴놀레이토)알루미늄(Alq3)과 같은 옥시노이드 화합물 또는 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(DDPA = BCP) 또는 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(Bphen)과 같이 페난트롤린을 베이스로 하는 비스(2-메틸-8-퀴놀레이토)-(p-페닐페놀레이토)알루미늄(BALT) 화합물 및 2-(4-비페닐릴)-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(PBD) 및 3-(4-비페닐닐)-4-페닐-5-(4-t-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ), 1,3-비스(4-tert-부틸페닐-1,3,4-옥사디아졸릴)페닐렌(OXD7), 2,2',2"-(1,3,5-벤젠트리일)-트리스(1-페닐벤즈이미다졸)(TPBI)과 같은 아졸 화합물로 착물 형성되는 금속을 포함한다. 층(4)은 OLED 층의 계면에서 엑시톤의 소광을 막기 위하여 배리어 층으로서 또는 완충층으로서 그리고 전자 운반을 용이하게 하는 역할을 모두 할 수 있다. 층(4)은 바람직하게는 전자의 이동도를 개선시키고 엑시톤의 소광을 감소시킨다.정공 운반 재료 및 전자 운반 재료로서 상기 개시된 재료 중에서, 일부는 복수의 기능을 수행할 수 있다. 예컨대, 일부의 전자 전도성 재료는 하위 HOMO를 가질 경우 동시에 정공 차단 재료이기도 하다.사용되는 재료의 운반 특성을 개선시키기 위하여, 먼저 층 두께를 더 넉넉하게 제조하고(핀홀/단락의 회피) 이어서 소자의 작동 전압을 최소화하기 위하여 전하 운반층을 또한 전자적으로 도핑할 수 있다. 예컨대, 정공 운반 재료는 전자 수용체로 도핑될 수 있다; 예컨대, TPD 또는 TDTA와 같은 프탈로시아닌 또는 아릴아민은 테트라플루오로테트라시아노퀴노디메탄(F4-TCNQ)으로 도핑될 수 있다. 전자 운반 재료는 예컨대 알칼리 금속으로, 예컨대 Alq3은 리튬으로 도핑될 수 있다. 전자적 도핑은 당업자에게 공지이며 예컨대 문헌[W. Gao, A. Kahn, J. Appl. Phys., 94권, 1호, 2003년 7월 1일(p-도핑 유기층); A. G. Horner, F. Li, K. Harada, M. Pfeiffer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 82권, 25호, 2003년 6월 23일 및 Pfeiffer et al., Organic Electronics 2003, 4, 89 -1O3 및 K. Walzer, B. Maennig, M. Pfeiffer, K. Leo, Chem. Soc. Rev. 2007, 107, 1233]에 개시된다.적당한 매트릭스 재료는 주로 정공 및 전하 운반 재료로서 언급된 재료 및 카르벤 착물, 예컨대 화학식 I의 카르벤 착물 또는 WO 2005/019373호에 언급된 카르벤 착물이다. 특히 적당한 매트릭스 재료는 카르바졸 유도체, 예컨대 4,4'-비스(카르바졸-9-일)-2,2'-디메틸비페닐(CDBP), 4,4'-비스(카르바졸-9-일)비페닐(CBP), 1,3-비스(N-카르바졸릴)벤젠(mCP), 및 본 출원의 우선일에 아직 공개되지 않은 참조 번호 PCT/EP2007/0S9648호, EP 07 111 824.4호의 출원에 언급된 매트릭스 재료이다.1 이상의 에미터 재료가 1 이상의 매트릭스 재료와 함께 본 발명 OLED의 발광층에 사용되는 경우, 본 발명 OLED의 발광층 내의 1 이상의 매트릭스 재료의 비율은 일반적으로 1O∼99 중량%, 바람직하게는 50∼99 중량%, 더 바람직하게는 70∼97 중량%이다. 발광층 내의 1 이상의 에미터 재료의 비율은 일반적으로 1∼90 중량%, 바람직하게는 1∼50 중량%, 더 바람직하게는 3∼30 중량%이며, 여기서 1 이상의 매트릭스 재료 및 1 이상의 에미터 재료의 비율은 더해서 100 중량%가 된다. 그러나, 발광층은 1 이상의 매트릭스 재료 및 1 이상의 에미터 재료 뿐만 아니라 추가의 물질, 예컨대 추가의 희석제 물질, 상기 개시된 추가의 희석제 물질을 포함할 수도 있다.캐소드(5)는 전자 또는 음전하 운반체를 도입하는 역할을 하는 전극이다. 캐소드는 애노드보다 더 낮은 일함수를 갖는 임의의 금속 또는 비금속일 수 있다. 적당한 캐소드 재료는 1족 알칼리 금속, 예컨대 Li, Cs, 2족 알칼리 토금속, 희토류 금속을 포함하는 원소 주기율표의 12족 금속 및 란탄족 및 악티늄족으로 구성된 군에서 선택된다. 또한, 알루미늄, 인듐, 칼슘, 바륨, 사마륨 및 마그네슘과 같은 금속 및 이의 조합을 사용할 수 있다. 또한, 작동 전압을 감소시키기 위하여 리튬-포함 유기금속 화합물 또는 LiF는 유기층 및 캐소드 사이에 도포할 수 있다.본 발명의 OLED는 당업자에게 공지된 추가의 층들을 더 포함할 수 있다. 예컨대, 양전하의 운반을 용이하게 하고 및/또는 층 상호간의 밴드갭을 매칭시키는 층을 층(2) 및 발광층(3) 사이에 적용할 수 있다. 이와는 달리, 이러한 추가의 층은 보호층의 역할을 할 수 있다. 유사한 방식에서, 음전하의 운반을 용이하게 하고 및/또는 층 상호간의 밴드갭을 매칭시키기 위하여 추가의 층들이 발광층(3) 및 층(4) 사이에 존재할 수 있다. 이와는 다르게, 이 층은 보호층의 역할을 할 수 있다.바람직한 실시양태에서, 본 발명 OLED는 층 (1) 내지 (5) 외에 아래 언급되는 추가의 층들 중 하나 이상을 포함한다:- 애노드(1) 및 정공 운반층(2) 사이에 정공 주입층;- 정공 운반층(2) 및 발광층(3) 사이에 전자 및/또는 엑시톤 차단층;- 발광층(3) 및 전자 운반층(4) 사이에 정공 및/또는 엑시톤 차단층;- 전자 운반층(4) 및 캐소드(5) 사이에 전자 주입층.그러나, 이미 상기에서 언급한 바와 같이, OLED가 언급된 층 (1) 내지 (5)를 모두 구비하지 않을 수도 있어, 예컨대 (1) (애노드), (3) (발광층) 및 (5) (캐소드) 층을 구비한 OLED도 적당한데, 이 경우 층 (2) (정공 운반층) 및 (4) (전자 운반층)의 기능은 인접 층이 담당한다. 층 (1), (2), (3) 및 (5) 또는 층 (1), (3), (4) 및 (5)를 구비하는 OLED도 적당하다.(예컨대 전기화학적 조사를 기초로) 어떻게 적당한 재료를 선택하여야 하는지는 당업자에게 공지이다. 각 층에 적당한 재료 및 적당한 OLED 구조는 당업자에게 공지이며 예컨대 WO 2005/113704호에 개시된다.또한, 본 발명 OLED의 각 특정 층들은 2 이상의 층들을 포함할 수 있다. 또한, 층 (1), (2), (3), (4) 및 (5) 중 일부 또는 전부는 전하 운반체 운반 효율을 증대시키기 위하여 표면 처리되었다. 언급된 각 층들의 재료 선택은 바람직하게는 고효율 OLED을 얻음으로써 결정된다.본 발명 OLED는 당업자에게 공지된 방법으로 제조될 수 있다. 일반적으로, OLED는 적당한 기판 상에 개별 층들을 연속적으로 증기 증착함으로써 제조된다. 적당한 기판은 예컨대 유리 또는 중합체 필름이다. 증기 증착을 위하여, 열증발, 화학적 증기 증착 등과 같은 종래의 기술이 사용될 수 있다. 별법에서, 유기층은 적당한 용매 중의 용액 또는 분산액으로부터 코팅될 수 있는데, 이 경우 당업자에게 공지된 코팅 기술이 사용된다. 화학식 I의 1 이상의 본 발명 고리금속화 가교된 카르벤 착물 외에 OLED의 층들 중 하나에, 바람직하게는 발광층에 중합체 재료를 갖는 조성물은 일반적으로 용액 처리 공정에 의하여 층으로서 도포된다.일반적으로, 상이한 층들은 이하의 두께를 가진다: 애노드(2) 500∼5000Å, 바람직하게는 1000∼2000Å; 정공 운반층(3) 50∼1000Å, 바람직하게는 200∼800Å; 발광층(4) 10∼1000Å, 바람직하게는 100∼800Å; 전자 운반층(5) 50∼1000Å, 바람직하게는 200∼800Å; 캐소드(7) 200∼10,000Å, 바람직하게는 300∼5000Å. 본 발명 OLED에서 정공 및 전자의 재결합 구역의 위치 및 따라서 OLED의 발광 스펙트럼은 각 층의 상대적 두께의 영향을 받을 수 있다. 이것은 전자 운반층의 두께가 바람직하게는 전자/정공 재결합 구역이 발광층 내에 있도록 선택되어야 함을 의미한다. OLED 내의 개별 층들의 층 두께의 비는 사용되는 재료에 의존한다. 사용되는 임의의 추가의 층들의 층 두께는 당업자에게 공지이다.본 발명 OLED의 1 이상의 층에서, 바람직하게는 본 발명 OLED의 발광층에서 에미터 분자로서 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물을 사용하면 효율이 높고 수명이 긴 OLED를 얻을 수 있다. 본 발명 OLED의 효율은 다른 층들을 최적화함으로서 추가로 개선될 수 있다. 예컨대, Ca, Ba 또는 LiF와 같은 고효율성 캐소드를 사용할 수 있다. 성형된 기판 및 작동 전압을 감소시키거나 외부 양자 효율을 증가시키는 신규한 정공 운반 재료도 또한 본 발명 OLED에 사용될 수 있다. 또한, 상이한 층들의 에너지 준위를 조절하고 전계발광성을 완화하기 위하여 OLED에 추가의 층들이 존재할 수 있다.본 발명 OLED는 전계발광성이 유용한 모든 소자에 사용할 수 있다. 적당한 소자는 바람직하게는 고정식 및 이동식 영상 표시 장치, 및 또한 조명 수단으로부터 선택된다. 고동식 영상 표시 장치는 예컨대 컴퓨터의 영상 표시 장치, 텔레비젼, 프린터의 영상 표시 장치, 주방 가전 및 광고판, 조명 및 정보판이다. 이동식 영상 표시 장치는 예컨대 휴대폰, 노트북 컴퓨터, 디지털 카메라, 차량 및 버스와 기차의 행선지 표시에서의 영상 표시 장치이다. 조명 수단은 예컨대 LCD의 배경 조명, 야광 표면, 예컨대 야광 벽지이다.또한, 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물은 역구조를 갖는 OLED에서 사용될 수 있다. 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물은 이들 역구조 OLED에서도 발광층에 바람직하게 사용된다. 역 OLED 구조 및 여기에 일반적으로 사용되는 재료는 당업자에게 공지이다.상기 개시된 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물은 OLED에서의 용도 외에도 광에 의한 조사시 전자기 스펙트럼의 가시 영역에서 방출하는(광발광성) 착색제로서 사용될 수 있다.따라서, 본 출원은, 중합체 재료의 대규모 착색을 위한, 상기 개시된 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도를 추가로 제공한다.적당한 중합체 재료는 염화폴리비닐, 셀룰로오스 아세테이트, 폴리카르보네이트, 폴리아미드, 폴리우레탄, 폴리이미드, 폴리벤즈이미다졸, 멜라민 수지, 실리콘, 폴리에스테르, 폴리에테르, 폴리스티렌, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리비닐 아세테이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리부타디엔, 폴리클로로부타디엔, 폴리이소프렌 및 열거된 단량체들의 공중합체이다.또한, 상기 개시된 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물은 이하의 분야에서 사용될 수 있다:- 예컨대 천연 재료, 예컨대 종이, 울, 밀짚, 가죽, 펠트 또는 천연 섬유, 예컨대 면, 울, 실크, 주트, 사이잘, 헴프, 플랙스 또는 동물의 털(예컨대 말털) 및 이들의 변환 생성물, 예컨대 비스코스 섬유, 니트레이트 실크 또는 구리 레이온의 착색을 위한 배트 염료(들)로서 또는 배트 염료(들)에서 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도.- 예컨대, 페인트, 바니시 및 다른 표면 코팅 조성물, 그리기 및 쓰기 목적을 위한 종이 잉크, 프린팅 잉크, 다른 잉크 및 다른 물감을 착색하기 위한 착색제로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도.- 예컨대, 페인트, 바니시 및 다른 표면 코팅 조성물, 그리기 및 쓰기 목적을 위한 종이 잉크, 프린팅 잉크, 다른 잉크 및 다른 물감을 착색하기 위한 안료 염료로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도.- 예컨대, 건식 복사 시스템(제록스 공정) 및 레이저 프린터에서 전자사진에서의 안료로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도.- 높은 화학 안정성 및 광화학 안정성 및, 적절한 경우, 또한 물질의 발광성이 중요한 보안 마킹 목적을 위해 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도. 이것은 특정한 명백한 색상 효과가 달성되는 수표, 체크 카드, 은행권, 쿠폰, 문서, 신분증 등에 바람직하다.- 특정 색상이 달성되어야 하는 다른 색에 대한 첨가제로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도. 특히 밝은 색이 바람직하다.- 발광성을 이용한 물품의 기계 인식, 바람직하게는 플라스틱 재활용 등을 비롯한 분류를 위한 물품의 기계 인식을 위해 물품 제조에서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도.- 기계 판독 가능 마킹을 위한 발광성 염료로서 사용되는 본 발명의 일반식 I의 시클로메탈화 가교된 카르벤 착물의 용도. 문자 숫자식 마킹 또는 바코드가 바람직하다.- 예컨대, 단파장 광을 더 긴 파장, 가시광선으로 전환하는 것과 같은 광의 주파수를 조정하기 위해 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도. - 각종 표시, 정보 및 마킹 목적의 디스플레이 소자, 예컨대 패시브 디스플레이 소자, 정보 사인 및 신호등과 같은 교통 사인에서의 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도.- 잉크젯 프린터, 바람직하게는 발광성 잉크와 같은 균질 용액에서 본 발명 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도.- 초전도성 유기 재료의 출발 물질로서 본 발명 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도.- 고상 발광성 마킹을 위한 본 발명 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도.- 장식 목적을 위한 본 발명 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도.- 예컨대, 생화학, 의약, 엔지니어링 및 천연 과학에서 트레이서(tracer) 목적에 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도. 이러한 용도에서, 염료는 기판에 공유로 또는 2차 원자가, 예컨대 수소 결합 또는 소수성 상호작용(흡착)을 통해 결합할 수 있다.- 고 감광 검출 방법에서 형광성 염료로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도(참조[C. Aubert, J. Funfschilling, I. Zschocke-Granacher and H. Langhals, Z. Analyt. Chem. 320 (1985) 361]). - 섬광 장치에서 발광성 염료로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도.- 광학 집광 시스템에서 염료 또는 발광성 염료로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도.- 발광성 태양 수집기에서 염료 또는 발광성 염료로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도(참조[Langhals, Nachr. Chem. Tech. Lab. 28 (1980) 716]).- 발광성 활성 디스플레이에서 염료 또는 발광성 염료로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도(참조[W. Greubel and G. Baur, Elektronik 26 (1977) 6]).- 플라스틱의 제조를 위한 광 유도 중합을 위해 발광성 공급원에 있어서 염료 또는 발광성 염료로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도.- 예컨대, 반도체 회로의 제조에 있어서 물질 시험을 위한 염료 또는 발광성 염료로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도.- 집적 반도체 부품의 마이크로구조의 연구를 위해 염료 또는 발광성 염료로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도.- 광전도체에 있어서 염료 또는 발광성 염료로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도.- 포토그래프 공정에 있어서 염료 또는 발광성 염료로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도.- 디스플레이, 조명 또는 이미지 전환 시스템에 있어서 염료 또는 발광성 염료로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도(여기서, 예컨대, 발광성 디스플레이, 브라운관 또는 형광관에서 전자, 이온 또는 UV 방사선에 의해 여기가 일어남).- 집적 반도체 회로의 부품으로서 염료 또는 발광성 염료로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도(이 염료는 그 자체로 또는 다른 반도체와 조합되어 예컨대 에피택시(epitaxy) 형태로 사용됨).- 화학발광성 시스템에서, 예컨대 화학발광 조명 봉, 발광성 면역분석 또는 다른 발광성 검출 방법에서 염료 또는 발광성 염료로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도. - 바람직하게는 특정 광학적 색감이 달성되어야 하는 신호 및 다른 물품에 특성을 부여하기 위해 명각(inscription) 및 스케치 또는 다른 그래프 제품의 광학 강조를 위한 단일 색상으로서 염료 또는 발광성 염료로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도.- 염료 레이저에 있어서 염료 또는 발광성 염료로서, 바람직하게는 레이저 빔을 발생시키기 위한 발광성 염료로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도. - 예컨대, 레이저 광의 주파수를 2배 및 3배로 하기 위한 선형 광학 부품에 대한 활성 물질로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도.- 레올로지 향상제로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도.- 전자기 방사선의 전기 에너지로의 전환에 대한 광전지 어레이에 있어서 염료로서 사용되는 본 발명의 화학식 I의 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 하기 실시예는 본 발명을 추가로 설명한다.실시예티아디아졸로페난트리딘 리간드를 갖는 착물(1)6-아미노페난트리딘[ a) Reese, J. Chem. Soc. 1958, 895; b) F. Gug, S. Bach, M. Blondel, J.-M. Vierfond, A.-S. Martin, H. Galons, Tetrahedron 2004, 60, 4705)(A)은 트리클로로메탄설페닐 클로라이드(Cl3C-S-Cl, Na2C03, Et20, H20)와의 반응에 의하여(J.A. Mitchell, D.H. Reid, J. Chem. Soc., Perkin Trans. 1, 1982, 499와 유사) 6-트리클로로메틸티오아미노페난트리딘(B)으로 전환된다. 1,2,4-티아디아졸로[4,3-f]페난트리딘-5-티온(C)을 얻기 위한 고리화는 황화수소나트륨으로 계속된다(K.T. Potts, R. Armbruster, J. Org. Chem. 1971, 36, 1846). 산성 수용액에서 과산화수소와의 반응[a) A. Takamizawa, H. Harada, Chem. Pharm. Bull. 1974, 22, 2818; b) J.L. Charlton et al, Can. J. Chem. 1974, 52, 302; c) Y Yano, Y. Tamura, W. Tagaki, Bull. Chem. Soc. Jpn. 1980, 53, 740]으로 1,2,4-티아디아졸로[4,3-페난트리디늄 클로라이드(D)를 얻고, 이것을 WO 2007/088093호(착물 합성 방법 B)에 개시된 공정(Ag2O, MeOH -003e# [Ir(cod)Cl]2, 메시틸렌)에 의하여 착물 1로 전환시킨다.ESI-MS: m/z = 898 (M+H+에 대한 계산치: 898).옥사디아졸로페난트리딘 리간드를 갖는 착물(2)6(5H)-페난트리딘 E을 히드록실아민에 의하여 옥심 F로 전환시킨다(Baltrushis, R.S., Mitskyavichyus, V. Yu.; Bilinskaite,1. Ch.; Zolotoyabko, R. M., Liepin'sh, E. E.; Chem. Heterocyci. Compd. f990, 26, 918과 유사). 1,2,4-옥사디아졸[4,3-f]페난트리디늄 염 G를 얻기 위한 고리화는 트리에틸 오르토포르메이트 및 암모늄 테트라플루오로보레이트로 계속된다(WO 2005/019373호와 유사). 이 리간드 전구체를 WO 2007/088093호(착물 합성 방법 B)에 개시된 공정(Ag2O, MeOH -003e# [Ir(cod)Cl]2, 메시틸렌)에 의하여 착물 2로 전환시킨다.ESI-MS: 850 (M+H+에 대한 계산치: 850).
본 발명은 가교된 고리금속화 카르벤 착물, 상기 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 제조 방법, 유기 발광 다이오드에서 상기 가교된 고리금속화 카르벤 착물의 용도, 본 발명의 1 이상의 가교된 고리금속화 카르벤 착물을 포함하는 유기 발광 다이오드, 본 발명의 1 이상의 가교된 고리금속화 카르벤 착물을 포함하는 발광층, 1 이상의 본 발명 발광층을 포함하는 유기 발광 다이오드 및 1 이상의 본 발명 유기 발광 다이오드를 포함하는 소자에 관한 것이다.
[ 발명의 명칭 ] 하향링크 프레임 전송 구간을 지원하는 무선랜 시스템에서 데이터 송수신 방법 및 이를 위한 장치METHOD FOR TRANSMITTING AND RECEIVING DATA IN WIRELESS LAN SYSTEM SUPPORTING DOWNLINK FRAME TRANSMISSION INTERVAL, AND DEVICE FOR SAME [ 기술분야 ] 이하의 설명은 무선 통신 시스템, 특히 하향링크 프레임 전송 구간을 지원하는 무선랜 시스템에서 데이터 송수신 방법 및 이를 위한 장치에 대한 것이다. [ 배경기술 ] 이하에서 제안하는 하향링크 프레임 전송 구간은 다양한 무선 통신에 적용될 수 있으나, 이하에서는 본 발명이 적용될 수 있는 시스템의 일례로서 무선랜(wireless local area network, WLAN) 시스템에 대해 설명한다.무선랜 기술에 대한 표준은 IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers) 802.11 표준으로서 개발되고 있다. IEEE 802.11a 및 b 는 2.4. GHz 또는 5 GHz 에서 비면허 대역(unlicensed band)을 이용하고, IEEE 802.11b 는 11 Mbps 의 전송 속도를 제공하고, IEEE 802.11a 는 54 Mbps 의 전송 속도를 제공한다. IEEE 802.11g 는 2.4 GHz 에서 직교 주파수 분할 다중화(Orthogonal frequency-division multiplexing, OFDM)를 적용하여, 54 Mbps 의 전송 속도를 제공한다. IEEE 802.11n 은 다중입출력 OFDM(multiple input multiple output-OFDM, MIMO-OFDM)을 적용하여, 4 개의 공간적인 스트림(spatial stream)에 대해서 300 Mbps 의 전송 속도를 제공한다. IEEE 802.11n 에서는 채널 대역폭(channel bandwidth)을 40 MHz 까지 지원하며, 이 경우에는 600 Mbps 의 전송 속도를 제공한다.상술한 무선랜 표준은 최대 160MHz 대역폭을 사용하고, 8 개의 공간 스트림을 지원하여 최대 1Gbit/s 의 속도를 지원하는 IEEE 802.11ac 표준을 거쳐, IEEE 802.11ax 표준화에 대한 논의가 이루어지고 있다.IEEE 802.11 에서 통신은 공유 무선 매체(shared wireless medium)에서 이루어지기 때문에, 유선 채널 환경과는 근본적으로 다른 특징을 가진다. 예를 들어 유선통신 환경에서는 CSMA/CD (carrier sense multiple access/collision detection) 기반으로 통신이 가능했다. 즉, 전송단에서 한번 신호가 전송되면 채널 환경이 큰 변화가 없기 때문에 수신단까지 큰 신호 감쇄를 겪지 않고 전송이 된다. 이 때 두 개 이상의 신호의 충돌이 발생하면 수신단단에서 감지된 수신전력이 순간적으로 송신단에서 전송한 전력보다 커지기 때문에 이를 통해 충돌 여부를 검출할 수 있었다.하지만 무선 채널 환경은 다양한 요소들 (예를 들어 거리에 따라 신호의 감쇄가 크거나 순간적으로 deep fading 을 겪을 수 있다)이 채널에 영향을 주기 때문에 실제로 수신단에서 신호가 제대로 전송이 되었는지, 혹은 충돌이 있는지 전송단은 정확히 캐리어 샌싱(carrier sensing)을 할 수가 없다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 상술한 바와 같은 무선통신 시스템에서 기기간 간섭을 효율적으로 제어하여 신호를 송수신하는 기술이 필요하다. 다만, 고밀도 무선랜 시스템에서 기기간 간접 제어를 수행하는 데 따라 AP 의 데이터 전송이 지연될 수 있고, 따라서 AP 의 STA 으로의 데이터 전송을 효율적으로 수행할 수 있는 기술이 요구된다. [ 과제의 해결 수단 ] 상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에서는 무선랜 시스템에서 스테이션(STA)이 AP(Access Point)로부터 데이터를 수신하는 방법에 있어서, 하향링크 프레임 전송 구간 정보를 포함하는 비콘 프레임을 상기 AP 로부터 수신하고, 상기 하향링크 프레임 전송 구간 정보에 대응하는 시간 구간을 통해 상기 AP 로부터 데이터를 수신하되, 상기 하향링크 프레임 전송 구간 정보에 대응하는 시간 구간을 통한 상기 AP 로부터의 데이터 수신은 상기 AP 로의 데이터 전송 보다 높은 우선순위로 처리되는 데이터 수신 방법을 제안한다.본 발명의 다른 일 측면에서는 무선랜 시스템에서 AP(Access Point)가 스테이션(STA)에 데이터를 전송하는 방법에 있어서, 하향링크 프레임 전송 구간 정보를 포함하는 비콘 프레임을 상기 스테이션에 전송하고, 상기 하향링크 프레임 전송 구간 정보에 대응하는 시간 구간을 통해 상기 STA 으로 데이터를 전송하되, 상기 하향링크 프레임 전송 구간 정보에 대응하는 시간 구간을 통한 상기 AP 의 데이터 전송은 상기 스테이션으로부터 상기 AP 로의 데이터 전송 보다 높은 우선순위로 처리되는 데이터 전송 방법을 제안한다.본 발명의 또 다른 일 측면에서는 무선랜 시스템에서 AP(Access Point)로부터 데이터를 수신하는 스테이션(STA) 장치에 있어서, 상기 AP 와 무선 신호를 송수신하도록 구성된 송수신기; 및 상기 송수신기와 연결되어 상기 송수신기의 동작을 제어하도록 구성된 프로세서를 포함하되, 상기 프로세서는 상기 송수신기가 하향링크 프레임 전송 구간 정보를 포함하는 비콘 프레임을 상기 AP 로부터 수신하는 경우, 상기 하향링크 프레임 전송 구간 정보에 대응하는 시간 구간을 통해 상기 송수신기사 상기 AP 로부터 데이터를 수신하도록 제어하되, 상기 하향링크 프레임 전송 구간 정보에 대응하는 시간 구간을 통한 상기 AP 로부터의 데이터 수신은 상기 AP 로의 데이터 전송 보다 높은 우선순위로 처리되도록 구성되는, 스테이션 장치를 제안한다.아울러, 본 발명의 또 다른 일 측면에서는 무선랜 시스템에서 스테이션(STA)에 데이터를 전송하는 AP(Access Point) 장치에 있어서, 상기 스테이션과 무선 신호를 송수신하도록 구성된 송수신기; 및 상기 송수신기와 연결되어 상기 송수신기의 동작을 제어하도록 구성된 프로세서를 포함하되, 상기 프로세서는 상기 송수신기를 통해 하향링크 프레임 전송 구간 정보를 포함하는 비콘 프레임을 상기 스테이션에 전송하도록 제어하고, 상기 하향링크 프레임 전송 구간 정보에 대응하는 시간 구간을 통해 상기 STA 으로 데이터를 전송하도록 제어하되, 상기 하향링크 프레임 전송 구간 정보에 대응하는 시간 구간을 통한 상기 AP 의 데이터 전송은 상기 스테이션으로부터 상기 AP 로의 데이터 전송 보다 높은 우선순위로 처리되도록 구성되는, AP 장치를 제안한다. [ 발명의 효과 ] 상술한 바와 같은 본 발명에 따르면 하나의 AP 에 다수의 STA 이 연결된 고밀도 무선랜 상황에서 AP 의 데이터 전송 지연을 감소시켜 시스템 성능을 높일 수 있으며, STA 의 데이터 전송 지연 역시 최소화할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1 은 무선랜 시스템의 구성의 일례를 나타낸 도면이다.도 2 는 무선랜 시스템의 구성의 다른 예를 나타낸 도면이다.도 3 은 무선랜 시스템에서의 DCF 매커니즘을 설명하기 위한 도면이다.도 4 및 5 는 기존 충돌 해결 매커니즘의 문제를 설명하기 위한 예시도들이다.도 6 은 RTS/CTS 프레임을 이용하여 숨겨진 노드 문제를 해결하는 메커니즘을 설명하기 위한 도면이다.도 7 은 RTS/CTS 프레임을 이용하여 노출된 노드 문제를 해결하는 메커니즘을 설명하기 위한 도면이다.도 8 은 RTS/CTS 프레임을 이용하여 동작하는 방법을 구체적으로 설명하기 위한 도면이다.도 9 는 무선랜 시스템에서의 하향링크용 채널의 개념을 설명하기 위한 도면이다.도 10 은 본 발명의 일 측면에 따른 하향링크 프레임 전송 구간의 개념을 설명하기 위한 도면이다.도 11 은 본 발명의 다른 일 실시예에 따라 하향링크 프레임 전송 구간을 이용하는 방법을 도시한 도면이다.도 12 및 도 13 은 본 발명의 일 실시예에 따른 DTW 설정 정보 요소의 포맷을 설명하기 위한 도면이다.도 14 는 DTW 동안 데이터를 수신할 STA 정보로서 AID 를 이용하는 경우를 설명하기 위한 도면이다.도 15 는 DTW 동안 데이터를 수신할 STA 정보로서 GID 를 이용하는 경우를 설명하기 위한 도면이다.도 16은 즉시응답을 이용하는 동작을, 도 17은 지연응답을 이용하는 동작을 설명하기 위한 도면이다.도 18 은 본 발명의 일 실시예에 따라 TIM 기반 STA 정보를 이용하여 DTW 동안 데이터를 전송하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.도 19 는 도 18 과 같이 TIM 요소에서 페이징된 STA 정보를 통해 DTW 동안 데이터를 수신할 STA 을 식별하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.도 20 은 본 발명의 일 실시예에 따라 슬립모드 STA 이 DTW 에서 AP 로부터 데이터를 수신하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.도 21 은 DTW 동안 데이터를 수신할 STA 정보로서 TID 를 이용하는 경우를 설명하기 위한 도면이다.도 22 는 DTW 동안 데이터를 수신할 STA 정보로서 AC 가 이용하는 경우를 설명하기 위한 도면이다.도 23 및 24 는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 DTW 정보 요소 포맷이다.도 25 는 하향링크 프레임 전송 구간을 이용한 무선랜 동작 방법을 구현하기 위한 장치를 설명하기 위한 도면이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시 형태를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 첨부된 도면과 함께 이하에 개시될 상세한 설명은 본 발명의 예시적인 실시형태를 설명하고자 하는 것이며, 본 발명이 실시될 수 있는 유일한 실시형태를 나타내고자 하는 것이 아니다.이하의 상세한 설명은 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해서 구체적 세부사항을 포함한다. 그러나, 당업자는 본 발명이 이러한 구체적 세부사항 없이도 실시될 수 있음을 안다. 몇몇 경우, 본 발명의 개념이 모호해지는 것을 피하기 위하여 공지의 구조 및 장치는 생략되거나, 각 구조 및 장치의 핵심기능을 중심으로 한 블록도 형식으로 도시된다.상술한 바와 같이 이하의 설명은 고밀도 무선랜 시스템에서 하향링크 프레임 전송 구간 개념의 도입과 이를 이용한 통신 방법 및 이를 위한 장치에 대한 것이다. 이를 위해 먼저 본 발명이 적용되는 무선랜 시스템에 대해 구체적으로 설명한다.도 1 은 무선랜 시스템의 구성의 일례를 나타낸 도면이다.도 1 에 도시된 바와 같이, 무선랜 시스템은 하나 이상의 기본 서비스 세트(Basic Service Set, BSS)를 포함한다. BSS 는 성공적으로 동기화를 이루어서 서로 통신할 수 있는 스테이션(Station, STA)의 집합이다.STA 는 매체 접속 제어(Medium Access Control, MAC)와 무선 매체에 대한 물리계층(Physical Layer) 인터페이스를 포함하는 논리 개체로서, 액세스 포인트(access point, AP)와 비 AP STA(Non-AP Station)을 포함한다. STA 중에서 사용자가 조작하는 휴대용 단말은 Non-AP STA 로써, 단순히 STA 이라고 할 때는 Non-AP STA 을 가리키기도 한다. Non-AP STA 은 단말(terminal), 무선 송수신 유닛(Wireless Transmit/Receive Unit, WTRU), 사용자 장비(User Equipment, UE), 이동국(Mobile Station, MS), 휴대용 단말(Mobile Terminal), 또는 이동 가입자 유닛(Mobile Subscriber Unit) 등의 다른 명칭으로도 불릴 수 있다.그리고, AP 는 자신에게 결합된 STA(Associated Station)에게 무선 매체를 통해 분배 시스템(Distribution System, DS)으로의 접속을 제공하는 개체이다. AP 는 집중 제어기, 기지국(Base Station, BS), Node-B, BTS(Base Transceiver System), 또는 사이트 제어기 등으로 불릴 수도 있다.BSS 는 인프라스트럭처(infrastructure) BSS 와 독립적인(Independent) BSS(IBSS)로 구분할 수 있다.도 1 에 도시된 BBS 는 IBSS 이다. IBSS 는 AP 를 포함하지 않는 BSS 를 의미하고, AP 를 포함하지 않으므로, DS 로의 접속이 허용되지 않아서 자기 완비적 네트워크(self-contained network)를 이룬다.도 2 는 무선랜 시스템의 구성의 다른 예를 나타낸 도면이다.도 2 에 도시된 BSS 는 인프라스트럭처 BSS 이다. 인프라스트럭처 BSS 는 하나 이상의 STA 및 AP 를 포함한다. 인프라스트럭처 BSS 에서 비 AP STA 들 사이의 통신은 AP 를 경유하여 이루어지는 것이 원칙이나, 비 AP STA 간에 직접 링크(link)가 설정된 경우에는 비 AP STA 들 사이에서 직접 통신도 가능하다.도 2 에 도시된 바와 같이, 복수의 인프라스트럭처 BSS 는 DS 를 통해 상호 연결될 수 있다. DS 를 통하여 연결된 복수의 BSS 를 확장 서비스 세트(Extended Service Set, ESS)라 한다. ESS 에 포함되는 STA 들은 서로 통신할 수 있으며, 동일한 ESS 내에서 비 AP STA 은 끊김 없이 통신하면서 하나의 BSS 에서 다른 BSS 로 이동할 수 있다.DS 는 복수의 AP 들을 연결하는 메커니즘(mechanism)으로서, 반드시 네트워크일 필요는 없으며, 소정의 분배 서비스를 제공할 수 있다면 그 형태에 대해서는 아무런 제한이 없다. 예컨대, DS 는 메쉬(mesh) 네트워크와 같은 무선 네트워크일 수도 있고, AP 들을 서로 연결시켜 주는 물리적인 구조물일 수도 있다.이상을 바탕으로 무선랜 시스템에서 충돌 검출 기술에 대해 설명한다.상술한 바와 같이 무선환경에서는 다양한 요소들이 채널에 영향을 주기 때문에 송신단이 정확하게 충돌 검출을 수행할 수 없는 문제가 있다. 그래서 802.11 에서는 CSMA/CA(carrier sense multiple access/collision avoidance) 메커니즘인 DCF(distributed coordination function)을 도입했다.도 3 은 무선랜 시스템에서의 DCF 매커니즘을 설명하기 위한 도면이다.DCF 는 전송할 데이터가 있는 STA 들이 데이터를 전송하기 전에 특정 기간 (예를 들어 DIFS: DCF inter-frame space) 동안 매체를 센싱하는 CCA(clear channel assessment)를 수행한다. 이 때 매체가 idle 하다면 STA 은 그 매체를 이용해 신호 전송이 가능하다. 그렇지만 매체가 busy 일 경우는 이미 여러 STA 들이 그 매체를 사용하기 위해 대기하고 있다는 가정하에 DIFS 에 추가적으로 랜덤 백오프 주기(random backoff period) 만큼 더 기다린 후에 데이터를 전송할 수 있다. 이 때 랜덤 백오프 주기는 충돌을 회피할 수 있게 해 주는데, 이는 데이터를 전송하기 위한 여러 STA 들이 존재한다고 가정할 때, 각 STA 은 확률적으로 다른 백오프 간격값을 가지게 되어, 결국 서로 다른 전송 타임을 가지게 되기 때문이다. 한 STA 이 전송을 시작하게 되면 다른 STA 들은 그 매체를 사용 할 수 없게 된다.랜덤 백오프 시간과 프로시져에 대해 간단히 알아보면 다음과 같다.특정 매체가 busy 에서 idle 로 바뀌면 여러 STA 들은 데이터를 보내기 위해 준비를 시작한다. 이 때 충돌을 최소화 시키기 위해 데이터를 전송하고자 하는 STA 들은 각각 랜덤 백오프 카운트를 선택하고 그 슬롯 시간 만큼 기다린다. 랜덤 백오프 카운트는 유사 랜덤 정수(pseudo-random integer) 값이며 [0 CW] 범위에서 균일 분포된 값 중 하나를 선택하게 된다. CW 는 'contention window' 를 의미한다.CW 파리미터는 초기값으로 CWmin 값을 취하지만 전송이 실패를 하게 되면 값을 2 배로 늘리게 된다. 예를 들어 전송한 데이터 프레임에 대한 ACK 응답을 받지 못했다면 충돌이 난 것으로 간주할 수 있다. CW 값이 CWmax 값을 가지게 되면 데이터 전송이 성공하기 전까지 CWmax 값을 유지하도록 하며, 데이다 전송이 성공을 하며 CWmin 값으로 재설정하게 된다. 이때 CW, CWmin, CWmax 은 구현과 동작의 편의를 위해 2n -1 을 유지하도록 하는 것이 바람직하다.한편 랜덤 백오프 절차가 시작되면 STA 은 [0 CW] 범위 안에서 랜덤 백오프 카운트를 선택한 후 백오프 슬롯이 카운트 다운되는 동안 계속 해서 매체를 모니터링하게 된다. 그 사이 매체가 busy 상태가 되면 카운트 다운을 멈추고 있다가 매체가 다시 idle 해지면 나머지 백오프 슬롯의 카운트 다운을 재개한다.도 3 을 참조하면, 여러 STA 들이 보내고 싶은 데이터가 있을 때 STA3 의 경우 DIFS 만큼 매체가 idle 했기 때문에 바로 데이터 프레임을 전송하고, 나머지 STA 들은 그 매체가 idle 이 되기를 기다린다. 한 동안 매체가 busy 상태였기 때문에 여러 STA 이 그 매체를 사용할 기회를 보고 있을 것이다. 그래서 각 STA 는 랜덤 백오프 카운트를 선택하게 되는데, 도 3 에서는 이 때 가장 작은 백오프 카운트를 선택하게 된 STA 2 가 데이터 프레임을 전송하는 것을 도시하고 있다.STA2 의 전송이 끝난 후 다시 매체는 idle 상태가 되고, STA 들은 다시 멈췄던 백오프 간격에 대한 카운트 다운을 재개한다. 도 3 은 STA 2 다음으로 작은 랜덤 백오프 카운트 값을 가졌고 매체가 busy 일 때 잠시 카운트 다운을 멈췄던 STA 5 가 나머지 백오프 슬롯을 마저 카운트 다운한 후 데이터 프레임 전송을 시작했지만 우연히 STA 4 의 랜덤 백오프 카운트 값과 겹치게 되어 충돌이 일어났음을 도시하고 있다. 이 때 두 STA 데이터 전송 이후 모두 ACK 응답을 받지 못하기 때문에 CW 를 2 배로 늘린 후 다시 랜덤 백오프 카운트 값을 선택하게 된다.이미 언급했듯이 CSMA/CA 의 가장 기본은 캐리어 센싱이다. 단말기는 DCF 매체의 busy/idle 여부를 판단하기 위해 물리 캐리어 센싱과 가상 캐리어 센싱을 사용할 수 있다. 물리 캐리어 센싱은 PHY(physical layer)단에서 이루어지며 에너지 검출(energy detection)이나 프리엠블 검출(preamble detection)을 통해 이루어진다. 예를 들어 수신단에서의 전압 레벨을 측정하거나 프리엠블이 읽힌 것으로 판단이 되면 매체가 busy 한 상태라고 판단할 수 있다. 가상 캐리어 센싱은 NAV(network allocation vector)를 설정하여 다른 STA 들이 데이터를 전송하지 못하도록 하는 것으로 MAC 헤더의 지속기간 필드(Duration field)의 값을 통해 이루어진다. 한편 충돌의 가능성을 줄이기 위해 로버스트 충돌 검출 메커니즘(robust collision detect mechanism)을 도입을 했는데 그 이유는 다음과 같은 두 가지 예제에서 확인 할 수 있다. 편의를 위해 캐리어 센싱 범위는 전송 범위와 같다고 가정한다.도 4 및 5 는 기존 충돌 해결 매커니즘의 문제를 설명하기 위한 예시도들이다.구체적으로, 도 4 는 숨겨긴 노드 문제(hidden node issues)를 설명하기 위한 도면이다. 본 예는 STA A 와 STA B 는 통신 중에 있고, STA C 가 전송할 정보를 가지고 있는 경우이다. 구체적으로 STA A 가 STA B 에 정보를 전송하고 있는 상황에서 STA C 가 STA B 로 데이터를 보내기 전에 매체를 캐리어 센싱할 때 STA C 가 STA A 의 전송 범위 밖에 있기 때문에 STA A 의 신호 전송을 검출하지 못하고 매체가 idle 상태에 있다고 볼 가능성이 있다. 결국 STA B 는 STA A 와 STA C 의 정보를 동시에 받기 때문에 충돌이 발생하게 된다. 이 때 STA A 는 STA C 의 숨겨진 노드(hidden node)라고 할 수 있다.한편, 도 5 는 노출된 노드 문제(exposed node issues)를 설명하기 위한 도면이다. 현재 STA B 는 STA A 에 데이터를 전송하고 있다. 이 때 STA C 는 캐리어 센싱을 하게 되는데 STA B 가 정보를 전송하는 상태이기 때문에 매체가 busy 라고 감지가 된다. 그 결과 STA C 가 STA D 에 데이터를 전송하고 싶을지라도 매체가 busy 라고 센싱되기 때문에 매체가 idle 이 될 때까지 불필요하게 기다려야 하는 상황이 발생한다. 즉, STA A 는 STA C 의 CS 범위 밖에 있음에도 불구하고 STA C 의 정보 전송을 막게 되는 경우가 발생한다. 이 때 STA C 는 STA B 의 노출된 노드(exposed node)가 된다.위에서 언급한 상황에서 충돌 회피 메커니즘을 잘 이용하기 위해 RTS(request to send)와 CTS(clear to send)등의 short signaling packet 을 도입함으로써 주위의 STA 들이 두 STA 의 정보 전송 여부를 overhearing 할 수 있는 여지를 남길 수 있다. 즉, 데이터를 전송하려는 STA 이 데이터를 받는 STA 에 RTS 프레임을 전송하면 수신단 STA 은 CTS 프레임을 주위의 단말들에게 전송함으로써 자신이 데이터를 받을 것임을 알릴 수 있다.도 6 은 RTS/CTS 프레임을 이용하여 숨겨진 노드 문제를 해결하는 메커니즘을 설명하기 위한 도면이다.도 6 에서 STA A 와 STA C 가 모두 STA B 에 데이터를 전송하려고 하는 경우이다. STA A 가 RTS 를 STA B 에 보내면 STA B 는 CTS 를 자신의 주위에 있는 STA A 와 STA C 에 모두 전송을 한다. 그 결과, STA C 는 STA A 와 STA B 의 데이터 전송이 끝날 때까지 기다리게 되어 충돌을 피할 수 있게 된다.도 7 은 RTS/CTS 프레임을 이용하여 노출된 노드 문제를 해결하는 메커니즘을 설명하기 위한 도면이다.도 7 에서 STA A 와 STA B 의 RTS/CTS 전송을 overhearing 함으로써 STA C 는 또 다른 STA D 에 데이터를 전송해도 충돌이 일어나지 않음을 알 수 있게 된다. 즉 STA B 는 주위의 모든 단말기에 RTS 를 전송하고 실제로 보낼 데이터가 있는 STA A 만 CTS 를 전송하게 된다. STA C 는 RTS 만을 받고 STA A 의 CTS 를 받지 못했기 때문에 STA A 는 STC C 의 CS 범위 밖에 있다는 것을 알 수 있다.도 8 은 상술한 바와 같은 RTS/CTS 프레임을 이용하여 동작하는 방법을 구체적으로 설명하기 위한 도면이다.도 8 에서 송신단 STA 은 DIFF (Distributed IFS) 이후 신호를 전송할 수신단 STA 에 RTS 프레임을 전송할 수 있다. 이 RTS 프레임을 수신한 수신단 STA 은 SIFS (Short IFS) 이후 CTS 를 송신단 STA 에 전송할 수 있다. 수신단 STA 으로부터 CTS 를 수신한 송신단 STA 은 SIFS 이후 도 8 에 도시된 바와 같이 데이터를 전송할 수 있다. 데이터를 수신한 수신단 STA 은 SIFS 이후 수신된 데이터에 대해 ACK 응답을 전송할 수 있다.한편, 상술한 송수신단 STA 이외의 이웃 STA 들 중 송신단 STA 의 RTS/CTS 를 수신한 STA 은 도 6 및 도 7 과 관련하여 상술한 바와 같이 RTS/CTS 의 수신 여부를 통해 매체의 busy 여부를 판단하고, 이에 따라 NAV(network allocation vector)를 설정할 수 있다. NAV 기간이 종료하면 DIFS 이후 도 3 과 관련하여 상술한 바와 같은 충돌 해결을 위한 과정을 수행할 수 있다.기존의 무선랜 시스템은 AP 든 non-AP STA 이든 상관 없이 정해진 기준(예를 들어, DCF, EDCA 등) 을 사용하여 상술한 바와 같은 경쟁 기반으로 프레임 전송을 수행한다. 예를 들어, 하나의 AP 에 100 non-AP STA 들이 접속해 있는 상태에서, AP 든 non-AP STA 든 모든 STA 들은 똑 같은 경쟁을 통해서 프레임을 전송한다. 실제 무선랜 환경에서 AP 가 모든 STA 들에게 전송하는 데이터의 양은 한 BSS 내의 모든 STA 들이 AP 에게 전송하는 데이터의 양보다 많거나 유사하다. 따라서, 특정 시점에 AP 가 많은 STA 들에게 전송할 데이터를 가지고 있고, 전송할 데이터를 가지고 있는 STA 의 수가 많다고 하면, 경쟁이나 그에 의한 충돌 상황이 많이 발생할 수 있고, 이에 따라서, AP 가 가지고 있는 데이터들 중 마지막 STA 에게 전송하는 데이터는 늦게 전송되어, 사용자의 QoS 를 만족시키지 못하거나 심지어는 패킷 전송시간이 time out 되어서 수신기에서 패킷이 버려지게 될 수도 있다. 이러한 상황은 오디오/비디오 스트리밍 같이 실시간 서비스에 치명적일 수 있다.또한, AP 에 의해 전송되는 많은 양의 데이터는 STA 들의 전송을 지연시켜 프레임 전송을 시도하는 STA 들의 수를 증가시키는 결과를 불러 일으킬 수 있다. 이 경우, DL 전송 완료 후, UL 전송이 갑자기 몰려서, 상술한 숨겨진 노드들에 의한 충돌 상황이 많이 발생된다.이러한 고밀도 무선랜 환경에서 DL 과 UL 사이의 충돌을 줄이기 위해서 하향링크용 채널을 일반 무선랜 채널과 별도로 운용하는 방식이 가능하다.도 9 는 무선랜 시스템에서의 하향링크용 채널의 개념을 설명하기 위한 도면이다.도 9 에 도시된 바와 같이 AP 가 하나 이상의 채널을 사용 할 수 있을 때, 하나 이상의 채널을 AP 가 이에 연결된 STA 들에 데이터를 전송하기 위한 채널로서 하향링크용 채널로 설정하여 사용하는 것이 가능하다. 도 9 에서 CH1 은 본 방식에 따른 하향링크용 채널을, CH2 는 일반 채널을 예시하고 있다.AP 는 STA 의 연결(association)이나 기존 STA 들을 지원할 수 있는 일반 채널을 가지고 있어야 한다. 즉, 도 9 에서 CH2 를 통해 STA 의 연결 및 기존 무선랜 시스템에서의 데이터 송수신은 동일하게 이루어지는 것을 가정한다.한편, 본 방식에 따라 도입되는 하향링크용 채널(DL oriented channel), CH1 에서 AP 는 AP 와 연결된 STA 들에게 상술한 바와 같은 상향링크 데이터 전송과의 경쟁 없이, AP 에 의한 데이터 전송을 수행하고, 일반 채널, CH2 를 통해서 상향링크 데이터를 수신하도록 할 수도 있다. 여기서, 하향링크용 채널은 상향링크 데이터 전송이 수행되지 않는다는 점에서 일반 채널과 차이를 가지나, 이 채널을 통해 AP 의 데이터 전송과 관련된 STA 의 제어 신호(예를 들어, ACK/NACK)이 전송될 수도 있다.다만, 상술한 바와 같이 하향링크용 채널을 운용하는 것은 AP 가 복수의 채널을 활용할 수 있는 경우에 한정되며, 복수의 채널 중 하나를 하향링크용 채널에 할당하여 사용할 수 있을 정도로 채널에 여유가 있어야 한다. 따라서, 본 발명의 일 측면에서는 상술한 바와 같은 하향링크용 채널 개념을 특정 채널의 시간 영역으로 확장하여 특정 채널 내에서 하향링크 프레임 전송 구간(DL Transmission Window: DTW)을 설정하여 운용하는 것을 제안한다.도 10 은 본 발명의 일 측면에 따른 하향링크 프레임 전송 구간의 개념을 설명하기 위한 도면이다.본 실시형태에서 AP 는 비콘 프레임(또는, 다른 방송 프레임)을 통해서, DL 프레임 전송 구간 (DTW) 정보를 STA 에게 전달할 수 있다. 도 10 에 도시된 바와 같이 AP 는 DL 프레임 전송 구간을 하나의 비콘 인터벌 내 하나 이상 할당할 수 있다. 또한, AP 는 DL 프레임 전송 구간을 하나의 비콘 인터벌 내 또는 여러 비콘 전송 기간 동안 주기적으로 할당할 수 있다.비콘을 수신한 STA 들은 비콘 프레임에 포함된 DL 프레임 전송 구간 정보를 획득할 수 있고, 획득된 정보를 바탕으로 해당 구간에서는 AP 로 프레임 전송을 시도 하지 않는 것이 바람직하다. 또한, 비콘 수신하여 DL 프레임 전송 구간을 획득한 STA 은 DL 프레임 전송 구간 전에 프레임 전송을 끝내는 것이 바람직하다.도 10 에서는 AP 가 비콘 인터벌 내에 두 개의 DTW 를 할당한 예를 나타낸다.도 11 은 본 발명의 다른 일 실시예에 따라 하향링크 프레임 전송 구간을 이용하는 방법을 도시한 도면이다.구체적으로, 도 11 은 AP 가 비콘 프레임을 통해 DTW 를 주기적으로 설정하는 방식을 도시하고 있다. 이를 위해 비콘 프레임은 DTW 설정 사실, DTW 설정 주기 및 비콘 인터벌 내 DTW 반복 횟수 등의 정보를 포함할 수 있다.도 9 와 관련하여 상술한 하향링크용 채널 개념과 유사하게 도 10/11 에서 설명한 하향링크 프레임 전송 구간 내에서도 STA 이 AP 로 데이터를 전송하는 것은 금지시키는 것이 바람직하다. 다만, 도 9 의 하향링크용 채널 개념과는 달리 도 10/11 의 하향링크용 프레임 전송 구간이 설정되는 채널은 일반 무선 랜 채널로서, 기존 레거시 STA 의 경우 이와 같은 하향링크 프레임 전송 구간의 존재를 모르고 데이터를 AP 로 전송할 수 있다. 아울러, 해당 AP 에 연결된 STA 과 달리 다른 BSS 에 속한 STA 들의 경우 해당 AP 가 전송하는 비콘 프레임의 DTW 설정 정보를 수신하지 못하여 DTW 에서 자신의 AP 에 데이터를 전송할 수 있다.따라서, 도 10 또는 도 11 의 예에서 AP 는 DTW 시작 전에 또는 DTW 에서 PIFS 동안 채널이 idle 하면, DTW 동안 DL 프레임을 전송을 시도하는 것이 바람직하다. 또한, 만약 DTW 에서, AP 가 EDCA 기반으로 DL 프레임을 전송하면, AP 는 다른 STA 보다 높은 우선 순위를 가지고 DL 프레임 전송을 시도하도록 설정하는 것이 바람직하다. EDCA 기반으로 데이터를 전송하는 경우 우선순위는 아래 표 1 과 같은 EDCA 파라미터에 따를 수 있다.본 발명의 일 실시예에서는 상술한 EDCA 파라미터 중 가장 높은 우선순위를 부여하기 위해 DTW 에서 AP 의 데이터 전송에 AC_VO 를 할당하여 이용하는 것을 제안한다. 또한, 본 발명의 다른 일 실시예에서는 DTW 를 위해 상기 표 1 에 정의된 EDCA 파라미터들보다 우선순위가 높아지도록 하는 EDCA 파라미터를 정의하여 이를 DTW 에서 AP 의 데이터 전송에 이용하도록 할 수도 있다.한편, 본 발명의 다른 일 실시예에서 AP 는 DTW 에서 DL 프레임을 전송하기 전에, STA 와 RTS/CTS 프레임을 교환할 수 있다. DL 프레임 전송 구간에서는 채널이 idle 할 때, AP 만 프레임을 전송할 수 있거나 AP 가 다른 STA 보다 높은 우선순위를 가지고 프레임을 전송하도록 할 수 있다.도 12 및 도 13 은 본 발명의 일 실시예에 따른 DTW 설정 정보 요소의 포맷을 설명하기 위한 도면이다.도 12 에 도시된 바와 같이 AP 가 전송하는 비콘 프레임 내 DTW 정보 요소는 요소 ID 필드, 길이 필드, 및 하나 이상의 DTW 할당 정보 요소를 포함할 수 있다. 즉, 하나의 비콘 프레임은 복수의 DTW 할당 정보 요소를 포함할 수 있으며, 각 DTW 할당 정보 요소의 길이는 가변적일 수 있다.한편, 도 13 에 도시된 바와 같이 각 DTW 할당 정보 요소는 DTW 시작 시간 필드, DTW 지속기간 필드, DTW 주기 필드, DTW 의 반복 횟수 있는 및 STA 정보를 포함할 수 있다.DTW 시작 시간 필드는 1 바이트 크기로 현재의 비콘 뒤부터 DTW 의 시작까지의 시간구간으로서 TU 일 수 있다. DTW 지속기간 필드는 DTW 의 길이를 나타낼 수 있다. 또한, DTW 주기 필드는 한 비콘 인터벌 내에서 할당되는 DTW 의 주기를 나타낼 수 있다. 또한, DTW 반복 횟수 필드는 주기적으로 DTW 가 몇회 반복되는지에 대한 정보를 제공할 수 있다.STA 정보 필드는 DTW 를 통해서 전송되는 프레임을 받을 STA 들의 정보를 나타내며, 아래에서 정의되는 다양한 포맷 형태 중 하나를 사용하여 표현될 수 있다.(1) AID 기반 STA 정보DTW 를 사용하는 STA 의 AID(Association Identifier)정보를 STA 정보에 포함시켜 전송하고, AID 에 해당되는 STA 들은 DTW 에서 AP 로부터 DL 프레임을 수신하도록 할 수 있다.도 14 는 DTW 동안 데이터를 수신할 STA 정보로서 AID 를 이용하는 경우를 설명하기 위한 도면이다.도 14 에 도시된 바와 같이 AID 정보 요소는 1 옥텟 길이의 AID 개수 필드 및 DTW 에서 AP 로부터 데이터를 수신할 STA 의 ID 정보 필드를 포함할 수 있다. 해당 정보 요소는 도 14 에 도시된 바와 같이 DTW 에서 데이터를 수신할 STA 의 수에 따라 STA 의 AID 필드는 가변적인 길이를 가질 수 있다.(2) GID 기반 STA 정보STA 정보 요소에 그룹 ID 가 포함될 수 있고, 해당 그룹 ID 에 해당하는 그룹에 속한 STA 들이 DTW 를 사용할 수 있다. 즉, 해당 그룹내 STA 들은 모두 DTW 에서 AP 로부터 DL 프레임을 수신할 수 있다.도 15 는 DTW 동안 데이터를 수신할 STA 정보로서 GID 를 이용하는 경우를 설명하기 위한 도면이다.도 15 에 도시된 바와 같이 GID 기반 스테이션 정보 요소는 1 옥텟 길이의 GID 개수 필드와 DTW 에서 데이터를 수신할 그룹 ID 필드를 포함할 수 있다. DTW 에서 데이터를 수신할 GID 는 복수일 수 있으며, 이에 따라 가변 길이를 가질 수 있다.한편, DTW 가 하나의 GID 에 대해서만 사용되면, GID 개수 필드(NumOfTID)는 STA 정보에 포함되지 않을 수도 있다.(3) TIM 기반 STA 정보IEEE 802.11 표준에서는 WLAN STA의 수명을 증가시키기 위하여 전력 절감 메커니즘(power saving mechanism)을 제공한다. 전력 절감을 위하여 WLAN STA은 active mode와 sleep mode 두 가지 모드로 동작한다. Active mode는 프레임 송수신이나 채널 스캐닝 등 정상적인 동작이 가능한 상태를 말한다. 반면 sleep mode에서는 전력 소모를 극단적으로 줄여서 프레임 송수신이 불가능하며 채널 스캐닝도 불가능하다. 평소에는 WLAN STA이 sleep mode에 있다가 필요할 때만 active mode로 전환하여 전력 소모를 줄이는 것이 기본 동작 원리이다.Sleep mode에서 가능한 오래 동작할수록 전력 소모가 줄어들기 때문에 WLAN STA의 수명이 늘어난다. 그러나 sleep mode 에서는 프레임 송수신이 불가능하기 때문에 무조건 sleep mode에서 오래 동작할 수 없다. Sleep mode에서 보낼 프레임이 있는 경우에는 active mode로 전환하여 프레임을 송신하면 되기 때문에 큰 문제는 발생하지 않는다. 그러나 STA이 sleep mode에 있고 AP가 STA에게 보낼 프레임이 있는 경우 STA이 이를 수신할 수 없고 수신해야 할 프레임이 있다는 것도 알 수 없다. 따라서 STA은 자신이 받을 프레임의 존재 여부와, 있으면 이를 수신하기 위하여 가끔씩 active mode로 전환하여 수신모드에서 동작해야 한다. 그리고 AP는 그 시간에 맞추어 STA에게 보낼 프레임의 존재 여부를 알려주어야 한다.WLAN STA은 자신이 수신해야 할 프레임이 있다는 것을 알기 위하여 주기적으로 sleep mode에서 일어나서 AP로부터 비콘 프레임을 수신한다. AP는 비콘 프레임의 TIM 요소를 이용하여 각 STA에게 수신할 프레임의 여부를 알려준다. TIM 요소는 크게 두 종류가 있는 데 TIM은 unicast 프레임을 알려주는 데 사용되며 DTIM은 multicast/broadcast 프레임을 알려주는 데 사용될 수 있다.비콘 프레임의 TIM 요소를 통하여 AP가 자신에게 보낼 프레임이 있다는 것을 안 STA은 경쟁을 거쳐 PS-Poll 프레임을 전송한다. PS-Poll 프레임을 수신한 AP는 상황에 따라 즉시응답(Immediate Response)이나 지연응답(Deferred Response)을 선택하여 동작할 수 있다.도 16은 즉시응답을 이용하는 동작을, 도 17은 지연응답을 이용하는 동작을 설명하기 위한 도면이다.도 16에 도시된 바와 같이 Sleep mode에서 깨어난 STA은 AP로부터 TIM 요소를 포함한 비콘 프레임을 수신하고, 이를 통해 AP가 자신에게 전송할 데이터를 가진 것을 인지할 수 있다. 이와 같이 AP가 전송할 데이터를 인지한 STA은 경쟁을 통해 PS-poll 신호를 AP에 전송할 수 있다. 도 16과 같은 즉시응답의 경우 STA으로부터 PS-Poll 프레임을 수신한 AP는 다음 SIFS 시간 후에 바로 해당 STA에 데이터 프레임을 전송할 수 있다. 정상적으로 데이터가 수신이 되면 STA은 SIFS후 ACK 프레임을 전송하고 다시 sleep mode로 전환할 수 있다.한편, AP가 PS-Poll 프레임을 수신한 후 SIFS 시간 동안 데이터 프레임을 준비하지 못했을 경우에는 도 17에 도시된 바와 같이 지연 응답 방식을 선택할 수 있다. 도 17에 도시된 바와 같이 STA으로부터 PS-Poll 프레임을 수신 후 ACK 프레임을 먼저 전송한 후 데이터 프레임이 준비되면 경쟁을 거쳐서 STA에 전송할 수 있다. 데이터 프레임을 정상적으로 수신한 STA은 ACK 프레임을 전송한 후 다시 sleep mode로 전환할 수 있다.상술한 바와 같은 sleep mode 동작에 기반하여 본 발명의 일 실시예에 따라 TIM 기반 STA 정보를 이용하여 DTW 동안 데이터를 전송하는 방법은 다음과 같다.본 실시예에서 TIM 기반 STA 정보는 페이징된 STA 들 중 DTW 를 통해서 받을 STA 들의 정보를 가리키는데 이용될 수 있다. 이 경우, STA 정보의 길이는 TIM 에서 1 로 설정된 AID 비트들의 총 수를 기반으로 결정될 수 있다. 예를 들어, TIM 에서 1 로 설정된 AID 의 수가 8 개 일 경우, STA 정보의 길이는 8 비트이고, 각 비트는 1 로 설정된 AID 에 대응하는 STA 들을 가리킬 수 있다. STA 정보에서 1 로 설정된 STA 들에게 DTW 를 통해서 프레임을 전송하고, 0 으로 설정된 STA 들에게는 해당 DTW 를 통해서 프레임을 전송하지 않도록 설정할 수 있다.도 18 은 본 발명의 일 실시예에 따라 TIM 기반 STA 정보를 이용하여 DTW 동안 데이터를 전송하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.도 18 의 예에서, AID 1, 3, 5, 7, 9, 11, 13, 15 에 해당하는 STA 들에 대해서 TIM 비트맵에서 페이징되었기 때문에, 해당 AID 를 바탕으로 STA 정보 필드가 결정될 수 있다. 이 때, AID 가 1, 5, 9, 13 에 대한 STA 들에 대해서 STA 정보에서 가리켜졌기 때문에, 해당 STA 들은 DTW 에서 AP 가 프레임을 전송할 것이라고 판단할 수 있다.도 19 는 도 18 과 같이 TIM 요소에서 페이징된 STA 정보를 통해 DTW 동안 데이터를 수신할 STA 을 식별하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.이 때, STA 정보에 의해서 가리켜진 STA 들은 도 19 와 같이 AP 가 전송한 정보에 의해서 비콘 수신 후, PS-Poll 전송 여부를 결정할 수 있다. 예를 들어, AP 가 DTW 를 통해서 전송할 트래픽 이외에 STA 에게 전송할 다른 트래픽을 가지고 있다면, 해당 STA 에 대한 정보를 포함 시킨다. 도 19 의 예에서는 STA 정보 비트맵을 이용하여 PS-Poll 전송여부를 결정하는 정보를 전달하는 방법의 예를 나타낸다.STA 정보 비트 맵에서, AID 1, 5, 9, 13 에 대해서, DTW 를 통해서 트래픽이 전송된다는 것을 가리키고, 폴링 비트맵에서 AID 1, 9 에 대한 STA 들이 PS-Poll 을 전송하라는 것을 가리키기 때문에, AID 1, 9 에 대한 STA 들은 DTW 를 통해서 AP 로부터 프레임을 받음과 동시에 AP 로 PS-Poll 전송을 시도할 수 있다.만약, 폴링 비트맵이 포함되지 않으면, STA 정보에 의해서 가리켜진 STA 들은 비콘 수신 후, PS-Poll 전송을 시도하지 않고, 할당된 DTW 에서 AP 로부터 전송되는 프레임을 수신할 수 있다.TIM 비트맵을 기반으로 구성된 STA 정보에 의해서 가리켜진 STA 들이 첫 번째 DTW 에서 AP 로부터 프레임을 받기 위해서, AP 로 PS-Poll 을 전송할 수 있다.도 20 은 본 발명의 일 실시예에 따라 슬립모드 STA 이 DTW 에서 AP 로부터 데이터를 수신하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.도 20 의 예에서, STA1 은 전력 절감모드 STA 이고, TIM 에 의해서 지시된 것을 가정한다. 또한, STA 은 DTW 요소의 STA 정보에 의해 AP 로부터 데이터를 수신할 STA 으로서 가리켜진 경우를 가정한다.따라서, STA1 은 도 20 에 도시된 바와 같이 첫 번째 DTW 에서 PS-Poll 을 전송한 후, AP 로부터 DL 프레임을 수신할 수 있다. STA 정보에 의해 가리켜진 전력절감모드 STA 들은 자신에게 할당된 DTW 이외의 구간에서 전력절감을 위해서 doze state 로 들어갈 수 있다.(4) TID 기반 (또는 AC 기반) STA 정보AP 는 STA 정보에 DTW 에서 전송될 트래픽 정보(TID (Traffic ID))를 포함시켜 전송할 수 있다. 해당 TID 에 대해서 활성화 된 STA 들(즉, ADDTS 요청/응답을 AP 와 주고 동작하는 STA 들(U-APSD, S-APSD))은 TID 에 대응하는 DTW 에서 프레임 수신을 기대할 수 있다.도 21 은 DTW 동안 데이터를 수신할 STA 정보로서 TID 를 이용하는 경우를 설명하기 위한 도면이다.도 21 에 도시된 바와 같이 1 옥텟 길이의 TID 개수필드를 포함하여 DTW 에서 AP 로부터 데이터를 수신할 STA 들의 TID 개수를 나타내 줄 수 있다. 또한, 본 정보 요소에 포함되는 TID 필드는 DTW 에서 데이터를 수신할 STA 들에 따라 복수가 될 수 있다.본 예에서 TID 는 4 비트이고, TID 의 수만큼 표시 될 수 있다. DTW 가 하나의 TID 에 대해서 할당되면 TID 개수 필드는 STA 정보에 포함되지 않을 수 있다.한편, TID 대신에 접속 카테고리(Access Category) (예를 들어, AC_VO, AC_VI, AC_BE, AC_BK)가 대신 STA 정보에 포함될 수 있다.도 22 는 DTW 동안 데이터를 수신할 STA 정보로서 AC 가 이용하는 경우를 설명하기 위한 도면이다.도 22 와 같이 처음 4 비트는 각 AC 를 나타내며, 나머지는 유보될 수 있다. 해당 비트 중 1 로 설정된 접속 카테고리에 대해서 활성화된 STA 은 DTW 할당에 의해서 가리켜진 DTW 를 사용하여 AP 로부터 데이터를 수신할 수 있다.APSD 로 동작하는 STA 들은 두 개의 APSD 동작(Scheduled-APSD, Unscheduled-APSD) 중 자신에게 지정된 동작을 수행하면서, DL 프레임을 수신할 것이고, 해당 STA 들은 DTW 에서 UL 프레임 전송을 시도 하지 않을 수 있다.한편, 본 발명의 바람직한 실시형태에서는 AP 가 상술한 바와 같이 정의된 STA 정보 포맷을 선택적으로 사용할 수 있는 것을 제안한다. AP 가 위에서 정의된 STA 정보 포맷 방법을 선택적으로 사용한다면, DTW 요소는 이를 제어하기 위한 필드를 포함할 수 있다.도 23 및 24 는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 DTW 정보 요소 포맷이다.도 23 에 예시한 DTW 정보 요소 포맷은 DTW 제어 필드가 DTW 요소의 가장 상단에 포함된 것을 제외하고는 도 12 와 동일할 수 있다. DTW 제어 필드의 위치는 예시적인 것으로서 도 23 의 예와 다를 수 있다.도 24 는 도 23 에 추가된 DTW 제어 필드의 포맷을 예시적으로 설명하는 도면이다.도 24 의 예에서 STA 정보 타입 필드는 상술한 바와 같이 정의한 STA 정보 타입 중 하나를 가리키고, 아래의 예와 같이 정의될 수 있다.AP 로부터 데이터를 수신하는 STA 들은 BSS 의 상황에 따라 다양할 수 있으며, 본 실시예에 따르면 가장 오버헤드가 적은 방식을 선택하여 데이터를 수신할 STA 들을 알려줄 수 있는 장점을 가진다.한편, 도 24 의 주기적 지시(Periodic Indication) 필드는 DTW 가 주기적으로 할당되는지를 나타내고, 1 로 설정되면 주기적으로 할당된다는 것을 가리키고, DTW 주기와 주기적 DTW 할당 횟수 필드가 DTW 에 포함될 수 있다. 반면, 주기적 지시 필드가 0 으로 설정되면, DTW 한번 할당된다는 것을 가리키고, DTW 주기 필드와 주기적 DTW 할당 횟수 필드가 DTW 요소에 포함되지 않을 수 있다.폴링 지시 필드(Polling Indication)는 STA 정보에 의해서 지시된 전력절감모드 STA 들이 첫 번째 DTW 에서 PS-Poll 을 전송한 후 프레임을 수신할지를 결정할 수 있다. 일반적으로 TIM 기반 STA 정보인 경우에 유효하고, AID/GID 기반 STA 정보에서도 유효할 수 있다.폴링 비트맵 존재 필드(Polling Bitmap Presence)는 위에서 언급한 폴링 비트맵이 DTW 에 포함되는지를 가리키고, 1 로 설정되었을 때, DTW 요소에 폴링 비트맵이 포함된다는 것을 나타낼 수 있다. 일반적으로, AID 기반 STA 정보나 TIM 기반 STA 정보에서 유효할 수 있다.AP 는 DTW 에서 DL 프레임 전송이 일찍 완료 되면, DTW 를 빨리 종료할 수도 있다. 이 때, AP 는 이를 알리는 프레임(예를 들어, CF-END 프레임)을 전송할 수 있다. DTW 가 미리 종료된다는 것을 알리는 프레임을 AP 로부터 받은 STA 은 이후부터 데이터 전송을 위해 채널을 사용할 수 있다.도 25 는 상술한 바와 같은 하향링크 프레임 전송 구간을 이용한 무선랜 동작 방법을 구현하기 위한 장치를 설명하기 위한 도면이다.도 25 의 무선 장치(800)은 상술한 설명의 특정 STA, 그리고 무선 장치(850)은 상술한 설명의 AP 에 대응할 수 있다.STA 은 프로세서(810), 메모리(820), 송수신부(830)를 포함할 수 있고, AP (850)는 프로세서(860), 메모리(870) 및 송수신부(880)를 포함할 수 있다. 송수신부(830 및 880)은 무선 신호를 송신/수신하고, IEEE 802.11/3GPP 등의 물리적 계층에서 실행될 수 있다. 프로세서(810 및 860)은 물리 계층 및/또는 MAC 계층에서 실행되고, 송수신부(830 및 880)와 연결되어 있다. 프로세서(810 및 860)는 상기 언급된 간섭 제어 절차를 수행할 수 있다.프로세서(810 및 860) 및/또는 송수신부(830 및 880)는 특정 집적 회로(application-specific integrated circuit, ASIC), 다른 칩셋, 논리 회로 및/또는 데이터 프로세서를 포함할 수 있다. 메모리(820 및 870)은 ROM(read-only memory), RAM(random access memory), 플래시 메모리, 메모리 카드, 저장 매체 및/또는 다른 저장 유닛을 포함할 수 있다. 일 실시 예가 소프트웨어에 의해 실행될 때, 상기 기술한 방법은 상기 기술된 기능을 수행하는 모듈(예를 들어, 프로세스, 기능)로서 실행될 수 있다. 상기 모듈은 메모리(820, 870)에 저장될 수 있고, 프로세서(810, 860)에 의해 실행될 수 있다. 상기 메모리(820, 870)는 상기 프로세스(810, 860)의 내부 또는 외부에 배치될 수 있고, 잘 알려진 수단으로 상기 프로세스(810, 860)와 연결될 수 있다.상술한 바와 같이 개시된 본 발명의 바람직한 실시형태에 대한 상세한 설명은 당업자가 본 발명을 구현하고 실시할 수 있도록 제공되었다. 상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 형태를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 상술한 설명으로부터 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 여기에 나타난 실시형태들에 제한되려는 것이 아니라, 여기서 개시된 원리들 및 신규한 특징들과 일치하는 최광의 범위를 부여하려는 것이다. [ 산업상 이용가능성 ] 상술한 바와 같은 본 발명은 IEEE 802.11 기반 무선랜 시스템에 적용되는 것을 가정하여 설명하였으나, 이에 한정될 필요는 없다. 본 발명은 무선 기기들 사이의 간섭 제어가 필요한 다양한 무선 시스템에 동일한 방식으로 적용될 수 있다.
본 문서는 무선 통신 시스템, 특히 고밀도 무선랜 시스템에서 AP와 STA의 데이터 송수신 동작에 대한 것이다. 이를 위해 STA은 하향링크 프레임 전송 구간 정보를 포함하는 비콘 프레임을 AP로부터 수신하고, 하향링크 프레임 전송 구간 정보에 대응하는 시간 구간을 통해 AP로부터 데이터를 수신하되, 하향링크 프레임 전송 구간 정보에 대응하는 시간 구간을 통한 AP로부터의 데이터 수신은 AP로의 데이터 전송 보다 높은 우선순위로 처리되는 것을 특징으로 한다.
[ 발명의 명칭 ] 토션이 조절 가능한 헤어 컬링 도구CURLING TOOL WITH ADJUSTABLE TWISTING FORCE [ 기술분야 ] 본 발명은 헤어 컬링 도구에 관한 것으로서, 특히 받는 최대 토션 값이 조절 가능한 헤어 컬링 도구에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 공지된 펌 기술은 일반적으로 머리카락에 펌제를 발라 처리한 후 헤어 롤러에 감고 고정 또는 가열 등 방식으로 정형화하는 것으로서, 여기서 중국 대만 특허 M374774에서 공개한 조절 가능한 장력 롤러는 펼쳐지거나 또는 수합되는 시트가 감긴 머리카락을 지탱하여 머리카락을 고정시키는 작용을 한다. 그러나, 머릿결이 상이함에 따라 머리카락의 지탱 정도가 상이하여, 염색 및 펌을 수차례 거친 머리카락은 손상되어 매우 취약하므로, 지나친 장력을 받으면 머리카락은 파괴되고 심지어 끊어지며, 상대적으로 머릿결이 비교적 건강한 머리카락 또는 굵은 머리카락은 비교적 큰 장력을 감당하기에 미용사들이 머리카락의 상태를 판단하고 느낌만으로 시술을 진행하는 것은 굉장히 풍부한 경험을 바탕으로 하는 바, 경험이 부족하거나 또는 타이밍을 놓쳤을 경우 만회할 수 없는 결과가 초래될 수 있기에 사용하기에 불편하다.이에 대비해, 본 발명의 출원인은 이미 토션 값을 표시할 수 있는 헤어 컬링 도구를 제출하였고, 중국 대만 특허 I365055에서 공개된 바와 같이, 헤어 롤러와 연결 가능한 회동 도구를 포함하고, 회동 도구가 회동할 경우, 상기 헤어 롤러의 시트는 상호 이격 또는 접근하여 확장 또는 수합의 효과를 달성하며, 이 밖에, 토션 감지 장치와 토션 표시 장치를 더 포함하고, 감긴 머리카락이 피드백한 토션의 크기를 감지할 수 있으며, 사용자가 참고할 수 있도록 표시함으로써 지나치게 지탱하여 머리카락이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 그러나, 이러한 구조는 단지 사용자에게 현재 토션을 고지하기 위한 것으로서 사용자는 여전히 자체적으로 타이밍을 판단하여 수동으로 회동 도구를 오프해야 하는 바, 즉 타이밍을 놓쳐 과도하게 지탱하는 것을 방지할 수 없으며, 사용자는 여전히 토션 값에 주의를 기울려야 하며 자체적으로 판단해야 하고 스위치를 온, 오프해야 하므로 약간 불편하며, 유사한 구조는 여전히 미용사와 프로들에게 한하게 되며, 무경험자인 일반 소비자들은 자체적으로 작동시킬 수 없다. [ 발명의 개요 ] 이를 감안하여, 본 발명의 주요한 목적은 토션이 조절 가능한 헤어 컬링 도구를 제공하여, 사용자가 헤어 컬링의 힘을 조절할 수 있도록 최대 수용 토션 값을 설정하는 것이다. 상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 토션이 조절 가능한 헤어 컬링 도구를 제공하는 바, 작동부, 구동 장치, 회로기판, 제어부, 토션 감지 장치, 토션 표시 장치와 토션 설정부를 포함한다. 상기 작동부에는 헤어 롤러가 설치되고, 상기 구동 장치는 감속 장치를 통하여 상기 작동부가 회동하도록 구동시킬 수 있으며, 상기 회로기판은 상기 구동 장치를 제어하고, 상기 제어부는 상기 회로기판과 연결되며, 상기 회로기판을 통하여 상기 구동 장치가 상기 작동부를 선택적으로 제1 방향을 에워싸고 회동하거나, 반대되는 제2 방향을 에워싸고 회동하거나, 또는 정지하여 회동하지 않도록 제어하고, 상기 토션 감지 장치는 상기 작동부와 연결되어 상기 작동부가 받는 상기 제1 방향에 따른 토션 값을 감지하며, 상기 토션 감지 장치는 측정하여 얻은 토션 값을 상기 회로기판에 피드백하고, 상기 토션 표시 장치는 상기 토션 감지 장치와 연결되어 상기 토션 감지 장치가 감지한 토션 값을 표시하며, 상기 토션 설정부는 상기 회로기판과 연결되어 기설정된 토션 값을 설정하도록 하고, 상기 회로기판이 상기 토션 감지 장치에서 측정하여 얻은 상기 제1 방향에 따른 토션 값이 상기 기설정된 토션 값까지 상승되었음을 수신하였을 경우, 상기 회로기판은 상기 작동부가 상기 제1 방향을 따라 회동하도록 하는 것을 정지하도록 상기 구동 장치를 자동 제어한다. 상기 구조를 통하여, 사용자는 사용하는 머리카락의 상황에 따라 미리 상기 토션 설정부로 기설정된 토션 값을 설정하고, 다음 상기 제어부를 가동시켜 상기 작동부를 상기 제1 방향을 따라 회동시켜, 작동부에 설치되는 헤어 롤러가 작동부의 회동으로 인해 확장되어, 헤어 롤러에 감긴 머리카락이 헤어 롤러에 단단히 감기게 하고, 감긴 머리카락은 토션을 상기 작동부에 피드백시켜, 회동 턴수의 증가에 따라, 상기 토션은 점차 증가되고, 이 토션이 상기 기설정된 토션 값에 도달할 경우, 상기 회로기판은 상기 작동부가 회동을 자동으로 정지하도록 함으로써, 상기 작동부가 받는 토션이 상기 기설정된 토션 값을 초과하지 못하게 하여, 받는 토션이 머리카락이 감당할 수 있는 부하를 초과하여, 머리카락이 손상되거나 끊어지는 것을 방지한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도1은 본 발명에 따른 사시도이다.도2는 본 발명에 따른 사시 분해도이다. 도3은 본 발명에 따른 사용 모식도이다. 도4는 본 발명에 따른 부분 단면도이다. 도5는 본 발명에 따른 헤어 롤러와 외부 커버 부재의 사시 분해도이다.도6은 본 발명에 따른 헤어 롤러와 외부 커버 부재의 단면도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 아래에 실시예만으로 본 발명의 가능한 실시 행태를 설명하는 바, 이는 본 발명의 보호 범위를 한정하기 위한 것이 아니다.도1 내지 도6을 참조하면, 본 발명은 토션이 조절 가능한 헤어 컬링 도구를 제공하고, 작동부(1), 구동 장치(2), 회로기판(3), 제어부(4), 토션 감지 장치, 토션 표시 장치(5), 토션 설정부(6), 헤어 롤러(7)와 외부 커버 부재(8)를 포함한다. 상기 작동부(1), 상기 구동 장치(2), 상기 회로기판(3), 상기 제어부(4), 토션 감지 장치, 토션 표시 장치(5)와 토션 설정부(6)는 하나의 케이싱에 수용되고, 상기 작동부(1)는 상기 헤어 롤러(7)에 설치된다. 본 발명의 주요한 실시예에 있어서, 상기 작동부(1)는 육각 홀을 구비하고, 상기 헤어 롤러(7)는 육각 기둥을 구비하며 상기 육각 홀에 걸림 고정될 수 있으며, 상기 작동부(1)는 이로써 헤어 롤러(7)와 함께 움직일 수 있다. 여기서, 상기 작동부(1)는 균일한 속도로 회동한다. 상기 구동 장치(2)는 감속 장치를 통하여 상기 작동부(1)가 회동되도록 구동시키고, 본 발명의 주요한 실시예에 있어서, 상기 구동 장치(2)는 모터를 포함한다. 상기 회로기판(3)은 상기 구동 장치(2)의 동작을 제어한다. 상기 제어부(4)와 상기 회로기판(3)은 연결되어 상기 회로기판(3)으로 상기 구동 장치(2)가 상기 작동부(1)로 하여금 선택적으로 제1 방향을 에워싸고 회동하거나, 반대되는 제2 방향을 에워싸고 회동하거나 또는 정지하여 회동하지 않도록 제어하고, 본 발명의 주요한 실시예에 있어서, 상기 제어부(4)는 로커 버튼(41)을 포함하고, 상기 로커 버튼(41)의 상대적인 양 단은 각각 정회전 스위치부(411)와 역회전 스위치부(412)이며, 상기 로커 버튼(41)을 길게 누를 경우, 상기 토션이 조절 가능한 헤어 컬링 도구의 전원이 온되어, 상기 정회전 스위치부(411)를 누르고 상기 역회전 스위치부(412)를 누르지 않았을 경우, 상기 작동부(1)가 상기 제1 방향을 에워싸고 회동하고, 상기 역회전 스위치부(412)를 지속적으로 누르나 상기 정회전 스위치부(411)를 누르지 않았을 경우, 상기 작동부(1)가 상기 제2 방향을 에워싸고 회동하도록 구동시킨다. 상기 토션 감지 장치와 상기 작동부(1)는 연결되어 상기 작동부(1)가 받는 상기 제1 방향에 따른 토션 값을 감지하고, 측정하여 얻은 토션 값을 상기 회로기판(3)에 피드백하며, 상기 토션 표시 장치(5)는 상기 토션 감지 장치와 연결되어 상기 상기 토션 감지 장치가 측정하여 얻은 토션 값을 표시하고, 본 발명의 주요한 실시예에 있어서, 상기 토션 표시 장치(5)는 다수의 LED 램프(51)를 포함하고, 점등된 LED 램프(51)의 수량과 상기 토션 감지 장치가 측정하여 얻은 토션 값은 정비례를 이루며, 따라서 LED 램프(51)의 점등된 수량에 따라 현재의 토션 값을 판정할 수 있다. 그러나, 상기 토션 표시 장치는 예를 들면 LCD 디스플레이 형광막 등 기타 표시 수단일 수도 있고 아닐수도 있다. 상기 토션 설정부(6)와 상기 회로기판(3)은 연결되어 기설정된 토션 값을 설정하고, 상기 회로기판(3)이 상기 토션 감지 장치(6)에서 측정하여 얻은 상기 제1 방향에 따른 토션 값이 상기 기설정된 토션 값까지 상승되었음을 수신하였을 경우, 상기 회로기판(3)은 상기 구동 장치(2)가 상기 작동부(1)로 하여금 상기 제1 방향을 에워싸고 회동하는 것을 정지하도록 자동 제어하고, 본 발명의 주요한 실시예에 있어서, 상기 토션 설정부(6)는 설정 버튼(61)과 표시 장치(62)를 포함하고, 상기 설정 버튼(61)를 누르면 상기 기설정된 토션 값을 변화시키며, 현재 설정한 기설정된 토션 값은 상기 표시 장치(62)에 표시되며, 바람직하게는, 상기 표시 장치(62)는 LCD 디스플레이 형광막 또는 기타 유사한 장치이다. 상기 헤어 롤러(7)는 머리카락을 감는 것으로서, 상기 작동부(1)에 동축 설치되고, 상기 헤어 롤러(7)는 다수의 셸 피스(71)와 원추 형태의 푸시 부재(72)를 포함하며, 상기 다수의 셸 피스(71)는 축향 방향을 따라 순차적으로 설치되고, 상기 다수의 셸 피스(71)는 내벽에 각각 요홈이 형성되며, 상기 다수의 요홈은 공동으로 원추 형태 공간(711)을 형성하고, 상기 푸시 부재(72)는 상기 원추 형태 공간(711)에 위치하며 상기 작동부(1)와 연동되고, 더욱 명확하게 말하자면, 상기 푸시 부재(72)는 상기 헤어 롤러(7)의 단부에 나사 설치되고, 상기 원추 형태 공간(711)의 내경은 상기 작동부(1)에 접근하는 일 단부터 상기 작동부(1)와 멀어지는 일 단까지 점차 증가되며, 상기 작동부(1)가 상기 제1 방향을 에워싸고 회동할 경우, 상기 푸시 부재(72)는 상기 작동부(1)와 동기화 회동하며, 상기 헤어 롤러(7)와 대응되게 나사 회전함으로써, 상기 푸시 부재(72)는 상기 다수의 셸 피스(71)와 대응되게 상기 축향을 따라 이동하고, 상기 원추 형태 공간(711)의 설치로 인해, 이동되는 푸시 부재(72)는 상기 다수의 셸 피스(71)를 고정하여 상기 다수의 셸 피스(71)는 상호 이격되고, 상기 헤어 롤러(7)의 외경은 커진다. 반대되게, 상기 작동부(1)가 상기 제2 방향을 에워싸고 회동할 경우, 상기 푸시 부재(72)는 역방향으로 상기 축향을 따라 이동하여, 상기 다수의 셸 피스(71)는 상호 접근하여 상기 헤어 롤러(7)의 외경이 축소될 수 있다. 이 밖에, 바람직하게는, 상기 헤어 롤러(7)는 적어도 하나의 탄성 클램프(73)를 더 포함하고, 상기 다수의 셸 피스(71)의 외표면에는 상기 탄성 클램프(73)을 감합 설치시키는 링홈이 형성되며, 상기 탄성 클램프(73)는 상기 링홈에 감합 설치되어 상기 다수의 셸 피스(71)가 상호 접근하는 추세를 구비하도록 함으로써, 셸 피스(71)의 지탱 및 수합의 동작에 편의를 제공한다. 상기 외부 커버 부재(8)는 두개의 상호 피봇 연결되는 클립(81)을 포함하고, 상기 두 개의 클립(81)은 피봇 연결되는 위치에 대응되는 일 단에 노치(notch)를 형성하며, 각 상기 클립(81)은 만곡된 호형을 나타내고, 상기 두 개의 클립(81)은 피봇 연결되는 위치의 옆에 탈착 가능하게 조절 블록(82)이 더 설치되며, 상기 조절 블록(82)을 떼어낼 경우, 상기 두 개의 클립(81)은 외부를 향해 비교적 큰 각도로 피봇 스윙되어 상기 노치 폭의 최대치는 비교적 크고, 상기 조절 블록(82)의 길이가 길면 길수록, 상기 두 개의 클립(81)은 외부를 향해 피봇 스윙될 수 없기에 상기 노치 폭의 최대치는 비교적 작으며, 상기 외부 커버 부재(8)는 상기 헤어 롤러(7)의 외측에 커버 설치되는 바, 더욱 명확하게 말하자면, 머리카락이 상기 헤어 롤러(7)의 외부에 감긴 후, 상기 외부 커버 부재(8)는 다시 상기 헤어 롤러(7)의 외부에 커버 설치되며, 사이즈가 상이한 헤어 롤러(8) 또는 상이한 두께의 머리카락을 매칭하기 위해, 상기 조절 블록(82)으로 상기 외부 커버 부재(8)가 지탱되는 크기를 허용할 수 있는 바, 다시 말하면, 상기 조절 블록(82)은 클립(81)과 상호 지탱하는 장애물로서, 협소한 끼임 공간을 유지하며, 반대되게, 조절 블록(82)을 사용하지 않거나 또는 비교적 짧은 조절 블록(82)을 사용하면, 클립(81)의 지탱하는 장애물이 비교적 작고, 끼임 공간이 비교적 크며 비교적 큰 헤어 롤러(7)를 허용하거나 또는 허용되는 헤어 롤러(7)의 지탱이 비교적 클 수 있다. 본 발명의 주요한 실시예에 있어서, 상기 두 개의 클립(81)이 피봇 연결되는 위치 부근에는 각각 상호 대응되는 요홈이 형성되고, 상기 조절 블록(82)의 양 단은 각각 상기 두 개의 요홈에 걸림 설치되고, 상기 조절 블록(82)은 약간의 탄성을 구비한다. 실질적으로 사용할 경우, 먼저 머리카락을 상기 헤어 롤러(7)에 감은 후 상기 외부 커버 부재(8)를 커버 결합시키고, 다음 상기 작동부(1)를 상기 헤어 롤러(7)에 연결시키며, 헤어 롤러(7)의 타 단은 위치 결정 부재(9)로 고정되어(예를 들면 다각 기둥이 헤어 롤러의 다각홀에 걸림 고정됨) 외부 커버 부재(8)를 지탱할 경우 상기 헤어 롤러(7)는 이에 따라 회동하지 않게 되며, 설정 버튼(61)으로 적절한 기설정된 토션 값을 설정하고, 상기 정회전 스위치부(411)를 다시 한번 누르면, 작동부(1)가 상기 제1 방향을 에워싸고 회동하도록 자동으로 구동시킬 수 있으며, 상기 토션 감지 장치가 측정하여 얻은 토션이 상기 기설정된 토션 값에 도달할 경우, 회로기판(3)은 상기 작동부(1)가 회동을 정지하도록 자동 제어하여, 지나치게 회동하여 머리카락이 장력을 지나치게 받는 것을 방지할 수 있다. 펌 프로그램이 완성된 후, 다시 작동부(1)를 상기 헤어 롤러(7)에 연결시켜 지속적으로 상기 역회전 스위치부(412)를 누르면, 상기 작동부(1)가 상기 제2 방향을 에워싸고 회동하도록 할 수 있고, 헤어 롤러(7)를 수합시킬 수도 있으며, 머리카락을 헤어 롤러(7)에서 떼어낼 수 있다. 여기서, 제조업체는 상황별로 머리카락에 한하여 멀티 레벨 토션 선택을 설계하여, 사용자가 사용 안내에 따라 자체로 토션 크기를 조절할 수 있게 하여 그 어떤 미용 경험도 필요로 하지 않는다. 상기 구조로부터, 사용자는 머리카락의 건강 상황 또는 실직적인 수요에 따라 적합한 기설정된 토션 값을 미리 설정할 수 있는 바, 예를 들면, 머리카락이 심하게 손상되어 큰 장력을 허용하지 않으면, 비교적 낮은 기설정된 토션 값을 설정하고, 머리카락이 건강하고 뚜렷한 헤어 컬링 효과를 원하면, 비교적 높은 기설정된 토션 값을 설정한다. 본 발명은 사용자가 정회전 스위치부를 한번 누른 후 상기 기설정된 토션 값에 도달할 때까지 자동으로 회동하여, 사용자가 현재 토션에 주의를 기울여 다시 수동으로 정지시킬 필요가 없고, 과도하게 지탱하여 머리카락이 끊어지고 손상되는 것을 방지하며, 작동이 매우 간편한 바, 전문가가 아니더라도 빠르게 숙지해 자체로 작동할 수 있으며, 이 밖에, 조절 블록을 구비하는 외부 커버 부재는 상이한 크기의 헤어 롤러와 매칭하여 사용하기에 매우 편리하며 진보적인 효과를 구비한다.상기의 내용은 단지 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 보호범위를 한정하기 위한 것이 아니다. [ 부호의 설명 ] 1: 작동부 2: 구동 장치 3: 회로기판4: 제어부 41: 로커 버튼(rocker button)411: 정회전 스위치부 412: 역회전 스위치부 5: 토션 표시 장치 51: LED 램프 6: 토션 설정부 61: 설정 버튼 62: 표시 장치 7: 헤어 롤러 71: 셸 피스 711: 원추 형태 공간 72: 푸시 부재 73: 탄성 클램프 8: 외부 커버 부재 81: 클립(clip) 82: 조절 블록 9: 위치 결정 부재
헤어 롤러(7)가 설치되는 작동부(1); 상기 작동부(1)가 회동하도록 구동시키는 구동 장치(2); 상기 구동 장치(2)를 제어하는 회로기판(3); 상기 회로기판(3)과 연결되고, 상기 회로기판(3)이 상기 작동부(1)가 선택적으로 회동하도록 상기 구동 장치(2)를 제어하는 제어부(4); 상기 작동부(1)와 연결되어 상기 작동부(1)가 받는 토션 값을 감지하고, 측정하여 얻은 토션 값을 상기 회로기판(3)에 피드백하는 토션 감지 장치; 상기 토션 감지 장치와 연결되어 감지한 토션 값을 표시하는 토션 표시 장치(5); 및 상기 회로기판(3)과 연결되어 기설정된 토션 값을 설정하도록 하고, 상기 회로기판(3)이 상기 토션 감지 장치에서 측정하여 얻은 토션 값이 상기 기설정된 토션 값까지 상승되었음을 수신하였을 경우, 상기 회로기판(3)은 상기 작동부(1)가 회동하도록 하는 것을 정지하도록 상기 구동 장치(2)를 자동 제어하는 토션 설정부(6)를 포함하는, 토션 조절 가능한 헤어 컬링 도구를 통해 작동부(1)는 단지 일정한 토션 값까지 회동하여, 지나치게 회동하여 머리카락이 손상되어 끊어지는 것을 방지한다.
[ 발명의 명칭 ] 사이드 메뉴 디스플레이 방법과 장치 및 단말기SIDE MENU DISPLAYING METHOD AND APPARATUS AND TERMINAL [ 기술분야 ] 본원은 단말기 분야에 관한 것이며, 특히 사이드 메뉴 디스플레이 방법과 장치 및 단말기에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 터치스크린은 일반적으로 이동전화, 태블릿 컴퓨터 및 e북 리더기와 같은 단말기의 스크린 상에서 일반적으로 사용된다. 사용자가 터치스크린 상에서 오작동을 수행하는 것을 방지하기 위하여, 스크린 로킹 기능이 스탠바이 프로세스인 단말기에서 일반적으로 설정되고, 단말기가 언로킹된 후에만 오직 터치스크린 상에서의 작동이 적절하게 수행된다. 스크린 로킹 상태에서, 사용자가 새로운 메시지를 보거나 바로가기(shortcut) 설정을 수행하기에 편리하게 하기 위하여, 단말기는 하향 슬라이딩 동작에 의해 트리거되거나 디스플레이되는 통지 바(notification bar)를 일반적으로 제공한다. 통지 바를 디스플레이하는 방법은: 단말기가, 사용자에 의해 트리거되는, 스크린 상부로부터 하향으로 슬라이딩하는 슬라이딩 동작을 수신하고; 단말기가 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과하는지 여부를 검출하고; 검출 결과가 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과한다는 것이면, 즉, 슬라이딩 동작이 빠른 하향 슬라이딩 동작이면, 단말기는 통지 바를 스크린의 상부로부터 디스플레이를 위한 스크린으로 이동시키는 것이다. 그 후, 사용자는 통지 바 상에서 새로운 메시지를 보거나, 바로가기 설정을 수행할 것이며, 예컨대 블루투스를 빠르게 인에이블/디스에이블, 무선 네트워크를 빠르게 인에이블/디스에이블, 및 스크린의 밝기를 조정하는 것이다.본원을 구현하는 과정에서, 발명자는 전술한 기술이 적어도 다음의 문제점을 가지고 있음을 알게 되었다: 사용자가 포켓에 단말기를 두고 있는 경우에, 단말기는 사용자의 손가락이나 피부와 마찰을 일으킬 수 있고, 단말기가 이 마찰을 빠른 하향 슬라이딩 동작으로 인식할 수 있다는 것이다. 이로써 사용자에게 알려지지 않는 통지 바의 트리거와 디스플레이가 유발될 수 있으며, 따라서 오작동이 발생할 수 있다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 사용자에게 알려지지 않는 통지 바가 트리거되고 디스플레이됨으로써 오작동이 발생되는 종래 기술에서 존재하는 문제를 해결하기 위하여, 본원의 구현예는 사이드 메뉴 디스플레이 방법 및 장치, 및 단말기가 제공된다. [ 과제의 해결 수단 ] 기술적인 해결책은 다음과 같다:제1 측면은 사이드 메뉴 디스플레이 방법을 제공하며, 이 방법은 다음을 포함한다:스크린의 측면으로부터 시작하여 슬라이딩하는 슬라이딩 동작을 수신하는 단계;상기 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부를 검출하는 단계 - 상기 미리정의된 조건은 상기 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과하고, 상기 슬라이딩 동작의 종료 위치가 미리설정된 오류 터치 영역(false touch area) 내에 있지 않다는 것을 포함함 -; 및 검출 결과가 상기 슬라이딩 동작이 상기 미리정의된 조건에 부합한다는 것이면 스크린의 측면에 대응하는 사이드 메뉴를 디스플레이하는 단계.제1 측면의 제1 가능 구현 방법에서, 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부를 검출하는 단계 이전에, 이 방법은 다음을 더 포함한다:슬라이딩 동작의 종료 위치가 직접적 디스플레이 영역 내에 있는지 여부를 검출하는 단계 - 상기 직접적 디스플레이 영역 및 상기 오류 터치 영역이 상호 겹치지 않음 -; 및검출 결과가 종료 위치가 상기 직접적 디스플레이 영역 내에 있지 않다는 것이면 상기 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부를 검출하는 단계를 수행하는 단계.제1 측면 또는 제1 측면의 제2 가능 구현 방법에 대하여, 제1 측면의 제2 가능 구현 방법에서, 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부를 검출하는 단계는:오류 터치 영역이 스크린의 측면, 상기 스크린의 측면에 인접하는 두 측면, 및 상기 스크린의 측면과 평행한 제1 가상 측면에 의해 둘러싸이는 영역을 포함하는 때에, 슬라이딩 동작의 종료 위치와 스크린의 측면 사이의 수직 거리가 오류 터치 임계치를 초과하는지 여부를 검출하는 단계 - 상기 오류 터치 임계치는 스크린의 측면과 제1 가상 측면 사이의 거리임 -; 및 검출 결과가 상기 수직 거리가 오류 터치 임계치를 초과한다는 것이면 상기 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 상기 미리설정된 임계치를 초과하는지 여부를 검출하는 단계를 포함한다.제1 측면의 제1 가능 구현 방법에 대하여, 제1 측면의 제3 가능 구현 방법에서, 슬라이딩 동작의 종료 위치가 직접적 디스플레이 영역 내에 있는지 여부를 검출하는 단계는:직접적 디스플레이 영역이 스크린의 측면의 반대 측면, 상기 스크린의 측면에 인접하는 두 측면, 및 상기 스크린의 측면과 평행한 제2 가상 측면에 의해 둘러싸이는 영역을 포함하는 때에, 슬라이딩 동작의 종료 위치와 스크린의 측면 사이의 수직 거리가 직접적 디스플레이 임계치를 초과하는지 여부를 검출하는 단계 - 상기 직접적 디스플레이 임계치는, 스크린의 측면과 제2 가상 측면 사이의 거리이고, 오류 터치 임계치보다 큼 -; 를 포함한다.제1 측면에 대하여, 제1 측면의 제4 가능 구현 방법에서, 스크린의 측면에 대응하는 사이드 메뉴를 디스플레이하는 단계 이후에, 이 방법은 다음을 더 포함한다:상기 사이드 메뉴의 디스플레이를 성공적으로 트리거하는 이번 슬라이딩 동작을 성공적 트리거 샘플 라이브러리(successful triggering sample library)에 기록하는 단계 - 사이드 메뉴의 디스플레이를 성공적으로 트리거하는 매번 슬라이딩 동작 및 각 슬라이딩 동작의 종료 위치가 성공적 트리거 샘플 라이브러리에 기록됨 -; 및 미리설정된 시간 간격에, 상기 스크린 상의 슬라이딩 동작의 종료 위치의 분포 밀도에 따라 오류 터치 영역의 크기 및/또는 위치를 업데이트하는 단계 - 상기 종료 위치는 성공적 트리거 샘플 라이브러리에 기록됨 -.제1 측면의 제4 가능 구현 방법에 대하여, 제1 측면의 제5 가능 구현 방법에서, 미리설정된 시간 간격에, 상기 스크린 상의 슬라이딩 동작의 종료 위치의 분포 밀도에 따라 오류 터치 영역의 크기 및/또는 위치를 업데이트하는 단계 - 상기 종료 위치는 성공적 트리거 샘플 라이브러리에 기록됨 -는:상기 스크린 상의 미리정의된 영역을 적어도 두 개의 서브영역으로 분할하는 단계 - 상기 미리정의된 영역은 상기 스크린의 측면, 상기 스크린의 측면에 인접한 두 측면, 및 상기 스크린의 측면과 평행인 제3 가상 측면에 의해 둘러싸이는 영역을 포함함 -;각 서브영역에서 슬라이딩 동작의 종료 위치의 분포 밀도에 대한 통계를 수집하는 단계 - 상기 종료 위치는 성공적 트리거 샘플 라이브러리에 기록됨 -; 및분포 밀도가 미리설정된 밀도 미만인 서브영역을 오류 터치 영역으로서 결정하는 단계를 포함한다. 제2 측면은 사이드 메뉴 디스플레이 장치를 제공하며, 이 장치는 다음을 포함한다:스크린의 측면으로부터 시작하여 슬라이딩하는 슬라이딩 동작을 수신하도록 구성된 동작 수신 모듈;상기 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부를 검출하도록 구성된 동작 검출 모듈 - 상기 미리정의된 조건이 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과하고, 상기 슬라이딩 동작의 종료 위치가 미리설정된 오류 터치 영역 내에 있지 않다는 것을 나타냄 -; 및검출 결과가 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합한다는 것이면 스크린의 측면에 대응하는 사이드 메뉴를 디스플레이하도록 구성된 메뉴 디스플레이 모듈.제2 측면의 제1 가능 구현 방법에서, 장치는 다음을 더 포함한다:슬라이딩 동작의 종료 위치가 직접적 디스플레이 영역 내에 있는지 여부를 검출하도록 구성된 직접 검출 모듈 - 상기 직접적 디스플레이 영역 및 오류 터치 영역이 상호 겹쳐지지 않음 -; 및검출 결과가 종료 위치가 직접적 디스플레이 영역 내에 있지 않다는 것이면 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부를 검출하는 단계를 수행하도록 구성된 동작 검출 모듈.제2 측면 또는 제2 측면의 제1 가능 구현 방법에 대하여, 제2 측면의 제3 가능 구현 방법에서, 동작 검출 모듈이 거리 검출 유닛 및 속도 검출 유닛을 포함하며;거리 검출 유닛은: 오류 터치 영역이 스크린의 측면, 상기 스크린의 측면에 인접하는 두 측면, 및 상기 스크린의 측면과 평행한 제1 가상 측면에 의해 둘러싸이는 영역을 포함하는 때에, 슬라이딩 동작의 종료 위치와 스크린의 측면 사이의 수직 거리가 오류 터치 임계치를 초과하는지 여부를 검출하도록 구성되고, 상기 오류 터치 임계치는 스크린의 측면과 제1 가상 측면 사이의 거리이고; 속도 검출 유닛은, 검출 결과가 상기 수직 거리가 오류 터치 임계치를 초과한다는 것이면 상기 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 상기 미리설정된 임계치를 초과하는지 여부를 검출하도록 구성된다. 제2 측면의 제1 가능 구현 방법에 대하여, 제2 측면의 제3 가능 구현 방법에서:직접 검출 모듈이: 직접적 디스플레이 영역이 스크린의 측면의 반대 측면, 상기 스크린의 측면에 인접하는 두 측면, 및 상기 스크린의 측면과 평행한 제2 가상 측면에 의해 둘러싸이는 영역을 포함하는 때에, 슬라이딩 동작의 종료 위치와 스크린의 측면 사이의 수직 거리가 직접적 디스플레이 임계치를 초과하는지 여부를 검출하도록 구성되고, 상기 직접적 디스플레이 임계치는, 스크린의 측면과 제2 가상 측면 사이의 거리이고, 오류 터치 임계치보다 크다. 제2 측면에 대하여, 제2 측면의 제4 가능 구현 방법에서, 장치는 다음을 더 포함한다. 상기 사이드 메뉴의 디스플레이를 성공적으로 트리거하는 이번 슬라이딩 동작을, 성공적 트리거 샘플 라이브러리에 기록하도록 구성된 동작 기록 모듈 - 사이드 메뉴의 디스플레이를 성공적으로 트리거하는 매번 슬라이딩 동작 및 각 슬라이딩 동작의 종료 위치가 성공적 트리거 샘플 라이브러리에 기록됨 -; 및 미리설정된 시간 간격에, 상기 스크린 상의 슬라이딩 동작의 종료 위치의 분포 밀도에 따라 오류 터치 영역의 크기 및/또는 위치를 업데이트하도록 구성된 영역 업데이트 모듈 - 상기 종료 위치는 성공적 트리거 샘플 라이브러리에 기록됨 -.제2 측면의 제4 가능 구현 방법에 대하여, 제2 측면의 제5 가능 구현 방법에서, 영역 업데이트 모듈이 영역 분할 유닛, 밀도 통계 수집 유닛 및 영역 결정 유닛을 포함하며:영역 분할 유닛은 상기 스크린 상의 미리정의된 영역을 적어도 두 개의 서브영역으로 분할하도록 구성되고, 상기 미리정의된 영역은 상기 스크린의 측면, 상기 스크린의 측면에 인접한 두 측면, 및 상기 스크린의 측면과 평행인 제3 가상 측면에 의해 둘러싸이는 영역을 포함하고;밀도 통계 수집 유닛은 각 서브영역에서 슬라이딩 동작의 종료 위치의 분포 밀도에 대한 통계를 수집하도록 구성되고, 상기 종료 위치는 성공적 트리거 샘플 라이브러리에 기록되고; 영역 결정 유닛이 분포 밀도가 미리설정된 밀도 미만인 서브영역을 오류 터치 영역으로서 결정하도록 구성된다. 제3 측면은 단말기를 제공하며, 이 단말기는 예컨대 제2 측면 및 제2 측면의 가능 구현 방법들 중 어느 하나에 따라 사이드 메뉴 디스플레이 장치를 포함한다.제4 측면은 단말기를 제공하며, 이 단말기는:메모리, 및 하나 이상의 프로그램 - 상기 하나 이상의 프로그램이 메모리 내에 저장되고, 하나 이상의 프로세서에 의해 설정 후에 실행됨 -를 포함하고, 상기 하나 이상의 프로그램은: 스크린의 측면에서 시작하여 슬라이딩하는 슬라이딩 동작을 수신하는 동작;상기 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부를 검출하는 동작 - 상기 미리정의된 조건은 상기 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과하고, 상기 슬라이딩 동작의 종료 위치가 미리설정된 오류 터치 영역 내에 있지 않다는 것을 포함함 -;검출 결과가 상기 슬라이딩 동작이 상기 미리정의된 조건에 부합한다는 것이면 스크린의 측면에 대응하는 사이드 메뉴를 디스플레이하는 동작을 수행하기 위해 사용되는 명령어를 포함한다.제4 측면의 제1 가능 구현에서, 상기 메모리는: 슬라이딩 동작의 종료 위치가 직접적 디스플레이 영역 내에 있는지 여부를 검출하는 동작 - 상기 직접적 디스플레이 영역 및 상기 오류 터치 영역이 상호 겹치지 않음 -;검출 결과가 종료 위치가 상기 직접적 디스플레이 영역 내에 있지 않다는 것이면 상기 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부를 검출하는 단계를 수행하는 동작을 수행하도록 사용되는 명령어를 더 포함한다. 제4 측면 또는 제4 측면의 제1 가능 구현 방법에 대하여, 제4 측면의 제2 가능 구현 방법에서, 메모리는:오류 터치 영역이 스크린의 측면, 상기 스크린의 측면에 인접하는 두 측면, 및 상기 스크린의 측면과 평행한 제1 가상 측면에 의해 둘러싸이는 영역을 포함하는 때에, 슬라이딩 동작의 종료 위치와 스크린의 측면 사이의 수직 거리가 오류 터치 임계치를 초과하는지 여부를 검출하는 동작 - 상기 오류 터치 임계치는 스크린의 측면과 제1 가상 측면 사이의 거리임 -; 및검출 결과가 상기 수직 거리가 오류 터치 임계치를 초과한다는 것이면 상기 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 상기 미리설정된 임계치를 초과하는지 여부를 결정하는 동작을 수행하기 위해 사용되는 명령어를 더 포함한다.제4 측면의 제1 가능 구현 방법에 대하여, 제4 측면의 제3 가능 구현 방법에서, 메모리가:직접적 디스플레이 영역이 스크린의 측면의 반대 측면, 상기 스크린의 측면에 인접하는 두 측면, 및 상기 스크린의 측면과 평행한 제2 가상 측면에 의해 둘러싸이는 영역을 포함하는 때에, 슬라이딩 동작의 종료 위치와 스크린의 측면 사이의 수직 거리가 직접적 디스플레이 임계치를 초과하는지 여부를 검출하는 동작을 수행하기 위해 사용되는 명령어를 더 포함하고, 이때 상기 직접적 디스플레이 임계치는, 스크린의 측면과 제2 가상 측면 사이의 거리이고, 오류 터치 임계치보다 크다.제4 측면에 대하여, 제4 측면의 제4 가능 구현 방법에서, 상기 메모리는:상기 사이드 메뉴의 디스플레이를 성공적으로 트리거하는 이번 슬라이딩 동작을 성공적 트리거 샘플 라이브러리에 기록하는 동작 - 사이드 메뉴의 디스플레이를 성공적으로 트리거하는 매번 슬라이딩 동작 및 각 슬라이딩 동작의 종료 위치가 성공적 트리거 샘플 라이브러리에 기록됨 -; 및미리설정된 시간 간격에, 상기 스크린 상의 슬라이딩 동작의 종료 위치의 분포 밀도에 따라 오류 터치 영역의 크기 및/또는 위치를 업데이트하는 동작 - 상기 종료 위치는 성공적 트리거 샘플 라이브러리에 기록됨 -을 수행하기 위해 사용되는 명령어를 더 포함한다. 제4 측면의 제4 가능 구현 방법에 대하여, 제4 측면의 제5 가능 구현 방법에서, 상기 메모리는:상기 스크린 상의 미리정의된 영역을 적어도 두 개의 서브영역으로 분할하는 동작 - 상기 미리정의된 영역은 상기 스크린의 측면, 상기 스크린의 측면에 인접한 두 측면, 및 상기 스크린의 측면과 평행인 제3 가상 측면에 의해 둘러싸이는 영역을 포함함 -;각 서브영역에서 슬라이딩 동작의 종료 위치의 분포 밀도에 대한 통계를 수집하는 동작 - 상기 종료 위치는 성공적 트리거 샘플 라이브러리에 기록됨 -; 및분포 밀도가 미리설정된 밀도 미만인 서브영역을 오류 터치 영역으로서 결정하는 동작을 수행하기 위해 사용되는 명령어를 더 포함한다. [ 발명의 효과 ] 본원의 구현예에서 제공되는 기술적 해결책의 효과적 장점은 다음과 같다:스크린의 측면에서 시작하여 슬라이딩하는 슬라이딩 동작이 수신되고, 상기 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부가 검출되고, 검출 결과가 상기 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합한다는 것일 때에 스크린의 측면에 대응하는 사이드 메뉴가 디스플레이된다. 미리정의된 조건은, 상기 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과하고, 상기 슬라이딩 동작의 종료 위치가 미리설정된 오류 터치 영역 내에 있지 않다는 것을 포함한다. 이로써, 사용자에게 알려지지 않은 통지 바가 트리거되고 디스플레이되어서 오작동이 발생되는 종래 기술에서 존재하는 문제점을 해결하며, 슬라이딩 동작이 빠른 슬라이딩 동작이고 슬라이딩 동작의 종료 위치가 오류 터치 영역 내에 있지 않을 때에만 사이드 메뉴가 트리거되고 디스플레이되는 효과를 달성한다. 따라서, 사용자에게 알려지지 않은 사이드 메뉴가 트리거되고 디스플레이됨으로써 발생되는 오작동을 방지할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본원의 구현예의 기술적 해결책을 더욱 자세히 기재하기 위하여, 구현예를 설명하기 위해 요구되는 수반되는 도면을 간략히 소개한다. 다음 발명의 상세한 설명에서 요구되는 수반되는 도면은 본원의 일부 구현예를 단지 나타내며, 이 분야의 통상의 기술자가 창작적 노력 없이 수반되는 도면으로부터 다른 도면을 도출할 수 있음이 명백하다. 도 1은 본원의 실시태양에 따른 사이드 메뉴 디스플레이 방법의 방법 흐름도이다. 도 2a는 본원의 또 다른 실시태양에 따른 사이드 메뉴 디스플레이 방법의 방법 흐름도이다.도 2b는 본원의 또 다른 실시태양에 따른 사이드 메뉴 디스플레이 방법에 포함되는 오류 터치 영역의 분할의 개략도이다. 도 3a는 본원의 또 다른 실시태양에 따른 사이드 메뉴 디스플레이 방법의 방법 흐름도이다. 도 3b는 본원의 또 다른 실시태양에 따른 사이드 메뉴 디스플레이 방법 에 포함되는 오류 터치 영역의 분할의 개략도이다. 도 4는 본원의 실시태양에 따른 사이드 메뉴 디스플레이 장치의 구조적 블록도이다. 도 5는 본원의 또 다른 실시태양에 따른 사이드 메뉴 디스플레이 장치의 구조적 블록도이다. 도 6은 본원의 실시태양에 포함된 단말기의의 구조적 블록도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본원의 목적, 기술적 해결책 및 잇점을 더욱 명확히 하기 위하여, 이하 수반되는 도면을 참조하여 구체적으로 본원의 실시태양을 더 기재한다.본원의 실시태양에서, 단말기가 이동 전화, 테블릿 컴퓨터, e북 리더기, MP3(Moving Picture Experts Group Audio Layer III, Moving Picture Experts Group audio layer-3) 플레이어, MP4(Moving Picture Experts Group Audio Layer IV, Moving Picture Experts Group audio layer-4) 플레이어 등일 수 있다.도 1을 참조하면, 도 1은 본원의 실시태양에 따른 사이드 메뉴 디스플레이 방법의 방법 흐름도를 도시한다. 사이드 메뉴 디스플레이 방법이 단말기에 적용된다. 사이드 메뉴 디스플레이 방법은 다음의 단계를 포함한다:단계 102: 스크린의 측면으로부터 시작하여 슬라이딩하는 슬라이딩 동작을 수신함.단말기는 스크린의 측면으로부터 시작하여 슬라이딩하는 슬라이딩 동작을 수신한다. 스크린의 측면이 단말기의 스크린의 에지를 지칭한다. 일 예로서, 장방형 스크린을 사용하며, 스크린의 측면이 장방형 스크린의 네 측면 중 임의의 하나일 수 있다. 단계 104: 상기 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부를 검출하며, 상기 미리정의된 조건은 상기 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과하고, 상기 슬라이딩 동작의 종료 위치가 미리설정된 오류 터치 영역 내에 있지 않다는 것을 포함함.단말기는 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부를 검출한다. 단말기는 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과하는지 여부를 검출하며, 즉, 슬라이딩 동작이 빠른 슬라이딩 동작인지 여부를 검출한다. 게다가, 오류 터치 영역은 사이드 메뉴가 트리거되고 디스플레이 될 것 같은 영역이나 사용자에게 알려지지 않는 영역을 지칭한다. 오류 터치 영역은 고정된 범위를 가지고 미리설정된 영역일 수 있고, 또한 사용자 동작을 기록함으로써 동적으로 조절되는 범위를 갖는 영역일 수 있다. 사이드 메뉴가 아래로 끌기(pulling down)에 의해 디스플레이되는 통지 바 또는 메뉴 바를 포함할 수 있고, 왼쪽 또는 오른쪽 끌기(pulling left or right)에 의해 디스플레이되는 통지 바 또는 메뉴 바, 및 위로 끌기(pulling up)에 의해 디스플레이되는 통지 바 또는 메뉴 바를 더 포함할 수 있다. 단계 106: 검출 결과가 상기 슬라이딩 동작이 상기 미리정의된 조건에 부합한다는 것이면 스크린의 측면에 대응하는 사이드 메뉴를 디스플레이함.검출 결과가 상기 슬라이딩 동작이 상기 미리정의된 조건에 부합한다는 것이면, 단말기는 스크린의 측면에 대응하는 사이드 메뉴를 디스플레이 한다. 검출 결과가 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과하고, 슬라이딩 동작의 종료 위치가 미리설정된 오류 터치 영역 내에 있지 않다는 것인 경우에, 단말기가 스크린의 측면에 대응하는 사이드 메뉴를 디스플레이한다.결론적으로, 이 구현예에서 제공되는 사이드 메뉴 디스플레이 방법에서, 스크린의 측면으로부터 시작하여 슬라이딩하는 슬라이딩 동작이 수신되고, 상기 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부가 검출되고, 검출 결과가 상기 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합한다는 것일 때에 스크린의 측면에 대응하는 사이드 메뉴가 디스플레이된다. 미리정의된 조건은, 상기 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과하고, 상기 슬라이딩 동작의 종료 위치가 미리설정된 오류 터치 영역 내에 있지 않다는 것을 포함한다. 이로써, 사용자에게 알려지지 않은 통지 바가 트리거되고 디스플레이되어서 오작동이 발생되는 종래 기술에서 존재하는 문제점을 해결하며, 슬라이딩 동작이 빠른 슬라이딩 동작이고 슬라이딩 동작의 종료 위치가 오류 터치 영역 내에 있지 않을 때에만 사이드 메뉴가 트리거되고 디스플레이되는 효과를 달성한다. 따라서, 사용자에게 알려지지 않은 사이드 메뉴가 트리거되고 디스플레이됨으로써 발생되는 오작동을 방지할 수 있다. 도 1의 실시태양에서와 같이, 오류 터치 영역이 고정된 범위를 가지는 미리설정된 영역일 수 있고, 또한 사용자 동작을 기록하여 동적으로 조절되는 범위를 갖는 영역일 수도 있다. 다음에서 도 2a 및 도 3a의 실시태양의 전술한 두 경우를 자세히 기재한다. 먼저, 도 2a의 실시태양에서, 오류 터치 영역은 고정된 범위를 갖는 미리설정된 영역이다.도 2a를 참조하면, 도 2a는 본원의 또 다른 실시태양에 따른 사이드 메뉴 디스플레이 방법의 방법 흐름도를 도시한다. 사이드 메뉴 디스플레이 방법이 단말기에 적용된다. 사이드 메뉴 디스플레이 방법은 다음의 두 단계를 포함한다:단계 201: 오류 터치 영역을 미리설정함.오류 터치 영역이 단말기에 미리설정된다. 이 실시태양에서, 오류 터치 영역은 고정된 범위를 갖는 미리설정된 영역이다. 도 2b를 참조하면, 오류 터치 영역은 스크린의 측면(21), 상기 스크린의 측면(21)에 인접한 두 측면, 및 상기 스크린의 측면(21)과 평행인 제1 가상 측면(22)에 의해 둘러싸이는 영역을 포함한다.스크린의 측면(21)이 단말기의 스크린의 에지를 지칭한다. 일 예로서 장방형 스크린을 사용하면, 스크린의 측면(21)이 장방형 스크린의 4개의 측면 중 임의의 하나일 수 있다. 이 실시태양에서, 도 2b의 장방형 스크린의 상부 측면이 스크린의 측면(21)의 예로 사용된다. 단계 202: 스크린의 측면으로부터 시작하여 슬라이딩하는 슬라이딩 동작을 수신함.단말기는 스크린의 측면(21)으로부터 시작하여 슬라이딩하는 슬라이딩 동작을 수신한다. 단계 203: 상기 슬라이딩 동작의 종료 위치가 직접적 디스플레이 영역 내에 있는지 여부를 검출함.단말기가 상기 슬라이딩 동작의 종료 위치 S가 직접적 디스플레이 영역 내에 있는지 여부를 검출한다. 도 2b를 참조하면, 직접적 디스플레이 영역 및 오류 터치 영역 상호 겹쳐지지 않는다. 직접적 디스플레이 영역이 스크린의 측면(21)의 반대 측면(23), 스크린의 측면(21)에 인접한 두 측면, 및 스크린의 측면(21)에 평행인 제2 가상 측면(24)에 의해 둘러싸이는 영역을 포함한다. 자세하게는, 단말기가 슬라이딩 동작의 종료 위치 S와 스크린의 측면(21) 사이의 수직 거리가 직접적 디스플레이 임계치 L1를 초과하는지 여부를 검출하고, 상기 직접적 디스플레이 임계치 L1는 스크린의 측면(21)과 제2 가상 측면(24) 사이의 거리이다. 단말기는 스크린 상의 좌표 시스템을 미리 설정할 수 있다. 단말기는 먼저 슬라이딩 동작의 종료 위치 S의 좌표를 획득하고, 그 후 종료 위치 S의 좌표에 따라 종료 위치 S와 스크린의 측면(21) 사이의 수직 거리를 획득하고, 마지막으로 상기 수직 거리를 직접적 디스플레이 임계치 L1와 비교한다.직접적 디스플레이 임계치 L1의 값이 스크린의 측면(21)에 인접한 측면의 길이와 관련된다. 일반적으로, 직접적 디스플레이 임계치 L1가 스크린의 측면(21)에 인접한 측면의 길이의 절반으로 설정된다. 도 2b에서, 이 실시태양에서, 직접적 디스플레이 임계치 L1가 스크린의 길이 H의 절반임을 가정한다. 검출 결과가 종료 위치 S가 직접적 디스플레이 영역 내에 있다는 것이면, 단말기는 스크린의 측면(21)에 대응하는 사이드 메뉴를 바로 디스플레이한다. 사이드 메뉴는 아래로 끌기에 의해 디스플레이되는 통지 바 또는 메뉴 바를 포함할 수 있고, 왼쪽 또는 오른쪽 끌기에 의해 디스플레이되는 통지 바 또는 메뉴 바, 및 위로 끌기에 의해 디스플레이되는 통지 바 또는 메뉴 바를 더 포함할 수 있다. 이 실시태양에서, 사이드 메뉴는 아래로 끌기에 의해 디스플레이되는 통지 바임을 가정한다. 도 2b에 대하여, 제2 가상 측면(24)의 선 아래 영역, 즉 직접적 디스플레이 영역이 사용자가 동작을 수행하려고 의도하는 영역으로 간주된다. 슬라이딩 동작이 스크린의 측면(21)으로부터 하향으로 시작하여 제2 가상 측면(24)의 라인 아래에서 정지하는 경우에, 단말기는 슬라이딩 동작이 의도적인 사용자 동작이라고 여긴다. 이 경우에, 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도에 상관없이, 단말기는 사이드 메뉴를 디스플레이한다. 검출 결과가 종료 위치 S가 직접적 디스플레이 영역 내에 있지 않다는 것이면, 단계 204가 수행된다.단계 204: 검출 결과가 종료 위치가 직접적 디스플레이 영역 내에 있지 않다는 것이면 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부를 검출함.검출 결과가 종료 위치가 직접적 디스플레이 영역 내에 있지 않다는 것이면, 단말기가 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부를 검출한다. 미리정의된 조건은 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과하고, 슬라이딩 동작의 종료 위치가 미리설저된 오류 터치 영역 내에 있지 않다는 것을 포함한다. 구체적으로, 이 단계는 다음의 두 서브단계를 포함한다:먼저, 슬라이딩 동작의 종료 위치와 스크린의 측면 사이의 수직 거리가 오류 터치 임계치를 초과하는지 여부를 검출한다. 단말기는 슬라이딩 동작의 종료 위치 S와 스크린의 측면(21) 사이의 수직 거리가 오류 터치 임계치 L2를 초과하는지 여부를 검출하고, 오류 터치 임계치 L2는 스크린의 측면(21)과 제1 가상 측면(22) 사이의 거리이다. 오류 터치 임계치 L2의 값이 또한 스크린의 측면(21)에 인접한 측면의 길이와 관련되고, 오류 터치 임계치 L2가 직접적 디스플레이 임계치 L1 미만이다. 일반적으로, 오류 터치 임계치 L2가 스크린의 측면(21)에 인접한 측면의 길이의 대략 3분의 1로 설정된다. 도 2b에서, 이 실시태양에서, 오류 터치 임계치 L2가 스크린의 길이 H의 3분의 1이다. 슬라이딩 동작이 스크린의 측면(21)으로부터 하향으로 시작하고 슬라이딩이 제2 가상 측면(24)의 선 아래에 도달하기 전에 정지하는 경우에, 단말기는 슬라이딩 동작이 의도되지 않은 사용자 동작일 수 있다고 여긴다. 이 경우에, 단말기는 슬라이딩 동작의 종료 위치 S와 스크린의 측면(21) 사이의 수직 거리가 오류 터치 임계치 L2를 초과하는지 여부를 검출하며, 즉 슬라이딩 동작의 종료 위치 S가 오류 터치 영역 내에 있는지 여부를 검출한다. 둘째로, 검출 결과가 수직 거리가 오류 터치 임계치를 초과한다는 것이면, 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과하는지 여부를 검출한다. 검출 결과가 수직 거리가 오류 터치 임계치 L2를 초과한다는 것이면, 슬라이딩 동작의 종료 위치 S가 미리설정된 오류 터치 영역 내에 있지 않다는 미리정의된 조건을 만족한다. 이 경우에, 단말기는 계속하여 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과하는지 여부를 검출한다. 슬라이딩 속도가 유닛 시간당 슬라이딩되는 픽셀의 수로 표현될 수 있다. 더 높은 슬라이딩 속도는 유닛 시간 당 슬라이딩되는 더 많은 픽셀 수를 나타내며, 반대로, 더 느린 슬라이딩 속도는 유닛 시간 당 슬라이딩되는 더 작은 픽셀을 나타낸다. 제1 및 제2 서브단계에서, 검출 결과가 슬라이딩 동작의 종료 위치 S와 스크린의 측면(21) 사이의 수직 거리가 오류 터치 임계치 L2 미만이라는 것인 때에, 또는 검출 결과가 슬라이딩 동작의 종료 위치 S와 스크린의 측면(21) 사이의 수직 거리가 오류 터치 임계치 L2 를 초과하나 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치 미만이라는 것인 때에, 슬라이딩 속도는 미리정의된 조건에 부합하지 않으며, 이 경우에, 단말기는 사이드 메뉴를 디스플레이하지 않는다. 어쨌든, 검출 결과가 슬라이딩 동작의 종료 위치 S와 스크린의 측면(21) 사이의 수직 거리가 오류 터치 임계치 L2을 초과하고, 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과한다는 것일 때에, 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하며, 단말기는 단계 205를 수행한다.단계 205: 검출 결과가 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합한다는 것이면 스크린의 측면에 대응하는 사이드 메뉴를 디스플레이함.검출 결과가 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합한다는 것이면, 단말기는 스크린의 측면(21)에 대응하는 사이드 메뉴를 디스플레이한다. 구체적으로, 단말기는 다음의 두 가능한 구현 방법으로 사이드 메뉴를 디스플레이한다. 제1 가능 구현 방법에서, 단말기는 슬라이딩 동작이 사이드 메뉴를 디스플레이하기 위한 조건에 부합한다고 결정한 이후에만 오직 사이드 메뉴를 디스플레이한다. 제2 가능 구현 방법에서, 스크린의 측면에서 시작하여 슬라이딩하는 슬라이딩 동작을 수신한 때에, 단말기는 사이드 메뉴를 사용자의 손가락과 같은 트리거 대상으로 사이드 메뉴를 이동시키고, 슬라이딩 동작이 사이드 메뉴를 디스플레이하기 위한 조건에 부합한다는 것을 결정한 후에 완전히 사이드 메뉴를 디스플레이하거나 그렇지 않으면 메뉴를 철회한다. 결론적으로, 이 실시태양은 사이드 메뉴를 트리거하고 디스플레이하는 두 방법을 제공한다: 첫째, 슬라이딩 동작의 종료 위치 S와 스크린의 측면(21) 사이의 수직 거리가 직접적 디스플레이 임계치 L1를 초과하고; 둘째, 슬라이딩 동작의 종료 위치 S와 스크린의 측면(21) 사이의 수직 거리가 직접적 디스플레이 임계치 L1 미만이나, 오류 터치 임계치 L2를 초과하고, 즉, 슬라이딩 동작의 종료 위치 S가 미리설정된 오류 터치 영역 내에 있지 않고, 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과한다.단계 203 전에, 다음의 단계가 더 포함될 수 있음을 알아야 한다: 단말기는 슬라이딩 동작의 시작 위치와 스크린의 측면 사이의 수직 거리가 트리거 임계치를 초과하는지 여부를 검출하고, 트리거 임계치는 오류 터치 임계치 미만이며; 검출 결과가 슬라이딩 동작의 시작 위치와 스크린의 측면 사이의 수직 거리가 트리거 임계치 미만이라는 것이면, 단계 203가 수행되고; 그렇지 않으면, 동작이 수행되지 않는다. 트리거 임계치는 일반적으로 스크린의 측면에 인접한 측면의 길이의 대략 20분의 1로 설정될 수 있다. 트리거 임계치를 설정하는 것은 슬라이딩 동작의 시작 위치가 스크린 측면과 트리거 임계치의 선 사이의 트리거 영역 내에 있는지 여부를 결정하는 것이다. 슬라이딩 동작의 시작 위치가 트리거 영역 내에 있는 경우에만 오직 사이드 메뉴를 트리거하고 디스플레이하도록 사용되는 슬라이딩 동작이라고 여겨진다. 유동적인 터치 기술(floating touch technology)이 단말기에 적용된 후에, 종래 기술에서 일어나는 문제점을 더 잘 알게 되었다는 것을 추가로 알 것이다. 따라서, 스크린 로킹 상태에서, 단말기가 유동적 터치 기능을 디스에이블할 수 있다. 사용자는 오직 스크린과 직접 접촉하는 슬라이딩 동작을 사용함으로써 사이드 메뉴의 디스플레이를 트리거할 수 있다. 또한, 단말기는, 단말기가 사용자 동작 상태에 있는지 여부를 분석하고 결정하기 위하여, 광 강도 수집기를 사용하여 스크린 앞의 광 강도 값을 수집하거나 거리 센서를 사용함으로써 스크린과 상기 스크린 앞에 있는 장애물 사이의 거리를 더 수집할 수 있다. 스크린과 상기 스크린 앞에 있는 장애물 사이의 거리가 미리정의된 거리 값 미만인 때에, 또는 스크린 앞의 광 강도 값이 미리정의된 광 강도 값 미만인 때에, 단말기가 사용자 동작 상태에 있지 않다고 여겨지고, 이 경우에, 수신된 슬라이딩 동작이 사이드 메뉴의 디스플레이를 트리거하지 않는다. 결론적으로, 이 실시태양에서 제공된 사이드 메뉴 디스플레이 방법에서, 스크린의 측면에서 시작하는 슬라이딩의 슬라이딩 동작이 수신되고, 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부가 검출되고, 스크린의 측면에 대응하는 사이드 메뉴가 검출 결과가 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합한다는 것인 때에 디스플레이된다. 미리정의된 조건은 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과하고, 슬라이딩 동작의 종료 위치가 미리설정된 오류 터치 영역 내에 있지 않다는 것을 포함한다. 이로써, 사용자에게 알려지지 않은 통지 바가 트리거되고 디스플레이되어서 오작동이 발생되는 종래 기술에서 존재하는 문제점을 해결하며, 슬라이딩 동작이 빠른 슬라이딩 동작이고 슬라이딩 동작의 종료 위치가 오류 터치 영역 내에 있지 않을 때에만 사이드 메뉴가 트리거되고 디스플레이되는 효과를 달성한다. 따라서, 사용자에게 알려지지 않은 사이드 메뉴가 트리거되고 디스플레이됨으로써 발생되는 오작동을 방지할 수 있다. 게다가, 이 실시태양은 오류 터치 영역을 결정하는 특정 방법, 즉 오류 터치 영역으로서 고정된 범위를 갖는 영역의 사전 설정 방법을 제공한다. 이 실시태양에서, 오류 터치 영역의 사전 설정은 사용자의 일부 의도되지 않은 슬라이딩 동작을 방지하는 양호한 효과를 제공한다. 도 3a의 다음의 실시태양에서, 오류 터치 영역은 사용자 동작을 기록하여 동적으로 조절되는 영역이다. 도 3a를 참조하면, 도 3a는 본원의 또 다른 실시태양에 따른 사이드 메뉴 디스플레이 방법의 방법 흐름도를 도시한다. 사이드 메뉴 디스플레이 방법이 단말기에 적용된다. 사이드 메뉴 디스플레이 방법이 다음의 단계를 포함한다:단계 301: 스크린의 측면으로부터 시작하여 슬라이딩하는 슬라이딩 동작을 수신함.단말기는 스크린의 측면에서 시작하여 슬라이딩하는 슬라이딩 동작을 수신한다. 단계 302: 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부를 검출함.단말기가 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부를 검출하고, 상기 미리정의된 조건이 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과하고, 슬라이딩 동작의 종료 위치가 미리설정된 오류 터치 영역 내에 있지 않다는 것을 포함한다. 도 2b의 실시태양을 참조하면, 이 실시태양에서, 초기에 설정된 오류 터치 영역이 스크린의 전면의 3분의 1의 영역, 즉 도 2b의 실시태양에 있는 제1 가상 측면(22)의 선 위의 영역이라고 가정한다. 도 3b에서처럼, 왼쪽 도면에서 가로선들에 의해 나타나는 영역이 초기에 설정된 오류 터치 영역이다.단계 303: 검출 결과가 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합한다는 것이면, 스크린의 측면에 대응하는 사이드 메뉴를 디스플레이함.검출 결과가 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합한다는 것이면, 단말기는 스크린의 측면에 대응하는 사이드 메뉴를 디스플레이한다.단계 304: 성공적 트리거 샘플 라이브러리에서, 사이드 메뉴의 디스플레이를 성공적으로 트리거하는 이번 슬라이드 동작을 기록함.단말기는, 성공적 트리거 샘플 라이브러리에서, 사이드 메뉴의 디스플레이를 성공적으로 트리거하는 이번 슬라이드 동작을 기록하며, 사이드 메뉴의 디스플레이를 성공적으로 트리거하는 매번의 슬라이드 동작이 성공적 트리거 샘플 라이브러리에 기록된다. 단계 305: 스크린 상의 슬라이딩 동작의 종료 위치의 분포 밀도에 따라 미리설정된 시간 간격으로 오류 터치 영역의 크기 및/또는 위치를 업데이트하고, 종료 위치는 성공적 트리거 샘플 라이브러리에 기록됨.단말기는 스크린 상의 슬라이딩 동작의 종료 위치의 분포 밀도에 따라 미리설정된 시간 간격으로 오류 터치 영역의 크기 및/또는 위치를 업데이트하며, 종료 위치는 성공적 트리거 샘플 라이브러리에 기록된다. 사용자가 자신의 사용 습관을 가지고 있기 때문에, 사용자가 단말기 상에서 수행하는, 슬라이딩 동작의 트랙, 슬라이딩 거리 및 슬라이딩 동작의 종료 위치을 포함하는 슬라이딩 동작이 거의 모든 경우에 동일하거나 유사하다. 단말기는 사용자의 습관에 따라 미리설정된 시간 간격으로 오류 터치 영역의 크기 및/또는 위치를 조절하여, 오류 터치 영역이 더욱 정교할 수 있고, 오작동의 확률이 더 감소될 수 있다. 구체적으로, 이 단계는 다음의 서브단계를 포함한다:먼저, 스크린 상의 미리정의된 영역을 적어도 두 개의 서브영역으로 분할한다. 단말기는 스크린 상의 미리정의된 영역을 적어도 두 개의 서브영역으로 분할한다. 도 3b를 참조하면, 미리정의된 영역은 스크린의 측면(31), 스크린의 측면(31)에 인접한 두 측면, 및 스크린의 측면과 평행인 제3 가상 측면(32)에 의해 둘러싸이는 영역을 포함한다. 단말기는 스크린 상의 미리정의된 영역을 6*5=30개의 서브영역으로 분할한다. 둘째, 각 서브영역에서 슬라이딩 동작의 종료 위치의 분포 밀도에 대한 통계를 수집하며, 종료 위치는 성공적 트리거 샘플 라이브러리에 기록된다.단말기는 각 서브영역에서 슬라이딩 동작의 종료 위치의 분포 밀도에 대한 통계를 수집하며, 종료 위치는 성공적 트리거 샘플 라이브러리에 기록된다. 단말기는 사이드 메뉴의 디스플레이를 성공적으로 트리거한 매번의 슬라이딩 동작의 종료 위치를 기록한 후에 각 서브영역 내의 종료 위치의 분포 밀도에 대한 통계를 수집한다. 이 실시태양에서, 사이드 메뉴의 디스플레이를 성공적으로 트리거하는 여러 번의 슬라이딩 동작의 종료 위치의 분포 밀도가 도 3b의 오른쪽 도면에서 도시된다. 셋째, 분포 밀도가 미리설정된 밀도 미만인 서브영역을 오류 터치 영역으로서 결정한다.단말기는 분포 밀도가 미리설정된 밀도 미만인 서브영역을 오류 터치 영역으로서 결정한다. 더 높은 분포 밀도를 가진 서브 영역이 사용자의 습관적인 슬라이딩 동작의 종료 위치가 위치되는 영역이기 때문에, 분포 밀도가 미리설정된 밀도보다 높은 서브영역이 비-오류터치 영역으로 결정된다. 따라서, 분포 밀도가 미리설정된 밀도 미만인 서브영역이 오류 터치 영역으로 결정된다. 도 3b에서처럼, 오른쪽 도면의 사선에 의해 표시되는 영역이 업데이트된 오류 터치 영역이다.단계 304와 단계 305 이후에, 단말기는 사용자 습관에 따라 미리설정된 시간 간격으로 오류 터치 영역을 조절하여, 오류 터치 영역이 더욱 정확해지고, 오작동의 확률이 더 감소된다. 실제 응용에서, 공장 배달 전에 단말기의 동일한 배치(batch)의 초기에 설정된 오류 터치 영역가 일반적으로 동일하나; 단말기가 일정 시간 동안 상이한 사용자에 의해 사용된 후, 상이한 사용자의 상이한 사용자 습관으로 인해 업데이트된 오류 터치 영역은 상이해진다. 단말기는 사용자 습관을 학습한 후에 오류 터치 영역의 크기 및/또는 위치를 조절하는 기능을 가진다. 게다가, 이 실시태양에서, 사이드 메뉴의 디스플레이를 성공적으로 트리거하는 매번의 슬라이딩 동작의 종료 위치를 기록하는 것은 상세한 설명의 예시로서 오직 사용된다. 단말기는 사이드 메뉴의 디스플레이를 성공적으로 트리거하는 매번의 슬라이딩 동작의 트랙을 기록함으로써 오류 터치 영역의 크기 및/또는 위치를 또한 결정할 수 있다. 사이드 메뉴의 디스플레이는 슬라이딩 동작의 트랙이 오류 터치 영역 내에 있지 않은 때에만 오직 트리거된다. 결론적으로, 이 실시태양에서 제공되는 사이드 메뉴 디스플레이 방법에서, 스크린의 측면에서 시작하여 슬라이딩되는 슬라이딩 동작이 수신되고, 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부가 검출되고, 스크린의 측면에 대응하는 사이드 메뉴가 검출 결과가 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는 때에 디스플레이된다. 미리정의된 조건이 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과하고, 슬라이딩 동작의 종료 위치가 미리설정된 오류 터치 영역 내에 있지 않다는 것을 포함한다. 이로써, 사용자에게 알려지지 않은 통지 바가 트리거되고 디스플레이되어서 오작동이 발생되는 종래 기술에서 존재하는 문제점을 해결하며, 슬라이딩 동작이 빠른 슬라이딩 동작이고 슬라이딩 동작의 종료 위치가 오류 터치 영역 내에 있지 않을 때에만 사이드 메뉴가 트리거되고 디스플레이되는 효과를 달성한다. 따라서, 사용자에게 알려지지 않은 사이드 메뉴가 트리거되고 디스플레이됨으로써 발생되는 오작동을 방지할 수 있다. 게다가, 이 실시태양은 오류 터치 영역을 결정하는 또 다른 특정 방법, 즉 사이드 메뉴의 디스플레이를 성공적으로 트리거하는 매번의 슬라이딩 동작을 기록함으로써 오류 터치 영역의 크기 및/또는 위치를 업데이트하는 방법을 제공하여, 오류 터치 영역이 더욱 정확해진다. 다음은 본원의 실시태양에 따른 장치이며, 본원의 실시태양에 따른 방법을 실행하도록 사용될 수 있다. 본원의 실시태양에 따른 장치가 자세히 기재되지는 않으며, 본원의 실시태양에 따른 방법을 참조하라.도 4를 참조하면, 도 4는 본원의 실시태양에 따른 사이드 메뉴 디스플레이 장치의 구조적 블록도를 도시한다. 사이드 메뉴 디스플레이 장치는 소프트웨어, 하드웨어, 또는 소프트웨어와 하드웨어의 조합을 사용하여 단말기의 일부 또는 전체로서 구현될 수 있다. 사이드 메뉴 디스플레이 장치가 동작 수신 모듈(410), 동작 검출 모듈(420) 및 메뉴 디스플레이 모듈(430)을 포함한다.동작 수신 모듈(410)이 스크린의 측면에서 시작하여 슬라이딩하는 슬라이딩 동작을 수신하도록 구성된다. 동작 검출 모듈(420)이 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부를 검출하도록 구성되고, 미리정의된 조건이 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과하고, 슬라이딩 동작의 종료 위치가 미리설정된 오류 터치 영역 내에 있지 않다는 것을 포함한다. 메뉴 디스플레이 모듈(430)이, 검출 결과가 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합한다면, 스크린의 측면에 대응하는 사이드 메뉴를 디스플레이하도록 구성된다. 결론적으로, 이 실시태양에 따른 사이드 메뉴 디스플레이 장치로, 스크린의 측면에서 시작하여 슬라이딩하는 슬라이딩 동작이 수신되고, 상기 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부가 검출되고, 검출 결과가 상기 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합한다는 것일 때에 스크린의 측면에 대응하는 사이드 메뉴가 디스플레이된다. 미리정의된 조건은, 상기 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과하고, 상기 슬라이딩 동작의 종료 위치가 미리설정된 오류 터치 영역 내에 있지 않다는 것을 포함한다. 이로써, 사용자에게 알려지지 않은 통지 바가 트리거되고 디스플레이되어서 오작동이 발생되는 종래 기술에서 존재하는 문제점을 해결하며, 슬라이딩 동작이 빠른 슬라이딩 동작이고 슬라이딩 동작의 종료 위치가 오류 터치 영역 내에 있지 않을 때에만 사이드 메뉴가 트리거되고 디스플레이되는 효과를 달성한다. 따라서, 사용자에게 알려지지 않은 사이드 메뉴가 트리거되고 디스플레이됨으로써 발생되는 오작동을 방지할 수 있다. 도 5를 참조하면, 도 5는 본원의 또 다른 실시태양에 따른 사이드 메뉴 디스플레이 장치의 구조적 블록도이다. 사이드 메뉴 디스플레이 장치가 소프트웨어, 하드웨어 또는 소프트웨어와 하드웨어의 조합을 사용함으로써 단말기의 일부 또는 전체로서 구현될 수 있다. 사이드 메뉴 디스플레이 장치가 동작 수신 모듈(410), 직접 검출 모듈(412), 동작 검출 모듈(420), 메뉴 디스플레이 모듈(430), 동작 기록 모듈(432), 및 영역 업데이트 모듈(434)을 포함한다.동작 수신 모듈(410)이 스크린의 측면에서 시작하여 슬라이딩하는 슬라이딩 동작을 수신하도록 구성된다. 직접 검출 모듈(412)이 슬라이딩 동작의 종료 위치가 직접적 디스플레이 영역 내에 있는지 여부를 검출하도록 구성되고, 직접적 디스플레이 영역과 오류 터치 영역은 상호 겹치지 않는다.구체적으로, 직접 검출 모듈(412)이 직접적 디스플레이 영역 스크린의 측면의 반대 측면, 스크린의 측면에 인접한 두 측면, 및 스크린의 측면에 평행인 제2 가상 측면에 의해 둘러싸이는 영역을 포함하는 때에, 슬라이딩 동작의 종료 위치와 스크린의 측면 사이의 수직 거리가 직접적 디스플레이 임계치를 초과하는지 여부를 검출하도록 구성되고, 직접적 디스플레이 임계치는 스크린의 측면과 제2 가상 측면 사이의 거리이고, 직접적 디스플레이 임계치는 오류 터치 임계치보다 크다.동작 검출 모듈(420)이, 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부를 검출하도록 구성되고, 미리정의된 조건은 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과하고, 슬라이딩 동작의 종료 위치가 미리설정된 오류 터치 영역 내에 있지 않다는 것을 포함한다.구체적으로, 동작 검출 모듈(420)이, 검출 결과가 종료 위치가 직접적 디스플레이 영역 내에 있지 않다는 것이면 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부를 검출하는 단계를 수행하도록 구성된다. 구체적으로, 동작 검출 모듈(420)이 거리 검출 유닛(420a)과 속도 검출 유닛(420b)을 포함한다.거리 검출 유닛(420a)이, 오류 터치 영역 스크린의 측면, 스크린의 측면에 인접한 두 측면, 및 스크린의 측면과 평행인 제1 가상 측면에 의해 둘러싸이는 영역을 포함하는 때에, 슬라이딩 동작의 종료 위치와 스크린의 측면 사이의 수직 거리가 오류 터치 임계치를 초과하는지 여부를 검출하도록 구성되고, 오류 터치 임계치는 스크린의 측면과 제1 가상 측면 사이의 거리이다.속도 검출 유닛(420b)이, 검출 결과가 수직 거리가 오류 터치 임계치를 초과한다는 것이면 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과하는지 여부를 검출하도록 구성된다. 메뉴 디스플레이 모듈(430)이, 검출 결과가 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합한다는 것이면, 스크린의 측면에 대응하는 사이드 메뉴를 디스플레이하도록 구성된다. 동작 기록 모듈(432)이, 사이드 메뉴의 디스플레이를 성공적으로 트리거하는 이번 슬라이딩 동작을 성공적 트리거 샘플 라이브러리에 기록하도록 구성되고, 사이드 메뉴의 디스플레이를 성공적으로 트리거하는 매번의 슬라이딩 동작 및 각 슬라이딩 동작의 종료 위치가 성공적 트리거 샘플 라이브러리에 기록된다. 영역 업데이트 모듈(434)이 스크린 상의 슬라이딩 동작의 종료 위치의 분포 밀도에 따라 미리설정된 시간 간격으로 오류 터치 영역의 크기 및/또는 위치를 업데이트하도록 구성되며, 종료 위치가 성공적 트리거 샘플 라이브러리 내에 기록된다.구체적으로, 영역 업데이트 모듈(434)은 영역 분할 유닛(434a), 밀도 통계 수집 유닛(434b), 및 영역 결정 유닛(434c)을 포함한다.영역 분할 유닛(434a)이 스크린 상의 미리정의된 영역을 적어도 두 개의 서브영역으로 분할하도록 구성되고, 미리정의된 영역이 스크린의 측면, 스크린의 측면에 인접한 두 측면, 및 스크린의 측면과 평행인 제3 가상 측면에 의해 둘러싸인 영역을 포함한다.밀도 통계 수집 유닛(434b)이 각 서브영역에서 슬라이딩 동작의 종료 위치의 분포 밀도에 대한 통계를 수집하도록 구성되고, 종료 위치는 성공적 트리거 샘플 라이브러리 내에 기록된다.영역 결정 유닛(434c)이 분포 밀도가 미리설정된 밀도 미만인 서브영역을 오류 터치 영역으로서 결정하도록 구성된다.결론적으로, 이 실시태양에 따른 사이드 메뉴 디스플레이 장치로, 스크린의 측면에서 시작하여 슬라이딩하는 슬라이딩 동작이 수신되고, 상기 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부가 검출되고, 검출 결과가 상기 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합한다는 것일 때에 스크린의 측면에 대응하는 사이드 메뉴가 디스플레이된다. 미리정의된 조건은, 상기 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과하고, 상기 슬라이딩 동작의 종료 위치가 미리설정된 오류 터치 영역 내에 있지 않다는 것을 포함한다. 이로써, 사용자에게 알려지지 않은 통지 바가 트리거되고 디스플레이되어서 오작동이 발생되는 종래 기술에서 존재하는 문제점을 해결하며, 슬라이딩 동작이 빠른 슬라이딩 동작이고 슬라이딩 동작의 종료 위치가 오류 터치 영역 내에 있지 않을 때에만 사이드 메뉴가 트리거되고 디스플레이되는 효과를 달성한다. 따라서, 사용자에게 알려지지 않은 사이드 메뉴가 트리거되고 디스플레이됨으로써 발생되는 오작동을 방지할 수 있다.게다가, 이 실시태양은 오류 터치 영역을 결정하는 두 가지 특정 방법을 제공한다. 첫째는 고정된 범위를 갖는 영역을 오류 터치 영역으로서 미리설정하는 것이다. 오류 터치 영역이 사용자의 일부 의도되지 않은 슬라이딩 동작으로부터 단말기를 방지하는 양호한 효과를 제공한다. 둘째로 사이드 메뉴의 디스플레이를 성공적으로 트리거하는 매번의 슬라이딩 동작을 기록함으로써 오류 터치 영역의 크기 및/또는 위치를 업데이트하는 것이며, 따라서 오류 터치 영역이 더 정확해진다.전술한 기능 모듈의 분리가 이 실시태양에서 제공되는 사이드 메뉴 디스플레이 장치와 단말기가 사이드 메뉴의 디스플레이를 위해 사용되는 경우의 일례로서 취해질 수 있음을 알아야 한다. 실제 응용에서, 전술한 기능이 상이한 모듈로 할당되고 요건에 따라 구현될 수 있다. 즉, 사이드 메뉴 디스플레이 장치와 단말기의 내부 구조가 전술한 기능의 전부 또는 일부를 완수하도록 상이한 기능 모듈로 분리된다. 게다가, 이 실시태양에서 제공되는 사이드 메뉴 디스플레이 장치와 단말기는 사이드 메뉴 디스플레이 방법 구현으로서 동일한 개념에 기초한다. 특정 구현 프로세스에 대하여, 방법 구현예를 참조할 수 있고, 여기에 다시 기재하지는 않는다. 도 6을 참조하면, 도 6은 본원의 실시태양에서 포함되는 단말기의 개략적 구조도를 도시한다. 단말기는 전술한 실시태양에서 제공되는 사이드 메뉴 디스플레이 방법을 구현하도록 사용된다. 단말기(600)는 통신 유닛(610), 하나 이상의 컴퓨터-판독가능 저장 매체를 포함하는 메모리(620), 입력 유닛(630), 디스플레이 유닛(640), 센서(650), 오디오 회로(660), 무선 통신 유닛(670), 하나 이상의 처리 코어를 포함하는 프로세서(680), 및 전원(690)과 같은 부분을 포함할 수 있다. 이 분야의 통상의 기술자는 도 6의 단말기의 구조가 단말기에 대한 한정사항을 구성하고 있지 않고, 도 6보다 더 많거나 작은 부분들이 포함되거나, 일부 부분들이 조합되거나 부분들이 상이한 방법으로 배열될 수 있음을 이해해야할 것이다. 통신 유닛(610)이 정보를 수신하고 전송하도록 구성될 수 있고, 또는 호출 동안 신호를 수신하고 전송하도록 구성될 수 있다. 통신 유닛(610)이 무선 주파수(Radio Frequency, RF) 회로, 라우터, 또는 모뎀과 같은 네트워크 통신 디바이스일 수 있다. 특히, 통신 유닛(610)가 RF 회로인 때에, 기지국의 다운링크 정보가 수신된 후에, 다운링크 정보가 하나 이상의 프로세서(680)에 의해 처리되고, 게다가 관련된 업링크 데이터가 기지국에 전송된다. 일반적으로, 통신 유닛으로서, RF 회로는 이에 한정되는 것은 아니나, 안테나, 적어도 하나의 증폭기, 튜너, 하나 이상의 오실레이터, SIM(subscriber identity module) 카드, 송수신기, 커플러, LNA (Low Noise Amplifier), 듀플렉서, 및 이와 유사한 것을 포함한다. 게다가, 통신 유닛(610)이 무선 통신을 사용함으로써 네트워크와 또 다른 디바이스와 통신할 수 있다. 무선 통신이, 이에 한정되는 것은 아니나 GSM(Global System of Mobile communication, Global System for Mobile Communications), GPRS(General Packet Radio Service), CDMA(Code Division Multiple Access), WCDMA(Wideband Code Division Multiple Access), LTE(Long Term Evolution), 이메일, SMS(Short Messaging Service) 및 이와 유사한 것을 포함하여, 임의의 통신 표준 또는 프로토콜을 사용할 수 있다. 메모리(620)가 소프트웨어 프로그램 및 모듈을 저장하도록 구성되고, 프로세서(680)가, 메모리(620)에 저장된 모듈 및 소프트웨어 프로그램을 구동함으로써 다양한 기능 애플리케이션 및 데이터 처리를 실행한다. 메모리(620)가 프로그램 저장 영역과 데이터 저장 영역을 주로 포함할 수 있다. 프로그램 저장 영역이 동작 시스템, 적어도 하나의 기능에 의해 요구되는 어플리케이션 프로그램(예컨대 사운드 플레이 기능 또는 이미지 플레이 기능), 및 이와 유사한 것을 저장할 수 있다. 데이터 저장 영역이 단말기(600)의 사용에 따라 생성되는 데이터(예컨대 오디오 데이터나 폰북), 및 이와 유사한 것을 저장할 수 있다. 게다가, 메모리(620)가 고속 랜덤 액세스 메모리를 포함할 수 있고, 비휘발성 메모리, 예컨대 적어도 하나의 디스크 저장 디바이스, 플래시 메모리 디바이스 또는 또 다른 휘발성 고상 저장 디바이스를 더 포함할 수 있다. 대응하여, 메모리(620)가 저장 제어기를 더 포함할 수 있어서, 프로세서(680) 및 메모리(620)에 액세스하는 입력 유닛(630)을 제공한다.입력 유닛(630)이 입력 디지털 또는 문자 정보를 수신하고, 사용자 설정 및 기능 제어에 관련되는, 키보드, 마우스, 조이스틱 또는 광이나 트랙볼 신호의 신호 입력을 생성하도록 구성된다. 바람직하게는, 입력 유닛(630)이 터치-감지면(631) 및 또 다른 입력 디바이스(632)를 포함할 수 있다. 터치-감지면(631)은 또한 터치스크린이나 터치패드로 지칭되기도 하며, 터치-감지면 상에서나 터치-감지면에 인접하는 사용자의 터치 동작(예컨대, 터치-감지면(631) 상에서 또는 터치-감지면(631)에 인접하여 사용자가 손가락이나 스타일러스와 같은 임의의 적합한 물체나 액세서리를 사용함으로써 수행하는 동작)을 수집하고, 미리설정된 공식에 따라 대응하는 접속 장치를 구동한다. 선택적으로, 터치-감지면(631)이 두 부분, 즉 터치 검출 장치 및 터치 제어기를 포함할 수 있다. 터치 검출 장치는 사용자의 터치 위치를 검출하고, 터치 동작에 의해 발생되는 신호를 검출하고, 터치 제어기에 신호를 전송한다. 터치 제어기는 터치 검출 장치로부터 터치 신호를 수신하고, 터치 정보를 터치 좌표로 변환하고, 터치 좌표를 프로세서(680)에 전송하며, 프로세서(680)로부터 전송된 명령을 수신하고 실행할 수 있다. 게다가, 터치-감지면(631)이 저항식, 용량식, 적외선, 및 탄성 표면파와 같은 다수의 유형으로 구현될 수 있다. 터치-감지면(631)에 더하여, 입력 유닛(630)가 또 다른 입력 디바이스(632)를 더 포함할 수 있다. 바람직하게, 또 다른 입력 디바이스(632)는 이에 제한되는 것은 아니나, 물리적 키보드, 기능 키(예컨대 볼륨 제어 키 또는 전원 키), 트랙볼, 마우스, 조이스틱 및 이와 유사한 것 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 디스플레이 유닛(640)이 사용자에 의한 정보 입력, 또는 사용자에게 제공된 정보, 및 단말기(600)의 다양한 그래픽 사용자 인터페이스를 디스플레이하도록 구성될 수 있고, 그래픽 사용자 인터페이스는 그래픽 이미지, 텍스트, 아이콘, 비디오 및 이들의 임의의 조합에 의해 형성될 수 있다. 디스플레이 유닛(640)이 디스플레이 패널(641)을 포함할 수 있고, 선택적으로, 디스플레이 패널(641)이 LCD(Liquid Crystal Display), OLED (Organic Light-Emitting Diode), 및 이와 유사한 것의 형태로 구성될 수 있다. 또한, 터치-감지면(631)이 디스플레이 패널(641)을 커버할 수 있다. 터치-감지면(631)이 터치-감지면(631) 상의 또는 인접한 터치 동작을 검출하는 때에, 터치-감지면(631)이 프로세서(680)에 신호를 전송하여 터치 이벤트의 유형을 결정하고, 그 후 프로세서(680)가 터치 이벤트의 유형에 따라 디스플레이 패널(641) 상의 대응하는 시각적 출력을 제공한다. 터치-감지면(631)과 디스플레이 패널(641)이 도 6의 입력 및 출력 기능을 구현하기 위한 두 가지 독립적 부분으로 사용된다 할지라도, 일부 실시태양에서, 터치-감지면(631)이 디스플레이 패널(641)와 통합되어, 입력 및 출력 기능을 구현할 수 있다.단말기(600)가 센서(650), 예컨대 광 센서, 모션 센서, 및 다른 센서 중 적어도 하나의 유형을 더 포함할 수 있다. 광 센서는 주변 광 센서 및 근접각 센서를 포함할 수 있다. 주변 광 센서는 광 및 주변 광선의 그림자에 따라 디스플레이 패널(641)의 밝기를 조절할 수 있고, 근접각 센서는 단말기(600)가 귀 근처에 위치하는 경우에 디스플레이 패널(641) 및/또는 백라이트를 턴오프할 수 있다. 모션 센서의 유형으로서, 중력 가속 센서는 다양한 방향(일반적으로, 3개 축)으로 가속도 크기를 측정할 수 있고, 계속 머무르는 때에 중력의 크기 및 방향을 검출할 수 있으며, 이는 전화 자세(예컨대 가로 및 세로 보기 스위칭(landscape and portrait view switching), 관련 게임, 및 자력계 자세 교정(magnetometer posture calibration)), 진동 인식 관련 기능(예컨대 피도미터, 및 노크(knock)), 및 이와 유사한 것을 인식하기 위한 어플리케이션에 적용될 수 있다. 단말기(600)에 대하여, 자이로스코프, 기압계, 습도계, 온도계, 적외선 센서, 및 다른 센서가 더 구성될 수 있고, 여기에 자세히 기재하지는 않는다.오디오 회로(660), 확성기(661), 및 마이크(662)가 사용자와 단말기(600) 사이의 오디오 인터페이스를 제공할 수 있다. 오디오 회로(660)가 수신된 오디오 데이터로부터 변환된 전기 신호를 확성기(661)에 송신할 수 있고, 확성기(661)가 전기 신호를 입력을 위한 음향 신호로 변환한다. 또 다른 측면에서, 마이크(662)가 수집된 음향 신호를 전기 신호로 변환하고, 오디오 회로(660)는 전기 신호의 수신시 전기 신호를 오디오 데이터로 변환하고, 오디오 데이터를 처리를 위해 프로세서(680)로 출력하고, 그 후 오디오 데이터가 RF 회로(610)를 사용하여 예컨대 또 다른 단말기에 전송되고, 오디오 데이터가 더 처리되기 위해 메모리(620)에 출력된다. 오디오 회로(660)가 이어플러그 잭을 더 포함하여, 단말기(600)와의 통신을 위해 외부 이어폰을 제공한다. 무선 통신을 구현하기 위해, 무선 통신 유닛(670)이 단말기에 구성될 수 있다. 무선 통신 유닛(670)이 WI-FI 모듈일 수 있다. WI-FI는 단거리 무선 통신 기술에 속한다. 단말기(600)가 무선 통신 유닛(670)을 사용함으로써 도움이 될 수 있고, 사용자는 이메일을 수신하고 전송하고, 웹 페이지를 브라우징하고, 스트림 미디어에 접속할 수도 있다. 무선 통신 유닛(670)이 무선 광대역 인터넷 접속을 사용자에게 제공한다. 도 6이 무선 통신 유닛(670)을 도시한다 할지라도, 무선 통신 유닛(670)이 단말기(600)의 필수 구성요소는 아니며, 본원의 필수적인 범위 내의 요건에 따라 전체적으로 생략될 수 있음을 이해해야할 것이다. 프로세서(680)는 단말기(600)의 제어 중심이며, 다양한 인터페이스 및 라인을 사용하여 전체 이동 전화의 각 부분에 접속되고, 단말기(600)의 다양한 기능을 실행하고, 소프트웨어 프로그램 및/또는 메모리(620) 내에 저장된 모듈을 구동하거나 실행함으로써, 그리고 메모리(620) 내에 저장된 데이터를 호출함으로써 데이터를 처리하여, 이동 전화 상의 전체적인 모니터링을 수행한다. 선택적으로, 프로세서(680)가 하나 이상의 처리 코어를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 프로세서(680)가 어플리케이션 프로세서 및 모뎀 프로세서를 통합할 수 있다. 어플리케이션 프로세서는 주로 작동 시스템, 사용자 인터페이스, 어플리케이션 프로그램 및 이와 유사한 것을 처리하며, 모뎀 프로세서는 주로 무선 통신을 처리한다. 프로세서(680)는 또한 모뎀 프로세서를 집적할 수 없음을 이해해야 할 것이다. 단말기(600)는 전력을 각 부분에 공급하는 전원(690)(예컨대 배터리)를 더 포함한다. 바람직하게는, 전원이 전력 관리 시스템을 사용하여 프로세서(680)에 논리적으로 접속될 수 있어서, 전력 관리 시스템을 사용하여, 충전, 방전 및 전력 소모의 관리와 같은 관리 기능을 구현할 수 있다. 전원(690)이 하나 이상의 직류 또는 교류 전원, 재충전 가능 시스템, 전력 중단 검출 회로, 전력 변환기나 인버터, 전력 상태 표시기, 및 임의의 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다. 도 6에 도시되지 않다 할지라도, 단말기(600)는 카메라, 블루투스 모듈, 및 이와 유사한 것을 더 포함할 수 있고, 여기에 자세히 기재하지는 않는다. 이 실시태양에서, 단말기는 메모리, 및 하나 이상의 프로그램을 더 포함하며, 하나 이상의 프로그램은 메모리에 저장되고, 설정 후에 하나 이상의 프로세서에 의해 실행된다. 하나 이상의 프로그램이 본원의 도 1, 도 2a 또는 도 3a의 실시태양에 제공된 사이드 메뉴 디스플레이 방법을 실행하기 위해 사용된 명령어를 포함한다. 전술한 실시태양의 기재에서, 이 분야의 통상의 기술자는 본원이 하드웨어, 펌웨어 또는 이들의 조합에 의해 구현될 수 있음을 명확히 이해할 것이다. 본원이 소프트웨어에 의해 구현되는 경우에, 전술한 기능이 컴퓨터-판독가능 매체에 저장되거나, 컴퓨터-판독가능 매체 내의 하나 이상의 명령어나 코드로서 송신된다. 컴퓨터-판독가능 매체는 컴퓨터 저장 매체 및 통신 매체를 포함하고, 통신 매체는 컴퓨터 프로그램이 하나의 장소에서 다른 장소로 송신되도록 하는 임의의 매체를 포함한다. 저장 매체는 컴퓨터에 액세스 가능한 임의의 이용 가능한 매체일 수 있다. 다음은 실시예를 제공하나 이에 한정되지는 않는다. 컴퓨터-판독가능 매체는 RAM, ROM, EEPROM, CD-ROM, 또는 또 다른 광 디스크 저장 또는 디스크 저장 매체, 또는 또 다른 자기 저장 디바이스, 또는 데이터 구조나 명령어의 형태인 원하는 프로그램 코드를 운반하거나 저장할 수 있는 임의의 다른 매체를 포함할 수 있고, 컴퓨터에 의해 액세스할 수 있다. 게다가, 임의의 접속이 컴퓨터-판독가능 매체로 적절히 한정된다. 예컨대, 동축 케이블, 광 섬유/케이블, 꼬임쌍선 케이블, 디지털 가입자 회선(DSL, digital subscriber line) 또는 적외선, 라디오 및 마이크로파와 같은 무선 기술을 사용하여 웹사이트, 서버 또는 또 다른 원격 소스로부터 소프트웨어가 송신되면, 동축 케이블, 광 섬유/케이블, 꼬임쌍선 케이블, DSL 또는 적외선, 라디오 및 마이크로파와 같은 무선 기술이 그들이 속하는 매체의 고정되어 포함된다. 예를 들어, 본원에 사용되는 디스크(Disk) 및 디스크(disc)는 콤팩트 디스크 CD, 레이저 디스크, 광 디스크, 디지털 다기능 디스크(DVD, digital versatile disc), 플로피 디스크 및 블루 레이 디스크를 포함하고, 디스크는 일반적으로 자기 수단에 의해 데이터를 복사하고, 디스크는 레이저 수단에 의해 광학적으로 데이터를 복사한다. 전술한 조합이 또한 컴퓨터-판독가능 매체의 보호 범위 내에 포함될 수 있다. 이 명세서에서 사용되는 단수 형태 "하나(one)"("a", "an", "the")는 문맥에서 그렇지 않은 경우라고 명확히 하고 있지 않다면 복수 형태를 더 포함하려는 의도이다. 이 명세서에서 사용되는 "및/또는"은 하나 이상의 관련되어 배열된 아이템의 임의의 하나 또는 모든 조합을 지칭함을 더 이해해야 할 것이다. 본원의 실시태양에서 시퀀스 수는 단지 일례의 목적을 위한 것이며, 실시태양의 우선순위를 지시하려는 의도일 뿐이다. 이 분야의 통상의 기술자는 실시태양의 모든 또는 일부의 단계가 하드웨어나 프로그램 명령 관련 하드웨어에 의해 구현될 수 있다. 프로그램은 컴퓨터-판독가능 저장 매체에 저장될 수 있다. 저장 매체는 읽기 전용 메모리, 자기 디스크 또는 광 디스크를 포함한다. 전술한 상세한 설명은 단지 본원의 일례의 실시태양에 관한 것이나, 이에 한정되는 것은 아니다. 본원의 정신 및 원리를 벗어나지 않는 한 가능한 임의의 변형, 등가 대체, 및 개선이 본원의 보호 범위 내에 있다.
본원의 실시태양은 사이드 메뉴 디스플레이 방법과 장치 및 단말기를 제공하는 것이며, 이들은 단말기 분야에 관한 것이다. 이 방법은, 스크린의 측면으로부터 시작하여 슬라이딩하는 슬라이딩 동작을 수신하는 단계; 상기 슬라이딩 동작이 미리정의된 조건에 부합하는지 여부를 검출하는 단계 - 상기 미리정의된 조건은 상기 슬라이딩 동작의 슬라이딩 속도가 미리설정된 임계치를 초과하고, 상기 슬라이딩 동작의 종료 위치가 미리설정된 오류 터치 영역 내에 있지 않다는 것을 포함함 -; 및 검출 결과가 상기 슬라이딩 동작이 상기 미리정의된 조건에 부합한다는 것이면 상기 스크린의 측면에 대응하는 사이드 메뉴를 디스플레이하는 단계를 포함한다. 본원은 사용자에게 알려지지 않은 통지 바가 트리거되고 디스플레이되어서 오작동이 발생되는 종래 기술에서 존재하는 문제점을 해결하며, 슬라이딩 동작이 빠른 슬라이딩 동작이고 슬라이딩 동작의 종료 위치가 오류 터치 영역 내에 있지 않을 때에만 사이드 메뉴가 트리거되고 디스플레이되는 효과를 달성한다. 따라서, 사용자에게 알려지지 않은 사이드 메뉴가 트리거되고 디스플레이됨으로써 발생되는 오작동을 방지할 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 플렉시블 인조 망막 장치들FLEXIBLE ARTIFICIAL RETINA DEVICES [ 기술분야 ] 본 발명은 일반적으로 마이크로 장치들, 보다 상세하게는 신경 세포들을 자극할 수 있는 플렉시블 집적 회로 장치들에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 본 출원서는 발명의 명칭이 "망막 인공기관 및 그 제조 방법들"인 2010년 10월 27일에 출원된 미국 가출원 제 61/407,229호의 우선권의 이익을 주장하는, 발명의 명칭이 "망막 자극 장치 및 그 제조 방법"인 2011년 5월 6일에 출원된 미국 특허 출원 제 13/102,596호의 우선권을 이익을 주장하고 또한 그 부분계속출원(CIP)이고, 양 출원은 여기에 그 전체가 참조로서 반영된다.노인성 황반변성(age-related macular disease, AMD) 및 망막색소변성증(retinitis pigmentosa, RP)은 실명, 특히 전세계 노인의 실명의 주요 원인들로 확인되고 있다. 망막 인공기관 장치(retinal prosthesis device)는 맹인들에게 시각(vision)의 일부를 복구하는 것이 가능하게 한다. 통상적으로, 이러한 장치는 각각의 마이크로 전극을 제어하기 위해 분리된 배선 임플란트를 필요로 하는 마이크로 전극들을 포함한다. 하지만, 이러한 장치들에 의해 제공되는 시야(field of view)는, 마이크로 전극들의 수 및 이 장치에 포함된 마이크로 전극들의 간격(pitch)에 달려 있는데, 이것은 상기 배선 임플란트에 있어서의 한정된 크기로 인해 극히 제한될 수 있다. 나아가, 망막 인공기관 장치의 이미지 해상도는 이러한 장치 안의 마이크로 전극들의 밀도에 관련될 수 있다. 종래의 망막 인공기관 장치들은 망막 조직들에 임플란트된 이미지 센서 칩들 또는 전극으로부터 분리된 구동 회로 칩들을 포함할 수 있다. 그러므로, 상기 마이크로 전극 칩들과 상기 구동 회로 칩들 사이에서 필요한 전기적 상호연결들(electrical interconnections)의 수는 상당히 커지고 또한 달성가능한 픽셀들의 수에 불필요한 상한(ceilings)을 부과할 수 있다. 이에 더하여, 현존하는 망막 인공기관 장치들은 망막 조직들의 비평면적인 형태들에 따르지 않는 플래너 칩들(planner chips)로부터 만들어진 마이크로 전극들에 기초할 수 있다. 그 결과, 형태들에서의 불일치로 인해 상기 마이크로 전극들 사이에서 추가적인 간섭들이 발생하여 이러한 장치에서 가능한 이미지 해상도를 더 제한할 수 있다. 그러므로, 전통적인 망막 인공기관 장치들은 환자들이 손상된 시각 능력으로부터 회복하도록 돕기 위해 진짜 망막에 가까운 레벨들을 달성할 수 있도록, 내재적으로 이미지 해상도들, 시야들, 또는 다른 시각적 특성들의 레벨들을 제한적으로 제공한다. [ 발명의 개요 ] 일 실시예에 있어서, 플렉시블 집적 장치는 망막 인공기관에 있어서의 수 도 또는 수 십 도 시야에 대응하는 망막 영역에서의 적어도 1 mm (밀리미터)에서 수 mm에 걸쳐 (예를 들어 개별적인 망막 세포 수준)의 고해상도의 전기적 들뜸(high resolution of electrical excitations)을 제공할 수 있다. 상기 플렉시블 집적 장치는 목표 망막 신경세포들에 들뜸을 조정하기 위한 튜닝(tuning) 및 미세조정(calibration)이 가능할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 플렉시블 집적 장치는 (예를 들어 망막 상에서 또는 입사광에 향하는 망막의 전면으로부터의) 망막 외 접근(epi-retinal approach) 또는 (상기 망막 뒤에서의) 하위 망막 접근(sub-retinal approach) 중 하나를 이용해 임플란트될 수 있다.다른 실시예에 있어서, 단일 플렉시블 CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor) 칩은 화소들(pixel units)의 어레이를 집적할 수 있다. 각각의 픽셀은 마이크로 전극, 광센서, 신호 프로세서 및 드라이버 회로들을 포함할 수 있다. 상기 플렉시블 칩은 상기 망막의 형태를 따르기에 충분히 얇게 제조될 수 있다. 예를 들어, 대략 지름 3 mm의 상기 플렉시블 칩은 콘택트 렌즈와 유사한 유사-구 형태(quasi-spherical shape)의 2차원 곡면을 형성하기 위해 상기 칩의 중심으로부터 상기 칩의 모서리까지 대략 90 ㎛(마이크로 미터)까지 구부릴 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 플렉시블 집적 장치는 경계들을 통해 하위-모듈들의 모자이크를 포함할 수 있다. 이러한 하위-모듈들 사이의 몇몇의 전도 라인들(예. 금속 라인들)을 제외한 장치 물질은 장치의 성형성(moldability)(예. 다른 형태들을 따르는 유연성)를 증가시키기 위해 상기 경계들로부터 제거될 수 있다. 몇몇의 실시예들에 있어서, 상기 플렉시블 집적 장치는 상기 장치를 가로지르는 액체 흐름을 유지하기 위해 (예. 관통 공들(perforation holes)을 이용해) 관통될 수 있다. 선택적으로 또는 대안적으로, 상기 플렉시블 집적 장치는 광의 일 부분이 상기 칩의 후면을 관통하여 상기 집적된 광센서들에 도달할 수 있도록 얇은 기판을 포함할 수 있고, 또한 망막 외 인공기관(epi-retinal prosthesis)에 적용할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 플렉시블 집적 장치는 로컬 복귀 경로들(또는 "가이드 링")에 맞는 전극들을 포함할 수 있는데, 이로써 상기 전극들로부터의 전류들의 총 거리를 제한하고 단축시킨다. 그 결과, 상기 전류들의 전이 상태에서 손실되는 전기량은 하위-망막 경우에서 신경절 세포들(ganglion cells) 또는 양극성 세포들(bipolar cells)와 같이, 상기 목표 신경 세포들로부터 더 멀리 있는 신경 세포들의 원치 않는 자극을 막을 수 있도록 낮아질 수 있다. 상기 전극들의 표면들은 ON 및 OFF 세포들의 층들(strata)과 같이, 서로 다른 신경 세포들의 층들을 서로 다르게 자극하기 위해 상기 장치의 상기 기판으로부터 복수의 전극 높이들을 가지고 3차원 방식으로 위치될 수 있다.다른 실시예에 있어서, 플렉시블 집적 장치는 근처의 이웃 화소들과 같이, 복수의 화소들로부터 입력들을 취함으로써 화소를 위한 적절한 자극 파형들을 생성할 수 있는 온-칩 신호 프로세싱 회로들을 포함할 수 있다. 상기 플렉시블 집적 장치는 수신 필드를 통해 각각의 화소에 인터페이스하는 목표 신경 세포들의 특정 종류들을 확인하고 (예. 상기 화소에 근접하게 위치하는) 상기 목표 신경 세포들로부터 패턴들을 발사할 수 있는 전기 감지 회로들을 포함할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 망막 인공기관으로서 사용자에게 임플란트되는 플렉시블 집적 망막 칩을 포함하는 공급 시스템(provision system)은 외부 명령들을 통해 상기 칩의 미세 튜닝을 허용할 수 있다. 예를 들어, 상기 칩 안의 각각의 화소는 사용자의 시각 인지에 따라 상기 칩의 일 부분들을 선택 및/또는 구성하기 위해 외부 명령들에 대한 광학적 및/또는 무선 통신 신호들을 수신하는 특정 수신기들 및/또는 회로들을 포함할 수 있다. 상기 공급 시스템은 상기 외부 명령들을 광학적으로 또는 무선으로 내보내기 위해 원격 제어를 포함할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 임플란트 장치는 광을 수신하기 위한 복수의 광센서들, 복수의 마이크로 전극들, 및 상기 광센서들 및 상기 마이크로 전극들에 결합된 회로들을 포함할 수 있다. 상기 회로는 상기 광센서들에 의해 포획되는 광의 시각을 인지할 수 있는 신경 세포들을 자극하기 위해 상기 마이크로 전극들을 구동시킨다. 상기 장치는 상기 자극에 대한 상기 신경 세포들의 근방에 상기 마이크로 전극들을 허용하고 또한 인간 안구의 형태에 따르는 플렉시블 물질로 구현될 수 있다.다른 실시예에 있어서, 신경 세포들을 포함하는 조직들에 구현될 수 있는 장비는 화소들에 입사되는 광으로부터 시각 인지를 가능하게 하기 위해 2차원 어레이로 배치되는 복수의 화소들을 포함할 수 있다. 화소 각각은 상기 광을 수신하는 광센서, 상기 인지를 위한 상기 신경 세포들 중 목표 신경 세포들에 자극을 전달하는 전극, 및 상기 광으로부터 상기 자극을 유도하고 상기 전극을 구동하는 회로들을 포함할 수 있다. 상기 2차원 어레이는 전면 및 상기 전면에 대향하는 후면을 가지는 장치 안에 배치될 수 있다. 생체적합 층들(biocompatible layers)은 상기 장치 및 상기 조직들을 양방향으로 보호하기 위해 상기 장치를 쌀 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 생체적합 층들은 상기 화소들의 전극들이 상기 신경 세포들을 자극하도록 허용하는 개구부들을 포함할 수 있다. 상기 장치는 상기 장치가 인간 안구의 형태를 따르는 2차원 방식으로 구부러질 수 있도록 허용하는, 플렉시블 물질을 포함할 수 있다. 상기 플렉시블 물질은 상기 장치가 상기 장치의 전면 또는 후면 중 어느 하나로부터 상기 광을 수신할 수 있도록 반투명일 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 망막 인공기관을 위한 집적 회로 장치는 광의 시각을 인지할 수 있는 화소들의 어레이를 포함할 수 있다. 상기 픽셀 어레이 각각은 상기 광을 감지하는 센서, 상기 인지를 위해 신경 세포들 중 목표 신경 세포들에 자극을 전달하는 마이크로 전극, 및 상기 전극을 구동하기 위해 상기 광으로부터 상기 자극을 유도하는 회로들을 포함할 수 있다. 상기 화소들의 어레이는 상기 장치 안에서 mm 제곱 당 1000보다 큰 밀도로 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 장치는 상기 화소들의 어레이가 인간 안구의 형태에 따라 적어도 12.5 mm의 굴곡 반지름에 따르도록 구부릴 수 있다. 일 실시예에 있어서, 망막 인공기관을 위한 화소들의 어레이를 가지는 플렉시블 장치를 위한 제조 방법은 기판 상에 상기 화소들의 어레이를 포함하는 레이어드 구조들을 형성하는 단계를 포함할 수 있고, 상기 화소 각각은 프로세싱 회로들, 마이크로 전극 및 광센서를 포함한다.생체적합 층들의 제1세트는, 상기 레이어드 구조들 상에 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 기판은 대략 망막의 굴곡까지 상기 기판의 구부림을 허용하기 위해 상기 기판의 제어된 두께까지 얇게 될 수 있다. 생체적합 층들의 제2세트는 상기 얇아진 기판 상에 형성될 수 있다. 몇몇의 실시예들에 있어서, 상기 생체적합 층들의 제2세트는 상기 장치가 망막 조직들에 장기로 접촉하는 것을 허용하기 위해 상기 장치를 싸는 밀봉 생체적합 층들을 형성하기 위해 상기 구조 주위 상기 생체적합 층들의 제1세트에 접촉될 수 있다. 상기 화소들의 상기 마이크로 전극들은 이러한 생체적합 층들의 상기 개구부들을 통해 노출될 수 있다다른 실시예에 있어서, 망막 자극 장치를 위한 제조 방법은 복수의 광센서들, 복수의 마이크로 전극들, 및 복수의 프로세싱 회로들을 가지는 기판 상에 레이어드 구조를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 마이크로 전극들은 상기 기판의 표면 상의 개구부들 상에서 노출될 수 있다. 상기 개구부들을 포함하는 표면은 상기 레이어드 구조를 보호할 수 있는 배리어 박막들(barrier thin films)로 패시베이팅(passivated)될 수 있다. 상기 개구부들 안의 전극들은 상기 전극들 주위의 측벽들을 보호하기 위해 상기 배리어층을 위한 상기 배리어층을 통하여 노출될 수 있다. 상기 기판은 상기 망막의 굴곡을 따르기 위해 상기 장치를 구부리는 것이 가능하도록 얇게 될 수 있다. 폴리머층은 상기 배리어층 상에 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 폴리머층은 생체 조직들 안에 상기 장치의 임플란트를 허용하기 위해 생체적합성을 가질 수 있다. 상기 전극들은 상기 폴리머층을 통해 노출될 수 있다.다른 실시예에 있어서, 망막을 위해 임플란트될 수 있는 장치를 위한 제조 방법은, 기판 상에 화소들의 어레이를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 각각의 화소는 광센서, 마이크로 전극, 및 상기 광센서와 상기 마이크로 전극에 결합되는 프로세싱 회로들를 포함할 수 있다. 각각의 화소는 전도 배선들로 상기 어레이 안의 이웃 화소들과 결합될 수 있다. 상기 기판은 상기 망막의 굴곡을 따르는 굴곡 영역 상에 상기 화소들을 위치시키기 위해 상기 장치를 구부리는 것을 허용하기 위해 소정의 두께까지 얇게 될 수 있다. 상기 장치는 상기 망막에 연관된 조직들과 상기 장치 사이에 양방향 보호를 제공하기 위해 생체적합성을 가지는 보호층들로 덮일 수 있다. 복수의 관통 공들은 상기 관통 공들을 통해 상기 장치를 통하는 액체 흐름을 허용하기 위해 상기 칩 표면에 수직하는 상기 화소들 사이에서 개방될 수 있다. 상기 화소들의 상기 마이크로 전극들은 상기 보호층들을 통해 노출될 수 있다.다른 실시예에 있어서, 망막 세포들에 인터페이스하기 위해 임플란트가능한 장치는 상기 망막 세포들을 자극할 수 있는 화소들의 어레이를 포함할 수 있다. 상기 화소들은 정상 모드 및 미세조정 모드를 포함하는 복수의 모드들로부터 선택된 작동 모드에서 작동할 수 있다. 상기 장치의 제어 회로들은 상기 화소들을 위한 상기 작동 모드들을 전환하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 정상 모드 동안, 상기 화소들은 상기 광을 인지할 수 있도록 상기 망막 세포들을 자극하기 위한 광을 수신하도록 구성될 수 있다. 상기 미세조정 모드 동안, 상기 화소들은 상기 망막 세포들의 자극의 양(강도, 지속시간, 듀티 사이클, 잠복기 등)을 조정하도록 구성될 수 있다.다른 실시예에 있어서, 망막 인공기관 장치를 미세조정하는 방법은 상기 장치를 미세조정 모드로 야기시키기 위해 RF 신호 시퀀스 또는 미리 결정된 (시공간에 있어서) 광 패턴들의 프리앰블을 검출하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 장치는 상기 광의 시각을 인지할 수 있도록 광을 수신하기 위한 화소들의 어레이를 포함할 수 있다. 상기 화소들은 전기적 변수들을 통해 구성될 수 있다. RF(Radio Frequency) 신호 시퀀스 또는 광 패턴들은 상기 어레이로부터 하나 또는 그 이상의 화소들을 선택하기 위해 수신될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 광 패턴들은 시각 감지의 공지된 효과와 연관될 수 있다. 자극들은 상기 선택된 화소들에 의해 포획된 상기 광 패턴들을 통해 시각 감지의 실제 효과를 야기시키도록 신경 세포들을 자극하기 위해 상기 선택된 화소들로부터 생성될 수 있다. 외부 명령들을 수신하는 것에 응답하여, 상기 전기적 변수들이 상기 시각 감지의 공지된 효과를 위한 시각 감지의 실제 효과를 개선하기 위해 상기 선택된 화소들을 위해 갱신될 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 망막 인공기관 미세조정을 위한 시스템은 망막 세포들과의 인터페이스를 위한 망막 인공기관 장치 및 상기 외부 명령들을 송신할 수 있는 원격 제어 장치를 포함할 수 있다. 상기 장치는 광을 수신하는 복수의 광센서들, 상기 망막 세포들을 자극하는 복수의 전극들, 상기 수신된 광에 기초하여 상기 전극들을 위한 자극들을 생성하기 위한 구성을 가지는, 구성가능한 프로세싱 회로들, 및 외부 명령들에 따라 상기 구성가능한 프로세싱 회로들을 구성하는 제어 회로들을 포함할 수 있다. 공지된 시각 인지가 상기 광을 통해 투영될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 외부 명령은 상기 광센서들 및 상기 전극들 중 하나 또는 그 이상을 선택할 수 있다. 선택적으로 또는 대안적으로, 상기 외부 명령들은 상기 공지된 시각 인지와 상기 자극된 신경 세포들로부터의 시각의 실제 인지 사이의 비교를 통해 상기 구성가능한 프로세싱 회로들의 구성을 선택할 수 있다. 상기 구성가능한 프로세싱 회로들은 상기 구성에 따라 자극들을 생성할 수 있다. 본 발명의 다른 특징들은 이하의 상세한 설명 및 첨부한 도면들로부터 명백해질 것이다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 발명은 예시를 통해 설명되고 첨부한 도면들의 도시에 한정되지 않는다. 유시한 참조부호들은 유사한 구성요소들을 지시한다.도 1a 내지 도 1b는 망막 인공기관을 위한 집적 플렉시블 장치들의 실시예들을 도시한 블록도들이다. 도 2a 내지 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따라 굴곡이 있는 플렉시블 장치들의 영향들을 도시한 관계 도면들이다.도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 관통 공들을 가지는 예시적인 장치를 도시한 대략적인 도면이다.도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 있어서의 플렉시블 장치들의 단면들을 도시한 블록도들이다.도 5a 내지 도 5j는 본 발명의 일 실시예에 있어서의 플렉시블 장치들의 제조 프로세스들의 시퀀스를 도시한 블록도들이다.도 510a 내지 도 510f는 본 발명의 일 실시예에 있어서의 플렉시블 장치들을 위한 제조 프로세스들의 대안적인 또는 바람직한 시퀀스를 도시한 블록도들이다.도 6a 내지 도 6d는 망막 인공기관을 임플란트하는 서로 다른 접근들을 위한 플렉시블 장치들의 예시적인 레이어드 구조들을 도시한 블록도들이다.도 7a 내지 도 7b는 본 발명의 예시적인 실시예들에 있어서 이웃하는 복귀 경로를 제공하고 전류들을 제한하는 가이드 링들을 도시한 블록도들이다.도 8은 본 발명의 일 실시예에 있어서 돌출 전극들을 가지는 플렉시블 장치들을 위한 레이어드 구조들을 도시한 블록도이다.도 9는 본 발명의 일 실시예에 있어서 복수-레벨 전극들을 가지는 플렉시블 장치들에서의 레이어드 구조들을 도시한 블록도이다.도 10a 내지 도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 장치들에 있어서의 예시적인 신호 프로세싱 회로들을 도시한 대략적인 도면들이다.도 11a 내지 도 11b는 본 발명의 일 실시예에 있어서 구성된 플렉시블 장치들의 작동들을 도시한 블록도들이다.도 12는 본 발명의 일 실시예에 있어서 상기 플렉시블 장치들을 미세조정 및 튜닝하는 시스템을 도시한 블록도이다.도 13은 여기에 도시된 일 실시예에 있어서 플렉시블 장치들을 구성하는 방법을 도시한 흐름도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 플렉시블 인조 망막 장치들이 여기에 개시된다. 이하의 설명에 있어서, 수많은 특정한 상세사항들이 본 발명의 실시예들의 완전한 설명을 제공하기 위해 발생한다. 하지만, 본 발명의 실시예들이 이러한 특정한 상세사항들 없이도 실행될 수 있음이 당업자에게 명백할 것이다. 다른 예에 있어서, 공지된 구성요소들, 구조들, 및 기술들은 본 발명의 상세한 설명의 이해를 모호하게 하지 않기 위해 상세하게 나타내지 않았다.본 발명의 상세한 설명에서 "일 실시예" 또는 " 실시예"의 언급은 해당 실시예와 연결되어 설명되는 특별한 특징, 구조, 또는 특성이 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함될 수 있다는 것을 의미한다. 본 발명의 상세한 설명의 많은 곳에서 나타나는 "일 실시예에 있어서"라는 문구는 동일한 실시예에서 모두 언급될 필요가 없다. 플렉시블 IC(integrated circuit) 장치는 단일 칩에 "픽셀들"의 어레이를 집적할 수 있다. 각각의 픽셀은 전극, 센서들(예. 광센서들, 전기 센서들 또는 다른 적용가능한 센서들), 신호 프로세서 및/또는 드라이버 회로들을 포함할 수 있다. 이러한 집적(integration)은 배선(wiring), 팬 아웃(fan out), 멀티플렉싱(multiplexing) 또는 상기 장치의 의도된 기능들을 가능하게 하는 다른 요구조건들을 단순화시킬 수 있다. 예를 들어 EM(electromagnetic) 파들을 통한, 센서/프로세싱 회로들 사이의 고가의 신호 전송 및 전극 어레이들은 제거될 수 있다. 각각의 픽셀은 상기 장치 안의 수천 또는 수만 개의 픽셀들이 신경 세포들에 인터페이스할 수 있도록 상기 장치 안에서 접근가능할 수 있다. 예를 들어, 상기 플렉시블 집적 장치는 대략 2 내지 4 mm 크기의, 10,000 ~ 20,000 화소들을 가지는 고밀도 어레이에 대응하는 20/80 시력(visual acuity)을 회복하기 위해 요구되는 밀도를 제공할 수 있다.일 실시예에 있어서, 집적 장치의 유연성(flexibility)은 상기 자치의 제어된 두께에 기초될 수 있다. 예를 들어, 상기 장치는 망막의 형태(예. 인간 안구)를 따라 중심에서 모서리까지 ~90 ㎛ 까지 구부리기에 충분히 얇아질 수 있다. 몇몇의 실시예들에 있어서, 상기 장치는 여전히 상기 장치의 물질 강도의 안전 한계(safety margin) 안에 있는 대략 인간 망막의 평균 반경 굴곡인, 12 mm 미만의 굴곡 반경까지 구부리기에 충분히 얇게 (예. 제조 프로세스에 따라) 만들어질 수 있다.장치가 상기 망막의 굴곡을 따라 구부러짐에 따라 상기 망막의 목표 신경 세포들과 상기 장치의 전극들 사이의 신경-전극 거리는 줄어들 수 있다. 따라서, 상기 신경 세포들을 들뜨게 하거나 자극하기 위해 각각의 픽셀에서 필요로 하는 전력은, 허용된 전력 밀도를 가지고 더 높은 픽셀 밀도를 가능하게 하기 위해 줄어들고 또한 환자에 임플란트된 상기 장치를 이용해 상기 신경 세포들을 통해 인지되는 이미지들의 해상도를 개선할 수 있다. 어떤 실시예들에 있어서, 상기 장치는 (예. 전극 당 개별적인 신경 세포를 목표로 하는) 개별적인 망막 신경 세포들을 들뜨게 하는 적합성 요구조건들(conformity requirements)을 충족시킬 수 있다. 일 실시예에 있어서, 망막 인공기관을 위한 플렉시블 집적 회로(또는 장치)는, (Polyimide/SiC, Parylene/SiC와 같이) 2개의 생체적합 폴리머 및 배리어 층들 사이에 삽입된 003c#~30 마이크로미터 두께 Si 장치 층을 이용해 180 nm(나노미터) CMOS 기술에 기초하여 제조될 수 있다. 이러한 (폴리이미드(polyimide), 파리렌(parylene), 액정 폴리머들(liquid-crystal polymers) 등과 같은) 생체적합 폴리머 및 이러한 (SiC, TiN, DLC 다이아몬드-유사 탄소 또는 다이아몬드 필름들 등과 같은) 배리어 층은 상기 장치가 조직들 안에 임플란트될 때 상기 플렉시블 집적 장치 및 둘러싸는 조직들 사이에 양방향 보호를 제공하기 위해 (예. 장기 접촉을 허용하기 위해) ISO(International Organization for Standardizaion) 10993 표준들과 상호호환가능(예. 생체적합)할 수 있다. 플렉시블 집적 장치의 제조 접근방식은 의료적 임플란트들에 필요한 동일한 플렉시블 패치 상에 신경 세포 자극 전극 어레이들과 함께 신호 프로세싱 회로들 및 고밀도 CMOS 이미지 센서들의 집적을 가능하게 할 수 있다. 몇몇의 실시예들에 있어서, 반도체 기판은 광학적 이미지들을 감지하고 또한 상기 감지된 광학적 이미지들의 함수로서 전기적 자극을 생성하는, 필요한 광학적 및/또는 전자적 구성요소들의 포함을 허용하기 위해 상기 장치에 사용될 수 있다. 대안적인 다른 실시예에 있어서, 플렉시블 집적 장치는 서로 다른 방식의 망막 임플란트에 적용가능할 수 있다. 예를 들어, 상기 장치는 상기 장치를 관통하는 광의 소정 부분을 허용하기에 충분히 얇게 제조될 수 있다. 센서들 및 전극들은 이러한 반투명 장치의 동일 측(또는 표면) 또는 대향하는 측들에 위치될 수 있다. 그 결과, 상기 장치는 RGC(retinal ganglion cells) 층 앞의 망막 신경 네트워크를 이용하지 않고 상기 장치의 전극들을 통해 직접 RGC를 자극하기 위해 망막-외 방식으로 임플란트될 수 있다. 또는, 상기 장치는 양극 세포 측으로부터 상기 전극들을 통해 상기 망막을 자극하기 위해, 예를 들어 양극 세포들, 수평 세포들, 아마크린 세포들(amacrine cells) 등과 같은 다양한 신경 세포들에 의해 형성되는 나머지 신경 네트워크와 함께 동작하기 위해 하부-망막 방식으로 임플란트될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 플렉시블 집적 장치는 광 자극들에 반응하는 상기 신경 세포들의 특성들에 따라 목표 신경 세포들 또는 신경들을 들뜨게 할 수 있다. 예를 들어, 상기 특성들은 목표 신경 세포들이 ON 타입 세포들, OFF 타입 세포들 또는 다른 타입들의 세포들임을 지시할 수 있다. ON 타입 세포는 광 자극들의 온셋에 실질적으로 동기화하여 반응할 수 있다. OFF 타입 세포는 상기 광 자극들의 오프셋에 실질적으로 동기화하여 반응할 수 있다. 상기 플렉시블 집적 장치는 상기 목표 신경 세포들을 적절하게 들뜨게 하기 위해 (예. 상기 신경 세포들이 상기 수신된 광에 의해 직접 자극되면) 예를 들어, 특정 자극 패턴(또는 파형들), 시간 지연들, 점화(ignition), 억제(suppression), 또는 다른 적용가능한 자극 방식들 등을 통해, 수신된 광으로부터 자극들을 생성하는 프로세싱 능력을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 플렉시블 집적 장치는 통신(또는 자극)하는 (예. 신경 연결 성층으로 인해) 서로 다른 층들의 신경 세포들의 물리적 선택을 (예. 근접성에 기초하여) 허용하기 위해, (예. 3차원 방식으로 분포된) 전극들의 복수의 층들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 각각의 전극 또는 마이크로 전극은 목표가 아닌 다른 신경 세포들에 영향 없이 (예. 4, 8, 또는 다른 적용가능한 수와 같이 미리 결정된 수보다 작게 제한되는) 적은 수의 신경 세포들을 목표로 하여 위치될 수 있다. 플렉시블 집적 장치는 서로 다른 망막 임플란트 요구들에 대하여 최적화된 기능들을 제공하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 수동 및/또는 자가(자동) 미세조정 작동들이 (예. 환자에 임플란트 후) 체외에서 목표 신경 세포들의 타입들을 확인 및/또는 상기 장치의 센서/전극 어레이 변수들을 상기 수신한 환자의 실제 시각 인지에 따라 조정하기 위해 적용될 수 있다. 프로세싱 기능들은 균등한 신호 프로세싱 효과들을 제공하기 위해, 예를 들어 상기 수신한 환자의 손상된 시각을 개선하기 위해 손상된 신경 세포 네트워크들을 대체하기 위해, (예. 프로그램가능한 회로들을 통해) 활성화되거나 프로그램될 수 있다. 도 1a 내지 도 1b는 망막 인공기관을 위한 집적 플렉시블 장치들의 실시예들을 도시한 블록도들이다. 도 1의 장치(100a)는 화소들의 2차원 어레이를 포함할 수 있다. 각각의 화소는 유사한 구조들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소(107)는 입사되는 광을 수신하는 광센서(101), 작업들을 수행하는 프로세싱 회로들(105), 및 상기 입사되는 광에 의해 투영되는 시각 인지를 허용하기 위해 목표 신경 세포들을 자극하는 전극(103)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 프로세싱 회로들(105)은 상기 목표 신경 세포들을 자극하기 위해 전극(103)을 구동하기 위해 자극 또는 파형, 활성화 패턴들 등을 생성하는 광센서(101)로부터 감지된 광을 처리하는 디지털, 아날로그 또는 다른 적용가능한 회로들을 포함할 수 있다. 또는, 도 1b의 장치(100b)는 광센서(111), 전극(113) 및 회로들(115)을 포함하는 화소(109)를 포함할 수 있다. 전극(113)은 목표 신경 세포들에 자극을 전달 및/또는 상기 목표 신경 세포들로부터 전기적 활동을 감지하기 위해 상기 목표 신경 세포들과 인터페이스할 수 있다. 상기 자극은 광센서(111)에 의해 포획된 광으로부터 유도될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 회로들(115)은 전기적 신호들을 수신, 처리, 및/또는 구동하는 프로세싱(예. 신호 처리) 기능들을 제공할 수 있다. 예를 들어, 전기적 신호들은 전극(113)으로부터 감지된 전기장 또는 광센서(111)로부터 감지된 광을 통해 수신될 수 있다. 회로들(115)은 전극(113)을 통해 전기적 신호들로서 자극을 구동할 수 있다. 상기 망막 인공기관 칩 장치(100b) 안의 전기적 감지 회로(115)의 합체(incorporation)는 감시된 수신장(예. 전기장) 및 시간 도메인에서의 신경세포 스파이킹 패턴들을 통한 신경 세포들의 자동 또는 수동 확인을 가능하게 해 줄 수 있다. 예시들은 ON 세포들의 수신장이 OFF 세포들보다 20% 더 커서 더 높은 전장(full-field) 민감도로 귀결되고, ON 세포들이 OFF 세포들보다 20% 더 빠른 반응 운동역학을 가지는 영장류 망막의 ON 및 OFF 신경절 세포들에 있어서 기능적으로 비대칭일 수 있다. 상기 망막을 따르고 감지 및 자극이 가능한 세포 크기의 마이크로 전극들의 커다란 어레이는 ON 및 OFF 망막의 망막 신경절 세포들을 선택적 자극 또는 억제하는 것을 허용할 수 있다.도 2a 내지 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따라 굴곡이 있는 플렉시블 장치들의 영향들을 도시한 관계 도면들이다. 통상, 망막 인공기관 장치의 이미지 해상도 및 요구되는 구동 전력(예. 임계 전류 밀도)은 상기 장치의 굴곡에 따라 달라질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 망막 인공기관을 위한 플렉시블 집적 장치는 평면 IC 리소그래피 기술에 의해 제조되는, 세포-간격의 전극 어레이(예. 각각의 전극은 대략 하나의 신경 세포의 크기임)를 포함할 수 있다. 도 2a는 평균 지름 25 mm를 가지는 대략적인 구인, 인간 안구에 따라 굴곡이 있는 망막에 접촉하는 mm-크기의 플래너 전극 어레이 칩을 구현하기 위한 신경-전극 거리들의 분포도(200a)을 도시하고 있다.분포도(200a)에 도시된 바와 같이, 칩 중심에서 상기 망막(201)에 접촉하는 mm-크기의 평면 전극 어레이 칩(203)은 상기 중심으로부터 칩의 모서리를 향해 거리 1.5 mm에서 대략 90 마이크론 만큼 상기 망막으로부터 빠르게 분리될 수 있다. 상기 신경-전극 거리의 증가는 예를 들어, 목표 신경세포들을 소극화(depolarize)하기 위해 전극에 필요한 임계 전류에 있어서의 증가를 암시할 수 있다. 도 2b의 관계도(200b)에 도시된 바와 같이, 요구되는 상기 임계 전류에 있어서의 증가는 커브(205)를 따라 근접하는 주변보다 1~2차수로 큰 크기일 수 있다. 추가적으로, 신경-전극 거리의 증가는, 전기 전극들로부터의 (예. 자극 신호들을 송신하기 위한) 상기 장력선들(field lines) 및 전기적 전류들이 원격의 신경세포들에 도달하기 위해 거리를 가지고 퍼져 있고 큰 면적을 커버할 수 있기 때문에, 특정 신경세포들을 소극화하기 위해 해상도를 감소시킬 수 있다. 일 실시예에 있어서, 본 발명의 플렉시블 집적 장치는 도 2a 및 도 2b에 도시된 큰 거리 또는 분리된 암시들 없이 임플란트될 수 있다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 관통 공들을 가지는 예시적인 장치를 도시한 대략적인 도면이다. 장치(300)는 적어도 대략 평균 인간 안구의 굴곡(예. 25 mm 지름)을 가지는 곡선으로 복수의 차원에서 플렉시블할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 장치(300)는 관통 공들에 의해 관통되는 인접하는 모듈들 사이에서 경계들을 가지는 복수의 육각형이 축적된 모듈들을 포함할 수 있다. 모듈(301)과 같은, 각각의 모듈은 장치의 일 구획(partition)에 일 군의 화소들을 포함할 수 있다. 상기 구획은 육각형, 사각형, 또는 다른 적용가능한 형태들로 제조될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 관통 공들은 액체가 장치(300)의 서로 다른 표면들 사이에서 교환되는 것을 허용할 수 있다. 경계(303)과 같은, 인접하는 모듈들 사이의 경계들은 서로 직접 통신하는 인접 모듈들을 위한 신호 라인들로서 금속 트레이스(trace)(또는 다른 전도 트레이스 또는 전도 라인들)을 포함할 수 있다. 금속 트레이스들은 상기 모듈들 사이에서 전력 분포를 제공할 수 있다. 관통은 상기 관통 공들을 통해 (예. 조직들 안에 임플란트된) 상기 장치의 양측의 조직들 사이에서의 액체 흐름을 유지할 수 있다. 상기 경계들을 따르는 금속 라인들을 제외한 상기 폴리머와 배리어층들 사이의 집적 회로 물질(예. 실리콘)의 완벽한 제거는, 상기 장치의 성형성을 증가시킬 수 있다. 도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 있어서의 플렉시블 장치들의 단면들을 도시한 블록도들이다. 도 4a의 단면(400a)은 실리콘층(407), 산화 및 금속 상호연결층들(409) 또는 폴리머(401) 및 배리어층을 포함하는 생체적합 층들과 같은, 레이어드 구조들을 가지는 복수의 화소들(417, 419, 421, 425)을 가지는 플렉시블 집적 장치를 지시할 수 있다. 화소(417)는 트랜지스터들(403), 실리콘 층(407) 안의 광센서(405), 및 알루미늄(411)을 통해 (예. 트랜지스터들(403)을 포함하는) 회로들에 결합되는 전극(413)을 포함할 수 있다. 관통 공(403)은 인접 모듈들 사이의 경계를 따라 상기 장치를 가로질러 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소들(417, 419)은 화소들(421, 425)을 포함하는 분리된 모듈에 인접하는 하나의 모듈 안에 그루핑되어 있을 수 있다.단면(400b)는 관통 공들을 관통해 절단하지 않고 상기 모듈들의 경계를 가로지르는 절단 평면을 가지는 플렉시블 집적 장치의 인접 모듈들(또는 화소들) 사이의 단면도를 지시할 수 있다. 패시베이팅 금속 라인들 또는 금속 배선(423)과 같이, 다른 플렉시블 전도 라인들은 화소에서 화소로 전기적 신호들을 가져가기 위해 상기 경계(예. 상기 관통 공들 사이)를 가로질러 이어질 수 있다. 도 5a 내지 도 5j는 본 발명의 일 실시예에 있어서의 플렉시블 장치들의 제조 프로세스들의 시퀀스를 도시한 블록도들이다. 일 실시예에 있어서, 도 5a의 구조(500a) 안의 전극 어레이들을 가지는 광센서들의 접적 및 CMOS는, 실리콘 웨이퍼 상에 표준 또는 약간 변형된 CMOS 기술 또는 CMOS 이미지 센서(CIS) 기술을 이용해 제조될 수 있다. 바람직하게, 상기 실리콘 웨이퍼는 수 마이크로미터의 두께를 가지는 실리콘 에피택셜 층을 가지는 SOI(Silocon On Insulator) 웨이퍼를 포함할 수 있다. PN 접합 다이오드는 상기 변형된 CMOS 기술을 통해 광센서로서 사용될 수 있다. 또는, 최적화된 도핑 프로파일들 및 반사방지 코팅들을 가지는 광센서들이 상기 CIS 기술을 통해 사용될 수 있다. 소정의 실시예들에 있어서, TiN과 같이 CMOS-호환가능한 전도 막들은 패터닝 전극들 전에 전극 층들(예. 알루미늄(511))의 상단에 증착될 수 있다. 상기 전극들은 종래의 CMOS 프로세스의 마지막 패드 개방 스텝에서 노출될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 도 5a의 구조(500a)는 산화/금속 층들(509), Si 기판(501), 선택적 산화층(541), 실리콘 층(또는 반도체 층)(503) 상에 화소(513)을 위한 알루미늄(511), 트랜지스터들(505), 광센서(507)를 포함하는, 플렉시블 집적 장치를 위한 레이어드 구조들을 포함할 수 있다. 구조(500a)는 화소(513) 안에서와 유사한 구성요소들을 가지는 화소들(515, 517, 519)를 포함할 수 있다. 구조(500a)는 전면(또는 전방 표면, 트랜지스터 측)(537) 및 상기 전면(537)에 대향하는 후면(535)을 가질 수 있다. 구조(500a)는 예를 들어, CMOS 프로세스의 결과로서 패시베이션 층(539)을 포함할 수 있다. 전면(537)은 웨이퍼의 칩 표면 또는 실리콘 칩에 대응할 수 있다. 다음으로, 도 5b에 도시된 바와 같이, 레이어드 구조의 상기 전면은 예를 들어, SiC, 다이아몬드 또는 DLC (Diamond-Like-Carbon) 물질 또는 층들에 기초하여, (예. 대략 0.1 ㎛ 에서 수 ㎛의 두께를 가지는) 접착/배리어 박막들에 의해 패시베이션될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 도 5b의 구조(500b)는 패시베이션의 결과로서 배리어 층(525)을 포함할 수 있다. 상기 접착/배리어 박막들은 예를 들어, CMOS 프로세스의 마지막 단계에서, 플렉시블 집적 장치를 위한 이미 개방된 패드 및 전극 영역들을 덮을 수 있다. 상기 패시베이션 프로세스 후, 패드 및 전극 영역들은 CMOS 프로세스에서 만들어진 패드 크기 및 전극 크기보다 작은, 원래의 윈도우 크기들보다 약간 작은 윈도우 크기들을 가지고, 포토리소그래피 및 식각에 의해 재개방될 수 있다. 그 결과, 패드들 및 전극들을 둘러싸는 노출된 측벽들은 상기 패시베이션 프로세스 동안 증착된 상기 접착/배리어 층에 의해 보호될 수 있다. 상기 노출된 측벽들은, 보호되거나 덮이지 않으면, PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 실리콘 이산화물 및 실리콘 질소화물과 같은 표준 CMOS 패비베이션 층들의 물질들을 노출시킬 수 있다. 일 실시예에 있어서, 알루미늄(511)과 같은, 금속 전극은 전극을 위해 적용될 수 있다. 생체적합 폴리머 (I)(523)과 같은, 생체적합 폴리머 증착은 배리어 층(525)와 같은, 배리어 층 상에 적용될 수 있다. 상기 생체적합 폴리머는 폴리이미드, PDMS(Polydimethylsiloxane), 패릴렌, 액정 폴리머 또는 다른 적용가능한 생체적합 물질에 기초할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 생체적합 물질은 ISO 10993 표준을 통해 상세화된 표준에 따라 선택될 수 있다. 상기 생체적합 층의 적용 후, 일 실시예에 있어서, 제1 핸들 웨이퍼는 상기 장치 웨이퍼의 전면에 결합(bond)된다. 예를 들어, 구조(500c)는 도 5c의 글루(545)을 통해 결합되는 핸들 기판 (I)(543)을 포함할 수 있다. 구조(500c)는 상기 후면으로부터 얇게 하는 처리를 할 수 있다. 몇몇의 실시예들에 있어서, 전극들은 생체적합 폴리머 (I)(523)와 같은 생체적합 폴리머 층이 증착된 후 바로 개방될 수 있다. 도 5d를 참조하면, 도 5c의 기판(501)과 같은, 장치 웨이퍼의 실리콘 기판은 래핑 및 화학적 식각 단계들의 조합에 의해 적절한 두께까지 얇게 될 수 있다. 도 5c의 핸들 기판 (I)(543)과 같은, 상기 캐리어 기판에 결합한 후, 기판(501)과 같은, 상기 Si 웨이퍼 기판은 그후 웨이퍼 래핑 기계에 의해 기계적으로 대략 50 마이크로미터의 두께 또는 다른 적절한 두께까지 얇아질 수 있다. 결과적 표면은 상기 래핑 프로세스 동안 유도된 마이크로-크랙 손상들을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, SF6 플라즈마 식각, 건식 XeF2 식각, 또는 다른 적용가능한 식각 프로세스들과 같은, 실리콘 화학 식각 프로세스가 이러한 손상들을 제거하기 위해 제어된 두께까지 적용될 수 있다. 또는, SOI를 이용하는 기판 상에 식각은 식각 중단(etching stop)으로서 상기 매립 산화층에서 중단될 수 있다. 통상적으로, 이러한 두께는 수 마이크론에서 수 십 마이크론 이하까지 제어될 수 있어, 상기 광센서들은 이 두께를 통해 광자들을 효과적으로 흡수하고 상기 기판은 원하는 굴곡까지 구부릴 수 있게 된다. 도 5d의 구조(500d)는 상기 얇게 하는 프로세스를 통해 실질적으로 얇게 된 웨이퍼 기판을 포함할 수 있다. 도 5e를 참조하면, 접착/배리어 박막들은 상기 얇게 하는 프로세스 후 연마 및/또는 식각된 표면 상에 증착될 수 있다. 다이싱 레인(531)과 같은, 다이싱 레인들(또는 관통 공들)을 위한 트렌치들이 형성될 수 있다. 배리어 층(527)은 도 5e의 구조(500e)의 후면 상에 증착될 수 있다. 그후, 장치 전면과 후면 사이의 관통 공들(또는 비아 홀들)이 패터닝되고 예를 들어, 리소그래피 및 RIE(Reactive Ion Etching) 프로세스들 또는 다른 적용가능한 프로세스들에 의해 개방될 수 있다. 예를 들어, 도 5f의 구조(500f)는 관통 공 또는 다이싱 레인(531)을 포함할 수 있다. 몇몇의 실시예들에 있어서, 플렉시블 장치의 모서리들은 도 5e의 개방단(539)으로 도시된 바와 같이 유사하게 개방될 수 있다. 도 5g를 참조하면, 폴리머 층이 관통 공들을 위해 핸들 기판까지 더 식각될 수 있다. 예를 들어, 구조(500g)는 핸들 기판(I)(543)까지 생체적합 폴리머 (I)(523)를 관통해 식각되는 관통 공(531)을 포함할 수 있다. 그후, 제2 생체적합 폴리머 층이 상기 관통 공들을 개방하기 위해 증착되거나 패터닝될 수 있다. 예를 들어, 생체적합 폴리머(II)(529)는 구조(500g)의 후면 상에 증착되고 관통 공(531)을 위해 개방될 수 있다. 2 개의 생체적합 층들은 도 5g의 밀봉(535)에 도시된 것과 유사하게 장치 주위를 싸서 함께 밀봉될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 생체적합 폴리머(529)(예. 10 ㎛ 두께)는 배리어 층(527)(예. 대략 1 또는 2 ㎛ 두께)보다 더 두꺼울 수 있다. 생체적합 폴리머들(529, 523)은 유사한 두께일 수 있다.그후, 제2 핸들 기판이 장치의 제1 핸들 기판의 대향하는 측 상에 결합될 수 있는데, 이것은 이미 상기 장치에 결합되어 있다. 상기 제1 핸들 기판은 상기 장치로부터 제거될 수 있다. 예를 들어, 도 5h의 구조(500h)는 핸들 기판(I((543)과 같이 상기 전면으로부터 제거되는, 상기 제1 핸들 기판과 상기 후면 상에 새로이 결합된 핸들 기판(II)(533)을 포함할 수 있다. 상기 전면으로부터 핸들 기판을 제거한 후, 전극들은 리소그래피 및 RIE(Reactive Ion Etching) 프로세스 또는 다른 적용가능한 프로세스들을 적용하는 것에 의해 노출될 수 있다. 예를 들어, 도 5i의 구조(500i)는 상기 전면 상에 전극(521)을 위해 생체적합 폴리머 (I)(523)를 관통하는 개구부를 포함할 수 있다. 전극(521)은 금, 플래티늄 및/또는 구리와 같은 전도 금속 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 전극(521)은 더 나은 전극-전해질 인터페이스를 위해, 다른 금속화 층(IrOx, Pt, TiN, FeOx 등)에 의해 덮일 수 있다. 대안적으로 또는 선택적으로, 전극은 직류 대신 변위 전류에 기초하여 자극을 제공하는, 도 5i의 유전체(535)와 같이, 선택적 유전체 층(예. 대략 0.1 ㎛의 높은 k-유전계수의 얇은 층)을 포함할 수 있다. 몇몇의 실시예들에 있어서, 대략 수 마이크론에서 0.1 ㎛ 이하의 라미닌(laminin)과 같은, 다른 선택적 접착 층이 상기 전극(또는 플렉시블 장치)이 임플란트를 개선하기 위해 조직들에 접착되는 것을 보조하기 위해 상기 전극(또는 플렉시블 장치)의 상단 표면 상에 증착될 수 있다. 마지막으로, 제2 핸들 웨이퍼는 플렉시블 집적 장치의 제조 프로세스를 완료하기 위해 제거될 수 있다. 예를 들어, 도 5j의 구조(500j)는 도 5i의 핸들 기판 (II)(533)과 같이, 제2 핸들 기판이 없는 플렉시블 집적 장치를 나타낼 수 있다. 도 510a 내지 도 510f는 본 발명의 일 실시예에 있어서의 플렉시블 장치들을 위한 제조 프로세스들의 대안적인 또는 바람직한 시퀀스를 도시한 블록도들이다. 도 510a의 구조(510a)의 마이크로 전극 어레이들과 광센서들의 집적 및 CMOS 회로들은 실리콘 웨이퍼 상에 표준 또는 약간 변형된 CMOS/CIS 기술 또는 다른 적용가능한 기술들을 이용해 제조될 수 있다. (예. 대략 50-100 ㎛ 폭) 다이싱 레인들을 위한 트렌치들 및 선택적 관통 공들은 플렉시블 장치들을 제조하기 위해 하나 이상의 캐리어 핸들러를 필요로 하지 않는 전면 프로세싱에 기초하여 프로세싱될 수 있다. 그 결과, 얇게 하는 프로세스(예. 후면 래핑)가 불결한 프로세스로 간주되고 소정의 청결한 제조 프로세스들로 다시 전달되는 것을 방지하기 때문에 이러한 제조 절차는 능률적으로 될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 구조(510a)는 예를 들어, CMOS/CIS 프로세스에 따라, 실리콘 또는 SOI 웨이퍼(미도시) 상에 산화/금속 층(5105) 및 능동 실리콘 층(5107)을 포함할 수 있다. 상기 능동 실리콘 층(5107)은 실리콘 층들(5107, 5129) 사이에 선택적 산화 층(5131)을 가지는 실리콘 기판(5129) 상에 트랜지스터들(5123) 및 광센서들(5125)을 포함할 수 있다. CMOS/CIS 프로세스의 결과, 구조(510a)는 금속 접촉 패드들, 금속(5103)과 같이, 개방된 마이크로 전극들을 가지는 (예. 실리콘 질소화물/산화물) 패시베이션(5101)을 포함할 수 있다. 도 510b를 참조하면, 구조(510b)는 전극들(5109)를 포함할 수 있고, 플렉시블 장치들을 위한 다이싱 레인들 또는 관통 공들을 위한 트렌치들(5127)은 구조(510a)로부터 제조될 수 있다. 예를 들어, 얇은 금속막들이 상기 웨이퍼의 구조(510a)를 덮을 수 있게 부가될 수 있다. 두꺼운 광 저항 물질(photo resistance material)이 상기 얇은 금속 막들 상의 상기 웨이퍼를 스핀 코팅하는 것에 의해 부가될 수 있다. 전극(5109)은 상기 두꺼운 포토레지스트 포토리소그래피 프로세스들 후 (예. Pt 또는 Au 물질을 포함하는) 전기도금을 통해 부가될 수 있다. 그후, 상기 광 저항 물질 및 상기 얇은 금속 막은 제거될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 전극(5109)은 마지막 커버링 폴리머 층의 원하는 두께(예를 들어, 10 ㎛)와 대체적으로 동일한 두께일 수 있다. 부가적인 광 저항 코팅 및 포토리소그래피 노출은 상기 표면에 적용될 수 있고 RIE 프로세스들이 상기 패시베이션 층, 상기 실리콘 이산화물 층들을 관통해, 트렌치(5127)를 생성하기 위해 상기 실리콘 기판으로 식각하는 데 사용될 수 있다. 트렌치(5127)는 상기 실리콘 영역(또는 능동 실리콘 층((5107)을 관통해 식각될 수 있다.그후, 도 510c를 참조하면, 구조(510c)는 도 510b의 구조(510b) 상에 증착되는 배리어 층(5111)을 포함할 수 있다. 배리어 층(5111)은 DLC(diamond like carbon), SiC 또는 다른 적용가능한 물질에 기초할 수 있다. 상기 전극(5109)를 형성한 후 배리어 층을 부가하는 제조는 상기 배리어 층에 의해 둘러싸이거나 에워싸지는 전극(5109) 측벽들의 보호를 보장할 수 있다. 생체적합 폴리머 층은 그후 배리어 층(5111)을 덮도록 코팅될 수 있다. 예를 들어, 도 510d의 구조(510d)는 생체적합 폴리머(5113)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 대략 20 ㎛ 두께의 폴리머 층이 스핀 코팅 및 이어지는 경화 프로세스들에 의해 적용될 수 있다. 상기 폴리머 층은 (예를 들어, 대략 10 ㎛ 두께)의 전극 두께에 근접하게 래핑 프로세스 또는 RIE 프로세스에 의해 평탄화될 수 있다. 구조(510e)는 SIROF(sputtered iridium oxide film)에 기초하여 전극 컨덕터(5115)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, SIROF는 산소-함유 플라즈마 안의 스퍼터링 이리듐 목표를 통해 또한 상기 전극 영역을 정의하기 위해 리프트-오프 프로세스(lift-off process)를 이용해 증착될 수 있다. 마지막으로, 선택적 얇은 유전체 층이 상기 마이크로 전극들의 전압-모드 작동을 위해 마이크로 전극의 상단에 증착될 수 있다.도 510e를 참조하면, 구조(510e)는 글루 층(예.왁스)(5117)에 의해 상기 전면 상에 캐리어 웨이퍼(5115)에 부착되는 도 510d의 구조(510d)를 포함한다. 후면 Si 기판(예. 도 510d의 실리콘 기판(5129))은 최총 두께 대략 20 ㎛에서 중단되는 화학적 식각 프로세스들(예. SOI 웨이퍼가 사용되면 매립 산화물 층 또는 배리어 층(5111)에서의 중단), 래핑을 통해 얇아질 수 있다. 그후, 배리어 층이 이미 얇아진 구조(510e)의 상단에 부가되고 다른 생체적합 폴리머 코팅이 이어질 수 있다. 예를 들어, 도 510f를 참조하면, 구조(510f)는 배리어 층(5119) 및 후면 패시베이션에 기초하여, 예를 들어 도 510e의 구조(510e) 상에 코팅되는 생체적합 폴리머(5121)를 포함할 수 있다. 구조(510f)는 상기 글루 층(5117)을 해체하는 것에 의해 캐리어 웨이퍼(5115)로부터 해제될 수 있다. 그 결과, 배리어 층의 하나의 층, 예를 들어, 배리어 층(5119)은, 배리어 층의 다른 층, 예를 들어, 배리어 층(5111)에 접촉하여 증착될 수 있다. 상기 2 개의 생체적합 폴리머 층들, 예를 들어 폴리머(5121, 5113)를 함께, 상기 마이크로 전극 영역을 제외한 상기 얇은 칩을 완전히 덮고/쌀 수 있다. 일 실시예에 있어서, 다이 분리(die separation, 또는 다이싱)이 트렌치(5127)와 같은 다이싱 레인들을 따라 면도날 절단(razor blade cutting)을 통해 적용될 수 있다. 대안적으로 또는 선택적으로, 관통 공들은 트렌치(5127)를 관통해 폴리머 및 배리어 층들을 제거하기 위해 추가적인 포토리소그래피 및 플라스마 식각 및 RIE 프로세스들을 적용하는 것에 의해 생성될 수 있다. 선택적 접착 층(예를 들어, 라미닌 또는 피브로넥틴(fibronectin))이 상기 마이크로 전극들에 조직 접촉을 촉진시키기 위해 마이크로 전극들 표면 상에 적용될 수 있다.도 6a 내지 도 6d는 망막 인공기관을 임플란트하는 서로 다른 접근들을 위한 플렉시블 장치들의 예시적인 레이어드 구조들을 도시한 블록도들이다. 일 실시예에 있어서, 망막 인공기관을 위한 플렉시블 집적 장치는 금속들에 의해 방해받지 않을 때 광의 일 부분이 상기 장치(또는 칩)을 관통하는 것을 허용하도록 얇은 기판을 포함할 수 있다. 그러므로, 이러한 모놀리식 칩(monolithic chip)은 상기 광센서들 및 전극들 모두가 상기 칩의 전면 상에 제조될 때조차도 망막-외 인공기관을 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 도 6a의 장치(600a)는 상기 장치의 전면(또는 트랜지스터 측) 상에 제조된 광센서(607) 및 전극(615)를 포함할 수 있다. 장치(600a)는 상기 장치의 후면으로부터 입사되는 광(623)으로 망막 외 방식으로 임플란트될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 장치(600a)의 전극들 및 광센서들은 망막 신경절 세포들(621)을 향하는 면에 대면할 수 있다. 장치(600a)는 트랜지스터들/센서들을 포함하는 실리콘(603), 산화물 층들(609), 알루미늄(613) 및 전극(615)을 위한 선택적 조직 글루(예를 들어, 라미닌, 피브로넥틴 등), 상기 장치를 싸는 생체적합 폴리머(601) 및 상기 장치를 관통해 개방된 선택적 관통 공(619)을 포함하는 레이어드 구조들을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 장치(600a)는 가시광선의 광학적 감쇄 길이가 실리콘에서 수 마이크론일 수 있기 때문에 상기 장치의 후면으로부터 입사한 광의 수 퍼센트보다 많이 상기 광센서들에 도달하도록 허용하기 위해 대략 10 ㎛ 이하의 얇은 실리콘 기판을 포함할 수 있다. 얇은 실리콘 기판은 SOI(silicon on insulator) 웨이퍼들을 이용하고 상기 MOS 프로세스 후 실리콘 웨이퍼를 얇게 하는 제조 프로세스들에 기초할 수 있다. 도 6b를 참조하면, 장치(600b)는 도 6a의 장치(600a)와 유사한 레이어드 구조들을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 장치(600b)는 상기 장치의 전면으로부터 입사하는 광(649)을 가지고 하부-망막 방식으로 구현될 수 있다. 장치(600b)의 전극들 및 광센서들은 망막 양극성 세포들(625) 및 입사하는 광을 향하여 대면할 수 있다.도 6c에 도시된 바와 같은 다른 실시예에 있어서, 장치(600c)는 상기 장치의 후면 상에 전극(637) 및 상기 전면 상에 광센서(633)를 포함할 수 있다. 유리하게도, 장치(600c) 안의 전극들은 광센서들로 입사하는 광을 막지 않을 것이다. 일 실시예에 있어서, 장치(600c)는 상기 전면으로부터 입사한 광(647) 및 상기 후면 상의 망막 신경절 세포들(645)에 대면하는 전극들을 가지고 망막 외 방식으로 구현될 수 있다. 장치(600c)는 트랜지스터들/센서들(631)을 가지는 실리콘(629), 산화물 및 금속 상호연결 층들(627), 전극(637)을 위한 선택적 조직 글루(643), 상기 장치를 싸는 생체적합 폴리머 및 배리어 층들(635) 및 상기 장치의 전면 및 후면을 가로지르는 관통 공(641)을 가지는 레이어드 구조들을 포함할 수 있다. 전극(637)은 알루미늄(639) 안의 TSV(through silicon via)와 같은, 전도 비아들을 통해, 예를 들어, 트랜지스터들 회로(631)를 포함하는, 프로세싱 회로들에 결합될 수 있다. 또는, 도 6d에 있어서, 장치(600d)는 도 6c의 장치(600c)와 유사한 레이어드 구조들을 포함될 수 있다. 장치(600d)는 상기 장치의 후면으로부터 입사하는 광(653)을 가지고 하부-망막 방식으로 구현될 수 있다. 장치(600d)의 전극들은 망막 양극성 세포들(651)을 향하여 대면할 수 있다. 도 7a 내지 도 7b는 본 발명의 예시적인 실시예들에 있어서 이웃하는 복귀 경로를 제공하고 전류들을 제한하는 가이드 링들을 도시한 블록도들이다. 도 7a의 장치(700a)는 로컬 복귀 경로들, 또는 전극들로부터 전류를 제한하는 "가이드 링"에 맞는 전극들을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 장치(700a)는 트랜지스터들 회로(709) 및 광센서들(711)을 가지는 실리콘(707), 산화물 층들(719), 알루미늄 상의 전극(715), 및 배리어/접착 층(705) 상의 상기 장치를 싸는 생체적합 폴리머 층들(701, 703)을 포함하는 레이어드 구조들을 가지는 플렉시블 집적 장치일 수 있다. 장치(700a)는 전류 구동 모드에서 조직(721) 안에 임플란트될 수 있다. 예를 들어, 전극(715)으로부터의 전류(723)가 가장 낮은 임피던스 경로를 흐를 수 있다. 장치(700a)는 원하지 않는 목표 방향들로부터 로컬 복귀 경로 안내 전류(723)를 제공하기 위해 가이드 링(또는 로컬 복귀 전극)으로서 가이드(713)를 포함할 수 있다. 도 7b와 유사하게, 장치(700b)는 가이드(713)를 통해 제한되는 전극(715)으로부터의 전기장(727)을 가지고 전압 구동 모드에서 작동될 수 있다. 장치(700b)는 전극(715)을 위한 선택적 유전체(725)를 포함할 수 있다.바람직하게, 전기장 또는 전류는 가이드 링들을 통해 발생 전극들에 지역으로 근접하게 제한(또는 작게, 좁게 만들어)질 수 있다. 그러므로, 신경절 세포들을 들뜨게 하지 않으면서 양극성 세포들을 자극하는 것과 같이, 각각의 전극의 목표 신경세포들 외의 신경 세포들의 원하지 않는 자극이 방지될 수 있다. 가이드 링들을 가지는 플렉시블 집적 장치에 있어서, 상기 하나의 전극으로부터의 전기장들은 가이드 링들을 이용하는 분리된 전극들로부터의 다른 전기장들과 간섭하지 않을 수 있다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 있어서 돌출 전극들을 가지는 플렉시블 장치들을 위한 레이어드 구조들을 도시한 블록도이다. 예를 들어, 장치(800)는 돌출 전극 어레이들을 가지는 플렉시블 집적 칩을 포함할 수 있다. 장치(800)는 금속/유전체 층들(807), 능동 구성요소들을 갖는 실리콘(809), 및 상기 폴리머 및 배리어 층들(813)을 가지고 상기 장치를 싸는 폴리머 및 배리어 층들(811)을 가지는 레이어드 구조들을 포함할 수 있다. 전극(803)은 목표 신경 세포(801)에 근접하는 돌출 팁을 이용해 상승될 수 있다. 바람직하게, 임플란트될 때, 상승된 자극 전극들은 상기 자극의 목표 위치들에 근접하여 있는 조직들의 분리 층들 중 일부를 통해 밀 수 있다. 그러므로, 상기 목표 신경세포들을 소극화하는 데 요구되는 임계 전류 또는 전력은 (예를 들어, 적어도 mm 제곱 당 250 이상의) 더 미세한 해상도를 가지는 더 많은 수의 전극들을 가능하도록 하여 감소될 수 있다. 도 9는 본 발명의 일 실시예에 있어서 복수-레벨 전극들을 가지는 플렉시블 장치들에서의 레이어드 구조들을 도시한 블록도이다. 예를 들어, 장치(900)는 복수 레벨들로 돌출되는 전극의 어레이들을 가지는 플렉시블 집적 칩을 포함할 수 있다. 장치(900)는 금속/유전체 층들(907), 능동 구성요소들을 갖는 실리콘(909), 및 상기 폴리머 및 배리어 층들(911)을 가지고 상기 장치를 싸는 폴리머 및 배리어 층들(913)을 가지는 레이어드 구조들을 포함할 수 있다. 전극들(917, 903)은 개별적으로 신경 세포들(901, 915)을 자극하기 위해 2개의 서로 다른 레벨들로 위치될 수 있다.일 실시예에 있어서, 전극들(917, 903)과 같이, 복수-레벨 돌출 전극들은, 서로 다른 타입들의 신경 세포들(예. ON 타입 세포들, OFF 타입 세포들, 또는 다른 적용가능한 타입들의 세포들)에서 서로 다른 층들을 구별해서 자극할 수 있다. 예를 들어, 복수-레벨 돌출 전극들은 서로 다른 레벨들의 계층으로 분리되는 양극성 세포들과 신경절 세포들 사이의 망막 연결들로서 개별적으로 신경세포들 ON-경로 및 OFF 경로를 목표로 할 수 있다. 도 10a 내지 도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 장치들에 있어서의 예시적인 신호 프로세싱 회로들을 도시한 대략적인 도면들이다. 도 10a의 자장치(1000a)는 2차원 화소 어레이로 이웃 화소들(1001, 1003, 1007, 1009)과 결합된 화소(1005)를 포함할 수 있다. 화소(1005)는 2차원 화소 어레이인 (m, n)에 의해 인덱스될 수 있고, I(m, n, t)로 표현되는 시간 t에서 입사하는 광을 수신한다. 각각의 화소는 이웃 화소들(또는 다른 적용가능한 화소들)과 수신된 광에 대한 정보를 교환할 수 있다.일 실시예에 있어서, 각각의 화소는 이웃 화소들로부터 수신들을 수신하는 신호 프로세싱 회로들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 10a를 참조하면, 이웃 화소들(1001, 1003, 1007, 1009)로부터 수신 또는 감지되는 광을 표현하는 신호들 I(m, n+1, t), I(m-1, n, t), I(m, n-1, t), 및 I(m+1, n, t)은 화소(1005)에서 이용가능할 수 있다. 화소들의 배치는 사각형, 육각형(예. 6의 가까운 이웃 화소들을 가진 각각의 화소를 가지고), 또는 다른 적용가능한 2차원 또는 복수-차원 어레이에 기초할 수 있다. 소정의 실시예들에 있어서, 플렉시블 집적 장치는 신경세포들의 중심/둘레 대립 수신장(center/surround antagonism receptive field)과 유사한 신경세포 네트워크 프로세싱 메카니즘들을 자극할 수 있는 신호 프로세싱 회로들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소는 적절한 RGC 스파이킹을 들뜨게 하기 위해 그 이웃들에서의 둘레 광 세기의 평균 합과 중심 화소 광 세기의 합의 차이에 비례하는 화소 전류 출력(또는 자극)을 생성할 수 있다. 일반적으로, 화소는 자극을 생성하기 위해 포획된 광으로부터 유도되는 처리된 신호를 유도하기 위해, 최근접한 이웃들, 두번째로 근접한 이웃들, 세번째로 근접한 이웃들, 등과 같이, 지역적으로 결합된 이웃 화소들로부터 입력들을 합하기 위해 서로 다른 가중치들을 사용할 수 있다.예를 들어, 도 10b의 회로들(1000b)는 가중치 설정들(1011, 1013)(예. 저항 구성요소들(resistor components))을 통해 개별적으로 가중치가 적용되는, 감지된 신호 입력들(1019)로부터 가중치가 적용된 출력 Id(m, n)(1017)을 생성하는 프로세싱 요소(1015)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 도 10a의 화소(1005)는 신호 프로세싱을 위한 회로들(1000b)을 포함할 수 있다. 4 개의 감지된 신호들 I(m-1, n), I(m+1, n), I(m, n-1), 및 I(m, n+1)(1019)(예. 이웃 화소들로부터의 입력들)은 R(1013) 및 R/4(1011)와 같은, 저항 구성요소들을 통해 감지된 신호 I(m, n)의 1/4과 동일한 가중치들로 가중치가 적용될 수 있다. 몇몇의 실시예들에 있어서, 가중치들은 디지털 카메라들에 사용되는 복수지점 측정에서와 유사한 방식으로 절대적인 광 세기의 배경 효과를 감소시키기 위한 위치들을 측정하는 화소들을 제외한 대다수의 이웃 화소들에 대하여 대략 0(예. 대응하는 이웃 화소들로부터 연결해제되는 것과 균등)으로 설정(예. 동적으로 구성)될 수 있다. 몇몇의 실시예들에 있어서, 신호 감산은 절대적인 세기 대신 입사되는 광의 상대적인 세기에 기초하여 자극들을 생성하기 위해, 이웃 화소들로부터 교환된 프로세싱 신호들에 적용될 수 있다. 도 11a 내지 도 11b는 본 발명의 일 실시예에 있어서 구성된 플렉시블 장치들의 작동들을 도시한 블록도들이다. 예를 들어, 플렉시블 집적 장치(1133)는 손상되거나 악화된 시각 인지를 재설립하기 위해, 망막 신경절 세포들(1105) 및/또는 신경 세포 네트워크들(1107)과 같은, 신경 세포들로부터 확인된 기능성의 부분들을 제공하도록 구성될 수 있다. 신경 세포 네트워크들(1107)은 수평 세포들, 양극성 세포들, 아마크린 세포들 또는 다른 망막 세포들 등과 같은 신경 세포들을 포함할 수 있다. 장치(1133)는 신경세포들로 자극을 송신하거나 및/또는 신경 세포들로부터 응답들을 감지할 수 있는 마이크로 전극 어레이(1103)에 결합되는 프로세싱 회로들(1101)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 장치(1133)는 미세조정/프로그래밍 모드에서 작동될 때 구성가능할 수 있다. 장치(1133)는 시각 인지를 가능하게 하기 위해 입사하는 광으로부터 신경 세포들을 자극하기 위해 정상 모드와 같은 다른 모드들에서 작동할 수 있다. 몇몇의 실시예들에 있어서, 미세조정/프로그래밍 모드 동안, 센서 및 프로세싱 회로들(1101)은 (예. 프로그램가능한 로직 어레이 또는 다른 적용가능한 프로그램가능한 회로들을 통해) 프로세싱 특성들을 확인 및 구성하기 위해 감지 모드와 구동 모드 사이에서 전환될 수 있어, 적절한 자극들이 상기 신경 세포들의 일 부분이 적절하게 기능하지 못할 때(예. 손상되거나, 붕괴되거나, 악화되거나 등) 입사한 광 I(xi, yi)(1111)으로부터 원하는 감각 출력 O(pi, qi)(1115)(예. 생성된 광)에 대하여 생성될 수 있다. 예를 들어, 센서 및 프로세싱 회로들(1101)은 감각 출력 O(pi, qi)(1115)을 생성하기 위해, 입사한 광 I(xi, yi)(1111)으로부터 정상 작업 또는 상대적으로 건강한 신경 세포들로 자극을 송신한 직후 감각 모드에 진입할 수 있다. 몇몇의 실시예들에 있어서, 광 I(xi, yi)(1111)는 장치(1133)의 일 부분(하나의 화소 또는 화소들의 일 군)을 선택적으로 선택 및 구성하도록 생성될 수 있다. 상기 감지 모드에서 프로세싱 회로들(1101)은 망막 신경절 세포들(1105)과 같은, 상기 신경 세포들로부터 응답들을 검출할 수 있다. 상기 응답들은 감각 출력 O(pi, qi)(1115)을 나타내기 위해 일정 시간에 걸쳐 전압들, 파형들 또는 다른 적용가능한 신호들 또는 스파이크들일 수 있다. 프로세싱 회로들(1101)은 입사한 광 및 이에 대응하는 검출된 반응들 사이의 관계를 포함하는 정보를 저장할 수 있다. 상기 정보는 예를 들어, O=H*I에 의해 지시되는 관계에 기초하여, 신경 세포들에 있어서의 내재적 프로세싱 특성들 H(pi, qi, xi, yi)(1135)을 나타낼 수 있다. 그후, 도 11b에 도시된 바와 같이, 프로세싱 회로들(1101)은 신경 세포들의 손실되거나 또는 변경된 시각 정보 프로세싱 능력들을 보상하기 위한 작업들을 수행하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 광수용성 세포들(1109)은 손상되거나 또는 탈색되어 신경 세포 네트워크들(1107)이 감지된 광 신호들을 처리하는 것을 막을 수 있다. 그 결과, 시각 인지는 망막 신경절 세포들(1105)의 프로세싱 특성들 G'(pi, qj, x'i, y'j)에 기초할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 프로세싱 회로들(1101)은 오퍼레이션(또는 변환 오퍼레이션) H(x'i, y'j, xi, yj)을 (예. 자동으로 또는 수동으로) 수행하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, G'*I'에 따라 인식된 출력 O'(pi, qj)(1123)가 O(pi, qj)(1115)에 근접하도록 허용하기 위해, 망막 신경절 세포들(1105)에의 자극들이 유효 광 입력 I' = H'*I에 따라 상기 구성된 프로세싱 회로들(1101)에서 생성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, H'(x'i, y'j, xi, yj)는 내재적인 프로세싱 특성들 H(pi, qj, xi, yj)에 기초하여 프로그램되거나 또는 구성될 수 있다. 프로세싱 회로들(1101)은 상기 구성된 프로세싱 능력을 가지고 구동 모드에서 작동할 수 있다. 장치(1133)는 작동의 정상 모드에서, 또는 더 미세한 튜닝 또는 조정을 위한 작동의 미세조정 모드에서 작동할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 프로세싱 회로들은 예를 들어, 장치(1133)가 망막-외 방식으로 임플란트될 때, 미세조정 모드 동안 망막 신경 응답 운동역학의 측정을 가능하게 하는 전기적 감지 회로들과 협동할 수 있다. 전기적 자극 직후 전기적 감지로 상기 장치(또는 칩)를 전환하는 능력을 가지고, 상기 ON 세포들 및 OFF 세포들은 상기 응답 시간을 통해 확인될 수 있고, 이 정보는 로컬 광 정보가 상기 장치 상의 광센서들에 의해 감지될 때 상기 이웃하는 전극으로부터 특정한 전기적 자극을 표현하는 데 사용될 수 있다. 도 12는 본 발명의 일 실시예에 있어서 상기 플렉시블 장치들을 미세조정 및 튜닝하는 시스템을 도시한 블록도이다. 시스템(1200)은 구성가능한 장치(1133)를 튜닝/조정하기 위한 제어 또는 피드백 경로를 제공하기 위해, 외부 또는 원격 제어 장치(1201)에 광학적으로 또는 무선으로 결합된 온-칩 프로세싱 회로들(1101)을 가지는 구성가능한 망막 인공기관 장치(1133)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 프로세싱 회로들(1101) 및 전극 어레이(1103)는 예를 들어, 개별적인 화소 레벨까지 광 민감도, 자극 세기 또는 다른 적용가능한 변수들을 조정하기 위한, 외부 명령들을 통해 갱신될 수 있고 원하는 시각 인지를 달성할 수 있는 전기적 변수들 또는 설정들을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 환자는 시각령(visual cortex)(1205)에 있는 인식된 시각들에 기초하여 사용자 제어(1207)를 통해 원격 제어(1201)를 작동할 수 있다. 몇몇의 실시예들에 있어서, 외부 명령들(1203)은 미리 결정된 시각 패턴들을 포함할 수 있는 광학적 입력들(1209)에 포함되는 광학적 명령들일 수 있다. 또는, 외부 명령들(1203)은 무선 송수신기를 통해 장치(1133)로 (예. EM 신호들 또는 RF 신호들에 기초하여) 무선으로 전송될 수 있다. 장치(1133)는 튜닝/조정을 위한 미세조정 모드로 상기 칩에 진입하기 위해 광학적 입력(1203)으로부터 특정한 광 펄스 패턴을 검출하기 위해 칩 상에 특정한 디코딩 회로와 함께 소정의 광 감지 화소들을 포함할 수 있다. 또는, 상기 외부 명령들은 무선으로 장치(1133)을 작업의 미세조정 모드 또는 다른 모드들로 진입시킬 수 있다. 일 실시예에 있어서, 장치(1133)의 각각의 화소 또는 화소들의 영역들은 (예. 임플란트된 영역 상의 눈으로) 광 투영(light projection)을 통해 광학적으로 또는 무선으로 개별적으로 접근될 수 있다. 상기 화소 또는 영역들은 시각 감지의 목표로 하는 효과들을 달성하기 위해 전기적 자극 변수들을 튜닝하기 위해 칩 상에 전기적으로 접근될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 테스트 패턴들은, 예를 틀어 광학적 입력(1209)을 통해, 임플란트한 환자들에게 직접 보이는, 또는 임플란트된 망막 상에 투영될 수 있다. 상기 목표로 하는 시각 효과들은 상기 목표로 하는 시각 효과들의 최상의 근사(approximation)를 허용하기 위해 상기 외부 광학적 입력 장치를 이용해 임플란트된 망막 인공기관 칩들의 변수들의 수동 튜닝을 수행하기 위해 환자들에게 설명될 수 있다. 도 13은 여기에 도시된 일 실시예에 있어서 플렉시블 장치들을 구성하는 방법을 도시한 흐름도이다. 예시적인 프로세스(1300)는 하드웨어(회로들, 전용 로직(dedicated logic), 등), (기계 또는 프로세싱 장치에서 실행되는 기계 코드(machine code)와 같은) 소프트웨어, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있는 프로세싱 회로들에 의해 수행될 수 있다. 예를 들어, 프로세스(1300)는 도 12의 시스템(1200)의 일부의 구성요소들에 의해 수행될 수 있다.일 실시예에 있어서, 상기 프로세스(1300)의 프로세싱 로직은 블록(1301)에서 광센서들을 통해 수신된 광으로부터 (예. 미리 결정된) 광 패턴들을 검출할 수 있다. 상기 프로세스(1300)의 프로세싱 로직은 상기 광에 광학적으로 인코딩된 상기 광 패턴들을 추출하기 위해 상기 포획된 광을 디코딩할 수 있다. 상기 광 패턴들을 검출하자마자, 상기 프로세스(1300)의 프로세싱 로직은 장치가 구성을 위한 미세조정 모드로 진입하도록 할 수 있다. 상기 장치는 상기 광으로부터 시각 인지를 가능하게 하는 광을 수신하기 위해 화소들의 어레이를 포함할 수 있다. 상기 화소들은 전극들을 위한 구동 회로들 및/또는 광센서들을 위한 검출 회로들과 같이, 전기적 변수들을 통해 구성가능한 회로들을 포함할 수 있다.블록(1303)에서, 일 실시예에 있어서, 상기 프로세(1300)의 프로세싱 로직은 플렉시블 집적 장치의 화소들의 어레이로부터 화소들을 선택하기 위해 광 패턴들을 수신할 수 있다. 상기 광 패턴들은 시각 감지의 공지된 효과들에 연관되어 있을 수 있다. 예를 들어, 상기 장치가 임플란트된 환자는 광의 이미지의 형태, 광의 이미지의 상대적인 강도 또는 다른 시각적 효과들과 같은, 어떠한 시각적 인지가 예상되는지 알고 있을 수 있다. 블록(1305)에서, 상기 프로세스(1300)의 프로세싱 로직은 정상인이 수신된 광 패턴들을 가지고 경험해야 하는 것과 유사한 시각 감지의 실제 효과를 야기시키기 위해 신경 세포들을 자극하기 위해 선택된 화소들로부터 자극들을 생성할 수 있다. 몇몇의 실시예들에 있어서, 상기 광 패턴들은 어떠한 화소가 선택되어야 하는지 확인하기 위해 선택 광 패턴들을 포함할 수 있다. 그후, 블록(1307)에서, 일 실시예에 있어서, 상기 프로세스(1300)의 프로세싱 로직은 플렉시블 집적 장치의 전기적 변수들을 갱신하기 위해 외부 명령들을 수신할 수 있다. 상기 외부 명령들은 광학적으로 또는 무선으로 수신될 수 있다. 상기 프로세스(1300)의 프로세싱 로직은 전기적 변수들로 갱신되는 선택된 화소들을 통해 수신된 광 패턴들(또는 다른 적용가능한 입사한 광)으로부터 시각 감지의 실제 효과들의 조정을 야기시키기 위해 전기적 변수들을 갱신할 수 있다. 상기 포획된 광(예. 광 패턴들)은 공지의 시각 효과들과 연관되어 있을 수 있다. 갱신 결과, 시각 감지의 실제 효과는 상기 시각 감지의 공지된 효과들이 상기 장치의 적절한 구성에 일치하도록 조정될 수 있다. 몇몇의 실시예들에 있어서, 광 패턴들은 화소 선택 및 상기 선택된 화소들에 대해 전기적 또는 회로들 갱신들을 위해 개별적으로 생성될 수 있다. 상기의 상세한 설명에 있어서, 본 발명은 특정 예시적인 실시예들을 참조하여 설명되었다. 이로부터 이하의 청구항들로 발생되는 본 발명의 보다 더 넓은 범위를 벗어나지 않으면서 다양한 변형들이 만들어질 수 있음이 명백할 것이다. 본 발명은 특정 형태들, 도면들, 크기들, 및 개시된 상세한 정보들에 한정되지 않는다. 본 상세한 설명 및 도면들은, 그러므로 한정적이기보다는 설명적으로 간주되어야 한다.
신경 세포들을 포함하는 조직들에 구현될 수 있는 장비가 개시된다. 상기 장비는 화소들에 입사되는 광의 시각을 인지하는 것이 가능하도록 하기 위해 2차원 어레이로 배치되는 복수의 화소들, 및 장치 및 조직들을 양방향으로 보호하기 위해 상기 장치를 싸는 생체적합 층들을 포함하되, 상기 복수의 화소들 각각은, 광을 수신하는 광센서, 인지를 위한 신경 세포들 중 목표 신경 세포들에 자극을 전달하는 마이크로 전극, 및 광으로부터 상기 자극을 유도하고 상기 전극을 구동하는 회로를 포함하며, 상기 2차원 어레이는 전면 및 상기 전면에 대향하는 후면을 가지는 상기 장치 안에 배치되며, 상기 생체적합 층들은 상기 화소들의 전극들이 상기 신경 세포들을 자극하도록 허용하는 개구부들을 가지고, 상기 장치는 상기 장치가 인간 안구의 형태를 따르는 2차원 방식으로 구부러질 수 있도록 허용하는 플렉시블 물질을 포함하고, 상기 플렉시블 물질은 상기 장치가 상기 장치의 전면 또는 후면 중 어느 하나로부터 광을 수신할 수 있도록 반투명이다. 다른 실시 예에 있어서, 망막 인공기관을 위한 화소들의 어레이를 가지는 플렉시블 장치를 위한 제조 방법이 개시된다. 상기 제조 방법은 기판 상에 화소들의 어레이를 포함하는 레이어드 구조들을 형성하되, 각 화소는 프로세싱 회로들, 마이크로 전극 및 광센서를 포함하는 단계, 상기 레이어드 구조들 상에 생체적합 층들의 제1세트를 형성하는 단계, 망막의 굴곡까지 상기 기판의 구부림을 허용하기 위해 상기 기판의 제어된 두께까지 상기 기판을 얇게 하는 단계 및 상기 얇아진 기판 상에 생체적합 층들의 제2세트를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 생체적합 층들의 제2 세트는, 플렉시블 장치가 망막 조직들에 장기적으로 접촉하는 것을 허용하기 위해, 상기 플렉시블 장치를 싸는 밀봉 생체적합 층들을 형성하는 상기 레이어드 구조 주위에서 상기 생체 적합 층들의 제1 세트와 접촉되며, 상기 화소들 내 마이크로 전극들의 상면들은 상기 생체적합 층들을 통해 노출된다.
[ 발명의 명칭 ] 인쇄된 회로 보드, 회로 및 회로를 생성하는 방법PRINTED CIRCUIT BOARD, CIRCUIT, AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A CIRCUIT [ 기술분야 ] 본 발명은 인쇄된 회로 보드들과 회로 및 특히, 전력 반도체들, 특히, SMD(Surface Mounted Device) 컴포넌트들에 대한 회로들을 생성하는 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 반도체 기술에서, 인쇄된 회로 보드들은, 일반적으로, 기판과 같은 절연 물질 및 도전성 트랙들이 에칭에 의해 형성되는 도전층으로 구성된다. 하지만, 전력 반도체들 분야에서는, 상기 인쇄된 회로 보드들은 또한 금속 코어, 예를 들어, 구리 코어를 구비하도록 추가적으로 제공될 수 있다. 이러한 구리 코어는, 절연 재료, 소위 프리프레그(prepreg)를 갖는 양 측부들 상에 코팅되고, 그 결과 전체적으로 절연된다. 여기에서, 절연 재료의 표면에 프레스되는 구리 막은 또한 도전층으로 사용되고 그리고 도전성 트랙들은 이러한 구리 포일(foil) 상에 똑같이 형성된다. 상기 구리 포일로부터 형성되는 도전성 트랙들은, 상기 프리프레그를 통해 상기 도전성 트랙 및 상기 구리 코어 모두에 소위 μ바이어(via)들을 접촉시킴으로써, 상기 금속 코어에 부분적으로 직접 접촉된다. 상기 도전성 트랙들의 다른 부분은, 인쇄된 회로 보드의 표면상의 신호 라인들이다. 하지만, 소위 μ바이어들을 적용하는 것은 복잡하며 정교한데, 이는 예를 들어, 구리 포일이 적용된 후 프리프레그를 밀링하고 그리고 금속 재료를 상기 프리프레그에 도입하는 것이 필요하기 때문이다. 후속으로, 상기 도전성 트랙들이 에칭되어야 된다. 상기 μ바이어들은 단지 작은 도전성 직경들을 가지게 되어, 전기 및 열 전이 저항들은 높고 그리고 냉각 효과는 제한된다. 상기 바이어들을 밀링하는 것은 또한 복잡한데, 이는 매우 작은 개구들 만이 밀링되거나 드릴링될 수 있기 때문이다.특히 LED들의 분야에서 사용되는 다른 기술은, 냉각을 위해 배타적으로 구리 또는 알루미늄 베이스 보드를 사용하는 것이다. 상기 구리 또는 알루미늄 베이스 보드는, 절연 재료, 예를 들어, 프리프레그에 의해 도전성 트랙들에 관해 완전히 절연된다. 상기 구리 또는 알루미늄 베이스 보드와 도전성 트랙들 사이에 전기적으로 도전성인 접속들이 전혀 존재하지 않는다. 열 에너지는, 상기 프리프레그를 통해 구리 또는 알루미늄 베이스 보드에 전도된다. 이러한 방식으로, 상기 도전성 트랙들에 접속되는 전기 컴포넌트들은 구리 또는 알루미늄 베이스 보드를 통해 냉각될 수 있다. 하지만, 상기 냉각 효과는 프리프레그 및 전기 접촉 바이어에 의해 저해되고, 이러한 기술을 갖는 구리 또는 알루미늄 베이스 보드는 가능하지도 않고 요구되지도 않는다. 추가로, 열-전도성 페이스트를 사용하는 열 싱크는, 구리 또는 알루미늄 베이스 보드 아래에 부착될 수 있다. 상기에서 언급된 기술들은, 너무 비용이 많이 들거나 또는 자동차 분야에서 사용되는 고전력 반도체들에 대해 충분한 냉각 수단을 갖지 못한다. 따라서, 본 발명의 주제는, 한편으로는 용이하게 그리고 비용효율적으로 생성될 수 있고, 다른 한편으로는 상기 전력 반도체들이 충분하게 냉각될 수 있는 인쇄된 회로 보드들을 제공하는 것을 기반으로 한다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] [ 과제의 해결 수단 ] 이러한 목적은 제1항에 따른 인쇄된 회로 보드, 제7항에 따른 인쇄된 회로 보드, 제18항에 따른 회로 및 제20항에 따른 방법에 의해 달성된다.반도체에 대한 접촉이 직접적으로 제공되면, 구리판의 냉각 효과는 증가될 수 있음을 알아야 한다. 금속 베이스 보드가 사용되는 것이 제안된다. 이러한 금속 베이스 보드는 구리로 구성될 수 있다. 구리의 합금들도 또한 가능하다. 추가로, 예를 들어, 무게를 절약하고 그리고 표면상에 금속으로, 특히, 구리 또는 구리 합금으로 코팅되도록 상기 금속 베이스 보드는 알루미늄으로 구성되는 것이 또한 가능하다. 절연층, 특히 특히 절연 라카(insulating lacquer)는, 베이스 보드상에 도포되고, 이러한 절연 락카는 상기 베이스 보드를 전기적으로 절연한다. 하지만, 상기 베이스 보드는 하나의 접속 영역에서 절연층을 갖지 않는다. 이제 상기 인쇄된 회로 보드 상에 장착된 반도체, 특히, 전력 또는 고전력 반도체를 상기 베이스 보드에 직접 전기적으로 그리고 열적으로 접촉시키기 위해, 상기 베이스 보드는 접속 영역에 금속적으로 코팅되는 것이 제안된다. 상기 금속 코팅은, 상기 절연층이 적용되기 전에 또는 상기 절연층이 적용된 후에 형성될 수 있다. 반도체는, 바람직하게 트랜지스터, 바람직하게 전력 트랜지스터이다. 특히, 반도체는, 10A를 넘는, 바람직하게는, 50A를 넘는, 특히 300A보다 큰 전류 전달 용량을 갖는 고-전력 반도체일 수 있다. 특히, 트랜지스터들, 사이리스터들 또는 트라이액들 등이 사용될 수 있다. IGB 트랜지스터들 및 전력 MOSFET들이 또한 사용될 수 있다.본 발명의 주제와 관련된 회로는, 바람직하게, 정류기들의 분야, 특히 자동차의 배터리 관리의 영역에서 사용된다. 특히, 전기 자동차 또는 하이브리드 자동차 내의 정류기로서 사용되는 것이 바람직하다. 바람직하게, 10A보다 큰, 바람직하게 50A보다 큰, 특히 300A보다 큰 전류로 작동하는 애플리케이션들에서의 사용이 제안된다. 금속 코팅은 상기 베이스 보드 상에 직접적으로 적용되고 그리고 후속으로 반도체에 대한 접촉으로 작용한다. 반도체의 접촉은 접속 영역의 금속 코팅 상에 전기적으로 접촉된다. 그 결과, 상기 베이스 보드는 열 및 전기 소자로 작용한다. 금속 코팅이 반도체가 베이스 보드에 접촉하도록 직접 작용하는 사실로 인해, 매우 양호한 열 접촉이 반도체와 베이스 보드 사이에서 이루어진다. 상기 베이스 보드는 반도체의 접촉을 위한 공급 도전체로서 작용을 하고 그리고 절연층의 외부 영역에 전기적으로 접촉될 수 있다.상기 베이스 보드는 평평한 소자, 특히, 스트립 또는 시트(sheet)일 수 있다.상기 반도체의 접촉은 바람직하게 드레인 또는 소스 접촉이고, 여기의 이러한 지정은 전력을 전달하는 반도체의 접촉들을 나타낸다. 일반적으로, 반도체의 게이트 또는 스위치 접촉들은 단지 스위칭 전류들 및 적어도 2개의 다른 접촉들을 통해 스위칭된 전류 흐름들을 전달한다. 상기 반도체는, 접속 영역의 금속 코팅 상에 직접 존재하는 SMD 컴포넌트이다. 상기 반도체의 비-전도성 영역들은 상기 절연층 상에 존재할 수 있다.상기 절연층은, 바람직하게, 예를 들어, 상기 접속 영역이 절연층을 가지지 않는 방식으로 적용되는 솔더 레지스트이다. 후속으로, 상기 접속 영역은 주석으로 코팅함으로써 금속적으로 코팅된다. 바람직하게, 상기 절연층은 금속 코팅이전에 상기 베이스 보드 상에 프린트된다. 일 실시예에 따라, 금속 코팅은 주석층이다. 상기 주석층은 바람직하게 베이스 보드 상의 넓은 표면 영역 위에, 예를 들어, 각 케이스에서 5cm2와 0.5mm2 사이의 접속 표면상에 적용된다.상기 반도체를 기계적으로 지지(support)하고 그리고 상기 기계적인 접촉을 가능한 기계적인 스트레스들이 없도록 유지하기 위해, 상기 기계적인 코팅은 반드시 절연층의 표면에 평행한 면을 갖도록 제안된다. 이러한 경우에서, 상기 반도체의 접촉을 둘러싸는 비-도전성 영역들은 상기 절연층 상에 직접 존재한다. 상기 반도체는 일반적으로 큰 표면 영역을 구비한 드레인 또는 소스 접촉을 가진다. 바람직하게, 이러한 표면에 관한 접속 영역 또는 금속 코팅은 반드시, 반도체 접촉의 표면 영역과 합동이다. 제조 동안, 상기 반도체는 이후 접속 영역에 직접 놓여질 수 있다. 특히, 반도체의 에지 영역들의 비-도전성 영역들은, 절연층 상에 놓여질 수 있고, 그 결과, 반도체를 부착하는 것은 단순하다. 양호한 전기적인 접촉에 더하여, 반도체의 접촉으로부터 베이스 보드로의 열의 우수한 전도가 가능해 질 수 있도록 반도체의 접촉과 금속 코팅 사이의 큰 접촉 표면이 또한 발생한다.이미 언급된 것처럼, 반도체 또는 반도체의 접촉은 금속 코팅을 통해 베이스 보드에 전기적으로 접촉된다. 상기 베이스 보드는 전기 회로로의 접촉을 위해 하나의 단부에서 접속부를 가질 수 있다. 여기에서, 예를 들어, 단말 러그(terminal lug)를 수신하기 위한 드릴-홀이 존재할 수 있다. 케이블 슈 또는 크림프 접속이 또한 베이스 보드의 단부에 또한 제공될 수 있고, 그리고 이러한 방식으로, 인쇄된 회로 보드는 특별히 단순한 방식으로 전기적으로 접속된다. 특히, 이러한 것은 높은 전류-전달 용량이 가능해 질 것이라는 생각에서 발생된다. 따라서, 전기 회로로의 접촉은 바람직하게 적어도 2.5mm2의 와이어 단면적을 갖는 와이어로 행해지고, 상기 베이스 보드의 단부에서의 접촉은 또한 그와 같은 크기의 접촉 표면을 가져야 한다. 상기 베이스 보드의 도전성의 단면적은 또한, 적어도 접속된 와이어의 와이어 단면적에 대응하여야 하지만, 바람직하게는, 상기 와이어 단면적보다 크도록 선택되어야만 한다. 바람직하게 공통의 외부 에지를 따라, 특히, 베이스 보드의 세로의 에지를 따라, 2개 이상의 접속 영역들은 절연층에 의해 분리되어, 서로의 옆에 배열된다. 특히, 서로에게 할당된 2개보다 많은 접속 영역들은 베이스 보드의 외부 에지 상에 배열될 수 있다. 접속 영역들은 또한 상기 베이스 보드의 2개의 먼 외부 에지들 상에 배열될 수 있다. 다른 양상에 따라, 금속 베이스 보드를 또한 갖는 인쇄된 회로 보드가 제안된다. 상기 금속 베이스 보드는, 제1항에 따른 인쇄된 회로 보드의 금속 베이스 보드와 동일한 것이 될 수 있다. 특히, 동일한 재료들, 동일한 도전체 단면적들 및/또는 동일한 폼 팩터들이 사용될 수 있다. 이는, 인쇄된 회로 보드들의 대량 생산을 유리하게 한다. 상기 금속 베이스 보드는 또한, 적어도 하나의 표면상에 전기적으로 절연되도록 코팅된다. 사용된 절연체는 초기에 베이스 보드의 전체 표면 위에 적용될 수 있다. 특히, 인쇄된 회로 보드들에 대한 기판으로서 관례적으로 이용되는 절연체가 사용될 수 있다. 이는 플라스틱 시트일 수 있다. 특히, 소위 사전함침된 섬유들로 구성되는 프리프레그 층은 절연체로서 사용될 수 있다. 후속으로, 도전층은 절연체 상에 적용된다. 절연체 및 도전층은, 베이스 보드와 전체 표면 접촉에서 프레스될 수 있다. 도전층은, 예를 들어, 구리층일 수 있다. 도전성 트랙들은, 종래의 인쇄된 회로 보드들의 생성에서 관례적인 것처럼 알려진 방식으로 도전층으로부터 에칭될 수 있다. 추가로, 제1항에 따른 인쇄된 회로 보드의 케이스에서처럼, 절연층, 특히, 절연 코팅은 절연체 및 도전층 상에 적용될 수 있다. 이는 또한 절연 라카, 특히, 솔더 레지스트가 될 수 있다. 이는, 도전성 트랙들을 형성하기 전 또는 형성한 후 발생할 수 있다. 절연체 및 도전층이 아직 에칭되지 않았으면, 상기 절연체 및 도전층은, 접촉 영역을 베이스 보드에 형성하기 위해, 밀링 또는 드릴링함으로써 구멍이 날 수 있다. 여기에, 절연체 내의 윈도우형 스루 홀들은 접촉 영역을 형성한다. 접촉 영역에서, 베이스 보드는 초기에 노출되어, 이후, 적어도 하나의 접촉 패드가 베이스 보드 상에 형성될 수 있다.이제 반도체의 접촉을 가능하게 하도록, 상기 콘텍트 영역에서, 적어도 하나의 금속 접촉 패드가 베이스 보드 상에 배열되는 것이 제안된다. 동시에, 접촉 패드는 절연체 및 도전층으로부터 주위에 이격된다. 여기에서, 접촉 패드는 적어도 절연체의 면 밖으로 돌출될 수 있다. 절연층, 예를 들어, 절연 라커가 또한 절연체 상에 추가적으로 형성되면, 접촉 패드는 절연층의 면에서 반드시 종료될 수 있다. 접촉 패드는, 상기 접촉 패드와 도전층 사이에서 전기 접촉을 형성하는 것을 방지하기 위해, 도전층으로부터 완전히 주위로 이격된다. 따라서, 종래의 μ바이어들을 갖는 경우와 상이한 접촉 패드는, 도전층의 도전성 트랙이 냉각되는 것이 가능해지도록, 도전성 층의 도전성 트랙을 베이스 보드에 접속하는 것이 적합하지 않을 수 있다. 대신, 전기적으로 도전성 소자인 베이스 보드는 직접 접촉 패드에 접촉되고 그리고 전기 접촉, 특히, 반도체의 소스 또는 드레인 접촉은 접촉 패드 상에 존재할 수 있다. μ바이어들과는 대조적으로, 접촉 표면은 또한 절연체의 윈도우형 스루 홀처럼 형성되어, 생성하기에 용이하다. 접촉 표면은, 개별 접촉 패드의 표면보다 2 내지 10배, 바람직하게는, 4 내지 7배이다. 특히, 반도체가 SMD 컴포넌트이면, 게이트와 함께 소스 또는 드레인은 하나의 평면에 존재하는 접촉 핀들을 의해 반도체의 에지를 따라 접촉하고, 접촉 패드들은 도전성 층의 면에 반드시 평행한 것이 유리하다. 이러한 경우에서, 반도체는 접촉 패드 및 동시에 도전층 상에 존재할 수 있다. 도전층 또는 접촉 패드에 관련된 뒤틀림 또는 틸팅은 이후 저지된다. 게이트 접촉 핀은 도전층 또는 도전층의 도전성 트랙 상에서 접촉될 수 있고 그리고 접촉 패드는 드레인 또는 소스 접촉 핀에 접촉될 수 있다. 특히, 서로의 다음에 배열되는 복수의 접촉 패드들은, 각 경우에서, 반도체의 접촉 핀에 대응하는 접촉 표면들을 갖도록 형성될 수 있다. 복수의 드레인 또는 소스 접촉 핀들 및 게이트 핀은 공통의 에지를 따라 반도체 상에 배열된다. 대응하는 소스 또는 드레인 접촉은 먼 단부에 제공된다. 게이트 접촉 핀의 측부에 배열되는 복수의 소스 또는 드레인 접촉 핀들은, 접촉 패드 또는 서로의 옆에 배열되는 접촉 패드들 상에 놓여질 수 있고 그리고 게이트 접촉 핀은 도전층 상에 놓여질 수 있다. 특히, 단순한 접촉은 SMD 솔더링에 의해 후속으로 발생할 수 있다. 베이스 보드 상에 접촉 패드를 생성하기 위해, 접촉 영역은 포토레지스트로 코팅될 수 있고 그리고 이후 절연체로부터 이격된 접촉 패드의 영역에서 노출된다. 포토레지스트의 노출된 영역을 제거한 후, 상기 베이스 보드는 벗겨져 드러나게 된다. 이러한 영역에서, 접촉 패드는 이후 바람직하게 화학적으로 구성될 수 있다. 포토레지스트의 또는 베이스 보드의 비-노출된 영역들은 그곳들에 적용된 구리를 갖지 않는다. 그 결과, 생성된 접촉 패드는 상기 절연체 및 도전층으로부터 이격된다.접촉 패드는 납땜가능한 금속 표면을 갖는다. 언급된 것처럼, 이는, 예를 들어, 니켈 또는 주석에 의해 화학적으로 구성될 수 있다. 니켈 또는 금은 또한 갈바닉적으로 적용될 수 있다. 노출된 영역에 주석 또는 은을 화학적으로 적용하는 것이 또한 가능하다. 접촉 패드의 구성은, 접촉 패드의 표면이 절연층 또는 도전층의 표면에 평행한 면을 가질 때까지 계속될 수 있다. 여기에서, 접촉 패드 및 도전층의 면들 또는 절연층의 면들의 편차가 10㎛ 작은 것은 평면인 것으로 고려된다. 상기 접촉 패드가 도전층 및/또는 절연층로부터 전기적으로 절연되는 것을 가능하게 하도록, 접촉 패드와 도전층 및/또는 절연체 사이의 거리 또는 환형 공간이 제안된다. 접촉 패드와 도전층 및/또는 절연체 사이의 거리는 10mm와 0.5mm 사이일 수 있다. 상기 접촉 패드와 상기 도전층 및/또는 절연체 사이의 공간은 재료를 채우지 않을 수 있다. 특히, 에어 갭이 존재할 수 있다. 또한, 공간에 절연층을 도입하는 것이 가능하다. 이미 언급한 것처럼, 소스 또는 드레인 접촉은 접촉 패드에 접속될 수 있다. 바람직하게는, 반도체의 동일한 에지를 따라 배열되는 상기 관련된 게이트 접촉을 도전층에 접촉시키기 위해, 도전층 또는 도전층의 도전성 트랙은 접속 패드들 가질 수 있다. 접속 패드는 솔더링이 가능한 표면을 갖고 그리고 상기 게이트 접촉에 접속하는 역할을 한다. 접속 패드 및 접촉 패드 또는 서로의 다음에 존재하는 접촉 패드들 모두 인쇄된 회로 보드의 공통의 외부 에지를 따라 배열될 수 있다. 접속 패드들 및 접촉 패드들 모두 반도체를 인쇄된 회로 보드에 접촉시키기 위해 제공된다. 상기 접촉 패드들은, 서로의 다음에 배열되는 복수의 접촉 패드들을 제공함으로써, 복수의 전기적으로 유사한 핀들, 즉, 드레인 또는 소스 접촉의 복수의 또는 모든 핀들을 접촉할 수 있다. 접촉 패드들은, 반도체의 소스 또는 드레인 접촉의 하나 이상의 핀들에 접촉될 수 있다. 이에 추가하여, 접속 패드는 반도체의 게이트 접촉의 핀에 전기적으로 접촉될 수 있다. 서로 이격된 접촉 패드와 접속 패드의 솔더 영역들은 반도체의 접촉 핀들 사이의 거리들에서 동일하다. 베이스 보드와 반도체 사이의 중요한 전기 및 열 접속은 접촉 패드의 금속 접촉에 의해 가능해진다. 이와 관련하여, 소스 또는 드레인 접촉은 접촉 패드를 통해 베이스 보드에 전기적으로 접촉되는 것이 제안된다. 또한, 베이스 보드는 소스 또는 드레인 접촉을 전기 회로에 접촉시키는 자유단을 갖는 것이 제안된다. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 인쇄된 회로 보드에 대응하여, 큰 도전체 단면적을 갖는 접촉이 또한 여기에서 필요하다. 따라서, 베이스 보드의 자유단 상의 대응하는 접촉들이 제공될 수 있다.상기 게이트 접촉은 도전층에 전기적으로 접촉되는 것이 또한 제안된다. 도전성 트랙들은 도전층 상에 제공될 수 있고, 특히, 도전층으로부터 에칭될 수 있으며, 그리고 게이트 접촉에 대한 제어 회로의 적어도 일부분들을 수용할 수 있다. 이러한 방식으로, 제어 회로의 적어도 일부분들은 인쇄된 회로 보드 상에서 직접 반도체에 대해 제공될 수 있다. 일 실시예에 따라, 적어도 하나의 접속 패드 및 적어도 하나의 접촉 패드는 인쇄된 회로 보드의 외부 에지의 영역에 배열된다. 접속 패드 및 접촉 패드는, 특히 인쇄된 회로 보드의 세로 에지를 따라 서로 다음에 배열될 수 있다. 접속 패드는 상기 인쇄된 회로 보드의 외부 에지 상의 접촉 패드 다음에 직접 배열될 수 있다.솔더링된 반도체가 틸팅되는 것을 방지하기 위해, 접속 패드 및 접촉 패드가 반드시 서로의 면에 평행하게 배열되는 것이 제안된다. 접속 패드 및 접촉 패드의 솔더 영역들은, 반드시 하나의 평면에 존재하도록 형성될 수 있다. 하나의 예시적인 실시예에 따라, 상기 베이스 보드가 적어도 1mm, 바람직하게는 1.5mm의 두께를 갖지만, 50mm보다 작은 두께를 갖는 것이 제안된다. 또한, 상기 베이스 보드의 도전체 단면적이 2.5mm2를 넘는 것이 제안된다.이미 언급된 것처럼, 상기 베이스 보드들은 구리 또는 구리의 합금으로 구성될 수 있다. 또한, 상기 베이스 보드는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 구성되고 그리고 구리로 코팅되는 것이 가능하다. 각 베이스 보드는 하나의 단부에서 절연층 및/또는 절연체가 존재하지 않을 수 있다. 베이스 보드는, 예를 들어, 이러한 자유단에서 주석으로 도금되거나 니켈로 도금될 수 있다. 전기 접속 포인트는 또한, 고전류 케이블을 수용하기 위해, 자유단의 영역에 제공될 수 있다. 추가의 양상은, 회로, 특히, 제1항에 따른 제1 인쇄된 회로 보드 및 제7항에 따른 제2 인쇄된 회로 보드를 갖는 회로이다. 상기 회로는, 2개의 인쇄된 회로 보드들이 서로를 향하면서 서로 다음에 배열되고 그리고 갭에 의해 서로 이격되는 것을 특징으로 한다. 2개의 프린트된 회로 보드들은 갭에 의해 서로 절연될 수 있다. 상기 갭은 또한 에어 갭일 수 있다. 상기 갭은 절연 재료로 채워질 수 있다. 인쇄된 회로 보드들은 상기 갭을 브리지하는 적어도 하나의 반도체에 의해 함께 기계적으로 그리고 전기적으로 접속될 수 있고, 상기 갭은 접촉 패드들, 접속 패드 및 금속 코팅에 전기적으로 그리고 기계적으로 고정된다. 접속 영역을 갖는 제1 인쇄된 회로 보드의 외부 에지는, 접촉 영역을 수용하는 제2 인쇄된 회로 보드의 외부 에지에 평행하게 이어질 수 있다. 이는, 반도체 를 통해 서로에 대해 인쇄된 회로 보드들의 기계적인 접속을 더 용이하게 한다.접촉 영역 및/또는 접촉 패드는, 제1 인쇄된 회로 보드를 향하고 있는 제2 인쇄된 회로 보드의 외부 에지 상에 배열될 수 있다. 이는 또한, 반도체에 의해 인쇄된 회로 보드들의 기계적인 접속을 더 용이하게 한다. 접속 영역 및/또는 금속 코팅이 제2 인쇄된 회로 보드를 향하고 있는 제1 인쇄된 회로 보드의 외부 에지 상에 배열되면 이는 동일하게 적용된다.언급된 경우들에서, 제2 인쇄된 회로 보드와 함께 제1 인쇄된 회로 보드는 적어도 하나의 동일한 반도체로 장착될 수 있다. 반도체는, 제2 인쇄된 회로 보드 상의 제2 핀과 함께 적어도 하나의 핀을 갖는 제1 인쇄된 회로 보드 상에 전기적으로 그리고 기계적으로 고정될 수 있다. 장착 후의 인쇄된 회로 보드들이 하우징 또는 홀더에 유지되고 그 결과 추가적으로 서로에 기계적으로 고정되면, 상기 주제의 개념은 손상되지 않는다.이미 언급된 것처럼, 제1항에 따른 인쇄된 회로 보드의 금속 코팅 및 제7항에 따른 인쇄된 회로 보드의 접촉 패드들 및 접속 패드들은 각 경우에서 공통의 외부 에지에 따라 배열될 수 있다. 이러한 각각의 외부 에지들은 회로에서 서로 향하도록 배열될 수 있다. 상기 베이스 보드들은 반드시 서로 병렬로 이어진다. 상기 갭은, 전력 반도체에 의해 전기적으로 그리고 바람직하게는 배타적으로 기계적으로 브리지된다. 특히, 금속 코팅, 접촉 패드들 및 접속 패드들로 솔더링되는 SMD들인 반도체들은 2개의 인쇄된 회로 보드들 사이의 기계적 접속에 대해 책임이 있다. 접촉 패드는 제1 인쇄된 회로 보드를 향하고 있는 제2 인쇄된 회로 보드의 에지 상에 배열되고 그리고 상기 금속 코팅은 상기 제2 인쇄된 회로 보드를 향하고 있는 제1 인쇄된 회로 보드에 배열된다.제2 인쇄된 회로 보드의 접촉 패드 및 제1 인쇄된 회로 보드의 금속 코팅은 서로를 향하고 있다. 인쇄된 회로 보드들의 접촉은 적어도 하나의 동일한, 공통의 전력 반도체에 의해 발생한다. 회로를 생성하는 방법은, 제1항에 따른 인쇄된 회로 보드 및 제7항에 따른 인쇄된 회로 보드가 장착 디바이스로 전달되는 것을 제안한다. 여기에서, 인쇄된 회로 보드들은 서로에 대해 이격된다. 반도체는 상기 갭에 따라 배치되고 이후, 특히 솔더링에 의해 접촉 패드, 접속 패드 및 금속 코팅에 접속된다. 따라서, 인쇄된 회로 보드들의 장착은, 인쇄된 회로 보드들 사이의 갭을 브리지하는 반도체가 인쇄된 회로 보드들 상에 배열되는 방식으로 수행된다. 인쇄된 회로 보드들은 2개의 개별 베이스 보드들로부터 생성될 수 있고 그리고 후속하여 장착 디바이스에 공통의 제품 캐리어 상으로 전달된다.또한, 제1항에 따른 제1 인쇄된 회로 보드와 함께 제7항에 따른 제2 인쇄된 회로 보드가 단일의 베이스 보드에 먼저 형성되는 것이 가능하다. 예를 들어, 베이스 보드는, 갭이 2개의 인쇄된 회로 보드들 사이에서 형성되는 방식으로 먼저 분리될 수 있고, 이러한 갭은 베이스 보드의 웹들에 의해 브리지되며 그 결과 상기 베이스 보드는 단일형으로 존재한다. 후속으로, 제1 인쇄된 회로 보드 상에서, 접촉들이 접속 표면들 상에서 생성될 수 있다. 접촉 표면상의 접촉 패드들, 접속 패드들 및 도전성 트랙들은 제2 인쇄된 회로 보드 상에 형성될 수 있다. 후속으로, 상기 베이스 보드는 적어도 하나의 반도체가 장착되고, 이는 대향하는 접촉들 및 접촉 패드들 또는 접속 패드들을 함께 접속한다. 여전히 존재하는 웹들은, 후속으로 제거, 예를 들어, 밀링 아웃될 수 있다. 이러한 베이스 보드는 이제 적어도 2개의 부분들로 존재하고, 이로부터 형성된 2개의 인쇄된 회로 보드들은 반도체에 의해 기계적으로 그리고 전기적으로 함께 접속된다. 바람직하게, 인쇄된 회로 보드들 중 하나는 U-형태이고 그리고 제2 인쇄된 회로 보드는 U-형태 내에 배열된다. 특히, 제1항에 따른 인쇄된 회로 보드는 U-형태이고 그리고 접촉들 및 금속 코팅들은 각각 내부를 가리키는 레그들 상에 배열된다. 제7항에 따른 인쇄된 회로 보드는 U-형태를 형성하는 레그들 사이에서 배열되고 그리고 접촉 패드들 및 접속 패드들은 상기 레그들의 방향으로 향하는 먼 에지들 상에 각각 배열된다. 상기 주제는 예시적인 실시예들을 나타내는 도면들을 참조하여 아래에서 더 상세하게 설명된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 금속 코팅들을 갖는 인쇄 회로 보드의 평면도를 도시한다.도 2는 도 1에 따른 상기 인쇄 회로 보드의 단면도를 도시한다.도 3은 도 1에 따른 상기 인쇄 회로 보드의 또 다른 단면도를 도시한다. 도 4는 접촉 패드들 및 접속 패드들을 구비한 인쇄 회로 보드의 평면도를 도시한다. 도 5는 도 4에 따른 인쇄 회로 보드의 단면도를 도시한다.도 6은 도 4에 따른 인쇄 회로 보드의 단면도를 도시한다.도 7은 장착을 위해 서로 다음에 배열된 도 1 및 도 4에 따른 인쇄 회로 보드들의 평면도를 도시한다.도 8은 하나의 전력 반도체가 장착된 2개의 인쇄 회로 보드들의 평면도를 도시한다. 도 9는 스트립들의 분할 전에 2개의 인쇄 회로 보드들을 구비한 단일의 베이스 보드의 평면도를 도시한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1은 제1 인쇄 회로 보드(2a)를 도시한다. 이러한 인쇄 회로 보드는, 10 암페어, 바람직하게는 300 암페어가 넘는 전류 전달 용량을 갖는 고전류 인쇄 회로 보드일 수 있다. 이러한 목적을 위해, 상기 인쇄 회로 보드는 금속 베이스 보드를 갖는다. 상기 금속 베이스 보드는, 5mm2, 바람직하게는 15mm2, 특히 35mm2 이상의 도체 단면적을 갖는다.제1 인쇄 회로 보드(2a)의 평면도에서, 상기 금속 베이스 보드는 제1 자유단(4a)에서 접속(6a)을 갖는 것으로 식별될 수 있다. 도시된 경우에서, 이는 케이블을 수용하기 위해 제공될 수 있는 드릴 홀(drill hole)이다. 자유단(4a) 상에서, 상기 베이스 보드(2a)는, 예를 들어, 주석으로 코팅되지만, 특히, 절연층이 존재하지 않는다.주된 부분, 특히, 인쇄 회로 보드(2a)의 표면의 2/3 이상이 절연되고 그리고 그 결과 절연층(8)을 갖는다. 상기 절연층(8)은 바람직하게 인쇄 회로 보드(2a) 상에 인쇄되는 솔더 레지스트(solder resist)이다. 이는, 예를 들어, 스크린 인쇄 프로세스에 의해 수행될 수 있다. 알 수 있는 것처럼, 절연층(8)은 4개의 접속 영역들(10a 내지 10d)에 존재하지 않는다. 금속 코팅(12)은 절연층(8) 대신에 접속 영역들(10a 내지 10d)에 적용된다. 금속 코팅(12)은 바람직하게 주석층 또는 솔더링하기에 적합한 다른 층이다. 절연층(8)이 인쇄 회로 보드(2a) 상에 인쇄되는 동안, 접속 영역들(10a 내지 10d)은 리세스되고 이후 금속 코팅(12)이 적용된다. 상기 금속 코팅(12)은 반도체를 위해 접촉을 형성할 수 있다. 인쇄 회로 보드(2a)의 구조는 도 2에 따른 섹션 Ⅱ-Ⅱ에서 더 상세하게 도시된다. 인쇄 회로 보드(2a)가 금속 베이스 보드(14)를 가짐을 도 2에서 알 수 있다. 금속 베이스 보드(14)는, 구리 또는 구리의 합금들로 구성될 수 있다. 또한, 금속 베이스 보드(14)가 필수적으로 알루미늄 또는 알루미늄 합금들로 구성되는 것이 가능하고 그리고 구리 또는 구리 합금들로 또는 주석으로 코팅될 수 있다. 절연층(8)이 금속 베이스 보드(14)에 적용됨을 또한 알 수 있다. 금속 베이스 보드(14)는 접속 영역들(10a 내지 10d)에서 절연층(8)이 존재하지 않고 그리고 금속 코팅(12)이 적용된다. 금속 코팅(12)은 금속 베이스 보드(14)에 직접 적용된다. 금속 코팅(12)은 반드시 절연층(8)의 표면에 평행한 표면을 따라 이어짐을 도 2에서 알 수 있다. 접속 영역들(10a 내지 10d)은, 예를 들어, 서로에게 할당된 2개의 접속 영역들((10a, b) 및 (10c, d))로 구성되는 그룹들로 각각 제공됨을 또한 알 수 있다. 접속 영역들(10a 내지 10d)의 인쇄 회로 보드(2a)의 세로축을 따르는 공간 배열은 후속 장착(mounting) 동작에 의존한다. 도 3은 도 1에 따른 섹션 Ⅲ-Ⅲ을 도시한다. 금속 베이스 보드(14) 및 절연층(8)은 다시 식별될 수 있다. 베이스 보드(14)의 세로 또는 외부 에지(14a) 상에, 각 접속 영역(10a 내지 10d)이 제공됨을 또한 알 수 있다. 접속 영역(10)은 세로 에지(14a)에서 직접적으로 종료하지 않지만, 절연층(8)의 상대적으로 좁은 영역은 코팅(12)과 세로 에지(14a) 사이에 존재함을 알 수 있다. 이 영역은, 바람직하게는 1mm, 더 바람직하게는 0.5mm, 특히 0.1mm 보다 작다. 하지만, 또한, 금속 코팅(12)은 세로 축(14a)까지 이어지는 것이 가능하다. 인쇄 회로 보드(2a)는, 트랜지스터, 특히, SMD 공법에서의 고전력 트랜지스터의 드레인 또는 소스 접촉으로 접속하기에 적합하다. 그와 같은 트랜지스터는, 금속 코팅(12)으로 솔더링될 수 있는 큰 표면 면적을 갖는 소스 또는 드레인 접촉을 갖는다. 그와 같은 트랜지스터는, 금속 코팅(12)으로 솔더링될 수 있는 큰 표면 영역을 구비한 소스 또는 드레인 접촉을 갖는다. 바람직하게, 금속 코팅은 소스 또는 드레인 접촉의 표면에 필수적으로 합동인 사실로 인해, 드레인 접촉은 큰 표면 영역 위의 접속 영역(10) 상에 존재할 수 있고, 양호한 전기 접촉으로 인해, 열 에너지는 반도체로부터 반도체의 드레인 또는 소스를 통해 베이스 보드(14)로 효율적으로 열이 방산된다. 도 4는, 자유단(4b) 및 접속부(6b)를 또한 갖는 제2 인쇄 회로 보드(2b)를 도시한다. 자유단(4b)은 자유단(4a)에 대응하여 형성된다. 절연체, 예를 들어, 합성 물질, 프리프레그(prepreg) 또는 유사한 것(16)이 또한 인쇄 회로 보드(2b)에 적용됨을 알 수 있다. 이러한 절연체(16)는, 금속 베이스 보드(24) 도전층과 함께 프레스(press)될 수 있다. 후속으로, 도전성 트랙(18)은, 상기 도전층으로부터의 노광 또는 에칭에 의해 생성될 수 있다. 도전성 트랙(18)은, 절연체(16) 상의 회로 토폴로지에 대응하여 이어지고 그리고 제어 전자부품들(도시되지 않음)에 접속하도록 제공된다. 접촉 패드들(20) 및 접속 패드들(22)은 외부 에지를 향하도록 제공될 수 있다. 특히, 접속 패드들(22)은 도전성 경로(18)에 직접 접촉될 수 있다. 하지만, 접촉 패드들(20)은 절연체(16)의 윈도우 형태의 스루 홀(through hole)(21)로 배열된다. 상기 베이스 보드(24)는 이러한 스루 홀(21)을 통해 초기에 노출된다. 접촉 패드들(20)이 형성된 후 절연층(8)이 이후에 적용될 수 있다. 스루 홀(21)에서, 접촉 패드들(20)은, 절연체(16)와 도전성 트랙들(18) 또는 도전층으로부터 절연 갭, 특히, 에어 갭 만큼 이격된다. 알 수 있는 것처럼, 복수의 접촉 패드들(20)은 스루 홀(21)에 제공된다. 접촉 패드(20)에 할당되는 접속 패드(22)는, 스루 홀(21)에 다음에 직접 절연체(16)에 제공될 수 있다. 접촉 패드들(20) 및 접속 패드들(22)의 수는, 전력 반도체의 접촉 핀들의 수에 대응하게 선택될 수 있다. 특히, 열 방출에 대해, 트랜지스터는 복수의 소스 또는 드레인 접촉 핀들과 단 하나의 게이트 접촉 핀을 갖는다. 게이트 접촉 핀은 접속 패드(22)에 접속될 수 있고 그리고 소스 또는 드레인 접촉 핀들은 접촉 패드들(20)에 접속될 수 있다. 접촉 핀들(20)이 접속 패드(22)와 전기적으로 단락되는 것을 방지하기 위해, 접촉 패드들(20)의 전기적으로 도전성인 영역은 도전성 트랙(18)으로부터 절연되어야만 한다. 이러한 목적을 위해, 절연층(16) 및 도전층이 베이스 보드(14)에 프레스된 후, 접속 패드(22)에 각각 할당된 스루 홀(21)은 베이스 보드(14)에 밀링되거나 또는 드릴링될 수 있다. 이후, 포토레지스트가 스루 홀(21)에 노출될 수 있다. 상기 노출된 영역은 컨택 패드(20)의 영역에 대응할 수 있다. 포토레지스트의 이러한 영역은 제거되고 그리고 이후 접촉 패드들(20)은, 예를 들어, 기계적으로, 베이스 보드(24) 상에 집적 구성될 수 있다. 이러한 구성은, 도 5a 및 도 5b에서 상세하게 도시된다. 도 5b는 섹션 V-V에서 도시된 세부사항을 도시한다. 도 5는, 금속 베이스 보드(14)에 대응하여 형성될 수 있는 금속 베이스 보드(24)를 도시한다. 절연체(16) 및 도전층(도시되지 않음)은 금속 베이스 보드(24) 상에서 프레스될 수 있다. 후속으로, 도전성 트랙들(18)이 절연체(16) 상에서 형성하도록, 상기 도전층이 노출되고 그리고 에칭될 수 있다. 절연체(16)는, 스루 홀(21)에서 제거, 예를 들어, 드릴링 또는 밀링된다. 도전층은, 또한, 상기 스루 홀(21)에서 제거, 예를 들어, 드릴링 또는 밀링되거나 특별하게 에칭될 수 있다. 후속으로, 상기 스루 홀(21) 내에서, 적어도 하나의 접촉 패드(20)는 열 및/또는 갈바닉 프로세스들에 의해 금속 베이스 보드(24)에 적용될 수 있다. 알 수 있듯이, 상기 스루 홀(21)은, 상기 콘택트 패드(20)가 절연체(16)로부터 이격되는 방식으로 형성된다. 더욱이, 도전층으로의 어떤 접촉도 없고 그리고 또한 도전성 트랙들(18)로의 어떤 접촉도 없다. 접촉 패드(20)가 형성된 후, 단부(4b)를 제외하고, 특히 인쇄된 회로 보드(2b)의 나머지 부분에서의 절연층(8)은 또한 상기 스루 홀(21)의 영역에 적용될 수 있다. 도전층을 노출 및 에칭시킴으로써 생성될 수 있는 접속 패드(22)는, 도전성 트랙들(18)과 접촉된다. 접촉 패드들(20) 및 접속 패드들(22)이 땜질가능하고 그리고/또는 땜질가능한 재료로부터 형성될 수 있도록, 상기 접촉 패드들(20) 및 접속 패드들(22)은 코팅된다. 알 수 있듯이, 외곽을 가리키는 표면상의 접촉 패드들은 반드시 절연체(16)와 평행하고 그리고 바람직하게 도전성 트랙들(18) 및 접속 패드들(22)과 평행한 평면을 갖는다.도 5a는 평면도에서의 세부 사항을 도시한다. 스루 홀(21)에서, 복수의 접촉 패드들(20)은 절연체(16)로부터 거리를 가지고 제공됨을 알 수 있다. 절연체(16)는 스루 홀(21)에서 제거되고 그리고 베이스 보드의 금속은 집적 코팅될 수 있다. 접속 패드(22)는 스루 홀(21)로부터 측면으로 배열됨을 또한 알 수 있다. 도 4의 섹션 VI-VI은 도 6에서 도시된다. 금속 코팅들(12)에 대응하여, 접촉 패드들(20)은 또한 외부 또는 세로 에지(24a)에 할당되지만, 바람직하게 절연체(16)의 스트립에 의해 외부 또는 세로 에지(24a)로부터 이격된다. 이러한 스트립은, 도 3에서 매우 좁은, 바람직하게는 1mm 보다 작은 것에 대응한다. 하지만, 상기 스트립은 또한 생략될 수 있고 그리고 접촉 패드들(20)은 세로 축(24a)에서 바로 종료될 수 있다.도 1 및 도 4에 따라 제작된 인쇄된 회로 보드들(2a, 2b)은, 에어 갭(28)에 의해 서로 이격되도록 배열된다. 여기에서, 도 7에서 알 수 있듯이, 세로 에지들(14a 및 24a)는 서로 마주 보고 있다. 추가로, 세로 에지들(14a, 24a)을 따라, 금속 코팅들(12), 접촉 패드들(20) 및 접속 패드들(22)은 접속들(6a, 6b)로부터 동일 거리로 제공된다, 그 결과, 서로 할당된 인쇄 회로 보드들(2a, 2b)이 다음에 서로 할당될 때, 금속 코팅들(12)은 접촉 패드들(20) 및 접속 패드들(22)과 마주 보고 있다.도 7에 따라 배열된 인쇄된 회로 보드들(2a, 2b)은 이후 장착 장치로 전달되어 트랜지스터들(30)이 장착된다. 베이스 보드들(14, 24) 사이의 에어 갭(28)은, 도 8에서 알 수 있듯이, 트랜지스터(30)에 의해 기계적 및 전기적으로 브리지(bridge)된다.트랜지스터(30)는 한쪽 측부에 드레인 접속(30a)을 갖는다. 이는 바람직하게 트랜지스터(30)의 하부측 상의 큰 표면 영역 위에 배열된다. 드레인 접속(30a)은 솔더링 기술을 사용하여 금속 코팅(12) 상에 솔더링된다. 반대쪽 측부에, 트랜지스터(30)는 게이트 접촉 핀(30b) 및 5개의 소스 접촉 핀들(30c)을 구비한다. 게이트 접촉 핀(30b)은 솔더링에 의해 접속 패드(22)에 접속된다. 소스 접촉 핀들(30c)는 솔더링에 의해 접촉 패드들(20)에 접속된다. 인쇄된 회로 보드들(2a, 2b)은, 금속 코팅(12), 접촉 패드들(20) 및 접속 패드들(22) 상에서 트랜지스터(30)를 솔더링함으로써 서로 기계적으로 고정된다. 물론, 추가 트랜지스터들이 인쇄된 회로 보드들(2a, 2b) 상에 장착될 수 있다. 또한, 도전성 트랙들(18)이, 도전성 트랙들(18)을 통해 게이트 접촉 핀에 대해 제어 전자부품들을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 반도체들이 상부측 상에 배열되고 그리고 인쇄 회로 보드들의 하부측 상에 배열되는 것에 따라, 양 측부 상의 장착 동작을 수행하도록하는 것이 가능할 수 있다.도 9는 금속 홀더(34)를 도시한다. 제1 베이스 보드(14) 및 제2 베이스 보드(24)는 금속 홀더(34) 상에 형성된다. 이는, 예를 들어, 홀더(34)에서 대응하는 갭들(36)을 밀링함으로써 달성될 수 있다. 상기 홀더(34)는 단일형이고 그리고 베이스 보드들(14 및 24)은 서로 기계적으로 접속되고 그리고 스트립들(38)에 의해 상기 홀더(34)에 기계적으로 접속된다. 상기에서 서술된 것처럼, 금속 코팅들(12)은 베이스 보드(14) 상에 형성되고 그리고 콘택 패드들(20) 및 접속 패드들(22)은 베이스 보드(24) 상에 형성되도록 홀더(34)는 작업된다. 후속으로 또는 이전에, 갭들(36)이 홀더(34)에서 스트립들(38)로 제공될 수 있다. 인쇄된 회로 보드들(14 및 24) 사이의 갭(36)은 U-형태를 재현함을 알 수 있다. 인쇄된 회로 보드(14)는 U-형태이고 그리고 금속 코팅들(12)은 레그(leg)들 상에 제공된다. 물론, 용어 금속 코팅(12)은, 접촉 또는 접속, 특히, 솔더링된 접속이 베이스 보드(14) 상에 형성됨을 의미한다. 인쇄된 회로 보드(24)는 U자로 배열된다. 후속으로, 장착 동작은, 예를 들어, SMD 장착에 의해 발생할 수 있다. 적어도 하나의 트랜지스터는, 한편에, 금속 코팅에 솔더링될 수 있고 그리고 다른 한편에, 접촉 패드들(20) 및 접속 패드들(22)에 솔더링될 수 있다. 솔더가 경화된 후, 트랜지스터들은 인쇄된 회로 보드들(14 및 24)에 기계적으로 그리고 전기적으로 접속한다. 스트립들(38)은 제거될 수 있다. 베이스 보드들(14 및 24) 사이의 단일의 기계적 및 전기적 접속은 이후 트랜지스터들에 의해 형성된다.
제1 인쇄된 회로 보드 및 제2 인쇄된 회로 보드를 갖는 회로가 개시된다. 상기 회로에서, 에어 갭에 의해 서로에 대해 이격된 인쇄된 회로 보드들은 적어도 하나의 전력 반도체에 의해 함께 기계적으로 접속된다.
[ 발명의 명칭 ] 음성/오디오 비트스트림 디코딩 방법 및 장치 [ 기술분야 ] 삭제본 발명의 오디오 디코딩 기술에 관한 것으로, 특히 음성/오디오 비트스트림 디코딩 방법 및 장치에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 이동 통신 서비스에서는, 네트워크상에서의 패킷 손실 및 지연 변동으로 인해 프레임 손실이 발생하는 것은 불가피하므로, 일부 음성/오디오 신호는 디코딩된 파라미터를 사용하여 복원될 수 없고 오직 프레임 손실 은닉(frame erasure concealment, FEC) 기술을 사용하여 복원될 수 있을 뿐인 결과를 초래한다. 그러나 패킷 손실률이 높은 경우에, 디코더 측에서만 FET 기술이 사용되면, 출력되는 음성/오디오 신호는 품질이 비교적 나빠서 고품질 통신의 요구를 충족시킬 수 없다.음성/오디오 프레임 손실에 의해 유발되는 품질 저하 문제를 더 잘 해결하기 위해, 여분의 인코딩 알고리즘(redundancy encoding algorithm)이 생성된다: 인코더 측에서는, 특정 비트율이 현재 프레임에 관한 정보를 인코딩하는 데 사용되는 것에 더해, 더 낮은 비트율이 현재 프레임 외의 다른 프레임에 관한 정보를 인코딩하는데 사용되고, 더 낮은 비트율의 비트스트림이 여분의 비트스트림 정보로 사용되어 현재 프레임에 관한 정보의 비트스트림과 함께 디코더 측에 송신된다. 디코더 측에서는, 현재 프레임이 손실되는 경우, 지터 버퍼(jitter buffer) 또는 수신된 비트스트림이 현재 프레임을 포함하는 여분의 비트스트림 정보를 저장하고 있으면, 현재 프레임은 여분의 비트스트림 정보에 따라 복원될 수 있으므로, 복원된 음성/오디오 신호의 품질을 향상시킬 수 있다. 현재 프레임은 현재 프레임의 여분의 비트스트림 정보가 존재하지 않을 경우에만 FEC 기술에 기초하여 복원된다. 이상으로부터, 기존의 여분의 인코딩 알고리즘에서는, 여분의 비트스트림 정보가 너 낮은 비트율을 사용한 인코딩에 의해 취득되므로, 신호 불안정(signal instability)이 야기될 수 있으므로, 출력되는 음성/오디오 신호의 품질이 높지 않은 결과를 초래한다는 것이다. [ 발명의 개요 ] 본 발명의 실시예는 출력되는 음성/오디오 신호의 품질을 향상시킬 수 있는, 음성/오디오 비트스트림을 위한 여분 디코딩 방법 및 장치를 제공한다.제1 측면에 따르면, 음성/오디오 비트스트림 디코딩 방법이 제공되며, 상기 음성/오디오 비트스트림 디코딩 방법은,현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임(normal decoding frame)인지 여분의 디코딩 프레임인(redundancy decoding frame)지를 판정하는 단계;상기 현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임 또는 여분의 디코딩 프레임이면, 파싱에 의해 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터를 취득하는 단계;상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리(post-processing)를 수행하여 상기 현재 프레임의 후처리된, 디코딩된 파라미터를 취득하는 단계; 및상기 현재 프레임의 후처리된, 디코딩된 파라미터를 사용하여 음성/오디오 신호를 복원하는 단계를 포함한다.제1 측면을 참조하여, 제1 측면의 제1 구현 방식에서, 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터는 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터(spectral pair parameter)를 포함하고, 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하는 것은,상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터 및 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터를 사용하여 상기 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터를 취득하는 것을 포함한다.제1 측면의 제1 구현 방식을 참조하여, 제1 측면의 제2 구현 방식에서, 상기 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터는 구체적으로 아래 식:을 사용하여 계산을 통해 취득되며,위 식에서, 는 상기 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 상기 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, M은 스펙트럼 쌍 파라미터의 차수(order)이고, 는 상기 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, 는 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, , , 및 이다.제1 측면의 제1 구현 방식을 참조하여, 제1 측면의 제3 구현 방식에서, 상기 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터는 구체적으로 아래 식:을 사용하여 계산을 통해 취득되며,위 식에서, 는 상기 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 상기 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 중간 값이고, 는 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, M은 스펙트럼 쌍 파라미터의 차수이고, 는 상기 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, 는 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 중간 값의 가중치이고, 는 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, , , , 및 이다.제1 측면의 제3 구현 방식을 참조하여, 제1 측면의 제4 구현 방식에서, 상기 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고 상기 현재 프레임의 신호 클래스가 무성음(unvoiced)이 아닌 경우, 상기 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이거나, 또는 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자(spectral tilt factor)가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자보다 작거나, 또는 상기 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이고 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작으면, 의 값은 0이거나 미리 설정된 임계치보다 작다.제1 측면의 제2 내지 제4 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제1 측면의 제5 구현 방식에서, 상기 현재 프레임의 신호 클래스가 무음성이고, 상기 현재 프레임의 이전 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 신호 클래스가 무성음이 아닌 경우, 의 값은 0이거나 미리 설정된 임계치보다 작다.제1 측면의 제2 내지 제5 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제1 측면의 제6 구현 방식에서, 상기 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고 상기 현재 프레임의 신호 클래스가 무성음이 아닌 경우, 상기 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이거나, 또는 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작거나, 또는 상기 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이고 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작으면, 의 값은 0이거나 미리 설정된 임계치보다 작다. 제1 측면의 제4 또는 제6 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제1 측면의 제7 구현 방식에서, 상기 스펙트럼 경사 인자는 양의 값이거나 음의 값일 수 있고, 상기 스펙트럼 경사 인자가 작을수록, 상기 스펙트럼 경사 인자에 대응하는 프레임의 신호 클래스가 무성음에 더 가깝다는 것을 나타낸다.제1 측면 또는 제1 측면의 제1 내지 제7 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제1 측면의 제8 구현 방식에서, 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터는 상기 현재 프레임의 적응적 코드북 이득(adaptive codebook gain)을 포함하고;상기 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임인 경우, 상기 현재 프레임의 다음 프레임이 무성음 프레임이거나, 또는 상기 현재 프레임의 다다음 프레임이 무성음 프레임이고 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 대수 코드북(algebraic codebook)이 상기 현재 서브프레임의 이전 서브프레임의 대수 코드북 또는 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 대수 코드북의 제1 수량 배(quantity of times)이면, 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하는 것은,상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 적응적 코드북 이득을 감쇄하는 것을 포함한다.제1 측면 또는 제1 측면의 제1 내지 제7 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제1 측면의 제9 구현 방식에서, 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터는 상기 현재 프레임의 적응적 코드북 이득을 포함하고;상기 현재 프레임 또는 상기 현재 프레임의 이전 프레임이 여분의 디코딩 프레임인 경우, 상기 현재 프레임의 신호 클래스가 보통음(generic)이고 상기 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 유성음이거나 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 신호 클래스가 보통음이고 상기 현재 프레임의 신호 클래스가 유성음이고, 상기 현재 프레임 내의 하나의 서브프레임의 대수 코드북이 상기 하나의 서브프레임의 이전 서브프레임의 대수 코드북과 제2 수량 배만큼 다르거나 상기 현재 프레임 내의 하나의 서브프레임의 대수 코드북이 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 대수 코드북과 제2 수량 배만큼 다르면, 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하는 것은,상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 이웃 서브프레임의 대수 코드북에 대한 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 대수 코드북의 비, 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 이웃 서브프레임의 적응적 코드북 이득에 대한 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 적응적 코드북 이득의 비, 및 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 대수 코드북에 대한 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 대수 코드북의 비 중 적어도 하나에 따라, 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 적응적 코드북 이득을 조정하는 것을 포함한다.제1 측면 또는 제1 측면의 제1 내지 제9 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제1 측면의 제10 구현 방식에서, 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터는 상기 현재 프레임의 적응적 코드북 이득을 포함하고;상기 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임인 경우, 상기 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이고, 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 상기 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작고, 상기 현재 프레임의 하나 이상의 서브프레임의 대수 코드북이 0이면, 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하는 것은,랜덤 노이즈(random noise) 또는 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 이전 서브프레임의 0이 아닌(non-zero) 대수 코드북을 상기 현재 프레임의 모두 0인 서브프레임의 대수 코드북으로 사용하는 것을 포함한다.제1 측면 또는 제1 측면의 제1 내지 제10 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제1 측면의 제11 구현 방식에서, 상기 현재 프레임은 여분의 디코딩 프레임이고 상기 디코딩된 파라미터는 대역폭 확장 포락선(bandwidth extension envelope)을 포함하며;상기 현재 프레임이 무성음 프레임이 아니고 상기 현재 프레임의 다음 프레임이 무성음 프레임인 경우, 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 상기 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작으면, 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하는 것은,상기 현재 프레임의 이전 프레임의 대역폭 확장 포락선과 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자 중 적어도 하나에 따라 상기 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대한 수정을 수행하는 것을 포함한다.제1 측면의 제11 구현 방식을 참조하여, 제1 측면의 제12 구현 방식에서, 상기 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대해 수정을 수행하는 경우에 사용되는 수정 인자는, 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자에 반비례하고 상기 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대한 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 대역폭 확장 포락선의 비에 정비례한다.제1 측면 또는 제1 측면의 제1 내지 제10 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제1 측면의 제13 구현 방식에서, 상기 현재 프레임은 여분의 디코딩 프레임이고 상기 디코딩된 파라미터는 대역폭 확장 포락선을 포함하며;상기 현재 프레임의 이전 프레임이 정상의 디코딩 프레임인 경우, 상기 현재 프레임의 신호 클래스가 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 신호 클래스와 동일하거나 상기 현재 프레임이 여분의 디코딩의 예측 모드이면, 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하는 것은,상기 현재 프레임의 이전 프레임의 대역폭 확장 포락선을 사용하여 상기 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대한 조정을 수행하는 것을 포함한다.제2 측면에 따르면, 음성/오디오 비트스트림을 디코딩하는 디코더가 제공되며, 상기 디코더는, 현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임인지 여분의 디코딩 프레임인지를 판정하도록 구성된 판정 유닛;상기 판정 유닛이, 상기 현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임 또는 여분의 디코딩 프레임인 것으로 판정한 경우, 파싱에 의해 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터를 취득하도록 구성된 파싱 유닛;상기 파싱 유닛에 의해 취득된 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하여 상기 현재 프레임의 후처리된, 디코딩된 파라미터를 취득하도록 구성된 후처리 유닛; 및상기 후처리 유닛에 의해 취득된 상기 현재 프레임의 후처리된, 디코딩된 파라미터를 사용하여 음성/오디오 신호를 복원하도록 구성된 복원 유닛을 포함한다.제2 측면을 참조하여, 제2 측면의 제1 구현 방식에서, 상기 후처리 유닛은 구체적으로, 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터가 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터를 포함하는 경우, 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터 및 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터를 사용하여 상기 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터를 취득하도록 구성된다.제2 측면의 제1 구현 방식을 참조하여, 제2 측면의 제2 구현 방식에서, 상기 후처리 유닛은 구체적으로, 아래 식:을 사용하여 상기 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터를 계산을 통해 취득하도록 구성되고,위 식에서, 는 상기 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 상기 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, M은 스펙트럼 쌍 파라미터의 차수이고, 는 상기 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, 는 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, , , 및 이다.제2 측면의 제1 구현 방식을 참조하여, 제2 측면의 제3 구현 방식에서, 상기 후처리 유닛은 구체적으로, 아래 식:을 사용하여 상기 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터를 계산을 통해 취득하도록 구성되고,위 식에서, 는 상기 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 상기 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 중간 값이고, 는 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, M은 스펙트럼 쌍 파라미터의 차수이고, 는 상기 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, 는 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 중간 값의 가중치이고, 는 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, , , , 및 이다.제2 측면의 제3 구현 방식을 참조하여, 제2 측면의 제4 구현 방식에서, 상기 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고 상기 현재 프레임의 신호 클래스가 무성음이 아닌 경우, 상기 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이거나, 또는 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자보다 작거나, 또는 상기 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이고 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작으면, 의 값은 0이거나 미리 설정된 임계치보다 작다.제2 측면의 제2 내지 제4 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제2 측면의 제5 구현 방식에서, 상기 현재 프레임의 신호 클래스가 무음성이고, 상기 현재 프레임의 이전 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 신호 클래스가 무성음이 아닌 경우, 의 값은 0이거나 미리 설정된 임계치보다 작다.제2 측면의 제2 내지 제5 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제2 측면의 제6 구현 방식에서, 상기 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고 상기 현재 프레임의 신호 클래스가 무성음이 아닌 경우, 상기 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이거나, 또는 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작거나, 또는 상기 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이고 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작으면, 의 값은 0이거나 미리 설정된 임계치보다 작다.제2 측면의 제4 또는 제6 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제2 측면의 제7 구현 방식에서, 상기 스펙트럼 경사 인자는 양의 값이거나 음의 값일 수 있고, 상기 스펙트럼 경사 인자가 작을수록, 상기 스펙트럼 경사 인자에 대응하는 프레임의 신호 클래스가 무성음에 더 가깝다는 것을 나타낸다.제2 측면 또는 제2 측면의 제1 내지 제7 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제2 측면의 제8 구현 방식에서, 상기 후처리 유닛은 구체적으로, 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터가 상기 현재 프레임의 적응적 코드북 이득을 포함하고 상기 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임인 경우, 상기 현재 프레임의 다음 프레임이 무성음 프레임이거나, 또는 상기 현재 프레임의 다다음 프레임이 무성음 프레임이고 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 대수 코드북이 상기 현재 서브프레임의 이전 서브프레임의 대수 코드북 또는 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 대수 코드북의 제1 수량 배이면, 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 적응적 코드북 이득을 감쇄하도록 구성된다.제2 측면 또는 제2 측면의 제1 내지 제7 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제2 측면의 제9 구현 방식에서, 상기 후처리 유닛은 구체적으로, 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터가 상기 현재 프레임의 적응적 코드북 이득을 포함하고, 상기 현재 프레임 또는 상기 현재 프레임의 이전 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 상기 현재 프레임의 신호 클래스가 보통음이고 상기 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 유성음이거나 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 신호 클래스가 보통음이고 상기 현재 프레임의 신호 클래스가 유성음이고, 상기 현재 프레임 내의 하나의 서브프레임의 대수 코드북이 상기 하나의 서브프레임의 이전 서브프레임의 대수 코드북과 제2 수량 배만큼 다르거나 상기 현재 프레임 내의 하나의 서브프레임의 대수 코드북이 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 대수 코드북과 제2 수량 배만큼 다른 경우, 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 이웃 서브프레임의 대수 코드북에 대한 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 대수 코드북의 비, 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 이웃 서브프레임의 적응적 코드북 이득에 대한 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 적응적 코드북 이득의 비, 및 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 대수 코드북에 대한 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 대수 코드북의 비 중 적어도 하나에 따라, 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 적응적 코드북 이득을 조정하도록 구성된다.제2 측면 또는 제2 측면의 제1 내지 제9 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제2 측면의 제10 구현 방식에서, 상기 후처리 유닛은 구체적으로, 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터가 상기 현재 프레임의 대수 코드북을 포함하고, 상기 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 상기 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이고, 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 상기 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작고, 상기 현재 프레임의 하나 이상의 서브프레임의 대수 코드북이 0인 경우, 랜덤 노이즈 또는 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 이전 서브프레임의 0이 아닌(non-zero) 대수 코드북을 상기 현재 프레임의 모두 0인 서브프레임의 대수 코드북으로 사용하도록 구성된다.제2 측면 또는 제2 측면의 제1 내지 제10 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제2 측면의 제11 구현 방식에서, 상기 후처리 유닛은 구체적으로, 상기 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고 상기 디코딩된 파라미터가 대역폭 확장 포락선을 포함하고, 상기 현재 프레임이 무성음 프레임이 아니고 상기 현재 프레임의 다음 프레임이 무성음 프레임이고, 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 상기 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작은 경우, 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 대역폭 확장 포락선과 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자 중 적어도 하나에 따라, 상기 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대한 수정을 수행하도록 구성된다.제2 측면의 제11 구현 방식을 참조하여, 제2 측면의 제12 구현 방식에서, 상기 후처리 유닛이 상기 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대해 수정을 수행하는 경우에 사용되는 수정 인자는, 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자에 반비례하고 상기 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대한 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 대역폭 확장 포락선의 비에 정비례한다.제2 측면 또는 제2 측면의 제2 또는 제10 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제2 측면의 제13 구현 방식에서, 상기 후처리 유닛은 구체적으로, 상기 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 상기 디코딩된 파라미터가 대역폭 확장 포락선을 포함하고, 상기 현재 프레임의 이전 프레임이 정상의 디코딩 프레임이고, 상기 현재 프레임의 신호 클래스가 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 신호 클래스와 동일하거나 상기 현재 프레임이 여분의 디코딩의 예측 모드인 경우, 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 대역폭 확장 포락선을 사용하여 상기 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대한 조정을 수행하도록 구성된다.제3 측면에 따르면, 음성/오디오 비트스트림을 디코딩하는 디코더가 제공되며, 상기 디코더는 프로세서와 메모리를 포함하고, 상기 프로세서는, 현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임인지 여분의 디코딩 프레임인지를 판정하고; 상기 현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임 또는 여분의 디코딩 프레임인 것으로 판정한 경우, 파싱에 의해 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터를 취득하고; 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하여 상기 현재 프레임의 후처리된, 디코딩된 파라미터를 취득하고; 상기 현재 프레임의 후처리된, 디코딩된 파라미터를 사용하여 음성/오디오 신호를 복원하도록 구성된다.제3 측면을 참조하여, 제3 측면의 제1 구현 방식에서, 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터는 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터를 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터 및 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터를 사용하여 상기 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터를 취득하도록 구성된다.제3 측면의 제1 구현 방식을 참조하여, 제3 측면의 제2 구현 방식에서, 상기 프로세서는 구체적으로, 아래 식:을 사용하여 상기 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터를 계산을 통해 취득하도록 구성되고,위 식에서, 는 상기 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 상기 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, M은 스펙트럼 쌍 파라미터의 차수이고, 는 상기 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, 는 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, , , 및 이다.제3 측면의 제1 구현 방식을 참조하여, 제3 측면의 제3 구현 방식에서, 상기 프로세서는 구체적으로, 아래 식:을 사용하여 상기 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터를 계산을 통해 취득하도록 구성되고,위 식에서, 는 상기 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 상기 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 중간 값이고, 는 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, M은 스펙트럼 쌍 파라미터의 차수이고, 는 상기 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, 는 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 중간 값의 가중치이고, 는 상기 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이며, , , , 및 이다.제3 측면의 제3 구현 방식을 참조하여, 제3 측면의 제4 구현 방식에서, 상기 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고 상기 현재 프레임의 신호 클래스가 무성음이 아닌 경우, 상기 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이거나, 또는 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자보다 작거나, 또는 상기 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이고 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작으면, 의 값은 0이거나 미리 설정된 임계치보다 작다.제3 측면의 제2 내지 제4 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제3 측면의 제5 구현 방식에서, 상기 현재 프레임의 신호 클래스가 무음성이고, 상기 현재 프레임의 이전 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 신호 클래스가 무성음이 아닌 경우, 의 값은 0이거나 미리 설정된 임계치보다 작다. 제3 측면의 제2 내지 제5 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제3 측면의 제6 구현 방식에서, 상기 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고 상기 현재 프레임의 신호 클래스가 무성음이 아닌 경우, 상기 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이거나, 또는 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작거나, 또는 상기 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이고 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작으면, 의 값은 0이거나 미리 설정된 임계치보다 작다.제3 측면의 제4 또는 제6 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제3 측면의 제7 구현 방식에서, 상기 스펙트럼 경사 인자는 양의 값이거나 음의 값일 수 있고, 상기 스펙트럼 경사 인자가 작을수록, 상기 스펙트럼 경사 인자에 대응하는 프레임의 신호 클래스가 무성음에 더 가깝다는 것을 나타낸다.제3 측면 또는 제3 측면의 제1 내지 제7 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제3 측면의 제8 구현 방식에서, 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터가 상기 현재 프레임의 적응적 코드북 이득을 포함하고, 상기 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임인 경우, 상기 현재 프레임의 다음 프레임이 무성음 프레임이거나, 또는 상기 현재 프레임의 다다음 프레임이 무성음 프레임이고 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 대수 코드북이 상기 현재 서브프레임의 이전 서브프레임의 대수 코드북 또는 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 대수 코드북의 제1 수량 배이면, 상기 프로세서는 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 적응적 코드북 이득을 감쇄하도록 구성된다.제3 측면 또는 제3 측면의 제1 내지 제7 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제3 측면의 제9 구현 방식에서, 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터가 상기 현재 프레임의 적응적 코드북 이득을 포함하고;상기 현재 프레임 또는 상기 현재 프레임의 이전 프레임이 여분의 디코딩 프레임인 경우, 상기 현재 프레임의 신호 클래스가 보통음이고 상기 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 유성음이거나 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 신호 클래스가 보통음이고 상기 현재 프레임의 신호 클래스가 유성음이고, 상기 현재 프레임 내의 하나의 서브프레임의 대수 코드북이 상기 하나의 서브프레임의 이전 서브프레임의 대수 코드북과 제2 수량 배만큼 다르거나 상기 현재 프레임 내의 하나의 서브프레임의 대수 코드북이 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 대수 코드북과 제2 수량 배만큼 다르면,상기 프로세서는, 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 이웃 서브프레임의 대수 코드북에 대한 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 대수 코드북의 비, 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 이웃 서브프레임의 적응적 코드북 이득에 대한 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 적응적 코드북 이득의 비, 및 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 대수 코드북에 대한 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 대수 코드북의 비 중 적어도 하나에 따라, 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 적응적 코드북 이득을 조정하도록 구성된다.제3 측면 또는 제3 측면의 제1 내지 제9 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제3 측면의 제10 구현 방식에서, 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터는 상기 현재 프레임의 대수 코드북을 포함하고;상기 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임인 경우, 상기 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이고, 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 상기 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작고, 상기 현재 프레임의 하나 이상의 서브프레임의 대수 코드북이 0이면, 상기 프로세서는, 랜덤 노이즈 또는 상기 현재 프레임의 현재 서브프레임의 이전 서브프레임의 0이 아닌 대수 코드북을 상기 현재 프레임의 모두 0인 서브프레임의 대수 코드북으로 사용하도록 구성된다.제3 측면 또는 제3 측면의 제1 내지 제10 구현 방식 중 어느 하나를 참조하여, 제3 측면의 제11 구현 방식에서, 상기 현재 프레임은 여분의 디코딩 프레임이고 상기 디코딩된 파라미터는 대역폭 확장 포락선을 포함하며;상기 현재 프레임이 무성음 프레임이 아니고 상기 현재 프레임의 다음 프레임이 무성음 프레임인 경우, 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 상기 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작으면,상기 프로세서는, 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 대역폭 확장 포락선과 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자 중 적어도 하나에 따라, 상기 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대한 수정을 수행하도록 구성된다.제3 측면의 제11 구현 방식을 참조하여, 제3 측면의 제12 구현 방식에서, 상기 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대해 수정을 수행하는 경우에 사용되는 수정 인자는, 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자에 반비례하고 상기 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대한 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 대역폭 확장 포락선의 비에 정비례한다.제3 측면 또는 제3 측면의 제1 내지 제10 구현 방식을 참조하여, 제3 측면의 제13 구현 방식에서, 상기 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 상기 디코딩된 파라미터가 대역폭 확장 포락선을 포함하며;상기 현재 프레임의 이전 프레임이 정상의 디코딩 프레임인 경우, 상기 현재 프레임의 신호 클래스가 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 신호 클래스와 동일하거나 상기 현재 프레임이 여분의 디코딩의 예측 모드이면, 상기 프로세서는, 상기 현재 프레임의 이전 프레임의 대역폭 확장 포락선을 사용하여 상기 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대한 조정을 수행하도록 구성된다.본 발명의 일부 실시예에서, 디코더 측은, 파싱에 의해 현재 프레임의 디코딩된 파라미터를 취득한 후, 디코딩된 신호가 여분의 디코딩 프레임과 정상의 디코딩 프레임 사이에 천이(transition)하는 경우에 안정된 품질을 취득할 수 있도록, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하고 현재 프레임의 후처리된, 디코딩된 파라미터를 사용하여 음성/오디오 신호를 복원할 수 있어, 출력되는 음성/오디오 신호의 품질을 향상시킬 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 발명의 실시예에서의 기술적 방안을 더욱 명확하게 설명하기 위해, 이하에 본 발명의 실시예의 설명에 필요한 첨부도면을 간단하게 소개한다. 명백히, 이하의 설명에서의 첨부도면은 단지 본 발명의 일부 실시예를 보여줄 뿐이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진자(이하, 당업자라고 함)라면 창의적인 노력 없이 이들 첨부도면으로부터라 다른 도면을 도출할 수 있을 것이다.도 1은 본 발명의 실시예예에 따른 음성/오디오 비트스트림 디코딩 방법의 개략 흐름도이다.도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 음성/오디오 비트스트림 디코딩 방법의 개략 흐름도이다.도 3은 본 발명의 실시예에 따른 음성/오디오 비트스트림을 디코딩하는 디코더의 개략 구성도이다.도 4는 본 발명의 실시예에 따른 음성/오디오 비트스트림을 디코딩하는 디코더의 개략 구성도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 당업자가 본 발명의 기술적 방안을 더 잘 이해할 수 있도록, 이하에 본 발명의 실시예에서의 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예에서의 기술적 방안을 명확하고 완전하게 설명한다. 명백히, 설명되는 실시예는 본 발명의 실시예의 전부가 아니라 일부일 뿐이다. 당업자가 창의적인 노력 없이 본 발명의 실시예에 기초하여 얻은 모든 다른 실시예는 본 발명의 보호 범위에 속한다.이하에 상세하게 각각의 설명을 제공한다. 본 발명의 명세서, 청구범위, 및 첨부도면에서, 용어 "제1" 및 "제2"는 유사한 대상 간의 구별을 위한 것이지, 반드시 특정 순서 또는 시퀀스를 의미하지는 않는다. 이해해야 할 것은, 이런 식으로 불리는 데이터는 적절한 상황에서 교체 사용이 가능하므로 본원에 기재된 본 발명의 실시예는, 예를 들어, 본원에 도시되거나 기재된 순서 이외의 순서로 구현될 수 있다는 것이다. 또한, 용어 "포함한다(include, contain)" 및 임의의 다른 변형은 비배타적인 포함(non-exclusive inclusion)을 커버하는 것을 의미하며, 예를 들어, 단계의 리스트 또는 유닛들을 포함하는 프로세스, 방법, 시스템, 제품 또는 기기는 반드시 그러한 단계 또는 유닛으로 한정되는 것이 아니라, 그러한 프로세스, 방법, 시스템, 제품 또는 기기를 명시적으로 나열하거나 내재하지 않은 다른 단계 또는 유닛을 포함할 수 있다.먼저, 본 발명의 본 실시예에서 제공되는 음성/오디오 비트스트림 디코딩 방법을 소개한다. 본 발명의 본 실시예에서 제공되는 음성/오디오 비트스트림 디코딩 방법은 디코더에 의해 실행된다. 디코더는 예를 들어, 이동 전화, 노트북 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터, 또는 퍼스널 컴퓨터 등, 음성을 출력할 필요가 있는 임의의 장치일 수 있다.도 1은 본 발명의 실시예에 따른 음성/오디오 비트스트림 디코딩 방법의 절차를 설명한다. 본 실시예는 다음 단계를 포함한다: 101: 현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임인지 여분의 디코딩 프레임인지를 판정한다.정상의 디코딩 프레임은, 현재 프레임에 관한 정보를 디코딩에 의해 현재 프레임의 비트스트림으로부터 직접 취득할 수 있다는 것을 의미한다. 여분의 디코딩 프레임은, 현재 프레임에 관한 정보는 디코딩에 의해 현재 프레임의 비트스트림으로부터 직접 취득될 수 없지만, 현재 프레임의 여분의 비트스트림 정보는 다른 프레임의 비트스트림으로부터 취득될 수 있다는 것을 의미한다.본 발명의 실시예에서, 현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임인 경우, 본 발명의 본 실시예에서 제공되는 음성/오디오 비트스트림 디코딩 방법은 현재 프레임의 이전 프레임이 여분의 디코딩 프레임인 경우에만 실행된다. 현재 프레임의 이전 프레임 및 현재 프레임은 두 개의 바로 이웃하는 프레임이다. 본 발명의 다른 실시예에서는, 현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임인 경우, 본 발명의 본 실시예에서 제공되는 음성/오디오 비트스트림 디코딩 방법은 현재 프레임 이전의 특정 수량의 프레임 중에 여분의 디코딩 프레임이 존재하는 경우에만 실행된다. 특정 수량은 필요에 따라 설정될 수 있으며, 예를 들어, 2, 3, 4, 또는 10으로 설정될 수 있다.102: 현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임 또는 여분의 디코딩 프레임이면, 파싱에 의해 현재 프레임의 디코딩된 파라미터를 취득한다.현재 프레임의 디코딩된 파라미터가 스펙트럼 쌍 파라미터, 적응적 코드북 이득(gain_pit), 대수 코드북, 및 대역폭 확장 포락선 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 스펙트럼 쌍 파라미터는 선형 스펙트럼 쌍(linear spectral pairs, LSP) 파라미터와 이미턴스 스펙트럼 쌍(immittance spectral pairs, ISP) 파라미터 중 적어도 하나일 수 있다. 본 발명의 본 실시예에서, 디코딩된 어느 하나의 파라미터에 대해서만 후처리가 수행될 수 있거나 모든 디코딩된 파라미터에 대해 후처리가 수행될 수 있다는 것을 알 수 있다. 구체적으로는, 후처리를 위해 얼마나 많은 파라미터가 선택되고 어느 파라미터가 선택되는지는 애플리케이션 시나리오 및 환경에 따라 선택될 수 있으며, 본 발명의 본 실시예는 이에 한정되지 않는다.현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임인 경우, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터를 취득하기 위해, 현재 프레임에 관한 정보는 디코딩에 의해 현재 프레임의 비트스트림으로부터 직접 취득될 수 있다. 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임인 경우, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터는 파싱에 의해 다른 프레임의 비트스트림 내의 현재 프레임의 여분의 비트스트림 정보에 따라 취득될 수 있다.103: 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하여 현재 프레임의 후처리된, 디코딩된 파라미터를 취득한다.상이한 디코딩된 파라미터에 대해서는, 상이한 후처리가 수행될 수 있다. 예를 들어, 스펙트럼 쌍 파라미터에 대해 수행된 후처리는 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터를 취득하기 위해 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터 및 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터를 사용하여 적응적 가중치 부여(adaptive weighting)를 사용하는 것일 수 있다. 적응적 코드북 이득에 대해 수행되는 후처리는, 적응적 코드북 이득에 대해, 예를 들어, 감쇄와 같은, 조정을 수행하는 것일 수 있다. 본 발명의 본 실시예는 구체적인 후처리를 한정하지 않는다. 구체적으로, 어떤 유형의 후처리가 수행되는지는 필요에 따라 또는 애플리케이션 환경 및 시나리오에 따라 설정될 수 있다.104: 현재 프레임의 후처리된, 디코딩된 파라미터를 사용하여 음성/오디오 신호를 복원한다.이상으로부터 알 수 있는 것은, 본 실시예에서, 디코더 측은, 파싱에 의해 현재 프레임의 디코딩된 파라미터를 취득한 후, 디코딩된 신호가 여분의 디코딩 프레임과 정상의 디코딩 프레임 사이에 천이하는 경우에 안정된 품질을 취득할 수 있도록, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하고 현재 프레임의 후처리된, 디코딩된 파라미터를 사용하여 음성/오디오 신호를 복원할 수 있으므로, 출력되는 음성/오디오 신호의 품질을 향상시킬 수 있다는 것이다.본 발명의 실시예에서, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터는 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터를 포함하고, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하는 것은, 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터 및 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터를 사용하여 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터를 취득하는 것을 포함한다. 구체적으로, 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터 및 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터에 대해 적응적 가중치 부여를 수행하여 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터을 취득한다. 구체적으로, 본 발명의 실시예에서는, 아래 식:을 사용하여 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터를 계산을 통해 취득할 수 있으며,위 식에서, 는 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, M은 스펙트럼 쌍 파라미터의 차수(order)이고, 는 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, 는 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, , , 및 이다.본 발명의 다른 실시예에서는, 아래 식:을 사용하여 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터를 계산을 통해 취득할 수 있으며,위 식에서, 는 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 중간 값이고, 는 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, M은 스펙트럼 쌍 파라미터의 차수이고, 는 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, 는 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 중간 값의 가중치이고, 는 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, , , , 및 이다.전술한 식에서 ,, 및 의 값은 상이한 애플리케이션 환경 및 시나리오에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 현재 프레임의 신호 클래스가 무음성이고, 현재 프레임의 이전 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 현재 프레임의 이전 프레임의 신호 클래스가 무성음이 아닌 경우, 의 값은 0이거나 미리 설정된 임계치()보다 작으며, 의 값은 0에 근접할 수 있다. 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고 현재 프레임의 신호 클래스가 무성음이 아닌 경우, 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이거나, 또는 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작거나, 또는 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이고 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작으면, 의 값은 0이거나 미리 설정된 임계치()보다 작으며, 의 값은 0에 근접할 수 있다. 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고 현재 프레임의 신호 클래스가 무성음이 아닌 경우, 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이거나, 또는 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작거나, 또는 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이고 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작으면, 의 값은 0이거나 미리 설정된 임계치()보다 작으며, 은 0에 근접할 수 있다.스펙트럼 경사 인자는 양의 값이거나 음의 값일 수 있고, 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 작을수록, 프레임의 신호 클래스가 무성음에 더 가깝다는 것을 나타낸다.현재 프레임의 신호 클래스는 무성음(unvoiced), 유성음(voiced), 보통음(generic), 천이음(transition), 침묵음(inactive), 등일 수 있다.따라서, 스펙트럼 경사 인자 임계치에 대해서는, 상이한 애플리케이션 환경 및 시나리오에 따라 상이한 값이 설정될 수 있다. 예를 들어, 0.16, 0.15, 0.165, 0.1, 0.161, 또는 0.159가 설정될 수 있다.본 발명의 다른 실시예에서, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터는 현재 프레임의 적응적 코드북 이득을 포함할 수 있다. 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임인 경우, 현재 프레임의 다음 프레임이 무성음 프레임이거나, 또는 현재 프레임의 다다음 프레임이 무성음 프레임이고 현재 프레임의 현재 서브프레임의 대수 코드북이 현재 서브프레임의 이전 서브프레임의 대수 코드북 또는 현재 프레임의 이전 프레임의 대수 코드북의 제1 수량 배이면, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하는 것은, 현재 프레임의 현재 서브프레임의 적응적 코드북 이득을 감쇄하는 것을 포함할 수 있다. 현재 프레임 또는 현재 프레임의 이전 프레임이 여분의 디코딩 프레임인 경우, 현재 프레임의 신호 클래스가 보통음이고 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 유성음이거나 현재 프레임의 이전 프레임의 신호 클래스가 보통음이고 현재 프레임의 신호 클래스가 유성음이고, 현재 프레임 내의 하나의 서브프레임의 대수 코드북이 하나의 서브프레임의 이전 서브프레임의 대수 코드북과 제2 수량 배만큼 다르거나 현재 프레임 내의 하나의 서브프레임의 대수 코드북이 현재 프레임의 이전 프레임의 대수 코드북과 제2 수량 배만큼 다르면, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하는 것은, 현재 프레임의 현재 서브프레임의 이웃 서브프레임의 대수 코드북에 대한 현재 프레임의 현재 서브프레임의 대수 코드북의 비, 현재 프레임의 현재 서브프레임의 이웃 서브프레임의 적응적 코드북 이득에 대한 현재 프레임의 현재 서브프레임의 적응적 코드북 이득의 비, 및 현재 프레임의 이전 프레임의 대수 코드북에 대한 현재 프레임의 현재 서브프레임의 대수 코드북의 비 중 적어도 하나에 따라, 현재 프레임의 현재 서브프레임의 적응적 코드북 이득을 조정하는 것을 포함할 수 있다.제1 수량 및 제2 수량의 값은 구체적인 애플리케이션 환경 및 시나리오에 따라 설정될 수 있다. 이들 값은 정수일 수 있거나 비정수일 수 있다. 예를 들어, 제1 수량의 값은 2, 2.5, 3, 3.4, 또는 4일 수 있고, 제2 수량의 값은 2, 2.6, 3, 3.5, 또는 4일 수 있다. 현재 프레임의 현재 서브프레임의 적응적 코드북 이득이 감쇄되는 경우에 사용되는 감쇄 인자에 대해서는, 상이한 애플리케이션 환경 및 시나리오에 따라 상이한 값이 설정될 수 있다.본 발명의 다른 실시예에서, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터는 현재 프레임의 대수 코드북을 포함한다. 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임인 경우, 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이고, 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작고, 현재 프레임의 하나 이상의 서브프레임의 대수 코드북이 0이면, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하는 것은, 랜덤 노이즈 또는 현재 프레임의 현재 서브프레임의 이전 서브프레임의 0이 아닌(non-zero) 대수 코드북을 현재 프레임의 모두 0인 서브프레임의 대수 코드북으로 사용하는 것을 포함한다. 스펙트럼 경사 인자 임계치에 대해서는, 상이한 애플리케이션 환경 또는 시나리오에 따라 상이한 값이 설정될 수 있으며, 예를 들어, 0.16, 0.15, 0.165, 0.1, 0.161, 또는 0.159가 설정될 수 있다.본 발명의 다른 실시예에서, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터는 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선을 포함한다. 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 현재 프레임이 무성음 프레임이 아니고 현재 프레임의 다음 프레임이 무성음 프레임인 경우, 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작으면, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하는 것은, 현재 프레임의 이전 프레임의 대역폭 확장 포락선과 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자 중 적어도 하나에 따라 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대한 수정을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대해 수정을 수행하는 경우에 사용되는 수정 인자는, 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자에 반비례하고 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대한 현재 프레임의 이전 프레임의 대역폭 확장 포락선의 비에 정비례하며, 예를 들어, 0.16, 0.15, 0.165, 0.1, 0.161, 또는 0.159일 수 있다.본 발명의 다른 실시예에서, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터는 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선을 포함한다. 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 현재 프레임의 이전 프레임이 정상의 디코딩 프레임이고, 현재 프레임의 신호 클래스가 현재 프레임의 이전 프레임의 신호 클래스와 동일하거나 현재 프레임이 여분의 디코딩의 예측 모드이면, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하는 것은, 현재 프레임의 이전 프레임의 대역폭 확장 포락선을 사용하여 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대한 조정을 수행하는 것을 포함한다. 여분의 디코딩의 예측 모드는, 여분의 비트스트림 정보가 인코딩되는 경우, 적응적 코드북 이득 부분을 인코딩하는 데 더 많은 비트가 사용되고 대수 코드북 부분을 인코딩하는 데 더 적은 비트가 사용되거나 심지어 대수 코드북 부분이 인코딩되지 않을 수 있다는 것을 나타낸다.이상으로부터 알 수 있는 것은, 본 발명의 실시예에서, 무성음 프레임과 유성음 프레임 사이에 천이 시에(현재 프레임이 무성음 프레임 및 여분의 디코딩 프레임이고, 현재 프레임의 이전 프레임 또는 다음 프레임이 비무성음 프레임 및 정상의 디코딩 프레임이거나, 또는 현재 프레임이 비무성음 프레임 및 정상의 디코딩 프레임이고 현재 프레임의 이전 프레임 또는 다음 프레임이 비무성음 프레임 및 여분의 디코딩 프레임인 경우), 무성음 프레임과 비무성음 프레임 사이의 프레임 간 천이 시의 클릭(click) 현상을 없앨 수 있도록, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행할 수 있어, 출력되는 음성/오디오 신호의 품질을 향상시킬 수 있다는 것이다. 본 발명의 다른 실시예에서, 보통음 프레임과 유성음 프레임 사이의 천이 시(현재 프레임이 보통음 프레임 및 여분의 디코딩 프레임이고, 현재 프레임의 이전 프레임 또는 다음 프레임이 유성음 프레임 및 정상의 디코딩 프레임이거나, 현재 프레임이 유성음 프레임 및 정상의 디코딩 프레임이고 현재 프레임의 이전 프레임 또는 다음 프레임이 보통음 프레임 및 여분의 디코딩 프레임인 경우), 보통음 프레임과 유성음 프레임 사이의 천이 시의 에너지 불안정 현상을 수정할 수 있도록, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행할 수 있어, 출력되는 음성/오디오 신호의 품질을 향상시킬 수 있다. 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 현재 프레임이 무성음 프레임이 아니고, 현재 프레임의 다음 프레임이 무성음 프레임인 경우, 시간 도메인 대역폭 확장에서의 에너지 불안정 현상을 수정할 수 있도록, 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대해 조정을 수행할 수 있어, 출력되는 음성/오디오 신호의 품질을 향상시킬 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 현재 프레임이 무성음 프레임이 아니고, 현재 프레임의 다음 프레임이 무성음 프레임인 경우, 시간 도메인 대역폭 확장에 있어 에너지 불안정 현상을 수정할 수 있도록, 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대해 조정을 수행할 수 있어, 출력되는 음성/오디오 신호의 품질을 향상시킬 수 있다.도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 음성/오디오 비트스트림 디코딩 방법의 절차를 설명한다. 본 실시예는 다음 단계를 포함한다:201: 현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임인지를 판정하고; 정상의 디코딩 프레임이면 단계 204를 수행하고, 그렇지 않으면 단계 202를 수행한다.구체적으로, 현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임인지는 지터 버퍼 관리(jitter buffer management, JBM) 알고리즘에 기초하여 결정될 수 있다.202: 현재 프레임의 여분의 정보가 존재하는지를 판정하고; 존재하면 단계 204를 수행하고, 그렇지 않으면 단계 203을 수행한다.현재 프레임의 여분의 비트스트림 정보가 존재하면, 현재 프레임은 여분의 디코딩 프레임이다. 구체적으로, 현재 프레임의 여분의 비트스트림 정보는 지터 버퍼 또는 수신된 비트스트림으로부터 결정될 수 있다.203: FEC 기술에 기초하여 현재 프레임의 음성/오디오 신호를 복원하고 절차를 종료한다.204: 파싱에 의해 현재 프레임의 디코딩된 파라미터를 취득한다.현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임인 경우, 현재 프레임에 관한 정보는 디코딩에 의해 현재 프레임의 비트스트림으로부터 직접 취득될 수 있으므로, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터를 취득할 수 있다. 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임인 경우, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터는 파싱에 의해 현재 프레임의 여분의 비트스크림 정보에 따라 취득될 수 있다.205: 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하여 현재 프레임의 후처리된, 디코딩된 파라미터를 취득한다.206: 현재 프레임의 후처리된, 디코딩된 파라미터를 사용하여 음성/오디오 신호를 복원한다.이상으로부터 알 수 있는 것은, 본 실시예에서, 디코더 측은, 파싱에 의해 현재 프레임의 디코딩된 파라미터를 취득한 후, 디코딩된 신호가 여분의 디코딩 프레임과 정상의 디코딩 프레임 사이에 천이하는 경우에 안정된 품질을 취득할 수 있도록, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하고 현재 프레임의 후처리된, 디코딩된 파라미터를 사용하여 음성/오디오 신호를 복원할 수 있어, 출력되는 음성/오디오 신호의 품질을 향상시킬 수 있다는 것이다.본 발명의 본 실시예에서, 디코더가 파싱에 의해 취득한 현재 프레임의 디코딩된 파라미터는 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터, 현재 프레임의 적응적 코드북 이득, 현재 프레임의 대수 코드북, 및 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이해할 수 있는 것은, 디코더가 파싱에 의해 디코딩된 파라미터 중 적어도 두 개를 취득하더라도, 디코더는 여전히 적어도 두개의 디코딩 파라미터 중 하나에 대해서만 후처리를 수행할 수 있다는 것이다. 따라서, 얼마나 많은 디코딩된 파라미터 및 어느 디코딩된 파라미터에 대해 디코더가 후처리를 수행하는 것은 구체적으로 애플리케이션 환경 및 시나리오에 따라 설정될 수 있다.이하에 본 발명의 실시예에 따른 음성/오디오 비트스트림을 디코딩하는 디코더를 설명한다. 디코더는 예를 들어, 이동 전화, 노트북 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터, 또는 퍼스널 컴퓨터 등, 음성을 출력할 필요가 있는 임의의 장치일 수 있다.도 3은 본 발명의 실시예에 따른 음성/오디오 비트스트림을 디코딩하는 디코더의 구성을 설명한다. 디코더는 판정 유닛(301), 파싱 유닛(302), 후처리 유닛(303), 및 복원 유닛(304)을 포함한다.판정 유닛(301)은 현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임인지를 판정하도록 구성된다.정상의 디코딩 프레임은, 현재 프레임에 관한 정보를 디코딩에 의해 현재 프레임의 비트스트림으로부터 직접 취득할 수 있다는 것을 의미한다. 여분의 디코딩 프레임은, 현재 프레임에 관한 정보는 디코딩에 의해 현재 프레임의 비트스트림으로부터 직접 취득될 수 없지만, 현재 프레임의 여분의 비트스트림 정보는 다른 프레임의 비트스트림으로부터 취득될 수 있다는 것을 의미한다.본 발명의 실시예에서, 현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임인 경우, 본 발명의 본 실시예에서 제공되는 음성/오디오 비트스트림 디코딩 방법은 현재 프레임의 이전 프레임이 여분의 디코딩 프레임인 경우에만 실행된다. 현재 프레임의 이전 프레임 및 현재 프레임은 두 개의 바로 인접하는 프레임이다. 본 발명의 다른 실시예에서는, 현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임인 경우, 본 발명의 본 실시예에서 제공되는 음성/오디오 비트스트림 디코딩 방법은 현재 프레임 이전의 특정 수량의 프레임 중에 여분의 디코딩 프레임이 존재하는 경우에만 실행된다. 특정 수량은 필요에 따라 설정될 수 있으며, 예를 들어, 2, 3, 4, 또는 10으로 설정될 수 있다.파싱 유닛(302)은, 판정 유닛(301)이, 현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임 또는 여분의 디코딩 프레임인 것으로 판정한 경우, 파싱에 의해 현재 프레임의 디코딩된 파라미터를 취득하도록 구성된다.현재 프레임의 디코딩된 파라미터는 스펙트럼 쌍 파라미터, 적응적 코드북 이득(gain_pit), 대수 코드북, 및 대역폭 확장 포락선 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 스펙트럼 쌍 파라미터는 LSP 파라미터와 ISP 파라미터 중 적어도 하나일 수 있다. 본 발명의 본 실시예에서, 디코딩 파라미터 중 어느 하나의 파라미터에 대해서만 후처리가 수행될 수 있거나 모든 디코딩된 파라미터에 대해 후처리가 수행될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 구체적으로는, 후처리를 위해 얼마나 많은 파라미터가 선택되고 어느 파라미터가 선택되는지는 애플리케이션 시나리오 및 환경에 따라 선택될 수 있으며, 본 발명의 본 실시예에서는 이를 한정하지 않는다.현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임인 경우, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터를 취득하기 위해, 현재 프레임에 관한 정보는 디코딩에 의해 현재 프레임의 비트스트림으로부터 직접 취득될 수 있다. 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임인 경우, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터는 파싱에 의해 다른 프레임의 비트스트림 내의 현재 프레임의 여분의 비트스트림 정보에 따라 취득될 수 있다.후처리 유닛(303)은 파싱 유닛(302)에 의해 취득된 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하여 현재 프레임의 후처리된, 디코딩된 파라미터를 취득하도록 구성된다.상이한 디코딩된 파라미터에 대해서는, 상이한 후처리가 수행될 수 있다. 예를 들어, 스펙트럼 쌍 파라미터에 대해 수행된 후처리는 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터를 취득하기 위해 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터 및 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터를 사용하여 적응적 가중치 부여를 사용하는 것일 수 있다. 적응적 코드북 이득에 대해 수행되는 후처리는, 적응적 코드북 이득에 대해, 예를 들어, 감쇄와 같은, 조정을 수행하는 것일 수 있다. 본 발명의 본 실시예는 구체적인 후처리를 한정하지 않는다. 구체적으로, 어떤 유형의 후처리가 수행되는지는 필요에 따라 또는 애플리케이션 환경 및 시나리오에 따라 설정될 수 있다.복원 유닛(304)은 후처리 유닛(303)에 의해 취득된 현재 프레임의 후처리된, 디코딩된 파라미터를 사용하여 음성/오디오 신호를 복원하도록 구성된다.이상으로부터 알 수 있는 것은, 본 실시예에서, 디코더 측은, 파싱에 의해 현재 프레임의 디코딩된 파라미터를 취득한 후, 디코딩된 신호가 여분의 디코딩 프레임과 정상의 디코딩 프레임 사이에 천이하는 경우에 안정된 품질을 취득할 수 있도록, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하고 현재 프레임의 후처리된, 디코딩된 파라미터를 사용하여 음성/오디오 신호를 복원할 수 있어, 출력되는 음성/오디오 신호의 품질을 향상시킬 수 있다는 것이다.본 발명의 다른 실시예에서, 디코딩된 파라미터는 스펙트럼 쌍 파라미터를 포함하고 후처리 유닛(303)은 구체적으로, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터가 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터를 포함하는 경우, 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터와 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터 및 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터를 사용하여, 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터를 취득하도록 구성될 수 있다. 구체적으로, 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터 및 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터에 대해 적응적 가중치 부여를 실행하여, 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터를 취득한다. 구체적으로, 본 발명의 본 실시예에서, 후처리 유닛(303)은 아래 식:을 사용하여 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터를 계산을 통해 취득할 수 있으며,위 식에서, 는 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, M은 스펙트럼 쌍 파라미터의 차수이고, 는 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, 는 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, , 이다.본 발명의 실시예에서, 후처리 유닛(303)은 아래 식:을 사용하여 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터를 계산을 통해 취득할 수 있으며, 위 식에서, 는 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 중간 값이고, 는 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, M은 스펙트럼 쌍 파리미터의 차수이고, 는 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, 는 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 중간 값의 가중치이고, 는 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, , , 이다.전술한 식에서 ,, 및 의 값은 상이한 애플리케이션 환경 및 시나리오에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 현재 프레임의 신호 클래스가 무음성이고, 현재 프레임의 이전 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 현재 프레임의 이전 프레임의 신호 클래스가 무성음이 아닌 경우, 의 값은 0이거나 미리 설정된 임계치()보다 작으며, 의 값은 0에 근접할 수 있다. 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고 현재 프레임의 신호 클래스가 무성음이 아닌 경우, 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이거나, 또는 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작거나, 또는 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이고 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작으면, 의 값은 0이거나 미리 설정된 임계치()보다 작으며, 의 값은 0에 근접할 수 있다. 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고 현재 프레임의 신호 클래스가 무성음이 아닌 경우, 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이거나, 또는 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작거나, 또는 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이고 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작으면, 의 값은 0이거나 미리 설정된 임계치()보다 작으며, 은 0에 근접할 수 있다.스펙트럼 경사 인자는 양의 값이거나 음의 값일 수 있고, 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 작을수록, 그 프레임의 신호 클래스가 무성음에 더 가깝다는 것을 나타낸다.현재 프레임의 신호 클래스는 무성음, 유성음, 보통음, 천이음, 침묵음, 등일 수 있다.따라서, 스펙트럼 경사 인자 임계치에 대해서는, 상이한 애플리케이션 환경 및 시나리오에 따라 상이한 값이 설정될 수 있다. 예를 들어, 0.16, 0.15, 0.165, 0.1, 0.161, 또는 0.159가 설정될 수 있다.본 발명의 다른 실시예에서, 후처리 유닛(303)은 구체적으로, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터가 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터를 포함하고 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임인 경우, 현재 프레임의 다음 프레임이 무성음 프레임이거나, 현재 프레임의 다다음 프레임이 무성음 프레임이고 현재 프레임의 현재 서브프레임의 대수 코드북이 현재 서브프레임의 이전 서브프레임의 대수 코드북의 제1 수량 배이면, 현재 프레임의 현재 서브프레임의 적응적 코드북 이득을 감쇄하도록 구성된다. 현재 프레임의 현재 서브프레임의 적응적 코드북 이득이 감쇄되는 경우에 사용되는 감쇄 인자에 대해서는, 상이한 애플리케이션 환경 및 시나리오에 따라 상이한 값이 설정될 수 있다.제1 수량의 값은 구체적인 애플리케이션 환경 및 시나리오에 따라 설정될 수 있다. 그 값은 정수일 수 있거나 비정수일 수 있다. 예를 들어, 제1 수량의 값은 2, 2.5, 3, 3.4, 또는 4일 수 있다.본 발명의 다른 실시예에서, 후처리 유닛(303)은 구체적으로, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터가 현재 프레임의 적응적 코드북 이득을 포함하고, 현재 프레임 또는 현재 프레임의 이전 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 현재 프레임의 신호 클래스가 보통음이고 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 유성음이거나 현재 프레임의 이전 프레임의 신호 클래스가 보통음이고 현재 프레임의 신호 클래스가 유성음이고, 현재 프레임 내의 하나의 서브프레임의 대수 코드북이 그 하나의 서브프레임의 이전 서브프레임의 대수 코드북과 제2 수량 배만큼 다르거나 현재 프레임 내의 하나의 서브프레임의 대수 코드북이 현재 프레임의 이전 프레임의 대수 코드북과 제2 수량 배만큼 다른 경우, 현재 프레임의 현재 서브프레임의 이웃 서브프레임의 대수 코드북에 대한 현재 프레임의 현재 서브프레임의 대수 코드북의 비, 현재 프레임의 현재 서브프레임의 이웃 서브프레임의 적응적 코드북 이득에 대한 현재 프레임의 현재 서브프레임의 적응적 코드북 이득의 비, 및 현재 프레임의 이전 프레임의 대수 코드북에 대한 현재 프레임의 현재 서브프레임의 대수 코드북의 비 중 적어도 하나에 따라, 현재 프레임의 현재 서브프레임의 적응적 코드북 이득을 조정하도록 구성된다.제2 수량의 값은 구체적인 애플리케이션 환경 및 시나리오에 따라 설정될 수 있다. 그 값은 정수일 수 있거나 비정수일 수 있다. 예를 들어, 제2 수량의 값은 2, 2.6, 3, 3.5, 또는 4일 수 있다.본 발명의 다른 실시예에서, 후처리 유닛(303)은 구체적으로, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터가 현재 프레임의 대수 코드북을 포함하고, 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이고, 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작고, 현재 프레임의 하나 이상의 서브프레임의 대수 코드북이 0인 경우, 랜덤 노이즈 또는 현재 프레임의 현재 서브프레임의 이전 서브프레임의 0이 아닌 대수 코드북을 현재 프레임의 모두 0인 서브프레임의 대수 코드북으로 사용하도록 구성된다. 스펙트럼 경사 인자 임계치에 대해서는, 상이한 애플리케이션 환경 및 시나리오에 따라 상이한 값이 설정될 수 있다, 예를 들어, 0.16, 0.15, 0.165, 0.1, 0.161, 또는 0.159가 설정될 수 있다.본 발명의 다른 실시예에서, 후처리 유닛(303)은 구체적으로, 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 디코딩된 파라미터가 대역폭 확장 포락선을 포함하고, 현재 프레임이 무성음 프레임이 아니고 현재 프레임의 다음 프레임이 무성음 프레임이고, 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작은 경우, 현재 프레임의 이전 프레임의 대역폭 확장 포락선과 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자 중 적어도 하나에 따라, 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대한 수정을 수행하도록 구성된다. 스펙트럼 경사 인자 임계치에 대해서는, 상이한 애플리케이션 환경 및 시나리오에 따라 상이한 값이 설정될 수 있다, 예를 들어, 0.16, 0.15, 0.165, 0.1, 0.161, 또는 0.159가 설정될 수 있다.본 발명의 다른 실시예에서, 후처리 유닛(303)은 구체적으로, 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 디코딩된 파라미터가 대역폭 확장 포락선을 포함하고, 현재 프레임의 이전 프레임이 정상의 디코딩 프레임이고, 현재 프레임의 신호 클래스가 현재 프레임의 이전 프레임의 신호 클래스와 동일하거나 현재 프레임이 여분의 디코딩의 예측 모드인 경우, 현재 프레임의 이전 프레임의 대역폭 확장 포락선을 사용하여 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대한 조정을 수행하도록 구성된다.이상으로부터 알 수 있는 것은, 본 발명의 실시예에서, 무성음 프레임과 유성음 프레임 사이의 천이 시에(현재 프레임이 무성음 프레임 및 여분의 디코딩 프레임이고, 현재 프레임의 이전 프레임 또는 다음 프레임이 비무성음 프레임 및 정상의 디코딩 프레임이거나, 또는 현재 프레임이 비무성음 프레임 및 정상의 디코딩 프레임이고 현재 프레임의 이전 프레임 또는 다음 프레임이 비무성음 프레임 및 여분의 디코딩 프레임인 경우), 무성음 프레임과 비무성음 프레임 사이의 프레임 간 천이 시의 클릭 현상을 없앨 수 있도록, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리가 수행될 수 있어, 출력되는 음성/오디오 신호의 품질을 향상시킬 수 있다는 것이다. 본 발명의 다른 실시예에서, 보통음 프레임과 유성음 프레임 사이의 천이 시(현재 프레임이 보통음 프레임 및 여분의 디코딩 프레임이고, 현재 프레임의 이전 프레임 또는 다음 프레임이 유성음 프레임 및 정상의 디코딩 프레임이거나, 현재 프레임이 유성음 프레임 및 정상의 디코딩 프레임이고 현재 프레임의 이전 프레임 또는 다음 프레임이 보통음 프레임 및 여분의 디코딩 프레임인 경우), 보통음 프레임과 유성음 프레임 사이의 천이 시의 에너지 불안정 현상을 수정할 수 있도록, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리가 수행될 수 있어, 출력되는 음성/오디오 신호의 품질을 향상시킬 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 현재 프레임이 무성음 프레임이 아니고, 현재 프레임의 다음 프레임이 무성음 프레임인 경우, 시간 도메인 대역폭 확장에서의 에너지 불안정 현상을 수정할 수 있도록, 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대해 조정을 수행할 수 있어, 출력되는 음성/오디오 신호의 품질을 향상시킬 수 있다. 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 음성/오디오 비트스트림을 디코딩하는 디코더의 구성을 설명한다. 디코더는 하나 이상의 버스(401), 버스(401)에 연결된 하나 이상의 프로세서(402), 및 버스(401)에 연결된 하나 이상의 메모리(403)를 포함한다.프로세서(402)는 버스(401)를 사용하여 메모리(403)에 저장된 코드를 호출하여, 현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임인지 여분의 디코딩 프레임인지를 판정하고; 현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임 또는 여분의 디코딩 프레임이면, 파싱에 의해 현재 프레임의 디코딩된 파라미터를 취득하고; 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하여 현재 프레임의 후처리된, 디코딩된 파라미터를 취득하고; 현재 프레임의 후처리된, 디코딩된 파라미터를 사용하여 음성/오디오 신호를 복원한다. 이상으로부터 알 수 있는 것은, 본 실시예에서, 디코더 측은, 파싱에 의해 현재 프레임의 디코딩된 파라미터를 취득한 후, 디코딩된 신호가 여분의 디코딩 프레임과 정상의 디코딩 프레임 사이에 천이하는 경우에 안정된 품질을 취득할 수 있도록, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하고 현재 프레임의 후처리된, 디코딩된 파라미터를 사용하여 음성/오디오 신호를 복원할 수 있어, 출력되는 음성/오디오 신호의 품질을 향상시킬 수 있다는 것이다.본 발명의 실시예에서, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터는 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터를 포함하고, 프로세서(402)는 버스(401)를 사용하여 메모리(403)에 저장된 코드를 호출하여, 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터 및 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터를 사용하여 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터를 취득한다. 구체적으로, 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터 및 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터에 대해 적응적 가중치 부여를 실행하여, 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터를 취득한다. 구체적으로, 본 발명의 실시예에서는, 아래 식:을 사용하여 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터를 계산을 통해 취득하며,위 식에서, 는 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, M은 스펙트럼 쌍 파라미터의 차수이고, 는 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, 는 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, 및 이다.본 발명의 다른 실시예에서는, 아래 식:을 사용하여 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터를 계산을 통해 취득하하며, 위 식에서, 는 현재 프레임의 후처리된 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, 는 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 중간 값이고, 는 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터이고, M은 스펙트럼 쌍 파라미터의 차수이고, 는 이전 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이고, 는 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 중간 값의 가중치이고, 는 현재 프레임의 스펙트럼 쌍 파라미터의 가중치이며, , , 및 이다.전술한 식에서의 , , 및 는 상이한 애플리케이션 환경 및 시나리오에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 현재 프레임의 신호 클래스가 무음성이고, 현재 프레임의 이전 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 현재 프레임의 이전 프레임의 신호 클래스가 무성음이 아닌 경우, 의 값은 0이거나 미리 설정된 임계치()보다 작으며, 의 값은 0에 근접할 수 있다. 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고 현재 프레임의 신호 클래스가 무성음이 아닌 경우, 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이거나, 또는 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작거나, 또는 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이고 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작으면, 의 값은 0이거나 미리 설정된 임계치()보다 작으며, 의 값은 0에 근접할 수 있다. 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고 현재 프레임의 신호 클래스가 무성음이 아닌 경우, 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이거나, 또는 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작거나, 또는 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이고 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작으면, 의 값은 0이거나 미리 설정된 임계치()보다 작으며, 은 0에 근접할 수 있다.스펙트럼 경사 인자는 양의 값이거나 음의 값일 수 있고, 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 작을수록, 프레임의 신호 클래스가 무성음에 더 가깝다는 것을 나타낸다.현재 프레임의 신호 클래스는 무성음, 유성음, 보통음, 천이음, 침묵음, 등일 수 있다.따라서, 스펙트럼 경사 인자 임계치에 대해서는, 상이한 애플리케이션 환경 및 시나리오에 따라 상이한 값이 설정될 수 있으며, 예를 들어, 0.16, 0.15, 0.165, 0.1, 0.161, 또는 0.159가 설정될 수 있다.본 발명의 다른 실시예에서, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터는 현재 프레임의 적응적 코드북 이득을 포함할 수 있다. 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임인 경우, 현재 프레임의 다음 프레임이 무성음 프레임이거나, 또는 현재 프레임의 다다음 프레임이 무성음 프레임이고 현재 프레임의 현재 서브프레임의 대수 코드북이 현재 서브프레임의 이전 서브프레임의 대수 코드북 또는 현재 프레임의 이전 프레임의 대수 코드북의 제1 수량 배이면, 프로세서(402)는 버스(401)를 사용하여 메모리(403)에 저장된 코드를 호출하여, 현재 프레임의 현재 서브프레임의 적응적 코드북 이득을 감쇄한다. 현재 프레임 또는 현재 프레임의 이전 프레임이 여분의 디코딩 프레임인 경우, 현재 프레임의 신호 클래스가 보통음이고 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 유성음이거나 현재 프레임의 이전 프레임의 신호 클래스가 보통음이고 현재 프레임의 신호 클래스가 유성음이고, 현재 프레임 내의 하나의 서브프레임의 대수 코드북이 그 하나의 서브프레임의 이전 서브프레임의 대수 코드북과 제2 수량 배만큼 다르거나 현재 프레임 내의 하나의 서브프레임의 대수 코드북이 현재 프레임의 이전 프레임의 대수 코드북과 제2 수량 배만큼 다르면, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하는 것은, 현재 프레임의 현재 서브프레임의 이웃 서브프레임의 대수 코드북에 대한 현재 프레임의 현재 서브프레임의 대수 코드북의 비, 현재 프레임의 현재 서브프레임의 이웃 서브프레임의 적응적 코드북 이득에 대한 현재 프레임의 현재 서브프레임의 적응적 코드북 이득의 비, 및 현재 프레임의 이전 프레임의 대수 코드북에 대한 현재 프레임의 현재 서브프레임의 대수 코드북의 비 중 적어도 하나에 따라, 현재 프레임의 현재 서브프레임의 적응적 코드북 이득을 조정하는 것을 포함할 수 있다.제1 수량 및 제2 수량의 값은 구체적인 애플리케이션 환경 및 시나리오에 따라 설정될 수 있다. 이들 값은 정수 또는 비정수일 수 있다. 예를 들어, 제1 수량의 값은 2, 2.5, 3, 3.4, 또는 4일 수 있고, 제2 수량의 값은 2, 2.6, 3, 3.5, 또는 4일 수 있다.현재 프레임의 현재 서브프레임의 적응적 코드북 이득이 감쇄되는 경우에 사용되는 감쇄 인자에 대해서는, 상이한 애플리케이션 환경 및 시나리오에 따라 상이한 값이 설정될 수 있다.본 발명의 다른 실시예에서, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터는 현재 프레임의 대수 코드북을 포함한다. 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임인 경우, 현재 프레임의 다음 프레임의 신호 클래스가 무성음이고, 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작고, 현재 프레임의 하나 이상의 서브프레임의 대수 코드북이 0이면, 프로세서(402)는 버스(401)를 사용하여 메모리(403)에 저장된 코드를 호출하여, 랜덤 노이즈 또는 현재 프레임의 현재 서브프레임의 이전 서브프레임의 0이 아닌 대수 코드북을 현재 프레임의 모두 0인 서브프레임의 대수 코드북으로 사용하는 것을 포함한다. 스펙트럼 경사 인자 임계치에 대해서는, 상이한 애플리케이션 환경 또는 시나리오에 따라 상이한 값이 설정될 수 있으며, 예를 들어, 0.16, 0.15, 0.165, 0.1, 0.161, 또는 0.159가 설정될 수 있다.본 발명의 다른 실시예에서, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터는 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선을 포함한다. 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 현재 프레임이 무성음 프레임이 아니고, 현재 프레임의 다음 프레임이 무성음 프레임인 경우, 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자가 미리 설정된 스펙트럼 경사 인자 임계치보다 작으면, 프로세서(402)는 버스(401)를 사용하여 메모리(403)에 저장된 코드를 호출하여, 현재 프레임의 이전 프레임의 대역폭 확장 포락선과 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자 중 적어도 하나에 따라 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대한 수정을 수행한다. 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대해 수정을 수행하는 경우에 사용되는 수정 인자는, 현재 프레임의 이전 프레임의 스펙트럼 경사 인자에 반비례하고 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대한 현재 프레임의 이전 프레임의 대역폭 확장 포락선의 비에 정비례하며, 예를 들어, 0.16, 0.15, 0.165, 0.1, 0.161, 또는 0.159일 수 있다.본 발명의 다른 실시예에서, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터는 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선을 포함한다. 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 현재 프레임의 이전 프레임이 정상의 디코딩 프레임이고, 현재 프레임의 신호 클래스가 현재 프레임의 이전 프레임의 신호 클래스와 동일하거나 현재 프레임이 여분의 디코딩의 예측 모드이면, 프로세서(402)는 버스(401)를 사용하여 메모리(403)에 저장된 코드를 호출하여, 현재 프레임의 이전 프레임의 대역폭 확장 포락선을 사용하여 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대한 조정을 수행한다.이상으로부터 알 수 있는 것은, 본 발명의 실시예에서, 무성음 프레임과 유성음 프레임 사이의 천이 시에(현재 프레임이 무성음 프레임 및 여분의 디코딩 프레임이고, 현재 프레임의 이전 프레임 또는 다음 프레임이 비무성음 프레임 및 정상의 디코딩 프레임이거나, 또는 현재 프레임이 비무성음 프레임 및 정상의 디코딩 프레임이고 현재 프레임의 이전 프레임 또는 다음 프레임이 비무성음 프레임 및 여분의 디코딩 프레임인 경우), 무성음 프레임과 비무성음 프레임 사이의 프레임 간 천이 시의 클릭(click) 현상을 없앨 수 있도록, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행할 수 있어, 출력되는 음성/오디오 신호의 품질을 향상시킬 수 있다는 것이다. 본 발명의 다른 실시예에서, 보통음 프레임과 유성음 프레임 사이의 천이 시(현재 프레임이 보통음 프레임 및 여분의 디코딩 프레임이고 현재 프레임의 이전 프레임 또는 다음 프레임이 유성음 프레임 및 정상의 디코딩 프레임이거나, 현재 프레임이 유성음 프레임 및 정상의 디코딩 프레임이고 현재 프레임의 이전 프레임 또는 다음 프레임이 보통음 프레임 및 여분의 디코딩 프레임인 경우), 보통음 프레임과 유성음 프레임 사이의 천이 시의 에너지 불안정 현상을 수정할 수 있도록, 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행할 수 있어, 출력되는 음성/오디오 신호의 품질을 향상시킬 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 현재 프레임이 여분의 디코딩 프레임이고, 현재 프레임이 무성음 프레임이 아니고, 현재 프레임의 다음 프레임이 무성음 프레임인 경우, 시간 도메인 대역폭 확장에서의 에너지 불안정 현상을 수정하도록, 현재 프레임의 대역폭 확장 포락선에 대해 조정을 수행할 수 있어, 출력되는 음성/오디오 신호의 품질을 향상시킬 수 있다.본 발명의 다른 실시예는 컴퓨터 저장 매체를 더 제공한다. 컴퓨터 저장 매체는 프로그램을 저장할 수 있으며 상기 프로그램은 전술한 방법 실시예에서 설명한 음성/오디오 비트스트림 디코딩 방법의 단계 중 일부 또는 전부를 수행한다.유의해야 할 것은, 간략한 설명을 위해, 전술한 방법 실시예는 일련의 동작으로 표현되어 있다는 것이다. 그러나 본 발명에 따르면, 일부 단계는 다른 순서로 또는 동시에 수행될 수 있기 때문에, 당업자라면 동작들의 기재 순서에 한정되지 않는다는 것을 알아야 한다. 또, 당업자라면, 본 명세서에 기술된 모든 실시예는 예시적인 실시예이며, 관련 동작 및 모듈은 반드시 본 발명에 필수적인 것은 아니라는 것을 이해해야 한다.전술한 실시예에서, 각각의 실시예에 대한 설명은 각자의 주안점이 있다. 일 실시예에서 상세하게 설명하지 않은 부분에 대해서는, 다른 실시예에서의 관련 부분을 참조할 수 있다.본 출원에 제공된 여러 실시예에서, 개시된 장치는 다른 방식으로도 구현될 수 있음을 알아야 한다. 예를 들어, 기재된 장치 실시예는 예시일 뿐이다. 예를 들어, 유닛 분할은 논리 기능 분할일 뿐이고, 실제 구현에서는 다른 분할일 수 있다. 예를 들어, 복수의 유닛 또는 구성요소는 다른 시스템에 결합 또는 통합될 수 있거나, 또는 일부 특징(feature)은 무시되거나 수행되지 않을 수 있다. 또, 표시되거나 논의된 상호 결합 또는 직접 결합 또는 통신 연결은 몇몇 인터페이스를 통해 구현될 수 있다. 장치 또는 유닛 간의 간접 결합 또는 통신 연결은 전자적으로, 기계적으로, 또는 기타 다른 형태로 구현될 수 있다.별개의 부분(separate part)으로 설명된 유닛은 물리적으로 분리할 수도 분리할 수 없을 수도 있으며, 유닛으로 표시된 부분은 물리적인 유닛일 수도 물리적인 유닛이 아닐 수도 있으며, 한 장소에 위치할 수 있거나, 또는 복수의 네트워크 유닛에 분산될 수 있다. 유닛들 중 일부 또는 전부는 실시예의 방안의 목적을 달성하기 위한 실제 필요에 따라 선택될 수 있다. 또, 본 발명의 실시예에서의 기능 유닛은 하나의 처리 유닛으로 통합될 수 있거나, 또는 각각의 유닛이 물리적으로 단독으로 존재할 수 있거나, 둘 이상의 유닛이 하나의 유닛으로 통합되어 있다. 통합 유닛은 하드웨어의 형태로 구현될 수 있거나, 소프트웨어 기능 유닛어의 형태로 구현될 수 있다.전술한 통합 유닛이 소프트웨어 기능 유닛의 형태로 구현되고 독립된 제품의 형태로 판매 또는 사용되는 경우, 그 통합 유닛은 컴퓨터로 판독할 수 있는 저장 매체에 저장될 수 있다. 이러한 이해를 바탕으로, 본 발명의 기술적 방안의 본질상, 또는 종래기술에 기여하는 부분, 또는 기술적 해결방안의 일부 또는 전부는 소프트웨어 제품의 형태로 구현될 수 있다. 컴퓨터 소프트웨어 제품은 저장 매체에 저장되고, (퍼스널 컴퓨터, 서버, 네트워크 기기, 또는 메모리에 연결된 프로세서일 수 있는) 컴퓨터 기기에 본 발명의 전술한 실시예에서 기재된 방법의 단계들 중 일부 또는 전부를 수행하도록 명령하기 위한 여러 명령어를 포함한다. 전술한 저장 매체로는, USB 플래시 드라이브, 읽기 전용 메모리(read-only memory, ROM), 임의 접근 메모리(random access memory, RAM), 휴대형 하드 디스크, 자기 디스크, 또는 광 디스크 등의, 프로그램 코드를 저장할 수 있는 임의의 매체를 포함한다.전술한 실시예는 본 발명의 기술적 방안을 설명하기 위한 것일 뿐이며, 본 발명을 한정하려는 것은 아니다. 전술한 실시예를 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하였지만, 당업자라면 여전히, 본 발명의 실시예의 기술적 방안의 범위를 벗어나지 않으면서, 전술한 실시예에서 설명한 기술적 해결방안에 수정을 가하거나 그 기술적 특징의 일부를 동등물로 대체할 수 있음을 알아야 한다.
음성/오디오 비트스트림 디코딩 방법 및 장치를 개시하며, 상기 음성/오디오 비트스트림 디코딩 방법은, 현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임인지 여분의 디코딩 프레임인지를 판정하는 단계; 상기 현재 프레임이 정상의 디코딩 프레임 또는 여분의 디코딩 프레임이면, 파싱에 의해 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터를 취득하는 단계; 상기 현재 프레임의 디코딩된 파라미터에 대해 후처리를 수행하여, 상기 현재 프레임의 후처리된, 디코딩된 파라미터를 취득하는 단계; 및 상기 현재 프레임의 후처리된, 디코딩된 파라미터를 사용하여 음성/오디오 신호를 복원하는 단계를 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 내충격성 ＬＬＤＰＥ 조성물 및 이것으로 제조된 필름 IMPACT RESISTANT LLDPE COMPOSITION AND FILMS MADE THEREOF [ 기술분야 ] 본 발명은 다봉성 (multimodal) 의 공단량체 분포를 갖는 신규한 저밀도 폴리에틸렌, 및 특히 압출 또는 블로운 (blown) 필름의 제조를 위해 상기 폴리에텔렌을 이용하여 수득된 제품에 관한 것이다. 놀랍게도, 본 발명의 LLDPE 조성물은 크게 증진된 기계적 내충격성 그리고 우수한 가공 특성을 나타내며, 필름 가공시 가공 보조제, 특히 플루오로엘라스토머의 첨가를 배제할 수 있다. [ 배경기술 ] 메탈로센 유래의 LLDPE 로 제조된 폴리올레핀 필름은 이들의 양호한 광학 특성 및 밀봉 강도로 인해, 상품을 포장하는데 사용되는 필름 또는 포일을 위한 최신 기술이 되었다. 한편, 이에 반해 양호한 가공성은 LLDPE 필름의 강점이 아니다.US 5,420,220 /Mobil Oil 에는, 약 800 g 의 양호한 다트 낙하 충격 강도 및 헤이즈 (haze) 값이 5 내지 7 로 양호한 광학 특성을 가지나, 단지 1 g/10 분의 매우 낮은 용융 유동 지수 (2.16 kg 에서) (및 용융 유동 비 MFR21/2= 17, MWD=2.6) 를 갖는, 0.918 g/cm3 의 단봉성 (monomodal) LLDPE 중합체가 기재되어 있다. 단봉성 생성물은 유동층 반응기 내에서 비스(n-부틸시클로펜타디에닐) 지르코늄 디클로라이드에 의한 촉매 작용에 의해 중합된다. 상기 생성물로 필름을 제조할 수는 있지만, 낮은 용융 유동 속도를 고려해볼 때, 상기 LLDPE 의 필름 압출은 높은 작업 압력을 요구하고, 용융 파괴 (melt fracture) 의 위험성의 문제를 겪게 되어, 이는 기술적으로 바람직하지 않고, 예를 들어 식품 또는 약학 포장 제품에 대한 특정 생산 요구를 무시하는 필름 가공 보조제를 반드시 첨가하게 한다. 가공 첨가제는 용이하게 추출가능하고, 건강과 환경에 유해한 것으로 여겨진다.때로는, 보다 폭넓게 분포된 고밀도 중합체, 예컨대 지글러 촉매에 의해 수득된 전형적인 HDPE 를 약간량 첨가함으로써 상기 재료의 가공 특성을 개선하는 것이 시도되곤 한다.WO 2001/098409 /Univation 는, 밀도가 혼합 비율 20:80 에서 0.89 내지 0.915 g/cm3 이고, MWD=Mw/Mn 가 2.0 내지 3.0 이고, CDBI 가 50 내지 85% 인, 메탈로센 유래의 좁은 분포의 VLDPE (이 VLDPE 은 TREF-이봉성 (bimodal) 임) 와 단독중합체성 HDPE 의 배합물로 제조된 2층 필름을 기재하고 있으며, 이 필름을 상기 성분 중 어느 하나로 제조된 유사한 미-배합된 필름과 비교하고 있다. 2층임에도, 수득된 다트 낙하 충격 강도는 단지 634 g/mil 로서, 이는 허용가능하지만 우수하지는 않은 약 10 의 헤이즈 값 및 다소 열등한 광택을 수반한다.WO2005/061614 /Univation 에는, 또한, 메탈로센-제조된 LLDPE 와 2 내지 10%(w/w) 의 상이한 HDPE 등급물과의 배합물에 의해, 약 1.1 g/10 분의 용융 유동 지수 (2.16 kg 에서) 및 단지 166 내지 318 g 로 매우 낮은 다트 낙하 충격을 갖는, 밀도 0.921 내지 0.924 g/cm3 의 중합체 조성물을 수득한 것이 기재되어 있으며; 사실상 HDPE 대신 HD-LDPE 로 제조된 배합물에 대해서도, 단리된 메탈로센 생성물에 비해 다트 낙하의 손실은 통상 50% 이상이었다. 적어도 일부 단리된 HDPE 등급물에서는, 10% 미만의 양호한 헤이즈가 기록되었으나, 양호한 다트 낙하와의 균형을 이루지는 않았다. 요약하면, 배합된 조성물에 있어서 메탈로센 생성물의 우수한 다트 낙하 특성을 보존하는 것은 달성되지 않았다.EP-1333 044 B1 /Borealis 에는 고밀도 저분자량의 에틸렌-1-헥센 공중합체를 제 1 및 제 2 반응기에서 우선 합성하고, 최종적으로, 전단 하에서 비교적 낮은 중량과 낮은 점도를 나타내는, 310g/10 분의 용융 유동 지수 (2.16 kg 에서) 및 0.949 g/cm3 의 밀도를 갖는 상기 제 2 생성물을 제 3 반응기에서 합성된 높은 분자량 에틸렌-1-부텐-공중합체와 함께 배합하는 캐스케이드 (cascaded) 반응기 공정이 기재되어 있다. 반응기 캐스케이드 전반에 걸쳐 지글러-나타-촉매가 사용되었다. 생성된 VLDPE/HDPE 배합물은 총 밀도 0.923 g/cm3 에서 매우 증가된 점도를 나타내는, 27 g/10 분의 부하 용융 유동 지수 (21.6 kg 에서) 및 27 의 용융 유동 속도 MFR 을 갖는다. 상기 생성물의 광학 특성은 극히 불량하나, 다트 낙하는 1700 g 초과가 되었다. 그러나, 상기 배합물로부터 제조된 필름에 의해 나타내어진 우수한 다트 낙하 내충격성으로는 고 점도 및 열등한 광학 특성을 상쇄시키지 못한다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명의 목적은 선행 기술의 단점을 피하고, 광학 성질을 보존하는 동시에 기계적 내충격성 특성이 양호한 저밀도 에틸렌 중합체를 고안하는 것이다. 상기 목적은 놀랍게도 독립항에 따른 중합체 조성물 및 해당 제품, 특히 이로부터 수득된 블로운 또는 압출된 필름에 의해 달성된다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명에 따르면, 에틸렌에 중합되는 C3-C20-올레핀-공단량체 하나 이상을 포함하고, 바람직하게는 밀도가 0.960 g/cm3 미만 또는 이하 (003c#=), 바람직하게 0.935 g/cm3 미만, 가장 바람직하게 0.922 g/cm3 미만인 폴리에틸렌 또는 폴리에틸렌 조성물이 고안된다. 상기 올레핀은 공액 또는 비공액 이중 결합을 가진 알켄, 알카디엔, 알카트리엔 또는 다른 폴리엔일 수 있다. 더욱 바람직하게는, 공액 이중 결합이 없는 α-올레핀이고, 가장 바람직하게는 α-알켄이다.바람직하게, 본 발명의 폴리에틸렌 또는 PE 조성물은 0.85 내지 0.96 g/cm3, 더욱 바람직하게 0.90 내지 0.935 g/cm3, 가장 바람직하게 0.91 내지 0.925 g/cm3 의 밀도를 단독으로 또는 이들의 조합으로 갖고, 바람직하게 ISO1133:2005 에 따라 측정된 용융 지수 (2.16 kg 에서, 19O℃) 가 0.1 내지 10 g/10 분, 바람직하게 0.8 내지 5 g/10 분이다.바람직하게 ISO1133:2005 에 따라 측정된 고 부하 용융 지수 (21.6 kg 에서, 19O℃) 는 10 내지 100 g/10 분, 바람직하게 20 내지 50 g/10 분이다. 추가로 바람직하게, 다분산도 (polydispersity) 또는 분자 질량 분포 폭인 MWD (MWD=Mw/Mn) 는 3 003c# MWD 003c# 8 이고, 바람직하게 MWD 는 3.6 003c# MWD 003c# 5 이다. 추가로 바람직하게, 용융 유동 속도 MFR (FRR (유동 속도 비) 로 약기되기도 함, MFR (21.6/2.16)=HLMI/MI 로 정의됨) 은 18 초과, 바람직하게 18 003c# MFR 003c# 30 이다.추가로 바람직하게, 폴리에틸렌은 질량 평균 분자량 Mw 가 50,000 내지 500,000 g/mol, 바람직하게 100,000 내지 150,000 g/mol 이고, 바람직하게 z-평균 분자량 Mz 가 200,000 내지 800,000 g/mol 이다. z-평균 분자량은 점도 및 이로 인한 용융 유동 거동을 주로 결정하는 매우 높은 분자량 분획에 대해 보다 민감하다. 따라서, 추가의 분산 지수로서, Mz/Mw 계수를 산출할 수 있다. 바람직하게, 본 발명의 폴리에틸렌에서는 Mz/Mw 003e#1.5, 바람직하게 003e#2 이다.더욱 바람직하게, 상기 폴리에틸렌은 TREF, CRYSTAF�� 및 DSC 로 이루어진 군에서 선택된 공단량체 분포의 분석 방법 중 하나 이상에 의해 분석시, 공단량체 분포에서 적어도 이봉성이며, 이는 DSC 로 구하는 것이 바람직하다. 봉성 (modality) 및 다봉성 (multimodality) 은 각각 예를 들어 DSC 에서 수득가능한 분포 곡선에 있어서 구별가능한 별개의 최대값과 관련하여 설명할 수 있다. 상이한 방법에 따른 분할성 (resolution)은 다를 수 있고, 특히 DSC 는 보다 견고한 어세이 방법이지만, TREF 가 양호한 기구를 사용하여 적절히 실시되는 경우에서 TREF 보다 낮은 분할성을 가질 수 있다. 따라서 DSC 는 본 발명의 폴리에틸렌의 다봉성 특징을 확인하는데 바람직한 방법이다. 추가로, 주어진 샘플의 절대 피크 온도는 추가로 기준으로 하는 상이한 물리적 원리에 기인한 방법 사이에서 상이할 것이고, 유사한 분할성이 달성되는 온도 스케일에 따라서는 피크 분획의 상대적 간격이 더 적다. 따라서, 보다 정확한 정량 분석에서, 시판되는 표준화된 기구에 의해 작업가능한 CRYSTAF��이 본 발명에 따라 선택된 방법이다. 바람직하게, 폴리에틸렌은, CRYSTAF�� 분석, 즉 %HT 가 한계 온도 (temperature threshold) 80℃ 초과 (간단히 표현하면 T 003e# 8O℃) 의 중합체의 부분에 해당하는 CRYSTAF�� 분포 곡선의 적분에 의해 결정된, 고온 피크 중량 분획 (%HT) 이 폴리에틸렌 조성물 총 중량의 1 내지 40 % 이고, 더욱 바람직하게 폴리에틸렌은 %HT 가 총 중량의 5 내지 30%, 또 더욱 바람직하게 조성물의 총 중량의 10% 내지 28%, 가장 바람직하게 15% 내지 25% 이고, 추가로 폴리에틸렌은 마찬가지로 한계 온도 8O℃ 미만 (간단히 표현하면 T 003c# 80℃) 의 중합체의 부분에 관한 CRYSTAF�� 분석에 의해 결정된 저온 피크 중량 분획 (% LT) 이 조성물의 총 중량의 95% 내지 70% 이다.본 발명의 폴리에틸렌으로 제조된 배합물은 본 발명의 추가적인 목적이다. 따라서 본 발명의 폴리에틸렌 조성물로 제조된 임의 배합물에서, 배합용 성분으로서 그리고 바람직하게 반응기 배합 생성물 그자체로서 수득되는 것으로서 사용되는 본 발명의 폴리에틸렌의 %LT 및 % HT 질량 분획의 상대 비율은 95-70:5-30 이다.추가로 바람직하게, 상기 % LT 분획은 CDBI 값이 003e#60%, 바람직하게 003e#70%, 더욱 바람직하게 003e# 80% 이고, 바람직하게 MWD 가 1 내지 3.5 이고, 바람직하게 본 발명에서 정의된 바와 같은 에틸렌-C3-C20-1-올레핀-공중합체이고, 더욱 바람직하게 상기 공중합체는 1 또는 2 개의 상이한 공단량체를 포함하는 것이다.또 추가로 바람직하게, %LT 분획은 바람직하게 밀도 0.91 내지 0.93 g/cm3 의 LLDPE 이거나, 또는 바람직하게 밀도 0.88 내지 0.91 g/cm3 의 VLDPE 분획이고/이거나, 3.5 미만의 좁은 MWD, 바람직하게 1 내지 3 범위의 MWD 를 갖는 메탈로센 촉매에 의해 제조된 VLDPE 또는 LLDPE 이다.바람직하게, 폴리에틸렌의 %HT 분획은 밀도가 0.94 g/cm3 이상, 바람직하게 0.94 내지 0.98 g/cm3, 더욱 바람직하게 0.95 내지 0.97 g/cm3 이고, 바람직하게 공단량체 중에 HT 분획 그자체를 포함하지 않거나 이를 5중량% 미만, 더욱 바람직하게 1중량% 미만, 더욱 바람직하게 0.5중량% 미만을 포함한다. 추가로 바람직하게는, 단독으로 또는 상기와 조합하여, 상기 %HT 분획은 MWD 가 003e#4, 바람직하게 003e#6, 더욱 바람직하게 003e#8, 가장 바람직하게 003e#10, 바람직하게 20 이하이다.또 추가로 바람직하게, 양호한 가공성과 함께 본 발명의 폴리에틸렌 또는 폴리에틸렌 조성물의 하나의 우수한 특성으로서, 폴리에틸렌은 필름 두께 25 μm 의 블로운 필름 상의 ASTM D 1709:2005 방법 A 에 따라 측정된 다트 낙하 충격 값이 1200 g 이상, 더욱 바람직하게 1500 g 이상이다. 상기 기계적 내충격성은 단지 25 μm 두께의 필름으로 수득되는데, 이는 주목할 만한 점이다. 부분적으로, 이러한 점은 불연속적 공단량체 분포 및 그에 따른 조성물 내의 개별 하위분획의 존재에도 불구하고, 독특한 중합체의 균질도에 의해 달성된다. 이와 관련하여, 바람직하게, 폴리에틸렌 또는 폴리에틸렌 조성물의 중합 반응이 한 용기에서의 반응으로 실시되었다.본 발명에 따르면, 공중합체는 에틸렌과 하나 이상의 공단량체와의 공중합체로 간주될 수 있고, 즉 본 발명에 따른 '공중합체'는 또한 삼원공중합체 이상의 공중합체, 다수의 공단량체 공중합물을 포함한다. 그러나 바람직한 구현예에서, '공중합체'는 실제로 에틸렌의 2성분 공중합물이고, 실질적으로 단지 1 종의 공단량체의 공중합체이다. '실질적으로 1 종'은 바람직하게 97% (w/w) 초과의 공단량체 함량이 단지 하나의 공단량체 분자 또는 종으로 된 것을 의미하고, 다르게는 상기 공단량체가 97% 이상 순수함을 의미한다.CDBI (조성물 분포 폭 지수, composition distribution breadth index) 는 조성물 분포의 폭의 측정치이다. 이는 예를 들어 WO 93/03093 에 기재되어 있다. CDBI 는 총 평균 몰 공단량체 함량 중 ±25% 의 공단량체 함량, 즉 공단량체 함량이 평균 공단량체 함량의 50% 이내인 공단량체 분자의 부분을 가진 공중합체 분자의 질량 분획 또는 중량% 로 정의된다. 이는 TREF (승온 용리 분별) 분석에 의해 결정된다 (Wild 등 J. Poly. Sci, Poly. Phys. 편찬 20권, (1982), 441 또는 US 특허 제 5,008,204 호).몰 질량 분포 폭 (MWD) 또는 다분산도는 Mw/Mn 로 정의된다. Mw, Mn, Mz, MWD 의 정의는 'Handbook of PE', 편찬 A. Peacock, p.7-10, Marcel Dekker Inc. , New York/Basel 2000 에서 찾아볼 수 있다. 몰 질량 분포 및 평균 Mn, Mw 및 이로부터 유래되는 Mw/Mn 의 결정은 DIN 55672-1:1995-02 1995년 2월 발행 에 기재된 방법을 사용하여 고온 겔 투과 크로마토그래피에 의해 실시되었다. 상기 DIN 표준법과 상이한 조건은 다음과 같다: 용매 1,2,4-트리클로로벤젠 (TCB), 장치 및 용액의 온도 135℃ 및 농도 검출기로서 TCB 와 사용가능한 PolymerChar (Valencia, Paterna 46980, Spain) IR-4 적외선 검출기.하기 프리컬럼 (precolumn) SHODEX UT-G 및 분리 컬럼 SHODEX UT 806 M (3x) 및 SHODEX UT 807 (연속하여 연결됨)이 설비되어 있는 WATERS Alliance 2000 이 사용되었다. 용매를 질소 하에 진공 증류하고, 0.025중량%의 2,6-디-tert-부틸-4-메틸페놀로 안정시켰다. 사용된 유량은 1 ml/분, 주입량은 500μl, 중합체 농도는 0.01% 003c# 농도 003c# 0.05% w/w 범위 내이었다. 분자량 보정은 580g/mol 내지 11600000g/mol 범위의 Polymer Laboratories (현 Varian, Inc.,Essex Road, Church Stretton, Shropshire, SY6 6AX, UK) 의 단분산성 폴리스티렌 (PS) 표준물 및 추가로 헥사데칸을 사용함으로써 확립되었다. 이후 보정 곡선을 Universal Calibration 법 (Benoit H., Rempp P. 및 Grubisic Z., J. Polymer ScL, Phys. 편찬, 5, 753(1967)) 에 의해 폴리에틸렌 (PE) 에 맞게 조정하였다. 이에 대해 사용된 Mark-Houwing 파라미터는 PS 에 대하여 kPS= 0.000121 dl/g, αPS=0.706 이고, PE 에 대하여 kPE= 0.000406 dl/g, αPE=0.725 이다 (이는 TCB 중 135℃ 에서 유효함). 데이터 기록, 보정 및 계산은 NTGPC_Control_V6.02.03 및 NTGPC_V6.4.24 (HS -Entwicklungsgesellschaft fuer wissenschaftliche Hard-und Software mbH , Hauptstrasse 36, D-55437 Ober-Hilbersheim) 을 각각 사용하여 실시되었다. 추가로 저압에서의 순조롭고 편리한 압출 공정과 관련하여, 바람직하게 분자량 분포의 표준 결정을 위해 GPC 로 결정된 몰 질량 003c# 1 Mio. g/mol 인 본 발명의 폴리에틸렌의 양은 바람직하게 95.5 중량% 초과이다. 이는 회사 'HS- Entwicklungsgesellschaft fuer wissenschaftliche Hard-und Software mbH', Ober- Hilbersheim/Germany 의 WIN-GPC 소프트웨어 (상기 참조)를 사용하는 몰 질량 분포 측정의 통상의 경로로 결정된다.바람직하게, 본 발명의 배합물은 저장 탄성율 (storage modulus) G' (0.02 rad/s 에서 측정됨) 가 003e# 5 Pa, 바람직하게 003e# 10 Pa, 가장 바람직하게 003e# 15 Pa 이다. 더욱 바람직하게, 단독으로 또는 이와 함께, 0.02 rad 에서 측정된 tan δ=G''/G' 는 003c# 100, 바람직하게 003c# 50, 가장 바람직하게 003c# 20 이다. G' 는, 당업자에게 통상적으로 알려진 바와 같이, 동적 유량계 (rheometer) 에서 중합체 배합물의 동적 (사인곡선적) 변형시 전단 대 변형율의 비로서 결정되고, 전단시 주어진 중합체 샘플의 탄성 특성을 나타낸다. 동적 평판-콘 (plate-and-cone) 또는 이중 평판 유량계는 용이하게 상업적으로 입수가능하고, 이에 의해 자동화된 데이터 샘플링 및 데이터의 직접 비교가 가능하다. 실험적 접근법의 상세한 설명은 실험 부분에 제공된다.바람직하게, 성분 a) 의 고유 점도 η(vis) 값은 0.3 내지 7 Pas, 더욱 바람직하게 1 내지 1.5 Pas 또는 임의로 더욱 바람직하게 1.3 내지 2.5 Pas 이다. η (vis) 는 캐필러리 점도 측정에 의해 135℃ 의 데칼린 중에서 ISO 1628-1 및 -3 에 따라 측정된 고유 점도이다.본 발명의 폴리에틸렌 a) 는 바람직하게 탄소수 1000 당 비닐 기수 0.1 이상, 예를 들어 탄소수 1000 당 비닐 기수 0.6 내지 2 이다. 탄소수 1000 당 비닐 기의 함량은 ASTM D 6248-98 에 따른 IR 에 의해 결정된다.본 발명의 폴리에틸렌은 탄소수 1000 당 분기수 0.01 내지 20, 바람직하게 탄소수 1000 당 분기수 0.5 내지 10, 특히 바람직하게 탄소수 1000 당 분기수 1.5 내지 8 이다. 탄소수 1000 당 분기수는 James. C. Randall, JMS-REV. Macromol. Chem. Phys., C29 (20026#3), 201- 317 (1989) 에 기재된 바와 같이 13C-NMR 에 의해 결정되고, 말단 기를 포함하는 탄소수 1000 당 CH3 기의 총 함량을 나타낸다. 전형적으로 분기화의 주된 부분이 중합체 사슬, 예를 들어 간단히 C4 또는 부틸 측쇄 또는 단쇄 분기를 생성하는 1-헥센 공단량체에 단일 공단량체를 삽입하는 것 때문에 간단하게 될지라도, 탄소수 1000 당 CH3 및 탄소수 1000 당 분기라는 표현은 따라서 동의어이다. 분기화 정도는 분명히 탄소수 1000 당 총 CH3 기의 함량이고, 공단량체 혼입율을 반영한다. 개별 중합체 질량 분획의 분기화 정도는 13C-NMR 과 결합된 Holtrup 용매-비-용매 추출 방법 (W. Holtrup, Makromol. Chem. 178, 2335 (1977)) 에 의해 결정된다. 130℃ 의 자일렌 및 에틸렌 글리콜 디에틸 에테르는, 5 g 의 폴리에틸렌을 Holtrup 분류에 의해 분획 8개로 분리시키는 분류용 용매로서 사용되었다. 중합체의 13C-NMR 고온 스펙트럼을 120℃에서 푸리에 변환 모드로 100.61 MHz 에서 작동하는 Bruker DPX-400 분광계로 획득하였다. 상기 피크 Sδδ [CJ. Carman, R.A. Harrington 및 CE. Wilkes, Macromolecule, 10, 3, 536 (1977)] 탄소를 29.9 ppm 에서 내부 기준으로서 사용하였다. 상기 샘플을 120 ℃의 1,1,2,2-테트라클로로에탄-d2 중에 8% wt/v 농도로 용해시켰다. 1H-13C 커플링을 제거하는 CPD (WALTZ 16), 90° 펄스, 및 펄스 간 15 초 지연으로 하여 각 스펙트럼을 획득하였다. 약 1500-2000 과도신호를 6000 또는 9000 Hz 의 스펙트럼 창을 이용하여 32K 데이터 지점에 저장하였다. 스펙트럼은, Kakugo [M. Kakugo, Y. Naito, K. Mizunuma 및 T. Miyatake, Macromolecule, 15, 4, 1150, (1982)] 및 J.C. Randal, Macromol. Chem Phys., C29, 201 (1989) 를 참고하여 지정하였다. 1-알켄으로서의 1-부텐, 1-헥센 또는 1-옥텐과 공중합한 폴리에틸렌은 탄소수 1000 당 에틸, 부틸 또는 헥실 단쇄 분기수가 0.01 내지 20, 더욱 바람직하게 탄소수 1000 당 에틸, 부틸 또는 헥실 분기수가 1 내지 10, 특히 바람직하게 탄소수 1000 당 에틸, 부틸 또는 헥실 분기수가 2 내지 6 인 것이 특히 바람직하다. 다르게는, C2-C6 측쇄인 측면의 분기로 '단쇄 분기화' (SCB) 가 만들어질 수 있다.본 발명의 폴리에틸렌은 바람직하게 장쇄 분기화도 λ (람다) 가 탄소수 10,000 당 장쇄 분기수 0 내지 2, 특히 바람직하게 탄소수 10,000 당 장쇄 분기수 0.1 내지 1.5 이다. 장쇄 분기화의 정도 λ (람다) 를 예를 들어, ACS Series 521, 1993, Chromatography of Polymer, 편찬 Theodore Provder; Simon Pang 및 Alfred Rudin: Size-Exclusion Chromatographic Assessment of Long-Chain Branch (LCB) Frequency in Polyethylenes, 페이지 254- 269 에 기재된 광 산란으로 측정하였다. LCB 의 존재는 유동학적 데이터로부터 추가로 추정할 수 있고, 이에 관해서는 Trinkle 등 (Rheol. Acta 2002, 41:103-113; van Gurp-Palmen Plot - 토폴로지에 의한 장쇄 분기화된 중합체의 분류) 을 참고할 수 있다.매우 바람직하게는, 본 발명에 따르면, 폴리에틸렌은 소정의 중합체 사슬의 분자량과 본질적으로 독립적인 결정화도 거동/용융 온도에 기초하여 공단량체 함량을 결정하는 TREF 분석 또는 DSC 분석, 바람직하게 DSC 분석에서 실질적으로 다봉성, 바람직하게 이봉성 분포를 가진다. TREF- 또는 DSC-다봉성 분포는 TREF/DSC 분석에서 2개 이상의 상이한 분기화 및 이에 따른 중합 과정에서의 공단량체 삽입율을 나타내는 적어도 2개 이상의 별개의 최대값으로 분리되는 것을 의미한다. TREF 는 결정화 거동 (Wild, L., 승온 용리 분별, Adv. Polymer Sci. 98: 1-47, (1990), 또한 본원에 참고로 포함되어 있는 US 5,008,204 의 설명을 참조할 수 있음) 에 기초하여 분자량과는 본질적으로 독립적인 측면 단쇄 분기화 빈도를 기초로 하여 공단량체 분포를 분석한다.전형적으로, 본 발명의 바람직한 구현예에서, 폴리에틸렌은 바람직하게 상이한 촉매로 합성된 상이한 중합체 하위분획을 2개 이상, 바람직하게 실질적으로 단지 2개 포함하는 것이며, 즉 제 1 촉매는, 바람직하게 공단량체 함량을 보다 적게 포함하고/포함하거나 포함하지 않고, 높은 용리 온도 (%HT 질량 분획)를 가지고, 바람직하게는 보다 폭넓은 분자량 분포를 가지는 비-메탈로센 촉매이고, 제 2 촉매는, 바람직하게 보다 높은 공단량체 함량, 보다 좁은 분자량 분포, 보다 낮은 용리 온도 (%LT 질량 분획) 및 임의로, 보다 적은 비닐 기 함량을 가지는 메탈로센 촉매이다. 바람직하게 40중량% 또는 질량%, 더욱 바람직하게 20중량%의 분획의, 최고 공단량체 함량 (및 저급 결정화도) 을 가진 폴리에틸렌은 분기화도가 탄소수 1000 당 분기수 2 내지 40 이고/이거나, 40중량% 또는 질량%, 더욱 바람직하게 20중량% 분획의, 최저 공단량체 함량 (및 고급 결정화도) 을 가진 폴리에틸렌은 분기화 정도가 탄소수 1000 당 분기수 3 미만, 더욱 바람직하게 0.01 내지 2 이다. 더욱이, 본 발명의 폴리에틸렌 중 CH3 보다 큰 측쇄의 분기의 70% 이상은 최고 몰 질량을 갖는 폴리에틸렌의 50중량%로 존재하는 것이 바람직하다. 최저 또는 최고 몰 질량을 가진 폴리에틸렌의 부분은 용매-비용매 분류 방법 (이하에는, 상기 이미 기재된 Holtrup 분류로 칭함)에 의해 결정된다. 수득하는 중합체 분획에서의 분기화도는 James. C. Randall, JMS-REV. Macromol. Chem. Phys., C29 (20026#3), 201-317 (1989) 에 의해 기재된 13C-NMR 에 의해 결정될 수 있다.본 발명의 폴리에틸렌은, 바람직하게 상기에서 언급한 공단량체 분포에서 이봉성이거나 또는 적어도 이봉성임에도 불구하고, 고온 겔 투과 크로마토그래피 분석 (상기 언급한 바와 같이 특정 조건을 달리한 DIN 55672- 1:1995-02 1995년 2월 발행에 기재된 방법에 따른 중합체를 위한 고온 GPC, HT-GPC 에 의한 Mw, Mn 결정에 대한 부분 참조) 에 의한 질량 분포 분석시 단봉성 또는 다봉성 폴리에틸렌일 수 있다. GPC-다봉성 중합체의 분자량 분포 곡선은 중합체 하위분획 또는 하위유형의 분자량 분포 곡선의 중첩으로서 보여질 수 있으며, 이는 따라서 각각의 분획에 대한 질량 곡선에서 발견되는 단일 피크 대신에 2 개 이상의 별개 곡선의 최대값을 나타낼 것이다. 상기 분자량 분포 곡선을 나타내는 중합체는 각각 GPC 분석과 관련하여 '이봉성' 또는 '다봉성' 으로 불린다.본 발명의 폴리에틸렌은 당업자가 알고 있는 보조제 및/또는 첨가제, 예를 들어 가공 안정제, 빛과 열의 영향에 대한 안정제 및/또는 산화제를 0 내지 6 중량%, 바람직하게 0.1 내지 1 중량% 로 추가로 포함할 수 있다. 당업자는 상기 첨가제의 유형과 양에 대해 잘 알고 있을 것이다. 특히, 본 발명의 추가 이점으로서, 추가로 바람직한 구현예에서 본 발명의 점착성 조성물로 제조된 압출 필름은 윤활제 및/또는 중합체 가공 보조제 (PPA) 의 첨가를 추가로 요구하지 않으며, 이는 본 발명의 점착성 중합체 조성물로 제조된 필름에는 이러한 첨가제가 실질적으로 포함되지 않음을 의미한다. 특히, 상기 압출 성형, 캐스트 또는 블로운 필름에는 놀랍게도 가공 특성을 개선하기 위한 플루오로엘라스토머 가공 첨가제의 첨가가 요구되지 않고, 가장 바람직하게 본 발명의 폴리에틸렌으로 제조된 블로운 필름에는 플루오로엘라스토머 가공 첨가제 또는 보조제가 실질적으로 포함되지 않고, 가장 바람직하게는 플루오로엘라스토머 가공 첨가제 또는 보조제가 포함되지 않는다. 필름 취입시, 압출물이 다이를 빠져나갈 때 또는 그 직후에 마찰력으로 인한 표면상의 용융 파괴가, 이로써 제조된 필름을 '샤크스킨 (shark-skin)' 외관이라고도 불리는 매우 바람직하지 않은 표면 거침성을 갖도록 돌출시킬 위험이 있다. 기술적으로, 단순히 샤크스킨 외관으로 손상된 생성물은 폐기물이다; 현대식 필름 블로운기에서 고속 가공 과정에서의 용융 파괴의 위험은 압출 속도와 상관관계가 있다. 즉, 생성물이 용융 파괴 현상으로 손상받기 더 쉬울 수록, 기계의 압출 속도 및 압력은 더 낮아야만 한다. 상기 플루오로엘라스토머는 블록킹방지제 또는 윤활제로서 기능한다. 이들은 통상적으로 당업계에 가공 보조제로서 공지되어 있고, 예를 들어, 상표명 Viton�� 및 Dynamar�� (또한 예를 들어, US-A-3125547 참조) 하에 시판되고; 소정의 ppm 양으로 첨가되며, 또한 이들은 필름 블로운 전에 균일한 분포를 달성하기 위해 광범위한 배합을 요구하는데, 이러한 추가적 배합 단계는 많은 시간이 걸리고, 실패의 추가적 잠재 요인이 될 수 있다. 최종적으로, 의학 또는 특히 식품 산업에서와 같은 일부 적용에서는 상기 첨가제의 부재를 매우 선호하는데, 그 이유는 이들이 포장 상품에 누출되어 부착되기 쉽기 때문이다. 특히 식품 용품에서, 급속 냉동된 필름-포장 상품을 요리할 때 형성되는, 예를 들어 퍼플루오르화되고 잠재적으로 위험한 분해 생성물에 대한 일부의 최초의 좋지 않은 보고가 공개된 바 있다.플루오로엘라스토머 보조제의 부재 하에 본 발명의 폴리에틸렌으로 제조된 블로운 필름은 바람직하게, 플루오로엘라스토머 등의 상기 윤활 보조제, 및 추가적 배합 단계를 피하면서 우수한 버블 안정성을 가진 확고한 공정을 가능하게 한다. 동일한 메탈로센 또는 제 1 촉매 A) 만으로 제조된 좁은 분포의, TREF 이봉성 생성물과 비교하여, 본 발명의 TREF 및/또는 DSC-이봉성 또는 다봉성 생성물은 단봉성의 비교 생성물에 비해 보다 낮은 정규화된 전단 묽어짐 지수 (SHI*) 에 의해 증명되는 바와 같은 보다 우수한 가공성을 갖는 것으로 구별된다. SHI* 는 동적 점도 측정을 위한 임의의 소정의 방사각 ω 에 대해SHI*( ω )= η*( ω)/η0로서 정의되고, 이때 η0 은 경험적 Cox-Merz-규칙을 통해 결정되는 190℃에서의 0 의 전단 점도이다. η* 은 예를 들어 실험 부분에 기재된 Rheometrics RDA II Dynamic Rheometer 등의 콘-평판 동적 유량계에서 중합체 배합물의 변형 또는 동적 (사인곡선적) 전단시 측정가능한 190℃ 에서의 복합 점도이다 (G' 탄성계수 참조). Cox-Merz-규칙에 따르면, 회전 속도 ω 가 낮은 전단 속도에서 라디안트 (Radiant) 단위로 표현되는 경우, η* 의 수치는 낮은 전단 캐필러리 측정에 기초하는 통상의 고유 점도의 수치와 동일하다. 유변학 분야의 당업자는 이러한 방식으로 η0 을 결정하는데 매우 정통하다.바람직하게, 본 발명의 폴리에틸렌은 SHI*(0.1 rad/s 에서) 003c# 0.98, 더욱 바람직하게 003c# 0.95, 또 더욱 바람직하게 003c# 0.9, 가장 바람직하게 0.5 003c# SHI*(0.1 rad/s 에서) 003c# 0.95 를 가진다. 바람직하게는, 단독으로 또는 이와 함께 본 발명의 폴리에틸렌은 SHI*(2 rad/s 에서) 003c# 0.7, 바람직하게 0.4 003c# SHI*(2 rad/s 에서) 003c# 0.7 을 가진다. 바람직하게, 본 발명의 폴리에틸렌의 SHI* 는, 메탈로센 촉매 단독으로 중합된 단봉성의 비교용 표준 재료, 즉 합성 및 가공의 그밖의 동일한 조건 하에 제 1 메탈로센 촉매 A) 의 순수한 생성물의 각각의 값과 비교하여 10% 이상이 낮은 임의의 소정의 회전 주파수 ω 에 대한 것이다.본 발명의 놀라운 요소는 본질적으로 메탈로센 유래의 VLDPE 또는 LLDPE 인 본 발명의 폴리에틸렌을 공단량체 분포에서 이봉성이 되게 함으로써, 두 메탈로센 생성물의 우수한 다트 낙하 특성이 실제로 보존되면서 가공성을 매우 증진시키는 것이다. 선행 기술로부터, 숙련된 기술자는 어쩔 수 없이 타협하면서 다트 낙하 특성을 희생하며 가공성만을 수득할 수 있는 것을 예상했을 수 있다; 놀랍게도, 본 발명에 의하면 폴리에틸렌 재료는 향상된 가공성에 의해 기계적 충격 특성, 즉 다트 낙하 저항성 특성을 타협하지 않고 한정되었다.일반적으로, 첨가제와 본 발명의 폴리에틸렌의 혼합은 모든 공지의 방법으로 실시될 수 있지만, 바람직하게 2축 압출기 등의 압출기에 의해 직접 실시될 수 있다. 본 발명의 점착성 조성물로부터 필름 압출에 의해 제조된 필름은 본 발명의 추가의 목적이다. 압출기 기술은 예를 들어 본원에 참고로서 포함되어 있는 US 3862 265, US 3953 655 및 US 4001172 에 기재되어 있다. 필름 압출 방법은 바람직하게 압력 100 내지 500 bar, 바람직하게 온도 200 내지 300℃ 에서 본 발명에 따라 바람직하게는 수행된다.본 발명의 폴리에틸렌은 두께 5 μm 내지 2.5 mm 의 필름을 제조하는데 사용될 수 있다. 필름은 예를 들어 두께 5 μm 내지 250 μm 의 블로운 필름 압출에 의해 또는 두께 10 μm 내지 2.5 mm 의 캐스트 필름 압출에 의해 제조될 수 있다. 특히 블로운 필름이 바람직한 구현예이다. 블로운 필름 압출 과정에서, 용융된 폴리에틸렌을 환형 다이 (annular die) 에 통과시킨다. 형성된 버블은 공기에 의해 팽창되고, 다이 출구 속도보다 높은 속도로 빠져나간다. 상기 버블을 동결선 (frost line) 의 온도가 미결정 용융점보다 낮도록 기류에 의해 철저히 냉각한다. 이 버블 크기는 본원에서 고정된다. 이후 버블을 붕괴시키고, 필요에 따라 다듬고, 적절한 권취 장치를 사용하여 롤업 (roll up) 한다. 본 발명의 폴리에틸렌은 "통상의" 또는 "롱 스토크 (long stalk)" 방법에 의해 압출될 수 있다. 평판 필름은 예를 들어 냉각 롤 라인 (chill roll line) 또는 열성형 필름 라인에서 수득될 수 있다. 더욱이 본 발명의 폴리에틸렌으로부터의 복합 필름은 코팅 및 라미네이팅 라인에서 제조될 수 있다. 종이, 알루미늄 또는 직물 기재가 복합 구조물에 혼입된 복합 필름인 것이 특히 바람직하다. 필름은 공압출에 의해 수득된 단층 또는 다층일 수 있고, 바람직하게는 단층일 수 있다. 본 발명의 폴리에틸렌이 중요한 성분으로서 존재하는 필름은 비중합성 첨가제 이외에, 50 내지 100중량%, 바람직하게 70 내지 90중량% 의 본 발명의 폴리에틸렌을 포함하고, 바람직하게는 실질적으로 플루오로엘라스토머를 포함하지 않는 것이다. 특히, 상기 층들 중 하나가 50 내지 100중량% 의 본 발명의 폴리에틸렌을 함유하는 필름이 또한 포함되어 있다.본 발명의 폴리에틸렌 또는 PE 조성물은 하기 기재된 촉매 시스템, 특히 이의 바람직한 구현예를 사용하여 수득가능하다. 바람직하게, 중합 반응은 두 촉매를 포함하고, 바람직하게 둘 이상의 전이 금속 착물 촉매를 포함하고, 더욱 바람직하게 단지 두 개의 전이 금속 착물 촉매를 포함하는 촉매 조성물로, 바람직하게 실질적으로 단일의 반응기 시스템으로 실시된다. 상기 한 용기에서의 반응의 접근법은 사용된 촉매 시스템으로부터 수득된 생성물의 필적할 수 없는 균질성을 가능하게 한다. 본원에서, 적어도 가끔 그리고 두 방향으로 구역간 생성물의 흐름이 실질적으로 자유롭거나 순환을 허용하는 2구역 또는 다중구역 반응기는 본 발명에 따른 단일 반응기 또는 단일 반응기 시스템으로 간주된다.폴리에틸렌을 고안하기 위한 중합 방법에 있어서, 추가로 제 1 촉매는 단일 부위 촉매 또는 촉매 시스템이고, 바람직하게 단일 부위 특징을 가진 반-샌드위치 (half-sandwich) 또는 단일 샌드위치 메탈로센 촉매를 포함한 메탈로센 촉매 A) 이고, 여기서 제 1 촉매는 %LT 피크 중량 분획을 구성하는 첫번째 생성물 분획을 제공하고, 추가로 바람직하게 제 2 촉매 B) 는 비-메탈로센 촉매 또는 촉매 시스템이고, 더욱 바람직하게 상기 제 2 촉매는, 바람직하게 % HT 피크 중량 분획을 구성하는 제 2 생성물 분획을 제공하는 비-단일 부위 금속 착물 촉매이다. 더욱 바람직하게, 본 발명의 한 구현예에서는, B) 는 바람직하게 철 착물이 바람직하게 세자리 (tridentate) 리간드를 가진 하나 이상의 철 착물 성분 B1)이다.또 다른 바람직한 구현예에서, 비-메탈로센 중합 촉매 B) 는 원소 주기율표의 4 내지 6 족 금속, 바람직하게 Ti, V, Cr, Mo 및 W 로 이루어진 군으로부터 선택된 금속의 모노시클로펜타디에닐 착물 촉매 B2) 이고, 이의 시클로펜타디에닐 시스템은 미하전된 도너로 치환되고, Cp-Zk-A 부분이 하기 식으로 된 일반식 Cp-Zk-A-MA 를 가진다:[식 중, 변수는 다음과 같은 의미를 지닌다:E1A-E5A 는 각각 탄소이거나 하나 이하의 E1A 내지 E5A 는 인이고, 바람직하게 E1A 내지 E5A 는 탄소이고,R1A-R4A 는 각각, 서로 독립적으로, 수소, C1-C22-알킬, C2-C22-알케닐, C6-C22-아릴, 탄소수 1 내지 10 의 알킬 라디칼 및 탄소수 6 내지 20 의 아릴 라디칼을 가진 알킬아릴, NR5A2, N(SiR5A3)2, OR5A, OSiR5A3, SiR5A3, BR5A2 이고, 유기 라디칼 R1A-R4A 는 또한 할로겐으로 치환될 수 있고, 인접한 두 라디칼 R1A-R4A 는 또한 결합하여 하나 이상의 5-, 6- 또는 7-원 카르보시클릭 고리를 형성할 수 있고/있거나 인접한 두 라디칼 R1A-R4A 는 결합하여 N, P, 0 및 S 로 이루어진 군으로부터 하나 이상의 원자를 함유한 하나 이상의 5-, 6- 또는 7-원 헤테로사이클을 형성할 수 있고, 단 상기 결합 라디칼에 의해 형성된 고리 또는 헤테로사이클이 1개 초과인 경우, 상기 고리 또는 헤테로사이클은 축합 폴리시클릭 고리 시스템을 형성하고, 바람직하게 이들은 오르토-융합된 축합 폴리시클릭 고리 시스템을 형성하고, 더욱 바람직하게는 라디칼 R1A-R4A 에 의해 형성된 폴리시클릭 고리 시스템은 1 또는 2개 이하의 5-, 6- 또는 7-원 카르보시클릭 고리 또는 헤테로사이클을 포함하고, 이때 고리 또는 헤테로사이클은 또 할로게노, NR5A2, N(SiR5A3)2, 0R5A, OSiR5A3, SiR5A3, BR5A2, C1-C22-알킬 또는 C2-C22-알케닐로 추가 치환될 수 있고,라디칼 R5A 는 각각 서로 독립적으로, 수소, C1-C20-알킬, C2-C20-알케닐, C6-C20-아릴, 탄소수 1 내지 10 의 알킬 부분 및 탄소수 6 내지 20 의 아릴 부분을 가진 알킬아릴이고, 두 제미날 (geminal) 라디칼 R5A 는 또한 결합하여 5- 또는 6-원 고리를 형성할 수 있고,Z 는 -BR6A-, -BNR6AR7A-, -AIR6A-, -Sn(II)- -O-, -S-, -SO-, -SO2-, -NR6A-, -CO-, -PR6A- 또는 -P(O)R6A- 로 이루어진 군으로부터 선택된 A 와 Cp 사이의 2가의 가교이고,이때L1A-L3A 는 각각 서로 독립적으로, 규소 Si 또는 게르마늄 Ge 이고,R6A-R11A 는 각각 서로 독립적으로, 수소, C1-C20-알킬, C2-C20-알케닐, C6-C20-아릴, 탄소수 1 내지 10 의 알킬 부분 및 탄소수 6 내지 20 의 아릴 부분을 가진 알킬아릴 또는 SiR12A3 이고, 유기 라디칼 R6A-R11A 는 또한 할로겐으로 치환될 수 있고, 두 제미날 또는 인접한 라디칼 R6A-R11A 는 또한 결합하여 5- 또는 6-원 고리를 형성할 수 있고,라디칼 R12A 는 각각 서로 독립적으로, 수소, C1-C20- 알킬, C2-C20-알케닐, C6-C20-아릴 또는 탄소수 1 내지 10 의 알킬 부분 및 탄소수 6 내지 20 의 아릴 부분을 가진 알킬아릴, C1-C10-알콕시 또는 C6-C10-아릴옥시이고, 두 라디칼 R12A 는 또한 결합하여 5- 또는 6-원 고리를 형성할 수 있고, A 는 주기율표의 15 및/또는 16족 원자 하나 이상으로 이루어진 미하전된 도너 기이고, 바람직하게 A 는 고리 탄소에 더하여 산소, 황, 질소 및 인으로 이루어진 군으로부터 헤테로원자를 함유한 비치환, 치환 또는 융합된 헤테로방향족 고리 시스템이다.MA 는 주기율표의 IV 내지 VI 족의 금속, 바람직하게 산화수 3의 티타늄, 바나듐, 크롬, 몰리브덴 및 텅스텐으로 이루어진 군으로부터 선택된 주기율표의 IV 내지 VI 족의 금속이고,k 는 0 또는 1 임].본 발명의 일부 바람직한 구현예에 따른, 라디칼 R1A-R4A 와 결합하여 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭, 폴리시클릭 고리 시스템을 형성하는 Cp 부분의 적절한 예시는, 예를 들어 1-인데닐, 9-플루오레닐, 1-s-(모노히드로)-인다세닐이다. 1-인데닐 및 상기 1-인데닐-부분을 포함하는 오르토-융합된, 3개 또는 그 이상의 카르보시클릭 고리 시스템이 매우 바람직하다. 1-인데닐 및 1-s-(1H)-인다세닐이 특히 바람직하다. 에틸렌을 올레핀 공단량체, 특히 C3-C20 공단량체, 가장 바람직하게 C3-C10 공단량체와 공중합한 경우의 비단일 부위, 다분산 생성물 특징을 가진 적절한 모노-시클로펜타디에닐 촉매가 EP-1572755-A 에 기재되어 있다. 비단일 부위 특징은 상기에 기재된 임의 상기 착물 B2) 에 대한 기능 기술자 (functional descriptor) 인데, 그 이유는 선택된 방향족 리간드의 특정 조합 및 연결에 매우 의존하기 때문이다.더 더욱 바람직하게, 상기 기재된 모노시클로펜타디에닐 촉매 착물 A1)와 조합하여, A 는 하기 식 (IV)의 기이다:,[식 중E6A-E9A 는 각각 서로 독립적으로, 탄소 또는 질소이고,R16A-R19A 는 각각 서로 독립적으로, 수소, C1-C20-알킬, C2-C20- 알케닐, C6-C20-아릴, 탄소수 1 내지 10 의 알킬 부분 및 탄소수 6 내지 20 의 아릴 부분을 가진 알킬아릴 또는 SiR20A3 이고, 이때 유기 라디칼 R16A-R19A 는 또한 할로겐 또는 질소 및 추가로 C1-C20-알킬, C2-C20- 알케닐, C6-C20-아릴, 탄소수 1 내지 10 의 알킬 부분 및 탄소수 6 내지 20 의 아릴 부분을 가진 알킬아릴 또는 SiR20A3 로 치환될 수 있고, 인접한 두 라디칼 R16A-R19A 또는 R16A 및 Z 는 또한 결합하여, 5- 또는 6-원 고리를 형성할 수 있고,라디칼 R20A 는 각각 서로 독립적으로, 수소, C1-C20-알킬, C2-C20-알케닐, C6-C20-아릴 또는 탄소수 1 내지 10 의 알킬 라디칼 및 탄소수 6 내지 20 의 아릴 라디칼을 가진 알킬아릴이고 두 라디칼 R20A 는 또한 결합하여 5- 또는 6-원 고리를 형성할 수 있고,E6A-E9A 가 질소인 경우 p 는 0 이고, E6A-E9A 가 탄소인 경우 1 임].바람직하게, A 는 상기 식 IV 에 정의되어 있고, 이때 0 또는 1개의 E6A-E9A 은 질소이다. 촉매 A1) 의 일반적 조성물인 Cp-Zk-A-MA 과 관련하여, 특히 상기 기재된 임의 바람직한 구현예와 조합하여, MA 가 산화수 2, 3 및 4 의 크롬인 것이 추가로 매우 바람직하고, MA 가 산화수 3 의 크롬인 것이 더욱 바람직하다.바람직하게, 제 1 의 및/또는 메탈로센 촉매 A) 는 하나 이상의 지르코노센 촉매 또는 촉매 시스템이다. 본 발명에 따른 지르코노센 촉매는 예를 들어, 시클로펜타디에닐 착물이다. 시클로펜타디에닐 착물은 예를 들어, EP 129 368, EP 561 479, EP 545 304 및 EP 576 970 에 기재된 가교 또는 비가교의 비스시클로펜타디에닐 착물, 예를 들어 EP 416 815 에 기재된 가교의 아미도시클로펜타디에닐 착물 등의 가교 또는 비가교의 모노시클로펜타디에닐 '반-샌드위치' 착물 또는 US6,069,213, US5,026,798 에 기재된 반-샌드위치 착물일 수 있고, 추가로 EP 632 063 에 기재된 다핵 시클로펜타디에닐 착물, EP 659 758 에 기재된 pi-리간드-치환된 테트라히드로펜탈렌 또는 EP 661 300 에 기재된 pi-리간드-치환된 테트라히드로인덴일 수 있다.본원의 설명에 따른 메탈로센 촉매 성분의 비제한적 예시에는 예를 들어 시클로펜타디에닐지르코늄디클로라이드, 인데닐지르코늄디클로라이드, (1-메틸인데닐)지르코늄디클로라이드, (2-메틸인데닐)지르코늄디클로라이드, (1-프로필인데닐)지르코늄디클로라이드, (2-프로필인데닐)지르코늄디클로라이드, (1-부틸인데닐)지르코늄디클로라이드, (2-부틸인데닐)지르코늄디클로라이드, 메틸시클로펜타디에닐지르코늄디클로라이드, 테트라히드로인데닐지르코늄디클로라이드, 펜타메틸시클로펜타디에닐지르코늄디클로라이드, 시클로펜타디에닐지르코늄디클로라이드, 펜타메틸시클로펜타디에닐티타늄디클로라이드, 테트라메틸시클로펜틸티타늄디클로라이드, (1,2,4-트리메틸시클로펜타디에닐)지르코늄디클로라이드, 디메틸실릴(1,2,3,4-테트라메틸시클로펜타디에닐)(시클로펜타디에닐)지르코늄디클로라이드, 디메틸실릴( 1,2,3,4-테트라메틸시클로펜타디에닐)(1,2,3-트리메틸시클로펜타디에닐)지르코늄디클로라이드, 디메틸실릴(1,2,3,4-테트라메틸시클로펜타디에닐)(1,2-디메틸시클로펜타디에닐)지르코늄디클로라이드, 디메틸실릴(1,2,3,4-테트라메틸시클로펜타디에닐)(2-메틸시클로펜타디에닐)지르코늄디클로라이드, 디메틸실릴시클로펜타디에닐인데닐지르코늄 디클로라이드, 디메틸실릴(2-메틸인데닐)(플루오레닐)지르코늄디클로라이드, 디페닐실릴(1,2,3,4-테트라메틸시클로펜타디에닐)(3-프로필시클로펜타디에닐)지르코늄디클로라이드가 포함된다.특히 적합한 지르코노센 (A) 는 하기 일반식의 지르코늄 착물이다:[식 중,치환기 및 지수는 하기 의미를 지닌다:XB 는 불소, 염소, 브롬, 요오드, 수소, C1-C10-알킬, C2-C10-알케닐, C6-C15-아릴, 탄소수 1 내지 10 의 알킬 부분 및 탄소수 6 내지 20 의 아릴 부분을 가진 알킬아릴, -OR6B 또는 -NR6BR7B 이거나, 두 라디칼 XB 는 치환 또는 비치환된 디엔 리간드, 특히 1,3-디엔 리간드를 형성하고, 라디칼 XB 는 동일하거나 상이하며 서로 결합할 수 있고,E1B-E5B 는 각각 탄소이거나 1개 초과의 E1B 내지 E5B 는 인 또는 질소, 바람직하게 탄소이고,t 는 1, 2 또는 3 이고, 일반식 (VI) 의 메탈로센 착물이 전하를 띄지 않도록 Hf 의 원자가에 따르고, 이때R6B 및 R7B 는 각각 C1-C10-알킬, C6-C15-아릴, 알킬아릴, 아릴알킬, 각각 탄소수 1 내지 10 의 알킬 부분 및 탄소수 6 내지 20 의 아릴 부분을 가진 플루오로알킬 또는 플루오로아릴이고,R1B 내지 R5B 는 각각 서로 독립적으로 수소, C1-C22-알킬, 결과적으로 치환기로서 C1-C10-알킬 기를 가질 수 있는 5- 내지 7-원 시클로알킬 또는 시클로알케닐, C2-C22-알케닐, C6-C22-아릴, 탄소수 1 내지 16 의 알킬 부분 및 탄소수 6 내지 21 의 아릴 부분을 가진 아릴알킬, NR8B2, N(SiR8B3)2, OR8B, OSiR8B3, SiR8B3 이고, 유기 라디칼 R1B-R5B 는 또한 할로겐으로 치환될 수 있고/있거나 두 라디칼 R1B-R5B, 특히 인접한 라디칼은 또한 결합하여 5-, 6- 또는 7-원 고리를 형성할 수 있고/있거나 인접한 두 라디칼 R1D-R5D 는 결합하여 N, P, O 및 S 로 이루어진 군으로부터 하나 이상의 원자를 함유한 5-, 6-, 또는 7-원 헤테로사이클을 형성할 수 있고,이때라디칼 R8B 는 동일하거나 상이할 수 있고, 각각 C1-C10-알킬, C3-C10-시클로알킬, C6-C15-아릴, C1-C4-알콕시 또는 C6-C10-아릴옥시일 수 있고,Z1B 는 XB 또는 이고,이때 라디칼 R9B 내지 R13B 는 각각 서로 독립적으로, 수소, C1-C22-알킬, 결과적으로 치환기로서 C1-C10-알킬 기를 가질 수 있는 5- 내지 7-원 시클로알킬 또는 시클로알케닐, C2-C22-알케닐, C6-C22-아릴, 탄소수 1 내지 16 의 알킬 부분 및 탄소수 6 내지 21 의 아릴 부분을 가진 아릴알킬, NR14B2, N(SiR14B3)2, OR14B, OSiR14B3, SiR14B3 이고, 유기 라디칼 R9B-R13B 는 또한 할로겐으로 치환될 수 있고/있거나 두 라디칼 R9B-R13B, 특히 인접한 라디칼은 또한 결합하여 5-, 6- 또는 7-원 고리를 형성할 수 있고/있거나 인접한 두 라디칼 R9B-R13B 는 결합하여 N, P, O 및 S 로 이루어진 군으로부터 하나 이상의 원자를 함유한 5-, 6- 또는 7-원 헤테로사이클을 형성할 수 있고,이때 라디칼 R14B 는 동일하거나 상이하고, 각각 C1-C10-알킬, C3-C10-시클로알킬, C6- C15-아릴, C1-C4-알콕시 또는 C6-C10-아릴옥시이고,E6B-E10B 는 각각 탄소이거나 1개 이하의 E6B 내지 E10B 는 인 또는 질소, 바람직하게 탄소이고,또는 라디칼 R4B 및 Z1B 는 함께 -R15Bv-A1B- 기를 형성하고, 이때R15B 는 이거나또는 = BR16B,= BNR16BR17B, = AIR16B, -Ge(II)- -Sn(II)-, -O- -S-, = SO, = SO2, = NR16B, = CO, = PR16B 또는 = P(0)R16B 이고,이때R16B-R21B 는 동일하거나 상이하고, 각각 수소 원자, 할로겐 원자, 트리메틸실릴 기, C1-C10-알킬 기, C1-C10-플루오로알킬 기, C6-C10-플루오로아릴 기, C6-C10-아릴 기, C1-C10-알콕시 기, C7-C15-알킬아릴옥시 기, C2-C10-알케닐 기, C7-C40-아릴알킬 기, C8-C40-아릴알케닐 기 또는 C7-C40-알킬아릴 기이거나 또는 두 인접한 라디칼은 이들과 연결된 원자와 함께 탄소수 4 내지 15 의 포화 또는 불포화 고리를 형성하고,M2B-M4B 는 독립적으로 각각 Si, Ge 또는 Sn, 바람직하게 Si 이고,A1B 는 -O- , -S-, =0, =S, =NR22B, -O-R22B, -NR22B2, -PR22B2 또는 비치환, 치환 또는 융합된, 헤테로시클릭 고리 시스템이고, 이때라디칼 R22B 는 각각 서로 독립적으로, C1-C10-알킬, C6-C15-아릴, C3-C10- 시클로알킬, C7-C18-알킬아릴 또는 Si(R23B)3 이고, R23B 는 수소, C1-C10-알킬, 결과적으로 치환기로서 C1-C4-알킬 기를 가질 수 있는 C6-C15-아릴 또는 C3-C10-시클로알킬이고,v 는 1 이고 또는 A1B 가 비치환, 치환 또는 융합된 헤테로시클릭 고리 시스템인 경우 또한 0 일 수 있고,또는 이때 라디칼 R4B 및 R12B 는 함께 -R15B- 기를 형성함].A1B 는 예를 들어 가교 R15B 와 함께, 아민, 에테르, 티오에테르 또는 포스핀을 형성할 수 있다. 그러나, A1B 는 또한 고리 탄소에 더하여 산소, 황, 질소 및 인으로 이루어진 군으로부터 헤테로원자를 함유할 수 있는 비치환, 치환 또는 융합된 헤테로시클릭 방향족 고리 시스템일 수 있다. 탄소 원자에 더하여 고리 원으로서 하나의 황 또는 산소 원자 및/또는 1 내지 4개의 질소 원자를 함유할 수 있는 5-원 헤테로아릴 기의 예는 2-푸릴, 2-티에닐, 2-피롤릴, 3-이속사졸릴, 5-이속사졸릴, 3-이소티아졸릴, 5-이소티아졸릴, 1-피라졸릴, 2-옥사졸릴이다. 1 내지 4개의 질소 원자 및/또는 하나의 인 원자를 함유할 수 있는 6-원 헤테로아릴 기의 예는 2-피리디닐, 2- 포스파벤제닐, 3-피리다지닐, 2-피리미디닐, 4-피리미디닐, 2-피라지닐, 1,3,5-트리아진-2-일이다. 5-원 및 6-원 헤테로아릴 기는 또한 C1-C10-알킬, C6-C10-아릴, 탄소수 1 내지 10 의 알킬 부분 및 탄소수 6 내지 10 의 아릴 부분을 가진 알킬아릴, 트리알킬실릴 또는 불소, 염소 또는 브롬 등의 할로겐으로 치환될 수 있고 또는 하나 이상의 방향족 또는 헤테로방향족과 융합될 수 있다. 벤조-융합된 5-원 헤테로아릴 기의 예는 2-인돌릴, 7-인돌릴, 2-쿠마로닐이다. 벤조-융합된 6-원 헤테로아릴 기의 예는 2-퀴놀릴, 8-퀴놀릴, 3-시놀릴, 1-프탈라질, 2-퀴나졸릴 및 1-페나질이다. 헤테로사이클의 명명 및 넘버링은 L.Fieser 및 M. Fieser, Lehrbuch der organischen Chemie, 개정 3판, Verlag Chemie, Weinheim 1957 에서 참고하였다.일반식 (I) 의 라디칼 XB 는 바람직하게 동일하고, 바람직하게 불소, 염소, 브롬, C1-C7-알킬 또는 아르알킬, 특히 염소, 메틸 또는 벤질이다.일반식 (I) 의 지르코노센 중에서, 하기 식 (II)의 지르코노센이 바람직하다.식 (VII)의 화합물 중에서,XB 는 불소, 염소, 브롬, C1-C4-알킬 또는 벤질이거나, 또는 두 라디칼 XB 는 치환 또는 비치환된 부타디엔 리간드를 형성하고,t 는 1 또는 2, 바람직하게 2 이고,R1B 내지 R5B 는 각각 수소, C1-C8-알킬, C6-C8-아릴, NR8B2, OSiR8B3 또는 Si(R8B)3 이고,R9B 내지 R13B 는 각각 수소, C1-C8-알킬 또는 C6-C8-아릴, NR14B2, OSiR14B3 또는 Si(R14B)3 이고또는 각각의 경우 두 라디칼 R1B 내지 R5B 및/또는 R9B 내지 R13B 는 C5 고리와 함께 인데닐, 플루오레닐 또는 치환된 인데닐 또는 플루오레닐 시스템을 형성하는 화합물이 바람직하다.시클로펜타디에닐 라디칼이 동일한 식 (II) 의 지르코노센이 특히 유용하다.상기 착물의 합성은 적절히 치환된 시클릭 탄화수소 음이온과 지르코늄의 할라이드와의 반응으로 바람직한 자체 공지의 방법에 의해 실시될 수 있다. 적절한 제조 방법의 예는 예를 들어, [Journal of Organometallic Chemistry, 369 (1989), 359-370]에 기재되어 있다.메탈로센은 Rac 또는 슈도 (pseudo)-Rac 형태로 사용될 수 있다. 슈도-Rac 이라는 용어는 두 시클로펜타디에닐 리간드가 착물의 모든 다른 치환기가 무시되는 경우 서로에 관하여 Rac 배열인 착물을 의미한다.바람직하게, 제 2 촉매 또는 촉매 시스템 B) 는 둘 이상의 아릴 라디칼을 가지는 세자리 리간드를 가진 철 성분 기재의 하나 이상의 중합 촉매이고, 여기서 상기 두 아릴 라디칼이 각각 오르토-위치에 할로겐 및/또는 알킬 치환기를 가지는 것이 더욱 바람직하고, 아릴 라디칼이 각각 오르토 위치에 할로겐과 알킬 치환기를 둘다 가지는 것이 바람직하다.적합한 촉매 B) 는 바람직하게 하기 일반식 (IIIa) 의 철 촉매 착물이다: (식 중, 변수는 하기 의미를 가진다:F 및 G 는, 서로 독립적으로,로 이루어진 군으로부터 선택되고,이때 Lc 는 질소 또는 인, 바람직하게 질소이고,추가로 바람직하게는 F 및 G 중 하나 이상이 상기 기로부터 선택가능한 엔아민 또는 이미노 라디칼이고, 단 여기서 F 가 이미노이면 G 는 이미노이고 이때 G, F 는 각각 하나 이상의 아릴 라디칼 (각각 오르토-위치에 할로겐 또는 tert-알킬 치환기를 가짐)을 가지고 동시에 식 IIIa 의 세자리 리간드를 생성할 수 있고, 또는 G 는 엔아민이고, 더욱 바람직한 것은 F 또는 G 중 하나 이상 또는 둘다가 상기 기로부터 선택가능한 엔아민 라디칼이거나 또는 F 및 G 가 둘다 이미노인 것이고, 이때 G, F 는 각각 하나 이상, 바람직하게 정확히 하나의 아릴 라디칼을 가지고, 이 아릴 라디칼은 각각 하나 이상의 할로겐 또는 하나 이상의 C1-C22 알킬 치환기, 바람직하게 정확히 하나의 할로겐 또는 하나의 C1-C22 알킬을 오르토-위치에 가지고,R1C-R3C 는 각각 서로 독립적으로, 수소, C1-C22-알킬, C2-C22-알케닐, C6-C22-아릴, 탄소수 1 내지 10 의 알킬 부분 및 탄소수 6 내지 20 의 아릴 부분을 가진 알킬아릴, 할로겐, NR18C2, OR18C, SiR19C3 이고, 유기 라디칼 R1C-R3C 는 또한 할로겐으로 치환될 수 있고/있거나 인접한 두 라디칼 R1C-R3C 는 또한 결합하여 5-, 6- 또는 7-원 고리를 형성할 수 있고/있거나, 인접한 두 라디칼 R1C-R3C 는 결합하여 N, P, O 및 S 로 이루어진 군으로부터 하나 이상의 원자를 함유한 5-, 6-, 또는 7-원 헤테로사이클을 형성하고,RA,RB 는 서로 독립적으로 수소, C1-C20-알킬, C2-C20-알케닐, C6-C20-아릴, 탄소수 1 내지 10 의 알킬 라디칼 및 탄소수 6 내지 20 의 아릴 라디칼을 가진 아릴알킬, 또는 SiR19C3 를 나타내고, 유기 라디칼 RA,RB 는 또한 할로겐으로 치환될 수 있고/있거나 각각의 경우 두 라디칼 RA,RB 는 또한 서로 결합하여 5- 또는 6-원 고리를 형성할 수 있고,RC,RD 는 서로 독립적으로 C1-C20-알킬, C2-C20-알케닐, C6-C20-아릴, 탄소수 1 내지 10 의 알킬 라디칼 및 탄소수 6 내지 20 의 아릴 라디칼을 가진 아릴알킬, 또는 SiR19C3 를 나타내고, 유기 라디칼 RC,RD 는 또한 할로겐으로 치환될 수 있고/있거나, 각각의 경우 두 라디칼 RC,RD 는 또한 서로 결합하여 5- 또는 6-원 고리를 형성할 수 있고,E1C 는 질소 또는 인, 바람직하게 질소이고,E2C-E4C 는 각각 서로 독립적으로, 탄소, 질소 또는 인이고, 단, 바람직하게 E1C 가 인이면 E2C-E4C 는 각각 탄소이고, 더욱 바람직하게 이들은 탄소 또는 질소이고, 단, 바람직하게 E2C-E4C 기로부터 선택되는 0,1 또는 2개의 원자는 질소일 수 있고, 가장 바람직하게 E2C-E4C 는 각각 탄소이다.u 는 상응하는 E2C-E4C 가 질소 또는 인인 경우 0 이고, E2C-E4C 가 탄소인 경우 1 이고,라디칼 R18C, R19C, XC 는 하기 식 III 에 제시된 것과 동일하게 상기 식 IIIa 에 대해 그리고 식 IIIa 에서 정의되어 있고, D 는 미하전된 도너이고,s 는 1, 2, 3 또는 4 이고,t 는 0 내지 4 이다.분자 내 3개의 원자 E2C 내지 E4C 는 동일하거나 상이할 수 있다. E1C 가 인이면, E2C 내지 E4C 는 각각 바람직하게 탄소이다. E1C 가 질소이면, E2C 내지 E4C 는 각각 바람직하게 질소 또는 탄소, 특히 탄소이다.바람직한 구현예에서 착물 (B) 는 하기 식 (IV) 의 화합물이다:[식 중,E2C-E4C 는 각각 서로 독립적으로, 탄소, 질소 또는 인이고, 바람직하게 탄소 또는 질소이고, 더욱 바람직하게 E2C-E4C 의 원자 0,1 또는 2개는 질소이고, 단, 질소가 아닌, 잔여 라디칼 E2C-E4C 는 탄소이고, 가장 바람직하게 이들 각각은 탄소이고,R1C-R3C 는 각각 서로 독립적으로, 수소, C1-C22-알킬, C2-C22-알케닐, C6-C22-아릴, 탄소수 1 내지 10 의 알킬 부분 및 탄소수 6 내지 20 의 아릴 부분을 가진 알킬아릴, 할로겐, NR18C2, OR18C, SiR19C3 이고, 유기 라디칼 R1C-R3C 는 또한 할로겐으로 치환될 수 있고/있거나 인접한 두 라디칼 R1C-R3C 는 또한 결합하여 5-, 6-, 또는 7-원 고리를 형성할 수 있고/있거나 인접한 두 라디칼 R1C-R3C 는 결합하여 N, P, O 및 S 로 이루어진 군으로부터 하나 이상의 원자를 함유한 5-, 6- 또는 7-원 헤테로사이클을 형성하고,R4C-R5C 는 각각 서로 독립적으로, 수소, C1-C22-알킬, C2-C22-알케닐, C6-C22-아릴, 탄소수 1 내지 10 의 알킬 부분 및 탄소수 6 내지 20 의 아릴 부분을 가진 알킬아릴, NR18C2, SiR19C3 이고, 유기 라디칼 R4C-R5C 는 또한 할로겐으로 치환될 수 있고,u 는 E2C-E4C 가 질소 또는 인인 경우 0 이고, E2C-E4C 가 탄소인 경우 1 이고,R8C-R11C 는 각각 서로 독립적으로, C1-C22-알킬, C2-C22-알케닐, C6-C22-아릴, 탄소수 1 내지 10 의 알킬 부분 및 탄소수 6 내지 20 의 아릴 부분을 가진 알킬아릴, 할로겐, NR18C2, OR18C, SiR19C3 이고, 유기 라디칼 R8C-R11C 는 또한 할로겐으로 치환될 수 있고/있거나 인접한 두 라디칼 R8C-R17C 는 또한 결합하여 5-, 6- 또는 7-원 고리를 형성할 수 있고/있거나, 인접한 두 라디칼 R8C-R17C 는 결합하여 N, P, O 및 S 로 이루어진 군으로부터 하나 이상의 원자를 함유한 5-, 6- 또는 7-원 헤테로사이클을 형성하고, R8C-R11C 는 염소, 브롬, 불소로 이루어진 군으로부터 선택된 할로겐일 수 있고, 단, 바람직하게는 적어도 R8C 및 R10C 는 할로겐 또는 C1-C22-알킬 기이고,R12C-R17C 는 각각 서로 독립적으로, 수소, C1-C22-알킬, C2-C22-알케닐, C6-C22-아릴, 탄소수 1 내지 10 의 알킬 부분 및 탄소수 6 내지 20 의 아릴 부분을 가진 알킬아릴, 할로겐, NR18C2, OR18C, SiR19C3 이고, 유기 라디칼 R12C-R17C 는 또한 할로겐으로 치환될 수 있고/있거나 인접한 두 라디칼 R8C-R17C 는 또한 결합하여 5-, 6- 또는 7-원 고리를 형성할 수 있고/있거나 인접한 두 라디칼 R8C-R17C 는 결합하여 N, P, O 또는 S 로 이루어진 군으로부터 하나 이상의 원자를 함유한 5-, 6- 또는 7-원 헤테로사이클을 형성하고,지수 v 는 각각 서로 독립적으로, 0 또 1 이고,라디칼 XC 는 각각 서로 독립적으로, 불소, 염소, 브롬, 요오드, 수소, C1-C10-알킬, C2-C10-알케닐, C6-C20-아릴, 탄소수 1 내지 10 의 알킬 부분 및 탄소수 6 내지 20 의 아릴 부분을 가지는 알킬아릴, NR18C2, OR18C, SR18C , SO3R18C, OC(O)R18C, CN, SCN, β-디케토네이트, CO, BF4-, PF6- 또는 부피가 큰 배위되지 않은 음이온이고, 라디칼 XC 는 서로 결합할 수 있고,라디칼 R18C 는 각각 서로 독립적으로, 수소, C1-C20-알킬, C2-C20- 알케닐, C6-C20-아릴, 탄소수 1 내지 10 의 알킬 부분 및 탄소수 6 내지 20 의 아릴 부분을 가진 알킬아릴, SiR19C3 이고, 유기 라디칼 R18C 는 또한 할로겐 및 질소 및 산소를 함유하는 기로 치환될 수 있고, 두 라디칼 R18C 는 또한 결합하여 5- 또는 6-원 고리를 형성할 수 있고,라디칼 R19C 는 각각 서로 독립적으로, 수소, C1-C20-알킬, C2-C20- 알케닐, C6-C20-아릴, 탄소수 1 내지 10 의 알킬 부분 및 탄소수 6 내지 20 의 아릴 부분을 가진 알킬아릴이고, 유기 라디칼 R19C 는 또한 할로겐 및 질소 및 산소를 함유하는 기로 치환될 수 있고, 두 라디칼 R19C 는 또한 결합하여 5- 또는 6-원 고리를 형성할 수 있고,s 는 1, 2, 3 또는 4, 특히 2 또는 3 이고,D 는 미하전된 도너이고,t 는 0 내지 4, 특히 0, 1 또는 2 임].치환기 R1C-R3C 및 R8C-R17C 는 광범위하게 다양할 수 있다. 가능한 탄소유기 치환기 R1C-R3C 및 R8C-R17C 는 선형 또는 분지형일 수 있는 C1-C22-알킬, 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, n-펜틸, n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, n-노닐, n-데실 또는 n-도데실, 결과적으로 치환기로서 C1-C10-알킬 기 및/또는 C6-C10-아릴 기를 가질 수 있는 5- 내지 7-원 시클로알킬, 예를 들어 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸, 시클로노닐 또는 시클로도데실, 선형, 시클릭 또는 분지형일 수 있고 이중 결합이 중간에 있거나 끝에 있을 수 있는 C2-C22-알케닐, 예를 들어 비닐, 1-알릴, 2-알릴, 3-알릴, 부테닐, 펜테닐, 헥세닐, 시클로펜테닐, 시클로헥세닐, 시클로옥테닐 또는 시클로옥타디에닐), 추가의 알킬 기로 치환될 수 있는 C6-C22-아릴, 예를 들어 페닐, 나프틸, 비페닐, 안트라닐, o-, m-, p-메틸페닐, 2,3-, 2,4-, 2,5- 또는 2,6-디메틸페닐, 2,3,4-, 2,3,5-, 2,3,6-, 2,4,5-, 2,4,6- 또는 3,4,5-트리메틸페닐, 또는 추가의 알킬 기로 치환될 수 있는 아릴알킬, 예를 들어 벤질, o-, m-, p-메틸벤질, 1- 또는 2-에틸페닐이고, 여기서 두 라디칼 R1C - R3C 및/또는 인접한 두 라디칼 R8C-R17C 는 또한 결합하여 5-, 6- 또는 7-원 고리를 형성할 수 있고/있거나 2개의 인접한 라디칼 R1C-R3C 및/또는 2개의 인접한 라디칼 R8C-R17C 는 결합하여 N, P, O 및 S 로 이루어진 군으로부터 하나 이상의 원자를 함유한 5-, 6- 또는 7-원 헤테로사이클을 형성할 수 있고/있거나 유기 라디칼 R1C-R3C 및/또는 R8C-R17C 는 또한 불소, 염소 또는 브롬 등의 할로겐으로 치환될 수 있다. 더욱이, R1C-R3C 및 R8C-R17C 는 또한 라디칼 -NR18C2 또는 -N(SiR19C3)2, -OR18C 또는 - OSiR19C3 일 수 있다. 예로서 디메틸아미노, N-피롤리디닐, 피콜리닐, 메톡시, 에톡시 또는 이소프로폭시 또는 불소, 염소 또는 브롬 등의 할로겐을 들 수 있다. 상기 실릴 치환기의 적합한 라디칼 R19C 는 마찬가지로 R1C-R3C 에 대해 상기 제시된 라디칼 설명을 따른다. 예로서는 트리메틸실릴, 트리-tert-부틸실릴, 트리알릴실릴, 트리페닐실릴 또는 디메틸페닐실릴을 들 수 있다.특히 바람직한 실릴 치환기는 탄소수 1 내지 10 의 알킬 라디칼을 가지는 트리알킬실릴 기, 특히 트리메틸실릴 기이다.가능한 탄소유기 치환기 R18C 는 선형 또는 분지형일 수 있는 C1-C20-알킬, 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, n-펜틸, n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, n-노닐, n-데실 또는 n-도데실, 결과적으로 C6-C10-아릴 기를 치환기로서 가질 수 있는 5- 내지 7-원 시클로알킬, 예를 들어 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸, 시클로노닐 또는 시클로도데실, 선형, 시클릭 또는 분지형일 수 있고 이중 결합이 중간에 있거나 끝에 있을 수 있는 C2-C20-알케닐, 예를 들어 비닐, 1-알릴, 2-알릴, 3-알릴, 부테닐, 펜테닐, 헥세닐, 시클로펜테닐, 시클로헥세닐, 시클로옥테닐 또는 시클로옥타디에닐, 추가의 알킬 기 및/또는 N 또는 O 를 함유하는 라디칼로 치환될 수 있는 C6-C20-아릴, 예를 들어 페닐, 나프틸, 비페닐, 안트라닐, o-, m-, p-메틸페닐, 2,3-, 2,4-, 2,5- 또는 2,6-디메틸페닐, 2,3,4-, 2,3,5-, 2,3,6-, 2,4,5-, 2,4,6- 또는 3,4,5-트리메틸페닐, 2-메톡시페닐, 2-N,N-디메틸아미노페닐, 또는 추가의 알킬 기로 치환될 수 있는 아릴알킬, 예를 들어 벤질, o-, m-, p-메틸벤질, 1- 또는 2-에틸페닐이고, 두 라디칼 R18C 는 또한 결합하여 5- 또는 6-원 고리를 형성할 수 있고, 유기 라디칼 R18C 는 또한 불소, 염소 또는 브롬 등의 할로겐으로 치환될 수 있다. C1-C10-알킬, 예컨대 메틸, 에틸, n-프로필, n-부틸, tert- 부틸, n-펜틸, n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, 및 또한 비닐 알릴, 벤질 및 페닐을 라디칼 R18C 로서 사용하는 것이 바람직하다.바람직한 라디칼 R1C-R3C 는 수소, 메틸, 트리플루오로메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, n-펜틸, n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, 비닐, 알릴, 벤질, 페닐, 오르토-디알킬- 또는 -디클로로-치환된 페닐, 트리알킬- 또는 트리클로로-치환된 페닐, 나프틸, 비페닐 및 안트라닐이다.바람직한 라디칼 R12C-R17C 는 수소, 메틸, 트리플루오로메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, n-펜틸, n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, 비닐, 알릴, 벤질, 페닐, 불소, 염소 및 브롬, 특히 수소이다. 특히, R13C 및 R16C 는 각각 메틸, 트리플루오로메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, n-펜틸, n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, 비닐, 알릴, 벤질, 페닐, 불소, 염소 또는 브롬이고, R12C, R14C, R15C 및 R17C 는 각각 수소이다.치환기 R4C-R5C 는 광범위하게 다양할 수 있다. 가능한 탄소유기 치환기 R4C-R5C 는 예를 들어, 수소, 선형 또는 분지형일 수 있는 C1-C22-알킬, 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, n-펜틸, n-헥실, n- 헵틸, n-옥틸, n-노닐, n-데실 또는 n-도데실, 결과적으로 C1-C10-알킬 기 및/또는 C6-C10-아릴 기를 치환기로서 가질 수 있는 5- 내지 7-원 시클로알킬, 예를 들어 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸, 시클로노닐 또는 시클로도데실, 선형, 시클릭 또는 분지형일 수 있고 이중 결합이 중간에 있거나 끝에 있을 수 있는 C2-C22-알케닐, 예를 들어 비닐, 1-알릴, 2-알릴, 3-알릴, 부테닐, 펜테닐, 헥세닐, 시클로펜테닐, 시클로헥세닐, 시클로옥테닐 또는 시클로옥타디에닐, 추가의 알킬 기로 치환될 수 있는 C6-C22-아릴, 예를 들어 페닐, 나프틸, 비페닐, 안트라닐, o-, m-, p-메틸페닐, 2,3-, 2,4-, 2,5- 또는 2,6-디메틸페닐, 2,3,4-, 2,3,5-, 2,3,6-, 2,4,5-, 2,4,6- 또는 3,4,5-트리메틸페닐, 또는 추가의 알킬 기로 치환될 수 있는 아릴알킬, 예를 들어 벤질, o-, m-, p-메틸벤질, 1- 또는 2-에틸페닐이고, 유기 라디칼 R4C-R5C 는 또한 불소, 염소 또는 브롬 등의 할로겐으로 치환될 수 있다. 더욱이, R4C-R5C 는 치환된 아미노 기 NR18C2 또는 N(SiR19C3)2, 예를 들어 디메틸아미노, N-피롤리디닐 또는 피콜리닐일 수 있다. 바람직한 라디칼 R4C-R5C 는 수소, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, n-펜틸, n-헥실, n-헵틸, n-옥틸 또는 벤질, 특히 메틸이다.바람직한 라디칼 R9C 및 R11C 는 수소, 메틸, 트리플루오로메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, n-펜틸, n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, 비닐, 알릴, 벤질, 페닐, 불소, 염소 및 브롬이다.특히, R8C 및 R10C 는 바람직하게 할로겐, 예컨대 불소, 염소 또는 브롬, 특히 염소이고, R9C 및 R11C 는 각각 또한 할로겐으로 치환될 수 있는 C1-C22-알킬, 특히 또한 할로겐으로 치환될 수 있는 C1-C22-n-알킬, 예를 들어 메틸, 트리플루오로메틸, 에틸, n-프로필, n-부틸, n-펜틸, n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, 비닐, 또는 불소, 염소 또는 브롬 등의 할로겐이다. 또 다른 바람직한 조합으로, R8C 및 R10C 는 C1- C22-알킬 라디칼이고, R9C 및 R11C 는 각각 수소 또는 불소, 염소 또는 브롬 등의 할로겐이다.특히, R12C, R14C, R15C 및 R17C 는 동일하고, R13C 및 R16C 는 동일하고, R9C 및 R11C 는 동일하고, R8C 및 R10C 는 동일하다. 이는 또한 상기 기재된 바람직한 구현예에서 바람직하다.리간드 XC 는 예를 들어, 철 착물의 합성을 위해 사용되는 적절한 출발 금속 화합물을 선택함으로써 생성되나, 또한 이후 변화될 수 있다. 가능한 리간드 XC 는 특히, 할로겐, 예컨대 불소, 염소, 브롬 또는 요오드, 특히 염소이다. 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 비닐, 알릴, 페닐 또는 벤질 등의 알킬 라디칼은 또한 유용한 리간드 XC 이다. 아미드, 알콕시드, 설포네이트, 카르복실레이트 및 디케토네이트는 또한 특히 유용한 리간드 XC 이다. 추가의 리간드 XC로서, 전부는 아닌 단지 예시로서 트리플루오로아세테이트, BF4-, PF6- 및 약하게 배위되거나 또는 배위되지 않은 음이온 (예를 들어, S. Strauss in Chem. Rev. 1993, 93, 927-942 참고), 예를 들어 B(C6F5)4- 를 언급할 수 있다. 따라서, 특히 바람직한 구현예는 XC 가 디메틸아미드, 메톡시드, 에톡시드, 이소프로폭시드, 페녹시드, 나프톡시드, 트리플레이트, p-톨루엔설포네이트, 아세테이트 또는 아세틸아세토네이트인 것이다. 리간드 XC 의 숫자 s 는 철의 산화수에 의존한다. 따라서 이 숫자 s 는 일반적으로 제시될 수 없다. 촉매적으로 활성인 착물 중 철의 산화수는 보통 당업자에게 알려져 있다. 그러나, 또한 산화수가 활성 촉매의 산화수에 상응하지 않는 착물을 사용할 수 있다. 상기 착물은 이후 적합한 활성제에 의해 적절히 환원 또는 산화될 수 있다. 산화수 +3 또는 +2 의 철 착물을 사용하는 것이 바람직하다.D 는 미하전된 도너, 특히 미하전된 루이스 염기 또는 루이스 산, 예를 들어 아민, 알코올, 에테르, 케톤, 알데히드, 에스테르, 설파이드 또는 포스핀이고, 이는 철 중심에 결합될 수 있고, 그밖에 철 착물의 제조로부터의 잔여 용매로서 존재할 수 있다. 리간드 D 의 숫자 t 는 0 내지 4 일 수 있고, 종종 철 착물이 제조된 용매 및 생성된 착물이 건조된 시간에 의존하고, 따라서 또한 비진정수 (nonintegral number), 예컨대 0.5 또는 1.5 일 수 있다. 특히, t 는 0, 1 내지 2 이다.화합물 B) 의 제조는 예를 들어, [J. Am. Chem. Soc. 120, p. 4049 ff. (1998), J. Chem. Soc, Chem. Commun. 1998, 849], 및 WO 98/27124 에 기재되어 있다. 바람직한 착물 B) 는 2,6-비스[1-(2-tert.부틸페닐이미노)에틸]피리딘 철(II) 디클로라이드, 2,6-비스[1-(2-tert.부틸-6-클로로페닐이미노)에틸]피리딘 철(II) 디클로라이드, 2,6-비스[1-(2-클로로-6-메틸-페닐이미노)에틸]피리딘 철(II) 디클로라이드, 2,6-비스[1-(2,4-디클로로페닐이미노)에틸]피리딘 철(II) 디클로라이드, 2,6-비스[1-(2,6-디클로로페닐이미노)에틸]피리딘 철(II) 디클로라이드, 2,6-비스[1- (2,4-디클로로페닐이미노)메틸]피리딘 철(II) 디클로라이드, 2,6-비스[1-(2,4-디클로로-6-메틸- 페닐이미노)에틸]피리딘 철(II) 디클로라이드, 2,6-비스[1-(2,4-디플루오로페닐이미노)에틸]피리딘 철(II) 디클로라이드, 2,6-비스[1-(2,4-디브로모페닐이미노)에틸]피리딘 철(II) 디클로라이드 또는 각각의 트리클로라이드, 디브로마이드 또는 트리브로마이드이다.MWD 분포가 좁은 단일 부위 촉매인 전이 금속 착물 A) 대 MWD 분포가 폭넓은 중합 촉매 B) 의 몰비는 통상 100-1:1, 바람직하게 20-5:1, 특히 바람직하게 1:1 내지 5:1 이다.전이 금속 착물 (A) 및/또는 철 착물 (B)는 때때로 매우 낮은 중합 활성을 가져, 양호한 중합 활성을 나타낼 수 있도록 하기 위해서는 이후 하나 이상의 활성제 (C) 와 접촉된다. 따라서 촉매 시스템은 임의로 성분 (C) 로서 하나 이상의 활성 화합물, 바람직하게 1 또는 2개의 활성 화합물 (C) 를 추가로 포함한다. 활성제 또는 활성제 (C) 는 바람직하게 각각의 경우 활성화되는 착물 (A) 또는 (B) 를 기준으로 과량으로 또는 화학량론적 양으로 사용된다. 활성 화합물(들)의 사용량은 활성제 (C) 의 유형에 의존한다. 일반적으로, 전이 금속 착물 (A) 또는 철 또는 다른 착물 B) 대 활성 화합물 (C)의 몰비는 1:0.1 내지 1:10000, 바람직하게 1:1 내지 1:2000 일 수 있다.본 발명의 바람직한 구현예에서, 촉매 시스템은 하나 이상의 활성 화합물 (C) 를 포함한다. 이들은 바람직하게 활성화되는 촉매를 기준으로 과량으로 또는 화학량론적 양으로 사용된다. 일반적으로, 촉매 대 활성 화합물 (C) 의 몰비는 1:0.1 내지 1:10000 일 수 있다. 상기 활성제 화합물은 미하전된, 강한 루이스 산, 루이스산 양이온을 가진 이온성 화합물 또는 일반적으로 양이온으로서 브뢴스테드 산을 함유하는 이온성 화합물이다. 본 발명의 중합 촉매의 적합한 활성제, 특히 강한, 미하전된 루이스 산 및 루이스 산 양이온의 정의 및 상기 활성제의 바람직한 구현예에 대한 추가의 세부 사항, 이들의 제조 방식 뿐만아니라 이용된 이들의 특징 및 화학량론이 출원인이 동일한 WO05/103096 에서 이미 상세히 제시되었다. 예시로서는 알루미녹산, 히드록시알루미녹산, 보란, 보록신, 보론산 및 보린산을 들 수 있다. 활성 화합물로서 사용되는 미하전된 강한 루이스 산의 추가의 예는 본원에 참고로 포함되어 있는 WO 03/31090 및 WO05/103096 에 제시된다.적합한 활성 화합물 (C) 는 예시 그리고 매우 바람직한 구현예 둘다로서, 화합물, 예컨대 알루미녹산, 강한, 미하전된 루이스 산, 루이스산 양이온을 가진 이온성 화합물 또는 브뢴스테드 산 유래의 양이온성 화합물이다. 알루미녹산으로서, 예를 들어, 본원에 참고로 포함되어 있는 WO 00/31090 에 기재된 화합물을 사용할 수 있다. 특히 유용한 알루미녹산은 하기 일반식 (III) 또는 (IV) 의 열린 사슬 또는 시클릭 알루미녹산 화합물이다:[식 중, R1B-R4B 는 각각 서로 독립적으로, C1-C6-알킬 기, 바람직하게 메틸, 에틸, 부틸 또는 이소부틸 기이고, I 는 1 내지 40, 바람직하게 4 내지 25 의 정수임].특히 유용한 알루미녹산 화합물은 메틸 알루미녹산 (MAO)이다. 더욱이 탄화수소 라디칼 중 일부가 수소 원자로 대체된 개질된 알루미녹산, 또는 알콕시, 아릴옥시, 실록시 또는 아미드 라디칼은 또한 활성 화합물 (C) 로서 식 (III) 또는 (IV) 의 알루미녹산 화합물을 대신하여 사용될 수 있다.트리알킬보란, 트리아릴보란 또는 트리메틸보록신 등의 보란 및 보록신은 활성 화합물 (C) 로서 특히 유용하다. 둘 이상의 퍼플루오르화된 아릴 라디칼을 가지는 보란을 사용하는 것이 특히 바람직하다. 더욱 바람직하게, 트리페닐보란, 트리스(4-플루오로페닐)보란, 트리스(3,5-디플루오로페닐)보란, 트리스(4-플루오로메틸페닐)보란, 트리스(펜타플루오로페닐)보란, 트리스(톨릴)보란, 트리스(3,5-디메틸페닐)보란, 트리스(3,5-디플루오로페닐)보란 또는 트리스(3,4,5-트리플루오로페닐)보란으로 이루어진 항목으로부터 선택된 화합물이 사용되고, 가장 바람직하게 활성 화합물은 트리스(펜타플루오로페닐)보란이다. 또한 퍼플루오르화된 아릴 라디칼을 가진 보린산, 예를 들어 (C6F5)2BOH 가 특히 언급된다. 활성 화합물 (C) 로서 사용될 수 있는 적합한 Bor-기재의 루이스 산 화합물의 더욱 일반적인 정의는 상기한 바와 같이 본원에 참고로 포함되어 있는 WO05/103096 에 제시된다.본원에 참고로 포함되어 있는 WO 9736937 에 기재된 음이온성 붕소 헤테로사이클을 함유한 화합물, 예컨대 예를 들어 디메틸 아닐리노 보레이토 벤젠 또는 트리틸 보레이토 벤젠이, 또한 활성 화합물 (C) 로서 적합하게 사용될 수 있다. 바람직한 이온성 활성 화합물 (C) 는 둘 이상의 퍼플루오르화된 아릴 라디칼을 가진 보레이트를 함유할 수 있다. N,N-디메틸 아닐리노 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 특히 N,N-디메틸시클로헥실암모늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, N,N-디메틸벤질- 암모늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 또는 트리틸 테트라키스펜타플루오로페닐보레이트가 바람직하다. 또한 둘 이상의 보레이트 음이온은 2 가 음이온 [(C6F5)2B- C6F4-B(C6F5)2]2- 로서 서로 결합시키는 것이 가능하거나, 또는 보레이트 음이온은 가교를 통해 지지체 표면 상의 적합한 관능 기에 결합할 수 있다. 추가의 적합한 활성 화합물 (C) 는 본원에 참고로 포함되어 있는 WO 00/31090 에 나열되어 있다.추가의 특히 바람직한 활성 화합물 (C) 는 바람직하게 디[비스(펜타플루오로페닐보록시)]메틸알란 등의 붕소-알루미늄 화합물을 포함한다. 상기 붕소-알루미늄 화합물의 예는 본원에 참고로 포함되어 있는 WO 99/06414 에 개시된 것이다. 또한 모든 상기한 활성 화합물 (C) 의 혼합물을 사용할 수 있다. 바람직한 혼합물은 알루미녹산, 특히 메틸알루미녹산, 및 이온성 화합물, 특히 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 음이온을 함유하는 것, 및/또는 강한, 미하전된 루이스 산, 특히 트리스(펜타플루오로페닐)보란 또는 보록신을 포함한다.촉매 시스템은 추가 성분 (K)로서, 일반식, 그의 이용 방식 및 화학량론 및 본원에 참고로 포함되어 있는 WO 05/103096 의 구체예를 통해 정의된 금속 화합물을 추가로 포함할 수 있다. 금속 화합물 (K) 는 마찬가지로 촉매 (A) 및 (B), 임의로 활성 화합물 (C) 및 지지체 (D) 와 임의 순서로 반응할 수 있다. 또한, 동시에 지지체 (D) 로서도 사용될 수 있는 활성 화합물 (C) 를 사용하는 것이 가능하다. 예를 들어 상기 시스템은 지르코늄 알콕시드 및 예를 들어 사염화탄소에 의한 후속적인 염소화 처리된 무기 산화물로부터 수득된다. 상기 시스템의 제조는 예를 들어, WO 01/41920 에 기재되어 있다.(C) 의 바람직한 구현예와 메탈로센 (A) 및/또는 전이 금속 착물 (B) 의 바람직한 구현예와의 조합이 특히 바람직하다. 촉매 성분 (A) 및 (B) 에 대한 결합 활성제 (C) 로서는 알루미녹산을 이용하는 것이 바람직하다. 또한 지르코노센 (A) 에 대한 활성제 (C) 로서는 일반식 (XIII) 의 양이온의 유사 염 화합물, 특히 N,N-디메틸아닐리늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, N,N-디메틸시클로헥실암모늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, N,N-디메틸벤질암모늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 또는 트리틸 테트라키스펜타플루오로페닐보레이트를, 특히 철 착물 (B) 에 대한 활성제 (C) 로서 알루미녹산과 함께 조합하는 것이 바람직하다.메탈로센 (A) 및 철 또는 다른 금속 착물 (B) 를 기상 또는 현탁 중합 공정에 사용가능하게 하기 위해서는, 고체 형태의 착물을 사용하는 것, 즉 착물이 고체 지지체 (D) 에 적용되는 것이 종종 유리하다. 더욱이, 지지된 착물은 높은 생산성을 가진다. 따라서 메탈로센 (A) 및/또는 철 착물 (B) 는 또한 임의로 유기 또는 무기 지지체 (D) 에 고정될 수 있고, 중합시 지지된 형태로 사용될 수 있다. 이는 예를 들어, 반응기의 침전 방지 및 중합체 형태의 조절을 가능하게 한다. 지지체 재료로서, 실리카 겔, 염화 마그네슘, 산화 알루미늄, 메조포러스 (mesoporous) 재료, 알루미노실리케이트, 히드로탈시트 및 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 유기 중합체 또는 극성 관능기를 가진 중합체, 예를 들어 에텐 및 아크릴산 에스테르, 아크롤레인 또는 비닐 아세테이트의 공중합체를 사용하는 것이 바람직하다.하나 이상의 전이 금속 착물 (A), 하나 이상의 철 착물 (B), 하나 이상의 활성 화합물 (C) 및 하나 이상의 지지체 성분 (D) 를 포함하는 촉매 시스템이 특히 바람직하고, 이는 유기 또는 무기, 바람직하게 다공성 고체일 수 있다. (A) 및 (B) 는 더 더욱 바람직하게 공통 또는 결합 지지체에 적용되어, 상이한 촉매 중심의 비교적 가까운 공간적 근접성을 확보함에 따라, 형성된 상이한 중합체의 양호한 혼합을 확보할 수 있다.메탈로센 (A), 철 또는 다른 전이 금속 착물 (B) 및 활성 화합물 (C) 는 서로 독립적으로, 예를 들어 잇달아 또는 동시에 고정 (immobilization) 될 수 있다. 따라서, 지지체 성분 (D) 는 우선 활성 화합물 또는 화합물 (C) 와 접촉될 수 있거나, 또는 지지체 성분 (D) 는 우선 전이 금속 착물 (A) 및/또는 착물 (B) 에 접촉될 수 있다. 지지체 (D) 와 혼합하기 전 하나 이상의 활성 화합물 (C) 에 의한 전이 금속 착물 A) 의 예비활성화가 또한 가능하다. 철 성분은 예를 들어, 전이 금속 착물과 활성 화합물 (C)와 동시에 반응할 수 있거나, 또는 활성 화합물 (C) 에 의해 개별적으로 예비활성화될 수 있다. 예비활성화된 착물 (B) 는 메탈로센 착물 (A) 의 예비활성화 이전 또는 이후에 상기 지지체에 적용할 수 있다. 하나의 가능한 구현예에서, 착물 (A) 및/또는 착물 (B) 는 또한 지지체 재료의 존재 하에 제조될 수 있다. 추가적인 고정화 방법으로는 지지체에 미리 적용하거나 적용하지 않은 촉매 시스템의 예비중합이 있다.고정화는 일반적으로 고정화 후의 여과 또는 증발에 의해 제거될 수 있는 비활성 용매 중에서 실시된다. 각각의 공정 단계 후, 고체는 지방족 또는 방향족 탄화수소 등의 적합한 비활성 용매로 세정되고, 건조될 수 있다. 그러나, 여전히 습윤의 지지된 촉매를 사용하는 것이 또한 가능하다.지지된 촉매 시스템을 제조하는 바람직한 방법에서, 하나 이상의 착물 (B) 를 활성화된 화합물 (C) 와 접촉시킨 후, 탈수 또는 부동태화 지지체 재료 (D) 와 혼합한다. 마찬가지로 메탈로센 착물 (A) 를 적합한 용매 중의 하나 이상의 활성 화합물 (C) 와 접촉시켜 바람직하게 가용성의 반응 생성물, 부가물 또는 혼합물을 생성한다. 이 방법으로 수득된 제제를 이후 예를 들어 고정화된 철 착물 (B) 과 혼합하고 (이를 바로 사용하거나 용매를 분리제거한 이후 사용), 용매를 완전히 또는 부분적으로 제거한다. 바람직하게는, 모든 또는 대부분의 용매가 확실히 지지체 재료의 기공에서 제거되도록 생성된 지지된 촉매 시스템을 건조한다. 바람직하게 지지된 촉매는 자유 유동 (free-flowing) 분말로서 수득된다. 상기 공정의 공업적 실행의 예는 WO 96/00243, WO 98/40419 또는 WO 00/05277 에 기재되어 있다. 추가의 바람직한 구현예는 우선 지지체 성분 (D) 상의 활성 화합물 (C) 를 생성한 다음, 이 지지된 화합물을 전이 금속 착물 (A) 및 철 또는 다른 전이 금속 착물 (B) 와 접촉시키는 것을 포함한다.사용된 지지체 재료는 바람직하게 10 내지 1000 m2/g 범위의 비표면적, 0.1 내지 5 ml/g 범위의 기공 부피 및 1 내지 500 μm 의 평균 입자 크기를 가진다. 50 내지 700 m2/g 범위의 비표면적, 0.4 내지 3.5 ml/g 범위의 기공 부피 및 5 내지 350 μm 범위의 평균 입자 크기를 가진 지지체가 바람직하다. 200 내지 550 m2/g 범위의 비표면적, 0.5 내지 3.0 ml/g 범위의 기공 부피 및 10 내지 150 μm 의 평균 입자 크기를 가진 지지체가 특히 바람직하다.바람직하게, 메탈로센 착물 (A) 는 최종 촉매 시스템에서 전이 금속 착물 (A) 의 전이 금속 농도가 지지체 (D) 1 g 당 1 내지 200 μmol, 바람직하게 5 내지 100 μmol, 특히 바람직하게 10 내지 70 μmol 이도록 하는 양으로 적용된다. 예를 들어 철 착물 (B)는 바람직하게 최종 촉매 시스템에서 철 착물 (B) 의 철 농도가 지지체 (D) 1 g 당 1 내지 200 μmol, 바람직하게 5 내지 100 μmol, 특히 바람직하게 10 내지 70 μmol 이도록 하는 양으로 적용된다.무기 지지체에 예를 들어 흡수된 물을 제거하기 위해 열 처리를 실시할 수 있다. 상기 건조 처리는 일반적으로 50 내지 1000℃, 바람직하게 100 내지 600℃ 범위의 온도에서 실시되고, 이때 100 내지 200℃ 에서 건조하는 것은 바람직하게 감압 하 및/또는 비활성 기체 (예를 들어 질소)로 뒤덮힌 상황 하에 실시될 수 있고, 또는 무기 지지체를 200 내지 1000℃의 온도에서 소성시켜, 목적하는 구조의 고체를 생성하고/하거나 그 표면 상의 목적하는 OH 농도를 설정할 수 있다. 상기 지지체는 또한 통상의 건조제, 예컨대 금속 알킬, 바람직하게 알루미늄 알킬, 클로로실란 또는 SiCl4, 그밖의 메틸알루미녹산을 사용하여 화학적으로 처리될 수 있다. 적절한 처리 방법이 예를 들어, WO 00/31090 에 기재되어 있다.또한 무기 지지체 재료는 화학적으로 개질될 수 있다. 예를 들어, 실리카 겔을 NH4SiF6 또는 다른 플루오르화제로 처리하면 실리카 겔 표면이 플루오르화되거나, 또는 실리카 겔을 질소-, 불소 또는 황-함유 기를 함유한 실란으로 처리하면, 그에 상응하는 개질된 실리카 겔 표면이 생성된다.유기 지지체 재료, 예컨대 미분된 폴리올레핀 분말 (예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 또는 폴리스티렌) 이 또한 사용될 수 있고, 바람직하게 마찬가지로 사용전에 적절한 정제 및 건조 작업에 의해서, 부착되어 있는 수분, 용매 잔여물 또는 다른 불순물을 포함하지 않게 된다. 또한 관능화된 중합체 지지체, 예를 들어 폴리스티렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 또는 폴리부틸렌 기재의 것을 사용할 수 있고, 이의 관능기, 예를 들어 암모늄 또는 히드록시 기를 통하여, 촉매 성분 중 하나 이상을 고정할 수 있다. 또한 중합체 배합물을 사용할 수 있다.지지체 성분 (D) 로서 적합한 무기 산화물은 원소 주기율표 2, 3, 4, 5, 13, 14, 15 및 16 족의 원소 산화물 중에서 찾을 수 있다. 지지체로서 바람직한 산화물의 예는 실리콘, 이산화물, 산화 알루미늄 및 원소 칼슘, 알루미늄, 규소, 마그네슘 또는 티타늄의 혼합된 산화물 및 또한 상응하는 산화물 혼합물을 포함한다. 단독으로 또는 상기한 바람직한 산화 지지체와 조합하여 사용될 수 있는 다른 무기 산화물은 예를 들어, MgO, CaO, AlPO4, ZrO2, TiO2, B2O3 또는 이의 혼합물이다. 추가의 바람직한 무기 지지체 재료는 무기 할라이드, 예컨대 MgCl2 또는 카르보네이트, 예컨대 Na2CO3, K2CO3, CaCO3, MgCO3, 설페이트, 예컨대 Na2SO4, Al2(SO4)3, BaSO4, 나이트레이트, 예컨대 KNO3, Mg(NO3)2 또는 Al(NO3)3 이다.올레핀 중합용 촉매에 대한 고체 지지체 재료 (D) 로서는 실리카 겔을 사용하는 것이 바람직한데, 그 이유는 크기와 구조가 올레핀 중합용 지지체로서 적합하게 된 입자가 이 재료로부터 생성될 수 있기 때문이다. 비교적 작은 과립 입자, 즉 1차 입자의 구형 응집체인 분무 건조된 실리카 겔이 특히 유용한 것으로 밝혀졌다. 이 실리카 겔은 사용 전 건조 및/또는 소성될 수 있다. 추가로 바람직한 지지체 (D) 는 히드로탈시트 및 소성된 히드로탈시트이다. 광물학에서, 히드로탈시트는 하기 이상적인 식을 가진 천연 광물이고:,이의 구조는 브루사이트 Mg(OH)2 구조에서 유래된다. 브루사이트는 두 층의 가깝게 패킹된 (packed) 히드록실 이온 사이의 8면체 구멍 내에 금속 이온을 가진 판상 구조로 결정화되고, 이때 모든 두번째 층의 8면체 구멍만을 채운다. 히드로탈시트에서, 일부 마그네슘 이온은 알루미늄 이온으로 대체되고, 이로 인해 층 묶음은 양전하를 얻는다. 이는 중간의 층에 물 결정과 함께 위치한 음이온에 의해 균형화된다.상기 판상 구조는 마그네슘-알루미늄-히드록시드 뿐만아니라, 일반적으로 하기 일반식의 혼합된 금속 히드록시드 (판상 구조를 가질 수 있음)에서도 발견된다:*[식 중, M(II)은 2가 금속, 예컨대 Mg, Zn, Cu, Ni, Co, Mn, Ca 및/또는 Fe 이고, M(III)은 3가 금속, 예컨대 Al, Fe, Co, Mn, La, Ce 및/또는 Cr 이고, x 는 0.5 단계로의 0.5 내지 10 의 수이고, A 는 격자간 음이온이고, n 은 1 내지 8, 통상적으로 1 내지 4 일 수 있는 격자 간 음이온 상의 전하이고, z 는 1 내지 6, 특히 2 내지 4 의 정수임]. 가능한 격자간 음이온은 유기 음이온, 에컨대 알콕시드 음이온, 알킬 에테르 설페이트, 아릴 에테르 설페이트 또는 글리콜 에테르 설페이트, 무기 음이온, 예컨대 특히, 카르보네이트, 수소 카르보네이트, 나이트레이트, 클로라이드, 설페이트 또는 B(OH)4- 또는 폴리옥소금속 음이온, 예컨대 Mo7O246- 또는 V10O286- 이다. 그러나, 다수의 상기 음이온의 혼합물이 또한 가능하다.따라서, 판상 구조를 가진 모든 상기 혼합된 금속 히드록시드는 본 발명의 목적을 위해 히드로탈시트로 여겨져야 한다. 소성된 히드로탈시트는 소성, 즉 가열에 의해 히드로탈시트로부터 제조되고, 이로써 특히, 목적하는 히드록시드 기 함량이 설정될 수 있다. 추가로, 결정 구조는 또한 변한다. 본 발명에 따라 사용되는 소성된 히드로탈시트의 제조는 통상적으로 180℃ 초과의 온도에서 실시된다. 3 내지 24 시간 동안 250℃ 내지 1000℃, 특히 400℃ 내지 700℃의 온도에서 소성되는 것이 바람직하다. 공기 또는 비활성 기체가 고체를 지나갈 수 있거나 동시에 진공이 적용될 수 있다. 가열시, 천연 또는 합성 히드로탈시트는 우선 물을 방출하고, 즉 건조가 일어난다. 추가로 가열시, 실제 소성 시, 금속 히드록시드는 히드록실 기 및 격자간 음이온을 제거함으로써 금속 산화물로 전환된다; 카르보네이트와 같은 OH 기 또는 격자간 음이온은 또한 소성된 히드로탈시트 중에 여전히 존재할 수 있다. 이의 측정치는 점화시 손실된 양이다. 이는 두 단계로, 우선 건조 오븐 내에서 30 분 동안 200℃로, 이후 머플로 내에서 1 시간 동안 950℃로 가열되는 샘플이 겪는 중량 손실이다.따라서 성분 (D) 로서 사용되는 소성된 히드로탈시트는 M(II) 대 M(III) 의 몰비가 일반적으로 0.5 내지 10, 바람직하게 0.75 내지 8, 특히 1 내지 4 의 범위내인 2가 및 3가 금속 M(II) 및 M(III)의 혼합 산화물이다. 더욱이, 통상적인 양의 불순물, 예를 들어 Si, Fe, Na, Ca 또는 Ti 및 또한 클로라이드 및 설페이트가 또한 존재할 수 있다. 바람직한 소성된 히드로탈시트 (D) 는 M(II) 이 마그네슘이고, M(III) 이 알루미늄인 혼합 산화물이다. 상기 알루미늄-마그네슘 혼합된 산화물은 Condea Chemie GmbH (현재 Sasol Chemie), Hamburg 에서 상표명 Puralox Mg 으로 입수가능하다. 또한 소성된 히드로탈시트가 바람직하고, 여기서 구조 변형이 완전하거나 또는 사실상 완전하다. 소성, 즉 구조의 변형은 예를 들어, X-선 회절 패턴에 의해 확인될 수 있다. 히드로탈시트, 소성된 히드로탈시트 또는 사용된 실리카 겔은 일반적으로 평균 입자 직경 D50 5 내지 200 μm 의 미분된 분말로서 사용되고, 통상적으로 0.1 내지 10 cm3/g 의 기공 부피 및 30 내지 1000 m2/g 의 비표면적을 가진다. 바람직하게는 상기 메탈로센 착물 (A) 이 최종 촉매 시스템의 전이 금속 착물 (A) 중 전이 금속의 농도가 지지체 (D) 1 g 당 1 내지 100 μmol 이 되도록 하는 양으로 적용된다.또한 촉매 시스템을 우선 올레핀, 바람직하게 C2-C10-1-알켄, 특히 에틸렌과 예비중합한 후, 생성된 예비중합된 촉매 고체를 실제 중합에서 사용하는 것이 가능하다. 예비 중합에서 사용된 촉매 고체 대 이에 중합된 단량체의 질량비는 통상적으로 1:0.1 내지 1:1000, 바람직하게 1:1 내지 1:200 의 범위 내이다. 더욱이, 소량의 올레핀, 바람직하게 1-올레핀, 예를 들어 비닐시클로헥산, 스티렌 또는 페닐디메틸비닐실란, 개질 성분으로서, 왁스 또는 오일 등의 정전기방지 또는 적합한 비활성 화합물이 촉매 시스템의 제조 중 또는 제조 후 첨가제로서 첨가될 수 있다. 첨가제 대 전이 금속 화합물 (A) 와 철 착물 (B) 의 합의 몰비는 통상적으로 1:1000 내지 1000:1, 바람직하게 1:5 내지 20:1 이다.본 발명의 폴리에틸렌을 제조하기 위해, 에틸렌은 탄소수 3 내지 20, 바람직하게 탄소수 3 내지 10 의 올레핀, 바람직하게 1-알켄 또는 1-올레핀과 상기 기재된 바와 같이 중합된다. 바람직한 1-알켄은 선형 또는 분지형 C3-C10-1-알켄, 특히 선형 1-알켄, 예컨대 에텐, 프로펜, 1-부텐, 1-펜텐, 1-헥센, 1-헵텐, 1-옥텐 또는 분지형 1-알켄, 예컨대 4-메틸-1-펜텐이다. C4-C10-1-알켄, 특히 선형 C6-C10-1-알켄이 특히 바람직하다. 또한 다양한 1-알켄의 혼합물을 중합하는 것이 가능하다. 에텐, 프로펜, 1-부텐, 1-펜텐, 1-헥센, 1-헵텐, 1-옥텐 및 1-데센으로 이루어진 군으로부터 선택된 1-알켄 하나 이상을 중합하는 것이 바람직하다. 하나 초과의 공단량체를 사용하는 경우, 바람직하게 하나의 공단량체는 1-부텐이고, 두번째 공단량체는 C5-C10-알켄, 바람직하게 1-헥센, 1-펜텐 또는 4-메틸-1-펜텐이고; 에틸렌-1-부텐-C5-C10-1-알켄 삼원공중합체는 하나의 바람직한 구현예이다. 바람직하게 폴리에틸렌 중 상기 공단량체의 중량비는 바로 그 %LT 피크 분획 또는 하나의 %LT 피크 분획 (the or one % LT peak fraction)에 해당하고 전이 금속 촉매 A) 에 의해 합성된 첫번째 생성물 분획 중에서 0.1 내지 20중량%, 전형적으로 적어도 약 5-15% 의 범위 내이다.에틸렌을 1-알켄과 중합하는 본 발명의 공정이 -60 내지 350℃, 바람직하게 0 내지 200℃, 특히 바람직하게 25 내지 150℃ 범위의 온도에서, 0.5 내지 4000 bar, 바람직하게 1 내지 100 bar, 특히 바람직하게 3 내지 40 bar 의 압력 하에서 통상적으로 공지된 공업적 중합 방법을 사용하여 실시될 수 있다. 이 중합은 대량으로, 현탁액으로, 기상으로 또는 초임계 매질 중에서 공지된 방식으로 올레핀의 중합에 사용되는 통상의 반응기 내에서 실시될 수 있다. 이는 배치식 또는 바람직하게 연속식으로 하나 이상의 단계에서 실시될 수 있다. 튜브 반응기 또는 오토클레이브 내의 고압 중합 공정, 용액 공정, 현탁 공정, 교반 기상 공정 및 기상 유동층 공정이 모두 가능하다.상기 중합은 배치식으로, 예를 들어 교반 오토클레이브에서, 또는 연속식으로, 예를 들어 튜브 반응기, 바람직하게 루프 반응기에서 실시될 수 있다.상기한 중합 공정 중에서, 특히 기상 유동층 반응기에서의 기상 중합, 특히 루프 반응기 및 교반 탱크 반응기에서의 용액 중합 및 현탁 중합이 바람직하다. 기상 중합은 일반적으로 30 내지 125℃의 범위 내에 압력 1 내지 50 bar 에서 실시된다.기상 중합은 또한 축합 또는 고도의 축합된 방식으로 실시될 수 있으며, 이때 순환 기체의 일부는 이슬점 미만으로 냉각되고, 2상 혼합물로서 반응기로 재순환된다. 더욱이, 다구역 반응기를 사용하는 것이 가능하며, 이때 두 중합 구역은 서로 연결되고, 중합체는 이들 두 구역을 교대로 여러번 통과한다. 상기 두 구역은 또한 상이한 중합 조건을 가질 수 있다. 상기 반응기는 예를 들어, WO 97/04015 에 기재되어 있다. 더욱이, 몰 질량 조절제, 예를 들어 수소, 또는 통상의 첨가제, 예컨대 정전기방지제가 또한 중합시 사용될 수 있다. 수소 및 온도 증가로 인해 통상적으로 z-평균 몰 질량이 더 낮아짐으로써, 본 발명에 따라 수소에 반응성이고 그 활성이 수소에 의해 조절되고 조절가능한 단일 부위 전이 금속 착물 촉매 A) 만이 유일하게 바람직하다.바람직하게 단일 반응기 내의 본 발명의 폴리에틸렌의 제조는 에너지 소모를 줄이고, 후속적 배합 공정을 필요로 하지 않으며, 각종 중합체의 분자 중량비 및 분자량 분포의 간단한 조절을 가능하게 한다. 추가로 폴리에틸렌의 양호한 혼합이 달성된다. 바람직하게, 본 발명에 따라, 본 발명의 폴리에틸렌은 예를 들어 2축 압출기 (예를 들어, 압출기 ZSK 240, Werner 0026# Pfleiderer; 전단변형을 낮게 유지하기 위해 8-12 t/h에서 최대 227 회전/분 - 체판을 통한 수조로의 실제 펌프질은 압출기에 연결된 기어형 펌프에 의해 달성됨) 로 60-70℃ 에서 200-250℃ 로 점차적으로 느리게 가열시켜 분말화된 반응 생성물의 추가의 템퍼링 (tempering) 단계 이후 최적으로 달성되고, 이 방법으로써 점진적인 가열에 의해 5개의 구역에서 분말을 용융시키고; 후속하는 6-14개의 구역을 47 bar 에서 수증기에 의해 가열한다. 더욱 바람직하게, 템퍼링 처리는 온도 또는 피크 온도 범위 60-150℃ 에서, 바람직하게는 DSC 프로파일의 피크 온도가 안정되고 더 이상 변동하지 않을 때까지 실시된다.본 발명의 폴리에틸렌은 바람직하게 ISO 13949 에 따라 측정된 혼합 특성 (mixing quality)을 3 미만, 특히 0 내지 2.5 로 가진다. 상기 값은 바람직하게 두 촉매가 공통 지지체 상에 고정되어 있는 상기 기재된 혼합 촉매 시스템에서 반응기에서 직접 취한 폴리에틸렌, 바람직하게 단일 기상 반응기에서 바로 취하고 단일 기상 반응기 내의 중합을 통해 수득가능한 폴리에틸렌 분말을 기초로 한다. 이는 상기 폴리에틸렌의 공단량체 분포가 다봉성일 때 특히 중요하다. 반응기에서 직접 수득한 폴리에틸렌 분말의 혼합 특성은 광학 현미경 하에 샘플의 얇은 슬라이스 ("마이크로톰 절편 (microtome section)")를 평가함으로써 테스트할 수 있다. 비균질성은 고 및 저 점도 중합체 분획의 분리로 인한 스펙 (speck) 또는 "백색 점" 형태로 드러나 보여진다.따라서, 본 발명의 주요 목적은 이후 하기 항목 1 내지 41 로 보고된다.1. 하기를 포함하는, 공단량체 분포 분석시 다봉성 (multimodal)인 폴리에틸렌:i.) 첫번째 중합 성분으로서 70% 내지 95 중량%인, MWD 가 5 미만, CDBI 가 60% 초과 및 ISO1133:2005 에 따라 측정된 고 부하 용융 지수 (21.6 kg에서, 19O℃)가 10 내지 100 g/10 분인, 에틸렌과 C3-C20-α-올레핀-공단량체 하나 이상의 공중합체.ii.) 두번째 중합 성분으로서 5 내지 30중량%인, MWD 가 10 초과, CDBI 가 80% 초과, 및 ISO1133:2005 에 따라 측정된 고 부하 용융 지수 (21.6 kg에서, 19O℃)가 0.2 내지 20 g/10 분인 실질적으로 단독중합성 폴리에틸렌.2. 밀도가 0.90 내지 0.935 g/cm3 이고/이거나 중량 평균 분자량 Mw 가 50,000 내지 500,000 g/mol 이고/이거나 Mz/Mw 가 1.5 초과이고, 바람직하게 α-올레핀이 1-알켄 및 비공액 1-알카디엔으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 바람직하게는 1-알켄인, 항목 1 에 따른 폴리에틸렌.3. 상기 폴리에틸렌이 CRYSTAF�� 에 의해 분석된 고온 피크 중량 분획 (%HT) 및 저 온피크 중량 분획 (% LT)을 포함하는 것이고, %HT 분획이 실질적으로 두번째 중합 성분에 해당하고/해당하거나 실질적으로 두번째 중합 성분을 포함하고, % LT 분획이 첫번째 중합 성분에 실질적으로 해당하고/해당하거나 첫번째 중합 성분을 실질적으로 포함하는 것을 특징으로 하는, 항목 1 에 따른 폴리에틸렌.4. 첫번째 중합 성분의 ISO1133:2005 에 따라 측정된 고 부하 용융 지수 (21.6 kg에서, 19O℃)가 20 내지 60 g/10 분인, 항목 1 에 따른 폴리에틸렌.5. 첫번째 중합 성분의 MWD 가 2 내지 4 인, 항목 1 에 따른 폴리에틸렌.6. 첫번째 중합 성분의 CDBI 가 70% 초과, 바람직하게 80% 초과인, 항목 1 에 따른 폴리에틸렌.7. 첫번째 중합 성분의 밀도가 0.890 내지 0.930 g/cm3 인, 항목 1 에 따른 폴리에틸렌.8. 두번째 중합 성분의 ISO1133:2005 에 따라 측정된 고 부하 용융 지수 (21.6 kg에서, 19O℃)가 1 내지 10 g/10 분인, 항목 1 에 따른 폴리에틸렌.9. 두번째 중합 성분의 CDBI 가 90% 초과인, 항목 1 에 따른 폴리에틸렌.10. 두번째 중합 성분의 밀도가 적어도 0.940 g/cm3 이상, 바람직하게 0.945 g/cm3 내지 0.970 g/cm3 인, 항목 1 에 따른 폴리에틸렌.11. 25 μm 블로운 (blown) 필름 상에 ASTM D 1709:2005 방법 A 에 의해 측정된 다트 낙하 충격 값이 1200 g 이상, 바람직하게 1600 g 이상인, 항목 1 에 따른 폴리에틸렌.12. 첫번째 중합 성분 및/또는 %LT 분획이 메탈로센 촉매에 의해 제조되는, 항목 3 에 따른 폴리에틸렌.13. 중합 반응이 단일 반응기, 바람직하게 단일 기상 반응기 내의 혼합 촉매 시스템에 의해 실시되는 것에 의해 수득되는 것을 특징으로 하는, 이전의 항목 1 내지 12 중 하나에 따른 폴리에틸렌.14. 혼합 특성 (mixing quality) 2.5 미만의 분말이고/이거나 공통의 지지체 재료 상에 고정된 혼합 촉매 시스템에 의해 수득되었고, 바람직하게는 이 분말이 폴리에틸렌의 열적 및/또는 저장 안정성을 증가시키기 위한 클로라이드를 포함하지 않는, 항목 13 에 따른 폴리에틸렌.15. 공통 지지체가 과립화된 지지체 재료이고, 둘 이상의 촉매가 지지체 재료의 단일 입자 상에서 혼합되는, 항목 14 에 따른 폴리에틸렌.16. % HT 분획이 DSC 에서 구별가능하고, DSC의 결정성 용융 온도 120 내지 124.5 ℃에서 정점 (peak)인 것을 특징으로 하는, 항목 3 내지 15 중 하나에 따른 폴리에틸렌.17. %LT 분획이 DSC 의 결정성 용융 온도 101 내지 107℃에서 정점이고, 더욱 바람직하게 피크가 DSC 분석시 이봉성 (bimodal) 분포를 나타내는 것을 특징으로 하는, 항목 3 내지 16 중 하나에 따른 폴리에틸렌.18. GPC 에 의해 결정된 실질적으로 단봉성 (monomodal) 분자량 분포 곡선을 가지는 것을 특징으로 하는, 항목 1 내지 17 중 하나에 따른 폴리에틸렌.19. 총 메틸 기 함량을 기준으로 분기화가 탄소수 1000 당 CH3 수 0.01 내지 20 인, 항목 1 내지 18 중 하나에 따른 폴리에틸렌.20. 중합 반응이 두 전이 금속 착물 촉매를 포함하는 혼합 촉매 시스템에 의해 실시되고, 바람직하게 두 전이 금속 착물 촉매가 공통 지지체 재료에 고정된 것을 특징으로 하는, 항목 13 내지 15 중 하나에 따른 폴리에틸렌.21. 제 1 촉매가 메탈로센 촉매인, 항목 20 에 따른 폴리에틸렌.22. 항목 1 내지 21 중 하나에 따른 폴리에틸렌을 포함하는 중합체 배합물.23. 배합물이 항목 1 내지 21 중 하나에 따른 폴리에틸렌인 20% 내지 99중량% 의 첫번째 중합체 및 상기 첫번째 폴리에틸렌과 상이한 1 내지 80중량%의 두번째 중합체를 포함하고, 중량%가 배합물의 총 질량 기준인 것을 특징으로 하는, 항목 22 에 따른 배합물.24. 중합 반응이 단일 반응기 내에 둘 이상의 전이 금속 착물 촉매를 포함하는 촉매적 시스템에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는, 항목 1 에 따른 폴리에틸렌의 고안을 위한 중합 방법.25. 촉매적 시스템이 지글러 촉매를 포함하지 않고/않거나 제 1 촉매 A)가, 상기 폴리에틸렌의 첫번째 중합 성분인 첫번째 생성물 분획을 제공하는 단일 부위 촉매인, 항목 24 에 따른 중합 방법.26. 제 1 촉매가, 상기 폴리에틸렌의 첫번째 중합 성분인 첫번째 생성물 분획을 제공하는 메탈로센 촉매 A)인 것을 특징으로 하는, 항목 24 또는 25 에 따른 중합 방법.27. 제 2 촉매 B)가 비-메탈로센인, 전이 금속 착물 촉매이고, 상기 제 2 촉매가 두번째 생성물 분획을 제공하고, 이 두번째 생성물 분획이 상기 폴리에틸렌의 두번째 중합 성분인 것을 특징으로 하는, 항목 24 에 따른 중합 방법.28. 제 2 촉매 B)가, 둘 이상의 아릴 라디칼을 가지는 세자리 리간드를 가진 철 착물 촉매 성분 B1)인 것을 특징으로 하는, 항목 27 에 따른 중합 방법.29. 각각 상기 두 아릴 라디칼이 오르토-위치에 할로겐 및/또는 알킬 치환기를 가지는 것을 특징으로 하는, 항목 28 에 따른 중합 방법.30. 필름, 섬유 또는 몰딩의 제조를 위한, 항목 1 내지 21 중 하나에 따른 폴리에틸렌 또는 항목 22 또는 23 에 따른 배합물의 용도.31. 중합체 가공 첨가제를 실질적으로 포함하지 않는 필름 또는 몰딩을 추가로 제조하기 위한, 항목 30 에 따른 용도.32. 중합체 가공 첨가제의 연속된 부재 하에, 상기 가공 첨가제를 포함하지 않거나 실질적으로 포함하지 않는 항목 1 에 따른 폴리에틸렌 조성물 또는 항목 22 에 따른 폴리에틸렌 배합물을 압출하는 단계를 포함하는, 필름, 섬유 또는 몰딩의 제조 방법, 바람직하게 중합체 가공 첨가제를 실질적으로 포함하지 않는 블로운 필름 또는 블로우 몰딩의 제조 방법.33. 필름 또는 몰딩이 그의 표면 상에 용융 파괴 또는 샤크스킨 거침성을 포함하지 않거나 실질적으로 포함하지 않고/않거나 겔을 포함하지 않아, 폴리에틸렌의 중합 성분의 안정한 혼합을 나타내는, 항목 32 에 따른 방법.34. 폴리에틸렌이 가공 속도 ≥40 kg/h 에서 압출되는 것을 특징으로 하는, 항목 32 에 따른 방법.35. 항목 1 내지 21 중 하나에 따른 폴리에틸렌 또는 항목 22 또는 23 에 따른 배합물로부터 제조되는, 필름, 섬유 또는 몰딩, 바람직하게 블로운 필름 또는 블로우 몰딩.36. DDI 가 1200 g 초과인 항목 22 또는 23 에 따른 배합물 또는 항목 1 내지 21 중 하나에 따른 폴리에틸렌으로부터 제조되는, 필름, 바람직하게 블로운 필름.37. 중합체 가공 첨가제를 포함하지 않거나 실질적으로 포함하지 않는, 항목 36 또는 37 에 따른 필름.38. 그의 표면 상에 샤크스킨 거침성을 포함하지 않거나 실질적으로 포함하지 않고/않거나, 겔을 포함하지 않는, 항목 36 또는 37 에 따른 필름.39. 헤이즈 값이 15% 미만이고/이거나 60℃에서의 광택 값이 60% 초과인, 항목 36 내지 38 중 하나에 따른 필름.40. 필름의 DIN 53375:1998 에 따른 마찰 지수 값이 1.50 미만인, 항목 36 내지 39 중 하나에 따른 필름.41. 필름 두께가 50 μm 미만, 바람직하게 10 내지 30 μm 인, 항목 36 내지 40 중 하나에 따른 필름. [ 발명의 효과 ] 놀랍게도, 본 발명의 LLDPE 조성물은 크게 증진된 기계적 내충격성 그리고 우수한 가공 특성을 나타내며, 필름 가공시 가공 보조제, 특히 플루오로엘라스토머의 첨가를 배제할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1 은 한 회분의 본 발명의 재료, 및 비교 표준물 (단봉성 m-LLDPE 단독, 본 발명에서 사용된 것과 동일한 지르코노센 촉매) 에 대한 SHI* 값을 곡선으로 그린 것이다. 본 발명의 생성물은 보다 양호한 가공성을 보여준다. 주파수=0.01rad 에서의 점도에 대한 소정의 회전 주파수에서의 SHI* 는 항상 비교 중합체의 것보다 적다. 이는 가공 상의 이점을 제공한다. 이 특징은 LCB 의 존재로 인한 것이 아닌데, 그 이유는 도 2 에서 하기 추가로 나타낸 Van Gurp-Palmen Plot (상기 Trinket 등, 2002) 에서 꼬인 부분이 관찰되지 않았기 때문이다. 양호한 가공 특성은 표의 낮은 회전 주파수, 특히 5 rad/s 미만, 더욱 더 1 rad/s 미만에서의 본 발명의 중합체 조성물의 훨씬 더 큰 저장 탄성율 G'(ω) 로부터 특히 명백하고 - 이는 여기서 5 배 증가된 탄성을 가지면서, 표준물의 우수한 다트 낙하 값을 보존하는 본 발명의 폴리에틸렌인 상기 재료의 탄성 특성을 나타낸다.도 3 은 작업 예시에서 사용된 본 발명의 과립화된 폴리에틸렌 재료의 투과전자현미경 (TEM) 사진을 나타내고; 모든 사진에서 하부의 좌측 코너의 스케일링 바 (scaling bar)에 의해 나타내지는 바와 같이 해상도가 좌에서 우로 증가한다. 좌측 사진은 2 내지 3 μm 범위 내에 있는 물체를 구별할 수 있게 하고, 우측 사진은 수십 nm (~50 nm 범위) 차이 나는 물체를 구별할 수 있게 하는 최고 해상도의 사진이다. 구결정 조직은 관찰되지 않는다 (좌측 사진). 보다 고배율에서는 결정성 라멜라 (lamellae) 가 분명하다 (우측 사진). 본 발명의 생성물의 우수한 혼합 특성이 분명하다.도 4 는 동일한 샘플의 Crystaf�� 도표를 나타내고; 한편 두 개의 상이한 고온 및 저온 피크 분획의 구별은 미분 등고선 그래프 (contour plot) 에서 분명하지만, 피크 모양 뿐만아니라 결정화 온도는 용매 효과로 인해 DSC 분석과 상이할 수 있다. 두번째 그래프 (볼 온 스틱 플롯, ball-on-stick plot) 는 본 발명에 따라 계산된 고온 및 저온 분획의 질량 분획을 기준으로 적분된 형태이고; 임의로, 80℃에서의 움푹 꺼진 부분에 의해 저온 분획으로부터 고온 분획의 한계범위를 정하였다. 따라서 고온 분획에서 주어진 모든 수치는 임의 온도 003e#80℃의 Crystaf 곡선의 적분으로부터 계산되고, 그 반대도 가능하다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 하기 실시예는 본 발명을 예시하지만 본 발명의 범위를 제한하지는 않는다.실시예대부분의 특정 방법은 상기에서 이미 설명하였거나 언급한 바 있다. NMR 샘플을 비활성 기체 하의 튜브에 넣고, 적절한 경우 용융시켰다. 용매 신호는 1H- 및 13C-NMR 스펙트럼에서 내부 기준 역할을 하였고, 이들의 화학적 이동을 TMS 에 관한 값으로 전환시켰다.탄소수 1000 당 분기수를, [James. C. Randall, JMS-REV. Macromol. Chem. Phys., C29 (20026#3), 201-317 (1989)] 에 의해 기재된 바와 같이, 13C-NMR 에 의해 구하고, 탄소수 1000 당 CH3 기수의 총 함량을 기준으로 한다. CH3 보다 큰 측쇄, 특히 에틸, 부틸 및 헥실의 측쇄의 탄소수 1000 당 분기수를 마찬가지로 이 방식으로 구한다. 개별 중합체 질량 분획의 분기화도는 13C-NMR 과 함께 Holtrup 방법 (W. Holtrup, Makromol. Chem. 178, 2335 (1977)) 에 의해 결정된다. 중합체의 13C-NMR 고온 스펙트럼을 120 ℃에서 푸리에 변환 모드로 100.61 MHz 에서 작동하는 Bruker DPX-400 분광계에서 획득하였다. 피크 Sδδ [CJ. Carman, R.A. Harrington 및 CE. Wilkes, Macromolecules, 10, 3, 536 (1977)] 탄소를 내부 기준으로서 29.9 ppm 에서 사용하였다. 샘플을 120 ℃에서 8% wt/v 농도로 1,1,2,2-테트라클로로에탄-d2 에 용해시켰다. 1H-13C 커플링을 제거하기 위해 CPD (WALTZ 16), 90° 펄스, 펄스 간 15초 지연으로 하여 각 스펙트럼을 획득하였다. 약 1500-2000 과도신호를 스펙트럼 창 6000 또는 9000 Hz 를 사용하여 32K 데이터 지점에 저장하였다. 스펙트럼은 Kakugo [M. Kakugo, Y. Naito, K. Mizunuma 및 T. Miyatake, Macromolecule, 15, 4, 1150, (1982)] 및 J. C. Randal, Macromol. Chem Phys., C29, 201 (1989) 를 참고하여 지정하였다.중합체의 용융 엔탈피 (ΔHf) 를 표준 방법 (ISO 11357-3 (1999)) 에 따른 열흐름 DSC (TA-Instruments Q2000) 에서 시차 주사 열량법 (DSC) 에 의해 측정하였다. 샘플 홀더인 알루미늄 팬에 5 내지 6 mg 의 표본을 적재하여 밀봉한다. 이후 샘플을 20 K/분의 가열 속도로 주변 온도에서 200℃ 까지 가열한다 (첫번째 가열). 미결정이 완전히 용융되도록 200℃ 에서 5 분 동안 유지한 다음, 샘플을 20 K/분의 냉각 속도로 -10℃ 로 냉각시키고, 거기서 2분 동안 유지한다. 최종적으로 샘플을 20 K/분의 가열 속도로 -10℃ 에서 200℃ 로 가열한다 (두번째 가열). 기준선을 그린 후, 두번째 실시된 가열의 피크 하의 면적을 측정하고, 융합 엔탈피 (ΔHf) (J/g) 를 상응하는 ISO (11357-3 (1999)) 에 따라 계산한다.Crystaf�� 측정을 Polymer Char (P.O. Box 176, E-46980 Paterna, Spain) 로부터의 기기에서 1,2-디클로로벤젠을 용매로 사용하여 실시하였고, 데이터를 관련 소프트웨어를 사용하여 처리하였다. Crystaf�� 온도-시간 곡선은 특히 적분시 개별 피크 분획의 수량화를 가능하게 한다. 시차 Crystaf�� 곡선은 단쇄 분기화 분포의 봉성을 나타낸다. 또한 사용된 공단량체의 유형에 따라 적합한 보정 곡선을 이용함으로써, 수득된 Crystaf�� 곡선을 탄소수 1000 당 CH3 기 수로 전환하는 것이 가능하지만 여기서는 수행하지 않았다. 밀도 [g/cm3] 를 ISO 1183 따라 구하였다. 비닐 기 함량은 ASTM D 6248-98 에 따라 IR 에 의해 구한다. 비닐리덴 기의 함량도 마찬가지로, 개별적으로 측정하였다. 필름의 다트 낙하 충격 값을 필름 두께가 25 μm 인 필름인, 기재된 바와 같은 블로운 필름 상에서 ASTM D 1709:2005 방법 A 에 의해 결정하였다. 마찰 계수, 또는 미끄럼 마찰 계수를 DIN 53375 A (1986) 를 따라 결정하였다.적어도 5 장의 10x10 cm 의 필름의 헤이즈 (haze) 를 BYK Gardener Haze Guard Plus Device 에서 ASTM D 1003-00 에 따라 결정하였다. 필름의 투명도 (clarity) 는 적어도 5 장의 10x10 cm 의 필름에 대해 BYK Gardener Haze Guard Plus Device 상에서 ASTM D 1746 - 03 을 따라 구하고, 보정 셀 77.5 로 보정하였다. 상이한 각도에서의 광택을 적어도 5 장의 필름에 대해 필름 고정용 진공 판을 가진 광택계에서 ASTM D 2457 -03 을 따라 구하였다.몰 질량 분포 및 평균 Mn, Mw, Mz 및 이로부터 유래된 Mw/Mn 의 결정을 DIN 55672-1:1995-02 1995 년 2 월 발행에 기재된 방법을 사용하여 고온 겔 투과 크로마토그래피에 의해 실시하였다. 상기 DIN 표준법과 상이한 조건은 다음과 같다: 용매 1,2,4-트리클로로벤젠 (TCB), 장치 및 용액의 온도 135℃ 및 농도 검출기로서 TCB 와 함께 사용하기에 적합한 PolymerChar (Valencia, Paterna 46980, Spain) IR-4 적외선 검출기. 상기 방법의 추가 세부 사항에 대해서는 본문에서 상기 추가로 더욱 상세히 제시된 방법 설명을 참조할 수 있고; 소정의 Mark-Houwink 상수에 기초하는 만능 보정법을 적용함으로써, 보정 후 크로마토그래피 실시 중에 소정의 샘플을 첨가하기 위한 부가적인 내부 기준-PE 를 사용하는 것에 관한 추가적 설명과 함께, ASTM-6474-99 로부터 상세하게 잘 이해할 수 있게 추가로 추론할 수 있다.동적 점도 측정은 복합 점도 η* 와 함께 저장 탄성율 (G') 및 손실 탄성율 (G'') 을 결정하기 위해 실시된다. Rheometrics RDA II 동적 유량계 등의 콘-평판 유량계 또는 Anton-Paar MCR 300 (Anton Paar GmbH, Graz/Austria) 등의 유사한 이중 평판 유량계에서 중합체 배합물의 동적 (사인곡선적) 변형으로 측정한다. 하기 제시하는 측정을 위해서는 Anton-Paar 유량계 모델이 사용되었다: 우선, 샘플 (과립 또는 분말 형태)을 다음과 같은 측정을 위해 제조한다: 2.2 g 의 재료를 측량하고, 이를 사용해 70x40x1mm 의 성형판 (moulding plate) 을 충전시킨다. 그 판을 프레스에 배치하고, 1 분 동안 20-30bar 의 압력 하에 200 ℃까지 가열하였다. 200 ℃의 온도에 도달시킨 후, 샘플을 100 bar 에서 4 분 동안 가압한다. 가압 시간의 종료 후, 재료를 실온으로 냉각시키고, 플레이트를 그 형틀로부터 제거한다. 가능한 크랙 (crack), 불순물 또는 불균일성에 대한 육안 품질 제어 테스트를 가압시킨 플레이트에서 수행한다. 25mm 직경 및 0.8-1mm 두께의 중합체 디스크를 가압시킨 형틀로부터 잘라내고, 동적 기계적 분석 (또는 주파수 쓸기 (frequency sweep)) 측정을 위해 유량계에 도입한다.주파수의 함수로서 탄성율 (G')/ 점성 (G") 탄성율 및 복합 점도의 측정은 Anton Paar MCR300 응력 조절 회전 유량계에서 수행된다. 상기 장치는 플레이트-플레이트 기하학적 구조, 즉 두 평행 디스크 사이의 표준 갭이 각각 1.000 mm 인 24.975 mm 반경의 두 평행 디스크를 갖추고 있다. 상기 갭에 샘플 ~0.5ml 을 적재하고, 측정 온도 (PE 에 대한 표준: T = 190℃) 에서 가열한다. 용융된 샘플을 테스트 온도에서 5분 동안 유지하여 균질한 용융을 달성한다. 이후 대수적으로 0.01 내지 628 rad/s 의 지점을 취하는 기기를 이용하여 주파수 쓸기를 시작한다.변형 진폭이 0.05 (또는 5%) 인 선형 범위의 주기적 변형이 적용된다. 주파수는 628.3 rad/s (또는 ~100 Hz) 에서 시작하여 8.55 rad/s 까지 다양하고, 저 주파수 범위에서 더 많은 지점이 취해지도록, 4.631 rad/s 내지 0.01 rad/s (또는 0.00159 Hz) 에서 연속되는 극저 주파수 지역에서의 샘플링 속도를 증가시킨다. 변형을 가함으로써 생성된 전단 응력 진폭 및 위상 지연을 획득하고 이를 사용하여 탄성율 및 복합 점도를 주파수의 함수로서 계산한다. 대수적으로 고 주파수에서 저 주파수로 감소하는 주파수 범위에서 지점이 선택되고, 안정된 측정값을 가진 적어도 2-3 개의 진폭이 획득된 이후에 각 주파수 지점에서의 결과를 표시한다.하기 표의 약어:촉매 시스템의 개별 성분의 제조비스(1-n-부틸-3-메틸-시클로펜타디에닐)지르코늄 디클로라이드는 Chemtura Corporation 에서 시판된다.2,6-비스[1-(2,4,6-트리메틸페닐이미노)에틸]피리딘을 WO 98/27124 의 실시예 1 과 같이 제조하였고, 염화철(II)과 유사한 방식으로 반응시켜, 2,6-비스[1-(2,4,6-트리메틸페닐이미노)에틸]피리딘 염화철(II)을 WO 98/27124 에 개시된 것과 유사하게 수득하였다.고체 지지체 과립 상 혼합 촉매 시스템의 제조 및 소규모 중합:a) 지지체 전처리Grace 의 Sylopol XPO-2326 A 인 분무 건조된 실리카 겔을 600℃에서 6 시간 동안 소성함b) 혼합 촉매 시스템의 제조 및 배치식 중합:b.1 혼합 촉매 12608 mg 의 착물 1 및 211mg 의 착물 2 를 122ml MAO 에 용해시켰다.그 용액을 0℃ 에서 상기 XPO2326 지지체 100.6g 에 첨가하였다 (적재량: 60:4 μmol/g).이후, 촉매 용액을 RT 까지 서서히 가열하고, 2 시간 동안 교반하였다. 196g 의 촉매를 수득하였다. 분말의 색은 아이보리색이었다. 착물 1 의 적재량은 60 micromol/g 이고, 착물 2 의 적재량은 4 micromol/g 이고, Al/(착물 1 + 착물 2) 비는 90:1 mol:mol 이다.1.7l 오토클레이브 내의 중합:1.7-l-스틸오토클레이브에 입자 크기 003e# 1mm 의 100g PE-분말 (이를 이미 80℃에서 8 시간 동안 진공 중 건조시키고, 아르곤 분위기 하에 저장하였음) 을 70℃에서 아르곤 하에 충전하였다. 125mg 트리이소부틸알루미늄 (헵탄 중 TiBAl 50 mg/ml), 2 ml 헵탄 그리고 50 mg Costelan AS 100 (헵탄 중 Costelan 50mg/ml)을 첨가하였다. 5분 교반한 후 촉매를 첨가하고, 촉매 투여 유닛을 2 ml 헵탄으로 헹구었다. 우선, 압력을 70℃에서 질소로 10 bar 까지 증가시킨 후, 20 bar 의 압력을 에틸렌 및 에틸렌에 대해 일정한 비율 0.1 ml/g 으로 공급된 헥센을 이용하여 조정하였다. 7O℃에서 20 bar 의 압력을, 중합 동안 에틸렌 및 에틸렌에 대해 일정한 비율 0.1 ml/g 으로 공급된 헥센을 추가로 첨가함으로써 1 시간 동안 일정하게 유지하였다. 한 시간 후에 압력을 풀어주었다. 그 중합체를 오토클레이브에서 제거하고, 체질하여 중합체 층을 제거하였다.- b.2 혼합 촉매 22620 mg 의 메탈로센 착물 1 및 265 mg 의 착물 2 를 138ml MAO 에 용해시켰다.그 용액을 상기 XPO2326 지지체 101 g 에 0℃에서 첨가하였다 (적재량: 60:5 μmol/g).이후, 촉매 용액을 RT 까지 서서히 가열하고 2 시간 동안 교반하였다.196 g 의 촉매를 수득하였다. 분말의 색은 아이보리색이었다. 착물 1 의 적재량은 60 micromol/g 이고, 착물 2 의 적재량은 4 micromol/g 이고, Al/(착물 1 + 착물 2) 비는 90:1 mo/mol 이다.1.7l 오토클레이브 내의 중합:1.7-l-스틸오토클레이브에 입자 크기 003e# 1mm 의 100g PE-분말 (이를 이미 80℃에서 8 시간 동안 진공 중 건조하고, 아르곤 분위기 하에 저장하였음) 을 아르곤 하에 70℃에서 충전하였다. 125mg 트리이소부틸알루미늄 (헵탄 중 TiBAl 50 mg/ml), 2 ml 헵탄 그리고 50 mg Costelan AS 100 (헵탄 중 Costelan 50mg/ml) 을 첨가하였다. 5 분 교반 후, 촉매를 첨가하고, 촉매 투여 유닛을 2 ml 헵탄으로 헹구었다. 우선, 압력을 70℃에서 질소로 10 bar까지 증가시킨 후, 20 bar 의 압력을 에틸렌 및 에틸렌에 대해 일정한 비율 0.1 ml/g 으로 공급된 헥센을 이용하여 조정하였다. 70℃에서의 20 bar 의 압력을, 중합 중에 에틸렌 및 에틸렌에 대해 일정한 비율 0.1 ml/g 으로 공급된 헥센을 추가로 첨가함으로써 1 시간 동안 일정하게 유지하였다. 한 시간 후, 압력을 풀어주었다. 그 중합체를 오토클레이브에서 제거하고, 체질하여 중합체 층을 제거하였다.- b.3 혼합 촉매 3398.9 mg 의 착물 1 (1, 6mg 25 wt% 용액 톨루엔) 을 유리 플라스크 내의 N2 분위기 하에 충전한 후, 29.8 mg 의 착물 2 를 첨가하고, 두 착물을 17.5 ml MAO 에 용해시켰다.그 용액을 상기 XPO2326 지지체 101 g 에 0℃에서 첨가하였다 (적재량: 65:4 μmol/g).이후, 촉매 용액을 RT 까지 서서히 가열하고, 2 시간 동안 교반하였다.29.5 g 의 촉매를 수득하였다. 분말의 색은 아이보리색이었다. 착물 1 의 적재량은 65 micromol/g, 착물 2 의 적재량은 4 micromol/g 이고, Al/(착물 1 + 착물 2) 비는 85:1 mol/mol 이다.1.7l 기상 오토클레이브 내의 중합:A 1.7-l-스틸오토클레이브에 입자 크기 003e# 1mm 의 100g PE-분말 (80℃에서 8 시간 동안 진공 중 이미 건조하고 아르곤 분위기 하에 저장하였음) 을 아르곤 하에 70℃ 에서 충전하였다. 200mg 이소프레닐알루미늄 (헵탄 중 IPRA 50mg/ml) 그리고 50mg Costelan AS 100 (헵탄 중 Costelan 50mg/ml) 을 첨가하였다. 5 분 교반 후, 촉매를 첨가하고, 촉매 투여 단위를 7 ml 헵탄으로 헹구었다. 우선 아르곤 압력을 70℃에서 10 bar 까지 증가시킨 후, 20 bar 의 압력을 에틸렌 및 에틸렌에 대해 일정한 비율 0.1 ml/g 으로 공급된 헥센을 이용하여 조정하였다. 70℃에서 20 bar 의 압력을, 중합 동안 에틸렌 및 에틸렌에 대해 일정한 비율 0.1 ml/g 으로 공급된 헥센을 추가로 첨가함으로써 1 시간 동안 일정하게 유지하였다. 한 시간 후 압력을 풀어주었다. 그 중합체를 오토클레이브에서 제거하고, 체질하여 중합체 층을 제거하였다.3개의 혼합 촉매 배치에 의해 제조된 3개의 중합체 b.1, b.2, b.3 은 모두 DSC 에 의한 공단량체 분포에서 이봉성으로 보여질 수 있다. 파일럿 규모의 기상 중합중합체를 단일 기상 반응기에서 제조하였고, 상기 기재된 혼합 촉매 1 및 2 를 시험 A) 및 B) 에서 각각 사용하였다. 사용된 공단량체는 1-헥센이다. 질소/프로판은 두 시험에서 비활성 기체로서 사용되었다. 수소를 몰 질량 조절제로서 사용하였다.A) 촉매 1 을 안정한 실시를 위해 직경 508mm 의 연속 기상 유동층 반응기에서 실시하였다. 생성물인 표지된 샘플 1 을 제조하였다. 촉매 수율이 003e# 5 Kg/g (촉매 1 g 당 중합체의 kg) 이었다. 재 (Ash)는 약 0.008 g/100g 이었다.B) 촉매 2 를 연속 기상 유동층의 안정한 실시를 위해 직경 219mm 의 연속 기상 유동층 반응기에서 실시하였다. 생성물인 표지된 샘플 2 를 제조하였다. 촉매 수율이 003e# 5 Kg/g (촉매 1 g 당 중합체의 kg)이었다. 재는 약 0.009 g/100g 이었다.이하, 가공 파라미터를 기록한다:과립화 및 필름 압출중합체 샘플을 스크루 결합 E1H 을 갖는 Kobe LCM50 압출기 상에서 과립화하였다. 원료 처리량은 57 kg/h 이었다. Kobe 의 게이트 위치를 게이트 앞의 융융 온도가 220℃이도록 조정하였다. 기어 펌프의 흡입 압력을 2.5 bar 로 유지하였다. 로터 (rotor)의 회전을 500 rpm.# 으로 유지하였다.2000 ppm Hostanox PAR 24 FF, 1000 ppm Irganox 1010 및 1000 ppm Zn-Stearat 를 폴리에틸렌을 안정화시키기 위해 첨가하였다. 재료 특성을 표 1 및 2 에 나타낸다. 표 2 에는 가공 거동과 관련하여 유동학적 거동 (전단 묽어짐)이 기재되어 있다.필름 취입상기 중합체를 Alpine HS 50S 필름 라인 (Hosokawa Alpine AG, Augsburg/Germany) 상의 블로운 필름 압출에 의해 필름으로 압출하였다.환형 다이의 직경이 120 mm 이고, 갭 너비가 2 mm 이었다. Carlotte-혼합 섹션을 가진 직경 50 mm 의 장벽 스크루 (barrier screw)를 산출량 40 kg/h 과 동등한 스크루 속도로 사용하였다. 190℃ 내지 210℃ 의 온도 프로파일을 사용하였다. HK300 더블 립 쿨러 (double-lip cooler)로 냉각시켰다. 블로우-업 (blow-up) 비는 1:2.5 정도였다. 동결선의 높이는 약 250 mm 였다. 두께 25 μm 의 필름을 수득하였다. 필름의 광학 및 기계적 특성이 표 3 에 요약되어 있다. 플루오로엘라스토머 첨가제는 본 발명의 폴리에틸렌 조성물로 제조된 필름에는 포함되어 있지 않았다. 대조적으로, 비교예에서 사용된 재료로 제조된 필름은 플루오로엘라스토머 (예를 들어 Dyneon GmbH, Kelsterbach/Germany 의 Dynamar™ FX 5920A PPA 와 유사한, 600-800 ppm 의 플루오로엘라스토머-PPA) 와 관례적으로 배합되었다.중합체 생성물의 특성이로써 수득된 재료의 특성이 하기 표 1-3 에 표로서 제시된다. 비교 표준물 (비교예 1) 로서, 시판되는 Luflexen�� 18P FAX m- LLDPE (Basell Polyolefine GmbH, Wesseling, Germany 으로부터 시판됨; 이하에, 약어로 18P FAX 로 지칭됨) 는 본 발명에 따른 폴리에틸렌 재료를 제조하기 위해 상기 사용된 것과 동일한 메탈로센 촉매 1 을 단일 촉매로서 단독으로 사용하는 기본적으로 유사한 기상 공정으로 제조되고, 본 출원의 출원인에 의해 판매되는 단봉성 mLLDPE 제품이다.표 1적분 곡선에서 T003e# 80℃ 에서 분획으로서, wt.-% HDPE 또는 % HT 를 Crystaf�� 에 의해 수득하였다 (도 4 참조).표 2본 발명의 중합체는 일반적으로 m-LLDPE 의 가공에서 요구되는 (비교예 1), 가공 보조제인 플루오로엘라스토머 없이 가공될 수 있다. 이 특징은 배합물 중 HDPE (%HT) 성분 때문에 달성된다.개선된 가공성은 비교예 1 과 비교하여 본 발명의 중합체의 유동학적 거동으로 설명될 수 있고, 표 2 및 상응하는 도 1 을 참조할 수 있다. 도 1 은 한 회분의 본 발명의 재료, 및 비교 표준물 (단봉성 m-LLDPE 단독, 본 발명에서 사용된 것과 동일한 지르코노센 촉매) 에 대한 SHI* 값을 곡선으로 그린 것이다. 본 발명의 생성물은 보다 양호한 가공성을 보여준다. 주파수=0.01rad 에서의 점도에 대한 소정의 회전 주파수에서의 SHI* 는 항상 비교 중합체의 것보다 적다. 이는 가공 상의 이점을 제공한다. 이 특징은 LCB 의 존재로 인한 것이 아닌데, 그 이유는 도 2 에서 하기 추가로 나타낸 Van Gurp-Palmen Plot (상기 Trinket 등, 2002) 에서 꼬인 부분이 관찰되지 않았기 때문이다. 양호한 가공 특성은 표의 낮은 회전 주파수, 특히 5 rad/s 미만, 더욱 더 1 rad/s 미만에서의 본 발명의 중합체 조성물의 훨씬 더 큰 저장 탄성율 G'(ω) 로부터 특히 명백하고 - 이는 여기서 5 배 증가된 탄성을 가지면서, 표준물의 우수한 다트 낙하 값을 보존하는 본 발명의 폴리에틸렌인 상기 재료의 탄성 특성을 나타낸다.도 3 은 작업 예시에서 사용된 본 발명의 과립화된 폴리에틸렌 재료의 투과전자현미경 (TEM) 사진을 나타내고; 모든 사진에서 하부의 좌측 코너의 스케일링 바 (scaling bar)에 의해 나타내지는 바와 같이 해상도가 좌에서 우로 증가한다. 좌측 사진은 2 내지 3 μm 범위 내에 있는 물체를 구별할 수 있게 하고, 우측 사진은 수십 nm (~50 nm 범위) 차이 나는 물체를 구별할 수 있게 하는 최고 해상도의 사진이다. 구결정 조직은 관찰되지 않는다 (좌측 사진). 보다 고배율에서는 결정성 라멜라 (lamellae) 가 분명하다 (우측 사진). 본 발명의 생성물의 우수한 혼합 특성이 분명하다.도 4 는 동일한 샘플의 Crystaf�� 도표를 나타내고; 한편 두 개의 상이한 고온 및 저온 피크 분획의 구별은 미분 등고선 그래프 (contour plot) 에서 분명하지만, 피크 모양 뿐만아니라 결정화 온도는 용매 효과로 인해 DSC 분석과 상이할 수 있다. 두번째 그래프 (볼 온 스틱 플롯, ball-on-stick plot) 는 본 발명에 따라 계산된 고온 및 저온 분획의 질량 분획을 기준으로 적분된 형태이고; 임의로, 80℃에서의 움푹 꺼진 부분에 의해 저온 분획으로부터 고온 분획의 한계범위를 정하였다. 따라서 고온 분획에서 주어진 모든 수치는 임의 온도 003e#80℃의 Crystaf 곡선의 적분으로부터 계산되고, 그 반대도 가능하다.표 3 은 폴리에틸렌 샘플 1b 로 제조된 블로운 필름 상에서 수행된 기계적 및 광학 테스트의 테스트 결과를 비교예의 단봉성 재료와 비교하여 나타낸다.본 발명에 따른 폴리에틸렌 조성물로 제조된 필름은 DIN 53375 에 따른 마찰 계수를 1.60 미만, 가장 바람직하게 1.00 미만 및/또는 1.00 내지 0.30 범위 내로 가진다. 본 발명의 폴리에틸렌 재료 및/또는 이들로 제조된 필름은 마찰 감소 또는 블록킹방지제를 실질적으로 포함하지 않고, 특히 플루오로엘라스토머 첨가제를 포함하지 않거나 실질적으로 포함하지 않는다. 본 발명의 개념 내의 마찰 감소제 (다르게는 폴리올레핀 가공 보조제 (PPA)라고도 불림)는 블로운 필름의 마찰 계수를 감소시킬 수 있는 첨가제를 의미한다. 상기 제조된 비교용 샘플은 항상 특히 필름 가공 속도 ≥40 kg/h 에서 비교용 샘플의 기계적 및 광학 특성을 추가로 악화시킬 수 있는 그밖에 불가피한 용융 파괴 현상을 방지하기 위한 상기 첨가제를 포함하였다. 특정 규제 조직이 적어도 일부 식료품, 생활/미용 및 약학 용도에 있어서 상기 첨가제의 존재를 선호하지 않는다는 점에서, 이는 우수한 성과이다. 추가로 특히 식료품용 용품에 대한 관심과 공청회가 증가하고 있다.또한, 우수한 기계적 내충격성을 유지하면서 가공 특성이 매우 개선된 본 발명의 폴리에틸렌의 추가로 첨가된 이점은 플루오로엘라스토머 첨가제가 대부분의 다른 종류의 폴리올레핀 첨가제와 상용가능한 한편, 안료 또는 블록킹방지제 등의 특정 재료는 중합체 중의 플루오로탄소-엘라스토머 가공 첨가제와 부정적으로 상호작용하는 것으로 알려져 있다는 점이다 (Rudin 등, 1985, J. Plast. Film Sheet I (3): 189, Fluorocarbon Elastomer Proceeing Aid in Film Extusion of LLDPEs; B. Johnson and J. Kunde, SPE ANTEC 88 Conference Proceedings XXXIV :1425 (1988), The Influence of Polyolefin Additives on the Performance of Fluorocarbon Elastomer Process Aids). 따라서, 플루오로엘라스토머 첨가제에 대한 요구 없이 재료의 가공 거동의 개선은, 타협하지 않고도 요구되는 기타 첨가제를 자유롭게 선택할 수 있게 한다.
예를 들어 필름 압출에 있어서 우수한 기계적/광학 특성 및 가공성을 나타내는 신규한 PE 재료가 고안된다. 본 발명의 폴리에틸렌은 예를 들어 하나의 단일 기상 반응기 내에서 제조된다.
[ 발명의 명칭 ] 제어 방법 및 장치CONTROL METHOD AND APPARATUS [ 기술분야 ] 삭제본 출원은 통신 기술 분야에 관한 것으로, 상세하게는 제어 방법 및 장치에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 모바일 데이터 서비스의 발전에 따라, 신호 커버리지 및 네트워크 용량과 같은 문제점이 모바일 네트워크 사업자의 주요 관심사가 되었다. 종래 기술에서, 다중-채널 베이스밴드 유닛(Baseband Unit, BBU) + 원격 무선 유닛(Remote Radio Unit, RRU) 네트워킹 해결책이 넓은 네트워크 커버리지와 같은 문제를 신속하고도 효과적으로 해결한다. 무선 네트워크 시스템과 모바일 기지국 간의 통신을 구현하기 위하여, BBU는 베이스밴드 리소스 공유 기능을 가지고 있고 RRU는 신호 송신 및 수신 기능을 담당하고 있다. 일반적으로, 상기 BBU 및 상기 RRU는 광섬유를 이용하여 연결된다. 하나의 BBU는 복수의 RRU를 지원할 수 있고, 복수의 RRU는 하나의 셀 또는 복수의 셀을 형성한다. 네트워크 배치 중에, 적절한 양의 RRU가 셀을 형성하기 위해 선택될 수 있다. 하지만, 본 발명을 구현하는 프로세스에서, 네트워크 서비스가 변경됨에 따라, 셀의 RRU가 네트워크 서비스의 요구 사항을 충족시킬 수 없고 따라서 네트워크 품질에 영향을 주고 사용자 네트워크 경험을 감소시킨다는 것이 발견되었다. [ 발명의 개요 ] 본 출원은 네트워크 품질 및 사용자 네트워크 경험을 향상시키기 위해 제어 방법 및 장치를 제공한다. 전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 출원은 다음의 과제 해결수단을 제공한다: 제1 양태는, 베이스밴드 유닛(베이스밴드 유닛, BBU)이 상기 BBU의 커버리지 내의 복수의 셀 중 제1 셀의 네트워크 품질이 저하된 것으로 결정할 때 상기 BBU가 상기 제1 셀의 부하 정보를 결정하는 단계; 상기 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, 상기 제1 셀의 이웃 셀(neighboring cell) 중에서 상기 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀을 원격 무선 유닛(remote radio unit, RRU)의 신호 세기에 따라 결정하는 단계; 및 상기 제1 셀의 RRU를 상기 제2 셀의 RRU와 결합하여 결합된 셀을 획득하는 단계를 포함한다. 제1 양태의 제1 가능한 구현 방식에서, 상기 제어 방법은, 상기 제1 셀의 부하가 제2 부하 임계치보다 크거나 같은 경우, 분할된 셀의 부하가 상기 제2 부하 임계치보다 작을 수 있도록, 상기 원격 무선 유닛(RRU)의 신호 세기에 따라 상기 제1 셀을 분할하여 적어도 하나의 RRU를 각각 포함하는 복수의 분할된 셀을 획득하는 단계를 더 포함한다. 제1 양태 또는 제1 양태의 제1 가능한 구현 방식을 참조하여, 제1 양태의 제2 가능한 구현 방식이 추가로 제공된다. 여기서, 상기 제1 셀의 RRU를 상기 제2 셀의 RRU와 결합하는 단계는, 상기 제1 셀의 부하와 상기 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작은 경우 상기 제2 셀의 모든 RRU를 상기 제1 셀과 결합하는 단계; 및 상기 제1 셀의 부하와 상기 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 크거나 같은 경우, 상기 제2 셀의 적어도 하나의 RRU로서, 그 부하에 상기 제1 셀의 부하를 더한 부하가 상기 제2 부하 임계치보다 작고 상기 제1 셀에 대한 강한 신호 간섭을 가지는 적어도 하나의 RRU를 상기 제1 셀과 결합하는 단계를 포함한다. 제2 가능한 제1 양태의 구현 방식을 참조하여, 제1 양태의 제3 가능한 구현 방식이 추가로 제공된다. 여기서, 상기 제2 셀의 적어도 하나의 RRU로서, 그 부하에 상기 제1 셀의 부하를 더한 부하가 상기 제2 부하 임계치보다 작고 상기 제1 셀에 대한 강한 신호 간섭을 가지는 적어도 하나의 RRU를 상기 제1 셀과 결합하는 단계는, 상기 제2 셀의 RRU로서, 그 부하와 상기 제1 셀의 부하의 합이 상기 제2 부하 임계치보다 작고 상기 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 RRU를 상기 제1 셀과 결합하는 단계; 및 상기 제2 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 상기 제1 부하 임계치보다 작거나 같아질 때까지 상기 제2 셀의 나머지 RRU 중의 RRU를 상기 제1 셀과 결합하는 동작을 반복적으로 수행하는 단계를 포함하고, RRU와 결합된 상기 제1 셀의 부하와 상기 RRU의 부하의 합이 상기 제2 부하 임계치보다 작으며, 상기 RRU는 RRU와 결합된 상기 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지고, 상기 제2 셀의 나머지 RRU는 상기 제1 셀과 결합된 RRU를 제외한 상기 제2 셀의 RRU이다. 제1 양태의 제1 가능한 구현 방식을 참조하여, 제1 양태의 제4 가능한 구현 방식에 추가로 제공된다. 여기서, 상기 제1 셀을 분할하여 적어도 하나의 RRU를 각각 포함하는 복수의 분할된 셀을 획득하는 단계는, 상기 제1 셀의 2개의 RRU를 선택하고 결합하여 제1 분할된 셀을 획득하는 단계 - 상기 2개의 RRU의 부하의 합이 상기 제2 부하 임계치보다 작고 상기 2개의 RRU는 가장 강한 신호 간섭을 가짐 -; 상기 제1 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 상기 제2 부하 임계치보다 작은 경우 상기 나머지 RRU를 제2 분할된 셀로서 사용하는 단계; 상기 제1 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 상기 제2 부하 임계치보다 크거나 같은 경우, 상기 제1 셀의 나머지 RRU 중의 RRU로서, 그 부하에 상기 제1 분할된 셀의 부하를 더한 부하가 상기 제2 부하 임계치보다 작고 상기 제1 분할된 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 RRU를 상기 제1 분할된 셀과 결합하는 단계; 및 상기 제1 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 상기 제2 부하 임계치보다 작아질 때까지 상기 제1 셀의 나머지 RRU 중의 RRU를 상기 제1 분할된 셀과 결합하는 단계를 반복적으로 수행하는 단계를 포함하고, 상기 RRU의 부하와 RRU와 결합된 상기 제1 분할된 셀의 부하의 합이 상기 제2 부하 임계치보다 작으며, 상기 RRU는 RRU와 결합된 상기 제1 분할된 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지고, 상기 제1 셀의 나머지 RRU는 결합된 RRU를 제외한 상기 제1 셀의 RRU이다. 제1 양태의 제5 가능한 구현 방식에서, 상기 모든 RRU의 신호 세기는 구체적으로, 모바일 단말기에 의해 보고되는 복수의 측정 보고로부터 얻어지고 - 여기서, 상기 복수의 측정 보고는 신호 측정 중에 복수의 모바일 단말기에 의해 보고되는 측정 보고를 포함함 -; 상기 제1 셀의 이웃 셀 중에서 상기 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀을 결정하는 단계는, 상기 제1 셀의 각각의 이웃 셀의 신호 세기에 대한 상기 제1 셀의 신호 세기의 비를 각각의 측정 보고에서 계산하는 단계 - 각각의 측정 보고에서 셀의 신호 세기는 상기 측정 보고에서 동일 셀에 속한 모든 RRU의 신호 세기의 합임 -; 각각의 측정 보고에서 동일한 이웃 셀의 신호 세기에 대한 상기 제1 셀의 신호 세기의 비를 축적하여 합계를 획득하고, 상기 합계를 상기 제1 셀과 상기 이웃 셀 간의 신호 간섭의 세기로서 사용하는 단계; 및 상기 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 상기 제2 셀을 상기 제1 셀과 각각의 이웃 셀 간의 신호 간섭의 세기에 따라 결정하는 단계를 포함한다. 제2 양태에 따르면, 제어 장치는, BBU의 커버리지 내의 복수의 셀 중 제1 셀의 네트워크 품질이 저하된 것으로 결정되는 때 상기 제1 셀의 부하 정보를 결정하도록 구성된 부하 결정 유닛(load determining unit); 상기 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우 상기 제1 셀의 이웃 셀 중에서 상기 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀을 원격 무선 유닛(RRU)의 신호 세기에 따라 결정하도록 구성된 셀 결정 유닛(cell determining unit); 및 상기 제1 셀의 RRU를 상기 제2 셀의 RRU와 결합하여 결합된 셀을 획득하도록 구성된 셀 결합 유닛(cell combining unit)을 포함한다. 제2 양태의 제1 가능한 구현 방식에서, 상기 제어 장치는, 상기 제1 셀의 부하가 제2 부하 임계치보다 크거나 같은 경우, 분할된 셀의 부하가 제2 부하 임계치보다 작을 수 있도록, 상기 원격 무선 유닛(RRU)의 신호 세기에 따라 상기 제1 셀을 분할하여 적어도 하나의 RRU를 각각 포함하는 복수의 분할된 셀을 획득하도록 구성된 셀 분할 유닛을 더 포함한다. 제2 양태 또는 제2 양태의 제1 가능한 구현 방식를 참조하여, 제2 양태의 제2 가능한 구현 방식이 추가로 제공된다. 여기서, 상기 셀 결합 유닛은, 상기 제1 셀의 부하와 상기 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작은 경우 상기 제2 셀의 모든 RRU를 상기 제1 셀과 결합하도록 구성된 제1 결합 유닛; 및 상기 제1 셀의 부하와 상기 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 크거나 같은 경우 상기 제2 셀의 적어도 하나의 RRU를 상기 제1 셀과 결합하도록 구성된 제2 결합 유닛을 포함하고, 상기 적어도 하나의 RRU의 부하와 상기 제1 셀의 부하의 합이 상기 제2 부하 임계치보다 작고 상기 적어도 하나의 RRU가 상기 제1 셀에 대해 강한 신호 간섭을 가진다. 제2 양태의 제2 가능한 구현 방식을 참조하여, 제2 양태의 제3 가능한 구현 방식이 추가로 제공된다. 여기서, 상기 제2 결합 유닛은, 상기 제2 셀의 RRU를 상기 제1 셀과 결합하도록 구성된 제1 결합 서브유닛(first combining subunit) - RRU의 부하와 상기 제1 셀의 부하의 합이 상기 제2 부하 임계치보다 작고 RRU가 상기 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가짐 -; 및 상기 제2 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 상기 제1 부하 임계치보다 작거나 같아질 때까지 상기 제2 셀의 나머지 RRU 중의 RRU를 상기 제1 셀과 결합하는 동작을 반복적으로 수행하도록 구성된 제2 결합 서브유닛을 포함하고, RRU와 결합된 상기 제1 셀의 부하와 상기 RRU의 부하의 합이 상기 제2 부하 임계치보다 작고 RRU와 결합된 상기 제1 셀에 대해 상기 RRU가 가장 강한 신호 간섭을 가지며, 상기 제2 셀의 나머지 RRU는 상기 제1 셀과 결합된 RRU를 제외한 상기 제2 셀의 RRU이다. 제2 양태의 제1 가능한 구현 방식을 참조하여, 제2 양태의 제4 가능한 구현 방식이 추가로 제공된다. 여기서, 상기 셀 분할 유닛은, 상기 제1 셀의 2개의 RRU를 선택하고 결합하여 제1 분할된 셀을 획득하도록 구성된 제1 분할 유닛 - 상기 2개의 RRU의 부하의 합이 상기 제2 부하 임계치보다 작고 상기 2개의 RRU는 가장 강한 신호 간섭을 가짐 -; 상기 제1 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 상기 제2 부하 임계치보다 작은 경우 상기 나머지 RRU를 제2 분할된 셀로서 사용하도록 구성된 제2 분할 유닛; 상기 제1 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 상기 제2 부하 임계치보다 크거나 같은 경우 상기 제1 셀의 나머지 RRU 중의 RRU로서, 그 부하에 상기 제1 분할된 셀의 부하를 더한 부하가 상기 제2 부하 임계치보다 작고 상기 제1 분할된 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 RRU를 상기 제1 분할된 셀과 결합하도록 구성된 제3 분할 유닛; 및 상기 제1 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 상기 제2 부하 임계치보다 작아질 때까지 상기 제1 셀의 나머지 RRU 중의 RRU를 상기 제1 분할된 셀과 결합하는 단계를 반복적으로 수행하도록 구성된 제4 분할 유닛을 포함하고, 상기 RRU의 부하와 RRU와 결합된 상기 제1 분할된 셀의 부하의 합이 상기 제2 부하 임계치보다 작으며, 상기 RRU는 RRU와 결합된 상기 제1 분할된 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지고, 상기 제1 셀의 나머지 RRU는 결합된 RRU를 제외한 상기 제1 셀의 RRU이다. 제2 양태의 제5 가능한 구현 방식에서, 상기 모든 RRU의 신호 세기는 구체적으로, 모바일 단말기에 의해 보고되는 복수의 측정 보고로부터 얻어지고 - 여기서, 상기 복수의 측정 보고는 신호 측정 중에 복수의 모바일 단말기에 의해 보고되는 측정 보고를 포함함 -; 상기 셀 결정 유닛은, 상기 제1 셀의 부하가 상기 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우 상기 제1 셀의 각각의 이웃 셀의 신호 세기에 대한 상기 제1 셀의 신호 세기의 비를 각각의 측정 보고에서 계산하도록 구성된 제1 계산 유닛 - 각각의 측정 보고에서 셀의 신호 세기는 상기 측정 보고에서 동일 셀에 속한 모든 RRU의 신호 세기의 합임 -; 각각의 측정 보고에서 제1 계산 유닛에 의해 계산되는, 동일한 이웃 셀의 신호 세기에 대한 상기 제1 셀의 신호 세기의 비를 축적하여 합계를 얻고, 상기 합계를 상기 제1 셀과 상기 이웃 셀 간의 신호 간섭의 세기로서 사용하도록 구성된 제2 계산 유닛; 및 상기 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 상기 제2 셀을 상기 제2 계산 유닛에 의해 계산되는, 상기 제1 셀과 각각의 이웃 셀 간의 신호 간섭의 세기에 따라 결정하도록 구성되는 셀 결정 서브유닛(cell determining subunit)을 포함한다. 상술한 바에 기초하여, 본 출원은 제어 방법 및 장치를 제공한다. 여기서, 베이스밴드 유닛이 상기 BBU의 커버리지 내의 복수의 셀 중 제1 셀의 네트워크 품질이 저하된 것으로 결정할 때, 상기 베이스밴드 유닛은 제1 셀의 부하 정보를 결정하고, 상기 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, 상기 베이스밴드 유닛은 제1 셀의 이웃 셀 중에서 상기 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀을 먼저 결정함으로써, 상기 제2 셀의 RRU를 선택하고 상기 RRU를 제1 셀과 결합하여 결합된 셀을 획득한다. 상기 결합된 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, 결합된 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 커질 때까지 RRU가 추가로 결합될 수 있도록 상기 결합된 셀은 또한 제1 셀로서 결정된다. 셀들 간의 간섭이 감소될 수 있도록, RRU 결합에 의해가장 강한 신호 간섭을 가지는 셀의 RRU가 결합될 RRU로서 선택되며, 이로써 부하와 간섭 간의 균형을 보장하고, 네트워크 품질을 향상시키며, 사용자 네트워크 경험을 향상시킨다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 출원의 실시예에서의 과제 해결수단을 더 명확하게 설명하기 위하여, 다음에서는 실시예를 설명하기 위해 필요한 첨부 도면에 대해 간략히 소개한다. 명백히, 다음의 설명에서의 첨부 도면은 본 출원의 실시예를 나타낼 뿐이고, 당업자는 창의적인 노력 없이도 이러한 첨부한 도면으로부터 다른 도면을 여전히 도출할 수 있을 것이다. 도 1은 본 출원의 일 실시예에 따른 제어 방법의 실시예의 흐름도이다. 도 2는 본 출원의 일 실시예에 따른 제어 방법의 다른 실시예의 흐름도이다. 도 3은 본 출원의 일 실시예에 따른 제어 방법의 또 다른 실시예의 흐름도이다. 도 3a는 본 출원의 일 실시예에 따른 셀 결합의 방식의 흐름도이다. 도 3b는 본 출원의 일 실시예에 따른, 셀을 분할하는 방식의 흐름도이다. 도 4는 본 출원의 일 실시예에 따른 제어 장치의 실시예의 개략적인 구조도이다. 도 5는 본 출원의 일 실시예에 따른 제어 장치의 다른 실시예의 개략적인 구조도이다. 도 6은 본 출원의 일 실시예에 따른 제어 장치의 또 다른 실시예의 개략적인 구조도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 다음에서는 본 출원의 실시예에서의 첨부 도면을 참조하여 본 출원의 실시예에서의 과제 해결수단에 대해 명확하고도 완전하게 설명한다. 명백히, 설명되는 실시예는 본 출원의 실시예의 일부일 뿐이고 전부는 아니다. 창의적인 노력 없이도 본 출원의 실시예에 기초하여 당업자에 의해 획득되는 다른 모든 실시예는 본 출원의 보호 범위 내에 속할 것이다. 본 출원의 주요 아이디어 중 하나는, 이하를 포함할 수 있다: 베이스밴드 유닛이 베이스밴드 유닛의 커버리지 내의 제1 셀의 네트워크 품질이 저하된 것으로 결정할 때, 베이스밴드 유닛이 제1 셀의 부하 정보를 결정하고; 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, 베이스밴드 유닛은, 제2 셀의 RRU를 선택하고 RRU를 제1 셀과 결합하여 결합된 셀을 획득하기 위해, 제1 셀의 이웃 셀 중에서 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀을 결정한다. 결합된 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, 결합된 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 클 때까지 RRU 결합이 지속될 수 있도록, 결합된 셀은 또한 제1 셀로서 결정될 수 있다. 셀들 간의 간섭이 RRU 결합에 의해 감소될 수 있도록, 가장 강한 신호 간섭을 가지는 셀의 RRU가 결합될 RRU로서 선택되고, 이에 따라 부하와 간섭 간의 균형을 보장하고, 네트워크 품질을 향상시키며, 사용자 네트워크 경험을 향상시킨다. 도 1은 본 출원의 일 실시예에 따른 제어 방법의 실시예의 흐름도이고, 방법은 몇 개의 단계를 포함할 수 있다: 101: 베이스밴드 유닛(Baseband Unit, BBU)의 커버리지 내의 복수의 셀 중 제1 셀의 네트워크 품질이 저하된 것으로 결정할 때, BBU가 제1 셀의 부하 정보를 결정한다. BBU는 셀의 트래픽 통계 정보에 따라 셀의 네트워크 품질 및 부하를 결정할 수 있다. 트래픽 통계 정보는 정보, 예컨대, 콜 드롭율(call drop rate), 핸드오버 성공율(handover success rate), 핸드오버의 수량, 부하, 및 주파수 효율(spectral efficiency)을 포함할 수 있다. 네트워크 품질이 저하되었는지 여부가 결정될 수 있도록, 트래픽 통계 정보에 따라 콜 드롭율 또는 핸드오버 성공율과 같은 핵심 성과 지표(Key Performance Indicator, KPI)가 임계치 이하인지 여부가 결정될 수 있다. 본 출원의 본 실시예에서의 제1 셀은 복수의 셀 중 임의의 셀을 지칭한다. 본 출원의 본 실시예는 다중-채널 BBU + 원격 무선 유닛(Remote Radio Unit, RRU) 네트워킹 해결책의 적용 시나리오에 주로 적용된다. 이러한 시나리오에서, 하나의 BBU가 복수의 RRU를 지원하고, 본 실시예는 실내 네트워크 커버리지에 특히 적용 가능하다. 102: 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, 제1 셀의 이웃 셀 중에서 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀을 RRU의 신호 세기에 따라 결정한다. 본 발명을 구현하는 프로세스에서, 셀들 간의 간섭이 강하고 셀의 부하가 과도하게 높은 경우 네트워크 품질 일반적으로 저하된다는 것을 발견되었다. 따라서, 네트워크 품질이 저하되는 경우, 셀의 RRU는, 셀들 간의 간섭을 감소시키고 네트워크 품질을 향상시키기 위해, 셀의 부하 정보에 따라 조절될 수 있다. RRU의 신호 세기는 모바일 단말기에 의한 측정을 통해 얻어질 수 있다. 본 실시예에서, 제1 셀의 부하는 제1 부하 임계치와 비교되고, 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같으면, RRU를 결합하는 방식에서 셀들 간의 간섭이 감소될 수 있고 사용자 경험은 향상될 수 있다. 제1 부하 임계치는 셀이 감내할 수 있는 부하의 최소값을 제공한다. 구체적으로, 본 출원의 본 실시예에서, 제1 셀의 이웃 셀 중에서 제1 셀에 대해 가장 강한 간섭을 가진 셀이 첫째로 결정될 수 있고, 설명의 편의를 위해, 셀은 제2 셀로서 정의된다. 이웃하는 셀들 간의 신호 간섭이 존재하고, 각각의 셀은 RRU를 포함한다. 따라서, 신호 간섭의 세기가 셀의 RRU의 신호 세기에 따라 결정될 수 있다. 가능한 구현 방식에서, 이웃 셀의 신호 세기가 더 큰 경우, 제1 셀에 대한 간섭이 더 강할 수 있다. 따라서, 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀이 결정될 수 있다. 즉, 제2 셀은 제1 셀의 이웃 셀 중에서 최대 신호 세기를 가진 셀이다. 103: 제1 셀의 RRU를 제2 셀의 RRU와 결합하여 결합된 셀을 획득한다. 제2 셀이 결정된 후, 제1 셀의 RRU 및 제2 셀의 RRU는 신규 셀, 즉, 결합된 셀을 형성하기 위해 결합될 수 있다. 제1 셀이 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가진 제2 셀의 RRU와 결합되므로, 결합된 셀과 또 다른 셀 간의 간섭이 감소되며, 이로써 사용자 경험을 향상시킨다. 제1 셀의 RRU와 결합되는 제2 셀의 RRU는 제2 셀의 모든 RRU 또는 제2 셀의 일부 RRU일 수 있다. 신호 간섭을 더 감소시키기 위하여, 제1 셀에 대해 비교적 강한 신호 간섭을 가진 RRU가 제2 셀로부터 구체적으로 선택될 수 있다. 물론, 실제 적용에서 가능한 경우로서, 제1 셀을 제2 셀의 모든 RRU와 결합함으로써 얻어지는 결합된 셀의 부하는 제1 부하 임계치보다 여전히 작거나 같을 수 있다. 이러한 경우, 결합된 셀은 제1 셀로서 결정되고, 단계 101 내지 단계 103의 동작이 최종적으로 얻어지는 결합된 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 커질 때까지 반복적으로 수행된다. 결합된 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 큰 경우, 파라미터 구성과 같은 동작이, 결합된 셀을 적용 가능하게 만들기 위해 결합된 셀에 대해 수행될 수 있다. 본 실시예에서, 제1 셀의 네트워크 품질이 저하되고 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, 제2 셀의 RRU가 선택되고 제1 셀과 결합되어 결합된 셀을 획득할 수 있도록, 제1 셀의 이웃 셀 중에서 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀이 먼저 결정된다. 베이스밴드 유닛은, 결합된 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 커질 때까지 RRU를 추가적으로 결합하기 위해, 결합된 셀을 제1 셀로서 사용하고 결합된 셀의 부하가 제1 부하 임계보다 작거나 같은지 여부를 검출할 수 있다. 셀들 간의 간섭이 감소될 수 있도록, RRU 결합에 의해가장 강한 신호 간섭을 가지는 셀의 RRU가 결합될 RRU로서 선택되며, 이로써 부하와 간섭 간의 균형을 보장하고, 네트워크 품질을 향상시키며, 사용자 네트워크 경험을 향상시킨다. 도 2는 본 출원의 일 실시예에 따른 제어 방법의 다른 실시예의 흐름도이고, 방법은 몇 개의 단계를 포함할 수 있다: 201: BBU의 커버리지 내의 복수의 셀 중 제1 셀의 네트워크 품질이 저하된 것으로 결정할 때, BBU가 제1 셀의 부하 정보를 결정한다. 202: 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은지 여부를 판단하고, 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같으면, 단계 203을 수행하거나, 또는 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 큰 경우, 프로세스를 종료한다. 203: 제1 셀의 이웃 셀 중에서 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀을 RRU의 신호 세기에 따라 결정한다. 가능한 구현 방식으로서, RRU의 신호 세기는 모바일 단말기를 트리거하여 측정을 수행함으로써 얻을 수 있고, 측정 결과는 측정 리포트(Measurement Report, MR)에 실려 있고 모바일 단말기에 의해 보고될 수 있다. 따라서, RRU의 신호 세기는 모바일 단말기에 의해 보고되는 복수의 측정 리포트로부터 얻어질 수 있다. 복수의 측정 리포트는 복수의 모바일 단말기에 의한 측정을 통해 얻어진 측정 리포트를 포함할 수 있다. 복수의 모바일 단말기가 포함되는 경우, 복수의 측정 리포트는, 모바일 단말기가 측정 시구간 내의 서로 다른 위치에서 개별적으로 측정을 수행하는 경우 모바일 단말기가 획득할 수 있는 측정 리포트를 포함한다. 각각의 측정 리포트는 측정에 의해 얻어진 RRU의 신호 세기를 포함한다. 여기서, 서로 다른 위치에서의 측정에 의해 얻어진 측정 리포트에 포함된 RRU는 서로 다르고, 서로 다른 모바일 단말기에 의한 측정을 통해 얻어진 측정 리포트에 포함된 RRU가 또한 서로 다를 수 있다. 따라서, RRU들 간, RRU와 셀 간, 및 셀들 간의 신호 간섭의 세기가 결정될 수 있도록, 각각의 셀의 신호 세기가 복수의 측정 리포트 내의 RRU의 신호 세기에 따른 통계 수집에 의해 얻어질 수 있다. 이해를 돕기 위해, 복수의 측정 리포트의 수량은 구체적으로 n개이고, BBU는 m개의 RRU를 지원한다는 것이 추정된다. 여기서, m과 n은 둘 다 양의 정수이다. 복수의 측정 리포트에서의 측정에 의해 개별적으로 얻어진 RRU의 신호 세기는 표 1을 사용하여 나타낼 수 있다: (표 1)표 1에서, m≥3이고, 1≤j≤m이며, n≥1이고, 1≤i≤n이다. 는 측정 리포트 MRi에서 측정된 RRUj의 신호 세기를 나타낸다. n이 더 큰 경우, 결정되는 신호 간섭의 세기가 더 정확하다. RRUj의 신호 세기가 측정 리포트 MRi에서 검출되지 않은 경우, 는 0이다. RRU들 간, RRU와 셀 간, 및 셀들 간의 신호 간섭의 세기는 복수의 측정 리포트에서의 측정에 의해 얻어진 모든 RRU의 신호 세기에 따라 계산될 수 있다. 가능한 구현 방식으로서: 임의의 2개의 RRU 간의 신호 간섭의 세기는 동시에 검출되는 2개의 RRU의 신호 세기 간의 비율의 합일 수 있고; 예컨대, 표 1에서, RRUk에 대한 RRUi의 신호 간섭의 세기는: 이다. 여기서, 2개의 RRU의 신호 세기가 측정 리포트에서 검출되지 않으면, 신호 간섭의 세기는 0이다. RRU와 셀 간의 신호 간섭의 세기에 대해, 각각의 측정 리포트에서의 셀의 신호 세기에 대한 RRU의 신호 세기의 비율이 먼저 계산될 수 있고, 합 of 모든 비율의 합이 그 다음에 계산된다. 여기서, 셀의 신호 세기는 측정 리포트에서의 셀에 속한 모든 RRU의 신호 세기의 합이다. 예를 들어, 셀 A는 RRUl, RRUp, 및 RRUq를 포함하고, RRUq와 셀 A간의 신호 간섭의 세기는: 이다. 셀들 간의 신호 간섭의 세기에 대해, 각각의 측정 리포트에서의 셀들 간의 신호의 신호 세기의 비율이 먼저 계산될 수 있고, 모든 비율의 합이 그 다음에 계산된다. 예를 들어, 셀 A가 RRUl, RRUp, 및 RRUq를 포함하고, 셀 B가 RRUx, RRUy, 및 RRUz를 포함하며, 셀 A와 셀 B 간의 신호 간섭의 세기는: 이다. 복수의 RRU들 간 및 복수의 RRU와 셀 간의 신호 간섭의 세기를 계산하는 방식은 전술한 방식과 동일하다. 따라서, a 제1 셀에 대해 가장 강한 간섭을 가진 이웃 셀이 복수의 측정 리포트 내의 RRU의 신호 세기에 따라 결정될 수 있다. 예를 들어, 셀 B의 이웃 셀은 셀 A, 셀 C, 및 셀 D를 포함하고, 각각의 이웃 셀과 셀 B 간의 신호 간섭의 세기가 상술한 바에 따라 계산되며, 신호 간섭의 세기의 가장 큰 값을 가진 셀은 제2 셀이다. 가능한 구현 방식으로서, 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가진 복수의 이웃 셀이 존재할 수 있고, 즉, 2개의 이웃 셀이 제1 셀에 대해 동등한 신호 간섭의 세기를 가지고 동등한 세기는 또 다른 이웃 셀과 제1 셀 간의 신호 간섭의 세기보다 크다. 이러한 경우, 더 큰 수량의 RRU를 가진 셀이 선택되고 제2 셀로서 사용될 수 있다. 204: 제1 셀의 부하와 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작은지 여부를 판단하고, 제1 셀의 부하와 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작으면 단계 205를 수행하거나, 또는 제1 셀의 부하와 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 크거나 같으면 단계 206를 수행한다. 205: 제1 셀의 RRU를 제2 셀의 RRU와 결합하여 결합된 셀을 획득한다. 제2 부하 임계치는 제1 부하 임계치보다 크다. 여기서, 제2 부하 임계치는 셀이 지닐 수 있는 부하의 최대값을 제한하고, 제2 부하 임계치가 초과되면, 셀의 네트워크 품질이 영향을 받을 수 있다. 결합된 셀의 부하가 여전히 제1 부하 임계치보다 작거나 같으면, 프로세스가 단계 202로 되돌아가고 계속될 수 있도록, 결합된 셀이 제1 셀로서 다시 결정될 수 있다. 206: 적어도 하나의 RRU로서, 그 부하에 제1 셀의 부하를 더한 부하가 제2 부하 임계치보다 작고 제1 셀에 대해 강한 신호 간섭을 가지는 적어도 하나의 RRU를 제1 셀의 모든 RRU와 결합하여 결합된 셀을 획득한다. 제1 셀의 부하와 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 크거나 같으면, 제2 셀의 일부 RRU만이 선택되고 제1 셀과 결합될 수 있다. RRU로서, 그 부하에 제1 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작고 각각이 제1 셀에 대해 비교적 강한 신호 간섭을 가지는 RRU가 제2 셀의 일부 RRU로서 선택될 수 있다. RRU와 제1 셀 간의 신호 간섭의 세기에 대해, 계산의 정확도를 개선하기 위해 단계 203의 설명을 참조하라. 가능한 구현 방식으로서, 단계 206은, 제2 셀의 RRU로서, 그 부하에 제1 셀의 부하를 더한 부하가 제2 부하 임계치보다 작고 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 RRU를 제1 셀과 결합하는 단계; 및 제2 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 제1 부하 임계치보다 작거나 같아질 때까지 제2 셀의 나머지 RRU 중의 RRU를 제1 셀과 결합하는 동작을 반복적으로 수행하는 단계 - RRU의 부하와 RRU와 결합된 제1 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작으며, RRU는 RRU와 결합된 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지고, 제2 셀의 나머지 RRU는 제1 셀과 결합된 RRU를 제외한 제2 셀의 RRU임 -를 포함할 수 있다. 즉, 가장 강한 신호 간섭을 가진 RRU가 먼저 선택되고 제1 셀과 결합된다. 제2 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 제1 부하 임계치보다 큰지 여부가 그 다음에 판단된다: 제2 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 제1 부하 임계치보다 작거나 같으면, 프로세스가 단계 202로 복귀하고 계속될 수 있도록, 결합 후의 제1 셀이 결합된 셀로서 사용되고, 제2 셀의 나머지 RRU가 신규 셀을 형성하며, 결합된 셀 및 신규 셀이 제1 셀로서 사용될 수 있고; 제2 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 제1 부하 임계치보다 크면, 제2 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 제1 부하 임계치보다 작거나 같아질 때까지 제2 셀의 나머지 RRU 중의 RRU가 계속 선택되고 제1 셀과 결합하고, 결합 후의 최종 제1 셀이 결합된 셀로서 사용될 수 있도록 RRU의 부하와 RRU와 결합된 제1 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작고 RRU가 RRU와 결합된 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지며, 프로세스가 단계 202로 되돌아가고 계속될 수 있도록 제2 셀의 나머지 RRU가 신규 셀을 형성하고 결합된 셀 및 신규 셀이 또한 제1 셀로서 결정될 수 있다. 본 실시예에서, 제1 셀의 네트워크 품질이 저하되고 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, 제1 셀의 부하와 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작은 경우 제1 셀이 제2 셀의 RRU와 결합될 수 있도록, 제1 셀의 이웃 셀 중에서 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀이 먼저 결정되고; 제1 셀의 부하와 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 크거나 같은 경우, 일부 RRU로서, 그 부하와 제1 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작고 각각이 제1 셀에 대해 강한 신호 간섭을 가지는 RRU가, 제2 셀로부터 선택되고 제1 셀과 결합되어 결합된 셀을 획득할 수 있다. 결합된 셀의 부하가 증가되고, 결합된 셀은 다시 제1 셀로서 사용될 수 있다. 결합된 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, 결합된 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 커질 때까지 RRU가 계속 결합될 수 있다. 셀들 간의 간섭이 RRU 결합에 의해 감소될 수 있도록, 가장 강한 신호 간섭을 가지는 셀의 RRU가 결합될 RRU로서 선택되고, 이에 따라 부하와 간섭 간의 균형을 보장하고, 네트워크 품질을 향상시키며, 사용자 네트워크 경험을 향상시킨다. 도 3은 본 출원의 일 실시예에 따른 제어 방법의 다른 실시예의 흐름도이고, 방법은 다음의 단계를 포함할 수 있다: 301: BBU의 커버리지 내의 복수의 셀 중 제1 셀의 네트워크 품질이 저하된 것으로 결정할 때, BBU가 제1 셀의 부하 정보를 결정한다. 302: 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은지 여부를 판단하고, 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같으면 단계 303을 수행하거나, 또는 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 크면 프로세스를 종료한다. 303: 제1 셀의 이웃 셀 중에서 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀을 RRU의 신호 세기에 따라 결정한다. RRU의 신호 세기는 구체적으로, 모바일 단말기에 의해 보고되는 복수의 측정 리포트로부터 얻어진다. 여기서, 복수의 측정 리포트는 신호 측정 중에 복수의 모바일 단말기에 의해 보고되는 측정 리포트를 포함한다. 제1 셀의 이웃 셀 중에서 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀을 결정하는 단계는 구체적으로, 각각의 측정 리포트에서 제1 셀의 각각의 이웃 셀의 신호 세기에 대한 제1 셀의 신호 세기의 비율을 계산하는 단계 - 각각의 측정 리포트에서의 셀의 신호 세기는 측정 리포트에서 동일 셀에 속한 모든 RRU의 신호 세기의 합임 -; 각각의 측정 리포트에서 동일한 이웃 셀의 신호 세기에 대한 제1 셀의 신호 세기의 비율을 축적하여 합계를 획득하고, 합계를 제1 셀과 이웃하는 셀 간의 신호 간섭의 세기로서 사용하는 단계; 및 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀을 제1 셀과 각각의 이웃하는 셀 간의 신호 간섭의 세기에 따라 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 304: 제1 셀의 RRU를 제2 셀의 RRU와 결합하여 결합된 셀을 획득한다. 제1 셀의 RRU를 제2 셀의 RRU와 결합하는 단계는 구체적으로, 제1 셀의 부하와 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작은 경우, 제2 셀의 모든 RRU를 제1 셀과 결합하는 단계; 및 제1 셀의 부하와 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 크거나 같은 경우, 제2 셀의 적어도 하나의 RRU로서, 그 부하에 제1 셀의 부하를 더한 부하가 제2 부하 임계치보다 작고 제1 셀에 대한 강한 신호 간섭을 가지는 적어도 하나의 RRU를 제1 셀과 결합하는 단계를 포함한다: 가능한 구현 방식으로서, 도 3a에 도시하였듯이, 도 3a는 본 실시예에 따른 셀 결합 방식의 흐름도이고, 단계 304는, 이하를 포함할 수 있다: 3041: 제1 셀의 부하와 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작은지 여부를 판단하고, 제1 셀의 부하와 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작으면, 단계 3042를 수행하거나, 또는 제1 셀의 부하와 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 크거나 같으면 단계 3043을 수행한다. 3042: 제2 셀의 모든 RRU를 제1 셀과 결합한다. 3043: 제2 셀의 RRU로서, 그 부하에 제1 셀의 부하를 더한 부하가 제2 부하 임계치보다 작고 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 RRU를 선택하고 RRU를 제1셀과 결합한다. 3044: 제2 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 제1 부하 임계치보다 작거나 같은지 여부를 판단하고, 제2 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 제1 부하 임계치보다 크면 단계 3045를 수행하거나, 또는 제2 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 제1 부하 임계치보다 작거나 같으면 단계 3046을 수행한다. 3045: 제2 셀의 나머지 RRU 중의 RRU로서, 그 부하와 RRU와 결합된 제1 셀의 부하가 제2 부하 임계치보다 작고 RRU가 RRU와 결합된 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 RRU를 제1 셀과 결합하고, 프로세스는 단계 3044로 되돌아간다. 3046: RRU와 결합된 제1 셀을 결합된 셀로서 사용하고, 제2 셀의 나머지 RRU를 결합하여 신규 셀을 형성한다. 프로세스가 단계 302로 되돌아가고 계속될 수 있도록, 결합된 셀 및 신규 셀은 제1 셀로서 다시 사용될 수 있다. 제2 셀의 나머지 RRU는 제1 셀과 결합되는 RRU가 아닌 제2 셀의 RRU이다 . 305: 제1 셀의 부하가 제2 부하 임계치보다 크거나 같은지 여부를 결정하고, 제1 셀의 부하가 제2 부하 임계치보다 크거나 같으면 단계 306을 수행하거나, 또는 제1 셀의 부하가 제2 부하 임계치보다 작으면 프로세스를 종료한다. 제2 부하 임계치는 제1 셀이 지니고 있을 수 있는 부하의 최대값을 제공하고, 제2 부하 임계치가 초과되면, 셀의 네트워크 품질이 영향을 받을 수 있다. 306: 분할된 셀의 부하가 제2 부하 임계치보다 작을 수 있도록, RRU의 신호 세기에 따라 제1 셀을 분할하여 적어도 하나의 RRU를 각각 포함하는 복수의 분할된 셀을 획득한다. 제1 셀의 부하가 제2 부하 임계치보다 크거나 같은 경우, 제1 셀은 분할되어 복수의 분할된 셀을 획득할 수 있다. 분할된 셀의 부하가 제2 부하 임계치보다 작을 수 있도록 각각의 분할된 셀은 적어도 하나의 RRU를 포함하며, 이로써 네트워크 품질을 향상시키고 사용자 경험을 향상시킨다. 가능한 구현 방식에서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 도 3은 본 실시예에 따른, 셀을 분할하는 방식의 흐름도이고, 단계 306은, 이하를 포함할 수 있다: 3061: 제1 셀의 2개의 RRU를 모든 RRU의 신호 세기에 따라 선택하고 분할하여 제1 분할된 셀을 획득한다. 여기서, 2개의 RRU의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작고 2개의 RRU가 가장 강한 신호 간섭을 가진다. 3062: 제1 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작은지 여부를 판단하고, 제1 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작으면 단계 3063을 수행하거나, 또는 제1 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 크거나 같으면 단계 3064를 수행한다. 3063: 제1 셀의 나머지 RRU를 제2 분할된 셀로서 사용한다. 3064: 제1 셀의 나머지 RRU 중의 RRU로서, 그 부하와 제1 분할된 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작고 제1 분할된 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 RRU를 제1 분할된 셀과 결합하고, 프로세스는 단계 3062로 되돌아가고 계속된다. 제1 셀의 2개 이상의 RRU가 존재하는 경우 단계 3061의 동작이 수행된다. 제1 셀이 2개의 RRU만을 포함하는 경우, 제1 셀이 2개의 분할된 셀로 쪼개질 수 있도록 2개의 RRU는 각각 분할된 셀을 형성할 수 있다. 제1 셀의 나머지 RRU는 결합된 RRU가 아닌 제1 셀의 RRU이다. 본 실시예에서, 제1 셀의 네트워크 품질이 저하되고 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, 제2 셀의 RRU가 선택되고 제1 셀과 결합되어 결합된 셀을 획득할 수 있도록, 제1 셀의 이웃 셀 중에서 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀이 먼저 결정된다. 베이스밴드 유닛은, 결합된 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 커질 때까지 RRU를 추가적으로 결합하기 위해, 결합된 셀을 제1 셀로서 사용하고 결합된 셀의 부하가 제1 부하 임계보다 작거나 같은지 여부를 검출할 수 있다. 제1 셀의 부하가 제2 부하 임계치보다 크거나 같은 경우, 제1 셀은 분할되어 복수의 분할된 셀을 획득할 수 있고, 분할된 셀의 부하가 제2 부하 임계치보다 작을 수 있도록 각각의 분할된 셀은 적어도 하나의 RRU를 포함한다. 본 실시예에서, RRU를 결합하거나 셀을 분할함으로써, 셀들 간의 간섭이 감소될 수 있으며, 이로써 부하와 간섭 간의 균형을 보장하고, 네트워크 품질을 향상시키며, 사용자 네트워크 경험을 향상시킨다. 간단한 설명을 위해, 전술한 방법 실시예를 일련의 동작으로서 나타냈다는 것을 유의해야 한다. 하지만, 본 출원에 따르면, 일부 단계가 다른 순서로 수행되거나 또는 동시에 수행될 수 있기 때문에, 당업자는 본 출원이 동작들의 설명된 순서에 제한되지 않는다는 것을 이해하여야 한다. 당업자는 본 명세서에서 설명되는 실시예는 모두 예시적인 실시예에 속하고 수반되는 동작 및 모듈은 본 출원에 의해 반드시 필요하지 않는다는 것을 추가적으로 이해하여야 한다. 도 4는 본 출원의 일 실시예에 따른 제어 장치의 실시예의 개략적인 구조도이고, 장치는, BBU의 커버리지 내의 복수의 셀 중 제1 셀의 네트워크 품질이 저하된 것으로 결정되는 때 제1 셀의 부하 정보를 결정하도록 구성된 부하 결정 유닛(401); 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, 제1 셀의 이웃 셀 중에서 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀을 원격 무선 유닛(RRU)의 신호 세기에 따라 결정하도록 구성된 셀 결정 유닛(402)으로서, 셀의 신호 간섭의 세기가 측정 리포트에서의 측정에 의해 얻어지는 모든 RRU의 신호 세기를 이용하여 계산될 수 있는, 셀 결정 유닛(402); 및 제1 셀의 RRU를 제2 셀의 RRU와 결합하여 결합된 셀을 획득하도록 구성된 셀 결합 유닛(403)을 포함할 수 있다. 신호 간섭을 더 감소시키기 위하여, 제1 셀에 대해 비교적 강한 신호 간섭을 가진 제2 셀의 적어도 하나의 RRU가 제1 셀의 RRU와 결합될 제2 셀의 RRU로서 선택될 수 있다. 결합된 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 큰 경우, 파라미터 구성과 같은 동작이, 결합된 셀을 적용 가능하게 만들기 위해 결합된 셀에 대해 수행될 수 있다. 본 실시예에서, 제1 셀의 네트워크 품질이 베이스밴드 유닛의 커버리지 범위 내에서 저하되고 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, 제2 셀의 RRU를 선택하고 RRU를 제1 셀과 결합하여 결합된 셀을 획득하기 위해, 베이스밴드 유닛은 제1 셀의 이웃 셀 중에서 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀을 먼저 결정하며, 이로써 셀의 부하를 개선시킨다. 결합된 셀은 제1 셀로서 다시 결정될 수 있다. 결합된 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, 결합된 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 커질 때까지 RRU가 더 결합될 수 있다. 셀들 간의 간섭이 RRU 결합에 의해 감소될 수 있도록, 가장 강한 신호 간섭을 가지는 셀의 RRU가 결합될 RRU로서 선택되고, 이에 따라 부하와 간섭 간의 균형을 보장하고, 네트워크 품질을 향상시키며, 사용자 네트워크 경험을 향상시킨다. 도 5는 본 출원의 일 실시예에 따른 제어 장치의 다른 실시예의 개략적인 구조도이고, 장치는, BBU의 커버리지 내의 복수의 셀 중 제1 셀의 네트워크 품질이 저하된 것으로 결정되는 때 제1 셀의 부하 정보를 결정하도록 구성된 부하 결정 유닛(501); 및 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, 제1 셀의 이웃 셀 중에서 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀을 RRU의 신호 세기에 따라 결정하도록 구성된 셀 결정 유닛(502)을 포함할 수 있다. 가능한 구현 방식으로서, RRU의 신호 세기는 모바일 단말기를 트리거하여 측정을 수행함으로써 얻을 수 있고, 측정 결과는 측정 리포트에 실리고 모바일 단말기에 의해 보고될 수 있다. 따라서, RRU의 신호 세기는 모바일 단말기에 의해 보고되는 복수의 측정 리포트로부터 얻어질 수 있다. 셀 결정 유닛(502)은, 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, 각각의 측정 리포트에서 제1 셀의 각각의 이웃 셀의 신호 세기에 대한 제1 셀의 신호 세기의 비율을 계산하도록 구성된 제1 계산 유닛(5021) - 각각의 측정 리포트에서 셀의 신호 세기는 측정 리포트에서 동일 셀에 속한 모든 RRU의 신호 세기의 합임 -; 합을 얻기 위해 제1 계산 유닛에 의해 계산되는, 각각의 측정 리포트에서 동일한 이웃 셀의 신호 세기에 대한 제1 셀의 신호 세기의 비율을 축적하고, 합을 제1 셀과 이웃 셀 간의 신호 간섭의 세기로서 사용하도록 구성된 제2 계산 유닛(5022); 및 제2 계산 유닛에 의해 계산되는, 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가진 제2 셀을 제1 셀과 각각의 이웃 셀 간의 신호 간섭의 세기에 따라 결정하도록 구성되는 셀 결정 서브유닛(5023)을 포함할 수 있다. 셀 결합 유닛(503)은, 제1 셀의 RRU를 제2 셀의 RRU와 결합하여 결합된 셀을 획득하도록 구성된다. 셀 결합 유닛(503)은 구체적으로, 제1 셀의 부하와 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작은 경우, 제2 셀의 모든 RRU를 제1 셀과 결합하도록 구성된 제1 결합 유닛(5031)으로서, 제2 부하 임계치가 제1 부하 임계치보다 큰 경우, 제2 부하 임계치가 셀이 지닐 수 있는 부하의 최대값을 제한하고, 제2 부하 임계치가 초과되면 셀의 네트워크 품질이 영향을 받을 수 있는, 제1 결합 유닛(5031); 및 제1 셀의 부하와 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 크거나 같은 경우, 제2 셀의 적어도 하나의 RRU로서, 그 부하에 제1 셀의 부하를 더한 부하가 제2 부하 임계치보다 작고 제1 셀에 대해 강한 신호 간섭을 가지는 적어도 하나의 RRU를 제1 셀을 결합하도록 구성된 제2 결합 유닛(5032)을 포함한다. 제1 셀의 부하와 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 크거나 같으면, 제2 셀의 일부 RRU만이 선택되고 제1 셀과 결합될 수 있다. RRU로서, 그 부하와 제1 셀의 부하를 더한 부하가 제2 부하 임계치보다 작고 각각이 제1 셀에 대해 비교적 강한 신호 간섭을 가지는 RRU가 제2 셀의 일부 RRU로서 선택될 수 있다. 본 실시예에서, 제1 셀의 네트워크 품질이 베이스밴드 유닛의 커버리지 범위 내에서 저하되고 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, 제1 셀의 이웃 셀 중에서 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀이 먼저 결정되고, 이로써 제1 셀의 부하와 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작은 경우 제1 셀이 제2 셀의 RRU와 결합될 수 있고; 제1 셀의 부하와 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 크거나 같은 경우, 일부 RRU로서, 그 부하에 제1 셀의 부하를 더한 부하가 제2 부하 임계보다 작고 각각이 제1 셀에 대해 강한 신호 간섭을 가지는 RRU가 제2 셀로부터 선택되고 제1 셀과 결합되어 결합된 셀을 획득할 수 있다. 결합된 셀의 부하가 증가되고, 결합된 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, RRU가 결합된 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 커질 때까지 계속 결합될 수 있도록 결합된 셀은 제1 셀로서 다시 사용될 수 있다. 셀들 간의 간섭이 RRU 결합에 의해 감소될 수 있도록, 가장 강한 신호 간섭을 가지는 셀의 RRU가 결합될 RRU로서 선택되고, 이에 따라 부하와 간섭 간의 균형을 보장하고, 네트워크 품질을 향상시키며, 사용자 네트워크 경험을 향상시킨다. 도 6은 본 출원의 일 실시예에 따른 제어 장치의 다른 실시예의 개략적인 구조도이고, 장치는, BBU의 커버리지 내의 복수의 셀 중 제1 셀의 네트워크 품질이 저하된 것으로 결정되는 때 제1 셀의 부하 정보를 결정하도록 구성된 부하 결정 유닛(601); 및 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, 제1 셀의 이웃 셀 중에서 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀을 원격 무선 유닛(RRU)의 신호 세기에 따라 결정하도록 구성된 셀 결정 유닛(602)을 포함할 수 있다. RRU의 신호 세기는 모바일 단말기를 트리거하여 측정을 수행함으로써 얻어질 수 있고, 측정 결과는 측정 리포트에 실리고 모바일 단말기에 의해 보고될 수 있다. 따라서, RRU의 신호 세기는 모바일 단말기에 의해 보고되는 복수의 측정 리포트로부터 얻어질 수 있다. 셀 결정 유닛은, 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, 각각의 측정 리포트에서 제1 셀의 각각의 이웃 셀의 신호 세기에 대한 제1 셀의 신호 세기의 비율을 계산하도록 구성된 제1 계산 유닛 - 각각의 측정 리포트에서의 셀의 신호 세기는 측정 리포트에서 동일 셀에 속한 모든 RRU의 신호 세기의 합임 -; 합을 얻기 위해 제1 계산 유닛에 의해 계산되는, 각각의 측정 리포트에서 동일한 이웃 셀의 신호 세기에 대한 제1 셀의 신호 세기의 비율을 축적하고, 합을 제1 셀과 이웃 셀 간의 신호 간섭의 세기로서 사용하도록 구성된 제2 계산 유닛; 및 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀을 제2 계산 유닛에 의해 계산되는, 제1 셀과 각각의 이웃 셀 간의 신호 간섭의 세기에 따라 결정하도록 구성된 셀 결정 서브유닛을 포함할 수 있다. 셀 결합 유닛(603)은, 제1 셀의 RRU를 제2 셀의 RRU와 결합하여 결합된 셀을 획득하도록 구성된다. 가능한 구현 방식으로서, 셀 결합 유닛(603)은, 제1 셀의 부하와 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작은 경우, 제2 셀의 모든 RRU를 제1 셀과 결합하도록 구성된 제1 결합 유닛(6031); 및 제1 셀의 부하와 제2 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 크거나 같은 경우, 제2 셀의 적어도 하나의 RRU로서, 그 부하에 제1 셀의 부하를 더한 부하가 제2 부하 임계치보다 작고 제1 셀에 대해 강한 신호 간섭을 가지는 적어도 하나의 RRU를 제1 셀과 결합하도록 구성된 제2 결합 유닛(6032)을 포함할 수 있다. 가능한 구현 방식으로서, 제2 결합 유닛(6032)은, 제2 셀의 RRU로서, 그 부하에 제1 셀의 부하를 더한 부하가 제2 부하 임계치보다 작고 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 RRU를 제1 셀과 결합하도록 구성된 제1 결합 서브유닛(611); 및 제2 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 작은 제1 부하 임계치보다 작을 때까지 제2 셀의 나머지 RRU 중의 RRU를 제1 셀과 결합하는 동작을 반복적으로 수행하도록 구성된 제2 결합 서브유닛(612)을 포함할 수 있고, RRU의 부하와 RRU와 결합된 제1 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작고 RRU가 RRU와 결합된 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지며, 제2 셀의 나머지 RRU는 제1 셀과 결합되는 RRU를 제외한 제2 셀의 RRU이다. 결합 후의 최종 제1 셀은 결합된 셀로서 사용되고, 제2 셀의 나머지 RRU는 신규 셀을 형성하며, 결합된 셀 및 신규 셀은 또한 제1 셀로서 결정될 수 있고, 이로써 셀 결합의 동작이 계속 수행된다. 셀 분할 유닛(604)은, 제1 셀의 부하가 제2 부하 임계치보다 크거나 같은 경우, 모든 원격 무선 유닛(RRU)의 신호 세기에 따라 제1 셀을 분할하여 복수의 분할된 셀을 획득하도록 구성되고, 분할된 셀의 부하가 제2 부하 임계치보다 작을 수 있도록 각각의 분할된 셀은 적어도 하나의 RRU를 포함하며, 제2 부하 임계치는 제1 부하 임계치보다 크다. 가능한 구현 방식으로서, 셀 분할 유닛(604)은, 제1 셀의 2개의 RRU를 선택하고 결합하여 제1 분할된 셀을 얻도록 구성된 제1 분할 유닛(6041) - 2개의 RRU의 부하의 합은 제2 부하 임계치보다 작고 2개의 RRU는 가장 강한 신호 간섭을 가짐 -; 제1 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 보다 작은 경우, 나머지 RRU를 제2 분할된 셀로서 사용하도록 구성된 제2 분할 유닛(6042); 제1 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 크거나 같은 경우, 제1 셀의 나머지 RRU 중의 RRU로서, 그 부하에 제1 분할된 셀의 부하를 더한 부하가 제2 부하 임계치보다 작고 제1 분할된 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 RRU를 제1 분할된 셀과 결합하도록 구성된 제3 분할 유닛(6043); 및 제1 셀의 나머지 RRU의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작을 때까지, 제1 셀의 나머지 RRU 중의 RRU를 제1 분할된 셀과 결합하는 단계를 반복적으로 수행하도록 구성된 제4 분할 유닛(6044)을 포함할 수 있고, RRU의 부하와 RRU와 결합된 제1 분할된 셀의 부하의 합이 제2 부하 임계치보다 작고 RRU가 RRU와 결합된 제1 분할된 셀에 대하 가장 강한 신호 간섭을 가지며, 제1 셀의 나머지 RRU는 결합된 RRU를 제외한 제1 셀의 RRU이다. . 셀 분할 유닛은 제1 셀에 2개 이상의 RRU가 존재하는 경우 분할 작업을 수행한다. 제1 셀이 2개의 RRU만을 포함하는 경우, 제1 셀이 2개의 분할된 셀로 쪼개질 수 있도록 2개의 RRU는 각각 분할된 셀을 형성할 수 있다. 본 실시예에서, 제1 셀의 네트워크 품질이 베이스밴드 유닛의 커버리지 범위 내에서 저하되고 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, 제2 셀의 RRU가 선택되고 제1 셀과 결합되어 결합된 셀을 얻을 수 있도록, 베이스밴드 유닛은 먼저 제1 셀의 이웃 셀 중에서 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀을 결정한다. 제1 셀의 부하가 제2 부하 임계치보다 크거나 같은 경우, 제1 셀은 분할되어 복수의 분할된 셀을 획득할 수 있고, 분할된 셀의 부하가 제2 부하 임계치보다 작을 수 있도록 각각의 분할된 셀은 적어도 하나의 RRU를 포함한다. 본 실시예에서, RRU를 결합하거나 셀을 분할함으로써, 셀들 간의 간섭이 감소될 수 있으며, 이로써 부하와 간섭 간의 균형을 보장하고, 네트워크 품질을 향상시키며, 사용자 네트워크 경험을 향상시킨다. 실제 적용에서, 도 4 내지 도 6에 도시된 제어 장치는 BBU에 적용될 수 있고, 본 실시예에서의 제어 장치의 BBU의 배치에 의해, 네트워크 품질이 저하되는 경우, RRU를 결합하거나 셀을 분할함으로써 네트워크 품질이 높아지고, 셀들 간의 간섭이 감소될 수 있으며, 부하와 간섭 간의 균형이 보장될 수 있고, 사용자 네트워크 경험이 향상될 수 있다. 전술한 설명에 기초하여, 당업자는 본 출원이 소프트웨어에 필요한 범용 하드웨어 플랫폼을 추가하여 의해 구현될 수 있다는 것을 분명하게 이해할 수 있을 것이다. 본 출원의 실시예는 베이스밴드 유닛의 실시예의 개략적인 구조도를 추가로 제공한다. 베이스밴드 유닛은 버스를 통해 프로세서(701)에 개별적으로 연결된 적어도 하나의 프로세서(701), 및 메모리(702)와 송신기(703)를 포함한다. 메모리(702)는 프로그램 명령의 그룹을 저장한다. 메모리는 고속 RAM 메모리일 수 있거나, 또는 적어도 하나의 자기 디스크 메모리 등의 비휘발성 메모리(non-volatile memory)일 수 있다. 프로세서(701)은 메모리(702)에 저장된 프로그램 명령들을 호출하여 다음의 동작을 수행하도록 구성된다: BBU의 커버리지 내의 복수의 셀 중 제1 셀의 네트워크 품질이 저하돈 것으로 결정된 때, 제1 셀의 부하 정보를 결정하는 동작; 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, 제1 셀의 이웃 셀 중에서 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀을 원격 무선 유닛(RRU)의 신호 세기에 따라 결정하는 동작; 및 제1 셀의 RRU를 제2 셀의 RRU와 결합하여 결합된 셀을 획득하는 동작. 프로세서는 중앙처리장치 CPU 또는 주문형 반도체(Application Specific Integrated Circuit, ASIC) 일 수 있거나, 또는 본 발명의 실시예를 구현하는 하나 이상의 집적 회로로 구성될 수 있다. 선택적으로, 베이스밴드 유닛은 본 출원의 실시예에 따른, 도 1 내지 도 3에 도시된 임의의 제어 방법을 수행하기 위해 사용될 수 있다. 본 명세서의 실시예는 실시예에서 동일한 부분 또는 유사한 부분에 대해 진행하는 방식으로 설명되었으므로, 이러한 실시예를 참조할 수 있으며, 각각의 실시예는 다른 실시예와의 구별에 초점을 맞추고 있다. 실시예에서 개시된 장치는 실시예에서 개시된 방법과 근본적으로 유사하고, 따라서 간단하게 설명되고, 관련된 부분에 대해 방법의 일부 설명을 참조할 수 있다. 결국, 본 명세서에서, 제1 및 제 2 등의 상관적인 용어는 단지 하나의 엔티티 또는 동작을 다른 엔티티 또는 동작과 구별하기 위하여 사용되고, 이러한 실체 간에 또는 동작 간에 어떠한 실제의 관계 또는 순서가 존재한다는 것을 반드시 필요로 하거나 의미하는 것이 아님을 유의해야 한다. 또한, "구비하다", "포함하다" 또는 이의 임의의 다른 변형과 같은 용어는 배제 없는 포함을 망라하도록 의도된 것이며, 이로써 엘리먼트의 목록을 포함하는 프로세스, 방법, 물품, 또는 장치는 이러한 엘리먼트를 포함할 뿐만아니라 명시적으로 나열되지 않은 다른 엘리먼트를 포함하거나, 또는 이러한 프로세스, 방법, 물품, 또는 장치 이러한 프로세스, 방법, 물품, 또는 장치 에 내재하는 엘리먼트를 더 포함한다. "포함한다"의 목적어인 엘리먼트는 제약 없이 이러한 엘리먼트를 포함하는 프로세스, 방법, 물품, 또는 장치에서 추가적인 동일한 엘리먼트의 존재를 배제하지 않는다. 설명의 편의를 위해, 전술한 장치의 기능을 다양한 유닛들로 분할하여 설명하였다. 물론, 본 출원 구현 중, 각각의 유닛의 기능은 동일하거나 복수의 소프트웨어 및/또는 하드웨어로 구현될 수 있다. 이러한 구현 방식의 전술한 설명에 기초하여, 당업자는 본 출원이 소프트웨어에 필요한 일반적인 하드웨어 플랫폼을 추가함으로써 구현될 수 있다는 것을 분명하게 이해할 수 있을 것이다. 이러한 이해를 바탕으로, 본 출원의 과제 해결수단은 기본적으로 또는 종래 기술에 기여하는 부분은 소프트웨어의 제품 형태로 구현될 수 있다. 컴퓨터 소프트웨어 제품은 롬/램(ROM/RAM), 자기디스크, 또는 광디스크와 같은 저장 매체에 저장될 수 있으며, 컴퓨터 장치(개인용 컴퓨터, 서버, 또는 네트워크 장치 등일 수 있음)에게 실시예 또는 본 출원의 실시예의 일부 부분에서 설명된 방법을 수행하도록 지시하기 위한 몇몇 명령을 포함한다. 개시된 실시예의 전술한 설명은 당업자가 본 출원을 구현하거나 사용할 수 있게 한다. 실시예에 대한 다양한 변형이 당업자에게 명백하고, 본 명세서에서 규정된 일반적인 원칙이 본 출원의 사상이나 보호 범위를 벗어나지 않고도 다른 실시예에서 구현될 수 있다. 따라서, 본 출원은 제한된 본 명세서에서 설명된 실시예에 제한되지 않을 것이지만 본 명세서에서 개시된 원리 및 신규성에 부합하는 가장 넓은 보호 범위까지 확장된다.
본 출원의 실시예는 제어 방법 및 장치를 제공한다. 상기 제어 방법은, 베이스밴드 유닛(베이스밴드 유닛, BBU)이 상기 BBU의 커버리지 내의 복수의 셀 중 제1 셀의 네트워크 품질이 저하된 것으로 결정할 때 상기 BBU가 상기 제1 셀의 부하 정보를 결정하는 단계; 상기 제1 셀의 부하가 제1 부하 임계치보다 작거나 같은 경우, 상기 제1 셀의 이웃 셀(neighboring cell) 중에서 상기 제1 셀에 대해 가장 강한 신호 간섭을 가지는 제2 셀을 원격 무선 유닛(remote radio unit, RRU)의 신호 세기에 따라 결정하는 단계; 및 상기 제1 셀의 RRU를 상기 제2 셀의 RRU와 결합하여 결합된 셀을 획득하는 단계를 포함한다. 본 출원의 실시예는 네트워크 품질을 향상시키고 사용자 네트워크 경험을 향상시킨다.
[ 발명의 명칭 ] 사용자 조작을 인식하기 위한 방법, 장치 및 비일시성의 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체METHOD AND DEVICE FOR RECOGNIZING USER OPERATION, AND NON-TEMPORARY COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM [ 기술분야 ] 본 발명은 사용자 조작을 인식하기 위한 방법, 장치 및 비일시성의 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 근래에 들어, 스마트폰, 스마트 패드와 같이 다양한 기능과 강력한 연산 성능을 갖춘 모바일 스마트 디바이스가 널리 사용되고 있다. 이러한 모바일 스마트 디바이스 중에는 사용자가 신체에 착용하여 휴대할 수 있는 비교적 작은 크기의 웨어러블 디바이스(Wearable Device)(예를 들면, 스마트 글래스, 스마트 워치, 스마트 밴드, 링이나 브로치와 같은 형태의 스마트 디바이스, 신체나 의류에 직접적으로 부착되거나 매립되는 스마트 디바이스 등)도 있다.한편, 크기가 작아야 하고 사용자 신체에 착용되어야 하는 제약 조건을 가지고 있는 웨어러블 디바이스는 구성요소를 단순화하고 공간 효율성을 높이기 위해 터치 패널과 같은 터치 기반 사용자 인터페이스 수단을 포함하는 것이 일반적이다.종래 기술의 일 예로서, 정전식 감응(capacitive sensing) 방식에 따른 터치 패널이 웨어러블 디바이스에 가장 널리 사용되고 있다. 정전식 감응 방식의 터치 패널은, 기판 상에 소정의 매트릭스(Matrix) 형태로 배치되는 ITO 전극과 ITO 전극에 연결되는 가로 방향 또는 세로 방향 전극을 이용하여 손가락 근접에 의한 정전용량의 변화를 감지함으로써 터치 위치를 인식할 수 있다. 또한, 정전식 감응 방식의 터치 패널은, 현재 터치되고 있는 지점이 어디로 이동하는지, 그 터치가 해제(Release)되었는지 등을 인식할 수 있으며, 여러 지점이 동시에 터치되는 멀티 터치를 인식할 수 있다.하지만, 정전식 감응 방식의 터치 패널에 의하면, 터치에 수반하여 발생하는 압력이나 힘의 세기와 방향을 인식하기는 어렵다는 한계가 존재한다. 또한, 사용자가 스마트 워치와 같은 웨어러블 디바이스의 작은 크기의 표시 화면(즉, 터치 패널이 구비된 표시 화면)을 손가락으로 터치하는 경우에, 그 표시 화면에 표시되고 있는 정보가 손가락에 가려져서 사용자가 그 정보를 제대로 확인하기 어렵게 되는 불편함이 존재한다. 특히, 사용자가 확대나 축소를 위한 핀치(pinch) 조작과 같이 멀티 터치를 하는 경우에는, 표시 화면에 닿는 복수의 손가락으로 인해 표시 화면의 대부분이 가려지거나 공간상 제약으로 인해 멀티 터치를 수행하는 것 자체가 어렵게 되는 문제점이 존재한다. 위와 같은 불편함이나 문제점을 해소하기 위해 표시 화면의 크기를 약간 키운 팔찌형 웨어러블 디바이스가 소개되고 하였지만, 다양한 터치 조작을 입력하기에는 여전히 많은 어려움이 따르고 있다.종래 기술의 다른 예로서, IFSR(Interpolating Force Sensitive Resistance) 방식에 따른 터치 패널이 소개된 바 있다. IFSR 방식의 터치 패널은 터치뿐만 아니라 터치에 수반되는 압력을 함께 인식할 수 있는데, 구체적으로는, 기판 상에 소정의 매트릭스(Matrix) 형태로 배치되는 ITO 전극과 ITO 전극의 위층 또는 아래층에 배치되는 압력 감지 소재를 이용하여 터치와 압력을 모두 인식하게 된다. 여기서, 압력 감지 소재로는 FSR(Force Sensing Resistor) 등이 사용될 수 있는데, FSR은 인가되는 압력에 따라 전기저항이 변하는 특성을 가지는 물질이다. 하지만, ISFR 방식의 터치 패널은 복잡한 다층 구조를 가질 수밖에 없기 때문에, 터치 패널이 구부러지거나 휘어지는 경우에 의도하지 않은 노이즈가 발생할 수 있고, 이러한 노이즈는 필터링되기도 어렵다는 문제점이 존재한다. 따라서, ISFR 방식의 터치 패널은 플렉시블(flexible)한 웨어러블 디바이스에 사용되기에 적합하지 않다.종래 기술의 또 다른 예로서, 저항막(Resistive) 방식(또는 4-wire 방식, 감악식)에 따른 터치 패널이 소개된 바 있다. 구체적으로, 저항막 방식의 터치 패널은, ITO가 코팅된 두 장의 저항막과 이들 저항막 사이에 소정을 간격을 유지한 채로 배치되는 도트 스페이서(dot spacer)를 이용하여 소정의 압력을 수반하는 터치 조작이 입력되는 위치에서 발생하는 전압을 검출함으로써 터치와 압력을 모두 인식할 수 있다. 하지만, 저항막 방식의 터치 패널은, 멀티 터치를 인식하기 어렵고 힘의 세기를 정교하게 인식하기 어렵다는 단점을 가지고 있으며, 플렉시블한 웨어러블 디바이스에 사용되기에 적합하지 않다는 한계도 가지고 있다.이상에서 살펴본 문제점 이외에도, 웨어러블 디바이스에 적합한 터치 및 압력 인식 수단을 개발하기 위해서 해결되어야 할 다양한 기술적 과제가 존재하고 있는 실정이다. 구체적으로, 격자 구조로 배치된 복수의 센서를 연결하는 선을 배치하기 위해 요구되는 베젤 영역으로 인해 공간의 낭비가 발생하는 문제점, 단순한 구조를 가지는 터치 패널로는 높은 수준의 인식률을 달성하기 어렵다는 문제점, 압력 인식 소재로부터 발생하는 노이즈로 인해 성능이 저하되는 문제점 등을 예로 들 수 있다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은 상술한 문제점을 모두 해결하는 것을 그 목적으로 한다.또한, 본 발명은 기판, 기판 상에 제1 패턴을 따라 형성되는 제1 부분 전극 및 기판 상에 제2 패턴을 따라 형성되는 제2 부분 전극을 포함하는 적어도 하나의 단위 셀, 및 적어도 하나의 단위 셀의 상부에 형성되고, 적어도 하나의 단위 셀에 대하여 기설정된 세기 이상의 압력이 인가되면 제1 부분 전극과 제2 부분 전극을 전기적으로 연결시키고, 전기적으로 연결된 부분의 전기저항이 위의 압력의 세기에 따라 변하는 압력 감응 물질을 포함하는 사용자 조작 인식 장치를 제공함으로써, 종래 기술에 비해 단순하고 플렉시블한 단층 구조로 이루어지고 높은 수준의 인식률을 달성할 수 있는 사용자 인터페이스 수단을 구현하는 것을 다른 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 대표적인 구성은 다음과 같다.본 발명의 일 태양에 따르면, 사용자 조작을 인식하기 위한 장치로서, 기판, 상기 기판 상에 제1 패턴을 따라 형성되는 제1 부분 전극 및 상기 기판 상에 제2 패턴을 따라 형성되는 제2 부분 전극을 포함하는 적어도 하나의 단위 셀, 및 상기 적어도 하나의 단위 셀의 상부에 형성되고, 상기 적어도 하나의 단위 셀에 대하여 기설정된 세기 이상의 압력이 인가되면 상기 제1 부분 전극과 상기 제2 부분 전극을 전기적으로 연결시키고, 상기 전기적으로 연결된 부분의 전기저항이 상기 인가되는 압력의 세기에 따라 변하는 압력 감응 물질을 포함하는 장치가 제공된다.본 발명의 다른 태양에 따르면, 사용자 조작을 인식하기 위한 방법으로서,사용자 조작이 입력되면, 사용자 조작 인식 장치로부터 획득되는 정보를 참조로 하여 터치 영역을 특정하고, 상기 사용자 조작 인식 장치로부터 획득되는 정보를 참조로 하여 상기 터치 영역 내에서 인가되는 압력의 중심에 해당하는 지점인 센트로이드(centroid)를 특정하는 단계, 및 상기 터치 영역 내에서 기설정되는 제1 임계 영역 또는 제2 임계 영역과 상기 특정되는 센트로이드 사이의 상대적인 관계를 참조로 하여, 상기 사용자 조작의 의도를 인식하는 단계를 포함하고, 상기 사용자 조작 인식 장치는, 기판, 상기 기판 상에 제1 패턴을 따라 형성되는 제1 부분 전극 및 상기 기판 상에 제2 패턴을 따라 형성되는 제2 부분 전극을 포함하는 적어도 하나의 단위 셀, 및 상기 적어도 하나의 단위 셀의 상부에 형성되고, 상기 적어도 하나의 단위 셀에 대하여 기설정된 세기 이상의 압력이 인가되면 상기 제1 부분 전극과 상기 제2 부분 전극을 전기적으로 연결시키고, 상기 전기적으로 연결된 부분의 전기저항이 상기 인가되는 압력의 세기에 따라 변하는 압력 감응 물질을 포함하는 방법이 제공된다.이 외에도, 본 발명을 구현하기 위한 다른 방법, 장치 및 상기 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램을 기록하기 위한 비일시성의 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체가 더 제공된다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 의하면, 종래 기술에 비해 단순하고 플렉시블한 단층 구조로 이루어지는 높은 수준의 인식률을 달성할 수 있는 사용자 조작 인식 장치가 제공되므로, 웨어러블 디바이스에 적합한 사용자 인터페이스 수단을 제공할 수 있게 되는 효과가 달성된다.또한, 본 발명에 의하면, 멀티 터치 조작이 입력되는 경우에 각각의 터치 조작에 수반되는 압력의 세기와 방향성을 세밀하게 인식할 수 있게 되는 효과가 달성된다.또한, 본 발명에 의하면, 사용자가, 자신의 손이나 손가락을 크게 움직일 필요 없이, 터치하고 있는 손가락을 통해 미세한 힘의 변화를 발생시키거나 터치하고 있는 손가락의 기울기를 변화시키는 조작을 행하는 것만으로 다양한 제스쳐 명령을 입력할 수 있게 되는 효과가 달성된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 사용자 조작을 인식하기 위한 장치의 구성을 예시적으로 나타내는 도면이다.도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 단위 셀의 구성을 예시적으로 나타내는 도면이다.도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 기판 상에 형성되는 단위 셀과 도선부의 구성을 예시적으로 나타내는 도면이다.도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 기판 상에 비대칭적으로 형성되는 단위 셀의 구성을 예시적으로 나타내는 도면이다.도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라 기판의 한쪽 면에 단위 셀과 도선부가 모두 형성되는 구성을 예시적으로 나타내는 도면이다.도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 수직 방향의 압력을 발생시키는 사용자 조작이 입력되는 상황을 예시적으로 나타내는 도면이다.도 9 및 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따라 수직 방향의 압력을 발생시키는 사용자 조작이 입력되는 경우에 나타나는 압력의 분포를 예시적으로 나타내는 도면이다.도 11은 본 발명의 일 실시예에 따라 수평 방향의 압력을 발생시키는 사용자 조작이 입력되는 상황을 예시적으로 나타내는 도면이다.도 12는 본 발명의 일 실시예에 따라 하나의 터치 영역 내에서 멀티 터치 조작이 입력되는 상황을 예시적으로 나타내는 도면이다.도 13은 본 발명의 일 실시예에 따라 멀티 터치 조작이 입력되는 경우에 나타나는 압력의 분포를 예시적으로 나타내는 도면이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.사용자 조작 인식 장치의 구성이하에서는, 도 1 내지 도 6을 참조로 하여, 사용자 조작 인식 장치(100)의 내부 구성에 관하여 자세히 살펴보기로 한다.도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 사용자 조작을 인식하기 위한 장치의 구성을 예시적으로 나타내는 도면이다.도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 인식 장치(100)는 기판(110), 적어도 하나의 단위 셀(120) 및 압력 감응 물질(130)을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 인식 장치(100)는 커버 물질(140)을 더 포함할 수 있다.먼저, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 단위 셀(120)은 기판(110) 상에 제1 패턴을 따라 형성되는 제1 부분 전극(121)과 기판(110) 상에 제2 패턴을 따라 형성되는 제2 부분 전극(122)을 포함할 수 있다.다음으로, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 압력 감응 물질(130)은 위의 적어도 하나의 단위 셀(120)의 상부에 형성될 수 있다.구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상부에 압력 감응 물질(130)이 형성되어 있는 적어도 하나의 단위 셀(120)에 대하여 위쪽으로부터 기설정된 세기 이상의 압력이 인가되는 경우에, 압력 감응 물질(130)은 그 압력에 대응하여 변형되어 제1 부분 전극(121) 및 제2 부분 전극(122) 모두와 물리적으로 접촉될 수 있고, 이에 따라 제1 부분 전극(121)과 상기 제2 부분 전극(122)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 도 1의 (b)를 참조하면, 기판(110) 상에 형성되어 있는 복수의 제1 부분 전극(121A 내지 121F)과 복수의 제2 부분 전극(122A 내지 122E) 중 사용자 조작(즉, 압력이 수반되는 터치 조작)(101)에 의하여 변형된(즉, 휘어진) 압력 감응 물질(130)과 물리적으로 접촉되는 일부 제1 부분 전극(121B, 121C 및 121D)과 일부 제2 부분 전극(122B 및 122C)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 후술할 바와 같이, 본 발명에 따른 인식 장치(100)는, 제1 부분 전극(121)과 제2 부분 전극(122) 사이의 전기적 연결을 감지함으로써 소정 세기의 압력을 수반하는 터치 조작이 입력되었음을 인식할 수 있게 된다.보다 구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 인식 장치(100)에 대하여 인가되는 압력의 세기에 따라 압력 감응 물질(130)과 제1 부분 전극(121) 또는 제2 부분 전극(122) 사이의 접촉 면적이 달라질 수 있고, 이에 따라 제1 부분 전극(121)과 제2 부분 전극(122)을 전기적으로 연결하고 있는 부분의 전기저항이 달라질 수 있다. 예를 들면, 압력 감응 물질(130)과 제1 부분 전극(121) 또는 제2 부분 전극(122) 사이의 접촉 면적이 커질수록 제1 부분 전극(121)과 제2 부분 전극(122)을 전기적으로 연결하고 있는 부분의 전기저항은 작아질 수 있다. 후술할 바와 같이, 본 발명에 따른 인식 장치(100)는, 제1 부분 전극(121)과 제2 부분 전극(122)을 전기적으로 연결하는 부분의 전기저항을 감지함으로써 사용자 조작으로서 입력되는 압력의 세기 또는 방향을 인식할 수 있게 된다.다음으로, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 커버 물질(140)은 인식 장치(100)의 내부 구성요소를 외부로부터 격리시켜 보호하고 사용자 조작 인식의 민감도를 높이는 기능을 수행하는 구성요소로서, 실리콘, 고무, 섬유, 얇은 금속, 우레탄, 각종 필름 등의 소재로 구성될 수 있다.구체적으로, 도 1을 참조하면, 커버 물질(140)은 압력 감응 물질(130)의 상부를 덮는 형상으로 형성될 수 있고, 이러한 경우에, 압력 감응 물질(130)과 커버 물질(140)이 하나의 층으로 구성됨에 따라 인식 장치(100)의 구조가 단순화될 수 있게 된다. 또한, 도 2를 참조하면, 기판(110), 단위 셀(120) 및 압력 감응 물질(130)을 모두 감싸는 형상으로 형성될 수 있고, 이러한 경우에, 플렉시블한 구조를 구현할 수 있고 먼지나 물과 같은 외부 요소로부터의 영향을 차단할 수 있게 된다.도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 단위 셀의 구성을 예시적으로 나타내는 도면이다.도 3을 참조하면, 인식 장치(100)의 민감도를 높이고 기판(110) 상의 제한된 공간을 효율적으로 활용하기 위하여, 제1 부분 전극(121)의 제1 패턴과 제2 부분 전극(122)의 제2 패턴은 상보적인 형상을 가지도록 설정될 수 있다.도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 기판 상에 형성되는 단위 셀과 도선부의 구성을 예시적으로 나타내는 도면이다.본 발명의 일 실시예에 따르면, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 복수의 단위 셀이 행렬 구조로 배치될 수 있고, 같은 행에 배치되는 단위 셀의 제1 부분 전극은 서로 전기적으로 연결될 수 있고, 같은 열에 배치되는 단위 셀의 제2 부분 전극은 서로 전기적으로 연결될 수 있다.또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 도 4에 도시된 바와 같이, 행렬 구조로 배치된 복수의 단위 셀은 도선부(151, 152)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 단위 셀의 제1 부분 전극은 제1 도선부(151)와 전기적으로 연결되고 및 제2 부분 전극은 제2 도선부(152)와 전기적으로 연결될 수 있다.또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 도선부(151) 및 제2 도선부(152) 중 적어도 일부는 기판(110)의 상면에 형성되고 나머지 일부는 기판의 하면에 형성될 수 있다. 이로써, 기판(110) 상의 제한된 공간을 효율적으로 활용할 수 있게 된다.한편, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 도 4에 도시된 바와 같이, 인식 장치(100)는 제1 도선부(151) 및 제2 도선부(152)를 통하여 특정 행렬(예를 들면, m행의 n열)에 위치하는 단위 셀에서 전기적 연결이 발생하였는지 여부를 감지하고, 전기적으로 연결된 단위 셀에서 나타나는 전기저항을 측정하고, 위의 감지 및 측정 결과를 참조로 하여 단위 셀에 대하여 터치 조작이 입력되었는지 여부와 터치 조작에 수반되는 압력의 세기와 방향을 인식하는 기능을 수행하는 제어부(160)를 더 포함할 수 있다.구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 도선부(151) 또는 제2 도선부(152)가 어떤 행 또는 어떤 열과 연결되느냐에 따라 해당 도선부를 구성하는 도선의 총 길이가 달라질 수 있고, 결과적으로, 해당 도선부의 전기저항이 달라질 수 있으므로, 제어부(160)는, 특정 단위 셀에서 측정되는 전기저항에 기초하여 해당 단위 셀에 인가되는 압력을 인식함에 있어서, 해당 단위 셀과 연결되어 있는 도선부의 길이에 기인하는 전기저항을 따로 고려할 수 있음을 밝혀 둔다.한편, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제어부(160)는 사용자 조작 인식 장치(100) 내에서 프로그램 모듈의 형태로 존재할 수 있다. 이러한 프로그램 모듈은 운영 시스템, 응용 프로그램 모듈 또는 기타 프로그램 모듈의 형태를 가질 수 있다. 또한, 프로그램 모듈은 사용자 조작 인식 장치(100)와 통신 가능한 원격 기억 장치에 저장될 수도 있다. 한편, 프로그램 모듈은 본 발명에 따라 후술할 특정 업무를 수행하거나 특정 추상 데이터 유형을 실행하는 루틴, 서브루틴, 프로그램, 오브젝트, 컴포넌트, 데이터 구조 등을 포괄하지만, 이에 제한되지는 않는다.도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 기판 상에 비대칭적으로 형성되는 단위 셀의 구성을 예시적으로 나타내는 도면이다.본 발명의 일 실시예에 따르면, 적어도 하나의 단위 셀(120)이 기판(110) 상의 모든 영역에 걸쳐서 골고루 균등하게 배치될 수도 있지만, 도 5에 도시된 바와 같이, 사용자 조작의 입력 빈도, 필요한 해상도 등의 기준에 따라 기판(110) 상의 어떤 영역에 다른 영역에 비하여 더 많은 수의 단위 셀이 배치되거나(도 5의 (a) 참조) 더 작은 크기의 단위 셀이 더 촘촘하게 배치될 수 있다(도 5의 (b) 참조).도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라 기판의 한쪽 면에 단위 셀과 도선부가 모두 형성되는 구성을 예시적으로 나타내는 도면이다.도 6을 참조하면, 제1 부분 전극(121) 및 제2 부분 전극(122)과 각각 연결되는 제1 도선부(151) 및 제2 도선부(152)가 모두 기판의 한쪽 면(즉, 상면)에 형성될 수 있고, 이를 위해 제1 도선부(151) 및 제2 도선부(152) 중 적어도 일부분은 단위 셀 사이의 빈 영역에 배치될 수 있다. 도 6에 도시된 바에 따르면, 도선부(151, 152)를 위한 베젤(bezel) 공간을 따로 마련할 필요가 없으므로, 공간 효율성을 높일 수 있는 것은 물론 여러 개의 기판을 이어 붙여 하나의 대형 터치 패널을 만드는 것도 가능하게 된다.이하에서는, 도 7 내지 도 13을 참조로 하여, 사용자 조작을 인식하는 위한 방법에 관하여 구체적으로 살펴보기로 한다.도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 수직 방향의 압력을 발생시키는 사용자 조작이 입력되는 상황을 예시적으로 나타내는 도면이다.도 9 및 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따라 수직 방향의 압력을 발생시키는 사용자 조작이 입력되는 경우에 나타나는 압력의 분포를 예시적으로 나타내는 도면이다.도 11은 본 발명의 일 실시예에 따라 수평 방향의 압력을 발생시키는 사용자 조작이 입력되는 상황을 예시적으로 나타내는 도면이다.도 12는 본 발명의 일 실시예에 따라 하나의 터치 영역 내에서 멀티 터치 조작이 입력되는 상황을 예시적으로 나타내는 도면이다.도 13은 본 발명의 일 실시예에 따라 멀티 터치 조작이 입력되는 경우에 나타나는 압력의 분포를 예시적으로 나타내는 도면이다.먼저, 도 7, 도 8 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 인식 장치(100)는, 사용자 조작(701, 801, 802, 803, 1101)이 입력되면, 터치 인식 수단으로부터 획득되는 정보를 참조로 하여 터치 영역(710, 1110)을 특정하고, 압력 인식 수단으로부터 획득되는 정보를 참조로 하여 터치 영역(710, 1110) 내에서 인가되는 압력의 중심에 해당하는 지점인 센트로이드(centroid)(720, 1120)를 특정할 수 있다.여기서, 센트로이드(720, 1120)의 위치는, 터치 영역(710, 1110)에서 측정되는 전기저항의 분포로부터 추정되는 압력의 세기에 기초하여 결정될 수 있다. 도 9 및 도 10을 참조하면, 터치 영역 내에서 다양한 압력 분포가 측정될 수 있으며, 이에 따라 센트로이드의 위치가 다양하게 특정될 수 있다.다음으로, 도 7, 도 8 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 인식 장치(100)는, 터치 영역(710, 1110) 내에서 기설정되는 제1 임계 영역(730, 1130) 또는 제2 임계 영역(1140)과 센트로이드(720, 1120) 사이의 상대적인 관계를 참조로 하여, 사용자 조작의 의도를 인식할 수 있다. 여기서, 제1 임계 영역(730, 1130) 및 제2 임계 영역(1140)은 터치 영역(710, 1110) 내에서 설정될 수 있으며, 제2 임계 영역(1140)은 제1 임계 영역(730, 1130)보다 넓게 설정될 수 있다.구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 인식 장치(100)는, 센트로이드(720)가 제1 임계 영역(730, 1130) 내에 포함되는 것으로 감지된 경우에, 터치 영역(710, 1110)의 중심부에 압력이 집중되고 있다고 판단하고 수직 방향의 압력을 의도한 사용자 조작이 입력된 것으로 인식할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 인식 장치(100)는, 센트로이드(720, 1120)가 제1 임계 영역(730, 1130)을 벗어나되 제2 임계 영역(1140) 내에 포함되는 경우에, 터치 영역(710, 1110)의 중심부로부터 다소 벗어난 곳에 압력이 집중되고 있다고 판단하고 수평 방향의 압력을 의도한 사용자 조작이 입력된 것으로 인식할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 인식 장치(100)는, 센트로이드(720, 1120)가 제2 임계 영역(1140)을 벗어나는 경우에, 터치 영역(710, 1110)의 중심부를 크게 벗어나 주변부에 압력이 집중되고 있다고 판단하고 터치 영역(710, 1110) 자체의 이동을 의도한 사용자 조작(즉, 터치 영역(710, 1110) 자체를 이동시키고자 하는 사용자 조작)이 입력된 것으로 인식할 수 있다.한편, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 인식 장치(100)는, 소정의 압력이 수반되는 멀티 터치 조작이 입력되는 경우에, 멀티 터치 조작에 의해 특정되는 복수의 터치 영역 각각에 대하여 앞서 언급한 인식 과정을 수행할 수 있다.또한, 도 12를 참조하면, 하나의 터치 영역 내에서 멀티 터치 조작이 입력되는 경우에(즉, 하나의 터치 영역(1210) 내에 압력 분포의 중심인 센트로이드(1220)에서 측정되는 압력보다 더 큰 세기의 압력이 측정되는 지점(1231, 1232)이 둘 이상 존재하고 위의 둘 이상의 지점(1231, 1232)이 기설정된 수준 이상의 간격을 두고 떨어져 있는 경우에), 본 발명의 일 실시예에 따른 인식 장치(100)는, 위의 둘 이상의 지점(1231, 1232) 각각에서 소정의 압력을 수반하는 터치 조작이 입력된 것으로 인식할 수 있다. 여기서, 위의 둘 이상의 지점(1231, 1232)이 기설정된 수준 이상의 간격을 두고 떨어져 있는지 여부는, 위의 둘 이상의 지점(1231, 1232) 각각에서 나타나는 힘의 작용선(즉, 벡터) 사이의 각도가 기설정된 각도 이상인지 여부 또는 위의 둘 이상의 지점(1231, 1232) 사이의 간격이 기설정된 임계값보다 큰지 여부 등에 기초하여 결정될 수 있다.도 13을 참조하면, 하나의 터치 영역 내에서 센트로이드에서 측정되는 압력보다 더 큰 세기의 압력이 측정되는 지점이 둘 이상 존재하는 경우에 나타날 수 있는 다양한 압력 분포를 확인할 수 있다.다만, 인식 장치(100)에서 감지된 신호에 기초하여 사용자 조작의 의도를 인식하는 구성이 반드시 상기 열거한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위 내에서 얼마든지 변경될 수 있음을 밝혀 둔다.이상 설명된 본 발명에 따른 실시예들은 다양한 컴퓨터 구성요소를 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령어의 형태로 구현되어 비일시성의 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록될 수 있다. 상기 비일시성의 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체는 프로그램 명령어, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 상기 비일시성의 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록되는 프로그램 명령어는 본 발명을 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 분야의 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다. 비일시성의 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체의 예에는, 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체, CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체, 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 ROM, RAM, 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령어를 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다. 프로그램 명령어의 예에는, 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드도 포함된다. 상기 하드웨어 장치는 본 발명에 따른 처리를 수행하기 위해 하나 이상의 소프트웨어 모듈로서 작동하도록 구성될 수 있으며, 그 역도 마찬가지이다.이상에서 본 발명이 구체적인 구성요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명이 상기 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형을 꾀할 수 있다.따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등하게 또는 등가적으로 변형된 모든 것들은 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다. [ 부호의 설명 ] 100: 사용자 조작 인식 장치110: 기판120: 단위 셀121: 제1 부분 전극122: 제2 부분 전극130: 압력 감응 물질140: 커버 물질151: 제1 도선부152: 제2 도선부160: 제어부710, 1110: 터치 영역720, 1120: 센트로이드730, 1130: 제1 임계 영역1140: 제2 임계 영역
본 발명의 일 태양에 따르면, 사용자 조작을 인식하기 위한 장치로서, 기판, 상기 기판 상에 제1 패턴을 따라 형성되는 제1 부분 전극 및 상기 기판 상에 제2 패턴을 따라 형성되는 제2 부분 전극을 포함하는 적어도 하나의 단위 셀, 및 상기 적어도 하나의 단위 셀의 상부에 형성되고, 상기 적어도 하나의 단위 셀에 대하여 기설정된 세기 이상의 압력이 인가되면 상기 제1 부분 전극과 상기 제2 부분 전극을 전기적으로 연결시키고, 상기 전기적으로 연결된 부분의 전기저항이 상기 인가되는 압력의 세기에 따라 변하는 압력 감응 물질을 포함하는 장치가 제공된다.
[ 발명의 명칭 ] 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조방법ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF [ 기술분야 ] 본 발명은 유기 전계 발광 소자 분야에 속한다. 구체적으로는 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 전계 자극의 조건하에서 유기 전계 발광 소자는 25%의 단일항 상태와 75%의 3중항 상태를 발생하게 되고 전통적인 형광재료는 spin-forbidden에 의해 25%의 단일항 상태의 엑시톤만 이용할 수 있기에 외부 양자 효율은 다만 5% 이내로 한정되게 된다. 거의 모든 3중항 상태의 엑시톤은 다만 열의 형식을 통하여 손실될 수 밖에 없다. 유기 전계 발광 소자의 효율을 높이기 위하여 3중항 상태의 엑시톤을 충분히 이용해야 한다. 3중항 상태의 엑시톤을 이용하기 위하여 연구자들은 여러가지 방법을 제기하였다. 가장 현저한 것은 인광 재료를 이용하는 것이다. 인광 재료는 중원자를 도입하였기에 스핀 궤도 결합 효과가 있으므로 75%의 3중항 상태를 충분히 이용할 수 있어 100%의 내부 양자 효율을 실현할 수 있다. 하지만 인광 재료는 희유한 중금속을 사용하여 재료비가 고가이기에 제품의 원가를 낯추기 어려운 문제가 있다. 만약 형광 소자가 3중항 상태 엑시톤을 잘 이용할 수 있을 경우, 이 문제를 잘 해결할 수 있다. 연구자들은 형광 소자에서 3중항 상태의 퀀칭을 이용하여 단일항 상태를 생성함으로써 형광 소자의 효율을 높이는 것을 제시하였으나 이런 방법이 이론적으로 도달할 수 있는 최대 외량자 효율은 다만 62.5% 뿐이어서 인광 재료보다 훨씬 낮다. 따라서 새로운 기술을 찾아내어 형광 재료의 3중항 상태 에너지 준위를 충분히 이용하여 발광 효율을 제고시키는 것은 매우 필요적이다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 상기의 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 새로운 유기 전계 발광 소자와 그의 제조방법을 제공한다. [ 과제의 해결 수단 ] 형광 소자에서 발생한 75%의 3중항 상태를 충분히 이용하여 소자의 발광 효율을 높이고 소자의 원가를 낮추기 위하여, 본 발명은 새로운 유기 전계 발광 소자의 발광층을 제공하였고 해당 발광충 중의 본체재료는 특정된 전하 이동 트랜지션이 있는 재료이다. 또한 본 발명은 상기 발광층을 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공하며 상기 유기 전계 발광 소자는 서로 적층되는 양극, 정공전달층, 발광층, 전자전달층 및 음극을 포함한다. 또한, 본 발명은 기판상에 서로 적층되어 있는 양극, 정공전달층, 발광층, 전자전달층 및 음극을 차례대로 증착한 다음 패키징하는 것을 포함하는 상기 유기 전계 발광 소자의 제조방법을 제공한다. 그 중에서 상기 발광층 중의 본체재료는 특정된 전하 이동 트랜지션이 있는 재료이다. 하나의 본체재료 중, 도너(donor) 그룹과 억셉터(acceptor) 그룹이 동시에 존재할 때 통상적으로 분자 내의 전하 이동 트랜지션(CT)이 존재하게 되어 이로부터 발생한 여기 상태는 CT 상태이다. 이와 동시에 재료는 헤테로원자의 존재에 따라 n-π트랜지션 등의 다른 트랜지션이 있을 수 있다. 따라서 재료의 단일항 상태와 3중항 상태는 CT 상태 단일항 상태,（n-π）상태 트랜지션 단일항 상태, CT 상태 3중항 상태 및 （n-π）상태 트랜지션 3중항 상태로 구분될 수 있다. CT 여기 상태의 에너지 준위는 일반적으로 （n-π） 여기 상태보다 높다. CT 여기 상태의 3중항 상태는 （n-π） 여기 상태의 3중항 상태보다 높을 수 있다. 양자의 에너지 준위차를 구체적으로 전자볼트로 표현할 수 있다(eV). 재료 구조가 다름에 따라 세가지 상황으로 나눌 수 있으며 첫번째는 양자의 에너지 준위차가 0~0.3eV인 것과 같은 매우 작은 것이고, 두번째는 양자의 차가 1.0eV 이상과 같은 매우 큰 것이며. 세번째는 양자의 차가 상기 두 상황의 사이에 있는 것이다. 여기에서 우리가 선택한 본체재료는 CT 여기 상태의 3중항 상태와 （n-π） 여기 상태의 3중항 상태의 에너지 준위차가 매우 작은(0~0.3 eV) 재료이거나 또는 양자의 에너지 준위차가 매우 큰(003e#1.0 eV) 재료이나 （n-π） 여기 상태의 제2, 3중항 상태가 CT 여기 상태의 제1 단일항 상태보다 약간 작거나 약간 높은 재료이다(양자의 차가 0-0.1eV이다). 재료 에너지 준위 구조는 도 1과 도 2에 나타낸 바와 같다. 첫 번째 종류의 본체재료 중에서 （n-π） 여기 상태의 제1,3중항 상태는 CT 여기 상태의 제1,3중항 상태(0~0.3eV)보다 약간 작으므로 외계의 열량을 흡수할 경우 에너지가 높은 CT 여기 상태의 제1,3중항 상태로 트랜지션한 다음 다시 제1,3중항 상태로부터 CT 여기 상태의 제1 단일항 상태로 되돌아오게 됨으로써 염료에 전달하여 발광한다. 이 경로를 통하여 본체재료의 3중항 상태를 충분히 이용할 수 있다. CT 상태는 도너 그룹과 억셉터 그룹을 동시에 갖고 있는 화합물로부터 얻을 수 있다. 공간상에서 분리한 도너와 억셉터가 공간 분리의 HOMO와 LUMO 에너지 준위를 획득할 수 있고 CT 상태의 3중항 상태와 단일항 상태의 에너지 준위차는 HOMO와 LUMO 중첩과 정비례되기에 분리된 HOMO와 LUMO 에너지는 작은 CT 상태 단일항 상태와 3중항 상태의 에너지 준위차를 얻을 수 있고, 이런 에너지 준위차는 일반적으로 0.3eV보다 작다. 이런 재료의 설계는 큰 체적의 도너 그룹(예를 들면, 인돌로카르바졸 그룹) 또는 억셉터 그룹을 도입함으로써 재료가 일정한 워핑을 갖도록 하여 공간의 분리를 얻을 수 있거나 또는 공간적 워핑을 구비하는 스피로플루오렌기와 같은 연결 그룹을 도입함으로써 도너 그룹과 억셉터 그룹이 분리되도록 한다. 두 번째 종류의 본체재료 중에서（n -π） 여기 상태의 제1,3중항 상태는 CT 여기 상태의 제1,3중항 상태 에너지보다 훨씬 작기에(003e# 1.0 eV） 전계 여기하에서 （n-π） 여기 상태의 제1,3중항 상태의 발생이 적은 바, 주로 （n-π） 여기 상태의 제2,3중항 상태가 발생되고 제2,3중항 상태의 에너지는 CT 여기 상태의 제1 단일항 상태까지 전이될 수 었어 염료에도 전달되어 발광하여 100%의 발광효율을 실현하게 된다. 이런 재료는 국부상태(localization state)와 CT 상태가 동시에 존재하며 재료의 국부상태의 단일항 상태와 3중항 상태의 에너지 준위차가 매우 커서 단일항 상태로부터 3중항 상태까지의 항간교차가 달성하기가 비교적 어렵게 된다. 동시에 재료의 CT 상태의 3중항 상태와 국부상태의 단일항 상태의 에너지 준위차가 매우 작아 재료의 CT 상태 3중항 상태가 단일항 상태로 전이할 수 있게 한다. 이런 기능을 얻으려면 공간상 일정한 워핑이 있는 재료를 획득하여야 하고 동시에 도너 그룹과 억셉터 그룹을 구비함으로써 CT 상태를 얻는다. 동시에 도너 그룹(또는 억셉터 그룹)의 국부 영역 단일항 상태와 3중항 상태의 에너지 준위차가 비교적 큰 것을 요구한다. 문헌의 보고에 따르면 페난트로이미다졸릴,; 나프타티아졸릴, 벤조티아졸릴 또는 안트릴의 단일항 상태의 에너지 준위와 3중항 상태의 에너지 준위차가 1.0 eV이상이고 이런 재료가 모두 억셉터 그룹이기에 일정한 도너 그룹과 결합하면 이런 효과의 화합물을 얻을 수 있다. 에너지 준위가 이 두 가지 종류의 재료에 적합되지 않는 기타 본체재료는 상기 경로를 통하여 3중항 상태를 유효하게 이용할 수 없기에 고려하지 않는다. 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 서로 적층된 양극, 정공전달층, 발광층, 전자전달층 및 음극을 포함하고 발광층이 본체재료와 발광염료를 포함한다. 그 중에서,발광층의 본체재료는 CT 여기 상태의 3중항 상태 에너지 준위가 n-π여기 상태의 3중항 상태 에너지 준위보다 높고 그 차가 0~0.3eV 사이인 재료이며;또는발광층의 본체재료는 CT 여기 상태의 3중항 상태 에너지 준위가 n-π여기 상태의 3중항 상태 에너지 준위보다 높고 그 차가 1.0eV 이상인 재료이고, 또한 상기 본체재료의 n-π 여기 상태의 제2, 3중항 상태 에너지 준위와 CT 여기 상태의 제1 단일항 에너지 준위의 차가 -0.1~0.1eV이며; 발광염료가 형광염료이다. 바람직하게는 상기 형광염료의 단일항 상태 에너지 준위는 본체재료의 단일항 상태 에너지 준위보다 낮다. 상기 본체재료는 전하 이동 트랜지션이 존재하는 재료이고 본체재료 중에 도너 그룹 유닛과 억셉터 그룹 유닛이 동시에 존재한다.상기 도너 그룹 유닛은 하나의 도너 그룹 또는 두 개 이상의 도너 그룹이 연결하여 구성된 그룹이고; 상기 억셉터 그룹 유닛은 하나의 억셉터 그룹 또는 두 개 이상의 억셉터 그룹이 연결하여 구성된 그룹이며; 상기 도너 그룹은 인돌로카르바졸 그룹; 카르바졸릴; 디카르바졸릴; 트리페닐아니노기; 페녹사진 그룹; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시 또는 페닐 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 인돌로카르바졸 그룹; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시 또는 페닐 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 카르바졸릴; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시 또는 페닐 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 디카르바졸릴; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시 또는 페닐 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 트리페닐아니노기; 혹은 C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시 또는 페닐 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 페녹사진 그룹으로부터 선택되고;상기 억셉터 그룹은 나프틸; 안트릴; 펜안트릴; 피렌일; 트리아진일; 벤조이미다졸릴; 시아노; 피리딜; 설포닐; 페난트로이미다졸릴; 나프타티아졸릴; 벤조티아졸릴; 옥사디아졸릴; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 나프틸; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 안트릴; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 펜안트릴; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 피렌일; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 트리아진일; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 벤조이미다졸릴; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 피리딜; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 설포닐; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 페난트로이미다졸릴; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 나프타티아졸릴; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 벤조티아졸릴; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 옥사디아졸릴로부터 선택되며;그 중에서 1종 또는 다종의 상기 도너 그룹 유닛과 1종 또는 다종의 상기 억셉터 그룹 유닛은 직접 연결되어 본체재료를 형성하거나, 혹은 1종 또는 다종의 상기 도너 그룹 유닛과 1종 또는 다종의 상기 억셉터 그룹 유닛이 각각 연결 그룹과 연결되어 본체재료를 형성하며 상기 연결그룹은 입체 장해가 있는 그룹이다. 바람직하게는 1종 또는 2종의 도너 그룹 유닛과 1종 또는 2종의 억셉터 그룹 유닛이 각각 연결 그룹과 연결되어 본체재료를 형성하거나, 혹은 1종 또는 2종의 억셉터 그룹 유닛과 1종 또는 2종의 도너 그룹 유닛이 직접 연결되어 본체재료를 형성한다. 바람직하게는 상기 연결그룹은 스피로플루오렌기; 페닐; 비페닐; C1-6의 알킬 또는 페닐기 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 스피로플루오렌기, C1-6의 알킬 또는 페닐기 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 페닐 또는 C1-6의 알킬 또는 페닐기 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 비페닐로부터 선택된다. 또한 바람직하게는 상기 도너 그룹은,,,,,,,,,,,,,,, 또는 로부터 선택된다.또한 바람직하게는 상기 억셉터 그룹은,,,,,,, ,, 또는 로부터 선택된다. 더욱 바람직하게는 상기 본체재료는 하기 구조를 구비한다., , 1-1 1-2, , 1-3 1-4 , , 1-5 1-6, , 1-7 1-8, , 1-9 1-10 , , 1-11 1-12 , , 2-1 2-2, , 2-3 2-4, 2-5 2-6, , 2-7 2-8 , , 2-9 2-10 , , 2-11 2-12 2-13, , 2-14 2-15 , , 3-1 3-2, , 3-3 3-4, . 3-5 3-6바람직하게는 상기 발광염료는 3중항 상태 에너지 준위가 2.3eV보다 작은 형광염료이다. 더욱 바람직하게는 형광염료는 쿠마린계 또는 디피란계로부터 선택된다. 바람직하게는 상기 형광염료가 발광층에서의 도핑농도가 5 중량 % 이하이고, 또한 바람직하게는 상기 형광염료가 발광층에서의 도핑농도는 0.001 중량 % ~ 1 중량 %이며 더욱 바람직하게는 상기 형광염료가 발광층에서의 도핑농도는 0.1 중량 % ~ 1 중량 %이다.바람직하게는 정공전달층의 재료는 3중항 상태 에너지 준위가 본체재료의 3중항 에너지 준위보다 높다.또한 바람직하게는 정공전달층의 재료는 3중항 상태 에너지 준위가 2.5eV보다 높다. 더욱 바람직하게는 정공전달층의 재료는 아릴아민계 및 / 또는 그라프트 폴리머계 저분자 재료이고 가장 바람직하게는 N,N'-디페닐- N,N'-(1-나프틸)-1,1'-비페닐-4,4'-디아민이다. 바람직하게는 전자전달층의 재료의 3중항 상태 에너지 준위가 2.5eV보다 높다. 바람직하게는 상기 양극과 상기 정공전달층 사이에는 추가로 정공주입층이 설정되어 있다. 그 중에서 정공주입층의 재료는 4,4',4''-트리(3-메틸페닐아닐린)트리아닐린 도핑 F4TCNQ 또는 구리 프탈로시아닌이고 혹은 산화 몰리브덴, 산화레늄과 같은 금속산화물류이다. 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자를 제조하는 방법은 기판상에 서로 적층되어 있는 양극, 정공전달층, 발광층, 전자전달층 및 음극을 차례대로 증착한 후 패키징하는 것을 포함한다. [ 발명의 효과 ] 본 발명은 하기와 같은 기술적 효과를 달성할 수 있다. 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 새로운 발광층 본체재료를 이용함으로써 해당 본체재료에는 도너 그룹과 억셉터 그룹이 포함되어 있으며 발광층 중에서 발생한 3중항 상태를 충분히 이용하여 형광소자 중 100%의 발광효율을 실현할 수 있고 귀금속을 필요하지 않기에 원가를 낮출 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도1은 제1종류 재료를 사용한 유기 전계 발광 소자의 발광층의 에너지 전달 및 발광을 표시한 도면이다. 도2는 제2종류 재료를 사용한 유기 전계 발광 소자의 발광층의 에너지 전달 및 발광을 표시한 도면이다. 도3은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 기본 구조를 표시한 도면이다. 그 중에서 01은 기판이고, 02는 양극층이며, 03은 음극층이고, 04는 정공주입층이며, 05는 정공전달층이고, 06은 발광층이고, 07은 전자전달층이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하 첨부도면과 구체 실시예를 결합하여 본 발명에 대해 더 자세히 설명하는 것을 통하여 당업자가 본 발명을 더욱 잘 이해하고 실시할 수 있도록 한다. 하지만 나열한 실시예는 본 발명에 대한 한정이 아니다. 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 서로 적층된 양극, 정공전달층, 발광층, 전자전달층 및 음극을 포함한다. 그 중에서, 발광층 중의 본체재료는 CT 여기 상태의 3중항 상태와 (n-π) 여기 상태의 3중항 상태 에너지 준위차가 매우 작은(0~0.3eV) 재료 및 양자의 차가 매우 큰(≥1.0eV) 재료이나 （n-π） 여기 상태의 제2, 3중항 상태가 CT 여기 상태의 제1 단일항 상태보다 약간 작거나 약간 높은 재료이다(양자의 차가 0-0.1eV이다). 본문 중에서 선택하거나 설계한 재료는 공간적으로 모두 상호 분리되는 도너 그룹과 억셉터 그룹을 존재하므로 HOMO와 LUMO 에너지 준위의 공간 분리를 초래하여 중첩 적분을 감소하였다. 따라서 재료의 CT 상태의 단일항 상태와 3중항 상태의 에너지 준위의 차가 매우 작다. 동시에 선택한 페난트로이미다졸릴, 나프타티아졸릴, 벤조티아졸릴 또는 안트릴의 단일항 상태와 3중항 상태의 에너지 준위차가 1.0eV 이상이고 제2종류 재료의 요구에 도달할 수도 있다. 바람직하게는 상기 본체재료 중에 형광염료를 도핑하고 상기 형광염료의 단일항 상태 에너지 준위는 본체재료의 CT 상태 단일항 상태 에너지 준위보다 낮다. 선택한 형광염료의 발광파장은 모두 본체재료의 발광파장보다 길기에 염료의 단일항 상태 에너지 준위가 본체재료의 단일항 에너지 준위보다 낮은 것을 확보할 수 있다. 형광염료를 도핑하는 것을 통하여 본체재료의 CT 상태 단일항 상태 에너지 준위의 에너지는 직접 형광염료에 전달될 수 있고 에너지 전이는 CT 상태 단일항 상태 엑시톤의 복사수명을 감소시켜 CT 상태 3중항 상태의 이용효율을 제고하는데 유리하여 높은 발광효율을 얻을 수 있다. 형광염료 농도는 바람직하게 1% 질량농도보다 낮고 바람직한 재료는 형광염료 흡수 스펙트럼과 본체발사 스펙트럼의 중첩이 비교적 큰 재료이고 에너지의 전달효율을 높이는데 유리하며, 동시에 단거리의 Dexter 에너지의 전달을 감소시키며 그 원인은 이 부분이 엑시톤의 손실을 초래할 수 있기 때문이다. 동시에 본 발명 중의 전자와 정공전달재료의 3중항 상태 에너지 준위는 본체재료의 3중항 상태 에너지 준위보다 높기에 발광층의 엑시톤을 한정하는데 유리하다. 본 발명에 따른 형광염료의 3중항 상태 에너지 준위는 2.3eV보다 낮지만 전자와 정공의 3중항 상태 에너지 준위는 2.5eV보다 높기에 발광층 중의 엑시톤을 유효하게 제한할 수 있다. 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 발광층은 본체재료와 발광재료를 포함하고 해당 본체재료는 전하 이동 트랜지션이 존재하는 재료이고 본체재료 중에 도너 그룹 유닛과 억셉터 그룹 유닛이 동시에 존재한다. 그 중에서 도너 그룹 유닛은 하나의 도너 그룹 또는 두개 이상의 도너 그룹이 연결하여 구성된 그룹이고; 억셉터 그룹 유닛은 하나의 억셉터 그룹 또는 두 개 이상의 억셉터 그룹이 연결하여 구성된 그룹이며; 구체적으로는 본체재료의 구조는 donor-connection-acceptor 또는 donor-acceptor-donor의 구조 등일 수 있다. 도너 그룹은 인돌로카르바졸 그룹; 카르바졸릴; 디카르바졸릴; 트리페닐아니노기; 페녹사진 그룹; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시 또는 페닐 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 인돌로카르바졸 그룹; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시 또는 페닐 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 카르바졸릴; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시 또는 페닐 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 디카르바졸릴; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시 또는 페닐 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 트리페닐아니노기; 혹은 C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시 또는 페닐 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 페녹사진 그룹으로부터 선택되고;억셉터 그룹은 나프틸; 안트릴; 펜안트릴; 피렌일; 트리아진일; 벤조이미다졸릴; 시아노; 피리딜; 설포닐; 페난트로이미다졸릴; 나프타티아졸릴; 벤조티아졸릴; 옥사디아졸릴; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 나프틸; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 안트릴; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 펜안트릴; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 피렌일; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 트리아진일; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 벤조이미다졸릴; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 피리딜; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 설포닐; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 페난트로이미다졸릴; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 나프타티아졸릴; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 벤조티아졸릴; C1-6의 알킬, 메톡시, 에톡시, 페닐 또는 피리딜 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 옥사디아졸릴로부터 선택되며; 그 중에서 1종 또는 다종의 상기 도너 그룹 유닛과 1종 또는 다종의 상기 억셉터 그룹 유닛은 직접 연결되어 본체재료를 형성하거나; 혹은 1종 또는 다종의 상기 도너 그룹 유닛과 1종 또는 다종의 상기 억셉터 그룹 유닛이 각각 연결 그룹과 연결되어 본체재료를 형성하며 상기 연결그룹은 입체 장해가 있는 그룹이다. 상기 연결그룹은 스피로플루오렌기; 페닐; 비페닐; C1-6의 알킬 또는 페닐기 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 스피로플루오렌기; C1-6의 알킬 또는 페닐기 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 페닐 혹은 C1-6의 알킬 또는 페닐기 중의 1종 이상의 그룹으로 치환된 비페닐로부터 선택된다. 바람직하게 도너 그룹은 아래의,,,,,,,,,,,,,,, 또는 구조로부터 선택된다.바람직하게는 억셉터 그룹은 아래의,,,,,,,, 또는 구조로부터 선택된다.구체적으로 본체재료는 하기 구조를 구비한 화합물로부터 선택된다. 1-1（Chem. Commun., 2012, 48, 9580-9582）1-2 (Angew. Chem. Int. Ed.,2012,51,11311-11315) 1-3（Chem. Commun. 2012,48,11392-11394） 1-4（J. Mater. Chem. C, 2013,1, 4599-4604） 1-5（J. Mater. Chem. C, 2013,1, 4599-4604）1-6 (Phys. Chem. Chem. Phys., 2013, 15, 15850)1-7（ΔEST=0.11,Gaussian 03/TD-DFT을 이용하여 계산함）1-8（ΔEST=0.14,Gaussian 03/TD-DFT를 이용하여 계산함）1-9 （Nature,2012,492,234）1-10（Nature,2012,492,234）1-11（Nature,2012,492,234）1-12（ΔEST=0.21,Gaussian 03/TD-DFT를 이용하여 계산함）2-1（ΔEST=0.15,Gaussian 03/TD-DFT를 이용하여 계산함）2-2（ΔEST=0.04,Gaussian 03/TD-DFT를 이용하여 계산함）2-32-4 (J. AM. Chem. Soc. 2012, 134, 14706-14709)2-5 (J. AM. Chem. Soc. 2012, 134, 14706-14709)2-6（Chem. Mater., 2013, 25 (18), pp 3766-3771）2-7（ΔEST=0.07,Gaussian 03/TD-DFT를 이용하여 계산함）2-8（ΔEST=0.16,Gaussian 03/TD-DFT를 이용하여 계산함）2-9（ΔEST=0.09,Gaussian 03/TD-DFT를 이용하여 계산함）2-10（PRL,2013,110,247401）2-11（ΔEST=0.06,Gaussian 03/TD-DFT를 이용하여 계산함）2-12（Appl. Phys. Lett., 2012, 101, 093306）2-13(Phys. Chem. Chem. Phys. 2013,15,15850)2-14（J. Mater. Chem. C, 2013,1, 4599-4604） 2-15（J. Mater. Chem. C, 2013,1, 4599-4604）, ,3-1 (CC, DOI: 10.1039/c3cc47130f) 3-2 (CC, DOI: 10.1039/c3cc47130f)3-3（CT 상태의 ΔEST=0.03, 동시에 국부상태 단일항 상태와 3중항 상태의 에너지 준위차가 1.1 eV이며, Gaussian 03/TD-DFT를 이용하여 계산함）3-4（CT 상태의 ΔEST=0.05, 동시에 국부상태 단일항 상태와 3중항 상태의 에너지 준위차가 1.2 eV이며, Gaussian 03/TD-DFT를 이용하여 계산함）3-5（CT 상태의 ΔEST=0.01,동시에 국부상태 단일항 상태와 3중항 상태의 에너지 준위차가 1.4 eV이며, Gaussian 03/TD-DFT를 이용하여 계산함）3-6 (AFM, DOI: 10.1002/adfm.201301750)본 출원의 관련 화합물의 합성：1． 화합물 1-7의 합성1-7a의 합성카바졸 3.34g, 3,6-디브로모카바졸 3.22g, CuI 0.5g, 페난트롤린 0.5g 및 탄산칼륨 5.2g을 100ml의 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고 60ml의 DMF를 첨가하여 질소 분위기 하에서 48시간동안 가열환류반응시킨 다음 반응액을 물에 투입하고 감압추출하여 고체를 얻는다. 고체를 크로마토그래피 컬럼으로 분리하여 1-7a를 얻고 수율은 30%이다. 질량 스펙트럼 데이터: ESI-MS m/z: 498 [M+H]+, 원소분석: C36H23N3: C：86.90, H：4.66, N：8.44.1-7b의 합성트리브로모벤젠 3.11g, p-톨루엔티올 2.48g, 탄산칼륨 6g, 옥화제1동 1g을 100ml의 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고 DMF 50ml를 넣어 질소분위기 하에 100℃에서 24시간동안 가열한다. 다음 반응액을 물에 투입하고 감압추출하여 고체를 얻는다. 고체를 크로마토그래피 컬럼으로 분리하여 1-7b를 얻고 수율은 60%이다. 질량 스펙트럼 데이터: ESI-MS m/z: 401 [M+H]+, 원소분석: C20H17BrS,C：59.85, H：4.27. 1-7c의 합성빙수욕 하에서 30ml에 용해된 1-7b를 천천히 mCPBA 1g의 디클로로메탄 용액 중에 적가한 후 빙수욕을 유지하여 적가완료 후 12h동안 반응한다. 고체를 크로마토그래피 컬럼으로 분리하여 1-7c를 얻고 수율은 99%이다. 질량 스펙트럼 데이터: ESI-MS m/z: 465 [M+H]+, 원소분석: C20H17BrO4S2,C：86.90,H：4.66, N：8.44. 1-7의 합성1-7a 4.97g, 1-7b 4.63g, CuI 0.5g, 페난트롤린 0.5g 및 탄산칼륨 5.2g을 100ml의 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고 60ml의 DMF를 첨가하여 질소 분위기 하에서 48시간동안 가열환류반응시킨 다음 반응액을 물에 투입하고 감압추출하여 고체를 얻는다. 고체를 크로마토그래피 컬럼으로 분리하여 1-7을 얻고 수율은 60%이다. 질량 스펙트럼 데이터: ESI-MS m/z: 882 [M+H]+, 원소분석: C56H39N3O4S2, C 76.25, H 4.46, N 4.76. 2. 화합물 1-4의 합성1-4의 합성은 1-7을 참조한다. 물질검측 데어터: 질량 스펙트럼 데이터: ESI-MS m/z: 717 [M+H]+, 원소분석: C44H32N2O4S2,C：73.72,H：4.50, N：3.913. 화합물 1-8의 합성1-8a 4.52g, 1-8b 3g과 테트라키스팔라듐 촉매0.05g 및 인산칼륨 5.4g을 둥근 바닥 프라스크에 첨가한 다음 톨루엔 30ml과 물 20ml 및 에탄올 5ml을 첨가하여 85℃에서 48h동안 반응한다. 반응 완료 후 디클로메탄으로 추출하여 유기층을 얻은 후 크로마토그래피 컬럼으로 분리하여 1-8을 얻고 수율은 65%이다. 질량 스펙트럼 데이터: ESI-MS m/z: 640 [M+H]+, 원소분석: C45H29N5,C：84.48,H：4.57,N：10.95. 4. 화합물 2-1의 합성2-1a 2.43 g을 NaH0.24g의 울트라드라이(ultradry) DMF의 용액（30ml）에 첨가한 후 실온하에서 30min동안 교반시킨 후 2-1b 2.54g의 DMF용액을 상기 용액에 적가하여 100섭시도로 가열하여 1시간동안 교반한 후 냉각하여 물에 부어넣고 고체를 여과하여 크로마토그래피 컬럼으로 분리하여 2-1을 얻는다. 질량 스펙트럼 데이터: ESI-MS m/z: 701 [M+H]+, 원소분석: C48H32N2O2S,C：82.26,H：4.60, N：4.0. 5. 화합물 2-2의 합성화합물 2-2의 합성은 2-1을 참조하고 방법은 화합물 2-1의 방법과 기본상 같으며 구별점은 2-1a를 디비카바졸로 교체하는 것이다. 질량 스펙트럼 데이터: ESI-MS m/z: 879 [M+H]+, 원소분석: C60H38N4O2S,C：81.98,H：4.36, N：6.37. 6. 화합물2-7의 합성2-7a의 합성2,4-디클로로-6-벤젠트리아진 2.25g, m-브로모페닐붕산 2g, 테트라키스팔라듐 촉매 0.05g 및 탄산칼률 5.4g을 둥근 바닥 플라스크에 첨가한 다음 톨루엔 30ml과 물 20ml 및 에탄올 5ml을 넣은 후 85℃에서 48h동안 반응시킨다. 반응 완료 후 디클로로메탄으로 추출하여 유기층을 얻은 후 크로마토그래피 컬럼으로 분리하여 2-7a을 얻는다. 수율은 58%이다.질량 스펙트럼 데이터: ESI-MS m/z: 466 [M+H]+, 원소분석: C21H13Br2N3,C：53.99,H：2.80,N：8.99. 2-7의 합성2-7a 4.65g, 페녹사진 3.66g, CuI 0.5g, 페난트롤린 0.5g 및 탄산칼륨 5.2g을 100ml의 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고 60ml의 DMF를 첨가하여 질소 분위기 하에서 48시간동안 가열환류 반응시킨 다음 반응액을 물에 부어넣고 감압추출하여 고체를 얻는다. 고체를 크로마토그래피 컬럼으로 분리하여 2-7을 얻고 수율은 48%이다. 질량 스펙트럼 데이터: ESI-MS m/z: 672 [M+H]+, 원소분석: C45H29N5O2,C：80.46,H：4.35, N：4.76. 7. 화합물2-8의 합성2-8a의 합성2,4-디클로로-6-벤젠트리아진 2.25g, m-브로모페닐붕산 2g, 테트라키스팔라듐 촉매 0.05g 및 탄산칼률 5.4g을 둥근 바닥 플라스크에 첨가한 다음 톨루엔 30ml과 물 20ml 및 에탄올 5ml을 넣은 후 85℃에서 48h동안 반응시킨다. 반응완료후 디클로로메탄으로 추출하여 유기층을 얻은 후 크로마토그래피 컬럼으로 분리하여 2-8a을 얻는다. 수율은 55%이다.질량 스펙트럼 데이터: ESI-MS m/z: 466 [M+H]+, 원소분석: C21H13Br2N3,C：53.99,H：2.80,N：8.99. 2-8의 합성2-8a 4.65g, 페녹사진3.66g, CuI 0.5g, 페난트롤린 0.5g 및 탄산칼륨 5.2g을 100ml의 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고 60ml의 DMF를 첨가하여 질소 분위기 하에서 48시간동안 가열환류반응시킨 다음 반응액을 물에 부어넣고 감압추출하여 고체를 얻는다. 고체를 크로마토그래피 컬럼으로 분리하여 2-8을 얻고 수율은 56%이다. 질량 스펙트럼 데이터: ESI-MS m/z: 640 [M+H]+, 원소분석: C45H29N5,C：84.48,H：4.57,N：10.95. 8. 화합물2-9의 합성2-9의 합성은 2-7을 참조하고 구별점은 다른 도너 그룹을 바꾼 것이고 카바졸로 페녹사진을 대체하였다. 2-8a 4.65g, 카바졸0.5g, CuI 0.5g, 페난트롤린 0.5g 및 탄산칼륨 5.2g을 100ml의 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고 60ml의 DMF를 첨가하여 질소 분위기하에서 48시간동안 가열환류반응시킨 다음 반응액을 물에 부어넣고 감압추출하여 고체를 얻는다. 고체를 크로마토그래피 컬럼으로 분리하여 2-9을 얻고 수율은 50%이다. 질량 스펙트럼 데이터: ESI-MS m/z: 640 [M+H]+, 원소분석: C45H29N5,C：84.48,H：4.57,N：10.95. 9. 화합물2-11의 합성2-11의 합성페닐인돌카바졸3.32g, 2-클로로-4,6-디페닐트리아진 2.67g, CuI 0.5g, 페난트롤린 0.5g 및 탄산칼륨 5.2g을 100ml의 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고 60ml의 DMF를 첨가하여 질소 분위기 하에서 48시간동안 가열환류반응시킨 다음 반응액을 물에 부어넣하고 감압추출하여 고체를 얻는다. 고체를 크로마토그래피 컬럼으로 분리하여 2-7을 얻고 수율은 48%이다. 질량 스펙트럼 데이터: ESI-MS m/z: 564 [M+H]+, 원소분석: C39H25N5,C：83.10,H：4.47,N：12.43. 10. 화합물3-3의 합성3-3a의 합성피리딘 3ml을 o-페닐렌디아민(0.6g)과 티오닐클로라이드(5ml)의 혼합용액 중에 첨가한 후 60℃ 온도하에서 10시간동안 교반하고 디클로로메탄으로 추출한 다음 대량의 물로 세척하여 고체를 얻는다. 질량 스펙트럼 데이터: ESI-MS m/z: 205. 3-3b의 합성3-3a 2.25g, 페닐붕산 2g, 테트라키스팔라듐 촉매 0.05g 및 탄산칼률 5.4g을 둥근 바닥 플라스크에 첨가한 다음 톨루엔 30ml과 물 20ml 및 에탄올 5ml을 넣은 후 85℃에서 48h동안 반응시킨다. 반응완료후 디클로로메탄으로 추출하여 유기층을 얻은 후 크로마토그래피 컬럼으로 분리하여 3-3a를 얻는다. 수율은 58%이다.질량 스펙트럼 데이터: ESI-MS m/z: 246 [M+H]+. 3-3의 합성3-3b 2.46g, 4-붕산트리페닐아민 2.39g, 테트라키스팔라듐 촉매 0.05g 및 탄산칼률 5.4g을 둥근 바닥 플라스크에 첨가한 다음 톨루엔 30ml과 물 20ml 및 에탄올 5ml을 넣은 후 85℃에서 48h동안 반응시킨다. 반응완료후 디클로로메탄으로 추출하여 유기층을 얻은 후 크로마토그래피 컬럼으로 분리하여 3-3을 얻는다. 수율은 58%이다.질량 스펙트럼 데이터: ESI-MS m/z: 456 [M+H]+, 원소분석: C30H21N3S,C：79.09,H：4.65,N：9.22. 11. 화합물 3-4의 합성화합물 3-4의 합성은 화합물3-3을 참조하고 단계는 기본상 같으며 구별점은 사용한 억셉터 그룹이 티오펜으로 치환한 벤조티아졸인 것이다. 질량 스펙트럼 데이터: ESI-MS m/z: 462 [M+H]+, 원소분석: C28H19N3S2: C：72.86,H：4.15,N：9.10. 12. 화합물3-5의 합성화합물 3-5의 합성은 화합물3-3을 참조하고 단계는 기본상 같으며 구별점은 사용한 억셉터 그룹이 티오펜으로 치환한 나프타티아졸인 것이다. 질량 스펙트럼 데이터: ESI-MS m/z: 512 [M+H]+, 원소분석: C32H21N3S2: C：75.12,H：4.15,N：8.21. 본 발명에 따른 유기 발광 디스플레이 소자의 실시예에 있어서 양극은 무기재료 또는 유기도전 중합체를 사용할 수 있다. 무기재료는 일반적으로 인듐주석 산화물(ITO), 산화아연(ZnO), 인듐아연 산화물(IZO) 등 금속 산화물 또는 금, 동, 은 등의 일함수가 비교적 높은 금속이고 바람직한 것은 ITO이며; 유기도전 중합체로서 바람직한 것은 폴리티오펜 / 폴리에틸렌 소듐벤젠설포네이트(아래 PEDOT/PSS로 약칭함), 폴리아닐린(아래 PANI로 약칭함) 중의 하나이다. 음극은 일반적으로 리튬, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 알루미늄, 인듐 등 일함수가 비교적 낮은 금속 또는 이들과 동, 금, 은의 합금, 또는 금속과 금속불화물이 교체적으로 형성된 전극층을 사용한다. 본 발명중의 음극으로서 바람직한 것은 적층된 LiF층과 Al층이다(LiF층이 외측에 있음). 정공전달층의 재료는 아릴아민계와 그라프트 폴리머계 저분자 재료로부터 선택될 수 있고 바람직한 것은 NPB이다. 형광염료로서 바람직한 것은 쿠마린계(예를 들면 DMQA, C545T)와 디피란계(예를 들면 DCJTB, DCM) 화합물 등 재료이다.전자전달층의 재료는 유기금속착물(예를 들면 Alq3, Gaq3, Balq 또는 Ga（Saph-q）) 혹은 기타 전자전달층에 상용하는 재료를 사용할 수 있으며, 예를 들면 발향족 축합고리(예를 들면 pentacene, 페릴렌) 또는 o-페난트롤린계(예를 들면Bphen, BCP) 화합물이 있다. 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 양극과 정공전달층 사이에 정공주입층을 추가로 구비할 수 있고, 상기 정공주입층의 재료로서 예를 들면 4,4',4''-트리(3-메틸아미노비페닐)트리페닐아민 도핑된 F4TCNQ, 또는 구리프탈로시아닌(CuPc)를 사용할 수 있고, 또는 산화 몰리브덴, 산화레늄과 같은 금속산화물류일 수도 있다. 상기 각 층의 두께는 본 분야 중에서 이런 층의 상규적 두께일 수 있다. 본 발명은 또한 상기 유기 전계 발광 소자의 제조방법을 제공한다. 도3에 나타낸 바와 같이 기판(01) 상에 서로 적층되어 있는 양극(02), 정공전달층(05), 발광층(06), 전자전달층(07) 및 음극(03)을 차례대로 증착한 후 패키징하는 것을 포함하고 그 중에서 상기 발광층(06) 중의 본체재료의 3중항 상태와 단일항 상태의 에너지 준위차는 0.15eV보다 작다. 상기 기판은 유리 또는 유연기판일 수 있고 상기 유연기판은 폴리에스테리계, 폴리이미드계 화합물 재료 도는 얇은 금속편을 사용할 수 있다. 상기 적층과 패키징은 본 분야의 당업자가 알고 있는 임의의 적합한 방법을 사용할 수 있다. 다음으로 실시예를 통하여 본 발명에 대해 더 자세히 설명한다. 편리를 위하여 본 명세서 중에서 언급한 일부 유기재료의 약칭 및 전칭을 하기 표 1에 나열한다.약칭전칭구조식Alq3트리(8-히드록시퀴놀린)알루미늄BAlq디(2-메틸-8-퀴놀릴)-4-페닐알루미늄페녹시드(III)BCP2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-o-페난트롤린Bphen4,7-디페닐-1,10-o-페난트롤린C545T10-(2-벤조티아졸)-1,1,7,7,-테트라메틸-2,3,6,7-테트라히드로-1H,5H,11H-벤조[1]피란[6,7,8-ij]퀴놀리진CBP4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐CPF9,9-디(4디카바졸-페닐)플루오렌MTDATA4,4',4''-트리(3-메틸페닐페닐아민）트리페닐아민NPBN,N'-디-(1-나프틸)-N,N'-디페닐-1,1'-비페닐-4,4'-디아민PBD2-(4-tert부틸페닐)-5-(4-비페닐)-1,3,4-옥사디아졸pentacene펜타센TPDN,N'-디페닐-N,N'-디(o메틸페닐)-1,1'-비페닐-4,4'-디아민페릴렌페릴렌DCJTB4-4-디시아노메틸렌-2-tert부틸-6-(1,1,7,7-테트라메틸율롤리딘-9-에틸렌)-4H-피란DCM4-디시아노메틸렌-2-메틸-6-(p-디메틸아미노스티릴）-4H-피란rubrene5,6,11,12－테트라페닐테트라센DCM-1-DMQAF4TCNQ하기 실시예에서 소자의 발광효율은 keithley2602와 교정한 후의 규소 포토다이오드로 구성한 테스트 장치로 테스트한다. 발광효율은 해당 테스트 장치가 측정한 휘도를 전류밀도로 나눈 값과 같다. 발광스펙트럼은 Pr655로 측정하였다. 실시예1본 실시예에서는 서로 다른 형광염료 도핑농도의 황색 발광소자를 제조하였고 이런 소자들은 도3과 같은 구조를 가지고 있다. 발광층에는 1종의 본체재료(Host 1) 및 1종의 형광도핑염료(YD1)가 포함되어 있고 그중의 Host 1 재료는 제1종류 본체재료이고 그의 (n-π) 여기 상태의 제1,3중항 상태는 CT 여기 상태의 제1,3중항 상태(0.1eV)보다 약간 작고 YD1 의 단일항 상태 에너지 준위는 2.2eV이고 Host 1의 단일항 상태 에너지 준위보다 낮다. Host 1과 YD1의 구조식은 각각 다음과 같다. 2-7 YD1본 실시예의 소자의 구조는 다음과 같다. ITO（150nm）/NPB（40 nm）/Host 1:（0.01%、0.5 %、1.0 %、5 %）：YD 1（30nm）/ Alq3（20nm）/LiF（0.5nm）/Al（150 nm） 그 중에서 YD1 앞의 괄호중의 백분비는 서로 다른 형광염료 도핑농도를 표시하고 본 실시예 및 아래의 설명에서 도핑농도는 모두 중량 %이다. 상기 유기 전계 발광 소자의 구체 제조방법은 다음과 같다. 우선 세척제와 탈이온수를 이용하여 유리기판을 세척하고 적외선 아래에 방치하여 말린 후 유리상에 한층의 양극재료를 스퍼터링하고 필름의 두께는 150nm이다. 다음으로 상기 양극을 구비하는 유리기판을 진공챔버 내에 놓은 후 1×10－4 Pa까지 진공을 뽑고 상기 양극층 필름 상에 계속 NPB를 증착하여 정공전달층으로 하고 성막속도는 0.1nm/s이고 증착코팅막의 두께는 40nm이다. 정공전달층 상에 발광층을 증착하고 쌍소스 공동증발법을 사용하여 진행하며 Host 1과 YD1의 질량 백분비는 막두께 감측기를 통하여 성막속도로 조절하여 제어한다. 증착코팅막의 두께는 30nm이다. 발광층 상에 계속 한층의 Alq3재료를 증착하여 전자전달층으로 하고 그의 증착속도는 0.1nm/s이고 증착코팅막의 총 두께는 20nm이다. 마지막으로 상기 발광층 상에 차례대로 LiF층과 Al층을 증착하여 소자의 음극층으로 하고 그중의 LiF층의 증착속도는 0.01~0.02nm/s이고 두께는 0.5nm이며 Al층의 증착속도는 1.0nm/s이고 두께는 150nm이다. 비교예1상기 실시예1과 동일한 방법에 따라 유기 전계 발광 소자를 제조하며, 해당 소자의 구조는 다음과 같다.ITO（150nm）/NPB（40 nm）/ADN:（0.01%、0.5 %、1.0 %、5 %）YD 1（30nm）/ Alq3（20nm）/LiF（0.5nm）/Al（150 nm）즉 해당 소자의 발광층 중의 본체재료는 AND을 사용하고 CT 상태 트랜지션을 구비하지 않는다. ADN상기 실시예1과 비교예1의 유기 전계 발광 소자의 성능을 하기 표2에 나타냈다.소자발광층 구성발광효율(cd/A)실시예1Host 1（2-7）:（0.01 %）YD 1 (30nm)15.5Host 1（2-7）:（0.5 %）YD 1 (30nm)20.5Host 1（2-7）:（1.0 %）YD 1 (30nm)19.5Host 1（2-7）:（5.0 %）YD 1 (30nm)8.3비교예1ADN :（0.01 %）YD 1 (30nm)4.1ADN :（0.5 %）YD 1 (30nm)5.2ADN :（1.0 %）YD 1 (30nm)5.9ADN :（5.0 %）YD 1 (30nm)4.6상기 표2로부터 같은 형광염료 도핑농도 하에서 본 발명의 실시예에서（n-π） 여기 상태의 제1,3중항 상태가 CT 여기 상태의 제1,3중항 상태(0.1eV)보다 약간 작은 제1종류 본체재료를 사용하여 제조해 낸 발광 소자의 발광효율은 CT 상태가 존재하지 않는 본체재료를 사용한 발광 소자에 비해 현저하게 높은 것을 알 수 있다. 또한 형광염료의 도핑농도가 0.5%-1%의 범위에 있을 경우 특히 고발광효율을 얻을 수 있다. 실시예2본 실시예에서 서로 다른 형광염료 도핑농도의 적색 발광 소자를 제조하였고 이런 소자는 도3과 같은 구조를 갖고 있다. 발광층은 1종의 본체재료(Host2) 및 1종의 형광도핑염료(RD1)을 포함한다. 그 중에서 Host2의 CT 여기 상태의 3중항 상태와（n-π） 여기 상태의 3중항 상태의 에너지 준위의 차가 매우 크고(1.3eV), （n-π） 여기 상태의 제2,3중항 상태는 그의 CT 여기 상태의 제1 단일항 상태보다 크고 RD1 단일항 상태 에너지 준위는 2.0eV이고 RD1 단일항 상태 에너지 준위는 Host2의 단일항 상태 에너지 준위보다 낮다. Host2와 RD1의 구조식은 각각 다음과 같다. 3-6 RD1상기 실시예1과 동일한 방법에 따라 유기 전계 발광 소자를 제조하며, 해당 발광 소자의 구조는 다음과 같다. ITO（150nm）/NPB（40 nm）/Host 2:（0.01%、0.5 %、1.0 %、5 %、10 %）：RD 1（30nm）/ Bphen（20nm）/LiF（0.5nm）/Al（150 nm）그 중에서 RD1 앞의 괄호 중의 백분비는 서로 다른 형광염료 도핑농도를 표시한다. 비교예2상기 실시예1과 동일한 방법에 따라 유기 전계 발광 소자를 제조하며, 해당 발광 소자의 구조는 다음과 같다. ITO（150nm）/NPB（40 nm）/Alq3:（0.01%、0.5 %、1.0 %、5 %、10 %）RD 1（30nm）/ Bphen（20nm）/LiF（0.5nm）/Al（150 nm） 즉 Alq3을 사용하여 발광층 본체재료로 하고 그것은 CT 상태 트랜지션이 존재하지 않는다. 실시예와 비교예2의 유기 전계 발광 소자의 성능은 하기 표3에 나타냈다. 소자발광층 구성전류효율(cd/A)실시예2Host 2（3-6）:（0.01 %）RD 1 (30nm)5.0Host 2（3-6）:（0.5 %）RD 1 (30nm)6.6Host 2（3-6）:（1.0 %）RD 1 (30nm)5.9Host 2（3-6）:（5.0 %）RD 1 (30nm)4.2Host 2（3-6）:（10.0 %）RD 1 (30nm)2.1비교예2Alq3 :（0.01 %）RD 1 (30nm)0.4Alq3 :（0.5 %）RD 1 (30nm)2.2Alq3 :（1.0 %）RD 1 (30nm)2.3Alq3 :（5.0 %）RD 1 (30nm)1.2Alq3 :（10.0 %）RD 1 (30nm)0.7표3로부터 알 수 있다시피 같은 형광염료 도핑농도하에서 본 발명의 실시예에서 CT 여기 상태의 3중항 상태와（n-π） 여기 상태의 3중항 상태의 에너지의 차이가 매우 크고(1.3eV), （n-π） 여기 상태의 제2,3중항 상태가 그의 CT 여기 상태의 제1 단일항 상태보다 높은 본체재료를 사용하여 제조해 낸 발광소자의 발광효율은 상규적인 본체재료를 사용하여 제조해 낸 유기 전계 발광 소자보다 현저하게 높다. 또한 형광염료의 도핑농도는 0.01%-1%의 범위내에 있을 때 특히 높은 발광효율을 얻을 수 있다. 실시예3본 발명의 본체재료가 유기 전계 발광소자의 성능에 대한 영향을 측정하기 위하여 본 실시예는 상기 실시예1과 동일한 방법에 따라 유기 전계 발광 소자를 제조하였고 해당 발광 소자의 구조는 다음과 같다. ITO（150nm）/NPB（40 nm）/본체재료: 0.5 % YD 1（30nm）/ Bphen（20nm）/LiF（0.5nm）/Al（150 nm）。유기 전계 발광 소자의 성능은 하기 표4에 나타냈다. 발광층 구조전류효율cd/AOLED31-1:（0.5 %）YD 1 (30nm)20OLED41-2:（0.5 %）YD 1 (30nm)24OLED51-3:（0.5 %）YD 1 (30nm)30OLED61-4:（0.5 %）YD 1 (30nm)24OLED71-5:（0.5 %）YD 1 (30nm)34OLED81-6:（0.5 %）YD 1 (30nm)36OLED91-7:（0.5 %）YD 1 (30nm)28OLED101-8:（0.5 %）YD 1 (30nm)31OLED111-9:（0.5 %）YD 1 (30nm)29OLED121-10:（0.5 %）YD 1 (30nm)19OLED131-11:（0.5 %）YD 1 (30nm)17OLED141-12:（0.5 %）YD 1 (30nm)23OLED152-1:（0.5 %）YD 1 (30nm)19OLED162-2:（0.5 %）YD 1 (30nm)36OLED172-3:（0.5 %）YD 1 (30nm)28OLED182-4:（0.5 %）YD 1 (30nm)24OLED192-5:（0.5 %）YD 1 (30nm)35OLED202-6:（0.5 %）YD 1 (30nm)12OLED212-7:（0.5 %）YD 1 (30nm)20.5OLED222-8:（0.5 %）YD 1 (30nm)33OLED232-9:（0.5 %）YD 1 (30nm)32OLED242-10:（0.5 %）YD 1 (30nm)27OLED252-11:（0.5 %）YD 1 (30nm)25OLED262-12:（0.5 %）YD 1 (30nm)36OLED272-13:（0.5 %）YD 1 (30nm)35OLED282-14:（0.5 %）YD 1 (30nm)35OLED292-15:（0.5 %）YD 1 (30nm)31OLED303-1:（0.5 %）YD 1 (30nm)23OLED313-2:（0.5 %）YD 1 (30nm)21OLED323-3:（0.5 %）YD 1 (30nm)25OLED333-4:（0.5 %）YD 1 (30nm)16OLED343-5:（0.5 %）YD 1 (30nm)14OLED353-6:（0.5 %）YD 1 (30nm)11상기 실시예는 다만 본 발명을 충분히 설명하기 위하여 열거한 비교적 바람직한 실시예이고 본 발명의 보호범위는 이에 한정되지 않는다. 본 분야의 기술자가 본 발명의 기초상에서 진행한 동등한 대체 또는 변환은 모두 본 발명의 보호범위 내에 있다. 본 발명의 보호범위는 특허청구범위를 기준으로 한다.
본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 유기 전계 발광 소자의 발광층(06)의 본체재료는 CT 여기 상태의 3중항 상태 에너지 준위가 n-π 여기 상태의 3중항 상태 에너지 준위보다 높고, 그 차가 0~0.3eV 사이인 재료; 또는 발광층(06)의 본체재료는 CT 여기 상태의 3중항 상태 에너지 준위가 n-π 여기 상태의 3중항 상태 에너지 준위보다 높고, 그 차가 1.0eV 이상인 재료이고, 또한 본체재료의 n-π 여기 상태의 제2, 3중항 상태 에너지 준위와 CT 여기 상태의 제1 단일항 에너지 준위의 차가 -0.1 ~ 0.1eV이며; 발광염료가 형광염료이다. 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 새로운 발광층 본체재료를 이용하였기에, 발광층(6)에서 발생한 3중항 상태를 충분히 이용하여 형광 소자100%의 발광 효율을 달성할 수 있고 귀금속을 사용할 필요가 없어 원가를 절감할 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 방송 신호 송신 장치, 방송 신호 수신 장치, 방송 신호 송신 방법 및 방송 신호 수신 방법APPARATUS FOR TRANSMITTING BROADCAST SIGNALS, APPARATUS FOR RECEIVING BROADCAST SIGNALS, METHOD FOR TRANSMITTING BROADCAST SIGNALS AND METHOD FOR RECEIVING BROADCAST SIGNALS [ 기술분야 ] 본 발명은 방송 신호 송신 장치, 방송 신호 수신 장치, 방송 신호를 송수신하는 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 아날로그 방송 신호 송신이 끝남에 따라, 디지털 방송 신호를 송수신하는 다양한 기술이 개발되고 있다. 디지털 방송 신호는 아날로그 방송 신호보다 더 많은 양의 비디오/오디오 데이터를 포함할 수 있고, 비디오/오디오 데이터에 더하여 다양한 타입의 추가 데이터를 더 포함할 수 있다. 즉, 디지털 방송 시스템은 고화질(HD; high definition) 영상, 멀티 채널 오디오 및 다양한 추가 서비스를 제공할 수 있다. 그러나, 디지털 방송을 위해, 많은 양의 데이터의 송신을 위한 데이터 송신 효율, 송수신 네트워크의 강건함(robustness) 및 모바일 수신 장비를 고려한 네트워크 유연성이 개선될 필요가 있다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명의 목적은 방송 신호를 송신하여 시간 도메인에서 2개 이상의 상이한 방송 서비스를 제공하는 방송 송수신 시스템의 데이터를 멀티플렉싱하고 동일한 RF 신호 대역폭을 통해 멀티플렉싱된 데이터를 송신하는 장치 및 방법 및 그에 대응하는 방송 신호를 수신하는 장치 및 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 방송 신호를 송신하는 장치, 방송 신호를 수신하는 장치 및 방송 신호를 송수신하여 컴포넌트에 의해 서비스에 대응하는 데이터를 분류하고 각 컴포넌트에 대응하는 데이터를 데이터 파이프로서 송신하고 데이터를 수신 및 처리하는 방법을 제공하는 것이다.본 발명의 다른 목적은 방송 신호를 송신하는 장치, 방송 신호를 수신하는 장치 및 방송 신호를 송수신하여 방송 신호를 제공하는데 필요한 시그널링 정보를 시그널링하는 방법을 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 목적 및 다른 이점을 달성하기 위하여, 본 발명은 방송 신호 송신 방법을 제공한다. 방송 신호 송신 방법은 서비스 데이터를 인코딩하는 단계, 적어도 하나의 시그널 프레임을 빌딩하기 위해 복수의 OFDM 심볼들에 인코딩된 서비스 데이터를 매핑하는 단계, 적어도 하나의 빌딩된 시그널 프레임 내의 데이터를 OFDM 스킴을 이용하여 모듈레이팅하는 단계 및 모듈레이팅된 데이터를 갖는 방송 신호들을 전송하는 단계를 포함할 수 있다. [ 발명의 효과 ] 본 발명은 각 서비스 또는 서비스 컴포넌트에 대한 QoS(Quality of Services)를 제어하는 서비스 특성에 따라 데이터를 처리하여 다양한 방송 서비스를 제공할 수 있다. 본 발명은 동일한 RF 신호 대역폭을 통해 다양한 방송 서비스를 송신함으로써 송신 유연성을 달성할 수 있다.본 발명은 데이터 송신 효율을 개선하고 MIMO 시스템을 이용하여 방송 신호의 송수신의 강건함을 증가시킬 수 있다.본 발명에 따르면, 모바일 수신 장비로 또는 실내 환경에서도 에러없이 디지털 방송 신호를 수신할 수 있는 방송 신호 송신 및 수신 방법 및 장치를 제공할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 발명의 추가의 이해를 제공하기 위하여 포함되고 본 출원의 일부에 포함되거나 그 일부를 구성하는 첨부된 도면은 본 발명의 실시예(들)을 나타내고 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시예에 따라 미래의 방송 서비스를 위한 방송 신호를 송신하는 장치의 구조를 나타내는 도면.도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 포맷팅 블록을 나타내는 도면.도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력 포맷팅 블록을 나타내는 도면.도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력 포맷팅 블록을 나타내는 도면.도 5는 본 발명의 실시예에 따른 BICM 블록을 나타내는 도면.도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 BICM 블록을 나타내는 도면.도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 빌딩 블록을 나타내는 도면.도 8은 본 발명의 실시예에 따른 OFMD 생성 블록을 나타내는 도면.도 9는 본 발명의 실시예에 따라 미래의 방송 서비스를 위한 방송 신호를 수신하는 장치의 구조를 나타내는 도면.도 10은 본 발명의 실시예에 따른 프레임 구조를 나타내는 도면.도 11은 본 발명의 실시예에 따른 프레임의 시그널링 계층 구조를 나타내는 도면.도 12는 본 발명의 실시예에 따른 프리엠블 시그널링 데이터를 나타내는 도면.도 13은 본 발명의 실시예에 따른 PLS1 데이터를 나타내는 도면.도 14는 본 발명의 실시예에 따른 PLS2 데이터를 나타내는 도면.도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 PLS2 데이터를 나타내는 도면.도 16은 본 발명의 실시예에 따른 프레임의 논리 구조를 나타내는 도면.도 17은 본 발명의 실시예에 따른 PLS 맵핑을 나타내는 도면.도 18은 본 발명의 실시예에 따른 EAC 맵핑을 나타내는 도면.도 19는 본 발명의 실시예에 따른 FIC 맵핑을 나타내는 도면.도 20은 본 발명의 실시예에 따른 DP의 타입을 나타내는 도면.도 21은 본 발명의 실시예에 따른 DP 맵핑을 나타내는 도면.도 22는 본 발명의 실시예에 따른 FEC 구조를 나타내는 도면.도 23은 본 발명의 실시예에 따른 비트 인터리빙을 나타내는 도면.도 24는 본 발명의 실시예에 따른 셀-워드 디멀티플렉싱을 나타내는 도면.도 25는 본 발명의 실시예에 따른 시간 인터리빙을 나타내는 도면.도 26는 본 발명의 실시예에 따른 트위스트 행-열 블록 인터리버의 기본 동작을 나타내는 도면.도 27은 본 발명의 다른 실시예에 따른 트위스트 행-열 블록 인터리버의 기본 동작을 나타내는 도면.도 28은 본 발명의 실시예에 따른 트위스트 행-열 블록 인터리버의 대각선 방향 판독 패턴을 나타내는 도면.도 29은 본 발명의 실시예에 따른 각 인터리빙 어레이로부터의 인터리빙된 XFECBLOCK을 나타내는 도면.도 30 은 본 발명의 일 실시예에 따른 성상도 매퍼(constellation mapper) 를 도시한 도면이다.도 31 은 본 발명의 일 실시예에 따른 최적의 성상도를 구성하는 방법을 도시한 도면이다. 도 32 는 본 발명의 다른 실시예에 따른 최적의 성상도를 구성하는 방법을 도시한 도면이다. 도 33 은 본 발명의 일 실시예에 따른 논 유니폼 성상도(NUC) 를 생성하는 방법을 도시한 도면이다. 도 34 는 본 발명의 일 실시예에 따른 비트 할당을 위한 수식을 도시한 도면이다.도 35 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 16 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면이다.도 36 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 16 NUC 의 각 파라미터들을 도시한 도면이다.도 37 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 16 NUC 의 각 파라미터들에 기반하여, 각 SNR 별 성상도를 도시한 도면이다.도 38 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 16 NUC 의 BICM 캐패시티를 비교한 그래프를 도시한 도면이다.도 39 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 64 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 일부이다.도 40 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 64 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 다른 일부이다.도 41 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 64 NUC 의 각 파라미터들에 기반하여, 각 SNR 별 성상도를 도시한 도면이다.도 42 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 64 NUC 의 BICM 캐패시티를 비교한 그래프를 도시한 도면이다.도 43 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 256 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 일부이다.도 44 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 256 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 다른 일부이다.도 45 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 256 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 또 다른 일부이다.도 46 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 256 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 또 다른 일부이다.도 47 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 256 NUC 의 각 파라미터들에 기반하여, 각 SNR 별 성상도를 도시한 도면이다.도 48 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 256 NUC 의 BICM 캐패시티를 비교한 그래프를 도시한 도면이다.도 49 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 일부이다.도 50 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 다른 일부이다.도 51 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 또 다른 일부이다.도 52 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 또 다른 일부이다.도 53 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 또 다른 일부이다.도 54 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 또 다른 일부이다.도 55 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 또 다른 일부이다.도 56 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 또 다른 일부이다.도 57 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 또 다른 일부이다.도 58 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 또 다른 일부이다.도 59 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 의 각 파라미터들에 기반하여, 각 SNR 별 성상도를 도시한 도면이다.도 60 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 의 BICM 캐패시티를 비교한 그래프를 도시한 도면이다.도 61 은 본 발명의 일 실시예에 따른 5/15 코드레이트를 위한 16 NUC 의 성상도 및 성상도의 좌표를 도시한 도면이다. 도 62 는 본 발명의 일 실시예에 따른 6/15 코드레이트를 위한 16 NUC 의 성상도 및 성상도의 좌표를 도시한 도면이다. 도 63 은 본 발명의 일 실시예에 따른 7/15 코드레이트를 위한 16 NUC 의 성상도 및 성상도의 좌표를 도시한 도면이다. 도 64 는 본 발명의 일 실시예에 따른 8/15 코드레이트를 위한 16 NUC 의 성상도 및 성상도의 좌표를 도시한 도면이다. 도 65 는 본 발명의 일 실시예에 따른 9/15 코드레이트를 위한 16 NUC 의 성상도 및 성상도의 좌표를 도시한 도면이다. 도 66 은 본 발명의 일 실시예에 따른 10/15 코드레이트를 위한 16 NUC 의 성상도 및 성상도의 좌표를 도시한 도면이다. 도 67 은 본 발명의 일 실시예에 따른 IQ-밸런스드/IQ-시메트릭 논 유니폼 성상도 매핑의 과정을 도시한 도면이다. 도 68 은 본 발명의 일 실시예에 따른 IQ-밸런스드 논 유니폼 성상도 매핑방법에 의한 SNR 18 dB 에서의 64 NUC 의 성상도를 도시한 도면이다. 도 69는 발명의 일 실시예에 따른 IQ-밸런스드 논 유니폼 성상도 매핑 방법에 의한, 11/15 코드레이트의 16 NUC 의 성상도 및 좌표값들을 도시한 도면이다.도 70은 발명의 일 실시예에 따른 IQ-밸런스드 논 유니폼 성상도 매핑 방법에 의한, 12/15 코드레이트의 16 NUC 의 성상도 및 좌표값들을 도시한 도면이다. 도 71은 발명의 일 실시예에 따른 IQ-밸런스드 논 유니폼 성상도 매핑 방법에 의한, 13/15 코드레이트의 16 NUC 의 성상도 및 좌표값들을 도시한 도면이다. 도 72는 본 발명의 일 실시예에 따른 2 차원 성상도 (2-dimensional constellations)을 나타낸 도면이다.도 73 은 본 발명의 일 실시예에 따른 논 유니폼 컨스텔레이션 (Non-uniform constellation)의 디시전 플레인 (decision plane)을 나타낸 도면이다.도 74는 본 발명의 일 실시예에 따른 컨스텔레이션 매핑 AWGN 환경에서의 BICM 커패시티를 나타낸 차트이다.도 75는 본 발명의 일 실시예에 따른 방송 신호 송신 방법의 플로우 차트이다.도 76은 본 발명의 일 실시예에 따른 방송 신호 수신 방법의 플로우 차트이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다. 첨부된 도면을 참조하여 이하에서 설명하는 상세한 설명은 본 발명에 따라 구현될 수 있는 실시예만을 나타내기 보다는 본 발명의 예시적인 실시예를 설명하기 위한 것이다. 다음의 상세한 설명은 본 발명의 완벽한 이해를 제공하기 위하여 특정한 세부사항을 포함한다. 그러나, 본 발명은 이러한 특정한 세부사항없이 실행될 수 있음은 당업자에게 자명하다.본 발명에서 사용되는 대부분의 용어들은 본 기술에서 널리 사용되는 것으로부터 선택되었지만, 일부 용어는 출원인에 의해 임의로 선택된 것이며, 그 의미는 필요에 따라 다음의 설명에서 상세히 설명한다. 따라서, 본 발명은 단순한 이름 또는 의미보다는 용어의 의도된 의미에 기초하여 이해되어야 한다.본 발명은 미래의 방송 서비스를 위한 방송 신호를 송수신하는 장치 및 방법을 제공한다. 본 발명의 실시예에 따른 미래의 방송 서비스는 지상파 방송 서비스, 모바일 방송 서비스, UHDTV 서비스 등을 포함한다. 본 발명의 실시예에 따른 송신 장치 및 방법은 지상파 방송 서비스를 위한 베이스 프로파일, 모바일 방송 서비스를 위한 핸드헬드 프로파일 및 UHDTV 서비스를 위한 어드밴스드 프로파일로 분류될 수 있다. 이 경우, 베이스 프로파일은 지상파 방송 서비스 및 모바일 방송 서비스를 위한 프로파일로서 사용될 수 있다. 즉, 베이스 프로파일은 모바일 프로파일을 포함하는 프로파일의 개념을 정의하는데 사용될 수 있다. 이것은 설계자의 의도에 따라 변경될 수 있다.본 발명은 일 실시예에 따라 넌-MIMO(multiple input multiple output) 또는 MIMO를 통해 미래의 방송 서비스를 위한 방송 신호를 처리할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 넌-MIMO 방식은 MISO(multiple input single output) 방식, SISO(single input single output) 방식 등을 포함할 수 있다.MISO 또는 MIMO가 설명의 편의를 위해 다음에서 2개의 안테나를 사용하지만, 본 발명은 2개 이상의 안테나를 이용하는 시스템에 적용될 수 있다.본 발명은 특정한 사용 케이스를 위해 요구되는 성능을 획득하면서 수신기 복잡도를 최소화하기에 각각 최적화된 3개의 물리층(PL) 프로파일(베이스, 핸드헬드 및 어드밴스드 프로파일)을 정의할 수 있다. 물리층(PHY) 프로파일은 해당 수신기가 구현해야 하는 모든 구성의 서브세트이다.3개의 PHY 프로파일은 기능 블록의 대부분을 공유하지만 특정 블록 및/또는 파라미터에 있어서 약간 다르다. 추가의 PHY 프로파일이 미래에 정의될 수 있다. 시스템 진화를 위해, 미래의 프로파일은 또한 FEF(future extension frame)을 통해 단일 RF 채널 내의 기존 프로파일과 멀티플렉싱될 수 있다. 각각의 PHY 프로파일의 세부사항은 이하에서 설명한다.1. 베이스 프로파일베이스 프로파일은 루프톱(roof-top) 안테나에 통상 접속되는 고정 수신 장치에 대한 주요 사용 케이스를 나타낸다. 베이스 프로파일은 또한 어느 장소로 운반될 수 있지만 비교적 정지된 수신 카테고리에 속하는 포터블 장치를 포함한다. 베이스 프로파일의 사용은 임의의 개선된 구현예에 의해 핸드헬드 장치 또는 심지어 차량 장치로 확장될 수 있지만, 이들 사용 케이스는 베이스 프로파일 수신기 동작에 대해서는 기대되지 않는다.수신의 타겟 SNR 범위는 대략 10 내지 20 dB이고, 이는 기존 방송 시스템(예를 들어, ATSC A/53)의 15dB SNR 수신 능력을 포함한다. 수신기 복잡도 및 소비 파워는 핸드헬드 프로파일을 사용하는 배터리 동작 핸드헬드 장치에서처럼 중요하지 않다. 베이스 프로파일에 대한 중요한 시스템 파라미터는 이하의 표 1에 열거된다.LDPC 코드워드 길이16K, 64K 비트성상(constellation) 사이즈4-10 bpcu (채널 용도별 비트)시간 디인터리빙 메모리 사이즈≤219 데이터 셀파일럿 패턴고정 수신을 위한 파일럿 패턴FFT 사이즈16K, 32K 포인트2. 핸드헬드 프로파일핸드헬드 프로파일은 배터리 파워로 동작하는 핸드헬드 및 차량 장치에 사용되도록 설계되었다. 장치는 보행자 또는 차량 속도로 이동할 수 있다. 수신기 복잡도 뿐만 아니라 소비 파워는 핸드헬드 프로파일의 장치의 구현에 매우 중요하다. 핸드헬드 프로파일의 타겟 SNR 범위는 대략 0 내지 10dB이지만, 더 깊은 실내 수신을 대상으로 할 때 0dB 미만에 도달하도록 구성될 수 있다.낮은 SNR 능력에 더하여, 수신기 이동도에 의해 유발된 도플러 효과에 대한 탄력성은 핸드헬드 프로파일의 가장 중요한 성능 속성이다. 핸드헬드 프로파일에 대한 중요한 파라미터는 이하의 표 2에 열거된다.LDPC 코드워드 길이16K 비트성상(constellation) 사이즈2-8 bpcu 시간 디인터리빙 메모리 사이즈≤218 데이터 셀파일럿 패턴모바일 및 실내 수신을 위한 파일럿 패턴FFT 사이즈8K, 16K 포인트3. 어드밴스드 프로파일어드밴스드 프로파일은 더 많은 구현 복잡도를 희생하고 가장 높은 채널 용량을 제공한다. 이 프로파일은 MIMO 송신 및 수신의 이용을 요구하고 UHDTV 서비스는 이 프로파일이 특별히 설계된 타겟 사용 케이스이다. 증가된 용량은 또한 주어진 대역폭 내에서 증가된 수의 서비스, 예를 들어, SDTV 또는 HDTV 서비스를 허용하도록 사용될 수 있다.어드밴스드 프로파일의 타겟 SNR 범위는 대략 20 내지 30dB이다. MIMO 송신은 초기에 기존의 타원 편파(elliptically-polarized) 송신 장치를 이용할 수 있지만, 미래에 풀 파워 교차 편파 송신(full-power cross-polarized transmission)으로 확장된다. 어드밴스드 프로파일에 대한 중요한 시스템 파라미터는 이하의 표 3에 열거된다.LDPC 코드워드 길이16K, 64K 비트성상(constellation) 사이즈8-12 bpcu 시간 디인터리빙 메모리 사이즈≤219 데이터 셀파일럿 패턴고정 수신을 위한 파일럿 패턴FFT 사이즈16K, 32K 포인트이 경우, 베이스 프로파일은 지상파 방송 서비스 및 모바일 방송 서비스 모두를 위한 프로파일로서 사용될 수 있다. 즉, 베이스 프로파일은 모바일 프로파일을 포함하는 프로파일의 개념을 정의하는데 사용될 수 있다. 또한, 어드밴스드 프로파일은 MIMO를 갖는 베이스 프로파일을 위한 어드밴스드 프로파일 및 MIMO를 갖는 핸드헬드 프로파일을 위한 어드밴스드 프로파일로 분리될 수 있다. 또한, 3개의 프로파일은 설계자의 의도에 따라 변경될 수 있다.다음의 용어 및 정의가 본 발명에 적용될 수 있다. 다음의 용어 및 정의는 설계에 따라 변경될 수 있다.보조 스트림: 아직 정의되지 않은 변조 및 코딩의 데이터를 전달하는 셀의 시퀀스로서, 미래 확장을 위해 또는 브로드캐스터 또는 네트워크 오퍼레이터에 의한 요구대로 사용될 수 있다.베이스 데이터 파이프: 서비스 시그널링 데이터를 전달하는 데이터 파이프베이스밴드 프레임(또는 BBFRAME): 하나의 FEC 인코딩 프로세스(BCH 및 LDPC 인코딩)으로의 입력을 형성하는 Kbch 비트의 세트셀: OFDM 송신의 하나의 캐리어에 의해 전달되는 변조 값코딩 블록: PLS1 데이터의 LDPC 인코딩 블록 또는 PLS2 데이터의 LDPC 인코딩 블록 중의 하나데이터 파이프: 서비스 데이터 또는 관련 메타데이터를 전달하는 물리층 내의 논리 채널로서, 하나 또는 다수의 서비스(들) 또는 서비스 컴포넌트(들)를 전달할 수 있다.데이터 파이프 단위: 프레임 내의 DP로 데이터 셀을 할당하는 기본 단위데이터 심볼: 프리앰블 심볼이 아닌 프레임 내의 OFDM 심볼 (프레임 시그널링 심볼 및 프레임 에지 심볼은 데이터 심볼에 포함된다.)DP_ID: 이 8 비트 필드는 SYSTEM_ID에 의해 식별된 시스템 내의 DP 를 고유하게 식별한다.더미 셀: PLS 시그널링, DP 또는 보조 스트림에 사용되지 않는 나머지 용량을 채우는데 사용되는 의사 랜덤 값을 전달하는 셀비상 경계 채널(emergency alert channel; EAS): EAS 정보 데이터를 전달하는 프레임의 일부프레임: 프리앰블로 시작하고 프레임 에지 심볼로 종료하는 물리층 시간 슬롯프레임 수신 eksdnl: FET를 포함하는 동일 또는 상이한 물리층 프로파일에 속하는 프레임 세트로서, 수퍼 프레임 내에서 8회 반복된다.고속 정보 채널: 서비스 및 대응 베이스 DP 사이의 맵핑 정보를 전달하는 프레임 내의 논리 채널FECBLOCK: DP 데이터의 LDPC 인코딩 비트의 세트FFT 사이즈: 특정 모드에 사용되는 공칭 FFT 사이즈로, 기본 기간((elementary period)(T)의 주기로 표현되는 액티브 심볼 기간(Ts)과 동일하다.프레임 시그널링 심볼: FFT 사이즈, 보호 구간(guard interval) 및 분산형 파일럿 패턴의 소정의 조합으로 프레임의 시작시에 사용되는 더 높은 파일럿 밀도를 갖는 OFDM 심볼로, PLS 데이터의 일부를 전달한다.프레임 에지 심볼: FFT 사이즈, 보호 구간(guard interval) 및 분산형 파일럿 패턴의 소정의 조합으로 프레임의 종료시에 사용되는 더 높은 파일럿 밀도를 갖는 OFDM 심볼프레임 그룹: 수퍼 프레임 내의 동일한 PHY 프로파일 타입을 갖는 모든 프레임의 세트미래 확장 프레임: 미래 확장을 위해 사용될 수 있는 수퍼 프레임 내의 물리층 시간 슬롯으로서, 프리앰블로 시작한다.퓨처캐스트(futurecast) UTB 시스템: 입력이 하나 이상의 MPEG2-TS 또는 IP 또는 일반 스트림(들)이고 출력이 RF 신호인 제안된 물리층 방송 시스템입력 스트림: 시스템에 의해 엔드 사용자에게 전달되는 서비스의 앙상블을 위한 데이터의 스트림정상 데이터 심볼: 프레임 시그널링 심볼 및 프레임 에지 심볼을 제외한 데이터 심볼PHY 프로파일: 해당 수신기가 구현해야 하는 모든 구성의 서브세트PLS: PSL1 및 PLS2로 구성된 물리층 시그널링 데이터PLS1: 고정 사이즈, 코딩 및 변조를 갖는 FSS 심볼에서 전달되는 PLS 데이터의 제1 세트로서, PLS2를 디코딩하는데 필요한 파라미터 뿐만 아니라 시스템에 관한 기본 정보를 전달한다.주(note): 프레임 그룹의 듀레이션을 위해 PLS1 데이터는 일정하게 유지된다.PLS2: FSS 심볼에서 송신되는 PLS 데이터의 제2 세트로서, 시스템 및 DP에 대한 더 세부적인 PLS 데이터를 전달한다.PLS2 동적 데이터: 프레임별로 동적으로 변할 수 있는 PLS2 데이터PLS2 정적 데이터: 프레임 그룹의 듀레이션 동안 정적으로 유지되는 PLS2 데이터프리앰블 시그널링 데이터: 프리앰블 심볼에 의해 전달되고 시스템의 기본 모드를 식별하는데 사용되는 시그널링 데이터프리앰블 심볼: 기본 PLS 데이터를 전달하고 프레임의 초기에 위치하는 고정 길이 파일럿 심볼주: 프리앰블 심볼은 주로 고속 초기 밴드 스캔을 위해 사용되어 시스템 신호, 그 타이밍, 주파수 오프셋 및 FFT 사이즈를 검출한다.미래 사용을 위해 예약: 현재 문서에서는 정의되지 않지만 미래에 정의될 수 있다.수퍼 프레임: 8개의 프레임 반복 단위의 세트시간 인터리빙 블록(TI 블록): 시간 인터리버 메모리의 하나의 용도에 대응하는 시간 인터리빙이 수행되는 셀의 세트TI 그룹: 특정 DP을 위한 동적 용량 할당이 수행되는 단위로서, 정수, 즉, 동적으로 변하는 수의 XFECBLOCK으로 구성된다.주: TI 그룹은 하나의 프레임에 직접 맵핑되거나 다수의 프레임에 맵핑될 수 있다. 이것은 하나 이상의 TI 블록을 포함할 수 있다.타입 1 DP: 모든 DP가 TDM 방식으로 맵핑되는 프레임의 DP타입 2 DP: 모든 DP가 FDM 방식으로 맵핑되는 프레임의 DPXFECBLOCK: 하나의 LDPC FECBLOCK의 모든 비트를 전달하는 Ncells 셀의 세트도 1은 본 발명의 실시예에 따라 미래의 방송 서비스를 위한 방송 신호를 송신하는 장치의 구조를 나타내는 도면이다. 본 발명의 실시예에 따라 미래의 방송 서비스를 위한 방송 신호를 송신하는 장치는 입력 포맷팅 블록(1000), BICM(bit interleaved coding 0026# modulation) 블록(1010), 프레임 구조 블록(1020), OFDM(orthogonal frequency division multiplexing) 생성 블록(1030), 시그널링 생성 블록(1040)을 포함할 수 있다. 방송 신호를 송신하는 장치의 각 모듈의 동작을 이하에서 설명한다.IP 스트림/패킷 및 MPEG2-TS는 메인 입력 포맷이고, 다른 스트림 타입은 일반 스트림으로서 처리된다. 이들 데이터 입력에 더하여, 관리 정보가 입력되어 각 입력 스트림에 대한 해당 대역폭의 스케줄링 및 할당을 제어한다. 하나 또는 다수의 TS 스트림(들), IP 스트림(들) 및/또는 일반 스트림(들) 입력이 동시에 허용된다.입력 포맷팅 블록(1000)은 각 입력 스트림을 하나 또는 다수의 데이터 파이프(들)로 디멀티플렉스하고, 독립 코딩 및 변조가 데이터 파이프에 적용된다. 데이터 파이프(DP)는 강건함 제어를 위한 기본 단위로, QoS에 영향을 준다. 하나 또는 다수의 서비스(들) 또는 서비스 컴포넌트(들)는 단일 DP에 의해 전달될 수 있다. 입력 포맷팅 블록(1000)의 동작의 세부사항은 후술한다.데이터 파이프는 서비스 데이터 또는 관련 메타데이터를 전달하는 물리층 내의 논리 채널로, 하나 또는 다수의 서비스(들) 또는 서비스 컴포넌트(들)를 전달할 수 있다.또한, 데이터 파이프 단위는 프레임 내의 DP에 데이터 셀을 할당하는 기본 유닛이다.BICM 블록(1010)에서, 패리티 데이터가 에러 정정을 위해 추가되고, 인코딩된 비트 스트림은 복소수값 성상 심볼에 맵핑된다. 심볼은 해당 DP에 사용되는 특정 인터리빙 깊이를 가로질러 인터리빙된다. 어드밴스드 프로파일에 대하여, MIMO 인코딩이 BICM 블록(1010)에서 수행되고 추가의 데이터 경로는 MIMO 송신을 위한 출력에서 더해진다. BICM 블록(1010)의 세부사항은 후술한다.프레임 빌딩 블록(1020)은 입력 DP의 데이터 셀을 프레임 내의 OFDM 심볼로 맵핑할 수 있다. 맵핑 후, 주파수 인터리빙은 주파수 도메인 다이버시티에 사용되어 특히 주파수 선택 페이딩 채널을 방지한다. 프레임 빌딩 블록(1020)의 동작의 세부사항은 후술한다.각 프레임의 초기에 프리앰블을 삽입한 후에, OFDM 생성 블록(1030)은 보호 구간으로서 순환 전치(cyclic prefix)를 갖는 종래의 OFDM 변조를 적용할 수 있다. 안테나 공간 다이버시트리를 위하여, 분산형 MISO 방식이 송신기에 적용된다. 또한, PAPR(peak-to-average power reduction) 방식이 시간 도메인에서 수행된다. 유연한 네트워크 계획을 위해, 이 제안은 다양한 FFT 사이즈, 보호 구간 길이 및 해당 파일럿 패턴의 세트를 제공한다.시그널링 생성 블록(1040)은 각 기능 블록의 동작에 사용되는 물리층 시그널링 정보를 생성할 수 있다. 이 시그널링 정보는 또한 관심있는 서비스가 수신측에서 적절히 회복되도록 송신된다. 시그널링 생성 블록(1040)의 동작의 세부사항은 후술한다.도 2, 3 및 4는 본 발명의 실시예에 따른 입력 포맷팅 블록(1000)을 나타낸다. 각 도면에 대하여 설명한다.도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 포맷팅 블록을 나타내는 도면이다. 도 2는 입력 신호가 단일 입력 스트림일 때의 입력 포맷팅 블록을 나타낸다.도 2에 도시된 입력 포맷팅 블록은 도 1을 참조하여 설명한 입력 포맷팅 블록(1000)의 실시예에 해당한다.물리층으로의 입력은 하나 또는 다수의 데이터 스트림으로 구성될 수 있다. 각 데이터 스트림은 하나의 DP에 의해 전달된다. 모드 적응 모듈은 들어오는 데이터 스트림을 베이스밴드 프레임(BBF)의 데이터 필드로 슬라이스한다. 시스템은 3가지 타입의 입력 데이터 스트림, 즉, MPEG2-TS, 인터넷 프로토콜(IP) 및 GS(generic stream)를 지원한다. MPEG2-TS는 고정 길이(188 바이트) 패킷으로 특성화되고, 제1 바이트는 싱크(sync) 바이트(0x47)이다. IP 스트림은 IP 패킷 헤더 내에서 시그널링되는 가변 길이 IP 데이터그램 패킷으로 구성된다. 시스템은 IP 스트림을 위한 IPv4 및 IPv6를 지원한다. GS는 캡슐화 패킷 헤더 내에서 시그널링되는 가변 길이 패킷 또는 고정 길이 패킷으로 구성될 수 있다.(a) 는 신호 DP를 위한 모드 적응 블록(2000) 및 스트림 적응 블록(2010)을 나타내고, (b)는 PLS 신호를 생성하고 처리하는 PLS 생성 블록(2020) 및 PLS 스크램블러(2030)를 나타낸다. 각 블록의 동작을 설명한다.입력 스트림 스플리터는 입력 TS, IP, GS 스트림을 다수의 서비스 또는 서비스 컴포넌트(오디오, 비디오, 등) 스트림으로 분리한다. 모드 적응 모듈(2010)은 CRC 인코더, BB(baseband) 프레임 슬라이서 및 BB 프레임 헤더 삽입 블록으로 구성된다.CRC 인코더는 사용자 패킷(UP) 레벨, 즉, CRC-8, CRC-16 및 CRC-32에서 에러 정정을 위한 3가지 타입의 CRC 인코딩을 제공한다. 계산된 CRC 바이트는 UP 후에 첨부된다. CRC-8는 TS 스트림에 사용되고 CRC-32는 IP 스트림에 사용된다. GS 스트림이 CRC 인코딩을 제공하지 않으면, 제안된 CRC 인코딩이 적용되어야 한다.BB 프레임 슬라이서는 입력을 내부 논리 비트 포맷으로 맵핑한다. 처음 수신된 비트는 MBS인 것으로 정의된다. BB 프레임 슬라이서는 이용가능한 데이터 필드 용량과 동일한 다수의 입력 비트를 할당한다. BBF 페이로드와 동일한 다수의 입력 비트를 할당하기 위하여, UP 패킷 스트림은 BBF의 데이터 필드에 맞도록 슬라이스된다.BB 프레임 헤더 삽입 블록은 2바이트의 고정 길이 BBF 헤더를 BB 프레임의 앞에 삽입할 수 있다. BBF 헤더는 STUFFI (1 비트), SYNCD(13 비트) 및 RFU(2 비트)로 구성된다. 고정 2바이트 BBF 헤더에 더하여, BBF는 2바이트 BBF 헤더의 끝에 확장 필드(1 또는 3 바이트)를 가질 수 있다.스트림 적응 블록(2010)은 스터핑(stuffing) 삽입 블록 및 BB 스크램블러로 구성된다.스터핑 삽입 블록은 스터핑 필드를 BB 프레임의 페이로드에 삽입할 수 있다. 스트림 적응으로의 입력 데이터가 BB 프레임을 채우기에 충분하면, STUFFI는 "0"으로 설정되고 BBF는 스터핑 필드를 갖지 않는다. 그렇지 않으면, STUFFI가 "1"로 설정되고 스터핑 필드가 BBF 헤더 직후에 삽입된다. 스터핑 필드는 2 바이트의 스터핑 필드 헤더 및 가변 사이즈의 스터핑 데이터를 포함한다.BB 스크램블러는 에너지 분산(energy dispersal)을 위해 완전한 BBF를 스크램블링한다. 스크램블링 시퀀스는 BBF와 동시 발생한다. 스크램블링 시퀀스는 피드백된 시프트 레지스터에 의해 생성된다.PLS 생성 블록(2020)은 물리층 시그널링(PLS) 데이터를 생성할 수 있다. PLS는 수신기에 물리층 DP를 액세스하는 수단을 제공한다. PLS 데이터는 PLS1 데이터 및 PLS2 데이터로 구성된다.PLS1 데이터는 고정 사이즈, 코딩 및 변조를 갖는 프레임 내의 FSS 심볼에서 전달되는 PLS 데이터의 제1 세트로서, PLS2 데이터를 디코딩하는데 필요한 파라미터 뿐만 아니라 시스템에 관한 기본 정보를 전달한다. PLS1 데이터는 PLS2 데이터의 수신 및 디코딩을 가능하게 하는데 요구되는 파라미터를 포함하는 기본 송신 파라미터를 제공한다. 또한, PLS1 데이터는 프레임 그룹의 듀레이션 동안 일정하게 유지된다.PLS2 데이터는 FSS 심볼에서 전송되는 PLS 데이터의 제2 세트로서, 시스템 및 DP에 대한 더 상세한 PLS 데이터를 전달한다. PLS2는 수신기에게 충분한 데이터를 제공하여 원하는 DP를 디코딩하는 파라미터를 포함한다. PLS2 시그널링은 또한 2가지 타입의 파라미터, 즉, PLS2 정적 데이터(PLS2-STAT 데이터) 및 PLS2 동적 데이터(PLS2-DYN 데이터)로 구성된다. PLS2 정적 데이터는 프레임 그룹의 듀레이션 동안 정적으로 남아 있는 PLS2 데이터이고, PLS2 동적 데이터는 프레임별로 동적으로 변할 수 있는 PLS2 데이터이다.PLS 데이터의 세부사항은 후술한다.PLS 스크램블러(2030)는 에너지 분산을 위해 생성된 PLS 데이터를 스크램블링할 수 있다.상술한 블록은 생략되거나 유사 또는 동일한 기능을 갖는 블록으로 대체될 수 있다.도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력 포맷팅 블록을 나타내는 도면이다.도 3에 도시된 입력 포맷팅 블록은 도 1을 참조하여 설명한 입력 포맷팅 블록(1000)의 실시예에 해당한다.도 3은 입력 신호가 다수의 입력 스트림에 대응할 때 입력 포맷팅 블록의 모드 적응 블록을 나타낸다.다수의 입력 스트림을 처리하는 입력 포맷팅 블록의 모드 적응 블록은 독립적으로 다수의 입력 스트림을 처리할 수 있다.도 3을 참조하면, 다수의 입력 스트림을 각각 처리하는 모드 적응 블록은 입력 스트림 스플리터(3000), 입력 스트림 동기화기(3010), 보상 지연 블록(3020), 널(null) 패킷 삭제 블록(3030), 헤드 압축 블록(3040), CRC 인코더(3050), BB 프레임 슬라이서(3060) 및 BB 헤더 삽입 블록(3070)을 포함할 수 있다. 모드 적응 블록의 각 블록을 이하에서 설명한다.CRC 인코더(3050), BB 프레임 슬라이서(3060) 및 BB 헤더 삽입 블록(3070)의 동작은 도 2를 참조하여 설명한 CRC 인코더, BB 프레임 슬라이서 및 BB 헤더 삽입 블록에 대응하므로 그 설명은 생략한다.입력 스트림 스플리터(3000)는 입력 TS, IP GS 스트림을 다수의 서비스 또는 서비스 컴포넌트(오디오, 비디오, 등) 스트림으로 분리할 수 있다.입력 스트림 동기화기(3010)는 ISSY라 할 수 있다. ISSY는 임의의 입력 데이터 포맷에 대한 일정한 엔드-투-엔드 송신 지연 및 CBR(constant bit rate)을 보장하는 적절한 수단을 제공할 수 있다. ISSY는 항상 TS를 전달하는 다수의 DP의 경우에 사용되고, 선택적으로, GS 스트림을 전달하는 DP에 사용된다.보상 지연 블록(3020)은 ISSY 정보의 삽입 후에 분리된 TS 패킷 스트림을 지연하여 수신기 내의 추가의 메모리를 요구하지 않고 TS 패킷 재결합 메커니즘을 허용할 수 있다.널 패킷 삭제 블록(3030)은 TS 입력 스트림 케이스에만 사용된다. 임의의 TS 입력 스트림 또는 분리된 TS 스트림은 CBR TS 스트림에 VBR(variable bit-rate) 서비스를 수용하기 위하여 존재하는 다수의 널 패킷을 가질 수 있다. 이 경우, 불필요한 송신 오버헤드를 피하기 위하여, 널 패킷이 식별되고 송신되지 않는다. 수신기에서, 제거된 널 패킷은 송신시에 삽입된 DNP(deleted null-packet) 카운터를 참조하여 본래에 있던 정확한 장소에 재삽입되어, 일정한 비트 레이트를 보장하고 타임스탬프(PCR) 업데이트에 대한 필요성을 피할 수 있다.헤드 압축 블록(3040)은 패킷 헤더 압축을 제공하여 TS 또는 IP 입력 스트림에 대한 송신 효율을 증가시킬 수 있다. 수신기가 헤더의 소정 부분에 대한 선험적 정보(a priori information)를 가질 수 있으므로, 이 기지의 정보는 송신기에서 삭제될 수 있다.전송 스트림에 대하여, 수신기는 싱크-바이트 구성(0x47) 및 패킷 길이(188 바이트)에 관한 선험적 정보를 갖는다. 입력 TS 스트림이 단 하나의 PID를 갖는 콘텐츠를 전달하면, 즉, 하나의 서비스 컴포넌트(비디오, 오디오 등) 또는 서비스 서브 컴포넌트(SVC 베이스층, SVC 인핸스먼트층, MVC 베이스 뷰 또는 MVC 종속 뷰)에 대해서만, TS 패킷 헤더 압축이 (선택적으로) 전송 스트림에 적용될 수 있다. 입력 스트림이 IP 스트림이면, IP 패킷 헤더 압축이 선택적으로 사용된다.상술한 블록은 생략되거나 유사 또는 동일한 기능을 갖는 블록으로 대체딜 수 있다.도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력 포맷팅 블록을 나타내는 도면이다.도 4에 도시된 입력 포맷팅 블록은 도 1을 참조하여 설명한 입력 포맷팅 블록(1000)의 실시예에 해당한다.도 4는 입력 신호가 다수의 입력 스트림에 대응할 때 입력 포맷팅 모듈의 스트림 적응 블록을 나타낸다.도 4를 참조하면, 다수의 입력 스트림을 각각 처리하는 모드 적응 블록은 스케줄러(4000), 1프레임 지연 블록(4010), 스터핑 삽입 블록(4020), 인밴드(in-band) 시그널링(4030), BB 프레임 스크램블러(4040), PLS 생성 블록(4050) 및 PLS 스크램블러(4060)를 포함할 수 있다. 스트림 적응 블록의 각각의 블록을 이하에서 설명한다.스터핑 삽입 블록(4020), BB 프레임 스크램블러(4040), PLS 생성 블록(4050) 및 PLS 스크램블러(4060)의 동작은 도 2를 참조하여 설명한 스터핑 삽입 블록, BB 스크램블러, PLS 생성 블록 및 PLS 스크램블러에 대응하므로 그 설명은 생략한다.스케줄러(4000)는 각각의 DP 의 FECBLOCK의 양으로부터 전체 프레임에 걸친 전체 셀 할당을 결정할 수 있다. PLS, EAC 및 FIC에 대한 할당을 포함하여, 스케줄러는 PLS2-DYN 데이터의 값을 생성하고, 이는 프레임의 FSS 내의 인밴드 시그널링 또는 PLS 셀로서 송신된다. FECBLOCK, EAC 및 FIC의 세부사항은 후술한다.1프레임 지연 블록(4010)은 입력 데이터를 1 송신 프레임만큼 지연시켜 다음 프레임에 관한 스케줄링 정보가 DP로 삽입될 인밴드 시그널링 정보에 대한 현재 프레임을 통해 송신되도록 할 수 있다.인밴드 시그널링(4030)은 PLS2 데이터의 지연되지 않은 부분을 프레임의 DP로 삽입할 수 있다.상술한 블록은 생략되거나 유사 또는 동일한 기능을 갖는 블록으로 대체될 수 있다.도 5는 본 발명의 실시예에 따른 BICM 블록을 나타내는 도면이다.도 5에 도시된 BICM 블록은 도 1을 참조하여 설명한 BICM 블록(1010)의 실시예에 해당한다.상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따라 미래의 방송 서비스를 위한 방송 신호를 송신하는 장치는 지상파 방송 서비스, 모바일 방송 서비스, UHDTV 서비스 등을 제공할 수 있다.QoS는 본 발명의 실시예에 따라 미래의 방송 서비스를 위한 방송 신호를 송신하는 장치에 의해 제공되는 서비스의 특성에 의존하므로, 각 서비스에 대응하는 데이터는 상이한 방식을 통해 처리될 필요가 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 BICM 블록은 SISO, MISO 및 MIMO 방식을 데이터 경로에 각각 대응하는 데이터 파이프에 독립적으로 적용함으로써 그에 입력된 DP 를 독립적으로 처리할 수 있다. 결과적으로, 본 발명의 실시예에 따라 미래의 방송 서비스를 위한 방송 신호를 송신하는 장치는 각각의 DP 를 통해 송신되는 각각의 서비스 또는 서비스 컴포넌트에 대한 QoS를 제어할 수 있다.(a) 는 베이스 프로파일 및 핸드헬드 프로파일에 의해 공유된 BICM 블록을 나타내고, (b)는 어드밴스드 프로파일의 BICM 블록을 나타낸다.베이스 프로파일 및 핸드헬드 프로파일에 의해 공유된 BICM 블록 및 어드밴스드 프로파일에 의해 공유된 BICM 블록은 각 DP 를 처리하는 복수의 처리 블록을 포함할 수 있다.베이스 프로파일 및 핸드헬드 프로파일을 위한 BICM 블록 및 어드밴스드 프로파일을 위한 BICM 블록의 각각의 처리 블록을 이하에서 설명한다.베이스 프로파일 및 핸드헬드 프로파일을 위한 BICM 블록의 처리 블록(5000)은 데이터 FEC 인코더(5010), 비트 인터리버(5020), 성상 맵퍼(5030), SSD(signal space diversity) 인코딩 블록(5040) 및 시간 인터리버(5050)를 포함할 수 있다.데이터 FEC 인코더(5010)는 입력 BBF에 대하여 FEC 인코딩을 수행하여 아우터 코딩(BCH) 및 이너 코딩(LDPC)를 이용하여 FECBLOCK 절차를 생성할 수 있다. 아우터 코딩(BCH)는 선택적인 코딩 방법이다. 데이터 FEC 인코더(5010)의 동작의 세부사항은 후술한다.비트 인터리버(5020)는 데이터 FECT 인코더(5010)의 출력을 인터리빙하여 효율적으로 구현가능한 구조를 제공하면서 LDPC 코드 및 변조 방식의 조합으로 최적화된 성능을 달성할 수 있다. 비트 인터리버(5020)의 동작의 세부사항은 후술한다.성상 맵퍼(5030)는 QPSK, QAM-16, 불균일 QAM(NUQ-64, NUQ-256, NUQ-1024) 또는 불균일 성상(NUC-16, NUC-64, NUC-256, NUC-1024)을 이용하여 베이스 및 핸드헬드 프로파일 내의 비트 인터리버(5020)로부터의 각 셀 워드 및 어드밴스드 프로파일 내의 셀-워드 디멀티플렉서(5010-1)로부터의 셀 워드를 변조하여 파워 정규화 성상 포인트를 제공할 수 있다. 이 성상 맵핑은 DP 에 대해서만 적용된다. QAM-16 및 NUQ가 방형(square shaped)이지만 NUC는 임의의 형상을 갖는다. 각각의 성상이 90도의 임의의 배수로 회전하면, 회전된 성상은 정확히 본래의 성상과 중첩한다. 이 "회전-감각(rotation-sense) 대칭 특성은 실수 성분 및 허수 성분의 평균 파워 및 용량이 서로 같아지게 한다. NUQ 및 NUC는 각 코드 레이트에 대하여 특별히 정의되고 사용되는 특정한 하나가 PLS2 데이터에서 제출된 파라미터(DP_MOD)에 의해 시그널링된다.SSD 인코딩 블록(5040)은 2(2D), 3(3D) 및 4(4D) 차원으로 셀을 프리코딩하여 상이한 페이딩 조건 하에서 수신 강건함을 증가시킬 수 있다.시간 인터리버(5050)는 DP 레벨에서 동작할 수 있다. 시간 인터리빙(TI)의 파라미터는 각 DP 에 대하여 상이하게 설정될 수 있다. 시간 인터리버(5050)의 동작의 세부사항은 후술한다.어드밴스드 프로파일을 위한 BICM 블록의 처리 블록(5000-1)은 데이터 FEC 인코더, 비트 인터리버, 성상 맵퍼 및 시간 인터리버를 포함할 수 있다. 그러나, 처리 블록(5000-1)은 처리 블록(5000)와 구별되며, 셀-워드 디멀티플렉서(5010-1) 및 MIMO 인코딩 블록(5020-1)을 더 포함한다.또한, 처리 블록(5000-1)의 데이터 FEC 인코더, 비트 인터리버, 성상 맵퍼 및 시간 인터리버의 동작은 상술한 데이터 FEC 인코더(5010), 비트 인터리버(5020), 성상 맵퍼(5030) 및 시간 인터리버(5050)에 대응하므로 그 설명은 생략한다. 셀-워드 디멀티플렉서(5010-1)는 어드밴스드 프로파일의 DP에 사용되어 단일 셀-워드 스트림을 MIMO 처리를 위한 듀얼 셀-워드 스트림으로 분리한다. 셀-워드 디멀티플렉서(5010-1)의 동작의 세부사항은 후술한다.MIMO 인코딩 블록(5020-1)은 MIMO 인코딩 방식을 이용하여 셀-워드 디멀티플렉서(5010-1)의 출력을 처리할 수 있다. MIMO 인코딩 방식은 방송 신호 송신을 위해 최적화되었다. MIMO 기술은 MIMO 기술은 용량을 증가시키는 우수한 방식이지만 채널 특성에 의존한다. 특히, 브로드캐스팅에 대하여, 상이한 신호 전파 특성에 의해 유발된 2개의 안테나 사이의 수신된 신호 파워의 차 또는 채널의 강한 LOS 성분은 MIMO로부터 용량 이득을 얻기 어렵게 만들 수 있다. 제안된 MIMO 인코딩 방식은 MIMO 출력 신호 중의 하나의 회전 기반 프리코딩 및 위상 랜덤화를 이용하여 이 문제를 극복한다. MIMO 인코딩은 송신기 및 수신기에서 적어도 2개의 안테나를 필요로 하는 2X2 MIMO 시스템을 목적으로 할 수 있다. 이 제안에서 2개의 MIMO 인코딩 모드, 즉, FR-SM(full-rate spatial multiplexing) 및 FRFD-SM(full-rate full-diversity spatial multiplexing)가 정의된다. FR-SM 인코딩은 수신기측에서 비교적 작은 복잡도 증가와 함께 용량 증가를 제공하지만, FRFD-SM 인코딩은 수신기측에서 큰 복잡도 증가와 함께 용량 증가 및 추가의 다이버시티 이득을 제공한다. 제안된 MIMO 인코딩 방식은 안테나 극성 구성에 대한 제한을 갖지 않는다.MIMO 처리는 어드밴스드 프로파일 프레임을 위해 요구될 수 있고, 이는 어드밴스드 프로파일 프레임 내의 모든 DP가 MIMO 인코더에 의해 처리되는 것을 의미한다. MIMO 처리는 DP 레벨에서 적용될 수 있다. 성상 맵퍼 출력(constellation mapper output)(NUQ)의 쌍(e1,i 및 e2,i)은 MIMO 인코더의 입력으로 공급될 수 있다. MIMO 인코더 출력의 쌍(g1,i 및 g2,i)은 각각의 TX 안테나의 OFDM 심볼(l) 및 동일 캐리어(k)에 의해 송신될 수 있다.상술한 블록은 생략되거나 유사 또는 동일한 기능을 갖는 블록으로 대체될 수 있다.도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 BICM 블록을 나타내는 도면이다.도 6에 도시된 BICM 블록은 도 1을 참조하여 설명한 BICM 블록(1010)의 실시예에 해당한다.도 6은 물리층 시그널링(PLS), 비상 경계 채널(EAC) 및 고속 정보 채널(FIC)의 보호를 위한 BICM 블록을 나타낸다. EAC는 EAS 정보를 전달하는 프레임의 일부이고 FIC는 서비스 및 해당 베이스 DP 사이의 맵핑 정보를 전달하는 프레임 내의 논리 채널이다. EAC 및 FIC의 세부사항은 후술한다.도 6을 참조하면, PLS, EAC 및 FIC의 보호를 위한 BICM 블록은 PLS FEC 인코더(6000), 비트 인터리버(6010), 성상 맵퍼(6020) 및 타임 인터리버(6030)를 포함할 수 있다.또한, PLS FEC 인코더(6000)는 스크램블러, BCH 인코딩/제로 삽입 블록, LDPC 인코딩 블록 및 LDPC 패리터 펑쳐링 블록을 포함할 수 있다. BICM 블록의 각 블록을 이하에서 설명한다.PLS FEC 인코더(6000)는 스크램블링된 PLS 1/2 데이터, EAC 및 FIC 섹션을 인코딩할 수 있다.스크램블러는 BCH 인코딩 및 단축 및 펑쳐링된 LDPC 인코딩 전에 PLS1 데이터 및 PLS2 데이터를 스크램블링할 수 있다.BCH 인코딩/제로 삽입 블록은 PLS 보호를 위해 단축된 BCH 코드를 이용하여 스크램블링된 PLS 1/2 데이터에 대하여 아우터 인코딩을 수행하고 BCH 인코딩 후 제로 비트를 삽입할 수 있다. PLS1 데이터에 대해서만, LDPC 인코딩 전에 제로 삽입의 출력 비트가 퍼뮤팅(permute)될 수 있다.LDPC 인코딩 블록은 LDPC 코드를 이용하여 BCH 인코딩/제로 삽입 블록의 출력을 인코딩할 수 있다. 완전한 코딩 블록(Cldpc)을 생성하기 위하여, 패리티 비트(Pldpc)가 각각의 제로 삽입 PLS 정보 블록(Ildpc)로부터 조직적으로 인코딩되고 그 후 첨부된다. PLS1 및 PLS2에 대한 LDPC 코드 파라미터는 다음의 표 4와 같다.LDPC 패리티 펑쳐링 블록은 PLS1 데이터 및 PLS2 데이터에 대하여 펑쳐링을 수행할 수 있다.PLS1 데이터 보호에 단축이 적용되면, 임의의 LDPC 패리티 비트는 LDPC 인코딩 후에 펑쳐링된다. 또한, PLS2 데이터 보호를 위해, PLS2의 LDPC 패리티 비트는 LDPC 인코딩 후에 펑쳐링된다. 이들 펑쳐링된 비트는 송신되지 않는다.비트 인터리버(6010)는 각각 단축 및 평쳐링된 PLS1 데이터 및 PLS2 데이터를 인터리빙한다.성상 맵퍼(6020)는 비트 인터리빙된 PLS1 데이터 및 PLS2 데이터를 성상에 맵핑할 수 있다.시간 인터리버(6030)는 맵핑된 PLS1 데이터 및 PLS2 데이터를 인터리빙할 수 있다.상술한 블록은 생략되거나 유사 또는 동일한 기능을 갖는 블록으로 대체될 수 있다.도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 빌딩 블록을 나타내는 도면이다.도 7에 도시된 프레임 빌딩 블록은 도 1을 참조하여 설명한 프레임 빌딩 블록(1020)의 실시예에 해당한다.도 7을 참조하면, 프레임 빌딩 블록은 지연 보상 블록(7000), 셀 맵퍼(7010) 및 주파수 인터리버(7020)를 포함할 수 있다. 프레임 빌딩 블록의 각각의 블록을 이하에서 설명한다.지연 보상 블록(7000)은 데이터 파이프 및 대응 PLS 데이터 간의 타이밍을 조절하여 송신단에서 시간이 함께 맞추어지도록 보장할 수 있다. PLS 데이터는 입력 포맷팅 블록 및 BICM 블록에 의해 유발된 데이터 파이프의 지연을 처리함으로써 데이터 파이프와 동일한 양만큼 지연된다. BICM 블록의 지연은 주로 시간 인터리버(5050)에 의한다. 인밴드 시그널링 데이터가 다음의 TI 그룹의 정보를 전달하여 시그널링될 DP 보다 하나의 프레임만큼 빠르게 전달된다. 따라서, 지연 보상 블록은 인밴드 시그널링 데이터를 지연한다.셀 맵퍼(7010)는 PLS, EAC, FIC, DP, 보조 스트림 및 더미 셀을 프레임 내의 OFDM 심볼의 액티브 캐리어로 맵핑할 수 있다. 셀 맵퍼(7010)의 기본 기능은, 만약에 있다면, DP, PLS 셀 및 EAC/FIC 셀의 각각에 대하여 TI에 의해 생성된 데이터 셀을 프레임 내의 OFDM 심볼의 각각에 대응하는 액티브 OFDM 셀의 어레이로 맵핑하는 것이다. 서비스 시그널링 데이터(PSI(program specific information)/SI))는 데이터 파이프에 의해 개별적으로 모아 전송될 수 있다. 셀 맵퍼는 스케줄러에 의해 생성된 동적 정보 및 프레임 구조의 구성에 따라 동작한다. 프레임의 세부사항은 후술한다.주파수 인터리버(7020)는 셀 맵퍼(7010)로부터 수신된 데이터 셀을 랜덤하게 인터리빙하여 주파수 다이버시티를 제공할 수 있다. 또한, 주파수 인터리버(7020)는 상이한 인터리빙 시드(interleaving-seed) 순서를 이용하여 2개의 순차적인 OFDM 심볼로 구성되는 OFDM 심볼 쌍에 대하여 동작하여 단일 프레임 내의 최대 인터리빙 이득을 얻을 수 있다. 주파수 인터리버(7020)의 동작의 세부사항은 후술한다.상술한 블록은 생략되거나 유사 또는 동일한 기능을 갖는 블록으로 대체될 수 있다.도 8은 본 발명의 실시예에 따른 OFDM 생성 블록을 나타내는 도면이다.도 8에 도시된 OFDM 생성 블록은 도 1을 참조하여 설명한 OFDM 생성 블록(1030)의 실시예에 해당한다.OFDM 생성 블록은 프레임 빌딩 블록에 의해 생성된 셀에 의해 OFDM 캐리어를 변조하고, 파일럿을 삽입하고, 송신될 시간 도메인 신호를 생성한다. 또한, 이 블록은 순차적으로 보호 구간을 삽입하고 PAPR(peak-to-average power ratio) 감소 처리를 적용하여 최종 RF 신호를 생성한다.도 8을 참조하면, 프레임 빌딩 블록은 파일럿 및 예약 톤 삽입 블록(8000), 2D-eSFN 인코딩 블록(8010), IFFT(inverse fast Fourier transform) 블록(8020), PAPR 감소 블록(8030), 보호 구간 삽입 블록(8040), 프리앰블 삽입 블록(8050), 다른 시스템 삽입 블록(8060) 및 DAC 블록(8070)을 포함할 수 있다. 프레임 빌딩 블록의 각각의 블록을 이하에서 설명한다.파일럿 및 예약 톤 삽입 블록(8000)은 파일럿 및 예약 톤을 삽입할 수 있다.OFDM 심볼 내의 다양한 셀은 파일럿으로 알려진 기준 정보로 변조되고, 파일럿은 수신기에서 선험적으로 알려진 송신 값을 갖는다. 파일럿 셀의 정보는 분산된 파일럿, 반복 파일럿(continual pilot), 에지 파일럿, FSS(frame signaling symbol) 파일럿 및 FES(frame edge symbol) 파일럿으로 구성된다. 각각의 파일럿은 파일럿 타입 및 파일럿 패턴에 따라 특정 부스팅 파워 레벨에서 송신된다. 파일럿 정보의 값은 임의의 주어진 심볼 상의 각각의 송신된 캐리어에 대하여 일련의 값인 기준 시퀀스로부터 도출된다. 파일럿은 프레임 동기화, 주파수 동기화, 시간 동기화, 채널 추정 및 송신 모드 식별에 사용될 수 있고, 또한 위상 잡음을 팔로윙(following)하는데 사용될 수 있다.기준 시퀀스로부터 취해진 기준 정보는 프레임의 프리앰블, FSS 및 FES를 제외한 모든 심볼에서 분산된 파일럿 셀에서 송신된다. 반복 파일럿은 프레임의 모든 심볼에 삽입된다. 반복 파일럿의 수와 위치는 FFT 사이즈 및 분산된 파일럿 패턴에 의존한다. 에지 캐리어는 프리앰블 심볼을 제외한 모든 심볼 내의 에지 파일럿이다. 이들은 스펙트럼의 에지까지 주파수 보간을 허용하기 위하여 삽입된다. FSS 파일럿은 FSS(들)에 삽입되고 FES 파일럿은 FES에 삽입된다. 이들은 프레임의 에지까지 시간 보간을 허용하기 위하여 삽입된다.본 발명의 실시예에 따른 시스템은 SFN 네트워크를 지원하고, 분산형 MISO 방식은 선택적으로 매우 강건한 송신 모드를 지원하는데 사용된다. 2D-eSFN은 다수의 TX 안테나를 이용하는 분산형 MISO 방식이고, 각각의 TX 안테나는 SFN 네트워크 내의 상이한 송신측에 배치된다.2D-eSFN 인코딩 블록(8010)은, SFN 구성에서 시간 및 주파수 다이버시티를 생성하기 위하여, 2D-eSFN 처리를 수행하여 다수의 송신기로부터 송신된 신호의 위상을 왜곡할 수 있다. 그러므로, 오랜 시간 동안의 낮은 플랫 페이딩 또는 깊은 페이딩에 의한 버스트 에러가 완화될 수 있다.IFFT 블록(8020)은 OFDM 변조 방식을 이용하여 2D-eSFN 인코딩 블록(8010)으로부터의 출력을 변조할 수 있다. 파일럿으로서 (또는 예약 톤으로서) 지정되지 않은 데이터 심볼 내의 임의의 셀은 주파수 인터리버로부터의 데이터 셀 중의 하나를 전달한다. 셀은 OFDM 캐리어에 맵핑된다.PAPR 감소 블록(8030)은 시간 도메인 내의 다양한 PAPR 감소 알고리즘을 이용하여 입력 신호에 대한 PAPR 감소를 수행할 수 있다.보호 구간 삽입 블록(8040)은 보호 구간을 삽입할 수 있고, 프리앰블 삽입 블록(8050)은 신호의 앞에 프리앰블을 삽입할 수 있다. 프리앰블의 구조의 세부사항은 후술한다. 다른 시스템 삽입 블록(8060)은 시간 도메인에서 복수의 방송 송수신 시스템의 신호를 멀티플렉싱하여 방송 서비스를 제공하는 2개 이상의 상이한 방송 송신/수신 시스템의 데이터가 동일한 RF 신호 대역폭에서 동시에 송신될 수 있다. 이 경우, 2개 이상의 상이한 방송 송수신 시스템은 상이한 방송 서비스를 제공하는 시스템을 지칭한다. 상이한 방송 서비스는 지상파 방송 서비스, 모바일 방송 서비스 등을 지칭한다. 각각의 방송 서비스와 관련된 데이터는 상이한 프레임을 통해 송신될 수 있다.DAC 블록(8070)은 입력 디지털 신호를 아날로그 신호르 변환하고 아날로그 신호를 출력할 수 있다. DAC 블록(8070)으로부터 출력된 신호는 물리층 프로파일에 따라 다수의 출력 안테나를 통해 송신될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 TX 안테나는 수직 또는 수평 극성(polarity)을 가질 수 있다. 상술한 블록은 생략되거나 유사 또는 동일한 기능을 갖는 블록으로 대체될 수 있다.도 9는 본 발명의 실시예에 따라 미래의 방송 서비스를 위한 방송 신호를 수신하는 장치의 구조를 나타내는 도면이다.본 발명의 실시예에 따라 미래의 방송 서비스를 위한 방송 신호를 수신하는 장치는 도 1을 참조하여 설명한 미래의 방송 서비스를 위해 방송 신호를 송신하는 장치에 대응할 수 있다.본 발명의 실시예에 따라 미래의 방송 서비스를 위한 방송 신호를 수신하는 장치는 동기화 및 복조 모듈(9000), 프레임 파싱 모듈(9010), 디맵핑 및 디코딩 모듈(9020), 출력 프로세서(9030) 및 시그널링 디코딩 모듈(9040)을 포함할 수 있다. 방송 신호를 수신하는 장치의 각 모듈의 동작을 이하에서 설명한다.동기화 및 복조 모듈(9000)은 m개의 Rx 안테나를 통해 입력 신호를 수신하고 방송 신호를 수신하는 장치에 대응하는 시스템에 대하여 신호 검출 및 동기화를 수행하고 방송 신호를 송신하는 장치에 의해 수행되는 절차의 역 절차에 대응하는 복조를 수행할 수 있다.프레임 파싱 모듈(9100)은 입력 신호 프레임을 파싱하고 사용자에 의해 선택된 서비스가 송신되는 데이터를 추출할 수 있다. 방송 신호를 송신하는 장치가 인터리빙을 수행하면, 프레임 파싱 모듈(9100)은 인터리빙의 역 절차에 대응하는 디인터리빙을 수행할 수 있다. 이 경우, 추출될 필요가 있는 신호 및 데이터의 위치는 시그널링 디코딩 모듈(9400)로부터 출력된 데이터를 디코딩하여 방송 신호를 송신하는 장치에 의해 생성된 시그널링 정보를 회복함으로써 얻어질 수 있다.디맵핑 및 디코딩 모듈(9200)은 입력 신호를 비트 도메인 데이터로 변환한 후 필요에 따라 디인터리빙할 수 있다. 디맵핑 및 디코딩 모듈(9200)은 송신 효율을 위해 적용된 맵핑에 대하여 디맵핑을 수행하고 디코딩을 통해 송신 채널에 대하여 생성된 에러를 정정할 수 있다. 이 경우, 디맵핑 및 디코딩 모듈(9200)은 시그널링 디코딩 모듈(9400)로부터 출력된 데이터를 디코딩함으로써 디맵핑 및 디코딩에 필요한 송신 파라미터를 얻을 수 있다.출력 프로세서(9300)는 방송 신호를 송신하여 송신 효율을 개선하는 장치에 의해 적용되는 다양한 압축/신호 처리 절차의 역 절차를 수행할 수 있다. 이 경우, 출력 프로세서(9300)는 시그널링 디코딩 모듈(9400)로부터 출력된 데이터로부터 필요한 제어 정보를 얻을 수 있다. 출력 프로세서(8300)의 출력은 방송 신호를 송신하는 장치로 입력되는 신호에 대응하고 MPEG-TS, IP 스트림(v4 또는 v6) 및 일반 스트림일 수 있다.시그널링 디코딩 모듈(9400)은 동기화 및 복조 모듈(9000)에 의해 복조된 신호로부터 PLS 정보를 얻을 수 있다. 상술한 바와 같이, 프레임 파싱 모듈(9100), 디맵핑 및 디코딩 모듈(9200) 및 출력 프로세서(9300)는 시그널링 디코딩 모듈(9400)로부터 출력된 데이터를 이용하여 그 기능을 실행할 수 있다.도 10은 본 발명의 실시예에 따른 프레임 구조를 나타내는 도면이다.도 10은 수퍼프레임 내의 프레임 타입 및 FRU의 예시적인 구성을 나타낸다. (a) 본 발명의 실시예에 따른 수퍼 프레임을 나타내고, (b)는 본 발명의 실시예에 따른 FRU(frame repetition unit)를 나타내고, (c)는 FRU 내의 가변 PHY 프로파일의 프레임을 나타내고, (d)는 프레임의 구조를 나타낸다.수퍼 프레임은 8개의 FRU로 구성될 수 있다. FRU는 프레임의 TDM을 위한 기본 멀티플렉싱 단위이고 수퍼프레임 내에서 8번 반복된다. FRU 내의 각 프레임은 PHY 프로파일(베이스, 핸드헬드, 어드밴스드) 또는 FET 중의 하나에 속한다. FRU 내의 프레임의 최대 허용수는 4이고 주어진 PHY 프로파일은 FRU(예를 들어, 베이스, 베이스, 핸드헬드, 어드밴스드)에서 0배 내지 4배까지의 임의의 횟수만큼 나타날 수 있다. PHY 프로파일 정의는 필요하다면 프리앰블 내의 PHY_PROFILE의 예약 값을 이용하여 확장될 수 있다.FET 부분은 포함된다면 FRU의 끝에 삽입된다. FET가 FRU에 포함되면, 수퍼 프레임에서 FET의 최소수는 8이다. FET 부분이 서로 인접하는 것은 추천되지 않는다.하나의 프레임은 또한 다수의 OFDM 심볼 및 프리앰블로 분리된다. (d)에 도시된 바와 같이, 프레임은 프리앰블, 하나 이상의 프레임 시그널링 심볼(FSS), 정상 데이터 심볼 및 프레임 에지 심볼(FES)을 포함한다.프리앰블은, 고속 퓨어캐스트 UTB 시스템 신호 검출이 가능하고 신호위 효율적인 송수신을 위한 기본 송신 파라미터의 세트를 제공하는 특수 심볼이다. 프리앰블의 세부 설명은 후술한다.FSS(들)의 주요 목적은 PLS 데이터를 전달하는 것이다. 고속 동기화 및 채널 추정 및 PLS 데이터의 고속 디코딩을 위해, FSS는 정상 데이터 심볼보다 더 밀집한 파일럿 패턴을 갖는다. FES는 정확히 FSS와 동일한 파일럿을 갖고, 이는 FES 직전의 심볼에 대하여 외삽하지 않고 FES 내의 주파수 전용 보간 및 시간 보간을 가능하게 한다.도 11은 본 발명의 실시예에 따른 프레임의 시그널링 계층 구조를 나타내는 도면이다.도 11은 3개의 주요 부분, 즉, 프리앰블 시그널링 데이터(11000), PLS1 데이터(11010) 및 PLS2 데이터(11020)로 분리된 시그널링 계층 구조를 나타낸다. 모든 프레임에서 프리앰블 심볼에 의해 전달되는 프리앰블의 목적은 그 프레임의 송신 타입 및 기본 송신 파라미터를 지시하는 것이다. PLS1은 수신기가 PLS2 데이터를 액세스 및 디코딩하도록 하고, 이는 관심있는 DP를 액세스하는 파라미터를 포함한다. PLS2는 모든 프레임에서 전달되고 2개의 주요 부분, 즉, PLS2-STAT 데이터 및 PLS2-DYN 데이터로 분리된다. PLS2 데이터의 정적 및 동적 부분은 필요하면 패딩이 뒤따른다.도 12는 본 발명의 실시예에 따른 프리엠블 시그널링 데이터를 나타내는 도면이다.프리앰블 시그널링 데이터는 프레임 구조 내에서 수신기가 PLS 데이터를 액세스하고 DP를 트레이싱하도록 하는데 필요한 정보의 21 비트를 전달한다. 프리앰블 시그널링의 세부사항은 다음과 같다.PHY_PROFILE: 이 3 비트 필드는 현재 프레임의 PHY 프로파일 타입을 나타낸다. 상이한 PHY 프로파일 타입의 맵핑은 이하 표 5에 주어진다.값PHY 프로파일000베이스 프로파일001핸드헬드 프로파일010어드밴스드 프로파일011-110예약111FETFFT_SIZE: 이 2 비트 필드는 이하의 표 6에 기재된 바와 같이 프레임 그룹 내의 현재 프레임의 FFT 사이즈를 나타낸다.값FFT 사이즈008K FFT0116K FFT1032K FFT11예약GI_FRACTION: 이 3 비트 필드는 이하의 표 7에 기재된 바와 같이 현재의 수퍼 프레임 내의 보호 구간 분수(fraction) 값을 나타낸다.값GI_FRACTION0001/50011/100101/200111/401001/801011/160110-111예약EAC_FLAG: 이 1 비트 필드는 EAC가 현재의 프레임에 제공되는지를 나타낸다. 이 필드가 "1"로 설정되면, EAS(emergency alert service)가 현재의 프레임에서 제공된다. 이 필드가 "0"으로 설정되면, EAS가 현재의 프레임에서 전달되지 않는다. 이 필드는 수퍼 프레임 내에서 동적으로 스위칭될 수 있다.PILOT_MODE: 이 1 비트 필드는 프로파일 모드가 현재의 프레임 그룹 내의 현재의 프레임에 대하여 모바일 모드인지 고정 모드인지를 지시한다. 이 필드가 "0"로 설정되면, 모바일 파일럿 모드가 사용된다. 필드가 "1"로 설정되면, 고정 파일럿 모드가 사용된다.PAPR_FLAG: 이 1 비트 필드는 PAPR 감소가 현재의 프레임 그룹 내의 현재의 프레임에 사용되는지를 지시한다. 이 필드가 "1"로 설정되면, PAPR 감소에 톤 예약(tone reservation)이 사용된다. 이 필드가 "0"으로 설정되면, PAPR 감소가 사용되지 않는다.FRU_CONFIGURE: 이 3 비트 필드는 현재의 수퍼 프레임 내에 존재하는 FRU(frame repetition unit)의 PHY 프로파일 타입 구성을 나타낸다. 현재의 수퍼 프레임에서 전달되는 모든 프로파일 타입은 현재의 수퍼 프레임 내의 모든 프레임 내의 이 필드에서 식별된다. 3 비트 필드는 이하의 표 8에 도시된 바와 같이 각 프로파일에 대한 상이한 정의를 갖는다.현재의 PHY_PROFILE="000" (베이스)현재의 PHY_PROFILE="001" (핸드헬드)현재의 PHY_PROFILE="010" (어드밴스드)현재의 PHY_PROFILE="111" (FET)FRU_CONFIGURE=000베이스 프로파일만 존재핸드헬드 프로파일만 존재어드밴스드 프로파일만이 존재FET만이 존재FRU_CONFIGURE=1XX핸드헬드 프로파일이 존재베이스 프로파일이 존재베이스 프로파일이 존재베이스 프로파일이 존재FRU_CONFIGURE=X1X어드밴스드 프로파일이 존재어드밴스드 프로파일이 존재핸드헬드 프로파일이 존재핸드헬드 프로파일이 존재FRU_CONFIGURE=XX1FET가 존재FET가 존재FET가 존재어드밴스드 프로파일이 존재RESERVED: 이 7 비트 필드가 미래의 사용을 위해 예약된다.도 13은 본 발명의 실시예에 따른 PLS1 데이터를 나타내는 도면이다. PLS1 데이터는 PLS2의 수신 및 디코딩을 가능하게 하는데 필요한 파라미터를 포함하는 기본 송신 파라미터를 제공한다. 상술한 바와 같이, PLS1 데이터는 하나의 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 변경되지 않는다. PLS1 데이터의 시그널링 필드의 상세한 정의는 다음과 같다.PREAMBLE_DATA: 이 20 비트 필드는 EAC_FLAG를 제외한 프리앰블 시그널링 데이터의 사본이다.NUM_FRAME_FRU: 이 2 비트 필드는 FRU당 프레임의 수를 나타낸다.PAYLOAD_TYPE: 이 3 비트 필드는 프레임 그룹에서 전달되는 페이로드 데이터의 포맷을 지시한다. PAYLOAD_TYPE은 표 9에 도시된 바와 같이 시그널링된다.값페이로드 타입1XXTS 스트림이 송신됨X1XIP 스트림이 송신됨XX1GS 스트림이 송신됨NUM_FSS: 이 2 비트 필드는 현재의 프레임 내의 FSS 심볼의 수를 나타낸다.SYSTEM_VERSION: 이 8 비트 필드는 송신된 신호 포맷의 버전을 나타낸다. SYSTEM_VERSION은 2개의 4 비트 필드, 즉 메이저 버전 및 마이너 버전으로 분리된다.메이저 버전: SYSTEM_VERSION 필드의 MSB 4 비트는 메이저 버전 정보를 나타낸다. 메이저 버전 필드의 변화는 비-하위-호환(non-backward-compatible) 변화를 나타낸다. 디폴트 값은 "0000"이다. 이 표준에 기재된 버전에서, 값은 "0000"으로 설정된다.마이너 버전: SYSTEM_VERSION의 LSB 4 비트는 마이너 버전 정보를 나타낸다. 마이너 버전 필드의 변화는 하위 호환성이다.CELL_ID: 이것은 ATSC 네트워크에서 지리적인 셀을 고유하게 식별하는 16 비트 필드이다. ATSC 셀 커버리지 영역은 퓨어캐스트 UTB 시스템에 사용되는 주파수의 수에 의존하여 하나 이상의 주파수로 구성될 수 있다. CELL_ID의 값이 알려져 있지 않거나 특정되지 않으면, 이 필드는 "0"으로 설정된다.NETWORK_ID: 이것은 현재의 ATSC 네트워크를 고유하게 식별하는 16 비트 필드이다.SYSTEM_ID: 이 16 비트 필드는 ATSC 네트워크 내의 퓨어캐스트 UTB 시스템을 고유하게 식별한다. 퓨어캐스트 UTB 시스템은 입력이 하나 이상의 입력 스트림(TS, IP, GS)이고 출력이 RF 신호인 지상파 방송 시스템이다. 퓨어캐스트 UTB 시스템은 만약 있다면 하나 이상의 PHY 프로파일 및 FET를 전달한다. 동일한 퓨어캐스트 UTB 시스템은 상이한 입력 스트림을 전달할 수 있고 상이한 지리적 영역에서 상이한 RF 주파수를 사용하여 로컬 서비스 삽입을 허용한다. 프레임 구조 및 스케줄링은 하나의 장소에서 제어되고 퓨어캐스트 UTB 시스템 내에서 모든 송신에 대하여 동일하다. 하나 이상의 퓨어캐스트 UTB 시스템은 모두 동일한 물리층 구조 및 구성을 갖는다는 것을 의미하는 동일한 SYSTEM_ID를 가질 수 있다.다음의 루프는 각 프레임 타입의 FRU 구성 및 길이를 지시하는데 사용되는 FRU_PHY_PROFILE, FRU_FRAME_LENGTH, FRU_GI_FRACTION 및 RESERVED로 구성된다. 루프 사이즈는 고정되어 4개의 PHY 프로파일(FET를 포함)이 FRU 내에서 시그널링된다. NUM_FRAME_FRU가 4보다 작으면, 사용되지 않은 필드는 제로로 채워진다.FRU_PHY_PROFILE: 이 3 비트 필드는 연관된 FRU의 (i+1)번째 (i는 루프 인덱스이다) 프레임의 PHY 프로파일 타입을 나타낸다. 이 필드는 표 8에 도시된 바와 같이 동일한 시그널링 포맷을 사용한다. FRU_FRAME_LENGTH: 이 2 비트 필드는 연관된 FRU의 (i+1)번째 프레임의 길이를 나타낸다. FRU_GI_FRACTION과 함께 FRU_FRAME_LENGTH를 이용하여, 프레임 듀레이션의 정확한 값이 얻어질 수 있다.FRU_GI_FRACTION: 이 3 비트 필드는 연관된 FRU의 (i+1)번째 프레임의 보호 구간 분수 값을 나타낸다. FRU_GI_FRACTION은 표 7에 따라 시그널링된다.RESERVED: 이 4 비트 필드가 미래의 사용을 위해 예약된다.다음의 필드는 PLS2 데이터를 디코딩하는 파라미터를 제공한다.PLS2_FEC_TYPE: 이 2 비트 필드는 PLS2 보호에 의해 사용되는 FEC 타입을 나타낸다. FEC 타입은 표 10에 따라 시그널링된다. LDPC 코드의 세부사항은 후술한다.콘텐츠PLS2 FEC 타입004K-1/4 및 7K-3/10 LDPC 코드01-11예약PLS2_MOD: 이 3 비트 필드는 PLS2에 의해 사용되는 변조 타입을 나타낸다. 변조 타입은 표 11에 따라 시그널링된다.값PLS2_MODE000BPSK001QPSK010QAM-16011NUQ-64100-111예약PLS2_SIZE_CELL: 이 15 비트 필드는 현재의 프레임 그룹에서 전달되는 PLS2에 대한 풀 코딩 블록(full coded blocks)의 모음(collection)의 사이즈(QAM 셀의 수로서 특정됨)(Ctotal_partial_block)를 나타낸다. 이 값은 현재의 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다.PLS2_STAT_SIZE_BIT: 이 14 비트 필드는 현재의 프레임 그룹에 대한 PLS2-STAT의 비트 사이즈를 나타낸다. 이 값은 현재의 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다.PLS2_DYN_SIZE_BIT: 이 14 비트 필드는 현재의 프레임 그룹에 대한 PLS2-DYN의 비트 사이즈를 나타낸다. 이 값은 현재의 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다.PLS2_REP_FLAG: 이 1 비트 플래그는 현재의 프레임 그룹에서 PLS2 반복 모드가 사용되는지를 나타낸다. 이 필드가 값 "1"로 설정되면, PLS2 반복 모드가 활성화된다. 이 필드가 값 "0"으로 설정되면, PLS2 반복 모드가 비활성화된다.PLS2_REP_SIZE_CELL: 이 15 비트 필드는 PLS2 반복이 사용될 때 현재의 프레임 그룹의 모든 프레임에서 전달되는 PLS2에 대한 부분 코딩 블록(partial coded blocks)의 모음(collection)의 사이즈(QAM 셀의 수로서 특정됨)(Ctotal_partial_block)를 나타낸다. 반복이 사용되지 않으면, 이 필드의 값은 0과 동일하다. 이 값은 현재의 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다.PLS2_NEXT_FEC_TYPE: 이 2 비트 필드는 다음의 프레임 그룹의 모든 프레임에서 전달되는 PLS2에 사용되는 FEC 타입을 나타낸다. FEC 타입은 표 10에 따라 시그널링된다.PLS2_NEXT_MOD: 이 3 비트 필드는 다음의 프레임 그룹의 모든 프레임에서 전달되는 PLS2에 사용되는 변조 타입을 나타낸다. 변조 타입은 표 11에 따라 시그널링된다.PLS2_NEXT_REP_FLAG: 이 1 비트 필드는 다음의 프레임 그룹에서 PLS2 반복 모드가 사용되는지를 나타낸다. 이 필드가 값 "1"로 설정되면, PLS2 반복 모드가 활성화된다. 이 필드가 값 "0"으로 설정되면, PLS2 반복 모드가 비활성화된다.PLS2_NEXT_REP_SIZE_CELL: 이 15 비트 필드는 PLS2 반복이 사용될 때 다음의 프레임 그룹의 모든 프레임에서 전달되는 PLS2에 대한 풀 코딩 블록(full coded blocks)의 모음(collection)의 사이즈(QAM 셀의 수로서 특정됨)(Ctotal_partial_block)를 나타낸다. 다음의 프레임 그룹에서 반복이 사용되지 않으면, 이 필드의 값은 0과 동일하다. 이 값은 현재의 프레임 그룹에서 일정하다.PLS2_NEXT_REP_STAT_SIZE_BIT: 이 14 비트 필드는 다음의 프레임 그룹에 대한 PLS2-STAT의 비트 사이즈를 나타낸다. 이 값은 현재의 프레임 그룹에서 일정하다.PLS2_NEXT_REP_DYN_SIZE_BIT: 이 14 비트 필드는 다음의 프레임 그룹에 대한 PLS2-DYN의 비트 사이즈를 나타낸다. 이 값은 현재의 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다.PLS2_AP_MODE: 이 2 비트 필드는 현재의 프레임 그룹 내의 PLS2에 추가의 패리티가 제공되는지를 나타낸다. 이 값은 현재의 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다. 하기의 표 12는 이 필드의 값을 나타낸다. 이 필드가 "00"으로 설정되면, 현재의 프레임에서 PLS2에 대하여 추가의 패리티가 사용되지 않는다.값PLS2-AP 모드00AP는 제공되지 않음01AP1 모드10-11예약PLS2_AP_SIZE_CELL: 이 15 비트 필드는 PLS2의 추가의 패리티 비트의 사이즈(QAM 셀의 수로 특정됨)를 나타낸다. 이 값은 현재의 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다.PLS2_NEXT_AP_MODE: 이 2 비트 필드는 다음의 프레임 그룹에서 PLS2에 추가의 패리티가 제공되는지를 나타낸다. 이 값은 현재의 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다. 표 12는 이 필드의 값을 정의한다.PLS2_NEXT_AP_SIZE_CELL: 이 15 비트 필드는 다음의 프레임 그룹의 모든 프레임에서 PLS2의 추가의 패리티 비트의 사이즈(QAM 셀의 수로 특정됨)를 나타낸다. 이 값은 현재의 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다.RESERVED: 이 32 비트 필드가 미래의 사용을 위해 예약된다.CRC_32: 전체 PLS1 시그널링에 적용되는 32 비트 에러 검출 코드도 14는 본 발명의 실시예에 따른 PLS2 데이터를 나타내는 도면이다. 도 14는 PLS2 데이터의 PLS2-STAT 데이터를 나타낸다. PLS2-STAT 데이터는 프레임 그룹 내에서 동일하지만, PLS2-DYN 데이터는 현재의 프레임에 특정된 정보를 제공한다.PLS2-STAT 데이터의 필드의 세부사항은 다음과 같다.FIC_FLAG: 이 1 비트 필드는 FIC가 현재의 프레임 그룹에 사용되는지를 나타낸다. 이 필드가 "1"로 설정되면, FIC가 현재의 프레임에서 제공된다. 이 필드가 "0"으로 설정되면, FIC가 현재의 프레임에서 전달되지 않는다. 이 값은 현재의 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다.AUX_FLAG: 이 1 비트 필드는 현재의 프레임 그룹에서 보조 스트림(들)이 사용되는지를 나타낸다. 이 필드가 "1"로 설정되면, 보조 스트림에 현재의 프레임에서 제공된다. 이 필드가 "0"으로 설정되면, 보조 스트림이 현재의 프레임에서 전달되지 않는다. 이 값은 현재의 프레임 그룹의 전체 듀레이션 동안 일정하다.NUM_DP: 이 6 비트 필드는 현재의 프레임에서 전달되는 DP의 수를 나타낸다. 이 필드의 값은 1 내지 64의 범위 내에 있고 DP의 수는 NUM_DP+1이다.DP_ID: 이 6 비트 필드는 PHY 프로파일 내에서 DP를 고유하게 식별한다.DP_TYPE: 이 3 비트 필드는 DP의 타입을 나타낸다. 이것은 이하의 표 13에 따라 시그널링된다. 값DP 타입000DP 타입 1001DP 타입 2010-111예약DP_GROUP_ID: 이 8 비트 필드는 현재의 DP가 연관된 DP 그룹을 식별한다. 이것은 수신기가 특정 서비스와 연관된 서비스 컴포넌트의 DP를 액세스하는데 사용될 수 있고, 이들 DP는 동일한 DP_GROUP_ID를 갖는다.BASE_DP_ID: 이 6 비트 필드는 관리층에서 사용되는 서비스 시그널링 데이터(PSI/SI)를 전달하는 DP를 나타낸다. BASE_DP_ID로 지시된 DP는 서비스 시그널링 데이터만을 전달하는 전용 DP 또는 서비스 데이터와 함께 서비스 시그널링 데이터를 전달하는 정상 DP일 수 있다.DP_FEC_TYPE: 이 2비트 필드는 연관된 DP에 의해 사용되는 FEC 타입을 나타낸다. FEC 타입은 이하의 표 14에 따라 시그널링된다.값FEC_TYPE0016K LDPC0164K LDPC10-11예약DP_COD: 이 4 비트 필드는 연관된 DP에 의해 사용되는 코드 레이트를 나타낸다. 코드 레이트는 이하의 표 15에 따라 시그널링된다.값코드 레이트00005/1500016/1500107/1500118/1501009/15010110/15011011/15011112/15100013/151001-111예약DP_MOD: 이 4비트 필드는 연관된 DP에 의해 사용되는 변조를 나타낸다. 변조는 이하의 표 16에 따라 시그널링된다.값변조0000QPSK0001QAM-160010NUQ-640011NUQ-2560100NUQ-10240101NUC-160110NUC-640111NUC-2561000NUC-10241001-111예약DP_SSD_FLAG: 이 1 비트 필드는 SSD 모드가 연관된 DP 에서 사용되는지를 나타낸다. 이 필드가 값 "1"로 설정되면, SSD가 사용된다. 이 필드가 값 "0"으로 설정되면, SSD가 사용되지 않는다.PHY_PROFILE이 어드밴스드 프로파일을 나타내는 "010"과 동일한 경우에만 다음의 필드가 나타난다.DP_MIMO: 이 3 비트 필드는 연관된 DP에 어떤 타입의 MIMO 인코딩 프로세스가 적용되는지를 나타낸다. MIMO 인코딩 프로세스의 타입은 표 17에 따라 시그널링된다.값MIMO 인코딩000FR-SM001FRFD-SM010-111예약DP_TI_TYPE: 이 1 비트 필드는 시간 인터리빙의 타입을 나타낸다. "0"의 값은 하나의 TI 그룹이 하나의 프레임에 대응하고 하나 이상의 TI 블록을 포함하는 것을 나타낸다. "1"의 값은 하나의 TI 그룹이 1보다 많은 프레임에서 전달되고 단 하나의 TI 블록만을 포함하는 것을 나타낸다.DP_TI_LENGTH: 2 비트 필드의 사용(허용되는 값이 단지 1, 2, 4, 8임)은 다음과 같이 DP_TI_TYPE 필드 내에 설정된 값에 의해 결정된다.DP_TI_LENGTH가 값 "1"로 설정되면, 이 필드는 PI, 즉, 각 TI 그룹이 맵핑되는 프레임의 수를 나타내고, TI 그룹당 하나의 TI 블록이 있다(NTI=1). 2 비트 필드를 갖는 허용된 PI 값은 이하의 표 18에서 정의된다.DP_TI_TYPE이 "0"으로 설정되면, 이 필드는 TI 그룹당 TI 블록의 수(NTI)를 나타내고 프레임당 하나의 TI 그룹이 있다(PI=1). 2 비트 필드를 갖는 허용된 PI 값은 이하의 표 18에서 정의된다.2 비트 필드PINTI0011012210431184DP_FRAME_INTERVAL: 이 2 비트 필드는 연관된 DP에 대한 프레임 그룹 내의 프레인 구간(IJUMP)를 나타내고, 허용되는 값은 1, 2, 4, 8이다(대응하는 2 비트 필드는 각각 "00", "01", "10", "11"이다). 프레임 그룹의 모든 프레임에서 나타나지 않는 DP에 대하여, 이 필드의 값은 연속적인 프레임 간의 간격과 동일하다. 예를 들어, DP가 프레임 1, 5, 9, 13 등에서 나타나면, 이 필드는 "4"로 설정된다. 모든 프레임에서 나타나는 DP에 대하여, 이 필드는 "1"로 설정된다.DP_TI_BYPASS: 이 1 비트 필드는 시간 인터리버(5050)의 이용가능성을 결정한다. DP에 대하여 시간 인터리빙이 사용되지 않으면, 이는 "1"로 설정된다. 시간 인터리빙이 사용되면, 이는 "0"으로 설정된다.DP_FIRST_FRAME_IDX: 이 5 비트 필드는 현재 DP 가 발생하는 수퍼 프레임의 제1 프레임의 인덱스를 나타낸다. DP_FIRST_FRAME_IDX의 값은 0 내지 31의 범위 내에 있다.DP_NUM_BLOCK_MAX: 이 10 비트 필드는 이 DP 에 대하여 DP_NUM_BLOCKS의 최대 값을 나타낸다. 이 필드의 값은 DP_NUM_BLOCKS와 동일한 범위를 갖는다.DP_PAYLOAD_TYPE: 이 2 비트 필드는 주어진 DP 에 의해 전달되는 페이로드 데이터의 타입을 나타낸다. DP_PAYLOAD_TYPE은 이하의 표 19에 따라 시그널링된다.값페이로드 타입00TS01IP10GS11예약DP_INBAND_MODE: 이 2 비트 필드는 현재의 DP 가 인밴드 시그널링 정보를 전달하는지를 나타낸다. 인밴드 시그널링 타입은 이하의 표 20에 따라 시그널링된다.값인밴드 모드00인밴드 시그널링이 전달되지 않음01INBAND-PLS만이 전달됨10INBAND-ISSY만이 전달됨11INBAND-PLS 및 INBAND-ISSY이 전달됨DP_PROTOCOL_TYPE: 이 2 비트 필드는 주어진 DP에 의해 전달되는 페이로드의 프로토콜 타입을 나타낸다. 입력 페이로드 타입이 선택되면, 이하의 표 21에 따라 시그널링된다.값DP_PAYLOAD_TYPE이 TS인 경우DP_PAYLOAD_TYPE이 IP인 경우DP_PAYLOAD_TYPE이 GS인 경우00MPEG2-TSIPv4(주)01예약IPv6예약10예약예약예약11예약예약예약DP_CRC_MODE: 이 2 비트 필드는 입력 포맷팅 블록에서 CRC 인코딩이 사용되는지를 나타낸다. CRC 모드는 이하의 표 22에 따라 시그널링된다.값CRC 모드00사용되지 않음01CRC-810CRC-1611CRC-32DNP_MODE: 이 2 비트 필드는 DP_PAYLOAD_TYPE이 TS("00")으로 설정될 때 연관된 DP에 의해 사용되는 널-패킷 삭제 모드를 나타낸다. DNP_MODE는 이하의 표 23에 따라 시그널링된다. DP_PAYLOAD_TYPE이 TS("00")가 아니면, DNP_MODE는 값 "00"으로 설정된다.값널-패킷 삭제 모드00사용되지 않음01DNP-NORMAL10DNP-OFFSET11예약ISSY_MODE: 이 2 비트 필드는 DP_PAYLOAD_TYPE이 TS("00")으로 설정될 때 연관된 DP에 의해 사용되는 ISSY 모드를 나타낸다. ISSY_MODE는 이하의 표 24에 따라 시그널링된다. DP_PAYLOAD_TYPE이 TS("00")가 아니면, ISSY_MODE는 값 "00"으로 설정된다.값ISSY 모드00사용되지 않음01ISSY-UP10ISSY-BBF11예약HC_MODE_TS: 이 2 비트 필드는 DP_PAYLOAD_TYPE이 TS("00")으로 설정될 때 연관된 DP에 의해 사용되는 TS 헤더 압축 모드를 나타낸다. HC_MOD_TS는 이하의 표 25에 따라 시그널링된다. 값헤더 압축 모드00HC_MODE_TS 101HC_MODE_TS 210HC_MODE_TS 311HC_MODE_TS 4HC_MODE_IP: 이 2 비트 필드는 DP_PAYLOAD_TYPE이 IP ("01")으로 설정될 때의 IP 헤더 압축 모드를 나타낸다. HC_MOD_IP는 이하의 표 26에 따라 시그널링된다.값헤더 압축 모드00압축하지 않음01HC_MODE_IP 110-11예약PID: 이 13 비트 필드는 DP_PAYLOAD_TYPE이 TS("00")으로 설정되고 HC_MODE_TS가 "01" 또는 "10"으로 설정될 때의 TS 헤더 압축을 위한 PID 번호를 나타낸다.RESERVED: 이 8 비트 필드는 미래의 사용을 위해 예약된다.FIC_FLAG가 "1"과 동일한 경우에만 다음의 필드가 나타난다.FIC_VERSION: 이 8 비트 필드는 FIC의 버전 번호를 나타낸다.FIC_LENGTH_BYTE: 이 13 비트 필드는 FIC의 바이트 길이를 나타낸다.RESERVED: 이 8 비트 필드는 미래의 사용을 위해 예약된다.AUX_FLAG가 "1"과 동일한 경우에만 다음의 필드가 나타난다.NUM_AUX: 이 4 비트 필드는 보조 스트림의 수를 나타낸다. 제로는 보조 스트림이 사용되지 않는 것을 의미한다.AUX_CONFIG_RFU: 이 8 비트 필드는 미래의 사용을 위해 예약된다.AUX_STREAM_TYPE: 이 4 비트 필드는 현재의 보조 스트림의 타입을 나타내기 위한 미래의 사용을 위해 예약된다.UX_PRIVATE_CONFIG: 이 28 비트 필드는 보조 스트림을 시그널링 하기 위한 미래의 사용을 위해 예약된다.도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 PLS2 데이터를 나타내는 도면이다.도 15는 PLS2 데이터의 PLS2-DYN 데이터를 나타낸다. PLS2-DYN 데이터의 값은 하나의 프레임 그룹의 듀레이션 동안 변할 수 있고, 필드의 사이즈는 일정하게 유지된다.PLS2-DYN 데이터의 필드의 세부사항은 다음과 같다.FRAME_INDEX: 이 5 비트 필드는 수퍼 프레임 내의 현재의 프레임의 프레임 인덱스를 나타낸다. 수퍼 프레임의 제1 프레임의 인덱스는 "0"으로 설정된다.PLS_CHANGE_COUNTER: 이 4 비트 필드는 구성이 변경되기 전의 수퍼 프레임의 수를 나타낸다. 구성에 있어서 변경된 다음의 수퍼 프레임은 이 필드 내에서 시그널링되는 값에 의해 지시된다. 이 필드가 값 "0000"으로 설정되면, 스케줄링된 변화가 예상되지 않은 것을 의미하고, 값 "1"은 다음 수퍼 프레임에서 변화가 있다는 것을 의미한다.FIC_CHANGE_COUNTER: 이 4 비트 필드는 구성(즉, FIC의 내용)이 변경되기 전의 수퍼 프레임의 수를 나타낸다. 구성에 있어서 변경된 다음의 수퍼 프레임은 이 필드 내에서 시그널링되는 값에 의해 지시된다. 이 필드가 값 "0000"으로 설정되면, 스케줄링된 변화가 예상되지 않은 것을 의미하고, 값 "0001"은 다음 수퍼 프레임에서 변화가 있다는 것을 의미한다.RESERVED: 이 16 비트 필드는 미래의 사용을 위해 예약된다.NUM_DP를 통해 루프에서 다음의 필드가 나타나고, 이는 현재의 프레임에서 전달되는 DP와 연관된 파라미터를 나타낸다.DP_ID: 이 6 비트 필드는 PHY 프로파일 내의 DP를 고유하게 지시한다.DP_START: 이 15 비트 (또는 13 비트) 필드는 DPU 어드레싱 방식을 이용하여 제1 DP의 시작 위치를 나타낸다. DP_START 필드는 이하의 표 27에 도시된 바와 같이 PHY 프로파일 및 FFT 사이즈에 따라 다른 길이를 갖는다.PHY 프로파일DP_START 필드 사이즈64K16K베이스13 비트15 비트핸드헬드-13 비트어드밴스드13 비트15 비트DP_NUM_BLOCK: 이 10 비트 필드는 현재의 DP에 대한 현재의 TI 그룹 내의 FEC 블록의 수를 나타낸다. DP_NUM_BLOCK의 값은 0 내지 1023 범위 내에 있다.RESERVED: 이 8 비트 필드는 미래의 사용을 위해 예약된다.다음의 필드는 EAC와 연관된 FIC 파라미터를 나타낸다.EAC_FLAG: 이 1 비트 필드는 현재의 프레임 내의 EAC의 존대를 나타낸다. 이 비트는 프리앰블 내의 EAC_FLAG와 동일한 값이다.EAS_WAKE_UP_VERSION_NUM: 이 8 비트 필드는 웨이크업 지시의 버전 번호를 나타낸다.EAC_FLAG 필드가 "1"과 동일하면, 다음의 12 비트는 EAC_LENGTH_BYTE 필드에 대하여 할당된다. EAC_FLAG 필드가 "0"과 동일하면, 다음의 12 비트는 EAC_COUNTER에 할당된다.EAC_LENGTH_BYTE: 이 12 비트 필드는 EAC의 바이트 길이를 나타낸다.EAC_COUNTER: 이 12 비트 필드는 EAC가 도달하는 프레임 전의 프레임의 수를 나타낸다.AUX_FLAG 필드가 "1"과 동일한 경우에만 다음의 필드가 나타난다.AUX_PRIVATE_DYN: 이 48 비트 필드는 보조 스트림을 시그널링하기 위한 미래 사용을 위해 예약된다. 이 필드의 의미는 구성가능한 PLS2-STAT 내의 AUX_STREAM_TYPE의 값에 의존한다.CRC_32: 전체 PLS2에 적용되는 32 비트 에러 검출 코드.도 16은 본 발명의 실시예에 따른 프레임의 논리 구조를 나타내는 도면이다.상술한 바와 같이, PLS, EAC, FIC, DP, 보조 스트림 및 더미 셀은 프레임 내의 OFDM 심볼의 액티브 캐리어에 맵핑된다. PLS1 및 PLS2는 먼저 하나 이상의 FSS(들)에 맵핑된다. 그 후, 있다면, EAC 셀이 PLS 필드 직후에 맵핑되고, 그 후, 있다면, FIC 셀이 맵핑된다. 있다면, DP는 PLS 또는 EAC, FIC 후에 맵핑된다. 타입 1 DP가 먼저 뒤따르고 그 후 타입 2 DP가 뒤따른다. DP의 타입의 세부사항은 후술한다. 임의의 경우, DP는 EAS를 위한 임의의 특수 데이터 또는 서비스 시그널링 데이터를 전달할 수 있다. 있다면, 보조 스트림 또는 스트림들이 DP를 뒤따르고, 그 후, 더미 셀이 뒤따른다. 이들 모두를 상술한 순서, 즉, PLS, EAC, FIC, DP, 보조 스트림 및 더미 데이터 셀의 순서로 맵핑하는 것은 프레임 내의 셀 용량을 정확히 채운다.도 17은 본 발명의 실시예에 따른 PLS 맵핑을 나타내는 도면이다.PLS 셀은 FSS(들)의 액티브 캐리어에 맵핑된다. PLS에 의해 점유된 셀의 수에 의존하여, 하나 이상의 심볼이 FSS(들)로서 지정되고, FSS(들)의 수(NFSS)는 PLS1 내의 NUM_FSS에 의해 시그널링된다. FSS는 PLS 셀을 전달하는 특수 심볼이다. 강건함 및 레이턴시(latency)는 PLS의 중요한 문제이므로, FSS(들)는 FSS 내의 주파수 전용 보간 및 고속 동기화를 허용하는 더 높은 밀도의 파일럿을 갖는다.PLS 셀은 도 17의 예에 도시된 바와 같이 탑-다운(top-down) 방식으로 NFSS 개의 FSS(들)의 액티브 캐리어에 맵핑된다. PLS1 셀은 셀 인덱스의 증가 순서로 제1 FSS의 제1 셀로부터 먼저 맵핑된다. PLS2 셀은 PLS1의 마지막 셀 직후에 맵핑되고 제1 FSS의 마지막 셀 인덱스까지 맵핑이 하향으로 계속된다. 요구되는 PLS 셀의 총 수가 하나의 FSS의 액티브 캐리어의 수를 초과하면, 맵핑은 다음의 FSS로 진행하고 제1 FSS와 정확히 동일한 방식으로 계속된다.PLS 맵핑이 완료된 후, DP가 다음에 전달된다. EAC, FIC 또는 EAC 및 FIC가 현재의 프레임에 존재하면, 이들은 PLS 및 "정상" DP 사이에 배치된다.도 18은 본 발명의 실시예에 따른 EAC 맵핑을 나타내는 도면이다.EAC는 EAS 메시지를 전달하는 전용 채널이며 EAS에 대한 DP에 링크된다. EAS 지원은 제공되지만, EAC 자체는 모든 프레임에 존재할 수도 있고 존재하지 않을 수도 있다. 있다면, EAC는 PLS2 셀 직후에 맵핑된다. EAC가 PLS 셀 이외에 FIC, DP, 보조 스트림 또는 더미 셀 중의 어느 것의 후에 오지 않는다. EAC 셀을 맵핑하는 절차는 PLS와 정확히 동일하다.EAC 셀은 도 18에 도시된 바와 같이 셀 인덱스의 증가 순서로 PLS2의 다음 셀로부터 맵핑된다. EAS 메시지 사이즈에 따라, EAC 셀은 도 18에 도시된 바와 같이 몇 개의 심볼을 점유한다.EAC 셀은 PLS2의 마지막 셀 직후에 맵핑되고, 맵핑은 마지막 FSS의 마지막 셀 인덱스까지 하향으로 계속된다. 요구되는 EAC의 총수가 마지막 FSS의 나머지 액티브 캐리어의 수를 초과하면, 맵핑은 다음의 심볼로 진행하고 FSS(들)와 정확히 동일한 방식으로 계속된다. 이 경우의 맵핑을 위한 다음 심볼은 정상 데이터 심볼이고, 이는 FSS보다 더 많은 액티브 캐리어를 갖는다.EAC 맵핑이 완료된 후, 존재한다면, FIC가 다음에 전달된다. (PLS2 필드에서 시그널링됨에 따라) FIC가 송신되지 않으면, DP는 EAC의 마지막 셀 직후에 맵핑된다.도 19는 본 발명의 실시예에 따른 FIC 맵핑을 나타내는 도면이다.(a) 는 EAC가 없는 FIC의 예시적인 맵핑을 나타내고 (b)는 EAC가 있는 FIC의 예시적인 맵핑을 나타낸다.FIC는 고속 서비스 획득 및 채널 스캐닝을 가능하게 하는 계층간(cross-layer) 정보에 대한 전용 채널이다. 이 정보는 주로 각 브로드캐스터의 DP 및 서비스 간의 정보를 결합하는 채널을 포함한다. 고속 스캔을 위하여, 수신기는 FIC를 디코딩하여 브로드캐스터 ID, 서비스의 수 및 BASE_DP_ID 등의 정보를 얻을 수 있다. 고속 서비스 획득을 위해, FIC에 더하여, 베이스 DP가 BASE_DP_ID를 이용하여 디코딩될 수 있다. 전달되는 내용 이외에, 베이스 DP는 정상 DP와 정확히 동일한 방식으로 인코딩되고 프레임에 맵핑된다. 그러므로, 베이스 DP에 대하여 추가의 설명이 요구되지 않는다. FIC 데이터가 생성되어 관리층에서 소비된다. FIC 데이터의 내용은 관리 층 설명서에 기재된 것과 같다.FIC 데이터는 선택적이고 FIC의 사용은 PLS2의 정적 부분 내의 FIC_FLAG 파라미터에 의해 시그널링된다. FIC가 사용되면, FIC_FLAG가 "1"로 설정되고 FIC를 위한 시그널링 필드는 PLS2의 정적 부분에 정의된다. 이 필드에서는 FIC_VERSION 및 FIC_LENGTH_BYTE가 시그널링된다. FIC는 PLS2와 동일한 변조, 코딩 및 시간 인터리빙 파라미터를 이용한다. FIC는 PLS2_MODE 및 PLS2_FEC 등의 동일한 시그널링 파라미터를 공유한다. 있다면, FIC 데이터는 PLS2 또는 있다면 EAC 직후에 맵핑된다. FIC는 임의의 정상 DP, 보조 스트림 또는 더미 셀 후에 맵핑되지 않는다. FIC 셀을 맵핑하는 방법은 EAC와 정확하게 동일하고, 이는 PLS와 동일하다.PLS 후에 EAC가 없으면, FIC 셀은 (a)의 예에 도시된 바와 같이 셀 인덱스의 증가 순서로 PLS2의 다음 셀로부터 맵핑된다. FIC 데이터 사이즈에 따라, FIC 셀은 (b)에 도시된 바와 같이 몇 개의 심볼에 걸쳐 맵핑될 수 있다.FIC 셀은 PLS2의 마지막 셀 직후에 맵핑되고 맵핑은 마지막 FSS의 마지막 셀 인덱스까지 하향으로 계속된다. 요구되는 FIC 셀의 총수가 마지막 FSS의 나머지 액티브 캐리어의 수를 초과하면, 맵핑은 다음 심볼로 진행하고 FSS(들)와 정확히 동일한 방식으로 계속된다. 이 경우의 맵핑을 위한 다음의 심볼은 FSS보다 더 많은 액티브 캐리어를 갖는 정상 데이터 심볼이다.EAS 메시지가 현재의 프레임에서 송신되면, EAC는 FIC를 앞서고, FIC 셀은 (b) 에 도시된 바와 같이 셀 인덱스의 증가 순서로 EAC의 다음 셀로부터 맵핑된다.FIC 맵핑이 완료된 후, 하나 이상의 DP가 맵핑되고, 그 후, 있다면, 보조 스트림 및 더미 셀이 맵핑된다.도 20은 본 발명의 실시예에 따른 DP의 타입을 나타내는 도면이다.도 20의 (a)는 타입 1 DP를 나타내고 (b)는 타입 2 DP를 나타낸다.선행 채널, 즉, PLS, EAC 및 FIC가 맵핑된 후, DP의 셀이 맵핑된다. DP는 맵핑 방법에 따라 2개의 타입 중의 하나로 분류된다:타입 1 DP: DP는 TDM에 의해 맵핑됨타입 2 DP: DP는 FDM에 의해 맵핑됨DP의 타입은 PLS2의 정적 부분에서 DP_TYPE 필드에 의해 지시된다. 도 20은 타입 1 DP 및 타입 2 DP의 맵핑 순서를 나타낸다. 타입 1 DP는 먼저 셀 인덱스의 증가 순서로 맵핑되고, 마지막 셀 인덱스에 도달 한 후, 심볼 인덱스가 1씩 증가한다. 다음 실볼 내에서, DP는 p=0로부터 셀 인덱스의 증간 순서로 계속 맵핑된다. 하나의 프레임에서 함께 맵핑된 다수의 DP로, 타입 1 DP의 각각은 DP의 TDM 멀티플렉싱과 유사하게 시간에서 그룹화된다.타입 2 DP는 먼저 심볼 인덱스의 증가 순서로 맵핑되고, 프레임의 마지막 OFDM 심볼에 도달한 후에, 셀 인덱스는 1씩 증가하고, 심볼 인덱스는 제1 이용가능한 심볼로 밀려나고 그 심볼 인덱스부터 증가한다. 하나의 프레임에서 다수의 DP를 함께 맵핑한 후, 타입 2 DP의 각각은 DP의 FDM 멀티플렉싱과 유사하게 주파수에서 그룹화된다.하나의 제한이 필요하면, 즉, 타입 1 DP가 항상 타입 2 DP를 앞서면, 타입 1 DP 및 타입 2 DP는 프레임 내에서 공존할 수 있다. 타입 1 및 타입 2 DP를 전달하는 OFDM 셀의 총수는 DP의 송신을 위해 이용가능한 OFDM 셀의 총수를 초과할 수 없다. 여기서, DDP1는 타입 1 DP에 의해 점유되는 OFDM 셀의 수이고, DDP2는 타입 2 DP에 의해 점유되는 OFDM 셀의 수이다. PLS, EAC, FIC는 모두 타입 1 DP와 동일한 방식으로 맵핑되므로, 이들은 모두 "타입 1 맵핑 룰"을 따른다. 그러므로, 타입 1 맵핑은 항상 타입 2 맵핑보다 앞선다.도 21은 본 발명의 실시예에 따른 DP 맵핑을 나타내는 도면이다.(a) 는 타입 1 DP를 맵핑하기 위한 OFDM 셀의 어드레싱을 나타내고 (b)는 타입 2 DP를 맵핑하기 위한 OFDM 셀의 어드레싱을 나타낸다.타입 1 DP(0, DDP1-1)를 맵핑하기 위한 OFDM 셀의 어드레싱은 타입 1 DP의 액티브 데이터 셀을 위해 정의된다. 어드레싱 방식은 타입 1 DP의 각각에 대한 TI로부터의 셀이 액티브 데이터 셀에 할당되는 순서를 정의한다. 이는 또한 PLS2의 동적 부분 내의 DP의 위치를 시그널링하는데 사용된다.EAC 및 FIC 없이, 어드레스 0는 마지막 FSS 내의 PLS를 전달하는 마지막 셀의 직후의 셀을 지칭한다. EAC가 송신되고 FIC가 그 해당 프레임에서 없으면, 어드레스 0는 EAC를 전달하는 마지막 셀 직후의 셀을 지칭한다. FIC가 해당 프레임에서 송신되면, 어드레스 0는 FIC를 전달하는 마지막 셀 직후의 셀을 지칭한다. 타입 1 DP에 대한 어드레스 0는 (a)에 도시된 바와 같이 2개의 상이한 케이스를 고려하여 산출될 수 있다. (a)에 도시된 예에서, PLS, EAC 및 FIC는 모두 송신되는 것으로 가정한다. EAC 및 FIC 중의 하나 또는 둘다가 생략되는 경우로의 확장은 쉽다. (a)의 좌측에 도시된 바와 같이 FIC까지의 모든 셀을 맵핑한 후에 FSS 내에 나머지 셀이 남아 있다.타입 2 DP(0, …, DDP2-1)를 맵핑하는 OFDM 셀의 어드레싱은 타입 2 DP의 액티브 데이터 셀을 위해 정의된다. 어드레싱 방식은 타입 2 DP의 각각에 대한 TI로부터의 셀이 액티브 데이터 셀로 할당되는 순서를 정의한다. 이는 또한 PLS2의 동적 부분 내의 DP의 위치를 시그널링하는데 사용된다.(b)에 도시된 바와 같이 3개의 약간 다른 케이스가 가능하다. (b)의 좌측 상에 도시된 제1 케이스에서는, 마지막 FSS 내의 셀은 타입 2 DP 맵핑에 이용된다. 중간에 도시된 제2 케이스에서는, FIC가 정상 심볼의 셀을 차지하지만, 그 심볼 상의 FIC 셀의 수는 CFSS보다 작다. (b)의 우측에 도시된 제3의 케이스는 그 심볼 상에 맵핑된 FIC 셀의 수가 CFSS를 초과한다는 것을 제외하고 제2 케이스와 동일하다.PLS, EAC 및 FIC는 타입 1 DP(들)와 동일한 "타입 1 맵핑 규칙"을 따르기 때문에, 타입 1 DP(들)이 타입 2 DP(들)를 앞서는 경우로의 확장은 간단하다. 데이터 파이프 단위(DPU)는 데이터 셀을 프레임 내의 DP로 할당하는 기본 단위이다.DPU는 프레임 내에 DP를 위치시키는 시그널링 단위로서 정의된다. 셀 맵퍼(7010)는 DP의 각각에 대한 TI에 의해 생성된 셀을 맵핑할 수 있다. 시간 인터리버(5050)는 일련의 TI 블록을 출력하고, 각각의 TI 블록은 셀의 세트로 구성되는 가변 수(variable number)의 XFECBLOCK를 포함한다. XFECBLOCK 내의 셀의 수(Ncells)는 FECBLOCK 사이즈(Nldpc) 및 성상 심볼당 송신 비트수에 의존한다. DPU는 주어진 PHY 프로파일에서 지원되는 XFECBLOCK 내의 셀의 수의 모든 가능한 값의 가장 큰 공통 제수(divisor) (Ncells)로서 정의된다. 셀 내의 DPU의 길이는 LDPU로 정의된다. 각 PHY 프로파일이 FECBLOCK 사이즈 및 성상 심볼 당 상이한 수의 상이한 조합을 지원하기 때문에, LDPU는 PHY 프로파일에 기초하여 정의된다.도 22는 본 발명의 실시예에 따른 FEC 구조를 나타내는 도면이다.도 22는 비트 인터리빙 전의 본 발명의 실시예에 따른 FEC 구조를 나타낸다. 상술한 바와 같이, 데이터 FEC 인코더는 입력 BBF에 대하여 FEC 인코딩을 수행하여 아우터 코딩(BCH) 및 이너 코딩(LDPC)을 이용하여 FECBLOCK 절차를 생성할 수 있다. 도시된 FEC 구조는 FECBLOCK에 대응한다. 또한, FECBLOCK 및 FEC 구조는 LDPC 코드워드의 길이에 대응하는 동일한 값을 갖는다.도 22에 도시된 바와 같이 BCH 인코딩은 각각의 BBF(Kbch 비트)에 적용되고, LDPC 인코딩은 BCH 인코딩 BBF(Kldpc 비트 = Nbch 비트)에 적용된다.Nldpc의 값은 64800 비트(긴 FECBLOCK) 또는 16200 비트(짧은 FECBLOCK)이다.이하의 표 28 및 29는 각각 긴 FECBLOCK 및 짧은 FECBLOCK에 대한 FEC 인코딩 파라미터를 나타낸다.LDPC 레이트NldpcKldpcKbchBCH 에러 정정 능력Nbch-Kbch5/15648002160021408121926/1525920257287/1530240300488/1534560343689/15388803868810/15432004300811/15475204732812/15518405164813/155616055968LDPC 레이트NldpcKldpcKbchBCH 에러 정정 능력Nbch-Kbch5/151620054005232121686/15648063127/15756073928/15864084729/159720955210/15108001063211/15118801171212/15129601279213/151404013872BCH 인코딩 및 LDPC 인코딩의 동작의 세부사항은 다음과 같다.12 에러 정정 BCH 코드는 BBF의 아우터 인코딩에 사용된다. 짧은 FECBLOCK 및 긴 FECBLOCK에 대한 BCH 생성기 다항식은 모든 다항식을 함께 곱함으로써 얻어진다.LDPC 코드는 아우터 BCH 인코딩의 출력을 인코딩하는데 사용된다. 완성된 Bldpc(FECBLOCK)를 생성하기 위하여, Pldpc(패리티 비트)는 각 Ildpc (BCH 인코딩 BBF)로부터 체계적으로 인코딩되고 Ildpc에 첨부된다. 완성된 Bldpc(FECBLOCK)는 다음의 수학식으로 표현된다.긴 FECBLOCK 및 짧은 FECBLOCK에 대한 파라미터는 각각 상기 표 28 및 29에 주어진다.긴 FECBLOCK에 대한 Nldpc-Kldpc를 산출하는 세부 절차는 다음과 같다.1) 패리티 비트 초기화2) 패리티 체크 매트릭스의 어드레스의 제1 행에 특정된 패리티 비트 어드레스에서 제1 정보 비트(i0)를 누산한다. 패리티 체크 매트릭스의 어드레스의 세부사항은 후술한다. 예를 들어, 레이트 13/15에 대하여,3) 다음의 359개의 정보 비트(is) (s=1, 2, …, 359)가 다음의 수학식을 이용하여 패리티 비트에서 누산된다.여기서, x는 제1 비트(i0)에 대응하는 패리티 비트 누산기의 어드레스를 나타내고, Qldpc는 패리티 체크 매트릭스의 어드레스에서 특정된 코드 레이트 종속 상수이다. 계속 예를 들어, 레이트 13/15에 대하여, Qldpc = 24이고, 따라서, 정보 비트(i1)에 대하여, 다음의 동작이 수행된다.4) 361번째 정보 비트(i360)에 대하여, 패리티 비트 누산기의 어드레스는 패리티 체크 매트릭스의 어드레스의 제2 행에 주어진다. 유사한 방식으로, 다음의 358개의 정보 비트(is) (s=361, 362, …, 719)에 대한 패리티 비트 누산기의 어드레스는 수학식 6을 이용하여 얻어지고, 여기서, x는 정보 비트(i360)에 대응하는 패리티 비트 누산기의 어드레스, 패리티 체크 매트릭스의 어드레스의 제2 행 내의 엔트리를 나타낸다.5) 유사한 방식으로, 360개의 새로운 정보 비트의 모든 그룹에 대하여, 패리티 체크 매트릭스의 어드레스로부터의 새로운 행이 패리티 비트 누산기의 어드레스를 찾는데 사용된다.정보 비트의 전부가 소진된 후, 최종 패리티가 다음과 같이 얻어진다.6) i=1로 시작하는 다음의 동작을 순차적으로 수행한다.여기서, pi(i=0, 1, …, Ndpc-Kldpc-1)의 최종 내용은 패리티 비트(pi)와 동일하다.코드 레이트Qldpc5/151206/151087/15968/15849/157210/156011/154812/153613/1524짧은 FECBLOCK에 대한 이 LDPC 인코딩 절차는 표 30 및 31을 대체하고 긴 FECBLOCK에 대한 패리티 체크 매트릭스의 어드레스를 짧은 FECBLOCK에 대한 패리티 체크 매트릭스의 어드레스로 대체하는 것을 제외하고 긴 FECBLOCK에 대한 t LDPC 인코딩 절차를 따른다.코드 레이트Qldpc5/15306/15277/15248/15219/151810/151511/151212/15913/156도 23은 본 발명의 실시예에 따른 비트 인터리빙을 나타내는 도면이다.LDPC 인코더의 출력은 비트 인터리빙되고, 이는 패리티 인터리빙 및 그 후의 QCB(quasi-cyclic block) 인터리빙 및 내부 그룹 인터리빙으로 구성된다.(a) 는 QCB 인터리빙을 나타내고 (b)는 내부 그룹 인터리빙을 나타낸다.FECBLOCK는 패리티 인터리빙될 수 있다. 패리티 인터리빙의 출력에서, LDPC 코드워드는 긴 FECBLOCK 내의 180개의 인접한 QC 블록 및 짧은 FECBLOCK 내의 180개의 인접한 QC 블록으로 구성된다. 긴 또는 짧은 FECBLOCK 내의 각각의 QC 블록은 360 비트로 구성된다. 패리티 인터리빙된 LDPC 코드워드는 QCB 인터리빙에 의해 인터리빙된다. QCB 인터리빙의 단위는 QC 블록이다. 패리티 인터리빙의 출력에서의 QC 블록은 도 23에 도시된 바와 같이 QCB 인터리빙에 의해 퍼뮤테이션(permutation)되고, 여기서, FECBLOCK 길이에 따라 Ncells=64800/μmod 또는 16200/μmod이다. QCB 인터리빙 패턴은 변조 타입 및 LDPC 코드 레이트의 각 조합에 고유하다.QCB 인터리빙 후, 내부 그룹 인터리빙은 이하의 표 32에 정의된 변조 타입 및 순서(μmod)에 따라 수행된다. 하나의 내부 그룹에 대한 QC 블록의 수(NQCB_IG)가 또한 정의된다.변조 타입μmodNQCB_IGQAM-1642NUC-1644NUQ-6463NUC-6466NUQ-25684NUC-25688NUQ-1024105NUC-10241010내부 그룹 인터리빙 프로세스는 QCB 인터리빙 출력의 NQCB-IG 개의 QC 블록으로 수행된다. 내부 그룹 인터리빙은 360개의 열과 NQCB_IG개의 행을 이용하여 내부 그룹의 비트를 기입 및 판독하는 프로세스를 갖는다. 기입 동작에서, QCB 인터리빙 출력으로부터의 비트가 행방향으로 기입된다. 판독 동작은 열 방향으로 수행되어 각 행으로부터 m개의 비트를 판독하고, 여기서, m은 NUC에 대하여 1과 같고 NCQ에 대하여 2와 동일하다.도 24는 본 발명의 실시예에 따른 셀-워드 디멀티플렉싱을 나타내는 도면이다.(a)는 8 및 12 bpcu MIMO에 대한 셀-워드 디멀티플렉싱을 나타내고 (b)는 10 bpcu MIMO에 대한 셀-워드 디멀티플렉싱을 나타낸다.(a)에 도시된 바와 같이 비트 인터리빙 출력의 각 셀 워드은 및 로 디멀티플렉싱되고, 이는 하나의 XFECBLOCK에 대한 셀-워드 디멀티플렉싱 프로세스를 나타낸다.MIMO 인코딩을 위한 상이한 타입의 NUQ를 이용한 10bpcu MIMO 케이스에 대하여, NUQ-1024에 대한 비트 인터리버가 재사용된다. (b)에 도시된 바와 같이 비트 인터리버 출력의 각 셀 워드는 및 으로 디멀티플렉싱된다.도 25는 본 발명의 실시예에 따른 시간 인터리빙을 나타내는 도면이다.(a) 내지 (c)는 TI 모드의 예를 나타낸다.시간 인터리버는 DP 레벨에서 동작한다. 시간 인터리빙(TI)의 파라미터는 각 DP에 대하여 상이하게 설정될 수 있다.PlS2-STAT 데이터의 일부에서 나타나는 다음의 파라미터는 TI를 구성한다:DP_TI_TYPE(허용치: 0 또는 1): TI 모드를 나타냄; "0"은 TI 그룹당 다수의 TI 블록(1보다 많은 TI 블록)을 갖는 모드를 나타낸다. 이 경우, 하나의 TI 그룹은 하나의 프레임에 직접 맵핑된다(인터프레임 인터리빙이 아님). "1"은 TI 그룹당 단 하나의 TI 블록을 갖는 모드를 나타낸다. 이 경우, TI 블록은 1보다 많은 프레임에 확산될 수 있다(인터프레임 인터리빙).DP_TI_LENGTH: DI_TI_TYPE="0"이면, 이 파라미터는 TI 그룹당 TI 블록의 수(NTI)이다. DP_TI_TYPE="1"에 대하여, 이 파라미터는 하나의 TI 그룹으로부터 확산된 프레임의 수(PI)이다.DP_NUM_BLOCK_MAX(허용치: 0 내지 1023): TI 그룹당 XFECBLOCK의 최대 수를 나타냄.DP_FRAME_INTERVAL(허용치: 1, 2, 4, 8): 주어진 PHY 프로파일의 동일 DP를 전달하는 2개의 연속적인 프레임 간의 프레임의 수(IJUMP)를 나타냄.DP_TI_BYPASS(허용치: 0 또는 1): 시간 인터리빙이 DP에 사용되지 않으면, 이 파라미터는 "1"로 설정된다. 시간 인터리빙이 사용되면, "0"으로 설정된다.추가적으로, PLS2-DYN 데이터로부터의 파라미터(DP_NUM_BLOCK)는 DP의 하나의 TI 그룹에 의해 전달된 XFECBLOCK의 수를 나타내는데 사용된다.시간 인터리빙이 DP에 사용되지 않으면, 다음의 TI 그룹, 시간 인터리빙 동작 및 TI 모드는 고려되지 않는다. 그러나, 스케줄러로부터의 동적 구성 정보에 대한 보상 블록은 여전히 필요하다. 각 DP에서, SSD/MIMO 인코딩으로부터 수신된 XFECBLOCK은 TI 그룹으로 그룹핑된다. 즉, 각각의 TI 그룹은 정수의(an integer number of) XFECBLOCK의 세트이고 동적으로 가변하는 수의 XFECBLOCK를 포함한다. 인덱스의 TI 그룹 내의 XFECBLOCK의 수(n)는 NxBLOCK_Group_(n)으로 표시되고 PLS2-DYN 데이터의 DP_NUM_BLOCK로서 시그널링된다. NxBLOCK_Group_(n)는 0의 최소값으로부터 가장 큰값이 1023인 최대 값(NxBLOCK_Group_MAX)(DP_NUM_BLOCK_MAX에 대응)까지 변할 수 있다.각 TI 그룹은 하나의 프레임에 직접 맵핑되거나 PI 프레임에 걸쳐 확산된다. 각각의 TI 그룹은 또한 1보다 많은 TI 블록(NTI)으로 분리되고, 각각의 TI 블록은 시간 인터리버 메모리의 하나의 용도에 대응한다. TI 그룹 내의 TI 블록은 약간 상이한 수의 XFECBLOCK를 포함할 수 있다. TI 그룹이 다수의 TI 블록으로 분리되면, 단 하나의 프레임에만 직접 맵핑된다. 이하의 표 33에 도시된 바와 같이 (시간 인터리빙을 스킵하는 추가의 옵션을 제외하고) 시간 인터리빙을 위한 3개의 옵션이 존재한다.모드설명옵션 1각각의 TI 그룹은 하나의 TI 블록을 포함하고 (a)에 도시된 바와 같이 하나의 프레임에 직접 맵핑된다. 이 옵션은 DP_TI_TYPE="0" 및 DP_TI_LENGTH="1"(NTI=1)에 의해 PLS2-STAT에서 시그널링된다.옵션 2각각의 TI 그룹은 하나의 TI 블록을 포함하고 1보다 많은 프레임에 맵핑된다. (b)는 하나의 TI 그룹이 2개의 프레임, 즉, DP_TI_LENGTH="2"(PI=2) 및 DP_frame_INTERVAL (IJUMP=2)에 맵핑되는 예를 나타낸다. 이것은 낮은 데이터 레이트 서비스에 더 높은 시간 다이버시티를 제공한다. 이 옵션은 DP_TI_TYPE="1"에 의해 PLS2-STAT에서 시그널링된다.옵션 3각각의 TI 그룹은 다수의 TI 블록으로 분리되고 (c)에 도시된 바와 같이 하나의 프레임에 직접 맵핑된다. 각각의 TI 블록은 전체 TI 메모리를 사용하여 DP에 최대 비트 레이트를 제공한다. 이 옵션은 PI=1 동안 DP_TI_TYPE="0" 및 DP_TI_LENGTH=NTI에 의해 PLS2-STAT에서 시그널링된다.각 DP에서, TI 메모리는 입력 XFECBLOCK(SSD/MIMO 인코딩 블록으로부터의 출력 XFECBLOCK)를 저장한다. 입력 XFECBLOCK은으로서 정의되고,여기서, dn,s,r,q는 n번째 TI 그룹의 s번째 TI 블록 내의 r번째 XFECBLOCK의 q번째 셀이고 다음과 같이 SSD 및 MIMO 인코딩의 출력을 나타낸다.또한, 시간 인터리버로부터의 출력 XFECBLOCK는 다음과 같이 정의되는 것으로 가정한다.여기서, hn,s,i는 n번째 TI 그룹의 s번째 TI 블록 내의 i번째 출력 셀()이다.일반적으로, 시간 인터리버는 프레임 빌딩 프로세스 전에 DP 데이터를 위한 버퍼로서 동작한다. 이것은 각각의 DP에 대한 2개의 메모리 뱅크에 의해 달성된다. 제1 TI 블록은 제1 뱅크에 기입된다. 제1 뱅크가 판독되는 동안 제2 TI 블록이 제2 뱅크에 기입된다.TI는 트위스트 행-열 블록 인터리버이다. n번째 TI 그룹의 s번째 TI 블록에 대하여, TI 메모리의 행(Nr)의 수는 셀의 수(Ncell)와 동일하다, 즉, Nr=Ncell이지만, 열의 수(Nc)는 수(NxBLOCK_TI(n,s))와 동일하다.도 26는 본 발명의 실시예에 따른 트위스트 행-열 블록 인터리버의 기본 동작을 나타내는 도면이다.(a) 는 시간 인터리버에서의 기입 동작을 나타내고 (b)는 시간 인터리버에서의 판독 동작을 나타낸다. (a)에 도시된 바와 같이 제1 XFECBLOCK는 TI 메모리의 제1 열에 열방향으로 기입되고 제2 XFECBLOCK는 다음 열에 기입된다. 그 후, 인터리빙 어레이에서, 셀은 대각선 방향으로 판독된다. 제1 행(최좌측 열에서 시작하여 행을 따라 오른쪽으로) 마지막행까지 대각선 방향의 판독 동안, (b)에 도시된 바와 같이 셀이 판독된다. 구체적으로, 순차적으로 판독될 TI 메모리 셀 위치로서 Zn,s,i(i=0,,,,,,N,N)를 상정하여, 이러한 인터리빙 어레이에서의 판독 프로세스는 다음의 수학식에서처럼 행 인덱스(Rn,s,i), 열 인덱스(Cn,s,i) 및 연관된 트위스트 파라미터(Tn,s,i)를 산출함으로써 수행된다.여기서, Sshift는 NxBLOCK_TI(n,s)와 관계없이 대각선 방향 판독 프로세스에 대한 공통 시프트 값이고, 다음의 수학식에서처럼 PLS-STAT에 주어진 NxBLOCK_TI_MAX에 의해 결정된다.결과적으로, 판독될 셀 위치는 Zn,s,i=NrCn,s,i+Rn,s,i로서 좌표에 의해 산출된다.도 27은 본 발명의 다른 실시예에 따른 트위스트 행-열 블록 인터리버의 기본 동작을 나타내는 도면이다.특히, 도 27은 NxBLOCK_TI(0,0)=3, NxBLOCK_TI(1,0)=6, NxBLOCK_TI(2,0)=5일 때 가상 XFECBLOCK를 포함하여 각 TI 그룹에 대한 TI 메모리 내의 인터리빙 어레이를 나타낸다.가변수(NxBLOCK_TI(n,s)=Nr)는 NxBLOCK_TI_MAX보다 작거나 같다. 따라서, 수신측에서 단일 메모리 디인터리빙을 달성하기 위하여, NxBLOCK_TI(n,s)과 관계없이, 트위스트 행-열 블록 인터리버에 사용되는 인터리빙 어레이는 가상 XFECBLOCK를 TI 메모리에 삽입함으로써 Nr X Nc=Ncells X NxBLOCK_TI_MAX의 사이즈로 설정되고, 판독 프로세스는 다음의 수학식으로 달성된다.TI 그룹의 수는 3으로 설정된다. 시간 인터리버의 옵션은 DP_TI_TYPE="0", DP_FRAME_INTERVAL="1" 및 DP_TI_LENGTH="1", 즉, NTI=1, IJUMP=1 및 P1=1에 의해 PLS2-STAT 데이터에서 시그널링된다. TI 그룹당 각각이 Ncells=30를 갖는 XFECBLOCK의 수는 각각 NxBLOCK_TI(0,0)=3, NxBLOCK_TI(1,0)=6, NxBLOCK_TI(2,0)=5에 의해 PLS2-DYN 데이터에서 시그널링된다. XFECBLOCK의 최대수는 NxBLOCK_Group_MAX에 의해 PLS2-STAT 데이터에서 시그널링되고, 이는 다음을 유도한다.도 28은 본 발명의 실시예에 따른 트위스트 행-열 블록 인터리버의 대각선 방향 판독 패턴을 나타내는 도면이다.특히, 도 28은 NxBLOCK_TI_MAX =7 및 Sshift=(7-1)/2=3의 파라미터를 갖는 각 인터리빙 어레이로부터의 대각선 방향 판독 패턴을 나타낸다. 상기 의사 코드로서 도시된 판독 프로세스에서, Vi≥NcellsNxBLOCK_TI(n,s)이면, Vi의 값은 스킵되고 Vi의 다음 산출 값이 사용된다.도 29은 본 발명의 실시예에 따른 각 인터리빙 어레이로부터의 인터리빙된 XFECBLOCK을 나타내는 도면이다.도 29은 NxBLOCK_TI_MAX =7 및 Sshift=3의 파라미터를 갖는 각각의 인터리빙 어레이로부터 인터리빙된 XFECBLOCK를 나타낸다.도 30 은 본 발명의 일 실시예에 따른 성상도 매퍼(constellation mapper) 를 도시한 도면이다.본 발명의 일 실시예에 따른 성상도 매퍼의 동작은 전술한 BICM 블록의 성상도 매퍼의 동작과 같다.전술한 인풋 포맷팅 블록으로부터 받은 데이터는 FEC 인코딩을 거쳐 비트 스트림으로 변환될 수 있다. 이 비트 스트림의 여러 비트들이 모여 셀을 이루고, 이 셀들은 성상도 매퍼에 의해 복소평면 상의 성상도(constellation)들 중 하나로 매핑될 수 있다. 여기서 N 개의 비트들이 하나의 셀을 통해 전송되기 위해서는 2^N 개의 성상도 포인트들이 필요할 수 있다. 여기서, 성상도 포인트는 성상도 하나를 의미할 수 있다. 성상도 포인트는 성상도라고 불릴 수 있다. 성상도들의 집합인 QAM-64 등은 성상도 집합, 성상도 세트(set), 성상도 등으로 불릴 수 있다. 성상도를 만드는 방법은 다양하다. 어떠한 방식으로 성상도 내의 성상도 포인트들을 배열하는지에 따라, 수신기가 성상도를 비트 스트림으로 복호하였을 때의 에러 발생 확률이 달라질 수 있다. 성상도 매퍼가 사용하는 성상도는 (a), (b), (c) 와 같은 종류가 있다. 제시된 성상도는 각 종류의 성상도에 대한 예시이다. (a), (b) 는 모두 스퀘어 QAM(square QAM) 이지만, (a) 의 경우 성상도 포인트 간의 간격이 일정하지 않은(Non-uniform)한 것이 특징이고, (b) 의 경우 성상도 포인트 간의 간격이 일정한(Uniform) 한 것이 특징이다. (a) 는 논 유니폼 QAM 에 해당하고, (b) 는 일반적인 QAM 에 해당할 수 있다. (b) 는 (a) 의 특별한 경우라 할 수 있다. 본 발명은 (c) 와 같은 종류의 성상도 및 그 성상도를 찾는 방법을 제안한다. 본 발명이 제안하는 방법에 따르면, 주어진 SNR (Signal-to-Noise Ratio) 에서, 기존 방법보다 더 낮은 에러 확률 및 더 큰 채널 캐패시티를 구현할 수 있다. 이하, 본 발명에 대해 설명한다. 도 31 은 본 발명의 일 실시예에 따른 최적의 성상도를 구성하는 방법을 도시한 도면이다. 본 발명은 APSK (Amplitude and Phase-Shift Keying) 를 기반으로 하여 최적의 성상도를 구성하는 방법을 제안한다. 쉐이핑 게인(Shaping gain) 을 얻기 위해서는 둥근 형태의 성상도를 구성해야 한다. 따라서, 변형된 APSK 타입의 성상도, 즉 논 유니폼 APSK (Non Uniform APSK)가 활용될 수 있다. 논 유니폼 APSK 는 각각의 동심원 상에 위치하는 성상도 포인트 간의 거리/각도가 일정하지 않을 수 있다. 여기서, 논 유니폼 APSK 는 논 유니폼 성상도(Non Uniform Constellation, NUC) 라 불릴 수 있다. 본 발명은 최적의 성상도 포인트들의 위치를 찾기 위해서 성상도 스플릿팅(constellation splitting) 0026# 비트 앨로케이션(bit allocation) 방법을 제안한다. 성상도 스플릿팅이란, 성상도 포인트들을 나누어 성상도를 생성하는 것을 말한다. QPSK 에서 시작하여 각 성상도 포인트를 2개로 나누어 8개의 성상도 포인트를 만들 수 있다. 마찬가지 방법으로 16, 32, 64, ... 개의 성상도 포인트들을 생성할 수 있다. 비트 앨로케이션이란, 성상도 스플릿팅으로 인하여 각 단계마다 2배로 성상도 포인트가 늘어날 때마다, 각 성상도에 1 비트씩을 할당하는 것을 말한다. 래디우스-앵글 스플릿팅에 대해 설명한다. QPSK 의 한 성상도 포인트 (a) 가 도시되었다. 이 성상도 포인트의 레이블링은 00 일 수 있다. 먼저, 성상도 포인트 (a) 를 방사(radial) 방향으로 스플릿팅하여 두 개의 성상도 포인트 (b), (c) 를 만들 수 있다. 다시, 성상도 포인트 (a) 를 각(angle) 방향으로 스플릿팅하여 두 개의 성상도 포인트 (d), (e) 를 만들 수 있다.이 후, 각각의 성상도에 3번째 비트가 할당될 수 있다. 도시된 바와 같이, 각각의 성상도 포인트들은 xx0 또는 xx1 로 비트가 할당될 수 있다. 여기서, xx 는 스플릿팅되기 전의 성상도 포인트의 레이블링을 의미할 수 있다. 즉, 이 경우에는 000 또는 001 로 비트가 할당될 수 있다. 복소평면의 다른 사분면에 대해서도 마찬가지로, 1사분면과 마찬가지로 스플릿팅 0026# 비트 앨로케이션이 가능하다. 스플릿되기 전의 성상도 포인트 (a) 는 각각 x, y 축에 대하여 대칭이므로 리플렉션(reflection) 을 통해 나머지 사분면들의 성상도 포인트의 위치와 그 레이블을 구할 수 있다. 이 경우 다른 사분면의 성상도 포인트에 할당되는 3번째 비트는 1사분면의 리플렉션을 통해서 그레이 레이블링(GRAY labeling) 이 유지될 수 있다. 도 32 는 본 발명의 다른 실시예에 따른 최적의 성상도를 구성하는 방법을 도시한 도면이다. 조인트 래디우스-앵글 스플릿팅에 대해 설명한다. 한번에 두가지 방법의 스플릿팅(radius 0026# angle) 이 동시에 적용될 수 있다. 이 경우 A, B, C, D 의 네개의 성상도가 생성될 수 있다. 생성된 성상도 각각에는 그레이 레이블링이 되도록 2비트씩이 할당될 수 있다. 도시된 바와 같이, 반경 측면과 각도 측면에서 각각의 성상도가 그레이 레이블링을 유지하도록 두 비트가 할당될 수 있다. 여기서, 그레이 레이블링이란 인접한 성상도가 가지는 비트간에 한 비트씩만 값이 차이나도록 비트들을 할당하는 것을 의미할 수 있다. 각각의 A와 D, 그리고 B와 C는 반드시 같은 반경(radius)에 위치할 필요는 없으며, 마찬가지로 A와 B, C와 D는 같은 각도 상에 위치할 필요는 없다. 단, 같은 반경, 같은 각도의 조건을 가질 경우, 추후 찾아야할 파라미터의 개수가 줄어들게 된다. 따라서 서칭 타임(searching time) 이 감소하는 반면에, 같은 반경, 각도 상에 위치해야 하므로 성상도의 자유도가 떨어질 수 있다. 즉, 서칭 타임과 성상도의 캐패시티(성능) 간에 트레이드 오프(trade-off)가 존재할 수 있다. 여기서는, 빠른 서칭 타임을 위하여 반경이 같은 경우(OA=OD, OB=OC)를 고려할 수 있다. 또한 성상도의 사이즈, 즉 성상도 포인트의 개수는 2^m (m:짝수) 인 경우만 고려할 수 있다. 단, 이는 일 실시예일 뿐이며, 본 발명은 이 경우로 한정되지 아니한다. 마찬가지로 나머지 2,3,4 분면도 리플렉션을 통해 성상도의 레이블링이 결정되게 된다. 리플렉션되므로 마찬가지로 반경 측면과 각도 측면에서 각각의 성상도가 그레이 레이블링을 유지될 수 있다. 도 33 은 본 발명의 일 실시예에 따른 논 유니폼 성상도(NUC) 를 생성하는 방법을 도시한 도면이다. 2^m NUC 는 2^(m-2) NUC 를 이용하여 생성될 수 있다. 즉, 여기서는 전술한 조인트 래디우스-앵글 스플릿팅 방법이 사용될 수 있다. 따라서 16 NUC 역시, QPSK 로부터 생성될 수 있다. 16 NUC 에는 두 개의 링(ring)이 존재할 수 있고, 각각의 링에는 사분면 당 2개의 성상도 포인트가 존재할 수 있다. 따라서 총 16 개의 성상도가 16 NUC 에 존재할 수 있다. 여기서, 링이란 복소평면 상에서 원점을 중심으로 한 동심원을 의미할 수 있다. 도시된 수식에서, rn 은 각 링의 반경(radius) 를 의미할 수 있다. 여기서 n 은 링의 인덱스를 의미할 수 있다. 또한, θi,j 는 같은 반경 상에서 성상도 스플릿팅이 이루어지는 각도를 의미할 수 있다. 따라서 같은 반경을 따라 스플릿팅되는 두 성상도 간의 각도 차이는 2θi,j 일 수 있다. 여기서 i는 링의 인덱스를, j 는 스플릿팅 인덱스를 의미할 수 있다. 전술한 바와 같이 링 별로 성상도의 분포(distribution)이 같을 필요가 없으므로, θ 는 링 인덱스 i 를 가질 수 있다. 따라서, 16 NUC 의 각 성상도들은 r0, r1과 θ0,0, θ1,0 으로 그 좌표가 표시될 수 있다. 마찬가지로 64 NUC 의 경우 n 의 인덱스는 0 - 3, i 의 인덱스는 0-3, j 의 인덱스는 0-1 일 수 있다. 256 NUC 의 경우 n 의 인덱스는 0 - 7, i 의 인덱스는 0-7, j 의 인덱스는 0-2 일 수 있다. 각 인덱스는 정수값을 가진다. 이를 일반화시키면 2^m NUC 는 2^(m/2-1) 개의 링을 가지고, 각각의 링에는 한 사분면 당 k 개의 성상도 포인트를 가질 수 있다. 여기서 k 는 m/2-1 의 값을 가질 수 있다. BICM 캐패시티를 최대화할 수 있는 rn 과 θi,j 를 찾으면, 최고의 캐패시티를 가지는 성상도를 얻을 수 있다. r0 는 1 의 값을 가진다고 가정할 수 있다. rn (n≠0)을 찾은 뒤, 평균파워 1 을 가정하면 되므로 r0는 따로 결정될 필요가 없을 수 있다. 도 34 는 본 발명의 일 실시예에 따른 비트 할당을 위한 수식을 도시한 도면이다.비트 할당을 위한 방법을 설명한다. 비트들은 반경(radial)과 각도(angle) 측면에서 모두 GRAY 규칙을 지키는 방향으로 할당되어야 할 수 있다.2^m 성상도의 한 성상도 포인트는 m 비트를 전송할 수 있다. m 비트의 각 비트들에 b0b1...bm-1 와 같이 이름 붙일 수 있다. 그러면 이중 2 비트는 해당 성상도 포인트가 어느 사분면에 위치하느냐에 의해 결정되고, 나머지 m-2 비트 중, 절반은 링 인덱스에 의해 결정되며, 나머지 절반은 링 위의 각도 위치(angular position)에 의해 결정될 수 있다. 본 실시예에서는 편의상 b0b1이 사분면에 의해 결정되고, b2b4...bm-2 가 링 인덱스에 의해 결정되며, b3b5...bm-1이 각도에 의해 결정된다고 가정할 수 있다. 도시된 LOC 계산식으로 각 성상도의 좌표가 결정될 수 있다. 이렇게 결정된 성상도들은 인접된 성상도 포인트간에 반경과 각도 측면에서의 GRAY 규칙이 유지될 수 있다. 여기서, 할당된 비트들은 서로 치환(exchanged)될 수 있다. 이러한 치환은 GRAY 규칙을 유지하면서 수행될 수 있다. 이 때 비트들이 치환되더라도 전체 BICM 캐패시티는 변하지 않을 수 있다. 이러한 치환을 수행하는 함수를 ConvGRAY 라고 지칭할 수 있다.예를 들어 ConvGRAY 에 따를 때, 2 비트의 경우(m=2 인 경우), 00,01,10,11은 00,01,11,10로 일대일 치환될 수 있다. 마찬가지로 ConvGRAY 에 따를 때, 3 비트의 경우(m=3 인 경우), 000,001,010,011,100,101,110,111은 000,001,011,010,110,111,101,100로 일대일 치환될 수 있다. 여기서, 3비트의 경우의 치환 후 값들은 총 6개의 값을 가진다. 설명을 위해 이를 순서대로 1, 2, 3, ..., 6 번째 값이라고 하자. 1, 2, 3 번째 값의 첫번째 비트는 0 의 값을 가진다. 1, 2, 3 번째 값의 두번째, 세번째 비트들은 2비트의 경우의 치환 후 값들임을 알 수 있다. 4, 5, 6 번째 값의 첫번째 비트는 1 의 값을 가진다. 4, 5, 6 번째 값의 두번째, 세번째 비트들은 2비트의 경우의 치환 후 값들이 역순으로 배열된 것임을 알 수 있다. 이와 같은 방법으로 n-1 비트의 치환 후 값을 알면, n 비트의 치환 후 값을 구할 수 있다. 이렇게 n 비트의 값으로 확장하게 될 경우를 수식화하면 도시된 수식과 같아질 수 있다. Inv_ConvGRAY 는 ConvGRAY 의 역함수를 의미할 수 있다. 전술한 바와 같이 ConvGRAY 함수는 링 인덱스를 이용하여, b2b4...bm-2 를 결정할 수 있고, 각도에 의하여 b3b5...bm-1를 결정할 수 있다. 그 역함수인, Inv_ConvGRAY 는 각 비트값을 입력으로 하여 링 인덱스와 각도를 얻을 수 있다. 즉, b2b4...bm-2 를 이용하여 링 인덱스를 결정할 수 있고, b3b5...bm-1를 이용하여 각도들을 결정할 수 있다.결정된 성상도의 성능을 측정하기 위해서는, 그 결정된 성상도의 BICM 캐패시티를 계산하여 비교해야 한다. BICM 캐패시티는 AWGN (Additive White Gaussian Noise)과 IID (Individually Identical Distributed) 인풋을 가정할 수 있다. AWGN 은 기본적으로 사용되는 베이직 노이즈 모델을 의미할 수 있다. IID 는 인풋이 독립적이고, 동일/균등하게 분포되어 있다는 의미일 수 있다. BICM 캐패시티는 상기 수학식을 이용하여 계산될 수 있다. 이 식을 이용하여 BICM 캐패시티가 최대가 되게 하는 r 과 θ 를 찾을 수 있다. AWGN 과 IID 인풋을 가정했으므로, y=x+n 으로 생각할 수 있다. 여기서 n 은 AWGN 노이즈를 의미할 수 있다. p(bi=0)=p(bi=1)=1/2 임을 가정할 수 있다. 즉, x 가 성상도이고, M 은 성상도 사이즈라 할 때, p(x=Mj)=1/M 일 수 있다. 여기서, Mj 는 bi=j 일 때의 성상도일 수 있다. 도시된 바와 같이, BICM 캐패시티 함수는 가우시안 함수의 적분 형태로 표현 가능할 수 있다. 구체적으로 파라미터 r 과 θ 를 찾는 방법으로는, 알고리즘 A 와 알고리즘 B 가 있을 수 있다. 알고리즘 A 에 대해서 설명한다. 먼저, 과 를 선정할 수 있다. 그 후, 와, 의 모든 ri, θi,j 조합에 대하여, BICM 캐패시티를 계산할 수 있다. 여기서, ri_init 과 θi,j_init 는 각각 초기값으로서, 이 알고리즘에 의해 더 최적의 값으로 변경되어질 값들이다.예를 들어 성상도 사이즈가 16 인 경우에는 r은 1개, θ 는 2개 이므로 총 3^(1+2) 개의 BICM 캐패시티가 계산될 수 있다. r 이 1개인 이유는 전술한 바와 같이 r0 이 1 로 가정되어 있기 때문이다. 이렇게 계산되어진 BICM 캐패시티들을 비교하여, 가장 큰 BICM 캐패시티를 갖는 파라미터 조합으로 ri_init 과 θi,j_init 을 업데이트 할 수 있다. 만일 가장 큰 캐패시티를 갖는 조합이 ri_init, θi,j_init이면 알고리즘을 멈출 수 있다. 그렇지 않으면 가장 큰 캐패시티를 갖는 파라미터 조합을 새로운 ri_init, θi,j_init 으로 삼고 계속해서 알고리즘을 수행할 수 있다. 알고리즘이 수행됨에 따라 ri_init, θi,j_init 값이 계속해서 업데이트될 수 있다.이 후, 과 를 절반으로 줄이고(binary search), 전술한 알고리즘을 수행할 수 있다. 즉 절반으로 줄어든 과 를 이용하여 BICM 캐패시티를 계산해 비교하고, 최대의 캐패시티를 갖는 파라미터 조합으로 ri_init, θi,j_init 값을 업데이트해 나갈 수 있다. 단, 여기서는 전술한 것과 달리, ri 에 대해서는, 를, θi,j 에 대해서는, 의 범위에서 BICM 캐패시티가 계산될 수 있다. 그 후, 전술한 것과 마찬가지로 가장 큰 capacity를 갖는 조합이 ri_init, θi,j_init이면 알고리즘을 멈추고, 그렇지 않으면 가장 큰 capacity를 갖는 파라미터 조합을 새로운 ri_init, θi,j_init 으로 삼고 계속해서 알고리즘을 수행할 수 있다. 이렇게 알고리즘을 반복하게 되면, 과 가 충분히 작아지게 되고, 과 가 충분히 작아져 BICM 캐패시티가 수렴(saturation)되었다고 판단되면 알고리즘을 멈출 수 있다. 이 알고리즘 A 는 찾아야할 파라미터의 개수가 많으면, 최종 수렴까지 시간이 많이 걸릴 수 있다. 파라미터의 개수가 많을 경우에는 후술할 알고리즘 B 를 이용할 수 있다. 알고리즘 B 는 독자적으로 사용 가능하지만, 필요한 경우 알고리즘 A 를 먼저 이용하고 그 결과를 알고리즘 B 에 이용할 수도 있다.알고리즘 B 에 대해서 설명한다. 먼저, 초기 성상도를 설정할 수 있다. 예를 들어, rn = n+1, (n=0,1,…) 과 같이 설정할 수 있다. θ는 성상도 포인트가 0~2 까지 균일하게 존재하도록, 즉 2 를 균등하게 나눈 값을 이용하여 결정할 수 있다. 이 초기 성상도는 본 알고리즘을 통해 최적의 성상도로 수렴해 갈 수 있다. 랜덤하고 유니폼하게, 임의의 두 r 파라미터, ri, rj 의 각각의 인덱스인, i, j 를 선정할 수 있다. 여기서 편의상 를 가정할 수 있다. 전체 평균 파워는 불변이므로, 라고 둘 수 있다. 여기서 C 는 상수이다. 따라서, 가 성립할 수 있다. 이 조건 하에서 가능한 모든 ri, rj 값에 대해 BICM 캐패시티를 체크할 수 있다. 이 경우 체킹에는 전술한 바이너리 서치가 사용될 수 있다. 계산된 BICM 캐패시티 중 최대값을 가지게 하는 파라미터 조합으로 ri, rj 를 업데이트 할 수 있다. 여기서, 바이너리 서치란, 파라미터 a 에서의 성능이 파라미터 b 에서의 성능보다 떨어질 경우, a 를 (a+b)/2 로 업데이트하여 계속 알고리즘을 수행해나가는 방식을 의미할 수 있다. 마찬가지로 랜덤하고 유니폼하게, 임의의 링 인덱스 i 가 선정될 수 있다. 해당 링 인덱스의 링 위에 위치하는 성상도 포인트를 결정하는 θi,j 를 최적화할 수 있다. 이 최적화 과정 역시 바이너리 서치를 이용할 수 있다. 여기서 j=0,1,…, 의 값을 가질 수 있고, n 이 m 보다 작거나 같을 경우, 임을 가정할 수 있다. 마찬가지로 θi,n 를 바이너리 서치를 이용해 최적화하여, 최적의 θi,j 를 결정해낼 수 있다. BICM 캐패시티가 수렴되었다고 판단되면 알고리즘을 멈추고, 그렇지 않으면 다시 파라미터, ri, rj 의 각각의 인덱스인, i, j 를 선정하여 알고리즘을 반복할 수 있다. 알고리즘 B 의 경우 파라미터를 랜덤하고 유니폼하게 선택하는 것이 중요할 수 있다. 그렇지 않으면 수렴하는데 걸리는 시간이 길어지거나, 로컬 미니마(local minima)로 수렴될 수 있다. 알고리즘 A 를 먼저 수행한 후 그 결과 값을 알고리즘 B 의 초기 값으로 사용하는 경우, 수렴하는데 걸리는 시간을 많이 단축할 수 있다. 도 35 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 16 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면이다.각 성상도 포인트 들은 4개의 비트로 표현될 수 있다(b0b1b2b3). b0b1 은 확장 전의 QPSK 의 레이블일 수 있다. b2 는 반경 스플릿팅(radius-splitting) 에 의해 스플릿될 때 할당된 비트일 수 있다. b3 는 각도 스플릿팅(angle-splitting) 에 의해 스플릿될 때 할당된 비트일 수 있다. 처음 두 비트 b0b1 을 제외한 나머지 비트들은 X 축과 Y 축에 대하여 대칭(symmetric)일 수 있다. 전술한 것과 같이 b0b1 은 성상도 포인트가 어느 사분면에 있는지를 결정할 수 있고, 각각의 비트들은 반경과, 각도 측면에서 GREY 규칙을 만족할 수 있다. 수신측에서는 성상도로부터 비트들을 디매핑할 수 있다. 이는 전술한 성상도에 비트들을 매핑하는 과정의 역과정일 수 있다. 이러한 디매핑을 통해 LLR 을 구할 수 있고, 이 LLR 은 소프트 인풋의 형태로 FEC 디코딩에 사용될 수 있다. 디매핑에 있어, LLR 을 구하는 과정은 다음과 같은 수식으로 표현될 수 있다. 여기서, C 는 상수, 는 복소 노이즈 파워(complex noise power), 는 i 번째 비트가 j 인 성상도 포인트들의 세트를 의미할 수 있다. 여기서 j 는 0 또는 1 일 수 있다. 또한 는 어 프라이어리(a priori) 확률을 의미할 수 있다. 여기서, bi 가 비트별로(bit-by-bit) 동등-확률(equi-probable) 을 만족함이 가정될 수 있다. 만약 반복적(iterative) 디코딩이 사용될 경우, bi 가 동등-확률이라는 가정은 유효하지 않고, 어 프라이어리(a priori) 확률은 FEC 로부터의 외부 정보로 변형되어야 할 수 있다. 또한, 맥스-로그(max-log) LLR 이 가정되며, t=r/H 일 수 있다. s1 은 i 번째 비트가 1 인 t 로 부터 가장 가까운 성상도일 수 있고, s0 은 i 번째 비트가 0 인 t 로 부터 가장 가까운 성상도일 수 있다. 도 36 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 16 NUC 의 각 파라미터들을 도시한 도면이다.각 파라미터들은 전술한 방법에 의해 결정된 것들일 수 있다. 각 SNR(dB) 에 대하여 최적의 캐패시티를 가지게 하는 r 값과 θ 값들이 나열되어 있다. 해당 파라미터를 가질 때의 최적의 BICM 캐패시티 값 역시 계산되어 있다. 여기서, r0 이 1 이 아닌 경우는, 평균 파워가 1 로 노말라이즈드 되어 있기 때문이다. 도 37 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 16 NUC 의 각 파라미터들에 기반하여, 각 SNR 별 성상도를 도시한 도면이다.전술한 방법에 의해 결정된 각 SNR 별 최적의 캐패시티를 가지게 하는 r 값과 θ 값들을 복소평면 상에 성상도로 표시한 것이다.도 38 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 16 NUC 의 BICM 캐패시티를 비교한 그래프를 도시한 도면이다.여기서 X 축은 SNR(dB) 를 의미하고, Y 축은 BICM 캐패시티를 의미할 수 있다. 각 그래프는 해당 SNR(x값)에서, 섀논(Shannon) 캐패시티와 해당 성상도의 캐패시티 차이(y값)을 도시한 그래프일 수 있다. 여기서, 섀논 캐패시티는 BICM 이론상 최대 BICM 캐패시티를 의미할 수 있다. 따라서, y 값이 작을수록 성능이 좋다는 것을 의미할 수 있다. Q16 은 유니폼 QAM-16, NuQ16 은 논 유니폼 QAM-16, NuA16 은 NUC-16 을 의미할 수 있다. 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 NUC-16 이 가장 성능이 좋은 것을 알 수 있다. 도 39 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 64 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 일부이다.도 40 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 64 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 다른 일부이다.도시된 도표는, 전술한 방법에 의해 결정된 각 SNR 별 최적의 캐패시티를 가지게 하는 r 값과 θ 값들을 복소평면 상에 성상도로 표시한 것이다. 여기서, r0 이 1 이 아닌 경우는, 평균 파워가 1 로 노말라이즈드 되어 있기 때문이다. 상기 두 도표는 원래 하나의 도표이나, 공간의 제약에 의해 두 개의 도표로 나뉘어 도시되었다.도 41 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 64 NUC 의 각 파라미터들에 기반하여, 각 SNR 별 성상도를 도시한 도면이다.전술한 방법에 의해 결정된 각 SNR 별 최적의 캐패시티를 가지게 하는 r 값과 θ 값들을 복소평면 상에 성상도로 표시한 것이다.도 42 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 64 NUC 의 BICM 캐패시티를 비교한 그래프를 도시한 도면이다.여기서 X 축은 SNR(dB) 를 의미하고, Y 축은 BICM 캐패시티를 의미할 수 있다. 각 그래프는 해당 SNR(x값)에서, 섀논(Shannon) 캐패시티와 해당 성상도의 캐패시티 차이(y값)을 도시한 그래프일 수 있다. 여기서, 섀논 캐패시티는 BICM 이론상 최대 BICM 캐패시티를 의미할 수 있다. 따라서, y 값이 작을수록 성능이 좋다는 것을 의미할 수 있다. Q64 는 유니폼 QAM-64, NuQ64 는 논 유니폼 QAM-64, NuA64 는 NUC-64 을 의미할 수 있다. 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 NUC-64 가 가장 성능이 좋은 것을 알 수 있다. 도 43 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 256 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 일부이다.도 44 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 256 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 다른 일부이다.도 45 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 256 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 또 다른 일부이다.도 46 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 256 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 또 다른 일부이다.도시된 도표는, 전술한 방법에 의해 결정된 각 SNR 별 최적의 캐패시티를 가지게 하는 r 값과 θ 값들을 복소평면 상에 성상도로 표시한 것이다. 여기서, r0 이 1 이 아닌 경우는, 평균 파워가 1 로 노말라이즈드 되어 있기 때문이다. 상기 네 도표는 원래 하나의 도표이나, 공간의 제약에 의해 네 개의 도표로 나뉘어 도시되었다.도 47 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 256 NUC 의 각 파라미터들에 기반하여, 각 SNR 별 성상도를 도시한 도면이다.전술한 방법에 의해 결정된 각 SNR 별 최적의 캐패시티를 가지게 하는 r 값과 θ 값들을 복소평면 상에 성상도로 표시한 것이다.도 48 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 256 NUC 의 BICM 캐패시티를 비교한 그래프를 도시한 도면이다.여기서 X 축은 SNR(dB) 를 의미하고, Y 축은 BICM 캐패시티를 의미할 수 있다. 각 그래프는 해당 SNR(x값)에서, 섀논(Shannon) 캐패시티와 해당 성상도의 캐패시티 차이(y값)을 도시한 그래프일 수 있다. 여기서, 섀논 캐패시티는 BICM 이론상 최대 BICM 캐패시티를 의미할 수 있다. 따라서, y 값이 작을수록 성능이 좋다는 것을 의미할 수 있다. Q256 는 유니폼 QAM-256, NuQ256 는 논 유니폼 QAM-256, NuA256 는 NUC-256 을 의미할 수 있다. 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 NUC-256 가 가장 성능이 좋은 것을 알 수 있다. 도 49 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 일부이다.도 50 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 다른 일부이다.도 51 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 또 다른 일부이다.도 52 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 또 다른 일부이다.도 53 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 또 다른 일부이다.도 54 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 또 다른 일부이다.도 55 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 또 다른 일부이다.도 56 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 또 다른 일부이다.도 57 는 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 또 다른 일부이다.도 58 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 및 그에 할당된 비트들을 도시한 도면의 또 다른 일부이다.도시된 도표는, 전술한 방법에 의해 결정된 각 SNR 별 최적의 캐패시티를 가지게 하는 r 값과 θ 값들을 복소평면 상에 성상도로 표시한 것이다. 여기서, r0 이 1 이 아닌 경우는, 평균 파워가 1 로 노말라이즈드 되어 있기 때문이다. 상기 10개의 도표는 원래 하나의 도표이나, 공간의 제약에 의해 10 개의 도표로 나뉘어 도시되었다.도 59 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 의 각 파라미터들에 기반하여, 각 SNR 별 성상도를 도시한 도면이다.전술한 방법에 의해 결정된 각 SNR 별 최적의 캐패시티를 가지게 하는 r 값과 θ 값들을 복소평면 상에 성상도로 표시한 것이다.도 60 은 본 발명의 일 실시예에 따라 생성된 1024 NUC 의 BICM 캐패시티를 비교한 그래프를 도시한 도면이다.여기서 X 축은 SNR(dB) 를 의미하고, Y 축은 BICM 캐패시티를 의미할 수 있다. 각 그래프는 해당 SNR(x값)에서, 섀논(Shannon) 캐패시티와 해당 성상도의 캐패시티 차이(y값)을 도시한 그래프일 수 있다. 여기서, 섀논 캐패시티는 BICM 이론상 최대 BICM 캐패시티를 의미할 수 있다. 따라서, y 값이 작을수록 성능이 좋다는 것을 의미할 수 있다. Q1024 는 유니폼 QAM-1024, NuQ1024 는 논 유니폼 QAM-1024, NuA1024 는 NUC-1024 을 의미할 수 있다. 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 NUC-1024 가 가장 성능이 좋은 것을 알 수 있다. QAM-16 및 NUQ들은 스퀘어 모양을 갖는 반면, NUC들은 임의의 모양 (shape)을 갖는다. 각 성상도 (constellation)가 90도의 정수배 만큼 회전되었을 때, 회전된 성상도는 원래의 성상도 (original constellation)에 대해 정확히 오버랩될 수 있다. 이 "로테이션-센스" 대칭 방법은 실수부 및 허수부의 커패시티 및 평균 파워들을 서로 동일하게 할 수 있다. 도 61 은 본 발명의 일 실시예에 따른 5/15 코드레이트를 위한 16 NUC 의 성상도 및 성상도의 좌표를 도시한 도면이다. 도면 좌측은 5/15 코드레이트를 위한 16 NUC 의 성상도를 나타내며, 도면 우측은 각 비트들이 할당된 성상도 포인트의 좌표를 나타낸 테이블이다. 도 62 는 본 발명의 일 실시예에 따른 6/15 코드레이트를 위한 16 NUC 의 성상도 및 성상도의 좌표를 도시한 도면이다. 도면 좌측은 6/15 코드레이트를 위한 16 NUC 의 성상도를 나타내며, 도면 우측은 각 비트들이 할당된 성상도 포인트의 좌표를 나타낸 테이블이다. 도 63 은 본 발명의 일 실시예에 따른 7/15 코드레이트를 위한 16 NUC 의 성상도 및 성상도의 좌표를 도시한 도면이다. 도면 좌측은 7/15 코드레이트를 위한 16 NUC 의 성상도를 나타내며, 도면 우측은 각 비트들이 할당된 성상도 포인트의 좌표를 나타낸 테이블이다. 도 64 는 본 발명의 일 실시예에 따른 8/15 코드레이트를 위한 16 NUC 의 성상도 및 성상도의 좌표를 도시한 도면이다. 도면 좌측은 8/15 코드레이트를 위한 16 NUC 의 성상도를 나타내며, 도면 우측은 각 비트들이 할당된 성상도 포인트의 좌표를 나타낸 테이블이다. 도 65 는 본 발명의 일 실시예에 따른 9/15 코드레이트를 위한 16 NUC 의 성상도 및 성상도의 좌표를 도시한 도면이다. 도면 좌측은 9/15 코드레이트를 위한 16 NUC 의 성상도를 나타내며, 도면 우측은 각 비트들이 할당된 성상도 포인트의 좌표를 나타낸 테이블이다. 도 66 은 본 발명의 일 실시예에 따른 10/15 코드레이트를 위한 16 NUC 의 성상도 및 성상도의 좌표를 도시한 도면이다. 도면 좌측은 10/15 코드레이트를 위한 16 NUC 의 성상도를 나타내며, 도면 우측은 각 비트들이 할당된 성상도 포인트의 좌표를 나타낸 테이블이다. 도 67 은 본 발명의 일 실시예에 따른 IQ-밸런스드/IQ-시메트릭 논 유니폼 성상도 매핑의 과정을 도시한 도면이다. 본 발명은 최적의 BICM 캐패시티를 얻기 위한 또 다른 성상도 생성 방법으로, IQ-밸런스드/IQ-시메트릭 논 유니폼 성상도 매핑(IQ-balanced/IQ-symmetric Non Uniform Constellation Mapping) 방법을 제안한다. 먼저, BICM 캐패시티를 최대화시키는 성상도 포인트들을 찾기 위해서는, 몇가지 가정과 제한조건들이 필요하다. 이하, 몇가지 제한에 대하여 설명한다.제한#1 은, 모든 성상도 포인트들이 같은 확률로 발생된다는 것이다. 각각의 성상도 포인트들의 확률(probabilities)는 서로 간에 동일할 수 있다. 제한#2 는, 성상도 포인트들에는 바이어스(bias)가 없다는 것이다. 즉, 모든 성상도 포인트의 평균 값을 구하면 0 일 수 있다. 또한, 제한#1 을 적용하면, 모든 성상도 포인트들의 합은 0 일 수 있다. 제한#3 은, 성상도의 평균 파워는 상수라는 것이다. 즉, 평균 파워는 상수 P 로 고정된 값을 가질 수 있다. 제한#4-1 은, IQ-밸런스드 매핑을 위해서는, I 축의 BICM 캐패시티와 Q 축의 BICM 캐패시티가 같아야 한다는 점이다. 예를 들어, 90 의 배수인, 90, 180, 270 도 만큼 성상도를 회전시켜도 원래의 성상도와 일치한다면, 그 성상도는 IQ-밸런스드 되었다고 할 수 있다. 즉, 한 성상도 포인트를 90 의 배수만큼 회전시켰을 때, 그 회전된 성상도 포인트가 원래의 성상도 집합의 성상도 포인트 중 하나와 오버랩된다면, 그 성상도는 IQ-밸런스드 되었다고 할 수 있다. 이하, 본 발명에 있어서, 전술한 바와 같이 90의 배수만큼 회전시 원래의 성상도와 일치하는 경우를 IQ-밸런스드 매핑 방식으로 고려하겠다.제한#4-2 는, IQ-시메트릭(symmetric) 매핑을 위해서는, I 축의 BICM 캐패시티와 Q 축의 BICM 캐패시티가 같지 않아야 한다는 점이다. IQ-시메트릭 매핑을 위해서는, 성상도가 I 축과 Q 축에 대하여 대칭이어야 할 수 있다. 예를 들어, si가 성상도의 한 성상도 포인트라면, conj(si), -conj(si), 그리고 - si 도 그 성상도의 성상도 포인트여야 할 수 있다. 제한#4-1 과 제한#4-2 는, 동시에 만족되지 않을 수도 있다. IQ-밸런스드 매핑을 위해서는 제한#4-1 이 만족되어야 하고, IQ-시메트릭 매핑을 위해서는 제한#4-2 가 만족되어야 할 수 있다. IQ-밸런스드 매핑이면서, IQ-시메트릭 매핑이 되기 위해서는 두 제한을 동시에 모두 만족시켜야 한다. IQ-밸런스드/IQ-시메트릭 논 유니폼 성상도 매핑 방법에 따라, 비균등하게 분포된 성상도 포인트들을 가진 성상도를 만드는 방법을 설명한다.본 발명에서, 최적의 캐패시티를 제공하는 성상도를 찾기 위하여, 2차원 복소평면의 성상도 포인트들이 이동될 수 있다. 성상도 포인트들을 이동시켜가면서 BICM 캐패시티가 최적화되는 성상도를 찾을 수 있다. 허나, 하나의 성상도 포인트만이 이동되면 전술한 제한#1 및/또는 제한#2 가 만족되지 않을 수 있다. 따라서 하나의 성상도 포인트가 이동되면서 제한들이 만족되려면 다른 성상도 포인트 역시 동시에 이동되어야 할 수 있다. 여기서는 i와 j번째 성상도 포인트를 움직이도록 한다. 성상도 포인트를 이동시키기 전의 성상도가 IQ-밸런스드 매핑된 상태라고 가정한다. IQ-밸런싱을 유지하기 위하여, i 번째와 j 번째 페어(pair) 에 대응되는 3개의 다른 성상도 포인트 페어들 또한 이동되어야 할 수 있다. 대응되는 3개의 다른 성상도 포인트 페어란, i 번째와 j 번째 성상도 포인트들의 90, 180, 270 도 회전한 성상도 포인트들을 의미할 수 있다. 즉, 성상도 포인트 8 개가 함께 이동되어야 할 수 있다. 이동되는 i 번째와 j 번째 성상도 포인트들을 s0,i, s0,j 라 할 수 있고, 이에 대응되어 이동되는 성상도 포인트들을 sk,i, sk,j --라 할 수 있다. 여기서 k = 1, 2, 3 의 값을 가지며, 각각 90, 180, 270 도로 회전된 경우를 의미할 수 있다. 성상도 포인트 s0,i, s0,j 에 대하여, 도시된 수식 (1), (2) 와 같이 a, b 를 정의할 수 있다. 여기서, 수식 (1), (2) 는 각각 전술한 제한#1, 제한#2 가, 성상도가 이동되는 동안에도 만족됨을 의미할 수 있다. 즉, a, b 는 고정된 상수 값일 수 있다. 또한, 도시된 수식 (3) 과 같이 s0,i 와 a 를 다시 쓴다면 수식 (4) 와 같이 쓸 수 있다. 이 전술한 수식들을 통하여 수식 (5) 가 유도될 수 있다. 수식 (5) 로부터, 두 성상도 두 성상도 포인트들의 이동은 θ라는 하나의 변수로 제어 가능함을 알 수 있다. 수식 (6) 과 같이 다른 성상도 포인트 페어들도, s0,i, s0,j 에 의해 기술될 수 있으므로, 이동되는 모든 성상도 포인트들이 하나의 변수로 제어됨을 알 수 있다. IQ-밸런싱을 유지하면서 이동을 수행하기 때문에, 이동 후에도 성상도의 IQ-밸런싱 특성이 유지될 수 있다. 이와 같은 방법으로 IQ-밸런싱을 유지하며 최적의 캐패시티를 가지는 성상도를 찾을 수 있다. 성상도를 찾기 위하여 이동할 때, θ를 잘게 쪼개서 각각의 θ에 대해 BICM 캐패시티를 계산한 뒤에, BICM 캐패시티를 최대로 하는 θ를 찾는 방법을 사용할 수 있다. 이러한 과정을 통해 총 4개의 세트의 si와 sj를 업데이트해 나갈 수 있다. 비균등하게 분포된 성상도 포인트들을 가진 성상도를 만드는 구체적인 단계들을 설명한다. 각 단계들은 생략될 수도 있으며, 다른 단계에 의해 대체되거나, 각 단계의 순서가 바뀔 수도 있다. 이 단계들은 본 발명의 사상을 설명하기 위함이며, 본 발명이 각 단계에 의해 구성되는 것으로 한정되지 아니한다. 먼저, 초기 성상도를 설정할 수 있다. 이 초기 성상도는 IQ-밸런스드 또는 IQ-시메트릭 성상도일 수 있다. 예를 들어, 초기 성상도는 유니폼 QAM, 논 유니폼 QAM, 논 유니폼 성상도(NUC)일 수 있다. 여기서 NUC 는 전술한 본 발명에 따른 NUC 일 수 있다. 초기 성상도 중에서, 성상도 포인트 두 개가 랜덤하고 유니폼하게 선정될 수 있다(s0,i, s0,j). 여기서 두 성상도 포인트는 다른 성상도 포인트여야 한다. 이 성상도 포인트 두 개는 1 사분면에서 선정될 수 있다. 성상도 포인트 두개가 선정되면 나머지, 2, 3, 4 분면의 성상도 포인트들도 자연적으로 선택될 수 있다. 따라서 총 8 개의 성상도 포인트들이 선택될 수 있다. 초기 성상도가 IQ-밸런스드 인 경우에는, 각 선택된 성상도는 로 표현될 수 있다. 여기서, k=0, 1, 2, 3 의 값을 가지며, i 는 j 로 치환될 수 있다. 초기 성상도가 IQ-시메트릭인 경우, 각 선택된 성상도는 conj(s0,i), -conj(s0,i), - s0,i 로 표현될 수 있다. 마찬가지로, i 는 j 로 치환될 수 있다. 전술한 바와 같이, 초기 성상도가 IQ-밸런스드 또는 IQ-시메트릭인 경우 각 성상도의 평균은 0 일 수 있다. 그 후, 와, BICM 캐패시티를 계산할 수 있다. 이 BICM 캐패시티가 최대가 되도록 각 성상도 포인트들을 이동할 수 있다. 최적의 성상도 위치를 찾는 방법에는 두 가지가 있을 수 있다. 첫번째 방법은, 를 활용하는 것이다. s0,i 를 수직 또는 수평으로 만큼 이동시킬 수 있다. 이에 따라, s0,j 역시, 수직 또는 수평으로 만큼 이동되어야 할 수 있다. 여기서, 는 와 를 이용하여 결정될 수 있다. 따라서, 총 4가지 케이스, , , , 의 이동이 있을 수 있다. 이 방법은 IQ-시메트릭 논 유니폼 성상도 매핑에 사용될 수 있다. 두번째 방법은, θ를 활용하는 것이다. 전술한 것과 같이 θ 에 의해 성상도들의 이동이 제어될 수 있다. 따라서, 적절히 작은 크기의 각도만큼 θ를 변경시켜 가면서, 최적의 캐패시티를 갖는 성상도 위치를 찾아낼 수 있다. 여기서, 적절히 작은 크기의 각도는 실시예에 따라 1 도 일 수 있다. 또한, 각도의 범위는 0-360 도 일 수 있다. 또한, 각도의 범위에는 s0,i -a/2 와 s0,j -a/2 가 포함될 수 있다. 최적의 캐패시티가 서칭 범위내에 있도록 하기 위해서이다. 즉, 서칭 프로세스 중간에 캐패시티가 오히려 감소할 수 있는 여지를 차단시키기 위함이다. 이 방법은 IQ-밸런스드 논 유니폼 성상도 매핑에 사용될 수 있다. 전술한 두 가지 방법에 의해 성상도들을 이동시켜 가면서, 각 성상도 위치에 대해 BICM 캐패시티를 계산할 수 있다. 이동시킨 성상도에 의한 BICM 캐패시티가, 처음 계산한 BICM 캐패시티보다 큰 경우, 그 성상도로 s0,i 와 s0,j 를 업데이트할 수 있다. 이 후, 와 θ 를 감소시켜가며 계속해서 성상도를 찾을 수 있다. 두 파라미터가 충분히 작아지면 다시 초기 성상도 중 다른 두 개의 성상도 포인트를 선정할 수 있다. 그리고, 전술한 과정을 거쳐 새로 선정한 성상도 포인트들에 대한 최적의 위치를 찾을 수 있다.전체 BICM 캐패시티가 수렴하면, 알고리즘을 멈추고 최종 성상도 세트를 얻을 수 있다. 여기서, 캐패시티가 수렴한다는 것은 큰 BICM 캐패시티 증가가 위의 알고리즘으로 발생하지 않는 경우를 의미할 수 있다. BICM 캐패시티의 수렴을 체크하는 것은 매번 si와 sj가 바뀔때마다 할 수도 있고, 모든 M개의 성상도 포인트들을 다 한번씩 체크한뒤에 할 수도 있다.실시예에 따라, 전술한 모든 시드(seed) 성상도에 대하여 위의 알고리즘을 수행한 뒤, 가장 좋은 성능을 가지는 성상도를 선택할 수 있다. 시드 성상도, 즉 초기 성상도는 유니폼 QAM, 논 유니폼 QAM, 논 유니폼 성상도(NUC)일 수 있다. 예를 들어, SNR 10dB 에서의 NUC-64 를, QAM, NUQ, NUC 로부터 알고리즘을 수행하려 얻을 수 있다. 실시예에 따라 9.5dB 나 10.5dB 에서 전술한 알고리즘을 통해 얻은 성상도를 시드 성상도로 삼아 알고리즘을 수행할 수도 있다. 도 68 는 본 발명의 일 실시예에 따른 IQ-밸런스드 논 유니폼 성상도 매핑방법에 의한 SNR 18 dB 에서의 64 NUC 의 성상도를 도시한 도면이다. 본 실시예는, 평균파워가 1인 유니폼-64QAM을 시드 성상도로 삼았고, θ 를 통해 성상도를 찾는 방법을 사용했다. 각도의 증가분은 1도로 했으며 모든 M개의 성상도 포인트들을 si와 sj가 한번씩 업데이트한 뒤에 캐패시티 수렴체크를 했다. 수렴체크는 BICM 캐패시티가가 1.0e-5이상 증가하지 않는지 여부를 봄으로써 수행하였다. 본 성상도는 IQ-밸런스드된 상태이며, n*pi/2-시메트릭을 만족할 수 있다. 도 69는 발명의 일 실시예에 따른 IQ-밸런스드 논 유니폼 성상도 매핑 방법에 의한, 11/15 코드레이트의 16 NUC 의 성상도 및 좌표값들을 도시한 도면이다. 도면 좌측은 11/15 코드레이트를 위한 16 NUC 의 성상도를 나타내며, 도면 우측은 각 비트들이 할당된 성상도 포인트의 좌표를 나타낸 테이블이다. 도 70은 발명의 일 실시예에 따른 IQ-밸런스드 논 유니폼 성상도 매핑 방법에 의한, 12/15 코드레이트의 16 NUC 의 성상도 및 좌표값들을 도시한 도면이다. 도면 좌측은 12/15 코드레이트를 위한 16 NUC 의 성상도를 나타내며, 도면 우측은 각 비트들이 할당된 성상도 포인트의 좌표를 나타낸 테이블이다.도 71은 발명의 일 실시예에 따른 IQ-밸런스드 논 유니폼 성상도 매핑 방법에 의한, 13/15 코드레이트의 16 NUC 의 성상도 및 좌표값들을 도시한 도면이다. 도면 좌측은 13/15 코드레이트를 위한 16 NUC 의 성상도를 나타내며, 도면 우측은 각 비트들이 할당된 성상도 포인트의 좌표를 나타낸 테이블이다.이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 퓨처 캐스트 컨스텔레이션 (Future cast constellation)에 대해 설명한다.본 발명의 일 실시예에 따른 컨스텔레이션 매퍼 (constellation mapper 5030)는 AWGN (Additive White　Gaussian Noise) 및 레일레이 채널 (Rayleigh channel)에서 BICM 커패시티를 최대화할 수 있도록 설계될 수 있다. 이는 BICM 커패시티 분석 및 LDPC 인코딩 및 비트 인터리빙을 통한 BER 시뮬레이션을 통해 획득할 수 있다. 특히 본 발명의 일 실시예에 따른 컨스텔레이션 매퍼 (constellation mapper 5030)는 비트들 단위로 서로 다른 신뢰도 (reliablities)를 가질 수 있도록 동작할 수 있다.본 발명의 일 실시예에 따른 컨스텔레이션 매퍼 (constellation mapper 5030)는 1 차원 성상도 (1-dimensional constellations) 및 2차원 성상도 (2-dimensional constellations)를 제공할 수 있다.이하 본 발명의 일 실시예에 따른 1 차원 성상도 (1-dimensional constellations) 및 2차원 성상도 (2-dimensional constellations)를 설명한다.본 발명의 일 실시예에 따른 1 차원 성상도 (1-dimensional constellations)는 QPSK와 16 QAM을 제외하고, 논 유니폼 QAM (Non-uniform QAM)이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 1 차원 성상도 (1-dimensional constellations)는 종래의 유니폼 QAM에 비해 약간의 하드웨어 복잡도 상승과 함께 이득을 얻을 수 있다. 유니폼 QAM과는 동일한 차수 (order)의 복잡도를 가질 수 있다. 하지만, 그 좌표는 동작하는 SNR 레인지, 코드 레이트에 의존적일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 1 차원 성상도 (1-dimensional constellations)에 따라서, 방송 시스템은 높은 차수의 QAM들 (high order QAMs), 예를 들어 64, 256, 1K QAM에 대해 유니폼 QAM을 필요로 하지 않는다. 또한, 유니폼 QAM은 무한대 (infinite) SNR에서 최적화되는 논 유니폼 QAM에 대한 특별 케이스에서만 사용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 2 차원 성상도 (2-dimensional constellations)은 두 종류(type)의 논 유니폼 성상도 (Non-uniform constellations)이다. 첫번째 타입은 낮은 코드 레이트를 위한 논 유니폼 APSK이고, 두번째 타입은 높은 코드 레이트를 위한 논 유니폼 성상도이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 1 차원 성상도 (1-dimensional constellations)에 따라, 방송 시스템은 논 유니폼 QAM 보다 좀더 높은 하드웨어 복잡도의 대가로써, 더 높은 게인을 획득할 수 있다. 도 72는 본 발명의 일 실시예에 따른 2 차원 성상도 (2-dimensional constellations)을 나타낸 도면이다.좌측은 Non-uniform APSK를 나타내며, 우측은 Non-uniform Constellation을 나타낸다.도 72의 좌측에 도시된 바와 같이, Non-uniform APSK (constellation) 는 I/Q (in-phase/quadrature-phase) 대칭 및 p/2-rotational 대칭 형상을 갖는다.본 발명의 일 실시예에 따른 수신기는 심볼(혹은 셀)을 수신한 뒤에, 어느 컨스텔레이션 좌표와 가장 가까운 지를 찾기 위하여 Non-uniform APSK의 I/Q (in-phase/quadrature-phase) 및 p/2-rotational 대칭을 이용할 수 있다.예를 들어, 수신기는 수신한 심볼들의 phase가 0~pi/4에 속하지 않는 경우, 도면에 도시된 네 가지 축 (I/Q, I=Q, I=-Q) 대해 대칭이동을 시켜 해당 심볼들을 0~pi/4로 속하게 만들 수 있다. 따라서 수신기는 전체 컨스텔레이션의 1/8하고만 비교하고, 위의 대칭이동의 역과정을 통해 전체 컨스텔레이션 상에서 가장 가까운 컨스텔레이션을 찾을 수 있다. 따라서, Non-uniform APSK에 따라, 수신기는 일반적인 논 유니폼 컨스텔레이션과 비교할 때, 단지 1/8의 하드웨어 복잡도만을 요구할 수 있다. Non-uniform APSK의 또 다른 특징으로는 동심원(ring) 상에 컨스텔레이션이 위치하고 그레이 매핑 규칙 (GREY mapping rule)을 따르도록 설계가 되어 있다는 점이다. 이 경우, 동심원의 개수는 sqrt(M)이 될 수 있으며, 동심원 상의 컨스텔레이션의 개수 역시 sqrt(M)이 될 수 있다. 각 동심원들은 동일한 개수의 컨스텔레이션 포인트들을 가질 수 있다. 동심원들 간의 거리 및 각 동심원 내의 포인트들 간의 거리는 논 유니폼할 수 있다. 따라서, Condensed-NuAPSK 및 심플 디시젼 플레인 (simple decision plane)을 쉽게 만들 수 있다. 또한 무시 가능한 성능 열화만으로도, 1 차원 성상도 (1-dimensional constellations)의 낮은 차수, 의 복잡도로써 Max-Log LLR 을 계산할 수 있다. 논 유니폼 APSK 에 따른 디시젼 플레인에 대한 상세 설명은 아래에서 기술한다. 도 72의 우측에 도시된 바와 같이, 논 유니폼 컨스텔레이션은 I/Q (in-phase/quadrature-phase) 대칭 형상을 갖는다. 이는 형식 없이 분산된 컨스텔레이션들을 갖고, 생성 규칙을 갖지 않는다. 또한, 이는 국부적으로 최대 BICM 커패시티를 획득하기 위해 최적화되어 있다. 논 유니폼 컨스텔레이션 (Non-uniform constellation)의 경우, 수신기는 심볼(혹은 셀)을 수신한 뒤에, 어느 컨스텔레이션 좌표와 가장 가까운 지를 찾기 위하여 I/Q 대칭 (symmetry)을 이용할 수 있다. 즉, 수신기는 수신한 심볼들에 대하여 1사분면으로 두 개의 축(I/Q)에 대해 대칭이동 시킨 후, 1사분면 상의 컨스텔레이션 좌표와 비교하고 위의 대칭이동의 역과정을 통해 전체 컨스텔레이션 상에서 가장 가까운 컨스텔레이션을 찾을 수 있다. 따라서 일반적인 2차원 컨스텔레이션 (2-dimensional constellations)의 1/4로 서칭 영역 (searching range)가 줄어들게 된다. 따라서, 논 유니폼 컨스텔레이션에 따라, 수신기는 일반 논 유니폼 컨스텔레이션과 비교할 때, 단지 1/4의 하드웨어 컴플렉서티만을 요구할 수 있다. 도 73 은 본 발명의 일 실시예에 따른 논 유니폼 컨스텔레이션 (Non-uniform constellation)의 디시전 플레인 (decision plane)을 나타낸 도면이다.구체적으로 도 73 은 논 유니폼 컨스텔레이션이 256이고, 코드 레이트가 8/15인 경우의 8 bits에 대응하는 각각의 디시전 플레인을 나타낸다.도면에 도시된 각 디시전 플레인에서 색처리된 부분은 ‘1’을 의미하고, 색처리 되지 않은 부분은 ‘0’을 의미할 수 있으며, 이는 설계자의 의도에 따라 변경 가능한 사항이다.상단 줄의 좌측에 위치한 두 개의 디시전 플레인은 bit b0, bit b1의 디시전 플레인 (decision plane)으로서, I, Q가 디시전 플레인의 바운더리 (boundary)에 해당하는 경우를 나타낸다. 나머지 비트들 중 bit b2, bit b4, bit b6의 디시전 플레인 (decision planes)은 동심원 형태로 표현될 수 있으며, bit b3, bit b5, bit b7의 디시전 플레인은 페이즈 (phase)로 표현될 수 있다.도면에 도시된 바와 같이 디시전 플레인의 가장가리는 I/Q, R(원점으로부터의 거리), 페이즈 (Phase)로 구분이 될 수 있다. 따라서 수신기는 수신한 심볼들을 polar 좌표로 변환한 뒤, R과 페이즈로 구분하여 가까운 컨스텔레이션 좌표를 찾을 수 있다. 이 경우, 수신기의 하드웨어 복잡도의 차수 (order)는 sqrt(M)으로 감소할 수 있다.도 74는 본 발명의 일 실시예에 따른 컨스텔레이션 매핑 AWGN 환경에서의 BICM 커패시티를 나타낸 차트이다.구체적으로 도 74는 일반적인 QAM과 상술한 논 유니폼 QAM (Non-uniform QAM) 및 논 유니폼 컨스텔레이션 (Non-uniform constellations)인 경우의 SNR에 따른 BICM 커패시티를 나타낸다. 16 QAM의 경우, BICM 커패시티에 큰 차이가 없으나, 256 QAM, 1024 QAM의 경우 SNR에 따른 BICM 커패시티의 차이가 있음을 확인할 수 있다.도 75는 본 발명의 일 실시예에 따른 방송 신호 송신 방법의 플로우 차트이다.본 발명의 일 실시예에 따른 방송 신호 송신 장치는 서비스 데이터를 인코딩할 수 있다(S75000). 전술한 바와 같이, 서비스 데이터는 데이터 파이프를 통해 전송될 수 있다. 데이터 파이프는 피지컬 레이어 내에서 논리적 채널(logical channel)이며, 서비스 데이터 또는 이와 관련된 메타 데이터를 운반할 수 있다. 또한 데이터 파이프는 하나 또는 복수의 서비스 또는 서비스 컴포넌트를 운반할 수 있다. 데이터 파이프에 의해 운반되는 데이터는 DP 데이터 또는 서비스 데이터로 칭할 수 있다. 구체적인 인코딩 방법은 도 1, 도 5-6, 도 22 에서 설명한 바와 같다.이 경우 본 발명의 일 실시예에 따른 방송 신호 송신 장치는 도 30 내지 도 74에서 설명한 바와 같이 컨스텔레이션 매핑 (constellation mapping)을 수행할 수 있다.이후, 본 발명의 일 실시예에 따른 방송 신호 송신 장치는 인코딩된 서비스 데이터를 포함하는 적어도 하나 이상의 신호 프레임을 생성할 수 있다(S75010). 구체적인 내용은 도 7 및 도 10-도 21에서 설명한 바와 같다.이후 본 발명의 일 실시예에 따른 방송 신호 송신 장치는 생성된 적어도 하나 이상의 신호 프레임에 포함된 데이터를 OFDM 방식으로 변조할 수 있다(S75020). 구체적인 내용은 도 1 및 도 8에서 설명한 바와 같다.이후 본 발명의 일 실시예에 따른 방송 신호 송신 장치는 변조된 적어도 하나 이상의 신호 프레임을 포함하는 방송 신호들을 전송할 수 있다(S75030). 구체적인 내용은 도 1 및 도 8에서 설명한 바와 같다.도 76은 본 발명의 일 실시예에 따른 방송 신호 수신 방법의 플로우 차트이다.도 76은 도 75에서 설명한 방송 신호 송신 방법의 역과정에 해당한다.본 발명의 일 실시예에 따른 방송 신호 수신 장치는 방송 신호들을 수신할 수 있다(S76000).이후 본 발명의 일 실시예에 따른 방송 신호 수신 장치는 수신한 방송 신호들을 OFDM (Othogonal Frequency Division Multiplexing) 방식으로 복조할 수 있다(S76010). 구체적인 과정은 도 9에서 설명한 바와 같다.이후 본 발명의 일 실시예에 따른 방송 신호 수신 장치는 복조된 방송 신호들로부터 적어도 하나 이상의 신호 프레임을 획득할 수 있다(S76020). 구체적인 과정은 도 9에서 설명한 바와 같다. 이후, 본 발명의 일 실시예에 따른 방송 신호 수신 장치는 파싱된 적어도 하나 이상의 신호 프레임에 포함된 서비스 데이터를 디코딩할 수 있다(S76030). 구체적인 과정은 도 9에서 설명한 바와 같다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 방송 신호 수신 장치는 도 30 내지 도 74에서 설명한 컨스텔레이션 매핑의 역과정을 수행할 수 있다.전술한 바와 같이, 서비스 데이터는 데이터 파이프를 통해 전송될 수 있다. 데이터 파이프는 피지컬 레이어 내에서 논리적 채널(logical channel)이며, 서비스 데이터 또는 이와 관련된 메타 데이터를 운반할 수 있다. 또한 데이터 파이프는 하나 또는 복수의 서비스 또는 서비스 컴포넌트를 운반할 수 있다. 데이터 파이프에 의해 운반되는 데이터는 DP 데이터 또는 서비스 데이터로 칭할 수 있다.장치 및 방법 발명이 본 명세서에 언급되었으며, 이들 장치 및 방법 발명의 설명은 서로 상호보완적으로 적용될 수 있다.본 발명의 사상 또는 범위를 벗어나지 않고 본 발명의 다양한 변형과 변경이 가능하다는 것은 당업자에게 자명하다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구범위 및 그 동등물의 범위 내에서 제공되는 본 발명의 모든 변형과 변경을 커버하는 것으로 의도된다.다양한 실시예가 본 발명을 수행하는 최상의 모드로 기재되었다.본 발명은 방송 신호 제공 필드에서 유용하다.
본 발명은 방송 신호들을 전송하는 장치를 제공한다. 상기 장치는 서비스 데이터를 인코딩하는 인코더, 적어도 하나의 시그널 프레임을 빌딩하기 위해 복수의 OFDM 심볼들에 인코딩된 서비스 데이터를 매핑하는 매퍼, 적어도 하나의 빌딩된 시그널 프레임 내의 데이터를 OFDM 스킴을 이용하여 모듈레이팅하는 모듈레이터 및 모듈레이팅된 데이터를 갖는 방송 신호들을 전송하는 트랜스미터를 포함할 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 리튬 이온 2차 전지용 부극 재료 및 그 제조 방법 및 이것을 사용한 리튬 이온 2차 전지용 부극 및 리튬 이온 2차 전지 NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL FOR LITHIUM ION SECONDARY BATTERIES, METHOD FOR PRODUCING SAME, NEGATIVE ELECTRODE FOR LITHIUM ION SECONDARY BATTERIES USING SAME, AND LITHIUM ION SECONDARY BATTERY [ 기술분야 ] 본 발명은, 인편상 흑연 입자(flake graphite), 소성 탄소(baked carbon) 및 리튬과 합금화 가능한 금속 입자로 이루어지는 리튬 이온 2차 전지용 부극 재료용 복합 입자(composite particle) 및 그 제조 방법 및 이것을 사용한 리튬 이온 2차 전지용 부극 및 그 부극을 사용한 리튬 이온 2차 전지에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 리튬 이온 2차 전지는, 다른 2차 전지에 비해 고전압, 고에너지 밀도라고 하는 우수한 특성을 가지므로, 전자 기기의 전원으로서 널리 보급되어 있다. 최근, 전자 기기의 소형화 및 고성능화가 진행되어, 리튬 이온 2차 전지의 가일층의 고에너지 밀도화에 대한 요청은 점점 높아지고 있다.현재 리튬 이온 2차 전지는, 정극에 LiCoO2, 부극에 흑연을 사용한 것이 일반적이다. 그러나, 흑연 부극은 충방전의 가역성이 우수하지만, 그 방전 용량(discharge capacitance)은 이미 층간 화합물(intercalation compound) LiC6에 상당하는 이론값 372mAh/g에 가까운 값까지 도달해 있어, 가일층의 고에너지 밀도화를 달성하기 위해서는, 흑연보다 방전 용량이 큰 부극 재료를 개발할 필요가 있다.금속 리튬은 부극 재료로서 최고의 방전 용량을 갖지만, 충전시에 리튬이 덴드라이트 형상으로 석출되어 부극이 열화되어, 충방전 사이클이 짧아진다고 하는 문제가 있다. 또한, 덴드라이트 형상으로 석출된 리튬이 세퍼레이터를 관통하여 정극에 도달하여, 단락할 가능성도 있다.그로 인해, 금속 리튬을 대신할 부극 재료로서, 리튬과 합금을 형성하는 금속질물(metallic materials)이 검토되어 왔다. 이들 합금 부극은, 금속 리튬에는 미치지 못하지만 흑연을 훨씬 능가하는 방전 용량을 갖는다. 그러나, 합금화에 수반되는 체적 팽창에 의해 활물질의 분화(粉化), 박리가 발생하여, 아직 실용 레벨의 사이클 특성은 얻어져 있지 않다.전술한 바와 같은 합금 부극의 결점을 개선하기 위해, 금속질물과, 흑연질물(graphite material) 또는 탄소질물(carbon material) 중 어느 한쪽 또는 양쪽과의 복합화가 검토되고 있다. 크게 구별하면 (1) 금속질물, 흑연질물, 탄소질물 전구체를 혼합 후, 열처리하는 것(특허문헌 1) (2) CVD법을 사용하여 금속질물에 탄소질층을 피복하는 것(특허문헌 2) (3) 상기 (2)에 메커니컬 얼로잉을 병용하는 것(특허문헌 3) 등이다. 그러나 상기 (1)∼(3) 중 어느 것에 있어서도, 금속질물의 주위에 흑연질물이나 탄소질물을 단순히 배치하는 것만으로는, 충전시의 금속질물의 팽창을 충분히 완화할 수 없으므로, 활물질의 미분화나 박리와 같은 문제를 해결하는 데에는 이르지 않아, 실용 레벨의 사이클 특성이 얻어져 있지 않은 것이 현상이다.특허문헌 4에서는, 평균 입경이 2∼5㎛이고, 어스펙트비가 3 이하인 흑연질 입자 표면에, 상기 흑연질 입자의 평균 입경의 1/2 이하의 평균 입경인, 리튬과 합금화 가능한 금속 입자를 메카노케미컬 처리하여 부착시킨 후, 상기 메카노케미컬 처리물을 수지 등으로 조립(造粒)(예를 들어, 스프레이 드라이)하고, 상기 조립물에 탄소질 전구체를 함침시키고, 600℃ 이상에서 열처리하여, 금속-흑연질계 입자를 제조하는 금속-흑연질계 입자의 제조 방법이 기재되어 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특허 공개 제2002-231225호 공보일본 특허 공개 제2002-151066호 공보일본 특허 공개 제2002-216751호 공보일본 특허 공개 제2006-294476호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은, 상기한 바와 같은 상황을 감안하여 이루어진 것이다. 부극 재료를 특정 구조로 함으로써, 금속질물인 예를 들어 Si가 팽창, 수축을 반복해도 사이클 특성의 저하를 방지할 수 있는 것을 발명하였다. 이 부극 재료를 리튬 이온 2차 전지 부극 재료로서 사용하여, 충전시의 금속질물의 팽창을 충분히 완화할 수 있고, 흑연의 이론 용량을 초과하는 높은 방전 용량과, 우수한 초기 충방전 효율 및 사이클 특성을 나타내는 재료를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 얻어진 부극 재료를 사용하여 이루어지는 리튬 이온 2차 전지용 부극 및 상기 2차 전지용 부극을 사용한 리튬 이온 2차 전지를 제공하는 것이 목적이다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 인편상 흑연 입자와, 리튬과 합금화 가능한 금속 입자로 이루어지는 구상 또는 대략 구상의 복합체이며, 상기 복합체는 적어도 내부에 공극을 갖고, 상기 인편상 흑연 입자가 상기 복합체의 내부에서는 비평행으로 존재하고, 상기 복합체의 표면에서는 동심원 형상으로 배향하여 존재하고, 또한 상기 금속 입자가 상기 복합체 입자 내에 분산되어 존재하는 부극 재료를 제공한다.즉, 본 발명은 이하를 제공한다.(1) 인편상 흑연 입자, 소성 탄소 및 리튬과 합금화 가능한 금속 입자로 이루어지는 구상의 복합체이며, 상기 복합체가 내부에 공극을 갖고, 또한 상기 인편상 흑연 입자가 상기 복합체의 내부에서는 비평행으로 존재하고, 상기 복합체의 표면에서는 동심원 형상으로 배향하여 존재하고, 또한 상기 금속 입자가 상기 복합체 입자 내부 및/또는 표면에 분산되어 존재하는 것을 특징으로 하는 리튬 이온 2차 전지용 부극 재료.(2) 상기 복합체를 100질량％로 하여, 상기 인편상 흑연 입자 : 98∼60질량％, 상기 소성 탄소 : 1∼20질량％ 및 상기 금속 입자 : 1∼20질량％인 (1)에 기재된 리튬 이온 2차 전지용 부극 재료.(3) 상기 복합체에, 흑연질 섬유를 더 포함하는 (1)에 기재된 리튬 이온 2차 전지용 부극 재료.(4) 상기 복합체를 100질량％로 하여, 상기 인편상 흑연 입자 : 97.5∼55질량％,상기 소성 탄소 : 1∼20질량％, 상기 금속 입자 : 1∼20질량％, 및상기 흑연질 섬유 : 0.5∼5질량％인 (3)에 기재된 리튬 이온 2차 전지용 부극 재료.(5) 상기 인편상 흑연 입자의 평균 편평도(Ly/t)가 0.5∼40인 (1) 내지 (4) 중 어느 한 항에 기재된 리튬 이온 2차 전지용 부극 재료.(6) 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 한 항에 기재된 리튬 이온 2차 전지용 부극 재료를 함유하는 리튬 이온 2차 전지용 부극.(7) 상기 (6)에 기재된 리튬 이온 2차 전지용 부극을 갖는 리튬 이온 2차 전지.(8) 인편상 흑연 입자, 소성 탄소 및 리튬과 합금화 가능한 금속 입자로 이루어지는 구상의 복합체의 제조 방법이며, 상기 인편상 흑연 입자 및 상기 금속 입자를 탄소질 재료 및/또는 탄소질 재료의 전구체인 결착제의 용액에 분산시키고, 분무 건조 처리한 후, 700℃ 이상, 1500℃ 이하의 온도 범위에서 열처리를 행하여, 상기한 탄소질 재료 및 탄소질 재료의 전구체를 소성 탄소로 하고, 그 후 분쇄 공정을 거치지 않고 최종 제품으로 하는 것을 특징으로 하는 리튬 이온 2차 전지용 부극재의 제조 방법.(9) 인편상 흑연 입자, 소성 탄소, 리튬과 합금화 가능한 금속 입자 및 흑연질 섬유로 이루어지는 구상의 복합체의 제조 방법이며, 상기 인편상 흑연 입자, 상기 금속 입자 및 흑연질 섬유를 탄소질 재료 및/또는 탄소질 재료의 전구체인 결착제의 용액에 분산시키고, 분무 건조 처리한 후, 700℃ 이상, 1500℃ 이하의 온도 범위에서 열처리를 행하여, 상기한 탄소질 재료 및 탄소질 재료의 전구체를 소성 탄소로 하고, 그 후 분쇄 공정을 거치지 않고 최종 제품으로 하는 것을 특징으로 하는 리튬 이온 2차 전지용 부극재의 제조 방법.(10) 상기 분무 건조 처리품에, 또한 탄소질 재료 및/또는 탄소질 재료의 전구체를 부착시킨 후, 상기 열처리를 행하는 것을 특징으로 하는 (8) 또는 (9)에 기재된 리튬 이온 2차 전지용 부극재의 제조 방법. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 부극 재료인 복합체는, 리튬 이온 2차 전지용 부극 재료에 사용한 경우에, 충전시의 금속질물의 팽창을 충분히 완화할 수 있어, 흑연의 이론 용량을 초과하는 높은 방전 용량과, 우수한 초기 충방전 효율을 나타낸다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 실시예 1에서 얻어진 복합체의 외관을 나타내는 전자 현미경 사진(3000배)이다.도 2는 실시예 1에서 얻어진 복합체의 단면의 편광 현미경 사진(3000배)이다.도 3은 실시예 1에서 얻어진 복합체의 외표면에 존재하는 에너지 분산형 X선 분광법으로 측정되는 Si 원소를 나타내는 EDX 맵핑 이미지(3000배)이다.도 4는 본 발명의 부극의 전지 특성을 평가하기 위한 평가 전지의 단면도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 〔부극 재료 : 인편상 흑연 입자, 소성 탄소 및 리튬과 합금화 가능한 금속 입자로 이루어지는 구상의 복합체〕본 발명은, 인편상 흑연 입자, 소성 탄소 및 리튬과 합금화 가능한 금속 입자로 이루어지는 구상 또는 대략 구상의 복합체이며, 상기 복합체는 적어도 내부에 공극을 갖고, 상기 인편상 흑연 입자가 상기 복합체의 내부에서는 비평행으로 존재하고, 상기 복합체의 표면에서는 동심원 형상으로 배향하여 존재하고, 또한 상기 금속 입자가 상기 복합체 입자 내부 및/또는 표면에 분산되어 존재하는 부극 재료를 제공한다. 본 명세서에서는, 「복합 입자 내부 및/또는 표면에 분산된다」는 것을 「복합 입자 내에 분산된다」라고 하는 경우가 있다.복합체가 내부에 공극을 갖는 구조임으로써, 합금화에 수반되는 체적의 팽창을 흡수하여, 활물질의 분화나 박리를 방지할 수 있다. 또한, 인편상 흑연 입자가 복합체의 표면에서 동심원 형상으로 배향하고 있는 구조임으로써, 표면에 노출되는 것은 반응성이 비교적 낮은 기저면으로 되어, 에지면의 노출에 유래되는 충방전 효율이나 사이클 특성의 저하를 야기시키는 일이 없다.복합체의 형상에 대해 보다 구체적으로는, 복합체의 평균 어스펙트비가 3 이하인 것이 바람직하고, 2 이하인 것이 특히 바람직하다. 평균 어스펙트비가 3보다 큰 경우에는 사이클 특성이 악화되는 경우가 있다. 또한 어스펙트비는, 복합체 1입자의 긴 축 길이의 짧은 축 길이에 대한 비를 의미하고, 주사형 전자 현미경에 의해 임의의 100개의 입자를 관찰하여 측정한 각 입자의 어스펙트비의 산술 평균값을, 평균 어스펙트비로 한다.복합체의 평균 입자 직경은 1∼50㎛의 범위인 것이 바람직하고, 5∼30㎛의 범위인 것이 더욱 바람직하다. 본 발명에 있어서, 복합체의 평균 입자 직경은 레이저 회절식 입도 분포계의 누적 도수가 체적 분포율로 50％로 되는 입자 직경(D50)이다.본 발명의 부극 재료는, 상기 특징을 달성할 수 있는 방법이라면, 어떠한 방법으로 제조된 것이어도 된다. 또한, 이종의 흑연 재료, 탄소질 또는 흑연질의 섬유, 비정질 하드 카본 등의 탄소 재료, 유기 재료, 무기 재료, 금속 재료와의 혼합물, 복합물이어도 된다.복합체 내부의 공극에 대해서는, 그 형상이나 존재 상태는 한정되지 않고, 분산되어 존재하고 있어도 되고, 중심 부근에 존재하고 있어도 되고, 복합체의 표면까지 도달해 있어도 된다.특히 복합체는 내부에 흑연질 섬유를 포함하고 있는 것이 보다 바람직하다. 흑연질 섬유는, 복합체 내부의 공극을 찌부러뜨리는 일 없이, 인편상 흑연 입자나 금속 입자끼리를 전기적으로 접속하는 역할을 갖고, 복합체의 전기 저항을 저감시켜 사이클 특성을 향상시킨다.또한 수은 압입법으로 측정한 0.01∼100㎛의 크기의 공극의 용적은, 0.05∼0.4㎤/g인 것이 바람직하다. 공극의 용적이 0.05㎤/g 미만이면 사이클 특성의 개량 효과가 작아지는 경우가 있고, 0.4㎤/g 초과이면 도전성이 저하되는 경우가 있다.이 범위의 공극은, 그 내부에 전해액을 적절하게 유지할 수 있어, 본 발명의 부극 재료를 사용하는 리튬 이온 2차 전지의 급속 충방전 특성을 향상시킨다.복합체 표면에 있어서의 인편상 흑연 입자의 존재 상태에 대해서는, 주사형 전자 현미경(이하, SEM이라고도 함) 관찰에 의해 확인할 수 있다. 복합체 내부에 있어서의 인편상 흑연 입자의 존재 상태에 대해서는, 수지에 매립된 복합체 입자를 연마한 후 SEM 또는 편광 현미경에 의해 단면을 관찰함으로써 확인할 수 있다. 또한, 복합체 표면 및 내부에 있어서의 금속 입자의 존재 상태에 대해서는, EDX(에너지 분산형 X선 분광법) 분석에 의해 확인할 수 있다.본 발명의 리튬 이온 2차 전지용 부극 재료는, 도 1에 그 일례인 외관의 주사형 전자 현미경(이하, SEM이라 함) 사진을 나타내는 바와 같이, 인편상 흑연 입자, 소성 탄소 및 리튬과 합금화 가능한 금속 입자로 이루어지는 구상의 복합체이다. 또한 복합체 내부에 있어서의 인편상 흑연 입자의 존재 상태에 대해서는, 수지에 매립된 복합체 입자를 연마한 후 주사형 현미경(SEM) 또는 편광 현미경에 의해 단면을 관찰함으로써 확인할 수 있다. 도 2에 그 일례인 내부의 편광 현미경 사진을 나타내는 바와 같이, 내부에 공극을 갖고, 또한 인편상 흑연 입자가 복합체의 내부에서는 비평행으로 존재하고, 복합체의 표면에서는 인편상 흑연 입자가 동심원 형상으로 배향하여 존재한다.여기서 복합체의 표면이라 함은, 복합체의 최표면으로부터 인편상 흑연의 두께의 2배 이하(약 1㎛ 이하)의 범위를 말한다. 내부라 함은, 표면 이외의 범위를 말한다.도 2는 실시예 1에서 얻어진 복합체의 단면의 편광 현미경 사진이다. 구상의 입자의 중앙 부근의 흑색으로 나타나는 부분은 내부의 공극이다. 도 2에서, 흑색이 아닌 부분은, 인편상 흑연 입자가 복합체의 내부에서 비평행으로 존재하는 상태를 나타내고 있다. 비평행으로 존재한다는 의미는, 내부에 존재하는 인편상 흑연 입자의 총 수의 90％ 이상이 비평행인 것을 말한다.도 3은 실시예 1에서 얻어진 복합체의 외표면에 존재하는 에너지 분산형 X선 분광법으로 측정되는 Si 원소를 나타내는 EDX(에너지 분산형 X선 분광법) 맵핑 이미지를, 도 1과 동일한 시야에 대해 나타낸 것이다. 도 3에서 백색의 점은 Si 원소의 존재를 나타내고 있고, 도 1과 도 3을 겹쳐서 봄으로써, 복합체 표면에 실리콘 입자가 분산되어 존재하고 있는 것을 확인할 수 있다.복합체 중의 리튬과 합금화 가능한 금속 입자는, 복합체 입자에 분산되어 존재하고 있다. 이것은, 리튬과 합금화 가능한 금속 입자가, 예를 들어 Si인 경우, 에너지 분산형 X선 분광법으로, 복합체 입자 표면을 측정하여 얻어지는 Si의 존재 빈도와, 수지에 매립된 복합체 입자를 연마한 후 단면의 Si의 존재 빈도를 측정한 경우에, 거의 마찬가지인 것을 의미한다. 본 발명의 복합체에서는, 리튬과 합금화 가능한 금속 입자는, 복합체 입자의 내부 및 표면에 분산되어 있다.[인편상 흑연 입자]본 발명에서 사용되는 인편상 흑연 입자는, 리튬 이온을 흡장·방출할 수 있는 것이면 되고, 특별히 한정되지 않는다. 그 일부 또는 전부가 흑연질로 형성되어 있는 것, 예를 들어 천연 흑연이나, 타르, 피치류를 최종적으로 1500℃ 이상에서 열처리하여 이루어지는 인조 흑연을 들 수 있다. 구체적으로는, 이(易)흑연화성 탄소 재료라 불리는 석유계, 석탄계의 타르 피치류를 열처리하여 중축합시킨 메소페이즈 소성체, 코크스류를 1500℃ 이상, 바람직하게는 2800∼3300℃에서 흑연화 처리하여 얻을 수 있다.본 발명의 인편상 흑연 입자의 평균 입자 직경은 0.1㎛∼20㎛의 범위인 것이 바람직하고, 0.3㎛∼10㎛의 범위인 것이 더욱 바람직하다. 인편상 흑연 입자의 평균 입자 직경은 상기 복합체의 경우와 마찬가지로 D50이다. 형상이 인편상인 경우 평균 입자 직경은, 그 입자와 동일 체적의 구상 입자의 평균 입자 직경으로 환산한 값으로 한다.또한, 상기 인편상 흑연 입자의 평균 편평도(Ly/t)가 0.5 이상인 것이 바람직하고, 2∼40인 것이 보다 바람직하다. 여기서 평균 편평도라 함은, 인편상 흑연 입자의 1입자의 두께 t에 대한 짧은 축 길이(Ly)의 비(Ly/t)를 의미하고, 주사형 전자 현미경에 의해 100개의 인편상 흑연 입자를 관찰하여 측정한 각 입자의 편평도의 단순 평균값으로서 산출한다.또한, 액상, 기상, 고상에 있어서의 각종 화학적 처리, 열처리, 산화 처리, 물리적 처리 등을 실시한 것이어도 된다. 상기 인편상 흑연 입자의 평균 편평도가 0.5 미만이면 복합체 표면에서 인편상 흑연이 동심원 형상으로 배향된 구조로 되지 않는 경우가 있고, 평균 편평도가 40 초과이면, 구상의 복합체를 형성할 수 없는 경우가 있다.인편상 흑연 입자의 비율은, 복합체 입자 전량에 대해 98∼60질량％인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 95∼60질량％이다. 흑연 입자가 98％ 이상이면 용량 향상의 효과가 작아지는 경우가 있고, 60％ 미만이면 사이클 특성의 개량 효과가 작아지는 경우가 있다.본 발명의 부극 재료의 복합체 표면에 노출되는 것은 인편상 흑연 입자의 반응성이 비교적 낮은 기저면(AB면)으로, 상술한 바와 같은 에지면의 노출에 유래되는 충방전 효율이나 사이클 특성의 저하를 일으키는 일이 없다.[소성 탄소]본 발명에서 사용되는 소성 탄소는, 상기 인편상 흑연 입자를 하기의 결착제와 혼합한 분산액을 분무 건조 처리하여, 그 후 소성하여 얻어지는 복합체 중에 흑연 입자와 별도로 존재하는 탄소 성분으로, 전구체로서의 결착제, 용액이 소성된 소성 탄소, 또는 분무 건조 처리품을 하기의 결착제를 함침시킨 후, 소성된 소성 탄소이다. 이하의 어떠한 전구체에서 유래해도 되며, 타르 피치류 및/또는 수지류가 예시된다. 구체적으로는, 타르 피치류로서는, 콜타르, 타르 경유, 타르 중유(中油), 타르 중유(重油), 나프탈렌유, 안트라센유, 콜타르 피치, 피치유, 메소페이즈 피치, 산소 가교 석유 피치, 헤비 오일 등을 들 수 있다. 수지류로서는, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴산, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 염소화폴리염화비닐 등의 할로겐화 비닐 수지 등의 열가소성 수지, 페놀 수지, 푸란 수지, 푸르푸릴알코올 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리아크릴로니트릴, 폴리아미드이미드 수지, 폴리아미드 수지 등의 열경화성 수지가 예시된다. 이들 탄소질물 전구체를 후술하는 온도에서 열처리함으로써 소성 탄소를 얻을 수 있다.소성 탄소는 흑연화되어 있지 않고, 비정질인 것이 바람직하다.소성 탄소의 제품 복합체 중의 함유량은, 1∼20질량％가 바람직하다. 1∼15질량％인 것이 보다 바람직하다. 소성 탄소가 1질량％ 미만이면 사이클 특성의 개량 효과가 작아지는 경우가 있고, 20질량％ 이상이면 용량 및/또는 초기 효율이 저하되는 경우가 있다.[리튬과 합금화 가능한 금속 입자]리튬과 합금화 가능한 금속 입자로서는, Al, Pb, Zn, Sn, Bi, In, Mg, Ga, Cd, Ag, Si, B, Au, Pt, Pd, Sb, Ge, Ni 등의 금속 입자를 들 수 있고, 바람직하게는 Si 입자, Sn 입자이다. 또한 상기 금속 입자는 상기 금속 중 2종 이상 합금이어도 되고, 합금 중에 상술한 금속 이외에 다른 원소를 더 함유하고 있어도 된다. 상기 금속 입자의 일부가, 산화물, 질화물, 탄화물을 형성하고 있어도 되고, 특히 산화물을 적어도 일부 포함하는 것이 바람직하다.본 발명에 사용하는 상기 금속 입자의 비율은, 복합 입자 전량에 대해 1질량％ 이상, 20질량％ 이하인 것이 바람직하고, 2질량％ 이상 20질량％ 이하인 것이 특히 바람직하다. 상기 금속 입자가 1질량％ 미만인 경우는 용량 향상의 효과가 작아지는 경우가 있고, 20질량％ 초과인 경우는 사이클 특성의 개량 효과가 작아지는 경우가 있다.상기 금속 입자의 평균 입경은 10㎛ 이하인 것이 바람직하고, 5㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 1㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 상기 금속 입자의 평균 입경이 10㎛를 초과하는 경우는 사이클 특성의 개량 효과가 작아지는 경우가 있다.상기 금속 입자의 형상에는 특별히 제약은 없다. 입상, 구상, 판상, 인편상, 침상, 사상(絲狀) 등 중 어느 것이어도 된다.〔흑연질 섬유〕흑연질 섬유는 도전성을 갖는 섬유 형상의 흑연이면 되고, 특별히 한정되지 않는다. 바람직한 형상은, 평균 섬유 직경 10∼1000㎚, 평균 섬유 길이 1∼20㎛이고, 카본 나노 튜브, 카본 나노 파이버, 기상 성장 탄소 섬유 등이 예시된다.흑연질 섬유의 비율은, 복합 입자 전량에 대해 0.5질량％ 이상, 5질량％ 이하인 것이 바람직하고, 1질량％ 이상, 3질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다. 흑연질 섬유가 0.5질량％ 미만인 경우는 사이클 특성 향상의 효과가 작아지는 경우가 있고, 5질량％ 초과인 경우는 초기 충방전 효율이 저하되는 경우가 있다.〔복합체의 제조 방법〕본 발명은, 인편상 흑연 입자, 소성 탄소 및 리튬과 합금화 가능한 금속 입자(이하, 금속 입자라 하는 경우가 있음)로 이루어지는 구상의 복합체의 제조 방법도 제공한다. 소성 탄소는, 상기 인편상 흑연 입자 및 금속 입자와 결착제 또는 그 용액을 혼합하여 분무 건조하고, 그 후 소성해도 된다(「분무 건조→소성」 프로세스라 함). 혹은 인편상 흑연 입자 및 금속 입자를 결착제 또는 그 용액 중에 분산하여 분무 건조하고, 그 후 결착제로서의 탄소 재료 전구체 또는 그 용액을 혼합하여 소성하여 소성 탄소를 제조해도 된다(「분무 건조→탄소 피복→소성」 프로세스라 함). 양자를 조합해도 된다. 또한, 흑연질 섬유를 첨가하는 경우는, 인편상 흑연 입자 및 금속 입자와 함께 결착제 또는 그 용액에 분산시켜, 분무 건조에 제공하는 것이 바람직하다. 또한, 금속 입자와 흑연질 섬유를, 미리 인편상 흑연 입자에 부착시켜 두어도 된다. 본 발명의 복합체는, 소성 처리 후 분쇄 공정을 거치지 않고 최종 제품으로 하는 제조 방법에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 결착제로서는, 탄소질 재료 및/또는 탄소질 재료의 전구체이다. 상기 소성 탄소의 전구체로서 예시한 것과 동일하다. 적당한 용매에 용해되는 것이면 어떠한 결착제여도 되고, 상기 소성 탄소의 전구체로서 예시한 타르 피치류 및/또는 수지류가 예시된다. 결착제의 원료로서 첨가량은 인편상 흑연 입자 100질량％에 대해 1∼30질량％가 바람직하다. 보다 바람직하게는, 1∼15질량％이다. 결착제의 용액으로서 사용되는 것은 수용액, 알코올 용액, 유기 용매 용액 등 어느 것이든 좋다. 물에 계면 활성제, 점도 조제제로서의 폴리비닐알코올 등을 첨가한 용액이 바람직하다.분무 건조 처리는, 인편상 흑연 입자와 금속 입자를 결착제인 탄소질 재료의 전구체 용액에 분산시키거나, 또는 인편상 흑연 탄소 입자를 용액에 분산시킨 분산액을 기류와 함께 스프레이 살포하고, 열풍에 의해 순식간에 용매를 건조시키는 방법이면, 어떠한 방법이어도 된다. 분산액의 표면 장력에 의해 건조 후의 입자는 진구 형상을 형성한다. 소성 전의 분무 건조 처리에서 얻어지는 구상 입자를 여기서는 복합체 전구체라 한다. 이때, 분산액의 고형분비나 기류의 조정에 의해, 스프레이의 액적 중에 기포가 개재되지 않도록 함으로써, 완전한 중공 구조가 아닌, 내부에도 인편상 흑연 입자가 존재한 구조를 형성할 수 있다.예를 들어, 분산액의 고형분비는 전량 중의 5∼25질량％, 분무 건조기의 입구 온도는 150∼250℃, 노즐 공기량은 20∼100리터/분 등이 바람직하다.분무 건조하는 용액에 결착제인 탄소 재료의 전구체를 첨가하지 않은 경우는, 분무 건조하여 얻어지는 복합체 전구체를 탄소 재료의 전구체 용액에 침지하여 탄소 피복한다. 복합체 전구체와 탄소 재료의 전구체를 혼합하여 탄소 피복해도 된다.분무 건조 처리에서는, 원액의 고형분비나 기류의 조정에 의해 임의의 입도로 조정 가능하며, 최종적으로 분쇄하여 입도 조정한다는 공정은 불필요하다. 또한, 주 원료로서 흑연 입자를 사용하고 있으므로 흑연화 처리는 불필요하고, 소성 처리만으로 리튬 이온 2차 전지의 부극 재료로서 충분한 용량을 발현할 수 있다.분무 건조 처리품(복합체 전구체)을 불활성 분위기 중, 700℃ 이상, 1500℃ 이하의 온도 범위에서 소성 처리함으로써 복합체가 얻어진다. 바람직하게는 900℃∼1400℃이다. 불활성 분위기는, N2, Ar, He, 진공 분위기 등 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 소성 온도가 700℃ 미만 또는 1500℃ 초과이면, 초기 효율이 저하되는 경우가 있다.소성 처리 전에, 이종의 흑연 재료, 탄소질 또는 흑연질의 섬유, 비정질 하드 카본 등의 탄소 재료, 유기 재료, 무기 재료, 금속 재료를 부착, 매설, 복합해도 된다. 소성 처리 전에 탄소질 재료 및/또는 탄소질 재료의 전구체 용액 중에 분무 건조 처리품을 침지하여, 탄소질 재료 및/또는 탄소질 재료의 전구체를 분무 건조품에 부착시켜도 된다. 이것은, 조립 구조의 강화 및 피복에 의해 반응성(충방전 손실)을 저감시킬 수 있다. 바람직한 부착량(소성 전의 양)은 인편상 흑연 입자 100질량％에 대해 1∼30질량％가 바람직하다. 보다 바람직하게는, 1∼15질량％이다.[부극]본 발명의 리튬 이온 2차 전지용의 부극은, 통상의 부극의 성형 방법에 준하여 제작되지만, 화학적, 전기 화학적으로 안정된 부극을 얻을 수 있는 방법이면 전혀 제한되지 않는다. 부극의 제작시에는, 본 발명의 부극 재료에 결합제를 가하여, 미리 조제(調製)한 부극 합제를 사용하는 것이 바람직하다. 결합제로서는, 전해질에 대해 화학적 및 전기 화학적으로 안정성을 나타내는 것이 바람직하고, 예를 들어 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리불화비닐리덴 등의 불소계 수지 분말, 폴리에틸렌, 폴리비닐알코올 등의 수지 분말, 카르복시메틸셀룰로오스 등이 사용된다. 이들을 병용할 수도 있다. 결합제는, 통상 부극 합제의 전량 중 1∼20질량％ 정도의 비율로 사용된다.보다 구체적으로는, 우선, 본 발명의 부극 재료를 분급 등에 의해 원하는 입도로 조정하고, 결합제와 혼합하여 얻은 혼합물을 용제에 분산시키고, 페이스트상으로 하여 부극 합제를 조제한다. 즉, 본 발명의 부극 재료와, 결합제를, 물, 이소프로필알코올, N-메틸피롤리돈, 디메틸포름아미드 등의 용제와 혼합하여 얻은 슬러리를, 공지의 교반기, 혼합기, 혼련기, 니더 등을 사용하여 교반 혼합하여, 페이스트를 조제한다. 상기 페이스트를, 집전재의 편면 또는 양면에 도포하고, 건조시키면, 부극 합제층이 균일하고 또한 강고하게 접착된 부극이 얻어진다. 부극 합제층의 막 두께는 10∼200㎛, 바람직하게는 20∼100㎛이다.또한, 본 발명의 부극은, 본 발명의 부극 재료와, 폴리에틸렌, 폴리비닐알코올 등의 수지 분말을 건식 혼합하고, 금형 내에서 핫 프레스 성형하여 제작할 수도 있다.부극 합제층을 형성한 후, 프레스 가압 등의 압착을 행하면, 부극 합제층과 집전체의 접착 강도를 보다 높일 수 있다.부극의 제작에 사용하는 집전체의 형상으로서는, 특별히 한정되지는 않지만, 박 형상, 메쉬, 익스팬드 메탈 등의 망 형상 등이다. 집전재의 재질로서는, 구리, 스테인리스, 니켈 등이 바람직하다. 집전체의 두께는, 박 형상인 경우에서 5∼20㎛ 정도인 것이 바람직하다.또한, 본 발명의 부극은, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위에서, 이종의 흑연질 재료, 비정질 하드 카본 등의 탄소질 재료, 유기물, 금속, 금속 화합물 등을 혼합하거나, 내포하거나, 피복하거나 또는 적층해도 된다.[정극]정극은, 예를 들어 정극 재료와 결합제 및 도전제로 이루어지는 정극 합제를 집전체의 표면에 도포함으로써 형성된다. 정극의 재료(정극 활물질)는, 충분한 양의 리튬을 흡장/이탈시킬 수 있는 것을 선택하는 것이 바람직하다. 리튬 함유 전이 금속 산화물, 전이 금속 칼코겐화물, 바나듐 산화물 및 그 리튬 화합물 등의 리튬 함유 화합물, 화학식 MXMo6OS8-Y(식 중 M은 적어도 1종의 전이 금속 원소이며, X는 0≤X≤4, Y는 0≤Y≤1의 범위의 수치임)로 나타내어지는 체브렐상 화합물(Chevrel compound), 활성탄, 활성 탄소 섬유 등이다. 바나듐 산화물은, V2O5, V6O13, V2O4, V3O8로 나타내어지는 것이다.리튬 함유 전이 금속 산화물은, 리튬과 전이 금속의 복합 산화물이며, 리튬과 2종류 이상의 전이 금속을 고용한 것이어도 된다. 복합 산화물은 단독으로 사용해도, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 된다. 리튬 함유 전이 금속 산화물은, 구체적으로는, LiM11-xM2XO2(식 중 M1, M2는 적어도 1종의 전이 금속 원소이며, X는 0≤X≤1의 범위의 수치임), 또는 LiM11-YM2YO4(식 중 M1, M2는 적어도 1종의 전이 금속 원소이며, Y는 0≤Y≤1의 범위의 수치임)로 나타내어진다.M1, M2로 나타내어지는 전이 금속 원소는, Co, Ni, Mn, Cr, Ti, V, Fe, Zn, Al, In, Sn 등이며, 바람직한 것은 Co, Fe, Mn, Ti, Cr, V, Al 등이다. 바람직한 구체예는, LiCoO2, LiNiO2, LiMnO2, LiNi0.9Co0.1O2, LiNi0.5Co0.5O2 등이다.리튬 함유 전이 금속 산화물은, 예를 들어 리튬, 전이 금속의 산화물, 수산화물, 염류 등을 출발 원료로 하고, 이들 출발 원료를 원하는 금속 산화물의 조성에 따라서 혼합하고, 산소 분위기하 600∼1000℃의 온도에서 소성함으로써 얻을 수 있다.정극 활물질은, 상기 화합물을 단독으로 사용해도, 2종류 이상 병용해도 된다. 예를 들어, 정극 중에 탄산 리튬 등의 탄소염을 첨가할 수 있다. 또한, 정극을 형성할 때에는, 종래 공지의 도전제나 결착제 등의 각종 첨가제를 적절하게 사용할 수 있다.정극은, 상기 정극 재료, 결합제 및 정극에 도전성을 부여하기 위한 도전제로 이루어지는 정극 합제를, 집전체의 양면에 도포하여 정극 합제층을 형성하여 제작된다. 결합제로서는, 부극의 제작에 사용되는 것과 동일한 것이 사용 가능하다. 도전제로서는, 흑연화물, 카본 블랙 등 공지의 것이 사용된다.집전체의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 박 형상 또는 메쉬, 익스팬드 메탈 등의 망 형상 등의 것이 사용된다. 집전체의 재질은, 알루미늄, 스테인리스, 니켈 등이다. 그 두께는 10∼40㎛인 것이 적합하다.정극도 부극과 마찬가지로, 정극 합제를 용제 중에 분산시켜 페이스트상으로 하고, 이 페이스트상의 정극 합제를 집전체에 도포, 건조하여 정극 합제층을 형성해도 되고, 정극 합제층을 형성한 후, 또한 프레스 가압 등의 압착을 행해도 된다. 이에 의해 정극 합제층이 균일하고 또한 강고하게 집전재에 접착된다.[비수 전해질]본 발명의 리튬 이온 2차 전지에 사용되는 비수 전해질로서는, 통상의 비수 전해액에 사용되는 전해질염인, LiPF6, LiBF4, LiAsF6, LiClO4, LiB(C6H5), LiCl, LiBr, LiCF3SO3, LiCH3SO3, LiN(CF3SO2)2, LiC(CF3SO2)3, LiN(CF3CH2OSO2)2, LiN(CF3CF2OSO2)2, LiN(HCF2CF2CH2OSO2)2, LiN((CF3)2CHOSO2)2, LiB[C6H3(CF3)2]4, LiAlCl4, LiSiF6 등의 리튬염을 사용할 수 있다. 산화 안정성의 점에서는, 특히 LiPF6, LiBF4가 바람직하다.전해액 중의 전해질염 농도는 0.1∼5mol/L가 바람직하고, 0.5∼3.0mol/L가 보다 바람직하다.비수 전해질은 액상의 비수 전해질로 해도 되고, 고체 전해질 또는 겔 전해질 등의 고분자 전해질로 해도 된다. 전자의 경우, 비수 전해질 전지는, 이른바 리튬 이온 2차 전지로서 구성되고, 후자의 경우는, 비수 전해질 전지는 고분자 고체 전해질, 고분자 겔 전해질 전지 등의 고분자 전해질 전지로서 구성된다.비수 전해질액을 조제하기 위한 용매로서는, 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트 등의 카보네이트, 1,1- 또는 1,2-디메톡시에탄, 1,2-디에톡시에탄, 테트라히드로푸란, 2-메틸테트라히드로푸란, γ-부티로락톤, 1,3-디옥솔란, 4-메틸-1,3-디옥솔란, 아니솔, 디에틸에테르 등의 에테르, 술포란, 메틸술포란 등의 티오에테르, 아세토니트릴, 클로로니트릴, 프로피오니트릴 등의 니트릴, 붕산트리메틸, 규산테트라메틸, 니트로메탄, 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈, 아세트산에틸, 트리메틸오르토포르메이트, 니트로벤젠, 염화벤조일, 브롬화벤조일, 테트라히드로티오펜, 디메틸술폭시드, 3-메틸-2-옥사졸리돈, 에틸렌글리콜, 디메틸설파이트 등의 비프로톤성 유기 용매 등을 사용할 수 있다.비수 전해질을 고분자 고체 전해질 또는 고분자 겔 전해질 등의 고분자 전해질로 하는 경우에는, 매트릭스로서 가소제(비수 전해액)에 의해 겔화된 고분자를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 매트릭스를 구성하는 고분자로서는, 폴리에틸렌옥시드나 그 가교체 등의 에테르계 고분자 화합물, 폴리메타크릴레이트계 고분자 화합물, 폴리아크릴레이트계 고분자 화합물, 폴리비닐리덴플루오라이드나 비닐리덴플루오라이드-헥사플루오로프로필렌 공중합체 등의 불소계 고분자 화합물 등을 사용하는 것이 특히 바람직하다.상기 고분자 고체 전해질 또는 고분자 겔 전해질에는, 가소제가 배합되지만, 상기 가소제로서는, 상기한 전해질염이나 비수 용매가 사용 가능하다. 고분자 겔 전해질의 경우, 가소제인 비수 전해액 중의 전해질염 농도는 0.1∼5mol/L가 바람직하고, 0.5∼2.0mol/L가 보다 바람직하다.고분자 고체 전해질의 제작 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 매트릭스를 구성하는 고분자 화합물, 리튬염 및 비수 용매(가소제)를 혼합하고, 가열하여 고분자 화합물을 용융하는 방법, 유기 용제에 고분자 화합물, 리튬염 및 비수 용매(가소제)를 용해시킨 후, 혼합용 유기 용제를 증발시키는 방법, 중합성 모노머, 리튬염 및 비수 용매(가소제)를 혼합하고, 혼합물에 자외선, 전자선 또는 분자선 등을 조사하여, 중합성 모노머를 중합시켜, 폴리머를 얻는 방법 등을 들 수 있다.여기서, 상기 고체 전해질 중의 비수 용매(가소제)의 비율은 10∼90질량％가 바람직하고, 30∼80질량％가 보다 바람직하다. 10질량％ 미만이면 도전율이 낮아지고, 90질량％를 초과하면 기계적 강도가 약해져, 성막하기 어려워진다.[세퍼레이터]본 발명의 리튬 이온 2차 전지에 있어서는, 세퍼레이터를 사용할 수도 있다.세퍼레이터의 재질은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 직포, 부직포, 합성 수지제 미다공막 등을 사용할 수 있다. 상기 세퍼레이터의 재질로서는, 합성 수지제 미다공막이 적합하지만, 그 중에서도 폴리올레핀계 미다공막이, 두께, 막 강도, 막 저항의 면에서 적합하다. 구체적으로는, 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌제 미다공막 또는 이들을 복합한 미다공막 등이 적합하다.〔리튬 이온 2차 전지〕본 발명의 리튬 이온 2차 전지는, 상술한 구성의 부극, 정극 및 비수 전해질을, 예를 들어 부극, 비수 전해질, 정극의 순으로 적층하고, 전지의 외장재 내에 수용함으로써 구성된다. 또한, 부극과 정극의 외측에 비수 전해질을 배치하도록 해도 된다.또한, 본 발명의 리튬 이온 2차 전지의 구조는 특별히 한정되지 않고, 그 형상, 형태에 대해서도 특별히 한정되는 것은 아니며, 용도, 탑재 기기, 요구되는 충방전 용량 등에 따라서 원통형, 각형, 코인형, 버튼형 등의 중으로부터 임의로 선택할 수 있다. 보다 안정성이 높은 밀폐형 비수 전해액 전지를 얻기 위해서는, 과충전 등의 이상시에 전지 내압 상승을 감지하여 전류를 차단시키는 수단을 구비한 것을 사용하는 것이 바람직하다.리튬 이온 2차 전지가 고분자 고체 전해질 전지나 고분자 겔 전해질 전지인 경우에는, 라미네이트 필름에 봉입한 구조로 할 수도 있다.실시예다음으로, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한 이하의 실시예 및 비교예에서는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 적어도 표면의 일부에 본 발명의 부극 재료를 갖는 부극 합제(2)가 부착된 집전체(current collector)(부극)(7b)와 리튬박으로 이루어지는 대향 전극(정극)(4)으로 구성되는 단극 평가용 버튼형 2차 전지를 제작하여 평가하였다. 실제 전지는, 본 발명의 개념에 기초하여, 공지의 방법에 준하여 제작할 수 있다.(실시예 1)[부극 재료의 제작]평균 입자 직경 5㎛, 평균 편평도 20의 인편상 흑연 입자와, 평균 입경 0.2㎛의 실리콘 입자를 폴리아크릴산 수용액에 분산하고, 스프레이 드라이 장치에 의해 분무 건조 처리하여, 구상의 복합체 전구체를 얻었다. 이어서, 플래니터리 믹서를 사용하여, 상기 복합체 전구체에 콜타르 피치의 타르 중유(中油) 용액을 첨가하여 혼련한 후, 질소의 불활성 분위기중에서, 1000℃에서 소성 처리함으로써 목적으로 하는 복합체인 부극 재료를 얻었다. 각 소재의 배합량은, 최종 제품인 복합체에 있어서의 각각의 존재 비율이 표 1에 나타내는 바와 같이 되도록 조정하였다. 분무 건조는 표 2에 나타내는 조건에서 행하였다. 레이저식 입도 분포계로 측정한 복합체의 평균 입자 직경은 10㎛였다. 복합체의 평균 어스펙트비는 이후의 실시예 전부에서, 2 이내였다. 도 1에 나타내는 SEM 이미지로부터, 인편상 흑연 입자가 표면에서는 동심원 형상으로 배향하여 존재하고 있는 것을 알 수 있었다. 도 2에 나타내는 복합체 단면의 편광 현미경 이미지로부터, 내부에는 공극이 존재하고, 또한 인편상 흑연 입자가 서로 비평행으로 존재하고 있는 것을 알 수 있었다. 또한 도 3에 나타내는 EDX 맵핑 이미지로부터, 실리콘 입자가 분산되어 존재하고 있는 것을 알 수 있었다.[부극 합제 페이스트의 제작]다음으로, 부극 재료를 사용하여 부극을 제작하였다. 우선, 상기 복합체로 이루어지는 부극 재료를 96질량부, 결합제로서의 카르복시메틸셀룰로오스 2질량부 및 스티렌-부타디엔 고무 2질량부를 물에 넣고, 교반하여 부극 합제 페이스트를 조정하였다.[작용 전극(부극)의 제작]상기 부극 합제 페이스트를 두께 15㎛의 구리박 상에 균일한 두께로 도포하고, 또한 진공 중의 90℃에서 분산매의 물을 증발시켜 건조시켰다. 이어서, 이 구리박 상에 도포된 부극 합제층을 핸드프레스에 의해 가압하였다. 또한, 구리박과 부극 합제층을 직경 15.5㎜의 원기둥 형상으로 펀칭하여, 구리박에 밀착된 부극 합제층을 갖는 작용 전극(부극)을 제작하였다. 부극 합제층의 밀도는 1.4g/㎤였다.[대향 전극(정극)의 제작]다음으로, 상기 부극을 사용하여 단극 평가용 버튼형 2차 전지를 제작하였다. 정극에는 니켈망으로 이루어지는 집전체와, 상기 집전체에 밀착된 리튬 금속박으로 이루어지는 극판을 사용하였다.[전해액, 세퍼레이터]전해액은, 에틸렌카보네이트 33체적％와 메틸에틸카보네이트 67체적％의 혼합 용제에, LiPF6을 1mol/L로 되는 농도로 용해시켜, 비수 전해액을 조정하였다. 얻어진 비수 전해액을 세퍼레이터로 하여 두께 20㎛의 폴리프로필렌 다공질체에 함침시키고, 전해액이 함침된 세퍼레이터를 제작하였다. 또한, 실제 전지에 대해서는, 본 발명의 개념에 기초하여, 공지의 방법에 준하여 제작할 수 있다.[평가 전지의 구성]도 4에 평가 전지의 구성으로서 버튼형 2차 전지를 나타낸다.외장 컵(1)과 외장 캔(3)은, 그 주연부에 있어서 절연 가스킷(6)을 개재시키고, 양 주연부를 코킹하여 밀폐하였다. 그 내부에 외장 캔(3)의 내면으로부터 차례로, 니켈망으로 이루어지는 집전체(7a), 리튬박으로 이루어지는 원통 형상의 대향 전극(정극)(4), 전해액이 함침된 세퍼레이터(5), 부극 재료가 부착된 구리박으로 이루어지는 집전체(7b)가 적층된 전지계이다.상기 평가 전지는 전해액을 함침시킨 세퍼레이터(5)를 집전체(7b)와 부극 합제(2)로 이루어지는 작용 전극(부극)과, 집전체(7a)에 밀착된 대향 전극(4)과의 사이에 끼워 적층한 후, 집전체(7b)를 외장 컵(1) 내에, 대향 전극(4)을 외장 캔(3) 내에 수용하여, 외장 컵(1)과 외장 캔(3)을 맞대고, 또한 외장 컵(1)과 외장 캔(3)의 주연부에 절연 가스킷(6)을 개재시키고, 양 주연부를 코킹하여 밀폐하여 제작하였다.이상에 의해 제작된 평가 전지에 대해, 25℃의 온도하에서 이하에 나타내는 충방전 시험을 행하여, 초기 충방전 효율, 충전 팽창률 및 사이클 특성을 계산하였다. 결과를 표 1∼3에 나타냈다.[초기 충방전 효율]회로 전압이 0mV에 도달할 때까지 0.9mA의 정전류 충전을 행한 후, 회로 전압이 0mV에 도달한 시점에서 정전압 충전으로 전환하고, 다시 전류값이 20μA로 될 때까지 충전을 계속하였다. 그 사이의 통전량으로부터 질량당 충전 용량(단위 : mAh/g)을 구하였다. 그 후, 120분간 휴지하였다. 다음으로, 0.9mA의 전류값으로 회로 전압이 1.5V에 도달할 때까지 정전류 방전을 행하고, 이 사이의 통전량으로부터 질량당 방전 용량(단위 : mAh/g)을 구하였다. 하기 식에 의해 초기 충방전 효율을 계산하였다.초기 충방전 효율(％)＝(방전 용량/충전 용량)×100또한, 이 시험에서는, 리튬 이온을 부극 재료에 흡장하는 과정을 충전, 부극 재료로부터 이탈시키는 과정을 방전으로 하였다.[충전 팽창률]회로 전압이 0mV에 도달할 때까지 0.9mA의 정전류 충전을 행한 후, 정전압 충전으로 전환하고, 전류값이 20μA로 될 때까지 충전을 계속하였다. 충전 상태에서 평가 전지를 해체하고, 부극을 아르곤 분위기하에서 에틸메틸카보네이트에 의해 세정하고, 마이크로미터에 의해 두께를 측정하였다. 충전 전후의 부극의 두께와 구리박의 두께(15㎛)로부터, 다음 식에 의해 부극 활물질의 충전 팽창률을 계산하였다.충전 팽창률(％)＝((충전 후의 부극의 두께－충전 전의 부극의 두께)/(충전 전의 부극의 두께－구리박의 두께))×100[사이클 특성]질량당 방전 용량, 급속 충전율, 급속 방전율을 평가한 평가 전지와는 다른 평가 전지를 제작하여, 이하와 같은 평가를 행하였다.회로 전압이 0mV에 도달할 때까지 4.0mA의 정전류 충전을 행한 후, 정전압 충전으로 전환하고, 전류값이 20μA로 될 때까지 충전을 계속한 후, 120분간 휴지하였다. 다음으로, 4.0mA의 전류값으로, 회로 전압이 1.5V에 도달할 때까지 정전류 방전을 행하였다. 20회 충방전을 반복하여, 얻어진 질량당 방전 용량으로부터, 다음 식을 사용하여 사이클 특성을 계산하였다.사이클 특성(％)＝(제20 사이클에 있어서의 방전 용량/제1 사이클에 있어서의 방전 용량)×100(실시예 2)복합체 제작시의 배합비를 표 1, 2에 나타내는 바와 같이 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 복합체의 제작, 부극 및 평가 전지의 제작, 및 전지 특성 평가를 행하였다.복합체의 SEM 이미지로부터, 인편상 흑연 입자가 표면에서는 동심원 형상으로 배향하여 존재하고, 복합체 단면의 편광 현미경 이미지로부터, 내부에는 공극이 존재하고, 또한 인편상 흑연 입자가 서로 비평행으로 존재하고 있는 것을 알 수 있었다. 또한 EDX 맵핑 이미지로부터, 실리콘 입자가 분산되어 존재하고 있는 것도 알 수 있었다.(실시예 3, 4)표 1에 나타낸 비율로, 평균 입자 직경 5㎛, 평균 편평도 20의 인편상 흑연 입자, 평균 입경 0.2㎛의 실리콘 입자 및 흑연질 섬유를 폴리아크릴산 수용액에 첨가, 혼합한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 복합체의 제작, 부극 및 평가 전지의 제작, 및 전지 특성 평가를 행하였다.복합체의 SEM 이미지로부터, 인편상 흑연 입자가 표면에서는 동심원 형상으로 배향하여 존재하고, 복합체 단면의 편광 현미경 이미지로부터, 내부에는 공극이 존재하고, 또한 인편상 흑연 입자가 서로 비평행으로 존재하고 있는 것을 알 수 있었다. 또한 EDX 맵핑 이미지로부터, 실리콘 입자가 분산되어 존재하고 있는 것도 알 수 있었다. 복합체의 외관 및 단면의 SEM 이미지로부터, 복합체 중에 흑연질 섬유가 분산되어 존재하고 있는 것도 알 수 있었다.(비교예 1)평균 입자 직경 5㎛, 평균 편평도 20의 인편상 흑연 입자, 평균 입경 0.2㎛의 실리콘 입자 및 콜타르 피치의 타르 중유(中油) 용액을 2축 니더로 혼련하였다. 이어서, 혼련품을 금형 성형하고, 그 성형품을 1000℃에서 소성 처리한 후, 평균 입자 직경이 10㎛로 되도록 분쇄하여 목적으로 하는 부극 재료를 얻었다. 이 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 부극 합제의 조제, 부극 및 평가 전지의 제작, 및 전지 특성 평가를 행하였다. 또한, 실시예 1과 마찬가지로 복합체의 표면과 단면을 관찰한 바, 얻어진 복합체에 대해서는, 내부에는 공극을 갖지만, 인편상 흑연 입자가 표면과 내부의 어느 쪽에서도 비평행으로 존재하고 있는 것을 확인하였다.이상의 평가 결과를 표 1∼3에 나타냈다. 실시예 1∼4로부터, 본 발명의 부극 재료를 사용한 리튬 이온 2차 전지는, 흑연의 이론 용량을 초과하는 높은 방전 용량을 갖고 있는 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 2∼4와 비교예 1의 비교로부터, 본 발명의 부극 재료에 의해, 초기 충방전 효율, 충전 내팽창률 및 사이클 특성이 보다 우수한 것으로 되는 것을 알 수 있다. [ 산업상 이용가능성 ] 본 발명은, 리튬 이온 2차 전지용 부극 재료로서, 충전시의 금속질물의 팽창을 충분히 완화할 수 있고, 흑연의 이론 용량을 초과하는 높은 방전 용량과, 우수한 초기 충방전 효율을 나타내는 부극 재료를 제공한다. 그로 인해, 본 발명의 부극 재료를 사용하는 리튬 이온 2차 전지는, 최근의 전지의 고에너지 밀도화에 대한 요망을 충족시켜, 탑재하는 기기의 소형화 및 고성능화에 유용하다. 본 발명의 부극 재료는, 그 특성을 살려, 소형으로부터 대형까지의 고성능 리튬 이온 2차 전지에 사용할 수 있다. [ 부호의 설명 ] 1 : 외장 컵2 : 부극 합제3 : 외장 캔4 : 대향 전극5 : 세퍼레이터6 : 절연 가스킷7a, 7b : 집전체
인편상 흑연 입자, 소성 탄소 및 리튬과 합금화 가능한 금속 입자로 이루어지는 구상의 복합체이며, 상기 복합체가 내부에 공극을 갖고, 또한 상기 인편상 흑연 입자가 상기 복합체의 내부에서는 비평행으로 존재하고, 상기 복합체의 표면에서는 동심원 형상으로 배향하여 존재하고, 또한 상기 금속 입자가 상기 복합체 입자에 분산되어 존재하는 것을 특징으로 하는 리튬 이온 2차 전지용 부극 재료.
[ 발명의 명칭 ] 화상 표시 장치용 투명 양면 점착 시트 및 이를 사용한 화상 표시 장치TRANSPARENT DOUBLE-SIDED ADHESIVE SHEET FOR IMAGE DISPLAY DEVICE AND IMAGE DISPLAY DEVICE USING SAME [ 기술분야 ] 본 발명은, 화상 표시 장치용 구성 부재(部材)를 접합하기 위하여 사용할 수 있는 투명 양면 점착 시트에 관한 것이다. 특히 접합면에 단차부(段差部)를 갖는 화상 표시 장치용 구성 부재를 접합하기 위하여 적합하게 사용할 수 있는 투명 양면 점착 시트 및 이것을 사용한 화상 표시 장치에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 최근, 화상 표시 장치의 시인성을 향상시키기 위하여, 액정 디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이(PDP) 또는 일렉트로루미네선스 디스플레이(ELD) 등의 화상 표시 패널과, 그 전면측(前面側)(시인측(視認側))에 배치하는 보호 패널이나 터치 패널 부재 사이의 공극을 점착 시트나 액상의 접착제 등으로 충전하여, 입사광이나 표시 화상으로부터의 출사광의 공기층 계면에서의 반사를 억제하는 것이 실시되고 있다.점착제를 사용하여, 이러한 화상 표시 장치용 구성 부재 간의 공극을 충전하는 방법으로서, 자외선 경화성 수지를 포함하는 액상의 접착 수지 조성물을 당해 공극에 충전한 후, 자외선을 조사하여 경화시키는 방법이 알려져 있다. 그러나, 이러한 방법에서는 액체를 충전할 때의 작업이 번잡하여 생산성이 떨어질 뿐만 아니라, 인쇄 은폐층에 은폐되는 부분 등, 자외선이 도달하기 어려운 곳은 점착제를 경화시키는 것이 곤란하여 안정된 품질을 수득하는 것이 어렵다는 과제를 안고 있었다.또한, 화상 표시 장치용 구성 부재 간의 공극을 점착제 시트를 사용하여 충전하는 방법도 알려져 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 화상 표시 패널에 보호 패널이나 터치 패널 등의 투명 패널을 접합하는데 적합하게 사용할 수 있는 투명 점착 시트로서, 상이한 점탄성 거동을 갖는 제 1 점착층 및 제 2 점착층을 각각 1층 이상 갖고, 또한 이들 층을 적층하여 일체화시켜 이루어진 구성을 구비한 점착 시트로, 주파수 1Hz의 온도 분산으로 측정한 동적 전단 저장 탄성률 G'의 값이 특정한 범위 내인 것을 특징으로 하는 투명 점착 시트가 개시되어 있다.특허문헌 2에는, 중간 수지층(A)과, 표리면층(表裏面層)으로서의 감압 접착제층(B)을 갖는 투명 양면 점착 시트로서, 각 층은 모두 1종류 이상의 (메타)아크릴산에스테르계 (공)중합체를 베이스 수지로 하는 층이며, 온도 범위 0℃ 내지 100℃에서, 주파수 1Hz에서의 중간 수지층(A)의 저장 전단 탄성율(G'(A))이 감압 접착제층(B)보다 높고, 또한 시트 전체의 압입 경도(아스카 C2 경도)가 10 내지 80인 것을 특징으로 하는 투명 양면 점착 시트가 개시되어 있다.또한, 특허문헌 3에는, 단차 또는 융기를 갖는 표면에 적용 가능한, 얇은(예를 들면, 30 내지 50㎛ 두께) 점착 시트로서, 자외선 가교성 부위를 갖는 (메타)아크릴산에스테르를 포함하는 모노머의 (메타)아크릴 공중합체를 포함하여 이루어진 자외선 가교성 점착 시트로, 자외선 가교 전의 점착 시트의 저장 탄성률이, 30℃, 1Hz에서, 5.0×104Pa 이상, 1.0×106Pa 이하, 또한 80℃, 1Hz에서, 5.0×104Pa 이하이고, 또한 자외선 가교 후의 점착 시트의 저장 탄성률이, 130℃, 1Hz에서, 1.0×103Pa 이상인, 자외선 가교성 점착 시트가 개시되어 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] : 국제공개공보 팜플렛 WO2010/044229호: 국제공개공보 팜플렛 WO2011/129200호: 일본 공개특허공보 특개2011-184582호 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 휴대 전화나 휴대 단말 등을 중심으로 화상 표시 장치의 분야에서는, 박육화(薄肉化), 고정밀화에 더하여 디자인의 다양화가 진행되고 있고, 그에 따라 새로운 과제가 생겼다. 예를 들면, 표면 보호 패널의 주연부(周緣部)에는, 테두리 형상으로 흑색의 은폐부를 인쇄하는 것이 종래는 일반적이었지만, 디자인의 다양화에 따라 이 테두리 형상의 은폐부를 흑색 이외의 색으로 형성하는 것이 실시되기 시작하였다.그런데, 흑색 이외의 색으로 은폐부를 형성하는 경우, 흑색 이외의 색에서는 은폐성이 낮기 때문에, 흑색에 비하여 은폐부, 즉 인쇄부의 두께를 두껍게 할 필요가 있다. 그렇게 하면, 그러한 인쇄부를 구비한 구성 부재를 접합하기 위한 점착 시트에는, 큰 인쇄 단차에 추종(追從)하여 구석구석까지 충전할 수 있는 단차 추종성(追從性)이 요구된다. 또한, 인쇄부의 두께가 커짐으로써 인쇄부에 접하는 부분에는 다른 부분에 비하여 큰 응력이 화상 표시 장치에 걸리게 되고, 변형이 생겨 광학 특성에 악영향을 끼칠 가능성이 있기 때문에, 이러한 변형을 억제하는 것도 요구된다. 더욱이, 화상 표시 장치의 박육화가 점점 진행되고 있기 때문에, 박육화를 방해하지 않고 이러한 과제를 해결할 필요가 있다.그래서 본 발명은, 단차부를 접합면에 갖는 화상 표시 장치 구성 부재를 접합하기 위하여 사용하는 화상 표시 장치용 투명 양면 점착 시트에 관한 것으로, 점착 시트의 두께를 250㎛ 이하로 억제한다는 제약하에서, 접합면에 높이 50㎛ 내지 100㎛의 단차부를 갖고 있어도, 접합 후에 점착 시트 내에 생기는 변형을 완화할 수 있는, 새로운 화상 표시 장치용 투명 양면 점착 시트를 제공하고자 하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명은, 높이 50㎛ 내지 100㎛의 단차부, 및 평탄면부를 접합면에 갖는 화상 표시 장치 구성 부재와, 다른 화상 표시 장치 구성 부재를 접합하기 위하여 사용되는 화상 표시 장치용 투명 양면 점착 시트로서, 점착 시트의 최대 두께 부분의 두께가 250㎛ 이하이고, 접합 후에 있어서의 상기 단차부에 접하는 위치의 겔 분률(a)이 10% 이상이며, 또한 상기 평탄면부에 접하는 위치의 겔 분률(b)보다 작은 것을 특징으로 하는, 화상 표시 장치용 투명 양면 점착 시트를 제안한다.본 발명은 또한, 적어도 대면하는 2개의 화상 표시 장치용 구성 부재를 구비하고, 적어도 한쪽의 화상 표시 장치용 구성 부재는 접합면에 높이 50 내지 100㎛의 단차부와 당해 단차부를 제외한 평탄면부를 갖는 화상 표시 장치에 있어서, 상기 2개의 화상 표시 장치용 구성 부재의 사이를, 본 발명이 제안하는 상기의 화상 표시 장치용 투명 양면 점착 시트로 충전하여 이루어진 구성을 구비한 화상 표시 장치를 제안한다. [ 발명의 효과 ] 본 발명이 제안하는 투명 양면 점착 시트에 의하면, 접합시키는 화상 표시 장치용 구성 부재의 접합면에 높이 50㎛ 내지 100㎛의 단차부를 갖는 경우에도, 점착 시트의 두께를 250㎛ 이하로 억제한다는 제약하에서, 접합 후에 있어서의 단차부에 접하는 위치의 겔 분률(a)을, 상기 평탄면부에 접하는 위치의 겔 분률(b)보다 작아지도록 조정함으로써, 단차부에 접하는 부분에 생기는 변형을 완화할 수 있고, 광학 특성에 대한 악영향을 억제할 수 있다. 따라서, 본 발명이 제안하는 화상 표시 장치 및 화상 표시 장치용 투명 양면 점착 시트는, 박육화 및 디자인의 다양화가 진행되는 화상 표시 장치, 예를 들면, 퍼스널 컴퓨터(PC), 휴대 정보 단말(PDA), 휴대 전화기 등의 모바일 단말, 게임기, 텔레비전(TV), 카 네비게이션, 액정펜 태블릿, 또한 터치 패널 기능 부착 화상 표시 단말 등에 적합하게 사용할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명의 일례에 따른 화상 표시 장치용 투명 양면 점착 시트를 사용하여 2개의 화상 표시 장치용 구성 부재를 접합한 후의 상태의 일례를 도시한 단면도이다.도 2는 본 발명의 일례에 따른 화상 표시 장치용 투명 양면 점착 시트를 사용하여 2개의 화상 표시 장치용 구성 부재를 접합하는 방법의 일례를 도시한 단면도이고, (a)는 접합하기 전의 상태의 일례를 도시한 분해 단면도이며, (b)는 접합한 후의 상태의 일례를 도시한 단면도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하에, 본 발명의 실시형태의 일례에 대하여 설명하지만, 본 발명이 하기 실시형태에 제한되는 것은 아니다.003c#본 점착 시트003e#본 실시형태에 따른 화상 표시 장치용 투명 양면 점착 시트(이하, 「본 점착 시트」라고 칭한다)는, 높이 50㎛ 내지 100㎛의 단차부를 접합면에 갖는 화상 표시 장치용 구성 부재와, 다른 화상 표시 장치용 구성 부재를 접합하여 일체화시키기 위하여 사용되는 점착 시트로서, 투명하고 표리(表裏) 양면을 점착면으로 하여 이루어진 투명 양면 점착 시트이다.(겔 분률)본 점착 시트는, 점착 시트 내의 부위에 의해, 접착 후에 있어서의 겔 분률을 다르게 할 수 있다는 특성을 갖추고 있다.예를 들면, 높이 50㎛ 내지 100㎛의 단차부를 접합면에 갖는 화상 표시 장치용 구성 부재와, 다른 화상 표시 장치용 구성 부재를 접합한 후, 상기 단차부에 접하는 위치의 겔 분률(a)이 평탄면부에 접하는 위치의 겔 분률(b)보다 작게 할 수 있다.보다 구체적인 일례로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 점착 시트 내의 단차부에 접하는 영역 B의 겔 분률(a)이 평탄면부에 접하는 영역 A의 겔 분률(b)보다 작게 할 수 있다. 이렇게 단차부에 접하는 위치의 겔 분률(a)을, 평탄면부에 접하는 위치의 겔 분률(b)보다 작게 함으로써, 단차부에 의해 압박되어 받는 응력을 완화할 수 있고, 이 부분에 생기는 변형을 작게 할 수 있기 때문에 단차부에 접하는 위치와 평탄면부에 접하는 위치에서의 변형의 차를 작게 할 수 있고, 광학 특성에 대한 악영향을 억제할 수 있다.이러한 관점에서, 상기 단차 하부의 겔 분률(a)과 상기 평탄면 하부의 겔 분률(b)의 차[(b)-(a)]는, 5 내지 30%인 것이 바람직하고, 그 중에서도 5% 이상 또는 25% 이하, 그 중에서도 특히 5% 이상 또는 20% 이하인 것이 더욱 바람직하다.겔 분률의 차가 5% 이상이면, 단차부에 의해 압박되어 받는 응력을 완화할 수 있고, 단차부에 접하는 위치와 평탄면부에 접하는 위치에서의 변형의 차를 작게 할 수 있다. 한편, 겔 분률의 차가 30% 이하이면, 점착 시트 내에서 겔 분률의 차가 지나치게 크기 때문에 오히려 변형이 생겨 광학 특성에 악영향을 끼치는 일도 없다.접합 후에 있어서의 단차부에 접하는 위치의 겔 분률(a)은, 10% 이상일 필요가 있고, 그 중에서도 30 내지 80%의 범위 내에 있는 것이 바람직하고, 그 중에서도 40% 이상 또는 70% 이하, 그 중에서도 특히 50% 이상 또는 70% 이하인 것이 더욱 바람직하다.겔 분률(a)이 10% 이상이면, 유동하지 않는 정도로 점착 시트의 형상을 유지하면서, 단차 하부의 응력을 적절하게 완화할 수 있고, 30% 이상이면, 바람직한 점착력을 수득할 수 있다. 한편, 70% 이하이면, 단차부에 의해 압박되어 받는 응력을 완화할 수 있다.접합 후에 있어서의 평탄면부에 접하는 위치의 겔 분률(b)은 35 내지 100%의 범위 내에 있는 것이 바람직하고, 그 중에서도 45% 이상 또는 95% 이하, 그 중에서도 특히 55% 이상 또는 90% 이하인 것이 더욱 바람직하다.겔 분률(b)이 35% 이상이면 바람직한 점착력을 수득할 수 있다.상술한 바와 같이, 점착 시트 내의 부위에 의해, 접착 후에 있어서의 겔 분률을 다르게 하는 방법으로서, 다음과 같은 형성 방법을 들 수 있다.(1) 화상 표시 장치용 구성 부재의 접합 전의 단계에서, 높은 단차 추수성(追隨性)을 갖는데에 충분한 유연성을 유지하면서도, 보관시에 변형이나 유동을 일으키지 않는 정도, 구체적으로는 겔 분률이 10 내지 70%의 범위 내가 되도록, 광경화형 점착 시트의 시트 전체를 미리 가교(경화: 1차 경화)시킨다. 그리고, 화상 표시 장치용 구성 부재의 접합 후, 인쇄 단차부 등의 단차를 갖는 은폐부의 외측으로부터 광을 조사하거나, 또는 단차부를 피복하도록 마스킹 시트를 포개고 당해 마스킹 시트를 통하여 광을 조사하거나 하여, 단차부에 접하는 부분 이외의 부분, 즉 평탄면부에 접하는 부분만 가교(경화: 2차 경화)시키도록 하면, 접합 후의 점착 시트 내에서의, 단차부에 접하는 위치의 겔 분률(a)을 평탄면부에 접하는 위치의 겔 분률(b)보다 작게 할 수 있다(형성 방법 1).(2) 또한, 단차부에 접하는 부분의 점착 시트 A와, 평탄면부에 접하는 부분의 점착 시트 B를, 각각 원하는 겔 분률이 되도록 따로따로 제작하여, 양자를 일체화시킨 후, 화상 표시 장치용 구성 부재를 접합하도록 하여도 접합 후의 점착 시트 내에서의 단차부에 접하는 위치의 겔 분률(a)을 평탄면부에 접하는 위치의 겔 분률(b)보다 작게 할 수도 있다(형성 방법 2).(3) 또한, 겔 분률이 10 내지 70%의 범위 내가 되도록 광경화형 점착 시트의 시트 전체를 미리 가교(경화: 1차 경화)시키고, 화상 표시 장치용 구성 부재의 접합 전에 단차부를 피복하도록 마스킹 시트를 포개고 당해 마스킹 시트를 통하여 광을 조사하는 등, 단차부에 접하는 부분 이외의 부분, 즉 평탄면부에 접하는 부분만 가교(경화: 2차 경화)시키도록 하여, 단차부에 접하는 위치의 겔 분률(a)을 평탄면부에 접하는 위치의 겔 분률(b)보다 작게 한다. 그리고 그 후에, 이렇게 조제한 점착 시트를 통하여 화상 표시 장치용 구성 부재를 접합하도록 하여도 좋다(형성 방법 3).이상의 방법 1 내지 3 중에서, 형성 방법 1이 가장 바람직한 방법이다.즉, 형성 방법 1에 의하면, 높이 50 내지 100㎛의 단차부를 갖는 화상 표시 장치용 구성 부재의 접합에 적용시킬 경우, 1차 경화의 단계에서는 단차부에 충분히 추종시킬 수 있고, 또한 지나치게 유연하지 않을 정도로 가교하여 겔 분률을 조정함으로써 단차부에 추종하여 기포 등을 발생시키지 않고 구석구석까지 충분히 침투하고, 또한 단차부에 의한 응력을 완화할 수 있으며, 더욱이, 단차부에 접하는 부분이 고온 고습 환경하에 노출되거나 급격한 온도 변화에 노출되거나 하여도, 접합 계면에서의 발포나 박리의 문제가 생기지 않도록 할 수 있다.그리고 또한, 접합 후에 2차 경화함으로써 평탄면부의 겔 분률을 높여 응집력, 즉 점착력을 높여 점착 시트 전체로서 2개의 화상 표시 장치용 구성 부재를 확실히 접합시킬 수 있어, 뛰어난 내발포성을 발현할 수 있다.형성 방법 1에 대하여 도면을 사용하여 더 상세하게 설명한다.우선, 점착 시트(2)의 전체를 겔 분률이 10 내지 70%가 되도록 미리 가교(1 차 경화)시킨다.다음에, 도 2(a)에 도시된 바와 같이, 높이 50 내지 100㎛의 인쇄 단차부(1)를 갖는 화상 표시 장치용 구성 부재(1)와, 화상 표시 장치용 구성 부재(3)를 상기 점착 시트(2)를 통하여 적층한다. 이 단계에서는, 점착 시트(2)는 적절하게 유연하기 때문에, 보관 안정성을 유지하면서 단차에 충분히 추종할 수 있다.그리고 다음에, 화상 표시 장치용 구성 부재(1)의 외측으로부터 자외선 등의 광을 조사한다(도 2(b)). 그러면, 인쇄 단차(1)가 광을 차폐하기 때문에, 인쇄 단차(1)에 접하는 부분에는 광이 도달하지 않거나, 또는 도달하는 광이 현저히 제한되는 한편, 인쇄 단차(1)가 없는 평탄면부(3)에 접하는 부분에는 광이 충분히 도달하고, 이 부분의 가교 반응이 진행되어 2차 경화시킬 수 있어, 뛰어난 내박리성 및 내발포성을 실현할 수 있다.003c#점착제 조성물003e#본 점착 시트를 형성하는데 적합하게 사용할 수 있는 구성 재료의 일례(이하, 「본 점착제 조성물」이라고 칭한다)에 대하여 설명한다. 다만, 어디까지나 일례이며, 이것에 한정되는 것은 아니다.본 점착제 조성물로서는, 상술한 바와 같이, 점착 시트 내의 부위에 의해, 접착 후에 있어서의 겔 분률을 다르게 할 수 있는 것이면, 특히 그 조성 등을 한정하는 것은 아니다. 다만, 상기의 형성 방법 1 내지 3, 그 중에서도 형성 방법 1을 실현하기 위하여는 광경화형 점착제 조성물인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 소정 범위의 분자량을 갖는 베이스 중합체와, 광가교 개시제와, 필요에 따라 가교제를 포함하는 것이 바람직하다.(베이스 중합체)본 점착제 조성물의 베이스 중합체는, 점착성, 투명성 및 내후성 등의 관점에서, (메타)아크릴산에스테르계 중합체(공중합체를 포함하는 의미로, 이하 「아크릴산에스테르계 (공)중합체」라고 칭한다)인 것이 바람직하다.베이스 수지로서의 아크릴산에스테르계 (공)중합체는, 이것을 중합하기 위하여 사용하는 아크릴 모노머나 메타크릴 모노머의 종류, 조성 비율, 또는 중합 조건 등을 적절히 선택함으로써 유리 전이 온도(Tg)나 분자량 등의 물성을 적절히 조정하여 조제하는 것이 가능하다.아크릴산에스테르 (공)중합체를 구성하는 아크릴 모노머로서는, 예를 들면, 2-에틸헥실아크릴레이트, n-옥틸아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트 등을 주원료로서 들 수 있다.이들 이외에, 응집력 부여나 극성 부여 등의 목적에 따라, 다양한 관능기를 갖는 (메타)아크릴 모노머를 상기 아크릴 모노머와 공중합시켜도 좋다. 당해 관능기를 갖는 (메타)아크릴 모노머로서는, 예를 들면, 메틸메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 하이드록시에틸아크릴레이트, 아크릴산, 글리시딜아크릴레이트, N-치환 아크릴아미드, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 함불소 알킬아크릴레이트, 오르가노실록시기 함유 아크릴레이트 등을 들 수 있다.이외에도, 상기 아크릴 모노머나 메타크릴 모노머와 공중합 가능한 아세트산비닐이나 알킬비닐에테르, 하이드록시알킬비닐에테르 등의 각종 비닐 모노머도 적절히 중합에 사용할 수 있다.본 점착제 조성물은, 비(非)용제계, 즉 용제를 포함하지 않고 핫멜트 형성 가능하고, 1차 경화시킨 단계에서 적당한 점착력을 갖고, 또한 피착체 표면의 요철이나 이물에 추수할 수 있는 유연성을 갖는 것이 바람직하다.베이스 중합체의 분자량이 지나치게 커도 지나치게 작아도 핫멜트에 의해 제막할 수 없다. 또한, 베이스 중합체의 분자량이 지나치게 작으면, 접합 전의 경화(가교)시에 점착력을 발휘하지 않거나 지나치게 유연하여 핸들링성이 떨어질 가능성이 있고, 반대로 분자량이 지나치게 크면, 접합 전의 경화(가교) 단계에서 단단해져 피착체 표면의 요철이나 이물에 추수할 수 없을 가능성이 있다.따라서, 이러한 관점에서, 베이스 중합체의 질량 평균 분자량은 10만 내지 70만, 특히 20만 이상, 또는 60만 이하, 그 중에서도 특히 25만 이상 또는 50만 이하인 아크릴산에스테르계 (공)중합체를 사용하는 것이 바람직하다.그 중에서도, 질량 평균 분자량(Mw)/수평균 분자량(Mn)이 5 내지 10, 그 중에서도 6 이상 또는 9 이하의 아크릴산에스테르계 (공)중합체를 사용하는 것이 더욱 바람직하다. 질량 평균 분자량/수평균 분자량이 크다는 것은 분자량 분포가 넓은 것을 의미하고, 이 값이 5 내지 10 정도로 크면, 저분자량 성분 및 고분자량 성분의 각각이 유동성이나 점유성(粘濡姓), 응집력이라는 분자량 균형의 성능에 기여하기 때문에, 분자량 분포가 좁은(균일한) 것보다, 가공성이나 점착 성능이 좋아지는 경향이 있다. (가교제) 아크릴산에스테르계 (공)중합체를 가교할 때에 사용하는 가교제로서는, 예를 들면, (메타)아크릴로일기를 2개 이상 갖는 다관능 (메타)아크릴레이트가 바람직하다.이러한 관점에서, 가교제의 양은, 베이스 중합체 100질량부에 대하여 0 내지 30질량부, 특히 20질량부 이하, 그 중에서도 10질량부 이하, 그 중에서도 특히 5질량부 이하로 하는 것이 바람직하다.(가교 개시제)본 점착제 조성물에 사용하는 가교 개시제로서는, 분자간 수소 인발형 광중합성 개시제(「수소 인발형 광개시제」라고도 칭한다)를 특히 바람직한 일례로서 들 수 있다.광중합 개시제는, 광 조사에 의해 라디칼을 발생시켜 계(系) 중의 중합 반응의 기점(起点)이 된다. (메타)아크릴산에스테르나 비닐에스테르계 중의 라디칼 발생 기구(發生 機構)는 크게 2개로 분류되며, 광중합 개시제 자신의 단(單)결합을 개열 분해하여 라디칼을 발생시키는 분자내 개열형과, 광 여기한 개시제와 계 중의 수소 공여체가 여기 착체를 형성하여 수소 공여체의 수소를 전이시키는 수소 인발형으로 크게 구별된다.분자내 개열형은, 광 조사에 의해 라디칼을 발생할 때에 분해하여 별도의 화합물이 되기 때문에, 한번 여기되면 반응 개시제로서의 기능을 갖지 않게 되는데 반해, 수소 인발형은, 한번 여기되어도 개시제 중 반응하지 않았던 것은 기저 상태로 되돌아오기 때문에, 반응 개시제로서 다시 이용 가능하다. 이 때문에, 분자내 개열형의 광중합 개시제에 비하여, 수소 인발형의 광중합 개시제는, 자외선에 의해 조성물을 1차 경화한 후에도 계 중에 활성 종으로서 잔존하기 쉽다. 따라서, 접합 후에 자외선을 조사하고, 또한 가교(2차 경화)시킬 때의 반응 개시제로서 사용할 수 있다. 또한, 수소 인발형의 광중합 개시제는, 분자내 개열형에 비하여, 저분자량의 분해 생성물이 적고, 분해물 유래의 아웃 가스(oug gas)나 용출물의 발생이 적다는 점에서도 뛰어나다.수소 인발형 광개시제로서는, 예를 들면, 벤조페논, 4-메틸벤조페논, 2,4,6-트리메틸벤조페논, 4-페닐벤조페논, 4-하이드록시벤조페논, 4,4'-디메틸아미노벤조페논, o-벤조일벤조산메틸, 디벤조스베론 등의 벤조페논계 화합물을 들 수 있다.그 외에도, 티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 2-이소프로필티옥산톤, 2,4-디메틸티옥산톤 등의 티옥산톤계 화합물이나, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-tert부틸안트라퀴논, 2-아미노안트라퀴논 등의 안트라퀴논계 화합물이나, 벤질이나 캠퍼퀴논 등의 α-디카르보닐계 화합물을 들 수 있다.이들은 2종류 이상의 조합으로 이루어진 혼합 성분으로서 사용할 수도 있다. 다만, 수소 인발형의 광개시제로서 상기에 예를 든 물질에 한정하는 것이 아니다. 또한, 분자내 개열형의 광중합 개시제를 다양한 비율로 병용하여도 좋다.광중합 개시제의 첨가량은 특별히 제한되는 것이 아니고, 일반적으로는 베이스 수지 100질량부에 대하여 0.1 내지 10질량부, 특히 0.2질량부 이상 또는 5질량부 이하, 그 중에서도 0.5질량부 이상 또는 3질량부 이하의 비율로 조정하는 것이 바람직하다. 다만, 다른 요소와의 밸런스로 이 범위를 초과하여도 좋다.(그 외)아크릴산에스테르계 (공)중합체를 가교할 때에는, 필요에 따라 각종 첨가제를 적절히 첨가하여도 좋다.003c#적층 구성003e#본 점착 시트는, 단일층으로 이루어진 시트여도 좋고, 2층 이상을 적층하여 이루어진 다층 시트여도 좋다.본 점착 시트를 다층의 투명 양면 점착 시트로 하는 경우에는, 즉, 중간층과 최외층을 구비한 적층 구성의 투명 양면 점착 시트를 형성하는 경우에는, 그 최외층을 상기한 본 점착제 조성물로부터 형성하는 것이 바람직하다.(두께)본 점착 시트의 두께는, 화상 표시 장치의 박육화를 방해하지 않는다는 관점에서, 최대 두께 부분의 두께가 250㎛ 이하이면 좋다. 바꿔 말하면, 본 점착 시트는, 두께가 균일한 시트여도 좋고, 부분적으로 두께가 다른 불균일한 시트여도 좋고, 두께가 불균일한 시트의 경우에는, 가장 두께가 큰 부분의 두께가 250㎛ 이하이면 좋다.본 점착 시트는 최대 100㎛ 정도의 단차를 메우는 것이 가능하다.003c#화상 표시 장치003e#본 점착 시트는, 단차부를 구비한 화상 표시 장치용 구성 부재를 갖는 화상 표시 장치에 적합하게 사용할 수 있다.예를 들면, 적어도 대면하는 2개의 화상 표시 장치용 구성 부재를 구비하고, 적어도 한쪽의 화상 표시 장치용 구성 부재는 접합면에 높이 50 내지 100㎛의 단차부와 평탄면부를 갖고, 대면하는 2개의 화상 표시 장치용 구성 부재의 평탄면부들이 이루는 간격이 250㎛ 이하인 화상 표시 장치에 있어서, 당해 2개의 화상 표시 장치용 구성 부재의 사이가, 본 점착 시트를 통하여 접합되어 이루어진 구성을 구비한 화상 표시 장치를 구성할 수 있다.이때, 접합면에 높이 50 내지 100㎛의 단차부와 평탄면부를 갖는 화상 표시 장치용 구성 부재로서는, 예를 들면, 주연부에 테두리 형상 은폐 인쇄부가 형성된 구성을 갖는 보호 패널 등의 화상 표시 장치용 구성 부재를 들 수 있다. 또한 그 이외에도, 터치 패널 기능이 일체화된 터치 온 렌즈형의 표면 보호 패널을 사용할 수도 있다.한편, 이것과 접합하는 화상 표시 장치용 구성 부재로서는, 예를 들면, 터치 패널, 화상 표시 패널 등을 들 수 있다.상기 화상 표시 패널로서는, 액정층이 유리 기판에 따라서는 협지(挾持)된 구성을 갖는 액정 패널 이외에, 표면 반사에 의한 화질의 저하를 방지하기 위하여, 액정 패널의 시인측에 편광 필름이 적층된 구성을 갖는 것 등을 들 수 있다.또한, 상기 화상 표시 패널 내에, 터치 패널을 내장한 온셀형 이외에, 액정의 화소 중에 터치 센서 기능을 내장한 인셀형의 화상 표시 패널을 사용할 수도 있다.003c#용어의 설명003e#일반적으로 「필름」이란, 길이 및 폭에 비하여 두께가 매우 작고, 최대 두께가 임의로 한정되어 있는 얇은 평평한 제품으로, 통상, 롤의 형태로 공급되는 것을 말하며(일본공업규격 JISK6900), 일반적으로 「시트」란, JIS에서의 정의상, 얇고, 일반적으로 그 두께가 길이와 폭에 비해서는 작고 평평한 제품을 말한다. 그러나, 시트와 필름의 경계는 확실하지 않고, 본 발명에서 문언상 양자를 구별할 필요가 없으므로, 본 발명에서는 「필름」이라고 칭하는 경우에도 「시트」를 포함하는 것으로 하고, 「시트」라고 칭하는 경우에도 「필름」을 포함하는 것으로 한다.본 발명에서, 「X 내지 Y」(X, Y는 임의의 숫자)라고 표현한 경우, 특별히 예고하지 않는 한 「X 이상 Y 이하」의 뜻과 함께 「바람직하게는 X보다 큰」 및 「바람직하게는 Y보다 작은」의 뜻을 포함한다.또한, 본 발명에서, 「X 이상」(X는 임의의 숫자)이라고 표현한 경우, 특별히 예고하지 않는 한 「바람직하게는 X보다 큰」의 뜻을 포함하고, 「Y 이하」(Y는 임의의 숫자)라고 표현한 경우, 특별히 예고하지 않는 한 「바람직하게는 Y보다 작은」의 뜻을 포함한다.[실시예]이하에, 실시예 및 비교예에 의해 더 자세하게 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.003c#구성 부재의 제작003e#우선, 후술하는 점착 시트 1 내지 5를 제작하기 위한 구성 부재를 다음과 같이 하여 제작하였다.(중간 수지층 형성용 적층 시트 1)2-에틸헥실아크릴레이트(단독중합체 Tg(2-에틸헥실아크릴레이트만을 중합하여 이루어진 중합체의 유리 전이점): -70℃) 75질량부와, 아세트산비닐(단독중합체 Tg +32℃) 20질량부와, 아크릴산(단독중합체 Tg +106℃) 5질량부를 랜덤 공중합하여 이루어진 아크릴산에스테르 공중합체 A(Mw=440000, Mn=62000, Mw/Mn=8, 이론 Tg -50℃)를 준비하였다.이 아크릴산에스테르 공중합체 A 1kg에, 가교제로서의 자외선 경화 수지 프로폭시화 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트(신나카무라가가쿠고교가부시키가이샤 제조 「ATM-4PL」) 100g과, 광중합 개시제로서의 4-메틸벤조페논 15g을 혼합하여 중간 수지층용 조성물(A-1)을 조제하였다.한쪽 면을 박리 가능하게 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(파낙가부시키가이샤 제조 PET 필름 「NP75Z01」, 두께 75㎛)의 당해 한쪽 면에, 상기 중간 수지층용 조성물(A-1)을 가열 용융하여 두께 110㎛가 되도록 애플리케이터로 도공(塗工)한 후, 한쪽 면을 박리 가능하게 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도요보세키가부시키가이샤 제조 PET 필름 「E7006」, 두께 38㎛)의 당해 한쪽 면을 접촉시키도록 피복하여, PET 필름/자외선 가교성 중간 수지층(A-1, 두께 120㎛)/PET 필름으로 이루어진 중간 수지층 형성용 적층 시트 1을 제작하였다.(중간 수지층 형성용 적층 시트 2)가교제로서의 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트를 200g과, 광중합 개시제로서의 1-하이드록시-시클로헥실페닐케톤을 15g 배합한 이외에는, 상기 중간 수지층용 조성물(A-1)과 마찬가지로 중간 수지층용 조성물(A-2)을 조제하였다.한쪽 면을 박리 가능하게 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(파낙가부시키가이샤 제조 PET 필름 「NP75Z01」, 두께 75㎛)의 당해 한쪽 면에, 상기 중간 수지층용 조성물(A-2)을 가열 용융하여 두께 130㎛가 되도록 애플리케이터로 도공한 후, 한쪽 면을 박리 가능하게 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도요보세키가부시키가이샤 제조 PET 필름 「E7006」, 두께 38㎛)의 당해 한쪽 면을 접촉시키도록 피복하여, PET 필름/자외선 가교성 중간 수지층(A-2, 두께 130㎛)/PET 필름으로 이루어진 중간 수지층 형성용 적층 시트 2를 제작하였다.(점착제층 형성용 적층 시트 1)상기 아크릴산에스테르 공중합체 A 1kg에, 광중합 개시제로서의 4-메틸벤조페논 20g을 첨가 혼합하여, 점착제용 조성물(B-1)을 조제하였다.한쪽 면을 박리 가능하게 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(미쓰비시쥬시가부시키가이샤 제조 PET 필름 「MRA75」, 두께 75㎛)의 당해 한쪽 면 위에, 상기 점착제용 조성물(B-1)을 가열 용융하여 두께가 60㎛가 되도록 시트상(牀)으로 도공하여 성형하고, 한쪽 면을 박리 가능하게 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도요보세키가부시키가이샤 제조 PET 필름 「E7006」, 두께 38㎛)의 당해 한쪽 면을 접촉시키도록 피복하여, PET 필름/자외선 가교성 점착제층(B-1, 두께 60㎛)/PET 필름으로 이루어진 점착제층 형성용 적층 시트 1을 제작하였다.(점착제층 형성용 적층 시트 1'）도공 기재를, 한쪽 면을 박리 가능하게 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(미쓰비시쥬시가부시키가이샤 제조 PET 필름 「MRF50」 두께 50㎛)으로 변환한 것 이외에는, 상기 점착제층 형성용 적층 시트 1과 같게 하여 PET 필름/자외선 가교성 점착제층(B-1',두께 60㎛)/PET 필름으로 이루어진 점착제층 형성용 적층 시트 1'를 제작하였다.003c#점착 시트 1의 제작003e#중간 수지층 형성용 적층 시트 1에서의 중간 수지층(A-1)의 양측의 PET 필름을 순차적으로 박리 제거하는 동시에, 점착제층 형성용 적층 시트 1 및 1'에서의 점착제층(B-1) 및 (B-1')의 일측(一側) PET 필름을 벗기고, 노출된 점착면을 (A-1)의 양표면에 라미네이터로 순차적으로 접합하여, (B-1)/(A-1)/(B-1')로 이루어진 다층 점착 시트를 제작하였다.(B-1) 및 (B-1')의 표면에 남은 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 통하여, 파장 365nm의 적산 광량(積算 光量)이 1000mJ/cm2가 되도록 고압 수은 램프로 자외선을 조사하고, (B-1), (A-1) 및 (B-1')를 자외선 가교시켜 균일한 두께의 2차 경화전 투명 양면 점착 시트 1(총 두께 240㎛)을 제작하였다.003c#점착 시트 2의 제작003e#박리 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(미쓰비시쥬시가부시키가이샤 제조 PET 필름 「MRA75」, 두께 75㎛) 위에, 중간 수지층용 조성물(A-2) 및 점착제용 조성물(B-1)을 점착제층(B-1)/중간 수지층(A-2)/점착제층(B-1)이 되도록 공압출하여, 점착제층(B-1)/중간 수지층(A-2)/점착제층(B-1) = 60/40/60㎛가 되도록 도공 형성하고, 박리 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(미쓰비시쥬시가부시키가이샤 제조 PET 필름 「MRA50」, 두께 50㎛)을 피복하여, PET 필름/(B-1)/(A-2)/(B-1)/PET 필름으로 이루어진 다층 시트를 형성하였다.한쪽의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름측으로부터, 파장 365nm의 적산 광량이 1000mJ/cm2가 되도록 고압 수은 램프로 자외선을 조사하고, (B-1), (A-2) 및 (B-1)을 자외선 가교시켜 균일한 두께의 2차 경화전 투명 양면 점착 시트 2(총 두께 160㎛)를 제작하였다.003c#점착 시트 3의 제작003e#상기 아크릴산에스테르 공중합체 A 1kg에, 가교제로서의 노난디올디아크릴레이트 50g 및 광중합 개시제로서의 4-메틸벤조페논 10g을 혼합 첨가하여 점착제용 조성물(B-3)을 조제하였다.이 점착제 조성물을 가열 용융하고, 박리 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(미쓰비시쥬시가부시키가이샤 제조 PET 필름 「MRF75」, 두께 75㎛) 위에, 두께 170㎛가 되도록 애플리케이터로 도공하여 제막하고, 박리 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(미쓰비시쥬시가부시키가이샤 제조 PET 필름 「MRA50」, 두께 50㎛)을 피복하여, PET 필름/점착제층(B-3)/PET 필름으로 이루어진 시트를 형성하였다.한쪽의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름측으로부터, 파장 365nm의 적산 광량이 800mJ/cm2가 되도록 고압 수은 램프로 자외선을 조사하고, (B-3)을 자외선 가교시켜 균일한 두께의 2차 경화전 투명 양면 점착 시트 3(총 두께 170㎛)을 제작하였다.003c#점착 시트 4의 제작003e#상기 아크릴산에스테르 공중합체 1kg에, 수 첨가 로진에스테르(아라카와가가쿠가부시키가이샤 제조 「파인크리스탈 KE604」) 100g과, 광중합 개시제로서 4-메틸벤조페논과 2,4,6-트리메틸벤조페논의 혼합물(Lanberti사 제조 「Esacure TZT」) 20g을 첨가 혼합하여 점착제용 조성물을 조정하였다. 이 점착제 조성물을 박리 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(미쓰비시쥬시가부시키가이샤 제조 PET 필름 「MRA75」, 두께 75㎛) 위에 애플리케이터로 150㎛ 두께가 되도록 도공 제막하고, 박리 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(미쓰비시쥬시가부시키가이샤 제조 PET 필름 「MRF50」, 두께 50㎛)을 피복하였다.한쪽의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름측으로부터, 파장 365nm의 적산 광량이 1000mJ/cm2가 되도록 고압 수은 램프로 자외선을 조사하여 점착제용 조성물을 자외선 가교시켜 균일한 두께의 2차 경화전 투명 양면 점착 시트 4(총 두께 150㎛)를 제작하였다.003c#점착 시트 5의 제작003e#2-에틸헥실아크릴레이트 48질량부, 2-메톡시에틸아크릴레이트(단독중합체 Tg -50℃) 50질량부 및 4-하이드록시부틸아크릴레이트(단독중합체 Tg -80℃) 2질량부를 랜덤 공중합하여 이루어진 아크릴산에스테르 공중합체(Mw = 100만, 이론 Tg -61℃)를 조제하였다.이 아크릴산에스테르 공중합체 1kg에 대하여, 가교제로서의 어덕트형 헥사메틸렌디이소시아네이트(아사히카세이가부시키가이샤 제조 「Duranate P301-75E」)를, 고형분 환산 0.2질량부 첨가하여 점착제 조성물을 제작하였다. 당해 점착제 조성물을, 박리 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(미쓰비시쥬시가부시키가이샤 제조 PET 필름 「MRA75」 두께 75㎛) 위에 도공 형성·건조 후에, 박리 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(미쓰비시쥬시가부시키가이샤 제조 PET 필름 「MRF50」, 두께 50㎛)을 피복하고, 온도 25℃, 습도 50% 조건하에서 1주일 동안 양생(養生)하고 가교하여, 균일한 두께의 투명 양면 점착 시트 5(총 두께 150㎛)를 제작하였다.003c#점착 시트 6의 제작003e#2-에틸헥실아크릴레이트 87질량부, 아크릴산 12질량부 및 4-아크릴로일옥시벤조페논 1질량부를 랜덤 공중합하여 이루어진 아크릴산에스테르 공중합체(Mw=16만)를 박리 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(미쓰비시쥬시가부시키가이샤 제조 PET 필름 「MRA75」 두께 75㎛) 위에 두께가 150㎛가 되도록 도공 형성한 후, 박리 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(미쓰비시쥬시가부시키가이샤 제조 PET 필름 「MRF50」두께 50㎛)을 피복하여, 균일한 두께의 점착 시트 6(총 두께 150㎛)을 제작하였다.003c#평가003e#상기와 같이 하여 수득된 점착 시트 1 내지 6에 대하여 다음과 같은 평가를 실시하였다.(재단(裁斷) 가공성·보관 안정성 평가)상기 점착 시트 1 내지 6을 박리 필름을 적층한 채 톰슨 타발기(打拔機)를 사용하여 55mm×85mm의 톰슨 칼로 100매 잘랐다. 재단 직후와, 재단품 100매를 적층하여 25℃, 50% 습도 환경하에서 1주일 동안 보관한 후의 단부(端部)의 형상을 관찰하였다.접합 직후 또는 보관 후에, 풀의 밀려나옴이나 단부의 변형이 10매 이상 보인 것을 「×」라고 평가하고, 풀의 밀려나옴이나 단부의 변형이 10매 이상 없었던 것을 「○」라고 판정하였다.(인쇄 단차 추수성 시험)60mm×90mm×두께 0.5mm의 소다 라임 유리의 주연부에, 폭 10mm, 두께 80㎛의 백색 인쇄(모든 광선 투과율 0%)를 실시하고, 주연부에 80㎛의 인쇄 단차를 갖는 평가용 유리 기판을 제작하였다. 이 평가용 유리 기판은 높이 50㎛ 내지 100㎛의 단차부 및 평탄면부를 접합면에 갖는 화상 표시 장치 구성 부재의 대체품이다.이 평가용 유리 기판에 접합하는 시험용 피착체로서, 화상 표시 장치 구성 부재로서의 편광판(니토덴코가부시키가이샤 제조 「NWF-KDSEGHC-ST22」)을 미리 유리판 위(60×90mm×t0.5mm)의 한 면에 전면 접합한 것을 제작하였다.상기 가공성 평가에서 재단한 점착 시트 1 내지 6 중 한쪽의 박리 필름을 벗기고, 노출된 점착면을 상기 유리 기판의 인쇄 단차부를 덮도록 핸드롤러로 접착하였다. 이어서, 남는 박리 필름을 벗기고, 노출된 점착면에 미처리된 소다 라임 유리를 감압하(절대압 5kPa)에서 프레스 접합한 후, 오토클레이브 처리(60℃, 0.2MPa, 20분)를 실시하여 마무리 접착하여, 인쇄 단차 추수성 평가용 적층체를 제작하였다.상기 인쇄 단차 추종성 평가용 적층체를 상태(常態)(온도 23℃, 습도 50%)에서 하루 정치한 후, 외관을 목시 관찰하고, 인쇄 단차 부근에 점착 시트의 들뜸 또는 박리가 발생한 것을 「×」라고 평가하고, 들뜸 또는 박리가 없었던 것을 「○」라고 평가하였다.(내발포성 시험)상기 인쇄 단차 추종성 시험과 동일하게 제작한 인쇄 단차 추수성 평가용 적층체를, 인쇄를 실시한 유리 기판을 통하여 365nm의 자외선이 적산 광량으로 2000mJ/cm2 도달하도록 점착 시트 1 내지 6에 자외선 조사하고, 인쇄부에 둘러싸인 내측의 개구부의 점착 시트를 자외선 가교(2차 경화)하여, 내발포성 시험의 샘플을 제작하였다.각 샘플을, 상태(온도 23℃, 습도 50%)에서 하루 정치한 후, 온도 85℃, 습도 25%의 항온 항습기에서 6시간 양생하여 양생 후의 외관을 목시 관찰하였다.양생 후에 새로운 들뜸이나 발포가 생긴 것을 「×」라고 평가하고, 새로운 들뜸이나 발포가 생기지 않은 것을 「○」라고 평가하였다.(겔 분률)상기 인쇄 단차 추수성 시험과 동일하게 제작한 인쇄 단차 추수성 평가용 적층체에 대하여, 액체 질소에 함침하여 점착재(즉 점착 시트 1 내지 6)를 냉각 고화함으로써 인쇄 부착 유리 기판과 편광판 부착 유리를 분리하였다. 인쇄 부착 유리 기판의 단차부 및 평탄면부에 접하는, 각각의 위치의 점착재(즉 점착 시트 1 내지 6)를 채취하여, 단차 하부의 겔 분률(a) 및 평탄면 하부의 겔 분률(b)을 이하의 방법으로 측정하였다.겔 분률은, 상기 점착재(즉 점착 시트 1 내지 6) 중 단차 하부 및 평탄면부에 접하는 개소(箇所)의 부분을 각각 약 0.05g 정도 채취하여, 미리 질량(X)을 측정한 SUS 메쉬(#200)로 봉투 형상으로 포장하고, 봉투의 입구를 접어 닫아, 이 포장의 질량(Y)을 측정한 후, 100ml의 아세트산에틸에 침지시켜 23℃에서 24시간 동안 암소(暗所) 보관한 후, 포장을 꺼내어 70℃에서 4.5시간 동안 가열하여 부착된 아세트산에틸을 증발시키고, 건조시킨 포장의 질량(Z)을 측정하여, 구한 질량을 하기식에 대입하여 구하였다.겔 분률[％]＝[(Z-X)/(Y-X)]×100003c#고찰003e#상기 점착 시트 1 내지 4는 모두 점착 시트의 두께가 250㎛ 이하이고, 접합 후에 있어서의 단차부에 접하는 위치의 겔 분률(a)을 10% 이상으로 하고, 또한 상기 평탄면부에 접하는 위치의 겔 분률(b)보다 작아지도록 조정함으로써 단차부에 접하는 부분에 생기는 변형을 완화할 수 있고, 광학 특성에 대한 악영향을 억제할 수 있는 것을 알았다.또한, 상기 점착 시트 1 내지 4를 사용한 접합 방법에 의하면, 화상 표시 장치 구성 부재에 적층하는 단계에서는, 점착제 조성물을 자외선 가교하여 1차 경화시킨 상태이기 때문에, 요철을 메울 만한 충분한 유연성을 갖고, 인쇄 단차에 추종할 수 있었다. 그리고, 적층 후에 인쇄부(은폐부)를 통하여 자외선을 조사함으로써 인쇄부(은폐부)에 의해 자외선이 차폐되기 때문에, 인쇄부(은폐부)에 접하는 부분의 가교는 진행되지 않지만, 인쇄부(은폐부)에 둘러싸인 내측의 개구부의 가교는 진행되어 2차 경화하기 때문에, 접합 후에 있어서의 단차부에 접하는 위치의 겔 분률(a)은 상기 평탄면부에 접하는 위치의 겔 분률(b)보다 작아졌다.따라서, 이렇게 함으로써 접합시의 충분한 응력 완화성과 접합 후의 신뢰성을 양립할 수 있는 것을 알았다.이에 대하여, 점착 시트 5는 초기의 겔 분률이 낮기 때문에 유연성이 뛰어나 인쇄 단차 취입성에는 뛰어나지만, 인쇄 단차 하부와 평탄면 하부의 겔 분률에 차가 없는 점착 시트이기 때문에, 적층품을 가열하였을 때의 아웃 가스를 억제할 수 없고, 내발포성이 떨어진 것이었다.또한, 점착 시트 6은 1차 가교를 하지 않고, 인쇄 단차 하부의 겔 분률(a)이 0인 점착 시트이기 때문에, 재단 가공성이 떨어지고, 보관시에는 영구 변형을 일으키기 쉽고 안정성이 떨어지는 것이었다. [ 부호의 설명 ] 1: 화상 표시 장치용 구성 부재2: 점착 시트(1) 인쇄 단차부(2) 인쇄 단차부(3) 평탄면부3: 화상 표시 장치용 구성 부재
점착 시트의 두께를 250㎛ 이하로 억제한다는 제약하에서, 접합면에 높이 50㎛ 내지 100㎛의 단차부를 갖고 있어도, 접합 후에 점착 시트 내에 발생하는 변형을 완화할 수 있는, 새로운 화상 표시 장치용 투명 양면 점착 시트를 제공한다. 높이 50㎛ 내지 100㎛의 단차부, 및 평탄면부를 접합면에 갖는 화상 표시 장치 구성 부재와, 다른 화상 표시 장치 구성 부재를 접합하기 위하여 사용되는 화상 표시 장치용 투명 양면 점착 시트로서, 점착 시트의 최대 두께 부분의 두께가 250㎛ 이하이고, 접합 후에 있어서의 상기 단차부에 접하는 위치의 겔 분률(a)이 10% 이상이며, 또한 상기 평탄면부에 접하는 위치의 겔 분률(b)보다 작은 것을 특징으로 하는, 화상 표시 장치용 투명 양면 점착 시트를 제안한다.
[ 발명의 명칭 ] 단계적 정보 제공 시스템The System And The Method For Giving Imformation By Stages [ 기술분야 ] 본 발명은 단계적으로 정보를 제공하는 것으로, 다양한 입력 장치를 통해 디스플레이 위에서 단계의 조작 명령을 실시하고, 상기 단계의 조작 명령 따라 정보의 내용이 단계 별로 제공되는 시스템에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 터치 스크린 또는 터치 패널이란 키보드를 사용하지 않고 화면(스크린)에 나타난 문자나 특정 위치에 손가락 또는 임의의 조작 수단으로 직접 터치하여 터치한 위치를 검출하고 기 저장된 소프트웨어를 통해 터치된 위치의 조작을 처리하는 유저 인터페이스 장치를 말한다. 하나의 예로, 터치 패널에는 압력식(Resistive Overlay), 표면초음파 방식(Surface Acoustic Wave), 정전용량 방식(Capacitive Overlay) 및 적외선 방식(Infrared Beam) 등이 있다.그리고, 이렇게 다양한 방식의 터치 입력 장치로 인하여 디스플레이 상에서 원하는 조작 명령을 직접 수행할 수가 있게 되며, 실제로 개인 휴대단말기(스마트폰, PDA, MP3, 핸드폰 등) 또는 태블릿 PC 등에 입력부로 채용하고 있다.하지만, 현재의 단말기의 디스플레이는 많은 정보가 상호 연관되어 있으므로, 현재 디스플레이에 표시된 정보와 연관된 또 다른 정보를 효과적으로 표시하고자 하는 구체적인 방법이 아직은 제시되지 못하고 있다. 즉, 현재는 단지 크릭을 통해 현재 화면에 표시된 정보를 연결해 주는데, 현재 화면에 표시된 정보의 단계가 한 개 이상일 경우에는 이것을 효과적으로 연결해 주지는 못하고 있는 실정이다.즉, 종래 미국 특허(US 6,639,584)처럼, 디스플레이 화면 위를 이동하여 제어 명령을 입력하는 방법에 관한 특허 기술은 존재하지만, 디스플레이 위에서 제어 명령을 입력하여 정보가 표시되는 상세한 정도를 제어하거나 표시되는 정보의 양을 제어하는 구체적인 방법은 제시되지 않고 있는 실정이다. 또한, 종래의 또 다른 미국 특허(US 7,657,849) 디스플레이 상단의 입력장치를 통하여 락(lock) 기능이 부여 되도록 하는 방법 만을 제공할 뿐이다.따라서, 콘텐츠를 사용할 때, 단계적 방법으로 정보를 제공하여 원하는 정보가 화면에서 신속하게 표시될 수 있도록 하는 방법이 필요한 실정이다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 선행기술 1 : 미국 특허 등록 번호 US 6,639,584 (2003년 10월 28일) 선행기술 2 : 미국 특허 등록 번호 US 7,657,849 (2010년02월 02일) [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 디스플레이 상단에서 입력장치틀 통하여 입력되는 단계의 조작 명령에 따라, 정보의 내용을 단계적으로 표시하거나 제공하고 또는 별도의 저장 위치에 존재하는 정보도 연결해 주는 시스템 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 목적은, 중앙처리장치, 입력장치, 디스플레이 및 메모리를 포함하는 단말기 내에서의 단계적 정보 제공 방법에 있어서, 입력장치에는, 1 단계부터 K 단계까지 단계가 정해지며, 1 단계는 가장 작은 단계이고 K 단계는 가장 큰 단계이고, K 값은 미리 정해지는 단계적 조작 명령이 입력되고, 상기 중앙처리장치가 단계적 조작 명령의 제어 명령의 단계를 판단하는 1 단계, 중앙처리장치가 현재 상기 디스플레이에 표시된 단계에서 변화된 단계를 더하거나 빼서 최종 단계를 선택하는 2 단계, 중앙처리장치가 선택된 최종 단계에 해당되는 정보를 상기 메모리에서 선택하는 3 단계, 및 중앙처리장치가 선택된 정보를 상기 디스플레이에 표시하는 4 단계를 포함하고, 메모리에는, 1 단계에서부터 K 단계까지 각 단계에 대응되는 정보가 저장되며, N 단계에 저장된 정보에 없는 데이터가 N+1 단계의 정보에는 존재하고, N+1 단계에 저장된 정보는 N 단계에 저장된 정보와는 서로 다른 특징을 가지는 정보가 저장되고, 중앙 처리장치는, 입력장치에서 입력 받은 값으로 단계적 조작 명령의 최종 단계를 판단할 때, N 단계에서 N+1 단계로 한 단계 증가되기 위하여 상기 입력장치에 입력되어야 하는 값은 미리 정해지고, 상기 한 단계 증가되기 위하여 미리 정해진 입력 값 만큼 입력장치에 입력되면 최종 단계를 N+1 단계로 판단하고, 상기 한 단계 증가되기 위하여 미리 정해진 입력 값 보다 작은 값이 입력장치에 입력되면 최종 단계를 N 단계로 판단하고, 단계적 조작 명령을 통하여 입력장치에 입력된 전체 값을 고려하여 현재 단계에서 몇 단계 이동된 것인가를 판단하여 최종 단계를 결정하고, 단계적 조작 명령의 방향이 + 방향이거나 혹은 - 방향 일 수 있고, 현재 단계가 N 단계이고 입력장치를 통해 입력된 단계가 J 단계라고 가정할 때, 단계적 조작 명령의 방향이 + 방향이고, "N+J" 가 K 보다 크거나 같으면 K 단계를 최종 단계로 판단하고, 그렇지 않으면 "N+J" 단계를 최종 단계로 판단하고 되고, 혹은, 단계적 조작 명령의 방향이 - 방향이고, "N-J" 가 1 보다 작거나 같으면 1 단계를 최종 단계로 판단하며, 그렇지 않으면 "N-J" 단계를 최종 단계로 판단하고, 중앙처리장치는 최종 단계가 정해지면, 상기 메모리에 저장된 최종 단계에 대응하는 정보를 선택하고, 상기 선택된 정보를 상기 디스플레이에 표시하고, 디스플레이에 정보가 표시될 때에는, 현재 N 단계에서 한 단계만 증가되어도 디스플레이에 표시되는 정보에는 N단계에 없었던 새로운 데이터가 존재하고, 1 단계에서부터 K 단계까지 각각의 단계의 정보가 디스플레이에 표시되는 동안 표시되는 각각의 단계의 정보는 서로 다른 것을 특징으로 하는 단계적 정보 제공 방법에 의해서 달성 가능하다.그리고, 디스플레이 위에서 점이 선택되고 상기 점이 이동되어 이동 거리에 대한 정보가 출력되면, 중앙처리장치는 상기 이동 거리를 단계로 판단하며, 디스플레이 위에서 점이 선택되고 상기 점이 회전되어 회전 방향에 대한 정보가 출력되면, 중앙처리장치는 상기 회전 이동의 각도를 단계로 판단한다.또한, 상기 단계가 + 이동 단계가 존재하고, 상기 단계가 - 이동 단계가 존재하는며, 상기 입력장치를 통하여 두점이 선택되고 상기 두점 사이의 거리가 가까워 지거나 멀어짐에 따라 단계가 정해진다.본 발명의 또 다른 실시예로서, 디스플레이와 중앙처리장치 및 입력장치가 구비된 단밀기에서, 상기 단말기는 데이터 베이스와 제어부가 구비된 서버와 연결되고, 상기 디스플레이 위에서 단계를 구별하는 단계의 조작 명령이 입력되면, 입력장치는 단계의 조작 명령을 출력하고, 상기 중앙처리장치는 단계의 조작 명령의 단계를 인식하고, 상기조작 명령의 단계에 대한 정보를 서버에 송신하거나 입력장치의 출력을 서버에 송신하고, 상기 서버는 단계에 대한 정보를 데이터 베이스에서 출력하여 단말기에 전송한다.그리고, 디스플레이 위에서 점이 선택되고 상기 점이 이동되어 이동 거리에 대한 정보가 출력되면, 중앙처리장치는 상기 이동 거리를 단계로 판단하고, 디스플레이 위에서 점이 선택되고 상기 점이 회전되어 회전 방향에 대한 정보가 출력되면, 중앙처리장치는 상기 회전 이동의 각도를 단계로 판단한다.또한, 상기 단계가 + 이동 단계가 존재하고, 상기 단계가 - 이동 단계가 존재한다. 한편, 상기 입력장치를 통하여 두점이 선택되고 상기 두점 사이의 거리가 가까워 지거나 멀어짐에 따라 단계가 정해진다.아울러, 현재의 단계가 N 이고, + 만큼 J 단계 이동하면 최종 선택 단계는 N + J 인 것을 특징으로 하고, 현재의 단계가 N 이고, - 만큼 I 단계 이동하면 최종 선택 단계는 N - I 인 것을 특징으로 한다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 따르면, 디스플레이 상단에서 입력장치를 통하여 손가락이나 조작 수단에 의해 단계의 조작 명령을 실시하게 되면 정보를 단계 별로 제공할 뿐 아니라, 여러 단계의 정보가 제공될 경우에도 화면이 전환 없이 동일 화면에서 제공될 수 있고, 아울러 또 다른 인터넷 사이트나 다른 저장 위치에 저장된 정보로의 연결이 가능하도록 한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1 은 유무선 인터넷을 통해 서버와 연결된 단말기의 구성을 나타낸 도면이다.도 2는 서버를 좀더 상세히 나타낸 블록도이다.도 3은 단말기의 블록도를 나타낸 도면이다.도 4는 입력장치를 간단히 나타낸 도면이다.도 5는 입력장치를 통하여 단계의 조작 명령을 수행하는 실시예의 도면이다.도 6은 단계의 조작 명령을 설명하는 실시예의 도면이다.도 7은 입력장치를 통한 조작 명령의 또 다른 실시예의 도면이다.도 8과 도 9는 도 7의 실시예에서 조작 명령의 단계를 나타낸 도면이다.도 10은 단계의 조작 명령으로 전체 화면의 표시정보가 바뀌는 실시예의 도면이다.도 11은 단계의 조작 명령으로 일부 화면의 표시정보가 바뀌는 실시예의 도면이다.도 12내지 도 14는 본 발명의 진행 순서도를 나타낸 실시예의 도면이다.도 15내지 도 17은 조작 명령을 실시하는 또 다른 실시예의 도면이다.도 19는 단계적 입력 방법에 대한 또 다른 실시예의 도면이다.도 20내지 도 28은 선택 영역의 크기가 변하는 실시예의 도면이다. 도 29와 도 31은 정보의 내용과 크기가 다양하게 변하는 실시예의 도면이다.도 32 내지 도 34는 전체화면에서 선택 영역이 2개 이상 존재할 경우의 실시예의 도면이다. 도 35는 단계의 조작 명령에 의하여 변화되는 또 다를 실시예의 도면이다.도 36는 본 발명의 단계의 조작 명령에 따른 실시예의 흐름도이다.도 37은 서버가 각각의 단계와 연결된 정보를 전송하여 주는 실시예의 순서도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세하게 설명한다. 본 발명의 구성 및 그에 따른 작용 효과는 이하의 상세한 설명을 통해 명확하게 이해될 것이다.또한 공지된 기술 구성에 대해서는 구체적인 설명은 생략할 수도 있다.- 실시예 1-도 1 은 유무선 인터넷을 통해 서버와 연결된 단말기의 구성을 나타낸 도면이다.통신 시스템 내에서의 서버(100)는 유무선 인터넷을 통하여 각종 정보 제공 서비스를 운영하기 위한 시스템을 구성하고 있는 장치이다. 상기 서버(100) 관리자 혹은 운영자들이 정보를 입력 관리하는 입력부(103), 정보를 출력하거나 디스플레이 할 수 있는 출력부(105), 각종 정보와 서비스 운영에 관한 정보를 저장하는 데이터 베이스부(104) 및 인터넷 혹은 통신망을 통해 접속자와 데이터를 송수신할 수 있는 인터페이스부(102)가 구성되어 있다. 한편, 정보는, 이미지, 동영상, 텍스트 등 모든 정보를 의미한다.그리고, 단말기(혹은 컴퓨터)(110)는 다양한 정보를 유무선 인터넷(혹은 통신망)을 통하여 송 수신할 수 있는 단말기이다.그러므로 상기 단말기(110)에는 중앙처리장치(CPU)(20), 각종 정보를 표시하는 디스플레이부(30), 각종 정보를 저장하는 메모리부(21), 정보를 입력하는 입력장치(28) 및 정보 혹은 데이터를 입출력 할 수 있는 데이터 입출력부(10)가 구성되어 있다.도 2는 서버를 좀더 상세히 나타낸 블록도이다.서버(100) 내에는 제어부(101)가 구성되며, 상기 제어부(101)에는 데이터를 검색하는 데이터 검색부(111), 데이터 처리부(112) 및 인터넷 접속자 혹은 인터넷 회원들을 관리하고 운영하는 사이트 운영부(113)로 구성된다.아울러, 데이터베이스(104)가 더 구성되며, 상기 데이터베이스(14)에는 사이트 운영과 관련된 정보가 저장된 운영 데이터베이스(141), 각각의 정보에 맞는 데이터가 저장된 정보 데이터베이스(142) 및 다수의 정보가 저장된 데이터베이스(143)로 구성된다. 그리고, 상기 제어부(101)와 데이터 베이스(104)는 하나의 일 예일 뿐이며, 서버 운영의 모든 알고리즘을 수행하는 통상의 제어부와 모든 정보를 저장하는 통상의 데이터 베이스는 본 발명의 실시예에 포함된다고 할 수 있다.한편, 서버(100)의 제어부(101)에서는 사이트 운영부(113)가 접속자(혹은 단말기)에 대한 정보와 회원 여부 및 콘텐츠 사용에 관한 정보 등을 판단하게 되며, 데어터 검색부(111)에서는 접속자(혹은 단말기)로부터 전송된 정보와 일치하는 정보를 데이터 베이스(14)통해 검색하며, 데이터 처리부(112)에서는 검색된 데이터를 인터페이스를 통해 접속자에게 전송하여 준다.도 3은 단말기의 블록도를 나타낸 도면이다.도면에서 중앙처리장치(20)는 본 발명의 실시예에 사용되는 단말기(일반적인 경우에는 휴대용 표시장치, 스마트폰, 혹은 컴퓨터)의 전체 동작을 제어하는 제어수단이다. 그리고, 메모리부(21)에 존재하는 롬(21a)은 표시장치의 수행 프로그램을 제어하고, 램(21b)은 프로그램 수행시에 발생하는 데이타를 저장하며, 이이피롬(21c)은 사용자가 필요로 하는 데이터 및 이를 처리하는 데에 필요한 데이타를 보관한다. R/F부(24)는 무선주파수(Radio Frequency)로서, RF 채널에 동조하고, 입력되는 각종 신호를 증폭하며, 안테나에서 수신된 RF 신호를 필요한 주파수 신호로 변경한다. 입출력부(10)는 입력부와 출력부를 포함하며, 입력부는 각종 정보 입력 기기, 숫자 키, 메뉴키 및 선택키를 포함하여 나타낸 것이며, 출력부에는 스피카 나 진동장치 등도 포함된다.중앙처리장치(20)의 신호 출력을 받아 디스플레이를 구동하는 디스플레이 구동회로(25)가 있으며, 다시 구동회로는 디스플레이(30)가 구동 가능한 신호를 출력한다.아울러 중앙처리장치는 입력장치 구동부(27)를 통해서 입력장치(28)를 제어한다. 즉, 입력장치를 통하여 정보가 입력되면, 입력창치 구동부는 중앙처리장치에 입력 정보를 출력하게 전송하게 된다. 한편, 본 발명의 단말기는 휴대용 표시장치, 스마트폰, 태블릿 피씨 혹은 컴퓨터 등을 포함할 수 있다.도 4는 입력장치를 간단히 나타낸 도면이다.입력장치의 단면도를 간단히 나타낸 도면으로, (A)도는 정전용량 방식을 나타낸 도면이고, (B)도는 저항막 방식을 나타낸 도면이다.즉, 상기 (A)도에서 보호판(28a) 하부에 투명 전극이 코팅된 전극판(29a)이 구비되며, 상기 전극판(29a)은 투명전극이 코팅된 필름이 한 장 혹은 두장으로 구성된 것이다.또한, 상기 (B)도는 보호판(28a) 상부에 투명전극이 코팅된 2 개의 필름(29a)(29b)이 일정한 간격이 유지된 상태로 대향되게 구비된다, 그리고 상기의 입력장치(28) (28) 상단에 외부 보호판(혹은 화장판)(28b)가 더 구비될 수가 있다. 그리고 상기 보호판(28b)에 원하는 문양의 코팅이 이루어지게 된다.그리고, 도 4는 통상 적으로 많이 사용되는 입력장치(28)의 예를 나타낸 것이며, 본 발명은 입력장치(28)에 대한 발명은 아니다. 따라서, 디스플레이 위에서 정보를 입력할 수 있는 통상의 입력장치(28)는 본 발명에 적용가능하다.이때, 디스플레이 위에서라는 것은 디스플레이 표면에 압력이나 접촉을 가하지 않은 상태에서 정보를 입력할 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 입력장치 소자와 디스플레이가 일체화된 기기에도 본 발명의 실시예가 적용될 수 있다. 도 5는 입력장치를 통하여 단계의 조작 명령을 수행하는 실시예의 도면이다.도 5의 실시예에서처럼, 디스플레이(30) 위에서 작은 바(Bar)를 사용하거나 혹은 손가락을 사용하여 단계의 조작 명령을 하게 된다, 즉, 입력장치(28)를 통해 디스플레이에 표시된 정보를 대상으로 단계의 조작 명령을 입력하는 것이다. 도 5면에서처럼 두 개의 손가락(혹은 바)을 사용하여, 두 손가락이 선택한 점(포인트)의 사이의 거리를 줄이거나 늘이는 방법으로 단계의 조작 명령을 실행한다.도 6은 단계의 조작 명령을 설명하는 실시예의 도면이다.두 손가락(혹은 두 개의 바)이 두 개의 점을 정하고, 상기 점이 움직인 이동 거리를 단계로 구분하고, 각 단계별로 명령을 인식하도록 하는 조작 명령이 "단계의 조작 명령"이다. 그리고, 단계의 조작 명령이 실행되면 각각의 단계에 대응되는 정보가 단말기 디스플레이(30) 화면에 표시된다. 상기 단계는 적어도 2 단계 이상의 한정된 숫자 N 이다. 너무 많으면 좋지 않으므로 10 단계 혹은 5 단계 이내가 적당하다. 또한, 단계에 대하여 정리를 하면 다음과 같다. 1) 하나의 단계로 인식되는 거리는 미리 정해진다. 2) 인식될 수 있는 최대 단계의 수는 미리 정해진다. 인식될 수 있는 최대 거리도 미리 정해진다. 3) 단계의 조작 명령은 + 방향과 - 방향이 존재한다.4) 오차 범위가 존재한다.5) 각각의 단계별로 각각의 단계에 대응하는 정보가 존재한다.도 6에서 보면, 두 점 사이의 이동 경로인 가이드 선(50)(51)을 표시하였고, 도(A)에서처럼 상기 가이드 선에 각각의 단계(50a)(50b)(50c)(50d)(50e)를 표시하였다. (도 (B)에서는 각각 단계가 "(51a)(51b)(51c)(51d)(51e)" 이다)이때, 두점 사이의 거리가 가까워지는 도 (A)의 경우에는, 1 단계 "50e", 2 단계 "50d", 3 단계 "50c", 4 단계 "50b", 5 단계 "50a" 이고,두점 사이의 거리가 멀어지는 도 (B)의 경우에는1 단계 "51a", 2 단계 "51b", 3 단계 "51c", 4 단계 "51d", 5 단계 "51e" 이다. 그리고, 한 단계 이동할 때의 거리를 10mm 로 미리 정한다면, 단계의 조작 명령으로 20 mm 이동한 경우 2 단계 이동이 되고, 전체 단계가 5 단계까지 존재하므로, 최대의 이동 거리는 50mm 가 된다.물론, 각 단계별로 거리가 반드시 동일할 필요는 없다. 예를들어 1 단계에서 2 단계까지의 거리는 10mm 로 하고, 2 단계에서 3 단계까지의 거리는 12 mm로 할 수도 있다. 단지 단계별 거리가 미리 정해진다는 것이다. 또한, 단계별 거리도, 알고리즘을 정하여 프로그램을 실행할 때 가변적으로 변할 수도 있다, 예를들어 1 단계에서 2 단계의 이동 거리가 10mm 이지만, 단계의 조작 명령 전에 자동으로 변하는 알고리즘에 의하여 상기 단계의 이동 거리가 12 mm로 바뀔 수도 있다는 것이다.본 발명의 핵심은 입력장치를 통하여 단계의 조작 명령을 실행할 때, 조작 명령을 단계로 인식한 다는 것이며, 단계 인식은 핵심은 단계의 조작 명령 실행을 N 단계 이동으로 인식하는 것이다. 또한, 단계의 조작 명령은 + 방향과 - 방향이 존재한다. 예를들면, 입력장치를 통하여 선택된 두 점(포인트)이 가까워지면 -(마이너스) 이동, 멀어지면 +(플러스) 이동이된다.(반대로 가까워지면 + 이동, 멀어지면 - 이동으로 정할 수도 있다.)따라서, 도 6의 (A)처럼 20mm 이동하고 1 단계 이동이 10mm 라면, - 방향으로 2 단계 이동한 것이다. 또한, 도 6의 (B)처럼 20mm 이동하고 1 단계 이동이 10mm 라면, + 방향으로 2 단계 이동한 것이다. 한편, 상기 4) 번의 항목에서처럼, 본 발명의 단계의 조작 명령에서는 오차 범위가 존재할 수 있음은 당연하다. 13mm 이동하였을 경우 1 단계로 판단하고, 18 mm이동하였을 경우 2 단계 이동으로 판단할 수가 있다는 것이다. 마치 수학에서 반올림과 내림의 개념으로 오차 범위를 정할 수도 있다. 또한, 본 발명에서는 단계의 조작 명령을 실시하고자 할 때, 도 6의 실시에에서 도시된 것처럼 단계별 눈금이 표시된 가이드선(50)(51)이 디스플레이(30) 화면에 표시되도록 할 수가 있다. 단말기(110) 사용자가 단계의 조작 명령을 선택(프로그램 환경에 따라 다양한 선택 방법이 존재할 수 있으며, 이러한 선택 방법에 대하여 별도 언급은 하지 않는다,)게 되면, 디스플레이 화면에 상기 가이드선 (50)(51)이 나타난다, 그리고 상기 가이드 선으로 인하여 사용자는 정확한 단계 입력을 실시할 수가 있다,물론, 실제 화면에서 가이드 선이 표시된다면, 도 6의 도면처럼 50a나 51a 같은 도면 부호가 표시되는 것이 아니라, 1 단계, 2 단계와 같이 단계의 수자가 표시된다.또한, 본 발명의 또 다른 실시예로, 상기 가이드선(50)(51)에 단계의 수자만 표시되는 것이 아니라, 각각의 단계에 대응하는 정보에 대한 간단 항목이 표시될 수도 있다.아울러, 상기 5)의 항목에서처럼, 각각의 단계에 대응되는 정보가 존재한다, 따라서, 단계의 조작 명령이 실행되게 되면, 그 결과 최종 선택 단계가 정해지고 최종 선택 단계에 대응되는 정보가 존재하게 된다. 그리고, 최종 선택 단계에 대응되는 정보가 디스플레이 화면에 표시된다. 도 6에서 단계별 대응 정보는 "(50a-1)(50b-1)(50c-1)(50d-1)(50e-1)"과 "(51a-1)(51b-1)(51c-1)(51d-1)(51e-1)" 이다.즉, 도 (A)에서 1 단계 "50e" 에 대응하는 정보는 "50e-1" 이고, 도 (B)에서 1 단계 "51a"에 대응하는 정보는 "51a-1"이다. 따라서, 도 (A)에서 1 단계 "50e" 의 대응 정보가 "휴대폰의 대리점 위치"라면, 실제 도(A)의 화면에서는 "50e-1" 가 지정한 박스에 "휴대폰 대리점 위치" 라는 글자(경우에 따라서는 이미지가 될 수가 있다.)가 표시된다.또한, 도(B)에서 1 단계 "51a"의 대응 정보가 "휴대폰 사양" 이라면, 실제 도(B)의 화면에서는 "51a-1" 이 지정한 박스에는 "휴대폰 사양" 라는 글자(경우에 따라서는 이미지가 될 수가 있다.)가 표시된다. 그리고, 도6의 도(A)와 도(B)는 + 방향과 - 방향을 구별하기 위해서, 별도 분리하여 설명하였지만, 실제로 만일 도6의 도(A)와 도(B)가 동일 화면에서 수행되는 것이라면, 1 단계는 50a" 와 51a"가 되고, 마찬가지로 5 단계는 "50e"와 "51e" 가 될 수 있다. 따라서, 단계별 정보도 도 (A)에서 1 단계 정보인 "50a-1"과 도(B)에서의 1 단계 정보인 "51a-1"은 동일 정보가 된다. 마찬가지로 도 (A)에서 5 단계 정보인 "50e-1"과 도(B)에서의 5 단계 정보인 "51e-1"도 동일 정보가 된다.- 실시예 2 - 도 7은 입력장치를 통한 조작 명령의 또 다른 실시예의 도면이다.도 7의 (A)는 입력장치를 통하여 손가락 혹은 바가 선택한 한점(포인트)이 이동하는 것을 나타내는 실시예의 도면이고, (B)는 이동한 각도를 나타내는 실시예의 도면이다. 그리고, + 방향은 상기 점이 위로 이동할 때이거나 시계 반대 방향으로 회전할 때로 정해질 수 있고, 그 반대로도 정하여 질 수 있다.도 8과 도 9는 도 7의 실시예에서 조작 명령의 단계를 나타낸 도면이다.도 8은 도7의 (A)의 실시예이다. 즉 이동한 거리를 단계로 나누고 각 단계에 대한 정보의 특징(정보의 내용)을 화면에 표시할 수 있음을 나타낸 도면이다. 예를 들어 1 단계가 "52a" 이고, 2 단계가 "52b" 이다. 그리고, 1 단계 대응 정보가 "52a-1" 이고 2 단계 대응 정보가 "52b-1" 이다, 따라서, 디스플레이(30) 화면에서는 단계를 표시하는 숫자와 각 단계의 대응 정보의 특징이 표시될 수가 있다.또한, 도 9는 도7의 (B)의 실시예이다. 즉 이동한 각도를 단계로 나누고 각 단계와 각 단계에 대한 정보의 특징(정보의 내용)을 화면에 표시할 수 있음을 나타낸 도면이다.한편, 상기의 수행 과정은 다음과 같다.1)단말기의 입력장치(28)를 통하여 점(포인트)이 선택(손가락 혹은 바로 선택도어 질 수 있음.)되어 지면, 입력장치 구동부(27)는 선택되어진 점의 위치 정보(좌표)를 출력한다. 그리고, 점이 이동되면 상기 입력장치 구동부(27)는 이동되는 점의 위치 정보(좌표)를 출력한다.2)중앙처리장치(20)는 상기 출력된 점의 위치 정보를 판단하여, 정해진 알고리즘에 의하여 이동 단계를 판단하고, 최조 단계에서 이동 단계를 반영(+ 이동이면 단계를 더하고, - 이동이면 단계를 빼는 방법)하여, 최종 선택 단계를 판단한다.3)최종 선택 단계가 정해지면, 중앙처리장치(20)는 메모리부(21)에서 선택정보에 대응되는 정보를 선택하고, 상기 정보가 디스플레이(30)에 구동이 가능하도록 하는 신호를 출력한다. 한편, 본 발명에서는 단계의 조작 명령으로 점을 선택하여 이동한 거리나 각도에 대해 단계를 나눌 수 있는 실시예를 설명하였다. 그러나 단계의 조작 명령의 단계는 다양할 수 밖에 없다. 예를들어, 점을 선택하고 유지하는 시간으로도 단계를 나눌 수 있다.또한, 단말기자체를 움직이거나 이동하는 정도로도 단계를 나눌 수 있다, 한편, 디스플레이 상단에의 움직임을 이미지 소자로 인식하도록 하고, 상기 이미지 소자가 출력하는 신호를 알고리즘의 판단으로 하여, 움직임의 정도를 단계로 나눌 수 있다. 또한 손가락의 모양이나 이미지의 모양으로 단계를 나누어 판단할 수 있다.즉, 단말기에 어떠한 입력의 방법을 사용해서라도, 단계의 조작 명령처럼 단계의 이동으로 구별 할 수가 있다면, 이동된 후의 최종 단계에 대응되는 정보가 디스플레이에 화면에 표시되도록 할 수가 있는 것이다. - 실시예 3 - 도 10은 단계의 조작 명령으로 전체 화면의 표시정보가 바뀌는 실시예의 도면이다.도 10은 정보의 상세한 정도를 단계로 나누었을 때의 표시되는 실시예의 도면이다. 도면의 왼편이 제 1 단계로 상세한 정보가 표시되는 단계라면, 앞의 실시예에서 설명된 단계의 조작 명령에 의해 왼편의 다른 단계로 화면 표시가 전환될 수 있다는 것이다.예를들어 2 단계 조작 명령을 수행하면, 왼편의 화면은 3 단계의 상세도를 가진 정보가 디스플레이(30) 화면에 표시되는 것이다. 이때, 단계가 올라 갈수록 정보의 상세도가 증가될 수도 있지만, 반대로 단계가 올라갈수록 정보의 상세도가 떨어질 수도 있다. 그리고, 단계에 의해 정보의 상세도가 변한다는 것은 동일한 종류의 정보를 단계에 따라 상세도를 구분하여 정보를 만들었다는 것을 의미한다. 이를때면, 최초 단계는 요약 내용이고, 단계가 올라 갈수록 설명의 정도가 높아진다는 것이다, 도 11은 단계의 조작 명령으로 일부 화면의 표시정보가 바뀌는 실시예의 도면이다.전체 화면에서 단계의 조작 명령의 실행이 가능한 선택 영역(31)이 별도로 존재한다. 따라서, 단말기 사용자는 상기 선택 영역을 먼저 선택하여야 한다,(선택 방법의 예로는 사용자가 디스플레이 상에서 상기 선택 영역 위치에 점등으로 입력을 하는 것이다. 물론 단말기나 프로그램의 종류에 따라 다양한 선택이 존재할 수가 있다.)상기 선택 영역(31)이 선택이 되면, 입력장치를 통하여 출력된 위치 정보에 대한 신호를 중앙처리장치가 판단하여, 상기 선택 영역(31)이 선택되었음을 판단하게 된다.그리고, 상기 선택 영역(31)을 대상으로 단계의 조작 명령이 실행되면, 중앙처리장치는 본 발명의 실시예의 방법에 따라, 최종 선택 단계에 대응되는 정보를 디스플레이 화면에 표시하는 것이다. 이때, 최종 선택 단계가 변하게 되면, 상기 선택 영역의 크기도 표시되는 정보에 따라 달라질 수가 있다.1) 선택 영역의 크기가 변하지 않는다,2) 선택 영역의 크기가 단계가 커짐에 따라 단계에 비례하여 커질 수 있다.3) 선택 영역의 크기가 정보의 내용에 따라 달라 질 수 있다.- 실시예 4 - 도 12내지 도 14는 본 발명의 진행 순서도를 나타낸 실시예의 도면이다.단계적으로 정보를 제공하는 방법을 나타낸 실시예의 흐름도이다. 즉, 앞의 실시예에서처럼 입력 장치(28)를 통해 단계의 조작 명령이 수행되면, 디스플레이에 정보가 표시되는 알고리즘이다. 이때 이러한 알고리즘 기능 수행은 서버(100)의 제어부(101)에서 수행할 수도 있고, 단말기의 제어부(20)에서 수행할 수도 있다.단말기(110)가 유무선 인터넷을 통해 혹은 통신망을 통해 서버와 접속이 되어 상기 과정을 수행할 수도 있다. 즉, 단말기(110)의 입력장치(28)를 통해 조작 명령의 단계가 입력되면, 입력된 정보는 통신망을 통해 서버에 전달되고, 서버는 조작 명령의 단계에 대응되는 새로운 정보를 데이터 베이스에서 선택하여 선택된 정보를 단말기에 전송하고, 단말기는 전송받은 새로운 정보를 디스플레이(30) 화면에 표시하게 되는 것이다.본 발명에서는 통상의 모든 유무선 통신의 방법을 사용하는 것이며, 통신의 방법을 개선하는 발명은 아니다.또한, 단말기 내의 중앙처리장치(20)와 메모리부(21)를 사용하여, 단계의 조작 명령에 대응되는 정보를 디스플레이 화면에 표시하도록 할 수가 있다,서버의 연결 혹은 단말기 자체에서의 알고리즘 수행은, 각각 해당되는 프로그램과 정보의 종류에 따라 그때 그때 정할 수 있음은 당연하다. 그리고 이렇게 정하는 것은 프로그램적으로 정할 수도 있고 사용자의 선택으로 정해질 수도 있다.또한 단계의 조작 명령의 단계에 대응하도록 화면 전환이 이루어지기 위해서는, 서버의 데이터 베이스 혹은 단말기의 메모리부에는 단계의 조작 명령에 대응되는 정보 각각 저장되어 있어야 한다.예들들어, 광개토대왕 출생 편을 하나의 단위 콘텐츠로 정할 경우, 광개토대왕 출생편과 관련되어 정보를 상세 정도에 따라 5단계(단계를 5 단계로 구분할 경우)로 구별하여, 저장한다는 것이다.즉, "광개토대왕 출생편" 의 콘텐츠 저장 정보가 "HiKaKi001"이라면, 가장 상세한 1 단계는 "HiKaKi00101", 2 단계는 "HiKaKi001-02", 마찬가지로 요약된 5 단계 "HiKaKi001-5"로 각각 저장된 정보가 존재하게 된다. 그리고, 단계의 조작 명령에 의하여, 단계가 선택되면 선택된 단계에 대응되는 정보가 디스플레이 화면에 표시되는 것이다.도 12에서 보면, 화면 변환 명령을 입력하게 되는데,(S102) 본 발명에서 화면 변환 명령이라 함은 사용자가 단계의 조작 명령을 수행하기 위한 전 단계의 선택을 하는 것이다. 상기 선택에 의하여, 단말기의 중아처리장치는 단계의 조작 명령을 인식할 수 있는 상태가 되는 것이다.상기 선택은 메뉴 버튼에 의할 수도 있고, 화면을 일정시간 선택하므로 이루어질 수 있다. 물론 경우에 따라서는 화면 전환 명령의 단계가 생략될 수도 있다. 단계의 조작 명령이 가능한 정보가 디스플레이에 표시되는 것만으로도 중앙처리 장치(혹은 제어부)는 단계의 조작 명령을 인식할 수 있는 상태가 될 수 있다는 것이다. 먼저, 입력장치를 통한 단계의 조작 명령(단계를 구분하는 조작 명령)이 실시된다.(S104)그리고, 현재의 단계가 1 단계인가를 판단한다.(S106) 만일 1 단계가 아니면 "S130"의 과정을 거치게 된다.그리고, 단계의 조작 명령의 이동 방향이 + 방향인가 - 방향인가를 판단하게 된다. 단계는 1 단계에서 K 단계까지 이동한다.1 단계 방향(- 방향의 이동)의 이동인가를 판단하게 된다,(S108)만일 1 단계 이동의 방향이라면, 현재의 화면 단계를 그대로 표시하게 된다.(S110)그리고, 만일 1 단계 이동의 방향이 아니(+ 방향의 이동)라면 다음과 같이 가정한다.단계의 조작 명령의 단계가 1 단계부터 K 단계까지라면, 가장 낮은 단계는 1 단계이고 가장 높은 단계는 K 단계가 된다. 이때 입력장치 통해 입력된 단계가 J 단계라고 가정한다.(S112)만일 "1 + J K" 이면, K 단계의 화면을 표시하게 되지만, 그렇지 않으면 "1+J" 단계의 화면을 표시하게 되는 것이다. (S114-S118 단계)도 13에서는 현재의 화면 표시 단계가 1 단계가 아닐 경우의 흐름도이다.만일, 단계의 조작 명령의 방향이 1 단계 방향이면, "S150"의 단계로 연결된다.그리고 1 단계 방향이 아니면, 현재의 화면표시 단계를 N 단계로 가정한다. 당연히, 화면 표시 단계를 1 단계부터 K 단계까지 나누고, 가장 낮은 단계는 1 단계이고 가장 높은 단계는 K 단계가 된다. 이때 입력된 단계가 J 단계라고 가정한다.(S132)만일 "N + J K" 이면, K 단계의 화면을 표시하게 되지만, 그렇지 않으면 "N+J" 단계의 화면을 표시하게 되는 것이다. (S134-S138 단계) 그리고, 종료 명령에 따라 종료가 될 수도 있다.(S140)도 14는 도 13의 "130 단계" 에서 입력 방향이 1 단계 방향일 때의 흐름도가 된다.마찬가지로, 현재의 화면표시 단계를 N 단계라고 가정한다. 당연히, 화면 표시 단계를 1 단계부터 K 단계까지 나누고, 가장 낮은 단계는 1 단계이고 가장 높은 단계는 K 단계가 된다. 이때 입력장치 통해 입력된 단계가 J 단계라고 가정할 수 있다.(S150)만일 "N - J 1" 이면, 1 단계의 화면을 표시하게 되지만, 그렇지 않으면 "N - J" 단계의 화면을 표시하게 되는 것이다. (S152-S158 단계) 그리고, 종료 명령에 따라 종료가 될 수도 있다.(S160)그리고, 상기의 알고리즘 수행은 단말기의 중앙처리장치(CPU)(20) 혹은 서버의 제어부(101)가 실행한다. - 실시예 5 - 도 15내지 도 17은 조작 명령을 실시하는 또 다른 실시예의 도면이다.화면 변환 명령(30a)을 선택하고, 디스플레이(30) 위에서 입력장치를 통하여 단계의 조작 명령을 실시하면, 디스플레이(30) 화면에는 조작 명령 가이드 선(51)이 나타나게 된다.그리고, 조작 명령 가이드 선(51)에는 눈금처럼 각각의 단계(수자로 1 단계 2 단계 등이 표시됨)("51a"에서 "51e" )가 표시되어, 표시된 눈금 만큼 이동할 수 있게 됨으로서 효과적인 단계별 조작 명령을 수행할 수가 있다. 즉 2 단계만 이동하고 싶으면 화면에 표시된 눈금을 보면서 2 단계의 눈금만 이동하면 되는 것이다.그리고, 각 단계에 대응되는 정보에 대한 특징 혹은 정보에 대한 내용도 표시된다. 즉, 각각의 단계와 연결되어 정보 표시 박스("51a-1"내지 "51e-1")이 나타나며, 각각의 정보 표시 박스("51a-1"내지 "51e-1")에는 각 단계에 대응되는 정보의 내용이 글자 혹은 이미지 혹은 연결 사이트로 표시된다. 그리고, 단계의 조작 명령을 수행하기 용이하도록, 현재의 단계를 나타내는 표시박스는 다른 표시박스와 구별(색 혹은 진한 정도 등 다양한 방법으로 구별할 수 있다.)하여 화면에 표시할 수가 있는 것이다.단계의 조작 명령을 수행하게 되면, 가이드 선(51)이 나타나고, 현재를 나타내는 표시 박스(만일 현재 단계가 1 단계 이면, "51a-1"의 표시창임.)는 다른 표시박스에 비해 더 진하게 표시될 수가 있다.그리고, 만일 3 단계를 이동하였다면, 마찬가지로 이동된 표시 박스(현재가 1 단계이고 3 단계를 이동하였다면 4 단계 표시박스(51d-1)임.)가 다른 표시 박스에 비해 더 진하게(혹은 구별되게) 표시될 수가 있는 것이다. 반대의 방향으로 단계를 이동할 때에도 현재의 표시 박스와 이동되는 표시 박스는 구별되어 화면에 표시될 수가 있다.물론, 표시박스가 별도로 화면에 표시되지 않을 때에는, 가이드선에서 단계를 나타내는 눈금을 통하여 현재의 단계와 이동 단계를 구별하여 표시할 수가 있다. 즉, 가이드선에서 해당되는 단계의 눈금을 다른 단계의 눈금과 구별하여 표시할 수가 있다. 도 16과 도 17은 전체화면에서 별도의 선택 영역(31)이 존재할 경우의 실시예의 도면이다. 즉, 화면 변환 명령(30a)을 선택(예를들어 표시된 부분(30a)을 선택하는 것임.)하고 단계의 조작 명령을 입력하면, 가이드 선(51)이 나타나고, 가이드 선(51)에는 눈금을 표시한 단계("51a" 내지 "51e")가 또 표시되게 되고, 각 단계와 연결된 표시 박스("51a-1" 내지 "51e-1")도 표시되고, 상기 표시 박스에는 정보의 특징이 표시되게 된다.도 16의 선택 영역(31)에 표시된 정보를 1 단계 정보라고 하고, 도 17의 새로운 선택영역(32)에 표시된 정보를 4 단계 정보라고 한다면, 도 16의 화면에서 선택 영역(31)을 대상으로 단계의 조작 명령을 실시하여 3 단계 이동하면 도 17의 화면이 표시되는 것이다. 그리고, 현재의 단계의 표시박스와(51a-1)과 단계 이동후 해당되는 표시박스(51d-1)는 다른 표시박스와는 구별되게 표시된다.한편 상기 실시예에 의하면, 1 단계 표시 박스(51a-1)에는 "휴대폰 이미지" 와 같은 내용이 표시되고, 이동된 후 해당되는 표시박스(51d-1)에는 "휴대폰 사양" 과 같은 내용이 표시될 수가 있는 것이다.또한, 만일 5 단계는 다른 인터넷 사이트와 연결되는 단계라면, 5 단계 표시박스(51e-1)에는 "000사이트 연결" 이라는 내용이 표시될 수가 있다. 그리고, 5 단계가 선택되면, 디스플레이(30) 화면에는 새롭게 연결된 인터넷 사이트의 정보가 표시된다. 그러므로, 새롭게 연결된 인터넷 사이트에서는 제품 구매 등과 같이 그 다음의 작업을 진행할 수가 있다.한편, 본 발명의 실시예에서, 단계의 변화에 따라 디스플레이에 표시되는 정보의 변화는 다음과 같다.1) 단계가 증가함에 따라 디스플레이에 표시되는 정보의 양이 증가한다. 정보의 상세도가 증가한다.2) 단계가 변함에 따라 디스플레이에 표시되는 정보의 내용이 달라진다. (상세도가 증가되지 않을 수도 있다.)3) 단계가 변함에 따라 정보를 디스플레이에 표시하기 위해 실행하는 프로그램이 달라진다. 예를들어, 단계가 변함에 따라 이미지 정보나 동영상 정보가 표시될 수가 있다.4) 단계가 변함에 따라 디스플레이에 표시되는 정보의 계층이 변할 수가 있다. 예를들어, 1 단계는 자동자 외관, 2 단계는 자동차의 외부를 제거한 차량 부품 모습, 3 단계는 부품의 내부 모습등으로 변할 수가 있다. 즉, 단계의 변화에 따라 겉모습에서 속 모습으로 디스플레이에 표시되는 정보를 달리할 수가 있다. 5) 단계가 변함에 따라 별도의 저장 장치나 저장 위치에 저장된 정보가 디스플레이에 표시될 수 있다. 6) 단계가 변함에 따라 다른 인터넷 사이트와 연결될 수가 있다.7) 전체 화면에서 단계의 조작 명령을 실행할 수 있는 선택 영역이 별도로 존재할 경우, 단계가 증가함에 따라 상기 선택 영역의 크기도 더 커진다, 물론 표시되는 디스플레이의 정보에 다라 상기 선택 영역의 크기가 줄어 들 수도 있고 그대로 일수도 있다. 도 18은 가이드 선에 의한 조작 명령을 수행하는 순서도이다.단계를 나타내는 조작명령을 수행할 때, 화면에 가이드 선(50)(51)이 표시되고, 상기 가이드 선(50)(51)에 눈금에 표시되어, 눈금을 보고 단계의 조작 명령을 수행하도록 하므로서 더 정확하게 제어 명령을 수행할 수 있으며, 도 18은 이에 대한 실시예이다. 프로그램 실행후, 단말기의 사용자는 화면 변환 명령을 입력한 다음,(S164) 입력장치를 통해 단계의 조작 명령을 수행하게 된다.(S166)그리고, 화면 변환 명령(도 6에서 "30a" 예)이, 본 발명의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 일정 시간 크릭하는 동작, 특별한 이동 동작, 화면에 별도 메뉴표시, 혹은 특정한 버튼 키보드나 버튼키, 음성 명령, 진동 명령 등 다양한 명령을 통해 화면 변환 명령이 이루어 질 수 있음은 당연하다.그런 다음 입력장치를 통하여 단계의 조작 명령을 수행하게 된다.(S166)만일 단계의 조작 명령 제어 기능을 단말기 자체에서 수행하게 된다면, 단말기 중앙처리장치는 디스플레이 화면에, 단계가 표시된 가이드선(50)(51)을 표시한다. 물론 서버가 가이드선 표시정보를 단말기에 전송하고 단말기 중앙처리장치는 전송받은 정보를 디스플레이에 표시할 수가 있다. 상기 가이드 선의 디자인이나 표시 정보는 단말기 메모리부 혹 서버의 데이터 베이스에 저장된다.이때, 상기 가이드 선이 디스플레이 화면에 표시되는 형태가 본 발명의 실시예에서 제시된 가이드선(50)(51)의 모양에 한정되는 것은 아니다. 단계와 단계에 대응되는 정보의 요약이 표시될 수 있다면 본 발명의 실시예에 적용할 수가 있다.한편, 상기 실행을 단말기의 CPU가 제어하지 않고, 서버와 연결되어 서버의 제어부가 단말기의 디스플레이에 표시되는 내용을 제어하게 된다면, 입력장치에서 수행된 명령은 서버에 전송되고, 서버는 단말기의 디스플레이에 표시될 정보 데이터를 단말기에 전송하게 된다.(S168 - S174)그리고, 디스플레이에 표시되는 가이드 선과 표시 박스는 표시되게 된다.아울러, 선택된 단계가 다른 인터넷 사이트와 연결되는 것이 아니라면, 디스플레이에는 단계의 조작 명령에 대응되는 정보가 표시된다.(S176 - S178)그러나, 조작 명령후 선택된 단계가 다른 인터넷 사이트와 연결되는 것이라면, 디스플레이에는 연결된 인터넷 사이트의 정보가 표시되게 된다. 그리고 연결된 사이트에서 다양한 기능이 수행되게 된다.(S180 - S182)연결된 인터넷 사이트에서 다양한 기능 수행이라고 함은, 실제 인터넷에서 할 수 있는 모든 기능을 의미한다. 예를들면 상품을 선택하고 결재하기 위해 통상의 결재 시스템과도 연결 될 수가 있는 것이다.그리고, 종료 명령에 의해 기능이 종료 될 수가 있다.(184)- 실시예 6 - 도 19는 단계적 입력 방법에 대한 또 다른 실시예의 도면이다.(A)도는 디스플레이(30) 화면에 눈금(50a)(50b)(50c)(50d)(50e)이 표시된 가이드 선(50)(51)이 나타날 수 있음을 보이는 실시예이다. 그리고 디스플레이(30)에 표시된 눈금 사이의 간격의 거리 "L"(디스플레이에 실제로 표시되는 거리)이 단계의 조작 명령 수행시 이동하는 거리와 실제로 동일할 수가 있다. 예를 들면, 상기 거리 "L"이 10mm 이면, 단계의 조작 명령에서 1 단계의 거리가 10mm 가 된다는 것이다. 따라서, 단계의 조작 명령을 실시하는 사용자는 디스플레이에 표시되는 가이드선(50)(51)의 눈금의 실제 크기 만큼 선택된 점을 이동(입력장치를 통하여 이동함)하므로서, 원하는 단계의 정보를 디스플레이에 표시할 수가 있다. 입력장치 구동부를 통하여, 선택된 점이 눈금의 크기 만큼 이동되었다는 위치 신호가 출력되면, 단말기의 중앙처리장치나 서버의 제어부는 출력된 위치에 대응되는 정보를 선택하여 디스플레이에 표시한다, 또한, (B)도는 단계(50a)(50b)(50c)(50d)(50e)를 디스플레이(30)에 표시하는 형태가 다를 수 있음을 보이는 것이다. 단계를 구별할 수 있은 형상이나 모양이면 본 발명의 실시예에 적용이 가능하다.이때, 단계의 조작 명령을 수행함에 있어서, 입력장치를 통해 단계에 해당되는 거리를 이동하므로서 가능할 수도 있지만, 디스플레이에 표시된 단계 중에서 원하는 단계를 선택하므로서 단계의 조작 명령을 수행할 수 있다. 즉, (B)에서 현재 상태가 1 단계(50a)이고, 5단계의 정보를 화면에 표시되도록 하고자 할 때에는 5 단계(50e)에 해당되는 표시바(bar)(55)를 선택하면 된다. 한편, (C)도는 다른 모양의 형태로 단계를 나타내는 실시예이다. 각 단계(50a)(50b)(50c)(50d)(50e)가 박스(Box) 형태로 되어 있다. 그러므로, 단계를 나타내는 형상은 반드시 본 발명의 실시예의 형상에 한정된 것은 아니다. 다양한 모양으로 단계를 표시할 수 있음은 당연하다,- 실시예 7 -도 20내지 도 28은 선택 영역의 크기가 변하는 실시예의 도면이다. 도면에서처럼 선택 영역(32)은 디스플레이(30) 화면에서 일부만 차지하는 것을 전제로 한다.입력장치를 통하여 상기 선택 영역(32)이 선택된 다음 단계의 조작 명령이 실행되면, 선택 영역(32)은 조작 명령에 의해 크기가 변화된다. + 방향으로 이동되면 크기가 커지고 정보의 내용도 많아지며, - 방향으로 이동되면 크기가 작아지고 정보의 내용도 적어진다.도 21은 도 20에서 보여주는 정보의 단계를 나타낸 실시예의 도면이다. 도 21에서는 편의상 3 단계로 나타내었지만, 더 세분화된 단계로 나눌 수 있음은 당연하다.도면에서처럼, 선택 영역(32)의 크기와 단계가 있고, 선택 영역의 크기와 단계에 맞는 정보가 디스플레이에 표시되는 것이다.이때, 도 20과 도 21은 선택 영역(32)이 상하로 만 크기가 변하게 된다. 그러나 좌우로도 크기가 변할 수 있음은 당연하다.도 22와 도 23은 선택 영역(32)의 크기가 상하 좌우로 모두 변하는 실시예를 나타내는 도면이다. 도면에서처럼 선택 영역(32)을 선택한 후에 크기를 변화시키는 단계의 조작 명령을 실행하면, 선택 영역(32)은 크기가 바뀐 새로운 선택 영역(32a)으로 바뀐다. 그리고 선택 영역의 크기는 단계적으로 바뀌게 된다,도 23은 편의상 3 단계의 크기가 있음을 실시예로 나타내었지만, 크기는 더 세분화 될 수 있다. 그리고 각각의 선택 영역의 크기에 맞는 정보가 디스플레이에 표시된다. 또한 도 23은 단계에 따라서는 덱스트 정보와 이미지 정보가 함께 표시될 수도 있음을 보인다,도 24는 정보가 저장되는 실시예의 도면이다, 즉 크기의 단계가 N 단계로 나누어져 있으면, 각각의 크기에 맞는 정보도 저장되어 있다, 이때, 각각의 타입은 각각의 단계이며, 해당되는 단계가 선택되면 그에 맞는 정보가 디스플레이이 표시된다.그리고, 상기 정보는 단말기의 메모리부(21) 혹은 서버의 데이터베이스(104)에 저장된다, 물론 별로 저장 장치나 별도 서버에 저장될 수도 있다. 그리고, 표시되는 정보가 반드시 텍스트 파일만 존재하는 것이 아니라, 이미지 파일(32c) 혹은 동영상 파일도 존재할 수 있으며. 해당 영역을 크릭하게 되면 또 다른 사이트와 연결되는 링크 정보(31d)도 표시될 수 있음은 당연하다.도 25는 또 다른 실시예를 나타낸 도면이다.도 (A)는 각각의 단계에 따라 선택 영역(32)(32a)의 크기가 변하고, 그에따라 선택 영역(32)(32a)에 표시되는 정보도 변하게 된다.또한, 도 (B)와 (C)는 선택 영역의 크기에 의하여 단계가 선택되는 방법을 나타낸 실시예이 도면이다. 즉, 단계의 조작 명령으로 선택 영역의 크기를 조절할 때, 도(B)에서처럼 선택 영역의 크기가 2 단계와 같지는 않지만 2 단계에 가깝다면, 상기 선택 영역(32a')에는 2 단계의 정보가 표시되는 것이다. 또한, 도(C)에서처럼 선택 영역의 크기가 3 단계와 같지는 않지만 3 단계와 같다면, 상기 선택 영역(32a')에는 3 단계의 정보가 표시된다.도 26과 도 27은 순서도를 나타낸 도면이다.프로그램을 실행하고 화면을 표시한다.(S 190 - S 912)그리고 단계의 조작 명령 실행이 가능하지 않다면, 단계의 조작 명령이 실행이 가능하도록 하여야 한다.(S194-S196)단계적 조작 명령 실행이 가능한 상태가 되면 화면에서 선택 영역(32)을 선택한 후 입력장치(28)를 통해 단계의 조작 명령을 실행하게 되면, 디스플레이 화면에는 크기가 변화된 선택 영역(32a)(32a')과 그에 맞는 정보가 표시되게 된다,.(S198-S200) 그리고, 종료 명령에 의해 수행이 종료될 수가 있다,(202)도 27은 단계적 조작 명령이 원활히 수행되도록 하는 실시예의 도면이다.프로그램 수행 혹은 화면 표시 시작 후에, 선택 대상(32)을 선택 후 크기가 변하는 조작 명령을 수행하게 된다.(S210 - S 212)그리고, 타입이 1부터 N까지라고 가정할 수 있고, 선택 대상(32)은 1부터 N까지 각각의 타입에 맞는 크기가 정해지게 된다.(214) 이러한 크기 저장은 메모리부(21) 혹은 데이터 베이스(104)에 저장된다.그리고 단계적 조작 명령자가 각각의 타입에 맞는 정해진 크기로 정확히 선택 대상(32)의 크기를 조절할 수도 있지만, 현실적으로는 그렇지 못할 경우가 더 많게 된다.이때, 조작 명령자가 조절한 크기가 N+a 가 될 수가 있다. 이때 N+a 값은 타입 N과 타입 N+1 사이의 크기이다.이때, 단계적 조작 명령자가 수행한 선택 대상(32a)의 최종 크기 N+a 의 크기가 N+1 타입에 가까우면, 선택 대상(32a)의 크기는 N+1 타입의 크기로 디스플레이에 표시되고 정보도 N+1 타입 정보가 표기된다. (S216, S220)그러나, 이때, 단계적 조작 명령자가 수행한 선택 대상(32a)의 최종 크기 N+a 의 크기가 N 타입에 가까우면, 선택 대상(32a)의 크기는 N 타입의 크기로 디스플레이에 표시되고 정보도 N 타입 정보가 표기된다. (S216 - S218)한편, 선택 대상의 크기가 단계적이 아닐 경우(도 25의 실시예 설명 참조)에는 조작자의 단계적 조작 명령의 결과에 의한 크기로 선택 대상(32a)(32a')이 디스플레이(30)에 표시되된다, 그러나. 선택 대상의 크기가 단계적이라면 S218과와 S220에 의해 표시된 크기로 선택 대상(32a)이 디스플레이(30)에 표시된다.그리고, 종료 명령에 의해 종료가 된다.아울러, 도 27의 수행은 도 26의 수행처럼 단말기(110))혹은 서버(100)가 수행됨은 당연하다.도 28은 또 다른 실시예의 도면으로, 단계의 조작 명령 수행이 가능한 선택 영역(32)이 디스플레이 내에 2개 이상 복수개가 표시될 수 있음을 보이는 도면이다. 그리고, 그중에서 하나의 선택 영역(32)을 선택하여 단계적 조작 명령을 수행할 수가 있는 것이다.- 실시예 8 -도 29와 도 31은 정보의 내용과 크기가 다양하게 변하는 실시예의 도면이다.선택 영역(32)을 대상으로 단계의 조작 명령을 수행하게 될 때, 선택 영역의 크기가 단계에 비례하여 커지지 않고, 상기 선택 영역에 표시되는 데이터의 크기나 종류에 따라 선택 영역의 크기가 정해질 수가 있다.또한, 도 30의 예에서처럼, 표시될 정보가 이미지일 경우, 단계적 조작 명령에 의해 변화된 선택 영역(32)의 크기에 맞게 정보가 표시될 수가 있다.도 31은 선택 영역의 크기가 변화는 단계적 조작 명령과 크기가 변화지 않는 단계적 조작 명령이 함께 수행되는 실시예의 도면이다.- 실시예 9 -도 32 내지 도 34는 전체화면에서 선택 영역이 2개 이상 존재할 경우의 실시예의 도면이다.즉, 디스플레이 화면에서 단계의 조작 명령 실행이 가능한 영역이 복수개 존재할 수도 있다는 것이다.도32는 디지털 교과서의 일반적인 목차를 표시한 실시예의 도면이다. 디스플레이 상단에는 메뉴 선택 바(30a)가 표시된다. 그리고, 항목 I부터 항목 VII 까지의 목차가 모두 단계의 조작 명령 실행이 가능하다. 따라서, 상기 목차중에서 하나를 선택하여 단계의 조작 명령을 실행하면, 실행 결과에 맞는 정보가 디스플레이 화면에 표시된다.도 33은 목차중에서 하나를 선택하여, 선택된 목차가 활성화 된 것이다. 본 발명에서 활성화된다는 것은 고려의 성립과 발전의 목차가 선택되면, 글자의 색이 바뀌거나 깜빡이거나 하여 다른 글자와 구별되도록 디스플레이에 표시된다는 것이다. 이러한 과정은 입력장치를 통하여 정보가 입력되면 중앙처리장치는 정해진 알고리즘에 의하여, 선택된 글자를 다르게 표시하는 것이다.그리고 목차를 선택한 다음에, 본 발명의 실시예에서처럼 + 방향으로 1 단계 이동하게 되면, 고려의 성립과 발전과 관련되어 1 단계로 확대된 정보가 표시창(40)에 표시된다.즉, 도 12에서처럼, 정보의 단계가 3 단계로 되어 있다면, 고려의 성립과 발전을 선택하여 + 방향으로 3 단계 만큼 이동하게 되면, 표시창(40)에는 3 단계의 정보가 표시된다. 그리고, 표시창(40)에 1 단계의 정보가 표시된 상태에서 + 방향으로 2 단계 이동하면, 3 단계의 정보가 표시된다, 3 단계에서 - 2 단계 이동하면 1 단계 정보가 표시된다.마찬가지로, 다른 목차 예를들면 "통일신라와 발해" 를 선택하여도 동일한 방법으로 다른 단계 표시가 가능하게 된다.한편, 도 33의 실시예에서 표시창(40) 상단에 표시된 "x" 마크(40e)를 선택하므로서 표시창을 바로 닫을 수가 있다. 즉 표시창에 어떠한 단계의 정보가 표시되어도 상기 "x" 마크(40e)를 선택하게 되면 표시창은 닫히거다 최초의 표시 단계(1 단계 혹은 0 단계)로 전환되게 된다.도 34는 단계의 조작 명령도 계층 구조가 가능함을 보이는 실시예의 도면이다. 도 34에서처럼, "고려 성립과 발전" 의 목차가 선택되고, + 방향으로 1 단계 이동하면, 표시창(40)에는 "고려 성립과 발전"과 연결된 1 단계(40)의 정보가 표시된다.그리고, 상기 1 단계에서 표시된 정보의 리스트 중에서 또 다시 하나(예를 들어 "고려 문화의 특징")를 선택하여 일정 시간 유지하면, 도 34에서처럼 "고려 문화의 특징"만 활성화 되고, 상기 활성화된 "고려 문화의 특징"에 대해 단계의 조작 명령을 수행하면 "고려문화의 특징"과 관련된 단계의 정보가 추가 표시창(40a)에 표시된다.그리고, 추가 표시창(40a)에 표시된 리스트중에서 하나를 선택하면, 선택된 페이지가 디스플레이에 표시되게 된다.도 35는 단계의 조작 명령에 의하여 변화되는 또 다를 실시예의 도면이다.디스플레이(30)에 표시되는 화면 내에 선택 영역(35)이 존재하고 상기 선택 영역을 대상으로 하여 + 이동하면, 추가 정보(35a)가 열로 나타난다. 그리고, 상기 추가 정보(35a) 중에서 하나를 선택하여 단계적 제어명령을 실시하여 + 이동하면, 또 다른 추가 정보(35b)가 열로 나타난다. 또한 - 이동하면 원 상태로 된다.아울러, + 이동 거리에 비례하여 추가 정보(35a)(혹은 또 다른 추가 정보(35b))가 더 많이 나타난다.도 36는 본 발명의 단계의 조작 명령에 따른 실시예의 흐름도이다.단말기(110)를 시작하고 입력장치를 통한 단계의 조작 명령 제어가 가능한 프로그램을 실행한다.(S300 - S305)본 발명의 단말기 사용자가 입력장치(28)를 통하여 특정한 두개의 점(혹은 한 개 일수도 있고 두 개 이상일 수도 있다.)을 선택하게 되면, 입력장치 구동부(27)는 선택된 점의 위치를 출력하고, 중앙처리장치(20)는 선택된 점의 위치를 인식한다.(S 310)디스플레이(30) 상단에서 정보를 입력할 수 있는 입력장치(28)를 통하여 선택된 점이 이동하면, 입력장치 구동부(27)는 이동된 점의 위치를 출력하게 된다. 그리고, 중앙처리장치(20)는 점의 변화 거리를 인식하고 점이 이동한 단계를 판단하며, 결과적으로 제어 명령의 단계를 판단한다.(S 315 - S320)한편, 310 단계에서 320 단계(S320)까지를 단말기가 서버와 연결된 상태에서 실행하게 되면, 실행 과정을 아래와 같이 구분할 수가 있다.첫째, 입력장치 구동부(27)에서 출력한 점의 위치와 이동 정보를 단말기 중앙처리장치는 서버에 전송하고, 서버의 제어부(101)가 제어 명령의 단계를 판단한다.둘째, 입력장치 구동부(27)에서 출력한 점의 위치와 이동 정보를 단말기 중앙처리장치(20)가 인식하고, 단말기 중앙처리장치(20)가 제어 명령의 단계를 판단하고, 판단된 제어 명령의 단계를 중앙처리장치는 서버에 전송한다.단말기와 서버의 데이터 송수신은 서버의 인터페이스부(102)와 단말기의 R/F(24)가 통신망을 이용하여 수행하게 된다.상기의 과정이 수행된 다음, 중앙처리장치(20)는 현재 디스플레이(30)에 표시된 정보의 단계에서 조작 명령후 이동한 단계를 더하거나 빼서, 새로운 최종 단계를 정하게 된다. 그리고 새로운 최종 단계와 연결된 정보를 디스플레이에 표시하게 된다. 즉, 중앙처리장치(20)는 새롭게 선택된 정보 표시를 위한 디스플레이 구동 신호를 출력하고, 새롭게 선택된 정보는 디스플레이(30)에 표시된다.(S 325 - S 335)예를들어, 현재 디스플레이에 표시된 정보의 단계가 1 단계이고, 제어 명령이 + 2 단계 이루어졌으면, 최종적으로 선택된 단계는 3 단계가 되고, 3 단계 정보가 디스플레이 화면에 표시된다. 또한, 현재 디스플레이에 표시된 정보의 단계가 4 단계이고, 제어 명령의 단계가 - 2 단계 이루어졌으면, 최종적으로 선택된 단계는 2 단계가 되고 2 단계 정보가 디스플레이 화면에 표시되게 된다.그리고, 상기와 과정도 단말기와 서버의 연결에 따라 다음 과정으로 구분된다.첫째, 단말기와 서버가 연결되지 않은 상태에서는 중앙처리장치(20)가 최종 단계를 판단하고, 최종 단계와 연결된 정보를 메모리부(21)에서 선택하여, 선택된 정보를 디스플레이에 표시한다.둘째, 단말기와 서버가 연결된 경우에는, 서버의 제어부(10)가 최종 단계에 맞는 정보를 서버의 데이터 베이스(104)에서 선택하고, 선택된 정보를 단말기로 전송하면, 단말기의 중앙처리장치는 서버로부터 전송 받은 정보를 디스플레이에 표시한다. 이러한 과정은 중앙처리장치가 메모리부에 저장된 정보를 선택하여 수행된다. 그리고, 이러한 수행이 가능한 알고리즘도 메모리부에 저장된다. 이를 위해 각각의 단계에 해당되는 정보는 메모리부(21)에 저장 된다.또한, 서버의 제어부가 상기 과정을 수행할 경우에는 각각의 단계에 해당되는 정보는 서버의 데이터 베이스(104)에 저장되고 수행 알고리즘도 데이터 베이스에 저장된다.도 37은 서버가 각각의 단계와 연결된 정보를 전송하여 주는 실시예의 순서도이다.단말기를 시작하고 프로그램 실행하여 서버에 접속하게 되면, 서버(100)의 제어부(101)는 단말기(110)의 디스플레이(30)에 표시될 정보를 데이터 베이스(104)에서 선택하고, 유무선 통신만(혹은 인터넷)을 통하여 단말기에 전송한다.그리고, 단말기의 중앙처리장치(20)는 전송 받은 정보로 디스플레이 구동 신호를 출력하면, 결과적으로 디스플레이(30)는 서버에서 전송 받은 정보를 표시하게 된다.(S 250 - S 265)이때, 디스플레이에 표시된 화면 전체를 대상으로 단계의 제어 명령을 실행할 수 있는가를 판단한다. 또한, 디스플레이 화면에서 선택 영역이 존재하여 상기 선택 영역이 단계의 제어 명령을 실행할 수 있는가를 판단한다. 즉, 디스플레이 화면에서 단계의 제어 명령이 실행 가능하면 표시되면, 서버는 상기 디스플레이 화면과 연결된 다른 정보를 단말기에 전송한다. (S270- S275)즉, 도 24의 예에서 볼 때, 현재 디스플레이에 타입 1(1단계)의 정보가 표시된다면, 서버는 타입 2부터 타입 N까지의 정보를 단말기에 전송하여 준다는 것이다.서버가 단말기의 디스플레이에 표시하기 위해 전송한 디스플레이 화면이 단계의 조작 명령이 가능하다면, 서버는 상기 화면 정보와 연결된 다른 단계의 정보도 단말기에 전송하여 주게 된다,단말기의 중앙처리장치(20)는 전송 받은 정보를 메모리부(21)에 저장하고, 입력장치(28)를 통한 단계의 조작 명령이 수행되면, 본 발명의 실시예에 따라 최종 단계를 판단하고, 최종 단계와 연결된 정보를 선택한 다음, 선택된 정보를 디스플레이에 표시하게 된다. (S 180) 한편, 프로그램 종료가 되고 및 종료 스위치가 작동되면 단말기의 수행은 종료된다.(S 285 - S 290) [ 부호의 설명 ] 100 : 서버 110 : 단말기101 : 서버제어부 20 : 단말기 중앙처리장치(제어부)30 : 디스플레이 30a : 화면전환 명령31,32 : 분할된 화면 50, 51 : 가이드 선50a-1, 50b-1, (50c-1, 50d-1, 50e-1 : 단계51a-1, 51b-1, 51c-1, 51d-1, 51e-1 : 단계
본 발명은 디스플레이와 중앙처리장치 및 입력장치가 구비된 단밀기에서, 상기 디스플레이 위에서 단계를 구별하는 단계의 조작 명령이 입력되면, 입력장치는 단계의 조작 명령을 출력하고, 상기 중앙처리장치는 단계의 조작 명령의 단계를 인식하고, 상기 단계에 맞는 정보를 디스플레이에 출력하므로서, 화면 전환 명령을 여러차례 하지 않고도 현재의 화면에 표시된 정보와 연관된 정보를 디스플레이 화면에 효과적으로 표시할 수 있게 한다.
[ 발명의 명칭 ] 채널 측정 구성 방법, 채널 측정 방법, 장치 및 통신 시스템METHOD FOR CONFIGURING CHANNEL MEASUREMENT, CHANNEL MEASUREMENT METHOD, APPARATUS AND COMMUNICATION SYSTEM [ 기술분야 ] 본 개시내용은 통신 분야에 관한 것이며, 보다 구체적으로는 채널 측정을 구성하기 위한 방법, 채널 측정 방법, 장치 및 통신 시스템에 관한 것이다. [ 배경기술 ] CA(carrier aggregation) 시스템에서는, 다수의 반송파들이 집합되고, 개별 단말(사용자 장비, UE)와 동시에 통신할 수 있다, 즉, 단말은 다수의 서빙 셀들을 갖는다. 다수의 서빙 셀들에서는, 그들 중 하나가 PCell(primary cell)이고, 다른 것들은 SCell들(secondary cells)이다. 기존 CA 시스템에서는, 모든 집합된 셀들이 동일한 eNB하에 있고, 동일한 eNB의 CA 시스템에 속한다.CA 시스템에서는, PUCCH들(physical uplink control channels)을 운반하는데 PCell이 사용된다. PUCCH에서는, CQI(channel quality indicator), ACK/NAK(acknowledgement/negative acknowledgement), 및 SR(scheduling request) 등과 같은 많은 물리 계층 제어 정보가 포함된다. 이러한 제어 정보의 신뢰할 수 있는 송신이 없으면, 단말의 통신은 실패할 것이다. 그러므로, 단말의 PCell은 상대적으로 우수한 채널 상태를 가져야 한다.단말의 PCell이 상대적으로 우수한 채널 상태를 갖는다는 것을 보장하기 위해서, 기존 CA 시스템에서, eNB는 단말에 대한 측정 구성을 수행할 필요가 있고, 단말은 측정 구성에 따라서 관련된 셀들 및 주파수들을 측정하고, 측정 구성에 의해 표시된 상태가 충족될 때 eNB에 측정 결과를 보고한다. 그러므로, eNB는 단말의 수신된 측정 결과 및 몇몇 다른 인자들에 따라서 단말에 대한 PCell을 변경할지를 결정할 수 있다.그리고 다른 한편으로, 현재의 LTE-A(long term evolution-advanced) 시스템에서는, 매크로 셀이 주로 배치된다. 트래픽들의 양이 미래에 증가함에 따라, 스몰 셀들을 계속 배치하는 것이 가능하다. 스몰 셀들의 커버리지 영역들은 상대적으로 작지만, 그 수는 상대적으로 많다. 따라서, 제어 및 구조들의 최적화를 수행하지 않고, 스몰 셀들의 배치가 단순하게 수행되기만 한다면, 이동도의 강건함이 저하되는 것, 및 제어 시그널링의 부하가 증가되는 것 등과 같은, 여러 문제점들이 발생할 것이다. 이러한 문제점들을 해결하기 위해서, 그리고 동시에, 개별 사용자 장비의 유동률을 증가시키기 위해서, 새로운 종류의 네트워크 프로토콜 구조, 이중 접속이 해당 산업에서 제안된다. 이중 접속 구조에서는, 단말이 다수의 eNB들과 동시에 통신할 수 있다. 예를 들어, 단말은 매크로 eNB 및 스몰 셀 eNB와 동시에 통신할 수 있거나, 또는 2개의 스몰 셀 eNB들과 동시에 통신할 수 있다. 단말과 동시에 통신하는 eNB들에서는, 그들 중 하나가 단말과 코어 네트워크 사이의 제어 인터페이스를 단말에 제공하고, 이러한 eNB는 MeNB(master eNB)라 한다. MeNB 이외의 단말과 동시에 통신하는 다른 eNB들은 SeNB들(secondary eNBs)이라 한다. 동시에, 단말의 서빙 셀들에서, MeNB와 관련된 셀 그룹들은 MCG들(master cell groups)이라 하고, SeNB들과 관련된 셀 그룹들은 SCG들(secondary cell groups)이라 한다.스몰 셀 시스템에서는, 단말이 여전히 업링크에서 PUCCH들을 송신할 필요가 있고, 이러한 스몰 셀 시스템에서, 단말은 상이한 eNB들에 상이한 PUCCH들을 갖는다. 스몰 셀 시스템의 SeNB에서 PUCCH들을 운반하는 셀들이 SCG에서 모든 셀들의 효율적 송신을 보장하기 위해 상대적으로 우수한 채널 상태를 갖는다는 것을 어떻게 보장할 것인가가 해당 산업의 연구 방향이다.전술한 배경의 설명은 단지 본 개시내용의 명확하고 완전한 설명을 위해 그리고 본 기술분야의 통상의 기술자들에 의한 용이한 이해를 위해 제공되는 것이라는 점이 주목되어야 한다. 그리고, 전술한 기술적 해결책이 본 개시내용의 배경기술에서 설명되는 바와 같이 본 기술분야의 통상의 기술자들에게 알려진 것으로 이해되어서는 안 된다. [ 발명의 개요 ] 스몰 셀 시스템의 MCG에서는, MeNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는데 PCell이 사용되고; 그리고 이러한 스몰 셀 시스템의 SCG에서는, SeNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는데, SPCell(secondary primary cell)라 하는, 특정 SCell이 사용된다. 배경기술에서 설명된 바와 같이, PUCCH들의 효율적 송신을 보장하기 위해서는, SPCell에 대해 우수한 채널 상태가 필요하다. 그러나, SPCell 및 PCell이 현재로는 상이한 셀 그룹들에 있으므로, 그들의 채널 상태는 더 이상 비교될 수 없고, 현재로는 SPCell의 효율적 관리를 위해 구체적으로 사용되는 측정 구성 및 측정 프로세스가 존재하지 않으며, 그러므로, 상대적으로 우수한 채널 상태를 갖는 SPCell이 잘 보장될 수 없다.본 개시내용의 실시예들은 채널 측정을 구성하기 위한 방법, 채널 측정 방법 및 장치와 통신 시스템을 제공하며, 이는 스몰 셀 시스템에서의 SeNB에서 PUCCH들을 운반하고 그들이 상대적으로 우수한 채널 상태를 갖는다는 것을 보장하는 셀들의 효율적 관리의 문제점을 해결하기 위한 것이다.본 개시내용의 실시예들의 제1 양상에 따르면, 채널 측정을 구성하기 위한 방법을 제공되며, 이는:측정 객체 및 eNB에 의한 보고 구성으로 단말을 구성하는 단계- 여기서, 측정 객체는 측정될 필요가 있는 주파수를 표시하고, 보고 구성은 측정 보고 상태를 표시하고, 측정 보고 상태는, 인접 셀의 측정 결과가 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀의 측정 결과와 미리 정의된 주문값의 합계보다 우수하다는 것, 또는 인접 셀의 측정 결과가 제1 임계값보다 우수하고 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀의 측정 결과가 제2 임계값보다 불량하다는 것이며, 인접 셀은 측정 객체에 표시되는 주파수에 있는 셀임-를 포함한다.본 개시내용의 실시예들의 제2 양상에 따르면, 채널 측정 방법이 제공되며, 이는:eNB에 의해 송신되는 구성 메시지를 단말에 의해 수신하는 단계- 여기서 구성 메시지는 측정 객체 및 보고 구성을 포함하고, 측정 객체는 측정될 필요가 있는 주파수를 표시하고, 보고 구성은 측정 보고 상태를 표시하고, 측정 보고 상태는, 인접 셀의 측정 결과가 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀의 측정 결과와 미리 정의된 주문값의 합계보다 우수하다는 것, 또는 인접 셀의 측정 결과가 제1 임계값보다 우수하고 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀의 측정 결과가 제2 임계값보다 불량하다는 것이며, 인접 셀은 측정 객체에 표시되는 주파수에 있는 셀임 -; 및서빙 셀 및 구성 메시지에 따라서 단말에 의해 측정 객체에 표시되는 측정될 필요가 있는 주파수에 있는 셀을 측정하고, 보고 구성에 표시되는 측정 보고 상태가 충족될 때 단말에 의해 측정 결과를 보고하는 단계를 포함한다.본 개시내용의 실시예들의 제3 양상에 따르면, 채널 측정을 구성하기 위한 장치가 제공되며, 이는,측정 객체 및 보고 구성으로 단말을 구성하도록 구성되는 구성 유닛- 측정 객체는 측정될 필요가 있는 주파수를 표시하고, 보고 구성은 측정 보고 상태를 표시하고, 측정 보고 상태는, 인접 셀의 측정 결과가 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀의 측정 결과와 미리 정의된 주문값의 합계보다 우수하다는 것, 또는 인접 셀의 측정 결과가 제1 임계값보다 우수하고 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀의 측정 결과가 제2 임계값보다 불량하다는 것이며, 인접 셀은 측정 객체에 표시되는 주파수에 있는 셀임 -을 포함한다.본 개시내용의 실시예들의 제4 양상에 따르면, 채널 측정 장치가 제공되며, 이는,eNB에 의해 송신되는 구성 메시지를 수신하도록 구성되는 수신 유닛- 구성 메시지는 측정 객체 및 보고 구성을 포함하고, 측정 객체는 측정될 필요가 있는 주파수를 표시하고, 보고 구성은 측정 보고 상태를 표시하고, 측정 보고 상태는, 인접 셀의 측정 결과가 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀의 측정 결과와 미리 정의된 주문값의 합계보다 우수하다는 것, 또는 인접 셀의 측정 결과가 제1 임계값보다 우수하고 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀의 측정 결과가 제2 임계값보다 불량하다는 것이며, 인접 셀은 측정 객체에 표시되는 주파수에 있는 셀임 -; 및서빙 셀 및 구성 메시지에 따라서 측정 객체에 표시되는 측정될 필요가 있는 주파수에 있는 셀을 측정하고, 보고 구성에 표시되는 측정 보고 상태가 충족될 때 측정 결과를 보고하도록 구성되는 측정 유닛을 포함한다.본 개시내용의 실시예들의 제5 양상에 따르면, eNB 및 단말을 포함하는 통신 시스템이 제공되며, 여기서,eNB는 측정 객체 및 보고 구성으로 단말을 구성하고- 측정 객체는 측정될 필요가 있는 주파수를 표시하고, 보고 구성은 측정 보고 상태를 표시하고, 측정 보고 상태는, 인접 셀의 측정 결과가 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀의 측정 결과와 미리 정의된 주문값의 합계보다 우수하다는 것, 또는 인접 셀의 측정 결과가 제1 임계값보다 우수하고 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀의 측정 결과가 제2 임계값보다 불량하다는 것이며, 인접 셀은 측정 객체에 표시되는 주파수에 있는 셀임 -;그리고 단말은 서빙 셀 및 측정 객체 및 보고 구성에 따라서 측정 객체에 표시되는 측정될 필요가 있는 주파수에 있는 셀을 측정하고, 보고 구성에 표시되는 측정 보고 상태가 충족될 때 측정 결과를 보고한다.본 개시내용의 실시예들의 다른 양상에 따르면, 컴퓨터 판독가능 프로그램이 제공되며, 프로그램이 eNB에서 실행될 때, 프로그램은 eNB로 하여금 제1 양상에서 설명되는 바와 같은 채널 측정을 구성하기 위한 방법을 수행할 수 있게 한다.본 개시내용의 실시예들의 추가적 양상에 따르면, 컴퓨터 판독가능 프로그램이 저장되는 것이 제공되고, 컴퓨터 판독가능 프로그램은 eNB로 하여금 제1 양상에서 설명되는 바와 같은 채널 측정을 구성하기 위한 방법을 수행할 수 있게 한다.본 개시내용의 실시예들의 또 다른 양상에 따르면, 컴퓨터 판독가능 프로그램이 제공되며, 프로그램이 UE에서 실행될 때, 프로그램은 UE로 하여금 제2 양상에서 설명되는 바와 같은 채널 측정 방법을 수행할 수 있게 한다.본 개시내용의 실시예들의 또 다른 양상에 따르면, 컴퓨터 판독가능 프로그램이 저장되는 것이 제공되며, 컴퓨터 판독가능 프로그램은 UE로 하여금 제2 양상에서 설명되는 바와 같은 채널 측정 방법을 수행할 수 있게 한다.본 개시내용의 실시예들의 이점은, 본 개시내용의 실시예들의 방법, 장치 및 통신 시스템에 의해, 스몰 셀 시스템에서의 SeNB에서 PUCCH들을 운반하고 셀들이 상대적으로 우수한 채널 상태를 갖는다는 것을 보장하는 셀들의 효율적 관리의 문제점들이 해결된다는 점에 존재한다.이하의 설명 및 도면들을 참조하여, 본 개시내용의 특정 실시예들이 상세히 개시되며, 본 개시내용의 원리들 및 사용 방법들이 나타난다. 본 개시내용의 실시예들의 범위가 이에 제한되는 것은 아니라는 점이 이해되어야 한다. 본 개시내용의 실시예들은 첨부된 청구항들의 용어들의 범위 및 사상들 내의 많은 변경물들, 수정물들, 및 등가물들을 포함한다.일 실시예에 대하여 설명되는 및/또는 도시되는 특징들은 하나 이상의 실시예들에서 및/또는 다른 실시예들의 특징들과 조합하여 또는 그 대신에 동일한 방식으로 또는 유사한 방식으로 사용될 수 있다."포함한다/포함하는(comprises/comprising/includes/including)"이라는 용어는, 본 명세서에서 사용될 때 언급되는 특징들, 정수들, 단계들, 또는 컴포넌트들의 존재를 구체화하기 위해 취해지지만, 하나 이상의 다른 특징들, 정수들, 단계들, 컴포넌트들, 또는 이들의 그룹들의 존재 또는 추가를 배제하는 것은 아니라는 점이 강조되어야 한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 명세서의 일부를 구성하고 본 개시내용의 바람직한 실시예들을 예시하는 도면들은 본 개시내용의 추가적인 이해를 제공하기 위해 포함되며, 설명과 함께 본 개시내용의 원리들을 제시하는 데 사용된다. 이하 설명에서의 첨부 도면들은 본 개시내용의 일부 실시예들에 불과할 뿐이고, 본 기술분야의 통상의 기술자는 창의적인 노력을 하지 않고서도 이러한 첨부 도면들에 따라 다른 첨부 도면들을 얻을 수 있음이 명백하고 이해된다.도 1은 본 개시내용의 실시예 1의 채널 측정을 구성하기 위한 방법의 흐름도이다.도 2는 실시예 1의 방법에 따른 구현하에서 eNB와 단말 사이의 정보 상호작용의 개략도이다.도 3은 실시예 1의 방법에 따른 다른 구현하에서 eNB와 단말 사이의 정보 상호작용의 개략도이다.도 4는 본 개시내용의 실시예 2의 채널 측정을 구성하기 위한 장치의 구현의 구조의 개략도이다.도 5는 본 개시내용의 실시예 2의 채널 측정을 구성하기 위한 장치의 다른 구현의 구조의 개략도이다.도 6은 본 개시내용의 실시예 2의 채널 측정을 구성하기 위한 장치의 추가적 구현의 구조의 개략도이다.도 7은 본 개시내용의 실시예 3의 eNB의 구조의 개략도이다.도 8은 본 개시내용의 실시예 4의 채널 측정 방법의 흐름도이다.도 9는 본 개시내용의 실시예 5의 채널 측정 장치의 구현의 구조의 개략도이다.도 10은 본 개시내용의 실시예 6의 UE의 구조의 개략도이다.도 11은 본 개시내용의 실시예 7의 통신 시스템의 구조의 개략도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 개시내용의 이들 및 추가의 양상들 및 특징들은 이하의 설명 및 첨부 도면들을 참조하면 명백할 것이다. 설명 및 도면들에서, 본 개시내용의 특정 실시예들은 본 개시내용의 원리들이 이용될 수 있는 방식들 중 일부를 지시하는 것으로서 상세히 개시되었지만, 본 개시내용은 그에 따라 범위가 제한되지 않는다는 점이 이해되어야 한다. 오히려, 본 개시내용은 첨부된 청구항들의 사상 및 조건 내에 속하는 모든 변경들, 수정들 및 등가물들을 포함한다. 이하, 본 개시내용의 다양한 실시예들이 첨부 도면들을 참조하여 설명된다. 본 실시예들은 예시적일 뿐이며, 본 개시내용을 제한하려고 의도되지는 않는다.실시예 1본 개시내용의 실시예는 채널 측정을 구성하기 위한 방법을 제공한다. 도 1은 이러한 방법의 흐름도이다. 도 1을 참조하면, 이러한 방법은 다음을 포함한다:단계 101: 측정 객체 및 eNB에 의한 보고 구성으로 단말을 구성하는 단계- 여기서 측정 객체는 측정될 필요가 있는 주파수를 표시하고, 측정될 필요가 있는 주파수는 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀(SPCell)에 관련된 주파수이고; 보고 구성은 측정 보고 상태를 표시하고, 측정 보고 상태는, 인접 셀의 측정 결과가 SPCell이 대응하는 측정 결과와 미리 정의된 주문값의 합계보다 우수하다는 것, 또는 인접 셀의 측정 결과가 제1 임계값보다 우수하고 SPCell의 측정 결과가 제2 임계값보다 불량하다는 것이며, 인접 셀은 측정 객체에 표시되는 주파수에 있는 셀임 -.본 실시예에서, 신규 측정 이벤트는 SeNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀(SPCell)에 대해 정의된다. 신규 측정 이벤트에서, SPCell의 채널 측정 결과보다 우수하고 특정 주문값을 초과하는 인접 셀의 측정 결과는 측정 보고 상태로서 취해진다. 신규 측정 이벤트는 또한 인접 셀의 측정 결과가 임계값(제1 임계값)보다 우수하고, 그리고 동시에, SPCell의 채널 측정 결과가 임계값(제2 임계값)보다 불량하다는 것일 수 있다. 따라서, 단말은 자신의 측정 결과가 측정 이벤트를 충족시킬 때 측정 결과를 보고할 수 있으며, 그로 인해 SPCell이 상대적으로 우수한 채널 상태를 갖는다는 것을 보장한다. 본 실시예에서, 전술한 주문값, 제1 임계값 및 제2 임계값은 모두 미리 정의되며, 본 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 본 실시예의 구현에서, 신규 측정 이벤트는 이벤트 A7으로 표시될 수 있다.본 실시예에서, 측정 객체에 의해 표시되는 주파수는, 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀에 존재하는 주파수를 제외하고, 단말의 2차 셀 그룹에서의 또는 2차 셀 eNB에서의 셀에 존재하는 주파수일 수 있고, 단말의 2차 셀 그룹에서의 또는 2차 셀 eNB에서의 셀에 존재하는 주파수일 수 있고, 단말의 1차 셀 그룹에서의 또는 1차 셀 eNB에서의 셀에 존재하는 주파수와 상이한 주파수일 수 있고, 1차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀에 존재하는 주파수와 상이한 주파수일 수 있고, 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀에 존재하는 주파수와 상이한 주파수일 수 있으며, 또한 1차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀에 존재하는 주파수 및 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀에 존재하는 주파수와 상이한 주파수일 수 있다. 상기 주파수들은 상기 신규 측정 이벤트로 구성될 수 있지만; 그러나, 본 실시예가 이에 제한되는 것은 아니며, SPCell에 관련된 임의의 주파수들이, 채널 측정이 수행될 필요가 있는 상기 주파수들로서 취해질 수 있고 측정 객체에 포함될 수 있다.본 실시예에서, 측정 보고 상태를 표시하는 상기 신규 측정 이벤트 이외에도, 보고 구성은 보고 포맷, 및 시간 요건 등과 같은 정보를 더 포함할 수 있고, 단말이 eNB에 측정 결과를 보고할 때, 보고 구성에 명시된 포맷 및 시간 요건에 따라서 측정 결과를 보고할 수 있다.본 실시예의 방법으로, 단말은 자신의 서빙 셀들 및 측정 객체에 따라서 측정 객체에 의해 표시되는 주파수들에 있는 셀들을 측정할 수 있고, 이에 대해 eNB에 의해 구성되는 보고 구성은, 동시에, 상기 신규 측정 이벤트가 충족되는지 점검하고, 신규 측정 이벤트가 충족되면 보고 구성에 명시된 포맷 및 시간 요건에 따라서 eNB에 측정 결과를 보고한다. 그러므로, eNB는 측정 결과 및 일부 다른 인자들에 따라서 단말에 대한 SPCell을 변경할지를 결정할 수 있으며, 그로 인해 스몰 셀 시스템에서 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀이 상대적으로 우수한 채널 상태를 갖는 것이 계속되는 문제점을 해결한다.본 실시예의 구현에서, 측정 객체는 PCell 또는 SCell에 관한 주파수, 즉, PCell 또는 SCell에 관련된 주파수를 더 포함할 수 있고, 이에 따라, 보고 구성은 PCell 또는 SCell에 관련된 측정 이벤트들을 포함할 수 있다.본 구현에서, PCell에 관련된 측정 이벤트들은 기존 CA 시스템에서 정의되는 이벤트들 A1, A2, A3 및 A5 일 수 있고, SCell에 관련된 측정 이벤트들은 기존 CA 시스템에서 정의되는 이벤트들 A1, A2 및 A6 일 수 있다.본 구현에서, 이벤트 A1은 서빙 셀(PCell 또는 SCell)의 측정 결과가 임계값보다 우수하다는 것이고; 이벤트 A2는 서빙 셀(PCell 또는 SCell)의 측정 결과가 임계값보다 불량하다는 것이고; 이벤트 A3은 인접 셀의 측정 결과가 PCell의 측정 결과와 주문값의 합계보다 우수하다는 것이고; 여기서, 인접 셀에 존재하는 주파수는 PCell이 있는 주파수와 상이할 수 있고, 인접 셀은 SCell 또는 논-서빙 셀일 수 있고; 이벤트 A5는 PCell의 측정 결과가 임계값보다 불량하고, 동시에, 인접 셀의 측정 결과가 임계값보다 우수하다는 것이고; 여기서, 인접 셀에 존재하는 주파수는 PCell이 있는 주파수와 상이할 수 있고, 인접 셀은 SCell 또는 논-서빙 셀일 수 있으며; 그리고 이벤트 A6은 인접 셀(논-서빙 셀)의 측정 결과가 SCell의 측정 결과와 주문값의 합계보다 우수하다는 것이고; 여기서, 인접 셀과 SCell은 동일한 주파수에 있다. 본 구현에서, 상기 임계값들 또는 주문값들은 모두 미리 정의되고, 본 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다.본 구현에서, 시스템은 PCell에 대해 보다 완전한 측정 이벤트들, 즉, A1, A2, A3 및 A5를 정의하였고, 이외에도 자신의 측정 결과와 임계값의 절대값 비교, 자신의 측정 결과와 다른 인트라-주파수 셀들 또는 인터-주파수 셀들의 측정 결과들의 절대값 비교들 및 상대값 비교들이 더 정의된다. 실제 시스템에서, 이벤트 A3 또는 이벤트 A5는 PCell을 변경할 필요가 있는지 판정하기 위해 상대적으로 자주 사용되는 측정 이벤트이다. 측정 객체가 PCell이 있는 주파수일 때, 단말이 그 보고 구성에서의 이벤트 A3 또는 이벤트 A5로 구성되면, 단말은 인트라-주파수 셀들 사이의 비교들을 수행할 수 있으며; 그리고 측정 객체가 PCell이 있는 주파수가 아니면, 단말은 인터-주파수 셀들 사이의 비교들을 수행할 수 있고; 물론, eNB는 또한 동일한 보고 구성에 대응하는 다수의 측정 객체들을 구성할 수 있고, 단말은 인트라-주파수 셀들 및 인터-주파수 셀들과 PCell의 비교들을 동시에 수행할 수 있다.본 구현에서, 시스템은 단지 SCell에 대한 이벤트 A1, A2 및 A6를 정의한다. 본 구현에서, A1 및 A2는 임계값에 의한 자신의 측정 결과들 사이의 절대값 비교이고, A6은 단지 인트라-주파수 셀들 사이의 비교이다.본 실시예에서, 측정 객체는 측정 식별을 통해 보고 구성과 관련될 수 있고, 각각의 측정 식별은 측정 객체와 보고 구성의 조합에 대응한다. 그러므로, eNB는 측정 식별을 통해 상기 측정 객체와 보고 구성의 조합을 직접 표시할 수 있다.본 실시예에서, 특정 구성 방법이 본 개시내용의 실시예의 방법에 제한되는 것은 아니며, 임의의 기존 구성 방법이 본 개시내용의 실시예의 방법에 적용될 수 있다. 예를 들어, eNB는 구성 메시지를 단말에 송신하는 것에 의해 상기 측정 객체 및 보고 구성으로 단말을 구성할 수 있고, 또한 구성 메시지와 진보된 동의의 조합의 방식으로 상기 측정 객체 및 보고 구성으로 단말을 구성할 수 있다. 구성 메시지는 RRC(radio resource control) 접속 재구성 메시지에 의해 운반될 수 있고, 또한 다른 메시지들에 의해 운반될 수 있으며, 본 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다.본 실시예의 구현에서, eNB가 단말에 의해 피드백되는 측정 결과를 수신하고, eNB가 단말에 대한 SPCell을 변경할지를 결정하는 eNB 이면, eNB는, 측정 결과 및, 반송파들에서의 eNB의 페이로드들 등과 같은, 결정 인자에 따라서 단말에 대한 SPCell을 변경할지를 결정할 수 있다. 그리고, eNB가 단말에 대한 SPCell을 변경하기로 결정하면, eNB는 다운링크에서 SPCell을 변경하는 것을 단말에 통지할 수 있다. 특히, SPCell의 변경을 운반하는 메시지가 본 실시예에서 제한되는 것은 아니며; 그리고 eNB가 단말에 대한 SPCell을 변경하지 않기로 결정하면, eNB는 후속 처리, 종래 기술에서의 것과 동일하고, 더 이상 본 명세서에 설명되지 않을 특정 처리를 수행할 수 있다.도 2는 본 실시예의 방법에 따른 본 구현하에서 eNB와 단말 사이의 정보 상호작용의 개략도이다. 본 구현에서는, 예로서 eNB가 스몰 셀 시스템에서의 MeNB인 것을 취한다. 특정 구현에서, eNB는 또한 스몰 셀 시스템에서의 SeNB일 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 상호작용의 프로세스는 다음과 같은 단계들을 포함한다:단계 201: MeNB가 측정 객체 및 보고 구성으로 UE를 구성한다;여기서, 측정 객체는 채널 측정이 수행될 필요가 있는 주파수를 표시하고, 이러한 주파수는 SPCell에 관련된 주파수이고; 보고 구성은 전술된 신규 측정 이벤트들, 즉, 측정 보고 상태는 인접 셀의 측정 결과가 SPCell의 측정 결과보다 우수하고 특정 주문값을 초과한다는 것, 또는 인접 셀의 측정 결과가 제1 임계값보다 우수하다는 것, 동시에, SPCell의 측정 결과가 제2 임계값보다 불량하다는 것이다;단계 202: UE는 자신의 서빙 셀 및 측정 객체에 의해 표시되는 주파수들에 있는 셀들을 측정하고, 측정 결과가 상기 측정 이벤트들을 충족시키는지 점검한다;단계 203: 상기 측정 이벤트들이 충족된다고 단계 202에서 결정되면 UE는 MeNB에 측정 결과를 보고한다;단계 204: MeNB는 UE에 의해 보고되는 측정 결과 및 일부 다른 인자들에 따라서 UE에 대한 SPCell을 변경할지를 결정한다; 및단계 205: 단계 204에서 UE에 대한 SPCell을 변경한다고 결정되면, MeNB는 UE에 대한 SPCell을 변경하는 것을 UE에 통지한다.본 구현의 방법으로, SPCell에 관한 측정 프로세스가 제시되고, 스몰 셀 시스템에서 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀이 상대적으로 우수한 채널 상태를 갖는 것이 계속되는 문제점이 해결된다. 물론, 본 실시예가 도 2에 도시된 것으로 제한되는 것은 아니며, 다른 구현들에서, 위에 설명된 바와 같이, UE에 대해 eNB에 의해 구성되는 측정 객체 및 보고 구성은 또한 PCell 및/또는 SCell에 동시에 지향될 수 있고, PCell 및/또는 SCell에 관한 측정 프로세스(들)의 특정 구현은 종래 기술과 동일하고, 본 명세서에서 더 이상 설명되지 않을 것이다.본 실시예의 다른 구현에서, eNB가 단말에 의해 피드백되는 측정 결과를 수신하지만, 그러나 eNB가 단말에 대한 SPCell을 변경할지 결정하는 eNB- 예를 들어, eNB가 MeNB임 -가 아니고, 반면에 단말에 대한 SPCell을 변경할지를 결정하는 eNB가 SeNB이면, eNB는, 단말에 대한 SPCell을 변경할지를 결정하는 eNB, 즉, SeNB에 단말의 측정 결과를 송신하고, SeNB는 단말의 측정 결과 및 결정 인자에 따라서 단말에 대한 SPCell을 변경할지를 결정한다. 본 구현에서, 단말의 측정 결과는, SPCell의 측정 결과 및 MCG에서의 서빙 셀의 측정 결과를 포함하는, 단말에 의해 MeNB에 송신되는 측정 결과의 직접 복사일 수 있고, 또한 SPCell의 측정 결과를 포함하지만, MCG에서의 서빙 셀의 측정 결과를 포함하지 않는 것과 같이, 상황에 따라서 MeNB에 의해 이루어지는, 단말에 의해 MeNB에 송신되는 측정 결과의 수정일 수 있다. SeNB가 단말에 대한 SPCell을 변경하기로 결정하면, 이는 판정 결과를 본 개시내용의 실시예의 eNB, 즉 상술된 MeNB에 송신할 것이고, 그리고 eNB가 SeNB에 의해 피드백되는 단말에 대한 SPCell을 변경하는 것에 대한 정보를 수신하면, eNB는 SPCell이 변경될 것이라고 다운링크에서 단말에 통지한다. 본 구현에서, MeNB와 SeNB 사이의 정보 상호작용은 X2 인터페이스를 통해 실현될 수 있지만; 그러나, 본 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다.도 3은 본 실시예의 방법에 따른 이러한 구현하에서 eNB와 단말 사이의 정보 상호작용의 개략도이다. 본 구현에서는, 예로서 단말에 의해 보고되는 측정 결과를 수신하는 eNB가 스몰 셀 시스템에서의 MeNB이고, 단말에 대한 SPCell을 변경할지를 결정하는 eNB가 스몰 셀 시스템에서의 SPCell을 운반하는 SeNB인 것을 취한다. 그러나, 특정 구현에서, 단말에 의해 보고되는 측정 결과를 수신하는 eNB는 또한 스몰 셀 시스템에서의 SeNB 일 수 있다.도 3에 도시된 바와 같이, 상호작용의 프로세스는 다음과 같은 단계들을 포함한다:단계 301: MeNB가 측정 객체 및 보고 구성으로 UE를 구성한다;여기서, 측정 객체 및 보고 구성의 구현들은 도 2에 도시된 구현의 단계 201에서의 것들과 동일하고, 그 내용들은 여기에 원용되며, 여 기서 더 이상 설명되지 않을 것이다;단계 302: UE는 자신의 서빙 셀 및 측정 객체에 의해 표시되는 주파수들에 있는 셀들을 측정하고, 측정 결과가 상기 측정 이벤트들을 충족시키는지 점검한다;단계 303: 상기 측정 이벤트들이 충족된다고 302 단계에서 결정되면 UE는 MeNB에 측정 결과를 보고한다;단계 304: MeNB는 SeNB에 UE의 측정 결과를 전달한다;여기서, UE의 측정 결과는 UE에 의해 보고되는 측정 결과의 직접 복사일 수 있고, 또한 상술한 바와 같고, 여기서 더 이상 설명되지 않을, UE에 의해 보고되는 측정 결과의 수정일 수 있으며; 그리고 동시에, MeNB는 X2 인터페이스를 통해 SeNB에 UE의 상기 측정 결과를 전달할 수 있다;단계 305: SeNB는 상기 측정 결과 및 일부 다른 인자들에 따라서 UE에 대한 SPCell을 변경할지를 결정한다;단계 306: 단계 305에서 UE에 대한 SPCell을 변경한다고 결정되면, SeNB는 결정된 결과를 MeNB에 피드백한다;여기서, SeNB는 X2 인터페이스를 통해 MeNB에 결정된 결과를 피드백할 수 있다;단계 307: MeNB는 UE에 대한 SPCell을 변경하는 것을 다운링크에서 UE에 통지한다.본 구현의 방법으로, SPCell에 관한 측정 프로세스가 제시되고, 스몰 셀 시스템에서 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀이 상대적으로 우수한 채널 상태를 갖는 것이 계속되는 문제점이 해결된다. 물론, 본 실시예가 도 2 및 3에 도시된 것으로 제한되는 것은 아니며, 다른 구현들에서, 위에 설명된 바와 같이, UE에 대해 eNB에 의해 구성되는 측정 객체 및 보고 구성은 또한 PCell 및/또는 SCell에 동시에 지향될 수 있고, PCell 및/또는 SCell에 관한 측정 프로세스(들)의 특정 구현은 종래 기술과 동일하고, 본 명세서에서 더 이상 설명되지 않을 것이다.본 실시예의 채널 측정을 구성하기 위한 방법으로, 신규 측정 이벤트들이 SPCell에 대해 정의되며, 그로 인해 효율적으로 SPCell의 채널 상태들을 보장한다.본 개시내용의 실시예는 이하 실시예 2에서 설명되는 바와 같이 채널 측정을 구성하기 위한 장치를 제공한다. 이러한 채널 측정을 구성하기 위한 장치의 원리들은 실시예 1의 방법의 것과 유사하므로, 이러한 장치의 구현에 대해서는 실시예 1의 방법의 구현이 참조될 수 있고, 동일한 내용들은 여기에 더 이상 설명되지 않는다.실시예 2본 개시내용의 실시예는 스몰 셀 시스템에서의 (MeNB 또는 SeNB와 같은) eNB에 적용될 수 있는, 채널 측정을 구성하기 위한 장치를 제공한다. 도 4는 채널 측정을 구성하기 위한 장치(400)의 구조의 개략도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 채널 측정을 구성하기 위한 장치(400)는,측정 객체 및 보고 구성으로 단말을 구성하도록 구성되는 구성 유닛(401)- 측정 객체는 측정될 필요가 있는 주파수를 표시하고, 보고 구성은 측정 보고 상태를 표시하고, 측정 보고 상태는, 인접 셀의 측정 결과가 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀(SPCell)의 측정 결과와 미리 정의된 주문값의 합계보다 우수하다는 것, 또는 인접 셀의 측정 결과가 제1 임계값보다 우수하고, 동시에, SPCell의 측정 결과가 제2 임계값보다 불량하다는 것이며, 인접 셀은 측정 객체에 표시되는 주파수에 있는 셀임 -을 포함한다.본 실시예에서, 측정 객체에 표시되는 주파수는, SPCell이 있는 주파수를 제외하고, 단말의 2차 셀 그룹에서의 또는 2차 셀 eNB에서의 셀에 존재하는 주파수일 수 있고, 단말의 2차 셀 그룹에서의 또는 2차 셀 eNB에서의 셀에 존재하는 주파수일 수 있고, 단말의 1차 셀 그룹에서의 또는 1차 셀 eNB에서의 셀에 존재하는 주파수와 상이한 주파수일 수 있고, 1차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀(PCell)이 있는 주파수와 상이한 주파수일 수 있고, SPCell이 있는 주파수와 상이한 주파수일 수 있으며, 또한 PCell이 있는 주파수 및 SPCell이 있는 주파수와 상이한 주파수일 수 있다. 물론, 실시예 1에서 위에 설명된 바와 같이, 본 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다.본 실시예의 구현에서, 구성 유닛(401) 이외에, 채널 측정을 구성하기 위한 장치는 결정 유닛(402) 및 제1 통지 유닛(403)을 더 포함할 수 있다. 도 5는 본 구현의 채널 측정을 구성하기 위한 장치(500)의 구조의 개략도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 본 구현에서, eNB가 단말에 의해 피드백되는 측정 결과를 수신할 때, 결정 유닛(402)은 측정 결과 및 결정 인자에 따라서 단말에 대한 SPCell을 변경할지를 결정한다. 그리고 제1 통지 유닛(403)은 결정 유닛(402)이 단말에 대한 SPCell을 변경하기로 결정할 때 다운링크에서 SPCell을 변경하는 것을 단말에 통지한다. 본 구현에서, 위에 설명된 바와 같이, 결정 인자는 반송파들 등에서 eNB의 페이로드들일 수 있고, 본 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 구현에서, 채널 측정을 구성하기 위한 장치(500)는 상기 측정 결과를 수신하는 수신 유닛(도시되지 않음)을 더 포함할 수 있다.본 실시예의 다른 구현에서, 상기 구성 유닛(401) 이외에, 채널 측정을 구성하기 위한 장치는 송신 유닛(404) 및 제2 통지 유닛(405)을 더 포함할 수 있다. 도 6은 본 구현의 채널 측정을 구성하기 위한 장치(600)의 구조의 개략도이다. 도 6에 도시된 바와 같이, eNB가 단말에 의해 피드백되는 측정 결과를 수신할 때, SeNB가 측정 결과 및 결정 인자에 따라서 단말에 대한 SPCell을 변경할지를 결정하도록, 송신 유닛(404)은 측정 결과를 SeNB에 송신한다. 그리고 SPCell이 SeNB에 의해 피드백되는 단말에 대해 변경될 것이라는 것을 eNB가 수신할 때, 제2 통지 유닛(405)은 다운링크에서 SPCell을 변경하는 것을 단말에 통지한다. 본 구현에서, 채널 측정을 구성하기 위한 장치(600)는 상기 측정 결과 및 SPCell이 SeNB에 의해 피드백되는 단말에 대해 변경되는 것에 대한 정보를 수신하는 수신 유닛(도시되지 않음)을 포함할 수 있다.본 실시예의 채널 측정을 구성하기 위한 장치로, 신규 측정 이벤트들 및 완전한 측정 프로세스가 스몰 셀 시스템에서 SPCell에 대해 정의되며, 그로 인해 스몰 셀 시스템에서 SPCell의 채널 상태를 효율적으 보장한다.실시예 3본 개시내용의 실시예는 실시예 2에서 설명된 바와 같이 채널 측정을 구성하기 위한 장치를 포함하는, eNB를 더욱 제공한다.도 7은 본 실시예의 eNB의 구조의 개략도이다. 도 7에 도시된 바와 같이, eNB(700)는 중앙 처리 유닛(CPU)(701) 및 메모리(702)를 포함할 수 있고, 메모리(702)는 중앙 처리 유닛(701)에 연결된다. 본 실시예에서, 메모리(702)는 다양한 데이터를 저장할 수 있고; 그리고 더욱이, 이는 정보 처리를 위한 프로그램을 저장할 수 있고,, 단말에 의해 송신되는 다양한 정보를 수신하여, 다양한 정보를 UE에 송신하기 위해, 중앙 처리 유닛(701)의 제어하에 프로그램을 실행할 수 있다.구현에서, 채널 측정을 구성하기 위한 장치의 기능들은 중앙 처리 유닛(701)에 통합될 수 있다. 본 실시예에서, 중앙 처리 유닛(701)은,측정 객체 및 보고 구성으로 단말을 구성하도록- 측정 객체는 측정될 필요가 있는 주파수를 표시하고, 보고 구성은 측정 보고 상태를 표시하고, 측정 보고 상태는, 인접 셀의 측정 결과가 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀(SPCell)의 측정 결과와 미리 정의된 주문값의 합계보다 우수하다는 것, 또는 인접 셀의 측정 결과가 제1 임계값보다 우수하고 SPCell의 측정 결과가 제2 임계값보다 불량하다는 것이며, 인접 셀은 측정 객체에 표시되는 주파수에 있는 셀임 - 구성될 수 있다.본 실시예에서, 측정 객체에 표시된 주파수는,2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀에 존재하는 주파수를 제외하고, 단말의 2차 셀 그룹에서의 또는 2차 셀 eNB에서의 셀에 존재하는 주파수; 또는단말의 2차 셀 그룹에서의 또는 2차 셀 eNB에서의 셀에 존재하는 주파수; 또는단말의 1차 셀 그룹에서의 또는 1차 셀 eNB에서의 셀에 존재하는 주파수와 상이한 주파수; 또는1차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀에 존재하는 주파수와 상이한 주파수; 또는2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀에 존재하는 주파수와 상이한 주파수; 또는1차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀에 존재하는 주파수 및 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀에 존재하는 주파수와 상이한 주파수를 포함한다.구현에서, eNB가 단말에 의해 피드백되는 측정 결과를 수신하면, 중앙 처리 유닛(701)은,측정 결과 및 결정 인자에 따라서 단말에 대해 SeNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀을 변경할지를 결정하도록 더 구성될 수 있다.본 구현에서, 단말에 대해 SeNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀을 변경하기로 결정되면, 중앙 처리 유닛(701)은,다운링크에서 SeNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀을 변경하는 것을 단말에 통지하도록 더 구성될 수 있다.구현에서, eNB가 단말에 의해 피드백되는 측정 결과를 수신할 때, 중앙 처리 유닛(701)은,SeNB가 측정 결과 및 결정 인자에 따라서 단말에 대해 SeNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀을 변경할지를 결정하기 위해, 측정 결과를 관련된 SeNB(즉, PUCCH에 대응하는 SeNB)에 송신하도록 더 구성될 수 있다. 본 구현에서, eNB에 의해 SeNB에 송신되는 측정 결과는 단말에 의해 eNB에 송신되는 측정 결과의 직접 복사가 아닐 수 있고, eNB는 상황에 따라서 단말에 의해 eNB에 송신되는 측정 결과를 수정할 수 있다. 예를 들어, eNB에 의해 SeNB에 송신되는 측정 결과는 SPCell의 측정 결과를 포함할 수 있지만, MCG에서의 서빙 셀의 측정 결과를 포함하지 않는다.본 구현에서, eNB가 SeNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀이 SeNB에 의해 피드백되는 단말에 대해 변경되는 것에 대한 정보를 수신하면, 중앙 처리 유닛(701)은,다운링크에서 SeNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀을 변경하는 것을 단말에 통지하도록 더 구성될 수 있다.다른 구현에서, 채널 측정을 구성하기 위한 장치 및 중앙 처리 유닛은 별도로 구성될 수 있다. 예를 들어, 채널 측정을 구성하기 위한 장치는, 그 기능들이 중앙 처리 유닛의 제어하에 실현되며, 중앙 처리 유닛(701)에 접속되는 칩으로서 구성될 수 있다.더욱이, 도 7에 도시된 바와 같이, eNB(700)는 송수신기(703) 및 안테나(704) 등을 포함할 수 있고; 여기서, 상기 컴포넌트들의 기능들은 종래 기술에서 것들과 유사하며, 본 명세서에서 더 이상 설명되지 않을 것이다. eNB(700)가 도 7에 도시된 모든 부분들을 반드시 포함하는 것은 아니고, 더욱이, eNB(700)는 도 7에 도시되지 않은 부분들을 포함할 수 있으며, 종래 기술이 참조될 수 있다는 점이 주목되어야 한다.본 실시예의 eNB로, 신규 측정 이벤트들 및 완전한 측정 프로세스가 스몰 셀 시스템에서 SPCell에 대해 정의되며, 그로 인해 스몰 셀 시스템에서 SPCell의 채널 상태를 효율적으로 보장한다.실시예 4본 개시내용의 실시예는, 실시예 1의 방법에 대응하는 단말 측에서의 처리인, 채널 측정 방법을 또한 제공한다. 단말이 실시예 1에서 상세히 설명되었으므로, 실시예 1에서의 것들과 동일한 내용들은 본 실시예에서 더 이상 설명되지 않을 것이다. 도 8은 본 방법의 흐름도이다. 도 8을 참조하면, 본 방법은 이하의 단계를 포함한다:단계 801: eNB에 의해 송신되는 구성 메시지를 단말에 의해 수신하는 단계- 구성 메시지는 측정 객체 및 보고 구성을 포함하고, 측정 객체는 측정될 필요가 있는 주파수를 표시하고, 보고 구성은 측정 보고 상태를 표시하고, 측정 보고 상태는, 인접 셀의 측정 결과가 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀(SPCell)의 측정 결과와 미리 정의된 주문값의 합계보다 우수하다는 것, 또는 인접 셀의 측정 결과가 제1 임계값보다 우수하고 SPCell의 측정 결과가 제2 임계값보다 불량하다는 것이며, 인접 셀은 측정 객체에 표시되는 주파수에 있는 셀임 -;여기서, 측정 객체 및 보고 구성의 내용들은 실시예 1에서 상세히 설명되었고, 그 내용들은 여기에 원용되며, 여기서 더 이상 설명되지 않을 것임;단계 802: 서빙 셀 및 구성 메시지에 따라서 단말에 의해 측정 객체에 표시되는 측정될 필요가 있는 주파수에 있는 셀을 측정하고, 보고 구성에 표시되는 측정 보고 상태가 충족될 때 단말에 의해 측정 결과를 보고하는 단계;여기서, eNB에 의해 구성되는 측정 객체 및 보고 구성에 따라서 단말에 의해 채널들을 측정하는 내용들은 또한 실시예1에서 상세히 설명되었고, 그 내용들은 여기에 원용되며, 여기서 더 이상 설명되지 않을 것임.본 실시예의 채널 측정 방법으로, 스몰 셀 시스템에서 SPCell의 채널 상태가 효율적으로 보장될 수 있다.본 개시내용의 실시예는 이하 실시예 5에서 설명되는 바와 같이 채널 측정 장치를 또한 제공한다. 문제점들을 해결하기 위한 이러한 장치의 원리들은 실시예 4의 방법의 것과 유사하므로, 이러한 장치의 구현에 대해서는 실시예 4의 방법의 구현이 참조될 수 있고, 동일한 내용들은 여기에 더 이상 설명되지 않는다.실시예 5본 개시내용의 실시예는 스몰 셀 시스템에서 단말(UE)에 적용될 수 있는 채널 측정 장치를 제공한다. 도 9는 채널 측정 장치(900)의 구조의 개략도이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 채널 측정 장치(900)는,eNB에 의해 송신되는 구성 메시지를 수신하도록 구성되는 수신 유닛(901)- 구성 메시지는 측정 객체 및 보고 구성을 포함하고, 측정 객체는 측정될 필요가 있는 주파수를 표시하고, 보고 구성은 측정 보고 상태를 표시하고, 측정 보고 상태는, 인접 셀의 측정 결과가 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀(SPCell)의 측정 결과와 미리 정의된 주문값의 합계보다 우수하다는 것, 또는 인접 셀의 측정 결과가 제1 임계값보다 우수하고 SPCell의 측정 결과가 제2 임계값보다 불량하다는 것이며, 인접 셀은 측정 객체에 표시되는 주파수에 있는 셀임 -; 및서빙 셀 및 구성 메시지에 따라서 측정 객체에 표시되는 측정될 필요가 있는 주파수에 있는 셀을 측정하고, 보고 구성에 표시되는 측정 보고 상태가 충족될 때 측정 결과를 보고하도록 구성되는 측정 유닛(902)을 포함한다.본 실시예에서, 수신 유닛(901)에 의해 수신되는 측정 객체 및 보고 구성의 내용들과 측정 유닛(902)에 의해 측정 객체 및 보고 구성에 따라서 채널들을 측정하는 내용들은 실시예 1에서 상세히 설명되었고, 이들은 여기에 원용되며, 여기서 더 이상 설명되지 않을 것이다.본 실시예의 채널 측정 장치로, 스몰 셀 시스템에서 SPCell의 채널 상태는 효율적으로 보장될 수 있다.실시예 6본 개시내용의 실시예는 위에서 실시예 5에 설명되는 바와 같은 채널 측정 장치를 포함하는 UE를 또한 제공한다.도 10은 본 실시예의 UE(1000)의 시스템 구성의 개략도이다. 도 10에 도시된 바와 같이, UE(1000)는 중앙 처리 유닛(1001) 및 메모리(1002)을 포함할 수 있고, 메모리(1002)는 중앙 처리 유닛(1001)에 연결된다. 본 도면은 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 구조를 보완 또는 대체하여 원격통신 기능 또는 다른 기능들을 구현하기 위해, 다른 종류의 구조들 또한 사용될 수 있다는 점이 주목되어야 한다.구현에서, 채널 측정 장치의 기능들은 중앙 처리 유닛(1001)에 통합될 수 있다. 본 구현에서, 중앙 처리 유닛(1001)은,eNB에 의해 송신되는 구성 메시지를 수신하도록- 구성 메시지는 측정 객체 및 보고 구성을 포함하고, 측정 객체는 측정될 필요가 있는 주파수를 표시하고, 보고 구성은 측정 보고 상태를 표시하고, 측정 보고 상태는, 인접 셀의 측정 결과가 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀(SPCell)의 측정 결과와 미리 정의된 주문값의 합계보다 우수하다는 것, 또는 인접 셀의 측정 결과가 제1 임계값보다 우수하고 SPCell의 측정 결과가 제2 임계값보다 불량하다는 것이며, 인접 셀은 측정 객체에 표시되는 주파수에 있는 셀임 -; 그리고서빙 셀 및 구성 메시지에 따라서 측정 객체에 표시되는 측정될 필요가 있는 주파수에 있는 셀을 측정하고, 보고 구성에 표시되는 측정 보고 상태가 충족될 때 측정 결과를 보고하도록 구성될 수 있다.다른 구현에서, 채널 측정 장치 및 중앙 처리 유닛(1001)은 별도로 구성될 수 있다. 예를 들어, 채널 측정 장치는, 그 기능들이 중앙 처리 유닛(1001)의 제어하에 실현되며, 중앙 처리 유닛(1001)에 접속되는 칩으로서 구성될 수 있다.도 10에 도시된 바와 같이, UE(1000)는 통신 모듈(1003), 입력 유닛(1004), 오디오 프로세서(1005), 디스플레이(1006) 및 전원(1007)을 더 포함할 수 있다. 이러한 컴포넌트들의 실현을 위해 종래 기술이 참조될 수 있다. UE(1000)가 도 10에 도시되는 모든 부분들을 반드시 포함하는 것은 아니며, 그리고 더욱이, UE(1000)는 도 10에 도시되지 않은 부분들을 포함할 수 있고, 종래 기술이 참조될 수 있다는 점이 주목되어야 한다.도 10에 도시된 바와 같이, 중앙 처리 유닛(1001)은 때때로 제어기 또는 제어로서 지칭될 수 있고, 마이크로프로세서 또는 다른 프로세서 디바이스들 및/또는 로직 디바이스들을 포함할 수 있다. 중앙 처리 유닛(1001)은 UE(1000)의 모든 컴포넌트들의 입력 및 제어 동작들을 수신한다.본 구현에서, 메모리(1002)는 예를 들어, 버퍼 메모리, 플래시 메모리, 하드 드라이브, 모바일 매체, 휘발성 메모리, 불휘발성 메모리, 미리 정의된 또는 미리 구성된 정보를 저장할 수 있고, 관련된 정보를 실행하는 프로그램을 또한 저장할 수 있는 다른 적절한 디바이스들 중 하나 이상일 수 있다. 그리고 중앙 처리 유닛(1001)은, 정보 저장 또는 처리 등을 실현하기 위해, 메모리(1002)에 저장된 프로그램을 실행할 수 있다. 다른 부분들의 기능들은 종래 기술의 것들과 유사하고, 이는 본 명세서에서 더 이상 설명되지 않을 것이다. 수신기(1000)의 부분들은, 본 개시내용의 범위로부터 벗어나지 않고, 특정 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어, 또는 이들의 임의의 조합에 의해 구현될 수 있다.본 실시예의 UE로, 스몰 셀 시스템에서 SPCell의 채널 상태가 효율적으로 보장될 수 있다.실시예 7본 개시내용의 실시예는 eNB 및 단말을 포함하는 통신 시스템을 또한 제공한다.본 실시예에서, eNB는 측정 객체 및 보고 구성으로 단말을 구성하고; 여기서 측정 객체는 측정될 필요가 있는 주파수를 표시하고, 보고 구성은 측정 보고 상태를 표시하고, 측정 보고 상태는, 인접 셀의 측정 결과가 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀의 측정 결과와 미리 정의된 주문값의 합계보다 우수하다는 것, 또는 인접 셀의 측정 결과가 제1 임계값보다 우수하고 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀의 측정 결과가 제2 임계값보다 불량하다는 것이며, 인접 셀은 측정 객체에 표시되는 주파수에 있는 셀이다. 본 실시예에서, eNB는 실시예 3에서 설명되는 eNB에 의해 실현될 수 있고, 그 내용들은 여기에 원용되며, 여기서 더 이상 설명되지 않을 것이다.본 실시예에서, 단말은 서빙 셀 및 구성 메시지에 따라서 측정 객체에 표시되는 측정될 필요가 있는 주파수에 있는 셀을 측정하고, 보고 구성에 표시되는 측정 보고 상태가 충족될 때 측정 결과를 보고한다. 본 실시예에서, 단말은 실시예 6에 설명되는 UE에 의해 실현될 수 있고, 그 내용들은 여기에 원용되며, 여기서 더 이상 설명되지 않을 것이다.도 11은 본 개시내용의 실시예의 통신 시스템의 구조의 개략도이다. 도 11에 도시된 바와 같이, 통신 시스템(1100)은 eNB(1101) 및 단말(1102)을 포함한다. 본 실시예에서, eNB(1101)는 실시예 3에서 설명되는 eNB(700)일 수 있다. 스몰 셀 시스템에서, 즉, 이중 접속의 경우에, MeNB로 취해지는 eNB(1101) 이외에, 통신 시스템은 2차 eNB, 즉, SeNB를 더 포함할 수 있다. 그리고 단말(1102)은 실시예 6에서 설명되는 UE(1000)일 수 있다.eNB(700) 및 UE(1000)가 실시예 3 및 6에서 상세히 설명된 바와 같이, 그들의 내용들은 여기에 원용되며, 여기서 더 이상 설명되지 않을 것이다.본 실시예의 통신 시스템으로, 스몰 셀 시스템에서 SPCell의 채널 상태가 효율적으로 보장될 수 있다.본 개시내용의 실시예는 또한 컴퓨터 판독가능 프로그램을 제공하며, 프로그램이 eNB에서 실행될 때, 프로그램은 eNB로 하여금 실시예 1에서 설명되는 바와 같은 채널 측정을 구성하기 위한 방법을 수행할 수 있게 한다.본 개시내용의 실시예는 컴퓨터 판독가능 프로그램이 저장되는 스토리지 매체를 제공하고, 컴퓨터 판독가능 프로그램은 eNB로 하여금 실시예 1에서 설명되는 바와 같은 채널 측정을 구성하기 위한 방법을 수행할 수 있게 한다.본 개시내용의 실시예는 또한 컴퓨터 판독가능 프로그램을 제공하며, 프로그램이 UE에서 실행될 때, 프로그램은 UE로 하여금 실시예 4에서 설명되는 바와 같은 채널 측정 방법을 수행할 수 있게 한다.본 개시내용의 실시예는 컴퓨터 판독가능 프로그램이 저장되는 스토리지 매체를 제공하며, 컴퓨터 판독가능 프로그램은 UE로 하여금 실시예 4에서 설명되는 바와 같은 채널 측정 방법을 수행할 수 있게 한다.본 개시내용의 상기 장치들 및 방법들은 하드웨어에 의해, 또는 소프트웨어와 조합된 하드웨어에 의해 구현될 수 있다. 본 개시내용은 프로그램이 로직 디바이스에 의해 실행될 때, 로직 디바이스가 앞서 설명된 바와 같은 장치들 또는 컴포넌트들을 수행하는 것이 가능하게 되거나, 또는 앞서 설명된 바와 같은 방법들 또는 단계들을 수행하는 것이 가능하게 되는 컴퓨터 판독가능 프로그램에 관한 것이다. 본 개시내용은 또한, 하드 디스크, 플로피 디스크, CD, DVD, 및 플래시 메모리 등과 같은, 상기 프로그램을 저장하기 위한 스토리지 매체에 관한 것이다.본 개시내용은 특정 실시예들을 참조하여 설명된다. 그러나, 본 기술분야의 통상의 기술자에 의해, 이러한 설명은 예시적일 뿐이며, 본 개시내용의 보호 범위를 제한하는 것으로 의도되지는 않는다는 점이 이해되어야 한다. 본 개시내용의 사상들 및 원리들에 따라 관련 기술분야의 통상의 기술자에 의해 다양한 변형들 및 수정들이 이루어질 수 있으며, 이러한 변형들 및 수정들은 본 개시내용의 범위 내에 있다.
본 개시내용의 실시예들은 채널 측정을 구성하기 위한 방법, 채널 측정 방법, 장치 및 통신 시스템을 제공한다. 이러한 방법은: 측정 객체 및 보고 구성으로 단말을 구성하는 단계- 여기서, 측정 객체는 측정될 필요가 있는 주파수를 표시하고, 보고 구성은 측정 보고 상태를 표시하고, 측정 보고 상태는, 인접 셀의 측정 결과가 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀(SPCell)의 측정 결과와 미리 정의된 주문값의 합계보다 우수하다는 것, 또는 인접 셀의 측정 결과가 제1 임계값보다 우수하고 SPCell의 측정 결과가 제2 임계값보다 불량하다는 것이며, 인접 셀은 측정 객체에 표시되는 주파수에 있는 셀임-를 포함한다. 본 개시내용의 실시예들의 이러한 방법들, 장치들 및 통신 시스템에 의하면, 스몰 셀 시스템에서 2차 eNB가 대응하는 PUCCH를 송신하는 셀의 채널 상태가 효과적으로 보장될 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 단계적 정보 제공 시스템The System And The Method For Giving Imformation By Stages [ 기술분야 ] 본 발명은 단계적으로 정보를 제공하는 것으로, 다양한 입력 장치를 통해 디스플레이 위에서 단계의 조작 명령을 실시하고, 상기 단계의 조작 명령 따라 정보의 내용이 단계 별로 제공되는 시스템에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 터치 스크린 또는 터치 패널이란 키보드를 사용하지 않고 화면(스크린)에 나타난 문자나 특정 위치에 손가락 또는 임의의 조작 수단으로 직접 터치하여 터치한 위치를 검출하고 기 저장된 소프트웨어를 통해 터치된 위치의 조작을 처리하는 유저 인터페이스 장치를 말한다. 하나의 예로, 터치 패널에는 압력식(Resistive Overlay), 표면초음파 방식(Surface Acoustic Wave), 정전용량 방식(Capacitive Overlay) 및 적외선 방식(Infrared Beam) 등이 있다.그리고, 이렇게 다양한 방식의 터치 입력 장치로 인하여 디스플레이 상에서 원하는 조작 명령을 직접 수행할 수가 있게 되며, 실제로 개인 휴대단말기(스마트폰, PDA, MP3, 핸드폰 등) 또는 태블릿 PC 등에 입력부로 채용하고 있다.하지만, 현재의 단말기의 디스플레이는 많은 정보가 상호 연관되어 있으므로, 현재 디스플레이에 표시된 정보와 연관된 또 다른 정보를 효과적으로 표시하고자 하는 구체적인 방법이 아직은 제시되지 못하고 있다. 즉, 현재는 단지 크릭을 통해 현재 화면에 표시된 정보를 연결해 주는데, 현재 화면에 표시된 정보의 단계가 한 개 이상일 경우에는 이것을 효과적으로 연결해 주지는 못하고 있는 실정이다.즉, 종래 미국 특허(US 6,639,584)처럼, 디스플레이 화면 위를 이동하여 제어 명령을 입력하는 방법에 관한 특허 기술은 존재하지만, 디스플레이 위에서 제어 명령을 입력하여 정보가 표시되는 상세한 정도를 제어하거나 표시되는 정보의 양을 제어하는 구체적인 방법은 제시되지 않고 있는 실정이다. 또한, 종래의 또 다른 미국 특허(US 7,657,849) 디스플레이 상단의 입력장치를 통하여 락(lock) 기능이 부여 되도록 하는 방법 만을 제공할 뿐이다.따라서, 콘텐츠를 사용할 때, 단계적 방법으로 정보를 제공하여 원하는 정보가 화면에서 신속하게 표시될 수 있도록 하는 방법이 필요한 실정이다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 선행기술 1 : 미국 특허 등록 번호 US 6,639,584 (2003년 10월 28일) 선행기술 2 : 미국 특허 등록 번호 US 7,657,849 (2010년02월 02일) [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 디스플레이 상단에서 입력장치틀 통하여 입력되는 단계의 조작 명령에 따라, 정보의 내용을 단계적으로 표시하거나 제공하고 또는 별도의 저장 위치에 존재하는 정보도 연결해 주는 시스템 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 목적은, 디스플레이와 중앙처리장치 및 입력장치가 구비된 단밀기에서,상기 디스플레이 위에서 단계를 구별하는 단계의 조작 명령이 입력되면, 입력장치는 단계의 조작 명령을 출력하고, 상기 중앙처리장치는 단계의 조작 명령의 단계를 인식하고, 상기 단계에 맞는 정보를 디스플레이에 출력하므로서 달성된다.그리고, 디스플레이 위에서 점이 선택되고 상기 점이 이동되어 이동 거리에 대한 정보가 출력되면, 중앙처리장치는 상기 이동 거리를 단계로 판단하며, 디스플레이 위에서 점이 선택되고 상기 점이 회전되어 회전 방향에 대한 정보가 출력되면, 중앙처리장치는 상기 회전 이동의 각도를 단계로 판단한다.또한, 상기 단계가 + 이동 단계가 존재하고, 상기 단계가 - 이동 단계가 존재하는며, 상기 입력장치를 통하여 두점이 선택되고 상기 두점 사이의 거리가 가까워 지거나 멀어짐에 따라 단계가 정해진다.본 발명의 또 다른 실시예로서, 디스플레이와 중앙처리장치 및 입력장치가 구비된 단밀기에서, 상기 단말기는 데이터 베이스와 제어부가 구비된 서버와 연결되고, 상기 디스플레이 위에서 단계를 구별하는 단계의 조작 명령이 입력되면, 입력장치는 단계의 조작 명령을 출력하고, 상기 중앙처리장치는 단계의 조작 명령의 단계를 인식하고, 상기조작 명령의 단계에 대한 정보를 서버에 송신하거나 입력장치의 출력을 서버에 송신하고, 상기 서버는 단계에 대한 정보를 데이터 베이스에서 출력하여 단말기에 전송한다.그리고, 디스플레이 위에서 점이 선택되고 상기 점이 이동되어 이동 거리에 대한 정보가 출력되면, 중앙처리장치는 상기 이동 거리를 단계로 판단하고, 디스플레이 위에서 점이 선택되고 상기 점이 회전되어 회전 방향에 대한 정보가 출력되면, 중앙처리장치는 상기 회전 이동의 각도를 단계로 판단한다.또한, 상기 단계가 + 이동 단계가 존재하고, 상기 단계가 - 이동 단계가 존재한다. 한편, 상기 입력장치를 통하여 두점이 선택되고 상기 두점 사이의 거리가 가까워 지거나 멀어짐에 따라 단계가 정해진다.아울러, 현재의 단계가 N 이고, + 만큼 J 단계 이동하면 최종 선택 단계는 N + J 인 것을 특징으로 하고, 현재의 단계가 N 이고, - 만큼 I 단계 이동하면 최종 선택 단계는 N - I 인 것을 특징으로 한다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 따르면, 디스플레이 상단에서 입력장치를 통하여 손가락이나 조작 수단에 의해 단계의 조작 명령을 실시하게 되면 정보를 단계 별로 제공할 뿐 아니라, 여러 단계의 정보가 제공될 경우에도 화면이 전환 없이 동일 화면에서 제공될 수 있고, 아울러 또 다른 인터넷 사이트나 다른 저장 위치에 저장된 정보로의 연결이 가능하도록 한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1 은 유무선 인터넷을 통해 서버와 연결된 단말기의 구성을 나타낸 도면이다.도 2는 서버를 좀더 상세히 나타낸 블록도이다.도 3은 단말기의 블록도를 나타낸 도면이다.도 4는 입력장치를 간단히 나타낸 도면이다.도 5는 입력장치를 통하여 단계의 조작 명령을 수행하는 실시예의 도면이다.도 6은 단계의 조작 명령을 설명하는 실시예의 도면이다.도 7은 입력장치를 통한 조작 명령의 또 다른 실시예의 도면이다.도 8과 도 9는 도 7의 실시예에서 조작 명령의 단계를 나타낸 도면이다.도 10은 단계의 조작 명령으로 전체 화면의 표시정보가 바뀌는 실시예의 도면이다.도 11은 단계의 조작 명령으로 일부 화면의 표시정보가 바뀌는 실시예의 도면이다.도 12내지 도 14는 본 발명의 진행 순서도를 나타낸 실시예의 도면이다.도 15내지 도 17은 조작 명령을 실시하는 또 다른 실시예의 도면이다.도 19는 단계적 입력 방법에 대한 또 다른 실시예의 도면이다.도 20내지 도 28은 선택 영역의 크기가 변하는 실시예의 도면이다. 도 29와 도 31은 정보의 내용과 크기가 다양하게 변하는 실시예의 도면이다.도 32 내지 도 34는 전체화면에서 선택 영역이 2개 이상 존재할 경우의 실시예의 도면이다. 도 35는 단계의 조작 명령에 의하여 변화되는 또 다를 실시예의 도면이다.도 36는 본 발명의 단계의 조작 명령에 따른 실시예의 흐름도이다.도 37은 서버가 각각의 단계와 연결된 정보를 전송하여 주는 실시예의 순서도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세하게 설명한다. 본 발명의 구성 및 그에 따른 작용 효과는 이하의 상세한 설명을 통해 명확하게 이해될 것이다.또한 공지된 기술 구성에 대해서는 구체적인 설명은 생략할 수도 있다.- 실시예 1-도 1 은 유무선 인터넷을 통해 서버와 연결된 단말기의 구성을 나타낸 도면이다.통신 시스템 내에서의 서버(100)는 유무선 인터넷을 통하여 각종 정보 제공 서비스를 운영하기 위한 시스템을 구성하고 있는 장치이다. 상기 서버(100) 관리자 혹은 운영자들이 정보를 입력 관리하는 입력부(103), 정보를 출력하거나 디스플레이 할 수 있는 출력부(105), 각종 정보와 서비스 운영에 관한 정보를 저장하는 데이터 베이스부(104) 및 인터넷 혹은 통신망을 통해 접속자와 데이터를 송수신할 수 있는 인터페이스부(102)가 구성되어 있다. 한편, 정보는, 이미지, 동영상, 텍스트 등 모든 정보를 의미한다.그리고, 단말기(혹은 컴퓨터)(110)는 다양한 정보를 유무선 인터넷(혹은 통신망)을 통하여 송 수신할 수 있는 단말기이다.그러므로 상기 단말기(110)에는 중앙처리장치(CPU)(20), 각종 정보를 표시하는 디스플레이부(30), 각종 정보를 저장하는 메모리부(21), 정보를 입력하는 입력장치(28) 및 정보 혹은 데이터를 입출력 할 수 있는 데이터 입출력부(10)가 구성되어 있다.도 2는 서버를 좀더 상세히 나타낸 블록도이다.서버(100) 내에는 제어부(101)가 구성되며, 상기 제어부(101)에는 데이터를 검색하는 데이터 검색부(111), 데이터 처리부(112) 및 인터넷 접속자 혹은 인터넷 회원들을 관리하고 운영하는 사이트 운영부(113)로 구성된다.아울러, 데이터베이스(104)가 더 구성되며, 상기 데이터베이스(14)에는 사이트 운영과 관련된 정보가 저장된 운영 데이터베이스(141), 각각의 정보에 맞는 데이터가 저장된 정보 데이터베이스(142) 및 다수의 정보가 저장된 데이터베이스(143)로 구성된다. 그리고, 상기 제어부(101)와 데이터 베이스(104)는 하나의 일 예일 뿐이며, 서버 운영의 모든 알고리즘을 수행하는 통상의 제어부와 모든 정보를 저장하는 통상의 데이터 베이스는 본 발명의 실시예에 포함된다고 할 수 있다.한편, 서버(100)의 제어부(101)에서는 사이트 운영부(113)가 접속자(혹은 단말기)에 대한 정보와 회원 여부 및 콘텐츠 사용에 관한 정보 등을 판단하게 되며, 데어터 검색부(111)에서는 접속자(혹은 단말기)로부터 전송된 정보와 일치하는 정보를 데이터 베이스(14)통해 검색하며, 데이터 처리부(112)에서는 검색된 데이터를 인터페이스를 통해 접속자에게 전송하여 준다.도 3은 단말기의 블록도를 나타낸 도면이다.도면에서 중앙처리장치(20)는 본 발명의 실시예에 사용되는 단말기(일반적인 경우에는 휴대용 표시장치, 스마트폰, 혹은 컴퓨터)의 전체 동작을 제어하는 제어수단이다. 그리고, 메모리부(21)에 존재하는 롬(21a)은 표시장치의 수행 프로그램을 제어하고, 램(21b)은 프로그램 수행시에 발생하는 데이타를 저장하며, 이이피롬(21c)은 사용자가 필요로 하는 데이터 및 이를 처리하는 데에 필요한 데이타를 보관한다. R/F부(24)는 무선주파수(Radio Frequency)로서, RF 채널에 동조하고, 입력되는 각종 신호를 증폭하며, 안테나에서 수신된 RF 신호를 필요한 주파수 신호로 변경한다. 입출력부(10)는 입력부와 출력부를 포함하며, 입력부는 각종 정보 입력 기기, 숫자 키, 메뉴키 및 선택키를 포함하여 나타낸 것이며, 출력부에는 스피카 나 진동장치 등도 포함된다.중앙처리장치(20)의 신호 출력을 받아 디스플레이를 구동하는 디스플레이 구동회로(25)가 있으며, 다시 구동회로는 디스플레이(30)가 구동 가능한 신호를 출력한다.아울러 중앙처리장치는 입력장치 구동부(27)를 통해서 입력장치(28)를 제어한다. 즉, 입력장치를 통하여 정보가 입력되면, 입력창치 구동부는 중앙처리장치에 입력 정보를 출력하게 전송하게 된다. 한편, 본 발명의 단말기는 휴대용 표시장치, 스마트폰, 태블릿 피씨 혹은 컴퓨터 등을 포함할 수 있다.도 4는 입력장치를 간단히 나타낸 도면이다.입력장치의 단면도를 간단히 나타낸 도면으로, (A)도는 정전용량 방식을 나타낸 도면이고, (B)도는 저항막 방식을 나타낸 도면이다.즉, 상기 (A)도에서 보호판(28a) 하부에 투명 전극이 코팅된 전극판(29a)이 구비되며, 상기 전극판(29a)은 투명전극이 코팅된 필름이 한 장 혹은 두장으로 구성된 것이다.또한, 상기 (B)도는 보호판(28a) 상부에 투명전극이 코팅된 2 개의 필름(29a)(29b)이 일정한 간격이 유지된 상태로 대향되게 구비된다, 그리고 상기의 입력장치(28) (28) 상단에 외부 보호판(혹은 화장판)(28b)가 더 구비될 수가 있다. 그리고 상기 보호판(28b)에 원하는 문양의 코팅이 이루어지게 된다.그리고, 도 4는 통상 적으로 많이 사용되는 입력장치(28)의 예를 나타낸 것이며, 본 발명은 입력장치(28)에 대한 발명은 아니다. 따라서, 디스플레이 위에서 정보를 입력할 수 있는 통상의 입력장치(28)는 본 발명에 적용가능하다.이때, 디스플레이 위에서라는 것은 디스플레이 표면에 압력이나 접촉을 가하지 않은 상태에서 정보를 입력할 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 입력장치 소자와 디스플레이가 일체화된 기기에도 본 발명의 실시예가 적용될 수 있다. 도 5는 입력장치를 통하여 단계의 조작 명령을 수행하는 실시예의 도면이다.도 5의 실시예에서처럼, 디스플레이(30) 위에서 작은 바(Bar)를 사용하거나 혹은 손가락을 사용하여 단계의 조작 명령을 하게 된다, 즉, 입력장치(28)를 통해 디스플레이에 표시된 정보를 대상으로 단계의 조작 명령을 입력하는 것이다. 도 5면에서처럼 두 개의 손가락(혹은 바)을 사용하여, 두 손가락이 선택한 점(포인트)의 사이의 거리를 줄이거나 늘이는 방법으로 단계의 조작 명령을 실행한다.도 6은 단계의 조작 명령을 설명하는 실시예의 도면이다.두 손가락(혹은 두 개의 바)이 두 개의 점을 정하고, 상기 점이 움직인 이동 거리를 단계로 구분하고, 각 단계별로 명령을 인식하도록 하는 조작 명령이 "단계의 조작 명령"이다. 그리고, 단계의 조작 명령이 실행되면 각각의 단계에 대응되는 정보가 단말기 디스플레이(30) 화면에 표시된다. 상기 단계는 적어도 2 단계 이상의 한정된 숫자 N 이다. 너무 많으면 좋지 않으므로 10 단계 혹은 5 단계 이내가 적당하다. 또한, 단계에 대하여 정리를 하면 다음과 같다. 1) 하나의 단계로 인식되는 거리는 미리 정해진다. 2) 인식될 수 있는 최대 단계의 수는 미리 정해진다. 인식될 수 있는 최대 거리도 미리 정해진다. 3) 단계의 조작 명령은 + 방향과 - 방향이 존재한다.4) 오차 범위가 존재한다.5) 각각의 단계별로 각각의 단계에 대응하는 정보가 존재한다.도 6에서 보면, 두 점 사이의 이동 경로인 가이드 선(50)(51)을 표시하였고, 도(A)에서처럼 상기 가이드 선에 각각의 단계(50a)(50b)(50c)(50d)(50e)를 표시하였다. (도 (B)에서는 각각 단계가 "(51a)(51b)(51c)(51d)(51e)" 이다)이때, 두점 사이의 거리가 가까워지는 도 (A)의 경우에는, 1 단계 "50e", 2 단계 "50d", 3 단계 "50c", 4 단계 "50b", 5 단계 "50a" 이고,두점 사이의 거리가 멀어지는 도 (B)의 경우에는1 단계 "51a", 2 단계 "51b", 3 단계 "51c", 4 단계 "51d", 5 단계 "51e" 이다. 그리고, 한 단계 이동할 때의 거리를 10mm 로 미리 정한다면, 단계의 조작 명령으로 20 mm 이동한 경우 2 단계 이동이 되고, 전체 단계가 5 단계까지 존재하므로, 최대의 이동 거리는 50mm 가 된다.물론, 각 단계별로 거리가 반드시 동일할 필요는 없다. 예를들어 1 단계에서 2 단계까지의 거리는 10mm 로 하고, 2 단계에서 3 단계까지의 거리는 12 mm로 할 수도 있다. 단지 단계별 거리가 미리 정해진다는 것이다. 또한, 단계별 거리도, 알고리즘을 정하여 프로그램을 실행할 때 가변적으로 변할 수도 있다, 예를들어 1 단계에서 2 단계의 이동 거리가 10mm 이지만, 단계의 조작 명령 전에 자동으로 변하는 알고리즘에 의하여 상기 단계의 이동 거리가 12 mm로 바뀔 수도 있다는 것이다.본 발명의 핵심은 입력장치를 통하여 단계의 조작 명령을 실행할 때, 조작 명령을 단계로 인식한 다는 것이며, 단계 인식은 핵심은 단계의 조작 명령 실행을 N 단계 이동으로 인식하는 것이다. 또한, 단계의 조작 명령은 + 방향과 - 방향이 존재한다. 예를들면, 입력장치를 통하여 선택된 두 점(포인트)이 가까워지면 -(마이너스) 이동, 멀어지면 +(플러스) 이동이된다.(반대로 가까워지면 + 이동, 멀어지면 - 이동으로 정할 수도 있다.)따라서, 도 6의 (A)처럼 20mm 이동하고 1 단계 이동이 10mm 라면, - 방향으로 2 단계 이동한 것이다. 또한, 도 6의 (B)처럼 20mm 이동하고 1 단계 이동이 10mm 라면, + 방향으로 2 단계 이동한 것이다. 한편, 상기 4) 번의 항목에서처럼, 본 발명의 단계의 조작 명령에서는 오차 범위가 존재할 수 있음은 당연하다. 13mm 이동하였을 경우 1 단계로 판단하고, 18 mm이동하였을 경우 2 단계 이동으로 판단할 수가 있다는 것이다. 마치 수학에서 반올림과 내림의 개념으로 오차 범위를 정할 수도 있다. 또한, 본 발명에서는 단계의 조작 명령을 실시하고자 할 때, 도 6의 실시에에서 도시된 것처럼 단계별 눈금이 표시된 가이드선(50)(51)이 디스플레이(30) 화면에 표시되도록 할 수가 있다. 단말기(110) 사용자가 단계의 조작 명령을 선택(프로그램 환경에 따라 다양한 선택 방법이 존재할 수 있으며, 이러한 선택 방법에 대하여 별도 언급은 하지 않는다,)게 되면, 디스플레이 화면에 상기 가이드선 (50)(51)이 나타난다, 그리고 상기 가이드 선으로 인하여 사용자는 정확한 단계 입력을 실시할 수가 있다,물론, 실제 화면에서 가이드 선이 표시된다면, 도 6의 도면처럼 50a나 51a 같은 도면 부호가 표시되는 것이 아니라, 1 단계, 2 단계와 같이 단계의 수자가 표시된다.또한, 본 발명의 또 다른 실시예로, 상기 가이드선(50)(51)에 단계의 수자만 표시되는 것이 아니라, 각각의 단계에 대응하는 정보에 대한 간단 항목이 표시될 수도 있다.아울러, 상기 5)의 항목에서처럼, 각각의 단계에 대응되는 정보가 존재한다, 따라서, 단계의 조작 명령이 실행되게 되면, 그 결과 최종 선택 단계가 정해지고 최종 선택 단계에 대응되는 정보가 존재하게 된다. 그리고, 최종 선택 단계에 대응되는 정보가 디스플레이 화면에 표시된다. 도 6에서 단계별 대응 정보는 "(50a-1)(50b-1)(50c-1)(50d-1)(50e-1)"과 "(51a-1)(51b-1)(51c-1)(51d-1)(51e-1)" 이다.즉, 도 (A)에서 1 단계 "50e" 에 대응하는 정보는 "50e-1" 이고, 도 (B)에서 1 단계 "51a"에 대응하는 정보는 "51a-1"이다. 따라서, 도 (A)에서 1 단계 "50e" 의 대응 정보가 "휴대폰의 대리점 위치"라면, 실제 도(A)의 화면에서는 "50e-1" 가 지정한 박스에 "휴대폰 대리점 위치" 라는 글자(경우에 따라서는 이미지가 될 수가 있다.)가 표시된다.또한, 도(B)에서 1 단계 "51a"의 대응 정보가 "휴대폰 사양" 이라면, 실제 도(B)의 화면에서는 "51a-1" 이 지정한 박스에는 "휴대폰 사양" 라는 글자(경우에 따라서는 이미지가 될 수가 있다.)가 표시된다. 그리고, 도6의 도(A)와 도(B)는 + 방향과 - 방향을 구별하기 위해서, 별도 분리하여 설명하였지만, 실제로 만일 도6의 도(A)와 도(B)가 동일 화면에서 수행되는 것이라면, 1 단계는 50a" 와 51a"가 되고, 마찬가지로 5 단계는 "50e"와 "51e" 가 될 수 있다. 따라서, 단계별 정보도 도 (A)에서 1 단계 정보인 "50a-1"과 도(B)에서의 1 단계 정보인 "51a-1"은 동일 정보가 된다. 마찬가지로 도 (A)에서 5 단계 정보인 "50e-1"과 도(B)에서의 5 단계 정보인 "51e-1"도 동일 정보가 된다.- 실시예 2 - 도 7은 입력장치를 통한 조작 명령의 또 다른 실시예의 도면이다.도 7의 (A)는 입력장치를 통하여 손가락 혹은 바가 선택한 한점(포인트)이 이동하는 것을 나타내는 실시예의 도면이고, (B)는 이동한 각도를 나타내는 실시예의 도면이다. 그리고, + 방향은 상기 점이 위로 이동할 때이거나 시계 반대 방향으로 회전할 때로 정해질 수 있고, 그 반대로도 정하여 질 수 있다.도 8과 도 9는 도 7의 실시예에서 조작 명령의 단계를 나타낸 도면이다.도 8은 도7의 (A)의 실시예이다. 즉 이동한 거리를 단계로 나누고 각 단계에 대한 정보의 특징(정보의 내용)을 화면에 표시할 수 있음을 나타낸 도면이다. 예를 들어 1 단계가 "52a" 이고, 2 단계가 "52b" 이다. 그리고, 1 단계 대응 정보가 "52a-1" 이고 2 단계 대응 정보가 "52b-1" 이다, 따라서, 디스플레이(30) 화면에서는 단계를 표시하는 숫자와 각 단계의 대응 정보의 특징이 표시될 수가 있다.또한, 도 9는 도7의 (B)의 실시예이다. 즉 이동한 각도를 단계로 나누고 각 단계와 각 단계에 대한 정보의 특징(정보의 내용)을 화면에 표시할 수 있음을 나타낸 도면이다.한편, 상기의 수행 과정은 다음과 같다.1)단말기의 입력장치(28)를 통하여 점(포인트)이 선택(손가락 혹은 바로 선택도어 질 수 있음.)되어 지면, 입력장치 구동부(27)는 선택되어진 점의 위치 정보(좌표)를 출력한다. 그리고, 점이 이동되면 상기 입력장치 구동부(27)는 이동되는 점의 위치 정보(좌표)를 출력한다.2)중앙처리장치(20)는 상기 출력된 점의 위치 정보를 판단하여, 정해진 알고리즘에 의하여 이동 단계를 판단하고, 최조 단계에서 이동 단계를 반영(+ 이동이면 단계를 더하고, - 이동이면 단계를 빼는 방법)하여, 최종 선택 단계를 판단한다.3)최종 선택 단계가 정해지면, 중앙처리장치(20)는 메모리부(21)에서 선택정보에 대응되는 정보를 선택하고, 상기 정보가 디스플레이(30)에 구동이 가능하도록 하는 신호를 출력한다. 한편, 본 발명에서는 단계의 조작 명령으로 점을 선택하여 이동한 거리나 각도에 대해 단계를 나눌 수 있는 실시예를 설명하였다. 그러나 단계의 조작 명령의 단계는 다양할 수 밖에 없다. 예를들어, 점을 선택하고 유지하는 시간으로도 단계를 나눌 수 있다.또한, 단말기자체를 움직이거나 이동하는 정도로도 단계를 나눌 수 있다, 한편, 디스플레이 상단에의 움직임을 이미지 소자로 인식하도록 하고, 상기 이미지 소자가 출력하는 신호를 알고리즘의 판단으로 하여, 움직임의 정도를 단계로 나눌 수 있다. 또한 손가락의 모양이나 이미지의 모양으로 단계를 나누어 판단할 수 있다.즉, 단말기에 어떠한 입력의 방법을 사용해서라도, 단계의 조작 명령처럼 단계의 이동으로 구별 할 수가 있다면, 이동된 후의 최종 단계에 대응되는 정보가 디스플레이에 화면에 표시되도록 할 수가 있는 것이다. - 실시예 3 - 도 10은 단계의 조작 명령으로 전체 화면의 표시정보가 바뀌는 실시예의 도면이다.도 10은 정보의 상세한 정도를 단계로 나누었을 때의 표시되는 실시예의 도면이다. 도면의 왼편이 제 1 단계로 상세한 정보가 표시되는 단계라면, 앞의 실시예에서 설명된 단계의 조작 명령에 의해 왼편의 다른 단계로 화면 표시가 전환될 수 있다는 것이다.예를들어 2 단계 조작 명령을 수행하면, 왼편의 화면은 3 단계의 상세도를 가진 정보가 디스플레이(30) 화면에 표시되는 것이다. 이때, 단계가 올라 갈수록 정보의 상세도가 증가될 수도 있지만, 반대로 단계가 올라갈수록 정보의 상세도가 떨어질 수도 있다. 그리고, 단계에 의해 정보의 상세도가 변한다는 것은 동일한 종류의 정보를 단계에 따라 상세도를 구분하여 정보를 만들었다는 것을 의미한다. 이를때면, 최초 단계는 요약 내용이고, 단계가 올라 갈수록 설명의 정도가 높아진다는 것이다, 도 11은 단계의 조작 명령으로 일부 화면의 표시정보가 바뀌는 실시예의 도면이다.전체 화면에서 단계의 조작 명령의 실행이 가능한 선택 영역(31)이 별도로 존재한다. 따라서, 단말기 사용자는 상기 선택 영역을 먼저 선택하여야 한다,(선택 방법의 예로는 사용자가 디스플레이 상에서 상기 선택 영역 위치에 점등으로 입력을 하는 것이다. 물론 단말기나 프로그램의 종류에 따라 다양한 선택이 존재할 수가 있다.)상기 선택 영역(31)이 선택이 되면, 입력장치를 통하여 출력된 위치 정보에 대한 신호를 중앙처리장치가 판단하여, 상기 선택 영역(31)이 선택되었음을 판단하게 된다.그리고, 상기 선택 영역(31)을 대상으로 단계의 조작 명령이 실행되면, 중앙처리장치는 본 발명의 실시예의 방법에 따라, 최종 선택 단계에 대응되는 정보를 디스플레이 화면에 표시하는 것이다. 이때, 최종 선택 단계가 변하게 되면, 상기 선택 영역의 크기도 표시되는 정보에 따라 달라질 수가 있다.1) 선택 영역의 크기가 변하지 않는다,2) 선택 영역의 크기가 단계가 커짐에 따라 단계에 비례하여 커질 수 있다.3) 선택 영역의 크기가 정보의 내용에 따라 달라 질 수 있다.- 실시예 4 - 도 12내지 도 14는 본 발명의 진행 순서도를 나타낸 실시예의 도면이다.단계적으로 정보를 제공하는 방법을 나타낸 실시예의 흐름도이다. 즉, 앞의 실시예에서처럼 입력 장치(28)를 통해 단계의 조작 명령이 수행되면, 디스플레이에 정보가 표시되는 알고리즘이다. 이때 이러한 알고리즘 기능 수행은 서버(100)의 제어부(101)에서 수행할 수도 있고, 단말기의 제어부(20)에서 수행할 수도 있다.단말기(110)가 유무선 인터넷을 통해 혹은 통신망을 통해 서버와 접속이 되어 상기 과정을 수행할 수도 있다. 즉, 단말기(110)의 입력장치(28)를 통해 조작 명령의 단계가 입력되면, 입력된 정보는 통신망을 통해 서버에 전달되고, 서버는 조작 명령의 단계에 대응되는 새로운 정보를 데이터 베이스에서 선택하여 선택된 정보를 단말기에 전송하고, 단말기는 전송받은 새로운 정보를 디스플레이(30) 화면에 표시하게 되는 것이다.본 발명에서는 통상의 모든 유무선 통신의 방법을 사용하는 것이며, 통신의 방법을 개선하는 발명은 아니다.또한, 단말기 내의 중앙처리장치(20)와 메모리부(21)를 사용하여, 단계의 조작 명령에 대응되는 정보를 디스플레이 화면에 표시하도록 할 수가 있다,서버의 연결 혹은 단말기 자체에서의 알고리즘 수행은, 각각 해당되는 프로그램과 정보의 종류에 따라 그때 그때 정할 수 있음은 당연하다. 그리고 이렇게 정하는 것은 프로그램적으로 정할 수도 있고 사용자의 선택으로 정해질 수도 있다.또한 단계의 조작 명령의 단계에 대응하도록 화면 전환이 이루어지기 위해서는, 서버의 데이터 베이스 혹은 단말기의 메모리부에는 단계의 조작 명령에 대응되는 정보 각각 저장되어 있어야 한다.예들들어, 광개토대왕 출생 편을 하나의 단위 콘텐츠로 정할 경우, 광개토대왕 출생편과 관련되어 정보를 상세 정도에 따라 5단계(단계를 5 단계로 구분할 경우)로 구별하여, 저장한다는 것이다.즉, "광개토대왕 출생편" 의 콘텐츠 저장 정보가 "HiKaKi001"이라면, 가장 상세한 1 단계는 "HiKaKi00101", 2 단계는 "HiKaKi001-02", 마찬가지로 요약된 5 단계 "HiKaKi001-5"로 각각 저장된 정보가 존재하게 된다. 그리고, 단계의 조작 명령에 의하여, 단계가 선택되면 선택된 단계에 대응되는 정보가 디스플레이 화면에 표시되는 것이다.도 12에서 보면, 화면 변환 명령을 입력하게 되는데,(S102) 본 발명에서 화면 변환 명령이라 함은 사용자가 단계의 조작 명령을 수행하기 위한 전 단계의 선택을 하는 것이다. 상기 선택에 의하여, 단말기의 중아처리장치는 단계의 조작 명령을 인식할 수 있는 상태가 되는 것이다.상기 선택은 메뉴 버튼에 의할 수도 있고, 화면을 일정시간 선택하므로 이루어질 수 있다. 물론 경우에 따라서는 화면 전환 명령의 단계가 생략될 수도 있다. 단계의 조작 명령이 가능한 정보가 디스플레이에 표시되는 것만으로도 중앙처리 장치(혹은 제어부)는 단계의 조작 명령을 인식할 수 있는 상태가 될 수 있다는 것이다. 먼저, 입력장치를 통한 단계의 조작 명령(단계를 구분하는 조작 명령)이 실시된다.(S104)그리고, 현재의 단계가 1 단계인가를 판단한다.(S106) 만일 1 단계가 아니면 "S130"의 과정을 거치게 된다.그리고, 단계의 조작 명령의 이동 방향이 + 방향인가 - 방향인가를 판단하게 된다. 단계는 1 단계에서 K 단계까지 이동한다.1 단계 방향(- 방향의 이동)의 이동인가를 판단하게 된다,(S108)만일 1 단계 이동의 방향이라면, 현재의 화면 단계를 그대로 표시하게 된다.(S110)그리고, 만일 1 단계 이동의 방향이 아니(+ 방향의 이동)라면 다음과 같이 가정한다.단계의 조작 명령의 단계가 1 단계부터 K 단계까지라면, 가장 낮은 단계는 1 단계이고 가장 높은 단계는 K 단계가 된다. 이때 입력장치 통해 입력된 단계가 J 단계라고 가정한다.(S112)만일 "1 + J K" 이면, K 단계의 화면을 표시하게 되지만, 그렇지 않으면 "1+J" 단계의 화면을 표시하게 되는 것이다. (S114-S118 단계)도 13에서는 현재의 화면 표시 단계가 1 단계가 아닐 경우의 흐름도이다.만일, 단계의 조작 명령의 방향이 1 단계 방향이면, "S150"의 단계로 연결된다.그리고 1 단계 방향이 아니면, 현재의 화면표시 단계를 N 단계로 가정한다. 당연히, 화면 표시 단계를 1 단계부터 K 단계까지 나누고, 가장 낮은 단계는 1 단계이고 가장 높은 단계는 K 단계가 된다. 이때 입력된 단계가 J 단계라고 가정한다.(S132)만일 "N + J K" 이면, K 단계의 화면을 표시하게 되지만, 그렇지 않으면 "N+J" 단계의 화면을 표시하게 되는 것이다. (S134-S138 단계) 그리고, 종료 명령에 따라 종료가 될 수도 있다.(S140)도 14는 도 13의 "130 단계" 에서 입력 방향이 1 단계 방향일 때의 흐름도가 된다.마찬가지로, 현재의 화면표시 단계를 N 단계라고 가정한다. 당연히, 화면 표시 단계를 1 단계부터 K 단계까지 나누고, 가장 낮은 단계는 1 단계이고 가장 높은 단계는 K 단계가 된다. 이때 입력장치 통해 입력된 단계가 J 단계라고 가정할 수 있다.(S150)만일 "N - J 1" 이면, 1 단계의 화면을 표시하게 되지만, 그렇지 않으면 "N - J" 단계의 화면을 표시하게 되는 것이다. (S152-S158 단계) 그리고, 종료 명령에 따라 종료가 될 수도 있다.(S160)그리고, 상기의 알고리즘 수행은 단말기의 중앙처리장치(CPU)(20) 혹은 서버의 제어부(101)가 실행한다. - 실시예 5 - 도 15내지 도 17은 조작 명령을 실시하는 또 다른 실시예의 도면이다.화면 변환 명령(30a)을 선택하고, 디스플레이(30) 위에서 입력장치를 통하여 단계의 조작 명령을 실시하면, 디스플레이(30) 화면에는 조작 명령 가이드 선(51)이 나타나게 된다.그리고, 조작 명령 가이드 선(51)에는 눈금처럼 각각의 단계(수자로 1 단계 2 단계 등이 표시됨)("51a"에서 "51e" )가 표시되어, 표시된 눈금 만큼 이동할 수 있게 됨으로서 효과적인 단계별 조작 명령을 수행할 수가 있다. 즉 2 단계만 이동하고 싶으면 화면에 표시된 눈금을 보면서 2 단계의 눈금만 이동하면 되는 것이다.그리고, 각 단계에 대응되는 정보에 대한 특징 혹은 정보에 대한 내용도 표시된다. 즉, 각각의 단계와 연결되어 정보 표시 박스("51a-1"내지 "51e-1")이 나타나며, 각각의 정보 표시 박스("51a-1"내지 "51e-1")에는 각 단계에 대응되는 정보의 내용이 글자 혹은 이미지 혹은 연결 사이트로 표시된다. 그리고, 단계의 조작 명령을 수행하기 용이하도록, 현재의 단계를 나타내는 표시박스는 다른 표시박스와 구별(색 혹은 진한 정도 등 다양한 방법으로 구별할 수 있다.)하여 화면에 표시할 수가 있는 것이다.단계의 조작 명령을 수행하게 되면, 가이드 선(51)이 나타나고, 현재를 나타내는 표시 박스(만일 현재 단계가 1 단계 이면, "51a-1"의 표시창임.)는 다른 표시박스에 비해 더 진하게 표시될 수가 있다.그리고, 만일 3 단계를 이동하였다면, 마찬가지로 이동된 표시 박스(현재가 1 단계이고 3 단계를 이동하였다면 4 단계 표시박스(51d-1)임.)가 다른 표시 박스에 비해 더 진하게(혹은 구별되게) 표시될 수가 있는 것이다. 반대의 방향으로 단계를 이동할 때에도 현재의 표시 박스와 이동되는 표시 박스는 구별되어 화면에 표시될 수가 있다.물론, 표시박스가 별도로 화면에 표시되지 않을 때에는, 가이드선에서 단계를 나타내는 눈금을 통하여 현재의 단계와 이동 단계를 구별하여 표시할 수가 있다. 즉, 가이드선에서 해당되는 단계의 눈금을 다른 단계의 눈금과 구별하여 표시할 수가 있다. 도 16과 도 17은 전체화면에서 별도의 선택 영역(31)이 존재할 경우의 실시예의 도면이다. 즉, 화면 변환 명령(30a)을 선택(예를들어 표시된 부분(30a)을 선택하는 것임.)하고 단계의 조작 명령을 입력하면, 가이드 선(51)이 나타나고, 가이드 선(51)에는 눈금을 표시한 단계("51a" 내지 "51e")가 또 표시되게 되고, 각 단계와 연결된 표시 박스("51a-1" 내지 "51e-1")도 표시되고, 상기 표시 박스에는 정보의 특징이 표시되게 된다.도 16의 선택 영역(31)에 표시된 정보를 1 단계 정보라고 하고, 도 17의 새로운 선택영역(32)에 표시된 정보를 4 단계 정보라고 한다면, 도 16의 화면에서 선택 영역(31)을 대상으로 단계의 조작 명령을 실시하여 3 단계 이동하면 도 17의 화면이 표시되는 것이다. 그리고, 현재의 단계의 표시박스와(51a-1)과 단계 이동후 해당되는 표시박스(51d-1)는 다른 표시박스와는 구별되게 표시된다.한편 상기 실시예에 의하면, 1 단계 표시 박스(51a-1)에는 "휴대폰 이미지" 와 같은 내용이 표시되고, 이동된 후 해당되는 표시박스(51d-1)에는 "휴대폰 사양" 과 같은 내용이 표시될 수가 있는 것이다.또한, 만일 5 단계는 다른 인터넷 사이트와 연결되는 단계라면, 5 단계 표시박스(51e-1)에는 "000사이트 연결" 이라는 내용이 표시될 수가 있다. 그리고, 5 단계가 선택되면, 디스플레이(30) 화면에는 새롭게 연결된 인터넷 사이트의 정보가 표시된다. 그러므로, 새롭게 연결된 인터넷 사이트에서는 제품 구매 등과 같이 그 다음의 작업을 진행할 수가 있다.한편, 본 발명의 실시예에서, 단계의 변화에 따라 디스플레이에 표시되는 정보의 변화는 다음과 같다.1) 단계가 증가함에 따라 디스플레이에 표시되는 정보의 양이 증가한다. 정보의 상세도가 증가한다.2) 단계가 변함에 따라 디스플레이에 표시되는 정보의 내용이 달라진다. (상세도가 증가되지 않을 수도 있다.)3) 단계가 변함에 따라 정보를 디스플레이에 표시하기 위해 실행하는 프로그램이 달라진다. 예를들어, 단계가 변함에 따라 이미지 정보나 동영상 정보가 표시될 수가 있다.4) 단계가 변함에 따라 디스플레이에 표시되는 정보의 계층이 변할 수가 있다. 예를들어, 1 단계는 자동자 외관, 2 단계는 자동차의 외부를 제거한 차량 부품 모습, 3 단계는 부품의 내부 모습등으로 변할 수가 있다. 즉, 단계의 변화에 따라 겉모습에서 속 모습으로 디스플레이에 표시되는 정보를 달리할 수가 있다. 5) 단계가 변함에 따라 별도의 저장 장치나 저장 위치에 저장된 정보가 디스플레이에 표시될 수 있다. 6) 단계가 변함에 따라 다른 인터넷 사이트와 연결될 수가 있다.7) 전체 화면에서 단계의 조작 명령을 실행할 수 있는 선택 영역이 별도로 존재할 경우, 단계가 증가함에 따라 상기 선택 영역의 크기도 더 커진다, 물론 표시되는 디스플레이의 정보에 다라 상기 선택 영역의 크기가 줄어 들 수도 있고 그대로 일수도 있다. 도 18은 가이드 선에 의한 조작 명령을 수행하는 순서도이다.단계를 나타내는 조작명령을 수행할 때, 화면에 가이드 선(50)(51)이 표시되고, 상기 가이드 선(50)(51)에 눈금에 표시되어, 눈금을 보고 단계의 조작 명령을 수행하도록 하므로서 더 정확하게 제어 명령을 수행할 수 있으며, 도 18은 이에 대한 실시예이다. 프로그램 실행후, 단말기의 사용자는 화면 변환 명령을 입력한 다음,(S164) 입력장치를 통해 단계의 조작 명령을 수행하게 된다.(S166)그리고, 화면 변환 명령(도 6에서 "30a" 예)이, 본 발명의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 일정 시간 크릭하는 동작, 특별한 이동 동작, 화면에 별도 메뉴표시, 혹은 특정한 버튼 키보드나 버튼키, 음성 명령, 진동 명령 등 다양한 명령을 통해 화면 변환 명령이 이루어 질 수 있음은 당연하다.그런 다음 입력장치를 통하여 단계의 조작 명령을 수행하게 된다.(S166)만일 단계의 조작 명령 제어 기능을 단말기 자체에서 수행하게 된다면, 단말기 중앙처리장치는 디스플레이 화면에, 단계가 표시된 가이드선(50)(51)을 표시한다. 물론 서버가 가이드선 표시정보를 단말기에 전송하고 단말기 중앙처리장치는 전송받은 정보를 디스플레이에 표시할 수가 있다. 상기 가이드 선의 디자인이나 표시 정보는 단말기 메모리부 혹 서버의 데이터 베이스에 저장된다.이때, 상기 가이드 선이 디스플레이 화면에 표시되는 형태가 본 발명의 실시예에서 제시된 가이드선(50)(51)의 모양에 한정되는 것은 아니다. 단계와 단계에 대응되는 정보의 요약이 표시될 수 있다면 본 발명의 실시예에 적용할 수가 있다.한편, 상기 실행을 단말기의 CPU가 제어하지 않고, 서버와 연결되어 서버의 제어부가 단말기의 디스플레이에 표시되는 내용을 제어하게 된다면, 입력장치에서 수행된 명령은 서버에 전송되고, 서버는 단말기의 디스플레이에 표시될 정보 데이터를 단말기에 전송하게 된다.(S168 - S174)그리고, 디스플레이에 표시되는 가이드 선과 표시 박스는 표시되게 된다.아울러, 선택된 단계가 다른 인터넷 사이트와 연결되는 것이 아니라면, 디스플레이에는 단계의 조작 명령에 대응되는 정보가 표시된다.(S176 - S178)그러나, 조작 명령후 선택된 단계가 다른 인터넷 사이트와 연결되는 것이라면, 디스플레이에는 연결된 인터넷 사이트의 정보가 표시되게 된다. 그리고 연결된 사이트에서 다양한 기능이 수행되게 된다.(S180 - S182)연결된 인터넷 사이트에서 다양한 기능 수행이라고 함은, 실제 인터넷에서 할 수 있는 모든 기능을 의미한다. 예를들면 상품을 선택하고 결재하기 위해 통상의 결재 시스템과도 연결 될 수가 있는 것이다.그리고, 종료 명령에 의해 기능이 종료 될 수가 있다.(184)- 실시예 6 - 도 19는 단계적 입력 방법에 대한 또 다른 실시예의 도면이다.(A)도는 디스플레이(30) 화면에 눈금(50a)(50b)(50c)(50d)(50e)이 표시된 가이드 선(50)(51)이 나타날 수 있음을 보이는 실시예이다. 그리고 디스플레이(30)에 표시된 눈금 사이의 간격의 거리 "L"(디스플레이에 실제로 표시되는 거리)이 단계의 조작 명령 수행시 이동하는 거리와 실제로 동일할 수가 있다. 예를 들면, 상기 거리 "L"이 10mm 이면, 단계의 조작 명령에서 1 단계의 거리가 10mm 가 된다는 것이다. 따라서, 단계의 조작 명령을 실시하는 사용자는 디스플레이에 표시되는 가이드선(50)(51)의 눈금의 실제 크기 만큼 선택된 점을 이동(입력장치를 통하여 이동함)하므로서, 원하는 단계의 정보를 디스플레이에 표시할 수가 있다. 입력장치 구동부를 통하여, 선택된 점이 눈금의 크기 만큼 이동되었다는 위치 신호가 출력되면, 단말기의 중앙처리장치나 서버의 제어부는 출력된 위치에 대응되는 정보를 선택하여 디스플레이에 표시한다, 또한, (B)도는 단계(50a)(50b)(50c)(50d)(50e)를 디스플레이(30)에 표시하는 형태가 다를 수 있음을 보이는 것이다. 단계를 구별할 수 있은 형상이나 모양이면 본 발명의 실시예에 적용이 가능하다.이때, 단계의 조작 명령을 수행함에 있어서, 입력장치를 통해 단계에 해당되는 거리를 이동하므로서 가능할 수도 있지만, 디스플레이에 표시된 단계 중에서 원하는 단계를 선택하므로서 단계의 조작 명령을 수행할 수 있다. 즉, (B)에서 현재 상태가 1 단계(50a)이고, 5단계의 정보를 화면에 표시되도록 하고자 할 때에는 5 단계(50e)에 해당되는 표시바(bar)(55)를 선택하면 된다. 한편, (C)도는 다른 모양의 형태로 단계를 나타내는 실시예이다. 각 단계(50a)(50b)(50c)(50d)(50e)가 박스(Box) 형태로 되어 있다. 그러므로, 단계를 나타내는 형상은 반드시 본 발명의 실시예의 형상에 한정된 것은 아니다. 다양한 모양으로 단계를 표시할 수 있음은 당연하다,- 실시예 7 -도 20내지 도 28은 선택 영역의 크기가 변하는 실시예의 도면이다. 도면에서처럼 선택 영역(32)은 디스플레이(30) 화면에서 일부만 차지하는 것을 전제로 한다.입력장치를 통하여 상기 선택 영역(32)이 선택된 다음 단계의 조작 명령이 실행되면, 선택 영역(32)은 조작 명령에 의해 크기가 변화된다. + 방향으로 이동되면 크기가 커지고 정보의 내용도 많아지며, - 방향으로 이동되면 크기가 작아지고 정보의 내용도 적어진다.도 21은 도 20에서 보여주는 정보의 단계를 나타낸 실시예의 도면이다. 도 21에서는 편의상 3 단계로 나타내었지만, 더 세분화된 단계로 나눌 수 있음은 당연하다.도면에서처럼, 선택 영역(32)의 크기와 단계가 있고, 선택 영역의 크기와 단계에 맞는 정보가 디스플레이에 표시되는 것이다.이때, 도 20과 도 21은 선택 영역(32)이 상하로 만 크기가 변하게 된다. 그러나 좌우로도 크기가 변할 수 있음은 당연하다.도 22와 도 23은 선택 영역(32)의 크기가 상하 좌우로 모두 변하는 실시예를 나타내는 도면이다. 도면에서처럼 선택 영역(32)을 선택한 후에 크기를 변화시키는 단계의 조작 명령을 실행하면, 선택 영역(32)은 크기가 바뀐 새로운 선택 영역(32a)으로 바뀐다. 그리고 선택 영역의 크기는 단계적으로 바뀌게 된다,도 23은 편의상 3 단계의 크기가 있음을 실시예로 나타내었지만, 크기는 더 세분화 될 수 있다. 그리고 각각의 선택 영역의 크기에 맞는 정보가 디스플레이에 표시된다. 또한 도 23은 단계에 따라서는 덱스트 정보와 이미지 정보가 함께 표시될 수도 있음을 보인다,도 24는 정보가 저장되는 실시예의 도면이다, 즉 크기의 단계가 N 단계로 나누어져 있으면, 각각의 크기에 맞는 정보도 저장되어 있다, 이때, 각각의 타입은 각각의 단계이며, 해당되는 단계가 선택되면 그에 맞는 정보가 디스플레이이 표시된다.그리고, 상기 정보는 단말기의 메모리부(21) 혹은 서버의 데이터베이스(104)에 저장된다, 물론 별로 저장 장치나 별도 서버에 저장될 수도 있다. 그리고, 표시되는 정보가 반드시 텍스트 파일만 존재하는 것이 아니라, 이미지 파일(32c) 혹은 동영상 파일도 존재할 수 있으며. 해당 영역을 크릭하게 되면 또 다른 사이트와 연결되는 링크 정보(31d)도 표시될 수 있음은 당연하다.도 25는 또 다른 실시예를 나타낸 도면이다.도 (A)는 각각의 단계에 따라 선택 영역(32)(32a)의 크기가 변하고, 그에따라 선택 영역(32)(32a)에 표시되는 정보도 변하게 된다.또한, 도 (B)와 (C)는 선택 영역의 크기에 의하여 단계가 선택되는 방법을 나타낸 실시예이 도면이다. 즉, 단계의 조작 명령으로 선택 영역의 크기를 조절할 때, 도(B)에서처럼 선택 영역의 크기가 2 단계와 같지는 않지만 2 단계에 가깝다면, 상기 선택 영역(32a')에는 2 단계의 정보가 표시되는 것이다. 또한, 도(C)에서처럼 선택 영역의 크기가 3 단계와 같지는 않지만 3 단계와 같다면, 상기 선택 영역(32a')에는 3 단계의 정보가 표시된다.도 26과 도 27은 순서도를 나타낸 도면이다.프로그램을 실행하고 화면을 표시한다.(S 190 - S 912)그리고 단계의 조작 명령 실행이 가능하지 않다면, 단계의 조작 명령이 실행이 가능하도록 하여야 한다.(S194-S196)단계적 조작 명령 실행이 가능한 상태가 되면 화면에서 선택 영역(32)을 선택한 후 입력장치(28)를 통해 단계의 조작 명령을 실행하게 되면, 디스플레이 화면에는 크기가 변화된 선택 영역(32a)(32a')과 그에 맞는 정보가 표시되게 된다,.(S198-S200) 그리고, 종료 명령에 의해 수행이 종료될 수가 있다,(202)도 27은 단계적 조작 명령이 원활히 수행되도록 하는 실시예의 도면이다.프로그램 수행 혹은 화면 표시 시작 후에, 선택 대상(32)을 선택 후 크기가 변하는 조작 명령을 수행하게 된다.(S210 - S 212)그리고, 타입이 1부터 N까지라고 가정할 수 있고, 선택 대상(32)은 1부터 N까지 각각의 타입에 맞는 크기가 정해지게 된다.(214) 이러한 크기 저장은 메모리부(21) 혹은 데이터 베이스(104)에 저장된다.그리고 단계적 조작 명령자가 각각의 타입에 맞는 정해진 크기로 정확히 선택 대상(32)의 크기를 조절할 수도 있지만, 현실적으로는 그렇지 못할 경우가 더 많게 된다.이때, 조작 명령자가 조절한 크기가 N+a 가 될 수가 있다. 이때 N+a 값은 타입 N과 타입 N+1 사이의 크기이다.이때, 단계적 조작 명령자가 수행한 선택 대상(32a)의 최종 크기 N+a 의 크기가 N+1 타입에 가까우면, 선택 대상(32a)의 크기는 N+1 타입의 크기로 디스플레이에 표시되고 정보도 N+1 타입 정보가 표기된다. (S216, S220)그러나, 이때, 단계적 조작 명령자가 수행한 선택 대상(32a)의 최종 크기 N+a 의 크기가 N 타입에 가까우면, 선택 대상(32a)의 크기는 N 타입의 크기로 디스플레이에 표시되고 정보도 N 타입 정보가 표기된다. (S216 - S218)한편, 선택 대상의 크기가 단계적이 아닐 경우(도 25의 실시예 설명 참조)에는 조작자의 단계적 조작 명령의 결과에 의한 크기로 선택 대상(32a)(32a')이 디스플레이(30)에 표시되된다, 그러나. 선택 대상의 크기가 단계적이라면 S218과와 S220에 의해 표시된 크기로 선택 대상(32a)이 디스플레이(30)에 표시된다.그리고, 종료 명령에 의해 종료가 된다.아울러, 도 27의 수행은 도 26의 수행처럼 단말기(110))혹은 서버(100)가 수행됨은 당연하다.도 28은 또 다른 실시예의 도면으로, 단계의 조작 명령 수행이 가능한 선택 영역(32)이 디스플레이 내에 2개 이상 복수개가 표시될 수 있음을 보이는 도면이다. 그리고, 그중에서 하나의 선택 영역(32)을 선택하여 단계적 조작 명령을 수행할 수가 있는 것이다.- 실시예 8 -도 29와 도 31은 정보의 내용과 크기가 다양하게 변하는 실시예의 도면이다.선택 영역(32)을 대상으로 단계의 조작 명령을 수행하게 될 때, 선택 영역의 크기가 단계에 비례하여 커지지 않고, 상기 선택 영역에 표시되는 데이터의 크기나 종류에 따라 선택 영역의 크기가 정해질 수가 있다.또한, 도 30의 예에서처럼, 표시될 정보가 이미지일 경우, 단계적 조작 명령에 의해 변화된 선택 영역(32)의 크기에 맞게 정보가 표시될 수가 있다.도 31은 선택 영역의 크기가 변화는 단계적 조작 명령과 크기가 변화지 않는 단계적 조작 명령이 함께 수행되는 실시예의 도면이다.- 실시예 9 -도 32 내지 도 34는 전체화면에서 선택 영역이 2개 이상 존재할 경우의 실시예의 도면이다.즉, 디스플레이 화면에서 단계의 조작 명령 실행이 가능한 영역이 복수개 존재할 수도 있다는 것이다.도32는 디지털 교과서의 일반적인 목차를 표시한 실시예의 도면이다. 디스플레이 상단에는 메뉴 선택 바(30a)가 표시된다. 그리고, 항목 I부터 항목 VII 까지의 목차가 모두 단계의 조작 명령 실행이 가능하다. 따라서, 상기 목차중에서 하나를 선택하여 단계의 조작 명령을 실행하면, 실행 결과에 맞는 정보가 디스플레이 화면에 표시된다.도 33은 목차중에서 하나를 선택하여, 선택된 목차가 활성화 된 것이다. 본 발명에서 활성화된다는 것은 고려의 성립과 발전의 목차가 선택되면, 글자의 색이 바뀌거나 깜빡이거나 하여 다른 글자와 구별되도록 디스플레이에 표시된다는 것이다. 이러한 과정은 입력장치를 통하여 정보가 입력되면 중앙처리장치는 정해진 알고리즘에 의하여, 선택된 글자를 다르게 표시하는 것이다.그리고 목차를 선택한 다음에, 본 발명의 실시예에서처럼 + 방향으로 1 단계 이동하게 되면, 고려의 성립과 발전과 관련되어 1 단계로 확대된 정보가 표시창(40)에 표시된다.즉, 도 12에서처럼, 정보의 단계가 3 단계로 되어 있다면, 고려의 성립과 발전을 선택하여 + 방향으로 3 단계 만큼 이동하게 되면, 표시창(40)에는 3 단계의 정보가 표시된다. 그리고, 표시창(40)에 1 단계의 정보가 표시된 상태에서 + 방향으로 2 단계 이동하면, 3 단계의 정보가 표시된다, 3 단계에서 - 2 단계 이동하면 1 단계 정보가 표시된다.마찬가지로, 다른 목차 예를들면 "통일신라와 발해" 를 선택하여도 동일한 방법으로 다른 단계 표시가 가능하게 된다.한편, 도 33의 실시예에서 표시창(40) 상단에 표시된 "x" 마크(40e)를 선택하므로서 표시창을 바로 닫을 수가 있다. 즉 표시창에 어떠한 단계의 정보가 표시되어도 상기 "x" 마크(40e)를 선택하게 되면 표시창은 닫히거다 최초의 표시 단계(1 단계 혹은 0 단계)로 전환되게 된다.도 34는 단계의 조작 명령도 계층 구조가 가능함을 보이는 실시예의 도면이다. 도 34에서처럼, "고려 성립과 발전" 의 목차가 선택되고, + 방향으로 1 단계 이동하면, 표시창(40)에는 "고려 성립과 발전"과 연결된 1 단계(40)의 정보가 표시된다.그리고, 상기 1 단계에서 표시된 정보의 리스트 중에서 또 다시 하나(예를 들어 "고려 문화의 특징")를 선택하여 일정 시간 유지하면, 도 34에서처럼 "고려 문화의 특징"만 활성화 되고, 상기 활성화된 "고려 문화의 특징"에 대해 단계의 조작 명령을 수행하면 "고려문화의 특징"과 관련된 단계의 정보가 추가 표시창(40a)에 표시된다.그리고, 추가 표시창(40a)에 표시된 리스트중에서 하나를 선택하면, 선택된 페이지가 디스플레이에 표시되게 된다.도 35는 단계의 조작 명령에 의하여 변화되는 또 다를 실시예의 도면이다.디스플레이(30)에 표시되는 화면 내에 선택 영역(35)이 존재하고 상기 선택 영역을 대상으로 하여 + 이동하면, 추가 정보(35a)가 열로 나타난다. 그리고, 상기 추가 정보(35a) 중에서 하나를 선택하여 단계적 제어명령을 실시하여 + 이동하면, 또 다른 추가 정보(35b)가 열로 나타난다. 또한 - 이동하면 원 상태로 된다.아울러, + 이동 거리에 비례하여 추가 정보(35a)(혹은 또 다른 추가 정보(35b))가 더 많이 나타난다.도 36는 본 발명의 단계의 조작 명령에 따른 실시예의 흐름도이다.단말기(110)를 시작하고 입력장치를 통한 단계의 조작 명령 제어가 가능한 프로그램을 실행한다.(S300 - S305)본 발명의 단말기 사용자가 입력장치(28)를 통하여 특정한 두개의 점(혹은 한 개 일수도 있고 두 개 이상일 수도 있다.)을 선택하게 되면, 입력장치 구동부(27)는 선택된 점의 위치를 출력하고, 중앙처리장치(20)는 선택된 점의 위치를 인식한다.(S 310)디스플레이(30) 상단에서 정보를 입력할 수 있는 입력장치(28)를 통하여 선택된 점이 이동하면, 입력장치 구동부(27)는 이동된 점의 위치를 출력하게 된다. 그리고, 중앙처리장치(20)는 점의 변화 거리를 인식하고 점이 이동한 단계를 판단하며, 결과적으로 제어 명령의 단계를 판단한다.(S 315 - S320)한편, 310 단계에서 320 단계(S320)까지를 단말기가 서버와 연결된 상태에서 실행하게 되면, 실행 과정을 아래와 같이 구분할 수가 있다.첫째, 입력장치 구동부(27)에서 출력한 점의 위치와 이동 정보를 단말기 중앙처리장치는 서버에 전송하고, 서버의 제어부(101)가 제어 명령의 단계를 판단한다.둘째, 입력장치 구동부(27)에서 출력한 점의 위치와 이동 정보를 단말기 중앙처리장치(20)가 인식하고, 단말기 중앙처리장치(20)가 제어 명령의 단계를 판단하고, 판단된 제어 명령의 단계를 중앙처리장치는 서버에 전송한다.단말기와 서버의 데이터 송수신은 서버의 인터페이스부(102)와 단말기의 R/F(24)가 통신망을 이용하여 수행하게 된다.상기의 과정이 수행된 다음, 중앙처리장치(20)는 현재 디스플레이(30)에 표시된 정보의 단계에서 조작 명령후 이동한 단계를 더하거나 빼서, 새로운 최종 단계를 정하게 된다. 그리고 새로운 최종 단계와 연결된 정보를 디스플레이에 표시하게 된다. 즉, 중앙처리장치(20)는 새롭게 선택된 정보 표시를 위한 디스플레이 구동 신호를 출력하고, 새롭게 선택된 정보는 디스플레이(30)에 표시된다.(S 325 - S 335)예를들어, 현재 디스플레이에 표시된 정보의 단계가 1 단계이고, 제어 명령이 + 2 단계 이루어졌으면, 최종적으로 선택된 단계는 3 단계가 되고, 3 단계 정보가 디스플레이 화면에 표시된다. 또한, 현재 디스플레이에 표시된 정보의 단계가 4 단계이고, 제어 명령의 단계가 - 2 단계 이루어졌으면, 최종적으로 선택된 단계는 2 단계가 되고 2 단계 정보가 디스플레이 화면에 표시되게 된다.그리고, 상기와 과정도 단말기와 서버의 연결에 따라 다음 과정으로 구분된다.첫째, 단말기와 서버가 연결되지 않은 상태에서는 중앙처리장치(20)가 최종 단계를 판단하고, 최종 단계와 연결된 정보를 메모리부(21)에서 선택하여, 선택된 정보를 디스플레이에 표시한다.둘째, 단말기와 서버가 연결된 경우에는, 서버의 제어부(10)가 최종 단계에 맞는 정보를 서버의 데이터 베이스(104)에서 선택하고, 선택된 정보를 단말기로 전송하면, 단말기의 중앙처리장치는 서버로부터 전송 받은 정보를 디스플레이에 표시한다. 이러한 과정은 중앙처리장치가 메모리부에 저장된 정보를 선택하여 수행된다. 그리고, 이러한 수행이 가능한 알고리즘도 메모리부에 저장된다. 이를 위해 각각의 단계에 해당되는 정보는 메모리부(21)에 저장 된다.또한, 서버의 제어부가 상기 과정을 수행할 경우에는 각각의 단계에 해당되는 정보는 서버의 데이터 베이스(104)에 저장되고 수행 알고리즘도 데이터 베이스에 저장된다.도 37은 서버가 각각의 단계와 연결된 정보를 전송하여 주는 실시예의 순서도이다.단말기를 시작하고 프로그램 실행하여 서버에 접속하게 되면, 서버(100)의 제어부(101)는 단말기(110)의 디스플레이(30)에 표시될 정보를 데이터 베이스(104)에서 선택하고, 유무선 통신만(혹은 인터넷)을 통하여 단말기에 전송한다.그리고, 단말기의 중앙처리장치(20)는 전송 받은 정보로 디스플레이 구동 신호를 출력하면, 결과적으로 디스플레이(30)는 서버에서 전송 받은 정보를 표시하게 된다.(S 250 - S 265)이때, 디스플레이에 표시된 화면 전체를 대상으로 단계의 제어 명령을 실행할 수 있는가를 판단한다. 또한, 디스플레이 화면에서 선택 영역이 존재하여 상기 선택 영역이 단계의 제어 명령을 실행할 수 있는가를 판단한다. 즉, 디스플레이 화면에서 단계의 제어 명령이 실행 가능하면 표시되면, 서버는 상기 디스플레이 화면과 연결된 다른 정보를 단말기에 전송한다. (S270- S275)즉, 도 24의 예에서 볼 때, 현재 디스플레이에 타입 1(1단계)의 정보가 표시된다면, 서버는 타입 2부터 타입 N까지의 정보를 단말기에 전송하여 준다는 것이다.서버가 단말기의 디스플레이에 표시하기 위해 전송한 디스플레이 화면이 단계의 조작 명령이 가능하다면, 서버는 상기 화면 정보와 연결된 다른 단계의 정보도 단말기에 전송하여 주게 된다,단말기의 중앙처리장치(20)는 전송 받은 정보를 메모리부(21)에 저장하고, 입력장치(28)를 통한 단계의 조작 명령이 수행되면, 본 발명의 실시예에 따라 최종 단계를 판단하고, 최종 단계와 연결된 정보를 선택한 다음, 선택된 정보를 디스플레이에 표시하게 된다. (S 180) 한편, 프로그램 종료가 되고 및 종료 스위치가 작동되면 단말기의 수행은 종료된다.(S 285 - S 290) [ 부호의 설명 ] 100 : 서버 110 : 단말기101 : 서버제어부 20 : 단말기 중앙처리장치(제어부)30 : 디스플레이 30a : 화면전환 명령31,32 : 분할된 화면 50, 51 : 가이드 선50a-1, 50b-1, (50c-1, 50d-1, 50e-1 : 단계51a-1, 51b-1, 51c-1, 51d-1, 51e-1 : 단계
본 발명은 디스플레이와 중앙처리장치 및 입력장치가 구비된 단밀기에서, 상기 디스플레이 위에서 단계를 구별하는 단계의 조작 명령이 입력되면, 입력장치는 단계의 조작 명령을 출력하고, 상기 중앙처리장치는 단계의 조작 명령의 단계를 인식하고, 상기 단계에 맞는 정보를 디스플레이에 출력하므로서, 화면 전환 명령을 여러차례 하지 않고도 현재의 화면에 표시된 정보와 연관된 정보를 디스플레이 화면에 효과적으로 표시할 수 있게 한다.
[ 발명의 명칭 ] 스테레오리소그래피를 통해 생산될 수 있는 삼차원 물체를 위한 지지구조물을 정의하는 방법 및 장치METHOD AND EQUIPMENT FOR DEFINING A SUPPORTING STRUCTURE FOR A THREE-DIMENSIONAL OBJECT TO BE MADE THROUGH STEREOLITHOGRAPHY [ 기술분야 ] 본 발명은 스테레오리소그래피를 통해 제작되는 삼차원 물체를 위한 지지구조물을 정의하는 방법 및 장치에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 알려진 바와 같이, 스테레오리소그래피 프로세스는 물체 자체의 다수의 층을 순차적으로 중첩인화(superimposition)하여 삼차원 물체를 만들도록 구성되어 있다. 물체의 각 층은 광 조사(light radiation)에 선택적 노출을 통해 발생하는, 액체 또는 페이스트(paste) 상태의 재료의 응고를 통해 얻어지게 된다. 전형적으로, 재료(material)는 상기 광 조사가 도달하면 중합되는 플라스틱 계 화합물이다.물체의 각 연속 층의 응고(solidification)는 연속 층을 위한 지지체로서 기능하는 이전의 응고된 층과 접촉하여 발생한다. 상기 프로세스는 만들어지게 될 물체의 삼차원 형상을 나타내는 제 1 세트의 데이터가 공급되는 컴퓨터에 의해 제어된다.,컴퓨터는 물체의 다른 층들의 형상을 결정하며 결과적으로 스테레오리소그래피 장치를 제어한다. 일반적으로, 프로세스에 따르면 지지 구조물(supporting structure)은 또한 실제 생산 전에 삼차원 객체에 추가되며, 여기서 상기 지지 구조물은 스테레오리소그래피 프로세스 동안 물체로 동시에 응고된다. 상기 지지 구조물은 응고되어야 할 층들 중 이미 응고된 층에 의해 즉시 지지되지 않으면 물체의 생산 프로세스 동안 붕괴되거나 또는 영구히 기형이 될 수도 있는 그런 부분들을 지지한다. 지지 구조물의 정의는 프로그램이 거의 자동으로 지지 구조물의 요소를 추가하고 및 삼차원 물체와 지지 구조물 자체의 결합에서 비롯되는 삼차원 형상을 잘 나타내는 제 2 세트의 데이터를 생성하는 프로그램이 로드된 상기 컴퓨터에 의하여 수행된다.그리고 나서 상기 제 2세트의 데이터는 삼차원 물체 층의 형상을 정의하기 위해 사용된다. 지지 구조물은 삼차원 물체의 지지되어야 할 하나 이상의 면을 제1표면과 마주하는 해당 면에 연결하는 복수의 지지 요소들을 포함하며 스테레오리소그래피 프로세스 동안 그것들에 앞서 만들어지게 된다. 지지 구조물의 변형에 따르면, 상기 지지 요소를 서로 연결하는 보강 요소도 또한 제공된다.보강 요소는 지지 구조물을 더 견고하게 만들고 그래서 생산 단계 동안 삼차원 물체의 붕괴 위험을 감소시킨다. 상기 변형에 기초하여 지지 구조물을 정의하기 위한 알려진 방법에 따르면, 지지 구조물은 미리 정의된 모양(shape)을 가지고 실질적으로 삼차원 물체(object)의 형상(geometry)과는 독립적인 삼차원 그리드(grid)로 정의된다. 이어서, 삼차원 물체와 교차하는 그리드(grid) 요소는 제거되고, 물체 자체의 외부에 위치한 그리드 요소만 유지한다.남아있는 그리드는 단일 물체를 얻을 수 있는 그러한 방법으로 추가 연결 요소(elements)를 통해 삼차원 물체에 연결되어 있다.상기 알려진 방법은 지지 구조물이 최적의 방법으로 정의되도록 허용하지 않는 결점을 가진다. 사실, 지지 구조물의 그리드는 삼차원 물체와는 실질적으로 독립적인 방법으로 정의되기 때문에, 구조물은 물체 자체의 구조적 요구와 관련하여 작은 사이즈, 또는 반대의 경우로, 오버 사이즈일 수 있다. 작은 사이즈의 지지 구조물은 그것의 전체적인 볼륨(volume)이 삼차원 물체를 지지하는 기능을 적절히 제공하기에 충분하지 않은 결점을 가진다. 반대로, 오버 사이즈의 지지 구조물은 과도하게 큰 전체 볼륨을 가진다. 스테레오리소그래피 프로세스에 요구되는 시간은 응고될 볼륨에 비례하여 증가하기 때문에, 오버 사이즈 지지 구조물은 삼차원 물체를 생산하기 위해 요구되는 전체 시간에 부정적으로 영향을 미친다. 또한, 지지 구조물의 볼륨이 클수록, 생산에 필요한 재료의 양이 더 증가하고, 삼차원 물체의 전체 비용을 증가시키는 불편함이 커진다. 오버 사이즈의 지지 구조물은 또한 지나치게 두꺼운 그리드에서 비롯될 수 있으며, 스테레오리소그래피 프로세스의 종료 시점에서 삼차원 물체에 대해 수행되어야 청소 작업을 방해하는 추가적인 단점을 가진다. 사실, 스테레오리소그래피를 통해 얻어진 물체는 비-응고 잔류물을 제거하는 방법으로, 스테레오리소그래피 프로세스의 종료 시점에서 세척된다는 것은 공지의 사실이다. 상기 세척 작업은 삼차원 물체로부터 지지 구조물을 분리하기 전에 수행된다. 따라서, 지지 구조물은 삼차원 물체의 일부 면 상에서 세척 유체의 흐름을 방해하고 구조물을 정의하는 그리드가 두꺼울수록 이러한 방해효과는 더 크다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명이 해결하려는 과제는 공지된 형태의 지지 구조물과 관련된 앞서 언급된 모든 결점을 극복하기 위한 것이다. 특히, 앞서 기술한 공지된 형태의 방법으로 얻을 수 있는 것에 비해 적당한 강도를 가졌지만 그러나 전체적으로 더 작은 볼륨을 가진, 스테레오리소그래피를 통해서 생산될 삼차원 물체를 위한 지지 구조물을 공급하는데 본 발명의 목적이 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명 과제의 해결 수단은 스테레오리소그래피 프로세스를 통해서 생산될 수 있는 삼차원 물체(1)를 위한 지지 구조물(2)을 정의하기 위한 컴퓨터 구현 방법에 있어서, 동작은: 상기 삼차원 물체(1)에 속하여 지지되는 제1 표면을 정의하는 단계; 상기 제1 표면(3)과 마주하는 제2 표면(4)을 정의하는 단계; 기다란 형상을 가지고 상기 제1 표면(3)으로부터 제2 표면(4)으로 확장하는 복수의 지지 요소(5)를 정의하는 단계; 상기 지지 요소(5)의 복수의 쌍을 정의하는 단계; 지지 요소(5)의 상기 복수의 쌍들의 각 쌍에 대해 기다란 형상을 가지고 상기 쌍의 두 지지 요소(5)를 연결하는 적어도 하나의 보강 요소(6)를 정의하는 단계를 포함하며; 지지 요소(5)의 상기 복수의 쌍들을 정의하는 단계의 상기 동작은: 상기 지지 요소(5)의 각각에 속하는 기준점(7)을 정의하는 단계; 상기 기준점(7)을 정점으로 가지고 상기 정점들 사이에 대응하는 엣지를 포함하는 접속 비순환 그래프를 정의하는 단계; 상기 엣지(9)의 각각에 대한 지지요소의 상기 쌍들 중 하나를 정의하는 단계를 포함하며, 상기 쌍은 상기 엣지(9)의 단부(ends)에 해당하는 두 지지 요소(5)를 포함하며; 지지 요소(5)의 상기 복수의 쌍을 정의하는 상기 동작은 상기 접속 비순환 그래프(8)의 오더 1를 가진 각 정점에 대한 지지 요소(5)의 추가적인 쌍을 정의하는 추가적인 동작을 포함하며, 상기 추가적인 쌍은 오더 1을 가진 상기 정점에 해당하는 제1 지지 요소(5) 및 상기 엣지(9) 중 어느 것을 통해서도 상기 제 1 지지요소(5)에 연결되지 않는 상기 지지요소(5)의 제 2 지지요소를 포함함을 특징으로 하는 스테레오리소그래피 프로세스를 통해서 생산될 수 있는 삼차원 물체(1)를 위한 지지 구조물(2)을 정의하기 위한 컴퓨터 구현 방법을 제공하는데 있다. 본 발명의 또 다른 과제의 해결 수단은 스테레오리소그래피 프로세스를 통해서 생산될 수 있는 삼차원 물체(1)에 대한 지지 구조물(2)을 정의하기 위한 장치는 : 프로세싱 유니트와 상기 프로세싱 유니트에 의하여 액세스 가능한 메모리 지원을 포함하는 컴퓨터; 상기 삼차원 물체(1)의 형상을 나타내는 제1 데이터 세트를 회득하고 상기 메모리 지원으로 상기 제1 데이터 세트를 로딩하기 위한 수단; 상기 삼차원 물체(1)에 속하여 지지되는 제1 표면을 정의하는 수단; 상기 제1 표면(3)과 마주하는 제2 표면(4)을 정의하는 수단; 기다란 형상을 가지고 상기 제1 표면(3)으로부터 제2 표면(4)으로 확장하는 복수의 지지 요소(5)를 정의하는 수단; 상기 지지 요소(5)의 복수의 쌍을 정의하는 수단; 상기 지지 요소(5)의 복수의 쌍들의 각 쌍에 대해, 기다란 형상을 가지고 상기 해당하는 두 지지 요소(5)를 연결하는 적어도 하나의 보강 요소(6)를 정의하는 수단; 상기 지지 요소(5)와 상기 보강 요소(6)의 삼차원 물체(1)와의 결합으로부터 비롯된 형상을 나타내는 제2 데이터 세트를 생성하고 상기 메모리 지원에서 제 2데이터 세트를 로딩하기 위한 수단을 포함하며; 지지 요소(5)의 상기 복수의 쌍들을 정의하는 수단은: 상기 지지 요소(5)의 각각에 속하는 기준점(7)을 정의하는 수단; 상기 기준점(7)을 정점으로 가지고 상기 정점 사이에 대응하는 엣지를 포함하는 접속 비순환 그래프를 정의하는 수단; 상기 엣지(9)의 단부(ends)에 해당하는 두 지지 요소(5)를 포함하는 상기 엣지(9)의 각각에 대하여, 한 쌍의 지지요소를 정의하는 수단을 포함하며; 상기 복수의 쌍의 지지 요소(5)를 정의하는 수단은 상기 접속 비순환 그래프(8)의 오더 1을 가진 각 정점에 대한 추가적인 쌍의 지지 요소를 정의하도록 구성되고, 상기 추가적인 쌍은 오더 1을 가진 상기 정점에 해당하는 제1 지지 요소(5) 및 상기 엣지(9) 중 어느 것을 통해서도 상기 제 1 지지 요소(5)에 연결되지 않는 제2 지지요소를 포함함을 특징으로 하는 스테레오리소그래피 프로세스를 통해서 생산될 수 있는 삼차원 물체(1)를 위한 지지 구조물(2)을 정의하기 위한 장치를 제공하는데 있다.본 발명의 또 다른 과제의 해결 수단은 프로세싱 유니트와 상기 프로세싱 유니트에 의하여 액세스할 수 있는 메모리 지원을 포함하는 컴퓨터 상에서 실행될 때, 프로그램 부분이 제공되는 데이터 지원을 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품에 있어서, 상기 프로그램 부분은: 삼차원 물체(1)의 형상을 나타내는 제1 데이터 세트를 획득하고 메모리 지원으로 제 1데이터 세트를 로딩하기 위한 수단; 상기 삼차원 물체(1)에 속하여 지지되는 제1 표면을 정의하는 수단; 상기 제1 표면(3)과 마주하는 제2 표면(4)을 정의하는 수단; 기다란 형상을 가진 복수의 지지 요소(5)를 정의하고 상기 제1 표면으로부터 제2 표면으로 확장하는 수단; 상기 지지 요소(5)의 복수의 쌍을 정의하기 위한 수단; 지지요소(5)의 상기 복수의 쌍들의 각각의 쌍에 대하여, 기다란 형상을 가지고 두 개의 해당 지지 요소(5)를 연결하는 적어도 하나의 보강 요소(6)를 정의하는 수단; 지지 요소(5)와 보강 요소(6)의 삼차원 물체(1)와의 결합으로부터 비롯된 형상을 나타내는 제2 데이터 세트를 생성하고 상기 메모리 지원으로 제 2데이터 세트를 로딩하기 위한 수단을 정의하며; 지지 요소(5)의 상기 복수의 쌍들을 정의하는 수단은: 상기 지지 요소(5)의 각각에 속하는 기준점(7)을 정의하는 수단; 상기 기준점(7)을 정점으로 가지고 상기 정점 사이에 대응하는 엣지를 포함하는 접속 비순환 그래프를 정의하는 수단; 상기 엣지(9)의 단부에 해당하는 두 지지 요소(5)를 포함하는, 상기 엣지(9)의 각각에 대하여 한 쌍의 지지요소를 정의하는 수단을 포함하는 그러한 방법으로 구성되며, 지지 요소(5)의 상기 복수의 쌍을 정의하기 위한 수단은 상기 접속 비순환 그래프(8)의 오더 1을 가진 각 정점에 대한 추가적인 쌍의 지지 요소를 정의하도록 구성되며, 상기 추가적인 쌍은 오더 1을 가진 상기 정점에 해당하는 제1 지지 요소(5) 및 상기 엣지(9) 중 어느 것을 통해서도 상기 제1 지지 요소(5)와 연결되지 않는 제 2 지지 요소를 포함함을 특징으로 하는 프로그램 부분이 제공되는 데이터 지원을 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품을 제공하는데 있다. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 효과는 공지된 형태의 지지 구조물과 관련된 앞서 언급된 모든 결점을 극복하기 위한 것이다. 특히, 앞서 기술한 공지된 형태의 방법으로 얻을 수 있는 것에 비해 적당한 강도를 가졌지만 그러나 전체적으로 더 작은 볼륨을 가진, 스테레오리소그래피를 통해서 생산될 삼차원 물체를 위한 지지 구조물을 공급하는데 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 스테레오리소그래피를 통해 만들어진 삼차원 물체의 예에 대한 불등각 투시도(axonometric view)이다; 도 2는 도1의 삼차원 물체와 본 발명에 따른 지지 구조물의 일부분을 결합함에(joining) 의하여 얻어진 물체를 나타낸다;도 3은 도1의 삼차원 물체와 본 발명에 따른 지지 구조물을 결합함에(joining) 의하여 얻어진 물체를 나타낸다;도 4는 평면도에서, 도3의 지지 구조물의 요소 사이의 링크에 대한 다이야그램을 나타낸다. 도 5는 평면도에서, 도3의 지지 구조물의 변형 예와 관련된 링크의 다이야그램을 나타낸다.도 6은 도3의 지지 구조물의 변형을 나타낸다.도 7은 도6의 지지 구조물의 변형을 나타낸다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명은 공지된 형태의 지지 구조물과 관련된 앞서 언급된 모든 결점을 극복하기 위한 것이다. 특히, 앞서 기술한 공지된 형태의 방법으로 얻을 수 있는 것에 비해 적당한 강도를 가졌지만 그러나 전체적으로 더 작은 볼륨을 가진, 스테레오리소그래피를 통해서 생산될 삼차원 물체를 위한 지지 구조물을 공급하는데 본 발명의 목적이 있다. 상기 목적은 청구항 1에 따른 지지 구조물을 정의하기 위한 방법을 통해 이룰 수 있다. 상기 목적은 청구항 14에 따른 지지 구조물을 정의하기 위한 하나의 장치를 통해서 이룰 수 있다. 상기 목적은 청구항 14에 따른 컴퓨터 프로그램 제품을 통해서 또한 이룰 수 있다.유리하게는, 각각의 삼차원 물체를 위한 특별한 지지 구조물을 생산할 가능성은 지지 구조물이 구조적 요구에 적합함을 보장해준다. 또한, 유리하게는, 이것은 또한 상기 지지 구조물이 오버사이즈로 되는 것을 방지하여 구조물 자체의 볼륨을 제한한다.지지 구조물의 감소된 볼륨은 유리하게는 스테레오리소그래피 프로세스로 삼차원 물체를 만드는데 소요되는 전체 시간과 프로세싱에 필요한 재료의 양 모두의 감소로 이어지고, 그러므로 물체 자체의 비용이 감소하게 된다.또한, 유리하게는, 지지 구조물의 작은 볼륨은 일단 삼차원 물체가 완성되면 세척하기 더 쉬워진다. 상기 목적과 유리한 효과는, 여기 아래 강조한 다른 것들과 함께 첨부된 도면을 참조하여 제한없는 예로 제공되는 본 발명의 일부 바람직한 실시 예의 기재로 설명될 것이다. 여기서:스테레오리소그래피를 통해 만들 수 있는 삼차원 물체를 위한 지지 구조물을 정의하는 본 발명의 방법은 도1에 도시되고 거기에 (1)로 표시된 삼차원 물체를 참조하여 기술된다. 삼차원 물체(1)는 도면을 더 명확하게 하기 위하여, 스테레오리소그래피를 통해 일반적으로 만들어지는 물체에 비해 아주 단순화된 형상으로 의도적으로 표현했음을 알아야 한다. 그러나, 앞서 제공한 설명은 임의의 형상을 가진 삼차원 물체에 유사하게 적용할 수 있음은 명백하다. 무엇보다도 방법은 삼차원 물체(1)에 속하여 지지될 제1 표면(3)을 정의하는 단계를 포함한다. 명백히, 지지될 복수의 상기 제1 표면은 물체의 형상, 스테레오리소그래피 프로세스에 사용될 재료 및, 필요하다면, 다른 파라메터에 따라 정의될 수 있다. 명백하게, 본 발명의 방법은 상기 제1 표면의 각각에 적용될 수 있다. 방법에 따르면, 제1 표면(3)에 대해, 제1표면과 마주하는 제2 면(4)이 정의된다. 제2 표면(4)은 도면에 도시한 경우에서처럼, 삼차원 물체(1)로부터 분리될 수 있다. 대안적으로, 제2 표면(4)은 삼차원 물체(1)에 속할 수 있다. 제1 옵션은 물체 자체의 다른 부분들을 개입시킬 필요 없이, 제조 동안에 삼차원 물체(1)을 지지하는 모델링 플레이트를 향해 배치되도록 의도된 제 1표면(3)에 적합하다. 특히, 제 2표면(4)은 삼차원 물체의 실제 생산 중에 상기 모델링 플레이트의 면과 일치하는 방식으로 정의될 수 있다.이러한 마지막 경우는, 제 2표면(4)이 비스듬히 그려져 있는, 상기 도 2 및 도 3에 도시된 경우이다.도 6에 도시된 변형 실시 예에 따르면, 제2 표면(4)은 상기 모델링 플레이트와 접촉하여 배치되도록 의도된 지지 베이스(11)에 속한다. 이러한 변형은 아래에 더 상세히 설명된다.대신, 제 1표면(3)이 삼차원 물체(1)의 캐비티(cavity) 내에 배치되거나, 또는 임의의 경우에 있어서, 물체 자체의 다른 면과 마주할 때에는, 제 2표면(4)은 바람직하게는 물체에 속한다. 후자의 경우에, 제2 표면(4)은 바람직하게는 제1 표면과 직접 마주하는, 제1 표면(3)과 직접 마주하는 삼차원 물체(1)의 면이고, 예를 들어 제1표면(3)의 반대편에 있는 상기 캐비티의 면이다. 명백하게, 단일한 삼차원 물체(1)에는 앞서 기술한 경우의 조합이 있을 수 있다. 일단 제1 표면(3)과 제2 표면(4)이 정의되면, 방법은 도2에 도시된 바와 같이 제1 표면(3)으로부터 제2 표면(4)으로 확장하는 길다란 형상으로 복수의 지지 요소(5)를 정의하는 단계를 포함한다. 유사하게 앞서 언급한 것과 같이, 도 2에 도시된 지지 요소(5)는 표현을 단순화하기 위하여 감소된 수로 의도적으로 나타냈음을 이해해야 한다. 그러나, 일반적으로, 지지 요소의 수는 도면에 도시된 것 보다 많고, 물체의 형상과 다른 파라메터에 따라 달라질 것임이 분명하다. 일반적으로, 지지 요소의 수는 2 보다 많을 것이고 대부분의 경우 3 보다 많을 것이다. 앞선 설명에도 불구하고, 본 발명에 기재된 방법은 제공되는 지지 요소의 수와 는 별개로 어떠한 경우에도 적용할 수 있다.바람직하지만 반드시 그럴 필요는 없이, 상기 지지 요소(5)는 원추형 또는 원통형 형상이지만, 그러나 또한 분명히 다른 형태 일 수도 있다.지지 요소(5)에는 다수의 지점(several points)에서 해당 면에 연결되는 방식으로 한 쪽 또는 양쪽 단부(ends)에 브랜치(branches)가 제공될 수 있다. 이러한 형태의 브랜치(branch)는 도면에 나타내지는 않았으나, 그 자체로 잘 알려져 있다. 바람직하게는, 각각의 지지 요소(5)는 도면에 나타내지 않았으나 그 자체로 잘 알려진 제1 표면 및/또는 제2 표면(4)의 레벨에 위치한 얇은 부분을 가진다. 상기 얇은 부분은 삼차원 물체(1)가 실제로 생산되는 스테레오리소그래피 프로세스가 일단 완료되면 표면(3 및/또는 4)으로부터 지지 요소(5)의 분리를 유리하게 하는 장점을 제공한다.상기 방법은 도 3에 도시된 바와 같이, 각 쌍의 지지 요소(5)에 대해 상기 쌍의 두 지지 요소들을 연결하는, 바람직하게는 원뿔형 또는 원통형의, 가늘고 긴 형상의 하나 이상의 보강 요소(6)를 정의하는 동작을 포함한다.유리하게는, 상기 보강 요소(6)는 지지 구조물의 전체 볼륨을 동일하게 유지하는 한편 지지 구조물(2)의 저항을 증가시킬 수 있거나 또는 대안적으로, 저항의 동일한 정도를 보장하는 한편 지지 구조물의 볼륨을 감소시킬 수 있다. 본 발명에 따르면, 상기 보강 요소(6)에 연결되는 지지 요소(5)의 쌍은 잘 알려진 그래프 이론의 도움으로 선택된다. 특히, 방법은 각 지지 요소(5)에 속하는 기준점(7)을 정의하는 동작을 포함한다. 따라서 정점이 기준점(7)인 접속 비순환 그래프(a connected acyclic graph)가 생성된다.알려진 바와 같이, 그래프는 세트 V와 E의 한 쌍으로 구성되는 수학적 구조이며, 여기서 제1 세트(V)의 요소는 정점(vertices)이라 부르는 공간에서의 점이며, 반면에 제2 세트(E)의 요소는 "엣지(edges)"라 부르는 정점들의 쌍 사이의 해당 링크의 수를 나타낸다. 따라서, 수학적 표기로, 그래프(G)는 아래의 관계로 표현된다. G = (V, E).형식적 관점에서, 두 개의 일반 정점(u 와 v)을 연결하는 엣지는 정점들 자체의 쌍(u,v)으로 표현된다.분명하게, 정점 세트(V)가 주어지면, 엣지의 세트(E)에 대해 서로 다른, 상기 세트(V)를 포함하는 무한대가 가능한 그래프가 있다. 그래프가 접속 비순환 그래프여야 한다는 필수요건은 상기 그래프를 유한수로 한정한다.특히, 그래프가 연결되어야 한다는 필수요건은 그래프의 임의의 두 정점에 대해 그들을 연결하는 엣지의 연속(a succession of edge)이 존재함을 암시한다.그래프가 비순환 그래프여야 한다는 필수 요건은 임의의 두 정점이 하나 및 오로지 하나의 엣지들의 연속만을 통해서 연결됨을 내포한다. 그래프 이론에서, 앞서 언급된 형태의 접속 비순환 그래프는 또한 "트리"라 부른다.바람직하게는, 주어진 정점 세트에 해당하는 접속 비순환 그래프는 그 자체로 알려진 적절한 알고리즘을 통해 식별될 수 있다. 도 4는 명백히 상기 특성을 갖는 가능성이 있는 그래프들 중 유일한, 정점들이 기준점(7)인 접속 비순환 그래프(8)의 개략적인 평면도를 보여준다. 특히, 그래프(8)의 각각의 엣지(9)는 각 기준점(7) 사이에서 연장되는 파선 (dashed segment)으로 도 4에 표시하였다.본 발명의 방법에 따르면, 연결된 지지 요소의 쌍은 상기 접속 비순환 그래프(8)에 의하여 식별된다. 특히, 그래프(8)의 각각의 엣지(9)에 대한 한 쌍(a pair)은 엣지(9) 자체의 단부에 해당하는 두 개의 지지 요소(5)를 포함하는 것으로 정의된다. 앞서 기술한 방식으로 지지 요소(5)의 쌍을 정의함으로써 알려진 방법으로 획득할 수 있는 것들에 관한 지지 구조물(2)의 볼륨을 제한하는 목적을 달성할 수 있다.사실, 그래프 이론에서 알려진 바와 같이, 접속 비순환 그래프는, 동일한 정점에서 정의될 수 있는 모든 그래프 중 최소의 엣지 수를 가지는 한편, 동시에 모든 정점들이 서로 연결을 유지하는 그러한 그래프이다. 특히, 접속 비순환 그래프의 엣지 수는 정점의 수에서 1을 뺀 수와 같다.따라서, 지지 요소(5)의 각 쌍 사이에 주어진 보강 요소(6)의 수에 대하여 앞서 기술한 바와 같은 지지 요소(5)의 쌍을 정의하면 상기 지지 요소와 보강요소들 사이의 링크의 수를 제한할 수 있는 한편, 동시에 안정된 지지 구조물(2)을 얻도록 모든 지지 요소(5)들이 서로 연결되게 유지할 수 있다. 유리하게는, 보강 요소(5)의 쌍을 정의하기 위해 그래프 이론을 사용하면 상기 알려진 알고리즘을 사용하여 접속 비순환 그래프(8)를 생성하는 것을 가능하게 한다.바람직하게는, 하나 이상의 지지 요소(5)의 쌍에 대해 복수의 별도의 보강 요소가 도 3에 표시된 바와 같이 정의된다. 유리하게는, 한 쌍의 지지 요소(5)에 대해 다수의 보강 요소(6)가 존재하면 지지 요소(5) 사이에, 이들이 특히 길 때 더 안정된 연결을 얻을 수 있다.결과적으로, 유리하게도, 또한 지지 구조물(2)은 더 안정하다. 분명하게, 본 발명의 변형 실시 예에서, 주어진 쌍의 지지 요소(5)를 연결하는 보강요소(6)의 수는 임의의 수 일 수 있고, 더 나아가 지지 요소(5)에 있어서 다른 쌍으로 다양할 수 있다. 바람직하게는, 그러나 필수적이지는 않게, 각 쌍의 지지 요소(5)를 연결하는 보강 요소(6)는 상호 입사 방향에 따라 일종의 격자(lattice)를 정의하는, 그리하여 연결의 안정성을 더 증가시키는 그러한 방식으로 배치된다.바람직하게는, 상기 접속 비순환 그래프는 접속 비순환 그래프와 같은 정점들을 가지고 각 엣지는 엣지 자체의 단부(ends) 사이의 거리에 해당하는 가중치와 연관되는 완전 그래프의 최소 스패닝 트리(minimum spanning tree)와 일치하는 그러한 방식으로 정의된다.더 정확하게, 완전 그래프는 적어도 임의의 쌍의 정점들이 적어도 하나의 엣지에 의해 연결되는 그래프로 알려져 있다. 또한 알려진 바와 같이, 그래프의 최소 스패닝 트리는 상기 가중치의 합이 최소인 그래프의 특정 서브세트(subset)로 정의되기 때문에, 오로지 그래프 자체의 각 엣지에 가중치를 할당한 후에야 정의될 수 있다. 특히, 가중치가 앞서 기술한 바와 같이 엣지의 길이를 나타내는 방식으로 선택되는 경우에, 최소 스패닝 트리는 엣지가 최소 전체 길이를 가지는 트리에 해당한다. 따라서, 지지 요소(5)의 쌍을 정의하기 위하여 앞서 기술한 기준은 보강요소(6)가 가장 짧은 가능한 경로로 확장하는 지지 구조물(2)을 얻도록 허용한다. 결과적으로, 유리하게, 지지 요소(5)의 각 쌍 사이에 동일한 수의 보강 요소(6)를 유지하는 한편 지지 구조물(2)의 볼륨을 최소화할 수 있다. 유리하게는, 상기 최소 스패닝 트리는 그래프 이론에서 알려진 수학적 알고리즘을 사용하여 정의될 수 있다.발명의 구조물 변형에 따르면, 상기 가중치는 앞서 기술한 것과는 다른 방법으로 정의될 수 있다. 예를 들면, 하나 또는 그 이상의 지지 요소(5)의 쌍을 곡선 궤적 및/또는 파선(broken lines)에 따라 개발된 보강 요소와 연결하는 것이 적절할 수 있다.이 경우에 엣지에 해당 궤적의 길이와 동일한 해당 가중치가 할당된다.본 발명의 구조물의 변형에 따르면, 지지 요소(5)의 추가 쌍은 접속 비순환 그래프(8)의 오더 1을 갖는 각각의 정점 레벨에서 정의된다.특히, 상기 추가 쌍은 오더 1을 가진 상기 정점에 해당하는 제1 지지 요소(5)와 제1 정점과 연결되지 않은 그래프(8)의 정점에 해당하는 제2 지지 요소(5)를 포함한다. 알려진 바와 같이, 오더 1을 가진 정점은 그래프의 하나의 엣지에만 나타나는 정점으로 정의되며, 그래프의 하나의 오로지 하나의 정점에만 연결된 정점을 의미한다. 따라서, 앞서 기술한 추가 쌍의 정의는 유리하게는 임의의 지지 요소(5)가 적어도 다른 두 개의 지지 요소(5)와 연결되어, 지지 구조물(2)의 전체적인 구조적 저항을 증가시키는 이점을 가짐을 내포하는 것으로 이해할 수 있다 직설적으로, 가능한 추가 쌍은 도 5에 도시하였고 여기서 참조 번호(10)으로 나타내었다. 바람직하게는, 상기 추가 쌍은 접속 비순환 그래프의 해당 정점들 사이의 거리가 최소 가능 거리인 그러한 방법으로 정의된다. 유리하게는 바로 앞서 기술한 조건은 지지 요소(5)의 상기 추가 쌍을 연결하는데 사용되는 보강 요소(6)의 길이를 최소로 제한할 수 있게 한다. 바람직하게는, 추가 쌍은 도입되는 추가 쌍의 수를 최소화하는 방식으로, 둘 다 오더 1의 정점에 해당하는 두 지지 요소(5) 사이에 정의된다.이미 언급한 바와 같이, 도 6은 제2 표면(4)이 3차원 물체(1)로부터 분리된 본 발명의 변형된 구조물을 나타낸다. 특히, 모든 보강 요소(6)는 상기 제2 표면(4) 상에 위치하고, 그래서 지지요소(5)의 단부(ends)와 연결된다. 상기 구성(6)은 보강 요소(6)가 3차원 물체(1)를 지지하기 위해 스테레오 리소그래피 기계의 모델링 플레이트에 접촉하여 배치되기에 적합한 지지 베이스(11)를 정의하도록 하는 것이다. 유리하게는, 앞서 기술된 바와 같은 지지 베이스(11)는 지지 요소(5)의 존재에 의해 영향을 받지 않는 영역 위로 연장되는, 일반적으로 제공되는 지지 베이스보다 훨씬 작은 볼륨을 가진다. 바람직하게는, 제2 표면(4)은 평면이고, 그래서 상기 지지 베이스(11)는 일반적으로 사용되는 모델링 플레이트 타잎에 해당하는, 평면 표면으로 제공되는 모델링 플레이트에 적합할 수 있다. 도 6에 도시된 지지 베이스(11)는 도 4에 도시된 동일한 링크를 따라 지지 요소(5)사이로 확장하는 보강 요소(6)에 의하여 정의된다. 도 7은 또한 본 발명의 변형된 구조물을 나타내며, 지지 베이스(11)가 도 5에 도시된 것과 동일한 링크를 가진다.이러한 변형은 도 5에 참조 번호(10, reference number)으로 표시된 것에 해당하는, 지지 요소(5)들 사이의 추가 링크의 존재로 인해, 도 6에 도시된 것과 다르다. 앞서 기술한 것에 따르면, 앞서 기술한 몇 가지 변형에 따른 방법으로 얻어질 수 있는 그래프는 도 3에 도시된 격자형의 구성 형태를 가진 지지 구조물(2)과 도 6 및 도 7에 도시된 지지 베이스(11) 형태 모두를 만드는데 사용될 수 있는 것으로 이해할 수 있다.분명하게, 본 발명의 변형된 실시 예에서, 지지 구조물(2)은 두 가지 형태의 보강 요소(6)가 제공 될 수 있으며, 반드시 동일한 쌍의 지지 요소(5)에 기초하지는 않는다.기준점(7)의 정의와 관련하여, 이것은 바람직하게는 모든 지지 요소(5)와 교차하는 평면 기준면의 정의를 통해 수행된다.각 기준점(7)은 해당 지지 요소(5)와 기준면 사이의 교차 영역에 속하는 그러한 방법으로 정의된다. 바람직하게는, 기준면은 각 중앙점(median point)의 높이에서 지지 요소(5)를 통과하는 그러한 방법으로 정의된다. 변형된 실시 예에 따르면, 기준면은 제1 표면(3) 또는 제2 표면(4)과 일치하는 그러한 방법으로 정의된다. 추가된 구조물의 변형은 앞서 기술한 방법으로 기준면의 정의 및 각 지지 요소(5)와 기준면 사이의 교차 영역에 속하는 지지점(supporting point)의 정의를 포함한다. 상기 지지점의 각각은 미리 정의된, 바람직하게는 평면 투영면(projection surface)에 해당 기준점(7)을 얻기 위한 그러한 방법으로 투영된다. 투영면은 제1 표면(3) 또는 제2 표면(4)과 일치할 수 있다. 앞서 기술한 방법은 또한 지지 요소(5)의 다수의 그룹에 적용될 수 있으며, 여기서 보강 요소(6)는 각 그룹 내의 지지 요소(5)를 연결하나, 그룹을 서로 연결하지 않는다. 이러한 경우에, 방법은 각각의 접속 비순환 그래프(8)을 생성하기 위하여 지지 요소(5)의 각 그룹에 분리하여 적용된다. 이러한 변형은 이것이 각 그룹의 내부 안정성을 무시하지 않으면서 지나치게 긴 보강 요소(6)의 존재를 피하기 때문에 유리하게는 지지 요소(5)의 그룹들이 서로 비교적 가까이 있으나 동시에 다른 지지 요소로부터 멀리 떨어져 있는 경우에 적용될 수 있다 지금까지 기술한 방법은 도면으로 나타내지는 않았지만 그 자체로 알려진, 바람직하게는 프로세싱 장치 및 상기 프로세싱 유니트에 의하여 액세스할 수 있는 메모리 지원이 제공되는, 컴퓨터를 포함하는 장치에 의해 구현된다. 상기 장치는 삼차원 물체(1)의 형상을 나타내는 제 1 데이터 세트를 획득하고 상기 메모리 지원으로 그것을 로딩하기 위한 수단을 포함한다. 장치는 또한 지지되는 제 1표면(3)을 형성하는 수단을 포함하고, 각각의 제 2표면(4)을 정의하기 위한 수단을 포함한다.장치는 또한 지지 요소(5)를 정의하기 위한 수단, 지지 요소(5)의 쌍을 정의하기 위한 수단 및 상기 쌍 사이의 보강 요소(6)를 정의하기 위한 수단을 포함한다. 장치는 또한 지지 요소(5)와 보강 요소(6)를 3차원 물체(1)에 결합함으로 비롯된 형상을 나타내는 제2 데이터 세트를 발생하고 메모리 지원으로 제 2데이터 세트를 로딩하기 위한 수단을 포함한다. 본 발명에 따르면, 지지 요소(5)의 쌍을 정의하는 수단은 각 지지 요소(5)에 속한 기준점(7)을 정의하는 수단, 상기 접속 비순환 그래프(8)를 정의하는 수단 및 앞서 기술한 바와 같이 상기 접속 비순환 그래프(8)의 각 엣지(9)에 대한 한 쌍의 지지 요소를 정의하는 수단을 포함한다. 상기 장치는 바람직하게는, 상기 컴퓨터 상에서 수행될 때, 앞서 기술한 장치의 수단들을 정의하는 그러한 방식으로 구성된 프로그램 부분이 제공된 데이터 지원을 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품에 의해 구성된다. 앞서 제공된 설명에 따르면, 앞서 기술한 방법, 장치 및 컴퓨터 프로그램 제품은 모든 설정된 목적을 이룰 수 있는 것으로 이해할 수 있다. 특히, 본 발명은 알려진 기술에 따라 정의된 지지 구조물에 비해 감소된 볼륨을 가지는 지지 구조물을 얻을 수 있다.
본 발명은 스테레오리소그래피 프로세스를 통해서 생산될 수 있는 삼차원 물체(1)를 위한 지지 구조물(2)을 정의하기 위한 컴퓨터 구현 방법이며, 동작은: 상기 삼차원 물체(1)에 속하여 지지되는 제1 표면 및 상기 제1 표면(3)과 마주하는 제2 표면(4)을 정의하는 단계; 표면(3,4)들 사이의 기다란 지지 요소들(5)을 정의하는 단계; 상기 지지 요소(5)의 쌍을 정의하는 단계; 지지 요소(5)의 각 쌍에 대하여 쌍의 두 지지 요소를 연결하는 기다란 보강 요소를 정의하는 단계를 포함한다. 지지 요소(5) 쌍의 정의는 아래 동작; 각 지지 요소(5)의 기준점(7)을 정의하는 단계; 상기 기준점(7)을 정점으로 가지는 접속 비순환 그래프를 정의하는 단계; 그래프의 각 엣지에 대해, 엣지의 단부에 해당하는 두 지지 요소(5)를 포함하는 한 쌍의 지지 요소(5)를 정의하는 단계의 동작을 포함한다. 지지 요소(5) 쌍의 정의는 상기 접속 비순환 그래프(8)의 오더 1을 가진 각 정점에 대한 지지 요소의 추가 쌍을 정의하는 추가적인 동작을 포함하며, 추가 쌍은 오더 1을 가진 상기 정점에 해당하는 제1 지지 요소(5) 및 어느 엣지(9)를 통해서도 제1 지지 요소(5)와 연결되지 않은 제2 지지 요소(5)를 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 단계적 정보 제공 시스템SYSTEM AND METHOD FOR PROVIDING INFORMATION WITH STAGES [ 기술분야 ] 본 발명은 단계적으로 정보를 제공하는 것으로, 다양한 입력 장치를 통해 디스플레이 위에서 단계의 조작 명령을 실시하고, 상기 단계의 조작 명령 따라 정보의 내용이 단계 별로 제공되는 시스템에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 터치 스크린 또는 터치 패널이란 키보드를 사용하지 않고 화면(스크린)에 나타난 문자나 특정 위치에 손가락 또는 임의의 조작 수단으로 직접 터치하여 터치한 위치를 검출하고 기 저장된 소프트웨어를 통해 터치된 위치의 조작을 처리하는 유저 인터페이스 장치를 말한다. 하나의 예로, 터치 패널에는 압력식(Resistive Overlay), 표면초음파 방식(Surface Acoustic Wave), 정전용량 방식(Capacitive Overlay) 및 적외선 방식(Infrared Beam) 등이 있다. 그리고, 이렇게 다양한 방식의 터치 입력 장치로 인하여 디스플레이 상에서 원하는 조작 명령을 직접 수행할 수가 있게 되며, 실제로 개인 휴대단말기(스마트폰, PDA, MP3, 핸드폰 등) 또는 태블릿 PC 등에 입력부로 채용하고 있다. 하지만, 현재의 단말기의 디스플레이는 많은 정보가 상호 연관되어 있으므로, 현재 디스플레이에 표시된 정보와 연관된 또 다른 정보를 효과적으로 표시하고자 하는 구체적인 방법이 아직은 제시되지 못하고 있다. 즉, 현재는 단지 크릭을 통해 현재 화면에 표시된 정보를 연결해 주는데, 현재 화면에 표시된 정보의 단계가 한 개 이상일 경우에는 이것을 효과적으로 연결해 주지는 못하고 있는 실정이다.즉, 종래 미국 특허(US 6,639,584)처럼, 디스플레이 화면 위를 이동하여 제어 명령을 입력하는 방법에 관한 특허 기술은 존재하지만, 디스플레이 위에서 제어 명령을 입력하여 정보가 표시되는 상세한 정도를 제어하거나 표시되는 정보의 양을 제어하는 구체적인 방법은 제시되지 않고 있는 실정이다. 또한, 종래의 또 다른 미국 특허(US 7,657,849) 디스플레이 상단의 입력장치를 통하여 락(lock) 기능이 부여 되도록 하는 방법 만을 제공할 뿐이다. 따라서, 콘텐츠를 사용할 때, 단계적 방법으로 정보를 제공하여 원하는 정보가 화면에서 신속하게 표시될 수 있도록 하는 방법이 필요한 실정이다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 선행기술 1 : 미국 특허 등록 번호 US 6,639,584 (2003년 10월 28일) 선행기술 2 : 미국 특허 등록 번호 US 7,657,849 (2010년02월 02일) [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 디스플레이 상단에서 입력장치틀 통하여 입력되는 단계의 조작 명령에 따라, 정보의 내용을 단계적으로 표시하거나 제공하고 또는 별도의 저장 위치에 존재하는 정보도 연결해 주는 시스템 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 목적은, 디스플레이와 중앙처리장치 및 입력장치가 구비된 단밀기에서,상기 디스플레이 위에서 단계를 구별하는 단계의 조작 명령이 입력되면, 입력장치는 단계의 조작 명령을 출력하고, 상기 중앙처리장치는 단계의 조작 명령의 단계를 인식하고, 상기 단계에 맞는 정보를 디스플레이에 출력하므로서 달성된다. 그리고, 디스플레이 위에서 점이 선택되고 상기 점이 이동되어 이동 거리에 대한 정보가 출력되면, 중앙처리장치는 상기 이동 거리를 단계로 판단하며, 디스플레이 위에서 점이 선택되고 상기 점이 회전되어 회전 방향에 대한 정보가 출력되면, 중앙처리장치는 상기 회전 이동의 각도를 단계로 판단한다. 또한, 상기 단계가 + 이동 단계가 존재하고, 상기 단계가 - 이동 단계가 존재하는며, 상기 입력장치를 통하여 두점이 선택되고 상기 두점 사이의 거리가 가까워 지거나 멀어짐에 따라 단계가 정해진다. 본 발명의 또 다른 실시예로서, 디스플레이와 중앙처리장치 및 입력장치가 구비된 단밀기에서, 상기 단말기는 데이터 베이스와 제어부가 구비된 서버와 연결되고, 상기 디스플레이 위에서 단계를 구별하는 단계의 조작 명령이 입력되면, 입력장치는 단계의 조작 명령을 출력하고, 상기 중앙처리장치는 단계의 조작 명령의 단계를 인식하고, 상기조작 명령의 단계에 대한 정보를 서버에 송신하거나 입력장치의 출력을 서버에 송신하고, 상기 서버는 단계에 대한 정보를 데이터 베이스에서 출력하여 단말기에 전송한다. 그리고, 디스플레이 위에서 점이 선택되고 상기 점이 이동되어 이동 거리에 대한 정보가 출력되면, 중앙처리장치는 상기 이동 거리를 단계로 판단하고, 디스플레이 위에서 점이 선택되고 상기 점이 회전되어 회전 방향에 대한 정보가 출력되면, 중앙처리장치는 상기 회전 이동의 각도를 단계로 판단한다. 또한, 상기 단계가 + 이동 단계가 존재하고, 상기 단계가 - 이동 단계가 존재한다. 한편, 상기 입력장치를 통하여 두점이 선택되고 상기 두점 사이의 거리가 가까워 지거나 멀어짐에 따라 단계가 정해진다. 아울러, 현재의 단계가 N 이고, + 만큼 J 단계 이동하면 최종 선택 단계는 N + J 인 것을 특징으로 하고, 현재의 단계가 N 이고, - 만큼 I 단계 이동하면 최종 선택 단계는 N - I 인 것을 특징으로 한다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 따르면, 디스플레이 상단에서 입력장치를 통하여 손가락이나 조작 수단에 의해 단계의 조작 명령을 실시하게 되면 정보를 단계 별로 제공할 뿐 아니라, 여러 단계의 정보가 제공될 경우에도 화면이 전환 없이 동일 화면에서 제공될 수 있고, 아울러 또 다른 인터넷 사이트나 다른 저장 위치에 저장된 정보로의 연결이 가능하도록 한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1 은 유무선 인터넷을 통해 서버와 연결된 단말기의 구성을 나타낸 도면이다. 도 2는 서버를 좀더 상세히 나타낸 블록도이다. 도 3은 단말기의 블록도를 나타낸 도면이다. 도 4는 입력장치를 간단히 나타낸 도면이다. 도 5는 입력장치를 통하여 단계의 조작 명령을 수행하는 실시예의 도면이다. 도 6은 단계의 조작 명령을 설명하는 실시예의 도면이다. 도 7은 입력장치를 통한 조작 명령의 또 다른 실시예의 도면이다. 도 8과 도 9는 도 7의 실시예에서 조작 명령의 단계를 나타낸 도면이다. 도 10은 단계의 조작 명령으로 전체 화면의 표시정보가 바뀌는 실시예의 도면이다. 도 11은 단계의 조작 명령으로 일부 화면의 표시정보가 바뀌는 실시예의 도면이다. 도 12내지 도 14는 본 발명의 진행 순서도를 나타낸 실시예의 도면이다. 도 15내지 도 17은 조작 명령을 실시하는 또 다른 실시예의 도면이다. 도 19는 단계적 입력 방법에 대한 또 다른 실시예의 도면이다. 도 20내지 도 28은 선택 영역의 크기가 변하는 실시예의 도면이다. 도 29와 도 31은 정보의 내용과 크기가 다양하게 변하는 실시예의 도면이다. 도 32 내지 도 34는 전체화면에서 선택 영역이 2개 이상 존재할 경우의 실시예의 도면이다. 도 35는 단계의 조작 명령에 의하여 변화되는 또 다를 실시예의 도면이다. 도 36는 본 발명의 단계의 조작 명령에 따른 실시예의 흐름도이다. 도 37은 서버가 각각의 단계와 연결된 정보를 전송하여 주는 실시예의 순서도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세하게 설명한다. 본 발명의 구성 및 그에 따른 작용 효과는 이하의 상세한 설명을 통해 명확하게 이해될 것이다. 또한 공지된 기술 구성에 대해서는 구체적인 설명은 생략할 수도 있다. - 실시예 1- 도 1 은 유무선 인터넷을 통해 서버와 연결된 단말기의 구성을 나타낸 도면이다. 통신 시스템 내에서의 서버(100)는 유무선 인터넷을 통하여 각종 정보 제공 서비스를 운영하기 위한 시스템을 구성하고 있는 장치이다. 상기 서버(100) 관리자 혹은 운영자들이 정보를 입력 관리하는 입력부(103), 정보를 출력하거나 디스플레이 할 수 있는 출력부(105), 각종 정보와 서비스 운영에 관한 정보를 저장하는 데이터 베이스부(104) 및 인터넷 혹은 통신망을 통해 접속자와 데이터를 송수신할 수 있는 인터페이스부(102)가 구성되어 있다. 한편, 정보는, 이미지, 동영상, 텍스트 등 모든 정보를 의미한다. 그리고, 단말기(혹은 컴퓨터)(110)는 다양한 정보를 유무선 인터넷(혹은 통신망)을 통하여 송 수신할 수 있는 단말기이다. 그러므로 상기 단말기(110)에는 중앙처리장치(CPU)(20), 각종 정보를 표시하는 디스플레이부(30), 각종 정보를 저장하는 메모리부(21), 정보를 입력하는 입력장치(28) 및 정보 혹은 데이터를 입출력 할 수 있는 데이터 입출력부(10)가 구성되어 있다. 도 2는 서버를 좀더 상세히 나타낸 블록도이다. 서버(100) 내에는 제어부(101)가 구성되며, 상기 제어부(101)에는 데이터를 검색하는 데이터 검색부(111), 데이터 처리부(112) 및 인터넷 접속자 혹은 인터넷 회원들을 관리하고 운영하는 사이트 운영부(113)로 구성된다. 아울러, 데이터베이스(104)가 더 구성되며, 상기 데이터베이스(14)에는 사이트 운영과 관련된 정보가 저장된 운영 데이터베이스(141), 각각의 정보에 맞는 데이터가 저장된 정보 데이터베이스(142) 및 다수의 정보가 저장된 데이터베이스(143)로 구성된다. 그리고, 상기 제어부(101)와 데이터 베이스(104)는 하나의 일 예일 뿐이며, 서버 운영의 모든 알고리즘을 수행하는 통상의 제어부와 모든 정보를 저장하는 통상의 데이터 베이스는 본 발명의 실시예에 포함된다고 할 수 있다. 한편, 서버(100)의 제어부(101)에서는 사이트 운영부(113)가 접속자(혹은 단말기)에 대한 정보와 회원 여부 및 콘텐츠 사용에 관한 정보 등을 판단하게 되며, 데어터 검색부(111)에서는 접속자(혹은 단말기)로부터 전송된 정보와 일치하는 정보를 데이터 베이스(14)통해 검색하며, 데이터 처리부(112)에서는 검색된 데이터를 인터페이스를 통해 접속자에게 전송하여 준다. 도 3은 단말기의 블록도를 나타낸 도면이다. 도면에서 중앙처리장치(20)는 본 발명의 실시예에 사용되는 단말기(일반적인 경우에는 휴대용 표시장치, 스마트폰, 혹은 컴퓨터)의 전체 동작을 제어하는 제어수단이다. 그리고, 메모리부(21)에 존재하는 롬(21a)은 표시장치의 수행 프로그램을 제어하고, 램(21b)은 프로그램 수행시에 발생하는 데이타를 저장하며, 이이피롬(21c)은 사용자가 필요로 하는 데이터 및 이를 처리하는 데에 필요한 데이타를 보관한다. R/F부(24)는 무선주파수(Radio Frequency)로서, RF 채널에 동조하고, 입력되는 각종 신호를 증폭하며, 안테나에서 수신된 RF 신호를 필요한 주파수 신호로 변경한다. 입출력부(10)는 입력부와 출력부를 포함하며, 입력부는 각종 정보 입력 기기, 숫자 키, 메뉴키 및 선택키를 포함하여 나타낸 것이며, 출력부에는 스피카 나 진동장치 등도 포함된다. 중앙처리장치(20)의 신호 출력을 받아 디스플레이를 구동하는 디스플레이 구동회로(25)가 있으며, 다시 구동회로는 디스플레이(30)가 구동 가능한 신호를 출력한다. 아울러 중앙처리장치는 입력장치 구동부(27)를 통해서 입력장치(28)를 제어한다. 즉, 입력장치를 통하여 정보가 입력되면, 입력창치 구동부는 중앙처리장치에 입력 정보를 출력하게 전송하게 된다. 한편, 본 발명의 단말기는 휴대용 표시장치, 스마트폰, 태블릿 피씨 혹은 컴퓨터 등을 포함할 수 있다. 도 4는 입력장치를 간단히 나타낸 도면이다. 입력장치의 단면도를 간단히 나타낸 도면으로, (A)도는 정전용량 방식을 나타낸 도면이고, (B)도는 저항막 방식을 나타낸 도면이다. 즉, 상기 (A)도에서 보호판(28a) 하부에 투명 전극이 코팅된 전극판(29a)이 구비되며, 상기 전극판(29a)은 투명전극이 코팅된 필름이 한 장 혹은 두장으로 구성된 것이다. 또한, 상기 (B)도는 보호판(28a) 상부에 투명전극이 코팅된 2 개의 필름(29a)(29b)이 일정한 간격이 유지된 상태로 대향되게 구비된다, 그리고 상기의 입력장치(28) (28) 상단에 외부 보호판(혹은 화장판)(28b)가 더 구비될 수가 있다. 그리고 상기 보호판(28b)에 원하는 문양의 코팅이 이루어지게 된다. 그리고, 도 4는 통상 적으로 많이 사용되는 입력장치(28)의 예를 나타낸 것이며, 본 발명은 입력장치(28)에 대한 발명은 아니다. 따라서, 디스플레이 위에서 정보를 입력할 수 있는 통상의 입력장치(28)는 본 발명에 적용가능하다. 이때, 디스플레이 위에서라는 것은 디스플레이 표면에 압력이나 접촉을 가하지 않은 상태에서 정보를 입력할 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 입력장치 소자와 디스플레이가 일체화된 기기에도 본 발명의 실시예가 적용될 수 있다. 도 5는 입력장치를 통하여 단계의 조작 명령을 수행하는 실시예의 도면이다. 도 5의 실시예에서처럼, 디스플레이(30) 위에서 작은 바(Bar)를 사용하거나 혹은 손가락을 사용하여 단계의 조작 명령을 하게 된다, 즉, 입력장치(28)를 통해 디스플레이에 표시된 정보를 대상으로 단계의 조작 명령을 입력하는 것이다. 도 5면에서처럼 두 개의 손가락(혹은 바)을 사용하여, 두 손가락이 선택한 점(포인트)의 사이의 거리를 줄이거나 늘이는 방법으로 단계의 조작 명령을 실행한다. 도 6은 단계의 조작 명령을 설명하는 실시예의 도면이다. 두 손가락(혹은 두 개의 바)이 두 개의 점을 정하고, 상기 점이 움직인 이동 거리를 단계로 구분하고, 각 단계별로 명령을 인식하도록 하는 조작 명령이 "단계의 조작 명령"이다. 그리고, 단계의 조작 명령이 실행되면 각각의 단계에 대응되는 정보가 단말기 디스플레이(30) 화면에 표시된다. 상기 단계는 적어도 2 단계 이상의 한정된 숫자 N 이다. 너무 많으면 좋지 않으므로 10 단계 혹은 5 단계 이내가 적당하다. 또한, 단계에 대하여 정리를 하면 다음과 같다. 1) 하나의 단계로 인식되는 거리는 미리 정해진다. 2) 인식될 수 있는 최대 단계의 수는 미리 정해진다. 인식될 수 있는 최대 거리도 미리 정해진다. 3) 단계의 조작 명령은 + 방향과 - 방향이 존재한다. 4) 오차 범위가 존재한다. 5) 각각의 단계별로 각각의 단계에 대응하는 정보가 존재한다. 도 6에서 보면, 두 점 사이의 이동 경로인 가이드 선(50)(51)을 표시하였고, 도(A)에서처럼 상기 가이드 선에 각각의 단계(50a)(50b)(50c)(50d)(50e)를 표시하였다. (도 (B)에서는 각각 단계가 "(51a)(51b)(51c)(51d)(51e)" 이다) 이때, 두점 사이의 거리가 가까워지는 도 (A)의 경우에는, 1 단계 "50e", 2 단계 "50d", 3 단계 "50c", 4 단계 "50b", 5 단계 "50a" 이고, 두점 사이의 거리가 멀어지는 도 (B)의 경우에는 1 단계 "51a", 2 단계 "51b", 3 단계 "51c", 4 단계 "51d", 5 단계 "51e" 이다. 그리고, 한 단계 이동할 때의 거리를 10mm 로 미리 정한다면, 단계의 조작 명령으로 20 mm 이동한 경우 2 단계 이동이 되고, 전체 단계가 5 단계까지 존재하므로, 최대의 이동 거리는 50mm 가 된다. 물론, 각 단계별로 거리가 반드시 동일할 필요는 없다. 예를들어 1 단계에서 2 단계까지의 거리는 10mm 로 하고, 2 단계에서 3 단계까지의 거리는 12 mm로 할 수도 있다. 단지 단계별 거리가 미리 정해진다는 것이다. 또한, 단계별 거리도, 알고리즘을 정하여 프로그램을 실행할 때 가변적으로 변할 수도 있다, 예를들어 1 단계에서 2 단계의 이동 거리가 10mm 이지만, 단계의 조작 명령 전에 자동으로 변하는 알고리즘에 의하여 상기 단계의 이동 거리가 12 mm로 바뀔 수도 있다는 것이다. 본 발명의 핵심은 입력장치를 통하여 단계의 조작 명령을 실행할 때, 조작 명령을 단계로 인식한 다는 것이며, 단계 인식은 핵심은 단계의 조작 명령 실행을 N 단계 이동으로 인식하는 것이다. 또한, 단계의 조작 명령은 + 방향과 - 방향이 존재한다. 예를들면, 입력장치를 통하여 선택된 두 점(포인트)이 가까워지면 -(마이너스) 이동, 멀어지면 +(플러스) 이동이된다.(반대로 가까워지면 + 이동, 멀어지면 - 이동으로 정할 수도 있다.) 따라서, 도 6의 (A)처럼 20mm 이동하고 1 단계 이동이 10mm 라면, - 방향으로 2 단계 이동한 것이다. 또한, 도 6의 (B)처럼 20mm 이동하고 1 단계 이동이 10mm 라면, + 방향으로 2 단계 이동한 것이다. 한편, 상기 4) 번의 항목에서처럼, 본 발명의 단계의 조작 명령에서는 오차 범위가 존재할 수 있음은 당연하다. 13mm 이동하였을 경우 1 단계로 판단하고, 18 mm이동하였을 경우 2 단계 이동으로 판단할 수가 있다는 것이다. 마치 수학에서 반올림과 내림의 개념으로 오차 범위를 정할 수도 있다. 또한, 본 발명에서는 단계의 조작 명령을 실시하고자 할 때, 도 6의 실시에에서 도시된 것처럼 단계별 눈금이 표시된 가이드선(50)(51)이 디스플레이(30) 화면에 표시되도록 할 수가 있다. 단말기(110) 사용자가 단계의 조작 명령을 선택(프로그램 환경에 따라 다양한 선택 방법이 존재할 수 있으며, 이러한 선택 방법에 대하여 별도 언급은 하지 않는다,)게 되면, 디스플레이 화면에 상기 가이드선 (50)(51)이 나타난다, 그리고 상기 가이드 선으로 인하여 사용자는 정확한 단계 입력을 실시할 수가 있다, 물론, 실제 화면에서 가이드 선이 표시된다면, 도 6의 도면처럼 50a나 51a 같은 도면 부호가 표시되는 것이 아니라, 1 단계, 2 단계와 같이 단계의 수자가 표시된다. 또한, 본 발명의 또 다른 실시예로, 상기 가이드선(50)(51)에 단계의 수자만 표시되는 것이 아니라, 각각의 단계에 대응하는 정보에 대한 간단 항목이 표시될 수도 있다. 아울러, 상기 5)의 항목에서처럼, 각각의 단계에 대응되는 정보가 존재한다, 따라서, 단계의 조작 명령이 실행되게 되면, 그 결과 최종 선택 단계가 정해지고 최종 선택 단계에 대응되는 정보가 존재하게 된다. 그리고, 최종 선택 단계에 대응되는 정보가 디스플레이 화면에 표시된다. 도 6에서 단계별 대응 정보는 "(50a-1)(50b-1)(50c-1)(50d-1)(50e-1)"과 "(51a-1)(51b-1)(51c-1)(51d-1)(51e-1)" 이다. 즉, 도 (A)에서 1 단계 "50e" 에 대응하는 정보는 "50e-1" 이고, 도 (B)에서 1 단계 "51a"에 대응하는 정보는 "51a-1"이다. 따라서, 도 (A)에서 1 단계 "50e" 의 대응 정보가 "휴대폰의 대리점 위치"라면, 실제 도(A)의 화면에서는 "50e-1" 가 지정한 박스에 "휴대폰 대리점 위치" 라는 글자(경우에 따라서는 이미지가 될 수가 있다.)가 표시된다. 또한, 도(B)에서 1 단계 "51a"의 대응 정보가 "휴대폰 사양" 이라면, 실제 도(B)의 화면에서는 "51a-1" 이 지정한 박스에는 "휴대폰 사양" 라는 글자(경우에 따라서는 이미지가 될 수가 있다.)가 표시된다. 그리고, 도6의 도(A)와 도(B)는 + 방향과 - 방향을 구별하기 위해서, 별도 분리하여 설명하였지만, 실제로 만일 도6의 도(A)와 도(B)가 동일 화면에서 수행되는 것이라면, 1 단계는 50a" 와 51a"가 되고, 마찬가지로 5 단계는 "50e"와 "51e" 가 될 수 있다. 따라서, 단계별 정보도 도 (A)에서 1 단계 정보인 "50a-1"과 도(B)에서의 1 단계 정보인 "51a-1"은 동일 정보가 된다. 마찬가지로 도 (A)에서 5 단계 정보인 "50e-1"과 도(B)에서의 5 단계 정보인 "51e-1"도 동일 정보가 된다. - 실시예 2 - 도 7은 입력장치를 통한 조작 명령의 또 다른 실시예의 도면이다. 도 7의 (A)는 입력장치를 통하여 손가락 혹은 바가 선택한 한점(포인트)이 이동하는 것을 나타내는 실시예의 도면이고, (B)는 이동한 각도를 나타내는 실시예의 도면이다. 그리고, + 방향은 상기 점이 위로 이동할 때이거나 시계 반대 방향으로 회전할 때로 정해질 수 있고, 그 반대로도 정하여 질 수 있다. 도 8과 도 9는 도 7의 실시예에서 조작 명령의 단계를 나타낸 도면이다. 도 8은 도7의 (A)의 실시예이다. 즉 이동한 거리를 단계로 나누고 각 단계에 대한 정보의 특징(정보의 내용)을 화면에 표시할 수 있음을 나타낸 도면이다. 예를 들어 1 단계가 "52a" 이고, 2 단계가 "52b" 이다. 그리고, 1 단계 대응 정보가 "52a-1" 이고 2 단계 대응 정보가 "52b-1" 이다, 따라서, 디스플레이(30) 화면에서는 단계를 표시하는 숫자와 각 단계의 대응 정보의 특징이 표시될 수가 있다. 또한, 도 9는 도7의 (B)의 실시예이다. 즉 이동한 각도를 단계로 나누고 각 단계와 각 단계에 대한 정보의 특징(정보의 내용)을 화면에 표시할 수 있음을 나타낸 도면이다. 한편, 상기의 수행 과정은 다음과 같다. 1)단말기의 입력장치(28)를 통하여 점(포인트)이 선택(손가락 혹은 바로 선택도어 질 수 있음.)되어 지면, 입력장치 구동부(27)는 선택되어진 점의 위치 정보(좌표)를 출력한다. 그리고, 점이 이동되면 상기 입력장치 구동부(27)는 이동되는 점의 위치 정보(좌표)를 출력한다. 2)중앙처리장치(20)는 상기 출력된 점의 위치 정보를 판단하여, 정해진 알고리즘에 의하여 이동 단계를 판단하고, 최조 단계에서 이동 단계를 반영(+ 이동이면 단계를 더하고, - 이동이면 단계를 빼는 방법)하여, 최종 선택 단계를 판단한다. 3)최종 선택 단계가 정해지면, 중앙처리장치(20)는 메모리부(21)에서 선택정보에 대응되는 정보를 선택하고, 상기 정보가 디스플레이(30)에 구동이 가능하도록 하는 신호를 출력한다. 한편, 본 발명에서는 단계의 조작 명령으로 점을 선택하여 이동한 거리나 각도에 대해 단계를 나눌 수 있는 실시예를 설명하였다. 그러나 단계의 조작 명령의 단계는 다양할 수 밖에 없다. 예를들어, 점을 선택하고 유지하는 시간으로도 단계를 나눌 수 있다. 또한, 단말기자체를 움직이거나 이동하는 정도로도 단계를 나눌 수 있다, 한편, 디스플레이 상단에의 움직임을 이미지 소자로 인식하도록 하고, 상기 이미지 소자가 출력하는 신호를 알고리즘의 판단으로 하여, 움직임의 정도를 단계로 나눌 수 있다. 또한 손가락의 모양이나 이미지의 모양으로 단계를 나누어 판단할 수 있다. 즉, 단말기에 어떠한 입력의 방법을 사용해서라도, 단계의 조작 명령처럼 단계의 이동으로 구별 할 수가 있다면, 이동된 후의 최종 단계에 대응되는 정보가 디스플레이에 화면에 표시되도록 할 수가 있는 것이다. - 실시예 3 - 도 10은 단계의 조작 명령으로 전체 화면의 표시정보가 바뀌는 실시예의 도면이다. 도 10은 정보의 상세한 정도를 단계로 나누었을 때의 표시되는 실시예의 도면이다. 도면의 왼편이 제 1 단계로 상세한 정보가 표시되는 단계라면, 앞의 실시예에서 설명된 단계의 조작 명령에 의해 왼편의 다른 단계로 화면 표시가 전환될 수 있다는 것이다. 예를들어 2 단계 조작 명령을 수행하면, 왼편의 화면은 3 단계의 상세도를 가진 정보가 디스플레이(30) 화면에 표시되는 것이다. 이때, 단계가 올라 갈수록 정보의 상세도가 증가될 수도 있지만, 반대로 단계가 올라갈수록 정보의 상세도가 떨어질 수도 있다. 그리고, 단계에 의해 정보의 상세도가 변한다는 것은 동일한 종류의 정보를 단계에 따라 상세도를 구분하여 정보를 만들었다는 것을 의미한다. 이를때면, 최초 단계는 요약 내용이고, 단계가 올라 갈수록 설명의 정도가 높아진다는 것이다, 도 11은 단계의 조작 명령으로 일부 화면의 표시정보가 바뀌는 실시예의 도면이다. 전체 화면에서 단계의 조작 명령의 실행이 가능한 선택 영역(31)이 별도로 존재한다. 따라서, 단말기 사용자는 상기 선택 영역을 먼저 선택하여야 한다,(선택 방법의 예로는 사용자가 디스플레이 상에서 상기 선택 영역 위치에 점등으로 입력을 하는 것이다. 물론 단말기나 프로그램의 종류에 따라 다양한 선택이 존재할 수가 있다.) 상기 선택 영역(31)이 선택이 되면, 입력장치를 통하여 출력된 위치 정보에 대한 신호를 중앙처리장치가 판단하여, 상기 선택 영역(31)이 선택되었음을 판단하게 된다. 그리고, 상기 선택 영역(31)을 대상으로 단계의 조작 명령이 실행되면, 중앙처리장치는 본 발명의 실시예의 방법에 따라, 최종 선택 단계에 대응되는 정보를 디스플레이 화면에 표시하는 것이다. 이때, 최종 선택 단계가 변하게 되면, 상기 선택 영역의 크기도 표시되는 정보에 따라 달라질 수가 있다. 1) 선택 영역의 크기가 변하지 않는다, 2) 선택 영역의 크기가 단계가 커짐에 따라 단계에 비례하여 커질 수 있다. 3) 선택 영역의 크기가 정보의 내용에 따라 달라 질 수 있다. - 실시예 4 - 도 12내지 도 14는 본 발명의 진행 순서도를 나타낸 실시예의 도면이다. 단계적으로 정보를 제공하는 방법을 나타낸 실시예의 흐름도이다. 즉, 앞의 실시예에서처럼 입력 장치(28)를 통해 단계의 조작 명령이 수행되면, 디스플레이에 정보가 표시되는 알고리즘이다. 이때 이러한 알고리즘 기능 수행은 서버(100)의 제어부(101)에서 수행할 수도 있고, 단말기의 제어부(20)에서 수행할 수도 있다. 단말기(110)가 유무선 인터넷을 통해 혹은 통신망을 통해 서버와 접속이 되어 상기 과정을 수행할 수도 있다. 즉, 단말기(110)의 입력장치(28)를 통해 조작 명령의 단계가 입력되면, 입력된 정보는 통신망을 통해 서버에 전달되고, 서버는 조작 명령의 단계에 대응되는 새로운 정보를 데이터 베이스에서 선택하여 선택된 정보를 단말기에 전송하고, 단말기는 전송받은 새로운 정보를 디스플레이(30) 화면에 표시하게 되는 것이다. 본 발명에서는 통상의 모든 유무선 통신의 방법을 사용하는 것이며, 통신의 방법을 개선하는 발명은 아니다. 또한, 단말기 내의 중앙처리장치(20)와 메모리부(21)를 사용하여, 단계의 조작 명령에 대응되는 정보를 디스플레이 화면에 표시하도록 할 수가 있다, 서버의 연결 혹은 단말기 자체에서의 알고리즘 수행은, 각각 해당되는 프로그램과 정보의 종류에 따라 그때 그때 정할 수 있음은 당연하다. 그리고 이렇게 정하는 것은 프로그램적으로 정할 수도 있고 사용자의 선택으로 정해질 수도 있다. 또한 단계의 조작 명령의 단계에 대응하도록 화면 전환이 이루어지기 위해서는, 서버의 데이터 베이스 혹은 단말기의 메모리부에는 단계의 조작 명령에 대응되는 정보 각각 저장되어 있어야 한다. 예들들어, 광개토대왕 출생 편을 하나의 단위 콘텐츠로 정할 경우, 광개토대왕 출생편과 관련되어 정보를 상세 정도에 따라 5단계(단계를 5 단계로 구분할 경우)로 구별하여, 저장한다는 것이다. 즉, "광개토대왕 출생편" 의 콘텐츠 저장 정보가 "HiKaKi001"이라면, 가장 상세한 1 단계는 "HiKaKi00101", 2 단계는 "HiKaKi001-02", 마찬가지로 요약된 5 단계 "HiKaKi001-5"로 각각 저장된 정보가 존재하게 된다. 그리고, 단계의 조작 명령에 의하여, 단계가 선택되면 선택된 단계에 대응되는 정보가 디스플레이 화면에 표시되는 것이다. 도 12에서 보면, 화면 변환 명령을 입력하게 되는데,(S102) 본 발명에서 화면 변환 명령이라 함은 사용자가 단계의 조작 명령을 수행하기 위한 전 단계의 선택을 하는 것이다. 상기 선택에 의하여, 단말기의 중아처리장치는 단계의 조작 명령을 인식할 수 있는 상태가 되는 것이다. 상기 선택은 메뉴 버튼에 의할 수도 있고, 화면을 일정시간 선택하므로 이루어질 수 있다. 물론 경우에 따라서는 화면 전환 명령의 단계가 생략될 수도 있다. 단계의 조작 명령이 가능한 정보가 디스플레이에 표시되는 것만으로도 중앙처리 장치(혹은 제어부)는 단계의 조작 명령을 인식할 수 있는 상태가 될 수 있다는 것이다. 먼저, 입력장치를 통한 단계의 조작 명령(단계를 구분하는 조작 명령)이 실시된다.(S104) 그리고, 현재의 단계가 1 단계인가를 판단한다.(S106) 만일 1 단계가 아니면 "S130"의 과정을 거치게 된다. 그리고, 단계의 조작 명령의 이동 방향이 + 방향인가 - 방향인가를 판단하게 된다. 단계는 1 단계에서 K 단계까지 이동한다. 1 단계 방향(- 방향의 이동)의 이동인가를 판단하게 된다,(S108) 만일 1 단계 이동의 방향이라면, 현재의 화면 단계를 그대로 표시하게 된다.(S110) 그리고, 만일 1 단계 이동의 방향이 아니(+ 방향의 이동)라면 다음과 같이 가정한다. 단계의 조작 명령의 단계가 1 단계부터 K 단계까지라면, 가장 낮은 단계는 1 단계이고 가장 높은 단계는 K 단계가 된다. 이때 입력장치 통해 입력된 단계가 J 단계라고 가정한다.(S112) 만일 "1 + J K" 이면, K 단계의 화면을 표시하게 되지만, 그렇지 않으면 "1+J" 단계의 화면을 표시하게 되는 것이다. (S114-S118 단계) 도 13에서는 현재의 화면 표시 단계가 1 단계가 아닐 경우의 흐름도이다. 만일, 단계의 조작 명령의 방향이 1 단계 방향이면, "S150"의 단계로 연결된다. 그리고 1 단계 방향이 아니면, 현재의 화면표시 단계를 N 단계로 가정한다. 당연히, 화면 표시 단계를 1 단계부터 K 단계까지 나누고, 가장 낮은 단계는 1 단계이고 가장 높은 단계는 K 단계가 된다. 이때 입력된 단계가 J 단계라고 가정한다.(S132) 만일 "N + J K" 이면, K 단계의 화면을 표시하게 되지만, 그렇지 않으면 "N+J" 단계의 화면을 표시하게 되는 것이다. (S134-S138 단계) 그리고, 종료 명령에 따라 종료가 될 수도 있다.(S140) 도 14는 도 13의 "130 단계" 에서 입력 방향이 1 단계 방향일 때의 흐름도가 된다. 마찬가지로, 현재의 화면표시 단계를 N 단계라고 가정한다. 당연히, 화면 표시 단계를 1 단계부터 K 단계까지 나누고, 가장 낮은 단계는 1 단계이고 가장 높은 단계는 K 단계가 된다. 이때 입력장치 통해 입력된 단계가 J 단계라고 가정할 수 있다.(S150)만일 "N - J 1" 이면, 1 단계의 화면을 표시하게 되지만, 그렇지 않으면 "N - J" 단계의 화면을 표시하게 되는 것이다. (S152-S158 단계) 그리고, 종료 명령에 따라 종료가 될 수도 있다.(S160) 그리고, 상기의 알고리즘 수행은 단말기의 중앙처리장치(CPU)(20) 혹은 서버의 제어부(101)가 실행한다. - 실시예 5 - 도 15내지 도 17은 조작 명령을 실시하는 또 다른 실시예의 도면이다. 화면 변환 명령(30a)을 선택하고, 디스플레이(30) 위에서 입력장치를 통하여 단계의 조작 명령을 실시하면, 디스플레이(30) 화면에는 조작 명령 가이드 선(51)이 나타나게 된다. 그리고, 조작 명령 가이드 선(51)에는 눈금처럼 각각의 단계(수자로 1 단계 2 단계 등이 표시됨)("51a"에서 "51e" )가 표시되어, 표시된 눈금 만큼 이동할 수 있게 됨으로서 효과적인 단계별 조작 명령을 수행할 수가 있다. 즉 2 단계만 이동하고 싶으면 화면에 표시된 눈금을 보면서 2 단계의 눈금만 이동하면 되는 것이다. 그리고, 각 단계에 대응되는 정보에 대한 특징 혹은 정보에 대한 내용도 표시된다. 즉, 각각의 단계와 연결되어 정보 표시 박스("51a-1"내지 "51e-1")이 나타나며, 각각의 정보 표시 박스("51a-1"내지 "51e-1")에는 각 단계에 대응되는 정보의 내용이 글자 혹은 이미지 혹은 연결 사이트로 표시된다. 그리고, 단계의 조작 명령을 수행하기 용이하도록, 현재의 단계를 나타내는 표시박스는 다른 표시박스와 구별(색 혹은 진한 정도 등 다양한 방법으로 구별할 수 있다.)하여 화면에 표시할 수가 있는 것이다. 단계의 조작 명령을 수행하게 되면, 가이드 선(51)이 나타나고, 현재를 나타내는 표시 박스(만일 현재 단계가 1 단계 이면, "51a-1"의 표시창임.)는 다른 표시박스에 비해 더 진하게 표시될 수가 있다. 그리고, 만일 3 단계를 이동하였다면, 마찬가지로 이동된 표시 박스(현재가 1 단계이고 3 단계를 이동하였다면 4 단계 표시박스(51d-1)임.)가 다른 표시 박스에 비해 더 진하게(혹은 구별되게) 표시될 수가 있는 것이다. 반대의 방향으로 단계를 이동할 때에도 현재의 표시 박스와 이동되는 표시 박스는 구별되어 화면에 표시될 수가 있다. 물론, 표시박스가 별도로 화면에 표시되지 않을 때에는, 가이드선에서 단계를 나타내는 눈금을 통하여 현재의 단계와 이동 단계를 구별하여 표시할 수가 있다. 즉, 가이드선에서 해당되는 단계의 눈금을 다른 단계의 눈금과 구별하여 표시할 수가 있다. 도 16과 도 17은 전체화면에서 별도의 선택 영역(31)이 존재할 경우의 실시예의 도면이다. 즉, 화면 변환 명령(30a)을 선택(예를들어 표시된 부분(30a)을 선택하는 것임.)하고 단계의 조작 명령을 입력하면, 가이드 선(51)이 나타나고, 가이드 선(51)에는 눈금을 표시한 단계("51a" 내지 "51e")가 또 표시되게 되고, 각 단계와 연결된 표시 박스("51a-1" 내지 "51e-1")도 표시되고, 상기 표시 박스에는 정보의 특징이 표시되게 된다. 도 16의 선택 영역(31)에 표시된 정보를 1 단계 정보라고 하고, 도 17의 새로운 선택영역(32)에 표시된 정보를 4 단계 정보라고 한다면, 도 16의 화면에서 선택 영역(31)을 대상으로 단계의 조작 명령을 실시하여 3 단계 이동하면 도 17의 화면이 표시되는 것이다. 그리고, 현재의 단계의 표시박스와(51a-1)과 단계 이동후 해당되는 표시박스(51d-1)는 다른 표시박스와는 구별되게 표시된다. 한편 상기 실시예에 의하면, 1 단계 표시 박스(51a-1)에는 "휴대폰 이미지" 와 같은 내용이 표시되고, 이동된 후 해당되는 표시박스(51d-1)에는 "휴대폰 사양" 과 같은 내용이 표시될 수가 있는 것이다. 또한, 만일 5 단계는 다른 인터넷 사이트와 연결되는 단계라면, 5 단계 표시박스(51e-1)에는 "000사이트 연결" 이라는 내용이 표시될 수가 있다. 그리고, 5 단계가 선택되면, 디스플레이(30) 화면에는 새롭게 연결된 인터넷 사이트의 정보가 표시된다. 그러므로, 새롭게 연결된 인터넷 사이트에서는 제품 구매 등과 같이 그 다음의 작업을 진행할 수가 있다. 한편, 본 발명의 실시예에서, 단계의 변화에 따라 디스플레이에 표시되는 정보의 변화는 다음과 같다. 1) 단계가 증가함에 따라 디스플레이에 표시되는 정보의 양이 증가한다. 정보의 상세도가 증가한다. 2) 단계가 변함에 따라 디스플레이에 표시되는 정보의 내용이 달라진다. (상세도가 증가되지 않을 수도 있다.) 3) 단계가 변함에 따라 정보를 디스플레이에 표시하기 위해 실행하는 프로그램이 달라진다. 예를들어, 단계가 변함에 따라 이미지 정보나 동영상 정보가 표시될 수가 있다. 4) 단계가 변함에 따라 디스플레이에 표시되는 정보의 계층이 변할 수가 있다. 예를들어, 1 단계는 자동자 외관, 2 단계는 자동차의 외부를 제거한 차량 부품 모습, 3 단계는 부품의 내부 모습등으로 변할 수가 있다. 즉, 단계의 변화에 따라 겉모습에서 속 모습으로 디스플레이에 표시되는 정보를 달리할 수가 있다. 5) 단계가 변함에 따라 별도의 저장 장치나 저장 위치에 저장된 정보가 디스플레이에 표시될 수 있다. 6) 단계가 변함에 따라 다른 인터넷 사이트와 연결될 수가 있다. 7) 전체 화면에서 단계의 조작 명령을 실행할 수 있는 선택 영역이 별도로 존재할 경우, 단계가 증가함에 따라 상기 선택 영역의 크기도 더 커진다, 물론 표시되는 디스플레이의 정보에 다라 상기 선택 영역의 크기가 줄어 들 수도 있고 그대로 일수도 있다. 도 18은 가이드 선에 의한 조작 명령을 수행하는 순서도이다. 단계를 나타내는 조작명령을 수행할 때, 화면에 가이드 선(50)(51)이 표시되고, 상기 가이드 선(50)(51)에 눈금에 표시되어, 눈금을 보고 단계의 조작 명령을 수행하도록 하므로서 더 정확하게 제어 명령을 수행할 수 있으며, 도 18은 이에 대한 실시예이다. 프로그램 실행후, 단말기의 사용자는 화면 변환 명령을 입력한 다음,(S164) 입력장치를 통해 단계의 조작 명령을 수행하게 된다.(S166) 그리고, 화면 변환 명령(도 6에서 "30a" 예)이, 본 발명의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 일정 시간 크릭하는 동작, 특별한 이동 동작, 화면에 별도 메뉴표시, 혹은 특정한 버튼 키보드나 버튼키, 음성 명령, 진동 명령 등 다양한 명령을 통해 화면 변환 명령이 이루어 질 수 있음은 당연하다. 그런 다음 입력장치를 통하여 단계의 조작 명령을 수행하게 된다.(S166) 만일 단계의 조작 명령 제어 기능을 단말기 자체에서 수행하게 된다면, 단말기 중앙처리장치는 디스플레이 화면에, 단계가 표시된 가이드선(50)(51)을 표시한다. 물론 서버가 가이드선 표시정보를 단말기에 전송하고 단말기 중앙처리장치는 전송받은 정보를 디스플레이에 표시할 수가 있다. 상기 가이드 선의 디자인이나 표시 정보는 단말기 메모리부 혹 서버의 데이터 베이스에 저장된다. 이때, 상기 가이드 선이 디스플레이 화면에 표시되는 형태가 본 발명의 실시예에서 제시된 가이드선(50)(51)의 모양에 한정되는 것은 아니다. 단계와 단계에 대응되는 정보의 요약이 표시될 수 있다면 본 발명의 실시예에 적용할 수가 있다. 한편, 상기 실행을 단말기의 CPU가 제어하지 않고, 서버와 연결되어 서버의 제어부가 단말기의 디스플레이에 표시되는 내용을 제어하게 된다면, 입력장치에서 수행된 명령은 서버에 전송되고, 서버는 단말기의 디스플레이에 표시될 정보 데이터를 단말기에 전송하게 된다.(S168 - S174) 그리고, 디스플레이에 표시되는 가이드 선과 표시 박스는 표시되게 된다. 아울러, 선택된 단계가 다른 인터넷 사이트와 연결되는 것이 아니라면, 디스플레이에는 단계의 조작 명령에 대응되는 정보가 표시된다.(S176 - S178) 그러나, 조작 명령후 선택된 단계가 다른 인터넷 사이트와 연결되는 것이라면, 디스플레이에는 연결된 인터넷 사이트의 정보가 표시되게 된다. 그리고 연결된 사이트에서 다양한 기능이 수행되게 된다.(S180 - S182) 연결된 인터넷 사이트에서 다양한 기능 수행이라고 함은, 실제 인터넷에서 할 수 있는 모든 기능을 의미한다. 예를들면 상품을 선택하고 결재하기 위해 통상의 결재 시스템과도 연결 될 수가 있는 것이다. 그리고, 종료 명령에 의해 기능이 종료 될 수가 있다.(184) - 실시예 6 - 도 19는 단계적 입력 방법에 대한 또 다른 실시예의 도면이다. (A)도는 디스플레이(30) 화면에 눈금(50a)(50b)(50c)(50d)(50e)이 표시된 가이드 선(50)(51)이 나타날 수 있음을 보이는 실시예이다. 그리고 디스플레이(30)에 표시된 눈금 사이의 간격의 거리 "L"(디스플레이에 실제로 표시되는 거리)이 단계의 조작 명령 수행시 이동하는 거리와 실제로 동일할 수가 있다. 예를 들면, 상기 거리 "L"이 10mm 이면, 단계의 조작 명령에서 1 단계의 거리가 10mm 가 된다는 것이다. 따라서, 단계의 조작 명령을 실시하는 사용자는 디스플레이에 표시되는 가이드선(50)(51)의 눈금의 실제 크기 만큼 선택된 점을 이동(입력장치를 통하여 이동함)하므로서, 원하는 단계의 정보를 디스플레이에 표시할 수가 있다. 입력장치 구동부를 통하여, 선택된 점이 눈금의 크기 만큼 이동되었다는 위치 신호가 출력되면, 단말기의 중앙처리장치나 서버의 제어부는 출력된 위치에 대응되는 정보를 선택하여 디스플레이에 표시한다, 또한, (B)도는 단계(50a)(50b)(50c)(50d)(50e)를 디스플레이(30)에 표시하는 형태가 다를 수 있음을 보이는 것이다. 단계를 구별할 수 있은 형상이나 모양이면 본 발명의 실시예에 적용이 가능하다. 이때, 단계의 조작 명령을 수행함에 있어서, 입력장치를 통해 단계에 해당되는 거리를 이동하므로서 가능할 수도 있지만, 디스플레이에 표시된 단계 중에서 원하는 단계를 선택하므로서 단계의 조작 명령을 수행할 수 있다. 즉, (B)에서 현재 상태가 1 단계(50a)이고, 5단계의 정보를 화면에 표시되도록 하고자 할 때에는 5 단계(50e)에 해당되는 표시바(bar)(55)를 선택하면 된다. 한편, (C)도는 다른 모양의 형태로 단계를 나타내는 실시예이다. 각 단계(50a)(50b)(50c)(50d)(50e)가 박스(Box) 형태로 되어 있다. 그러므로, 단계를 나타내는 형상은 반드시 본 발명의 실시예의 형상에 한정된 것은 아니다. 다양한 모양으로 단계를 표시할 수 있음은 당연하다, - 실시예 7 - 도 20내지 도 28은 선택 영역의 크기가 변하는 실시예의 도면이다. 도면에서처럼 선택 영역(32)은 디스플레이(30) 화면에서 일부만 차지하는 것을 전제로 한다. 입력장치를 통하여 상기 선택 영역(32)이 선택된 다음 단계의 조작 명령이 실행되면, 선택 영역(32)은 조작 명령에 의해 크기가 변화된다. + 방향으로 이동되면 크기가 커지고 정보의 내용도 많아지며, - 방향으로 이동되면 크기가 작아지고 정보의 내용도 적어진다. 도 21은 도 20에서 보여주는 정보의 단계를 나타낸 실시예의 도면이다. 도 21에서는 편의상 3 단계로 나타내었지만, 더 세분화된 단계로 나눌 수 있음은 당연하다. 도면에서처럼, 선택 영역(32)의 크기와 단계가 있고, 선택 영역의 크기와 단계에 맞는 정보가 디스플레이에 표시되는 것이다. 이때, 도 20과 도 21은 선택 영역(32)이 상하로 만 크기가 변하게 된다. 그러나 좌우로도 크기가 변할 수 있음은 당연하다. 도 22와 도 23은 선택 영역(32)의 크기가 상하 좌우로 모두 변하는 실시예를 나타내는 도면이다. 도면에서처럼 선택 영역(32)을 선택한 후에 크기를 변화시키는 단계의 조작 명령을 실행하면, 선택 영역(32)은 크기가 바뀐 새로운 선택 영역(32a)으로 바뀐다. 그리고 선택 영역의 크기는 단계적으로 바뀌게 된다, 도 23은 편의상 3 단계의 크기가 있음을 실시예로 나타내었지만, 크기는 더 세분화 될 수 있다. 그리고 각각의 선택 영역의 크기에 맞는 정보가 디스플레이에 표시된다. 또한 도 23은 단계에 따라서는 덱스트 정보와 이미지 정보가 함께 표시될 수도 있음을 보인다, 도 24는 정보가 저장되는 실시예의 도면이다, 즉 크기의 단계가 N 단계로 나누어져 있으면, 각각의 크기에 맞는 정보도 저장되어 있다, 이때, 각각의 타입은 각각의 단계이며, 해당되는 단계가 선택되면 그에 맞는 정보가 디스플레이이 표시된다. 그리고, 상기 정보는 단말기의 메모리부(21) 혹은 서버의 데이터베이스(104)에 저장된다, 물론 별로 저장 장치나 별도 서버에 저장될 수도 있다. 그리고, 표시되는 정보가 반드시 텍스트 파일만 존재하는 것이 아니라, 이미지 파일(32c) 혹은 동영상 파일도 존재할 수 있으며. 해당 영역을 크릭하게 되면 또 다른 사이트와 연결되는 링크 정보(31d)도 표시될 수 있음은 당연하다. 도 25는 또 다른 실시예를 나타낸 도면이다. 도 (A)는 각각의 단계에 따라 선택 영역(32)(32a)의 크기가 변하고, 그에따라 선택 영역(32)(32a)에 표시되는 정보도 변하게 된다. 또한, 도 (B)와 (C)는 선택 영역의 크기에 의하여 단계가 선택되는 방법을 나타낸 실시예이 도면이다. 즉, 단계의 조작 명령으로 선택 영역의 크기를 조절할 때, 도(B)에서처럼 선택 영역의 크기가 2 단계와 같지는 않지만 2 단계에 가깝다면, 상기 선택 영역(32a')에는 2 단계의 정보가 표시되는 것이다. 또한, 도(C)에서처럼 선택 영역의 크기가 3 단계와 같지는 않지만 3 단계와 같다면, 상기 선택 영역(32a')에는 3 단계의 정보가 표시된다. 도 26과 도 27은 순서도를 나타낸 도면이다. 프로그램을 실행하고 화면을 표시한다.(S 190 - S 912) 그리고 단계의 조작 명령 실행이 가능하지 않다면, 단계의 조작 명령이 실행이 가능하도록 하여야 한다.(S194-S196) 단계적 조작 명령 실행이 가능한 상태가 되면 화면에서 선택 영역(32)을 선택한 후 입력장치(28)를 통해 단계의 조작 명령을 실행하게 되면, 디스플레이 화면에는 크기가 변화된 선택 영역(32a)(32a')과 그에 맞는 정보가 표시되게 된다,.(S198-S200) 그리고, 종료 명령에 의해 수행이 종료될 수가 있다,(202) 도 27은 단계적 조작 명령이 원활히 수행되도록 하는 실시예의 도면이다. 프로그램 수행 혹은 화면 표시 시작 후에, 선택 대상(32)을 선택 후 크기가 변하는 조작 명령을 수행하게 된다.(S210 - S 212) 그리고, 타입이 1부터 N까지라고 가정할 수 있고, 선택 대상(32)은 1부터 N까지 각각의 타입에 맞는 크기가 정해지게 된다.(214) 이러한 크기 저장은 메모리부(21) 혹은 데이터 베이스(104)에 저장된다. 그리고 단계적 조작 명령자가 각각의 타입에 맞는 정해진 크기로 정확히 선택 대상(32)의 크기를 조절할 수도 있지만, 현실적으로는 그렇지 못할 경우가 더 많게 된다. 이때, 조작 명령자가 조절한 크기가 N+a 가 될 수가 있다. 이때 N+a 값은 타입 N과 타입 N+1 사이의 크기이다. 이때, 단계적 조작 명령자가 수행한 선택 대상(32a)의 최종 크기 N+a 의 크기가 N+1 타입에 가까우면, 선택 대상(32a)의 크기는 N+1 타입의 크기로 디스플레이에 표시되고 정보도 N+1 타입 정보가 표기된다. (S216, S220) 그러나, 이때, 단계적 조작 명령자가 수행한 선택 대상(32a)의 최종 크기 N+a 의 크기가 N 타입에 가까우면, 선택 대상(32a)의 크기는 N 타입의 크기로 디스플레이에 표시되고 정보도 N 타입 정보가 표기된다. (S216 - S218) 한편, 선택 대상의 크기가 단계적이 아닐 경우(도 25의 실시예 설명 참조)에는 조작자의 단계적 조작 명령의 결과에 의한 크기로 선택 대상(32a)(32a')이 디스플레이(30)에 표시되된다, 그러나. 선택 대상의 크기가 단계적이라면 S218과와 S220에 의해 표시된 크기로 선택 대상(32a)이 디스플레이(30)에 표시된다.그리고, 종료 명령에 의해 종료가 된다. 아울러, 도 27의 수행은 도 26의 수행처럼 단말기(110))혹은 서버(100)가 수행됨은 당연하다. 도 28은 또 다른 실시예의 도면으로, 단계의 조작 명령 수행이 가능한 선택 영역(32)이 디스플레이 내에 2개 이상 복수개가 표시될 수 있음을 보이는 도면이다. 그리고, 그중에서 하나의 선택 영역(32)을 선택하여 단계적 조작 명령을 수행할 수가 있는 것이다. - 실시예 8 - 도 29와 도 31은 정보의 내용과 크기가 다양하게 변하는 실시예의 도면이다. 선택 영역(32)을 대상으로 단계의 조작 명령을 수행하게 될 때, 선택 영역의 크기가 단계에 비례하여 커지지 않고, 상기 선택 영역에 표시되는 데이터의 크기나 종류에 따라 선택 영역의 크기가 정해질 수가 있다. 또한, 도 30의 예에서처럼, 표시될 정보가 이미지일 경우, 단계적 조작 명령에 의해 변화된 선택 영역(32)의 크기에 맞게 정보가 표시될 수가 있다. 도 31은 선택 영역의 크기가 변화는 단계적 조작 명령과 크기가 변화지 않는 단계적 조작 명령이 함께 수행되는 실시예의 도면이다. - 실시예 9 - 도 32 내지 도 34는 전체화면에서 선택 영역이 2개 이상 존재할 경우의 실시예의 도면이다. 즉, 디스플레이 화면에서 단계의 조작 명령 실행이 가능한 영역이 복수개 존재할 수도 있다는 것이다. 도32는 디지털 교과서의 일반적인 목차를 표시한 실시예의 도면이다. 디스플레이 상단에는 메뉴 선택 바(30a)가 표시된다. 그리고, 항목 I부터 항목 VII 까지의 목차가 모두 단계의 조작 명령 실행이 가능하다. 따라서, 상기 목차중에서 하나를 선택하여 단계의 조작 명령을 실행하면, 실행 결과에 맞는 정보가 디스플레이 화면에 표시된다. 도 33은 목차중에서 하나를 선택하여, 선택된 목차가 활성화 된 것이다. 본 발명에서 활성화된다는 것은 고려의 성립과 발전의 목차가 선택되면, 글자의 색이 바뀌거나 깜빡이거나 하여 다른 글자와 구별되도록 디스플레이에 표시된다는 것이다. 이러한 과정은 입력장치를 통하여 정보가 입력되면 중앙처리장치는 정해진 알고리즘에 의하여, 선택된 글자를 다르게 표시하는 것이다. 그리고 목차를 선택한 다음에, 본 발명의 실시예에서처럼 + 방향으로 1 단계 이동하게 되면, 고려의 성립과 발전과 관련되어 1 단계로 확대된 정보가 표시창(40)에 표시된다. 즉, 도 12에서처럼, 정보의 단계가 3 단계로 되어 있다면, 고려의 성립과 발전을 선택하여 + 방향으로 3 단계 만큼 이동하게 되면, 표시창(40)에는 3 단계의 정보가 표시된다. 그리고, 표시창(40)에 1 단계의 정보가 표시된 상태에서 + 방향으로 2 단계 이동하면, 3 단계의 정보가 표시된다, 3 단계에서 - 2 단계 이동하면 1 단계 정보가 표시된다. 마찬가지로, 다른 목차 예를들면 "통일신라와 발해" 를 선택하여도 동일한 방법으로 다른 단계 표시가 가능하게 된다. 한편, 도 33의 실시예에서 표시창(40) 상단에 표시된 "x" 마크(40e)를 선택하므로서 표시창을 바로 닫을 수가 있다. 즉 표시창에 어떠한 단계의 정보가 표시되어도 상기 "x" 마크(40e)를 선택하게 되면 표시창은 닫히거다 최초의 표시 단계(1 단계 혹은 0 단계)로 전환되게 된다. 도 34는 단계의 조작 명령도 계층 구조가 가능함을 보이는 실시예의 도면이다. 도 34에서처럼, "고려 성립과 발전" 의 목차가 선택되고, + 방향으로 1 단계 이동하면, 표시창(40)에는 "고려 성립과 발전"과 연결된 1 단계(40)의 정보가 표시된다. 그리고, 상기 1 단계에서 표시된 정보의 리스트 중에서 또 다시 하나(예를 들어 "고려 문화의 특징")를 선택하여 일정 시간 유지하면, 도 34에서처럼 "고려 문화의 특징"만 활성화 되고, 상기 활성화된 "고려 문화의 특징"에 대해 단계의 조작 명령을 수행하면 "고려문화의 특징"과 관련된 단계의 정보가 추가 표시창(40a)에 표시된다. 그리고, 추가 표시창(40a)에 표시된 리스트중에서 하나를 선택하면, 선택된 페이지가 디스플레이에 표시되게 된다. 도 35는 단계의 조작 명령에 의하여 변화되는 또 다를 실시예의 도면이다. 디스플레이(30)에 표시되는 화면 내에 선택 영역(35)이 존재하고 상기 선택 영역을 대상으로 하여 + 이동하면, 추가 정보(35a)가 열로 나타난다. 그리고, 상기 추가 정보(35a) 중에서 하나를 선택하여 단계적 제어명령을 실시하여 + 이동하면, 또 다른 추가 정보(35b)가 열로 나타난다. 또한 - 이동하면 원 상태로 된다. 아울러, + 이동 거리에 비례하여 추가 정보(35a)(혹은 또 다른 추가 정보(35b))가 더 많이 나타난다. 도 36는 본 발명의 단계의 조작 명령에 따른 실시예의 흐름도이다. 단말기(110)를 시작하고 입력장치를 통한 단계의 조작 명령 제어가 가능한 프로그램을 실행한다.(S300 - S305) 본 발명의 단말기 사용자가 입력장치(28)를 통하여 특정한 두개의 점(혹은 한 개 일수도 있고 두 개 이상일 수도 있다.)을 선택하게 되면, 입력장치 구동부(27)는 선택된 점의 위치를 출력하고, 중앙처리장치(20)는 선택된 점의 위치를 인식한다.(S 310) 디스플레이(30) 상단에서 정보를 입력할 수 있는 입력장치(28)를 통하여 선택된 점이 이동하면, 입력장치 구동부(27)는 이동된 점의 위치를 출력하게 된다. 그리고, 중앙처리장치(20)는 점의 변화 거리를 인식하고 점이 이동한 단계를 판단하며, 결과적으로 제어 명령의 단계를 판단한다.(S 315 - S320) 한편, 310 단계에서 320 단계(S320)까지를 단말기가 서버와 연결된 상태에서 실행하게 되면, 실행 과정을 아래와 같이 구분할 수가 있다. 첫째, 입력장치 구동부(27)에서 출력한 점의 위치와 이동 정보를 단말기 중앙처리장치는 서버에 전송하고, 서버의 제어부(101)가 제어 명령의 단계를 판단한다. 둘째, 입력장치 구동부(27)에서 출력한 점의 위치와 이동 정보를 단말기 중앙처리장치(20)가 인식하고, 단말기 중앙처리장치(20)가 제어 명령의 단계를 판단하고, 판단된 제어 명령의 단계를 중앙처리장치는 서버에 전송한다. 단말기와 서버의 데이터 송수신은 서버의 인터페이스부(102)와 단말기의 R/F(24)가 통신망을 이용하여 수행하게 된다. 상기의 과정이 수행된 다음, 중앙처리장치(20)는 현재 디스플레이(30)에 표시된 정보의 단계에서 조작 명령후 이동한 단계를 더하거나 빼서, 새로운 최종 단계를 정하게 된다. 그리고 새로운 최종 단계와 연결된 정보를 디스플레이에 표시하게 된다. 즉, 중앙처리장치(20)는 새롭게 선택된 정보 표시를 위한 디스플레이 구동 신호를 출력하고, 새롭게 선택된 정보는 디스플레이(30)에 표시된다.(S 325 - S 335) 예를들어, 현재 디스플레이에 표시된 정보의 단계가 1 단계이고, 제어 명령이 + 2 단계 이루어졌으면, 최종적으로 선택된 단계는 3 단계가 되고, 3 단계 정보가 디스플레이 화면에 표시된다. 또한, 현재 디스플레이에 표시된 정보의 단계가 4 단계이고, 제어 명령의 단계가 - 2 단계 이루어졌으면, 최종적으로 선택된 단계는 2 단계가 되고 2 단계 정보가 디스플레이 화면에 표시되게 된다. 그리고, 상기와 과정도 단말기와 서버의 연결에 따라 다음 과정으로 구분된다. 첫째, 단말기와 서버가 연결되지 않은 상태에서는 중앙처리장치(20)가 최종 단계를 판단하고, 최종 단계와 연결된 정보를 메모리부(21)에서 선택하여, 선택된 정보를 디스플레이에 표시한다. 둘째, 단말기와 서버가 연결된 경우에는, 서버의 제어부(10)가 최종 단계에 맞는 정보를 서버의 데이터 베이스(104)에서 선택하고, 선택된 정보를 단말기로 전송하면, 단말기의 중앙처리장치는 서버로부터 전송 받은 정보를 디스플레이에 표시한다. 이러한 과정은 중앙처리장치가 메모리부에 저장된 정보를 선택하여 수행된다. 그리고, 이러한 수행이 가능한 알고리즘도 메모리부에 저장된다. 이를 위해 각각의 단계에 해당되는 정보는 메모리부(21)에 저장 된다. 또한, 서버의 제어부가 상기 과정을 수행할 경우에는 각각의 단계에 해당되는 정보는 서버의 데이터 베이스(104)에 저장되고 수행 알고리즘도 데이터 베이스에 저장된다. 도 37은 서버가 각각의 단계와 연결된 정보를 전송하여 주는 실시예의 순서도이다. 단말기를 시작하고 프로그램 실행하여 서버에 접속하게 되면, 서버(100)의 제어부(101)는 단말기(110)의 디스플레이(30)에 표시될 정보를 데이터 베이스(104)에서 선택하고, 유무선 통신만(혹은 인터넷)을 통하여 단말기에 전송한다. 그리고, 단말기의 중앙처리장치(20)는 전송 받은 정보로 디스플레이 구동 신호를 출력하면, 결과적으로 디스플레이(30)는 서버에서 전송 받은 정보를 표시하게 된다.(S 250 - S 265) 이때, 디스플레이에 표시된 화면 전체를 대상으로 단계의 제어 명령을 실행할 수 있는가를 판단한다. 또한, 디스플레이 화면에서 선택 영역이 존재하여 상기 선택 영역이 단계의 제어 명령을 실행할 수 있는가를 판단한다. 즉, 디스플레이 화면에서 단계의 제어 명령이 실행 가능하면 표시되면, 서버는 상기 디스플레이 화면과 연결된 다른 정보를 단말기에 전송한다. (S270- S275) 즉, 도 24의 예에서 볼 때, 현재 디스플레이에 타입 1(1단계)의 정보가 표시된다면, 서버는 타입 2부터 타입 N까지의 정보를 단말기에 전송하여 준다는 것이다. 서버가 단말기의 디스플레이에 표시하기 위해 전송한 디스플레이 화면이 단계의 조작 명령이 가능하다면, 서버는 상기 화면 정보와 연결된 다른 단계의 정보도 단말기에 전송하여 주게 된다, 단말기의 중앙처리장치(20)는 전송 받은 정보를 메모리부(21)에 저장하고, 입력장치(28)를 통한 단계의 조작 명령이 수행되면, 본 발명의 실시예에 따라 최종 단계를 판단하고, 최종 단계와 연결된 정보를 선택한 다음, 선택된 정보를 디스플레이에 표시하게 된다. (S 180) 한편, 프로그램 종료가 되고 및 종료 스위치가 작동되면 단말기의 수행은 종료된다.(S 285 - S 290) [ 부호의 설명 ] 100 : 서버 110 : 단말기 101 : 서버제어부 20 : 단말기 중앙처리장치(제어부) 30 : 디스플레이 30a : 화면전환 명령 31,32 : 분할된 화면 50, 51 : 가이드 선 50a-1, 50b-1, (50c-1, 50d-1, 50e-1 : 단계 51a-1, 51b-1, 51c-1, 51d-1, 51e-1 : 단계
본 발명은 디스플레이와 중앙처리장치 및 입력장치가 구비된 단밀기에서, 상기 디스플레이 위에서 단계를 구별하는 단계의 조작 명령이 입력되면, 입력장치는 단계의 조작 명령을 출력하고, 상기 중앙처리장치는 단계의 조작 명령의 단계를 인식하고, 상기 단계에 맞는 정보를 디스플레이에 출력하므로서, 화면 전환 명령을 여러차례 하지 않고도 현재의 화면에 표시된 정보와 연관된 정보를 디스플레이 화면에 효과적으로 표시할 수 있게 한다.
[ 발명의 명칭 ] 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물 및 수지 밀봉 반도체 장치LIQUID EPOXY RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR SEALING AND RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE [ 기술분야 ] 본 발명은 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이 수지 조성물의 경화물로 밀봉된 반도체 장치 그리고 수지 밀봉형 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 최근, 반도체 장치는 눈부신 기술 혁신을 맞이하고 있다.스마트폰, 태블릿 등 휴대 정보, 통신 단말은 대용량의 정보를 고속으로 처리할 수 있도록 TSV(스루-실리콘-비아) 기술을 사용하여 반도체 소자를 다층 접속하고, 8인치 내지 12인치의 실리콘 인터포저에 플립칩 접속한 후, 열경화 수지에 의해 다층 접속된 반도체 소자가 복수개 탑재된 인터포저째로 밀봉한다. 반도체 소자 상의 불필요한 경화 수지를 연마한 후 개편화(個片化)하고, 박형으로 소형, 다기능 또한 고속 처리 가능한 반도체 장치를 얻을 수 있다.8인치 정도의 소직경 웨이퍼 등의 기판을 사용한 경우는 현상황에서도 큰 문제 없이 밀봉 성형할 수 있지만, 12인치 이상의 직경에서는 밀봉 후 에폭시 수지 등의 수축 응력이 크기 때문에 반도체 소자가 금속 등의 기판으로부터 박리된다는 문제가 발생하여 양산화할 수 없다. 웨이퍼나 금속 기판의 대구경화에 따른 상기와 같은 문제를 해결하기 위해서는 필러를 90질량% 이상 충전하는 것이나, 수지의 저탄성화로 경화시의 수축 응력을 작게 하는 것이 필요했다.그러나 실리콘 인터포저 상에 열경화 수지를 전체면 밀봉한 경우, 실리콘과 열경화성 수지의 열팽창 계수의 차이로부터 큰 휨이 발생한다. 휨이 크면 그 후의 연마 공정이나 개편화 공정에 적용할 수 없어 큰 기술 과제가 되고 있다.또한 최근에는 반도체 소자의 적층화에 따라 밀봉층이 두꺼워지기 때문에, 밀봉한 수지층을 연마하여 박형으로 하는 반도체 장치가 주류가 되고 있다. 밀봉한 수지층을 연마할 때, 필러를 90질량% 이상 충전하는 밀봉재를 사용하면, 다이싱 장치의 블레이드가 손상되기 쉬워 교환 빈도가 높아 고비용의 원인이 되고 있다. 또 폴리싱 압력을 높게 하여 연마해야 하므로 반도체 소자가 손상되거나, 웨이퍼 자체가 깨지거나 해버리는 문제가 생기고 있다. 한편, 종래의 실리콘 화합물로 대표되는 저탄성 수지의 재료에서는 수지가 부드럽기 때문에 연마시에 수지 막힘이 발생하거나 수지 크랙이 생기거나 하는 문제가 발생하고 있다.또한, 본 발명에 관련된 배경기술로서는 하기의 것을 들 수 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특개 2008-266512호 공보국제 공개 제2009/142065호일본 특개 2012-149111호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 유동성이 우수하고, 경화했을 때의 휨이 저감함과 아울러, 신뢰성이 높은 경화물을 부여하는 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물, 그 경화물로 밀봉된 반도체 장치 및 수지 밀봉형 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해서 예의 검토를 거듭한 결과, 특정의 필러 표면 처리재를 사용하여 표면 처리를 행한 구상 무기질 충전재를 사용한 액상 에폭시 수지 조성물은 반도체 장치를 밀봉한 경우에 내수성, 연마성이 양호하며, 대형 웨이퍼를 사용하여 밀봉해도 유동성이 우수하며, 휨이 저감되고, 항상 범용성이 높은 것을 알아내어 본 발명을 이루기에 이르렀다.따라서, 본 발명은 하기한 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물, 반도체 장치 및 수지 밀봉형 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.〔1〕(A) 분자 중에 실록세인 결합을 포함하지 않는 액상 에폭시 수지,(B) 산무수물계 경화제,(C) 무기질 충전재로서 레이저 회절법으로 측정한 평균 입경 0.1~10μm의 구상 무기질 충전재이며, 그 표면이 하기 식(1)으로 표시되는 (메타)아크릴 관능성 실레인 커플링제에 의해, (C)성분의 구상 무기질 충전재 100질량부에 대하여 0.5~2.0질량부의 비율로 표면 처리된 표면 처리 구상 무기질 충전재: (A), (B)성분의 합계 100질량부에 대하여 600~1,000질량부,[식 중, a는 0~3의 정수, R1은 탄소수 1~4의 1가 포화 탄화수소기, R2는 탄소수 1~10의 2가 포화 탄화수소기, R3은 단결합 또는 탄소수 1~10의 2가 포화 탄화수소기, R4는 수소 원자 또는 메틸기, A는 단결합 또는 하기 식(식 중, R5는 탄소수 1~4의 1가 포화 탄화수소기, B는 O 또는 S이다.)(식 중, R6은 탄소수 1~4의 1가 포화 탄화수소기이다.)으로 표시되는 어느 하나의 기이다.](D) 경화 촉진제를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물.〔2〕(A)성분이 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지 및 하기 식으로 표시되는 에폭시 수지로부터 선택되는 1종 이상인 〔1〕에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물.〔3〕(B)성분이 하기 식으로 표시되는 산무수물로부터 선택되는 1종 이상인 〔1〕 또는 〔2〕에 기재된 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물.(식 중, Me는 메틸기를 나타내고, i-Pr는 아이소프로필기를 나타낸다.)〔4〕하기 평균 조성식(2)(식 중, R7은 수소 원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기, R8은 탄소수 1~4의 알킬기, Q는 탄소수 3~6의 알킬렌기, 옥시알킬렌기 또는 하이드록시옥시알킬렌기이며, r은 4~199의 정수, p는 1~10의 정수, q는 1~10의 정수이다.)으로 표시되는 실리콘 변성 에폭시 수지를 (A)성분 100질량부에 대하여 1~50질량부 배합하여 이루어지는 〔1〕~〔3〕 중 어느 하나에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물.〔5〕(D)성분이 인계 화합물, 제3급 아민 화합물, 이미다졸 화합물로부터 선택되는 1 이상이며, 그 양이 (A) 및 (B)성분의 합계 100질량부에 대하여 0.1~15질량부인 〔1〕 내지 〔4〕 중 어느 하나에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물.〔6〕(D)성분이 트라이페닐포스핀, 트라이뷰틸포스핀, 트라이(p-메틸페닐)포스핀, 트라이(노닐페닐)포스핀, 트라이페닐포스핀·트라이페닐보레인, 테트라페닐포스핀·테트라페닐보레이트, 트라이에틸아민, 벤질다이메틸아민, α-메틸벤질다이메틸아민, 1,8-다이아자비사이클로[5.4.0]운데센-7,2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸로부터 선택되는 1 이상인 〔5〕에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물.〔7〕JIS K 7117-1에 기재된 방법으로 측정한 25℃에 있어서의 점도가 5~1000Pa·s인 〔1〕 내지 〔6〕 중 어느 하나에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물.〔8〕〔1〕 내지 〔7〕 중 어느 하나에 기재된 액상 에폭시 수지 조성물의 경화물로 밀봉된 반도체 장치.〔9〕수지 밀봉형 반도체 장치의 제조 방법으로서, 1개 이상의 반도체 소자를 형성한 실리콘 웨이퍼 또는 기판 전체를 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 경화물로 일괄 밀봉할 때에, 1개 이상의 반도체 소자를 형성한 실리콘 웨이퍼 또는 기판의 편면에 〔1〕 내지 〔7〕 중 어느 하나에 기재된 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물을 압압하에 피복하거나 또는 진공 분위기하에서 감압 피복하고, 이 수지 조성물을 가열 경화하여 반도체 소자를 밀봉하고, 그 후 경화 수지층을 연마 가공, 다이싱함으로써 개편화하는 것을 특징으로 하는 수지 밀봉형 반도체 장치의 제조 방법.〔10〕직경 12인치 이상 20인치 이하의 실리콘 웨이퍼를 사용하는 것을 특징으로 하는 〔9〕에 기재된 수지 밀봉형 반도체 장치의 제조 방법. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물에 의하면, 1개 이상의 반도체 소자를 접착제(다이본드제)로 무기 기판, 금속 기판 또는 유기 기판 상에 탑재한 반도체 소자 어레이나, 반도체 소자를 형성한 대직경의 실리콘 웨이퍼를 밀봉해도 가열 경화 후에 냉각했을 때의 휨의 발생이 거의 없고, 또한 내열성, 내습성이 우수한 반도체 장치를 부여할 수 있고, 또한 웨이퍼 레벨에서 일괄 밀봉이 가능하고 또한 용이하게 밀봉 수지를 연마, 다이싱할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 유리 전이 온도 이하 및 이상의 선팽창 계수를 구하는 방법을 나타내는 설명도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명한다.본 발명 조성물에 사용되는 (A) 액상 에폭시 수지로서는 실온에서 액상이면 어느 에폭시 수지도 사용할 수 있고, 예를 들면 비스페놀 A형 에폭시 수지 및 비스페놀 F형 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지; 페놀 노볼락형 에폭시 수지 및 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지; 나프탈렌형 에폭시 수지; 바이페닐형 에폭시 수지; 사이클로펜타다이엔형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지 등 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.상기 액상 에폭시 수지 중 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지 및 나프탈렌형 에폭시 수지가 특히 바람직하고, 그들의 JIS K 7117-1에 기재된 방법으로 측정한 점도(25℃)는 바람직하게는 0.1~500Pa·s, 보다 바람직하게는 1~200Pa·s이다.또, 하기 식으로 표시되는 에폭시 수지도 바람직하게 사용된다.또한, 상기 식을 가지는 에폭시 수지를 사용하는 경우에는, 그 함유량이 (A)성분 전체의 25~100질량%, 보다 바람직하게는 50~100질량%, 더욱 바람직하게는 75~100질량%인 것이 권장된다. 25질량% 미만이면 조성물의 점도가 상승하거나, 경화물의 내열성이 저하하거나 할 우려가 있다.(A)성분의 액상 에폭시 수지는 가수분해성 염소가 1000ppm 이하, 특히 500ppm 이하이며, 나트륨 및 칼륨이 각각 10ppm 이하인 것이 바람직하다. 가수분해성 염소가 1000ppm을 넘거나 나트륨 또는 칼륨이 10ppm을 넘는 경우에는, 반도체 장치를 고온고습하에 장시간 방치하면 내습성이 열화하는 경우가 있다.본 발명에 사용하는 (B) 경화제는 산무수물계의 것으로, (A)성분을 경화할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 실온에서 액상이거나, (A)성분에 용해하여 액상이 되는 것이다. 예를 들면 3,4-다이메틸-6-(2-메틸-1-프로페닐)-1,2,3,6-테트라하이드로 무수 프탈산, 1-아이소프로필-4-메틸-바이사이클로[2.2.2]옥토-5-엔-2,3-다이카복실산 무수물, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 무수 메틸하이믹산, 파이로멜리트산 2무수물, 말레인화 알로오시멘, 벤조페논테트라카복실산 2무수물, 3,3',4,4'-바이페닐테트라비스벤조페논테트라카복실산 2무수물, (3,4-다이카복시페닐)에터 2무수물, 비스(3,4-다이카복시페닐)메테인 2무수물, 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)프로페인 2무수물 등을 들 수 있고, 이들을 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 사용할 수 있다.신뢰성을 향상시키는 점에서, 하기 식으로 표시되는 산무수물 또는 이들의 2 이상의 혼합물이 바람직하게 사용된다. 하기 식에 있어서, Me는 메틸기, Pr은 프로필기를 나타낸다.상기 바람직한 산무수물 중 3,4-다이메틸-6-(2-메틸-1-프로페닐)-1,2,3,6-테트라하이드로 무수 프탈산 및 1-아이소프로필-4-메틸-바이사이클로[2.2.2]옥토-5-엔-2,3-다이카복실산 무수물의 혼합물을 사용하는 경우에는, 상기 혼합물의 양이 (B)성분 전체의 5~75질량%인 것이 바람직하다. 5질량% 미만에서는 밀착성이 저하하고, PCT 등의 고온다습하에 있어서 열화하는 경우가 있다. 75질량%를 넘으면 밀착성은 향상하지만 열충격 시험 등의 시험에 있어서 크랙이 발생하는 경우가 있다.상기 혼합물의 시판예로서 예를 들면 재팬에폭시레진사제의 YH306, YH307(상품명) 및 신니혼리카 가부시키가이샤제의 MH700(상품명)을 들 수 있다.(B)성분이 상기 혼합물을 5~75질량% 포함하는 경우, 나머지 경화제로서는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 실온에서 액상이거나, (A)성분에 용해하여 액상이 되는 것이며, 예를 들면 상기에서 든 산무수물을 들 수 있다. 특히, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산 및 헥사하이드로 무수 프탈산으로부터 선택되는 1종 이상이 바람직하다. 또한, 다이사이안다이마이드나 아디프산 하이드라자이드, 아이소프탈산 하이드라자이드 등의 카복실산 하이드라자이드를 병용하는 것은 상관없다.(B)성분의 양은 (A)성분을 경화시키기에 유효한 양이며, (B)성분의 종류에 따라 상이하지만, 상기 서술한 산무수물을 (B)성분으로서 사용하는 경우에는, 에폭시 수지 중의 에폭시기에 대한 경화제 중의 산무수물기(-CO-O-CO-)로부터 유도되는 카복실산기의 당량비가 0.5~1.5의 범위가 되도록 선택하는 것이 적합하다. 상기 하한 미만에서는 미반응의 에폭시기가 잔존하고, 유리 전이 온도의 저하가 되고, 또 밀착성이 저하할 우려가 있다. 상기 상한값을 넘으면 경화물이 단단하고 부서지기 쉬워져, 리플로우시 또는 온도 사이클 시험시에 크랙이 발생할 우려가 있다.본 발명 조성물에 배합되는 (C) 구상 무기질 충전재로서는 에폭시 수지 조성물에 통상 배합되는 것을 사용할 수 있다. 예를 들면 용융 실리카, 결정성 실리카 등의 실리카류, 알루미나, 질화 규소, 질화 알루미늄, 보론나이트라이드, 산화 티탄, 유리 섬유 등을 들 수 있다.무기질 충전재의 평균 입경 및 형상은 레이저 회절법에 의해 측정한 평균 입경(누적 중량 평균값 또는 메디안 직경) 0.1~10μm, 바람직하게는 평균 입경 1~5μm의 구상이며, 이와 같은 평균 입경 및 형상을 가지는 용융 실리카가 특히 바람직하다.(C)성분의 양은 (A) 및 (B)성분의 합계 100질량부에 대하여 600~1,000질량부이며, 바람직하게는 700~900질량부이다. 상기 하한 미만에서는 성형 후의 휨이 커져, 충분한 강도를 얻을 수 없고, 상기 상한을 넘으면 유동성이 현저하게 나빠지고, 서브 마운트 상에 배열된 반도체 소자의 완전 밀봉이 불가능하게 된다.여기서, 무기질 충전재는 에폭시 수지와 무기질 충전재와의 상용성을 양호하게 하고, 또한 결합 강도를 강하게 하기 위해서, 하기 식(1)으로 나타내는 1종 또는 2종 이상의 실레인 커플링제로 미리 표면 처리한 것을 사용한다.(식 중, a는 0~3의 정수, R1은 탄소수 1~4의 1가 포화 탄화수소기, R2는 탄소수 1~10의 2가 포화 탄화수소기, R3은 단결합 또는 탄소수 1~10의 2가 포화 탄화수소기, R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. 또, A는 단결합 또는 하기 식(식 중, R5는 탄소수 1~4의 1가 포화 탄화수소기, B는 O 또는 S이다.)(식 중, R6은 탄소수 1~4의 1가 포화 탄화수소기이다.)으로 표시되는 어느 하나의 기이다.이 경우, a는 바람직하게는 0~3, 보다 바람직하게는 0~1이다. R1로서는 바람직하게는 메틸기, 에틸기이다.R2는 바람직하게는 탄소수 1~10, 특히 1~3의 알킬렌기이며, R3은 바람직하게는 단결합 또는 탄소수 1~10, 특히 1~2의 알킬렌기이다.A는 상기한 바와 같지만, R5는 메틸기, 에틸기가 바람직하고, 또 R6은 메틸기, 에틸기가 바람직하다.이와 같은 실레인 커플링제의 예로서는 3-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실레인(KBM503 : 신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제), 3-아크릴옥시프로필트라이메톡시실레인(KBM5103 : 신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제) 등을 들 수 있는 것 이외에 하기 식(식 중, R4는 상기와 같음. Me는 메틸기를 나타낸다.)으로 표시되는 것을 들 수 있는데, 이들에 한정되는 것은 아니다.표면 처리에 사용하는 실레인 커플링제의 표면 처리 방법에 대해서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 실레인 커플링제 처리량에 대해서는 반도체 밀봉용 열경화성 수지 조성물에 첨가하는 (C)성분의 구상 무기질 충전재 100질량부에 대하여 0.5~2.0질량부가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5~1.5질량부이다.또, 본 발명에 있어서, (D)성분인 경화 촉진제는 이하에 나타내는 것이 바람직하다. 트라이페닐포스핀, 트라이뷰틸포스핀, 트라이(p-메틸페닐)포스핀, 트라이(노닐페닐)포스핀, 트라이페닐포스핀·트라이페닐보레인, 테트라페닐포스핀·테트라페닐보레이트 등의 인계 화합물, 트라이에틸아민, 벤질다이메틸아민, α-메틸벤질다이메틸아민, 1,8-다이아자비사이클로[5.4.0]운데센-7 등의 제3급 아민 화합물, 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸 등의 이미다졸 화합물 등을 사용할 수 있다.경화 촉진제의 양은 에폭시 수지와 경화제와의 경화 반응을 촉진시키기 위해서 유효한 양이며, 바람직하게는 (A) 및 (B)성분의 합계 100질량부에 대하여 0.1~15질량부, 보다 바람직하게는 0.5~10질량부이다.본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물은 경화물의 응력을 저감할 목적에서, 공지의 실리콘 변성 에폭시 수지, 실리콘 고무, 실리콘 오일, 실리콘 젤, 액상의 폴리뷰타다이엔 고무, 메타크릴산 메틸-뷰타다이엔-스타이렌 등의 가요성 수지, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 양으로 배합할 수 있다.실리콘 변성 에폭시 수지로서는 하기 식(2)으로 표시되는 수지가 바람직하다.상기 식 중, R7은 수소 원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기, 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기이며, R8은 탄소수 1~4의 알킬기, 바람직하게는 메틸기이다. Q는 탄소수 3~6의 알킬렌기, 옥시알킬렌기 또는 하이드록시옥시알킬렌기이며, 예를 들면 -CH2CH2CH2-, -OCH2-CH(OH)-CH2-O-CH2CH2CH2- 또는 -O-CH2CH2CH2-이다. r은 4~199의 정수, 바람직하게는 19~130, 보다 바람직하게는 70~109의 정수이며, p는 1~10의 정수, q는 1~10의 정수, 바람직하게는 2~5의 정수이다.이 실리콘 변성 에폭시 수지를 배합하는 경우에는, (A) 에폭시 수지 100질량부에 대하여 1~50질량부의 배합량으로 할 수 있는데, 특히 다이오가노실록세인 단위가 1~20질량부, 특히 2~15질량부 포함되도록 배합하는 것이 바람직하고, 이것에 의해 경화물의 응력을 저하하고, 기판에 대한 밀착성도 향상시킬 수 있다. 여기서 다이오가노폴리실록세인량은 하기 식으로 구할 수 있다.폴리실록세인량=(폴리실록세인 부분의 분자량/실리콘 변성 에폭시 수지의 분자량)×첨가량본 발명의 밀봉 수지 조성물에는 또한 필요에 따라 이형제, 난연제, 이온 트랩제, 산화 방지제, 접착 부여제, 저응력제, 착색제 등 각종 첨가제를 배합할 수 있다.난연제로서는 특별히 제한되지 않고 공지의 것을 모두 사용할 수 있다. 그 중에서도 포스파젠 화합물, 실리콘 화합물, 몰리브덴산 아연 담지 탈크, 몰리브덴산 아연 담지 산화 아연, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 산화 몰리브덴이 바람직하게 사용된다.이온 트랩제로서는 특별히 제한되지 않고, 공지의 것을 모두 사용할 수 있다. 하이드로탈사이트류, 수산화 비스무트 화합물, 희토류 산화물 등이 바람직하게 사용된다.본 발명의 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물에는 또한 필요에 따라 각종 첨가제를 배합할 수 있다. 예를 들면 3-글라이시독시프로필트라이메톡시실레인과 같은 에폭시기를 가진 유기 규소계의 접착성 향상제, 아세틸렌 블랙, 퍼니스 블랙 등의 각종 카본블랙 등의 착색제 등을 첨가제로 하여 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서 임의로 첨가 배합할 수 있다.본 발명의 조성물은 다음에 표시되는 것 같은 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면 에폭시 수지, 경화제와 경화 촉진제를 동시에 또는 따로따로 필요에 따라 가열 처리를 가하면서 교반, 용해, 혼합, 분산시키고, 경우에 따라서는 이들 혼합물에 무기질 충전재를 가하여 혼합, 교반, 분산시킴으로써 얻을 수 있다. 이 경우, 혼합, 교반, 분산 등의 장치는 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는 교반, 가열 장치를 구비한 뇌궤기, 2본 롤, 3본 롤, 볼밀, 연속 압출기, 플라네터리 믹서, 매스콜로이더 등을 사용할 수 있고, 이들 장치를 적당히 조합하여 사용해도 된다.이와 같이 하여 얻어지는 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 종래부터 채용되고 있는 성형법, 예를 들면 트랜스퍼 성형, 컴프레션 성형, 인젝션 성형, 주형법 등을 이용하여 행할 수 있는데, 특히 컴프레션 성형을 행하는 것이 바람직하다.이 경우, 에폭시 수지 조성물의 성형 온도는 100~180℃에서 45~600초간, 포스트 큐어는 140~180℃에서 1~6시간 행하는 것이 바람직하다.본 발명의 에폭시 수지 조성물은 8인치 및 12인치 웨이퍼 상에 성형한 경우의 휨을 작게 할 수 있다. 또, 기계 강도, 절연성이 우수하고, 그 경화물로 밀봉된 반도체 장치는 장기 신뢰성이 우수하다. 또 종래 트랜스퍼 성형, 컴프레션 성형 재료로서 일반적으로 사용되고 있는 에폭시 수지 조성물과 마찬가지의 장치, 성형 조건을 사용해도 플로우 마크나 미충전과 같은 성형 불량이 발생하지 않기 때문에 생산성도 우수하다.플로우 마크는 성형물의 중심으로부터 외측을 향하여 방사상으로 남는 흰 유동흔이다. 플로우 마크가 발생하면 외관 불량이나, 실리카 불균일 분산에 의한 경화물 물성의 불균일성이나, 그것에 따른 신뢰성의 저하 등이 우려된다.미충전은 웨이퍼 외주부에 발생하는 수지의 부족을 말한다. 미충전이 발생하면 후공정에서 웨이퍼를 반송할 때에 센서가 미충전부를 노치라고 오인식하여 위치 맞춤 특성의 저하가 우려된다.실시예이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 하기 실시예에 제한되는 것은 아니다. 또한, 각 예 중의 부는 모두 질량부이며, %는 질량%이다. 또, 각 예의 평가 방법을 이하에 나타낸다.(A) 실록세인 결합을 포함하지 않는 액상 에폭시 수지(1) 에폭시 수지 A1 : 비스 A형 에폭시 수지(에피코트828 : 재팬에폭시레진 가부시키가이샤제)(2) 에폭시 수지 A2 : 나프탈렌형 에폭시 수지(HP4032D : DIC 가부시키가이샤제)(3) 에폭시 수지 A3 : 지환식 에폭시 수지(셀록사이드2021P : 다이셀카가쿠코교사제)(B) 경화제(1) 경화제 B1 : 하기 식으로 표시되는 산무수물의 혼합물(YH307 : 재팬에폭시레진 가부시키가이샤제)경화제 B2 : 하기 식으로 표시되는 산무수물의 혼합물(MH700 : 신니혼리카 가부시키가이샤제)경화제 B3 : 3,3'-다이에틸-4,4'-다이아미노다이페닐메테인(상품명 : 카야하드AA, 니혼카야쿠(주)제), 아민 당량 63.5(C) 무기질 충전재베이스 구상 용융 실리카(아드마텍스제, 평균 입경 5μm) 100부에 대하여 0.75부의 실레인 커플링제로 건식 표면 처리를 행하여, 하기 처리 실리카 A~G를 작성했다. 또한, 비교예 6에는 무처리의 상기 실리카를 사용했다.처리 실리카 A : 3-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실레인(KBM503 : 신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제)으로 표면 처리된 실리카처리 실리카 B : 3-아크릴옥시프로필트라이메톡시실레인(KBM5103 : 신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제)으로 표면 처리된 실리카처리 실리카 C : 하기 식으로 표시되는 실레인 커플링제로 표면 처리된 실리카처리 실리카 D : 하기 식으로 표시되는 실레인 커플링제로 표면 처리된 실리카처리 실리카 E : γ-글라이시독시프로필트라이메톡시실레인(KBM403 : 신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제)으로 표면 처리된 실리카처리 실리카 F : N-페닐-3-아미노프로필트라이메톡시실레인(KBM573 : 신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제)으로 표면 처리된 실리카또한 베이스 구상 용융 실리카(다츠모리제, 평균 입경 12μm) 100부에 대하여 3-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실레인(KBM503 : 신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제) 0.75부로 건식 표면 처리를 행하여, 처리 실리카 G를 작성했다.(D) 경화 촉진제 : 노바큐어HX3088(아사히카세이 이매테리얼즈사제)그 밖의 성분(1) 카본블랙 : 덴카블랙(덴키카가쿠코교제)(2) 접착성 향상제 : γ-글라이시독시프로필트라이메톡시실레인(KBM403 : 신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제)(3) 실리콘 변성 에폭시 수지와 의 부가반응 생성물배합조성(질량부)실시예123456에폭시 수지 A1777766에폭시 수지 A2333333333030에폭시 수지 A3555555경화제 B12727경화제 B2505050502727무기질 충전재처리 실리카 A700700처리 실리카 B700700처리 실리카 C700처리 실리카 D700처리 실리카 E처리 실리카 F처리 실리카 G경화 촉진제555555실리콘 변성 에폭시 수지555555카본 블랙111111실레인 커플링제111111 수지 특성 및 평가 결과점도 (Pa·s)215195255243295267유리 전이 온도 (℃)145145146146140140Tg 이하 선팽창계수(ppm/℃)888888Tg 이상 선팽창계수(ppm/℃)404042404547플로우 마크 (유/무)무무무무무무미충전 (유/무)유유유유유유연마성 (양호/NG)양호양호양호양호양호양호다이싱성 (양호/NG)양호양호양호양호양호양호휨 (mm)003c#1003c#1003c#1003c#1003c#1003c#1IR 리플로우 후의 박리, 크랙 (유/무)무무무무무무TCT 시험초기OKOKOKOKOKOK250 사이클OKOKOKOKOKOK500 사이클OKOKOKOKOKOK750 사이클OKOKOKOKOKOK배합조성(질량부)비교예1234567에폭시 수지 A177777707에폭시 수지 A2333333333333에폭시 수지 A3555555경화제 B1경화제 B2505050505050경화제 B330무기질 충전재무처리 실리카700처리 실리카 A1,100500700처리 실리카 B처리 실리카 C처리 실리카 D처리 실리카 E700처리 실리카 F700처리 실리카 G700경화 촉진제55555실리콘 변성 에폭시 수지555555카본 블랙111111실레인 커플링제111111 수지 특성 및 평가 결과점도 (Pa·s)565575950651281,950페이스트로 인해 측정불가유리 전이 온도 (℃)145145145145145110142Tg 이하 선팽창계수(ppm/℃)88888109Tg 이상 선팽창계수(ppm/℃)42424242425045플로우 마크 (유/무)유무유무유무유미충전 (유/무)유무유무유무유연마성 (양호/NG)양호양호양호양호양호양호양호다이싱성 (양호/NG)양호양호양호양호양호양호양호휨 (mm)54003c#123003c#15530IR 리플로우 후의 박리, 크랙 (유/무)무무무유유유유TCT 시험초기OKOKOKNGOKNGNG250 사이클OKOKOKOK500 사이클OKOKOKOK750 사이클NGNGOKOK점도상온(25℃)에서의 점도 측정은 브룩필드·프로그래머블 레오미터 형식 : DV-III 울트라 점도계(콘 스핀들 CP-51/1.0rpm)로 행했다.유리 전이 온도, 선팽창 계수5×5×15mm의 시험편을 열팽창계(Rigaku TMA8140C)에 세트하고, 승온 5℃/분, 하중 19.6mN으로 25℃로부터 300℃까지 측정했다. 치수 변화와 온도의 그래프를 작성하고, 변곡점의 온도 이하에서 치수 변화-온도 곡선의 접선이 얻어지는 임의의 온도 2점 A1, A2, 변곡점의 온도 이상에서 접선이 얻어지는 임의의 2점 B1, B2를 선택하고, A1, A2를 연결하는 직선과 B1, B2를 연결하는 직선의 교점을 유리 전이 온도로 했다. A1~A2의 경사를 Tg 이하의 선팽창 계수, B1~B2의 경사를 Tg 이상의 선팽창 계수로 했다(도 1).휨 측정액상 수지 조성물의 컴프레션 성형 후의 휨 측정은 웨이퍼 8인치/725μm 두께를 사용하고, 아피크야마다사제 웨이퍼 몰드(MZ407-1)로 수지 두께를 200μm로 설정하고, 컴프레션 시간 600초로 120℃에서 성형한 후, 150℃/1시간에서 완전 경화(포스토 큐어)시켜 휨을 확인했다.플로우 마크·미충전의 유무액상 수지 조성물을 120℃에서 600초간, 수지 두께 400μm로 컴프레션 성형 후, 150℃/1시간에서 완전 경화(포스토 큐어)시킨 후, 외관 육안에 의한 플로우 마크, 미충전의 유무를 평가했다.연마성액상 수지 조성물을 120℃에서 600초간, 수지 두께 400μm로 컴프레션 성형 후, 150℃/1시간으로 완전 경화(포스토 큐어)시킨 후, 연마성의 확인을 행하고, 하기의 기준으로 평가했다.(DISCO AUTOMATIC GRINDER DAG810)조건 Grinding 1.0μm/s, Spindle speed 4,800rpm, Stage speed 300rpm으로 행했다.양호 : 600메시 연마가 가능하며, 또한 연마시의 부하 전류값이 8.0A 이하로 안정되어 있다.NG : 안정적으로 600메시 연마를 할 수 없다.다이싱성액상 수지 조성물 또는 펠릿상 수지 조성물을 120℃에서 600초간, 수지 두께 400μm로 컴프레션 성형 후, 150℃/1시간으로 완전 경화(포스토 큐어)시킨 후, 다이싱성의 확인을 행하고, 하기의 기준으로 평가했다.(DISCO A540)양호 : 단면을 관찰, 실리콘이 치핑하거나, 수지와 실리콘 계면에 박리가 발생하지 않는 경우NG : 단면을 관찰, 실리콘이 치핑하거나, 수지와 실리콘 계면에 박리가 발생한 경우신뢰성 시험두께 200μm, 8인치 웨이퍼에 20μm 두께로 다이본드재 SFX-513M1(신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제)을 사용하여(후막 스크린 인쇄기 THICK FILM PRINTER 타입 MC212) 인쇄하고, B 스테이지 상태에서 가로세로 7mm 크기로 다이싱 장치로 다이싱함과 아울러 반도체 칩을 준비했다.이어서, 두께 200μm, 8인치 웨이퍼 상에 플립 칩 본더(Panasonic NM-SB50A)를 사용하여, 두께 220μm, 가로세로 7mm 다이본드재 부착 반도체 칩을 10N/150℃/1.0초의 조건으로 다이본드를 행하고, 반도체 칩을 탑재한 200μm 웨이퍼를 얻었다.반도체 칩 부착 200μm 웨이퍼를 압축 성형기에 세트하고, 액상 수지 조성물을 적량 얹고, 성형 압력 최대 30MPa 내지 15MPa에서 110℃, 10분으로 경화를 행하여 웨이퍼를 얻었다. 액상 수지 조성물의 양은 성형 후의 수지 두께가 400μm±10μm가 되도록 조정했다. 그 웨이퍼를 150℃, 2시간 오븐에서 열처리하여 후경화를 행한 후, 다시 다이싱 장치로 가로세로 7.1mm로 다이싱하고, 개편화한 두께 400μm의 수지를 탑재한 반도체 칩을 얻었다.개편화한 수지 탑재 반도체 칩을 BT 기반 상에 플립 칩 본더(Panasonic NM-SB50A)로 10N/150℃/1.5초의 조건으로 다이본드재 SFX-513S(신에츠카가쿠코교 가부시키가이샤제)로 다이본드를 행하고, 150℃, 4시간 오븐에서 열처리하고, 후경화를 행하여 수지 탑재 반도체 칩 부착 BT 기판을 얻었다.수지 탑재 반도체 칩 부착 BT 기판 상에 몰딩 컴파운드재를 트랜스퍼 성형(G-LINE 프레스 아피크야마다사제)하고, 성형 조건 175℃, 90초, 9MPa로 1.5mm 두께로 성형하고, 다시 다이싱 장치로 가로세로 10.0mm로 다이싱하고, 개편화한 몰딩 컴파운드 수지 탑재 반도체 칩 부착 BT 기판(반도체 장치)을 얻었다.개편화한 상기 반도체 장치를 85℃, 85% RH의 조건으로 168시간 흡습 처리했다. 이것을 최대 온도 260℃, 255~260℃의 시간이 30초±3초가 되도록 미리 설정한 리플로우 오븐에 3회 통과시키고, 땜납 내열 시험(박리 검사)을 행하여 육안으로 평가했다.TCT(온도 사이클 시험)개편화한 몰딩 컴파운드 수지 탑재 반도체 칩 부착 BT 기판을 ESPEC사제 소형 냉열 충격 장치 TSE-11을 사용하여, -55℃/15분⇒+125℃/15분(자동)의 사이클을 행했다. 우선 0회에서 초음파 탐상 장치(소닉스사제 QUANTUM350)로 75MHz의 프로브를 사용하여 반도체 칩 내부의 박리 상태를 무파괴로 확인했다. 이어서 250사이클 후에 마찬가지의 검사를 행하고, 500사이클 후, 700사이클 후에 반복하여 마찬가지의 검사를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.반도체 칩의 면적에 대하여 박리 면적의 합계가 대략 5% 미만인 경우는 미소 박리로 하여 「박리 없음(OK)」, 5% 이상의 박리 면적이 있는 경우는 「박리 있음(NG)」으로 평가했다.
(A) 분자 중에 실록세인 결합을 포함하지 않는 액상 에폭시 수지, (B) 산무수물계 경화제, (C) 무기질 충전재로서 레이저 회절법으로 측정한 평균 입경 0.1~10μm의 구상 무기질 충전재이며, 그 표면이 (메타)아크릴 관능성 실레인 커플링제에 의해, (C)성분인 구상 무기질 충전재 100질량부에 대하여 0.5~2.0질량부의 비율로 표면 처리된 표면 처리 구상 무기질 충전재, (D) 경화 촉진제를 함유하여 이루어지는 반도체 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물에 관한 것이며, 본 발명에 의하면 내열성, 내습성이 우수한 반도체 장치를 부여할 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 연주압연장치 및 방법Continuous casting and rolling apparatus and method [ 기술분야 ] 본 발명은 연주압연장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 불연속압연모드에서 연속압연모드로 전환시에 주편 또는 강판이 낭비되는 것을 방지할 수 있는 발명에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 연주기에서 응고된 주편의 고온을 이용하여 압연을 수행하는 미니밀 공정은 설비비와 운영비가 기존 공정대비 저렴하기 때문에, 현재 널리 사용되고 있다.또한, 이렇게 연속 주조와 압연을 연속적으로 이용하면서도, 상기 연속 주조와는 별도로 압연을 실시할 수 있는 불연속적인 공정도 실시할 수 있는데, 이는 한국 공개특허번호 1990-7001437에 자세히 나와 있다.즉, 도 1에 도시한 바와 같이 연속주조공정과 압연공정을 연속적으로 실시하는 연속 압연공정과, 상기 연속주조공정과 상기 압연공정을 불연속적으로 실시하는 불연속 압연공정의 모드로 각각 실시될 수 있는 것이다.여기서, 도 1의 (a)는 연속 압연공정을 실시할 수 있는 설비(1')를 도시한 것으로, 연주기(100')에서 일정 두께의 주편(2')을 생산하면, 상기 주편(2')는 제1압연부(210')에서 1차 압연되고 보온수단(K)에서 온도를 유지하며, 제2압연부(220')에서 최종적인 압연을 마무리하기 위해 가열기(300')로 압연을 위한 온도로 상기 강판(2a')을 가열하게 된다. 이렇게 압연이 마무리된 강판(2a')은 절단기(410')에 의해 절단되고 권취기(R)에 의해 권취되어 압연강판(2a')을 생산하게 된다.한편, 도 1의 (b)는 불연속 압연공정을 실시할 수 있는 설비(1')를 도시한 것으로, 연주기(100')에서 일정 두께의 주편(2')을 생산하면, 상기 주편(2')는 제1압연부(210')에서 1차 압연되고 보온수단(K) 이전의 위치에서 상기 주편(2')을 절단기(410')로 절단하여, 상기 연주기(100')의 주조 속도에 구속되지 않고 압연을 실시하게 된다.여기서, 상기 주편(2')이 절단되어 제공되는 슬래브는 중간권취부에 권취되었다가, 다시 제2압연부(220')에서 최종적인 압연을 마무리하기 위해 제공되어, 가열기(300')에 의해 압연을 위한 온도로 가열된 후에 최종압연되어 권취기(R)에 권취되어 압연강판(2a')으로 생산된다.그러나, 불연속 압연공정을 실시하다가 연속 압연공정으로 전환할 때에, 상기 중간권취부에 권취되어 있던 강판(2a')을 모두 풀어서 제2압연부(220')로 제공되는 동안에도, 상기 연주기(100')에서는 계속하여 강판(2a')이 배출되기 때문에, 이러한 강판(2a')은 절단되어 폐기하여야 하는 문제가 있다.따라서, 전술한 문제를 해결하기 위한 연주압연장치 및 방법에 대한 연구가 필요하게 되었다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명의 목적은 연속압연모드와 불연속압연모드를 모두 실시할 수 있는 동시에, 불연속압연모드에서 연속압연모드로 전환시에 연주기에서 생산된 주편이 폐기되어 낭비되는 것을 방지하기 위한 연주압연장치 및 방법을 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 일 실시예에 따른 연주압연장치는 주편을 생산하는 연주기, 상기 연주기와 연계되는 제1압연부와, 상기 제1압연부 출측에 이격 배치되는 제2압연부를 제공하여, 상기 주편을 압하하여 압연강판을 생산하는 압연기 및 상기 주편의 일부를 절단하는 절단기를 포함하며, 상기 절단기는 적어도 최종 생산되어 배출되는 압연강판을 생산하기 위한 주편의 길이에 대응되는 길이만큼, 상기 제2압연부와 이격되어, 상기 제1압연부와 상기 제2압연부 사이에 제공되는 절단인출유닛을 포함할 수 있다.또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 연주압연장치의 상기 절단기가 상기 제2압연부와 이격되어 제공되는 거리(D)는, SL + 6 003c# D 003c# 2×SL + 12의 식을 만족하는 거리로 제공되는 것을 특징으로 할 수 있다. 여기서, SL은 주편의 길이, D는 절단기와 제2압연부의 이격거리이며, 단위는 미터(m)이다.또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 연주압연장치의 상기 절단인출유닛은 상기 절단기와 상기 제2압연부 사이에 제공되며, 절단된 일부 강판을 제거하는 인출기를 더 포함할 수 있다.또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 연주압연장치의 상기 압연기는, 상기 제2압연부의 출측에 제공되는 제3압연부를 더 포함하며, 상기 연주압연장치는, 상기 제2압연부 입측 및, 제2압연부와 상기 제3압연부 사이에 제공되는 가열기를 더 포함할 수 있다.또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 연주압연방법은 연속압연모드와 불연속압연모드가 상호 전환되는 연주압연방법이며, 주편을 생산하는 연속주조단계, 상기 연속주조단계 이후에, 압연기로 상기 주편을 압하하여 압연강판을 생산하는 압연단계 및 불연속압연모드에서는 상기 압연단계의 완료 전에 상기 주편을 절단하며, 적어도 불연속압연모드에서 절단되는 상기 주편의 길이에 대응되는 간격으로 상기 제2압연부와 이격되어 제공된 절단기로 상기 강판을 절단하는 절단단계를 포함할 수 있다.또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 연주압연방법의 상기 압연단계는 상기 연속주조단계 이후에, 상기 주편을 압하하여 제1압연강판을 생산하며, 연속압연모드에서 실시되는 제1압연단계 및 연속압연모드 및 불연속압연모드 실시되며, 상기 주편 또는 제1압연강판은 전달받아 압하하여 제2압연강판을 생산하는 제2압연단계를 포함할 수 있다.또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 연주압연방법의 상기 제1압연단계는 최종 압연강판의 두께가 1.5 ~ 4mm인 불연속압연모드에서도 실시될 수 있다. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 연주압연장치 및 방법은 불연속압연모드에서 연속압연모드로 전환시에, 일부 주편 또는 강판이 폐기되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.이에 의해서, 연주압연공정의 실수율을 향상시킬 수 있는 효과가 발생하게 된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 종래의 연주압연장치를 도시한 도면이다.도 2는 본 발명의 연주압연장치를 도시한 공정도이다.도 3 및 도 4는 본 발명의 연주압연방법을 나타낸 흐름도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 사상은 제시되는 실시예에 제한되지 아니하고, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서 다른 구성요소를 추가, 변경, 삭제 등을 통하여, 퇴보적인 다른 발명이나 본 발명 사상의 범위 내에 포함되는 또 다른 실시예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본원 발명 사상 범위 내에 포함된다고 할 것이다.또한, 각 실시예의 도면에 나타나는 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다.본 발명의 연주압연장치 및 방법은 적어도 최종 생산되어 배출되는 압연강판(2a)을 생산하기 위한 주편(2)의 길이에 대응되는 길이(SL)만큼의 공간을 확보하여 불연속압연모드에서 연속압연모드로 전환시에 주편(2) 또는 강판(2a)이 낭비되는 것을 방지할 수 있는 발명에 관한 것이다.즉, 본 발명의 연주압연장치 및 방법은 적어도 최종 생산되어 배출되는 압연강판(2a)을 생산하기 위한 주편(2)의 길이에 대응되는 길이(SL)만큼 이격시켜서 제2압연부(220)와 절단인출유닛(400)을 제공함으로써, 불연속압연모드에서 연속압연모드로 전환시에, 일부 주편(2) 또는 강판(2a)이 폐기되는 것을 방지할 수 있고, 이에 의해서 연주압연공정의 생산성의 향상시킬 수 있게 된다.구체적으로는, 도 2는 본 발명의 연주압연장치(1)를 도시한 공정도로써, 이를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 연주압연장치(1)는 주편(2)을 생산하는 연주기(100), 상기 연주기(100)와 연계되는 제1압연부(210)와, 상기 제1압연부(210) 출측에 이격 배치되는 제2압연부(220)를 제공하여, 상기 주편(2)을 압하하여 압연강판(2a)을 생산하는 압연기(200) 및 상기 주편(2)의 일부를 절단하는 절단기(410)를 포함하며, 상기 절단기(410)는 적어도 최종 생산되어 배출되는 압연강판(2a)을 생산하기 위한 주편(2)의 길이에 대응되는 길이(SL)만큼, 상기 제2압연부(220)와 이격되어, 상기 제1압연부(210)와 상기 제2압연부(220) 사이에 제공되는 절단인출유닛(400)을 포함할 수 있다.또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 연주압연장치(1)의 상기 절단기(410)가 상기 제2압연부(220)와 이격되어 제공되는 거리(D)는, SL + 6 003c# D 003c# 2×SL + 12의 식을 만족하는 거리로 제공되는 것을 특징으로 할 수 있다. 여기서, SL은 최종 생산되어 배출되는 압연강판(2a)을 생산하기 위한 주편(2)의 길이에 대응되는 길이이며, D는 절단기와 제2압연부의 이격거리이며, 단위는 미터(m)이다.또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 연주압연장치(1)의 상기 절단인출유닛(400)은 상기 절단기(410)와 상기 제2압연부(220) 사이에 제공되며, 절단된 일부 강판(2a)을 제거하는 인출기(420)를 더 포함할 수 있다.또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 연주압연장치(1)의 상기 압연기(200)는, 상기 제2압연부(220)의 출측에 제공되는 제3압연부(230)를 더 포함하며, 상기 연주압연장치(1)는, 상기 제2압연부(220) 입측 및, 제2압연부(220)와 상기 제3압연부(230) 사이에 제공되는 가열기(300)를 더 포함할 수 있다.상기 연주기(100)는 주조 공정을 통하여 용강으로부터 주편(2)을 생산하는 역할을 할 수 있다. 즉, 상기 연주기(100)는 턴디쉬에서 주형으로 용강을 공급하며, 공급된 용강은 열량을 빼앗기면서 주편(2)을 형성하게 되고, 상기 주편(2)은 가이드 롤에 의해서 가이드 되며 이동되어 후술할 압연기(200)로 공급될 수 있다.다만, 이러한 연주기(100)는 상기 용강의 응고 속도에 의존하여 주편(2)을 생산하기 때문에, 생산 속도를 조절하는 것이 곤란하다. 그렇기 때문에, 상기 연주기(100)에서 생산된 주편(2)을 연속적으로 전달받아 후술할 압연기(200)로 압하하여 압연강판(2a)을 생산하는 것은 속도의 제약이 있게 된다.한편, 상기 연주기(100)에서 생산된 주편(2)을 불연속적으로 상기 압연기(200)에 제공하여 압연강판(2a)을 생산하는 경우에는 상기 압연기(200)는 상기 연주기(100)의 생산속도에 독립적으로 빠르게 압연 작업을 수행하여 압연강판(2a)을 생산할 수 있다.이렇게 상기 연주기(100)에서 생산되는 주편(2)을 압연기(200)에 의해서 압연강판(2a)으로 생산하는 공정은 연속 압연모드와 불연속 압연모드로 구별할 수 있으며, 이러한 압연 생산 모드를 변동시키면서 압연 작업을 수행할 수 있다.상기 압연기(200)는 상기 연주기(100)에서 생산된 주편(2)을 전달받아 압하하여 압연강판(2a)을 생산하는 역할을 할 수 있다. 이를 위해서, 상기 압연기(200)는 한 쌍의 압연롤 사이로 상기 주편(2) 또는 강판(2a)을 통과시키면서 압하할 수 있으며, 이러한 압연롤 쌍은 복수 개가 제공될 수 있다. 또한, 상기 압연기(200)는 제공되는 위치에 따라서는 제1압연부(210), 제2압연부(220)로 구별하여 제공될 수도 있다.여기서, 상기 제1압연부(210)는 상기 연주기(100)의 출측인 후단과 연결되어 제공되는 압연기(200)로써, 연속 압연모드에서 상기 제2압연부(220)와 협력하여 압연강판(2a)을 생산하게 되며, 한 쌍의 압연롤로 구성된 스탠드를 한 개 제공할 수 있다.즉, 연속 압연모드에서는 상기 연주기(100)와 연결된 주편(2)을 이용하여 압연공정을 실시하기 때문에, 갑자기 압연을 실시하면 상기 연주기(100)에 영향을 미치므로, 상기 제1압연부(210)에서 일정 두께의 제1압연강판(2a)을 생산하고 상기 제2압연부(220)에서 완성된 제2압연강판(2a)을 생산하는 것이다.따라서, 상기 제1압연부(210)는 연속 압연모드에서만 사용될 수 있으며, 불연속 압연모드에서는 상기 제2압연부(220)만이 상기 주편(2)을 압하하여 압연강판(2a)을 생산하게 된다.특히, 상기 제1압연부(210)는 불연속압연모드에서 연속압연모드로 변동될 때 순차압연 작업을 실시한다. 즉, 불연속압연모드에서는 상기 주편(2)이 절단되어 제공되는 절단주편(2)을 이용하여 제2압연부(220)에서 압연작업되지만, 연속압연모드에서는 더 이상 절단되지 않고 제1압연부(210)에 물려 있는 주편(2)이 지속 전진한 후 제2압연부(220)에 치입되면서 압연이 시작되어 그 상태가 지속된다. 이때 불연속압연모드에서 연속압연모드로 전환될 때는 제1압연부(210)를 통과한 시점에 강판(2a)의 두께가 서로 달라지는 조건이 일반적이다. 불연속압연모드일때 상기 제1압연부(210)를 통과한 두께는 주편(2)의 두께일 수도 있고 제1압연부(210)에서 압연되어 얇아진 강판(2a)의 두께일 수도 있다. 그리고 불연속압연모드에서 마지막으로 절단된 후, 제1압연부(210)를 통해 두께가 점차 변하는 천이구역이 존재하며, 통상적으로 이 천이구역은 절단인출유닛(400)에서 인출될 수 있는 길이로 절단된 후 인출되며, 두께가 연속압연모드의 목표두께에 도달하였을 때는 더 이상 절단하지 않고 제2압연부(220)로 전진하게 된다. 이러한 주편(2) 또는 강판(2a)이 제2압연부(220)에 치입되는 순간에도 제1압연부(210)가 상기 주편(2) 또는 강판(2a)을 붙잡고 있기 때문에, 상기 주편(2) 또는 강판(2a)이 연주기(100) 쪽으로 후진하는 일이 없어 안정적으로 연속압연작업을 시작할 수 있다.상기 제2압연부(220)는 상기 제1압연부(210)에서 생산한 제1압연강판(2a) 또는 상기 연주기(100)에서 생산된 주편(2)을 직접 전달받아 최종적인 제2압연강판(2a)을 생산하는 역할을 할 수 있다. 이러한 제2압연부(220)도 압연롤로 주편(2)을 압하하여 압연강판(2a)을 생산하게 되며, 이렇게 생산된 압연강판(2a)은 권취기(rewinder: R)에 권취되어 최종적으로 배출되게 되며, 한 쌍의 압연롤로 구성된 스탠드를 적어도 한 개 제공할 수 있다.이를 위해, 상기 제2압연부(220)는 상기 제1압연부(210)의 출측인 후단과 연결되어 제공될 수 있으며, 상기 제2압연부(220)와 상기 제1압연부(210)의 사이에는 상기 절단인출유닛(400) 등이 제공될 수 있다.특히, 상기 제2압연부(220)는 적어도 최종 코일링되어 한 매의 코일로 배출되는 최종 압연강판(2a)을 생산하기 위한 주편(2)의 길이에 대응되는 길이(SL)만큼 상기 절단인출유닛(400)의 절단기(410)와 이격되어 제공될 수 있는데, 이에 의해서 이 공간에 최종 생산되어 배출되는 압연강판(2a)이 위치할 수 있는 공간을 제공하여, 제1압연부(210)와는 독립적으로 제2압연부(220)에서 압연될 수 있다.더하여, 상기 제1압연부(210)와 상기 제2압연부(220) 사이에 제공되는 절단기(410)가 제공되며, 후술할 가열기(300)가 제공될 수 있는데, 이러한 절단기(410) 및 가열기(300)의 설치 길이도 감안하여, 상기 절단기(410)와 상기 제2압연부(220) 사이의 거리(SL)를 설정하여 설치할 필요가 있다. 즉, 코일링되어 한 매의 코일로 배출되는 최종 압연강판(2a)을 생산하기 위한 주편(2)의 길이(SL)에 상기 절단기(410) 및 가열기(300)가 설치될 길이를 감압하여, 상기 절단기(410)와 제2압연부(220) 사이의 거리(D)를 설정하여 장치를 설치하는 것이 바람직한 것이다.이러한, 절단기(410) 및 가열기(300)가 설치될 길이는 일반적으로 6m가 될 수 있다.한편, 주편(2)의 열손실을 방지하기 위해서는, 상기 절단기(410)와 제2압연부(220) 사이의 거리(D)는 되도록이면 짧게 설정하는 것이 좋기 때문에, 최대로 길게 제공되는 거리를 한정하는 것이 바람직하다.즉, 상기 절단기(410)와 제2압연부(220) 사이의 거리(D)는 조업 및 정비의 편의성을 고려하여, 최종 압연강판(2a)을 생산하기 위한 주편(2)의 길이(SL)의 예비적 공간이 필요하기 때문에, 상기 길이(SL)의 두 배를 최대로 하게 제공되는 것이 바람직하다. 더하여, 절단기(410) 및 가열기(300)가 설치되는 예비적 공간도 고려할 필요가 있다.다시 말해, 상기 절단기(410)와 제2압연부(220) 사이의 거리(D)는 최소한 최종 압연강판(2a)을 생산하기 위한 주편(2)의 길이(SL)에 절단기(410)에 가열기(300)가 설치될 길이를 더한 길이 이상인 것이 바람직하며, 되도록이면 전술한 최소 길이의 두 배의 길이 이하인 것이 바람직한 것이다.이는 SL + 6 003c# D 003c# 2×SL + 12의 식으로 표현될 수 있다. 여기서, SL은 최종 생산되어 배출되는 압연강판(2a)을 생산하기 위한 주편(2)의 길이에 대응되는 길이이며, D는 절단기와 제2압연부의 이격거리이며, 단위는 미터(m)이다.물론 이격되는 거리는 연주기(100)에서 주조되는 주편(2)의 길이에 따라 달라질 수 있다. 즉, 주조 두께가 두꺼워지면 최종 코일(2a)을 구성하기 위한 주편(2)의 길이는 짧아지기 때문에, 주편(2) 한 매를 수용하는데 필요한 절대 길이는 달라진다. 또한, 이 공간이 있기 때문에 불연속압연모드에서 연속압연모드로 전환될 때도 두께 조정 구간을 제외하고는 상기 주편(2) 또는 강판(2a)이 폐기되는 것을 방지할 수 있게 된다.즉, 상기 길이(D)에 대응되는 공간이 있기 때문에 불연속압연모드에서 연속압연모드로 전환될 때도 두께 조정 구간을 제외하고는 소재가 폐기되는 것을 방지할 수 있다.그리고, 상기 불연속압연모드에서 배출되는 주편(2)의 길이(SL)에 대응되는 길이(SL)에 해당하는 공간에 최종 생산된 코일 한 매에 해당되는 길이의 주편(2)이 존재하여 제1압연부(210)와는 독립적으로 제2압연부(220)에서 상기 주편(2) 또는 상기 강판(2a)이 압연된다. 즉, 종래에는 불연속압연모드에서는 제1압연부(210) 이후에 중간권취기를 제공하여, 1차 압연된 강판(2a)을 중간권취기에 저장한 후에, 제2압연부(220)로 제공하여 2차 압연을 실시하였다. 이러한 불연속압연모드를 실시하다가 연속압연모드로 전환하는 경우에, 전환 초기에 제2압연부(220)는 중간권취기에 권취된 강판(2a)을 2차 압연시켜야 하는데, 그 시간 동안에도 연주기(100)에서는 주편(2)을 생산하고 있기 때문에, 그 시간 동안 생산된 주편(2)은 중간권취기에도 권취되지 못하고, 상기 제2압연부(220)로 보내지지도 못하고 절단되어 폐기되는 것이다. 그러나, 본 발명에서는 중간권취기를 제거하고, 중간권취기 대신에 불연속압연모드에서 생산되어 배출되는 주편(2)의 길이(SL)만큼의 공간을 상기 절단기(410)와 상기 제2압연부(220) 사이에 확보함으로써, 불연속압연모드에서 연속압연모드로 전환시에 일부 강판(2a)이 폐기되어 낭비되는 것을 방지할 수 있게 된 것이다.그리고, 상기 제2압연부(220) 입측에는 후술할 가열기(300)를 제공하여 압연 전에 필요로 하는 온도로 승온하여 상기 주편(2) 또는 강판(2a)을 압하할 수 있다.더하여, 상기 압연기(200)는 상기 제2압연부(220)의 출측에 제3압연부(230)를 더 제공할 수 있는데, 이는 상기 제2압연부(220)에서의 압연 두께가 부족할 경우에 더 얇게 상기 강판(2a)을 압하하기 위한 것이다. 여기서, 상기 제3압연부(230)는 한 쌍의 압연롤로 구성된 스탠드를 적어도 두 개 제공할 수 있다.그리고, 상기 제2압연부(220)에 의해 압연하는 시간이 길어지면, 압하되는 상기 강판(2a)의 온도가 낮아져 압연하기에 부적합할 수 있는데, 이러한 경우에 상기 제2압연부(220)와 상기 제3압연부(230) 사이에도 후술할 가열기(300)가 제공될 수 있다.더하여, 연속압연모드이건 불연속압연모드이건 상기 제2압연부(220)에 의해서 압연하였을 때 충분히 얇은 두께의 강판(2a)을 얻지 못하였을 때에도 그 두께를 더 얇게 압연하기 위하여 상기 제3압연부(230)를 더 제공할 수 있게 된다.한편, 본 발명의 연주압연장치(1)는 가열기(300)를 더 포함할 수 있는데, 이러한 가열기(300)는 제1압연부(210) 또는 제2압연부(220)에서 압연공정의 실시시에 상기 강판(2a)이 필요로 하는 온도를 확보하지 못할 때, 상기 강판(2a)을 가열하는 역할을 할 수 있다.그리고, 상기 제3압연부(230)가 더 제공되면, 상기 제2압연부(220)와 상기 제3압연부(230) 사이에도 가열기(300)가 제공될 수 있다.또한, 상기 가열기(300)는 상기 강판(2a)의 온도 유지 시간을 더욱 연장시키기 위해서 보온수단을 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 보온수단은 상기 주편(2) 또는 강판(2a)의 적어도 일면을 감싸게 제공되어 상기 주편(2) 또는 강판(2a)의 온도를 유지할 수 있는 역할을 할 수 있는 것이다.한편, 상기 보온수단이 효율적인 보온을 위해서는 상기 주편(2) 또는 강판(2a)의 둘레방향 모두를 감싸게 제공하는 것이 바람직하며, 보온율을 높이기 위해서, 보온을 위한 보온가스를 공급하게 제공될 수도 있다. 이와 같은 보온수단은 세라믹 계통의 소재로 형성된 내화벽돌 등으로 형성될 수도 있으며, 상기 보온수단은 보온로(holding furnace)로도 제공될 수 있다. 상기 절단인출유닛(400)은 상기 주편(2) 또는 강판(2a)의 일부를 절단하거나, 인출하는 역할을 할 수 있다. 이를 위해, 상기 절단인출유닛(400)은 절단기(410) 및 인출기(420)를 포함할 수 있다.한편, 상기 절단기(410)는 복수의 위치에 복수 개가 제공될 수 있는데, 상기 제1압연부(210)와 상기 제2압연부(220) 사이에 제공되거나, 상기 제2압연부(220) 출측에 제공될 수도 있다.특히, 상기 절단기(410)는 적어도 상기 제2압연부(220)와 최종 생산되어 배출되는 압연강판(2a)을 생산하기 위한 주편(2)의 길이(SL)만큼 이격되어 제공될 수 있다. 이에 의해서, 상기 연주기(100)에서 생산된 주편(2)이 낭비되는 것을 방지할 수 있는데, 이에 대하여는 전술하였다.한편, 상기 인출기(420)는 하자 있는 주편(2) 또는 강판(2a)을 배출하는 역할을 할 수 있다. 즉, 상기 제1압연부(210)와 제2압연부(220) 사이에 제공되어, 상기 제1압연부(210)에서 배출되는 제1압연강판(2a) 중 하자있는 강판(2a)을 제거하는 역할을 할 수 있는 것이다.다시 말해, 상기 인출기(420)는 연속 주조 초기에 상기 연주기(100)에서 발생하는 하자있는 주편(2)을 제거하거나, 불연속 압연모드에서 연속 압연모드로 전환할 때, 상기 제1압연부(210)에서 순차압연을 실시하여 발생하는 두께가 일정하지 않은 하자 있는 강판(2a)을 제거하는 역할을 할 수 있는 것이다.한편, 상기 절단인출유닛(400)은 연속 압연모드에서 생산된 코일강판(2a)을 절단하기 위해서, 상기 제2압연부(220)의 출측인 후단에도 절단기(410)를 제공할 수 있다.도 3 및 도 4는 본 발명의 연주압연방법을 나타낸 흐름도로써, 도 3은 연속압연모드 여부만을 고려한 연주압연방법을 나타낸 흐름도이고, 도 4는 연속압연모드와 불연속압연 모드에 대해 제1압연부(210)와 절단인출유닛(400)의 작업방법을 나타낸 흐름도이다. 연속압연모드와 불연속압연모드는 제1압연부(210)와 절단인출유닛(400)의 동작 방법에 의해 상호 전환이 가능하다.도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 연주압연방법은 연속압연모드와 불연속압연모드가 상호 전환되는 연주압연방법이며, 주편(2)을 생산하는 연속주조단계, 상기 연속주조단계 이후에, 압연기(200)로 상기 주편(2)을 압하하여 압연강판(2a)을 생산하는 압연단계 및 불연속압연모드에서는 상기 압연단계의 완료 전에 상기 주편(2)을 절단하며, 적어도 불연속압연모드에서 절단되는 상기 주편(2)의 길이에 대응되는 간격(SL)으로 상기 제2압연부(220)와 이격되어 제공된 절단기(410)로 상기 강판(2a)을 절단하는 절단단계를 포함할 수 있다.또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 연주압연방법의 상기 압연단계는 상기 연속주조단계 이후에, 상기 주편(2)을 압하하여 제1압연강판(2a)을 생산하며, 연속압연모드에서 실시되는 제1압연단계 및 연속압연모드 및 불연속압연모드 실시되며, 상기 주편(2) 또는 제1압연강판(2a)은 전달받아 압하하여 제2압연강판(2a)을 생산하는 제2압연단계를 포함할 수 있다.또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 연주압연방법의 상기 제1압연단계는 최종 압연강판(2a)의 두께가 1.5 ~ 4mm인 불연속압연모드에서도 실시될 수 있다.상기 연속주조단계는 연주기(100)에 의해서 주편(2)을 생산하는 단계로써, 연속 주조에 의해서 용강을 전달받아 주편(2)을 제공하게 된다. 이러한 연속 주조의 초기에는 요구되는 상태에 도달하지 못한 하자가 있는 주편(2)이 생산되게 되는데, 이는 제1절단인출단계에서 상기 연주기(100)의 출측과 연결된 절단인출유닛(400)에 의해서 절단되어 제거되게 된다.상기 압연단계는 상기 연속주조단계에서 생산된 주편(2)을 전달받아 압하하여 압연강판(2a)을 생산하는 단계이다. 여기서, 상기 압연단계는 상기 연속주조단계에서 생산된 주편(2)을 연속적으로 전달받으며 압연강판(2a)을 생산하는 연속 압연모드에서 상기 연주기(100)에 영향을 미치게 하지 않기 위해서, 제1압연단계와 제2압연단계로 나누어서 압하할 수 있다.즉, 상기 제1압연단계는 최종적인 압연강판(2a)의 두께를 형성하기 전에 일정부분의 두께만을 형성하도록 압하하여 제공되는 단계이고, 상기 제2압연단계는 상기 제1압연단계를 거친 제1압연강판(2a)을 다시 압하하여 최종적인 제2압연강판(2a)을 생산하는 단계인 것이다.다시 말해, 제1압연단계는 불연속압연모드에서는 실시되지 않고, 연속압연모드에서만 실시될 수 있다.다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 불연속압연모드에서도 최종 생산된 압연강판(2a)의 두께가 상기 제2압연단계에 의한 압연과정만으로 부족할 수 있어, 이러한 경우에는 상기 제1압연단계로 일부 압하하여 사전 압연을 할 수 있다.구체적으로는 불연속압연모드라고 하더라도, 최종 생산 압연강판(2a)의 두께가 1.5mm ~ 4mm인 경우에는 상기 제1압연단계에서 상기 연주기(100)에서 제공된 주편(2)을 압하하여 압연을 일부 실시할 수 있는 것이다.한편, 상기 제1압연단계는 상기 연속주조단계 다음에 실시되고, 상기 제2압연단계는 상기 제1압연단계 다음에 실시될 수 있다. 다만, 압연강판(2a)의 품질을 향상시키기 위해서, 상기 가열단계가 상기 연속주조단계와 상기 제1압연단계 사이에 실시될 수 있으며, 상기 제1압연단계와 상기 제2압연단계 사이에 실시될 수도 있다.여기서, 상기 제1압연단계와 제2압연단계 사이의 가열단계는 추가가열의 의미가 존재하므로 추가가열단계로 정의될 수도 있다.한편, 연속 주조의 초기에는 요구되는 상태에 도달하지 못한 주편(2)이 생산되며, 이와 같이 하자 있는 주편(2)을 제거하는 제1절단인출단계가 실시될 수 있으며, 이러한 제1절단인출단계는 연속주조의 초기인지 여부를 판단하여 실시될 수 있다.상기 제1절단인출단계가 실시되면, 상기 제1압연부(210)의 출측에 제공되는 절단기(410)가 가동되어 상기 연주기(100)에서 생산된 하자 있는 선단부를 절단하게 되며, 그 후에 절단된 하자주편(2)는 인출기(420)에 의해서 외부로 인출되어 제거되게 된다.또한, 본 발명의 연주압연방법은 가열단계를 더 포함할 수 있는데, 상기 가열단계는 상기 주편(2)을 가열하여 압연기(200)로 전달함으로써, 품질이 우수한 강판(2a)을 생산하기 위한 단계이다.이와 같은 가열단계는 후술할 압연단계 전에 실시되어야만 상기 주편(2)이 압하되어 생산된 압연강판(2a)의 품질을 향상시킬 수 있게 된다. 즉, 상기 가열단계는 후술할 상기 압연단계의 제1압연단계, 제2압연단계 및 순차압연단계 전에 실시하는 것이 압연강판(2a)의 품질을 향상시키기 위해서 바람직하다.또한, 본 발명의 연주압연방법은 연속 압연모드와 불연속 압연모드로 생산모드를 변경하면서 실시될 수 있는데, 연속 압연모드에서 불연속 압연모드로 변경시에는 문제가 되지 않으나, 불연속 압연모드에서 연속 압연모드로 변경시에는 상기 연주기(100)에 영향을 미칠 수 있으므로 특별한 단계를 거칠 수 있다.즉, 상기 연주기(100)에서 연속적으로 생산되어 제공되는 주편(2)이 압연기(200)에 의해 갑작스러게 압하되면, 두께의 감소로 인하여, 연주기(100)에서의 주편(2)의 이동속도가 갑자기 느려지거나 후진하게 되어, 탕면이 급속히 상승하는 문제가 발생할 수 있다. 이러한 급속한 탕면 상승을 방지하기 위해서, 상기 압연단계에서는 순차압연단계를 제공하게 된다. 즉, 상기 제1압연부(210)의 압연롤 쌍의 틈(gab)을 순차적으로 줄이면서 압연함으로써, 상기 연주기(100)에 충격이 가해지는 것을 방지하는 것이다.그러나, 이러한 순차압연단계에서는 두께가 점차적으로 줄어드는 두께 천이 부분이 존재하는 강판(2a)이 생산되게 되고, 이러한 강판(2a)의 부분은 제2압연부(220)에서 압하시에 품질을 저하시키므로 절단하여 제거하는 것이 바람직하다.이를 위해서, 상기 순차압연단계 이후에 제2절단인출단계를 수행할 수 있는데, 상기 제2절단인출단계는 상기 제1압연부(210)에서 배출된 하자강판(2a)의 부분을 절단기(410)로 절단하고, 이렇게 절단된 하자강판(2a)은 인출기(420)에서 외부로 배출하여 전체 압연강판(2a)의 품질을 향상시킬 수 있게 되는 것이다.한편, 이와 같은 하자강판(2a)을 포함하지 않도록 압연강판(2a)을 생산하기 때문에, 일부의 상기 하자강판(2a)에 의해서 생산된 코일강판(2a) 전체가 버려지는 등의 문제를 방지할 수 있게 된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 연주압연장치는 강판을 생산하는 연주기, 상기 연주기와 연계되는 제1압연부와, 상기 제1압연부 출측에 이격 배치되는 제2압연부를 제공하여, 상기 강판을 압하하는 압연기 및 상기 강판의 일부를 절단하는 절단기를 포함하며, 상기 절단기는 적어도 불연속압연모드에서 배출되는 강판의 길이에 대응되는 길이만큼, 상기 제2압연부와 이격되어, 상기 제1압연부와 상기 제2압연부 사이에 제공되는 절단인출유닛을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 연주압연방법은 연속압연모드와 불연속압연모드가 상호 전환되는 연주압연방법이며, 강판을 생산하는 연속주조단계, 상기 연속주조단계 이후에, 압연기로 상기 강판을 압하하는 압연단계 및 불연속압연모드에서는 상기 연속주조단계와 상기 압연단계 사이에서 상기 강판을 절단하며, 적어도 불연속압연모드에서는 절단되어 배출되는 상기 강판의 길이에 대응되는 간격으로 상기 압연기와 이격되어 제공된 절단기로 상기 강판을 절단하는 절단단계를 포함할 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 저점착성 발포 시트LOW-ADHESIVE FOAMED SHEET [ 기술분야 ] 본 발명은 두께가 얇아도 충격 흡수성이 우수한 발포 시트 및 그 발포 시트가 이용되고 있는 전기·전자 기기에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 종래, 액정 디스플레이, 일렉트로 루미네선스 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 등의 화상 표시 장치에 고정된 화상 표시 부재나, 소위 「휴대 전화」, 「스마트 폰」이나 「휴대 정보 단말」 등에 장착된 표시 부재, 카메라, 렌즈 등의 광학 부재를, 소정의 부위(예컨대, 케이스 등)에 고정할 때에, 발포재가 사용되고 있다. 이러한 발포재로서는, 저발포이며 또한 독립 기포 구조를 갖는 미세 셀 우레탄계 발포체나 고발포 우레탄을 압축 성형한 것 외에, 독립 기포를 갖는 발포 배율 30배 정도의 폴리에틸렌계 발포체 등이 사용되고 있었다. 구체적으로는, 예컨대, 겉보기 밀도 0.3 g/㎤∼0.5 g/㎤의 폴리우레탄계 발포체로 이루어지는 개스킷(특허문헌 1 참조)이나, 평균 기포 직경이 1 ㎛∼500 ㎛인 발포 구조체로 이루어지는 전기·전자 기기용 시일재(특허문헌 2 참조) 등이 사용되고 있다.그러나, 최근, 광학 부재(화상 표시 장치, 카메라, 렌즈 등)가 장착되는 제품이 점점 더 박형화되어 감에 따라, 발포재가 사용되는 부분의 클리어런스가 현저히 감소해 가는 경향에 있다. 이 클리어런스 감소에 따라, 그 발포 부재의 두께를 얇게 할 필요가 있지만, 종래의 발포재에서는, 두께를 얇게 하면 충분한 충격 흡수성이 발휘되지 않는다. 그 때문에, 예컨대, 「스마트 폰」 등의 표시 부재를 갖는 전기·전자 기기를 지면 등에 떨어뜨린 경우에, 충돌할 때의 충격을 흡수하여, 표시 부재의 파손을 방지하는 발포 시트가 요구되고 있다.또한, PC(퍼스널 컴퓨터), 타블렛 PC, PDA(개인용의 휴대 정보 단말), 휴대 전화 등의 전자 기기의 고기능화에 따라, 표시 부재 등의 파손 방지를 위해 이용되는 충격 흡수 시트에 그 외의 부재(예컨대, 열 전도층)를 적층시켜 삽입되게 되어 있다. 충격 흡수 시트 표면에 점착성을 가지고 있으면, 위치가 어긋나게 붙여 버렸을 때에, 떼어 수정하는 것이 곤란하여, 수율이 저하하기 때문에, 표면 점착성이 낮은 충격 흡수 시트가 요망되고 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특허 공개 제2001-100216호 공보일본 특허 공개 제2002-309198호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 따라서, 본 발명의 목적은, 두께가 매우 얇아도, 우수한 충격 흡수성을 발휘하는 발포 시트를 제공하는 것에 있다.본 발명의 다른 목적은, 상기 특성에 더하여, 타부재를 적층할 때에, 위치 수정이 가능한 발포 시트를 제공하는 것에 있다.또한, 본 발명의 별도의 목적은, 소형화, 박형화되어 있어도, 낙하 시의 충격에 의해 파손되기 어려운 전기·전자 기기를 제공하는 것에 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토한 결과, 특정 겉보기 밀도, 특정 평균 셀 직경, 특정 충격 흡수 특성을 가지고, 또한 표면 태크(tack)성이 낮은 발포 시트에 따르면, 재박리성이 우수하며, 30 ㎛∼500 ㎛라고 하는 얇은 두께여도 충격 흡수성이 현저히 우수한 것, 그 때문에 이러한 발포 시트를 타부재와 적층할 때에는 위치 수정이 용이하고, 그 발포 시트를 삽입한 전기·전자 기기로서는, 지면 등에 떨어뜨려도 충격 등에 의한 표시 장치 등의 파손이 생기기 어려운 것을 발견하였다. 본 발명은 상기 지견에 기초하여, 더욱 검토를 더하여 완성된 것이다.즉, 본 발명은, 두께가 30 ㎛∼500 ㎛이며, 겉보기 밀도가 0.2 g/㎤∼0.7 g/㎤, 평균 셀 직경이 10 ㎛∼150 ㎛인 발포체로 구성되어 있는 발포 시트로서, 진자형 충격 시험기를 이용한 충격 흡수성 시험에 있어서, 하기 식으로 정의되는 충격 흡수율(％)을 발포 시트의 두께(㎛)로 나눈 값(R)이, 충격자의 무게 28 g, 리프팅 각도 40°인 경우에 0.20 이상이고, 상기 발포 시트의 적어도 한쪽 면은, 23℃ 환경 하에서, 직경(φ)이 5 ㎜인 SUS304제 원기둥의 프로브를, 압입 속도 30 ㎜/min, 압입 하중 100 gf, 프레스 시간 1초의 조건으로 누르고, 박리 속도 30 ㎜/min으로 떼었을 때의 최대 하중값이 100 kN/㎡ 이하인 발포 시트를 제공한다.충격 흡수율(％)=(F0-F1)/F0×100(상기 식에 있어서, F0은 지지판에만 충격자를 충돌시켰을 때의 충격력을 말하며, F1은 지지판과 발포 시트로 이루어지는 구조체의 지지판 상에 충격자를 충돌시켰을 때의 충격력을 말한다)상기 발포체는, 동적 점탄성 측정에 있어서의 각진동수 1 rad/s에서의 저장 탄성률과 손실 탄성률의 비율인 손실 탄젠트(tanδ)가 -50℃ 이상 50℃ 이하의 범위에 피크 톱을 갖는 것이 바람직하다. 또한 상기 손실 탄젠트(tanδ)는, -40℃ 이상 40℃ 이하의 범위에 피크 톱을 갖는 것이 보다 바람직하고, -30℃ 이상 30℃ 이하의 범위에 피크 톱을 갖는 것이 더욱 바람직하며, -20℃ 이상 20℃ 이하의 범위에 피크 톱을 갖는 것이 특히 바람직하다.상기 발포체에 있어서의 손실 탄젠트(tanδ)의 -50℃ 이상 50℃ 이하의 범위에서의 최대값이 0.2 이상인 것이 바람직하다.23℃ 환경 하에서 인장 속도 300 ㎜/min에서의 인장 시험에 있어서의 발포체의 초기 탄성률이 10 N/㎟ 이하인 것이 바람직하다. 또한 상기 초기 탄성률은, 0.1 N/㎟ 이상 10 N/㎟ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.1 N/㎟ 이상 5 N/㎟ 이하인 것이 더욱 바람직하다.상기 발포체는, 아크릴계 폴리머, 고무, 우레탄계 폴리머, 스티렌계 폴리머 및 에틸렌-초산비닐 공중합체로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종의 수지 재료로 형성할 수 있다.상기 발포체는, 가교제를 포함하고 있어도 좋다.상기 발포체는, 충전제를 포함하고 있어도 좋다.상기 발포체는, 에멀션 수지 조성물에 의해 형성되어 있어도 좋다.상기 발포체는, 수지 조성물을 기계적으로 발포시키는 공정 A를 거쳐 형성되어 있어도 좋다. 이 경우, 발포체는, 추가로, 기계적으로 발포시킨 에멀션 수지 조성물을 기재 상에 코팅하여 건조하는 공정 B를 거쳐 형성되어 있어도 좋다.상기 발포체의 편면 또는 양면에 점착제층을 가지고 있어도 좋다.상기 발포 시트는, 전기·전자 기기용 충격 흡수 시트로서 이용할 수 있다.본 발명은, 또한, 상기한 발포 시트가 이용되고 있는 전기·전자 기기를 제공한다.이 전기·전자 기기에는, 표시 부재를 구비한 전기·전자 기기로서, 상기 발포 시트가 상기 전기 또는 전자 기기의 케이스와 상기 표시 부재 사이에 협지된 구조를 갖는 전기·전자 기기가 포함된다. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 발포 시트는, 두께가 얇아도, 충격 흡수성이 우수하며, 타부재(예컨대, 열 전도층 등)를 적층할 때에, 위치가 어긋나게 붙여 버렸을 때에, 떼어 위치 수정할 수 있다. 본 발명의 발포 시트를 이용한 전기·전자 기기가 지면 등에 낙하하여도, 충격에 의한 디스플레이 등의 파손을 방지할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 진자형 충격 시험기(충격 시험 장치)의 개략 구성도이다.도 2는 진자형 충격 시험기(충격 시험 장치)의 유지 부재의 개략 구성을 나타내는 도면이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명의 발포 시트는, 두께가 30 ㎛∼500 ㎛이며, 겉보기 밀도가 0.2 g/㎤∼0.7 g/㎤, 평균 셀 직경이 10 ㎛∼150 ㎛인 발포체로 구성되어 있고, 진자형 충격 시험기를 이용한 충격 흡수성 시험에 있어서, 후술하는 식으로 정의되는 충격 흡수율(％)을 발포 시트의 두께(㎛)로 나눈 값(R)이, 충격자의 무게 28 g, 리프팅 각도 40°인 경우에 0.20 이상이며, 또한, 상기 발포 시트의 적어도 한쪽 면은, 23℃ 환경 하에서, 직경(φ)이 5 ㎜인 SUS304제 원기둥의 프로브를, 압입 속도 30 ㎜/min, 압입 하중 100 gf, 프레스 시간 1초의 조건으로 누르고, 박리 속도 30 ㎜/min으로 떼었을 때의 최대 하중값이 100 kN/㎡ 이하이다. 그 때문에, 충격 흡수성이 우수하며, 타부재를 적층할 때에, 위치가 어긋나게 붙여도 용이하게 위치 수정할 수 있다.본 발명의 발포 시트의 두께는, 30 ㎛∼500 ㎛이다. 그 하한은, 바람직하게는 40 ㎛, 보다 바람직하게는 50 ㎛이며, 상한은, 바람직하게는 400 ㎛, 보다 바람직하게는 300 ㎛, 더욱 바람직하게는 200 ㎛이다. 본 발명에서는, 발포 시트의 두께가 30 ㎛ 이상이기 때문에, 기포를 균일하게 함유할 수 있어, 우수한 충격 흡수성을 발휘할 수 있다. 또한, 발포 시트의 두께가 500 ㎛ 이하이기 때문에, 미소 클리어런스에 대해서도 용이하게 추종할 수 있다. 본 발명의 발포 시트는, 두께가 30 ㎛∼500 ㎛로 얇은 것임에도 불구하고, 충격 흡수성이 우수하다.본 발명의 발포 시트를 구성하는 발포체의 겉보기 밀도는 0.2 g/㎤∼0.7 g/㎤이다. 그 하한은, 바람직하게는 0.21 g/㎤, 보다 바람직하게는 0.22 g/㎤, 상한은, 바람직하게는 0.6 g/㎤, 보다 바람직하게는 0.5 g/㎤, 더욱 바람직하게는 0.4 g/㎤이다. 발포체의 겉보기 밀도가 0.2 g/㎤ 이상임으로써 강도를 유지할 수 있고, 0.7 g/㎤ 이하임으로써 높은 충격 흡수성이 발휘된다. 또한, 발포체의 겉보기 밀도가 0.2 g/㎤∼0.4 g/㎤의 범위임으로써, 더욱 보다 높은 충격 흡수성이 발휘된다.상기 발포체의 평균 셀 직경은, 10 ㎛∼150 ㎛이다. 그 하한은, 바람직하게는 15 ㎛, 보다 바람직하게는 20 ㎛이고, 상한은, 바람직하게는 140 ㎛, 보다 바람직하게는 130 ㎛, 더욱 바람직하게는 100 ㎛이다. 평균 셀 직경이 10 ㎛ 이상임으로써, 우수한 충격 흡수성이 발휘된다. 또한, 평균 셀 직경이 150 ㎛ 이하이기 때문에, 압축 회복성도 우수하다. 또한, 상기 발포체의 최대 셀 직경은, 예컨대, 40 ㎛∼400 ㎛이고, 그 하한은, 바람직하게는 60 ㎛, 보다 바람직하게는 80 ㎛, 상한은, 바람직하게는 300 ㎛, 보다 바람직하게는 220 ㎛이다. 또한, 상기 발포체의 최소 셀 직경은, 예컨대, 5 ㎛∼70 ㎛이고, 그 하한은, 바람직하게는 8 ㎛, 보다 바람직하게는 10 ㎛, 상한은, 바람직하게는 60 ㎛, 보다 바람직하게는 50 ㎛이다.또한, 상기 평균 셀 직경은, 주사형 전자 현미경(SEM)이나 디지털 현미경 등에 의해, 상기 발포체의 단면의 셀수가 20점∼40점 정도 포함되는 화상을 관찰하며, 그 단면 화상 내의 셀 직경이 큰 셀로부터 순서대로, 셀의 면적을 20점 이상 측정하고, 화상 해석에 의해 면적으로부터 원의 직경의 평균값을 산출하여 구할 수 있다.본 발명에서는, 충격 흡수성의 관점에서, 평균 셀 직경(㎛)과 발포 시트의 두께(㎛)의 비(전자/후자)는, 0.2∼0.9의 범위에 있는 것이 바람직하다. 상기 평균 셀 직경(㎛)과 발포 시트의 두께(㎛)의 비의 하한은, 바람직하게는 0.25, 보다 바람직하게는 0.3이며, 상한은, 바람직하게는 0.85, 보다 바람직하게는 0.8이다.본 발명의 발포 시트는, 박육이면서 우수한 충격 흡수성을 갖는다. 즉, 진자형 충격 시험기를 이용한 충격 흡수성 시험(충격자의 무게 28 g, 리프팅 각도 40°)에 있어서, 하기 식으로 정의되는 충격 흡수율(％)을 발포 시트의 두께(㎛)로 나누어, 단위 두께당의 충격 흡수율(R)을 구하였을 때, 상기 R은 0.20 이상이다. 상기 R은, 바람직하게는 0.25 이상, 더욱 바람직하게는 0.28 이상이다. 상기 R의 상한값은, 예컨대 0.5 정도이다.충격 흡수율(％)=(F0-F1)/F0×100(상기 식에 있어서, F0은 지지판에만 충격자를 충돌시켰을 때의 충격력을 말하며, F1은 지지판과 발포 시트로 이루어지는 구조체의 지지판 상에 충격자를 충돌시켰을 때의 충격력을 말한다)또한, 상기 충격 흡수율은, 발포 시트의 두께 등에 따라서도 상이하지만, 통상, 10％∼70％이며, 하한은, 바람직하게는 20％, 보다 바람직하게는 30％, 더욱 바람직하게는 35％이고, 상한은, 바람직하게는 60％이다.진자형 충격 시험기(충격 시험 장치)의 개략 구성에 대해서, 도 1 및 도 2에 의해 설명한다. 도 1 및 도 2에 나타내 바와 같이, 충격 시험 장치(1)[진자 시험기(1)]는, 시험편(2)[발포 시트(2)]을 임의의 유지력으로 유지하는 유지 수단으로서의 유지 부재(3)와, 시험편(2)에 충격 응력을 부하하는 충격 부하 부재(4)와, 충격 부하 부재(4)에 의한 시험편(2)에 대한 충격력을 검출하는 충격력 검출 수단으로서의 압력 센서(5) 등에 의해 구성되어 있다. 또한, 시험편(2)을 임의의 유지력으로 유지하는 유지 부재(3)는, 고정 지그(11)와, 고정 지그(11)에 대향하여 시험편(2)을 사이에 끼워 유지할 수 있도록 슬라이드 가능한 누름 지그(12)로 구성되어 있다. 또한, 누름 지그(12)에는 누름 압력 조정 수단(16)이 마련되어 있다. 또한, 유지 부재(3)에 의해 유지된 시험편(2)에 충격력을 부하하는 충격 부하 부재(4)는, 일단(22)이 지주(20)에 대하여 회동 가능에 피봇 지지되고, 타단측에 충격자(24)를 갖는 지지봉(23)[샤프트(23)]과, 충격자(24)를 소정 각도로 들어올려 유지하는 아암(21)으로 구성되어 있다. 여기서 충격자(24)로서 강구(鋼球)를 사용하고 있기 때문에, 아암의 일단에 전자석(25)을 마련함으로써 충격자(24)를 일체로 소정 각도 들어올리는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 충격 부하 부재(4)에 의한 시험편(2)에 작용하는 충격력을 검출하는 압력 센서(5)는, 고정 지그(11)의 시험편이 접하는 면의 반대면측에 마련되어 있다.충격자(24)는, 강구(철구)이다. 본 발명에 있어서는, 충격자(24)가 아암(21)에 의해 들어 올려지는 각도[도 1 중 리프팅 각도(a)]는 40°이며, 강구(철구)의 무게는 28 g이다.도 2에 나타내는 바와 같이, 시험편(2)[발포 시트(2)]은, 고정 지그(11)와 누름 지그(12) 사이에 수지성 판재(아크릴판, 폴리카보네이트판 등)나 금속제 판재 등의 고탄성의 판재로 구성되는 지지판(28)을 통해 협지된다.충격 흡수성은, 상기 충격 시험 장치를 사용하여, 고정 지그(11)와 지지판(28)을 밀착 고정시키고 나서 충격자(24)를 지지판(28)에 충돌시킴으로써 측정되는 충격력(F0) 및 고정 지그(11)와 지지판(28) 사이에 시험편(2)을 삽입하여 밀착 고정시키고 나서 충격자(24)를 지지판(28)에 충돌시킴으로써 측정되는 충격력(F1)을 구하여, 상기 식에 따라 산출된다. 또한, 충격 시험 장치는, 일본 특허 공개 제2006-47277호 공보의 실시예 1과 동일한 장치이다.충격 흡수성은, 평균 셀 직경, 겉보기 밀도 등을 선택함으로써 조정할 수 있다. 그러나, 발포 시트의 두께가 매우 작은 경우에는, 이들 특성을 조정하는 것만으로는 충격을 충분히 흡수할 수 없는 경우가 있다. 발포 시트의 두께가 매우 얇은 경우에는, 발포체 내의 기포가 충격에 의해 곧 찌부러져, 기포에 의한 충격 완충 기능이 소실되기 때문이다. 이러한 관점에서, 상기 발포체의 동적 점탄성 측정에 있어서의 각진동수 1 rad/s에서의 저장 탄성률과 손실 탄성률의 비율인 손실 탄젠트(tanδ)의 피크 톱을 -50℃ 이상 50℃ 이하의 범위로 하는 것이 바람직하다. 손실 탄젠트(tanδ)의 피크 톱을 상기 범위로 함으로써, 기포가 찌부러진 후에도, 발포체의 구성 재료가 충격을 완충하는 기능을 발휘한다.상기 손실 탄젠트의 피크 톱이 존재하는 온도 범위의 하한은, 바람직하게는 -40℃, 보다 바람직하게는 -30℃, 더욱 바람직하게는 -20℃이고, 상한은, 바람직하게는 40℃, 보다 바람직하게는 30℃, 더욱 바람직하게는 20℃이다. 손실 탄젠트의 피크 톱을 2개 이상 갖는 재료의 경우는, 그 중 적어도 하나가 상기 범위에 들어가는 것이 바람직하다. 피크 온도가 -50℃ 이상임으로써, 우수한 압축 회복성이 발휘된다. 또한, 피크 온도가 50℃ 이하임으로써, 높은 유연성을 나타내며, 우수한 충격 흡수성이 발휘된다.-50℃ 이상 50℃ 이하의 범위에서의 손실 탄젠트(tanδ)의 피크 톱 강도(최대값)는 충격 흡수성의 관점에서 높은 편이 바람직하고, 예컨대 0.2 이상, 바람직하게는 0.3 이상이다. 상기 피크 톱 강도(최대값)의 상한값은, 예컨대 2.0이다.이와 같이, 상기 손실 탄젠트(tanδ)의 피크 온도, 피크 톱 강도가 발포체의 충격 흡수성에 크게 기여한다. 발포체의 동적 점탄성 측정에 있어서의 각진동수 1 rad/s에서의 저장 탄성률과 손실 탄성률의 비율인 손실 탄젠트(tanδ)의 피크 톱이 -50℃ 이상 50℃ 이하의 범위에 존재하면, 발포 시트의 충격 흡수성이 높아지는 이유는 반드시 명확하지는 않지만, 충격의 주파수에 맞는 곳에 상기 손실 탄젠트(tanδ)의 피크가 존재하고 있는 것에 의한 것으로 추측된다. 즉, 상기 손실 탄젠트(tanδ)가 -50℃ 이상 50℃ 이하의 범위는, 점탄성 측정에 있어서의 온도 시간 환산칙으로부터, 구조물의 낙하 충격에 상당하는 주파수의 범위로 환산되기 때문에, -50℃ 이상 50℃ 이하의 범위에 상기 손실 탄젠트(tanδ)의 피크 온도를 갖는 발포 시트일수록, 충격 흡수성이 높아진다고 추측된다. 또한, 저장 탄성률은, 발포 시트에 가해지는 충격 에너지에 대한 반발력이며, 저장 탄성률이 높으면 충격을 그대로 반발한다. 한편으로 손실 탄성률은, 발포 시트에 가해지는 충격 에너지를 열로 바꾸는 물성이며, 손실 탄성률이 높을수록 충격 에너지를 열로 바꾸기 위해, 충격을 흡수하여, 왜곡을 작게 한다. 이것으로부터, 충격을 많이 열로 바꾸고, 또한 반발력이 작은, 즉 저장 탄성률과 손실 탄성률의 비율인 손실 탄젠트(tanδ)가 큰 발포 시트일수록, 충격 흡수율이 높다고 추측된다.본 발명의 발포 시트에 있어서는, 그 발포 시트의 적어도 한쪽 면은, 위치 수정성의 관점에서 점착성(태크성)이 낮은 편이 바람직하다. 상기 점착성은 공지의 프로브 태크법에 따른 태킹 시험기에 의해 측정할 수 있고, 상기 발포 시트의 적어도 한쪽 면은, 23℃ 환경 하에서, 직경(φ)이 5 ㎜인 SUS304제 원기둥의 프로브를, 압입 속도 30 ㎜/min, 압입 하중 100 gf, 프레스 시간 1초의 조건으로 누르고, 박리 속도 30 ㎜/min로 떼었을 때의 최대 하중값이 100 kN/㎡ 이하이다. 상기 최대 하중값은, 바람직하게는, 80 kN/㎡ 이하, 보다 바람직하게는 60 kN/㎡ 이하, 더욱 바람직하게는 50 kN/㎡ 이하이다. 또한, 상기 최대 하중값의 하한값은 0이다. 즉, 본 발명의 발포 시트는 표면의 점착성이 매우 낮다. 그 때문에, 타부재를 발포 시트에 적층할 때, 위치가 어긋나게 붙여도, 용이하게 떼어 위치 수정할 수 있다.발포 시트의 표면의 점착성을 저하시키는 수단으로서, 예컨대, 발포체의 가교 밀도를 높이거나, 충전제를 적정량 첨가하거나, 발포체를 구성하는 수지 재료에 Tg가 높은(예컨대, 50℃∼200℃) 폴리머(예컨대, 스티렌계 폴리머 등)를 적정량 배합하는 것 등을 들 수 있다.상기 발포체의 초기 탄성률은, 충격 흡수성의 관점에서 낮은 편이 바람직하다. 상기 초기 탄성률(23℃ 환경 하, 인장 속도 300 ㎜/min에서의 인장 시험에 있어서의 10％ 왜곡 시의 기울기로부터 산출한 값)은, 바람직하게는 10 N/㎟ 이하이며, 보다 바람직하게는 5 N/㎟ 이하이다. 또한, 상기 초기 탄성률의 하한값은, 예컨대, 0.1 N/㎟이다.본 발명의 발포 시트를 구성하는 발포체로서는, 상기 특성을 가지고 있으면, 그 조성이나 기포 구조 등은 특별히 제한되지 않는다. 기포 구조로서는, 연속 기포 구조, 독립 기포 구조, 반연속 반독립 기포 구조 중 어느 것이어도 좋다. 충격 흡수성의 관점에서는, 연속 기포 구조, 반연속 반독립 기포 구조가 바람직하다.상기 발포체는, 수지 재료(폴리머)를 포함하는 수지 조성물에 의해 구성할 수 있다. 또한, 미발포 상태의 상기 수지 조성물[발포시키지 않는 경우의 수지 조성물(고형물)]의 동적 점탄성 측정에 있어서의 각진동수 1 rad/s에서의 저장 탄성률과 손실 탄성률의 비율인 손실 탄젠트(tanδ)의 피크 톱은 -50℃ 이상 50℃ 이하의 범위에 있는 것이 바람직하다. 상기 손실 탄젠트의 피크 톱이 존재하는 온도 범위의 하한은, 바람직하게는 -40℃, 보다 바람직하게는 -30℃, 더욱 바람직하게는 -20℃이고, 상한은, 바람직하게는 40℃, 보다 바람직하게는 30℃, 더욱 바람직하게는 20℃이다. 손실 탄젠트의 피크 톱을 2개 이상 갖는 재료의 경우는, 그 중 적어도 하나가 상기 범위에 들어가는 것이 바람직하다. 상기 수지 조성물(고형물)의 -50℃ 이상 50℃ 이하의 범위에서의 손실 탄젠트(tanδ)의 피크 톱 강도[이 값은, 상기 발포체에 있어서의 -50℃ 이상 50℃ 이하의 범위에 있어서의 손실 탄젠트(tanδ)의 피크 톱 강도를 발포체의 겉보기 밀도(g/㎤)로 나눈 값에 상당함]는 충격 흡수성의 관점에서 높은 편이 바람직하다. 예컨대, 상기 수지 조성물(고형물)의 -50℃ 이상 50℃ 이하의 범위에서의 손실 탄젠트(tanδ)의 피크 톱 강도는, 바람직하게는 0.9(g/㎤)-1 이상 이며, 상한은, 예컨대, 3(g/㎤)-1 정도이다.또한, 미발포 상태의 상기 수지 조성물(고형물)의 초기 탄성률(23℃, 인장 속도 300 ㎜/min)은, 낮은 편이 바람직하고, 바람직하게는 50 N/㎟ 이하, 보다 바람직하게는 30 N/㎟ 이하이다. 또한, 상기 초기 탄성률의 하한값은, 예컨대, 0.3 N/㎟이다.상기 발포체를 구성하는 수지 재료(폴리머)로서는, 특별히 한정되지 않고, 발포체를 구성하는 공지 내지 주지의 수지 재료를 사용할 수 있다. 상기 수지 재료로서, 예컨대, 아크릴계 폴리머, 고무, 우레탄계 폴리머, 스티렌계 폴리머, 에틸렌-초산비닐 공중합체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 충격 흡수성의 관점에서, 아크릴계 폴리머, 고무, 우레탄계 폴리머, 스티렌계 폴리머가 바람직하다. 발포체를 구성하는 수지 재료(폴리머)는 1종 단독이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋다.우수한 충격 흡수성을 유지하면서 시트 표면의 점착성을 낮게 하여 위치 수정을 하기 쉬운 발포 시트를 얻는다고 하는 관점에서는, 아크릴계 폴리머, 고무, 우레탄계 폴리머 및 에틸렌-초산비닐 공중합체로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종의 수지 재료와, 스티렌계 폴리머를 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 스티렌계 폴리머의 사용량은, 아크릴계 폴리머, 고무, 우레탄계 폴리머 및 에틸렌-초산비닐 공중합체로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종의 수지 재료 100 중량부에 대하여, 예컨대, 0.1 중량부∼100 중량부이며, 그 하한은, 바람직하게는 1 중량부, 더욱 바람직하게는 5 중량부이고, 그 상한은, 바람직하게는 80 중량부, 더욱 바람직하게는 50 중량부이다.또한, 상기 발포체의 동적 점탄성 측정에 있어서의 각진동수 1 rad/s에서의 저장 탄성률과 손실 탄성률의 비율인 손실 탄젠트(tanδ)의 피크 톱을 -50℃ 이상 50℃ 이하의 범위로 하기 위해서는, 상기 수지 재료(폴리머)의 Tg를 지표 혹은 기준으로 할 수 있다. 예컨대, 상기 발포체를 구성하는 수지 재료(폴리머)의 Tg가 -50℃ 이상 50℃ 미만(하한은, 바람직하게는 -40℃, 보다 바람직하게는 -30℃, 상한은, 바람직하게는 40℃, 보다 바람직하게는 30℃)의 범위가 되도록 수지 재료(폴리머)를 선택할 수 있다.상기 아크릴계 폴리머로서는, 호모 폴리머의 Tg가 -10℃ 이상인 모노머와, 호모 폴리머의 Tg가 -10℃ 미만인 모노머를 필수적인 모노머 성분으로 하여 형성된 아크릴계 폴리머가 바람직하다. 이러한 아크릴계 폴리머를 이용하여, 전자의 모노머와 후자의 모노머의 량비를 조정함으로써, 동적 점탄성 측정에 있어서의 각진동수 1 rad/s에서의 저장 탄성률과 손실 탄성률의 비율인 손실 탄젠트(tanδ)의 피크 톱이 -50℃ 이상 50℃ 이하인 발포체를 비교적 용이하게 얻을 수 있다.또한, 본 발명에 있어서의 「호모 폴리머를 형성하였을 때의 유리 전이 온도(Tg)」(단순히 「호모 폴리머의 Tg」라고 칭하는 경우가 있음)란, 「해당 모노머의 단독 중합체의 유리 전이 온도(Tg)」를 의미하여, 구체적으로는, 「Polymer Handbook」(제3판, John Wiley 0026# Sons, Inc, 1987년)에 수치가 들어져 있다. 또한, 상기 문헌에 기재되어 있지 않은 모노머의 호모 폴리머의 Tg는, 예컨대, 이하의 측정 방법에 따라 얻어지는 값(일본 특허 공개 제2007-51271호 공보 참조)을 말한다. 즉, 온도계, 교반기, 질소 도입관 및 환류 냉각관을 구비한 반응기에, 모노머 100 중량부, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 0.2 중량부 및 중합 용매로서 초산에틸 200 중량부를 투입하고, 질소 가스를 도입하면서 1시간 교반한다. 이와 같이 하여 중합계 내의 산소를 제거한 후, 63℃로 승온하여 10시간 반응시킨다. 계속해서, 실온까지 냉각하여, 고형분 농도 33 중량％의 호모 폴리머 용액을 얻는다. 계속해서, 이 호모 폴리머 용액을 세퍼레이터 상에 유연 도포하고, 건조하여 두께 약 2 ㎜의 시험 샘플(시트형의 호모 폴리머)을 제작한다. 그리고, 이 시험 샘플을 직경 7.9 ㎜의 원반형으로 펀칭하고, 페럴렐 플레이트로 사이에 끼워, 점탄성 시험기(ARES, 레오메트릭스사 제조)를 이용하여 주파수 1 ㎐의 전단 왜곡을 부여하면서, 온도 영역 -70℃∼150℃, 5℃/분의 승온 속도로 전단 모드에 의해 점탄성을 측정하여, tanδ의 피크 톱 온도를 호모 폴리머의 Tg로 한다. 또한, 상기 수지 재료(폴리머)의 Tg도 이 방법에 의해 측정할 수 있다.호모 폴리머의 Tg가 -10℃ 이상인 모노머에 있어서, 상기 Tg는, 예컨대, -10℃∼250℃, 바람직하게는 10℃∼230℃, 더욱 바람직하게는 50℃∼200℃이다.상기 호모 폴리머의 Tg가 -10℃ 이상인 모노머로서, 예컨대, (메타)아크릴로니트릴; (메타)아크릴아미드, N-히드록시에틸(메타)아크릴아미드 등의 아미드기 함유 모노머; (메타)아크릴산; 메타크릴산메틸, 메타크릴산에틸 등의 호모 폴리머의 Tg가 -10℃ 이상인 (메타)아크릴산알킬에스테르; (메타)아크릴산이소보르닐; N-비닐-2-피롤리돈 등의 복소 고리 함유 비닐 모노머; 2-히드록시에틸메타크릴레이트 등의 히드록실기 함유 모노머 등을 예시할 수 있다. 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 특히, (메타)아크릴로니트릴(특히, 아크릴로니트릴)이 바람직하다. 호모 폴리머의 Tg가 -10℃ 이상인 모노머로서 (메타)아크릴로니트릴(특히, 아크릴로니트릴)을 이용하면, 분자간 상호 작용이 강하기 때문인지, 발포체의 상기 손실 탄젠트(tanδ)의 피크 톱 강도를 크게 할 수 있다.호모 폴리머의 Tg가 -10℃ 미만인 모노머에 있어서, 상기 Tg는, 예컨대, -70℃ 이상 -10℃ 미만, 바람직하게는 -70℃∼-12℃, 더욱 바람직하게는 -65℃∼-15℃이다.상기 호모 폴리머의 Tg가 -10℃ 미만인 모노머로서, 예컨대, 아크릴산에틸, 아크릴산부틸, 아크릴산2-에틸헥실 등의 호모 폴리머의 Tg가 -10℃ 미만인 (메타)아크릴산알킬에스테르 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 특히, 아크릴산C2-8알킬에스테르가 바람직하다.상기 아크릴계 폴리머를 형성하는 전체 모노머 성분(모노머 성분 전량)에 대한, 호모 폴리머의 Tg가 -10℃ 이상인 모노머의 함유량은, 예컨대, 2 중량％∼30 중량％이며, 하한은, 바람직하게는 3 중량％, 보다 바람직하게는 4 중량％이고, 상한은, 바람직하게는 25 중량％, 보다 바람직하게는 20 중량％이다. 또한, 상기 아크릴계 폴리머를 형성하는 전체 모노머 성분(모노머 성분 전량)에 대한, 호모 폴리머의 Tg가 -10℃ 미만인 모노머의 함유량은, 예컨대, 70 중량％∼98 중량％이며, 하한은, 바람직하게는 75 중량％, 보다 바람직하게는 80 중량％이고, 상한은, 바람직하게는 97 중량％, 보다 바람직하게는 96 중량％이다.또한, 아크릴계 폴리머를 형성하는 모노머 중에 질소 원자 함유 공중합성 모노머가 포함되어 있으면, 에멀션 수지 조성물을 기계적 교반 등에 의해 전단을 더하여 발포시킬 때는 조성물의 점도가 저하하여 다수의 기포가 에멀션 내에 취입되기 쉬워지며, 그 후 기포를 함유하는 에멀션 수지 조성물을 기재 상에 도포하여 정치 상태로 건조할 때에는 그 조성물이 응집하기 쉬워져 점도가 상승하고, 기포가 조성물 내에 유지되어 외부로 확산되기 어려워지기 때문에, 발포 특성이 우수한 발포체를 얻을 수 있다.상기 질소 원자 함유 공중합성 모노머(질소 원자 함유 모노머)로서는, 예컨대, (메타)아크릴로니트릴 등의 시아노기 함유 모노머; N-비닐-2-피롤리돈 등의 락탐 고리 함유 모노머; (메타)아크릴아미드, N-히드록시에틸(메타)아크릴아미드, N-메틸올아크릴아미드, N,N-디메틸아크릴아미드, N,N-디에틸아크릴아미드, 디아세톤아크릴아미드 등의 아미드기 함유 모노머 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 아크릴로니트릴 등의 시아노기 함유 모노머, N-비닐-2-피롤리돈 등의 락탐 고리 함유 모노머가 바람직하다. 질소 원자 함유 모노머는 1종 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.이러한 질소 원자 함유 모노머에 유래하는 구조 단위를 갖는 아크릴계 폴리머에 있어서, 질소 원자 함유 모노머에 유래하는 구조 단위의 함유량은, 아크릴계 폴리머를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 바람직하게는 2 중량％∼30 중량％이며, 그 하한은, 보다 바람직하게는 3 중량％, 더욱 바람직하게는 4 중량％이고, 그 상한은, 보다 바람직하게는 25 중량％, 더욱 바람직하게는 20 중량％이다.또한, 이러한 질소 원자 함유 모노머에 유래하는 구조 단위를 갖는 아크릴계 폴리머에 있어서는, 질소 원자 함유 모노머에 유래하는 구조 단위 이외에, 아크릴산C2-18알킬에스테르(특히, 아크릴산C2-8알킬에스테르)에 유래하는 구조 단위를 포함하고 있는 것이 바람직하다. 아크릴산C2-18알킬에스테르는 1종 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 이러한 아크릴계 폴리머에 있어서, 아크릴산C2-18알킬에스테르(특히, 아크릴산C2-8알킬에스테르)에 유래하는 구조 단위의 함유량은, 아크릴계 폴리머를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 바람직하게는 70 중량％∼98 중량％이며, 그 하한은, 보다 바람직하게는 75 중량％, 더욱 바람직하게는 80 중량％이고, 그 상한은, 보다 바람직하게는 97 중량％, 더욱 바람직하게는 96 중량％이다.상기 고무로서는, 천연 고무, 합성 고무 중 어느 것이어도 좋다. 상기 고무로서, 예컨대, 니트릴 고무(NBR), 메틸메타크릴레이트-부타디엔 고무(MBR), 스티렌-부타디엔 고무(SBR), 아크릴 고무(ACM, ANM), 우레탄 고무(AU), 실리콘 고무 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 니트릴 고무(NBR), 메틸메타크릴레이트-부타디엔 고무(MBR), 실리콘 고무가 바람직하다.상기 우레탄계 폴리머로서는, 예컨대, 폴리카보네이트계 폴리우레탄, 폴리에스테르계 폴리우레탄, 폴리에테르계 폴리우레탄 등을 들 수 있다.에틸렌-초산비닐 공중합체로서는, 공지 내지 주지의 에틸렌-초산비닐 공중합체를 사용할 수 있다.스티렌계 폴리머로서는, 공지 내지 주지의 스티렌계 폴리머를 사용할 수 있다.상기 발포 시트를 구성하는 발포체는, 수지 재료(폴리머) 외에, 필요에 따라, 계면 활성제, 가교제, 증점제, 방청제, 그 외의 첨가물을 포함하고 있어도 좋다.예컨대, 기포 직경의 미세화, 발포한 거품의 안정성을 위해, 임의의 계면 활성제를 포함하고 있어도 좋다. 계면 활성제로서는 특별히 제한되지 않고, 음이온계 계면 활성제, 양이온계 계면 활성제, 비이온계 계면 활성제, 양성 계면 활성제 등 중 어느 것을 이용하여도 좋지만, 기포 직경의 미세화, 발포한 거품의 안정성의 관점에서, 음이온계 계면 활성제가 바람직하고, 특히 스테아린산암모늄 등의 지방산 암모늄계 계면 활성제가 보다 바람직하다. 계면 활성제는 1종 단독으로 이용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용하여도 좋다. 또한, 이종의 계면 활성제를 병용하여도 좋고, 예컨대, 음이온계 계면 활성제와 비이온계 계면 활성제, 음이온계 계면 활성제와 양성 계면 활성제를 병용하여도 좋다.계면 활성제의 첨가량[고형분(불휘발분)]은, 예컨대, 수지 재료(폴리머)[고형분(불휘발분)] 100 중량부에 대하여, 0 중량부∼10 중량부이며, 하한은 바람직하게는 0.5 중량부, 상한은 바람직하게는 8 중량부이다.또한, 발포체의 강도, 내열성, 내습성을 향상시키기 위해, 임의의 가교제를 포함하고 있어도 좋다. 가교제는 특별히 제한되지 않고, 유용성, 수용성 중 어느 것을 이용하여도 좋다. 가교제로서, 예컨대, 에폭시계, 옥사졸린계, 이소시아네이트계, 카르보디이미드계, 멜라민계, 금속 산화물계 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 옥사졸린계 가교제가 바람직하다.가교제의 첨가량[고형분(불휘발분)]은, 예컨대, 수지 재료(폴리머)[고형분(불휘발분)] 100 중량부에 대하여, 0 중량부∼30 중량부이며, 하한은 바람직하게는 0.01 중량부, 상한은 바람직하게는 20 중량부이다. 발포 시트의 표면의 점착성을 저하시킨다고 하는 관점에서는, 가교제의 첨가량[고형분(불휘발분)]은, 예컨대, 수지 재료[폴리머, 특히 가교점(히드록실기, 카르복실기 등)을 갖는 폴리머][고형분(불휘발분)] 100 중량부에 대하여, 0.5 중량부∼30 중량부가 바람직하며, 그 하한은, 보다 바람직하게는 1 중량부, 더욱 바람직하게는 2 중량부이고, 그 상한은, 보다 바람직하게는 25 중량부, 더욱 바람직하게는 20 중량부이다.또한, 발포한 거품의 안정성, 성막성의 향상을 위해, 임의의 증점제를 포함하고 있어도 좋다. 증점제로서는 특별히 제한되지 않고, 아크릴산계, 우레탄계, 폴리비닐알코올계 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리아크릴산계 증점제, 우레탄계 증점제가 바람직하다.증점제의 첨가량[고형분(불휘발분)]은, 예컨대, 수지 재료(폴리머)[고형분(불휘발분)] 100 중량부에 대하여, 0 중량부∼10 중량부이며, 하한은 바람직하게는 0.1 중량부, 상한은 바람직하게는 5 중량부이다.또한, 발포 시트에 인접하는 금속 부재의 부식 방지를 위해, 임의의 방청제를 포함하고 있어도 좋다. 상기 방청제로서, 아졸 고리 함유 화합물이 바람직하다. 아졸 고리 함유 화합물을 이용하면, 금속에 대한 부식 방지성과 피착체에 대한 밀착성을 높은 레벨로 양립할 수 있다.상기 아졸 고리 함유 화합물로서는, 고리 내에 질소 원자를 1개 이상 포함하는 5원환을 갖는 화합물이면 좋고, 예컨대, 디아졸(이미다졸, 피라졸) 고리, 트리아졸 고리, 테트라졸 고리, 옥사졸 고리, 이소옥사졸 고리, 티아졸 고리, 또는 이소티아졸 고리를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 이들 고리는 벤젠 고리 등의 방향 고리와 축합하여 축합 고리를 형성하고 있어도 좋다. 이러한 축합 고리를 갖는 화합물로서, 예컨대, 벤조이미다졸 고리, 벤조피라졸 고리, 벤조트리아졸 고리, 벤조옥사졸 고리, 벤조이소옥사졸 고리, 벤조티아졸 고리, 또는 벤조이소티아졸 고리를 갖는 화합물 등을 들 수 있다.상기 아졸 고리, 상기 축합 고리(벤조트리아졸 고리, 벤조티아졸 고리 등)는, 각각, 치환기를 가지고 있어도 좋다. 상기 치환기로서는, 예컨대, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기 등의 탄소수 1∼6(바람직하게는 탄소수 1∼3)의 알킬기; 메톡시기, 에톡시기, 이소프로필옥시기, 부톡시기 등의 탄소수 1∼12(바람직하게는 탄소수 1∼3)의 알콕시기; 페닐기, 톨릴기, 나프틸기 등의 탄소수 6∼10의 아릴기; 아미노기; 메틸아미노기, 디메틸아미노기 등의 (모노 또는 디)C1-10알킬아미노기; 아미노메틸기, 2-아미노에틸기 등의 아미노-C1-6알킬기; N,N-디에틸아미노메틸기, N,N-비스(2-에틸헥실)아미노메틸기 등의 모노 또는 디(C1-10알킬)아미노-C1-6알킬기; 머캅토기; 케톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기 등의 탄소수 1∼6의 알콕시카르보닐기; 카르복실기; 카르복시메틸기 등의 카르복시-C1-6알킬기; 2-카르복시에틸티오기 등의 카르복시-C1-6알킬티오기; N,N-비스(히드록시메틸)아미노메틸기 등의 N,N-비스(히드록시-C1-4알킬)아미노-C1-4알킬기; 술포기 등을 들 수 있다. 또한, 상기 아졸 고리 함유 화합물은, 나트륨염, 칼륨염 등의 염을 형성하고 있어도 좋다.금속에 대한 방청 작용의 점에서, 아졸 고리가 벤젠 고리 등의 방향 고리와 축합 고리를 형성하고 있는 화합물이 바람직하고, 그 중에서도, 벤조트리아졸계 화합물(벤조트리아졸 고리를 갖는 화합물), 벤조티아졸계 화합물(벤조티아졸 고리를 갖는 화합물)이 특히 바람직하다.상기 벤조트리아졸계 화합물로서는, 예컨대, 1,2,3-벤조트리아졸, 메틸벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, 카르복시메틸벤조트리아졸, 1-[N,N-비스(2-에틸헥실)아미노메틸]벤조트리아졸, 1-[N,N-비스(2-에틸헥실)아미노메틸]메틸벤조트리아졸, 2,2′-[[(메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노]비스에탄올, 또는 이들의 나트륨염 등을 들 수 있다.상기 벤조티아졸계 화합물로서는, 예컨대, 2-머캅토벤조티아졸, 3-(2-(벤조티아졸릴)티오)프로피온산, 또는 이들의 나트륨염 등을 들 수 있다.아졸 고리 함유 화합물은 1종 단독으로 이용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용하여도 좋다.방청제(예컨대, 상기 아졸 고리 함유 화합물)[고형분(불휘발분)]의 첨가량[고형분(불휘발분)]은, 피착체에 대한 밀착성이나 발포체 본래의 특성을 손상시키지 않는 범위이면 좋고, 예컨대, 수지 재료(폴리머)[고형분(불휘발분)] 100 중량부에 대하여, 예컨대, 0.2 중량부∼5 중량부가 바람직하다. 그 하한은, 보다 바람직하게는 0.3 중량부, 더욱 바람직하게는 0.4 중량부이고, 그 상한은, 보다 바람직하게는 3 중량부, 더욱 바람직하게는 2 중량부이다.또한, 충격 흡수성을 손상하지 않는 범위 내에서, 임의의 적절한 다른 성분을 포함하고 있어도 좋다. 이러한 다른 성분은, 1종만을 포함하고 있어도 좋고, 2종 이상을 포함하고 있어도 좋다. 상기 다른 성분으로서는, 예컨대, 상기 이외의 폴리머 성분, 연화제, 산화 방지제, 노화 방지제, 겔화제, 경화제, 가소제, 충전제, 보강제, 발포제(중조 등), 마이크로 캡슐(열 팽창성 미소구 등), 난연제, 광안정제, 자외선 흡수제, 착색제(안료나 염료 등), pH 조정제, 용제(유기 용제), 열 중합 개시제, 광 중합 개시제 등을 들 수 있다. 이들 성분의 첨가량[고형분(불휘발분)]은, 피착체에 대한 밀착성이나 발포체 본래의 특성을 손상시키지 않는 범위이면 좋고, 예컨대, 수지 재료(폴리머)[고형분(불휘발분)] 100 중량부에 대하여, 각각, 예컨대 0.2 중량부∼100 중량부의 범위가 바람직하다.발포제(중조 등)의 첨가량[고형분(불휘발분)]은, 수지 재료(폴리머)[고형분(불휘발분)] 100 중량부에 대하여, 보다 바람직하게는 0.5 중량부∼20 중량부이다. 마이크로 캡슐(열 팽창성 미소구 등)의 첨가량[고형분(불휘발분)]은, 수지 재료(폴리머)[고형분(불휘발분)] 100 중량부에 대하여, 보다 바람직하게는 0.2 중량부∼10 중량부이다.상기 충전제로서는, 예컨대, 실리카, 클레이(운모, 탈크, 스멕타이트 등), 알루미나, 수산화알루미늄, 알칼리 토류 금속의 수산화물(수산화마그네슘 등), 알칼리 토류 금속의 탄화물(탄화칼슘 등), 티타니아, 산화아연, 산화주석, 제올라이트, 그래파이트, 카본 나노 튜브, 무기 섬유(탄소 섬유, 유리 섬유, 티탄산칼륨 섬유 등), 유기 섬유, 금속 가루(은, 구리 등), 왁스(폴리에틸렌 왁스, 폴리프로필렌 왁스 등) 등을 들 수 있다. 또한, 충전제로서, 압전 입자(산화티탄, 티탄산바륨 등), 도전성 입자(도전성 산화티탄, 산화주석 등), 열 전도성 입자(질화붕소 등), 유기 필러(실리콘 파우더, 폴리에틸렌 파우더, 폴리프로필렌 파우더 등) 등을 첨가할 수도 있다.충전제의 첨가량은, 수지 재료(폴리머)[고형분(불휘발분)] 100 중량부에 대하여, 예컨대 0.3 중량부∼100 중량부이다. 발포 시트의 표면의 점착성을 저하시킨다고 하는 관점에서는, 충전제의 첨가량은, 바람직하게는 1 중량부∼100 중량부이며, 그 하한은, 바람직하게는 5 중량부, 더욱 바람직하게는 10 중량부이고, 그 상한은, 바람직하게는 80 중량부, 더욱 바람직하게는 50 중량부이다. 또한, 충전제로서, 운모 등의 클레이를 이용하는 경우, 그 첨가량은, 수지 재료(폴리머)[고형분(불휘발분)] 100 중량부에 대하여, 0.3 중량부∼10 중량부의 범위가 특히 바람직하다. 또한, 충전제로서, 압전 입자를 이용하는 경우, 그 첨가량은, 수지 재료(폴리머)[고형분(불휘발분)] 100 중량부에 대하여, 5 중량부∼40 중량부의 범위가 특히 바람직하다. 또한, 충전제로서, 도전성 입자를 이용하는 경우, 그 첨가량은, 수지 재료(폴리머)[고형분(불휘발분)] 100 중량부에 대하여, 5 중량부∼40 중량부의 범위가 특히 바람직하다. 또한, 충전제로서 압전 입자와 도전성 입자를 조합하여 이용하면, 압력에 의해 전하의 발생량을 조정할 수 있다. 이 경우, 압전 입자와 도전성 입자의 비율은, 예컨대, 전자/후자(중량비)=10/90∼90/10, 바람직하게는, 전자/후자(중량비)=20/80∼80/20, 더욱 바람직하게는, 전자/후자(중량비)=30/70∼70/30이다.본 발명의 발포 시트는, 발포체를 구성하는 수지 재료(폴리머)를 포함하는 수지 조성물을 발포 성형에 부침으로써 제조할 수 있다. 발포 방법(기포의 형성 방법)으로서는, 물리적 방법, 화학적 방법 등, 발포 성형에 통상 이용되는 방법을 채용할 수 있다. 일반적으로 물리적 방법은, 공기나 질소 등의 가스 성분을 폴리머 용액에 분산시켜, 기계적 혼합에 의해 기포를 형성시키는 것(기계 발포체)이다. 또한, 화학적 방법은, 폴리머 베이스에 첨가된 발포제의 열 분해에 의해 생긴 가스에 의해 셀을 형성하여, 발포체를 얻는 방법이다. 환경 문제 등의 관점에서, 물리적 방법이 바람직하다. 물리적 방법에 의해 형성되는 기포는, 연속 기포인 것이 많다.발포 성형에 부치는 수지 재료(폴리머)를 포함하는 수지 조성물로서는, 수지 재료를 용제에 용해시킨 수지 용액을 이용하여도 좋지만, 기포성의 관점에서, 수지 재료를 포함하는 에멀션(에멀션 수지 조성물)을 이용하는 것이 바람직하다. 즉, 본 발명의 발포 시트를 구성하는 발포체는, 에멀션 수지 조성물의 발포체인 것이 바람직하다. 에멀션으로서는, 2종 이상의 에멀션을 블렌드하여 이용하여도 좋다.에멀션의 고형분 농도는 성막성의 관점에서 높은 편이 바람직하다. 에멀션의 고형분 농도는, 바람직하게는 30 중량％ 이상, 보다 바람직하게는 40 중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 50 중량％ 이상이다.본 발명에서는, 수지 조성물(예컨대, 에멀션 수지 조성물)을 기계적으로 발포시켜 발포화시키는 공정(공정 A)을 거쳐 발포체를 제작하는 방법이 바람직하다. 즉, 본 발명의 발포 시트를 구성하는 발포체는, 수지 조성물(예컨대, 에멀션 수지 조성물)의 기계 발포체인 것이 바람직하다. 기포 장치로서는, 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 고속 전단 방식, 진동 방식, 가압 가스의 토출 방식 등의 장치를 들 수 있다. 이들 중에서도, 기포 직경의 미세화, 대용량 제작의 관점에서, 고속 전단 방식이 바람직하다.기계적 교반에 의해 발포하였을 때의 기포는, 기체(가스)가 에멀션 중에 취입된 것이다. 가스로서는, 에멀션에 대하여 불활성이면 특별히 제한되지 않고, 공기, 질소, 이산화탄소 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 경제성의 관점에서, 공기가 바람직하다.상기 방법에 따라 발포화한 수지 조성물(예컨대, 에멀션 수지 조성물)을 기재 상에 코팅하여 건조하는 공정(공정 B)을 거침으로써, 본 발명의 발포 시트를 얻을 수 있다. 상기 기재로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 박리 처리한 플라스틱 필름(박리 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등), 플라스틱 필름(폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등), 열 전도층(후술하는 열 전도층) 등을 들 수 있다. 열 전도층을 기재로서 코팅한 경우에는, 발포체층과 열전도층의 밀착성을 향상시킬 수 있고, 또한, 발포체층 제작 시의 건조 공정의 효율도 향상시킬 수 있다.상기 공정 B에 있어서, 코팅 방법, 건조 방법으로서는, 일반적인 방법을 채용할 수 있다. 공정 B는, 기재 상에 도포한 기포 함유 수지 조성물(예컨대, 에멀션 수지 조성물)을 50℃ 이상 125℃ 미만에서 건조하는 예비 건조 공정 B1과, 그 후 더욱 125℃ 이상 200℃ 이하에서 건조하는 본 건조 공정 B2를 포함하고 있는 것이 바람직하다.예비 건조 공정 B1과 본 건조 공정 B2를 마련함으로써, 급격한 온도 상승에 의한 기포의 합일화, 기포의 파열을 방지할 수 있다. 특히 두께가 작은 발포 시트에서는 온도의 급격한 상승에 의해 기포가 합일이나, 파열하기 때문에, 예비 건조 공정 B1을 마련하는 의의는 크다. 예비 건조 공정 B1에 있어서의 온도는, 바람직하게는 50℃ 이상 100℃ 이하이다. 예비 건조 공정 B1의 시간은, 예컨대, 0.5분∼30분, 바람직하게는 1분∼15분이다. 또한, 본 건조 공정 B2에 있어서의 온도는, 바람직하게는 130℃ 이상 180℃ 이하, 보다 바람직하게는 130℃ 이상 160℃ 이하이다. 본 건조 공정 B2의 시간은, 예컨대, 0.5분∼30분, 바람직하게는 1분∼15분이다.발포체의 평균 셀 직경, 최대 셀 직경 및 최소 셀 직경은, 계면 활성제의 종류나 양을 조정하는 것이나, 기계적 교반 시의 교반 속도나 교반 시간을 조정함으로써, 평균 셀 직경이 10 ㎛∼150 ㎛의 범위인 발포 시트를 얻을 수 있다.발포체의 겉보기 밀도는, 기계적 교반 시의 수지 조성물(예컨대, 에멀션 수지 조성물) 중에 취입하는 기체(가스) 성분량을 조정함으로써, 0.2 g/㎤∼0.7 g/㎤의 겉보기 밀도의 발포 시트를 얻을 수 있다.본 발명의 발포 시트는, 발포체의 편면 또는 양면(특히, 저태크면 이외의 면)에 점착제층(점착층)을 가지고 있어도 좋다. 점착제층을 구성하는 점착제로서는, 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제 등 중 어느 것이어도 좋다. 또한, 점착제층을 마련하는 경우는, 그 표면에, 사용 시까지 점착제층을 보호하는 박리 라이너를 적층하여도 좋다.본 발명의 발포 시트는, 롤형으로 권취한 권취체(롤형물)로서 시장에 유통시켜도 좋다.본 발명의 발포 시트는, 두께가 작아도 충격 흡수성이 우수하다. 그 때문에, 예컨대, 전기·전자 기기에 있어서, 각종 부재 또는 부품(예컨대, 광학 부재 등)을, 소정의 부위(예컨대, 케이스 등)에 부착할(장착할) 때에 이용되는 전기·전자 기기용 부재, 특히, 충격 흡수 시트로서 유용하다.본 발명의 발포 시트를 이용하여 부착(장착) 가능한 광학 부재로서는, 예컨대, 액정 디스플레이, 일렉트로 루미네선스 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 등의 화상 표시 장치에 장착되는 화상 표시 부재(특히, 소형의 화상 표시 부재)나, 소위 「휴대 전화」, 「스마트 폰」이나 「휴대 정보 단말」 등의 이동 통신의 장치에 장착되는 터치 패널 등의 표시 부재, 카메라나 렌즈(특히, 소형의 카메라나 렌즈) 등을 들 수 있다.본 발명의 전기·전자 기기는, 상기 본 발명의 발포 시트가 이용되고 있다. 이러한 전기·전자 기기에는, 예컨대, 표시 부재를 구비한 전기·전자 기기로서, 상기 발포 시트가 상기 전기 또는 전자 기기의 케이스와 상기 표시 부재 사이에 협지된 구조를 가지고 있는 전기·전자 기기가 포함된다. 상기 전기·전자 기기로서, 예컨대, 소위 「휴대 전화」, 「스마트 폰」, 「휴대 정보 단말」 등의 이동 통신의 장치 등을 들 수 있다.실시예이하에 실시예를 들어 본 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 조금도 제한되는 것이 아니다. 또한, 특별히 언급하지 않는 한, 함유량을 나타내는 「％」는 중량％를 의미한다. 또한, 배합 부수(중량부)는, 전부 고형분(불휘발분) 환산의 값이다.실시예 1아크릴 에멀션 용액[고형분량 55％, 아크릴산에틸-아크릴산부틸-아크릴로니트릴 공중합체(중량비 45:48:7)] 100 중량부, 지방산암모늄계 계면 활성제(스테아린산암모늄의 물 분산액, 고형분량 33％)(계면 활성제 A) 2 중량부, 카르복시베타인형 양성 계면 활성제(「아모겐 CB-H」, 다이이치코교세이야쿠사 제조)(계면 활성제 B) 2 중량부, 옥사졸린계 가교제(「에포크로스 WS-500」 니혼쇼쿠바이사 제조, 고형분량 39％) 10 중량부, 안료(카본 블랙)(「NAF-5091」 다이이치세이카코교사 제조) 1 중량부, 폴리아크릴산계 증점제[아크릴산에틸-아크릴산 공중합체(아크릴산 20 중량％), 고형분량 28.7％] 0.6 중량부를 디스퍼(「로보믹스」 프라이믹스사 제조)로 교반 혼합하여 발포화하였다. 이 발포 조성물을, 박리 처리를 한 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 필름(두께: 38 ㎛, 상품명 「MRF＃38」 미츠비시쥬시사 제조) 상에 도포하고, 70℃에서 4.5분, 140℃에서 4.5분 건조시켜, 두께 130 ㎛, 겉보기 밀도 0.28 g/㎤, 초기 탄성률 1.15 N/㎟의 연속 기포 구조의 발포체(발포 시트)를 얻었다.실시예 2아크릴 에멀션 용액[고형분량 55％, 아크릴산에틸-아크릴산부틸-아크릴로니트릴 공중합체(중량비 45:48:7)] 100 중량부, 지방산암모늄계 계면 활성제(스테아린산암모늄의 물 분산액, 고형분량 33％)(계면 활성제 A) 2 중량부, 카르복시베타인형 양성 계면 활성제(「아모겐 CB-H」, 다이이치코교세이야쿠사 제조)(계면 활성제 B) 2 중량부, 옥사졸린계 가교제(「에포크로스 WS-500」 니혼쇼쿠바이사 제조, 고형분량 39％) 4 중량부, 안료(카본 블랙)(「NAF-5091」 다이이치세이카코교사 제조) 1 중량부, 폴리아크릴산계 증점제[아크릴산에틸-아크릴산 공중합체(아크릴산 20 중량％), 고형분량 28.7％] 0.6 중량부, 수산화알루미늄(「하이질라이트 H42」 쇼와덴코사 제조) 40 중량부를 디스퍼(「로보믹스」 프라이믹스사 제조)로 교반 혼합하여 발포화하였다. 이 발포 조성물을, 박리 처리를 한 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 필름(두께: 38 ㎛, 상품명 「MRF＃38」 미츠비시쥬시사 제조) 상에 도포하고, 70℃에서 4.5분, 140℃에서 4.5분 건조시켜, 두께 130 ㎛, 겉보기 밀도 0.30 g/㎤, 초기 탄성률 0.82 N/㎟의 연속 기포 구조의 발포체(발포 시트)를 얻었다.실시예 3아크릴 에멀션 용액[고형분량 55％, 아크릴산에틸-아크릴산부틸-아크릴로니트릴 공중합체(중량비 45:48:7)] 100 중량부, 지방산암모늄계 계면 활성제(스테아린산암모늄의 물 분산액, 고형분량 33％)(계면 활성제 A) 2 중량부, 카르복시베타인형 양성 계면 활성제(「아모겐 CB-H」, 다이이치코교세이야쿠사 제조)(계면 활성제 B) 2 중량부, 옥사졸린계 가교제(「에포크로스 WS-500」 니혼쇼쿠바이사 제조, 고형분량 39％) 4 중량부, 안료(카본 블랙)(「NAF-5091」 다이이치세이카코교사 제조) 1 중량부, 폴리아크릴산계 증점제[아크릴산에틸-아크릴산 공중합체(아크릴산 20 중량％), 고형분량 28.7％] 0.6 중량부, 티탄산칼륨 섬유(「티스모 D」 오츠카카가쿠사 제조) 30 중량부를 디스퍼(「로보믹스」 프라이믹스사 제조)로 교반 혼합하여 발포화하였다. 이 발포 조성물을, 박리 처리를 한 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 필름(두께: 38 ㎛, 상품명 「MRF＃38」 미츠비시쥬시사 제조) 상에 도포하고, 70℃에서 4.5분, 140℃에서 4.5분 건조시켜, 두께 130 ㎛, 겉보기 밀도 0.34 g/㎤, 초기 탄성률 2.37 N/㎟의 연속 기포 구조의 발포체(발포 시트)를 얻었다.실시예 4아크릴 에멀션 용액[고형분량 55％, 아크릴산에틸-아크릴산부틸-아크릴로니트릴 공중합체(중량비 45:48:7)] 100 중량부, 스티렌계 에멀션 용액(고형분량 53％, 「본코트 SK-105-E」, DIC사 제조) 20 중량부, 지방산암모늄계 계면 활성제(스테아린산암모늄의 물 분산액, 고형분량 33％)(계면 활성제 A) 2 중량부, 카르복시베타인형 양성 계면 활성제(「아모겐 CB-H」, 다이이치코교세이야쿠사 제조)(계면 활성제 B) 2 중량부, 옥사졸린계 가교제(「에포크로스 WS-500」 니혼쇼쿠바이사 제조, 고형분량 39％) 4 중량부, 안료(카본 블랙)(「NAF-5091」 다이이치세이카코교사 제조) 1 중량부, 폴리아크릴산계 증점제[아크릴산에틸-아크릴산 공중합체(아크릴산 20 중량％), 고형분량 28.7％] 0.6 중량부를 디스퍼(「로보믹스」 프라이믹스사 제조)로 교반 혼합하여 발포화하였다. 이 발포 조성물을, 박리 처리를 한 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 필름(두께: 38 ㎛, 상품명 「MRF＃38」 미츠비시쥬시사 제조) 상에 도포하고, 70℃에서 4.5분, 140℃에서 4.5분 건조시켜, 두께 130 ㎛, 겉보기 밀도 0.29 g/㎤, 초기 탄성률 3.64 N/㎟의 연속 기포 구조의 발포체(발포 시트)를 얻었다.실시예 5아크릴 에멀션 용액[고형분량 55％, 아크릴산에틸-아크릴산부틸-아크릴로니트릴 공중합체(중량비 45:48:7)] 100 중량부, 지방산암모늄계 계면 활성제(스테아린산암모늄의 물 분산액, 고형분량 33％)(계면 활성제 A) 2 중량부, 카르복시베타인형 양성 계면 활성제(「아모겐 CB-H」, 다이이치코교세이야쿠사 제조)(계면 활성제 B) 2 중량부, 옥사졸린계 가교제(「에포크로스 WS-500」 니혼쇼쿠바이사 제조, 고형분량 39％) 4 중량부, 안료(카본 블랙)(「NAF-5091」 다이이치세이카코교사 제조) 1 중량부, 실리카(평균 입경 5 ㎛, BET 비표면적 80 ㎡/g∼130 ㎡/g, 겉보기 비중 0.26 g/㎤∼0.32 g/㎤) 25 중량부를 디스퍼(「로보믹스」 프라이믹스사 제조)로 교반 혼합하여 발포화하였다. 이 발포 조성물을, 박리 처리를 한 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 필름(두께: 38 ㎛, 상품명 「MRF＃38」 미츠비시쥬시사 제조) 상에 도포하고, 70℃에서 4.5분, 140℃에서 4.5분 건조시켜, 두께 130 ㎛, 겉보기 밀도 0.30 g/㎤, 초기 탄성률 0.53 N/㎟의 연속 기포 구조의 발포체(발포 시트)를 얻었다.비교예 1아크릴 에멀션 용액[고형분량 55％, 아크릴산에틸-아크릴산부틸-아크릴로니트릴 공중합체(중량비 45:48:7)] 100 중량부, 지방산암모늄계 계면 활성제(스테아린산암모늄의 물 분산액, 고형분량 33％)(계면 활성제 A) 1.5 중량부, 카르복시베타인형 양성 계면 활성제(「아모겐 CB-H」, 다이이치코교세이야쿠사 제조)(계면 활성제 B) 1 중량부, 옥사졸린계 가교제(「에포크로스 WS-500」 니혼쇼쿠바이사 제조, 고형분량 39％) 0.35 중량부, 폴리아크릴산계 증점제(아크릴산에틸-아크릴산 공중합체(아크릴산 20 중량％), 고형분량 28.7％) 0.78 중량부, 벤조트리아졸계 방청제(「SEETEC BT-NA」, 시프로카세이사 제조) 0.5 중량부를 디스퍼(「로보믹스」 프라이믹스사 제조)로 교반 혼합하여 발포화하였다. 이 발포 조성물을, 박리 처리를 한 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 필름(두께: 38 ㎛, 상품명 「MRF＃38」 미츠비시쥬시사 제조) 상에 도포하고, 70℃에서 4.5분, 140℃에서 4.5분 건조시켜, 두께 130 ㎛, 겉보기 밀도 0.33 g/㎤, 초기 탄성률 0.32 N/㎟, 최대 셀 직경 110 ㎛, 최소 셀 직경 20 ㎛, 평균 셀 직경 45 ㎛의 연속 기포 구조의 발포체(발포 시트)를 얻었다.비교예 2시판의 폴리에틸렌계 발포체(「볼라라 XLIM WF01」, 세키스이카가쿠코교사 제조)를 발포체(발포 시트)로서 이용하였다. 발포체의 두께는 100 ㎛, 겉보기 밀도는 0.31 g/㎤, 초기 탄성률은 13.13 N/㎟였다.003c#평가003e#실시예 및 비교예에서 얻어진 발포체(발포 시트)에 대해서, 이하의 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 표 1에 있어서, 각 실시예, 비교예에 있어서의 각 성분의 부(중량부)는 [고형분(불휘발분) 환산]이다. 「Em」은 에멀션을 나타낸다.(평균 셀 직경)저진공 주사 전자 현미경(「S-3400N형 주사 전자 현미경」 히타치하이테크사이언스시스템사 제조)에 의해, 발포체 단면의 확대 화상을 취득하여, 화상 해석함으로써 평균 셀 직경(㎛)을 구하였다. 또한 해석한 셀 수는 20개이다. 같은 방법으로, 발포체의 최소 셀 직경(㎛) 및 최대 셀 직경(㎛)을 구하였다.(겉보기 밀도)100 ㎜×100 ㎜의 펀칭 날형으로 발포체(발포 시트)를 펀칭하여, 펀칭한 시료의 치수를 측정한다. 또한, 측정 단자의 직경(φ) 20 ㎜인 1/100 다이얼 게이지로 두께를 측정한다. 이들 값으로부터 발포체의 체적을 산출하였다.다음에, 발포체의 중량을 최소 눈금 0.01 g 이상의 윗접시 저울로 측정한다. 이들 값으로부터 발포체의 겉보기 밀도(g/㎤)를 산출하였다.(동적 점탄성)점탄성 측정 장치(「ARES2KFRTN1-FCO」 TA Instruments Japan사 제조)의 필름 인장 측정 모드로, 각진동수 1 rad/s에서 온도 분산성 시험을 행하였다. 그때의 저장 탄성률(E')과 손실 탄성률(E'')의 비율인 손실 탄젠트(tanδ)의 피크 톱의 온도(℃)와 강도(최대값)를 측정하였다.표 1의 「tanδ 온도」의 란에, 발포체의 손실 탄젠트(tanδ)의 피크 톱의 온도(℃)를 기재하고, 「tanδ」의 란에, 그 피크 톱의 강도(최대값)를 기재하며, 「tanδ/겉보기 밀도」의 란에, 상기 피크 톱의 강도(최대값)를 발포체의 겉보기 밀도로 나눈 값[발포체를 구성하는 재료 자체(기포를 제외함)의 tanδ의 피크 톱 강도(최대값)에 상당함]을 기재하였다.(초기 탄성률)23℃ 환경 하에서 인장 속도 300 ㎜/min에서의 인장 시험에 있어서의 10％ 왜곡 시의 기울기로부터 산출한 초기 탄성률(N/㎟)을 평가하였다.(충격 흡수성 시험)상기 진자형 충격 시험기(충격 시험 장치)(도 1 및 도 2 참조)를 이용하여 충격 흡수성 시험을 행하였다. 실시예 및 비교예에서 얻어진 발포 시트(샘플 사이즈: 20 ㎜×20 ㎜)에 대해서, 28 g의 철구를 40°기울인 저충격 조건에서 충격 시험을 행하여, 충격 흡수율(％)을 구하였다.다음에, 상기 충격 흡수율(％)을 발포 시트의 두께(㎛)로 나누어, 단위 두께당의 충격 흡수율(R)을 구하였다.표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예의 발포 시트에서는, 상기 R은 0.20 이상으로, 우수한 충격 흡수성을 나타내었다. 이에 대하여, 비교예 2의 발포 시트에서는 R은 0.20 미만이었다.(프로브 태크 시험)태킹 시험기(「TAC-2」, 레스카사 제조)를 이용하였다. 23℃ 환경 하에서, 직경(φ) 5 ㎜의 SUS304제 원기둥의 프로브를 발포 시트 상부로부터, 압입 속도 30 ㎜/min, 압입 하중 100 gf, 프레스 시간 1초의 조건으로 누르고, 박리 속도 30 ㎜/min로 뗄 때의 최대 하중값(kN/㎡)을 측정하였다.표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예의 발포 시트에서는, 최대 하중값은 100 kN/㎡ 이하이며, 비교예 1에 비해서, 대폭 점착성이 저하하였다.(재박리성 시험)발포 시트를 100 ㎜×100 ㎜로 절단하고, SUS304BA판 상에 붙여 측정 시료로 하였다. 수평으로 둔 측정 시료에 1 ㎏ 롤러를 1왕복시켜 압착하였다. 압착 후, 상온(23℃) 하에서, 180℃ 방향으로 재차 떼었을 때의 발포 시트의 상태를 측정하였다.◎: SUS304BA판에 달라 붙지 않는다.○: SUS304BA판에 달라 붙지만, 발포 시트 형상은 변화하지 않고 박리할 수 있다.×: SUS304BA판에 달라 붙어, 떼었을 때에 발포 시트 형상이 변화한다.표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예의 발포 시트에서는, SUS304BA판으로부터 떼어도, 발포 시트는 원래의 형상으로 되돌아가, 재차 고쳐 붙일 수 있었지만, 비교예 1은, 박리하였을 때에 신장하거나, 찢어져 원래의 형상으로 되돌아가지 않아, 재차 고쳐 붙일 수 없었다. [ 산업상 이용가능성 ] 본 발명의 발포 시트는, 예컨대, 전기·전자 기기에 있어서, 각종 부재 또는 부품(예컨대, 광학 부재 등)을, 소정의 부위(예컨대, 케이스 등)에 부착할(장착할) 때에 이용되는 전기·전자 기기용 부재, 특히, 충격 흡수 시트로서 유용하다. [ 부호의 설명 ] 1 진자형 충격 시험기(충격 시험 장치)2 시험편(발포 시트)3 유지 부재4 충격 부하 부재5 압력 센서11 고정 지그12 누름 지그16 압력 조정 수단20 지주21 아암22 지지봉(샤프트)의 일단23 지지봉(샤프트)24 충격자25 전자석28 지지판a 리프팅 각도
본 발명에서는, 두께가 매우 얇아도, 우수한 충격 흡수성을 발휘하는 발포 시트를 제공한다. 본 발명의 발포 시트는, 두께가 30 ㎛∼500 ㎛이며, 겉보기 밀도가 0.2 g/㎤∼0.7 g/㎤, 평균 셀 직경이 10 ㎛∼150 ㎛인 발포체로 구성되어 있는 발포 시트로서, 진자형 충격 시험기를 이용한 충격 흡수성 시험에 있어서, 명세서에서 정의되는 충격 흡수율(％)을 발포 시트의 두께(㎛)로 나눈 값(R)이, 충격자의 무게 28 g, 리프팅 각도 40°인 경우에 0.20 이상이고, 상기 발포 시트의 적어도 한쪽 면은, 23℃ 환경 하에서, 직경(φ)이 5 ㎜인 SUS304제 원기둥의 프로브를, 압입 속도 30 ㎜/min, 압입 하중 100 gf, 프레스 시간 1초의 조건으로 누르고, 박리 속도 30 ㎜/min로 떼었을 때의 최대 하중값이 100 kN/㎡ 이하이다.
[ 발명의 명칭 ] 커널 모드 애플리케이션에 의한 사용을 위한 보안 엔클레이브SECURE ENCLAVES FOR USE BY KERNEL MODE APPLICATIONS [ 기술분야 ] 본원에 개시된 실시예는 일반적으로 보안 엔클레이브(secure enclave) 및 커널 모드 애플리케이션(kernel mode application)으로부터 보안 엔클레이브를 액세스하는 것에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 보안 엔클레이브는 메모리 애퍼처(memory aperture)이고, 애플리케이션은 메모리 애퍼처를 통해 기밀 정보를 프로세싱할 수 있다. 예를 들면, 일부 보안 엔클레이브는 컴퓨터 시스템 내의 물리적 메모리의 특수 범위 내의 메모리 위치이다. 메모리는 파워-온마다 컴퓨터 시스템의 프로세서에 의해 생성된 임시 키(ephemeral key) 하에서 암호화된다. 이와 같이, 메모리는, 프로세서 자체를 제외하면 컴퓨터 시스템 내의 임의의 하드웨어 디바이스에 대해 액세스 불가하다. 보안 엔클레이브는 컴퓨터 시스템의 임의의 다른 구성요소 및/또는 프로세스에 의해 액세스 불가한 메모리 위치 내의 기밀 정보를 프로세싱하는데 사용될 수 있다. 예를 들면, 기밀 정보는 보안 엔클레이브 내에서 암호화될 수 있다. 암호화된 정보는 기밀 정보를 암호화하는데 사용된 보안 엔클레이브 내에서만 복호화될 수 있다. 이와 같이, 데이터는, 데이터를 암호화 및/또는 복호화하는데 사용된 키를 노출시키지 않고서, 암호화 및 복호화될 수 있다. 따라서, 애플리케이션은 다양한 함수를 사용하여 보안 엔클레이브를 호출하고 임의의 필요한 데이터를 보안 엔클레이브로 전달함으로써 보안 엔클레이브와 상호작용할 수 있다. 보안 엔클레이브의 성질 및 그의 특수하게 암호화된 메모리 위치의 사용으로 인해, 보안 엔클레이브와의 상호작용은 사용자 모드에서 동작하는 애플리케이션으로 제한된다. 커널 모드에서 동작하는 애플리케이션은 보안 엔클레이브와 상호작용하는 것이 방지된다.인식될 바와 같이, 컴퓨터 시스템을 초기화하는 것을 담당하는 애플리케이션은 커널 모드에서 동작한다. 예를 들면, 기본 입력/출력 시스템("BIOS") 및 통합형 확장 가능 펌웨어 인터페이스("UEFI")는 컴퓨터 시스템을 개시하기 위해 필요한 다양한 플랫폼 디바이스(특히, 운영 시스템이 상주하는 저장 디바이스)를 초기화하는 애플리케이션(또는 애플리케이션의 콜렉션)이다. 이들 애플리케이션은 커널 모드에서 동작하고, 컴퓨터 시스템에서 "사전-부트" 동작을 수행하는 것으로 지칭될 수 있다. 사전-부트 동안에 보안 엔클레이브에서 기밀 정보를 프로세싱하는 것이 바람직한 경우가 존재한다. 예를 들면, 도난 방지 기술(anti-theft technology) 및 풀 디스크 암호화 기술은 (예를 들면, 컴퓨팅 디바이스를 잠금해제(unlock)하거나, 디스크를 복호화하는 것 등을 위해) 키를 활용한다. 키는 전형적으로 사용자에 의해 선택된 패스프레이즈(passphrase)를 사용하여 암호화된다. 사전-부트 동안에, 사용자는 패스프레이즈를 공급하고, 키는 메모리에서 평문(plaintext)으로 복호화된다. 그러나, 메모리가 보호되지 않을 때, 키는 다른 애플리케이션에 의해 액세스 가능할 수 있다.따라서, 커널 모드에서 동작하는 애플리케이션에 의한 기밀 정보의 보안 프로세싱을 제공하기 위해, 특히 사전-부트 동안에, 커널 모드 애플리케이션에 의해 보안 엔클레이브를 액세스할 필요성이 존재한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 커널 모드 애플리케이션에 의한 보안 엔클레이브에 대한 액세스를 가능하게 하기 위한 시스템의 실시예를 도시한다.도 2는 커널 모드 애플리케이션에 의한 보안 엔클레이브에 대한 액세스를 가능하게 하기 위한 시스템의 실시예의 일부를 도시한다. 도 3은 일 실시예에 따른 논리 흐름을 도시한다.도 4는 저장 매체의 실시예를 도시한다.도 5는 실시예에 따른 논리 흐름을 도시한다.도 6은 저장 매체의 실시예를 도시한다.도 7은 실시예에 따른 프로세싱 아키텍쳐를 도시한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본원에서 사용되는 기호 및 명명법을 일반적으로 참조하면, 후속하는 상세한 설명의 부분은 컴퓨터 상에서 또는 컴퓨터의 네트워크 상에서 실행되는 프로그램 프로시져의 관점에서 제시될 수 있다. 이들 프로시져의 설명 및 표현이 당업자에 의해 사용되어 다른 당업자에게 이들 연구의 핵심을 가장 효과적으로 전달한다. 프로시져는 여기에서, 그리고 일반적으로, 원하는 결과로 이어지는 동작의 자기 일관적 시퀀스(a self-consistent sequence)가 되는 것으로 간주된다. 이들 동작은 물리적 수량의 물리적 조작을 필요로 하는 것이다. 일반적으로, 반드시 그러한 것을 아니지만, 이들 수량은 저장, 전달, 통합, 비교, 또는 조작되는 것이 가능한 전기적, 자기적 또는 광학적 신호의 형태를 취한다. 이들 신호를 비트, 값, 요소, 심볼, 문자, 용어, 숫자, 또는 유사한 것으로서 지칭하는 것이 주로 일반적인 사용의 이유로 가끔 편리하다고 입증되었다. 그러나, 이들 및 유사한 용어의 모두는 적합한 물리적 수량과 연관되고 이들 수량에 적용되는 단지 편리한 라벨인 것에 유의해야 한다.또한, 이들 조작은 종종 사람 운영자에 의해 수행되는 정신적 동작과 일반적으로 연관되는, 추가 또는 비교와 같은, 용어로 지칭된다. 그러나, 사람 운영자의 이러한 능력은, 하나 이상의 실시예의 부분을 형성하는 본원에 설명된 임의의 동작에서, 대부분의 경우에, 필요하거나 바람직한 것은 아니다. 오히려, 이들 동작은 머신 동작이다. 다양한 실시예의 동작을 수행하기 위해 유용한 머신은 본원의 교시에 따라 기록된 내부에 저장된 컴퓨터 프로그램에 의해 선택적으로 활성화 또는 구성되는 것으로서 범용 디지털 컴퓨터를 포함하고/거나 필요한 목적에 대해 특별하게 구성되는 장치를 포함한다. 다양한 실시예는 또한 이들 동작을 수행하기 위한 장치 또는 시스템에 관한 것이다. 이들 장치는 필요한 목적에 대해 특별하게 구성될 수 있거나 범용 컴퓨터를 포함시킬 수 있다. 다양한 이들 머신에 대해 필요한 구조는 주어진 설명으로부터 명백해질 것이다.이제 도면에 대한 참조가 이루어지고, 동일한 참조부호는 전반적으로 동일한 요소를 지칭하도록 사용된다. 다음의 설명에서, 설명의 목적을 위해, 이들의 완전한 이해를 제공하도록 다양한 특정 상세가 제시된다. 그러나, 진보적인 실시예가 이들 특정 상세 없이 실시될 수 있다는 것이 명백할 수 있다. 다른 경우에, 잘 알려진 구조 및 디바이스는 이들의 설명을 용이하게 하도록 블록도로 도시된다. 청구항의 범위 내에서 모든 수정, 등가, 및 대안을 커버하도록 의도된다.도 1은 커널 모드 애플리케이션에 의한 보안 엔클레이브에 대한 액세스를 가능하게 하기 위한 시스템(1000)의 블록도이다. 시스템(1000)은 컴퓨팅 디바이스(100)를 통합한다. 컴퓨팅 디바이스(100)는, 제한 없이, 데스크톱 컴퓨터 시스템, 데이터 입력 단말, 랩톱 컴퓨터, 넷북 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터, 핸드헬드 개인 정보 단말, 스마트폰, 디지털 카메라, 의류 또는 착용 가능한 액세서리(예를 들면, 안경, 시계 등)에 통합되는 신체-착용 컴퓨팅 디바이스, 운송수단(예를 들면, 자동차, 자전거, 휠체어 등)에 통합되는 컴퓨팅 디바이스, 서버, 서버의 클러스터, 서버 팜, 스테이션, 무선 스테이션, 사용자 장비 등을 포함하여 다양한 타입의 컴퓨팅 디바이스 중 임의의 것일 수 있다. 실시예는 이러한 문맥으로 제한되지 않는다.일반적으로, 시스템(1000)은 커널 모드 애플리케이션이 보안 엔클레이브와 상호작용하도록 허용하도록 구성된다. 상기와 달리, 시스템(1000)은 커널 모드에서 동작하는 애플리케이션에 의해 보안 엔클레이브를 로딩 및 실행하는 것을 허용하도록 구성된다. 커널 모드 애플리케이션에 의한 사용을 위해 보안 엔클레이브를 로딩 및 실행하는 단일의 컴퓨팅 디바이스(예를 들면, 컴퓨팅 디바이스(100))가 기재되지만, 컴퓨팅 디바이스의 특징이 다수의 컴퓨팅 디바이스에 통합될 수 있다는 것이 유의되어야 한다. 인식될 바와 같이, 많은 현대 프로세싱 구성요소(예를 들면, x86 등)는 "커널 모드" 및 "사용자 모드"로 지칭되는 상이한 동작 모드를 제공한다. 프로세싱 구성요소는, 프로세싱 구성요소가 명령어를 실행하는 특정 애플리케이션이 어떠한 특권을 갖는지에 의존하여 이들 2 개의 모드 사이에서 스위칭한다. 일반적으로, 인터페이스 기능을 초기화하고 이를 컴퓨팅 디바이스의 구성요소(예를 들면, 드라이버, 운영 시스템 구성요소, 사전-부트 애플리케이션 등)에 제공하는데 사용되는 애플리케이션은 커널 모드 특권을 갖고, 따라서 커널 모드에서 동작한다. 상기와 달리, 이러한 타입의 애플리케이션으로부터의 명령어를 실행할 때, 프로세싱 구성요소는 커널 모드에서 동작한다. 반대로, 대부분의 다른 애플리케이션은 사용자 모드 특권을 갖는다. 이와 같이, 이러한 타입의 애플리케이션으로부터의 명령어를 실행할 때, 프로세싱 구성요소는 사용자 모드에서 동작한다.따라서, 본 개시내용의 다양한 실시예는 보안 엔클레이브를 로딩 및 실행할 수 있는 커널 모드 애플리케이션을 제공한다. 예를 들면, 전형적으로 커널 모드에서 동작하는, "사전-부트" 동작을 수행하는 애플리케이션(예를 들면, BIOS, UEFI 등)은 보안 엔클레이브를 로딩 및 실행할 수 있다. 특정 예에서, 컴퓨터 시스템이 초기화하는 동안에 보안 민감 프로세싱을 수행하는 도난-방지 및/또는 풀 디스크 암호화 기술은 보안 정보(예를 들면, 검증 패스프레이즈, 복호화 필요 부트 드라이버 등)를 프로세싱하기 위해 보안 엔클레이브를 사용할 수 있다.다양한 실시예에서, 컴퓨팅 디바이스(100)는 프로세서 구성요소(110), 제어부(120), 저장 구성요소(130), 및 컴퓨팅 디바이스(100)를 네트워크에 연결하기 위한 인터페이스(140) 중 하나 이상을 통합한다. 프로세서 구성요소는 하나 이상의 MSR(model specific register)(112) 및 보안 EPC(enclave page cache)(114)를 포함할 수 있다. 일부 예에서, EPC(114)는 프로세서(110) 상의 메모리 캐시 위치에 저장될 수 있다. 다른 예에서, EPC(114)는 다른 메모리 위치(예를 들면, 로컬 메모리 등)에 저장될 수 있다. 특히 특정 예에서, EPC(114)는 플랫폼 로컬 메모리(예를 들면, DRAM 등)의 암호로 보호되는 (예를 들면, MEE 등) 영역에 저장될 수 있다. 저장 구성요소(130)는 제어 루틴(131), 기밀 정보(132), 커널 모드 애플리케이션(200), 보안 엔클레이브(300), 페이지 테이블(PT)(142), GDT(global descriptor table)(144) 및 IDT(interrupt descriptor table)(146) 중 하나 이상을 저장한다.컴퓨팅 디바이스(100)에서, 제어 루틴(131)은 다양한 기능을 수행하기 위한 로직을 구현하는 메인 프로세서 구성요소로서 역할을 하는 프로세서 구성요소(110) 상에서 동작하는 명령어의 시퀀스를 통합한다. 제어 루틴(131)을 실행하는데 있어서, 프로세서 구성요소(110)는 커널 모드 애플리케이션(200)에 대한 사용자 모드 지원을 제공하고, 그래서 커널 모드 애플리케이션(200)은 보안 엔클레이브(300)와 상호작용할 수 있다.제어 루틴(131)을 실행하는데 있어서, 프로세서 구성요소(110)는 커널 모드 애플리케이션(200)에 대한 사용자 모드 특권을 제공하기 위해 GDT(142) 및 IDT(144)를 수정할 수 있다. 부가적으로, 제어 루틴(131)을 실행하는데 있어서, 프로세서 구성요소(110)는 사용자 모드 및 커널 모드 동작 사이의 스위칭을 가능하게 하도록 하나 이상의 MSR(112)을 설정할 수 있다. 예를 들면, 하나 이상의 MSR(112)은 SYSCALL/SYSRET 명령어를 인에이블하도록 설정될 수 있고, SYSCALL/SYSRET 명령어는, 인식될 바와 같이, 사용자 모드 및 커널 모드 사이에서 프로세싱 구성요소(110)를 스위칭한다. 또한, 제어 루틴(131)을 실행하는데 있어서, 프로세서 구성요소(110)는 다수의 메모리 페이지를 EPC(114)에 부가할 수 있다. 부가적으로, 제어 루틴(131)을 실행하는데 있어서, 프로세서 구성요소(110)는 보안 엔클레이브(300)를 생성할 수 있다. 보안 엔클레이브를 생성 및 관리하기 위한 다양한 상이한 기술이 이용 가능하다는 것이 인식된다. 특정 구현은 프로세싱 구성요소의 타입 및/또는 운영 시스템의 타입에 의존할 수 있다. 예를 들면, Intel�� Security Guard Extension�� 기술은 보안 엔클레이브(300)를 생성하고, 보안 엔클레이브(300)에서 기밀 정보(132)를 프로세싱하는데 사용될 수 있다. 그러나, 이것은 단지 하나의 예이고, 실시예는 이에 관련하여 제한되지 않는다.제어 루틴(131)을 실행하는데 있어서, 프로세서 구성요소(110)는 부가적으로 사용자 모드 동작으로 스위칭하고, 커널 모드 애플리케이션(200)을 대신하여 보안 엔클레이브(300)에서 기밀 정보(132)를 프로세싱할 수 있다. 일부 예에서, 언급된 바와 같이, 커널 모드 애플리케이션(200)은 사전-부트 애플리케이션이다. 상기와 달리, 커널 모드 애플리케이션은 운영 시스템이 로딩되기 전에 명령어가 프로세싱 구성요소에 의해 실행되게 할 수 있다. 예를 들면, 커널 모드 애플리케이션(200)은 도난-방지 애플리케이션, 풀-디스크 암호화 애플리케이션 등일 수 있다. 일부 예에서, 제어 루틴(131)을 실행하는데 있어서, 프로세서 구성요소(110)는, 일단 운영 시스템이 로딩되면 보안 엔클레이브(300)를 운영 시스템으로 전달할 수 있다.다양한 예에서, PT(142), GDT(144), IDT(146) 및 EPC(114)는 시스템(1000) 및 특히 컴퓨팅 디바이스(100)에 관한 특성을 정의하는 다양한 데이터 구조일 수 있다. 데이터 구조를 구현하고 특히 페이지 테이블, 글로벌 디스크립터 테이블, 인터럽트 디스크립터 테이블 및 엔클레이브 페이지 캐시를 구현하기 위한 다양한 상이한 기술이 알려져 있다는 것이 인식된다. 특정 구현은 컴퓨팅 디바이스(100)의 타입, 프로세서(110)의 타입, 저장 구성요소(130)의 타입 및 컴퓨팅 디바이스(100) 상에서 실행되는 소프트웨어 및/또는 운영 시스템에 의존할 수 있다.다양한 실시예에서, 프로세서 구성요소(110)는, 예를 들면, 중앙 처리 장치, 그래픽 프로세싱 유닛, 또는 그렇지 않다면 임의 프로세싱 유닛과 같은 매우 다양한 상업적으로 이용 가능한 프로세서 구성요소 중 임의의 것을 포함할 수 있다. 또한, 이들 프로세서 구성요소 중 하나 이상은 다수의 프로세서, 다중-스레드 프로세서, 다중-코어 프로세서(다수의 코어가 동일하거나 별개의 다이 상에 공존하든지 간에) 및/또는 다수의 물리적으로 별개의 프로세서가 일부 방식으로 링크되는 몇몇의 다른 다양한 다중-프로세서 아키텍쳐를 포함할 수 있다. 다양한 실시예에서, 저장 구성요소(130)는, 가능하게는, 전력의 중단되지 않는 제공을 요구하는 휘발성 기술을 포함하여, 그리고 가능하게는 제거 가능하거나 가능하지 않을 수 있는 머신-판독 가능 저장 매체의 사용을 수반하는 기술을 포함하여 매우 다양한 정보 저장 기술 중 임의의 것에 기초할 수 있다. 따라서, 이들 저장부 각각은 판독 전용 메모리(ROM), 랜덤 액세스 메모리(RAM), 동적 RAM(DRAM), 더블-데이터-레이트 DRAM(DDR-DRAM), 동기화 DRAM(SDRAM), 정적 RAM(SRAM), 프로그래밍가능 ROM(PROM), 삭제 가능한 프로그래밍가능한 ROM(EPROM), 전기적으로 삭제가능한 프로그래밍 가능한 ROM(EERPOM), 플래쉬 메모리, 폴리머 메모리(예를 들면, 강유전성 폴리머 메모리), 오보닉 메모리, 상변화 또는 강자성체 메모리, SONOS(silicon-oxide-nitride-oxide-silicon) 메모리, 자기 또는 광학 카드, 하나 이상의 개별적인 강자성체 디스크 드라이브, 또는 하나 이상의 어레이로 조직화되는 복수의 저장 디바이스(예를 들면, 독립 디스크 어레이의 리던던트 어레이 또는 RAID 어레이로 조직화된 다수의 강자성체 디스크 드라이브)를 제한 없이 포함하는, 임의의 광범위한 타입(또는 타입의 조합)의 저장 디바이스를 포함할 수 있다. 비록 이들 저장부의 각각은 단일 블록으로서 도시되었지만, 이들 중 하나 이상은 상이한 저장 기술에 기초할 수 있는 다수의 저장 디바이스를 포함할 수 있다는 것이 유의되어야 한다. 따라서, 예를 들면, 이들 도시된 저장부의 각각 중 하나 이상은 프로그램 및/또는 데이터가 일부 형태의 머신 판독 가능 저장 매체 상에서 저장되고 전달될 수 있는 것에 의한 광학 드라이브 또는 플래쉬 메모리 카드 판독기의 조합, 상대적으로 연장된 기간에 대해 로컬적으로 프로그램 및/또는 데이터를 저장하는 강자성체 디스크 드라이브, 및 프로그램 및/또는 데이터에 대한 상대적으로 신속한 액세스를 가능하게 하는 하나 이상의 휘발성 솔리드 스테이트 메모리 디바이스(예를 들면, SRAM 또는 DRAM)를 나타낼 수 있다. 이들 저장부의 각각은 동일한 저장 기술에 기초한 다수의 저장 구성요소로 구성될 수 있지만, 이는 사용 중에 특화(예를 들면, 일부 DRAM 디바이스가 주요 저장부로서 이용되고 반면 다른 DRAM 디바이스는 그래픽 제어기의 구별 프레임 버퍼로서 이용됨)의 결과로서 개별적으로 유지될 수 있음에 또한 유의해야 한다.도시되지 않지만, 컴퓨팅 디바이스(100)는 기밀 정보를 전달하는 데이터를 네트워크(미도시)를 통해 다른 컴퓨팅 디바이스(미도시)와 교환할 수 있다. 부가적으로, 컴퓨팅 디바이스는 기밀 정보와 전체적으로 관련되지 않은 다른 데이터를 네트워크를 통해 다른 컴퓨팅 디바이스와 교환할 수 있다. 다양한 실시예에서, 네트워크는 단일 빌딩 또는 다른 상대적으로 제한된 영역 내에서 확장되는 것으로 가능하게는 제한된 단일 네트워크, 가능하게는 상당한 거리를 확장하는 접속된 네트워크의 조합일 수 있고 및/또는 인터넷을 포함할 수 있다. 따라서, 네트워크는, 제한 없이, 전기적으로 및/또는 광학적으로 전도성 케이블링을 채용하는 유선 기술, 및 적외선, 라디오 주파수 또는 다른 형태의 무선 송신을 채용하는 무선 기술을 포함하여, 신호가 교환될 수 있는 임의의 다양한(또는 조합의) 통신 기술에 기초할 수 있다. 다양한 실시예에서, 설명된 바와 같이 인터페이스(140)는 컴퓨팅 디바이스가 다른 디바이스에 연결되는 것을 가능하게 하는 임의의 광범위한 시그널링 기술을 이용할 수 있다. 이들 인터페이스 각각은 이러한 연결을 가능하게 하는 필수 기능 중 적어도 일부를 제공하는 회로를 포함한다. 그러나, 이들 인터페이스의 각각은 (예를 들면, 프로토콜 스택 또는 다른 특징을 구현하기 위해) 프로세서 구성요소 중 대응하는 것에 의해 실행되는 명령어의 시퀀스로 적어도 부분적으로 또한 구현될 수 있다. 전기적으로 및/또는 광학적으로 전도성 케이블링이 이용되는 경우에, 이들 인터페이스들은 RS-232C, RS-422, USB, 이더넷(IEEE-802.3) 또는 IEEE-1394를 제한 없이 포함하는, 임의의 다양한 산업 표준을 준수하는 시그널링 및/또는 프로토콜을 이용할 수 있다. 무선 신호 송신의 사용이 수반되는 경우에, 이들 인터페이스는, IEEE 802.11a, 802.11b, 802.11g, 802.16, 802.20(일반적으로 "모바일 브로드밴드 무선 액세스"로서 지칭됨), 블루투스, 지그비, 또는 일반 패킷 무선 서비스(GSM/GPRS)를 갖는 GSM과 같은 셀룰러 무선전화 서비스, CDMA/1xRTT, EDGE(Enhanced Data Rates for Global Evolution), EV-DO(Evolution Data Only/Optimized), EV-DV(Evolution For Data and Voice), HSDPA(High Speed Downlink Packet Access), HSUPA(High Speed Uplink Packet Access), 4G LTE 등을 제한 없이 포함하는, 임의의 다양한 산업 표준을 준수하는 시그널링 및/또는 프로토콜을 이용할 수 있다. 도 2는 제어 루틴(131)을 포함하는 도 1의 컴퓨팅 시스템(1000)의 실시예의 일부의 간략한 블록도이다. 특히, 도 2는 커널 모드 애플리케이션으로부터 보안 엔클레이브를 액세스하는 양태를 도시한다. 또한, 도 2는 커널 모드(1101)에서 발생하는 그러한 동작 및 사용자 모드(1102)에서 발생하는 그러한 동작을 도시한다.다양한 실시예에서, 제어 루틴(131)은 운영 시스템, 디바이스 드라이버 및/또는 애플리케이션-레벨 루틴(예를 들면, 소위 디스크 미디어 상으로 제공되는 "소프트웨어 스위트", 원격 서버로부터 획득되는 "애플릿" 등) 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 운영 시스템이 포함되는 경우에, 운영 시스템은 컴퓨팅 디바이스(100) 및/또는 프로세서 구성요소(110)에 적합한 임의의 다양한 이용 가능한 운영 시스템일 수 있다. 하나 이상의 디바이스 드라이버가 포함되는 경우에, 그러한 디바이스 드라이버는 임의의 다양한 다른 구성요소, 컴퓨팅 디바이스(100)의 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소 중 어느 하나에 대한 지원을 제공할 수 있다.더 상세하게 도 2로 넘어가면, 제어 루틴은 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버(1311) 및 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기(1312)를 포함한다. 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버(1312)는 커널 모드 애플리케이션에 대한 사용자 모드 액세스를 허용하기 위해 페이지 테이블 엔트리를 수정할 수 있다. 일부 예에서, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버(1312)는 PT(142) 내의 엔트리를 수정할 수 있다. 예를 들면, 사용자 모드 코드를 포함하는 그러한 페이지는 PT(142) 내의 그들 각각의 엔트리에서 사용자 페이지로서 구성될 수 있다. 일부 예에서, PT(142) 내의 모든 엔트리의 사용자/관리자 비트는, 엔트리에 대응하는 메모리 위치가 사용자 모드 애플리케이션에 대해 액세스 가능하다는 것을 표시하는 1로 설정될 수 있다.커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버(1312)는 또한 커널 모드 애플리케이션이 커널 모드 및 사용자 모드 사이에서 스위칭하는 것을 가능하게 하기 위한 GDT(144) 내의 세그먼트 디스크립터를 포지셔닝(position)한다. 예를 들면, 커널 모드 및 사용자 모드 사이에서 스위칭하는 것을 가능하게 하기 위한 세그먼트 디스크립터가 GDT(144) 내에서 포지셔닝될 수 있다. 예를 들면, SYSCALL/SYSRET, SYSENTRY/SYSEXIT, INT/IRET 또는 다른 세그먼트 디스크립터는, 구현에 따라 GDT(144)에서 포지셔닝될 수 있다.커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버(1312)는 또한 하나 이상의 MSR(112)을 인에이블할 수 있다. 예를 들면, SYSCALL/SYSRET 명령어는 IA32_STAR 및 IA32_LSTAR MSR이 적절히 설정되도록 요구할 수 있다. 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버(1312)는 또한, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기(1312)가 사용자 모드에서 실행될 때를 제외하고 인터럽트를 캡처하기 위한 하나 이상의 인터럽트 루틴의 메모리 어드레스를 결정하기 위해 IDT(146)를 수정할 수 있다. 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버(1311)는 또한 저장 구성요소(130) 상의 보안 엔클레이브(300)를 초기화한다. 상기와 달리, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버(1311)는 보안 엔클레이브(300)를 생성한다. 예를 들면, 커널 모드 엔클레이브 드라이버(1311)는 저장 구성요소(130)로부터의 적어도 하나의 메모리 페이지를 EPC(114)에 부가할 수 있다. 일부 예에서, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버(1311)는 다수의 보안 엔클레이브를 생성하는 것을 지원할 수 있다. 일부 예에서, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버(1311)는, 예를 들면, EPC 범위의 하나의 단부로부터 시작하여 EPC(114)에서 페이지를 계속해서 할당함으로써, 한번에 단일의 보안 엔클레이브를 생성하는 것을 지원할 수 있다. 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버(1311)는 또한 보안 엔클레이브 이미지를 보안 엔클레이브(300)와 연관된 메모리 페이지의 위치(예를 들면, EPC(114)에서 생성된 하나 이상의 메모리 페이지)로 확장할 수 있다. 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기(1312)는 커널 모드(1101) 및 사용자 모드(1102) 사이에서 프로세싱 구성요소(110)의 동작을 스위칭한다. 예를 들면, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기(1312)는 프로세싱 구성요소(110)로 하여금 GDT(144)에서 세그먼트 디스크립터를 실행하게 함으로써 모드 사이에서 스위칭할 수 있다.사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기(1312)는 또한 명령어를 프로세싱하기 위해, 커널 모드 애플리케이션(200)으로부터 명령어를 수신하고 보안 엔클레이브(300)로 하여금 실행하게 한다. 상기와 달리, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기는 커널 모드 애플리케이션으로부터 명령어를 수신하고, 명령어는 보안 엔클레이브에서 기밀 정보를 프로세싱하는 것을 포함한다. 그후, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기는 커널 모드 애플리케이션 대신에 기밀 정보를 프로세싱하기 위해 보안 엔클레이브를 실행한다. 일반적으로, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기(1312)는 보안 엔클레이브(300)와 기밀 정보(132)를 "프로세싱"하기 위한 명령어를 수신한다. 예를 들면, 커널 모드 애플리케이션(200)은 사용자의 패스프레이즈가 사용자 식별을 검증하도록 유도하는 도난-방지 애플리케이션일 수 있다. 명령어는 보안 엔클레이브(300) 내에서 기밀 정보(132)(예를 들면, 수신된 패스프레이즈 등)를 검증할 수 있다.일부 예에서, 커널 모드 애플리케이션(200)은, 운영 시스템을 계속해서 부팅 및 로딩하기 위해 필요한 구성요소를 포함하여, 사용자의 패스프레이즈가 디스크를 복호화하도록 유도하는 풀 디스크 암호화 애플리케이션일 수 있다. 명령어는 보안 엔클레이브(300) 내부에서 수신된 패스프레이즈를 사용하여 기밀 정보(132)(예를 들면, 운영 시스템 로더, 운영 시스템 커널 및/또는 운영 시스템 부트 드라이버 등을 저장하는 암호화된 메모리 블록)를 복호화할 수 있다. 기밀 정보(132)를 보안 엔클레이브(300)로 전달하고 보안 엔클레이브(300)가 기밀 정보(132)를 프로세싱하게 하기 위한 프로세스가 구현에 따라 상이할 수 있다는 것이 인식된다. 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기(1312)는 또한 보안 엔클레이브(300) 내의 기밀 정보(132)의 프로세싱의 표시를 커널 모드 애플리케이션(200)에 제공한다. 예를 들면, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기(1312)는, 패스프레이즈의 검증이 성공하였다는 표시를 커널 모드 애플리케이션(200)에 제공할 수 있다. 일부 예에서, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기(1312)는 복호화된 메모리 블록(또는 복호화된 메모리 블록의 위치)을 커널 모드 애플리케이션(200)에 제공할 수 있다. 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버(1311)는 또한 보안 엔클레이브(300)를 운영 시스템(미도시)으로 전달할 수 있다. 본원에 사용된 바와 같이, 보안 엔클레이브(300)를 운영 시스템으로 "전달"하는 것은 보안 엔클레이브(300)가 실행시간 동안에 운영 시스템에 의해 (예를 들면, EPC(114)에서) 사용되게 남겨두도록 허용하는 것을 포함한다. 예를 들면, 커널 모드 애플리케이션(200)이 풀 디스크 암호화 애플리케이션이면, 운영 시스템은 실행시간 동안에 디스크를 복호화하기 위해 동일한 보안 엔클레이브(300)를 요구할 수 있다. 따라서, 다양한 실시예는, 보안 엔클레이브(300)가 운영 시스템으로 전달될 수 있는 것을 제공한다. 일부 예에서, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버(1311)는 EPC(114)를 운영 시스템으로 전달할 수 있다. 부가적으로, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버(1311)는 보안 엔클레이브(300)를 운영 시스템에 대한 동일한 가상 메모리 어드레스로 맵핑할 수 있다. 일부 예에서, EPC(114)는 ACPI 테이블들 등을 사용하여 운영 시스템으로 전달될 수 있다. 일부 예에서, 보안 엔클레이브(300)는 ACPI 테이블, UEFI 변수, 고정된 메모리 어드레스 등을 사용하여 사전-부트 환경으로부터 실행시간 환경(예를 들면, 운영 시스템 등)으로 전달될 수 있다. 도 3은 논리 흐름(2000)의 일 실시예를 도시한다. 논리 흐름(2000)은 본원에 개시된 하나 이상의 실시예에 의해 실행되는 동작 중 일부 또는 전부를 나타낼 수 있다. 더 구체적으로, 논리 흐름(2000)은 적어도 제어 루틴(131)을 실행하는데 있어서 프로세서 구성요소(110)에 의해 수행되고 및/또는 컴퓨팅 디바이스(100)의 다른 구성요소(들)에 의해 수행되는 동작을 도시할 수 있다. (2100)에서, 커널 모드 애플리케이션에 의한 보안 엔클레이브에 대한 액세스를 가능하게 하기 위한 시스템의 컴퓨팅 디바이스의 프로세서 구성요소(예를 들면, 시스템(1000)의 컴퓨팅 디바이스(100)의 프로세서 구성요소(110))는 제어 루틴의 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버의 실행에 의해 보안 엔클레이브에서 프로세싱하기 위한 명령어를 커널 모드 애플리케이션으로부터 수신하게 된다. 예를 들면, 제어 루틴(131)의 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버(1311)는 커널 모드 애플리케이션(200)으로부터 명령어를 수신하고, 명령어를 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기(1312)로 송신할 수 있다. 일부 예에서, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기(1312)는 커널 모드 애플리케이션(200)으로부터 직접적으로 명령어를 수신할 수 있다.(2200)에서, 커널 모드 애플리케이션에 의한 보안 엔클레이브에 대한 액세스를 가능하게 하기 위한 시스템의 컴퓨팅 디바이스의 프로세서 구성요소(예를 들면, 시스템(1000)의 컴퓨팅 디바이스(100)의 프로세서 구성요소(110))는 제어 루틴의 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버의 실행에 의해 커널 모드 애플리케이션에 대한 사용자 모드 지원을 가능하게 하게 된다. 예를 들면, 제어 루틴(131)의 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버(1311)는 커널 모드 애플리케이션(200)에 대한 사용자 모드 지원을 가능하게 할 수 있다. 일부 예에서, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버는 커널 모드 애플리케이션(200)에 대한 사용자 모드 지원을 가능하게 하기 위해 PT(142), GDT(144), IDT(146), MSR(112)을 수정할 수 있다.(2300)에서, 커널 모드 애플리케이션에 의한 보안 엔클레이브에 대한 액세스를 가능하게 하기 위한 시스템의 컴퓨팅 디바이스의 프로세서 구성요소(예를 들면, 시스템(1000)의 컴퓨팅 디바이스(100)의 프로세서 구성요소(110))는 제어 루틴의 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버의 실행에 의해 보안 엔클레이브를 초기화하게 된다.예를 들면, 제어 루틴(131)의 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버(1311)는 하나 이상의 페이지 엔트리를 EPC(114)에 부가하고, 하나 이상의 페이지 엔트리에 대응하는 메모리 위치에서 보안 엔클레이브(300)를 생성하고 및/또는 그 메모리 위치에서 보안 엔클레이브의 이미지를 확장시킬 수 있다.(2400)에서, 커널 모드 애플리케이션에 의한 보안 엔클레이브에 대한 액세스를 가능하게 하기 위한 시스템의 컴퓨팅 디바이스의 프로세서 구성요소(예를 들면, 시스템(1000)의 컴퓨팅 디바이스(100)의 프로세서 구성요소(110))는 제어 루틴의 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버의 실행에 의해 기밀 정보를 프로세싱하기 위해 보안 엔클레이브를 실행하게 된다. 예를 들면, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기(1312)는 보안 엔클레이브로 하여금 기밀 정보(132)를 프로세싱하게 할 수 있다. 일부 예에서, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기(1312)는 보안 엔클레이브에 대한 적절한 기능 호출을 사용하여 보안 엔클레이브(300)를 호출할 수 있다.도 4는 저장 매체의 실시예를 예시한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 저장 매체는 저장 매체(3000)를 포함한다. 저장 매체(3000)는 제조 물품을 포함할 수 있다. 일부 예에서, 저장 매체(3000)는 광학, 자기 또는 반도체 저장부와 같은 임의의 비일시적인 컴퓨터 판독 가능 매체 또는 머신 판독 가능 매체를 포함할 수 있다. 저장 매체(3000)는 논리 흐름(2000)을 구현하기 위한 명령어와 같은 다양한 타입의 컴퓨터 실행 가능 명령어를 저장할 수 있다. 컴퓨터 판독 가능 또는 머신 판독 가능 저장 매체의 예는, 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리, 제거 가능 또는 제거 불가능 메모리, 소거 가능 또는 소거 불가능 메모리, 기록 가능 또는 재기록 가능 메모리 등을 포함하여, 전자 데이터를 저장할 수 있는 임의의 유형의 매체를 포함할 수 있다. 컴퓨터 실행 가능 명령어의 예는 소스 코드, 컴파일링된 코드, 해석된 코드, 실행 가능 코드, 정적 코드, 동적 코드, 객체-지향형 코드, 비주얼 코드 등과 같은 임의의 적절한 타입을 포함할 수 있다. 예가 이러한 문맥으로 제한되지 않는다.도 5는 논리 흐름(4000)의 일 실시예를 예시한다. 논리 흐름(4000)은 본원에 개시된 하나 이상의 실시예에 의해 실행되는 동작 중 일부 또는 전부를 나타낼 수 있다. 더 구체적으로, 논리 흐름(4000)은 적어도 제어 루틴(131)을 실행하는데 있어서 프로세서 구성요소(110)에 의해 수행되고 및/또는 컴퓨팅 디바이스(100)의 다른 구성요소(들)에 의해 수행되는 동작을 도시할 수 있다. (4100)에서, 커널 모드 애플리케이션에 의한 보안 엔클레이브에 대한 액세스를 가능하게 하기 위한 시스템의 컴퓨팅 디바이스의 프로세서 구성요소(예를 들면, 시스템(1000)의 컴퓨팅 디바이스(100)의 프로세서 구성요소(110))는 제어 루틴의 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버의 실행에 의해 보안 엔클레이브 페이지 캐시 사용을 운영 시스템으로 전달하게 된다. 예를 들면, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버(1311)는 EPC(114) 사용을 운영 시스템으로 전달할 수 있다. 상기와 달리, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버(1311)는 EPC(114)의 사용을 운영 시스템으로 전달하여, 운영 시스템은 온전한 보안 엔클레이브(300)를 남겨두고서 저장 구성요소(130)로부터 하나 이상의 부가적인 메모리 페이지를 할당할 수 있다. (4200)에서, 커널 모드 애플리케이션에 의한 보안 엔클레이브에 대한 액세스를 가능하게 하기 위한 시스템의 컴퓨팅 디바이스의 프로세서 구성요소(예를 들면, 시스템(1000)의 컴퓨팅 디바이스(100)의 프로세서 구성요소(110))는 제어 루틴의 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버의 실행에 의해 보안 엔클레이브에 대응하는 메모리 어드레스를 운영 시스템으로 전달하게 되어, 운영 시스템이 보안 엔클레이브를 가상 메모리 위치로 맵핑할 수 있다. 예를 들면, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버(1311)는 보안 엔클레이브(300)에 대응하는 가상 메모리 어드레스를 운영 시스템으로 전달할 수 있어서, 운영 시스템은 보안 엔클레이브(300)를 (예를 들면, 저장 구성요소(130) 등 내의) 동일한 가상 메모리 어드레스로 맵핑할 수 있다.도 6은 저장 매체의 실시예를 예시한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 저장 매체는 저장 매체(5000)를 포함한다. 저장 매체(5000)는 제조 물품을 포함할 수 있다. 일부 예에서, 저장 매체(5000)는 광학, 자기 또는 반도체 저장부와 같은 임의의 비일시적인 컴퓨터 판독 가능 매체 또는 머신 판독 가능 매체를 포함할 수 있다. 저장 매체(5000)는 논리 흐름(4000)을 구현하기 위한 명령어와 같은 다양한 타입의 컴퓨터 실행 가능 명령어를 저장할 수 있다. 컴퓨터 판독 가능 또는 머신 판독 가능 저장 매체의 예는, 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리, 제거 가능 또는 제거 불가능 메모리, 소거 가능 또는 소거 불가능 메모리, 기록 가능 또는 재기록 가능 메모리 등을 포함하여, 전자 데이터를 저장할 수 있는 임의의 유형의 매체를 포함할 수 있다. 컴퓨터 실행 가능 명령어의 예는 소스 코드, 컴파일링된 코드, 해석된 코드, 실행 가능 코드, 정적 코드, 동적 코드, 객체-지향형 코드, 비주얼 코드 등과 같은 임의의 적절한 타입을 포함할 수 있다. 예가 이러한 문맥으로 제한되지 않는다.도 7은 이전에 설명된 바와 같이 다양한 실시예를 구현하기에 적합한 예시의 프로세싱 아키텍쳐(6000)의 실시예를 도시한다. 더 구체적으로, 프로세싱 아키텍쳐(6000)(또는 이들의 변형)는 컴퓨팅 디바이스(100)의 부분으로서 구현될 수 있다. 프로세싱 아키텍쳐(6000)는 하나 이상의 프로세서, 다중 코어 프로세서, 코프로세서, 메모리 유닛, 칩셋, 제어기, 주변장치, 인터페이스, 오실레이터, 타이밍 디바이스, 비디오 카드, 오디오 카드, 멀티미디어 입력/출력(I/O) 구성요소, 전원 공급기 등을 제한 없이 포함하는 디지털 프로세싱에서 일반적으로 이용되는 다양한 요소를 포함할 수 있다. 본 출원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "시스템" 및 "구성요소"는 디지털 프로세싱이 수행되는 컴퓨팅 디바이스의 엔티티를 지칭하도록 의도되고, 엔티티는 하드웨어, 하드웨어 및 소프트웨어의 조합, 소프트웨어, 또는 실행 중인 소프트웨어이고, 이들의 예시는 이 도시된 예시적인 프로세싱 아키텍쳐에 의해 제공된다. 예를 들면, 구성요소는, 프로세서 구성요소 상에서 실행되는 프로세스, 프로세서 구성요소 자체, 저장 디바이스(예를 들면, 하드 디스크 드라이브, 어레이의 다수의 저장 드라이브 등)가 될 수 있지만, 이에 제한되지 않고, 이는 광학 및/또는 자기 저장 매체, 소프트웨어 객체, 실행가능한 명령어의 시퀀스, 실행의 쓰레드, 프로그램, 및/또는 전체 컴퓨팅 디바이스(예를 들면, 전체 컴퓨터)를 이용할 수 있다. 예시의 방식으로, 서버 상에서 실행되는 애플리케이션 및 서버 모두는 구성요소일 수 있다. 하나 이상의 구성요소는 프로세스 및/또는 실행의 쓰레드 내에 존재할 수 있고, 구성요소는 하나의 컴퓨팅 디바이스 상에 위치되고 및/또는 둘 이상의 컴퓨팅 디바이스들 사이에 분포될 수 있다. 또한, 구성요소는 동작을 조정하도록 다양한 타입의 통신 매체에 의해 서로 통신 가능하게 연결될 수 있다. 조정은 정보의 단방향 또는 양방향 교환을 포함할 수 있다. 예를 들면, 구성요소는 통신 매체를 통해 전달되는 신호의 형태로 정보를 전달할 수 있다. 정보는 하나 이상의 신호 라인에 할당되는 신호로서 구현될 수 있다. 메시지(커맨드, 상태, 어드레스 또는 데이터 메시지를 포함함)는 그러한 신호 중 하나일 수 있거나, 복수의 그러한 신호일 수 있고, 임의의 다양한 접속 및/또는 인터페이스를 통해 직렬 또는 실질적으로는 병렬로 전송될 수 있다. 도시된 바와 같이, 프로세싱 아키텍쳐(3000)를 구현하는 것에 있어서, 컴퓨팅 디바이스는 적어도 프로세서 구성요소(950), 저장부(960), 다른 디바이스에 대한 인터페이스(990) 및 커플링(955)을 포함한다. 설명될 바와 같이, 프로세싱 아키텍쳐(3000)를 구현하는 컴퓨팅 디바이스의 다양한 양태에 따라 - 이의 의도된 사용 및/또는 사용 조건을 포함함 -, 이러한 컴퓨팅 디바이스는 제한 없이 디스플레이 인터페이스(985)와 같은 추가적인 구성요소를 더 포함할 수 있다.커플링(955)은 적어도 프로세서 구성요소(950)를 저장부(960)에 통신 가능하게 연결하는 하나 이상의 버스, 포인트 투 포인트 상호접속부, 송수신기, 버퍼, 크로스포인트 스위치, 및/또는 다른 컨덕터 및/또는 로직을 포함한다. 커플링(955)은 또한 (이들 및/또는 다른 구성요소 중 어느 것이 또한 존재하는지에 따라) 프로세서 구성요소(950)를 인터페이스(990), 오디오 서브시스템(970) 및 디스플레이 인터페이스(985) 중 하나 이상에 연결시킬 수 있다. 프로세서 구성요소(950)가 커플링(955)에 의해 이렇게 연결되면, 상술된 컴퓨팅 디바이스들 중 어느 컴퓨팅 디바이스(들)든지 프로세싱 아키텍쳐(3000)를 구현하므로, 프로세서 구성요소(950)는 위에서 상세히 설명된 태스크들 중 다양한 태스크를 수행할 수 있다. 커플링(955)은 임의의 다양한 기술 또는 기술의 조합으로(이들에 의해 신호가 광학적으로 및/또는 전기적으로 전달됨) 구현될 수 있다. 또한, 커플링(955)의 적어도 일부는 AGP(Accelerated Graphics Port), CardBus, E-ISA(EIndustry Standard Architecture), MCA(Micro Channel Architecture), NuBus, PCI-X(Peripheral Component Interconnect(Extended)), PCI-E(PCI Express), PCMCIA(Personal Computer Memory Card International Association) 버스, HyperTransPort™, QuickPath, 등을 제한 없이 포함하는, 임의의 광범위한 산업 표준을 준수하는 타이밍 및/또는 프로토콜을 이용할 수 있다.이전에 논의된 바와 같이, 프로세서 구성요소(950)(가능하게는 프로세서 구성요소(110)에 대응함)는, 임의의 광범위한 기술을 이용하고 임의의 다수의 방식으로 물리적으로 통합되는 하나 이상의 코어로 구현되는, 임의의 광범위한 상업적으로 사용가능한 프로세서를 포함할 수 있다.이전에 논의된 바와 같이, 저장부(960)(가능하게는 저장 구성요소(130)에 대응함)는 임의의 광범위한 기술 또는 기술의 조합에 기초하는 하나 이상의 분리 저장 디바이스로 구성될 수 있다. 더 구체적으로, 도시된 바와 같이, 저장부(960)는 휘발성 저장부(961)(예를 들면, RAM 기술의 하나 이상의 형태에 기초한 솔리드 스테이트 저장부), 비휘발성 저장부(962)(예를 들면, 콘텐츠를 보존하기 위해 전력의 일정한 공급을 필요로 하지 않는 솔리드 스테이트, 강자성 또는 다른 저장부), 및 제거 가능한 매체 저장부(963)(예를 들면, 정보가 컴퓨팅 디바이스들 사이에서 전달될 수 있는 제거 가능한 디스크 또는 솔리드 스테이트 메모리 카드 저장부) 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 가능하면 다수의 분리된 타입의 저장부를 포함하는 저장부(960)의 이러한 도시는 컴퓨팅 디바이스에서 저장 디바이스의 하나 보다 더 많은 타입의 일반적인 사용을 인지하고, 여기서 하나의 타입은 프로세서 구성요소(950)에 의한 데이터의 더 신속한 조작을 가능하게 하는 상대적으로 신속한 판독 및 기록 능력을 제공하고(그러나 가능하면 전력을 일정하게 요구하는 "휘발성" 기술을 사용) 반면 다른 타입은 상대적으로 고밀도의 비휘발성 저장부를 제공한다(그러나 상대적으로 느린 판독 및 기록 능력을 제공할 것이다).상이한 기술을 이용하는 상이한 저장 디바이스의 종종 상이한 특성이 주어지면, 이러한 상이한 저장 디바이스가 상이한 인터페이스를 통해 상이한 저장 디바이스에 연결되는 상이한 저장 제어기를 통해 컴퓨팅 디바이스의 다른 부분에 연결되는 것이 또한 일반적이다. 예시의 방식으로, 휘발성 저장부(961)가 존재하고 RAM 기술에 기초하는 경우에, 휘발성 저장부(961)는 아마도 로우 및 컬럼 어드레싱을 이용하는 휘발성 저장부(961)에 적합한 인터페이스를 제공하는 저장부 제어기(965a)를 통해 커플링(955)에 통신 가능하게 연결될 수 있고, 여기서 저장부 제어기(965a)가 로우 리프레싱 및/또는 휘발성 저장부(961) 내부에 저장된 정보를 보존하는 것을 보조하는 다른 유지보수 태스크를 수행할 수 있다. 다른 예시의 방식으로, 비휘발성 저장부(962)가 존재하고 하나 이상의 강자성 및/또는 솔리드 스테이트 디스크 드라이브를 포함하는 경우에, 비휘발성 저장부(962)는 아마도 정보의 블록 및/또는 실린더 및 섹터의 어드레싱을 이용하는 비휘발성 저장부(962)에 적합한 인터페이스를 제공하는 저장부 제어기(965b)를 통해 커플링(955)에 통신 가능하게 연결될 수 있다. 또 다른 예시의 방식으로, 제거 가능한 매체 저장부(963)가 존재하고 하나 이상의 조각들의 제거 가능한 머신 판독 가능 저장 매체(969)를 이용하는 하나 이상의 광학 및/또는 솔리드 스테이트 디스크 드라이브를 포함하는 경우에, 제거 가능한 매체 저장부(963)는 아마도 정보 블록의 어드레싱을 이용하는 제거 가능한 매체 저장부(963)에 적합한 인터페이스를 제공하는 저장 제어기(965c)를 통해 커플링(955)에 통신 가능하게 연결될 수 있고, 여기서 저장부 제어기(965c)는 머신 판독 가능 저장 매체(969)의 수명을 연장하는데 특정한 방식으로 판독, 삭제 및 기록 동작을 조정할 수 있다.휘발성 저장부(961) 또는 비휘발성 저장부(962) 중 하나 또는 다른 하나는, 각각이 기초하는 기술에 따라, 다양한 실시예를 구현하기 위해 프로세서 구성요소(950)에 의해 실행가능한 명령어의 시퀀스를 포함하는 루틴이 저장될 수 있는 머신 판독 가능 저장 매체 형태의 제조 물품을 포함할 수 있다. 예시의 방식으로, 비휘발성 저장부(962)가 강자성 기반 디스크 드라이브(예를 들면, 소위 "하드 드라이브")를 포함하는 경우에, 각각의 이러한 디스크 드라이브는 자기적으로 응답하는 입자의 코팅이 명령어의 시퀀스와 같은 정보를 플로피 디스켓과 같은 저장 매체 유사한 방식으로 저장하는 다양한 패턴으로 증착되고 자기적으로 배향되는 하나 이상의 회전 플래터를 통상적으로 이용한다. 다른 예시로서, 비휘발성 저장부(962)는 컴팩트 플래쉬 카드와 유사한 방식으로, 명령어의 시퀀스와 같은 정보를 저장하는 솔리드 스테이트 저장 디바이스의 뱅크로 구성될 수 있다. 다시, 실행가능한 루틴 및/또는 데이터를 저장하도록 상이한 시간에 컴퓨팅 디바이스에서의 저장 디바이스의 상이한 타입을 이용하는 것이 일반적이다. 따라서, 다양한 실시예를 구현하기 위해 프로세서 구성요소(950)에 의해 실행될 명령어의 시퀀스를 포함하는 루틴은 머신 판독 가능 저장 매체(969) 상에서 초기에 저장될 수 있고, 머신 판독 가능 저장 매체(969) 및/또는 루틴이 실행됨에 따라 프로세서 구성요소(950)에 의한 더 신속한 액세스를 가능하게 하는 휘발성 저장부(961)의 계속적인 존재를 필요로 하지 않는 더 장기적인 저장부에 대한 비휘발성 저장부(962)에 대한 루틴을 복사하는 것에 있어서 제거 가능한 매체 저장부(963)가 후속하여 이용될 수 있다.이전에 논의된 바와 같이, 인터페이스(990)(가능하게는 인터페이스(140)에 대응함)는 컴퓨팅 디바이스를 하나 이상의 다른 디바이스에 통신 가능하게 연결시키도록 이용될 수 있는 임의의 다양한 통신 기술에 대응하는 임의의 다양한 시그널링 기술을 이용할 수 있다. 다시, 다양한 형태의 유선 또는 무선 시그널링 중 하나 또는 양자는 프로세서 구성요소(950)가 입력/출력 디바이스(예를 들면, 도시된 예시의 키보드(920) 또는 프린터(925)) 및/또는 다른 컴퓨팅 디바이스와 가능하게는 네트워크 또는 상호접속된 네트워크 세트를 통해 상호작용하는 것을 가능하게 하도록 이용될 수 있다. 임의의 하나의 컴퓨팅 디바이스에 의해 종종 지원되어야만 하는 다수의 타입의 시그널링 및/또는 프로토콜의 종종 매우 상이한 특성을 인지하면, 인터페이스(990)는 다수의 상이한 인터페이스 제어기(995a, 995b 및 995c)를 포함하는 것으로서 도시된다. 인터페이스 제어기(995a)는 도시된 키보드(920)와 같은, 사용자 입력 디바이스로부터 연속으로 전송된 메시지를 수신하도록 임의의 다양한 타입의 유선 디지털 직렬 인터페이스 또는 무선 주파수 무선 인터페이스를 이용할 수 있다. 인터페이스 제어기(995b)는 도시된 네트워크(999)(아마도 네트워크는 하나 이상의 링크, 더 소형 네트워크, 또는 아마도 인터넷으로 구성됨)를 통해 다른 컴퓨팅 디바이스에 액세스하는 임의의 다양한 케이블링 기반 또는 무선 시그널링, 타이밍 및/또는 프로토콜을 이용할 수 있다. 인터페이스(995c)는 도시된 프린터(925)에 데이터를 전달하는 직렬 또는 병렬 신호 전송 중 하나의 사용을 가능하게 하는 임의의 다양한 전기적으로 전도성 케이블링을 이용할 수 있다. 인터페이스(990)의 하나 이상의 인터페이스 제어기를 통해 통신 가능하게 연결될 수 있는 다른 예시의 디바이스는, 마이크로폰, 원격 제어, 스타일러스 펜, 카드 판독기, 지문 판독기, 가상 현실 상호작용 장갑, 그래픽 입력 태블릿, 조이스틱, 다른 키보드, 망막 스캐너, 터치 스크린의 터치 입력 구성요소, 트랙볼, 다양한 센서, 제스처들 및/또는 안면 표정을 통해 사람에 의해 시그널링되는 커맨드 및/또는 데이터를 수용하기 위해 그러한 사람의 움직임을 모니터링하는 카메라 또는 카메라 어레이, 레이저 프린터, 잉크젯 프린터, 기계 로봇, 밀링 머신(milling machine) 등을 제한 없이 포함한다.컴퓨팅 디바이스가 디스플레이(예를 들면, 디스플레이(140 및/또는 240)에 대응하는 도시된 예시의 디스플레이(980))에 통신 가능하게 연결되는(또는 아마도 실제로 포함하는) 경우에, 프로세싱 아키텍쳐(3000)를 구현하는 이러한 컴퓨팅 디바이스는 디스플레이 인터페이스(985)를 또한 포함할 수 있다. 더 일반화된 타입의 인터페이스가 디스플레이에 통신 가능하게 연결하는데 이용될 수 있지만, 디스플레이 상에서 다양한 형식의 콘텐츠를 시각적으로 디스플레이하는데 종종 필요한 다소 특수화된 추가적인 프로세싱뿐만 아니라 사용되는 케이블링 기반 인터페이스의 다소 특수화된 특성은, 종종 분리된 디스플레이 인터페이스의 제공을 바람직하게 만든다. 디스플레이(980)의 통신 가능한 연결에서 디스플레이 인터페이스(985)에 의해 이용될 수 있는 유선 및/또는 무선 시그널링 기술은 임의의 다양한 아날로그 비디오 인터페이스, 디지털 비디오 인터페이스(DVI), 디스플레이포트 등을 제한 없이 포함하는 임의의 다양한 산업 표준을 준수하는 시그널링 및/또는 프로토콜을 이용할 수 있다.더 일반적으로, 본원에 개시 및 도시된 컴퓨팅 디바이스의 다양한 요소는 다양한 하드웨어 요소, 소프트웨어 요소, 또는 양자의 조합을 포함할 수 있다. 하드웨어 요소의 예시는 디바이스, 로직 디바이스, 구성요소, 프로세서, 마이크로프로세서, 회로, 프로세서 구성요소, 회로 요소(예를 들면, 트랜지스터, 레지스터, 커패시터, 인덕터 등), 집적 회로, 애플리케이션 특정 집적 회로(ASIC), 프로그래밍가능한 로직 디바이스(PLD), 디지털 신호 프로세서(DSP), 필드 프로그래밍가능한 게이트 어레이(FPGA), 메모리 유닛, 로직 게이트, 레지스터, 반도체 디바이스, 칩, 마이크로칩, 칩 셋 등을 포함할 수 있다. 소프트웨어 요소의 예시는 소프트웨어 구성요소, 프로그램, 애플리케이션, 컴퓨터 프로그램, 애플리케이션 프로그램, 시스템 프로그램, 소프트웨어 개발 프로그램, 머신 프로그램, 운영 시스템 소프트웨어, 미들웨어, 펌웨어, 소프트웨어 모듈, 루틴, 서브루틴, 함수, 방법, 프로시져, 소프트웨어 인터페이스, 애플리케이션 프로그램 인터페이스(API), 명령어 세트, 컴퓨팅 코드, 컴퓨터 코드, 코드 세그먼트, 컴퓨터 코드 세그먼트, 워드, 값, 심볼, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 그러나, 실시예가 하드웨어 요소 및/또는 소프트웨어 요소를 사용하여 구현되는지 여부를 판정하는 것은 주어진 구현예에 대해 바람직한 것으로서, 바람직한 계산 레이트, 전력 레벨, 열 허용치, 프로세싱 사이클 예산, 입력 데이터 레이트, 출력 데이터 레이트, 메모리 리소스, 데이터 버스 속도 및 다른 설계 또는 성능 제약과 같은, 임의의 수의 인자에 따라 변할 수 있다.일부 실시예는 "일 실시예" 또는 "실시예"와 같은 표현을 이들의 파생어와 함께 사용하여 설명될 수 있다. 이들 용어는 실시예와 연관되어 설명되는 특정 특징, 구조 또는 특성이 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 명세서에서 다양한 위치에서 "일 실시예"라는 구절의 출현은 반드시 모두가 동일한 실시예를 지칭하는 것이 아니다. 또한, 일부 실시예는 "연결된" 및 "접속된"이라는 표현을 이들의 파생어와 함께 사용하여 설명될 수 있다. 이들 용어는 반드시 서로에 대한 동의어로서 의도되는 것은 아니다. 예를 들면, 일부 실시예는 둘 이상의 요소가 서로 직접 물리적 또는 전기적 접촉 중인 것을 나타내도록 "접속된" 및/또는 "연결된"이라는 용어를 사용하여 설명될 수 있다. 그러나, 용어 "연결된"은 또한 둘 이상의 요소가 서로 직접 접촉 중은 아니지만, 여전히 서로 협업 또는 상호작용하는 것을 의미할 수 있다. 또한, 상이한 실시예로부터의 양태 또는 요소가 조합될 수 있다. 요약서는 독자가 기술적인 개시의 특성을 신속하게 확인하는 것을 가능하게 하도록 제공됨이 강조된다. 이것이 청구항의 범위 또는 의미를 해석 또는 제한하도록 사용되지 않을 것이라는 이해가 함께 제출된다. 또한, 이전의 상세한 설명에서, 다양한 특징이 개시를 간소화하는 목적으로 단일 실시예에서 함께 그룹화된다는 것을 알 수 있다. 이 방법의 개시는 청구된 실시예가 각각의 청구항에서 명시적으로 언급되는 것 외에 더 많은 특징을 필요로 한다는 의도를 반영하는 것으로서 해석되지 않는다. 오히려, 다음의 청구항이 반영하는 바와 같이, 발명의 청구대상은 단일의 개시된 실시예의 모든 특징보다 적게 존재한다. 따라서 다음의 청구항은 여기에서 상세한 설명에 통합되고, 각각의 청구항은 분리된 실시예로서 자체에 기초한다. 첨부된 청구항에서, 용어 "포함하는(including)" 및 "여기서(in which)"는 개별적인 용어 "포함하는(comprising)" 및 "여기서(wherein)"의 평이한 영어 동의어로서 각각 사용된다. 또한, 용어 "제 1", "제 2", "제 3" 등은 단지 레이블로서 사용되고, 이들의 객체에 대한 숫자 필요조건을 부가하는 것으로 의도되지 않는다.위에서 설명된 것은 개시된 아키텍쳐의 예들을 포함한다. 물론, 구성요소 및/또는 방법의 모든 구상 가능한 조합을 설명하는 것이 불가능하지만, 당업자는 많은 추가 조합 및 순열이 가능하다는 것을 인식할 수 있다. 따라서, 새로운 아키텍쳐는 첨부된 청구항의 사상 및 범위 내에 속하는 모든 이러한 변경, 수정 및 변형을 포함하도록 의도된다. 상세한 개시는 이제 추가 실시예에 관련된 예를 제공하는 것으로 넘어간다. 이하에서 제공되는 예들은 제한하는 것으로 의도되지 않는다.예 1: 보안 엔클레이브에 대한 커널 모드 액세스(kernel mode access)를 제공하는 장치. 상기 장치는 커널 모드 애플리케이션에 대한 사용자 모드 지원을 제공하기 위한 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버 ― 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버는 커널 모드 애플리케이션 대신에 컴퓨팅 디바이스의 저장 구성요소 상에서 보안 엔클레이브를 초기화함 ― 와, 커널 모드 애플리케이션으로부터의 명령어를 프로세싱하기 위한 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기 ― 명령어는 보안 엔클레이브에서 기밀 정보를 프로세싱하는 것을 포함함 ― 를 포함한다. 예 2: 예 1의 장치에 있어서, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버는 보안 엔클레이브에 대한 커널 모드 애플리케이션에 대한 사용자 모드 액세스를 허용하기 위해 페이지 테이블 엔트리를 수정한다.예 3: 예 1 또는 2 중 어느 한 장치에 있어서, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버는 커널 모드 애플리케이션이 커널 모드 및 사용자 모드 사이에서 스위칭하는 것을 가능하게 하는 세그먼트 디스크립터를 글로벌 디스크립터 테이블에서 포지셔닝한다.예 4: 예 3의 장치에 있어서, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버는 모델 특정 레지스터가 커널 모드 및 사용자 모드 사이의 스위칭을 제공하는 것을 가능하게 한다.예 5: 예 1 내지 4 중 어느 한 장치에 있어서, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버는 보안 엔클레이브를 생성한다.예 6: 예 5의 장치에 있어서, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버는 저장 구성요소로부터의 적어도 하나의 메모리 페이지를 보안 엔클레이브 페이지 캐시에 부가하고, 적어도 하나의 메모리 페이지는 보안 엔클레이브에 대응한다.예 7: 예 6의 장치에 있어서, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버는 보안 엔클레이브 이미지를 적어도 하나의 메모리 페이지로 확장시킨다.예 8: 예 4 내지 7 중 어느 한 장치에 있어서, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기는 모델 특정 레지스터 및/또는 글로벌 디스크립터 테이블 내의 세그먼트 디스크립터에 적어도 부분적으로 기초하여 커널 모드 및 사용자 모드 특권 사이에서 커널 모드 애플리케이션을 스위칭한다.예 9: 예 1 내지 8 중 어느 한 장치에 있어서, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기는 커널 모드 애플리케이션으로부터 명령어를 수신하고, 보안 엔클레이브로 하여금 명령어를 프로세싱하게 한다.예 10: 예 1 내지 9 중 어느 한 장치에 있어서, 명령어는 패스프레이즈를 검증하고, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기는 패스프레이즈를 보안 엔클레이브로 송신하고, 보안 엔클레이브에서 패스프레이즈를 검증하도록 보안 엔클레이브에 지시한다. 예 11: 예 10의 장치에 있어서, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기는 패스프레이즈의 검증에 대응하는 표시를 보안 엔클레이브로부터 수신한다.예 12: 예 1 내지 예 9 중 어느 한 장치에 있어서, 명령어는 암호화된 메모리 블록을 복호화하고, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기는 암호화된 메모리 블록을 보안 엔클레이브로 송신하고, 암호화된 메모리 블록을 보안 엔클레이브에서 복호화하도록 보안 엔클레이브에 지시한다.예 13: 예 12의 장치에 있어서, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기는 보안 엔클레이브로부터 암호화된 메모리 블록의 콘텐츠를 수신하고, 콘텐츠를 커널 모드 애플리케이션으로 송신한다.예 14: 예 1 내지 예 13 중 어느 한 장치에 있어서, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버는 보안 엔클레이브를 운영 시스템으로 전달한다.예 15: 예 6의 장치에 있어서, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버는 보안 엔클레이브 페이지 캐시 사용을 운영 시스템으로 전달하고, 운영 시스템은 보안 엔클레이브 페이지 캐시 사용에 적어도 부분적으로 기초하여 저장 구성요소로부터 하나 이상의 부가적인 메모리 페이지를 할당하고, 보안 엔클레이브에 대응하는 메모리 어드레스를 운영 시스템으로 전달하도록 구성되고, 운영 시스템은 메모리 어드레스에 적어도 부분적으로 기초하여 보안 엔클레이브를 가상 메모리 위치로 맵핑하도록 구성된다.커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버는 보안 엔클레이브 페이지 캐시 사용을 운영 시스템으로 전달하고, 운영 시스템은 보안 엔클레이브 페이지 캐시 사용에 적어도 부분적으로 기초하여 보안 엔클레이브에 대해 저장 구성요소로부터 하나 이상의 부가적인 메모리 페이지를 할당하고, 보안 엔클레이브를 선택된 가상 메모리 위치로 맵핑하도록 구성된다. 예 16: 예 1 내지 15 중 어느 한 장치에 있어서, 커널 모드 애플리케이션은 풀 디스크 암호화 애플리케이션 또는 도난-방지 애플리케이션 중 어느 하나이다.예 17: 예 13의 장치에 있어서, 커널 모드 애플리케이션은 풀 디스크 암호화 애플리케이션이고, 암호화된 메모리 블록은 운영 시스템 로더, 운영 시스템 커널 및/또는 운영 시스템 부트 드라이버를 포함한다.예 18: 예 11의 장치에 있어서, 커널 모드 애플리케이션은 도난-방지 애플리케이션이고, 패스프레이즈는 사용자 검증 패스프레이즈에 대응한다. 예 19: 예 1의 장치에 있어서, 보안 엔클레이브는 프로세서 구성요소에 의해 생성된 임시 키 하에서 암호화된다.예 20: 커널 모드 애플리케이션에 의한 보안 엔클레이브에 대한 액세스를 허용하는 컴퓨팅 시스템. 컴퓨팅 시스템은 프로세싱 구성요소와, 프로세싱 구성요소에 의한 실행을 위한 컴퓨팅 시스템 펌웨어 인터페이스 ― 컴퓨팅 시스템 펌웨어 인터페이스는 커널 모드 애플리케이션을 시작하고, 커널 모드 애플리케이션은 컴퓨터 시스템의 일부를 초기화함 ― 와, 프로세싱 구성요소에 의한 실행을 위한 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버 ― 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버는 커널 모드 애플리케이션에 대한 사용자 모드 지원을 제공하고, 커널 모드 애플리케이션 대신에 저장 구성요소 상에서 보안 엔클레이브를 초기화함 ― 와, 및 프로세싱 구성요소에 의한 실행을 위한 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기를 포함하고, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기는 커널 모드 애플리케이션으로부터 명령어를 프로세싱하고, 명령어는 보안 엔클레이브에서 기밀 정보를 프로세싱하는 것을 포함한다.예 21: 예 19의 컴퓨팅 시스템에 있어서, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버는 보안 엔클레이브에 대한 커널 모드 애플리케이션에 대한 사용자 모드 액세스를 허용하기 위해 페이지 테이블 엔트리를 수정한다.예 22: 예 19 또는 20 중 어느 한 컴퓨팅 시스템에 있어서, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버는 커널 모드 애플리케이션이 커널 모드 및 사용자 모드 사이에서 스위칭하는 것을 가능하게 하는 세그먼트 디스크립터를 글로벌 디스크립터 테이블에서 포지셔닝한다. 예 23: 예 21의 컴퓨팅 시스템에 있어서, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버는 모델 특정 레지스터가 커널 모드 및 사용자 모드 사이의 스위칭을 제공하는 것을 가능하게 한다. 예 24: 예 19 내지 22 중 어느 한 컴퓨팅 시스템에 있어서, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버는 보안 엔클레이브를 생성한다. 예 25: 예 23의 컴퓨팅 시스템에 있어서, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버는 저장 구성요소로부터의 적어도 하나의 메모리 페이지를 보안 엔클레이브 페이지 캐시에 부가하고, 적어도 하나의 메모리 페이지는 보안 엔클레이브에 대응한다. 예 26: 예 24의 컴퓨팅 시스템에 있어서, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버는 보안 엔클레이브 이미지를 적어도 하나의 메모리 페이지로 확장시킨다.예 27: 예 22 내지 25 중 어느 한 컴퓨팅 시스템에 있어서, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기는 모델 특정 레지스터 및/또는 글로벌 디스크립터 테이블 내의 세그먼트 디스크립터에 적어도 부분적으로 기초하여 커널 모드 및 사용자 모드 특권 사이에서 커널 모드 애플리케이션을 스위칭한다.예 28: 예 19 내지 26 중 어느 한 컴퓨팅 시스템에 있어서, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기는 커널 모드 애플리케이션으로부터 명령어를 수신하고, 보안 엔클레이브로 하여금 명령어를 프로세싱하게 한다.예 29: 예 19 내지 27 중 어느 한 컴퓨팅 시스템에 있어서, 명령어는 패스프레이즈를 검증하고, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기는 패스프레이즈를 보안 엔클레이브로 송신하고, 보안 엔클레이브에서 패스프레이즈를 검증하도록 보안 엔클레이브에 지시한다. 예 30: 예 28의 컴퓨팅 시스템에 있어서, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기는 패스프레이즈의 검증에 대응하는 표시를 보안 엔클레이브로부터 수신한다.예 31: 예 19 내지 예 27 중 어느 한 컴퓨팅 시스템에 있어서, 명령어는 암호화된 메모리 블록을 복호화하고, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기는 암호화된 메모리 블록을 보안 엔클레이브로 송신하고, 암호화된 메모리 블록을 보안 엔클레이브에서 복호화하도록 보안 엔클레이브에 지시한다.예 32: 예 30의 컴퓨팅 시스템에 있어서, 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기는 보안 엔클레이브로부터 암호화된 메모리 블록의 콘텐츠를 수신하고, 콘텐츠를 커널 모드 애플리케이션으로 송신한다.예 33: 예 19 내지 예 31 중 어느 한 컴퓨팅 시스템에 있어서, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버는 보안 엔클레이브를 운영 시스템으로 전달한다.예 34: 예 24의 컴퓨팅 시스템에 있어서, 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버는 보안 엔클레이브 페이지 캐시 사용을 운영 시스템으로 전달하고, 운영 시스템은 보안 엔클레이브 페이지 캐시 사용에 적어도 부분적으로 기초하여 저장 구성요소로부터 하나 이상의 부가적인 메모리 페이지를 할당하고, 보안 엔클레이브에 대응하는 메모리 어드레스를 운영 시스템으로 전달하도록 구성되고, 운영 시스템은 메모리 어드레스에 적어도 부분적으로 기초하여 보안 엔클레이브를 가상 메모리 위치로 맵핑하도록 구성된다.예 35: 예 19 내지 33 중 어느 한 컴퓨팅 시스템에 있어서, 커널 모드 애플리케이션은 풀 디스크 암호화 애플리케이션 또는 도난-방지 애플리케이션 중 어느 하나이다.예 36: 예 31의 컴퓨팅 시스템에 있어서, 커널 모드 애플리케이션은 풀 디스크 암호화 애플리케이션이고, 암호화된 메모리 블록은 운영 시스템 로더, 운영 시스템 커널 및/또는 운영 시스템 부트 드라이버를 포함한다.예 37: 예 29의 컴퓨팅 시스템에 있어서, 커널 모드 애플리케이션은 도난-방지 애플리케이션이고, 패스프레이즈는 사용자 검증 패스프레이즈에 대응한다. 예 38: 예 20의 컴퓨팅 시스템에 있어서, 보안 엔클레이브는 프로세서 구성요소에 의해 생성된 임시 키 하에서 암호화된다.예 39: 커널 모드 애플리케이션을 통해 보안 엔클레이브를 액세스하기 위한 컴퓨팅-구현 방법. 상기 방법은 보안 엔클레이브에서 기밀 정보를 프로세싱하기 위한 명령어를 커널 모드 애플리케이션으로부터 수신하는 단계와, 커널 모드 애플리케이션에 대한 사용자 모드 지원을 가능하게 하는 단계와, 컴퓨팅 디바이스의 저장 구성요소 상에서 보안 엔클레이브를 초기화하는 단계와, 기밀 정보를 프로세싱하기 위해 보안 엔클레이브를 실행하는 단계를 포함한다. 예 40: 예 39의 컴퓨팅-구현 방법에 있어서, 커널 모드 애플리케이션을 런칭하는 단계를 더 포함한다. 예 41: 예 39 또는 40 중 어느 한 컴퓨팅-구현 방법에 있어서, 커널 모드 애플리케이션에 대한 사용자 모드 지원을 가능하게 하는 단계는 커널 모드 애플리케이션에 대한 사용자 모드 지원을 제공하기 위해 페이지 테이블 엔트리를 수정하는 단계를 포함한다. 예 42: 예 39 내지 41 중 어느 한 컴퓨팅-구현 방법에 있어서, 커널 모드 및 사용자 모드 사이에서 스위칭하기 위한 세그먼트 디스크립터를 글로벌 디스크립터 테이블에서 포지셔닝하는 단계를 더 포함한다.예 43: 예 39 내지 42 중 어느 한 컴퓨팅-구현 방법에 있어서, 보안 엔클레이브를 초기화하는 단계는 보안 엔클레이브에 대해 저장 구성요소로부터 적어도 하나의 메모리 페이지를 할당하는 단계와, 적어도 하나의 메모리 페이지를 보안 엔클레이브에 대응하는 엔클레이브 페이지 캐시에 부가하는 단계를 포함한다. 예 44: 예 43의 컴퓨팅-구현 방법에 있어서, 적어도 하나의 메모리 페이지에서 보안 엔클레이브를 생성하는 단계를 더 포함한다. 예 45: 예 43의 컴퓨팅-구현 방법에 있어서, 보안 엔클레이브 이미지의 콘텐츠를 적어도 하나의 메모리 페이지로 확장시키는 단계를 더 포함한다. 예 46: 예 39 내지 45 중 어느 한 컴퓨팅-구현 방법에 있어서, 명령어는 패스프레이즈를 검증하고, 상기 방법은 패스프레이즈를 보안 엔클레이브로 송신하고, 패스프레이즈를 보안 엔클레이브에서 검증하도록 보안 엔클레이브에 지시하는 단계를 더 포함한다. 예 47: 예 46의 컴퓨팅-구현 방법에 있어서, 패스프레이즈의 검증에 대응하는 표시를 보안 엔클레이브로부터 수신하는 단계를 더 포함한다. 예 48: 예 39 내지 45의 컴퓨팅-구현 방법에 있어서, 명령어는 암호화된 메모리 블록을 복호화하고, 상기 방법은 암호화된 메모리 블록을 보안 엔클레이브로 송신하고, 암호화된 메모리 블록을 보안 엔클레이브에서 복호화하도록 보안 엔클레이브에 지시하는 단계를 더 포함한다. 예 49: 예 48의 컴퓨팅-구현 방법에 있어서, 암호화된 메모리 블록의 콘텐츠를 보안 엔클레이브로부터 수신하고, 콘텐츠를 커널 모드 애플리케이션으로 송신하는 단계를 더 포함한다.예 50: 예 39 내지 49 중 어느 한 컴퓨팅-구현 방법에 있어서, 보안 엔클레이브를 운영 시스템으로 전달하는 단계를 더 포함한다. 예 51: 예 43의 컴퓨팅-구현 방법에 있어서, 보안 엔클레이브 페이지 캐시 사용을 운영 시스템으로 전달하는 단계 ― 운영 시스템은 보안 엔클레이브 페이지 캐시 사용에 적어도 부분적으로 기초하여 저장 구성요소로부터 하나 이상의 부가적인 메모리 페이지를 할당하도록 구성됨 ― 과, 보안 엔클레이브에 대응하는 메모리 어드레스를 운영 시스템으로 전달하는 단계 ― 운영 시스템은 메모리 어드레스에 적어도 부분적으로 기초하여 보안 엔클레이브를 가상 메모리 위치로 맵핑하도록 구성됨 ― 을 더 포함한다.예 52: 예 39 내지 51 중 어느 한 컴퓨팅-구현 방법에 있어서, 커널 모드 애플리케이션은 풀 디스크 암호화 애플리케이션 또는 도난-방지 애플리케이션 중 어느 하나이다.예 53: 예 49의 컴퓨팅-구현 방법에 있어서, 커널 모드 애플리케이션은 풀 디스크 암호화 애플리케이션이고, 암호화된 메모리 블록은 운영 시스템 로더, 운영 시스템 커널 및/또는 운영 시스템 부트 드라이버를 포함한다.예 54: 예 47의 컴퓨팅-구현 방법에 있어서, 커널 모드 애플리케이션은 도난-방지 애플리케이션이고, 패스프레이즈는 사용자 검증 패스프레이즈에 대응한다. 예 55: 커널 모드 애플리케이션을 통해 보안 엔클레이브를 액세스하기 위한 장치. 상기 장치는 보안 엔클레이브에서 기밀 정보를 프로세싱하기 위한 명령어를 커널 모드 애플리케이션으로부터 수신하기 위한 수단과, 커널 모드 애플리케이션에 대한 사용자 모드 지원을 가능하게 하기 위한 수단과, 컴퓨팅 디바이스의 저장 구성요소 상에서 보안 엔클레이브를 초기화하기 위한 수단과, 기밀 정보를 프로세싱하기 위해 보안 엔클레이브를 실행하기 위한 수단을 포함한다. 예 56: 예 55의 장치에 있어서, 커널 모드 애플리케이션을 런칭하기 위한 수단을 더 포함한다.예 57: 예 55 또는 56 중 어느 한 장치에 있어서, 커널 모드 애플리케이션에 대한 사용자 모드 지원을 가능하게 하기 위한 수단은 커널 모드 애플리케이션에 대한 사용자 모드 지원을 제공하기 위해 페이지 테이블 엔트리를 수정하기 위한 수단을 포함한다. 예 58: 예 55 내지 57 중 어느 한 장치에 있어서, 커널 모드 및 사용자 모드 사이에서 스위칭하기 위한 세그먼트 디스크립터를 글로벌 디스크립터 테이블에서 포지셔닝하기 위한 수단을 더 포함한다.예 59: 예 55 내지 58 중 어느 한 장치에 있어서, 보안 엔클레이브를 초기화하기 위한 수단은 보안 엔클레이브에 대해 저장 구성요소로부터 적어도 하나의 메모리 페이지를 할당하기 위한 수단과, 적어도 하나의 메모리 페이지를 보안 엔클레이브에 대응하는 엔클레이브 페이지 캐시에 부가하기 위한 수단을 포함한다. 예 60: 예 59의 장치에 있어서, 적어도 하나의 메모리 페이지에서 보안 엔클레이브를 생성하기 위한 수단을 더 포함한다.예 61: 예 59의 장치에 있어서, 보안 엔클레이브 이미지의 콘텐츠를 적어도 하나의 메모리 페이지로 확장시키기 위한 수단을 더 포함한다. 예 62: 예 55 내지 61 중 어느 한 장치에 있어서, 명령어는 패스프레이즈를 검증하고, 상기 장치는 패스프레이즈를 보안 엔클레이브로 송신하고, 패스프레이즈를 보안 엔클레이브에서 검증하도록 보안 엔클레이브에 지시하기 위한 수단을 더 포함한다. 예 63: 예 62의 장치에 있어서, 패스프레이즈의 검증에 대응하는 표시를 보안 엔클레이브로부터 수신하기 위한 수단을 더 포함한다. 예 64: 예 55 내지 61의 장치에 있어서, 명령어는 암호화된 메모리 블록을 복호화하고, 상기 장치는 암호화된 메모리 블록을 보안 엔클레이브로 송신하고, 암호화된 메모리 블록을 보안 엔클레이브에서 복호화하도록 보안 엔클레이브에 지시하기 위한 수단을 더 포함한다. 예 65: 예 64의 장치에 있어서, 암호화된 메모리 블록의 콘텐츠를 보안 엔클레이브로부터 수신하고, 콘텐츠를 커널 모드 애플리케이션으로 송신하기 위한 수단을 더 포함한다.예 66: 예 55 내지 65 중 어느 한 장치에 있어서, 보안 엔클레이브를 운영 시스템으로 전달하기 위한 수단을 더 포함한다. 예 67: 예 59의 장치에 있어서, 보안 엔클레이브 페이지 캐시 사용을 운영 시스템으로 전달하기 위한 수단 ― 운영 시스템은 보안 엔클레이브 페이지 캐시 사용에 적어도 부분적으로 기초하여 저장 구성요소로부터 하나 이상의 부가적인 메모리 페이지를 할당하도록 구성됨 ― 과, 보안 엔클레이브에 대응하는 메모리 어드레스를 운영 시스템으로 전달하기 위한 수단 ― 운영 시스템은 메모리 어드레스에 적어도 부분적으로 기초하여 보안 엔클레이브를 가상 메모리 위치로 맵핑하도록 구성됨 ― 을 더 포함한다. 예 68: 예 55 내지 67 중 어느 한 장치에 있어서, 커널 모드 애플리케이션은 풀 디스크 암호화 애플리케이션 또는 도난-방지 애플리케이션 중 어느 하나이다.예 69: 예 65의 장치에 있어서, 커널 모드 애플리케이션은 풀 디스크 암호화 애플리케이션이고, 암호화된 메모리 블록은 운영 시스템 로더, 운영 시스템 커널 및/또는 운영 시스템 부트 드라이버를 포함한다.예 70: 예 63의 장치에 있어서, 커널 모드 애플리케이션은 도난-방지 애플리케이션이고, 패스프레이즈는 사용자 검증 패스프레이즈에 대응한다. 예 71: 명령어를 포함하는 적어도 하나의 머신 판독 가능 저장 매체로서, 명령어는, 컴퓨팅 디바이스에 의해 실행될 때, 컴퓨팅 디바이스로 하여금 예 39 내지 54 중 어느 한 방법을 수행하게 한다.
다양한 실시예는 일반적으로 커널 모드 애플리케이션에 의한 사용을 위해 보안 엔클레이브를 로딩 및 실행하기 위한 기술에 관한 것이다. 보안 엔클레이브에 대한 커널 모드 액세스를 제공하는 장치는, 커널 모드 애플리케이션에 대한 사용자 모드 지원을 제공하고 커널 모드 애플리케이션 대신에 보안 엔클레이브를 초기화하기 위한 커널 모드 보안 엔클레이브 드라이버, 및 커널 모드 애플리케이션으로부터 보안 엔클레이브로의 명령어를 프로세싱하기 위한 사용자 모드 보안 엔클레이브 관리기를 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 입체 물체 생성GENERATING A THREE-DIMENSIONAL OBJECT [ 기술분야 ] 입체 물체를 소량으로 생산하기 위한 잠재적으로 편리한 방법으로서, 입체 물체를 층층이 생성시키는 적층식 제조 시스템(additive manufacturing system)이 제안되었다. [ 배경기술 ] 이러한 시스템에 의해 제조된 물체의 품질은 사용되는 적층식 제조 기술의 유형에 따라 크게 달라질 수 있다. 일반적으로, 저가의 시스템을 사용해서는 저 품질 저 강도의 물체를 제조할 수 있고, 반면에 고가의 시스템을 사용하면 고품질 고강도의 물체를 생산할 수 있다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명의 목적은 입체 물체를 소량으로 생산하기 위한 잠재적으로 편리한 방법을 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 입체 물체 생성 장치는, 축조 재료의 층의 부분들 상에 유착제(coalescing agent)를 선택적으로 전달하기 위한 제 1 에이전트 분배기(agent distributor); 축조 재료의 층의 부분들 상에 유착 개선제(coalescence modifier agent)를 선택적으로 전달하기 위한 제 2 에이전트 분배기(agent distributor); 및 상기 유착제와 유착 개선제 각각이, 생성시키려는 입체 물체의 절편을 나타내는 데이터로부터 도출된 각각의 패턴으로, 축조 재료의 층 상으로 선택적으로 전달될 수 있도록, 상기 에이전트 분배기들을 제어하여, 축조 재료의 층에 에너지가 가해질 때에 그 축조 재료가 유착 및 응고되어서 상기 패턴에 따라 입체 물체의 절편이 형성되도록 하는, 제어기를 포함하는 것을 특징으로 한다.이제부터는 본 발명의 실시예들에 대해 첨부된 도면을 참조하여 단지 비제한적 예로서만 설명한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 일 실시예에 따른, 한정된 물체 특성을 갖는 물체 모델의 도면이다.도 2a 내지 도 2g는 일 실시예에 따른 축조 재료의 층 또는 층들의 일련의 단면도이다.도 3은 일 실시예에 따른 입체 물체를 생성하는 방법의 개요를 설명하는 흐름도이다.도 4는 일 실시예에 따른 적층식 제조 시스템의 단순화된 등각도이다.도 5는 일 실시예에 따른 적층식 제조 시스템을 작동하는 방법의 개요를 설명하는 흐름도이다.도 6a 내지 도 6b는 다양한 실시예에 따른 적층식 제조 시스템의 부분들의 구성의 일련의 단순화된 등각도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 적층식 제조 기술은 축조 재료(build material)의 응고를 통해 입체 물체를 생성시킬 수 있다. 축조 재료는 분말계 재료일 수 있고, 생성되는 물체의 특성은 축조 재료의 유형 및 사용되는 응고 기구의 유형에 따라 달라진다.적층식 제조 시스템은 구조 설계 데이터에 기초하여 물체를 생성시킬 수 있다. 이는 생성시키려는 물체의 3차원 모델을 설계자가 예를 들어 컴퓨터 지원 설계(CAD) 응용 프로그램을 사용해서 생성시키는 것을 포함할 수 있다. 그 모델은 물체의 고형 부분들을 정의할 수 있다. 적층식 제조 시스템을 사용하여 모델로부터 입체 물체를 생성시키기 위해서는, 모델의 평행한 평면들의 절편(slice)들이 생성될 수 있게 모델 데이터를 처리할 수 있다. 각 절편은 적층식 제조 시스템에 의해 응고될 축조 재료의 각각의 층 부분을 형성할 수 있다. 입체 모델로부터 생성되는 절편의 수는 적층식 제조 시스템이 생성시킬 수 있거나 처리할 수 있는 각 층의 두께와 관련된다. 얇은 축조 재료 층을 생성시킬 수 있는 적층식 제조 시스템은 두꺼운 축조 재료 층을 생성시키는 시스템에 비해서 더 높은 해상도의 물체를 생성시킬 수 있다. 입체 물체를 생성하는 데 걸리는 시간은 층의 수에 따라 크게 달라질 수 있다.예를 들어 물체 강성과 같은 물체의 일부 특성에 있어서의 변화는 생성시키려는 입체 물체의 모델의 신중한 설계를 통해 얻을 수 있다. 예를 들어, 물체 모델에 구조적 리브와 같은 특정 설계 특징을 포함시킴으로써, 물체의 강성 또는 물체 부분을 그러한 특징이 없는 물체 또는 물체 부분에 비해서 증가시킬 수 있다.그러나 물체의 많은 특성들은 사용되는 축조 재료의 성질과, 원하는 입체 물체를 형성시키기 위해 축조 재료를 응고시키는 공정에 따라 달라질 수 있다. 그러한 특성에는 예를 들면 표면 거칠기, 정밀도, 및 강도가 포함될 수 있다.뒤에서 이어지는 설명에서 명백해지는 바와 같이, 본원에 설명된 시스템들은, 하나의 생성된 물체 내에 제어 가능한 변수 또는 상이한 물체 특성들을 가질 수 있는 입체 물체가 생성될 수 있게 한다. 이것은 물체가 예를 들어 하나 이상의 가변 특성, 즉 가변 정밀도 특성; 가변 표면 거칠기 특성; 가변 강도 또는 그 밖의 다른 기계적 또는 물리적 특성을 포함할 수 있는 가변 특성을 가질 수 있게 한다. 예를 들어, 생성된 물체는 제 1 수준의 표면 거칠기를 갖는 한 부분과, 제 2 수준의 표면 거칠기를 갖는 제 2 부분을 포함할 수 있다.그러나 주지해야 할 점은, 본원에 개시된 시스템들은 가변 물체 특성을 갖는 입체 물체를 생성시키는 것에 한정되지 않을 뿐만 아니라 실질적으로 균일하거나 균질한 물체 특성을 갖는 입체 물체가 생성될 수 있도록 한다는 것이다.가변적인 물체 특성가변적인 물체 특성을 갖는 물체는 생성하려는 입체 물체를 정의하는 데이터와 하나 이상의 물체 특성을 정의하는 물체 특성 데이터 모두를 사용하여 생성시킬 수 있다. 물체 특성 데이터는, 예를 들어, 물체 부분을 정의할 수 있으며, 물체가 생성되었을 때에 그러한 정의된 부분이 갖게 되는 원하는 물체 특성을 정의할 수 있다. 물체 특성 데이터는, 예를 들어, 생성하려는 물체 전체에 대해서, 또는 생성하려는 물체의 하나 이상의 부분들에 대해 정의될 수 있다. 물체 특성 데이터는 또한 물체의 일부분 또는 여러 부분들에 대해 다수의 물체 특성을 정의하기 위해서도 사용될 수 있다.일 실시예에서, 물체 특성 데이터는 도 1에 도시된 바와 같이 물체 모델(100) 내에서 정의될 수 있다. 생성하려는 물체(100)가 도 1에 도시된 바와 같이 예시되어 있다. 물체(100)는 제 1 물체 특성을 갖도록 정의된 제 1 부분(102)과, 제 2 물체 특성을 갖도록 정의된 제 2 부분(104)을 갖는다.다른 실시예에서는, 물체 특성 데이터는 물체에 대해 전체적으로 정의될 수 있다. 예를 들어, 물체는 사전에 설정된 표면 거칠기 값을 가지도록 정의될 수 있다. 이와 같은 한 예에서, 전체적인 물체 특성 데이터가 물체 설계 데이터 내에서 특정될 수 있다. 다른 실시예에서, 전체적인 물체 특성 데이터는 사용자에 의해서, 예를 들면, 적층식 제조 시스템의 사용자 인터페이스를 통해, 소프트웨어 드라이버를 통해, 기정(default) 또는 사전에 설정된 물체 특성 데이터를 저장한 메모리를 통해, 또는 임의의 다른 적합한 방식을 통해 특정될 수 있다.본 명세서의 설명에서는 세 가지 주요 가변적인 물체 특성을 기술하고 있지만, 다른 실시예에서는 그 밖의 다른 적절한 물체 특성을 정의할 수 있다. 그 밖의 다른 물체 특성은, 예를 들면, 물체 기공 특성, 층간 강도 특성, 물체 탄성 특성, 밀도 등을 포함할 수 있으며, 축조 재료 또는 물체를 생성하는 데 사용되는 에이전트의 유형에 따라 달라질 수 있다.공정 개요이제부터는 일 실시예에 따른 유형의 입체 물체를 생성하는 방법을 도 2a 내지 도 2g 및 도 3을 참조하여 설명한다. 도 2a 내지 도 2g는 일 실시예에 따른 축조 재료의 층 또는 층들의 일련의 단면도를 도시하고 있다. 도 3은 일 실시예에 따른 입체 물체를 생성하는 방법의 개요를 설명하는 흐름도이다.도 3의 방법에 있어서, 단계 302에서, 축조 재료의 제 1 층(202a)이 도 2a에 도시된 바와 같이 제공될 수 있다. 축조 재료의 제 1 층은 적합한 지지 부재 위에 제공된다(도시 생략). 일 실시예에서는 제공되는 축조 재료 층의 두께가 약 90 내지 110미크론의 범위이지만, 다른 실시예에서는 이보다 더 얇거나 두꺼운 축조 재료 층이 제공될 수 있다. 얇은 층을 사용하게 되면 생성되는 물체의 해상도를 더 높일 수 있지만, 물체를 생성하는 데 걸리는 시간이 늘어날 수 있다.도 3의 방법에 있어서, 블록 304에서, 유착제(204) 및 유착 개선제(206)가 축조 재료의 층(202a)의 표면의 하나 이상의 부분들로 선택적으로 전달될 수 있다. 상기 유착제(204) 및 유착 개선제(206)의 선택적인 전달은 생성시키려는 입체 물체의 모델로부터 도출된 데이터에 따라 수행된다.선택적 전달(selective delivery)은 유착제 및 유착 개선제 모두가 각각의 독립된 패턴으로 축조 재료의 표면층의 선택된 부분들로 전달될 수 있다는 것을 의미한다. 상기 패턴은 생성시키려는 입체 물체의 모델로부터 도출된 데이터에 의해 정의된다. 일부 실시예에서, 유착제(204)는 제 1 패턴에 따라 축조 재료 부분에 선택적으로 전달될 수 있으며, 유착 개선제(206)는 제 2 패턴에 따라 축조 재료 부분에 선택적으로 전달될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 패턴은 비트맵을 정의한다.물체의 임의의 부분의 물체 특성은 유착제 및 유착 개선제가 축조 재료로 전달되는 패턴에 따라 제어 가능하게 변경시킬 수 있다.일 실시예에서, 유착제(204) 및 유착 개선제(206)는 유체, 즉 아래에서 더 상세히 설명되는 바와 같이 임의의 적합한 유체 분배 기구를 사용하여 전달할 수 있는 유체이다. 일 실시예에서, 상기 에이전트(유착제, 유착 개선제)는 액적 형태로 전달된다. 그러나 도 2a 내지 도 2g는 상기 에이전트의 전달을 개략적인 형태로 보이고 있음을 주지해야 한다.도 2b는 축조 재료의 표면에 전달되는 유착제(204) 및 유착 개선제(206)가 축조 재료의 층(202a) 안으로 침투하는 것을 보이고 있다. 상기 에이전트(유착제, 유착 개선제)가 침투하는 정도는 그 두 가지의 상이한 에이전트 간에 다를 수 있거나, 또는 실질적으로 동일할 수 있다. 침투 정도는 예를 들어 전달되는 에이전트의 양과, 축조 재료의 성질과, 에이전트의 성질 등에 따라 달라질 수 있다. 도 2a 내지 도 2g에 도시된 예에서, 에이전트는 축조 재료의 층(202a) 안으로 실질적으로 완전히 침투한 것으로 도시되어 있지만, 이는 순전히 예시를 위한 것이지 결코 제한하려는 것이 아님을 이해할 수 있을 것이다. 다른 실시예에서, 상기 에이전트 중 하나 또는 둘이 층(202a) 안으로 100% 미만으로 침투할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 에이전트 중 하나 또는 둘이 축조 재료의 층(202a) 안으로 완전히 침투할 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 에이전트 중 하나 또는 둘이 축조 재료의 층(202a) 안으로 완전히 침투할 수 있으며, 게다가 축조 재료의 기초 층(underlying layer) 안으로 침투할 수 있다.도 3의 방법의 블록 306에서 유착제 및 유착 개선제가 전달된 때, 축조 재료의 층(202a)에 사전에 설정된 수준의 에너지가 일시적으로 가해진다. 일 실시예에서, 상기 가해지는 에너지는 적외선 또는 근적외선의 에너지이지만, 다른 실시예에서는 마이크로파 에너지, 자외선(UV) 광, 할로겐 등, 초음파 에너지 등등과 같은 다른 유형의 에너지가 가해질 수 있다. 에너지를 가하는 시간 길이 또는 에너지 노출 시간은, 예를 들면, 에너지원의 특성, 축조 재료의 특성, 유착제의 특성, 및 유착 개선제의 특성 중 하나 이상에 의존할 수 있다. 사용되는 에너지원의 종류는 축조 재료의 특성, 유착제의 특성, 및 유착 개선제의 특성 중 하나 이상에 의존할 수 있다. 일 실시예에서, 시스템(400)은 사전에 설정된 시간 길이 동안 에너지를 가하도록 구성된다.에너지의 일시적인 적용은 유착제가 전달되었거나 침투되어 있는 축조 재료의 부분들을 축조 재료의 융점을 넘어 가열시켜서 유착시킬 수 있다. 냉각하게 되면, 유착된 부분들이 응고되어서, 생성시키려는 입체 물체의 부분을 형성하게 된다. 그러한 부분이 도 2c에 부분(208a)으로 도시되어 있다.유착제가 전달되었거나 침투해 있는 축조 재료에 의해 흡수된 에너지는 또한 축조 재료 주변으로 전파될 수 있으며, 축조 재료 주변을 가열시키기에 충분할 수 있다. 이는, 축조 재료를 예컨대 그의 융점을 넘어서까지 가열시키거나, 또는 축조 재료를 예컨대 그의 융점 아래에서 가열시키되 축조 재료의 연화 및 접합을 일으키기에 적합한 온도까지 가열시킬 수 있다. 이것은 축조 재료 중의 응고를 의도하지 않은 부분들이 후속해서 응고되는 결과를 야기하는데, 이러한 효과를 본원에서는 유착 블리드(coalescence bleed)라 칭한다. 예를 들면, 유착 블리드는 생성된 입체 물체의 전체 정밀도가 감소되는 결과를 가져올 수 있다.상기 유착 블리드의 영향은 축조 재료의 적절한 부분들에 유착 개선제를 전달함으로써 관리할 수 있다. 본 실시예에서, 상기 유착 개선제는 그 유착 개선제가 전달되었거나 혹은 침투되어 있는 축조 재료 부분의 유착 정도를 감소시키는 역할을 할 수 있다.생성된 입체 물체의 품질은 물체가 생성되는 동안 존재하는 환경 조건에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 축조 재료의 온도는 상황에 따라 신중하게 제어 또는 관리될 수 있다. 이와 마찬가지로, 외기 온도, 습도 등과 같은 그 밖의 다른 환경 조건도 몇몇 상황에서 주의 깊게 제어 또는 관리될 수 있다.유착 개선제는 다양한 목적으로 사용될 수 있다. 일 실시예에서는, 도 2에 도시한 바와 같이, 유착 개선제(206)를 도 2a에 도시된 바와 같이 유착제(204)가 전달된 곳에 인접하게 전달해서, 횡 방향의 유착 블리드의 영향을 감소시키는 데 도움이 되게 할 수 있다. 이는 예를 들면 물체의 가장자리 또는 표면의 선명도(definition) 또는 정밀도를 향상시키고 그리고/또는 표면 거칠기를 감소시키는 데 이용될 수 있다. 다른 실시예에서는, 유착 개선제를 유착제에 산재되게 전달할 수 있고(이에 대해서는 아래에서 더 설명됨), 이는 앞에서 언급한 바와 같이 물체 특성을 개선하는 데 사용될 수 있다.공급되는 에너지와, 축조 재료와, 유착제 및 유착 개선제의 조합은, 그 어떤 유착 블리드의 영향도 배제하면서, ｉ) 유착제가 전달되지 않은 축조 재료의 부분들이 그에 에너지가 일시적으로 가해질 때에 유착되지 않도록; ⅱ) 오로지 유착제만 전달되었거나 침투해 있는 축조 재료의 부분들이 그에 에너지가 일시적으로 가해질 때에 유착되도록; ⅲ) 오로지 유착 개선제만 전달되었거나 침투해 있는 축조 재료의 부분들이 그에 에너지가 일시적으로 가해질 때에 유착되지 않도록 하여, 선택될 수 있다.유착제와 유착 개선제가 모두 다 전달되었거나 침투해 있는 축조 재료의 부분들은 개선된 정도(modified degree)로 유착될 수 있다. 개선의 정도는, 예를 들면, 다음의 것들 중 임의의 하나 또는 그 이상의 것에 따라 달라질 수 있다.축조 재료의 임의의 부분에서의 유착제 및 유착 개선제의 비율;유착제가 축조 재료로 전달되는 패턴;유착 개선제가 축조 재료로 전달되는 패턴;유착제의 화학적 특성;유착 개선제의 화학적 특성;축조 재료의 화학적 특성;축조 재료와 유착제 및 유착 개선제 사이의 화학적 상호 작용; 및에너지가 가해지는 동안의 축조 재료와 유착제 및 유착 개선제 사이의 상호 작용.일부 실시예에서, 상기 개선의 정도는 유착제 및 유착 개선제가 축조 재료로 전달되는 순서에 의존할 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 개선의 정도는 유착제 및 유착 개선제가 축조 재료로 전달되는 타이밍에 의존할 수 있다.축조 재료의 층이 전술한 바와 같이 처리된 후, 새로운 축조 재료 층(202b)이 도 2d에 도시된 바와 같이 앞서서 처리된 축조 재료 층(202a)의 상부에 제공될 수 있다. 이는 도 3의 블록 302에 설명되어 있다. 이러한 방식으로, 앞서서 처리된 축조 재료의 층은 축조 재료의 후속 층을 위한 지지체로서 작용한다.이어서 입체 물체를 층층이 생성시키기 위해 도 3의 블록 304 내지 블록 306의 처리가 반복될 수 있다. 예를 들어, 도 2e에는, 도 3의 블록 304에 따라서 추가 유착제 및 유착 개선제를 새롭게 제공되는 축조 재료 층에 선택적으로 전달하는 것이 예시되어 있다. 예를 들어, 도 2f는 축조 재료(202b)에 유착제 및 유착 개선제가 침투한 것을 예시하고 있다. 예를 들어, 도 2g는, 도 3의 블록 306에 따라 에너지가 가해질 때에, 유착제가 전달되었거나 침투해 있는 축조 재료(202b)의 부분들과 축조 재료 주변의 축조 재료가 유착 및 응고되는 것을 예시하고 있다.유착제가 전달되었거나 침투해 있는 축조 재료 부분으로부터 에너지 적용 중에 흡수된 열은 이전에 응고된 부분, 예컨대 부분(208a)으로 전파되어서, 그 부분의 일부를 그의 융점 이상으로 가열시킬 수 있다. 이러한 효과는 도 2g에 도시된 바와 같이 응고된 축조 재료의 인접하는 층들 사이에 층간 결합이 강한 부분(210)을 생성하는 데 도움이 된다.제어 가능하게 가변시킬 수 있는 특성을 갖는 입체 물체를 전술한 바와 같이 생성시키는 것은, 물체를 생성하는 데 사용되는 축조 재료의 층에 유착제 및 유착 개선제를 전달하는 방식을 조절함으로써 가능하다.물체를 생성하는 데 사용되는 축조 재료의 층에 유착제 및 유착 개선제를 전달하는 특정 방식은 물체로 하여금 상이한 물체 특성들을 가질 수 있게 한다.시스템 개요도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 적층식 제조 시스템(400)의 단순화된 등각도가 도시되어 있다.도 5의 흐름도를 참조하여 이하에서 더 설명하는 바와 같이, 상기 시스템(400)은 축조 재료의 연속하는 층들의 부분들을 선택적으로 고화시킴으로써 유형의 입체 물체를 생성시키는 작동을 할 수 있다.일 실시예에서, 축조 재료는 분말계 축조 재료이다. 본원에 사용된 분말계 재료라는 용어는 건식 및 습식 모두의 분말계 재료, 미립자 재료 및 입상 재료를 포함하는 것으로 의도된다.그러나 본원에 설명된 예는 분말계 재료로 제한되지 않으며, 적절하다면 적합한 변경을 가해서 그 밖의 다른 적합한 축조 재료와 함께 사용될 수 있다는 점을 이해하여야 한다. 다른 실시예에서, 축조 재료는 페이스트 또는 겔이거나, 또는, 예컨대, 그 밖의 다른 적합한 형태의 축조 재료일 수 있다.예시적인 시스템 구성시스템(400)은 시스템 제어기(402)를 포함하고, 이 시스템 제어기는 상기 적층식 제조 시스템(400)의 전반적인 작동을 제어한다. 도 4에 도시된 예에서, 제어기(402)는, 일례로 통신 버스(도시되지 않음)를 통해, 메모리(404)에 연결된 마이크로프로세서 기반의 제어기이다. 메모리는 프로세서가 실행할 수 있는 명령(406)을 저장한다. 제어기(402)는 명령(406)들을 실행할 수 있고, 그래서 상기 명령에 따라 시스템(400)의 작동을 제어할 수 있다.시스템(400)은 지지 부재(414) 위에 마련된 축조 재료 층에 유착제가 선택적으로 전달될 수 있도록 하는 유착제 분배기(408)를 추가로 포함한다. 일 실시예에서, 지지 부재는 약 10㎝ x 10㎝ 내지 약 100㎝ x 100㎝의 범위의 치수를 갖는다. 다른 예에서, 지지 부재는 상기 치수보다 더 크거나 혹은 더 작은 치수를 가질 수 있다.시스템(400)은 또한 지지 부재(414) 위에 마련된 축조 재료 층에 유착 개선제가 선택적으로 전달될 수 있도록 하는 유착 개선제 분배기(410)도 포함한다.제어기(402)는 제공된 축조 재료 층으로의 유착제 및 유착 개선제의 선택적 전달을 에이전트 전달 제어 데이터(416)에 따라 제어한다.도 4에 도시된 예에서, 유착제 분배기(408) 및 유착 개선제 분배기(410)는 열 프린트헤드 또는 피에조 잉크젯 프린트헤드 등과 같은 프린트헤드일 수 있다. 일 실시예에서, 시중에서 입수할 수 있는 잉크젯 프린터에서 일반적으로 사용되는 적절한 프린트헤드 등과 같은 프린트헤드가 사용될 수 있다.프린트헤드(408, 410)는 적절한 유체 형태일 때의 유착제 및 유착 개선제를 선택적으로 전달하기 위해 사용된다. 일 실시예에서, 프린트헤드는 에이전트 액적을 300 내지 1200의 인치 당 도트(DPI)의 해상도로 전달하도록 선택될 수 있다. 다른 실시예에서, 프린트헤드는 상기 해상도보다 더 높거나 낮은 해상도로 에이전트 액적을 전달할 수 있도록 선택될 수 있다. 일 실시예에서, 프린트헤드는 이 프린트헤드가 유체 액적을 선택적으로 배출시킬 수 있는 통로인 다수의 노즐들의 배열을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 각각의 액적은 방울 당 약 10 피코 리터(pi) 정도일 수 있지만, 다른 실시예에서는 이보다 크거나 혹은 작은 액적 크기를 전달할 수 있는 프린트헤드가 사용될 수 있다. 일부 실시예에서는 가변 크기의 액적을 전달할 수 있는 프린트헤드가 사용될 수 있다.일부 실시예에서, 유착제 분배기(408)는 유착 개선제 분배기(410)로부터 전달되는 유착 개선제의 액적보다 큰 유착제 액적을 전달하도록 구성될 수 있다.다른 실시예에서, 유착제 분배기(408)는 유착 개선제 분배기(410)로부터 전달되는 유착 개선제의 액적과 같은 크기의 유착제 액적을 전달하도록 구성될 수 있다.다른 실시예에서, 유착제 분배기(408)는 유착 개선제 분배기(410)로부터 전달되는 유착 개선제의 액적보다 작은 유착제 액적을 전달하도록 구성될 수 있다.일부 실시예에서, 상기 제 1 에이전트와 제 2 에이전트는 프린트헤드를 통해 전달될 수 있도록 하기 위해 물 또는 다른 적절한 용매 또는 분산제와 같은 액체 담체를 포함할 수 있다.일부 실시예에서 프린트헤드는 드롭 온 디맨드(drop-on-demand) 프린트헤드일 수 있다. 다른 실시예에서 프린트헤드는 연속 드롭 프린트헤드일 수 있다.일부 실시예에서, 유착제 분배기(408) 및 유착 개선제 분배기(410)는 시스템(400)의 일체형 부품일 수 있다. 일부 실시예에서, 유착제 분배기(408) 및 유착 개선제 분배기(410)는 사용자가 교체할 수 있고, 이 경우, 그 분배기들은 적절한 분배기 수용부 또는 인터페이스 모듈(도시되지 않음)에 탈착 가능하게 삽입될 수 있다.일부 실시예에서 하나의 잉크젯 프린트헤드가 유착제와 유착 개선제 둘 다를 선택적으로 전달하는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 프린트헤드의 제 1 세트의 프린트헤드 노즐은 유착제를 전달하도록 구성될 수 있고, 상기 프린트헤드의 제 2 세트의 프린트헤드 노즐은 유착 개선제를 전달하도록 구성될 수 있다.도 4에 도시된 실시예에서, 유착제 분배기(408) 및 유착 개선제 분배기(410)는 소위 페이지-와이드(page-wide) 배열 구성에서 지지 부재(414)의 전체 폭에 걸쳐질 수 있게 한 길이를 갖는다. 일 실시예에서, 이는 다수의 프린트헤드의 적절한 배치를 통해 달성될 수 있다. 다른 실시예에서, 지지 부재(414)의 폭에 걸쳐질 수 있게 한 길이를 갖는 노즐 배열을 갖는 하나의 프린트헤드가 사용될 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 유착제 분배기(408) 및 유착 개선제 분배기(410)는 상기 길이보다 짧은 길이, 즉 지지 부재(414)의 전체 폭에 걸쳐질 수 없게 한 길이를 가질 수 있다.유착제 분배기(408) 및 유착 개선제 분배기(410)는 도시된 y축을 따라 지지 부재(414)의 길이를 가로질러 양방향으로 이동할 수 있게 한 이동 가능한 캐리지(도시되지 않음)에 장착된다. 이것은 1회 통과로 유착제와 유착 개선제가 지지 부재(414)의 전체 폭과 길이에 걸쳐 선택적 전달될 수 있게 한다. 다른 실시예에서, 유착제 분배기(408) 및 유착 개선제 분배기(410)는 고정될 수 있고, 상기 지지 부재(414)는 유착제 분배기(408) 및 유착 개선제 분배기(410)에 대해 이동할 수 있다.본원에 사용된 용어 '폭'은 도 4에 도시된 x축과 y축에 평행한 평면에서 가장 짧은 치수를 일반적으로 나타내는 데 사용되며, 본원에서 사용된 용어 "길이"는 상기 평면에서 가장 긴 치수를 일반적으로 나타내는 데 사용되는 점에 주목해야 한다. 그러나, 다른 실시예에서는 "폭"이라는 용어를 "길이"라는 용어로 교체할 수 있다는 것이 이해될 것이다. 예를 들어, 다른 실시예에서, 유착제 분배기 및 유착 개선제 분배기는 지지 부재(414)의 전체 길이에 걸쳐질 수 있게 한 길이를 가질 수 있고, 상기 이동 가능한 캐리지는 지지 부재(414)의 폭을 가로질러 양방향으로 이동할 수 있다.또 다른 실시예에서, 유착제 분배기(408) 및 유착 개선제 분배기(410)는 지지 부재의 전체 폭에 걸쳐질 수 있게 한 길이는 갖지 않지만, 추가적으로, 도시된 x축에서 지지 부재(414)의 폭을 가로질러서 양방향으로 이동할 수 있다. 이 구성은 다수 회 통과를 이용해서 유착제와 유착 개선제가 지지 부재(414)의 전체 폭과 길이에 걸쳐 선택적 전달될 수 있게 한다. 그러나 페이지 와이드 배열 구성 등과 같은 다른 구성은 입체 물체를 더 빠르게 생성시킬 수 있다.유착제 분배기(408)는 유착제 공급원을 포함하거나, 또는 별도의 유착제 공급원에 연결될 수 있다. 유착 개선제 분배기(410)는 유착 개선제 공급원을 포함하거나, 또는 별도의 유착 개선제 공급원에 연결될 수 있다.시스템(400)은 축조 재료(202)의 층을 지지 부재(414) 상에 제공하기 위한 축조 재료 분배기(418)를 추가로 포함한다. 적합한 축조 재료 분배기는 예를 들어 와이퍼 블레이드 및 롤러를 포함할 수 있다. 축조 재료가 호퍼 또는 축조 재료 저장소(도시되지 않음)로부터 축조 재료 분배기(418)로 공급될 수 있다. 도시된 예에서, 축조 재료 분배기(418)는 지지 부재(414)의 길이(y축)에 걸쳐 이동하여 축조 재료 층을 부착시킨다. 전술한 바와 같이, 축조 재료의 제 1 층이 지지 부재(414) 상에 부착될 것이고, 후속하는 축조 재료 층들이 앞서 부착된 축조 재료 층 상에 부착될 것이다.도시된 예에서, 축조 재료의 새로운 층들이 부착될 때에 축조 재료의 가장 최근에 부착된 층의 표면과 유착제 분배기(408) 및 유착 개선제 분배기(410)의 하부 표면 사이에 사전에 설정된 간극이 유지될 수 있도록, 지지 부재(414)는 z축에서 이동할 수 있다. 그러나 다른 실시예에서는 지지 부재(414)는 z축으로 이동할 수 없고, 유착제 분배기(408) 및 유착 개선제 분배기(410)가 z축으로 이동할 수 있다.시스템(400)은 유착제가 전달되었거나 혹은 침투되어 있는 곳을 따라서 축조 재료의 부분들을 응고시키기 위해 축조 재료에 에너지를 가하기 위한 에너지원(420)을 추가로 포함한다. 일 실시예에서, 상기 에너지원(420)은 적외선(IR) 또는 근적외선 광원이다. 일 실시예에서, 상기 에너지원(420)은 지지 부재(414) 상에 부착된 축조 재료에 에너지를 균일하게 가할 수 있는 단일의 에너지원일 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 에너지원(420)은 다수의 에너지원들의 배열을 포함할 수 있다.일부 실시예에서, 상기 에너지원(420)은 에너지를 축조 재료 층의 전체 표면에 실질적으로 균일하게 적용시킬 수 있도록 구성된다. 이러한 실시예들에서, 상기 에너지원(420)은 비집속형 에너지원(unfocused energy source)이라고 말할 수 있다. 이러한 실시예들에서, 하나의 층 전체에 에너지가 동시에 가해질 수 있는데, 이는 입체 물체가 생성될 수 있는 속도를 증가시키는 데 도움이 될 수 있다.다른 실시예에서, 상기 에너지원(420)은 에너지를 축조 재료 층의 전체 표면 부분에 실질적으로 균일하게 적용시킬 수 있도록 구성된다. 예를 들어, 상기 에너지원(420)은 에너지를 축조 재료 층의 전체 표면 중의 한 조각(strip)에 적용시키도록 구성될 수 있다. 이러한 실시예들에서, 실질적으로 동일한 양의 에너지가 궁극적으로는 축조 재료 층의 전체 표면에 걸쳐 적용될 수 있도록, 에너지원이 축조 재료의 층을 가로질러 이동되거나 스캐닝될 수 있다.일 실시예에서, 상기 에너지원(420)은 이동 가능한 캐리지 상에 장착될 수 있다.다른 실시예에서, 상기 에너지원은 예를 들어 에이전트 전달 제어 데이터에 따라 축조 재료 층을 가로질러 이동할 때에 가변량의 에너지를 가할 수 있다. 예를 들어, 제어기(402)는 유착제가 가해진 축조 재료의 부분들에 에너지를 적용하기 위해서만 에너지원을 제어할 수 있다.추가 실시예에서, 에너지원(420)은 레이저 빔 등의 집속형 에너지원(focused energy source)일 수 있다. 이 실시예에서, 레이저 빔은 축조 재료 층의 전체 또는 일부를 가로질러 주사하도록 제어될 수 있다. 이러한 실시예들에서, 레이저 빔은 에이전트 전달 제어 데이터에 따라 축조 재료의 층을 가로질러 스캐닝하도록 제어될 수 있다. 예를 들어, 레이저 빔은 유착제가 전달되는 층의 부분들에 에너지를 적용하도록 제어될 수 있다.도 4에는 도시되지 않았지만, 일부 실시예에서, 시스템(400)은 지지 부재(414) 상에 부착된 축조 재료를 사전에 설정된 온도 범위 내로 유지시키기 위한 예열기를 추가로 포함한다. 예열기를 사용함으로써, 유착제가 전달되었거나 침투해 있는 축조 재료의 유착 또는 후속하는 응고가 일어날 수 있도록 하기 위해 에너지원(420)에 의해 가해져야 하는 에너지의 양을 감소시키는 데 도움이 될 수 있다.일부 실시예에서, 지지 부재(414)는 시스템(400)의 고정 부품이 아닐 수 있지만, 예를 들어 탈착식 모듈의 부품일 수 있다. 일부 실시예에서, 지지 부재(414)와 축조 재료 분배기는 시스템(400)의 고정 부품이 아닐 수 있지만, 예를 들어 탈착식 모듈의 부품일 수 있다. 다른 실시예에서, 시스템(400)의 다른 요소들은 탈착식 모듈의 부품일 수 있다.시스템 작동입체 물체를 생성하기 위해, 제어기(402)는 에이전트 전달 제어 데이터(416)를 취득한다. 이는 도 5의 블록 502에 설명되어 있다. 에이전트 전달 제어 데이터(416)는, 생성되는 입체 물체의 각각의 절편(slice)에 대해서, 유착제 및 유착 개선제 중 적어도 하나가 전달되는 축조 재료(축조 재료가 있는 경우)의 부분들 또는 위치들을 정의할 수 있다.에이전트 전달 제어 데이터는 예를 들면 적절한 입체 물체 처리 시스템(도시되지 않음)에 의해 도출될 수 있다. 일부 실시예에서, 입체 물체 처리 시스템은 적층식 제조 시스템(400) 내에 포함될 수 있다. 예를 들어, 상기 메모리(404)는, 제어기(402)에 의해 실행될 때에 그 제어기(402)로 하여금 본원에 설명된 것과 같은 입체 물체 처리 장치로서 작동하도록 하는 명령(406)을 추가로 포함할 수 있다.일부 실시예에서, 입체 물체 처리 시스템은 적층식 제조 시스템(400)의 범위 밖에 있을 수 있다. 예를 들어, 입체 물체 처리 시스템은 상기 시스템(400)과는 별개인 컴퓨터 장치에서 실행될 수 있는 소프트웨어 애플리케이션 또는 소프트웨어 애플리케이션의 일부일 수 있다.예를 들어, 상기 물체 처리 시스템은 생성시키려는 입체 모델을 나타내는 물체 설계 데이터를 얻을 수 있다. 물체 처리 시스템은 물체 특성 데이터를 추가로 얻을 수 있다.앞에서 설명한 바와 같이, 물체 특성 데이터는 물체 설계 데이터로부터 얻을 수 있거나, 또는, 예를 들어, 사용자 인터페이스를 거쳐 사용자로부터, 소프트웨어 드라이버로부터, 소프트웨어 애플리케이션으로부터 얻거나, 또는 디폴트 또는 사용자 정의 전체 물체 특성 데이터를 저장하는 메모리로부터 얻을 수 있다.일부 실시예에서, 물체 처리 시스템은 적층식 제조 시스템(400)의 특성과 관련된 데이터를 얻을 수 있다. 이러한 특성은, 예를 들면, 축조 재료의 층 두께, 유착제의 특성, 유착 개선제의 특성, 축조 재료의 특성, 및 에너지원의 특성을 포함할 수 있다.이러한 특성, 물체 설계 데이터, 및 물체 특성 데이터를 사용함으로써, 물체 처리 시스템은 에이전트 전달 제어 데이터(416)를, 즉 처리되는 축조 재료의 각 층에 대해서, 유착제 및 유착 개선제 중 적어도 하나가 전달되는 축조 재료 상의 위치들 또는 부분들을 묘사할 수 있는, 에이전트 전달 제어 데이터를 생성할 수 있다. 일 실시예에서, 유착제 및 유착 개선제가 전달되는 축조 재료의 위치들 또는 부분들은 각각의 패턴에 의해 한정된다.일부 실시예에서, 물체 처리 시스템은 유착제 및 유착 개선제가 축조 재료로 전달되는 순서를 결정할 수 있다.일부 실시예에서, 물체 처리 시스템은 유착제 및 유착 개선제가 축조 재료로 전달되는 순서 및 이에 대응하는 타이밍 데이터를 결정할 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 타이밍 데이터는 유착제 전달과 유착 개선제 전달과의 사이를 참작하기 위해 시간 지연을 정의할 수 있다.일부 실시예에서, 물체 처리 시스템은 축조 재료의 각각의 위치 또는 부분에 전달할 유착제의 체적 및 유착 개선제의 체적을 나타내는 체적 데이터를 추가로 생성할 수 있다.유착제 및 유착 개선제가 전달되는 밀도는 전술한 특성에 따라 변동될 수 있다. 예를 들어, 유착제가 전달되었거나 침투된 축조 재료 부분이 그에 가해지는 에너지를 받을 때에, 그 부분에 의해 흡수된 에너지는 다른 주변 영역으로 전파된다. 일 실시예에서, 유착제의 특성 및 전달되는 유착제의 양은, 층 두께의 약 1.5배 범위의 구 안에서 에너지가 방사될 수 있도록, 선택될 수 있다. 이것은 충분한 층간 접합뿐만 아니라 축조 재료의 측 방향으로 인접하는 부분들 간의 충분한 접합도 보장하는 데 도움이 될 수 있다.이러한 방식으로, 물체 처리 시스템은, 예를 들면, 물체의 충분한 강도는 여전히 유지하면서 유착제의 인접하는 방울들 간의 횡 방향 간격을 증가시킬 수 있는지를 결정할 수 있다. 그렇게 결정함으로써, 축조 재료의 층에 전달될 수 있는 유착제의 평균 밀도를 감소시키고, 그에 따라 물체의 강도에는 영향을 주지 않으면서 유착제 소비를 줄일 수 있다.일부 실시예에서, 상기 에이전트 전달 제어 데이터는, 축조 재료의 임의의 부분에 대해서, 유착 개선제 전달 전에 전달되어야 할 유착제를 한정할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 에이전트 전달 제어 데이터는, 축조 재료의 임의의 부분에 대해서, 유착 개선제 전달 후에 전달되어야 할 유착제를 한정할 수 있다.에이전트에 전달 제어 데이터(416)에 따라 시스템(400)의 작동을 제어함으로써, 전술한 바와 같이 제어 가능하게 변동시킬 수 있는 물체 특성을 가질 수 있는 입체 물체를 생성시킬 수 있다.블록 504에서, 제어기(402)는 지지 부재(414) 상에 축조 재료의 제 1 층이 제공될 수 있도록 축조 재료 분배기(418)를 제어한다. 일부 실시예에서, 축조 재료 분배기(418)에 의해 제공되는 축조 재료 층의 두께는 고정될 수 있다. 다른 실시예에서, 축조 재료 분배기(418)에 의해 제공되는 축조 재료 층의 두께는 일례로 제어기(402)의 제어 하에서 변경될 수 있다. 축조 재료의 전달을 제어하기 위해, 제어기(402)는 축조 재료 분배기(418)가 장착되어 있는 캐리지를 y축에서 일례로 도 4에 도시된 바와 같이 우측에서 좌측 방향으로 지지 부재(414)의 길이를 가로질러 이동시킨다.일부 실시예에서, 제어기(402)는, 축조 재료의 층에 유착제와 유착 개선제가 선택적으로 전달될 수 있도록 유착제 분배기(408) 및 유착 개선제 분배기(410)를 제어하기 전에, 축조 재료의 완전한 층이 제공될 수 있도록 축조 재료 분배기(418)를 제어한다. 이러한 실시예들에서, 유착제 분배기 및 유착 개선제 분배기가 도 4에 도시된 바와 같이 y축을 따라 좌측에서 우측으로 이동하는 동안에 유착제와 유착 개선제가 전달된다.다른 실시예에서, 제어기(402)는 축조 재료 분배기(418)가 축조 재료 층을 제공하는 동안에 유착제 및 유착 개선제가 축조 재료에 선택적으로 전달될 수 있도록 유착제 분배기(408) 및 유착 개선제 분배기(410)를 제어한다. 즉, 축조 재료 분배기(418)가 축조 재료 층을 제공해서 새로운 축조 재료 층이 형성됨에 따라, 유착제 분배기(408) 및 유착 개선제 분배기(410)는 유착제 및 유착 개선제를 축조 재료 분배기(418)에 의해 지금 막 제공되어 있는 축조 재료 층으로 선택적으로 전달할 수 있다. 도시된 구성에서, 유착제와 유착 개선제가 전달되는 동안에 새로운 축조 재료 층을 분포시킬 수 있도록 하기 위해, 유착제 분배기 및 유착 개선제 분배기와 축조 재료 분배기(418)가 지지 부재(414)의 우측으로 복귀한다.속도와 효율의 증가는 일례로 도 6a에 도시된 바와 같이 캐리지에 추가 에이전트 분배기를 추가함으로써 달성될 수 있다. 도 6a에, 축조 재료 분배기(418)의 한 쪽에 배치된 한 쌍의 유착제 분배기(408a, 408b)와 축조 재료 분배기(418)의 다른 한 쪽에 배치된 한 쌍의 유착 개선제 분배기(410a, 410b)를 구비하는 구성이 도시되어 있다. 이 구성은 캐리지가 y축을 따라 어느 방향으로든지 이동하는 동안에 축조 재료 층이 부착될 수 있게 하고 유착제 및 유착 개선제가 상기 부착된 층에 전달될 수 있게 하고, 이에 의해 양방향 작동이 가능해진다.도 6b는 또 다른 예에 따른 다른 구성을 예시한다. 도 6b에, 유착제 분배기(408)의 한 쪽과 유착 개선제 분배기(410)의 한 쪽에 배치된 한 쌍의 축조 재료 분배기(418a, 418b)를 갖는 구성이 도시되어 있다. 다시 설명하면, 이 구성은 캐리지가 y축을 따라 어느 방향으로든지 이동하는 동안에 축조 재료 층이 부착될 수 있게 하고 유착제 및 유착 개선제가 상기 부착된 층에 전달될 수 있게 하고, 이에 의해 양방향 작동이 가능해진다.이러한 구성은 축조 재료 분배기나 혹은 유착제 분배기 및 유착 개선제 분배기의 중복을 희생해서 도 4에 도시된 구성에 비해 속도를 향상시킬 수 있다.또 다른 실시예에서, 축조 재료 분배기(418)는 유착제 분배기(408) 및 유착 개선제 분배기(410)로부터 분리될 수 있다. 예를 들면, 축조 재료 분배기(418)는 유착제 분배기(408) 및 유착 개선제 분배기(410)가 위치하는 캐리지들과는 별개인 캐리지 상에 위치될 수 있다. 다른 실시예에서, 축조 재료 분배기(418)는 유착제 분배기(408) 및 유착 개선제 분배기(410)가 위치하는 것과 동일한 캐리지 상에 위치될 수 있지만, 짧은 거리만큼 떨어져 있을 수 있다.대안적인 구성본원에 기재된 실시예들은 하나의 유착제와 하나의 유착 개선제를 사용하는 것을 참조하지만, 다른 실시예에서는 다수의 유착제를 사용할 수 있다. 다른 실시예에서는 다수의 유착 개선제를 사용할 수 있다.예를 들어, 일부 실시예에서는, 제 1 유착제가 제 1 유착제 분배기로부터 선택적으로 전달될 수 있고, 제 2 유착제가 제 2 유착제 분배기로부터 선택적으로 전달될 수 있다. 상기 제 1 유착제는 상기 제 2 유착제와는 다른 화학적 특성들 및/또는 농도를 가질 수 있다.예를 들어, 일부 실시예에서는, 제 1 유착 개선제가 제 1 유착 개선제 분배기로부터 선택적으로 전달될 수 있고, 제 2 유착 개선제가 제 2 유착 개선제 분배기로부터 선택적으로 전달될 수 있다.일부 실시예에서, 상기 제 1 유착 개선제는 상기 제 2 유착 개선제와는 다른 화학적 특성들을 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 제 1 유착 개선제는 상기 제 2 유착 개선제와는 다른 농도를 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 제 1 유착 개선제는 상기 제 2 유착 개선제와는 다른 화학적 특성들 및 농도를 가질 수 있다.예를 들어, 제 1 유착 개선제는 제 1 인자에 의해 유착을 개선할 수 있고, 반면에 제 2 유착 개선제는 제 2 인자에 의해 유착을 개선할 수 있다. 일부 실시예에서, 두 유착 개선제가 유착 정도를 각기 다른 양만큼 줄일 수 있다. 일 실시예에서, 하나의 유착 개선제는 유착 정도를 감소시킬 수 있는 반면에, 다른 하나의 유착 개선제는 유착 정도를 증가시킬 수 있다. 일 실시예에서, 두 유착 개선제가 유착 정도를 증가시킬 수 있다.또 다른 실시예에서는, 유착제 및 유착 개선제에 더하여 추가 에이전트들이 사용될 수 있다.예를 들어, 일부 실시예에서, 축조 재료 층에 착색 안료 또는 염료 등의 착색제를 포함하는 에이전트를 선택적으로 전달하기 위한 추가 에이전트 분배기가 제공될 수 있다.추가 실시예에서, 생성된 입체 물체에 사전에 설정된 기능을 추가하기 위한 기능제를 포함하는 에이전트를 선택적으로 전달하기 위한 추가 에이전트 분배기가 제공될 수 있다. 예를 들어, 위와 같은 에이전트는 생성된 입체 물체 부분이 전기 전도성을 띠게 할 수 있는 전기 도전성 요소들을 포함할 수 있다.다른 실시예에서, 유착제는 입체 물체의 부분들이 사전에 설정된 색을 가질 수 있게 하기에 적합한 착색제를 포함할 수 있다.앞에서 언급한 바와 같이, 축조 재료의 각 층이 처리될 수 있는 속도는 입체 물체가 생성될 수 있는 속도에 영향을 미친다. 프린트헤드를 사용하게 되면, 예를 들어, 작은 방울의 유착제 및 유착 개선제를 축조 재료 층에 고정밀도 및 고속으로 전달할 수 있게 된다.다른 실시예에서, 유착제 및 유착 개선제는 프린트헤드가 아닌 스프레이 노즐을 통해 전달될 수 있다. 이것은, 예를 들어, 잉크젯 프린트헤드를 사용할 때에 얻을 수 있는 것보다는 정밀도는 낮지만 짧은 시간 내에 큰 물체를 생성시킬 수 있게 한다. 이것은, 예를 들어 큰 축조 재료 층, 일례로 약 200㎝ x 100㎝보다 큰 축조 재료 층을 처리할 때에, 특히 편리할 수 있다.재료에 대한 설명입체 물체를 본원에 설명된 바와 같이 제조하기 위한 방법 및 시스템이 설명된 바와 같이 기능할 수 있도록 하기 위해서는, 축조 재료, 유착제, 및 유착 개선제의 특성들을 신중하게 선택해야 한다.적합한 재료들의 예를 아래에 제공한다.축조 재료일 예에 따르면, 적합한 축조 재료는 분말상 반결정질 열가소성 재료일 수 있다. 한 가지 적합한 재료는 일례로 시그마-알드리치 캄파니 엘엘시(Sigma-Aldrich Co. LLC)에서 입수할 수 있는 나일론 12일 수 있다. 또 다른 적합한 재료는 엘렉트로 옵티칼 시스템즈 에오에스 게엠베하(Electro Optical Systems EOS GmbH)에서 입수할 수 있는 PA 2200일 수 있다.다른 실시예에서는, 임의의 다른 적합한 축조 재료가 사용될 수 있다. 그러한 재료에는, 예를 들면, 분말상 금속 재료, 분말상 합성 재료, 분말 세라믹 재료, 분말상 유리 재료, 분말상 수지 재료, 분말상 고분자 재료 등이 포함될 수 있다.유착제비제한적인 한 예에 따르면, 적합한 유착제는, 예컨대 휴렛팩커드 캄파니(Hewlett-Packard Company)에서 입수할 수 있는 CM997A라고 시중에 알려져 있는 잉크 제형과 같은, 카본 블랙을 포함하는 잉크 형태의 제형일 수 있다. 일 예에서 이러한 잉크는 적외선 흡수제를 추가로 포함할 수 있다. 일 예에서 이러한 잉크는 근적외선 흡수제를 추가로 포함할 수 있다. 일 예에서 이러한 잉크는 가시광 흡수제를 추가로 포함할 수 있다. 가시광 증진제를 포함하는 잉크의 예로는 휴렛팩커드 캄파니에서 입수할 수 있는 것으로서 CE039A 및 CE042A라고 시중에 알려져 있는 잉크 등과 같은 염료계 컬러 잉크 및 안료계 컬러 잉크가 있다.유착 개선제위에서 설명한 바와 같이, 유착 개선제는 유착제의 효과를 변화시키는 역할을 한다. 유착제의 효과를 변화시키는 데에 상이한 물리적 및/또는 화학적 효과가 사용될 수 있다는 것이 증명되었다.어떤 이론에도 얽매임이 없이 예를 들면, 일 실시예에서, 유착 개선제는 축조 재료의 각 입자들 간의 기계적 분리를 일으키는 작용을 하여, 일례로 상기 입자들이 서로 결합되는 것을 방지하여서 그 입자들의 응고를 방지함으로써, 생성되는 입체 물체 부분이 형성될 수 있게 한다. 예시적인 유착 개선제는 고체를 포함하는 액체를 포함할 수 있다. 이와 같은 유착 개선제는, 예를 들어, 콜로이드 잉크, 염료계 잉크, 또는 폴리머계 잉크일 수 있다.그와 같은 유착 개선제는 축조 재료 층에 전달된 후에는 고체의 얇은 층이 예를 들어 모든 담체 액체의 증발 후에 축조 재료 부분을 덮거나 혹은 부분적으로 덮도록 하고, 그에 따라 본원에 기술된 바와 같이 유착 개선제로서 작용할 수 있다.일 실시예에서, 그러한 유착 개선제는 그 유착 개선제가 전달되는 축조 재료의 입자의 평균 크기보다 작은 평균 크기를 갖는 고체 입자를 포함할 수 있다. 더욱이, 유착 개선제의 분자량 및 그의 표면 장력은 그 유착 개선제가 축조 재료 내로 충분히 침투할 수 있도록 해야 한다. 일 실시예에서, 그와 같은 유착 개선제는 또한 그의 방울 각각이 고체를 높은 백분율로 포함하도록 높은 용해도를 가져야 한다.일 실시예에서, 염 용액이 유착 개선제로 사용될 수 있다.다른 실시예에서는, 휴렛팩커드 캄파니(Hewlett-Packard Company)에서 입수할 수 있는 것으로서 CM996A라고 시중에 알려져 있는 잉크를 유착 개선제로 사용할 수 있다. 또 다른 실시예에서는, 휴렛팩커드 캄파니에서 입수할 수 있는 것으로서 CN673A라고 시중에 알려져 있는 잉크도 유착 개선제로 작용할 수 있음이 입증되었다.또 다른 실시예에서, 어떠한 이론에도 구속됨이 없이, 유착 개선제는 축조 재료가 그의 융점을 넘는 온도에 도달하지 못하게 함으로써 유착제의 효과를 변화시키는 작용을 할 수 있다. 예를 들면, 적합한 냉각 효과를 나타내는 유체를 유착 개선제로서 사용할 수 있음이 입증되었다. 예를 들어, 그러한 유착 개선제가 축조 재료로 전달된 때에, 축조 재료에 가해지는 에너지가 그 유착 개선제에 의해 흡수되어 유착 개선제의 증발이 일어나고, 이는 유착 개선제가 전달되었거나 침투해 있는 축조 재료가 그 축조 재료의 융점에 이르는 것을 방지하는 데 도움을 줄 수 있다.일부 실시예에서, 물을 높은 백분율로 포함하는 에이전트가 적합한 유착 개선제로 입증되었다.다른 실시예에서는 그 밖의 다른 형태의 유착 개선제가 사용될 수 있다.유착 정도를 증가시킬 수 있는 일례의 유착 개선제는 예를 들어 적합한 가소제를 포함할 수 있다. 유착 정도를 증가시킬 수 있는 다른 예의 유착 개선제는 예를 들어 축조 재료의 입자들의 습윤성을 증가시키기 위한 표면 장력 개선제를 포함할 수 있다.본원에 기재된 실시예들은 하드웨어의 형태, 또는 하드웨어와 소프트웨어의 조합으로 실현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 임의의 그러한 소프트웨어는, 소거 가능한 것이든지 또는 재기록 가능한 것이든지 간에 예를 들어 ROM과 같은 저장 장치 등의 휘발성 또는 비휘발성 저장 장치 형태로, 또는 예를 들어 RAM, 메모리 칩, 소자 또는 집적 회로 등의 메모리 형태로, 또는 예를 들어 CD, DVD, 자기 디스크, 또는 자기 테이프 등의 광학적 또는 자기적으로 판독 가능한 매체 상에, 저장될 수 있다. 상기 저장 장치 및 저장 매체는, 실행될 때에 본원에 기재된 실시예를 구현하는 프로그램 또는 프로그램들을 저장하기에 적합한 기계 판독 가능 저장 장치의 예라는 것을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 여러 실시예들은 청구범위의 임의의 청구항에서 청구되는 시스템 또는 방법을 구현하기 위한 코드를 포함하는 프로그램과, 이러한 프로그램을 저장하는 기계 판독 가능 저장 장치를 제공한다.본 명세서(첨부된 청구범위, 요약서, 도면을 포함)에 개시된 모든 특징들 및/또는 개시된 임의의 방법 또는 공정의 모든 단계들은, 그러한 특징들 및/또는 단계들의 적어도 일부가 서로 양립할 수 없는 경우의 조합을 제외하고는, 그 어떠한 조합으로도 결합될 수 있다.본 명세서(첨부된 청구범위, 요약서, 도면을 포함)에 개시된 각각의 특징부는 명시적으로 달리 언급되지 않는 한은 동일, 균등 또는 유사한 목적에 이바지하는 대안적인 특징부들로 대체될 수 있다. 따라서, 개시된 각 특징부는 명시적으로 달리 언급되지 않는 한은 일반적인 계열의 동등 또는 유사한 특징부들 중의 한 예에 불과하다.
본 발명의 한 양태에 따르면, 입체 물체를 생성시키는 장치가 제공된다. 상기 장치는, 축조 재료의 층의 부분들 상에 유착제를 선택적으로 전달하기 위한 제 1 에이전트 분배기; 축조 재료의 층의 부분들 상에 유착 개선제를 선택적으로 전달하기 위한 제 2 에이전트 분배기; 및 상기 유착제와 유착 개선제 각각이, 생성시키려는 입체 물체의 절편을 나타내는 데이터로부터 도출된 각각의 패턴으로, 축조 재료의 층 상으로 선택적으로 전달될 수 있도록, 상기 에이전트 분배기들을 제어하여, 축조 재료의 층에 에너지가 가해질 때에 그 축조 재료가 유착 및 응고되어서 상기 패턴에 따라 입체 물체의 절편이 형성되도록 하는, 제어기를 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 열간 성형용 강판 및 열간 프레스 성형 강 부재의 제조 방법STEEL PLATE FOR HOT FORMING AND MANUFACTURING METHOD OF HOT PRESS FORMED STEEL MEMBER [ 기술분야 ] 본 발명은 열간 성형용 강판과 해당 열간 성형용 강판을 이용한 열간 프레스 성형 강 부재의 제조 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 예를 들면 자동차용 강 부품의 충돌 안전성과 경량화의 양립을 달성하기 위해, 해당 강 부품을 구성하는 소재의 고강도화가 진행되고 있다. 한편, 상기 강 부품을 제조함에 있어서는, 이용하는 강판에 높은 가공성이 요구된다. 그러나, 고강도화된 강판에 대하여 냉간 가공, 예를 들면 냉간 프레스 성형을 실시하는 경우, 프레스 성형 하중이 증대되거나, 치수 정밀도가 현저하게 열화되는 등의 문제가 있다.상기 문제를 해결하는 방법으로서, 소재인 강판을 가열한 상태에서 프레스 성형하여, 성형과 고강도화를 동시에 실현시켜 강 부재를 얻는 열간 프레스 성형법이 있다. 이 방법에서는, 고온 상태에 있는 강판을 펀치나 다이와 같은 금형에 의해 성형함과 더불어, 성형 하사점(下死點)에서 유지 냉각하는 것에 의해, 강판으로부터 상기 금형으로의 발열(拔熱) 급냉을 행하여, 소재의 담금질을 실시한다. 이와 같은 성형법을 실시하는 것에 의해, 치수 정밀도가 좋고, 또한 고강도인 성형품을 얻을 수 있다. 나아가서는, 냉간으로 동일한 강도 클래스의 강 부재를 성형하는 경우와 비교하여, 성형 하중을 저감할 수 있다.그러나 상기 방법에서는, 강판 표면에 형성된 스케일이 열간 프레스 성형 시에 탈락하여, 금형에 부착되어 금형이 오염되거나, 탈락한 스케일이 강판 표면에 눌러넣어져 강 부재의 표면에 흠집이 생긴다는 것과 같은 문제가 있다.상기 문제를 해결한 기술로서, 예를 들면 특허문헌 1에는, 강판 표층부에 있어서의 Si 및 Al의 함유량을 강판 내부에 비해서 높게 하는 것에 의해, 열처리 시의 고온 가열에 있어서의 스케일의 생성을 억제할 수 있다는 것; 및 상기 강판 표층부를 형성하기 위해서는, 열간 압연 공정 및 소둔 공정에 있어서의 여러 조건을 호적화하는 것이 좋다는 것;이 기재되어 있다. 특허문헌 2에는, 열간 가공에 제공하는 강판의 Cr 함유량을 1.0% 초과로 하면 가열 중의 스케일 생성이 억제되고, 또한 강판의 S 함유량을 0.001% 이하로 저감함으로써 열간에서의 스케일 밀착성이 향상되어, 결과적으로 열간 가공에 있어서의 스케일 박리량이 현저하게 저감된다는 것이 나타나 있다.특허문헌 3에는, 강판 조성에 있어서, S 함유량을 0.001% 이하로 저감하고, 또한 0.0002% 이상의 희토류 원소를 함유시키면, 생성된 스케일의 밀착성이 향상된다는 것이 나타나 있다. 특허문헌 4에는, 강판 조성에 있어서, S 함유량을 0.001% 이하로 저감함으로써 생성된 스케일의 밀착성이 향상되고, 또한 0.2% 이상의 Al을 함유시킴으로써 스케일의 성장이 억제되어, 결과적으로 열간 가공에 있어서의 스케일 박리량이 저감된다는 것이 나타나 있다.그런데 합금 원소 중에서도, Si는 연성을 확보하면서 고강도화를 도모하는 데 유효한 원소이다. 따라서 강도-연성 밸런스가 우수한 강판으로서 Si 함유량을 높인 강판이 이용된다. 또한 Si는, 열간 프레스에 의한 강 부재의 제조에 있어서, 성형 과정에서 생성되는 마텐자이트의 자기 템퍼링을 억제하는 우수한 효과를 발휘하여, 강 부재의 경도 격차 저감에도 유용한 원소이다. 그러나 상기 특허문헌 1∼4는 모두, 강판의 Si 함유량이 적어, 제조한 부재의 경도 안정성에 문제가 있다.특허문헌 5는, 강판 표면에, 면적률이 7% 이상으로 10개/10000μm2 이상인 오목부를 분산시키는 것, 또한 특허문헌 6에서는, 강판 표면을, 단면 관찰에 의한 표면 선길이 L1과 직선 선길이 L2, 표면 선길이 비 R로 한 경우에, R=L1/L2×100≥110%를 만족시키는 요철을 갖는 형상으로 해서, 그 오목부에 열간 프레스 시에 스케일의 저부가 파고 들어가 지철 계면에 스케일이 밀착되어, 열간 프레스 시의 스케일 박리를 방지할 수 있다는 것이 나타나 있다. 또한, 상기 특허문헌 5나 특허문헌 6에서는, 상기의 강판 표면을 형성하기 위해, 산세에 의한 용삭량을 20μm 이하로 하는 것, 즉 지철이 균일하게 용해될 때까지 산세를 충분히 행함이 없이, 산세판의 표면에 오목부가 잔존한 상태로 하는 것에 의해, 스케일의 물리적 밀착성을 높이는 것이 나타나 있다. 한편, 특허문헌 5 및 6의 실시예에서 사용하는 강판은 Si 함유량이 적거나, Mn 함유량이 낮아져 있는데, Mn 함유량이 낮으면, 열간 프레스 후의 부재 경도 격차가 커진다는 것과 같은 문제가 있다.상기 특허문헌 1∼6 중 어느 기술도, 열간 프레스 시의 스케일 생성 억제에 의해 스케일 탈락·박리를 억제하는 기술이지만, 실조업에 있어서의 열간 프레스 성형에서는 가열 온도나 가열 시간 등의 변동이 있다. 따라서, 열간 프레스 성형 조건에 따라서는, 스케일 탈락·박리가 생길 수 있는 경우가 있다. 특히, 상기 열간 프레스 성형 조건을 엄격하게 제어할 필요가 있는 부위에서는, 상기 기술만으로 확실히 스케일의 탈락·박리를 방지할 수 없다는 것과 같은 문제점이 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특허공개 2011-099149호 공보일본 특허공개 2010-174302호 공보일본 특허공개 2010-174306호 공보일본 특허공개 2010-174307호 공보일본 특허공개 2008-240046호 공보일본 특허공개 2008-240047호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은 상기와 같은 사정에 주목하여 이루어진 것으로, 그 목적은, Si량을 많이 포함하는 강판을 이용해 열간 프레스 성형을 행하여 강 부재를 제조하는 방법으로서, 열간 프레스 성형 조건을 좁은 범위로 제어하지 않아도, 해당 열간 프레스 성형 도중의 스케일 탈락·박리가 확실히 억제되어 양호하게 열간 프레스 성형할 수 있고, 외관 성상이 우수한 강 부재를 제조할 수 있는 방법, 나아가서는 해당 방법에 유용한 열간 성형용 강판을 제공하는 것에 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 과제를 해결할 수 있었던 본 발명의 열간 성형용 강판은,질량 비율로,C: 0.15% 이상 0.35% 이하,Si: 1.0% 이상 3.0% 이하,Mn: 1.0% 이상 3.0% 이하,Al: 0% 초과 0.10% 이하,Ti: ([N]×48/14)% 이상 0.10% 이하, 단, 상기 [N]은 강판 중의 N량을 나타낸다,B: 5ppm 이상 50ppm 이하,P: 0% 초과 0.015% 미만,S: 0% 초과 0.010% 이하, 및N: 0% 초과 0.010% 이하를 포함하고, 잔부가 철 및 불가피 불순물이며, 강판 최표면으로부터 판 두께 방향으로 10μm 깊이까지의 평균 산소 농도가 0.70질량% 이상인 점에 특징을 갖는다.본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 강판 최표면으로부터 판 두께 방향으로 10μm 깊이까지의 평균 산소 농도는 0.85질량% 이상이다.상기 열간 성형용 강판은, 추가로 다른 원소로서, 질량 비율로,Cr: 0% 초과 1.0% 이하,Mo: 0% 초과 0.5% 이하, 및V, Nb 및 W 중 1종 이상: 0% 초과 0.5% 이하로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 것이 바람직하다.본 발명에는, 상기 열간 성형용 강판을 이용하여 열간 프레스 성형 강 부재를 제조하는 방법도 포함된다. 해당 제조 방법은, 상기 열간 성형용 강판을 가열하여 열간 프레스 성형하는 것에 의해 강 부재를 제조하는 방법으로서, 상기 가열을 가열 온도 1100℃ 이하에서 행하고, 또한 가열 개시로부터 열간 프레스 성형 종료까지의 사이의, 산화성 분위기이면서 800℃ 이상의 체재 시간을 40초 이하로 하고, 또한 상기 열간 프레스 성형의 개시 온도를 600℃ 이상으로 하는 점에 특징을 갖는다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 의하면, Si량이 비교적 높은 강판을 이용한 열간 프레스 성형에 있어서, 열간 프레스 성형 조건을 좁은 범위로 제어하지 않아도, 해당 열간 프레스 성형 도중의 스케일의 탈락·박리를 확실히 억제할 수 있어, 양호하게 열간 프레스 성형할 수 있다. 그 결과, 강 부재로서, 외관에 누름 흠집 등 없이 미려하면서 고강도인 것이 얻어진다. 또한, 금형의 오염도 억제되기 때문에, 금형 손질의 횟수를 대폭으로 줄이는 것도 가능해진다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 실시예에 있어서의 글로 방전 발광 분석법(Glow　Discharge　Optical　Emission　Spectrometry, GDOES)의 측정 결과를 나타내고, a는 표 2의 강판 No. 2, b는 표 2의 강판 No. 1의 각 결과를 나타낸다.도 2는 강판의 표층을 포함하는 판 두께 방향 단면의 SEM(Scanning　Electron　Microscope) 사진이고, a는 표 2의 강판 No. 2, b는 표 2의 강판 No. 1의 각 사진을 나타낸다.도 3은 실시예에 있어서의 열간 성형 시험에서 이용한 열간 가공 재현 시험 장치의 개략 측면도이다.도 4는 실시예에 있어서의 열간 성형 시험에서의 가열·냉각 패턴을 나타낸 도면이다.도 5는 실시예에 있어서의 강 부재 표면의 사진이고, a는 표 3-1의 실험 No. 11B, b는 표 3-1의 실험 No. 11A의 각 강 부재의 사진을 나타낸다.도 6은 실시예에 있어서의 열간 프레스 성형 조건과 스케일 밀착성의 관계를 나타낸 도이고, A는 강판 No. 2를 사용한 경우, B는 강판 No. 3을 사용한 경우, C는 강판 No. 1을 사용한 경우를 나타낸다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해, 우선 열간 프레스 성형에 이용하는 강판에 주목하여 예의 연구를 행했다. 그 결과, 강판의 내부, 구체적으로는 강판 최표면으로부터 판 두께 방향으로 깊이 10μm까지의 영역에 산화물이 존재하는 상태, 즉 내부 산화층을 갖는, 구체적으로는 입계와 입내 중 적어도 한쪽에 산화물이 존재하는 상태로 하면 된다는 사상에 상도하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 이하에서는, 열간 프레스 성형에 이용하는 강판을 「블랭크」라고 하는 경우가 있다. 또한 이하에서는, 상기 강판 최표면으로부터 판 두께 방향으로 깊이 10μm까지의 영역을 「표층」이라고 하는 경우가 있다.상기 내부 산화층을 갖는 강판을 대기 중 등의 산화성 분위기 중에서 고온에 노출시키면, 내부 산화층을 포함하는 표층이 전면적으로 산화 스케일층으로 변화한다. 그때, 내부 산화층을 구성하고 있던 산화물, 구체적으로는 Si나 Mn 등의 원소를 포함하는 내부 산화 입자가 지철과의 계면에 응집되어 간다. 이 지철의 계면에 응집된 내부 산화 입자가 지철과 산화 스케일의 밀착성을 높이고, 그 결과, 열간 프레스 성형 시의 산화 스케일의 박리·이탈이 억제된다고, 즉 스케일 고온 밀착성을 향상시킬 수 있다고 추정된다.본 발명에서는, 상기 내부 산화의 정도를 파악하기 위해, 강판 최표면으로부터 판 두께 방향으로 10μm 깊이까지의 평균 산소 농도를 지표로 했다. 이하, 이 「강판 최표면으로부터 판 두께 방향으로 10μm 깊이까지의 평균 산소 농도」를 「표층 산소 농도」라고 한다. 이 표층 산소 농도를 지표로 하는 이유는, 후술하는 실시예에 나타내는 바와 같이, 강판 최표면으로부터 판 두께 방향으로 10μm 깊이까지의 영역의 산소 농도가 고온에서의 산화 스케일의 밀착성 향상에 기여하고 있다고 판단했기 때문이다.본 발명에서는, 여러 가지의 표층 산소 농도를 갖는 강판을 이용하여, 열간 프레스 성형을 행하고, 얻어진 강 부재의 표면 성상을 후술하는 실시예에 나타내는 바와 같이 육안으로 관찰하여, 강판의 표층 산소 농도와 얻어진 강 부재의 표면 성상의 관계를 조사했다. 그 결과, 상기 표층 산소 농도를 0.70질량% 이상으로 하면, 열간 프레스 성형 조건을 좁은 범위로 제어하지 않아도, 열간 프레스 성형 시에 강판 표면으로부터의 스케일 탈락·박리가 확실히 억제되어, 얻어지는 강 부재는 양호한 외관을 나타낸다는 것을 발견했다. 상기 표층 산소 농도는, 바람직하게는 0.80질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.85질량% 이상, 더 바람직하게는 0.85질량% 초과, 보다 더 바람직하게는 0.90질량% 이상이다. 해당 표층 산소 농도를 만족시키는 강판을 이용하여 얻어진 열간 프레스 강 부재는, 열간 프레스 후에, 종래부터 행해지고 있는 쇼트 블라스트 등의 수법으로 산화 스케일을 제거할 수 있고, 그 후의 용접이나 도장을 문제 없이 실시할 수 있다.한편, 상기 표층 산소 농도가 지나치게 높은 강판인 경우, 강 부재의 용접성이 악화된다. 이와 같은 관점에서, 상기 표층 산소 농도의 상한은 대략 1.30질량% 이하로 하는 것이 바람직하다. 상기 표층 산소 농도의 상한은, 보다 바람직하게는 1.20질량% 이하, 더 바람직하게는 1.10질량% 이하이다.상기 표층 산소 농도가 0.70질량% 미만인 경우이더라도, 가열 온도나 산화성 분위기하 또한 고온에서의 체재 시간 등의 열간 프레스 성형 조건을 한정된 좁은 범위 내로 제어하면, 스케일의 탈락·박리가 억제되는 경우도 있다. 그러나 전술한 바와 같이, 실조업에서의 열간 프레스 성형에서는 가열 온도나 가열 시간 등의 변동이 있어, 상기 좁은 조건 범위 내로 제어하는 것은 어렵다. 따라서 상기 표층 산소 농도가 0.70질량% 미만인 강판을 열간 프레스 성형에 이용한 경우에는, 확실히 스케일의 탈락·박리를 억제할 수 없다.상기 표층 산소 농도는, 후술하는 실시예에 나타내는 바와 같이, 글로 방전 발광 분석법에 의한 판 두께의 깊이 방향의 산소 농도 프로파일을 측정하여 구할 수 있다.상기 강판의 화학 성분 조성은 열간 프레스 성형을 양호하게 행하고, 또한 열간 프레스 성형에 의해 얻어지는 강 부재의 강도, 용접성 등의 특성을 확보하기 위해 이하와 같이 한다. 이하에 나타내는 화학 성분 조성에 있어서의 「%」는 「질량%」이고, 「ppm」은 「질량ppm」이다.C: 0.15% 이상 0.35% 이하고강도의 강 부재, 예를 들면 인장 강도: 1180MPa 이상의 강 부재를 얻기 위해, 강판의 C량을 0.15% 이상으로 한다. C량은, 바람직하게는 0.17% 이상, 보다 바람직하게는 0.20% 이상이다. 한편, 강 부재의 용접성을 고려하면, C량의 상한은 0.35% 이하이다. C량은, 바람직하게는 0.30% 이하, 보다 바람직하게는 0.25% 이하이다.Si: 1.0% 이상 3.0% 이하Si는 템퍼링 연화 저항을 높여, 고강도를 확보하는 데 필요한 원소이다. 또한, 전술한 바와 같이 강도를 저하시킴이 없이 연성을 향상시키는 효과를 갖고, 마텐자이트의 템퍼링 연화를 억제하여, 부재의 경도 격차를 저감하는 데에도 유효한 원소이다. 또한, Si량이 적으면 내부 산화층의 생성이 충분히 생기지 않아, 필요한 표층 산소 농도가 얻어지지 않는다. 이들 효과를 발휘시키기 위해, Si량을 1.0% 이상으로 한다. Si량은, 바람직하게는 1.05% 이상, 보다 바람직하게는 1.10% 이상, 더 바람직하게는 1.14% 이상이다. 한편, Si량이 과잉이 되면, 강판의 표층 산소 농도도 과잉이 된다. 또한, 얻어지는 강 부재의 용접성이 악화된다. 따라서, Si량은 3.0% 이하로 한다. Si량은, 바람직하게는 2.5% 이하, 보다 바람직하게는 2.0% 이하이다.Mn: 1.0% 이상 3.0% 이하Mn은 강판의 담금질성을 향상시켜, 고강도의 부재를 얻기 위해서 필요한 원소이다. 이 관점에서 Mn량은 1.0% 이상으로 한다. Mn량은, 바람직하게는 1.1% 이상, 보다 바람직하게는 1.3% 이상, 더 바람직하게는 1.5% 이상, 보다 더 바람직하게는 1.8% 이상이다. 그러나, Mn량이 3.0%를 초과해도 그 효과가 포화되어 비용 상승의 요인이 된다. 따라서 본 발명에서는, Mn량을 3.0% 이하로 한다. Mn량은, 바람직하게는 2.8% 이하, 보다 바람직하게는 2.5% 이하이다.Al: 0% 초과 0.10% 이하Al은 탈산을 위해서 이용하는 원소이고, Al량은 0.01% 이상 포함될 수 있다. 그러나 Al량이 증가하면, Ac3점 상승 효과가 커지고, 그 결과, 열간 프레스 시의 가열 온도를 높게 할 필요가 있어, 강판 표면에 산화물이 형성되기 쉬워진다. 또한 생산 효율도 나빠진다. 따라서, Al량은 0.10% 이하로 한다. 바람직하게는 0.050% 이하이다.Ti: ([N]×48/14)% 이상 0.10% 이하, 단, 상기 [N]은 강판 중의 N량을 나타낸다. 이하 동일.Ti는 N을 TiN으로 해서 고정하고, B를 고용 상태로 존재시켜 담금질성을 확보하는 데 유효한 원소이다. 이 관점에서, Ti량은 ([N]×48/14)% 이상 함유시킨다. 통상의 제강 공정에서의 강 중의 N 레벨을 고려하면, 바람직하게는 0.015% 이상이다. 한편, Ti량이 과잉이 되면, 강판 강도가 필요 이상으로 높아져, 절단·타발(打拔) 공구 수명의 저하, 결과적으로 비용 상승을 초래한다. 따라서, Ti량은 0.10% 이하로 한다. Ti량은, 바람직하게는 0.07% 이하, 보다 바람직하게는 0.05% 이하이다.B: 5ppm 이상 50ppm 이하B는 강재의 담금질성을 향상시켜, 강 부재의 고강도화에 기여하는 원소이다. 이 효과를 발휘시키기 위해서는, 상기 양의 Ti를 함유시킴과 더불어 B를 5ppm 이상 함유시킨다. B량은, 바람직하게는 15ppm 이상, 보다 바람직하게는 20ppm 이상이다. 한편, B가 과잉으로 포함되면, BN이 과잉으로 생성되어 인성의 열화를 초래한다. 따라서, B량은 50ppm 이하로 억제한다. B량은, 바람직하게는 40ppm 이하, 보다 바람직하게는 35ppm 이하이다.본 발명에 따른 블랭크나 강 부재와 같은 강재의 성분은 상기한 바와 같고, 잔부는 철 및 예를 들면 P, S, N, O 등의 불가피 불순물이다. 불가피 불순물 중의 P나 S는, 용접성 등 확보의 관점에서, P: 0.015% 미만으로 저감하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.013% 이하, 더 바람직하게는 0.010% 이하이다. 또한 S: 0.010% 이하로 저감하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.008% 이하, 더 바람직하게는 0.005% 이하이다. 또한 N량이 과잉이 되면, 열간 성형 후의 인성이 열화되거나, 용접성 등의 열화를 초래하기 때문에, N량은 0.010% 이하로 억제하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.0080% 이하, 더 바람직하게는 0.0050% 이하이다. 또 O는, 표면 흠집의 원인이 되기 때문에, 0.010% 이하로 억제하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.008% 이하이다.또한, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 추가로 그 밖의 원소로서, 하기 원소를 함유시킬 수 있다.Cr: 0% 초과 1.0% 이하, Mo: 0% 초과 0.5% 이하, 및 V, Nb 및 W 중 1종 이상: 0% 초과 0.5% 이하로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소Cr은 강판의 담금질성을 향상시키는 데 유효한 원소이다. 또한, 프레스 전의 가열 시에 스케일이 발생하기 어려워진다는 것과 같은 우수한 내산화성의 확보에도 유효한 원소이다. 이들 효과를 발휘시키기 위해서는, Cr을 0.1% 이상 함유시키는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.2% 이상이다. 그러나, Cr량이 과잉이 되면, 그 효과가 포화되어 비용 상승의 요인이 되기 때문에 Cr량은 1.0% 이하로 하는 것이 바람직하다. Cr량은, 보다 바람직하게는 0.8% 이하, 더 바람직하게는 0.5% 이하이다.Mo는 강판의 담금질성을 향상시키기 위해서 유효한 원소이다. 이 효과를 발휘시키기 위해서는, Mo를 0.05% 이상 함유시키는 것이 바람직하다. Mo량은, 보다 바람직하게는 0.10% 이상이다. 그러나, Mo량이 과잉이 되면, 그 효과가 포화되어 비용 상승의 요인이 되기 때문에 상한은 0.5% 이하로 하는 것이 바람직하다. Mo량은, 보다 바람직하게는 0.4% 이하, 더 바람직하게는 0.3% 이하이다.V, Nb, W는 강판 중에 탄화물로서 존재함으로써, 열간 프레스를 위한 가열 시에 강판의 마이크로 조직이 조대화되는 것을 억제하는 효과를 가져, 강 부재의 인성의 향상에 유용하다. 이들 원소는 단독으로 함유시켜도 되고, 2종 이상을 함유시켜도 된다. 상기 효과를 충분히 발휘시키기 위해서는, 이들 원소의 합계량을 0.01% 이상으로 하는 것이 바람직하다. 상기 합계량은, 보다 바람직하게는 0.03% 이상이다. 그러나, 이들 원소가 과잉으로 포함되면, 그 효과가 포화되어 비용 상승의 요인이 되기 때문에, 이들 원소의 합계량은 0.5% 이하로 하는 것이 바람직하다. 해당 합계량은, 보다 바람직하게는 0.3% 이하, 더 바람직하게는 0.2% 이하이고, 보다 더 바람직하게는 0.1% 이하이다.강판의 제조 방법강판 표층의 입계와 입내 중 적어도 한쪽에 산화물을 적극적으로 존재시켜, 규정된 표층 산소 농도를 만족시키는 강판을 얻기 위해서는, (i) 열간 압연 후에 고온에서 권취를 행하는 것; 및 (ii) 산세에 있어서 산세 시간을 짧은 편으로 하는 것;을 수단으로서 들 수 있다. 이 (i), (ii)의 수단에 대하여 이하에 설명한다.상기 (i)에 대하여열간 압연을, 마무리 압연 온도: 예를 들면 850∼950℃에서 종료한 후, 권취 온도: 600℃ 이상에서 권취한다. 이와 같이 고온에서 권취하는 것에 의해 내부 산화층을 갖는 강판이 얻어진다. 상기 권취 온도는, 보다 바람직하게는 620℃ 이상, 더 바람직하게는 630℃ 이상, 보다 더 바람직하게는 650℃ 이상이다. 한편, 권취 온도가 지나치게 높으면, 강판의 내부 산화층이 지나치게 두꺼워진다. 이와 같은 강판을 이용하여 강 부재를 제조하면, 강 부재의 용접성 열화를 초래한다. 따라서, 상기 권취 온도의 상한은 대략 800℃ 이하로 하는 것이 좋다.상기 (ii)에 대하여Si량을 많이 함유시킨 강판의 경우, 예를 들면 일본 특허공개 2012-219366호 공보에 나타나는 바와 같이, 상기 권취 후에 행하는 산세는 일반적으로, 산세 시간을 길게 하는 등 해서 용해량을 증가시켜, 강판 표면뿐만 아니라 입계 산화물 등을 포함하는 내부 산화층도 제거한다. 그러나 본 발명에서는, 상기 고온 권취에 의해 형성된 내부 산화층을 적극적으로 남기는 관점에서, 산세를 필요 최소한으로 억제한다. 산세 시간을 짧게 하는 점에서 본 발명은 종래 기술과 상이하다.상기 산세 조건으로서 예를 들면, 산세액의 산의 종류: 염산, 황산, 질산이나, 질산을 포함하는 혼산; 산 농도: 5∼30질량%; 산세액의 온도: 50∼100℃;로 하는 것을 들 수 있다. 산세 조건을 설정함에 있어서는, 내부 산화층이 제거되지 않는 산세 조건 범위를 파악하기 위해 산세 조건, 구체적으로는 상기 산세액의 산의 종류, 산 농도, 산세액의 온도, 산세 시간 등과, 산세 후의 내부 산화층의 잔존량의 관계를 미리 확인하는 것이 바람직하다.한편, 내부 산화층의 용해·제거를 억제하는 방법으로서, 강판 표면에 흡착되어, 과잉 산세를 억제하는 물질인 인히비터를 산세액에 가하는 것이 생각된다. 그러나 내부 산화층을 갖는 강판의 경우, 이 방법은 유효하지 않다는 것을 다음에 설명한다. 통상, 상기 인히비터는, 산세 공정에 있어서 강판 표면의 산화 스케일층만을 제거하여, 지철의 용해를 최대한 억제하기 위해서 첨가된다. 내부 산화층을 갖지 않는 강판, 예를 들면 권취 온도를 낮게 함으로써 얻어진 강판을, 인히비터를 포함하는 산세액으로 산세하는 경우, 강판 표면의 산화 스케일층이 제거되면, 상기 인히비터가 지철 표면에 흡착되는 것에 의해 지철의 용해가 억제된다. 한편, 내부 산화층을 갖는 강판을 인히비터 첨가의 산세액으로 산세하는 경우, 인히비터가 첨가되어 있어도, 지철의 입계에 산화물 입자가 존재하기 때문에 입계가 산에 침식되기 쉽고, 산세액에 침지시킨 상태로 필요 이상으로 방치하면, 유용한 내부 산화층까지 용해·제거된다. 즉, 내부 산화층의 용해·제거를 억제하는 방법으로서, 과잉 산세의 억제에 일반적으로 사용되는 인히비터를 첨가하는 방법으로는 불충분하고, 전술한 바와 같이, 산세 조건과 산세 후의 내부 산화층의 잔존량의 관계를 미리 파악한 다음, 산세 조건을 결정하는 것이 좋다.본 발명의 강판에는, 산세하여 얻어지는 열간 압연한 그대로의 것이나; 추가로 냉간 압연을 행하여 얻어지는 냉연 강판; 해당 냉연 강판에 추가로 소둔을 실시하여 얻어지는 강판;이 포함된다.강 부재의 제조 방법상기 표층 산소 농도가 제어된 강판을 열간 프레스 성형에 이용하는 것에 의해 스케일의 탈락·박리가 억제되지만, 해당 스케일의 탈락·박리를 확실히 억제하기 위해서는, 열간 프레스 성형 시의 조건을 하기와 같이 제어할 필요가 있다.가열 온도 T1: 1100℃ 이하열간 프레스 성형 전의 가열 온도 T1이 지나치게 높으면, 스케일이 생기기 쉬워지기 때문에, 규정의 강판을 이용해도 스케일의 탈락이 생기기 쉬워진다. 따라서 본 발명에서는, 상기 가열 온도 T1을 1100℃ 이하로 한다. 바람직하게는 1050℃ 이하, 보다 바람직하게는 1000℃ 이하, 더 바람직하게는 980℃ 이하, 보다 더 바람직하게는 950℃ 이하이다. 한편, 조직을 마텐자이트 단일화하여, 강 부재의 고강도를 확보하기 위해서는, 상기 가열 온도를 850℃ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 880℃ 이상이다.가열 분위기는 산화성 분위기, 환원성 분위기 또는 비산화성 분위기여도 된다. 상기 가열 온도에서의 유지는 없어도 되지만, 가열 분위기가 산화성 분위기인 경우, 후술하는 「산화성 분위기이면서 800℃ 이상의 체재 시간」이 40초 이하가 되는 범위로 유지해도 된다. 가열 시의 분위기가 환원성 분위기 또는 비산화성 분위기인 경우는, 상기 체재 시간의 제한에 의존하지 않고, 15분 이하의 범위 내로 유지해도 된다. 또한, 실온으로부터 상기 가열 온도까지 승온시키는 속도도, 가열 분위기가 산화성 분위기인 경우는, 상기 체재 시간이 40초 이하의 범위 내이면 특별히 한정되지 않고, 가열 분위기가 환원성 분위기 또는 비산화성 분위기인 경우는, 특별히 한정되지 않는다.가열 개시로부터 열간 프레스 성형 종료까지의 사이의, 산화성 분위기이면서 800℃ 이상의 체재 시간: 40초 이하지철과 스케일의 밀착성이 높아도, 산화성 분위기에 있어서의 고온에서의 체재 시간이 지나치게 길면, 산화 스케일이 두꺼워져, 스케일 내에서 균열이 생겨 스케일이 탈락하기 쉬워진다고 생각된다. 따라서 본 발명에서는, 열간 프레스 성형에 있어서의 가열 개시로부터 열간 프레스 성형 종료까지의 사이의, 산화성 분위기이면서 800℃ 이상의 체재 시간을 40초 이하로 정했다. 해당 체재 시간은, 바람직하게는 35초 이하, 보다 바람직하게는 32초 이하, 더욱이 30초 이하, 더욱이 25초 이하, 더욱이 22초 이하인 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 20초 이하이다. 한편, 내부 산화층을 계면에 응집시키는 관점에서, 상기 체재 시간의 하한은 5초 정도가 된다.상기 체재 시간의 제한은 분위기가 산화성 분위기인 경우를 대상으로 하고, 비산화성 분위기 또는 환원성 분위기인 경우는 대상이 아니다. 이 비산화성 분위기 또는 환원성 분위기인 경우, 가열 중에 전면적인 산화 스케일의 생성은 거의 생기지 않기 때문이다. 따라서 예를 들면, 가열 개시로부터 상기 가열 온도에 도달, 더욱이 해당 가열 온도에서 유지하는 경우이고, 이 유지까지가 비산화성 분위기 또는 환원성 분위기이며, 그 후 강판이 대기 분위기에 노출되는 경우에는, 이 대기 분위기에 노출된 시점, 즉 산화성 분위기에 노출된 시점이 상기 체재 시간의 개시 시점이 된다.열간 프레스 성형의 개시 온도: 600℃ 이상열간 프레스 성형의 개시 온도, 즉 최초의 성형에 있어서 블랭크의 일부가 처음으로 금형에 접촉한 타이밍에서의 블랭크의 온도가 지나치게 낮으면, 스케일 자체의 연성이 부족해져, 이 경우도 성형 도중에 스케일 탈락이 생긴다고 생각된다. 이하에서는, 상기 열간 프레스 성형의 개시 온도를 「성형 개시 온도」라고 하는 경우가 있다. 본 발명에서는, 이 성형 개시 온도를 600℃ 이상으로 한다. 성형 개시 온도는, 바람직하게는 650℃ 이상, 보다 바람직하게는 680℃ 이상이다. 한편, 상기 성형 개시 온도의 상한은, 예를 들면 800℃ 이하로 할 수 있다.열간 프레스 성형에 있어서의 상기 이외의 조건은 특별히 한정되지 않는다. 열간 프레스 성형은 1회만 행하는 것 외, 복수회 행해도 된다. 성형 시 하사점 유지는 프레스 생산성의 관점에서 15초 이하이고 0초, 즉 하사점 유지 없음을 포함하는 범위 내에서 행해도 된다. 또한 이형 후의 냉각은 특별히 따지지 않고, 예를 들면 자연 방냉으로 할 수 있다.본원은 2013년 12월 25일에 출원된 일본 특허출원 제2013-267835호에 기초하는 우선권의 이익을 주장하는 것이다. 2013년 12월 25일에 출원된 일본 특허출원 제2013-267835호의 명세서의 전체 내용이 본원의 참고를 위해 원용된다.실시예이하, 실시예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 물론 하기 실시예에 의해 제한을 받는 것은 아니고, 전·후기의 취지에 적합할 수 있는 범위에서 적당히 변경을 가하여 실시하는 것도 물론 가능하며, 그들은 모두 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.실시예 1실시예 1에서는 강판의 평가를 다음과 같이 행했다. 표 1에 나타내는 화학 성분 조성의 강재를 전로에서 용제하고, 연속 주조로 230mm 두께의 슬래브를 제작하여, 열간 압연을 행했다. 열간 압연에서는, 상기 슬래브를 가열로에서 1250℃까지 가열하고 나서 조(粗)압연, 마무리 압연을 행하여 판 두께 2.3mm로 한 후, 표 2에 나타내는 권취 온도까지 냉각하여 코일상으로 권취했다. 그 후에 산세를 행했다. 산세액은, 표 2에 나타내는 바와 같이 모두, 농도 10질량%이고 액온: 83℃인 염산을 이용했다.산세 공정에서는, 우선 예비 실험으로서, 열연 후의 강판으로부터 50mm 각의 시험편을 잘라내고, 래버러토리 실험실에 있어서, 산세액으로서 농도 10질량%이고 액온이 83℃인 염산을 이용하여, 산세 시간을 여러 가지 변화시키는 것에 의해, 산세 시간과 내부 산화층의 잔존 정도의 관계를 구했다. 상기 내부 산화층의 잔존 정도는 산세 전후의 질량 변화와 단면 관찰에 의해 확인했다. 그 결과, 산세 시간 30초에서는 산화 스케일만의 제거가 확인되고, 86초에서는 산화 스케일뿐만 아니라 내부 산화층 자체도 모두 제거되는 것을 확인했다. 이들을 확인한 다음, 산세 시간을 표 2에 나타내는 바와 같이 변경하여, 강판 표면에 생성된 산화 스케일을 제거함과 더불어, 내부 산화층의 잔존 정도를 변화시켰다.상기 산세 후에는 판 두께 1.4mm가 될 때까지 냉간 압연을 행하여, 냉간 압연한 그대로의 강판을 얻었다.상기 냉간 압연한 그대로의 강판을 이용하여, 표층 산소 농도의 측정과, 열간에서의 스케일 밀착성 평가를 위한 열간 성형 시험을 하기의 요령으로 행했다.표층 산소 농도의 측정표층 산소 농도, 즉 「강판 최표면으로부터 판 두께 방향으로 10μm 깊이까지의 평균 산소 농도」의 측정은 글로 방전 발광 분석법으로 행했다. 해당 분석은 SPECTRUMA　ANALYTIK　GmbH제의 기종명: GDA750을 이용하여 행했다. 측정 조건은, 측정 대상을 강판 표면의 직경 4mm의 영역으로 하고, 전력 50W, 2.5헥토파스칼의 아르곤 가스 중, 글로 방전원(무수 GDS, 무수 Glow Discharge Spectrometry)-Spectruma Analytik-Grimm형을 사용, 측정 펄스는 50%로 했다.상세하게는, 표층 산소 농도는, 상기 냉간 압연한 그대로의 강판의 폭 중앙부로부터 잘라낸 시험편의 깊이 방향의 산소의 농도 프로파일을 구하여 최표면, 즉 깊이 0μm로부터 10μm 깊이까지의 영역의 산소 농도를 적분하고, 그 적분값을 10μm로 나누어 산출했다. 이 측정을 표 2의 강판 No.마다 준비한 상기 시험편의 1개소에서 행했다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.[표 1][표 2]표 2로부터 다음의 것을 알 수 있다. 즉, 표 2의 강판 No. 2는 산세 시간이 지나치게 길기 때문에, 표층 산소 농도가 낮아졌다. 이에 비해, 강판 No. 1은 열간 압연 후에 고온에서 권취하고, 또한 산세 시간이 짧은 편이기 때문에, 표층 산소 농도가 충분히 높은 강판이 얻어졌다. 강판 No. 3은 상기 강판 No. 1보다도 산세 시간이 약간 긴 편이기 때문에, 표층 산소 농도는 본 발명에서 규정된 범위 내이고 강판 No. 1보다도 약간 적은 편이 되었다.상기 표 2의 강판 No. 2, No. 1의 GDOES 측정 결과를 도 1의 각각 a, b에 나타내고, 상기 표 2의 강판 No. 2, No. 1의 강판의 표층을 포함하는 판 두께 방향 단면의 SEM 사진을 도 2의 각각 a, b에 나타낸다. 도 2에 있어서의 X는 내부 산화층의 단면 관찰 결과를 나타낸다. 한편, 상기 도 1a, b에서는, 산소의 농도 프로파일에 더하여 Si의 농도 프로파일도 참고로 나타내고 있다.표층 산소 농도가 부족하여 내부 산화층이 거의 없는 예인 강판 No. 2와, 표층 산소 농도가 일정 이상이며 내부 산화층을 갖는 예인 강판 No. 1의, GDOES 측정 결과를 대비하면, 도 1a에 나타내는 강판 No. 2에서는, 산소 농도가 강판 최표면으로부터 깊이 약 2∼3μm에서 급격하게 저하되어 강판 내부의 산소 농도와 거의 동일하다는 것, 즉 내부 산소층이 거의 형성되어 있지 않다는 것을 알 수 있다. 이것은 도 2a에 있어서, 점선보다도 상방의 영역에서 내부 산화가 거의 생겨 있지 않은 것으로부터도 알 수 있다. 이에 비해 도 1b에 나타내는 강판 No. 1에서는, 강판 최표면으로부터 깊이 10μm까지의 산소 농도 프로파일이 완만한 곡선을 그리고 있어, 강판 최표면으로부터 깊이 10μm까지 산소가 충분히 존재한다는 것, 즉 내부 산화층이 형성되어 있다는 것을 알 수 있다. 이는 도 2b에 있어서, 강판 최표면으로부터 약 10μm 깊이까지, 즉 점선보다도 상방의 영역에 내부 산화층이 존재하고 있는 것으로부터도 알 수 있다.실시예 2실시예 2에서는, 강 부재의 제조 방법의 평가를 행했다. 상세하게는 하기와 같이, 열간 성형 시험을 행하여, 열간에서의 산화 스케일 밀착성을 평가했다.열간 성형 시험상기 냉간 압연한 그대로의 강판으로부터, 사이즈가 1.4mmt×150mmw×50mmL인 형상으로 잘라내고, 탈지하여 시험편으로 했다. 해당 시험편을 이용하여 열간 성형 시험을 행했다. 해당 시험에는, 시험 장치로서, 후지전파공기 주식회사제의, 통전 가열 장치 부착된 열간 가공 재현 시험 장치 「써모마스터 Z」를 이용했다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 해당 시험 장치(1) 내에, 장출 성형용 금형인 고정형의 누름 상금형(2) 및 누름 스프링(8)을 갖는 누름 하금형(3)과, 시험편(4)을 설치하고, 가열 전극(5)을 이용하여 통전 가열 후에, 우선 누름 하금형(3)을 상승시킴으로써, 고정형의 누름 상금형(2)과의 사이에 시험편(4)을 끼우고, 그 후, 장출 펀치(7)를 상방으로 이동시켜 열간 성형을 행했다. 시험편인 강판의 온도는 열전쌍(6)을 이용하여 파악했다. 열간 성형 조건은 하기와 같다.　　열간 성형 조건　　가열 분위기: 대기　　성형 높이: 8mm　　성형 속도: 13mm/s　　성형 하사점 유지 시간: 0.1s　　장출 펀치의 직경: 20mm　　장출 펀치의 선단 R: 10mm본 실시예에서 실시한 가열·냉각 패턴을 도 4에 나타낸다. 도 4에 있어서 Z는 열간 프레스 성형 시를 나타낸다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 가열 개시 온도인 실온으로부터 가열 온도, 본 실시예에서는 「최고 도달 온도」인 T1: 900℃까지 평균 승온 속도: 25℃/s로 가열하고, 최고 도달 온도 T1에 도달 후, 통전을 즉시 정지하여, 즉 최고 도달 온도에서의 유지 시간 t1=0초에서, 방냉을 개시했다. 한편, 도 4에서는, 최고 도달 온도에서의 유지 시간 t1을 설명하기 위해, t1＞0의 상태를 나타내고 있다. 강판의 온도가, 표 3-1 또는 표 3-2에 나타내는 성형 개시 온도가 된 시점에서 열간 프레스 성형을 개시했다. 성형은 0.1초간 하사점에서 유지 후, 금형을 퇴피시키고, 그 후 실온까지 자연 방냉으로 했다.본 실시예에서는, 가열 개시로부터 열간 프레스 성형 종료까지의 사이, 분위기는 산화성 분위기로 했기 때문에, 「산화성 분위기이면서 800℃ 이상의 체재 시간」은, 상기 도 4의 가열·냉각 패턴에 나타내는 바와 같이, 승온 공정에 있어서 800℃로부터 최고 도달 온도 T1에 이르기까지 필요로 한 시간 th, 최고 도달 온도에서의 유지 시간 t1, 및 냉각 공정에 있어서 최고 도달 온도 T1로부터 800℃에 이르기까지 필요로 한 시간 tc를 합계(th+t1+tc)하여 구했다.스케일 밀착성의 평가상기 열간 프레스 성형으로 얻어진 강 부재, 즉 상기 열간 성형 후, 금형 퇴피시킨 상태로 자연 방냉하여 상온까지 냉각시킨 상태의 강 부재의 표면을 육안으로 관찰하여, 스케일 박리의 유무를 조사했다. 그리고, 스케일 박리가 확인되지 않은 것을 스케일 밀착성이 양호하다고 해서 OK, 스케일 박리가 확인된 것을 스케일 밀착성이 나쁘다고 해서 NG로 평가했다. 그 결과를 하기 표 3-1 및 표 3-2에 나타낸다.상기 강 부재 표면의 일례의 사진을 도 5에 나타낸다. 도 5a는 표 3-1의 실험 No. 11B, 즉 강판 No. 2의 강판을 사용한 예에서 얻어진 강 부재의 사진이다. 이 도 5a에서는 강 부재의 표면이 박리되어 있는 것을 알 수 있다. 한편, 도 5b는 표 3-1의 실험 No. 11A, 즉 강판 No. 1의 강판을 사용한 예에서 얻어진 강 부재의 사진이다. 이 도 5b에서는, 강 부재의 표면이 박리되어 있지 않아 양호한 외관의 강 부재가 얻어져 있는 것을 알 수 있다. 표 3-1의 다른 예 및 표 3-2의 예도 상기 도 5와 같이 표면을 관찰하여 평가했다.[표 3-1][표 3-2]추가로 상기 표 3-1이나 표 3-2의 결과를 이용하여, 본 발명에서 규정된 열간 프레스 성형 조건과 스케일 밀착성의 관계를 정리한 도면을 도 6에 나타낸다. 도 6A로부터, 강판 No. 2, 즉 표층 산소 농도가 0.63질량%인 강판을 열간 프레스 성형에 이용한 경우에는, 규정된 열간 프레스 조건, 구체적으로는 가열 온도: 1100℃ 이하; 가열 개시로부터 열간 프레스 성형 종료까지의 사이의, 산화성 분위기이면서 800℃ 이상의 체재 시간: 40초 이하; 상기 열간 프레스 성형의 개시 온도: 600℃ 이상;의 조합에 의해서는 스케일 밀착성이 나빠져, 상기 조건 범위 내에서 확실히 우수한 스케일 밀착성이 얻어지지 않았다. 이에 비해 도 6B와 같이, 본 발명에서 규정된 강판 No. 3, 즉 표층 산소 농도가 0.85질량%인 강판을 열간 프레스 성형에 이용한 경우나, 도 6C와 같이, 강판 No. 1, 즉 표층 산소 농도가 0.95질량%인 강판을 열간 프레스 성형에 이용한 경우에는, 상기 열간 프레스 성형 조건의 범위 내에서 확실히 우수한 스케일 밀착성이 얻어졌다. 상기 도 6으로부터, 본 발명에 의하면, 규정된 체재 시간이 22초 이상, 특히 32초이더라도, 열간 프레스 성형 시의 스케일 박리를 억제하여, 외관이 양호한 강 부재가 확실히 얻어지는 것을 알 수 있다.한편, 상기 강판 No. 1의 표층 산소 농도가 0.95질량%인 강판을 열간 프레스 성형에 이용한 경우이더라도, 상기 표 3-1 및 표 3-2의 실험 No. 4A, 7A, 10A 및 13A에 나타내는 바와 같이, 성형 개시 온도가 지나치게 낮은 경우나, 상기 표 3-2의 실험 No. 14A∼18A에 나타내는 바와 같이, 열간 프레스 성형에 있어서의 800℃ 이상의 체재 시간이 지나치게 긴 경우에는, 열간 프레스 성형 시에 스케일의 박리가 생기기 쉬워져, 확실히 우수한 스케일 밀착성을 얻을 수 없었다. [ 부호의 설명 ] 1: 열간 가공 재현 시험 장치2: 고정형의 누름 상금형3: 누름 하금형4: 시험편5: 가열 전극6: 열전쌍7: 장출 펀치8: 누름 스프링X: 내부 산화층Z: 열간 프레스 성형 시
Si량을 비교적 많이 포함하는 강판을 이용해 열간 프레스 성형을 행하여 강 부재를 제조하는 방법으로서, 열간 프레스 성형 조건을 좁은 범위로 제어하지 않아도, 해당 열간 프레스 성형 도중의 산화 스케일의 탈락·박리가 안정되고 또한 확실히 억제되어 양호하게 열간 프레스 성형할 수 있는 방법을 확립한다. 상기 강판은, 질량 비율로, C: 0.15% 이상 0.35% 이하, Si: 1.0% 이상 3.0% 이하, Mn: 1.0% 이상 3.0% 이하, Al: 0% 초과 0.10% 이하, Ti: ([N]×48/14)% 이상 0.10% 이하, 단, 상기 [N]은 강판 중의 N량을 나타낸다, 및 B: 5ppm 이상 50ppm 이하, P: 0% 초과 0.015% 미만, S: 0% 초과 0.010% 이하, N: 0% 초과 0.010% 이하를 포함하고, 잔부가 철 및 불가피 불순물이며, 강판 최표면으로부터 판 두께 방향으로 10μm 깊이까지의 평균 산소 농도가 0.70질량% 이상이다.
[ 발명의 명칭 ] 냉동 장치의 디프로스트 시스템 및 냉각 유닛DEFROST SYSTEM FOR REFRIGERATION DEVICE AND COOLING UNIT [ 기술분야 ] 본 개시는, 냉동고 내에 설치된 냉각기에 CO2 냉매를 순환시켜 냉동고 내를 냉각하는 냉동 장치에 적용되며, 상기 냉각기에 설치된 열교환관에 부착된 서리를 제거하기 위한 디프로스트 시스템, 및 상기 디프로스트 시스템에 적용 가능한 냉각 유닛에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 오존층 파괴 방지나 온난화 방지 등의 관점으로부터, 실내 공조나 식품 등의 냉동에 이용하는 냉동 장치의 냉매로서, NH3나 CO2 등의 자연 냉매가 재검토되고 있다. 그래서, 냉각 성능은 높지만 독성이 있는 NH3를 1차 냉매로 하고, 무독 및 무취의 CO2를 2차 냉매로 한 냉동 장치가 널리 이용되고 있다.상기 냉동 장치는, 1차 냉매 회로와 2차 냉매 회로를 캐스케이드 콘덴서로 접속하고, 상기 캐스케이드 콘덴서로 NH3 냉매와 CO2 냉매의 열의 주고 받음을 행한다. NH3 냉매에 의해서 냉각되어 액화한 CO2 냉매는 냉동고의 내부에 설치된 냉각기로 보내진다. 냉각기에 설치된 전열관을 통해 냉동고 내의 공기를 냉각한다. 여기서 일부가 기화한 CO2 냉매는, 2차 냉매 회로를 통해 캐스케이드 콘덴서로 되돌아와, 캐스케이드 콘덴서에서 재냉각되어 액화한다.냉동 장치의 운전중, 냉각기에 설치된 열교환관에는 서리가 부착되어, 열전달 효율이 저하되므로, 정기적으로 냉동 장치의 운전을 중단시켜, 디프로스트할 필요가 있다.종래, 냉각기에 설치된 열교환관의 디프로스트 방법은, 열교환관에 살수하거나 열교환관을 전기 히터로 가열하는 등의 방법을 행하고 있다. 그러나, 살수에 의한 디프로스트는 새로운 서리 발생원을 만들어내는 것이며, 전기 히터에 의한 가열은 귀중한 전력을 소비한다는 점에서 에너지 절약에 반하고 있다. 특히, 살수에 의한 디프로스트는, 대용량의 수조와 대구경의 급수 배관 및 배수 배관이 필요하게 되므로, 플랜트 시공 비용의 증가를 초래한다.특허 문헌 1 및 2에는, 이러한 냉동 장치의 디프로스트 시스템이 개시되어 있다. 특허 문헌 1에 개시된 디프로스트 시스템은, NH3 냉매에 발생하는 발열에 의해 CO2 냉매를 기화시키는 열교환기를 설치하고, 상기 열교환기에서 생성되는 CO2 핫가스를 냉각기 내의 열교환관에 순환시켜 제상하는 것이다.특허 문헌 2에 개시된 디프로스트 시스템은, NH3 냉매의 배열을 흡수한 냉각수로 CO2 냉매를 가열하는 열교환기를 설치하고, 가열된 CO2 냉매를 냉각기 내의 열교환관에 순환시켜 제상하는 것이다.특허 문헌 3에는, 냉각기에 냉각용 튜브와는 별개로 독립적으로 가열용 튜브를 설치하고, 디프로스트 운전시에 상기 가열용 튜브에 온수나 온(溫)브라인을 흐르게 하여 상기 냉각용 튜브에 부착된 서리를 용해, 제거하는 수단이 개시되어 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본국 특허 공개 2010-181093호 공보 일본국 특허 공개 2013-124812호 공보 일본국 특허 공개 2003-329334호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 특허 문헌 1 및 2에 개시된 디프로스트 시스템은, 냉각 시스템과는 별계통의 CO2 냉매나 NH3 냉매의 배관을 현지에서 시공할 필요가 있어, 플랜트 시공 비용의 증가를 초래할 우려가 있다. 또, 상기 열교환기는 냉동고의 외부에 별도로 설치되기 때문에, 열교환기를 설치하기 위한 여분의 스페이스가 필요하게 된다.특허 문헌 2의 디프로스트 시스템에 있어서는, 열교환관의 서멀 쇼크(급격한 가열·냉각)를 방지하기 위해서 가압·감압 조정 수단이 필요하게 된다. 또, 냉각수와 CO2 냉매를 열교환하는 열교환기의 동결 방지를 위해, 디프로스트 운전 종료 후에 열교환기의 냉각수를 빼내는 조작이 필요해져, 조작이 번잡해지는 등의 문제가 있다.특허 문헌 3에 개시된 디프로스트 수단은, 냉각용 튜브를 외측으로부터 플레이트핀 등을 통해 가열하기 때문에, 열 전달 효율은 높아지지 않는다는 문제가 있다. 또, NH3 냉매가 순환하고, 냉동 사이클 구성 기기를 갖는 1차 냉매 회로와, CO2 냉매가 순환하고, 상기 1차 냉매 회로와 캐스케이드 콘덴서를 통해 접속됨과 더불어, 냉동 사이클 구성 기기를 갖는 2차 냉매 회로로 이루어지는 이원 냉동기에서는, 2차 냉매 회로에 고온 고압의 CO2 가스가 존재한다. 그 때문에, CO2 핫 가스를 냉각기의 열교환관에 순환시키는 디프로스트가 가능하게 된다. 그러나, 전환 밸브나 분기 배관 등을 설치하는 것에 따른 장치의 복잡화 및 고비용화나, 고원/저원의 히트 밸런스에 기인하는 제어계의 불안정화가 과제로 되고 있다.본 발명은, 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, CO2 냉매를 이용한 냉동 장치에 있어서, 냉동고 등의 냉각 공간에 설치된 냉각기의 디프로스트에 필요로 하는 이니셜 코스트 및 러닝 코스트의 저감과 에너지 절약을 가능하게 하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 적어도 일 실시형태에 따른 디프로스트 시스템은,(1) 냉동고의 내부에 설치되고, 케이싱, 상기 케이싱의 내부에 고저차를 갖고 배치된 열교환관, 및 상기 열교환관의 하방에 설치된 드레인 받이부를 갖는 냉각기와,CO2 냉매를 냉각 액화하도록 구성된 냉동기와,상기 냉동기로 냉각 액화한 CO2 냉매를 상기 열교환관에 순환시키기 위한 냉매 회로를 갖는 냉동 장치의 디프로스트 시스템으로서,상기 열교환관의 입구로와 출구로 사이에 접속되고, 상기 열교환관을 포함하는 CO2 순환로를 형성하기 위한 바이패스관과,상기 열교환관의 입구로 및 출구로에 설치되고, 디프로스트시에 닫아 상기 CO2 순환로를 폐회로로 하기 위한 개폐 밸브와,디프로스트시에 상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매를 압력 조정하기 위한 압력 조정부와,제1 가열 매체인 브라인이 순환하고, 상기 냉각기의 내부에서 상기 열교환관에 인접 배치되고, 상기 열교환관의 하부 영역에 상기 브라인으로 상기 열교환관을 순환하는 CO2 냉매를 가열하는 제1 열교환부를 형성하는 제1 도설(導設)로를 포함하는 브라인 회로를 구비하고,디프로스트시에 상기 폐회로에서 CO2 냉매를 서모사이펀 작용에 의해 자연 순환시키도록 하고 있다.상기 구성 (1)에 있어서, 디프로스트시에 상기 개폐 밸브을 닫음으로써, 상기 폐회로가 형성되고, 상기 폐회로는 상기 바이패스로를 제외하고 상기 냉각기의 내부에 설치된 상기 열교환관으로 구성된다. 상기 폐회로 내의 CO2 냉매는, 상기 압력 조정부에 의해서 냉동고의 고내(庫內) 공기에 존재하는 수증기의 빙점(예를 들면 0℃)보다 고온의 응축 온도가 되도록 압력 조정됨과 더불어, 상기 열교환관의 하부 영역에 형성된 제1 열교환부에서 브라인에 의해서 가열되어 기화한다. 기화한 CO2 냉매는, 냉동고의 고내 공기에 존재하는 수증기의 빙점보다 고온이 된다. 또, 기화한 CO2 냉매의 보유열로 열교환관의 하부 영역의 서리가 융해된다.폐회로 내에서 기화한 CO2 냉매 가스는, 서모사이펀 작용에 의해 폐회로를 상승하고, 폐회로의 상부 영역에 있어서 열교환관의 외표면에 부착된 서리를 그 응축 잠열로 융해한다. 폐회로의 상부 영역에서 CO2 냉매는 서리에 열을 방출하여 액화하고, 액화한 CO2 냉매액은 중력으로 폐회로를 상기 제1 열교환부까지 하강한다. 제1 열교환부까지 하강한 CO2 냉매액은 브라인으로 가열되어 기화하여 상승한다.이와 같이, 폐회로 내의 CO2 냉매는 서모사이펀 작용에 의해서 자연 순환하면서 열교환관의 외표면에 부착된 서리를 융해한다.여기서, 「냉동고」란 냉장고 그 외 냉각 공간을 형성하는 것을 모두 포함하는 것이며, 드레인 받이부란, 드레인 팬을 포함해, 드레인을 받아 저류 가능한 기능을 갖는 것 전부를 포함하고 있다.또, 상기 열교환관의 입구로 및 출구로란, 상기 냉각기의 케이싱의 격벽 부근에서부터 상기 케이싱의 외측이며 상기 냉동고의 내부에 설치되는 열교환관의 범위를 말한다.종래의 디프로스트 방식은, 특허 문헌 3에 개시되어 있는 바와 같이, 플레이트핀 등을 통한 외부로부터의 열전도에 의해 브라인의 보유열을 열교환관(외표면)에 전달하고 있기 때문에, 열 전달 효율이 높아지지 않는다.이에 대해, 상기 구성 (1)에 의하면, 고내 공기 중의 수증기의 빙점을 초과한 응축 온도를 갖는 CO2 냉매의 응축 잠열을 이용해, 열교환관의 내부에서부터 관벽을 통해 열교환관의 외표면에 부착된 서리를 제거하므로, 서리로의 열 전달량을 증가시킬할 수 있다.또, 종래의 디프로스트 방식으로는, 디프로스트의 초기에 투입된 열량이 냉각기 내 전역의 CO2 냉매액의 증발에 소비되므로 열효율이 저하된다. 이에 대해, 상기 구성 (1)에 의하면, 디프로스트시에 형성되는 폐회로는 다른 부위와의 열의 주고받음이 차단되기 때문에, 폐회로 내의 열에너지가 외부로 방산되지 않고, 에너지 절약 가능한 디프로스트를 실현할 수 있다.또, 열교환관 및 바이패스로로 형성되는 폐회로에서, 서모사이펀 작용을 이용하여 CO2 냉매를 자연 순환시키도록 하고 있으므로, 폐회로의 전 영역에서 열교환관에 부착된 서리를 융해할 수 있음과 더불어, CO2 냉매를 순환시키는 펌프 동력이 불필요해져, 한층의 에너지 절약이 가능하게 된다.디프로스트 운전시의 CO2 냉매의 온도를 고내 수증기의 빙점에 가까운 온도 로 유지할수록, 연무의 발생을 억제할 수 있음과 더불어, CO2 냉매의 압력을 저감할 수 있다. 그 때문에, 상기 폐회로를 구성하는 배관 및 밸브류를 저압 사양으로 할 수 있어, 한층의 저비용화가 가능하게 된다.또, 상기 제1 도설로를 열교환관의 상부 영역에 설치하지 않기 때문에, 냉각기의 내부에서 공기류를 형성하기 위한 팬의 동력을 저감할 수 있다. 또, 상부 영역의 나머지 스페이스에 열교환관을 여분으로 설치함으로써, 냉각기의 냉각 능력을 높일 수 있다.또한, 브라인의 가열원으로서, 예를 들면, 냉동기를 구성하는 압축기로부터 토출된 고온 고압의 냉매 가스, 공장의 온배수, 보일러로부터 발해지는 열 또는 오일 쿨러의 보유열을 흡수한 매체 등, 임의의 가열 매체를 이용할 수 있다.이에 의해서, 공장의 잉여 배열을 브라인을 가열하는 열원으로서 이용할 수 있다.몇 가지 실시형태에서는, 상기 구성 (1)에 있어서,(2) 상기 제1 도설로는 상기 냉각기의 내부에서 상기 열교환관의 하부 영역에만 설치되고,상기 냉각기의 내부에 도설된 상기 제1 도설로의 전역에서 상기 제1 열교환부를 형성하도록 하고 있다.상기 구성 (2)에 의하면, 상기 열교환관의 하부 영역에만 설치되는 제1 도설로에서 제1 열교환부를 형성하기 때문에, 냉각기의 내부에서 팬 등에 의해서 형성되는 공기류의 압력 손실을 저감할 수 있다. 그 때문에, 팬 등의 공기류 형성 장치의 동력을 저감할 수 있다.또, 열교환관의 상부 영역에서는 제1 도설로를 설치하지 않는 분 열교환관을 여분으로 설치할 수 있어, 냉각기의 냉각 능력을 높일 수 있다.몇 가지 실시형태에서는, 상기 구성 (1)에 있어서,(3) 상기 제1 도설로는 상기 냉각기의 내부에서 고저차를 갖고 배치되고, 또한 상기 브라인이 하방으로부터 상방으로 흐르도록 구성되고,상기 제1 도설로의 상하 방향 중간 위치에 유량 조정 밸브가 설치되고, 상기 유량 조정 밸브보다 상류측의 상기 제1 도설로에서 상기 제1 열교환부가 형성된다.상기 구성 (3)에 의하면, 상기 유량 조정 밸브로 브라인의 유량을 줄여, 상기 제1 도설로의 상부 영역에 유입되는 브라인의 유량을 제한함으로써, 상기 제1 열교환부의 형성을 상기 열교환관의 하부 영역으로만 제한할 수 있다.그 때문에, 특허 문헌 3에 개시된 냉각기와 같이, 온브라인 등이 순환하는 가열 튜브가 열교환관의 상하 방향 전역에 설치된 기존의 냉각기여도, 열교환관에 유량 조정 밸브를 부설하기만 한 간단한 개조에 의해서, 상기 폐회로에서 CO2 냉매를 서모사이펀 작용에 의해서 자연 순환시키도록 한 에너지 절약 및 저비용의 디프로스트가 가능하게 된다.몇 가지 실시형태에서는, 상기 구성 (1)~(3) 중 어느 하나에 있어서,(4) 상기 압력 조정부는, 상기 열교환관의 출구로에 설치된 압력 조정 밸브이다.상기 구성 (4)에 의하면, 상기 압력 조정부를 간이 또한 저비용화할 수 있다. 상기 폐회로의 CO2 냉매가 설정 압력을 초과했을 때, CO2 냉매의 일부는 상기 압력 조정 밸브를 통과해 냉매 회로로 되돌아오고, 폐회로는 설정 압력을 유지한다.(5) 몇 가지 실시형태에서는, 상기 구성 (1)~(3) 중 어느 하나에 있어서,상기 압력 조정부는, 상기 제1 열교환부에 유입되는 상기 브라인의 온도를 조정하여 상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매의 압력을 조정하는 것이다.상기 구성 (4)에서는, 상기 브라인으로 폐회로 내의 CO2 냉매를 가열함으로써, 폐회로 내의 CO2 냉매의 압력을 높인다.상기 구성 (4)에 의하면, 냉각기마다 압력 조정부를 설치할 필요가 없고, 1개의 압력 조정부이면 되므로 저비용화할 수 있음과 더불어, 상기 폐회로의 압력 조정을 냉동고의 외부로부터 행할 수 있어, 폐회로의 압력 조정이 용이해진다.몇 가지 실시형태에서는, 상기 구성 (1)~(5) 중 어느 하나에 있어서,(6) 상기 브라인 회로는 상기 드레인 받이부에 도설된 제2 도설로를 포함하고 있다.상기 구성 (6)에 의하면, 상기 제2 도설로를 드레인 받이부에 도설함으로써, 디프로스트시에 드레인 받이부에 부착된 서리를 브라인의 열로 제거할 수 있다. 그 때문에, 드레인 팬에 제상용 가열기를 따로 부설할 필요가 없어 저비용화할 수 있다.몇 가지 실시형태에서는, 상기 구성 (6)에 있어서,(7) 상기 제1 도설로와 상기 제2 도설로를 병렬 또는 직렬로 접속 가능하게하기 위한 유로 전환부를 더 구비하고 있다.상기 구성 (6)에 의하면, 상기 제1 도설로와 상기 제2 도설로를 직렬로 접속 하면, 이들을 흐르는 브라인의 유량을 증가시킬 수 있으므로, 보유열의 이용률을 향상시킬 수 있다. 또, 제1 도설로와 제2 도설로를 병렬로 접속하면, 이들을 흐르는 브라인의 유량 및 온도의 설정 가능한 범위를 확대할 수 있다.몇 가지 실시형태에서는, 상기 구성 (1)~(7)의 어느 하나에 있어서,(8) 상기 브라인 회로의 입구 및 출구에 각각 설치되고, 상기 입구 및 상기 출구를 흐르는 상기 브라인의 온도를 검출하기 위한 제1 온도 센서 및 제2 온도 센서를 더 구비하고 있다.상기 구성 (8)에 있어서, 상기 2개의 온도 센서의 검출치의 차가 작아졌을 때에는 디프로스트가 거의 완료된 것을 나타내고 있다. 서리에 대한 가열 방식이 브라인에 의한 현열 가열이므로, CO2 냉매에 의한 잠열 가열과 달리, 상기 검출치의 차를 구함으로써, 디프로스트 운전 종료의 타이밍을 정확하게 판정할 수 있다.그 때문에, 냉동고 내의 과잉의 가열이나 과잉의 가열에 의한 수증기 확산을 방지할 수 있으므로, 한층의 에너지 절약을 달성할 수 있음과 더불어, 고내 온도를 안정화할 수 있어, 냉동고에 보냉된 식품의 품질 향상을 실현할 수 있다.몇 가지 실시형태에서는, 상기 구성 (1)에 있어서,(9) 상기 냉동기는,NH3 냉매가 순환하고 냉동 사이클 구성 기기가 설치된 1차 냉매 회로와,CO2 냉매가 순환하고, 상기 냉각기에 도설됨과 더불어, 상기 1차 냉매 회로와 캐스케이드 콘덴서를 통해 접속된 2차 냉매 회로와,상기 2차 냉매 회로에 설치되고, 상기 캐스케이드 콘덴서에서 액화한 CO2 냉매를 저류하기 위한 CO2 수액기, 및 상기 CO2 수액기에 저류된 CO2 냉매를 상기 냉각기에 보내는 CO2 액 펌프를 갖고 있다.상기 구성 (9)에 의하면, NH3 및 CO2의 자연 냉매를 이용한 냉동기이므로, 오존층 파괴 방지나 온난화 방지 등에 기여할 수 있다. 또, 냉각 성능은 높지만 독성이 있는 NH3를 1차 냉매로 하고, 무독 또한 무취의 CO2를 2차 냉매로 하고 있으므로, 실내의 공조나 식품 등의 냉동에 이용할 수 있다.몇 가지 실시형태에서는, 상기 구성 (1)에 있어서,(10) 상기 냉동기는,NH3 냉매가 순환하고 냉동 사이클 구성 기기가 설치된 1차 냉매 회로와,상기 CO2 냉매가 순환하고, 상기 냉각기에 도설됨과 더불어, 상기 1차 냉매 회로와 캐스케이드 콘덴서를 통해 접속되고, 냉동 사이클 구성 기기가 설치된 2차 냉매 회로를 갖는 NH3/CO2 이원 냉동기이다.상기 구성 (10)에 의하면, 자연 냉매를 이용함으로써, 오존층 파괴 방지나 온난화 방지 등에 기여할 수 있음과 더불어, 이원 냉동기이므로, 냉동기의 냉각 능력을 증대시킬 수 있고, 또한 COP(성적 계수)를 향상시킬 수 있다.몇 가지 실시형태에서는, 상기 구성 (9) 또는 (10)에 있어서,(11) 상기 1차 냉매 회로에 상기 냉동 사이클 구성 기기의 일부로서 설치된 응축기에 도설된 냉각수 회로를 더 구비하고,상기 제2 가열 매체는 상기 냉각수 회로를 순환해 상기 응축기에서 가열된 냉각수이며,상기 제2 열교환부는,상기 냉각수 회로 및 상기 브라인 회로가 도설되고, 상기 냉각수 회로를 순환해 상기 응축기에서 가열된 냉각수와 상기 브라인 회로를 순환하는 브라인을 열교환하기 위한 열교환기로 구성되어 있다.상기 구성 (11)에 의하면, 응축기에서 가열된 냉각수로 브라인을 가열할 수 있으므로, 냉동 장치 외의 가열원이 불필요해진다.또, 디프로스트시에 상기 브라인으로 냉각수의 온도를 저하시킬 수 있으므로, 냉동 운전시의 NH3 냉매의 응축 온도를 낮춰, 냉동기의 COP를 향상시킬 수 있다.또한, 상기 냉각수 회로가 응축기와 냉각탑 사이에 설치되는 예시적인 실시형태에서는, 상기 제2 열교환부를 냉각탑 내에 설치할 수도 있어, 이에 의해서, 디프로스트에 사용되는 장치의 설치 스페이스를 축소할 수 있다.몇 가지 실시형태에서는, 상기 구성 (9) 또는 (10)에 있어서,(12) 상기 1차 냉매 회로에 상기 냉동 사이클 구성 기기의 일부로서 설치된 응축기에 도설된 냉각수 회로를 더 구비하고,상기 제2 가열 매체는 상기 냉각수 회로를 순환해 상기 응축기에서 가열된 냉각수이며,상기 제2 열교환부는,상기 냉각수 회로를 순환하는 냉각수를 살포수와 열교환시켜 냉각하기 위한 냉각탑과,상기 살포수를 도입하고 상기 살포수와 상기 브라인 회로를 순환하는 브라인을 열교환하기 위한 가열탑으로 구성되어 있다.상기 구성 (12)에 의하면, 가열탑을 냉각탑과 일체로 함으로써, 제1의 열교환부의 설치 스페이스를 축소할 수 있다.본 발명의 적어도 일 실시형태에 따른 냉각 유닛은,(13) 케이싱, 상기 케이싱의 내부에 상하 방향으로 고저차를 갖고 배치된 열교환관, 및 상기 열교환관의 하방에 설치된 드레인 팬을 갖는 냉각기와,상기 열교환관의 입구로와 출구관 사이에 접속되고, 상기 열교환관을 포함하는 CO2 순환로를 형성하기 위한 바이패스관과,상기 열교환관의 입구로 및 출구로에 설치되고, 디프로스트시에 닫아 상기 CO2 순환로를 폐회로로 하기 위한 개폐 밸브와,디프로스트시에 상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매를 압력 조정하기 위한 압력 조정 밸브와,제1 가열 매체인 브라인이 순환하고, 상기 냉각기의 내부에서 상기 열교환관의 하부 영역에 인접 배치되고, 상기 열교환관의 하부 영역에 상기 브라인으로 상기 열교환관을 순환하는 CO2 냉매를 가열하는 제1 열교환부를 형성하는 제1 도설로, 및 상기 드레인 팬에 도설된 제2 도설로를 포함하는 브라인 회로와,상기 제1 도설로와 상기 제2 도설로를 병렬 또는 직렬로 접속 가능하게 하기 위한 유로 전환부를 구비하고 있다.상기 구성 (13)을 구비한 냉각 유닛을 이용함으로써, 냉동고로의 디프로스트 장치를 갖는 냉각기의 부착이 용이하게 됨과 더불어, 상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매의 증발 잠열을 이용한 에너지 절약 또한 저비용의 디프로스트가 가능해진다.또, 이 냉각 유닛의 각 부품을 일체로 조립해둠으로써, 또한 냉동고로의 부착이 용이해진다.몇 가지 실시형태에서는, 상기 구성 (13)에 있어서,(14) 상기 제1 도설로는 상기 열교환관의 하부 영역에만 설치되고,상기 냉각기의 내부에 도설된 상기 제1 도설로의 전역에서 상기 제1 열교환부를 형성하도록 하고 있다.상기 구성 (14)에 의하면, 제1 도설로를 열교환관의 하부 영역에만 설치함으로써, 냉각기의 내부에 공기류를 형성하기 위한 팬 등의 공기류 형성 장치의 동력을 저감할 수 있는 간소한 구성의 냉각 유닛으로 할 수 있다.몇 가지 실시형태에서는, 상기 구성 (13)에 있어서,(15) 상기 제1 도설로는 상기 냉각기의 내부에서 고저차를 갖고 배치되고, 또한 상기 브라인이 하방으로부터 상방으로 흐르도록 구성되고,상기 제1 도설로의 상하 방향 중간 위치에 유량 조정 밸브가 설치되어 있다.상기 구성 (15)에 있어서, 디프로스트 운전시에 상기 유량 조정 밸브의 개도를 좁힘으로써, 열교환관의 하부 영역에 상기 제2의 열교환부를 형성할 수 있다.상기 구성 (15)에 의하면, 열교환관의 거의 전역에 제1 도설로를 설치한 기존의 디프로스트 장치를 갖는 냉각기를 간단하게 개조하는 것만으로, 에너지 절약 또한 저비용의 디프로스트가 가능한 디프로스트 장치를 갖는 냉각 유닛을 실현할 수 있다.또한, 상기 구성 (13)~(15) 중 어느 하나에 있어서, 상기 드레인 팬에 보조 가열용 전기 히터를 더 부설할 수 있다.이에 의해서, 드레인 팬에 낙하한 용해수의 재동결 억제 효과를 향상시킬 수 있음과 더불어, 드레인 팬에 도설된 상기 제2 도설로를 흐르는 브라인의 보조적으로 가열할 수 있는 디프로스트 장치를 갖는 냉각기의 조립이 용이하게 된다. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 적어도 일 실시형태에 의하면, 냉각기에 설치된 열교환관을 내부에서부터 CO2 냉매로 디프로스트함으로써, 냉동 장치의 디프로스트에 필요로 하는 이니셜 코스트 및 러닝 코스트의 절감과 에너지 절약을 실현할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 일 실시형태에 따른 냉동 장치의 전체 구성도이다.도 2는 일 실시형태에 따른 냉동 장치의 냉각기의 단면도이다.도 3은 일 실시형태에 따른 냉동 장치의 냉각기의 단면도이다.도 4는 일 실시형태에 따른 냉동 장치의 전체 구성도이다.도 5는 일 실시형태에 따른 냉동 장치의 냉각기의 단면도이다.도 6은 일 실시형태에 따른 냉동 장치의 전체 구성도이다.도 7은 일 실시형태에 따른 냉동 장치의 전체 구성도이다.도 8은 일 실시형태에 따른 냉동기의 계통도이다.도 9는 일 실시형태에 따른 냉동기의 계통도이다.도 10은 일 실시형태에 따른 냉동 장치의 실험 결과를 나타내는 선도이다.도 11은 일 실시형태에 따른 냉동 장치의 실험 결과를 나타내는 선도이다.도 12는 일 실시형태에 따른 냉동 장치의 실험 결과를 나타내는 선도이다.도 13은 일 실시형태에 따른 냉동 장치의 실험 결과를 나타내는 선도이다.도 14는 일 실시형태에 따른 냉동 장치의 실험 결과를 나타내는 선도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명을 도면에 나타낸 실시형태를 이용하여 상세하게 설명한다. 단, 이 실시형태에 기재되어 있는 구성 부품의 치수, 재질, 형상, 그 상대 배치 등은 특별히 특정적인 기재가 없는 한, 이 발명의 범위를 그것으로만 한정하는 취지는 아니다.예를 들면, 「어느 한 방향으로」, 「어느 한 방향을 따라서」, 「평행」, 「직교」, 「중심」, 「동심」 혹은 「동축」 등의 상대적 혹은 절대적인 배치를 나타내는 표현은, 엄밀하게 그러한 배치를 나타낼 뿐만 아니라, 공차, 혹은, 동일한 기능을 얻을 수 있을 정도의 각도나 거리를 갖고 상대적으로 변위하고 있는 상태도 나타내는 것으로 한다.예를 들면, 「동일」, 「같다」 및 「균질」 등의 사물이 같은 상태인 것을 나타내는 표현은, 엄밀하게 같은 상태를 나타낼 뿐만 아니라, 공차, 혹은, 동일한 기능을 얻을 수 있을 정도의 차가 존재하고 있는 상태도 나타내는 것으로 한다.예를 들면, 사각형상이나 원통형상 등의 형상을 나타내는 표현은, 기하학적으로 엄밀한 의미에서의 사각형상이나 원통형상 등의 형상을 나타낼 뿐만 아니라, 동일한 효과를 얻을 수 있는 범위에서, 요철부나 면취부 등을 포함하는 형상도 나타내는 것으로 한다.한편, 하나의 구성 요소를 「갖추다」, 「갖고 있다」, 「구비하다」, 「포함하다」, 또는 「가지다」라는 표현은, 다른 구성 요소의 존재를 제외하는 배타적인 표현은 아니다.도 1~도 7은, 본 발명의 몇 가지 실시형태에 따른 냉동 장치(10A~10D)의 디프로스트 시스템을 나타내고 있다. 도 1 및 도 2는 냉동 장치(10A)를 나타내고, 도 4 및 도 5는 냉동 장치(10B)를 나타내고, 도 6은 냉동 장치(10C)를 나타내고, 도 7은 냉동 장치(10D)를 나타내고 있다.냉동 장치(10A~10D)는, 냉동고(30a 및 30b)의 내부에 각각 설치되는 냉각기(33a 및 33b)와, CO2 냉매를 냉각 액화하는 냉동기(11A 및 11B)와, 상기 냉동기로 냉각 액화한 CO2 냉매를 냉각기(33a 및 33b)에 순환시키는 냉매 회로(2차 냉매 회로(14)가 상당)를 구비하고 있다. 냉각기(33a 및 33b)는 케이싱(34a 및 34b)과, 상기 케이싱의 내부에 상하 방향으로 고저차를 갖고 설치된 열교환관(42a 및 42b)과, 열교환관(42a 및 42b)의 하방에 설치된 드레인 팬(50a 및 50b)을 갖고 있다.도 2, 도 3 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 냉각기(33a 및 33b)의 예시적인 구성에서는, 케이싱(34a)에 통풍용 개구가 형성되고, 상기 개구에 팬(35a)이 설치되어 있다. 팬(35a)의 가동에 의해 케이싱(34a)의 내외에 유통하는 고내 공기(c)의 공기류가 형성된다. 열교환관(42a)은, 예를 들면, 수평 방향 및 상하 방향으로 갈깃자 형상으로 배치된다. 열교환관(42a)의 입구관(42c) 및 출구관(42d)에는 헤더(43a 및 43b)가 설치되어 있다.여기서, 「입구관(42c)」 및 「출구관(42d)」은, 냉각기(33a 및 33b)의 케이싱(34a 및 34b)의 격벽 부근으로부터 상기 케이싱의 외측이며, 냉동고(30a 및 30b)의 내부에 설치되는 열교환관(42a 및 42b)의 범위를 말한다.또한, 도 2 및 도 5에 나타내는 냉각기(33a)는, 통풍용 개구가 케이싱(34a)의 상면 및 측면(도시하지 않음)에 형성되고, 고내 공기(c)는 상기 측면으로부터 유입되어, 상기 상면으로부터 유출된다.도 3에 나타내는 냉각기(34a)는, 통풍용 개구가 양측의 측면에 형성되고, 고내 공기(c)는 상기 양측면으로부터 출입한다.냉동 장치(10A~10C)를 구성하는 냉동기(11A) 및 냉동 장치(10D)를 구성하는 냉동기(11B)는, NH3 냉매가 순환하고, 냉동 사이클 구성 기기가 설치된 1차 냉매 회로(12)와, CO2 냉매가 순환하고, 냉각기(33a 및 33b)까지 연장 설치되는 2차 냉매 회로(14)를 갖고 있다. 2차 냉매 회로(14)는 1차 냉매 회로(12)와 캐스케이드 콘덴서(24)를 통해 접속된다.1차 냉매 회로(12)에 설치된 냉동 사이클 구성 기기는, 압축기(16), 응축기(18), NH3수액기(20), 팽창 밸브(22) 및 캐스케이드 콘덴서(24)로 이루어진다.2차 냉매 회로(14)에는, 캐스케이드 콘덴서(24)에서 액화한 CO2 냉매액이 일시 저류되는 CO2 수액기(36)와, CO2 수액기(36)에 저류된 CO2 냉매액을 열교환관(42a 및 42b)에 순환시키는 CO2 액 펌프(38)가 설치되어 있다.또, 캐스케이드 콘덴서(24)와 CO2 수액기(36) 사이에 CO2 순환로(44)가 설치되어 있다. CO2 수액기(36)로부터 CO2 순환로(44)를 통해 캐스케이드 콘덴서(24)에 도입된 CO2 냉매 가스는, 캐스케이드 콘덴서(24)에서 NH3 냉매에 의해서 냉각되어 액화하여 CO2 수액기(36)로 되돌아온다.냉동기(11A 및 11B)는, NH3 및 CO2의 자연 냉매를 이용하고 있으므로, 오존층 파괴 방지나 온난화 방지 등에 기여할 수 있다. 또, 냉각 성능은 높지만 독성이 있는 NH3를 1차 냉매로 하고, 독성이 없는 CO2를 2차 냉매로 하고 있으므로, 실내의 공조나 식품 등의 냉동에 이용할 수 있다.냉동 장치(10A~10D)에 있어서, 2차 냉매 회로(14)는, 냉동고(30a 및 30b)의 외부에서 CO2 분기 회로(40a 및 40b)로 분기하고, CO2 분기 회로(40a 및 40b)는, 케이싱(34a 및 34b)의 외측에 도설된 열교환관(42a 및 42b)의 입구관(42c) 및 출구관(42d)에, 접속부(41)를 통해 접속되어 있다.냉동고(30a 및 30b)의 내부에서 입구관(42c) 및 출구관(42d)에 전자 개폐 밸브(54a 및 54b)가 설치되고, 전자 개폐 밸브(54a 및 54b)와 냉각기(33a 및 33b) 사이의 입구관(42c) 및 출구관(42d)에 바이패스관(52a 및 52b)이 접속되어 있다. 바이패스관(52a 및 52b)에는 전자 개폐 밸브(53a 및 53b)가 설치되어 있다. 열교환관(42a, 42b) 및 바이패스관(52a, 52b)에 의해서 CO2 순환로가 형성되고, 디프로스트시에 전자 개폐 밸브(54a 및 54b)를 닫아, 전자 개폐 밸브(53a 및 53b)를 엶으로써, 상기 CO2 순환로는 폐회로가 된다.디프로스트시에 상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매의 압력을 조정하는 압력 조정부가 설치된다.냉동 장치(10A, 10B 및 10D)에 있어서, 압력 조정부(45a 및 45b)는, 열교환관(42a 및 42b)의 출구관(42d)에 전자 개폐 밸브(54a 및 54b)와 병렬로 설치된 압력 조정 밸브(48a 및 48b)와, 압력 조정 밸브(48a 및 48b)의 상류측의 출구관(42d)에 설치된 압력 센서(46a 및 46b)와, 압력 센서(46a 및 46b)의 검출치가 입력되는 제어 장치(47a 및 47b)로 구성되어 있다.냉동 운전시, 전자 개폐 밸브(54a 및 54b)는 열고, 전자 개폐 밸브(53a 및 53b)는 닫도록 제어되고, 디프로스트시, 전자 개폐 밸브(54a 및 54b)는 닫고, 전자 개폐 밸브(53a 및 53b)는 열도록 제어된다.제어 장치(47a 및 47b)는 압력 조정 밸브(48a 및 48b)의 개도를 제어하여 폐회로를 순환하는 CO2 냉매의 압력을 제어한다. 즉, CO2 냉매의 응축 온도가 고내 공기(c)에 포함되는 수증기의 빙점(예를 들면 0℃)보다 높아지도록 CO2 냉매의 압력을 제어한다. 폐회로 내의 CO2 냉매가 설정 압력을 초과했을 때, CO2 냉매의 일부는 압력 조정 밸브(48a 및 48b)를 통해 2차 냉매 회로(14)로 되돌려지고, 폐회로는 설정 압력을 유지한다.냉동 장치(10C)에서는, 상기 압력 조정부는 압력 조정부(71)로 구성된다. 압력 조정부(71)는, 브라인 회로(복로)(60)에서 온도 센서(76)의 하류에 설치된 삼방 밸브(71a)와, 삼방 밸브(71a)와 온도 센서(76)의 상류측의 브라인 회로(왕로)(60)에 접속된 바이패스로(71b)와, 온도 센서(74)에서 검출된 브라인의 온도가 입력되고, 이 입력치가 설정 온도가 되도록 삼방 밸브(71a)를 제어하는 제어 장치(71c)로 구성되어 있다. 제어 장치(71c)는, 브라인 분기로(61a 및 61b)에 공급되는 브라인의 온도를 설정치(예를 들면, 10~15℃)로 제어한다.가열 매체인 브라인이 순환하는 브라인 회로(60)(파선 표시)는, 냉동고(30a 및 30b)의 외부에서 브라인 분기 회로(61a 및 61b)(파선 표시)로 분기한다. 브라인 분기 회로(61a 및 61b)는 냉동고(30a 및 30b)의 외부에서 접속부(62)를 통해 브라인 분기 회로(63a, 63b 및 64a, 64b)에 접속되어 있다. 브라인 분기 회로(63a 및 63b)(파선 표시)는 냉각기(33a 및 33b)의 내부에 도설되고, 상기 냉각기의 내부에서 열교환관(42a 및 42b)에 인접 배치된다. 그리고, 열교환관(42a 및 42b)의 하부 영역에 브라인 분기 회로(63a 및 63b)를 순환하는 브라인으로 열교환관(42a 및 42b)을 순환하는 CO2 냉매를 가열하는 제1 열교환부를 형성하고 있다.여기서, 냉각기(33a 및 33b)의 내부에 설치된 브라인 분기 회로(63a 및 63b)를 「제1 도설로」라고 한다.냉동 장치(10A, 10C 및 10D)에서는, 상기 제1 도설로는 냉각기(33a 및 33b)의 내부에서 열교환관(42a 및 42b)의 하부 영역에 설치되어 있다. 예를 들면, 제1 도설로는, 높이의 경우 열교환관(42a 및 42b)의 배치 영역의 1/3~1/5의 높이의 하부 영역에 배치한다.도 4에 나타내는 냉동 장치(10B)에서는, 상기 제1 도설로는 냉각기(33a 및 33b)의 내부에서 열교환관(42a 및 42b)의 전역에 고저차를 갖고 배치되고, 또한 브라인이 하방으로부터 상방으로 흐르도록 구성되어 있다. 그리고, 브라인 분기 회로(63a 및 63b)의 상하 방향 중간 위치에 유량 조정 밸브(80a 및 80b)가 설치되고, 상기 유량 조정 밸브보다 상류측(하방 영역)의 제1 도설로에서 열교환부가 형성된다.도 2는, 냉동 장치(10A, 10C 및 10D)에 설치된 냉각기(33a)의 구성을 나타낸다.열교환관(42a)의 하부 영역에서, 브라인 분기 회로(63a)는, 예를 들면 열교환관(42a)과 동일하게, 수평 방향 및 상하 방향으로 고저차를 갖고 갈깃자 형상으로 배치되어 있다.예시적인 구성으로서, 드레인 팬(50a)은 드레인의 배수를 위해서, 수평 방향에 대해 경사져 있고, 하방 끝에 드레인 배출관(51a)이 설치되어 있다. 열교환관(42a)은 냉각기(33a)의 입구 및 출구에 헤더(43a 및 43b)를 갖고 있다.브라인 분기 회로(63a)에는 냉각기(33a)의 입구 및 출구에 헤더(78a 및 78b)가 설치되어 있다. 브라인 분기 회로(64a)는 드레인 팬(50a)의 배면을 따라 드레인 팬(50a)에 인접하여 설치되고, 또한 갈깃자 형상으로 형성되어 있다.또, 열교환관(42a) 및 브라인 분기 회로(63a)는 병렬로 늘어선 다수의 플레이트 핀(77a)에 의해서 서로 근접한 상태로 지지된다. 열교환관(42a) 및 브라인 분기 회로(63a)는 플레이트 핀(77a)에 형성된 다수의 구멍에 끼워지고, 플레이트 핀(77a)에 의해서 지지되고, 플레이트 핀(77a)을 통해 열교환관(42a)와 브라인 분기 회로(63a) 사이의 열전달이 촉진된다.냉동 장치(10A, 10C 및 10D)에 설치되는 냉각기(33b)도 동일한 구성을 갖고 있다.도 5는 냉동 장치(10B)에 설치되는 냉각기(33a)의 구성을 나타내고 있다.브라인 분기 회로(63a)는 열교환관(42a)의 높이 방향 및 수평 방향의 전역에 갈깃자 형상으로 배치된다. 그리고, 브라인 분기 회로(63a)의 상하 방향 중간 위치에 유량 조정 밸브(80a)가 설치되어 있다. 냉동 장치(10B)의 냉각기(33b)도 동일한 구성을 갖고 있다.냉동 운전시, 팬(35a)에 의해서, 냉각기(33a)에서 냉각된 고내 공기(c)를 냉동고(32a)의 내부로 확산하고 있다.또한, 도 2 및 도 5에 있어서, 후술하는 유로 전환부(69a)의 도시는 생략되어 있다.브라인 분기 회로(64a 및 64b)(파선 표시)는, 냉동고(30a 및 30b)의 내부에서 드레인 팬(50a 및 50b)의 배면에 도설되어 있다.여기서, 드레인 팬(50a 및 50b)의 배면에 도설된 브라인 분기 회로(64a 및 64b)를 「제2 도설로」라고 한다.디프로스트시에, 브라인 분기 회로(64a 및 64b)를 순환하는 브라인의 열로, 드레인 팬(50a 및 50b)에 떨어진 드레인의 재동결을 억제할 수 있다.냉동 장치(10A~10D)는, 상기 제1 도설로와 상기 제2 도설로를 병렬 또는 직렬로 접속 가능하게 하기 위한 유로 전환부(69a 및 69b)를 더 구비하고 있다.유로 전환부(69a 및 69b)는, 브라인 분기 회로(63a, 63b 및 64a, 64b) 사이에 접속된 바이패스관(65a, 65b)과, 상기 바이패스관에 설치된 유량 조정 밸브(68a, 68b)와, 브라인 분기 회로(63a, 63b 및 64a, 64b)에 각각 설치된 유량 조정 밸브(66a, 66b 및 67a, 67b)로 구성되어 있다.브라인 분기 회로(63a, 63b 및 64a, 64b)를 직렬로 접속하는 경우, 유량 조정 밸브(68a, 68b)를 개방하고, 유량 조정 밸브(66a, 66b 및 67a, 67b)를 폐쇄한다.브라인 분기 회로(63a, 63b 및 64a, 64b)를 병렬에 접속하는 경우, 유량 조정 밸브(68a 및 68b)를 폐쇄하고, 유량 조정 밸브(66a, 66b 및 67a, 67b)를 개방한다.냉동 장치(10A~11D)에는, 브라인 회로(60)의 왕로 및 복로에 온도 센서(74 및 76)가 설치되어 있다.냉동 장치(10A~10C)에서는, 브라인 회로(60)의 왕로에 브라인을 저류하는 리시버(개방형 브라인조)(70) 및 브라인 펌프(72)가 설치되어 있다.냉동 장치(10D)에서는, 리시버(70) 대신에, 압력 변동의 흡수 및 브라인의 유량 조정 등을 위해서 팽창 탱크(92)가 설치되어 있다.냉동 장치(10A~10D)에는, 제2 가열 매체와 브라인을 열교환시키는 제2 열교환부가 설치되어 있다.예를 들면, 냉동기(11A)에서는, 응축기(18)에 냉각수 회로(28)가 도설되어 있다. 냉각수 회로(28)에는 냉각수 펌프(57)를 갖는 냉각수 분기 회로(56)가 분기하고, 냉각수 분기 회로(56)는 상기 제1의 열교환부에 상당하는 열교환기(58)에 도설되어 있다. 한편, 브라인 회로(60)가 열교환기(58)에 도설된다.냉각수 회로(28)를 순환하는 냉각수는, 응축기(18)에서 NH3 냉매에 의해서 가열된다. 가열된 냉각수는, 상기 제2 가열 매체로서, 디프로스트시에 열교환기(58)에 있어서 브라인 회로(60)를 순환하는 브라인을 가열한다.예를 들면, 냉각수 분기 회로(56)에 도입되는 냉각수의 온도가 20~30℃이면, 이 냉각수로 브라인을 15~20℃로 가열할 수 있다.브라인으로서, 예를 들면, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 수용액을 이용할 수 있다.다른 실시형태에서는, 상기 가열 매체로서, 상기 냉각수 이외에, 예를 들면, 압축기(16)로부터 토출된 고온 고압의 NH3 냉매 가스, 공장의 온배수, 보일러로부터 발해지는 열 또는 오일 쿨러의 보유열을 흡수한 매체 등, 임의의 가열 매체를 이용할 수 있다.냉동기(11)의 예시적인 구성에서는, 냉각수 회로(28)는 응축기(18)와 밀폐식 냉각탑(26) 사이에 설치된다. 냉각수는 냉각수 펌프(29)에 의해서 냉각수 회로(28)를 순환한다. 응축기(18)에서 NH3 냉매의 배열을 흡수한 냉각수는, 밀폐식 냉각탑(26)에서 외기와 접촉하여 물의 증발 잠열에 의해서 냉각된다.밀폐식 냉각탑(26)은, 냉각수 회로(28)에 접속된 냉각 코일(26a)과, 외기(a)를 냉각 코일(26a)에 통풍시키는 팬(26b)과, 냉각 코일(26a)에 냉각수를 살포하는 살수관(26c) 및 펌프(26d)를 갖고 있다. 살수관(26c)으로부터 살포되는 냉각수의 일부는 증발하여 그 증발 잠열을 이용하여 냉각 코일(26a)을 흐르는 냉각수를 냉각한다.도 7에 나타내는 냉동기(11B)에서는, 밀폐식 냉각탑(26)과 밀폐식 가열탑(91)이 일체로 된 밀폐식 냉각 가열 유닛(90)이 설치되어 있다. 본 실시형태에 있어서의 밀폐식 냉각탑(26)은 냉각수 회로(28)를 순환하는 냉각수를 살포수와 열교환시켜 냉각하는 것이며, 그 구성은, 상기 실시형태의 밀폐식 냉각탑(26)과 동일하다.이 실시형태에서는, 브라인 회로(60)는 밀폐식 가열탑(91)에 도설되어 있다. 밀폐식 가열탑(91)은, 밀폐식 냉각탑(26)에서 냉각수 회로(28)를 순환하는 냉각수의 냉각에 제공된 살포수를 도입하고, 상기 살포수와 브라인 회로(60)를 순환하는 브라인을 열교환한다.밀폐식 가열탑(91)은, 브라인 회로(60)에 접속된 가열 코일(91a)과, 냉각 코일(91a)에 냉각수를 살포하는 살수관(91c) 및 펌프(91d)를 갖고 있다. 밀폐식 냉각탑(26)의 내부와 밀폐식 가열탑(91)의 내부는 공유 하우징의 하부에서 연통하고 있다.1차 냉매 회로(12)를 순환하는 NH3 냉매의 배열을 흡수한 살포수는, 살수관(91c)으로부터 냉각 코일(91a)에 살포되어, 브라인 회로(60)를 순환하는 브라인을 가열하는 가열 매체가 된다.또, 도 4 및 도 5에 나타내는 냉동 장치(10B)의 예시적인 구성에서는, 드레인 팬(50a)의 배면에 근접하여, 보조 가열용 전기 히터(82a)가 부설된다.냉동 장치(10A, 10C 및 10D)에서는, 냉동고(30a 및 30b)의 내부에 설치되는 냉각 유닛(31a 및 31b)이 형성된다.CO2 분기 회로(40a 및 40b)는, 냉동고(30a 및 30b)의 외부에서 접속부(41)를 통해 각각 열교환관(42a 및 42b)에 접속된다. 브라인 분기 회로(61a 및 61b)는, 냉동고(30a 및 30b)의 외부에서 접속부(62)를 통해 냉동고(30a 및 30b)의 내부에 설치되는 브라인 분기 회로(63a, 63b 및 64a, 64b)에 접속된다.냉각 유닛(31a 및 31b)는, 냉각기(33a 및 33b)와, 열교환관(42a 및 42b) 및 이들의 입구관(42c) 및 출구관(42d)과, 열교환관(42a 및 42b)의 하부 영역에 설치된 브라인 분기 회로(63a 및 63b)와, 브라인 분기 회로(64a 및 64b)와, 유로 전환부(69a 및 69b)와, 이들에 부속되는 기기류로 형성된다.냉각 유닛(31a 및 31b)을 구성하는 상기 부품은 미리 일체로 형성할 수 있다.도 3에 나타내는 냉동 장치(10B)에서는, 냉각 유닛(32a 및 32b)이 형성되어 있다. 냉각 유닛(32a 및 32b)은, 열교환관(42a 및 42b)이 배치된 상하 방향 및 수평 방향의 전 영역에 설치된 브라인 분기 회로(63a 및 63b)를 갖고, 또한 드레인 팬(50a 및 50b)의 배면에 보조 가열용 전기 히터(94a)가 설치된 점에서, 냉각 유닛(31a 및 31b)과 달리, 그 외에는 냉각 유닛(31a 및 31b)과 동일한 기기를 갖는다.냉각 유닛(32a 및 32b)을 구성하는 상기 부품은 미리 일체로 형성할 수 있다.이러한 구성에 있어서, 냉동 운전시, 전자 개폐 밸브(54a 및 54b)는 개방됨과 더불어, 전자 개폐 밸브(53a 및 53b)는 폐쇄된다. 이 상태에서, CO2 냉매는 CO2 분기 회로(40a, 40b) 및 열교환관(42a, 42b)을 순환한다. 냉동고(30a 및 30b)의 내부에서 팬(35a 및 35b)에 의해서, 냉각기(33a 및 33b)의 내부를 통과하는 고내 공기(c)의 순환류가 형성된다. 고내 공기(c)는 열교환관(42a 및 42b)을 순환하는 CO2 냉매에 의해 냉각되어, 고내는 예를 들면 -25℃의 저온으로 유지된다.디프로스트시, 전자 개폐 밸브(54a 및 54b)는 폐쇄되고, 전자 개폐 밸브(53a 및 53b)는 개방되고, 열교환관(42a 및 42b)과 바이패스관(52a 및 52b)으로 구성된 CO2 순환로는 폐회로가 된다. 그리고, 브라인 분기 회로(63a, 63b 및 64a, 64b)에 예를 들면 +15℃의 온브라인을 순환시킨다.냉동 장치(10A, 10B 및 10D)에서는, 제어 장치(47a 및 47b)로 압력 조정 밸브(48a 및 48b)의 개도를 제어하고, 상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매의 압력을 승압함으로써, CO2 냉매가 고내 공기(c)에 포함되는 수증기의 빙점을 초과하는 응축 온도(예를 들면 +5℃／4.0MPa)를 갖도록 한다.냉동 장치(10C)에서는, 압력 조정부(71)에 의해서 열교환관(42a 및 42b)에 유입되는 브라인의 온도를 설정 온도(예를 들면 10~15℃)로 함으로써, 상기 폐회로 내의 CO2 냉매가 고내 공기(c)에 포함되는 수증기의 빙점을 초과하는 응축 온도를 갖도록 한다.냉동 장치(10A, 10C 및 10D)에서는, 열교환관(42a 및 42b)의 하부 영역에 형성된 제1 열교환부에 있어서, CO2 냉매는 브라인으로 가열되어 기화한다. 기화한 CO2 냉매는, 냉동고의 고내 공기에 존재하는 수증기의 빙점보다 고온이 된다. 또, 기화한 CO2 냉매의 보유열로 하부 영역의 열교환관(42a 및 42b)의 외표면에 부착된 서리가 융해된다. 기화한 CO2 냉매는 서모사이펀 작용에 의해서 열교환관(42a 및 42b)의 상부 영역으로 상승한다.상승한 CO2 냉매는 응축 잠열(+5℃／4.0MPa에 있어서 219kJ/kg)로 열교환관 외표면의 착상을 융해해, CO2 냉매 자체는 액화한다. 액화한 CO2 냉매는 중력으로 열교환관(42a 및 42b)을 하강하고, 하부 영역에서 브라인의 열에 의해 다시 기화한다.이렇게 하여, 루프형 서모사이펀이 작동해, CO2 냉매는 상기 폐회로를 자연 순환한다.서리가 융해된 드레인은 드레인 팬(50a 및 50b)에 떨어져, 드레인 배출관(51a 및 51b)으로부터 배출된다. 드레인은 브라인 분기 회로(63a 및 63b)를 순환하는 브라인의 보유열에 의해서 재동결하는 것이 방지된다. 상기 브라인의 보유열로 드레인 팬(50a 및 50b)의 가열·제상도 가능하게 된다.냉동 장치(10B)에서는, 디프로스트시에 유량 조정 밸브(80a 및 80b)를 조여, 브라인의 유량을 제한함으로써, 유량 조정 밸브(80a 및 80b)보다 상류측 영역(하방 영역)에만 CO2 냉매와 브라인을 열교환시키는 열교환부를 형성할 수 있다. 그 때문에, 상기 상류측 영역에서 CO2 냉매의 기화와 착상의 융해가 일어나, 기화한 CO2 냉매는 유량 조정 밸브(80a 및 80b)의 하류측 영역(상방 영역)으로 상승한다. 그리고, 상기 상류측 영역에서 CO2 냉매의 응축 잠열로 착상이 융해되고, 또한 CO2 냉매의 액화가 일어난다.따라서, 폐회로가 된 열교환관(42a 및 42b)의 내부에서 서모사이펀 작용에 의해 CO2 냉매가 자연 순환해, 순환하는 CO2 냉매에 의해 착상을 융해시킬 수 있다.브라인 분기 회로(63a, 63b 및 64a, 64b)는 유로 전환부(69a 및 69b)에 의해서 병렬 또는 직렬로 전환된다.온도 센서(74 및 76)의 검출치의 차가 축소되어, 온도차가 역치(예를 들면 2~3)에 도달했을 때, 서리의 디프로스트가 완료되었다고 판정해, 디프로스트 운전을 종료한다.본 발명의 몇 가지 실시형태에 의하면, 디프로스트시에 CO2 냉매의 증발 잠열을 이용해, 열교환관(42a 및 42b)의 착상을 내부에서부터 관벽을 통과해 제거하므로, 서리로의 열 전달량을 증가시킬 수 있다.또, 디프로스트중, 상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매는 다른 부위와의 열의 주고받음이 차단되므로, 폐회로 내의 열에너지가 외부로 방산되지 않고, 에너지 절약 가능한 디프로스트를 실현할 수 있다.또, 디프로스트시 형성되는 폐회로에서, 서모사이펀 작용을 이용하여 CO2 냉매를 자연 순환시키도록 하고 있으므로, CO2 냉매를 순환시키는 펌프 동력이 불필요해져, 한층의 에너지 절약이 가능하게 된다.또, 디프로스트 운전시의 CO2 냉매의 온도를 고내 공기(c)에 포함되는 수증기의 빙점에 가까운 온도로 유지할수록, 연무의 발생을 억제할 수 있음과 더불어, CO2 냉매의 압력을 저감할 수 있다. 그 때문에, 상기 폐회로를 구성하는 배관 및 밸브류를 저압 사양으로 할 수 있어, 한층의 저비용화가 가능하게 된다.또, 도 2, 도 3 및 도 5에 나타내는 냉각기(33a)의 구성에 의하면, 열교환관(42a, 42b) 및 브라인 분기 회로(64a, 64b)를 다수의 플레이트 핀(77a)으로 지지했으므로, 플레이트 핀(77a)을 통한 열 전달에 의해, 열교환관(42a 및 42b)과 브라인 분기 회로(63a 및 63b) 사이의 열 전달량을 증가시킬 수 있다.냉동 장치(10A, 10C 및 10D)에 의하면, 브라인 분기 회로(63a 및 63b)를 열교환관(42a 및 42b)의 하부 영역에만 설치하므로, 팬(35a 및 35b)에 의해서 형성되는 공기류의 압력 손실을 저감할 수 있어, 팬(35a 및 35b)의 동력을 저감할 수 있다. 또, 빈 상부 영역의 스페이스에 열교환관(42a 및 42b)을 여분으로 설치할 수 있으므로, CO2 냉매에 의한 냉각 효과를 높일 수 있다.또, 냉동 장치(10B)에 의하면, 브라인 분기 회로(63a 및 63b)를 열교환관(42a 및 42b)의 배치 영역 전체에 배치하므로, 기존의 냉각기에 유량 조정 밸브(80a 및 80b)를 설치하기만 한 간단한 개조로, 상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매의 증발 잠열을 이용한 에너지 절약 및 저비용의 디프로스트가 가능하게 된다.냉동 장치(10A, 10B 및 10D)에 의하면, 압력 조정부(45a 및 45b)를 설치함으로써, 압력 조정부를 간이하고 또한 저비용화할 수 있다.냉동 장치(10B)에 의하면, 압력 조정부(71)를 설치함으로써, 냉각기마다 압력 조정부를 설치할 필요가 없고, 1개의 압력 조정부이면 되므로 저비용화할 수 있음과 더불어, 디프로스트시, 상기 폐회로의 압력 조정을 냉동고(30a 및 30b)의 외부로부터 행하는 것이 압력 조정부(71G)로 가능하므로, 디프로스트 운전이 용이해진다.또, 드레인 팬(50a 및 50b)의 배면에 브라인 분기 회로(64a 및 64b)를 도설함으로써, 드레인 팬(50a 및 50b)에 낙하한 융해수는 브라인의 보유열에 의해서 재동결되는 것을 방지할 수 있고, 동시에 상기 브라인의 보유열로 드레인 팬(50a 및 50b)의 가열·제상도 가능하게 된다. 그 때문에, 드레인 팬(50a 및 50b)에 가열기를 별도로 부설할 필요가 없어 저비용화할 수 있다.몇 가지 실시형태에 의하면, 유로 전환부(69a 및 69b)를 구비하고, 브라인 분기 회로(63a, 63b 및 64a, 64b)를 병렬 및 직렬로 접속 가능하게 했으므로, 직렬로 하면, 이들 브라인 분기 회로를 흐르는 브라인의 유량을 증가시킬 수 있으므로, 보유열의 이용률을 향상시킬 수 있다. 또, 병렬로 접속하면, 이들을 흐르는 브라인의 유량 및 온도의 설정 가능한 범위를 확대할 수 있다.몇 가지 실시형태에 의하면, 온도 센서(74 및 76)의 검출치의 차를 파악함으로써, 디프로스트 운전 종료의 타이밍을 적확하게 판정할 수 있다. 그 때문에, 냉동고 내의 과잉의 가열이나 과잉의 가열에 의한 수증기 확산을 방지할 수 있어, 한층의 에너지 절약을 달성할 수 있음과 더불어, 고내 온도를 안정화시킬 수 있어, 냉동고에 보냉된 식품의 품질 향상을 실현할 수 있다.냉동기(11A)를 구비한 실시형태에 의하면, 냉동기(11A)의 응축기(18)에서 가열된 냉각수로 브라인을 가열할 수 있으므로, 냉동 장치 외의 가열원이 불필요하게 된다.또, 디프로스트 운전시에 브라인으로 냉각수의 온도를 저하시킬 수 있으므로, 냉동 운전시의 NH3 냉매의 응축 온도를 낮춰, 냉동기의 COP를 향상시킬 수 있다.또한, 냉각수 회로(28)가 응축기(18)와 냉각탑(26) 사이에 설치되는 예시적인 구성에서는, 열교환기(58)를 냉각탑 내에 설치할 수도 있다. 이에 의해서, 디프로스트를 위해서 사용되는 장치의 설치 스페이스를 축소할 수 있다.냉동기(11B)를 구비한 실시형태에 의하면, 밀폐식 냉각탑(26) 및 밀폐식 가열탑(91)을 일체로 한 밀폐식 냉각 가열 유닛(90)을 구비하고 있으므로, 제1의 열교환부의 설치 스페이스를 축소할 수 있다. 또, 밀폐식 냉각탑(26)과 연결된 밀폐식 가열탑(91)을 이용함으로써, 외기로부터의 채열도 가능해진다. 냉동 장치(10B)가 공랭 방식인 경우에는, 가열탑 단독으로 외기를 열원으로 할 수 있다.또한, 밀폐식 냉각 가열 유닛(90)에 내장된 밀폐식 냉각탑(26)은, 복수대를 횡방향으로 병렬로 연결하여 설치하도록 해도 된다.도 4 및 도 5에 나타내는 냉동 장치(10B)에 의하면, 드레인 팬(50a 및 50b)에 보조 가열용 전기 히터(94a)를 설치하고 있으므로, 드레인 팬(50a 및 50b)의 가열 효과를 높여, 드레인 팬에 낙하한 용해수의 재동결을 억제할 수 있다. 또, 드레인 팬(50a 및 50b)에 도설된 브라인 분기 회로(63a 및 63b)를 순환하는 브라인을 보조적으로 가열할 수 있다.냉동 장치(10A, 10C 및 10D)에 의하면, 냉각 유닛(31a 및 31b)을 형성함으로써, 냉각기(33a, 33b) 및 그 디프로스트 장치의 부착이 용이해짐과 더불어, 폐회로를 순환하는 CO2 냉매의 증발 잠열을 이용한 에너지 절약 또한 저비용의 디프로스트가 가능해진다.또, 냉각 유닛(31a 및 31b)을 구성하는 각 부품을 일체로 조립해두면, 냉각 유닛의 취급이 용이하게 된다.냉동 장치(10B)에 의하면, 냉각 유닛(32a 및 32b)을 형성함으로써, 열교환관(42a 및 42b)의 거의 전역에 브라인 분기 회로(64a 및 64b)를 설치한 기존의 디프로스트 장치를 갖는 냉각기를 간단하게 개조하는 것만으로, 에너지 절약 또한 저비용의 디프로스트가 가능한 디프로스트 장치를 갖는 냉각 유닛을 실현할 수 있다.또, 냉각 유닛(32a)에 전기 히터(82a)를 부설함으로써, 드레인 팬(50a) 및 브라인 분기 회로(63a)를 순환하는 브라인의 가열 효과를 높일 수 있다.또한, 냉각 유닛(32a 및 32b)에서는, 보조 가열용 전기 히터(82a)를 부착하지 않아도 된다.또, 상기 각 실시형태는, 냉동 장치의 목적 및 용도에 따라 적절하게 조합할 수 있다.도 8은 본 발명에 적용 가능한 냉동기의 다른 실시형태를 나타낸다. 냉동기(11C)는, NH3 냉매가 순환하는 1차 냉매 회로(12)에 저단 압축기(16b) 및 고단 압축기(16a)가 설치되고, 저단 압축기(16b)와 고단 압축기(16a) 사이의 1차 냉매 회로(12)에 중간 냉각기(84)가 설치되어 있다. 응축기(18)의 출구에서 1차 냉매 회로(12)로부터 분기로(12a)가 분기하고, 분기로(12a)에 중간 팽창 밸브(86)가 설치되어 있다.분기로(12a)를 흐르는 NH3 냉매는 중간 팽창 밸브(86)에서 팽창하여 냉각되고, 중간 냉각기(84)에 도입된다. 중간 냉각기(84)에서, 저단 압축기(16b)로부터 토출된 NH3 냉매는 분기로(12a)로부터 도입된 NH3 냉매로 냉각된다. 중간 냉각기(84)를 설치함으로써, 냉동기(11B)의 COP를 향상시킬 수 있다.캐스케이드 콘덴서(24)에서 NH3 냉매와 열교환하여 냉각 액화한 CO2 냉매액은, CO2 수액기(36)에 저류되고, 그 후, CO2 수액기(36)로부터 CO2 액 펌프(38)에서 냉동고(30)의 내부에 설치된 냉각기(33)에 순환된다.도 9에 본 발명에 적용 가능한 냉동기의 또 다른 실시형태를 나타낸다. 냉동기(11D)는 이원 냉동 사이클을 구성하고 있다. 1차 냉매 회로(12)에 고원 압축기(88a) 및 팽창 밸브(22a)가 설치되어 있다. 1차 냉매 회로(12)와 캐스케이드 콘덴서(24)를 통해 접속된 2차 냉매 회로(14)에는, 저원 압축기(88b) 및 팽창 밸브(22b)가 설치되어 있다.냉동기(11D)는, 1차 냉매 회로(12) 및 2차 냉매 회로(14)에서 각각 기계 압축식 냉동 사이클을 구성한 이원 냉동기이므로, 냉동기의 COP를 향상시킬 수 있다.도 10~도 14는, 브라인 분기 회로(63a 및 63b)를 순환하는 브라인의 온도가+15℃이며, 유로 전환부(69a 및 69b)를 직렬로 접속하여 디프로스트 운전을 행한 실험 데이터이다. 도 10은 냉각기 내 CO2 냉매의 압력 변화를 나타내고, 도 11은 온브라인의 이송 온도, 복귀 온도 및 양자의 차의 변화를 나타내며, 도 12는 각 부분의 온도 변화를 나타내고, 도 13은 냉매로 내 CO2 냉매의 압력 변화와 배수 증분의 관계를 나타내며, 도 14는 서리가 융해되어 발생하는 배수량의 변화를 나타내고 있다.도 10 및 도 12로부터, 디프로스트 운전 개시 후, 열교환관(42a 및 42b) 내의 CO2 냉매의 승압과 함께, 열교환관(42a 및 42b)의 헤더나 벤드부의 온도가, 운전 개시 후 10~15분에 0℃보다 고온으로 상승하는 것을 확인할 수 있었다.또, 도 13 및 도 14에 나타내는 바와 같이, 열교환관(42a 및 42b) 내의 CO2 냉매의 승압과 함께, 열교환관(42a 및 42b)의 외표면에서 서리의 융해가 개시된 것을 확인할 수 있었다.또, 도 11로부터, 디프로스트 운전의 경과와 함께, 온브라인의 이송 온도와 복귀 온도의 차가 줄어드는 것을 확인할 수 있고, 상기 차를 검출함으로써, 디프로스트 운전의 완료시를 파악할 수 있음을 확인할 수 있었다. [ 산업상 이용가능성 ] 본 발명에 의하면, CO2 냉매를 이용한 냉동 장치에 있어서, 냉동고 등의 냉각 공간에 설치된 냉각기의 디프로스트에 필요로 하는 이니셜 코스트 및 러닝 코스트의 저감과 에너지 절약을 실현할 수 있다. [ 부호의 설명 ] 10A, 10B, 10C, 10D: 냉동 장치 11A, 11B, 11C, 11D: 냉동기12: 1차 냉매 회로 14: 2차 냉매 회로16: 압축기 16a: 고단 압축기16b: 저단 압축기 18: 응축기20: NH3 수액기 22, 22a, 22b: 팽창 밸브24: 캐스케이드 콘덴서 26: 밀폐식 냉각탑28: 냉각수 회로 29, 57: 냉각수 펌프30, 30a, 30b: 냉동고 31a, 31b, 32a, 32b: 냉각 유닛33, 33a, 33b: 냉각기 34a, 34b: 케이싱35a, 35b: 팬 36: CO2 수액기38: CO2 액 펌프 40a, 40b: CO2 분기 회로41, 62: 접속부 42a, 42b: 열교환관42c: 입구관 42d: 출구관43a, 43b, 78a, 78b: 헤더 44: CO2 순환로45a, 45b, 71: 압력 조정부 46a, 46b: 압력 센서47a, 47b, 71c: 제어 장치 48a, 48b: 압력 조정 밸브50a, 50b: 드레인 팬 51a, 51b: 드레인 배출관52a, 52b, 65a, 65b: 바이패스관 53a, 53b, 54a, 54b: 전자 개폐 밸브56: 냉각수 분기 회로 58: 열교환기60: 브라인 회로61a, 61b, 63a, 63b, 64a, 64b: 브라인 분기 회로66a, 66b, 67a, 67b, 68a, 68b, 80a, 80b: 유량 조정 밸브69a, 69b: 유로 전환부 70: 리시버72: 브라인 펌프 74, 76: 온도 센서82a, 82b: 보조 가열용 전기 히터 84: 중간 냉각기86: 중간 팽창 밸브 88a: 고원 압축기88b: 저원 압축기 90: 밀폐식 냉각 가열 유닛91: 밀폐식 가열탑 92: 팽창 탱크a: 외기 b: 브라인c: 고내 공기
냉동고의 내부에 설치되고, 케이싱의 내부에 고저차를 갖고 배치된 열교환관, 및 상기 열교환관의 하방에 설치된 드레인 받이부를 갖는 냉각기와, CO2 냉매를 냉각 액화하기 위한 냉동기와, 상기 냉동기에서 냉각 액화한 CO2 냉매를 상기 열교환관에 순환시키는 냉매 회로와, 상기 열교환관의 입구로와 출구관 사이에 접속되고, 상기 열교환관을 포함하는 CO2 순환로를 형성하기 위한 바이패스관과, 상기 열교환관의 입구로 및 출구로에 설치되고, 디프로스트시에 닫아 상기 CO2 순환로를 폐회로로 하기 위한 개폐 밸브와, 디프로스트시에 상기 폐회로를 순환하는 CO2 냉매를 압력 조정하기 위한 압력 조정부와, 상기 냉각기의 내부에서 상기 열교환관의 하부 영역에 인접 배치되고, 상기 열교환관의 하부 영역에 상기 브라인으로 상기 열교환관을 순환하는 CO2 냉매를 가열하는 제1 열교환부를 형성하는 제1 도설로를 포함하는 브라인 회로를 구비하고, 디프로스트시에 상기 폐회로로 CO2 냉매를 서모사이펀 작용에 의해 자연 순환시킨다.
[ 발명의 명칭 ] 검사 방법 및 장치, 및 리소그래피 장치INSPECTION METHOD AND APPARATUS, AND LITHOGRAPHIC APPARATUS [ 기술분야 ] 본 출원은 2014년 12월 18일에 출원된 유럽 특허 13198051.8의 이익을 주장하며, 이는 본 명세서에서 전문이 인용 참조된다.본 발명은, 예를 들어 리소그래피 기술에 의한 디바이스 제조에 이용가능한 검사 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 다이의 일부분, 한 개 또는 수 개의 다이를 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 알려진 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"-방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.리소그래피 공정을 모니터링하기 위해, 패터닝된 기판의 파라미터들이 측정된다. 파라미터들은, 예를 들어 패터닝된 기판 내에 또는 기판 상에 형성된 연속한 층들 간의 오버레이 오차, 및 현상된 감광성 레지스트의 임계 선폭을 포함할 수 있다. 이 측정은 제품 기판(product substrate) 및/또는 지정된 메트롤로지 타겟(dedicated metrology target) 상에서 수행될 수 있다. 리소그래피 공정들에서 형성된 미세한 구조체들의 측정을 수행하기 위해, 주사 전자 현미경 및 다양한 특수 툴의 사용을 포함하는 다양한 기술들이 존재한다. 고속 및 비파괴(non-invasive) 형태의 특수 검사 툴은, 기판 표면의 타겟부 상으로 방사선 빔을 지향하여, 산란되거나 반사된 빔의 특성들을 측정하는 스캐터로미터(scatterometer)이다. 빔이 기판에 의해 반사되거나 산란된 전후에 빔의 특성들을 비교함으로써, 기판의 특성들이 결정될 수 있다. 이는, 예를 들어 알려진 기판 특성들과 연계된 알려진 측정들의 라이브러리에 저장된 데이터와 반사된 빔을 비교함으로써 수행될 수 있다. 스캐터로미터의 두 가지 주요 형태가 알려져 있다. 분광 스캐터로미터(spectroscopic scatterometer)는 기판 상으로 광대역 방사선 빔을 지향하고, 특정한 좁은 각도 범위로 산란되는 방사선의 스펙트럼(파장의 함수로서 세기)을 측정한다. 각도 분해 스캐터로미터(angularly resolved scatterometer)는 단색 방사선 빔(monochromatic radiation beam)을 사용하고, 각도의 함수로서 산란된 방사선의 세기를 측정한다.시스템적 오차(systematic error)들이 리소그래피 공정들에 발생한다. 이러한 시스템적 오차들은 노광된 기판 상의 오차들에 자체적으로 나타날 수 있다. 이러한 오차들은 오버레이[층-대-층 정합(layer-to-layer registration)] 오차 및 임계 치수(최소 피처 크기) 오차를 포함한다. 이러한 오차들은 리소그래피 시스템의 파라미터들에 대하여 측정되고 모델링될 수 있다. 이 모델들은 추후 노광에서 시시스템적 오차들을 최소화하는 시스템 파라미터들에 대한 보정들을 제공하는 데 사용될 수 있다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 시스템적 오차들을 최소화하기 위해 사용될 수 있는 개선된 보정들을 제공하는 방법을 제공하는 것이 바람직하다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 하나 이상의 제품 피처들이 리소그래피 공정을 이용하여 형성된 기판의 이미지 특성을 보정하는 방법이 제공되고, 상기 방법은, 상기 기판의 상기 이미지 특성의 오차를 측정하는 단계; 및 상기 제품 피처(들) 중 하나 이상의 특성 및 측정된 오차에 기초하여 상기 제품 피처들의 후속 형성에 대한 보정들을 결정하는 단계를 포함한다.본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 하나 이상의 제품 피처들이 리소그래피 공정을 이용하여 형성된 기판을 검사하는 검사 장치가 제공되고, 상기 장치는, 기판의 이미지 특성의 오차를 측정하고, 상기 제품 피처(들) 중 하나 이상의 특성 및 측정된 오차에 기초하여 상기 제품 피처들의 후속 형성에 대한 보정들을 결정하도록 작동가능하다. [ 도면의 간단한 설명 ] 이하, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:- 도 1은 리소그래피 장치를 도시하는 도면;- 도 2는 리소그래피 셀 또는 클러스터(cluster)를 도시하는 도면;- 도 3은 제 1 스캐터로미터를 도시하는 도면;- 도 4는 제 2 스캐터로미터를 도시하는 도면;- 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 보정 방법을 도시하는 흐름도; 및- 도 6은 (a) 완벽한 경우의, (b) 알려진 보정 방법에 따른, (c) 본 발명의 일 실시예에 따른 보정 방법에 따른, 컨택 홀(contact hole)들과 정렬된 경사진 타겟 영역들을 도시한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1은 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 이 장치는:- 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL);- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및- 기판(W)의 (예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PL)을 포함한다.조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입들의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.지지 구조체는 패터닝 디바이스를 지지, 즉 그 무게를 견딘다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는 데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature) 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 대응하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 대응할 것이다.패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입, 및 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭, 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.본 명세서에 도시된 바와 같이, 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있거나, 하나 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 하나 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 적어도 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 함을 의미하는 것이라기보다는, 노광 시 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 소스가 수은 램프인 경우, 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(integrator: IN) 및 콘덴서(condenser: CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는 데 사용될 수 있다.방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 마스크(MA)를 가로질렀으면, 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PL)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상에 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)[예를 들어, 간섭계 디바이스(interferometric device), 리니어 인코더(linear encoder), 2-D 인코더(2-D encoder) 또는 용량성 센서(capacitive sensor)]의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 (도 1에 명확히 도시되지 않은) 또 다른 위치 센서는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는 데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있음]. 이와 유사하게, 마스크(MA)에 하나 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 하나에서 사용될 수 있다:1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여된 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광 시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PL)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광 시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)의 매 이동 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.도 2에 도시된 바와 같이, 리소그래피 장치(LA)는 때때로 리소셀(lithocell) 또는 클러스터라고도 칭해지는 리소그래피 셀(LC)의 일부분을 형성하며, 이는 기판에 전-노광(pre-exposure) 및 후-노광(post-exposure) 공정들을 수행하는 장치를 포함한다. 통상적으로, 이들은 레지스트 층들을 증착시키는 스핀 코터(spin coater: SC), 노광된 레지스트를 현상하는 디벨로퍼(developer: DE), 칠 플레이트(chill plate: CH) 및 베이크 플레이트(bake plate: BK)를 포함한다. 기판 핸들러 또는 로봇(RO)이 입력/출력 포트들(I/O1, I/O2)로부터 기판들을 집어올리고, 기판들을 상이한 공정 장치들 사이로 이동시킨 후, 리소그래피 장치의 로딩 베이(loading bay: LB)로 전달한다. 흔히 집합적으로 트랙이라고도 하는 이러한 디바이스들은, 리소그래피 제어 유닛(LACU)을 통해 리소그래피 장치를 제어하는 감독 제어 시스템(supervisory control system: SCS)에 의해 자체 제어되는 트랙 제어 유닛(TCU)의 제어를 받는다. 따라서, 스루풋과 처리 효율성을 최대화하기 위해 상이한 장치가 작동될 수 있다.리소그래피 장치에 의해 노광되는 기판들이 정확하고 일관성있게(consistently) 노광되기 위해서는, 후속한 층들 간의 오버레이 오차, 라인 두께, 임계 치수(CD) 등과 같은 특성들을 측정하도록 노광된 기판들을 검사하는 것이 바람직하다. 오차가 검출되는 경우, 특히 검사가 동일한 뱃치(batch)의 다른 기판들이 여전히 노광되도록 충분히 빠르게 행해질 수 있다면, 후속한 기판들의 노광에 대해 조정이 수행될 수 있다. 또한, 이미 노광된 기판들은 벗겨지고 재가공되어 - 수율을 개선하거나 - 폐기될 수 있음에 따라, 결함이 있다고 알려진 기판들에 노광을 수행하지 않는다. 기판의 몇몇 타겟부들에만 결함이 있는 경우, 양호한 타겟부들에만 추가 노광이 수행될 수 있다.기판들의 특성을 결정하고, 특히 상이한 기판들 또는 동일한 기판의 상이한 층들의 특성들이 층에서 층으로 어떻게 변하는지를 결정하기 위해, 검사 장치가 사용된다. 검사 장치는 리소그래피 장치(LA) 또는 리소셀(LC) 안으로 통합될 수 있거나, 독립형 디바이스(stand alone device)일 수 있다. 가장 신속한 측정을 가능하게 하기 위하여, 검사 장치는 노광 직후에 노광된 레지스트 층의 특성들을 측정하는 것이 바람직하다. 하지만, 레지스트의 잠상(latent image)은 매우 낮은 콘트라스트(contrast)를 갖고 - 방사선에 노출된 레지스트 부분들과 방사선에 노출되지 않은 레지스트 부분들 사이에는 매우 작은 굴절률 차이만이 존재함 -, 모든 검사 장치가 잠상의 유용한 측정을 행할만큼 충분한 민감도를 갖는 것은 아니다. 그러므로, 레지스트의 노광된 부분들과 노광되지 않은 부분들 사이의 콘트라스트를 증가시키며, 통상적으로 노광된 기판들에 수행되는 제 1 단계인 후-노광 베이크(PEB) 단계 이후에 측정들이 행해질 수 있다. 이 스테이지에서, 레지스트의 이미지는 반-잠상(semi-latent)이라고 칭해질 수 있다. 또한, - 레지스트의 노광된 부분들 또는 노광되지 않은 부분들이 제거된 시점에 - 또는 에칭과 같은 패턴 전사 단계 후에, 현상된 레지스트 이미지의 측정을 수행할 수도 있다. 후자의 가능성은 결함이 있는 기판들의 재작업 가능성을 제한하지만, 여전히 유용한 정보를 제공할 수 있다.도 3은 본 발명에서 사용될 수 있는 스캐터로미터를 도시한다. 이는 기판(W) 상으로 방사선을 투영하는 광대역(백색 광) 방사선 투영기(2)를 포함한다. 반사된 방사선은 정반사된 방사선(specular reflected radiation)의 스펙트럼(10)(파장의 함수로서 세기)을 측정하는 분광계 검출기(spectrometer detector: 4)로 통과된다. 이 데이터로부터, 검출된 스펙트럼을 발생시킨 구조 또는 프로파일이 처리 유닛(PU)에 의해, 예를 들어 RCWA(Rigorous Coupled Wave Analysis) 및 비-선형 회귀(non-linear regression)에 의해, 또는 도 3의 아래에 도시된 시뮬레이션된 스펙트럼의 라이브러리와의 비교에 의해 재구성될 수 있다. 일반적으로, 재구성을 위해 구조체의 일반적인 형태가 알려지며, 스캐터로메트리 데이터로부터 결정될 구조체의 소수의 파라미터들만을 제외하고는, 구조체가 만들어진 공정의 정보로부터 몇몇 파라미터들이 가정된다. 이러한 스캐터로미터는 수직 입사 스캐터로미터(normal-incidence scatterometer) 또는 사선 입사 스캐터로미터(oblique-incidence scatterometer)로서 구성될 수 있다.본 발명과 함께 사용될 수 있는 또 다른 스캐터로미터가 도 4에 도시된다. 이 디바이스에서, 방사선 소스(2)에 의해 방출된 방사선은 렌즈 시스템(12)을 이용하여 시준되고, 간섭 필터(interference filter: 13) 및 편광기(polarizer: 17)를 통해 전달되며, 부분 반사 표면(16)에 의해 반사되고, 바람직하게는 적어도 0.9, 더 바람직하게는 적어도 0.95의 높은 개구수(NA)를 갖는 현미경 대물 렌즈(15)를 통해 기판(W) 상으로 포커스된다. 침지 스캐터로미터는 심지어 개구수가 1보다 큰 렌즈들을 가질 수 있다. 그 후, 산란 스펙트럼이 검출되게 하기 위해, 반사된 방사선은 부분 반사 표면(16)을 통해 검출기(18) 안으로 투과된다. 검출기는 렌즈 시스템(15)의 초점 길이에 있는 후방-투영된(back-projected) 퓨필 평면(11)에 위치될 수 있지만, 그 대신 퓨필 평면은 보조 광학기(도시되지 않음)를 이용하여 검출기 상에 재-이미징(re-image)될 수 있다. 퓨필 평면은, 방사선의 반경방향 위치(radial position)가 입사각을 정의하고 각도 위치가 방사선의 방위각(azimuth angle)을 정의하는 평면이다. 검출기는 기판 타겟(30)의 2-차원 각도 산란 스펙트럼이 측정될 수 있도록 2-차원 검출기인 것이 바람직하다. 검출기(18)는, 예를 들어 CCD 또는 CMOS 센서들의 어레이일 수 있으며, 예를 들어 프레임당 40 밀리초(millisecond)의 통합 시간(integration time)을 이용할 수 있다.예를 들어, 입사 방사선의 세기를 측정하기 위해, 흔히 기준 빔이 사용된다. 이를 행하기 위하여, 방사선 빔이 빔 스플리터(16)에 입사될 때, 그 일부분이 기준 빔으로서 빔 스플리터를 통해 기준 거울(14)로 투과된다. 그 후, 기준 빔은 동일한 검출기(18)의 상이한 부분 상으로, 또는 대안적으로 상이한 검출기(도시되지 않음) 상으로 투영된다.가령 405 내지 790 nm의 범위, 또는 200 내지 300 nm와 같이 훨씬 낮은 범위에서 관심 파장(wavelength of interest)을 선택하기 위해, 간섭 필터들(13)의 세트가 이용될 수 있다. 간섭 필터는 상이한 필터들의 세트를 포함하기보다는 조절가능(tunable)할 수 있다. 간섭 필터들 대신에, 격자가 사용될 수 있다.검출기(18)는 단파장(또는 협파장 범위)에서의 산란 광의 세기, 다수 파장들에서의 별도 세기, 또는 파장 범위에 걸쳐 통합된 세기를 측정할 수 있다. 또한, 검출기는 횡자기(transverse magnetic)- 및 횡전기(transverse electric)-편광의 세기, 및/또는 횡자기- 및 횡전기-편광 간의 위상차를 따로 측정할 수 있다.광대역 광 소스(즉, 광범위한 광 주파수들 또는 파장들 - 및 이에 따른 컬러들을 갖는 광 소스)를 이용할 수 있으며, 이는 넓은 에텐듀(etendue)를 제공하여 다수 파장들의 혼합(mixing)을 허용한다. 광대역에서의 복수의 파장들은, 바람직하게는 각각 Δλ의 대역폭 및 적어도 2Δλ(즉, 대역폭의 두 배) 이상의 간격을 갖는다. 방사선의 수 개의 "소스들"은 섬유 다발(fiber bundle)을 이용하여 분할(split)되었던 연장된 방사선 소스의 상이한 부분들일 수 있다. 이러한 방식으로, 각도 분해된 산란 스펙트럼들이 다수 파장들에서 병렬로(in parallel) 측정될 수 있다. 2-D 스펙트럼보다 더 많은 정보를 포함하는 3-D 스펙트럼(파장 및 2 개의 상이한 각도들)이 측정될 수 있다. 이는 메트롤로지 프로세스 견고성(metrology process robustness)을 증가시키는 더 많은 정보가 측정되게 한다. 이는 EP1,628,164A에서 더 상세히 설명되어 있다.기판(W)의 타겟(30)은 현상 이후에 바아(bar)들이 솔리드 레지스트 라인들(solid resist lines)로 형성되도록 프린트되는 주기적인 1-D 격자일 수 있다. 타겟(30)은 현상 이후에 격자가 레지스트 내에 솔리드 레지스트 필라(pillar) 또는 비아(via)들로 형성되도록 프린트되는 2-D 격자일 수 있다. 대안적으로, 바아, 필라 또는 비아들은 기판 내로 에칭될 수 있다. 이 패턴은 리소그래피 투영 장치, 특히 투영 시스템(PL)의 색수차(chromatic aberrations) 및 조명 대칭성에 민감하며, 이러한 수차들의 존재는 프린트된 격자의 변동에서 자체적으로 나타날 것이다. 따라서, 프린트된 격자의 스캐터로메트리 데이터가 격자들을 재구성하는 데 사용된다. 프린팅 단계 및/또는 다른 스캐터로메트리 공정들의 지식으로부터, 라인 폭 및 형상과 같은 1-D 격자의 파라미터들, 또는 필라나 비아의 폭 또는 길이 또는 형상과 같은 2-D 격자의 파라미터들이 처리 유닛(PU)에 의해 수행되는 재구성 프로세스에 입력될 수 있다.앞서 설명된 바와 같이, 타겟은 기판의 표면 상에 있다. 이 타겟은 흔히 2-D 어레이로 실질적으로 직사각형인 구조체들 또는 격자들 내에서 일련의 라인들의 형상을 취할 것이다. 메트롤로지에서의 엄밀한 광학 회절 이론(rigorous optical diffraction theory)들의 목적은, 사실상 타겟으로부터 반사되는 회절 스펙트럼의 계산이다. 다시 말하면, CD(임계 치수) 균일성 및 오버레이 메트롤로지에 대하여 타겟 형상 정보가 얻어진다. 오버레이 메트롤로지는, 기판 상의 두 층들이 정렬되는지의 여부를 결정하기 위해 두 타겟들의 오버레이가 측정되는 측정 시스템이다. CD 균일성은 단순히 리소그래피 장치의 노광 시스템이 어떻게 기능하고 있는지를 결정하는 스펙트럼에 대한 격자의 균일성의 측정이다. 구체적으로, CD 또는 임계 치수는 기판 상에 "기록되는(written)" 대상물의 폭이며, 리소그래피 장치가 기판 상에 물리적으로 기록할 수 있는 한계이다.타겟(30) 및 그 회절 특성들과 같은 타겟 구조체의 모델링과 조합하여 앞서 설명된 스캐터로메트리들 중 하나를 이용함으로써, 이미지 특성들의 측정이 다수의 방식들로 수행될 수 있다. 이러한 측정들은 이러한 이미지 특성들의 시스템적 오차들을 보정하는 데 사용될 수 있다. 이러한 보정들이 만들어지는 이미지 특성들은 (앞서 설명된 바와 같은) CD 및/또는 오버레이, 및/또는 리소그래피 공정의 다른 이미지 특성을 포함할 수 있다.이러한 방법은 다음의 단계들을 포함할 수 있다:1) 테스트 노광을 수행하는 단계. 테스트 노광은 다수의 타겟들을 포함할 수 있고, 각각은 x 및 y로 이미지 특성 오차를 갖는다. 이 오차는 각각의 타겟에 대해 측정된다. 테스트 노광은 보정들을 결정하기 위해 특정적으로 수행되는 노광일 수 있다. 대안적으로, 이전에 노광된 생산 로트(production lot)들로부터의 측정 데이터가 (자동화된 피드백 루프에서) 후속 로트들에 대한 보정들을 결정하는 데 사용될 수 있다.2) 시스템 모델을 정의하는 단계. 모델은 하나 이상의 시스템 파라미터들의 함수로서 다음 노광 중에 타겟에서 오차를 나타낼 수 있다.3) 다음 노광에 대한 최적의 보정을 유도하는 최적의 시스템 파라미터를 추산(estimate)하는 단계. 이는 시스템 모델로부터 도출되는 비용 함수(cost function)의 최소화에 의해 수행될 수 있다.4) 추후 노광에 최적의 시스템 파라미터들을 이용하는 단계.도 5는 제품 피처: 즉, 리소그래피 공정에 의해 제조되는 제품의 피처의 특성을 고려함으로써 상기의 방법을 넘어서는 개선된 방법을 나타내는 흐름도이다.단계 500에서, 테스트 노광이 수행된다. 테스트 노광은 (가능하게는 매트릭스로) N 개의 타겟들을 포함할 수 있고, 이에 의해 각각의 타겟은 (x 및 y로) 이미지 특성 오차 En(m)을 갖는다. 이 오차는 N 개의 측정된 벡터들의 세트를 산출하는 각각의 타겟에 대해 측정될 수 있고:여기서, En(m)x는 En(m)의 x 성분이고, En(m)y는 En(m)의 y 성분이다.특정 실시예에서, 측정된 오차들은 오버레이 오차들 En(OVL,m) 및/또는 CD 오차들 En(CD,m)을 포함할 수 있으며, 다음과 같다:이전과 같이, 특정 테스트 노광 대신에, 이전에 노광된 생산 로트들로부터의 측정 데이터가 사용될 수 있다.단계 510에서, 모델이 En(P)로 정의되고, 이는 적어도 하나의 시스템 파라미터 P의 함수로서 다음 노광 시 타겟 N에서의 오차 En을 나타낸다. 시스템 파라미터 P는 (예를 들어) 렌즈에 대한 k1 조정 파라미터들 및 [서보 시스템(servo system)과 같은] 동역학(dynamics)에 대한 k2 조정 파라미터들을 포함한다. 일반적으로: k1 + k2 003c#003c# N.오버레이 및/또는 CD를 보정하는 특정한 실시예에 대하여, 모델들은 다음과 같다:오버레이 오차들: En(OVL)(P), 파라미터들 P=[P1,...,PK]; CD 오차들: En(CD)(P), 파라미터들 P=[P1,...,PK].단계 520에서, 제품 피처 특성들이 평가되고, 모델에 대한 가중 인자(weight factors: Wn)들로 바뀐다(translate). 제품 피처 특성들은 (예를 들어) 요소(예컨대, 라인, 영역 또는 구조)의 방향 또는 각도, 요소의 위치, 또는 제품 내의 특정 영역들과 관련된 여하한의 피처를 포함할 수 있다. 또한, 가중 인자들은 바람직한 특성들, 예컨대 툴의 한계로 인한 바람직한 특성들을 고려할 수 있다. 예를 들면, 리소그래피 장치는 일 방향(예를 들어, x 방향)으로 더 제한된 보정 능력(correction capability)을, 다른 방향(예를 들어, y 방향)에 비해 가질 수 있다. 가중 인자들은 y 방향으로의 보정들을 선호함으로써 이 단계 동안 이를 고려할 수 있다. 명백하게, 단계 520은 이 방법의 다른 단계들보다 미리 수행될 수 있다.오버레이 및 CD에 대한 특정 참조로, 가중 인자들 Wn(OVL) 및 Wn(CD)가 제품 피처 특성들 및 바람직한 특성들로부터 결정된다.단계 530에서, 다음 노광에 대한 최적의 이미지 특성 보정을 유도하는 시스템 파라미터(P)에 대해 추산치가 만들어진다. 최적의 보정은 비용 함수에 따른 최소 총 오차를 제공하기 위해 계산된 보정일 수 있다. 비용 함수는 단계 520에서 계산된 가중 인자들을 포함한다. 이러한 방식으로, 제품 피처 특성이 추산 시 고려된다.예를 들어, 비용 함수 Jmin(Popt)의 최소치를 산출하는 P의 값을 계산하기 위해:일 실시예에서, 비용 함수는 최소 제곱 알고리즘(least squares algorithm)으로 실현될 수 있다:오버레이 및 CD의 특정 예시들을 다시 한번 고려하고, 둘 모두에 대해 함께 최소화하면(개개의 최소화가 가능함), 비용 함수는 다음과 같다:단계 540에서, 계산된 최적의 시스템 파라미터들은 다음 또는 추후 노광 시 사용된다.가중 인자로 바뀔 수 있는 제품 피처 특성의 일 예시는 제품 피처의 각도 및/또는 형상과 관련된 특성일 수 있으며; 예를 들어 오버레이 보정들에서 제품 피처에 대한 후속 피처들의 정렬을 돕기 위함이다. 매우 특정한 예시에서, 제품 피처는 x 및 y 방향들에 대해 경사진 타겟 영역을 포함할 수 있고, 제품 피처 특성은 이 경사의 각도일 수 있다. 이러한 경사진 타겟 영역들은 특정 DRAM(dynamic random access memory) 구조체들에서 발견될 수 있다.도 6은 이러한 경사진 타겟 영역 구조체를 예시한다. 이는 게이트 라인들(620) 사이에 경사진 타겟 영역들(610)을 포함하고, (x-축에 대해) 각도 φ로 경사진다. 각각의 경사진 타겟 영역(610) 상에 컨택 홀(630)이 존재한다. 경사진 타겟 영역(610)은 메모리 구조체에 대한 활성 영역일 수 있으며, 이 위에 활성 영역과 비트라인을 연결시키기 위해 컨택 홀(630)이 프린트된다. 이러한 구조체에 대해, 컨택 홀(630)의 실제 위치는 그 경사진 타겟 영역(610)에 대한 위치보다 덜 중요하다. 주요 기준은 컨택 홀(630)과 경사진 타겟 영역(610)의 오버랩이 최대화되는 것이다[컨택 홀(630)이 2 개의 게이트 라인들(620) 중 하나에 너무 가깝게 치우치지 않도록 보장한다].도 6(a)는 각각의 컨택 홀(630)이 그 대응하는 경사진 영역(610)의 중심에 정렬되고 0의 오버레이 오차로 게이트 라인들(620)의 각각에 대해 등거리인 이상적인 경우를 예시한다. 하지만, 이러한 이상적인 경우는 현실적이지 않다.도 6(b)는 제품 피처 특성들에 기초하여 여하한의 가중 없이 오차 보정을 이용하는 것으로부터 얻어진 일 예시를 나타낸다. 그 결과로, 전체 필드에 걸쳐 오버레이 오차들에 대해 비용 함수가 최소화된다. 컨택 홀(630) 위치에 대한 보정들은 모든 방향들로 있고, 그러므로 컨택 홀(630) 및 경사진 타겟 영역(610)의 오버레이가 최적화되지 않는다.도 6(c)는 본 발명의 일 실시예에 따른 방법이 사용된 일 예시를 나타낸다. 여기서, 오차들은 경사진 타겟 영역(610)에 수직인 방향으로 최소화되었고, 경사진 타겟 영역(610)에 평행한 방향으로의 오차들은 덜 임계적인 것으로 여겨진다. 이는 컨택 홀(630)이 경사진 타겟 영역(610)과 양호한 정합을 유지하도록 하는 경향을 유도한다. 이는 가중 인자 Wn을 적용함으로써 행해질 수 있으며, 이는 경사진 타겟 영역(610)에 수직인 방향으로 존재하는 여하한의 오차들을 유도하는 해결책들보다 경사진 타겟 영역(610)에 평행한 방향으로 존재하는 여하한의 오차들을 유도하는 비용 함수에 대한 해결책들을 선호한다. 가중 인자는 경사진 피처에 수직 및 수평 방향들로 좌표 변환을 적용함으로써 이를 달성할 수 있다:, 이때 대안으로서 극좌표계(polar coordinate system)가 사용될 수 있다.경사진 각도로부터 y 오프셋 프로파일을 도출하는 또 다른 방법은 측정된 x 잔차(residual)에 tan φ를 곱하는 단계를 포함할 수 있다.대안적으로 또는 조합하여, 제품 피처 특성은 수 개의 구역들을 포함하는 프로파일과 관련될 수 있다. 이러한 구역들은 n에 의존적인 가중 인자를 만듦으로써 고려될 수 있으며, n은 구역들과 상호관련된다.추가적으로, 가중 인자는 측정된 파라미터들에 의존적으로 만들어질 수 있다. 특정 필드 위치에서 측정된 CD가 더 큰 경우, 더 많은 오버레이 공차(overlay tolerance)가 그 위치에서 허용될 수 있다. 이는, En(CD,m)이 더 큰 경우, Wn(ovl)이 비트를 더 작게 할 수 있음을 의미한다.경사지지 않은 타겟 영역들에 대해서는 y 보정들로 x 오차들의 보상이 가능하지 않음을 유의한다. 하지만, 점 대신 선을 향한 최적화는 액추에이터들이 x 및 y 사이에 커플링을 갖는다면 여전히 유익할 수 있다. 이는 y 제어의 대가(expense)로 더 타이트한 제어 x를 허용할 것이다.본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 설명된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스의 토포그래피(topography)는 기판에 생성되는 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트로부터 이동되고, 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남긴다.본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔뿐만 아니라, (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV) 방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 하나 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.
하나 이상의 제품 피처들이 리소그래피 공정을 이용하여 형성된 기판의 이미지 특성을 보정하는 방법 및 연계된 검사 장치 방법이 개시된다. 상기 방법은, 상기 기판의 상기 이미지 특성의 오차를 측정하는 단계; 및 상기 제품 피처(들) 중 하나 이상의 특성 및 측정된 오차에 기초하여 상기 제품 피처들의 후속 형성에 대한 보정들을 결정하는 단계를 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 방법 및 시스템FLEXIBLE SCREEN BEND TEST METHOD AND SYSTEM [ 기술분야 ] 본 발명은 일반적으로 유연(flexible) 장치 테스트 기술 분야에 관한 것으로, 더욱 구체적으로, 유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 유연 디스플레이는 변형가능하고 유연 디스플레이 장치는 부드러운 소재로 이루어진다. 유연 디스플레이는 종이와 같이 얇을 수 있고, 심지어 전원이 차단되면, 디스플레이 내의 내용은 사라지지 않아 유연 디스플레이는 또한 "전자 종이"로 지칭된다. 매우 가볍고 얇은 특징으로 인해, 저전력을 소모하고 변형이 가능한 유연 디스플레이는 이미 휴대용 전자 장치에 널리 사용되고 있다. 유연 디스플레이의 유연 스크린의 굽힘 성능은 유연 디스플레이의 품질에 영향을 주므로, 유연 스크린의 굽힘 성능에 대한 평가하는 즉, 유연 스크린에 압출 굽힘 테스트를 수행한 후에 유연 스크린의 굽힘 성능을 검출할 필요성이 있다.드럼형(drum-type) 굽힘 장치는 유연 스크린을 기계적으로 굽히는 종래의 유연 스크린의 굽힘 테스트 장치 및 방법에서 항상 사용된다. 구체적으로, 동일한 곡률의 복수의 드럼 또는 다른 곡률의 복수의 드럼은 유연 스크린을 굽히기 위해 상기 유연 스크린을 전달하도록 사용된다. 만약 단지 하나의 드럼이 유연 스크린을 전달하도록 사용되면, 상대 장치(relative unit)는 유연 스크린을 굽히기 위해 유연 스크린을 누르도록 요구된다. 그리고 만약 복수의 드럼이 유연 스크린을 전달하도록 사용되면, 유연 스크린이 일반적으로 복수의 드럼 상에 전달되도록 유연 스크린을 드로우(draw)하도록 드로잉 장치(drawing device)가 요구된다. 유연 스크린을 굽히고 전달하는 드럼 또는 복수의 드럼을 사용하는 것은 작업이 복잡성 및 테스트의 고비용이라는 단점을 가진다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 상기의 관점에서, 저비용인 유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 방법 및 시스템을 제공할 필요성이 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 일면에 따르면, 제공된 유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 방법은,2개의 연결 단부(two connection ends)를 형성하도록 고정 장치(fixing device)에 유연 스크린(flexible screen)을 연결하는 단계; 및 상기 고정 장치의 상기 연결 단부 사이의 거리가 상기 2개의 연결 단부 사이의 유연 스크린의 길이보다 작거나 같아지도록, 상기 고정 장치의 상기 연결 단부 사이의 거리가 변화하도록 상기 고정 장치를 이동시키는 것을 포함하는 상기 유연 스크린의 압출 테스트를 수행하는 단계;를 포함한다.일실시예로, 상기 유연 스크린에 압출 테스트를 수행하는 단계는,상기 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인을 따른 방향으로 상기 유연 스크린을 압출하는 단계; 또는상기 유연 스크린을 압출하기 위해 상기 고정 장치를 각각 서로 평행한 방향을 따라 이동시키는 단계를 포함한다.일실시예로, 상기 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인을 따른 방향으로 상기 유연 스크린을 압출하는 것은,복수의 기 설정된 크기가 제공되고 상기 기 설정된 크기로 상기 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인을 따른 방향으로 상기 고정 장치를 이동하는 것과 기 설정된 횟수로 상기 유연 스크린을 압출하는 것을 포함한다.일실시예로, 상기 유연 스크린을 압출하기 위해 상기 고정 장치를 각각 서로 평행한 방향을 따라 이동시키는 것은,상기 유연 스크린을 압출하기 위해 상기 고정 장치를 각각 서로 평행한 제1 복수 방향을 따라 이동시키는 것과, 상기 유연 스크린을 압출하기 위해 상기 고정 장치를 각각 서로 평행한 제2 복수 방향을 따라 이동시키는 것을 포함하고,상기 제1 복수 방향은 상기 제2 복수 방향과 직교이다.일실시예로, 상기 유연 스크린에 압출 테스트를 수행하는 단계는,제1 소정 횟수로 상기 유연 스크린을 압출하기 위해 소정 크기에 따라 제1 복수 방향으로 상기 고정 장치를 이동시키는 것과,제2 소정 횟수로 상기 유연 스크린을 압출하기 위해 소정 크기에 따라 제2 복수 방향으로 상기 고정 장치를 이동하는 것을 포함한다.일실시예로, 복수의 소정 크기(preset magnitudes) 및/또는 복수의 미리 설정된 크기(predetermined magnitudes) 가 있다.일실시예로, 상기 2개의 연결 단부가 상기 유연 스크린의 반대편 상에 각각 위치하고, 상기 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인은 상기 유연 스크린의 측면에 직교한다.본 발명의 다른 면에 따르면, 제공된 유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 시스템은 2개의 연결 단부를 형성하도록 유연 스크린에 연결되도록 구성된 고정 장치; 및상기 고정 장치의 상기 연결 단부 사이의 거리가 상기 2개의 연결 단부 사이의 유연 스크린의 길이보다 작거나 같아지도록, 상기 고정 장치의 상기 연결 단부 사이의 거리가 변화하도록 상기 고정 장치를 이동시키도록 구성된 압출 장치;를 포함한다.일실시예로, 상기 고정 장치는, 각각 2개의 연결 단부를 형성하도록 상기 유연 스크린의 반대편에 연결된 제1 클램프 및 제2 클램프를 포함한다.일실시예로, 상기 압출 장치는,고정 지지부재;제1 인장 로드의 일단 및 제2 인장 로드의 일단은 제1 클램프 및 제2 클램프에 각각 연결된 신축성(stretchable)의 제1 인장 로드(tension rod) 및 신축성의 제2 인장 로드;상기 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인을 따른 방향으로 상기 유연 스크린을 압출하거나, 상기 유연 스크린을 압출하기 위해 서로 평행한 방향으로 상기 고정 장치를 각각 이동시킬 수 있도록 제1 인장 로드 및 제2 인장 로드의 각각의 길이가 늘어나도록 제어하기 위하여, 상기 고정 지지부재에 제공되고, 상기 고정 지지부재에 상대적으로 이동 가능하도록 구성되며, 제1 인장 로드의 타단 및 제2 인장로드의 타단에 각각 연결된 제1 베이스 및 제2 베이스;를 포함한다.일실시예로, 상기 제1 클램프 및 상기 제2 클램프는 상기 제1 인장 로드 및 상기 제2 인장 로드 각각에 이동 가능하도록 연결된다.상기 유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 방법 및 시스템은 2개의 연결 단부(two connection ends)를 형성하도록 고정 장치(fixing device)에 유연 스크린(flexible screen)을 연결하고, 그리고 유연 스크린에 압출 테스트를 수행하기 위해 상기 고정 장치의 상기 연결 단부 사이의 거리가 상기 2개의 연결 단부 사이의 유연 스크린의 길이보다 작거나 같아지도록, 상기 고정 장치의 상기 연결 단부 사이의 거리가 변화하도록 상기 고정 장치를 이동시킨다. [ 발명의 효과 ] 유연 스크린에 압출 테스트를 수행하는 고정 장치를 움직임으로써 유연 스크린의 작업 환경을 시뮬레이트하는 본 발명에 따른 유연 스크린의 굽힘을 위한 상기 방법 및 시스템은 종래의 유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 방법 및 장치와 비교할 때 테스트 비용이 줄어든다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명이 일실시예에 따른 유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 방법을 도시한 흐름도이다.도 2a 내지 2c는 본 발명의 일실시예에 따른 유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 시스템의 작동을 도시한 개략도이다.도 3a 내지 3c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 시스템의 작동을 도시한 개략도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 다음의 발명의 상세한 설명에서, 그 일부를 형성하는 첨부 도면을 이용하여 참조되며, 본 발명의 실시될 수 있는 특정 실시예를 기술하는 방법으로 나타내어 진다. 개시된 실시예의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 다른 실시예가 사용될 수 있으며 구조적인 변경이 가해질 수 있는 것으로 이해된다.특징 또는 구성요소가 다른 특징 또는 구성요소 "상에" 존재한다고 언급된 경우, 그것은 다른 특징 또는 구성요소 상에 직접 존재하거나 또는 중간 특징 및/또는 구성요소가 또한 존재할 수 있다. 반대로, 특징 또는 구성요소가 다른 특징 또는 구성요소 "직접적으로 상에"존재한다고 기재된 경우, 중간 특징 및/또는 구성요소는 존재하지 않는다. 특징 또는 구성요소가 다른 특징 또는 구성요소에 "연결된", "부착된" 또는 "결합된" 상태로 언급된 경우, 그것은 다른 특징 또는 구성요소에 직접적으로 연결된, 부착된 또는 결합된 상태이거나, 중간 특징 또는 구성요소가 존재할 수 있다. 반대로, 특징 또는 구성요소가 다른 특징 또는 구성요소에 "직접적으로 연결된", "직접적으로 부착된"또는 "직접적으로 결합된" 상태인 경우, 중간 특징 또는 구성요소는 존재하지 않는다. 비록 하나의 실시예에 대해 묘사되거나 또는 도시되더라도, 묘사되거나 또는 도시된 특징 및 구성요소는 다른 실시예에 적용할 수 있다. 구조 또는 특징이 다른 특징과 "인접한" 배치라는 언급은 인접한 특징을 중복 또는 아래에 놓인 부분을 가지고 있다는 것으로 해당 기술분야의 당업자에게 이해될 것이다.본 발명에서 사용된 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위한 목적이며, 본 발명을 한정하는 의도로 사용된 것이 아니다. 예를 들어, 여기서 사용된 바와 같이, 단수인 "하나"및 "그"는 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는다면, 복수의 표현을 포함한 것으로 의도된다. 본 명세서에 용어 "포함하는" 및/또는 "포함"이 사용된 경우, 진술된 특징, 단계, 동작, 구성요소, 및/또는 컴포넌트의 존재 구체화한 것이며, 하나 또는 그 이상의 다른 특징, 단계, 동작, 구성요소, 및/또는 컴포넌트 및/또는 이들의 그룹의 존재 또는 추가를 배제하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 여기서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 하나 또는 그 이상의 연관이 있는 열거된 항목의 모든 조합을 포함하고, "/"로 약칭될 수 있다.도1에 도시된 바와 같이, 유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 방법은 2개의 연결 단부를 형성하도록 고정 장치에 유연 스크린을 연결하는 단계 S110를 포함한다. 유연 스크린은 고정 장치와 선 연결 또는 면 연결과 같이 연결점(point connection)으로 연결될 수 있고, 그리고 대응되게 고정 장치에 형성된 2개의 연결 단부는 연결점, 연결선 또는 연결면일 수 있다.일실시예로, 2개의 연결 단부는 각각 유연 스크린의 반대편에 위치하고, 그리고 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인은 유연 스크린의 측면에 직교한다. 이러한 방법으로, 유연 스크린에 압출 테스트를 수행할 때, 압출 테스트의 효율성을 향상시키고 불균일한 힘에 의해 야기되는 유연 스크린의 가능한 손상을 방지하도록 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인의 양측면 상의 유연 스크린의 일부분이 균일하게 힘을 받을 수 있음을 보장할 수 있다.유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 방법은 고정 장치의 연결 단부 사이의 거리가 2개의 연결 단부 사이의 유연 스크린의 길이보다 작거나 같아지도록, 고정 장치의 연결 단부 사이의 거리가 변화하도록 고정 장치를 이동시키는 것을 포함하는 상기 유연 스크린의 압출 테스트를 수행하는 단계 S120를 포함한다.유연 스크린에 압출 테스트를 수행하고, 유연 스크린의 실제 적용 환경을 시뮬레이트한다.일실시예로, 유연 스크린에 압출 테스트를 수행하는 것은 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인을 따른 방향으로 유연 스크린을 압출하는 것; 또는 유연 스크린을 압출하기 위해 상기 고정 장치를 각각 서로 평행한 방향으로 이동시키는 것을 포함한다. 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인을 따라 유연 스크린을 압출하는 것은 유연 스크린을 굽힐 수 있다. 상상되는 바와 같이, 유연 스크린은 일순간 "U"의 곡선 형상이 될 수 있다. 게다가, 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인을 따른 방향으로 유연 스크린을 압출하는 것은 복수의 기 설정된 크기가 제공된 경우 기 설정된 크기로 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인을 따라 고정 장치를 이동시키는 것과 기 설정된 횟수로 유연 스크린을 압출하는 것을 포함한다. 즉, 일실시예로, 고정 장치는 다른 기 설정된 크기로 유연 스크린을 압출하도록 이동될 수 있고, 그리고 이는 유연 스크린의 실제 적용 환경에 더욱 부합하고 테스트의 정확도를 향상시킬 수 있다.유연 스크린을 압출하기 위해 고정 장치를 서로 평행한 방향을 따라 이동 시키기 때문에, 유연 스크린을 굽혀 유연 스크린을 압출하기 위해 평행 수평 방향(parallel horizontal directions), 수직 방향 또는 다른 방향을 따라 고정 장치는 이동될 수 있다. 압출 방향이 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인의 방향과 같을 때, 유연 스크린은 "U"의 곡선 형상일 수 있다; 그리고 압출의 방향이 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인의 방향과 다른 경우 유연 스크린은 "S" 곡선 형상일 수 있다. 일실시예로, 유연 스크린은 다른 곡면 형상으로 압출될 수 있고, 이는 또한 유연 스크린의 실제 적용 환경의 시뮬레이션을 향상시키고 그리고 테스트의 정확도를 더욱 향상시킬 수 있다.일실시예로, 유연 스크린을 압출하기 위해 고정 장치를 각각 서로 평행한 방향을 따라 이동시키는 것은 유연 스크린을 압출하기 위해 고정 장치를 각각 서로 평행한 제1 복수 방향을 따라 이동시키는 것과, 그리고 유연 스크린을 압출하기 위해 고정 장치를 각각 서로 평행한 제2 복수 방향을 따라 이동시키는 것을 포함한다. 일실시예로, 제1 복수 방향은 제2 복수 방향에 직교이고, 그리고 이 경우에, 이는 작동을 단순화하고 유연 스크린을 압출할 때 효율성이 향상된다. 제1 복수 방향 및 제2 복수 방향은 확정하지 않는 것이 적절할 수 있다. 예를 들어, 제1 복수 방향 및 제2 복수 방향은 모두 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인에 따른 방향과 동일하지 않고, 고정 장치가 유연 스크린을 압출하기 위해 제1 복수 방향으로 이동할 때, 유연 스크린은 "S" 곡선 형상일 수 있다. 고정 장치는 제1 복수 방향으로 유연 스크린이 압출되었을 때 유연 스크린을 압출하도록 제2 복수의 방향으로 이동될 수 있다; 또는 고정 장치는 제1 복수 방향으로 압출된 후 유연 스크린이 초기 상태로 복원되었을 때 유연 스크린을 압출하도록 제2 복수 방향으로 이동될 수 있다. 전자의 경우, 유연 스크린은 "S" 곡선 형상인 경우에 다른 방향을 따라 압출될 수 있고, 그리고 유연 스크린의 굽힘 반경(bending radius)은 변경된다. 후자의 경우, 유연 스크린은 유연 스크린이 "S" 곡선 형상으로 압출된 상태부터 초기 상태까지 복원된 후에 다시 "S" 곡선 형상으로 다른 방향을 따라 압출된다. 어느 경우에나, 유연 스크린의 실제 적용 환경에 더욱 부합하고, 그리고 테스트의 정확도를 향상시키도록 유연 스크린의 압출 방법의 다양성은 증가된다.게다가, 유연 스크린에 압출 테스트를 수행하는 것은 제1 소정 횟수로 유연 스크린을 압출하도록 소정 크기로 제1 복수 방향을 따라 고정 장치를 이동하는 것과, 제2 소정 횟수로 유연 스크린을 압출하도록 기 설정된 크기로 제2 복수 방향을 따라 고정 장치를 이동하는 것을 포함한다. 유연 스크린은 유연 스크린의 시제 적용 환경에 더욱 부합할 수 있도록 복수의 횟수로 제1 복수 방향 및 제2 복수 방향으로 압출될 수 있다. 게다가, 복수의 소정 크기 및/또는 복수의 기 설정된 크기가 있다. 예를 들어, 복수의 소정 크기(preset magnitude) 및 복수의 기 설정된(predetermined magnitude) 크기가 있고, 소정 크기들은 크기A, 크기 B, 크기 C을 포함하고, 그리고 기 설정된 크기들은 크기A', 크기 B', 크기 C'을 포함한다. 모든 소정 크기가 복수의 기 설정된 크기에 대응하면, 유연 스크린은 제1 소정 횟수로 크기 A이고 제1 복수 방향을 따라 압출될 수 있고, 그리고 유연 스크린은 제2 소정 횟수로 각각 크기 A', 크기 B' 및 크기 C' 중 적어도 2개이고 제2 복수 방향을 따라 압출될 수 있다. 유사하게, 유연 스크린이 제1 소정 횟수로 크기 B 또는 C이고 제1 복수 방향에 따라 압출된 후에, 유연 스크린은 각각 크기 A', 크기 B' 및 크기 C' 중 적어도 2개이고 제2 복수 방향에 따라 압출될 수 있다. 유연 스크린이 제1 복수 방향 및 제2 복수 방향에 따라 다른 크기로 압출되는 것은 유연 스크린의 실제 적용 환경에 더욱 부합하고, 테스트의 정확도를 향상시킨다. 일 실시예로, 유연 스크린에 압출 테스트를 수행하는 것은 유연 스크린을 "U" 곡선 형상으로 굽히기 위해, 기 설정된 횟수로 유연 스크린을 압출하도록 기 설정된 크기로 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인을 따른 방향으로 고정 장치를 움직이는 것; 유연 스크린을 "S" 곡선 형상으로 굽히기 위해, 제1 소정 횟수로 유연 스크린을 압출하도록 소정 크기로 제1 복수 방향을 따라 고정 장치를 각각 움직이는 것; 및 그리고 제2 소정 횟수로 유연 스크린을 압출하도록 기 설정된 크기로 제2 복수 방향으로 고정 장치를 움직이는 것을 포함한다. 상기 유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 방법은 2개의 연결 단부를 형성하도록 고정 장치에 유연 스크린을 연결하고, 그리고 고정 장치의 연결 단부 사이의 거리가 2개의 연결 단부 사이의 유연 스크린의 길이보다 작거나 같아지도록, 고정 장치의 연결 단부 사이의 거리가 변화하도록 고정 장치를 이동시키는 것을 포함하는 유연 스크린의 압출 테스트를 수행한다. 유연 스크린에 압출 테스트를 수행하는 고정 장치를 이동시킴으로써 유연 스크린의 작동 환경을 시뮬레이트하는 상기 방법은 유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 종래의 방법 및 장치와 비교할 때 테스트 비용을 감소할 수 있다.일실시예로, 단계 S120 이후에 유연 스크린이 굽힘 테스트를 위한 방법은 유연 스크린에 성능 검출을 수행하는 단계를 더 포함한다.유연 스크린에 성능 검출을 수행하는 단계는 유연 스크린에 압출 테스트를 수행한 후에 유연 스크린의 기계적 신뢰성을 검출하는 것을 포함한다. 유연 스크린의 기계적 신뢰성을 검출하는 것은 압출 테스트 후에 유연 스크린에 손상 정도를 검출하는 것이다. 구체적으로, 유연 스크린은 스캐너(scanner)에 의해 스캔되고 검출될 있고, 그리고 유연 스크린은 예를 들어, 검출 결과를 얻은 후에 손상의 정도에 따라 좋은 제품, 자격을 갖춘 제품, 결함 있는 제품으로 분류될 수 있다. 그러면 유연 스크린은 그것의 기계적 신뢰성의 레벨로 태그(tagged)될 수 있다. 유연 스크린에 성능 검출을 수행하는 단계는 유연 스크린에 압출 테스트를 수행할 때 또는 유연 스크린에 압출 테스트를 수행한 후에 유연 스크린의 광학적 신뢰성 및/또는 전기적 신뢰성을 검출하는 것을 더 포함한다.예를 들어, 광학적 신뢰성 및 전기적 신뢰성이 검출되는 일실시예로, 광학 신뢰성은 광원을 유연 스크린에 조사함으로써 유연 스크린의 광 투과율(light transmittance)을 검출함으로써 검출되고, 그리고 전기적 신뢰성은 유연 스크린 내 반도체 소자의 전기적 파라미터를 검출함으로써 검출되며, 구체적으로, 반도체 파라미터 테스터기(parameter tester)를 유연 스크린 내 반도체 소자에 연결하는 것을 포함하며, 굽힘 전 및 후로 전기적 파라미터의 변화를 평가하고 전기적 파라미터 테스트를 수행하는 것을 포함한다.유연 스크린의 성능 검출은 유연 스크린의 기계적 신뢰성, 광학적 신뢰성 및 전기적 신뢰성의 검출의 하나 또는 그 이상일 수 있다.도 2a에 도시된 바와 같이, 유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 시스템은 또한 고정 장치(미도시됨) 및 압출 장치 200을 포함하도록 제공된다. 고정 장치는 2개의 연결 단부를 형성하도록 유연 스크린 300에 연결되도록 구성된다.유연 스크린은 연결점(point connection), 연결선(line connection) 또는 연결면(face connection)에서 고정 장치 300과 연결될 수 있고, 그리고 대응되게, 고정 장치 상에 형성된 2개의 연결 단부는 연결점, 연결선 또는 연결면일 수 있다.제1 클램프 및 제2 클램프를 포함하는 고정 장치는 2개의 연결 단부를 형성하도록 각각 유연 스크린의 반대편에 연결되게 구성된다. 일실시예로, 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인은 유연 스크린 300의 측면에 직교이다. 이러한 방법으로, 유연 스크린에 압출 테스트를 수행할 때, 압출 테스트의 효율성을 향상시키고 불균일한 힘에 의해 야기되는 유연 스크린의 가능한 손상을 방지하도록, 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인의 양측면 상의 유연 스크린의 일부분이 균일하게 힘을 받을 수 있음을 보장할 수 있다.압출 장치 200는 유연 스크린 300의 압출 테스트를 수행하고 그리고 유연 스크린의 실제 적용 환경을 시뮬레이트하기 위하여, 고정 장치의 연결 단부 사이의 거리가 2개의 연결 단부 사이의 유연 스크린의 길이보다 작거나 같아지도록, 고정 장치의 연결 단부 사이의 거리가 변화하도록 고정 장치를 이동하도록 구성된다.일실시예로, 압출 장치는 고정 지지부재 210, 신축성의 제1 인장 로드 220, 그리고 신축성의 제2 인장 로드 230 그리고 제1 베이스 240 및 제2 베이스 250을 포함한다. 제1 인장 로드 220의 일단 및 제2 인장 로드 230의 일단은 제1 클램프 및 제2 클램프 각각에 연결된다. 제1 클램프 및 제2 클램프는 제1 인장 로드 220 및 제2 인장 로드 230에 용접 또는 나사 연결과 같이, 일정 연결(constant connection)로 연결될 수 있다. 대안적으로, 제1 클램프 및 제2 클램프는 제1 인장 로드 220 및 제2 인장 로드 230에 예를 들어, 고정된 축을 중심으로 회전 가능한 연결 장치에 의해, 이동 가능한 연결로 연결될 수 있다. 일실시예로, 유연 스크린 300이 자유롭게 흔들리도록(swing) 제1 클램프 및 제2 클램프는 제1 인장 로드 220 및 제2 인장 로드 230에 각각 이동 가능하게 연결될 수 있다. 이러한 방법으로, 압출 테스트를 수행할 때 외부 힘(external force)에 의해 야기된 유연 스크린의 손상을 피할 수 있고, 테스트의 정확도를 향상시킬 수 있다.제1 베이스 240 및 제2 베이스 250은 고정 지지부재 210 상에 제공되고 고정 지지부재 210에 상대적으로 이동 가능한 각각 프로그램 구동 모터(programmable drive motor)의 기능이 있는 베이스 일 수 있다.일실시예로, 고정 지지부재 210은 중공 박스 도는 유사 기구(mechanism)일 수 있다. 제1 베이스 24 및 제2 베이스 250은 고정 지지부재 210의 내부의 상부 및 하부에 각각 제공될 수 있다. 구체적으로, 고정 지지부재 210의 상부 및 내부는 각각 슬라이딩 가이드 레일(slidable guide rail)이 제공될 수 있고, 그리고 제1 베이스 240 및 제2 베이스 250은 상기 슬라이딩 가이드 레일을 통해 고정 지지부재 210에 상대적으로 이동 가능할 수 있다.고정 지지부재 210 상에 제공되는 고정 지지부재 210의 구체적인 구조 및 제1 베이스 240 및 제2 베이스 250의 위치는 확정하지 않는 것으로 적절할 수 있다.제1 베이스 240 및 제2 베이스 250는 제1 인장 로드 220의 타단 및 제2 인장로드의 타단에 각각 연결되고, 그리고 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인을 따른 방향으로 유연 스크린 300을 압출하거나 또는 유연 스크린 300을 압출하기 위해 고정 장치를 각각 서로 평행한 방향을 따라 이동시키거나, 제1 인장 로드 220 및 제2 인장 로드 230 각각의 길이가 신장되게 제어하도록 구성된다.도 2a- 2c에서 도시한 바와 같이, 유연 스크린 300은 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인을 따라 압출되고, "U"의 곡선 형상으로 굽어질 수 있다. 일실시예로, 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인은 수직 방향에 있다. 게다가, 제1 베이스 240 및 제2 베이스 250은 제1 인장 로드 220 및 제2 인장 로드 230의 각각의 길이가 신장되고, 기 설정된 횟수로, 복수의 제공된 기 설정된 크기에서, 기 설정된 크기로 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인을 따른 방향으로 유연 스크린을 압출하도록 제어할 수 있다. 기 설정된 크기는 제1 인장로드 220 및 제2 인장 로드 230 각각의 신장되는 길이에 의해 결정될 수 있다. 일실시예로, 유연 스크린 300은 유연 스크린 300의 실제 적용 환경에 더욱 부합하고, 테스트의 정확도를 더욱 향상시키는 기 설정된 다른 크기로 압출될 수 있다.제1 베이스 240 및 제2 베이스 250은 신장되고, 서로 평행한 방향을 따라 유연 스크린을 이동시키고 압출하는 제1 인장 로드 220 및 제2 인장 로드 230의 각각의 길이를 제어할 수 있다. 고정 장치는 유연 스크린 300을 굽히고 유연 스크린 300을 압출하도록 평행 수평 방향, 수직 방향 또는 다른 방향을 따라 이동될 수 있다. 압출 방향이 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인의 방향과 같을 때, 유연 스크린 300은 "U" 의 곡선 형상일 수 있고, 그리고 압출 방향이 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인의 방향과 다른 방향일 때 유연 스크린 300은 "S"의 곡선 형상일 수 있다. 일실시예로, 유연 스크린 300은 유연 스크린 300의 실제 적용 환경의 시뮬레이션을 또한 향상시키고 그리고 테스트의 정확도를 더욱 향상시킬 수 있는 다른 곡선 형상으로 압출될 수 있다.일실시예로, 제1 베이스 240 및 제2 베이스 250은 신장되고, 서로 평행한 제1 복수 방향을 따라 유연 스크린 300을 이동시키고 압출하는 제1 인장 로드 220 및 제2 인장 로드 230 각각의 길이를 제어할 수 있고, 그리고 제1 베이스 240 및 제2 베이스 250은 서로 평행한 제2 복수 방향을 따라 유연 스크린을 이동시키거나 압출할 수 있다.일실시예로, 제1 복수 방향은 제2 복수 방향에 직교하고, 그리고 이러한 방법으로, 유연 스크린을 압출할 때 작동을 단순화하고 효율성을 향상시킬 수 있다. 제1 복수 방향 및 제2 복수 방향은 확정하지 않는 것이 적절할 수 있다.예를 들어, 제1 복수 방향 및 제2 복수 방향 모두 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인의 방향과 동일하지 않고, 도 3a 내지 3c에 도시된 바와 같이, 제1 복수 방향은 수직이고, 그리고 제2 복수 방향은 수평일 수 있다. 제1 베이스 240 및 제2 베이스 250은 제1 인장 로드 220 및 제2 인장 로드 230 각각의 길이가 인장되고, 유연 스크린이 "S" 곡선 형상일 수 있게 제1 복수 방향으로 유연 스크린 300을 이동시키고 압출하도록 제어할 수 있다. 제1 베이스 240 및 제2 베이스 250은 유연 스크린 300이 제1 복수 방향으로 압출된 때에 제2 복수 방향으로 유연 스크린 300을 이동시키고 압출하도록 고정 지지 부재 210에 상대적으로 이동할 수 있고; 또는 제1 베이스 240 및 제2 베이스 250은 유연 스크린 300이 제1 복수 방향으로 압출되고 나서, 압출 테스트 하기 전에 유연 스크린 300의 상태인 초기 상태인, 그것의 초기 상태로 복원될 때 제2 복수 방향으로 유연 스크린 300을 이동시키고 압출 시키도록 고정 지지부재 210에 상대적으로 이동할 수 있다. 전자의 경우, 유연 스크린 300은 그것이 "S" 곡면 형상인 경우 다른 방향으로 압출되고, 그리고 유연 스크린 300의 굽힘 반경(bending radius)은 변화된다. 후자의 경우, 유연 스크린 300은 유연 스크린 300이 "S" 곡선 형상으로 압출된 경우에서 그것의 초기 상태까지 복원된 후에 다시 "S" 곡선 형상이 되도록 다른 방향으로 압출된다. 어느 경우에나, 유연 스크린 300의 실제 적용 환경에 더욱 부합하고 테스트의 정확도를 향상시키는 유연 스크린 300의 압출 방법의 다양성은 증가된다. 도 3a 내지 3c는 그것이 제1 복수 방향으로 "S" 곡선 형상이 된 후에 제2 복수 방향으로 유연 스크린 300이 압출되는 것을 도시한다. 게다가, 제1 베이스 240 및 제2 베이스 250은 제1 인장 로드 220 및 제2 인장 로드 230 각각의 길이가 신장되고, 유연 스크린 300을 각각 제1 소정 횟수로 제1 복수 방향과 평행하게 유연 스크린을 이동시키거나 압출하게 제어할 수 있고, 그리고 제1 베이스 240 및 제2 베이스 250은 유연 스크린 300을 각각 제2 소정 횟수로 제2 복수 방향과 평행하게 이동 시키거나 압출할 수 있다. 유연 스크린 300은 유연 스크린 300의 실제 적용 환경에 더욱 부합하게 복수의 횟수로 제1 복수 방향 및 제2 복수 방향으로 압출될 수 있다.게다가, 복수의 소정 크기 및/또는 복수의 기 설정된 크기가 존재한다. 예를 들어, 복수의 소정 크기 및 복수의 기 설정된 크기가 존재하고, 소정 크기는 크기 A, 크기 B, 크기 C를 포함하고, 그리고 기 설정된 크기는 크기 E, 크기 F, 크기 G를 포함한다. 만약 모든 소정 크기가 복수의 기 설정된 크기에 대응하면, 유연 스크린 300은 제1 소정 횟수로 크기 A이고 제1 복수 방향으로 압출될 수 있고, 그리고 유연 스크린 300은 제2 소정 횟수로, 각각 크기 A', 크기 B'및 크기 C'중 적어도 2개의 제2 복수 방향으로 압출될 수 있다. 유사하게, 유연 스크린 300이 제1 소정 횟수로 크기 B 또는 C이며 제1 복수 방향으로 압출된 후에, 유연 스크린 300은 각각 크기 A', 크기 B' 및 크기 C' 중 적어도 2개이며 제2 복수 방향으로 압출될 수 있다.소정 크기는 인장되는 제1 인장 로드 220 및 제2 인장 로드 230 각각의 길이에 의해 결정될 수 있고, 그리고 기 설정된 크기는 제1 베이스 240 및 제2 베이스 250의 변위 거리(displacement distance)에 의해 결정될 수 있다. 고정 크기, 기 설정된 크기, 제1 소정 횟수 및 제2 소정 횟수는 실제 상태에 따라 조정될 수 있는 것으로 이해되어야 할 것이다. 유연 스크린 300이 제1 복수 방향 및 제2 복수 방향이며 다른 크기로 신장될 수 있는 것은 유연 스크린의 실제 적용 환경에 더욱 부합하고, 테스트의 정확도를 향상시킬 수 있다. , 일실시예로, 제1 베이스 240 및 제2 베이스 250은 제1 인장 로드 220 및 제2 인장 로드 230 각각의 길이가 인장되고, "U" 곡선 형상으로 유연 스크린이 굽어지도록 기 설정된 횟수로 기 설정된 크기이며 2개의 연결 단부 사이의 연결 라인을 따른 방향으로 유연 스크린을 압출하고, "S" 곡선 형상으로 유연 스크린이 굽어지도록 제1 소정 횟수로 소정 크기이며 제1 복수 방향으로 유연 스크린 300을 압출하고, 그리고 제2 소정 횟수로 기 설정된 크기이며 제2 복수 방향으로 유연 스크린 300을 압출하도록 제어할 수 있다.상기 유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 시스템은 유연 스크린 300을 고정 장치에 2개의 연결 단부를 형성하도록 연결하고, 그리고 유연 스크린에 압출 테스트를 수행하기 위해 고정 장치의 연결 단부 사이의 거리가2개의 연결 단부 사이의 유연 스크린 300의 길이보다 작거나 같아지도록, 고정 장치의 연결 단부 사이의 거리가 변화하도록 고정 장치를 이동시키는 압출 장치 200를 사용한다.유연 스크린 300에 압출 테스트를 수행하는 고정 장치를 이동시킴으로써 유연 스크린 300의 작동 환경을 시뮬레이트하는 상기 시스템은 유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 종래의 방법 및 장치와 비교 시 테스트 비용을 감소할 수 있다.일실시예로, 유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 시스템은 유연 스크린 300에 성능 검출을 수행하도록 구성된 검출 장치를 더 포함한다.유연 스크린 300의 성능 검출은 유연 스크린 300의 기계적 신뢰성, 광학적 신뢰성 및 전기적 신뢰성의 검출의 하나 또는 그 이상일 수 있다. 예를 들어, 일실시예로 성능 검출은 기계적 신뢰성, 광학적 신뢰성 및 전기적 신뢰성을 포함하고, 검출 장치는 스캐너(scanner), 광학적 검출기(optical detector) 및 전기적 검출기(electrical detector)를 포함할 수 있다.스캐너는 기계적 압출 테스트 후에 유연 스크린 300을 스캔하고 유연 스크린 300에 손상의 정도를 검출하도록 구성된다. 유연 스크린 300은 예를 들어, 검출 결과를 얻은 후에 손상의 정도에 따라 좋은 제품, 자격을 갖춘 제품, 결함 있는 제품으로 분류될 수 있다. 그러면 유연 스크린은 그것의 기계적 신뢰성의 레벨로 태그(tagged)될 수 있다.광학적 검출기는 압출 테스트에서 또는 압출 테스트 후에 광학적 신뢰성 테스트를 수행하고, 유연 스크린의 광 투과율(light transmittance)을 검출하도록 구성된다. 광학적 검출기는 유연 스크린 300의 양측 상에 배치된 광원부 및 검출부를 각각 포함할 수 있다. 광신호는 유연 스크린 300을 조사할 수 있는 광원부를 형성하고, 그리고 검출부는 유연 스크린의 광 투과율을 검출하도록 유연 스크린 300을 통해 지나가는 광신호를 수신할 수 있다.전기적 검출기는 전기적 신뢰성 테스트를 수행하고, 기계적 압출 테스트에서 또는 기계적 압출 테스트 후에 유연 스크린 300 내의 반도체 장치의 전기적 파라미터를 검출하도록 구성된다. 전기적 검출기는 굽힘 전후로 전기적 파라미터의 변화를 평가하는 전기적 파라미터 테스트를 위한 유연 스크린 내의 반도체 장치에 연결되는 반도체 파리미터 테스트기일 수 있다.상기는 본 발명의 실시예를 상세히 기재한 것의며, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안된다. 변형 및 개선은 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 해당 분야에 속하는 당업자에게 명백할 것이라는 점을 유의해야 한다. 그러므로 본 발명의 범위는 첨부된 청구항에 의해 정의된다.
유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 방법이 개시되고, 2개의 연결 단부(two connection ends)를 형성하도록 고정 장치(fixing device)에 유연 스크린(flexible screen)을 연결하는 단계; 및 상기 고정 장치의 상기 연결 단부 사이의 거리가 상기 2개의 연결 단부 사이의 유연 스크린의 길이보다 작거나 같아지도록, 상기 고정 장치의 상기 연결 단부 사이의 거리가 변화하도록 상기 고정 장치를 이동시키는 것을 포함하는 상기 유연 스크린의 압출 테스트를 수행하는 단계;를 포함한다. 유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 시스템 또한 개시된다. 유연 스크린에 압출 테스트를 수행하는 고정 장치를 이동시킴으로써 유연 스크린의 작동 환경을 시뮬레이트 하는 유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 상기 방법 및 시스템은 유연 스크린의 굽힘 테스트를 위한 종래의 방법 및 장치들과 비교 시에 테스트 비용을 감소할 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 이온 채널 조정제로서의 융합된 헤테로시클릭 화합물 FUSED HETEROCYCLIC COMPOUNDS AS ION CHANNEL MODULATORS [ 기술분야 ] 본 출원은 2013년 12월 19일에 출원된 미국 가출원 일련 번호 61/918,247에 대해 35 U.S.C. § 119(e) 하에 이익을 주장하며, 그의 전문은 본원에 참조로 포함된다.본 개시내용은 신규 화합물 및 심혈관 질환, 당뇨병, 신경계 질환 및 관련 질환을 포함한 질환의 치료에서의 그의 용도에 관한 것이다. 본 개시내용은 또한 이러한 화합물을 포함하는 제약 조성물에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 후기 나트륨 전류 (INaL) 또는 후기 INa는 심근세포 및 뉴런의 빠른 Na+ 전류의 지속 구성요소이다. 많은 흔한 신경계 및 심장 상태는 포유동물, 특히 인간에서 전기적 및 수축 기능장애 둘 다의 발병기전에 기여하는 비정상적 INaL 증강과 연관된다. 예를 들어, 문헌 [Pathophysiology and Pharmacology of the Cardiac "Late Sodium Current", Pharmacology and Therapeutics 119 (2008) 326-339]를 참조한다. 따라서, 포유동물, 특히 인간에서 INaL을 선택적으로 억제하는 화합물은 이러한 질환 상태를 치료하는데 유용하다. 따라서, INaL을 억제/차단하는 신규 화합물을 밝혀내는 것이 바람직하다. [ 발명의 개요 ] 따라서, 본 개시내용은 후기 나트륨 채널 차단제로서 유용한 신규 화합물을 제공한다. 한 실시양태에서, 본 개시내용은 하기 화학식 I의 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염을 제공한다.003c#화학식 I003e#상기 식에서R1은 5 또는 6원 아릴, 헤테로아릴 또는 헤테로시클릭 기이며, 여기서 각각의 헤테로아릴 또는 헤테로시클릭 기는 질소, 산소 및 황으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 3개의 헤테로원자를 함유하고; 여기서 아릴, 헤테로아릴 또는 헤테로시클릭 기는 -C1-C6 알킬, -C3-C6 시클로알킬, C1-C6 알킬C3-C6 시클로알킬, 할로겐, -C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, 및 -C(O)C1-C6 알킬로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환되고;R2 및 R2'는 각 경우에 독립적으로 H 또는 -C1-C6 알킬이거나; 또는 R2 및 R2'의 한 세트는 이들 둘 다가 부착되어 있는 탄소 원자와 조합하여 C3-C6 시클로알킬 기를 형성하고;R3은 H, -C1-C6 알킬 또는 C3-C6 시클로알킬이고,R4는 H, -C1-C6 알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, -C3-C6 시클로알킬, 또는 할로이고;R5는 -C1-C6 알킬, -C2-C6 알케닐, -C2-C6 알키닐, C3-C6 시클로알킬, C1-C6 알킬C3-C6 시클로알킬, -C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, -O-아릴, 및 할로로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1, 2 또는 3개의 기로 임의로 치환된 5 또는 6원 아릴, 헤테로아릴 또는 헤테로시클릭 기이며; 여기서 시클로알킬 기는 -C1-C6 알킬 또는 -C1-C6 할로알킬로 임의로 치환되고;여기서 치환기 -O-아릴 기는 -C1-C6 알킬, 할로, C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, 또는 -OC1-C6 할로알킬로 임의로 치환되고; 여기서 R5의 아릴, 헤테로아릴, 또는 헤테로시클릭 고리 상의 2개의 치환기는 임의로 조합하여 1 또는 2개의 산소 원자를 임의로 함유하는 8-12원 비시클릭 고리를 형성하고; 여기서 비시클릭 고리는 -C1-C6 알킬, -C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, -C3-C6 시클로알킬, 및 할로로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환되고;R6은 H, -C1-C6 알킬, -C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, 또는 할로이거나; 또는 R6은 R5의 아릴, 헤테로아릴 또는 헤테로시클릭 고리와 조합하여 C1-C6 알킬, -C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, -C3-C6 시클로알킬, 및 할로로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 테트라시클릭 고리를 형성하고;R7은 H, -C1-C6 알킬, -C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -C1-C6 할로알킬, 또는 할로이고;n = 1 - 4이다.본 개시내용의 일부 실시양태는 후기 나트륨 채널 차단제에 의해 치료될 수 있는 포유동물, 특히 인간에서의 질환 또는 상태의 치료에서, 본원에 기재된 화학식 I의 화합물을 사용하는 방법을 제공한다. 이러한 질환은 심혈관 질환, 예컨대 심방성 부정맥 (예를 들어 심방 세동), 심실성 부정맥 (예를 들어 심실성 빈맥 또는 심실 세동), 심부전 (예를 들어 울혈성 심부전, 확장기 심부전, 수축기 심부전 또는 급성 심부전), 프린츠메탈 (변이형) 협심증, 안정형 협심증, 불안정형 협심증, 운동 유발 협심증, 울혈성 심장 질환, 허혈, 재발성 허혈, 재관류 손상, 심근경색, 급성 관상동맥 증후군, 긴 QT 증후군 (LQT1, LQT2, LQT3, LQT4 또는 LQT5), 비대성 심근병증 (HCM), 말초 동맥 질환 및 간헐성 파행을 포함한다. 이러한 질환은 또한 당뇨병 및 당뇨병과 관련된 상태, 예를 들어 당뇨병성 말초 신경병증을 포함할 수 있다. 이러한 질환은 또한 통증, 발작 또는 마비를 일으키는 신경근육계에 영향을 미치는 상태를 포함할 수 있다. 따라서, 본 개시내용의 화합물 및 그의 제약상 허용되는 염, 에스테르, 입체이성질체, 입체이성질체의 혼합물 및/또는 호변이성질체 형태가 상기 언급된 질환의 치료를 위한 의약으로서 잠재적으로 유용한 것으로 고려된다.특정 실시양태에서, 본 개시내용은 치료 유효량의 본 개시내용의 화합물 (예를 들어 화학식 I 또는 본원에 기재된 추가의 실시양태의 화합물), 및 적어도 1종의 제약상 허용되는 부형제를 포함하는 제약 조성물을 제공한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 1. 정의 및 일반적 파라미터본 명세서에서 사용된 바와 같이, 하기 용어 및 어구는 일반적으로 이들이 사용된 문맥이 달리 나타내는 경우를 제외하고는 하기 제시된 바와 같은 의미를 갖는 것으로 의도된다.용어 "알킬"은 (달리 명시되지 않는 한) 1 내지 12개의 탄소 원자, 또는 1 내지 6개의 탄소 원자, 또는 1 내지 4개의 탄소 원자, 또는 1 내지 3개의 탄소 원자를 갖는 또는 명시된 바와 같은 모노 라디칼 분지형 또는 비분지형 포화 탄화수소 쇄를 지칭한다. 예를 들어, 용어 C1-C6 알킬은 직쇄 및 분지쇄 기를 포함한 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기를 나타낸다. 유사하게, 용어 C0-C6 알킬은 결합 (C0) 또는 직쇄 및 분지쇄 기를 포함한 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기를 나타낸다. 따라서, 알킬 기는 예컨대 메틸, 에틸, n-프로필, 이소-프로필, n-부틸, 이소-부틸, t-부틸, n-헥실, n-데실, 도데실 등과 같은 기에 의해 예시된다.용어 "임의로 치환된 알킬"은 치환기가 결여되거나 1, 2, 3, 4 또는 5개의 치환기 (일부 실시양태에서는 1, 2 또는 3개의 치환기)를 갖는 또는 나타내어진 바와 같은 상기 정의된 알킬 기를 지칭하며, 예컨대 알케닐, 알키닐, 알콕시, 시클로알킬, 시클로알케닐, 시클로알콕시와 같은 나타내어진 기 또는 본원에 개시된 기로부터 선택된다.용어 "알킬렌"은 일부 실시양태에서 1 내지 12개의 탄소 원자 (예를 들어 1-10개의 탄소 원자 또는 1, 2, 3, 4, 5 또는 6개의 탄소 원자)를 갖는 분지형 또는 비분지형 포화 탄화수소 쇄의 디라디칼을 지칭한다. 이 용어는 메틸렌 (-CH2-), 에틸렌 (-CH2CH2-), 프로필렌 이성질체 (예를 들어, -CH2CH2CH2- 및 -CH(CH3)CH2-) 등과 같은 기에 의해 예시된다. 본원에 사용된 1개 초과의 치환기로 추가로 치환된 알킬 라디칼은 알킬렌 라디칼로 여겨지는 것이다. 따라서, 임의로 치환된 알킬 라디칼은 치환되는 경우에 알킬렌 기에 해당된다.용어 "R2 및 R2'의 세트"는 쇄 -(CR2R2')n- 내의 특정 탄소 원자에 부착되어 있는 특정 R2 및 R2'를 지칭하며, 여기서 n은 본원에 정의된 바와 같은 정수이다. 따라서, 이들 둘 다가 부착되어 있는 탄소 원자와 함께 시클로알킬 기를 형성하도록 고리화되는 R2 및 R2'의 한 세트는 단지 1개의 시클로알킬 기를 생성할 것이다.용어 "임의로 치환된 알킬렌"은 비치환되거나 치환된 알킬에 대해 정의된 바와 같은 1 내지 5개의 치환기 (일부 실시양태에서, 1, 2 또는 3개의 치환기)로 추가로 치환된 상기 정의된 바와 같은 알킬렌 기를 지칭한다.용어 "아르알킬" 또는 "아릴알킬"은 알킬 또는 알킬렌 기에 공유 연결된 아릴 기를 지칭하며, 여기서 아릴, 알킬 및 알킬렌은 본원에 정의된 바와 같다. "임의로 치환된 아르알킬"은 임의로 치환된 알킬 또는 알킬렌 기에 공유 연결된 임의로 치환된 아릴 기를 지칭한다. 이러한 아르알킬 기는 벤질, 페닐에틸, 3-(4-메톡시페닐)프로필 등에 의해 예시된다.유사하게, 용어 "알킬아릴"은 아릴 기에 공유 결합된 알킬 또는 알킬렌 기를 지칭한다 (왼쪽에서 오른쪽으로 읽음). "임의로 치환된 알킬아릴"은 임의로 치환된 아릴 기에 공유 연결된 임의로 치환된 알킬 또는 알킬렌 기를 지칭한다. 이러한 알킬아릴 기는 메틸페닐, 메틸렌페닐 등에 의해 예시된다.용어 "-O-아릴"은 명명되거나 지정된 앵커 또는 코어 기에 산소 링커를 통해 공유 부착된 아릴 기를 지칭한다.용어 "히드록시" 또는 "히드록실"은 -OH 기를 지칭한다.용어 "-O-(C1-Cn)알킬" 및 "(C1-n)알콕시"는 본원에서 상호교환가능하게, 단독으로 또는 또 다른 라디칼과 조합으로 사용되며, 여기서 n은 정수이다. 양쪽 용어는 상기에 정의된 바와 같은 1 내지 n개의 탄소 원자를 갖는 알킬 라디칼에 추가로 결합된 산소 원자를 의미하는 것으로 의도된다. -O-(C1-Cn)알킬의 예는 메톡시 (-OCH3), 에톡시 (-OCH2CH3), 프로폭시 (-OCH2CH3CH3), 1-메틸에톡시 (이소-프로폭시; -OCH(CH3)2) 및 1,1-디메틸에톡시 (tert-부톡시; -O-C-(CH3)3)를 포함하나, 이에 제한되지는 않는다. -O-(C1-Cn)알킬 라디칼이 치환되는 경우에, 관련 기술분야의 통상에 기술자에 의해 인식되는 바와 같이, 치환이 화학적으로 안정환 화합물을 생성하도록 그의 (C1-Cn)알킬 부분 상에 치환되는 것으로 이해된다. 따라서, 용어 "알콕시"는 -OR 기를 지칭하며, 여기서 R은 알킬이고, 여기서 임의로 치환된 알킬을 포함한 알킬은 본원에 정의된 바와 같다.용어 "C1-Cn 할로알킬"은 1 내지 n개의 탄소 원자를 갖고 나타내어지거나 허용되는 바와 같이 할로겐 원자에 의해 치환된 알킬 기를 지칭한다. 예를 들어, 용어 "C1-C6 할로알킬"은 1 내지 6개, 또는 1 내지 3개의 할로겐(들)에 공유 결합된 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기를 지칭하며, 여기서 알킬 및 할로겐은 본원에 정의된다. 일부 실시양태에서, C1-6 할로알킬은, 예로서, 트리플루오로메틸, 디플루오로메틸, 플루오로메틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 2,2-디플루오로에틸, 2-플루오로에틸, 3,3,3-트리플루오로프로필, 3,3-디플루오로프로필, 3-플루오로프로필을 포함한다. 다른 할로알킬 기, 예를 들어 C1-C3 할로알킬은 탄소 원자의 길이 및 그에 부착된 할로겐 원자의 가능한 수를 제외하고는 동일한 원칙을 따른다.용어 "C3-Cn 시클로알킬"은 3 내지 정수 n개의 탄소 원자의 또는 나타내어진 바와 같은 시클릭 알킬 기를 지칭한다. 예를 들어 용어 "C3-C8 시클로알킬"은 단일 시클릭 고리를 가지며 3 내지 8개의 탄소 원자를 갖는다. 이러한 시클로알킬 기는, 예로서, 단일 고리 구조, 예컨대 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로옥틸 등을 포함한다.용어 "치환된 시클로알킬"은 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시, 시클로알킬, 시클로알케닐, 시클로알콕시로 이루어진 군으로부터 선택되거나 본원에 개시된 바와 같은 1, 2, 3, 4 또는 5개의 치환기 (일부 실시양태에서는 1, 2 또는 3개의 치환기)를 갖는 시클로알킬 또는 시클로알케닐 기를 지칭한다.용어 "비시클릭"은 포화 또는 불포화 탄소 원자를 갖고 임의로 산소, 질소 및 황으로부터 선택된 1개 이상의 헤테로원자를 고리 내에 갖는 융합된 2-고리 구조를 지칭한다. 비시클릭 기는 예를 들어, 아릴 기가 융합된 아다만타닐 및 비시클로[2.2.1]헵타닐 또는 시클릭 알킬 기, 예컨대 예를 들어 인다닐 등을 포함하며, 단 부착 지점은 시클릭 기를 통한다. 이에 따라 정의된 비시클릭 기는 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭일 수 있고, 융합된 아릴 또는 융합된 헤테로아릴 기를 포함할 수 있다.용어 "아릴"은 단일 고리 (예를 들어, 페닐) 또는 다중 고리 (예를 들어, 비페닐) 또는 다중 축합된 (융합된) 고리 (예를 들어, 나프틸, 플루오레닐 및 안트릴)를 갖는 6 내지 18개의 탄소 원자의 방향족 카르보시클릭 기를 지칭한다. 일부 실시양태에서, 아릴은 페닐, 플루오레닐, 나프틸, 안트릴 등을 포함한다.아릴 치환기에 대한 정의에 의해 달리 제약되지 않는 한, 이러한 아릴 기는 나타낸 바와 같이 1, 2, 3, 4 또는 5개의 치환기 (일부 실시양태에서는, 1, 2 또는 3개의 치환기)로 임의로 치환될 수 있다.용어 "아릴옥시"는 기 아릴-O- 또는 -O-아릴을 지칭하며, 여기서 상기 기는 분자의 나머지 부분 (코어 또는 앵커)에 산소 원자를 통해 부착되고, 여기서 아릴 기는 상기 정의된 바와 같고, 상기 또한 정의된 바와 같은 임의로 치환된 아릴 기를 포함한다.용어 "헤테로시클릴", "헤테로사이클" 및 "헤테로시클릭"은 달리 나타내지 않는 한 동의어로 사용되고, (달리 명시되지 않는 한) 3 내지 18개의 탄소 원자 및 질소, 황, 인 및/또는 산소로부터 선택되는 1 내지 6개의 헤테로 원자, 또는 1 내지 4개의 헤테로원자를 고리 내에 갖는 단일 고리 또는 다중 축합된 고리를 갖는 모노라디칼 포화 기를 지칭한다. 일부 실시양태에서, "헤테로시클릴", "헤테로사이클", 또는 "헤테로시클릭" 기는 고리 내에 헤테로원자 중 하나를 통해 분자의 나머지에 연결된다.헤테로시클릭 치환기에 대한 정의에 의해 달리 제약되지 않는 한, 이러한 헤테로시클릭 기는 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시, 시클로알킬, 시클로알케닐, 시클로알콕시, 시클로알케닐옥시로 이루어진 군으로부터 선택되거나 본원에 기재된 바와 같은 1 내지 5개의 치환기 (일부 실시양태에서는, 1, 2 또는 3개의 치환기)로 임의로 치환될 수 있다.용어 "헤테로아릴"은 5 내지 15개의 탄소 원자 및 산소, 질소 및 황으로부터 선택된 1 내지 4개의 헤테로원자를 적어도 1개의 고리 내에 포함하는 단일 또는 다중 고리를 포함하는 기를 지칭한다. 용어 "헤테로아릴"은 용어 "방향족 헤테로아릴" 및 "부분 포화 헤테로아릴"에 대한 총칭이다. 용어 "방향족 헤테로아릴"은 부착 지점에 관계없이 적어도 1개의 고리가 방향족인 헤테로아릴을 지칭한다. 방향족 헤테로아릴의 예는 피롤, 티오펜, 피리딘, 퀴놀린, 프테리딘을 포함한다.헤테로아릴 치환기에 대한 정의에 의해 달리 제약되지 않는 한, 이러한 헤테로아릴 기는 나타내어진 바와 같은 1 내지 5개의 치환기 (일부 실시양태에서는, 1, 2 또는 3개의 치환기)로 치환될 수 있다. 이러한 헤테로아릴 기는 단일 고리 (예를 들어, 피리딜 또는 푸릴) 또는 다중 축합된 고리 (예를 들어, 인돌리지닐, 벤조티아졸 또는 벤조티에닐)를 가질 수 있다. 질소-함유 헤테로시클릴 및 헤테로아릴의 예는 피롤, 이미다졸, 피라졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 인돌리진, 이소인돌, 인돌, 인다졸, 퓨린, 퀴놀리진, 이소퀴놀린, 퀴놀린, 프탈라진, 나프틸피리딘, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 신놀린, 프테리딘, 카르바졸, 카르볼린, 페난트리딘, 아크리딘, 페난트롤린, 이소티아졸, 페나진, 이속사졸, 페녹사진, 페노티아진, 이미다졸리딘, 이미다졸린 등 뿐만 아니라 N-알콕시-질소 함유 헤테로아릴 화합물을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.용어 "아미노"는 기 -NH2를 지칭한다.용어 "치환된 아미노"은 유형 -NRR의 기를 지칭하며, 여기서 각각의 R은 독립적으로 수소, 알킬, 시클로알킬, 아릴, 비시클릭, 헤테로아릴 및 헤테로시클릴로 이루어진 군으로부터 선택되거나 정의된 바와 같으며, 단 R 기 둘 다가 수소 또는 기 -Y-Z (여기서 Y는 임의로 치환된 알킬렌이고, Z는 알케닐, 시클로알케닐 또는 알키닐임)인 것은 아니다. 정의에 의해 달리 제약되지 않는 한, 모든 치환기는 정의되거나 개시된 바와 같은 1, 2 또는 3개의 치환기에 의해 임의로 추가로 치환될 수 있다.용어 "알킬 아민"은 R-NH2를 지칭하며, 여기서 R은 임의로 치환된 알킬이 다.용어 "디알킬 아민"은 R-NHR을 지칭하며, 여기서 각각의 R은 독립적으로 임의로 치환된 알킬이다.용어 "트리알킬 아민"은 NR3을 지칭하며, 여기서 각각의 R은 독립적으로 임의로 치환된 알킬이다.용어 "시아노"는 기 -CN을 지칭한다.용어 "카르복시"는 기 -C(O)-OH를 지칭한다.용어 "에스테르" 또는 "카르복시에스테르"는 기 -C(O)OR을 지칭하며, 여기서 R은 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴 또는 헤테로시클릴이며, 이는 알킬, 알콕시, 할로겐, CF3, 아미노, 치환된 아미노, 시아노 또는 -S(O)nRa (여기서 Ra는 알킬, 아릴 또는 헤테로아릴이고, n은 0, 1 또는 2임)에 의해 임의로 추가로 치환될 수 있다.용어 "아실"은 기 -C(O)R을 나타내며, 여기서 R은 수소, 알킬, 시클로알킬, 헤테로시클릴, 아릴 또는 헤테로아릴이다.용어 "카르복시알킬"은 기 -C(O)O-알킬 또는 -C(O)O-시클로알킬을 지칭하며, 여기서 알킬 및 시클로알킬은 본원에 정의된 바와 같고, 알킬, 알케닐, 알키닐, 카르복시, 카르복시알킬, 아미노카르보닐, 히드록시, 알콕시, 할로겐, CF3, 아미노, 치환된 아미노, 시아노, 시클로알킬, 헤테로시클릴, 아릴, 헤테로아릴, 및 -S(O)nRa (여기서 Ra는 알킬, 아릴 또는 헤테로아릴이고, n은 0, 1 또는 2임)에 의해 임의로 추가로 치환될 수 있다.용어 "아실옥시"는 기 -OC(O)-R을 지칭하며, 여기서 R은 알킬, 시클로알킬, 헤테로시클릴, 아릴 또는 헤테로아릴이다. 정의에 의해 달리 제약되지 않는 한, 모든 치환기는 알킬, 알케닐, 알키닐, 카르복시, 카르복시알킬, 아미노카르보닐, 히드록시, 알콕시, 할로겐, CF3, 아미노, 치환된 아미노, 시아노, 시클로알킬, 헤테로시클릴, 아릴, 헤테로아릴 및 -S(O)nRa (여기서 Ra는 알킬, 아릴 또는 헤테로아릴이고, n은 0, 1 또는 2임)로 이루어진 군으로부터 선택된 1, 2 또는 3개의 치환기에 의해 임의로 추가로 치환될 수 있다.용어 "카르바메이트" 또는 "카르밤산 에스테르"는 화학식 R2NCOOR의 화합물을 지칭하며, 여기서 각각의 R은 동일하거나 상이하다. 시클릭 카르바메이트는 아미노 기로부터의 R 기가 에스테르 R 기와 결합된 경우에 형성된다.용어 "할로겐" 또는 "할로"는 플루오로, 브로모, 클로로 및 아이오도를 지칭한다."임의적인" 또는 "임의로"는 후속적으로 기재된 사건 또는 상황이 일어나거나 일어나지 않을 수 있고, 본 기재가 상기 사건 또는 상황이 일어나는 경우 및 일어나지 않는 경우를 포함하는 것을 의미한다."치환된" 기는 모노라디칼 치환기가 치환된 기의 단일 원자에 결합된 (예를 들어 분지를 형성함) 실시양태를 포함하고, 또한 치환기가 치환된 기의 2개의 인접한 원자에 결합된 디라디칼 가교 기일 수 있으며, 그로 인해 치환된 기 상에 융합된 고리를 형성할 수 있는 실시양태를 포함한다.주어진 기 (모이어티)가 제2 기에 부착된 것으로 본원에 기재되고 부착 부위가 명확하지 않은 경우에, 주어진 기는 제2 기의 임의의 이용가능한 부위에 대해 주어진 기의 임의의 이용가능한 부위에서 부착될 수 있다. 예를 들어, "알킬-치환된 페닐"은 부착 부위가 명확하지 않은 경우에, 페닐 기의 임의의 이용가능한 부위에 부착된 저급 알킬 기의 임의의 이용가능한 부위를 가질 수 있다. 이와 관련하여, "이용가능한 부위"는 기의 수소 원자가 치환기로 대체될 수 있는 기의 부위이다.상기 정의된 모든 치환된 기에서, 추가의 치환기를 갖는 치환기를 그 자체로 정의함으로써 생성되는 중합체 (예를 들어, 그 자체가 치환된 아릴 기로 치환된, 치환기로서 치환된 아릴 기를 갖는 치환된 아릴 등)는 본원에 포함되는 것으로 의도되지는 않는 것으로 이해된다. 또한, 치환기가 동일하든 상이하든 관계없이 무한수의 치환기는 포함되지 않는다. 이러한 경우에, 이러한 치환기의 최대 수는 3개이다. 따라서, 상기 정의 각각은 상기 제한에 의해 제약되며, 예를 들어 치환된 아릴 기는 -치환된 아릴-(치환된 아릴)-치환된 아릴로 제한된다.달리 명시되지 않는 한, 화학식 I의 화합물은 본 개시내용의 화합물, 및 이러한 화합물의 제약상 허용되는 염, 제약상 허용되는 에스테르, 이성질체, 호변이성질체, 용매화물, 동위원소, 수화물, 다형체 및 전구약물을 포괄하는 것으로 의도된다. 추가적으로, 본 개시내용의 화합물은 1개 이상의 비대칭 중심을 보유할 수 있고, 라세미 혼합물로서 또는 개별 거울상이성질체 또는 부분입체이성질체로서 제조될 수 있다. 주어진 화학식의 임의의 주어진 화합물에 존재하는 입체이성질체의 수는 존재하는 비대칭 중심의 수에 좌우된다 (n이 비대칭 중심의 수이면 2n개의 입체이성질체가 가능함). 개별 입체이성질체는 합성의 일부 적절한 단계에서 중간체의 라세미 또는 비-라세미 혼합물을 분해함으로써 또는 통상적인 수단에 의한 화합물의 분해에 의해 수득될 수 있다. 개별 입체이성질체 (개별 거울상이성질체 및 부분입체이성질체 포함) 뿐만 아니라 입체이성질체의 라세미 및 비-라세미 혼합물은 본 개시내용의 범주 내에 포괄되며, 그의 전부는 달리 구체적으로 나타내지 않는 한 본 명세서의 구조에 의해 도시되는 것으로 의도된다."이성질체"는 동일한 분자식을 갖는 상이한 화합물이다. 이성질체는 입체이성질체, 거울상이성질체 및 부분입체이성질체를 포함한다."입체이성질체"는 단지 원자가 공간에 배열되는 방식만이 상이한 이성질체이다."거울상이성질체"는 서로 비-중첩가능한 거울상인 한 쌍의 입체이성질체이다. 한 쌍의 거울상이성질체의 1:1 혼합물은 "라세미" 혼합물이다. 용어 "(±)"는 적절할 경우에 라세미 혼합물을 지정하는데 사용된다."부분입체이성질체"는 적어도 2개의 비대칭 원자를 갖지만, 서로 거울상은 아닌 입체이성질체이다.절대 입체화학은 칸 인골드 프렐로그(Cahn Ingold Prelog) R S 시스템에 따라 명시된다. 화합물이 순수한 거울상이성질체인 경우에, 각각의 키랄 탄소에서의 입체화학은 R 또는 S에 의해 명시될 수 있다. 절대 배위가 공지되지 않은 분해된 화합물은 이들이 나트륨 D 선의 파장에서 편광면을 회전시키는 방향 (우선성 또는 좌선성)에 따라 (+) 또는 (-)로 지정된다.화합물 중 일부는 호변이성질체로서 존재할 수 있다. 호변이성질체는 서로 평형이다. 예를 들어, 아미드 함유 화합물은 이미드산 호변이성질체와 평형으로 존재할 수 있다. 어느 호변이성질체가 제시되든 상관없이, 및 호변이성질체 중에서의 평형의 특성에 상관없이, 관련 기술분야의 통상의 기술자에 의해 화합물은 아미드 및 이미드산 호변이성질체를 둘 다 포함하는 것으로 이해된다. 따라서, 아미드 함유 화합물은 그의 이미드산 호변이성질체를 포함하는 것으로 이해된다. 마찬가지로, 이미드산 함유 화합물은 그의 아미드 호변이성질체를 포함하는 것으로 이해된다.용어 "치료 유효량" 및 "치료 유효 용량"은 동의어이고, 하기 정의된 바와 같이, 처방된 대로 복용되거나 자격있는 간병인에 의해 투여되는 이러한 치료를 필요로 하는 포유동물, 특히 인간에게 투여되는 경우에, 치료를 실시하기에 충분한 화합물의 양을 지칭한다. 치료 유효량은 치료되는 대상체 및 질환 상태, 대상체의 체중 및 연령, 질환 상태의 중증도, 투여 방식 등에 따라 달라질 것이며, 이는 관련 기술분야의 통상의 기술자에 의해 용이하게 결정될 수 있다.용어 "다형체"는 결정질 화합물의 다양한 결정 구조를 지칭한다. 다양한 다형체는 결정 패킹의 차이 (패킹 다형성) 또는 동일한 분자의 다양한 이형태체 사이의 패킹의 차이 (입체형태적 다형성)로부터 유래될 수 있다.용어 "전구약물"은 생체내 전환될 수 있고/거나 분자의 나머지로부터 분할되어 활성 약물, 그의 제약상 허용되는 염 또는 그의 생물학적 활성 대사물을 제공할 수 있는 화학적 기를 포함하는 화학식 I의 화합물을 지칭한다.본 개시내용의 중수소 표지된 또는 치환된 치료 화합물은 분포, 대사 및 배출 (ADME)과 관련하여 개선된 DMPK (약물 대사 및 약동학) 특성을 가질 수 있다. 보다 무거운 동위원소, 예컨대 중수소로의 치환은 보다 큰 대사 안정성, 예를 들어 증가된 생체내 반감기, 감소된 투여량 요건 및/또는 치료 지수의 개선으로부터 유래되는 특정 치료 이점을 제공할 수 있다. 18F 표지된 화합물은 PET 또는 SPECT 연구에 유용할 수 있다. 본 개시내용의 동위원소 표지된 화합물 및 그의 전구약물은 일반적으로, 동위원소 표지되지 않은 시약을 용이하게 이용가능한 동위원소 표지된 시약으로 치환함으로써 하기 기재된 반응식 또는 실시예 및 제조예에 개시된 절차를 수행함으로써 제조될 수 있다. 이와 관련하여, 중수소는 화학식 I의 화합물의 치환기로 간주된다는 것을 이해하여야 한다.이러한 보다 무거운 동위원소, 구체적으로 중수소의 농도는 동위원소 농축 계수에 의해 정의될 수 있다. 본 개시내용의 화합물에서, 특정한 동위원소로서 구체적으로 지정되지 않은 임의의 원자는 상기 원자의 임의의 안정한 동위원소를 나타내는 것으로 의도된다. 달리 언급되지 않는 한, 위치가 "H" 또는 "수소"로서 구체적으로 지정된 경우에, 상기 위치는 그의 천연 존재비 동위원소 조성물에 수소를 갖는 것으로 이해된다. 따라서, 본 개시내용의 화합물에서 중수소 (D)로서 구체적으로 지정된 임의의 원자는 중수소를 나타내는 것으로 의도된다.용어 "치료" 또는 "치료하는"은, 하기를 포함한 목적을 위한, 자격있는 간병인에 의해 또는 그의 지시에 따라, 질환을 갖는 또는 본 발명의 화합물(들)의 투여를 필요로 하는 포유동물, 특히 인간에게의 본 발명의 화합물(들)의 투여를 의미한다:(i) 질환을 예방함, 즉 질환의 임상 증상이 발생하지 않게 함;(ii) 질환을 억제함, 즉 임상 증상의 발생을 정지시킴; 및/또는(iii) 질환을 경감시킴, 즉, 임상 증상의 퇴행을 야기함.일부 경우에, 본 개시내용의 화합물은 산 및/또는 염기 염을 형성할 수 있다.용어 주어진 화합물의 "제약상 허용되는 염"은 주어진 화합물의 생물학적 유효성 및 특성을 보유하고 생물학적으로 또는 달리 바람직하지 않은 것이 아닌 염을 지칭한다. 제약상 허용되는 염기 부가염은 무기 및 유기 염기로부터 제조될 수 있다. 무기 염기로부터 유도된 염은 단지 예로서 나트륨, 칼륨, 리튬, 암모늄, 칼슘 및 마그네슘 염을 포함한다. 유기 염기로부터 유도된 염은 1급, 2급 및 3급 아민, 예컨대 알킬 아민, 디알킬 아민, 트리알킬 아민, 치환된 알킬 아민, 디(치환된 알킬) 아민, 트리(치환된 알킬) 아민, 알케닐 아민, 디알케닐 아민, 트리알케닐 아민, 치환된 알케닐 아민, 디(치환된 알케닐) 아민, 트리(치환된 알케닐) 아민, 모노, 디 또는 트리 시클로알킬 아민, 모노, 디 또는 트리 아릴아민 또는 혼합된 아민 등의 염을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다. 적합한 아민의 구체적 예는, 단지 예로서, 이소프로필아민, 트리메틸 아민, 디에틸 아민, 트리(이소-프로필)아민, 트리(n-프로필) 아민, 에탄올아민, 2-디메틸아미노에탄올, 피페라진, 피페리딘, 모르폴린, N-에틸피페리딘 등을 포함한다.제약상 허용되는 산 부가염은 무기 및 유기 산으로부터 제조될 수 있다. 무기 산으로부터 유도된 염은 염산, 브로민화수소산, 황산, 질산, 인산 등을 포함한다. 유기 산으로부터 유도된 염은 아세트산, 프로피온산, 글리콜산, 피루브산, 옥살산, 말산, 말론산, 숙신산, 말레산, 푸마르산, 타르타르산, 시트르산, 벤조산, 신남산, 만델산, 메탄술폰산, 에탄술폰산, p-톨루엔-술폰산, 살리실산 등을 포함한다.본원에 사용된 "제약상 허용되는 담체" 또는 "제약상 허용되는 부형제"는 임의의 및 모든 허용되는 용매, 분산 매질, 코팅, 항박테리아제 및 항진균제, 등장화제 및 흡수 지연제 등을 포함한다. 제약 활성 물질에 대한 이러한 매질 및 작용제의 사용은 관련 기술분야에 널리 공지되어 있다. 임의의 통상적인 매질 또는 작용제가 활성 성분과 비상용성인 경우를 제외하고는, 치료 조성물에서의 그의 사용이 고려된다. 보충적 활성 성분이 또한 조성물 내에 혼입될 수 있다."관상동맥 질환" 또는 "심혈관 질환"은 예를 들어 심부전 (울혈성 심부전, 확장기 심부전 및 수축기 심부전 포함), 급성 심부전, 허혈, 재발성 허혈, 심근경색, 부정맥, 협심증 (운동 유발 협심증, 변이형 협심증, 안정형 협심증, 불안정형 협심증 포함), 급성 관상동맥 증후군, 당뇨병 및 간헐성 파행 중 어느 1종 또는 1종 초과로부터 발생하는 심혈관계의 질환을 지칭한다."간헐성 파행"은 말초 동맥 질환과 연관된 통증을 의미한다. "말초 동맥 질환" 또는 PAD는 폐쇄성 말초 혈관 질환 (PVD)의 유형이다. PAD는 심장 및 뇌 외부의 동맥에 영향을 미친다. PAD의 가장 흔한 증상은 걸을 때, 계단을 오를 때 또는 운동 시 엉덩이, 넓적다리 또는 종아리의 통증성 경련이다. 상기 통증은 간헐성 파행으로 불린다. 간헐성 파행의 증상을 열거하는 경우에, 이는 PAD 및 PVD 둘 다를 포함하는 것으로 의도된다.부정맥은 임의의 비정상적 심박수를 지칭한다. 서맥은 비정상적으로 느린 심박수를 지칭하는 반면, 빈맥은 비정상적으로 빠른 심박수를 지칭한다. 본원에 사용된 바와 같이, 부정맥의 치료는 심실상성 빈맥, 예컨대 심방 세동, 심방 조동, AV 결절성 회귀성 빈맥, 심방성 빈맥, 심실 세동 (VF) 또는 심실성 빈맥 (VT)의 치료를 포함하는 것으로 의도된다. VT는 특발성 심실성 빈맥, 조기흥분 증후군 및 토르사드 드 포인트 (TdP)를 포함한다.2. 명명법본 개시내용의 화합물의 명칭은 화학적 화합물을 명명하기 위한 ACD/명칭 소프트웨어 (어드밴스드 케미스트리 디벨롭먼트, 인크.(Advanced Chemistry Development, Inc.), 캐나다 토론토)를 사용하여 제공된다. 다른 화합물 또는 라디칼은 일반 명칭, 또는 계통 또는 비-계통 명칭으로 명명될 수 있다. 본 개시내용의 화합물의 명명 및 넘버링은 하기 화학식 I의 대표적 화합물로 예시되며:이는 6-(2-프로폭시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온으로 명명된다.3. 화합물따라서, 본 개시내용의 전형적 실시양태는 후기 나트륨 채널 차단제로서 기능하는 신규 화합물을 제공한다. 한 실시양태에서, 본 개시내용은 하기 화학식 I의 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염을 제공한다.003c#화학식 I003e#상기 식에서R1은 5 또는 6원 아릴, 헤테로아릴 또는 헤테로시클릭 기이며, 여기서 각각의 헤테로아릴 또는 헤테로시클릭 기는 질소, 산소 및 황으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 3개의 헤테로원자를 함유하고; 여기서 아릴, 헤테로아릴 또는 헤테로시클릭 기는 -C1-C6 알킬, -C3-C6 시클로알킬, C1-C6 알킬C3-C6 시클로알킬, 할로겐, -C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, 및 -C(O)C1-C6 알킬로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환되고;R2 및 R2'는 각 경우에 독립적으로 H 또는 -C1-C6 알킬이거나; 또는 R2 및 R2'의 한 세트는 이들 둘 다가 부착되어 있는 탄소 원자와 조합하여 C3-C6 시클로알킬 기를 형성하고;R3은 H, -C1-C6 알킬, 또는 C3-C6 시클로알킬이고,R4는 H, -C1-C6 알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, -C3-C6 시클로알킬, 또는 할로이고;R5는 -C1-C6 알킬, -C2-C6 알케닐, -C2-C6 알키닐, C3-C6 시클로알킬, C1-C6 알킬C3-C6 시클로알킬, -C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, -O-아릴, 및 할로로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1, 2 또는 3개의 기로 임의로 치환된 5 또는 6원 아릴, 헤테로아릴 또는 헤테로시클릭 기이며; 여기서 시클로알킬 기는 -C1-C6 알킬 또는 -C1-C6 할로알킬로 임의로 치환되고;여기서 치환기 -O-아릴 기는 -C1-C6 알킬, 할로, C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, 또는 -OC1-C6 할로알킬로 임의로 치환되고; 여기서 R5의 아릴, 헤테로아릴, 또는 헤테로시클릭 고리 상의 2개의 치환기는 임의로 조합하여 1 또는 2개의 산소 원자를 임의로 함유하는 8-12원 비시클릭 고리를 형성하고; 여기서 비시클릭 고리는 -C1-C6 알킬, -C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, -C3-C6 시클로알킬, 및 할로로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환되고;R6은 H, -C1-C6 알킬, -C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, 또는 할로이거나; 또는 R6은 R5의 아릴, 헤테로아릴 또는 헤테로시클릭 고리와 조합하여 C1-C6 알킬, -C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, -C3-C6 시클로알킬, 및 할로로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 테트라시클릭 고리를 형성하고;R7은 H, -C1-C6 알킬, -C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -C1-C6 할로알킬, 또는 할로이고;n = 1 - 4이다.또 다른 실시양태에서, 본 개시내용은 하기 화학식 I의 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염을 제공한다.상기 식에서R1은 C1-C6 알킬, C3-C6 시클로알킬, 할로겐, C1-C6 할로알킬, C1-C6 알콕시, -OC1-C6 할로알킬, 및 -C(O)C1-C6 알킬로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 피리미디닐, 피리디닐, 이미다졸릴, 티아졸릴, 옥사졸릴, 또는 트리아졸릴 기이고;R2 및 R2'는 각 경우에 독립적으로 H 또는 C1-C6 알킬이거나; 또는 R2 및 R2'의 한 세트는 이들 둘 다가 부착되어 있는 탄소 원자와 조합하여 3 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬 기를 형성하고;R3은 H 또는 -C1-C6 알킬이고;R4는 H, -C1-C6 알킬, 또는 할로이고;R5는 -C1-C6 알킬, C3-C6 시클로알킬, -C1-C6 알킬C3-C6 시클로알킬, -C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, -O-아릴, 및 할로로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 치환된 페닐 기이며; 여기서 시클로알킬 기는 C1-C6 알킬 또는 C1-C6 할로알킬로 임의로 치환되고; 여기서 치환기 -O-아릴 기는 C1-C6 알킬, 할로, C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, 또는 -OC1-C6 할로알킬로 임의로 치환되고; 여기서 R5의 페닐 고리 상의 2개의 치환기는 임의로 조합하여 1 또는 2개의 산소 원자를 함유하는 비시클릭 고리를 형성하고; 여기서 비시클릭 고리는 -C1-C6 알킬 및 할로겐으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환되고;R6은 H, -C1-C6 알킬, -C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, 또는 할로이거나; 또는 R6은 R5의 페닐 고리와 조합하여 C1-C6 알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, -C3-C6 시클로알킬, 및 할로로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 테트라시클릭 고리를 형성하고;R7은 H, -C1-C6 알킬, -C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -C1-C6 할로알킬, 또는 할로이고;n = 1 - 4이다.한 실시양태에서, 본 개시내용은 하기 화학식 I의 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염을 제공한다.상기 식에서,R1은 C1-C3 알킬 및 C3-C6 시클로알킬로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 피리미디닐, 피리디닐, 이미다졸릴, 티아졸릴, 옥사졸릴, 또는 트리아졸릴 기이고;R2 및 R2'는 각 경우에 독립적으로 H 또는 C1-C3 알킬이거나; 또는 R2 및 R2'의 한 세트는 이들 둘 다가 부착되어 있는 탄소 원자와 임의로 조합하여 3 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬 기를 형성하고;R3은 H 또는 -C1-C6 알킬이고;R4는 H 또는 -C1-C6 알킬이고;R5는 -C1-C3 알킬, C3-C6 시클로알킬, -C1-C6 알킬C3-C6 시클로알킬, -C1-C3 할로알킬, -OC1-C3 알킬, -OC1-C3 할로알킬, -O-아릴, 및 할로로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 치환된 페닐 기이고;R6은 H, -C1-C3 알킬, -C1-C3 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C3 할로알킬, 또는 할로이거나; 또는 R6은 R5의 페닐 고리와 조합하여 C1-C6 알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, -C3-C6 시클로알킬, 및 할로로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 테트라시클릭 고리를 형성하고;R7은 H, -C1-C3 알킬, -C1-C3 할로알킬, -OC1-C3 알킬, -C1-C3 할로알킬, 또는 할로이고;n = 1 - 2이다.또 다른 실시양태에서, 본 개시내용은 하기 화학식 I의 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염을 제공한다.상기 식에서R1은 C1-C3 알킬 및 C3-C6 시클로알킬로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 피리미디닐, 피리디닐, 이미다졸릴, 티아졸릴, 옥사졸릴, 또는 트리아졸릴 기이고;R2 및 R2'는 각 경우에 독립적으로 H 또는 C1-C3 알킬이거나; 또는 R2 및 R2'의 한 세트는 이들 둘 다가 부착되어 있는 탄소 원자와 조합하여 3 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬 기를 형성하고;R3은 H 또는 -C1-C6 알킬이고;R4는 H 또는 -C1-C6 알킬이고;R5는 -C1-C3 알킬, C3-C6 시클로알킬, -C1-C6 알킬C3-C6 시클로알킬, -C1-C3 할로알킬, -OC1-C3 알킬, -OC1-C3 할로알킬, -O-아릴, 및 할로로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 치환된 페닐 기이고;R6은 H, -C1-C3 알킬, -C1-C3 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C3 할로알킬, 또는 할로이거나; 또는 R6은 R5의 페닐 고리와 조합하여 C1-C6 알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, -C3-C6 시클로알킬, 및 할로로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 테트라시클릭 고리를 형성하고;R7은 H, -C1-C3 알킬, -C1-C3 할로알킬, -OC1-C3 알킬, -C1-C3 할로알킬, 또는 할로이고;n = 1 - 2이다.또 다른 실시양태에서는 화학식 I의 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염이 제공된다.상기 식에서,R1은 C1-C3 알킬, C3-C6 시클로알킬 및 할로로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 피리미디닐, 피리디닐, 이미다졸릴 또는 티아졸릴 기이고;R2 및 R2'는 각 경우에 독립적으로 H 또는 C1-C3 알킬이거나; 또는 R2 및 R2의 한 세트는 이들 둘 다가 부착되어 있는 탄소 원자와 임의로 조합하여 시클로프로필 기를 형성하고;R3은 H 또는 -C1-C6 알킬이고;R4는 H이고;R5는 -C1-C3 알킬, -C1-C3 할로알킬, -OC1-C3 알킬, -OC1-C3 할로알킬, 및 할로로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 치환된 페닐 기이고;R6은 H 또는 -C1-C3 알킬이고;R7은 H 또는 -C1-C3 알킬이고;n = 1 - 2이다.한 실시양태에서, R1은 피리디닐, 피리미디닐, 이미다졸릴 또는 티아졸릴이다. 또 다른 실시양태에서, R1은 피리미디닐 또는 피리디닐이다. 또 다른 실시양태에서, R1은 티아졸릴 또는 이미다졸릴이다. 또 다른 실시양태에서, R1은 하기로 이루어진 군으로부터 선택된다:한 실시양태에서, n은 1, 2 또는 3이다. 또 다른 실시양태에서, n은 1 또는 2이다. 또 다른 실시양태에서, n은 1이다.한 실시양태에서, (CR2R2')n은 -CH2-를 구성한다. 또 다른 실시양태에서, (CR2R2')n은 -CH2CH2- 또는 -CH2CH2CH2-를 구성한다. 또 다른 실시양태에서, (CR2R2')n은 를 구성한다.한 실시양태에서, R3은 H 또는 C1-C3알킬이다. 또 다른 실시양태에서, R3은 H 또는 CH3이다. 또 다른 실시양태에서, R3은 H이다.한 실시양태에서, R4는 H, -C1-C3 알킬, -OC1-C3 알킬, -OC1-C3할로알킬, -C3-C6 시클로알킬, 또는 할로이다. 또 다른 실시양태에서, R4는 H, -C1-C3 알킬, 또는 할로이다. 또 다른 실시양태에서, R4는 H이다.한 실시양태에서, R5는 시클로알킬, -C1-C6 알킬C3-C6 시클로알킬, 또는 -O-아릴로 임의로 치환된 아릴 기이고; 여기서 시클로알킬 기는 C1-C6 알킬 또는 C1-C6 할로알킬로 임의로 치환된다.한 실시양태에서, R5는 -C1-C3 알킬, -C1-C3 할로알킬, -OC1-C3 알킬, 시클로알킬, -C1-C6 알킬C3-C6 시클로알킬, 및 -OC1-C3 할로알킬로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 2개의 기로 치환된 아릴 기이며; 여기서 시클로알킬 기는 C1-C6 알킬 또는 C1-C6 할로알킬로 임의로 치환되고; 여기서 아릴 상의 2개의 치환기는 임의로 조합하여 1 또는 2개의 산소 원자를 함유하는 비시클릭 고리를 형성하고; 여기서 비시클릭 고리는 -C1-C6 알킬 및 할로겐으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된다.한 실시양태에서, R5는 -C1-C3 알킬, C3-C6 시클로알킬, -C1-C3 알킬C3-C6 시클로알킬, -C1-C3 할로알킬, -OC1-C3 알킬, -OC1-C3 할로알킬 및 할로로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 치환된 페닐 기이다. 또 다른 실시양태에서, R5는 -C1-C3 할로알킬, -OC1-C3 알킬, -OC1-C3 할로알킬, 및 할로로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 치환된 페닐 기이다.또 다른 실시양태에서, R5는 클로로, 플루오로, 메틸, 트리플루오로메틸, 또는 트리플루오로메톡시로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 치환된 페닐이다.한 실시양태에서, R6은 H, -C1-C3 알킬, -C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, 또는 할로로 이루어진 군으로부터 선택되거나; 또는 R6은 R5의 아릴 고리와 조합하여 C1-C6 알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, -C3-C6 시클로알킬, -COOH, 및 할로로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 테트라시클릭 고리를 형성한다. 한 실시양태에서, R6은 H, -C1-C3 알킬, -C1-C3 할로알킬, -OC1-C3 알킬, -OC1-C6 할로알킬, 또는 할로로 이루어진 군으로부터 선택된다. 또 다른 실시양태에서, R6은 H 또는 C1-C3 알킬, C1-C3 할로알킬, 또는 할로이다. 또 다른 실시양태에서, R6은 H 또는 C1-C3 알킬이다.한 실시양태에서, R7은 H, -C1-C3 알킬, -C1-C3 할로알킬, -OC1-C3 알킬, -OC1-C3 할로알킬, 또는 할로로 이루어진 군으로부터 선택된다. 또 다른 실시양태에서, R7은 H, -C1-C3 알킬, -C1-C3 할로알킬, 또는 할로이다. 또 다른 실시양태에서, R7은 H 또는 -C1-C3 알킬 또는 할로이다.한 실시양태에서, 본 개시내용은R1이 C1-C6 알킬, C3-C6 시클로알킬, 할로겐, C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, 및 -C(O)C1-C6 알킬로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 각각 임의로 치환된 피리딘, 피리미딘, 이미다졸릴, 또는 티아졸릴 기이고;R2 및 R2'가 각 경우에 독립적으로 H 또는 C1-C6 알킬이거나; 또는 R2 및 R2의 한 세트가 이들 둘 다가 부착되어 있는 탄소 원자와 조합하여 C3-C6 시클로알킬 기를 형성하고;R3이 H 또는 -C1-C6 알킬이고;R4가 H 또는 -C1-C6 알킬이고;R5가 -C1-C6 알킬, C3-C6 시클로알킬, -C1-C6 알킬C3-C6 시클로알킬, -C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, -O-아릴, 및 할로로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 치환된 페닐 기이며; 여기서 시클로알킬 기는 C1-C6 알킬 또는 C1-C6 할로알킬로 임의로 치환되고; 여기서 치환기 -O-아릴 기는 C1-C6 알킬, 할로, C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, 또는 -OC1-C6 할로알킬로 임의로 치환되고; 여기서 R5의 페닐 고리 상의 2개의 치환기는 임의로 조합하여 1 또는 2개의 산소 원자를 임의로 함유하는 비시클릭 고리를 형성하고; 여기서 비시클릭 고리는 -C1-C6 알킬 및 할로겐으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환되고;R6이 H, -C1-C6 알킬, -C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, 또는 할로이거나; 또는 R6이 R5의 페닐 고리와 조합하여 C1-C6 알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, -C3-C6 시클로알킬, 및 할로로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 테트라시클릭 고리를 형성하고;R7이 H, -C1-C6 알킬, -C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -C1-C6 할로알킬, 또는 할로이고;n = 1 - 2인화학식 I에 따른 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염을 제공한다.한 실시양태에서, 본 개시내용은R1이 C1-C3 알킬 및 C3-C6 시클로알킬로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 피리미디닐, 피리디닐, 이미다졸릴, 티아졸릴, 옥사졸릴 또는 트리아졸릴 기이고;R2 및 R2'가 각 경우에 독립적으로 H 또는 C1-C3 알킬이거나; 또는 R2 및 R2의 한 세트가 이들 둘 다가 부착되어 있는 탄소 원자와 임의로 조합하여 C3-C6 시클로알킬 기를 형성하고;R3이 H 또는 -C1-C6 알킬이고;R4가 H 또는 -C1-C6 알킬이고;R5가 -C1-C3 알킬, C3-C6 시클로알킬, -C1-C6 알킬C3-C6 시클로알킬, -C1-C3 할로알킬, -OC1-C3 알킬, -OC1-C3 할로알킬, -O-아릴, 및 할로로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 치환된 페닐 기이고;R6이 H, -C1-C3 알킬, -C1-C3 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C3 할로알킬, 또는 할로이거나; 또는 R6이 R5의 페닐 고리와 조합하여 C1-C6 알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, -C3-C6 시클로알킬, 및 할로로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 테트라시클릭 고리를 형성하고;R7이 H, -C1-C3 알킬, -C1-C3 할로알킬, -OC1-C3 알킬, -C1-C3 할로알킬, 또는 할로이고;n = 1 - 4인하기 화학식 I의 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염을 제공한다.한 실시양태에서, 본 개시내용은R1이 C1-C3 알킬 및 C3-C6 시클로알킬로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 피리미디닐, 피리디닐, 이미다졸릴, 티아졸릴, 옥사졸릴 또는 트리아졸릴 기이고;R2 및 R2'가 각 경우에 독립적으로 H 또는 C1-C3 알킬이거나; 또는 R2 및 R2의 한 세트가 이들 둘 다가 부착되어 있는 탄소 원자와 임의로 조합하여 C3-C6 시클로알킬 기를 형성하고;R3이 H 또는 -C1-C6 알킬이고;R4가 H 또는 -C1-C6 알킬이고;R5가 -C1-C3 알킬, C3-C6 시클로알킬, -C1-C6 알킬C3-C6 시클로알킬, -C1-C3 할로알킬, -OC1-C3 알킬, -OC1-C3 할로알킬, -O-아릴, 및 할로로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 치환된 페닐 기이고;R6이 H, -C1-C3 알킬, -C1-C3 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C3 할로알킬, 또는 할로이거나; 또는 R6이 R5의 페닐 고리와 조합하여 C1-C6 알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, -C3-C6 시클로알킬, 및 할로로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 테트라시클릭 고리를 형성하고;R7이 H, -C1-C3 알킬, -C1-C3 할로알킬, -OC1-C3 알킬, -C1-C3 할로알킬, 또는 할로이고;n = 1 - 2인하기 화학식 I의 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염을 제공한다.한 실시양태에서, 본 개시내용은R1이 C1-C6 알킬, C3-C6 시클로알킬, 할로겐, C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, 및 -C(O)C1-C6 알킬로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 각각 임의로 치환된 피리딘, 피리미딘, 이미다졸릴 또는 티아졸릴 기이고;R2 및 R2'가 각 경우에 독립적으로 H 또는 C1-C6 알킬이거나; 또는 R2 및 R2의 한 세트가 이들 둘 다가 부착되어 있는 탄소 원자와 조합하여 C3-C6 시클로알킬 기를 형성하고;R3이 H 또는 -C1-C6 알킬이고;R4가 H 또는 -C1-C6 알킬이고;R5가 -C1-C6 알킬, -C0-C6 알킬C3-C6 시클로알킬, -C1-C6 할로알킬, -OC1-C6 알킬, -OC1-C6 할로알킬, -O-아릴, 및 할로로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1, 2 또는 3개의 기로 임의로 치환된 페닐이고; 여기서 시클로알킬 기는 -C1-C6 알킬 또는 -C1-C6 할로알킬로 임의로 치환되고;n이 1 또는 2인하기 화학식 I의 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염을 제공한다.한 실시양태에서, 본 개시내용은R1이 5-원 헤테로시클릭 기이고;R2 및 R2'의 한 세트가 조합하여 시클로프로필 기를 형성하고;R3 및 R4가 각각 H이고;R5가 C1-C3 알킬, -C1-C3 할로알킬, -OC1-C3 알킬, -OC1-C3 할로알킬, 및 할로로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 페닐 기이고;R6 및 R7이 둘 다 H이고;n이 3인하기 화학식 I의 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염을 제공한다.한 실시양태에서, 본 개시내용은R1이 5-원 헤테로시클릭 기이고;R2 및 R2'의 한 세트가 조합하여 시클로프로필 기를 형성하고;R3 및 R4가 각각 H이고;R5가 C1-C3 알킬, -C1-C3 할로알킬, -OC1-C3 알킬, -OC1-C3 할로알킬, 및 할로로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 페닐 기이고;R6 및 R7이 둘 다 H이고;n이 2인하기 화학식 I의 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염을 제공한다.한 실시양태에서, 본 개시내용은R1이 5-원 헤테로시클릭 기이고;R2 및 R2'의 한 세트가 시클로프로필 기를 형성하고;R3 및 R4가 각각 H이고;R5가 C1-C3 알킬, -C1-C3 할로알킬, -OC1-C3 알킬, -OC1-C3 할로알킬, 및 할로로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 페닐 기이고;R6 및 R7이 둘 다 H이고;n이 1인하기 화학식 I의 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염을 제공한다.한 실시양태에서, 본 개시내용은R1이 6-원 헤테로시클릭이고;R2 및 R2'가 둘 다 H이고;R3이 H 또는 C1-C6 알킬이고;R4가 H 또는 C1-C6 알킬이고;R5가 C1-C3 알킬, -C1-C3 할로알킬, -OC1-C3 알킬, -OC1-C3 할로알킬, 및 할로로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 페닐 기이고;R6 및 R7이 둘 다 H이고;n이 1인하기 화학식 I의 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염을 제공한다.한 실시양태에서, 본 개시내용은R1이 C1-C6 알킬로 임의로 치환된 피리미디닐이고;R2 및 R2'가 둘 다 H이고;R3이 CH3이고;R4가 H이고;R5가 -OCF3, 할로겐, CH3, 또는 -OCH3으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 페닐 기이고;R6 및 R7이 둘 다 H이고;n이 1인하기 화학식 I의 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염을 제공한다.본 개시내용의 한 실시양태는R1이 C1-C6 알킬로 임의로 치환된 피리미디닐이고;R2 및 R2'가 둘 다 H이고;R3이 H이고;R4가 H이고;R5가 -OCF3, 할로겐, CH3, 또는 -OCH3으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 페닐 기이고;R6 및 R7이 둘 다 H이고;n이 1인하기 화학식 I의 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염을 제공한다.한 실시양태에서, 본 개시내용은R1이 C1-C6 알킬로 임의로 치환된 티아졸릴이고;R2 및 R2'가 둘 다 H이고;R3이 H이고;R4가 H이고;R5가 CH3, -OCF3, 할로겐, 또는 -OCH3으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 페닐 기이고;R6 및 R7이 둘 다 H이고;n이 1인하기 화학식 I의 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염을 제공한다.한 실시양태에서, 본 개시내용은R1이 C1-C6 알킬로 임의로 치환된 피리디닐이고;R2 및 R2'가 둘 다 H이고;R3이 H이고;R4가 H이고;R5가 CH3, -OCF3, 할로겐, 또는 -OCH3으로부터 독립적으로 선택된 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 페닐 기이고;R6 및 R7이 둘 다 H이고;n이 1인하기 화학식 I의 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염을 제공한다.본 개시내용의 화합물은 가변기 R1-R7의 각각의 조합이 본원에 개시된 바와 같이 유용한 본 개시내용의 화합물의 실시양태를 나타내도록 본원에 개시된 바와 같은 R1, R2, R2', R3, R4, R5, R6 및 R7의 실시양태의 조합을 포함하는 화합물을 포함한다.또 다른 실시양태에서, 본 개시내용은 당뇨병, 당뇨병성 망막병증, 신장 질환, 심방성 부정맥, 심실성 부정맥, 심부전, 울혈성 심부전, 확장기 심부전, 수축기 심부전, 급성 심부전, 프린츠메탈 (변이형) 협심증, 안정형 협심증, 불안정형 협심증, 운동 유발 협심증, 울혈성 심장 질환, 허혈, 재발성 허혈, 재관류 손상, 심근경색, 급성 관상동맥 증후군, 말초 동맥 질환, LQT 증후군, 비대성 심근병증, 폐고혈압 및 간헐성 파행으로부터 선택된 질환을 치료하기 위한 의약의 제조에 사용하기 위한 본원에 개시된 화합물 또는 조합 화합물을 제공한다.또 다른 실시양태에서, 본 개시내용은 요법에서의 화학식 I의 화합물의 용도를 제공한다.또 다른 실시양태에서, 본 개시내용은 당뇨병, 당뇨병성 망막병증, 신장 질환, 심방성 부정맥, 심실성 부정맥, 심부전, 울혈성 심부전, 확장기 심부전, 수축기 심부전, 급성 심부전, 프린츠메탈 (변이형) 협심증, 안정형 협심증, 불안정형 협심증, 운동 유발 협심증, 울혈성 심장 질환, 허혈, 재발성 허혈, 재관류 손상, 심근경색, 급성 관상동맥 증후군, 말초 동맥 질환, LQT 증후군, 비대성 심근병증, 폐고혈압 및 간헐성 파행으로부터 선택된 질환을 치료하기 위한 의약의 제조에 사용하기 위한 본원에 개시된 화합물 또는 조합 화합물을 제공한다.한 실시양태에서, 본 개시내용의 화합물 또는 화합물들은 하기로 이루어진 군으로부터 선택된다:6-(2-프로폭시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-(피리미딘-2-일메틸)-8-(트리플루오로메톡시)-3,4-디히드로플루오레노[3,2-e][1,3]옥사진-2(10H)-온,6-(2-프로폭시-4-(트리플루오로메틸)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2,2-디플루오로벤조[d][1,3]디옥솔-5-일)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-(피리딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-(피리딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-프로폭시-4-(트리플루오로메틸)페닐)-3-(2-(피리미딘-2-일)에틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(2-(피리미딘-2-일)에틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(2-(피리미딘-2-일)에틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(2-(피리미딘-2-일)에틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-(2-(피리미딘-2-일)에틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-(2-(피리미딘-2-일)에틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-((1-((2-메틸-1H-이미다졸-1-일)메틸)시클로프로필)메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-((1-((2-메틸-1H-이미다졸-1-일)메틸)시클로프로필)메틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((1-((2-메틸-1H-이미다졸-1-일)메틸)시클로프로필)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-((1-((2-메틸-1H-이미다졸-1-일)메틸)시클로프로필)메틸)-6-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((1-((2-메틸-1H-이미다졸-1-일)메틸)시클로프로필)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(1-(피리딘-2-일)시클로프로필)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(1-(피리딘-2-일)시클로프로필)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(1-(피리딘-2-일)시클로프로필)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-(1-(피리딘-2-일)시클로프로필)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-(1-(피리딘-2-일)시클로프로필)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((2-메틸피리미딘-4-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((2-메틸피리미딘-4-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((2-메틸피리미딘-4-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-((2-메틸피리미딘-4-일)메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((5-메틸피리미딘-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((5-메틸피리미딘-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((5-메틸피리미딘-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-((5-메틸피리미딘-2-일)메틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-((5-메틸피리미딘-2-일)메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-4-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,4-메틸-6-(2-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,4-메틸-6-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(4-클로로-3-플루오로페닐)-4-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3,4-디클로로페닐)-4-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-4-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,7-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,7-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(4-클로로-3-플루오로페닐)-3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-클로로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3,4-디클로로페닐)-3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,8-플루오로-3-(피리미딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,8-플루오로-6-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-클로로-4-플루오로페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(4-클로로-3-플루오로페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-((3-플루오로피리딘-2-일)메틸)-4-메틸-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,4-메틸-6-(3-페녹시페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-플루오로-4-(트리플루오로메틸)페닐)-4-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-(디플루오로메톡시)페닐)-4-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,4-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-6-(3-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,1-(4-(4-메틸-2-옥소-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-6-일)페닐)시클로프로판카르보니트릴,4-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,4-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-(피리미딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-(피리미딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-(피리딘-4-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-(피리딘-4-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-프로폭시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-(피리미딘-2-일메틸)-8-(트리플루오로메톡시)-3,4-dihydrofluoreno[3,2-e][1,3]옥사진-2(10H)-온,6-(2-프로폭시-4-(트리플루오로메틸)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온6-(2,2-디플루오로벤조[d][1,3]디옥솔-5-일)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-(피리딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온3-(피리딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-프로폭시-4-(트리플루오로메틸)페닐)-3-(2-(피리미딘-2-일)에틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(2-(피리미딘-2-일)에틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(2-(피리미딘-2-일)에틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(2-(피리미딘-2-일)에틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-(2-(피리미딘-2-일)에틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-(2-(피리미딘-2-일)에틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온3-((1-((2-메틸-1H-이미다졸-1-일)메틸)시클로프로필)메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-((1-((2-메틸-1H-이미다졸-1-일)메틸)시클로프로필)메틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((1-((2-메틸-1H-이미다졸-1-일)메틸)시클로프로필)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-((1-((2-메틸-1H-이미다졸-1-일)메틸)시클로프로필)메틸)-6-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((1-((2-메틸-1H-이미다졸-1-일)메틸)시클로프로필)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(1-(피리딘-2-일)시클로프로필)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(1-(피리딘-2-일)시클로프로필)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(1-(피리딘-2-일)시클로프로필)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-(1-(피리딘-2-일)시클로프로필)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-(1-(피리딘-2-일)시클로프로필)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((2-메틸피리미딘-4-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((2-메틸피리미딘-4-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((2-메틸피리미딘-4-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-((2-메틸피리미딘-4-일)메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((5-메틸피리미딘-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((5-메틸피리미딘-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((5-메틸피리미딘-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-((5-메틸피리미딘-2-일)메틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-((5-메틸피리미딘-2-일)메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-4-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,4-메틸-6-(2-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,4-메틸-6-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(4-클로로-3-플루오로페닐)-4-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온6-(3,4-디클로로페닐)-4-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-4-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,7-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,7-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(4-클로로-3-플루오로페닐)-3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-클로로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3,4-디클로로페닐)-3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,8-플루오로-3-(피리미딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,8-플루오로-6-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-클로로-4-플루오로페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(4-클로로-3-플루오로페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-((3-플루오로피리딘-2-일)메틸)-4-메틸-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,4-메틸-6-(3-페녹시페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(2-플루오로-4-(트리플루오로메틸)페닐)-4-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,6-(3-(디플루오로메톡시)페닐)-4-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,4-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-6-(3-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,1-(4-(4-메틸-2-옥소-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-6-일)페닐)시클로프로판카르보니트릴,4-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,4-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-(피리미딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-(피리미딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온,3-(피리딘-4-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온, 및3-(피리딘-4-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온;또는 그의 제약상 허용되는 염.4. 추가 실시양태일부 실시양태에서, 본 개시내용에 의해 제공된 화합물은 심혈관 질환, 예컨대 심방성 부정맥 (예를 들어 심방 세동), 심실성 부정맥 (예를 들어 심실 세동 또는 심실성 빈맥), 프린츠메탈 (변이형) 협심증, 안정형 협심증, 불안정형 협심증, 심장, 신장, 간 및 뇌에서의 허혈 및 재관류 손상, 운동 유발 협심증, 폐고혈압, 확장기 및 수축기 심부전을 포함한 울혈성 심장 질환, 및 심근경색을 포함하나 이에 제한되지는 않는, 후기 나트륨 채널 차단제의 투여에 반응하는 것으로 공지된 상태 또는 질환의 치료에 유효할 수 있다. 일부 실시양태에서, 본 개시내용에 의해 제공된 화합물은 통증, 가려움증, 발작 또는 마비를 일으키는 신경근육계에 영향을 미치는 질환의 치료, 또는 당뇨병 또는 감소된 인슐린 감수성, 및 당뇨병과 관련된 질환 상태, 예컨대 당뇨병성 말초 신경병증의 치료에 사용될 수 있다.본 개시내용의 특정 화합물은 또한 뉴런 나트륨 채널, 즉 Nav 1.1., 1.2, 1.3, 1.5, 1.7, 및/또는 1.8을 조정하는데 충분한 활성을 보유할 수 있고, 이들이 중추 및/또는 말초 신경계에 관하여 활성일 수 있도록 적절한 약동학적 특성을 가질 수 있다. 따라서, 본 개시내용의 화합물은 또한 신경병증성 근원의 간질 또는 통증 또는 가려움증 또는 두통의 치료에 유용할 수 있다.한 실시양태에서, 본 개시내용은 후기 나트륨 전류를 감소시킬 수 있는 작용제로의 치료에 의해 완화가능한 질환 상태의 치료를 필요로 하는 포유동물, 특히 인간에게 치료 유효 용량의 화학식 I의 화합물 또는 본원에 개시된 다른 신규 화합물 또는 화합물의 조합물을 투여하는 것을 포함하는, 후기 나트륨 전류를 감소시킬 수 있는 작용제로의 치료에 의해 완화가능한 상기 포유동물, 특히 인간에서의 질환 상태를 치료하는 방법을 제공한다. 또 다른 실시양태에서, 질환 상태는 심방성 및 심실성 부정맥, 심부전, 프린츠메탈 (변이형) 협심증, 안정형 협심증, 불안정형 협심증, 운동 유발 협심증, 울혈성 심장 질환, 허혈, 재발성 허혈, 재관류 손상, 심근경색, 급성 관상동맥 증후군, 말초 동맥 질환, 폐고혈압 및 간헐성 파행 중 1종 이상으로부터 선택된 심혈관 질환이다.또 다른 실시양태에서, 본 개시내용은 긴 QT 증후군의 치료를 필요로 하는 인간에게 유효 용량의 화학식 I의 화합물을 투여하는 것을 포함하는, 긴 QT 증후군의 치료를 위해 본원에 개시된 상기 화학식 I의 화합물을 제공한다. 구체적으로, 한 실시양태에서, 본 개시내용은 LQT1, LQT2, LQT3, LQT4 및 LQT5로 이루어진 군으로부터 선택된 긴 QT 증후군의 치료를 필요로 하는 인간에게 유효량의 화학식 I의 화합물을 투여하는 것을 포함하는, 상기의 치료에 유용한 화합물을 제공한다."긴 QT 증후군" 또는 "LQTS"는 이온 채널이라 불리는 심장 세포에서의 단백질 구조 및 이온 채널의 활성을 조정하는 단백질 구조의 기능장애에 의해 유발된다. 이들 채널은 칼륨, 나트륨 및 칼슘 분자와 같은 이온의 흐름을 제어한다. 세포 내외의 이들 이온의 흐름은 심장의 전기 활성을 생성한다. 이들 채널의 이상은 후천성 또는 유전성일 수 있다. 후천성 형태는 통상적으로 처방 의약에 의해 유발되나, 선천성 형태는 전기 재분극을 제어하는 이온 채널 중 하나를 생성 또는 "코딩"하는 몇몇 유전자 중 하나에서 돌연변이가 발생하는 경우에 일어난다. 돌연변이체 유전자는 비정상적 채널이 형성되도록 생성되고, 이들 비정상적 채널은 기능장애성이고 심장의 전기 재분극은 더 오래 걸린다. 이는 심전도 (ECG, EKG) 상에 연장된 QT 간격으로 나타난다."QT 연장" 또는 연장된 QT 간격은 심장을 다형성 심실성 빈맥에 취약하게 하며, 그 중 한 종류는 토르사드 드 포인트로 공지된 빠른 비정상적 심장 리듬이다. 정정된 QT 간격 (또는 "QTc")은 60 비트/분의 심박수에 대해 정규화된 QT 간격을 나타낸다. QTc를 계산하는 몇몇 방법, 예컨대 바제트(Bazett) 식 (QTB = QT/√RR), 프리데리시아(Fridericia) 식 (QTB = QT/3√RR), 또는 회귀-기반 접근법 (QTLC = QT + 0.154(1 - RR))이 있으며, 여기서 RR은 하나의 QRS 복합체의 개시에서부터 다음 QRS 복합체의 개시까지의 간격이다.선천성 LQTS는 15개의 유전자 중 적어도 1개에서의 돌연변이와 유전자형 양성 사례 (LQT1-LQT3)의 대략 70%를 차지하는 3개의 유전자에서의 돌연변이에 기인한다: *KVLQT1의 신규 돌연변이의 동형접합 담체는 제벨, 랑쥐-닐슨 증후군을 갖는다. KVLQT1 및 MinK는 공동-조립되어 IKs 채널을 형성한다.상기에 표에 열거된 LQT 질환 및 이온 채널은 유전성 LQTS에 대해서와 같이 후천성 LQTS에 대해 동일하다. LQTS의 유전성 형태는 전기 재분극을 제어하는 이온 채널 또는 이온 채널 조정제 중 하나를 생산 또는 "코딩"하는 몇몇 유전자 중 1개에서 돌연변이가 발생하는 경우에 일어난다. 유전성 LQTS의 적어도 15개의 상이한 형태가 있으며, LQT1 - LQT15로 특징화된다. 이들은 본래 상이한 형상의 ECG 추적을 특징으로 하고, 후속적으로 특이적 유전자 돌연변이와 연관되어 있다. LQT1 형태가 가장 빈번하고, 유전병 환자의 대략 30-35%를 차지한다. LQT2는 약 25-30%로 그 다음이고, SCN5A 돌연변이로부터의 LQT3은 약 5-10%를 차지한다. 2개의 돌연변이를 갖는 환자는 전체 환자의 1% 미만을 차지하는 것으로 보이나, 이는 보다 많은 환자가 보다 신규한 유전학적 기술을 사용하여 연구됨에 따라 변화될 수 있다.또 다른 실시양태에서, 본 개시내용은 비대성 심근병증 (HCM)의 치료를 필요로 하는 인간에게 치료 유효 용량의 화학식 I의 화합물을 투여하는 것을 포함하는, 비대성 심근병증 (HCM)의 치료를 위한 본원에 개시된 상기 화학식 I의 화합물을 제공한다. "비대성 심근병증"은 심장 근육 (심근)이 비정상적으로 두껍거나 비대해지는 질환이다. 이 두꺼워진 심장 근육은 심장이 혈액을 펌핑하는 것을 더 어렵게 할 수 있다. 비대성 심근병증은 또한 심장의 전기 시스템에 영향을 미칠 수 있다. HCM은 500명의 사람 중 대략 1명에게 이환되는 가장 흔한 유전적 심장 질환이다. 이는 심장 근절의 중대한 구성요소를 코딩하는 유전자에서의 상염색체-우성 돌연변이에 기인한다. HCM은 관찰되는 규모의 비대를 생성하는 것이 가능한 다른 심장 또는 전신 조건의 부재 하의 설명할 수 없는 좌심실 (LV) 비대 (전형적으로 ≥ 15mm 두께의 심실 벽)로서 임상적으로 인지된다. 전형적 증상은 숨가쁨, 협심증, 심계항진, 피로 및 실신을 포함한다. 환자 중 적은 백분율에서, 심장 돌연사는 제1 제시일 수 있다. HCM은 청소년에서 심장 돌연사의 주요 원인이다.또 다른 실시양태에서, 화학식 I의 화합물에 의한 치료에 적합한 질환 상태는 당뇨병 또는 당뇨병성 말초 신경병증이다. 추가 실시양태에서, 질환 상태는 신경병증성 통증, 간질, 두통, 발작 또는 마비 중 1종 이상을 일으킨다.한 실시양태에서, 본 개시내용은 당뇨병의 치료를 필요로 하는 포유동물, 특히 인간에게 치료 유효 용량의 화학식 I의 화합물 또는 본원에 개시된 다른 신규 화합물 또는 조합물을 투여하는 것을 포함하는, 포유동물, 특히 인간에서 당뇨병을 치료하는 방법을 제공한다. 당뇨병은 고혈당증; 지질, 탄수화물 및 단백질의 변경된 대사; 및 혈관 질환으로부터의 합병증의 증가된 위험을 특징으로 하는 질환이다. 당뇨병은 고령화 및 비만 둘 다와 연관되어 있기 때문에, 증가하는 공중 보건 문제이다.당뇨병에는 2종의 주요 유형이 있다: 1) 인슐린 의존성 당뇨병 (IDDM)으로도 공지되어 있는 제I형, 및 2) 인슐린 독립성 또는 비-인슐린 의존성 당뇨병 (NIDDM)으로도 공지되어 있는 제II형. 당뇨병의 2종의 유형 둘 다는 순환 인슐린의 불충분한 양 및/또는 인슐린에 대한 말초 조직의 반응의 감소에 인한 것이다.제I형 당뇨병은 신체 세포를 "잠금 해제"시켜 글루코스가 상기 세포에 진입하여 연료를 공급할 수 있도록 하는 호르몬인 인슐린을 생산하는데 실패한 신체로부터 기인한다. 제I형 당뇨병의 합병증은 심장 질환 및 졸중; 망막병증 (눈 질환); 신장 질환 (신병증); 신경병증 (신경 손상); 뿐만 아니라, 우수한 피부, 발 및 구강 건강의 유지를 포함한다.제II형 당뇨병은 신체의 충분한 인슐린 생산 불능 또는 세포의 신체에 의해 자연적으로 생산된 인슐린의 사용 불능에 기인한다. 신체가 인슐린을 최적으로 사용하지 못하는 상태를 인슐린 저항성으로 부른다. 제II형 당뇨병은 종종 고혈압을 동반하며, 이는 심장 질환에 기여할 수 있다. 제II형 당뇨병을 갖는 환자에서는, 스트레스, 감염, 및 의약 (예컨대 코티코스테로이드)은 또한 혈당 수준을 심각하게 상승시킬 수 있다. 탈수를 동반하는 제II형 당뇨병을 갖는 환자에서의 극심함 혈당 상승은 혈액 오스몰랄농도를 증가시킬 수 있다 (고삼투압 상태). 이 상태는 혼수를 일으킬 수 있다.라놀라진 (라넥사(RANEXA)��, 후기 INa (INaL)의 선택적 억제제)은 당뇨병성 마우스에서 글루코스-의존성 방식으로 β-세포 보존을 유발하고 인슐린 분비를 증진하는 항당뇨병제일 수 있다는 것이 제안되었다 (문헌 [Y. Ning et al. J Pharmacol Exp Ther. 2011, 337(1), 50-8] 참조). 따라서, 화학식 I의 화합물 또는 본원에 개시된 신규 화합물 또는 조합물은 당뇨병의 치료를 위한 항당뇨병제로서 단독으로 또는 라놀라진 또는 다른 항당뇨병제와 조합으로 유용할 수 있는 것으로 고려된다.5. 제약 조성물 및 투여본 개시내용에 따라 제공된 화합물은 통상적으로 제약 조성물의 형태로 투여된다. 따라서, 본 개시내용은 활성 성분으로서 본원에 기재된 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염 또는 에스테르 중 1종 이상, 및 1종 이상의 제약상 허용되는 부형제, 불활성 고체 희석제 및 충전제를 포함한 담체, 멸균 수용액 및 다양한 유기 용매를 포함한 희석제, 투과 증진제, 가용화제 및 아주반트를 함유하는 제약 조성물을 제공한다. 제약 조성물은 단독으로 또는 다른 치료제와 조합으로 투여될 수 있다. 이러한 제약 조성물은 제약 기술분야에 널리 공지된 방식으로 제조된다 (예를 들어, 문헌 [Remington's Pharmaceutical Sciences, Mace Publishing Co., Philadelphia, PA 17th Ed. (1985); 및 Modern Pharmaceutics, Marcel Dekker, Inc. 3rd Ed. (G.S. Banker 0026# C.T. Rhodes, Eds.)] 참조).제약 조성물은 예를 들어, 직장, 협측, 비강내 및 경피 경로를 포함한 유사한 유용성을 갖는 작용제의 허용되는 투여 방식 중 어느 것에 의해, 동맥내 주사에 의해, 정맥내로, 복강내로, 비경구로, 근육내로, 피하로, 경구로, 국소로, 흡입제로서, 또는 함침 또는 코팅된 장치, 예컨대 스텐트를 통해, 또는 동맥-삽입된 원통형 중합체를 통해 단일 또는 다중 용량으로 투여될 수 있다. 관련 기술분야의 통상의 기술자는 본원에 기재된 제제를 제조 및/또는 투여하기 위한 방법 및 절차를 알고 있다.투여를 위한 한 방식은 비경구, 특히 주사에 의한 것이다. 주사에 의한 투여를 위해 본 개시내용의 신규 조성물이 혼입될 수 있는 형태는 수성 또는 오일 현탁액, 또는 에멀젼, 참깨 오일, 옥수수 오일, 목화씨 오일, 또는 땅콩 오일, 뿐만 아니라 엘릭시르, 만니톨, 덱스트로스, 또는 멸균 수용액, 및 유사한 제약 비히클을 포함한다. 염수 중의 수용액이 또한 주사용으로 통상적으로 사용된다. 에탄올, 글리세롤, 프로필렌 글리콜, 액체 폴리에틸렌 글리콜 등 (및 그의 적합한 혼합물), 시클로덱스트린 유도체, 및 식물성 오일이 또한 사용될 수 있다. 적절한 유동성은, 예를 들어, 레시틴과 같은 코팅의 사용, 분산액의 경우 필요한 입자 크기의 유지, 및 계면활성제의 사용에 의해 유지될 수 있다. 미생물의 작용의 예방은 다양한 항박테리아제 및 항진균제, 예를 들어 파라벤, 클로로부탄올, 페놀, 소르브산, 티메로살 등에 의해 이루어질 수 있다.멸균 주사가능한 용액은 적절한 용매 중에 필요량의 본 개시내용에 따른 화합물을, 필요에 따라, 상기 열거된 바와 같은 다양한 다른 성분과 함께 혼입한 다음 여과 멸균함으로써 제조된다. 일반적으로, 분산액은 염기성 분산 매질 및 상기 열거된 것들로부터 필요한 다른 성분을 함유하는 멸균 비히클에 다양한 멸균된 활성 성분을 혼입시킴으로써 제조된다. 멸균 주사가능한 용액의 제조를 위한 멸균 분말의 경우에, 바람직한 제조 방법은, 활성 성분 + 그의 사전 멸균 여과된 용액으로부터의 임의의 추가의 바람직한 성분의 분말을 제공하는 진공-건조 및 동결-건조 기술이다. 비경구 투여를 위해, 멸균 주사가능한 용액은 본원에 기재된 화합물의 치료 유효량, 예를 들어 0.1 mg 내지 700 mg을 함유하여 제조된다. 그러나, 실제로 투여되는 화합물의 양은 통상적으로 치료될 상태, 선택된 투여 경로, 투여되는 실제 화합물 및 그의 관련 활성, 개별 환자의 연령, 체중 및 반응, 환자의 증상의 중증도 등을 포함한 관련 환경에 비추어 의사에 의해 결정될 것으로 이해될 것이다.경구 투여는 본 개시내용에 따른 화합물의 투여를 위한 또 다른 경로이다. 투여는 캡슐 또는 장용 코팅 정제 등을 통한 것일 수 있다. 본원에 기재된 적어도 1종의 화합물을 포함하는 제약 조성물의 제조에서, 활성 성분은 통상적으로 부형제에 의하여 희석되고/거나 캡슐, 사쉐, 종이 또는 다른 용기의 형태일 수 있는 담체 내에 둘러싸인다. 부형제가 희석제로서 작용할 경우, 이는 활성 성분에 대한 비히클, 담체 또는 매질로서 작용하는 고체, 반고체 또는 액체 물질 (상기와 같음)의 형태일 수 있다. 따라서, 조성물은 정제, 환제, 분말, 로젠지, 사쉐, 카쉐, 엘릭시르, 현탁액, 에멀젼, 용액, 시럽, 에어로졸 (고체로서 또는 액체 매질 중에), 예를 들어 최대 10 중량%의 활성 화합물을 함유하는 연고, 연질 및 경질 젤라틴 캡슐, 멸균 주사가능한 용액 및 멸균 포장된 분말의 형태일 수 있다.적합한 부형제의 일부 예는 락토스, 덱스트로스, 수크로스, 소르비톨, 만니톨, 전분, 아카시아 검, 인산칼슘, 알기네이트, 트라가칸트, 젤라틴, 규산칼슘, 미세결정질 셀룰로스, 폴리비닐피롤리돈, 셀룰로스, 멸균수, 시럽 및 메틸 셀룰로스를 포함한다. 제제는 추가로 윤활제, 예컨대 활석, 스테아르산마그네슘 및 미네랄 오일; 습윤제; 유화제 및 현탁화제; 보존제, 예컨대 메틸 및 프로필히드록시-벤조에이트; 감미제; 및 향미제를 포함할 수 있다.본 개시내용의 조성물은 관련 기술분야에 공지된 절차를 이용하여 환자에게 투여된 후에 활성 성분(들)의 신속, 지속 또는 지연 방출을 제공하도록 제제화될 수 있다. 경구 투여를 위한 제어 방출 약물 전달 시스템은 중합체-코팅된 저장소 또는 약물-중합체 매트릭스 제제를 함유하는 삼투 펌프 시스템 및 용해 시스템을 포함한다. 제어 방출 시스템의 예는 미국 특허 번호 3,845,770; 4,326,525; 4,902,514; 및 5,616,345에 주어져 있다. 본 개시내용의 방법에 사용하기 위한 또 다른 제제는 경피 전달 장치 ("패치")를 사용한다. 이러한 경피 패치를 사용하여 본 개시내용의 화합물의 연속 또는 불연속 주입을 제어된 양으로 제공할 수 있다. 제약 작용제의 전달을 위한 경피 패치의 구성 및 사용은 관련 기술분야에 널리 공지되어 있다. 예를 들어, 미국 특허 번호 5,023,252, 4,992,445 및 5,001,139를 참조한다. 이러한 패치는 연속형, 펄스형으로 구성될 수 있거나, 또는 제약 작용제의 요구되는 전달에 따라 구성될 수 있다.조성물은 바람직하게는 단위 투여 형태로 제제화된다. 용어 "단위 투여 형태"는 인간 대상체 및 다른 포유동물을 위한 단위 투여량으로서 적합한 물리적 이산 단위를 지칭하며, 각각의 단위는 적합한 제약 부형제와 연관된 목적하는 치료 효과를 생성하도록 계산된 미리 결정된 양의 활성 물질을 함유한다 (예를 들어, 정제, 캡슐, 또는 앰플). 화합물은 일반적으로 제약 유효량으로 투여된다. 경구 투여의 경우, 각각의 투여 단위는 1 mg 내지 1 g, 또는 대안적으로 100 mg 내지 500 mg, 200 mg 내지 400 mg, 또는 400 mg 내지 800 mg의 본원에 기재된 화합물을 함유할 수 있다. 비경구 투여의 경우, 적합한 용량은 0.1 mg 내지 700 mg, 1 mg 내지 300 mg, 또는 대안적으로 5 mg 내지 100 mg의 본원에 기재된 화합물일 수 있다. 그러나, 실제로 투여되는 화합물의 양은 통상적으로 치료될 상태, 선택된 투여 경로, 투여되는 실제 화합물(들) 및 그의 관련 활성, 개별 환자의 연령, 체중 및 반응, 환자의 증상의 중증도 등을 포함한 관련 환경의 관점에서 의사에 의해 결정될 것으로 이해될 것이다.고체 조성물, 예컨대 정제를 제조하기 위해, 주요 활성 성분은 제약 부형제와 혼합되어 본 개시내용의 화합물의 균질 혼합물을 함유하는 고체 예비제제 조성물을 형성한다. 이들 예비 제제 조성물이 균질한 것으로서 지칭되는 경우에, 이는 활성 성분이 조성물 전반에 걸쳐 균일하게 분포되어 상기 조성물이 동등하게 유효한 단위 투여 형태, 예컨대 정제, 환제 및 캡슐로 용이하게 세분될 수 있는 것을 의도한다.본 개시내용의 정제 또는 환제는 코팅되거나 또는 달리 배합되어 지속 작용의 이점을 제공하는 투여 형태를 제공하거나 또는 위의 산성 조건으로부터 보호될 수 있다. 예를 들어, 정제 또는 환제는 내부 투여 및 외부 투여 성분을 포함할 수 있으며, 외부 투여 성분은 내부 투여 성분 상의 외피의 형태일 수 있다. 2종의 성분은, 위에서의 붕해에 저항하고 내부 성분을 십이지장 내로 무손상 통과시키거나 또는 방출이 지연되는 것을 허용하는 장용 층에 의해 분리될 수 있다. 다양한 물질이 장용 층 또는 코팅을 위해 사용될 수 있으며, 이러한 물질은 다수의 중합체 산, 및 중합체 산과 쉘락, 세틸 알콜 및 셀룰로스 아세테이트와 같은 물질의 혼합물을 포함한다.흡입 또는 취입을 위한 조성물은 제약상 허용되는 수성 또는 유기 용매 또는 그의 혼합물 중 용액 및 현탁액, 및 분말을 포함한다. 액체 또는 고체 조성물은 상기 기재된 바와 같은 적합한 제약상 허용되는 부형제를 함유할 수 있다. 바람직하게는, 조성물은 국소 또는 전신 효과를 위한 경구 또는 비강 호흡 경로에 의하여 투여된다. 바람직하게는 제약상 허용되는 용매 중의 조성물은 불활성 기체의 사용에 의해 네뷸라이징될 수 있다. 네뷸라이징된 용액은 네뷸라이징 장치로부터 직접 흡입될 수 있거나, 또는 네뷸라이징 장치는 페이스마스크 텐트 또는 간헐적 양압 호흡 기계에 부착될 수 있다. 용액, 현탁액 또는 분말 조성물은 적절한 방식으로 제제를 전달하는 장치로부터 바람직하게는 경구로 또는 비강으로 투여될 수 있다.조합 요법본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제의 투여에 의해 치료될 환자는 다른 치료제로의 치료로부터 이익을 얻는 질환 또는 상태를 나타낼 수 있다. 이들 질환 또는 상태는 심혈관 성질을 가질 수 있거나 또는 폐 장애, 대사 장애, 위장 장애 등에 관련될 수 있다. 추가적으로, 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제의 투여에 의해 치료될 일부 관상동맥 환자는 항생제, 진통제 및/또는 항우울제 및 항불안제인 치료제로의 치료로부터 이익을 얻을 수 있는 상태를 나타낸다.심혈관제 조합 요법본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제와 다른 치료제의 조합 치료로부터 이익을 얻을 수 있는 심혈관 관련 질환 또는 상태는, 비제한적으로, 안정형 협심증, 불안정형 협심증 (UA), 운동-유발 협심증, 변이형 협심증을 포함한 협심증, 부정맥, 간헐성 파행, 비-STE 심근경색 (NSTEMI)을 포함한 심근경색, 폐동맥 고혈압을 포함한 폐고혈압, 울혈성 (또는 만성) 심부전 및 확장기 심부전을 포함한 심부전 및 보존된 박출 계수를 갖는 심부전 (확장기 기능장애), 급성 심부전, 또는 재발성 허혈을 포함한다.심혈관 관련 질환 또는 상태를 치료하는데 적합한 치료제는 항협심증제, 심부전제, 항혈전제, 항부정맥제, 항고혈압제 및 지질 강하제를 포함한다.본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제와 심혈관 관련 상태를 치료하는데 적합한 치료제의 공-투여는 환자가 현재 받는 표준 관리 요법의 향상을 허용한다. 일부 실시양태에서, 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제는 라놀라진 (라넥사��)과 공-투여된다.항협심증제항협심증제는 베타-차단제, 칼슘 채널 차단제 및 니트레이트를 포함한다. 베타 차단제는 그의 작업부하를 감소시켜 감소된 심박수 및 덜 활발한 심장 수축을 생성하여 심장의 산소에 대한 요구를 감소시킨다. 베타-차단제의 예는 아세부톨롤 (섹트랄(Sectral)��), 아테놀롤 (테노르민(Tenormin)��), 베탁솔롤 (케를론(Kerlone)��), 비소프롤롤/히드로클로로티아지드 (지악(Ziac)��), 비소프롤롤 (제베타(Zebeta)��), 카르테올롤 (카르트롤(Cartrol)��), 에스몰롤 (브레비블록(Brevibloc)��), 라베탈롤 (노르모딘(Normodyne)��, 트란데이트(Trandate)��), 메토프롤롤 (로프레소르(Lopressor)��, 토프롤(Toprol)�� XL), 나돌롤 (코가드(Corgard)��), 프로프라놀롤 (인데랄(Inderal)��), 소탈롤 (베타페이스(Betapace)��) 및 티몰롤 (블로카드렌(Blocadren)��)을 포함한다.니트레이트는 동맥 및 정맥을 확장시켜 관상동맥 혈류를 증가시키고, 혈압을 감소시킨다. 니트레이트의 예는 니트로글리세린, 니트레이트 패치, 이소소르비드 디니트레이트 및 이소소르비드-5-모노니트레이트를 포함한다.칼슘 채널 차단제는 심장의 세포 및 혈관으로 칼슘의 정상적인 흐름을 방해하여 혈관이 이완되도록 함으로써 심장으로의 혈액 및 산소의 공급을 증가시킨다. 칼슘 채널 차단제의 예는 암로디핀 (노바스크(Norvasc)��, 로트렐(Lotrel)��), 베프리딜 (바스코르(Vascor)��), 딜티아젬 (카르디젬(Cardizem)��, 티아작(Tiazac)��), 펠로디핀 (플렌딜(Plendil)��), 니페디핀 (아달라트(Adalat)��, 프로카르디아(Procardia)��), 니모디핀 (니모톱(Nimotop)��), 니솔디핀 (술라르(Sular)��), 베라파밀 (칼란(Calan)��, 이솝틴(Isoptin)��, 베렐란(Verelan)��) 및 니카르디핀을 포함한다.심부전제심부전을 치료하는데 사용되는 작용제는 이뇨제, ACE 억제제, 혈관확장제 및 강심성 글리코시드를 포함한다. 이뇨제는 조직 및 순환에서의 과잉 유체를 제거하여 심부전의 증상 중 다수를 완화시킨다. 이뇨제의 예는 히드로클로로티아지드, 메톨라존 (자록솔린(Zaroxolyn)��), 푸로세미드 (라식스(Lasix)��), 부메타니드 (부멕스(Bumex)��), 스피로노락톤 (알닥톤(Aldactone)��) 및 에플레레논 (인스트라(Inspra)��)을 포함한다.안지오텐신 전환 효소 (ACE) 억제제는 혈관을 확장시켜 혈류에 대한 저항을 감소시킴으로써 심장에 대한 작업부하를 감소시킨다. ACE 억제제의 예는 베나제프릴 (로텐신(Lotensin)��), 캅토프릴 (카포텐(Capoten)��), 에날라프릴 (바소텍(Vasotec)��), 포시노프릴 (모노프릴(Monopril)��), 리시노프릴 (프리니빌(Prinivil)��, 제스트릴(Zestril)��), 모엑시프릴 (유니바스크(Univasc)��), 페린도프릴 (아세온(Aceon)��), 퀴나프릴 (아큐프릴(Accupril)��), 라미프릴 (알타스(Altace)��) 및 트란돌라프릴 (마빅(Mavik)��)을 포함한다.혈관확장제는 혈관을 이완 및 확장시켜 혈관에 대한 압력을 감소시킨다. 혈관확장제의 예는 히드랄라진, 디아족시드, 프라조신, 클로니딘 및 메틸도파를 포함한다. ACE 억제제, 니트레이트, 칼륨 채널 활성화제 및 칼슘 채널 차단제도 또한 혈관확장제로서 작용한다.강심성 글리코시드는 심장의 수축력을 증가시키는 화합물이다. 이들 화합물은 심장의 펌핑 용량을 강화시키고, 불규칙적인 심박 활성을 개선시킨다. 강심성 글리코시드의 예는 디기탈리스, 디곡신 및 디기톡신을 포함한다.항혈전제항혈전제는 혈액의 응고 능력을 억제한다. 항혈전제의 3종의 주요 유형 - 혈소판 억제제, 항응고제 및 혈전용해제가 있다.혈소판 억제제는 혈소판의 응고 능력을 억제하여 동맥에서의 응고를 감소시킨다. 혈소판 억제제의 예는 아세틸살리실산 (아스피린), 티클로피딘, 클로피도그렐 (플라빅스(Plavix)��), 프라수그렐 (에피언트(Effient)��), 디피리다몰, 실로스타졸, 페르산틴 술핀피라존, 디피리다몰, 인도메타신 및 당단백질 llb/llla 억제제, 예컨대 압식시맙, 티로피반 및 엡티피바티드 (인테그렐린(Integrelin)��)를 포함한다. 베타 차단제 및 칼슘 채널 차단제도 또한 혈소판-억제 효과를 갖는다.항응고제는 혈전이 더 크게 성장하는 것을 방지하고 새로운 혈전의 형성을 방지한다. 항응고제의 예는 비발리루딘 (안지오맥스(Angiomax)��), 와파린 (쿠마딘((Coumadin)��), 미분획 헤파린, 저분자량 헤파린, 다나파로이드, 레피루딘 및 아르가트로반을 포함한다.혈전용해제는 기존 혈전을 파괴하도록 작용한다. 혈전용해제의 예는 스트렙토키나제, 우로키나제, 및 테넥테플라제 (TNK), 및 조직 플라스미노겐 활성화제 (t-PA)를 포함한다.항부정맥제항부정맥제는 심박수 및 리듬의 장애를 치료하는데 사용된다. 항부정맥제의 예는 아미오다론, 드로네다론, 퀴니딘, 프로카인아미드, 리도카인 및 프로파페논을 포함한다. 강심성 글리코시드 및 베타 차단제도 또한 항부정맥제로서 사용된다.아미오다론 및 드로네다론과의 조합물은 흥미롭다 (그 전문이 본원에 참조로 포함된 미국 특허 출원 공개 번호 2010/0056536 및 미국 특허 출원 공개 번호 2011/0183990 참조).항고혈압제항고혈압제는 혈압이 정상보다 지속적으로 더 높은 상태인 고혈압을 치료하는데 사용된다. 고혈압은 울혈성 심부전, 아테롬성동맥경화증 및 혈전 형성을 포함한 심혈관 질환의 다수 측면과 연관되어 있다. 항고혈압제의 예는 알파-1-아드레날린성 길항제, 예컨대 프라조신 (미니프레스(Minipress)��), 독사조신 메실레이트 (카르두라(Cardura)��), 프라조신 히드로클로라이드 (미니프레스��), 프라조신, 폴리티아지드 (미니지드(Minizide)��) 및 테라조신 히드로클로라이드 (히트린(Hytrin)��); 베타-아드레날린성 길항제, 예컨대 프로프라놀롤 (인데랄(Inderal)��), 나돌롤 (코가드(Corgard)��), 티몰롤 (블로카드렌(Blocadren)��), 메토프롤롤 (로프레소르(Lopressor)��) 및 핀돌롤 (비스켄(Visken)��); 중추성 알파-아드레날린수용체 효능제, 예컨대 클로니딘 히드로클로라이드 (카타프레스(Catapres)��), 클로니딘 히드로클로라이드 및 클로르탈리돈 (클로르프레스(Clorpres)��, 콤비프레스(Combipres)��), 구아나벤즈 아세테이트 (위텐신(Wytensin)��), 구안파신 히드로클로라이드 (테넥스(Tenex)��), 메틸도파 (알도메트(Aldomet)��), 메틸도파 및 클로로티아지드 (알도클로르(Aldoclor)��), 메틸도파 및 히드로클로로티아지드 (알도릴(Aldoril)��); 조합된 알파/베타-아드레날린성 길항제, 예컨대 라베탈롤 (노르모딘(Normodyne)��, 트란데이트(Trandate)��), 카르베딜롤 (코레그(Coreg)��); 아드레날린성 뉴런 차단제, 예컨대 구아네티딘 (이스멜린(Ismelin)��), 레세르핀 (세르파실(Serpasil)��); 중추 신경계-작용 항고혈압제, 예컨대 클로니딘 (카타프레스(Catapres)��), 메틸도파 (알도메트��), 구아나벤즈 (위텐신��); 항-안지오텐신 II 작용제; ACE 억제제, 예컨대 페린도프릴 (아세온��) 캅토프릴 (카포텐��), 에날라프릴 (바소텍��), 리시노프릴 (프리니빌��, 제스트릴��); 안지오텐신-II 수용체 길항제, 예컨대 칸데사르탄 (아타칸드(Atacand)��), 에프로사르탄 (테베텐(Teveten)��), 이르베사르탄 (아바프로(Avapro)��), 로사르탄 (코자르(Cozaar)��), 텔미사르탄 (미카르디스(Micardis)��), 발사르탄 (디오반(Diovan)��); 칼슘 채널 차단제, 예컨대 베라파밀 (칼란��, 이솝틴��), 딜티아젬 (카르디젬��), 니페디핀 (아달라트��, 프로카르디아��); 이뇨제; 직접 혈관확장제, 예컨대 니트로프루시드 (니프리드(Nipride)��), 디아족시드 (하이퍼스태트(Hyperstat)�� IV), 히드랄라진 (아프레솔린(Apresoline)��), 미녹시딜 (로니텐(Loniten)��), 베라파밀; 및 칼륨 채널 활성화제, 예컨대 아프리카림, 비마칼림, 크로마칼림, 에마칼림, 니코란딜, 및 피나시딜을 포함한다. 고혈압을 앓고 있는 환자는 환자에게 본원에 개시된 화학식 I의 화합물을 적어도 1종의 항고혈압제 치료제와 조합으로 투여하는 것을 포함하는 조합 요법으로의 치료로부터 이익을 얻을 수 있다.지질 강하제지질 강하제는 혈액 중에 존재하는 콜레스테롤 또는 지방 당의 양을 저하시키는데 사용된다. 지질 강하제의 예는 베자피브레이트 (베잘립(Bezalip)��), 시프로피브레이트 (모달림(Modalim)��), 및 스타틴, 예컨대 아토르바스타틴 (리피토르(Lipitor)��), 플루바스타틴 (레스콜(Lescol)��), 로바스타틴 (메바코르(Mevacor)��, 알토코르(Altocor)��), 메바스타틴, 피타바스타틴 (리발로(Livalo)��, 피타바(Pitava)��) 프라바스타틴 (리포스타트(Lipostat)��), 로수바스타틴 (크레스토르(Crestor)��), 및 심바스타틴 (조코르(Zocor)��)을 포함한다.본 개시내용에서, 급성 관상동맥 질환 사건을 나타내는 환자는 종종 대사 장애, 폐 장애, 말초 혈관 장애 또는 위장 장애 중 1종 이상과 같은 속발성 의학적 상태를 앓고 있다. 이러한 환자는, 이를 필요로 하는 환자에게 화학식 I의 화합물을 적어도 1종의 치료제와 조합으로 투여하는 것을 포함하는 조합 요법 (본원에 개시된 잠재적 조합 요법제)의 치료로부터 이익을 얻을 수 있다.폐 장애 조합 요법폐 장애는 폐와 관련된 임의의 질환 또는 상태를 지칭한다. 폐 장애의 예는, 비제한적으로, 폐고혈압, 천식, 만성 폐쇄성 폐 질환 (COPD), 기관지염 및 기종을 포함한다. 폐 장애를 치료하는데 사용되는 치료제의 예는 베타2 효능제 및 항콜린제를 포함한 기관지확장제, 코르티코스테로이드 및 전해질 보충제를 포함한다. 폐 장애를 치료하는데 사용되는 치료제의 구체적 예는 에피네프린, 테르부탈린 (브레사이어(Brethaire)��, 브리카닐(Bricanyl)��), 알부테롤 (프로벤틸(Proventil)��), 살메테롤 (세레벤트(Serevent)��, 세레벤트 디스쿠스(Serevent Diskus)��), 테오필린, 이프라트로피움 브로마이드 (아트로벤트(Atrovent)��), 티오트로피움 (스피리바(Spiriva)��), 메틸프레드니솔론 (솔루-메드롤((Solu-Medrol)��, 메드롤(Medrol)��), 마그네슘 및 칼륨을 포함한다.폐동맥 고혈압 (PAH)는 폐 장애의 형태이다. PAH의 치료에 유용한 화합물은 엔도텔린 수용체 길항제, PDE5 수용체 길항제 등을 포함한다. PAH의 치료에 유용한 작용제의 예는, 예를 들어, 암브리센탄 (레타이리스(Letairis)��), 보센탄 (트라클리어(Tracleer)��), 마시센탄 (옵수미트(Opsumit)��), 리오시구아트 (아뎀파스(Adempas)��), 에포프로스티놀 소듐 (플로란((Flolan)��), 트레스프로스티닐 (레모듈린((Remodulin)��, 티바소(Tyvaso)��), 실데나필 (레바티오((Revatio)��), 타달라필 (애드서카(Adcirca)��)을 포함한다.본원의 개시내용의 화합물은 본 개시내용의 상기 화합물 및 폐 장애를 치료하는데 사용되는 작용제 또는 작용제들의 조합을 투여하는 것을 포함하는, 폐 장애의 치료 또는 예방을 위해 사용될 수 있다.대사 장애 조합 요법대사 장애의 예는, 비제한적으로, 제I형 및 제II형 당뇨병을 비롯한 당뇨병, 대사 증후군, 이상지혈증, 비만, 글루코스 불내성, 고혈압, 상승된 혈청 콜레스테롤, 및 상승된 트리글리세리드를 포함한다.대사 장애를 치료하는데 사용되는 치료제의 예는 상기 "심혈관제 조합 요법" 섹션에 기재된 바와 같이 항고혈압제 및 지질 강하제를 포함한다. 대사 장애를 치료하는데 사용되는 추가의 치료제는 인슐린, 술포닐우레아, 비구아니드, 알파-글루코시다제 억제제 및 인크레틴 모방제를 포함한다. 본원의 개시내용의 화합물은 대사 장애의 치료 또는 예방을 필요로 하는 환자에게 본 개시내용의 상기 화합물을 단독으로 또는 대사 장애를 치료하는데 사용되는 작용제 또는 작용제들과 조합으로 투여하는 것을 포함하는, 대사 장애의 치료 또는 예방을 위해 사용될 수 있다.말초 혈관 장애 조합 요법말초 혈관 장애는, 예를 들어 말초 동맥 질환 (PAD)을 포함한 심장 및 뇌 외부에 위치하는 혈관 (동맥 및 정맥)과 관련된 장애, 내부 기관, 팔 및 다리에 혈액을 공급하는 동맥이 아테롬성동맥경화증의 결과로서 완전 또는 부분 차단될 때 발생하는 상태이다. 본원의 개시내용의 화합물은 말초 혈관 장애의 치료 또는 예방을 필요로 하는 환자에게 본 개시내용의 상기 화합물을 단독으로 또는 말초 혈관 장애를 치료하는데 사용되는 작용제 또는 작용제들과 조합으로 투여하는 것을 포함하는 말초 혈관 장애의 치료 또는 예방을 위해 사용될 수 있다.위장 장애 조합 요법위장 장애는 위장관과 연관되어 있는 질환 및 상태를 지칭한다. 위장 장애의 예는 위식도 역류 질환 (GERD), 염증성 장 질환 (IBD), 위장염, 위염 및 소화성 궤양 질환, 및 췌장염을 포함한다.위장 장애를 치료하는데 사용되는 치료제의 예는 양성자 펌프 억제제, 예컨대 판토프라졸 (프로토닉스(Protonix)��), 란소프라졸 (프레박시드(Prevacid)��), 에소메프라졸 (넥시움(Nexium)��), 오메프라졸 (프릴로섹(Prilosec)��), 라베프라졸; H2 차단제, 예컨대 시메티딘 (타가메트(Tagamet)��), 라니티딘 (잔탁(Zantac)��), 파모티딘 (펩시드(Pepcid)��), 니자티딘 (액시드(Axid)��); 프로스타글란딘, 예컨대 미소프로스톨 (시토텍(Cytotec)��); 수크랄페이트; 및 제산제를 포함한다.항생제, 진통제, 항우울제 및 항불안제 조합 요법급성 관상동맥 질환 사건을 나타내는 환자는 항생제, 진통제, 항우울제 및 항불안제인 치료제 또는 치료제들의 본원에 개시된 화합물과의 조합으로의 투여로부터 이익을 얻는 상태를 나타낼 수 있다.항생제항생제는 박테리아 및 진균 둘 다를 포함한 미생물을 사멸시키거나 또는 그의 성장을 정지시키는 치료제이다. 항생제의 예는 페니실린 (아목시실린), 세팔로스포린, 예컨대 세파졸린, 세푸록심, 세파드록실 (듀리세프(Duricef)��), 세팔렉신 (케플렉스(Keflex)��), 세프라딘 (벨로세프(Velosef)��), 세파클로르 (세클로르(Ceclor)��), 세푸록심 악스텔 (세프틴(Ceftin)��), 세프프로질 (세프질(Cefzil)��), 로라카르베프 (로라비드(Lorabid)��), 세픽심 (슈프락스(Suprax)��), 세프포독심 프록세틸 (반틴(Vantin)��), 세프티부텐 (세닥스(Cedax)��), 세프디니르 (옴니세프(Omnicef)��), 세프트리악손 (로세핀(Rocephin)��), 카르바페넴, 및 모노박탐을 포함한 β-락탐 항생제; 테트라시클린류, 예컨대 테트라시클린; 마크롤리드 항생제, 예컨대 에리트로마이신; 아미노글리코시드, 예컨대 겐타미신, 토브라마이신, 아미카신; 퀴놀론, 예컨대 시프로플록사신; 시클릭 펩티드, 예컨대 반코마이신, 스트렙토그라민, 폴리믹신; 린코사미드, 예컨대 클린다마이신; 옥사졸리디논, 예컨대 리네졸리드; 및 술파 항생제, 예컨대 술프이속사졸을 포함한다. 본원의 개시내용의 화합물은 박테리아 감염의 치료 또는 예방을 필요로 하는 환자에게 본 개시내용의 상기 화합물을 단독으로 또는 박테리아 감염을 치료하기 위해 사용되는 작용제 또는 작용제들과 조합으로 투여하는 것을 포함하는, 박테리아 감염의 치료 또는 예방을 위해 사용될 수 있다.진통제진통제는 통증을 경감하는데 사용되는 치료제이다. 진통제의 예는 오피에이트 및 모르핀모방제, 예컨대 펜타닐 및 모르핀; 파라세타몰; NSAID 및 COX-2 억제제를 포함한다. NaV 1.7 및 1.8 나트륨 채널의 억제를 통해 신경병증성 통증을 치료하기 위한 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제의 능력을 감안하면, 진통제와의 조합이 특히 계획된다. 미국 특허 출원 공개 20090203707을 참조한다.항우울제 및 항불안제항우울제 및 항불안제는 불안 장애, 우울증을 치료하기 위해 사용되는 작용제, 및 진정제 및 신경안정제로서 사용되는 것을 포함한다. 항우울제 및 항불안제의 예는 벤조디아제핀, 예컨대 디아제팜, 로라제팜, 및 미다졸람; 엔조디아제핀; 바르비투레이트; 글루테티미드; 클로랄 수화물; 메프로바메이트; 세르트랄린 (졸로프트(Zoloft)��, 루스트랄(Lustral)��, 아포-세르트랄(Apo-Sertral)��, 아센트라(Asentra)��, 글라뎀(Gladem)��, 세르리프트(Serlift)��, 스티물로톤(Stimuloton)��); 에스시탈로프람 (렉사프로(Lexapro)��, 시프랄렉스(Cipralex)��); 플루옥세틴 (프로작(Prozac)��, 사라펨(Sarafem)��, 플룩틴(Fluctin)��, 폰텍스(Fontex)��, 프로뎁(Prodep)��, 플루뎁(Fludep)��, 로반(Lovan)��); 벤라팍신 (에펙소르(Effexor)�� XR, 에펙소르(Efexor)��); 시탈로프람 (셀렉사(Celexa)��, 시프라밀(Cipramil)��, 탈로헥산(Talohexane)��); 파록세틴 (팍실(Paxil)��, 세록사트(Seroxat)��, 아로팍스(Aropax)��); 트라조돈 (데시렐(Desyrel)��); 아미트립틸린 (엘라빌((Elavil)��); 및 부프로피온 (웰부트린(Wellbutrin)��, 지반(Zyban)��)을 포함한다.따라서, 본 개시내용의 한 측면은 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제 및 조합 치료 또는 예방을 위한 본원에 개시된 적어도 1종의 치료제를 포함하는 조성물을 제공한다. 대안적 실시양태에서, 조성물은 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제 및 조합 치료 또는 예방을 위한 본원의 적어도 2종의 치료제를 포함한다. 추가 대안적 실시양태에서, 조성물은 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제 및 적어도 3종의 치료제, 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제 및 적어도 4종의 치료제, 또는 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제 및 적어도 5종의 치료제를 포함한다.조합 요법의 방법은 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제 및 치료제 또는 치료제들을 함유하는 단일 제제의 공-투여, 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제 및 치료제 또는 치료제들을 포함하는 1종 초과의 제제의 본질적으로 동시의 투여, 및 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제 및 치료제 또는 치료제들의 임의의 순서의 연속 투여를 포함하며, 여기서 바람직하게는 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제 및 치료제 또는 치료제들이 동시에 그의 치료 효과를 발휘하는 시간 주기가 있다.6. 실시예 화합물의 합성본 개시내용의 화합물은 본원에 개시된 방법, 및 본원의 개시내용을 감안하여 명백할 것인 그의 상용 변형 및 관련 기술분야에 널리 공지된 방법을 사용하여 제조될 수 있다. 본원의 교시에 이외에도 통상적인 및 널리 공지된 합성 방법이 사용될 수 있다. 본원에 기재된 화합물, 예를 들어 화학식 I, II 또는 다른 화학식에 의해 기재된 구조를 갖는 화합물 또는 본원에 개시된 화합물의 합성은 하기 실시예에서 기재된 바와 같이 달성될 수 있다. 이용가능한 경우에, 시약은 상업적으로, 예를 들어 시그마 알드리치(Sigma Aldrich) 또는 다른 화학물질 공급업체로부터 구입할 수 있다.일반적 합성본 개시내용에 따른 화합물의 전형적 실시양태는 하기 기재된 일반적 반응식을 사용하여 합성할 수 있다. 치환기가 정의된 목적 생성물을 감안하면, 필요한 출발 물질은 일반적으로 본원에 개시된 일반적 반응식에 기초한 검사에 의해 결정될 수 있는 것이 명백할 것이다. 출발 물질은 전형적으로 상업적 공급원으로부터 입수되거나, 또는 공개된 방법을 사용하여 합성된다. 본 개시내용의 실시양태인 화합물의 합성을 위해, 본원에 개시된 반응식과 관련된 합성될 화합물 구조의 검사는 각각의 치환기의 식별을 제공할 것이다.합성 반응 파라미터본 개시내용의 화합물은, 예를 들어, 하기 일반적 방법 및 절차를 사용하여 용이하게 입수가능한 출발 물질로부터 제조될 수 있다. 전형적인 또는 바람직한 방법 조건 (즉, 반응 온도, 시간, 반응물의 몰비, 용매, 압력 등)이 주어진 경우에, 달리 언급되지 않는 한 다른 방법 조건이 또한 사용될 수 있다는 것이 인지될 것이다. 최적의 또는 적합한 반응 조건은 사용된 특정한 반응물 또는 용매에 따라 달라질 수 있지만, 이러한 조건은 상용 최적화 절차에 의해 또는 관련 기술분야를 참조하여 관련 기술분야의 통상의 기술자에 의해 결정될 수 있다.추가적으로, 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 명백할 것인 바와 같이, 통상적인 보호기는 특정 관능기를 목적하지 않은 반응을 겪는 것으로부터 보호하기 위해 필요할 수 있다. 다양한 관능기에 대한 적합한 보호기 뿐만 아니라 특정한 관능기를 보호 및 탈보호하기 위한 적합한 조건은 관련 기술분야에 널리 공지되어 있다. 예를 들어, 수많은 보호기들이 문헌 [T. W. Greene and G. M. Wuts (1999) Protecting Groups in Organic Synthesis, 3rd Edition, Wiley, New York] 및 그에 인용된 참고문헌에 기재되어 있다.게다가, 본 개시내용의 화합물은 1개 이상의 키랄 중심을 함유할 수 있다. 따라서, 원하는 경우에, 이러한 화합물은 순수한 입체이성질체로, 즉 개별 거울상이성질체 또는 부분입체이성질체로, 또는 입체이성질체-풍부 혼합물로 제조 또는 단리될 수 있다. 이러한 모든 입체이성질체 (및 풍부 혼합물)는 달리 나타내지 않는 한 본 개시내용의 범위 내에 포함된다. 순수한 입체이성질체 (또는 풍부 혼합물)는, 예를 들어, 관련 기술분야에 널리 공지된 광학 활성 출발 물질 또는 입체선택적 시약을 사용하여 제조될 수 있다. 대안적으로, 이러한 화합물의 라세미 혼합물은, 예를 들어, 키랄 칼럼 크로마토그래피, 키랄 분해제 등을 사용하여 분리될 수 있다.하기 반응을 위한 출발 물질은 일반적으로 공지된 화합물이거나, 또는 공지된 절차 또는 그의 명백한 변형에 의해 제조될 수 있다. 예를 들어, 다수의 출발 물질이 알드리치 케미칼 캄파니(Aldrich Chemical Co.) (미국 위스콘신주 밀워키), 바켐(Bachem) (미국 캘리포니아주 토런스), 엠카-켐스(Emka-Chemce) 또는 시그마(Sigma) (미국 미주리주 세인트 루이스)와 같은 상업적 공급업체로부터 입수가능하다. 다른 것들은 표준 참고 문헌, 예컨대 문헌 [Fieser and Fieser's Reagents for Organic Synthesis, Volumes 1-15 (John Wiley, and Sons, 1991), Rodd's Chemistry of Carbon Compounds, Volumes 1-5, and Supplementals (Elsevier Science Publishers, 1989) organic Reactions, Volumes 1-40 (John Wiley, and Sons, 1991), March's Advanced Organic Chemistry, (John Wiley, and Sons, 5th Edition, 2001), 및 Larock's Comprehensive Organic Transformations (VCH Publishers Inc., 1989)]에 기재된 절차 또는 그의 명백한 변형에 의해 제조될 수 있다.용어 "용매", "불활성 유기 용매" 또는 "불활성 용매"는 이와 관련하여 기재된 반응의 조건 하에서 불활성인 용매 (예를 들어 벤젠, 톨루엔, 아세토니트릴, 테트라히드로푸란 ("THF"), 디메틸포름아미드 ("DMF"), 클로로포름, 메틸렌 클로라이드 (또는 디클로로메탄), 디에틸 에테르, 메탄올, 피리딘 등 포함)를 지칭한다. 달리 명시되지 않는 한, 본 개시내용의 반응에 사용되는 용매는 불활성 유기 용매이고, 반응은 불활성 기체, 바람직하게는 질소 하에 수행된다.용어 "충분량"은 언급된 기능을 달성하도록, 예를 들어 용액이 목적하는 부피 (즉, 100%)가 되도록 충분량을 첨가하는 것을 의미한다.화학식 I의 화합물의 합성003c#반응식 1003e#일반적으로, 목적하는 R4, R6 및 R7 치환기를 갖는 화학식 1의 살리실알데히드 유도체는 적절한 이탈기, 예를 들어 브로모 또는 다른 적합한 이탈기를 갖는 출발 물질로서 사용된다. 화학식 1의 화합물은 화학식 I의 목적하는 (CR2R2')n-R1 기를 갖는 적절한 아민과의 환원성 아미노화 반응에서 반응하여 2급 아민 커플링된 생성물 3을 형성한다. 관련 기술분야의 통상의 기술자는 환원성 아미노화 반응을 달성하기 위한 방법을 알고 있다. 화합물 3은 적합한 염기 (예를 들어 트리에틸아민) 및 적합한 용매, 예를 들어 테트라히드로푸란의 존재 하에 비스이미다졸린 카르보닐 (또한 카르보닐 디이미다졸 (CDI)로 지칭됨)을 사용하는 카르보닐 삽입 반응을 통해 고리화되어 벤조이속사지논 화합물 4를 형성한다. 중간체 4 및 R5 기의 보론산 또는 보론산 에스테르 공급원의 팔라듐 촉매된 (스즈키) 커플링은 제시된 바와 같이 화학식 6의 화합물을 제공한다.관련 기술분야의 통상의 기술자는 화학식 I의 목적 화합물 또는 본원에 개시된 다른 화합물에 따른 아릴, 헤테로아릴 또는 헤테로시클릭 코어를 갖는 다른 R5 기가 보론산 커플링 파트너 또는 다른 커플링 반응 파트너로서 도입되어 화합물 6 또는 아릴, 헤테로아릴 또는 헤테로시클릭 R5 기를 갖는 화학식 I의 화합물의 목적 유사체를 제조할 수 있다는 것을 알고 있다.헤테로시클릭 R1 기, 예를 들어 이미다졸릴, 피리미딘 또는 티아졸릴을 갖는 화학식 I의 화합물의 제조는 헤테로시클릭 말단을 갖는 아민으로 출발함으로써 달성될 수 있다. 하기 반응식 2는 R1이 헤테로시클릭, 예를 들어 피리미디닐인 화합물 12의 형성을 제시하는 상기 일반적 반응식 1의 구체적 예이다.003c#반응식 2003e#상기 반응식 2에 제시된 바와 같이, 임의로 치환된 2-히드록시,5-브로모 벤즈알데히드 7은 환원성 아미노화 조건 하에 임의로 치환된 2-아미노메틸피리미딘 히드로클로라이드 8과 반응하여 커플링된 아민 생성물 9를 제공한다. 예를 들어, 환원성 아미노화는 환원제, 예컨대 수소화붕소나트륨을 사용하여; 적합한 용매 또는 용매 혼합물, 예컨대 테트라히드로푸란 또는 1:1 THF/MeOH; 적합한 염기, 예컨대 디이소프로필 에틸아민 중에서; 및 적합한 온도 조건, 예를 들어 약 실온 하에 실행하여 커플링된 생성물 9를 제공할 수 있다. 이어서, 커플링된 생성물 9를 공지된 카르보닐 삽입 반응 조건 하에 또는 실시예 섹션에서 본원에 개시된 바와 같이 카르보닐디이미다졸 (CDI)과 반응시킨다. 예를 들어, 커플링은 적합한 용매, 예컨대 테트라히드로푸란; 적합한 염기, 예컨대 트리에틸아민 중에서; 및 적합한 온도 상태, 예를 들어 약 65℃ 하에 실행하여 카르바메이트 생성물 10을 제공할 수 있다. 이어서, 카르바메이트 10은 적합한 촉매 반응 조건 (예를 들어 Pd(dppf), K2CO3, 톨루엔/IPA/H2O 혼합물 (3:1:1)) 하에 임의로 치환된 페닐 보론산 11 (또는 다른 아릴, 헤테로아릴 또는 헤테로시클릭 보론산 또는 에스테르)과 반응하여 목적 화합물 12 또는 화학식 I 또는 다른 실시양태의 유사체를 제공한다.임의적인 코어 합성한 실시양태에서, 본 개시내용의 화합물은 알데히드 및 아민의 공급원을 역전시킴으로써 제조되어 환원성 아미노화 생성물을 생성할 수 있다. 예를 들어, 반응식 3은 R1이 헤테로시클릭 (예를 들어 임의로 치환된 티아졸릴)인 화학식 I 또는 본원에 개시된 다른 실시양태의 화합물을 형성하기 위한 역전된 환원성 아미노화 파트너의 사용을 강조한다. 반응식은 또한 R1이 아릴 또는 헤테로아릴인 본 개시내용의 화합물에 적용가능하다. 반응식 3에서 알데히드 13은 환원성 아미노화 조건 하에 벤질 아민 화합물 14와 반응하여 화합물 15를 제공한다. 화합물 15는 카르보닐화되어 시클릭 카르바메이트 16을 형성하며, 이는 이어서 임의로 치환된 페닐 보론산 17 또는 에스테르 (또는 임의로 치환된 헤테로아릴 또는 헤테로시클릭 보론산 또는 에스테르)와 스즈키 커플링 반응을 통해 커플링되어 화합물 18을 제공한다.003c#반응식 3003e#R3이 알킬 또는 다른 개시된 치환기인 화학식 I 또는 본원에 개시된 다른 실시양태의 화합물은 알데히드 대신에 상응하는 케톤을 이용함으로써 제조할 수 있다.003c#반응식 4003e#예를 들어, 반응식 4는 케톤 19로 출발하여 화합물 22, 화학식 I의 화합물의 형성을 제시한다. 케톤 19는 아민 2와 환원적으로 아미노화되어 이전에 기재된 절차에 따라 커플링된 2급 아민 19를 제조한다. 아민 19는 카르보닐화되어 카르바메이트 20을 형성한다. 카르바메이트 20은 보론산 또는 보론산 에스테르로서 도입된 R5 기와 커플링되어 화합물 22를 제공한다.R6이 R5의 페닐 고리와 조합하여 1 또는 2개의 기로 임의로 치환된 테트라시클릭 고리를 형성하는 화학식 I의 화합물은 하기 반응식 5의 절차 또는 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 공지된 그의 변형에 따라 제조할 수 있다.003c#반응식 5003e#반응식 5에 제시된 바와 같이, 화학식 I의 화합물의 R6 위치 상의 알킬, 예를 들어 메틸 치환기를 갖는 적절하게 치환된 살리실알데히드 유도체는 환원성 아미노화 조건 하에 아민 8과 반응하여 화합물 23을 제조할 수 있다. 이어서, 화합물 23은 고리화되어 본원에 기재된 카르보닐 삽입 절차를 사용하여 카르바메이트 24를 형성한다. 이이서, 카르바메이트 24는 적절하게 치환된 이탈기, 예를 들어 할로겐을 갖는 보론산 공급원에 커플링되어 이전에 기재된 스즈키 커플링 절차를 사용하여 중간체 25를 형성한다. 이어서, 커플링된 생성물 25는 본원에 개시되거나 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 공지된 바와 같은 적절한 리간드 (예를 들어 1,3-비스(2,6-디이소프로필페닐)-1H-이미다졸-3-윰 클로라이드) 및 반응 조건을 사용하여 테트라시클릭 고리 생성물 27에 대한 벤질계 C-H 결합의 팔라듐 촉매된 활성화를 통해 고리화된다. 예를 들어, 문헌 [Tao, TinWu et al., Synthesized of methylene-bridge Polyarenes through Palladium Catalyzed Activation of Benzylic Carbon-Hydrogen Bond, Adv. Synth. Catal. 2010, 352, 3267-3274]을 참조한다.상기 제공된 반응식에서, 반응이 다수의 이성질체 생성물의 제조를 일으킬 수 있으며, 이들 중 일부 또는 전부는 통상적인 기술을 사용하여 단리 및 정제될 수 있다는 것이 또한 인지될 것이다.실시예하기 실시예는 본 개시내용의 실시양태를 증명하기 위해 포함된다. 하기 실시예에 개시된 기술은, 본 개시내용의 실시에서 잘 기능하기 위한, 본 발명자들에 의해 밝혀진 기술을 나타내고, 이에 따라 그의 실시를 위한 바람직한 방식을 구성하는 것으로 고려될 수 있다는 것이 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 인식되어야 한다. 그러나, 관련 기술분야의 통상의 기술자는 본 개시내용에 비추어 본 개시내용의 취지 및 범주로부터 벗어나지 않으면서 개시되어 있는 구체적 실시양태에서 변경이 이루어질 수 있으며 여전히 유사하거나 비슷한 결과를 얻을 수 있음을 인지해야 한다.약어 및 두문자어의 목록실시예실시예 16-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온5-브로모살리실알데히드 (2.49 mmol) 및 2-아미노메틸피리미딘 HCl (3.73 mmol)을 THF:MeOH (20:2 mL) 혼합물 중에서 합하고, 이어서 N,N-디이소프로필에틸아민 (5-7 mmol)을 첨가하였다. 혼합물을 실온에서 N2 하에 수시간 동안 교반하였다. 반응을 완료 또는 실질적으로 완료한 후, NaBH4 1 당량을 첨가하고, 혼합물을 실온에서 밤새 교반하였다. 과량의 히드라이드를 1N HCl로 켄칭하였다. 혼합물을 농축시켜 대부분의 유기 용매를 제거하였다. 물을 첨가하고, 유기 상을 DCM으로 추출하였다. 유기 상을 농축시켜 A를 수득하였다.A (2.49 mmol)를 THF (50mL) 중에 용해시키고, 이어서 카르보닐디이미다졸 (CDI) (3.73 mmol) 및 트리에틸아민 (2mL)을 첨가하였다. 생성된 혼합물을 2-4시간 동안 환류하였다. LCMS는 목적 생성물 B로의 완전한 전환을 나타내었다. 반응 혼합물을 농축시키고, DCM 중에 용해시켰다. 농축물을 1N HCl로 세척하였다. 유기 용매를 제거하고, 잔류물을 후속 단계에 추가 정제 없이 사용하였다.B (0.625 mmol), (2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)보론산 (0.75mmol), 1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센-팔라듐(II)디클로라이드 디클로로메탄 착물 [Pd(dppf)CH2Cl2] (0.031 mmol), 및 탄산칼륨 (1.25mmol)을 마이크로웨이브 반응관 (둥근 2-5 mL 크기)에서 톨루엔 (3ml), 2-프로판올 (1ml) 및 물 (1ml)과 합하였다. 2상 반응 혼합물을 70℃에서 1시간 동안 가열하였다. LCMS는 목적 생성물로의 완전한 전환을 나타내었다. 반응 혼합물을 에틸 아세테이트를 사용하여 셀라이트의 플러그를 통해 여과하였다. 여과물을 농축시키고, 정제용 TLC (5% MeOH:CH2Cl2)에 이어서 정제용 HPLC에 의해 정제하여 실시예 1의 화합물을 수득하였다.m/z (ESI) = 432 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.82 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.53 - 7.28 (m, 4H), 7.20 - 7.08 (m, 2H), 7.02 (dd, J = 8.5, 1.2 Hz, 1H), 4.81 (s, 2H), 4.74 (s, 2H), 3.81 (s, 3H).실시예 1의 화합물을 제조하는 것과 유사한 절차를 하기 실시예 화합물에 대해 사용하였다. 관련 기술분야의 통상의 기술자는 실시예 1의 화합물의 기에 상응하는 변형을 도입하기 위해 필요한 유사한 출발 물질을 사용하여 목적 생성물을 수득하는 것을 알고 있다. 예를 들어, 적절하게 치환된 5-브로모살리실알데히드를 사용하여 벤조이속사지논 코어의 페닐 기 상의 치환기를 도입할 수 있다. 유사하게, 적절하게 치환된 보론산 시약 또는 유사체를 사용하여 화학식 I의 목적 치환기 R5를 달성하는 바와 같이, 2-아미노메틸 피리딘 대신에 적절하게 임의로 치환된 아민을 사용하여 목적 -(CR2R2')n-R1 기를 달성한다.실시예 23-(피리딘-4-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 385.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.72 - 8.59 (m, 2H), 7.95 - 7.75 (m, 4H), 7.70 (dd, J = 8.5, 2.3 Hz, 1H), 7.64 (d, J = 2.2 Hz, 1H), 7.58 (d, J = 5.6 Hz, 2H), 7.21 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.75 (s, 2H), 4.62 (s, 2H).실시예 33-(피리미딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 402 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.80 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.88 - 7.68 (m, 2H), 7.70 - 7.50 (m, 2H), 7.51 - 7.38 (m, 3H), 7.17 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.81 (s, 2H), 4.75 (s, 2H).실시예 43-(피리미딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 386 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.80 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.87 (d, J = 8.3 Hz, 2H), 7.80 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 7.76 - 7.61 (m, 2H), 7.44 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.20 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.81 (s, 2H), 4.77 (s, 2H).실시예 56-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 416.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.81 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.73 - 7.51 (m, 4H), 7.51 - 7.33 (m, 2H), 7.18 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.82 (s, 2H), 4.76 (s, 2H), 2.34 (s, 3H).실시예 66-(4-클로로-3-플루오로페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 370.0 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.81 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.81 - 7.61 (m, 4H), 7.60 - 7.48 (m, 1H), 7.45 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.18 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.82 (s, 2H), 4.76 (s, 2H).실시예 76-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 420.0 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.81 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.67 (t, J = 8.8 Hz, 1H), 7.62 - 7.40 (m, 4H), 7.40 - 7.30 (m, 1H), 7.21 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.82 (s, 2H), 4.76 (s, 2H).실시예 86-(2-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 416.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.81 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.45 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.38 - 7.28 (m, 3H), 7.26 (d, J = 2.1 Hz, 2H), 7.16 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 4.81 (s, 2H), 4.74 (s, 2H), 2.27 (s, 3H).실시예 96-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 432.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.86 - 8.74 (m, 2H), 7.50 - 7.29 (m, 4H), 7.18 - 7.07 (m, 2H), 7.02 (dt, J = 8.6, 1.2 Hz, 1H), 4.81 (s, 2H), 4.73 (s, 2H), 3.80 (s, 3H).실시예 106-(3-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 420.0 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.81 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.84 (dd, J = 11.9, 2.0 Hz, 1H), 7.76 - 7.55 (m, 4H), 7.45 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.20 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.82 (s, 2H), 4.76 (s, 2H).실시예 116-(4-클로로-3-플루오로페닐)-4-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 384.0 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.77 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.80 (dd, J = 11.1, 2.1 Hz, 1H), 7.76 - 7.62 (m, 3H), 7.62 - 7.52 (m, 1H), 7.41 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.19 (d, J = 9.2 Hz, 1H), 5.01 (d, J = 17.2 Hz, 1H), 4.80 (d, J = 6.5 Hz, 1H), 4.71 (d, J = 17.2 Hz, 1H), 1.53 (d, J = 6.5 Hz, 3H).실시예 123-((5-메틸피리미딘-2-일)메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 416.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.65 (d, J = 0.9 Hz, 2H), 7.83 - 7.70 (m, 2H), 7.71 - 7.52 (m, 2H), 7.51 - 7.38 (m, 2H), 7.18 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.75 (s, 2H), 4.72 (s, 2H), 2.27 (s, 3H).실시예 133-((5-메틸피리미딘-2-일)메틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 400.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.65 (d, J = 0.9 Hz, 2H), 7.94 - 7.76 (m, 4H), 7.76 - 7.61 (m, 2H), 7.21 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.76 (s, 2H), 4.74 (s, 2H), 2.27 (s, 3H).실시예 146-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((5-메틸피리미딘-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 434.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.65 (d, J = 0.9 Hz, 2H), 7.67 (t, J = 8.8 Hz, 1H), 7.59 - 7.41 (m, 3H), 7.41 - 7.29 (m, 1H), 7.20 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.75 (s, 2H), 4.72 (s, 2H), 2.27 (s, 3H).실시예 153-((2-메틸피리미딘-4-일)메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 416.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.66 (d, J = 5.2 Hz, 1H), 7.83 - 7.71 (m, 2H), 7.71 - 7.53 (m, 2H), 7.52 - 7.40 (m, 2H), 7.34 (d, J = 5.2 Hz, 1H), 7.19 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.69 (s, 2H), 4.67 (s, 2H), 2.60 (s, 3H).실시예 163-(2-(피리미딘-2-일)에틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 416.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.74 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.84 - 7.70 (m, 2H), 7.66 - 7.52 (m, 2H), 7.51 - 7.40 (m, 2H), 7.37 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.12 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 4.63 (s, 2H), 3.85 (t, J = 7.3 Hz, 2H), 3.25 (t, J = 7.3 Hz, 2H).실시예 173-(2-(피리미딘-2-일)에틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 400.2 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.74 (d, J = 4.9 Hz, 1H), 7.98 - 7.73 (m, 4H), 7.75 - 7.55 (m, 2H), 7.37 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.15 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 4.65 (s, 2H), 3.85 (t, J = 7.3 Hz, 2H), 3.25 (t, J = 7.3 Hz, 2H).실시예 186-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(2-(피리미딘-2-일)에틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 446.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.73 (m, 2H), 7.42 - 7.30 (m, 3H), 7.21 - 7.08 (m, 4H), 4.60 (s, 2H), 3.90 - 3.75 (m, 5H), 3.24 (m, 2H).실시예 196-(2-프로폭시-4-(트리플루오로메틸)페닐)-3-(2-(피리미딘-2-일)에틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 458.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.74 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.57 - 7.43 (m, 2H), 7.44 - 7.31 (m, 4H), 7.08 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.60 (s, 2H), 4.05 (t, J = 6.3 Hz, 2H), 3.84 (t, J = 7.3 Hz, 2H), 3.24 (t, J = 7.3 Hz, 2H), 1.68 (m, 2H), 0.93 (t, J = 7.4 Hz, 3H).실시예 203-(피리딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 401.2 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, 클로로포름-d) δ 8.78 - 8.71 (m, 1H), 8.08 (m, 1H), 7.86 (d, J = 7.9 Hz, 1H), 7.63 - 7.55 (m, 1H), 7.56 - 7.48 (m, 2H), 7.46 (dd, J = 8.5, 2.2 Hz, 1H), 7.31 - 7.23 (m, 3H), 7.12 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 5.00 (s, 2H), 4.73 (s, 2H).실시예 216-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 419.2 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, 클로로포름-d) δ 8.76 (d, J = 5.4 Hz, 1H), 8.13 - 8.05 (m, 1H), 7.86 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 7.62 - 7.56 (m, 1H), 7.47 - 7.35 (m, 2H), 7.26 (s, 1H), 7.17 - 7.01 (m, 3H), 5.00 (s, 2H), 4.72 (s, 2H).실시예 226-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 431.2 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, 클로로포름-d) δ 8.82 - 8.73 (m, 1H), 8.20 - 8.08 (m, 1H), 7.96 - 7.86 (m, 1H), 7.70 - 7.59 (m, 1H), 7.38 (dd, J = 8.4, 2.0 Hz, 1H), 7.24 (m, 1H), 7.09 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 6.93 - 6.85 (m, 1H), 6.81 (m, 1H), 5.03 (s, 2H), 4.70 (s, 2H), 3.81 (s, 3H).실시예 236-(2-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 415.2 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, 클로로포름-d) δ 8.84 - 8.72 (m, 1H), 8.14 (m, 1H), 7.94 (m, 1H), 7.72 - 7.59 (m, 1H), 7.24 - 6.97 (m, 6H), 5.03 (s, 2H), 4.73 (s, 2H), 2.24 (s, 3H).실시예 243-(피리딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 385.2 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, 클로로포름-d) δ 8.79 (d, J = 5.3 Hz, 1H), 8.22 - 8.08 (m, 1H), 7.98 - 7.88 (m, 1H), 7.75 - 7.56 (m, 5H), 7.51 (dd, J = 8.5, 2.0 Hz, 1H), 7.33 (d, J = 2.1 Hz, 1H), 7.14 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 5.03 (s, 2H), 4.76 (s, 2H).실시예 256-(2-이소프로폭시-4-(트리플루오로메틸)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 444.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.81 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.59 - 7.26 (m, 6H), 7.15 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.80 (s, 2H), 4.79 - 4.66 (m, 3H), 1.23 (d, J = 6.0 Hz, 5H).실시예 266-(2,2-디플루오로벤조[d][1,3]디옥솔-5-일)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 498.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.81 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.73 (m,1H), 7.70 - 7.52 (m, 2H), 7.52 - 7.38 (m, 3H), 7.17 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.82 (s, 2H), 4.76 (s, 2H).실시예 276-(2-프로폭시-4-(트리플루오로메틸)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 444.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.81 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.60 - 7.28 (m, 6H), 7.15 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.82 (s, 2H), 4.74 (s, 2H), 4.05 (t, J = 6.3 Hz, 2H), 1.68 (m, 2H), 0.92 (t, J = 7.4 Hz, 3H).실시예 286-(2-프로폭시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 460.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.81 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.54 - 7.31 (m, 5H), 7.20 - 7.05 (m, 2H), 7.00 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 4.81 (s, 2H), 4.73 (s, 2H), 3.99 (t, J = 6.3 Hz, 2H), 1.67 (m, 2H), 0.91 (t, J = 7.4 Hz, 3H).실시예 293-((4-메틸피리미딘-2-일)메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 416.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.63 (d, J = 5.1 Hz, 1H), 7.84 - 7.72 (m, 2H), 7.70 - 7.54 (m, 2H), 7.50 - 7.40 (m, 2H), 7.31 (d, J = 5.1 Hz, 1H), 7.18 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.76 (m, 4H), 2.46 (s, 3H).실시예 303-((4-메틸피리미딘-2-일)메틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 400.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.63 (d, J = 5.1 Hz, 1H), 7.88 (m, 2H), 7.81 (m, 2H), 7.76 - 7.63 (m, 2H), 7.31 (d, J = 5.1 Hz, 1H), 7.22 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.77 (m, 4H), 2.46 (s, 3H).실시예 316-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((4-메틸피리미딘-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 446.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.61 (d, J = 5.1 Hz, 1H), 7.42 - 7.36 (m, 2H), 7.34 - 7.27 (m, 2H), 7.12 - 7.08 (m, 2H), 7.00 (d, J = 7.0 Hz, 1H), 4.72 (m, 4H), 3.79 (s, 3H), 2.44 (s, 3H).실시예 326-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((4-메틸피리미딘-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 434.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.61 (d, J = 5.1 Hz, 1H), 7.65 (m, 1H), 7.57 - 7.41 (m, 3H), 7.37 - 7.24 (m, 2H), 7.19 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.74 (m, 4H), 2.44 (s, 3H).실시예 336-(2-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((4-메틸피리미딘-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 430.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.63 (d, J = 5.1 Hz, 1H), 7.37 - 7.20 (m, 6H), 7.15 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 4.74 - 4.72 (m, 4H), 2.46 (s, 3H), 2.27 (s, 3H).실시예 346-(2-메톡시-4-(트리플루오로메틸)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 416.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.80 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.55 - 7.40 (m, 3H), 7.37 - 7.36(m, 3H), 7.13 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 4.79 (s, 2H), 4.73 (s, 2H), 3.84 (s, 3H).실시예 356-(2-에톡시-4-(트리플루오로메틸)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 430.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.81 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.51 - 7.48 (m, 2H), 7.50 - 7.38 (m, 2H), 7.35 - 7.33 (m, 2H), 7.15 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.82 (s, 2H), 4.75 (s, 2H), 4.15 (q, J = 6.9 Hz, 2H), 1.29 (t, J = 6.9 Hz, 3H).실시예 366-(2-플루오로-4-(트리플루오로메틸)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 404.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.82 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.86 - 7.73 (m, 2H), 7.69 - 7.66 (m, 1H), 7.63 - 7.49 (m, 2H), 7.45 - 7.42 (m, 1H), 7.24 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.82 (s, 2H), 4.78 (s, 2H).실시예 376-(2-메틸-4-(트리플루오로메틸)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 400.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.82 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.69 (d, J = 1.9 Hz, 1H), 7.61 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 7.50 - 7.40 (m, 2H), 7.35 (dd, J = 8.4, 2.1 Hz, 1H), 7.29 (d, J = 2.0 Hz, 1H), 7.18 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 4.82 (s, 2H), 4.76 (s, 2H), 2.32 (s, 3H).실시예 383-(피리미딘-2-일메틸)-6-(4-(1-(트리플루오로메틸)시클로프로필)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 426.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.81 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.71 - 7.49 (m, 6H), 7.45 (s, 1H), 7.17 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.82 (s, 2H), 4.77 (s, 2H), 1.36 (d, J = 2.0 Hz, 2H), 1.16 (s, 2H).실시예 396-(2-이소프로폭시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 460.2 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.81 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.54 - 7.32 (m, 4H), 7.20 - 7.04 (m, 2H), 7.06 - 6.93 (m, 1H), 4.81 (s, 2H), 4.78 - 4.59 (m, 3H), 1.23 (d, J = 6.0 Hz, 6H).실시예 406-(2-에톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 446.2 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.81 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.50 - 7.35 (m, 4H), 7.15 - 7.07 (m, 2H), 7.03 - 6.97 (m, 1H), 4.81 (s, 2H), 4.73 (s, 2H), 4.08 (m, 2H), 1.27 (t, J = 6.9 Hz, 3H).실시예 416-(2-플루오로-4-(트리플루오로메틸)페닐)-3-((5-메틸피리미딘-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 418.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.65 (d, J = 1.0 Hz, 2H), 7.88 - 7.72 (m, 2H), 7.69 - 7.65 (m, 1H), 7.64 - 7.46 (m, 2H), 7.23 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.76 - 4.73 (m, 4H), 2.27 (s, 3H).실시예 426-(2-메톡시-4-(트리플루오로메틸)페닐)-3-((5-메틸피리미딘-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 430.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.65 (d, J = 0.9 Hz, 2H), 7.49 - 7.43 (m, 2H), 7.38 - 7.36 (m, 3H), 7.15 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.77 (s, 2H), 4.72 (s, 2H), 3.86 (s, 3H), 2.27 (s, 3H).실시예 436-(2-메틸-4-(트리플루오로메틸)페닐)-3-((5-메틸피리미딘-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 414.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.65 (d, J = 0.9 Hz, 2H), 7.68 (d, J = 1.8 Hz, 1H), 7.64 - 7.55 (m, 1H), 7.42 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 7.35 (dd, J = 8.4, 2.1 Hz, 1H), 7.28 (d, J = 2.1 Hz, 1H), 7.18 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 4.75 - 4.71 (m, 4H), 2.29 (s, 3H) 2.25 (s, 3H).실시예 446-(2-메톡시-4-(트리플루오로메틸)페닐)-3-((6-메틸피리딘-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 429.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.86 - 7.80 (m, 1H), 7.56 - 7.42 (m, 2H), 7.42 - 7.28 (m, 5H), 7.14 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.72 (s, 2H), 4.67 (s, 2H), 3.85 (s, 3H), 2.53 (s, 3H).실시예 456-(2-플루오로-4-(트리플루오로메틸)페닐)-3-((6-메틸피리딘-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 417.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.93 - 7.64 (m, 4H), 7.63 - 7.48 (m, 2H), 7.34 (d, J = 2.8 Hz, 2H), 7.23 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.71 - 4.67 (m, 4H), 2.52 (s, 3H).실시예 466-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((6-메틸피리딘-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 445.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.87 (t, J = 7.8 Hz, 1H), 7.47 - 7.28 (m, 5H), 7.12 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 7.01 - 6.99 (m, 1H), 4.72 (s, 2H), 4.66 (s, 2H), 2.53 (s, 3H).실시예 476-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((6-메틸피리딘-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 433.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.89 - 7.80 (m, 1H), 7.65 (t, J = 8.7 Hz, 1H), 7.55 - 7.43 (m, 3H), 7.43 - 7.29 (m, 3H), 7.20 (d, J = 8.5 Hz, 1H), 4.74 (s, 2H), 4.69 (s, 2H), 2.53 (s, 3H).실시예 48-51의 화합물을 5-브로모살리실알데히드 대신에 5'-브로모-2'-히드록시아세톤을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1-47의 화합물과 유사한 방식으로 제조하였다.실시예 484-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 416.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.75 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.84 - 7.73 (m, 2H), 7.68 - 7.57 (m, 2H), 7.49 - 7.33 (m, 3H), 7.23 - 7.13 (m, 1H), 5.00 (d, J = 17.2 Hz, 1H), 4.80 (q, J = 6.5 Hz, 1H), 4.69 (d, J = 17.2 Hz, 1H), 1.51 (d, J = 6.5 Hz, 3H).실시예 494-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-6-(4-(트리플루오로메틸)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 400.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.76 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.95 - 7.83 (m, 2H), 7.80 (d, J = 8.3 Hz, 2H), 7.75 - 7.64 (m, 2H), 7.40 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.21 (d, J = 9.1 Hz, 1H), 5.01 (d, J = 17.2 Hz, 1H), 4.82 (q, J = 6.5 Hz, 1H), 4.70 (d, J = 17.2 Hz, 1H), 1.52 (d, J = 6.5 Hz, 3H).실시예 504-메틸-3-(피리미딘-2-일메틸)-6-(3-(트리플루오로메톡시)페닐)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 416.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.75 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.78 - 7.62 (m, 4H), 7.58 (t, J = 8.0 Hz, 1H), 7.46 - 7.29 (m, 2H), 7.23 - 7.11 (m, 1H), 5.00 (d, J = 17.2 Hz, 1H), 4.81 (q, J = 6.5 Hz, 1H), 4.69 (d, J = 17.2 Hz, 1H), 1.52 (d, J = 6.5 Hz, 3H).실시예 514-메틸-6-(3-페녹시페닐)-3-(피리미딘-2-일메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 424.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.77 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.62 (d, J = 8.0 Hz, 2H), 7.52 - 7.32 (m, 6H), 7.15 (ddt, J = 8.4, 7.2, 1.1 Hz, 2H), 7.10 - 7.02 (m, 2H), 7.02 - 6.92 (m, 1H), 5.01 (d, J = 17.2 Hz, 1H), 4.81 (q, J = 6.3 Hz, 1H), 4.70 (d, J = 17.2 Hz, 1H), 1.52 (d, J = 6.5 Hz, 3H).실시예 52실시예 52의 화합물을 하기 절차에 따라 제조하였다.4-메틸-2-티아졸카르복스알데히드 (1.98 mmol) 및 2-아미노메틸-4-브로모페놀 (2.97 mmol)을 THF:MeOH (20:2 ml) 혼합물에 첨가하고, 이어서 N,N-디이소프로필에틸아민 (5-7 mmol)을 첨가하고, N2 하에 실온에서 첨가하였다. 생성된 혼합물을 수시간 동안 교반하였다. NaBH4 1.0 당량을 첨가하고, 혼합물을 실온에서 밤새 교반하였다. 과량의 히드라이드를 1N HCl로 켄칭하였다. 혼합물을 농축시켜 대부분의 유기 용매를 제거하였다. 물을 첨가하고, 유기 상을 DCM으로 추출하였다. 유기 상을 농축시켜 A를 수득하였다.A (1.60 mmol)를 THF (20mL) 중에 용해시키고, 이어서 카르보닐디이미다졸 (CDI) (2.40 mmol) 및 트리에틸아민 (2mL)을 첨가하였다. 생성된 혼합물을 2-4 시간 동안 환류하였다. LCMS는 목적 생성물 B로의 완전한 전환을 나타내었다. 반응 혼합물을 농축시키고, DCM 중에 용해시켰다. 농축물을 1N HCl로 세척하였다. 유기 용매를 제거하고, 잔류물을 후속 단계에 추가 정제 없이 사용하였다.B (0.074 mmol), (4-(트리플루오로메톡시)페닐)보론산 (0.088mmol), 1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센-팔라듐(II)디클로라이드 디클로로메탄 착물 [Pd(dppf)CH2Cl2] (0.004 mmol), 및 탄산칼륨 (0.148mmol)을 마이크로웨이브 반응관 (둥근 2-5 mL 크기)에서 톨루엔 (3ml), 2-프로판올 (1mL) 및 물 (1mL)과 합하였다. 2상 반응 혼합물을 70℃에서 1시간 동안 가열하였다. LCMS는 목적 생성물로의 완전한 전환을 나타내었다. 반응 혼합물을 에틸 아세테이트를 사용하여 셀라이트의 플러그를 통해 여과하였다. 여과물을 농축시키고, 정제용 TLC (5% MeOH:CH2Cl2)에 이어서 정제용 HPLC에 의해 정제하여 실시예 59의 목적 화합물을 수득하였다.m/z (ESI) = 421.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.82 - 7.73 (m, 2H), 7.68 - 7.60 (m, 2H), 7.51 - 7.40 (m, 2H), 7.27 (d, J = 1.1 Hz, 1H), 7.18 (d, J = 9.2 Hz, 1H), 4.88 (s, 2H), 4.69 (s, 2H), 2.36 (d, J = 1.0 Hz, 3H).하기 실시예를 실시예 52의 절차에 따라 적절한 유사한 시약을 사용하여 제조하여 각각의 목적 화합물을 수득하였다.실시예 536-(3-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 439.0 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.83 (dd, J = 12.0, 2.1 Hz, 1H), 7.75 - 7.55 (m, 4H), 7.26 (q, J = 1.0 Hz, 1H), 7.18 (d, J = 9.1 Hz, 1H), 4.87 (s, 2H), 4.68 (s, 2H), 2.35 (d, J = 1.0 Hz, 3H).실시예 546-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 435.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.72 - 7.65 (m, 1H), 7.66 - 7.60 (m, 2H), 7.60 - 7.52 (m, 1H), 7.38 (dd, J = 8.6, 1.6 Hz, 1H), 7.26 (q, J = 1.0 Hz, 1H), 7.17 (d, J = 9.1 Hz, 1H), 4.87 (s, 2H), 4.68 (s, 2H), 2.38 - 2.28 (m, 6H).실시예 556-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 439.0 [M + H]+.H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.66 (t, J = 8.8 Hz, 1H), 7.60 - 7.41 (m, 3H), 7.41 - 7.31 (m, 1H), 7.29 - 7.12 (m, 2H), 4.87 (s, 2H), 4.69 (s, 2H), 2.35 (d, J = 1.0 Hz, 3H).실시예 566-(3,4-디클로로페닐)-3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 405.0 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.94 (d, J = 2.1 Hz, 1H), 7.79 - 7.55 (m, 4H), 7.26 (d, J = 1.0 Hz, 1H), 7.17 (d, J = 8.6 Hz, 1H), 4.87 (s, 2H), 4.68 (s, 2H), 2.36 (d, J = 1.0 Hz, 3H).실시예 576-(2-클로로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 455.0 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.70 (d, J = 2.3 Hz, 1H), 7.55 (d, J = 8.6 Hz, 1H), 7.48 (d, J = 2.1 Hz, 1H), 7.44 - 7.35 (m, 2H), 7.26 (s, 1H), 7.18 (d, J = 8.2 Hz, 1H), 4.86 (s, 2H), 4.68 (s, 2H), 2.35 (s, 3H).실시예 586-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 451.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.50 - 7.32 (m, 3H), 7.26 (d, J = 1.4 Hz, 1H), 7.12 (d, J = 8.5 Hz, 2H), 7.06 - 6.93 (m, 1H), 4.86 (s, 2H), 4.66 (s, 2H), 2.35 (s, 3H).실시예 596-(4-클로로-3-플루오로페닐)-3-((4-메틸티아졸-2-일)메틸)-3,4-디히드로-2H-벤조[e][1,3]옥사진-2-온m/z (ESI) = 389.0 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.81 - 7.59 (m, 4H), 7.54 (dd, J = 8.5, 2.0 Hz, 1H), 7.26 (d, J = 1.3 Hz, 1H), 7.18 (d, J = 9.1 Hz, 1H), 4.87 (s, 2H), 4.68 (s, 2H), 2.36 (d, J = 1.1 Hz, 3H).실시예 603-(피리미딘-2-일메틸)-8-(트리플루오로메톡시)-3,4-디히드로플루오레노[3,2-e][1,3]옥사진-2(10H)-온실시예 47의 화합물을 하기 절차에 따라 제조하였다.5-브로모-2-히드록시-4-메틸벤즈알데히드 (0.94 mmol) 및 2-아미노메틸피리딘 HCl (1.4 mmol)을 THF:MeOH (10:1 mL) 중에서 합하고, 이어서 N,N-디이소프로필에틸아민 (2 mmol)을 첨가하고, N2 하에 실온에서 교반하였다. 생성된 혼합물을 2시간 동안 교반하였다. 이어서, NaBH4 1.0 당량을 첨가하고, 혼합물을 실온에서 밤새 교반하였다. 과량의 히드라이드를 1N HCl로 켄칭하였다. 혼합물을 농축시켜 대부분의 유기 용매를 제거하였다. 물을 첨가하고, 유기 상을 DCM으로 추출하였다. 유기 상을 농축시켜 A를 수득하였다. A (0.79 mmol)를 THF (10mL) 중에 용해시키고, 이어서 카르보닐디이미다졸 (CDI) (1.2 mmol) 및 트리에틸아민 (2mL)을 첨가하였다. 생성된 혼합물을 2-4 시간 동안 환류하였다. LCMS는 목적 생성물 B로의 완전한 전환을 나타내었다. 반응 혼합물을 농축시키고, 농축물을 DCM 중에 용해시켰다. DCM 용액을 1N HCl로 세척하였다. 유기 용매를 제거하고, 잔류물을 후속 단계에 추가 정제 없이 사용하였다.B (0.287 mmol), (2-클로로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)보론산 (0.345mmol), 1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센-팔라듐(II)디클로라이드 디클로로메탄 착물 [Pd(dppf)CH2Cl2] (0.014 mmol), 및 탄산칼륨 (0.431mmol)을 마이크로웨이브 반응관 (둥근 2-5 mL 크기) 중 톨루엔 (3ml), 2-프로판올 (1ml), 및 물 (1ml)과 합하였다. 2상 반응 혼합물을 70℃에서 1시간 동안 가열하였다. LCMS는 목적 생성물로의 완전한 전환을 나타내었다. 반응 혼합물을 에틸 아세테이트를 사용하여 셀라이트의 플러그를 통해 여과하였다. 여과물을 농축시키고, 정제용 TLC (5% MeOH:CH2Cl2)에 이어 정제용 HPLC에 의해 정제하여 C를 수득하였다.C (0.11 mmol), 1,3-비스(2,6-디이소프로필페닐)-1H-이미다졸-3-윰 클로라이드 (IPr-HCl)(0.004), 아세트산팔라듐 (0.002 mmol), K2CO3 (0.11 mmol), 및 NMP를 마이크로웨이브 반응관 (둥근 2-5 mL 크기) 중에서 합하였다. 혼합물을 130℃에서 밤새 가열하였다. 냉각시킨 후, 용액을 톨루엔으로 추출하고, 물로 세척하였다. 유기부를 농축시키고, 정제용 HPLC에 의해 정제하여 실시예 60의 화합물을 수득하였다.m/z (ESI) = 414.1 [M + H]+.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.81 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.94 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 7.81 (s, 1H), 7.60 (d, J = 2.2 Hz, 1H), 7.51 - 7.27 (m, 3H), 4.81 (d, J = 14.5 Hz, 4H), 4.01 (s, 2H).하기 실시예 61 내지 70을 화학식 I, II의 화합물, 본원에 개시된 다른 신규 화합물 또는 그의 신규 조합물을 사용하여 제조될 수 있는 제제의 예시이다.실시예 61하기 성분을 함유하는 경질 젤라틴 캡슐을 제조하였다:상기 성분을 혼합하고, 경질 젤라틴 캡슐에 충전하였다.실시예 62본 개시내용의 화합물을 포함하는 정제 포뮬러를 예를 들어 하기 성분을 사용하여 제조하였다:성분을 블렌드하고, 압축하여 정제를 형성하였다.실시예 63건조 분말 흡입기 제제를 하기 성분을 함유하여 제조하였다:활성 성분을 락토스와 혼합하고, 혼합물을 건조 분말 흡입 기구에 첨가하였다.실시예 64각각 활성 성분 30 mg을 함유하는 정제를 하기와 같이 제조하였다:활성 성분, 전분 및 셀룰로스를 번호 20 메쉬 U.S. 체에 통과시키고, 완전히 혼합하였다. 폴리비닐피롤리돈의 용액을 생성된 분말과 혼합하였으며, 이어서 이를 16 메쉬 U.S. 체에 통과시켰다. 이와 같이 생성된 과립을 50℃ 내지 60℃에서 건조시키고, 16 메쉬 U.S. 체에 통과시켰다. 이어서, 이전에 번호 30 메쉬 U.S. 체에 통과시킨 소듐 카르복시메틸 스타치, 스테아르산마그네슘 및 활석을 과립에 첨가하였으며, 혼합 후 이를 정제 기계 상에서 압축하여 각각 120 mg 무게의 정제를 수득하였다.실시예 65각각 활성 성분 25 mg을 함유하는 좌제를 하기와 같이 제조하였다:활성 성분을 번호 60 메쉬 U.S. 체에 통과시키고, 필요한 최소 열을 사용하여 사전에 용융시킨 포화 지방산 글리세리드 중에 현탁시켰다. 이어서, 혼합물을 공칭 2.0 g 용량의 좌제 금형에 붓고, 냉각되도록 하였다.실시예 665.0 mL 용량당 각각 활성 성분 50 mg을 함유하는 현탁액을 하기와 같이 제조하였다:활성 성분, 수크로스 및 크산탄 검을 블렌딩하고, 번호 10 메쉬 U.S. 체에 통과시키고, 이어서 물 중 미세결정질 셀룰로스 및 소듐 카르복시메틸 셀룰로스의 사전에 제조한 용액과 혼합하였다. 벤조산나트륨, 향미제 및 색소를 약간의 물로 희석하고, 교반하면서 첨가하였다. 이어서, 충분한 물을 첨가하여 요구되는 부피를 생성하였다.실시예 67피하 제제는 다음과 같이 제조할 수 있었다:실시예 68하기 조성을 갖는 주사가능한 제제를 제조하였다: 실시예 69하기 조성을 갖는 국소 제제를 제조하였다:물을 제외한 상기 성분 중 전부를 합하고, 교반하면서 60℃로 가열하였다. 이어서, 60℃의 충분량의 물을 격렬한 교반 하에 첨가하여 성분들을 유화시킨 다음, 물을 100 g에 이르기까지 충분량 첨가하였다.실시예 70지속 방출 조성물본 개시내용의 지속 방출 제제를 하기와 같이 제조하였다: 화합물 및 pH-의존성 결합제 및 임의의 임의적인 부형제를 친밀하게 혼합하였다 (건식-블렌딩함). 이어서, 건식-블렌딩된 혼합물을 강염기의 수용액의 존재 하에 과립화하였으며, 이를 블렌딩된 분말 안으로 분무하였다. 과립화물을 건조시키고, 스크리닝하고, 임의적인 윤활제 (예컨대 활석 또는 스테아르산마그네슘)와 혼합하고, 정제로 압축하였다. 강염기의 바람직한 수용액은 물 중 알칼리 금속 수산화물, 예컨대 수산화나트륨 또는 수산화칼륨, 바람직하게는 수산화나트륨의 용액이다 (임의로 저급 알콜과 같은 수혼화성 용매를 최대 25% 함유함).생성된 정제는 식별, 맛-차폐 목적을 위해 및 용이한 삼킴을 개선시키도록 임의적인 필름-형성제로 코팅될 수 있다. 필름 형성제는 전형적으로 정제 중량의 2% 내지 4% 범위의 양으로 존재할 것이다. 적합한 필름-형성제는 관련 기술분야에 널리 공지되어 있고 히드록시프로필 메틸셀룰로스, 양이온성 메타크릴레이트 공중합체 (디메틸아미노에틸 메타크릴레이트/ 메틸-부틸 메타크릴레이트 공중합체 - 유드라짓(Eudragit)�� E - 룀. 파마(Roehm. Pharma)) 등을 포함한다. 이들 필름-형성제는 임의로 착색제, 가소제 및 다른 보충 성분을 함유할 수 있다.압축된 정제는 바람직하게는 8 Kp 압축을 견디기에 충분한 경도를 갖는다. 정제 크기는 주로 정제 내의 화합물의 양에 따라 달라질 것이다. 정제는 화합물 유리 염기 300 내지 1100 mg을 포함할 것이다. 바람직하게는, 정제는 400-600 mg, 650-850 mg 및 900-1100 mg 범위의 화합물 유리 염기의 양을 포함할 것이다.용해 속도에 영향을 미치기 위해, 화합물 함유 분말을 습식 혼합하는 동안의 시간을 제어하였다. 바람직하게는 총 분말 혼합 시간, 즉 분말을 수산화나트륨 용액에 노출시키는 동안의 시간은 1 내지 10분, 바람직하게는 2 내지 5분의 범위일 것이다. 과립화 후, 입자를 과립화기로부터 제거하고, 약 60℃에서 건조를 위해 유동층 건조기에 두었다.실시예 71활성 시험을 본원에 기재되고/거나 관련 기술분야에 널리 공지된 방법을 사용하여 하기 예시적인 실시예에서 수행하였다.심장 나트륨 전류 스크리닝 검정:심장 후기 나트륨 전류 (후기 INa) 및 피크 나트륨 전류 (피크 INa) 검정을 전세포 패치 클램프 기술을 사용하여 자동화 전기생리학 플랫폼, 큐패치(QPatch) 16X 또는 큐패치 HT (소피온 바이오사이언스(Sophion Bioscience), 덴마크 코펜하겐) 상에서 실행하여 세포 막을 통한 전류를 측정하였다. 검정은 밀리포어(Millipore) (매사추세츠주 빌러리카)로부터 구입한, 야생형 인간 심장 나트륨 채널, hNav1.5를 이종 발현하는 HEK293 (인간 배아 신장) 세포주를 사용하였다. 베타 서브유닛은 Na 채널 알파 서브유닛과 공동발현되지 않았다. 세포를 표준 조직 배양 절차로 유지하였고, 안정한 채널 발현을 배양 배지 중 400 μg/mL 제네티신으로 유지하였다. 실험을 23-25℃에서 수행하였다.후기 INa 및 피크 INa 검정 둘 다에 대해, 직렬 저항 보상을 100%로 설정하고, 직렬 저항 및 전세포 보상을 자동으로 실행하였다. 전류를 25 kHz에서 수치화하고, 5 kHz에서 저역-통과 필터링하고, 소피온 바이오사시언스 오라클(Sophion Bioscience Oracle) 데이터베이스 (소피온 바이오사이언스, 덴마크 코펜하겐)에 저장하였다. 분석을 큐패치 검정 소프트웨어를 사용하여 실행하고, 데이터를 엑셀 2010 (마이크로소프트(Microsoft), 미국 워싱턴주 시애틀)에서 컴파일하였다.화합물 스톡을 바이알 중에서 길리아드 샘플 뱅크(Gilead Sample Bank)에 의해 디메틸 술폭시드 (DMSO) 중 10 mM에 이르기까지 상용적으로 제조하였다. 일부 경우에, 화합물이 DMSO 중에 가용성이지 않으면, 이를 100% 에탄올 중에서 제조하였다. 스톡을 필요에 따라 초음파처리하였다. 후기 INa를 스크리닝하기 위한 세포외 용액은 140 mM NaCl, 4 mM KCl, 1.8 mM CaCl2, 1 mM MgCl2, 10 mM HEPES 및 10mM 덱스트로스로 구성되었으며, pH는 NaOH를 사용하여 7.35로 조정하였다. 세포내 용액은 105 mM CsF, 20 mM CsCl, 10NaF, 2 mM EGTA, 10 mM HEPES 및 10mM 덱스트로스를 함유하였으며, pH는 CsOH를 사용하여 7.35로 조정하였다. 화합물을 마이크로랩 님부스(MicroLab Nimbus) (해밀턴 로보틱스(Hamilton Robotics), 네바다주 리노)를 사용하여 유리 바이알 중에서 0.3 내지 3 μM로 세포외 용액 중에 희석하고, 유리 웰 플레이트에 옮긴 후, 세포에 로봇 첨가하였다. 기준선 전류를 측정하기 위한 후기 INa 및 피크 INa 검정에 대한 각각의 실험의 종료 시에 사용한 0 mM Na 세포외 용액 (0Na-ECF)은 140 콜린-Cl; 4 mM KCl, 1.8 mM CaCl2; 1 mM MgCl2; 10 mM HEPES 및 10mM 덱스트로스를 함유하였으며, pH는 CsOH를 사용하여 7.35로 조정하였다.후기 INa 스크리닝 검정:후기 INa 검정에 대해, 세포 막을 -120 mV의 유지 전위에서부터 -20 mV로 250 밀리초 (ms) 동안 탈분극시켜 나트륨 채널을 10 초마다 (0.1 Hz) 활성화시켰다.후기 나트륨 전류의 차단에 있어서 화합물을 시험하여 그의 활성을 결정하였다. 후기 INa를 10 μM 테플루트린 (피레트로이드)을 세포외 용액에 첨가하여 생성하였다. 스크리닝의 목적을 위해, 후기 INa는 -20 mV에 이르기까지의 전압 스텝 동안 240 ms 내지 265 ms의 평균 전류로서 정의된다. 전세포 기록 구성을 확립한 후, 후기 INa 활성화제를 각 웰에 4회 15분 기간에 걸쳐 첨가하여 Na 전류의 후기 성분이 안정한 값에 도달하도록 하였다. 이어서, 화합물을 후기 INa 활성화제의 존재 하에, 3회 첨가로 5분의 기간에 걸쳐 첨가하였다 (전형적으로 0.3 또는 1 μM에서). 측정을 세번째 화합물 첨가에 대한 노출의 종료 시에 행하였고, 값을 모든 Na+가 0Na-ECF의 2회 첨가 후 세포외 용액으로부터 제거되었을 ��의 전류 수준에 대해 정규화하였다.결과를 후기 INa의 퍼센트 차단으로 보고하였고, 후기 INa에 대해 감소 보정을 도입함으로써 결과를 분석하였다. 예를 들어 실시예 19의 화합물은 1 μM 농도에서 후기 나트륨 전류를 68%만큼 억제 (또는 감소)하였다 (추가의 화합물 데이터에 대해 표 1 참조).피크 INa 스크리닝 검정:화합물을 그의 효과 NaV1.5 피크 INa에 대해 평가하였다. 화학식 I의 화합물은 피크 INa의 유의한 차단을 회피하는 것으로 고려된다. 본원에 사용된 세포 내의 피크 INa는 매우 커서 기록에 인공물이 도입될 수 있기 때문에, 조 내의 Na+의 농도는 Na+의 콜린으로의 등삼투성 대체에 의해 40 mM로 감소될 수 있다 (하기 참조).피크 INa의 긴장성 차단 (TB)은 0.1 Hz의 저 자극 주파수에서 -100mV의 유지 전위에서부터 -20mV까지의 전압 스텝을 사용하여 측정하였다. 피크 INa의 사용-의존성 차단 (UDB)은 -100 mV의 유지 전위에서부터 펄스 열 (-20 mV, 20 ms, 50 펄스, 3Hz)의 펄스 수 50 동안 측정하였다.본 개시내용의 화합물의 의한 심장 피크 INa의 차단은 전형적으로 0.1에서 3 Hz의 자극 주파수 (정상 심장에서 또는 빈맥 동안 직면하는 주파수)의 증가에 따라 증가하였다.피크 INa를 스크리닝하기 위한 세포외 용액은 40 mM NaCl, 100 mM 콜린-Cl, 4 mM KCl, 1.8 mM CaCl2, 1 mM MgCl2 10 mM HEPES 및 10mM 덱스트로스로 구성되었으며, pH는 NaOH를 사용하여 7.35로 조정하였다. 피크 INa 검정을 위해 사용된 세포내 용액은 후기 INa 검정에 대해 약술된 것과 동일하였다 (상기 참조).전세포 기록 구성을 확립한 후, 채널을 저 주파수 (0.1 Hz)에 의해 개방되도록 자극하여 기록을 모니터링할 수 있고 기록이 안정화된 정도를 평가할 수 있도록 하였다.이어서, 시험 화합물을 1 또는 3 μM로 적용하고, 60초 간격으로 2회 첨가하였다. 두번째 화합물 첨가 후, 평형이 되게 하기 위해 200초 대기 기간을 부과하였다. TB 및 UDB에 대한 전압 프로토콜을 화합물의 부재 및 존재 하에 실행하였고, TB 및 UDB를 화합물 무함유 조건에 관해 계산하였다. TB 및 UDB는 둘 다 피크 INa에 대한 감소 보정을 도입함으로써 분석하였다. 예를 들어, 실시예 19의 화합물은 26.7%의 피크 INa TB 및 9.6%의 피크 INa UDB를 나타내었으며, 이들 둘 다는 3μM에서 측정하였다. 추가의 데이터는 표 1에 제공하였다.상기 데이터는 피크 INa와 비교하여 후기 INa를 차단하는 실시예 1의 화합물의 선택성을 증명하고 (피크 INa TB의 경우 68.3% 대 26.7%; 및 피크 INa UDB의 경우 68.3% 대 9.6%), 실시예 1의 화합물이 후기 INa를 효과적으로 차단하는 농도에서 심장을 통한 전도 (피크 INa에 의해 구동됨)에 대한 최소 내지 무 영향을 나타내어야 한다는 것을 시사한다.화합물을 본원에 기재된 검정 방법을 사용하여 시험하였다. 데이터는 후기 INa 및 피크 INa 검정에서 1 또는 3 μM 농도 (및 하기 나타내어진 바와 같이 필요에 따라 다른 농도)에서 열거된 화합물을 시험함으로써 수득하였다. 데이터는 표 1에서 % 억제로서 제공된다.003c#표 1003e# 후기 INa, 피크 INa, NaV1.1 및 NaV1.2 검정 결과상기 표에 제시된 검정 결과는 시험된 화합물이 예를 들어 후기 나트륨 전류를 억제 (또는 감소)함으로써 후기 나트륨 전류의 조정제로서 활성을 나타내었다는 것을 예시한다.일부 실시양태에서, 화학식 I의 화합물의 효과는 후기 나트륨 전류에 대해 특이적이고 1개 이상의 다른 이온 채널에 관한 활성을 거의 또는 전혀 나타내지 않는다. 따라서, 일부 실시양태에서, 후기 나트륨 전류를 감소시키는 활성을 갖는 화합물은 또한 피크 나트륨 전류에 관한 활성을 거의 또는 전혀 나타내지 않을 것이다.실시예 72CNS NaV1.1 나트륨 채널의 사용-의존성 억제 인간 NaV1.1 cDNA의 발현야생형 (WT) hNaV1.1 (SCN1A, NCBI# AB09354)을 안정하게 발현하는 HEK-293 세포를 밀리포어 (카탈로그 # CYL3009)로부터 입수하고, INa를 기록하기 위해 사용하였다. 세포를 표준 조직 배양 절차로 유지하고, 안정한 채널 발현을 배양 배지 중 400ug/mL G418로 유지하였다. 달리 나타내지 않는 한, 모든 시약은 시그마-알드리치 (미국 미주리주 세인트 루이스)로부터 구입하였다.전기생리학NaV1.2의 사용-의존성 차단 (UDB)을 측정하는 검정을 전세포 패치 클램프 기술을 사용하여 자동화 전기생리학 플랫폼, 큐패치 16X 또는 큐패치 HT (소피온 바이오사이언스, 덴마크 코펜하겐) 상에서 실행하여 세포 막을 통한 전류를 측정하였다. 직렬 저항 보상을 100%로 설정하고, 직렬 저항 및 전세포 보상을 자동으로 실행하였다. 전류를 소피온 바이오사시언스 오라클 데이터베이스 (소피온 바이오사이언스, 덴마크 코펜하겐)에 저장하였다. 분석을 큐패치 검정 소프트웨어를 사용하여 실행하고, 데이터를 엑셀 2010 (마이크로소프트, 미국 워싱턴주 시애틀)에서 컴파일하였다.내부 (피펫) 용액은 105 CsF, 10 NaF, 20 CsCl, 2 EGTA, 10 HEPES, 10 덱스트로스 (mM 단위)로 이루어졌으며, pH는 7.35이고 오스몰농도는 300 mOsmol/kg이었다. 외부 (조) 용액은 145 NaCl, 4 KCl, 1.8 CaCl2, 1 MgCl2, 10 덱스트로스, 10 HEPES (mM 단위)를 함유하였으며, pH는 7.35이고 오스몰농도는 310 mOsmol/kg이었다. 실험을 23-25℃에서 수행하였다.화합물 스톡을 바이알 중에서 길리아드 샘플 뱅크에 의해 디메틸 술폭시드 (DMSO) 중 10 mM에 이르기까지 상용적으로 제조하였다. 일부 경우에, 화합물이 DMSO 중에 가용성이지 않으면, 이를 100% 에탄올 중에서 제조하였다. 스톡을 필요에 따라 초음파처리하였다. 화합물을 마이크로랩 님부스 (해밀턴 로보틱스, 네바다주 리노)를 사용하여 유리 바이알 중에서 0.3 내지 3 μM로 세포외 용액 중에 희석하고, 유리 웰 플레이트에 옮긴 후, 세포에 로봇 첨가하였다.전세포 구성의 확립 후 10분 동안 세포를 안정화되도록 하고, 그 후 전류를 측정하였다. 시험 화합물을 60초 간격으로 2회 적용하였다. 두번째 화합물 첨가 후, 평형이 되게하기 위해 200초 대기 기간을 부과하였다.온라인 P/4 절차를 사용하여 누설 전류를 빼고, 모든 전류를 5 kHz에서 저역-통과 베셀 필터링하고, 525 kHz에서 수치화하였다.NaV1.2 피크 전류의 사용-의존성 차단을 -120 mV의 유지 전위로부터 전압 펄스 열 (0 mV, 20 ms, 20 펄스, 25Hz)의 펄스 수 20 동안 측정하였다. 전류를 각각의 주파수 열의 제1 펄스에 반응하여 기록된 피크 전류에 대해 정규화하였다. UDB에 대한 전압 프로토콜을 화합물의 부재 및 존재 하에 실행하였고, 백분율 억제를 화합물 무함유 조건에 관해 계산하였다. 결과는 평균 백분율 억제로서 나타내었고, 데이터 분석은 큐패치 검정소프트웨어 4.0 및 엑셀 2002 (마이크로소프트, 미국 워싱턴주 시애틀)를 사용하여 실행하였다.실시예 73CNS NaV1.2 나트륨 채널의 사용-의존성 억제인간 NaV1.2 cDNA의 발현야생형 (WT) hNaV1.2 (SCN2A NCBI # NM_021007.2, SCN1B NCBI # NM_001037.4, SCN2B NCBI # NM_004588.2)를 안정하게 발현하는 HEK-293 세포를 사용하여 INa를 기록하였다. 세포를 표준 조직 배양 절차로 유지하고, 안정한 채널 발현을 배양 배지 중 800ug/mL G418 및 3ug/mL 퓨로마이신으로 유지하였다. 달리 나타내지 않는 한, 모든 시약은 시그마-알드리치 (미국 미주리주 세인트 루이스)로부터 구입하였다.전기생리학NaV1.2의 사용-의존성 차단 (UDB)을 측정하는 검정을 전세포 패치 클램프 기술을 사용하여 자동화 전기생리학 플랫폼, 큐패치 16X 또는 큐패치 HT (소피온 바이오사이언스, 덴마크 코펜하겐) 상에서 실행하여 세포 막을 통한 전류를 측정하였다. 직렬 저항 보상을 100%로 설정하고, 직렬 저항 및 전세포 보상을 자동으로 실행하였다. 전류를 소피온 바이오사시언스 오라클 데이터베이스 (소피온 바이오사이언스, 덴마크 코펜하겐)에 저장하였다. 분석을 큐패치 검정 소프트웨어를 사용하여 실행하고, 데이터를 엑셀 2010 (마이크로소프트, 미국 워싱턴주 시애틀)에서 컴파일하였다.내부 (피펫) 용액은 105 CsF, 10 NaF, 20 CsCl, 2 EGTA, 10 HEPES, 10 덱스트로스 (mM 단위)로 이루어졌으며, pH는 7.35이고 오스몰농도는 300 mOsmol/kg이었다. 외부 (조) 용액은 145 NaCl, 4 KCl, 1.8 CaCl2, 1 MgCl2, 10 덱스트로스, 10 HEPES (mM 단위)를 함유하였으며, pH는 7.35이고 오스몰농도는 310 mOsmol/kg이었다. 실험을 23-25℃에서 수행하였다.화합물 스톡을 바이알 중에서 길리아드 샘플 뱅크에 의해 디메틸 술폭시드 (DMSO) 중 10 mM에 이르기까지 상용적으로 제조하였다. 일부 경우에, 화합물이 DMSO 중에 가용성이지 않으면, 이를 100% 에탄올 중에서 제조하였다. 스톡을 필요에 따라 초음파처리하였다. 화합물을 마이크로랩 님부스 (해밀턴 로보틱스, 네바다주 리노)를 사용하여 유리 바이알 중에서 0.3 내지 3 μM로 세포외 용액 중에 희석하고, 유리 웰 플레이트에 옮긴 후, 세포에 로봇 첨가하였다.전세포 구성의 확립 후 10분 동안 세포를 안정화되도록 하고, 그 후 전류를 측정하였다. 시험 화합물을 60초 간격으로 2회 적용하였다. 두번째 화합물 첨가 후, 평형이 되게하기 위해 200초 대기 기간을 부과하였다. 온라인 P/4 절차를 사용하여 누설 전류를 빼고, 모든 전류를 5 kHz에서 저역-통과 베셀 필터링하고, 525 kHz에서 수치화하였다.결과는 평균 백분율 억제로서 나타내었다.NaV1.2 피크 전류의 사용-의존성 차단을 -120 mV의 유지 전위로부터 전압 펄스 열 (0 mV, 20 ms, 20 펄스, 25Hz)의 펄스 수 20 동안 측정하였다.전류를 각각의 주파수 열의 제1 펄스에 반응하여 기록된 피크 전류에 대해 정규화하였다. UDB에 대한 전압 프로토콜을 화합물의 부재 및 존재 하에 실행하였고, 백분율 억제를 화합물 무함유 조건에 관해 계산하였다.데이터 분석은 큐패치 검정소프트웨어 4.0 및 엑셀 2002 (마이크로소프트, 미국 워싱턴주 시애틀)를 사용하여 실행하였다. 결과를 상기 표 1에 제공하였다.25 Hz의 주파수에서 hNav 1.1 및 hNav 1.2 나트륨 채널 이소형에 대해 상기 개시된 검정에서 시험하는 경우에, 실시예 19의 화합물은 hNav 1.1 및 hNav 1.2 이소형 둘 다를 각각 78.4 및 64.0% 억제로 차단하였다. hNav 1.1 및 hNav 1.2 이소형의 억제 또는 이들 주파수에서 자극 시의 양쪽 채널의 억제는 간질을 갖는 환자를 치료하기 위한 본 개시내용의 화합물의 유용성을 지지한다.실시예 74NaV1.3 나트륨 채널의 전압-의존성 억제인간 NaV1.3 cDNA의 발현야생형 (WT) hNaV1.3 (SCN3A NCBI # NP_001075, SCN1B NCBI # NM_001037.4, SCN2B NCBI # NM_004588.2)을 안정하게 발현하는 HEK-293 세포를 사용하여 INa를 기록하였다. 세포를 표준 조직 배양 절차로 유지하고, 안정한 채널 발현을 배양 배지 중 800ug/mL G418 및 3ug/mL 퓨로마이신으로 유지하였다. 달리 나타내지 않는 한, 모든 시약은 시그마-알드리치 (미국 미주리주 세인트 루이스)로부터 구입하였다.전기생리학NaV1.3의 전압-의존성 차단 (VDB)을 측정하는 검정을 전세포 패치 클램프 기술을 사용하여 자동화 전기생리학 플랫폼, 큐패치 16X 또는 큐패치 HT (소피온 바이오사이언스, 덴마크 코펜하겐) 상에서 실행하여 세포 막을 통한 전류를 측정하였다. 직렬 저항 보상을 100%로 설정하고, 직렬 저항 및 전세포 보상을 자동으로 실행하였다. 전류를 소피온 바이오사시언스 오라클 데이터베이스 (소피온 바이오사이언스, 덴마크 코펜하겐)에 저장하였다. 분석을 큐패치 검정 소프트웨어를 사용하여 실행하고, 데이터를 엑셀 2010 (마이크로소프트, 미국 워싱턴주 시애틀)에서 컴파일하였다.내부 (피펫) 용액은 105 CsF, 10 NaF, 20 CsCl, 2 EGTA, 10 HEPES, 10 덱스트로스 (mM 단위)로 이루어졌으며, pH는 7.35이고 오스몰농도는 300 mOsmol/kg이었다. 외부 (조) 용액은 80 NaCl, 60 콜린-Cl, 4 KCl, 1.8 CaCl2, 1 MgCl2, 10 덱스트로스, 10 HEPES (mM 단위)를 함유하였으며, pH는 7.35이고 오스몰농도는 310 mOsmol/kg이었다. 실험을 23-25℃에서 수행하였다.화합물 스톡을 바이알 중에서 길리아드 샘플 뱅크에 의해 디메틸 술폭시드 (DMSO) 중 10 mM에 이르기까지 상용적으로 제조하였다. 일부 경우에, 화합물이 DMSO 중에 가용성이지 않으면, 이를 100% 에탄올 중에서 제조하였다. 스톡을 필요에 따라 초음파처리하였다. 화합물을 마이크로랩 님부스 (해밀턴 로보틱스, 네바다주 리노)를 사용하여 유리 바이알 중에서 1 μM로 세포외 용액 중에 희석하고, 유리 웰 플레이트에 옮긴 후, 세포에 로봇 첨가하였다.전세포 구성의 확립 후 10분 동안 세포를 안정화되도록 하고, 그 후 전류를 측정하였다. 시험 화합물을 120초 간격으로 3회 적용하여 평형이 되게 하였다. P/4 절차를 사용하여 누설 전류를 빼고, 5 kHz에서 저역-통과 베셀 필터링하고, 25 kHz에서 수치화하였다. 결과는 평균 백분율 억제로서 나타내었다.NaV1.3 피크 전류의 전압-의존성 차단을 전압 스텝 예비-조절 단계 (10초 동안 -55mV에 이어서 10ms 동안 -120mV) 후 0mV로의 전압 스텝 (20ms) 동안 측정하였다. 유지 전위는 -120 mV였고, 이 전압 프로토콜은 NaV1.3의 반수 최대 불활성화를 유도하였다. VDB에 대한 전압 프로토콜을 화합물의 부재 및 존재 하에 45초마다 실행하였고, 백분율 억제는 화합물 무함유 조건에 관해 계산하였다.샘플 시험된 화합물에 대한 데이터는 표 2에 하기 제공하였다.003c#표 2003e# NaV1.3 검정 결과실시예 75마취된 토끼에서의 허혈-유발 ST 분절 상승이 연구는 생체내 토끼 모델에서 본 개시내용의 화합물의 항허혈 효과를 결정하기 위해 수행하였다.방법: 암컷 뉴질랜드 토끼 (3.0 - 4.0 kg)를 웨스턴 오레곤 래비트리(Western Oregon Rabbitry)로부터 구입하였다. 동물을 12시간 광 및 암 주기에 수용하고, 표준 실험실 사료 및 물을 제공하였다. 모든 실험을 문헌 [the Guide for the Care and Use of Laboratory Animals published by The National Research Council] 및 길리아드 사이언시스, 인크.(Gilead Sciences, Inc.)의 동물 실험 윤리 위원회에 의해 승인된 실험 프로토콜에 따라 실행하였다.토끼를 케타민 (35 mg/kg) 및 크실라진 (5 mg/kg) 근육내 주사 (im)로 마취시켰다. 기관절개를 실행하고, 기관을 기관내 관으로 삽관하였다. 동물을 압력 제어 동물 인공호흡기 (켄트 사이언티픽 코포레이션(Kent Scientific Corp.), 코네티컷주 토링턴)를 사용하여 산소 보충된 실내 공기로 40 회/분의 호흡률 및 10 mmH2O의 피크 흡기 압력으로 호흡시켰으며, 이를 혈액 기체 및 생리학적 범위 내의 pH를 유지하도록 조정하였다 (iSTAT 임상 분석기, 헤스카 코포레이션(Heska Corp.); 위스콘신주 워케샤). 혈압 (BP)의 측정을 위해 좌대퇴 동맥에 캐뉼라 삽입하였다. 혈액 샘플을 또한 대퇴 동맥으로부터 채혈하였다. 약물/비히클 투여를 위해 우측 외부 경정맥에 캐뉼라 삽입하였다. 표면 심전도 (ECG)의 기록을 위해 바늘 전극을 사지로 피하 삽입하였다.심장을 제4 늑간 공간의 절개를 통해 노출시켰다 (명확한 외과적 시야를 위해 제4 및/또는 제5 늑골을 절단하였음). 흉부를 개방하고, 심막 크래들을 4개의 견인기를 사용하여 형성하였다. 그 안에 6-0 프롤렌 폴리프로필렌 봉합사를 함유하는 5 cm PE-10 튜빙으로 제조된 올가미로 구성된 관상 동맥 가리개를 그의 근원에 좌측 전하행 동맥 (LAD) 주위에 느슨하게 배치하였다. 여과지의 작은 패치에 부착된 테플론 코팅된 은 와이어로 제조된 2개의 단극성 전극을 좌심실의 허혈성 및 정상 영역의 표면에 부착하여 심외막 심전도를 기록하였다.기준 전극을 목의 개방 절개부에 배치하였다. 동물의 체온을 직장 온도계를 통해 모니터링하고, 외과용 테이블의 표면 온도를 조정하여 37-40℃에서 유지하였다. LAD를 라이게이팅한 다음, 라이게이션을 해제함으로써 야기된 15분의 재관류에 의해 국한성 허혈 (15분)을 유발하였다. 심장을 실험 종결 시에 절제하고, LAD를 재-라이게이팅하였다. 허혈성 구역을 심장을 염수 중 1% 에반스 블루로 관류시켜 시각화하고, 총 심실 중량의 백분율로서 계산하였다. 10% 미만 또는 25% 초과의 허혈성 구역을 갖는 토끼는 분석에서 배제하였다. 동물을 비히클 군 및 시험 화합물 군으로 무작위로 배정하였다. 시험 화합물을 15%NMP, 10% 솔루톨(Solutol) 및 75% 탈이온수 (dH2O) 중에 용해시켰다. 시험 화합물은 1 μM의 혈장 농도에 도달하도록 표적화된 비율로 iv 주입으로서 제공하였다. 화합물 투여 30분 후, 심장은 15분의 허혈, 이어서 15분의 재관류에 적용되었다.결과: 실시예 1의 화합물 또는 본원에 개시된 다른 화합물 실시예는 허혈-유발 ST 분절 상승을 예방할 수 있었다. 실시예 1의 화합물은 토끼 ST 분절 상승 검정에서 0.9 uM 농도에서 58% 억제를 나타내었다.
본 개시내용은 나트륨 채널 억제제인 화합물 및 심혈관 질환 및 당뇨병을 포함한 다양한 질환 상태의 치료에서의 그의 용도, 및 화합물의 제조 방법 및 용도 및 이를 함유하는 제약 조성물에 관한 것이다. 특정한 실시양태에서, 화합물의 구조는 하기 화학식 I에 의해 주어진다. 003c#화학식 I003e# 상기 식에서 n, R1, R2, R2', R3, R4, R5, R6 및 R7은 본원에 기재된 바와 같다.
[ 발명의 명칭 ] 컴퓨터, 제어 장치 그리고 데이터 처리 방법COMPUTER, CONTROL DEVICE AND DATA PROCESSING METHOD [ 기술분야 ] 본 특허출원은, 2014년 4월 30일에 출원되고 발명의 명칭이 "COMPUTER, CONTROL DEVICE, AND DATA PROCESSING METHOD"인 중국 출원 번호 No. 201410182148.1과, 2014년 11월 24일에 출원되고 발명의 명칭이 "COMPUTER, CONTROL DEVICE, AND DATA PROCESSING METHOD"인 중국 출원 번호 No. 201410682375.0에 대한 우선권을 주장하는 바이며, 상기 문헌의 내용은 그 전체로서 원용에 의해 본 명세서에 포함된다.본 발명은 컴퓨터 분야에 관한 것으로, 더욱 상세하게 말하자면, 컴퓨터, 제어 장치, 그리고 데이터 처리 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 컴퓨터 또는 서버의 동작 효율성(operating efficiency)을 향상시키기 위하여, 다수의 애플리케이션 프로그램이 컴퓨터 내에서 자원 공유(resource sharing)를 구현할 수 있다. 예를 들어, 다수의 애플리케이션 프로그램들은 동시에 메모리에게 자원을 신청할 수 있으며, 이에 따라 메모리 자원 활용(resource utilization)을 향상시킨다. 그러나 자원을 공유하는 경우, 다수의 애플리케이션 프로그램들이 서로 간섭하며, 그러므로 일부 중요한 애플리케이션 프로그램들이 우선적으로(preferentially) 처리될 수 없으며, 이에 따라 서비스 품질에 영향을 준다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명의 실시 예들은 애플리케이션 프로그램의 서비스 품질을 향상시키는 데 사용되는 컴퓨터, 제어 장치 그리고 데이터 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 실시 예들의 제1 측면(aspect)은 컴퓨터를 제공하며, 상기 컴퓨터는 처리 유닛; 및 제어 장치를 포함하고,상기 처리 유닛은, 애플리케이션 요청에 태그(tag)를 첨부(attach)하고, 상기 태그가 첨부된 애플리케이션 요청을 상기 제어 장치로 전달하도록 구성되며, 상기 제어 장치는, 상기 태그가 첨부된 애플리케이션 요청을 수신하고, 상기 태그 및 미리 저장된 자원 할당 정책(resource allocation policy)에 따라, 상기 애플리케이션 요청에 대하여 할당되는 자원량(a quantity of resources)을 결정하도록 구성되고, 추가로, 상기 컴퓨터의 컴포넌트에게 상기 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 상기 애플리케이션 요청을 처리하라고 지시하도록 구성되고, 상기 자원 할당 정책은 상기 태그와 상기 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량 사이의 대응 관계(correspondence)를 포함한다. 제1 측면을 참조하여 제1 가능한 구현 방식에서, 상기 제어 장치는 버퍼를 더 포함하고, 상기 버퍼는 적어도 2개의 큐(queue)를 포함하며, 각 큐는 자원량의 범위(range)에 대응하고, 각 큐의 우선순위는 상이하며, 상기 제어 장치는 구체적으로, 상기 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라, 상기 적어도 2개의 큐로부터 상기 애플리케이션 요청에 대응하는 큐를 선택하고, 상기 애플리케이션 요청을 상기 애플리케이션 요청에 대응하는 상기 큐에 저장하도록 구성되고, 상기 컴퓨터의 컴포넌트는 상기 애플리케이션 요청에 대응하는 큐로부터 상기 애플리케이션 요청을 획득하고, 상기 애플리케이션 요청을 실행시키도록 구성된다. 제1 측면을 참조하여 제2 가능한 구현 방식에서, 상기 제어 장치는 구체적으로, 프로세서; 및 캐시를 포함하고, 상기 캐시는 상기 자원 할당 정책을 저장하며, 상기 프로세서는 추가로, 상기 캐시로부터 상기 자원 할당 정책을 획득하도록 구성된다. 제1 측면의 제2 가능한 구현 방식을 참조하여, 제3 가능한 구현 방식에서, 상기 자원 할당 정책은 제어표(control table)를 포함하고, 상기 제어표는 다수의 항목(entry)을 포함하며, 상기 다수의 항목 중 하나의 항목은 상기 태그와 상기 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량 사이의 대응 관계를 포함하며,상기 프로세서는 구체적으로, 상기 태그를 포함하는 질의 명령(query instruction)을 상기 캐시에 전달하도록 구성되고, 상기 캐시는 상기 질의 명령에 따라 상기 태그에 대응하는 항목을 획득하고, 상기 태그에 대응하는 항목을 상기 제어 장치의 상기 프로세서에게 전달하도록 구성된다. 제1 측면 또는 제1 측면의 제1 내지 제3 가능한 구현 방식을 참조하여, 본 발명의 제4 가능한 구현 방식에서, 상기 제어 장치는 프로그래밍(programming) 인터페이스를 더 포함하고, 상기 프로그래밍 인터페이스는 상기 자원 할당 정책을 변경(modify)하도록 구성된다. 제1 측면 또는 제1 측면의 제1 내지 제4 가능한 구현 방식을 참조하여, 제5 가능한 구현 방식에서, 상기 컴퓨터는 메모리를 더 포함하고, 상기 메모리는 노드 관리 소프트웨어를 저장하며, 상기 처리 유닛은 추가로, 상기 노드 관리 소프트웨어를 사용하여 상기 자원 할당 정책을 정의하도록 구성되고, 상기 프로세서는 추가로, 상기 노드 관리 소프트웨어로부터 상기 자원 할당 정책을 획득하고, 상기 자원 할당 정책을 상기 캐시에 기록(write)하도록 구성된다. 제1 측면의 제5 가능한 구현 방식을 참조하여, 본 발명의 제6 가능한 구현 방식에서, 상기 처리 유닛은 태그 레지스터를 더 포함하고, 상기 처리 유닛은 추가로, 상기 노드 관리 소프트웨어를 사용하여 상기 태그를 정의하고, 상기 노드 관리 소프트웨어를 사용하여 상기 태그를 상기 태그 레지스터에 기록하도록 구성되며, 상기 처리 유닛은 추가로, 상기 태그 레지스터로부터 상기 태그를 판독(read)하도록 구성된다. 본 발명의 실시 예들의 제2 측면은 제어 장치를 제공하며, 상기 제어 장치는, 프로세서를 포함하며, 상기 프로세서는 태그가 첨부된 애플리케이션 요청을 수신하고, 상기 태그 및 미리 저장된 자원 할당 정책에 따라, 상기 애플리케이션 요청에 대하여 할당되는 자원량을 결정하도록 구성되며, 추가로, 상기 컴퓨터의 컴포넌트에게 상기 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 상기 애플리케이션 요청을 처리하라고 지시하도록 구성되고, 상기 자원 할당 정책은 상기 태그와 상기 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량 사이의 대응 관계를 포함한다. 제2 측면을 참조하여, 제1 가능한 구현 방식에서, 상기 제어 장치는 버퍼를 더 포함하고, 상기 버퍼는 적어도 2개의 큐를 포함하며, 각 큐는 자원량의 범위에 대응하고, 각 큐의 우선순위는 상이하며,상기 프로세서는 구체적으로, 상기 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라, 상기 적어도 2개의 큐로부터 상기 애플리케이션 요청에 대응하는 큐를 선택하고, 상기 애플리케이션 요청을 상기 애플리케이션 요청에 대응하는 상기 큐에 저장하도록 구성되고,상기 컴포넌트는 상기 애플리케이션 요청에 대응하는 큐로부터 상기 애플리케이션 요청을 획득하고, 상기 애플리케이션 요청을 실행시키도록 구성된다. 제2 측면을 참조하여, 제2 가능한 구현 방식에서, 상기 제어 장치는 캐시를 더 포함하고, 상기 캐시는 상기 자원 할당 정책을 저장하며,상기 프로세서는 추가로, 상기 캐시로부터 상기 자원 할당 정책을 획득하도록 구성된다. 제2 측면의 제2 가능한 구현 방식을 참조하여, 제3 가능한 구현 방식에서, 상기 자원 할당 정책은 제어표를 포함하고, 상기 제어표는 다수의 항목을 포함하며, 상기 다수의 항목 중 하나의 항목은 상기 태그와 상기 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량 사이의 대응 관계를 포함하고,상기 프로세서는 구체적으로, 상기 태그를 포함하는 질의 명령을 상기 캐시에 전달하도록 구성되며, 상기 캐시는 상기 질의 명령에 따라 상기 태그에 대응하는 항목을 획득하고, 상기 태그에 대응하는 항목을 상기 프로세서에게 전달하도록 구성된다. 제2 측면 또는 제2 측면의 제1 내지 제3 가능한 구현 방식을 참조하여, 제4 가능한 구현 방식에서, 상기 제어 장치는 프로그래밍 인터페이스를 더 포함하며, 상기 프로그래밍 인터페이스는 상기 자원 할당 정책을 변경하도록 구성된다. 제2 측면 또는 제2 측면의 제1 내지 제4 가능한 구현 방식을 참조하여, 제5 가능한 구현 방식에서, 상기 자원 할당 정책은 노드 관리 소프트웨어를 사용하여 상기 컴퓨터에 의해 정의되고, 상기 제어 장치로 전달되며, 상기 노드 관리 소프트웨어는 상기 컴퓨터의 메모리에 저장된다. 본 발명의 실시 예들의 제3 측면은 데이터 처리 방법을 제공하며, 상기 데이터 처리 방법은 제어 장치에 적용되고, 상기 제어 장치는 컴퓨터의 컴포턴트 상에 배치되어 있으며, 상기 데이터 처리 방법은, 상기 제어 장치가, 태그가 첨부된 애플리케이션 요청을 수신하는 단계;상기 제어 장치가, 상기 태그 및 미리 저장된 자원 할당 정책에 따라, 상기 애플리케이션 요청에 대하여 할당되는 자원량을 결정하는 단계; 및상기 제어 장치가, 상기 컴퓨터의 컴포넌트에게, 상기 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 상기 애플리케이션 요청을 처리하도록 지시하는 단계를 포함하고, 상기 자원 할당 정책은 상기 태그와 상기 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량 사이의 대응 관계를 포함한다. 제3 측면을 참조하여, 제1 가능한 구현 방식에서, 상기 제어 장치는 버퍼를 더 포함하고, 상기 버퍼는 적어도 2개의 큐를 포함하며, 각 큐는 자원량의 범위에 대응하고, 각 큐의 우선순위는 상이하며, 상기 제어 장치가, 상기 컴퓨터의 컴포넌트에게, 상기 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 상기 애플리케이션 요청을 처리하도록 지시하는 단계는, 상기 제어 장치가, 상기 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라, 상기 적어도 2개의 큐로부터 상기 애플리케이션 요청에 대응하는 큐를 선택하고, 상기 컴퓨터의 컴포넌트가 상기 애플리케이션 요청에 대응하는 큐로부터 상기 애플리케이션 요청을 획득하고, 상기 애플리케이션 요청을 실행시키도록, 상기 애플리케이션 요청을 상기 애플리케이션 요청에 대응하는 상기 큐에 저장하는 단계를 포함한다. 제3 측면을 참조하여, 제2 가능한 구현 방식에서, 상기 제어 장치는 프로세서와 캐시를 더 포함하고, 상기 캐시는 상기 자원 할당 정책을 저장하며,상기 데이터 처리 방법은, 상기 제어 장치의 프로세서가, 상기 캐시로부터 상기 자원 할당 정책을 획득하는 단계를 더 포함한다. 제3 측면의 제2 가능한 구현 방식을 참조하여, 제3 가능한 구현 방식에서, 상기 자원 할당 정책은 제어표를 포함하고, 상기 제어표는 다수의 항목을 포함하며, 상기 다수의 항목 중 하나의 항목은 상기 태그와 상기 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량 사이의 대응 관계를 포함하며,상기 제어 장치의 프로세서가, 상기 캐시로부터 상기 자원 할당 정책을 획득하는 단계는, 상기 프로세서가, 상기 태그를 포함하는 질의 명령을 상기 캐시에 전달하는 단계; 및 상기 캐시가, 상기 질의 명령에 따라 상기 태그에 대응하는 항목을 획득하고, 상기 태그에 대응하는 항목을 상기 제어 장치의 프로세서에게 전달하는 단계를 포함한다. 본 발명의 실시 예들은 컴퓨터를 제공하며, 컴퓨터는 처리 유닛과 제어 장치를 포함한다. 처리 유닛은 애플리케이션 요청에 태그를 첨부하고, 태그가 첨부된 애플리케이션 요청을 제어 장치로 전달하며, 제어 장치는, 태그 및 미리 저장된 자원 할당 정책에 따라, 애플리케이션 요청에 대하여 할당되는 자원량을 결정하고, 컴퓨터의 컴포넌트에게 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 애플리케이션 요청을 처리하라고 지시한다. 이러한 방식으로, 애플리케이션 요청을 처리하는 경우, 컴퓨터의 컴포넌트는 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 처리를 수행할 수 있으며, 이는 어느 정도, 자원량이 다수의 애플리케이션 요청들에 의해 상호간에 선점되는((mutually preempted) 것을 방지하며, 이에 따라 서비스 품질을 향상시킨다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 발명의 실시 예 또는 종래 기술에서의 기술적 해결 방안을 더욱 명확히 기술하기 위해, 이하에서 본 발명의 실시 예들 또는 종래 기술을 설명할 때 필요한 첨부 도면을 간략하게 소개한다. 분명한 것은, 이어질 설명에서 첨부된 도면은 단지 본 발명의 몇 가지 실시 예를 나타내며, 당업자는 첨부된 도면으로부터 창작 능력 없이도 다른 도면을 도출해 낼 수 있다는 것이다.도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 컴퓨터의 시스템 아키텍쳐(system architecture)의 도이다. 도 2a는 본 발명의 실시 예에 따른 다른 컴퓨터의 시스템 아키텍쳐의 도이다.도 2b는 본 발명의 실시 예에 따른 제어 장치의 개략적인 구조도이다.도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 다른 제어 장치의 개략적인 구조도이다.도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 또 다른 제어 장치의 개략적인 조도이다.도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 또 다른 제어 장치의 개략적인 구조도이다.도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 제어 평면의 네트워크 아키텍쳐의 개략적인 도이다. 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 노드 관리 소프트웨어의 개략적인 구조도이다. 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 데이터 처리 방법의 개략적인 흐름도이다.도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 다른 데이터 처리 방법의 개략적인 흐름도이다. 도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 또 다른 데이터 처리 방법의 개략적인 흐름도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하에 본 발명의 실시 예에서의 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시 예의 기술적 해결방안을 명확하고 완전하게 설명한다. 명백히, 설명하는 실시 예는 본 발명의 실시 예의 전부가 아니라 일부이다. 당업자가 본 발명의 실시 예에 기초하여 창의적인 노력 없이 얻은 모든 다른 실시 예는 본 발명의 보호 범위에 속한다.본 발명의 실시 예들은 애플리케이션 프로그램의 서비스 품질을 향상시키는 데 사용되는 컴퓨터, 제어 장치, 그리고 데이터 처리 방법을 제공한다. 도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 컴퓨터(10)의 시스템 아키텍쳐의 개략적인 도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 컴퓨터(10)는 다수의 처리 유닛(11), 다수의 제어 장치(66), 그리고 컴퓨터의 다수의 컴포넌트(33)(도 1에서, 간략하게 "파트(part)라고 명명함")를 포함한다. 본 발명의 본 실시 예에서 컴퓨터의 컴포넌트는 자원이 다수의 애플리케이션 프로그램에 의해 점유되는 컴퓨터의 컴포넌트를 나타낸다. 처리 유닛(11)은 중앙 처리 유닛(Central Processing Unit, CPU) 상에 있으며 동일한 기능을 가지는 프로세서 코어들 중의 하나를 나타내며, 읽기 및 쓰기와 같은 다양한 동작 명령어(operation command)를 실행하도록 구성된다. 컴퓨터의 컴포넌트(33)는 고속 온칩 상호연결(on-chip interconnection) 네트워크와, 컴퓨터의 컴포넌트로서 직접적으로 고속 온칩 상호연결 네트워크에 연결되어 있는 컴포넌트, 예를 들어, 캐시(cache)(또한, 캐시로 명명됨), 메모리, 그래픽 처리 유닛(Graphic Processing Unit, GPU)과 비디오 RAM을 포함하며, I/O 상호연결 네트워크와, I/O 상호연결 네트워크에 연결된 I/O 장치, 예를 들어, 자기 디스크(또한 하드 디스크로 명명됨), 네트워크 어댑터와 디스플레이를 더 포함할 수 있다. 고속 온칩 상호연결 네트워크는 다수의 처리 유닛(11)을 연결하기 위한 커넥터(cnnector)이며, 고속 온칩 상호연결 네트워크는 또한 캐시, 메모리, 그래픽 처리 유닛, 비디오 RAM 등에 연결된다. 캐시에 대해, 캐시에 의해 애플리케이션 프로그램에 할당된 자원은 캐시 공간(space)일 수 있으며; 메모리에 대해, 메모리에 의해 애플리케이션 프로그램에 할당된 자원은 메모리 공간일 수 있고; 그래픽 처리 유닛에 대해, 그래픽 처리 유닛에 의해 애플리케이션 프로그램에 할당된 자원은 하드웨어 가속(acceleration) 자원일 수 있으며; 비디오 RAM에 대해, 비디오 RAM에 의해 애플리케이션 프로그램에 할당된 자원은 비디오 RAM 공간일 수 있다. 게다가, 고속 온칩 상호연결 네트워크는 또한 I/O 상호연결 네트워크(또한 사우스브리지(southbridge)로 명명됨)에 연결될 수 있다. I/O 상호연결 네트워크는 I/O 장치를 제어하기 위한 장치이다. 컴퓨터의 컴포넌트(33)는 I/O 상호연결 네트워크에 직접적으로 연결된 I/O 장치, 예를 들어, 자기 디스크(또한, 하드 디스크로 명명됨), 네트워크 어댑터와 디스플레이를 더 포함한다. 예를 들어, 일정 기간(a period of time)에서, 컴퓨터(10)는 다수의 애플리케이션을 처리할 수 있으며, 이러한 모든 애플리케이션 프로그램들은 컴퓨터의 컴포넌트(예를 들어, 메모리)의 자원을 점유해야 한다. 그러나 메모리의 자원은 한정되어 있기 때문에, 일부 중요한 애플리케이션 프로그램들이 시기 적절하게(in a timely manner) 처리될 수 없으며, 그러므로 서비스 품질이 영향을 받는다. 그러므로 본 발명의 본 실시 예에서, 제어 장치(66)는 컴퓨터의 컴포넌트 상에 배치되어 있으며, 컴포넌트들의 자원들은 다수의 애플리케이션 프로그램에 대해 적용되거나 다수의 애플리케이션 프로그램에 의해 점유될 수 있다. 제어 장치(66)는 애플리케이션 프로그램들을 처리하기 위하여, 상이한 타입의 애플리케이션 프로그램들에 따라 상이한 자원량을 애플리케이션 프로그램들에 대하여 할당하도록 구성된다. 여기서(Herein), 자원이 다수의 애플리케이션 프로그램에 적용되거나 다수의 애플리케이션 프로그램에 의해 점유될 수 있는 컴퓨터의 컴포넌트들은, 고속 온칩 상호연결 네트워크, 캐시, 메모리, 그래픽 처리 유닛, 비디오 RAM과 I/O 상호연결 네트워크에 한정되지 않는다. 본 발명의 본 실시 예에서, 제어 장치(66)는 단지 컴퓨터의 다수의 컴포넌트들 중에서 컴퓨터의 하나의 컴포넌트 상에 배치될 수 있거나; 또는 제어 장치(66)는 컴퓨터의 다수의 컴포넌트들 상에 배치될 수 있으며, 또는 심지어, 제어 장치(66)는 위에 기술된 컴퓨터의 모든 컴포넌트 상에 배치될 수 있음을 주목해야 한다. 제어 장치(66)가 상이한 타입의 애플리케이션 프로그램들을 식별하도록 하기 위하여, 애플리케이션 요청(request)들의 타입들이 애플리케이션 요청들(애플리케이션 프로그램들에 대응하는 요청들)이 생성되는 소스단(source end)에서 식별되고 태그(tagged)되어야 한다. 그러므로 애플리케이션 요청들이 이후에 컴퓨터 컴포넌트 상의 제어 장치(66)로 전달되는 경우, 제어 장치(66)는 태그에 따라, 상이한 타입들의 애플리케이션 프로그램들에 대하여 상이한 처리를 수행할 수 있다. 본 발명의 본 실시 예에서, 애플리케이션 프로그램들과 애플리케이션 요청들은 동일한 의미(meaning)를 나타냄을 주목해야 한다. 게다가, 본 발명의 본 실시 예에서, 애플리케이션 요청들은 컴퓨터 내부에서 생성되는 다양한 명령들(instructions)과 컴퓨터의 외부로부터 수신되는 다양한 명령들, 예를 들어, 파일 액세스 요청, 비디오 재생(playback) 요청, 메모리 액세스 요청, I/O 요청 그리고 상호연결(Interconnect) 요청을 포함한다. 여기서, 애플리케이션 요청들이 생성되는 소스단은 처리 유닛(11) 또는 I/O 장치(예를 들어, 네트워크 어댑터)일 수 있다. 애플리케이션 요청들이 국부적으로(locally) 컴퓨터(10)로부터 있는 경우, 애플리케이션 요청들이 생성되는 소스단은 처리 유닛(11)일 수 있으며; 애플리케이션 요청들이 컴퓨터(10)의 외부로부터 있는 경우, 예를 들어, 인터넷을 사용하여 전달되는 애플리케이션 요청들이 수신되는 경우, 애플리케이션 요청들이 생성되는 소스단은 네트워크 어댑터 또는 다른 입력-출력 장치일 수 있다. 애플리케이션 요청들이 컴퓨터(10)의 내부로부터 있는 경우, 태깅(tagging) 방식(manner)은 다음과 같을 수 있다. (도 2a에 도시된 바와 같은) 태그 레지스터(77)가 처리 유닛(11)에 배치되어 있으며, 태그 레지스터(77)는 레지스터 값을 저장한다. 처리 유닛(11)이 애플리케이션 요청을 생성하는 경우, 처리 유닛(11)은 레지스터 값을 판독하여 애플리케이션 요청에 태그를 첨부하며, 태그는 레지스터 값이다. 구체적으로, 태그는 애플리케이션 요청에 대하여 노드 관리 소프트웨어(다음에 보다 상세히 기술됨)에 의해 정의된다. 노드 관리 소프트웨어는 운영 시스템(operating system)의 모듈일 수 있으며, 또는 운영 시스템과 컴퓨터 하드웨어 사이의 미들 소프트웨어 계층(layer)(하이퍼바이저(Hypervisor))에서의 모듈일 수 있으며, 처리 유닛(11) 상에서 실행된다. 노드 관리 소프트웨어가 애플리케이션 요청에 대한 태그를 정의한 후에, 운영 시스템은 태그를 애플리케이션 요청에 대응하는 프로세스의 컨텍스트(context)에 기록할 수 있으며, 그 다음에 애플리케이션 요청에 대응하는 프로세스의 컨텍스트를 레지스터에 기록할 수 있다. 선택적인 구현 방식은 다음과 같다. 처리 유닛(11)은 자체적으로 다수의 레지스터를 포함할 수 있기 때문에, 다수의 레지스터들은 태그 레지스터(77)로서 설정될 수 있으며, 태그 레지스터(77)는 애플리케이션 프로그램의 태그를 저장하도록 구성된다. 애플리케이션 요청을 생성하는 경우, 처리 유닛(11)은 태그 레지스터(77)의 레지스터 값을 판독하고, 레지스터 값을 태그로서 사용하며, 레지스터 값을 애플리케이션 요청에 기록한다. 태그는 애플리케이션 프로그램의 ID, 문자(letter), 숫자 등에 의해 표현될 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. 다른 선택적인 구현 방식은 다음과 같다. 새로운 레지스터가 처리 유닛(11)에 첨부되며, 새로운 레지스터는 태그 레지스터(77)로서 정의되고, 태그 레지스터(77)는 애플리케이션 프로그램의 태그를 저장하도록 구성된다. 이후의 처리(subsequent processing)의 방식은 전술한 구현 방식과 동일하며, 여기서는 설명을 생략한다. 하나의 구현 방식에서 네트워크 어댑터가 애플리케이션 요청의 소스단으로 기능하는 경우, 네트워크 어댑터가 자체적으로 애플리케이션 요청을 태깅(tagging)하는 액션(action)을 실행하지 않는다. 예를 들어, 네트워크 어댑터가 애플리케이션 요청을 수신하는 경우, 애플리케이션 요청은 태그를 운반하는 애플리케이션 요청이다. 즉, 애플리케이션 요청의 송신단(sending end)이, 애플리케이션 요청을 전달하기 전에 애플리케이션 요청을 태깅할 수 있다. 분산(distributed) 시스템에서, 서버들(또는 컴퓨터)이 협의(negotiation)하여 애플리케이션 요청의 태그를 결정할 수 있으며; 또는 태그 서버가 애플리케이션 요청을 정의하고 각 서버로 전달하도록 배치될 수 있다. 위의 구현 방식들 모두와 그외 유사한 것들은 본 발명의 보호 범위에 속할 것이다. 다른 구현 방식은 다음과 같다. 네트워크 어댑터가 메시지 패킷을 수신하는 경우, 네트워크 패킷을 파싱(parsing)하는 것에 의해 애플리케이션 요청이 획득되고, 그 다음에 애플리케이션 요청이 태깅된다. 이 경우, 네트워크 어댑터에 의해 애플리케이션 요청을 태깅하는 방식은 위에 기술된 처리 유닛(11)에 의해 태깅하는 방식과 유사하며, 여기서는 설명을 생략한다. 컴퓨터(10) 내부의 다른 컴포넌트 예를 들어, I/O 상호연결 네트워크는 또한 애플리케이션 요청에 태그를 첨부할 수 있으며, 이것의 구현 방식은 처리 유닛(11) 또는 네트워크 어댑터에 의한 방식과 유사하며, 본 발명의 본 실시 예는 태깅을 위한 컴포넌트에 대하여 한정을 설정하지 않음을 주목해야 한다. 다음에는 처리 유닛(11)이 애플리케이션 요청에 태그를 첨부하는 예를 사용하여 후속 처리 절차(subsequent processing procedure)를 설명한다. 태그가 애플리케이션 요청에 첨부된 후에 처리 유닛(11)이 애플리케이션 요청을 제어 장치(66)로 전달하는 경우, 애플리케이션 요청의 태그는 운반된다. 구체적으로, 제어 장치(66)는 첨부된 애플리케이션 요청을 수신하고, 태그와 미리 저장된 자원 할당 정책에 따라 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량을 결정하도록 구성되며, 추가로, 컴퓨터의 컴포넌트에게 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 애플리케이션 요청을 처리하도록 지시하도록 구성되고, 자원 할당 정책은 태그와 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량 사이의 대응관계(correspondence)를 포함한다. 본 발명의 본 실시 예는 컴퓨터를 제공하며, 컴퓨터는 처리 유닛과 제어 장치를 포함한다. 처리 유닛은 태그를 애플리케이션 요청에 첨부하고, 태그가 첨부된 애플리케이션 요청을 제어 장치로 전달하며; 제어 장치는 태그와 미리 저장된 자원 할당 정책에 따라 애플리케이션 요청에 대하여 할당되는 자원량을 결정하고, 컴퓨터의 컴포넌트에게 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 애플리케이션 요청을 처리하도록 지시한다. 이러한 방식으로, 애플리케이션 요청을 처리하는 경우, 컴퓨터의 컴포넌트는 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 처리를 수행할 수 있으며, 이는 어느 정도(to some extent), 자원량이 다수의 애플리케이션 요청들에 의해 상호간에 선점되는 것을 방지하며, 이에 따라 서비스 품질을 향상시킨다. 다음에는 주로 제어 장치(66)의 구조와 기능을 설명한다. 제어 장치(66)는 컴퓨터(10)의 내부에서 컴퓨터의 컴포넌트들 중 어느 하나의 컴포넌트 상의 장치를 나타낸다. 컴퓨터의 일부 컴포넌트가 제어기(controller)(예를 들어, 메모리 제어기를 포함하는 메모리, 네트워크 어댑터 제어기를 포함하는 네트워크 어댑터)를 포함하는 경우, 제어 장치(66)는 제어기에 실장된(embedded) 제어 장치 또는 원래의 제어기에 연결된 새로이 첨부된(newly-attached) 제어 장치일 수 있으며; 컴퓨터의 일부 컴포넌트가 제어기를 포함하지 않는 경우, 제어 장치(66)는 새로이 첨부된 제어기 또는 컴퓨터의 컴포넌트들에 연결된 제어 장치일 수 있다. 도 2b에 도시된 바와 같이, 제어 장치(66)는 프로세서(600a)를 포함한다. 제어 장치(66)는 태그가 첨부된 애플리케이션 요청을 수신하고, 태그와 미리 저장된 자원 할당 정책에 따라, 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량을 결정하도록 구성되며, 추가로, 컴퓨터의 컴포넌트에게 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 애플리케이션 요청을 처리하도록 명령하도록 구성되며, 자원 할당 정책은 태그와 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량 사이의 대응관계를 포함한다. 게다가, 제어 장치(66)는 추가로 버퍼(600b)(또한, 버퍼로 명명됨)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(600a)는 태그가 첨부된 애플리케이션 요청을 버퍼(600a)에 저장하고; 버퍼(600a)로부터 태그를 판독하며, 태그와 미리 저장된 자원 할당 정책에 따라, 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량을 결정하도록 구성되며, 컴퓨터의 컴포넌트에게 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 애플리케이션 요청을 처리하라고 지시하도록 구성되며, 자원 할당 정책은 태그와 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량 사이의 대응관계를 포함한다. 버퍼(600b)는 또한 프로세서(600a)의 레지스터일 수 있음을 주목해야 한다. 이 경우, 그의 처리 방식은 다음과 같을 수 있다. 프로세서(600a)는, 태그가 첨부된 애플리케이션 요청을 프로세서(600a)의 레지스터에 저장하고; 레지스터로부터 태그를 판독하며, 태그와 미리 저장된 자원 할당 정책에 따라, 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량을 결정하도록 구성되며, 컴퓨터의 컴포넌트에게 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 애플리케이션 요청을 처리하라고 지시하도록 구성되며, 자원 할당 정책은 태그와 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량 사이의 대응관계를 포함한다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 선택적인 구현 방식은 다음과 같다. 제어 장치(66)는 프로세서(600i), 버퍼(또한, 버퍼로 명명됨)(600b), 그리고 큐(600c)를 포함할 수 있다. 프로세서(600i)는 필드 프로그래머블 게이트 어레이(Field-Programmable Gate Array, FPGA) 또는 다른 프로그래머블 장치일 수 있다. 자원 할당 정책이 프로세서(600i)에 내장되어(built in) 있으며, 자원 할당 정책은 (표 1에 도시된 바와 같은) 제어표(table)일 수 있으며, 제어표는 편집가능하다. 태그속성(Attribute) 1...속성 i상태(State) 1...상태 i태그 1값 범위(Value range)...값 범위값...값...태그 k값 범위...값 범위값...값구체적으로, 표 1의 각 항목(entry)은 하나의 태그에 대응한다. 게다가, 제어표의 각 항목은 "속성(attributes)"을 포함하며, 속성은 태그에 대응하는 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량을 나타낸다. 다수 타입의 자원량들이 있을 수 있으며, 예를 들어, 목표 서비스 품질(target service quality), IPC(Instruction per Cycle), 응답 시간, 최대 허용오차(maximum tolerance) 등이 포함될 수 있다. 속성의 값 범위(value range)는 사용자에 의해 설정될 수 있다. 예를 들어, 값 범위는 30%보다 작지 않거나 또는 80%보다 크지 않은 범위로서 정의될 수 있다. 게다가, 각 항목은 다수의 "상태(state)"를 더 포함하며, "상태"는 태그에 대응하는 애플리케이션 응용에 의해 현재 소요되는 자원량을 나타내며, "상태"의 값은 실시간으로 모니터링되고 업데이트될 수 있다. 게다가, 자원 할당 정책은 또한 펌웨어 코드(firmware code)일 수 있으며, FPGA에 내장된다. 본 발명의 본 실시 예는 자원 할당 정책을 저장하는 방식에 대하여 한정을 설정하지 않는다.버퍼(600b)는 임시 버퍼(temporary buffer)이다. 제어 장치(66)가 태그를 운반하는 애플리케이션 요청을 수신하는 경우, 애플리케이션 요청이 먼저 임시 저장을 위해 버퍼(600b)에 배치된다(placed into). 큐(600c)는 또한 임시 버퍼이며, 버퍼(600b)와 같이 동일한 임시 버퍼로서 위치될 수 있으며, 또는 독립적으로 임시 버퍼로서 기능하기 위하여 버퍼(600b)로부터 분리될 수 있다. 큐(600c)는 프로세서(600i)에 의해 처리되는 애플리케이션 요청을 저장하도록 구성된다. 큐(600c)는 다수의 큐들을 포함할 수 있으며, 상이한 큐들은 버퍼(600b)에서의 상이한 어드레스 세그먼트(segment)들에 대응한다. 상이한 큐들은 상이한 우선순위를 가지며, 우선순위들은 컴퓨터의 컴포넌트에 의해 큐에서의 애플리케이션 요청들을 실행하기 위한 상이한 시퀀스(sequence)들로 표현되며, 이는 상이한 자원량들이 상이한 큐들에 대하여 할당됨을 의미한다. 게다가, 제어 장치(66)는 프로그래밍 인터페이스(600d)를 더 포함할 수 있다. 프로그래밍 인터페이스(600d)는 어드레스 공간 매핑 메커니즘(address space mapping mechanism)을 구현하도록 구성되며, 프로세서(600i)에 내장된 제어표를 컴퓨터(10)의 물리적 어드레스 공간에 매핑할 수 있다. 노드 관리 소프트웨어는 제어표를 편집하기 위하여 컴퓨터(10)의 물리적 어드레스 공간을 액세스할 수 있다. 예를 들어, 프로그래밍 인터페이스(600d)는 제어표에 항목을 추가하거나 제어표에 저장된 항목을 변경하거나 또는 삭제하는 데 사용되는 다양한 기능들을 제공할 수 있다. 게다가, 노드 관리 소프트웨어가 모든 애플리케이션 요청들의 "상태"의 값들에 대한 통계(statistics)를 수집한 후에 자원 할당 정책을 추가로 조정할 수 있도록, 프로세서(600i)가 추가로, 프로세서(600i)의 제어표의 각 항목에서의 모든 "상태"의 값들을 노드 관리 소프트웨어로 제공할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(600i)는 버퍼(600b)로부터 태그를 운반하는 애플리케이션 요청을 획득할 수 있으며, 애플리케이션 요청의 "속성"을 획득하기 위하여, 태그에 따라 표 1의 대응하는 항목을 질의(query)할 수 있다. 애플리케이션 요청의 "속성"이 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량을 지시하기 때문에, 프로세서(600i)는 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 적어도 2개의 큐로부터, 애플리케이션 요청에 대응하는 큐를 선택하고, 애플리케이션 요청을 대응하는 큐에 배치(place)시킬 수 있다. 애플리케이션 요청을 대응하는 큐에 배치한 후에, 프로세서(600i)는 컴퓨터의 대응하는 컴포넌트에게 애플리케이션 요청에 대한 처리를 수행하도록 지시할 수 있다. 여기서, "컴퓨터의 대응하는 컴포넌트"는 제어 장치가 속해 있는 컴퓨터의 컴포넌트를 나타낸다. 예를 들어, 제어 장치가 캐시 상의 제어 장치를 나타내면, "컴퓨터의 대응하는 컴포넌트"는 캐시를 나타낸다. 여기서, "컴퓨터의 대응하는 컴포넌트에게 애플리케이션 요청에 대한 처리를 수행하도록 지시하는 것"은 프로세서(600i)가 대응하는 큐로부터 애플리케이션 요청을 디큐(dequeues)하고 애플리케이션 요청을 컴퓨터의 대응하는 컴포넌트로 전달하는 것이거나, 또는 컴퓨터의 대응하는 컴포넌트가 대응하는 큐로부터 애플리케이션 요청을 획득하는 것일 수 있다.게다가, 제어 장치(66)는 데이터 포워더(forwarder)(600j)를 더 포함할 수 있다. 상이한 애플리케이션 요청들을 상이한 큐(600c)들에 배치시킨 후에, 프로세서(600i)는 큐로부터 애플리케이션 요청을 디큐시킨 다음에 애플리케이션 요청을 데이터 포워더(600j)로 전달할 수 있으며, 데이터 포워더(600j)는 애플리케이션 요청을 컴퓨터의 대응하는 컴포넌트로 포워딩(forward)하도록 구성된다. 즉, 컴퓨터의 대응하는 컴포넌트는 여기서, 데이터 포워더(600j)를 사용하여 대응하는 큐로부터 애플리케이션 요청을 획득할 수 있다. 게다가, 애플리케이션 요청을 대응하는 큐(600c)에 배치시키기 전에, 프로세서(600j)는 압축 및 암호화와 같은 일부 전처리 동작(preprocessing operation)을 애플리케이션 요청에 대하여 수행할 수 있으며, 그 다음에 전처리 과정을 거친 애플리케이션 요청을 대응하는 큐(600c)에 배치할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제어 장치(66)에 대하여, 다른 선택적인 구현 방식은 다음과 같다. 제어 장치(66)는 버퍼(또한 버퍼로 명명됨)(600b), 큐(600c), 마이크로프로세서(600e), 그리고 캐시(또한 캐시로 명명됨)(600f)를 포함한다. 버퍼(또한 버퍼로 명명됨)(600b)와 큐(600c)는 도 3에 도시된 버퍼와 큐와 동일하며, 여기서는 설명을 생략한다. 마이크로프로세서(600)는 CPU 또는 기능이 CPU의 기능과 유사한 다른 제어기일 수 있다. 마이크로프로세서(600e)와 도 3에 도시된 프로세서(600i) 사이의 차이점은, 프로세서(600i)가 프로그래머블 장치로서 기능하고, 제어 할당 정책이 프로세서(600i)에 내장되어 있으며, 제어 할당 정책이 편집가능하고, 마이크로프로세서(600e)는 CPU의 기능을 실행하지만, 제어표가 마이크로프로세서(600e)에 내장될 수 없다는데 있다. 그러므로 도 4에 도시된 제어 장치(66)는 캐시(600f)를 더 포함한다. 캐시(600f)는 자원 할당 정책을 저장하며, 자원 할당 정책은 기능이 제어표의 기능과 유사한 프로그램 코드를 나타낸다. 예를 들어, 제어 장치(66)가 태그를 운반하는 애플리케이션 요청을 수신하는 경우, 애플리케이션 요청이 먼저 버퍼(600b)에 배치된다. 마이크로프로세서(600e)는 버퍼(600b)에 저장된 애플리케이션 요청들의 큐로부터 태그를 운반하는 애플리케이션 요청을 획득하고; 캐시(600f)로부터 버퍼(600b)로 자원 할당 정책을 판독하며; 태그와 자원 할당 정책에 따라, 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량을 결정하고; 적어도 2개의 큐로부터 애플리케이션 요청에 대응하는 큐를 선택하며; 애플리케이션 요청을 대응하는 큐에 배치할 수 있다. 마이크로프로세서(600e)는 그 다음에, 대응하는 큐로부터 애플리케이션 요청을 디큐하고, 애플리케이션 요청을 컴퓨터의 대응하는 컴포넌트로 전달한다. 선택적으로, 제어 장치(66)는 데이터 포워더(600j)를 더 포함할 수 있다. 상이한 애플리케이션 요청들을 상이한 버퍼(600c)에 배치한 후에, 마이크로프로세서(600e)는 애플리케이션 요청을 큐로부터 디큐한 다음에 애플리케이션 요청을 데이터 포워더(600j)로 전달할 수 있으며, 데이터 포워더(600j)는 애플리케이션 요청을 컴퓨터의 대응하는 컴포넌트로 포워딩하도록 구성된다. 후속 처리의 방식은 도 3에 도시된 구현 방식과 동일하며, 여기서는 설명을 생략한다. 게다가, 도 4에 도시된 제어 장치(66)는 캐시(600f)에 저장된 자원 할당 정책을 변경하는 데 사용되는 제어 로직(도 4에 도시되지 않음)을 더 포함할 수 있다. 유사하게, 애플리케이션 요청을 대응하는 큐(600c)에 배치하기 전에, 마이크로프로세서(600e)는 애플리케이션 요청에 대해 압축 및 암호화와 같은 일부 전처리 동작을 수행할 수 있으며, 그 다음에 전처리 동작을 거친 애플리케이션 요청을 대응하는 큐(600c)에 배치한다. 마이크로프로세서(600e) 내부에 버퍼가 있으면, 마이크로프로세서(600e)는 또한 태그를 운반하는 애플리케이션 요청과 캐시(600f)에 저장된 자원 할당 정책을 마이크로프로세서(600e)의 버퍼로 판독하고, 마이크로프로세서(600e)의 버퍼의 애플리케이션 요청을 처리하고, 처리 결과에 따라 애플리케이션 요청을 대응하는 큐(600c)에 배치할 수 있음을 이해할 수 있다. 제어 장치(66)에 대하여, 또 다른 선택적인 구현 방식은 다음과 같다. 제어 장치(66)는 버퍼(600b), 비교 제어 로직(600g), 캐시(600f), 그리고 큐(600c)를 포함할 수 있다. 여기서, 비교 제어 로직(600g)은 ASIC(Application Specific Integrated Circuits) 또는 다른 집적 회로(integrated circuit)일 수 있다. 버퍼(600b)는 위에 기술된 버퍼와 일치한다(consistent with).캐시(600f)는 제어표(표 1)를 저장한다. 제어 장치(66)가 태그를 운반하는 애플리케이션 요청을 수신하는 경우, 애플리케이션 요청이 먼저 버퍼(600b)에 배치된다. 큐는 버퍼(600b)의 캐시 공간의 일부 또는 독립적인 버퍼일 수 있다. 비교 제어 로직(600g)은 큐로부터 버퍼(600b)(또는 비교 제어 로직(600g)의 버퍼)로 애플리케이션 요청을 판독하며, 캐시(600f)에게 태그에 대응하는 항목을 리턴하는 것을 요청하기 위하여, 애플리케이션 요청의 태그에 따라 캐시(600f)에게 판독 명령(read instruction)을 전달한다. 항목의 컨텐츠가 버퍼(600b)(또는 비교 제어 로직(600g)의 버퍼)로 로드(load)되며; 비교 제어 로직(600g)은 애플리케이션 요청을 큐(600c)에 배치하기 위하여, 버퍼(600b)의 항목의 컨텐츠에 따라 적어도 2개의 큐로부터 대응하는 큐를 선택한다. 비교 제어 로직(600g)은 그 다음에 대응하는 큐로부터 애플리케이션 요청을 디큐하고, 애플리케이션 요청을 컴퓨터의 대응하는 컴포넌트로 전달한다.선택적으로, 제어 장치(66)는 데이터 포워더(600j)를 더 포함할 수 있다. 상이한 애플리케이션 요청들을 상이한 버퍼(600c)에 배치한 후에, 비교 제어 로직(600g)은 애플리케이션 요청을 큐로부터 디큐한 다음에 애플리케이션 요청을 데이터 포워더(600j)로 전달할 수 있으며, 데이터 포워더(600j)는 애플리케이션 요청을 컴퓨터의 대응하는 컴포넌트로 포워딩하도록 구성된다. 유사하게, 비교 제어 로직(600g)은 애플리케이션 요청에 대해 압축 및 암호화와 같은 일부 전처리 동작을 버퍼(600b)에서 수행할 수 있다. 게다가, 제어 장치(66)는 캐시(600f)에 저장된 제어표를 편집하도록 구성되는 프로그래밍 인터페이스(600d)를 더 포함할 수 있다. 프로그래밍 인터페이스(600d)의 구체적인 기능에 대하여, 도 3에 도시된 실시 예의 프로그래밍 인터페이스(600d)의 설명을 참조할 수 있다. 컴퓨터(10)의 컴포넌트 상의 제어 장치들(66)은 절대적으로 동일하지 않을 수 있다. 구체적으로, 제어 장치들(66)에 의해 저장된 자원 할당 정책들은 절대적으로 동일하지 않을 수 있음을 주목해야 한다. 예를 들어, 동일한 애플리케이션 요청들에 대하여, 애플리케이션 요청이 메모리를 액세스해야 하는 경우, 메모리에 의해 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량이 80%에 도달할 수 있으며; 애플리케이션 요청이 I/O 장치를 사용하여 출력되어야 하는 경우, I/O 상호연결 네트워크에 의해 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량은 단지 70%일 수 있다. 본 발명의 본 실시 예에서 제공되는 제어 장치를 사용하는 것에 의하여, 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량이 애플리케이션 요청의 태그와 미리 저장된 자원 할당 정책에 따라 결정될 수 있으며, 컴퓨터의 컴포넌트가 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 애플리케이션 요청을 처리하도록 지시될 수 있다. 이러한 방식으로 애플리케이션 요청을 처리하는 경우, 컴퓨터의 컴포넌트는 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 처리를 수행할 수 있으며, 이는 어느 정도, 자원량이 다수의 애플리케이션 요청에 의하여 상호간에 선점되는 것을 방지하며, 이에 따라 서비스 품질을 향상시킨다. 본 발명의 본 실시 예에서, 컴퓨터의 컴포넌트들 상의 제어 장치들(66)은 도 1 또는 도 2a에 점선(dashed line)으로 도시된 바와 같이, 제어 장치(66)들을 모두 연결하는 데 사용되는 제어 장치 네트워크를 형성할 수 있다. 각각의 제어 장치는 하나의 물리적 액세스 포인트를 포함하며, 물리적 액세스 포인트를 사용하여 제어 장치 네트워크를 액세스한다. 제어 장치 네트워크는 PCIe(Peripheral Component Interconnect Express) 프로토콜 또는 다른 프로토콜을 사용하여 데이터를 전송할 수 있으며, 프로토콜의 타입은 본 발명의 본 실시 예에서 한정되지 않는다. 본 발명의 본 실시 예에서, 노드 관리 소프트웨어(도 1에 도시되지 않음)가 더 포함될 수 있으며, 노드 관리 소프트웨어는 운영 시스템의 모듈, 또는 운영 시스템과 컴퓨터 하드웨어 사이의 미들 소프트웨어 계층(하이퍼바이저)의 모듈일 수 있으며, 하나 또는 다수의 처리 유닛(11) 상에서 실행된다. 노드 관리 소프트웨어는 네트워크를 통하여 예를 들어, 제어 장치(66)에 대하여 초기화 동작을 수행하고, 제어 장치(66)의 "상태" 값들을 수집하고, 수집된 "상태" 값들에 따라 자원 할당 정책을 결정하거나 조정하며, 자원 할당 정책을 제어 장치(66)로 전달하는 등의, 모든 제어 장치(66)들을 관리하도록 구성된다. 선택적으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 하나의 구현 방식은 다음과 같다. 전용(dedicated) 네트워크가 컴퓨터(10)에 설치되고(established), 모든 제어 장치(66)가 루트 라우터(root router)를 사용하여 연결되며, 모든 제어 장치(66)의 물리적 액세스 포인트들이 전용 네트워크에 연결된다. 전용 네트워크는 통신 프로토콜을 제공할 수 있으며, 통신 프로토콜은 제어 장치(66)들을 액세스하기 위한 메시지 패킷의 포맷을 정의하는 것을 담당한다(responsible for). 예를 들어, 메시지 패킷은 제어 장치 번호나 제어 장치 ID, 제어 장치 명령어(command)(예를 들어, 자원 할당 정책을 추가(add)하는 것, 자원 할당 정책을 삭제하는 것, 또는 자원 할당 정책을 변경하는 것), 그리고 제어 장치 명령어 파라미터를 포함할 수 있으며, 이에 한정되지 않는다. 게다가, 제어 장치(66)가 컴퓨터(10)의 외부 장치 또는 노드 관리 소프트웨어가 통신할 수 있도록 하기 위하여, 메시지 패킷은 또한 PCIe 프로토콜 또는 다른 프로토콜을 사용하여 캡슐화된(encapsulated) 후에, 전송될 수 있다. 선택적으로, 다른 구현 방식은 다음과 같다. 각 제어 장치(66)는 어드레스 공간 매핑 방식으로 노드 관리 소프트웨어와 데이터 교환을 수행한다. 구체적으로, 각 제어 장치(66)는 제어 장치(66)의 제어표 또는 자원 할당 정책을 컴퓨터(10)의 물리적 어드레스 공간에 매핑한다. 노드 관리 소프트웨어는 어드레스 공간을 액세스하여 제어표 또는 자원 할당 정책의 편집을 구현할 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 노드 관리 소프트웨어는 제어 장치 드라이버 모듈(701), 모니터링 및 관리 모듈(702), 그리고 사용자 프로그래밍 인터페이스(703)를 포함할 수 있다. 제어 장치 드라이버 모듈(701)은 컴퓨터의 컴포넌트의 새로운 제어 장치(66)를 스캔하고 식별하며, 제어 장치(66)를 초기화하고, 자원 할당 정책을 제어 장치(66)로 전달하도록 구성된다. 게다가, 제어 장치 드라이버 모듈(701)은 추가로 자원 할당 정책을 추가하고, 변경하고, 또는 삭제하도록 구성된다. 모니터링 및 관리 모듈(702)은 각 제어 장치(66)의 수집된 "상태" 값을 저장하고, 각 제어 장치(66)의 수집된 "상태" 값에 대하여 상관 분석(correlation analysis)을 수행하며, 사용자 요구(user demand)를 조합하여 자원 할당 정책을 결정하도록 구성된다. 사용자 프로그래밍 인터페이스(703)는 다른 소프트웨어 또는 애플리케이션 프로그램이 API(Application Programming Interface)를 사용하여 제어 장치(66)의 프로그래밍을 구현할 수 있도록, API를 제공하도록 구성된다. 예를 들어, API는 초기화 명령어, 자원 할당 정책을 추가하기 위한 명령어, 자원 할당 정책을 변경하기 위한 명령어, 자원 할당 정책을 삭제하기 위한 명령어 등의 인터페이스들 중에서 적어도 하나를 포함한다. 본 발명의 본 실시 예들에서 도 2b, 도 3, 도 4, 또는 도 5에 도시된 제어 장치는 단지 본 발명의 실시 예들에 대하여 적용가능한 예일 뿐이며, 본 발명의 애플리케이션에 대하여 구체적인 한정을 설정하도록 의도되지 않는다. 예를 들어, 제어 장치는 또한 애플리케이션 특정 집적 회로(application-specific integrated circuit) 일 수 있다. 제어 장치가 어떠한 형태(form)로 있는지에 상관없이, 제어 장치는 컴퓨터에서 제어 장치의 기능을 구현한다. 본 발명의 실시 예에서 기술된 컴퓨터는 개인 컴퓨터, 서버, 모바일 폰, 또는 팜톱(palmtop) 컴퓨터일 수 있으며, 본 발명은 컴퓨터의 특정 구현 형태에 대하여 한정을 설정하지 않는다. 본 출원 서류(This application document)는 다른 시스템 실시 예들 또는 애플리케이션 시나리오를 하나하나(one by one) 설명하지 않는다. 다음에는 본 발명의 실시 예에서 데이터 처리를 구현하기 위하여 제어 장치가 컴퓨터 내부에 배치되어 있는 절차(procedure)를 설명한다. 본 발명의 본 실시 예의 데이터 처리 방법은 도 2b, 도 3, 도 4, 또는 도 5에 도시된 제어 장치에서 구현될 수 있다. 도 8에 도시된 바와 같이, 방법은 다음의 단계들을 포함한다. 단계(S101): 제어 장치가 태그를 운반하는 애플리케이션 요청을 수신한다. 태그를 운반하는 애플리케이션 요청은 도 1 또는 도 2a에 도시된 처리 유닛(11)으로부터 제공될 수 있거나 또는 네트워크 어댑터로부터 제공될 수 있다. 태그를 운반하는 애플리케이션 요청이 처리 유닛(11)으로부터 제공되는 경우, 처리 유닛(11)은 애플리케이션 요청을 수신하거나 생성할 때, 태그를 애플리케이션 요청에 첨부해야 한다. 구체적으로, 처리 유닛(11)에 의해 태그를 애플리케이션 요청에 첨부하는 방식에 대하여, 도 2a에 도시된 실시 예를 참조할 수 있으며, 여기서는 설명을 생략한다. 태그를 운반하는 애플리케이션 요청이 네트워크 어댑터로부터 제공되는 경우, 하나의 케이스는 네트워크 어댑터가 애플리케이션 요청을 수신하는 경우, 애플리케이션 요청이 태그를 운반하는 애플리케이션 요청인 것이다. 다른 케이스는, 네트워크 어댑터가 메시지 패킷을 수신하는 경우, 애플리케이션 요청이 메시지 패킷을 파싱하는 것에 의해 획득되고 그 다음에 애플리케이션 요청이 태그되는 것이다. 게다가, 단계(S101) 전에, 운영 시스템 또는 하이퍼바이저는 노드 관리 소프트웨어를 사용하여 컴퓨터의 각 제어 장치(66)에 대하여 초기화 동작을 수행할 수 있으므로, 각 제어 장치는 워킹(working) 상태가 된다. 제어 장치(66)가 초기화 동작을 거친 후에, 노드 관리 소프트웨어는 제어 장치 네트워크를 통하여 각 제어 장치(66)로 자원 할당 정책을 전달한다. 단계(S102): 제어 장치가 태그와 미리 저장된 자원 할당 정책에 따라 애플리케이션 요청에 대하여 할당되는 자원량을 결정하며, 자원 할당 정책은 태그와 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량 사이의 대응관계를 포함한다. 구체적으로, 제어 장치는 태그를 운반하는 애플리케이션 요청을 제1 버퍼(도 2b에 도시된 버퍼(600b))에 기록하고 제1 버퍼로부터 태그를 판독한다. 자원 할당 정책은 노드 관리 소프트웨어를 사용하여 제어 장치(66)로 전달되고, 처리 유닛(11)에 의해 애플리케이션 요청에 첨부된 태그는 또한 노드 관리 소프트웨어를 사용하여 정의되며, 그러므로, 애플리케이션 요청에서 운반되는 태그는 자원 할당 정책의 태그와 관련될 수 있으며, 제어 장치는 태그와 미리 저장된 자원 할당 정책에 따라 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량을 결정할 수 있다. 자원량은 여기에서 제어 장치가 위치된 컴퓨터의 컴포넌트에 의해 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량일 수 있으며, 또는 백분율 값(percentage value)일 수 있으며, 또는 우선순위 정보 등을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제어 장치가 위치된 컴퓨터의 컴포넌트가 메모리인 경우, 자원량은 메모리 공간의 크기 또는 메모리 공간의 백분율 값(예를 들어, 80%) 또는 다른 정보(표 1의 "속성"의 설명을 참조)일 수 있다. 본 발명의 본 실시 예는 자원량의 표현 형태에 대하여 한정을 설정하지 않으며, 컴포넌트에 의해 애플리케이션 요청을 처리하는 우선순위나 속도를 나타내면, 어느 것이든 하나(any one)는 본 발명의 본 실시 예의 보호 범위에 속한다. 게다가, 여기서 자원 할당 정책은 제어 장치의 프로세서(도 3에 도시된 구현 방식을 참조)에 내장될 수 있으며, 또는 제어 장치(도 3에 도시된 구현 방식을 참조)의 캐시에 저장될 수 있다. 단계(S103): 제어 장치가 컴퓨터의 컴포넌트에게 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 애플리케이션 요청을 처리하도록 지시한다. 컴퓨터의 컴포넌트에게 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 애플리케이션 요청을 처리하도록 지시하는 것은, 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량과 애플리케이션 요청을 컴포넌트에 전달하는 것 또는 애플리케이션 요청을 컴포넌트에 전달하고 애플리케이션 요청의 처리의 방식을 컴포넌트에게 통보하는 것일 수 있다.본 발명의 본 실시 예에서, 제어 장치는 애플리케이션 요청에 운반되는 태그, 그리고 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량과 태그 사이의 대응관계에 따라, 애플리케이션 요청에 대하여 할당되는 자원량을 결정하고, 그 다음에 컴퓨터의 컴포넌트에게 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 애플리케이션 요청을 처리하도록 지시할 수 있다. 그러므로 상이한 자원량들이 상이한 애플리케이션 요청들에 대하여 할당될 수 있으며, 이에 따라 서비스 품질을 향상시킨다. 선택적으로, 단계(S103) 다음에 애플리케이션 요청의 처리가 완료되지 않는 경우, 다른 컴퓨터의 컴포넌트로부터 자원을 신청(apply for)하고, 애플리케이션 요청을 처리하는 것이 여전히 요구되며, 처리된 애플리케이션 요청은 처리를 위해 컴퓨터의 다른 컴포넌트 상의 제어 장치로 포워딩될 수 있으며, 그의 처리 방식은 단계(S01) 내지 단계(S103)와 유사하다. 컴퓨터의 다른 컴포넌트 상의 제어 장치로 포워딩되는 애플리케이션 요청이 또한 태그를 운반함을 주목해야 한다. 본 발명의 실시 예에서 데이터 처리 방법의 다른 구현 방식은 다음과 같다. 도 9에 도시된 바와 같이, 방법은 다음의 단계들을 포함한다. 단계(S201): 단계(101)와 동일하다. 단계(S202): 제어 장치가 캐시(간략하게 캐시로 명명될 수 있음)로부터 자원 할당 정책을 획득한다. 자원 할당 정책이 소프트웨어 코드인 경우, 제어 장치는 자원 할당 정책을 제어 장치의 프로세서의 버퍼로 로드할 수 있다. 자원 할당 정책이 표 1에 도시된 제어표인 경우, 제어 장치는 질의 명령을 캐시로 전달할 수 있으며, 질의 명령은 태그를 포함하며, 캐시는 태그에 따라 대응하는 항목을 제어표에서 검색하고, 항목을 제어 장치로 리턴한다. 제어 장치는 항목을 제어 장치의 프로세서의 버퍼로 로드한다. 구체적으로, 항목은 태그와 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량 사이의 대응관계를 포함한다. 단계(S203): 제어 장치가 태그와 미리 저장된 자원 할당 정책에 따라, 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량을 결정한다. 단계(S204): 단계(S103)와 동일하다. 본 발명의 본 실시 예에서, 제어 장치는 애플리케이션 요청에서 운반되는 태그와, 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량과 태그 사이의 대응관계에 따라, 애플리케이션 요청에 대하여 할당되는 자원량을 결정하고, 그 다음에 컴퓨터의 컴포넌트에게 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 애플리케이션 요청을 처리하도록 지시할 수 있다. 그러므로 상이한 자원량들이 상이한 애플리케이션 요청들에 대하여 할당될 수 있으며, 이에 따라 서비스 품질을 향상시킨다. 다음에 본 발명의 실시 예에서 데이터 방법의 다른 구현 방식을 설명한다. 도 10에 도시된 바와 같이, 방법은 다음의 단계들을 포함한다. 단계(S301): 단계(S101)와 동일하다. 단계(S302): 단계(S102)와 동일하고, 단계(S202) 및 단계(S203)와 동일하다.단계(S303): 제어 장치가 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 적어도 2개의 큐로부터 애플리케이션 요청에 대응하는 큐를 선택하고, 애플리케이션 요청을 애플리케이션 요청에 대응하는 큐에 저장한다. 구체적으로, 제어 장치는 제2 버퍼를 포함할 수 있으며, 큐는 제2 버퍼(도 3, 도 4, 또는 도 5에 도시된 구현 방식을 참조할 수 있음)에 저장된다. 제2 버퍼는 적어도 2개의 큐를 포함하며, 각각의 큐는 자원량의 범위에 대응하고, 각 큐의 우선순위는 상이하다. 단계(S304): 제어 장치의 데이터 포워더(예를 들어, 도 3 내지 도 5에 도시된 데이터 포워더(600j))는 애플리케이션 요청에 대응하는 큐로부터 애플리케이션 요청을 획득하고, 애플리케이션 요청을 컴퓨터의 컴포넌트로 포워딩한다. 단계(S305): 컴퓨터의 컴포넌트가 애플리케이션 요청을 획득하고 애플리케이션 요청을 실행시킨다. 단계(S304)는 선택적인 단계이며, 컴퓨터의 컴포넌트는 또한 대응하는 큐로부터 애플리케이션 요청을 바로 획득할 수 있음을 주목해야 한다. 예를 들어, 제2 버퍼는 고-우선순위(high-priority) 큐, 중-우선순위(medium-priority), 저-우선순위(low-priority) 큐인 3개의 큐를 포함할 수 있다. 고-우선순위 큐에 대응하는 자원량의 백분율 값은 70%~80%이다. 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량은 76%이면, 애플리케이션 요청은 고-우선순위 큐로 배치된다. 고-우선순위 큐는 우선적인 처리 순서(preferential processing sequence) 또는 비교적 높은 처리 속도(relatively high processing speed)를 의미한다. 컴퓨터의 컴포넌트는 고-우선순위 큐로부터 애플리케이션 요청을 우선적으로 획득하고, 애플리케이션 요청을 실행시킬 수 있다. 선택적으로, 제어 장치는 애플리케이션 요청이 어떤 큐에 배치되어 있는지를 고려하기 위하여, 추가로 다른 팩터(factor), 예를 들어, 현재 애플리케이션 요청에 의해 사용된 자원량을 참고(refer to)할 수 있다. 본 출원 명세서에서, 애플리케이션 시나리오들이 하나씩 설명되지 않는다. 각각의 큐는 다수의 처리될 애플리케이션 요청들을 포함할 수 있다. 각 큐에서 다수의 처리될 애플리케이션 요청들에 대하여, 컴퓨터의 컴포넌트는 선입 선출 원리(first in first out principle) 또는 다른 원리에 따라 처리를 수행할 수 있음을 이해할 수 있다. 게다가, 제어 장치가 애플리케이션 요청을 대응하는 큐에 배치한 후에, 제어 장치는 또한 (다수의 애플리케이션 요청들이 큐에 있는 경우) 차례차례로 큐로부터 애플리케이션 요청들을 디큐하고, 그 다음에 애플리케이션 요청을 처리를 위한 컴퓨터의 컴포넌트로 전달할 수 있다. 본 발명의 본 실시 예에서, 제어 장치는 애플리케이션 요청에서 운반되는 태그, 그리고 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량과 태그 사이의 대응관계에 따라, 애플리케이션 요청에 대하여 할당되는 자원량을 결정하고, 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 애플리케이션 요청을 대응하는 큐에 배치하고, 그 다음에 애플리케이션 요청에 대응하는 큐로부터 애플리케이션 요청을 획득하고, 애플리케이션 요청을 데이터 포워더로 전달할 수 있다. 데이터 포워더는 애플리케이션 요청을 실행을 위한 컴퓨터의 컴포넌트로 포워딩하며, 이에 따라 서비스 품질을 향상시킨다. 선택적으로, 도 8, 도 9 또는 도 10에 도시된 데이터 처리 방법의 구현 방식에서, 다음의 단계들이 추가로 포함될 수 있다. 애플리케이션 요청의 실행이 완료된 후에, 애플리케이션 요청이 처리되었음을 설명하기 위하여, 컴퓨터의 컴포넌트는 메시지를 운영 시스템으로 피드백할 수 있다. 이 경우, 자원 교정 메시지(resource reclamation message)가 노드 관리 소프트웨어를 사용하여 제어 장치로 전달될 수 있으며, 자원 교정 메시지는 제어 장치에서 자원 할당 정책을 삭제하는 데 사용된다. 다음에, 비디오 재생(playback)을 위한 애플리케이션 요청이 처리되는 예를 사용하여 도 8 내지 도 10에서의 처리 절차를 추가로 설명한다. 단계 1 : 사용자는 로컬 컴퓨터에서 비디오 파일을 클릭한다. 단계 2: CPU가 비디오 파일을 판독하기 위하여 메모리 액세스 요청을 생성한다. 단계 3: CPU가 메모리 액세스 요청을 태그하고, 태그를 운반하는 메모리 액세스 요청을 메모리 상의 제어 장치로 전달한다. 단계 4: 메모리 상의 제어 장치가 태그에 따라 메모리 액세스 요청에 대하여 할당된 메모리 공간을 결정하고, 추가로 할당된 메모리 공간에 따라 메모리 액세스 요청을 대응하는 큐에 배치한다. 단계 5: 메모리 상의 제어 장치가 큐로부터 메모리 액세스 요청을 디큐하고, 메모리 액세스 요청을 실행하기 위하여 메모리 액세스 요청을 메모리로 전달한다. 단계 6: 메모리가 비디오 파일을 로딩한 후에 CPU로 응답을 전달한다. 단계 7: CPU가 메모리로부터 비디오 파일을 획득하고 하드웨어 가속 요청을 GPU로 전달하여 GPU에게 비디오 파일에 대한 하드웨어 디코딩을 수행하기를 요청하며, 하드웨어 가속 요청은 비디오 파일과 태그를 운반한다. 단계 8: GPU 상의 제어 장치가 태그에 따라 비디오 파일에 대하여 할당되는 하드웨어 가속 자원량을 결정하고, 그 다음에 하드웨어 가속 자원량에 따라 하드웨어 가속 요청을 대응하는 큐에 배치한다. 단계 9: GPU 상의 제어 장치가 큐로부터 하드웨어 가속 요청을 디큐하고, 하드웨어 가속 요청을 GPU에 전달한다. 단계 10: GPU가 하드웨어 가속 요청에 따라 비디오 파일에 대한 하드웨어 가속 처리를 수행한다. 단계 11: 처리가 완료된 후에, 비디오 파일에 대하여 다른 처리를 수행하는 것이 요구되지 않으면, GPU가 출력 요청을 사우스브리지(예를 들어, 도 1 또는 도 2에 도시된 I/O 제어 네트워크)에 전달하며, 출력 요청은 하드웨어 가속 요청을 거친 비디오 파일과 태그를 포함한다. 단계 12: 사우스브리지 상의 제어 장치가 태그에 따라 비디오 파일에 대하여 할당되는 대역폭을 결정하고, 그 다음에 할당된 대역폭에 따라 출력 요청을 대응하는 큐에 배치한다. 단계 13: 사우스브리지가 큐로부터 비디오 파일을 디큐하고 비디오 파일을 디스플레이에 전달한다. 단계 14: 디스플레이는 비디오 파일을 디스플레이한다. 당업자는, 본 명세서에 개시된 실시 예들에서 기술된 예들을 결합하여, 유닛들과 알고리즘 단계들이 전자 하드웨어, 컴퓨터 소프트웨어, 또는 이들의 결합에 의해 구현될 수 있음을 알 수 있다. 하드웨어와 소프트웨어 사이의 상호교환성(interchangeability)을 명확하게 기술하기 위하여, 위에서 기능들에 따라 각 예의 구성요소들(composition)과 단계들이 일반적으로 기술되었다. 기능들이 하드웨어 또는 소프트웨어에 의해 수행되는지는 특정 애플리케이션과 기술적 해결 방안들의 설계 제약 조건(design constraint condition)에 따라 달라진다. 당업자는 각 특정 애플리케이션에 대하여 기술된 기능들을 구현하기 위하여 상이한 방법들을 사용할 수 있지만, 구현이 본 발명의 범위를 벗어나는 것으로 간주되어서는 안된다. 당업자는, 편리하고 간단한 설명을 위하여, 전술한 시스템, 장치, 그리고 유닛의 상세한 작동(working) 프로세스에 대하여, 전술한 방법 실시 예들에서의 대응하는 프로세스를 참조할 수 있음을 명백하게 이해할 수 있으며, 여기서는 상세한 설명을 생략한다. 본 출원에서 제공되는 여러 실시 예들에서, 개시된 시스템, 장치, 그리고 방법은 다른 방식으로 구현될 수 있음을 이해해야 한다. 예를 들어, 기술된 장치 실시 예는 단지 예시이다. 예를 들어, 유닛 분할(division)은 단지 논리적 기능 분할이며, 실제 구현시에 다른 분할일 수 있다. 예를 들어, 다수의 유닛들 또는 컴포넌트들은 다른 시스템으로 결합되거나 통합될 수 있으며, 일부 특징들은 무시되거나 수행되지 않을 수 있다. 게다가, 디스플레이되거나 또는 논의된 상호 결합(mutual couplings)들 또는 직접 결합(direct couplings) 또는 통신 연결(communication connections)들이 일부 인터페이스를 통하여 구현될 수 있다. 장치들 또는 유닛들 사이의 간접적 결합 또는 통신 연결은 전자적, 기계적, 또는 다른 형태로 구현될 수 있다. 개별 파트(part)로서 기술된 유닛들은 물리적으로 분리되거나 분리되지 않을 수 있으며, 유닛으로 디스플레이되는 파트들은 물리적 유닛이거나 아닐 수 있으며, 하나의 위치에 위치될 수 있으며, 또는 다수의 네트워크 유닛들에 분산될 수 있다. 유닛들의 일부 또는 모두는 실시 예들의 해결 방안의 목적을 달성하기 위한 실제 필요에 따라 선택될 수 있다. 게다가, 본 발명의 실시 예에서의 기능적 유닛들은 하나의 처리 유닛으로 통합될 수 있으며, 또는 각각의 유닛은 물리적으로만 존재할 수 있거나 또는 둘 이상의 유닛들이 하나의 유닛으로 통합된다. 통합된 유닛이 소프트웨어 기능적 유닛의 형태로 구현되고 독립적인 제품으로 팔리거나 사용되는 경우, 통합된 유닛이 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체에 저장될 수 있다. 이러한 이해를 토대로, 본 발명의 기술적 해결 방안, 또는 종래 기술에 기여하는 일부 또는 기술적 해결 방안의 일부 또는 모두가 기본적으로(essentially) 소프트웨어 제품의 형태로 구현될 수 있다. 소프트웨어 제품은 저장 매체에 저장되며, 컴퓨터 장치(개인 컴퓨터, 서버, 또는 네트워크 장치일 수 있음)에게 본 발명의 실시 예들에서 기술된 방법들의 단계들의 일부분 또는 모두를 수행하도록 지시하는 다수의 명령(instructions)을 포함한다. 전술한 저장 매체는, USB 플래시 드라이브, 제거 가능한 하드 디스크, 판독 전용 메모리(ROM, Read-Only Memory), 랜덤 액세스 메모리(RAM, Random Access Memory), 자기 디스크, 또는 광학 디스크와 같은, 프로그램 코드를 저장할 수 있는 어느 하나의 매체를 포함한다. 전술한 설명들은 단지 본 발명의 구체적인 실시 예들이며, 본 발명의 보호 범위를 한정하기 위하여 의도되지 않는다. 본 발명에 개시된 기술적 범위 내에서의 당업자에 의해 쉽게 파악되는 변형(variation) 또는 대체(replacement)는 본 발명의 보호 범위 내에 속한다. 그러므로 본 발명의 보호 범위는 청구범위의 보호 범위에 예속된다(be subject to).
본 발명의 실시 예들은 컴퓨터, 제어 장치, 그리고 데이터 처리 방법을 제공한다. 컴퓨터는 처리 유닛과 제어 장치를 포함하고, 처리 유닛은, 애플리케이션 요청에 태그를 첨부하고, 태그가 첨부된 애플리케이션 요청을 제어 장치로 전달하도록 구성되며, 제어 장치는, 태그가 첨부된 애플리케이션 요청을 수신하고, 태그 및 미리 저장된 자원 할당 정책에 따라, 애플리케이션 요청에 대하여 할당되는 자원량을 결정하도록 구성되고, 추가로, 컴퓨터의 컴포넌트에게 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량에 따라 애플리케이션 요청을 처리하라고 지시하도록 구성되고, 자원 할당 정책은 태그와 애플리케이션 요청에 대하여 할당된 자원량 사이의 대응 관계를 포함하여, 애플리케이션 프로그램의 서비스 품질을 향상시킨다.
[ 발명의 명칭 ] 공기질 표시기AIR QUALITY INDICATOR [ 기술분야 ] 본 개시는 공기질 표시기(air quality indicator)에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 개시는 높은 공기중 미세 입자 수준의 사용하기 쉬운 표시기에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 공기질은 세계의 많은 곳에서 떠오르는 관심사이다. 고조된 관심 대상의 하나의 공기질 파라미터는 미세 미립자 물질의 미세 입자의 수준 또는 양이다. 미세 입자 또는 미세 미립자 물질은 흔히 2.5 μm 이하의 직경을 갖는 입자로 지정되고, 관례적으로 약어 "PM2.5"로 지칭된다. 공기중 미세 입자는, 특히 비교적 밀폐된 구역(confined area)에서 높은 수준에 있을 때, 상당한 건강 상의 위험을 초래할 수 있다.실내 공기 정화기, HVAC 필터 및 다른 필터-기반 시스템이 공기로부터 입자를 제거하는 데 널리 이용 가능하고, 실내 공기질을 개선하는 데 매우 유용하다. 실내 공기 여과 시스템에서 이용되는 필터 매체는 계속해서 발전하고 있다. 보다 최근에는, 미세 입자를 쉽게 포획하는, 실내용으로 실행 가능한 필터 매체가 개발되었다. 필터 매체의 정전 처리(electrostatic treatment)가 미세 미립자 물질을 포획하는 필터 매체의 능력을 현저히 개선하는 것으로 알려져 있다. 고도의 정전하 처리 및 재료를 포함시키는 것에 의해, 높은 미세 입자 효율 및 낮은 공기 유동 저항 둘 모두를 갖는 필터 매체(예를 들어, 미국 미네소타주 세인트 폴 소재의 쓰리엠 컴퍼니(3M Company)로부터 입수 가능함)가 생성될 수 있다.광범위한 이용 가능성에도 불구하고, 많은 주택 및 사무실 공간 환경은 미세 미립자 공기질 해법을 이용하지 않는다. 높은 미세 입자 수준을 고려하거나 대처하는 데 실패하는 것은 (실외에서는 미세 입자가 연무를 생성할 수 있지만) 실내에 있을 때에는, 높은 수준에서도, 인간의 감각이 공기중 미세 입자의 존재를 쉽게 인지할 수 없다는 단순한 사실에 기인하는 것으로 추측된다. 공기중 미세 입자의 존재가 소정 환경에서 거주하거나 근무하는 사람의 주의를 끌지 못하면, 미세 입자 여과 기술을 이용할 동기가 거의 없을 수 있다. 이는 특히 큰 입자 공기질 제어에 대한 어떤 시도가 가동 중인 환경에서 문제일 수 있으며(예컨대, 큰 입자만을 제거하기에 적합한 여과 매체); 이들 상황하에서, 그 환경에서 거주하거나 근무하는 사람은 실제 잠재적으로 안전하지 못한 미세 입자 수준이 존재할 때 전체 공기질이 허용 가능하다는 그릇된 생각을 가질 수 있다. 불행하게도, 세계의 많은 지역이 과도하게 높은 미세 미립자 수준(PM2.5)을 계속해서 보고하고 있다. 참고로, 전형적으로 시간 경과에 따른 공기의 단위 체적당 총 입자 중량(예컨대, 세제곱 미터당 마이크로그램)의 면에서 표현되는, 허용 가능한 미세 입자 수준이 다양한 정부 기관에 의해 개발되었다. 예를 들어, 2012년에, 미국 EPA는 35 ㎍/㎥의 일일 PM2.5 공기질 표준을 재확인하였고, 연간 표준을 12 ㎍/㎥으로 하향 조정하였다. 상하이 및 베이징과 같은 주요 중국 도시로부터의 최근 공기질 측정치는 일반적으로 가을, 겨울, 및 봄에 100 ㎍/㎥을 초과하는, 그리고 때때로 심지어 500 ㎍/㎥을 초과하는 PM2.5를 보여준다.공기 중의 미세 입자 수준을 측정하기 위한 센서 시스템이 잘 알려져 있고 매우 정확한 데이터를 생성할 수 있지만, 그것은 고가이고 작동시키기에 비교적 복잡하다. 과학자 및 다른 연구 전문가는 이들 센서 시스템이 제공할 수 있는 상세한 정보를 필요로 하고 그것에 의존하여서, 비용을 정당화시킨다. 대조적으로, 미세 입자 수준을 전반적인 규모로 개괄적으로 이해하는 데 관심 있는 사람은 상세한 데이터를 필요로 하지 않고, 이용 가능한 센서 장비에 투자하지 않을 것이다. 사실, 미세 입자 수준 센서에 의해 생성되는 데이터는, 아마도 그렇지 않으면 특정 값의 함축을 인식하지 않을 보통의 사람에게는 거의 의미가 없을 수 있다. 요약하면, 기존의 미세 입자 수준 센서 기술은 관심 대상의 환경이 높은 미세 입자 수준을 갖는지를 결정하기를 원하는 사람에게는 실행 가능한 옵션이 아니다.공기질 문제의 커져가는 인식과 결부된, 대체로 증가하는 불량한 공기질을 고려하여, 실제 공기질 및 공기질 해법에 대한 필요성 둘 모두를 표시하는 간단한 해법에 대한 필요성이 존재한다. [ 발명의 개요 ] 본 개시의 원리에 따른 몇몇 태양은 관심 대상의 환경 내의 높은 미세 입자 수준을 표시하기 위한 공기질 표시기에 관한 것이다. 표시기는 제1 및 제2 공기 필터 매체를 유지하는 프레임을 포함한다. 제1 공기 필터 매체는 미세 입자를 함유한 공기 유동이 가해질 때 적어도 시각적 외양(visual appearance)(예컨대, 색상)에 있어서의 변화의 면에서 제2 공기 필터 매체와는 상이하다.몇몇 실시예에서, 제1 공기 필터 매체는 고효율 필터 매체(예컨대, 고도로 정전기 대전됨)이고 제2 공기 필터 매체는 저효율 필터 매체(예컨대, 대전되지 않거나 약간 대전됨)이다. 고효율 매체와 저효율 매체를 표시기에 조합하는 것은, 초기에는 유사하게(또는 동일하게) 보이지만 오염된 공기에 노출될 때 색상을 상이한 비율로 변화시키는 2개의 평행한 로딩 표면을 갖는 표시기를 제공할 수 있다. 표시기는 이에 따라 샘플링된 위치에서의 공기의 질에 관한 정보를 제공할 수 있고, 환경의 실내 공기질을 개선하기 위해 정전기 대전된 필터 매체를 추가하는 이득에 관하여 사용자에게 알릴 수 있다. 유성 오염물에 대한 정전하의 내구성을 개선하는 처리, 예를 들어 표면 플루오르화가 특히 오염된 공기 중에서 이로울 수 있다.표시기를 통한 능동 공기 유동은 몇몇 실시예에서 제1 공기 필터 매체의 시각적 외양에 있어서의 뚜렷한 변화를 인식 가능하게 생성하는 데 이로울 수 있다. 그러한 표시기가 부착될 수 있는 몇몇 공기-이동 장치는 공기 정화기 입구 또는 필터의 상류측, 필터의 HVAC 상류측, 휴대용 팬(fan), 실내용 또는 휴대용 공기 조화기의 입구측, 및 HVAC 시스템을 위한 공급 또는 복귀 덕트를 포함한다. 표시기에는 또한 그것 자신의 공기-이동 장치가 공급될 수 있다.공기질 표시기가 보통 위에 언급된 공기-이동 표면들 중 하나의 일부분, 종종 작은 부분만을 덮을 수 있는 것이 구상된다. 그렇기 때문에, 표시기는 전체 공기-이동 표면을 통해 유동하는 공기에 대한 부분 장벽(barrier)으로서의 역할을 한다. 공기는 우선적으로 공기질 표시기를 통해서가 아니라 그것 주위로 유동하려고 할 것이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 공기질을 적절하게 표시하기 위해 표시기를 통한 적정한 공기 유동을 허용하기 위해서, 표시기를 위한 고효율의 그러나 매우 낮은 압력 강하의 매체를 제공하는 능력이 선택적으로 중요하다.그러한 표시기를 HVAC 필터의 하류측에 사용하기 위한 방법이 또한 고려된다. 특히, 표시기는 소비자에게 그의 필터가 공기 중의 입자들 중 상당한 부분을 여과하지 않았지만 정전기 필터가 그의 공간에 개선된 여과를 전달할 수 있음을 나타내기 위해 저효율(예를 들어, 대전되지 않은 매체) 필터의 하류측에 사용될 수 있다. 이러한 접근법은 상류측 필터가, 미세 입자에 대해 저효율일지라도, 아마도 표시기에서 "거짓 양성(false positive)"의 더러운 외양을 구성할 수 있는 매우 큰 미립자 물질 중 많은 것을 포획할 것이기 때문에 특히 유리할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 개시의 원리에 따른 공기질 표시기의 단순화된 정면도.도 1a는 본 개시의 원리에 따른 그리고 대안적인 프레임을 포함하는 다른 공기질 표시기의 단순화된 사시도.도 1b는 도 1a의 표시기의 단순화된 평면도이며 평평한 상태의 프레임을 예시함.도 2는 관심 대상의 환경에 설치된 도 1의 표시기의 개략도.도 3은 도 1의 표시기 및 종래의 공기 필터를 포함하는, 본 개시의 원리에 따른 공기질 표시기 시스템의 단순화된 정면도.도 4는 본 개시의 원리에 따른 그리고 도 1의 표시기 및 공기 이동 장치를 포함하는 다른 표시기 시스템의 개략도.도 5는 본 개시의 원리에 따른 다른 공기질 표시기의 단순화된 측면도.도 6은 본 개시의 몇몇 예에 따라 제조된 샘플 표시기의 단순화된 정면도.도 7은 다양한 시험 평가 후의 도 6의 샘플 표시기의 사진을 보여주는 도면.도 8은 본 개시의 몇몇 예에 따라 제조된 다른 샘플 표시기의 단순화된 정면도.도 9는 다양한 시험 평가 후의 도 8의 샘플 표시기의 사진을 보여주는 도면.도 10은 다양한 시험 평가 후의 도 8의 샘플 표시기의 사진을 보여주는 도면. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 개시의 원리에 따른 공기질 표시기(20)의 일 실시예가 도 1에 도시된다. 공기질 표시기(20)는 제1 공기 필터 매체(24) 및 제2 공기 필터 매체(26)를 유지하는 프레임(22)을 포함한다. 다양한 구성요소에 대한 상세 사항이 아래에서 제공된다. 일반적으로, 프레임(22)은 비교적 작고, 필터 매체(24, 26)를 나란한(side-by-side) 배열로 유지한다. 제1 및 제2 공기 필터 매체(24, 26)는 다양한 형태를 취할 수 있고, 둘 모두 일반적으로 그것의 두께를 통한(즉, 도 1의 페이지 내외로의) 공기 유동을 허용할 수 있다. 제1 공기 필터 매체(24)는 적어도 비교적 단기간(예컨대, 대략 1 내지 10일)에 걸쳐 미세 입자-함유 공기 유동이 가해질 때 시각적 외양에 있어서의 변화율의 면에서 제2 공기 필터 매체(26)와는 상이하다. 높은 PM2.5 특성을 갖는 공기 유동에 응답한 시각적 외양에 있어서의 변화는 미세 입자를 포획하는 공기 필터 매체(24, 26)의 능력의 함수일 수 있다(예컨대, 제1 공기 필터 매체(24)는 미세 입자를 쉽게 포획할 수 있는 반면, 제2 필터 매체(26)는 미세 입자를, 포획한다고 하더라도, 훨씬 더 적게 포획함). 이러한 구성을 갖고서, 공기질 표시기(20)는 관심 대상의 환경 내에, 예를 들어 일반적인 강제식 공기 유동의 위치에 위치될 수 있다. 공기 유동이 보다 높은 수준의 미세 입자를 함유하는 상황하에서, 시간 경과에 따라, 제1 공기 필터 매체(24)의 시각적 외양이 제2 공기 필터 매체(26)의 시각적 외양과는 뚜렷이 구별되게 되어서, 높은 미세 입자 수준이 환경 내에 존재한다는 것을 사용자에게 알릴 것이다.프레임(22)은 매우 다양한 형태를 취할 수 있고, 일반적으로 예상된 공기 유동 속도(예컨대, 대략 02. 내지 2.0 미터/초)의 존재 시에 필터 매체(24, 26)를 단단히 유지하도록 구성된다. 프레임(22)은 판지(paperboard), 카드보드(cardboard), 골판지(corrugated fiber board), 플라스틱, 골이 진 플라스틱(corrugated plastic), 또는 다른 저렴한 재료로 제조될 수 있다. 대안적으로, 프레임(22)은 금속과 같은 더 강성인 재료로부터 구성될 수 있다. 프레임(22)은, 각각 필터 매체(24, 26)가 그것에서 유지되는 한 쌍의 윈도우(28, 30)를 형성하거나 한정한다. 따라서, 필터 매체(24, 26)는 윈도우(28, 30)에서 표시기(20)의 외부 환경, 그리고 보다 구체적으로는 공기 유동에 노출된다.프레임(22)은 표시기(20)의 전체 풋프린트(footprint)를 한정하고 비교적 작은데, 예를 들어 6 인치 이하, 대안적으로 4 인치 이하, 대안적으로 대략 3 인치의 길이; 4 인치 이하, 대안적으로 2 인치 이하, 대안적으로 대략 1 인치의 폭을 갖는다. 다른 치수(예컨대, 6 인치보다 큰 길이 및/또는 4 인치보다 큰 폭)가 또한 구상된다. 또한, 프레임(22)이 직사각형 형상의 주연부(perimeter)를 갖는 것으로 예시되지만, 다른 형상(예컨대, 정사각형, 원, 불규칙 등)이 또한 허용 가능하다. 다른 실시예에서, 프레임(22)의, 그리고 이에 따라 표시기(20)의 작은 크기 또는 풋프린트가 표시기(20)의 표면적, 예를 들어 24 in2 이하, 대안적으로 16 in2 이하, 대안적으로 10 in2 이하, 그리고 몇몇 실시예에서 대략 3 in2의 표면적을 참조함으로써 특징지어질 수 있다.위의 설명에 의해 입증된 바와 같이, 프레임(22)은 바람직하게는 몇몇 실시예에서 표시기(20)를 제조하기에 저렴하고 쉽게 만들기 위해 형상 및 구성이 간단하다. 다른 실시예에서, 프레임(22)은 원하는 위치에 표시기(20)를 장착하는 것을 촉진하는 하나 이상의 추가의 구성요소를 포함할 수 있거나, 그것에 조립된 그러한 추가의 구성요소를 가질 수 있다. 예를 들어, 그리고 보다 상세히 후술되는 바와 같이, 프레임(22)의 주 면(major face)은 감압 접착제 또는 다른 접착제 조성물을 포함할 수 있거나 그것으로 코팅될 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 체결구(예컨대, 후크, 벨크로(Velcro)™ 등)가 프레임(22)의 주 면들 중 하나에 조립될 수 있거나 그것에 제공될 수 있다.프레임(22)이 일체로 형성된 구성요소인 것으로 기술되었지만, 다른 구성이 구상된다. 예를 들어, 프레임(22)은 별도로 형성되고 (예컨대, 프레임(22)을 공기 필터 매체(24, 26)에 장착할 때) 후속하여 조립되는 2개 이상의 섹션으로 이루어질 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 및 제2 공기 필터 매체(24, 26)는 각각 프레임 또는 하우징을 갖도록 형성될 수 있거나 그것에 조립될 수 있으며, 이때 2개의 공기 필터 매체 프레임 또는 하우징은 후속하여 서로 조립되어 단일의 프레임(22)을 집합적으로 한정한다.프레임(22)은 도시되고 기술된 바와 같이 비교적 평평한 형상을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 본 개시의 표시기는, 예를 들어 소정의 예상된 설치 위치에서의 사용을 촉진하기 위해, 보다 3차원적인 속성을 갖는 프레임 구성을 포함할 수 있다. 도 1a는 프레임(22') 및 공기 필터 매체(24, 26)를 포함하는 하나의 선택적인 실시예의 표시기(20')를 예시한다. 프레임(22')은 다른 곳에 기술된 바와 같이 공기 필터 매체(24, 26)를 유지하도록 구성되고, 또한 매체(24, 26)를 분할식 공기 조화기의 공기 입구와 같은, 설치 장소에 대해 편리한 관찰 위치에 유지하면서 공기 유동을 매체(24, 26)로 지향시키도록 구성된다.프레임(22')은 사용자에 의해 평평한 상태(도 1b)로부터 도 1a의 최종 상태로 조립되도록 구성될 수 있다. 최종 상태에서, 프레임(22')은 전방 패널(32), 대향하는 측부 패널(34)들(이들 중 하나를 도 1a에서 볼 수 있음), 및 상부 패널(36)을 한정한다. 패널(32 내지 36)은 조합되어 능동 공기 유동 표면 위에 조립되는 입구(38)(도 1a에 개괄적으로 참조 표시됨)를 한정하며, 이때 패널(32 내지 36)은 공기 유동을 공기 필터 매체(24, 26)로 지향시킨다. 본 개시의 프레임은 다수의 다른 형상 및 구성을 가질 수 있다.도 1을 참조하면, 제1 및 제2 공기 필터 매체(24, 26)는 몇 가지 점에서 유사하고, 그것을 통한 공기 유동을 허용할 수 있으며(매우 낮은 압력 강하), 후술되는 바와 같이 대체로 유사한 기본 재료로 구성된다. 또한, 공기 유동에 대한 노출 전에(예컨대, 표시기(20)의 사용 전에), 공기 필터 매체(24, 26)는 유사한 시각적 외양, 예를 들어 유사한 색상(예컨대, 백색, 황백색 등)을 가질 수 있다. 그러나, 제1 공기 필터 매체(24)는 미세 입자를 포획하는 데 매우 효율적인 반면, 제2 공기 필터 매체(26)는 기껏해야 낮은 효율을 나타낸다. 포획된 미세 입자는 제1 공기 필터 매체(24)의 개개의 섬유의 표면을 코팅하고, 시간 경과에 따라 전체 필터 매체(24)의 흑화(darkening)를 유발하며; 동일한 미세 입자가 제2 공기 필터 매체(26) 상에는 쉽게 수집되지 않아, 제2 공기 필터 매체(26)는 시간 경과에 따라, 있다 하더라도, (미세 입자의 존재로 인한) 최소의 색상 변화를 나타낼 것이다. 선택적으로, 더 뚜렷한 "시작" 색상 또는 외양을 제공하기 위해 백색 안료(또는 다른 색상)가 매체(24, 26) 각각 내에 포함될 수 있다(예컨대, 제1 공기 필터 매체(24)의 색상에 있어서의 더 현저한 변화, 및 제1 공기 필터 매체(24)가 미세 입자로 코팅됨에 따라 제1 및 제2 매체(24, 26) 사이의 색상에 있어서의 더 뚜렷한 차이를 달성하기 위해 이산화 티타늄과 같은 백색 안료가 허용 가능한 양(예컨대, 0.1 내지 1.0 질량%)으로 매체(24, 26)에 포함되거나 첨가됨).위의 일반적인 파라미터를 염두에 두고, 제1 공기 필터 매체(24)는 고효율 필터 매체(즉, 미세 입자를 포획하는 데 매우 효율적임)로서 현재 알려진 또는 미래에 개발되거나, 구성되거나 형식화될 다양한 형태를 취할 수 있다. 고효율 속성은 정전하를 제1 공기 필터 매체(24)의 재료(들) 내에 또는 그것 상에 부여함으로써 얻어질 수 있다. 제1 공기 필터 매체(24)는 당업자에게 알려진 바와 같은 부직 섬유 웨브(nonwoven fiber web)일 수 있고, 정전하가 제공될 때, 몇몇 실시예에서 일렉트릿 부직 웨브(electret nonwoven web)로 지칭된다. 제1 공기 필터 매체(24)에 유용한 부직 웨브는 복수의 섬유로부터 형성될 수 있으며; 후술되는 바와 같이, 부직 웨브의 형성 전에 정전하가 섬유 내에 부여될 수 있거나(예컨대, 일렉트릿 웨브가 일렉트릿 섬유로부터 형성됨), 또는 부직 웨브의 형성 전에 섬유가 정전하를 갖지 않을 수 있다(이때 정전하는 웨브의 형성 후에 부여됨).정전하가 부여되는 제조 단계에 무관하게, 부직 웨브는 랜덤한 섬유 배열 및 대체로 등방성인 평면내(in-plane) 물리적 특성(예컨대, 인장 강도)을 가질 수 있거나, 원하는 경우 정렬된 섬유 구성(예컨대, 교시 내용이 본 명세서에 참고로 포함되는, 샤(Shah) 등의 미국 특허 제6,858,297호에 기술된 바와 같이 섬유가 기계 방향으로 정렬된 구성) 및 이방성 평면내 물리적 특성을 가질 수 있다.다양한 중합체 섬유-형성 재료가 제1 공기 필터 매체(24)의 기본 재료로서 사용될 수 있다.중합체는 본질적으로 만족스러운 일렉트릿 특성 또는 전하 분리를 유지할 부직 웨브를 제공할 수 있는 임의의 열가소성 섬유-형성 재료일 수 있다. 대전 가능한 웨브에 바람직한 몇몇 중합체 섬유-형성 재료는 1014 옴-센티미터 이상의 체적 저항률을 갖는 비-전도성 수지이다. 대전 가능한 웨브에 사용하기 위한 중합체 섬유-형성 재료에는 선택적으로 전기 전도성을 현저하게 증가시키거나 달리 정전하를 수용하여 유지하는 섬유의 능력을 방해할 수 있는 정전기 방지제와 같은 성분이 실질적으로 존재하지 않을 수 있다. 대전 가능한 웨브에 사용될 수 있는 중합체의 몇몇 예는 폴리올레핀, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부틸렌 폴리(4-메틸-1-펜텐), 환형 올레핀 공중합체, 폴리에스테르, 예를 들어 폴리락트산, 및 그러한 중합체들의 조합을 함유하는 열가소성 중합체를 포함한다. 몇몇 실시예에서, 섬유는 폴리프로필렌 단일중합체로부터 제조되는데, 이는 특히 습한 환경에서 전하를 보유하는 그것의 능력 때문이다.만족스러운 일렉트릿 특성, 기계적 특성, 에이징(aging) 특성, 착색, 표면 특성 또는 관심 대상의 다른 특성을 획득하고 유지하는 웨브의 능력을 향상시키기 위해 첨가제가 중합체에 첨가될 수 있다. 대표적인 첨가제는 충전제, 핵화제(nucleating agent)(예컨대, 밀리켄 케미칼(Milliken Chemical)로부터 구매 가능한 밀라드(MILLAD)™ 3988 다이벤질리덴 소르비톨), 일렉트릿 대전 향상 첨가제(예컨대, 트라이스테아릴 멜라민, 및 시바 스페셜티 케미칼즈(Ciba Specialty Chemicals)로부터의 시마소르브(CHIMASSORB)™ 119 및 시마소르브 944와 같은 다양한 광 안정제), 경화 개시제, 경화제(stiffening agent)(예컨대, 폴리(4-메틸-1-펜텐)), 표면 활성제 및 표면 처리(예컨대, 각각의 전체 교시 내용이 본 명세서에 참고로 포함되는, 존스(Jones) 등의 미국 특허 제6,398,847호, 제6,397,458호, 및 제6,409,806호에 기술된 바와 같은 유성 미스트 환경에서 여과 성능을 개선하기 위한 불소 원자 처리)를 포함한다. 다른 정전기 대전 첨가제는 미국 특허 제6,268,496호, 제5,976,208호, 제5,968,635호, 제5,919,847호, 및 제5,909,598호, 및 미국 특허 출원 공개 제2012/0017910호에 기술된 것을 포함한다. 그러한 첨가제의 유형 및 양은 당업자에게 친숙할 것이다. 예를 들어, 일렉트릿 대전 향상 첨가제는 일반적으로 약 5 중량% 미만, 그리고 더 전형적으로는 약 2 중량% 미만의 양으로 존재한다.몇몇 실시예에서, 제1 공기 필터 매체(24)에 유용한 부직 웨브를 구성하는 섬유들 중 일부 또는 전부가 적어도 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 다성분 섬유이며, 여기서 제1 영역은 제2 영역보다 낮은 용융 온도를 갖는다. 다양한 상이한 유형 및 구성의 다성분 섬유가 존재한다. 적합한 다성분 섬유가 예를 들어, 각각의 교시 내용이 전체적으로 본 명세서에 참고로 포함되는, 미국 특허 제7,695,660호, 제6,057,256호, 제5,486,410호, 제5,662,728호, 및 제5,972,808호에 기술된다. 다성분 섬유는 2성분 섬유일 수 있으며, 이것의 하나의 예는 코어(core)를 둘러싸는 시스(sheath)가 제1 영역을 형성하고 코어가 섬유의 제2 영역을 형성하는 시스/코어 섬유이다. 본 개시에 유용한 2성분 섬유의 다른 예는 예를 들어, 전체 교시 내용이 본 명세서에 참고로 포함되는, 미국 특허 제5,597,645호에 기술된 저밀도 2성분 섬유이다.제1 공기 필터 매체(24)에 유용한 부직 웨브는 예를 들어, 전체 교시 내용이 본 명세서에 참고로 포함되는, 폭스(Fox) 등의 미국 특허 제8,162,153호에 기술된 것과 같은 고 로프트(loft) 스펀본드 웨브(spunbond web)일 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 공기 필터 매체(24)는, 전체 교시 내용이 본 명세서에 참고로 포함되는, 폭스 등의 미국 특허 제7,947,142호에 기술된 것과 같은 저 로프트 스펀본드 웨브일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제1 공기 필터 매체(24)에 유용한 부직 웨브는 샤 등의 미국 특허 제6,858,297호(위에 언급됨)에 개시된 멜트블로운 부직 웨브(meltblown nonwoven web)와 같이, 다른 기술에 의해 생성되고/되거나 다른 특성을 갖는다. 유용한 부직 웨브 포맷의 다른 비-제한적인 예는, 전체 교시 내용이 본 명세서에 참고로 포함되는, 미국 특허 제7,858,163호에 기술된 것과 같은 이중-모드(bi-modal) 섬유 직경 멜트블로운 매체를 포함한다.전하는 제1 공기 필터 매체(24)의 부직 웨브에 다양한 방식으로 부여될 수 있다. 섬유는 부직 웨브로 형성되기 전에, 동안에 및/또는 후에 정전기 대전될 수 있다. 이는 예를 들어 앙가드지반트(Angadjivand) 등의 미국 특허 제5,496,507호에 개시된 바와 같이 섬유 및/또는 웨브를 물과 접촉시킴으로써, 클라쎄(Klasse) 등의 미국 특허 제4,588,537호에 개시된 바와 같이 코로나-처리(corona-treating)함으로써, 예를 들어 루소(Rousseau) 등의 미국 특허 제5,908,598호에 개시된 바와 같이 하이드로-차징(hydro-charging)함으로써, 존스 등의 미국 특허 제6,562,112호 및 데이비드(David) 등의 미국 출원 공개 제2003/0134515호에 개시된 바와 같이 플라즈마 처리함으로써, 또는 이들의 조합에 의해 수행될 수 있으며, 이들 문헌 각각의 전체 교시 내용은 참고로 포함된다. 몇몇 실시예에서, 제1 공기 필터 매체(24)로서 유용한 부직 웨브에는, 일렉트릿 섬유에 의해 보유되는 임의의 전하를 더욱 향상시키고/시키거나 이들 전하를 유지하는 섬유의 능력을 향상시킬 수 있는 대전 공정이 가해질 수 있다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 일렉트릿 섬유에는 웨브 형성 전에 초기 대전 공정이 가해질 수 있고; 일렉트릿 섬유의 원하는 최종 전하 상태에 도달하기 위해 추가의(최종) 대전 공정이 웨브 상에서 이루어질 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 공기 필터 매체(24)에 유용한 부직 웨브는, 예컨대 일렉트릿 대전 향상 첨가제를 포함할 수 있지만 웨브로 형성되기 전에 대전 공정을 거치지 않았던, 섬유를 포함할 수 있다. 그러한 특정 실시예에서, 웨브-형성후 대전 공정은 예컨대 코로나 대전, 마찰 대전(tribocharging), 하이드로차징, 코로나 처리에 이은 하이드로차징, 및 플라즈마 처리에 이은 하이드로차징 중 임의의 것 또는 모두를 포함할 수 있다. 그러한 대전 공정은 예컨대 부직 일렉트릿 웨브에 대한 지지 층의 적용 전에 또는 후에 수행될 수 있다(이에 따라, 몇몇 실시예에서, 어느 정도의 대전이 지지 층(들)의 재료에 부여될 수 있음).제1 공기 필터 매체(24)로서 유용한 일렉트릿 필터 웨브는, 교시 내용이 전체적으로 본 명세서에 참고로 포함되는, 반 턴하우트(Van Turnhout) 등의 미국 특허 제RE 30,782호에 기술된 것과 같은 분할된 피브릴화된 대전된 섬유로 형성될 수 있다. 이러한 참고 문헌의 일렉트릿 섬유는, 피브릴화되어 대전된 섬유를 형성하는 코로나 대전된 필름으로부터 형성된다. 대전된 섬유는 이어서 카딩(carding) 또는 에어 레잉(air laying)과 같은 통상적인 방법에 의해 부직 웨브로 형성될 수 있다. 그렇게-제공된 부직 웨브는 선택적으로 외측 지지 층을 형성하는, 교시 내용이 전체적으로 본 명세서에 참고로 포함되는, 미국 특허 제5,230,800호에 개시된 것과 같이 지지 스크림(scrim)에 결합(예컨대, 니들 태킹(needle tacking))될 수 있다. 제1 공기 필터 매체(24)는 이에 따라 일렉트릿 부직 웨브 및 지지 층을 포함한다. 대안적으로, 피브릴화된 필름은, 교시 내용이 전체적으로 본 명세서에 참고로 포함되는, 보스(Both)의 미국 특허 출원 공개 제2004/0011204호에 개시된 것과 같이 지지 스크림에 초음파 접합될 수 있다.제2 공기 필터 매체(26)는 현재 알려진 또는 미래에 개발될 임의의 저효율 공기 필터 매체(낮은 또는 매우 낮은 압력 강하를 가짐)일 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제2 공기 필터 매체(26)는 정전기 대전되지 않은 부직 섬유 웨브이거나 그것을 포함하거나, 임의의 정전하 특성의 적어도 대부분을 제거하거나 방전시키도록 처리된다. 따라서, 제2 공기 필터 매체(26)는 비-정전기 대전된 형태의, 제1 공기 필터 매체(24)에 관하여 전술된 부직 웨브(또는 지지 구조체에 조립된 부직 웨브)들 중 임의의 것(예컨대, 부직 웨브의 형성 전에, 동안에 또는 후에 정전하가 섬유 상에 부여되지 않는다는 것을 제외하고는, 전술된 임의의 중합체 섬유 부직 웨브 구조체)일 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 일렉트릿 부직 웨브를 비롯한 전술된 부직 웨브들 중 임의의 것에는, 예를 들어 방전제(discharging agent)를 부직 웨브에 적용하거나 부직 웨브를 방전제 내에서 봉합하는 정전기 방전 조건이 가해질 수 있다. 다양한 방전제가 당업자에게 알려져 있으며, 예를 들어 아이소프로필 알코올을 포함한다.정확한 형태에 무관하게, 제1 및 제2 공기 필터 매체(24, 26)는 바람직하게는, 사용 전에(즉, 강제식 공기 유동에 노출되기 전에), 제1 및 제2 공기 필터 매체(24, 26)가 유사한 시각적 외양 또는 색상을 갖도록 구성된다. 즉, 표시기(20)의 사용 전에, 육안으로 제1 및 제2 공기 필터 매체(24, 26)는 동일한 색상(예컨대, 백색 또는 황백색)으로 보인다. 제1 및 제2 공기 필터 매체(24, 26)는 크기 및 형상이 실질적으로 유사할 수 있으며(예컨대, 동일한 크기 및 형상으로부터 5% 이내), 이때 크기 및 형상은 윈도우(28, 30)의 크기 및 형상과 대응한다. 공기 필터 매체(24, 26)는 예상된 공기 유동의 존재 시에 고정식 장착을 유지하기에 적절한 다양한 방식으로 프레임(22)에 조립될 수 있는데, 예를 들어 접착제에 의해 조립될 수 있다.표시기(20)는 매우 다양한 방식으로 관심 대상의 실내 환경 내의 PM2.5 수준을 평가하는 데 사용될 수 있고, 일반적으로 표시기(20)를 실내 환경 내의 또는 실내 환경으로 이어지는 능동 공기 유동의 소스(source)의 표면과 연관시키는 것을 수반한다. 평가 기간의 시작 시에, 제1 및 제2 공기 필터 매체(24, 26)는 전술된 바와 같이 유사한 또는 심지어 동일한 시각적 외양을 갖는다. 평가 기간의 종료 시에(또는 주기적으로 평가 기간 동안에), 예를 들어 1일, 1주일, 또는 1개월 후에, 표시기(20)는 시각적으로 검토된다. 관심 대상의 환경에서의 또는 그것으로의 공기 유동이 높은 수준의 미세 입자를 갖는 상황하에서, 제1 공기 필터 매체(24)는 제2 공기 필터 매체(26)와는 시각적으로 뚜렷이 구별되게 또는 상이하게 보일 것이다(예컨대, 제1 공기 필터 매체(24)는 제2 공기 필터 매체(26)보다 더 검거나 "더 더럽게" 보일 것임). 시각적 외양에 있어서의 차이는 쉽게 관찰자에게 높은 PM2.5 수준에 관해 알릴 것이다. 몇몇 실시예에서, 프레임(22)(또는 표시기(20)의 다른 구성요소)은 관찰자가 2개의 매체(24, 26) 사이의 외양에 있어서의 임의의 시각적으로 식별 가능한 차이의 의미를 이해하는 데 도움을 주는 표시(단어, 기호, 아이콘, 그림 등)(예컨대, 제1 매체(24)가 흑화되고 제2 매체(26)가 비교적 백색인 경우에, 높은 수준의 미세 입자가 존재한다는 것을 알리는 지시)를 포함하거나 가질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 표시기(20)는 그렇지 않으면 미숙한 관찰자를 혼란시킬 수 있는(그리고 그렇지 않으면 표시기(20)의 전체 비용을 증가시킬 수 있는) 임의의 PM2.5 데이터 또는 값을 제공하지 않는다. 다른 실시예에서, 표시기(20)는 일부 PM2.5 데이터 또는 정보를 디스플레이하도록 구성될 수 있다.표시기(20)를 통한 능동 공기 유동이 비교적 단기간(예컨대, 1 내지 10일)에 걸쳐 의미 있는 결과를 생성하는 데 중요할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 관심 대상의 환경 내의 또는 그것으로의 능동 공기 유동의 소스는 환경의 공기 유동 관리 시스템의 통상의 구성요소, 예를 들어 공기 유동 정화기 입구 또는 필터의 상류측, HVAC 필터(상류측 또는 하류측), 휴대용 팬, 실내용 또는 휴대용 공기 조화기, HVAC 시스템의 공급 또는 복귀 덕트 등이다. 능동 공기 유동의 선택된 소스 또는 공기 이동 장치가 통상적으로 온-디맨드 모드(on-demand mode)로 작동하는 경우에, 표시기(20)는 주기적인 공기 유동에 노출될 수 있거나, 사용자는 공기 이동 장치를 표시 기간의 지속시간 동안 연속 작동으로 작동시키도록 지시를 받거나 독려될 수 있다. 하나의 비-제한적인 예로서, 도 2는 종래의 그릴(grill)(44)에 의해 부분적으로 덮인 공급 공기 덕트(42)를 갖는 룸(room) 형태의 관심 대상의 실내 환경(40)을 개략적으로 예시한다. 표시기(20)는 그릴(44)의 면에 조립된다. 도시된 바와 같이, 표시기(20)는 그릴(44)에서 또는 그것에 의해 확립된 능동 공기 유동 표면(또는 관심 대상의 환경 내의 다른 능동 공기 유동 표면)의 작은 부분만을 덮는다. 따라서, 표시기(20)는 전체 공기-이동 표면(즉, 그릴(44))을 통해 유동하는 공기에 대한 장벽으로서의 역할을 한다. 그러나, 능동 공기 유동 표면(예컨대, 그릴(44))에서의 공기 유동은 제1 및 제2 공기 필터 매체(24, 26)의 낮은, 선택적으로 매우 낮은 압력 강하 특성으로 인해 그것들을 통해 일어난다(즉, 낮은, 선택적으로 매우 낮은 압력 강하 특성이 없다면, 능동 공기 유동 표면에서의 공기 유동은 우선적으로 표시기(20) 주위에서 일어나, 공기 유동 내의 미세 입자 수준을 샘플링하거나 표시함에 있어서의 표시기(20)의 전체 유효성을 제한할 것임).표시기(20)는 매우 다양한 방식으로 관심 대상의 환경 내의 능동 공기 유동 표면(들)에 조립될 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예에서, 표시기(20)는 관심 대상의 룸 내에 있을 것으로 예상되는 능동 공기 유동 표면에 장착하기에 적절한 하나 이상의 구성요소를 포함한다. 이러한 부착 구성요소(들)는 프레임(22)에 조립될 수 있거나, 그것을 구비할 수 있다. 예를 들어, 표시기(20)는 표시기(20)를 많은 실내 공간에서 흔히 발견되는 금속-기반 능동 공기 유동 표면들 중 하나(예컨대, HVAC 벽 또는 플로어 덕트(floor duct)를 덮는 금속 그레이트(grate) 또는 그릴)에 자석식으로 부착할 수 있는 하나 이상의 자석을 보유할 수 있다. 다른 부착 구성요소는, 몇 가지만 말하자면, 기계식 커넥터(예컨대, 후크), 스트랩(strap), 벨크로, 감압 접착제, 양면 테이프, 연신 이형 접착 스트립 등을 포함하지만 이로 제한되지 않는다.또 다른 실시예에서, 표시기(20)는 능동 공기 이동 표면과 앞뒤로 나란히 구성될 수 있다. 즉, 본 개시의 원리에 따른 공기질 표시기는 관심 대상의 많은 실내 환경에서 통상적으로 채용되는 능동 공기 이동 표면과 조합되는(예컨대, 그것에 사전-조립되는) 전술된 바와 같은 표시기 둘 모두를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전술된 표시기는 공기 덕트 그릴 또는 그레이트에 사전-장착될 수 있고, 표시기 그릴 또는 그레이트는 관심 대상의 환경 내의 기존의 그릴 또는 그레이트를 위한 임시 대체물로서 사용된다. 또 다른 예에서 그리고 도 3을 참조하면, 본 개시에 따른 공기질 표시기 시스템(50)은 표시기(20) 및 HVAC 필터(52)를 포함할 수 있다. 표시기(20)는 전술된 형태들 중 임의의 것을 취할 수 있다. HVAC 필터(52)는 임의의 유형의 종래의 (그리고 임의의 종래의 크기의) HVAC 필터, 예를 들어 임의의 알려진 또는 미래에 개발될 저효율 공기 필터(예를 들어, 대전되지 않은 필터 매체)일 수 있다. 표시기(20)는 HVAC 필터(52)의 작은 표면적만을 점유하고, HVAC 필터(52)의 의도된 "하류"측에 영구적으로 조립될 수 있다. 사용 동안, 시스템(50)은 표시기(20)가 포함되지 않는 경우에 HVAC 필터(52)가 장착될 바와 동일한 방식으로 관심 대상의 환경과 연관된 HVAC 구조체에 장착된다. HVAC 구조체의 작동 기간(예컨대, 수일, 수주 또는 심지어 수개월) 후에, 시스템(50)이 제거되고 표시기(20)가 시각적으로 검사된다. 제1 공기 필터 매체(24)가 제2 공기 필터 매체(26)와는 시각적으로 뚜렷하게 구별되어진 상황하에서(예컨대, 제1 공기 필터 매체(24)가 제2 공기 필터 매체(26)보다 시각적으로 훨씬 더 검거나 "더 더럽게" 보임), 관찰자는 관심 대상의 환경에서의 공기 유동이 높은 수준의 미세 입자를 갖는다는 것을 쉽게 이해할 것이다.또 다른 실시예에서, 본 개시의 공기질 표시기는 능동 공기 유동의 독립적인 소스를 포함할 수 있거나, 그것을 구비할 수 있다. 예를 들어, 도 4는 본 개시의 원리에 따른 공기질 표시기 시스템(60)의 다른 실시예를 개략적으로 예시하며, 공기 이동 장치(62)에 조립된 표시기(20)를 포함한다. 공기 이동 장치(62)는 매우 다양한 형태를 취할 수 있고, 몇몇 실시예에서, 팬(64)이거나 그것을 포함한다. 시스템(60)은 고도로 휴대성이고, 공기 이동 장치(62)는 다양한 방식으로 전력을 공급받을 수 있다(예컨대, 공기 이동 장치(62)는 전원(예컨대, 배터리)을 보유할 수 있거나, 종래의 전기 콘센트에 전기적으로 연결되도록 구성될 수 있음). 이에 상관없이, 표시기(20)는 장치(62)의 능동 공기 유동 표면(66)에 장착되고, 단순히 시스템(60)을 관심 대상의 룸 내에 위치시키고 평가 기간(예컨대, 수일 또는 수주 또는 (수)개월) 동안 공기 이동 장치(62)를 작동시킴으로써 전술된 바와 같이 관심 대상의 룸 내의 미세 입자의 전반적인 평가를 제공하는 데 사용될 수 있다. 전용 공기 이동 장치(62)의 선택적인 통합은 표시기(20)가 능동 공기 유동 표면(66)을 실질적으로 또는 완전히 덮도록 크기설정되고 형상화되도록 허용할 수 있다.다시 도 1을 참조하면, 몇몇 실시예에서, 본 개시의 공기질 표시기는 큰 입자를 제거하도록 이미 처리되었던 능동 공기 유동(예컨대, 저효율 필터를 통과하였던 공기 유동) 내에 전개될 때 더욱 의미 있는 평가 정보를 제공할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 공기 필터 매체(24, 26) 둘 모두가 큰 입자를 쉽게 포획할 것이며; 이에 따라, 큰 입자가 공기질 표시기와 상호작용하기 전에 평가될 공기 유동으로부터 실질적으로 제거되지 않으면, 큰 입자가 공기 필터 매체(24, 26) 둘 모두 내에 축적되어 아마도 시간 경과에 따라 매체(24, 26)의 유사한 변색을 유발할 것임이 이해될 것이다(예컨대, 제1 공기 필터 매체(24)가 상당한 양의 미세 입자를 포획할 것이고 제2 공기 필터 매체(26)가 상당한 양의 미세 입자를 포획하지 않을 것이지만, 제2 공기 필터 매체(26)는 여전히 큰 입자로 인해 시각적 외양에 있어서 변화할 것이고, 큰 입자가 존재하지 않는 경우의 제1 공기 필터 매체(24)와는 명백히 시각적으로 뚜렷하게 구별되게 보이지 않을 수 있음). 따라서, 본 개시의 몇몇 실시예에서, 표시기(20)를 공기 유동 여과 시스템의 하류측인 능동 공기 유동 위치에 전개시키라는 지시가 사용자에게 제공된다. 다른 실시예에서, 그리고 도 5를 참조하면, 본 개시의 원리에 따른 다른 공기질 표시기 시스템(70)은 공기질 표시기(20) 및 프레임(22)에 조립된 스크린(72) 또는 다른 큰 입자 필터를 포함한다. 스크린(72)은 시스템(70)을 통과하는 공기 유동 내의 상당한 양의 큰 입자(예컨대, 동물 털, 보풀 등)를 포획하도록 구성된다. 사용 동안, 사용자는 스크린(72)이 필터 매체(24, 26)(도 1)의 상류측에 위치되도록 시스템(70)을 능동 공기 유동 표면에 위치시키라는 지시를 받는다. 평가 기간 동안, 큰 입자가 스크린(72)에 수집될 것이고, 명백히 필터 매체(24, 26)에 영향을 미치지 않을 것이어서, 있다 하더라도, 제1 및 제2 필터 매체(24, 26)에서의 시각적 외양에 있어서의 변화는 주로 미세 입자에 기인한다.예예 1일련의 공기질 표시기를 쓰리엠 컴퍼니(3M Company)로부터 상표명 필트릿(Filtrete) 1900으로 입수 가능한 고효율 필터의 공기 필터 매체를 사용하여 제조하였다. 도 6에 도시된 바와 같이, 3.75 인치 × 3.75 인치 개방 치수를 갖는 나란한 매체 샘플들을 카드보드 주연부 프레임에 부착하였다. 도 6에 표지된 바와 같이, 제1 매체(80)는 고효율 필트릿 1900 재료였던 반면, 제2 매체(82)는 아이소프로필 알코올로 포화된 다음에 건조되어 프레임 내에 설치하기 전에 임의의 정전하를 제거한 필트릿 1900 재료였다. 제1 매체(80)(즉, 필트릿 1900 재료)는 변화되지 않았다.3곳의 위치에서 예 1의 공기질 표시기 샘플을 사용하여 공기질 평가를 수행하였다. 1) 14일의 기간 동안 빌딩의 HVAC 시스템(미국 미네소타주 세인트 폴에 소재함)에 실외 공기 입구(이에 따라 100% 실외 공기를 끌어들임)에서. 인정된 미세 입자 측정 장비를 사용하여, 평가 기간 동안의 평균 실외 미세 입자 수준이 6 ㎍/㎥인 것으로 확인되었다. 2) 14일의 평가 기간 동안, 위의 1)의 빌딩 내의 룸에서 실내 공기 복귀부에서. 이러한 구성은 표시기를, 빌딩에 들어가기 전에 일련의 고효율 시판용 HVAC 필터를 통해 여과된 100% 실내 공기에 노출시켰다. 평가 기간 동안의 평균 실외 미세 입자 수준은 6 ㎍/㎥인 것으로 추정되었다. 많은 PM2.5가 실외 소스였고 빌딩 HVAC 입구 공기가 높은 수준으로 여과되기 때문에 실내 PM2.5 수준이 아마도 실외 PM2.5 수준보다 더 낮았음을 알았다. 3) 여름에 14일의 평가 기간 동안, 미국 미네소타주 세인트 폴의 주택에 위치된 주택용 HVAC 필터의 상류측에서. 주택용 HVAC 시스템을, 시스템이 온-디맨드 냉각을 필요로 할 때를 제외하고는 저속으로 연속하여 작동시켰다. 평가 기간 동안의 평균 실외 미세 입자 수준은 5 ㎍/㎥인 것으로 추정되었다. 많은 PM2.5가 실외 소스였고, 주택용 HVAC가 최소 실외 보충 공기를 갖고 (미국 미네소타주 세인트 폴 소재의 쓰리엠 컴퍼니로부터 상표명 1000 MPR로 입수 가능한 필터를 통해) 비교적 높은 수준의 여과를 포함하였기 때문에 실내 PM2.5 수준이 아마도 실외 PM2.5 수준보다 더 낮았음을 알았다.도 7은 예 1의 표시기들의, 그것들 각자의 환경에서 대략 2주의 평가 기간 후의 사진이고, 깨끗한 대조예(control) 표시기가 참고를 위해 포함되어 있다. 평가들 각각에서, 제1 매체(80)는 방전된 제2 매체(82)보다 더 상당한 색상 변화를 보였다. 실외 구역(즉, 위치 1)에 노출된 표시기는, 아마도 최대 미세 입자 농도에 대한 노출로 인해, 최대 색상 차이를 나타냈다.예 2일련의 공기질 표시기를 도 8에 도시된 바와 같이 2가지 상이한 매체 유형을 사용하여 제조하였다. 제1 매체(100)는 미국 미네소타주 세인트 폴 소재의 쓰리엠 컴퍼니로부터 상표명 필트릿 1200으로 입수 가능한 정전기 대전된 필터 매체였다. 제2 매체(102)는 아이소프로필 알코올 내에서의 포화에 의해 방전된 것을 제외하고는 동일한 필트릿 1200 매체였다. 제3 매체(104)는 알스트롬(Ahlstrom)으로부터 상표명 모델 T817로 입수 가능한 대전되지 않은 스테이플 섬유(staple fiber) 웨브로 이루어졌다. 매체(100 내지 104)는 크기가 대략 2 인치 x 3 인치였고, 카드보드 주연부 프레임에 부착하였다.4곳의 위치에서 예 2의 공기질 표시기 샘플을 사용하여 공기질 평가를 수행하였다. 1) 13일의 기간 동안 빌딩의 HVAC 시스템(미국 미네소타주 세인트 폴에 소재함)에 실외 공기 입구(이에 따라 100% 실외 공기를 끌어들임)에서. 인정된 미세 입자 측정 장비를 사용하여, 평가 기간 동안의 평균 실외 미세 입자 수준이 6 ㎍/㎥인 것으로 확인되었다. 2) 13일의 평가 기간 동안, 위의 1)의 빌딩 내의 룸에서 실내 공기 복귀부에서. 이러한 구성은 표시기를, 빌딩에 들어가기 전에 일련의 고효율 시판용 HVAC 필터를 통해 여과된 100% 실내 공기에 노출시켰다. 평가 기간 동안의 평균 실외 미세 입자 수준은 6 ㎍/㎥인 것으로 추정되었다. 많은 PM2.5가 실외 소스였고 빌딩 HVAC 입구 공기가 높은 수준으로 여과되기 때문에 실내 PM2.5 수준이 아마도 실외 PM2.5 수준보다 더 낮았음을 알았다. 3) 여름에 13일의 평가 기간 동안, 미국 미네소타주 세인트 폴의 주택에 위치된 주택용 HVAC 필터의 상류측에서. 주택용 HVAC 시스템을, 시스템이 온-디맨드 냉각을 필요로 할 때를 제외하고는 저속으로 연속하여 작동시켰다. 평가 기간 동안의 평균 실외 미세 입자 수준은 5 ㎍/㎥인 것으로 추정되었다. 많은 PM2.5가 실외 소스였고, 주택용 HVAC가 최소 실외 보충 공기를 갖고 (미국 미네소타주 세인트 폴 소재의 쓰리엠 컴퍼니로부터 상표명 1000 MPR로 입수 가능한 필터를 통해) 비교적 높은 수준의 여과를 포함하였기 때문에 실내 PM2.5 수준이 아마도 실외 PM2.5 수준보다 더 낮았음을 알았다. 4) 주택용 공기 정화기의 일부로서 제공된 공기 필터의 상류측에서. 공기 필터는 미국 미네소타주 세인트 폴 소재의 쓰리엠 컴퍼니로부터 상표명 FAP02로 입수 가능하다. 공기 정화기를 13일 동안 밀폐된 침실에서 야간에만(야간당 대략 11시간) 고속으로 작동시켰다. 평가 기간 동안의 평균 실외 미세 입자 수준은 5 ㎍/㎥인 것으로 추정되었다.도 9는 참고를 위한 깨끗한 대조예 표시기와 함께, 예 2의 표시기들의, 그것들 각자의 환경에서 대략 2주의 평가 기간 후의 사진을 제공한다. 빌딩 위치들(즉, 위치 1) 및 위치 2)) 둘 모두가 최대 색상 변화를 나타낸 반면, 주택 위치(즉, 위치 3) 및 위치 4))는 보다 적은 총 색상 변화를 나타냈다. 이들 시나리오 중 임의의 것에서, 정전기 대전된 매체(즉, 제1 매체(100))는 대전되지 않은 매체(즉, 제2 및 제3 매체(102, 104)) 중 어느 하나보다 큰 색상 변화를 나타냈다. 주택용 공기 정화기 시나리오(즉, 위치 4))의 표시기는 3개의 매체(100 내지 104) 모두에서 최소의 색상 변화를 나타냈다.예 3예 2의 것과 동일한 표시기를 제조하였고, 중국 상하이 내 2곳의 위치에서 공기질 평가를 거쳤다. 1) 7일의 기간 동안 빌딩의 분할식 공기 조화 시스템에 공기 입구에서. 인정된 미세 입자 측정 장비를 사용하여, 평가 기간 동안의 평균 미세 입자 수준이 34 ㎍/㎥인 것으로 확인되었다. 2) 7일의 평가 기간 동안, 위의 1)의 빌딩 내의 HVAC 실내 공기 복귀부에서.도 10은 참고를 위한 깨끗한 대조예 표시기와 함께, 대략 7일의 평가 기간 후의 예 3의 표시기의 사진을 제공한다. 연이은 7일이 아니라 색상 변화의 철저한 시각적 기록을 유지할 목적으로 시차를 둔 7일의 노출. 샘플들 둘 모두가 상당한 색상 변화를 나타냈으며, 이때 HVAC 위치(즉, 위치 2))는 분할식 AC 위치보다 색상에 있어서 약간 더 큰 변화를 보였다. 평가 시나리오들 각각에서, 정전기 대전된 웨브(즉, 제1 필터 매체(100))는 대전되지 않은 매체(즉, 제2 및 제3 매체(102, 104)) 중 어느 하나보다 명백히 더 큰 색상 변화를 나타냈으며, 이때 색상 변화에 있어서의 차이는 육안에 의해 쉽게 인지되었다. 방전된 매체(즉, 제2 매체(102))는 경미한 색상 변화를 나타냈고, 대전되지 않은 매체(제3 매체(104))는 둘 모두의 위치에서 최소의 색상 변화를 보였다.공기질 표시기, 시스템 및 관련 사용 방법은 이전의 설계에 비해 뚜렷한 개선을 제공한다. 공기질 표시기는 저렴하고, 사용하기 쉬우며, 미세 입자 수준에 관한 의미 있는 정보를 미숙한 사용자에게 제공한다. 고효율(예컨대, 고도로 정전기 대전된) 매체와 저효율(예컨대, 대전되지 않거나 약간 대전된) 매체를 표시기에 조합함으로써, 초기에는 유사하게(또는 동일하게) 보이지만 오염된 공기에 노출될 때 색상을 상이한 비율로 변화시키는 2개의 평행한 로딩 표면을 갖는 표시기를 제공할 수 있다. 따라서, 표시기는 샘플링된 위치에서의 공기의 질에 관한 정보를 제공할 수 있다.본 개시가 바람직한 실시예를 참조하여 기술되었지만, 당업자는 본 개시의 사상 및 범주로부터 벗어남이 없이 형태 및 세부 사항에 있어서 변경이 이루어질 수 있음을 이해할 것이다. 예를 들어, 공기질 표시기가 하나의 고효율 공기 필터 매체 및 하나의 저효율 공기 필터 매체를 포함하는 것으로 기술되었지만, 다른 실시예에서, 표시기는 2개의(또는 그보다 많은) 고효율 공기 필터 매체 및/또는 2개의(또는 그보다 많은) 저효율 공기 필터 매체를 포함할 수 있다.
관심 대상의 환경 내의 높은 미세 입자 수준을 표시하기 위한 공기질 표시기. 표시기는 제1 및 제2 공기 필터 매체를 유지하는 프레임을 포함한다. 제1 공기 필터 매체는 미세 입자를 함유한 공기 유동이 가해질 때 적어도 시각적 외양(예컨대, 색상)에 있어서의 변화의 면에서 제2 공기 필터 매체와는 상이하다.
[ 발명의 명칭 ] 축전 디바이스용 세퍼레이터, 적층체 및 다공막SEPARATOR FOR ENERGY STORAGE DEVICE, LAMINATED BODY, AND POROUS MEMBRANE [ 기술분야 ] 본 발명은 축전 디바이스용 세퍼레이터, 적층체 및 다공막에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 최근 들어, 리튬 이온 전지를 중심으로 한 비수 전해액 전지의 개발이 활발하게 이루어지고 있다. 통상, 비수 전해액 전지에는, 미다공막(세퍼레이터)이 정부극 간에 설치되어 있다. 이러한 세퍼레이터는 정부극 간의 직접적인 접촉을 방지하고, 미다공 중에 유지한 전해액을 통해 이온을 투과시키는 기능을 갖는다.비수 전해액 전지의 사이클 특성이나 안전성을 향상하기 위해서, 세퍼레이터의 개량이 검토되고 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에서는 방전 특성, 안전성이 우수한 이차 전지를 제공하는 것을 목적으로 하여, 다공질막 상에 반응성 중합체를 도포, 건조함으로써 접착제 담지 다공질 필름이 제안되어 있다.또한, 최근 들어, 포터블 기기의 소형화, 박형화에 의해, 리튬 이온 이차 전지 등의 축전 디바이스에도 소형화, 박형화가 요구되고 있다. 한편으로, 장시간 휴대하는 것을 가능하게 하기 위하여 부피 에너지 밀도를 향상시키는 것에 의한 고용량화도 도모되고 있다.여기서, 세퍼레이터에는 이상 가열의 경우에는 빠르게 전지 반응이 정지되는 특성(퓨즈 특성)이나 고온이 되어도 형상을 유지하여 정극 물질과 부극 물질이 직접 반응하는 위험한 사태를 방지하는 성능(쇼트 특성) 등, 종래부터 요구되고 있는 안전성에 관한 성능 외에, 충방전 전류의 균일화, 리튬 덴드라이트 억제의 관점에서, 전극과의 밀착성 향상이 요구되고 있다.세퍼레이터와 전지 전극과의 밀착성을 양호하게 함으로써, 충방전 전류의 불균일화가 일어나기 어려워지고, 또한 리튬 덴드라이트가 석출하기 어려워지기 때문에, 결과로서 충방전 사이클 수명을 길게 하는 것이 가능하게 된다.이러한 사정 하에, 세퍼레이터에 접착성을 갖게 하는 시도로서, 폴리올레핀 미다공막에 접착성 중합체를 도공하는 시도가 행하여지고 있다(예를 들어, 특허문헌 1, 2 참조). [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특허 공개 제2007-59271호 공보일본 특허 공개 제2011-54502호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 그러나, 특허문헌 1의 세퍼레이터는 반응성 중합체와 다공질막과의 밀착성이 충분하지 않고, 그로 인해 전극과의 접착이 충분하지 않다는 문제점이 있다. 또한, 반응성 중합체와 다공질막과의 밀착성을 높이려고 반응성 중합체의 유리 전이 온도(Tg)를 낮게 할 경우에는, 세퍼레이터의 최표면이 끈적거리고, 그 결과 핸들링성이 저하되는 등의 문제점이 있다.또한, 특허문헌 1, 2에 기재된 미다공막은 모두, 전지를 권회할 때의 핸들링성이나 접착성, 리튬 이온 투과성의 관점에서는 또한 개선의 여지를 갖는 것이다.본 발명의 제1 실시 형태는 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 전극과의 밀착성이 우수한 세퍼레이터, 또한 핸들링성도 우수한 축전 디바이스용 세퍼레이터를 제공하는 것을 목적으로 한다.또한, 본 발명의 제2 실시 형태는 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 권회시의 핸들링성 및 축전 디바이스용 세퍼레이터로 했을 때의 축전 디바이스의 레이트 특성이 우수한 다공막, 이를 포함하는 축전 디바이스용 세퍼레이터, 이를 사용한 축전 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 한다. 나아가, 열가소성 중합체와 폴리올레핀 미다공막의 접착성 및 투과성도 우수한 다공막, 이를 포함하는 축전 디바이스용 세퍼레이터, 이를 사용한 축전 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 폴리올레핀 미다공막의 적어도 한쪽 면의 적어도 일부에, 특정한 열특성을 갖는 열가소성 중합체를 배치함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하였다.즉, 본 발명은 이하와 같다.[1]폴리올레핀 미다공막과, 상기 폴리올레핀 미다공막 중 적어도 한쪽 표면의 적어도 일부를 피복하는 열가소성 중합체 피복층을 가지며,상기 열가소성 중합체 피복층은 상기 폴리올레핀 미다공막 상에 상기 열가소성 중합체를 포함하는 부분과 상기 열가소성 중합체를 포함하지 않는 부분이 해도상(海島狀)으로 존재하는 층이고,상기 열가소성 중합체 피복층에 포함되는 열가소성 중합체가 유리 전이 온도를 적어도 2개 갖고 있고,상기 유리 전이 온도 중 적어도 하나는 20℃ 미만의 영역에 존재하고,상기 유리 전이 온도 중 적어도 하나는 20℃ 이상의 영역에 존재하는,축전 디바이스용 세퍼레이터.[2]상기 열가소성 중합체 피복층에 있어서,상기 축전 디바이스용 세퍼레이터의 최표면측에 20℃ 이상의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지가 존재하며, 또한상기 폴리올레핀 미다공막과 상기 열가소성 중합체 피복층의 계면측에, 20℃ 미만의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지가 존재하고 있는, 상기 [1] 또는 [2]항에 기재된 축전 디바이스용 세퍼레이터.[3]상기 열가소성 중합체 피복층이 존재하는, 상기 축전 디바이스용 세퍼레이터의 최표면에 대하여, 알루미늄 박을 온도 25℃, 압력 5MPa에서 3분간 가압한 후의 박리 강도가 8gf/cm 이하인, 상기 [1] 또는 [2]항에 기재된 축전 디바이스용 세퍼레이터.[4]상기 열가소성 중합체 피복층이 존재하는, 상기 축전 디바이스용 세퍼레이터의 최표면에 대하여, 알루미늄 박을 온도 80℃, 압력 10MPa에서 3분간 가압한 후의 박리 강도가 30gf/cm 이상인, 상기 [1] 내지 [3]항 중 어느 한 항에 기재된 축전 디바이스용 세퍼레이터.[5]상기 폴리올레핀 미다공막과 상기 열가소성 중합체 피복층과의 90° 박리 강도가 6gf/mm 이상인, 상기 [1] 내지 [4]항 중 어느 한 항에 기재된 축전 디바이스용 세퍼레이터.[6]상기 열가소성 중합체 피복층에 있어서, 상기 축전 디바이스용 세퍼레이터의 최표면에 존재하는 열가소성 중합체의 적어도 일부가 입상 열가소성 중합체인, 상기 [1] 내지 [5]항 중 어느 한 항에 기재된 축전 디바이스용 세퍼레이터.[7]상기 입상 열가소성 중합체의 평균 입자 직경이 0.01 ㎛ 내지 0.4 ㎛인, 상기 [6]항에 기재된 축전 디바이스용 세퍼레이터.[8]상기 열가소성 중합체 피복층에 의해 피복되는 폴리올레핀 미다공막의 면적 비율이, 상기 폴리올레핀 미다공막의 전체 면적 100％에 대하여 95％ 이하인, 상기 [1] 내지 [7]항 중 어느 한 항에 기재된 축전 디바이스용 세퍼레이터.[9]상기 열가소성 중합체 피복층에 의해 피복되는 폴리올레핀 미다공막의 면적 비율이, 상기 폴리올레핀 미다공막의 전체 면적 100％에 대하여 50％ 이하인, 상기 [1] 내지 [8]항 중 어느 한 항에 기재된 축전 디바이스용 세퍼레이터.[10]상기 [1] 내지 [9]항에 기재된 축전 디바이스용 세퍼레이터와 전극이 적층한, 적층체.[11]폴리올레핀 미다공막과, 상기 폴리올레핀 미다공막 중 적어도 한쪽 표면의 적어도 일부를 피복하는 열가소성 중합체 피복층을 가지며,상기 열가소성 중합체 피복층에 포함되는 열가소성 중합체의 유리 전이 온도가 -10℃ 이상 40℃ 이하이며, 또한전해액에 대한 팽윤도가 5배 이하인, 다공막.[12]상기 열가소성 중합체 피복층의 평균 두께가 1.5 ㎛ 이하인, 상기 [11]항에 기재된 다공막.[13]상기 열가소성 중합체 피복층에 의해 피복되는 폴리올레핀 미다공막의 면적 비율이, 상기 폴리올레핀 미다공막의 전체 면적 100％에 대하여 70％ 이하인, 상기 [11] 또는 [12]항에 기재된 다공막.[14]상기 열가소성 중합체의 겔 분율이 90％ 이상인, 상기 [11] 내지 [13]항 중 어느 한 항에 기재된 다공막.[15]상기 열가소성 중합체 피복층은 상기 폴리올레핀 미다공막 상에 상기 열가소성 중합체를 포함하는 부분과 상기 열가소성 중합체를 포함하지 않는 부분이 해도상으로 존재하는 층이고,상기 열가소성 중합체를 포함하는 부분이 도트상으로 형성되어 있는, 상기 [11] 내지 [14]항 중 어느 한 항에 기재된 다공막.[16]상기 도트의 평균 장경이 20 내지 1000 ㎛인, 상기 [15]항에 기재된 다공막. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 제1 실시 형태에 의하면, 전극과의 밀착성이 우수한 세퍼레이터, 또한 핸들링성도 우수한 축전 디바이스용 세퍼레이터를 제공할 수 있다.또한, 본 발명의 제2 실시 형태에 의하면, 권회시의 핸들링성 및 축전 디바이스용 세퍼레이터로 했을 때의 축전 디바이스의 레이트 특성이 우수한 다공막, 이를 포함하는 축전 디바이스용 세퍼레이터, 이를 사용한 축전 디바이스를 제공할 수 있다. 나아가, 열가소성 중합체와 폴리올레핀 미다공막의 접착성 및 투과성도 우수한 다공막, 이를 포함하는 축전 디바이스용 세퍼레이터, 이를 사용한 축전 디바이스를 제공할 수 있다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용(이하, 「본 실시 형태」라고 함)에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 그 요지의 범위 내에서 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있다.[제1 실시 형태][축전 디바이스용 세퍼레이터]본 실시 형태에 따른 축전 디바이스용 세퍼레이터(이하, 간단히 「세퍼레이터」라고도 함)는폴리올레핀 미다공막(이하, 간단히 「미다공막」이라고도 함)과, 상기 폴리올레핀 미다공막 중 적어도 한쪽 표면의 적어도 일부를 피복하는 열가소성 중합체 피복층을 가지며,열가소성 중합체 피복층은 상기 폴리올레핀 미다공막 상에 상기 열가소성 중합체를 포함하는 부분과 상기 열가소성 중합체를 포함하지 않는 부분이 해도상으로 존재하는 층이고,상기 열가소성 중합체 피복층에 포함되는 열가소성 중합체가 유리 전이 온도를 적어도 2개 갖고 있고,상기 유리 전이 온도 중 적어도 하나는 20℃ 미만의 영역에 존재하고,상기 유리 전이 온도 중 적어도 하나는 20℃ 이상의 영역에 존재한다.[열가소성 중합체 피복층]본 실시 형태에 따른 축전 디바이스용 세퍼레이터는 폴리올레핀 미다공막 중 적어도 한쪽 표면의 적어도 일부를 피복하는 열가소성 중합체 피복층을 갖는다.열가소성 중합체 피복층은 유리 전이 온도를 적어도 2개 갖는 열가소성 중합체를 포함한다. 열가소성 중합체의 유리 전이 온도는, 적어도 하나는 20℃ 미만의 영역에 존재하고, 적어도 하나는 20℃ 이상의 영역에 존재한다.[열가소성 중합체]본 실시 형태에서 사용되는 열가소성 중합체는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 폴리에틸렌이나 폴리프로필렌, α-폴리올레핀 등의 폴리올레핀 수지; 폴리불화비닐리덴, 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 불소 함유 수지와 이들을 포함하는 공중합체; 부타디엔, 이소프렌 등의 공액 디엔을 단량체 단위로서 포함하는 디엔계 중합체 또는 이들을 포함하는 공중합체 및 그의 수소화물; 아크릴산 에스테르, 메타크릴산 에스테르 등을 단량체 단위로서 포함하는 아크릴계 중합체 또는 이들을 포함하는 공중합체 및 그의 수소화물; 에틸렌프로필렌 러버, 폴리비닐 알코올, 폴리아세트산 비닐 등의 고무류; 에틸 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 히드록시에틸 셀룰로오스, 카르복시메틸 셀룰로오스 등의 셀룰로오스 유도체; 폴리페닐렌 에테르, 폴리술폰, 폴리에테르 술폰, 폴리페닐렌 술피드, 폴리에테르 이미드, 폴리아미드 이미드, 폴리아미드, 폴리에스테르 등의 융점 및/또는 유리 전이 온도가 180℃ 이상인 수지 및 이들의 혼합물 등을 들 수 있다. 또한, 열가소성 중합체를 합성할 때에 사용하는 단량체로서, 히드록실기나 술폰산기, 카르복실기, 아미드기, 시아노기를 갖는 단량체를 사용할 수도 있다.이들 열가소성 중합체 중, 전극 활물질과의 결착성 및 강도나 유연성이 우수한 점에서, 디엔계 중합체, 아크릴계 중합체 또는 불소계 중합체가 바람직하다.(디엔계 중합체)디엔계 중합체는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 부타디엔, 이소프렌 등의 공액 이중 결합을 2개 갖는 공액 디엔을 중합하여 이루어지는 단량체 단위를 포함하는 중합체이다. 공액 디엔 단량체로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔, 2-페닐-1,3-부타디엔, 1,3-펜타디엔, 2-메틸-1,3-펜타디엔, 1,3-헥사디엔, 4,5-디에틸-1,3-옥타디엔, 3-부틸-1,3-옥타디엔 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 중합해도 되고, 공중합해도 된다.디엔계 중합체 중의 공액 디엔을 중합하여 이루어지는 단량체 단위의 비율은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 전체 디엔계 중합체 중 40질량％ 이상, 바람직하게는 50질량％ 이상, 보다 바람직하게는 60질량％ 이상이다.상기 디엔계 중합체로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 폴리부타디엔이나 폴리이소프렌 등의 공액 디엔의 단독 중합체 및 공액 디엔과 공중합 가능한 단량체와의 공중합체를 들 수 있다. 공중합 가능한 단량체는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 후술하는 (메트)아크릴레이트 단량체나 하기의 단량체(이하, 「기타 단량체」라고도 함) 를 들 수 있다.「기타 단량체」로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 α,β-불포화 니트릴 화합물; 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 푸마르산 등의 불포화 카르복실산류; 스티렌, 클로로스티렌, 비닐 톨루엔, t-부틸 스티렌, 비닐 벤조산, 비닐 벤조산 메틸, 비닐 나프탈렌, 클로로메틸 스티렌, 히드록시메틸 스티렌, α-메틸 스티렌, 디비닐 벤젠 등의 스티렌계 단량체; 에틸렌, 프로필렌 등의 올레핀류; 염화 비닐, 염화 비닐리덴 등의 할로겐 원자 함유 단량체; 아세트산 비닐, 프로피온산 비닐, 부티르산 비닐, 벤조산 비닐 등의 비닐 에스테르류; 메틸비닐 에테르, 에틸비닐 에테르, 부틸비닐 에테르 등의 비닐 에테르류; 메틸 비닐케톤, 에틸 비닐케톤, 부틸 비닐케톤, 헥실 비닐케톤, 이소프로페닐 비닐케톤 등의 비닐케톤류; N-비닐 피롤리돈, 비닐 피리딘, 비닐 이미다졸 등의 복소환 함유 비닐 화합물; 메틸 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트 등의 아크릴산 에스테르 및/또는 메타크릴산 에스테르 화합물; β-히드록시에틸 아크릴레이트, β-히드록시에틸 메타크릴레이트 등의 히드록시알킬기 함유 화합물; 아크릴아미드, N-메틸올 아크릴아미드, 아크릴아미드-2-메틸프로판 술폰산 등의 아미드계 단량체 등을 들 수 있고, 이들을 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 된다.(아크릴계 중합체)아크릴계 중합체는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 (메트)아크릴레이트 단량체를 중합하여 이루어지는 단량체 단위를 포함하는 중합체이다.또한, 본 명세서에 있어서, 「(메트)아크릴산」이란, 「아크릴산 또는 메타크릴산」을 나타내고, 「(메트)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트 또는 메타크릴레이트」를 나타낸다.(메트)아크릴레이트 단량체로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 메틸 (메트)아크릴레이트, 에틸 (메트)아크릴레이트, n-프로필 (메트)아크릴레이트, 이소프로필 (메트)아크릴레이트, n-부틸 (메트)아크릴레이트, t-부틸 (메트)아크릴레이트, 펜틸 (메트)아크릴레이트, 헥실 (메트)아크릴레이트, 헵틸 (메트)아크릴레이트, 옥틸 (메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메트)아크릴레이트, 노닐 (메트)아크릴레이트, 데실 (메트)아크릴레이트, 라우릴 (메트)아크릴레이트, n-테트라데실 (메트)아크릴레이트, 스테아릴 (메트)아크릴레이트 등의 알킬 (메트)아크릴레이트; 히드록시에틸 (메트)아크릴레이트, 히드록시프로필 (메트)아크릴레이트, 히드록시부틸 (메트)아크릴레이트 등의 히드록시기 함유 (메트)아크릴레이트; 아미노에틸 (메트)아크릴레이트 등의 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트; 글리시딜 (메트)아크릴레이트 등의 에폭시기 함유 (메트)아크릴레이트를 들 수 있다.(메트)아크릴레이트 단량체를 중합하여 이루어지는 단량체 단위의 비율은 특별히 한정되지 않지만, 전체 아크릴계 중합체의 예를 들어, 40질량％ 이상, 바람직하게는 50질량％ 이상, 보다 바람직하게는 60질량％ 이상이다. 아크릴계 중합체로서는, (메트)아크릴레이트 단량체의 단독 중합체, 이것과 공중합 가능한 단량체와의 공중합체를 들 수 있다.공중합 가능한 단량체로서는 상기 디엔계 중합체의 항목에서 열거한 「기타 단량체」를 들 수 있고, 이들을 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용해도 된다.(불소계 중합체)불소계 중합체로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 불화비닐리덴의 단독 중합체, 이것과 공중합 가능한 단량체와의 공중합체를 들 수 있다. 불소계 중합체는 전기 화학적 안정성의 관점에서 바람직하다.불화비닐리덴을 중합하여 이루어지는 단량체 단위의 비율은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 40질량％ 이상, 바람직하게는 50질량％ 이상, 보다 바람직하게는 60질량％ 이상이다.불화비닐리덴과 공중합 가능한 단량체로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 불화 비닐, 테트라플루오로에틸렌, 트리플루오로클로로에틸렌, 헥사플루오로프로필렌, 헥사플루오로이소부틸렌, 퍼플루오로아크릴산, 퍼플루오로메타크릴산, 아크릴산 또는 메타크릴산의 플루오로알킬 에스테르 등의 불소 함유 에틸렌성 불포화 화합물; 시클로헥실 비닐 에테르, 히드록시에틸 비닐 에테르 등의 불소 비함유 에틸렌성 불포화 화합물; 부타디엔, 이소프렌, 클로로프렌 등의 불소 비함유 디엔 화합물 등을 들 수 있다.불소계 중합체 중, 불화비닐리덴의 단독 중합체, 불화비닐리덴/테트라플루오로에틸렌 공중합체, 불화비닐리덴/테트라플루오로에틸렌/헥사플루오로프로필렌 공중합체 등이 바람직하다. 특히 바람직한 불소계 중합체는 불화비닐리덴/테트라플루오로에틸렌/헥사플루오로프로필렌 공중합체며, 그의 단량체 조성은 통상 불화비닐리덴 30 내지 90질량％, 테트라플루오로에틸렌 50 내지 9질량％ 및 헥사플루오로프로필렌 20 내지 1질량％이다. 이들 불소 수지 입자는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.또한, 상기 열가소성 중합체를 합성할 때에 사용하는 단량체로서, 히드록실기, 카르복실기, 아미노기, 술폰산기, 아미드기, 또는 시아노기를 갖는 단량체를 사용할 수도 있다.히드록시기를 갖는 단량체는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 펜텐올 등의 비닐계 단량체를 들 수 있다.카르복실기를 갖는 단량체는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 (메트)아크릴산, 이타콘산 등의 에틸렌성 이중 결합을 갖는 불포화 카르복실산, 펜텐산 등의 비닐계 단량체를 들 수 있다.아미노기를 갖는 단량체는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 메타크릴산 2-아미노에틸 등을 들 수 있다.술폰산기를 갖는 단량체는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 비닐 술폰산, 메틸비닐 술폰산, (메트)앨리스 술폰산, 스티렌 술폰산, (메트)아크릴산-2-술폰산 에틸, 2-아크릴아미드-2-메틸프로판 술폰산, 3-알릴옥시-2-히드록시프로판 술폰산 등을 들 수 있다아미드기를 갖는 단량체는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 아크릴아미드, 메타크릴아미드, N-메틸올 아크릴아미드, N-메틸올 메타크릴아미드 등을 들 수 있다.시아노기를 갖는 단량체는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, α-클로로아크릴로니트릴, α-시아노에틸 아크릴레이트 등을 들 수 있다.본 실시 형태에서 사용하는 열가소성 중합체는 중합체를 단독으로 또는 2종류 이상 혼합하여 사용해도 되지만, 중합체를 2종류 이상 포함하는 것이 바람직하다.(열가소성 중합체의 유리 전이점)본 실시 형태에서 사용하는 열가소성 중합체는 세퍼레이터와 전극과의 밀착성의 관점에서, 유리 전이 온도를 적어도 2개 갖고, 유리 전이 온도 중 적어도 하나는 20℃ 미만의 영역에 존재하고, 유리 전이 온도 중 적어도 하나는 20℃ 이상의 영역에 존재한다는 열특성을 갖는다. 여기서, 유리 전이 온도는 시차 주사 열량 측정(DSC)으로 얻어지는 DSC 곡선으로부터 결정된다. 또한, 본 명세서에서는 유리 전이 온도를 Tg로 표현할 경우도 있다.구체적으로는, DSC 곡선에서 저온측의 베이스 라인을 고온측에 연장한 직선과, 유리 전이의 계단상 변화 부분의 변곡점에서의 접선과의 교점에 의해 결정된다. 보다 상세하게는, 실시예에 기재된 방법을 참조할 수 있다.여기서, 「유리 전이」는 DSC에서 시험편인 중합체의 상태 변화에 수반하는 열량 변화가 흡열측에 발생한 것을 가리킨다. 이러한 열량 변화는 DSC 곡선에서 계단상 변화 형상 또는 계단상 변화와 피크가 조합된 형상으로서 관측된다.「계단상 변화」란, DSC 곡선에서, 곡선이 그것까지의 베이스 라인으로부터 벗어나 새로운 베이스 라인으로 이행할 때까지의 부분을 나타낸다. 또한, 피크 및 계단상 변화의 조합된 형상도 포함한다.「변곡점」이란, 계단상 변화 부분의 DSC 곡선의 기울기가 최대가 되는 점을 나타낸다. 또한, 계단상 변화 부분에서 위로 볼록한 곡선이 아래로 볼록한 곡선으로 변하는 점이라고 표현할 수도 있다.「피크」란, DSC 곡선에서, 곡선이 베이스 라인으로부터 벗어나서 다시 베이스 라인에 복귀될 때까지의 부분을 나타낸다.「베이스 라인」이란, 시험편에 전이 및 반응을 발생하지 않는 온도 영역의 DSC 곡선을 나타낸다.본 실시 형태에서는, 사용하는 열가소성 중합체의 유리 전이 온도 중 적어도 하나가 20℃ 미만의 영역에 존재함으로써, 미다공막과의 밀착성이 우수하고, 그 결과 세퍼레이터와 전극과의 밀착성이 우수하다는 효과를 발휘한다. 사용하는 열가소성 중합체의 유리 전이 온도 중 적어도 하나가 15℃ 이하의 영역에 존재하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 -30℃ 이상 15℃ 이하의 영역에 존재한다.20℃ 미만의 영역에 존재하는 유리 전이 온도는 열가소성 중합체와 미다공막과의 밀착성을 높이면서, 핸들링성을 양호하게 유지하는 점에서, -30℃ 이상 15℃ 이하의 영역에만 존재하는 것이 바람직하다.본 실시 형태에서는 사용하는 열가소성 중합체의 유리 전이 온도 중 적어도 하나가 20℃ 이상의 영역에 존재함으로써, 세퍼레이터와 전극과의 접착성 및 핸들링성이 우수하다는 효과를 발휘한다. 사용하는 열가소성 중합체의 유리 전이 온도 중 적어도 하나가 20℃ 이상 120℃ 이하의 영역에 존재하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50℃ 이상 120℃ 이하이다. 상기 범위에 유리 전이 온도가 존재함으로써, 양호한 핸들링성을 부여할 수 있다. 또한, 전지 제작 시의 가압에 의해 발현하는 전극과 세퍼레이터 간의 밀착성을 높일 수 있다.20℃ 이상의 영역에 존재하는 유리 전이 온도는 열가소성 중합체와 미다공막과의 밀착성을 높이면서, 핸들링성을 양호하게 유지하는 점에서, 20℃ 이상 120℃ 이하의 영역에만 존재하는 것이 바람직하고, 50℃ 이상 120℃ 이하의 영역에만 존재하는 것이 보다 바람직하다.열가소성 중합체가 2개의 유리 전이 온도를 갖는 것은, 예를 들어 2종류 이상의 열가소성 중합체를 블렌드하는 방법이나, 코어 셸 구조를 구비하는 열가소성 중합체를 사용하는 방법에 의해 달성할 수 있지만, 이들 방법에 한정되지 않는다. 코어 셸 구조란, 중심 부분에 속하는 중합체와 외각 부분에 속하는 중합체가 다른 조성으로 이루어지는 이중 구조의 형태를 취한 중합체이다.특히, 중합체 블렌드나 코어 셸 구조는 유리 전이 온도가 높은 중합체와 낮은 중합체를 조합함으로써, 열가소성 중합체 전체의 유리 전이 온도를 제어할 수 있다. 또한, 열가소성 중합체 전체에 복수의 기능을 부여할 수 있다. 예를 들어, 블렌드의 경우에는, 특히 유리 전이 온도를 20℃ 이상의 영역에 갖는 중합체와, 유리 전이 온도를 20℃ 미만의 영역에 갖는 중합체를 2종류 이상 블렌드함으로써, 내 끈적거림성과 폴리올레핀 미다공막에의 도포성을 양립할 수 있다. 블렌드할 경우의 혼합비로서는 유리 전이 온도를 20℃ 이상의 영역에 갖는 중합체와, 유리 전이 온도를 20℃ 미만의 영역에 갖는 중합체와의 비가 0.1:99.9 내지 99.9:0.1의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5:95 내지 95:5이며, 더욱 바람직하게는 50:50 내지 95:5이며, 보다 더욱 바람직하게는 60:40 내지 90:10이다. 코어 셸 구조의 경우에는, 외각 중합체를 바꿈으로써 폴리올레핀 미다공막 등 다른 재료에 대한 접착성이나 상용성의 조정을 할 수 있고, 중심 부분에 속하는 중합체를 조정함으로써, 예를 들어 열 프레스 후의 전극에 대한 접착성을 높인 중합체로 조정할 수 있다. 또한, 점성이 높은 중합체와 탄성이 높은 중합체를 조합하여 점탄성의 제어를 할 수도 있다.또한, 코어 셸 구조를 구비하는 열가소성 중합체의 쉘 유리 전이 온도는 특별히 한정되지 않지만, 20℃ 미만이 바람직하고, 15℃ 이하가 보다 바람직하고, -30℃ 이상 15℃ 이하가 더욱 바람직하다. 또한, 코어 셸 구조를 구비하는 열가소성 중합체의 코어 유리 전이 온도는 특별히 한정되지 않지만, 20℃ 이상이 바람직하고, 20℃ 이상 120℃ 이하가 보다 바람직하고, 50℃ 이상 120℃ 이하가 더욱 바람직하다.본 실시 형태에 있어서, 열가소성 중합체의 유리 전이 온도, 즉 Tg는 예를 들어, 열가소성 중합체를 제조하는데 사용하는 단량체 성분 및 각 단량체의 투입비를 변경함으로써 적절히 조정할 수 있다. 즉, 열가소성 중합체의 제조에 사용되는 각 단량체에 대하여 일반적으로 나타나고 있는 그 단독 중합체의 Tg(예를 들어, 「중합체 핸드북」 (A WILEY-INTERSCIENCE PUBLICATION)에 기재)와 단량체의 배합 비율로부터 개략 추정할 수 있다. 예를 들어, 약 100℃의 Tg의 중합체를 부여하는 스티렌, 메틸 메타크릴레이트 및 아크릴니트릴 등의 단량체를 고비율로 배합한 공중합체는 높은 Tg의 것이 얻어지고, 예를 들어 약 -80℃의 Tg의 중합체를 부여하는 부타디엔이나 약 -50℃의 Tg의 중합체를 부여하는 n-부틸 아크릴레이트 및 2-에틸헥실 아크릴레이트 등의 단량체를 높은 비율로 배합한 공중합체는 낮은 Tg의 것이 얻어진다.또한, 중합체의 Tg는 FOX의 식(하기 식 (1))으로부터 개산할 수 있다. 또한, 본원의 열가소성 중합체의 유리 전이점으로서는 상기 DSC를 사용한 방법에 의해 측정한 것을 채용한다.1/Tg=W1/Tg1+W2/Tg2+‥‥+Wi/Tgi+‥‥Wn/Tgn (1)(식 (1) 중에 있어서, Tg(K)는 공중합체의 Tg, Tgi(K)는 각 단량체i의 단독 중합체의 Tg, Wi는 각 단량체의 질량 분율을 각각 나타냄)(열가소성 중합체 피복층의 구조)열가소성 중합체 피복층에 있어서, 축전 디바이스용 세퍼레이터의 최표면측에, 20℃ 이상의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지가 존재하며, 또한 폴리올레핀 미다공막과 열가소성 중합체 피복층의 계면측에, 20℃ 미만의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지가 존재하는 것이 바람직하다. 또한, 해도상의 열가소성 중합체 피복층에 있어서, 「최표면」이란, 축전 디바이스용 세퍼레이터와 전극을 적층했을 때에, 해도상의 열가소성 중합체 피복층 가운데 전극과 접하는 면을 말한다. 또한, 「계면」이란, 해도상의 열가소성 중합체 피복층 가운데 폴리올레핀 미다공막과 접하고 있는 면을 말한다.열가소성 중합체 피복층에 있어서, 축전 디바이스용 세퍼레이터의 최표면측에, 20℃ 이상의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지가 존재함으로써, 미다공막과의 밀착성이 보다 우수하고, 그 결과 세퍼레이터와 전극과의 밀착성이 우수한 경향이 있다. 또한, 폴리올레핀 미다공막과 열가소성 중합체 피복층의 계면측에, 20℃ 미만의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지가 존재함으로써, 세퍼레이터와 전극과의 접착성 및 핸들링성이 보다 우수한 경향이 있다.이러한 열가소성 중합체 피복층을 가짐으로써, 세퍼레이터와 전극과의 접착성 및 핸들링성이 보다 향상되는 경향이 있다. 상기와 같은 구조는 (a) 열가소성 중합체가, 입상(particle) 열가소성 중합체와, 입상 열가소성 중합체가 표면에 노출된 상태에서 입상 열가소성 중합체를 폴리올레핀 미다공막에 접착하는 바인더 중합체를 포함하고, 입상 열가소성 중합체의 유리 전이 온도가 20℃ 이상의 영역에 존재하고, 폴리올레핀 미다공막과 열가소성 중합체 피복층의 계면측에는 20℃ 미만의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지가 존재하는 것, (b) 열가소성 중합체가 적층 구조이며, 세퍼레이터로 했을 때에 최표층이 되는 부분의 열가소성 중합체의 유리 전이 온도가 20℃ 이상의 영역에 존재하고, 폴리올레핀 미다공막과 열가소성 중합체 피복층의 계면측에는 20℃ 미만의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지가 존재하는 것 등에 의해 달성할 수 있다. 또한, (b) 열가소성 중합체가, Tg가 다른 중합체마다의 적층 구조가 되어 있어도 된다.(해도상)열가소성 중합체 피복층은 폴리올레핀 미다공막 상에 열가소성 중합체를 포함하는 부분과 열가소성 중합체를 포함하지 않는 부분이 해도상으로 존재하는 층이다. 해도상으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 선상, 도트상, 격자목상, 줄무늬상, 귀갑무늬상 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 투과성 확보 및 전극과의 균일한 접착성의 확보라는 관점에서, 도트상이 보다 바람직하다. 도트상(dot)이란, 폴리올레핀 미다공막 상에 열가소성 중합체를 포함하는 부분과 열가소성 중합체를 포함하지 않는 부분이 해도상으로 존재하는 것을 나타낸다. 또한, 열가소성 중합체 피복층은 열가소성 중합체를 포함하는 부분이 섬상으로 독립하여도, 반대로 연속적인 면을 형성하고 있어도 상관없다. 섬상으로 독립할 경우, 섬 형상은 특별히 한정되지 않지만, 섬상 도트의 간격은 5 ㎛ 내지 500 ㎛인 것이, 전극에 대한 밀착성과, 사이클 특성의 양립이라는 점에서 바람직하다. 또한, 도트 크기는 특별히 한정되지 않지만, 전극과의 밀착성을 확보하는 관점에서, 평균 장경은 10 ㎛ 이상 1000 ㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 20 ㎛ 이상 800 ㎛ 이하이고, 더욱 바람직하게는, 50 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하이다.열가소성 중합체의 도트 평균 장경은 도포액의 중합체 농도나 중합체 용액의 도포량 및 도공 방법, 도공 조건을 변경함으로써 조정할 수 있다.(입상 열가소성 중합체)본 실시 형태에서의 열가소성 중합체의 구조는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 단층 구조, 입상 열가소성 중합체와 입상 열가소성 중합체의 적어도 일부를 둘러싸는 중합체로 구성되는 구조, 적층 구조 등이 있다. 열가소성 중합체 피복층에 있어서, 축전 디바이스용 세퍼레이터의 최표면에 존재하는 열가소성 중합체의 적어도 일부가 입상 열가소성 중합체인 것이 바람직하다. 이러한 구조를 가짐으로써, 세퍼레이터와 전극과의 접착성 및 세퍼레이터의 핸들링성이 보다 우수한 경향이 있다.여기서, 입상이란, 주사형 전자 현미경(SEM)의 측정에서 개개의 열가소성 중합체가 윤곽을 가진 상태를 가리키고, 가늘고 긴 형상이어도, 구상이어도, 다각형상 등이어도 된다.본 실시 형태에 있어서, 세퍼레이터의 최표면에 존재하는 열가소성 중합체에 대한 입상 열가소성 중합체의 면적 비율은 특별히 한정되지 않지만, 95％ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50％ 이상 95％ 이하이다. 세퍼레이터의 최표면에 존재하는 열가소성 중합체에 대한 입상 열가소성 중합체의 면적 비율 S는 이하의 식으로부터 산출된다.S(％)=입상 열가소성 중합체의 면적÷세퍼레이터의 최표면에 존재하는 열가소성 중합체의 전체 면적여기서, 입상 열가소성 중합체의 면적은 후술하는 실시예에 기재된 바와 같이, 세퍼레이터의 최표면의 SEM에 의한 관찰(배율 30000배)에 의해 측정된다.(열가소성 중합체의 평균 입자 직경)입상 열가소성 중합체의 평균 입자 직경은 0.01 ㎛ 내지 1 ㎛가 바람직하고, 0.05 ㎛ 내지 0.5 ㎛가 보다 바람직하고, 0.01 ㎛ 내지 0.4 ㎛가 더욱 바람직하다. 상기 범위로 함으로써, 용액 중에서의 분산성이 양호해지고, 도공 시 용액의 농도·점도 등의 조정이 용이하게 되고, 균일한 충전층의 형성이 용이하게 되어 전극에 대한 밀착성 및 사이클 특성이 일층 향상하고, 도공 두께의 제어도 용이하게 된다.(열가소성 중합체의 전해액에 대한 팽윤도)본 실시 형태에서의 열가소성 중합체는 사이클 특성 등의 전지 특성의 관점에서, 전해액에 대한 팽윤성을 갖는 것이 바람직하다. 건조시킨 열가소성 중합체 (또는 열가소성 중합체 분산액)에 전해액을 3시간 침투시키고, 세정한 후의 열가소성 중합체(A)의 중량을 Wa, A를 150℃의 오븐 내에 1시간 정치한 뒤 중량을 Wb로 할 때, 이하의 식에 의해 전해액을 산출할 수 있다. 팽윤도는 5배 이하가 바람직하고, 4.5배 이하가 보다 바람직하고, 4배 이하가 더욱 바람직하다. 또한, 팽윤도는 1배 이상이 바람직하고, 2배 이상이 보다 바람직하다.열가소성 중합체의 전해액에 대한 팽윤도(배)=(Wa-Wb)÷Wb본 실시 형태에서의 열가소성 중합체의 전해액에 대한 팽윤도는 예를 들어, 중합하는 단량체 성분 및 각 단량체의 투입비를 변경함으로써 조정할 수 있다.(열가소성 중합체의 겔 분율)본 실시 형태에 있어서, 열가소성 중합체의 겔 분율은 특별히 한정되지 않지만, 전해액 중으로의 용해의 억제나 전지 내부에서의 열가소성 중합체의 강도 유지의 관점에서 80％ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 85％ 이상, 더욱 바람직하게는 90％ 이상이다. 여기서, 겔 분율은 후술하는 실시예에 기재된 바와 같이, 톨루엔 불용분의 측정에 의해 구해진다.겔 분율은 중합하는 단량체 성분 및 각 단량체의 투입비, 중합 조건을 변경함으로써 조정할 수 있다.(열가소성 중합체의 함유량)본 실시 형태에서의 열가소성 중합체의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 폴리올레핀 미다공막에서의 접착력을 향상시키는 한편, 폴리올레핀 미다공막의 구멍을 막히게 하는 것으로 인한 사이클 특성(투과성)의 저하를 억제하는 관점에서 0.05g/m2 이상 1.0g/m2 이하가 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.07g/m2 이상 0.8g/m2 이하, 더욱 바람직하게는 0.1g/m2 이상 0.7g/m2 이하이다.열가소성 중합체의 함유량은 도포액의 중합체 농도나 중합체 용액의 도포량을 변경함으로써 조정할 수 있다.(열가소성 중합체 피복층의 두께)본 실시 형태에서의 열가소성 중합체 피복층의 평균 두께는 한쪽면에서 1.5 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.0 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 ㎛ 이하이다. 열가소성 중합체의 평균 두께가 1.5 ㎛ 이하로 함으로써, 열가소성 중합체에 의한 투과성 저하 및 열가소성 중합체끼리 또는 열가소성 중합체와 폴리올레핀 미다공막의 부착을 효과적으로 억제하는 관점에서 바람직하다.열가소성 중합체의 평균 두께는 도포액의 중합체 농도나 중합체 용액의 도포량 및 도공 방법, 도공 조건을 변경함으로써 조정할 수 있다.열가소성 중합체 피복층의 두께는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.(열가소성 중합체 피복층에 의해 피복되는 폴리올레핀 미다공막의 면적 비율)본 실시 형태의 세퍼레이터는 폴리올레핀 미다공막의 적어도 한쪽면의 적어도 일부에 열가소성 중합체를 갖는다. 열가소성 중합체 피복층에 의해 피복되는 폴리올레핀 미다공막의 면적 비율(％)은 폴리올레핀 미다공막의 전체 면적 100％에 대하여 95％ 이하가 바람직하고, 바람직하게는 70％ 이하, 보다 바람직하게는 50％ 이하, 더욱 바람직하게는 45％ 이하, 보다 더욱 바람직하게는 40％ 이하이다. 또한, 면적 비율(％)은 5％ 이상이 바람직하다. 면적 비율을 95％ 이하로 함으로써, 열가소성 중합체에 의한 폴리올레핀 미다공막의 구멍 폐색을 보다 억제하고, 투과성을 한층 향상할 수 있는 경향이 있다. 또한, 면적 비율을 5％ 이상으로 함으로써, 접착성이 보다 향상되는 경향이 있다. 여기서, 면적 비율은 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해 산출된다.면적 비율은 도포액의 중합체 농도나 중합체 용액의 도포량 및 도공 방법, 도공 조건을 변경함으로써 조정할 수 있다.[폴리올레핀 미다공막]본 실시 형태에서의 폴리올레핀 미다공막으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 폴리올레핀을 함유하는 폴리올레핀 수지 조성물로 구성되는 다공막을 들 수 있고, 폴리올레핀 수지를 주성분으로 하는 다공막인 것이 바람직하다. 본 실시 형태에서의 폴리올레핀 미다공막은 폴리올레핀 수지의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 축전 디바이스용 세퍼레이터로서 사용한 경우의 셧 다운 성능 등의 점에서, 다공막을 구성하는 전체 성분의 질량 분율의 50％ 이상 100％ 이하를 폴리올레핀 수지가 차지하는 폴리올레핀 수지 조성물을 포함하는 다공막인 것이 바람직하다. 폴리올레핀 수지가 차지하는 비율은 60％ 이상 100％ 이하가 보다 바람직하고, 70％ 이상 100％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.폴리올레핀 수지는 특별히 한정되지 않지만, 통상의 압출, 사출, 인플레이션 및 블로우 성형 등에 사용하는 폴리올레핀 수지를 말하고, 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 4-메틸-1-펜텐, 1-헥센 및 1-옥텐 등의 단독 중합체 및 공중합체, 다단 중합체 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 단독 중합체 및 공중합체, 다단 중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 폴리올레핀을 단독, 또는 혼합하여 사용할 수도 있다.폴리올레핀 수지의 대표예로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 선상 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초고분자량 폴리에틸렌, 아이소택틱 폴리프로필렌, 어택틱 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 랜덤 공중합체, 폴리부텐, 에틸렌 프로필렌 러버 등을 들 수 있다.본 실시 형태의 세퍼레이터를 전지 세퍼레이터로서 사용하는 경우에는, 저융점이며, 또한 고강도인 점에서, 특히 고밀도 폴리에틸렌을 주성분으로 하는 수지를 사용하는 것이 바람직하다.또한, 다공막의 내열성 향상, 폴리프로필렌과, 폴리프로필렌 이외의 폴리올레핀 수지를 포함하는 수지 조성물을 포함하는 다공막을 사용하는 것이 보다 바람직하다.여기서, 폴리프로필렌의 입체 구조에 한정은 없고, 아이소택틱 폴리프로필렌, 신디오택틱 폴리프로필렌 및 어택틱 폴리프로필렌의 어느 것이든 좋다.폴리올레핀 수지 조성물 중의 총 폴리올레핀에 대한 폴리프로필렌의 비율은 특별히 한정되지 않지만, 내열성과 양호한 셧 다운 기능의 양립이라는 관점에서, 1 내지 35질량％인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3 내지 20질량％, 더욱 바람직하게는 4 내지 10질량％이다.이 경우, 폴리프로필렌 이외의 폴리올레핀 수지에 한정은 없고, 예를 들어 에틸렌, 1-부텐, 4-메틸-1-펜텐, 1-헥센, 1-옥텐 등의 올레핀 탄화수소의 단독 중합체 또는 공중합체를 들 수 있다. 구체적으로는 폴리에틸렌, 폴리부텐, 에틸렌-프로필렌 랜덤 공중합체 등을 들 수 있다.구멍이 열용융에 의해 폐색하는 셧 다운 특성의 관점에서, 폴리프로필렌 이외의 폴리올레핀 수지로서, 저밀도 폴리에틸렌, 선상 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초고분자량 폴리에틸렌 등의 폴리에틸렌을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 중에서도, 강도의 관점에서, JIS K 7112에 따라서 측정한 밀도가 0.93g/cm3 이상인 폴리에틸렌을 사용하는 것이 보다 바람직하다.폴리올레핀 미다공막을 구성하는 폴리올레핀 수지의 점도 평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 3만 이상 1200만 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5만 이상 200만 미만, 더욱 바람직하게는 10만 이상 100만 미만이다. 점도 평균 분자량이 3만 이상이면, 용융 성형 시의 멜트 텐션이 커져 성형성이 양호해짐과 동시에, 중합체끼리의 얽힘으로 인해 고강도가 되는 경향이 있기 때문에 바람직하다. 한편, 점도 평균 분자량이 1200만 이하이면, 균일하게 용융 혼련을 하는 것이 용이하게 되고, 시트의 성형성, 특히 두께 안정성이 우수한 경향이 있기 때문에 바람직하다. 또한, 점도 평균 분자량이 100만 미만이면, 온도 상승 시에 구멍을 폐색하기 쉽고 양호한 셧 다운 기능이 얻어지는 경향이 있기 때문에 바람직하다. 또한, 예를 들어 점도 평균 분자량 100만 미만의 폴리올레핀을 단독으로 사용하는 대신, 점도 평균 분자량 200만의 폴리올레핀과 점도 평균 분자량 27만의 폴리올레핀의 혼합물이며, 그의 점도 평균 분자량이 100만 미만인 혼합물을 사용해도 된다.본 실시 형태에서의 폴리올레핀 미다공막은 임의의 첨가제를 함유할 수 있다. 이러한 첨가제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 폴리올레핀 이외의 중합체; 무기 입자; 페놀계, 인계, 황계 등의 산화 방지제; 스테아르산 칼슘, 스테아르산 아연 등의 금속 비누류; 자외선 흡수제; 광안정제; 대전 방지제; 흐림 방지제; 착색 안료 등을 들 수 있다.이들 첨가제의 합계 함유량은 폴리올레핀 수지 조성물 100질량부에 대하여 20질량부 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10질량부 이하, 더욱 바람직하게는 5질량부 이하이다.(폴리올레핀 미다공막의 물성)본 실시 형태에서의 폴리올레핀 미다공막의 찌르기 강도는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 200g/20 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 300g/20 ㎛ 이상이며, 바람직하게는 2000g/20 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1000g/20 ㎛ 이하이다. 찌르기 강도가 200g/20 ㎛ 이상인 것은, 전지 권회 시에 탈락한 활물질 등에 의한 막의 파단을 억제하는 관점에서 바람직하다. 또한, 충방전에 수반하는 전극의 팽창 수축에 의해 단락할 우려를 억제하는 관점에서도 바람직하다. 한편, 2000g/20 ㎛ 이하로 하는 것은, 가열시의 배향 완화에 의한 폭 수축을 저감할 수 있는 관점에서 바람직하다. 여기서, 찌르기 강도는 후술하는 실시예의 기재된 방법에 의해 측정된다.또한, 상기 찌르기 강도는 연신 배율, 연신 온도를 조정하는 등에 의해 조절가능하다.본 실시 형태에서의 폴리올레핀 미다공막의 기공률은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 20％ 이상, 보다 바람직하게는 35％ 이상이며, 바람직하게는 90％ 이하, 바람직하게는 80％ 이하이다. 기공률을 20％ 이상으로 하는 것은, 세퍼레이터의 투과성을 확보하는 관점에서 바람직하다. 한편, 90％ 이하로 하는 것은, 찌르기 강도를 확보하는 관점에서 바람직하다. 여기서, 기공률은 후술하는 실시예의 기재된 방법에 의해 측정된다.또한, 기공률은 연신 배율의 변경 등에 의해 조절가능하다.본 실시 형태에서의 폴리올레핀 미다공막의 막 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 2 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 5 ㎛ 이상이며, 바람직하게는 100 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 60 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50 ㎛ 이하이다. 막 두께를 2 ㎛ 이상으로 하는 것은, 기계 강도를 향상시키는 관점에서 바람직하다. 한편, 100 ㎛ 이하로 하는 것은, 세퍼레이터의 점유 부피가 줄어들기 때문에, 전지의 고용량화의 점에서 유리해지는 경향이 있어서 바람직하다.본 실시 형태에서의 폴리올레핀 미다공막의 투기도는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10sec/100cc 이상, 보다 바람직하게는 50sec/100cc 이상이며, 바람직하게는 1000sec/100cc 이하, 보다 바람직하게는 500sec/100cc 이하이다. 투기도를 10sec/100cc 이상으로 하는 것은, 축전 디바이스의 자기 방전을 억제하는 관점에서 바람직하다. 한편, 1000sec/100cc 이하로 하는 것은, 양호한 충방전 특성을 얻는 관점에서 바람직하다. 여기서, 투기도는 후술하는 실시예의 기재된 방법에 의해 측정된다.또한, 상기 투기도는 연신 온도, 연신 배율의 변경 등에 의해 조절가능하다.본 실시 형태에서의 폴리올레핀 미다공막의 평균 공경은 바람직하게는 0.15 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.1 ㎛ 이하이고, 하한으로서 바람직하게는 0.01 ㎛ 이상이다. 평균 공경을 0.15 ㎛ 이하로 하는 것은 축전 디바이스용 세퍼레이터로 할 경우에, 축전 디바이스의 자기 방전을 억제하고, 용량 저하를 억제하는 관점에서 적합하다. 평균 공경은 폴리올레핀 미다공막을 제조할 때의 연신 배율의 변경 등에 의해 조절가능하다.본 실시 형태에서의 폴리올레핀 미다공막의 내열성 지표인 쇼트 온도는 바람직하게는 140℃ 이상이고, 보다 바람직하게는 150℃ 이상이고, 더욱 바람직하게는 160℃ 이상이다. 쇼트 온도를 140℃ 이상으로 하는 것은 축전 디바이스용 세퍼레이터로 할 경우에, 축전 디바이스의 안전성 면에서 바람직하다.(폴리올레핀 미다공막의 제조 방법)본 실시 형태에서의 폴리올레핀 미다공막을 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않고 공지된 제조 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 폴리올레핀 수지 조성물과 가소제를 용융 혼련하여 시트상으로 성형 후, 경우에 따라 연신한 후, 가소제를 추출함으로써 다공화시키는 방법, 폴리올레핀 수지 조성물을 용융 혼련하여 고연신비로 압출한 후, 열처리와 연신에 의해 폴리올레핀 결정 계면을 박리시킴으로써 다공화시키는 방법, 폴리올레핀 수지 조성물과 무기 충전재를 용융 혼련하여 시트 상으로 성형 후, 연신에 의해 폴리올레핀과 무기 충전재와의 계면을 박리시킴으로써 다공화시키는 방법, 폴리올레핀 수지 조성물을 용해 후, 폴리올레핀에 대한 빈용매에 침지시켜 폴리올레핀을 응고시킴과 동시에 용제를 제거함으로써 다공화시키는 방법 등을 들 수 있다.이하, 다공막을 제조하는 방법의 일례로서, 폴리올레핀 수지 조성물과 가소제를 용융 혼련하여 시트상으로 성형 후, 가소제를 추출하는 방법에 대하여 설명한다.먼저, 폴리올레핀 수지 조성물과 가소제를 용융 혼련한다. 용융 혼련 방법으로서는 예를 들어, 폴리올레핀 수지 및 필요에 따라 기타 첨가제를 압출기, 니이더, 라보 플라스트 밀, 혼련 롤, 밴버리 믹서 등의 수지 혼련 장치에 투입하고, 수지 성분을 가열 용융시키면서 임의의 비율로 가소제를 도입하여 혼련하는 방법을 들 수 있다. 이때, 폴리올레핀 수지, 기타 첨가제 및 가소제를 수지 혼련 장치에 투입하기 전에, 미리 헨쉘 믹서 등을 사용해 소정 비율로 사전 혼련해 두는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 사전 혼련에 있어서 가소제의 일부만을 투입하고, 나머지의 가소제를 수지 혼련 장치 사이드 피드하면서 혼련하는 것이다. 이와 같이 함으로써, 가소제의 분산성을 높여, 후속 공정에서 수지 조성물과 가소제의 용융 혼련 화합물의 시트상 성형체를 연신할 때에, 막의 파단 없이 고배율로 연신할 수 있다.가소제로서는 폴리올레핀의 융점 이상에서 균일 용액을 형성할 수 있는 불휘발성 용매를 사용할 수 있다. 이러한 불휘발성 용매의 구체예로서, 예를 들어 유동 파라핀, 파라핀 왁스 등의 탄화수소류; 프탈산 디옥틸, 프탈산 디부틸 등의 에스테르류; 올레일 알코올, 스테아릴 알코올 등의 고급 알코올 등을 들 수 있다. 이들 중에서 유동 파라핀은 폴리에틸렌이나 폴리프로필렌과의 상용성이 높고, 용융 혼련물을 연신해도 수지와 가소제의 계면 박리가 일어나기 어려우므로, 균일한 연신이 실시하기 쉬워지는 경향이 있기 때문에 바람직하다.폴리올레핀 수지 조성물과 가소제의 비율은 이들을 균일하게 용융 혼련하여, 시트상으로 성형할 수 있는 범위라면 특별히 한정은 없다. 예를 들어, 폴리올레핀 수지 조성물과 가소제를 포함하는 조성물 중에 차지하는 가소제의 질량 분율은 바람직하게는 30 내지 80질량％, 보다 바람직하게는 40 내지 70질량％이다. 가소제의 질량 분율이 80질량％ 이하이면, 용융 성형 시의 멜트 텐션이 부족하기 어렵고 성형성이 향상되는 경향이 있다. 한편, 질량 분율이 30질량％ 이상이면, 폴리올레핀 수지 조성물과 가소제의 혼합물을 고배율로 연신해도 폴리올레핀 쇄의 절단이 일어나지 않고, 균일 또한 미세한 구멍 구조를 형성해 강도도 증가하기 쉽다.이어서, 용융 혼련물을 시트상으로 성형한다. 시트상 성형체를 제조하는 방법으로서는 예를 들어, 용융 혼련물을 T다이 등을 통하여 시트상으로 압출하고, 열전도체에 접촉시켜서 수지 성분의 결정화 온도보다 충분히 낮은 온도까지 냉각하여 고화하는 방법을 들 수 있다. 냉각 고화에 사용되는 열전도체로서는 금속, 물, 공기, 또는 가소제 자신 등을 사용할 수 있지만, 금속제의 롤이 열전도의 효율이 높기 때문에 바람직하다. 이때, 금속제의 롤에 접촉시킬 때, 롤 간에 끼워 넣으면, 열전도의 효율이 더욱 높아짐과 동시에, 시트가 배향하여 막 강도가 증가하고, 시트의 표면 평활성도 향상하기 때문에 보다 바람직하다. T다이로부터 시트상으로 압출할 때의 다이립 간격은 400 ㎛ 이상 3000 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 500 ㎛ 이상 2500 ㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 다이립 간격이 400 ㎛ 이상이면, 검(gum) 등이 저감되고, 줄무늬나 결점 등 막 품위에 미치는 영향이 적고, 그 후의 연신 공정에 있어서 막 파단 등을 방지할 수 있는 경향이 있다. 한편, 다이립 간격이 3000 ㎛ 이하이면, 냉각 속도가 빠르고 냉각 불균일을 막을 수 있음과 동시에, 시트의 두께 안정성을 유지할 수 있는 경향이 있다.이와 같이 하여 얻은 시트상 성형체를 연신하는 것이 바람직하다. 연신 처리로서는 1축 연신 또는 2축 연신 모두 적절하게 사용할 수 있지만, 얻어지는 다공막의 강도 등의 관점에서 2축 연신이 바람직하다. 시트상 성형체를 2축 방향으로 고배율 연신하면, 분자가 면 방향으로 배향하고, 최종적으로 얻어지는 다공막이 터지기 어려워져 높은 찌르기 강도를 갖는 것이 된다. 연신 방법으로서는 예를 들어, 동시 2축 연신, 축차 2축 연신, 다단 연신, 다수회 연신 등의 방법을 들 수 있고, 찌르기 강도의 향상, 연신의 균일성, 셧 다운성의 관점에서 동시 2축 연신이 바람직하다.또한, 여기서, 동시 2축 연신이란, MD 방향(미다공막의 기계 방향)의 연신과 TD 방향(미다공막의 MD를 90°각도에서 가로지르는 방향)의 연신이 동시에 실시되는 연신 방법을 말하고, 각 방향의 연신 배율은 상이할 수도 있다. 축차 2축 연신이란, MD 방향, 또는 TD 방향의 연신이 독립하여 실시되는 연신 방법을 말하고, MD 방향 또는 TD 방향으로 연신이 이루어져 있을 때는, 다른 방향은 비구속 상태 또는 일정 길이로 고정되어 있는 상태로 한다.연신 배율은 면 배율로 20배 이상 100배 이하의 범위인 것이 바람직하고, 25배 이상 50배 이하의 범위인 것이 더욱 바람직하다. 각 축 방향의 연신 배율은 MD 방향으로 4배 이상 10배 이하, TD 방향으로 4배 이상 10배 이하의 범위인 것이 바람직하고, MD 방향으로 5배 이상 8배 이하, TD 방향으로 5배 이상 8배 이하의 범위인 것이 더욱 바람직하다. 총 면적 배율이 20배 이상이면, 얻어지는 다공막에 충분한 강도를 부여할 수 있는 경향이 있고, 한편, 총 면적 배율이 100배 이하이면 연신 공정에서의 막 파단을 방지하고, 높은 생산성이 얻어지는 경향이 있다.또한, 시트상 성형체를 압연해도 된다. 압연은 예를 들어, 더블 벨트 프레스기 등을 사용한 프레스법으로 실시할 수 있다. 압연은 특히 표층 부분의 배향을 증가할 수 있다. 압연면 배율은 1배보다 크고 3배 이하인 것이 바람직하고, 1배보다 크고 2배 이하인 것이 보다 바람직하다. 압연 배율이 1배보다 크면, 면 배향이 증가해 최종적으로 얻어지는 다공막의 막 강도가 증가하는 경향이 있다. 한편, 압연 배율이 3배 이하이면, 표층 부분과 중심 내부의 배향 차가 작고, 막의 두께 방향으로 균일한 다공 구조를 형성할 수 있는 경향이 있기 때문에 바람직하다.계속해서, 시트상 성형체로부터 가소제를 제거하여 다공막으로 한다. 가소제를 제거하는 방법으로서는 예를 들어, 추출 용제에 시트상 성형체를 침지하여 가소제를 추출하고, 충분히 건조시키는 방법을 들 수 있다. 가소제를 추출하는 방법은 배치식, 연속식 중 어느 것이어도 된다. 다공막의 수축을 억제하기 위해서, 침지, 건조의 일련의 공정 중에 시트상 성형체의 단부를 구속하는 것이 바람직하다. 또한, 다공막 내의 가소제 잔존량은 1질량％ 미만으로 하는 것이 바람직하다.추출 용제로서는 폴리올레핀 수지에 대하여 빈용매이고, 또한 가소제에 대하여 양용매이며, 비점이 폴리올레핀 수지의 융점보다 낮은 것을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 추출 용제로서는 예를 들어, n-헥산, 시클로헥산 등의 탄화수소류; 염화메틸렌, 1,1,1-트리클로로에탄 등의 할로겐화 탄화수소류; 히드로플루오로 에테르, 히드로플루오로카본 등의 비염소계 할로겐화 용제; 에탄올, 이소프로판올 등의 알코올류; 디에틸 에테르, 테트라히드로푸란 등의 에테르류; 아세톤, 메틸에틸 케톤 등의 케톤류를 들 수 있다. 또한, 이들 추출 용제는 증류 등의 조작에 의해 회수하여 재이용해도 된다.다공막의 수축을 억제하기 위해서, 연신 공정 후, 또는 다공막 형성 후에 열 고정이나 열 완화 등의 열처리를 행할 수도 있다. 또한, 다공막에, 계면 활성제 등에 의한 친수화 처리, 전리성 방사선 등에 의한 가교 처리 등의 후처리를 행해도 된다.[다공층]또한, 본 실시 형태에 따른 축전 디바이스용 세퍼레이터는 무기 필러와 수지제 바인더를 포함하는 다공층을 구비하고 있어도 된다. 다공층의 위치는 폴리올레핀 미다공막 표면의 적어도 일부, 열가소성 중합체 피복층 표면의 적어도 일부, 및/또는 폴리올레핀 미다공막과 열가소성 중합체 피복층 사이를 들 수 있다. 상기 다공층은 폴리올레핀 미다공막의 한쪽면이어도 양면에 구비하고 있어도 된다.(무기 필러)상기 다공층에 사용하는 무기 필러로서는 특별히 한정되지 않지만, 200℃ 이상의 융점을 가지며, 전기 절연성이 높고, 또한 리튬 이온 이차 전지의 사용 범위에서 전기 화학적으로 안정한 것이 바람직하다.무기 필러로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 알루미나, 실리카, 티타니아, 지르코니아, 마그네시아, 세리아, 이트리아, 산화아연, 산화철 등의 산화물계 세라믹스; 질화 규소, 질화 티타늄, 질화 붕소 등의 질화물계 세라믹스; 실리콘 카바이드, 탄산 칼슘, 황산 마그네슘, 황산 알루미늄, 수산화 알루미늄, 수산화 산화 알루미늄, 티타늄산 칼륨, 탈크, 카올리나이트, 디카이트, 나크라이트, 할로이사이트, 파이로필라이트, 몬모릴로나이트, 세리사이트, 마이카, 아메사이트, 벤토나이트, 아스베스트, 제올라이트, 규산 칼슘, 규산 마그네슘, 규조토, 규사 등의 세라믹스, 유리 섬유 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용해도 되고, 복수를 병용해도 된다.상기한 것 중에서도, 전기 화학적 안정성 및 다층 다공막의 내열 특성을 향상시키는 관점에서, 알루미나, 수산화 산화 알루미늄 등의 산화 알루미늄 화합물이나, 카올리나이트, 디카이트, 나크라이트, 할로이사이트, 파이로필라이트 등의 이온 교환능을 갖지 않는 규산 알루미늄 화합물이 바람직하다. 상기 산화 알루미늄 화합물로서는 수산화 산화 알루미늄이 특히 바람직하다. 이온 교환능을 갖지 않는 규산 알루미늄 화합물로서는 저렴하고 입수도 용이하기 때문에, 카올린 광물로 주로 구성되어 있는 카올린이 보다 바람직하다. 카올린에는 습식 카올린 및 이것을 소성 처리한 소성 카올린이 있지만, 소성 카올린은 소성 처리 시에 결정수가 방출되는 것 외에, 불순물이 제거되므로, 전기 화학적 안정성의 점에서 특히 바람직하다.상기 무기 필러의 평균 입경은 0.1 ㎛ 초과 4.0 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.2 ㎛ 초과 3.5 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.4 ㎛ 초과 3.0 ㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 무기 필러의 평균 입경을 상기 범위로 조정하는 것은, 다공층의 두께가 얇은 경우(예를 들어, 7 ㎛ 이하)에도, 고온에서의 열수축을 억제하는 관점에서 바람직하다.상기 무기 필러에 있어서, 0.2 ㎛ 초과 1.4 ㎛ 이하의 입경을 갖는 입자가 무기 필러 전체에 차지하는 비율로서는 바람직하게는 2 부피％ 이상, 보다 바람직하게는 3 부피％ 이상, 더욱 바람직하게는 5 부피％ 이상이며, 상한으로서는 바람직하게는 90 부피％ 이하, 보다 바람직하게는 80 부피％ 이하이다.상기 무기 필러에 있어서, 0.2 ㎛ 초과 1.0 ㎛ 이하의 입경을 갖는 입자가 무기 필러 전체에 차지하는 비율로서는 바람직하게는 1 부피％ 이상, 보다 바람직하게는 2 부피％ 이상이며, 상한으로서는 바람직하게는 80 부피％ 이하, 보다 바람직하게는 70 부피％ 이하이다.또한, 상기 무기 필러에 있어서, 0.5 ㎛ 초과 2.0 ㎛ 이하의 입경을 갖는 입자가 무기 필러 전체에 차지하는 비율로서는, 바람직하게는 8 부피％ 이상, 보다 바람직하게는 10 부피 이상이며, 상한으로서는 바람직하게는 60 부피％ 이하, 보다 바람직하게는 50 부피％ 이하이다.또한, 상기 무기 필러에 있어서, 0.6 ㎛ 초과 1.4 ㎛ 이하의 입경을 갖는 입자가 무기 필러 전체에 차지하는 비율로서는, 바람직하게는 1 부피％ 이상, 보다 바람직하게는 3 부피％ 이상이며, 상한으로서는 바람직하게는 40 부피％ 이하, 보다 바람직하게는 30 부피％ 이하이다.무기 필러의 입도 분포를 상기 범위로 조정하는 것은, 다공층의 두께가 얇은 경우(예를 들어, 7 ㎛ 이하)에도, 고온에서의 열수축을 억제하는 관점에서 바람직하다. 또한, 무기 필러의 입경 비율을 조정하는 방법으로서는 예를 들어, 볼 밀·비즈 밀·제트 밀 등을 사용하여 무기 필러를 분쇄하고, 입경을 작게 하는 방법 등을 들 수 있다.무기 필러의 형상으로서는 판상, 인편상, 침상, 기둥상, 구상, 다면체상, 괴상 등을 들 수 있고, 상기 형상을 갖는 무기 필러를 복수종 조합하여 사용해도 된다. 다층 다공막으로 했을 때에, 후술하는 150℃ 열수축을 10％ 이하로 억제하는 것이 가능하면, 무기 필러의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 투과성 향상의 관점에서는 복수의 면을 포함하는 다면체상, 기둥상, 방추상이 바람직하다.상기 무기 필러가 상기 다공층 중에서 차지하는 비율로서는, 무기 필러의 결착성, 다층 다공막의 투과성 및 내열성 등의 관점에서 적절히 결정할 수 있지만, 50질량％ 이상 100질량％ 미만인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 70질량％ 이상 99.99질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 80질량％ 이상 99.9질량％ 이하, 특히 바람직하게는 90질량％ 이상 99질량％ 이하이다.(수지제 바인더)수지제 바인더의 종류로서는 특별히 한정되지 않지만, 본 실시 형태에서의 다층 다공막을 리튬 이온 이차 전지용 세퍼레이터로서 사용하는 경우에는, 리튬 이온 이차 전지의 전해액에 대하여 불용이며, 또한 리튬 이온 이차 전지의 사용 범위에서 전기 화학적으로 안정한 것을 사용하는 것이 바람직하다.수지제 바인더의 구체예로서는 예를 들어, 폴리에틸렌이나 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀; 폴리불화비닐리덴, 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 불소 함유 수지; 불화비닐리덴-헥사플루오로프로필렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체, 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 공중합체 등의 불소 함유 고무; 스티렌-부타디엔 공중합체 및 그의 수소화물, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체 및 그의 수소화물, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체 및 그의 수소화물, 메타크릴산 에스테르-아크릴산 에스테르 공중합체, 스티렌-아크릴산 에스테르 공중합체, 아크릴로니트릴-아크릴산 에스테르 공중합체, 에틸렌 프로필렌 러버, 폴리비닐 알코올, 폴리아세트산 비닐 등의 고무류; 에틸 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 히드록시에틸 셀룰로오스, 카르복시메틸 셀룰로오스 등의 셀룰로오스 유도체; 폴리페닐렌 에테르, 폴리술폰, 폴리에테르 술폰, 폴리페닐렌 술피드, 폴리에테르 이미드, 폴리아미드 이미드, 폴리아미드, 폴리에스테르 등의 융점 및/또는 유리 전이 온도가 180℃ 이상인 수지 등을 들 수 있다.수지제 바인더로서 폴리비닐 알코올을 사용하는 경우, 그의 비누화도는 85％ 이상 100％ 이하인 것이 바람직하다. 비누화도가 85％ 이상이면, 다층 다공막을 전지용 세퍼레이터로서 사용했을 때에, 단락하는 온도(쇼트 온도)가 향상하고, 보다 양호한 안전 성능이 얻어지는 경향이 있기 때문에 바람직하다. 비누화도는 보다 바람직하게는 90％ 이상 100％ 이하, 더욱 바람직하게는 95％ 이상 100％ 이하, 특히 바람직하게는 99％ 이상 100％ 이하이다. 또한, 폴리비닐 알코올의 중합도는 200 이상 5000 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 300 이상 4000 이하, 더욱 바람직하게는 500 이상 3500 이하이다. 중합도가 200 이상이면, 소량의 폴리비닐 알코올로 소성 카올린 등의 무기 필러를 다공막에 견고하게 결착할 수 있고, 다공층의 역학적 강도를 유지하면서 다공층 형성에 의한 다층 다공막의 투기도 증가를 억제할 수 있는 경향이 있기 때문에 바람직하다. 또한, 중합도가 5000 이하이면, 도포액을 제조할 때의 겔화 등을 방지할 수 있는 경향이 있기 때문에 바람직하다.수지제 바인더로서는 수지제 라텍스 바인더가 바람직하다. 수지제 라텍스 바인더를 사용한 경우, 무기 필러와 바인더를 포함하는 다공층을 폴리올레핀 다공막의 적어도 한쪽면에 적층한 경우에는, 수지제 바인더의 일부 또는 모두를 용매에 용해시킨 후에, 얻어진 용액을 폴리올레핀 다공막의 적어도 한쪽면에 적층하고, 빈용매에의 침지나 건조에 의한 용매 제거 등에 의해 수지제 바인더를 다공막에 결착 시킨 경우와 비교하여, 이온 투과성이 저하되기 어렵고 고출력 특성이 얻어지기 쉬운 경향이 있다. 그 외에, 이상 발열시의 온도 상승이 빠른 경우에 있어서도, 원활한 셧 다운 특성을 나타내고, 높은 안전성이 얻어지기 쉬운 경향이 있다.수지제 라텍스 바인더로서는 전기 화학적 안정성과 결착성을 향상시키는 관점에서, 지방족 공액 디엔계 단량체나 불포화 카르복실산 단량체, 및 이들과 공중합 가능한 다른 단량체를 유화 중합하여 얻어지는 것이 바람직하다. 유화 중합의 방법으로서는 특별히 제한은 없고, 종래 공지된 방법을 사용할 수 있다. 단량체 및 그 밖의 성분의 첨가 방법에 대해서는 특별히 제한되는 것은 아니고, 일괄 첨가 방법, 분할 첨가 방법, 연속 첨가 방법을 모두 채용할 수 있고, 또한 1단 중합, 2단 중합 또는 다단계 중합 등을 모두 채용할 수 있다.지방족 공액 디엔계 단량체로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 1,3- 부타디엔, 2-메틸-1,3-부타디엔, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔, 2-클로로-1,3-부타디엔, 치환 직쇄 공액 펜타디엔류, 치환 및 측쇄 공액 헥사디엔류 등을 들 수 있고, 이들은 1종을 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 된다. 상기한 것 중에서도, 특히 1,3-부타디엔이 바람직하다.불포화 카르복실산 단량체로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 말레산, 푸마르산, 이타콘산 등의 모노 또는 디카르복실산(무수물) 등을 들 수 있고, 이들은 1종을 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 된다. 상기한 것 중에서도, 특히 아크릴산, 메타크릴산이 바람직하다.이들과 공중합 가능한 다른 단량체로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 방향족 비닐계 단량체, 시안화 비닐계 단량체, 불포화 카르복실산 알킬 에스테르 단량체, 히드록시알킬기를 함유하는 불포화 단량체, 불포화 카르복실산 아미드 단량체 등을 들 수 있고, 이들은 1종을 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 된다. 상기한 것 중에서도, 특히 불포화 카르복실산 알킬 에스테르 단량체가 바람직하다. 불포화 카르복실산 알킬 에스테르 단량체로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 메틸 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, 에틸 메타크릴레이트, 부틸 아크릴레이트, 글리시딜 메타크릴레이트, 디메틸 푸마레이트, 디에틸 푸마레이트, 디메틸 말레이트, 디에틸 말레이트, 디메틸 이타코네이트, 모노메틸 푸마레이트, 모노에틸 푸마레이트, 2-에틸헥실 아크릴레이트 등을 들 수 있고, 이들은 1종을 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 된다. 상기한 것 중에서도, 특히 메틸 메타크릴레이트가 바람직하다.또한, 이들 단량체 외에 여러 가지 품질 및 물성을 개량하기 위해서, 상기 이외의 단량체 성분을 또한 사용할 수도 있다.수지제 바인더의 평균 입경은 50 내지 500nm인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 60 내지 460nm, 더욱 바람직하게는 80 내지 250nm이다. 수지제 바인더의 평균 입경이 50nm 이상일 경우, 무기 필러와 바인더를 포함하는 다공층을 폴리올레핀 다공막의 적어도 한쪽면에 적층했을 때, 이온 투과성이 저하되기 어렵고 고출력 특성이 얻어지기 쉽다. 그 외에, 이상 발열시의 온도 상승이 빠른 경우에 있어서도, 원활한 셧 다운 특성을 나타내고, 높은 안전성이 얻어지기 쉽다. 수지제 바인더의 평균 입경이 500nm 이하일 경우, 양호한 결착성을 발현하고, 다층 다공막으로 했을 경우에 열수축이 양호해지고 안전성이 우수한 경향이 있다.수지제 바인더의 평균 입경은 중합 시간, 중합 온도, 원료 조성비, 원료 투입 순서, pH 등을 조정함으로써 제어하는 것이 가능하다.다공층의 층 두께는 내열성, 절연성을 향상시키는 관점에서 1 ㎛ 이상인 것이 바람직하고, 전지의 고용량화와 투과성을 향상시키는 관점에서 50 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 다공층의 층 두께는 보다 바람직하게는 1.5 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 2 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하, 또한 보다 바람직하게는 3 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하, 특히 바람직하게는 3 ㎛ 이상 7 ㎛ 이하이다.다공층의 층 밀도는 0.5 내지 2.0g/cm3인 것이 바람직하고, 0.7 내지 1.5g/cm3인 것이 보다 바람직하다. 다공층의 층 밀도가 0.5g/cm3 이상이면, 고온에서의 열수축률이 양호해지는 경향이 있고, 2.0g/cm3 이하이면, 투기도가 저하되는 경향이 있다.다공층의 형성 방법으로서는 예를 들어, 폴리올레핀 수지를 주성분으로 하는 다공막의 적어도 한쪽면에, 무기 필러와 수지제 바인더를 포함하는 도포액을 도포하여 다공층을 형성하는 방법을 들 수 있다.도포액의 용매로서는 상기 무기 필러 및 상기 수지제 바인더를 균일 또한 안정적으로 분산할 수 있는 것이 바람직하고, 예를 들어 N-메틸 피롤리돈, N,N-디메틸 포름아미드, N,N-디메틸 아세트아미드, 물, 에탄올, 톨루엔, 열크실렌, 염화 메틸렌, 헥산 등을 들 수 있다.도포액에는 분산 안정화나 도공성의 향상을 위해 계면 활성제 등의 분산제; 증점제; 습윤제; 소포제; 산, 알칼리를 포함하는 pH 조정제 등의 각종 첨가제를 첨가해도 된다. 이들 첨가제는 용매 제거 시에 제거할 수 있는 것이 바람직한데, 리튬 이온 이차 전지의 사용 범위에서 전기 화학적으로 안정되고, 전지 반응을 저해하지 않고, 또한 200℃ 정도까지 안정하면 다공층 내에 잔존해도 된다.상기 무기 필러와 상기 수지제 바인더를 도포액의 용매에 분산시키는 방법에 대해서는, 도포 공정에 필요한 도포액의 분산 특성을 실현할 수 있는 방법이라면 특별히 한정은 없다. 예를 들어, 볼 밀, 비즈 밀, 유성 볼 밀, 진동 볼 밀, 샌드밀, 콜로이드 밀, 아트라이터, 롤 밀, 고속 임펠러 분산, 디스퍼저, 호모게나이저, 고속 충격 밀, 초음파 분산, 교반 블레이드 등에 의한 기계 교반 등을 들 수 있다.도포액을 다공막에 도포하는 방법에 대해서는, 필요로 하는 층 두께나 도포 면적을 실현할 수 있는 방법이라면 특별히 한정은 없고, 예를 들어 그라비아 코터법, 소직경 그라비아 코터법, 리버스 롤 코터법, 트랜스퍼 롤 코터법, 키스 코터법, 딥 코터법, 나이프 코터법, 에어 닥터 코터법, 블레이드 코터법, 로드 코터법, 스퀴즈 코터법, 캐스트 코터법, 다이 코터법, 스크린 인쇄법, 스프레이 도포법 등을 들 수 있다.또한, 도포액의 도포에 앞서, 다공막 표면에 표면처리를 실시하면, 도포액을 도포하기 쉬워짐과 동시에, 도포 후의 무기 필러 함유 다공층과 다공막 표면과의 접착성이 향상하기 때문에 바람직하다. 표면처리 방법은 다공막의 다공질 구조를 현저하게 손상시키지 않는 방법이라면 특별히 한정은 없고, 예를 들어 코로나 방전 처리법, 기계적 조면화법, 용제 처리법, 산 처리법, 자외선 산화법 등을 들 수 있다.도포 후에 도포막으로부터 용매를 제거하는 방법에 대해서는, 다공막에 악영향을 미치지 않는 방법이라면 특별히 한정은 없고, 예를 들어 다공막을 고정하면서 그의 융점 이하의 온도에서 건조하는 방법, 저온에서 감압 건조하는 방법 등을 들 수 있다. 다공막 및 다층 다공막의 MD 방향의 수축 응력을 제어하는 관점에서, 건조 온도, 권취 장력 등은 적절히 조정하는 것이 바람직하다.[세퍼레이터]본 실시 형태의 세퍼레이터는 폴리올레핀 미다공막의 적어도 한쪽면의 적어도 일부에 열가소성 중합체를 갖는다.(박리 강도)열가소성 중합체 피복층이 존재하는, 상기 축전 디바이스용 세퍼레이터의 최표면에 대하여 알루미늄 박(정극 집전체 등)을 온도 25℃, 압력 5MPa에서 3분간 가압한 후의 박리 강도(이하, 「상온 박리 강도」라고도 말함) 는 8gf/cm 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 7gf/cm 이하, 더욱 바람직하게는 6gf/cm 이하이다. 8gf/cm 이하이면, 끈적거림성이 한층 억제되고, 세퍼레이터의 슬릿성이나 권회성이 우수한 경향이 있다.또한 놀랍게도, 본 발명자들은 박리 강도가 상기 범위 내인 것으로, 본 실시 형태의 세퍼레이터를 전극에 가열 프레스했을 때의 밀착성이 향상되는 것을 발견하였다.이러한 효과가 얻어지는 이유는 분명치 않지만, 상온 박리 강도가 상기 범위 내에 있는 것은, 본 실시 형태의 세퍼레이터에서, 세퍼레이터의 최표면측에 유리 전이 온도가 높은 열가소성 수지가 많이 존재하고, 또한 본 실시 형태의 세퍼레이터의 폴리올레핀 미다공막측에 유리 전이 온도가 낮은 열가소성 수지가 많이 존재하고 있는 것을 나타내고 있는 것으로 생각된다.즉, 본 실시 형태의 세퍼레이터의 최표면측에 유리 전이 온도가 높은 열가소성 수지가 많이 존재함으로써 끈적거림성이 억제되고, 또한 유리 전이 온도가 높은 열가소성 수지는 전극과의 밀착성이 우수하기 때문에, 결과로서 끈적거림성이 낮고, 또한 전극에의 밀착성이 우수한 세퍼레이터가 얻어진 것으로 생각된다.또한, 본 실시 형태의 세퍼레이터의 폴리올레핀 미다공막측에 유리 전이 온도가 낮은 열가소성 수지가 많이 존재함으로써, 기재인 폴리올레핀 미다공막과 열가소성 수지와의 접착성이 향상되는 결과, 폴리올레핀 미다공막과 열가소성 수지와의 계면에서의 박리가 억제되고, 결과로서 전극에의 밀착성이 우수한 세퍼레이터가 얻어진 것이라 생각된다.열가소성 중합체 피복층이 존재하는, 상기 축전 디바이스용 세퍼레이터의 최표면에 대하여 알루미늄 박(정극 집전체 등)을 온도 80℃, 압력 10MPa에서 3분간 가압한 후의 박리 강도(이하, 「가열 박리 강도」라고도 함)는 10gf/cm 이상이 바람직하고, 15gf/cm 이상이 보다 바람직하고, 20gf/cm 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 가열 박리 강도는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.가열 박리 강도가 상기 범위인 세퍼레이터는 후술하는 축전 디바이스를 적용 할 때에 전극과 세퍼레이터와의 밀착성이 우수한 점에서 바람직하다.또한, 전해액 존재 하에서 세퍼레이터와 부극을 적층하고, 80℃, 10MPa의 압력에서 2분간 가압한 후, 세퍼레이터와 부극을 박리했을 경우에 세퍼레이터 상에 활물질이 면적으로 하여 10％ 이상 부착되는 것이 바람직하다.폴리올레핀 미다공막과 열가소성 중합체 피복층과의 90°박리 강도는 6gf/mm 이상이 바람직하고, 7gf/mm 이상이 보다 바람직하고, 8gf/mm 이상이 더욱 바람직하다. 폴리올레핀 미다공막과 열가소성 중합체 피복층과의 90°박리 강도가 6gf/mm 이상인 것에 의해, 열가소성 중합체와 폴리올레핀 미다공막의 접착성이 보다 우수한 경향이 있고, 결과로서 열가소성 중합체층의 탈락이 억제되거나, 세퍼레이터와 전극과의 밀착성이 우수한 경향이 있다.축전 디바이스용 세퍼레이터의 막 두께는 바람직하게는 2 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 5 ㎛ 이상이며, 상한으로서 바람직하게는 100 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 50 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 30 ㎛ 이하이다. 막 두께를 2 ㎛ 이상으로 하는 것은, 축전 디바이스용 세퍼레이터의 강도 확보의 관점에서 적합하다. 한편, 100 ㎛ 이하로 하는 것은, 양호한 충방전 특성을 얻는 관점에서 바람직하다.본 실시 형태에서의 축전 디바이스용 세퍼레이터의 투기도는 바람직하게는 10sec/100cc 이상, 보다 바람직하게는 50sec/100cc 이상이며, 상한으로서 바람직하게는 10000sec/100cc 이하, 더욱 바람직하게는 1000sec/100cc 이하이다. 투기도를 10sec/100cc 이상으로 하는 것은, 축전 디바이스용 세퍼레이터로 할 경우에, 축전 디바이스의 자기 방전을 일층 억제하는 관점에서 적합하다. 한편, 10000sec/100cc 이하로 하는 것은, 양호한 충방전 특성을 얻는 관점에서 바람직하다. 축전 디바이스용 세퍼레이터의 투기도는 폴리올레핀 미다공막을 제조할 때의 연신 온도, 연신 배율의 변경, 열가소성 중합체의 면적 비율, 존재 형태 등에 의해 조절가능하다.축전 디바이스용 세퍼레이터는 내열성의 지표인 쇼트 온도가 바람직하게는 140℃ 이상이고, 보다 바람직하게는 150℃ 이상이고, 더욱 바람직하게는 160℃ 이상이다. 쇼트 온도를 160℃ 이상으로 하는 것은, 축전 디바이스용 세퍼레이터로 할 경우에, 축전 디바이스의 안전성 관점에서 바람직하다.(축전 디바이스용 세퍼레이터의 제조 방법)폴리올레핀 미다공막 상에 열가소성 중합체를 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 열가소성 중합체를 함유하는 도포액을 폴리올레핀 미다공막에 도포하는 방법을 들 수 있다.열가소성 중합체를 함유하는 도포액을 다공막에 도포하는 방법에 대해서는, 필요로 하는 층 두께나 도포 면적을 실현할 수 있는 방법이라면 특별히 한정은 없다. 예를 들어, 그라비아 코터법, 소직경 그라비아 코터법, 리버스 롤 코터법, 트랜스퍼 롤 코터법, 키스 코터법, 딥 코터법, 나이프 코터법, 에어 닥터 코터법, 블레이드 코터법, 로드 코터법, 스퀴즈 코터법, 캐스트 코터법, 다이 코터법, 스크린 인쇄법, 스프레이 도포법, 스프레이 코터 도포법, 잉크젯 도포 등을 들 수 있다. 이들 중, 열가소성 중합체의 도공 형상의 자유도가 높고, 바람직한 면적 비율을 용이하게 얻을 수 있는 점에서 그라비아 코터법 또는 스프레이 도포법이 바람직하다.폴리올레핀 미다공막에 열가소성 중합체를 도공할 경우, 도포액이 미다공막의 내부에까지 인입해버리면, 접착성 수지가 구멍의 표면 및 내부를 매립해버려 투과성이 저하되어버린다. 그로 인해, 도포액의 매체로서는 열가소성 중합체의 빈용매가 바람직하다. 도포액의 매체로서 열가소성 중합체의 빈용매를 사용한 경우에는, 미다공막의 내부에 도포액은 인입하지 않고, 접착성 중합체는 주로 미다공막의 표면 상에 존재하기 때문에, 투과성의 저하를 억제하는 관점에서 바람직하다. 이러한 매체로서는 물이 바람직하다. 또한, 물과 병용 가능한 매체는 특별히 한정되지 않지만, 에탄올, 메탄올 등을 들 수 있다.또한, 도포에 앞서, 다공막 표면에 표면처리를 하면, 도포액을 도포하기 쉬워짐과 동시에, 다공층과 접착성 중합체와의 접착성이 향상하기 때문에 바람직하다. 표면처리의 방법은 다공막의 다공질 구조를 현저하게 손상시키지 않는 방법이라면 특별히 한정은 없고, 예를 들어 코로나 방전 처리법, 플라즈마 처리법, 기계적 조면화법, 용제 처리법, 산 처리법, 자외선 산화법 등을 들 수 있다.도포 후에 도포막으로부터 용매를 제거하는 방법에 대해서는 다공막에 악영향을 미치지 않는 방법이라면 특별히 한정은 없다. 예를 들어, 다공막을 고정하면서 그의 융점 이하의 온도에서 건조하는 방법, 저온에서 감압 건조하는 방법, 접착성 중합체에 대한 빈용매에 침지하여 접착성 중합체를 응고시킴과 동시에 용매를 추출하는 방법 등을 들 수 있다.축전 디바이스용 세퍼레이터는 권회 시의 핸들링성 및 축전 디바이스의 레이트 특성이 우수하고, 또한, 열가소성 중합체와 폴리올레핀 미다공막의 접착성 및 투과성도 우수하다. 그로 인해, 축전 디바이스용 세퍼레이터의 용도로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 비수 전해액 이차 전지 등의 전지나 콘덴서, 캐패시터 등의 축전 디바이스용 세퍼레이터, 물질의 분리 등에 적절하게 사용할 수 있다.[적층체]본 실시 형태에 따른 적층체는 상기 세퍼레이터와 전극이 적층한 것이다. 본 실시 형태의 세퍼레이터는 전극과 접착함으로써 적층체로서 사용할 수 있다. 여기서, 「접착」이란, 세퍼레이터와 전극과의 상기 가열 박리 강도가 바람직하게는 10gf/cm 이상, 보다 바람직하게는 15gf/cm 이상, 더욱 바람직하게는 20gf/cm 이상인 것을 말한다.적층체는 권회 시의 핸들링성 및 축전 디바이스의 레이트 특성이 우수하고, 또한, 열가소성 중합체와 폴리올레핀 미다공막의 접착성 및 투과성도 우수하다. 그로 인해, 적층체의 용도로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 비수 전해액 이차 전지 등의 전지나 콘덴서, 캐패시터 등의 축전 디바이스 등에 적절하게 사용할 수 있다.본 실시 형태의 적층체에 사용되는 전극으로서는 후술하는 축전 디바이스의 항목에 기재된 것을 사용할 수 있다.본 실시 형태의 세퍼레이터를 사용하여 적층체를 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 본 실시 형태의 세퍼레이터와 전극을 겹치고, 필요에 따라 가열 및/또는 프레스하여 제조할 수 있다. 상기 가열 및/또는 프레스는 전극과 세퍼레이터를 겹칠 때에 행할 수 있다. 또한, 전극과 세퍼레이터를 겹친 후에 원 또는 편평한 와권상으로 권회하여 얻어지는 권회체에 대하여 가열 및/또는 프레스를 행함으로써 제조할 수도 있다.또한, 적층체는 정극-세퍼레이터-부극-세퍼레이터, 또는 부극-세퍼레이터- 정극-세퍼레이터의 순서대로 평판상으로 적층하고, 필요에 따라 가열 및/또는 프레스하여 제조할 수도 있다.보다 구체적으로는, 본 실시 형태의 세퍼레이터를 폭 10 내지 500mm(바람직하게는 80 내지 500mm), 길이 200 내지 4000m(바람직하게는 1000 내지 4000m)의 세로 길이 형상의 세퍼레이터로서 제조하고, 당해 세퍼레이터를 정극-세퍼레이터-부극-세퍼레이터, 또는 부극-세퍼레이터-정극-세퍼레이터의 순서로 겹치고, 필요에 따라 가열 및/또는 프레스하여 제조할 수 있다.상기 가열 온도로서는 40 내지 120℃가 바람직하다. 가열 시간은 5초 내지 30분이 바람직하다. 상기 프레스 시의 압력으로서는, 1 내지 30MPa가 바람직하다. 프레스 시간은 5초 내지 30분이 바람직하다. 또한, 가열과 프레스의 순서는 가열을 하고 나서 프레스를 해도, 프레스를 하고 나서 가열을 해도, 프레스와 가열을 동시에 행해도 된다. 그 중에서도, 프레스와 가열을 동시에 행하는 것이 바람직하다.[축전 디바이스]본 실시 형태의 세퍼레이터는 전지나 콘덴서, 캐패시터 등에서의 세퍼레이터나 물질의 분리에 사용할 수 있다. 특히, 비수 전해액 전지용 세퍼레이터로서 사용한 경우에, 전극에의 밀착성과 우수한 전지 성능을 부여하는 것이 가능하다.이하, 축전 디바이스가 비수 전해액 이차 전지일 경우에 관한 적합한 형태에 대하여 설명한다.본 실시 형태의 세퍼레이터를 사용하여 비수 전해액 이차 전지를 제조하는 경우, 정극, 부극, 비수 전해액에 한정은 없고, 공지된 것을 사용할 수 있다.정극 재료는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 LiCoO2, LiNiO2, 스피넬형LiMnO4, 올리빈형 LiFePO4 등의 리튬 함유 복합 산화물 등을 들 수 있다.부극 재료는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 흑연질, 난흑연화 탄소 질, 이흑연화 탄소질, 복합 탄소체 등의 탄소 재료; 실리콘, 주석, 금속 리튬, 각종 합금 재료 등을 들 수 있다.비수 전해액은 특별히 한정되지 않지만, 전해질을 유기 용매에 용해한 전해액을 사용할 수 있고, 유기 용매로서는, 예를 들어 프로필렌 카르보네이트, 에틸렌 카르보네이트, 디메틸 카르보네이트, 디에틸 카르보네이트, 에틸메틸 카르보네이트 등이, 전해질로서는, 예를 들어 LiClO4, LiBF4, LiPF6 등의 리튬염을 들 수 있다.본 실시 형태의 세퍼레이터를 사용하여 축전 디바이스를 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 축전 디바이스가 이차 전지인 경우, 예를 들어 본 실시 형태의 세퍼레이터를 폭 10 내지 500mm(바람직하게는 80 내지 500mm), 길이 200 내지 4000m(바람직하게는 1000 내지 4000m)의 세로 길이 형상의 세퍼레이터로서 제조하고, 당해 세퍼레이터를 정극-세퍼레이터-부극-세퍼레이터, 또는 부극-세퍼레이터-정극-세퍼레이터의 순서로 겹치고, 원 또는 편평한 와권상으로 권회하여 권회체를 얻고, 당해 권회체를 전지 캔 내에 수납하고, 또한 전해액을 주입함으로써 제조할 수 있다. 이때, 당해 권회체에 대하여 가열 및/또는 프레스를 행함으로써 상술한 적층체를 형성해도 된다. 또한, 상기 권회체로서 상술한 적층체를 원 또는 편평한 와권상으로 권회한 것을 사용하여 제조할 수도 있다. 또한, 축전 디바이스는 정극-세퍼레이터-부극-세퍼레이터, 또는 부극-세퍼레이터-정극-세퍼레이터의 순서대로 평판상으로 적층한 것이나 또는 상술한 적층체를 주머니상의 필름으로 라미네이팅하고, 전해액을 주입하는 공정과, 경우에 따라 가열 및/또는 프레스를 행하는 공정을 거쳐서 제조할 수도 있다. 상기 가열 및/또는 프레스를 행하는 공정은 상기 전해액을 주입하는 공정 전 및/또는 후에 행할 수 있다.또한, 상술한 각종 파라미터의 측정값에 대해서는 특별히 언급이 없는 한, 후술하는 실시예에서의 측정법에 준하여 측정되는 값이다.[제2 실시 형태]본 실시 형태에 따른 다공막은폴리올레핀 미다공막과, 상기 폴리올레핀 미다공막 중 적어도 한쪽 표면의 적어도 일부를 피복하는 열가소성 중합체 피복층을 가지며,상기 열가소성 중합체 피복층에 포함되는 열가소성 중합체의 유리 전이 온도가 -10℃ 이상 40℃ 이하이며, 또한전해액에 대한 팽윤도가 5배 이하이다.제2 실시 형태에 있어서는 후술하는 형태를 제외하고, 그 밖의 형태에 대해서는 제1 실시 형태에 기재된 바와 마찬가지로 한다.(유리 전이 온도)본 실시 형태에서의 열가소성 중합체의 유리 전이 온도는 바람직하게는 -10℃ 이상 40℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 0℃ 이상 35℃ 이하, 더욱 바람직하게는 15℃ 이상 30℃ 이하이다. 본 실시 형태에서는 열가소성 중합체의 유리 전이 온도가 -10℃ 이상 40℃ 이하인 것에 의해, 열가소성 중합체끼리 또는 열가소성 중합체와 폴리올레핀 미다공막과의 부착이 효과적으로 억제되는 한편, 열가소성 중합체와 폴리올레핀 미다공막의 접착성이 한층 향상되는 경향이 있다.또한, 열가소성 중합체는 복수의 유리 전이 온도를 가져도 된다. 이 경우, 상기 온도 범위에 적어도 1개의 유리 전이 온도가 존재하면 된다. 바람직하게는 상기 온도 범위에 모든 유리 전이 온도가 존재한다.본 실시 형태에서의 열가소성 중합체 피복층의 평균 두께는 특별히 한정되지 않지만, 한쪽면에서 1.5 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.0 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 ㎛ 이하이다. 열가소성 중합체의 평균 두께가 1.5 ㎛ 이하인 것에 의해, 열가소성 중합체에 의한 투과성 저하 및 열가소성 중합체끼리 또는 열가소성 중합체와 폴리올레핀 미다공막의 부착을 효과적으로 억제하는 관점에서 바람직하다.열가소성 중합체의 평균 두께는 도포액의 중합체 농도나 중합체 용액의 도포량 및 도공 방법, 도공 조건을 변경함으로써 조정할 수 있다.열가소성 중합체 피복층의 두께는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.본 실시 형태의 세퍼레이터는 폴리올레핀 미다공막의 적어도 한쪽면의 적어도 일부에 열가소성 중합체를 갖는다. 열가소성 중합체 피복층에 의해 피복되는 폴리올레핀 미다공막의 면적 비율(％)은 폴리올레핀 미다공막의 전체 면적 100％에 대하여 70％ 이하가 바람직하고, 50％ 이하가 보다 바람직하고, 45％ 이하가 더욱 바람직하고, 40％ 이하가 보다 더욱 바람직하다. 또한, 면적 비율(％)은 5％ 이상이 바람직하다. 면적 비율이 70％ 이하인 것에 의해, 열가소성 중합체에 의한 폴리올레핀 미다공막의 구멍 폐색을 보다 억제하고, 투과성을 일층 향상할 수 있는 경향이 있다. 또한, 면적 비율이 5％ 이상인 것에 의해, 접착성이 보다 향상되는 경향이 있다. 여기서, 면적 비율은 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해 산출된다.면적 비율은 도포액의 중합체 농도나 중합체 용액의 도포량 및 도공 방법, 도공 조건을 변경함으로써 조정할 수 있다.본 실시 형태에 있어서, 열가소성 중합체의 겔 분율은 특별히 한정되지 않지만, 90％ 이상이 바람직하고, 95％ 이상이 보다 바람직하다. 열가소성 중합체의 겔 분율이 90％ 이상인 것에 의해, 전해액 중으로의 용해의 억제나 전지 내부에서의 열가소성 중합체의 강도가 보다 향상되는 경향이 있다. 여기서, 겔 분율은 후술하는 실시예에 기재된 바와 같이, 톨루엔 불용분의 측정에 의해 구해진다.겔 분율은 중합하는 단량체 성분 및 각 단량체의 투입비, 중합 조건을 변경함으로써 조정할 수 있다.열가소성 중합체 피복층은 폴리올레핀 미다공막 상에 상기 열가소성 중합체를 포함하는 부분과 상기 열가소성 중합체를 포함하지 않는 부분이 해도상으로 존재하는 층이고, 열가소성 중합체를 포함하는 부분이 도트상으로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 해도상으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 선상, 도트상, 격자목상, 줄무늬상, 귀갑무늬상 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 투과성 확보 및 전극과의 균일한 접착성의 확보라는 관점에서, 도트상이 보다 바람직하다. 도트상이란, 폴리올레핀 미다공막 상에 열가소성 중합체를 포함하는 부분과 열가소성 중합체를 포함하지 않는 부분이 해도상으로 존재하는 것을 나타낸다. 도트의 간격은 5 ㎛ 내지 500 ㎛인 것이, 전극에의 밀착성과, 사이클 특성의 양립의 점에서 바람직하다. 도트의 평균 장경은 20 ㎛ 이상 1000 ㎛ 이하가 바람직하고, 20 ㎛ 이상 800 ㎛ 이하가 보다 바람직하고, 50 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하가 더욱 바람직하다.본 실시 형태에서의 다공막은 후술하는 방법으로 측정되는 전극 활물질과의 접착성이 30％ 이상인 것이 바람직하다.(다공막의 용도 등)본 실시 형태에 따른 다공막의 용도는 특별히 한정되지 않지만, 권회 시의 핸들링성 및 축전 디바이스용 세퍼레이터로 했을 때의 축전 디바이스의 레이트 특성이 우수하고, 또한, 열가소성 중합체와 폴리올레핀 미다공막의 접착성 및 투과성도 우수하기 때문에, 예를 들어 비수 전해액 이차 전지 등의 전지나 콘덴서, 캐패시터 등의 축전 디바이스용 세퍼레이터, 물질의 분리 등에 적절하게 사용할 수 있다.실시예이하, 본 발명을 실시예, 비교예에 기초하여 상세하게 설명을 하는데, 본 발명은 실시예에 한정되는 것은 아니다. 이하의 제조예, 실시예, 비교예에서 사용된 각종 물성의 측정 방법이나 평가 방법은 이하와 같다. 또한, 특히 기재가 없는 한 각종 측정 및 평가는 실온 23℃, 1 기압, 상대 습도 50％의 조건에서 행하였다.[측정 방법](1) 점도 평균 분자량(이하, 「Mv」라고도 함)ASRM-D4020에 기초하여, 데칼린 용제에서의 135℃에서의 극한 점도[η]를 구하고, 폴리에틸렌의 Mv는 다음 식에 의해 산출하였다.[η]=0.00068×Mv0.67또한, 폴리프로필렌의 Mv는 다음 식으로부터 산출하였다.[η]=1.10×Mv0.80(2) 폴리올레핀 미다공막의 단위 면적당 중량10cm×10cm 각(角)의 시료를 폴리올레핀 미다공막으로부터 잘라내고, (주)시마즈 세이사꾸쇼제의 전자 천칭AEL-200을 사용하여 중량을 측정하였다. 얻어진 중량을 100배로 함으로써 1m2당 막의 중량(g/m2)을 산출하였다.(3) 폴리올레핀 미다공막의 기공률(％)10cm×10cm 각의 시료를 폴리올레핀 미다공막으로부터 잘라내고, 그의 부피(cm3)와 질량(g)을 구하고, 막 밀도를 0.95(g/cm3)로 하여 다음 식을 사용하여 계산하였다.기공률=(부피-질량/막 밀도)/부피×100(4) 투기도(sec/100cc)JIS P-8117에 준거하여 도요 세이끼(주)제의 걸리식 투기도계G-B2(상표)에 의해 측정한 공기 투과 저항도를 투기도로 하였다.(5) 폴리올레핀 미다공막의 찌르기 강도(g)가토테크제의 핸디 압축 시험기KES-G5(상표)를 사용하여, 개구부 직경 11.3mm의 시료 홀더에서 폴리올레핀 미다공막을 고정하였다. 다음으로 고정된 폴리올레핀 미다공막의 중앙부를, 바늘 끝단의 곡률 반경 0.5mm, 찌르기 속도 2mm/sec로, 25℃ 분위기 하에서 찌르기 시험을 행함으로써, 최대 찌르기 하중으로서 찌르기 강도(g)를 얻었다.(6) 평균 공경(㎛)캐필러리 내부의 유체는 유체의 평균 자유 공정이 캐필러리의 공경보다 클 때는 쿠누센의 흐름을, 작을 때는 포아즈이유의 흐름을 따르는 것이 알려져 있다. 따라서, 미다공막의 투기도 측정에서의 공기 흐름이 쿠누센의 흐름을, 또한 미다공막의 투수도 측정에서의 물의 흐름이 포아즈이유 흐름을 따른다고 가정한다.평균 공경d(㎛)는 공기의 투과 속도 상수Rgas(m3/(m2·sec·Pa)), 물의 투과 속도 상수Rliq(m3/(m2·sec·Pa)), 공기의 분자 속도ν(m/sec), 물의 점도η(Pa·sec), 표준압력Ps(=101325Pa), 기공률ε(％), 막 두께L(㎛)로부터, 다음 식을 사용하여 구하였다.d=2ν×(Rliq/Rgas)×(16η/3Ps)×106여기서, Rgas는 투기도(sec)로부터 다음 식을 사용하여 구해진다.Rgas=0.0001/(투기도×(6.424×10-4)×(0.01276×101325))또한, Rliq는 투수도(cm3/(cm2·sec·Pa))로부터 다음 식을 사용하여 구해진다.Rliq=투수도/100또한, 투수도는 다음과 같이 구해진다. 직경 41mm의 스테인리스제 투액 셀에, 미리 에탄올에 침지해 둔 미다공막을 세팅하고, 상기 막의 에탄올을 물로 세정한 후, 약 50000Pa의 차압으로 물을 투과시켜, 120sec간 경과했을 때의 투수량 (cm3)으로부터, 단위 시간·단위 압력·단위 면적당의 투수량을 계산하고, 이것을 투수도로 하였다.또한, ν은 기체 상수R(=8.314), 절대 온도T(K), 원주율π, 공기의 평균 분자량M(=2.896×10-2kg/mol)으로부터 다음 식을 사용하여 구해진다.ν=((8R×T)/(π×M))1/2(7) 두께(㎛)(7)-1 폴리올레핀 미다공막 및 축전 디바이스용 세퍼레이터의 막 두께(㎛)폴리올레핀 미다공막 및 축전 디바이스용 세퍼레이터로부터 각각, 10cm×10cm의 샘플을 잘라내고, 격자상으로 9군데(3점×3점)를 선택하고, 막 두께를 미소두께측정기(도요 세끼 세이사꾸쇼(주) 타입KBM)를 사용하여 실온 23±2℃에서 측정하였다. 각각, 9군데의 측정값의 평균값을 폴리올레핀 미다공막, 축전 디바이스용 세퍼레이터의 막 두께(㎛)로 하였다.(7)-2 열가소성 중합체 피복층의 두께(㎛)열가소성 중합체 피복층의 두께는 주사형 전자 현미경(SEM) 「형식S-4800, HITACHI사제」를 사용하고, 세퍼레이터의 단면 관찰에 의해 측정하였다. 샘플의 세퍼레이터를 1.5mm×2.0mm 정도로 잘라내고, 루테늄 염색하였다. 젤라틴 캡슐 내에 염색 샘플과 에탄올을 넣고, 액체 질소에 의해 동결시킨 후, 해머로 샘플을 할단하였다. 샘플을 오스뮴 증착하고, 가속 전압 1.0kV, 30000배로 관찰하여, 열가소성 중합체층의 두께를 산출하였다. 또한, SEM 화상에서 폴리올레핀 미다공막 단면의 다공 구조가 보이지 않는 최표면 영역을 열가소성 중합체 피복층의 영역으로 하였다.(8) 열가소성 중합체의 유리 전이 온도열가소성 중합체의 도포액(불휘발분=38 내지 42％, pH=9.0)을 알루미늄 접시에 적당량 취하고, 130℃의 열풍 건조기에서 30분간 건조하였다. 건조 후의 건조 피막 약 17mg을 측정용 알루미늄 용기에 채우고, DSC 측정 장치(시마즈 세이사꾸쇼사제, DSC6220)에서 질소 분위기 하에서의 DSC 곡선 및 DDSC 곡선을 얻었다. 또한 측정 조건은 하기한 바와 같이 하였다.(제1단 승온 프로그램)70℃ 스타트, 매분 15℃의 비율로 승온. 110℃에 도달 후 5분간 유지.(제2단 강온 프로그램)110℃로부터 매분 40℃의 비율로 강온. -50℃에 도달 후 5분간 유지.(제3단 승온 프로그램)-50℃로부터 매분 15℃의 비율로 130℃까지 승온. 이 제3단의 승온 시에 DSC 및 DDSC의 데이터를 취득.베이스 라인(얻어진 DSC 곡선에서의 베이스 라인을 고온측으로 연장한 직선)과, 변곡점(위로 볼록한 곡선이 아래로 볼록의 곡선으로 변하는 점)에서의 접선과의 교점을 유리 전이 온도(Tg)로 하였다.(9) 열가소성 중합체의 겔 분율(톨루엔 불용분)테플론(등록 상표) 판 상에 열가소성 중합체의 도포액(불휘발분=38 내지 42％, pH=9.0의)을 스포이드로 적하하고(직경 5mm 이하), 130℃의 열풍 건조기에서 30분간 건조하였다. 건조 후, 건조 피막을 약 0.5g 정밀 칭량(a)하고, 그것을 50mL 폴리에틸렌 용기에 취하여, 거기에 30mL의 톨루엔을 주입하여 3시간 실온에서 진탕하였다. 그 후, 내용물을 325 메쉬로 여과하고, 메쉬 위에 남은 톨루엔 불용분을 메쉬마다, 130℃의 열풍 건조기에서 1시간 건조시켰다. 또한, 여기에서 사용하는 325 메쉬는 미리 그 건조 중량을 재 두었다.톨루엔을 휘발시킨 후, 톨루엔 불용분의 건조체와 325 메쉬의 중량으로부터, 미리 재 둔 325 메쉬 중량을 차감함으로써 톨루엔 불용분의 건조 중량(b)을 얻었다. 겔 분율(톨루엔 불용분)은 이하의 계산식으로 산출하였다.열가소성 중합체의 겔 분율(톨루엔 불용분)=(b)/(a)×100[％](10) 열가소성 중합체의 전해액에 대한 팽윤도(배)열가소성 중합체 또는 열가소성 중합체를 분산시킨 용액을 130℃의 오븐 내에 1시간 정치한 후, 건조시킨 열가소성 중합체를 0.5g이 되게 잘라내고, 에틸렌 카르보네이트:에틸메틸 카르보네이트=1:2(부피비)의 혼합 용매 10g과 함께 50mL의 바이얼병에 넣어, 3시간 침투시킨 후, 샘플을 취출하고, 상기 혼합 용매로 세정하고, 중량(Wa)을 측정하였다. 그 후, 150℃의 오븐 내에 1시간 정치한 뒤 중량(Wb)을 측정하고, 이하의 식으로부터 열가소성 중합체의 전해액에 대한 팽윤도를 측정하였다.열가소성 중합체의 전해액에 대한 팽윤도(배)=(Wa-Wb)÷(Wb)(11) 열가소성 중합체 피복층에 의해 피복되는 폴리올레핀 미다공막의 면적 비율열가소성 중합체 피복층에 의해 피복되는 폴리올레핀 미다공막의 면적 비율은 주사형 전자 현미경(SEM) 「형식S-4800, HITACHI사제」를 사용하여 측정하였다. 축전 디바이스용 세퍼레이터를 오스뮴 증착하고, 가속전압 1.0kV, 50배로 관찰하여 얻어진 면적을 사용하여, 이하의 식으로부터 면적 비율을 산출하였다. 또한, SEM 화상에서 폴리올레핀 미다공막 표면이 보이지 않는 영역을 열가소성 중합체 영역으로 하였다. 상기 측정을 3회 행하고, 그 평균값을 각 샘플의 면적 비율로 하였다.열가소성 중합체의 면적 비율(％)=열가소성 중합체의 면적÷화상 전체의 면적×100(12) 열가소성 중합체 피복층의 존재 형태(도공 형상)열가소성 중합체 피복층의 존재 형태(도공 형상)는 오스뮴 증착한 축전 디바이스용 세퍼레이터를 주사형 전자 현미경(SEM)「형식S-4800, HITACHI사제」를 사용하여, 가속전압 1.0kV, 50배로 관찰함으로써 결정하였다. 또한, 폴리올레핀 미다공막의 대부분이 열가소성 중합체로 덮인 상태(열가소성 중합체의 일부가 응집 등을 일으켜서 폴리올레핀을 완전히 덮지 않은 것도 포함함)를 「비도트상」으로 하였다.(13-1) 입상 열가소성 중합체의 면적 비율축전 디바이스용 세퍼레이터의 최표면에 존재하는 열가소성 중합체에 대한 입상 열가소성 중합체의 면적 비율(S)은 이하의 식으로부터 산출하였다.S(％)=입상 열가소성 중합체의 면적÷세퍼레이터의 최표면에 존재하는 열가소성 중합체의 전체 면적×100입상 열가소성 중합체의 면적은 주사형 전자 현미경(SEM)「형식S-4800, HITACHI사제」를 사용하여 측정하였다. 축전 디바이스용 세퍼레이터를 오스뮴 증착하고, 가속전압 1.0kV, 30000배로 관찰함으로써 측정하였다.(13-2) 입상 열가소성 중합체의 평균 입경(㎛)입상 열가소성 중합체의 평균 입경은 오스뮴 증착한 축전 디바이스용 세퍼레이터를 주사형 전자 현미경(SEM)「형식S-4800, HITACHI사제」를 사용하여, 가속전압 1.0kV, 30000배로 관찰함으로써 측정하였다. 입상 열가소성 중합체의 제일 지름이 큰 부분을 입경으로 하고, 20개의 평균값을 평균 입경으로 하였다.(14) 도트상 열가소성 중합체의 평균 장경(㎛)도트상 열가소성 중합체의 평균 장경은 오스뮴 증착한 축전 디바이스용 세퍼레이터를 주사형 전자 현미경(SEM)「형식S-4800, HITACHI사제」를 사용하여, 가속전압 1.0kV, 50배로 관찰함으로써 측정하였다. 열가소성 중합체가 존재하는 부분에서, 열가소성 중합체의 존재 형태가 도트상인 경우, 제일 지름이 긴 부분을 장경으로 하고, 20개의 평균값을 도트의 평균 장경으로 하였다. 열가소성 중합체의 존재 형태가 선상, 격자목상, 줄무늬상, 갑각무늬상의 경우, 가장 굵은 선의 폭을 장경으로 하고, 20개의 평균값을 평균 장경으로 하였다.(15) 열가소성 중합체의 평균 입경열가소성 중합체의 평균 입경은 입자 직경 측정 장치(닛끼소 가부시끼가이샤 제조, Microtrac UPA150)를 사용하여, 측정하였다. 측정 조건으로서는 로딩 인덱스=0.15 내지 0.3, 측정시간 300초로 하여, 얻어진 데이터에서 50％ 입자 직경의 수치를 입경으로 하여 기재하였다.[평가 방법](16) 세퍼레이터와 전극의 밀착성세퍼레이터와 전극과의 밀착성은 이하의 순서로 평가하였다.(정극의 제작)정극 활물질로서 리튬 코발트 복합 산화물(LiCoO2)을 92.2질량％, 도전재로서 인편상 그래파이트와 아세틸렌 블랙을 각각 2.3질량％, 바인더로서 폴리불화비닐리덴(PVDF) 3.2질량％를 N-메틸 피롤리돈(NMP) 중에 분산시켜서 슬러리를 제조하였다. 이 슬러리를 정극 집전체가 되는 두께 20 ㎛의 알루미늄 박의 한쪽면에 다이 코터로 도포하고, 130℃에서 3분간 건조 후, 롤 프레스기로 압축 성형하였다. 이때, 정극의 활물질 도포량은 250g/m2, 활물질 벌크 밀도는 3.00g/cm3가 되도록 하였다.(부극의 제작)부극 활물질로서 인조 그래파이트 96.9질량％, 바인더로서 카르복시메틸 셀룰로오스의 암모늄염 1.4질량％와 스티렌-부타디엔 공중합체 라텍스 1.7질량％를 정제수 중에 분산시켜서 슬러리를 제조하였다. 이 슬러리를 부극 집전체가 되는 두께 12 ㎛의 구리 박의 한쪽면에 다이 코터로 도포하고, 120℃에서 3분간 건조 후, 롤 프레스기로 압축 성형하였다. 이때, 부극의 활물질 도포량은 106g/m2, 활물질 벌크 밀도는 1.35g/cm3가 되도록 하였다.(밀착성 시험)상기 방법에 의해 얻어진 부극을 폭 20mm, 길이 40mm로 커트하였다. 이 전극 상에 에틸렌 카르보네이트와 디에틸 카르보네이트를 2:3의 비율(부피비)로 혼합한 전해액(도야마 야꾸힝 고교제)을 부극이 잠길 정도로 흘리고, 이 위에 세퍼레이터를 겹쳤다. 이 적층체를 알루미늄 집(zip)에 넣어, 80℃, 10MPa의 조건에서 2분간 프레스를 행한 뒤, 적층체를 취출하고, 세퍼레이터를 전극으로부터 박리하였다.(평가 기준)○: 세퍼레이터의 30％ 이상에 부극 활물질이 부착된 경우.△: 세퍼레이터의 10％ 이상 30％ 미만의 면적에 부극 활물질이 부착된 경우.×: 세퍼레이터의 10％ 미만의 면적에 부극 활물질이 부착된 경우.(17-1) 가열 박리 강도 및 끈적거림성(세퍼레이터의 박리 강도)세퍼레이터와 피착체로서 정극 집전체(후지 가꼬시 (주) 알루미늄 박 20 ㎛)를 30mm×150mm로 잘라내어, 중첩한 후, 그 적층체를 테플론(등록 상표) 시트(니치아스(주) 나프롱PTFE 시트 TOMBO-No.9000)에 끼웠다. 각 적층체에 대하여 하기 각 조건에서 프레스를 행함으로써 시험용 샘플을 얻었다.조건 1) 온도 25℃, 압력 5MPa에서 3분간 가압조건 2) 온도 40℃, 압력 5MPa에서 3분간 가압조건 3) 온도 80℃, 압력 10MPa에서 3분간 가압얻어진 각 시험용 샘플의 박리 강도를 시마즈 세이사꾸쇼제 오토그래프AG-IS형(상표)을 사용하여, JIS K6854-2에 준하여 인장 속도 200mm/분으로 측정하였다. 얻어진 결과에 기초하여, 하기 평가 기준으로 세퍼레이터의 박리 강도를 평가하였다.끈적거림성(세퍼레이터의 핸들링성)의 평가 기준: 조건 1)의 프레스 후의 박리 강도의 평가 기준◎: 박리 강도가 4gf/cm 이하○: 박리 강도가 4gf/cm 초과 6gf/cm 이하△: 박리 강도가 6gf/cm 초과 8gf/cm 이하×: 박리 강도가 8gf/cm 초과끈적거림성(세퍼레이터의 핸들링성)의 평가 기준: 조건 2)의 프레스 후의 박리 강도의 평가 기준◎: 박리 강도가 4gf/cm 이하○: 박리 강도가 4gf/cm 초과 6gf/cm 이하△: 박리 강도가 6gf/cm 초과 8gf/cm 이하×: 박리 강도가 8gf/cm 초과가열 박리 강도의 평가 기준: 조건 3)의 프레스 후의 박리 강도의 평가 기준○: 박리 강도가 10gf/cm 이상×: 박리 강도가 10gf/cm 미만(17-2) 핸들링성다공막을 폭 2cm×길이 15cm로 2장 잘라내고, 열가소성 중합체의 도공면이 마주하도록 하여, 25℃, 5MPa에서 3분간 프레스하였다. 샘플 단을 180°로 접고, 25mm 박리하여, JIS Z 7127에 준하여 인장 시험기(시마즈 세이사꾸쇼제 AG-100A)의 척에 각각 다공막의 단을 고정하고, 5.0mm/s의 속도로 샘플의 180° 박리 접착력을 측정하였다. 측정 개시 후, 25mm에서 75mm까지의 평균 하중을 다공막간의 박리 강도로 하였다. 얻어진 결과에 기초하여, 하기 평가 기준으로 핸들링성을 평가하였다.○: 박리 강도가 4gf 미만△: 4gf 이상 8gf 미만×: 8gf 이상(18) 열가소성 중합체의 도포성바 코터를 사용한 그라비아법에 의해, A4사이즈의 폴리올레핀 미다공막 상에 열가소성 중합체 용액(고형분 농도 3％)을 도포하고, 60℃의 오븐 내에서 5분간, 수분의 건조 제거를 행하였다. 건조 후, 세퍼레이터를 10cm 각으로 잘라내고, 샤알레 내에서 에탄올에 침지하였다. 그대로 초음파 세정기(가부시끼가이샤 에스엔디제 형식US-102 발진 주파수 38kHz)로 1분간 세정하고, 세퍼레이터를 취출하여 에탄올을 상온 건조시켰다.(평가 기준)○: 열가소성 중합체가 폴리올레핀 미다공막 표면에 존재하고 있는 막.×: 열가소성 중합체가 폴리올레핀 미다공막 표면에 존재하지 않는 막.(19-1) 열가소성 중합체 피복층과 폴리올레핀 미다공막과의 접착력세퍼레이터의 열가소성 중합체 피복층에 대하여 폭 12mm×길이 100mm의 테이프(3M사제)를 부착하였다. 테이프를 샘플로부터 50mm/분의 속도로 박리할 때의 힘을, 90° 박리 강도 측정기(IMADA사제, 제품명IP-5N)를 사용하여 측정하였다. 얻어진 측정 결과에 기초하여, 하기 평가 기준으로 접착력을 평가하였다.○: 6gf/mm 이상×: 6gf/mm 미만(19-2) 열가소성 중합체와 폴리올레핀 미다공막의 접착성바 코터를 사용한 그라비아법에 의해, A4사이즈의 폴리올레핀 미다공막 상에 열가소성 중합체 용액(고형분 농도 3％)을 도포하고, 60℃의 오븐 내에서 5분간, 수분의 건조 제거를 행하여, 다공막을 얻었다. 건조 후, 얻어진 다공막을 10cm 각으로 잘라내고, 샤알레 내에서 에탄올에 침지하였다. 그대로 초음파 세정기(가부시끼가이샤에스엔디제 형식US-102 발진 주파수 38kHz)로 5분간 세정하고, 다공막을 취출하여 에탄올을 상온 건조시켜, 얻어진 다공막을 육안으로 관찰하였다. 얻어진 측정 결과에 기초하여, 하기 평가 기준으로 열가소성 중합체와 폴리올레핀 미다공막의 접착성을 평가하였다.○: 열가소성 중합체가 폴리올레핀 미다공막의 표면에 존재하고 있는 막×: 열가소성 중합체가 폴리올레핀 미다공막의 표면에 존재하지 않는 막 또는 열가소성 중합체가 폴리올레핀 미다공막의 표면에 존재하고 있어도, 열가소성 중합체 부분을 손가락으로 문질렀을 경우에 열가소성 중합체가 미끌어 떨어지는 막.(20) 권회성 및 전지의 사이클 특성(20-1) 평가용 샘플의 제작003c#전극003e#정극 및 부극을 (18) 세퍼레이터와 전극의 밀착성과 마찬가지로 제작하였다. 정극을 폭 약 57mm로 부극을 폭 약 58mm로 절단하여 각각 띠상으로 함으로써 평가용 전극을 제작하였다.003c#비수 전해액의 조정003e#비수 전해액은 에틸렌 카르보네이트/에틸메틸 카르보네이트=1/2(부피비)의 혼합 용매에, 용질로서 LiPF6을 농도 1.0mol/L이 되게 용해시킴으로써 제조하였다.003c#세퍼레이터003e#실시예 및 비교예에서 얻어진 세퍼레이터를 60mm로 슬릿하여 띠상으로 함으로써 평가용 세퍼레이터를 제작하였다.(20-2) 권회성 평가(20-1)에서 얻어진 부극, 세퍼레이터, 정극, 세퍼레이터를 이 순서대로 겹치고, 250gf의 권취 장력으로 와권상으로 복수회 권회함으로써 전극 적층체를 제작하였다. 10개 제작한 전극 적층체 가운데 세퍼레이터의 꼬임이나 주름의 유무를 육안으로 관찰하고, 하기 평가 기준으로 평가를 하였다.(평가 기준)○: 꼬임이나 주름 등의 외관 불량이 전혀 발생하지 않은 것.△: 꼬임이나 주름 등의 외관 불량이 1개 발생한 것.×: 꼬임이나 주름 등의 외관 불량이 2개 이상 발생한 것.(20-3) 전지의 사이클 특성의 평가003c#전지 조립003e#(20-1)에서 얻어진 부극, 세퍼레이터, 정극, 세퍼레이터를 이 순서대로 겹치고, 권취 장력을 250gf, 권회 속도를 45mm/초로 하여, 와권상으로 복수회 권회함으로써 전극 적층체를 제작하였다. 이 전극 적층체를 외경이 18mm로 높이가 65mm의 스테인리스제 용기에 수납하고, 정극 집전체로부터 도출한 알루미늄제 탭을 용기 덮개 단자부에, 부극 집전체로부터 도출한 니켈제 탭을 용기 벽에 용접하였다. 그 후, 진공 하, 80℃에서 12시간의 건조를 행하였다. 아르곤 박스 내에서, 조립한 전지 용기 내에 상기 비수 전해액을 주입하고, 밀봉하였다.003c#전처리003e#조립한 전지를 1/3C의 전류값에서 전압 4.2V까지 정전류 충전한 후, 4.2V의 정전압 충전을 8시간 행하고, 그 후 1/3C의 전류에서 3.0V의 종지 전압까지 방전을 행하였다. 이어서, 1C의 전류값에서 전압 4.2V까지 정전류 충전한 후, 4.2V의 정전압 충전을 3시간 행하고, 그 후 1C의 전류에서 3.0V의 종지 전압까지 방전을 행하였다. 마지막으로 1C의 전류값에서 4.2V까지 정전류 충전을 한 후, 4.2V의 정전압 충전을 3시간 행하여 전처리로 하였다. 또한, 1C란 전지의 기준 용량을 1시간으로 방전하는 전류값을 나타낸다.003c#사이클 시험003e#상기 전처리를 행한 전지를 온도 25℃의 조건 하에서, 방전 전류 1A로 방전 종지 전압 3V까지 방전을 행한 후, 충전 전류 1A로 충전 종지 전압 4.2V까지 충전을 행하였다. 이것을 1 사이클로 하여 충방전을 반복하고, 초기 용량에 대한 200 사이클 후의 용량 유지율을 사용하여, 이하의 기준으로 사이클 특성을 평가하였다.(평가 기준)◎: 용량 유지율 95％ 이상 100％ 이하○: 용량 유지율 90％ 이상 95％ 미만×: 용량 유지율 90％ 미만[실시예 A][제조예 1-1A] (폴리올레핀 미다공막 1A의 제조)Mv가 70만이며, 단독 중합체의 고밀도 폴리에틸렌을 45질량부와, Mv가 30만이며, 단독 중합체의 고밀도 폴리에틸렌을 45질량부와, Mv가 40만인 단독 중합체의 폴리프로필렌과 Mv가 15만인 단독 중합체의 폴리프로필렌과의 혼합물(질량비=4: 3) 10질량부를, 텀블러 블렌더를 사용하여 드라이 블렌드하였다. 얻어진 폴리올레핀 혼합물 99질량부에 산화 방지제로서 테트라키스-[메틸렌-(3',5'-디-t-부틸-4'-히드록시페닐)프로피오네이트]메탄을 1질량부 첨가하고, 다시 텀블러 블렌더를 사용하여 드라이 블렌드함으로써, 혼합물을 얻었다. 얻어진 혼합물을, 질소 분위기 하에서 2축 압출기에 피더에 의해 공급하였다. 또한, 유동 파라핀(37.78℃에서의 동점도 7.59×10-5m2/s)을 압출기 실린더에 플런져 펌프에 의해 주입하였다. 압출되는 전체 혼합물 중에서 차지하는 유동 파라핀의 비율이 65질량부가 되게, 즉 중합체 농도가 35질량부가 되게, 피더 및 펌프의 운전 조건을 조정하였다.계속해서, 그것들을 2축 압출기 내에서 230℃로 가열하면서 용융 혼련하고, 얻어진 용융 혼련물을, T-다이를 거쳐서 표면 온도 80℃로 제어된 냉각 롤 상에 압출하고, 그 압출물을 냉각 롤에 접촉시켜 성형(cast)하여 냉각 고화함으로써, 시트상 성형물을 얻었다. 이 시트를 동시 2축 연신기에서 배율 7×6.4배, 온도 112℃ 하에서 연신한 후, 염화 메틸렌에 침지하여, 유동 파라핀을 추출 제거 후 건조하고, 텐터 연신기에서 온도 130℃, 가로 방향으로 2배 연신하였다. 그 후, 이 연신 시트를 폭 방향으로 약 10％ 완화하여 열처리를 행하고, 표 1에 나타내는 폴리올레핀 미다공막 1A를 얻었다.얻어진 폴리올레핀 미다공막 1A에 대해서, 상기 방법에 의해 물성을 측정하였다. 또한 얻어진 폴리올레핀 미다공막을 그대로 세퍼레이터로서, 상기 방법에 의해 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.[제조예 1-2A] (폴리올레핀 미다공막 2A의 제조)연신 온도와 완화율의 조정을 한 것 외에는, 제조예 1-1A와 마찬가지의 조작에 의해, 폴리올레핀 미다공막 2A를 얻었다. 얻어진 폴리올레핀 미다공막 2A를 제조예 1-1A와 마찬가지로 상기 방법에 의해 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.[제조예 1-3A] (폴리올레핀 미다공막 3A의 제조)점도 평균 분자량 70만의 단독 중합체 고밀도 폴리에틸렌 47.5질량부와 점도 평균 분자량 25만의 단독 중합체 고밀도 폴리에틸렌 47.5질량부와 점도 평균 분자량 40만의 단독 중합체 폴리프로필렌 5질량부를, 텀블러 블렌더를 사용하여 드라이 블렌드하였다. 얻어진 중합체 혼합물 99질량부에 대하여 산화 방지제로서 펜타에리트리틸-테트라키스-[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트]를 1질량부 첨가하고, 다시 텀블러 블렌더를 사용하여 드라이 블렌드함으로써, 중합체 등 혼합물을 얻었다. 얻어진 중합체 등 혼합물은 질소로 치환을 행한 후에, 2축 압출기에 질소 분위기 하에서 피더에 의해 공급하였다. 또한 유동 파라핀을 압출기 실린더에 플런져 펌프에 의해 주입하였다.용융 혼련하고, 압출되는 전체 혼합물 중에서 차지하는 유동 파라핀량 비가 67질량％(수지 조성물 농도가 33질량％)가 되게, 피더 및 펌프를 조정하였다. 용융 혼련물을, T-다이를 거쳐서 냉각 롤 위로 압출해 캐스트함으로써, 시트상 성형물을 얻었다. 그 후, 연신 온도와 완화율의 조정을 한 것 외에는, 제조예 1-1A와 마찬가지의 조작에 의해, 폴리올레핀 미다공막 3A를 얻었다. 얻어진 폴리올레핀 미다공막 3A를 제조예 1-1A와 마찬가지로 상기 방법에 의해 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.[제조예 1-4A] (폴리올레핀 미다공막 4A의 제조)점도 평균 분자량 200만의 초고분자량 폴리에틸렌 25질량부와 점도 평균 분자량 70만의 단독 중합체 고밀도 폴리에틸렌 15질량부와 점도 평균 분자량이 25만의 고밀도 폴리에틸렌 30질량부와 점도 평균 분자량 12만으로 프로필렌 단위 함유량 1mol％의 공중합 폴리에틸렌 30질량부를, 텀블러 블렌더를 사용하여 드라이 블렌드하였다. 얻어진 중합체 혼합물 99질량부에 대하여 산화 방지제로서 펜타에리트리틸-테트라키스-[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트]를 0.3질량부 첨가하고, 다시 텀블러 블렌더를 사용하여 드라이 블렌드함으로써, 중합체 등 혼합물을 얻었다. 얻어진 중합체 등 혼합물은 질소로 치환을 행한 후에, 2축 압출기에 질소 분위기 하에서 피더에 의해 공급하였다. 또한 유동 파라핀을 압출기 실린더에 플런져 펌프에 의해 주입하였다.용융 혼련하고, 압출되는 전체 혼합물 중에서 차지하는 유동 파라핀량 비가 65질량％(수지 조성물 농도가 35질량％)가 되게, 피더 및 펌프를 조정하였다. 용융 혼련물을, T-다이를 거쳐서 냉각 롤 위로 압출해 캐스트함으로써, 시트상 성형물을 얻었다. 그 후, 연신 온도와 완화율의 조정을 한 것 외에는, 제조예 1-1A와 마찬가지의 조작에 의해, 폴리올레핀 미다공막 4A를 얻었다. 얻어진 폴리올레핀 미다공막 4A를 제조예 1-1A와 마찬가지로 상기 방법에 의해 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.[제조예 1-5A] (폴리올레핀 미다공막 5A의 제조)연신 온도와 완화율의 조정을 한 것 외에는, 제조예 1-3A와 마찬가지의 조작에 의해, 폴리올레핀 미다공막 5A를 얻었다. 얻어진 폴리올레핀 미다공막 5A를 제조예 1-1A와 마찬가지로 상기 방법에 의해 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.[제조예 1-6A] (폴리올레핀 미다공막 6A의 제조)점도 평균 분자량 100만의 초고분자량 폴리에틸렌 19.2질량부, 점도 평균 분자량 25만의 고밀도 폴리에틸렌 12.8질량부, 프탈산 디옥틸(DOP) 48질량부, 미분 실리카 20질량부를 혼합 조립한 후, 선단에 T다이를 장착한 2축 압출기에서 용융 혼련한 후에 압출하고, 양측으로부터 가열한 롤에서 압연하고, 두께 110 ㎛의 시트상으로 성형하였다. 이 성형물로부터 DOP, 미분 실리카를 추출 제거해 미다공막을 제작하였다. 상기 미다공막을 2장 겹쳐서 120℃에서 MD 방향으로 5배, 120℃에서 TD로 2배 연신하고, 마지막으로 137℃에서 열처리하였다. 얻어진 폴리올레핀 미다공막 6A를 제조예 1-1A와 마찬가지로 상기 방법에 의해 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.[제조예 1-7A] (폴리올레핀 미다공막 7A의 제조)수산화 산화 알루미늄(평균 입경 1.0 ㎛) 96.0질량부와 아크릴 라텍스(고형분 농도 40％, 평균 입경 145nm, 최저 성막 온도 0℃ 이하) 4.0질량부, 폴리카르복실산 암모늄 수용액(산노푸코사제 SN분산제 디스퍼산트5468) 1.0질량부를 100질량부의 물에 균일하게 분산시켜서 도포액을 제조하고, 폴리올레핀 수지 다공막 1A의 표면에 마이크로그라비아 코터를 사용하여 도포하였다. 60℃에서 건조하여 물을 제거하고, 다공층을 2 ㎛의 두께로 형성하여, 폴리올레핀 미다공막 7A를 얻었다. 얻어진 폴리올레핀 미다공막 7A를 제조예 1-1A와 마찬가지로 상기 방법에 의해 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.[제조예 1-8A] (폴리올레핀 미다공막 8A의 제조)폴리올레핀 미다공막 1A의 한쪽 표면에 제조예 1-7A와 마찬가지의 방법으로 다공층을 4 ㎛의 두께로 형성하여, 폴리올레핀 미다공막 8A를 얻었다. 얻어진 폴리올레핀 미다공막 8A를 제조예 1-1A와 마찬가지로 상기 방법에 의해 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.[제조예 1-9A] (폴리올레핀 미다공막 9A의 제조)폴리올레핀 미다공막 2A의 한쪽 표면에 제조예 1-7A와 마찬가지의 방법으로 다공층을 3 ㎛의 두께로 형성하여, 폴리올레핀 미다공막 9A를 얻었다. 얻어진 폴리올레핀 미다공막 9A를 제조예 1-1A와 마찬가지로 상기 방법에 의해 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.[제조예 1-10A] (폴리올레핀 미다공막 10A의 제조)폴리올레핀 미다공막 5A의 한쪽 표면에 제조예 1-7A와 마찬가지의 방법으로 다공층을 7 ㎛의 두께로 형성하여, 폴리올레핀 미다공막 10A를 얻었다. 얻어진 폴리올레핀 미다공막 10A를 제조예 1-1A와 마찬가지로 상기 방법에 의해 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.[제조예 1-11A] (폴리올레핀 미다공막 11A의 제조)소성 카올린(카올리나이트(Al2Si2O5(OH)4)을 주성분으로 하는 습식 카올린을 고온 소성 처리한 것, 평균 입경 1.8 ㎛) 95.0질량부와 아크릴 라텍스(고형분 농도 40％, 평균 입경 220nm, 최저 성막 온도 0℃ 이하) 5.0질량부, 폴리카르복실산 암모늄 수용액(산노푸코사제 SN분산제(상품명 디스퍼산트)5468) 0.5질량부를 180질량부의 물에 균일하게 분산시켜서 도포액을 제조하고, 폴리올레핀 미다공막 3A의 표면에 마이크로그라비아 코터를 사용하여 도포하였다. 60℃에서 건조하여 물을 제거하고, 다공층을 6 ㎛의 두께로 형성하여, 폴리올레핀 미다공막 11A를 얻었다. 얻어진 폴리올레핀 미다공막 11A를 제조예 1-1A와 마찬가지로 상기 방법에 의해 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.[제조예 1-12A] (폴리올레핀 미다공막 12A의 제조)연신 온도와 완화율의 조정을 한 것 외에는, 제조예 1-1A와 마찬가지의 조작에 의해, 단위 면적당 중량: 4.6g/m2, 막 두께: 7 ㎛, 기공률: 38％, 투기도: 150초, 찌르기 강도: 270g, 평균 공경: 0.070 ㎛의 폴리올레핀 미다공막을 얻었다. 상기 폴리올레핀 미다공막의 한쪽 표면에 제조예 1-7A와 마찬가지의 방법으로 다공층을 3 ㎛의 두께로 형성하여, 폴리올레핀 미다공막 12A를 얻었다. 얻어진 폴리올레핀 미다공막 12A를 제조예 1-1A와 마찬가지로 상기 방법에 의해 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타내었다.[제조예 2-1A] (원료 중합체 1의 제조)교반기, 환류 냉각기, 적하조 및 온도계를 부착한 반응 용기에, 이온 교환수 70.4질량부와, 「아쿠아론KH1025」 (등록 상표, 다이이찌 고교 세야꾸 가부시끼가이샤 제조 25％ 수용액) 0.5질량부와, 「아데카리아솝SR1025」(등록 상표, 가부시끼가이샤 아데카(ADEKA)제 25％ 수용액) 0.5질량부를 투입하고, 반응 용기 내부 온도를 80℃로 승온하고, 80℃의 온도를 유지한 채, 과황산 암모늄(2％ 수용액)을 7.5질량부 첨가하였다.과황산 암모늄 수용액을 첨가한 지 5분 후에, 메타크릴산 메틸 38.5질량부, 아크릴산 n-부틸 19.6질량부, 아크릴산 2-에틸헥실 31.9질량부, 메타크릴산 0.1질량부, 아크릴산 0.1질량부, 메타크릴산 2-히드록시에틸 2질량부, 아크릴아미드 5질량부, 메타크릴산 글리시딜 2.8질량부, 트리메틸올 프로판 트리아크릴레이트(A-TMPT, 신나까무라 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조) 0.7질량부, 「아쿠아론KH1025」 (등록 상표, 다이이찌 고교 세야꾸 가부시끼가이샤 제조 25％ 수용액) 3질량부, 「아데카리아솝SR1025」(등록 상표, 가부시끼가이샤 아데카(ADEKA)제 25％ 수용액) 3질량부, p-스티렌 술폰산 나트륨 0.05질량부, 과황산 암모늄(2％ 수용액) 7.5질량부, γ-메타크릴옥시프로필 트리메톡시실란 0.3질량부 및 이온 교환수 52질량부의 혼합물을, 호모믹서에 의해 5분간 혼합시켜서, 유화액을 제작하였다. 얻어진 유화액을 적하조로부터 반응 용기에 150분에 걸쳐 적하하였다.유화액의 적하 종료 후, 반응 용기 내부 온도를 80℃로 유지한 채 90분간 유지하고, 그 후 실온까지 냉각하였다. 얻어진 에멀전을 수산화 암모늄 수용액(25％ 수용액)으로 pH=9.0으로 조정하고, 농도 40％의 아크릴계 공중합체 라텍스를 얻었다(원료 중합체 1A). 얻어진 원료 중합체 1A에 대해서, 상기 방법에 의해 평가하였다. 얻어진 결과를 표 2에 나타내었다.[제조예 2-2A 내지 2-8A] (원료 중합체 2A 내지 8A)단량체 및 기타 사용 원료의 조성을, 표 2에 기재된 대로 변경하는 것 외에는, 중합체 1A와 마찬가지로 하여, 아크릴계 공중합체 라텍스를 얻었다(원료 중합체 2A 내지 8A). 얻어진 원료 중합체 2A 내지 8A에 대해서, 상기 방법에 의해 평가하였다. 얻어진 결과를 표 2에 나타내었다.또한, 하기 원료 중합체 9A 내지 18A에 대해서도 상기 방법에 의해 평가하였다. 얻어진 결과를 표 2에 나타내었다. 또한, 원료 중합체 9A 내지 18A의 Tg는 모두 FOX의 식에 의한 개산값이다.원료 중합체 9A: 스티렌 부타디엔 중합체, 입자 직경 300nm, Tg 0℃, 톨루엔 불용분 95％, 전해질 용매 팽윤도 1.7배원료 중합체 10A: 스티렌 부타디엔 중합체, 입자 직경 377nm, Tg 30℃, 톨루엔 불용분 96％, 전해질 용매 팽윤도 1.7배원료 중합체 11A: 스티렌 부타디엔 중합체, 입자 직경 380nm, Tg 90℃, 톨루엔 불용분 95％, 전해질 용매 팽윤도 1.6배원료 중합체 12A: 아크릴 중합체, 입자 직경 380nm, Tg 90℃, 톨루엔 불용분 98％, 전해질 용매 팽윤도 2.8배, 원료 중합체 1 내지 8과 마찬가지인 단량체나 원료를 사용하여 얻음원료 중합체 13A: 아크릴 중합체, 입자 직경 50nm, Tg 90℃, 톨루엔 불용분 97％, 전해질 용매 팽윤도 2.9배, 원료 중합체 1 내지 8과 마찬가지인 단량체나 원료를 사용하여 얻음원료 중합체 14A: 아크릴 중합체, 입자 직경 50nm, Tg 30℃, 톨루엔 불용분 99％, 전해질 용매 팽윤도 3.0배, 원료 중합체 1 내지 8과 마찬가지인 단량체나 원료를 사용하여 얻음원료 중합체 15A: 아크릴 중합체, 입자 직경 500nm, Tg 30℃, 톨루엔 불용분 98％, 전해질 용매 팽윤도 2.7배, 원료 중합체 1 내지 8과 마찬가지인 단량체나 원료를 사용하여 얻음원료 중합체 16A: 아크릴 중합체, 입자 직경 500nm, Tg 90℃, 톨루엔 불용분 96％, 전해질 용매 팽윤도 3.2배, 원료 중합체 1 내지 8과 마찬가지인 단량체나 원료를 사용하여 얻음원료 중합체 17A: 아크릴 중합체, 입자 직경 1000nm, Tg 90℃, 톨루엔 불용분 96％, 전해질 용매 팽윤도 3.0배, 원료 중합체 1 내지 8과 마찬가지인 단량체나 원료를 사용하여 얻음원료 중합체 18A: 아크릴(코어 셸), 입자 직경 350nm, 코어 Tg -20℃, 쉘 Tg: 50℃, 톨루엔 불용분 96％, 전해질 용매 팽윤도 3.2배, 원료 중합체 1 내지 8과 마찬가지인 단량체나 원료를 사용하여 얻음※ 또한, 표 2에 기재된 원료 중합체 1A 내지 8A의 Tg는 모두 FOX의 식에 의한 개산값이다.(주) 표 2 중의 원재료명MMA: 메타크릴산 메틸BA: 아크릴산 n-부틸EHA: 아크릴산 2-에틸헥실MAA: 메타크릴산AA: 아크릴산HEMA: 메타크릴산 2-히드록시에틸AM: 아크릴 아미드GMA: 메타크릴산 글리시딜NaSS: p-스티렌술폰산 나트륨A-TMPT: 트리메틸올 프로판 트리아크릴레이트(신나까무라 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조)KH1025: 아쿠아론KH1025(등록 상표, 다이이찌 고교 세야꾸 가부시끼가이샤 제조)SR1025: 아데카리아솝SR1025(등록 상표, 가부시끼가이샤 아데카(ADEKA)제)APS: 과황산 암모늄[실시예 1A]표 2에 기재된 원료 중합체 8A를 고형분으로 2.4질량부, 원료 중합체 1A를 고형분으로 0.6질량부 칭량하여 취하고, 92.5질량부의 물에 균일하게 분산시키고, 열가소성 중합체를 포함하는 도포액을 제조하였다. 계속해서, 표 1에 기재된 폴리올레핀 미다공막 1의 한쪽면 표면에 스프레이를 사용하여 도포액을 도포하였다. 60℃에서 건조하여 도포액의 물을 제거하였다. 또한, 다른 한쪽면도 마찬가지로 도포액을 도포하고, 다시 건조시킴으로써, 폴리올레핀 미다공막의 양면에 열가소성 중합체를 갖는 축전 디바이스용 세퍼레이터를 얻었다. 얻어진 세퍼레이터에 대해서, 상기 방법에 의해 평가하였다. 얻어진 결과를 표 3에 나타내었다.[실시예 2A 내지 40A, 비교예 1A 내지 4A]표 3 내지 6에 기재한 조합으로 열가소성 중합체를 함유하는 도포액을, 폴리올레핀 미다공막의 양면에 각종 방법(스프레이, 그라비아)에 의해 도포한 것 외에는 실시예 1A와 마찬가지로 하여, 축전 디바이스용 세퍼레이터를 제작하였다. 얻어진 세퍼레이터의 물성 및 평가 결과를 표 3 내지 6에 나타내었다. 또한, 표 3 내지 6 중에서의 열가소성 중합체의 Tg는 상기 (8)에 기재된 방법으로 측정한 값이다.또한, 실시예A에 기재된 축전 디바이스용 세퍼레이터에 있어서는, 열가소성 중합체 피복층을 구성하는 수지가 20℃ 이상 및 20℃ 미만의 영역에 유리 전이점을 갖고, 25℃의 프레스 조건에서는 박리 강도가 작고, 80℃의 프레스 조건에서는 박리 강도가 커진다는 성질을 갖는 점에서, 열가소성 중합체 피복층에 있어서, 축전 디바이스용 세퍼레이터의 최표면측에, 20℃ 이상의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지가 많이 존재하고, 폴리올레핀 미다공막과 열가소성 중합체 피복층의 계면측에, 20℃ 미만의 유리 전이 온도를 갖는 열가소성 수지가 많이 존재하는 것이 추정된다.[실시예 B][제조예 1-1B]점도 평균 분자량 25만, 융점 137℃의 고밀도 폴리에틸렌 1을 14.25질량부, 점도 평균 분자량 70만, 융점 137℃의 고밀도 폴리에틸렌 2를 14.25질량부, 점도 평균 분자량 40만, 융점 163℃의 폴리프로필렌을 1.5질량부, 산화 방지제로서 테트라키스-[메틸렌-(3',5'-디-t-부틸-4'-히드록시페닐)프로피오네이트]메탄을 0.2질량부 배합해 원료를 제조하였다.각 배합물은 구경 25mmL/D=48의 2축 압출기 피더를 통하여 투입하였다. 또한, 유동 파라핀 68질량부를 사이드 피드에서 각각의 압출기에 주입하고, 압출량이 1시간당 16kg이 되게 조정하고, 200℃, 200rpm의 조건에서 혼련한 후, T다이로부터 200℃의 조건에서 압출하였다. 곧, 40℃로 조온한 캐스트 롤에서 냉각 고화시켜, 원하는 두께의 시트를 성형하였다. 이 시트를 동시 2축 연신기에서 배율 7×6.4배, 온도 112℃ 하에서 연신한 후, 염화 메틸렌에 침지하여, 유동 파라핀을 추출 제거 후 건조하고, 텐터 연신기에 의해 가로 방향으로 연신하였다. 그 후, 이 연신 시트를 폭 방향으로 완화하여 열처리를 행하고, 폴리올레핀 미다공막 1B를 얻었다. 얻어진 미다공막의 물성을 표 7에 나타내었다.[제조예 1-2B 내지 1-8B]제조예 1-1B와 마찬가지로 하여, 연신 시트의 폭 방향의 완화율을 변경한 폴리올레핀 미다공막 2B 내지 8B를 얻었다. 얻어진 미다공막의 물성을 표 7에 나타내었다.[제조예 2-9B 내지 2-13B]제조예 1-7A 내지 1-11A와 마찬가지의 방법에 의해 제조하여, 폴리올레핀 미다공막 9B 내지 13B를 얻었다. 얻어진 미다공막의 물성을 표 7에 나타내었다.[제조예 2-1B(아크릴 에멀전의 도포액 제조)]교반기, 환류 냉각기, 적하조 및 온도계를 부착한 반응 용기에, 이온 교환수 70.4부와 「아쿠아론KH1025」(등록 상표, 다이이찌 고교 세야꾸 가부시끼가이샤 제조 25％ 수용액) 0.5부와 「아데카리아솝SR1025」(등록 상표, 가부시끼가이샤 아데카(ADEKA)제 25％ 수용액) 0.5부를 투입하고, 반응 용기 내부 온도를 80℃로 승온하고, 80℃의 온도를 유지한 채, 과황산 암모늄(2％ 수용액)을 7.5부 첨가하였다.과황산 암모늄 수용액(APS)을 첨가한 지 5분 후에, 메타크릴산 메틸(MMA) 38.9부, 아크릴산 n-부틸(BA) 26.5부, 아크릴산 2-에틸헥실(EHA) 27부, 메타크릴산(MAA) 0.1부, 아크릴산(AA) 0.1부, 메타크릴산 2-히드록시에틸(HEMA) 2부, 아크릴 아미드(AM) 5부, 메타크릴산 글리시딜(GMA) 0.4부, 트리메틸올 프로판 트리아크릴레이트(A-TMPT, 신나까무라 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조) 2부, 「아쿠아론KH1025」(등록 상표, 다이이찌 고교 세야꾸 가부시끼가이샤 제조 25％ 수용액) 3부, 「아데카리아솝SR1025」(등록 상표, 가부시끼가이샤 아데카(ADEKA)제 25％ 수용액) 3부, p-스티렌 술폰산 나트륨(NaSS) 0.05부, 과황산 암모늄(2％ 수용액) 7.5부, γ-메타크릴옥시프로필 트리메톡시실란 0.3부, 이온 교환수 52부의 혼합물을 호모믹서에 의해 5분간 혼합시켜서 제작한 유화액을 적하조로부터 반응 용기에 150분에 걸쳐 적하하였다.유화액의 적하 종료 후, 반응 용기 내부 온도를 80℃로 유지한 채 90분간 유지하고, 그 후 실온까지 냉각하였다. 얻어진 에멀전을 수산화 암모늄 수용액(25％ 수용액)으로 pH=9.0으로 조정하고, 열가소성 중합체 함유 도포액 1B를 얻었다.[제조예 2-2B 내지 2-10B]단량체 및 기타 사용 원료의 조성을 표 8에 기재된 대로 변경하는 것 외에는, 제조예 1-1B와 마찬가지로 하여, 열가소성 중합체 함유 도포액 2B 내지 10B를 얻었다.※ 또한, 표 8에 기재된 열가소성 중합체의 Tg는 모두 FOX의 식에 의한 개산 값이다.(주) 표 8 중의 원재료명MMA: 메타크릴산 메틸BA: 아크릴산n-부틸EHA: 아크릴산 2-에틸헥실MAA: 메타크릴산AA: 아크릴산HEMA: 메타크릴산 2-히드록시에틸AM: 아크릴 아미드GMA: 메타크릴산 글리시딜NaSS: p-스티렌 술폰산 나트륨A-TMPT: 트리메틸올 프로판 트리아크릴레이트(신나까무라 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조)KH1025: 아쿠아론KH1025(등록 상표, 다이이찌 고교 세야꾸 가부시끼가이샤 제조)SR1025: 아데카리아솝SR1025(등록 상표, 가부시끼가이샤 아데카(ADEKA)제)APS: 과황산 암모늄[실시예 1B]열가소성 중합체 함유 도포액 1B 7.5질량부를 92.5질량부의 물에 균일하게 분산시켜서 도포액을 제조하고, 폴리올레핀 미다공막 1B의 표면에 그라비아 코터를 사용하여 도포하였다. 60℃에서 건조하여 물을 제거하였다. 또한, 다른 한쪽면도 마찬가지로 하여 도포액을 도공하고, 건조시킴으로써 다공막(축전 디바이스용 세퍼레이터)을 얻었다. 얻어진 다공막의 물성 및 평가 결과를 표 9에 나타내었다.[실시예 2B 내지 8B]열가소성 중합체 함유 도포액 2B 내지 5B를 사용한 것 외에는 실시예 1A와 마찬가지로 하여, 다공막(축전 디바이스용 세퍼레이터)을 제작하였다. 사용한 열가소성 중합체 함유 도포액 및 폴리올레핀 미다공막과 얻어진 다공막(축전 디바이스용 세퍼레이터)의 물성 및 평가 결과를 표 9에 나타내었다.[실시예 9B]폴리올레핀 미다공막 1B에, 열가소성 중합체 함유 도포액 5B를 스프레이로 도포하고, 60℃에서 건조하여 물을 제거하였다. 또한, 다른 한쪽면도 마찬가지로 하여 열가소성 중합체 함유 도포액 5B를 도공하고, 건조시킴으로써 다공막(축전 디바이스용 세퍼레이터)을 얻었다. 얻어진 다공막(축전 디바이스용 세퍼레이터)의 물성 및 평가 결과를 표 9에 나타내었다.[실시예 10B]폴리올레핀 미다공막 1B에, 열가소성 중합체 함유 도포액 5B를 잉크젯에서 해상도가 180Dpi가 되게 도포하고, 60℃에서 건조하여 물을 제거하였다. 또한, 다른 한쪽면도 마찬가지로 하여 열가소성 중합체 함유 도포액 5B를 도공하고, 건조시킴으로써 다공막(축전 디바이스용 세퍼레이터)을 얻었다. 얻어진 다공막(축전 디바이스용 세퍼레이터)의 물성 및 평가 결과를 표 9에 나타내었다.[실시예 11B 내지 13B]폴리올레핀 미다공막 1B에, 열가소성 중합체 함유 도포액 5B를 도트 가공한 그라비아 코터를 사용하여 도포하고, 60℃에서 건조하여 물을 제거하였다. 또한, 다른 한쪽면도 마찬가지로 하여 열가소성 중합체 함유 도포액 5B를 도공하고, 건조시킴으로써 다공막(축전 디바이스용 세퍼레이터)을 얻었다. 얻어진 다공막(축전 디바이스용 세퍼레이터)의 물성 및 평가 결과를 표 9에 나타내었다.[실시예 14B 내지 27B]표 9 및 10에 기재된 폴리올레핀 미다공막과 열가소성 중합체 함유 도포액을 사용한 것 외에는, 실시예 9B와 마찬가지로 하여, 다공막(축전 디바이스용 세퍼레이터)을 제작하였다. 얻어진 다공막(축전 디바이스용 세퍼레이터)의 물성 및 평가 결과를 표 9 및 10에 나타내었다.[비교예 1B 내지 3B]표 11에 기재된 폴리올레핀 미다공막과 열가소성 중합체 함유 도포액을 사용한 것 외에는, 실시예 1B와 마찬가지로 하여, 다공막(축전 디바이스용 세퍼레이터)을 제작하였다. 얻어진 다공막(축전 디바이스용 세퍼레이터)의 물성 및 평가 결과를 표 11에 나타내었다.[레이트 특성](전극의 제작)a. 정극의 제작정극 활물질로서 리튬 코발트 복합 산화물(LiCoO2)을 92.2질량％, 도전재로서 인편상 그래파이트와 아세틸렌 블랙을 각각 2.3질량％, 바인더로서 폴리불화비닐리덴(PVDF) 3.2질량％를 N-메틸 피롤리돈(NMP) 중에 분산시켜서 슬러리를 제조하였다. 이 슬러리를 정극 집전체가 되는 두께 20 ㎛의 알루미늄 박의 한쪽면에 다이 코터로 도포하고, 130℃에 3분간 건조 후, 롤 프레스기로 압축 성형하였다. 이때, 정극의 활물질 도포량은 250g/m2, 활물질 벌크 밀도는 3.00g/cm3가 되도록 하였다.b. 부극의 제작부극 활물질로서 인조 그래파이트 96.9질량％, 바인더로서 카르복시메틸 셀룰로오스의 암모늄염 1.4질량％과 스티렌-부타디엔 공중합체 라텍스 1.7질량％를 정제수 중에 분산시켜서 슬러리를 제조하였다. 이 슬러리를 부극 집전체가 되는 두께 12 ㎛의 구리 박의 한쪽면에 다이 코터로 도포하고, 120℃에서 3분간 건조 후, 롤 프레스기로 압축 성형하였다. 이때, 부극의 활물질 도포량은 106g/m2, 활물질 벌크 밀도는 1.35g/cm3가 되도록 하였다.(전지의 제작)a. 정극의 제작상기(전극의 제작)의 a와 마찬가지로 하여 제작한 정극을 면적 2.00cm2의 원형으로 펀칭하였다.b. 부극의 제작상기(전극의 제작)의 b와 마찬가지로 하여 제작한 부극을 면적 2.05cm2의 원형으로 펀칭하였다.c. 비수 전해액에틸렌 카르보네이트:에틸메틸 카르보네이트=1:2(부피비)의 혼합 용매에, 용질로서 LiPF6을 농도 1.0ml/L가 되게 용해시켜서 제조하였다.d. 전지 조립세퍼레이터로서, 실시예 1B의 다공막을 사용하고, 정극과 부극의 활물질면이 대향하도록 밑에서부터 부극, 다공막, 정극의 순서대로 겹쳤다. 이 적층체를 용기 본체와 덮개가 절연되어 있는 덮개 부착 스테인리스 금속제 용기에, 부극의 구리박, 정극의 알루미늄 박이 각각, 용기 본체, 덮개와 접하도록 수납하였다. 이 용기 내에, 비수 전해액을 주입하여 밀폐하고, 비수 전해액 이차 전지를 얻었다(실시예 1B).조립한 간이 전지를 25℃에서 전류값 3mA(약 0.5C)로 전지 전압 4.2V까지 충전하고, 또한 4.2V를 유지하도록 하여 전류값을 3mA로부터 낮추기 시작하는 방법으로, 합계 약 6시간 전지 제작 후의 최초의 충전을 행하고, 그 후 전류값 3mA로 전지 전압 3.0V까지 방전하였다.이어서, 25℃에서 전류값 6mA(약 1.0C)로 전지 전압 4.2V까지 충전하고, 또한 4.2V를 유지하도록 하여 전류값을 6mA로부터 낮추기 시작하는 방법으로, 합계 약 3시간 충전을 행하고, 그 후 전류값 6mA로 전지 전압 3.0V까지 방전하고, 그때의 방전 용량을 1C 방전 용량(mAh)으로 하였다.이어서, 25℃에서 전류값 6mA(약 1.0C)로 전지 전압 4.2V까지 충전하고, 또한 4.2V를 유지하도록 하여 전류값을 6mA로부터 낮추기 시작하는 방법으로, 합계 약 3시간 충전을 행하고, 그 후 전류값 12mA(약 2.0C)로 전지 전압 3.0V까지 방전하고, 그때의 방전 용량을 2C 방전 용량(mAh)으로 하였다.1C 방전 용량에 대한 2C 방전 용량의 비율을 산출하고, 이 값을 레이트 특성으로 하였다. 평가 결과를 표 9에 나타내었다.레이트 특성(％)=(2C 방전 용량/1C 방전 용량)×100[실시예 2B 내지 27B 및 비교예 1B 내지 3B(전지)]세퍼레이터로서 실시예 1B의 다공막 대신에, 실시예 2B 내지 27B 및 비교예 1B 내지 3B의 다공막을 사용하는 것 외에는, 실시예 1B와 마찬가지로 전지를 제작하였다(실시예 2B 내지 27B 및 비교예 1B 내지 3B). 얻어진 전지의 레이트 특성을 평가하였다. 평가 결과를 표 9 내지 11에 나타내었다.본 출원은, 2012년 7월 26일에 일본 특허청에 출원된 일본 특허 출원(일본 특허 출원 제2012-166179호) 및 2012년 10월 24일에 일본 특허청에 출원된 일본 특허 출원(일본 특허 출원 제2012-234852호)에 기초하는 것이고, 그의 내용은 여기에 참조로 하여 도입된다. [ 산업상 이용가능성 ] 본 발명에 따르면, 전극과의 밀착성이 우수한 세퍼레이터, 또한 핸들링성도 우수한 세퍼레이터를 제공할 수 있다. 따라서, 본 발명은 비수계 전해액 이차 전지 등의 전지나 콘덴서, 캐패시터 등의 축전 디바이스용 세퍼레이터로서 유용하다.
전극과의 밀착성이 우수한 세퍼레이터, 또한 핸들링성도 우수한 축전 디바이스용 세퍼레이터를 제공하는 것을 목적으로 한다. 폴리올레핀 미다공막과, 상기 폴리올레핀 미다공막 중 적어도 한쪽 표면의 적어도 일부를 피복하는 열가소성 중합체 피복층을 가지며, 상기 열가소성 중합체 피복층은 상기 폴리올레핀 미다공막 상에 상기 열가소성 중합체를 포함하는 부분과 상기 열가소성 중합체를 포함하지 않는 부분이 해도상으로 존재하는 층이고, 상기 열가소성 중합체 피복층에 포함되는 열가소성 중합체가 유리 전이 온도를 적어도 2개 갖고 있고, 상기 유리 전이 온도 중 적어도 하나는 20℃ 미만의 영역에 존재하고, 상기 유리 전이 온도 중 적어도 하나는 20℃ 이상의 영역에 존재하는, 축전 디바이스용 세퍼레이터.
[ 발명의 명칭 ] 캐비티에 의해서 수용된 튜브를 위한 단부 설치구 및 캐비티에 튜브를 설치하는 방법AN END FITTING FOR A TUBE HOUSED BY A CAVITY AND A METHOD OF INSTALLING A TUBE IN A CAVITY [ 기술분야 ] 정량 펌프는 일반적으로 펌핑 유체가 펌프 구성요소들과 접촉하는 것을 원하지 않는 적용예들에 대해서 사용된다. 예를 들어, 정량 펌프는 종종 유체와 중간 펌프 구성요소들의 접촉이 유체를 오염시키거나 또는 펌프를 손상시킬 위험성이 있는 살균 또는 연마 유체를 펌핑하는데 사용된다. 따라서, 정량 펌프들은 살균 펌핑 프로세스들이 요구되는 식품 산업에서 그리고 연마 입자들을 함유하는 슬러리들이 전달될 필요성이 있는 골재 산업에서 사용된다. [ 배경기술 ] 정량 펌프들은 일반적으로 펌프 하우징, 상기 펌프 하우징에 배열된 회전자 조립체 및 펌프 하우징 및 회전자 조립체 사이에 배치된 가요성 튜브를 포함한다. 회전자 조립체는 통상적으로 회전자 조립체가 회전할 때 튜브에 연동 작용(peristaltic action)을 발휘하기 위하여 튜브를 따라 이동하는 한 쌍의 가압 슈들을 포함한다. 흡인 및 방출 라인들(통상적으로 구조에서 강성임)은 펌프 하우징에 제공된 한쌍의 포트들을 통해서 튜브에 결합된다. 튜브에 대한 흡인 및 방출 라인들의 결합은 펌핑 유체의 임의의 누설을 회피하기 위하여 유체 기밀이어야 한다. 특히 높은 작동 압력이 필요한 (종종 강화 호스들을 사용하는 - 이러한 펌프들은 호스 펌프로 칭함) 곳에서, 튜브 및 압력 슈(shoe)들의 마모량을 감소시키고 열을 발산시키기 위하여, 종종 펌프 하우징 내에 윤활 유체를 제공하는 것이 바람직하다. 그러므로 펌프 하우징 내의 포트들에서, 윤활 유체를 펌프 하우징의 누설로부터 방지하기 위하여 튜브를 펌프에 대해서 밀봉하는 것이 필요하다. 기술된 바와 같이, 튜브는 그에 따라서 윤활 유체의 누설을 회피하기 위하여 펌프 하우징에 대해서 밀봉되고 또한 펌핑 유체의 누설을 회피하기 위하여 흡인 및 방출 라인들로 밀봉되어야 한다. 도 1 및 도 2는 이러한 밀봉을 달성하는 공지된 단부 설치구의 2개의 예들을 도시한다. 도 1의 예에 있어서, 단부 설치구는 튜브의 단부(미도시) 위에 수용되는 고무 부시(1)를 포함한다. 브라켓(3)은 부시(1) 위에 수용되고 펌프 하우징의 포트에 연결되어서, 부시(1)의 플랜지는 브라켓(3) 및 포트 사이에 개재된다. 부시(1)의 플랜지는 윤활 유체가 펌핑 하우징으로부터 누설되는 것을 방지하기 위하여 펌핑 하우징에 대해서 밀봉된다. 호스 클램프(5)는 내부에 배치된 튜브를 갖는 부시(1) 위에 수용된다. 플랜지(7)는 브라켓(3)에 연결되고 인서트(9)는 플랜지(7)를 통과하는 개방부에 위치한다. 인서트(9)는 플랜지(7)를 통해서 그리고 튜브의 내부 안으로 연장된다. 호스 클램프(5)는 그 다음 튜브를 인서트(9)에 대해서 밀봉하기 위하여 조여진다. 도 2에 도시된 바와 같이, 부시(1)는 O-링(11)에 의해서 교체될 수 있다. 본질적으로, O-링(11)은 부시(1)와 동일 목적으로 작용하고 윤활 유체가 펌프 하우징으로부터 누설되는 것을 방지하기 위하여 펌프 하우징을 밀봉한다. 밀봉 기능 뿐 아니라, 도 1 및 도 2에 도시된 단부 설치구는 또한 튜브를 제위치에 고정하고 따라서 회전자의 이동을 대해서 변형 경감을 제공한다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 도 1 및 도 2에 도시된 단부 설치구들은 적당한 밀봉 특성을 제공하지만, 이들은 조립하기에 어렵고 시간 소모적이다. 더우기, 단부 설치구들은 부정확하게 조립되어서 결과적으로 펌핑 유체 및/또는 윤활 유체의 누설 및/또는 흡인 포트에서 공기 흡인에 의해서 유발된 펌프 성능의 불량을 유발할 수 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 일 형태에 따라서, 캐비티에 의해서 수용된 튜브를 위한 단부 설치구(end fitting)가 제공되고, 상기 단부 설치구는 상기 캐비티의 포트의 반대편에 있는 제 1 접대 숄더(first abutment shoulder)를 갖는 브라켓; 상기 브라켓의 제 1 접대 숄더와 맞대어 배치되고 상기 튜브를 수용하도록 구성된 압축링으로서, 축방향 크기 및 방사상 크기를 갖는 보이드를 형성하는, 상기 압축링; 인서트가 상기 압축링과 중첩되고 상기 압축링을 지나서 연장되도록, 상기 튜브의 내부에 수용되도록 구성된, 상기 인서트; 및 상기 브라켓을 상기 포트를 향하여 축방향으로 당기기 위하여 상기 브라켓을 상기 포트에 연결하기 위한 고정자로서, 상기 압축링은 상기 압축링에 의해서 형성된 상기 보이드가 변형되도록 그리고 상기 포트를 밀봉하도록 상기 제 1 접대 숄더 및 상기 포트 사이에서 압축되는, 상기 고정자를 포함하고, 상기 보이드의 변형은 상기 축방향 크기를 감소시키고 상기 방사상 크기를 증가시킴으로써, 상기 튜브를 상기 인서트와 맞대어 압축시킨다. 상기 압축링은 내경을 가지며, 상기 내경은 안착 구성(at-rest configuration)에서 상기 튜브의 외경보다 크거나 또는 실질적으로 상기 튜브의 외경과 동일하고, 압축 구성에서 상기 튜브의 외경보다 작다.상기 캐비티는 정량 펌프의 펌프 하우징에 의해서 형성될 수 있다. 상기 보이드는 상기 압축링의 단면에 의해서 형성되고, 상기 압축링과 상기 튜브 사이의 위치, 상기 압축링과 상기 브라켓 사이의 위치, 및 상기 압축링과 상기 포트 사이의 위치 중 하나 이상의 위치에 위치될 수 있다.상기 압축링의 단면은 하나 이상의 환형 채널들을 형성한다.상기 압축링의 단면은 서로로부터 축방향으로 이격된 복수의 환형 채널들을 형성할 수 있다. 상기 압축링의 단면은 서로에 대해서 상이한 방향들로 배향된 복수의 환형 채널들을 형성할 수 있다. 상기 보이드는 상기 압축링의 단면 내에 위치한다.상기 압축링은 중공일 수 있다.상기 압축링은 복수의 보이드들을 형성하는 기공들을 갖는 포움 재료(foam material)에 의해서 형성될 수 있다. 상기 브라켓은 상기 튜브를 수용하도록 구성되는 환형 부분을 포함할 수 있다. 상기 환형 부분은 상기 튜브가 접대하는 제 2 접대 숄더를 가질 수 있다. 개방부가 상기 환형 부분을 통해서 제공되고, 상기 개방부는 상기 제 2 접대 숄더에 인접하게 위치한다. 상기 인서트는 상기 튜브의 내부 안에 수용되도록 구성되는 축방향 부분을 포함할 수 있다. 상기 인서트는 상기 축방향 부분으로부터 방사상으로 연장되는 하나 이상의 돌출부들을 추가로 포함할 수 있다. 상기 하나 이상의 돌출부들의 직경은 상기 튜브의 내경보다 크고, 상기 축방향 부분의 잔여부의 직경은 상기 튜브의 내경보다 작을 수 있다. 상기 축방향 부분은 상기 브라켓의 환형 부분에 의해서 수용될 수 있다. 상기 환형 부분은 그에 따라서 상기 튜브 안으로의 상기 인서트의 삽입을 안내할 수 있다. 상기 인서트는 상기 브라켓에 접대하는 단부 부분을 포함할 수 있다. 상기 인서트의 단부 부분은 브라켓의 대응 플랜지 부분과 접대하는 플랜지 부분일 수 있다. 상기 브라켓의 플랜지 부분은 브라켓이 방출 라인 또는 흡인 라인에 연결될 수 있게 허용하도록 구성될 수 있다. 상기 브라켓은 상기 압축링의 압축을 제한하기 위하여 상기 포트의 표면에 접대하는 내부(플랜지) 부분을 포함할 수 있다. 상기 브라켓은 텅부 또는 홈을 포함하고, 상기 텅부 또는 홈은 상기 포트의 대응 홈 또는 텅부를 수용하거나 또는 상기 포트의 대응 홈 또는 텅부에 의해서 수용된다. 상기 텅부 및 홈은 환형이고, 상기 텅부는 상기 압축링을 수용한다. 본 발명의 다른 형태에 따라서, 상술한 단부 설치구를 포함하는 정량 펌프(peristaltic pump)가 제공된다. 본 발명의 또다른 형태에 따라서, 캐비티에 튜브를 설치하는 방법이 제공되고, 상기 설치 방법은 상기 튜브의 단부가 상기 캐비티의 포트로부터 돌출하도록 상기 튜브를 상기 캐비티 내에 위치시키는 단계; 압축링이 제 1 접대 숄더 및 포트 사이에 놓여지도록 상기 튜브의 단부 위에 상기 압축링 및 브라켓을 배치하는 단계로서, 상기 압축링은 축방향 크기 및 방사상 크기를 갖는 보이드를 형성하는, 상기 압축링 및 상기 브라켓의 배치 단계; 인서트가 상기 압축링과 중첩되고 상기 압축링을 지나서 연장되도록 상기 튜브의 내부 안에 상기 인서트를 배치하는 단계; 그리고 상기 포트를 밀봉하고 상기 압축링에 의해서 형성된 상기 보이드를 변형시키기 위하여 상기 브라켓을 상기 포트를 향하여 축방향으로 당김으로써, 상기 압축링을 상기 제 1 접대 숄더 및 상기 포트 사이에서 압축시키는 단계를 포함하고, 상기 보이드의 변형은 상기 축방향 크기를 감소시키고 상기 방사상 크기를 증가시킴으로써, 상기 튜브를 상기 인서트와 맞대어 압축시킨다. 상기 브라켓을 상기 포트를 향하여 축방향으로 당기는 단계는 상기 보이드가 상기 축방향 크기를 감소시키고 상기 방사상 크기를 증가시킴으로써 상기 튜브를 상기 인서트와 맞대어 압축시키는 제 1 압축 스테이지, 및 상기 압축링의 재료가 상기 브라켓 및 상기 포트와 맞대어 상기 압축링을 밀봉하도록 압축되는 제 2 압축 스테이지를 포함할 수 있다. 상기 브라켓을 상기 포트를 향하여 축방향으로 당기는 단계는 상기 브라켓의 내부 플랜지가 상기 포트의 표면을 향하여 접대할 때까지 상기 브라켓을 상기 포트를 향하여 당기는 단계를 포함할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본원을 더욱 잘 이해하기 위해 그리고 본원의 효과를 더욱 명확하게 제시할 수 있도록, 첨부된 도면을 참조하여 예를 통해서 기술할 것이다. 도 1은 종래 기술의 단부 설치구의 예의 분해도.도 2는 종래 기술의 단부 설치구의 다른 예의 분해도.도 3은 본 발명의 실시예에 따른 단부 설치구의 단면도로서, 단부 설치구는 조립체의 제 1 스테이지에 제시된 도면.도 4는 도 3의 단부 설치구의 압축링의 단면 사시도.도 5는 도 3의 단부 설치구의 인서트의 단면도.도 6은 2개의 가능한 구성을 도시하는 인서트의 단부 부분의 확대도.도 7은 조립체의 제 2 스테이지에 있는 단부 설치구의 단면도.도 8은 조립체의 제 3 스테이지에 있는 단부 설치구의 단면도.도 9 및 도 10은 압축링의 대안 단면의 예를 도시한 도면.도 11 및 도 12는 단부 설치구를 기존의 펌프에 설치하는데 사용될 수 있는 추가 어댑터 부재를 갖는 단부 설치구의 분해도. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 3은 정량 펌프의 펌프 하우징에 제공된 (흡인 또는 방출) 포트(4)에 연결되도록 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 단부 설치구(2)를 도시한다. 단부 설치구(2)는 브라켓(6)을 포함한다. 브라켓(6)은 일반적인 원통형의 축방향 부분(8) 및 상기 축방향 부분(8)의 양 단부로부터 방사상 방향으로 직각으로 연장되는 외부 및 내부 플랜지 부분들(10a,10b)을 포함한다. 축방향 부분(8)은 서로에 대해서 계단식으로 형성된 제 1 섹션(8a) 및 제 2 섹션(8b)에 의해서 형성된다. 따라서, 제 1 섹션(8a)은 제 2 섹션(8b)의 내경(d2)보다 작은 내경(d1)을 가진다. 환형 텅부(12)는 내부 플랜지(10b)의 내면으로부터 돌출한다. 환형 텅부(12)의 내면은 축방향 부분(8)의 제 2 섹션(8b)의 내면으로부터 뒤로 계단식으로 형성된다. 따라서, 제 2 섹션(8b)은 환형 텅부(12)의 내경(d3)보다 작은 내경(d2)을 가진다. 기술된 바와 같이, 환형 텅부(12) 및 축방향 부분(8)의 제 1 및 제 2 섹션(8a,8b)은 제 1 방사상 접대면(14a)(제 2 접대 숄더)이 축방향 부분(8)의 제 1 및 제 2 섹션(8a,8b) 사이에 형성되고 제 2 방사상 접대면(14b)(제 1 접대 숄더)이 환형 텅부(12) 및 축방향 부분(8)의 제 2 섹션(8b) 사이에 형성되도록 서로에 대해서 계단식으로 형성된다. 압축링(16)은 환형 텅부(12)의 방사상 안쪽에 배치되고 제 2 방사상 접대면(14b)에 접대한다. 압축링(16)은 가요성 탄성중합 재료로 형성된다. 도 4에 도시된 바와 같이, 압축링(16)은 U형 단면에 의해서 형성된 환형 채널(18)이 방사상 외향으로 지향되도록 배열되는 (또한 C형 또는 반원형으로 기술되는) 실질적인 U형 단면을 가진다. 환형 텅부(12)의 축방향 크기는 압축링(16)의 폭보다 커서, 환형 텅부(12)의 일부분이 압축링(16)을 지나서 돌출한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 압축링(16)의 환형 채널(18)은 환형 텅부(12)와 대면한다. 압축링(16)은 안착 구성에서 압축링(16)의 방사상 최내측면이 축방향 부분(8)의 제 2 섹션(8b)의 내면과 실질적인 동일 레벨이 되도록 제 2 방사상 접대면(14b)에 대해서 크기설정된다. 다시 말해서, 압축링(16)의 내경은 제 2 섹션(8b)의 내경(d2)과 실질적으로 동일하다. 그러나, 압축링(16)은 제 2 섹션(8b)의 내면의 레벨 약간 위 또는 약간 밑에 위치할 수 있다. 브라켓(6)의 내부 플랜지(10b)에는 각각 볼트(20)(및 와셔)를 수용하는 원주부 주위에 이격된 다수의 개방부들이 제공된다. 브라켓(6)의 외부 플랜지 부분(10a)에는 또한 방출 또는 흡인 라인에 브라켓을 부착하기 위해 원주부에 이격된 (도시된) 다수의 개방부들이 제공될 수 있다. 포트(4)의 단부면은 브라켓(6)의 환형 텅부(12)를 수용하도록 크기설정된 환형 홈(22)을 구비한다. 환형 텅부(12)는 펌프 하우징의 원통형 내면(24)에 의해서 형성되는 포트(4)의 개방부를 둘러싼다. 환형 홈(22)은 포트(4)의 단부면을 내부 방사상 접대면(26a) 및 외부 방사상 접대면(26b)으로 분할한다. 내부 방사상 접대면(26a)은 외부 방사상 접대면(26b)의 레벨 밑으로 오목하게 형성되고 원추형 테이퍼를 가진다. 원추형 테이퍼는 펌프 하우징에서 튜브의 적재를 보조할 수 있다. 원추형 테이퍼는 또한 분해 중에 압축링(16)을 해제하는 것을 보조할 수 있다. 포트(4)는 포트(4)의 원주부 주위로 이격되고 외부 방사상 접대면(26b)을 통과하는 복수의 나사형 보어들(28)을 구비한다. 조립체의 제 1 스테이지 중에, 정량 펌프의 튜브(30)는 펌프 하우징 내에 위치한다. 이는 튜브(30)를 포트(4) 중 하나를 통해서 펌프 하우징 내에 도입하고 펌프 하우징을 통해서 튜브(30)를 당기기 위하여 펌프의 회전자를 회전시킴으로써 달성될 수 있다. 회전자의 슈가 튜브(30)를 파지하고 회전자가 튜브(30)에 대해서 미끄러짐을 회피할 수 있게 하기 위하여, 확대된 칼라는 튜브(30)의 일 단부에 제공될 수 있다. 따라서, 2개의 슈를 갖는 회전자를 구비한 종래의 호스-펌프(C-형)에 대해서, 회전자는 튜브(30)를 펌프 안으로 완전히 삽입시키기 위하여 절반 약간 넘게 회전한다. 이는 특히 펌프가 저속으로 작동하는 곳 또는 회전자가 튜브를 도입하기 위해 그리고 (유체를 펌핑하기 위해) 손으로 회전되는 곳에서 특히 유리하다. 튜브(30)는 펌프 하우징 안으로 삽입될 때 포트(4)로부터 작은 거리 만큼 돌출하도록 충분히 길다. 브라켓(6)은 튜브(30)의 일 단부 위로 도입되고 브라켓(6)의 환형 텅부(12)는 포트(4)의 내부 방사상 접대면(26a)이 브라켓(6)의 제 2 방사상 접대면(14b)와 대향하고, 압축링(16)이 그 사이에 배치되도록 포트(4)의 환형 홈(22)에 의해서 수용된다. 볼트(20)는 내부 플랜지 부분(10b)에 있는 개방부를 통과하고 나사형 보어(28)에 결합되어서 브라켓(6)을 포트(4)에 연결한다. 볼트(20)는 브라켓(6)의 제 1 방사상 접대면(14a)를 당겨서 튜브(30)의 단부와 접대하도록 조여진다. 상술한 바와 같이, 압축링(16)은 안착 구성에 있을 때 제 2 방사상 접대면(14b)과 실질적으로 동일 높이가 된다. 튜브(30)는 그에 따라서 압축링(16)을 통해서 그리고 축방향 부분(8)의 제 2 섹션(8b) 안으로 용이하게 활주할 수 있다. 볼트(20)는 또한 브라켓(6)의 환형 텅부(12)를 포트(4)의 환형 홈(22)을 향하여 그리고 안으로 당기고 브라켓(6)의 제 2 방사상 접대면(14b)을 포트(4)의 내부 방사상 접대면(26a)을 향하여 당긴다. 볼트(20)는 포트(4)의 내부 방사상 접대면(26a)이 압축링(16)과 접촉하지 않고 (또는 적어도 압축링(16)을 안착 구성으로부터 변형시키기에 충분히 접촉하지 않은 상태에서) 이들이 나사형 보어(28)에서 초기에 결합하도록 충분히 길다. 그러나, 압축링(16)을 지나서 돌출하는 환형 텅부(12)의 일부가 환형 홈(22)에 수용된다. 튜브(30)가 제 1 방사상 접대면(14a)과 접하고, 그러나 압축링(16)은 안착 구성에 있는 상태에서, 인서트(32)는 브라켓(6) 안으로 삽입된다. 특히, 도 5에 도시된 바와 같이, 인서트(32)는 축방향 부분(34) 및 상기 축방향 부분(34)으로부터 직각으로 방사상 방향으로 연장되는 플랜지 부분(36)을 포함한다. 인서트(32)의 축방향 부분(34)은 브라켓(6)의 축방향 부분(8)을 통해서 그리고 튜브(30)의 내부로 통과하고, 인서트(32)의 플랜지 부분(36)은 브라켓(6)의 외부 플랜지 부분(10a)과 접대한다. 따라서, 브라켓(6)의 축방향 부분(8)은 인서트(32)의 축방향 부분(34)을 튜브(30) 안으로 안내한다. 인서트(32)의 축방향 부분(34)은 압축링(16)을 지나서 돌출하도록 충분히 길다. 인서트(32)의 축방향 부분(34)의 단면은 길이를 따라서 실질적으로 균일하고 길이를 가로질러 일정한 외경(di)을 가진다. 외경(di)은 튜브(30)의 내경(dt)보다 약간 크거나 또는 실질적으로 동일하다. 그러나, 도 6에 도시된 바와 같이, 축방향 부분(34)의 자유 단부에서 (즉, 단부는 플랜지 부분(36)으로부터 이격됨), 축방향 부분(34)의 잔여부보다 큰 직경을 갖는 하나 이상의 돌출부(38)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 6(a)에서, 확대된 칼라(38a)는 축방향 부분(34) 주위에 제공되고, 반면 도 6(b)에서, 일련의 방사상 연장 바브(38b)는 축방향 부분(34) 주위에 제공된다. 그러나, 돌출부(38)는 축방향 부분(34)의 전체 길이의 10% 미만의 양인 축방향 부분(34)의 소형 부분 위에 제공된다. 이러한 경우에, 인서트(32)의 축방향 부분(34)의 외경(di)은 튜브(30)의 내경(dt)보다 약간 작고 돌출부(38)는 튜브(30)의 내경(dt)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 대안으로, 인서트(32)의 축방향 부분(34)의 외경(di) 및 돌출부(38)의 직경은 튜브(30)의 내경(dt)보다 약간 크거나 또는 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 돌출부(38)는 튜브(30)의 내부 안으로 인서트(32)의 축방향 부분(34)의 삽입에 임의의 저항을 제공한다. 그러나, 이 저항은 인서트(32)의 삽입 중에 튜브(30)가 펌프 하우징 안으로 눌러지게 하기에 충분하지 않다. 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 내부 테이퍼(40)는 또한 튜브(30)로부터 인서트(32) 안으로 또는 인서트(32)로부터 튜브(30) 안으로 펌핑 유체를 안내하기 위하여 인서트(32)의 축방향 부분(34)의 자유 단부에 제공된다. 인서트(32)가 제자리에 있는 상태에서, 볼트는 브라켓(6)의 제 2 방사상 접대면(14b)을 포트(4)의 내부 방사상 접대면(26a)을 향하여 더욱 당기기 위하여 추가로 조여질 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 이는 압축링(16)이 압축되고 변형되게 한다. 축방향으로의 압축링(16)의 압축은 압축링(16)의 방사상 크기가 증가하게 한다. 이는 환형 채널(18)에 의해서 실행된다. 환형 채널(18)의 내면은 일정한 표면 영역을 가지며 따라서 축방향의 크기에서의 임의의 변화는 필요시에 방사상 크기에서 대응 변화로 전환된다. 더우기, 압축링(16)이 환형 텅부(12)에 의해서 지지될 때, 압축링(16)의 방사상 크기의 증가는 압축링(16)의 내경의 감소로 실현된다. 구체적으로, 압축링(16)의 내경은 제 2 섹션(8b)의 내경(2)보다 작고 중요하게는 튜브(30)의 외경보다 작다. 압축링의 제 1 스테이지에서, 환형 채널(18)의 내면의 반대편 부분은 압축링(16)의 축방향 크기를 감소시키고 압축링(16)의 방사상 크기를 증가시키기 위해 서로를 향하여 가압된다. 다시 말해서, 압축링(16)은 형상이 변형되지만, 재료 자체는 크게 압축되지 않는다. 미리 기술된 바와 같이, 인서트(32)의 축방향 부분(34)은 중첩되고 압축링(16)을 지나서 연장된다. 압축링(16)의 변형은 그에 따라서 튜브(30)를 인서트(32)의 축방향 부분(34)와 맞대어 가압한다. 결과적으로, 압축링(16)은 튜브(30) 및 인서트(32)의 위치를 서로에 대해서 그리고 포트(4) 및 브라켓(6)에 대해서 로킹한다. 인서트(32)의 축방향 부분(34)은 인서트(32)가 압축링(16)의 압축 중에 외향으로 눌러지지 않는 것을 보장하기 위하여 압축링(16) 및 내부 방사상 접대면(26a)을 지나서 충분히 연장된다. 그러나, 인서트(32)의 축방향 부분(34)은 튜브(30)가 축방향 부분(34) 상으로 매끄럽게 변이되는 것을 보장할 만큼 충분히 짧다. 다시 말해서, 튜브(30)는 [압축링(16)에 의해서 압축되는 곳에서] 축방향 부분(34)의 단부에 가능한 인접하게 [상술한 상충 사항을 고려하여] 밀봉한다. 이는 펌핑 유체가 압축링(16)의 내향 영역에서 축방향 부분(34) 및 튜브(30) 사이에서 모아지는 것이 방지되기 때문에 위생을 개선한다. 도 8에 도시된 바와 같이, 볼트는 내부 플랜지(10b)가 외부 방사상 접대면(26b)과 접할 때까지 더욱 조여진다. 이는 충분한 압축이 인가되었다는 것을 확인하기 위하여 사용자에게 촉각적 피드백을 제공한다. 따라서, 압축링(16)의 압축은 내부 방사상 접대면(26a)이 외부 방사상 접대면(26b)의 레벨 밑으로 오목해지는 크기에 의해서 결정된다. 이는 압축링(16)이 과도한 응력을 받는 것을 회피하면서 적당한 밀봉을 달성하기 위하여 충분한 압축 하에 압축링(16)을 배치하도록 구성된다. 압축의 제 1 스테이지에 이어서, 환형 채널(18)의 내면의 반대편 부분은 이미 서로 접촉하게 가압된다. 따라서, 압축의 제 2 스테이지에서, 압축링(16)의 추가 압축은 압축링(16)의 재료 자체가 압축되게 한다. 비록, 압축링(16)은 환형 채널(18)이 환형 텅부(12)를 향하여 방사상 외향으로 대면하도록 배향되는 것으로 기술되었지만, 다른 배향이 사용될 수 있다. 특히, 압축링(16)은 환형 채널(18)이 튜브(30), 브라켓(6)의 제 2 방사상 접대면(14b) 또는 포트(4)의 내부 방사상 접대면(26a)과 대면하도록 배향될 수 있다. 추가로, 압축링(16)은 U형 단면을 갖는 것으로 기술되었지만, 압축링(16)의 많은 다른 형태가 사용될 수 있다. 예를 들어, 도 9에 도시된 바와 같이, 상술한 단일 환형 채널(18) 대신에, 압축링은 서로로부터 축방향으로 이격된 복수의 환형 채널을 한정할 수 있다. 구체적으로, 도 9a는 2개의 환형 채널을 갖는 압축링을 도시하고, 도 9b는 3개의 환형 채널을 갖는 압축링을 도시한다. 압축링(16)의 단면 형상은 또한 도 10에 도시된 것과 상당히 다를 수 있다. 예를 들어, 압축링(16)의 단면은 도 10(a)에 도시된 것과 같이 각형일 수 있다. 압축링(16)의 단면은 또한 도 10(b) 내지 도 10(f)에 도시된 것과 같이 X, Y, T, O 또는 P-형일 수 있다. 도 10(g) 및 도 10(h)에 도시된 바와 같이, 압축링(16)은 또한 원형 또는 사각형 단면을 갖는 개방 또는 폐쇄 셀 포움으로 형성될 수 있다. 그러나, 모든 예들에서, 압축링(16)은 축방향 크기 및 방사상 크기를 갖는 하나 이상의 보이드를 형성한다. O 및 P형의 예[도 10(e) 및 도 10(f)를 참조]에서, 보이드는 압축링(16)의 단면 내에 형성된다. 유사하게, 압축링(16)이 포움 재료로 형성되는 경우에, 보이드는 재료 자체의 기공에 의해서 형성된다. 한편, U, X, Y 및 T-형의 예에서, 하나 이상의 보이드들은 압축링(16)과 포트(4) 사이의 위치, 압축링(16)과 브라켓(6) 사이의 위치, 압축링(16)과 튜브(30) 사이의 위치 중 하나 이상의 위치에 형성된다. 하나 이상의 보이드의 형성과는 무관하게, 압축링의 가요성은 보이드의 축방향 크기가 압축링(16)의 압축을 통해서 감소될 수 있게 한다. 이는 교대로 결과적으로 압축링(16)의 방사상 크기가 증가하게 하고, 따라서 필요한 밀봉 및 고정을 제공한다. 보이드는 종래의 O-링의 변형과 비교할 때 압축링(16)의 방사상 크기의 증가를 확대시킨다. 따라서, 압축링(16)은 소형 단면을 가지며 방사상 크기에서 동일 증가를 이룬다. 비록 도시되지 않았지만, 하나 이상의 방사상 개방부들은 제 1 방사상 접대면(14a)의 영역에서 축방향 부분(8)의 제 2 섹션(8b)을 통해서 제공될 수 있다. 이러한 개방부들은 압축링(16)을 변형시키기 위해 브라켓(6)이 포트(4) 상으로 나사체결되기 전후 모두에 튜브(30)가 제 1 방사상 접대면(14a)에 대해서 적절하게 안착되는 것을 시각적으로 확인하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 서로로부터 직경방향으로 반대편에 있고 따라서 양 방향으로 튜브(30)에 대한 시각적 접근을 제공하는 한쌍의 방사상 개방부들이 제공될 수 있다. 튜브(30)는 종래의 호스 클램프가 [도 1 및 도 2의 예들에 사용된 호스 클램프(5)와 유사한 방식으로] 튜브(30)에 고정될 수 있게 허용하기 위하여 브라켓(6)으로부터 돌출되거나 또는 브라켓(6) 내에 노출될 수 있다. 이는 펌프가 특히 극도의 상황(예를 들어, 광산)에서 사용되거나 또는 튜브가 특히 큰 직경을 갖는 위치에서 튜브(30)를 보유하는 것을 보조할 수 있다. 브라켓(6)은 볼트(20) 대신에 대안 수단을 사용하여 포트(4)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 다른 유형의 고정자들은 포트(4)에 대한 브라켓(6)의 축방향 이동을 실행하기 위하여 사용될 수 있다. 추가로, 브라켓(6) 및 포트(4)는 포트(4)에 대한 브라켓(6)의 회전이 브라켓(6)이 포트(4)에 대해서 축방향으로 병진이동하게 하도록 서로 나사식으로 결합될 수 있다. 이는 내부 플랜지(10b)에 대한 필요성을 제거할 수 있다. 압축링(16)은 조립 중에 단순히 튜브(30) 위에 배치될 수 있고 상술한 바와 같이 브라켓(6)에 의해서 운반될 필요가 없다. 압축링(16)은 튜브(30)가 포트(4)로 진입하거나 또는 나올 때 압축링(16)을 통해서 수용되도록 포트(4)에 대안으로 결합될 수 있다. 그러나, 브라켓(6)은 압축링(16)을 방사상 내향으로 가압하여 튜브(30)를 체결하게 하기 위하여 포트와 협력하는 적당한 접대 숄더를 가져야 한다. 환형 텅부(12)는 브라켓(6)보다 포트(4)에 제공되고, 환형 홈(22)은 포트(4)보다 브라켓(6)의 일부로서 제공될 수 있다. 더우기, 환형 텅부(12) 및 홈(22)은 반드시 환형일 필요는 없다. 텅부 및 홈은 대신에 복수의 이산 인터로킹 텅부 및 홈 요소들에 의해서 형성될 수 있다. 예를 들어, 각각의 텅부 및 홈 요소는 원형 아크를 갖는 리세스 또는 돌출부를 형성할 수 있다. 이는 브라켓(6)이 포트(4)에 대해서 고정 방위로 위치되어야 하는 경우에 특히 유리할 수 있다. 더우기, 이러한 장치는 압축링(16)을 정확한 위치에서 보유할 수 있게 한다. 브라켓(6) 및 인서트(32)는 접대 플랜지 부분을 통해서보다 다른 장치를 사용하여 서로 결합될 수 있다. 특히, 브라켓(6) 및/또는 인서트(32)에는 플랜지 부분이 제공될 필요는 없다. 그러나, 브라켓(6) 및/또는 인서트(32)는 인서트(32)가 삽입될 수 있는 깊이를 제한하는 임의의 장치를 갖는 것이 유리하다. 그런데, 이는 인서트(32)로부터 방사상으로 연장되는 하나 이상의 돌출부 또는 탭들에 의해서 또는 인서트(32)의 지역적 두께에 의해서 제공될 수 있다. 비록, 튜브(30)는 이렇게 기술되었지만, 튜브는 대신에 호스일 수 있다. 추가로, 브라켓(6) 및 인서트(32)는 튜브(30)가 브라켓(6) [구체적으로, 축방향 부분의 제 2 섹션(8b)] 및 인서트(32) [구체적으로, 축방향 부분(34)] 사이에 수용되도록 서로 일체로 형성될 수 있다. 본원에 기술된 단부 설치구(2)는 도 11 및 도 12에 도시된 단순 어댑터 부재(42)를 통해서 기존의 펌프들에 개장될 수 있다. 이러한 기존이 펌프들에서, 포트(4')는 종래 단부 설치구가 포트(4')에 제공된 나사형 보어를 통해서 접대하는 평탄한 단부면을 가질 수 있다. 어댑터 부재(42)는 그에 따라서 환형 홈(22) 등과 같은 상술한 형태를 제공하고 그러므로 포트(4')를 포트(4)로 변환시킨다. 어댑터 부재(42)는 포트(4')의 종래 나사형 보어를 사용하여 포트(4')에 부착된다. 어댑터 부재(42)의 후면은 환형 홈(44)을 구비한다. 환형 홈(44)은 그 사이에 밀봉을 제공하기 위하여 어댑터 부재(42) 및 포트(4') 사이에 배치되는 종래의 O-링(46)을 수용한다. 비록, 단부 설치구(2)는 정량 펌프를 참조하여 기술되었지만, 또한 튜브가 캐비티를 통과하고 튜브와 튜브 및 캐비티 사이에 밀봉이 요구되는 다른 적용에서도 사용될 수 있다. 예를 들어, 단부 설치구(2)는 정량 펌프의 방출 라인에 생성된 펄스를 감소시키도록 사용될 수 있는 맥동 방지기와 유사한 방식으로 사용될 수 있다. 이러한 맥동 방지기는 공기 또는 질소와 같은 압축 가스를 수용하는 압력 용기를 통과하는 호스를 포함할 수 있다. 압력 용기는 그에 따라서 압축 가스가 압력 용기를 빠져나가는 것을 방지하기 위하여 호스에 대해서 밀봉되어야 한다. 호스는 방출 라인에 연결되고 다시 이는 펌핑 유체의 누설을 회피하기 위하여 유체 기밀이어야 한다. 본 발명의 단부 설치구(2)는 그에 따라서 이러한 밀봉을 제공하기 위하여 상술한 것과 유사한 방식으로 사용될 수 있다. 다른 적용도 역시 당업자에게 명백하다. 본 발명은 본원에 기재된 실시예에 국한되지 않고 본 발명의 범주 내에서 변형 또는 적응될 수 있다.
축방향 크기 및 방사상 크기를 갖는 보이드를 형성하는 압축링을 사용하는, 캐비티에 의해서 수용된 튜브를 위한 단부 설치구 및 캐비티에 튜브를 설치하는 방법이 기술된다. 상기 압축링은 상기 브라켓을 상기 포트를 향하여 축방향으로 당김으로써 상기 캐비티의 포트 및 상기 단부 설치구의 브라켓 사이에서 압축된다. 이는 포트를 밀봉하고 압축링에 의해서 형성된 보이드를 변형시킨다. 상기 보이드의 변형은 상기 축방향 크기를 감소시키고 상기 방사상 크기를 증가시킴으로써, 상기 튜브의 내부 안에 수용된 상기 인서트를 향하여 상기 튜브를 압축시킨다.
[ 발명의 명칭 ] 비결정-합금 집전체를 구비한 애노드 격실Anode Compartment Having an Amorphous-Alloy Collector [ 기술분야 ] 본 발명은 재충전가능한가능한 리튬 및 나트륨 배터리의 기술 분야에 관한 것이며 더욱 구체적으로 이런 배터리를 위한 격실뿐만 아니라 이의 제조 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 상대적으로 낮은 질량 에너지 밀도는 휴대용 전가 장비 또는 전기 자동차와 같은 휴대용 장비에서 재충전가능한 리튬 또는 나트륨 배터리의 사용에 대한 현재의 주요 제약이다. 이것은 주로 배터리를 구성하는 재료의 성능과 연관이 있다. 현재, 음극용으로 이용가능한 재료는 300 내지 350 Ah/kg로 이루어진 비용량을 가진다. 재료의 비용량이 커지면 커질수록, 더 많은 질량 에너지 밀도가 증가될 수 있다.리튬 금속은 3800 Ah/kg보다 큰 이론적 비용량을 갖기 때문에, 음극용 재료로서 이의 사용은 전도유망한 것으로 보인다. 불행히도, 음극에서 활성 재료로 사용된 이 재료는 충전 단계에서 수지상 결정 형태로 성장하는 바람직하지 않은 경향을 가진다. 성장시에, 이런 수지상 결정은 액체 전해질을 통과하고 결과적으로 양극과 음극을 전기적으로 연결함으로써 단락을 일으킬 수 있다.충전 단계 동안 수지상 결정 형태로 리튬 금속의 성장을 피하기 위해서, 리튬-이온 배터리는 음극 재료를 사용하며 충전 단계 동안 이 속에 리튬 이온이 주입될 수 있고 방전 단계 동안 이로부터 리튬 이온이 배출될 수 있다. 흑연은 음극 재료의 한 예이다. 음극 재료로서 흑연의 사용의 한 예는 문헌 US 5,053,297에 제공된다.그럼에도 불구하고, 흑연은 리튬 금속의 비용량보다 훨씬 낮은 비용량(예를 들어 LiC6의 경우에 이론적으로 376 Ah/kg)을 가지는 단점을 가진다.선택적으로, 리튬 금속은 리튬 비스(트라이플루오로메테인설폰일)이미드(또한 LiTFSI로 불림)와 같은 리튬 염이 용해되어있는 폴리에틸렌 옥사이드(또한 PEO로 불림)와 같은 중성 기질로 구성된 폴리머 전해질과 조합하여 사용될 수 있다. 이것은 리튬-금속-폴리머 배터리(LMP 배터리)의 경우이다. 수지상 결정 형태의 리튬 금속의 성장의 위험을 제한하기 위해서, 리튬 금속의 두께는 LMP 배터리의 음극에서 일반적으로 30 내지 100㎛로 제한된다. 따라서, 리튬 금속은 폴리머 전해질 필름 상에 리본 형태로 박층화되어 통상적으로 1 내지 10 mAh/cm2로 비교적 낮은 단위 표면적당 유용한 전하 밀도의 애노드 격실을 얻는다.또한, 이런 폴리머 전해질에서, 전해질의 이온 전도도는 LiTFS 염의 첨가에 의해 얻어진다. 중성 기질에 이런 염, 특히 음이온의 이동성은 이온 전류의 통과 동안 염 농도 기울기를 생성하며, 사실상, 양이온에 대한 수송 숫자(즉, 이온에 의해 수송된 전류의 비율)는 1 미만이다. 이런 농도 기울기는 전류 밀도가 강하면 강할수록 더 높다. 이제, 수지상 결정 형태의 리튬 금속의 형성은 급한 농도 기울기에 의해 촉진된다.본 발명에 기술된 수지상 결정 형태의 리튬 금속의 성장을 피하기 위한 최종 해법은 매우 단단한 고체 전해질의 사용이다. 이런 고체 전해질의 높은 경도는 형성된 수지상 결정이 고체 전해질을 통과하고 단락을 형성하는 것을 예방하는 이점을 가진다. 논문 "Lithium metal stability in batteries with block copolymer electrolytes"에서, D. Hallinan 등은 대략 6GPa의 경도를 가진 폴리머 전해질이 수지상 결정의 형성을 피하는데 필수적이라는 것을 계산하였다(Journal of the Electrochemical Society, 160 (3) A464-A470 (2013)).고체 전해질로서 사용될 수 있는 Lisicon("Li 초 이온 전도체) 또는 Nasicon("Na 초 이온 전도체")과 같은 세라믹 재료는 대략 6GPa의 경도를 가진다. 또한, 이런 세라믹 재료는 고유하게 이온의 전도체이기 때문에 이온 전도성을 갖기 위해서 기질에 용해된 임의의 염에 의존하지 않는다: 이온 전도는 이런 세라믹 재료의 결정 구조를 통한 양이온 수송에 의해서만 얻어지며 전자의 전도는 무시해도 좋다. 그 결과, 이들의 수송 숫자는 1과 동일하며, 이는 수지상 결정의 형태의 리튬 금속의 성장을 더욱더 방해한다. 따라서 세라믹 전해질의 사용은 수지상 결정의 형성 문제가 발생하지 않기 때문에 훨씬 더 큰 두께를 가진 음극의 사용에 대한 길을 연다. 따라서 훨씬 더 높은 표면적 용량을 가진 음극이 얻어질 수 있다. 음극과 공기 전극(공기 중의 산소 사용) 또는 황 전극과 같은 매우 높은 표면적 용량을 가진 양극의 조합은 매우 높은 질량 및 부피 에너지 밀도를 가진 배터리가 얻어지게 한다. 이런 배터리에서, 금속, 예를 들어, 강은 세라믹 전해질 상에, 예를 들어, 캐소드 스퍼터링에 의해 얇은 층으로 증착되어 집전체를 형성한다. 나중에, 리튬 금속은 집전체와 세라믹 전해질 사이에 성장된다.매우 높은 질량 및 부피 에너지 밀도를 가진 이런 배터리에서, 충전 단계 동안 양이온의 환원은 세라믹 전해질과 리튬 금속인 활성 재료 사이의 계면에서 일어난다. 따라서, 리튬 금속의 성장은 일차원으로 이 계면으로부터 일어난다. 그럼에도 불구하고, 리튬 금속은 밀집되고 균일한 층 형태로(도 7 참조) 또는 점액질 또는 다공성 증착 형태로(도 6 참조) 성장될 수 있다. 본 발명자들은 점액질 또는 다공성 증착 형태의 리튬 금속으로 제조된 음극은 밀집되고 균일한 형태의 리튬 금속으로 제조된 음극과 비교하여 충전 및 방전 사이클의 숫자와 함께 빠르게 증가하는 저항을 가진다는 것을 관찰하였다.본 발명자들은 이 증가가 리튬 금속과 고체 전해질 사이의 계면에 의해 결정되는 음극의 활성 표면의 감소에 기인한다고 생각한다. 이 표면의 감소는 음극의 용량의 감소 및 저항의 증가를 유도한다. 충전 단계 동안 생성된 리튬의 층이 밀집되고 균일할 때, 음극의 저항 증가는 없고 음극은 충전과 방전 사이클의 더 높은 숫자에 사용될 수 있다.또한, 본 발명자들은 점액질 또는 다공성 형태(매우 밀집되지 않은 형태)는 방전 단계 동안 리튬 금속의 부분을 접근불가하게 함으로써 음극의 용량을 감소시켰다는 것을 관찰하였다: 리튬 금속의 이 부분은 산화되지 않는다. 예를 들어, 본 발명자들은 완전히 방전된 음극을 분석하였고 충전 단계 동안 형성된 리튬 금속의 30%는 방전 단계 동안 접근할 수 없었고 점액질 또는 다공성 형태로 존재하였다는 것을 관찰하였다. 이것은 리튬 금속이 고체 전해질과 더 이상 효과적으로 접촉하지 않고 따라서 계면의 수준에서 방전 단계 동안 Li+ 양이온으로 산화되지 않을 것이라는 사실 때문이다. 이런 동일한 음극 상에, 고체 전극과 우수한 계면을 가진 밀집되고 균일한 형태로 존재한 모든 부분은 방전 단계 동안 접근가능하였고 완전히 소비될 수 있었다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 이 문제에 대한 해법을 연구하면서, 본 발명자들은 집전체를 형성하기 위해 비결정 금속의 사용은 매우 밀집되지 않은 리튬의 형성을 피하며 단지 밀집된 리튬이 생산되는 것을 발견하였다. 본 발명은 이런 발견을 기초로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 그 결과, 본 발명은 상기한 종래 기술에서 만난 문제들을 해결하는 해법을 제안한다.이를 위해서, 본 발명은 다음을 포함하는 재충전가능한 리튬 또는 나트륨 배터리용 애노드 격실을 제안한다:- 고체 전해질;- 고체 전해질 상에 증착된 집전체; 및- 비결정 합금으로 제조된 집전체와 함께 리튬 금속 또는 나트륨 금속으로 제조된 전극을 형성하기 위해서 고체 전해질과 집전체 사이에 성장된 리튬 금속 또는 나트륨 금속으로 제조된 활성 재료.이런 애노드 격실에서, 리튬 금속 또는 나트륨 금속으로 제조된 활성 재료는 밀집된 형태로 성장한다. 따라서, 집전체 및 활성 재료에 의해 형성된 음극은 10 내지 500mAh/cm2의 높은 비용량을 가진다.다른 선택적이고 비-제한적인 특징은 다음과 같다.비결정 합금은 바람직하게는 1.8%보다 큰 최대 상대적 신장 계수를 가진다. 비결정 합금은 유리하게는 전체로서 Si, Sn 또는 Ag 원자의 10% 미만의 숫자(by number)를 함유한다. 비결정 합금은 바람직하게는 CuxZr1-x이며, x는 0.25 내지 0.75로 이루어진다.집전체는 1㎛ 미만의 두께를 가진 미세층 형태일 수 있다.고체 전해질은 유리하게는 세라믹 재료로 제조된다.본 발명은 또한 다음:- 고체 전해질;- 비결정-합금으로 제조된 집전체; 및- 고체 전해질과 집전체 사이의 리튬 금속 또는 나트륨 금속으로 제조된 활성 재료를 포함하는 재충전가능한 리튬 배터리용 애노드 격실의 제조 방법을 제안하며, 방법은 다음 단계를 포함한다:- 고체 전해질 상에 비결정 합금을 증착하여 집전체를 형성하는 단계;- 고체 전해질과 집전체 사이에 리튬 금속 또는 나트륨 금속으로 제조된 활성 재료를 성장시켜 애노드 격실을 얻는 단계.비결정 합금은 캐소드 스퍼터링 또는 이온빔 스퍼터링에 의해 고체 전해질 상에 증착될 수 있다.비결정 합금은 바람직하게는 CuxZr1-x이며, x는 0.25 내지 0.75로 이루어진다.활성 재료는 유리하게는 전기화학적 증착에 의해 고체 전해질과 집전체 사이에 성장된다.고체 전해질은 유리하게는 세라믹 재료로 제조된다.본 발명은 또한 상기한 대로 애노드 격실과 캐소드를 포함하는 배터리를 제안한다. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 내용 중에 포함되어 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 다른 목적, 특징 및 이점은 예로서 제공되고 제한적이지 않은 도면을 참조하여, 다음 예시적 설명을 읽으면 명백해질 것이다.도 1은 코팅이 없는 본 발명에 따른 애노드 격실의 도식적 예시이다.도 2는 코팅이 있는 본 발명에 따른 애노드 격실의 도식적 예시이다.도 3은 코팅이 없고 케이스를 포함하는 본 발명에 따른 애노드 격실의 도식적 예시이다.도 4는 코팅이 있고 케이스를 포함하는 본 발명에 따른 애노드 격실의 도식적 예시이다.도 5는 본 발명에 따른 애노드 격실의 제조 방법의 다른 단계를 개략적으로 예시하는 도면이며, 선택적 단계는 점선으로 나타내어진다.도 6은 충전 단계 이후 강으로 제조된 집전체의 표면 상태를 도시하는 사진이다.도 7은 밀집된 리튬 금속으로 제조된 활성 재료의 외관을 도시하는 사진이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1 내지 4를 참조하여, 본 발명에 다른 재충전가능한 리튬 또는 나트륨 배터리용 애노드 격실을 이하에서 기술한다.이 애노드 격실(1)은 고체 전해질(2), 고체 전해질(2) 상의 집전체(3) 및 고체 전해질(2)과 집전체(3) 사이의 리튬 금속 또는 나트륨 금속으로 제조된 활성 재료(4)를 포함한다. 활성 재료(4)는 이 두 구성요소 사이에서 리튬 금속 또는 나트륨 금속의 성장으로부터 얻어지며 집전체(3)와 함께 리튬 금속 또는 나트륨 금속으로 제조된 전극을 형성한다.애노드 격실(1)은 집전체(3)가 비결정 합금으로 제조된다는 점에서 새롭다. 사실, 이미 상기한 대로, 본 발명자들은 이런 집전체가 매우 밀집되지 않은 형태로 활성 재료의 성장을 허용하였다는 것을 발견하였다.이후에, 본 발명자들은 종래 기술의 집전체에서 매우 밀집되지 않은 형태의 이런 성장의 원인을 확인하고 싶었다. 본 발명자들은 매우 밀집되지 않은 형태의 리튬 금속의 이런 성장은 특히 일반적으로 강으로 제조된 집전체가 고체 전해질 상에 증착되고, 그 아래서 리튬 금속이 성장하고 균열을 나타내는 경우에 일어났다는 것을 관찰하였다(도 6 참조). 본 발명자들은 매우 밀집되지 않은 형태의 이런 성장은 이런 균열 영역에서, 리튬 금속은 압박을 받지 않으며, 따라서 더욱 제어되지 않은 방식으로 형성되는 경향을 가진다는 시실 때문이라고 생각한다.균열의 외관을 설명하기 위해서, 본 발명자들은 집전체와 고체 전해질 사이에 리튬 금속의 성장 동안, 고체 전해질에 동일직선상으로 배향된 집전체의 표면에 장력이 생성되어 이의 파괴를 유도한다는 가설을 제안한다.결정 합금과 반대로 비결정 합금은 보통 거리와 긴 거리에 걸쳐 이를 구성하는 불규칙한 원자의 배열을 가진다. 본 발명의 비결정 합금으로 제조된 집전체(3)는 애노드 격실을 포함하는 배터리의 충전 단계 동안 균열되지 않아서, 매우 밀집되지 않은 형태(점액질 또는 다공성)로 활성 재료의 성장을 피하게 한다. 비결정 합금은 활성 재료를 압축하는 현저한 변형력의 경우에 가역적인 방식으로 변형할 수 있다(탄성 변형). 사실, 영률(E)로 나눈 변형력(σγ)과 동일한 비결정 합금의 최대 상대적 신장 계수(εγ)는 결정 금속 또는 합금보다 높다.선택된 비결정 합금은 유리하게는 1.8%보다 큰 최대 상대적 신장 계수(εγ)를 가진다.비결정 합금은 바람직하게는 이런 합금으로 제조된 집전체(3)로부터 리튬 금속의 전기화학적 증착 동안 리튬 금속과 함께 합금을 형성하지 않는 금속으로 구성된다. 따라서, 비결정 합금은 바람직하게는 전체로서 실리콘, 주석 및 은 원자의 10% 미만의 숫자를 함유한다.유리하게는, 비결정 합금은 CuxZr1-x이며, x는 0.25 내지 0.75로 이루어지며, 바람직하게는 x는 대략 0.4와 동일하다.집전체(3)는 미세층 형태이며, 바람직하게는 1㎛ 미만의 두께를 가진다. 따라서, 집전체(3)는 유연하다.집전체(3)는 유연한 금속 격자 또는 필름, 바람직하게는 강으로 제조된 유연한 격자로 형성된 유연한 전자 도체에 전기적으로 연결된다. 이 유연한 금속 격자는 집전체의 표면의 적어도 일부, 바람직하게는 전부를 덮는다. 집전체와 전자 도체 사이의 전기 접촉을 개선하기 위해서, 은 라커가 바람직하게는 접촉 영역에 도포된다. 전자 도체는 집전체(3)를 애노드 격실 외부에 있는 소자에 전기적으로 연결하는 것이 가능하다.고체 전해질(2)은 알칼리 금속 양이온, 예를 들어 리튬 또는 나트륨, 바람직하게는 리튬 전도성 세라믹 재료로 제조된다.이런 리튬 전도성 세라믹 재료, 예를 들어 LIC-GC(for Lithium Ion Conducting Glass Ceramic from the company Ohara Inc. Japan)는 공지되어 있다. 이들은 예를 들어 식 Li1-x(M,Ga,Al)x(Ge1-yTiy)2-x(PO4)3의 세라믹이며 M은 Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm 및 Yb로부터 선택된 하나 이상의 금속을 나타내며 0003c#x≤0.8 및 0≤y≤1.0. 또한 식 Li1+xAlxTi2-x(PO4)3의 LATP와 같은 이런 형태의 다른 재료가 문헌에 공지되어 있고 논문 "The effects of crystallization parameters on ionic conductivity of a lithium aluminium germanium phosphate glass-ceramics" by J. S. Thokchom, and B. Kumar, in J. Power Sources, vol.195, p.2870, 2010에 기술되며 또는 식 Li7La3Zr2O12의 LLZ와 같은 이런 형태의 다른 재료가 공지되어 있고 논문 "Fast Lithium Ion Conduction in Garnet-Type Li7La3Zr2O12" by R. Murugan, V. Thangadurai, and W. Weppner, in Angew. Chem. Int. Ed., 46 (2007), p. 7778에 기술된다.나트륨 전도성 세라믹 재료는 예를 들어 식 0≤x≤3인 Na1-xZr2SixP3-xO12의 재료이다. 이들은 특히 특허 US6485622 및 논문 "Comparison of Different Synthesis Methods for Nasicon Ceramics" by N. Gasmi et al., J. from Sol-Gel Science and Technology 4(3) (1995) p. 231-237에 기술되며 명칭 Nasicon으로 문헌에 공지되어 있다.고체 전해질(2)은 바람직하게는 막 형태이다. 이의 두께는 두 다른 치수에 의존한다. 막의 표면이 크면 클수록 기계적 변형력을 견디기 위해서 두께는 더 커야만 한다. 또한, 배터리의 전기 효율은 전해질의 비저항에 의해 부분적으로 지배되며, 이 비저항(R)은 다음 식으로 표현된다:R=(r·e)/A,r은 전해질의 저항을 나타내고, e는 막의 두께를 나타내고 A는 이의 표면적을 나타낸다. 따라서, 가능한 경우, 일반적으로 얇은 고체 전해질을 사용하려고 한다. 막의 두께는 유리하게는 30㎛ 내지 500㎛, 바람직하게는 50㎛ 내지 160㎛로 이루어진다. 이런 두께는 1mm2 초과, 바람직하게는 1mm2 내지 400cm2, 더욱 바람직하게는 4cm2 내지 100cm2인 표면적에 적합하다.세라믹 전해질(2)은 이의 표면이 적어도 하나 상에 코팅될 수 있고 특히 리튬 금속으로 제조될 때 이로부터 활성 재료가 성장할 것이다. Li3N, Li3P, LiI, LiBr, LiF 또는 리튬 포스포러스 옥시나이트라이드(LiPON)(예를 들어 X. Yu et al., J. Electrochem. Soc. (1997) 144(2), page 524 참조)를 기초로 한 코팅(5)의 예로서 리튬의 전도에 대해 언급될 수 있고 예를 들어 Na2O 또는 나트륨 포스포러스 옥시나이트라이드(NaPON)(예를 들어 S. Chun et al., Proc. 124th Meeting Electrochem. Soc. (2008) 195 참조)의 첨가에 의한 보로실리케이트 유리는 나트륨의 전도에 대해 언급될 수 있다. 활성 재료(4)는 유리하게는 충전 단계의 종료시에, 50㎛ 내지 5mm, 바람직하게는 100㎛ 내지 500㎛로 이루어진 최대 두께를 가진다.애노드 격실(1)은 밀봉되고 단단한 케이스(6)를 포함할 수 있고 여기에서 고체 전해질(2), 집전체(3) 및 활성 재료(2)가 발견된다. 집전체(3) 쪽으로 향하는 표면과 반대인 고체 전해질(2)의 표면은 적어도 부분적으로 케이스(6)의 외부 표면을 형성한다. 케이스(6)는 배터리에 합체를 허용하는 임의의 적절한 형태, 예를 들어, 원통 또는 평행육면체 형태를 가질 수 있다. 따라서, 케이스(6) 및 고체 전해질(2)은 밀봉된 내부 공간의 범위를 정한다. 케이스(6)는 합성 수지, 바람직하게는 열경화성 또는 저온 경화성 수지로 생산될 수 있다. 이런 수지의 화학적 성질은 애노 격실(1) 내부에 함유된 구성요소 및 애노드 격실(1) 사용된 배터리의 요소와 불리하게 상호작용하지 않는 경우, 중요하지 않다. 예를 들어, 에폭사이드, 불포화 폴리에스터, 페놀 및 폴리이미드 수지가 적합하다.이 경우에, 유리하게는 집전체(3)는, 특히 고체 전해질이 밀봉된 케이스(6)의 벽과 접촉하는 것을 피하도록, 고체 전해질(2)의 표면의 전체가 아닌 실질적으로 전체를 덮는다. 사실, 활성 재료가 충전 단계의 종료시에 상대적으로 큰 두께를 가지며, 집전체(3)가 케이스(6)의 내부 벽과 접촉하는 경우, 집전체(3)는 충전 단계 동안 활성 재료(4)가 성장할 때 고체 전해질(2)로부터 멀어짐에 따라 변형 및/또는 파괴 위험에 노출된다. 고체 전해질(2) 상의 집전체(3)의 크기는 집전체(3)의 가장자리와 케이스(6)의 벽 사이의 거리가 바람직하게는 수백 마이크론과 동일하도록 선택된다. 여전히 이 경우에, 애노드 격실(1)은 집전체(3) 상에 작용하는 탄성 요소를 포함할 수 있어서 고체 전해질(2)의 방향으로 밀고 나아가서 활성 재료(4)의 연속적인 압축을 가능하게 한다. 탄성 요소는 케이스(6) 자체 또는 폼과 같은 탄성 재료로 제조된 블럭(7)의 벽의 하나 이상일 수 있다. 두 번째 경우에, 탄성 재료로 제조된 블럭은 활성 재료가 완전히 소비될 때, 즉 충전 단계의 종료시에 카세트에 자유롭게 남은 공간의 전부를 차지한다.탄성 재료로 제조된 블럭(7)은 예를 들어 폴리(클로로프렌) 폼(Neoprene�渶� 불림), 바람직하게는 허친슨 컴퍼니에 의해 상품명 Bulatex��, 특히 Bulatex C166으로 판매된 네오프렌 폼으로 제조된다. 다른 예는 플라스티폼 컴퍼니에 의해 판매된 제품 Sylomer�� G, 폴리(에터 우레탄) 폼일 수 있다.상기한 애노드 격실을 포함하는 배터리는 이하에서 기술한다.이 배터리는 애노드 격실 이외에, 양극, 선택적으로 액체 전해질을 포함한다.양극은 예를 들어 황을 사용하는 공기 전극 또는 전극일 수 있다.양극이 공기 전극일 때, 전자를 전도하는 다공성 재료로 제조되는 것이 바람직하다. 이 다공성 재료는 예를 들어 카본 블랙, 망간 또는 코발트 산화물계 촉매, HFP(헥사플루오로프로필렌) 또는 PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌)과 같은 소수성 접합제 및 니켈 격자 형태의 집전체와 같은 집전체의 화합물이다. 특히 전해질이 수용성일 때 특허 WO 2010/128242 A1에 기술된 대로 음이온-전도성 폴리머가 전극 속에 첨가될 수 있다. 이 폴리머는 공기 중에 함유된 CO2에 의한 수성 전해질의 탄소화를 예방하는 기능을 가진다. 소수성 접합제는 분말로 기계적으로 통합된 다공성 구조를 생산하는 이중 기능을 가지며 이의 전자 삼투(electronic percolation)는 탄소 과립들 사이의 접촉에 의해 보장되며 전해질이 액체일 때 전극을 통과하는 것을 막기 위해 충분히 소수성이다. 이 배터리는 예를 들어 리튬-공기 또는 나트륨-공기 배터리 또는 리튬-황 배터리 또는 리튬 금속 또는 나트륨 금속으로 제조된 애노드를 사용하는 임의의 배터리이다.도 5를 참조하여 위에 제공된 애노드 격실의 제조 방법이 이하에서 기술된다.이 방법은 고체 전해질 상에 비결정 합금을 증착하여 집전체를 형성하는 단계 및 고체 전해질과 집전체 사이에 리튬 금속 또는 나트륨 금속으로 제조된 활성 재료를 성장시켜 애노드 격실을 얻는 단계를 포함한다.비결정 합금은 캐소드 스퍼터링 또는 이온빔 스퍼터링에 의해 고체 전해질 상에 증착될 수 있다.캐소드 스퍼터링의 경우에, 사용된 표적 재료는 고체 전해질 상에 증착되기를 원하는 합금일 수 있고, 재료는 결정 또는 이미 비결정일 수 있다. 변형예로서 여러 표적이 사용될 수 있고 이의 최대 숫자는 고체 전해질 상에 증착되기를 원하는 비결정 합금을 구성하는 금속 원소의 숫자이다. 표적의 숫자가 비결정 합금을 구성하는 금속 원소의 숫자보다 낮은 경우에, 표적의 적어도 하나는 합금으로 제조된다. 금속 원소의 정의는 모든 전이 화학 원소뿐만 아니라 강을 포함하는 것으로 이해된다. 예를 들어, 표적 재료는 CuZr의 비결정 또는 결정 합금으로 제조된다. 다른 예로서, 두 표적이 사용되며, 하나는 Cu로 제조되고 다른 하나는 Zr로 제조된다. 비결정 합금은 2㎛ 미만의 두께, 바람직하게는 200 내지 400nm로 이루어진 두께에 도달할 때까지 고체 전해질 상에 증착된다.고체 전해질과 집전체 사이에 활성 재료의 성장은 다음과 같이 일어날 수 있다. 집전체를 향하지 않는 고체 전해질의 면을 활성 재료를 형성할 알칼리 금속의 양이온을 함유하는 액체 전해질과 적어도 부분적으로 접촉시킨다. 알칼리 금속의 양이온을 함유하는 액체 전해질에 담긴 집전체와 양극 사이에 환원 전위를 인가한다. 활성 재료가 고체 전해질과 집전체 사이에서 원하는 두께까지 횡단하기에 충분한 기간 동안 환원 전위를 유지한다. 액체 전해질은 리튬 금속으로 제조된 활성 재료의 경우에 LiOH 또는 나트륨 금속으로 제조된 활성 재료의 경우에 NaOH일 수 있다. LiOH 또는 NaOH의 농도는 바람직하게는 적어도 1mol/L와 동일하며 포화 또는 그 이상까지 이를 수 있다.리튬 금속 또는 나트륨 금속의 성장에 사용된 양극은 사용된 액체 전해질에서 안정하고 액체 전해질의 이온의 산화 전위에서 안정한 금속 또는 합금으로 제조된 전극일 수 있다. 인가된 환원 전위는 바람직하게는 액체 전해질에서 기준 전극 Hg/HgO/KOH 1M에대해 -3.1V 내지 -3.6V로 이루어진 값으로 유지된다. 이 전위는 사실상 알칼리 이온이 알칼리 금속으로 환원되기에 절대값이 충분히 높아야 한다. 바람직하게는, 전류 강도는 0.1mAh/cm2 내지 100mAh/cm2로 이루어진다.코팅이 고체 전해질 상에 제공된 경우에, 코팅은 예를 들어 캐소드 스퍼터링에 의한 비결정 합금의 증착 이전에 고체 전해질 상에 증착된다. 애노드 격실이 케이스 형태인 경우에, 케이스는 고체 전해질, 선택적으로 코팅, 활성 재료, 집전체 및 선택적으로 탄성 재료로 제조된 블럭으로 구성된 어셈블리 둘레에 공급된다.
본 발명은 고체 전해질; 고체 전해질 상에 증착된 집전체; 및 비결정 합금으로 제조된 집전체와 함께 리튬 금속 또는 나트륨 금속으로 제조된 전극을 형성하기 위해서 고체 전해질과 집전체 사이에 성장된 리튬 금속 또는 나트륨 금속으로 제조된 활성 재료를 포함하는 재충전가능한 리튬 또는 나트륨 배터리용 애노드 격실에 관한 것이다. 본 발명은 또한 애노드 격실 및 애노드 격실을 포함하는 배터리를 제조하는 방법에 관한 것이다.
[ 발명의 명칭 ] 경화성 조성물, 반도체 장치, 및 에스테르결합함유 유기규소 화합물CURABLE COMPOSITION, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ESTER-BOND-CONTAINING ORGANIC SILICON COMPOUND [ 기술분야 ] 본 발명은, 경화성 조성물, 이 경화성 조성물에 의해 반도체소자를 피복한 반도체 장치, 및 상기 경화성 조성물에 호적하게 이용되는 에스테르결합함유 유기규소 화합물에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 종래, 광학디바이스 또는 광학부품용 재료, 특히 발광 다이오드(LED)소자의 봉지재로는, 일반적으로 에폭시 수지가 이용되고 있다. 또한, 실리콘 수지에 관해서도, LED소자의 몰드부재 등으로 이용하는 것(특허문헌 1, 특허문헌 2 참조)이나, 컬러필터재료로서 이용하는 것(특허문헌 3 참조)이 시도되고 있는데, 실제 사용예는 적다.최근, 백색 LED가 주목을 받고 있는 가운데, 지금까지 문제시되지 않았던 에폭시 봉지재의 자외선 등에 의한 황변이나, 소형화에 수반하는 발열량의 증가에 따른 크랙 등의 문제가 발생하고 있어, 대응이 급선무되고 있다. 그 대응책으로는, 분자 중에 다량의 페닐기를 갖는 실리콘 수지 경화물을 이용하는 것이 검토되고 있다.그러나, 현재 LED에 사용되고 있는 기판은 은(銀)기판이 사용되고 있는 경우가 많으며, 은(銀)은 공기 중에 존재하는 황 화합물에 의해 부식되고, 이에 따라 LED의 발광효율이 떨어지는 경우가 있다. 이 현상은 상기 페닐기를 갖는 실리콘 수지 경화물에서도 어느 정도는 억제되는데, 통상의 에폭시 봉지재에 뒤떨어진다.이 대책으로서 다환식 탄화수소기를 갖는 경화조성물을 이용함으로써, 은의 부식과 내열성을 양립한 재료가 제안되어 있다(특허문헌 4 참조). 그러나, 이 조성물은 수지로서의 변화점이 실온부근에 있으므로, 고온·저온의 온도변화에 따라, 크랙이 발생하는 문제가 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본특허공개 H10-228249호 공보일본특허공개 H10-242513호 공보일본특허공개 2000-123981호 공보일본특허공개 2012-46604호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은, 상기 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 가스 투과성이 낮고, 내크랙성 및 광투과성이 우수한 경화물을 부여하는 경화성 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.또한, 본 발명의 경화성 조성물에 의해 반도체소자가 피복되어, 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.또한, 본 발명의 경화성 조성물에 호적하게 이용되는 에스테르결합함유 유기규소 화합물을 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에서는,(A)하기 일반식(1)로 표시되고, 부가반응성 탄소-탄소 이중결합을 1분자 중에 2개 이상 갖는 에스테르결합함유 유기규소 화합물,[화학식 1](식 중, R은 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~12의 2가 탄화수소기이고, R1은 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~12의 2가 탄화수소기, 디메틸실릴렌기, 메틸페닐실릴기, 및 디페닐실릴기로부터 선택되는 기이고, R2는 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 2~8의 2가 탄화수소기이고, R3은 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~8의 알킬기이고, n은 1~10의 정수(整數)이다.)(B)규소원자에 결합한 수소원자를 1분자 중에 2개 이상 갖는 규소 화합물, 및(C)하이드로실릴화 반응촉매,를 포함하는 경화성 조성물을 제공한다.이러한 경화성 조성물이면, 가스 투과성이 낮고, 내크랙성 및 광투과성이 우수한 경화물을 부여하는 경화성 조성물이 된다.또한 이때, 상기 (A)성분이, (a)하기 일반식(2)로 표시되는 에스테르결합함유 유기규소 화합물과, (b)하기 일반식(3)으로 표시되는 유기 화합물의 부가반응 생성물인 것이 바람직하다.[화학식 2][화학식 3](식 중, R, R1, R2, R3, 및 n은 상기와 동일하다.)이와 같이 (A)성분은, (a)성분과 (b)성분의 부가반응에 의해 용이하게 얻을 수 있다.또한 이때, 상기 (a)성분이, (i)하기 일반식(4)로 표시되는 에스테르결합함유 유기 화합물과, (ii)하기 일반식(5)로 표시되는 규소원자에 결합한 수소원자를 1분자 중에 2개 갖는 규소 화합물의 부가반응 생성물인 것이 바람직하다.[화학식 4][화학식 5](식 중, R 및 R3은 상기와 동일하고, R4는 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 2~8의 부가반응성 탄소-탄소 이중결합을 갖는 1가 탄화수소기이다.)이와 같이 (a)성분은, (i)성분과 (ii)성분의 부가반응에 의해 용이하게 얻을 수 있다.또한 이때, 상기 (a)성분이, 상기 (i)성분과 상기 (ii)성분의 몰비(ii)/(i)=1.1~2.1의 범위에서 반응시킨 것이 바람직하다.이러한 몰비로 반응시킴으로써, 분자쇄 양말단에 SiH기를 갖는 (a)성분을 효율좋게 얻을 수 있다.또한 이때, 상기 R이, 치환 또는 비치환된 탄소수 3~10의 2가 탄화수소기인 것이 바람직하다.특히, 상기 R이, 페닐렌기 및 탄소수 3~10의 2가 지방족 탄화수소기 중 어느 하나 또는 둘 다인 것이 바람직하다.이러한 R이면, 보다 가스 투과성이 낮고, 내크랙성 및 광투과성이 보다 우수한 경화물을 부여하는 경화성 조성물이 된다.또한 이때, 상기 n이, 1~5의 정수인 것이 바람직하다.이러한 n이면, 보다 가스 투과성이 낮고, 내크랙성 및 광투과성이 보다 우수한 경화물을 부여하는 경화성 조성물이 된다.또한 이때, 상기 경화성 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물의 25℃에 있어서의 가시광의 굴절률이, 1.45 이상인 것이 바람직하다.이러한 굴절률이면, 광학디바이스나 광학부품용 재료에 호적하게 이용할 수 있다.또한 이때, 상기 경화성 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물의 25℃에 있어서의 광투과율이, 80% 이상인 것이 바람직하다.이러한 광투과율이면, 광학디바이스나 광학부품용 재료에 호적하게 이용할 수 있다.또한, 본 발명에서는, 상기 경화성 조성물의 경화물에 의해 반도체소자가 피복된 반도체 장치를 제공한다.이러한 반도체 장치이면, 가스 투과성이 낮고, 내크랙성 및 광투과성이 우수한 경화물에 의해 피복되어 있으므로, 신뢰성이 우수한 반도체 장치가 된다.나아가, 본 발명에서는, 하기 일반식(1)로 표시되고, 부가반응성 탄소-탄소 이중결합을 1분자 중에 2개 이상 갖는 에스테르결합함유 유기규소 화합물을 제공한다.[화학식 6](식 중, R은 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~12의 2가 탄화수소기이고, R1은 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~12의 2가 탄화수소기, 디메틸실릴렌기, 메틸페닐실릴기, 및 디페닐실릴기로부터 선택되는 기이고, R2는 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 2~8의 2가 탄화수소기이고, R3은 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~8의 알킬기이고, n은 1~10의 정수이다.)이러한 에스테르결합함유 유기규소 화합물이면, 상기 서술한 본 발명의 경화성 조성물에 호적하게 이용할 수 있다. [ 발명의 효과 ] 이상과 같이, 본 발명의 경화성 조성물이면, 가스 투과성이 낮고, 내크랙성이 우수하고, 가시광의 굴절률이 크며, 단파장영역의 광선에 대해서도 광투과성이 높고, 투명성이 우수하며, 기재에 대한 밀착성이 높은 경화물을 부여하는 경화성 조성물이 된다.따라서, 본 발명의 경화성 조성물은, LED소자의 보호, 봉지, 접착, 파장변경, 파장조정, 또는 렌즈 등의 용도에 호적하게 사용할 수 있다. 또한, 렌즈재료, 광학디바이스 또는 광학부품용 봉지재, 디스플레이재료 등의 각종 광학용 재료, 전자디바이스 또는 전자부품용 절연재료, 더 나아가 코팅재료로서도 유용하다.또한, 이러한 본 발명의 경화성 조성물의 경화물에 의해 반도체소자가 피복된 본 발명의 반도체 장치이면, 가스 투과성이 낮고, 내크랙성 및 광투과성이 우수한 경화물에 의해 피복되어 있으므로, 신뢰성이 우수한 반도체 장치가 된다.또한, 본 발명의 에스테르결합함유 유기규소 화합물이면, 상기 서술한 본 발명의 경화성 조성물에 호적하게 이용할 수 있다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 상기 서술한 바와 같이, 은기판의 부식과 크랙의 발생을 억제할 수 있는 광디바이스재료, 특히, LED소자용의 봉지재의 개발이 요구되고 있었다.본 발명자들은, 상기 과제에 대하여 예의 검토를 거듭한 결과, 에스테르결합을 주쇄에 갖는 폴리머를 광디바이스재료로 이용함으로써, 상기 서술한 은기판의 부식과 크랙의 문제를 개선할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.즉, 본 발명은,(A)하기 일반식(1)로 표시되고, 부가반응성 탄소-탄소 이중결합을 1분자 중에 2개 이상 갖는 에스테르결합함유 유기규소 화합물,[화학식 7](식 중, R은 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~12의 2가 탄화수소기이고, R1은 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~12의 2가 탄화수소기, 디메틸실릴렌기, 메틸페닐실릴기, 및 디페닐실릴기로부터 선택되는 기이고, R2는 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 2~8의 2가 탄화수소기이고, R3은 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~8의 알킬기이고, n은 1~10의 정수이다.)(B)규소원자에 결합한 수소원자를 1분자 중에 2개 이상 갖는 규소 화합물, 및(C)하이드로실릴화 반응촉매,를 포함하는 경화성 조성물이다.이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명하나, 본 발명은 이것들로 한정되지 않는다.본 발명에서는, 하기 일반식(1)로 표시되고, 부가반응성 탄소-탄소 이중결합을 1분자 중에 2개 이상 갖는 에스테르결합함유 유기규소 화합물을 제공한다.[화학식 8](식 중, R은 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~12의 2가 탄화수소기이고, R1은 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~12의 2가 탄화수소기, 디메틸실릴렌기, 메틸페닐실릴기, 및 디페닐실릴기로부터 선택되는 기이고, R2는 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 2~8의 2가 탄화수소기이고, R3은 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~8의 알킬기이고, n은 1~10의 정수이다.)이러한 에스테르결합함유 유기규소 화합물은, 이하에 상세히 서술하는 본 발명의 경화성 조성물의 (A)성분으로서 호적하게 이용할 수 있다.이하, 본 발명의 경화성 조성물에 대하여 상세하게 설명한다.[(A)성분](A)성분은, 상기 서술한 본 발명의 에스테르결합함유 유기규소 화합물이고,즉, 하기 일반식(1)로 표시되고, 부가반응성 탄소-탄소 이중결합을 1분자 중에 2개 이상 갖는 에스테르결합함유 유기규소 화합물이다.[화학식 9](식 중, R은 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~12의 2가 탄화수소기이고, R1은 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~12의 2가 탄화수소기, 디메틸실릴렌기, 메틸페닐실릴기, 및 디페닐실릴기로부터 선택되는 기이고, R2는 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 2~8의 2가 탄화수소기이고, R3은 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~8의 알킬기이고, n은 1~10의 정수이다.)(A)성분 중의 부가반응성 탄소-탄소 이중결합의 수는, 1분자 중에 2개 이상이고, 특히, 부가반응성 탄소-탄소 이중결합을 분자쇄 양말단에만(즉, 2개) 갖는 것이면, 경화물의 내크랙성 및 유연성이 양호해지므로 바람직하다.상기 일반식(1) 중, R은 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~12의 2가 탄화수소기이고, 바람직하게는 치환 또는 비치환된 탄소수 3~10의 2가 탄화수소기, 보다 바람직하게는 페닐렌기 및 탄소수 3~10의 2가 지방족 탄화수소기 중 어느 하나 또는 둘 다이다.이러한 R이면, 보다 가스 투과성이 낮고, 내크랙성 및 광투과성이 보다 우수한 경화물을 부여하는 경화성 조성물이 되므로 바람직하다.상기 일반식(1) 중, R1은 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~12의 2가 탄화수소기, 디메틸실릴렌기, 메틸페닐실릴기, 및 디페닐실릴기로부터 선택되는 기이고, 바람직하게는 디메틸실릴렌기이다.상기 일반식(1) 중, R2는 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 2~8의 2가 탄화수소기이고, 원료의 입수 용이성으로부터 프로필렌기인 것이 바람직하다.상기 일반식(1) 중, R3은 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 1~8의 알킬기이고, 원료의 입수 용이성으로부터 메틸기인 것이 바람직하다.또한 상기 일반식(1) 중, n은 1~10의 정수이고, 바람직하게는 1~5의 정수이다.이러한 n이면, 보다 가스 투과성이 낮고, 내크랙성 및 광투과성이 보다 우수한 경화물을 부여하는 경화성 조성물이 되므로 바람직하다.이러한 (A)성분은, 예를 들어 (a)하기 일반식(2)로 표시되는 에스테르결합함유 유기규소 화합물과, (b)하기 일반식(3)으로 표시되는 유기 화합물의 부가반응에 의해 용이하게 얻을 수 있다.[화학식 10][화학식 11](식 중, R, R1, R2, R3, 및 n은 상기와 동일하다.)상기 (a)성분은, 예를 들어 (i)하기 일반식(4)로 표시되는 에스테르결합함유 유기 화합물과, (ii)하기 일반식(5)로 표시되는 규소원자에 결합한 수소원자를 1분자 중에 2개 갖는 규소 화합물의 부가반응에 의해 용이하게 얻을 수 있다.[화학식 12][화학식 13](식 중, R 및 R3은 상기와 동일하고, R4는 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 2~8의 부가반응성 탄소-탄소 이중결합을 갖는 1가 탄화수소기이다.)상기 일반식(4) 중, R4는 독립적으로, 치환 또는 비치환된 탄소수 2~8의 부가반응성 탄소-탄소 이중결합을 갖는 1가 탄화수소기이고, 원료의 입수 용이성으로부터 알릴기인 것이 바람직하다.상기 (i)성분의 일반식(4)로 표시되는 에스테르결합함유 유기 화합물로는, 구체적으로는 이하의 구조식으로 표시되는 것이 호적하게 이용되는데, (i)성분은 이것들로 한정되지 않는다.[화학식 14]한편, (i)성분은, 1종 단독으로도 2종 이상을 조합하여도 사용할 수 있다.상기 (ii)성분의 일반식(5)로 표시되는 규소원자에 결합한 수소원자를 1분자 중에 2개 갖는 규소 화합물로는, 구체적으로는 이하의 구조식으로 표시되는 것이 호적하게 이용되는데, (ii)성분은 이것들로 한정되지 않는다.[화학식 15]한편, (ii)성분은, 1종 단독으로도 2종 이상을 조합하여도 사용할 수 있다.상기 (b)성분의 일반식(3)으로 표시되는 유기 화합물로는, 구체적으로는 이하의 구조식으로 표시되는 것이 호적하게 이용되는데, (b)성분은 이것들로 한정되지 않는다.[화학식 16]한편, (b)성분은, 1종 단독으로도 2종 이상을 조합하여도 사용할 수 있다.003c#(A)성분의 합성003e#(A)성분의 합성은, 예를 들어 이하와 같이 하여 행할 수 있다.먼저, 에스테르결합과 부가반응성 탄소-탄소 이중결합을 1분자 중에 2개 갖는 상기 (i)성분과, SiH기를 2개 갖는 상기 (ii)성분을, 몰비(ii)/(i)가 1 초과 10 이하, 바람직하게는 1 초과 5 이하, 더욱 바람직하게는 1.1 이상 2.1 이하가 되도록 혼합하고, 하이드로실릴화 반응촉매의 존재하에서 부가반응시켜, 분자쇄 양말단에 SiH기를 갖는 (a)성분을 합성한다.이와 같이 (ii)성분이 과잉량이 되는 몰비로 반응시킴으로써, 분자쇄 양말단에 (ii)성분에서 유래하는 SiH기를 갖는 (a)성분을 효율좋게 얻을 수 있다.다음에, 이와 같이 하여 합성한 (a)성분과, 부가반응성 탄소-탄소 이중결합을 1분자 중에 2개 갖는 상기 (b)성분을, 몰비(b)/(a)가 1 초과 10 이하, 바람직하게는 1 초과 5 이하가 되도록 혼합하고, 하이드로실릴화 반응촉매의 존재하에서 부가반응시켜, 목적의 (A)성분을 합성한다.이와 같이 (b)성분이 과잉량이 되는 몰비로 반응시킴으로써, 분자쇄 양말단에 (b)성분에서 유래하는 부가반응성 탄소-탄소 이중결합을 갖는 (A)성분을 효율좋게 얻을 수 있다.하이드로실릴화 반응촉매로는, 종래부터 공지된 것을 사용할 수 있다.예를 들어, 백금금속을 담지한 카본분말, 백금흑, 염화제2백금, 염화백금산, 염화백금산과 1가알코올의 반응 생성물, 염화백금산과 올레핀류의 착체, 백금비스아세토아세테이트 등의 백금계 촉매; 팔라듐계 촉매, 로듐계 촉매 등의 백금족 금속계 촉매를 들 수 있다. 또한, 부가반응조건, 용매의 사용 등에 대해서는, 특별히 한정되지 않고 통상과 같이 하면 된다.한편, (A)성분은, 1종 단독으로도 2종 이상을 조합하여도 사용할 수 있다.[(B)성분](B)성분은, 규소원자에 결합한 수소원자(SiH기)를 1분자 중에 2개 이상, 바람직하게는 3개 이상 갖는 규소 화합물이고, 이 (B)성분 중의 SiH기는, 상기 서술한 (A)성분 중의 부가반응성 탄소-탄소 이중결합과 하이드로실릴화 반응에 의해 부가하여, 경화물을 부여하는 것이다.한편, 얻어지는 경화물의 구조로는, 3차원 망상구조인 것이 바람직하므로, (B)성분으로는 SiH기를 1분자 중에 3개 이상 갖는 것이 바람직하다.(B)성분으로는, 하기 평균조성식(6)으로 표시되는 1분자 중에 2개 이상, 바람직하게는 3개 이상의 SiH기를 가지고, 또한 25℃에서의 점도가 1,000mPa·s 이하인 오르가노하이드로젠폴리실록산, 및 하기 일반식(7)로 표시되는 오르가노하이드로젠실란 중 어느 하나, 또는 이들의 조합이 바람직하다.R'xHySiO(4-x-y)/2 (6)R'zSiH(4-z) (7)(식 중, R'는 동일 또는 이종의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이고, x 및 y는 0.7≤x≤2.1, 0.001≤y≤1.0, 또한 0.8≤x+y≤2.6, 바람직하게는 0.8≤x≤2, 0.01≤y≤1, 1≤x+y≤2.4를 만족하는 양수(正數)이고, z는 1 또는 2이다.)상기 R'는, 동일 또는 이종의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이고, 바람직하게는 탄소수 1~12의 1가 탄화수소기인데, 특히 지방족 불포화결합을 갖지 않는 것이 바람직하다.이러한 R'로는, 메틸기 또는 페닐기가 바람직하다.상기 오르가노하이드로젠실란으로는, (CH3)SiH3, (CH3)2SiH2, (C6H5)SiH3 등을 들 수 있고, 상기 오르가노하이드로젠폴리실록산으로는, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 양말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸하이드로젠폴리실록산, 양말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸하이드로젠실록산 공중합체, 양말단 디메틸하이드로젠실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 양말단 디메틸하이드로젠실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸하이드로젠실록산 공중합체, 양말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸하이드로젠실록산·디페닐실록산 공중합체, 양말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸하이드로젠실록산·디페닐실록산·디메틸실록산 공중합체, (CH3)2HSiO1/2단위와 SiO4/2단위로 이루어진 공중합체, (CH3)2HSiO1/2단위와 SiO4/2단위와 (C6H5)SiO3/2단위로 이루어진 공중합체 등을 들 수 있다.상기 오르가노하이드로젠폴리실록산의 분자구조는, 직쇄상, 환상, 분지상, 3차원 망상구조 중 어느 하나일 수도 있는데, 1분자 중의 규소원자의 수(또는 중합도)는 3~1,000, 특히 3~300 정도인 것이 바람직하다.또한, 이 오르가노하이드로젠폴리실록산의 25℃에 있어서의 점도는, 1,000mPa·s 이하, 보다 바람직하게는 0.1~500mPa·s, 더욱 바람직하게는 0.5~300mPa·s이다.한편, 상기 서술한 (A)성분이 페닐렌기를 갖는 경우, (B)성분의 오르가노하이드로젠실란 또는 오르가노하이드로젠폴리실록산은 페닐기를 갖는 것이, 투명성의 확보, 보존 중의 분리방지를 위해서도 바람직하다. 이 경우, 상기 식(6)에 있어서, 규소원자에 결합하는 전체 기(全基)(R'와 수소원자) 중 5몰% 이상, 보다 바람직하게는 8~50몰%, 더욱 바람직하게는 10~30몰%가 페닐기인 것이 바람직하다. 또한, 식(6)에 있어서, 규소원자에 결합하는 전체 기(R'와 수소원자) 중 15몰% 미만, 바람직하게는 10몰% 이상 15몰% 미만이 페닐기인 오르가노하이드로젠폴리실록산과, 규소원자에 결합하는 전체 기(R'와 수소원자) 중 15몰% 이상, 바람직하게는 15몰% 이상 50몰% 이하가 페닐기인 오르가노하이드로젠폴리실록산을 질량비 1:9~9:1, 특히 3:7~7:3으로 병용한 것이 바람직하다.(B)성분의 배합량은, (A)성분 100질량부에 대하여 2~100질량부, 특히 10~100질량부로 하는 것이 바람직하다.또한, (B)성분은, (A)성분 중의 부가반응성 탄소-탄소 이중결합과 (B)성분 중의 SiH기의 몰비(SiH기/부가반응성 탄소-탄소 이중결합)가 0.5~5, 바람직하게는 0.8~4, 보다 바람직하게는 1~3이 되는 양으로 배합할 수도 있다.(B)성분으로는, 상기 서술한 오르가노하이드로젠폴리실록산 또는 오르가노하이드로젠실란 이외의 것으로서, 예를 들어 하기 구조식으로 표시되는 것을 사용할 수도 있다.[화학식 17](식 중, Me는 메틸기, s는 1~100, 바람직하게는 1~10의 정수이다.)한편, (B)성분은, 1종 단독으로도 2종 이상을 조합하여도 사용할 수 있다.[(C)성분]본 발명의 경화성 조성물의 (C)성분인 하이드로실릴화 반응촉매는, 상기 (A)성분의 합성에서 기재한 것과 동일하다.(C)성분의 배합량은, 촉매로서의 유효량이면 되며, 특별히 제한되지 않으나, 상기 (A)성분과 (B)성분의 합계질량에 대하여, 백금족 금속원자로서, 통상, 1~500ppm, 특히 2~100ppm 정도가 되는 양을 배합하는 것이 바람직하다. 이러한 배합량으로 함으로써, 경화 반응에 필요한 시간이 적당해져, 경화물이 착색되는 등의 문제를 발생시키는 경우가 없다.[기타 배합성분]본 발명의 경화성 조성물에는, 상기 (A)~(C)성분에 더하여, 필요에 따라 다른 성분을 배합할 수도 있다.003c#산화방지제003e#본 발명의 경화성 조성물의 경화물 중에는, 상기 (A)성분 중의 부가반응성 탄소-탄소 이중결합이 미반응인 채 잔존해 있는 경우가 있고, 미반응의 부가반응성 탄소-탄소 이중결합이 포함되어 있으면, 대기 중의 산소에 의해 산화되어 경화물이 착색될 우려가 있다.이에, 본 발명의 경화성 조성물에, 필요에 따라, 산화방지제를 배합함으로써 착색을 미연에 방지할 수 있다.이 산화방지제로는, 종래부터 공지된 것을 사용할 수 있으며, 예를 들어, 2,6-디-t-부틸-4-메틸페놀, 2,5-디-t-아밀하이드로퀴논, 2,5-디-t-부틸하이드로퀴논, 4,4'-부틸리덴비스(3-메틸-6-t-부틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-t-부틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-에틸-6-t-부틸페놀) 등을 들 수 있다. 또한, 이들은, 1종 단독으로도 2종 이상을 조합하여도 사용할 수 있다.한편, 이 산화방지제를 사용하는 경우, 그 배합량은, 산화방지제로서의 유효량이면 되고, 특별히 제한되지 않으나, 상기 (A)성분과 (B)성분의 합계질량에 대하여, 통상, 10~10,000ppm, 특히 100~1,000ppm 정도 배합하는 것이 바람직하다. 이러한 배합량으로 함으로써, 산화방지능력이 충분히 발휘되어, 착색, 백탁, 산화열화 등의 발생이 없으며, 보다 광학적 특성이 우수한 경화물이 얻어진다.003c#점도·경도 조정제003e#본 발명의 경화성 조성물의 점도, 또는 조성물로부터 얻어지는 경화물의 경도 등을 조정하거나, 강도를 향상시키거나, 형광체를 배합하는 경우에 그 분산을 좋게 하기 위해, 나노실리카나, 용융실리카, 결정성실리카, 산화티탄, 나노알루미나, 알루미나 등의 무기충전제를 첨가할 수도 있다.003c#부가반응 제어제003e#또한, 포트라이프(ポットライフ)를 확보하기 위하여, 1-에티닐시클로헥산올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올 등의 부가반응 제어제를 배합할 수도 있다.003c#광안정제003e#나아가, 태양광선, 형광등 등의 광에너지에 의한 광열화에 대한 저항성을 부여하기 위하여 광안정제를 이용하는 것도 가능하다.이 광안정제로는, 광산화 열화로 생성되는 라디칼을 포착하는 힌더드아민계 안정제가 적합하고, 또한 상기 서술한 산화방지제와 병용함으로써, 산화방지효과는 보다 향상된다.광안정제의 구체예로는, 비스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜)세바케이트, 4-벤조일-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 등을 들 수 있다.003c#기타003e#또한, 본 발명의 경화성 조성물을 봉지재료로서 이용하는 경우에는, 기재와의 접착성을 향상시키기 위하여 글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 실란커플링제를 배합할 수도 있고, 크랙방지를 위해 가소제를 첨가할 수도 있다.본 발명의 경화성 조성물의 경화조건에 대해서는, 그 양에 따라 상이하며, 특별히 제한되지 않으나, 통상, 60~180℃, 5~180분의 조건으로 하는 것이 바람직하다.본 발명의 경화성 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물의 25℃에 있어서의 가시광(파장 589nm)의 굴절률로는, 1.45 이상인 것이 바람직하고, 이러한 굴절률이면, 광학디바이스나 광학부품용 재료에 호적하게 이용할 수 있다.또한, 본 발명의 경화성 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물의 25℃에 있어서의 광투과율로는, 80% 이상인 것이 바람직하고, 이러한 광투과율이면, 광학디바이스나 광학부품용 재료에 호적하게 이용할 수 있다.또한, 은기판의 부식억제의 관점으로부터, 본 발명의 경화성 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물의 가스 투과율로는, 300cc/m2·day 이하인 것이 바람직하다.이상과 같이, 본 발명의 경화성 조성물이면, 가스 투과성이 낮고, 내크랙성이 우수하고, 가시광의 굴절률이 크며, 단파장영역의 광선에 대해서도 광투과성이 높고, 투명성이 우수하며, 기재에 대한 밀착성이 높은 경화물을 부여하는 경화성 조성물이 된다.따라서, 본 발명의 경화성 조성물은, LED소자의 보호, 봉지, 접착, 파장변경, 파장조정, 또는 렌즈 등의 용도에 호적하게 사용할 수 있다. 또한, 렌즈재료, 광학디바이스 또는 광학부품용 봉지재, 디스플레이재료 등의 각종 광학용 재료, 전자디바이스 또는 전자부품용 절연재료, 더 나아가 코팅재료로서도 유용하다.나아가, 본 발명에서는, 상기 서술한 본 발명의 경화성 조성물의 경화물에 의해 반도체소자가 피복된 반도체 장치를 제공한다.이러한 반도체 장치이면, 가스 투과성이 낮고, 내크랙성 및 광투과성이 우수한 경화물에 의해 피복되어 있으므로, 신뢰성이 우수한 반도체 장치가 된다.[실시예]이하, 합성예, 실시예, 및 비교예를 이용하여 본 발명을 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 이것들로 한정되지 않는다.(합성예 1) (A-1)성분의 합성교반장치, 냉각관, 적하깔때기, 및 온도계를 구비한 500mL의 4개구 플라스크에, p-디메틸실릴벤젠 155.5g(0.8mol)과 톨루엔 50g을 첨가하고, 오일배스를 이용하여 85℃로 가열하였다. 여기에 백금촉매 CAT-PL-50T(Shin-Etsu(信越) Chemical Co., Ltd.제)를 0.1g 첨가하고, 다시 프탈산디알릴 98.5g(0.4mol)을 적하하였다. 적하종료 후, 85~95℃에서 5시간 교반하고, 5시간 경과한 시점에서 농축하고, 용제의 톨루엔과 미반응의 p-디메틸실릴벤젠을 제거하여, 하기 구조식으로 표시되는 중간체를 얻었다. 제거 후, 미리 헥사디엔 65.6g(0.8mol)과 톨루엔 50g, CAT-PL-50T 0.05g을 넣고 85℃로 가열되어 있는 교반장치, 냉각관, 적하깔때기, 및 온도계를 구비한 500mL의 4개구 플라스크에, 중간체를 적하하였다.이하에 중간체의 구조식을 나타낸다.[화학식 18](식 중, n0는 1, 2, 또는 3이다.)중간체의 적하종료 후, 85~95℃에서 5시간 교반하였다. 교반종료 후 실온으로 되돌리고, 활성탄을 3g 첨가하여 1시간 교반하였다. 교반 후 여과, 농축하여, (A-1)성분 232g을 얻었다(수율 81%).(A-1)성분을, NMR, GPC 등에 의해 분석한 결과, (A-1)성분은, 하기 구조식 중의 n1이 1인 (A-1-1), n1이 2인 (A-1-2), n1이 3인 (A-1-3)의 혼합물이고, 혼합물 중의 몰비는 (A-1-1):(A-1-2):(A-1-3)≒4:3:2였다. 또한, 혼합물 전체로서의 부가반응성 탄소-탄소 이중결합의 함유비율은, 0.17몰/100g이었다.이하에 (A-1)성분의 구조식을 나타낸다.[화학식 19](식 중, n1은 1, 2, 또는 3이다.)(합성예 2) (A-2)성분의 합성합성예 1에 있어서, 헥사디엔 대신에 옥타디엔 88.2g(0.8mol)을 이용하여, (A-2)성분 261g을 얻었다(수율 76%).(A-2)성분을, NMR, GPC 등에 의해 분석한 결과, (A-2)성분은, 하기 구조식 중의 n2가 1인 (A-2-1), n2가 2인 (A-2-2), n2가 3인 (A-2-3)의 혼합물이고, 혼합물 중의 몰비는 (A-2-1):(A-2-2):(A-2-3)≒4:3:2였다. 또한, 혼합물 전체로서의 부가반응성 탄소-탄소 이중결합의 함유비율은, 0.13몰/100g이었다.이하에 (A-2)성분의 구조식을 나타낸다.[화학식 20](식 중, n2는 1, 2, 또는 3이다.)(합성예 3) (A-3)성분의 합성합성예 1에 있어서, 헥사디엔 대신에 디메틸디비닐실란 89.84g(0.8mol)을 이용하여, (A-3)성분 283g을 얻었다(수율 82%).(A-3)성분을, NMR, GPC 등에 의해 분석한 결과, (A-3)성분은, 하기 구조식 중의 n3이 1인 (A-3-1), n3이 2인 (A-3-2), n3이 3인 (A-3-3)의 혼합물이고, 혼합물 중의 몰비는 (A-3-1):(A-3-2):(A-3-3)≒4:3:1이었다. 또한, 혼합물 전체로서의 부가반응성 탄소-탄소 이중결합의 함유비율은, 0.19몰/100g이었다.이하에 (A-3)성분의 구조식을 나타낸다.[화학식 21](식 중, n3은 1, 2, 또는 3이다.)(실시예 1)합성예 1에서 합성한 (A-1)성분 100질량부에, 규소원자에 결합한 메틸기, 페닐기, 수소원자(SiH기)의 합계에 대하여 페닐기를 30몰% 갖는 수소가스 발생량이 150ml/g인 점도 10mPa·s의 페닐메틸하이드로젠실록산을 25질량부, 반응 제어제로서 에티닐시클로헥산올을 0.2질량부 첨가하고, 실란커플링제로서 글리시독시프로필트리메톡시실란을 1질량부 첨가하였다. 이 혼합물에 백금촉매를 백금원자의 질량환산으로 20ppm첨가 후, 균일하게 혼합하여 경화성 조성물을 얻었다.(실시예 2)실시예 1에 있어서, (A-1)성분 100질량부 대신에 합성예 2에서 합성한 (A-2)성분 100질량부를 이용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 순서로 경화성 조성물을 얻었다.(실시예 3)실시예 1에 있어서, (A-1)성분 100질량부 대신에 합성예 3에서 합성한 (A-3)성분 100질량부를 이용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 순서로 경화성 조성물을 얻었다.(비교예 1)톨루엔 300g, 물 300g을 투입하고, 페닐트리메톡시실란 109g(0.55mol), 비닐메틸디클로로실란 35g(0.25mol), 디메틸디클로로실란 25.8g(0.2mol)을 적하하고, 50~60℃에서 5시간, 가수분해반응을 행하였다. 반응종료 후, 수층이 중성이 될 때까지 수세를 행하여, (C6H5)SiO3/2단위, (CH2=CH)(CH3)SiO2/2단위 및 (CH3)2SiO2/2단위로 이루어지며, 평균조성이 (CH3)0.65(C6H5)0.55(CH2=CH)0.25SiO1.28인 오르가노폴리실록산 공중합체(실리콘레진)의 50질량% 톨루엔용액을 190g 조제하였다.이 레진 용해물 100질량부에, 양말단이 비닐디메틸실릴기에 의해 봉쇄되고, 규소원자에 결합한 메틸기, 페닐기, 비닐기의 합계에 대하여 페닐기를 30몰% 갖는 점도가 700mPa.s, 굴절률이 1.51인 페닐메틸실록산을 15질량부 첨가하고, 규소원자에 결합한 메틸기, 페닐기, 수소원자(SiH기)의 합계에 대하여 페닐기를 30몰% 갖는 수소가스 발생량이 150ml/g인 점도 10mPa·s의 페닐메틸하이드로젠실록산을 15질량부 첨가하여, 혼합한 후, 150℃에서 유출분이 없어질 때까지 감압하에서 스트립을 행하였다. 이것을 실온까지 냉각한 후, 반응 제어제로서 에티닐시클로헥산올을 0.2질량부 첨가하고, 글리시독시프로필트리메톡시실란을 1질량부 첨가하였다. 이 혼합물에 백금촉매를 백금원자의 질량환산으로 20ppm첨가 후, 균일하게 혼합하여, 경화성 조성물을 얻었다.(비교예 2)톨루엔 500g, 물 500g을 투입하고, 페닐트리클로로실란 116g(0.55mol), 비닐메틸디클로로실란 35g(0.25mol), 디메틸디클로로실란 26g(0.2mol)을 적하하고, 50~60℃에서 5시간, 가수분해반응을 행하였다. 반응종료 후, 수층이 중성이 될 때까지 수세를 행하여, (C6H5)SiO3/2단위, (CH2=CH)(CH3)SiO2/2단위 및 (CH3)2SiO2/2단위로 이루어지며, 평균조성이 (CH3)0.65(C6H5)0.55(CH2=CH)0.25SiO1.28로 표시되는 오르가노폴리실록산 수지 공중합체(실리콘 레진)의 50질량% 톨루엔용액을 조제하였다.이 레진 용해물 100질량부에, 규소원자에 결합한 메틸기, 페닐기, 수소원자(SiH기)의 합계에 대하여 페닐기를 20몰% 갖는 수소가스 발생량이 150ml/g인 점도 10mPa·s의 페닐메틸하이드로젠실록산을 10질량부 첨가하여, 혼합한 후, 150℃에서 유출분이 없어질 때까지 감압하에서 스트립을 행하였다. 이것을 실온까지 냉각한 후, 반응 제어제로서 에티닐시클로헥산올을 0.2질량부 첨가하고, 글리시독시프로필트리메톡시실란을 1질량부 첨가하였다. 이 혼합물에 백금촉매를 백금원자의 질량환산으로 20ppm첨가 후, 균일하게 혼합하여, 경화성 조성물을 얻었다.003c#성능평가수법003e#상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 경화성 조성물의 경화물에 대하여, 하기 수법에 따라 성능을 평가하였다.[경도]각 조성물을 교반혼합, 탈포 후, 유리판을 조합한 형(型) 중에 2mm의 두께가 되도록 부어 넣고, 120℃에서 30분 가열하여 경화시키고, 150℃의 건조기에서 3시간 포스트큐어를 행하여, 샘플을 제작하였다. ASTM D 2240에 준하여, 각 경화물의 경도(Shore D)를 측정하였다. 측정결과를 표 1에 나타낸다.[굴절률]상기의 경도시험에서 이용한 각 경화물의 샘플에 대하여, ATAGO제 디지털굴절계 RX-5000을 이용하여, 25℃에 있어서의 파장 589nm의 광에 대한 굴절률을 측정하였다. 측정결과를 표 1에 나타낸다.[광투과율]상기의 경도시험에서 이용한 각 경화물의 샘플에 대하여, 분광광도계를 이용하여, 25℃에 있어서의 파장 400nm의 광에 대한 투과율을 측정하였다. 측정결과를 표 1에 나타낸다.[내크랙성(내구성)]각 조성물을 칩타입의 LED회로에 부어 넣은 것을 260℃에 3분간 노출하고, 각 LED회로를 덮는 경화물부분의 크랙의 유무를 확인하였다. 다시, 각 조성물의 경화물로 봉지된 LED회로를 -40℃, 30분→120℃, 30분을 1사이클로 하는 열충격시험기에 넣고, 500사이클 후에 있어서의 각 LED회로 상의 경화물부분의 크랙의 유무를 확인하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.[산소가스 투과성]각 조성물을 교반혼합, 탈포 후, 유리판으로 만든 형 중에 1mm 두께가 될 때까지 부어 넣고, 120℃에서 30분 가열하여 경화시켜, 150℃의 건조기에서 3시간 포스트큐어를 행하여, 샘플을 제작하였다. 각 경화물의 산소가스 투과성을, Illinois Instruments사제 모델 8000을 사용하고, 등압법으로 측정하였다. 측정결과를 표 1에 나타낸다.[표 1]표 1에 나타나는 바와 같이, 본 발명의 경화성 조성물의 (A)성분인 에스테르결합함유 유기규소 화합물을 포함하는 실시예 1~3의 경화물은, 광투과율이 우수하고, 내구성 시험에 있어서 크랙이 발생하지 않고, 또한 산소가스 투과성이 낮았다.한편, 본 발명의 경화성 조성물의 (A)성분을 포함하지 않는 비교예 1 및 비교예 2의 경화물은, 내구성 시험에 있어서 크랙이 발생하고, 또한 산소가스 투과성이 높았다.이상의 점으로부터, 본 발명의 경화성 조성물이면, 가스 투과성이 낮고, 온도변화에 따른 크랙의 발생을 억제할 수 있고, 광투과성이 우수한 것으로 나타났다. 또한, 가스 투과성이 낮으므로, 은기판의 부식을 억제할 수 있는 것이 시사되었다.한편, 본 발명은, 상기 실시형태로 한정되지 않는다. 상기 실시형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 가지며, 동일한 작용효과를 나타내는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
본 발명은, (A)하기 일반식(1)로 표시되고, 부가반응성 탄소-탄소 이중결합을 1분자 중에 2개 이상 갖는 에스테르결합함유 유기규소 화합물, (B)규소원자에 결합한 수소원자를 1분자 중에 2개 이상 갖는 규소 화합물, 및 (C)하이드로실릴화 반응촉매를 포함하는 경화성 조성물이다. 이에 따라, 가스 투과성이 낮고, 내크랙성 및 광투과성이 우수한 경화물을 부여하는 경화성 조성물이 제공된다. [화학식 1]
[ 발명의 명칭 ] 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜RAILWAY VEHICLE WHEEL WITH BRAKE DISCS [ 기술분야 ] 본 발명은, 철도 차량용의 차륜에 브레이크 디스크가 체결되어 이루어지는 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜(이하, 「BD가 부착된 철도 차륜」이라고도 한다)에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 철도 차량의 제동 장치로서는, 차량의 고속화나 대형화에 따라, 제동성이 우수한 디스크 브레이크가 많이 이용된다. 디스크 브레이크는, 차륜에 부착된 브레이크 디스크의 슬라이딩면에 브레이크 라이닝을 압착하도록 구성되어 있다. 이에 의해, 회전하는 차륜에 제동력이 발생하여, 차량의 속도가 제어된다.디스크 브레이크에는, 슬라이딩면 내의 영역에서 브레이크 디스크를 차륜에 체결하는 중앙 체결형(슬라이딩면 체결형) 브레이크 디스크와, 슬라이딩면보다 내주측의 영역에서 브레이크 디스크를 차륜에 체결하는 내주 체결형 브레이크 디스크가 있다. 내주 체결형 브레이크 디스크는, 슬라이딩면을 갖는 부분과는 별도로 체결에 이용하는 부분을 요한다. 한편, 중앙 체결형 브레이크 디스크는, 이러한 체결에 이용하는 부분을 설치할 필요가 없기 때문에, 경량화에 유리하다.도 1a 및 도 1b는, 철도 차량의 디스크 브레이크를 구성하는 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜의 전체 구조를 도시하는 도면으로서, 도 1a는 1/4원 부분의 평면도를, 도 1b는 반원 부분의 경방향을 따른 단면도를 각각 나타낸다. 도 2a~도 2c는, 종래의 BD가 부착된 철도 차륜의 구조를 국소적으로 도시하는 도면으로서, 도 2a는 브레이크 디스크의 이면을 내주면측에서 본 사시도를, 도 2b는 브레이크 디스크를 이면측에서 본 평면도를, 도 2c는 경방향을 따른 단면도를 각각 나타낸다. 도 1a, 도 1b 및 도 2a~도 2c에 도시된 브레이크 디스크는, 모두 중앙 체결형이다.도 1a, 도 1b 및 도 2a~도 2c에 나타내는 바와 같이, 브레이크 디스크(1)는, 표면(2a)측을 슬라이딩면으로 하는 도넛형의 원판부(2)를 구비한다. 이 원판부(2)의 이면(2b)에는, 방사상으로 복수의 핀부(3)가 돌출 설치되어 있다. 복수의 핀부(3) 중 몇 개에는, 반경방향의 거의 중앙의 위치에, 원판부(2)까지 관통하는 볼트구멍(4)이 형성되어 있다.차륜(10)은, 차축이 압입되는 보스부(11), 레일과 접촉하는 답면을 포함하는 림부(12), 및 이들을 결합하는 판부(13)를 구비하고 있다. 브레이크 디스크(1)는, 2장을 1세트로 하여 개개의 표면(2a)을 바깥쪽을 향하게 한 상태로 차륜(10)의 판부(13)를 사이에 끼워 넣도록 배치된다. 각 볼트구멍(4)에 볼트(5)가 삽입 통과되고, 각 볼트(5)에 너트(6)가 나사 결합하여 조여진다. 이에 의해, 브레이크 디스크(1)는, 핀부(3)의 선단면이 반경방향의 전역에 걸쳐 차륜(10)의 판부(13)의 측면(13a)에 압접한 상태로, 차륜(10)에 체결된다.브레이크 디스크(1)는, 슬라이딩면 내의 영역에서 판부(13)에 체결된다. 중앙 체결형 브레이크 디스크에서는, 브레이크 디스크(1)의 경방향에 관해, 브레이크 디스크(1)의 내주와 외주의 중앙부 근방, 예를 들어, 내주와 외주를 1 : 3으로 내분하는 위치와 3 : 1로 내분하는 위치의 사이에서, 브레이크 디스크(1)가 차륜(10)에 체결되어 있는 것이 바람직하다.브레이크 디스크(1) 표면의 실질적으로 전면이 슬라이딩면으로 되어 있고, 도 1b에 도시하는 바와 같이, 보스부(11)와 원판부(2)의 사이에는, 전체 둘레에 걸쳐 큰 간극(예를 들어, 70~120mm의 간극)이 형성되어 있다. 즉, 브레이크 디스크(1)는, 보스부(11) 근방까지는 연장되어 있지 않으며, 이에 의해, 브레이크 디스크(1)의 경량화가 도모되고 있다. 이러한 구성의 종래의 BD가 부착된 철도 차륜은, 예를 들면 특허문헌 1에 개시되어 있다.철도 차량의 주행 시, 브레이크 디스크(1)는 차륜(10)과 일체로 고속 회전한다. 이에 따라, 브레이크 디스크(1)의 주변의 공기가, 브레이크 디스크(1)와 차륜(10)의 사이에 형성된 공간 내에, 구체적으로는, 브레이크 디스크(1)의 원판부(2) 및 핀부(3), 및 차륜(10)의 판부(13)로 둘러싸인 공간 내에, 내주측(보스부(11)와 원판부(2)의 간극)으로부터 유입되고, 외주측으로부터 유출된다(도 2a~도 2c 중의 실선 화살표 참조). 요컨대, 철도 차량의 주행 중, 브레이크 디스크(1)와 차륜(10) 사이의 공간에는 공기의 가스 흐름이 생긴다. 이 가스 흐름은, 신칸센(R) 등의 고속 철도 차량과 같이 시속 300km를 넘는 고속으로 주행할 때에 현저해지며, 공력음이라고 불리는 소음을 유발한다. 이 때문에, 환경에 대한 배려로부터 공력음의 저감이 필요해진다.내주 체결형 브레이크 디스크에서는, 중앙 체결형 브레이크 디스크에 비해 보스부(11)와 원판부(2)의 간극은 현저하게 작다. 이 때문에, 차량의 주행 시에, 이 간극으로부터, 브레이크 디스크(1)의 원판부(2) 및 핀부(3), 및 차륜(10)의 판부(13)로 둘러싸인 공간 내에 유입되는 공기의 양은 소량이고, 통상, 문제가 되는 레벨의 공력음은 발생하지 않는다. 따라서, 공력음의 발생은, 중앙 체결형 브레이크 디스크 특유의 문제라고 할 수 있다.중앙 체결형 브레이크 디스크에 대해 공력음을 저감한다는 요구에 대응하는 종래 기술은 하기의 것이 있다.예를 들면 특허문헌 2에는, 브레이크 디스크에 대해, 서로 이웃하는 핀부끼리의 사이에 원주방향을 따라 리브를 추가하고, 이 리브에 의해 가스 흐름을 억제한 BD가 부착된 철도 차륜이 개시되어 있다. 동일 문헌에 개시된 BD가 부착된 철도 차륜에 의하면, 공력음을 원하는 레벨까지 저감할 수 있다.그러나, 상기 특허문헌 2에 개시된 기술에서는, 리브에 의한 가스 흐름의 억제에 따라, 제동 시에 브레이크 디스크에 대한 냉각 성능이 저하한다. 이 때문에, 리브의 추가에 의해 브레이크 디스크 자체의 강성이 증가함과 더불어, 브레이크 디스크의 열팽창에 따른 변형, 및 그에 의한 체결용 볼트에 대한 응력 부하가 증대하여, 브레이크 디스크 및 볼트의 내구성이 저하할 우려가 있다.이 문제의 해결을 도모하는 종래 기술이 특허문헌 3에 개시되어 있다.도 3a 및 도 3b는, 특허문헌 3에 개시된 종래의 BD가 부착된 철도 차륜의 구조를 국소적으로 도시하는 도면으로서, 도 3a는 브레이크 디스크의 이면을 내주면측에서 본 사시도를, 도 3b는 경방향을 따른 단면도를 각각 나타낸다. 이들 도면에 나타내는 바와 같이, 특허문헌 3에 개시된 BD가 부착된 철도 차륜에서는, 브레이크 디스크(1)에 대해, 서로 이웃하는 핀부(3)끼리의 사이에 원주방향을 따라 리브(7)를 추가하고, 또한, 이 리브(7)의 원주방향의 중앙부에 경방향을 따라 슬릿(7a)이 형성되어 있다.이 BD가 부착된 철도 차륜에 의하면, 슬릿(7a)에 의해 가스 흐름이 확보된다. 이 때문에, 제동 시에 브레이크 디스크(1)에 대한 냉각 성능이 유지됨과 더불어, 리브의 추가에 의한 강성의 증가가 완화되므로, 브레이크 디스크(1)의 열팽창에 따른 변형 및 체결용 볼트에 대한 응력 부하가 경감되어, 브레이크 디스크(1) 및 볼트의 내구성의 저하가 억제된다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본국 특허공개 2006－9862호 공보일본국 특허공개 2007－205428호 공보국제 공개 WO2010/071169호 팜플릿 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 상술한 바와 같이, 공력음의 저감을 도모하는 종래의 BD가 부착된 철도 차륜은, 브레이크 디스크의 원판부 및 핀부, 및 차륜의 판부로 둘러싸인 공간 내의 가스 흐름을 억제하는 것을 주목적으로 하며, 디스크 브레이크의 원판부에 리브를 추가하거나, 또한 그 리브에 슬릿을 형성한 것이다. 이 때문에, 브레이크 디스크의 형상이 복잡해지므로, 브레이크 디스크의 생산성이 저하하지 않을 수 없다.구체적으로는, 핀부뿐만 아니라, 리브의 높이를 조정하는 추가 가공(기계 가공 등)이 필요해지며, 또한, 리브에 슬릿을 형성하는 추가 가공이 필요해지므로, 브레이크 디스크의 제조 공정이 번잡화한다. 특히, 브레이크 디스크를 단조에 의해 제조하는 경우에는, 금형에 대한 부하가 증대하여, 금형 수명이 짧아지는 것은 부정할 수 없다.본 발명은, 상기의 문제를 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 하기의 특성을 갖는 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜을 제공하는 것이다 :·브레이크 디스크가 간소한 형상으로 생산성이 우수한 것인 것 ;·고속 주행 중의 공력음을 유효하게 저감하는 것. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 한 실시 형태인 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜은,보스부, 림부, 및 이들을 결합하는 판부를 구비한 철도 차량용의 차륜과,표면측을 슬라이딩면으로 하는 도넛형의 원판부, 및 상기 원판부의 이면에 방사상으로 돌출 설치된 복수의 핀부를 구비한 브레이크 디스크를 구비하고,2장의 상기 브레이크 디스크가 개개의 상기 슬라이딩면을 바깥쪽을 향하게 한 상태로 상기 차륜의 상기 판부를 사이에 끼워 넣어, 상기 슬라이딩면 내의 영역에서 체결된 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜으로서, 상기 브레이크 디스크와 상기 차륜의 사이에 형성된 공간을 원주방향을 따라 횡단하는 단면의 면적에 대해, 이 단면적이 최소가 되는 최소 단면부가, 상기 원판부의 외주면과 상기 림부의 내주면으로 형성되는 영역에 존재하며, 상기 원판부의 상기 외주면이, 상기 최소 단면부를 기점으로 한 외측의 영역에서, 상기 림부의 상기 내주면을 따른 형상이다. 상기의 BD가 부착된 철도 차륜에 있어서, 상기 림부의 상기 내주면은, 상기 림부의 측면에 연결되는 코너면, 및 상기 코너면과 상기 판부의 측면에 연결되는 필릿면을 포함하고, 상기 최소 단면부는, 상기 림부의 상기 내주면 중에서 상기 코너면과 상기 필릿면의 경계에 존재하는 구성으로 할 수 있다.상기의 BD가 부착된 철도 차륜에 있어서, 상기 림부의 상기 내주면은, 상기 림부의 측면에 연결되는 코너면, 및 상기 코너면과 상기 판부의 측면에 연결되는 필릿면을 포함하고, 상기 최소 단면부는, 상기 림부의 상기 내주면 중에서 상기 필릿면의 경계에 존재하는 구성으로 할 수도 있다. 이 구성의 경우, 상기 최소 단면부는, 상기 원판부의 상기 외주면 중에서 가장 이면측에 존재하는 것이 바람직하다.또, 상기의 BD가 부착된 철도 차륜에 있어서, 상기 림부의 상기 내주면에 있어서의 상기 코너면은, 축 방향을 따른 단면에서의 윤곽 형상이 원호형상인 구성을 채용할 수 있다. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜은, 하기의 현저한 효과를 갖는다 :·브레이크 디스크가 간소한 형상으로 생산성이 우수한 것인 것 ;·고속 주행 중의 공력음을 유효하게 저감하는 것. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1a는, 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜의 전체 구조를 도시하는 도면으로서, 1/4원 부분의 평면도를 나타낸다.도 1b는, 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜의 전체 구조를 도시하는 도면으로서, 반원 부분의 경방향을 따른 단면도를 나타낸다.도 2a는, 종래의 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜의 구조를 국소적으로 도시하는 도면으로서, 브레이크 디스크의 이면을 내주면측에서 본 사시도를 나타낸다.도 2b는, 종래의 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜의 구조를 국소적으로 도시하는 도면으로서, 브레이크 디스크를 이면측에서 본 평면도를 나타낸다.도 2c는, 종래의 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜의 구조를 국소적으로 도시하는 도면으로서, 경방향을 따른 단면도를 나타낸다.도 3a는, 특허문헌 3에 개시된 종래의 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜의 구조를 국소적으로 도시하는 도면으로서, 브레이크 디스크의 이면을 내주면측에서 본 사시도를 나타낸다.도 3b는, 특허문헌 3에 개시된 종래의 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜의 구조를 국소적으로 도시하는 도면으로서, 경방향을 따른 단면도를 나타낸다.도 4는, 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜에 있어서의 개구 면적의 총합과 공력음 레벨 및 통기량의 상관을 도시하는 도면이다.도 5a는, 비정상(非定常) 가스 흐름 해석으로 얻어진 고체 표면(브레이크 디스크 및 차륜의 표면)에 있어서의 가스 압력 변동의 분포를 도시하는 도면이다.도 5b는, 비정상 가스 흐름 해석으로 얻어진 고체 표면(브레이크 디스크를 투과하여 표시)에 있어서의 가스 압력 변동의 분포를 도시하는 도면이다.도 6a는, 본 발명의 제1 실시 형태인 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜의 구조를 도시하는, 경방향을 따른 단면도이다.도 6b는, 도 6a의 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜을 국소적으로 도시하는 단면도이며, 도 6a의 직사각형 영역을 나타내고 있다.도 7a는, 본 발명의 제2 실시 형태인 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜의 구조를 도시하는, 경방향을 따른 단면도이다.도 7b는, 도 7a의 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜을 국소적으로 도시하는 단면도이며, 도 7a의 직사각형 영역을 나타내고 있다.도 8a는, 본 발명의 제3 실시 형태인 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜의 구조를 도시하는, 경방향을 따른 단면도이다.도 8b는, 도 8a의 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜을 국소적으로 도시하는 단면도이며, 도 8a의 직사각형 영역을 나타내고 있다.도 9a는, 실시예의 해석에서 비교예로서 이용한 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜의 구조를 도시하는, 경방향을 따른 단면도이다.도 9b는, 도 9a의 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜을 국소적으로 도시하는 단면도이며, 도 9a의 직사각형 영역을 나타내고 있다.도 10은, 실시예의 해석 결과인 방열량과 공력음 레벨의 관계를 도시하는 도면이다.도 11은, 실시예의 해석 결과인 통기량의 경시 변화를 도시하는 도면이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 상기 특허문헌 3에 기재되어 있는 바와 같이, 브레이크 디스크와 차륜의 사이에 형성된 공간, 그 중에서도 브레이크 디스크의 원판부 및 핀부, 및 차륜의 판부로 둘러싸인 공간을 흐르는 공기의 통기량과, 공력음의 레벨의 사이에는 강한 상관이 있다.도 4는, 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜에 있어서의 개구 면적의 총합과 공력음 레벨 및 통기량의 상관을 도시하는 도면이다. 여기에서 말하는 개구 면적의 총합이란, 브레이크 디스크의 원판부 및 핀부, 및 차륜의 판부로 둘러싸인 공간에 대해, 브레이크 디스크의 내주측에서 보았을 때의 개구 면적의 원주방향 전역에 걸친 총합을 말한다. 바꿔 말하면, 개구 면적의 총합은, 브레이크 디스크와 차륜의 사이에 형성된 공간을 원주방향을 따라 횡단하는 단면(이하, 「공간 횡단면」)에 대해, 이 공간 횡단면의 면적이 최소가 되는 최소 단면부의 면적을 말한다. 예를 들면, 상기 도 3a 및 도 3b에 나타내는 BD가 부착된 철도 차륜과 같이, 브레이크 디스크의 핀부끼리의 사이에 리브가 추가되고, 이 리브에 슬릿이 형성되어 있는 경우, 최소 단면부는 리브의 위치가 되므로, 이 리브의 위치에서의 공간 횡단면의 면적이 도 4에 나타내는 개구 면적의 총합이 된다. 또한, 통기량은 열유체 해석(브레이크 디스크 1장당)에 의해 얻어지고, 공력음의 레벨은 실험에 의해 얻어진 것이다.도 4에 나타내는 바와 같이, 공력음 레벨은 최소 단면부의 면적(개구 면적의 총합)의 증가에 따라 커지고, 통기량도 동일한 경향이 되는 것을 알 수 있다.그러나, 실제로는, 공력음은, 가스 압력의 비정상 변화(조밀파(粗密波)의 전파 현상)에 의해 야기된다. 이 때문에, 공력음의 발생을 수치 해석으로 예측할 때에는, 본질적으로 비정상적인 가스 흐름의 변화 및 그에 따른 음압의 변화를 직접적으로 평가하는 것이 바람직하다.그래서, 상기 도 3a 및 도 3b에 나타내는 종래의 BD가 부착된 철도 차륜, 즉 핀부끼리의 사이에 슬릿이 형성된 리브를 추가한 BD가 부착된 철도 차륜을 대상으로 하여, 비정상 가스 흐름 해석에 의거한 공력음 레벨의 직접 예측을 실시하였다. 이 해석에서는, 주행 속도는 360km/h로 일정하게 하였다.비정상 가스 흐름 해석에 이용한 BD가 부착된 철도 차륜 모델의 대표적인 조건은, 다음과 같다.＜브레이크 디스크＞·신칸센(R)용의 단강 디스크·원판부의 내경 : 417mm, 원판부의 외경 : 715mm·원판부의 슬라이딩면으로부터 핀부의 선단면(차륜 판부와의 접촉면)까지의 길이 : 45mm·직경이 560mm인 동일 원 상에 중심이 위치하는 12개의 볼트구멍을 등간격으로 형성하고, 각 볼트구멍에 볼트를 삽입 통과시켜 브레이크 디스크와 차륜을 체결.＜차륜＞·신칸센(R)용의 압연 차륜·내경 : 196mm, 외경 : 860mm우선, 상기 특허문헌 2에 기재된 방법에 의해 공력음 레벨의 측정을 행하고, 비정상 가스 흐름 해석의 계산 수법의 타당성을 검증하였다. 구체적으로는, 실험에 의해, 정밀 소음계로 음압 데이터를 계측 후, 주파수 분석을 행하여, A특성 보정을 가한 후, 1/3 옥타브밴드 처리를 실시하여, 주파수 특성 데이터와 오버올치를 산출하였다. 그리고, 오버올치에 대해, 실험치(114.5[dB(A)])와 계산치(114.8[dB(A)])를 대비하여, 양자의 정합성을 확인하였다.도 5a 및 도 5b는, 비정상 가스 흐름 해석으로 얻어진 고체 표면(브레이크 디스트 및 차륜의 표면)에 있어서의 가스 압력 변동의 분포를 도시하는 도면이다. 도 5a는, 브레이크 디스크 및 차륜의 표면을 모두 표시한 것이며, 도 5b는, 그 중 브레이크 디스크를 투과하여 표시한 것이다.도 5a 및 도 5b에 나타내는 고체 표면에 있어서의 가스 압력 변동은, 압력의 시간 미분치의 제곱 평균량을 나타내고, 이것은 고체 표면(브레이크 디스크 및 차륜의 표면)에 있어서의 음원 분포에 상당한다. 도 5a 및 도 5b 중의 농담 표시가 진한 부분의 분포로부터 명확하게 알 수 있는 바와 같이, 주행 중의 주요 음원은, 브레이크 디스크와 차륜의 사이에 형성된 공간 중에서도, 가스 유출 영역 및 이 근방, 즉 브레이크 디스크의 원판부의 외주 영역 및 이 근방에 나타난다.이로부터, 본 발명에서는, 공력음의 저감을 도모하기 위해, 브레이크 디스크와 차륜의 사이에 형성된 공간 중, 종래 기술에서 주목하고 있었던 브레이크 디스크의 원판부 및 핀부, 및 차륜의 판부로 둘러싸인 공간이 아니라, 가스 유출 영역이 되는 브레이크 디스크의 원판부의 외주 영역, 즉 브레이크 디스크의 원판부의 외주면과 차륜의 림부의 내주면으로 형성되는 영역에 한정하여 주목하였다.그리고, 상기의 비정상 가스 흐름 해석에 의한 수치 계산을 이용하여, 브레이크 디스크의 원판부의 외주 영역의 형태가 공력음 레벨 및 냉각 성능에 미치는 영향에 대해 조사하였다. 그 결과, 브레이크 디스크의 외주면의 형상을 적절히 규정하면, 냉각 성능을 종래 기술 상당 또는 그 이상으로 유지하면서도, 공력음 레벨을 한층 억제할 수 있다는 지견을 얻어, 본 발명을 완성시켰다.일반적으로, 가스 흐름은, 방향 변화가 급격하면 할수록, 점성 응력에 의한 운동 에너지의 산일이 커지고, 그 만큼, 소리를 생성하는 에너지로 전환하기 쉬워진다. 이와 같은 점에서, 본 발명은, 가스 유출 영역의 가스 흐름에 주목하여, 브레이크 디스크와 차륜의 사이로부터의 가스 흐름 방향이, 차륜의 림부의 표면(측면)을 따르도록 조정하여, 브레이크 디스크의 회전에 따라 발생하는 슬라이딩면을 따른 반경방향 바깥쪽의 가스 흐름과 작은 각도로 합류하도록 한다. 이에 의해, 음원이 되기 쉬운 합류점 근방에서의 가스 흐름의 방향 변화가 극소화하여, 공력음의 저감이 실현된다.이하에, 본 발명의 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜의 실시 형태에 대해 상술한다.＜제1 실시 형태＞도 6a는, 본 발명의 제1 실시 형태인 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜의 구조를 도시하는, 경방향을 따른 단면도이다. 도 6b는, 도 6a의 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜을 국소적으로 도시하는 단면도이며, 도 6a의 직사각형 영역을 나타내고 있다. 이하에서는, 상기 도 1a, 도 1b 및 도 2a~도 2c에 나타내는 종래의 BD가 부착된 철도 차륜과 공통되는 부분에는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명은 적절히 생략한다.도 6a 및 도 6b에 나타내는 바와 같이, 제1 실시 형태에 있어서의 브레이크 디스크(1)는, 원판부(2)와, 핀부(3)를 구비한다. 이 브레이크 디스크(1)는, 상기 도 3a 및 도 3b에 나타내는 바와 같은 리브(7)를 갖지 않는다. 요컨대, 원판부(2)의 이면(2b)에는, 방사상으로 복수의 핀부(3)가 돌출 설치되어 있을 뿐이다.브레이크 디스크(1)의 재질로서는, 주철, 주강, 단강, 알루미늄, 카본 등을 채용할 수 있다.또한, 엄밀하게는, 브레이크 디스크(1)의 표면(2a) 중 슬라이딩면이 되는 영역은, 한층 높아져 있다. 브레이크 디스크(1)는, 반복 제동에 따라 슬라이딩면이 마모되고, 슬라이딩면의 마모가 원판부(2)의 표면(2a)의 높이까지 진행되면 교환된다.차륜(10)은, 보스부(11)와, 림부(12)와, 판부(13)를 구비한다. 림부(12)의 내주면(12b)(도 6b 중의 점 b1로부터 점 b3의 범위)은, 림부(12)의 측면(12a)에 연결되는 코너면(12ba)(도 6b 중의 점 b1로부터 점 b2의 범위), 및 코너면(12ba)과 판부(13)의 측면(13a)에 연결되는 필릿면(12bb)(도 6b 중의 점 b2로부터 점 b3의 범위)을 포함한다.코너면(12ba) 및 필릿면(12bb)의 형상은, 차량의 사양에 따라 설계된다. 예를 들면, 코너면(12ba)은, 차륜(10)의 축방향을 따른 단면에서의 윤곽 형상이 원호형상으로서, 곡률 반경이 일정한 단일한 R면이다. 필릿면(12bb)은, 차륜(10)의 축방향을 따른 단면에서의 윤곽 형상이 직선과 원호를 조합한 형상으로서, 원뿔대형상의 테이퍼면과 곡률 반경이 일정한 R면을 조합한 복합면이다. 단, 필릿면(12bb)은, 단일한 R면이어도 되고, 곡률 반경이 변화하는 자유 곡면이어도 된다.여기에서, 제1 실시 형태의 BD가 부착된 철도 차륜에서는, 브레이크 디스크(1)와 차륜(10)의 사이에 형성된 공간을 원주방향을 따라 횡단하는 공간 횡단면에 대해, 이 공간 횡단면의 면적이 최소가 되는 최소 단면부가, 브레이크 디스크(1)의 원판부(2)의 외주면(2c)과 차륜(10)의 림부(12)의 내주면(12b)으로 형성되는 영역에 존재한다. 구체적으로는, 림부(12)의 내주면(12b) 중에서 코너면(12ba)과 필릿면(12bb)의 경계(b2)에 존재한다.이에 대응하여, 브레이크 디스크(1)의 원판부(2)의 외주면(2c)(도 6b 중의 점 a1로부터 점 a3의 범위)은, 림부(12)의 코너면(12ba)과 필릿면(12bb)의 경계(b2)에 대향하는 위치(a2)를 기점으로 하여, 여기에서부터 두께 방향을 따라 외측(표면(2a)측)의 영역(도 6b 중의 점 a1로부터 점 a2의 범위)의 형상이, 림부(12)의 내주면(12b) 중 코너면(12ba)을 따른 형상으로 되어 있다. 즉, 그 영역의 범위 내에 있어서, 브레이크 디스크(1)의 원판부(2)의 외주면(2c)과 차륜(10)의 림부(12)의 내주면(12b)이 근접하여 대향하고 있다. 여기에서 말하는 근접한다는 것은, 1~5mm 정도의 간극이 형성되어 있는 것을 말한다. 한편, 그 영역을 벗어난 내측(브레이크 디스크(1)의 이면(2b)측)의 영역(도 6b 중의 점 a2로부터 점 a3의 범위)에 있어서, 원판부(2)의 외주면(2c)은 림부(12)의 내주면(12b)을 따르지 않고 떨어져 있다.이러한 구성의 BD가 부착된 철도 차륜에 있어서, 브레이크 디스크(1)는, 리브(7)를 갖지 않고, 원판부(2)의 이면에 핀부(3)를 구비할 뿐이며, 간소한 형상이다. 이 때문에, 브레이크 디스크(1)의 제조 공정이 번잡화하는 일은 없으며, 브레이크 디스크(1)의 생산성은 우수하다. 브레이크 디스크(1)를 단조에 의해 제조하는 경우여도, 금형에 대한 부하가 증대하는 일은 없으며, 금형 수명이 짧아지는 경우도 없다. 단, 브레이크 디스크(1)의 원판부(2)의 외주면(2c)은, 차륜(10)의 림부(12)의 내주면(12b)의 형상에 따른 형상으로 기계 가공을 실시할 필요는 있지만, 이 기계 가공은, 종래의 리브나 슬릿의 추가 가공과는 달리, 브레이크 디스크(1)의 일련의 기계 가공 중에서 간단히 행할 수 있다.또, 제1 실시 형태의 BD가 부착된 철도 차륜에 의하면, 고속 주행 중, 브레이크 디스크(1)와 차륜(10)의 사이를 흐르는 공기는, 최종적으로 림부(12)의 내주면(12b)(코너면(12ba))을 따르면서 림부(12)의 측면(12a)을 따르도록 유출된다(도 6b 중의 실선 화살표 참조). 이 때문에, 브레이크 디스크(1)와 차륜(10)의 사이에서 유출된 공기는, 브레이크 디스크(1)의 회전에 따라 발생하는 슬라이딩면을 따른 반경방향 바깥쪽의 가스 흐름(도 6b 중의 점선 화살표 참조)과 작은 각도로 합류하게 된다. 이에 의해, 음원이 되기 쉬운 합류점 근방에서의 가스 흐름의 방향 변화가 극소화하므로, 공력음이 유효하게 저감된다.＜제2 실시 형태＞도 7a는, 본 발명의 제2 실시 형태인 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜의 구조를 도시하는, 경방향을 따른 단면도이다. 도 7b는, 도 7a의 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜을 국소적으로 도시하는 단면도로서, 도 7a의 직사각형 영역을 나타내고 있다. 제2 실시 형태의 BD가 부착된 철도 차륜은, 상기 제1 실시 형태의 구성을 기본으로 하여, 상기 제1 실시 형태에 대해 이하의 점을 변경한 것이다.제2 실시 형태의 BD가 부착된 철도 차륜에서는, 브레이크 디스크(1)와 차륜(10) 사이의 공간 횡단면의 최소 단면부가, 브레이크 디스크(1)의 원판부(2)의 외주면(2c)과 차륜(10)의 림부(12)의 내주면(12b)으로 형성되는 영역 중, 림부(12)의 필릿면(12bb)의 영역에 존재한다(도 7b 중의 점 b4 참조).이에 대응하여, 브레이크 디스크(1)의 원판부(2)의 외주면(2c)(도 7b 중의 점 a1로부터 점 a3의 범위)은, 림부(12)의 필릿면(12bb)에 있어서의 최소 단면부(도 7b 중의 점 b4)에 대향하는 위치(a4)를 기점으로 하여, 여기에서부터 두께 방향을 따라 외측(표면(2a)측)의 영역(도 7b 중의 점 a1로부터 점 a4의 범위)의 형상이, 림부(12)의 내주면(12b) 중 코너면(12ba) 및 필릿면(12bb)의 일부를 따른 형상으로 되어 있다. 즉, 그 영역의 범위 내에 있어서, 브레이크 디스크(1)의 원판부(2)의 외주면(2c)과 차륜(10)의 림부(12)의 내주면(12b)이 근접하여 대향하고 있다. 한편, 그 영역을 벗어나는 내측(브레이크 디스크(1)의 이면(2b)측)의 영역(도 7b 중의 점 a4로부터 점 a3의 범위)에 있어서, 원판부(2)의 외주면(2c)은 림부(12)의 내주면(12b)을 따르지 않고 떨어져 있다.이러한 구성의 제2 실시 형태의 BD가 부착된 철도 차륜에서도, 상기 제1 실시 형태와 동일한 효과를 발휘한다.＜제3 실시 형태＞도 8a는, 본 발명의 제3 실시 형태인 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜의 구조를 도시하는, 경방향을 따른 단면도이다. 도 8b는, 도 8a의 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜을 국소적으로 도시하는 단면도이며, 도 8a의 직사각형 영역을 나타내고 있다. 제3 실시 형태의 BD가 부착된 철도 차륜은, 상기 제2 실시 형태의 양태를 변형한 것이다.즉, 제3 실시 형태의 BD가 부착된 철도 차륜에서는, 브레이크 디스크(1)와 차륜(10) 사이의 공간 횡단면의 최소 단면부가, 브레이크 디스크(1)의 원판부(2)의 외주면(2c)과 차륜(10)의 림부(12)의 내주면(12b)으로 형성되는 영역 중, 원판부(2)의 외주면(2c) 중에서 가장 이면(2b)측에 존재한다(도 8b 중의 점 a3 참조).브레이크 디스크(1)의 원판부(2)의 외주면(2c)(도 8b 중의 점 a1로부터 점 a3의 범위)은, 가장 이면(2b)측의 위치(a3)를 기점으로 하여, 여기에서부터 두께 방향을 따라 외측(표면(2a)측)의 영역의 형상이, 림부(12)의 내주면(12b) 중 코너면(12ba)의 거의 전면 및 필릿면(12bb)의 일부를 따른 형상으로 되어 있다. 즉, 브레이크 디스크(1)의 원판부(2)의 외주면(2c)은, 두께 방향의 전역에 걸쳐 차륜(10)의 림부(12)의 내주면(12b)에 근접하여 대향하고 있다.이 경우, 브레이크 디스크(1)와 차륜(10) 사이의 공간 횡단면의 최소 단면부는, 브레이크 디스크(1)의 원판부(2)의 외주면(2c) 중에서 가장 이면(2b)측의 위치(a3)에 대응하여, 차륜(10)의 림부(12)의 필릿면(12bb)의 영역에 존재한다(도 8b 중의 점 b5 참조).이러한 구성의 제3 실시 형태의 BD가 부착된 철도 차륜에서도, 상기 제1 실시 형태와 동일한 효과를 발휘한다.[실시예]본 발명의 BD가 부착된 철도 차륜에 의한 효과를 확인하기 위해, 비정상 가스 흐름 해석 및 열유체 해석을 실시하여, 공력음 레벨, 냉각 성능 및 통기량을 평가하였다. 해석의 대상은, 본 발명예 1로서, 상기 도 6a 및 도 6b에 나타내는 제1 실시 형태의 BD가 부착된 철도 차륜을 채용하고, 본 발명예 2로서, 상기 도 8a 및 도 8b에 나타내는 제3 실시 형태의 BD가 부착된 철도 차륜을 채용하였다.또, 비교예로서, 도 9a 및 도 9b에 나타내는 바와 같이, 핀부(3)끼리의 사이에 슬릿(7a)이 형성된 리브(7)를 추가한 BD가 부착된 철도 차륜을 채용하였다. 도 9a 및 도 9b에 나타내는 BD가 부착된 철도 차륜은, 상기 도 3a 및 도 3b에 나타내는 종래의 BD가 부착된 철도 차륜과 동일하다. 비교예의 BD가 부착된 철도 차륜에서는, 브레이크 디스크(1)의 원판부(2)의 외주면(2c)은, 림부(12)의 내주면(12b)을 따르지 않고 떨어져 있다.본 발명예 1 및 2 및 비교예의 BD가 부착된 철도 차륜은, 모두, 브레이크 디스크를 중앙 체결한 것이다. 해석에 이용한 BD가 부착된 철도 차륜 모델의 대표적인 조건은, 상술한 비정상 가스 흐름 해석 시와 동일하다. 또, 비정상 가스 흐름 해석의 수법도 동일하다. 비정상 가스 흐름 해석 및 열유체 해석은 모두, 주행 속도가 360km/h로 일정하게 하였다.냉각 성능의 평가 지표로서는, 브레이크 디스크 1장당 표면의 평균 열전달율과 표면적의 적산치로 정의한 방열량을 도입하였다. 이 방열량이 클수록, 냉각 성능이 우수한 것을 의미한다.통기량의 평가는, 브레이크 디스크와 차륜 사이의 공간 횡단면의 최소 단면부에서의 통기량의 시간 평균, 및 그 변동폭으로 행하였다.하기의 표 1, 도 10 및 도 11에 결과를 나타낸다.[표 1]도 10은, 실시예의 해석 결과인 방열량과 공력음 레벨의 관계를 도시하는 도면이다. 도 11은, 실시예의 해석 결과인 통기량의 경시 변화를 도시하는 도면이다. 표 1 및 도 10에 나타내는 바와 같이, 본 발명예 1, 2는, 비교예와 동등 이상의 냉각 성능으로 하면서, 공력음 레벨을 보다 저감할 수 있는 것을 확인할 수 있다. 또, 본 발명예 1, 2는, 비교예보다 최소 단면부의 면적이 크기 때문에, 평균 통기량이 증가하여, 냉각 성능이 높다. 또한, 표 1 및 도 11에 나타내는 바와 같이, 본 발명예 1, 2는, 비교예보다 통기량의 변동폭이 작고, 정음성(靜音性)이 향상된다. 이로부터, 설계 인자인 최소 단면부의 면적을 적절히 변경함으로써, BD가 부착된 철도 차륜의 정음성, 및 제동 시에 있어서의 브레이크 디스크의 냉각 성능을 적절히 제어하는 것이 가능하다고 할 수 있다.[산업상의 이용 가능성]본 발명의 브레이크 디스크가 부착된 철도 차륜은, 디스크 브레이크를 갖는 모든 철도 차량에 유효하게 이용할 수 있으며, 그 중에서도, 고속 철도 차량에 유용하다. [ 부호의 설명 ] 1 : 브레이크 디스크2 : 원판부2a : 표면2b : 이면2c : 외주면3 : 핀부4 : 볼트구멍5 : 볼트6 : 너트7：리브7a : 슬릿10 : 차륜11 : 보스부12 : 림부12a : 측면12b : 내주면12ba : 코너면12bb : 필릿면13 : 판부13a : 측면
철도 차륜은, 판부(13)를 구비한 차륜(10)과, 표면(2a)측을 슬라이딩면으로 하는 원판부(2), 및 원판부(2)의 이면(2b)에 돌출 설치된 복수의 핀부(3)를 구비한 브레이크 디스크(1)를 구비하고, 2장의 브레이크 디스크(1)가 개개의 슬라이딩면을 바깥쪽을 향하게 한 상태로 차륜(10)의 판부(13)를 사이에 끼워 넣어, 상기 슬라이딩면의 영역 내에서 체결되어 이루어진다. 브레이크 디스크(1)와 차륜(10)의 사이에 형성된 공간을 원주방향을 따라 횡단하는 단면의 면적에 대해, 이 단면적이 최소가 되는 최소 단면부가, 원판부(2)의 외주면(2c)과 림부(12)의 내주면(12b)으로 형성되는 영역에 존재하고, 원판부(2)의 외주면(2c)은, 최소 단면부를 기점으로 한 외측의 영역에서, 림부(12)의 내주면(12b)을 따른다. 이 철도 차륜은, 간소한 형상으로 생산성이 우수한 브레이크 디스크를 구비하고, 고속 주행 중의 공력음을 유효하게 저감하는 것이 가능하다.
[ 발명의 명칭 ] 동영상 처리 방법 및 장치METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING VIDEO [ 기술분야 ] 본 발명은 동영상 처리 방법 및 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 복수의 처리 유닛들을 이용하여 동영상을 처리하는 구성에 관한 것이다. [ 배경기술 ] UHD에 대한 니즈가 발생하면서, 저장매체의 크기 및 전달매체의 대역폭을 현재 동영상 압축 기술로는 수용하기 어려움에 따라, UHD 동영상 압축을 위한 새로운 압축 표준 기술이 필요하고 되었고, 이에 따라, HEVC가 2013년1월 표준화 완료되었다.그러나, HEVC는 internet 및 3G, LTE 등의 망을 통해 서비스되는 동영상 스트림을 위해서도 쓰일 수 있으며, 이때는 UHD 뿐만 아니라 FHD 또는 HD급도 HEVC로 압축될 수 있다.UHD TV 같은 경우도 단기적으로는 4K 30fps가 주를 이룰 것으로 예상하나, 4K 60fps/120fps, 8K 30fps/60fps/… 등으로 계속 초당 처리해야할 화소수가 커질 것으로 예상된다.이와 같은 응용에 따라 다양한 해상도, 프레임율 등에 cost-effective하게 대응하기 위해서는, 응용에서 요구되는 성능, 기능에 따라 쉽게 처리 가능한 동영상 복호화 장치를 가지고 있어야 한다.특히 이와 같은 응용을 위해, 현재 복수의 처리 유닛들을 이용한 병렬 처리(parallel processing) 방식의 영상 처리가 제안될 수 있다. 복수의 처리 유닛을 이용한 병렬 처리 방식의 경우, 분할된 비트스트림을 복수의 처리 유닛들 각각에 할당하여 복호화하는 것이 예상될 수 있다.그러나, 이와 같은 병렬 처리 방식을 단순 적용하는 경우, 각 복수의 처리 유닛간 처리량의 불균형이 발생할 수 있다. 또한, 이와 같은 불균형에 의한 대역폭 효율 감소가 발생될 수 있으며, 하드웨어 구현의 측면에서도 불리한 경우가 발생하게 된다. 특히, 한 픽처 내에 서로 다른 사이즈를 갖는 부호화 단위(예를 들어, 타일(tile) 또는 슬라이스(slice))들이 존재하는 경우, 각각의 처리 유닛에 할당된 타일 또는 슬라이스들이 복호화되는 시간이 상이할 수 있다. 따라서, 복수의 처리 유닛을 이용한 멀티 복호화를 수행하더라도, 처리 시간이 처리 유닛별로 상이하게 되어 전체 복호화되는 시간 동기화 및 그 예측이 어려울 뿐 아니라, 비효율적으로 늘어날 수 있다.한편, 복수 유닛을 이용한 병렬 복호화를 위해 WPP(Wavefront Parallel Proceccing)방식의 부호화 및 복호화 방법이 제안될 수 있다. 그러나, 최근 대두되고 있는 HEVC 표준 방식에서는 그 구조상 부호화가 수행될 때 WPP 형식임이 비트스트림의 헤더 정보에 명시되어야만, 복호화시에 복수의 처리 유닛으로 병렬 복호화를 수행할 수 있어 활용 범위가 제한적인 문제점이 있다.또한, 일반적인 WPP 처리 방식에 따르면 앞서 설명한 불균형 등의 문제점뿐만 아니라, 각 처리 유닛들에 대한 처리 순서(ordering) 할당이 문제된다. 일반적으로 정상적인 영상 재생을 위해서는 출력이 픽처 단위로 동기화되고, 이에 따라 픽처 단위로 동기화된 디코딩이 수행될 수 있다. 때문에, 일부 처리 유닛들이 동기화를 위해 대기하는 시간이 발생된다. 이에 따라, 복호화에 레이턴시(latency)가 증가하거나 전체 디코딩 시간이 길어지게 되는 문제가 발생하게 된다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은 상술한 필요성에 따라 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 멀티 코어(Multi core) 구조의 영상 처리 유닛(VPU, Video Processing Unit)을 구비한 동영상 처리 장치 및 방법에 관한 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시 예에 따른 동영상을 처리하는 장치는, 동영상을 처리하는 장치에 있어서, 호스트와 통신하며, 비트스트림을 수신하여 헤더 정보를 파싱하는 영상 중앙 처리 유닛; 및 상기 영상 중앙 처리 유닛에 제어에 따라 상기 호스트로부터 입력되는 동영상 비트스트림을 프리 스캔하여 프리 스캔 정보를 생성하는 프리 스캔 모듈을 포함하고, 상기 영상 중앙 처리 유닛은 상기 프리 스캔 정보 및 상기 헤더 정보에 기반하여 상기 비트스트림을 재정렬 처리하고, 상기 재정렬 처리된 비트스트림을 일정 단위로 병렬 디코딩 처리하기 위해 태스크 스케쥴링을 수행할 수 있다.한편, 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시 예에 따르면,동영상을 처리하는 방법에 있어서, 호스트와 통신하며, 비트스트림을 수신하여 헤더 정보를 파싱하는 단계; 상기 호스트로부터 입력되는 동영상 비트스트림을 프리 스캔하여 프리 스캔 정보를 생성하는 단계; 및 상기 프리 스캔 정보 및 상기 헤더 정보에 기반하여 상기 비트스트림을 재정렬 처리하고, 상기 재정렬 처리된 비트스트림을 일정 단위로 병렬 디코딩 처리하기 위해 태스크 스케쥴링을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.한편, 상기 동영상 처리 방법은 컴퓨터에서 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체로 구현될 수 있다. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 실시 예에 따르면, 프리 스캔 모듈을 통해 생성되는 프리 스캔 정보에 기반하여, 비트스트림의 구조와 관계 없이 일정 세그먼트 단위로 분할 할당시킴으로써, 복수의 처리 유닛들이 끊김 없는(seamless) 병렬 처리를 수행 할 수 있다.특히, 프리 스캔 모듈에서는 비트스트림을 스캔하여 각 코어들이 엔트로피 디코딩을 연속적으로 수행하기 위한 필수적이면서도 최소화된 정보를 추출 및 저장할 수 있다.이에 따라, 각 복수의 처리 유닛간 처리량의 불균형을 제거할 수 있고, 불균형에 의한 대역폭 효율 감소를 억제할 수 있다.또한, 영상 중앙 처리 유닛에서는 각 처리 유닛이 프리 스캔 정보를 이용한 SEAMLESS 병렬 처리가 가능함을 이용하여, 비트스트림 처리 순서를 보다 효율적으로 정렬할 수 있고, 복호화 시간을 단축시킬 수 있다.그리고, 영상 중앙 처리 유닛에서는 각 처리 유닛에 대응하여 적절한 태스크를 생성하여 할당할 수 있으며, 각 픽처의 처리 개시에 따른 프리 스캔, 재정렬 및 복호화에 따른 처리 완료 시간을 비동기적으로 제어함으로써 비트스트림 처리율 향상 뿐만 아니라, 데이터의 오버헤드를 감소시킬 수 있고, 레이턴시(latency)를 줄일 수 있다.또한, 최근 대두되고 있는 WPP 방식으로 인코딩되지 않은 스트림에서도 WPP방식의 복수의 처리 유닛을 이용한 멀티 코어 복호화가 가능하게 되어 디코더 성능을 향상시킬 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 동영상 부호화 장치의 구성을 나타내는 블록도이다.도 2는 영상을 블록단위로 분할하여 처리하는 방법에 대한 일예를 설명하기 위한 도면이다.도 3은 부호화 장치에서 인터 예측을 수행하는 구성에 대한 일실시예를 나타내는 블록도이다.도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 동영상 복호화 장치의 구성을 나타내는 블록도이다.도 5는 복호화 장치에서 인터 예측을 수행하는 구성에 대한 일실시예를 나타내는 블록도이다.도 6 및 도 7은 시퀀스 파라미터 셋(SPS, Sequence Parameter Set)의 구성에 대한 일예를 나타내는 도면이다.도 8 및 도 9는 픽쳐 파라미터 셋(PPS, Picture Parameter Set)의 구성에 대한 일예를 나타내는 도면이다.도 10 내지 도 12는 슬라이스 헤더(SH, Slice Header)의 구성에 대한 일예를 나타내는 도면이다.도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 동영상 복호화 장치의 계층 구조(layer structure)를 나타내는 도면이다. 도 14는 본 발명의 일 실시 예에 따른 영상 중앙 처리 유닛의 동영상 복호화 동작을 나타내는 타이밍도이다.도 15는 본 발명의 일 실시 예에 따른 프리 스캔 모듈을 설명하기 위한 블록도이다.도 16은 본 발명의 일 실시 예에 따른 프리 스캔 모듈에 따라 프리 스캔되는 정보를 설명하기 위한 블록도이다.도 17은 본 발명의 일 실시 예에 따른 프리 스캔 모듈의 동작을 설명하기 위한 흐름도이다.도 18 내지 도 21은 본 발명의 실시 예에 따른 프리 스캔 모듈의 동작에 의해 생성되는 프리 스캔 정보를 설명하기 위한 도면들이다.도 22는 본 발명의 일 실시 예에 따른 영상 중앙 처리 유닛의 동작을 설명하기 위함 흐름도이다.도 23 내지 도 25는 본 발명의 일 실시 예에 따른 영상 중앙 처리 유닛의 동작 및 이에 따른 태스크 스케쥴링을 설명하기 위해 예시되는 도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시 예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다.본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 “이들의 조합”의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.실제 영상과 그것의 깊이 정보 맵을 부호화하는 방법의 일예로, 현재까지 개발된 비디오 부호화 표준 중에서 최고의 부호화 효율을 가지는 MPEG(Moving Picture Experts Group)과 VCEG(Video Coding Experts Group)에서 공동으로 표준화를 진행 중인 HEVC(High Efficiency Video Coding)를 이용하여 부호화를 수행할 수 있으나, 이에 한정되지는 아니한다.통상, 부호화 장치는 인코딩 과정과 디코딩 과정을 포함하고, 복호화 장치는 디코딩 과정을 구비한다. 복호화 장치의 디코딩 과정은 부호화 장치의 디코딩 과정과 동일하다. 따라서, 이하에서는 부호화 장치를 위주로 설명하기로 한다.도 1은 동영상 부호화 장치의 구성을 블록도로 도시한 것이다.도 1을 참조하면, 동영상 부호화 장치(100)는 픽쳐 분할부(110), 변환부(120), 양자화부(130), 스캐닝부(131), 엔트로피 부호화부(140), 인트라 예측부(150), 인터 예측부(160), 역양자화부(135), 역변환부(125), 후처리부(170), 픽쳐 저장부(180), 감산부(190) 및 가산부(195)를 포함한다.픽쳐 분할부(110)는 입력되는 비디오 신호를 분석하여 픽쳐를 코딩 트리 유닛(CTU:Coding Tree Unit)마다 소정 크기의 코딩 유닛으로 분할하여 예측 모드를 결정하고, 상기 코딩 유닛별로 예측 유닛의 크기를 결정한다.그리고, 픽쳐 분할부(110)는 부호화할 예측 유닛을 예측 모드(또는 예측 방법)에 따라 인트라 예측부(150) 또는 인터 예측부(160)로 보낸다. 또한, 픽쳐 분할부(110)는 부호화할 예측 유닛을 감산부(190)로 보낸다.픽쳐는 복수의 슬라이스로 구성되고, 슬라이스는 복수개의 부호화 단위인 코딩 트리 유닛(Coding Tree unit: CTU)로 구성될 수 있다.상기 CTU는 복수개의 부호화 단위(CU)로 분할될 수 있고, 부호기는 분할여부를 나타내는 정보(flag)를 비트스트림에 추가할 수 있다. 복호기는 CTU의 위치를 어드레스(CtuAddr)를 이용하여 인식할 수 있다.분할이 허용되지 않는 경우의 부호화 단위(CU)는 예측 단위(Prediction unit: PU)로 간주되고, 복호기는 PU의 위치를 PU인덱스를 이용하여 인식할 수 있다.예측 단위(PU)는 복수개의 파티션으로 나뉠 수 있다. 또한 예측 단위(PU)는 복수개의 변환 단위(Transform unit: TU)로 구성될 수 있다.이 경우, 픽쳐 분할부(110)는 결정된 부호화 모드에 따른 소정 크기의 블록 단위(예를 들면, PU 단위 또는 TU 단위)로 영상 데이터를 감산부(190)로 보낼 수 있다.도 2를 참조하면, 동영상 부호화 단위로 CTU (Coding Tree Unit)을 사용하며, 이 때 CTU는 다양한 정사각형 모양으로 정의된다. CTU는 코딩단위 CU(Coding Unit)를 포함한다.코딩단위(CU)는 쿼드트리(Quad Tree)의 모습을 하고 있으며, 코딩 단위의 최대 크기인 64x64 크기를 가질 때 깊이(Depth)를 0으로 하여 깊이가 3이 될 때까지, 즉 8×8크기의 코딩단위(CU)까지 재귀적(Recursive)으로 최적의 예측단위를 찾아 부호화를 수행한다.예측을 수행하는 예측단위는 PU(Prediction Unit)로 정의되며, 각 코딩단위(CU)는 다수개의 블록으로 분할된 단위의 예측이 수행되며, 정사각형과 직사각형의 형태로 나뉘어 예측을 수행한다. 변환부(120)는 입력된 예측 유닛의 원본 블록과 인트라 예측부(150) 또는 인터 예측부(160)에서 생성된 예측 블록의 잔차신호인 잔차 블록을 변환한다. 상기 잔차 블록은 코딩 유닛 또는 예측 유닛으로 구성된다. 코딩 유닛 또는 예측 유닛으로 구성된 잔차 블록은 최적의 변환 단위로 분할되어 변환된다. 예측 모드(intra or inter)에 따라 서로 다른 변환 매트릭스가 결정될 수 있다. 또한, 인트라 예측의 잔차 신호는 인트라 예측 모드에 따라 방향성을 가지므로 인트라 예측 모드에 따라 적응적으로 변환 매트릭스가 결정될 수 있다.변환 단위는 2개(수평, 수직)의 1차원 변환 매트릭스에 의해 변환될 수 있다. 예를 들어, 인터 예측의 경우에는 미리 결정된 1개의 변환 매트릭스가 결정된다.반면에, 인트라 예측의 경우, 인트라 예측 모드가 수평인 경우에는 잔차 블록이 수직방향으로의 방향성을 가질 확률이 높아지므로, 수직방향으로는 DCT 기반의 정수 매트릭스를 적용하고, 수평방향으로는 DST 기반 또는 KLT 기반의 정수 매트릭스를 적용한다. 인트라 예측 모드가 수직인 경우에는 수직방향으로는 DST 기반 또는 KLT 기반의 정수 매트릭스를, 수평 방향으로는 DCT 기반의 정수 매트릭스를 적용한다.DC 모드의 경우에는 양방향 모두 DCT 기반 정수 매트릭스를 적용한다. 또한, 인트라 예측의 경우, 변환 단위의 크기에 의존하여 변환 매트릭스가 적응적으로 결정될 수도 있다.양자화부(130)는 상기 변환 매트릭스에 의해 변환된 잔차 블록의 계수들을 양자화하기 위한 양자화 스텝 사이즈를 결정한다. 양자화 스텝 사이즈는 미리 정해진 크기 이상의 부호화 단위(이하, 양자화 유닛이라 함)별로 결정된다.상기 미리 정해진 크기는 8x8 또는 16x16일 수 있다. 그리고, 결정된 양자화 스텝 사이즈 및 예측 모드에 따라 결정되는 양자화 매트릭스를 이용하여 상기 변환 블록의 계수들을 양자화한다.양자화부(130)는 현재 양자화 유닛의 양자화 스텝 사이즈 예측자로서 현재 양자화 유닛에 인접한 양자화 유닛의 양자화 스텝 사이즈를 이용한다.양자화부(130)는 현재 양자화 유닛의 좌측 양자화 유닛, 상측 양자화 유닛, 좌상측 양자화 유닛 순서로 검색하여 1개 또는 2개의 유효한 양자화 스텝 사이즈를 이용하여 현재 양자화 유닛의 양자화 스텝 사이즈 예측자를 생성할 수 있다.예를 들어, 상기 순서로 검색된 유효한 첫번째 양자화 스텝 사이즈를 양자화 스텝 사이즈 예측자로 결정할 수 있다. 또한, 상기 순서로 검색된 유효한 2개의 양자화 스텝 사이즈의 평균값을 양자화 스텝 사이즈 예측자로 결정할 수도 있고, 1개만이 유효한 경우에는 이를 양자화 스텝 사이즈 예측자로 결정할 수 있다.상기 양자화 스텝 사이즈 예측자가 결정되면, 현재 부호화 단위의 양자화 스텝 사이즈와 상기 양자화 스텝 사이즈 예측자 사이의 차분값을 엔트로피 부호화부(140)로 전송한다.한편, 현재 코딩 유닛의 좌측 코딩 유닛, 상측 코딩 유닛, 좌상측 코딩 유닛 모두가 존재하지 않을 가능성이 있다. 반면에 최대 코딩 유닛 내의 부호화 순서 상으로 이전에 존재하는 코딩 유닛이 존재할 수 있다.따라서, 현재 코딩 유닛에 인접한 양자화 유닛들과 상기 최대 코딩 유닛 내에서는 부호화 순서상 바로 이전의 양자화 유닛의 양자화 스텝 사이즈가 후보자가 될 수 있다.이 경우, 1) 현재 코딩 유닛의 좌측 양자화 유닛, 2) 현재 코딩 유닛의 상측 양자화 유닛, 3) 현재 코딩 유닛의 좌상측 양자화 유닛, 4) 부호화 순서상 바로 이전의 양자화 유닛 순서로 우선순위를 둘 수 있다. 상기 순서는 바뀔 수 있고, 상기 좌상측 양자화 유닛은 생략될 수도 있다.상기 양자화된 변환 블록은 역양자화부(135)와 스캐닝부(131)로 제공된다.스캐닝부(131)는 양자화된 변환 블록의 계수들을 스캐닝하여 1차원의 양자화 계수들로 변환한다. 양자화 후의 변환 블록의 계수 분포가 인트라 예측 모드에 의존적일 수 있으므로, 스캐닝 방식은 인트라 예측 모드에 따라 결정된다.또한, 계수 스캐닝 방식은 변환 단위의 크기에 따라 달리 결정될 수도 있다. 상기 스캔 패턴은 방향성 인트라 예측 모드에 따라 달라질 수 있다. 양자화 계수들의 스캔순서는 역방향으로 스캔한다.상기 양자화된 계수들이 복수개의 서브셋으로 분할된 경우에는 각각의 서브셋 내의 양자화 계수들에 동일한 스캔패턴을 적용한다. 서브셋 간의 스캔패턴은 지그재그 스캔 또는 대각선 스캔을 적용한다. 스캔 패턴은 DC를 포함하는 메인 서브셋으로부터 순방향으로 잔여 서브셋들로 스캔하는 것이 바람직하나, 그 역방향도 가능하다.또한, 서브셋 내의 양자화된 계수들의 스캔패턴과 동일하게 서브셋 간의 스캔패턴을 설정할 수도 있다. 이 경우, 서브셋 간의 스캔패턴이 인트라 예측 모드에 따라 결정된다. 한편, 부호기는 상기 변환 유닛내의 0이 아닌 마지막 양자화 계수의 위치를 나타낼 수 있는 정보를 복호기로 전송한다.각 서브셋 내의 0이 아닌 마지막 양자화 계수의 위치를 나타낼 수 있는 정보도 복호기로 전송할 수 있다.역양자화(135)는 상기 양자화된 양자화 계수를 역양자화한다. 역변환부(125)는 역양자화된 변환 계수를 공간 영역의 잔차 블록으로 복원한다. 가산기는 상기 역변환부에 의해 복원된 잔차블록과 인트라 예측부(150) 또는 인터 예측부(160)로부터의 수신된 예측 블록을 합쳐서 복원 블록을 생성한다.후처리부(170)는 복원된 픽쳐에 발생하는 블록킹 효과의 제거하기 위한 디블록킹 필터링 과정, 화소 단위로 원본 영상과의 차이값을 보완하기 위한 적응적 오프셋 적용 과정 및 코딩 유닛으로 원본 영상과의 차이값을 보완하기 위한 적응적 루프 필터링 과정을 수행한다.디블록킹 필터링 과정은 미리 정해진 크기 이상의 크기를 갖는 예측 유닛 및 변환 단위의 경계에 적용하는 것이 바람직하다. 상기 크기는 8x8일 수 있다. 상기 디블록킹 필터링 과정은 필터링할 경계(boundary)를 결정하는 단계, 상기 경계에 적용할 경계 필터링 강도(bounary filtering strength)를 결정하는 단계, 디블록킹 필터의 적용 여부를 결정하는 단계, 상기 디블록킹 필터를 적용할 것으로 결정된 경우, 상기 경계에 적용할 필터를 선택하는 단계를 포함한다.상기 디블록킹 필터의 적용 여부는 i) 상기 경계 필터링 강도가 0보다 큰지 여부 및 ii) 상기 필터링할 경계에 인접한 2개의 블록(P 블록, Q블록) 경계 부분에서의 화소값들이 변화 정도를 나타내는 값이 양자화 파라미터에 의해 결정되는 제1 기준값보다 작은지 여부에 의해 결정된다.상기 필터는 적어도 2개 이상인 것이 바람직하다. 블록 경계에 위치한 2개의 화소들간의 차이값의 절대값이 제2 기준값보다 크거나 같은 경우에는 상대적으로 약한 필터링을 수행하는 필터를 선택한다.상기 제2 기준값은 상기 양자화 파라미터 및 상기 경계 필터링 강도에 의해 결정된다.적응적 오프셋 적용 과정은 디블록킹 필터가 적용된 영상내의 화소와 원본 화소간의 차이값(distortion)을 감소시키기 위한 것이다. 픽쳐 또는 슬라이스 단위로 상기 적응적 오프셋 적용 과정을 수행할지 여부를 결정할 수 있다.픽쳐 또는 슬라이스는 복수개의 오프셋 영역들로 분할될 수 있고, 각 오프셋 영역별로 오프셋 타입이 결정될 수 있다. 오프셋 타입은 미리 정해진 개수(예를 들어, 4개)의 에지 오프셋 타입과 2개의 밴드 오프셋 타입을 포함할 수 있다.오프셋 타입이 에지 오프셋 타입일 경우에는 각 화소가 속하는 에지 타입을 결정하여, 이에 대응하는 오프셋을 적용한다. 상기 에지 타입은 현재 화소와 인접하는 2개의 화소값의 분포를 기준으로 결정한다.적응적 루프 필터링 과정은 디블록킹 필터링 과정 또는 적응적 오프셋 적용 과정을 거친 복원된 영상과 원본 영상을 비교한 값을 기초로 필터링을 수행할 수 있다. 적응적 루프 필터링은 상기 결정된 ALF는 4x4 크기 또는 8x8 크기의 블록에 포함된 화소 전체에 적용될 수 있다.적응적 루프 필터의 적용 여부는 코딩 유닛별로 결정될 수 있다. 각 코딩 유닛에 따라 적용될 루프 필터의 크기 및 계수는 달라질 수 있다. 코딩 유닛별 상기 적응적 루프 필터의 적용 여부를 나타내는 정보는 각 슬라이스 헤더에 포함될 수 있다. 다만, 상기 적응적 루프 필터링 과정은 부호화 표준 방식의 변경에 따라 생략될 수 있다.색차 신호의 경우에는, 픽쳐 단위로 적응적 루프 필터의 적용 여부를 결정할 수 있다. 루프 필터의 형태도 휘도와 달리 직사각형 형태를 가질 수 있다.적응적 루프 필터링은 슬라이스별로 적용 여부를 결정할 수 있다. 따라서, 현재 슬라이스에 적응적 루프 필터링이 적용되는지 여부를 나타내는 정보는 슬라이스 헤더 또는 픽쳐 헤더에 포함된다.현재 슬라이스에 적응적 루프 필터링이 적용됨을 나타내면, 슬라이스 헤더 또는 픽쳐 헤더는 추가적으로 적응적 루프 필터링 과정에 사용되는 휘도 성분의 수평 및/또는 수직 방향의 필터 길이를 나타내는 정보를 포함한다.슬라이스 헤더 또는 픽쳐 헤더는 필터 세트의 수를 나타내는 정보를 포함할 수 있다. 이때 필터 세트의 수가 2 이상이면, 필터 계수들이 예측 방법을 사용하여 부호화될 수 있다. 따라서, 슬라이스 헤더 또는 픽쳐 헤더는 필터 계수들이 예측 방법으로 부호화되는지 여부를 나타내는 정보를 포함할 수 있으며, 예측 방법이 사용되는 경우에는 예측된 필터 계수를 포함한다.한편, 휘도 뿐만 아니라, 색차 성분들도 적응적으로 필터링될 수 있다. 따라서, 색차 성분 각각이 필터링되는지 여부를 나타내는 정보를 슬라이스 헤더 또는 픽쳐 헤더가 포함할 수 있다. 이 경우, 비트수를 줄이기 위해 Cr과 Cb에 대한 필터링 여부를 나타내는 정보를 조인트 코딩(즉, 다중화 코딩)할 수 있다.이때, 색차 성분들의 경우에는 복잡도 감소를 위해 Cr과 Cb를 모두 필터링하지 않는 경우가 가장 빈번할 가능성이 높으므로, Cr과 Cb를 모두 필터링하지 않는 경우에 가장 작은 인덱스를 할당하여 엔트로피 부호화를 수행한다.그리고, Cr 및 Cb를 모두 필터링하는 경우에 가장 큰 인덱스를 할당하여 엔트로피 부호화를 수행한다.픽쳐 저장부(180)는 후처리된 영상 데이터를 후처리부(170)로부터 입력받아 픽쳐(picture) 단위로 영상을 복원하여 저장한다. 픽쳐는 프레임 단위의 영상이거나 필드 단위의 영상일 수 있다. 픽쳐 저장부(180)는 다수의 픽쳐를 저장할 수 있는 버퍼(도시되지 않음)를 구비한다.인터 예측부(160)는 상기 픽쳐 저장부(180)에 저장된 적어도 하나 이상의 참조 픽쳐를 이용하여 움직임 추정을 수행하고, 참조 픽쳐를 나타내는 참조 픽쳐 인덱스 및 움직임 벡터를 결정한다.그리고, 결정된 참조 픽쳐 인덱스 및 움직임 벡터에 따라, 픽쳐 저장부(180)에 저장된 다수의 참조 픽쳐들 중 움직임 추정에 이용된 참조 픽쳐로부터, 부호화하고자 하는 예측 유닛에 대응하는 예측 블록을 추출하여 출력한다.인트라 예측부(150)는 현재 예측 유닛이 포함되는 픽처 내부의 재구성된 화소값을 이용하여 인트라 예측 부호화를 수행한다.인트라 예측부(150)는 예측 부호화할 현재 예측 유닛을 입력받아 현재 블록의 크기에 따라 미리 설정된 개수의 인트라 예측 모드 중에 하나를 선택하여 인트라 예측을 수행한다.인트라 예측부(150)는 인트라 예측 블록을 생성하기 위해 참조 화소를 적응적으로 필터링한다. 참조 화소가 이용 가능하지 않은 경우에는 이용 가능한 참조 화소들을 이용하여 참조 화소들을 생성할 수 있다.엔트로피 부호화부(140)는 양자화부(130)에 의해 양자화된 양자화 계수, 인트라 예측부(150)로부터 수신된 인트라 예측 정보, 인터 예측부(160)로부터 수신된 움직임 정보 등을 엔트로피 부호화한다.도 3은 부호화 장치에서 인터 예측을 수행하는 구성에 대한 일실시예를 블록도로 도시한 것으로, 도시된 인터 예측 부호화 장치는 움직임 정보 결정부(161), 움직임 정보 부호화 모드 결정부(162), 움직임 정보 부호화부(163), 예측 블록 생성부(164), 잔차 블록 생성부(165), 잔차 블록 부호화부(166) 및 멀티플렉서(167)를 포함하여 구성될 수 있다.도 3을 참조하면, 움직임 정보 결정부(161)는 현재 블록의 움직임 정보를 결정한다. 움직임 정보는 참조 픽쳐 인덱스와 움직임 벡터를 포함한다. 참조 픽쳐 인덱스는 이전에 부호화되어 복원된 픽쳐 중 어느 하나를 나타낸다.현재 블록이 단방향 인터 예측 부호화되는 경우에는 리스트 0(L0)에 속하는 참조 픽쳐들 중의 어느 하나를 나타낸다. 반면에, 현재 블록이 양방향 예측 부호화되는 경우에는 리스트 0(L0)의 참조 픽쳐들 중 하나를 나타내는 참조픽쳐 인덱스와 리스트 1(L1)의 참조 픽쳐들 중의 하나를 나타내는 참조픽쳐 인덱스를 포함할 수 있다.또한, 현재 블록이 양방향 예측 부호화되는 경우에는 리스트 0과 리스트 1을 결합하여 생성된 복합 리스트(LC)의 참조 픽쳐들 중의 1개 또는 2개의 픽쳐를 나타내는 인덱스를 포함할 수 있다.움직임 벡터는 각각의 참조픽쳐 인덱스가 나타내는 픽쳐 내의 예측 블록의 위치를 나타낸다. 움직임 벡터는 화소단위(정수단위)일수도 있으나, 서브화소단위일 수도 있다.예를 들어, 1/2, 1/4, 1/8 또는 1/16 화소의 해상도를 가질 수 있다. 움직임 벡터가 정수단위가 아닐 경우에는 예측 블록은 정수 단위의 화소들로부터 생성된다.움직임 정보 부호화 모드 결정부(162)는 현재 블록의 움직임 정보를 스킵 모드로 부호화할지, 머지 모드로 부호화할지, AMVP 모드로 부호화할지를 결정한다.스킵 모드는 현재 블록의 움직임 정보와 동일한 움직임 정보를 갖는 스킵 후보자가 존재하고, 잔차신호가 0인 경우에 적용된다. 또한, 스킵 모드는 현재 블록이 코딩 유닛과 사이즈가 같을 때 적용된다. 현재 블록은 예측 유닛으로 볼 수 있다.머지 모드는 현재 블록의 움직임 정보와 동일한 움직임 정보를 갖는 머지 후보자가 존재할 때 적용된다. 머지 모드는 현재 블록이 코딩 유닛과 사이즈가 다르거나, 사이즈가 같을 경우에는 잔차 신호가 존재하는 경우에 적용된다. 머지 후보자와 스킵 후보자는 동일할 수 있다.AMVP 모드는 스킵 모드 및 머지 모드가 적용되지 않을 때 적용된다. 현재 블록의 움직임 벡터와 가장 유사한 움직임 벡터를 갖는 AMVP 후보자를 AMVP 예측자로 선택한다.움직임 정보 부호화부(163)는 움직임 정보 부호화 모드 결정부(162)에 의해 결정된 방식에 따라 움직임 정보를 부호화한다. 움직임 정보 부호화 모드가 스킵 모드 또는 머지 모드일 경우에는 머지 움직임 벡터 부호화 과정을 수행한다. 움직임 정보 부호화 모드가 AMVP일 경우에는 AMVP 부호화 과정을 수행한다.예측 블록 생성부(164)는 현재 블록의 움직임 정보를 이용하여 예측 블록을 생성한다. 움직임 벡터가 정수 단위일 경우에는, 참조픽쳐 인덱스가 나타내는 픽쳐 내의 움직임 벡터가 나타내는 위치에 대응하는 블록을 복사하여 현재 블록의 예측 블록을 생성한다.그러나, 움직임 벡터가 정수 단위가 아닐 경우에는, 참조픽쳐 인덱스가 나타내는 픽쳐내의 정수 단위 화소들로 부터 예측 블록의 화소들을 생성한다.이 경우, 휘도 화소의 경우에는 8탭의 보간 필터를 사용하여 예측 화소를 생성할 수 있다. 색차 화소의 경우에는 4탭 보간 필터를 사용하여 예측 화소를 생성할 수 있다.잔차 블록 생성부(165)는 현재 블록과 현재 블록의 예측 블록을 이용하여 잔차 블록을 생성한다. 현재 블록의 크기가 2Nx2N인 경우에는 현재 블록과 현재 블록에 대응하는 2Nx2N 크기의 예측 블록을 이용하여 잔차 블록을 생성한다.그러나, 예측에 이용되는 현재 블록의 크기가 2NxN 또는 Nx2N인 경우에는 2Nx2N을 구성하는 2개의 2NxN 블록 각각에 대한 예측 블록을 구한 후, 상기 2개의 2NxN 예측 블록을 이용하여 2Nx2N 크기의 최종 예측 블록을 생성할 수 있다.그리고, 상기 2Nx2N 크기의 예측 블록을 이용하여 2Nx2N 의 잔차 블록을 생성할 수도 있다. 2NxN 크기의 2개의 예측블록들의 경계부분의 불연속성을 해소하기 위해 경계 부분의 픽셀들을 오버랩 스무딩할 수 있다.잔차 블록 부호화부(166)는 생성된 잔차 블록을 하나 이상의 변환 유닛으로 나눈다. 그리고, 각 변환 유닛을 변환 부호화, 양자화 및 엔트로피 부호화된다. 이때, 변환 유닛의 크기는 잔차 블록의 크기에 따라 쿼드트리 방식으로 결정될 수 있다.잔차 블록 부호화부(166)는 인터 예측 방법에 의해 생성된 잔차 블록을 정수기반 변환 매트릭스를 이용하여 변환한다. 상기 변환 매트릭스는 정수기반 DCT 매트릭스이다.잔차 블록 부호화부(166)는 상기 변환 매트릭스에 의해 변환된 잔차 블록의 계수들을 양자화하기 위해 양자화 매트릭스를 이용한다. 상기 양자화 매트릭스는 양자화 파라미터에 의해 결정된다.상기 양자화 파라미터는 미리 정해진 크기 이상의 코딩 유닛별로 결정된다. 상기 미리 정해진 크기는 8x8 또는 16x16일 수 있다. 따라서, 현재 코딩 유닛이 상기 미리 정해진 크기보다 작은 경우에는 상기 미리 정해진 크기 내의 복수개의 코딩 유닛 중 부호화 순서상 첫번째 코딩 유닛의 양자화 파라미터만을 부호화하고, 나머지 코딩 유닛의 양자화 파라미터는 상기 파라미터와 동일하므로 부호화할 필요가 없다.그리고, 결정된 양자화 파라미터 및 예측 모드에 따라 결정되는 양자화 매트릭스를 이용하여 상기 변환 블록의 계수들을 양자화한다.상기 미리 정해진 크기 이상의 코딩 유닛별로 결정되는 양자화 파라미터는 현재 코딩 유닛에 인접한 코딩 유닛의 양자화 파라미터를 이용하여 예측 부호화된다. 현재 코딩 유닛의 좌측 코딩 유닛, 상측 코딩 유닛 순서로 검색하여 유효한 1개 또는 2개의 유효한 양자화 파라미터를 이용하여 현재 코딩 유닛의 양자화 파라미터 예측자를 생성할 수 있다.예를 들어, 상기 순서로 검색된 유효한 첫번째 양자화 파라미터를 양자화 파라미터 예측자로 결정할 수 있다. 또한, 좌측 코딩 유닛, 부호화 순서상 바로 이전의 코딩 유닛 순으로 검색하여 유효한 첫번째 양자화 파라미터를 양자화 파라미터 예측자로 결정할 수 있다.양자화된 변환 블록의 계수들은 스캐닝되어 1차원의 양자화 계수들로 변환한다. 스캐닝 방식은 TU 크기와 인트라 예측 방법에 따라 달리 설정될 수 있다. 예를 들어, 계수들은 대각선 방향으로 스캐닝될 수 있으며, TU의 크기가 4x4를 가진 인트라 블록의 경우에는 인트라 예측 방향에 따라 가변될 수 있다. TU의 크기가 4x4를 가진 인트라 블록의 인트라 예측 방향이 수직에 가까운 경우 수평 방항으로 스캐닝 될 수 있으며, 수평에 가까운 경우 수직 방항으로 스캐닝 될 수 있다.또한, 계수들은 엔트로피 부호화 모드에 따라 달리 설정될 수도 있다. 예를 들어, CABAC으로 부호화될 경우에는 인터 예측 부호화된 양자화 계수들은 미리 정해진 하나의 방식(지그재그, 또는 대각선 방향으로의 래스터 스캔)으로 스캐닝될 수도 있다. 반면에 CAVLC으로 부호화될 경우에는 상기 방식과 다른 방식으로 스캐닝될 수도 있다.예를 들어, 스캐닝 방식이 인터의 경우에는 지그재그, 인트라의 경우에는 인트라 예측 모드에 따라 결정될 수 있다. 또한, 계수 스캐닝 방식은 변환 단위의 크기에 따라 달리 결정될 수도 있다.상기 스캔 패턴은 방향성 인트라 예측 모드에 따라 달라질 수 있다. 양자화 계수들의 스캔순서는 역방향으로 스캔한다.멀티플렉서(167)는 상기 움직임 정보 부호화부(163)에 의해 부호화된 움직임 정보들과 상기 잔차 블록 부호화부에 의해 부호화된 잔차 신호들을 다중화한다. 상기 움직임 정보는 부호화 모드에 따라 달라질 수 있다.즉, 스킵 또는 머지일 경우에는 예측자를 나타내는 인덱스만을 포함한다. 그러나, AMVP일 경우에는 현재 블록의 참조 픽쳐 인덱스, 차분 움직임 벡터 및 AMVP 인덱스를 포함한다.이하, 인트라 예측부(150)의 동작에 대한 일실시예를 상세히 설명하기로 한다.먼저, 픽쳐 분할부(110)에 의해 예측 모드 정보 및 예측 블록의 크기를 수신하며, 예측 모드 정보는 인트라 모드를 나타낸다. 예측 블록의 크기는 64x64, 32x32, 16x16, 8x8, 4x4등의 정방형일 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 즉, 상기 예측 블록의 크기가 정방형이 아닌 비정방형일 수도 있다. 다음으로, 예측 블록의 인트라 예측 모드를 결정하기 위해 참조 화소를 픽쳐 저장부(180)로부터 읽어 들인다.상기 이용 가능하지 않은 참조화소가 존재하는지 여부를 검토하여 참조 화소 생성 여부를 판단한다. 상기 참조 화소들은 현재 블록의 인트라 예측 모드를 결정하는데 사용된다.현재 블록이 현재 픽쳐의 상측 경계에 위치하는 경우에는 현재 블록의 상측에 인접한 화소들이 정의되지 않는다. 또한, 현재 블록이 현재 픽쳐의 좌측 경계에 위치하는 경우에는 현재 블록의 좌측에 인접한 화소들이 정의되지 않는다.이러한 화소들은 이용 가능한 화소들이 아닌 것으로 판단한다. 또한, 현재 블록이 슬라이스 경계에 위치하여 슬라이스의 상측 또는 좌측에 인접하는 화소들이 먼저 부호화되어 복원되는 화소들이 아닌 경우에도 이용 가능한 화소들이 아닌 것으로 판단한다.상기와 같이 현재 블록의 좌측 또는 상측에 인접한 화소들이 존재하지 않거나, 미리 부호화되어 복원된 화소들이 존재하지 않는 경우에는 이용 가능한 화소들만을 이용하여 현재 블록의 인트라 예측 모드를 결정할 수도 있다.그러나, 현재 블록의 이용 가능한 참조화소들을 이용하여 이용 가능하지 않은 위치의 참조화소들을 생성할 수도 있다. 예를 들어, 상측 블록의 화소들이 이용 가능하지 않은 경우에는 좌측 화소들의 일부 또는 전부를 이용하여 상측 화소들을 생성할 수 있고, 그 역으로도 가능하다.즉, 이용 가능하지 않은 위치의 참조화소로부터 미리 정해진 방향으로 가장 가까운 위치의 이용 가능한 참조화소를 복사하여 참조화소로 생성할 수 있다. 미리 정해진 방향에 이용 가능한 참조화소가 존재하지 않는 경우에는 반대 방향의 가장 가까운 위치의 이용 가능한 참조화소를 복사하여 참조화소로 생성할 수 있다.한편, 현재 블록의 상측 또는 좌측 화소들이 존재하는 경우에도 상기 화소들이 속하는 블록의 부호화 모드에 따라 이용 가능하지 않은 참조 화소로 결정될 수 있다.예를 들어, 현재 블록의 상측에 인접한 참조 화소가 속하는 블록이 인터 부호화되어 복원된 블록일 경우에는 상기 화소들을 이용 가능하지 않은 화소들로 판단할 수 있다.이 경우에는 현재 블록에 인접한 블록이 인트라 부호화되어 복원된 블록에 속하는 화소들을 이용하여 이용 가능한 참조 화소들을 생성할 수 있다. 이 경우에는 부호기에서 부호화 모드에 따라 이용 가능한 참조 화소를 판단한다는 정보를 복호기로 전송해야 한다.다음으로, 상기 참조 화소들을 이용하여 현재 블록의 인트라 예측 모드를 결정한다. 현재 블록에 허용 가능한 인트라 예측 모드의 수는 블록의 크기에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 현재 블록의 크기가 8x8, 16x16, 32x32인 경우에는 34개의 인트라 예측 모드가 존재할 수 있고, 현재 블록의 크기가 4x4인 경우에는 17개의 인트라 예측 모드가 존재할 수 있다.상기 34개 또는 17개의 인트라 예측 모드는 적어도 하나 이상의 비방향성 모드(non-directional mode)와 복수개의 방향성 모드들(directional modes)로 구성될 수 있다.하나 이상의 비방향성 모드는 DC 모드 및/또는 플래너(planar) 모드일수 있다. DC 모드 및 플래너모드가 비방향성 모드로 포함되는 경우에는, 현재 블록의 크기에 관계없이 35개의 인트라 예측 모드가 존재할 수도 있다.이 때에는 2개의 비방향성 모드(DC 모드 및 플래너 모드)와 33개의 방향성 모드를 포함할 수 있다.플래너 모드는 현재 블록의 우하측(bottom-right)에 위치하는 적어도 하나의 화소값(또는 상기 화소값의 예측값, 이하 제1 참조값이라 함)과 참조화소들을 이용하여 현재 블록의 예측 블록을 생성한다.상기한 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 동영상 복호화 장치의 구성은 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 동영상 부호화 장치의 구성으로부터 도출될 수 있으며, 예를 들어 도 1을 참조하여 설명한 바와 같은 부호화 과정의 역과정을 수행함으로써 영상을 복호화할 수 있다.도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 동영상 복호화 장치의 구성을 블록도로 도시한 것이다.도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 동영상 복호화 장치는, 엔트로피 복호화부(210), 역양자화/역변환부(220), 가산기(270), 디블록킹 필터(250), 픽쳐 저장부(260), 인트라 예측부(230), 움직임 보상 예측부(240) 및 인트라/인터전환 스위치(280)를 구비한다.엔트로피 복호화부(210)는, 동영상 부호화 장치로부터 전송되는 부호화 비트 스트림을 복호하여, 인트라 예측 모드 인덱스, 움직임 정보, 양자화 계수 시퀀스 등으로 분리한다. 엔트로피 복호화부(210)는 복호된 움직임 정보를 움직임 보상 예측부(240)에 공급한다.엔트로피 복호화부(210)는 상기 인트라 예측 모드 인덱스를 상기 인트라 예측부(230), 역양자화/역변환부(220)로 공급한다. 또한, 상기 엔트로피 복호화부(210)는 상기 역양자화 계수 시퀀스를 역양자화/역변환부(220)로 공급한다.역양자화/역변환부(220)는 상기 양자화 계수 시퀀스를 2차원 배열의 역양자화 계수로 변환한다. 상기 변환을 위해 복수개의 스캐닝 패턴 중에 하나를 선택한다. 현재 블록의 예측모드(즉, 인트라 예측 및 인터 예측 중의 어느 하나)와 인트라 예측 모드 중 적어도 하나에 기초하여 복수개의 스캐닝 패턴 중 하나를 선택한다.상기 인트라 예측 모드는 인트라 예측부 또는 엔트로피 복호화부로부터 수신한다.역양자화/역변환부(220)는 상기 2차원 배열의 역양자화 계수에 복수개의 양자화 매트릭스 중 선택된 양자화 매트릭스를 이용하여 양자화 계수를 복원한다. 복원하고자 하는 현재 블록의 크기에 따라 서로 다른 양자화 매트릭스가 적용되며, 동일 크기의 블록에 대해서도 상기 현재 블록의 예측 모드 및 인트라 예측 모드 중 적어도 하나에 기초하여 양자화 매트릭스를 선택한다.그리고, 상기 복원된 양자화 계수를 역변환하여 잔차 블록을 복원한다.가산기(270)는 역양자화/역변환부(220)에 의해 복원된 잔차 블록과 인트라 예측부(230) 또는 움직임 보상 예측부(240)에 의해 생성되는 예측 블록을 가산함으로써, 영상 블록을 복원한다.디블록킹 필터(250)는 가산기(270)에 의해 생성된 복원 영상에 디블록킹 필터 처리를 실행한다. 이에 따라, 양자화 과정에 따른 영상 손실에 기인하는 디블록킹 아티펙트를 줄일 수 있다.픽쳐 저장부(260)는 디블록킹 필터(250)에 의해 디블록킹 필터 처리가 실행된 로컬 복호 영상을 유지하는 프레임 메모리이다.인트라 예측부(230)는 엔트로피 복호화부(210)로부터 수신된 인트라 예측 모드 인덱스에 기초하여 현재 블록의 인트라 예측 모드를 복원한다. 그리고, 복원된 인트라 예측 모드에 따라 예측 블록을 생성한다.움직임 보상 예측부(240)는 움직임 벡터 정보에 기초하여 픽쳐 저장부(260)에 저장된 픽쳐로부터 현재 블록에 대한 예측 블록을 생성한다. 소수 정밀도의 움직임 보상이 적용될 경우에는 선택된 보간 필터를 적용하여 예측 블록을 생성한다.인트라/인터 전환 스위치(280)는 부호화 모드에 기초하여 인트라 예측부(230)와 움직임 보상 예측부(240)의 어느 하나에서 생성된 예측 블록을 가산기(270)에 제공한다.도 5는 복호화 장치에서 인터 예측을 수행하는 구성에 대한 일실시예를 블록도로 도시한 것으로, 인터 예측 복호화 장치는 디멀티플렉서(241), 움직임 정보 부호화 모드 판단부(242), 머지 모드 움직임 정보 복호화부(243), AMVP 모드 움직임 정보 복호화부(244), 예측블록 생성부(245), 잔차 블록 복호화부(246) 및 복원블록 생성부(247)를 포함한다.도 5를 참조하면, 디멀티플렉서(241)는 수신된 비트스트림으로부터 현재 부호화된 움직임 정보와 부호화된 잔차 신호들을 역다중화한다. 디멀티플렉서(241)는 상기 역다중화된 움직임 정보를 움직임 정보 부호화 모드 판단부(242)로 전송하고, 역다중화된 잔차신호를 잔차블록 복호화부(246)로 전송한다.움직임 정보 부호화 모드 판단부(242)는 현재 블록의 움직임 정보 부호화 모드를 판단한다. 움직임 정보 부호화 모드 판단부(242)는 수신된 비트스트림의 skip_flag가 1의 값을 갖는 경우에는 현재 블록의 움직임 정보 부호화 모드가 스킵 부호화 모드로 부호화된 것으로 판단한다.움직임 정보 부호화 모드 판단부(242)는 수신된 비트스트림의 skip_flag가 0의 값을 갖고, 디멀티블렉서(241)로부터 수신된 움직임 정보가 머지 인덱스만을 갖는 현재 블록의 움직임 정보 부호화 모드가 머지 모드로 부호화된 것으로 판단한다.움직임 정보 부호화 모드 판단부(242)는 수신된 비트스트림의 skip_flag가 0의 값을 갖고, 디멀티블렉서(241)로부터 수신된 움직임 정보가 참조 픽쳐 인덱스와 차분 움직임 벡터와 AMVP인덱스를 갖는 경우에는 현재 블록의 움직임 정보 부호화 모드가 AMVP 모드로 부호화된 것으로 판단한다.머지 모드 움직임 정보 복호화부(243)는 움직임 정보 부호화 모드 판단부(242)가 현재 블록의 움직임 정보 부호화 모드를 스킵 또는 머지 모드로 판단한 경우에 활성화된다.AMVP 모드 움직임 정보 복호화부(244)는 움직임 정보 부호화 모드 판단부(242)가 현재 블록의 움직임 정보 부호화 모드를 AMVP 모드로 판단한 경우에 활성화된다.예측블록 생성부(245)는 상기 머지 모드 움직임 정보 복호화부(243) 또는 AMVP 모드 움직임 정보 복호화부(244)에 의해 복원된 움직임 정보를 이용하여 현재 블록의 예측 블록을 생성한다.움직임 벡터가 정수 단위일 경우에는, 참조픽쳐 인덱스가 나타내는 픽쳐 내의 움직임 벡터가 나타내는 위치에 대응하는 블록을 복사하여 현재 블록의 예측 블록을 생성한다.그러나, 움직임 벡터가 정수 단위가 아닐 경우에는, 참조픽쳐 인덱스가 나타내는 픽쳐내의 정수 단위 화소들로부터 예측 블록의 화소들을 생성한다. 이 경우, 휘도 화소의 경우에는 8탭의 보간 필터를 사용하여 예측 화소를 생성할 수 있다. 색차 화소의 경우에는 4탭 보간 필터를 사용하여 예측 화소를 생성할 수 있다.잔차 블록 복호화부(246)는 잔차신호를 엔트로피 복호화한다. 그리고, 엔트로피 복호화된 계수들을 역스캐닝하여 2차원의 양자화된 계수 블록을 생성한다. 역스캐닝 방식은 CABAC 기반 역스캐닝 방식으로 통일될 수 있다.또한, 엔트로피 복호화 방식에 따라 달라질 수도 있다. CABAC 기반으로 복호화된 경우와 CAVLC 기반으로 복호화된 경우의 인터 예측 잔차신호의 역스캐닝 방식이 달라질 수 있다. 예를 들어, CABAC 기반으로 복호화된 경우에는 대각선 방향의 래스터 역스캔 방식으로, CAVLC 기반으로 복호화된 경우에는 지그재그 역스캔 방식이 적용될 수 있다.또한, 예측 블록의 크기에 따라 역스캐닝 방식이 달리 결정될 수도 있다.잔차블록 복호화부(246)는 생성된 계수블록을 역양자화 매트릭스를 이용하여 역양자화한다. 상기 양자화 매트릭스를 유도하기 위해 양자화 파리미터를 복원한다. 양자화 스텝 사이즈는 미리 정해진 크기 이상의 코딩 유닛별로 복원된다.상기 미리 정해진 크기는 8x8 또는 16x16일 수 있다. 따라서, 현재 코딩 유닛이 상기 미리 정해진 크기보다 작은 경우에는 상기 미리 정해진 크기 내의 복수개의 코딩 유닛 중 부호화 순서상 첫번째 코딩 유닛의 양자화 파라미터만을 복원하고, 나머지 코딩 유닛의 양자화 파라미터는 상기 파라미터와 동일하므로 부호화할 필요가 없다.상기 미리 정해진 크기 이상의 코딩 유닛별로 결정된 양자화 파라미터를 복원하기 위해 현재 코딩 유닛에 인접한 코딩 유닛의 양자화 파라미터를 이용한다. 현재 코딩 유닛의 좌측 코딩 유닛, 상측 코딩 유닛 순서로 검색하여 유효한 첫번째 양자화 파라미터를 현재 코딩 유닛의 양자화 파라미터 예측자로 결정할 수 있다.또한, 좌측 코딩 유닛, 부호화 순서상 바로 이전의 코딩 유닛 순으로 검색하여 유효한 첫번째 양자화 파라미터를 양자화 파라미터 예측자로 결정할 수 있다. 상기 결정된 양자화 파라미터 예측자와 차분 양자화 파라미터를 이용하여 현재 예측 유닛의 양자화 파라미터를 복원한다.잔차블록 복호화부(260)는 상기 역양자화된 계수 블록을 역변환하여 잔차블록을 복원한다.복원블록 생성부(270)는 상기 예측블록 생성부(250)에 의해 생성된 예측블록과 상기 잔차블록 복호화부(260)에 의하여 생성된 잔차블록을 더하여 복원블록을 생성한다.이하, 상기 도 3를 참조하여, 현재 블록을 인트라 예측을 통해 복원하는 과정을 설명한다.먼저, 수신된 비트스트림으로부터 현재 블록의 인트라 예측 모드를 복호한다. 이를 위해, 엔트로피 복호화부(210)는 복수개의 인트라 예측 모드 테이블 중 하나를 참조하여 현재 블록의 제1 인트라 예측 모드 인덱스를 복원한다.상기 복수개의 인트라 예측 모드 테이블은 부호기와 복호기가 공유하는 테이블로서, 현재 블록에 인접한 복수개의 블록들의 인트라 예측 모드의 분포에 따라 선택된 어느 하나의 테이블이 적용될 수 있다.일예로써, 현재 블록의 좌측 블록의 인트라 예측 모드와 현재 블록의 상측 블록의 인트라 예측 모드가 동일하면 제1 인트라 예측 모드 테이블을 적용하여 현재 블록의 제 1 인트라 예측 모드 인덱스를 복원하고, 동일하지 않으면 제2 인트라 예측 모드 테이블을 적용하여 현재 블록의 제 1 인트라 예측 모드 인덱스를 복원할 수 있다.또 다른 예로써, 현재 블록의 상측 블록과 좌측 블록의 인트라 예측 모드가 모두 방향성 예측 모드(directional intra prediction mode)일 경우에는, 상기 상측 블록의 인트라 예측 모드의 방향과 상기 좌측 블록의 인트라 예측 모드의 방향이 소정 각도 이내이면, 제 1 인트라 예측 모드 테이블을 적용하여 현재 블록의 제 1 인트라 예측 모드 인덱스를 복원하고, 소정 각도를 벗어나면 제2 인트라 예측 모드 테이블을 적용하여 현재 블록의 제 1 인트라 예측 모드 인덱스를 복원할 수도 있다.엔트로피 복호화부(210)는 복원된 현재 블록의 제1 인트라 예측 모드 인덱스를 인트라 예측부(230)로 전송한다.상기 제1 인트라 예측 모드를 인덱스를 수신한 인트라 예측부(230)는 상기 상기 인덱스가 최소값을 가질 경우(즉, 0)에는 현재 블록의 최대가능모드를 현재 블록의 인트라 예측 모드로 결정한다.그러나, 상기 인덱스가 0 이외의 값을 가질 경우에는 현재 블록의 최대가능모드가 나타내는 인덱스와 상기 제1 인트라 예측 모드 인덱스를 비교한다. 비교 결과, 상기 제1 인트라 예측 모드 인덱스가 상기 현재 블록의 최대가능모드가 나타내는 인덱스보다 작지 않으면, 상기 제 1 인트라 예측 모드 인덱스에 1을 더한 제2 인트라 예측 모드 인덱스에 대응하는 인트라 예측 모드를 현재 블록의 인트라 예측 모드로 결정하고, 그렇지 않으면 상기 제 1 인트라 예측 모드 인덱스에 대응하는 인트라 예측 모드를 현재 블록의 인트라 예측 모드를 결정한다.현재 블록에 허용 가능한 인트라 예측 모드는 적어도 하나 이상의 비방향성 모드(non-directional mode)와 복수 개의 방향성 모드들(directional modes)로 구성될 수 있다.하나 이상의 비방향성 모드는 DC 모드 및/또는 플래너(planar) 모드일수 있다. 또한, DC 모드와 플래너 모드 중 어느 하나가 적응적으로 상기 허용 가능한 인트라 예측 모드 셋에 포함될 수 있다.이를 위해, 픽쳐 헤더 또는 슬라이스 헤더에 상기 허용 가능한 인트라 예측 모드 셋에 포함되는 비방향성 모드를 특정하는 정보가 포함될 수 있다.다음으로, 인트라 예측부(230)는 인트라 예측 블록을 생성하기 위해, 참조 화소들을 픽쳐 저장부(260)로터 읽어들이고, 이용 가능하지 않은 참조 화소가 존재하는지 여부를 판단한다.상기 판단은 현재 블록의 복호된 인트라 예측 모드를 적용하여 인트라 예측 블록을 생성하는데 이용되는 참조 화소들의 존재 여부에 따라 행해질 수도 있다.다음으로, 인트라 예측부(230)는 참조 화소를 생성할 필요가 있을 경우에는 미리 복원된 이용 가능한 참조 화소들을 이용하여 이용 가능하지 않은 위치의 참조화소들을 생성한다.이용 가능하지 않은 참조 화소에 대한 정의 및 참조 화소의 생성 방법은 도 1에 따른 인트라 예측부(150)에서의 동작과 동일하다. 다만, 현재 블록의 복호된 인트라 예측 모드에 따라 인트라 예측 블록을 생성하는데 이용되는 참조 화소만들을 선택적으로 복원할 수도 있다.다음으로, 인트라 예측부(230)는 예측 블록을 생성하기 위하여, 참조 화소들에 필터를 적용할지 여부를 판단한다. 즉, 인트라 예측부(230)는 현재 블록의 인트라 예측 블록을 생성하기 위하여 참조 화소들에 대해 필터링을 적용할지 여부를 상기 복호된 인트라 예측 모드 및 현재 예측 블록의 크기에 기초하여 결정한다.블록킹 아티펙트의 문제는 블록의 크기가 커질수록 커지므로, 블록의 크기가 커질수록 참조화소를 필터링하는 예측모드의 수를 증가시킬 수 있다. 그러나, 블록이 소정 크기보다 커지는 경우에는 평탄한 영역으로 볼 수 있으므로 복잡도 감소를 위해 참조화소를 필터링하지 않을 수 있다.상기 참조 화소에 필터 적용이 필요하다고 판단된 경우에는 필터를 이용하여 상기 참조 화소들을 필터링한다.상기한 참조 화소들 간의 단차의 차이 정도에 따라 적어도 2개 이상의 필터를 적응적으로 적용할 수도 있다. 상기 필터의 필터계수는 대칭적인 것이 바람직하다.또한, 상기한 2개 이상의 필터가 현재 블록의 크기에 따라 적응적으로 적용될 수도 있다. 즉, 필터를 적용할 경우, 크기가 작은 블록에 대해서는 대역폭이 좁은 필터를, 크기가 큰 블록들에 대해서는 대역폭이 넓은 필터를 적용할 수도 있다.DC 모드의 경우에는 참조 화소들의 평균값으로 예측 블록이 생성되므로, 필터를 적용할 필요가 없다. 즉, 필터를 적용할 경우 불필요한 연산량만이 많아지게 된다.또한, 영상이 수직 방향으로 연관성(correlation)이 있는 수직 모드에서는 참조화소에 필터를 적용할 필요가 없다. 영상이 수평 방향으로 연관성이 있는 수평 모드에서도 참조화소에 필터를 적용할 필요가 없다.이와 같이, 필터링의 적용 여부는 현재 블록의 인트라 예측 모드와도 연관성이 있으므로, 현재 블록의 인트라 예측 모드 및 예측 블록의 크기에 기초하여 참조화소를 적응적으로 필터링할 수 있다.다음으로, 상기 복원된 인트라 예측 모드에 따라, 상기 참조 화소 또는 상기 필터링된 참조 화소들을 이용하여 예측 블록을 생성한다. 상기 예측 블록의 생성은 부호기에서의 동작과 동일하므로 생략한다. 플래너 모드의 경우에도 부호기에서의 동작과 동일하므로 생략한다.다음으로, 상기 생성된 예측 블록을 필터링할지 여부를 판단한다. 상기 필터링 여부의 판단은 슬라이스 헤더 또는 부호화 유닛 헤더에 포함된 정보를 이용할 수 있다. 또한, 현재 블록의 인트라 예측 모드에 따라 결정될 수도 있다.상기 생성된 예측 블록을 필터링할 것으로 판단할 경우, 생성된 예측 블록을 필터링한다. 구체적으로, 현재 블록에 인접한 이용 가능한 참조 화소들을 이용하여 생성된 예측 블록의 특정 위치의 화소를 필터링하여 새로운 화소를 생성한다.이는 예측 블록 생성시에 함께 적용될 수도 있다. 예를 들어, DC 모드에서는 예측 화소들 중 참조화소들과 접하는 예측 화소는 상기 예측 화소와 접하는 참조화소를 이용하여 필터링한다.따라서, 예측 화소의 위치에 따라 1개 또는 2개의 참조화소를 이용하여 예측 화소를 필터링한다. DC 모드에서의 예측화소의 필터링은 모든 크기의 예측 블록에 적용할 수 있다. 수직 모드에서는 예측 블록의 예측 화소들 중 좌측 참조 화소와 접하는 예측화소들은 상기 예측블록을 생성하는데 이용되는 상측화소 이외의 참조화소들을 이용하여 변경될 수 있다.마찬가지로, 수평 모드에서는 생성된 예측 화소들 중 상측 참조화소와 접하는 예측화소들은 상기 예측블록을 생성하는데 이용되는 좌측화소 이외의 참조화소들을 이용하여 변경될 수 있다.이와 같은 방식으로 복원된 현재 블록의 예측 블록과 복호화한 현재 블록의 잔차 블록을 이용하여 현재 블록이 복원된다.본 발명의 일실시예에 따른 동영상 비트스트림은 하나의 픽처에서의 부호화된 데이터를 저장하는데 사용되는 단위로서, PS(parameter sets)와 슬라이스 데이터를 포함할 수 있다.PS(parameter sets)는, 각 픽처의 헤드에 상당하는 데이터인 픽처 파라미터 세트(이하 간단히 PPS라 한다)와 시퀀스 파라미터 세트(이하 간단히 SPS라 한다)로 분할된다. 상기 PPS와 SPS는 각 부호화를 초기화하는데 필요한 초기화 정보를 포함할 수 있다.SPS는 램덤 액세스 유닛(RAU)으로 부호화된 모든 픽처를 복호화하기 위한 공통 참조 정보로서, 프로파일, 참조용으로 사용 가능한 픽처의 최대 수 및 픽처 크기 등을 포함하며, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 구성될 수 있다.PPS는, 랜덤 액세스 유닛(RAU)으로 부호화된 각 픽처에 대해, 픽처를 복호화하기 위한 참조 정보로서 가변 길이 부호화 방법의 종류, 양자화 단계의 초기값 및 다수의 참조 픽처들을 포함하며, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이 구성될 수 있다.한편, 슬라이스 헤더(SH)는 슬라이스 단위의 코딩시 해당 슬라이스에 대한 정보를 포함하며, 도 10 내지 도 12에 도시된 바와 같이 구성될 수 있다.이하 상기한 바와 같은 동영상 부호화 및 복호화 처리를 복수의 처리 유닛들을 이용하여 처리하는 구성에 대해 상세히 설명하기로 한다.본 발명의 일 실시 예에 따르면, 동영상을 처리하는 장치는, 호스트와 통신하며, 상기 호스트로부터 입력되는 동영상 데이터로부터 파라미터 정보 또는 슬라이스 헤더 정보를 파싱하는 영상 중앙 처리 유닛 및 상기 영상 중앙 처리 유닛의 제어를 받아 상기 파싱된 정보에 따라 동영상을 처리하는 복수의 영상 처리부들을 포함하고, 상기 복수의 영상 처리부들은 각각 상기 영상 중앙 처리 유닛과 통신하여 상기 동영상 데이터에 대해 엔트로피 코딩을 수행하는 제1 처리 유닛 및 상기 엔트로피 코딩이 수행된 동영상 데이터를 부호화 단위로 처리하는 제2 처리 유닛을 포함할 수 있다.여기서 상기 파라미터 정보는, VPS(Video Parameter Set), SPS(Sequence Parameter Set), PPS(Picture Parameter Set) 정보를 포함할 수 있다.또한, 상기 제1 처리 유닛은, 부호화 단위(Coding Tree Unit), 코딩 단위(Coding Unit), 예측 단위(Prediction Unit), 변환 단위(Transform Unit) 파라미터 정보를 도출하여 상기 제2 처리 유닛에 전송할 수 있다.그리고, 상기 제2 처리 유닛은, 상기 엔트로피 코딩이 수행된 동영상 데이터를 부호화 단위로, TQ(Transform/Quantization), Intra-prediction, Inter-prediction, LF(Loop Filtering), Memory compression 중 적어도 하나를 처리할 수 있다.여기서, 동영상을 처리하는 장치는 후술할 VPU(300)를, 영상 중앙 처리 유닛은 후술할 V-CPU(310)를, 영상 처리부는 후술할 V-CORE(320)를 지칭할 수 있다. 또한, 제1 영상 처리부는 후술할 BPU(321), 제2 영상 처리부는 후술할 VCE(322)를 지칭할 수 있다.그리고, 상기 영상 중앙 처리 유닛은, 상기 호스트와 픽쳐 단위로 통신하고,병렬 처리가 수행되는 경우, 상기 제1 처리 유닛과 CTU 단위에 기반한 래스터 스캔(Raster scan) 순서로 통신할 수 있다. 예를 들어, 영상 중앙 처리 유닛(V-CPU, 310)은 CTU row 단위로 각 제1 처리 유닛과 통신할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따르면, 동영상을 처리하는 장치는, 호스트로부터 입력되는 동영상 데이터를 프리 스캔하여, 프리 스캔 세그먼트 단위로 프리 스캔 정보를 생성하는 프리 스캔(PRESCAN) 컨트롤러(400)을 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 프리 스캔 모듈(400)는 프리 스캔을 통해 동영상 데이터의 비스트스림을 CTU 위치에 따라 프리 스캔 세그먼트 단위로 분할할 수 있다. 또한 프리 스캔 모듈(400)는 비트스트림 파싱 및 간소화된 엔트로피 디코딩(예를 들어 프리 스캔 정보만을 추출하는 CABAC 프로세싱)을 수행하여 분할된 위치에 대응하는 프리 스캔 정보를 생성 및 저장할 수 있다.프리 스캔 모듈(400)에 의해 저장되는 프리 스캔 정보는 프리 스캔 세그먼트 단위로 분할된 위치에 대응될 수 있으며, CABAC 엔진 정보, 컨텍스트 정보, 비트스트림 오프셋 정보, CTU 포지션 정보, Qp 정보 및 추가 정보 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 추가 정보는 예를 들어, 에러 정보 또는 에러 커맨드 정보 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.또한, 프리 스캔 세그먼트 단위는 타일 또는 슬라이스를 CTU row 단위로 처리하기 위해 분할되는 단위를 의미할 수 있다. 따라서, 프리 스캔 세그먼트 단위는 각 타일/슬라이스가 시작되는 위치, 타일/슬라이스간 경계 위치 또는 각 CTU의 row에서의 1st CTU와 타일의 경계 위치에 따라 결정될 수 있다. 프리 스캔 세그먼트 단위에 대응되는 분할 위치에 대한 정보는 CTU 포지션 정보 및 비스스트림 오프셋 정보에 의해 나타내어질 수 있다.프리 스캔 모듈(400)는 이와 같은 프리 스캔 세그먼트 단위의 분할 기능을 제공함으로써, V-CPU(310)가 타일/슬라이스 단위에 의존하지 않고, 단순히 래스터 스캔 순서로 태스크들을 생성 및 정렬할 수 있게 된다. 또한, 각 V-Core(320)는 V-CPU(310)에서 CTU row 단위로 태스크들이 할당되더라도 미리 저장된 프리 스캔 정보에 기초하여 끊김없는(SEAMLESS) 디코딩을 수행할 수 있다. 또한, 각 복수의 처리 유닛간 처리량의 타일/슬라이스 크기 차이에 따른 불균형을 제거할 수 있고, 불균형에 의한 대역폭 효율 감소를 억제할 수 있다.한편, V-CPU(310)는 이와 같은 프리 스캔 모듈(400)의 동작과 V-Core(320)간 동기화를 제어하여, 프레임 또는 픽처 레벨에서의 동작 타이밍 조절 및 출력을 제어할 수 있다. 그리고, V-CPU(310)는 프리 스캔 모듈(400)의 동작 시간을 고려하여, 픽처 복호화 시작 타임과 픽처 복호화 완료 타임을 비동기(asynchrouous)적으로 제어 처리할 수 있다. 비동기적 제어 방법으로, 제1 픽처의 복호화 시작 시간과 제1 픽처의 복호화 완료 시간 중간에 다음 픽처인 제2 픽처의 복호화 시작 시간을 할당하는 방법이 예시될 수 있다. 이 경우, 각 V-Core에 태스크를 추가하는 오버헤드가 hiding 될 수 있으므로 처리 성능을 향상시킬 수 있다.비동기적 제어 방법으로서, 제1 픽처의 복호화 시작 시간과 제1 픽처의 복호화 완료 시간 중간에 다음 픽처인 제2 픽처의 복호화 시작 시간을 할당하는 방법이 예시될 수 있다. 이 경우, 각 V-Core에 태스크를 추가하는 오버헤드가 hiding 될 수 있으므로 처리 성능을 향상시킬 수 있다.또한, 다른 비동기적 제어 방법으로서, 제1 픽처에 대한 프리 스캔 시간과 태스크 할당(리오더링)시간이 중첩되도록 제어하는 방법이 예시될 수 있다. 이 경우, V-CPU(310)는 CTU에서 1 개의 row가 프리 스캔 처리되면 그 row에 대응되는 태스크를 즉시 할당하여 각 V-Core(320)가 디코딩을 수행하도록 제어할 수 있다. 이 경우 레이턴시(latency)를 낮출 수 있어 네트워크 디스플레이 등에서 유용하게 사용될 수 있다. 특히, 처리할 픽처가 타일을 포함하고 그 타일들이 Column으로 분리된 경우, 일반적 디코딩의 레이턴시는 매우 높게 나타날 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시 예에 따르면, 프리 스캔이 디코딩에 비하여 상대적으로 빠르게 이루어지기 때문에 전체적인 레이턴시가 감소되는 효과를 얻을 수 있다.또한, 또 다른 비동기적 제어 방법으로서, 제1 픽처에 대한 프리 스캔 및 태스크 할당 이후, 각 V-Core(320)의 디코딩 시간을 다음 제2 픽처의 복호화 시작 시간과 중첩시키는 방법이 예시될 수 있다. 예를 들어, V-CPU(310)는 제1 픽처의 복호화 완료 시간 이전에 제2 픽처의 복호화 시작 시간(프리 스캔 시작 시간과 동일할 수 있음)이 할당되도록 제어할 수 있다. 이 경우, V-CPU(310)는 퍼포먼스 손실을 방지하기 위해 인스턴스의 변경을 제한할 수 있다. 예를 들어, V-CPU(310)는 제1 픽처의 복호화 완료(pindone)가 발생되고, 그 다음 픽처인 제2 픽처의 복호화 시작(pinrun)이 실행되기 전 까지만 인스턴스 변경이 허용되도록 제어할수 있다.한편, 여기서, 동영상 처리 장치는 동영상 부호화 장치 및 동영상 복호화 장치를 모두 포함할 수 있다. 동영상 복호화 장치와 동영상 부호화 장치는, 도 1 내지 4에서 상술한 바와 같이, 서로 역과정을 수행하는 장치로 구현될 수 있는 바, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 동영상 복호화 장치의 경우를 예로 설명하기로 한다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 동영상 처리 장치는, 후술할 동영상 복호화 장치의 역과정을 수행하는 동영상 부호화 장치로 구현될 수도 있다. 도 13은 본 발명의 본 발명의 일 실시 예에 따른 동영상 복호화 장치의 계층 구조(layer structure)를 나타내는 도면이다. 도 13을 참조하면, 동영상 복호화 장치는 동영상 복호화 기능을 수행하는 영상 처리 유닛(VPU, Video Processing Unit)(300)를 포함할 수 있고, VPU(300)는 영상 중앙 처리 유닛(V-CPU, 310) BPU(321), VCE(322)을 포함할 수 있다. 여기서 BPU(321), VCE(322)는 결합하여 V-Core(320)를 형성할 수 있다. 또한, VPU(300)는 후술할 프리 스캔 모듈(400)를 더 포함할 수 있다.여기서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 VPU(300)는, 바람직하게는, 한 개의 V-CPU(310) 및 복수의 V-Core(320)(이하, Multi V-Core)를 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, VPU(300)의 구현 형태에 따라서 그 개수는 다양할 수 있다.V-CPU(310)는 VPU(300)의 전반적인 동작을 제어한다. 특히 V-CPU(310)는 수신된 동영상 비트스트림에서 VPS(Video Parameter Set), SPS, PPS, SH를 파싱할 수 있다. 그리고, V-CPU(310)는 파싱된 정보를 기초로 VPU(300)의 전반적인 동작을 제어할 수 있다.일 예로, V-CPU(310)는 동영상 비트스트림을 프리 스캔 모듈(400)로 전송하여 상술한 프리 스캔 정보가 저장되도록 제어할 수 있다. 또한, V-CPU(310)는 파싱된 정보를 기초로 V-CORE(320)각각이 처리할 태스크를 생성할 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따른 WPP(Wavefront Pararlle Processing) 또는 가상 WPP가 적용되는 경우, 각 태스크는 동영상 비트스트림의 CTU row 단위 데이터에 대응될 수 있다.또한, V-CPU(310)는 파싱된 정보를 기초로 데이터 병렬 처리에 사용할 V-core(320)의 개수를 판단할 수 있다. 그리고, 판단 결과, 데이터 병렬 처리에 복수의 V-core(320)가 필요하다고 판단되면, V-CPU(310)는 Multi V-core(320) 중 각각의 V-core(320)가 처리할 영역을 결정할 수 있다.또한, V-CPU(310)는 태스크를 통해 각각의 V-core(320)에 할당할 영역에 대한 비트스트림의 시작위치(entry points)를 결정할 수 있다.또한, V-CPU(310)는 Multi V-core(320)를 이용한 복호화에 따라 발생된 한 픽쳐 내의 경계 영역을 Multi V-core(320)에 할당할 수 있다.여기서 V-CPU(310)는 API(Application Programing Interface)와 픽쳐 단위로 통신하며, V-Core(320)와 CTU row 단위로 통신할 수 있다. 그리고, V-CPU(310)는 슬라이스/타일 단위로도 통신할 수 있다.V-Core(320)는 V-CPU(310)의 제어하에 복화화 처리, 경계 처리를 수행한다. 일 예로, V-Core(320)는 V-CPU(310)의 제어하에 할당된 영역을 복호화 처리할 수 있다. 또한, V-Core(320)는 V-CPU(310)의 제어하에 할당된 경계 영역에 대한 경계 처리(boundary processing)할 수 있다.여기서 V-Core(320)는 BPU(321) 및 VCE(322)를 포함할 수 있다.BPU(321)는 할당된 영역(CTU row 단위, 슬라이스 또는 타일)의 데이터를 엔트로피 디코딩한다. 즉, BPU(321)는 상술한 엔트로피복호화부(210)의 기능을 일부 수행할 수 있고, 또 한, BPU(321)는 CTU(Coding Tree Unit)/CU(Coding Unit)/PU(Prediction Unit)/TU(Transform Unit) 레벨 파라미터를 도출할 수 있다. 그리고, VCE(322)를 제어할 수 있다. 여기서 BPU(321)는 V-CPU(310)와 CTU row 단위, 슬라이스 또는 타일 단위로 통신하고, CTU 단위로 VCE(322)와 통신할 수 있다. VCE(322)는 BPU(321)의 도출된 파라미터를 제공받아, TQ(Transform/Quantization), Intra-prediction, Inter-prediction, LF(Loop Filtering), Memory compression을 수행할 수 있다. 즉, VCE(322)는 상술한 역양자화/역변화부(220), 디블록킹 필터(250), 인트라 예측부(230), 움직임 보상 예측부(240)의 기능을 수행할 수 있다. 여기서 VCE(322)는 할당된 영역에 대해서 CTU-based pipelining으로 데이터 처리할 수 있다.보다 구체적으로, V-CPU(310)는 Host Processor와 인터페이스 동작을 수행할 수 있다. 또한, V-CPU(310)는 수신된 동영상 비트 스트림에서 VPS(Video Parameter Set)/SPS(Sequence Parameter Set)/PPS(Picture Parameter Set)/SH(Slice Header)를 파싱할 수 있다.그리고, V-CPU(310)는 수신된 동영상 비트 스트림을 프리 스캔 모듈(400)로 전달하여 프리 스캔 정보가 별도 메모리에 저장되도록 제어할 수 있다.그리고, V-CPU(310)는 파싱된 정보를 이용하여 V-Core(320)에서 복호화에 필요한 정보를 전달할 수 있다. 여기서 필요한 정보는, 'Picture parameter data structure' 및 'Slice control data structure'를 포함할 수 있다.'Picture parameter data structure'는 다음과 같은 정보들을 포함할 수 있다. 일 예로, Sequence/picture header에 포함된 정보들(예: picture size, scaling list, CTU, min/max CU size, min/max TU size 등), Frame decoding 시 필요한 buffer들의 위치(주소) 등을 포함할 수 있다. 이러한, Picture parameter data structure는 한 개의 픽쳐를 복호화하는 동안 1회 설정될 수 있다. Slice control data structure는 다음과 같은 정보들을 포함할 수 있다. 일 예로, Slice header에 포함된 정보들(예: slice type, slice/tile 영역 정보, reference picture list, weighted prediction parameter등)을 포함할 수 있다. 이러한, Slice control data structure는 slice가 바뀔 때 설정될 수 있다. V-Core(320)의 inter-processor communication registers 또는 slice parameter buffer at external memory는 N개의 slice control data structure를 저장할 수 있으며, full이 아닌 상태라면 현재 복호화 수행 중인 slice에 해당하는 data structure가 아니라도 미리 저장할 수 있다. 여기서 N은 단위 처리 시, V-Core(320)에서 V-CPU(310)로 처리 완료를 알리는 시점을 VCE(322)의 pipe가 완전히 flush된 이후로 할 거냐(N=1), 아니면 현재 처리 중인 segment와 다음segment간에 pipelining이 유지되도록(N 003e# 1) 할 것이냐에 따라 결정될 수 있다. 여기서 V-CPU(310)에서 V-Core(320)에 전달된 정보는, V-Core(320)의 inter-processor communication registers를 통해 전달될 수 있다. inter-processor communication registers는 고정크기의 register array(file)로 구현될 수 있고, 또는 external memory로 구현될 수 있다. 만약, external memory로 구현되는 경우, V-CPU(310)가 external memory에 저장하고, BPU(321)가 external memory에서 읽어가는 구조로 동작할 수 있다. 한편, V-Core(320)가 저장할 수 있는 slice control data structure의 개수가 1 (또는 any number)개 이어도 segment와 segment간 V-Core(320)가 장시간의 유휴(idle)상태에 있는 것을 방지하기 위해서 V-CPU(310)는 SH 복호화 및 parameter generation 등을 계속 수행할 수 있어야 한다.한편, 하나의 슬라이스에 여러 개의 타일이 포함되어 있고, multi V-Cores(320)에 의해 병렬 처리되는 경우, V-CPU(310)는 동일한 slice control data structure를 multi V-Core(320)에 전송할 수 있다.또한, V-CPU(310)는 V-Core(320)에서 exception 발생 시 이를 처리할 수 있다. 일 예로, V-CPU(310)에서 parameter set 복호화시 오류 검출 시, V-Core(320)의 BPU(321)에서 slice data 복호화 시 오류 검출 시, 프레임 복호화 중 지정된 복호화 시간을 초과하는 경우(예: VPU(300) 내부의 알 수 없는 오류 및 시스템 버스의 장애로 인해 V-CPU(310)의 peripheral 및 V-Core(320)가 stall되어 있는 경우) 이를 해결하기 위한 대응을 수행할 수 있다. 또한, V-CPU(310)는 VPU(300)의 프레임 복호화 완료시, API에 완료 보고를 할 수 있다.특히, V-CPU(310)는 Multi V-Cores(320)의 데이터 병렬 처리를 위하여 Multi V-Cores(320)의 동기화를 제어할 수 있다. 특히, V-CPU의 구성 및 동작에 의해 가상 WPP(Wavefront Pararell Processing) 처리가 가능하게 되며 이에 대하여는 후술하도록 한다.V-CPU(310)는 파싱된 정보를 기초로 데이터 병렬 처리에 사용할 V-core(320)의 개수를 판단할 수 있다. 그리고, 판단 결과, 데이터 병렬 처리에 복수의 V-core(320)가 필요하다고 판단되면, V-CPU(310)는 Multi V-core(320) 중 각각의 V-core(320)가 처리할 영역을 결정할 수 있다. 또한, V-CPU(310)는 각각의 V-core(320)에 할당할 영역에 대한 비트스트림의 시작위치(entry points)를 결정할 수 있다.또한, V-CPU(310)는 Multi V-core(320)를 이용한 복호화에 따라 발생된 한 픽쳐 내의 경계 영역을 Multi V-core(320)에 할당할 수 있다.한편, BPU(321)는 할당된 영역의 데이터를 엔트로피 디코딩할 수 있다. V-CPU(310)에 의하여 SH(Slice Header)가 디코딩되었고, picture parameter data structure와 slice control data structure에 의해 필요한 정보를 모두 받았으므로, BPU(321)에서는 SH를 디코딩하지 않을 수 있다.또한, BPU(321)는 CTU(Coding Tree Unit)/CU(Coding Unit)/PU(Prediction Unit)/TU(Transform Unit) 레벨 파라미터를 도출할 수 있다.또한, BPU(321)는 도출된 파라미터를 VCE(322)에 전송할 수 있다.여기서, 각 블록에 공통적으로 사용되는 정보들(picture size, segment offset/size,…)과 DMAC에 source/destination address 등을 제외한 복호화 처리에 필요한 CTU/CU/PU/TU parameters 및 coefficient, reference pixel data들은 BPU(321)와 VCE(322)가 FIFO를 통해 전달할 수 있다. 다만, segment level의 parameter들은 FIFO가 아닌 VCE(322)의 internal register에 세팅될 수 있다.또한, BPU(321)는 VCE(322)를 제어하는 VCE controller의 기능을 수행할 수 있다. VCE controller는 BPU(321)가 register 세팅으로 제어할 수 있는 picture_init, segment_init signal, software reset을 출력하며, VCE(322)의 각 서브블럭들은 이 signal들을 제어에 사용할 수 있다.BPU(321)가 VCE controller에 상기 언급된 picture/segment-level parameter들을 세팅한 후 segment run을 명령(by register setting)하게 되면, 설정된 segment의 디코딩을 완료할 때 까지는 BPU(321)와의 communication 없이 CU parameter FIFO의 fullness 와 각 섭블럭들의 상태 정보를 참조하여 디코딩 과정을 제어할 수 있다. 또한, BPU(321)에서는 exception 발생 시 이를 처리할 수 있고, 슬라이스/타일 세그먼트 처리 완료 시 V-CPU(310)에 보고할 수 있다. VCE(322)는 BPU(321)의 도출된 파라미터를 제공받아, TQ(Transform/Quantization), Intra-prediction, Inter-prediction, LF(Loop Filtering), Memory compression을 수행할 수 있다.여기서 VCE(322)는 할당된 영역에 대해서 CTU-based pipelining으로 데이터 처리할 수 있다.상술한, 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 헤더 파싱과 데이터 처리 프로세스를 분리하고, 분리된 데이터 처리 프로세스를 파이프라이닝시켜, Multi V-core에 대한 작업 분배 및 동기화등을 수행할 수 있는 V-CPU(310)를 제공할 수 있다.도 14는 본 발명의 일 실시 예에 따른 영상 중앙 처리 유닛(V-CPU, 310)의 WPP 동영상 복호화를 위한 V-Core의 동기화 제어를 나타내는 타이밍도이다.도 14를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 동영상 복호화 장치의 V-CPU(310)는 비트스트림으로부터 파싱되는 헤더 정보와 프리 스캔 모듈(400)에서 프리 스캔된 정보에 기초하여 병렬 처리를 위한 복수의 태스크들을 생성할 수 있다. 그리고, 각 V-Core(320)에 복수의 태스크들을 순차적으로 할당할 수 있다각 V-Core(320)는 상술한 BPU(321)와 VCE(322)의 동작을 통해 상기 파싱된 헤더 정보 및 프리 스캔 정보에 따라 복호화를 수행할 수 있다.도 14에 도시된 바와 같이, V-CPU(310)는 각각의 CTU를 row단위로 분할하여 1개~N개의 V-Core(320)들에 대한 복수의 태스크를 생성하고, 각각의 V-Core(320)들로 전달할 수 있다.보다 구체적으로 예를 들어, V-Core(320) #0은 V-CPU(310)에서 1st CTU row를 할당 받아 현재 처리 중인 CTB의 복호화 과정에서 생성되는 주변 데이터(Neighbor data)를 NB(Neighbor block) 버퍼로 전달할 수 있다. 이를 위해, BPU(321)와 VCE(322)는 각각 주변 블록 복호화에 필요한 정보를 현재 처리 중인 CTB로부터 생성하여 NB 버퍼로 전달할 수 있다.NB버퍼로의 데이터 전달이 완료된 경우, BPU(321) 또는 VCE(322)는 각각 해당 CTB의 위치 정보를 V-Core(320) #1로 전달할 수 있다.또한, V-Core(320) #1에서는 V-PU(310)에서 2nd CTU row를 할당 받아 CTB단위로 처리 할 수 있다. 특히, WPP를 위해, V-Core(320) #1은 V-Core(320) #0에서 기 처리된 CTB에 대한 복호화 데이터를 NB 버퍼로부터 수신할 수 있다.그리고, V-Core(320) #1은 V-Core(320) #0에서 수신된 CTB의 위치 정보와 NB 버퍼에 저장된 기 처리된 CTB의 복호화 정보에 기초하여 2nd CTU row를 CTB 단위로 복호화할 수 있다.마찬가지로, V-Core(320) #1은 현재 처리 중인 CTB의 복호화 과정에서 생성되는 주변 데이터(Neighbor data)를 NB(Neighbor block) 버퍼로 전달할 수 있다. NB버퍼로의 데이터 전달이 완료된 경우, V-Core(320) #1의 BPU(321) 또는 VCE(322)는 각각 해당 CTB의 위치 정보를 V-Core(320) #2로 전달할 수 있다.이와 같은 과정이 V-Core(320)개수에 따라 #N까지 순차적으로 진행되면서, 전체 CTU에 대한 복호화 과정이 WPP방식으로 병렬 처리되어 효율적으로 진행될 수 있다. 픽처에 대응되는 전체 CTU의 복호화가 완료되는 경우, V-CPU(310)는 복호화된 픽쳐의 영상 데이터를 API를 통해 호스트 프로세서로 출력할 수 있다.이와 같은 V-CPU(310)는 모든 비트 스트림에 대하여 WPP를 사용한 멀티 코어 병렬 디코딩을 수행할 수 있다. 이 경우, V-CPU(310)는 항상 비트 스트림에 대한 프리 스캔수행 이후 각 V-Core(320)의 디코딩이 수행되도록 제어할 수 있다. 또한, V-CPU(310)는 영상 비트스트림의 헤더를 파싱하여 프리 스캔의 수행 여부를 결정할 수 있다. 예를 들어, V-CPU(310)는 PPS에서 파싱된 특정 신택스 엘리먼트에 기초하여, WPP방식으로 인코딩됨을 알 수 있는 경우 프리 스캔 수행을 생략할 수 있다. 이 경우, V-CPU(310)는 비트스트림으로부터 기본적으로 파싱되는 파라미터 정보만 이용하더라도 WPP 방식으로 각 V-Core(320)에 대응되는 태스크를 생성할 수 있다.그리고, V-CPU(310)는 PPS에서 파싱된 신택스 엘리먼트에 기초하여 타일/슬라이스 단위를 이용한 인코딩이 수행된 것으로 판단된 경우, V-CPU(310)는 프리 스캔 모듈(400)를 제어하여 프리 스캔을 수행하고, 각 V-Core(320)는 프리 스캔 정보에 기반하여 WPP 디코딩을 수행할 수 있게 된다.이하에서는 이와 같은 V-CPU(310)의 제어에 따라 프리 스캔을 수행하기 위한 프리 스캔 모듈(400)에 대하여 보다 구체적으로 설명하도록 한다.도 15는 본 발명의 일 실시 예에 따른 프리 스캔 모듈(400)을 설명하기 위한 블록도이다.본 발명의 실시 예에 따른 프리 스캔 모듈(400)은 프리 스캔 컨트롤러(410), 저장부(420) 및 비트스트림 파싱부(430)를 포함할 수 있다.프리 스캔 컨트롤러(410)는 V-CPU(310)의 제어에 따라 프리 스캔 모듈(400)의 전반적인 제어를 수행한다. 프리 스캔 컨트롤러(410)는 영상 처리 단위로 비트스트림을 수신하고, 비트스트림 파싱부(430)를 통해 파싱되는 정보에 기초하여프리 스캔 정보를 생성하며, 생성된 프리 스캔 정보를 저장부(420)에 저장하는 동작을 수행할 수 있다. 프리 스캔 컨트롤러(410)로 수신되어 처리되는 영상 처리 단위는 픽처 또는 프레임 단위일 수 있다. 그리고, 비트스트림 파싱부(430)는 프레임 단위의 비트스트림을 수신하여 프리 스캔 정보를 구성하기 위한 기초 정보를 파싱할 수 있다. 프리 스캔 정보를 구성하기 위해, 비트스트림 파싱부(430)는 프리 스캔 대상 프레임에 대응되는 비트스트림의 헤더 정보를 추출하고, 헤더 정보로부터 프레임의 타일/슬라이스 정보를 파싱할 수 있다. 또한, 비트스트림 파싱부(430)는 비트스트림의 헤더로부터 프리 스캔 대상 프레임의 CTU 구조 정보를 획득할 수 있다.특히, 비트스트림 파싱부(430)는 CTU를 구성하는 전체 프레임 중 프리 스캔 컨트롤러(410)에서 지정하는 특정 블록에 대응되는 위치 정보, 엔트로피 코더의 엔진 정보, 컨텍스트 정보 및 Qp값 정보 중 적어도 하나를 파싱할 수 있다. 위치 정보는 특정 비트에 대응되는 오프셋 정보를 포함할 수 있다.이를 위해, 비트스트림 파싱부(430)는 적어도 하나의 엔트로피 디코더를 포함할 수 있다. 엔트로피 디코더는 도시되지는 않았으나, 예를 들어 프리 스캔용 CABAC 디코더를 포함할 수 있다.보다 구체적으로, 비트스트림 파싱부(430)의 프리 스캔용 CABAC 디코더는 CABAC 디코딩 프로세싱을 수행하되, 프리 스캔에 필요한 엔진 정보, 컨텍스트 정보 및 Qp정보 중 적어도 하나를 추출하는 동작을 수행할 수 있다. 프리 스캔용 CABAC 디코더는 V-Core(320)에서 영상을 복호화 하기 위해 포함되는 엔트로피 디코더(CABAC 프로세서)와는 상이할 수 있다.따라서, 비트스트림 파싱부(430)의 프리 스캔용 CABAC 디코더는 프리 스캔 정보의 추출 이외의 다른 동작들, 예를 들어 복호화를 위한 다른 프로세서와 연동하기 위해 디코딩되는 데이터(예를 들어, MVD 값 등)를 버퍼링하거나 전달하기 위한 동작 등은 수행하지 않을수 있다. 이에 따라 비트스트림 파싱부(430)의 프리 스캔을 위한 CABAC 엔트로피 디코딩 속도는 V-Core(320)의 영상 복호화를 위한 CABAC 엔트로피 디코딩 속도보다 충분히 빠를 수 있다.한편, 프리 스캔 컨트롤러(410)는 이와 같이 비트스트림 파싱부(430)에서 추출되는 기초 정보에 기반하여 프리 스캔 정보를 생성하고, 저장부(420)에 저장할 수 있다.저장되는 프리 스캔 정보는 V-Core(320)가 CTU row 단위의 영상 복호화를 연속적으로(SEAMLESS) 수행하기 위한 필수 정보를 포함할 수 있다. 특히, 특정 CTU row를 순차적으로 복호화하는 중 타일/슬라이스 경계가 발생하는 경우, 그 경계선의 우측 블록은 다른 타일/슬라이스에 해당하게 되어, 기존 방식으로의 복호화가 불가능하게 된다. 따라서, 프리 스캔 정보는 CTU에 포함된 타일/슬라이스의 경계 위치 정보(오프셋 정보), 경계에 대응되는 블록의 엔진 정보(CABAC 엔진 정보 등), 경계에 대응되는 블록의 컨텍스트 정보 및 경계에 대응되는 블록의 Qp값 정보 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 타일/슬라이스의 시작점에서는 엔진 초기화 정보만 있어도 복호화가 가능하며, 초기화하는 시간이 메모리 엑세스 시간보다 빠르므로, 컨텍스트 정보 등은 별도 저장하지 않을 수 있다. 이에 따라, CTU row가 타일/슬라이스의 시작 블록(start point)을 포함하는 경우 프리 스캔 정보는 그 시작 블록에 대응되는 위치 정보 및 엔진 초기화 정보만을 포함할 수 있다.한편, WPP를 위해 V-Core(320)는 CTU row 단위로 복호화 처리를 수행할 수 있어야 하므로, 프리 스캔 정보는 CTU row의 시작 블록에 대응되는 위치 정보, 경계에 대응되는 블록의 엔진 정보(CABAC 엔진 정보 등), 경계에 대응되는 블록의 컨텍스트 정보 및 경계에 대응되는 블록의 Qp값 정보 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 저장되는 정보는 CABAC engine status, probability context, bitstream offset, CTU position info, Qp 등이 예시될 수 있다.또한, 프리 스캔 정보는 추가 정보를 포함할 수 있다. 추가 정보는 예를 들어, 에러 정보 또는 에러 커맨드 정보를 포함할 수 있다. 이에 따라, V-CPU(310) 또는 V-Core(320)는 프리 스캔 정보에 기초하여 복호화시 에러가 발생할 지 여부를 미리 판단하고 그에 대응하는 처리를 미리 수행할 수 있다.또한, 프리 스캔 컨트롤러(410)는 프리 스캔 정보를 컨텍스트 인덱스에 의해 구분하여 중복되는 정보를 제거하고 효율적으로 저장부(420)에 저장할 수 있다. 예를 들어, 프리 스캔 컨트롤러(410)는 CTU를 타일/슬라이스의 경계 블록 및 CTU row의 시작 블록을 기준으로 분할되는 복수의 프리 스캔 세그먼트 블록으로 분할 하고, 각 프리 스캔 세그먼트 블록에 컨텍스트 인덱스를 할당할 수 있다. 그리고, 프리 스캔 컨트롤러(410)는 그 컨텍스트 인덱스와 그 프리 스캔 세그먼트 블록에 대응되는 CABAC 엔진 정보, 컨텍스트 정보, 오프셋 정보 및 Qp값 정보 등을 저장부(420)에 저장하여 효율적으로 관리할 수 있다. 여기서, 엔진 초기화 정보는 컨텍스트 인덱스 정보의 유무에 의해 묵시적으로 지시될 수도 있다.한편, 저장부(420)는 내부 버퍼 및 외부(external) 메모리를 포함할 수 있다. 내부 버퍼는 앞서 설명한 프리 스캔 세그먼트 블록에 대응되는 컨텍스트 정보를 임시 저장할 수 있다. 내부 버퍼는 프리 스캔 세그먼트 블록에 대응되는 컨텍스트 정보를 저장하기 위한 하나 이상의 버퍼를 포함할 수 잇다. 내부 버퍼에 일정 개수 이상의 프리 스캔 세그먼트 블록에 대응되는 컨텍스트 정보가 저장된 경우, 저장된 데이터는 DMA를 통해 외부 메모리로 전달될 수 있다. 또한, 저장부(420)는 V-CPU(310) 및 V-Core(320)와 통신하여 프리 스캔 정보를 송신할 수 있다. 프리 스캔 세그먼트 블록 데이터는 내부 버스를 통해 소프트웨어적으로 관리될 수 있다.한편, 프리 스캔 정보의 일부는 V-CPU(310)에서 태스크 스케쥴링을 위해 사용될 수 있으며, V-Core(320)에서 타일/슬라이스 경계 또는 CTU row의 영상 복호화를 위해 사용될 수 있다.이와 같은 프리 스캔 정보가 각 V-Core(320)로 제공됨으로써 V-Core(320)는 타일/슬라이스 경계에서의 복호화를 끊김없이 수행할 수 있게 된다. 이에 따라, 각 V-Core(320)가 CTU row 단위로 디코딩을 수행할 수 있게 된다.또한, V-CPU(310)는 프리 스캔 정보를 기반으로 간단히 래스터(raster) 스캔 순서의 CTU row단위 태스크를 생성할 수 있으며, CTU row단위 태스크를 순차적으로 V-Core에 할당할 수 있다. 따라서, 태스크 생성 및 정렬 시간이 감소되게 하며, 타일/슬라이스 크기 영향을 고려하지 않게 되어 V-Core의 개수 및 순서 할당에 대한 오버헤드를 줄일 수 있다.또한, CTU row 단위만으로 각각의 V-Core(320)가 데이터를 처리할 수 있어 V-CPU(310)와 V-Core(320)간, V-CPU(310)와 호스트 프로세서간 입출력 레이턴시를 줄일 수 있을 뿐만 아니라, V-Core(320)는 영상 비트스트림을 타일/슬라이스 구조가 존재하지 않는 WPP 스트림으로 인식할 수 있어 불필요한 작업들이 추가적으로 제거되므로 효율적인 WPP가 수행될 수 있다.도 16은 본 발명의 일 실시 예에 따른 프리 스캔 모듈에 따라 프리 스캔되는 정보를 보다 구체적으로 설명하기 위한 블록도이다.도 16을 참조하면, 앞서 설명한 바와 같이, 프리 스캔 모듈(400)은 CTU를 구성하는 블록 중 특정 위치에 대응하여 프리 스캔 정보를 저장할 수 있다. 프리 스캔 정보의 저장은 전체 엔진 및 컨텍스트 정보의 저장을 의미할 수 있으며, 또는 초기화 정보만의 저장을 의미할 수 도 있다.도 16에 도시된 바와 같이, 처리 효율을 위해, 프리 스캔 모듈(400)은 타일/슬라이스가 시작되는 경우, 시작점에 대응되는 초기화 정보(예를 들어, CABAC INIT 정보)만을 저장할 수 있다. 이 경우, 저장되는 정보는 시작점에 대응되는 비트스트림 내 위치 정보(CTU address 정보, NAL address 정보 또는 offset 정보) 및 프리 스캔 세그먼트에 대응되는 컨텍스트 인덱스일 수 있다.또한, 프리 스캔 모듈(400)은 타일/슬라이스의 경계 우측 블록에 대응되는 프리 스캔 정보를 저장할 있다. 이 경우, 프리 스캔 정보는 CABAC 엔진 정보, 컨텍스트 정보, Qp 정보 기타 다음 블록 복호화에 필요한 관련 정보를 모두 포함할 수 있다. 이 경우, 저장되는 정보는 타일/슬라이스의 경계 우측 블록의 비트스트림 내 위치 정보(CTU address 정보, NAL address 정보 또는 offset 정보)를 포함할 수 있다.이와 같은 프리 스캔 정보의 저장 형태는 다음과 같은 구조로 예시될 수 있다.typedef structuint16_t start_ctu_addr_x;uint16_t start_ctu_addr_y;uint16_t end_ctu_addr_x;uint16_t end_ctu_addr_y;uint32_t start_nal_addr;uint32_t end_nal_addr;uint8_t rbsp_offset;uint8_t reserved;int16_t context_idx; segment_t;특히, 본 구조에 따르면 프리 스캔 세그먼트의 end 블록이 업데이트되면서 context_idx도 함께 업데이트 될 수 있다. 이 때, 프리 스캔 세그먼트가 CTU row의 첫 번째 블록을 포함하고, 그 첫 번째 블록이 독립 슬라이스의 시작점(첫 CTB)이거나, 타일의 시작점(첫 CTB)에 대응되는 경우 context_idx는 유효하지 않은(invalid) 값을 가질 수 있다. 따라서, 위와 같은 본 발명의 실시 예에 따른 프리 스캔 정보 구조에 따르면, context_idx 는 (타일/슬라이스 내에서) row의 첫번째 CTB인 경우 valid한 값을 가지지 않을 수 있으며(invalid), 이에 따라 초기화 여부를 암시적으로 나타낼 수 있다. 본 실시 예에 따르면, 슬라이스 혹은 타일의 첫 번째 CTB는 비트 스트림의 정보만으로도 컨텍스트를 초기화 할 수 있으므로, 별도의 context backup을 하지 않고, backup된 context를 가르키는 context_idx를 invalid하게 처리함으로써 처리 효율을 향상시킬 수 있다.도 17은 본 발명의 일 실시 예에 따른 프리 스캔 모듈(400)의 동작을 전체적으로 설명하기 위한 흐름도이다.먼저 V-CPU(310)는 영상 비트스트림을 수신하여 헤더를 파싱하고(S101), 프리스캔이 필요한 비트스트림인지 판단한다(S103).앞서 설명한 바와 같이, V-CPU(310)는 파싱된 헤더에 기초하여 영상 비트스트림이 WPP 방식으로 기 인코딩되었는지를 판단할 수 있다. V-CPU(310)는 예를 들어, PPS로부터 타일/슬라이스 존재 여부 플래그를 파싱하여 WPP 방식으로 인코딩된 비트스트림인지 여부를 판별할 수 있다.프리스캔이 필요하지 않은 경우, V-CPU(310)는 V-Core(320)와 연동하여 기존 방식으로의 디코딩을 수행한다(S115).한편, 프리 스캔이 필요한 경우, 프리 스캔 모듈(400)은 V-CPU(310)의 제어에 의해 영상 비트스트림을 수신하고(S105), 프리 스캔을 위한 비트스트림을 파싱한다(S107). 프리 스캔 컨트롤러(410)는 앞서 설명한 바와 같이, 비트스트림 파싱부(430)를 제어하여 프리 스캔을 위한 기초 정보를 파싱할 수 있다. 프리 스캔 모듈(400)은 일부 간소화된 CABAC 프로세싱을 통해 프리 스캔을 위한 CTU 구조 정보 , CABAC 엔진 정보, 컨텍스트 정보 등을 파싱할 수 있다.이후, 프리 스캔 모듈(400)은 프리 스캔 정보를 저장할 블록에 대응하여 프리 스캔 정보를 생성하고(S111), 저장부(420)에 저장한다(S113).앞서 설명한 바와 같이, 프리 스캔 정보는 CTU row의 첫 번째 블록, 타일/슬라이스 경계의 우측 블록 등에 대응되어 저장될 수 있다. 저장되는 프리 스캔 정보는 경우에 따라 블록의 위치 정보, 엔진 초기화 정보, 엔진 정보, 컨텍스트 정보, Qp 정보 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.도 18 내지 도 21은 본 발명의 실시 예에 따른 프리 스캔 모듈의 동작에 의해 생성되는 프리 스캔 정보를 예시하기 위한 도면들이다.앞서 설명한 프리 스캔 정보의 구조에 기반하여, 프리 스캔 모듈(400)에서는 CTU를 context_idx로 지정되는 각각의 프리 스캔 세그먼트로 구분하고, 각 프리 스캔 세그먼트에 대한 프리 스캔 정보를 저장할 수 있다. 프리 스캔 세그먼트는 슬라이스/타일 경계 및 CTU row의 경계에 의해 분할된 블록 집합을 의미할 수 있다.특히, 저장부(420)의 내부 버퍼 용량은 제한이 있으므로 저장된 프리 스캔 세그먼트가 특정 개수 이상이 되는 경우, 프리 스캔 모듈(400)은 버퍼에 저장된 정보를 dma 동작을 통해 외부 메모리로 전달할 수 있다.또한, 프리 스캔 모듈(400)은 프리 스캔이 종료되면 V-CPU(310)로 프리 스캔 종료 메시지와 함께, 프리 스캔 세그먼트 개수 등을 출력할 수 있다.먼저 도 18에서는 프리 스캔 대상인 프레임의 CTU가 3개의 슬라이스로 이루어진 경우를 설명하고 있다. 첫 번째 슬라이스는 Slice Segment #0에 대응되며, 두 번째 슬라이스는 Slice Segment #1에 대응되고, 세 번째 슬라이스는 Slice Segment #2에 대응될 수 있다. 본 실시 예에서는 CTU 블록들이 슬라이스로만으로 구성된 것을 예시하고 있으나, 타일 또는 타일/슬라이스로 구성된 경우에도 동일 또는 유사한 동작이 적용되는 것은 당업자에게 자명할 것이다.도 19에서는 Slice Segment #0의 프리 스캔 정보를 추출하여 저장하는 과정을 나타낸다. 도 19에 도시된 바와 같이, 먼저 프리 스캔 모듈(400)은 Slice Segment #0의 시작 블록에 대응되는 위치 정보와 엔진 초기화 정보를 저장하고, 마지막 블록에 대응되는 위치 정보를 프리 스캔 세그먼트(Prescan Segment) #0에 대응하여 저장할 수 있다.그 다음으로, 도 20에서는 Slice Segment #1의 프리 스캔 정보를 추출하여 저장하는 과정을 나타낸다. 도 20에 도시된 바와 같이, 먼저 프리 스캔 모듈(400)은 Slice Segment #1의 슬라이스의 시작 블록에 대응되는 위치 정보와 엔진 초기화 정보를 저장하고, CTU row #0의 마지막 블록에 대응되는 위치 정보를 프리 스캔 세그먼트(Prescan Segment) #1에 대응하여 저장할 수 있다.다음으로, 프리 스캔 모듈(400)은 CTU row #1의 시작 블록에 대응되는 위치 정보 , 그 블록에 대응되는 엔진/컨텍스트/Qp 정보 및 CTU row #1의 마지막 블록에 대응되는 위치 정보를 프리 스캔 세그먼트(Prescan Segment) #2에 대응하여 저장할 수 있다.다음으로, 프리 스캔 모듈(400)은 CTU row #2의 시작 블록에 대응되는 위치 정보 및 그 블록에 대응되는 엔진/컨텍스트/Qp 정보 및 CTU row #2의 마지막 블록에 대응되는 위치 정보를 프리 스캔 세그먼트(Prescan Segment) #3에 대응하여 저장할 수 있다.이후 단계로서, 도 21에서는 Slice Segment #2의 프리 스캔 정보를 추출하여 저장하는 과정을 나타낸다.도 21에 도시된 바와 같이, 먼저 프리 스캔 모듈(400)은 Slice Segment #2의 시작 블록에 대응되는 위치 정보와 엔진 초기화 정보를 저장하고, CTU row #3의 마지막 블록에 대응되는 위치 정보를 프리 스캔 세그먼트(Prescan Segment) #4에 대응하여 저장할 수 있다.다음으로, 프리 스캔 모듈(400)은 CTU row #4의 시작 블록에 대응되는 위치 정보, 그 블록에 대응되는 엔진/컨텍스트/Qp 정보 및 CTU row #4의 마지막 블록에 대응되는 위치 정보를 프리 스캔 세그먼트(Prescan Segment) #5에 대응하여 저장할 수 있다.다음으로, 프리 스캔 모듈(400)은 CTU row #5의 시작 블록에 대응되는 위치 정보 및 그 블록에 대응되는 엔진/컨텍스트/Qp 정보 및 CTU row #5의 마지막 블록에 대응되는 위치 정보를 프리 스캔 세그먼트(Prescan Segment) #6에 대응하여 저장할 수 있다.다음으로, 프리 스캔 모듈(400)은 CTU row #6의 시작 블록에 대응되는 위치 정보 및 그 블록에 대응되는 엔진/컨텍스트/Qp 정보 및 CTU row #6의 마지막 블록에 대응되는 위치 정보를 프리 스캔 세그먼트(Prescan Segment) #7에 대응하여 저장할 수 있다.한편, 상기 프리 스캔 수행 과정의 중간에서, 프리 스캔 세그먼트가 소정 개수 이상인 경우, 프리 스캔 모듈(400)은 dma 동작을 통해 기 저장된 정보를 외부 메모리로 출력하고, 내부 버퍼를 비우는 동작을 더 수행할 수 있다.도 22는 본 발명의 일 실시 예에 따른 영상 복호화 장치가 멀티 코어로 구현되는 경우, 영상 중앙 처리 유닛(V-CPU, 310)의 동작을 설명하기 위함 흐름도이다.먼저 V-CPU(310)는 영상 비트스트림을 수신하여 헤더를 파싱하고(S201), 프리스캔이 필요한 비트스트림인지 판단한다(S203). 앞서 설명한 바와 같이, V-CPU(310)는 파싱된 헤더에 기초하여 영상 비트스트림이 WPP 방식으로 기 인코딩되었는지를 판단할 수 있다. 그리고, WPP 방식으로 기 인코딩된 경우, V-CPU(310)는 프리 스캔이 필요하지 않음을 판단할 수 있다. 또한, 예를 들어 V-CPU(310)는 PPS로부터 타일/슬라이스 존재 여부에 관한 플래그를 파싱하여 프리 스캔이 필요한지 여부를 결정할 수 있다. 뿐만 아니라, V-CPU(310)는 PPS 구조상 entropy_coding_sync_enable_flag = 0인 경우 비트스트림이 WPP 형식을 취하고 있지 않은 것으로 판단하고, 프리 스캔 처리가 필요한 것으로 결정할 수 있다.프리스캔이 필요하지 않은 경우, V-CPU(310)는 V-Core(320)와 연동하여 기존 WPP 방식으로의 디코딩을 수행할 수 있다(S215).한편, 프리 스캔이 필요한 경우, V-CPU(310)는 프리 스캔 모듈(400)을 제어하여, 프리 스캔 정보를 저장하고(S205), 일정 시간 또는 일정 데이터 단위에 따라 프리 스캔이 종료되었는지 판단한다(S207). 프리 스캔이 종료되지 않은 경우에는 S205 단계를 재수행할 수 있다.프리 스캔 컨트롤러(410)는 앞서 설명한 바와 같이, 비트스트림 파싱부(430)를 제어하여 프리 스캔을 위한 기초 정보를 파싱할 수 있다. 프리 스캔 모듈(400)은 일부 간소화된 CABAC 프로세싱을 통해 프리 스캔을 위한 CTU 구조 정보 , CABAC 엔진 정보, 컨텍스트 정보 등을 파싱할 수 있으며, 프리 스캔 모듈(400)은 프리 스캔 정보를 저장할 블록에 대응하여 프리 스캔 정보를 생성하고, 저장부(420)에 저장할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 프리 스캔 정보는 CTU row의 첫 번째 블록, 타일/슬라이스 경계의 우측 블록 등에 대응되어 저장될 수 있다. 저장되는 프리 스캔 정보는 경우에 따라 블록의 위치 정보, 엔진 초기화 정보, 엔진 정보, 컨텍스트 정보, Qp 정보 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.여기서, V-CPU(310)는 모든 비트스트림에 대하여 WPP 형태의 병렬 디코딩이 가능하도록 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 프리 스캔 여부의 판단 과정은 생략될 수 있으며, 다만 V-CPU(310)의 프리 스캔 모듈(400)의 동작 제어가 변경될 수 있다.예를 들어, V-CPU(310)는 1개의 V-Core(320)가 사용되는 상태에서 비트스트림 내 타일 유닛이 존재하지 않는 경우에는 헤더 정보 파싱만으로도 연속적인 디코딩이 가능하므로, 프리 스캔 모듈(400)의 CABAC 파싱 동작을 생략하도록 제어할 수 있다.또한, 예를 들어 V-CPU(310)는 복수의 V-Core(320)가 사용되는 상태에서 비트스트림 헤더의 entropy_sync_enable = 1이어서 WPP 방식으로 인코딩된 것으로 판단되는 경우에는, 헤더 정보 파싱만으로도 연속적인 디코딩이 가능하므로, 프리 스캔 모듈(400)의 CABAC 파싱 동작을 생략하도록 제어할 수 있다.이와 같이 설정된 경우, V-CPU(310)는 프리 스캔 모듈(400)의 동작 제어만 변경함으로써 모든 비트스트림에 대하여 WPP를 적용한 디코딩을 수행할 수 있게 된다. 그리고, V-Core(320)에서는 타일/슬라이스의 존재 여부에 관계 없이, CTU 래스터 스캔 순서로 수신되는 CTU row 데이터를 연속적으로 디코딩 할 수 있게 된다.이를 위해, V-CPU(310)는 프리 스캔된 비트스트림에 대한 리오더링(re-ordering)을 수행하고(S209), 각 V-Core(320)에 대응되는 하나 이상의 태스크들을 생성한다(S211).예를 들어, 영상 비트스트림이 타일 형식을 가진 경우 프리 스캔 과정에 의해 생성되는 프리 스캔 세그먼트에 대응되는 영상 비트스트림을 래스터 스캔 순서로 리오더링하는 과정이 필요할 수 있다. V-CPU(310)는 프리 스캔 처리된 영상 비트스트림을 V-Core(320)별 CTU row 단위로 할당하여 디코딩하기 위해, 비트스트림 내 CTU 데이터를 래스터 스캔 순서로 리오더링 할 수 있다. 프리 스캔 모듈(400)의 존재로 인해, V-CPU(310)는 타일/슬라이스를 구별할 실익이 없을 수 있다. 따라서, V-CPU(310)는 불필요한 정렬 과정 없이 간단하고 빠른 래스터 스캔 순서로 리오더링 하고, CTU row 단위 순서로 각 V-Core(320)에서 처리할 데이터를 할당하는 태스크를 생성할 수 있다.V-CPU(310)는 각각의 CTU row가 어떤 V-Core(320)에서 처리될지 결정하고 그 시간 및 순서를 스케쥴링 할 수 있다.그리고, 각 V-Core(320)는 V-CPU(310)에서 생성된 태스크들을 할당받아 프리 스캔 모듈(400)과 연동하여 디코딩을 수행한다(S213).예를 들어, v-Core(320)는 각 CTU row를 프리 스캔 모듈(400)에 의해 저장된 프리 스캔 세그먼트에 대응되는 프리 스캔 정보를 이용하여 WPP 형태로 병렬 디코딩을 할 수 있다. 특히, v-Core(320)는 프리 스캔 모듈(400)에서 제공되는 프리 스캔 정보에 의해 디코딩 처리를 수행하므로, 처리 인스턴스가 변경되더라도 손실을 방지할 수 있게 된다.도 23 내지 도 25는 본 발명의 실시 예에 따른 V-CPU의 스케쥴링 제어를 설명하는 도면들이다.앞서 설명한 V-CPU(310)의 태스크 스케쥴링 동작에 있어서, V-CPU(310)는 상기와 같은 프리 스캔 단계, 리오더링 단계 및 각 V-Core(320)의 디코딩 단계의 시간 타이밍을 각각 제어할 수 있다.보다 구체적으로, 일 실시 예에 따르면, V-CPU(310)는 제1 V-Core에서 일정 CTU(예를 들어, 전체 CTU의 1/4)가 처리된 이후에 다음 V-Core의 파이프라인 처리가 시작되도록 제어할 수 있다. 이 경우, CTU row 처리 시간은 상대적으로 짧을 수 있으며, 그러나, CTU row의 처리 시작 전에 의도적으로 레이턴시를 줄 수 있어 프레임 레이턴시 측면에서는 불리할 수 있다.또한, 따른 일 실시 예에 따르면, V-CPU(310)에서는 지속적이고 연속적으로 복호화를 진행하되, CTU row 단위로 준비된 경우 즉시 V-Core(320)가 디코딩을 수행하는 방식이 사용될 수 있다. 이 경우 버스(bus)상의 데이터는 각 V-Core(320)의 요청에 대한 우선권한(priority)없이 순서대로 처리될 수 있다. 이 경우, 각 V-Core(320)가 한 픽쳐의 처리 종료를 기다리지 않아도 되므로 레이턴시의 측면에서는 유리할 수 있다. 또한, 윗 줄의 CTU row가 처리되지 않으면 파이프라인이 스톨(stall)되어 bus 자원이 윗 줄을 처리하는 v-Core(320)로 할당될 수 있고, 하드웨어적으로 동기화를 수행하게 되므로 추가적인 overhead는 없을 수 있다. 한편, CTU 처리 과정에서 V-Core(320)에서는 bus 자원을 얻기 위해 기다려야 하므로, 바람직하게는 bus에 대응하여 각 코어의 요청에 대한 priority를 할당할 수도 있다.도 23 내지 도 25는 이와 같은 V-CPU(310)의 스케쥴링 방식에 따라 각 과정이 제어되는 타이밍도를 나타낸다.도 23에서는 픽처 단위로 순차적으로 프리 스캔 단계, 리오더링 단계 및 각 V-Core(320)의 디코딩 단계의 시간 타이밍이 제어되는 것을 나타낸다.도 23에 도시된 바와 같이, V-CPU(310)는 특정 픽처에 대응하여 디코딩이 시작되면(PICRUN) 프리 스캔을 수행하고, 프리 스캔이 완료되면 프리 스캔된 프리 스캔 세그먼트에 따라 영상 비트스트림을 CTU 래스터 스캔 순서로 리오더링하고, 리오더링이 완료되면 각 V-Core(320)가 WPP 방식으로 디코딩하여 픽처 디코딩을 완료하도록 제어할 수 있다. 이는 영상 비트스트림을 픽처 또는 프레임 단위로 처리할 수 있게 하나, 한장의 픽쳐 또는 프레임을 복호화하기 위해서 프리 스캔, 리오더링, 디코딩 동작을 순차적으로 수행하므로 레이턴시가 증가될 수 있다. 따라서, 본 방식은 기능 테스트용으로 사용될 수 있다.도 24에서는 V-Core의 파이프라인 처리를 이용하여 프리 스캔 단계, 리오더링 단계 및 각 V-Core(320)의 디코딩 단계의 시간 타이밍이 제어되는 것을 나타낸다.도 24에 도시된 바와 같이, V-CPU(310)는 처리 성능 향상을 위해, 픽쳐의 처리 시작 타임(PICRUN)과 처리 완료 타임(PICDONE)을 비동기적(asynchronous)으로 처리하도록 태스크 스케쥴링을 수행할 수 있다.본 발명의 실시 예에 따르면, 제1 픽처에 대한 처리가 개시되면(PICRUN 1), V-CPU(310)는 프리 스캔 모듈(400)을 통해 제1 픽처를 프리스캔하여 프리 스캔 정보를 저장하고, 프리 스캔 정보에 기반하여 분할된 프리 스캔 세그먼트에 따라, 영상 비트스트림을 CTU 래스터 스캔 순서로 리오더링 할 수 있다. 이 때, V-CPU(310)는 제1 픽처에 대한 리오더링이 완료되는 타이밍에 제2 픽처에 대한 처리를 즉시 개시할 수 있다(PICRUN 2). 특히, 본 실시 예에서는, 제1 픽처의 처리 완료 타임과는 관계 없이, 제2 픽처에 대한 처리가 제1 픽처와 비동기적으로 개시될 수 있다.한편, 리오더링이 완료되었으므로 제1 픽처에 대한 WPP 디코딩은 시작될 수 있다. 제1 픽처에 대한 비트스트림을 수신하는 각 V-Core(320)는 제1 픽처를 CTU row 단위로 할당받아 프리 스캔 정보를 이용하여 WPP 형식으로 디코딩을 수행하여, 복호화 완료된 제1 픽쳐를 출력할 수 있고, 제1 픽처의 처리가 완료될 수 있다(PICDONE 1).한편, 제1 픽처의 처리 완료와 별도로, 제2 픽처에 대한 프리 스캔 및 리오더링이 완료되는 타이밍에 제3 픽처에 대한 처리가 즉시 개시될 수 있다(PICRUN 3).한편, 제2 픽처의 리오더링이 완료되었으므로 제2 픽처에 대한 WPP 디코딩이 시작될 수 있고, 각 V-Core(320)의 프리 스캔 정보를 이용한 WPP 복호화 동작에 의해 제2 픽처의 처리가 완료될 수 있다(PICDONE 2).그리고, 제2 픽처의 처리 완료와 별도로, 제3 픽처에 대한 프리 스캔 및 리오더링이 수행될 수 있으며, 리오더링이 완료된 이후, 제3 픽처에 대한 비트스트림을 수신하는 각 V-Core(320)는 제3 픽처를 CTU row 단위로 할당받아 본 발명의 프리 스캔 정보를 이용한 WPP 방식으로 디코딩을 수행하여, 복호화 완료된 제3 픽쳐를 출력함으로써 제3 픽처의 처리가 완료될 수 있다(PICDONE 3).이와 같은 과정이 반복 수행되도록 V-CPU(320)는 각 프리 스캔 모듈(400) 및 V-Core(320)들의 동작 타이밍을 제어할 수 있다. 이를 위해, V-CPU(320)는 현재 픽처에 대한 프리 스캔을 수행함과 함께, 디코딩을 위한 태스크 생성 및 할당 처리를 동시에 수행할 수 있다.이 경우, 타일/슬라이스에 의해 태스크가 추가되는 등의 오버헤드가 삭제되며, 파이프라인 처리를 통해 픽처 출력 성능의 향상을 가져올 수 있게 된다. 또한, 앞서 설명한 바와 같이, 인스턴스 변경의 경우에도 프리 스캔된 정보가 저장되어 있으므로, 성능 손실을 방지할 수 있다.도 25에서는 V-Core의 로우 레이턴시(Low latency)를 위해 프리 스캔 단계, 리오더링 단계 및 각 V-Core(320)의 디코딩 단계의 시간 타이밍이 제어되는 것을 나타낸다.도 25에 도시된 바와 같이, V-CPU(310)는 로우 레이턴시를 위해, 픽쳐의 처리 시작 타임(PICRUN)과 처리 완료 타임(PICDONE)을 비동기적(asynchronous)으로 처리하되, 프리 스캔 과정에서 일정 단위 데이터만 처리되면 즉시 리오더링 및 WPP디코딩 과정에 진입하도록 태스크 스케쥴링을 수행할 수 있다. 여기서, 일정 단위는 CTU row 단위를 의미할 수 있다.본 발명의 실시 예에 따르면, 제1 픽처에 대한 처리가 개시되면(PICRUN 1), V-CPU(310)는 프리 스캔 모듈(400)을 통해 제1 픽처의 일부를 프리스캔하여 프리 스캔 정보를 저장하고, 일부 저장된 프리 스캔 정보에 기반하여 분할된 프리 스캔 세그먼트에 따라, 영상 비트스트림을 CTU 래스터 스캔 순서로 리오더링 할 수 있다. 이 때, V-CPU(310)는 제1 픽처에 대한 CTU row 단위의 리오더링이 완료되는 즉시 WPP 디코딩이 V-Core(320)에서 수행되도록 태스크를 생성하고, 할당할 수 있다. 특히, 본 실시 예의 경우, 로우 레이턴시를 위한 어플리케이션에서 유용하게 사용될 수 있다. 또한, 비트스트림이 타일 형태로 인코딩되었더라도, 열(column)로 서 분리되지 않는 형태인 경우에도 유용하게 사용될 수 있다.또한, 도 25에서 WPP 디코딩 이후에 다음 픽처 처리가 개시되는 것으로 나타나 있으나, 본 발명의 실시 예에 따르면, 다음 픽처의 처리 시간과 현재 픽처의 WPP 디코딩 시간은 중첩될 수도 있다.그리고, V-CPU(310)는 현재 픽처의 WPP 디코딩과 다음 픽처의 프리 스캔 시간이 중첩되는 경우, 현재 픽처의 처리 완료(picdone) 이후, 다음 픽처의 처리가 개시(picrun)되기 전 까지만 인스턴스 변경을 허용하도록 V-Core(320)의 동작을 제한할 수 있다. 이와 같은 파이프라인 처리를 형식을 취하는 경우에는 인스턴스 변경시 손실이 발생할 수 있기 때문에다. 또한, V-CPU(310)는 현재 픽처의 WPP 디코딩과 다음 픽처의 프리 스캔 시간이 중첩되지 않는 경우에는 v-Core(320)의 인스턴스 변경을 제한하지 않을 수 있다. 이 경우에는 퍼포먼스 손실이 발생하지 않을 수 있기 때문이다.이와 같은 본 발명의 실시 예에 따르면, 프리 스캔 모듈(400)을 통해 프리 스캔 정보가 효율적으로 생성 및 처리될 수 있다. 또한, 복호화기(300)는 비트스트림의 타일/슬라이스 구조와 관계 없이 프리 스캔 세그먼트 단위로 분할된 프리 스캔 정보에 기반하여 CTU row 단위로 복호화를 수행할 수 있다. V-Core(320)와 같은 복수의 처리 유닛들은 타일/슬라이스 의존성 없는 WPP 병렬 처리를 끊김 없이 수행 할 수 있다. 프리 스캔 모듈(400)에서는 비트스트림을 파싱하여 V-CPU(310)가 효율적인 태스크 스케쥴링을 수행하고, 각 V-Core(320)들이 엔트로피 디코딩을 연속적으로 수행하기 위한 필수적이면서도 최소화된 정보를 추출 및 저장할 수 있다.이에 따라, 각 복수의 처리 유닛간 처리량의 불균형을 제거할 수 있고, 대역폭 효율 향상을 가져올 수 있다.상술한 본 발명에 따른 방법은 컴퓨터에서 실행되기 위한 프로그램으로 제작되어 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체에 저장될 수 있으며, 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체의 예로는 ROM, RAM, CD-ROM, 자기 테이프, 플로피디스크, 광 데이터 저장장치 등이 있으며, 또한 캐리어 웨이브(예를 들어 인터넷을 통한 전송)의 형태로 구현되는 것도 포함한다.컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템에 분산되어, 분산방식으로 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드가 저장되고 실행될 수 있다. 그리고, 상기 방법을 구현하기 위한 기능적인(function) 프로그램, 코드 및 코드 세그먼트들은 본 발명이 속하는 기술분야의 프로그래머들에 의해 용이하게 추론될 수 있다.또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형 실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해 되어서는 안될 것이다.
본 발명은 동영상을 처리하는 장치에 있어서, 호스트와 통신하며, 비트스트림을 수신하여 헤더 정보를 파싱하는 영상 중앙 처리 유닛; 및 상기 영상 중앙 처리 유닛에 제어에 따라 상기 호스트로부터 입력되는 동영상 비트스트림을 프리 스캔하여 프리 스캔 정보를 생성하는 프리 스캔 모듈을 포함하고, 상기 영상 중앙 처리 유닛은 상기 프리 스캔 정보 및 상기 헤더 정보에 기반하여 상기 비트스트림을 재정렬 처리하고, 상기 재정렬 처리된 비트스트림을 일정 단위로 병렬 디코딩 처리하기 위해 태스크 스케쥴링을 수행한다.
[ 발명의 명칭 ] 동영상 처리 방법 및 장치METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING VIDEO [ 기술분야 ] 본 발명은 동영상 처리 방법 및 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 복수의 처리 유닛들을 이용하여 동영상을 처리하는 구성에 관한 것이다. [ 배경기술 ] UHD에 대한 니즈가 발생하면서, 저장매체의 크기 및 전달매체의 대역폭을 현재 동영상 압축 기술로는 수용하기 어려움에 따라, UHD 동영상 압축을 위한 새로운 압축 표준 기술이 필요하고 되었고, 이에 따라, HEVC가 2013년1월 표준화 완료되었다.그러나, HEVC는 internet 및 3G, LTE 등의 망을 통해 서비스되는 동영상 스트림을 위해서도 쓰일 수 있으며, 이때는 UHD 뿐만 아니라 FHD 또는 HD급도 HEVC로 압축될 수 있다.UHD TV 같은 경우도 단기적으로는 4K 30fps가 주를 이룰 것으로 예상하나, 4K 60fps/120fps, 8K 30fps/60fps/… 등으로 계속 초당 처리해야할 화소수가 커질 것으로 예상된다.이와 같은 응용에 따라 다양한 해상도, 프레임율 등에 cost-effective하게 대응하기 위해서는, 응용에서 요구되는 성능, 기능에 따라 쉽게 처리 가능한 동영상 복호화 장치를 가지고 있어야 한다.특히 이와 같은 응용을 위해, 현재 복수의 처리 유닛들을 이용한 병렬 처리(parallel processing) 방식의 영상 처리가 제안될 수 있다. 복수의 처리 유닛을 이용한 병렬 처리 방식의 경우, 분할된 비트스트림을 복수의 처리 유닛들 각각에 할당하여 복호화하는 것이 예상될 수 있다.그러나, 이와 같은 병렬 처리 방식을 단순 적용하는 경우, 각 복수의 처리 유닛간 처리량의 불균형이 발생할 수 있다. 또한, 이와 같은 불균형에 의한 대역폭 효율 감소가 발생될 수 있으며, 하드웨어 구현의 측면에서도 불리한 경우가 발생하게 된다. 특히, 한 픽처 내에 서로 다른 사이즈를 갖는 부호화 단위(예를 들어, 타일(tile) 또는 슬라이스(slice))들이 존재하는 경우, 각각의 처리 유닛에 할당된 타일 또는 슬라이스들이 복호화되는 시간이 상이할 수 있다. 따라서, 복수의 처리 유닛을 이용한 멀티 복호화를 수행하더라도, 처리 시간이 처리 유닛별로 상이하게 되어 전체 복호화되는 시간 동기화 및 그 예측이 어려울 뿐 아니라, 비효율적으로 늘어날 수 있다.한편, 복수 유닛을 이용한 병렬 복호화를 위해 WPP(Wavefront Parallel Proceccing)방식의 부호화 및 복호화 방법이 제안될 수 있다. 그러나, 최근 대두되고 있는 HEVC 표준 방식에서는 그 구조상 부호화가 수행될 때 WPP 형식임이 비트스트림의 헤더 정보에 명시되어야만, 복호화시에 복수의 처리 유닛으로 병렬 복호화를 수행할 수 있어 활용 범위가 제한적인 문제점이 있다.또한, 일반적인 WPP 처리 방식에 따르면 앞서 설명한 불균형 등의 문제점뿐만 아니라, 각 처리 유닛들에 대한 처리 순서(ordering) 할당이 문제된다. 일반적으로 정상적인 영상 재생을 위해서는 출력이 픽처 단위로 동기화되고, 이에 따라 픽처 단위로 동기화된 디코딩이 수행될 수 있다. 때문에, 일부 처리 유닛들이 동기화를 위해 대기하는 시간이 발생된다. 이에 따라, 복호화에 레이턴시(latency)가 증가하거나 전체 디코딩 시간이 길어지게 되는 문제가 발생하게 된다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은 상술한 필요성에 따라 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 멀티 코어(Multi core) 구조의 영상 처리 유닛(VPU, Video Processing Unit)을 구비한 동영상 처리 장치 및 방법에 관한 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시 예에 따른 동영상을 처리하는 장치는, 동영상을 처리하는 장치에 있어서, 호스트와 통신하며, 비트스트림을 수신하여 헤더 정보를 파싱하고, 병렬 처리를 위한 복수의 태스크들을 생성하는 영상 중앙 처리 유닛; 상기 영상 중앙 처리 유닛에 제어에 따라 상기 호스트로부터 입력되는 동영상 비트스트림을 프리 스캔하여 프리 스캔 정보를 생성하는 프리 스캔 모듈; 및 상기 영상 중앙 처리 유닛의 제어를 받아 상기 파싱된 헤더 정보 및 상기 프리 스캔 정보에 기초하여 상기 복수의 태스크들을 각각 처리하는 복수의 영상 처리부들을 포함할 수 있다.한편, 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시 예에 따르면,동영상을 처리하는 방법에 있어서, 영상 중앙 처리 유닛에서 호스트와 통신하며, 비트스트림을 수신하여 헤더 정보를 파싱하고, 병렬 처리를 위한 복수의 태스크들을 생성하는 단계; 상기 영상 중앙 처리 유닛에 제어에 따라 상기 호스트로부터 입력되는 동영상 비트스트림을 프리 스캔하여 프리 스캔 정보를 생성하는 단계; 및 복수의 영상 처리부에서 상기 영상 중앙 처리 유닛의 제어를 받아 상기 파싱된 헤더 정보 및 상기 프리 스캔 정보에 기초하여 상기 복수의 태스크들을 각각 처리하는 단계를 포함할 수 있다.한편, 상기 동영상 처리 방법은 컴퓨터에서 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체로 구현될 수 있다. [ 발명의 효과 ] 본 발명의 실시 예에 따르면, 프리 스캔 모듈을 통해 생성되는 프리 스캔 정보에 기반하여, 비트스트림의 구조와 관계 없이 일정 세그먼트 단위로 분할 할당시킴으로써, 복수의 처리 유닛들이 끊김 없는(seamless) 병렬 처리를 수행 할 수 있다.특히, 프리 스캔 모듈에서는 비트스트림을 스캔하여 각 코어들이 엔트로피 디코딩을 연속적으로 수행하기 위한 필수적이면서도 최소화된 정보를 추출 및 저장할 수 있다.이에 따라, 각 복수의 처리 유닛간 처리량의 불균형을 제거할 수 있고, 불균형에 의한 대역폭 효율 감소를 억제할 수 있다.또한, 영상 중앙 처리 유닛에서는 각 처리 유닛이 프리 스캔 정보를 이용한 SEAMLESS 병렬 처리가 가능함을 이용하여, 비트스트림 처리 순서를 보다 효율적으로 정렬할 수 있고, 복호화 시간을 단축시킬 수 있다.그리고, 영상 중앙 처리 유닛에서는 각 처리 유닛에 대응하여 적절한 태스크를 생성하여 할당할 수 있으며, 각 픽처의 처리 개시에 따른 프리 스캔, 재정렬 및 복호화에 따른 처리 완료 시간을 비동기적으로 제어함으로써 비트스트림 처리율 향상 뿐만 아니라, 데이터의 오버헤드를 감소시킬 수 있고, 레이턴시(latency)를 줄일 수 있다.또한, 최근 대두되고 있는 WPP 방식으로 인코딩되지 않은 스트림에서도 WPP방식의 복수의 처리 유닛을 이용한 멀티 코어 복호화가 가능하게 되어 디코더 성능을 향상시킬 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 동영상 부호화 장치의 구성을 나타내는 블록도이다.도 2는 영상을 블록단위로 분할하여 처리하는 방법에 대한 일예를 설명하기 위한 도면이다.도 3은 부호화 장치에서 인터 예측을 수행하는 구성에 대한 일실시예를 나타내는 블록도이다.도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 동영상 복호화 장치의 구성을 나타내는 블록도이다.도 5는 복호화 장치에서 인터 예측을 수행하는 구성에 대한 일실시예를 나타내는 블록도이다.도 6 및 도 7은 시퀀스 파라미터 셋(SPS, Sequence Parameter Set)의 구성에 대한 일예를 나타내는 도면이다.도 8 및 도 9는 픽쳐 파라미터 셋(PPS, Picture Parameter Set)의 구성에 대한 일예를 나타내는 도면이다.도 10 내지 도 12는 슬라이스 헤더(SH, Slice Header)의 구성에 대한 일예를 나타내는 도면이다.도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 동영상 복호화 장치의 계층 구조(layer structure)를 나타내는 도면이다. 도 14는 본 발명의 일 실시 예에 따른 영상 중앙 처리 유닛의 동영상 복호화 동작을 나타내는 타이밍도이다.도 15는 본 발명의 일 실시 예에 따른 프리 스캔 모듈을 설명하기 위한 블록도이다.도 16은 본 발명의 일 실시 예에 따른 프리 스캔 모듈에 따라 프리 스캔되는 정보를 설명하기 위한 블록도이다.도 17은 본 발명의 일 실시 예에 따른 프리 스캔 모듈의 동작을 설명하기 위한 흐름도이다.도 18 내지 도 21은 본 발명의 실시 예에 따른 프리 스캔 모듈의 동작에 의해 생성되는 프리 스캔 정보를 설명하기 위한 도면들이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시 예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다.본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 “이들의 조합”의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.실제 영상과 그것의 깊이 정보 맵을 부호화하는 방법의 일예로, 현재까지 개발된 비디오 부호화 표준 중에서 최고의 부호화 효율을 가지는 MPEG(Moving Picture Experts Group)과 VCEG(Video Coding Experts Group)에서 공동으로 표준화를 진행 중인 HEVC(High Efficiency Video Coding)를 이용하여 부호화를 수행할 수 있으나, 이에 한정되지는 아니한다.통상, 부호화 장치는 인코딩 과정과 디코딩 과정을 포함하고, 복호화 장치는 디코딩 과정을 구비한다. 복호화 장치의 디코딩 과정은 부호화 장치의 디코딩 과정과 동일하다. 따라서, 이하에서는 부호화 장치를 위주로 설명하기로 한다.도 1은 동영상 부호화 장치의 구성을 블록도로 도시한 것이다.도 1을 참조하면, 동영상 부호화 장치(100)는 픽쳐 분할부(110), 변환부(120), 양자화부(130), 스캐닝부(131), 엔트로피 부호화부(140), 인트라 예측부(150), 인터 예측부(160), 역양자화부(135), 역변환부(125), 후처리부(170), 픽쳐 저장부(180), 감산부(190) 및 가산부(195)를 포함한다.픽쳐 분할부(110)는 입력되는 비디오 신호를 분석하여 픽쳐를 코딩 트리 유닛(CTU:Coding Tree Unit)마다 소정 크기의 코딩 유닛으로 분할하여 예측 모드를 결정하고, 상기 코딩 유닛별로 예측 유닛의 크기를 결정한다.그리고, 픽쳐 분할부(110)는 부호화할 예측 유닛을 예측 모드(또는 예측 방법)에 따라 인트라 예측부(150) 또는 인터 예측부(160)로 보낸다. 또한, 픽쳐 분할부(110)는 부호화할 예측 유닛을 감산부(190)로 보낸다.픽쳐는 복수의 슬라이스로 구성되고, 슬라이스는 복수개의 부호화 단위인 코딩 트리 유닛(Coding Tree unit: CTU)로 구성될 수 있다.상기 CTU는 복수개의 부호화 단위(CU)로 분할될 수 있고, 부호기는 분할여부를 나타내는 정보(flag)를 비트스트림에 추가할 수 있다. 복호기는 CTU의 위치를 어드레스(CtuAddr)를 이용하여 인식할 수 있다.분할이 허용되지 않는 경우의 부호화 단위(CU)는 예측 단위(Prediction unit: PU)로 간주되고, 복호기는 PU의 위치를 PU인덱스를 이용하여 인식할 수 있다.예측 단위(PU)는 복수개의 파티션으로 나뉠 수 있다. 또한 예측 단위(PU)는 복수개의 변환 단위(Transform unit: TU)로 구성될 수 있다.이 경우, 픽쳐 분할부(110)는 결정된 부호화 모드에 따른 소정 크기의 블록 단위(예를 들면, PU 단위 또는 TU 단위)로 영상 데이터를 감산부(190)로 보낼 수 있다.도 2를 참조하면, 동영상 부호화 단위로 CTU (Coding Tree Unit)을 사용하며, 이 때 CTU는 다양한 정사각형 모양으로 정의된다. CTU는 코딩단위 CU(Coding Unit)를 포함한다.코딩단위(CU)는 쿼드트리(Quad Tree)의 모습을 하고 있으며, 코딩 단위의 최대 크기인 64x64 크기를 가질 때 깊이(Depth)를 0으로 하여 깊이가 3이 될 때까지, 즉 8×8크기의 코딩단위(CU)까지 재귀적(Recursive)으로 최적의 예측단위를 찾아 부호화를 수행한다.예측을 수행하는 예측단위는 PU(Prediction Unit)로 정의되며, 각 코딩단위(CU)는 다수개의 블록으로 분할된 단위의 예측이 수행되며, 정사각형과 직사각형의 형태로 나뉘어 예측을 수행한다. 변환부(120)는 입력된 예측 유닛의 원본 블록과 인트라 예측부(150) 또는 인터 예측부(160)에서 생성된 예측 블록의 잔차신호인 잔차 블록을 변환한다. 상기 잔차 블록은 코딩 유닛 또는 예측 유닛으로 구성된다. 코딩 유닛 또는 예측 유닛으로 구성된 잔차 블록은 최적의 변환 단위로 분할되어 변환된다. 예측 모드(intra or inter)에 따라 서로 다른 변환 매트릭스가 결정될 수 있다. 또한, 인트라 예측의 잔차 신호는 인트라 예측 모드에 따라 방향성을 가지므로 인트라 예측 모드에 따라 적응적으로 변환 매트릭스가 결정될 수 있다.변환 단위는 2개(수평, 수직)의 1차원 변환 매트릭스에 의해 변환될 수 있다. 예를 들어, 인터 예측의 경우에는 미리 결정된 1개의 변환 매트릭스가 결정된다.반면에, 인트라 예측의 경우, 인트라 예측 모드가 수평인 경우에는 잔차 블록이 수직방향으로의 방향성을 가질 확률이 높아지므로, 수직방향으로는 DCT 기반의 정수 매트릭스를 적용하고, 수평방향으로는 DST 기반 또는 KLT 기반의 정수 매트릭스를 적용한다. 인트라 예측 모드가 수직인 경우에는 수직방향으로는 DST 기반 또는 KLT 기반의 정수 매트릭스를, 수평 방향으로는 DCT 기반의 정수 매트릭스를 적용한다.DC 모드의 경우에는 양방향 모두 DCT 기반 정수 매트릭스를 적용한다. 또한, 인트라 예측의 경우, 변환 단위의 크기에 의존하여 변환 매트릭스가 적응적으로 결정될 수도 있다.양자화부(130)는 상기 변환 매트릭스에 의해 변환된 잔차 블록의 계수들을 양자화하기 위한 양자화 스텝 사이즈를 결정한다. 양자화 스텝 사이즈는 미리 정해진 크기 이상의 부호화 단위(이하, 양자화 유닛이라 함)별로 결정된다.상기 미리 정해진 크기는 8x8 또는 16x16일 수 있다. 그리고, 결정된 양자화 스텝 사이즈 및 예측 모드에 따라 결정되는 양자화 매트릭스를 이용하여 상기 변환 블록의 계수들을 양자화한다.양자화부(130)는 현재 양자화 유닛의 양자화 스텝 사이즈 예측자로서 현재 양자화 유닛에 인접한 양자화 유닛의 양자화 스텝 사이즈를 이용한다.양자화부(130)는 현재 양자화 유닛의 좌측 양자화 유닛, 상측 양자화 유닛, 좌상측 양자화 유닛 순서로 검색하여 1개 또는 2개의 유효한 양자화 스텝 사이즈를 이용하여 현재 양자화 유닛의 양자화 스텝 사이즈 예측자를 생성할 수 있다.예를 들어, 상기 순서로 검색된 유효한 첫번째 양자화 스텝 사이즈를 양자화 스텝 사이즈 예측자로 결정할 수 있다. 또한, 상기 순서로 검색된 유효한 2개의 양자화 스텝 사이즈의 평균값을 양자화 스텝 사이즈 예측자로 결정할 수도 있고, 1개만이 유효한 경우에는 이를 양자화 스텝 사이즈 예측자로 결정할 수 있다.상기 양자화 스텝 사이즈 예측자가 결정되면, 현재 부호화 단위의 양자화 스텝 사이즈와 상기 양자화 스텝 사이즈 예측자 사이의 차분값을 엔트로피 부호화부(140)로 전송한다.한편, 현재 코딩 유닛의 좌측 코딩 유닛, 상측 코딩 유닛, 좌상측 코딩 유닛 모두가 존재하지 않을 가능성이 있다. 반면에 최대 코딩 유닛 내의 부호화 순서 상으로 이전에 존재하는 코딩 유닛이 존재할 수 있다.따라서, 현재 코딩 유닛에 인접한 양자화 유닛들과 상기 최대 코딩 유닛 내에서는 부호화 순서상 바로 이전의 양자화 유닛의 양자화 스텝 사이즈가 후보자가 될 수 있다.이 경우, 1) 현재 코딩 유닛의 좌측 양자화 유닛, 2) 현재 코딩 유닛의 상측 양자화 유닛, 3) 현재 코딩 유닛의 좌상측 양자화 유닛, 4) 부호화 순서상 바로 이전의 양자화 유닛 순서로 우선순위를 둘 수 있다. 상기 순서는 바뀔 수 있고, 상기 좌상측 양자화 유닛은 생략될 수도 있다.상기 양자화된 변환 블록은 역양자화부(135)와 스캐닝부(131)로 제공된다.스캐닝부(131)는 양자화된 변환 블록의 계수들을 스캐닝하여 1차원의 양자화 계수들로 변환한다. 양자화 후의 변환 블록의 계수 분포가 인트라 예측 모드에 의존적일 수 있으므로, 스캐닝 방식은 인트라 예측 모드에 따라 결정된다.또한, 계수 스캐닝 방식은 변환 단위의 크기에 따라 달리 결정될 수도 있다. 상기 스캔 패턴은 방향성 인트라 예측 모드에 따라 달라질 수 있다. 양자화 계수들의 스캔순서는 역방향으로 스캔한다.상기 양자화된 계수들이 복수개의 서브셋으로 분할된 경우에는 각각의 서브셋 내의 양자화 계수들에 동일한 스캔패턴을 적용한다. 서브셋 간의 스캔패턴은 지그재그 스캔 또는 대각선 스캔을 적용한다. 스캔 패턴은 DC를 포함하는 메인 서브셋으로부터 순방향으로 잔여 서브셋들로 스캔하는 것이 바람직하나, 그 역방향도 가능하다.또한, 서브셋 내의 양자화된 계수들의 스캔패턴과 동일하게 서브셋 간의 스캔패턴을 설정할 수도 있다. 이 경우, 서브셋 간의 스캔패턴이 인트라 예측 모드에 따라 결정된다. 한편, 부호기는 상기 변환 유닛내의 0이 아닌 마지막 양자화 계수의 위치를 나타낼 수 있는 정보를 복호기로 전송한다.각 서브셋 내의 0이 아닌 마지막 양자화 계수의 위치를 나타낼 수 있는 정보도 복호기로 전송할 수 있다.역양자화(135)는 상기 양자화된 양자화 계수를 역양자화한다. 역변환부(125)는 역양자화된 변환 계수를 공간 영역의 잔차 블록으로 복원한다. 가산기는 상기 역변환부에 의해 복원된 잔차블록과 인트라 예측부(150) 또는 인터 예측부(160)로부터의 수신된 예측 블록을 합쳐서 복원 블록을 생성한다.후처리부(170)는 복원된 픽쳐에 발생하는 블록킹 효과의 제거하기 위한 디블록킹 필터링 과정, 화소 단위로 원본 영상과의 차이값을 보완하기 위한 적응적 오프셋 적용 과정 및 코딩 유닛으로 원본 영상과의 차이값을 보완하기 위한 적응적 루프 필터링 과정을 수행한다.디블록킹 필터링 과정은 미리 정해진 크기 이상의 크기를 갖는 예측 유닛 및 변환 단위의 경계에 적용하는 것이 바람직하다. 상기 크기는 8x8일 수 있다. 상기 디블록킹 필터링 과정은 필터링할 경계(boundary)를 결정하는 단계, 상기 경계에 적용할 경계 필터링 강도(bounary filtering strength)를 결정하는 단계, 디블록킹 필터의 적용 여부를 결정하는 단계, 상기 디블록킹 필터를 적용할 것으로 결정된 경우, 상기 경계에 적용할 필터를 선택하는 단계를 포함한다.상기 디블록킹 필터의 적용 여부는 i) 상기 경계 필터링 강도가 0보다 큰지 여부 및 ii) 상기 필터링할 경계에 인접한 2개의 블록(P 블록, Q블록) 경계 부분에서의 화소값들이 변화 정도를 나타내는 값이 양자화 파라미터에 의해 결정되는 제1 기준값보다 작은지 여부에 의해 결정된다.상기 필터는 적어도 2개 이상인 것이 바람직하다. 블록 경계에 위치한 2개의 화소들간의 차이값의 절대값이 제2 기준값보다 크거나 같은 경우에는 상대적으로 약한 필터링을 수행하는 필터를 선택한다.상기 제2 기준값은 상기 양자화 파라미터 및 상기 경계 필터링 강도에 의해 결정된다.적응적 오프셋 적용 과정은 디블록킹 필터가 적용된 영상내의 화소와 원본 화소간의 차이값(distortion)을 감소시키기 위한 것이다. 픽쳐 또는 슬라이스 단위로 상기 적응적 오프셋 적용 과정을 수행할지 여부를 결정할 수 있다.픽쳐 또는 슬라이스는 복수개의 오프셋 영역들로 분할될 수 있고, 각 오프셋 영역별로 오프셋 타입이 결정될 수 있다. 오프셋 타입은 미리 정해진 개수(예를 들어, 4개)의 에지 오프셋 타입과 2개의 밴드 오프셋 타입을 포함할 수 있다.오프셋 타입이 에지 오프셋 타입일 경우에는 각 화소가 속하는 에지 타입을 결정하여, 이에 대응하는 오프셋을 적용한다. 상기 에지 타입은 현재 화소와 인접하는 2개의 화소값의 분포를 기준으로 결정한다.적응적 루프 필터링 과정은 디블록킹 필터링 과정 또는 적응적 오프셋 적용 과정을 거친 복원된 영상과 원본 영상을 비교한 값을 기초로 필터링을 수행할 수 있다. 적응적 루프 필터링은 상기 결정된 ALF는 4x4 크기 또는 8x8 크기의 블록에 포함된 화소 전체에 적용될 수 있다.적응적 루프 필터의 적용 여부는 코딩 유닛별로 결정될 수 있다. 각 코딩 유닛에 따라 적용될 루프 필터의 크기 및 계수는 달라질 수 있다. 코딩 유닛별 상기 적응적 루프 필터의 적용 여부를 나타내는 정보는 각 슬라이스 헤더에 포함될 수 있다. 다만, 상기 적응적 루프 필터링 과정은 부호화 표준 방식의 변경에 따라 생략될 수 있다.색차 신호의 경우에는, 픽쳐 단위로 적응적 루프 필터의 적용 여부를 결정할 수 있다. 루프 필터의 형태도 휘도와 달리 직사각형 형태를 가질 수 있다.적응적 루프 필터링은 슬라이스별로 적용 여부를 결정할 수 있다. 따라서, 현재 슬라이스에 적응적 루프 필터링이 적용되는지 여부를 나타내는 정보는 슬라이스 헤더 또는 픽쳐 헤더에 포함된다.현재 슬라이스에 적응적 루프 필터링이 적용됨을 나타내면, 슬라이스 헤더 또는 픽쳐 헤더는 추가적으로 적응적 루프 필터링 과정에 사용되는 휘도 성분의 수평 및/또는 수직 방향의 필터 길이를 나타내는 정보를 포함한다.슬라이스 헤더 또는 픽쳐 헤더는 필터 세트의 수를 나타내는 정보를 포함할 수 있다. 이때 필터 세트의 수가 2 이상이면, 필터 계수들이 예측 방법을 사용하여 부호화될 수 있다. 따라서, 슬라이스 헤더 또는 픽쳐 헤더는 필터 계수들이 예측 방법으로 부호화되는지 여부를 나타내는 정보를 포함할 수 있으며, 예측 방법이 사용되는 경우에는 예측된 필터 계수를 포함한다.한편, 휘도 뿐만 아니라, 색차 성분들도 적응적으로 필터링될 수 있다. 따라서, 색차 성분 각각이 필터링되는지 여부를 나타내는 정보를 슬라이스 헤더 또는 픽쳐 헤더가 포함할 수 있다. 이 경우, 비트수를 줄이기 위해 Cr과 Cb에 대한 필터링 여부를 나타내는 정보를 조인트 코딩(즉, 다중화 코딩)할 수 있다.이때, 색차 성분들의 경우에는 복잡도 감소를 위해 Cr과 Cb를 모두 필터링하지 않는 경우가 가장 빈번할 가능성이 높으므로, Cr과 Cb를 모두 필터링하지 않는 경우에 가장 작은 인덱스를 할당하여 엔트로피 부호화를 수행한다.그리고, Cr 및 Cb를 모두 필터링하는 경우에 가장 큰 인덱스를 할당하여 엔트로피 부호화를 수행한다.픽쳐 저장부(180)는 후처리된 영상 데이터를 후처리부(170)로부터 입력받아 픽쳐(picture) 단위로 영상을 복원하여 저장한다. 픽쳐는 프레임 단위의 영상이거나 필드 단위의 영상일 수 있다. 픽쳐 저장부(180)는 다수의 픽쳐를 저장할 수 있는 버퍼(도시되지 않음)를 구비한다.인터 예측부(160)는 상기 픽쳐 저장부(180)에 저장된 적어도 하나 이상의 참조 픽쳐를 이용하여 움직임 추정을 수행하고, 참조 픽쳐를 나타내는 참조 픽쳐 인덱스 및 움직임 벡터를 결정한다.그리고, 결정된 참조 픽쳐 인덱스 및 움직임 벡터에 따라, 픽쳐 저장부(180)에 저장된 다수의 참조 픽쳐들 중 움직임 추정에 이용된 참조 픽쳐로부터, 부호화하고자 하는 예측 유닛에 대응하는 예측 블록을 추출하여 출력한다.인트라 예측부(150)는 현재 예측 유닛이 포함되는 픽처 내부의 재구성된 화소값을 이용하여 인트라 예측 부호화를 수행한다.인트라 예측부(150)는 예측 부호화할 현재 예측 유닛을 입력받아 현재 블록의 크기에 따라 미리 설정된 개수의 인트라 예측 모드 중에 하나를 선택하여 인트라 예측을 수행한다.인트라 예측부(150)는 인트라 예측 블록을 생성하기 위해 참조 화소를 적응적으로 필터링한다. 참조 화소가 이용 가능하지 않은 경우에는 이용 가능한 참조 화소들을 이용하여 참조 화소들을 생성할 수 있다.엔트로피 부호화부(140)는 양자화부(130)에 의해 양자화된 양자화 계수, 인트라 예측부(150)로부터 수신된 인트라 예측 정보, 인터 예측부(160)로부터 수신된 움직임 정보 등을 엔트로피 부호화한다.도 3은 부호화 장치에서 인터 예측을 수행하는 구성에 대한 일실시예를 블록도로 도시한 것으로, 도시된 인터 예측 부호화 장치는 움직임 정보 결정부(161), 움직임 정보 부호화 모드 결정부(162), 움직임 정보 부호화부(163), 예측 블록 생성부(164), 잔차 블록 생성부(165), 잔차 블록 부호화부(166) 및 멀티플렉서(167)를 포함하여 구성될 수 있다.도 3을 참조하면, 움직임 정보 결정부(161)는 현재 블록의 움직임 정보를 결정한다. 움직임 정보는 참조 픽쳐 인덱스와 움직임 벡터를 포함한다. 참조 픽쳐 인덱스는 이전에 부호화되어 복원된 픽쳐 중 어느 하나를 나타낸다.현재 블록이 단방향 인터 예측 부호화되는 경우에는 리스트 0(L0)에 속하는 참조 픽쳐들 중의 어느 하나를 나타낸다. 반면에, 현재 블록이 양방향 예측 부호화되는 경우에는 리스트 0(L0)의 참조 픽쳐들 중 하나를 나타내는 참조픽쳐 인덱스와 리스트 1(L1)의 참조 픽쳐들 중의 하나를 나타내는 참조픽쳐 인덱스를 포함할 수 있다.또한, 현재 블록이 양방향 예측 부호화되는 경우에는 리스트 0과 리스트 1을 결합하여 생성된 복합 리스트(LC)의 참조 픽쳐들 중의 1개 또는 2개의 픽쳐를 나타내는 인덱스를 포함할 수 있다.움직임 벡터는 각각의 참조픽쳐 인덱스가 나타내는 픽쳐 내의 예측 블록의 위치를 나타낸다. 움직임 벡터는 화소단위(정수단위)일수도 있으나, 서브화소단위일 수도 있다.예를 들어, 1/2, 1/4, 1/8 또는 1/16 화소의 해상도를 가질 수 있다. 움직임 벡터가 정수단위가 아닐 경우에는 예측 블록은 정수 단위의 화소들로부터 생성된다.움직임 정보 부호화 모드 결정부(162)는 현재 블록의 움직임 정보를 스킵 모드로 부호화할지, 머지 모드로 부호화할지, AMVP 모드로 부호화할지를 결정한다.스킵 모드는 현재 블록의 움직임 정보와 동일한 움직임 정보를 갖는 스킵 후보자가 존재하고, 잔차신호가 0인 경우에 적용된다. 또한, 스킵 모드는 현재 블록이 코딩 유닛과 사이즈가 같을 때 적용된다. 현재 블록은 예측 유닛으로 볼 수 있다.머지 모드는 현재 블록의 움직임 정보와 동일한 움직임 정보를 갖는 머지 후보자가 존재할 때 적용된다. 머지 모드는 현재 블록이 코딩 유닛과 사이즈가 다르거나, 사이즈가 같을 경우에는 잔차 신호가 존재하는 경우에 적용된다. 머지 후보자와 스킵 후보자는 동일할 수 있다.AMVP 모드는 스킵 모드 및 머지 모드가 적용되지 않을 때 적용된다. 현재 블록의 움직임 벡터와 가장 유사한 움직임 벡터를 갖는 AMVP 후보자를 AMVP 예측자로 선택한다.움직임 정보 부호화부(163)는 움직임 정보 부호화 모드 결정부(162)에 의해 결정된 방식에 따라 움직임 정보를 부호화한다. 움직임 정보 부호화 모드가 스킵 모드 또는 머지 모드일 경우에는 머지 움직임 벡터 부호화 과정을 수행한다. 움직임 정보 부호화 모드가 AMVP일 경우에는 AMVP 부호화 과정을 수행한다.예측 블록 생성부(164)는 현재 블록의 움직임 정보를 이용하여 예측 블록을 생성한다. 움직임 벡터가 정수 단위일 경우에는, 참조픽쳐 인덱스가 나타내는 픽쳐 내의 움직임 벡터가 나타내는 위치에 대응하는 블록을 복사하여 현재 블록의 예측 블록을 생성한다.그러나, 움직임 벡터가 정수 단위가 아닐 경우에는, 참조픽쳐 인덱스가 나타내는 픽쳐내의 정수 단위 화소들로 부터 예측 블록의 화소들을 생성한다.이 경우, 휘도 화소의 경우에는 8탭의 보간 필터를 사용하여 예측 화소를 생성할 수 있다. 색차 화소의 경우에는 4탭 보간 필터를 사용하여 예측 화소를 생성할 수 있다.잔차 블록 생성부(165)는 현재 블록과 현재 블록의 예측 블록을 이용하여 잔차 블록을 생성한다. 현재 블록의 크기가 2Nx2N인 경우에는 현재 블록과 현재 블록에 대응하는 2Nx2N 크기의 예측 블록을 이용하여 잔차 블록을 생성한다.그러나, 예측에 이용되는 현재 블록의 크기가 2NxN 또는 Nx2N인 경우에는 2Nx2N을 구성하는 2개의 2NxN 블록 각각에 대한 예측 블록을 구한 후, 상기 2개의 2NxN 예측 블록을 이용하여 2Nx2N 크기의 최종 예측 블록을 생성할 수 있다.그리고, 상기 2Nx2N 크기의 예측 블록을 이용하여 2Nx2N 의 잔차 블록을 생성할 수도 있다. 2NxN 크기의 2개의 예측블록들의 경계부분의 불연속성을 해소하기 위해 경계 부분의 픽셀들을 오버랩 스무딩할 수 있다.잔차 블록 부호화부(166)는 생성된 잔차 블록을 하나 이상의 변환 유닛으로 나눈다. 그리고, 각 변환 유닛을 변환 부호화, 양자화 및 엔트로피 부호화된다. 이때, 변환 유닛의 크기는 잔차 블록의 크기에 따라 쿼드트리 방식으로 결정될 수 있다.잔차 블록 부호화부(166)는 인터 예측 방법에 의해 생성된 잔차 블록을 정수기반 변환 매트릭스를 이용하여 변환한다. 상기 변환 매트릭스는 정수기반 DCT 매트릭스이다.잔차 블록 부호화부(166)는 상기 변환 매트릭스에 의해 변환된 잔차 블록의 계수들을 양자화하기 위해 양자화 매트릭스를 이용한다. 상기 양자화 매트릭스는 양자화 파라미터에 의해 결정된다.상기 양자화 파라미터는 미리 정해진 크기 이상의 코딩 유닛별로 결정된다. 상기 미리 정해진 크기는 8x8 또는 16x16일 수 있다. 따라서, 현재 코딩 유닛이 상기 미리 정해진 크기보다 작은 경우에는 상기 미리 정해진 크기 내의 복수개의 코딩 유닛 중 부호화 순서상 첫번째 코딩 유닛의 양자화 파라미터만을 부호화하고, 나머지 코딩 유닛의 양자화 파라미터는 상기 파라미터와 동일하므로 부호화할 필요가 없다.그리고, 결정된 양자화 파라미터 및 예측 모드에 따라 결정되는 양자화 매트릭스를 이용하여 상기 변환 블록의 계수들을 양자화한다.상기 미리 정해진 크기 이상의 코딩 유닛별로 결정되는 양자화 파라미터는 현재 코딩 유닛에 인접한 코딩 유닛의 양자화 파라미터를 이용하여 예측 부호화된다. 현재 코딩 유닛의 좌측 코딩 유닛, 상측 코딩 유닛 순서로 검색하여 유효한 1개 또는 2개의 유효한 양자화 파라미터를 이용하여 현재 코딩 유닛의 양자화 파라미터 예측자를 생성할 수 있다.예를 들어, 상기 순서로 검색된 유효한 첫번째 양자화 파라미터를 양자화 파라미터 예측자로 결정할 수 있다. 또한, 좌측 코딩 유닛, 부호화 순서상 바로 이전의 코딩 유닛 순으로 검색하여 유효한 첫번째 양자화 파라미터를 양자화 파라미터 예측자로 결정할 수 있다.양자화된 변환 블록의 계수들은 스캐닝되어 1차원의 양자화 계수들로 변환한다. 스캐닝 방식은 TU 크기와 인트라 예측 방법에 따라 달리 설정될 수 있다. 예를 들어, 계수들은 대각선 방향으로 스캐닝될 수 있으며, TU의 크기가 4x4를 가진 인트라 블록의 경우에는 인트라 예측 방향에 따라 가변될 수 있다. TU의 크기가 4x4를 가진 인트라 블록의 인트라 예측 방향이 수직에 가까운 경우 수평 방항으로 스캐닝 될 수 있으며, 수평에 가까운 경우 수직 방항으로 스캐닝 될 수 있다.또한, 계수들은 엔트로피 부호화 모드에 따라 달리 설정될 수도 있다. 예를 들어, CABAC으로 부호화될 경우에는 인터 예측 부호화된 양자화 계수들은 미리 정해진 하나의 방식(지그재그, 또는 대각선 방향으로의 래스터 스캔)으로 스캐닝될 수도 있다. 반면에 CAVLC으로 부호화될 경우에는 상기 방식과 다른 방식으로 스캐닝될 수도 있다.예를 들어, 스캐닝 방식이 인터의 경우에는 지그재그, 인트라의 경우에는 인트라 예측 모드에 따라 결정될 수 있다. 또한, 계수 스캐닝 방식은 변환 단위의 크기에 따라 달리 결정될 수도 있다.상기 스캔 패턴은 방향성 인트라 예측 모드에 따라 달라질 수 있다. 양자화 계수들의 스캔순서는 역방향으로 스캔한다.멀티플렉서(167)는 상기 움직임 정보 부호화부(163)에 의해 부호화된 움직임 정보들과 상기 잔차 블록 부호화부에 의해 부호화된 잔차 신호들을 다중화한다. 상기 움직임 정보는 부호화 모드에 따라 달라질 수 있다.즉, 스킵 또는 머지일 경우에는 예측자를 나타내는 인덱스만을 포함한다. 그러나, AMVP일 경우에는 현재 블록의 참조 픽쳐 인덱스, 차분 움직임 벡터 및 AMVP 인덱스를 포함한다.이하, 인트라 예측부(150)의 동작에 대한 일실시예를 상세히 설명하기로 한다.먼저, 픽쳐 분할부(110)에 의해 예측 모드 정보 및 예측 블록의 크기를 수신하며, 예측 모드 정보는 인트라 모드를 나타낸다. 예측 블록의 크기는 64x64, 32x32, 16x16, 8x8, 4x4등의 정방형일 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 즉, 상기 예측 블록의 크기가 정방형이 아닌 비정방형일 수도 있다. 다음으로, 예측 블록의 인트라 예측 모드를 결정하기 위해 참조 화소를 픽쳐 저장부(180)로부터 읽어 들인다.상기 이용 가능하지 않은 참조화소가 존재하는지 여부를 검토하여 참조 화소 생성 여부를 판단한다. 상기 참조 화소들은 현재 블록의 인트라 예측 모드를 결정하는데 사용된다.현재 블록이 현재 픽쳐의 상측 경계에 위치하는 경우에는 현재 블록의 상측에 인접한 화소들이 정의되지 않는다. 또한, 현재 블록이 현재 픽쳐의 좌측 경계에 위치하는 경우에는 현재 블록의 좌측에 인접한 화소들이 정의되지 않는다.이러한 화소들은 이용 가능한 화소들이 아닌 것으로 판단한다. 또한, 현재 블록이 슬라이스 경계에 위치하여 슬라이스의 상측 또는 좌측에 인접하는 화소들이 먼저 부호화되어 복원되는 화소들이 아닌 경우에도 이용 가능한 화소들이 아닌 것으로 판단한다.상기와 같이 현재 블록의 좌측 또는 상측에 인접한 화소들이 존재하지 않거나, 미리 부호화되어 복원된 화소들이 존재하지 않는 경우에는 이용 가능한 화소들만을 이용하여 현재 블록의 인트라 예측 모드를 결정할 수도 있다.그러나, 현재 블록의 이용 가능한 참조화소들을 이용하여 이용 가능하지 않은 위치의 참조화소들을 생성할 수도 있다. 예를 들어, 상측 블록의 화소들이 이용 가능하지 않은 경우에는 좌측 화소들의 일부 또는 전부를 이용하여 상측 화소들을 생성할 수 있고, 그 역으로도 가능하다.즉, 이용 가능하지 않은 위치의 참조화소로부터 미리 정해진 방향으로 가장 가까운 위치의 이용 가능한 참조화소를 복사하여 참조화소로 생성할 수 있다. 미리 정해진 방향에 이용 가능한 참조화소가 존재하지 않는 경우에는 반대 방향의 가장 가까운 위치의 이용 가능한 참조화소를 복사하여 참조화소로 생성할 수 있다.한편, 현재 블록의 상측 또는 좌측 화소들이 존재하는 경우에도 상기 화소들이 속하는 블록의 부호화 모드에 따라 이용 가능하지 않은 참조 화소로 결정될 수 있다.예를 들어, 현재 블록의 상측에 인접한 참조 화소가 속하는 블록이 인터 부호화되어 복원된 블록일 경우에는 상기 화소들을 이용 가능하지 않은 화소들로 판단할 수 있다.이 경우에는 현재 블록에 인접한 블록이 인트라 부호화되어 복원된 블록에 속하는 화소들을 이용하여 이용 가능한 참조 화소들을 생성할 수 있다. 이 경우에는 부호기에서 부호화 모드에 따라 이용 가능한 참조 화소를 판단한다는 정보를 복호기로 전송해야 한다.다음으로, 상기 참조 화소들을 이용하여 현재 블록의 인트라 예측 모드를 결정한다. 현재 블록에 허용 가능한 인트라 예측 모드의 수는 블록의 크기에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 현재 블록의 크기가 8x8, 16x16, 32x32인 경우에는 34개의 인트라 예측 모드가 존재할 수 있고, 현재 블록의 크기가 4x4인 경우에는 17개의 인트라 예측 모드가 존재할 수 있다.상기 34개 또는 17개의 인트라 예측 모드는 적어도 하나 이상의 비방향성 모드(non-directional mode)와 복수개의 방향성 모드들(directional modes)로 구성될 수 있다.하나 이상의 비방향성 모드는 DC 모드 및/또는 플래너(planar) 모드일수 있다. DC 모드 및 플래너모드가 비방향성 모드로 포함되는 경우에는, 현재 블록의 크기에 관계없이 35개의 인트라 예측 모드가 존재할 수도 있다.이 때에는 2개의 비방향성 모드(DC 모드 및 플래너 모드)와 33개의 방향성 모드를 포함할 수 있다.플래너 모드는 현재 블록의 우하측(bottom-right)에 위치하는 적어도 하나의 화소값(또는 상기 화소값의 예측값, 이하 제1 참조값이라 함)과 참조화소들을 이용하여 현재 블록의 예측 블록을 생성한다.상기한 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 동영상 복호화 장치의 구성은 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 동영상 부호화 장치의 구성으로부터 도출될 수 있으며, 예를 들어 도 1을 참조하여 설명한 바와 같은 부호화 과정의 역과정을 수행함으로써 영상을 복호화할 수 있다.도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 동영상 복호화 장치의 구성을 블록도로 도시한 것이다.도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 동영상 복호화 장치는, 엔트로피 복호화부(210), 역양자화/역변환부(220), 가산기(270), 디블록킹 필터(250), 픽쳐 저장부(260), 인트라 예측부(230), 움직임 보상 예측부(240) 및 인트라/인터전환 스위치(280)를 구비한다.엔트로피 복호화부(210)는, 동영상 부호화 장치로부터 전송되는 부호화 비트 스트림을 복호하여, 인트라 예측 모드 인덱스, 움직임 정보, 양자화 계수 시퀀스 등으로 분리한다. 엔트로피 복호화부(210)는 복호된 움직임 정보를 움직임 보상 예측부(240)에 공급한다.엔트로피 복호화부(210)는 상기 인트라 예측 모드 인덱스를 상기 인트라 예측부(230), 역양자화/역변환부(220)로 공급한다. 또한, 상기 엔트로피 복호화부(210)는 상기 역양자화 계수 시퀀스를 역양자화/역변환부(220)로 공급한다.역양자화/역변환부(220)는 상기 양자화 계수 시퀀스를 2차원 배열의 역양자화 계수로 변환한다. 상기 변환을 위해 복수개의 스캐닝 패턴 중에 하나를 선택한다. 현재 블록의 예측모드(즉, 인트라 예측 및 인터 예측 중의 어느 하나)와 인트라 예측 모드 중 적어도 하나에 기초하여 복수개의 스캐닝 패턴 중 하나를 선택한다.상기 인트라 예측 모드는 인트라 예측부 또는 엔트로피 복호화부로부터 수신한다.역양자화/역변환부(220)는 상기 2차원 배열의 역양자화 계수에 복수개의 양자화 매트릭스 중 선택된 양자화 매트릭스를 이용하여 양자화 계수를 복원한다. 복원하고자 하는 현재 블록의 크기에 따라 서로 다른 양자화 매트릭스가 적용되며, 동일 크기의 블록에 대해서도 상기 현재 블록의 예측 모드 및 인트라 예측 모드 중 적어도 하나에 기초하여 양자화 매트릭스를 선택한다.그리고, 상기 복원된 양자화 계수를 역변환하여 잔차 블록을 복원한다.가산기(270)는 역양자화/역변환부(220)에 의해 복원된 잔차 블록과 인트라 예측부(230) 또는 움직임 보상 예측부(240)에 의해 생성되는 예측 블록을 가산함으로써, 영상 블록을 복원한다.디블록킹 필터(250)는 가산기(270)에 의해 생성된 복원 영상에 디블록킹 필터 처리를 실행한다. 이에 따라, 양자화 과정에 따른 영상 손실에 기인하는 디블록킹 아티펙트를 줄일 수 있다.픽쳐 저장부(260)는 디블록킹 필터(250)에 의해 디블록킹 필터 처리가 실행된 로컬 복호 영상을 유지하는 프레임 메모리이다.인트라 예측부(230)는 엔트로피 복호화부(210)로부터 수신된 인트라 예측 모드 인덱스에 기초하여 현재 블록의 인트라 예측 모드를 복원한다. 그리고, 복원된 인트라 예측 모드에 따라 예측 블록을 생성한다.움직임 보상 예측부(240)는 움직임 벡터 정보에 기초하여 픽쳐 저장부(260)에 저장된 픽쳐로부터 현재 블록에 대한 예측 블록을 생성한다. 소수 정밀도의 움직임 보상이 적용될 경우에는 선택된 보간 필터를 적용하여 예측 블록을 생성한다.인트라/인터 전환 스위치(280)는 부호화 모드에 기초하여 인트라 예측부(230)와 움직임 보상 예측부(240)의 어느 하나에서 생성된 예측 블록을 가산기(270)에 제공한다.도 5는 복호화 장치에서 인터 예측을 수행하는 구성에 대한 일실시예를 블록도로 도시한 것으로, 인터 예측 복호화 장치는 디멀티플렉서(241), 움직임 정보 부호화 모드 판단부(242), 머지 모드 움직임 정보 복호화부(243), AMVP 모드 움직임 정보 복호화부(244), 예측블록 생성부(245), 잔차 블록 복호화부(246) 및 복원블록 생성부(247)를 포함한다.도 5를 참조하면, 디멀티플렉서(241)는 수신된 비트스트림으로부터 현재 부호화된 움직임 정보와 부호화된 잔차 신호들을 역다중화한다. 디멀티플렉서(241)는 상기 역다중화된 움직임 정보를 움직임 정보 부호화 모드 판단부(242)로 전송하고, 역다중화된 잔차신호를 잔차블록 복호화부(246)로 전송한다.움직임 정보 부호화 모드 판단부(242)는 현재 블록의 움직임 정보 부호화 모드를 판단한다. 움직임 정보 부호화 모드 판단부(242)는 수신된 비트스트림의 skip_flag가 1의 값을 갖는 경우에는 현재 블록의 움직임 정보 부호화 모드가 스킵 부호화 모드로 부호화된 것으로 판단한다.움직임 정보 부호화 모드 판단부(242)는 수신된 비트스트림의 skip_flag가 0의 값을 갖고, 디멀티블렉서(241)로부터 수신된 움직임 정보가 머지 인덱스만을 갖는 현재 블록의 움직임 정보 부호화 모드가 머지 모드로 부호화된 것으로 판단한다.움직임 정보 부호화 모드 판단부(242)는 수신된 비트스트림의 skip_flag가 0의 값을 갖고, 디멀티블렉서(241)로부터 수신된 움직임 정보가 참조 픽쳐 인덱스와 차분 움직임 벡터와 AMVP인덱스를 갖는 경우에는 현재 블록의 움직임 정보 부호화 모드가 AMVP 모드로 부호화된 것으로 판단한다.머지 모드 움직임 정보 복호화부(243)는 움직임 정보 부호화 모드 판단부(242)가 현재 블록의 움직임 정보 부호화 모드를 스킵 또는 머지 모드로 판단한 경우에 활성화된다.AMVP 모드 움직임 정보 복호화부(244)는 움직임 정보 부호화 모드 판단부(242)가 현재 블록의 움직임 정보 부호화 모드를 AMVP 모드로 판단한 경우에 활성화된다.예측블록 생성부(245)는 상기 머지 모드 움직임 정보 복호화부(243) 또는 AMVP 모드 움직임 정보 복호화부(244)에 의해 복원된 움직임 정보를 이용하여 현재 블록의 예측 블록을 생성한다.움직임 벡터가 정수 단위일 경우에는, 참조픽쳐 인덱스가 나타내는 픽쳐 내의 움직임 벡터가 나타내는 위치에 대응하는 블록을 복사하여 현재 블록의 예측 블록을 생성한다.그러나, 움직임 벡터가 정수 단위가 아닐 경우에는, 참조픽쳐 인덱스가 나타내는 픽쳐내의 정수 단위 화소들로부터 예측 블록의 화소들을 생성한다. 이 경우, 휘도 화소의 경우에는 8탭의 보간 필터를 사용하여 예측 화소를 생성할 수 있다. 색차 화소의 경우에는 4탭 보간 필터를 사용하여 예측 화소를 생성할 수 있다.잔차 블록 복호화부(246)는 잔차신호를 엔트로피 복호화한다. 그리고, 엔트로피 복호화된 계수들을 역스캐닝하여 2차원의 양자화된 계수 블록을 생성한다. 역스캐닝 방식은 CABAC 기반 역스캐닝 방식으로 통일될 수 있다.또한, 엔트로피 복호화 방식에 따라 달라질 수도 있다. CABAC 기반으로 복호화된 경우와 CAVLC 기반으로 복호화된 경우의 인터 예측 잔차신호의 역스캐닝 방식이 달라질 수 있다. 예를 들어, CABAC 기반으로 복호화된 경우에는 대각선 방향의 래스터 역스캔 방식으로, CAVLC 기반으로 복호화된 경우에는 지그재그 역스캔 방식이 적용될 수 있다.또한, 예측 블록의 크기에 따라 역스캐닝 방식이 달리 결정될 수도 있다.잔차블록 복호화부(246)는 생성된 계수블록을 역양자화 매트릭스를 이용하여 역양자화한다. 상기 양자화 매트릭스를 유도하기 위해 양자화 파리미터를 복원한다. 양자화 스텝 사이즈는 미리 정해진 크기 이상의 코딩 유닛별로 복원된다.상기 미리 정해진 크기는 8x8 또는 16x16일 수 있다. 따라서, 현재 코딩 유닛이 상기 미리 정해진 크기보다 작은 경우에는 상기 미리 정해진 크기 내의 복수개의 코딩 유닛 중 부호화 순서상 첫번째 코딩 유닛의 양자화 파라미터만을 복원하고, 나머지 코딩 유닛의 양자화 파라미터는 상기 파라미터와 동일하므로 부호화할 필요가 없다.상기 미리 정해진 크기 이상의 코딩 유닛별로 결정된 양자화 파라미터를 복원하기 위해 현재 코딩 유닛에 인접한 코딩 유닛의 양자화 파라미터를 이용한다. 현재 코딩 유닛의 좌측 코딩 유닛, 상측 코딩 유닛 순서로 검색하여 유효한 첫번째 양자화 파라미터를 현재 코딩 유닛의 양자화 파라미터 예측자로 결정할 수 있다.또한, 좌측 코딩 유닛, 부호화 순서상 바로 이전의 코딩 유닛 순으로 검색하여 유효한 첫번째 양자화 파라미터를 양자화 파라미터 예측자로 결정할 수 있다. 상기 결정된 양자화 파라미터 예측자와 차분 양자화 파라미터를 이용하여 현재 예측 유닛의 양자화 파라미터를 복원한다.잔차블록 복호화부(260)는 상기 역양자화된 계수 블록을 역변환하여 잔차블록을 복원한다.복원블록 생성부(270)는 상기 예측블록 생성부(250)에 의해 생성된 예측블록과 상기 잔차블록 복호화부(260)에 의하여 생성된 잔차블록을 더하여 복원블록을 생성한다.이하, 상기 도 3를 참조하여, 현재 블록을 인트라 예측을 통해 복원하는 과정을 설명한다.먼저, 수신된 비트스트림으로부터 현재 블록의 인트라 예측 모드를 복호한다. 이를 위해, 엔트로피 복호화부(210)는 복수개의 인트라 예측 모드 테이블 중 하나를 참조하여 현재 블록의 제1 인트라 예측 모드 인덱스를 복원한다.상기 복수개의 인트라 예측 모드 테이블은 부호기와 복호기가 공유하는 테이블로서, 현재 블록에 인접한 복수개의 블록들의 인트라 예측 모드의 분포에 따라 선택된 어느 하나의 테이블이 적용될 수 있다.일예로써, 현재 블록의 좌측 블록의 인트라 예측 모드와 현재 블록의 상측 블록의 인트라 예측 모드가 동일하면 제1 인트라 예측 모드 테이블을 적용하여 현재 블록의 제 1 인트라 예측 모드 인덱스를 복원하고, 동일하지 않으면 제2 인트라 예측 모드 테이블을 적용하여 현재 블록의 제 1 인트라 예측 모드 인덱스를 복원할 수 있다.또 다른 예로써, 현재 블록의 상측 블록과 좌측 블록의 인트라 예측 모드가 모두 방향성 예측 모드(directional intra prediction mode)일 경우에는, 상기 상측 블록의 인트라 예측 모드의 방향과 상기 좌측 블록의 인트라 예측 모드의 방향이 소정 각도 이내이면, 제 1 인트라 예측 모드 테이블을 적용하여 현재 블록의 제 1 인트라 예측 모드 인덱스를 복원하고, 소정 각도를 벗어나면 제2 인트라 예측 모드 테이블을 적용하여 현재 블록의 제 1 인트라 예측 모드 인덱스를 복원할 수도 있다.엔트로피 복호화부(210)는 복원된 현재 블록의 제1 인트라 예측 모드 인덱스를 인트라 예측부(230)로 전송한다.상기 제1 인트라 예측 모드를 인덱스를 수신한 인트라 예측부(230)는 상기 상기 인덱스가 최소값을 가질 경우(즉, 0)에는 현재 블록의 최대가능모드를 현재 블록의 인트라 예측 모드로 결정한다.그러나, 상기 인덱스가 0 이외의 값을 가질 경우에는 현재 블록의 최대가능모드가 나타내는 인덱스와 상기 제1 인트라 예측 모드 인덱스를 비교한다. 비교 결과, 상기 제1 인트라 예측 모드 인덱스가 상기 현재 블록의 최대가능모드가 나타내는 인덱스보다 작지 않으면, 상기 제 1 인트라 예측 모드 인덱스에 1을 더한 제2 인트라 예측 모드 인덱스에 대응하는 인트라 예측 모드를 현재 블록의 인트라 예측 모드로 결정하고, 그렇지 않으면 상기 제 1 인트라 예측 모드 인덱스에 대응하는 인트라 예측 모드를 현재 블록의 인트라 예측 모드를 결정한다.현재 블록에 허용 가능한 인트라 예측 모드는 적어도 하나 이상의 비방향성 모드(non-directional mode)와 복수 개의 방향성 모드들(directional modes)로 구성될 수 있다.하나 이상의 비방향성 모드는 DC 모드 및/또는 플래너(planar) 모드일수 있다. 또한, DC 모드와 플래너 모드 중 어느 하나가 적응적으로 상기 허용 가능한 인트라 예측 모드 셋에 포함될 수 있다.이를 위해, 픽쳐 헤더 또는 슬라이스 헤더에 상기 허용 가능한 인트라 예측 모드 셋에 포함되는 비방향성 모드를 특정하는 정보가 포함될 수 있다.다음으로, 인트라 예측부(230)는 인트라 예측 블록을 생성하기 위해, 참조 화소들을 픽쳐 저장부(260)로터 읽어들이고, 이용 가능하지 않은 참조 화소가 존재하는지 여부를 판단한다.상기 판단은 현재 블록의 복호된 인트라 예측 모드를 적용하여 인트라 예측 블록을 생성하는데 이용되는 참조 화소들의 존재 여부에 따라 행해질 수도 있다.다음으로, 인트라 예측부(230)는 참조 화소를 생성할 필요가 있을 경우에는 미리 복원된 이용 가능한 참조 화소들을 이용하여 이용 가능하지 않은 위치의 참조화소들을 생성한다.이용 가능하지 않은 참조 화소에 대한 정의 및 참조 화소의 생성 방법은 도 1에 따른 인트라 예측부(150)에서의 동작과 동일하다. 다만, 현재 블록의 복호된 인트라 예측 모드에 따라 인트라 예측 블록을 생성하는데 이용되는 참조 화소만들을 선택적으로 복원할 수도 있다.다음으로, 인트라 예측부(230)는 예측 블록을 생성하기 위하여, 참조 화소들에 필터를 적용할지 여부를 판단한다. 즉, 인트라 예측부(230)는 현재 블록의 인트라 예측 블록을 생성하기 위하여 참조 화소들에 대해 필터링을 적용할지 여부를 상기 복호된 인트라 예측 모드 및 현재 예측 블록의 크기에 기초하여 결정한다.블록킹 아티펙트의 문제는 블록의 크기가 커질수록 커지므로, 블록의 크기가 커질수록 참조화소를 필터링하는 예측모드의 수를 증가시킬 수 있다. 그러나, 블록이 소정 크기보다 커지는 경우에는 평탄한 영역으로 볼 수 있으므로 복잡도 감소를 위해 참조화소를 필터링하지 않을 수 있다.상기 참조 화소에 필터 적용이 필요하다고 판단된 경우에는 필터를 이용하여 상기 참조 화소들을 필터링한다.상기한 참조 화소들 간의 단차의 차이 정도에 따라 적어도 2개 이상의 필터를 적응적으로 적용할 수도 있다. 상기 필터의 필터계수는 대칭적인 것이 바람직하다.또한, 상기한 2개 이상의 필터가 현재 블록의 크기에 따라 적응적으로 적용될 수도 있다. 즉, 필터를 적용할 경우, 크기가 작은 블록에 대해서는 대역폭이 좁은 필터를, 크기가 큰 블록들에 대해서는 대역폭이 넓은 필터를 적용할 수도 있다.DC 모드의 경우에는 참조 화소들의 평균값으로 예측 블록이 생성되므로, 필터를 적용할 필요가 없다. 즉, 필터를 적용할 경우 불필요한 연산량만이 많아지게 된다.또한, 영상이 수직 방향으로 연관성(correlation)이 있는 수직 모드에서는 참조화소에 필터를 적용할 필요가 없다. 영상이 수평 방향으로 연관성이 있는 수평 모드에서도 참조화소에 필터를 적용할 필요가 없다.이와 같이, 필터링의 적용 여부는 현재 블록의 인트라 예측 모드와도 연관성이 있으므로, 현재 블록의 인트라 예측 모드 및 예측 블록의 크기에 기초하여 참조화소를 적응적으로 필터링할 수 있다.다음으로, 상기 복원된 인트라 예측 모드에 따라, 상기 참조 화소 또는 상기 필터링된 참조 화소들을 이용하여 예측 블록을 생성한다. 상기 예측 블록의 생성은 부호기에서의 동작과 동일하므로 생략한다. 플래너 모드의 경우에도 부호기에서의 동작과 동일하므로 생략한다.다음으로, 상기 생성된 예측 블록을 필터링할지 여부를 판단한다. 상기 필터링 여부의 판단은 슬라이스 헤더 또는 부호화 유닛 헤더에 포함된 정보를 이용할 수 있다. 또한, 현재 블록의 인트라 예측 모드에 따라 결정될 수도 있다.상기 생성된 예측 블록을 필터링할 것으로 판단할 경우, 생성된 예측 블록을 필터링한다. 구체적으로, 현재 블록에 인접한 이용 가능한 참조 화소들을 이용하여 생성된 예측 블록의 특정 위치의 화소를 필터링하여 새로운 화소를 생성한다.이는 예측 블록 생성시에 함께 적용될 수도 있다. 예를 들어, DC 모드에서는 예측 화소들 중 참조화소들과 접하는 예측 화소는 상기 예측 화소와 접하는 참조화소를 이용하여 필터링한다.따라서, 예측 화소의 위치에 따라 1개 또는 2개의 참조화소를 이용하여 예측 화소를 필터링한다. DC 모드에서의 예측화소의 필터링은 모든 크기의 예측 블록에 적용할 수 있다. 수직 모드에서는 예측 블록의 예측 화소들 중 좌측 참조 화소와 접하는 예측화소들은 상기 예측블록을 생성하는데 이용되는 상측화소 이외의 참조화소들을 이용하여 변경될 수 있다.마찬가지로, 수평 모드에서는 생성된 예측 화소들 중 상측 참조화소와 접하는 예측화소들은 상기 예측블록을 생성하는데 이용되는 좌측화소 이외의 참조화소들을 이용하여 변경될 수 있다.이와 같은 방식으로 복원된 현재 블록의 예측 블록과 복호화한 현재 블록의 잔차 블록을 이용하여 현재 블록이 복원된다.본 발명의 일실시예에 따른 동영상 비트스트림은 하나의 픽처에서의 부호화된 데이터를 저장하는데 사용되는 단위로서, PS(parameter sets)와 슬라이스 데이터를 포함할 수 있다.PS(parameter sets)는, 각 픽처의 헤드에 상당하는 데이터인 픽처 파라미터 세트(이하 간단히 PPS라 한다)와 시퀀스 파라미터 세트(이하 간단히 SPS라 한다)로 분할된다. 상기 PPS와 SPS는 각 부호화를 초기화하는데 필요한 초기화 정보를 포함할 수 있다.SPS는 램덤 액세스 유닛(RAU)으로 부호화된 모든 픽처를 복호화하기 위한 공통 참조 정보로서, 프로파일, 참조용으로 사용 가능한 픽처의 최대 수 및 픽처 크기 등을 포함하며, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 구성될 수 있다.PPS는, 랜덤 액세스 유닛(RAU)으로 부호화된 각 픽처에 대해, 픽처를 복호화하기 위한 참조 정보로서 가변 길이 부호화 방법의 종류, 양자화 단계의 초기값 및 다수의 참조 픽처들을 포함하며, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이 구성될 수 있다.한편, 슬라이스 헤더(SH)는 슬라이스 단위의 코딩시 해당 슬라이스에 대한 정보를 포함하며, 도 10 내지 도 12에 도시된 바와 같이 구성될 수 있다.이하 상기한 바와 같은 동영상 부호화 및 복호화 처리를 복수의 처리 유닛들을 이용하여 처리하는 구성에 대해 상세히 설명하기로 한다.본 발명의 일 실시 예에 따르면, 동영상을 처리하는 장치는, 호스트와 통신하며, 상기 호스트로부터 입력되는 동영상 데이터로부터 파라미터 정보 또는 슬라이스 헤더 정보를 파싱하는 영상 중앙 처리 유닛 및 상기 영상 중앙 처리 유닛의 제어를 받아 상기 파싱된 정보에 따라 동영상을 처리하는 복수의 영상 처리부들을 포함하고, 상기 복수의 영상 처리부들은 각각 상기 영상 중앙 처리 유닛과 통신하여 상기 동영상 데이터에 대해 엔트로피 코딩을 수행하는 제1 처리 유닛 및 상기 엔트로피 코딩이 수행된 동영상 데이터를 부호화 단위로 처리하는 제2 처리 유닛을 포함할 수 있다.여기서 상기 파라미터 정보는, VPS(Video Parameter Set), SPS(Sequence Parameter Set), PPS(Picture Parameter Set) 정보를 포함할 수 있다.또한, 상기 제1 처리 유닛은, 부호화 단위(Coding Tree Unit), 코딩 단위(Coding Unit), 예측 단위(Prediction Unit), 변환 단위(Transform Unit) 파라미터 정보를 도출하여 상기 제2 처리 유닛에 전송할 수 있다.그리고, 상기 제2 처리 유닛은, 상기 엔트로피 코딩이 수행된 동영상 데이터를 부호화 단위로, TQ(Transform/Quantization), Intra-prediction, Inter-prediction, LF(Loop Filtering), Memory compression 중 적어도 하나를 처리할 수 있다.여기서, 동영상을 처리하는 장치는 후술할 VPU(300)를, 영상 중앙 처리 유닛은 후술할 V-CPU(310)를, 영상 처리부는 후술할 V-CORE(320)를 지칭할 수 있다. 또한, 제1 영상 처리부는 후술할 BPU(321), 제2 영상 처리부는 후술할 VCE(322)를 지칭할 수 있다.그리고, 상기 영상 중앙 처리 유닛은, 상기 호스트와 픽쳐 단위로 통신하고,병렬 처리가 수행되는 경우, 상기 제1 처리 유닛과 CTU 단위에 기반한 래스터 스캔(Raster scan) 순서로 통신할 수 있다. 예를 들어, 영상 중앙 처리 유닛(V-CPU, 310)은 CTU row 단위로 각 제1 처리 유닛과 통신할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따르면, 동영상을 처리하는 장치는, 호스트로부터 입력되는 동영상 데이터를 프리 스캔하여, 프리 스캔 세그먼트 단위로 프리 스캔 정보를 생성하는 프리 스캔(PRESCAN) 컨트롤러(400)을 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 프리 스캔 모듈(400)는 프리 스캔을 통해 동영상 데이터의 비스트스림을 CTU 위치에 따라 프리 스캔 세그먼트 단위로 분할할 수 있다. 또한 프리 스캔 모듈(400)는 비트스트림 파싱 및 간소화된 엔트로피 디코딩(예를 들어 프리 스캔 정보만을 추출하는 CABAC 프로세싱)을 수행하여 분할된 위치에 대응하는 프리 스캔 정보를 생성 및 저장할 수 있다.프리 스캔 모듈(400)에 의해 저장되는 프리 스캔 정보는 프리 스캔 세그먼트 단위로 분할된 위치에 대응될 수 있으며, CABAC 엔진 정보, 컨텍스트 정보, 비트스트림 오프셋 정보, CTU 포지션 정보, Qp 정보 및 추가 정보 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 추가 정보는 예를 들어, 에러 정보 또는 에러 커맨드 정보 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.또한, 프리 스캔 세그먼트 단위는 타일 또는 슬라이스를 CTU row 단위로 처리하기 위해 분할되는 단위를 의미할 수 있다. 따라서, 프리 스캔 세그먼트 단위는 각 타일/슬라이스가 시작되는 위치, 타일/슬라이스간 경계 위치 또는 각 CTU의 row에서의 1st CTU와 타일의 경계 위치에 따라 결정될 수 있다. 프리 스캔 세그먼트 단위에 대응되는 분할 위치에 대한 정보는 CTU 포지션 정보 및 비스스트림 오프셋 정보에 의해 나타내어질 수 있다.프리 스캔 모듈(400)는 이와 같은 프리 스캔 세그먼트 단위의 분할 기능을 제공함으로써, V-CPU(310)가 타일/슬라이스 단위에 의존하지 않고, 단순히 래스터 스캔 순서로 태스크들을 생성 및 정렬할 수 있게 된다. 또한, 각 V-Core(320)는 V-CPU(310)에서 CTU row 단위로 태스크들이 할당되더라도 미리 저장된 프리 스캔 정보에 기초하여 끊김없는(SEAMLESS) 디코딩을 수행할 수 있다. 또한, 각 복수의 처리 유닛간 처리량의 타일/슬라이스 크기 차이에 따른 불균형을 제거할 수 있고, 불균형에 의한 대역폭 효율 감소를 억제할 수 있다.한편, V-CPU(310)는 이와 같은 프리 스캔 모듈(400)의 동작과 V-Core(320)간 동기화를 제어하여, 프레임 또는 픽처 레벨에서의 동작 타이밍 조절 및 출력을 제어할 수 있다. 그리고, V-CPU(310)는 프리 스캔 모듈(400)의 동작 시간을 고려하여, 픽처 복호화 시작 타임과 픽처 복호화 완료 타임을 비동기(asynchrouous)적으로 제어 처리할 수 있다. 비동기적 제어 방법으로, 제1 픽처의 복호화 시작 시간과 제1 픽처의 복호화 완료 시간 중간에 다음 픽처인 제2 픽처의 복호화 시작 시간을 할당하는 방법이 예시될 수 있다. 이 경우, 각 V-Core에 태스크를 추가하는 오버헤드가 hiding 될 수 있으므로 처리 성능을 향상시킬 수 있다.비동기적 제어 방법으로서, 제1 픽처의 복호화 시작 시간과 제1 픽처의 복호화 완료 시간 중간에 다음 픽처인 제2 픽처의 복호화 시작 시간을 할당하는 방법이 예시될 수 있다. 이 경우, 각 V-Core에 태스크를 추가하는 오버헤드가 hiding 될 수 있으므로 처리 성능을 향상시킬 수 있다.또한, 다른 비동기적 제어 방법으로서, 제1 픽처에 대한 프리 스캔 시간과 태스크 할당(리오더링)시간이 중첩되도록 제어하는 방법이 예시될 수 있다. 이 경우, V-CPU(310)는 CTU에서 1 개의 row가 프리 스캔 처리되면 그 row에 대응되는 태스크를 즉시 할당하여 각 V-Core(320)가 디코딩을 수행하도록 제어할 수 있다. 이 경우 레이턴시(latency)를 낮출 수 있어 네트워크 디스플레이 등에서 유용하게 사용될 수 있다. 특히, 처리할 픽처가 타일을 포함하고 그 타일들이 Column으로 분리된 경우, 일반적 디코딩의 레이턴시는 매우 높게 나타날 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시 예에 따르면, 프리 스캔이 디코딩에 비하여 상대적으로 빠르게 이루어지기 때문에 전체적인 레이턴시가 감소되는 효과를 얻을 수 있다.또한, 또 다른 비동기적 제어 방법으로서, 제1 픽처에 대한 프리 스캔 및 태스크 할당 이후, 각 V-Core(320)의 디코딩 시간을 다음 제2 픽처의 복호화 시작 시간과 중첩시키는 방법이 예시될 수 있다. 예를 들어, V-CPU(310)는 제1 픽처의 복호화 완료 시간 이전에 제2 픽처의 복호화 시작 시간(프리 스캔 시작 시간과 동일할 수 있음)이 할당되도록 제어할 수 있다. 이 경우, V-CPU(310)는 퍼포먼스 손실을 방지하기 위해 인스턴스의 변경을 제한할 수 있다. 예를 들어, V-CPU(310)는 제1 픽처의 복호화 완료(pindone)가 발생되고, 그 다음 픽처인 제2 픽처의 복호화 시작(pinrun)이 실행되기 전 까지만 인스턴스 변경이 허용되도록 제어할수 있다.한편, 여기서, 동영상 처리 장치는 동영상 부호화 장치 및 동영상 복호화 장치를 모두 포함할 수 있다. 동영상 복호화 장치와 동영상 부호화 장치는, 도 1 내지 4에서 상술한 바와 같이, 서로 역과정을 수행하는 장치로 구현될 수 있는 바, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 동영상 복호화 장치의 경우를 예로 설명하기로 한다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 동영상 처리 장치는, 후술할 동영상 복호화 장치의 역과정을 수행하는 동영상 부호화 장치로 구현될 수도 있다. 도 13은 본 발명의 본 발명의 일 실시 예에 따른 동영상 복호화 장치의 계층 구조(layer structure)를 나타내는 도면이다. 도 13을 참조하면, 동영상 복호화 장치는 동영상 복호화 기능을 수행하는 영상 처리 유닛(VPU, Video Processing Unit)(300)를 포함할 수 있고, VPU(300)는 영상 중앙 처리 유닛(V-CPU, 310) BPU(321), VCE(322)을 포함할 수 있다. 여기서 BPU(321), VCE(322)는 결합하여 V-Core(320)를 형성할 수 있다. 또한, VPU(300)는 후술할 프리 스캔 모듈(400)를 더 포함할 수 있다.여기서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 VPU(300)는, 바람직하게는, 한 개의 V-CPU(310) 및 복수의 V-Core(320)(이하, Multi V-Core)를 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, VPU(300)의 구현 형태에 따라서 그 개수는 다양할 수 있다.V-CPU(310)는 VPU(300)의 전반적인 동작을 제어한다. 특히 V-CPU(310)는 수신된 동영상 비트스트림에서 VPS(Video Parameter Set), SPS, PPS, SH를 파싱할 수 있다. 그리고, V-CPU(310)는 파싱된 정보를 기초로 VPU(300)의 전반적인 동작을 제어할 수 있다.일 예로, V-CPU(310)는 동영상 비트스트림을 프리 스캔 모듈(400)로 전송하여 상술한 프리 스캔 정보가 저장되도록 제어할 수 있다. 또한, V-CPU(310)는 파싱된 정보를 기초로 V-CORE(320)각각이 처리할 태스크를 생성할 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따른 WPP(Wavefront Pararlle Processing) 또는 가상 WPP가 적용되는 경우, 각 태스크는 동영상 비트스트림의 CTU row 단위 데이터에 대응될 수 있다.또한, V-CPU(310)는 파싱된 정보를 기초로 데이터 병렬 처리에 사용할 V-core(320)의 개수를 판단할 수 있다. 그리고, 판단 결과, 데이터 병렬 처리에 복수의 V-core(320)가 필요하다고 판단되면, V-CPU(310)는 Multi V-core(320) 중 각각의 V-core(320)가 처리할 영역을 결정할 수 있다.또한, V-CPU(310)는 태스크를 통해 각각의 V-core(320)에 할당할 영역에 대한 비트스트림의 시작위치(entry points)를 결정할 수 있다.또한, V-CPU(310)는 Multi V-core(320)를 이용한 복호화에 따라 발생된 한 픽쳐 내의 경계 영역을 Multi V-core(320)에 할당할 수 있다.여기서 V-CPU(310)는 API(Application Programing Interface)와 픽쳐 단위로 통신하며, V-Core(320)와 CTU row 단위로 통신할 수 있다. 그리고, V-CPU(310)는 슬라이스/타일 단위로도 통신할 수 있다.V-Core(320)는 V-CPU(310)의 제어하에 복화화 처리, 경계 처리를 수행한다. 일 예로, V-Core(320)는 V-CPU(310)의 제어하에 할당된 영역을 복호화 처리할 수 있다. 또한, V-Core(320)는 V-CPU(310)의 제어하에 할당된 경계 영역에 대한 경계 처리(boundary processing)할 수 있다.여기서 V-Core(320)는 BPU(321) 및 VCE(322)를 포함할 수 있다.BPU(321)는 할당된 영역(CTU row 단위, 슬라이스 또는 타일)의 데이터를 엔트로피 디코딩한다. 즉, BPU(321)는 상술한 엔트로피복호화부(210)의 기능을 일부 수행할 수 있고, 또 한, BPU(321)는 CTU(Coding Tree Unit)/CU(Coding Unit)/PU(Prediction Unit)/TU(Transform Unit) 레벨 파라미터를 도출할 수 있다. 그리고, VCE(322)를 제어할 수 있다. 여기서 BPU(321)는 V-CPU(310)와 CTU row 단위, 슬라이스 또는 타일 단위로 통신하고, CTU 단위로 VCE(322)와 통신할 수 있다. VCE(322)는 BPU(321)의 도출된 파라미터를 제공받아, TQ(Transform/Quantization), Intra-prediction, Inter-prediction, LF(Loop Filtering), Memory compression을 수행할 수 있다. 즉, VCE(322)는 상술한 역양자화/역변화부(220), 디블록킹 필터(250), 인트라 예측부(230), 움직임 보상 예측부(240)의 기능을 수행할 수 있다. 여기서 VCE(322)는 할당된 영역에 대해서 CTU-based pipelining으로 데이터 처리할 수 있다.보다 구체적으로, V-CPU(310)는 Host Processor와 인터페이스 동작을 수행할 수 있다. 또한, V-CPU(310)는 수신된 동영상 비트 스트림에서 VPS(Video Parameter Set)/SPS(Sequence Parameter Set)/PPS(Picture Parameter Set)/SH(Slice Header)를 파싱할 수 있다.그리고, V-CPU(310)는 수신된 동영상 비트 스트림을 프리 스캔 모듈(400)로 전달하여 프리 스캔 정보가 별도 메모리에 저장되도록 제어할 수 있다.그리고, V-CPU(310)는 파싱된 정보를 이용하여 V-Core(320)에서 복호화에 필요한 정보를 전달할 수 있다. 여기서 필요한 정보는, 'Picture parameter data structure' 및 'Slice control data structure'를 포함할 수 있다.'Picture parameter data structure'는 다음과 같은 정보들을 포함할 수 있다. 일 예로, Sequence/picture header에 포함된 정보들(예: picture size, scaling list, CTU, min/max CU size, min/max TU size 등), Frame decoding 시 필요한 buffer들의 위치(주소) 등을 포함할 수 있다. 이러한, Picture parameter data structure는 한 개의 픽쳐를 복호화하는 동안 1회 설정될 수 있다. Slice control data structure는 다음과 같은 정보들을 포함할 수 있다. 일 예로, Slice header에 포함된 정보들(예: slice type, slice/tile 영역 정보, reference picture list, weighted prediction parameter등)을 포함할 수 있다. 이러한, Slice control data structure는 slice가 바뀔 때 설정될 수 있다. V-Core(320)의 inter-processor communication registers 또는 slice parameter buffer at external memory는 N개의 slice control data structure를 저장할 수 있으며, full이 아닌 상태라면 현재 복호화 수행 중인 slice에 해당하는 data structure가 아니라도 미리 저장할 수 있다. 여기서 N은 단위 처리 시, V-Core(320)에서 V-CPU(310)로 처리 완료를 알리는 시점을 VCE(322)의 pipe가 완전히 flush된 이후로 할 거냐(N=1), 아니면 현재 처리 중인 segment와 다음segment간에 pipelining이 유지되도록(N 003e# 1) 할 것이냐에 따라 결정될 수 있다. 여기서 V-CPU(310)에서 V-Core(320)에 전달된 정보는, V-Core(320)의 inter-processor communication registers를 통해 전달될 수 있다. inter-processor communication registers는 고정크기의 register array(file)로 구현될 수 있고, 또는 external memory로 구현될 수 있다. 만약, external memory로 구현되는 경우, V-CPU(310)가 external memory에 저장하고, BPU(321)가 external memory에서 읽어가는 구조로 동작할 수 있다. 한편, V-Core(320)가 저장할 수 있는 slice control data structure의 개수가 1 (또는 any number)개 이어도 segment와 segment간 V-Core(320)가 장시간의 유휴(idle)상태에 있는 것을 방지하기 위해서 V-CPU(310)는 SH 복호화 및 parameter generation 등을 계속 수행할 수 있어야 한다.한편, 하나의 슬라이스에 여러 개의 타일이 포함되어 있고, multi V-Cores(320)에 의해 병렬 처리되는 경우, V-CPU(310)는 동일한 slice control data structure를 multi V-Core(320)에 전송할 수 있다.또한, V-CPU(310)는 V-Core(320)에서 exception 발생 시 이를 처리할 수 있다. 일 예로, V-CPU(310)에서 parameter set 복호화시 오류 검출 시, V-Core(320)의 BPU(321)에서 slice data 복호화 시 오류 검출 시, 프레임 복호화 중 지정된 복호화 시간을 초과하는 경우(예: VPU(300) 내부의 알 수 없는 오류 및 시스템 버스의 장애로 인해 V-CPU(310)의 peripheral 및 V-Core(320)가 stall되어 있는 경우) 이를 해결하기 위한 대응을 수행할 수 있다. 또한, V-CPU(310)는 VPU(300)의 프레임 복호화 완료시, API에 완료 보고를 할 수 있다.특히, V-CPU(310)는 Multi V-Cores(320)의 데이터 병렬 처리를 위하여 Multi V-Cores(320)의 동기화를 제어할 수 있다. 특히, V-CPU의 구성 및 동작에 의해 가상 WPP(Wavefront Pararell Processing) 처리가 가능하게 되며 이에 대하여는 후술하도록 한다.V-CPU(310)는 파싱된 정보를 기초로 데이터 병렬 처리에 사용할 V-core(320)의 개수를 판단할 수 있다. 그리고, 판단 결과, 데이터 병렬 처리에 복수의 V-core(320)가 필요하다고 판단되면, V-CPU(310)는 Multi V-core(320) 중 각각의 V-core(320)가 처리할 영역을 결정할 수 있다. 또한, V-CPU(310)는 각각의 V-core(320)에 할당할 영역에 대한 비트스트림의 시작위치(entry points)를 결정할 수 있다.또한, V-CPU(310)는 Multi V-core(320)를 이용한 복호화에 따라 발생된 한 픽쳐 내의 경계 영역을 Multi V-core(320)에 할당할 수 있다.한편, BPU(321)는 할당된 영역의 데이터를 엔트로피 디코딩할 수 있다. V-CPU(310)에 의하여 SH(Slice Header)가 디코딩되었고, picture parameter data structure와 slice control data structure에 의해 필요한 정보를 모두 받았으므로, BPU(321)에서는 SH를 디코딩하지 않을 수 있다.또한, BPU(321)는 CTU(Coding Tree Unit)/CU(Coding Unit)/PU(Prediction Unit)/TU(Transform Unit) 레벨 파라미터를 도출할 수 있다.또한, BPU(321)는 도출된 파라미터를 VCE(322)에 전송할 수 있다.여기서, 각 블록에 공통적으로 사용되는 정보들(picture size, segment offset/size,…)과 DMAC에 source/destination address 등을 제외한 복호화 처리에 필요한 CTU/CU/PU/TU parameters 및 coefficient, reference pixel data들은 BPU(321)와 VCE(322)가 FIFO를 통해 전달할 수 있다. 다만, segment level의 parameter들은 FIFO가 아닌 VCE(322)의 internal register에 세팅될 수 있다.또한, BPU(321)는 VCE(322)를 제어하는 VCE controller의 기능을 수행할 수 있다. VCE controller는 BPU(321)가 register 세팅으로 제어할 수 있는 picture_init, segment_init signal, software reset을 출력하며, VCE(322)의 각 서브블럭들은 이 signal들을 제어에 사용할 수 있다.BPU(321)가 VCE controller에 상기 언급된 picture/segment-level parameter들을 세팅한 후 segment run을 명령(by register setting)하게 되면, 설정된 segment의 디코딩을 완료할 때 까지는 BPU(321)와의 communication 없이 CU parameter FIFO의 fullness 와 각 섭블럭들의 상태 정보를 참조하여 디코딩 과정을 제어할 수 있다. 또한, BPU(321)에서는 exception 발생 시 이를 처리할 수 있고, 슬라이스/타일 세그먼트 처리 완료 시 V-CPU(310)에 보고할 수 있다. VCE(322)는 BPU(321)의 도출된 파라미터를 제공받아, TQ(Transform/Quantization), Intra-prediction, Inter-prediction, LF(Loop Filtering), Memory compression을 수행할 수 있다.여기서 VCE(322)는 할당된 영역에 대해서 CTU-based pipelining으로 데이터 처리할 수 있다.상술한, 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면, 헤더 파싱과 데이터 처리 프로세스를 분리하고, 분리된 데이터 처리 프로세스를 파이프라이닝시켜, Multi V-core에 대한 작업 분배 및 동기화등을 수행할 수 있는 V-CPU(310)를 제공할 수 있다.도 14는 본 발명의 일 실시 예에 따른 영상 중앙 처리 유닛(V-CPU, 310)의 WPP 동영상 복호화를 위한 V-Core의 동기화 제어를 나타내는 타이밍도이다.도 14를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 동영상 복호화 장치의 V-CPU(310)는 비트스트림으로부터 파싱되는 헤더 정보와 프리 스캔 모듈(400)에서 프리 스캔된 정보에 기초하여 병렬 처리를 위한 복수의 태스크들을 생성할 수 있다. 그리고, 각 V-Core(320)에 복수의 태스크들을 순차적으로 할당할 수 있다각 V-Core(320)는 상술한 BPU(321)와 VCE(322)의 동작을 통해 상기 파싱된 헤더 정보 및 프리 스캔 정보에 따라 복호화를 수행할 수 있다.도 14에 도시된 바와 같이, V-CPU(310)는 각각의 CTU를 row단위로 분할하여 1개~N개의 V-Core(320)들에 대한 복수의 태스크를 생성하고, 각각의 V-Core(320)들로 전달할 수 있다.보다 구체적으로 예를 들어, V-Core(320) #0은 V-CPU(310)에서 1st CTU row를 할당 받아 현재 처리 중인 CTB의 복호화 과정에서 생성되는 주변 데이터(Neighbor data)를 NB(Neighbor block) 버퍼로 전달할 수 있다. 이를 위해, BPU(321)와 VCE(322)는 각각 주변 블록 복호화에 필요한 정보를 현재 처리 중인 CTB로부터 생성하여 NB 버퍼로 전달할 수 있다.NB버퍼로의 데이터 전달이 완료된 경우, BPU(321) 또는 VCE(322)는 각각 해당 CTB의 위치 정보를 V-Core(320) #1로 전달할 수 있다.또한, V-Core(320) #1에서는 V-PU(310)에서 2nd CTU row를 할당 받아 CTB단위로 처리 할 수 있다. 특히, WPP를 위해, V-Core(320) #1은 V-Core(320) #0에서 기 처리된 CTB에 대한 복호화 데이터를 NB 버퍼로부터 수신할 수 있다.그리고, V-Core(320) #1은 V-Core(320) #0에서 수신된 CTB의 위치 정보와 NB 버퍼에 저장된 기 처리된 CTB의 복호화 정보에 기초하여 2nd CTU row를 CTB 단위로 복호화할 수 있다.마찬가지로, V-Core(320) #1은 현재 처리 중인 CTB의 복호화 과정에서 생성되는 주변 데이터(Neighbor data)를 NB(Neighbor block) 버퍼로 전달할 수 있다. NB버퍼로의 데이터 전달이 완료된 경우, V-Core(320) #1의 BPU(321) 또는 VCE(322)는 각각 해당 CTB의 위치 정보를 V-Core(320) #2로 전달할 수 있다.이와 같은 과정이 V-Core(320)개수에 따라 #N까지 순차적으로 진행되면서, 전체 CTU에 대한 복호화 과정이 WPP방식으로 병렬 처리되어 효율적으로 진행될 수 있다. 픽처에 대응되는 전체 CTU의 복호화가 완료되는 경우, V-CPU(310)는 복호화된 픽쳐의 영상 데이터를 API를 통해 호스트 프로세서로 출력할 수 있다.이와 같은 V-CPU(310)는 모든 비트 스트림에 대하여 WPP를 사용한 멀티 코어 병렬 디코딩을 수행할 수 있다. 이 경우, V-CPU(310)는 항상 비트 스트림에 대한 프리 스캔수행 이후 각 V-Core(320)의 디코딩이 수행되도록 제어할 수 있다. 또한, V-CPU(310)는 영상 비트스트림의 헤더를 파싱하여 프리 스캔의 수행 여부를 결정할 수 있다. 예를 들어, V-CPU(310)는 PPS에서 파싱된 특정 신택스 엘리먼트에 기초하여, WPP방식으로 인코딩됨을 알 수 있는 경우 프리 스캔 수행을 생략할 수 있다. 이 경우, V-CPU(310)는 비트스트림으로부터 기본적으로 파싱되는 파라미터 정보만 이용하더라도 WPP 방식으로 각 V-Core(320)에 대응되는 태스크를 생성할 수 있다.그리고, V-CPU(310)는 PPS에서 파싱된 신택스 엘리먼트에 기초하여 타일/슬라이스 단위를 이용한 인코딩이 수행된 것으로 판단된 경우, V-CPU(310)는 프리 스캔 모듈(400)를 제어하여 프리 스캔을 수행하고, 각 V-Core(320)는 프리 스캔 정보에 기반하여 WPP 디코딩을 수행할 수 있게 된다.이하에서는 이와 같은 V-CPU(310)의 제어에 따라 프리 스캔을 수행하기 위한 프리 스캔 모듈(400)에 대하여 보다 구체적으로 설명하도록 한다.도 15는 본 발명의 일 실시 예에 따른 프리 스캔 모듈(400)을 설명하기 위한 블록도이다.본 발명의 실시 예에 따른 프리 스캔 모듈(400)은 프리 스캔 컨트롤러(410), 저장부(420) 및 비트스트림 파싱부(430)를 포함할 수 있다.프리 스캔 컨트롤러(410)는 V-CPU(310)의 제어에 따라 프리 스캔 모듈(400)의 전반적인 제어를 수행한다. 프리 스캔 컨트롤러(410)는 영상 처리 단위로 비트스트림을 수신하고, 비트스트림 파싱부(430)를 통해 파싱되는 정보에 기초하여프리 스캔 정보를 생성하며, 생성된 프리 스캔 정보를 저장부(420)에 저장하는 동작을 수행할 수 있다. 프리 스캔 컨트롤러(410)로 수신되어 처리되는 영상 처리 단위는 픽처 또는 프레임 단위일 수 있다. 그리고, 비트스트림 파싱부(430)는 프레임 단위의 비트스트림을 수신하여 프리 스캔 정보를 구성하기 위한 기초 정보를 파싱할 수 있다. 프리 스캔 정보를 구성하기 위해, 비트스트림 파싱부(430)는 프리 스캔 대상 프레임에 대응되는 비트스트림의 헤더 정보를 추출하고, 헤더 정보로부터 프레임의 타일/슬라이스 정보를 파싱할 수 있다. 또한, 비트스트림 파싱부(430)는 비트스트림의 헤더로부터 프리 스캔 대상 프레임의 CTU 구조 정보를 획득할 수 있다.특히, 비트스트림 파싱부(430)는 CTU를 구성하는 전체 프레임 중 프리 스캔 컨트롤러(410)에서 지정하는 특정 블록에 대응되는 위치 정보, 엔트로피 코더의 엔진 정보, 컨텍스트 정보 및 Qp값 정보 중 적어도 하나를 파싱할 수 있다. 위치 정보는 특정 비트에 대응되는 오프셋 정보를 포함할 수 있다.이를 위해, 비트스트림 파싱부(430)는 적어도 하나의 엔트로피 디코더를 포함할 수 있다. 엔트로피 디코더는 도시되지는 않았으나, 예를 들어 프리 스캔용 CABAC 디코더를 포함할 수 있다.보다 구체적으로, 비트스트림 파싱부(430)의 프리 스캔용 CABAC 디코더는 CABAC 디코딩 프로세싱을 수행하되, 프리 스캔에 필요한 엔진 정보, 컨텍스트 정보 및 Qp정보 중 적어도 하나를 추출하는 동작을 수행할 수 있다. 프리 스캔용 CABAC 디코더는 V-Core(320)에서 영상을 복호화 하기 위해 포함되는 엔트로피 디코더(CABAC 프로세서)와는 상이할 수 있다.따라서, 비트스트림 파싱부(430)의 프리 스캔용 CABAC 디코더는 프리 스캔 정보의 추출 이외의 다른 동작들, 예를 들어 복호화를 위한 다른 프로세서와 연동하기 위해 디코딩되는 데이터(예를 들어, MVD 값 등)를 버퍼링하거나 전달하기 위한 동작 등은 수행하지 않을수 있다. 이에 따라 비트스트림 파싱부(430)의 프리 스캔을 위한 CABAC 엔트로피 디코딩 속도는 V-Core(320)의 영상 복호화를 위한 CABAC 엔트로피 디코딩 속도보다 충분히 빠를 수 있다.한편, 프리 스캔 컨트롤러(410)는 이와 같이 비트스트림 파싱부(430)에서 추출되는 기초 정보에 기반하여 프리 스캔 정보를 생성하고, 저장부(420)에 저장할 수 있다.저장되는 프리 스캔 정보는 V-Core(320)가 CTU row 단위의 영상 복호화를 연속적으로(SEAMLESS) 수행하기 위한 필수 정보를 포함할 수 있다. 특히, 특정 CTU row를 순차적으로 복호화하는 중 타일/슬라이스 경계가 발생하는 경우, 그 경계선의 우측 블록은 다른 타일/슬라이스에 해당하게 되어, 기존 방식으로의 복호화가 불가능하게 된다. 따라서, 프리 스캔 정보는 CTU에 포함된 타일/슬라이스의 경계 위치 정보(오프셋 정보), 경계에 대응되는 블록의 엔진 정보(CABAC 엔진 정보 등), 경계에 대응되는 블록의 컨텍스트 정보 및 경계에 대응되는 블록의 Qp값 정보 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 타일/슬라이스의 시작점에서는 엔진 초기화 정보만 있어도 복호화가 가능하며, 초기화하는 시간이 메모리 엑세스 시간보다 빠르므로, 컨텍스트 정보 등은 별도 저장하지 않을 수 있다. 이에 따라, CTU row가 타일/슬라이스의 시작 블록(start point)을 포함하는 경우 프리 스캔 정보는 그 시작 블록에 대응되는 위치 정보 및 엔진 초기화 정보만을 포함할 수 있다.한편, WPP를 위해 V-Core(320)는 CTU row 단위로 복호화 처리를 수행할 수 있어야 하므로, 프리 스캔 정보는 CTU row의 시작 블록에 대응되는 위치 정보, 경계에 대응되는 블록의 엔진 정보(CABAC 엔진 정보 등), 경계에 대응되는 블록의 컨텍스트 정보 및 경계에 대응되는 블록의 Qp값 정보 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 저장되는 정보는 CABAC engine status, probability context, bitstream offset, CTU position info, Qp 등이 예시될 수 있다.또한, 프리 스캔 정보는 추가 정보를 포함할 수 있다. 추가 정보는 예를 들어, 에러 정보 또는 에러 커맨드 정보를 포함할 수 있다. 이에 따라, V-CPU(310) 또는 V-Core(320)는 프리 스캔 정보에 기초하여 복호화시 에러가 발생할 지 여부를 미리 판단하고 그에 대응하는 처리를 미리 수행할 수 있다.또한, 프리 스캔 컨트롤러(410)는 프리 스캔 정보를 컨텍스트 인덱스에 의해 구분하여 중복되는 정보를 제거하고 효율적으로 저장부(420)에 저장할 수 있다. 예를 들어, 프리 스캔 컨트롤러(410)는 CTU를 타일/슬라이스의 경계 블록 및 CTU row의 시작 블록을 기준으로 분할되는 복수의 프리 스캔 세그먼트 블록으로 분할 하고, 각 프리 스캔 세그먼트 블록에 컨텍스트 인덱스를 할당할 수 있다. 그리고, 프리 스캔 컨트롤러(410)는 그 컨텍스트 인덱스와 그 프리 스캔 세그먼트 블록에 대응되는 CABAC 엔진 정보, 컨텍스트 정보, 오프셋 정보 및 Qp값 정보 등을 저장부(420)에 저장하여 효율적으로 관리할 수 있다. 여기서, 엔진 초기화 정보는 컨텍스트 인덱스 정보의 유무에 의해 묵시적으로 지시될 수도 있다.한편, 저장부(420)는 내부 버퍼 및 외부(external) 메모리를 포함할 수 있다. 내부 버퍼는 앞서 설명한 프리 스캔 세그먼트 블록에 대응되는 컨텍스트 정보를 임시 저장할 수 있다. 내부 버퍼는 프리 스캔 세그먼트 블록에 대응되는 컨텍스트 정보를 저장하기 위한 하나 이상의 버퍼를 포함할 수 잇다. 내부 버퍼에 일정 개수 이상의 프리 스캔 세그먼트 블록에 대응되는 컨텍스트 정보가 저장된 경우, 저장된 데이터는 DMA를 통해 외부 메모리로 전달될 수 있다. 또한, 저장부(420)는 V-CPU(310) 및 V-Core(320)와 통신하여 프리 스캔 정보를 송신할 수 있다. 프리 스캔 세그먼트 블록 데이터는 내부 버스를 통해 소프트웨어적으로 관리될 수 있다.한편, 프리 스캔 정보의 일부는 V-CPU(310)에서 태스크 스케쥴링을 위해 사용될 수 있으며, V-Core(320)에서 타일/슬라이스 경계 또는 CTU row의 영상 복호화를 위해 사용될 수 있다.이와 같은 프리 스캔 정보가 각 V-Core(320)로 제공됨으로써 V-Core(320)는 타일/슬라이스 경계에서의 복호화를 끊김없이 수행할 수 있게 된다. 이에 따라, 각 V-Core(320)가 CTU row 단위로 디코딩을 수행할 수 있게 된다.또한, V-CPU(310)는 프리 스캔 정보를 기반으로 간단히 래스터(raster) 스캔 순서의 CTU row단위 태스크를 생성할 수 있으며, CTU row단위 태스크를 순차적으로 V-Core에 할당할 수 있다. 따라서, 태스크 생성 및 정렬 시간이 감소되게 하며, 타일/슬라이스 크기 영향을 고려하지 않게 되어 V-Core의 개수 및 순서 할당에 대한 오버헤드를 줄일 수 있다.또한, CTU row 단위만으로 각각의 V-Core(320)가 데이터를 처리할 수 있어 V-CPU(310)와 V-Core(320)간, V-CPU(310)와 호스트 프로세서간 입출력 레이턴시를 줄일 수 있을 뿐만 아니라, V-Core(320)는 영상 비트스트림을 타일/슬라이스 구조가 존재하지 않는 WPP 스트림으로 인식할 수 있어 불필요한 작업들이 추가적으로 제거되므로 효율적인 WPP가 수행될 수 있다.도 16은 본 발명의 일 실시 예에 따른 프리 스캔 모듈에 따라 프리 스캔되는 정보를 보다 구체적으로 설명하기 위한 블록도이다.도 16을 참조하면, 앞서 설명한 바와 같이, 프리 스캔 모듈(400)은 CTU를 구성하는 블록 중 특정 위치에 대응하여 프리 스캔 정보를 저장할 수 있다. 프리 스캔 정보의 저장은 전체 엔진 및 컨텍스트 정보의 저장을 의미할 수 있으며, 또는 초기화 정보만의 저장을 의미할 수 도 있다.도 16에 도시된 바와 같이, 처리 효율을 위해, 프리 스캔 모듈(400)은 타일/슬라이스가 시작되는 경우, 시작점에 대응되는 초기화 정보(예를 들어, CABAC INIT 정보)만을 저장할 수 있다. 이 경우, 저장되는 정보는 시작점에 대응되는 비트스트림 내 위치 정보(CTU address 정보, NAL address 정보 또는 offset 정보) 및 프리 스캔 세그먼트에 대응되는 컨텍스트 인덱스일 수 있다.또한, 프리 스캔 모듈(400)은 타일/슬라이스의 경계 우측 블록에 대응되는 프리 스캔 정보를 저장할 있다. 이 경우, 프리 스캔 정보는 CABAC 엔진 정보, 컨텍스트 정보, Qp 정보 기타 다음 블록 복호화에 필요한 관련 정보를 모두 포함할 수 있다. 이 경우, 저장되는 정보는 타일/슬라이스의 경계 우측 블록의 비트스트림 내 위치 정보(CTU address 정보, NAL address 정보 또는 offset 정보)를 포함할 수 있다.이와 같은 프리 스캔 정보의 저장 형태는 다음과 같은 구조로 예시될 수 있다.typedef structuint16_t start_ctu_addr_x;uint16_t start_ctu_addr_y;uint16_t end_ctu_addr_x;uint16_t end_ctu_addr_y;uint32_t start_nal_addr;uint32_t end_nal_addr;uint8_t rbsp_offset;uint8_t reserved;int16_t context_idx; segment_t;특히, 본 구조에 따르면 프리 스캔 세그먼트의 end 블록이 업데이트되면서 context_idx도 함께 업데이트 될 수 있다. 이 때, 프리 스캔 세그먼트가 CTU row의 첫 번째 블록을 포함하고, 그 첫 번째 블록이 독립 슬라이스의 시작점(첫 CTB)이거나, 타일의 시작점(첫 CTB)에 대응되는 경우 context_idx는 유효하지 않은(invalid) 값을 가질 수 있다. 따라서, 위와 같은 본 발명의 실시 예에 따른 프리 스캔 정보 구조에 따르면, context_idx 는 (타일/슬라이스 내에서) row의 첫번째 CTB인 경우 valid한 값을 가지지 않을 수 있으며(invalid), 이에 따라 초기화 여부를 암시적으로 나타낼 수 있다. 본 실시 예에 따르면, 슬라이스 혹은 타일의 첫 번째 CTB는 비트 스트림의 정보만으로도 컨텍스트를 초기화 할 수 있으므로, 별도의 context backup을 하지 않고, backup된 context를 가르키는 context_idx를 invalid하게 처리함으로써 처리 효율을 향상시킬 수 있다.도 17은 본 발명의 일 실시 예에 따른 프리 스캔 모듈(400)의 동작을 전체적으로 설명하기 위한 흐름도이다.먼저 V-CPU(310)는 영상 비트스트림을 수신하여 헤더를 파싱하고(S101), 프리스캔이 필요한 비트스트림인지 판단한다(S103).앞서 설명한 바와 같이, V-CPU(310)는 파싱된 헤더에 기초하여 영상 비트스트림이 WPP 방식으로 기 인코딩되었는지를 판단할 수 있다. V-CPU(310)는 예를 들어, PPS로부터 타일/슬라이스 존재 여부 플래그를 파싱하여 WPP 방식으로 인코딩된 비트스트림인지 여부를 판별할 수 있다.프리스캔이 필요하지 않은 경우, V-CPU(310)는 V-Core(320)와 연동하여 기존 방식으로의 디코딩을 수행한다(S115).한편, 프리 스캔이 필요한 경우, 프리 스캔 모듈(400)은 V-CPU(310)의 제어에 의해 영상 비트스트림을 수신하고(S105), 프리 스캔을 위한 비트스트림을 파싱한다(S107). 프리 스캔 컨트롤러(410)는 앞서 설명한 바와 같이, 비트스트림 파싱부(430)를 제어하여 프리 스캔을 위한 기초 정보를 파싱할 수 있다. 프리 스캔 모듈(400)은 일부 간소화된 CABAC 프로세싱을 통해 프리 스캔을 위한 CTU 구조 정보 , CABAC 엔진 정보, 컨텍스트 정보 등을 파싱할 수 있다.이후, 프리 스캔 모듈(400)은 프리 스캔 정보를 저장할 블록에 대응하여 프리 스캔 정보를 생성하고(S111), 저장부(420)에 저장한다(S113).앞서 설명한 바와 같이, 프리 스캔 정보는 CTU row의 첫 번째 블록, 타일/슬라이스 경계의 우측 블록 등에 대응되어 저장될 수 있다. 저장되는 프리 스캔 정보는 경우에 따라 블록의 위치 정보, 엔진 초기화 정보, 엔진 정보, 컨텍스트 정보, Qp 정보 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.도 18 내지 도 21은 본 발명의 실시 예에 따른 프리 스캔 모듈의 동작에 의해 생성되는 프리 스캔 정보를 예시하기 위한 도면들이다.앞서 설명한 프리 스캔 정보의 구조에 기반하여, 프리 스캔 모듈(400)에서는 CTU를 context_idx로 지정되는 각각의 프리 스캔 세그먼트로 구분하고, 각 프리 스캔 세그먼트에 대한 프리 스캔 정보를 저장할 수 있다. 프리 스캔 세그먼트는 슬라이스/타일 경계 및 CTU row의 경계에 의해 분할된 블록 집합을 의미할 수 있다.특히, 저장부(420)의 내부 버퍼 용량은 제한이 있으므로 저장된 프리 스캔 세그먼트가 특정 개수 이상이 되는 경우, 프리 스캔 모듈(400)은 버퍼에 저장된 정보를 dma 동작을 통해 외부 메모리로 전달할 수 있다.또한, 프리 스캔 모듈(400)은 프리 스캔이 종료되면 V-CPU(310)로 프리 스캔 종료 메시지와 함께, 프리 스캔 세그먼트 개수 등을 출력할 수 있다.먼저 도 18에서는 프리 스캔 대상인 프레임의 CTU가 3개의 슬라이스로 이루어진 경우를 설명하고 있다. 첫 번째 슬라이스는 Slice Segment #0에 대응되며, 두 번째 슬라이스는 Slice Segment #1에 대응되고, 세 번째 슬라이스는 Slice Segment #2에 대응될 수 있다. 본 실시 예에서는 CTU 블록들이 슬라이스로만으로 구성된 것을 예시하고 있으나, 타일 또는 타일/슬라이스로 구성된 경우에도 동일 또는 유사한 동작이 적용되는 것은 당업자에게 자명할 것이다.도 19에서는 Slice Segment #0의 프리 스캔 정보를 추출하여 저장하는 과정을 나타낸다. 도 19에 도시된 바와 같이, 먼저 프리 스캔 모듈(400)은 Slice Segment #0의 시작 블록에 대응되는 위치 정보와 엔진 초기화 정보를 저장하고, 마지막 블록에 대응되는 위치 정보를 프리 스캔 세그먼트(Prescan Segment) #0에 대응하여 저장할 수 있다.그 다음으로, 도 20에서는 Slice Segment #1의 프리 스캔 정보를 추출하여 저장하는 과정을 나타낸다. 도 20에 도시된 바와 같이, 먼저 프리 스캔 모듈(400)은 Slice Segment #1의 슬라이스의 시작 블록에 대응되는 위치 정보와 엔진 초기화 정보를 저장하고, CTU row #0의 마지막 블록에 대응되는 위치 정보를 프리 스캔 세그먼트(Prescan Segment) #1에 대응하여 저장할 수 있다.다음으로, 프리 스캔 모듈(400)은 CTU row #1의 시작 블록에 대응되는 위치 정보 , 그 블록에 대응되는 엔진/컨텍스트/Qp 정보 및 CTU row #1의 마지막 블록에 대응되는 위치 정보를 프리 스캔 세그먼트(Prescan Segment) #2에 대응하여 저장할 수 있다.다음으로, 프리 스캔 모듈(400)은 CTU row #2의 시작 블록에 대응되는 위치 정보 및 그 블록에 대응되는 엔진/컨텍스트/Qp 정보 및 CTU row #2의 마지막 블록에 대응되는 위치 정보를 프리 스캔 세그먼트(Prescan Segment) #3에 대응하여 저장할 수 있다.이후 단계로서, 도 21에서는 Slice Segment #2의 프리 스캔 정보를 추출하여 저장하는 과정을 나타낸다.도 21에 도시된 바와 같이, 먼저 프리 스캔 모듈(400)은 Slice Segment #2의 시작 블록에 대응되는 위치 정보와 엔진 초기화 정보를 저장하고, CTU row #3의 마지막 블록에 대응되는 위치 정보를 프리 스캔 세그먼트(Prescan Segment) #4에 대응하여 저장할 수 있다.다음으로, 프리 스캔 모듈(400)은 CTU row #4의 시작 블록에 대응되는 위치 정보, 그 블록에 대응되는 엔진/컨텍스트/Qp 정보 및 CTU row #4의 마지막 블록에 대응되는 위치 정보를 프리 스캔 세그먼트(Prescan Segment) #5에 대응하여 저장할 수 있다.다음으로, 프리 스캔 모듈(400)은 CTU row #5의 시작 블록에 대응되는 위치 정보 및 그 블록에 대응되는 엔진/컨텍스트/Qp 정보 및 CTU row #5의 마지막 블록에 대응되는 위치 정보를 프리 스캔 세그먼트(Prescan Segment) #6에 대응하여 저장할 수 있다.다음으로, 프리 스캔 모듈(400)은 CTU row #6의 시작 블록에 대응되는 위치 정보 및 그 블록에 대응되는 엔진/컨텍스트/Qp 정보 및 CTU row #6의 마지막 블록에 대응되는 위치 정보를 프리 스캔 세그먼트(Prescan Segment) #7에 대응하여 저장할 수 있다.한편, 상기 과정의 중간에서, 프리 스캔 세그먼트가 소정 개수 이상인 경우, 프리 스캔 모듈(400)은 dma 동작을 통해 기 저장된 정보를 외부 메모리로 출력하고, 내부 버퍼를 비우는 동작을 수행할 수 있다.이와 같은 본 발명의 실시 예에 따르면, 프리 스캔 모듈(400)을 통해 프리 스캔 정보가 효율적으로 생성 및 처리될 수 있다. 또한, 복호화기(300)는 비트스트림의 타일/슬라이스 구조와 관계 없이 프리 스캔 세그먼트 단위로 분할된 프리 스캔 정보에 기반하여 CTU row 단위로 복호화를 수행할 수 있다. V-Core(320)와 같은 복수의 처리 유닛들은 타일/슬라이스 의존성 없는 WPP 병렬 처리를 끊김 없이 수행 할 수 있다. 프리 스캔 모듈(400)에서는 비트스트림을 파싱하여 V-CPU(310)가 효율적인 태스크 스케쥴링을 수행하고, 각 V-Core(320)들이 엔트로피 디코딩을 연속적으로 수행하기 위한 필수적이면서도 최소화된 정보를 추출 및 저장할 수 있다.이에 따라, 각 복수의 처리 유닛간 처리량의 불균형을 제거할 수 있고, 대역폭 효율 향상을 가져올 수 있다.상술한 본 발명에 따른 방법은 컴퓨터에서 실행되기 위한 프로그램으로 제작되어 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체에 저장될 수 있으며, 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체의 예로는 ROM, RAM, CD-ROM, 자기 테이프, 플로피디스크, 광 데이터 저장장치 등이 있으며, 또한 캐리어 웨이브(예를 들어 인터넷을 통한 전송)의 형태로 구현되는 것도 포함한다.컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템에 분산되어, 분산방식으로 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드가 저장되고 실행될 수 있다. 그리고, 상기 방법을 구현하기 위한 기능적인(function) 프로그램, 코드 및 코드 세그먼트들은 본 발명이 속하는 기술분야의 프로그래머들에 의해 용이하게 추론될 수 있다.또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형 실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해 되어서는 안될 것이다.
본 발명은 동영상을 처리하는 방법에 있어서, 영상 중앙 처리 유닛에서 호스트와 통신하며, 비트스트림을 수신하여 헤더 정보를 파싱하고, 병렬 처리를 위한 복수의 태스크들을 생성하는 단계; 상기 영상 중앙 처리 유닛에 제어에 따라 상기 호스트로부터 입력되는 동영상 비트스트림을 프리 스캔하여 프리 스캔 정보를 생성하는 단계; 및 복수의 영상 처리부에서 상기 영상 중앙 처리 유닛의 제어를 받아 상기 파싱된 헤더 정보 및 상기 프리 스캔 정보에 기초하여 상기 복수의 태스크들을 각각 처리하는 단계를 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 멀티-코어 동적 작업부하 관리MULTI-CORE DYNAMIC WORKLOAD MANAGEMENT [ 기술분야 ] 관련 출원의 교차 참조 [0001]본 출원은, 2013년 12월 20일에 출원된 미국 정규 출원 제14/137,914호를 우선권으로 주장하며, 상기 출원은 그 전체가 인용에 의해 본원에 포함된다.[0002]본 출원은 멀티-코어 프로세서를 위한 작업들의 동적 스케줄링에 관한 것이다. [ 배경기술 ] [0003]회로 밀도가 증가함에 따라, 컴퓨터 시스템 또는 다른 전자 시스템 중 전부 또는 대부분의 컴포넌트들이 시스템 온 칩(SOC)을 형성하기 위해서 하나의 칩에 통합될 수 있다. 회로 밀도에 있어의 진보는, SOC로 하여금 회로 모듈 또는 하드웨어 모듈의 다수의 인스턴스화(instantiation)들을 포함할 수 있게 한다. 예를 들어, 스마트 폰을 위한 SOC는 쿼드 코어 CPU(central processing unit), 4개의 하드웨어 스레드들을 갖는 DSP(digital sensing processor), 4개의 ALU(algorithm logic units)들을 포함하는 GPU(graphic processing unit), 복수의 WLAN(wireless local area network) 인터페이스들, 3개의 VPE(vector processing engine)들을 갖는 모뎀, 및 다수의 L2 캐시 온-칩 메모리들을 포함할 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "코어" 또는 "모듈"은 동일한 회로 구조의 이러한 다수의 인스턴스화들에 대하여 상호교환가능하게 사용된다. [0004]SOC는 통상적으로, 특정 작업에 대해 동일한 코어들의 그룹으로부터 특정 코어를 선택하는 운영 체제 또는 일부 다른 타입의 호스트 소프트웨어 애플리케이션으로 구성될 것이다. 이러한 선택을 가능하게 하기 위해서, 동일하거나 또는 실질적으로 동일한 코어들의 그룹으로부터의 각각의 코어는 통상적으로, 하드웨어 모듈의 식별(ID) 또는 주소로서 기능을 하는 시리얼 넘버 또는 문자와 연관될 것이다. 주소는 다이 상의 하드웨어 코어의 지리적 위치 또는 그의 제조 순서(또는 제조 파라미터들)에 기초할 수 있다. 어드레스를 이용하여, 운영 체제는 특정 작업을 위한 이러한 하드웨어 모듈들의 그룹으로부터 특정 하드웨어 모듈을 선택한다. 이상적으로, 동일한 하드웨어 모듈들은 동일한 특징과 성능을 나타내야 한다. 그러나 회로 밀도의 진보에 따라, CPU 코어들과 같은 동일한 모듈들이 그들의 성능 및 특성들에 있어서 상당한 변화를 보여주는 것이 일반적이다. 예를 들어, 코어들이 다이 상에 서로 바로 인접해 있더라도, 다이 그 자체는 동일한 회로들로 하여금 상이하게 거동하게 하는 반도체 프로세스 변화들을 갖는다. 또한, 다이는, 하드웨어 모듈들에 대한 상이한 위치들에서 온도 또는 전압의 변화들을 가질 수 있으며, 이는 그들의 성능에 또한 영향을 미칠 것이다. 그러나, 현재의 하드웨어 코어 선택 방식들은 이러한 개별 특징들을 고려하지 않는다. [0005]따라서, 성능을 증가시키고 전력 소모를 낮추도록 하드웨어 코어들을 지능적으로 선택하는 프로세서 아키텍처에 대한 본 기술의 요구가 존재한다. [ 발명의 개요 ] [0006]복수의 코어들에 대해 작업들을 스케줄링하는 동적 스케줄러가 제공된다. 동적 스케줄러 코어 전력 및 열 모델은 코어들의 고유 누설 전류들과 현재 온도들에 기초하여 각각의 코어에 대한 누설 전류 전력을 분석적으로 모델링하도록 구성되고 또한 현재 전압 및 각각의 코어에 대한 클럭 주파수에 기초하여 각각의 코어에 대해 동적 전력을 모델링하도록 구성된다. 동적 스케줄러는, 작업들을 스케줄링하기 위해 누설 전류 전력들 및 동적 전력들과 같이 코어들에 대한 동작 파라미터들을 이용하는 스케줄링 알고리즘을 구현한다.[0007]동적 스케줄러에 의해 구현되는 스케줄링 알고리즘은 또한, 각각의 코어에 대한 열적 그래디언트(또는 등가적으로는, 코어의 열 전도율)와 같은 매우 다양한 다른 동작 파라미터들을 사용할 수 있다. 다른 동작 파라미터들은 다이 상의 코어의 위치, 각각의 코어에 대한 최대 클럭킹 주파수, 및 각각의 코어에 대한 관련 전압 조절기 효율을 포함한다. 코어들에 대한 작업들의 동적 스케줄링과 관련하여 코어에 대한 이러한 동작 파라미터들 및 다른 동작 파라미터들의 유익한 사용이 아래에 추가로 설명될 것이다. [ 도면의 간단한 설명 ] [0008]도 1은 본 개시물의 일 실시예에 따른 동적 작업부하 스케줄러를 갖는 예시적인 멀티-코어 프로세서 시스템의 블록도이다. [0009]도 2는 유휴 사용-케이스뿐만 아니라 저-전력 사용-케이스에 대한 작업부하 요청의 동적 스케줄링에 대한 흐름도이다. [0010]도 3은 고-전력 사용-케이스에 대한 작업부하 요청의 동적 스케줄링을 위한 흐름도이다. [0011]도 4는 전압 조절기 효율들을 이들의 출력 전류의 함수로서 도시하는 그래프이다. [0012]도 5a는 프로세서 전력 소모를 복수의 코어들에 대한 프로세서 클럭킹 주파수의 함수로서 도시하는 그래프이다. [0013]도 5b는 프로세서 효율을 프로세서 동작 주파수의 함수로서 도시하는 그래프이다. [0014]도 6은 본 개시물의 실시예에 따른 일 예시적인 동적 스케줄링 알고리즘에 대한 흐름도이다. [0015]본 발명의 실시예들 및 이들의 이점들은, 다음의 상세한 설명을 참고함으로써 가장 잘 이해된다. 동일한 도면 부호들은 하나 이상의 도면들에 도시된 동일한 엘리먼트들을 식별하는 데 사용된다는 것을 인식해야 한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] [0016]복수의 하드웨어 코어들에 대한 작업들을 스케줄링하기 위한 동적 스케줄러를 포함하는 멀티-프로세서 시스템이 제공된다. 종래 기술의 스케줄러들과는 달리, 개시된 동적 스케줄러는, 하드웨어 코어들의 고유 동작 파라미터들 이외에 하드웨어 코어들에 대한 현재 동작 파라미터들을 고려하는 스케줄링 알고리즘을 구현한다. 본원에 사용된 바와 같이, "고유" 동작 파라미터들은 제조에 있어서 특징으로 하는 성능 파라미터들을 지칭한다. 이러한 파라미터들은 정적이다 - 다시 말해서, 이들은 하드웨어 코어들에 대한 현재 동작 파라미터들에 대해 의존하지 않는다. 예를 들어, 이러한 고유 파라미터들은, 온도 및 최대 동작 주파수(Fmax)의 함수로서 누설 전류를 포함한다. 이는, 고유 파라미터들을 사용하는 것으로 알려져 있다. 예를 들어, 고유 누설 전류가 각각의 하드웨어 코어에 대해 결정되는 경우, 종래의 스케줄러는 단순히, 저 전력 작업을 최저의 고유 누설 전류를 갖는 코어에 할당할 수 있다. 하지만 고유 동작 파라미터들에만 기초하는 스케줄링은 최적이 아니다. 예를 들어, 최저 고유 누설을 갖는 코어를 가정하면, 저 전력 작업이 종래의 스케줄러에 의해서 그에 맞춰 코어에 할당된다. 그러나, 코어가 단지 활성 상태이어서, 그의 온도가 상승하는 경우(또는 이것이, 활성 상태이거나 막 활성 상태가 되었고 따라서 열 확산을 통해 코어가 가열되었던 카메라 또는 그래픽스 프로세서와 같은 회로 모듈의 다이 상에 근방에 있는 경우), 이러한 상대적으로 고온의 코어에 대한 누설 전류가, -이러한 코어들이 표면적으로 더 높은 고유 누설 전류들을 갖더라도- 나머지 코어들에 대한 누설보다 실제로 더 높을 수 있다. 본원에 개시된 동적 스케줄러에 대한 스케줄링 알고리즘은, 현재 동작 조건들뿐만 아니라 고유 동작 파라미터들에 대해 고려하므로, 동작 성능을 유리하게 증가시키고 전력 소모를 감소시킨다. [0017]예시적인 멀티-프로세서 시스템(100)이 도 1에 도시된다. 시스템(100)은 SoC(system-on-a-chip)를 포함할 수 있거나 또는 다수의 다이들을 포함할 수 있다. 동적 스케줄러(105)는, 코어 0, 코어 1, 코어 2 및 코어 3을 포함한 복수의 CPU 코어들(115)에 대한 작업들을 스케줄링한다. 그러나, 하드웨어 코어들의 다른 타입들 및 수량이 이러한 방식으로 스케줄링될 수 있다는 것을 인식할 것이다. 다음 설명은, 동적 스케줄러(105)가 또한, 전용 상태 머신 또는 다른 적절한 하드웨어로 구현될 수 있음을 인식하더라도, 동적 스케줄러(105)가 소프트웨어로 구현된다는 것을 가정할 것이다. 소프트웨어-기반 실시예에서, 코어들(115) 중 하나가 동적 스케줄러(105)를 구현하도록 구성될 수 있다. 대안으로, 동적 스케줄러(105)가 코어들(115)에 걸쳐 분산될 수 있어서, 현재 활성 상태인 코어(또는 코어들)가 무엇이든 간에 동적 스케줄러(105)를 구현할 것이다. [0018]동적 스케줄러(105)는, 동적 스케줄러(105)로 하여금, 코어의 고유 및 현재 동작 파라미터들에 기초하여 각각의 코어에 대한 현재 전력 소모 및 누설 전류를 계산할 수 있게 하는 각각의 코어(115)에 대한 분석적 전력 및 및 열적 모델러(110)를 포함한다. 예를 들어, 각각의 코어(115)는 동적 스케줄러(105)에 코어의 온도를 송신하도록 구성되는 온도 센서(미도시)와 연관된다. 모델러(110)는 이후, 현재 온도의 함수로서의 코어의 고유 누설 전류를 분석적 모델을 이용하여 코어의 현재 누설 전류(Ileakage)로 맵핑할 수 있다. 이 점에 있어서, 고유 누설 전류가 기준 온도에서 측정된다. 분석 모델은, 현재 온도와 기준 온도 사이의 변화에 부분적으로 기초하여 현재 또는 예상 누설 전류를 예측한다. 모델링된 현재 누설 전류들을 이용하여, 모델러(110)는, 각각의 코어에 대한 누설 전류 전력(Pleakage)을 결정하기 위해 각각의 코어에 대한 전류 동작 전압(V)을 사용할 수 있다. 이외에도, 동적 스케줄러(105)는 코어 당 동적 전력 소모(Pdynamic)를 결정할 수 있으므로, 총 전력 소모(Ptotal)가 계산되며, 이는 현재 누설 전류(Pleakage)뿐만 아니라 동적 전력(Pdynamic)의 합과 동일하다. 동적 전력(Pdynamic)은 f*C*V2와 동일하며, f는 코어의 현재 동작 주파수 또는 클럭킹 레이트이며, C는 코어의 동적 캐패시턴스이며, V는 코어의 현재 동작 전압이다. 따라서, 코어에 대한 총 전력 소모(Ptotal)는 Pleakage와 Pdynamic의 합과 동일하다. 일 실시예에서, 동적 스케줄러(105)는, 코어들에 대해 예측되는 누설 전류의 분석 모델에 기초하여 코어들에 대한 작업들을 스케줄링하기 위한 수단을 포함하는 것으로 간주될 수 있다. [0019]분석적 코어 전력 및 모델러(110)에 의해 사용되는 고유 누설 전류(IDDQ)는 기준 동작 전압(Vref) 및 기준 온도(Tref)와 관련하여 결정될 수 있다. 즉, 고유 누설 전류(IDDQ)는 기준 동작 전압(Vref) 및 기준 온도(Tref)에서 각각의 코어에 대한 제조 시에 측정(또는 추정)된다. 다양한 분석 모델들이 분석 코어 전력 0026# 열적 모델러(110)에서 사용될 수 있다. 예를 들어, 일 예시적인 해석 모델은 다음 식을 사용하여 현재 누설 전류(Ileakage)를 계산한다. Ileakage = IDDQ * exp(m*(V - Vref) + N *(T - Tref)) n 및 m은 동작 파라미터들이고, exp는 지수 함수이다. 따라서, 모델링되는 누설 전류(Ileakage)는 대응하는 코어(115)의 현재 동작 파라미터들에 기초하여 예측되는 누설 전류이다. 즉, 주어진 코어(115)에 대한 Ileakage는, 현재 작업에 대해 코어(115)가 선택될 경우 코어(115)가 경험할 것을 모델러(110)가 예측하는 누설 전류이다. [0020]동적 스케줄러(105)는, 주어진 작업에 최저 전력 소모를 제공하는 코어(115)를 선택하기 위해 모델러(110)로부터 코어들(115)에 대해 모델링된 누설 및 동적 전력들을 사용할 수 있는 멀티-프로세서(MP) 작업-할당 또는 스케줄링 알고리즘(120)을 구현한다. 그러나, 전력 소모가, MP 스케줄링 결정에 관한 유일한 팩터는 아니다. 다른 팩터는, 요구되는 작업 또는 고전력 작업이 실행되고 있는 경우에 도달되는 코어들(115)에 대한 열적 한계치이다. 이와 관련하여, 코어 열적 한계치 문제들을 수용하기 위해 코어-호핑 및 다른 스케줄링 기술들을 구현하는 것이 알려져 있다. 그러나 MP 스케줄링 알고리즘(120)은, 열적 한계치들을 회피하는 것과 관련하여 코어(115)를 더욱 지능적으로 선택하기 위해 각각의 코어(115)에 대한 열적 그래디언트를 사용할 수 있다. 고유 누설 전류(IDDQ)와 마찬가지로, 각각의 코어(115)에 대한 열적 그래디언트가 제조 시에 결정될 수 있다. 열적 그래디언트는, 각각의 코어(115)가 주어진 작업에서 동작함에 따라 그 코어가 경험하게 될 시간의 함수로서의 온도 변화이다. 예를 들어, 프로세서들이 이들의 최대 클러킹 주파수(fmax)에서 동작될 경우, 각각의 코어(115)에 대한 열적 그래디언트들이 특징화될 수 있다. 열적 그래디언트에 대한 등가의 파라미터는, 주어진 코어(115)가 동작함에 따라 이것이 열을 발산하는 능력을 지칭하는 각각의 코어(115)에 대한 열 전도율이다. 다양한 코어들(115)에 대한 온도 그래디언트들과 열 전도율들이 서로 역으로 관련된다는 것을 인식할 수 있다. 즉, 상대적으로 높은 열적 그래디언트를 갖는 코어(115)는 비교적 낮은 열 전도율을 갖는다. 역으로, 상대적으로 낮은 열적 그래디언트를 갖는 코어(115)는 비교적 높은 열 전도율을 가질 것이다. 열적 그래디언트(또는 열적 전도율)에 기초하여, 모델러(110)는, 주어진 코어(115)가 현재 작업을 할당받게 됨에 따라 그 코어가 경험할 온도 증가를 예측할 수 있다. 따라서, MP 스케줄링 알고리즘(110)은 주어진 작업에 대한 최저 온도 상승이 있을 코어(115)에 대해 선택할 수 있다. [0021]동적 스케줄러(105)는, 이들의 고유 누설(IDDQ) 및 전류 온도 이외에, 코어들(115)로부터의 매우 다양한 동작 파라미터들을 사용할 수 있다. 예를 들어, 동적 스케줄러(105)는, 코어들에 대한 프로세스 코너 (코어들이 저속/공칭(nominal)/또는 고속 프로세스에 해당하는지 여부)에 의존할 수 있다. 그 점에서, 동적 스케줄러(105)는, 프로세스 코너를 포함하는 다양한 동작 파라미터들에 따라 주어진 작업에 대해 하나의 코어(115) 또는 복수의 코어들(115)을 선택할 수 있다. 예를 들어, PVS(processor voltage scaling)는 각각의 코어(115)에 대해 상이할 수 있다. 예를 들어, 주어진 클럭 주파수에서, 하나의 코어(115)는, 동일한 클럭 레이트에서 동작하는 다른 코어(115)와 비교하여 더 높은 공급 전압이 필요할 수 있다. 이와 같이, 동적 스케줄러(105)는, 총 전력 소모를 감소시키기 위해서 더 낮은 전압에서 동작할 수 있는 코어(115)를 선택할 수 있다. 클럭 주파수는, DCVS(dynamic clock and voltage scaling) 구현들에서 공지된 바와 같이 또한 스케일링될 수 있다. 그 점에 있어서, 최대 동작 주파수 또는 클럭킹 레이트(Fmax)는 다양한 코어들(115)에 대해 상이할 수 있다. 주어진 동작 전압에서, 이와 같이 하나의 코어(115)가 더 높은 Fmax를 달성할 수 있다. 이와 같이, 동적 스케줄러(105)는, 최저의 전력 소모로 가장 빠른 성능을 달성하기 위해서 요구되는 작업들 또는 고전력 작업들에 대해 이러한 코어(115)를 선택할 수 있다. 그러나, PVS/DCVS는 코어(115)에 대해 독립적이지 않을 수 있다는 것을 인식할 것이다. 이러한 구현들에서, 모든 코어들(115)이, 그로부터 선택될 수 있는 동일한 세트의 전압 및 클럭 레이트들을 가질 것이다. 이러한 균일한 DCVS 실시예에서 코어들(115) 사이에는 이들의 Fmax 및 동작 전압들과 관련하여 차이가 없을 수 있다.[0022]동적 스케줄러(105)가 코어들(115)에 대해 의존할 수 있는 다른 동작 파라미터는, 다이 (또는 다이들) 상에서의 그들의 위치 및 그 위치 대 다른 열원들의 관계이다. 예를 들어, 코어(115)는 그의 열적 한계치로 이제 막 푸시되었던 다른 코어(115)로부터 가장 멀리 떨어져 있는 위치를 가질 수 있다. 따라서, 이러한 원격 코어(115)에 대해서는 비디오 프로세싱과 같은 고전력 작업의 스케줄링이 유익하다. 대안으로, 코어(115)가, 모뎀 프로세서 또는 비디오 프로세서와 같은 다른 능동 회로에 대해 다이 상에 비교적 가깝게 위치될 수 있다. 이러한 코어(115)는, 코어가 또한 이 근방의 능동 회로로부터의 열을 수용해야 한다는 점에서 코어가 더욱 신속하게 그의 열적 한계치에 도달할 것이기 때문에 고전력 작업을 위해 양호한 선택이 되지 않을 것이다. 따라서, 이 능동 회로로부터 더 멀리 떨어져 있는 코어(115)의 선택이 유익하다. [0023]동적 스케줄러(105)의 유익한 특징들을 더 잘 예시하기 위해서 일부 예시적인 사용 케이스를 이제 더 설명할 것이다. 예를 들어, 시스템(100)이 유휴 상태인 경우, 동적 스케줄러(105)가 최저 누설을 갖는 코어에 대해 유휴 작업을 스케줄링함으로써 전력 소모를 최소화할 수 있다. 결과적인 스케줄링 프로세스가 도 2에 도시되며, 여기서, 인입하는 작업부하 요청(200)은, 이것이 단계(205)에서의 유휴 사용-케이스인지 여부를 결정하기 위해서 테스트된다. 예를 들어, 셀룰러 폰 애플리케이션에서는, 사용자가 전화로 상호작용하지 않거나 어떤 전화나 문자도 수신하지 않는 기간들이 종종 있다. 따라서, 코어들(115)은 이러한 유휴-사용 케이스 동안에 대부분 유휴 상태로 있게 된다. 작업 요청이 유휴-사용 케이스에 대응한다는 결정 시, 룩업 테이블(LUT)(240)과 같은 메모리는, 코어들(115)에 대한 현재 시스템 정보 및 그들의 동작 파라미터들 및 특징들을 저장할 수 있다. 예를 들어, LUT(240)는 모델러(110)에 의해 결정되는 바와 같이 최저 누설 전류로 코어(115)의 아이덴티티를 저장할 수 있다. 단계(205)에서의 결정이 긍정적인 경우, 이후, 동적 스케줄러(105)는 LUT(240)에 의해 식별되는 바와 같이 단계(210)에서 최저 누설 전류를 갖는 이용가능한 코어(115)를 선택한다. 동적 스케줄러(105)는 이후, 단계(215)에서 스케줄링 결정에 따라 LUT(240)를 업데이트할 수 있다. 마지막으로, 동적 스케줄러(105)는 요청된 셋팅들을 이용하여 선택한 코어(115)를 턴온시킨다(단계 (220)).[0024]단계(205)에서의 결정이 부정적인 경우, 인입하는 작업부하 요청(200)이 단계(221)에서 결정되는 바와 같이 저전력 사용-케이스를 포함할 수 있다. 저전력 사용-케이스들의 예들은 비디오 재생 또는 웹-브라우징과 같은 작업들을 포함한다. 단계(221)에서의 결정이 긍정적인 경우, 동적 스케줄러(105)는 이후, 모델러(110)에 의해 결정된 바와 같이 LUT(240)에서 식별된 바와 같이 최저 총 전력 소모 특징을 이용하여 코어(또는 코어들)를 스케줄링함으로써 총 전력 소모를 최소화할 수 있다(단계 225). 후속 단계(230)에서, 동적 스케줄러(105)는 스케줄링 결정에 따라 LUT(240)를 업데이트할 수 있다. 마지막으로, 동적 스케줄러(105)는 요청된 셋팅들을 이용하여 선택한 코어(115)를 턴온시킨다(단계 (235)).[0025]단계 (221)에서의 결정이 부정적이라면, 인입하는 작업부하 요청(200)은, 도 3의 단계(300)에서 결정된 바와 같이, 비디오 게임(또는 유사한 고 전력 모드)에 대한 집약적인 그래픽스 프로세싱과 같은 많은 (고성능) 작업부하 사용-케이스를 포함할 수 있다. 동적 스케줄러(105)는 이후, 자신의 열적 한계치를 초과하지 않고 원하는 성능을 제공할 수 있는 코어(115)(또는 코어들)를 선택할 수 있다(단계 (305)). 예를 들어, 단계(305)는, LUT(240)에서 식별된 바와 같이 양호한 열적 그래디언트 및 최저 온도를 갖는 이용가능한 코어(115)에 대해 선택할 수 있다. 후속하는 단계(310)는 스케줄링 결정에 따라 LUT(240)를 업데이트한다. 단계(315)에서, 동적 스케줄러(105)는 요청된 셋팅들을 이용하여 선택한 코어(115)를 턴온시킨다. 선택된 코어(115)가 결국 너무 과열될 수 있어, 선택된 코어(115)가 자신의 열적 한계치를 초과할 위험이 있다는 것을 주목한다. 이와 같이, 동적 스케줄러(105)는, 선택된 코어(115)가 자신의 열적 한계치 근처에 있는지 여부를 결정(단계 (325))하기 위해서, 선택된 코어 온도를 모니터링할 수 있다(단계 (320)). 단계(325)에서의 결정이 부정적이라면, 모니터링은 단계(320)에서 계속될 수 있다. 그러나, 선택된 코어(115)가 그의 열적 한계치에 도달하고 있는 경우, 동적 스케줄러(105)는 그의 스케줄링 선택을 갱신한다(단계 (305)). 단계들(310, 315, 320, 및 325)은 이후, 새롭게 선택된 코어(115)와 관련하여 반복될 수 있다. 따라서, 단계(315)는 또한 이전에 선택된 코어(115)를 턴 오프하는 것과 LUT(240)를 새로운 선택으로 업데이트하는 것을 포함할 수 있다. [0026]동적 스케줄러(105)에 의한 총 전력 소모의 최소화가 또한 각각의 코어의 전력 조절기 효율을 고려하여 선택될 수 있다. 이와 관련하여, 멀티-프로세서 시스템(100)의 각각의 코어(115)에는, 대응하는 전력 조절기(미도시)에 의해, 전력이 전달된다. 따라서, 코어 0 전력 조절기, 코어 1 전력 조절기 등이 있을 수 있다. 대안으로, 전력 조절기는 시스템(100) 내의 코어들의 서브세트에 의해 공유될 수 있다. 일 실시예에서, 모델러(110)는 또한, 대응하는 코어(또는 코어들)에 대한 현재 총 전력 소모(Ptotal)에 기초하여 각각의 전력 조절기의 효율을 모델링한다. 예를 들어, 모델러(110)는, 코어(115)에 대한 총 전력 소모를 코어의 전원 조절기로부터 코어(115)에 의해 인출되는 전류로 맵핑할 수 있다. 모델러(110)는 또한, 조절기가 공급하는 전류, 그의 동작 전압, 클럭킹 주파수, 및 다른 기능 파라미터들의 함수로서 각각의 전력 조절기의 효율의 모델을 포함할 수 있다. 이러한 조절기 효율 모델들은 통상적으로, 어떤 최적의 전류 값에서 피크이고 그런 다음, 전류가 최적값으로부터 감소되거나 또는 증가됨에 따라 강하되는 대략 종 모양의 효율 곡선을 나타낸다. 예를 들어, 도 4는 전압 조절기(400 및 405)에 대한 출력 전류의 함수로서의 효율을 도시한다. 전압 조절기(400 및 405) 둘 모두에 대한 효율은 500 내지 1000 밀리암페어의 출력 전류에서 피크이다. 따라서, 동적 스케줄러(105)는, 코어의 전압 조절기 효율이 너무 낮을 수 있는 작업들에 대해 코어(115)를 스케줄링하는 것을 방지하기 위해서 이 정보를 사용할 수 있다. 예를 들어, 도 5a는, 상대적 고온에서의 저속 프로세스 코너 코어(500), 상대적 저온에서의 저속 프로세스 코너 코어(505), 및 상대적 저온에서의 고속 프로세스 코너 코어(510)에 대한 프로세서 전력 소모를 도시한다. 도 5a에 도시된 전력 소모들 모두는, 동작 주파수(프로세서 클럭 레이트)가 증가됨에 따라 단조적으로 증가한다. 따라서, 최고 효율들은, 코어들이 가능한 한 낮게 주어지는 주파수에서 최소량의 전력을 소모하는 그러한 주파수들에서 이러한 코어들을 동작시킴으로써 생성될 것으로 기대할 수 있다. 그러나, 이러한 가정은, 관련되는 전력 조절기들에 대해 급격히 감소되는 전력 효율을 무시하는데, 각각의 전력 조절기는 이후에, 그 최적의 전류량보다 적은 양을 그 연관된 코어로 공급하고 있을 것이기 때문이다. [0027]일 실시예에서, 따라서, 모델러(110)는 코어 클럭킹 주파수에 기초하여 그의 효율의 함수로서 각각의 전력 조절기로부터의 전력 소모(Pregulator)를 모델링한다. 따라서, 동적 스케줄러(105)가 코어들(115)에 대한 작업들을 스케줄링할 수 있으므로, 시스템-레벨 전력 소모(Psystem)가 최소화되며, 여기서, Psystem은 각각의 코어(또는 코어들이 그룹이 대응하는 전력 조절기를 공유하는 경우 코어들의 그룹)에 대한 Ptotal과 각각의 코어에 대한 연관된 Pregulator를 합산한 것과 같다. 도 5b는, 코어들(500, 505 및 515)에 대한 동작 주파수의 함수로서 프로세서 에너지 효율을 도시하며, 에너지 효율은, 시스템-레벨 전력 소모(Psystem)를 이용하여 계산된다. 각각의 코어의 에너지 효율은 Fmax 미만인 동작 주파수(F_opt)에서 피크 효율을 갖는다. 따라서, 동적 스케줄러(105)는 코어들에 대해 F_opt 미만인 레벨(515)의 동작 주파수들을 디스에이블시킬 수 있다. [0028]도 3을 다시 참조하면, 동적 스케줄러(105)는, 결과적으로 생성된 에너지 효율과 함께 단계(305)에서 코어(115)의 선택을 가중시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 고전력 작업이 상대적으로 짧은 것으로 예상되어, 열적 한계에 도달할 위험성이 거의 없는 경우, 코어 선택은 대신에 에너지 효율의 최대화에 의해 지배될 수 있다. 작업 시간이 증가됨에 따라, 단계(305)는 에너지 효율들에 비해 열적 인자들(최저 온도 및 열적 그래디언트를 갖는 코어)을 더 높게 가중시킬 수 있다. [0029]동적 스케줄러(105)에 대한 동작의 예시적인 방법이 이제 도 6을 참조하여 다루어질 것이다. 단계(600)는 복수의 코어들 중 각각의 코어에 대해 예상되는 누설 전류를 결정하는 단계를 포함하며, 이 결정은, 코어에 대한 고유 누설 전류 및 각각의 코어의 온도에 의존하는 분석 모델에 대해 반응한다. 단계(605)는, 최저 예상 누설 전류를 갖는 코어를 결정하기 위해서 예상되는 누설 전류들을 비교하는 단계를 포함한다. 마지막으로, 단계(610)는 작업에 대해 최저 예상 누설 전류를 갖는 코어를 스케줄링하는 단계를 포함한다.[0030]이제 당업자가 인식하는 바와 같이 그리고 준비되어 있는 특정 용도에 의존하여, 본 개시물의 디바이스들의 재료들, 장치, 구성들 및 사용 방법들에 대하여 많은 변경들, 대체들 및 변형들이, 본 발명의 정신 및 범위로부터 벗어나지 않고 이루어질 수 있다. 이러한 관점에서, 본 개시물의 범위는 본원에 예시되고 설명되는 특정 실시예들의 범위로 제한되지 않아야 하고, 이들은 단지 본 개시물의 일부 예시일 뿐이지만, 더 정확하게는, 이후에 첨부되는 청구항들 및 이들의 기능적 등가물들의 범위와 전적으로 상응되어야 한다.
코어들(210, 225, 305)에 대한 전류 동작 특징들에 기초하여 복수의 코어들에 대한 작업들(200)을 스케줄링하는 동적 스케줄러가 제공된다. 전류 동작 특징들은 분석 모델에 기초하여 각각의 코어에 대해 예상되는 누설 전류를 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 비허가된 스펙트럼을 포함하는 LTE/LTE-A 네트워크들에서 채널 및 간섭 향상CHANNEL AND INTERFERENCE MEASUREMENT IN LTE/LTE-A NETWORKS INCLUDING UNLICENSED SPECTRUM [ 기술분야 ] [0001] 본 출원은, 2013년 12월 19일에 출원되고 발명의 명칭이 "CHANNEL AND INTERFERENCE MEASUREMENT IN LTE/LTE-A NETWORKS INCLUDING UNLICENSED SPECTRUM"인 미국 가특허 출원 제 61/917,997호, 및 2014년 11월 24일에 출원되고 발명의 명칭이 "CHANNEL AND INTERFERENCE MEASUREMENT IN LTE/LTE-A NETWORKS INCLUDING UNLICENSED SPECTRUM"인 미국 실용 특허 출원 제 14/551,927호의 이익을 주장하며, 상기 출원들은 그 전체가 인용에 의해 본원에 명백히 통합된다.[0002] 본 개시의 양상들은 일반적으로 무선 통신 시스템들에 관한 것이고, 더 상세하게는, 비허가된 스펙트럼을 포함하는 롱 텀 에볼루션(LTE)/LTE-A(LTE-Advanced) 네트워크들에서 채널 및 간섭 측정에 관한 것이다. [ 배경기술 ] [0003] 무선 통신 네트워크들은 음성, 비디오, 패킷 데이터, 메시징, 브로드캐스트 등과 같은 다양한 통신 서비스들을 제공하기 위해 널리 배치되어 있다. 이러한 무선 네트워크들은 이용가능한 네트워크 자원들을 공유함으로써 다수의 사용자들을 지원할 수 있는 다중 액세스 네트워크들일 수 있다. 통상적으로 다중 액세스 네트워크들인 이러한 네트워크들은 이용가능한 네트워크 자원들을 공유함으로써 다수의 사용자들에 대한 통신들을 지원한다. 이러한 네트워크의 일례는 UTRAN(Universal Terrestrial Radio Access Network)이다. UTRAN은, 3세대 파트너쉽 프로젝트(3GPP)에 의해 지원되는 3세대(3G) 모바일 폰 기술인 UMTS(Universal Mobile Telecommunications System)의 일부로서 정의되는 라디오 액세스 네트워크(RAN)이다. 다중 액세스 네트워크 포맷들의 예들은, 코드 분할 다중 액세스(CDMA) 네트워크들, 시분할 다중 액세스(TDMA) 네트워크들, 주파수 분할 다중 액세스(FDMA) 네트워크들, 직교 FDMA(OFDMA) 네트워크들 및 싱글-캐리어 FDMA(SC-FDMA) 네트워크들을 포함한다.[0004] 무선 통신 네트워크는, 다수의 사용자 장비들(UE들)에 대한 통신을 지원할 수 있는 다수의 기지국들 또는 노드 B들을 포함할 수 있다. UE는 다운링크 및 업링크를 통해 기지국과 통신할 수 있다. 다운링크(또는 순방향 링크)는 기지국으로부터 UE로의 통신 링크를 지칭하고, 업링크(또는 역방향 링크)는 UE로부터 기지국으로의 통신 링크를 지칭한다.[0005] 기지국은 다운링크 상에서 UE에 데이터 및 제어 정보를 송신할 수 있고 그리고/또는 UE로부터 업링크 상에서 데이터 및 제어 정보를 수신할 수 있다. 다운링크 상에서, 기지국으로부터의 송신은, 이웃 기지국들로부터의 또는 다른 무선 라디오 주파수(RF) 송신기들로부터의 송신들로 인해 간섭에 직면할 수 있다. 업링크 상에서, UE로부터의 송신은, 이웃 기지국들과 통신하는 다른 UE들의 업링크 송신들로부터의 또는 다른 무선 RF 송신기들로부터의 간섭에 직면할 수 있다. 이러한 간섭은 다운링크 및 업링크 둘 모두 상에서 성능을 악화시킬 수 있다.[0006] 모바일 브로드밴드 액세스에 대한 요구가 증가를 계속함에 따라, 더 많은 UE들이 장거리 무선 통신 네트워크들에 액세스하고 더 많은 단거리 무선 시스템들이 지역사회들에 배치되는 것에 의해, 혼잡한 네트워크들 및 간섭의 가능성들이 증가한다. 모바일 브로드밴드 액세스에 대한 증가하는 요구를 충족시킬 뿐만 아니라 모바일 통신들에 의한 사용자 경험을 진보시키고 향상시키기 위해, UMTS 기술들을 진보시키려는 연구 및 개발이 계속되고 있다. [ 발명의 개요 ] [0007] 본 개시의 일 양상에서, 무선 통신 방법은, UE에 의해, 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통해 서빙 기지국으로부터의 기준 신호를 검출하는 단계, UE에 의해, 기준 신호를 측정하는 단계, UE에 의해, 측정된 기준 신호에 기초하여 신속한 CSI 피드백 보고를 생성하는 단계, 및 UE에 의해, 신속한 CSI 피드백 보고를 서빙 기지국에 송신하는 단계를 포함한다.[0008] 본 개시의 추가적인 양상에서, 무선 통신 방법은, 기지국에 의해, 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통해 송신 프레임의 제 1 서브프레임에서 CSI 기준 신호를 송신하는 단계, 기지국에서, 하나 이상의 UE들로부터 CSI 기준 신호에 기초한 신속한 CSI 보고를 수신하는 단계, 및 기지국에 의해, 송신 프레임 내의 후속 서브프레임들의 추가적인 송신들에 신속한 CSI 보고를 적용하는 단계를 포함한다.[0009] 본 개시의 추가적인 양상에서, 무선 통신을 위해 구성되는 장치는, UE에 의해, 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통해 서빙 기지국으로부터의 기준 신호를 검출하기 위한 수단, UE에 의해, 기준 신호를 측정하기 위한 수단, UE에 의해, 측정된 기준 신호에 기초하여 신속한 CSI 피드백 보고를 생성하기 위한 수단, 및 UE에 의해, 신속한 CSI 피드백 보고를 서빙 기지국에 송신하기 위한 수단을 포함한다.[0010] 본 개시의 추가적인 양상에서, 무선 통신을 위해 구성되는 장치는, 기지국에 의해, 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통해 송신 프레임의 제 1 서브프레임에서 CSI 기준 신호를 송신하기 위한 수단, 기지국에서, 하나 이상의 UE들로부터 CSI 기준 신호에 기초한 신속한 CSI 보고를 수신하기 위한 수단, 및 기지국에 의해, 송신 프레임 내의 후속 서브프레임들의 추가적인 송신들에 신속한 CSI 보고를 적용하기 위한 수단을 포함한다.[0011] 본 개시의 추가적인 양상에서, 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체는 기록된 프로그램 코드를 갖는다. 이러한 프로그램 코드는, UE에 의해, 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통해 서빙 기지국으로부터의 기준 신호를 검출하기 위한 코드, UE에 의해, 기준 신호를 측정하기 위한 코드, UE에 의해, 측정된 기준 신호에 기초하여 신속한 CSI 피드백 보고를 생성하기 위한 코드, 및 UE에 의해, 신속한 CSI 피드백 보고를 서빙 기지국에 송신하기 위한 코드를 포함한다.[0012] 본 개시의 추가적인 양상에서, 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체는 기록된 프로그램 코드를 갖는다. 이러한 프로그램 코드는, 기지국에 의해, 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통해 송신 프레임의 제 1 서브프레임에서 CSI 기준 신호를 송신하기 위한 코드, 기지국에서, 하나 이상의 UE들로부터 CSI 기준 신호에 기초한 신속한 CSI 보고를 수신하기 위한 코드, 및 기지국에 의해, 송신 프레임 내의 후속 서브프레임들의 추가적인 송신들에 신속한 CSI 보고를 적용하기 위한 코드를 포함한다.[0013] 본 개시의 추가적인 양상에서, 장치는 적어도 하나의 프로세서 및 프로세서에 커플링된 메모리를 포함한다. 프로세서는, UE에 의해, 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통해 서빙 기지국으로부터의 기준 신호를 검출하고, UE에 의해, 기준 신호를 측정하고, UE에 의해, 측정된 기준 신호에 기초하여 신속한 CSI 피드백 보고를 생성하고, UE에 의해, 신속한 CSI 피드백 보고를 서빙 기지국에 송신하도록 구성된다.[0014] 본 개시의 추가적인 양상에서, 장치는 적어도 하나의 프로세서 및 프로세서에 커플링된 메모리를 포함한다. 프로세서는, 기지국에 의해, 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통해 송신 프레임의 제 1 서브프레임에서 CSI 기준 신호를 송신하고, 기지국에서, 하나 이상의 UE들로부터 CSI 기준 신호에 기초한 신속한 CSI 보고를 수신하고, 기지국에 의해, 송신 프레임 내의 후속 서브프레임들의 추가적인 송신들에 신속한 CSI 보고를 적용하도록 구성된다. [ 도면의 간단한 설명 ] [0015] 도 1은, 다양한 실시예들에 따른 무선 통신 시스템의 예를 예시하는 도면을 도시한다.[0016] 도 2a는, 다양한 실시예들에 따른 비허가된 스펙트럼에서 LTE를 이용하기 위한 배치 시나리오들의 예들을 예시하는 도면을 도시한다.[0017] 도 2b는, 다양한 실시예들에 따른 비허가된 스펙트럼에서 LTE를 이용하기 위한 배치 시나리오들의 다른 예를 예시하는 도면을 도시한다.[0018] 도 3은, 다양한 실시예들에 따른 허가된 및 비허가된 스펙트럼에서 동시에 LTE를 이용하는 경우 캐리어 어그리게이션의 예를 예시하는 도면을 도시한다.[0019] 도 4는, 본 개시의 일 양상에 따라 구성되는 기지국/eNB 및 UE의 설계를 개념적으로 예시하는 블록도이다.[0020] 도 5는, 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통한 다운링크 송신 스트림을 예시한다.[0021] 도 6 및 도 7은, 본 개시의 일 양상을 구현하기 위해 실행되는 예시적인 블록들을 예시하는 기능 블록도들이다.[0022] 도 8은, 본 개시의 일 양상에 따라 구성되는 기지국으로부터 허가된 및 비허가된 스펙트럼 캐리어를 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통한 다운링크 송신 스트림을 예시한다.[0023] 도 9 내지 도 11은, 기지국으로부터 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통한 다운링크 송신 스트림들, 및 하나 이상의 UE들로부터의 연관된 업링크 송신 스트림들을 예시하고, 기지국 및 하나 이상의 UE들은 본 개시의 양상들에 따라 구성된다.[0024] 도 12는, 기지국으로부터 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통한 다운링크 송신 스트림, 및 UE로부터의 연관된 업링크 송신 스트림의 일부를 예시하고, 기지국 및 UE는 본 개시의 일 양상에 따라 구성된다.[0025] 도 13은, 본 개시의 일 양상에 따라 구성되는 기지국으로부터 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통한 다운링크 송신 스트림을 예시한다.[0026] 도 14는, 기지국으로부터 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통한 다운링크 송신 스트림, 및 UE로부터의 연관된 업링크 송신 스트림의 일부를 예시하고, 기지국 및 UE는 본 개시의 일 양상에 따라 구성된다.[0027] 도 15a 및 도 15b는, 기지국으로부터 비허가된 및 허가된 주파수 캐리어들을 통한 다운링크 송신 스트림들, 및 UE로부터의 연관된 업링크 송신 스트림의 일부들을 예시하고, 기지국 및 UE는 본 개시의 일 양상에 따라 구성된다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] [0028] 첨부 도면들과 관련하여 아래에 제시되는 상세한 설명은 다양한 구성들의 설명으로 의도되며 본 개시의 범위를 한정하는 것으로 의도되는 것은 아니다. 오히려, 상세한 설명은 발명의 대상의 완전한 이해를 제공할 목적으로 특정 세부사항들을 포함한다. 이러한 특정 세부사항들이 모든 경우에 요구되는 것은 아니며, 어떤 경우들에는 제시의 명확함을 위해, 잘 알려진 구조들 및 컴포넌트들은 블록도 형태로 도시된다는 점이 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들에게 명백할 것이다.[0029] 운영자들은, 셀룰러 네트워크들에서 계속 증가하는 혼잡 레벨들을 경감하기 위해 비허가된 스펙트럼을 이용하기 위한 주요 메커니즘으로 WiFi를 지금까지 검토해왔다. 그러나, 비허가된 스펙트럼을 포함하는 LTE/LTE-A에 기초한 새로운 캐리어 타입(NCT)은 캐리어-등급 WiFi와 호환가능할 수 있고, 이것은, 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A가 WiFi에 대한 대안이 되게 한다. 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A는 LTE 개념들을 레버리지할 수 있고, 비허가된 스펙트럼에서 효율적인 동작을 제공하고 규제적 요건들을 충족하기 위해, 네트워크 또는 네트워크 디바이스들의 물리 계층(PHY) 및 매체 액세스 제어(MAC) 양상들에 대한 일부 변형들을 도입시킬 수 있다. 비허가된 스펙트럼은, 예를 들어, 600 메가헤르쯔(MHz) 내지 6 기가헤르쯔(GHz)의 범위일 수 있다. 일부 시나리오들에서, 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A는 WiFi보다 상당히 양호하게 수행될 수 있다. 예를 들어, (단일 또는 다수의 운영자들에 대한) 비허가된 스펙트럼 배치를 갖는 모든 LTE/LTE-A가 모든 WiFi 배치와 비교되는 경우, 또는 조밀한 소형 셀 배치들이 존재하는 경우, 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A는 WiFi보다 상당히 양호하게 수행될 수 있다. 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A는, 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A가 (단일 또는 다수의 운영자들에 대한) WiFi와 혼합되는 경우와 같은 다른 시나리오들에서, WiFi보다 양호하게 수행될 수 있다.[0030] 단일 서비스 제공자(SP)의 경우, 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A 네트워크는 허가된 스펙트럼 상의 LTE 네트워크와 동기화되도록 구성될 수 있다. 그러나, 다수의 SP들에 의해 주어진 채널 상에 배치된 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A 네트워크들은 다수의 SP들에 걸쳐 동기화되도록 구성될 수 있다. 상기 특징들 둘 모두를 통합하기 위한 하나의 접근법은, 주어진 SP에 대해 비허가된 스펙트럼을 갖지 않는 LTE/LTE-A 네트워크들과 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A 네트워크들 사이의 일정한 타이밍 오프셋을 이용하는 것을 포함할 수 있다. 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A 네트워크는 SP의 요구에 따라 유니캐스트 및/또는 멀티캐스트 서비스들을 제공할 수 있다. 아울러, 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A 네트워크는, LTE 셀들이 앵커로서 동작하고 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A 셀들에 대한 관련 셀 정보(예를 들어, 라디오 프레임 타이밍, 공통 채널 구성, 시스템 프레임 넘버 또는 SFN 등)를 제공하는 부트스트랩 모드(bootstrapped mode)에서 동작할 수 있다. 이러한 모드에서, 비허가된 스펙트럼을 갖지 않는 LTE/LTE-A와 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A 사이에는 밀접한 상호작용이 존재할 수 있다. 예를 들어, 부트스트랩 모드는, 앞서 설명된 보조 다운링크 및 캐리어 어그리게이션 모드들을 지원할 수 있다. 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A 네트워크의 PHY-MAC 계층들은, 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A 네트워크가 비허가된 스펙트럼을 갖지 않는 LTE 네트워크와는 독립적으로 동작하는 독립형 모드에서 동작할 수 있다. 이러한 경우, 예를 들어, 비허가된 스펙트럼 셀들을 갖는/갖지 않는 코로케이트된(co-located) LTE/LTE-A에 의한 RLC-레벨 어그리게이션 또는 다수의 셀들 및/또는 기지국들에 걸친 멀티플로우에 기초하여, 비허가된 스펙트럼을 갖지 않는 LTE와 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A 사이에는 느슨한(loose) 상호작용이 존재할 수 있다.[0031] 본 명세서에서 설명되는 기술들은 LTE로 제한되지 않으며, 또한 다양한 무선 통신 시스템들, 예를 들어, CDMA, TDMA, FDMA, OFDMA, SC-FDMA 및 다른 시스템들에 대해 이용될 수 있다. 용어 "시스템" 및 "네트워크"는 종종 상호교환가능하게 이용된다. CDMA 시스템은, CDMA2000, UTRA(Universal Terrestrial Radio Access) 등과 같은 라디오 기술을 구현할 수 있다. CDMA2000은 IS-2000, IS-95 및 IS-856 표준들을 커버한다. IS-2000 릴리스(Release) 0 및 릴리스 A는 보통 CDMA2000 1X, 1X 등으로 지칭된다. IS-856(TIA-856)은 흔히 CDMA2000 1xEV-DO, 고속 패킷 데이터(HRPD: High Rate Packet Data) 등으로 지칭된다. UTRA는 광대역 CDMA(WCDMA: Wideband CDMA) 및 CDMA의 다른 변형들을 포함한다. TDMA 시스템은 GSM(Global System for Mobile Communications)과 같은 라디오 기술을 구현할 수 있다. OFDMA 시스템은, UMB(Ultra Mobile Broadband), 이볼브드 UTRA(E-UTRA), IEEE 802.11(Wi-Fi), IEEE 802.16(WiMAX), IEEE 802.20, 플래시-OFDM 등과 같은 라디오 기술을 구현할 수 있다. UTRA 및 E-UTRA는 UMTS(Universal Mobile Telecommunication System)의 일부이다. LTE 및 LTE-어드밴스드(LTE-A)는, E-UTRA를 이용하는 UMTS의 새로운 릴리스들이다. UTRA, E-UTRA, UMTS, LTE, LTE-A 및 GSM은 "3세대 파트너쉽 프로젝트"(3GPP: 3rd Generation Partnership Project)로 명명된 조직으로부터의 문서들에 기술되어 있다. CDMA2000 및 UMB는 "3세대 파트너쉽 프로젝트 2"(3GPP2)로 명명된 조직으로부터의 문서들에 기술되어 있다. 본 명세서에서 설명되는 기술들은 위에서 언급된 시스템들 및 라디오 기술들뿐만 아니라, 다른 시스템들 및 라디오 기술들에도 사용될 수 있다. 그러나, 아래의 설명은 예시를 위해 LTE 시스템을 설명하고, 아래의 설명 대부분에서 LTE 용어가 이용되지만, 기술들은 LTE 애플리케이션들 이외에도 적용가능하다.[0032] 따라서, 다음 설명은 예들을 제공하며, 청구항들에 제시된 범위, 적용 가능성 또는 구성의 한정이 아니다. 본 개시의 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서 논의되는 엘리먼트들의 기능 및 배열에 변경들이 이루어질 수 있다. 다양한 실시예들은 다양한 절차들 또는 컴포넌트들을 적절히 생략, 치환 또는 추가할 수 있다. 예를 들어, 설명되는 방법들은 설명되는 것과 다른 순서로 수행될 수도 있고, 다양한 단계들이 추가, 생략 또는 결합될 수도 있다. 또한, 특정 실시예들에 관하여 설명되는 특징들은 다른 실시예들로 결합될 수도 있다.[0033] 먼저 도 1을 참조하면, 도면은 무선 통신 시스템 또는 네트워크(100)의 예를 예시한다. 시스템(100)은, 기지국들(또는 셀들)(105), 통신 디바이스들(115) 및 코어 네트워크(130)를 포함한다. 기지국들(105)은, 다양한 실시예들에서 코어 네트워크(130) 또는 기지국(105)의 일부일 수 있는 기지국 제어기(미도시)의 제어 하에서 통신 디바이스들(115)과 통신할 수 있다. 기지국들(105)은 백홀 링크들(132)을 통해 코어 네트워크(130)와 제어 정보 및/또는 사용자 데이터를 통신할 수 있다. 실시예들에서, 기지국들(105)은 유선 또는 무선 통신 링크들일 수 있는 백홀 링크들(134)을 통해 서로 직접 또는 간접적으로 통신할 수 있다. 시스템(100)은 다수의 캐리어들(상이한 주파수들의 파형 신호들) 상에서의 동작을 지원할 수도 있다. 멀티-캐리어 송신기들은 변조된 신호들을 다수의 캐리어들 상에서 동시에 송신할 수 있다. 예를 들어, 각각의 통신 링크(125)는, 앞서 설명된 다양한 라디오 기술들에 따라 변조된 멀티-캐리어 신호일 수 있다. 각각의 변조된 신호는 상이한 캐리어 상에서 전송될 수 있고, 제어 정보(예를 들어, 기준 신호들, 제어 채널들 등), 오버헤드 정보, 데이터 등을 반송할 수 있다.[0034] 기지국들(105)은 하나 이상의 기지국 안테나들을 통해 디바이스들(115)과 무선으로 통신할 수 있다. 기지국(105) 사이트들 각각은 각각의 지리적 영역(110)에 대한 통신 커버리지를 제공할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 기지국들(105)은 베이스 트랜시버 스테이션, 무선 기지국, 액세스 포인트, 무선 트랜시버, 기본 서비스 세트(BSS: basic service set), 확장 서비스 세트(ESS: extended service set), NodeB, eNodeB(eNB), 홈 NodeB, 홈 eNodeB, 또는 다른 어떤 적당한 용어로 지칭될 수도 있다. 기지국에 대한 커버리지 영역(110)은 커버리지 영역의 일부만을 구성하는 섹터들로 분할될 수 있다(미도시). 시스템(100)은 상이한 타입들의 기지국들(105)(예를 들어, 매크로, 마이크로 및/또는 피코 기지국들)을 포함할 수도 있다. 상이한 기술들에 대한 중첩하는 커버리지 영역들이 존재할 수도 있다.[0035] 일부 실시예들에서, 시스템(100)은, 하나 이상의 비허가된 스펙트럼 동작 모드들 또는 배치 시나리오들을 지원하는 LTE/LTE-A 네트워크이다. 다른 실시예들에서, 시스템(100)은, 비허가된 스펙트럼 및 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A와는 상이한 액세스 기술, 또는 허가된 스펙트럼 및 LTE/LTE-A와는 상이한 액세스 기술을 이용하는 무선 통신들을 지원할 수 있다. 용어 이볼브드 노드 B(eNB) 및 사용자 장비(UE)는 일반적으로 기지국들(105) 및 디바이스들(115)을 각각 설명하기 위해 이용될 수 있다. 시스템(100)은 상이한 타입들의 eNB들이 다양한 지리적 영역들에 대한 커버리지를 제공하는, 비허가된 스펙트럼을 갖는 또는 갖지 않는 이종(Heterogeneous) LTE/LTE-A 네트워크일 수도 있다. 예를 들어, 각각의 eNB(105)는 매크로 셀, 피코 셀, 펨토 셀 및/또는 다른 타입들의 셀에 대한 통신 커버리지를 제공할 수 있다. 피코 셀들, 펨토 셀들 및/또는 다른 타입들의 셀들과 같은 소형 셀들은 저전력 노드들 또는 LPN들을 포함할 수 있다. 매크로 셀은 일반적으로, 비교적 넓은 지리적 영역(예를 들어, 반경 수 킬로미터)을 커버하며 네트워크 제공자에 서비스 가입들을 한 UE들에 의한 제한없는 액세스를 허용할 수 있다. 피코 셀은 일반적으로, 비교적 더 작은 지리적 영역을 커버할 것이며 네트워크 제공자에 서비스 가입들을 한 UE들에 의한 제한없는 액세스를 허용할 수 있다. 펨토 셀은 또한 일반적으로, 비교적 작은 지리적 영역(예를 들어, 집)을 커버할 것이며, 제한없는 액세스 외에도, 펨토 셀과의 연관을 갖는 UE들(예를 들어, 폐쇄형 가입자 그룹(CSG: closed subscriber group) 내의 UE들, 집에 있는 사용자들에 대한 UE들 등)에 의한 제한적 액세스를 또한 제공할 수 있다. 매크로 셀에 대한 eNB는 매크로 eNB로 지칭될 수도 있다. 피코 셀에 대한 eNB는 피코 eNB로 지칭될 수도 있다. 그리고 펨토 셀에 대한 eNB는 펨토 eNB 또는 홈 eNB로 지칭될 수 있다. eNB는 하나 또는 다수(예를 들어, 2개, 3개, 4개 등)의 셀들을 지원할 수 있다.[0036] 코어 네트워크(130)는 백홀(132)(예를 들어, S1 등)을 통해 eNB들(105)과 통신할 수 있다. eNB들(105)은 또한 예를 들어, 백홀 링크들(134)(예를 들어, X2 등)을 통해 그리고/또는 백홀 링크들(132)을 통해(예를 들어, 코어 네트워크(130)를 통해) 간접적으로 또는 직접적으로 서로 통신할 수 있다. 시스템(100)은 동기식 또는 비동기식 동작을 지원할 수 있다. 동기식 동작의 경우, eNB들은 유사한 프레임 및/또는 게이팅 타이밍을 가질 수 있으며, 상이한 eNB들로부터의 송신들이 대략 시간 정렬될 수 있다. 비동기식 동작의 경우, eNB들은 상이한 프레임 및/또는 게이팅 타이밍을 가질 수 있으며, 상이한 eNB들로부터의 송신들이 시간상 정렬되지 않을 수 있다. 본 명세서에서 설명되는 기술들은 동기식 또는 비동기식 동작들에 사용될 수 있다.[0037] UE들(115)은 시스템(100) 전역에 산재되고, 각각의 UE는 고정식일 수도 있고 또는 이동식일 수도 있다. UE(115)는 또한 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들에 의해 이동국, 가입자국, 모바일 유닛, 가입자 유닛, 무선 유닛, 원격 유닛, 모바일 디바이스, 무선 디바이스, 무선 통신 디바이스, 원격 디바이스, 모바일 가입자국, 액세스 단말, 모바일 단말, 무선 단말, 원격 단말, 핸드셋, 사용자 에이전트, 모바일 클라이언트, 클라이언트, 또는 다른 어떤 적당한 전문용어로 지칭될 수도 있다. UE(115)는 셀룰러폰, 개인용 디지털 보조기기(PDA: personal digital assistant), 무선 모뎀, 무선 통신 디바이스, 핸드헬드 디바이스, 태블릿 컴퓨터, 랩톱 컴퓨터, 코드리스 전화, 무선 로컬 루프(WLL: wireless local loop) 스테이션, 등일 수 있다. UE는 매크로 eNB들, 피코 eNB들, 펨토 eNB들, 중계기들 등과 통신하는 것이 가능할 수도 있다.[0038] 시스템(100)에 도시된 통신 링크들(125)은 모바일 디바이스(115)로부터 기지국(105)으로의 업링크(UL) 송신들 및/또는 기지국(105)으로부터 모바일 디바이스(115)로의 다운링크(DL) 송신들을 포함할 수 있다. 다운링크 송신들은 또한 순방향 링크 송신들로 지칭될 수 있는 한편, 업링크 송신들은 또한 역방향 링크 송신들로 지칭될 수 있다. 다운링크 송신들은, 허가된 스펙트럼(예를 들어, LTE), 비허가된 스펙트럼(예를 들어, 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A), 또는 둘 모두(비허가된 스펙트럼을 갖는/갖지 않는 LTE/LTE-A)를 이용하여 행해질 수 있다. 유사하게, 업링크 송신들은, 허가된 스펙트럼(예를 들어, LTE), 비허가된 스펙트럼(예를 들어, 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A), 또는 둘 모두(비허가된 스펙트럼을 갖는/갖지 않는 LTE/LTE-A)를 이용하여 행해질 수 있다.[0039] 시스템(100)의 일부 실시예들에서, 허가된 스펙트럼의 LTE 다운링크 용량이 비허가된 스펙트럼으로 분담될 수 있는 보조 다운링크(SDL) 모드, LTE 다운링크 및 업링크 용량 둘 모두가 허가된 스펙트럼으로부터 비허가된 스펙트럼으로 분담될 수 있는 캐리어 어그리게이션 모드, 및 기지국(예를 들어, eNB)과 UE 사이의 LTE 다운링크 및 업링크 통신들이 비허가된 스펙트럼에서 발생할 수 있는 독립형 모드를 포함하는, 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A에 대한 다양한 배치 시나리오들이 지원될 수 있다. 기지국들(105) 뿐만 아니라 UE들(115)은 이러한 동작 모드 또는 유사한 동작 모드 중 하나 이상을 지원할 수 있다. 비허가된 스펙트럼의 LTE 다운링크 송신들에 대한 통신 링크들(125)에서는 OFDMA 통신 신호들이 지원될 수 있는 한편, 비허가된 스펙트럼의 LTE 업링크 송신들에 대한 통신 링크들(125)에서는 SC-FDMA 통신 신호들이 이용될 수 있다. 시스템(100)과 같은 시스템에서 비허가된 스펙트럼 배치 시나리오들 또는 동작 모드들을 갖는 LTE/LTE-A의 구현에 관한 추가적인 세부사항들 뿐만 아니라 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A의 동작에 관한 다른 특징들 및 기능들이 도 2a 내지 도 15b를 참조하여 아래에서 제공된다.[0040] 다음으로 도 2a를 참조하면, 도면(200)은, 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A를 지원하는 LTE 네트워크에 대한 보조 다운링크 모드 및 캐리어 어그리게이션 모드의 예들을 도시한다. 도면(200)은, 도 1의 시스템(100)의 부분들의 예일 수 있다. 또한, 기지국(105)은, 도 1의 기지국(105)의 예일 수 있는 한편, UE들(115-a)은 도 1의 UE들(115)의 예들일 수 있다.[0041] 도면(200)에서 보조 다운링크 모드의 예에서, 기지국(105-a)은 다운링크(205)를 이용하여 UE(115-a)에 OFDMA 통신 신호들을 송신할 수 있다. 다운링크(205)는, 비허가된 스펙트럼의 주파수 F1과 연관될 수 있다. 기지국(105-a)은 양방향 링크(210)를 이용하여 동일한 UE(115-a)에 OFDMA 통신 신호들을 송신할 수 있고, 양방향 링크(210)를 이용하여 그 UE(115-a)로부터 SC-FDMA 통신 신호들을 수신할 수 있다. 양방향 링크(210)는 허가된 스펙트럼에서 주파수 F4와 연관된다. 비허가된 스펙트럼의 다운링크(205) 및 허가된 스펙트럼의 양방향 링크(210)는 동시에 동작할 수 있다. 다운링크(205)는 기지국(105)에 대한 다운링크 용량 분담을 제공할 수 있다. 일부 실시예들에서, 다운링크(205)는, 유니캐스트 서비스들(예를 들어, 하나의 UE에 어드레스됨) 또는 멀티캐스트 서비스들(예를 들어, 몇몇 UE들에 어드레스됨) 서비스들에 대해 이용될 수 있다. 이러한 시나리오는, 허가된 스펙트럼을 이용하고 트래픽 및/또는 시그널링 혼잡의 일부를 경감할 필요가 있는 임의의 서비스 제공자(예를 들어, 종래의 모바일 네트워크 운영자, 즉 MNO)에게 발생할 수 있다.[0042] 도면(200)의 캐리어 어그리게이션 모드의 일례에서, 기지국(105-a)은 양방향 링크(215)를 이용하여 UE(115-a)에 OFDMA 통신 신호들을 송신할 수 있고, 양방향 링크(215)를 이용하여 동일한 UE(115-a)로부터 SC-FDMA 통신 신호들을 수신할 수 있다. 양방향 링크(215)는 비허가된 스펙트럼에서 주파수 F1과 연관된다. 기지국(105-a)은 또한 양방향 링크(220)를 이용하여 동일한 UE(115)에 OFDMA 통신 신호들을 송신할 수 있고, 양방향 링크(220)를 이용하여 동일한 UE(115-a)로부터 SC-FDMA 통신 신호들을 수신할 수 있다. 양방향 링크(220)는 허가된 스펙트럼에서 주파수 F2와 연관된다. 양방향 링크(215)는 기지국(105-a)에 대한 다운링크 및 업링크 용량 분담을 제공할 수 있다. 앞서 설명된 보조 다운링크와 유사하게, 이러한 시나리오는, 허가된 스펙트럼을 이용하고 트래픽 및/또는 시그널링 혼잡의 일부를 경감할 필요가 있는 임의의 서비스 제공자(예를 들어, MNO)에 대해 발생할 수 있다.[0043] 도면(200)의 캐리어 어그리게이션 모드의 다른 예에서, 기지국(105-a)은 양방향 링크(225)를 이용하여 UE(115-a)에 OFDMA 통신 신호들을 송신할 수 있고, 양방향 링크(225)를 이용하여 동일한 UE(115-a)로부터 SC-FDMA 통신 신호들을 수신할 수 있다. 양방향 링크(225)는 비허가된 스펙트럼에서 주파수 F3과 연관된다. 기지국(105-a)은 또한 양방향 링크(230)를 이용하여 동일한 UE(115)에 OFDMA 통신 신호들을 송신할 수 있고, 양방향 링크(230)를 이용하여 동일한 UE(115-a)로부터 SC-FDMA 통신 신호들을 수신할 수 있다. 양방향 링크(230)는 허가된 스펙트럼에서 주파수 F2와 연관된다. 양방향 링크(225)는 기지국(105-a)에 대한 다운링크 및 업링크 용량 분담을 제공할 수 있다. 이러한 예 및 앞서 제공된 예들은 예시적인 목적으로 제시되고, 용량 분담을 위한 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A 또는 갖지 않는 LTE/LTE-A를 결합하는 다른 유사한 동작 모드들 또는 배치 시나리오들이 존재할 수 있다.[0044] 앞서 설명된 바와 같이, 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A를 이용함으로써 제공되는 용량 분담으로부터 이익을 얻을 수 있는 통상적인 서비스 제공자는, LTE 스펙트럼을 갖는 종래의 MNO이다. 이러한 서비스 제공자들의 경우, 동작 구성은, 허가된 스펙트럼 상에서 LTE 1차 컴포넌트 캐리어(PCC)를 이용하고 비허가된 스펙트럼 상에서 LTE 2차 컴포넌트 캐리어(SCC)를 이용하는 부트스트랩된 모드(예를 들어, 보조 다운링크, 캐리어 어그리게이션)를 포함할 수 있다.[0045] 보조 다운링크 모드에서, 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A에 대한 제어는 LTE 업링크(예를 들어, 양방향 링크(210)의 업링크 부분)를 통해 전송될 수 있다. 다운링크 용량 분담을 제공하는 이유들 중 하나는, 데이터 요구가 대개 다운링크 소모에 의해 도출되기 때문이다. 또한, 이러한 모드에서는, UE가 비허가된 스펙트럼에서 송신하고 있지 않기 때문에 규제적 영향이 존재하지 않을 수 있다. UE에 대한 LBT(listen-before-talk) 또는 캐리어 감지 다중 액세스(CSMA) 요건들을 구현할 필요가 없다. 그러나, 예를 들어, 주기적(예를 들어, 매 10 밀리초마다) 클리어 채널 평가(CCA) 및/또는 라디오 프레임 경계에 정렬되는 포착-및-포기(grab-and-relinquish) 메커니즘을 이용함으로써, 기지국(예를 들어, eNB)에 대해 LBT가 구현될 수 있다.[0046] 캐리어 어그리게이션 모드에서, 데이터 및 제어는 LTE(예를 들어, 양방향 링크들(210, 220 및 230))에서 통신될 수 있는 한편, 데이터는 비허가된 스펙트럼(예를 들어, 양방향 링크들(215 및 225))을 갖는 LTE/LTE-A에서 통신될 수 있다. 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A를 이용하는 경우 지원되는 캐리어 어그리게이션 메커니즘들은, 하이브리드 주파수 분할 듀플렉싱-시간 분할 듀플렉싱(FDD-TDD) 캐리어 어그리게이션, 또는 컴포넌트 캐리어들에 걸쳐 상이한 대칭성을 갖는 TDD-TDD 캐리어 어그리게이션 하에 속할 수 있다.[0047] 도 2b는, 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A에 대한 독립형 모드의 예를 예시하는 도면(200-a)을 도시한다. 도면(200-a)은, 도 1의 시스템(100)의 부분들의 예일 수 있다. 아울러, 기지국(105-b)은 도 1의 기지국들(105) 및 도 2a의 기지국(105-a)의 예일 수 있는 한편, UE(115-b)는, 도 1의 UE들(115) 및 도 2a의 UE들(115-a)의 예일 수 있다.[0048] 도면(200-a)의 독립형 모드의 예에서, 기지국(105-b)은 양방향 링크(240)를 이용하여 UE(115-b)에 OFDMA 통신 신호들을 송신할 수 있고, 양방향 링크(240)를 이용하여 UE(115-b)로부터 SC-FDMA 통신 신호들을 수신할 수 있다. 양방향 링크(240)는 도 2a를 참조하여 앞서 설명된 비허가된 스펙트럼의 주파수 F3과 연관된다. 독립형 모드는, 경기장 내 액세스(예를 들어, 유니캐스트, 멀티캐스트)와 같은 비통상적인 무선 액세스 시나리오들에서 이용될 수 있다. 이러한 동작 모드에 대한 통상적인 서비스 제공자는, 경기장 소유자, 케이블 회사, 이벤트 호스트들, 호텔들, 기업들 및 허가된 스펙트럼을 갖지 않은 대기업들일 수 있다. 이러한 서비스 제공자들의 경우, 독립형 모드에 대한 동작 구성은 비허가된 스펙트럼 상의 PCC를 이용할 수 있다. 아울러, LBT는 기지국 및 UE 둘 모두 상에서 구현될 수 있다.[0049] 다음으로 도 3을 참조하면, 도면(300)은 다양한 실시예들에 따른 허가된 및 비허가된 스펙트럼에서 동시에 LTE를 이용하는 경우 캐리어 어그리게이션의 예를 예시한다. 도면(300)의 캐리어 어그리게이션 방식은, 도 2a를 참조하여 앞서 설명된 하이브리드 FDD-TDD 캐리어 어그리게이션에 대응할 수 있다. 이러한 타입의 캐리어 어그리게이션은 도 1의 시스템(100)의 적어도 일부들에서 이용될 수 있다. 아울러, 이러한 타입의 캐리어 어그리게이션은, 각각 도 1 및 도 2a의 기지국들(105 및 105-a) 및/또는 각각 도 1 및 도 2a의 UE들(115 및 115-a)에서 이용될 수 있다.[0050] 이 예에서, FDD(FDD-LTE)는 다운링크에서 LTE와 관련하여 수행될 수 있고, 제 1 TDD(TDD1)는 비허가된 스펙트럼을 포함하는 LTE/LTE-A와 관련하여 수행될 수 있고, 제 2 TDD(TDD2)는 허가된 스펙트럼을 갖는 LTE와 관련하여 수행될 수 있고, 다른 FDD(FDD-LTE)는 허가된 스펙트럼을 갖는 업링크에서 LTE와 관련하여 수행될 수 있다. TDD1은 6:4의 DL:UL 비를 도출하는 한편, TDD2에 대한 비는 7:3이다. 시간 스케일에서, 다른 유효 DL:UL 비들은 3:1, 1:3, 2:2, 3:1, 2:2 및 3:1이다. 이 예는 예시적인 목적으로 제시되며, 비허가된 스펙트럼을 갖는 LTE/LTE-A 또는 갖지 않는 LTE/LTE-A의 동작들을 결합하는 다른 캐리어 어그리게이션 방식들이 존재할 수 있다.[0051] 도 4는, 도 1의 기지국들/eNB들 중 하나 및 UE들 중 하나일 수 있는 기지국/eNB(105) 및 UE(115)의 설계에 대한 블록도를 도시한다. eNB(105)는 안테나들(434a 내지 434t)을 구비할 수 있고, UE(115)는 안테나들(452a 내지 452r)을 구비할 수 있다. eNB(105)에서, 송신 프로세서(420)는 데이터 소스(412)로부터의 데이터 및 제어기/프로세서(440)로부터의 제어 정보를 수신할 수 있다. 제어 정보는 PBCH(physical broadcast channel), PCFICH(physical control format indicator channel), PHICH(physical hybrid automatic repeat request indicator channel), PDCCH(physical downlink control channel) 등에 관한 것일 수 있다. 데이터는 PDSCH(physical downlink shared channel) 등에 관한 것일 수 있다. 송신 프로세서(420)는 데이터 및 제어 정보를 프로세싱(예를 들어, 인코딩 및 심볼 맵핑)하여, 데이터 심볼들 및 제어 심볼들을 각각 획득할 수 있다. 송신 프로세서(420)는 또한, 예를 들어, PSS(primary synchronization signal), SSS(secondary synchronization signal) 및 셀-특정 기준 신호에 대해 기준 심볼들을 생성할 수 있다. 송신(TX) 다중입력 다중출력(MIMO) 프로세서(430)는, 적용가능하다면, 데이터 심볼들, 제어 심볼들 및/또는 기준 심볼들에 대해 공간 프로세싱(예를 들어, 프리코딩)을 수행할 수 있고, 출력 심볼 스트림들을 변조기들(MOD들)(432a 내지 432t)에 제공할 수 있다. 각각의 변조기(432)는 각각의 출력 심볼 스트림을 (예를 들어, OFDM 등을 위해) 프로세싱하여 출력 샘플 스트림을 획득할 수 있다. 각각의 변조기(432)는 출력 샘플 스트림을 추가 프로세싱(예를 들어, 아날로그로 변환, 증폭, 필터링 및 상향 변환)하여 다운링크 신호를 획득할 수 있다. 변조기들(432a 내지 432t)로부터의 다운링크 신호들은 안테나들(434a 내지 434t)을 통해 각각 송신될 수 있다.[0052] UE(115)에서, 안테나들(452a 내지 452r)은 eNB(105)로부터 다운링크 신호들을 수신할 수 있고, 수신된 신호들을 복조기들(DEMOD들)(454a 내지 454r)에 각각 제공할 수 있다. 각각의 복조기(454)는 각각의 수신된 신호를 컨디셔닝(예를 들어, 필터링, 증폭, 하향변환 및 디지털화)하여, 입력 샘플들을 획득할 수 있다. 각각의 복조기(454)는 입력 샘플들을 (예를 들어, OFDM 등을 위해) 추가로 프로세싱하여, 수신된 심볼들을 획득할 수 있다. MIMO 검출기(456)는 모든 복조기들(454a 내지 454r)로부터의 수신된 심볼들을 획득하고, 적용가능하다면 수신된 심볼들에 대해 MIMO 검출을 수행하고, 검출된 심볼들을 제공할 수 있다. 수신 프로세서(458)는 검출된 심볼들을 프로세싱(예를 들어, 복조, 디인터리빙 및 디코딩)하고, UE(115)에 대한 디코딩된 데이터를 데이터 싱크(460)에 제공하고, 디코딩된 제어 정보를 제어기/프로세서(480)에 제공할 수 있다.[0053] 업링크 상에서는, UE(115)에서, 송신 프로세서(464)가 데이터 소스(462)로부터의 (예를 들어, PUSCH(physical uplink shared channel)에 대한) 데이터 및 제어기/프로세서(480)로부터의 (예를 들어, PUCCH(physical uplink control channel)에 대한) 제어 정보를 수신 및 프로세싱할 수 있다. 송신 프로세서(464)는 또한 기준 신호에 대한 기준 심볼들을 생성할 수 있다. 송신 프로세서(464)로부터의 심볼들은 적용가능하다면 TX MIMO 프로세서(466)에 의해 프리코딩되고, 복조기들(454a 내지 454r)에 의해 (예를 들어, SC-FDM 등을 위해) 추가로 프로세싱되고, eNB(105)에 송신될 수 있다. eNB(105)에서, UE(115)에 의해 전송된 데이터 및 제어 정보에 대한 디코딩된 데이터 및 제어 정보를 획득하기 위해, UE(115)로부터의 업링크 신호들은 안테나들(434)에 의해 수신되고, 변조기들(432)에 의해 프로세싱되고, 적용가능하다면 MIMO 검출기(436)에 의해 검출되고, 수신 프로세서(438)에 의해 추가로 프로세싱될 수 있다. 프로세서(438)는 디코딩된 데이터를 데이터 싱크(439)에 제공할 수 있고, 디코딩된 제어 정보를 제어기/프로세서(440)에 제공할 수 있다.[0054] 제어기들/프로세서들(440 및 480)은 eNB(105) 및 UE(115)에서의 동작을 각각 지시(direct)할 수 있다. eNB(105)에서의 제어기/프로세서(440) 및/또는 다른 프로세서들 및 모듈들은 본 명세서에서 설명된 기술들에 대한 다양한 프로세스들의 실행을 수행 또는 지시할 수 있다. UE(115)에서의 제어기/프로세서(480) 및/또는 다른 프로세서들 및 모듈들은 또한 도 6 및 도 7에 예시된 기능 블록들 및/또는 본 명세서에서 설명된 기술들에 대한 다른 프로세스들의 실행을 수행 또는 지시할 수 있다. 메모리들(442 및 482)은 eNB(105) 및 UE(115)에 대한 데이터 및 프로그램 코드들을 각각 저장할 수 있다. 스케줄러(444)는 다운링크 및/또는 업링크를 통한 데이터 송신을 위해 UE들을 스케줄링할 수 있다.[0055] 비허가된 스펙트럼을 포함하는 LTE/LTE-A에서, 송신들을 개시하기 전에 노드에 의해 LBT(listen-before-talk) 프로세싱이 이용된다. 도 5는, 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통한 다운링크 송신 스트림(50)을 예시한다. 다수의 CCA(clear channel assessment) 기회들(501-503)이 이용가능할 수 있고, 이는 상이한 운영자들/셀들에 의해 공유될 수 있다. eNB 및 UE는 DL 및 UL CCA에 대해 별개로 CCA를 수행할 수 있다.[0056] 노드는 또한 CCA 면제 송신들(CET들)을 가질 수 있다. CCA는 일반적으로, 어떠한 규제적 요건들에 종속되는 자율적 송신들에 대해서는 필요하지 않다. CET들은, 서브프레임의 일부의 지속기간으로 정기적으로, 예를 들어, 매 80 ms마다 발생할 수 있다. CET들은 또한 DL 및 UL 송신들 둘 모두에 대해 존재할 수 있다. CET는, 중요한 시스템 정보 및 다른 정보, 예를 들어, 그룹 전력 제어 등을 반송할 수 있다.[0057] 각각의 CCA 클리어된 프레임에서, 비허가된 스펙트럼을 포함하는 LTE/LTE-A를 동작시키는 노드들에 의해 스케줄링되는 DL 서브프레임들의 수는, 이용가능한 DL 서브프레임들의 수와 항상 동일하지는 않을 수 있다. 예를 들어, 일부 노드들은 제한된 DL 버퍼를 가질 수 있는 한편, 다른 노드들은, 간섭 관리로 인해 동일한 수의 이용가능한 DL 서브프레임들을 갖지 않을 수 있다. 이러한 예시적인 시나리오들에서, CCA-클리어된 프레임에서, 비허가된 스펙트럼 노드를 포함하는 LTE/LTE-A는 오직 처음 3개의 DL 서브프레임들에서만 DL 송신들을 스케줄링할 수 있다.[0058] LTE 시스템들에서 UE가 신호들을 적절히 복조하고 그리고/또는 CSI 피드백을 생성하기 위해, UE는 간섭 측정들을 수행한다. 간섭 측정들은 통상적으로, 공통 기준 신호들(CRS) 또는 간섭 측정 자원들(IMR) 상에서 취해진다. 특히, IMR은, 제로-전력(ZP) CSI-RS 구성에 기초한다. IMR은 일반적으로, 물리 자원 블록(PRB) 쌍 당 4개의 자원 엘리먼트(RE)에 대한 주기적 방식으로, RRC 시그널링을 통해 구성된다. CSI-RS 프로세스는 또한, 넌-제로 전력(NZP) CSI-RS 구성 및 IMR과 연관될 수 있다. 따라서, UE는 NZP CSI-RS에 기초하여 채널을 측정하고, IMR에 기초하여 간섭을 측정한다. 그 다음, 이러한 2개의 측정들에 기초하여, UE는 대응하는 채널 상태 정보 피드백을 제공할 수 있다.[0059] 비허가된 스펙트럼을 포함하는 LTE/LTE-A 네트워크들은, 참여중인 UE에 의해 관측될 수 있는 통상적인 간섭에 변화들을 도입한다. 비허가된 스펙트럼을 통한 송신들은 보장되지 않기 때문에, 상이한 소스들로부터의 상이한 간섭은, CCA 프로세스가 특정 LBT 프레임을 클리어했는지 여부에 따라 관측될 수 있다. CCA가 클리어되지 않은 프레임에서, 그 프레임에서 UE에 의해 관측되는 DL 간섭은 다른 운영자들, WiFi 은닉 노드들 또는 심지어 동일한 운영자의 상이한 셀들로부터 발신될 수 있다. WiFi 은닉 노드는, 고정된 위치에 있지 않고 WiFi 액세스 포인트로 항상 이용가능한, WiFi 프로토콜들을 통해 송신하는 노드들로 고려될 수 있다. 예를 들어, 항상 온(on)은 아닌 정적 WiFi 노드는, 활성화되는 경우 WiFi 간섭을 제공하는 은닉 노드로 고려될 수 있다. 추가적으로, 모바일 핫스팟 또는 WiFi 송신 능력들을 갖는 UE를 포함할 수 있는 모바일 WiFi 노드는 WiFi 송신 간섭을 제공하는 경우 은닉 노드로 고려될 수 있다. 이러한 WiFi 노드들은 일반적으로 애드 혹(ad hoc) 방식으로 송신하고, 따라서 반드시 알려진 정규의 간섭 소스는 아닐 것이다.[0060] CCA가 클리어되는 프레임에서, 그 프레임에서 UE에 의해 관측되는 DL 간섭은 다른 운영자들의 은닉 노드들, WiFi 은닉 노드들 또는 동일한 운영자의 상이한 셀들로부터 올 수 있다. 다른 운영자들의 은닉 노드들은, (예를 들어, 거리 또는 측정된 에너지가 어떠한 임계치 아래로 떨어지는 것으로 인해) 서빙 eNB의 CUBS 송신이 다른 운영자들로부터의 eNB들의 송신을 차단할 수 없지만, 서빙되는 UE는 다른 운영자들의 이러한 이웃 eNB들로부터 강한 간섭을 경험하는 예들에서 발생할 수 있다. 클리어된 CCA의 일부 예들에서, eNB는 버퍼에 송신할 데이터를 갖지 않을 수 있다. 이러한 경우들에서, eNB는, CCA 클리어된 프레임에서 결코 송신하지 않는 것으로 선택할 수 있거나, 또는 CUBS를 송신함으로써 프레임을 홀딩하는 것으로 선택할 수 있다. eNB가 LBT 프레임에서 송신할 데이터를 갖지 않고 CUBS를 송신하는 것으로 선택하는 경우, UE는, 다른 운영자들의 은닉 노드들, WiFi 은닉 노드들 및 동일한 운영자의 상이한 셀들로부터 DL 간섭을 관측할 수 있다. 그러나, eNB가 결코 송신하지 않는 것으로 선택하는 경우 (또는 eNB가 심지어 CCA를 수행하지 않는 것으로 선택하는 경우), UE는, 다른 운영자들, WiFi로부터의 은닉 노드들 및 동일한 운영자의 상이한 셀들로부터 DL 간섭을 관측할 수 있다.[0061] 비허가된 스펙트럼을 포함하는 LTE/LTE-A 네트워크들에서의 송신은 보장되지 않고, 특정 송신기에서의 송신에 대해 얼마나 많은 데이터가 버퍼링되는지에 기초하여 송신기마다 가변적일 수 있기 때문에, 채널 상태 정보(CSI) 피드백에 대한 더 신속한 턴-어라운드를 갖는 것이 유리할 수 있다. 본 개시의 다양한 양상들은, 측정 및 보고 시간들에서의 감소를 통해 CSI 피드백 지연을 감소시키는 것을 제공한다.[0062] 현재의 LTE/LTE-A 네트워크들에서, CSI 피드백 지연은 측정 지연 및 보고 지연을 포함한다. UE가 보고를 준비할 때까지 UE가 채널을 측정하는 것 사이의 시간인 측정 지연은 LTE/LTE-A 네트워크들에서 적어도 4 ms이다. 더 많은 수의 CSI 프로세스들 및/또는 시분할 듀플렉스(TDD) 시스템들의 경우, NZP CSI-RS 및/또는 CSI-IM 구성 등에 따라, 측정 지연은 4 ms보다 훨씬 더 클 수 있다. 보고 지연은, 특정 CSI 보고가 주기적인지 또는 비주기적인지 여부에 의존한다. 또한, 주기적 CSI-RS 보고에 있어서, 보고 지연은 또한 보고에 할당되는 주기에 의존할 것이다.[0063] 비허가된 스펙트럼을 포함하는 LTE/LTE-A 네트워크들의 예측불가능한 변화들과 함께 이용하기 위해, 4 ms의 측정 지연은 일관되게 이용하기에는 너무 클 수 있다. 4 ms 지연에 있어서, 일 프레임에서의 측정에 기초한 CSI의 보고는, 프레임의 서브프레임들 대부분에서 이용되지 않을 수 있다. UL 송신들이 (CET 서브프레임들에서가 아니면) 후속 프레임들에서 보장되지 않기 때문에, 훨씬 더 긴 CSI 피드백 지연이 경험될 수 있다. 따라서, 비허가된 스펙트럼을 포함하는 LTE/LTE-A 네트워크들에 대한 동일한 서브프레임에서 CSI 피드백 관련 동작을 종료하려는 강한 동기화가 존재한다.[0064] 도 6은, UE로부터 본 개시의 일 양상을 구현하기 위해 실행되는 예시적인 블록들을 예시하는 기능 블록도이다. 블록(600)에서, UE(115)(도 4)와 같은 UE는, 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통해 eNB(105)(도 4)와 같은 서빙 기지국으로부터의 기준 신호를 검출한다. 검출된 기준 신호는, 송신 프레임의 제 1 서브프레임 또는 심지어 제 1 서브프레임의 처음 몇 심볼들에서와 같이 더 이른 시간에 서빙 기지국에 의해 송신될 수 있다. 대안적으로, UE에 의해 검출되는 기준 신호는, CCA 체크가 비허가된 채널을 클리어한 경우 기지국에 의해 송신된 CUBS일 수 있다.[0065] UE는, 블록(601)에서, 기준 신호를 측정하고, 블록(602)에서, 측정된 기준 신호에 기초하여 신속한 CSI 피드백 보고를 생성한다. 아래에서 더 상세히 설명될 바와 같이, 신속한 CSI 피드백 보고는, 크기(예를 들어, 비트폭)에서 감소되거나, CSI 타입에 의해 감소되거나, CSI 프로세스들의 감소된 수를 포함하거나, 감소된 성능 또는 프로세싱 요건들을 가질 수 있다. 블록(603)에서, UE는 신속한 CSI 피드백 보고를 서빙 기지국에 송신한다. UE는, 표준 CSI 보고보다 작은 지연을 갖는 신속한 CSI 피드백 보고를 송신하도록 구성될 수 있다.[0066] 도 7은, 기지국으로부터 본 개시의 일 양상을 구현하기 위해 실행되는 예시적인 블록들을 예시하는 기능 블록도이다. 블록(700)에서, eNB(105)와 같은 기지국은, 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통해 송신 프레임의 제 1 서브프레임에서 CSI 기준 신호를 송신한다. 언급된 바와 같이, CSI 기준 신호는, 송신 프레임의 제 1 서브프레임에서 또는 심지어 제 1 서브프레임의 처음 몇 심볼들에서 (예를 들어, 심볼들의 처음 3개 내에서) 송신될 수 있다.[0067] 블록(701)에서, 기지국은, CSI 기준 신호에 기초하여 하나 이상의 서빙되는 UE들로부터 신속한 CSI 보고를 수신한다. 신속한 CSI 보고는, 기지국이 기준 신호를 송신한 서브프레임 직후의 서브프레임에서 수신될 수 있다. 블록(702)에서, 기지국은, 동일한 송신 프레임 내의 후속 서브프레임들의 추가적인 송신들에 신속한 CSI 보고를 적용한다. 기지국은 CSI 기준 신호를 송신한 후 다음 서브프레임에서 신속한 CSI 보고를 수신하기 때문에, 추후의 서브프레임들에 대한 동일한 송신 프레임 내에서 결과적 정보를 이용할 수 있다.[0068] 측정 지연에 기인한 CSI 보고 지연의 일부로, 본 개시의 다양한 양상들은, 주어진 LBT 프레임의 이른 서브프레임(들)에 또는 심지어 LBT 프레임의 제 1 서브프레임의 처음 몇 심볼들에 채널 측정에 대한 RS를 배치할 수 있다. 도 8은, 본 개시의 일 양상에 따라 구성되는 기지국으로부터 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통한 다운링크 송신 스트림(80)을 예시한다. eNB(105)와 같은 기지국은, LBT 프레임의 제 1 서브프레임 SF0의 제 1 심볼들(800) 동안 CSI 측정에 대한 RS를 송신할 수 있다. 제 1 서브프레임의 처음 몇 심볼들에 유니캐스트 제어 또는 데이터 송신들을 포함하지 않음으로써, eNB는, CCA가 하나 이상의 컴포넌트 캐리어들(CC들)에 대해 클리어되지 않았는지 여부에 따라 스케줄링 판정들을 행할 더 많은 시간을 가질 수 있다. 선택된 양상들에서, 그룹캐스트/브로드캐스트 RE들은 또한 CSI 보고에 대한 RS를 갖는 처음 몇 심볼들에서 허용될 수 있다(예를 들어, 셀에 대한 SIB들에 대한 PDSCH). 본 개시의 추가적인 양상들에서, 프레임의 제 1 서브프레임의 처음 몇 심볼들에 오직 RS를 포함시키기 위한 이러한 특징은, CC 단위로 또는 노드 단위로 인에이블/디스에이블될 수 있고, 그 다음, 이것은, 특정 노드에 대해 구성되는 CC들의 수에 부착될 수 있다(예를 들어, 소수의 CC들에 대해 특징은 디스에이블되고; 그렇지 않으면 특징은 인에이블된다).[0069] 본 개시의 추가적인 양상들에서, CUBS는 CSI 피드백과의 이용을 위해 고려될 수 있다. 이러한 양상들에서, CUBS는, 채널 및 간섭 측정들 둘 모두에 대해 이용될 수 있다. 도 9는, eNB(105)와 같은 기지국으로부터 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통한 다운링크 송신 스트림(90), 및 UE(115)와 같은 UE로부터의 연관된 업링크 송신 스트림(91)을 예시하고, 기지국 및 UE는 본 개시의 양상들에 따라 구성된다. 예시된 바와 같이, 기지국은, 서브프레임 8 이후의 서브프레임에서, 심볼들 0-2의 CCA 기회들 이후 심볼들 3-6에서 CUBS를 송신하기 시작할 것이다. CUBS가 일반적으로 송신되는 타이밍 때문에, CSI 피드백 측정을 위한 CUBS의 이용은 훨씬 더 신속한 CSI 피드백을 가능하게 할 수 있다. 그 다음, 업링크 송신 스트림(91)과 연관된 UE는, CUBS를 측정할 수 있고, CSI 피드백 보고를 생성할 수 있고, 업링크 송신 스트림(91)의 업링크 서브프레임 0의 심볼 6에서 CSI 보고를 기지국에 송신할 수 있다.[0070] CSI 피드백 지연을 감소시키기 위해, 측정 지연 자체가 감소될 수 있다. 예를 들어, 4 ms 측정 지연 대신에, 더 짧은 지연, 예를 들어, 1 ms, 2 ms 등이 고려될 수 있다. 도 10은, eNB(105)와 같은 기지국으로부터 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통한 다운링크 송신 스트림(1000), 및 UE(115)와 같은 UE로부터의 연관된 업링크 송신 스트림(1001)을 예시하고, 기지국 및 UE는 본 개시의 양상들에 따라 구성된다. 다운링크 송신 스트림(1000)과 연관된 기지국은, 다운링크 SF0의 처음 2개의 심볼들, 즉 심볼 0 및 1에서 CSI 기준 신호를 송신한다. 업링크 송신 스트림(1001)과 연관된 UE는 업링크 SF0에서 기준 신호를 측정하고, 업링크 SF1 동안 CSI 보고를 신속하게 송신할 수 있다. 다운링크 송신 스트림(1000)과 연관된 기지국은 다운링크 SF2의 시작 시에 CSI 보고를 수신하고, 다운링크 SF3의 다운링크 스케줄링 시작을 위해 이를 이용할 수 있다. 단축된 측정 시간으로, CSI 보고는 즉시 후속할 수 있어서, 제 1 서브프레임에서 수행되는 CSI 측정들은 가능한 한 일찍 프레임의 후속 서브프레임들에서 이용될 수 있다.[0071] 본 개시의 다양한 양상들에서 측정 지연을 감소시키기 위한 하나의 메커니즘은, 앞서 언급된 바와 같이, LBT 프레임에서 더 일찍 또는 CSI-RS로서 CUBS를 이용함으로써 CSI-RS(NZP 및/또는 IM)를 제공하는 것이다. CSI를 결정하기 위한 RS의 이용가능성이 더 일찍일 수록, UE는 측정들을 더 빨리 시작할 수 있다.[0072] 측정 지연을 감소시키기 위한 본 개시의 양상들에 의해 제공되는 다른 잠재적인 메커니즘은, 보고를 위한 CSI 피드백을 감소시키는 것이다. 신속한 CSI 피드백 하에서, CSI는 비허가된 스펙트럼을 갖지 않는 LTE와 동일할 수 있다. 그러나, 감소된 CSI 피드백이 또한 고려될 수 있고, 이는, 감소된 비트폭, 보고 타입들, 성능/프로세싱 요건들, CSI 프로세스들의 수 등을 통해 감소될 수 있다.[0073] 예를 들어, 감소된 비트폭을 통한 감소된 CSI 피드백은 보고를 위해 4보다 적은 비트들을 이용할 수 있다. N 003c# 4 이고, 여기서 N은 비트들의 수를 표현한다. 4 ms 지연을 갖는 현재의 구현들에서, 4-비트 채널 품질 표시자(CQI)가 이용된다(N = 4). 이러한 4-비트 CQI 대신, CQI의 델타, 즉, δCQI를 식별하는 감소된-비트 CQI가 이용될 수 있다. 예를 들어, N = 1인 경우, 마지막 채널 측정에 비해 채널 조건들이 개선되었는지 또는 악화되었는지 여부를 간단히 표시하기 위해 1-비트 δCQI가 이용될 수 있다. N = 2인 경우, 더 상세한 것을 제공하기 위해, 예를 들어, 마지막 보고에 대한 채널 조건들에서의 변경을 표시하기 위해, 2-비트 δCQI가 이용될 수 있다. 피드백 지연을 감소시키기 위해 CSI 보고의 비트폭을 감소시키기 위한 다양한 다른 메커니즘들이 이용될 수 있다.[0074] 본 개시의 추가적인 양상들은 보고 타입들을 감소시킴으로써 CQI 보고를 감소시킬 수 있다. 통상적인 CQI 보고는, 광대역 CQI, 서브대역 CQI, 랭크, 광대역 PMI, 서브대역 PMI, 선호되는 서브대역 CQI 등을 포함할 수 있다. 이러한 다양한 보고 타입들 전부의 제공된 전체 보고 대신, 본 개시의 다양한 양상들은, 신속한 피드백을 허용할 제한된 세트의 보고 타입들, 예를 들어, 광대역 CQI 또는 전체 보고 타입들 중 일부 서브세트만을 보고하는 것을 제공할 수 있다.[0075] 본 개시의 양상들이 감소된 CQI, 즉, δCQI를 제공하기 때문에, 성능 및 프로세싱 요건들은 또한 정규의 CSI 피드백에 비해 감소될 수 있다. 예를 들어, 미처리 채널 또는 간섭 조건들을 제공하는 것과 같은 상이한 프로세싱 요건들이 정의될 수 있다. 또한, CSI 프로세스들의 수가 감소될 수 있다. 이러한 CSI 프로세스들의 수의 감소는 네트워크에 의해 구성될 수 있거나, 특정 UE에서 하드코딩될 수 있다. 이것은 또한, UE 능력 또는 카테고리와 관련하여 제공될 수 있다. 이러한 감소된 프로세싱 요건 또는 핸들링되는 CSI 프로세스들의 수의 감소들에 있어서, 전반적인 성능 요건들은 결국, 정규의 CSI 피드백 성능에 비해, 또한 감소될 수 있다.[0076] 본 개시의 다양한 양상들은 또한, 정규의 시간에, 또는 적어도, 감소된 CSI 피드백 보고의 신속한 보고보다 늦게, 정규의 또는 개선된 CSI 보고를 보고하는 것을 제공할 수 있다. 도 11은, eNB(105)와 같은 기지국으로부터 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통한 다운링크 송신 스트림(1100), 및 UE(115)와 같은 UE로부터의 연관된 업링크 송신 스트림(1101)을 예시하고, 기지국 및 UE는 본 개시의 양상들에 따라 구성된다. 다운링크 송신 스트림(1100)과 연관된 기지국은, 다운링크 SF0의 처음 2개의 심볼들, 즉 심볼 0 및 1에서 CSI 측정을 위한 기준 신호를 송신한다. 업링크 송신 스트림(1101)과 연관된 UE는 신속한 CSI 피드백 보고를 생성하고, 업링크 SF1에서 기지국에 신속한 CSI 보고를 송신한다. 예를 들어, 신속한 CSI 보고는, 오직 이용가능한 CSI 타입들 또는 프로세스들의 서브세트만을 포함할 수 있고, 다운링크 SF0의 다운링크 심볼 0 및 1에서 측정된 기준 신호들에만 기초할 수 있다. 따라서, 동일한 수 또는 더 많은 CSI 프로세스들에 대한 더 풍부하고 더 상세하고 정확한 CSI 정보를 제공하기 위해 후속적인 개선된 또는 정규의 CSI 보고가 제공될 수 있고, 이는 또한, 더 큰 세트의 심볼들의 UE 측정에 기초할 수 있다. 예를 들어, 정규의 또는 개선된 CSI 피드백은, 다운링크 SF0의 다운링크 심볼들 전부의 측정에 기초하여 결정되고, CSI 프로세스들 또는 타입들의 선택된 서브세트보다 더 많이 포함한다. 그 다음, 업링크 송신 프레임(1101)과 연관된 UE는, 업링크 SF4에서 기지국에 정규의 또는 개선된 CSI 피드백 보고를 송신할 것이다.[0077] 본 개시의 추가적인 양상들은, UE로부터의 CSI 피드백 송신을 감소시킴으로써 CSI 피드백 지연을 감소시킬 수 있다. 도 12는, 기지국으로부터 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통한 다운링크 송신 스트림(1200), 및 UE로부터의 연관된 업링크 송신 스트림(1201)의 일부를 예시하고, 기지국 및 UE는 본 개시의 일 양상에 따라 구성된다. 현재, CSI 피드백 송신들은 전체 1 ms UL 서브프레임 상에서 전송된다. 추가적인 양상들은 UL 송신 시간을 단축시키는 것을 고려할 수 있다. 예를 들어, 각각의 양상들의 다양한 구현들은, UE들이 PUCCH 또는 PUSCH를 통해 0.5 ms 업링크 송신(1202) 상에서 CSI 피드백을 전송하는 것을 제공할 수 있다. 이러한 구현들에서, 제 1 서브프레임(SF0)의 RS에 기초하여 측정된 CSI는 제 2 업링크 서브프레임(SF1)에서 0.5 ms 업링크 송신(1202)과 함께 송신될 수 있고, eNB는 제 3 다운링크 서브프레임(SF2)에서 DL 스케줄링을 위해 이러한 CSI를 이용할 수 있다.[0078] 본 개시의 대안적인 양상들은, 감소된 0.5 ms UL 송신 대신에, 신속한 CSI 피드백을 위해 단일 UL 심볼을 지정할 수 있다. 이러한 양상들은, 특수 서브프레임-유사 구조를 갖도록, 비허가된 스펙트럼을 포함하는 LTE/LTE-A 네트워크들의 다운링크 서브프레임의 CC들을 구성할 수 있고, 여기서 단일 심볼이 업링크 CSI 피드백 송신을 수용할 수 있다. 도 13은, 본 개시의 일 양상에 따라 구성되는 기지국으로부터 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통한 다운링크 송신 스트림(1300)을 예시한다. 다운링크 송신 스트림(1300)과 연관된 기지국은, 다운링크 SF0의 심볼 0 및 1에서 CSI 측정을 위한 기준 신호를 송신한다. 이용가능한 업링크 캐리어들이 없으면, CSI 피드백을 제공하는 UE는 CSI 보고를 기지국에 송신하지 못할 것이다. 따라서, 다운링크 SF0의 다운링크 심볼들 중 하나, 즉, 다운링크 심볼 5를 업링크 심볼로 스위칭 할 것이라는 UE로부터의 표시가 기지국에 의해 수신된다. 스위칭된 심볼로, UE는 다운링크 SF0의 스위칭된 심볼 5에서 신속한 CSI 보고를 송신할 것이다. 프레임 구조를 다운링크로부터 업링크로 그리고 그 후 다신 다운링크로 스위칭하기 위해, 다운링크 SF0의 심볼들 4 및 6이 송신 기간들로 이용될 것이다.[0079] 이러한 전용 UL CC가 이용가능한 경우, 유사한 단일 심볼 CSI 피드백 구조가 또한 LTE UL CC에 대해 구성될 수 있다. 도 14는, 기지국으로부터 허가된 및 비허가된 스펙트럼을 포함할 수 있는 공유 스펙트럼의 캐리어를 통한 다운링크 송신 스트림(1400), 및 UE로부터의 연관된 업링크 송신 스트림(1401)의 일부를 예시하고, 기지국 및 UE는 본 개시의 일 양상에 따라 구성된다. 예를 들어, 업링크 서브프레임 0의 업링크 심볼 5가 신속한 CSI 피드백 보고 심볼로 지정될 수 있다. 따라서, 업링크 송신 프레임(1401)과 연관된 UE는, 지정된 업링크 심볼 5에서, 다운링크 서브프레임 0의 심볼 0 및 1에서 기지국에 의해 송신된 기준 신호의 측정에 기초하여, 신속한 CSI 피드백 보고를 송신할 것이다.[0080] LTE 시스템들에서, UE는 일반적으로, 사운딩 기준 신호(SRS)를 송신하도록 구성되는 경우, 마지막 업링크 서브프레임의 마지막 심볼에서 SRS를 송신한다. 본 개시의 추가적인 양상들은 SRS 송신을 이용하여 CSI 피드백 정보를 전달하는 것을 제공한다. 예를 들어, SRS에 대해 상이한 사이클릭 시프트들을 이용함으로써, 특정 시프트와 연관된 일부 CSI 정보가 전달될 수 있다. 따라서, 도 14를 참조하면, 대안적인 예에서, 업링크 송신 프레임(1401)의 서브프레임 3은, CSI 정보를 전달하기 위한 방식으로 사이클릭 시프트된 SRS를 포함할 수 있다. 동작 시에, 추가적인 복잡도 없이 SRS 송신의 상이한 사이클릭 시프트들을 이용함으로써 CSI 정보의 둘 이하의 비트들이 실용적으로 전달될 수 있다. 그러나, 다양한 추가적인 양상들은, 상이한 이용가능한 사이클릭 시프트에 대한 잠재적인 코딩 방식들로, CSI 정보의 둘 이상의 비트들을 제공할 수 있다.[0081] SRS 송신들의 사이클릭 시프트를 이용하여 CSI 피드백 정보를 전달하는 것과 유사하게, UE 채널 조건들에 기초하는 변조 차수를 이용하여 신속한 CSI 보고가 변조될 수 있다. 이러한 변조 차수의 이용은 또한, PUSCH 송신들 상에서 CSI 보고들을 피기백하는 것과 유사하고, 여기서 CQI 보고의 변조 차수는 PUSCH 송신의 변조 차수를 따른다.[0082] PUCCH를 이용하여 CSI 피드백 정보를 송신하는 경우, 본 개시의 양상들은, CSI 피드백 보고의 페이로드 크기에 따라 이용될 다수의 PUCCH 채널들을 제공할 수 있다. 지정된 PUCCH 채널들은 또한 인접한 RB들에 위치될 수 있다. 따라서, 신속한 CSI 보고들의 경우, 더 적은 PUCCH 채널들이 이용될 수 있는 한편, 전체 CSI 보고의 경우, 더 많은 PUCCH 채널들이 지원될 수 있다.[0083] 본 개시의 다양한 양상들은, 그룹캐스트 또는 브로드캐스트 시그널링과 같은 전용 시그널링의 형태를 통해 CSI 보고 기회들에서 더 많은 유연성을 제공할 수 있다. 예를 들어, 다운링크 제어 표시자(DCI)와 같은 공통 그룹 제어 신호에 임베딩되는 시그널링이 도입될 수 있고, 여기서, UE는, 서브프레임에서 신속한 CSI 피드백 보고를 보고할지 여부를 결정하기 위해 제어 신호의 하나 이상의 비트들을 모니터링한다. 이러한 표시자들은, 그룹 제어 신호가 송신되는 CC로부터 제공될 수 있거나, 또는 상이한 CC들에 대한 크로스-캐리어 방식으로 제공될 수 있다.[0084] 도 15 및 도 16은, 기지국으로부터 비허가된 및 허가된 주파수 캐리어들을 통한 다운링크 송신 스트림들, 및 UE로부터의 연관된 업링크 송신 스트림의 일부들을 예시하고, 기지국 및 UE는 본 개시의 일 양상에 따라 구성된다.[0085] UE들의 그룹에 신속한 CSI 피드백 보고에 대한 그룹 트리거링 신호를 제공하는 것으로 판단할 때, eNB는 자시 자신의 스케줄링과 관련하여 이러한 판단을 행할 수 있다. 예를 들어, 트래픽 요구들로 인해 UE가 스케줄링되는 경우, 본 개시의 다양한 양상들은, 서빙 eNB가, 신속한 CSI 보고들을 전송하도록 UE를 트리거링하게 한다. 이러한 신속한 CSI 보고 트리거링 신호/채널의 배치는, CSI 측정이 수행되는 서브프레임 이전이 바람직할 수 있다. 도 15a 및 도 15b는, 기지국으로부터 비허가된(1500) 및 허가된(1502) 주파수 캐리어들을 통한 다운링크 송신 스트림들, 및 UE로부터의 연관된 업링크 송신 스트림(1501)의 일부들을 예시하고, 기지국 및 UE는 본 개시의 일 양상에 따라 구성된다. 도 15a에 예시된 바와 같이, CSI 기준 신호가 송신되는 서브프레임 이전에 그룹 신속한 CSI 표시자(1503)가 배치되는 경우, 업링크 송신 프레임(1501)과 연관된 UE는 업링크 서브프레임 0에서의 CSI 측정 및 업링크 서브프레임 1에서의 보고 둘 모두를 스킵할 수 있고, 이는 상당한 프로세싱 자원들을 절감할 수 있고, 따라서 전력을 절감할 수 있다. 그러나, 도 15b에 예시된 바와 같이, 그룹 신속한 CSI 표시자(1504)가 CSI 기준 신호와 동일한 서브프레임에 배치되는 경우, UE는 여전히 CSI 측정에 착수하고 신속한 CSI 피드백 보고를 컴퓨팅할 수 있지만, 그룹 신속한 CSI 표시자(1504)가 신속한 CSI 보고를 디스에이블하는 것으로 표시하는지 또는 인에이블하는 것으로 표시하는지 여부에 따라, UE는 보고의 송신을 스킵할 수 있거나 스킵하지 않을 수 있는데, 이는, CSI 측정 자원이 UE에 의해 수신된 이후 CSI 트리거링 표시의 디코딩이 완료될 수 있기 때문이다.[0086] 본 개시의 추가적인 양상들은 다수의 CSI 트리거링 표시를 제공할 수 있다. 따라서, UE는, 서브프레임의 하나의 채널에서 하나 이상의 CSI 트리거들을 모니터링할 수 있고, 여기서, 하나 이상의 CSI 트리거들은 상이한 CC들 및/또는 상이한 서브프레임들에 대응할 수 있다. 각각의 셀은 또한, 하나 이상의 CSI 트리거링 채널들, 예를 들어, UE들의 상이한 그룹들을 타겟팅하여 송신할 수 있다. 이러한 상이한 CC들은 물리적 CC들의 세트 또는 가상 CC들의 세트일 수 있다.[0087] CSI를 보고하도록 트리거링되는 UE들의 경우, 본 개시의 양상들은, 상이한 UE들에 대해 특정되는 동일한 또는 상이한 CSI 보고 지연들을 제공할 수 있다. 예를 들어, CSI 보고의 스태거링이 인에이블되어, UE들의 제 1 세트는 제 1 시간 인스턴스에 보고하는 한편 UE들의 제 2 세트는 제 2 시간 인스턴스에 보고할 수 있다. 이러한 스태거링은 UL 오버헤드를 밸런싱하는 것을 도울 수 있다. 또한, 신속한 CSI 피드백을 보고하는 UE들의 경우, PUCCH/PUSCH 자원은 준-정적으로 또는 동적으로 표시될 수 있다. 예를 들어, 그룹 공통 DCI에서, 다수의 UE들에 대해 다수의 인덱스들이 존재할 수 있고, 이러한 인덱스들은 PUCCH/PUSCH 자원을 도출하기 위해 이용될 수 있다.[0088] 비허가된 스펙트럼을 포함하는 LTE/LTE-A 네트워크들의 경우, UL 송신들을 준비하는 UE들은, 송신들이 발생할 수 있는 UL CC들 각각에 대해 CCA 체크들을 수행한다. 본 개시의 다양한 양상들에서, 다수의 UL CC들이 UE 송신들에 대해 구성되는 경우, CSI 피드백 보고는, 가장 이른 UL 보고 기회를 제공하는 UL CC 상에서 수행될 수 있다. 이것은, 비허가된 스펙트럼을 갖지 않는 LTE 네트워크들과는 상이하고, 여기서, 비주기적 CSI 보고의 경우, A-CSI 보고를 반송하는 UL CC는, A-CSI 트리거링을 반송하는 DCI에 대응하는 UL CC이다. 주기적인 CSI의 경우, 송신은, 가장 작은 셀 인덱스를 갖는 PUSCH CC 상에 또는 PUCCH 상에 있을 것이다. 비허가된 스펙트럼을 포함하는 LTE/LTE-A 네트워크들의 양상들에서, PUCCH 상의 CSI 보고 또는 PUSCH 상의 주기적 및 비주기적 CSI 보고 둘 모두는, CCA 클리어되고 최소 셀 인덱스를 갖는 UL CC 또는 일부 다른 유사한 쉽게 식별가능한 CC 상에서 송신될 수 있다.[0089] 적어도 하나의 UL CC 상에서 적어도 일부의 PUSCH 송신들의 경우, 적어도 대응하는 DL CC 및 가능하게는 다른 DL CC들에 대한 CSI 보고는, 심지어 A-CSI 보고가 없거나 주기적 CSI 송신 인스턴스들 외부에 있는 경우에도 PUSCH 송신 상에서 피기백될 수 있음을 주목해야 한다. 예를 들어, CSI 보고는 프레임의 제 1 UL 서브프레임의 PUSCH 송신들 상으로 피기백될 수 있다. 이러한 양상은, 예를 들어, PUSCH의 TBS/MCS가 큰 경우, 피기백된 송신에 대한 제약들을 포함할 수 있다.[0090] 비허가된 스펙트럼을 포함하는 LTE/LTE-A 네트워크들은, 상이한 타입들의 배치들, 즉, 보조 다운링크(SDL), 캐리어 어그리게이션(CA) 및 독립형(SA) 배치들을 이용하여 구현될 수 있다. SDL 배치들에서, 비허가된 스펙트럼은, 통상적인 LTE 허가된 스펙트럼 캐리어들과 함께 추가적인 다운링크 캐리어들로서 이용될 수 있다. CC 배치들은, 허가된 스펙트럼의 CC들을 갖는 CA 구성에서 비허가된 스펙트럼의 CC들을 제공하는 한편, SA는, 오직 비허가된 스펙트럼을 통해 LTE/LTE-A 통신들을 제공한다. 앞서 논의된 특징들 중 일부의 신속한 CSI 피드백의 지원 또는 가능성은, 비허가된 스펙트럼을 포함하는 LTE/LTE-A의 특정 배치(예를 들어, SDL, CA, SA)에 의존할 수 있다.[0091] 예를 들어, UE가 1차 CC로서 LTE 허가된 스펙트럼 CC로 구성되는 경우, 보장되는 UL 송신들로 인해, 일부 유연한 CSI 보고 메커니즘들이 디스에이블될 수 있거나 지원되지 않을 수 있다(예를 들어, DL CC에 대한 CSI 보고는, 가장 이른 UL 보고 기회를 제공한 UL CC 상에서 행해질 수 있다). 그 다음, 신속한 피드백은, 비허가된 스펙트럼을 포함하는 LTE/LTE-A의 SDL 및 CA 배치들에 대해 지원될 수 있지만, SA에 대해서는 지원되지 않을 수 있는데, 이는, 일반적으로, 신속한 CSI 피드백에 대해 어떠한 UL 서브프레임도 존재하지 않을 것이기 때문이다.[0092] 정보 및 신호들은 다양한 다른 기술들 및 기법들 중 임의의 것을 이용하여 표현될 수 있음을 당업자는 이해할 것이다. 예를 들어, 상기 설명 전반에 걸쳐 참조될 수 있는 데이터, 명령들, 커맨드들, 정보, 신호들, 비트들, 심볼들 및 칩들은 전압들, 전류들, 전자기파들, 자기 필드들 또는 자기 입자들, 광 필드들 또는 광 입자들, 또는 이들의 임의의 결합으로 표현될 수 있다.[0093] 도 6 및 7의 기능 블록들 및 모듈들은 프로세서들, 전자 디바이스들, 하드웨어 디바이스들, 전자 컴포넌트들, 로직 회로들, 메모리들, 소프트웨어 코드들, 펌웨어 코드들 등, 또는 이들의 임의의 결합을 포함할 수도 있다.[0094] 당업자들은 본 명세서의 개시와 관련하여 설명되는 다양한 예시적인 논리 블록들, 모듈들, 회로들, 및 알고리즘 단계들이 전자 하드웨어, 컴퓨터 소프트웨어, 또는 이 둘의 조합으로서 구현될 수도 있음을 추가로 인식할 것이다. 하드웨어와 소프트웨어의 이러한 상호 호환성을 명확하게 설명하기 위해, 다양한 예시적인 컴포넌트들, 블록들, 모듈들, 회로들, 및 단계들이 일반적으로 이들의 기능적 관점에서 설명되었다. 이러한 기능이 하드웨어로 구현되는지, 또는 소프트웨어로 구현되는지 여부는 특정 애플리케이션 및 전체 시스템에 대해 부과된 설계 제한들에 의존한다. 당업자들은 설명된 기능을 각각의 특정 애플리케이션에 대해 다양한 방식들로 구현할 수 있지만, 이러한 구현 결정들이 본 개시의 범주를 벗어나는 것으로 해석되어서는 안 된다. 당업자들은 또한, 본 명세서에서 설명되는 컴포넌트들, 방법들 또는 상호작용들의 순서 또는 조합이 단지 예시들이고, 본 개시의 다양한 양상들의 컴포넌트들, 방법들 또는 상호작용들은 본 명세서에 예시되고 설명되는 것 이외의 다른 방식으로 결합 또는 수행될 수 있음을 쉽게 인식할 것이다.[0095] 본 명세서의 개시와 관련하여 설명되는 다양한 예시적인 논리 블록들, 모듈들, 및 회로들이 범용 프로세서, 디지털 신호 프로세서(DSP), 주문형 집적회로(ASIC), 필드 프로그래머블 게이트 어레이(FPGA) 또는 다른 프로그래머블 논리 디바이스, 이산 게이트 또는 트랜지스터 로직, 이산 하드웨어 컴포넌트들 또는 본 명세서에 설명된 기능들을 수행하도록 설계된 이들의 임의의 조합으로 구현 또는 수행될 수 있다. 범용 프로세서는 마이크로프로세서일 수도 있지만, 대안으로 프로세서는 임의의 종래 프로세서, 제어기, 마이크로제어기 또는 상태 머신일 수도 있다. 프로세서는 또한 컴퓨팅 디바이스들의 조합, 예를 들어 DSP 및 마이크로프로세서의 조합, 복수의 마이크로프로세서들, DSP 코어와 결합된 하나 이상의 마이크로프로세서들, 또는 임의의 다른 이러한 구성으로서 구현될 수 있다.[0096] 본 명세서의 개시와 관련하여 설명되는 알고리즘 또는 방법의 단계들은 직접적으로 하드웨어로, 프로세서에 의해 실행되는 소프트웨어 모듈로, 또는 이 둘의 조합으로 구현될 수 있다. 소프트웨어 모듈은 RAM 메모리, 플래쉬 메모리, ROM 메모리, EPROM 메모리, EEPROM 메모리, 레지스터들, 하드디스크, 이동식 디스크, CD-ROM, 또는 업계에 공지된 임의의 다른 형태의 저장 매체에 상주할 수 있다. 예시적인 저장 매체는, 프로세서가 저장 매체로부터 정보를 판독하고, 저장 매체에 정보를 기록할 수 있도록 프로세서에 연결된다. 대안적으로, 저장 매체는 프로세서에 통합될 수 있다. 프로세서 및 저장 매체는 ASIC에 상주할 수도 있다. ASIC는 사용자 단말에 상주할 수 있다. 대안적으로, 프로세서 및 저장 매체는 사용자 단말에서 개별 컴포넌트들로서 상주할 수 있다.[0097] 하나 이상의 예시적인 설계들에서, 설명된 기능들은 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다. 소프트웨어로 구현되는 경우, 상기 기능들은 컴퓨터 판독가능 매체 상에 하나 이상의 명령들 또는 코드로서 저장되거나 이들을 통해 송신될 수 있다. 컴퓨터 판독가능 매체들은 컴퓨터 저장 매체들, 및 일 장소에서 다른 장소로 컴퓨터 프로그램의 이전을 용이하게 하는 임의의 매체들을 포함하는 통신 매체 둘 모두를 포함한다. 컴퓨터 판독가능 저장 매체들은 범용 컴퓨터 또는 특수 목적 컴퓨터에 의해 액세스될 수 있는 임의의 가용 매체들일 수 있다. 한정이 아닌 예시로, 이러한 컴퓨터 판독 가능 매체는 RAM, ROM, EEPROM, CD-ROM이나 다른 광 디스크 저장소, 자기 디스크 저장소 또는 다른 자기 저장 디바이스들, 또는 명령들이나 데이터 구조들의 형태로 원하는 프로그램 코드 수단을 전달 또는 저장하는데 사용될 수 있으며 범용 또는 특수 목적용 컴퓨터나 범용 또는 특수 목적용 프로세서에 의해 액세스 가능한 임의의 다른 매체를 포함할 수 있다. 또한, 임의의 연결수단(connection)이 컴퓨터 판독가능 매체로 적절히 간주될 수 있다. 예를 들어, 소프트웨어가 웹사이트, 서버, 또는 다른 원격 소스로부터 동축 케이블, 광섬유 케이블, 꼬임 쌍선 또는 디지털 가입자 라인(DSL)을 이용하여 전송되는 경우, 동축 케이블, 광섬유 케이블, 꼬임 쌍선 또는 DSL이 이러한 매체의 정의에 포함된다. 본 명세서에서 사용된 것과 같은 디스크(disk 및 disc)는 콤팩트 디스크(CD: compact disc), 레이저 디스크(laser disc), 광 디스크(optical disc), 디지털 다기능 디스크(DVD: digital versatile disc), 플로피 디스크(floppy disk) 및 블루레이 디스크(disc)를 포함하며, 여기서 디스크(disk)들은 보통 데이터를 자기적으로 재생하는 한편, 디스크(disc)들은 데이터를 레이저들에 의해 광학적으로 재생한다. 상기의 것들의 결합들이 또한 컴퓨터 판독 가능 매체의 범위 내에 포함되어야 한다.[0098] 청구항들을 포함하여 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 용어 "및/또는"은, 둘 이상의 항목들의 리스트에서 사용되는 경우, 나열된 항목들 중 임의의 하나가 단독으로 이용될 수 있거나, 나열된 항목들 중 둘 이상의 임의의 조합이 이용될 수 있음을 의미한다. 예를 들어, 컴포넌트들 A, B 및/또는 C를 포함하는 조성이 설명되면, 이러한 조성은, 오직 A; 오직 B; 오직 C; A 및 B 조합; A 및 C 조합; B 및 C 조합; 또는 A, B, 및 C 조합을 포함할 수 있다. 또한, 청구항들을 포함하여 본 명세서에서 사용된 바와 같이, "~ 중 적어도 하나"로 서문이 쓰여진 항목들의 리스트에 사용된 "또는"은 예를 들어, "A, B 또는 C 중 적어도 하나"의 리스트가 A 또는 B 또는 C 또는 AB 또는 AC 또는 BC 또는 ABC(즉, A와 B와 C)를 의미하도록 택일적인 리스트를 나타낸다.[0099] 본 개시의 상기의 설명은 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 개시를 이용하거나 실시할 수 있게 하도록 제공된다. 본 개시에 대한 다양한 변형들이 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들에게 쉽게 명백할 것이며, 본 명세서에 정의된 일반 원리들은 본 개시의 사상 또는 범위를 벗어나지 않으면서 다른 변형들에 적용될 수 있다. 그러므로 본 개시는 본 명세서에서 설명된 예시들 및 설계들로 한정되는 것으로 의도되는 것이 아니라, 본 명세서에 개시된 원리들 및 신규한 특징들에 부합하는 가장 넓은 범위에 따르는 것이다.
사용자 장비(UE)가 측정을 위해 공유 스펙트럼의 캐리어를 통해 서빙 기지국으로부터의 기준 신호를 검출하는, 비허가된 스펙트럼을 포함하는 롱 텀 에볼루션(LTE)/LTE-A(LTE-Advanced)에서 채널 및 간섭 측정이 논의된다. 기준 신호는, 송신 전에 서빙 기지국에 의해 송신되는 채널 사용 비콘 신호(CUBS)일 수 있거나, 또는 송신 프레임의 제 1 서브프레임에서 송신되는 특정 채널 상태 정보(CSI) 기준 신호일 수 있다. UE는, 측정된 기준 신호에 기초하여 신속한 CSI 피드백 보고를 생성하고, 이를 서빙 기지국에 송신한다. 신속한 CSI 피드백 보고는 서빙 기지국에 의해 충분히 신속하게 수신되어, 기지국은 동일한 송신 프레임 내의 후속 서브프레임들의 추가적인 송신들에 CSI 피드백을 적용할 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] LTE에서의 커버리지 강화들 하에서의 PUSCH 및 PUCCH 전력 제어PUSCH AND PUCCH POWER CONTROL UNDER COVERAGE ENHANCEMENTS IN LTE [ 기술분야 ] [0001] 본 특허 출원은 2014년 12월 17일자로 출원된 "PUSCH and PUCCH Power Control Under Coverage Enhancements in LTE"이라는 명칭의 Chen 등에 의한 미국 특허 출원 번호 제14/573,954호; 및 2013년 12월 20일자로 출원된 "PUSCH and PUCCH Power Control Under Coverage Enhancements in LTE"라는 명칭의 Chen 등에 의한 미국 가특허 출원 번호 제61/919,525호에 대한 우선권을 주장하고; 이들 각각은 본원의 양수인에게 양도된다.[0002] 다음의 설명은 일반적으로 무선 통신에 관한 것으로, 더 구체적으로는, 무선 통신 시스템에서의 무선 디바이스에 대한 전력 제어 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] [0003] 무선 통신 시스템들은 음성, 비디오, 패킷 데이터, 메시징, 브로드캐스트 등과 같은 다양한 타입들의 통신 컨텐츠를 제공하도록 널리 전개된다. 이 시스템들은, 이용가능한 시스템 자원들(예를 들어, 시간, 주파수 및 전력)을 공유함으로써 다수의 사용자들과의 통신을 지원할 수 있는 다중-액세스 시스템들일 수 있다. 이러한 다중-액세스 시스템들의 예들은, CDMA(code-division multiple access) 시스템들, TDMA(time-division multiple access) 시스템들, FDMA(frequency-division multiple access) 시스템들 및 OFDMA(orthogonal frequency-division multiple access) 시스템들을 포함한다.본 발명의 배경이 되는 기술은 다음의 공개특허공보에 개시되어 있다.[문헌 1] EP 1,653,758 A1 (Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha) 2006.05.03.[문헌 2] WO 2009/135848 A2 (Nokia Siemens Networks OY) 2009.11.12. [ 발명의 개요 ] [0004] 설명되는 특징들은 일반적으로, 무선 통신 네트워크에서의 업링크 전력 제어를 위한 하나 또는 그 초과의 시스템들, 방법들 및 장치들에 관한 것이다. 업링크 전력 세팅들은 업링크 채널 반복 레벨들을 감안하거나 또는 이들에 기초할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 업링크 전력 세팅들은 이전 업링크 채널 송신들과 연관된 전력 램프-업을 포함하는 다른 인자들에 기초할 수 있다. 특정 업링크 전력 세팅들은 MTC 디바이스에 의해 컴퓨팅될 수 있거나, 또는 이들은 또 다른 시스템 노드로부터의 MTC 디바이스에 표시될 수 있다.[0005] 일부 실시예들에서, 무선 통신 시스템에서의 무선 디바이스에 대한 전력 제어 방법은, 제 1 채널 반복 레벨에 적어도 부분적으로 기초하여 초기 업링크 전력을 결정하는 단계, 및 초기 업링크 전력에 따라 제 1 업링크 채널을 송신하는 단계를 포함한다.[0006] 일부 실시예들에서, 무선 통신 시스템에서의 무선 디바이스의 전력 제어를 위한 장치는, 제 1 채널 반복 레벨에 적어도 부분적으로 기초하여 초기 업링크 전력을 결정하기 위한 수단, 및 초기 업링크에 따라 제 1 업링크 채널을 송신하기 위한 수단을 포함한다.[0007] 일부 실시예들에서, 무선 통신 시스템에서의 무선 디바이스의 전력 제어를 위한 장치는, 프로세서, 프로세서와 전자 통신하는 메모리, 및 메모리에 저장되는 명령들을 포함한다. 명령들은 제 1 채널 반복 레벨에 적어도 부분적으로 기초하여 초기 업링크 전력을 결정하고, 그리고 초기 업링크 전력에 따라 제 1 업링크 채널을 송신하도록 프로세서에 의해 실행가능할 수 있다.[0008] 일부 실시예들에서, 무선 통신 시스템에서의 무선 디바이스의 전력 제어를 위한 컴퓨터 프로그램 물건은, 제 1 채널 반복 레벨에 적어도 부분적으로 기초하여 초기 업링크 전력을 결정하고, 그리고 초기 업링크 전력에 따라 제 1 업링크 채널을 송신하도록 프로세서에 의해 실행가능한 명령들을 갖는 비-일시적 컴퓨터 판독가능한 매체를 포함한다.[0009] 특정 예들에서, 방법, 장치들 및/또는 컴퓨터 프로그램 물건은 또한, 제 1 채널 반복 레벨에 기초하여, 요청되는 전력 램프-업 오프셋을 결정하기 위한 단계들, 수단 및/또는 이를 수행하도록 프로세서에 의해 실행가능한 명령들을 포함할 수 있다.[0010] 특정 예들에서, 방법, 장치들 및/또는 컴퓨터 프로그램 물건은 또한, 최대 전력 램프-업 값 및 요청되는 전력 램프-업 오프셋을 포함하는 세트의 최소치를 선택하기 위한 단계들, 수단 및/또는 이를 수행하도록 프로세서에 의해 실행가능한 명령들을 포함할 수 있다.[0011] 방법, 장치들 및/또는 컴퓨터 프로그램 물건의 특정 예들에서, 초기 업링크 전력을 결정하는 것은 선택된 최소치 및 TPC(transmit power control) 커맨드에 기초하여 초기 업링크 전력을 계산하기 위한 단계들, 수단 및/또는 이를 수행하도록 프로세서에 의해 실행가능한 명령들을 포함할 수 있다.[0012] 방법, 장치들 및/또는 컴퓨터 프로그램 물건의 특정 예들에서, 요청되는 전력 램프-업 오프셋은 사용자 장비(UE)에 의해 결정될 수 있고, 그리고/또는 요청되는 전력 램프-업 오프셋은 경합-기반 PRACH(physical random access channel) 프로시저에서 사용자 장비(UE)에 의해 결정될 수 있다.[0013] 방법, 장치들 및/또는 컴퓨터 프로그램 물건의 특정 예들에서, 요청되는 전력 램프-업 오프셋을 결정하는 것은 노드로부터 표시를 수신하는 것을 포함할 수 있다. 표시는 비-경합-기반 PRACH(physical random access channel) 프로시저에서 사용자 장비(UE)에 의해 수신될 수 있다.[0014] 방법, 장치들 및/또는 컴퓨터 프로그램 물건의 특정 예들에서, 제 1 채널 반복 레벨은 PRACH(physical random access channel) 반복 레벨을 포함할 수 있다. PRACH 반복 레벨은 초기 PRACH 반복 레벨을 포함할 수 있고 그리고/또는 PRACH 반복 레벨은 성공적 PRACH 반복 레벨을 포함할 수 있다.[0015] 방법, 장치들 및/또는 컴퓨터 프로그램 물건의 특정 예들에서, 제 1 채널 반복 레벨은 PUSCH(physical uplink shared channel) 반복 레벨을 포함할 수 있고, 제 1 채널 반복 레벨은 PUCCH(physical uplink control channel) 반복 레벨을 포함할 수 있거나, 또는 제 1 채널 반복 레벨은 SRS(sounding reference signal) 반복 레벨을 포함할 수 있다.[0016] 방법, 장치들 및/또는 컴퓨터 프로그램 물건의 특정 예들에서, 업링크 전력은 PUSCH(physical uplink shared channel) 전력, PUCCH(physical uplink control channel) 전력, 및/또는 SRS(sounding reference signal) 전력을 포함할 수 있다. SRS 전력은 PUSCH 전력에 적어도 부분적으로 기초할 수 있다.[0017] 특정 예들에서, 방법, 장치들 및/또는 컴퓨터 프로그램 물건은 또한, 제 2 채널 반복 레벨에 적어도 부분적으로 기초하여 후속하는 업링크 전력을 결정하고, 후속하는 업링크 전력에 따라 제 2 업링크 채널을 송신하기 위한 단계들, 수단 및/또는 이를 수행하도록 프로세서에 의해 실행가능한 명령들을 포함할 수 있다. 제 2 채널 반복 레벨은 제 1 채널 반복 레벨과 상이할 수 있다. 예를 들어, 제 1 업링크 채널은 PRACH일 수 있고, 제 2 업링크 채널은 PUSCH, PUCCH, 또는 SRS 채널 중 적어도 하나일 수 있다. 일부 예들에서, 후속하는 업링크 전력은 제 1 채널 반복 레벨에 추가로 기초하여 결정될 수 있다.[0018] 특정 예들에서, 방법, 장치들 및/또는 컴퓨터 프로그램 물건은 또한, 하나 또는 그 초과의 반복 임계치들을 식별하고, 제 1 채널 반복 레벨이 하나 또는 그 초과의 반복 임계치들 중 하나를 초과하는 경우 최대 전력 값을 적용시키기 위한 단계들, 수단 및/또는 이를 수행하도록 프로세서에 의해 실행가능한 명령들을 포함할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 반복 임계치들은: PUSCH(physical uplink shared channel) 반복 임계치, PUCCH(physical uplink control channel) 반복 임계치, 또는 SRS(sounding reference signal) 반복 임계치 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 최대 전력 값은: PUSCH 최대 전력 값, PUCCH 최대 전력 값, 또는 SRS 최대 전력 값 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.[0019] 설명되는 방법들 및 장치들의 적용가능성의 추가 범위는 다음의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명백해질 것이다. 본 설명의 사상 및 범위 내에서의 다양한 변화들 및 수정들이 당업자들에게 명백해질 것이기 때문에, 상세한 설명 및 특정 예들은 단지 예시로서 제공된다. [ 도면의 간단한 설명 ] [0020] 본 발명의 특성 및 이점들의 추가적 이해가 다음의 도면들에 대한 참조에 의해 실현될 수 있다. 첨부되는 도면들에서, 유사한 컴포넌트들 또는 특징들은 동일한 참조 라벨을 가질 수 있다. 추가로, 동일한 타입의 다양한 컴포넌트들은 참조 라벨 다음에 대시기호 및 유사한 컴포넌트들 사이를 구별하는 제 2 라벨에 의해 구별될 수 있다. 단지 제 1 참조 라벨만이 본 명세서에서 사용된다면, 본 설명은 제 2 참조 라벨과 관계없이 동일한 제 1 참조 라벨을 갖는 유사한 컴포넌트들 중 임의의 하나의 컴포넌트에 적용가능하다.[0021] 도 1은 본 개시 내용의 다양한 실시예들에 따른 무선 통신 시스템의 블록도를 도시한다.[0022] 도 2a 및 도 2b는 본 개시 내용의 다양한 실시예들에 따른 무선 통신 시스템 내에서의 통신을 도시하는 호 흐름도들이다.[0023] 도 3a, 도 3b 및 도 3c는 각각 본 개시 내용의 다양한 실시예들에 따른, 업링크 전력 제어를 위해 구성되는 예시적 디바이스(들)의 블록도를 도시한다.[0024] 도 4는 본 개시 내용의 다양한 실시예들에 따른, 업링크 전력 제어를 위해 구성되는 모바일 디바이스의 예의 블록도를 도시한다.[0025] 도 5는 본 개시 내용의 다양한 실시예들에 따른, 업링크 전력 제어를 위해 구성되는 시스템의 예의 블록도를 도시한다.[0026] 도 6은 본 개시 내용의 다양한 실시예들에 따른 업링크 전력 제어를 위한 방법의 흐름도이다.[0027] 도 7은 본 개시 내용의 다양한 실시예들에 따른 업링크 전력 제어를 위한 방법의 흐름도이다.[0028] 도 8은 본 개시 내용의 다양한 실시예들에 따른 업링크 전력 제어를 위한 방법의 흐름도이다.[0029] 도 9는 본 개시 내용의 다양한 실시예들에 따른 업링크 전력 제어를 위한 방법의 흐름도이다.[0030] 도 10은 본 개시 내용의 다양한 실시예들에 따른 업링크 전력 제어를 위한 방법의 흐름도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] [0031] 일부 타입들의 무선 디바이스들은 자동화된 통신을 제공할 수 있다. 자동화된 무선 디바이스들은, M2M(Machine-to-Machine) 통신 또는 MTC(Machine Type Communication)를 구현하는 디바이스들을 포함할 수 있다. M2M 및/또는 MTC는, 인간의 개입 없이 디바이스들이 서로 또는 기지국과 통신하도록 허용하는 데이터 통신 기술들을 지칭할 수 있다. 예를 들어, M2M 및/또는 MTC는, 정보를 측정 또는 캡처하기 위한 센서들 또는 계측기들을 통합하고, 그 정보를 사용할 수 있거나 또는 그 정보를 프로그램 또는 애플리케이션과 상호작용하는 인간들에게 제공할 수 있는 중앙 서버 또는 애플리케이션 프로그램에 이러한 정보를 중계하는 디바이스들로부터의 통신들을 지칭할 수 있다.[0032] MTC 디바이스들은, 정보를 수집하거나, 머신들의 자동화된 동작을 가능하게 하기 위해 사용될 수 있다. MTC 디바이스들에 대한 애플리케이션들의 예들은, 스마트 계측, 재고 모니터링, 수위 모니터링, 장비 모니터링, 헬스케어 모니터링, 야생 동물 모니터링, 기후 및 지질학적 이벤트 모니터링, 함대 관리 및 추적, 원격 보안 감지, 물리적 액세스 제어, 및 거래-기반 비즈니스 과금을 포함한다.[0033] 커버리지 강화 기법들을 이용하는 시스템들을 포함하는 일부 무선 통신 시스템들에서, 특정 채널들은 시간의 증분에 따라 반복적으로 송신될 수 있다. 추가적으로, 특정 업링크 송신들(예를 들어, MTC 디바이스로부터의 송신들)은 이전의 성공적 송신에서 사용된 전력 세팅에 기초하는 송신 전력 세팅을 가질 수 있다. 업링크 송신의 후속하는 반복들은 더 높은 송신 전력 세팅들을 사용할 수 있다. 다시 말해서, 각각의 반복되는 채널 송신은 증가하는 송신 전력 세팅들을 사용할 수 있고; 초기 송신 전력 세팅이 부정확하다면, 후속하는 송신 전력 세팅들은 효과적 커버리지 강화를 위해 너무 높거나 또는 너무 낮을 수 있다.[0034] 업링크 전력 세팅들은 업링크 채널들의 채널 반복 레벨들 또는 전력 램프-업 레벨들, 또는 이 둘다를 감안하거나 또는 이들에 기초할 수 있다. 일부 경우들에서, 채널들은 커버리지 강화 요건들을 충족하려는 노력으로 다수의 서브프레임들을 통해 반복적으로 송신된다. 예를 들어, 다양한 물리적 채널들 ― PBCH(physical broadcast channel), PRACH(physical random access channel) 및 연관된 메시지들, PUSCH(physical uplink shared channel), PUCCH(physical uplink control channel), PDCCH(physical downlink control channel), EPDCCH(enhanced PDCCH), 및 PDSCH(physical downlink shared channel)를 포함함 ― 은 무선 통신 디바이스로부터 반복적으로 송신될 수 있다. 일부 경우들에서, 반복들의 수는 대략 수십 서브프레임들일 수 있고; 상이한 채널들은 상이한 반복 레벨들을 가질 수 있다.[0035] 예로서, PRACH 반복은 반복 레벨들의 특정된 최대 수까지의 반복 레벨 램프-업을 포함할 수 있다. 예를 들어, 다양한 커버리지 강화 기법들은 "제로 커버리지 확장" 레벨과 더불어 3개의 반복 레벨들을 포함할 수 있다. 따라서, 시스템은 최대치까지의 구성가능한 수의 레벨들을 사용할 수 있다. 각각의 반복 레벨은 각각의 레벨의 반복들의 수에 의해 정의될 수 있다. 반복들의 수는 구성가능할 수 있거나, 또는 그것은 범위들을 포함할 수 있다. 예를 들어, UE는 상이한 반복 레벨들에 따라 연속적으로 송신함으로써 PRACH를 시도할 수 있다.[0036] 예시적 시나리오는 PRACH 반복의 최대 3개의 레벨들을 포함할 수 있고, 레벨들 1, 2 및 3은 5번, 10번 및 15번의 반복들을 각각 허용할 수 있다. 이로써, UE는 레벨 1에서의 동작을 시작할 수 있고, 그것은 PRACH 프리앰블을 5회까지 반복적으로 송신할 수 있다. UE가 PRACH 프리앰블 송신을 5회 반복한 이후 RAR(random access response)를 수신하지 않는다면, UE는 레벨 2로 조정할 수 있다. 레벨 2 내에서, UE는 PRACH 프리앰블을 10회까지 반복적으로 송신할 수 있다. UE가 PRACH 프리앰블을 10회 반복한 이후 RAR을 수신하지 않는다면, UE는 레벨 3으로 조정할 수 있다. 레벨 3 내에서, UE는 PRACH 프리앰블을 15회까지 반복적으로 송신할 수 있다.[0037] 일부 경우들에서, UE는 각각의 연속적 레벨로 자신의 송신 전력을 증가시킨다 ― 전력 램프-업으로 지칭될 수 있는 프로세스 ― . 이로써, UE는 레벨 1에서 초기 전력으로, 레벨 2에서 더 높은 전력으로, 그리고 레벨 3에서 더욱더 높은 전력으로 송신할 수 있다. 다른 실시예들에서, UE는 각각의 연속적 PRACH 프리앰블이 최대 전력 값에 도달될 때까지는 마지막 전력보다 더 높은 전력으로 송신되도록 각각의 반복을 통해 송신 전력을 증가시킨다. UE가 수행하는 시도들의 전체 수 및 허용되는 반복들의 총 수가 달라질 수 있다. UE는 "백오프" 세팅에 도달하기 전에 시도들의 전체 최대 수로 제한될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, UE는 RAR을 수신할 때까지 레벨들을 통해 진행을 반복하도록 구성가능할 수 있다.[0038] 다른 채널들은 반복 레벨들을 통해 유사한 진행에 따라 송신될 수 있다. 따라서, PUCCH, PUSCH, SRS(Sounding Reference Signal) 및 다른 채널들, 메시지들, 또는 신호들은 PRACH에 대해 설명되는 바와 같이 레벨 램프-업 또는 전력 램프-업에 따라 송신될 수 있다. 일부 경우들에서, PUSCH 및/또는 PUCCH 반복 길이(예를 들어, 레벨당 반복들의 수 또는 반복 레벨들의 수)는 상이한 송신들에 따라 다양하다. 초기 PUSCH 및 후속하는 PUSCH는, 예를 들어, 상이한 전력 세팅들 또는 반복 세팅들, 또는 둘다를 가질 수 있다. 그러나, 하나의 송신 또는 하나의 채널로부터 다음의 송신 또는 다음의 채널로의 전력 조정이 필요할 수 있다. 다른 경우들에서, 일단 반복들의 임계 수 또는 반복 레벨 임계치에 도달되면, 전력 제어는 불필요할 수 있다. 이러한 경우들에서, 디폴트 업링크 전력이 사용될 수 있고, 디폴트 전력은 최대 전력 값(예를 들어, 채널 최대 송신 전력 또는 UE 최대 송신 전력)일 수 있다.[0039] 커버리지 강화 기법들 ― 채널 반복, 반복 레벨 램프-업 및 전력 램프-업을 포함함 ― 이 전형적으로 MTC 디바이스들에 이용될 수 있지만, 다른 타입들의 사용자 장비(UE)가 이러한 기법들을 유사하게 활용하거나 또는 이러한 기법들로부터 이익을 얻을 수 있다. 따라서, 당업자들은 설명되는 커버리지 강화 기법들이 MTC 사용들에 제한되지 않는다는 것을 인식할 것이다.[0040] 본 명세서에서 설명되는 기법들은 CDMA, TDMA, FDMA, OFDMA, SC-FDMA 및 다른 시스템들과 같은 다양한 무선 통신 시스템들에 대해 사용될 수 있다. "시스템" 및 "네트워크"라는 용어는 종종 상호교환가능하게 사용된다. CDMA 시스템은, CDMA2000, UTRA(Universal Terrestrial Radio Access) 등과 같은 라디오 기술을 구현할 수 있다. CDMA2000 및 UMB는 "3GPP2(3rd Generation Partnership Project 2)"로 명명되는 기구로부터의 문서들에 설명되어 있다. CDMA2000은 IS-2000, IS-95 및 IS-856 표준들을 커버한다. IS-2000 릴리스(Release) 0 및 릴리스 A는 보통 CDMA2000 1X, 1X 등으로 지칭된다. IS-856(TIA-856)은 흔히 CDMA2000 1xEV-DO, HRPD(High Rate Packet Data) 등으로 지칭된다. UTRA는 WCDMA(Wideband CDMA) 및 CDMA의 다른 변형들을 포함한다. TDMA 시스템은 GSM(Global System for Mobile Communications)과 같은 라디오 기술을 구현할 수 있다. OFDMA 시스템은, UMB(Ultra Mobile Broadband), E-UTRA(Evolved UTRA), IEEE 802.11(Wi-Fi), IEEE 802.16(WiMAX), IEEE 802.20, 플래시-OFDM 등과 같은 라디오 기술을 구현할 수 있다. UTRA 및 E-UTRA는 UMTS(Universal Mobile Telecommunication System)의 일부이다.[0041] 3GPP LTE(Long Term Evolution) 및 LTE-A(LTE-Advanced)는, E-UTRA를 사용하는 UMTS의 새로운 릴리스들이다. UTRA, E-UTRA, UMTS, LTE, LTE-A 및 GSM은 "3GPP(3rd Generation Partnership Project)"로 명명되는 기구로부터의 문서들에 설명되어 있다. 본 명세서에서 설명되는 기법들은 위에서 언급된 시스템들 및 라디오 기술들뿐만 아니라, 다른 시스템들 및 라디오 기술들에도 사용될 수 있다. 그러나, 아래의 설명은 예시를 위해 LTE 시스템을 설명하고, 아래의 설명 대부분에서 LTE 용어가 사용되지만, 기법들은 LTE 애플리케이션들 이외에도 적용가능하다.[0042] 따라서, 다음의 설명은 예들을 제공하며, 청구항들에 기술되는 범위, 적용가능성 또는 구성의 제한이 아니다. 본 개시 내용의 사상 및 범위로부터 벗어나지 않고도 논의되는 엘리먼트들의 기능 및 배열에 변경들이 이루어질 수 있다. 다양한 실시예들은 다양한 프로시저들 또는 컴포넌트들을 적절하게 생략, 대체 또는 추가할 수 있다. 예를 들어, 설명되는 방법들은 설명된 것과 상이한 순서로 수행될 수 있으며, 다양한 단계들이 추가, 생략 또는 결합될 수 있다. 또한, 특정 실시예들에 대해 설명되는 특징들은 다른 실시예들에서 결합될 수 있다.[0043] 먼저 도 1을 참조하면, 블록도는 다양한 실시예들에 따른 무선 통신 시스템(100)을 예시한다. 무선 통신 시스템(100)은, 기지국들(또는 셀들)(105), 통신 디바이스들(115) 및 코어 네트워크(130)를 포함한다. 기지국들(105)은, 다양한 실시예들에서 코어 네트워크(130) 또는 기지국(105)의 일부일 수 있는 기지국 제어기(도시되지 않음)의 제어 하에서 통신 디바이스들(115)과 통신할 수 있다. 기지국들(105)은 백홀 링크들(132)을 통해 코어 네트워크(130)와 제어 정보 및/또는 사용자 데이터를 통신할 수 있다. 백홀 링크들(132)은 유선 백홀 링크들(예를 들어, 구리, 섬유 등) 및/또는 무선 백홀 링크들(예를 들어, 마이크로파 등)일 수 있다. 실시예들에서, 기지국들(105)은 유선 또는 무선 통신 링크들일 수 있는 백홀 링크들(134)을 통해 간접적으로 또는 직접적으로 서로 통신할 수 있다. 무선 통신 시스템(100)은 다수의 캐리어들(상이한 주파수들의 파형 신호들) 상에서의 동작을 지원할 수 있다. 다중-캐리어 송신기들은 변조된 신호들을 다수의 캐리어들 상에서 동시에 송신할 수 있다. 예를 들어, 각각의 통신 링크(125)는, 위에서 설명된 다양한 라디오 기술들에 따라 변조된 다중-캐리어 신호일 수 있다. 각각의 변조된 신호는 상이한 캐리어 상에서 전송될 수 있으며, 제어 정보(예를 들어, 기준 신호들, 제어 채널들 등), 오버헤드 정보, 데이터 등을 전달할 수 있다.[0044] 기지국들(105)은 하나 또는 그 초과의 기지국 안테나들을 통해 디바이스들(115)과 무선으로 통신할 수 있다. 기지국(105) 사이트들 각각은 각각의 커버리지 영역(110)에 대한 통신 커버리지를 제공할 수 있다. 일부 실시예들에서, 기지국들(105)은 베이스 트랜시버 스테이션, 라디오 기지국, 액세스 포인트, 라디오 트랜시버, BSS(basic service set), ESS(extended service set), NodeB, eNB(eNodeB), 홈 NodeB, 홈 eNodeB, 또는 일부 다른 적합한 용어로 지칭될 수 있다. 기지국에 대한 커버리지 영역(110)은 커버리지 영역의 일부분만을 구성하는 섹터들로 분할될 수 있다(도시되지 않음). 무선 통신 시스템(100)은 상이한 타입들의 기지국들(105)(예를 들어, 매크로, 마이크로 및/또는 피코 기지국들)을 포함할 수 있다. 상이한 기술들에 대한 오버랩핑 커버리지 영역들이 존재할 수 있다.[0045] 통신 디바이스들(115)은 무선 통신 시스템(100) 전역에 분산되고, 각각의 통신 디바이스는 고정식이거나 또는 이동식일 수 있다. 통신 디바이스(115)는 또한 당업자들에 의해 이동국, 가입자국, 모바일 유닛, 가입자 유닛, 무선 유닛, 원격 유닛, 모바일 디바이스, 무선 디바이스, 무선 통신 디바이스, 원격 디바이스, 모바일 가입자국, 액세스 단말, 모바일 단말, 무선 단말, 원격 단말, 핸드셋, 사용자 에이전트, 사용자 장비(UE), 모바일 클라이언트, 클라이언트, 또는 일부 다른 적합한 용어로 지칭될 수 있다. 통신 디바이스(115)는 MTC 디바이스, 셀룰러폰, PDA(personal digital assistant), 무선 모뎀, 무선 통신 디바이스, 핸드헬드 디바이스, 태블릿 컴퓨터, 랩탑 컴퓨터, 코드리스 폰, WLL(wireless local loop) 스테이션 등일 수 있다. 통신 디바이스는 매크로 기지국들, 피코 기지국들, 펨토 기지국들, 중계기 기지국들 등과 통신하는 것이 가능할 수 있다.[0046] 무선 통신 시스템(100)에서 도시되는 송신 링크들(125)은 통신 디바이스(115)로부터 기지국(105)으로의 업링크(UL) 송신들 및/또는 기지국(105)으로부터 통신 디바이스(115)로의 다운링크(DL) 송신들을 포함할 수 있다. 다운링크 송신들은 또한 순방향 링크 송신들이라 칭해질 수 있는 한편, 업링크 송신들은 또한 역방향 링크 송신들이라 칭해질 수 있다.[0047] 실시예들에서, 무선 통신 시스템(100)은 LTE/LTE-A 네트워크이다. LTE/LTE-A 네트워크들에서, eNB(evolved Node B) 및 사용자 장비(UE)라는 용어들은 일반적으로 기지국들(105) 및 통신 디바이스들(115)을 각각 설명하기 위해 사용될 수 있다. 무선 통신 시스템(100)은, 상이한 타입들의 eNB들이 다양한 지리적 영역들에 대한 커버리지를 제공하는 이종(Heterogeneous) LTE/LTE-A 네트워크일 수 있다. 예를 들어, 각각의 eNB(105)는 매크로 셀, 피코 셀, 펨토 셀 및/또는 다른 타입들의 셀에 대한 통신 커버리지를 제공할 수 있다. 매크로 셀은 일반적으로, 비교적 넓은 지리적 영역(예를 들어, 반경 수 킬로미터)을 커버하며 네트워크 제공자에 서비스 가입들을 한 UE들에 의한 비제한적 액세스를 허용할 수 있다. 피코 셀은 일반적으로, 비교적 더 작은 지리적 영역을 커버할 것이며, 네트워크 제공자에 의한 서비스 가입들을 통해 UE들에 의한 비제한적 액세스를 허용할 수 있다. 펨토 셀은 또한 일반적으로, 비교적 작은 지리적 영역(예를 들어, 집)을 커버할 것이며, 비제한적 액세스와 더불어, 펨토 셀과의 연관을 갖는 UE들(예를 들어, CSG(closed subscriber group) 내의 UE들, 집에 있는 사용자들에 대한 UE들 등)에 의한 제한적 액세스를 또한 제공할 수 있다. 매크로 셀에 대한 eNB는 매크로 eNB로 지칭될 수 있다. 피코 셀에 대한 eNB는 피코 eNB로 지칭될 수 있다. 그리고 펨토 셀에 대한 eNB는 펨토 eNB 또는 홈 eNB로 지칭될 수 있다. eNB는 하나 또는 다수(예를 들어, 2개, 3개, 4개 등)의 셀들을 지원할 수 있다.[0048] LTE/LTE-A 네트워크 아키텍처에 따른 무선 통신 시스템(100)은 EPS(Evolved Packet System)(100)로 지칭될 수 있다. EPS(100)는, 하나 또는 그 초과의 UE들(115), E-UTRAN(Evolved UMTS Terrestrial Radio Access Network), EPC(Evolved Packet Core)(130)(예를 들어, 코어 네트워크(130)), HSS(Home Subscriber Server) 및 운영자의 IP 서비스들을 포함할 수 있다. EPS는, 다른 라디오 액세스 기술들을 사용하여 다른 액세스 네트워크들과 상호연결할 수 있다. 예를 들어, EPS(100)는, 하나 또는 그 초과의 SGSN(Serving GPRS Support Node)들을 통해 UTRAN-기반 네트워크 및/또는 CDMA-기반 네트워크와 상호연결할 수 있다. UE들(115)의 이동성 및/또는 로드 밸런싱을 지원하기 위해, EPS(100)는, 소스 eNB(105)와 타겟 eNB(105) 사이에서 UE들(115)의 핸드오버를 지원할 수 있다. EPS(100)는, 동일한 RAT(예를 들어, 다른 E-UTRAN 네트워크들)의 eNB들(105) 및/또는 기지국들 사이의 RAT-내 핸드오버, 및 상이한 RAT들(예를 들어, E-UTRAN에서 CDMA로 등)의 eNB들 및/또는 기지국들 사이의 RAT-간 핸드오버들을 지원할 수 있다. EPS(100)는 패킷-교환 서비스들을 제공할 수 있지만, 당업자들이 쉽게 인식할 바와 같이, 본 개시 내용 전반에 걸쳐 제시되는 다양한 개념들은 회선-교환 서비스들을 제공하는 네트워크들로 확장될 수 있다.[0049] E-UTRAN은 eNB들(105)을 포함할 수 있으며, UE들(115)을 향한 사용자 평면 및 제어 평면 프로토콜 종단들을 제공할 수 있다. eNB들(105)은 백홀 링크(134)(예를 들어, X2 인터페이스 등)를 통해 다른 eNB들(105)에 연결될 수 있다. eNB들(105)은, UE들(115)에 EPC(130)에 대한 액세스 포인트를 제공할 수 있다. eNB들(105)은 백홀 링크(132)(예를 들어, S1 인터페이스 등)에 의해 EPC(130)에 연결될 수 있다. EPC(130) 내의 로직 노드들은 하나 또는 그 초과의 MME들(Mobility Management Entities), 하나 또는 그 초과의 서빙 게이트웨이들, 및 하나 또는 그 초과의 PDN(Packet Data Network) 게이트웨이들(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 일반적으로, MME는 베어러 및 연결 관리를 제공할 수 있다. 모든 사용자 IP 패킷들은, 그 자체가 PDN 게이트웨이에 연결될 수 있는 서빙 게이트웨이를 통해 전달될 수 있다. PDN 게이트웨이는 UE IP 어드레스 할당 뿐만 아니라 다른 기능들을 제공할 수 있다. PDN 게이트웨이는 IP 네트워크들 및/또는 운영자의 IP 서비스들에 연결될 수 있다. 이러한 로직 노드들은 별개의 물리적 노드들로 구현될 수 있거나, 또는 하나 또는 그 초과의 로직 노드들이 단일의 물리적 노드로 결합될 수 있다. IP 네트워크들/운영자의 IP 서비스들은, 인터넷, 인트라넷, IMS(IP Multimedia Subsystem) 및/또는 PSS(Packet-Switched(PS) Streaming Service)를 포함할 수 있다.[0050] UE들(115)은, 예를 들어, MIMO(Multiple Input Multiple Output), CoMP(Coordinated Multi-Point) 또는 다른 방식들을 통해 다수의 eNB들(105)과 협력적으로 통신하도록 구성될 수 있다. MIMO 기법들은 다중경로 환경들을 이용하여 다수의 데이터 스트림들을 송신하기 위해 기지국들 상의 다수의 안테나들 및/또는 UE 상의 다수의 안테나들을 사용한다. CoMP는, UE들에 대한 전반적 송신 품질을 개선하는 것 뿐만 아니라 네트워크 및 스펙트럼 활용도를 증가시키기 위해, 다수의 eNB들에 의한 송신 및 수신의 동적 조정을 위한 기법들을 포함한다. 일반적으로, CoMP 기법들은, UE들(115)에 대한 제어 평면 및 사용자 평면 통신들을 조정하기 위해, 기지국들(105) 사이의 통신들에 대해 백홀 링크들(132 및/또는 134)을 활용한다.[0051] 다양한 개시되는 실시예들 중 일부를 수용할 수 있는 통신 네트워크들은, 계층화된 프로토콜 스택에 따라 동작하는 패킷-기반 네트워크들일 수 있다. 사용자 평면에서, 베어러 또는 PDCP(Packet Data Convergence Protocol) 계층에서의 통신들은 IP-기반일 수 있다. RLC(Radio Link Control) 계층은, 로직 채널들을 통해 통신하기 위해 패킷 세그먼트화 및 리어셈블리를 수행할 수 있다. MAC(Medium Access Control) 계층은, 로직 채널들의, 전송 채널들로의 멀티플렉싱 및 우선순위 핸들링을 수행할 수 있다. MAC 계층은 또한, 신뢰성 있는 데이터 송신을 보장하기 위해, MAC 계층에서 재송신을 제공하기 위한 HARQ(hybrid automatic repeat request) 기법들을 사용할 수 있다. 제어 평면에서, RRC(Radio Resource Control) 프로토콜 계층은, 사용자 평면 데이터에 대해 사용되는 네트워크와 UE 사이의 RRC 연결의 설정, 구성 및 유지를 제공할 수 있다. 물리 계층에서, 전송 채널들은 물리 채널들에 맵핑될 수 있다.[0052] 무선 통신 시스템(100)은 커버리지 강화 기법들을 이용하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, UE들(115) 중 하나 또는 그 초과의 UE들은 PRACH 반복 레벨과 같은 채널 반복 레벨에 기초하여 초기 업링크 전력을 결정할 수 있다. 그리고, UE(115)는 초기 업링크 전력에 따라 제 1 업링크 채널(예를 들어, PUSCH 또는 PUCCH)을 송신할 수 있다. 일부 경우들에서, 이것은 UE(115)가 채널 반복 레벨에 기초하여, 요청되는 전력 램프-업 오프셋을 결정하는 것을 포함한다. UE(115)는 요청되는 전력 램프-업 오프셋을 선택할 수 있거나, 또는 그것은 최대 전력 램프-업 값을 선택할 수 있으며, 이는 UE(115)는 업링크 전력을 계산하는데 사용할 수 있다.[0053] 도 2a 및 도 2b는 다양한 실시예들에 따른 무선 통신 시스템 내에서의 통신을 도시하는 호 흐름도들(200-a 및 200-b)이다. 도면들(200-a 및 200-b)은 도 1의 무선 통신 시스템(100) 내에서 이용되는 업링크 전력 제어 커버리지 강화 기법들을 예시할 수 있다. 도면(200-a)은 UE(115-a) 및 eNB(105-a)를 포함하며, 이들은 도 1의 UE(115) 및 eNB(105)의 예들일 수 있다. UE(115-a)는 MTC 디바이스일 수 있고; UE(115-a) 및 eNB(105-a)는 커버리지 강화 기법들을 이용할 수 있다. 도면(200-a)은 경합-기반 PRACH 프로시저의 예일 수 있다. 예를 들어, 도면(200-a)은 UE(115-a)가 RRC 유휴 모드로부터 RRC 연결 모드로 트랜지션하고 있는 상황을 예시할 수 있다.[0054] UE(115-a)는 초기 PRACH 송신 전력으로 초기 PRACH 프리앰블(210-a)을 송신할 수 있다. PRACH 송신 전력은 최대 UE-송신 전력 값, 경로 손실 값 및 프리앰블 타겟 전력의 함수일 수 있다. 예를 들어, UE(115-a)는 PRACH 송신 전력으로서, 최대 UE-송신 전력 또는 경로 손실 값과 프리앰블 타겟 전력의 합 중 최소 값을 선택할 수 있다. 일부 경우들에서, 프리앰블 타겟 전력은 후속하는 PRACH 프리앰블 송신의 전력을 증가시키기 위해 UE(115-a)에 의해 사용될 수 있는 램핑 단계를 포함한다. 예를 들어, UE(115-a)가 초기 PRACH 프리앰블(210-a) 송신에 대한 응답을 수신하지 않으면, UE(115-a)는 PRACH 프리앰블 송신을 반복할 수 있다. 일부 수의 반복들 이후, UE(115-a)는 더 높은 반복 레벨로 스위칭할 수 있고, 그것은 제 n PRACH 프리앰블(210-n)을 송신할 수 있다. 제 n PRACH 프리앰블(210-n)은 초기 PRACH 프리앰블(210-a)보다 더 높은 PRACH 송신 전력으로 송신될 수 있다. 따라서, 초기 PRACH 프리앰블(210-a) 송신과 제 n PRACH 프리앰블(210-n) 송신 사이의 송신 전력의 차는 전력 램프-업을 표현할 수 있다. UE(115-a)는 그것이 성공적(또는 최종) PRACH 프리앰블(210-z)을 송신할 때까지 PRACH 프리앰블 송신들을 반복할 수 있다. 성공적 PRACH 프리앰블(210-z)은 제 3 채널 반복 레벨로 전송될 수 있으며, 이는 제 2 채널 반복 레벨에서 보다 더 높은 PRACH 전력으로 송신될 수 있다.[0055] 성공적 PRACH 프리앰블(210-z)에 대한 응답으로, UE(115-a)는 eNB(105-a)로부터, 제어 정보를 포함하는 PDCCH(215) 및 RAR(random access response)를 포함하는 PDSCH(220)를 수신할 수 있다. UE(115-a)는 그 다음, PUSCH 상에서의 계층 3 메시지와 같은 초기 업링크 송신(225)에 대해 응답할 수 있다. 초기 업링크 전력 ― 예를 들어, 초기 업링크 송신(225)의 전력 ― 은 PRACH 반복 레벨에 적어도 부분적으로 기초하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 초기 업링크 전력은 초기 PRACH 반복 레벨 또는 성공적(예를 들어, 제 3) PRACH 반복 레벨, 또는 둘다를 감안함으로써 결정될 수 있다. 그리고, 초기 업링크 송신(225)은 초기 업링크 전력에 따라 송신될 수 있다. 일부 경우들에서, UE(115-a)는 채널 반복 레벨(예를 들어, 하나 또는 그 초과의 PRACH 반복 레벨들)에 기초하여, 요청되는 전력 램프-업 오프셋을 결정하고, UE(115-a)는 요청되는 전력 램프-업 오프셋에 기초하여 업링크 전력을 계산한다. 추가적으로 또는 대안적으로, UE(115-a)는 (예를 들어, PDCCH(215) 상에서) eNB(105-a)로부터, UE(115-a)가 업링크 전력을 계산하기 위해 이용할 수 있는 송신 전력 제어 커맨드를 수신할 수 있다.[0056] 일부 경우들에서, UE(115-a)는 다양한 반복 레벨들에 따라 업링크 송신들을 수행할 수 있다. 예를 들어, 제 n 업링크 송신(230)은 제 2 업링크 송신 반복 레벨에서 송신될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 n 업링크 송신(230)의 업링크 전력은 초기 업링크 전력이 기초하는 반복 레벨과 상이한 반복 레벨에 기초한다. 예를 들어, 후속하는 업링크 전력으로 지칭될 수 있는 제 n 업링크 송신(230)의 업링크 전력은 초기 업링크 송신(225)의 반복 레벨과 동일한 반복 레벨에 기초할 수 있다. 또 다른 예에서, 제 n 업링크 송신(230)은 초기 업링크 송신(225)의 반복 레벨과는 상이한 반복 레벨에 기초할 수 있다. 따라서, 제 n 업링크 송신(230)은 초기 업링크 송신(225)의 반복 레벨에 대해 그것의 반복 레벨에 기초하여 송신될 수 있다. 대안적으로, 제 n 업링크 송신(230)에 대한 반복 레벨이 임계치를 초과하는 경우, 최대 전력 값은 제 n 업링크 송신(230)에 대해 적용될 수 있고, 업링크 송신은 최대 전력 값(예를 들어, 최대 UE-송신 전력)을 사용하여 송신될 수 있다.[0057] 다음으로, 도 2b의 도면(200-b)은 비-경합-기반 PRACH 프로시저에서의 UE의 예일 수 있다. 도면(200-b)은 도 1의 UE(115) 및 eNB(105)의 예들일 수 있는 UE(115-b) 및 eNB(105-b)를 포함한다. UE(115-b)는 MTC 디바이스일 수 있고; UE(115-b) 및 eNB(105-b)는 커버리지 강화 기법들을 이용할 수 있다. 예를 들어, 도면(200-b)은, eNB(105-b)가 UE(115-b)에 송신할 다운링크 데이터를 가지는 반면 UE(115-b)가 비-동기화되는 시나리오를 예시할 수 있다.[0058] UE(115-b)는 eNB(105-b)로부터, 특정 PRACH 자원 및/또는 업링크 전력 파라미터(예를 들어, 요청되는 전력 램프-업 오프셋)의 표시를 표시하는 제어 정보를 포함할 수 있는 PDCCH(250)를 수신할 수 있다. 그 다음, UE(115-b)는 도 2a를 참조하여 설명되는 것과 거의 동일한 PRACH 프로시저를 통해 진행할 수 있다. UE(115-b)는 초기 PRACH 프리앰블(255-a), 제 n PRACH 프리앰블(255-n), 및/또는 성공적 PRACH 프리앰블(255-z)을 송신할 수 있다. 이들 각각은 다양한 반복 레벨들에 따라 송신될 수 있고, 각각은 전력 램프-업에 따라 송신될 수 있다. UE(115-b)는 PDCCH(260) 및 RAR을 포함하는 PDSCH(265)를 수신할 수 있다. 그리고, UE(115-b)는 그 다음, 초기 업링크 송신(270) 및 제 n 업링크 송신(280)에 대해 응답할 수 있다. 업링크 송신들(270, 280)은 PUSCH 상에서의 계층 3 메시지일 수 있다. 초기 업링크 전력 ― 예를 들어, 초기 업링크 송신(270)의 전력 ― 은 PRACH 반복 레벨에 적어도 부분적으로 기초하여 결정할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 초기 업링크 전력은 eNB(105-b)로부터 표시되는 요청되는 전력 램프-업 오프셋에 부분적으로 기초하여 결정될 수 있다.[0059] 이제, 도 3a를 참조하면, 다양한 실시예들에 따른, 업링크 전력 제어를 위해 구성되는 예시적 디바이스(305)의 블록도(300)가 도시된다. 디바이스(305)는 도 1, 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명되는 UE들(115) 및/또는 eNB들(105)의 양상들의 예일 수 있다. 디바이스(305)는 수신기 모듈(310), 제어기 모듈(320) 및/또는 송신기 모듈(330)을 포함할 수 있다. 이 모듈들 각각은 서로 통신할 수 있고; 다양한 모듈들은 본원에서 설명되는 기능들을 수행하기 위한 수단일 수 있다. 일부 실시예들에서, 디바이스(305)의 하나 또는 그 초과의 양상들은 프로세서이다.[0060] 수신기 모듈(310)은 다양한 채널들 및 메시지들을 수신하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 수신기 모듈(310)은 UE(115)로부터, PRACH, PUSCH, PUCCH 및/또는 SRS를 수신하도록 구성될 수 있다. 다른 실시예들에서, 수신기 모듈(310)은 eNB(105)로부터 PDCCH, RAR, TPC 메시지들, 및 추가 데이터 및 제어 정보를 수신하도록 구성된다.[0061] 제어기 모듈(320)은 전력 레벨들 및 반복 레벨들과 관련된 파라미터들, 세팅들 및 값들을 결정, 식별, 선택 및/또는 계산하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제어기 모듈(320)은 반복 레벨에 전체적으로 또는 부분적으로 기초하여 업링크 전력을 결정하도록 구성될 수 있다. 따라서, 제어기 모듈(320)은 제 1 반복 레벨 및 제 2 반복 레벨에 기초하여 초기 업링크 전력 레벨 및 후속하는 전력 레벨을 각각 결정할 수 있다. 예로서, 반복 레벨들은 PRACH, PUSCH, PUCCH 및/또는 SRS 반복 레벨들일 수 있고; 업링크 전력 레벨들은 PRACH, PUSCH, PUCCH 및/또는 SRS 전력 레벨들일 수 있다.[0062] 송신기 모듈(330)은 결정되는 반복 레벨 또는 전력 레벨, 또는 둘다에 따라 채널들 및 메시지들을 송신하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 송신기 모듈(330)은 PRACH, PUSCH, PUCCH 및/또는 SRS를 eNB(105)에 송신하거나 또는 이들을 반복적으로 송신하도록 구성될 수 있다. 대안적으로, 송신기 모듈(330)은 PDCCH, RAR, TPC 메시지들, 및 추가 데이터 및 제어 정보를 UE(115)에 송신하거나 또는 이들을 반복적으로 송신하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 송신기 모듈(330)은 제어기 모듈(320)에 의해 결정되는 초기 업링크 전력에 따라 하나 또는 그 초과의 업링크 채널들을 송신하도록 구성된다. 마찬가지로, 송신기 모듈(330)은 제어기 모듈(320)에 의해 결정되는 후속하는 업링크 전력에 따라 하나 또는 그 초과의 업링크 채널들을 송신하도록 구성될 수 있다.[0063] 그 다음, 도 3b는 다양한 실시예들에 따른 업링크 전력 제어를 위해 구성되는 예시적 디바이스(305-a)의 블록도(300-a)를 도시한다. 디바이스(305-a)는 도 3a의 디바이스(305)의 예일 수 있고; 그것은 도 1, 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명되는 UE들(115) 및/또는 eNB들(105)의 양상들의 예일 수 있다. 디바이스(305)는 수신기 모듈(310-a), 제어기 모듈(320-a) 및/또는 송신기 모듈(330-a)을 포함할 수 있다. 이 모듈들 각각은 서로 통신할 수 있고, 이들은 도 3a의 대응하는 모듈들의 예들일 수 있다. 디바이스(305-a)의 다양한 모듈들은 본원에서 설명되는 기능들을 수행하기 위한 수단일 수 있다. 추가적으로, 디바이스(305-a)의 하나 또는 그 초과의 양상들은 프로세서일 수 있다.[0064] 제어기 모듈(320-a)은 전력 결정 모듈(340) 및/또는 반복 결정 모듈(350)을 포함할 수 있다. 이 모듈들 각각은 서로 통신할 수 있고, 이들 각각은 프로세서의 양상일 수 있다. 전력 결정 모듈(340)은 채널 반복 레벨에 전체적으로 또는 부분적으로 기초하여 업링크 전력을 결정하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 전력 결정 모듈(340)은 하나의 채널 반복 레벨(예를 들어, PRACH 반복 레벨)에 기초하여 초기 업링크 전력을 결정하도록 구성될 수 있고, 그것은 상이한 채널 반복 레벨(예를 들어, PUSCH 반복 레벨)에 기초하여 후속하는 업링크 전력을 결정하도록 구성될 수 있다. 그리고, 송신기 모듈(330-a)은 결정되는 업링크 전력에 따라 업링크 채널들을 송신할 수 있다.[0065] 예로서, 전력 결정 모듈(340)은 전력 램프-업 값(예를 들어, 전력 램프-업 오프셋) 또는 전력 조정 값을 감안하거나 또는 이를 활용하는 업링크 전력을 결정하도록 구성될 수 있다. 전력 결정 모듈(340)은, 예를 들어, 오프셋에 기초하여, 요청되는 전력 램프-업 오프셋을 결정할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 전력 결정 모듈(340)은 PUSCH 송신들, PUCCH 송신들, SRS 송신들, 또는 이들의 결합에 대한 반복 레벨들의 차에 기초하여 전력 조정 값을 결정할 수 있다. 그것은 또한, 요청되는 전력 램프-업 오프셋 및 최대 전력 램프-업 값을 포함하는 세트로부터의 최소 값을 선택할 수 있다. 그리고, 그것은 선택되는 최소치, 및 일부 경우들에서는, TPC 커맨드에 기초하여 업링크 전력을 계산할 수 있다. 이 결정들은 (예를 들어, 수신기 모듈(310-a)을 통해) 다른 시스템 노드들로부터 수신되고 전력 결정 모듈(340)로 전달되는 파라미터들에 어느 정도 기초할 수 있다.[0066] 반복 결정 모듈(350)은 다양한 송신들 (예를 들어, PRACH, PUSCH, PUCCH, SRS 등)에 대한 반복 레벨을 결정하도록 구성될 수 있거나, 또는 그것은 레벨당 반복들의 수를 결정할 수 있거나, 또는 그것은 둘다를 결정할 수 있다. 일부 경우들에서, 레벨당 반복들의 수 및/또는 가능한 반복 레벨들은 제어기 모듈(320-a)에 의해 선험적으로 알려지고, 반복 결정 모듈(350)은 알려진 값들로부터 레벨 및/또는 반복 수를 결정한다. 다른 실시예들에서, 반복 레벨들 및/또는 레벨당 반복들의 수들은 반복 모듈(350)에 의해 결정될 수 있는 구성가능한 값들이다. 여전히 다른 실시예들에서, 반복 레벨들 및/또는 레벨당 반복들의 수는 구성가능한 값들이고, 이들은 또 다른 디바이스(예를 들어, eNB)에서 구성가능하며, 반복 결정 모듈(350)로 전달된다. 예를 들어, 수신기 모듈(310-a)은 주어진 채널에 대한 반복 레벨들 및/또는 반복들의 수들을 표시하는 시그널링을 수신할 수 있고, 수신기 모듈(310-a)은 이러한 정보를 반복 결정 모듈(350)로 전달할 수 있다.[0067] 일부 실시예들에서, 전력 결정 모듈(340)은 3GPP 규격들에 의해 기술되는 바와 같이 업링크 전력을 결정하지만, 결정 모듈(340)은 반복 레벨에 적어도 부분적으로 기초하여 업링크 전력을 결정할 수 있다. 예를 들어, UE(115)가 서빙 셀 c에 대한 RAR을 수신하면, 초기 PUSCH 전력 은 다음과 같이 정의될 수 있다: (1)여기서, 는 서빙 셀에서 송신되는 랜덤 액세스 프리앰블에 대응하는 RAR에서 표시되는 TPC 커맨드이고, (2)이고,여기서, (3)이고, 여기서, 는 서빙 셀 c에 대한 구성되는 UE 송신 전력(예를 들어, 최대 UE-송신 전력)이고; 은 서빙 셀 c에서의 제 1 PUSCH 송신의 서브프레임에 대한 PUSCH 자원 할당의 대역폭이고; 는 서빙 셀 c에 대한 더 높은 계층들로부터 제공되는 컴포넌트 파라미터들의 합으로 구성되는 PUSCH 송신 전력 파라미터이고; 는 RAR 그랜트와 연관된 PUSCH 송신들에 대한 부분적 전력 제어 인자이고; 은 제어기 모듈(320-a)에 의해 추정될 수 있는 서빙 셀 c에 대한 다운링크 경로손실 추정치이고; 은 서빙 셀 c에서의 제 1 PUSCH 송신의 전력 조정이고; 는 반복 레벨에 기초하는 요청되는 전력 램프-업 오프셋이다.[0068] PUSCH에 대해, 요청되는 전력 램프-업 오프셋은 다음과 같이 정의될 수 있다: (4)여기서, 는 주어진 PUSCH 반복 레벨에서의 PUSCH 송신들의 반복들의 수이고; 은 PRACH가 성공적이었던(예를 들어, RAR이 수신되었던) 반복 레벨에서의 PRACH 송신들의 반복들의 수이고; 는 초기 PRACH 송신의 송신 전력이고; 는 성공적 PRACH 송신의 송신 전력이다. 일부 실시예들에서, 반복되는 송신들의 각각의 PRACH 시도 내에서, 일정한 전력이 사용된다. 결과적으로, 전력 램프-업은 마지막 PRACH 시도와 초기 PRACH 시도 사이의 전력 차로서 정의될 수 있다. 일부 실시예들에서, 반복되는 송신들의 각각의 PRACH 시도 내에서, 동일한 시도의 반복되는 송신들 각각에 대해 상이한 전력이 사용될 수 있다. 따라서, 전력 램프-업은 최종 PRACH 시도의 첫 번째 송신과 마지막 송신 사이의 전력 차로서 정의될 수 있다. 대안적으로, 전력 램프-업은 최종 PRACH 시도의 마지막 송신과 초기 PRACH 시도의 첫 번째 송신 사이의 전력 차로서 정의될 수 있다. 수식 4에 표시되지 않지만, 값 은 초기 PRACH 반복 레벨에서의 PRACH 송신들의 반복들의 수이다.[0069] 위의 내용을 고려하면, PUSCH 반복 레벨이 (예를 들어, 반복 결정 모듈(350)에 의해) 변경됨에 따라, 의 값이 변경될 수 있고, 이로써 일 수 있다는 것이 명백하다. 그러나, 일부 실시예들에서, 초기 PUSCH 송신 및 후속하는 PUSCH 송신에 대한 반복 레벨은 공통 값으로서 정의된다. 예를 들어, 는 인 것으로 정의될 수 있고, 따라서, 는 다음과 같이 정의될 수 있다: (5)[0070] 초기 PUCCH 전력 은 PUSCH와 유사한 방식으로 정의될 수 있다. 예를 들어, (6)여기서, PUCCH가 PUSCH와 동일한 서브프레임에서 송신되면, (7)그리고 (8)이다. 그렇지 않으면, (9)수식들 7-9에서: 는 서빙 셀 c에 대해 구성되는 UE 송신 전력(예를 들어, 최대 UE-송신 전력)이고; 는 서빙 셀 c에 대해 더 높은 계층들로부터 제공되는 컴포넌트 파라미터들의 합으로 구성되는 PUCCH 송신 전력 파라미터이고; 은 서빙 셀 c에 대한 다운링크 경로손실 추정치이고; 는 LTE/LTE-A에서 특정되는 PUCCH 포맷 의존 값이고; 는 더 높은 계층들에 의해 제공되는 파라미터이고; 는 일부 경우들에서, 더 높은 계층들에 의해 제공되는 파라미터이거나, 또는 그것은 0이고; 는 반복 레벨에 기초하는 요청되는 전력 램프-업 오프셋이다.[0071] PUCCH에 대해, 요청되는 전력 램프-업 오프셋은 다음과 같이 정의될 수 있다: (10)여기서, 는 주어진 PUCCH 반복 레벨에서의 PUCCH 송신들의 반복들의 수이고; 은 PRACH가 성공적이었던(예를 들어, RAR이 수신되었던) 반복 레벨에서의 PRACH 송신들의 반복들의 수이고; 는 초기 PRACH 송신의 송신 전력이고; 는 성공적 PRACH 송신의 송신 전력이다. 일부 실시예들에서, 반복되는 송신들의 각각의 PRACH 시도 내에서, 일정한 전력이 사용된다. 결과적으로, 전력 램프-업은 마지막 PRACH 시도와 초기 PRACH 시도 사이의 전력 차로서 정의될 수 있다. 일부 실시예들에서, 반복되는 송신들의 각각의 PRACH 시도 내에서, 상이한 전력이 동일한 시도의 반복되는 송신들 각각에 대해 사용될 수 있다. 따라서, 전력 램프-업은 최종 PRACH 시도의 첫 번째 송신과 마지막 송신 사이의 전력 차로서 정의될 수 있다. 대안적으로, 전력 램프-업은 최종 PRACH 시도의 마지막 송신과 초기 PRACH 시도의 첫 번째 송신 사이의 전력 차로서 정의될 수 있다. 수식 10에 표시되지 않지만, 값 은 초기 PRACH 반복 레벨에서의 PRACH 송신들의 반복들의 수이다.[0072] 일부 실시예들에서, PUSCH 및 PUCCH 반복 레벨들 및/또는 레벨당 반복들의 수 중 어느 하나 또는 둘다는 후속하는 송신들 사이에서 조정가능하다. 예를 들어, 반복 결정 모듈(350)은 송신들 사이의 PUSCH 및/또는 PUCCH 반복 레벨들을 조정할 수 있다. 따라서, 전력 결정 모듈(340)은 상이한 반복 레벨들(또는 레벨당 반복들의 수)을 보상하거나 또는 이에 대해 조정하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 전력 결정 모듈(340)은 다음과 같은 PUSCH 및/또는 PUCCH 전력 제어에 대한 전력 오프셋 δ을 결정할 수 있다: (11)여기서, 는 현재 반복 레벨에서의 PUSCH 또는 PUCCH 송신들의 반복들의 수이고; 는 기본 반복 레벨의 반복들의 수이며, 이는 일(1) 또는 반복이 없는 것으로서 정의될 수 있고; 그리고 α는 스케일링 인자(예를 들어, α = 1)이며, 이는 시스템 내의 또 다른 노드로부터 전력 결정 모듈(340)로 제공될 수 있거나 또는 전력 결정 모듈(340)에 의해 결정될 수 있다.[0073] 전력 결정 모듈(340)은 또한, SRS 전력 제어를 위해 구성될 수 있다. 일부 경우들에서, SRS 송신 전력은 결정되는 PUSCH 송신 전력에 비례할 수 있고; 일부 실시예들에서, SRS 송신 전력은 PUSCH 송신 전력 및 오프셋에 기초할 수 있다. 예를 들어, SRS 송신 전력은 네트워크에 의해 표시되는 파라미터 및/또는 반복 레벨 기반 조정(예를 들어, PUSCH 반복 레벨 및 SRS 레벨의 비교)에 기초하는 오프셋에 기초할 수 있다. 다른 경우들에서, 전력 결정 모듈(340)은 SRS를 송신할 것인 최대 송신 값(예를 들어, )을 결정하도록 구성된다 ― 다시 말해서, SRS는 반복 레벨과 관련없이 최대 전력 레벨에서 송신될 수 있다 ― .[0074] 도 3c는 다양한 실시예들에 따른, 업링크 전력 제어를 위해 구성되는 예시적 디바이스(305-b)의 블록도(300-b)를 도시한다. 디바이스(305-b)는 도 3a 및 도 3b의 디바이스들(305)의 예일 수 있고; 그것은 도 1, 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명되는 UE들(115) 및/또는 eNB들(105)의 양상들의 예일 수 있다. 디바이스(305-b)는 수신기 모듈(310-b), 제어기 모듈(320-b), 및/또는 송신기 모듈(330-b)을 포함할 수 있다. 이 모듈들 각각은 서로 통신할 수 있고, 이들은 도 3a 및 도 3b의 대응하는 모듈들의 예들일 수 있다. 디바이스(305-b)의 다양한 모듈들은 본원에 설명되는 기능들을 수행하기 위한 수단일 수 있다. 추가적으로, 디바이스(305-b)의 하나 또는 그 초과의 양상들은 프로세서일 수 있다.[0075] 디바이스(305-b)는 전력 결정 모듈(340-a)을 포함할 수 있으며, 이는 오프셋 결정 모듈(360), 선택 모듈(370) 및/또는 송신 전력 계산 모듈(380)을 더 포함할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 디바이스(305-b)는 반복 결정 모듈(350-a)을 포함할 수 있으며, 이는 임계치 식별 모듈(390)을 더 포함할 수 있다. 다양한 모듈들 각각은 서로 통신할 수 있다.[0076] 오프셋 결정 모듈(360)은, 반복 레벨에 기초하여, 요청되는 전력 램프-업 오프셋 또는 전력 조정 오프셋을 결정하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 오프셋 결정 모듈(360)은 수식 4, 수식 5, 수식 10 및 수식 11 중 하나 또는 그 초과의 수식들을 이용할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 오프셋 결정 모듈(360)은 또 다른 시스템 노드(예를 들어, eNB(105))로부터 (예를 들어, 수신기 모듈(310-b)을 통해) 수신된 표시에 기초하여, 요청되는 오프셋을 결정하도록 구성될 수 있다.[0077] 선택 모듈(370)은 요청되는 전력 램프-업 오프셋 및 최대 전력 램프-업 값을 포함하는 세트의 최소치를 선택하도록 구성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 선택 모듈(370)은 수식 2, 수식 3, 수식 7, 수식 8 및 수식 9 중 하나 또는 그 초과의 수식들을 이용하도록 구성된다.[0078] 일부 실시예들에서, 송신 전력 계산 모듈(380)은 선택된 최소치 및 TPC 커맨드에 기초하여 업링크 전력을 계산하도록 구성된다. 예를 들어, 송신 전력 계산 모듈(380)은 업링크 전력을 결정하기 위해 수식 1 및/또는 수식 6을 이용할 수 있다. 그 다음, 송신기 모듈(330-b)은 계산된 업링크 전력에 따라, 하나 또는 그 초과의 채널들, 신호들 또는 메시지들을 (예를 들어, 업링크 상에서) eNB(105)에 송신할 수 있다. 또는, 송신기 모듈(330-c)은 계산된 업링크 전력과 관련된 파라미터들, 세팅들 및 또는 값들을 (예를 들어, 다운링크 상에서) UE(115)에 송신하도록 구성될 수 있다.[0079] 임계치 식별 모듈(390)은 하나 또는 그 초과의 반복 임계치들을 식별하도록 구성될 수 있다. 따라서, 그것은 최대 송신 전력이 사용되어야 하는 반복 임계치를 식별할 수 있다. 예를 들어, 전력 결정 모듈(340-a)은, 반복 레벨이 일부 미리 결정된 값보다 크면(예를 들어, 레벨 4보다 큼), 송신기 모듈(330-b)로 하여금 로 채널에서 송신하게 하도록 구성될 수 있다. 따라서, 임계치 식별 모듈(390)이 임계치 레벨을 식별하면, 그것은 식별된 임계치에 도달되거나 또는 식별된 임계치가 초과되었음을 전력 결정 모듈(340-a)로 표시할 수 있고, 전력 결정 모듈(340-a)은 업링크 송신들에 최대 전력 값을 적용시킬 수 있다. 다양한 실시예들에서, 반복 임계치는 PUSCH 반복 임계치, PUCCH 반복 임계치 또는 SRS 반복 임계치 중 하나 또는 그 초과의 반복 임계치들을 포함한다. 그리고, 최대 전력 값은 PUSCH 최대 전력 값, PUCCH 최대 전력 값 또는 SRS 최대 전력 값 중 하나 또는 그 초과의 최대 전력 값들에 영향을 미치거나 또는 이들을 포함할 수 있다.[0080] 디바이스들(305)의 컴포넌트들은 하드웨어에서 적용가능한 기능들 중 일부 또는 그 전부를 수행하도록 적응되는 하나 또는 그 초과의 ASIC(application-specific integrated circuit)들로 개별적으로 또는 집합적으로 구현될 수 있다. 대안적으로, 기능들은 하나 또는 그 초과의 집적 회로들 상에서, 하나 또는 그 초과의 다른 프로세싱 유닛들(또는 코어들)에 의해 수행될 수 있다. 다른 실시예들에서, 다른 타입들의 집적 회로들(예를 들어, 구조화된/플랫폼 ASIC들, FPGA(Field Programmable Gate Array)들 및 다른 반-주문형(Semi-Custom) IC들)이 사용될 수 있으며, 이들은 당해 기술 분야에서 알려진 임의의 방식으로 프로그래밍될 수 있다. 각각의 유닛의 기능들은 또한, 하나 또는 그 초과의 일반형 또는 주문형 프로세서들에 의해 실행되도록 포맷된, 메모리 내에 구현되는 명령들로 전체적으로 또는 부분적으로 구현될 수 있다.[0081] 다음으로, 도 4를 참조하면, 이는 다양한 실시예들에 따른, 업링크 전력 제어를 위해 구성되는 예시적 UE(115-c)의 블록도(400)를 도시한다. UE(115-c)는 MTC 디바이스일 수 있고, 그리고/또는 그것은 개인용 컴퓨터들(예를 들어, 랩탑 컴퓨터들, 넷북 컴퓨터들, 태블릿 컴퓨터들 등), 셀룰러 전화들, PDA들, 스마트폰들, DVR(digital video recorder)들, 인터넷 어플라이언스들, 게이밍 콘솔들, e-리더들 등과 같은 다양한 구성들 중 임의의 것을 가질 수 있다. UE(115-c)는 모바일 동작을 가능하게 하기 위해 소형 배터리와 같은 내부 파워 서플라이(도시되지 않음)를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, UE(115-c)는 도 1, 도 2a 및 도 2b의 UE들(115)의 예일 수 있다.[0082] UE(115-c)는 일반적으로, 통신들을 송신하기 위한 컴포넌트들 및 통신들을 수신하기 위한 컴포넌트들을 포함하는, 양방향 음성 및 데이터 통신들을 위한 컴포넌트들을 포함할 수 있다. UE(115-c)는 안테나(들)(405), 트랜시버 모듈(410), 프로세서 모듈(470) 및 메모리(480)(소프트웨어(SW)(485)를 포함함)를 포함할 수 있으며, 이들은 각각 (예를 들어, 하나 또는 그 초과의 버스들(490)을 통해) 간접적으로 또는 직접적으로 서로 통신할 수 있다. 트랜시버 모듈(410)은 위에서 설명된 바와 같이, 안테나(들)(405) 및/또는 하나 또는 그 초과의 유선 또는 무선 링크들을 통해 하나 또는 그 초과의 네트워크들과 양방향으로 통신하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 트랜시버 모듈(410)은 도 1, 도 2a 및/또는 도 2b의 eNB들(105)과 양방향으로 통신하도록 구성될 수 있다. 트랜시버 모듈(410)은 패킷들을 변조하고, 송신을 위해 안테나(들)(405)에 변조된 패킷들을 제공하고, 안테나(들)(405)로부터 수신된 패킷들을 복조하도록 구성되는 모뎀을 포함할 수 있다. UE(115-c)는 단일 안테나(405)를 포함할 수 있지만, UE(115-c)는 다수의 무선 송신들을 동시에 송신 및/또는 수신할 수 있는 다수의 안테나들(405)을 가질 수 있다. 트랜시버 모듈(410)은 다수의 컴포넌트 캐리어들을 통해 다수의 eNB들(105)과 동시에 통신할 수 있다.[0083] 메모리(480)는 RAM(random access memory) 및 ROM(read-only memory)을 포함할 수 있다. 메모리(480)는 실행될 때, 프로세서 모듈(470)로 하여금 본원에서 설명되는 다양한 기능들(예를 들어, 호 프로세싱, 데이터베이스 관리, 핸드오버 지연의 캡처 등)을 수행하게 하도록 구성되는 명령들을 포함하는 컴퓨터 판독가능한, 컴퓨터 실행가능한 소프트웨어/펌웨어 코드(485)를 저장할 수 있다. 대안적으로, 소프트웨어/펌웨어 코드(485)는 프로세서 모듈(470)에 의해 직접적으로 실행가능하지 않을 수 있지만, (예를 들어, 컴파일링 및 실행될 때) 컴퓨터로 하여금 본원에서 설명되는 기능들을 수행하게 하도록 구성될 수 있다.[0084] 프로세서 모듈(470)은 지능형 하드웨어 디바이스, 예를 들어, CPU(central processing unit), 마이크로제어기, ASIC(application-specific integrated circuit) 등을 포함할 수 있다. UE(115-c)는 마이크로폰을 통해 오디오를 수신하고, 오디오를 수신된 오디오를 표현하는 패킷들(예를 들어, 20ms의 길이, 30ms의 길이 등)로 변환하고, 오디오 패킷들을 트랜시버 모듈(410)에 제공하고, 그리고 사용자가 말하고 있는지 여부에 대한 표시들을 제공하도록 구성되는 스피치 인코더(도시되지 않음)를 포함할 수 있다.[0085] 도 4의 아키텍처에 따라, UE(115-c)는 전력 결정 모듈(340-b) 및/또는 반복 결정 모듈(350-b)을 더 포함할 수 있고, 이는 도 3b 및 도 3c의 전력 결정 모듈들(340) 및 반복 결정 모듈들(350)과 실질적으로 동일할 수 있다. 일부 경우들에서, 전력 결정 모듈(340-b)은 도 3c의 모듈들(360, 370 및 380)의 기능들을 수행하도록 구성되고, 반복 결정 모듈(350-b)은 도 3c의 모듈(390)의 기능들을 수행하도록 구성된다. 예로서, 전력 결정 모듈(340-b) 및/또는 반복 결정 모듈(350-b)은 버스(490)를 통해 UE(115-c)의 다른 컴포넌트들 중 일부 또는 그 전부와 통신하는 UE(115-c)의 컴포넌트들일 수 있다. 대안적으로, 이 모듈들의 기능은 트랜시버 모듈(410)의 컴포넌트로서, 컴퓨터 프로그램 물건으로서 그리고/또는 프로세서 모듈(470)의 하나 또는 그 초과의 제어기 엘리먼트들로서 구현될 수 있다.[0086] 다음으로, 도 5는 다양한 실시예들에 따른, 업링크 전력 제어를 위해 구성되는 예시적 무선 통신 시스템(500)의 블록도를 도시한다. 이 시스템(500)은 도 1에 도시되는 무선 통신 시스템(100)의 양상들의 예일 수 있다. 무선 통신 시스템(500)은 무선 통신 링크들(125)을 통한 UE들(115)과의 통신을 위해 구성되는 eNB(105-c)를 포함한다. eNB(105-c)는 다른 기지국들(도시되지 않음)로부터 통신 링크들(125)을 수신할 수 있다. eNB(105-c)는, 예를 들어, 도 1, 도 2a 및 도 2b에 예시되는 바와 같은 eNB(105)일 수 있다.[0087] 일부 경우들에서, eNB(105-c)는 하나 또는 그 초과의 유선 백홀 링크들을 가질 수 있다. eNB(105-c)는, 예를 들어, 코어 네트워크(130-a)로의 유선 백홀 링크(예를 들어, S1 인터페이스 등)를 갖는 마이크로 eNB(105)일 수 있다. eNB(105-c)는 또한, 기지국-간 통신 링크들(예를 들어, X2 인터페이스 등)을 통해 기지국(105-m) 및 기지국(105-n)과 같은 다른 기지국들(105)과 통신할 수 있다. 기지국들(105) 각각은 동일한 또는 상이한 무선 통신 기술들을 사용하여 UE들(115)과 통신할 수 있다. 일부 경우들에서, eNB(105-c)는 기지국 통신 모듈(515)을 활용하여 105-m 및/또는 105-n과 같은 다른 기지국들과 통신할 수 있다. 일부 실시예들에서, 기지국 통신 모듈(515)은 기지국들(105) 중 일부 기지국들 사이의 통신을 제공하기 위해 LTE/LTE-A 무선 통신 네트워크 기술 내에서의 X2 인터페이스를 제공할 수 있다. 일부 실시예들에서, eNB(105-c)는 코어 네트워크(130-a)를 통해 다른 기지국들과 통신할 수 있다. 일부 경우들에서, eNB(105-c)는 네트워크 통신 모듈(565)을 통해 코어 네트워크(130-a)와 통신할 수 있다.[0088] eNB(105-c)에 대한 컴포넌트들은 도 1, 도 2a 및 도 2b의 eNB들(105) 및/또는 도 3a, 도 3b 및 도 3c의 디바이스들(305)에 대해 위에서 논의된 양상들을 구현하도록 구성될 수 있으며, 간결함을 위해 여기서 반복되지 않을 수 있다. 예를 들어, eNB(105-c)는 하나 또는 그 초과의 반복 레벨들에 전체적으로 또는 부분적으로 기초하여 업링크 전력을 결정하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에서, eNB(105-c)는 전력 램프-업 오프셋을 UE(115)로 표시하도록 구성된다.[0089] 기지국(105-c)은 안테나들(545), 트랜시버 모듈들(550), 프로세서 모듈(560) 및 메모리(570)(소프트웨어(SW)(575)를 포함함)를 포함할 수 있고, 이들 각각은 (예를 들어, 버스 시스템(580)을 통해) 간접적으로 또는 직접적으로 서로 통신할 수 있다. 트랜시버 모듈들(550)은, MTC 디바이스들일 수 있는 UE들(115)과 안테나들(545)을 통해 양방향으로 통신하도록 구성될 수 있다. 트랜시버 모듈(550)(및/또는 eNB(105-c)의 다른 컴포넌트들)은 또한, 안테나들(545)을 통해 하나 또는 그 초과의 다른 기지국들(도시되지 않음)과 양방향으로 통신하도록 구성될 수 있다. 트랜시버 모듈(550)은, 패킷들을 변조하고, 변조된 패킷들을 송신을 위해 안테나들(545)에 제공하고, 안테나들(545)로부터 수신된 패킷들을 복조하도록 구성되는 모뎀을 포함할 수 있다. 기지국(105-c)은 다수의 트랜시버 모듈들(550)을 포함할 수 있고, 이들 각각은 하나 또는 그 초과의 연관된 안테나들(545)을 갖는다.[0090] 메모리(570)는 RAM(random access memory) 및 ROM(read-only memory)을 포함할 수 있다. 메모리(570)는 또한, 명령들을 포함하는 컴퓨터 판독가능한, 컴퓨터 실행가능한 소프트웨어 코드(575)를 저장할 수 있고, 명령들은, 실행될 때, 프로세서 모듈(560)로 하여금, 본 명세서에서 설명되는 다양한 기능들(예를 들어, 전력 결정, 호 프로세싱, 데이터베이스 관리, 메시지 라우팅 등)을 수행하게 하도록 구성된다. 대안적으로, 소프트웨어(575)는, 프로세서 모듈(560)에 의해 직접적으로 실행가능하지는 않을 수 있지만, 예를 들어, 컴파일 및 실행될 때, 컴퓨터로 하여금, 본 명세서에서 설명되는 기능들을 수행하게 하도록 구성될 수 있다.[0091] 프로세서 모듈(560)은 지능형 하드웨어 디바이스, 예를 들어, CPU(central processing unit), 마이크로제어기, ASIC(application-specific integrated circuit) 등을 포함할 수 있다. 프로세서 모듈(560)은, 인코더들, 큐 프로세싱 모듈들, 기저대역 프로세서들, 라디오 헤드 제어기들, DSP(digital signal processor)들 등과 같은 다양한 특수 목적 프로세서들을 포함할 수 있다.[0092] 도 5의 아키텍처에 따르면, eNB(105-c)는 통신 관리 모듈(540)을 더 포함할 수 있다. 통신 관리 모듈(540)은 다른 기지국들(105)과의 통신들을 관리할 수 있다. 통신 관리 모듈은, 다른 기지국들(105)과 협력하여 UE들(115)과의 통신들을 제어하기 위한 제어기 및/또는 스케줄러를 포함할 수 있다. 예를 들어, 통신 관리 모듈(540)은, 빔형성 및/또는 조인트 송신과 같은 다양한 간섭 완화 기법들 및/또는 UE들(115)로의 송신들을 위한 스케줄링을 수행할 수 있다.[0093] 추가적으로 또는 대안적으로, eNB(105-c)는 도 3b 및 도 3c의 모듈들(340)과 실질적으로 동일하게 구성될 수 있는 전력 결정 모듈(340-c)을 포함할 수 있다. 일부 경우들에서, 전력 결정 모듈(340-c)은, 도 3c의 모듈들(360, 370 및/또는 380)의 기능들을 수행하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 전력 결정 모듈(340-c)은 버스(580)를 통해 eNB(105-c)의 다른 컴포넌트들 중 일부 또는 그 전부와 통신하는 eNB(105-c)의 컴포넌트이다. 대안적으로, 전력 결정 모듈(340-c)의 기능은, 트랜시버 모듈(550)의 컴포넌트로서, 컴퓨터 프로그램 물건으로서, 프로세서 모듈(560)의 하나 또는 그 초과의 제어기 엘리먼트들로서, 그리고/또는 통신 관리 모듈(540)의 엘리먼트로서 구현될 수 있다.[0094] 도 6에서, 다양한 실시예들에 따른 업링크 전력 제어를 위한 방법(600)의 흐름도가 도시된다. 방법(600)은 도 1, 도 2a, 도 2b 및/또는 도 4의 UE들(115) 중 하나 또는 그 초과의 UE들에 의해 구현될 수 있다.[0095] 블록(605)에서, 방법(600)은 제 1 채널 반복 레벨에 적어도 부분적으로 기초하여 초기 업링크 전력을 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 블록(605)의 동작들은: 도 3a, 도 3b 및/또는 도 3c의 제어기 모듈들(320); 및/또는 도 3b, 도 3c 및/또는 도 4의 전력 결정 모듈들(340)에 의해 수행된다. 제 1 채널 반복 레벨은 PRACH 반복 레벨 ― 초기 PRACH 반복 레벨 및 성공적 PRACH 반복 레벨을 포함함 ― PUSCH 반복 레벨, PUCCH 반복 레벨, 또는 SRS 반복 레벨일 수 있다. 업링크 전력은 PUSCH 전력, PUCCH 전력, 또는 SRS 전력일 수 있다. 일부 예들에서, 제 1 채널 반복 레벨은 PUSCH(physical uplink shared channel) 반복 레벨, PUCCH(physical uplink control channel) 반복 레벨, 또는 SRS(sounding reference signal) 반복 레벨 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 초기 업링크 전력은 PUSCH 전력, PUCCH 전력, 또는 SRS 전력 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.[0096] 블록(610)에서, 방법(600)은 초기 업링크 전력에 따라 제 1 업링크 채널을 송신하는 단계를 포함할 수 있다. 블록(610)의 동작들은: 도 3a, 도 3b 및/또는 도 3c의 송신기 모듈들(330) 및/또는 도 4의 트랜시버 모듈(410) 및 안테나(들)(405)에 의해 수행될 수 있다. 업링크 채널은 PUSCH, PUCCH 및/또는 SRS를 포함할 수 있다.[0097] 도 7은 다양한 실시예들에 따른 업링크 전력 제어를 위한 방법(700)의 흐름도이다. 방법(700)은 방법(600)의 예일 수 있고; 그것은 도 1, 도 2a, 도 2b 및/또는 도 4의 UE들(115) 중 하나 또는 그 초과의 UE들에 의해 구현된다.[0098] 블록(705)에서, 방법(700)은 제 1 채널 반복 레벨에 적어도 부분적으로 기초하여, 요청되는 전력 램프-업 오프셋을 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 블록(705)의 동작들은: 도 3b, 도 3c, 도 4 및/또는 도 5의 전력 결정 모듈들(340) 및/또는 도 3c의 오프셋 결정 모듈(360)에 의해 수행될 수 있다. 따라서, 요청되는 전력 램프-업 오프셋은 UE ― 예를 들어, 경합-기반 PRACH 프로시저에서 UE에 의해 결정될 수 있다. 일부 실시예들에서, 요청되는 전력 램프-업 오프셋을 결정하는 단계는 eNB(105) 또는 일부 다른 시스템 노드와 같은 노드로부터 표시를 수신하는 단계를 포함한다. 이러한 경우들에서, UE가 표시를 수신하는 단계는 비-경합-기반 PRACH 프로시저에 있을 수 있다.[0099] 블록(710)에서, 방법(700)은 제 1 채널 반복 레벨에 적어도 부분적으로 기초하여 초기 업링크 전력을 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 블록(710)의 동작들은: 도 3a, 도 3b 및/또는 도 3c의 제어기 모듈들(320); 및/또는 도 3b, 도 3c 및/또는 도 4의 전력 결정 모듈들(340)에 의해 수행된다. 일부 예들에서, 제 1 채널 반복 레벨은 PUSCH(physical uplink shared channel), 반복 레벨, PUCCH(physical uplink control channel) 반복 레벨, 또는 SRS(sounding reference signal) 반복 레벨 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 초기 업링크 전력은 PUSCH 전력, PUCCH 전력, 또는 SRS 전력 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.[0100] 블록(715)에서, 방법(700)은 초기 업링크 전력에 따라 제 1 업링크 채널을 송신하는 단계를 포함할 수 있다. 블록(715)의 동작들은: 도 3a, 도 3b 및/또는 도 3c의 송신기 모듈들(330) 및/또는 도 4의 트랜시버 모듈(410) 및 안테나(들)(405)에 의해 수행될 수 있다.[0101] 도 8은 다양한 실시예들에 따른 업링크 전력 제어를 위한 방법(800)의 흐름도이다. 방법(800)은 방법들(600 및/또는 700)의 예일 수 있고, 그것은 도 1, 도 2a, 도 2b 및/또는 도 4의 UE들(115) 중 하나 또는 그 초과의 UE들에 의해 구현될 수 있다.[0102] 블록(805)에서, 방법(800)은 제 1 채널 반복 레벨에 적어도 부분적으로 기초하여, 요청되는 전력 램프-업 오프셋을 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 블록(805)의 동작들은: 도 3b, 도 3c, 도 4 및/또는 도 5의 전력 결정 모듈들(340) 및/또는 도 3c의 오프셋 결정 모듈(360)에 의해 수행될 수 있다.[0103] 블록(810)에서, 방법(800)은 최대 전력 램프-업 값 및 요청되는 전력 램프-업을 포함하는 세트의 최소치를 선택하는 단계를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 블록(810)의 동작들은 도 3b, 도 3c, 도 4 및/또는 도 5의 전력 결정 모듈들(340); 및/또는 도 3c의 선택 모듈(370)에 의해 수행될 수 있다.[0104] 블록(815)에서, 방법(800)은 선택된 최소치 및 TPC 커맨드에 기초하여 업링크 전력을 계산하는 단계를 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 블록(815)의 동작들은: 도 3b, 도 3c, 도 4 및/또는 도 5의 전력 결정 모듈들(340); 및/또는 도 3c의 송신 전력 계산 모듈(380)에 의해 수행될 수 있다.[0105] 블록(820)에서, 방법(800)은 제 1 채널 반복 레벨에 적어도 부분적으로 기초하여 초기 업링크 전력을 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 블록(820)의 동작들은: 도 3a, 도 3b 및/또는 도 3c의 제어기 모듈들(320); 및/또는 도 3b, 도 3c 및/또는 도 4의 전력 결정 모듈들(340)에 의해 수행된다. [0106] 블록(825)에서, 방법(800)은 초기 업링크 전력에 따라 제 1 업링크 채널을 송신하는 단계를 포함할 수 있다. 블록(825)의 동작들은: 도 3a, 도 3b 및/또는 도 3c의 송신기 모듈들(330); 및/또는 도 4의 트랜시버 모듈(410) 및 안테나(들)(405)에 의해 수행될 수 있다.[0107] 다음으로, 도 9는 다양한 실시예들에 따른 업링크 전력 제어를 위한 방법(900)의 흐름도이다. 방법(900)은 방법들(600, 700 및/또는 800)의 예일 수 있고, 그것은 도 1, 도 2a, 도 2b 및/또는 도 4의 UE들(115) 중 하나 또는 그 초과의 UE들에 의해 구현될 수 있다.[0108] 블록(905)에서, 방법(900)은 제 1 채널 반복 레벨에 적어도 부분적으로 기초하여 초기 업링크 전력을 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 블록(905)의 동작들은: 도 3a, 도 3b 및/또는 도 3c의 제어기 모듈들(320), 및/또는 도 3b, 도 3c 및/또는 도 4의 전력 결정 모듈들(340)에 의해 수행될 수 있다. 일부 예들에서, 제 1 채널 반복 레벨은 PUSCH(physical uplink shared channel) 반복 레벨, PUCCH(physical uplink control channel) 반복 레벨, 또는 SRS(sounding reference signal) 반복 레벨 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 초기 업링크 전력은 PUSCH 전력, PUCCH 전력 또는 SRS 전력 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.[0109] 블록(910)에서, 방법(900)은 초기 업링크 전력에 따라 제 1 업링크 채널을 송신하는 단계를 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 제 1 업링크 채널은 PRACH(physical random access channel)를 포함할 수 있다. 블록(910)의 동작들은: 도 3a, 도 3b 및/또는 도 3c의 송신기 모듈들(330) 및/또는 도 4의 트랜시버 모듈(410) 및 안테나(들)(405)에 의해 수행될 수 있다.[0110] 블록(915)에서, 방법(900)은 제 2 채널 반복 레벨에 적어도 부분적으로 기초하여 후속하는 업링크 전력을 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 후속하는 업링크 전력은 제 1 채널 반복 레벨에 추가로 기초하여 결정될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 블록(915)의 동작들은: 도 3a, 도 3b 및/또는 도 3c의 제어기 모듈들(320); 및/또는 도 3b, 도 3c 및/또는 도 4의 전력 결정 모듈들(340)에 의해 수행된다.[0111] 블록(920)에서, 방법(900)은 후속하는 업링크 전력에 따라 제 2 업링크 채널을 송신하는 단계를 포함할 수 있다. 블록(920)의 동작들은: 도 3a, 도 3b 및/또는 도 3c의 송신기 모듈들(330) 및/또는 도 4의 트랜시버 모듈(410) 및 안테나(들)(405)에 의해 수행될 수 있다. 일부 예들에서, 제 2 업링크 채널은 PUSCH, PUCCH 또는 SRS 채널 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.[0112] 도 10은 본 개시 내용의 다양한 실시예들에 따른 업링크 전력 제어를 위한 방법(1000)의 흐름도이다. 방법(1000)은 방법들(600, 700, 800 및/또는 900)의 예일 수 있고; 그것은 도 1, 도 2a, 도 2b 및/또는 도 4의 UE들(115) 중 하나 또는 그 초과의 UE들에 의해 구현될 수 있다.[0113] 블록(1005)에서, 방법(1000)은 제 1 채널 반복 레벨에 적어도 부분적으로 기초하여 초기 업링크 전력을 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에서, 블록(1005)의 동작들은: 도 3a, 도 3b 및/또는 도 3c의 제어기 모듈들(320), 및/또는 도 3b, 도 3c 및/또는 도 4의 전력 결정 모듈들(340)에 의해 수행될 수 있다.[0114] 블록(1010)에서, 방법(1000)은 초기 업링크 전력에 따라 제 1 업링크 채널을 송신하는 단계를 포함할 수 있다. 블록(1010)의 동작들은: 도 3a, 도 3b 및/또는 도 3c의 송신기 모듈들(330) 및/또는 도 4의 트랜시버 모듈(410) 및 안테나(들)(405)에 의해 수행될 수 있다.[0115] 블록(1015)에서, 방법(1000)은 하나 또는 그 초과의 반복 임계치들을 식별하는 단계를 포함할 수 있다. 블록(1015)의 동작들은: 도 3a, 도 3b 및/또는 도 3c의 제어기 모듈들(320); 도 3b, 도 3c 및/또는 도 4의 반복 모듈들(350); 및/또는 임계치 식별 모듈(390)에 의해 수행될 수 있다. 반복 임계치들은 PUSCH 반복 임계치, PUCCH 반복 임계치, 또는 SRS 반복 임계치 중 하나 또는 그 초과의 반복 임계치들일 수 있다.[0116] 블록(1020)에서, 방법(1000)은 제 1 채널 반복 레벨이 하나 또는 그 초과의 반복 임계치들 중 하나를 초과하는 경우 최대 전력 값을 적용시키는 단계를 포함할 수 있다. 블록(1020)의 동작들은: 도 3a, 도 3b 및/또는 도 3c의 제어기 모듈들(320); 및/또는 도 3b, 도 3c 및/또는 도 4의 전력 결정 모듈들(340)에 의해 수행될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 최대 전력 값은 PUSCH 최대 전력 값, PUCCH 최대 전력 값, 또는 SRS 최대 전력 값 중 적어도 하나를 포함한다.[0117] 당업자들은, 방법들(600, 700, 800, 900 및 1000)이, 본 명세서에서 설명되는 툴들 및 기법들의 예시적 구현들이라는 것을 인식할 것이다. 방법들은 더 많거나 또는 더 적은 단계들로 수행될 수 있고, 방법들은, 표시된 것과는 다른 순서로 수행될 수 있다.[0118] 첨부된 도면들과 관련하여 위에서 기술된 상세한 설명은 예시적 실시예들을 설명하고, 청구항들의 범위 내에 있거나 또는 청구항들의 범위 내에서 구현될 수 있는 실시예들만을 표현하지는 않는다. 상세한 설명은, 설명된 기법들의 이해를 제공할 목적으로 특정 세부사항들을 포함한다. 그러나, 이 기법들은 이 특정 세부사항들 없이 실시될 수 있다. 몇몇 예들에서, 설명된 실시예들의 개념들을 모호하게 하는 것을 회피하기 위해, 잘-알려져 있는 구조들 및 디바이스들은 블록도 형태로 도시된다.[0119] 정보 및 신호들은 다양한 상이한 기술들 및 기법들 중 임의의 기술 및 기법을 사용하여 표현될 수 있다. 예를 들어, 상기 설명 전반에 걸쳐 참조될 수 있는 데이터, 명령들, 커맨드들, 정보, 신호들, 비트들, 심볼들 및 칩들은 전압들, 전류들, 전자기파들, 자기장들 또는 자기 입자들, 광 필드들 또는 광 입자들, 또는 이들의 임의의 결합에 의해 표현될 수 있다.[0120] 본원의 개시 내용과 관련하여 설명된 다양한 예시적 블록들 및 모듈들은 범용 프로세서, DSP(digital signal processor), ASIC(application specific integrated circuit), FPGA(field programmable gate array) 또는 다른 프로그래머블 논리 디바이스, 이산 게이트 또는 트랜지스터 로직, 이산 하드웨어 컴포넌트들, 또는 본원에서 설명되는 기능들을 수행하도록 설계된 이들의 임의의 결합으로 구현 또는 수행될 수 있다. 범용 프로세서는 마이크로프로세서일 수 있지만, 대안적으로, 프로세서는 임의의 종래의 프로세서, 제어기, 마이크로제어기 또는 상태 머신일 수 있다. 또한, 프로세서는 컴퓨팅 디바이스들의 결합, 예를 들어 DSP 및 마이크로프로세서의 결합, 다수의 마이크로프로세서들, DSP 코어와 결합된 하나 또는 그 초과의 마이크로프로세서들, 또는 임의의 다른 이러한 구성으로서 구현될 수 있다.[0121] 본원에서 설명되는 기능들은, 하드웨어, 프로세서에 의해 실행되는 소프트웨어, 펌웨어 또는 이들의 임의의 결합으로 구현될 수 있다. 프로세서에 의해 실행되는 소프트웨어로 구현되면, 기능들은, 컴퓨터 판독가능한 매체 상에 하나 또는 그 초과의 명령들 또는 코드로서 저장될 수 있다. 다른 예들 및 구현들은, 첨부된 청구항들 및 본 개시 내용의 범위 및 사상에 속한다. 예를 들어, 소프트웨어의 특성에 기인하여, 앞서 설명된 기능들은 프로세서에 의해 실행되는 소프트웨어, 하드웨어, 펌웨어, 하드와이어링, 또는 이들 중 임의의 것의 결합들을 사용하여 구현될 수 있다. 기능들을 구현하는 특징들은 또한, 기능들의 부분들이 상이한 물리적 위치들에서 구현되도록 분산되는 것을 포함하여, 물리적으로 다양한 포지션들에 로케이팅될 수 있다. 또한, 청구항들을 포함하여 본원에서 사용되는 바와 같이, "중 적어도 하나"가 후속되는 항목들의 리스트에서 사용되는 "또는"은, 예를 들어, "A, B 또는 C 중 적어도 하나"의 리스트가 A 또는 B 또는 C 또는 AB 또는 AC 또는 BC 또는 ABC(즉, A 및 B 및 C)를 의미하도록, 택일적인 리스트를 나타낸다.[0122] 컴퓨터 판독가능한 매체들은, 컴퓨터 저장 매체들을 포함한다. 저장 매체는 범용 컴퓨터 또는 특수 목적 컴퓨터에 의해 액세스될 수 있는 임의의 이용가능한 매체일 수 있다. 제한이 아닌 예로서, 컴퓨터 판독가능한 매체들은 RAM, ROM, EEPROM, CD-ROM 또는 다른 광학 디스크 저장 매체, 자기 디스크 저장 매체 또는 다른 자기 저장 디바이스들, 또는 명령들 또는 데이터 구조들의 형태로 요구되는 프로그램 코드 수단을 저장하는데 사용될 수 있고, 범용 컴퓨터 또는 특수 목적 컴퓨터 또는 범용 프로세서 또는 특수 목적 프로세서에 의해 액세스될 수 있는 임의의 다른 매체를 포함할 수 있다. 본원에서 사용되는 디스크(disk 및 disc)는 CD(compact disc), 레이저 디스크(disc), 광 디스크(disc), DVD(digital versatile disc), 플로피 디스크(disk) 및 블루-레이 디스크(disc)를 포함하며, 여기서 디스크(disk)들은 통상적으로 데이터를 자기적으로 재생하는 반면, 디스크(disc)들은 레이저들을 이용하여 데이터를 광학적으로 재생한다. 위의 것들의 결합들은 또한 컴퓨터 판독가능한 매체들의 범위 내에 포함된다.[0123] 본 개시 내용의 이전의 설명은 당업자가 본 개시 내용을 실시하거나 또는 사용할 수 있도록 제공된다. 본 개시 내용에 대한 다양한 수정들은 당업자들에게 쉽게 명백할 것이고, 본원에서 정의되는 일반적인 원리들은 본 개시 내용의 범위 또는 사상을 벗어나지 않으면서 다른 변형들에 적용될 수 있다. 본 개시 내용 전반에 걸쳐, "예" 또는 "예시적"이라는 용어는, 예 또는 예증을 나타내며, 기술된 예에 대한 어떠한 선호도를 의미하거나 또는 요구하지 않는다. 따라서, 본 개시 내용은 본원에서 설명되는 예들 및 설계들에 제한되는 것이 아니라, 본원에서 개시되는 원리들 및 신규한 특징들과 일치하는 가장 넓은 범위를 따를 것이다.
무선 통신 네트워크에서의 업링크 전력 제어를 위한 방법들, 시스템들 및 디바이스들이 설명된다. 다양한 업링크 송신들을 위한 전력 세팅들은 이전 업링크 채널 반복 레벨들을 감안하거나 또는 이들에 기초할 수 있다. 업링크 전력 세팅들은 또한, 이전 업링크 송신들과 연관된 전력 램프-업을 포함하는 다른 인자들에 기초할 수 있다. 특정 업링크 전력 세팅들은 사용자 장비(UE)에 의해 컴퓨팅될 수 있거나 또는 이들은 또 다른 시스템 노드로부터의 UE에 표시될 수 있다. 설명되는 특징들은, 예를 들어, MTC(machine-type communication)를 위한, 커버리지 강화 기법들로서 구현될 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 무선 전력 송신기 튜닝WIRELESS POWER TRANSMITTER TUNING [ 기술분야 ] 본 발명은 일반적으로 무선 전력에 관한 것이다. 더 상세하게는, 본 개시는 무선 전력 송신기를 튜닝하는 것에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 증가하는 수의 및 다양한 전자 디바이스들이 재충전가능 배터리들을 통해 전력공급된다. 그러한 디바이스들은 모바일 전화기들, 휴대용 뮤직 플레이어들, 랩탑 컴퓨터들, 태블릿 컴퓨터들, 컴퓨터 주변기기 디바이스들, 통신 디바이스들 (예를 들어, 블루투스 디바이스들), 디지털 카메라들, 보청기들 등등을 포함한다. 배터리 기술이 개선되었지만, 배터리 전력공급식 전자 디바이스들은 더 큰 전력량들을 점점더 요구 및 소모한다. 그에 따라, 이들 디바이스들은 재충전을 계속 요구한다. 재충전가능 디바이스들은 종종, 전력 공급부에 물리적으로 접속되는 케이블들 또는 다른 유사한 커넥터들을 요구하는 유선 커넥션들을 통해 충전된다. 케이블들 및 유사한 커넥터들은 종종 불편하거나 거추장스러우며, 다른 단점들을 가진다. 재충전가능 전자 디바이스들을 충전하는데 사용될 자유 공간에 전력을 전송하는 것이 가능한 무선 충전 시스템들은 유선 충전 솔루션들의 결점들 중 일부를 극복할 수도 있다. 그에 따라, 재충전가능 전자 디바이스를 충전하기 위한 전력을 효율적이고 안전하게 전송하는 무선 충전 시스템들 및 방법들이 바람직하다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] [ 과제의 해결 수단 ] 첨부된 청구항들의 범위 내의 시스템들, 방법들 및 디바이스들의 다양한 구현들 각각은 수개의 양태들을 가지며, 이들 양태들 중 어떠한 단일 양태도 본 명세서에서 설명된 바람직한 속성들을 유일하게 책임지지 않는다. 첨부된 청구항들의 범위를 한정하지 않고도, 일부 현저한 특징들이 본 명세서에서 설명된다.이 명세서에서 설명되는 청구물의 하나 이상의 구현들의 상세들이 첨부 도면들 및 하기의 설명에 기재된다. 다른 특징들, 양태들, 및 이점들은 그 설명, 도면들, 및 청구항들로부터 명백하게 될 것이다. 다음 도면들의 상대적인 디멘젼(dimension)들은, 스케일링하도록 묘화되지 않을 수도 있음을 유의한다.일 양태는 무선 전력을 제공하도록 구성된 디바이스를 제공한다. 그 디바이스는 전력 경로를 따라 전력을 제공하도록 구성된 신호 구동기를 포함한다. 그 디바이스는 신호 구동기에서 리액턴스를 튜닝하도록 구성되고 하모닉 콘텐츠를 발생하는, 전력 경로를 따른 제 1 튜닝 회로를 더 포함한다. 그 디바이스는 신호 구동기에서 리액턴스를 튜닝하고 그리고 제 1 튜닝 회로에서 발생된 하모닉을 적어도 부분적으로 소거하는 상보적 하모닉 콘텐츠를 발생하도록 구성된, 전력 경로를 따른 제 2 튜닝 회로를 더 포함한다.다양한 실시형태들에 있어서, 제 1 및 제 2 튜닝 회로들 중 적어도 하나는 전력 경로의 리액턴스를 조정하도록 구성된 스위치를 포함할 수 있다. 다양한 실시형태들에 있어서, 제 1 및 제 2 튜닝 회로들 중 적어도 하나는 리액티브 엘리먼트와 병렬로 스위치를 포함할 수 있고, 여기서, 제 1 및 제 2 튜닝 회로들 중 적어도 하나는 스위치를 개방 또는 폐쇄함으로써 송신 회로의 리액턴스를 조정하도록 구성된다. 다양한 실시형태들에 있어서, 리액티브 엘리먼트는 커패시터를 포함할 수 있다.다양한 실시형태들에 있어서, 그 디바이스는 중심 탭을 갖는 송신 코일을 더 포함할 수 있다. 다양한 실시형태들에 있어서, 신호 구동기는 차동 구동기를 포함할 수 있다. 다양한 실시형태들에 있어서, 신호 구동기는 단일단 (single-ended) 구동기를 포함할 수 있다.다양한 실시형태들에 있어서, 제 1 및 제 2 튜닝 회로들 중 적어도 하나는 2 이상의 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 2 이상의 트랜지스터들은 리액티브 엘리먼트와 병렬일 수 있다. 제 1 및 제 2 튜닝 회로들 중 적어도 하나는 2 이상의 트랜지스터들을 인에이블함으로써 송신 회로의 리액턴스를 조정하도록 구성될 수 있다. 다양한 실시형태들에 있어서, 송신 회로는 부하에 전력을 제공하기 위해 수신 회로에 전력을 무선으로 제공하도록 구성된다. 수신기 회로는 공진 주파수에서 공진하도록 구성될 수 있다.다른 양태는 무선 전력을 제공하는 방법을 제공한다. 그 방법은, 신호 구동기에서, 전력 경로를 따라 전력을 제공하는 단계를 포함한다. 그 방법은 전력 경로를 따른 제 1 튜닝 회로에서 하모닉을 발생하는 단계를 더 포함한다. 그 방법은 전력 경로를 따른 제 2 튜닝 회로에서 다른 하모닉을 발생하는 단계를 더 포함한다. 다른 하모닉은 제 1 튜닝 회로에서 발생된 하모닉을 적어도 부분적으로 소거한다.다양한 실시형태들에 있어서, 제 1 및 제 2 튜닝 회로들 중 적어도 하나는 전력 경로의 리액턴스를 조정하도록 구성된 스위치를 포함할 수 있다. 다양한 실시형태들에 있어서, 제 1 및 제 2 튜닝 회로들 중 적어도 하나는 리액티브 엘리먼트와 병렬로 스위치를 포함할 수 있고, 여기서, 제 1 및 제 2 튜닝 회로들 중 적어도 하나는 스위치를 개방 또는 폐쇄함으로써 송신 회로의 리액턴스를 조정하도록 구성된다. 다양한 실시형태들에 있어서, 리액티브 엘리먼트는 커패시터를 포함할 수 있다.다양한 실시형태들에 있어서, 그 방법은 중심 탭을 갖는 송신 코일을 통해 수신기에 무선 전력을 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다. 다양한 실시형태들에 있어서, 그 방법은 전력을 제공하는 것이 차동 신호를 제공하는 것을 포함할 수 있는 것을 더 포함할 수 있다. 다양한 실시형태들에 있어서, 그 방법은 전력을 제공하는 것이 단일단 신호를 제공하는 것을 포함할 수 있는 것을 더 포함할 수 있다.다양한 실시형태들에 있어서, 제 1 및 제 2 튜닝 회로들 중 적어도 하나는 2 이상의 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 2 이상의 트랜지스터들은 리액티브 엘리먼트와 병렬일 수 있으며, 그 방법은 2 이상의 트랜지스터들을 인에이블함으로써 송신 회로의 리액턴스를 조정하는 단계를 더 포함한다. 다양한 실시형태들에 있어서, 그 방법은 부하에 전력을 제공하기 위해 수신 회로에 전력을 제공하는 단계를 더 포함할 수 있다. 수신기 회로는 공진 주파수에서 공진하도록 구성될 수 있다.다른 양태는 무선 전력을 제공하기 위한 장치를 제공한다. 그 장치는 전력 경로를 따라 전력을 제공하는 수단을 포함한다. 그 장치는 전력 경로를 튜닝하고 하모닉을 발생하는 제 1 수단을 더 포함한다. 그 장치는 전력 경로를 튜닝하고 다른 하모닉을 발생하는 제 2 수단을 더 포함한다. 다른 하모닉은 튜닝하기 위한 제 1 수단에 의해 발생된 하모닉을 적어도 부분적으로 소거한다.다른 양태는 비-일시적인 컴퓨터 판독가능 매체를 제공한다. 그 매체는, 실행될 경우, 장치로 하여금 전력 경로를 따라 전력을 제공하게 하는 코드를 포함한다. 그 매체는, 실행될 경우, 장치로 하여금 전력 경로를 따른 제 1 튜닝 회로에서 하모닉을 발생하게 하는 코드를 더 포함한다. 그 매체는, 실행될 경우, 장치로 하여금 전력 경로를 따른 제 2 튜닝 회로에서 다른 하모닉을 발생하게 하는 코드를 더 포함한다. 다른 하모닉은 제 1 튜닝 회로에서 발생된 하모닉을 적어도 부분적으로 소거한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1 은 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 예시적인 무선 전력 전송 시스템의 기능 블록 다이어그램이다.도 2 는 본 발명의 다양한 예시적인 실시형태들에 따른, 도 1 의 무선 전력 전송 시스템에서 사용될 수도 있는 예시적인 회로들의 기능 블록 다이어그램이다.도 3 은 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 송신 또는 수신 코일을 포함한 도 2 의 송신 회로부 또는 수신 회로부의 부분의 개략 다이어그램이다.도 4 는 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 도 1 의 무선 전력 전송 시스템에서 사용될 수도 있는 송신기의 기능 블록 다이어그램이다.도 5 는 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 도 1 의 무선 전력 전송 시스템에서 사용될 수도 있는 수신기의 기능 블록 다이어그램이다.도 6 은 도 4 의 송신 회로부에서 사용될 수도 있는 송신 회로부의 부분의 개략 다이어그램이다.도 7 은 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른, 송신 회로 및 수신 회로를 포함한 예시적인 무선 전력 시스템의 개략 다이어그램이다.도 8 은 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른, 예시적인 튜닝 회로를 포함한 도 7 의 무선 전력 시스템의 개략 다이어그램이다.도 9a 및 도 9b 는 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 송신 코일의 중심 탭에 위치된 예시적인 튜닝 회로들을 포함한 도 7 의 무선 전력 시스템의 개략 다이어그램들이다.도 10a, 도 10b, 및 도 10c 는 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 도 8 의 무선 전력 시스템에서 사용될 수도 있는 다양한 동작 상태들로 도시된 예시적인 튜닝 회로의 개략 다이어그램들이다.도 11a, 도 11b, 및 도 11c 는 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 도 8 의 무선 전력 시스템에서 사용될 수도 있는 다양한 동작 상태들로 도시된 다른 예시적인 튜닝 회로의 개략 다이어그램들이다.도 12 는 입력 전압의 함수로서의 트랜지스터 커패시턴스의 예시적인 그래프를 도시한다.도 13a 및 도 13b 는 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 도 8 의 무선 전력 시스템에서 사용될 수도 있는 예시적인 튜닝 회로의 개략 다이어그램들이다.도 14a 및 도 14b 는 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 도 8 의 무선 전력 시스템에서 사용될 수도 있는 다른 예시적인 튜닝 회로의 개략 다이어그램들이다.도 15a 내지 도 15c 는 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 도 8 의 무선 전력 시스템에서 사용될 수도 있는 다른 예시적인 튜닝 회로 (1520) 의 개략 다이어그램들이다.도 16a 및 도 16b 는 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 도 8 의 무선 전력 시스템에서 사용될 수도 있는 다른 예시적인 튜닝 회로의 개략 다이어그램들이다.도 17 은 도 1 의 무선 전력 전송 시스템에서 사용될 수도 있는 송신기의 기능 블록 다이어그램이다.도 18 은 무선 전력 송신의 예시적인 방법의 플로우차트이다.도 19 는 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른, 무선 전력 송신용 시스템의 기능 블록 다이어그램이다.도면들에 도시된 다양한 특징부들은, 스케일링하도록 묘화되지 않을 수도 있다. 이에 따라, 다양한 특징부들의 디멘젼들은 명료화를 위해 임의적으로 확장되거나 감소될 수도 있다. 부가적으로, 도면들의 일부는 소정의 시스템, 방법 또는 디바이스의 회로들 모두를 도시하지 않을 수도 있다. 마지막으로, 유사한 참조부호들은 명세서 및 도면들 전반에 걸쳐 유사한 특징부들을 나타내도록 사용될 수도 있다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 첨부된 도면들과 관련하여 하기에 기재된 상세한 설명은 본 발명의 예시적인 실시형태들의 설명으로서 의도되고, 본 발명이 실시될 수도 있는 유일한 실시형태들만을 나타내도록 의도되지는 않는다. 이 설명 전반에 걸쳐 사용된 용어 "예시적인" 은 "예, 예증, 또는 예시로서 기능하는" 을 의미하며, 다른 예시적인 실시형태들에 비해 반드시 선호되거나 유리한 것으로서 해석되지는 않아야 한다. 상세한 설명은 본 발명의 예시적인 실시형태들의 철저한 이해를 제공할 목적으로 특정 상세들을 포함한다. 본 발명의 예시적인 실시형태들은 이들 특정 상세들없이도 실시될 수도 있다. 일부 경우들에 있어서, 널리 공지된 구조들 및 디바이스들은 본 명세서에서 제시된 예시적인 실시형태들의 신규성을 불명료하게 하는 것을 회피하기 위해 블록 다이어그램 형태로 도시된다.전력을 무선으로 전송하는 것은 전기장들, 자기장들, 전자기장들, 또는 기타 등등과 연관된 임의의 형태의 에너지를 물리적인 전기 전도체들의 사용없이 (예를 들어, 전력이 자유 공간을 통해 전송될 수도 있음) 송신기로부터 수신기로 전송하는 것을 지칭할 수도 있다. 무선 필드 (예를 들어, 자기장) 으로의 전력 출력은 전력 전송을 달성하기 위해 "수신 코일" 에 의해 수신, 포착 또는 커플링될 수도 있다.도 1 은 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 예시적인 무선 전력 전송 시스템 (100) 의 기능 블록 다이어그램이다. 입력 전력 (102) 은, 에너지 전송을 제공하기 위한 필드 (105) 를 생성하기 위한 전력 소스 (도시 안됨) 로부터 송신기 (104) 로 제공될 수도 있다. 수신기 (108) 는, 출력 전력 (110) 에 커플링된 디바이스 (도시 안됨) 에 의한 저장 또는 소비를 위해, 필드 (105) 에 커플링하고 출력 전력 (110) 을 생성할 수도 있다. 송신기 (104) 및 수신기 (108) 양자는 거리 (112) 만큼 분리된다. 일 예시적인 실시형태에 있어서, 송신기 (104) 및 수신기 (108) 는 상호 공진 관계에 따라 구성된다. 수신기 (108) 의 공진 주파수와 송신기 (104) 의 공진 주파수가 실질적으로 동일하거나 매우 근접할 경우, 송신기 (104) 와 수신기 (108) 간의 송신 손실들은 최소이다. 그에 따라, 무선 전력 전송은, 코일들이 매우 근접할 것 (예를 들어, 수 mm) 을 요구하는 큰 코일들을 요구할 수도 있는 순수하게 유도성인 솔루션들에 대하여 더 큰 거리에 걸쳐 제공될 수도 있다. 따라서, 공진 유도성 커플링 기법들은 다양한 거리들에 걸쳐 그리고 다양한 유도성 코일 구성들로 개선된 효율성 및 전력 전송을 허용할 수도 있다.수신기 (108) 는, 수신기 (108) 가 송신기 (104) 에 의해 생성된 에너지 필드 (105) 에 위치될 경우 전력을 수신할 수도 있다. 필드 (105) 는, 송신기 (104) 에 의해 출력된 에너지가 수신기 (105) 에 의해 포착될 수도 있는 영역에 대응한다. 일부 경우들에 있어서, 필드 (105) 는, 하기에서 더 설명될 바와 같이, 송신기 (104) 의 "근거리장" 에 대응할 수도 있다. 송신기 (104) 는 에너지 송신물을 출력하기 위한 송신 코일 (114) 을 포함할 수도 있다. 수신기 (108) 는 에너지 송신물로부터의 에너지를 수신하거나 포착하기 위한 수신 코일 (118) 을 더 포함한다. 근거리장은, 전력을 송신 코일 (114) 로부터 멀리 최소로 방사하는 송신 코일 (114) 내 전류들 및 전하들로부터 기인하는 강한 리액티브 필드들이 존재하는 영역에 대응할 수도 있다. 일부 경우들에 있어서, 근거리장은 송신 코일 (114) 의 대략 일 파장 (또는 그의 분수) 내인 영역에 대응할 수도 있다. 송신 및 수신 코일들 (114 및 118) 은, 연관될 어플리케이션들 및 디바이스들에 따라 사이징된다. 상기 설명된 바와 같이, 전자기파에서의 에너지 대부분을 원거리장으로 전파하는 것보다는 송신 코일 (114) 의 필드 (105) 내의 에너지의 대부분을 수신 코일 (118) 에 커플링시킴으로써, 충분한 에너지 전송이 발생할 수도 있다. 필드 (105) 내에 위치될 경우, "커플링 모드" 가 송신 코일 (114) 과 수신 코일 (118) 간에 전개될 수도 있다. 이러한 커플링이 발생할 수도 있는, 송신 및 수신 코일들 (114 및 118) 주위의 영역은 커플링 모드 영역으로서 본 명세서에서 지칭된다.도 2 는 본 발명의 다양한 예시적인 실시형태들에 따른, 도 1 의 무선 전력 전송 시스템 (100) 에서 사용될 수도 있는 예시적인 회로들의 기능 블록 다이어그램이다. 송신기 (204) 는, 오실레이터 (223), 구동기 회로 (224), 그리고 필터 및 매칭 회로 (226) 를 포함할 수도 있는 송신 회로부 (206) 를 포함할 수도 있다. 오실레이터 (223) 는, 주파수 제어 신호 (222) 에 응답하여 조정될 수도 있는 468.75 KHz, 6.78 MHz 또는 13.56 MHz 와 같은 원하는 주파수에서 신호를 생성하도록 구성될 수도 있다. 오실레이터 신호는, 예를 들어, 송신 코일 (214) 의 공진 주파수에서 송신 코일 (214) 을 구동하도록 구성된 구동기 회로 (224) 에 제공될 수도 있다. 구동기 회로 (224) 는, 오실레이터 (223) 로부터 구형파를 수신하고 사인파를 출력하도록 구성된 스위칭 증폭기일 수도 있다. 예를 들어, 구동기 회로 (224) 는 클래스 E 증폭기일 수도 있다. 필터 및 매칭 회로 (226) 는 또한, 하모닉들 또는 다른 원치않는 주파수들을 필터링하고 송신 코일 (214) 에 대한 송신기 (204) 의 임피던스를 매칭하기 위해 포함될 수도 있다.수신기 (208) 는, 도 2 에 도시된 바와 같은 그리고 수신기 (108) 에 커플링된 디바이스 (도시 안됨) 를 전력공급하기 위한 배터리 (236) 를 충전하기 위해 AC 전력 입력으로부터 DC 전력 출력을 생성하도록 매칭 회로 (232) 그리고 정류기 및 스위칭 회로 (234) 를 포함할 수도 있는 수신 회로부 (210) 를 포함할 수도 있다. 매칭 회로 (232) 는, 수신 코일 (218) 에 대한 수신 회로부 (210) 의 임피던스를 매칭하기 위해 포함될 수도 있다. 수신기 (208) 및 송신기 (204) 는 부가적으로, 별도의 통신 채널 (219) (예를 들어, 블루투스, 지그비, 셀룰러 등) 상으로 통신할 수도 있다. 수신기 (208) 및 송신기 (204) 는 대안적으로, 무선 필드 (206) 의 특성을 이용하여 대역내 시그널링을 통해 통신할 수도 있다.하기에서 더 완전히 설명되는 바와 같이, 선택적으로 디스에이블가능한 연관된 부하 (예를 들어, 배터리 (236)) 를 처음에 가질 수도 있는 수신기 (208) 는, 송신기 (204) 에 의해 송신된 그리고 수신기 (208) 에 의해 수신된 전력량이 배터리 (236) 를 충전하기에 적당한지 여부를 결정하도록 구성될 수도 있다. 추가로, 수신기 (208) 는 전력량이 적당하다고 결정할 시 부하 (예를 들어, 배터리 (236)) 를 인에이블하도록 구성될 수도 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 수신기 (208) 는 배터리 (236) 의 충전없이 무선 전력 전송 필드로부터 수신된 전력을 직접 활용하도록 구성될 수도 있다. 예를 들어, 근거리장 통신 (NFC) 또는 무선 주파수 식별 디바이스 (RFID) 와 같은 통신 디바이스는 무선 전력 전송 필드로부터 전력을 수신하고, 무선 전력 전송 필드와 상호작용함으로써 통신하고/하거나 수신된 전력을 활용하여 송신기 (204) 또는 다른 디바이스들과 통신하도록 구성될 수도 있다.도 3 은 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 송신 또는 수신 코일 (352) 을 포함한 도 2 의 송신 회로부 (206) 또는 수신 회로부 (210) 의 부분의 개략 다이어그램이다. 도 3 에 도시된 바와 같이, 예시적인 실시형태들에서 사용된 송신 또는 수신 회로부 (350) 는 코일 (352) 을 포함할 수도 있다. 코일은 또한 "루프" 안테나 (352) 로 지칭되거나 루프 안테나로서 구성될 수도 있다. 코일 (352) 은 또한 "자기" 안테나 또는 유도 코일로 본 명세서에서 지칭되거나 자기 안테나 또는 유도 코일로서 구성될 수도 있다. 용어 "코일" 은, 다른 "코일" 로의 커플링을 위해 에너지를 무선으로 출력 또는 수신할 수도 있는 회로를 지칭하도록 의도된다. 코일은 또한, 전력을 무선으로 출력 또는 수신하도록 구성되는 타입의 "안테나" 로서 지칭될 수도 있다. 코일 (352) 은 페라이트 코어 (도시 안됨) 와 같은 물리적 코어 또는 에어 코어를 포함하도록 구성될 수도 있다. 에어 코어 코일 (352) 은 코어 영역 내의 다른 회로들의 배치를 허용한다. 에어 코어 코일들은, 특정 타입들의 이질적인 물리 디바이스들이 코어 근방에 배치될 경우에 디튜닝 (detuning) 에 다소 민감할 수도 있다. 부가적으로, 에어 코어는 송신 코일 (214) (도 2) 의 평면 내 수신 코일 (218) (도 2) 의 배치를 더 용이하게 인에이블할 수도 있으며, 여기서, 송신 코일 (214) (도 2) 의 커플링 모드 영역은 더 강력할 수도 있다.서술된 바와 같이, 송신기 (104) 와 수신기 (108) 간의 에너지의 효율적인 전송은 송신기 (104) 와 수신기 (108) 간의 매칭된 또는 거의 매칭된 공진 동안에 발생할 수도 있다. 하지만, 송신기 (104) 와 수신기 (108) 간의 공진이 매칭되지 않은 경우라도, 비록 효율성이 영향받을 수도 있지만, 에너지가 전송될 수도 있다. 송신 코일로부터의 에너지를 자유 공간으로 전파하는 것보다는 송신 코일의 필드 (105) 로부터의 에너지를, 이 필드 (105) 가 확립된 이웃에 상주하는 수신 코일에 커플링함으로써 에너지의 전송이 발생한다.루프 또는 자기 코일들의 공진 주파수는 인덕턴스 및 커패시턴스에 기초한다. 인덕턴스는 단순히 코일 (352) 에 의해 생성된 인덕턴스일 수도 있지만, 커패시턴스는 원하는 공진 주파수에서 공진 구조를 생성하기 위해 코일의 인덕턴스에 부가될 수도 있다. 비-한정적인 예로서, 커패시터 (354) 및 커패시터 (356) 가 송신 또는 수신 회로부 (350) 에 부가되어, 공진 주파수에서 신호 (358) 를 선택하는 공진 회로를 생성할 수도 있다. 이에 따라, 더 큰 직경의 코일들에 대해, 공진을 유지하는데 필요한 커패시턴스의 사이즈는, 루프의 직경 또는 인덕턴스가 증가함에 따라 감소할 수도 있다. 더욱이, 코일의 직경이 증가함에 따라, 근거리장의 효율적인 에너지 전송 영역이 증가할 수도 있다. 다른 회로들을 사용하여 형성된 다른 공진 회로들이 또한 가능하다. 다른 비-한정적인 예로서, 커패시터는 코일 (350) 의 2개의 단자들 사이에 병렬로 배치될 수도 있다. 송신 코일들에 대해, 코일 (352) 의 공진 주파수에 실질적으로 대응하는 주파수를 갖는 신호 (358) 는 코일 (352) 에 대한 입력일 수도 있다.일 실시형태에 있어서, 송신기 (104) 는, 송신 코일 (114) 의 공진 주파수에 대응하는 주파수를 갖는 시변 자기장을 출력하도록 구성될 수도 있다. 수신기가 필드 (105) 내에 있을 경우, 시변 자기장은 수신 코일 (118) 에서 전류를 유도할 수도 있다. 상기 설명된 바와 같이, 수신 코일 (118) 이 송신 코일 (118) 의 주파수에서 공진하도록 구성된다면, 에너지는 효율적으로 전송될 수도 있다. 수신 코일 (118) 에서 유도된 AC 신호는, 부하를 충전하거나 전력공급하도록 제공될 수도 있는 DC 신호를 생성하기 위해 상기 설명된 바와 같이 정류될 수도 있다.도 4 는 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 도 1 의 무선 전력 전송 시스템에서 사용될 수도 있는 송신기 (404) 의 기능 블록 다이어그램이다. 송신기 (404) 는 송신 회로부 (406) 및 송신 코일 (414) 을 포함할 수도 있다. 송신 코일 (414) 은 도 3 에 도시된 바와 같은 코일 (352) 일 수도 있다. 송신 회로부 (406) 는, 송신 코일 (414) 주위로 에너지 (예를 들어, 자속) 의 생성을 발생하는 발진 신호를 제공함으로써 RF 전력을 송신 코일 (414) 에 제공할 수도 있다. 송신기 (404) 는 임의의 적합한 주파수에서 동작할 수도 있다. 예로서, 송신기 (404) 는 13.56 MHz ISM 대역에서 동작할 수도 있다.송신 회로부 (406) 는 송신 코일 (414) 에 대한 송신 회로부 (406) 의 임피던스 (예를 들어, 50 오옴) 를 매칭하기 위한 고정된 임피던스 매칭 회로 (409), 및 수신기들 (108) (도 1) 에 커플링된 디바이스들의 셀프-재밍을 방지하기 위해 하모닉 방출들을 감소시키도록 구성된 저역 통과 필터 (LPF) (408) 를 포함할 수도 있다. 다른 예시적인 실시형태들은, 다른 주파수들을 통과시키면서 특정 주파수들을 감쇄하는 노치 필터들을 포함하지만 이에 한정되지 않는 상이한 필터 토폴로지들을 포함할 수도 있으며, 코일 (414) 에 대한 출력 전력 또는 구동기 회로 (424) 에 의해 인출된 DC 전류와 같은 측정가능한 송신 메트릭들에 기초하여 변경될 수도 있는 적응적 임피던스 매칭을 포함할 수도 있다. 송신 회로부 (406) 는, 오실레이터 (423) 에 의해 결정된 바와 같은 RF 신호를 구동하도록 구성된 구동기 회로 (424) 를 더 포함한다. 송신 회로부 (406) 는 별도의 디바이스들 또는 회로들로 이루어질 수도 있거나, 또는 대안적으로, 집적된 어셈블리로 이루어질 수도 있다. 송신 코일 (414) 로부터 출력된 예시적인 RF 전력은 약 2.5 와트일 수도 있다.송신 회로부 (406) 는 특정 수신기들에 대한 송신 단계들 (또는 듀티 사이클들) 동안 오실레이터 (423) 를 선택적으로 인에이블하고, 오실레이터 (423) 의 주파수 또는 위상을 조정하며, 이웃한 디바이스들과 그 접속된 수신기들을 통해 상호작용하기 위한 통신 프로토콜을 구현하기 위해 출력 전력 레벨을 조정하는 제어기 (415) 를 더 포함할 수도 있다. 제어기 (415) 는 또한 프로세서 (415) 로서 본 명세서에서 지칭될 수도 있음을 유의한다. 송신 경로에서의 오실레이터 위상 및 관련 회로부의 조정은, 특히, 일 주파수로부터 다른 주파수로 천이할 경우, 대역외 방출들의 감소를 허용할 수도 있다.송신 회로부 (406) 는, 송신 코일 (414) 에 의해 생성된 근거리장 근방에서 활성 수신기들의 존재 또는 부재를 검출하는 부하 감지 회로 (416) 를 더 포함할 수도 있다. 예로서, 부하 감지 회로 (416) 는, 하기에서 더 설명될 바와 같이, 송신 코일 (414) 에 의해 생성된 필드 근방에서 활성 수신기들의 존재 또는 부재에 의해 영향받을 수도 있는 구동기 회로 (424) 로 흐르는 전류를 모니터링한다. 구동기 회로 (424) 상의 부하에 대한 변화들의 검출은, 에너지를 송신하고 활성 수신기와 통신하기 위해 오실레이터 (423) 를 인에이블할지 여부를 결정하는데 사용하기 위한 제어기 (415) 에 의해 모니터링된다. 하기에 더 완전히 설명되는 바와 같이, 구동기 회로 (424) 에서 측정된 전류는, 무효한 디바이스가 송신기 (404) 의 무선 전력 전송 영역 내에 위치되는지 여부를 결정하는데 사용될 수도 있다.송신 코일 (414) 은, 저항성 손실들을 낮게 유지하도록 선택된 두께, 폭, 및 금속 타입을 갖는 안테나 스트립으로서 또는 리쯔 (Litz) 와이어로 구현될 수도 있다. 일 구현에 있어서, 송신 코일 (414) 은 일반적으로, 테이블, 매트, 램프, 또는 다른 덜 휴대용의 구조와 같은 더 큰 구조와의 연관을 위해 구성될 수도 있다. 이에 따라, 송신 코일 (414) 은 일반적으로, 실제 디멘젼을 이루기 위해 "턴들" 을 필요로 하지 않을 수도 있다. 송신 코일 (414) 의 예시적인 구현은 "전기적으로 작을" 수도 있으며 (즉, 파장의 분수), 공진 주파수를 정의하기 위해 커패시터들을 사용함으로써 더 낮게 사용가능한 주파수들에서 공진하도록 튜닝될 수도 있다.송신기 (404) 는 송신기 (404) 와 연관될 수도 있는 수신기 디바이스들의 소재 (whereabouts) 및 상태에 관한 정보를 수집 및 추적할 수도 있다. 따라서, 송신 회로부 (406) 는 (본 명세서에서 프로세서로서 또한 지칭되는) 제어기 (415) 에 접속되는, 존재 검출기 (480), 밀폐형 검출기 (460), 또는 이들의 조합을 포함할 수도 있다. 제어기 (415) 는 존재 검출기 (480) 및 밀폐형 검출기 (460) 로부터의 존재 신호들에 응답하여 구동기 회로 (424) 에 의해 전달된 전력의 양을 조정할 수도 있다. 송신기 (404) 는, 예를 들어, 빌딩 내에 존재하는 종래의 AC 전력을 변환하기 위한 AC-DC 변환기 (도시 안됨), 종래의 DC 전력 소스를 송신기 (404) 에 적합한 전압으로 변환하기 위한 DC-DC 변환기 (도시 안됨) 와 같은 다수의 전력 소스들을 통해, 또는 종래의 DC 전력 소스 (도시 안됨) 로부터 직접 전력을 수신할 수도 있다.비-한정적인 예로서, 존재 검출기 (480) 는 송신기 (404) 의 커버리지 영역으로 삽입된, 충전될 디바이스의 초기 존재를 감지하는데 활용되는 모션 검출기일 수도 있다. 검출 이후에, 송신기 (404) 는 턴 온 될 수도 있고, 디바이스에 의해 수신된 RF 전력은 미리결정된 방식으로 Rx 디바이스 상의 스위치를 토글링하도록 이용될 수도 있으며, 차례로, 이는 송신기 (404) 의 구동 포인트 임피던스에 대한 변화들을 발생시킨다.다른 비-한정적인 예로서, 존재 검출기 (480) 는, 예를 들어, 적외선 검출, 모션 검출, 또는 다른 적합한 수단에 의해 인간을 검출할 수 있는 검출기일 수도 있다. 일부 예시적인 실시형태들에 있어서, 송신 코일 (414) 이 특정 주파수에서 송신할 수도 있는 전력의 양을 제한하는 규정들이 존재할 수도 있다. 일부 경우들에 있어서, 이러한 규정들은 전자기 방사로부터 인간들을 보호하도록 의도된다. 하지만, 송신 코일 (414) 이, 예를 들어, 차고, 공장 현장, 상점 등과 같이 인간들에 의해 점유되지 않거나 인간들에 의해 드물게 점유되는 영역들에 배치되는 환경들이 존재할 수도 있다. 이러한 환경들이 인간들로부터 자유롭다면, 송신 코일 (414) 의 전력 출력을 정규의 전력 제약 규정들을 초과하도록 증가시키는 것이 허용가능할 수도 있다. 즉, 제어기 (415) 는 인간 존재에 응답하여 송신 코일 (414) 의 전력 출력을 규제 레벨 이하로 조정하고, 인간이 송신 코일 (414) 의 전자기장으로부터 규제 거리 밖에 있을 경우 송신 코일 (414) 의 전력 출력을 규제 레벨을 초과한 레벨로 조정할 수도 있다.비-한정적인 예로서, (밀폐형 구획 검출기 또는 밀폐형 공간 검출기로서 본 명세서에서 또한 지칭될 수도 있는) 밀폐형 검출기 (460) 는 인클로저가 폐쇄 상태 또는 개방 상태일 때를 결정하기 위한 감지 스위치와 같은 디바이스일 수도 있다. 송신기가 밀폐 상태인 인클로저 내에 있을 경우, 송신기의 전력 레벨은 증가될 수도 있다.예시적인 실시형태들에 있어서, 송신기 (404) 가 무한정으로 남겨지지 않는 방법이 이용될 수도 있다. 이 경우, 송신기 (404) 는 사용자 결정식 시간량 이후에 셧오프하도록 프로그래밍될 수도 있다. 이러한 특징은 송신기 (404), 특히 구동기 회로 (424) 가 그 주위의 무선 디바이스들이 완전히 충전된 이후에 길게 구동하는 것을 방지한다. 이러한 이벤트는 중계기 또는 수신 코일로부터 전송된, 디바이스가 완전히 충전되었다는 신호를 검출하기 위한 회로의 실패에 기인할 수도 있다. 다른 디바이스가 그 주위에 배치되는 경우에 송신기 (404) 가 자동으로 셧다운하는 것을 방지하기 위해, 송신기 (404) 자동 셧오프 특징은 오직 그 주위에서 검출된 모션의 부재에 대한 설정 주기 이후에만 활성화될 수도 있다. 사용자는 비활성 시간 간격을 결정하고, 원할 경우 그 시간 간격을 변경할 수도 있다. 비-한정적인 예로서, 그 시간 간격은 디바이스가 처음에 완전히 방전되어 있다는 가정 하에서 특정 타입의 무선 디바이스를 완전히 충전하는데 필요한 시간 간격보다 더 길 수도 있다.도 5 는 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 도 1 의 무선 전력 전송 시스템에서 사용될 수도 있는 수신기 (508) 의 기능 블록 다이어그램이다. 수신기 (508) 는, 수신 코일 (518) 을 포함할 수도 있는 수신 회로부 (510) 를 포함한다. 수신기 (508) 는 추가로, 수신된 전력을 제공하기 위해 디바이스 (550) 에 커플링한다. 수신기 (508) 는 디바이스 (550) 외부에 있는 것으로서 도시되지만 디바이스 (550) 에 통합될 수도 있음을 유의해야 한다. 에너지는 수신 코일 (518) 에 무선으로 전파되고, 그 후, 수신 회로부 (510) 의 나머지를 통해 디바이스 (550) 에 커플링될 수도 있다. 예로서, 충전 디바이스는 모바일 전화기들, 휴대용 뮤직 플레이어들, 랩탑 컴퓨터들, 태블릿 컴퓨터들, 컴퓨터 주변기기 디바이스들, 통신 디바이스들 (예를 들어, 블루투스 디바이스들), 디지털 카메라들, 보청기들 (다른 의료 디바이스들) 등등과 같은 디바이스들을 포함할 수도 있다.수신 코일 (518) 은 송신 코일 (414) (도 4) 과 동일한 주파수에서 또는 주파수들의 명시된 범위 내에서 공진하도록 튜닝될 수도 있다. 수신 코일 (518) 은 송신 코일 (414) 과 유사하게 디멘져닝될 수도 있거나, 또는 관련 디바이스 (550) 의 디멘젼들에 기초하여 상이하게 사이징될 수도 있다. 예로서, 디바이스 (550) 는 송신 코일 (414) 의 길이의 직경보다 더 작은 직경 또는 길이 디멘젼을 갖는 휴대용 전자 디바이스일 수도 있다. 그러한 예에서, 수신 코일 (518) 은, 튜닝 커패시터 (도시 안됨) 의 커패시턴스 값을 감소시키고 수신 코일의 임피던스를 증가시키기 위해 멀티-턴 코일로서 구현될 수도 있다. 예로서, 수신 코일 (518) 은, 코일 직경을 최대화하고 수신 코일 (518) 의 루프 턴들 (즉, 권선들) 의 수 및 권선 간 커패시턴스를 감소시키기 위해 디바이스 (550) 의 실질적인 둘레 주위에 배치될 수도 있다.수신 회로부 (510) 는 수신 코일 (518) 에 임피던스 매칭을 제공할 수도 있다. 수신 회로부 (510) 는, 수신된 RF 에너지 소스를 디바이스 (550) 에 의한 사용을 위해 충전 전력으로 변환하는 전력 변환 회로부 (506) 를 포함한다. 전력 변환 회로부 (506) 는 RF 대 DC 변환기 (520) 를 포함하며, 또한, DC 대 DC 변환기 (522) 를 포함할 수도 있다. RF 대 DC 변환기 (520) 는 수신 코일 (518) 에서 수신된 RF 에너지 신호를, Vrect 에 의해 표현된 출력 전압을 갖는 비-교류 전력으로 정류한다. DC 대 DC 변환기 (522) (또는 다른 전력 레귤레이터) 는 정류된 RF 에너지 신호를, Vout 및 Iout 에 의해 표현된 출력 전압 및 출력 전류로 디바이스 (550) 와 호환되는 에너지 전위 (예를 들어, 전압) 로 변환한다. 부분 정류기, 전파 정류기, 레귤레이터들, 브리지들, 더블러(doubler)들 뿐 아니라 선형 및 스위칭 변환기들을 포함하여 다양한 RF 대 DC 변환기들이 고려된다.수신 회로부 (510) 는 추가로, 수신 코일 (518) 을 전력 변환 회로부 (506) 에 접속하거나 대안적으로 전력 변환 회로부 (506) 에서 접속해제하기 위한 스위칭 회로부 (512) 를 포함할 수도 있다. 전력 변환 회로부 (506) 로부터 수신 코일 (518) 을 접속 해제하는 것은 디바이스 (550) 의 충전을 중단할뿐만 아니라, 송신기 (404) (도 2) 에 의해 "보여지는" 것과 같이 "부하" 를 변경한다.상기 개시된 바와 같이, 송신기 (404) 는, 송신기 구동기 회로 (424) 에 제공된 바이어스 전류에서의 변동들을 검출할 수도 있는 부하 감지 회로 (416) 를 포함한다. 이에 따라, 송신기 (404) 는, 수신기들이 송신기의 근거리장에 존재할 때를 결정하기 위한 메커니즘을 갖는다.다중의 수신기들 (508) 이 송신기의 근거리장에 존재할 경우, 다른 수신기들이 송신기에 더 효율적으로 커플링할 수 있도록 하나 이상의 수신기들의 로딩 및 언로딩을 시간 멀티플렉싱하는 것이 바람직할 수도 있다. 수신기 (508) 는 또한, 다른 인접 수신기들로의 커플링을 제거하거나 인접 송신기들 상으로의 로딩을 감소시키기 위해 클로킹 (cloak) 될 수도 있다. 수신기의 이러한 "언로딩" 은 또한, 본 명세서에서 "클로킹" 으로서 공지된다. 더욱이, 수신기 (508) 에 의해 제어되고 송신기 (404) 에 의해 검출되는 언로딩과 로딩 사이의 이러한 스위칭은 하기에서 더 충분히 설명되는 바와 같이 수신기 (508) 로부터 송신기 (404) 로의 통신 메커니즘을 제공할 수도 있다. 부가적으로, 프로토콜은 수신기 (508) 로부터 송신기 (404) 로의 메세지의 전송을 인에이블하는 스위칭과 연관될 수도 있다. 예로서, 스위칭 속도는 대략 100μsec 일 수도 있다.예시적인 실시형태에 있어서, 송신기 (404) 와 수신기 (508) 간의 통신은 종래의 양방향 통신 (즉, 커플링 필드를 사용한 대역내 시그널링) 보다는 디바이스 감지 및 충전 제어 메커니즘을 지칭한다. 즉, 송신기 (404) 는, 근거리장에서 에너지가 이용가능한지 여부를 조정하기 위해 송신된 신호의 온/오프 키잉을 사용할 수도 있다. 수신기는 에너지에서의 이러한 변화들을 송신기 (404) 로부터의 메세지로서 해석할 수도 있다. 수신기 측으로부터, 수신기 (508) 는, 얼마나 많은 전력이 필드로부터 수용되고 있는지를 조정하기 위해 수신 코일 (518) 의 튜닝 및 디튜닝을 사용할 수도 있다. 일부 경우들에 있어서, 튜닝 및 디튜닝은 스위칭 회로부 (512) 를 통해 달성될 수도 있다. 송신기 (404) 는 필드로부터 사용된 전력에서의 이러한 차이를 검출하고, 이러한 변화들을 수신기 (508) 로부터의 메세지로서 해석할 수도 있다. 송신 전력 및 부하 거동의 조정의 다른 형태들이 활용될 수도 있음을 유의한다.수신 회로부 (510) 는 추가로, 송신기로부터 수신기로의 정보 시그널링에 대응할 수도 있는 수신 에너지 변동들을 식별하는데 사용되는 시그널링 검출기 및 비컨 회로부 (514) 를 포함할 수도 있다. 더욱이, 시그널링 및 비컨 회로부 (514) 는 또한, 감소된 RF 신호 에너지 (즉, 비컨 신호) 의 송신을 검출하고, 감소된 RF 신호 에너지를, 무선 충전을 위한 수신 회로부 (510) 를 구성하기 위해 수신 회로부 (510) 내의 비-전력공급된 또는 전력 고갈된 회로들을 어웨이크하기 위한 공칭 전력으로 정류하는데 사용될 수도 있다.수신 회로부 (510) 는 추가로, 본 명세서에서 설명되는 스위칭 회로부 (512) 의 제어를 포함하여 본 명세서에서 설명되는 수신기 (508) 의 프로세스들을 조종하기 위한 프로세서 (516) 를 포함한다. 수신기 (508) 의 클로킹은 또한, 충전 전력을 디바이스 (550) 에 제공하는 외부 유선 충전 소스 (예를 들어, 벽/USB 전력) 의 검출을 포함한 다른 이벤트들의 발생 시에 발생할 수도 있다. 프로세서 (516) 는, 수신기의 클로킹을 제어하는 것에 부가하여, 또한, 비컨 상태를 결정하기 위해 비컨 회로부 (514) 를 모니터링하고, 송신기 (404) 로부터 전송된 메세지들을 추출할 수도 있다. 프로세서 (516) 는 또한, 개선된 성능을 위해 DC 대 DC 변환기 (522) 를 조정할 수도 있다.도 6 은 도 4 의 송신 회로부 (406) 에서 사용될 수도 있는 송신 회로부 (606) 의 부분의 개략 다이어그램이다. 송신 회로부 (606) 는 도 4 에서 상기 설명된 바와 같이 구동기 회로 (624) 를 포함할 수도 있다. 상기 설명된 바와 같이, 구동기 회로 (624) 는, 구형파를 수신하고 송신 회로 (650) 에 제공될 사인파를 출력하도록 구성된 스위칭 증폭기일 수도 있다. 일부 경우들에 있어서, 구동기 회로 (624) 는 증폭기 회로로서 지칭될 수도 있다. 구동기 회로 (624) 는 클래스 E 증폭기로서 도시되지만, 임의의 적합한 구동기 회로 (624) 가 본 발명의 실시형태들에 따라 사용될 수도 있다. 구동기 회로 (624) 는 도 4 에 도시된 바와 같은 오실레이터 (423) 로부터의 입력 신호 (602) 에 의해 구동될 수도 있다. 구동기 회로 (624) 에는 또한, 송신 회로 (650) 를 통해 전달될 수도 있는 최대 전력을 제어하도록 구성되는 구동 전압 (VD) 이 제공될 수도 있다. 하모닉들을 제거 또는 감소하기 위해, 송신 회로부 (606) 는 필터 회로 (626) 를 포함할 수도 있다. 필터 회로 (626) 는 3 폴 (커패시터 (634), 인덕터 (632), 및 커패시터 (636)) 저역 통과 필터 회로 (626) 일 수도 있다.필터 회로 (626) 에 의해 출력된 신호는 코일 (614) 을 포함하는 송신 회로 (650) 에 제공될 수도 있다. 송신 회로 (650) 는, 구동기 회로 (624) 에 의해 제공된 필터링된 신호의 주파수에서 공진할 수도 있는 커패시턴스 (620) 및 인덕턴스 (예를 들어, 코일의 인덕턴스 또는 커패시턴스에 기인하거나 부가적인 커패시터 회로에 기인할 수도 있음) 를 갖는 직렬 공진 회로를 포함할 수도 있다. 송신 회로 (650) 의 부하는 가변 저항기 (622) 에 의해 표현될 수도 있다. 부하는, 송신 회로 (650) 로부터 전력을 수신하도록 위치되는 무선 전력 수신기 (508) 의 함수일 수도 있다.본 명세서에서 설명된 바와 같은 본 발명의 다양한 예시적인 실시형태들은 송신 회로부 송신기 (404) (도 4) 의 송신 회로 (650) 의 공진 주파수를 튜닝하기 위한 시스템들, 디바이스들, 및 방법들에 관련된다. 일 예시적인 실시형태에 따르면, 송신 회로 (650) 는 송신기의 공진 주파수를 원하는 주파수에 튜닝하기 위한 하나 이상의 리액티브 엘리먼트들을 선택적으로 포함하도록 구성될 수도 있다. 더욱이, 다른 예시적인 실시형태에 따르면, 송신 회로 (650) 는 송신 회로 (650) 의 공진 주파수를 원하는 주파수에 튜닝하기 위해 송신기 (404) 의 부분일 수도 있는 하나 이상의 기생 코일들 (도시 안됨) 과 유도적으로 커플링할 수도 있다. 또다른 예시적인 실시형태에 따르면, 송신 회로 (650) 는 하나 이상의 기생 코일들과 커플링할 수도 있으며, 여기서, 하나 이상의 기생 코일들 (도시 안됨) 은 송신기 (404) 의 공진 주파수를 원하는 주파수에 튜닝하기 위한 하나 이상의 리액티브 엘리먼트들을 포함할 수도 있다. 부가적으로, 다른 예시적인 실시형태에 따르면, 송신 회로부 (606) 의 구동기 회로 (624) 의 DC 전류가 무선 전력 시스템의 공진 주파수 조건을 감지하기 위해 사용될 수도 있다.도 7 은 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른, 송신 회로 (750) 및 수신 회로 (760) 를 포함한 예시적인 무선 전력 시스템 (700) 의 개략 다이어그램이다. 송신 회로 (750) 는 인덕턴스 (L1) 를 갖는 송신 코일 (714) 을 포함한다. 저항기 (R1) 는 송신 회로 (750) 의 기생 저항을 나타낸다. 커패시터 (C1) 가 포함될 수도 있고 (일부 실시형태들에 있어서 송신 코일 (714) 의 커패시턴스일 수 있음), 공진 매칭 목적으로 송신 회로 (750) 를 튜닝하는데 사용될 수도 있다. 오직 예로서, 커패시터 (C1) 는 27.8 pF 의 커패시턴스를 포함할 수도 있고, 송신 코일 (714) 은 5 μH 의 인덕턴스 (L1) 를 가질 수도 있으며, 기생 저항 (R1) 은 5 오옴일 수도 있다. 수신 회로 (760) 는 인덕턴스 (L2) 를 갖는 수신 코일 (718) 및 기생 저항 (즉, 저항기 (R2)) 을 포함한다. 수신 코일 (718) 은, 저항기 (RL) 에 의해 표현되는 부하에 커플링될 수도 있는 수신 회로 (760) 의 커패시터 (C2) 에 의해 튜닝될 수도 있다. 오직 예로서, 커패시터 (C2) 는 27.8 pF 의 커패시턴스를 포함할 수도 있고, 수신 코일 (718) 은 5 μH 의 인덕턴스 (L2) 를 가질 수도 있으며, 기생 저항 (R2) 은 5 오옴일 수도 있다. 송신 회로 (750) 를 구동하는데 사용된 신호의 주파수는 13.56 MHz 일 수도 있다. 상기 설명된 바와 같이, 송신 회로 (750) 및 수신 회로 (750) 는 특정 주파수에서 공진하도록 구성될 수도 있다. 하기의 식 1 은 공진에서의 커패시턴스 (C1) 및 인덕턴스 (L1) 의 주파수 및 값들 간의 관계를 나타낸다.여기서, ω 는 라디안 단위의 주파수이다. 송신 코일 (714) 에 제시된 임피던스 (Zin) 는 하기의 식 2 에 의해 주어질 수도 있다:여기서, M 은 송신 코일 (714) 과 수신 코일 (718) 간의 상호 인덕턴스이고, ω 는 라디안 단위의 주파수이며, RL 은 부하이다.전력을 전송하는 동안, 다양한 동작 조건들은 송신 회로 (750) 가 특정 동작 주파수에서 공진하는 것을 방지할 수도 있다. 예를 들어, 금속 오브젝트들의 존재 및 상이한 수의 무선 전력 수신기들의 존재는 송신 코일 (714) 에 제시될 때 임피던스를 변경하고, 송신 회로 (750) 의 공진 주파수를 효과적으로 변경할 수도 있다. 이 경우, 송신 회로 (750) 를 구동하는 신호의 주파수가 변하지 않을 수도 있기 때문에, 신호 주파수는 송신 회로 (750) 의 변경된 공진 주파수와 더 이상 동일하지 않을 수도 있다. 상이한 전력 요건들을 갖는 가변 수의 무선 전력 수신기들의 존재는 또한, 송신 회로 (750) 에 제시된 임피던스를 조정하고, 송신 회로 (750) 의 공진 주파수를 변경할 수도 있다. 무선으로 전송될 수도 있는 전력의 양을 강하하는 것 이외에, 오프 공진을 동작시키는 것은 송신 회로 (750) 를 구동하는데 사용된 구동기 회로 (624) 의 효율을 감소시킬 수도 있다. 이는, 송신기가 재충전가능 배터리를 무선으로 충전하는데 사용될 경우, 시스템 효율을 감소시키고, 열 소산을 증가시키며, 충전 시간들을 증가시킬 수도 있다. 공진 주파수에서의 변화들에도 불구하고 송신 회로 (750) 가 공진할 수 있도록 송신 회로 (750) 의 회로들을 효율적이고 저렴하게 튜닝하는 그러한 방법들 및 시스템들이 바람직하다.도 8 은 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른, 예시적인 튜닝 회로 (852) 를 갖는 도 7 의 무선 전력 시스템 (800) 의 개략 다이어그램이다. 무선 전력 시스템 (800) 은, 인덕턴스 (L2) 및 저항 (R2) 을 갖는 수신 코일 (818) 을 갖는 수신 회로 (860) 를 포함한다. 수신 코일 (818) 은 특정 주파수에서 공진하기 위해 커패시터 (C2) 에 의해 튜닝될 수도 있다. 무선 전력 시스템 (800) 은 또한, 송신 코일 (814) 을 갖는 송신 회로 (850) 를 포함한다. 송신 코일 (814) 은 인덕턴스 (L1) 및 저항 (R1) 을 가지며, 특정 주파수에서 공진할 수 있도록 커패시터 (C1) 에 의해 튜닝될 수도 있다. 더욱이, 송신 회로 (850) 는, 송신 코일 (814) 과 접지 레퍼런스 전압 (617) 사이에 커플링된 리액티브 엘리먼트 (즉, 커패시터 (Cp)) 를 포함하는 튜닝 회로 (852) 를 포함할 수도 있다. 더욱더, 리액티브 엘리먼트 (Cp) 는 스위치 (820) 와 병렬이다. 용어 "스위치" 는 임의의 적합한 및 공지된 스위칭 엘리먼트를 포함할 수도 있음을 유의한다. 스위치 (820) 가 폐쇄되는 동안, 리액티브 엘리먼트 (Cp) 는 단락되고, 송신 회로 (850) 에 제시된 임피던스에 기여하지 않을 수도 있다. 그에 따라, 송신 코일 (814) 에 제시된 임피던스 (Zin) 는 식 2 와 유사한 식 3 에 의해 주어질 수도 있다:여기서, M 은 송신 코일 (814) 과 수신 코일 (818) 간의 상호 인덕턴스이고, ω 는 라디안 단위의 주파수이며, RL 은 수신기 (808) 의 부하이다.스위치 (820) 가 개방되는 동안, 리액티브 엘리먼트 (Cp) 는 송신 코일 (814) 에 제시된 임피던스에 기여할 것이고, 송신 코일을 바라본 임피던스 (Zin) 는 식 4 에 의해 주어질 수도 있다:여기서, Zino 는 식 3 에 의해 주어진 바와 같이 스위치가 폐쇄되는 동안 송신 코일을 바라본 임피던스이다. 그에 따라, 스위치 (820) 를 제어하는 것은 튜닝 회로 (852) 로 하여금 송신 회로 (850) 에 제시된 임피던스를 조정하게 한다. 임피던스를 조정하는 것은, 식 1 에 의해 주어진 바와 같이 공진 주파수가 또한 조정되도록 리액턴스를 조정한다 (즉, 커패시턴스를 송신 회로 (850) 에 부가함). 송신 회로 (850) 가 오프 공진이라고 검출되면, 스위치 (820) 는 개방되고, 조정된 임피던스는 공진 주파수를 원하는 주파수 주위로 튜닝할 수도 있다 (즉, 구동기 회로 (624) (도 6) 의 출력에서 제공된 신호의 주파수에 공진 주파수를 매칭함). 일부 경우들에 있어서, 게이트 구동을 개선하기 위해 그리고 밸런싱된 송신 코일 (814) 구조를 위해 송신 코일 (814) 의 중심 탭에 스위치를 위치시키는 것이 유리할 수도 있다.오직 예로서, 송신 코일을 바라본 임피던스 (Zin) 에서의 2 퍼센트 (2%) 변화에 대해, 커패시터 (Cp) 는 커패시터 (C1) 의 값들의 50배와 동일할 수도 있다 (즉, Cp = 50 * C1). 스위치들을 병렬로 갖는 일련의 부가적인 리액티브 엘리먼트들 (도시 안됨) 이, 가능한 공진 주파수들의 범위에 걸쳐 리액턴스가 튜닝될 수도 있도록 부가적인 튜닝 제어를 위해 튜닝 회로 (852) 에 부가될 수도 있다. 상이한 리액티브 엘리먼트들을 선택적으로 스위치-인 및 스위치-아웃하는 것은 송신 회로 (850) 가 송신 코일 (814) 에 제시된 광범위한 임피던스들에 걸쳐 원하는 주파수를 사용하여 공진하게 할 수도 있다.도 9a 및 도 9b 는 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 송신 코일 (914) 의 중심 탭에 위치된 예시적인 튜닝 회로들 (952a 및 952b) 을 포함한 도 7 의 무선 전력 시스템의 개략 다이어그램들이다. 도 9a 및 도 9b 에 있어서, 튜닝 회로들 (952a 및 952b) 은, 인덕턴스 (L1) 의 절반 및 기생 저항 (R1) 의 절반이 튜닝 회로들 (952a 및 952b) 의 어느 하나의 측부 상에 있다. 부가적으로, 도 8 의 커패시터 (C1) 의 커패시턴스의 2배를 갖는 커패시터들이 밸런싱된 구조를 위해 송신 코일 (914) 의 어느 하나의 측부 상에 배치될 수도 있다. 도 9a 는, 스위치 (920) 또는 릴레이와 병렬로 리액티브 엘리먼트 (Cp) 를 포함하는 튜닝 회로 (952a) 를 도시한다. 릴레이 (902) 의 저항은, 스위치가 폐쇄될 경우, 리액티브 엘리먼트 (Cp) 가 효과적으로 단락되고, 송신 코일 (914) 에 제시된 임피던스에 기여하지 않도록, 낮을 수도 있다. 도 9b 는, 리액티브 엘리먼트 (Cp) 와 병렬로 이중 필드 효과 트랜지스터들 (FET들) 을 포함하는 튜닝 회로 (952b) 를 도시한다. 송신 코일 (714) 의 중심에서의 가상 접지는, 이중 FET들 (M1 및 M2) 을 사용하여 스위칭할 경우에 공통 접지 레퍼런스를 제공한다. 하기에서 더 설명될 바와 같이, FET들 (M1 및 M2) 의 드레인-소스 커패시턴스가 고려될 수도 있다.도 10a, 도 10b, 및 도 10c 는 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 도 8 의 무선 전력 시스템 (800) 에서 사용될 수도 있는 다양한 동작 상태들로 도시된 예시적인 튜닝 회로 (1052) 의 개략 다이어그램들이다. 도 10a 는 리액티브 엘리먼트 (Cp) 의 일측에 커플링된 드레인, 리액티브 엘리먼트 (Cp) 의 타측에 커플링된 소스, 및 제어 신호 (1022) 에 커플링된 게이트를 갖는 트랜지스터 (M1) 를 포함하는 스위치 (1020) 를 포함하는 튜닝 회로 (1052) 를 도시한다. 도 10b 는 스위치 (1020) 가 폐쇄된 구성에 있는 동안의 튜닝 회로 (1052) 의 부분 개략 표현을 도시하며, 여기서, 저항 (RDS) 은 트랜지스터 (M1) 의 드레인-소스 저항이다. 도 10c 는, 트랜지스터 (M1) 의 드레인-소스 커패시턴스인 커패시턴스 (CDS) 및 보디 다이오드를 도시한, 스위치 (620) 가 개방된 구성에 있는 동안의 튜닝 회로 (1052) 의 부분 개략 표현을 도시한다. 예시로서, 오직 예컨대, 스위치 (620) (즉, 트랜지스터) 의 피크 전압이 0.7 볼트이고 스위치 (620) 가 개방이라고 가정하면, 식 5, 식 6 및 식 7 은 튜닝 회로 (1052) 동작의 결과로서의 전압, 전류 및 전력을 나타낸다:트랜지스터 (M1) 의 보디 다이오드는 더 높은 전력을 전도할 수도 있고, 따라서, 리액티브 엘리먼트 (Cp) 는 단락될 수도 있다. 이에 따라, 단일 트랜지스터 (즉, 단일 FET) 는, 회로 변수들에 의존하여, 저전력 (예를 들어, 0.0625W) 용으로 적합할 수도 있다. 도 10a, 도 10b, 및 도 10c 에 도시된 바와 같이, 단일 트랜지스터 구성은 저전력 시스템 구성을 위해 사용될 수도 있다.도 11a, 도 11b, 및 도 11c 는 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 도 8 의 무선 전력 시스템 (800) 에서 사용될 수도 있는 다양한 동작 상태들로 도시된 다른 예시적인 튜닝 회로 (1152) 의 개략 다이어그램들이다. 도 11a 는 2개의 트랜지스터들 (M1 및 M2) (예를 들어, FET들) 을 포함하는 튜닝 회로 (1152) 를 도시한다. 이러한 튜닝 회로 (1152) 는, 더 높은 전력을 요구할 수도 있는 시스템들을 위해 사용될 수도 있다. 더 상세하게, 스위치 (1120) 는 리액티브 엘리먼트 (Cp) 의 일측에 커플링된 드레인 및 제 2 트랜지스터 (M2) 의 소스에 커플링된 소스를 갖는 제 1 트랜지스터 (M1) 를 포함할 수도 있다. 더욱이, 제 2 트랜지스터 (M2) 는 리액티브 엘리먼트 (Cp) 의 타측에 커플링된 드레인을 갖는다. 제 1 트랜지스터 (M1) 및 제 2 트랜지스터 (M2) 각각은 제어 신호 (1150) 에 커플링된 게이트를 갖는다. 도 11b 는 스위치 (1120) 가 폐쇄된 구성에 있는 동안 (즉, 트랜지스터들 (M1 및 M2) 양자가 폐쇄됨) 의 튜닝 회로 (1152) 의 부분 개략 표현을 도시하며, 여기서, 저항 (2RDS) 은 트랜지스터 (M2) 의 드레인-소스 저항과 결합된 트랜지스터 (M1) 의 드레인-소스 저항이다. 도 11c 는 스위치 (1120) 가 개방된 구성에 있는 동안 (즉, 트랜지스터들 (M1 및 M2) 양자가 개방됨) 의 튜닝 회로 (1152) 의 부분 개략 표현을 도시한다. 도 9c 의 도식은 보디 다이오드들 (1162 및 1164) 을 포함하며, 하나는 각각의 트랜지스터 (M2 및 M3) 및 2개의 드레인-소스 커패시턴스들 (CDS) 에 대한 것이고, 하나는 각각의 트랜지스터 (M2 및 M3) 에 대한 것이다. 다른 예시로서 그리고 를 가정하면, 식 8, 식 9 및 식 10 은 스위치 (1120) 가 개방될 경우에 튜닝 회로 (1152) 동작의 결과로서의 전압, 전류 및 전력을 나타낸다:전압 피크들은 여전히 트랜지스터들의 보디 다이오드가 전도하게 할 수도 있지만, 리액티브 엘리먼트 (Cp) 보다는 오직 커패시턴스 (CDS) 가 단락될 수도 있다.다양한 실시형태들에 있어서, 도 8 내지 도 11c 에 관하여 상기 논의된 동적 튜닝의 특정 양태들은 하모닉 왜곡 및/또는 스퓨리어스 (spurious) 방출들을 야기할 수 있다. 예를 들어, 트랜지스터들 (M1 및 M2) 은, 도 10c 및 도 11c 에 관하여 상기 논의된 바와 같이, 개방된 구조에서 현저한 드레인-소스 커패시턴스들 (CDS) 을 제시할 수 있다. 더욱이, 튜닝 커패시턴스들 (CP) 에 필적하는 이러한 유효 출력 커패시턴스는 트랜지스터들 (M1 및 M2) 에 걸친 전압에 기초하여 변할 수 있다. 다양한 실시형태들에 있어서, 트랜지스터들 (M1 및 M2) 에 걸친 전압은 송신 경로를 통해 이동하는 전류에 비례할 수 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 출력 커패시턴스 (CDS) 에서의 변화는 AC 파형을 왜곡시켜 신호에 "노이즈" 를 도입할 수 있다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, "노이즈" 는, 서로 연관된 하모닉 왜곡 및/또는 스퓨리어스 방출들을 구체적으로 지칭할 수 있다.도 12 는 입력 전압의 함수로서의 트랜지스터 커패시턴스의 예시적인 그래프 (1200) 를 도시한다. 특히, 그래프 (1200) 는 x축 상의 드레인-소스 전압 (VDS) (볼트 단위) 및 y축 상의 커패시턴스 (C) (pF 단위) 를 도시한다. 그래프 (1200) 는 입력 커패시턴스 (Ciss), 출력 커패시턴스 (Coss), 및 역 전송 커패시턴스 (Crss) 를 포함하고 도시한다. 도 12 에 도시된 바와 같이, (도 8 내지 도 11c 에 관하여 상기 논의된 트랜지스터들 (M1 및 M2) 과 같은) 예시적인 트랜지스터의 출력 커패시턴스 (Coss) 는 0 과 160 V 사이의 입력 전압들 (VDS) 에 걸쳐 수십배만큼 변할 수 있다.일부 실시형태들에 있어서, 송신 회로 (예를 들어, 각각 도 4, 도 6, 도 7 내지 도 9 에 관하여 상기 설명된 송신 회로들 (406, 606, 750, 850, 및/또는 950)) 는 차동 송신 회로로서 구성될 수 있다. 예를 들어, 송신 회로는 차동 전력 증폭기들 및/또는 차동 송신 경로를 포함할 수 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 이상적인 연속파 (CW) 차동 전력 증폭기 (PA) 의 양 측부들 상의 파형들 (예를 들어, 포지티브 신호 라인 및 네거티브 신호 라인) 은 서로의 순수한 사인곡선 반전들일 수 있다.다양한 실시형태들에 있어서, 전력 증폭기는 차동 모드 노이즈 및/또는 공통 모드 노이즈를 경험할 수 있다. 차동 모드 노이즈는, 2개의 측부들이 반전으로 남겨지지만 파형이 섭동되어 더 이상 사인곡선이 아닌 동작을 포함할 수 있다. 공통 모드는, 2개의 측부들이 더 이상 반전이 아니지만 접지에 대한 공통 가변 회로들을 갖는 동작을 포함할 수 있다.일부 실시형태들에 있어서, 차동 노이즈는 근거리장 신호들에서 문제를 야기할 수 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 차동 노이즈는 원거리장 신호들에서 소거될 수 있다. 한편, 공통 모드 노이즈는 소거되지 않을 수도 있다. 이에 따라, 공통 모드 노이즈는 근거리장 방출 및 원거리장 방출 양자에서 문제를 야기할 수 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 부하들 (L1) 의 중심은 접지될 수 있으며, 이는 파형이 더 대칭적이게 할 수 있다. 하지만, 일부 실시형태들에 있어서, 공통 모드 전류는 접지로 직접 구동될 것이며, 이는 더 높은 부하 저항을 제시할 수 있는 전력에서의 손실을 야기할 수 있다. 따라서, 접지된 중심 탭핑형 부하들을 갖는 일부 실시형태들은 공통 모드 전류로 인해 감소된 효율을 경험할 수 있다.일부 실시형태들에 있어서, (각각 도 8 내지 도 11c 에 관하여 상기 설명된 튜닝 회로들 (852, 952a, 952b, 1052, 및/또는 1152) 과 같은) 하나 이상의 튜닝 회로들은 대칭적 튜닝 스테이지들로서 구현될 수 있다. 튜닝 회로들 (852, 952a, 952b, 1052, 및/또는 1152) 은 차동 회로들로서 구현될 수 있다. 비록 차동 대칭적 튜닝 회로들이 본 명세서에서 설명될 것이지만, 당업자는 대칭적 튜닝 회로들이 단일단 구성에서 구현될 수 있음을 인식할 것이다. 더욱이, 본 명세서에서 설명된 임의의 단일단 회로들은 차동 대칭적 튜닝 회로들과의 상호운용성을 위해 차동 구성으로 구현될 수 있다.도 13a 및 도 13b 는 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 도 8 의 무선 전력 시스템 (800) 에서 사용될 수도 있는 예시적인 튜닝 회로 (1320) 의 개략 다이어그램들이다. 비록 다양한 회로들이 예시적인 구성으로 도시되지만, 당업자는 도시된 하나 이상의 회로들이 재배열되거나 생략될 수 있고, 도시되지 않은 부가적인 회로들이 부가될 수 있음을 인식할 것이다. 더욱이, 비록 튜닝 회로 (1320) 가 차동 구성으로 도시되지만, 튜닝 회로 (1320) 의 양태들은 또한 단일단 구성에 적용될 수 있다.도 13a 는 제 1 트랜지스터 (M1p), 제 2 트랜지스터 (M1n), 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp), 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pn), 및 부하 (L1) 를 포함하는 대칭적 차동 튜닝 회로 (1320) 를 도시한다. 튜닝 회로 (1320) 는 제어 신호 (1322), 포지티브 차동 신호 라인 (A), 및 네거티브 차동 신호 라인 (B) 을 수신하도록 구성된다. 도시된 바와 같이, 제 1 스위치는, 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 일 측 및 포지티브 차동 신호 입력 (A) 에 커플링된 드레인, 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 측 및 부하 (L1) 의 제 1 단에 커플링된 소스, 및 제어 신호 (1322) 에 커플링된 게이트를 갖는 트랜지스터 (M1p) 를 포함한다. 제 2 스위치는, 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 일 측 및 네거티브 차동 신호 입력 (B) 에 커플링된 드레인, 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 측 및 부하 (L1) 의 제 2 단에 커플링된 소스, 및 제어 신호 (1322) 에 커플링된 게이트를 갖는 트랜지스터 (M1n) 를 포함한다.일부 실시형태들에 있어서, 도 13a 에 도시된 대칭적 차동 튜닝 회로 (1320) 는 중심 탭이 없는 완전 대칭적 스위칭 스테이지일 수 있다. 트랜지스터들 (M1p 및 M1n) 은 임의의 소정 순간에 이 트랜지스터들을 통해 흐르는 반대 전류들을 갖도록 구성될 수 있다. 이에 따라, 제 1 트랜지스터 (M1p) 가 그 최대 드레인-소스 전압 (따라서, 최소 개방상태 커패시턴스) 을 경험하는 동안, 제 2 트랜지스터 (M1n) 는 그 최소 드레인-소스 전압 (따라서, 최대 개방상태 커패시턴스) 을 경험할 수 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 개방상태 커패시턴스 간의 불균형은, 공통 모드 노이즈로서 명백히 할 수 있는 불균형을 야기할 수 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 도 13a 의 구성은, 각각의 트랜지스터 (M1p 및 M1n) 에서의 커패시턴스가 역으로 관련되기 때문에 차동 모드 노이즈를 감소시킬 수 있다. 따라서, 일부 실시형태들에 있어서, 트랜지스터 (M1n) 는 트랜지스터 (M1p) 에 의해 발생되거나 야기되거나 생성된 하모닉을 적어도 부분적으로 소거하는 하모닉을 발생하거나 야기하거나 생성할 수 있으며 그 역도 성립한다. 일부 경우들에 있어서, 트랜지스터 (M1n) 는, 예를 들어, 트랜지스터 (M1p) 의 구성에 의해, 도 13a 에 도시된 구성의 부재에 그렇지 않으면 있을 하모닉을 발생, 야기 또는 생성하지 않으며 그 역도 성립한다.도 13b 는 제 1 트랜지스터 (M1p), 제 2 트랜지스터 (M1n), 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp), 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pn), 및 접지로의 중심 탭을 갖는 부하 (L1) 를 포함하는 대칭적 차동 튜닝 회로 (1320) 를 도시한다. 튜닝 회로 (1320) 는 제어 신호 (1322), 포지티브 차동 신호 라인 (A), 및 네거티브 차동 신호 라인 (B) 을 수신하도록 구성된다. 도시된 바와 같이, 제 1 스위치는, 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 일 측 및 포지티브 차동 신호 입력 (A) 에 커플링된 드레인, 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 측 및 부하 (L1) 의 제 1 단에 커플링된 소스, 및 제어 신호 (1322) 에 커플링된 게이트를 갖는 트랜지스터 (M1p) 를 포함한다. 제 2 스위치는, 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 일 측 및 네거티브 차동 신호 입력 (B) 에 커플링된 드레인, 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 측 및 부하 (L1) 의 제 2 단에 커플링된 소스, 및 제어 신호 (1322) 에 커플링된 게이트를 갖는 트랜지스터 (M1n) 를 포함한다.일부 실시형태들에 있어서, 도 13b 에 도시된 대칭적 차동 튜닝 회로 (1320) 는 중심 탭을 갖는 완전 대칭적 스위칭 스테이지일 수 있다. 트랜지스터들 (M1p 및 M1n) 은 임의의 소정 순간에 이 트랜지스터들을 통해 흐르는 반대 전류들을 갖도록 구성될 수 있다. 이에 따라, 제 1 트랜지스터 (M1p) 가 그 최대 드레인-소스 전압 (따라서, 최소 개방상태 커패시턴스) 을 경험하는 동안, 제 2 트랜지스터 (M1n) 는 그 최소 드레인-소스 전압 (따라서, 최대 개방상태 커패시턴스) 을 경험할 수 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 개방상태 커패시턴스 간의 불균형은, 공통 모드 노이즈로서 명백히 할 수 있는 불균형을 야기할 수 있다. 중심 탭은 이러한 공통 모드 노이즈를 감소할 수 있지만, 중심 탭을 통해 소산된 전력으로 인해 더 높은 유효 저항을 도입할 수 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 도 13b 의 구성은, 각각의 트랜지스터 (M1p 및 M1n) 에서의 커패시턴스가 역으로 관련되기 때문에 차동 모드 노이즈를 감소시킬 수 있다. 따라서, 일부 실시형태들에 있어서, 트랜지스터 (M1n) 는 트랜지스터 (M1p) 에 의해 발생되거나 야기되거나 생성된 하모닉을 적어도 부분적으로 소거하는 하모닉을 발생하거나 야기하거나 생성할 수 있으며 그 역도 성립한다. 일부 경우들에 있어서, 트랜지스터 (M1n) 는, 예를 들어, 트랜지스터 (M1p) 의 구성에 의해, 도 13b 에 도시된 구성의 부재에 그렇지 않으면 있을 하모닉을 발생, 야기 또는 생성하지 않으며 그 역도 성립한다.도 14a 및 도 14b 는 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 도 8 의 무선 전력 시스템 (800) 에서 사용될 수도 있는 다른 예시적인 튜닝 회로 (1420) 의 개략 다이어그램들이다. 비록 다양한 회로들이 예시적인 구성으로 도시되지만, 당업자는 도시된 하나 이상의 회로들이 재배열되거나 생략될 수 있고, 도시되지 않은 부가적인 회로들이 부가될 수 있음을 인식할 것이다. 더욱이, 비록 튜닝 회로 (1320) 가 차동 구성으로 도시되지만, 튜닝 회로 (1420) 의 양태들은 또한 단일단 구성에 적용될 수 있다.도 14a 는 제 1 트랜지스터 (M1p), 제 2 트랜지스터 (M1n), 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp), 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pn), 및 부하 (L1) 를 포함하는 대칭적 차동 튜닝 회로 (1420) 를 도시한다. 튜닝 회로 (1420) 는 제어 신호 (1422), 포지티브 차동 신호 라인 (A), 및 네거티브 차동 신호 라인 (B) 을 수신하도록 구성된다. 도시된 바와 같이, 제 1 스위치는, 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 일 측 및 포지티브 차동 신호 입력 (A) 에 커플링된 드레인, 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 측 및 부하 (L1) 의 제 1 단에 커플링된 소스, 및 제어 신호 (1422) 에 커플링된 게이트를 갖는 트랜지스터 (M1p) 를 포함한다. 제 2 스위치는, 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 일 측 및 네거티브 차동 신호 입력 (B) 에 커플링된 소스, 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 측 및 부하 (L1) 의 제 2 단에 커플링된 드레인, 및 제어 신호 (1422) 에 커플링된 게이트를 갖는 트랜지스터 (M1n) 를 포함한다.일부 실시형태들에 있어서, 도 14a 에 도시된 대칭적 차동 튜닝 회로 (1420) 는 제 2 트랜지스터 (M1n) 가 반전된, 도 13a 에 도시된 튜닝 회로 (1320) 의 수정예일 수 있다. 이에 따라, 트랜지스터들 (M1p 및 M1n) 은 임의의 소정 순간에 이 트랜지스터들을 통해 흐르는 동일 전류들을 갖도록 구성될 수 있다. 따라서, 제 1 트랜지스터 (M1p) 가 그 최대 드레인-소스 전압 (따라서, 최소 개방상태 커패시턴스) 을 경험하는 동안, 제 2 트랜지스터 (M1n) 는 또한 그 최대 드레인-소스 전압 (따라서, 최소 개방상태 커패시턴스) 을 경험할 수 있으며, 그 역도 성립한다. 일부 실시형태들에 있어서, 개방상태 커패시턴스 간의 균형은 공통 모드 노이즈를 감소시킬 수 있다. 따라서, 일부 실시형태들에 있어서, 트랜지스터 (M1n) 는 트랜지스터 (M1p) 에 의해 발생되거나 야기되거나 생성된 하모닉을 적어도 부분적으로 소거하는 하모닉을 발생하거나 야기하거나 생성할 수 있으며 그 역도 성립한다. 일부 경우들에 있어서, 트랜지스터 (M1n) 는, 예를 들어, 트랜지스터 (M1p) 의 구성에 의해, 도 14a 에 도시된 구성의 부재에 그렇지 않으면 있을 하모닉을 발생, 야기 또는 생성하지 않으며 그 역도 성립한다. 일부 실시형태들에 있어서, 도 14a 의 구성은 차동 모드 노이즈를 증가시킬 수 있다.도 14b 는 제 1 트랜지스터 (M1p), 제 2 트랜지스터 (M1n), 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp), 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pn), 및 접지로의 중심 탭을 갖는 부하 (L1) 를 포함하는 대칭적 차동 튜닝 회로 (1420) 를 도시한다. 튜닝 회로 (1420) 는 제어 신호 (1422), 포지티브 차동 신호 라인 (A), 및 네거티브 차동 신호 라인 (B) 을 수신하도록 구성된다. 도시된 바와 같이, 제 1 스위치는, 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 일 측 및 포지티브 차동 신호 입력 (A) 에 커플링된 드레인, 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 측 및 부하 (L1) 의 제 1 단에 커플링된 소스, 및 제어 신호 (1422) 에 커플링된 게이트를 갖는 트랜지스터 (M1p) 를 포함한다. 제 2 스위치는, 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 일 측 및 네거티브 차동 신호 입력 (B) 에 커플링된 소스, 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 측 및 부하 (L1) 의 제 2 단에 커플링된 드레인, 및 제어 신호 (1422) 에 커플링된 게이트를 갖는 트랜지스터 (M1n) 를 포함한다.일부 실시형태들에 있어서, 도 14b 에 도시된 대칭적 차동 튜닝 회로 (1420) 는 중심 탭을 갖는, 도 13a 에 도시된 튜닝 회로 (1420) 의 수정예일 수 있다. 이에 따라, 트랜지스터들 (M1p 및 M1n) 은 임의의 소정 순간에 이 트랜지스터들을 통해 흐르는 동일 전류들을 갖도록 구성될 수 있다. 따라서, 제 1 트랜지스터 (M1p) 가 그 최대 드레인-소스 전압 (따라서, 최소 개방상태 커패시턴스) 을 경험하는 동안, 제 2 트랜지스터 (M1n) 는 또한 그 최대 드레인-소스 전압 (따라서, 최소 개방상태 커패시턴스) 을 경험할 수 있으며, 그 역도 성립한다. 일부 실시형태들에 있어서, 개방상태 커패시턴스 간의 균형은 공통 모드 노이즈를 감소시킬 수 있다. 따라서, 일부 실시형태들에 있어서, 트랜지스터 (M1n) 는 트랜지스터 (M1p) 에 의해 발생되거나 야기되거나 생성된 하모닉을 적어도 부분적으로 소거하는 하모닉을 발생하거나 야기하거나 생성할 수 있으며 그 역도 성립한다. 일부 경우들에 있어서, 트랜지스터 (M1n) 는, 예를 들어, 트랜지스터 (M1p) 의 구성에 의해, 도 14b 에 도시된 구성의 부재에 그렇지 않으면 있을 하모닉을 발생, 야기 또는 생성하지 않으며 그 역도 성립한다. 더욱이, 공통 모드 노이즈를 적게 갖거나 갖지 않는 일부 실시형태들에 있어서, 중심 탭은 0 V 일 수 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 도 14a 의 구성은 차동 모드 노이즈를 증가시킬 수 있다.도 15a 내지 도 15c 는 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 도 8 의 무선 전력 시스템 (800) 에서 사용될 수도 있는 다른 예시적인 튜닝 회로 (1520) 의 개략 다이어그램들이다. 비록 다양한 회로들이 예시적인 구성으로 도시되지만, 당업자는 도시된 하나 이상의 회로들이 재배열되거나 생략될 수 있고, 도시되지 않은 부가적인 회로들이 부가될 수 있음을 인식할 것이다. 예를 들어, 비록 튜닝 회로 (1520) 가 차동 구성으로 도시되지만, 튜닝 회로 (1520) 의 양태들은 또한 단일단 구성에 적용될 수 있다. 더욱이, 비록 튜닝 회로 (1520) 가 탭핑되지 않은 구성으로 도시되지만, 튜닝 회로 (1520) 의 양태들은 또한 중심 탭핑형 구성에 적용될 수 있다.도 15a 는 제 1 트랜지스터 (M1p), 제 2 트랜지스터 (M1n), 제 3 트랜지스터 (M2p), 제 4 트랜지스터 (M2n), 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp), 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pn), 제 3 리액티브 엘리먼트 (C2pp), 제 4 리액티브 엘리먼트 (C2pn), 및 부하 (L1) 를 포함하는 대칭적 차동 튜닝 회로 (1520) 를 도시한다. 일부 실시형태들에 있어서, 튜닝 회로 (1520) 는 제 5 리액티브 엘리먼트 (C3p) 및 제 6 리액티브 엘리먼트 (C3n) 를 더 포함할 수 있다. 튜닝 회로 (1520) 는 제 1 제어 신호 (1522), 제 2 제어 신호 (1522), 포지티브 차동 신호 라인 (A), 및 네거티브 차동 신호 라인 (B) 을 수신하도록 구성된다. 일부 실시형태들에 있어서, 제 1 제어 신호 (1522) 및 제 2 제어 신호 (1524) 는 동일한 제어 신호일 수 있다.도시된 바와 같이, 제 1 스위치는 소스, 드레인, 및 게이트를 갖는 트랜지스터 (M1p) 를 포함한다. 드레인은 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 1 측 및 포지티브 차동 신호 입력 (A) 에 커플링된다. 소스는 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 측, 제 3 트랜지스터 (M2p) 의 드레인, 및 제 3 리액티브 엘리먼트 (C2pp) 의 제 1 측에 커플링된다. 게이트는 제 1 제어 신호 (1522) 에 커플링된다. 일부 실시형태들에 있어서, 소스는 제 5 리액티브 엘리먼트 (C3p) 의 제 1 측에 커플링될 수 있다.제 2 스위치는 소스, 드레인, 및 게이트를 갖는 트랜지스터 (M1n) 를 포함한다. 드레인은 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pn) 의 제 1 측 및 네거티브 차동 신호 입력 (B) 에 커플링된다. 소스는 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pn) 의 제 2 측, 제 4 트랜지스터 (M2n) 의 드레인, 및 제 4 리액티브 엘리먼트 (C2pn) 의 제 1 측에 커플링된다. 게이트는 제 1 제어 신호 (1522) 에 커플링된다. 일부 실시형태들에 있어서, 소스는 제 6 리액티브 엘리먼트 (C3n) 의 제 1 측에 커플링될 수 있다.제 3 스위치는 소스, 드레인, 및 게이트를 갖는 트랜지스터 (M2p) 를 포함한다. 드레인은 제 3 리액티브 엘리먼트 (C2pp) 의 제 1 측, 제 1 트랜지스터 (M1p) 의 소스, 및 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 측에 커플링된다. 소스는 제 3 리액티브 엘리먼트 (C2pp) 의 제 2 측 및 부하 (L1) 의 제 1 단에 커플링된다. 게이트는 제 2 제어 신호 (1524) 에 커플링된다. 일부 실시형태들에 있어서, 드레인은 제 5 리액티브 엘리먼트 (C3p) 의 제 2 측에 커플링될 수 있다.제 4 스위치는 소스, 드레인, 및 게이트를 갖는 트랜지스터 (M2n) 를 포함한다. 드레인은 제 4 리액티브 엘리먼트 (C2pn) 의 제 1 측, 제 2 트랜지스터 (M1p) 의 소스, 및 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 측에 커플링된다. 소스는 제 4 리액티브 엘리먼트 (C2pn) 의 제 2 측 및 부하 (L1) 의 제 2 단에 커플링된다. 게이트는 제 2 제어 신호 (1524) 에 커플링된다. 일부 실시형태들에 있어서, 드레인은 제 6 리액티브 엘리먼트 (C3n) 의 제 2 측에 커플링될 수 있다.일부 실시형태들에 있어서, 도 15a 에 도시된 대칭적 차동 튜닝 회로 (1520) 는 중심 탭이 없는 완전 대칭적 더블 스위칭 스테이지일 수 있다. 트랜지스터 쌍들 (M1p 와 M1n, 및 M2p 와 M2n) 은 임의의 소정 순간에 이 트랜지스터 쌍들을 통해 흐르는 반대 전류들을 갖도록 구성될 수 있다. 이에 따라, 제 1 트랜지스터 (M1p) 가 그 최대 드레인-소스 전압 (따라서, 최소 개방상태 커패시턴스) 을 경험하는 동안, 제 2 트랜지스터 (M1n) 는 그 최소 드레인-소스 전압 (따라서, 최대 개방상태 커패시턴스) 을 경험할 수 있다. 유사하게, 제 3 트랜지스터 (M2p) 가 그 최대 드레인-소스 전압 (따라서, 최소 개방상태 커패시턴스) 을 경험하는 동안, 제 4 트랜지스터 (M2n) 는 그 최소 드레인-소스 전압 (따라서, 최대 개방상태 커패시턴스) 을 경험할 수 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 개방상태 커패시턴스 간의 불균형은, 공통 모드 노이즈로서 명백히 할 수 있는 불균형을 야기할 수 있다.일부 실시형태들에 있어서, 도 15a 의 구성은, 각각의 트랜지스터 쌍 (M1p 와 M1n, 및 M2p 와 M2n) 에서의 커패시턴스가 역으로 관련되기 때문에 차동 모드 노이즈를 감소시킬 수 있다. 따라서, 일부 실시형태들에 있어서, 하나 이상의 트랜지스터들 (M1n, M1p, M2n, 및/또는 M2p) 는 하나 이상의 다른 트랜지스터들 (M1n, M1p, M2n, 및/또는 M2p) 에 의해 발생되거나 야기되거나 생성된 하모닉을 적어도 부분적으로 소거하는 하모닉을 발생하거나 야기하거나 생성할 수 있으며 그 역도 성립한다. 일부 경우들에 있어서, 하나 이상의 트랜지스터들 (M1n, M1p, M2n, 및/또는 M2p) 는, 예를 들어, 하나 이상의 다른 트랜지스터들 (M1n, M1p, M2n, 및/또는 M2p) 의 구성에 의해, 도 15a 에 도시된 구성의 부재에 그렇지 않으면 있을 하모닉을 발생, 야기 또는 생성하지 않으며 그 역도 성립한다.도 15b 는 제 1 트랜지스터 (M1p), 제 2 트랜지스터 (M1n), 제 3 트랜지스터 (M2p), 제 4 트랜지스터 (M2n), 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp), 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pn), 제 3 리액티브 엘리먼트 (C2pp), 제 4 리액티브 엘리먼트 (C2pn), 및 부하 (L1) 를 포함하는 대칭적 차동 튜닝 회로 (1520) 를 도시한다. 일부 실시형태들에 있어서, 튜닝 회로 (1520) 는 제 5 리액티브 엘리먼트 (C3p) 및 제 6 리액티브 엘리먼트 (C3n) 를 더 포함할 수 있다. 튜닝 회로 (1520) 는 제 1 제어 신호 (1522), 제 2 제어 신호 (1522), 포지티브 차동 신호 라인 (A), 및 네거티브 차동 신호 라인 (B) 을 수신하도록 구성된다. 일부 실시형태들에 있어서, 제 1 제어 신호 (1522) 및 제 2 제어 신호 (1524) 는 동일한 제어 신호일 수 있다.도시된 바와 같이, 제 1 스위치는 소스, 드레인, 및 게이트를 갖는 트랜지스터 (M1p) 를 포함한다. 드레인은 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 1 측 및 포지티브 차동 신호 입력 (A) 에 커플링된다. 소스는 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 측, 제 3 트랜지스터 (M2p) 의 드레인, 및 제 3 리액티브 엘리먼트 (C2pp) 의 제 1 측에 커플링된다. 게이트는 제 1 제어 신호 (1522) 에 커플링된다. 일부 실시형태들에 있어서, 소스는 제 5 리액티브 엘리먼트 (C3p) 의 제 1 측에 커플링될 수 있다.제 2 스위치는 소스, 드레인, 및 게이트를 갖는 트랜지스터 (M1n) 를 포함한다. 소스는 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pn) 의 제 1 측 및 네거티브 차동 신호 입력 (B) 에 커플링된다. 드레인은 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pn) 의 제 2 측, 제 4 트랜지스터 (M2n) 의 소스, 및 제 4 리액티브 엘리먼트 (C2pn) 의 제 1 측에 커플링된다. 게이트는 제 1 제어 신호 (1522) 에 커플링된다. 일부 실시형태들에 있어서, 드레인은 제 6 리액티브 엘리먼트 (C3n) 의 제 1 측에 커플링될 수 있다.제 3 스위치는 소스, 드레인, 및 게이트를 갖는 트랜지스터 (M2p) 를 포함한다. 드레인은 제 3 리액티브 엘리먼트 (C2pp) 의 제 1 측, 제 1 트랜지스터 (M1p) 의 소스, 및 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 측에 커플링된다. 소스는 제 3 리액티브 엘리먼트 (C2pp) 의 제 2 측 및 부하 (L1) 의 제 1 단에 커플링된다. 게이트는 제 2 제어 신호 (1524) 에 커플링된다. 일부 실시형태들에 있어서, 드레인은 제 5 리액티브 엘리먼트 (C3p) 의 제 2 측에 커플링될 수 있다.제 4 스위치는 소스, 드레인, 및 게이트를 갖는 트랜지스터 (M2n) 를 포함한다. 소스는 제 4 리액티브 엘리먼트 (C2pn) 의 제 1 측, 제 2 트랜지스터 (M1p) 의 드레인, 및 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 측에 커플링된다. 드레인은 제 4 리액티브 엘리먼트 (C2pn) 의 제 2 측 및 부하 (L1) 의 제 2 단에 커플링된다. 게이트는 제 2 제어 신호 (1524) 에 커플링된다. 일부 실시형태들에 있어서, 소스는 제 6 리액티브 엘리먼트 (C3n) 의 제 2 측에 커플링될 수 있다.일부 실시형태들에 있어서, 도 15b 에 도시된 대칭적 차동 튜닝 회로 (1520) 는 제 2 트랜지스터 (M1n) 가 반전되었고 제 4 트랜지스터 (M2n) 가 반전된, 도 14a 에 도시된 튜닝 회로 (1420) 의 수정예일 수 있다. 이에 따라, 트랜지스터 쌍들 (M1p 와 M1n, 및 M2p 와 M2n) 은 임의의 소정 순간에 이 트랜지스터 쌍들을 통해 흐르는 동일 전류들을 갖도록 구성될 수 있다. 따라서, 제 1 트랜지스터 (M1p) 가 그 최대 드레인-소스 전압 (따라서, 최소 개방상태 커패시턴스) 을 경험하는 동안, 제 2 트랜지스터 (M1n) 는 또한 그 최대 드레인-소스 전압 (따라서, 최소 개방상태 커패시턴스) 을 경험할 수 있으며, 그 역도 성립한다. 유사하게, 제 3 트랜지스터 (M2p) 가 그 최대 드레인-소스 전압 (따라서, 최소 개방상태 커패시턴스) 을 경험하는 동안, 제 4 트랜지스터 (M2n) 는 또한 그 최대 드레인-소스 전압 (따라서, 최소 개방상태 커패시턴스) 을 경험할 수 있으며, 그 역도 성립한다.일부 실시형태들에 있어서, 개방상태 커패시턴스 간의 균형은 공통 모드 노이즈를 감소시킬 수 있다. 따라서, 일부 실시형태들에 있어서, 하나 이상의 트랜지스터들 (M1n, M1p, M2n, 및/또는 M2p) 는 하나 이상의 다른 트랜지스터들 (M1n, M1p, M2n, 및/또는 M2p) 에 의해 발생되거나 야기되거나 생성된 하모닉을 적어도 부분적으로 소거하는 하모닉을 발생하거나 야기하거나 생성할 수 있으며 그 역도 성립한다. 일부 경우들에 있어서, 하나 이상의 트랜지스터들 (M1n, M1p, M2n, 및/또는 M2p) 는, 예를 들어, 하나 이상의 다른 트랜지스터들 (M1n, M1p, M2n, 및/또는 M2p) 의 구성에 의해, 도 15b 에 도시된 구성의 부재에 그렇지 않으면 있을 하모닉을 발생, 야기 또는 생성하지 않으며 그 역도 성립한다. 일부 실시형태들에 있어서, 도 14a 의 구성은 차동 모드 노이즈를 증가시킬 수 있다.도 15c 는 제 1 트랜지스터 (M1p), 제 2 트랜지스터 (M1n), 제 3 트랜지스터 (M2p), 제 4 트랜지스터 (M2n), 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp), 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pn), 제 3 리액티브 엘리먼트 (C2pp), 제 4 리액티브 엘리먼트 (C2pn), 및 부하 (L1) 를 포함하는 대칭적 차동 튜닝 회로 (1520) 를 도시한다. 일부 실시형태들에 있어서, 튜닝 회로 (1520) 는 제 5 리액티브 엘리먼트 (C3p) 및 제 6 리액티브 엘리먼트 (C3n) 를 더 포함할 수 있다. 튜닝 회로 (1520) 는 제 1 제어 신호 (1522), 제 2 제어 신호 (1522), 포지티브 차동 신호 라인 (A), 및 네거티브 차동 신호 라인 (B) 을 수신하도록 구성된다. 일부 실시형태들에 있어서, 제 1 제어 신호 (1522) 및 제 2 제어 신호 (1524) 는 동일한 제어 신호일 수 있다.도시된 바와 같이, 제 1 스위치는 소스, 드레인, 및 게이트를 갖는 트랜지스터 (M1p) 를 포함한다. 소스는 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 1 측 및 포지티브 차동 신호 입력 (A) 에 커플링된다. 드레인은 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 측, 제 3 트랜지스터 (M2p) 의 드레인, 및 제 3 리액티브 엘리먼트 (C2pp) 의 제 1 측에 커플링된다. 게이트는 제 1 제어 신호 (1522) 에 커플링된다. 일부 실시형태들에 있어서, 드레인은 제 5 리액티브 엘리먼트 (C3p) 의 제 2 측에 커플링될 수 있다.제 2 스위치는 소스, 드레인, 및 게이트를 갖는 트랜지스터 (M1n) 를 포함한다. 드레인은 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pn) 의 제 1 측 및 네거티브 차동 신호 입력 (B) 에 커플링된다. 소스는 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pn) 의 제 2 측, 제 4 트랜지스터 (M2n) 의 소스, 및 제 4 리액티브 엘리먼트 (C2pn) 의 제 1 측에 커플링된다. 게이트는 제 1 제어 신호 (1522) 에 커플링된다. 일부 실시형태들에 있어서, 소스는 제 6 리액티브 엘리먼트 (C3n) 의 제 1 측에 커플링될 수 있다.제 3 스위치는 소스, 드레인, 및 게이트를 갖는 트랜지스터 (M2p) 를 포함한다. 드레인은 제 3 리액티브 엘리먼트 (C2pp) 의 제 1 측, 제 1 트랜지스터 (M1p) 의 소스, 및 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 측에 커플링된다. 소스는 제 3 리액티브 엘리먼트 (C2pp) 의 제 2 측 및 부하 (L1) 의 제 1 단에 커플링된다. 게이트는 제 2 제어 신호 (1524) 에 커플링된다. 일부 실시형태들에 있어서, 드레인은 제 5 리액티브 엘리먼트 (C3p) 의 제 2 측에 커플링될 수 있다.제 4 스위치는 소스, 드레인, 및 게이트를 갖는 트랜지스터 (M2n) 를 포함한다. 소스는 제 4 리액티브 엘리먼트 (C2pn) 의 제 1 측, 제 2 트랜지스터 (M1p) 의 드레인, 및 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 측에 커플링된다. 드레인은 제 4 리액티브 엘리먼트 (C2pn) 의 제 2 측 및 부하 (L1) 의 제 2 단에 커플링된다. 게이트는 제 2 제어 신호 (1524) 에 커플링된다. 일부 실시형태들에 있어서, 소스는 제 6 리액티브 엘리먼트 (C3n) 의 제 2 측에 커플링될 수 있다.일부 실시형태들에 있어서, 도 15c 에 도시된 대칭적 차동 튜닝 회로 (1520) 는 제 1 스테이지의 구성이 반전된, 도 14b 에 도시된 튜닝 회로 (1420) 의 수정예일 수 있다. 이에 따라, 트랜지스터 쌍들 (M1p 와 M1n, 및 M2p 와 M2n) 은 여전히, 임의의 소정 순간에 이 트랜지스터 쌍들을 통해 흐르는 동일 전류들을 갖도록 구성될 수 있으며, 트랜지스터들은 각각의 연속하는 스테이지 내에서 반전될 수 있다. 따라서, 제 1 트랜지스터 (M1p) 가 그 최대 드레인-소스 전압 (따라서, 최소 개방상태 커패시턴스) 을 경험하는 동안, 제 2 트랜지스터 (M1n) 는 또한 그 최대 드레인-소스 전압 (따라서, 최소 개방상태 커패시턴스) 을 경험할 수 있으며, 그 역도 성립한다. 유사하게, 제 3 트랜지스터 (M2p) 가 그 최대 드레인-소스 전압 (따라서, 최소 개방상태 커패시턴스) 을 경험하는 동안, 제 4 트랜지스터 (M2n) 는 또한 그 최대 드레인-소스 전압 (따라서, 최소 개방상태 커패시턴스) 을 경험할 수 있으며, 그 역도 성립한다.일부 실시형태들에 있어서, 도 15c 의 구성은 공통 모드 노이즈를 감소 또는 제거할 수 있으며, 연속적인 스테이지들은, 양 스테이지들이 개방 상태에 있을 경우에 차동 모드 노이즈를 감소 또는 제거하도록 구성될 수 있다. 따라서, 일부 실시형태들에 있어서, 하나 이상의 트랜지스터들 (M1n, M1p, M2n, 및/또는 M2p) 는 하나 이상의 다른 트랜지스터들 (M1n, M1p, M2n, 및/또는 M2p) 에 의해 발생되거나 야기되거나 생성된 하모닉을 적어도 부분적으로 소거하는 하모닉을 발생하거나 야기하거나 생성할 수 있으며 그 역도 성립한다. 일부 경우들에 있어서, 하나 이상의 트랜지스터들 (M1n, M1p, M2n, 및/또는 M2p) 는, 예를 들어, 하나 이상의 다른 트랜지스터들 (M1n, M1p, M2n, 및/또는 M2p) 의 구성에 의해, 도 15c 에 도시된 구성의 부재에 그렇지 않으면 있을 하모닉을 발생, 야기 또는 생성하지 않으며 그 역도 성립한다.특히 도 15a 내지 도 15c 의 실시형태들에 관하여 그리고 추가로 본 명세서에서 논의된 다른 실시형태들에 관하여, 하나 또는 2개의 스테이지들이 논의된다. 하지만, 당업자는 부가적인 스테이지들이 부가될 수 있음을 인식할 것이다. 부가적인 스테이지들은 트랜지스터 구성들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 스위칭 트랜지스터들의 드레인-소스 극성은 (예를 들어, 도 15c 에 관하여 도시되고 논의된 패턴을 계속하는) 각각의 연속하는 스테이지에 대해 반전될 수 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 연속적인 스테이지들은, 스테이지들이 폐쇄 상태에 있을 경우에 차동 모드 노이즈를 감소하도록 구성될 수 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 연속하는 스테이지들은 상이하게 사이징된 리액티브 엘리먼트들을 선택적으로 인에이블하고/하거나 디스에이블하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 커패시턴스는 각각의 연속적인 스테이지에서 배가 (또는 반감) 되고, 이에 의해, 바이너리 튜닝을 허용할 수 있다.도 16a 및 도 16b 는 본 발명의 예시적인 실시형태들에 따른, 도 8 의 무선 전력 시스템 (800) 에서 사용될 수도 있는 다른 예시적인 튜닝 회로 (1620) 의 개략 다이어그램들이다. 비록 다양한 회로들이 예시적인 구성으로 도시되지만, 당업자는 도시된 하나 이상의 회로들이 재배열되거나 생략될 수 있고, 도시되지 않은 부가적인 회로들이 부가될 수 있음을 인식할 것이다. 예를 들어, 비록 튜닝 회로 (1620) 가 차동 구성으로 도시되지만, 튜닝 회로 (1620) 의 양태들은 또한 단일단 구성에 적용될 수 있다. 더욱이, 비록 튜닝 회로 (1620) 가 탭핑되지 않은 구성으로 도시되지만, 튜닝 회로 (1620) 의 양태들은 또한 중심 탭핑형 구성에 적용될 수 있다.도 16a 는 제 1 트랜지스터 (M1p), 제 2 트랜지스터 (M1n), 제 3 트랜지스터 (M2p), 제 4 트랜지스터 (M2n), 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp), 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pn), 제 3 리액티브 엘리먼트 (C2pp), 제 4 리액티브 엘리먼트 (C2pn), 및 부하 (L1) 를 포함하는 대칭적 차동 튜닝 회로 (1620) 를 도시한다. 일부 실시형태들에 있어서, 튜닝 회로 (1620) 는 제 5 리액티브 엘리먼트 (C3p) 및 제 6 리액티브 엘리먼트 (C3n) 를 더 포함할 수 있다. 튜닝 회로 (1620) 는 제 1 제어 신호 (1622), 제 2 제어 신호 (1622), 포지티브 차동 신호 라인 (A), 및 네거티브 차동 신호 라인 (B) 을 수신하도록 구성된다. 일부 실시형태들에 있어서, 제 1 제어 신호 (1622) 및 제 2 제어 신호 (1624) 는 동일한 제어 신호일 수 있다.도시된 바와 같이, 제 1 스위치는 소스, 드레인, 및 게이트를 갖는 트랜지스터 (M1p) 를 포함한다. 드레인은 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 1 측 및 포지티브 차동 신호 입력 (A) 에 커플링된다. 소스는 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 측, 제 3 트랜지스터 (M2p) 의 소스, 및 제 3 리액티브 엘리먼트 (C2pp) 의 제 1 측에 커플링된다. 게이트는 제 1 제어 신호 (1622) 에 커플링된다. 일부 실시형태들에 있어서, 소스는 제 5 리액티브 엘리먼트 (C3p) 의 제 1 측에 커플링될 수 있다.제 2 스위치는 소스, 드레인, 및 게이트를 갖는 트랜지스터 (M1n) 를 포함한다. 소스는 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pn) 의 제 1 측 및 네거티브 차동 신호 입력 (B) 에 커플링된다. 드레인은 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pn) 의 제 2 측, 제 4 트랜지스터 (M2n) 의 드레인, 및 제 4 리액티브 엘리먼트 (C2pn) 의 제 1 측에 커플링된다. 게이트는 제 1 제어 신호 (1622) 에 커플링된다. 일부 실시형태들에 있어서, 드레인은 제 6 리액티브 엘리먼트 (C3n) 의 제 1 측에 커플링될 수 있다.제 3 스위치는 소스, 드레인, 및 게이트를 갖는 트랜지스터 (M2p) 를 포함한다. 드레인은 제 3 리액티브 엘리먼트 (C2pp) 의 제 1 측, 제 1 트랜지스터 (M1p) 의 소스, 및 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 측에 커플링된다. 소스는 제 3 리액티브 엘리먼트 (C2pp) 의 제 2 측 및 부하 (L1) 의 제 1 단에 커플링된다. 게이트는 제 2 제어 신호 (1624) 에 커플링된다. 일부 실시형태들에 있어서, 드레인은 제 5 리액티브 엘리먼트 (C3p) 의 제 2 측에 커플링될 수 있다.제 4 스위치는 소스, 드레인, 및 게이트를 갖는 트랜지스터 (M2n) 를 포함한다. 소스는 제 4 리액티브 엘리먼트 (C2pn) 의 제 1 측, 제 2 트랜지스터 (M1p) 의 드레인, 및 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 측에 커플링된다. 드레인은 제 4 리액티브 엘리먼트 (C2pn) 의 제 2 측 및 부하 (L1) 의 제 2 단에 커플링된다. 게이트는 제 2 제어 신호 (1624) 에 커플링된다. 일부 실시형태들에 있어서, 소스는 제 6 리액티브 엘리먼트 (C3n) 의 제 2 측에 커플링될 수 있다.일부 실시형태들에 있어서, 도 16a 에 도시된 대칭적 차동 튜닝 회로 (1620) 는 대향하는 전류 흐름들을 갖는 각각의 측부 상에 대향하는 트랜지스터 쌍들 (M1p 와 M2p, 및 M1n 과 M2n) 을 포함할 수 있다. 따라서, 제 1 트랜지스터 (M1p) 가 그 최대 드레인-소스 전압 (따라서, 최소 개방상태 커패시턴스) 을 경험하는 동안, 제 3 트랜지스터 (M2p) 는 그 최소 드레인-소스 전압 (따라서, 최대 개방상태 커패시턴스) 을 경험할 수 있으며, 그 역도 성립한다. 유사하게, 제 2 트랜지스터 (M1n) 가 그 최대 드레인-소스 전압 (따라서, 최소 개방상태 커패시턴스) 을 경험하는 동안, 제 4 트랜지스터 (M2n) 는 그 최소 드레인-소스 전압 (따라서, 최대 개방상태 커패시턴스) 을 경험할 수 있으며, 그 역도 성립한다.일부 실시형태들에 있어서, 도 16a 의 구성은 공통 모드 노이즈를 감소 또는 제거할 수 있으며, 연속적인 스테이지들은, 양 스테이지들이 개방 상태에 있을 경우에 차동 모드 노이즈를 감소 또는 제거하도록 구성될 수 있다. 따라서, 일부 실시형태들에 있어서, 하나 이상의 트랜지스터들 (M1n, M1p, M2n, 및/또는 M2p) 는 하나 이상의 다른 트랜지스터들 (M1n, M1p, M2n, 및/또는 M2p) 에 의해 발생되거나 야기되거나 생성된 하모닉을 적어도 부분적으로 소거하는 하모닉을 발생하거나 야기하거나 생성할 수 있으며 그 역도 성립한다. 일부 경우들에 있어서, 하나 이상의 트랜지스터들 (M1n, M1p, M2n, 및/또는 M2p) 는, 예를 들어, 하나 이상의 다른 트랜지스터들 (M1n, M1p, M2n, 및/또는 M2p) 의 구성에 의해, 도 16a 에 도시된 구성의 부재에 그렇지 않으면 있을 하모닉을 발생, 야기 또는 생성하지 않으며 그 역도 성립한다.특정 실시형태들에 있어서, 도 16a 에 도시된 튜닝 회로 (1620) 는 매칭 스테이지들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 는 제 3 리액티브 엘리먼트 (C2pp) 와 매칭할 수 있고, 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pn) 는 제 4 리액티브 엘리먼트 (C2pn) 와 매칭할 수 있는 등등이다. 더욱이, 제 1 및 제 2 스테이지들은 함께 구동될 수 있다. 예를 들어, 제 1 제어 신호 (1522) 는 제 2 제어 신호 (1524) 와 동일할 수 있다.도 16b 는 제 1 트랜지스터 (M1p), 제 2 트랜지스터 (M1n), 제 3 트랜지스터 (M2p), 제 4 트랜지스터 (M2n), 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp), 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pn), 및 부하 (L1) 를 포함하는 대칭적 차동 튜닝 회로 (1620) 를 도시한다. 튜닝 회로 (1620) 는 제 1 제어 신호 (1622), 제 2 제어 신호 (1622), 포지티브 차동 신호 라인 (A), 및 네거티브 차동 신호 라인 (B) 을 수신하도록 구성된다. 일부 실시형태들에 있어서, 제 1 제어 신호 (1622) 및 제 2 제어 신호 (1624) 는 동일한 제어 신호일 수 있다.도시된 바와 같이, 제 1 스위치는 제 1 트랜지스터 (M1p) 및 제 3 트랜지스터 (M2p) 를 포함하고, 그 각각은 소스, 드레인, 및 게이트를 갖는다. 제 1 트랜지스터 (M1p) 의 드레인은 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 1 측 및 포지티브 차동 신호 입력 (A) 에 커플링된다. 제 1 트랜지스터 (M1p) 의 소스는 제 3 트랜지스터 (M2p) 의 소스에 커플링된다. 제 1 트랜지스터 (M1p) 의 게이트는 제 1 제어 신호 (1622) 에 커플링된다. 제 3 트랜지스터 (M1p) 의 소스는 제 1 트랜지스터 (M1p) 의 소스에 커플링된다. 제 3 트랜지스터 (M1p) 의 드레인은 제 1 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 단 및 부하 (L1) 의 제 1 단에 커플링된다. 제 3 트랜지스터 (M1p) 의 게이트는 제 2 제어 신호 (1624) 에 커플링된다.제 2 스위치는 제 2 트랜지스터 (M1n) 및 제 4 트랜지스터 (M2n) 를 포함하고, 그 각각은 소스, 드레인, 및 게이트를 갖는다. 제 2 트랜지스터 (M1n) 의 드레인은 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pn) 의 제 1 측 및 네거티브 차동 신호 입력 (B) 에 커플링된다. 제 2 트랜지스터 (M1n) 의 소스는 제 4 트랜지스터 (M2n) 의 소스에 커플링된다. 제 2 트랜지스터 (M1n) 의 게이트는 제 1 제어 신호 (1622) 에 커플링된다. 제 4 트랜지스터 (M1n) 의 소스는 제 2 트랜지스터 (M1n) 의 소스에 커플링된다. 제 4 트랜지스터 (M1n) 의 드레인은 제 2 리액티브 엘리먼트 (C1pp) 의 제 2 단 및 부하 (L1) 의 제 2 단에 커플링된다. 제 4 트랜지스터 (M1p) 의 게이트는 제 2 제어 신호 (1624) 에 커플링된다.일부 실시형태들에 있어서, 도 16b 에 도시된 대칭적 차동 튜닝 회로 (1620) 는 도 16a 에 도시된 다른 실시형태를 포함할 수 있다. 따라서, 제 1 트랜지스터 (M1p) 가 그 최대 드레인-소스 전압 (따라서, 최소 개방상태 커패시턴스) 을 경험하는 동안, 제 3 트랜지스터 (M2p) 는 그 최소 드레인-소스 전압 (따라서, 최대 개방상태 커패시턴스) 을 경험할 수 있으며, 그 역도 성립한다. 유사하게, 제 2 트랜지스터 (M1n) 가 그 최대 드레인-소스 전압 (따라서, 최소 개방상태 커패시턴스) 을 경험하는 동안, 제 4 트랜지스터 (M2n) 는 그 최소 드레인-소스 전압 (따라서, 최대 개방상태 커패시턴스) 을 경험할 수 있으며, 그 역도 성립한다.일부 실시형태들에 있어서, 도 16b 의 구성은 공통 모드 노이즈를 감소 또는 제거할 수 있으며, 연속적인 스테이지들은, 양 스테이지들이 개방 상태에 있을 경우에 차동 모드 노이즈를 감소 또는 제거하도록 구성될 수 있다. 따라서, 일부 실시형태들에 있어서, 하나 이상의 트랜지스터들 (M1n, M1p, M2n, 및/또는 M2p) 는 하나 이상의 다른 트랜지스터들 (M1n, M1p, M2n, 및/또는 M2p) 에 의해 발생되거나 야기되거나 생성된 하모닉을 적어도 부분적으로 소거하는 하모닉을 발생하거나 야기하거나 생성할 수 있으며 그 역도 성립한다. 일부 경우들에 있어서, 하나 이상의 트랜지스터들 (M1n, M1p, M2n, 및/또는 M2p) 는, 예를 들어, 하나 이상의 다른 트랜지스터들 (M1n, M1p, M2n, 및/또는 M2p) 의 구성에 의해, 도 16b 에 도시된 구성의 부재에 그렇지 않으면 있을 하모닉을 발생, 야기 또는 생성하지 않으며 그 역도 성립한다.도 8 을 다시 참조하면, 일부 경우들에 있어서, 리액티브 엘리먼트들과 함께 튜닝 회로 (852) 를 송신 회로 (850) 에 직접 전기적으로 접속시키기 어렵거나 바람직하지 않을 수도 있다. 일 실시형태에 있어서, 리액티브 엘리먼트들 및 튜닝 회로들을 송신 회로 (850) 에 직접 전기적으로 접속시키기 보다는, 튜닝 회로들은, 송신 코일 (814) 을 포함하는 송신 회로 (850) 과 커플링하도록 구성된 기생 코일 (예를 들어, 송신 코일 (814) 또는 수신 코일 (818) 로부터 수신되거나 송신된 에너지를 무선으로 재송신/중계할 수도 있는 수도 엘리먼트) 에 배치될 수도 있다. 송신 회로 (850) 에 유도적으로 커플링된 기생 코일의 리액턴스를 튜닝하는 것은 송신 회로 (850) 에 제시된 임피던스를 조정하여, 송신 회로 (850) 가 상기 설명된 바와 같은 원하는 주파수에서 공진할 수도 있다.도 17 은 도 1 의 무선 전력 전송 시스템에서 사용될 수도 있는 송신기 (1704) 의 기능 블록 다이어그램이다. 송신기 (174) 는, 송신 회로 (1750) 의 공진 주파수에서의 변화를 검출하는 검출 회로 (1780) 를 포함하는 송신 회로부 (1706) 의 부분을 포함한다. 도 4 에 도시된 바와 유사하게, 송신 회로부 (1706) 는 커패시터 (C1) 및 송신 코일 (1714) 을 포함하는 송신 회로 (1750) 를 포함한다. 송신 회로 (1750) 는 상기 설명된 임의의 송신 회로들 또는 이들의 임의의 조합일 수도 있다. 송신 회로부 (1706) 는 제어기 (1715) 및 오실레이터 (1723) 를 더 포함하고, 이 오실레이터는 필터 회로 (408) 을 통해 송신 회로 (1750) 를 구동할 수도 있는 구동기 회로 (1724) 를 구동한다. 다양한 리액티브 엘리먼트들에서 스위칭하는 방법 및 스위칭할 때를 결정하기 위해, 검출 회로 (1780) 는 송신 회로 (1750) 의 공진 주파수에서의 변화를 검출 (즉, 공진 조건을 검출) 하기 위해 사용될 수도 있다.일 실시형태에 있어서, 검출 회로 (1780) 는 송신 회로 (1750) 의 공진 주파수에서의 변화를 결정하기 위하여 구동기 회로 (1524) 를 통한 전류의 양을 검출 가능할 수도 있다. 더 상세하게, 무선 전력 송신기 (1704) 의 충전 영역 내에 임의의 디바이스들을 위치시키기 전 그리고 무선 전력 시스템의 리액턴스가 제로인 동안, 구동기 회로 (1724) 를 통한 전류의 양이 검출 회로 (1780) 를 이용하여 감지되어, 공진 조건에서 최적의 베이스라인 전류 레벨을 결정할 수도 있다. 그 후, 하나 이상의 디바이스들이 무선 전력 송신기 (1704) 의 충전 영역 내에 위치되는 동안, 구동기 회로 (1724) 를 통한 전류가 검출 회로 (1780) 에 의해 감지될 수도 있다. 일 실시형태에 있어서, 검출 회로 (1780) 는, 전류의 양에 기초하여 리액턴스를 조정하기 위해 상기 설명된 바와 같이 송신 회로 (1750) 의 튜닝 회로 (1752) 를 제어하기 위한 정보를 제어기 (1715) 에 제공할 수도 있다. 튜닝 회로 (1752) 는 상기 설명된 임의의 튜닝 회로들 또는 이들의 임의의 조합일 수도 있다. 이에 따라, 송신 회로 (1750) 의 공진 주파수는 도 7 내지 도 16b 에 관하여 상기 설명된 예시적인 실시형태 중 하나 이상에 따라 조정되어, 측정된 전류를 베이스라인 전류와 비슷하게 조정하고, 따라서, 무선 전력 시스템의 리액턴스를 가능한 한 제로에 근접하게 되도록 할 수도 있다.일 실시형태에 있어서, 검출 회로 (1780) 는 다양한 무선 전력 수신기들 (도시 안됨) 에 전력을 제공하면서 구동기 회로 (1724) 를 통한 전류 레벨들을 계속 모니터링할 수도 있다. 전력을 계속 제공하면서 측정된 전류에 기초하여, 검출 회로 (1780) 는, 송신 회로 (1750) 가 더 이상 공진하지 않음을 그리고 송신 회로 (1750) 의 리액턴스가 조정되거나 공진 상태로 다시 튜닝될 필요가 있음을 결정할 수도 있다. 상기 설명된 바와 같은 튜닝 회로 (1752) 는 전류에서의 변화에 기초하여 리액턴스를 조정하는데 사용될 수도 있다.도 18 은 무선 전력 송신의 예시적인 방법의 플로우차트 (1800) 이다. 플로우차트 (1800) 의 방법이 도 1 및 도 2 에 관하여 상기 논의된 무선 전력 송신 시스템 (100), 각각 도 4, 도 6 및 도 7 내지 도 9 에 관하여 상기 설명된 송신 회로들 (406, 606, 750, 850, 및/또는 950), 및 도 14a 내지 도 16b 에 관하여 상기 설명된 튜닝 회로들 (1420, 1520, 및 1620) 을 참조하여 본 명세서에서 설명되지만, 당업자는 플로우차트 (1800) 의 방법이 본 명세서에서 설명된 다른 디바이스 또는 임의의 다른 적합한 디바이스에 의해 구현될 수도 있음을 인식할 것이다. 일 실시형태에 있어서, 플로우차트 (1800) 에서의 단계들은, 예를 들어, 제어기 (415) (도 4) 및/또는 프로세서 시그널링 제어기 (516) (도 5) 와 같은 프로세서 또는 제어기에 의해 수행될 수도 있다. 플로우차트 (1800) 의 방법이 특정 순서를 참조하여 본 명세서에서 설명되지만, 다양한 실시형태들에 있어서, 본 명세서에서의 블록들은 상이한 순서로 수행되거나 생략될 수도 있으며 부가적인 블록들이 부가될 수도 있다.먼저, 블록 1810 에서, 신호 구동기는 전력 경로를 따라 전력을 제공한다. 예를 들어, 구동기 회로 (1724) (도 17) 는 전력을 노드 (A) 로부터 경로를 따라 노드 (B) 에 제공할 수 있다 (예를 들어, 도 16b 참조). 일부 실시형태들에 있어서, 전력을 제공하는 것은 차동 신호를 제공하는 것을 포함한다. 일부 실시형태들에 있어서, 전력을 제공하는 것은 단일단 신호를 제공하는 것을 포함한다. 다양한 실시형태들에 있어서, 전력 경로는 구동기와 송신 코일, 루프, 인덕터 등과의 사이에서 전기 신호들을 반송하는 하나 이상의 컴포넌트들을 포함할 수 있다.일부 실시형태들에 있어서, 신호 구동기는 중심 탭을 갖는 송신 코일을 통해 수신기에 무선 전력을 제공할 수 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 신호 구동기는 전력을 수신 회로에 제공하여 전력을 부하에 제공할 수 있으며, 수신 회로는 공진 주파수에서 공진하도록 구성된다. 예를 들어, 구동기 회로 (1724) 는 무선 충전 전력을 수신기 (118) (도 1) 에 제공할 수 있다.다음으로, 블록 1820 에서, 전력 경로를 따른 제 1 튜닝 회로가 하모닉을 발생한다. 일부 실시형태들에 있어서, 이러한 하모닉은, 일반적으로 "제 1 하모닉" 으로서 또한 공지된 "기본 주파수" 로부터 하모닉을 구별하기 위해 "제 1 카운팅된 하모닉" 으로서 본 명세서에서 지칭될 수 있다. 다양한 실시형태들에 있어서, 하모닉은 공통 모드 노이즈 및/또는 차동 모드 노이즈를 포함할 수 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 하모닉은 하모닉 왜곡을 포함할 수 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 하모닉은 하나 이상의 스퓨리어스 방출들을 야기할 수 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 하모닉은 제 1 튜닝 회로의 하나 이상의 특성에 의해 야기될 수 있다.일부 실시형태들에 있어서, 제 1 튜닝 회로는 도 13a 내지 도 16b 중 임의의 도면에 도시된 바와 같은 트랜지스터 (M1p) 를 포함할 수 있다. 하모닉은, 개방 상태에 있을 경우에, 트랜지스터 (M1p) 의 전압 의존형 커패시턴스에 의해 적어도 부분적으로 야기될 수 있다. 다양한 실시형태들에 있어서, 트랜지스터 (M1p) 에 걸친 드레인-소스 전압은 트랜지스터 (M1p) 의 극성, 배향, 및/또는 구성에 따라 변할 수 있다.그 후, 블록 1830 에서, 전력 경로를 따른 제 2 튜닝 회로는, 제 1 튜닝 회로에서 발생된 하모닉을 적어도 부분적으로 소거하는 다른 하모닉을 발생한다. 일부 실시형태들에 있어서, 이러한 하모닉은, 일반적으로 "제 2 하모닉" 으로서 또한 공지된 "옥타브" 로부터 하모닉을 구별하기 위해 "제 2 카운팅된 하모닉" 으로서 본 명세서에서 지칭될 수 있다. 다양한 실시형태들에 있어서, 다른 하모닉은 공통 모드 노이즈 및/또는 차동 모드 노이즈를 포함할 수 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 다른 하모닉은 하모닉 왜곡을 포함할 수 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 다른 하모닉은 하나 이상의 스퓨리어스 방출들을 야기할 수 있다. 일부 실시형태들에 있어서, 다른 하모닉은 제 2 튜닝 회로의 하나 이상의 특성에 의해 야기될 수 있다.일부 실시형태들에 있어서, 제 2 튜닝 회로는 도 13a 내지 도 16b 중 임의의 도면에 도시된 바와 같은 트랜지스터 (M1n) 를 포함할 수 있다. 하모닉은, 개방 상태에 있을 경우에, 트랜지스터 (M1p) 의 전압 의존형 커패시턴스에 의해 적어도 부분적으로 야기될 수 있다. 다양한 실시형태들에 있어서, 트랜지스터 (M1p) 에 걸친 드레인-소스 전압은 트랜지스터 (M1p) 의 극성, 배향, 및/또는 구성에 따라 변할 수 있다.일부 실시형태들에 있어서, 제 2 튜닝 회로는 도 15a 내지 도 16b 중 임의의 도면에 도시된 바와 같은 트랜지스터 (M2p) 를 포함할 수 있다. 다양한 실시형태들에 있어서, 제 1 및 제 2 튜닝 회로는 본 명세서에서 설명된 트랜지스터들의 임의의 쌍 또는 그 조합, 또는 본 명세서에서 설명된 다른 회로들의 임의의 쌍 또는 그 조합을 포함할 수 있다.일부 실시형태들에 있어서, 제 1 및 제 2 튜닝 회로들 중 적어도 하나는 전력 경로의 리액턴스를 조정하도록 구성된 스위치를 포함한다. 다양한 실시형태들에 있어서, 제 1 및 제 2 튜닝 회로들 중 적어도 하나는 리액티브 엘리먼트와 병렬로 스위치를 포함하고, 제 1 및 제 2 튜닝 회로들 중 적어도 하나는 스위치를 개방 또는 폐쇄함으로써 송신 회로의 리액턴스를 조정하도록 구성된다. 다양한 실시형태들에 있어서, 리액티브 엘리먼트는 커패시터를 포함한다.예를 들어, 제 1 튜닝 회로는 제 1 리액턴스 (C1pp) 의 단자들을 단락 또는 개방하도록 구성된 트랜지스터 (M1p) 를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 제 2 튜닝 회로는 제 2 리액턴스 (C1pn) 의 단자들을 단락 또는 개방하도록 구성된 트랜지스터 (M1n) 를 포함할 수 있다.일부 실시형태들에 있어서, 제 1 및 제 2 튜닝 회로들 중 적어도 하나는 2 이상의 트랜지스터들을 포함하고, 2 이상의 트랜지스터들은 리액티브 엘리먼트와 병렬로 있다. 그 방법은 2 이상의 트랜지스터들을 인에이블함으로써 송신 회로의 리액턴스를 조정하는 것을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 튜닝 회로는 도 16b 의 제 1 및 제 3 트랜지스터들 (M1p 및 M2p) 을 포함할 수 있다. 다른 예로서, 제 2 튜닝 회로는 도 16b 의 제 2 및 제 4 트랜지스터들 (M1n 및 M2n) 을 포함할 수 있다. 다양한 실시형태들에 있어서, 제 1 및 제 2 튜닝 회로들은, 예를 들어, 도 16b 의 리액티브 엘리먼트들 (C1pp 및/또는 C1pn) 과 같은 하나 이상의 리액티브 엘리먼트들을 포함할 수 있다.도 19 는 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른, 무선 전력 송신용 시스템 (1900) 의 기능 블록 다이어그램이다. 무선 전력 송신용 시스템 (1900) 은 전력 경로를 따라 전력을 제공하는 수단 (1910), 전력 경로를 튜닝하고 하모닉을 발생하는 제 1 수단 (1920), 및 전력 경로를 튜닝하고 다른 하모닉을 발생하는 제 2 수단 (1930) 을 포함하고, 다른 하모닉은 튜닝하기 위한 제 1 수단에 의해 발생된 하모닉을 적어도 부분적으로 소거한다.일 실시형태에 있어서, 전력 경로를 따라 전력을 제공하는 수단 (1910) 은 블록 1810 (도 18) 에 관하여 상기 설명된 기능들 중 하나 이상을 수행하도록 구성될 수 있다. 다양한 실시형태들에 있어서, 전력 경로를 따라 전력을 제공하는 수단 (1910) 은 송신기들 (104 (도 1), 204 (도 2), 604 (도 6), 1704 (도 17)) 및/또는 구동기들 (224 (도 2), 424 (도 4), 624 (도 6), 1724 (도 17)) 중 하나 이상에 의해 구현될 수 있다.일 실시형태에 있어서, 전력 경로를 튜닝하고 하모닉을 발생하는 제 1 수단 (1920) 은 블록 1820 (도 18) 에 관하여 상기 설명된 기능들 중 하나 이상을 수행하도록 구성될 수 있다. 다양한 실시형태들에 있어서, 전력 경로를 튜닝하고 하모닉을 발생하는 제 1 수단 (1920) 은 송신 회로들 (1320 (도 13), 1420 (도 14), 1520 (도 15), 1620 (도 16)), 트랜지스터들 (M1p, M2p, M1n, M2n (도 16)), 리액티브 엘리먼트들 (C1pp, C2pp, C1pn, C2pn) 등 중 하나 이상에 의해 구현될 수 있다.일 실시형태에 있어서, 전력 경로를 튜닝하고 다른 하모닉을 발생하는 제 2 수단 (1930) 은 블록 1820 (도 18) 에 관하여 상기 설명된 기능들 중 하나 이상을 수행하도록 구성될 수 있다. 다양한 실시형태들에 있어서, 전력 경로를 튜닝하고 다른 하모닉을 발생하는 제 2 수단 (1930) 은 튜닝 회로들 (1320 (도 13), 1420 (도 14), 1520 (도 15), 1620 (도 16)), 트랜지스터들 (M1p, M2p, M1n, M2n (도 16)), 리액티브 엘리먼트들 (C1pp, C2pp, C1pn, C2pn) 등 중 하나 이상에 의해 구현될 수 있다.당업자는 임의의 다양한 서로 다른 기술들 및 기법들을 이용하여 정보 및 신호들이 표현될 수도 있음을 이해할 것이다. 예를 들어, 상기 설명 전반에 걸쳐 참조될 수도 있는 데이터, 명령들, 커맨드(command)들, 정보, 신호들, 비트들, 심볼들, 및 칩들은 전압, 전류, 전자기파, 자계 또는 자성 입자, 광계 또는 광학 입자, 또는 이들의 임의의 조합에 의해 표현될 수도 있다.당업자는 본 명세서에 개시된 예시적인 실시형태들과 관련하여 설명된 다양한 예시적인 논리 블록들, 모듈들, 회로들, 및 알고리즘 단계들이 전자 하드웨어, 컴퓨터 소프트웨어, 또는 이들 양자의 조합으로서 구현될 수도 있음을 추가로 인식할 것이다. 하드웨어와 소프트웨어의 이러한 대체 가능성을 분명히 예시하기 위하여, 다양한 예시적인 회로들, 블록들, 모듈들, 회로들 및 단계들이 일반적으로 그들의 기능의 관점에서 상기 기술되었다. 그러한 기능이 하드웨어로서 구현될지 또는 소프트웨어로서 구현될지는 전체 시스템에 부과된 설계 제약들 및 특정 어플리케이션에 의존한다. 당업자는 설명된 기능을 각각의 특정 어플리케이션에 대하여 다양한 방식들로 구현할 수도 있지만, 그러한 구현의 결정들이 본 발명의 예시적인 실시형태들의 범위로부터의 일탈을 야기하는 것으로서 해석되지는 않아야 한다.본 명세서에서 개시된 예시적인 실시형태들과 관련하여 설명된 다양한 예시적인 논리 블록들, 모듈들, 및 회로들은 범용 프로세서, 디지털 신호 프로세서 (DSP), 주문형 집적회로 (ASIC), 필드 프로그래밍가능 게이트 어레이 (FPGA) 또는 다른 프로그래밍가능 로직 디바이스, 이산 게이트 또는 트랜지스터 로직, 이산 하드웨어 컴포넌트들, 또는 본 명세서에서 설명된 기능들을 수행하도록 설계되는 이들의 임의의 조합으로 구현 또는 수행될 수도 있다. 범용 프로세서는 마이크로프로세서일 수도 있지만, 대안적으로, 그 프로세서는 임의의 종래의 프로세서, 제어기, 마이크로 제어기, 또는 상태 머신일 수도 있다. 프로세서는 또한, 컴퓨팅 디바이스들의 조합, 예를 들어, DSP 와 마이크로프로세서의 조합, 복수의 마이크로프로세서들, DSP 코어와 결합된 하나 이상의 마이크로프로세서들, 또는 임의의 기타 다른 구성물로서 구현될 수도 있다.본 명세서에 개시된 예시적인 실시형태들과 관련하여 설명된 방법 또는 알고리즘의 단계들은 하드웨어에서, 프로세서에 의해 실행되는 소프트웨어 모듈에서, 또는 이들 양자의 조합에서 직접 구현될 수도 있다. 소프트웨어 모듈은 랜덤 액세스 메모리 (RAM), 플래시 메모리, 판독 전용 메모리 (ROM), 전기적으로 프로그래밍가능 ROM (EPROM), 전기적으로 소거가능한 프로그래밍가능 ROM (EEPROM), 레지스터들, 하드 디스크, 착탈가능 디스크, CD ROM, 또는 당업계에 공지된 임의의 다른 형태의 저장 매체에 상주할 수도 있다. 예시적인 저장 매체는, 프로세서가 저장 매체로부터 정보를 판독할 수도 있고 저장 매체에 정보를 기입할 수도 있도록 프로세서에 커플링된다. 대안적으로, 저장 매체는 프로세서에 통합될 수도 있다. 프로세서 및 저장 매체는 ASIC 에 상주할 수도 있다. ASIC 는 사용자 단말기에 상주할 수도 있다. 대안적으로, 프로세서 및 저장 매체는 사용자 단말기에 별개의 회로들로서 상주할 수도 있다.하나 이상의 예시적인 실시형태들에 있어서, 설명된 기능들은 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어, 또는 이들의 임의의 조합에서 구현될 수도 있다. 소프트웨어에서 구현된다면, 그 기능들은 하나 이상의 명령들 또는 코드로서 컴퓨터 판독가능 매체 상으로 저장 또는 전송될 수도 있다. 컴퓨터 판독가능 매체는, 일 장소로부터 다른 장소로의 컴퓨터 프로그램의 전송을 용이하게 하는 임의의 매체를 포함하는 통신 매체 및 컴퓨터 저장 매체 양자를 포함한다. 저장 매체는, 컴퓨터에 의해 액세스될 수도 있는 임의의 가용 매체일 수도 있다. 한정이 아닌 예로서, 그러한 컴퓨터 판독가능 매체는 RAM, ROM, EEPROM, CD ROM 또는 다른 광학 디스크 저장부, 자기 디스크 저장부 또는 다른 자기 저장 디바이스들, 또는 원하는 프로그램 코드를 명령들 또는 데이터 구조들의 형태로 수록 또는 저장하는데 이용될 수도 있고 컴퓨터에 의해 액세스될 수도 있는 임의의 다른 매체를 포함할 수도 있다. 또한, 임의의 커넥션이 컴퓨터 판독가능 매체로 적절히 명명된다. 예를 들어, 동축 케이블, 광섬유 케이블, 꼬임쌍선, 디지털 가입자 라인 (DSL), 또는 적외선, 무선, 및 마이크로파와 같은 무선 기술들을 이용하여 웹사이트, 서버, 또는 다른 원격 소스로부터 소프트웨어가 송신된다면, 동축 케이블, 광섬유 케이블, 꼬임쌍선, DSL, 또는 적외선, 무선, 및 마이크로파와 같은 무선 기술들은 매체의 정의에 포함된다. 본 명세서에서 사용된 바와 같은 디스크 (disk) 및 디스크 (disc) 는 컴팩트 디스크 (CD), 레이저 디스크, 광학 디스크, 디지털 다기능 디스크 (DVD), 플로피 디스크 및 블루레이 디스크를 포함하며, 여기서, 디스크 (disk) 는 통상적으로 데이터를 자기적으로 재생하지만 디스크 (disc) 는 레이저를 이용하여 데이터를 광학적으로 재생한다. 상기의 조합들이 또한, 컴퓨터 판독가능 매체의 범위 내에 포함되어야 한다.본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "결정하는 것" 은 매우 다양한 액션들을 포괄한다. 예를 들어, "결정하는 것" 은 계산하는 것, 산출하는 것, 프로세싱하는 것, 도출하는 것, 조사하는 것, 검색하는 것 (예를 들어, 표, 데이터베이스, 또는 다른 데이터 구조에서 검색하는 것), 확인하는 것 등을 포함할 수도 있다. 또한, "결정하는 것" 은 수신하는 것 (예를 들어, 정보를 수신하는 것), 액세스하는 것 (예를 들어, 메모리 내 데이터에 액세스하는 것) 등을 포함할 수도 있다. 또한, "결정하는 것" 은 해결하는 것, 선택하는 것, 선출하는 것, 확립하는 것 등을 포함할 수도 있다.본 명세서에 개시된 방법들은 설명된 방법을 달성하기 위한 하나 이상의 단계들 또는 액션들을 포함한다. 그 방법 단계들 및/또는 액션들은 청구항들의 범위로부터 일탈함없이 서로 대체될 수도 있다. 즉, 단계들 또는 액션들의 특정 순서가 명시되지 않으면, 특정 단계들 및/또는 액션들의 순서 및/또는 그 사용은 청구항들의 범위로부터 일탈함없이 수정될 수도 있다.개시된 예시적인 실시형태들의 상기 설명은 당업자로 하여금 본 발명을 제조 또는 이용하게 할 수 있도록 제공된다. 이들 예시적인 실시형태들에 대한 다양한 수정들은 당업자에게 용이하게 자명할 것이며, 본 명세서에서 정의된 일반적인 원리들은 본 발명의 사상 또는 범위로부터 일탈함없이 다른 실시형태들에 적용될 수도 있다. 따라서, 본 발명은 본 명세서에서 나타낸 예시적인 실시형태들에 한정되도록 의도되지 않으며, 본 명세서에 개시된 원리들 및 신규한 특징들과 부합하는 최광의 범위를 부여받아야 한다.
본 개시는 무선 전력 송신기를 튜닝하기 위한 시스템들, 방법들 및 장치를 제공한다. 일 양태에 있어서, 전력을 부하에 무선으로 제공하도록 구성된 디바이스가 제공된다. 그 디바이스는 전력 경로를 따라 전력을 제공하도록 구성된 신호 구동기를 포함한다. 그 디바이스는 원치않는 하모닉 콘텐츠를 도입하는, 신호 구동기에서 리액턴스를 튜닝하도록 구성된, 전력 경로를 따른 제 1 튜닝 회로를 더 포함한다. 그 디바이스는 신호 구동기에서 리액턴스를 튜닝하고 그리고 제 1 튜닝 회로에서 발생된 하모닉을 적어도 부분적으로 소거하는 상보적 하모닉 콘텐츠를 발생하도록 구성된, 전력 경로를 따른 제 2 튜닝 회로를 더 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] TIM 세그멘테이션을 위한 트래픽 표시 맵 정보 엘리먼트 표시자TRAFFIC INDICATION MAP INFORMATION ELEMENT INDICATOR FOR TIM SEGMENTATION [ 기술분야 ] 관련 출원에 대한 교차-참조[0001] 본 출원은 2013년 12월 20일 출원된 미국 가특허 출원 일련 번호 제 61/919,691호 및 2014년 9월 15일 출원된 미국 특허 출원 번호 제14/486,801호를 우선권으로 주장하며, 이 둘의 내용은 그 전체가 인용에 의해 본원에 포함된다.본 발명의 분야[0002] 본 개시의 특정한 양상들은 일반적으로 무선 통신들에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 세그멘테이션(segmentation)을 지원하는 스테이션들 및 이를 지원하지 않는 스테이션들에 의해 디코딩될 수 있는 정보 엘리먼트(IE)를 생성하는 것에 관한 것이다. [ 배경기술 ] [0003] 무선 통신 네트워크들은 음성, 비디오, 패킷 데이터, 메시징, 브로드캐스트 등과 같은 다양한 통신 서비스들을 제공하기 위해 널리 전개된다. 이들 무선 네트워크들은 이용 가능한 네트워크 자원들을 공유함으로써 다수의 사용자들을 지원할 수 있는 다중-액세스 네트워크들일 수 있다. 이러한 다중-액세스 네트워크들의 예들은, CDMA(Code Division Multiple Access) 네트워크들, TDMA(Time Division Multiple Access) 네트워크들, FDMA(Frequency Division Multiple Access) 네트워크, OFDMA(Orthogonal FDMA) 네트워크들, 및 SC-FDMA(Single-Carrier FDMA) 네트워크들을 포함한다.[0004] 더 큰 커버리지 및 증가된 통신 범위에 대한 요구를 해결하기 위해, 다양한 방식들이 개발되고 있다. 하나의 이러한 방식은 IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers) 802.11ah 태스크 포스에 의해 개발되고 있는 1GHz 미만주파수 범위(예를 들어, 미국에서 902-928 MHz 범위에서 동작함)이다. 이 개발은 다른 IEEE 802.11 그룹들 보다 더 큰 무선 범위를 갖고 더 적은 장애물 손실들을 갖는 주파수 범위를 활용하기 위한 요구에 의해 추진된다. [ 발명의 개요 ] [0005] 본 발명의 시스템들, 방법들 및 디바이스들은 여러 양상들을 각각 가지며, 이들 중 단일 양상만이 그의 바람직한 속성들을 담당하는 것은 아니다. 하기의 청구항들에 의해 표현되는 바와 같은 본 발명의 범위를 제한함 없이, 일부 특징들이 이제 간결하게 논의될 것이다. 이 논의를 고려한 이후, 그리고 특히 "발명을 실시하기 위한 구체적인 내용"이란 명칭의 섹션을 읽은 후에, 본 발명의 특징들이 무선 네트워크에서 액세스 포인트들과 스테이션들 간의 개선된 통신을 포함하는 이점들을 어떻게 제공하는지를 이해할 것이다.[0006] 본 개시의 특정 양상들은 무선 통신을 위한 장치를 제공한다. 장치는 일반적으로, 정보 엘리먼트(IE)를 생성하고 IE가 세그멘테이션을 지원하는 디바이스들에 대한 것인지 여부의 표시를 제공하도록 구성된 프로세싱 시스템을 포함한다.[0007] 본 개시의 특정 양상들은 무선 통신을 위한 방법을 제공한다. 이 방법을 예를 들어, 액세스 포인트(AP)에 의해 수행될 수 있다. 이 방법은 일반적으로, 정보 엘리먼트를 생성하는 단계 및 IE가 세그멘테이션을 지원하는 디바이스에 대한 것인지 여부의 표시를 제공하는 단계를 포함한다.[0008] 본 개시의 특정 양상들은 무선 통신을 위한 장치를 제공한다. 이 장치는 일반적으로, 정보 엘리먼트를 생성하기 위한 수단 및 IE가 세그멘테이션을 지원하는 디바이스에 대한 것인지 여부의 표시를 제공하기 위한 수단을 포함한다.[0009] 본 개시의 특정 양상들은 무선 통신을 위한 컴퓨터 프로그램 물건을 제공한다. 이 컴퓨터 프로그램 물건은, 일반적으로 명령들이 저장되어 있는 컴퓨터-판독 가능 매체를 포함하며, 이 명령들은 정보 엘리먼트를 생성하고 IE가 세그멘테이션을 지원하는 스테이션들에 대한 것인지 여부의 표시를 제공하도록 장치에 의해 실행 가능하다.[0010] 본 개시의 특정 양상들은 무선 통신을 위한 장치를 제공한다. 이 장치는 일반적으로, 정보 엘리먼트를 획득하고 IE가 세그멘테이션을 지원하는 디바이스들에 대한 것인지 여부를 결정하도록 구성된 프로세싱 시스템을 포함한다.[0011] 본 개시의 특정 양상들은 무선 통신을 위한 방법을 제공한다. 이 방법은 예를 들어, 스테이션(STA)에 의해 수행될 수 있다. 이 방법은 일반적으로 정보 엘리먼트를 획득하는 단계 및 IE가 세그멘테이션을 지원하는 디바이스들에 대한 것인지 여부를 결정하는 단계를 포함한다.[0012] 본 개시의 특정 양상들은 무선 통신을 위한 장치를 제공한다. 이 장치는 일반적으로, 정보 엘리먼트를 획득하기 위한 수단 및 IE가 세그멘테이션을 지원하는 디바이스에 대한 것인지 여부의 표시를 결정하기 위한 수단을 포함한다.[0013] 본 개시의 특정 양상들은 무선 통신을 위한 컴퓨터 프로그램 물건을 제공한다. 이 컴퓨터 프로그램 물건은 일반적으로 명령들이 저장되어 있는 컴퓨터-판독 가능 매체를 포함하며, 이 명령들은, 정보 엘리먼트를 획득하고 IE가 세그멘테이션을 지원하는 디바이스들에 대한 것인지 여부를 결정하도록 장치에 의해 실행 가능하다. [ 도면의 간단한 설명 ] [0014] 본 개시의 전술된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 상기에 간략하게 요약된 더 상세한 설명이 양상들을 참조하여 행해질 수 있는데, 이러한 양상들 중 일부는 첨부된 도면들에서 도시된다. 그러나 이 설명은 다른 동등하게 효과적인 양상들에 대해 허용될 수 있기 때문에, 첨부된 도면들은 본 개시의 오직 특정한 통상적인 양상들만을 예시하고, 따라서, 본 개시의 범위에 대한 한정으로 고려되어서는 안됨을 주목해야 한다.[0015] 도 1은 본 개시의 특정 양상들에 따른 예시적인 무선 통신 네트워크의 도면을 예시한다.[0016] 도 2는 본 개시의 특정 양상들에 따른 예시적인 액세스 포인트 및 사용자 단말들의 블록도를 예시한다.[0017] 도 3은 본 개시의 특정 양상들에 따른 예시적인 무선 디바이스의 블록도를 예시한다.[0018] 도 4는 본 개시의 특정 양상들에 따라 DTIM 비컨 인터벌 내의 페이지 세그멘테이션의 예를 예시한다.[0019] 도 5는 본 개시의 특정 양상들에 따라 세그멘트 카운트 정보 엘리먼트에 대한 예시적인 프레임 포맷을 예시한다.[0020] 도 6은 본 개시의 특정 양상들에 따라 TIM(traffic indication map) 세그멘트 번호 필드를 갖는 예시적인 TIM 정보 엘리먼트(IE)를 예시한다(이러한 세그멘테이션은 때때로 페이지 슬라이싱으로 지칭되고, 세그멘트 번호는 또한 페이지 슬라이스 번호로서 지칭될 수 있음).[0021] 도 7은 본 개시의 특정 양상들에 따른 예시적인 TIM 세그멘테이션(페이지 슬라이싱)을 예시한다.[0022] 도 8은 본 개시의 특정 양상들에 따라 무선 디바이스에 의해 수행될 수 있는 예시적인 동작들을 예시한다.[0023] 도 8a는 도 8에서 도시된 동작들을 수행할 수 있는 예시적인 수단을 예시한다.[0024] 도 9는 본 개시의 특정 양상들에 따라 무선 디바이스에 의해 수행될 수 있는 예시적인 동작들을 예시한다.[0025] 도 9a는 도 9에서 도시된 동작들을 수행할 수 있는 예시적인 수단을 예시한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] [0026] 스테이션들이 대부분의 시간 동안 저 전력 상태들(예를 들어, 수면 상태)에 머무르는 시스템들에서, IE에는, 어느 스테이션들이 트래픽을 가지며 이에 따라 그 트래픽을 수신하기 위해 저 전력 상태에서 나가야 하는지를 표시하기 위해 TIM 정보가 제공될 수 있다. TIM 정보는 예를 들어, 비트맵으로서 제공될 수 있으며, 각각의 비트는 대응하는 스테이션이 트래픽을 가지고 있는지 여부를 나타낸다. 매우 다수의 스테이션들이 지원될 때, 비트맵의 크기는 클 수 있고, 단일 대형 비트맵을 송신하는 것과 연관되는 오버헤드를 감소시키기 위해, 비트맵은 더 작은 비트맵들로 세그멘팅(또는 슬라이싱)될 수 있다. 각각의 세그멘트 또는 슬라이스는 세그멘테이션(또는 슬라이싱)을 지원하는 스테이션들에 대한 유용한 정보를 포함할 수 있는 연관된 세그먼트 번호를 가질 수 있지만, 이는 세그멘테이션을 지원하는 않는 스테이션들에 대한 유용한 정보를 포함하지 않는다. 본 개시의 양상들은 IE가 세그멘테이션을 지원하거나 지원하지 않는 스테이션들로 예정되는지 여부를 표시하는 IE를 생성하기 위해 제공되며, 이는 세그멘테이션을 지원하고 지원하지 않는 디바이스들과의 통신에 대한 페이지 세그멘테이션의 이용을 허용할 수 있다.[0027] 본 개시의 양상들은 IE가 세그멘테이션을 지원하는 스테이션들로 예정되었는지 여부를 나타내는 IE를 생성하는 방법들을 제공한다.[0028] 본 개시의 다양한 양상들은 첨부된 도면들을 참조하여 아래에서 더 완전히 설명된다. 그러나 본 개시는 많은 상이한 형태들로 구현될 수 있고, 본 개시 전반에 걸쳐 제시되는 임의의 특정 구조 또는 기능으로 제한되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 오히려, 이러한 양상들은, 본 개시가 철저하고 완전해지도록, 그리고 당업자들에게 본 개시의 범위를 완전히 전달하도록 제공된다. 본 명세서에서 개시된 교시들에 기초하여, 당업자는, 본 개시의 범위가, 본 발명의 임의의 다른 양상과는 독립적으로 구현되든 또는 임의의 다른 양상과 결합되어 구현되든, 본 개시의 임의의 양상을 커버하도록 의도됨을 인식해야 한다. 예를 들어, 본 명세서에서 기술된 임의의 수의 양상들을 이용하여 장치가 구현될 수 있거나 방법이 실시될 수 있다. 또한, 본 개시의 범위는, 본 명세서에 기술된 본 개시의 다양한 양상들에 추가로 또는 그 이외의 다른 구조, 기능 또는 구조 및 기능을 이용하여 실시되는 이러한 장치 또는 방법을 커버하도록 의도된다. 본 명세서에서 설명되는 본 개시의 임의의 양상은 청구항의 하나 또는 그 초과의 엘리먼트들에 의해 구현될 수 있음을 이해해야 한다.[0029] 특정한 양상들이 본 명세서에서 설명되지만, 이 양상들의 많은 변화들 및 치환들은 본 개시의 범위 내에 속한다. 바람직한 양상들의 일부 이익들 및 이점들이 언급되지만, 본 개시의 범위는 특정한 이점들, 이용들 또는 목적들로 제한되도록 의도되지 않는다. 오히려, 본 개시의 양상들은, 상이한 무선 기술들, 시스템 구성들, 네트워크들 및 송신 프로토콜들에 광범위하게 적용 가능하도록 의도되고, 이들 중 일부는, 바람직한 양상들의 하기 설명 및 도면들에서 예시의 방식으로 예시된다. 상세한 설명 및 도면들은 제한적이기 보다는 단지 본 개시를 예시하며, 본 개시의 범위는 첨부된 청구항들 및 그의 등가물에 의해 정의된다. 예시적인 무선 통신 시스템[0030] 본 명세서에서 설명되는 기술들은, 직교 멀티플렉싱 방식에 기초한 통신 시스템들을 포함하는 다양한 브로드밴드 무선 통신 시스템들에 대해 이용될 수 있다. 이러한 통신 시스템들의 예들은 공간 분할 다중 액세스(SDMA), 시분할 다중 액세스(TDMA), 직교 주파수 분할 다중 액세스(OFDMA) 시스템들, 싱글 캐리어 주파수 분할 다중 액세스(SC-FDMA) 시스템들 등을 포함한다. SDMA 시스템은 다수의 사용자 단말들에 속하는 데이터를 동시에 송신하기 위해 충분히 상이한 방향들을 활용할 수 있다. TDMA 시스템은 송신 신호를 상이한 시간 슬롯들로 분할함으로써 다수의 사용자 단말들이 동일한 주파수 채널을 공유하게 할 수 있고, 각각의 시간 슬롯은 상이한 사용자 단말에 할당된다. OFDMA 시스템은, 전체 시스템 대역폭을 다수의 직교 서브-캐리어들로 분할하는 변조 기술인 직교 주파수 분할 멀티플렉싱(OFDM)을 활용한다. 이 서브캐리어들은 또한 톤들, 빈들 등으로 지칭될 수 있다. OFDM에서, 각각의 서브캐리어는 독립적으로 데이터로 변조될 수 있다. SC-FDMA 시스템은, 시스템 대역폭에 걸쳐 분산되는 서브캐리어들 상에서 송신하기 위한 인터리빙된 FDMA(IFDMA), 인접한 서브캐리어들의 블록 상에서 송신하기 위한 로컬화된 FDMA(LFDMA) 또는 인접한 서브캐리어들의 다수의 블록들 상에서 송신하기 위한 강화된 FDMA(EFDMA)를 활용할 수 있다. 일반적으로, 변조 심볼들은 주파수 도메인에서는 OFDM에 의해 그리고 시간 도메인에서는 SC-FDMA에 의해 전송된다.[0031] 본 명세서의 교시들은 다양한 유선 또는 무선 장치들(예를 들어, 노드들)로 통합될 수 있다(예를 들어, 그 안에 구현되거나 그에 의해 수행될 수 있다). 일부 양상들에서, 본 명세서의 교시들에 따라 구현되는 무선 노드는 AP 또는 액세스 단말을 포함할 수 있다.[0032] AP는 NodeB, 라디오 네트워크 제어기(RNC), 이볼브드 Node B(eNB), 기지국 제어기(BSC), 베이스 트랜시버 스테이션(BTS), 기지국(BS), 트랜시버 기능부(TF), 라디오 라우터, 라디오 트랜시버, 기본 서비스 세트(BSS), 확장 서비스 세트(ESS), 라디오 기지국(RBS) 또는 일부 다른 용어를 포함하거나, 이들로 구현되거나 또는 이들로 알려질 수 있다.[0033] 액세스 단말(이하, "AT")은, 가입자국, 가입자 유닛, 모바일 스테이션(MS), 원격국, 원격 단말, 사용자 단말(UT), 사용자 에이전트, 사용자 디바이스, 사용자 장비(UE), 사용자 스테이션 또는 일부 다른 용어를 포함하거나, 이들로 구현되거나 또는 이들로 공지될 수 있다. 일부 구현들에서, 액세스 단말은 셀룰러 전화, 코드리스 전화, 세션 개시 프로토콜(SIP) 폰, 무선 로컬 루프(WLL)국, 개인 휴대 정보 단말(PDA), 무선 접속 성능을 갖는 핸드헬드 디바이스, STA 또는 무선 모뎀에 접속되는 일부 다른 적절한 프로세싱 디바이스를 포함할 수 있다. 따라서, 본 명세서에 교시된 하나 또는 그 초과의 양상들은 폰(예를 들어, 셀룰러 폰 또는 스마트 폰), 컴퓨터(예를 들어, 랩탑), 태블릿, 휴대용 통신 디바이스, 휴대용 컴퓨팅 디바이스(예를 들어, 개인 휴대 정보 단말), 엔터테인먼트 디바이스(예를 들어, 음악 또는 비디오 디바이스 또는 위성 라디오), 글로벌 측위 시스템(GPS) 디바이스, 또는 무선 또는 유선 매체를 통해 통신하도록 구성되는 임의의 다른 적절한 디바이스에 통합될 수 있다. 일부 양상들에서, 노드는 무선 노드이다. 이러한 무선 노드는, 예를 들어, 유선 또는 무선 통신 링크를 통해 네트워크(예를 들어, 인터넷 또는 셀룰러 네트워크와 같은 광역 네트워크)에 대한 또는 네트워크로의 접속을 제공할 수 있다.[0034] 도 1은 본 개시의 양상들이 실시될 수 있는, AP 및 사용자 단말들을 갖는 다중 액세스 다중입력 다중출력(MIMO) 시스템(100)을 도시한다. 단순화를 위해, 오직 하나의 AP(110)가 도 1에 도시되어 있다. AP는 일반적으로, 사용자 단말들과 통신하는 고정국이고, 또한 기지국 또는 일부 다른 용어로서 지칭될 수 있다. 사용자 단말은 고정식이거나 이동식일 수 있고, 또한 모바일 스테이션, 무선 디바이스 또는 일부 다른 용어로서 지칭될 수 있다. AP(110)는 임의의 주어진 순간에 다운링크 및 업링크를 통해 하나 또는 그 초과의 사용자 단말들(120)과 통신할 수 있다. 다운링크(즉, 순방향 링크)는 AP로부터 사용자 단말들로의 통신 링크이고, 업링크(즉, 역방향 링크)는 사용자 단말들로부터 AP로의 통신 링크이다. 사용자 단말은 또한 다른 사용자 단말과 피어-투-피어로 통신할 수 있다. 시스템 제어기(130)는 AP에 커플링되고, AP에 대한 조정 및 제어를 제공한다.[0035] AP(110)는 예를 들어, IE를 생성하고 IE가 페이지 슬라이싱 및/또는 본원에서 설명되는 기술들에 대한 다른 프로세스들을 지원하는 디바이스들에 대한 것이지 여부에 관한 표시를 제공하기 위해 도 8의 동작들(800)을 수행하거나 지시하도록 구성될 수 있다. 사용자 단말(120)은 예를 들어, IE를 수신하고 IE가 페이지 슬라이싱 및/또는 본원에서 설명되는 기술들에 대한 다른 프로세스들을 지원하는 디바이스들에 대한 것이지 여부를 결정하기 위해 도 9의 동작들(900)을 수행하거나 지시하도록 구성될 수 있다.[0036] 하기 개시의 부분들은 공간 분할 다중 액세스(SDMA)를 통해 통신할 수 있는 사용자 단말들(120)을 설명할 것이지만, 특정한 양상들의 경우, 사용자 단말들(120)은 또한 SDMA를 지원하지 않는 일부 사용자 단말들을 포함할 수 있다. 따라서, 이러한 양상들의 경우, AP(110)는 SDMA 및 비-SDMA 사용자 단말들 모두와 통신하도록 구성될 수 있다. 이 접근법은 편리하게, 오래된 버전들의 사용자 단말들("레거시" 스테이션들)이 산업계에 배치되어 남을 수 있게 하여 이들의 유효 수명을 연장하면서, 더 새로운 SDMA 사용자 단말들이 적절한 것으로 간주되어 도입되게 할 수 있다.[0037] 시스템(100)은 다운링크 및 업링크를 통한 데이터 송신을 위해 다수의 송신 및 다수의 수신 안테나들을 이용한다. AP(110)는 Nap개의 안테나들을 구비하고, 다운링크 송신들에 대한 다중입력(MI) 및 업링크 송신들에 대한 다중출력(MO)을 표현한다. K개의 선택된 사용자 단말들(120)의 세트는 다운링크 송신들에 대한 다중출력 및 업링크 송신들에 대한 다중입력을 포괄적으로 표현한다. 순수한 SDMA의 경우, K개의 사용자 단말들에 대한 데이터 심볼 스트림들이 코드, 주파수 또는 시간에서 일부 수단에 의해 멀티플렉싱되지 않으면, Nap≥K≥1을 갖는 것이 바람직하다. TDMA 기술, CDMA에 따라 상이한 코드 채널들, OFDM에 따라 서브대역들의 분리된 세트들 등을 이용하여 데이터 심볼 스트림들이 멀티플렉싱될 수 있으면, K는 Nap보다 클 수 있다. 각각의 선택된 사용자 단말은 AP에 사용자-특정 데이터를 송신하고 그리고/또는 AP로부터 사용자-특정 데이터를 수신할 수 있다. 일반적으로, 각각의 선택된 사용자 단말은 하나 또는 다수의 안테나들(즉, Nut≥1)을 구비할 수 있다. K개의 선택된 사용자 단말들은 동일하거나 상이한 수의 안테나들을 가질 수 있다. [0038] SDMA 시스템은 시분할 듀플렉스(TDD) 시스템 또는 주파수 분할 듀플렉스(FDD) 시스템일 수 있다. TDD 시스템의 경우, 다운링크 및 업링크는 동일한 주파수 대역을 공유한다. FDD 시스템의 경우, 다운링크 및 업링크는 상이한 주파수 대역들을 이용한다. MIMO 시스템(100)은 또한 송신을 위해 단일 캐리어 또는 다수의 캐리어들을 활용할 수 있다. 각각의 사용자 단말은 (예를 들어, 비용을 절감하기 위해) 단일 안테나 또는 (예를 들어, 추가적 비용이 지원될 수 있는 경우) 다수의 안테나들을 구비할 수 있다. 시스템(100)은 또한, 사용자 단말들(120)이 송신/수신을 상이한 시간 슬롯들로 분할함으로써 동일한 주파수 채널을 공유하면 TDMA 시스템일 수 있고, 여기서 각각의 시간 슬롯은 상이한 사용자 단말(120)에 할당될 수 있다.[0039] 도 2는 MIMO 시스템(100)에서 AP(110) 및 2개의 사용자 단말들(120m 및 120x)의 블록도를 도시한다. AP(110)는 Nt개의 안테나들(224a 내지 224t)을 구비한다. 사용자 단말(120m)은 Nut,m개의 안테나들(252ma 내지 252mu)을 구비하고, 사용자 단말(120x)은 Nut,x개의 안테나들(252xa 내지 252xu)을 구비한다. AP(110)는 다운링크에 대해서는 송신 엔티티이고 업링크에 대해서는 수신 엔티티이다. 각각의 사용자 단말들(120)은 업링크에 대해서는 송신 엔티티이고 다운링크에 대해서는 수신 엔티티이다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "송신 엔티티"는 무선 채널을 통해 데이터를 송신할 수 있는 독립적으로 동작되는 장치 또는 디바이스이고, "수신 엔티티"는 무선 채널을 통해 데이터를 수신할 수 있는 독립적으로 동작되는 장치 또는 디바이스이다. 하기 설명에서, 아래첨자 "dn"은 다운링크를 나타내고, 아래첨자 "up"는 업링크를 나타내고, Nup개의 사용자 단말들은 업링크를 통한 동시 송신을 위해 선택되고, Ndn개의 사용자 단말들은 다운링크를 통한 동시 송신을 위해 선택되고, Nup는 Ndn과 동일하거나 동일하지 않을 수 있고, Nup 및 Ndn은 정적 값들이거나, 또는 각각의 스케줄링 인터벌에 대해 변할 수 있다. AP 및/또는 사용자 단말에서 빔-스티어링(steering) 또는 일부 다른 공간 프로세싱 기술이 이용될 수 있다. [0040] 업링크 상에서, 업링크 송신을 위해 선택된 각각의 사용자 단말(120)에서, 송신(TX) 데이터 프로세서(288)는 데이터 소스(286)로부터 트래픽 데이터 및 제어기(280)로부터 제어 데이터를 수신한다. TX 데이터 프로세서(288)는 사용자 단말에 대해 선택된 레이트와 연관되는 코딩 및 변조 방식들에 기초하여 사용자 단말에 대한 트래픽 데이터를 프로세싱(예를 들어, 인코딩, 인터리빙 및 변조)하고, 데이터 심볼 스트림을 제공한다. TX 공간 프로세서(290)는 데이터 심볼 스트림에 대해 공간 프로세싱을 수행하고, Nut,m개의 안테나들에 Nut,m개의 송신 심볼 스트림들을 제공한다. 각각의 송신기 유닛(TMTR)(254)은 각각의 송신 심볼 스트림을 수신 및 프로세싱(예를 들어, 아날로그로 변환, 증폭, 필터링 및 주파수 상향변환)하여, 업링크 신호를 생성한다. Nut,m개의 송신기 유닛들(254)은 Nut,m개의 안테나들(252)로부터 AP로 Nut,m개의 업링크 신호들을 송신을 위해 제공한다. [0041] Nup개의 사용자 단말들이 업링크를 통한 동시 송신을 위해 스케줄링될 수 있다. 이 사용자 단말들 각각은 자신의 데이터 심볼 스트림에 대해 공간 프로세싱을 수행하고, 자신의 송신 심볼 스트림들의 세트를 업링크를 통해 AP에 송신한다. [0042] AP(110)에서, Nap개의 안테나들(224a 내지 224ap)은 업링크를 통해 송신하는 모든 Nup개의 사용자 단말들로부터 업링크 신호들을 수신한다. 각각의 안테나(224)는 수신된 신호를 각각의 수신기 유닛(RCVR)(222)에 제공한다. 각각의 수신기 유닛(222)은 송신기 유닛(254)에 의해 수행되는 프로세싱과는 상보적인 프로세싱을 수행하고, 수신된 심볼 스트림을 제공한다. RX 공간 프로세서(240)는 Nap개의 수신기 유닛들(222)로부터의 Nap개의 수신된 심볼 스트림들에 대해 수신기 공간 프로세싱을 수행하고, Nup개의 복원된 업링크 데이터 심볼 스트림들을 제공한다. 수신기 공간 프로세싱은, 채널 상관 행렬 반전(CCMI), 최소 평균 제곱 에러(MMSE), 소프트 간섭 제거(SIC) 또는 일부 다른 기술에 따라 수행된다. 각각의 복원된 업링크 데이터 심볼 스트림은 각각의 사용자 단말에 의해 송신된 데이터 심볼 스트림의 추정치이다. RX 데이터 프로세서(242)는 각각의 복원된 업링크 데이터 심볼 스트림을 그 스트림에 대해 이용된 레이트에 따라 프로세싱(예를 들어, 복조, 디인터리빙 및 디코딩)하여, 디코딩된 데이터를 획득한다. 각각의 사용자 단말에 대해 디코딩된 데이터는 저장을 위해 데이터 싱크(244)에 제공될 수 있고, 그리고/또는 추가적 프로세싱을 위해 제어기(230)에 제공될 수 있다. [0043] 다운링크 상에서, AP(110)에서, TX 데이터 프로세서(210)는, 다운링크 송신을 위해 스케줄링된 Ndn개의 사용자 단말들에 대한 데이터 소스(208)로부터의 트래픽 데이터, 제어기(230)로부터의 제어 데이터 및 스케줄러(234)로부터 가능한 다른 데이터를 수신한다. 다양한 타입들의 데이터가 상이한 전송 채널들을 통해 전송될 수 있다. TX 데이터 프로세서(210)는 각각의 사용자 단말에 대해 선택된 레이트에 기초하여 각각의 사용자 단말에 대한 트래픽 데이터를 프로세싱(예를 들어, 인코딩, 인터리빙 및 변조)한다. TX 데이터 프로세서(210)는 Ndn개의 사용자 단말들에 Ndn개의 다운링크 데이터 심볼 스트림들을 제공한다. TX 공간 프로세서(220)는 Ndn개의 다운링크 데이터 심볼 스트림들에 대해 (본 개시에서 설명된 바와 같이, 프리코딩 또는 빔형성과 같은) 공간 프로세싱을 수행하고, Nap개의 안테나들에 Nap개의 송신 심볼 스트림들을 제공한다. 각각의 송신기 유닛(222)은 각각의 송신 심볼 스트림을 수신 및 프로세싱하여, 다운링크 신호를 생성한다. Nap개의 송신기 유닛들(222)은 Nap개의 안테나들(224)로부터 사용자 단말들로의 송신을 위해 Nap개의 다운링크 신호들을 제공할 수 있다. [0044] 각각의 사용자 단말(120)에서, Nut,m개의 안테나들(252)은 AP(110)로부터 Nap개의 다운링크 신호들을 수신한다. 각각의 수신기 유닛(254)은 연관된 안테나(252)로부터 수신된 신호를 프로세싱하고, 수신된 심볼 스트림을 제공한다. RX 공간 프로세서(260)는 Nut,m개의 수신기 유닛들(254)로부터의 Nut,m개의 수신된 심볼 스트림들에 대해 수신기 공간 프로세싱을 수행하고, 사용자 단말에 대한 복원된 다운링크 데이터 심볼 스트림을 제공한다. 수신기 공간 프로세싱은 CCMI, MMSE 또는 일부 다른 기술에 따라 수행된다. RX 데이터 프로세서(270)는 복원된 다운링크 데이터 심볼 스트림을 프로세싱(예를 들어, 복조, 디인터리빙 및 디코딩)하여, 사용자 단말에 대한 디코딩된 데이터를 획득한다. [0045] 각각의 사용자 단말(120)에서, 채널 추정기(278)는 다운링크 채널 응답을 추정하고, 채널 이득 추정들, SNR 추정들, 잡음 분산 등을 포함할 수 있는 다운링크 채널 추정들을 제공한다. 유사하게, 채널 추정기(228)는 업링크 채널 응답을 추정하고, 업링크 채널 추정들을 제공한다. 각각의 사용자 단말에 대한 제어기(280)는 통상적으로, 사용자 단말에 대한 다운링크 채널 응답 행렬 Hdn,m에 기초하여 그 사용자 단말에 대한 공간 필터 행렬을 유도한다. 제어기(230)는 유효 업링크 채널 응답 행렬 Hup,eff에 기초하여 AP에 대한 공간 필터 행렬을 유도한다. 각각의 사용자 단말에 대한 제어기(280)는 AP에 피드백 정보(예를 들어, 다운링크 및/또는 업링크 고유벡터들(eigenvectors), 고유값들(eigenvalues), SNR 추정들 등)를 전송할 수 있다. 제어기들(230 및 280)은 또한 AP(110) 및 사용자 단말(120) 각각에서 다양한 프로세싱 유닛들의 동작을 제어할 수 있다.[0046] 도 3은, MIMO 시스템(100) 내에서 이용될 수 있는 무선 디바이스(302)에서 활용될 수 있는 다양한 컴포넌트들을 예시한다. 무선 디바이스(302)는, IE를 생성하고 IE가 세그멘테이션(슬라이싱)을 지원하는 스테이션들에 대한 것인지 여부에 관한 표시를 제공하도록 수행될 수 있는 도 8의 동작들(800) 또는 IE를 수신하고 IE가 세그멘테이션(슬라이싱)을 지원하는 스테이션들에 대한 것인지 여부를 결정하기 위한 도 9의 동작들(900)과 같이, 본 명세서에서 설명되는 다양한 방법들을 구현하도록 구성될 수 있는 디바이스의 일례이다. 무선 디바이스(302)는 AP(110) 또는 사용자 단말(120)일 수 있다.[0047] 무선 디바이스(302)는, 무선 디바이스(302)의 동작을 제어하는 프로세서(304)를 포함할 수 있다. 프로세서(304)는 또한 중앙 프로세싱 유닛(CPU)으로 지칭될 수 있다. 판독-전용 메모리(ROM) 및 랜덤 액세스 메모리(RAM)를 모두 포함할 수 있는 메모리(306)는, 프로세서(304)에 명령 및 데이터를 제공한다. 메모리(306)의 일부는 비-휘발성 랜덤 액세스 메모리(NVRAM)를 또한 포함할 수 있다. 프로세서(304)는 통상적으로 메모리(306) 내에 저장된 프로그램 명령들에 기초하여, 논리 및 산술 연산들을 수행한다. 메모리(306)의 명령들은 본원에서 설명된 방법들을 구현하기 위해 실행될 수 있다.[0048] 무선 디바이스(302)는 또한, 무선 디바이스(302)와 원격의 위치 사이에서 데이터의 송신 및 수신을 허용하기 위한 송신기(310) 및 수신기(312)를 포함할 수 있는 하우징(308)을 포함할 수 있다. 송신기(310) 및 수신기(312)는 트랜시버(314)로 결합될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 송신 안테나들(316)은 하우징(308)에 부착되고 트랜시버(314)에 전기적으로 커플링될 수 있다. 무선 디바이스(302)는 또한 (도시되지 않은) 다수의 송신기들, 다수의 수신기들 및 다수의 트랜시버들을 포함할 수 있다.[0049] 무선 디바이스(302)는 또한, 트랜시버(314)에 의해 수신된 신호들의 레벨을 검출 및 정량화하기 위한 노력으로 이용될 수 있는 신호 검출기(318)를 포함할 수 있다. 신호 검출기(318)는 이러한 신호들을 총 에너지, 심볼 당 서브캐리어 당 에너지, 전력 스펙트럼 밀도 및 다른 신호들로서 검출할 수 있다. 무선 디바이스(302)는 또한 프로세싱 신호들에 이용하기 위한 디지털 신호 프로세서(DSP)(320)를 포함할 수 있다.[0050] 무선 디바이스(302)의 다양한 컴포넌트들은, 데이터 버스에 추가로 전력 버스, 제어 신호 버스 및 상태 신호 버스를 포함할 수 있는 버스 시스템(322)에 의해 함께 커플링될 수 있다.예시적인 TIM 정보 엘리먼트 표시기[0051] 일반적으로, 트래픽 표시 맵(TIM) IE는 어느 스테이션들이 AP 내의 버퍼링된 MSDU를 갖는지 표시하기 위해 이용될 수 있다. TIM 세그멘테이션은 세그먼트 당 스테이션들의 서브세트를 지원하는데 이용될 수 있다. 그러나 레거시 스테이션은 TIM 세그멘테이션을 지원하지 않을 수 있다. TIM 세그멘테이션은 또한, 다수의 IE들이 동일 페이지 내의 스테이션들의 상이한 세트들에 대한 정보를 전달하기 위해 사용될 수 있기 때문에 페이지 슬라이싱으로서 또한 지칭될 수 있다.[0052] 도 4는 TIM 세그먼트(400)에서 페이지 세그멘테이션(슬라이싱)의 일례를 예시한다. 총 AID 공간 내에서, 페이지는 스테이션들의 서브세트를 표현할 수 있다. 각각의 페이지는 다수의 블록들을 포함할 수 있으며, 이 블록들 각각은 페이지 내의 스테이션들의 서브세트를 표현할 수 있고, 각각의 블록은 다수의 페이지 슬라이스들을 포함할 수 있으며, 이 슬라이스들 각각은 블록 내의 스테이션들의 서브세트를 표현할 수 있다. 세그멘테이션 또는 슬라이싱은 하나의 전달 TIM(DTIM) 비컨 인터벌 내의 TIM 세그먼트(즉, 페이지 슬라이스)에서 수행될 수 있다. 세그먼트의 길이는 다수의 DTIM 세그먼트 인터벌에 걸쳐 변동될 수 있다. 각각의 순서화된 페이지 세그먼트는 하나 또는 그 초과의 TIM 세그먼트들에 순차적으로 할당될 수 있다.[0053] 도 5는 세그먼트 카운트(페이지 슬라이스) IE에 대한 예시적인 프레임 포맷(500)을 예시한다. 세그먼트 카운트 IE는 후속 TIM 세그먼트들에서 페이지의 세그먼트들의 할당을 나타내는데 이용될 수 있다. 세그먼트 카운트 IE는 엘리먼트 ID, 길이, 페이지 기간, 페이지 인덱스, 페이지 슬라이스 길이, 페이지/세그먼트 슬라이스 카운트, 블록 오프셋, TIM 오프셋, 예약된 필드 및 페이지 비트맵 필드를 포함할 수 있다. 엘리먼트 ID 필드는 세그먼트(페이지 슬라이스) 카운트 IE를 식별할 수 있다. 길이 필드는 IE의 길이를 표시할 수 있다. 페이지 기간 필드는 연관된 페이지에 대한 페이지 슬라이스 엘리먼트를 전달할 수 있는 비컨들 간의 비컨 인터벌들의 수의 표시를 제공할 수 있다. 페이지 인덱스 필드는 비컨에 현재 할당된 페이지의 표시를 제공할 수 있다. 페이지 슬라이스 길이 필드는 연관된 페이지에 대한 각각의 TIM에 포함된 블록들의 수를 표시할 수 있다. 페이지 슬라이스 카운트 필드는 페이지 기간에 스케줄링된 TIM 슬라이스들의 수를 표시할 수 있다. 블록 오프셋 필드는 할당된 페이지 세그먼트의 제 1 블록을 표시할 수 있다. TIM 오프셋 필드는 할당된 페이지의 페이지 슬라이스 엘리먼트를 전달하는 특정 페이지의 제 1 페이지 슬라이스에 대한 TIM 비컨 오프셋을 표시할 수 있다. 페이지 비트맵 필드는 DTIM 엘리먼트의 모든 페이지 세그먼트들의 블록들을 포함할 수 있다.[0054] 도 6은 IE 내에 TIM 세그먼트 번호(페이지 슬라이스 번호) 필드를 포함하는 예시적인 TIM IE(600)를 예시한다. TIM IE는 엘리먼트는 ID, 길이, DTIM 카운트, DTIM 기간, 비트맵 제어 및 부분 가상 비트맵(또는 TIM 세그멘트 비트맵)을 포함할 수 있다. 비트맵 제어는, TIM 세그먼트의 인덱스를 표시하는 TIM 세그먼트 번호, 예약된 비트, 및 페이지 인덱스를 포함할 수 있다. TIM IE에서 커버되는 TIM 비트맵 정보는 TIM 세그먼트 시작 및 TIM 세그먼트 종료 값으로서 계산될 수 있다. TIM 세그먼트 시작 값은 다음과 같이 계산될 수 있다 :TIM 세그멘트 시작 = 페이지 오프셋 + ((페이지 세그먼트의 길이)*(TIM 세그먼트 번호-1))+ 1반면에, TIM 세그먼트 종료 값은 다음과 같이 계산될 수 있다:TIM 세그먼트 시작 = 페이지 오프셋 + 페이지 세그먼트의 길이 * TIM 세그먼트 번호[0055] 도 7은 TIM 세그멘테이션(페이지 슬라이싱)(700)의 예를 예시한다. 비컨은 모든 페이지 세그먼트들의 스테이션들에 대한 제 1 페이지 세그먼트 및 세그먼트 카운트 IE를 포함할 수 있다. 연속적인 쇼트(short) 비컨들은 부가적인 페이지 세그먼트들을 송신할 수 있다. 페이지 세그먼트들은 순차적으로 송신될 수 있어서, 비컨은 제 1 페이지 세그먼트를 송신하고, 제 1 쇼트 비컨은 제 2 페이지 세그먼트를 송신할 수 있는 식이 된다.[0056] TIM 엘리먼트는, 어떠한 정황(context)도 없이는, TIM 세그멘테이션을 지원하지 않는 스테이션들에게는 무의미할 수 있는 TIM 세그멘테이션(페이지 슬라이스) 번호를 포함할 수 있다. 또한, TIM 세그멘테이션을 지원하지 않는 스테이션들은 그 스테이션이 어느 TIM을 판독하고 분석해야 하는지를 알지 못할 수 있다.[0057] 본 개시의 특정 양상들에 따라, TIM은, TIM이 TIM 세그멘테이션을 지원하는 스테이션들로 또는 TIM 세그멘테이션을 지원하지 않는 스테이션들로 예정되었는지를 표시할 수 있는 하나 또는 그 초과의 값들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시는 TIM 세그멘테이션 번호, 새로운 필드, 플래그 비트, 또는 새로운 엘리먼트 ID를 갖는 TIM 엘리먼트의 예약된 값일 수 있다.[0058] 도 8은 본 개시의 특정 양상들에 따라 AP에 의해 수행될 수 있는 예시적인 동작들(800)을 예시한다. 동작(800)은 AP가 정보 엘리먼트(IE)를 생성하는 802에서 시작할 수 있다. 804에서, AP는 IE가 세그멘테이션을 지원하는 스테이션들에 대한 것인지 여부의 표시를 제공한다.[0059] 도 9는 본 개시의 특정 양상들에 따라 수신기에 의해 수행될 수 있는 예시적인 동작들(900)을 예시한다. 동작들(900)은 수신기가 IE를 획득하는 902에서 시작할 수 있다. 904에서, 수신기는 IE가 세그멘테이션을 지원하는 스테이션에 대한 것인지 여부를 결정한다. [0060] IE는 TIM IE일 수 있다. TIM IE가 세그멘테이션을 지원하는 스테이션에 대한 것인지 여부의 표시는 TIM IE에서 TIM 세그먼트 번호의 하나 또는 그 초과의 미리 결정된 비트 시퀀스들을 통해 제공될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 미리 결정된 비트 시퀀스들은 모든 '0'들 또는 모든 '1'들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.[0061] IE가 세그멘테이션을 지원하는 스테이션에 대한 것인지 여부의 표시는 하나 또는 그 초과의 미리 결정된 비트 시퀀스들로 IE의 필드를 세팅하는 것을 수반할 수 있다. 필드는 IE가 세그멘테이션을 지원하지 않는 스테이션에 대한 것임을 표시하기 위해 하나 또는 그 초과의 미리 결정된 비트 시퀀스 이외의 값으로 세팅될 수 있다.[0062] 예를 들어, 5-비트 시퀀스가 페이지 슬라이스를 식별하는데 이용되는 경우, 0 내지 31의 ID 값들이 페이지 슬라이스를 위해 제공한다. 일부 경우들에서, IE가 세그멘테이션을 지원하지 않는 스테이션들에 대한 것임을 표시하기 위해 31 (11111)와 같은 예약된 값이 이용될 수 있는 반면에, 잔여 값들(0-30)은 IE가 세그멘테이션을 지원하는 스테이션들에 대한 것임을 표시하기 위해 이용될 수 있다.[0063] 일부 양상들에서, AP는 TIM IE가 페이지 슬라이싱을 지원하지 않는 스테이션들에 대한 것임을 표시하는 시퀀스를 이용하여 TIM 세그멘테이션(페이지 슬라이싱)을 지원하는 스테이션에 대한 TIM 정보를 포함하는 IE를 송신할 수 있다. 일부 양상들에서, TIM IE가 페이지 슬라이싱을 지원하지 않는 스테이션에 대한 것임을 표시하는 시퀀스를 이용하는 IE는 또한 페이지 슬라이싱을 지원하는 스테이션들의 서브세트에 대한 정보를 포함할 수 있다. TIM 세그멘테이션(페이지 슬라이싱)을 지원하지 않는 디바이스들은, 세그멘테이션(페이지 슬라이싱)을 지원하지 않는 스테이션들에 대해 이용되는 예약된 페이지 슬라이스 번호(예를 들어, 위의 5-비트 예에서, 31)를 포함하는 하나 또는 그 초과의 TIM 페이지들을 조사하도록 구성될 수 있다. 일부 경우들에서, TIM 세그멘테이션(페이지 슬라이싱)을 지원하는 디바이스들은, 스테이션에 할당되는 페이지 슬라이스 번호를 포함하는 것은 물론, 세그멘테이션을 지원하지 않는 스테이션들에 대해 이용되는 페이지 슬라이스 번호를 포함하는 IE들 둘 다를 조사하도록 구성될 수 있다. 이러한 디바이스들이 예약된 및 예약되지 않은 페이지 슬라이스 번호들 둘 다를 조사하게 하는 것은, 페이지 슬라이싱을 지원하지 않는 AP들이 페이지 슬라이싱을 지원하는 디바이스들과 통신하도록 허용할 수 있다.[0064] IE가 세그멘테이션을 지원하는 스테이션들에 대한 것인지 여부의 표시는 IE의 포맷 타입을 통해 제공될 수 있다. 제 1 포맷 타입은 IE가 세그멘테이션을 지원하지 않는 스테이션들에 대한 것이라고 표시할 수 있는 반면에, 제 2 포맷 타입은 IE가 세그멘테이션을 지원한다는 것을 표시할 수 있다.[0065] IE가 세그멘테이션을 지원하는 스테이션들에 대한 것인지 여부의 표시는 IE의 하나 또는 그 초과의 플래그 비트들을 통해 제공될 수 있다.[0066] IE가 세그멘테이션을 지원하는 스테이션들에 대한 것인지 여부의 표시는 IE가 송신된 비컨에서 발생한 순서를 통해 제공될 수 있다. 예를 들어, 표시는 비컨의 다른 IE들 앞에 세그멘테이션을 지원하지 않는 스테이션들에 대한 IE를 배치하는 것을 포함할 수 있다.[0067] 앞서 설명된 방법들의 다양한 동작들은 대응하는 기능들을 수행할 수 있는 임의의 적절한 수단에 의해 수행될 수 있다. 이 수단은, 회로, 주문형 집적 회로(ASIC) 또는 프로세서를 포함(그러나 이것으로 제한되지 않음)하는 다양한 하드웨어 및/또는 소프트웨어 컴포넌트(들) 및/또는 모듈(들)을 포함할 수 있다. 일반적으로, 도면들에서 동작들이 예시된 경우, 이 동작들은 유사한 번호를 갖는 대응하는 대응부의 의미+기능 컴포넌트들을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 8 및 도 9에서 예시된 동작들(800 및 900)은 도 8a 및 도 9a에서 예시된 수단(800A 및 900A)에 각각 대응한다.[0068] 예를 들어, 전송하기 위한 수단은, 도 2에서 예시된 AP(110)의 송신기(예를 들어, 송신기 유닛(222)) 및/또는 안테나(들)(224) 또는 도 3에서 도시된 송신기(310) 및/또는 안테나(들)(316)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 수신하기 위한 수단은, 도 2에서 예시된 AP(110)의 수신기(예를 들어, 수신기 유닛(222)) 및/또는 안테나(들)(224) 또는 도 3에서 도시된 수신기(312) 및/또는 안테나(들)(316)를 포함할 수 있다. 동작을 프로세싱하기 위한 수단, 결정하기 위한 수단, 검출하기 위한 수단, 스캐닝하기 위한 수단, 선택하기 위한 수단, 또는 종결하기 위한 수단은, 도 2에서 예시된 AP(110)의 RX 데이터 프로세서(242), TX 데이터 프로세서(210) 및/또는 제어기(230) 또는 도 3에서 도시된 프로세서(304) 및/또는 DSP(320)와 같은 하나 또는 그 초과의 프로세서들을 포함할 수 있는 프로세싱 시스템을 포함할 수 있다.[0069] 특정 양상들에 따라, 이러한 수단은, 고속 연관을 수행하기 위해 위에서 설명된 다양한 알고리즘들을 (예를 들어, 하드웨어에서 또는 소프트웨어 명령들을 실행함으로써) 구현함으로써 대응하는 기능들을 수행하도록 구성된 프로세싱 시스템에 의해 구현될 수 있다. 예를 들어, 웨이크업 기간들을 식별하기 위한 수단은, (예를 들어, IE를 통해) 구성에 기초하여 웨이크업 기간들을 식별하는 알고리즘을 수행하는 프로세싱 시스템에 의해 구현될 수 있고, 웨이크업 기간들 동안 라디오 기능들을 인에이블할지 여부를 결정하기 위한 수단은, 입력으로서 웨이크업 기간들 및 데이터의 존재가 표시되는지 여부를 취하는 알고리즘을 수행하는 (동일 또는 상이한) 프로세싱 시스템에 의해 구현될 수 있는 반면에, 라디오 기능들을 인에이블하기 위한 수단은 결정하기 위한 수단으로부터의 판단을 입력으로서 취하고 라디오 기능들을 상응하게 인에이블/디스에이블하도록 하는 신호들을 생성하는 알고리즘을 수행하는 (동일 또는 상이한) 프로세싱 시스템에 의해 구현될 수 있다.[0070] 본 명세서에서 사용되는 용어 "결정"은 광범위한 동작들을 포함한다. 예를 들어, "결정"은 계산, 컴퓨팅, 프로세싱, 유도, 검사, 검색(예를 들어, 표, 데이터베이스 또는 다른 데이터 구조에서의 검색), 확인 등을 포함할 수 있다. 또한, "결정"은 수신(예를 들어, 정보 수신), 액세스(예를 들어, 메모리 내의 데이터에 액세스) 등을 포함할 수 있다. 또한, "결정"은 해결, 선택, 선정, 설정 등을 포함할 수 있다.[0071] 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 아이템들의 리스트 "중 적어도 하나"로 지칭되는 구문은 단일 멤버들을 포함하여 그 아이템들의 임의의 조합을 지칭한다. 일례로, "a, b 또는 c 중 적어도 하나"는 a, b, c, a-b, a-c, b-c, 및 a-b-c을 커버하도록 의도된다.[0072] 본 개시와 관련하여 설명되는 다양한 예시적인 논리 블록들, 모듈들, 및 회로들이 범용 프로세서, 디지털 신호 프로세서(DSP), 주문형 집적회로(ASIC), 필드 프로그래밍 가능 게이트 어레이 신호(FPGA) 또는 다른 프로그래밍 가능 논리 디바이스(PLD), 이산 게이트 또는 트랜지스터 로직, 이산 하드웨어 컴포넌트들 또는 본 명세서에 설명된 기능들을 수행하도록 설계된 이들의 임의의 조합으로 구현 또는 수행될 수 있다. 범용 프로세서는 마이크로프로세서일 수도 있지만, 대안으로 프로세서는 임의의 상업적으로 이용 가능한 프로세서, 제어기, 마이크로제어기 또는 상태 머신일 수도 있다. 프로세서는 또한 컴퓨팅 장치들의 조합, 예를 들어, DSP와 마이크로프로세서의 조합, 복수의 마이크로프로세서들, DSP 코어와 결합 된 하나 또는 그 초과의 마이크로 프로세서들, 또는 임의의 다른 이러한 구성으로 구현될 수 있다.[0073] 하나 또는 그 초과의 양상들에서, 설명면 기능들은, 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어, 또는 이들의 임의의 결합으로 구현될 수 있다. 소프트웨어로 구현되는 경우, 기능들은 하나 또는 그 초과의 명령들 또는 코드로서 컴퓨터 판독가능 매체상에 저장되거나 이로서 전송될 수 있다. 컴퓨터 판독 가능 매체는 한 장소에서 다른 장소로 컴퓨터 프로그램의 전송을 용이하게 하는 임의의 매체를 포함하는 통신 매체 및 컴퓨터 저장 매체 둘 다를 포함한다. 저장 매체는 컴퓨터에 의해 액세스될 수 있는 임의의 이용 가능한 매체 일 수 있다. 제한적이지 않은 예로서, 이러한 컴퓨터 판독 가능 매체는, RAM, ROM, EEPROM, FLASH 메모리, CD-ROM 또는 다른 광학 디스크 저장소, 자기 디스크 저장소 또는 다른 자기 저장 디바이스, 또는 명령 또는 데이터 구조의 형태로 원하는 프로그램 코드를 전달하거나 저장하는데 사용될 수 있고 컴퓨터에 의해 액세스 될 수 있는 임의의 다른 매체를 포함할 수 있다. 또한, 임의의 접속이 컴퓨터 판독 가능 매체라고 적절하게 지칭된다. 예를 들어, 소프트웨어가 동축 케이블, 광섬유 케이블, 꼬임 쌍선, 디지털 가입자 회선(DSL: digital subscriber line), 또는 무선 기술들(이를테면, 적외선, 라디오, 마이크로파)을 이용하여 웹사이트, 서버 또는 다른 원격 소스로부터 전송된다면, 동축 케이블, 광섬유 케이블, 꼬임 쌍선, DSL 또는 무선 기술들(이를테면, 적외선, 라디오, 마이크로파)이 매체의 정의에 포함된다. 본 명세서에서 사용된 것과 같은 디스크(disk 및 disc)는 콤팩트 디스크(CD: compact disc), 레이저 디스크(laser disc), 광 디스크(optical disc), 디지털 다기능 디스크(DVD: digital versatile disc), 플로피 디스크(floppy disk) 및 블루레이�� 디스크(disc)를 포함하며, 여기서 디스크(disk)들은 보통 데이터를 자기적으로 재생하는 한편, 디스크(disc)들은 데이터를 레이저들에 의해 광학적으로 재생한다. 따라서, 일부 양상들에서, 컴퓨터-판독가능 매체는 비-일시적 컴퓨터-판독가능 매체(예를 들어, 유형의(tangible) 매체)를 포함할 수 있다. 추가로, 일부 양상들에 대해, 컴퓨터-판독가능 매체는 일시적 컴퓨터-판독가능 매체(예를 들어, 신호)를 포함할 수 있다. 상기의 것들의 결합들이 또한 컴퓨터 판독 가능 매체의 범위 내에 포함되어야 한다.[0074] 따라서, 특정 양상들은 여기서 제시된 동작들을 수행하기 위한 컴퓨터 프로그램 물건을 포함할 수 있다. 예를 들어, 이러한 컴퓨터 프로그램 물건은 명령들이 저장된(그리고/또는 인코딩된) 컴퓨터-판독가능 매체를 포함할 수 있고, 명령들은, 본 명세서에서 설명되는 동작들을 수행하도록 하나 또는 그 초과의 프로세서들에 의해 실행 가능하다. 특정 양상들에 대해, 컴퓨터 프로그램 물건은 패키지 재료를 포함할 수 있다.[0075] 본 명세서에 개시된 방법들은 설명된 방법을 달성하기 위한 하나 또는 그 초과의 단계들 또는 동작들을 포함한다. 방법 단계들 및/또는 동작들은 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서로 교환될 수 있다. 즉, 단계들 또는 동작들의 특정한 순서가 규정되지 않으면, 특정 단계들 및/또는 동작들의 순서 및/또는 이용은 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 변형될 수 있다.[0076] 소프트웨어 또는 명령들은 또한 송신 매체를 통해 송신될 수 있다. 예를 들어, 소프트웨어가 동축 케이블, 광섬유 케이블, 꼬임 쌍선, 디지털 가입자 라인(DSL: digital subscriber line), 또는 적외선, 라디오 및 마이크로파와 같은 무선 기술들을 이용하여 웹사이트, 서버 또는 다른 원격 소스로부터 전송된다면, 동축 케이블, 광섬유 케이블, 꼬임 쌍선, DSL, 또는 적외선, 라디오 및 마이크로파와 같은 무선 기술들이 송신 매체의 정의에 포함된다.[0077] 또한, 여기서 설명된 방법들 및 기법들을 수행하기 위한 모듈들 및/또는 다른 적절한 수단이 적용 가능한 경우 사용자 단말 및/또는 기지국에 의해 다운로드되고 그리고/또는 다른 방식으로 획득될 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 예를 들어, 이러한 디바이스는 여기서 설명된 방법들을 수행하기 위한 수단의 전달을 용이하게 하기 위해 서버에 커플링될 수 있다. 대안적으로, 여기서 설명된 다양한 방법들은, 저장 수단(예를 들어, RAM, ROM, 컴팩트 디스크(CD) 또는 플로피 디스크와 같은 물리적 저장 매체 등)을 통해 제공될 수 있고, 따라서, 사용자 단말 및/또는 기지국은 디바이스에 저장 수단을 커플링시키거나 제공할 시에 다양한 방법들을 획득할 수 있다. 또한, 여기에 설명된 방법들 및 기법들을 디바이스에 제공하기 위한 임의의 다른 적절한 기법이 이용될 수 있다.[0078] 청구항들이 위에서 예시된 바로 그 구성 및 컴포넌트들에 제한되지 않는다는 점이 이해될 것이다. 다양한 수정들, 변화들 및 변경들이 청구항들의 범위로부터 벗어나지 않고 전술된 방법들 및 장치의 어레인지먼트(arrangement), 동작 및 상세항목들 내에서 이루어질 수 있다.
본 개시의 특정 양상들은 세그멘테이션(페이지 슬라이싱)을 지원하는 스테이션들 및 이를 지원하지 않는 스테이션들에 대한 트래픽 표시 맵(TIM) 정보 엘리먼트들(IE)을 생성하기 위한 방법들을 제공한다. 이 방법은 일반적으로, IE를 생성하는 단계 및 IE가 세그멘테이션을 지원하는 디바이스에 대한 것인지 여부의 표시를 제공하는 단계를 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 수율 추산 및 제어YIELD ESTIMATION AND CONTROL [ 기술분야 ] 본 출원은 2013년 12월 17일 출원된 US 가출원 61/917,305의 이익을 주장하고, 이는 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다.본 발명은 리소그래피 장치 및 공정에 관한 것으로, 특히 수율(yield)을 증가시키기 위해 결함들을 예측하고 보정하는 툴에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC) 또는 다른 디바이스들의 제조 시에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)는 디바이스의 개별층에 대응하는 회로 패턴("디자인 레이아웃")을 포함하거나 제공할 수 있으며, 패터닝 디바이스 상의 회로 패턴을 통해 타겟부를 조사(irradiate)하는 것과 같은 방법들에 의해, 이 회로 패턴이 방사선-감응재("레지스트")층으로 코팅된 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부 상으로 전사될 수 있다. 일반적으로, 단일 기판은 리소그래피 장치에 의해 회로 패턴이 한 번에 한 타겟부씩 연속적으로 전사되는 복수의 인접한 타겟부들을 포함한다. 일 형태의 리소그래피 장치에서는 전체 패터닝 디바이스 상의 회로 패턴이 한 타겟부 상으로 한 번에 전사되며; 이러한 장치는 통상적으로 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라 칭한다. 통상적으로 스텝-앤드-스캔(step-and-scan) 장치라 칭해지는 대안적인 장치에서는 투영 빔이 주어진 기준 방향("스캐닝" 방향)으로 패터닝 디바이스에 걸쳐 스캐닝하는 한편, 동시에 이 기준 방향과 평행하게(같은 방향으로 평행하게) 또는 역-평행하게(반대 방향으로 평행하게) 기판이 이동된다. 패터닝 디바이스 상의 회로 패턴의 상이한 부분들은 점진적으로 한 타겟부에 전사된다.디바이스 제조 공정의 패터닝 디바이스로부터 기판으로 회로 패턴을 전사하는 디바이스 제작 절차에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 코팅 및 소프트 베이크(soft bake)와 같은 디바이스 제조 공정의 다양한 디바이스 제작 절차들을 거칠 수 있다. 노광 이후, 기판은 노광후 베이크(post-exposure bake: PEB), 현상, 및 하드 베이크(hard bake)와 같은 디바이스 제조 공정의 다른 디바이스 제작 절차들을 거칠 수 있다. 이러한 일련의 디바이스 제작 절차들은 디바이스, 예컨대 IC의 개별층을 구성하는 기초로서 사용된다. 그 후, 기판은 에칭, 이온-주입(도핑), 금속화(metallization), 산화, 화학-기계적 연마 등과 같은 디바이스 제조 공정의 다양한 디바이스 제작 절차들을 거칠 수 있으며, 이는 모두 디바이스의 개별층을 마무리하도록 의도된다. 디바이스에서 여러 층이 요구되는 경우, 각각의 층에 대해 전체 과정 또는 그 변형이 반복된다. 최후에는, 디바이스가 기판 상의 각 타겟부에 존재할 것이다. 복수의 디바이스들이 존재하는 경우, 이 디바이스들은 다이싱(dicing) 또는 소잉(sawing)과 같은 기술에 의해 서로 분리되며, 개개의 디바이스들은 캐리어에 장착되고 핀에 연결되는 등의 단계를 거칠 수 있다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은 수율을 증가시키기 위해 결함들을 예측하고 보정하는 툴을 제공하려는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 명세서에서, 리소그래피 장치에 의해 처리되는 생산 기판(production substrate)들을 수반하는 디바이스 제조 공정을 위한 컴퓨터-구현 결함 예측 방법(computer-implemented defect prediction method)이 개시되고, 상기 방법은:디바이스 제조 공정에 의해 처리되는 생산 기판들과 연계된 공정 파라미터의 측정된 또는 결정된 값들을 포함하는 트레이닝 세트(training set), 및 공정 파라미터의 값들 하에 디바이스 제조 공정에서 처리되는 생산 기판들과 연계된 결함들의 존재에 관한 표시(indication)를 이용하여 분류 모델(classification model)을 트레이닝하는 단계; 및기판에 대한 결함의 예측을 나타내는 분류 모델로부터의 출력을 생성하는 단계를 포함한다.본 명세서에서, 분류 모델을 트레이닝하는 방법이 개시되고, 상기 방법은:분류 모델을 이용하여 기판의 결함을 예측하는 단계 -상기 분류 모델은 독립 변수로서, 리소그래피로 노광되는 기판들에 대한 디바이스 제조 공정의 공정 파라미터 및/또는 리소그래피 장치를 이용하여 기판에 제공될 패턴의 레이아웃 파라미터를 가짐- ;공정 파라미터 및/또는 레이아웃 파라미터의 측정된 또는 결정된 값에 대해 결함의 존재에 관한 정보를 수신하는 단계; 및예측된 결함, 및 공정 파라미터 및/또는 레이아웃 파라미터의 측정된 또는 결정된 값에 대한 결함의 존재에 관한 정보에 기초하여 분류 모델을 트레이닝하는 단계를 포함한다.본 명세서에서, 리소그래피 장치에 의해 처리되는 생산 기판들을 수반하는 디바이스 제조 공정에서 결함 예측을 용이하게 하도록 분류 모델을 생성하는 컴퓨터-구현 방법이 개시되고, 상기 방법은 디바이스 제조 공정에 의해 처리되는 복수의 기판들의 공정 파라미터의 측정된 또는 결정된 값들을 포함하는 트레이닝 세트, 및 공정 파라미터의 값들과 연계된 결함들의 존재에 관한 표시를 이용하여 분류 모델을 트레이닝하는 단계를 포함한다.본 명세서에서, 명령어들이 기록되어 있는 컴퓨터 판독가능한 매체를 포함한 컴퓨터 프로그램 제품이 개시되고, 명령어들은 컴퓨터에 의해 실행되는 경우, 본 명세서에 설명된 바와 같은 방법을 구현한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 리소그래피 시스템의 다양한 서브시스템들의 블록 다이어그램;도 2는 디바이스 제조 공정에서 결함들을 예측하는 방법을 개략적으로 도시하는 도면;도 3은 시뮬레이션 모델들의 블록 다이어그램;도 4는 레이아웃의 공정 윈도우(process window)의 예측을 개략적으로 나타내는 도면;도 5는 일 실시예에 따른, 디바이스 제조 공정에서 결함들을 예측하는 방법을 개략적으로 도시하는 도면;도 6은 분류 모델을 재트레이닝(retrain)시키는 방법을 개략적으로 도시하는 도면;도 7은 트레이닝 세트에 의해 트레이닝된 바와 같은 예시적인 분류 모델을 나타내는 도면;도 8은 예시적인 컴퓨터 시스템의 블록 다이어그램;도 9은 모델 예측 제어 시스템의 블록 다이어그램;도 10은 리소그래피 투영 장치의 개략적인 다이어그램;도 11은 또 다른 리소그래피 투영 장치의 개략적인 다이어그램;도 12는 도 11의 장치의 더 상세한 도면; 및도 13은 리소그래피 셀 또는 클러스터(cluster)의 일 실시예를 개략적으로 도시하는 도면이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 명세서에서는, IC의 제조에 있어서 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 기재내용은 다수의 다른 가능한 적용예들을 갖는다는 것을 명확히 이해하여야 한다. 예를 들어, 이는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 액정 디스플레이 패널, 박막 자기 헤드 등의 제조 시에 채택될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "마스크", "기판" 및 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 교환가능한 것으로 간주되어야 한다는 것을 이해할 것이다.본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm의 파장을 갖는) 자외 방사선 및 EUV(예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는 극자외 방사선)를 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄하는 데 사용된다.본 명세서에서 사용되는 바와 같은 "최적화하는" 및 "최적화"라는 용어는 (예를 들어, 리소그래피의) 디바이스 제작 결과들 및/또는 공정들이 기판 상의 디자인 레이아웃들의 더 정확한 투영, 더 큰 공정 윈도우 등과 같은 1 이상의 바람직한 특성들을 갖도록 장치, 예를 들어 리소그래피 투영 장치를 조정하는 것을 의미한다.간략한 도입부로서, 도 1은 예시적인 리소그래피 투영 장치(10A)를 나타낸다. 주요 구성요소들은 심자외선 엑시머 레이저 소스(deep-ultraviolet excimer laser source) 또는 극자외선(EUV) 소스를 포함한 다른 형태의 소스일 수 있는 방사선 소스(12A)(앞서 언급된 바와 같이, 리소그래피 투영 장치 자체가 방사선 소스를 가질 필요는 없음)로부터의 방사선을 형상화하는 광학기(14A, 16Aa 및 16Ab)를 포함할 수 있고, (시그마로서 표시된) 부분 간섭성(partial coherence)을 정의하는 조명 광학기; 및 기판 평면(22A) 상으로 패터닝 디바이스(18A)의 패터닝 디바이스 패턴의 이미지를 투영하는 광학기(16Ac)를 포함한다. 투영 광학기의 퓨필 평면에서의 조정가능한 필터 또는 어퍼처(aperture: 20A)가 기판 평면(22A)에 부딪치는 빔 각도들의 범위를 제한할 수 있으며, 이때 가능한 최대 각도는 투영 광학기의 개구수(numerical aperture)를 정의한다[NA = sin(Θmax)].리소그래피 투영 장치에서, 투영 광학기는 소스로부터 패터닝 디바이스를 통해 기판 상으로 조명을 지향하고 형상화한다. "투영 광학기"라는 용어는, 본 명세서에서 방사선 빔의 파면을 변경할 수 있는 여하한의 광학 구성요소를 포함하는 것으로 폭넓게 정의된다. 예를 들어, 투영 광학기는 구성요소들(14A, 16Aa, 16Ab 및 16Ac) 중 적어도 일부를 포함할 수 있다. 에어리얼 이미지(aerial image: AI)는 기판 레벨에서의 방사선 세기 분포이다. 기판 상의 레지스트 층이 노광되고, 그 안에 잠재적인 "레지스트 이미지"(RI)로서 에어리얼 이미지가 레지스트 층으로 전사된다. 레지스트 이미지(RI)는 레지스트 층에서 레지스트의 가용성의 공간 분포로서 정의될 수 있다. 에어리얼 이미지로부터 레지스트 이미지를 계산하기 위해 레지스트 모델이 사용될 수 있으며, 이 예시는 미국 특허 출원 공개공보 US 2009-0157630호에서 찾아볼 수 있고, 이는 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다. 레지스트 모델은 레지스트 층의 속성들[예를 들어, 노광, 노광후 베이크(PEB) 및 현상 시 일어나는 화학 공정들의 효과들]에만 관련된다. 리소그래피 투영 장치의 광학적 속성들(예를 들어, 소스, 패터닝 디바이스 및 투영 광학기의 속성들)은 에어리얼 이미지를 결정하고, 광학 모델에서 정의될 수 있다. 리소그래피 투영 장치에서 사용되는 패터닝 디바이스는 바뀔 수 있기 때문에, 패터닝 디바이스의 광학적 속성들을 적어도 소스 및 투영 광학기를 포함한 리소그래피 투영 장치의 나머지의 광학적 속성들과 분리하는 것이 바람직하다.도 13에 나타낸 바와 같이, 리소그래피 장치(LA)는 때때로 리소셀(lithocell) 또는 리소클러스터라고도 칭하는 리소그래피 셀(LC)의 일부분을 형성할 수 있으며, 이는 기판에 1 이상의 노광-전(pre-exposure) 및 노광-후 공정들을 수행하는 장치를 포함한다. 통상적으로, 이들은 레지스트 층을 증착시키는 1 이상의 스핀 코터(spin coater: SC), 노광된 레지스트를 현상하는 1 이상의 디벨로퍼(developer: DE), 1 이상의 칠 플레이트(chill plate: CH) 및 1 이상의 베이크 플레이트(bake plate: BK)를 포함한다. 기판 핸들러 또는 로봇(RO)이 입력/출력 포트들(I/O1, I/O2)로부터 기판을 집어올리고, 상기 기판을 상이한 공정 디바이스들 사이에서 이동시키며, 이를 리소그래피 장치의 로딩 베이(loading bay: LB)로 전달한다. 흔히 집합적으로 트랙이라고도 하는 이러한 디바이스들은, 리소그래피 제어 유닛(LACU)을 통해 리소그래피 장치를 제어하는 감독 제어 시스템(supervisory control system: SCS)에 의해 자체 제어되는 트랙 제어 유닛(TCU)의 제어를 받는다. 따라서, 스루풋과 처리 효율성을 최대화하기 위해 상이한 장치가 작동될 수 있다. 또한, 리소그래피 셀(LC)은 기판을 에칭하는 1 이상의 에처(etcher) 및 기판의 파라미터를 측정하도록 구성된 1 이상의 측정 디바이스를 포함할 수 있다. 측정 디바이스는 기판의 물리적 파라미터를 측정하도록 구성된 광학 측정 디바이스, 예컨대 스케터로미터, 주사전자현미경 등을 포함할 수 있다. 측정 디바이스는 리소그래피 장치(LA)에 통합될 수 있다. 본 발명의 일 실시예가 감독 제어 시스템(SCS) 및/또는 리소그래피 제어 유닛(LACU)에서 또는 이와 구현될 수 있다. 예를 들어, 감독 제어 시스템(SCS) 및/또는 리소그래피 제어 유닛(LACU)으로부터의 데이터가 본 발명의 일 실시예에 의해 사용될 수 있으며, 본 발명의 일 실시예로부터의 1 이상의 신호가 감독 제어 시스템(SCS) 및/또는 리소그래피 제어 유닛(LACU)에 제공될 수 있다.도 2는 디바이스 제조 공정에서 결함들을 예측하는 방법을 개략적으로 도시한다. 결함은 네킹(necking), 라인 풀백(line pull back), 라인 시닝(line thinning), CD, 오버래핑(overlapping) 및 브리징(bridging)과 같은 시스템적 결함(systematic defect)일 수 있으며; 또한, 결함은 먼지 입자와 같은 입자의 침착에 의해 야기되는 바와 같은 랜덤 결함(random defect)일 수 있다. 시스템적 결함은 예측되고 제어될 수 있다. 결함은 레지스트 이미지, 광학 이미지 또는 에칭 이미지(즉, 마스크로서 레지스트를 이용하여 에칭함으로써 기판의 층으로 전사되는 패턴)에 있을 수 있다. 결함들(214)을 예측(예를 들어, 이의 존재, 위치, 타입, 형상 등을 예측)하기 위해 연산(computational) 또는 실험적 모델(213)이 사용될 수 있다. 모델(213)은 디바이스 제조 공정의 파라미터들(211)(공정 파라미터라고도 함) 및/또는 레이아웃 파라미터들(212)을 고려할 수 있다. 공정 파라미터들(211)은 디바이스 제조 공정과 연계된 파라미터들이며, 레이아웃과 연계되지는 않는다. 예를 들어, 공정 파라미터들(211)은 소스의 특성(세기, 퓨필 프로파일 등), 투영 광학기의 특성, 도즈, 포커스, 레지스트의 특성, 레지스트의 현상의 특성, 레지스트의 노광후 베이킹의 특성, 및/또는 에칭의 특성을 포함할 수 있다. 레이아웃 파라미터들(212)은 레이아웃 상의 다양한 피처들의 형상, 크기, 상대 위치 및 절대 위치, 및 상이한 레이아웃들 상의 피처들의 오버래핑을 포함할 수 있다. 모델(213)은 고정된 모델일 수 있으며, 즉 모델 자체가 공정 파라미터들(211) 및 레이아웃 파라미터들(212)과 같은 입력에 따라 변화하지 않는다. 즉, 고정된 모델의 결과는 동일한 입력 하에 항상 동일하다. 실험적 모델에서, 이미지(예를 들어, 레지스트 이미지, 광학 이미지, 에칭 이미지)는 시뮬레이션되지 않는다; 대신에, 실험적 모델은 입력과 결합들 간의 상관관계들에 기초하여 결함들을 예측한다. 연산 모델에서는, 이미지의 특성 또는 일부분이 계산되고, 상기 부분 또는 특성에 기초하여 결함들이 식별된다. 예를 들어, 라인 풀백 결함은 그 바람직한 위치로부터 너무 멀리 있는 라인 단부를 발견함으로써 식별될 수 있다; 브리징 결함은 두 라인들이 바람직하지 않게 합쳐지는 위치를 발견함으로써 식별될 수 있다.도 3은 예시적인 연산 모델을 나타낸다. 소스 모델(31)이 소스의 광학적 특성들(방사선 세기 분포 및/또는 위상 분포를 포함함)을 나타낸다. 투영 광학기 모델(32)이 투영 광학기의 광학적 특성들(투영 광학기에 의해 야기된 방사선 세기 분포 및/또는 위상 분포에 대한 변화들을 포함함)을 나타낸다. 디자인 레이아웃 모델(35)이 패터닝 디바이스에 의해 형성되는, 또는 패터닝 디바이스 상의 피처들의 일 구성을 나타내는 디자인 레이아웃의 광학적 특성들(주어진 디자인 레이아웃에 의해 야기된 방사선 세기 분포 및/또는 위상 분포에 대한 변화들을 포함함)을 나타낸다. 소스 모델(31), 투영 광학기 모델(32) 및 디자인 레이아웃 모델(35)로부터 에어리얼 이미지(36)가 시뮬레이션될 수 있다. 레지스트 및/또는 에칭 모델(37)을 이용하여 에어리얼 이미지(36)로부터 레지스트 및/또는 에칭 이미지(38)가 시뮬레이션될 수 있다. 리소그래피의 시뮬레이션은, 예를 들어 이미지 내의 윤곽들 및/또는 CD들을 예측할 수 있다.더 명확하게는, 소스 모델(31)은 시그마(σ) 세팅들 및 여하한의 특정 조명 소스 형상(예를 들어, 환형, 쿼드러폴 및 다이폴 등과 같은 오프-액시스 방사선 소스들)을 포함하는 소스의 광학적 특성들을 나타낼 수 있으며, 이에 제한되지는 않는다. 투영 광학기 모델(32)은 수차, 왜곡, 굴절률, 물리적 크기, 물리적 치수 등을 포함하는 투영 광학기의 광학적 특성들을 나타낼 수 있다. 또한, 디자인 레이아웃 모델(35)은, 예를 들어 본 명세서에서 그 전문이 인용참조되는 미국 특허 제 7,587,704호에서 설명되는 바와 같은 물리적 패터닝 디바이스의 물리적 특성들을 나타낼 수 있다. 시뮬레이션의 목적은, 예를 들어 이후 의도된 디자인과 비교될 수 있는 에지 배치들, 에어리얼 이미지 세기 기울기들, 및 CD들을 정확히 예측하는 것이다. 의도된 디자인은 일반적으로 전-OPC 디자인 레이아웃으로서 정의되며, 이는 GDSII 또는 OASIS와 같은 표준화된 디지털 파일 포맷 또는 다른 파일 포맷으로 제공될 수 있다.도 4는 레이아웃의 공정 윈도우(즉, 실질적으로 레이아웃에 시스템적 결함들이 없는 공정 파라미터들의 공간)의 예측을 개략적으로 나타낸다. 레이아웃(411 내지 413)의 상이한 타입의 결함들(예를 들어, 라인 풀백, CD, 네킹 등)에 대해 레이아웃 내의 피처들에 대한 (실험적 또는 연산) 모델을 이용하여 [비해칭 영역(unhatched area)들로서 도시된] 서브-공정 윈도우들(421 내지 423)이 예측될 수 있다. 예를 들어, 서브-공정 윈도우(421)에서의 공정은 이 피처들 사이에서 라인 풀백 결함들을 생성하지 않는다. 모든 피처들의, 및 모든 타입의 결함들에 대한 서브-공정 윈도우들은 레이아웃의 공정 윈도우(430)를 형성하도록 병합될 수 있다.도 5는 일 실시예에 따른, 디바이스 제조 공정에서 결함들을 예측하는 방법을 개략적으로 도시한다. [분류기(classifier)로도 알려진] 분류 모델(513)이 결함들(514)을 예측(예를 들어, 이의 존재, 위치, 형태, 형상 등을 예측)하는 데 사용될 수 있다. 모델(513)은 공정 파라미터들(511) 및/또는 레이아웃 파라미터들(512)을 고려할 수 있다. 공정 파라미터들(511)은 디바이스 제조 공정과 연계된 파라미터들이며, 레이아웃과는 연계되지 않는다. 예를 들어, 공정 파라미터들(511)은 소스의 특성(예를 들어, 세기, 퓨필 프로파일 등), 투영 광학기의 특성, 도즈, 포커스, 레지스트의 특성, 레지스트의 현상의 특성, 레지스트의 노광후 베이킹의 특성, 및/또는 에칭의 특성을 포함할 수 있다. 레이아웃 파라미터들(512)은 레이아웃 상의 다양한 피처들의 형상, 크기, 상대 위치 및 절대 위치, 및 상이한 레이아웃들 상의 피처들의 오버래핑을 포함할 수 있다."분류기" 또는 "분류 모델"이라는 용어는 때때로 입력 데이터를 카테고리로 매핑(map)하는 분류 알고리즘에 의해 구현된 수학적 함수를 칭한다. 기계 학습 및 통계에서, 분류는 카테고리 멤버십(category membership)이 알려진 관측들(observations)[또는 사례(instance)들]을 포함한 데이터의 트레이닝 세트에 기초하여, 새로운 관측이 카테고리들(서브-집단들)의 세트 중 어디에 속하는지를 식별하는 문제이다. 개별적인 관측들이 다양한 설명 변수들, 피처들 등으로 알려진 정량화가능한 속성들의 세트로 분석된다. 이 속성들은 다양하게 카테고리에 속할 수 있다[예를 들어, "우수(good)" - 결함들을 생성하지 않는 공정, 또는 "열악(bad)" - 결함들을 생성하는 공정]. 분류는 지도 학습(supervised learning), 즉 올바르게 식별된 관측들의 트레이닝 세트가 이용가능한 학습의 사례로 간주된다.분야에 걸친 전문용어는 아주 다양하다. 통계에서, 분류가 로지스틱 회귀(logistic regression) 또는 유사한 절차로 행해질 수 있는 경우, 관측들의 속성들은 설명 변수(또는 독립 변수, 회귀자 등)라 칭해지며, 예측될 카테고리들은 결과들로서 알려지고, 이들은 종속 변수의 가능한 값들로 간주된다. 기계 학습에서, 관측들은 흔히 설명 변수들이 (피처 벡터로 그룹화된) 피처들로 칭해지는 경우들로서 알려지며, 예측될 가능한 카테고리들은 클래스(class)들이다.분류 모델은 내적(dot product)을 이용하여 가중치의 벡터와 사례의 피처 벡터를 조합함으로써 각각의 가능한 카테고리(k)에 스코어(score)를 할당하는 선형 함수의 항으로 표현될 수 있다. 예측된 카테고리는 최고 스코어를 갖는 것이다. 이 타입의 스코어 함수는 선형 예측자 함수로서 알려지고, 다음의 일반적인 형태를 갖는다: score(Xi,k) = βk·Xi, 이때 Xi는 사례(i)에 대한 피처 벡터이고, βk는 카테고리(k)에 대응하는 가중치의 벡터이며, 스코어(Xi,k)는 카테고리(k)에 사례(i)를 할당하는 것과 연계된 스코어이다. 이 기본 설정을 갖는 모델들은 선형 분류기들로서 알려진다. 이러한 알고리즘들의 예시들은 로지스틱 회귀, 다항 로짓(multinomial logit), 프로빗 회귀(probit regression), 퍼셉트론 알고리즘(perceptron algorithm), 서포트 벡터 머신(support vector machines), 임포트 벡터 머신(import vector machines) 및/또는 선형 판별 분석(linear discriminant analysis)이다.일 실시예에서, 분류 모델(513)은 로지스틱 회귀를 수반한다. 이 실시예의 맥락에서, 종속 변수는 이항(binary)이다 -- 즉, 이용가능한 카테고리들의 수가 2 개 - 예를 들어, "우수" 또는 "열악"이다. 하지만, 이용가능한 카테고리들의 수는 확실히 2 개에 제한되지는 않는다.로지스틱 회귀는 종속 변수의 예측된 값들로서 확률을 이용함으로써, 카테고리의 종속 변수와 일반적으로(필수적이진 않음) 연속인 1 이상의 독립 변수 간의 관계를 측정한다. 분류 모델(513)은 1 이상의 공정 및/또는 레이아웃 파라미터들을 포함한 데이터의 트레이닝 세트를 이용하여, 공정 및/또는 레이아웃 파라미터들이 결함들을 생성하든지(즉, "열악") 생성하지 않든지(즉, "우수") 트레이닝될 수 있다. 초기 트레이닝 세트는 파라미터들의 다양한 값들 하에 레이아웃의 1 이상의 시험 실행(test run)으로부터 얻어질 수 있다.일 실시예에서, 분류 모델(513)은 커널 로지스틱 회귀(kernel logistic regression)를 수반하고, 이는 특히 스코어 함수가 score(Xi,k) = βk·Xi -이때, Xi는 사례(i)에 대한 피처 벡터이고, βk는 카테고리(k)에 대응하는 가중치의 벡터이며, 스코어(Xi,k)는 카테고리(k)에 사례(i)를 할당하는 것과 연계된 스코어임- 의 선형 형태로 표현될 수 없는 경우이다. 커널이 우선 독립 변수들(예를 들어, 공정 파라미터들)을 또 다른 파라미터 공간으로 투영하는 데 사용되어: Φ:X → Y, score(Xi,k) = βk·Yi -이때, Yi = Φ(Xi)- 가 되도록 할 수 있다.또한, 도 5에 예시된 방법은 보정 단계(515)를 포함할 수 있고, 여기에서 1 이상의 공정 파라미터(511), 1 이상의 레이아웃 파라미터(512), 또는 둘 모두가 결함들을 감소시키거나 제거하도록 조정될 수 있다.일 실시예에서, 모델(513)은 고정된 모델이 아니다. 대신에, 모델(513)은 리소그래피 장치의 사용자로부터, 또는 또 다른 모델(예를 들어, 또 다른 실험적 모델 또는 연산 모델)로부터, 메트롤로지로부터의 데이터(516), 수율 데이터(예를 들어, 전자 현미경과 같은 측정 툴에 의한, 전기적 테스팅에 의한, 등의 기타 방식에 의한 결함들의 식별) 또는 다른 데이터로 개량(refine)될 수 있다. 모델(513)은 추가 데이터를 이용하여 1 이상의 기판 및/또는 1 이상의 다이의 노광 후에 개량될 수 있다.데이터(516)는 디바이스 제조 공정에 의해 처리되는 복수의 생산 기판들과 연계된 공정 파라미터의 측정된 또는 결정된 값들을 포함할 수 있다. 생산 기판들은 1 이상의 생산 스테이지에서의 1 이상의 디바이스를 갖는 기판들이다. 예를 들어, 생산 기판들은 1 이상의 디바이스에 대한 레지스트 이미지를 갖는 기판들일 수 있다. 이러한 기판들에 대한 공정 파라미터의 값들은 리소그래피 장치로부터의 데이터(예를 들어, 장치 세팅들 및/또는 리소그래피 장치 센서 데이터) 및/또는 메트롤로지 데이터(예를 들어, 레지스트 이미지의 물리적 파라미터들을 측정하는 전용 광학 측정 디바이스에 의해 제공됨)를 포함할 수 있다. 또 다른 예시로서, 생산 기판들은 에칭된 피처들 및/또는 기능 디바이스들을 갖는 피처들을 갖는 기판들일 수 있다. 이러한 기판들에 대한 공정 파라미터의 값들은 에칭 툴로부터의 데이터(예를 들어, 에칭 툴 세팅들 및/또는 에칭 툴 센서 데이터), 메트롤로지 데이터(예를 들어, 주사전자현미경에 의해 제공됨) 및/또는 수율 데이터(예를 들어, 예상 디바이스와 생산 디바이스를 비교하는 측정 툴, 디바이스들의 전기적 테스팅 등으로부터의 결함 분석)를 포함할 수 있다. 또한, 디바이스 제조 공정은 기판으로부터 디바이스까지의 전체 공정 또는 그 일부분을 수반할 수 있다. 예를 들어, 디바이스 제조 공정은 단지 리소그래피 패터닝 공정일 수 있고, 또는 또 다른 디바이스 제조 절차들과 조합될 수 있다. 일 실시예에서, 디바이스 제조 공정은 단지 에칭 공정일 수 있고, 또는 또 다른 디바이스 제조 절차와 조합될 수 있다. 에칭 상황에서, 디바이스 제조 공정은 리소그래피 장치를 수반하는데, 이는 에칭 장치에 의해 처리되는 기판들이 리소그래피 장치를 수반하는 리소그래피 패터닝 절차에 의해 패터닝되었기 때문이다.일 실시예에서, 공정 파라미터의 값들 하에 디바이스 제조 공정에서 처리되는 생산 기판들과 연계된 결함들의 존재에 관한 표시가 제공된다. 따라서, 일 실시예에서, 공정 파라미터의 측정된 또는 결정된 값들 각각이 결함의 존재에 관한 표시와 연계된다. 예를 들어, 결함들의 존재에 관한 표시는 결함의 존재 또는 부재를 나타내는 여하한의 라벨(label)일 수 있다. 예를 들어, 라벨은 "우수" 및/또는 "열악"일 수 있다. 라벨은 적용가능한 툴을 이용하여 자동으로 결정되거나, 사용자에 의해 적용될 수 있다. 예를 들어, 기판의 전자적 테스팅이 디바이스 내의 결함을 식별하고, 디바이스 "우수" 또는 "열악"을 라벨링할 수 있다. 그 테스팅된 기판은 공정 파라미터의 값과 연계된다. 일 예시에서, 수율이 소정 임계치 아래인 경우, 공정 파라미터(511) 및/또는 레이아웃 파라미터(512)의 연계된 값들은 "열악"으로 라벨링/카테고리화될 수 있다. 공정 파라미터(예를 들어, 도즈 및 포커스)의 값 및 라벨의 조합은 모델(513)을 트레이닝하는 데 사용된다.메트롤로지로부터의 데이터는 광학 측정 툴(예를 들어, 메트롤로지 타겟으로부터, 및/또는 노광된 영역으로부터 회절 방사선을 측정하는 툴), 전자 현미경, 또는 다른 적절한 검사 툴로부터 얻어질 수 있고, 레벨 센서와 같은 리소그래피 장치 내의 센서에 의해 측정된 데이터 또는 정렬 데이터일 수 있다.일 실시예에서, 모델(513)의 개량은 메트롤로지로부터의 데이터(516), 수율 데이터 또는 리소그래피 장치의 사용자 또는 또 다른 모델로부터의 다른 데이터, 및 1 이상의 다이 및/또는 1 이상의 기판의 노광 시 사용되는 1 이상의 공정 파라미터들 또는 공정 및 레이아웃 파라미터들의 새로운 관측을 포함한 트레이닝 세트로의 트레이닝을 포함할 수 있다. 모델(513)을 개량하는 데 사용되는 트레이닝 세트는 모델(513)을 트레이닝하기 위해 앞서 사용된 모든 데이터를 반드시 포함하지는 않을 수 있다. 예를 들어, 모델(513)이 초기에 100 개의 관측들을 포함한 데이터 세트로 트레이닝되는 경우, 이 트레이닝 세트는 100 개의 관측들 중 99 개 및 새로운 관측을 포함할 수 있다. 이 접근법은 트레이닝의 연산 비용을 제한히기 위해 트레이닝 세트의 크기를 제한할 수 있다. 데이터 세트의 크기를 관리, 또는 지속적으로 관리하기 위해 1 이상의 알고리즘이 사용될 수 있다. 예를 들어, 임포트 벡터 머신 또는 서포트 벡터 머신이 데이터 세트의 크기를 관리하는 데 사용될 수 있다.도 6은 모델(513)과 같은 분류 모델을 트레이닝하는 방법을 개략적으로 도시한다. 단계 611에서, 분류 모델의 독립 변수들로서 디바이스를 형성하는 데 사용되는 1 이상의 공정 및/또는 레이아웃 파라미터들을 갖는 분류 모델을 이용하여, 예를 들어 디바이스의 레지스트 또는 광학 이미지에서 디바이스의 결함이 예측된다. 단계 612에서, 디바이스, 예를 들어 레지스트 또는 광학 이미지가 또 다른 모델(예를 들어, 실험적 또는 연산) 시뮬레이션되거나, 또는 예를 들어 적절한 검사 툴을 이용하여 레지스트 이미지 또는 에칭된 패턴이 측정되고, 결함들의 존재, 형상, 형태, 및/또는 위치가 결정된다. 단계 613에서, 모델은 시뮬레이션 또는 측정으로부터 결정된 바와 같은 결함들의 예측 및 존재에 기초하여 트레이닝된다.도 7은 포커스 및 도즈의 쌍들이 결함들을 생성하든지 관계없이, 공정 파라미터들로서 포커스(수직축) 및 도즈(수평축)의 쌍들을 포함한 187 개의 관측들을 포함한 트레이닝 세트에 의해 트레이닝된 바와 같은 분류 모델의 예시적인 출력을 나타낸다("Ｏ"는 결함이 없음, 예를 들어 "우수"를 의미하고; "Ｘ"는 결함, 예를 들어 "열악"을 의미함). 결함의 확률은 트레이닝 후 모델에 의해 결정되며, 도 7의 출력에서 윤곽 라인(contour line)들과 연계된 확률들을 갖는 이소플레트 맵(isopleth map)으로서 나타내어진다. 이해하는 바와 같이, 모델의 출력은 색 또는 그레이 스케일 또는 결과들의 테이블과 같은 다른 형태들일 수 있다. 모델의 출력은 트레이닝 세트와 합리적으로 잘 매칭한다.따라서, 일 실시예에서, 리소그래피 장치를 수반하는 디바이스 제조 공정의 인라인 학습(in-line learning)이 제공된다. 즉, 생산 기판들과 연계된 1 이상의 공정 파라미터(예를 들어, 도즈 및/또는 포커스)의 새로운 측정된 또는 결정된 값들 및 이러한 1 이상의 공정 파라미터와 연계된 결함의 표시로 계속해서 또는 규칙적으로 트레이닝되는 분류 모델이 생성된다. 따라서, 일 실시예에서, 리소그래피 장치 및/또는 디바이스 제조 공정에 특유한 모델이 생성되며, 이는 리소그래피 장치의 사용 및/또는 디바이스 제조 공정을 이용한 기판들의 처리에 따라 시간에 걸쳐 발달한다. 따라서, 일 실시예에서, 디바이스 제조 공정(예를 들어, 특정 패터닝 디바이스 레이아웃을 이용하는 특정 디바이스 제조 공정)을 나타내는 모델을 생성하고 후속하여 형상화하기 위해 실험적 데이터가 사용된다.실험적 데이터로 인해, 데이터 해석이 거의 필요하지 않을 수 있다. 예를 들어, 이러한 공정은 구조체들 및 에지 기울기들을 추출하기 위해 퓨필 세기 맵을 해석한 후 모델을 개선하기 위해 데이터를 이용하기보다는, 분류 모델을 트레이닝함에 있어서 메트롤로지 툴의 이러한 퓨필 세기 맵을 직접 사용할 수 있다. 예를 들어, 학습 기술들이 이미 학습된 모델에 기초하여 퓨필 세기 맵으로부터 결함의 존재 확률을 관련시킬 수 있고, 이에 따라 퓨필 세기 맵으로부터의 데이터가 결함의 존재(또는 부재)를 확신하도록 도울 수 있다. 따라서, 일 실시예에서, 이러한 데이터는 그 자체로 연계된 라벨을 가질 필요가 없지만, 그럼에도 불구하고 결함이 발생할지를 예측하는 모델의 능력을 증가시키기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 퓨필 세기 맵은 파라미터의 인접한 값들과 다른 파라미터 값을 갖는 피처를 나타낼 수 있다. 결함을 반드시 확인하지는 않지만, 이러한 정보는 그 피처 및 결함 확률에 관한 모델에서의 기존 상관관계를 확신하거나 부정하도록 돕기 위해 모델을 트레이닝하는 데 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 측정들은 예를 들어 광학 측정 툴의 측정 퓨필을 이용하여 디바이스 레이아웃들로 이루어진다. 이에 따라, 특수한 구조체들(예를 들어, 메트롤로지 타겟들)이 필요하지 않을 수 있다; 디바이스 레이아웃 구조체들(예를 들어, 로직/MPU 디바이스들 내의 SRAM 셀-블록들)과 같은 여하한의 구조체가 행할 수 있다.일 실시예에서, 조작자 지식/경험이 분류기 모델의 형성에 대한 입력으로서 사용될 수 있다. 조작자 피드백이 모델의 예측가능성을 이끌 수 있다. 예를 들어, 사용자는 분류 알고리즘으로 더 많은 예측 피처들을 추가할 수 있다.일 실시예에서, 분류기 모델은 특정한 측정된 또는 결정된 피처들에 주어진 결함의 확률을 발생시킬 수 있다. 또한, 예측의 정확성은 시간에 따라, 및 더 많은 측정에 따라 증가하는데, 이는 분류기 모델이 더 "경험있게" 되기 때문이다. 이 인라인 학습은, 통상적으로 왜 잘못되었는지를 검토하는 데 사용되는 소위 데이터 마이닝(data mining)과 구별된다. 일 실시예에서, 인라인 데이터는 공정이 진행함에 따라 발생하는 결함의 확률을 예측할 수 있는 모델을 생성하고, 후속하여 이를 업데이트하기 위해 사용된다. 따라서, 모델의 출력은 무엇이 점검되고 어느 기판 다이가 측정되는지의 표시기(indicator)를 제공하여, 모두 잘 진행되는지를 확인하고 - 이에 따라 전반적인 수율을 개선할 수 있다.일 실시예에서, 디바이스 제조 공정은 분류기 모델을 이용하여 제어될 수 있다. 인라인 학습은 공정(예를 들어, 드리프트)의 추적을 허용하고, 공정의 튜닝(제어)을 허용한다. 예를 들어, 리소그래피 장치의 1 이상의 파라미터가 자동이든 사용자 평가 이후든, 분류기 모델의 출력에 기초하여 제어될 수 있다. 예를 들어, 리소그래피 투영 장치의 포커스 및/또는 도즈가 출력에 기초하여 제어될 수 있다.일 실시예에서, 분류기 모델은 (예를 들어, 단순히 필드내 데이터가 아닌) 기판 전체에 걸친 측정들을 통합한다. 따라서, 측정들은 국부적 기판 차이들이 비교적 클 수 있기 때문에 포커스를 통해 정보수집(data)할 수 있다. 따라서, 복수의 상이한 기판으로부터의 측정들에 의존하는 것을 통해, 특정한 도즈에서 별도 노광들을 발생시킬 필요 없이 완전히 포커스를 통해 측정하는 것이 가능하다.일 실시예에서, 설명은 포커스 및 도즈와 같은 리소그래피 파라미터들에 초점을 맞추지만, 학습 패러다임은 에칭과 같은 다른 공정들로 쉽게 확장될 수 있다. 예를 들어, 에칭 피처들 및 수율 간의 관계가 학습될 수 있으며, 이는 또한 인라인 메트롤로지 데이터로 관찰될 수 있다.따라서, 일 실시예에서, 결함을 예측하고 그 확률을 추산할 수 있는 학습 분류기 모델이 제공된다. 또한, 일 실시예에서, 학습 분류기는 정적이지 않으며, 지속적으로 업데이트되고, 디바이스 제조 공정 동안 측정된 또는 결정된 데이터에 의해 개선된다. 또한, 분류기 모델은 그 적용범위(coverage)에서 이에 층-두께 변동들, 에칭후 데이터, 조작자 결함 결정 등과 같은 리소그래피와 관련되지 않은 데이터 -이들은 모델의 "경험"을 더 향상시킴- 를 제공함으로써 확장될 수 있다.일 실시예에서, 분류기 모델은 측정되지 않은 데이터 지점들에 대한 결함의 확률의 추산을 개선할 수 있게 한다. 예를 들어, 기판 또는 패턴 레이아웃 상의 위치 A 및 B에서의 결함의 예측에 관심이 있을 수 있다. 분류기 모델은 위치 A 및 B에서의 결함의 발생을 예측할 수 있게 한다. 그 때, 위치 A와 연계된 정보[예를 들어, 메트롤로지 데이터(라벨 데이터를 갖거나 갖지 않음), 수율 데이터 등]를 추가하는 측정이 분류기 모델을 더 트레이닝하는 데 사용될 수 있다. 이제, 위치 B에서 측정할 필요 없이, 위치 A 및 B에서의 결함의 확률의 추산이 결정될 수 있다.일 실시예에서, 분류기 모델 벡터들은 다양한 타입의 정보를 포함할 수 있다. 이에 따라, 예를 들어 분류기 모델은 특정 도즈 및 포커스 조합에 대한 결함의 확률에 관한 데이터를 포함할 수 있으며, 또한 어떠한 1 이상의 장치가 그 데이터 지점과 연계되는지, 어떠한 패턴 레이아웃이 그 데이터 지점과 연계되는지, 어떠한 에칭 타입이 사용되었는지 등에 관한 데이터도 포함한다. 이에 따라, 일 실시예에서, 분류기 모델은 제한되고 특정한 데이터(예를 들어, 단순히 도즈 및 포커스 정보 및 연계된 라벨)에 대해 트레이닝되거나, 또는 포괄절인 데이터 또는 사이에서의 약간의 변형에 대해 트레이닝될 수 있다. 이에 따라, 더 포괄적인 모델로부터, "서브모델"이 특정 장치(예를 들어, 리소그래피 장치), 특정 레이아웃 등에 초점을 맞춘 모델로부터 정의될 수 있다. 따라서, 예를 들어 분석을 위해서든 공정 제어를 위해서든, 사용자가 원하는 대로 사용자의 필요 또는 요구에 초점을 맞춘 특정 모델 또는 "서브모델"을 채택할 수 있다.일 실시예에서, 분류기 모델의 트레이닝은 새로운 트레이닝 데이터(예를 들어, 측정된 데이터 지점들)가 모델에 포함되기에 충분한 정보를 추가하는지를 결정한다. 이 새로운 정보를 추가하는 것은 모델이 경계없이 성장하지 않도록 모델의 크기를 증가시키는 것과 균형을 이룬다.일 실시예에서, 분류기 모델은 제품상 프린트가능성(on-product printability) 예측을 제공할 수 있다. 예를 들어, 분류기 모델은 결함의 확률을 정량화할 수 있다. 분류기 모델은 전체 기판 예측들을 제공할 수 있다. 분류기 모델은 많은 결함을 예측할 수 있다. 분류기 모델은 우수한 다이의 수율을 예측할 수 있다. 분류기 모델은 결함의 위치를 제공할 수 있다.일 실시예에서, 분류기 모델에 대한 트레이닝 데이터는 디바이스 제조 공정에 의해 생산되는 로트(lot)의 각 기판에 대해 샘플링될 수 있다. 트레이닝 디바이스 데이터는, 예를 들어 기판들의 로트의 기판 상의 각 디바이스에 대해 샘플링될 수 있다. 트레이닝 데이터는 기판 상의 각 층에 대해 샘플링될 수 있다. 일 실시예에서, 트레이닝 데이터는 측정 데이터를 포함하고, 측정 위치들은 다이-내(in-die)에, 다이 외부에(예를 들어, 스크라이브 라인 메트롤로지 타겟들), 및/또는 기판 전체에 걸쳐 있을 수 있다. 다이-내 측정들은 특정 디바이스 구조체들의 위치(예를 들어, SRAM 및 다른 위치들), 핫스폿들의 시뮬레이션 결과에 기초하여 샘플링될 수 있고, 및/또는 디바이스(예를 들어, IC) 의존적일 수 있다.일 실시예에서, 새로운 트레이닝 데이터가 (예를 들어, 디바이스 제조 동안, 기판들의 복수의 로트들의 공정 동안, 등) 계속해서 공급되고, 이에 따라 예측 품질이 계속해서 업데이트된다.일 실시예에서, 분류기 모델의 출력은 디바이스 수율을 개선하기 위해 팹(fab)의 수율 관리 시스템에 제공될 수 있다.이에 따라, 일 실시예에서, 1 이상의 공정 파라미터 및/또는 레이아웃 파라미터의 값들은 기계 학습에 의해 전체-기판, 제품상 수율 민감도들에 통계적으로 관련된다. 따라서, 예를 들어, 결함들은 다이의 특정 부분들 및/또는 기판의 특정 부분들에 대해 예측될 수 있다. 또한, 결함들은 실제 생산 데이터에 기초하여 실제 생산에 대해 예측될 수 있다. 따라서, 기계 학습 모델은 (예를 들어, 그 드리프트를 포함한) 실제 공정 조건들에 특유할 수 있고, 단순히 패턴 레이아웃 데이터를 이용하는 이론적 모델에만 기초한 예측에 비해 향상된 예측을 가능하게 할 수 있다.따라서, 일 실시예에서, 예를 들어 생산 기판들을 측정하는 메트롤로지 툴로부터의 인라인 및 제품상 파라미터 값들이 프린트가능성 결함들을 추론하는 데 사용되는 포괄적인 결함 검사 및 수율 예측 시스템이 제공된다. 시스템은 시스템적인, 레이아웃-특정 결함들의 프린트가능성을 예측하기 위해 인공 지능 기술들을 이용한다. 이는 단일-다이로부터 기판의 에지 구역을 포함한 전체-기판까지 핫스폿 예측을 확장한다. 일 실시예에서, 시스템은 메트롤로지 툴을 이용하여 로트 내의 각 기판을 측정할 수 있다. 시스템은 현재의 결함-검사 방법들(예를 들어, 주사전자현미경)을 보강하거나 대신할 수 있다. 시스템의 출력은 팹의 수율 관리 시스템 내에 성능 지표(performance indicator)를 포함하여, 최종 디바이스 수율을 예측하고 및/또는 개선할 수 있다. 시스템은 맞춤화된 리소그래피 장치 또는 다른 장치 레시피들 및 파일들을 발생시켜, 예를 들어 동일한 디바이스 및/또는 층의 후속한 로트들(또는 기판들)에서 (자동으로) 수율을 개선할 수 있다. 시스템은 결함들의 지속적인 추산 및 추적을 가능하게 하고, 계속해서 모델 예측 정확성을 개선할 수 있다. 결함들의 발생은 조절(regulation)(예를 들어, 폐쇄-루프 제어)을 통해 감소되거나 최소화될 수 있다.본 명세서에서, 설명된 실시예들의 장점은 더 빠른 수율 램핑(yield ramping), 더 효율적인 SEM 검토, 이력 분석(historical analysis) 및/또는 제어를 포함할 수 있다.도 8은 일 실시예에 따른 모델 예측 제어 시스템의 블록 다이어그램이다. 나타낸 바와 같이, 1 이상의 입력(800)이 리소그래피 장치를 이용하여 패터닝되는 생산 기판들을 수반하는 디바이스 제조 공정(810)에 제공된다. 입력(800)들은 앞서 설명된 바와 같은 1 이상의 레이아웃 파라미터 및/또는 1 이상의 공정 파라미터를 포함할 수 있다. 디바이스 제조 공정(810)은 적어도 하나의 디바이스 생산 단계, 예컨대 리소그래피 패터닝, 현상, 에칭 등, 또는 이들로부터 선택된 여하한의 조합을 수반한다.공정(810)에 후속하여, 또는 공정 동안, 1 이상의 출력(820)이 생성될 수 있다. 출력(820)들은 디바이스 제조 공정을 이용하여 생성된 생산 기판들에 대한 1 이상의 공정 및/또는 레이아웃 파라미터들의 값들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 값들은 메트롤로지 툴에 의해 측정된 생산 기판들의 데이터, 생산 기판들의 처리 후 리소그래피 장치 또는 에칭 툴로부터의 데이터, 등일 수 있다. 일 실시예에서, 데이터의 적어도 일부는 본 명세서에 설명된 바와 같이 라벨링될 수 있다. 이러한 출력(820)들은 상태 추산기(state estimator: 830)에 제공되어, 본 명세서에 설명된 바와 같이 모델을 트레이닝한다. 일 실시예에서, 모델은 결함들을 예측하는 데 사용되지만, 모델이 다른 측면들을 예측하도록 트레이닝될 수도 있다. 나타낸 바와 같이, 상태 추산기(830)는 공정(810)으로의 1 이상의 입력(800)을 수신할 수 있다. 예를 들어, 1 이상의 입력(800)은 레이아웃 데이터 또는 레이아웃 데이터로부터 생성된 데이터일 수 있다. 예를 들어, 레이아웃 데이터로부터 생성된 데이터는 핫스폿들(예를 들어, 올바르게 패터닝되지 않는 경향이 있는 패턴 레이아웃의 영역들)을 식별하는 패턴 레이아웃의 시뮬레이션일 수 있다. 이러한 시뮬레이션된 데이터는 ASML의 Tachyon LMC 제품과 같은 본 기술분야의 시뮬레이션 소프트웨어를 이용하여 생성될 수 있다.그 후, 상태 추산기(830)의 모델은 레귤레이터(regulator: 840)에 출력을 제공하는 데 사용될 수 있다. 레귤레이터(840)는 공정(810)에 1 이상의 입력(800)을 제공하고, 및/또는 공정(810)에 공급될 1 이상의 입력(800)을 변경할 수 있다. 예를 들어, 레귤레이터(840)는 리소그래피 장치, 에칭 툴 등에 대한 1 이상의 세팅들을 발생시켜, 기판들의 추후 생산 시 결함들을 완화하도록 도울 수 있다. 일 실시예에서, 레귤레이터(840)는 레귤레이터(840)가 공정(810)으로의 1 이상의 입력(800)을 어떠한 기준에 대해 도입해야 하는지, 또는 어떠한 기준에 의해 변경해야 하는지를 식별하는 1 이상의 타겟(850)을 수신할 수 있다.도 9는 본 명세서에 개시된 최적화 방법들 및 흐름들을 구현하는 데 도움이 될 수 있는 컴퓨터 시스템(100)을 나타내는 블록 다이어그램이다. 컴퓨터 시스템(100)은 정보를 전달하는 버스(102) 또는 다른 통신 기구, 및 정보를 처리하는 버스(102)와 커플링된 프로세서(104)[또는 다중 프로세서들(104 및 105)]를 포함한다. 또한, 컴퓨터 시스템(100)은 프로세서(104)에 의해 실행될 정보 및 명령어들을 저장 및/또는 공급하는 RAM(random access memory) 또는 다른 동적 저장 디바이스와 같은, 버스(102)에 커플링된 주 메모리(106)를 포함할 수 있다. 주 메모리(106)는 프로세서(104)에 의해 실행될 명령어들의 실행 시 임시 변수(temporary variable)들 또는 다른 매개 정보(intermediate information)를 저장 및/또는 공급하는 데 사용될 수 있다. 또한, 컴퓨터 시스템(100)은 프로세서(104)에 대한 정적 정보 및 명령어들을 저장 및/또는 공급하는 버스(102)에 커플링된 ROM(read only memory: 108) 또는 다른 정적 저장 디바이스를 포함할 수 있다. 정보 및 명령어들을 저장 및/또는 공급하는 자기 디스크 또는 광학 디스크와 같은 저장 디바이스(110)가 제공되고, 버스(102)에 커플링될 수 있다.컴퓨터 시스템(100)은 버스(102)를 통해, 컴퓨터 사용자에게 정보를 보여주는 CRT(cathode ray tube) 또는 평판(flat panel) 또는 터치 패널 디스플레이(touch panel display)와 같은 디스플레이(112)에 커플링될 수 있다. 영숫자 및 다른 키들을 포함한 입력 디바이스(114)는 정보 및 명령 선택(command selection)들을 프로세서(104)로 전달하기 위해 버스(102)에 커플링될 수 있다. 또 다른 형태의 사용자 입력 디바이스는 방향 정보 및 명령 선택들을 프로세서(104)로 전달하고, 디스플레이(112) 상의 커서의 움직임을 제어하는 마우스, 트랙볼(trackball) 또는 커서 방향키와 같은 커서 제어부(cursor control: 116)일 수 있다. 이 입력 디바이스는, 통상적으로 디바이스로 하여금 평면에서의 위치들을 명시하게 하는 2 개의 축선인 제 1 축선(예를 들어, x) 및 제 2 축선(예를 들어, y)에서 2 자유도를 갖는다. 또한, 입력 디바이스로서 터치 패널(스크린) 디스플레이가 사용될 수도 있다.일 실시예에 따르면, 주 메모리(106)에 포함된 1 이상의 명령어들의 1 이상의 시퀀스들을 실행하는 프로세서(104)에 응답하여 컴퓨터 시스템(100)에 의해 최적화 공정의 부분들이 수행될 수 있다. 이러한 명령어들은 저장 디바이스(110)와 같은 또 다른 컴퓨터-판독가능한 매체로부터 주 메모리(106)로 읽혀질 수 있다. 주 메모리(106) 내에 포함된 명령어들의 시퀀스들의 실행은, 프로세서(104)가 본 명세서에 설명된 공정 단계들을 수행하게 한다. 주 메모리(106) 내에 포함된 명령어들의 시퀀스들을 실행하기 위해 다중 처리 구성(multi-processing arrangement)의 1 이상의 프로세서가 채택될 수 있다. 대안적인 실시예에서, 하드웨어에 내장된 회로(hard-wired circuitry)가 소프트웨어 명령어들과 조합하거나 그를 대신하여 사용될 수 있다. 따라서, 본 명세서의 기재내용은 하드웨어 회로와 소프트웨어의 여하한의 특정 조합에 제한되지 않는다.본 명세서에서 사용된 "컴퓨터-판독가능한 매체"라는 용어는 실행을 위해 프로세서(104)에 명령어를 제공하는 데 관여하는 여하한의 매체를 칭한다. 이러한 매체는 비휘발성 매체(non-volatile media), 휘발성 매체 및 전송 매체를 포함하는 다수의 형태를 취할 수 있으며, 이에 제한되지는 않는다. 비휘발성 매체는, 예를 들어 저장 디바이스(110)와 같은 광학 또는 자기 디스크를 포함한다. 휘발성 매체는 주 메모리(106)와 같은 동적 메모리를 포함한다. 전송 매체는 버스(102)를 포함하는 와이어(wire)들을 포함하여, 동축 케이블(coaxial cable), 구리선 및 광섬유(fiber optics)를 포함한다. 또한, 전송 매체는 무선 주파수(RF) 및 적외선(IR) 데이터 통신 시 발생되는 파장들과 같이 음파(acoustic wave) 또는 광파의 형태를 취할 수도 있다. 컴퓨터-판독가능한 매체의 보편적인 형태들은, 예를 들어 플로피 디스크(floppy disk), 플렉시블 디스크(flexible disk), 하드 디스크, 자기 테이프, 여하한의 다른 자기 매체, CD-ROM, DVD, 여하한의 다른 광학 매체, 펀치 카드(punch card), 종이 테이프(paper tape), 홀(hole)들의 패턴을 갖는 여하한의 다른 물리적 매체, RAM, PROM 및 EPROM, FLASH-EPROM, 여하한의 다른 메모리 칩 또는 카트리지(cartridge), 이후 설명되는 바와 같은 반송파(carrier wave), 또는 컴퓨터가 판독할 수 있는 여하한의 다른 매체를 포함한다.다양한 형태의 컴퓨터 판독가능한 매체는 실행을 위해 1 이상의 명령어들의 1 이상의 시퀀스들을 프로세서(104)로 전달하는 데 관련될 수 있다. 예를 들어, 명령어들은 초기에 원격 컴퓨터의 디스크 또는 메모리 상에 저장되어 있을 수 있다(bear). 상기 원격 컴퓨터는 그 동적 메모리로 명령어들을 로딩(load)할 수 있으며, 통신 경로에 걸쳐 명령어들을 보낼 수 있다. 컴퓨터 시스템(100)은 경로로부터 데이터를 수신할 수 있으며, 상기 데이터를 버스(102)에 놓을 수 있다. 버스(102)는, 프로세서(104)가 명령어들을 회수하고 실행하는 주 메모리(106)로 상기 데이터를 전달한다. 주 메모리(106)에 의해 수신된 명령어들은 프로세서(104)에 의한 실행 전이나 후에 저장 디바이스(110)에 선택적으로 저장될 수 있다.컴퓨터 시스템(100)은 버스(102)에 커플링된 통신 인터페이스(118)를 포함할 수 있다. 통신 인터페이스(118)는 네트워크(122)에 연결되는 네트워크 링크(120)에 커플링하여 양방향(two-way) 데이터 통신을 제공한다. 예를 들어, 통신 인터페이스(118)는 유선 또는 무선 데이터 통신 연결을 제공할 수 있다. 여하한의 이러한 구현에서, 통신 인터페이스(118)는 다양한 형태의 정보를 나타내는 디지털 데이터 스트림들을 전달하는 전기적, 전자기적 또는 광학적 신호들을 송신하고 수신한다.통상적으로, 네트워크 링크(120)는 1 이상의 네트워크를 통해 다른 데이터 디바이스에 데이터 통신을 제공한다. 예를 들어, 네트워크 링크(120)는 네트워크(122)를 통해 호스트 컴퓨터(host computer: 124), 또는 ISP(Internet Service Provider: 126)에 의해 작동되는 데이터 장비로의 연결을 제공할 수 있다. 차례로, ISP(126)는 이하 통상적으로 "인터넷"(128)이라고 칭하는 월드와이드 패킷 데이터 통신 네트워크를 통해 데이터 통신 서비스를 제공한다. 네트워크(122) 및 인터넷(128)은 디지털 데이터 스트림을 전달하는 전기적, 전자기적 또는 광학적 신호들을 사용한다. 다양한 네트워크를 통한 신호, 및 컴퓨터 시스템(100)에 또한 그로부터 디지털 데이터를 전달하는 통신 인터페이스(118)를 통한 네트워크 링크(120) 상의 신호는 정보를 이송하는 반송파의 예시적인 형태이다.컴퓨터 시스템(100)은 네트워크(들), 네트워크 링크(120) 및 통신 인터페이스(118)를 통해 프로그램 코드를 포함하는 메시지를 송신하고 데이터를 수신할 수 있다. 인터넷 예시에서는, 서버(130)가 인터넷(128), ISP(126), 네트워크(122) 및 통신 인터페이스(118)를 통해 어플리케이션 프로그램에 대한 요청된 코드를 전송할 수 있다. 예를 들어, 하나의 이러한 다운로드된 어플리케이션은 본 명세서에서 방법을 구현하는 코드에 대해 제공될 수 있다. 수신된 코드는 수신될 때 프로세서(104)에 의해 실행될 수 있고, 및/또는 추후 실행을 위해 저장 디바이스(110) 또는 다른 비휘발성 저장소에 저장될 수 있다. 이러한 방식으로, 컴퓨터 시스템(100)은 반송파의 형태로 어플리케이션 코드를 얻을 수 있다.도 10은 예시적인 리소그래피 투영 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:- 방사선 빔(B)을 컨디셔닝(condition)하는 조명 시스템(IL) -이러한 특정한 경우, 상기 조명 시스템은 방사선 소스(SO)도 포함함- ;- 패터닝 디바이스(MA)(예를 들어, 레티클)를 유지하는 패터닝 디바이스 홀더가 제공되고, 아이템(PS)에 대하여 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키는 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 제 1 대상물 테이블(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);- 기판(W)(예를 들어, 레지스트-코팅된 실리콘 웨이퍼)을 유지하는 기판 홀더가 제공되고, 아이템(PS)에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 제 2 대상물 테이블(기판 테이블)(WT); 및- 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)의 조사된 부분을 이미징하는 투영 시스템(PS)[예를 들어, 굴절, 카톱트릭(catoptric) 또는 카타디옵트릭(catadioptric) 광학 시스템]을 포함한다.본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 투과형으로 구성된다(즉, 투과 마스크를 가짐). 하지만, 일반적으로 상기 장치는 예를 들어 (반사 마스크를 갖는) 반사형으로 구성될 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 전형적인 마스크 사용의 대안예로서 또 다른 종류의 패터닝 디바이스를 채택할 수 있다; 예시들로는 프로그램가능한 거울 어레이 또는 LCD 매트릭스를 포함한다.소스(SO)(예를 들어, 수은 램프 또는 엑시머 레이저)는 방사선 빔을 생성한다. 이 빔은 곧바로, 또는 빔 익스팬더(beam expander)와 같은 컨디셔너를 가로지른 후 조명 시스템(일루미네이터)(IL)으로 공급된다. 일루미네이터(IL)는 상기 빔 내의 세기 분포의 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)를 설정하도록 구성된 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 또한, 이는 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 것이다. 이러한 방식으로, 패터닝 디바이스(MA)에 입사하는 빔(B)은 그 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖는다.도 10과 관련하여, 상기 소스(SO)는 [흔히 상기 소스(SO)가, 예를 들어 수은 램프인 경우와 같이] 리소그래피 투영 장치의 하우징 내에 있을 수 있지만, 그것은 리소그래피 투영 장치로부터 멀리 떨어져 있을 수도 있으며, 그것이 생성한 방사선 빔은 [예를 들어, 적절한 지향 거울(BD)의 도움으로] 장치 내부로 들어올 수 있다는 것을 유의하여야 한다; 이 후자의 시나리오는 흔히 상기 소스(SO)가 [예를 들어, KrF, ArF 또는 F2 레이징(lasing)에 기초한] 엑시머 레이저인 경우이다.이후, 상기 빔(B)은 패터닝 디바이스 테이블(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(MA)를 통과한다(intercept). 패터닝 디바이스(MA)를 가로질렀으면, 상기 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔(B)을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW)[및 간섭계(IF)]의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 상기 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM)는 예를 들어 패터닝 디바이스 라이브러리(patterning device library)로부터의 패터닝 디바이스(MA)의 기계적인 회수 후에 또는 스캔하는 동안, 상기 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키는 데 사용될 수 있다. 일반적으로, 대상물 테이블들(MT, WT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module)(개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module)(미세 위치설정)의 도움으로 실현될 것이며, 이는 도 10에 명확히 도시되지는 않는다.패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1, M2) 및 기판 정렬 마크들(P1, P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있음]. 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다. 또한, 디바이스 피처들 사이에서 다이들 내에 작은 정렬 마커들이 포함될 수도 있으며, 이 경우 마커들은 가능한 한 작고 인접한 피처들과 상이한 여하한의 이미징 또는 공정 조건들을 필요로 하지 않는 것이 바람직하다.도 11은 또 다른 예시적인 리소그래피 투영 장치(1000)를 개략적으로 도시한다. 리소그래피 투영 장치(1000)는:- 소스 컬렉터 모듈(SO);- 방사선 빔(B)(예를 들어, EUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL);- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)(MA)를 지지하도록 구성되고, 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및- 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 반사 투영 시스템)(PS)을 포함한다.본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치(1000)는 (예를 들어, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성된다. 대부분의 재료들이 EUV 파장 범위 내에서 흡수성이기 때문에, 패터닝 디바이스는 예를 들어 몰리브덴 및 실리콘의 다수-스택을 포함한 다층 반사기를 가질 수 있다는 것을 유의하여야 한다. 일 예시에서, 다수-스택 반사기는 40 층의 몰리브덴 및 실리콘 쌍들을 갖는다. 훨씬 더 작은 파장들이 X-선 리소그래피로 생성될 수 있다. 대부분의 재료가 EUV 및 x-선 파장에서 흡수성이기 때문에, 패터닝 디바이스 토포그래피 상의 패터닝된 흡수성 재료의 박편(예를 들어, 다층 반사기 최상부 상의 TaN 흡수재)이 프린트되거나(포지티브 레지스트) 프린트되지 않을(네거티브 레지스트) 피처들의 위치를 정의한다.도 11을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 소스 컬렉터 모듈(SO)로부터 극자외(EUV) 방사선 빔을 수용한다. EUV 방사선을 생성하는 방법들은 EUV 범위 내의 1 이상의 방출선을 갖는 적어도 하나의 원소, 예를 들어 크세논, 리튬 또는 주석을 갖는 재료를 플라즈마 상태로 전환하는 단계를 포함하며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 흔히 레이저 생성 플라즈마("LPP")라고 칭하는 이러한 한 방법에서, 플라즈마는 선-방출 원소를 갖는 재료의 액적(droplet), 스트림 또는 클러스터와 같은 연료를 레이저 빔으로 조사함으로써 생성될 수 있다. 소스 컬렉터 모듈(SO)은 연료를 여기시키는 레이저 빔을 제공하는 레이저(도 11에 나타내지 않음)를 포함한 EUV 방사선 시스템의 일부분일 수 있다. 결과적인 플라즈마는 출력 방사선, 예를 들어 EUV 방사선을 방출하며, 이는 소스 컬렉터 모듈에 배치된 방사선 컬렉터를 이용하여 수집된다. 예를 들어, CO2 레이저가 연료 여기를 위한 레이저 빔을 제공하는 데 사용되는 경우, 상기 레이저 및 소스 컬렉터 모듈은 별도의 개체일 수 있다.이러한 경우, 상기 레이저는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더를 포함하는 빔 전달 시스템의 도움으로, 레이저로부터 소스 컬렉터 모듈로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 흔히 DPP 소스라고 칭하는 방전 생성 플라즈마 EUV 발생기인 경우, 상기 소스는 소스 컬렉터 모듈의 통합부일 수 있다.일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하도록 구성된 조정기를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 패싯 필드 및 퓨필 거울 디바이스(facetted field and pupil mirror device)들과 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는 데 사용될 수 있다.방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)로부터 반사된 후, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상으로 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(PS2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(PS1)는 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 정확히 위치시키는 데 사용될 수 있다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1, M2) 및 기판 정렬 마크들(P1, P2)을 이용하여 정렬될 수 있다.도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 하나에서 사용될 수 있다:1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한 번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다.2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 주어진 방향으로 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다.3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)의 매 이동 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.또한, 리소그래피 장치는 2 이상의 테이블(예를 들어, 2 이상의 기판 테이블, 2 이상의 패터닝 디바이스 테이블, 및/또는 기판 테이블 및 기판을 갖지 않는 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 디바이스에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다. 예를 들어, 본 명세서에서 그 전문이 인용참조되는 미국 특허 제 5,969,441호에서 트윈 스테이지 리소그래피 장치들이 설명된다.도 12는 소스 컬렉터 모듈(SO), 조명 시스템(IL), 및 투영 시스템(PS)을 포함하여 상기 장치(1000)를 더 상세히 나타낸다. 소스 컬렉터 모듈(SO)은 소스 컬렉터 모듈(SO)의 포위 구조체(enclosing structure: 220) 내에 진공 환경이 유지될 수 있도록 구성되고 배치된다. EUV 방사선 방출 플라즈마(210)가 방전 생성 플라즈마 소스에 의해 형성될 수 있다. EUV 방사선은 전자기 스펙트럼의 EUV 범위 내의 방사선을 방출하도록 초고온 플라즈마(very hot plasma: 210)가 생성되는 가스 또는 증기, 예를 들어 Xe 가스, Li 증기 또는 Sn 증기에 의해 생성될 수 있다. 초고온 플라즈마(210)는, 예를 들어 적어도 부분적으로 이온화된 플라즈마를 야기하는 전기적 방전에 의해 생성된다. 방사선의 효율적인 발생을 위해, Xe, Li, Sn 증기 또는 여하한의 다른 적절한 가스 또는 증기의, 예를 들어 10 Pa의 분압(partial pressure)이 필요할 수 있다. 일 실시예에서, EUV 방사선을 생성하기 위해 여기된 주석(Sn)의 플라즈마가 제공된다.초고온 플라즈마(210)에 의해 방출된 방사선은, 소스 챔버(source chamber: 211)의 개구부(opening) 내에 또는 그 뒤에 위치되는 선택적인 가스 방벽 또는 오염물 트랩(contaminant trap: 230)(몇몇 경우에는, 오염물 방벽 또는 포일 트랩이라고도 함)을 통해, 소스 챔버(211)로부터 컬렉터 챔버(collector chamber: 212) 내로 통과된다. 오염물 트랩(230)은 채널 구조체를 포함할 수 있다. 또한, 오염물 트랩(230)은 가스 방벽, 또는 가스 방벽과 채널 구조체의 조합을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 나타내는 오염물 트랩 또는 오염물 방벽(230)은 적어도 당업계에 알려져 있는 바와 같은 채널 구조체를 포함한다.컬렉터 챔버(212)는 소위 스침 입사 컬렉터(grazing incidence collector)일 수 있는 방사선 컬렉터(CO)를 포함할 수 있다. 방사선 컬렉터(CO)는 방사선 컬렉터 상류측(upstream radiation collector side: 251) 및 방사선 컬렉터 하류측(downstream radiation collector side: 252)을 갖는다. 컬렉터(CO)를 가로지르는 방사선은 격자 스펙트럼 필터(grating spectral filter: 240)로부터 반사되어, 점선 'O'로 나타낸 광학 축선을 따라 가상 소스점(virtual source point: IF)에 포커스될 수 있다. 가상 소스점(IF)은 통상적으로 중간 포커스라고 칭해지며, 소스 컬렉터 모듈은 중간 포커스(IF)가 포위 구조체(220)에서의 개구부(221)에, 또는 그 부근에 위치되도록 배치된다. 가상 소스점(IF)은 방사선 방출 플라즈마(210)의 이미지이다.후속하여, 방사선은 조명 시스템(IL)을 가로지르며, 이는 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 세기의 원하는 균일성뿐 아니라, 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 빔(21)의 원하는 각도 분포를 제공하도록 배치된 패싯 필드 거울 디바이스(22) 및 패싯 퓨필 거울 디바이스(24)를 포함할 수 있다. 지지 구조체(MT)에 의해 유지되어 있는 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 빔(21)의 반사 시, 패터닝된 빔(26)이 형성되고, 패터닝된 빔(26)은 투영 시스템(PS)에 의하여 반사 요소들(28, 30)을 통해 기판 테이블(WT)에 의해 유지되어 있는 기판(W) 상에 이미징된다.일반적으로, 나타낸 것보다 더 많은 요소들이 조명 광학기 유닛(IL) 및 투영 시스템(PS) 내에 존재할 수 있다. 격자 스펙트럼 필터(240)는 리소그래피 장치의 타입에 따라 선택적으로 존재할 수 있다. 또한, 도면들에 나타낸 것보다 더 많은 거울들이 존재할 수 있으며, 예를 들어 도 12에 나타낸 것보다 1 내지 6 개의 추가 반사 요소들이 투영 시스템(PS) 내에 존재할 수 있다.도 12에 예시된 바와 같은 컬렉터 광학기(CO)가 단지 컬렉터(또는 컬렉터 거울)의 일 예시로서, 스침 입사 반사기들(253, 254 및 255)을 갖는 네스티드 컬렉터(nested collector)로서 도시된다. 스침 입사 반사기들(253, 254 및 255)은 광학 축선(O) 주위에 축대칭으로 배치되고, 이 타입의 컬렉터 광학기(CO)는 바람직하게는 흔히 DPP 소스라고 하는 방전 생성 플라즈마 소스와 조합하여 사용된다. 대안적으로, 소스 컬렉터 모듈(SO)은 LPP 방사선 시스템의 일부분일 수 있다.본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭, 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다.또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 전체 또는 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 함을 의미하는 것이라기보다는, 노광 시 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.본 명세서에 개시된 개념들은 리소그래피 장치를 수반하는 여하한의 디바이스 제조 공정을 시뮬레이션하거나 수학적으로 모델링하는 데 사용될 수 있으며, 특히 점점 더 작은 크기의 파장들을 생성할 수 있는 첨단(emerging) 이미징 기술들로 유용할 수 있다. 이미 사용중인 첨단 기술들로는, ArF 레이저의 사용으로 193 nm 파장을 생성하고, 심지어 플루오린 레이저의 사용으로 157 nm 파장을 생성할 수 있는 DUV(deep ultraviolet) 리소그래피를 포함한다. 또한, EUV 리소그래피가 5 내지 20 nm의 범위 내의 파장들을 생성할 수 있다.본 명세서에 개시된 개념들은 실리콘 웨이퍼와 같은 기판 상의 디바이스 제조에 사용될 수 있지만, 개시된 개념들은 여하한 타입의 리소그래피 이미징 시스템들, 예를 들어 실리콘 웨이퍼들 이외의 기판들 상에 이미징하는 데 사용되는 시스템들과 사용될 수 있음을 이해할 것이다.앞서 언급된 패터닝 디바이스는 디자인 레이아웃을 포함하거나 이를 형성할 수 있다. 디자인 레이아웃은 CAD(computer-aided design) 프로그램들을 사용하여 생성될 수 있다. 이 공정은 흔히 EDA(electronic design automation)라고 칭해진다. 대부분의 CAD 프로그램은 기능적인 디자인 레이아웃/패터닝 디바이스를 생성하기 위해 사전설정된 디자인 규칙들의 세트를 따른다. 이러한 규칙들은 처리 및 디자인 제한들에 의해 설정된다. 예를 들어, 디자인 규칙들은 회로 디바이스들 또는 라인들이 바람직하지 않은 방식으로 서로 상호작용하지 않을 것을 보장하기 위해, (게이트, 커패시터 등과 같은) 회로 디바이스들 또는 상호연결 라인들 사이의 간격 공차(space tolerance)를 정의한다. 디자인 규칙 제한들은 통상적으로 "임계 치수(CD)"라고도 칭해진다. 회로의 임계 치수는 라인 또는 홀의 최소폭, 또는 두 라인들 또는 두 홀들 간의 최소 간격으로서 정의될 수 있다. 따라서, CD는 디자인된 회로의 전체 크기 및 밀도를 결정한다. 물론, 집적 회로 제작의 목표들 중 하나는 원래 회로 디자인을 (패터닝 디바이스를 통해) 기판 상에 충실하게 재현(reproduce)하는 것이다.본 명세서에서 채택된 "마스크" 또는 "패터닝 디바이스"라는 용어는 기판의 타겟부에 생성될 패턴에 대응하여 입사하는 방사선 빔에 패터닝된 단면을 부여하는 데 사용될 수 있는 일반적인 패터닝 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석될 수 있다; 또한, "광 밸브(light valve)"라는 용어가 본 명세서에서 사용될 수도 있다. 전형적인 마스크[투과형 또는 반사형; 바이너리(binary), 위상-시프팅, 하이브리드(hybrid) 등] 이외에, 여타의 이러한 패터닝 디바이스들의 예시로 다음을 포함한다:- 프로그램가능한 거울 어레이. 이러한 디바이스의 일 예시는 점탄성 제어층 및 반사 표면을 갖는 매트릭스-어드레서블 표면(matrix-addressable surface)이다. 이러한 장치의 기본 원리는, (예를 들어) 반사 표면의 어드레싱된 영역들에서는 입사 방사선을 회절 방사선으로서 반사시키는 반면, 어드레싱되지 않은 영역들에서는 입사 방사선을 비회절 방사선으로서 반사시키는 것이다. 적절한 필터를 사용하여, 반사된 빔 중에서 상기 비회절 방사선을 필터링하여 회절 방사선만이 남게 할 수 있다; 이러한 방식으로, 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 빔이 패터닝되게 된다. 필요한 매트릭스 어드레싱은 적절한 전자 수단을 이용하여 수행될 수 있다. 이러한 거울 어레이들에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 미국 특허 제 5,296,891호 및 제 5,523,193호로부터 얻을 수 있으며, 이들은 본 명세서에서 인용참조된다.- 프로그램가능한 LCD 어레이. 이러한 구성의 일 예시는 미국 특허 제 5,229,872호에서 주어지며, 이는 본 명세서에서 인용참조된다.유의되는 바와 같이, 마이크로리소그래피는 IC와 같은 디바이스들의 제조에 있어서 중요한 단계이며, 이때 기판들 상에 형성된 패턴들은 마이크로프로세서, 메모리 칩 등과 같은 IC들의 기능 요소들을 정의한다. 또한, 유사한 리소그래피 기술들이 평판 디스플레이, MEMS(micro-electro mechanical systems) 및 다른 디바이스들의 형성에 사용된다.리소그래피 투영 장치의 전형적인 분해능 한계보다 작은 치수들을 갖는 피처들이 프린트되는 공정은 통상적으로 분해능 공식 CD = k1×λ/NA에 따른 저(low)-k1 리소그래피로서 알려져 있으며, 이때 λ는 채택된 방사선의 파장(현재 대부분의 경우 248 nm 또는 193 nm)이고, NA는 리소그래피 투영 장치 내의 투영 광학기의 개구수이며, CD는 "임계 치수" -일반적으로, 프린트되는 최소 피처 크기- 이고, k1은 실험적인 분해능 인자이다. 일반적으로, k1이 작을수록, 특정 전기적 기능 및 성능을 달성하기 위하여 회로 설계자에 의해 계획된 형상 및 치수들과 비슷한 패턴을 기판 상에 재현하기가 더 어려워진다. 이 어려움을 극복하기 위해, 정교한 미세조정 단계들이 리소그래피 투영 장치 및/또는 디자인 레이아웃에 적용된다. 이들은, 예를 들어 NA 및 광 간섭성(optical coherence) 세팅들의 최적화, 맞춤 조명 방식(customized illumination scheme)들, 위상 시프팅 패터닝 디바이스들의 사용, 디자인 레이아웃에서의 광 근접성 보정(optical proximity correction: OPC, 때로는 "광학 및 공정 보정"이라고도 칭함), 또는 일반적으로 "분해능 향상 기술들"(resolution enhancement techniques: RET)로서 정의된 다른 방법들을 포함하며, 이에 제한되지는 않는다.일 예시로서, OPC는 기판 상에 투영된 디자인 레이아웃의 이미지의 최종 크기 및 배치가 단순히 패터닝 디바이스 상의 디자인 레이아웃의 크기 및 배치에만 의존하거나 이와 동일하지 않을 것이라는 사실을 설명한다. 리소그래피 시뮬레이션/최적화에서는 물리적 패터닝 디바이스가 반드시 사용되는 것이 아니라 디자인 레이아웃이 물리적 패터닝 디바이스를 나타내는 데 사용될 수 있기 때문에, 당업자라면, 특히 리소그래피 시뮬레이션/최적화와 관련하여 "마스크"/"패터닝 디바이스" 및 "디자인 레이아웃"이라는 용어가 교환가능하게 이용될 수 있다는 것을 인지할 것이다. 일부 디자인 레이아웃에 존재하는 작은 피처 크기들 및 높은 피처 밀도들에 대해, 주어진 피처의 특정 에지의 위치는 다른 인접한 피처들의 존재 또는 부재에 의해 어느 정도 영향을 받을 것이다. 이 근접 효과들은 한 피처에서 다른 피처로 커플링된 미세한 양의 방사선, 및/또는 회절 및 간섭과 같은 비-기하학적 광학 효과들로부터 일어난다. 이와 유사하게, 근접 효과들은 일반적으로 리소그래피를 따르는 노광후 베이크(PEB), 레지스트 현상, 및 에칭 동안의 확산 및 다른 화학적 영향들로부터 일어날 수 있다.디자인 레이아웃의 투영 이미지가 주어진 타겟 회로 디자인의 요건들에 부합된다는 것을 보장하기 위해, 정교한 수치 모델들, 디자인 레이아웃의 보정들 또는 전치-왜곡(pre-distortion)들을 이용하여 근접 효과들이 예측되고 보상될 수 있다. 논문 "Full-Chip Lithography Simulation and Design Analysis - How OPC Is Changing IC Design"(C. Spence, Proc. SPIE, Vol.5751, pp 1-14, 2005)은 통상적인 "모델-기반" 광 근접성 보정 공정들의 개요를 제공한다. 전형적인 고성능(high-end) 디자인에서는, 타겟 디자인에 대한 투영 이미지의 높은 충실도(fidelity)를 달성하기 위해 디자인 레이아웃의 거의 모든 피처가 약간 수정된다. 이 수정들은 라인 폭 또는 에지 위치의 시프팅 또는 편향(biasing), 및 다른 피처들의 투영을 돕도록 의도되는 "어시스트" 피처들의 적용을 포함할 수 있다.OPC를 적용하는 것은 일반적으로 "정밀 과학"이 아니라, 모든 가능한 근접 효과를 항상 보상하지는 않는 실험적인 반복 공정이다. 그러므로, 패터닝 디바이스 패턴으로 형성되는 디자인 결함들의 가능성을 최소화하기 위해, OPC의 효과, 예를 들어 OPC 및 여하한의 다른 RET의 적용 후 디자인 레이아웃들이 디자인 검사, 즉 캘리브레이션된 수치 공정 모델들을 이용한 집약적인 풀-칩 시뮬레이션(intensive full-chip simulation)에 의해 검증되어야 한다.OPC 및 풀-칩 RET 검증은 둘 다, 예를 들어 미국 특허 출원 공개공보 US 2005-0076322호 및 "Optimized Hardware and Software For Fast, Full Chip Simulation"(Y. Cao 외, Proc. SPIE, Vol.5754, 405, 2005)이라는 제목의 논문에서 설명되는 수치 모델링 시스템들 및 방법들에 기초할 수 있다.한 RET는 디자인 레이아웃의 전반적인 편향(global bias)의 조정과 관련된다. 전반적인 편향은 기판 상에 프린트되도록 의도된 패턴들과 디자인 레이아웃의 패턴들 간의 차이이다. 예를 들어, 25 nm 직경의 원형 패턴이 디자인 레이아웃의 50 nm 직경 패턴에 의해 또는 디자인 레이아웃의 20 nm 직경 패턴에 의해 하지만 높은 도즈로 기판 상에 프린트될 수 있다.디자인 레이아웃들 또는 패터닝 디바이스들에 대한 최적화(예를 들어, OPC)에 더하여, 전체 리소그래피 충실도를 개선하려는 노력으로, 패터닝 디바이스 최적화와 함께 또는 개별적으로 조명 소스도 최적화될 수 있다. "조명 소스" 및 "소스"라는 용어들은 본 명세서에서 교환가능하게 사용된다. 알려진 바와 같이, 환형, 쿼드러폴 및 다이폴과 같은 오프-액시스 조명은 패터닝 디바이스에 포함된 미세 구조체들(즉, 타겟 피처들)을 분해하는 증명된 방식이다. 하지만, 종래의 조명 소스에 비해, 오프-액시스 조명 소스는 통상적으로 에어리얼 이미지(AI)에 대해 더 적은 방사선 세기를 제공한다. 따라서, 더 미세한 분해능과 감소된 방사선 세기 간의 최적 밸런스를 달성하도록 조명 소스를 최적화하려는 시도가 바람직해진다.무수한 조명 소스 최적화 접근법들은, 예를 들어 Rosenbluth 외의 논문 "Optimum Mask and Source Patterns to Print A Given Shape"(Journal of Microlithography, Microfabrication, Microsystems 1(1), pp.13-20, 2002)에서 찾아볼 수 있다. 소스는 수 개의 구역들로 분할되고, 이 각각은 퓨필 스펙트럼의 소정 구역에 대응한다. 이때, 소스 분포는 각 소스 구역에서 균일하다고 가정되며, 각 구역의 휘도는 공정 윈도우에 대해 최적화된다. Granik의 논문 "Source Optimization for Image Fidelity and Throughput"(Journal of Microlithography, Microfabrication, Microsystems 3(4), pp.509-522, 2004)에서 설명된 또 다른 예시에서, 몇몇 기존 소스 최적화 접근법들의 개요가 제공되고, 소스 최적화 문제를 일련의 비-음수 최소 제곱 최적화(non-negative least square optimization)들로 전환하는 일루미네이터 픽셀들에 기초한 방법이 제안된다.저 k1 포토리소그래피에 대해, 소스 및 패터닝 디바이스 둘의 최적화는 임계 회로 패턴들의 투영을 위한 실행가능한 공정 윈도우를 보장하는 데 유용하다. 몇몇 알고리즘들이 공간 주파수 도메인에서 조명을 독립적인 소스점들로, 그리고 패터닝 디바이스 패턴을 회절 차수들로 분할(discretize)하고, 소스점 세기들 및 패터닝 디바이스 회절 차수들로부터의 광학 이미징 모델들에 의해 예측될 수 있는 노출 관용도(exposure latitude)와 같은 공정 윈도우 메트릭에 기초한 비용 함수(이는 선택된 디자인 변수들의 함수로서 정의됨)를 개별적으로 공식화한다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같은 "디자인 변수"라는 용어는 장치 또는 디바이스 제조 공정의 파라미터들의 세트, 예를 들어 리소그래피 장치의 사용자가 조정할 수 있는 파라미터들, 또는 그 파라미터들을 조정함으로써 사용자가 조정할 수 있는 이미지 특성들을 포함한다. 소스, 패터닝 디바이스, 투영 광학기 및/또는 레지스트 특성들을 포함한 디바이스 제조 공정의 여하한의 특성이 최적화에서의 디자인 변수들 사이에 있을 수 있음을 이해하여야 한다. 비용 함수는 흔히 디자인 변수들의 비-선형 함수이다. 이때, 비용 함수를 최소화하기 위해 표준 최적화 기술들이 사용된다.실행가능한 시간 내에 제약 없이 비용 함수를 이용하여 소스 및 패터닝 디바이스의 동시 최적화를 허용하는 소스 및 패터닝 디바이스(디자인 레이아웃) 최적화 방법 및 시스템이, 일반적으로 승인된 PCT 특허 출원 공개공보 WO2010/059954호에서 설명되며, 이는 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다.소스의 픽셀들을 조정함으로써 소스를 최적화하는 것을 수반하는 또 다른 소스 및 마스크 최적화 방법 및 시스템이 미국 특허 출원 공개공보 2010/0315614호에서 설명되며, 이는 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다.본 명세서에서 사용되는 바와 같은 "투영 광학기"라는 용어는, 예를 들어 굴절 광학기, 반사 광학기, 어퍼처 및 카타디옵트릭 광학기를 포함하는 다양한 타입의 광학 시스템들을 포괄하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한, "투영 광학기"라는 용어는 집합적으로 또는 개별적으로 방사선 투영 빔을 지향, 성형 또는 제어하기 위해 이 디자인 타입들 중 어느 하나에 따라 작동하는 구성요소들을 포함할 수 있다. "투영 광학기"라는 용어는, 광학 구성요소가 리소그래피 투영 장치의 광학 경로 상의 어디에 위치되든지, 리소그래피 투영 장치 내의 여하한의 광학 구성요소를 포함할 수 있다. 투영 광학기는 방사선이 패터닝 디바이스를 지나가기 전에 소스로부터의 방사선을 성형, 조정 및/또는 투영하는 광학 구성요소들, 및/또는 방사선이 패터닝 디바이스를 지나간 후에 방사선을 성형, 조정 및/또는 투영하는 광학 구성요소들을 포함할 수 있다. 투영 광학기는 일반적으로 소스 및 패터닝 디바이스를 배제한다.이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다. 따라서, 임프린트 기술을 이용하는 리소그래피 장치는 통상적으로 임프린트 템플릿(imprint template)을 유지하는 템플릿 홀더, 기판을 유지하는 기판 테이블, 및 임프린트 템플릿의 패턴이 기판의 층 상으로 임프린트될 수 있도록 기판과 임프린트 템플릿 간의 상대 이동을 야기하는 1 이상의 액추에이터를 포함한다.본 발명은 다음 항목들을 이용하여 더 설명될 수 있다:1. 리소그래피 장치에 의해 처리되는 생산 기판들을 수반하는 디바이스 제조 공정을 위한 컴퓨터-구현 결함 예측 방법으로, 상기 방법은:디바이스 제조 공정에 의해 처리되는 생산 기판들과 연계된 공정 파라미터의 측정된 또는 결정된 값들을 포함하는 트레이닝 세트, 및 공정 파라미터의 값들 하에 디바이스 제조 공정에서 처리되는 생산 기판들과 연계된 결함들의 존재에 관한 표시를 이용하여 분류 모델을 트레이닝하는 단계; 및기판에 대한 결함의 예측을 나타내는 분류 모델로부터의 출력을 생성하는 단계를 포함한다.2. 1 항의 방법에서, 디바이스 제조 공정에 의해 처리되는 생산 기판들과 연계된 공정 파라미터의 추가로 측정된 또는 결정된 값들을 포함하는 추가 트레이닝 세트, 및 공정 파라미터의 추가 값들 하에 디바이스 제조 공정에서 처리되는 생산 기판들과 연계된 결함들의 존재에 관한 표시를 이용하여 분류 모델을 트레이닝하는 단계를 포함한다.3. 2 항의 방법에서, 추가 값들 중 적어도 일부는 측정된 또는 결정된 값들을 이용하여 분류 모델을 트레이닝한 후에 발생된다.4. 2 항 또는 3 항의 방법에서, 추가 트레이닝 세트는 추가 값들에 더하여 측정된 또는 결정된 값들의 적어도 일부분을 포함한다.5. 1 항 내지 4 항 중 어느 한 항의 방법에서, 디바이스 제조 공정에 의해 처리되는 추가 생산 기판들과 연계된 공정 파라미터의 추가 측정된 또는 결정된 값들에 기초하여 트레이닝을 반복적으로 수행하는 단계를 더 포함한다.6. 1 항 내지 5 항 중 어느 한 항의 방법에서, 분류 모델을 이용하여 기판에 대한 결함의 확률을 계산하는 단계를 더 포함한다.7. 6 항의 방법에서, 확률을 이용하여 디바이스 제조 공정의 파라미터, 기판 상에 패터닝될 레이아웃의 파라미터, 또는 둘 모두를 조정하는 단계를 더 포함한다.8. 1 항 내지 7 항 중 어느 한 항의 방법에서, 결함의 존재에 관한 표시는 전자적 테스팅 데이터 또는 수율 데이터로부터 결정되거나 입력된 조작자 또는 광학 측정 툴에 의한 결정을 포함한다.9. 1 항 내지 8 항 중 어느 한 항의 방법에서, 결함의 존재에 관한 표시는 실험적 또는 연산 모델에 의한 결정을 포함한다.10. 1 항 내지 9 항 중 어느 한 항의 방법에서, 결함의 존재에 관한 표시는 리소그래피 장치의 사용자에 의한 결정을 포함한다.11. 1 항 내지 10 항 중 어느 한 항의 방법에서, 결함의 존재에 관한 표시는 기판의 각 다이 또는 각 기판 상에 레이아웃을 패터닝한 후의 결정을 포함한다.12. 1 항 내지 11 항 중 어느 한 항의 방법에서, 분류 모델은 로지스틱 회귀, 커널 로지스틱 회귀, 서포트 벡터 머신 또는 임포트 벡터 머신을 수반한다.13. 1 항 내지 12 항 중 어느 한 항의 방법에서, 분류 모델의 카테고리들의 수는 2 개이다.14. 13 항의 방법에서, 카테고리들은 결함들의 존재 및 결함들의 비-존재를 포함한다.15. 1 항 내지 14 항 중 어느 한 항의 방법에서, 결함들은 네킹, 라인 풀백, 라인 시닝, CD, 오버래핑 및 브리징으로 구성된 그룹으로부터 선택된 1 이상이다.16. 1 항 내지 15 항 중 어느 한 항의 방법에서, 디바이스 제조 공정의 파라미터는 리소그래피 장치의 방사선 소스의 특성, 리소그래피 장치의 투영 광학기의 특성, 도즈, 포커스, 레지스트의 특성, 레지스트의 현상의 특성, 레지스트의 노광후 베이킹의 특성, 및 기판의 에칭의 특성으로 구성된 그룹으로부터 선택된 1 이상이다.17. 1 항 내지 16 항 중 어느 한 항의 방법에서, 기판 상에 패터닝될 레이아웃의 파라미터를 이용하여 시뮬레이션되는 공정 파라미터의 값들, 및 시뮬레이션된 공정 파라미터의 값들과 연계된 결함들의 존재에 관한 표시를 이용하여 분류 모델을 트레이닝하는 단계를 더 포함한다.18. 1 항 내지 17 항 중 어느 한 항의 방법에서, 메트롤로지 툴에 의해 측정된 공정 파라미터의 값들을 이용하여 분류 모델을 트레이닝하는 단계를 더 포함한다.19. 1 항 내지 18 항 중 어느 한 항의 방법에서, 공정 파라미터의 값들과 연계된 결함들의 존재에 관한 표시를 결정하는 단계를 더 포함한다.20. 1 항 내지 19 항 중 어느 한 항의 방법에서, 공정 파라미터의 값들을 측정 또는 결정하는 단계를 더 포함하고, 상기 값들은: 메트롤로지 툴로부터의 측정된 값들, 수율 데이터, 또는 리소그래피 장치로부터의 값들로부터 선택된 1 이상이다.21. 1 항 내지 20 항 중 어느 한 항의 방법에서, 디바이스 제조 공정은 에칭 공정이다.22. 1 항 내지 20 항 중 어느 한 항의 방법에서, 디바이스 제조 공정은 리소그래피 패터닝 공정을 포함한다.23. 분류 모델을 트레이닝하는 방법으로, 상기 방법은:분류 모델을 이용하여 기판의 결함을 예측하는 단계 -상기 분류 모델은 독립 변수로서, 리소그래피로 노광되는 기판들에 대한 디바이스 제조 공정의 공정 파라미터 및/또는 리소그래피 장치를 이용하여 기판에 제공될 패턴의 레이아웃 파라미터를 가짐- ;공정 파라미터 및/또는 레이아웃 파라미터의 측정된 또는 결정된 값에 대해 결함의 존재에 관한 정보를 수신하는 단계; 및예측된 결함, 및 공정 파라미터 및/또는 레이아웃 파라미터의 측정된 또는 결정된 값에 대한 결함의 존재에 관한 정보에 기초하여 분류 모델을 트레이닝하는 단계를 포함한다.24. 23 항의 방법에서, 결함의 존재에 관한 정보는 광학 측정 툴에 의해 측정된 디바이스 제조 공정의 공정 파라미터의 복수의 값들을 포함한다.25. 23 항 또는 24 항의 방법에서, 디바이스 제조 공정에 의해 처리되는 복수의 기판들로부터 디바이스 제조 공정 동안 측정된 데이터에 기초하여 예측하는 단계, 수신하는 단계 및 트레이닝하는 단계를 반복하는 단계를 더 포함한다.26. 23 항 내지 25 항 중 어느 한 항의 방법에서, 분류 모델의 출력을 이용하여 디바이스 제조 공정의 파라미터, 기판 상에 패터닝될 레이아웃의 파라미터, 또는 둘 모두를 조정하는 단계를 더 포함한다.27, 23 항 내지 26 항 중 어느 한 항의 방법에서, 분류 모델은 로지스틱 회귀, 커널 로지스틱 회귀, 서포트 벡터 머신 또는 임포트 벡터 머신을 수반한다.28. 리소그래피 장치에 의해 처리되는 생산 기판들을 수반하는 디바이스 제조 공정에서 결함 예측을 용이하게 하도록 분류 모델을 생성하는 컴퓨터-구현 방법으로, 상기 방법은 디바이스 제조 공정에 의해 처리되는 복수의 기판들의 공정 파라미터의 측정된 또는 결정된 값들을 포함하는 트레이닝 세트, 및 공정 파라미터의 값들과 연계된 결함들의 존재에 관한 표시를 이용하여 분류 모델을 트레이닝하는 단계를 포함한다.29. 28 항의 방법에서, 분류 모델을 이용하여 기판 내의 결함을 예측하는 단계를 더 포함한다.30. 29 항의 방법에서, 결함의 확률의 추산을 제공하는 단계를 더 포함한다.31. 명령어들이 기록되어 있는 컴퓨터 판독가능한 매체를 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품으로, 명령어들은 컴퓨터에 의해 실행되는 경우 앞선 항들 중 어느 하나의 방법을 구현한다.상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 바와 같이 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.
리소그래피 장치에 의해 처리되는 생산 기판들을 수반하는 디바이스 제조 공정을 위한 컴퓨터-구현 결함 예측 방법이 개시되며, 상기 방법은 디바이스 제조 공정에 의해 처리되는 생산 기판들과 연계된 공정 파라미터의 측정된 또는 결정된 값들을 포함하는 트레이닝 세트, 및 공정 파라미터의 값들 하에 디바이스 제조 공정에서 처리되는 생산 기판들과 연계된 결함들의 존재에 관한 표시를 이용하여 분류 모델을 트레이닝하는 단계, 및 기판에 대한 결함의 예측을 나타내는 분류 모델로부터의 출력을 생성하는 단계를 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 정보 처리 장치, 정보 처리 시스템, 블록 시스템, 및 정보 처리 방법INFORMATION PROCESSING DEVICE, INFORMATION PROCESSING SYSTEM, BLOCK SYSTEM, AND INFORMATION PROCESSING METHOD [ 기술분야 ] 본 발명은 실제 공간에서 객체를 이용하는 정보 처리 기술에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 어떤 수단에 의해 실제 공간에서 인간, 물건 등과 같은 객체에 관한 파라미터를 측정하는 기술은 입력 값으로서 파라미터를 컴퓨터로 캡처하고, 입력 값을 분석하며, 다양한 분야에서 이용되는 이미지로서 입력 값을 표시한다. 컴퓨터 게임의 분야에서, 사용자 자신의 움직임 또는 사용자가 보유한 마커를 획득하고, 이에 따라 표시 스크린 내에 가상 세계의 캐릭터를 움직임으로써 직관적이고 간단한 동작이 실현된다(예를 들어, PTL 1 참조). 따라서 스크린 디스플레이의 실제 공간에서의 객체의 형상의 움직임 또는 변화를 반영하는 기술은 게임뿐만 아니라 장난감, 학습 자료 등에도 적용되는 것으로 예상된다(예를 들어, NPL 1 참조).상술한 바와 같이, 주요 동작을 수행하는 정보 처리 층보다 다른 객체를 이용하여 진행하기 위해 정보 처리를 행하는 모드로 현장감을 생성하고 직관적인 동작을 가능하도록 하기 위해, 지각된 어포던스(perceived affordance)를 제공하는 것이 중요하다. 예를 들어 차량의 스티어링 휠의 형상, 권총의 형상 등과 같은 실물의 형상에 가까운 형상을 가지고, 유사한 동작을 수행할 수 있는 장치가 제공될 수 있지만, 이용의 관점에서 제한된다. 이용의 범위는 장치의 형상이 가변적일 때 넓어진다. 그러나, 이에 따라 형상 또는 움직임의 변화를 측정하기 위한 장치가 필요하게 된다.예를 들어, NPL 1에 개시된 기술에서, 적외선 LED와, 적외선 LED의 광을 수신하는 광 센서는 부분의 회전 각도를 측정하고, 부분의 형상을 식별하기 위해 부분의 결합부에 포함된다. 이 경우에, 측정 가능한 회전 각도는 제한되며, 따라서 형상의 가변 범위도 제한된다. 또한, 모든 부분은 소자들을 포함하여 제조 비용이 증가될 수 있다. 따라서, 장치의 형태가 유연할수록 장치의 형태를 측정하기 위한 메커니즘이 더 복잡해진다. 결과적으로, 제조 비용과 처리 비용이 증가되는 경향이 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] [PTL 1] WO 2007/050885 A2 [ 비특허문헌 ] [NPL 1]Posey: Instrumenting a Poseable Hub and Strut Construction Toy, Michael Philetus Weller, Ellen Yi-Luen Do, Mark D Gross, Proceedings of the Second International Conference on Tangible and Embedded Interaction, 2008, pp. 39-46 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명은 이러한 문제를 고려하여 제조되었다. 본 발명의 목적은 자유롭게 형성될 수 있는 장치를 이용하여 다양한 고급 표현을 실현하기 위한 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 발명의 모드는 정보 처리 장치에 관한 것이다. 정보 처리 장치는, 개별적으로 제조된 블록을 서로에 결합함으로써 형성되는 조립된 장치로부터의 통신 블록의 구조에 관련된 정보를 획득하는 구조 정보 수신부로서, 조립된 장치는 통신 메커니즘을 갖고, 접속 상태에 관련된 정보를 전송할 수 있도록 구성된 통신 블록과 통신 블록과 다른 비통신 블록을 포함하는 구조 정보 수신부; 조립된 장치를 촬영하여 획득된 이미지로부터 조립된 장치의 전체 이미지 및 위치를 획득하고, 통신 블록의 구조에 관련된 정보와 조립된 장치의 전체 이미지 및 위치를 통합함으로써 조립된 장치의 전체의 형상, 위치 및 자세를 포함하는 상태 정보를 생성하는 구조 분석부; 및 상태 정보에 기초하여 정보 처리를 수행하는 정보 처리부를 포함한다. 본 발명의 다른 모드는 정보 처리 시스템에 관한 것이다. 정보 처리 시스템은 서로 결합될 수 있는 복수의 블록을 포함하는 조립 장치; 및 조립된 장치로부터의 입력 신호에 기초하여 정보 처리를 수행하는 정보 처리 장치를 포함하는 정보 처리 시스템이며, 조립된 장치는 통신 메커니즘을 갖고, 접속 상태에 관련된 정보를 전송할 수 있도록 구성된 통신 블록과 통신 블록과 다른 비통신 블록을 포함하며, 정보 처리 장치는, 조립된 장치로부터의 통신 블록의 구조에 관련된 정보를 획득하는 구조 정보 수신부, 조립된 장치를 촬영하여 획득된 이미지로부터 조립된 장치의 전체 이미지 및 위치를 획득하고, 통신 블록의 구조에 관련된 정보와 조립된 장치의 전체 이미지 및 위치를 통합함으로써 조립된 장치의 전체의 형상, 위치 및 자세를 포함하는 상태 정보를 생성하는 구조 분석부; 및 상태 정보에 기초하여 정보 처리를 수행하는 정보 처리부를 포함한다. 본 발명의 또 다른 모드는 블록 시스템에 관한 것이다. 블록 시스템은 서로 결합될 수 있는 복수의 블록을 포함하는 블록 시스템이며, 복수의 블록은 블록 간의 접속 상태에 관련된 정보를 다른 블록으로 전송하고 다른 블록으로부터 수신할 수 있는 통신 메커니즘을 가진 통신 블록, 및 통신 블록과 다른 비통신 블록을 포함하며, 통신 블록 중 적어도 하나는 통신 블록의 구조에 관련된 정보를 외부 정보 처리 장치로 전송하는 통신 메커니즘을 더 포함하고, 통신 블록의 구조에 관련된 정보는 정보 처리 장치가 블록 시스템의 촬영된 이미지로부터 획득된 정보와 통신 블록의 구조에 관련된 정보를 통합함으로써 블록 시스템의 형상, 위치 및 자세를 포함하는 상태 정보를 생성하기 위해 접속 상태에 관련된 정보를 통합함으로써 형성된다. 본 발명의 또 다른 모드는 정보 처리 방법에 관한 것이다. 정보 처리 방법은, 개별적으로 제조된 블록을 서로에 결합함으로써 형성되는 조립된 장치로부터의 통신 블록의 구조에 관련된 정보를 획득하는 단계로서, 조립된 장치는 통신 메커니즘을 갖고, 접속 상태에 관련된 정보를 전송할 수 있도록 구성된 통신 블록과 통신 블록과 다른 비통신 블록을 포함하는 획득하는 단계; 조립된 장치를 촬영하여 획득된 이미지로부터 조립된 장치의 전체 이미지 및 위치를 획득하고, 통신 블록의 구조에 관련된 정보와 조립된 장치의 전체 이미지 및 위치를 통합함으로써 조립된 장치의 전체의 형상, 위치 및 자세를 포함하는 상태 정보를 생성하고, 상태 정보를 메모리에 저장하는 단계; 및 메모리로부터 상태 정보를 판독하고, 상태 정보에 기초하여 정보 처리를 수행하는 단계를 포함한다. 방법, 장치, 시스템, 컴퓨터 프로그램, 컴퓨터 프로그램이 기록되는 기록 매체 등 사이에서 본 발명의 표현을 변환함으로써 획득되는 위의 구성 요소 및 모드의 임의의 조합은 또한 본 발명의 모드로서 효과적인 것이 주목되어야 한다.본 발명에 따르면, 자유롭게 형성될 수 있는 장치를 이용하여 다양한 고급 표현을 실현할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 실시예가 적용될 수 있는 정보 처리 시스템의 구성의 일례를 도시하는 다이어그램이다.도 2는 본 실시예에서 블록 세트의 외관의 일례를 도시하는 다이어그램이다.도 3은 도 1에 도시된 블록 세트의 통신 블록의 구조만을 도시한 다이어그램이다.도 4는 중심 축이 본 실시예에서 도출되는 코어의 중심 축을 개략적으로 도시한 다이어그램이다.도 5는 본 실시예에서 블록 세트에 포함된 통신 블록의 내부 구성의 일례를 개략적으로 도시하는 다이어그램이다.도 6은 본 실시예에서 블록 세트 및 정보 처리 장치의 상세 구성으로 도시한 다이어그램이다.도 7은 본 실시예에서 블록 세트에서의 정보 전송 경로 및 전송된 정보의 일례를 개략적으로 도시한 다이어그램이다.도 8은 본 실시예에서 통신 블록에 대한 기본 정보의 데이터의 구조의 일례를 도시한 다이어그램이다.도 9는 본 실시예에서 비통신 블록을 포함하는 블록 세트의 상태를 식별하는 기본 처리를 설명하는데 지원하는 다이어그램이다.도 10은 본 실시예에서 비통신 블록에 대한 기본 정보의 데이터의 구조의 일례를 도시하는 다이어그램이다.도 11은 본 실시예에서 시간 진화(time evolving) 방식으로 블록 세트의 형상을 식별하는 처리를 설명하는데 지원하는 다이어그램이다.도 12는 구조가 본 실시예에서 변화한 블록 세트의 형상을 식별하는 처리를 설명하는데 지원하는 다이어그램이다.도 13은 본 실시예에서 코어의 조인트(joint) 각도의 변화로 인해 수정되는 블록 세트의 형상을 식별하는 처리를 설명하는데 지원하는 다이어그램이다.도 14는 본 실시예에서 비통신 블록을 포함하는 블록 세트의 상태를 식별하기 위한 처리 절차를 도시하는 흐름도이다.도 15는 본 실시예에서 실현될 수 있는 블록 세트와 디스플레이 사이의 관계를 예시한 다이어그램이다.도 16은 본 실시예에서 외관이 블록 세트에 설정되는 경우에 블록 세트와 디스플레이 사이의 관계를 예시한 다이어그램이다.도 17은 본 실시예에서 하나의 3D 객체가 조립된 블록 세트와 관련되는 경우에 블록 세트와 디스플레이 사이의 관계를 예시한 다이어그램이다.도 18은 본 실시예에서 블록 세트 및 3D 객체의 움직임을 서로 관련시키는데 필요한 정보를 예시한 다이어그램이다.도 19는 본 실시예에서 정보 처리 장치가 블록 세트 및 3D 객체의 움직임을 서로 관련시키는 처리 절차를 도시하는 흐름도이다.도 20은 도 19의 S46에서 사용자에 의해 모델 선택 입력을 수신하기 위해 디스플레이 장치에 표시된 스크린의 일례를 도시한 다이어그램이다. 도 21은 도 19의 S48에서 블록 세트 및 선택된 모델에 공통인 좌표계를 설정하기 위해 디스플레이 장치에 표시된 스크린의 일례를 도시한 다이어그램이다.도 22는 본 실시예에서 객체가 등록 시에 두 블록과 디스플레이 스크린의 전환의 일례에 의해 생성될 때 블록 세트를 도시한 다이어그램이다.도 23은 본 실시예에서 일대일로 서로 관련된 조인트가 동일한 각도로 움직이는 경우를 예시한 다이어그램이다.도 24는 본 실시예에서 두 그룹화된 조인트가 하나의 조인트와 관련되는 경우에 각각의 조인트의 각도 사이의 대응 관계의 일례를 도시한 다이어그램이다.도 25는 본 실시예에서 두 조인트가 그룹화되어 하나의 조인트와 관련되는 경우에 각각의 조인트의 각도 사이의 대응 관계의 다른 예를 도시한 다이어그램이다.도 26은 본 실시예에서 일대일로 서로 관련된 조인트의 각도의 변화가 상이하게 이루어지는 경우를 예시한 다이어그램이다.도 27은 본 실시예에서 블록 세트의 하나의 조인트가 3D 객체의 복수의 조인트와 관련되는 일례를 도시한 다이어그램이다.도 28은 도 19의 S52에서 블록 세트와 3D 객체의 움직임 사이의 대응 관계를 설정하기 위해 디스플레이 장치에 표시된 스크린의 일례를 도시한 다이어그램이다.도 29는 본 실시예에서 블록 세트 및 3D 객체의 대응하는 위치와 각각의 대응하는 위치의 움직임 사이의 대응 관계에 대한 정보의 데이터 구조의 일례를 도시한 다이어그램이다.도 30은 본 실시예에서 3D 객체와 블록 세트의 움직임 사이의 대응 관계를 설정하기 위한 처리 절차를 도시한 흐름도이다.도 31은 본 실시예에서 블록 세트의 휠에 관한 설정이 복합 링크로 확장되는 경우를 설명하는데 지원하는 다이어그램이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 실시예에서, 복수의 블록은 조립되거나 수정되고, 블록의 형상, 자세, 위치는 정보 처리를 위한 입력 값으로서 이용된다. 즉, 이러한 블록은 정보 처리 장치에 대한 입력 장치로서 간주될 수 있다. 또한, 조립된 블록의 형상, 자세 및 위치가 정보 처리 장치에 의해 수행되는 처리의 결과를 반영하기 위해 변경되는 경우가 있다. 이 경우에, 블록은 정보 처리 장치에 대한 출력 장치로 간주된다. 이 경우에 정보 처리 장치에 의해 수행되는 처리는 특별히 한정되지 않으며, 이의 바람직한 모드는 나중에 예시될 것이다. 이러한 블록의 단일체 또는 블록의 조립체는 이하 총칭하여 "블록 세트"로 지칭될 것이다. 또한, 나중에 설명되는 바와 같이, 블록 세트는 옷 장식, 점토 작업 등을 모방하는 것과 같이 일반적인 의미에서 블록과 다른 객체를 포함할 수 있고, 객체의 형상 및 재료는 한정되지 않는다. 이들 객체를 포함하는 블록은 이하 "블록"으로 지칭될 것이다.도 1은 본 실시예가 적용될 수 있는 정보 처리 시스템의 구성의 일례를 도시한다. 정보 처리 시스템(2)은 블록 세트(120), 블록 세트(120)를 이미징하는 카메라(122), 입력 장치 또는 출력 장치로서의 블록 세트(120)로 미리 정해진 정보 처리를 수행하는 정보 처리 장치(10), 정보 처리 장치(10) 상에서 사용자 조작을 수신하는 입력 장치(14), 이미지로서 정보 처리 장치에 의해 출력된 데이터를 표시하는 디스플레이 장치(16)를 포함한다. 정보 처리 장치(10)는 예를 들어 게임 장치 또는 개인용 컴퓨터일 수 있고, 필요한 응용 프로그램을 적재함으로써 정보 처리 기능을 구현할 수 있다. 디스플레이 장치(16)는 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이, 유기 EL 디스플레이 등과 같은 통상의 디스플레이일 수 있다. 디스플레이 장치(16)는 또한 이러한 디스플레이 및 스피커 중 하나를 포함하는 텔레비전 세트일 수 있다. 입력 장치(14)는 게임 제어기, 키보드, 마우스, 조이스틱, 디스플레이 장치(12)의 스크린 상에 배치된 터치 패드 등, 또는 이들의 임의의 조합과 같은 통상의 입력 장치 중 하나일 수 있다.카메라(122), 입력 장치(14) 및 디스플레이 장치(16)에 대한 정보 처리 장치(10)의 접속은 유선에 의해서든 무선에 의해서든 이루어질 수 있고, 다양한 네트워크를 통해 이루어질 수 있다. 대안적으로, 카메라(122), 정보 처리 장치(10), 입력 장치(14) 및 디스플레이 장치(16) 중 둘 이상 또는 모두는 조합되어 일체로 제공될 수 있다. 또한, 카메라(122)는 디스플레이 장치(16)에 반드시 장착될 필요는 없다. 정보 처리 장치(10)에 의해 처리되는 내용에 따라 복수의 블록 세트(120)가 있을 수 있다. 블록 세트(120) 및 정보 처리 장치(10)는 블루투스(등록된 상표) 프로토콜, IEEE 802.11 프로토콜 등을 이용하여 무선 접속을 확립한다. 대안적으로, 블록 세트(120)의 하나의 블록 및 정보 처리 장치(10)는 케이블을 통해 서로 접속될 수 있다.상술한 바와 같이, 본 실시예에 따른 블록 세트(120)는 정보 처리 장치(10)에 대한 입력 장치로서 이용될 수 있거나, 정보 처리 장치(10)에 대한 출력 장치로서 이용될 수 있다. 특히, 전자의 경우에, 정보 처리 장치(10)는 입력 값으로서 블록 세트(120)의 위치, 자세, 또는 형상을 변경하는 사용자의 결과를 이용하여 정보 처리를 수행한다. 후자의 경우에, 정보 처리 장치(10)는 사용자에 의해 입력 장치(14)의 동작에 따라 정보 처리를 수행하고, 정보 처리의 결과로서 블록 세트(120) 자체를 움직인다. 본 실시예는 모드 둘 다를 구현할 수 있도록 구성될 수 있거나, 모드 중 하나만을 구현할 수 있도록 구성될 수 있다.도 2는 블록 세트를 구성하는 개개의 블록의 외관의 일례를 도시한다. 본 실시예에서, 블록은 대략 2 종류로 분류된다. 하나는 다른 블록 또는 정보 처리 장치(10)와 통신할 수 있도록 구성된 블록이다. 다른 하나는 통신 수단 없는 블록이다. 이하, 전자는 "통신 블록"으로 지칭될 것이고, 후자는 "비통신 블록" 으로 지칭될 것이다. 통신 블록은 다른 블록과 통신하기 위한 메커니즘 이외에 블록의 방향, 각도, 위치 등과 같은 물리량을 측정하는 다양한 종류의 센서를 포함할 수 있다. 도면에 도시된 바와 같이, 블록이 통신 블록이든 비통신 블록이든 무관하게, 블록은 사각 프리즘 블록(102a, 102b ??및 102c), 정육면체 블록(102d), 원통 블록(102f 및 102k), 구형 블록(102e), 판형 블록(102i), 직육면체 블록(102j) 등과 같은 다양한 형상을 가질 수 있다. 각 블록에는 미리 정해진 크기 및 형상을 가진 돌출부(104) 및 오목부(106)가 제공된다. 블록은 돌출부(104)를 오목부(106)에 삽입함으로써 원하는 위치에서 서로 결합될 수 있다. 대안적으로, 직육면체 블록(102j), 원통 블록(102k) 등과 마찬가지로, 블록에는 다른 블록 자체가 맞을 수 있고, 이에 의해 다른 블록을 포함할 수 있는 형상을 가진 오목부(107)가 제공될 수 있다. 블록 세트는 서로 결합된 블록 사이의 간격을 조정하기 위해 상이한 블록의 오목부(106)에 삽입될 수 있는 두 단부를 가진 조인트 블록(102g 및 102h)을 더 포함할 수 있다. 또한, 조인트 블록은 회전 등에 의해 서로 접속된 블록 사이에서 위치 및 자세 관계를 변화시킬 수 있다.통신 블록의 돌출부(104) 및 오목부(106)는 또한 블록 사이의 신호 전송을 가능하게 하는 단자의 역할을 한다. 이를 위해, 각각의 부분의 단부에는 블록 내에 제공된 버스 등의 표준에 따르는 구조를 갖는 커넥터가 제공된다. 블록 간의 신호 전송 및 물리적 결합은 늘리 이용되는 다양한 종류의 커넥터를 사용하거나 전용 특정 커넥터를 제공함으로써 동시에 달성될 수 있다. 또한, 신호 전송의 경로가 별도로 준비될 수 있고, 결합 위치가 별도로 식별될 수 있는 경우, 블록을 서로 접속하기 위한 수단은 돌출부(104)와 오목부(106) 사이의 결합으로 한정되지 않고, 후크 및 루프 패스너, 자석, 접착 테이프, 접착제 등에 의해 실현될 수 있다. 경로가 별도로 준비되는 신호 전송의 경로는 무선 통신의 메커니즘일 수 있다.또한, 통신 블록의 어떤 블록(도 2의 경우의 사각 프리즘 블록(102b)은 두 블록, 두 블록이 굽힘 및 신장될 수 있도록 하는 굽힘 및 신장 샤프트(110), 및 블록 사이에 형성된 각도를 검출하는 전위차계를 포함할 수 있다. 또한, 도면에 도시된 바와 같이 하나의 블록을 관통하는 굽힘 및 신장 샤프트(110)의 두 단부가 다른 블록의 돌출부와 결합되는 형태 이외에, 굽힘 및 신장 메커니즘은 2개의 블록이 힌지, 굽힘 및 신장될 수 있는 금속 등에 의해 서로 결합될 수 있는 형태일 수 있거나, 메커니즘이 구체 조인트 인형(ball-jointed doll)의 조인트와 유사한 복수의 자유도를 갖는 메커니즘 등일 수 있으며. 특히 한정되지 않는다. 블록 사이의 각도는 지속적으로 변화할 수도 있거나, 복수의 단계로 변경 가능하다. 또한, 샤프트의 방향은 도면에 도시된 것으로 한정되지 않는다.구성 요소로서 블록 사이의 각도는 바람직하게는 사용자가 블록을 치운 후에도 유지된다. 또한, 블록 사이의 각도는 전위차계와 다른 각도 센서에 의해 측정될 수 있다. 예를 들어, 블록이 다른 블록에 대한 상대 각도를 측정하는 센서를 포함하는 경우, 블록은 반드시 서로 접속될 필요는 없다. 게다가, 나중에 설명되는 바와 같이, 하나의 블록은 굽힘 및 신장될 수 있거나 회전될 수 있도록 구성될 수 있고, 블록의 굽힘 및 신장 각도 또는 회전 각도는 측정될 수 있다.이하, 이와 같이 각도를 가변적이게 하기 위한 메커니즘은 "조인트"로 지칭될 수 있고, 상대 각도가 조인트의 움직임에 따라 변화하는 두 블록은 "링크"로 지칭될 수 있다. 또한, 이와 같이 조인트를 가진 통신 블록의 조인트 각도는 정보 처리 장치(10)로부터의 요청에 따라 제어될 수 있다. 이 경우에, 통신 블록에는 서보모터 등과 같이 조인트 각도를 제어하기 위한 액추에이터가 제공된다.또한, �v신 블록의 어떤 블록(도 2의 경우의 판형 블록(102i))은 측면으로부터 돌출하는 회전 가능한 샤프트(109)를 가질 수 있다. 복수의 샤프트(109) 상에 장착된 휠은 블록이 차량의 경우에서와 같이 움직일 수 있도록 한다. 움직임이 블록을 누름으로써 사용자에 의해 실현될 수 있거나, 정보 처리 장치(10)로부터의 요청에 따라 실현될 수 있다. 후자의 경우에, 통신 블록에는 샤프트를 회전시키기 위한 모터 등과 같은 액추에이터가 제공된다. 샤프트(109)가 차축인 경우에, 휠의 방향을 변경하기 위한 랙 및 피니언 등과 같은 메커니즘이 제공될 수 있으며, 이러한 메커니즘은 또한 정보 처리 장치(10)로부터의 요청에 따라 액추에이터에 의해 제어할 수 있게 된다.또한, 통신 블록의 어떤 블록은 복수의 가속도 센서, 자이로 센서, 지자기 센서 등 중 하나 또는 조합, 및 객체 또는 객체의 형상 자체에 부착된 카메라 또는 마커를 이용하여 자세를 추적하는 방법과 같은 움직임 감지 기능 등을 포함한다. 센서뿐만 아니라 포함될 센서의 종류 및 조합을 포함하는 블록은 블록 세트를 이용함으로써 실현될 정보 처리에 따라 결정된다. 대안적으로, 센서뿐만 아니라 포함될 센서의 종류 및 조합을 포함하는 블록은 조립 시에 다양한 변형에서 사용자에 의해 선택된다.또한, 통신 블록의 어떤 블록(도 2의 경우의 사각 프리즘 블록(102a))에는 마커(108)가 제공된다. 마커(108)는 나중에 설명되는 카메라에 의해 촬영된 이미지로 마커(108)의 위치 및 크기로부터 3차원 공간에서의 위치를?? 식별하는 데 이용된다. 따라서, 마커(108)는 매칭 처리 등에 의해 촬영된 이미지로부터 검출될 수 있는 크기, 형상 및 색상을 갖기 위해 형성된다. 예를 들어, 마커(108)는 광학적으로 투명한 구형 수지 내에서 발광 다이오드, 전구 등과 같은 통상의 발광 몸체를 포함하는 구형 몸체일 수 있거나, 마커(108)는 바코드, 2차원 코드 등일 수 있다. 복수의 블록이 마커(108)를 구비하는 경우, 마커(108)는 하나의 블록에서 다른 블록으로 색상이 변화될 수 있다.통신 블록 및 비통신 블록의 외부 쉘은 통상적으로 합성 수지로 형성된다. 그러나, 통신 블록 및 비통신 블록의 외부 쉘의 재료는 한정되지 않고, 금속, 유리 등일 수 있다. 비통신 블록이 특히 통신 메커니즘 등을 포함하지 않기 때문에, 비통신 블록의 재료, 형상 및 크기는 자유롭게 결정될 수 있다. 예를 들어, 비통신 블록은 천을 이용하여 만들어진 의복, 고무를 이용하여 만들어진 인형의 머리 등과 같은 다양한 종류의 부분일 수 있거나, 무기, 액세서리 등과 같은 부가적인 것일 수 있다. 비통신 블록은 사용자 자신에 의해 만들어질 수 있다. 비통신 블록은 예를 들어 지우개, 점토 작업, 종이로 만들어진 작업편, 접는 종이에 의해 만들어진 작업편 등을 깎음으로써 형성된 고체일 수 있다. 게다가, 비통신 블록은 예를 들어 통신 블록 또는 이미지를 표시하는 디스플레이 장치로부터 통전됨으로써 미리 정해진 색상의 광을 방출하는 LED를 갖는 블록일 수 있다.본 실시예에 따른 정보 처리 장치(10)는, 정보가 통신 블록과의 통신에 의해 획득될 수 있는 블록 세트의 골격 형상, 자세 등에 대한 정보, 및 카메라(122)에 의해 촬영된 외부 형상에 대한 정보를 상호 보완적으로 고 정밀도로 블록의 상태를 식별한다. 따라서, 블록 세트의 외관은 비통신 블록을 이용함으로써 자유롭게 표현될 수 있다. 예를 들면, 도 2에서 직육면체 블록(102j) 또는 원통 블록(102k)과 같은 통신 블록을 포함하는 형상을 갖는 블록은 비통신 블록으로서 실현될 수 있다.도 3은 도 1에 도시된 블록 세트(120)의 통신 블록의 구조만을 도시한다. 특히, 도면의 블록 세트(120)는 도 1의 블록 세트(120)로부터의 비통신 블록으로서 직육면체 블록(102j) 및 원통 블록(102k)을 제외하여 형성되고, 블록 중 도 2에 도시된 사각 프리즘 블록(102a 및 102b), 정육면체 블록(102d), 및 조인트 블록(102h)에 의해 형성되며, 사각 프리즘 블록(102b) 및 정육면체 블록(102d)의 하부 블록은 비통신 블록이고 도 1의 블록 세트(120)에서 각각 직육면체 블록(102j) 및 원통 블록(102k)에 의해 포함된다. 따라서, 사각 프리즘 블록(102b) 및 정육면체 블록(102d)의 하부 블록은 외부에서 볼 수 없다. 이러한 통신 블록으로 구성되는 구조는 또한 블록 세트(120)의 전체의 골격을 구성하는 것으로 간주될 수 있다. 조립된 블록 세트(120)의 통신 블록으로 구성되는 부분은 이하 "코어"로 지칭될 것이다. 본 실시예는 코어를 구성하는 통신 블록에 포함되는 모션 센서 및 전위차계에 의해 필요한 파라미터를 검출함으로써 블록 세트(120)의 자세 및 형상을 효율적으로 계산한다. 예를 들어, 도 3의 블록 세트(120a)의 경우에, 각 블록의 방향 및 차례로 블록 세트(120)의 중심 축의 형상 및 자세는 (1) 각 블록의 위치 및 블록의 종류의 결합 위치, (2) 사각 프리즘 블록(102a 및 102b)의 경사 벡터(ml), (3) 사각 프리즘 블록(102b)을 구성하는 두 블록간의 각도 , 및 (4) 각각의 블록의 길이(L1, L2, L3, L4 및 L5)에 기초하여 도출될 수 있다. 상술한 (1) 및 (4)가 블록 사이의 신호 전송에 의해 식별되고, 상술한 (3)가 전위차계에 의해 측정될 수 있다고 가정하면, 그것은 상술한 (2)를 측정하기 위해 사각 프리즘 블록(102a 및 102b)의 모션 센서를 포함하는데 필요하고 충분하다. 대안적으로, 그것은 사각 프리즘 블록(102a 또는 102b)으로서 모션 센서를 포함하는 블록을 선택하는데 충분하다.더욱이, 현실 세계의 3차원 공간에서의 블록 세트의 위치 좌표는 카메라(122)에 의해 촬영된 이미지를 이용하여 식별된다. 여기서, 카메라(122)가 스테레오 카메라인 경우, 카메라(122)와 카메라의 필드 평면(field plane)에 대하여 깊이 방향으로 형성되는 3차원 공간에서의 블록 세트의 절대 위치를 얻을 수 있다. 서로 상이한 좌측 시점 및 우측 시점으로부터 스테레오 카메라에 의해 촬영된 이미지에서의 시차를 이용하여 삼각 측량의 원리에 따라 3차원 공간에서의 객체의 위치를?? 획득하는 기술은 널리 알려져 있다. 양안 입체시(binocular stereopsis)와 다른 깊이 또는 3차원 정보 획득 수단은 스테레오 카메라 대신에 이용될 수 있다. 예를 들어, 시점 이동 카메라(viewpoint moving camera)가 이용될 수 있거나, 블록 세트의 위치는 적외선 조사 메커니즘 및 반사된 광을 검출하는 적외선 센서를 이용하여 비행 시간(TOF)의 방법에 의해 식별될 수 있다. 터치 패널은 블록 세트(120)가 놓여지는 스탠드의 상부 표면 상에 제공될 수 있고, 블록 세트(120)가 놓여지는 위치는 터치 패널에 의해 검출될 수 있다.대안적으로, 도면에 도시된 바와 같이, 마커(108)를 구비한 사각 프리즘 블록(102a)이 이용되는 경우에, 정지 영상 또는 단안 카메라(122)에 의해 촬영된 동영상의 프레임 이미지에 기초하여 위치는 식별될 수 있다. 상술한 바와 같이 마커(108)가 알려져 있는 색상?, 휘도 및 크기를 갖는 발광체인 경우, 마커의 이미지는 촬영된 이미지로부터 쉽게 검출될 수 있다. 그 후, 3차원 공간에서의 마커의 위치 좌표(x1, y1, z1)는 촬영된 이미지에서의 마커의 이미지의 위치 및 크기로부터 식별될 수 있다. 다른 마커가 사용되는 경우에, 패턴 매칭, 특징 포인트 추출 등과 같은 통상의 이미지 인식 기술이 적용될 수 있다. 블록 세트(120)가 이동되고, 이동하는 블록 세트(120)가 동영상으로 촬영되는 경우에, 기존의 추적 기술을 적용함으로써 효율적인 검출이 수행될 수 있다.또한, 마커(108)는 적외선 등과 같은 비가시광을 방출하는 장치일 수 있다. 이 경우에, 비가시광을 검출하는 장치는 마커(108)의 위치를 검출하기 위해 별도로 도입된다. 마찬가지로, 깊이 센서, 초음파 센서, 소리 센서 등이 이용될 수 있다. 최종 위치 좌표는 상술한 절대 위치 검출 방법 중 둘 이상을 조합함으로써 계산될 수 있다. 도 4는 이와 같이 도출된 코어의 중심 축을 개략적으로 도시한다. 도면에 도시된 바와 같이, 3차원 공간에서의 중심 축(124)의 위치, 자세, 형상이 식별된다. 3차원 공간은 카메라(122)의 카메라 좌표계일 수 있거나, 카메라(122)의 카메라 좌표계가 변환되는 원하는 좌표계일 수 있다. 코어 또는 블록 세트의 위치, 자세 및 형상은 이하 총칭하여 "상태"로 지칭될 수 있다.도 5는 통신 블록의 내부 구성의 일례를 개략적으로 도시한다. 상술한 바와 같이, 블록은 블록의 내부 구성으로서 다양한 변형을 제공함으로써 용도에 따라 적절하게 이용될 수 있다. 게다가, 코어의 상태를 식별할 필요가 있는 것으로 추정되는 센서가 복수의 블록으로 분배되도록 제공되는 경우에, 센서의 과도한 포함이 회피될 수 있으며, 따라서 제조 비용이 감소될 수 있다.도 5의 예에서, 블록(126a)은 배터리(128a), 통신 메커니즘(130a), 메모리(132a), 위치 센서(134), 및 모션 센서(136a)를 포함한다. 이 경우에, 통신 메커니즘(130a)은 접속 단자를 통해 다른 블록으로부터 신호를 수신하는 유선 통신 메커니즘뿐만 아니라 정보 처리 장치(10)와의 무선 통신을 수행하는 메커니즘을 포함한다. 메모리(132a)는 블록(126a)의 식별 번호를 보유한다. 식별 번호는 정보 처리 장치(10)에서 블록(126a)의 크기, 블록(126a)의 오목부 및 돌출부의 위치 등과 같은 정보와 관련된다. 동일한 식별 번호는 동일한 종류의 블록에 제공될 수 있다. 대안적으로, 식별 번호는 조립된 블록 세트 등 내의 신호 전송의 라우팅을 위해 이용 가능하도록 각 블록에 대해 고유하게 설정될 수 있다.위치 센서(134)는 블록(126a)의 절대 위치를 획득하기 위한 센서이다. 위치 센서(134)는 또한 이미지 인식을 위한 마커를 포함한다. 그러나, 상술한 바와 같이, 마커의 경우에, 절대 위치는 마커와 외부에 설치된 카메라(122)의 조합에 의해 검출된다. 상술한 바와 같이, 모션 센서(136a)는 가속도 센서, 자이로 센서 및 지자기 센서, 카메라를 이용하는 방법 등 중 둘 이상의 하나 또는 조합이다.블록(126b)는 배터리(128b), 통신 메커니즘(130b), 메모리(132b), 및 모션 센서(136b)를 포함한다. 메커니즘은 블록(126a)에 대한 상술한 메커니즘과 유사할 수 있다. 그러나, 통신 메커니즘(130b)은 다른 블록으로부터의 신호를 수신하는 유선 통신 메커니즘만에 의해 형성될 수 있다. 이러한 블록은 정보 처리 장치(10)와 통신할 수 있는 블록(126a)과 조합하여 이용된다. 이는 다른 블록의 통신 메커니즘과도 마찬가지다.블록(126c)은 배터리(128c), 통신 메커니즘(130c), 메모리(132c), 각도 센서(138) 및 액추에이터(139a)를 포함한다. 블록(126c)은 도 2의 사각 프리즘 블록(102b)과 같은 조인트를 갖는 통신 블록이다. 각도 센서(138)는 조인트 각도를 검출하는 전위차계 등과 같은 센서이다. 액추에이터(139a)는 정보 처리 장치(10)로부터의 제어 신호에 따라 조인트 각도를 변화시킨다. 액추에이터의 종류에 대응하는 통상의 기술은 제어 신호에 따라 액추에이터의 구동을 위해 채용될 수 있다.블록(126d)은 배터리(128d), 통신 메커니즘(130d), 메모리(132d), 로터리 인코더(141) 및 액추에이터(139b)를 포함한다. 블록(126d)은 도 2의 판형 블록(102i)과 같이 외부로 돌출하는 회전 가능한 샤프트를 갖는 통신 블록이다. 블록(126d)에 휠이 설치되면, 블록(126d) 자체는 수동 또는 자동으로 추진될 수 있다. 대안적으로, 샤프트 및 휠은 사전에 일체로 제공될 수 있다.로터리 인코더(141)는 휠의 회전량을 감지하는 센서이다. 액추에이터(139b)는 정보 처리 장치(10)로부터의 제어 신호에 따라 휠을 회전시키는 모터 등이다. 블록(126e)은 통신 메커니즘(130e) 및 메모리(132e)를 포함한다. 즉, 블록(126e)은 배터리도 포함하지 않고 센서도 포함하지 않는다. 따라서, 블록(126e)은 배터리를 포함하는 다른 블록(126a 또는 126b)과 조합하여 이용된다.또한, 도 5의 통신 블록은 단순한 예이며, 다양한 종류의 센서 및 다른 메커니즘은 임의의 방식으로 조합될 수 있다. 예를 들어, 조인트 및 차축뿐만 아니라 스티어링 방향을 변경하고 블록의 일부분을 변위시키는 메커니즘은 블록 세트의 이동 부분으로서 제공될 수 있다. 이러한 메커니즘은 정보 처리 장치(10)로부터의 제어 신호에 따라 구동되는 액추에이터에 의해 이동될 수 있다. 게다가, LED 또는 디스플레이 장치가 제공될 수 있다. 접속된 비통신 블록을 통전하는 메커니즘이 제공될 수 있다. 또한, 도면에 도시된 센서 이외에, 실제 사용에서 어떤 센서가 포함될 수 있다.이러한 다양한 내부 구성을 갖는 통신 블록은 도 2에 도시된 바와 같은 다양한 형태로 제조된다. 동일한 종류의 복수의 블록이 제조될 수 있다. 대안적으로, 모든 블록은 균일한 형상 및 균일한 크기를 가질 수 있거나, 균일한 내부 구성을 가질 수 있다. 형상 및 내부 구성이 변화되고, 다양한 종류의 블록이 개별적으로 구매될 수 있는 경우, 원하는 블록 세트는 각각의 개별 사용자의 용도에 따라 최소 비용으로 유연하게 조립될 수 있다. 조립될 수 있는 블록의 기본 세트가 먼??저 제공될 수 있고, 추가적인 블록은 나중에 구매될 수 있다.도 6은 블록 세트(120) 및 정보 처리 장치(10)의 구성을 상세히 도시한다. 도 6에서 다양한 처리를 수행하는 기능 블록으로서 설명될 요소는 중앙 처리 장치(CPU), 메모리, 또는 하드웨어의 관점에서의 다른 LSI에 의해 구성될 수 있거나, 소프트웨어의 관점에서 메모리 등에 적재된 프로그램에 의해 구현될 수 있다. 또한, 이미 설명한 바와 같이, 블록 세트(120)의 블록은 통신 메커니즘, 메모리, 다양한 종류의 센서 및 액추에이터를 포함한다. 따라서, 이러한 기능 블록은 다양한 형태로 하드웨어만에 의해 구현되고, 소프트웨어만에 의해 구현되거나, 이의 조합에 의해 구현될 수 있으며, 이는 어느 하나의 형태에 한정되지 않는다는 것을 당업자는 이해할 것이다.상술한 바와 같이, 블록 세트(120)는 각각의 블록을 선택하고 조립함으로써 사용자에 의해 형성된다. 도 6은 조립된 블록 세트의 코어의 부분의 기능 블록을 도시한다. 코어를 구성하는 통신 블록은 제 1 블록(142a), 제 2 블록(142b), 제 3 블록(142c),... 등으로 설정된다. 블록 세트(120)를 형성하는 통신 블록 중에서 정보의 복잡화를 방지하기 위해, 기본적으로 하나의 블록만이 정보 처리 장치(10)와의 통신을 확립한다. 따라서 제 1 블록(142a)은 허브의 역할로 부여된다. 그 다음, 정보는 제 1 블록(142a)에 먼 접속 관계의 통신 블록으로 전송이 개시되며, 전체 코어에 대한 정보는 제 1 블록(142a)에서 집계된다.이하, 블록의 접속에서 제 1 블록(142a)에 비교적 가까운 블록은 "상위 레벨" 블록으로 지칭될 것이고, 블록의 접속에서 제 1 블록(142a)으로부터 비교적 떨어진 블록은 "하위 레벨" 블록으로 지칭될 것이다. 제 1 블록(142a)으로 설정될 하나의 블록은 사전에 정해질 수 있다. 대안적으로, 정보 처리 장치(10)와 통신하는 메커니즘을 갖는 블록에는 도면에 도시되지 않은 스위치 등이 제공될 수 있고, 스위치가 사용자에 의해 턴온되는 블록은 제 1 블록(142a)으로서 설정될 수 있다. 대안적으로, 먼저 조립 단계에서 정보 처리 장치(10)와의 통신을 확립하는 블록은 제 1 블록(142a)으로 설정될 수 있다.사용자가 다른 통신 블록을 이와 같이 정해진 제 1 블록(142a)에 결합할 경우, 블록은 제 2 블록(142b)이 된다. 또 다른 통신 블록이 제 2 블록(142b)에 결합될 경우, 블록은 제 3 블록(142c)이 된다. 또한, 도면이 3개의 통신 블록만을 도시하지만, 코어를 구성하는 통신 블록의 수는 한정되지 않는다. 하나의 통신 블록 또는 4개 이상의 통신 블록의 구성 및 동작은 유사한 방식으로 고려될 수 있다.제 1 블록(142a), 제 2 블록(142b) 및 제 3 블록(142c)은 각각 제 1 통신부(143a, 143b 및 143c), 요소 정보 획득부(144a, 144b 및 144c) 및 제 2 통신부(146a, 146b 및 146c)를 포함한다. 제 2 블록(142b)은 구동부(148)를 더 포함한다. 그러나, 구동부(148)는 다른 통신 블록 중 어느 하나에 제공될 수 있다. 제 1 통신부(143a, 143b 및 143c)는 제 1 통신부(143a, 143b 및 143c)에 직접 접속된 하위 레벨 블록으로부터 전송된 정보를 수신한다. 이 경우에 수신된 정보는 대응하는 블록보다 하위 레벨로 접속된 블록의 식별 번호, 결합 위치의 식별 번호, 내장 센서에 의한 측정의 결과치를 포함한다. 복수의 블록이 서로 결합될 때, 정보는 최하위 레벨의 블록으로부터의 블록을 통해 각 통로와 중첩된다.요소 정보 획득부(144a, 144b 및 144c)는 대응하는 블록에 내장된 센서, 및 다른 블록을 접속하기 위한 위치에 제공된 단자를 포함한다. 요소 정보 획득부(144a, 144b 및 144c)는 센서에 의한 측정 결과와 하위 레벨의 블록이 접속되는 위치에 관한 정보를 획득한다. 제 2 통신부(146a, 146b 및 146c)는 대응하는 블록의 요소 정보 획득부(144a, 144b 및 144c)에 의해 획득된 정보를 제 1 통신부(143a, 143b 및 143c)에 의해 수신된 정보에 추가하며, 제 1 통신부(143a, 143b 및 143c)에 의해 수신된 정보는 하위 레벨 블록의 식별 번호, 결합 위치의 식별 번호, 및 내장 센서에 의한 측정의 결과치를 포함한다. 제 2 통신부(146a, 146b 및 146c)는 신호로서 생성된 정보를 직접 접속된 상위 레벨의 블록으로 전송한다. 그러나, 제 1 블록(142a)의 제 2 통신부(146a)는 이러한 정보를 정보 처리 장치(10)로 전송한다. 또한 제 2 통신부(146a)는 예를 들어 처리 개시 및 종료 요청 신호, 통신을 확립하는데 필요한 다양한 종류의 신호, 블록 세트의 액추에이터를 구동하기 위한 제어 신호 등을 정보 처리 장치(10)로부터 수신함으로써 정보 처리 장치(10)와의 인터페이스의 역할을 한다.액추에이터를 구동하기 위한 제어 신호가 정보 처리 장치(10)로부터 전송 될 때, 신호는 제 1 블록(142a)에서 하위 레벨 블록으로 연속적으로 전달된다. 특히, 각각의 블록의 제 1 통신부(143a, 143b 및 143c)는 신호를 직접 접속된 하위 레벨 블록으로 전송한다. 각각의 블록의 제 2 통신부(146a, 146b 및 146c)는 직접 접속된 상위 레벨 블록으로부터 신호를 수신한다. 제 2 블록(142b)의 구동부(148)는 조인트 각도를 변경하거나 차축을 회전시키는 액추에이터를 포함한다. 제 2 블록(142b)이 상위 레벨 블록으로부터 전송되는 제어 신호로 구동될 객체로서 지정될 경우, 구동부(148)는 제어 신호에 대응하는 양만큼 액추에이터를 이동시킨다.정보 처리 장치(10)는 블록 세트(120)의 제 1 블록(142a)으로부터 코어의 상태에 관한 정보를 수신하는 코어 정보 수신부(20); 카메라(122)에 의해 촬영된 이미지와 코어의 상태에 관한 정보에 기초하여 블록 세트(120)의 형상, 자세 및 위치를 식별하는 구조 분석부(22); 블록 세트(120)의 형상, 자세 및 위치에 따라 미리 정해진 정보 처리 또는 입력 장치(14)에 대한 사용자 조작을 수행하는 정보 처리부(30); 정보 처리의 결과로서 표시될 이미지를 생성하고, 이미지를 디스플레이 장치(16)로 출력하는 디스플레이 처리부(32); 및 블록 세트(120)의 동작을 제어하기 위한 신호를 전송하는 구동 제어부(34)를 포함한다. 정보 처리 장치(10)는 개개의 블록에 관한 정보를 저장하는 블록 정보 저장부(24); 디스플레이 장치(16) 상에 표시될 3D 객체의 모델 데이터를 저장하는 모델 데이터 저장부(26); 및 블록 세트 및 3D 객체의 부분 및 움직임 사이의 대응 정보를 저장하는 대응 정보 저장부(28)를 더 포함한다.코어 정보 수신부(20)는 코어를 구성하는 통신 블록의 식별 번호, 통신 블록의 결합 위치, 내장된 센서에 의한 측정의 결과치에 관련된 정보를 포함하는 신호를 수신하며, 이러한 정보는 블록 세트(120)의 제 1 블록(142a)에 의해 집계된다. 구조 분석부(22)는 블록 세트(120)를 촬영함으로써 획득된 동영상 또는 정지 영상의 데이터를 카메라(122)로부터 획득한다. 그 후, 코어 정보 수신부(20)에 의해 수신된 정보와 촬영된 이미지로부터 획득된 정보는 블록 세트(120)의 전체의 위치, 자세 및 형상을 식별하도록 통합된다. 블록 세트(120)로부터의 신호 및 카메라(122)로부터의 이미지 데이터는 즉시 입력된다. 따라서, 시간적 대응은 블록 세트(120)로부터의 신호와 카메라(122)로부터의 이미지 데이터 사이에 설정되는 것으로 추정된다. 그러나, 동기 처리 등은 필요한 시간적 해상도에 따라 수행될 수 있다.구조 분석부(22)는 코어 정보 수신부(20)로부터의 정보에 기초하여 블록 세트(120)의 코어의 형상 및 자세를 식별한다. 예를 들어, 도 3에서 L1 내지 L5에 대한 정보는 코어를 구성하는 통신 블록의 식별 번호에 기초하여 도출된다. 또한, 블록 사이에 형성된 결합 위치 및 각도는 실제 결합 위치의 식별 번호와 각도 센서의 정보로부터 식별된다. 또한, 도 3에서의 벡터(ml)는 모션 센서의 정보로부터 도출된다. 3차원 공간에서의 블록 세트(120)의 위치와 비통신 블록을 포함하는 블록 세트(120)의 표면의 형상에 관한 정보는 카메라(122)로부터 전송되는 촬영된 이미지, 촬영된 이미지로부터 생성된 깊이 이미지 등에 기초하여 식별된다. 이때에, 예를 들어 도 3의 마커(108) 등과 같이 코어에 포함된 통신 블록의 이미지는 이미지로부터 검출된다. 마커(108)는 기준 부분으로서 설정되고, 마커(108)의 위치는 깊이 이미지 등으로부터 도출된다. 그 후, 코어와 비통신 블록 사이의 위치 관계, 및 차례로 블록 세트의 전체의 위치, 자세 및 형상은 도 4에서의 중심 축과 같이 기준 부분으로부터 접속된 코어의 구조, 및 기준 부분의 이미지에 대한 비통신 블록의 이미지의 위치 관계로부터 식별될 수 있다. 이러한 처리가 미리 정해진 주파수에서 수행되는 경우, 사용자에 의해 조립되는 프로세스에서의 블록 세트의 구조는 실시간으로 인식될 수 있다.블록 정보 저장부(24)는 블록 세트로서 이용된 블록에 대한 기본 정보를 저장한다. 통신 블록의 경우에, 기본 정보는 다른 블록이 접속될 수 있는 형상, 크기 및 위치에 관한 정보와 사전에 블록에 부여된 식별 번호를 관련시키는 정보이다. 비통신 블록의 경우에, 기본 정보는 색상, 패턴, 재료, 텍스처 등과 같은 외부 특징과 사전에 블록에 부여된 식별 번호를 관련시키는 정보이다. 비통신 블록의 경우에, 이러한 외부 특징이 더욱 상세할수록 블록을 식별하는 정확도는 높아진다. 그러나, 비통신 블록에 대한 정보는 정보 처리 장치(10)에 의해 수행된 정보 처리가 각각의 비통신 블록의 식별을 필요로 하지 않는 경우에는 저장될 필요가 없다.정보 처리부(30)는 상태가 입력 장치(14)를 통해 구조 분석부(22) 또는 사용자 조작에 의해 식별되는 블록 세트(120)의 상태에 따라 수행될 처리를 수행한다. 예를 들어, 블록 세트(120)가 조립된 후, 블록 세트의 형상을 나타내는 3D 객체 또는 블록 세트와 관련된 모델의 3D 객체는 표시된다. 그 후, 표시된 3D 객체는 블록 세트(120)의 이동에 따라 이동하도록 행해진다. 대안적으로, 컴퓨터 게임이 시작되고, 입력 장치(14)를 통해 사용자 조작에 따라 진행하도록 행해지지며, 블록 세트(120)는 컴퓨터 게임의 진행에 따라 이동된다.이를 위해, 모델 데이터 저장부(26)는 정보 처리부(30)에 의해 디스플레이 장치(16) 상에 표시된 객체 모델을 렌더링하는데 필요한 데이터를 저장한다. 이러한 객체 모델은 게임 등에 나타나는 캐릭터와 같이 사전에 설계될 수 있거나, 조립된 블록 세트에 따라 사용자에 의해 생성될 수 있다. 정보 처리부(30)는 블록 세트의 부분 및 조인트, 휠 등과 같은 객체를 서로 관련시키고, 블록 세트 및 객체 둘다의 부분의 움직임을 서로 더 관련시키기 위한 처리를 더 수행한다. 이때에, 정보 처리부(30)는 대응 관계(correspondences)의 모두를 설정할 수 있거나, 사용자가 관련성을 확립하고 설정 입력을 수신하도록 하는 설정 스크린을 표시할 수 있다. 대안적으로, 이들은 적절한대로 서로 조합될 수 있다. 대응 정보 저장부(28)는 이와 같이 부분 및 움직임의 설정된 대응 관계에 관한 정보를 저장한다.따라서, 사용자가 블록 세트를 자유롭게 생성할 시에도, 블록 세트의 위치뿐만 아니라 블록 세트의 형상 및 자세도 스크린상의 객체와 연동될 수 있다. 예를 들어, 게임의 세계는 현실 세계에서 블록 세트에 반영될 수 있거나, 블록 세트의 움직임은 가상 세계에서의 캐릭터에 반영될 수 있다. 이때, 블록 세트 및 객체 둘 다의 움직임은 반드시 서로 완전히 동일할 필요는 없지만, 다양한 변경이 움직임을 연관시켜 설정될 수 있다. 또한, 움직임은 실시간으로 반영될 필요가 없다. 예를 들어, 시간의 경과로 사용자에 의해 이동된 블록 세트의 상태의 변화가 저장되는 경우, 대응하는 객체가 임의의 타이밍에서 움직임을 재생하는 모드가 실현될 수 있다. 결과적으로, 컴퓨터 게임 또는 애니메이션에서의 캐릭터의 움직임은 간단한 조작에 의해 생성될 수 있다.정보 처리 장치(10)가 블록 세트(120)를 이동하는 모드에서, 구동 제어부(34)는 정보 처리부(30)로부터의 요청에 따라 제어 신호를 블록 세트(120)로 전송한다. 특히, 전송된 신호는 제어 시스템에 따라 변화하며, 일반적으로 로봇의 분야 등에서 이용되는 기술은 적절히 채용될 수 있다. 전송된 제어 신호는 블록 세트(120)의 제 1 블록(142a)의 제 2 통신부(146a)에 의해 수신되고, 블록 세트(120) 내에서 신호 전송에 의해 타겟 블록(도 6의 경우의 제 2 블록(142b))의 구동부(148)의 동작에 반영된다. 대안적으로, 제어 신호는 무선 통신 등에 의해 타겟 블록으로 직접 전송될 수 있다.디스플레이 처리부(32)는 정보 처리부(30)에 의해 수행되는 처리의 결과로서 이미지 데이터를 생성하고, 디스플레이 장치(16) 상에 이미지 데이터를 표시한다. 블록 세트(120)의 움직임에 따라 이동하는 객체가 표시되는 예에서, 디스플레이 장치(16)의 출력 프레임 속도에서의 블록 세트(120)의 움직임에 대응하기 위해 객체는 렌더링되고, 디스플레이 장치(16) 상에서 비디오 신호로서 출력된다. 통상의 컴퓨터 그래픽 기술은 렌더링 처리 자체에 적용될 수 있다. 디스플레이 처리부(32)는 블록 세트(120) 및 객체의 부분 및 움직임의 관련을 서로 설정하기 위한 스크린을 디스플레이 장치(16) 상에 더 표시한다. 정보 처리부(30)가 모두 관련시키는 경우에, 사용자가 설정된 대응 관계를 체크하거나 보정하기 위한 스크린이 표시될 수 있다. 또한, 디스플레이 처리부(32)는 적절한 경우 게임 스크린 등과 같이 정보 처리부(30)에 의해 수행되는 정보 처리에 대응하는 이미지를 표시한다. 도 7은 블록 세트(120)의 정보 전송 경로 및 전송된 정보의 일례(120)를 개략적으로 도시한다. 번호가 정보 전송 경로(150)에 기록된 원의 각각은 블록을 나타낸다. 원 사이의 직선은 블록이 서로 결합되는 상태를 나타낸다. 또한, 원 내의 번호는 각각의 블록의 식별 번호로서 설정된다. 식별 번호 "1"을 갖는 블록은 도 6의 제 1 블록(142a)에 대응하고, 정보 처리 장치(10)와의 통신을 확립한다. 더욱이, 도 7에서 식별 번호 "2" 및 "3"을 갖는 블록은 식별 번호 1을 갖는 블록과 직렬로 접속되며, 따라서 각각 제 2 블록(142b) 및 제 3 블록(142c)에 대응하는 것으로 간주될 수 있다.한편, 복수의 블록은 하나의 블록에 결합될 수 있다. 도 7의 예에서, 식별 번호 "2"를 갖는 블록과 식별 번호 "5"를 갖는 블록은 식별 번호 "1"을 갖는 블록에 접속된다. 상술한 바와 같이, 식별 번호 "3"를 갖는 블록과 식별 번호 4를 갖는 블록은 이러한 순서로 식별 번호 "2"를 갖는 블록과 직렬로 접속된다. 식별 번호 "6"를 갖는 블록과 식별 번호 "7"를 갖는 블록은 서로 병렬로 식별 번호 "5"를 갖는 블록에 접속된다. 본 예에서, 식별 번호를 갖지 않은 블록은 식별 번호 "6"를 갖는 블록에 추가로 접속되고, 식별 번호 "8"를 갖는 블록은 식별 번호를 갖지 않은 블록에 접속된다. 이 경우에 식별 번호를 갖지 않은 블록은 비통신 블록에 대응한다.상술한 바와 같이, 정보는 기본적으로 하위 레벨 블록에서 상위 레벨 블록으로 전송된다. 도 7은 전송 방향을 나타내는 화살표와 함께 전송된 정보의 내용을 도시한다. 식별 번호 "3"을 갖는 블록으로부터 식별 번호 "2"를 갖는 블록으로 전송된 정보는 예를 들어 [3 : J2 (4)]로서 표현된다. 이것은 형식 자신의 식별 번호: 블록에 제공된 접속 위치의 식별 번호(접속 위치에 접속된 블록의 식별 번호)에 형성된 신호이고, 식별 번호 "4"를 갖는 블록이 식별 번호 "3"의 접속 위치 중에서 식별 번호 "J2"를 갖는 위치에 접속되는 것을 나타낸다. 그러나, 도면은 형식도 정보의 내용도 제한하지 않는다.블록의 상위 레벨에 대응하는 방향은 블록을 서로에 결합하여 형성된 네트워크를 검색하여 허브의 역할을 갖는 블록에 의해 수행되는 순위 등에 의해 결정될 수 있다. 통상의 정보 처리 시스템을 구성하는 장치 트리(device tree)의 네트워킹 기술은 이러한 절차에 적용될 수 있다.도 7에서 식별 번호 "4"를 갖는 블록은 식별 번호 "4"를 갖는 블록이 속하는 접속 시리즈에서 최저 레벨에 있다. 따라서, 식별 번호 "4"를 갖는 블록은 바로 위 레벨에서 식별 번호 "3"을 갖는 블록으로 정보를 전송한다. 다른 블록이 식별 번호 "4"를 갖는 블록에 접속되지 않고, 식별 번호 "4"를 갖는 블록의 접속 위치가 고유 식별되며, 식별 번호 "4"를 갖는 블록이 임의의 센서를 포함하지 않는다고 가정하면, 전송된 정보는 블록 자체의 식별 번호 "4"일 뿐이고, 따라서 전송된 내용은 "[4: -]"로서 표현되며, "-"는 센서 측정 결과치도 아니고 접속된 블록도 아님을 나타낸다.식별 번호 "3"을 갖는 블록이 식별 번호 "4"로부터 신호를 수신하면, 식별 번호 "3"을 갖는 블록은, 접속 위치의 식별 번호로서 식별 번호 "4" 등으로부터 신호를 수신한 단자의 수를 식별 번호 "4"와 관련시키고, 블록 자체의 식별 번호 "3"를 식별 번호 "4"와 관련시킴으로써 획득된 신호를 바로 위 레벨에서 식별 번호 "2"를 갖는 블록으로 전송한다. 상술한 바와 같이, 이러한 신호의 전송된 내용은 [3: J2 (4)]이다. 마찬가지로, 식별 번호 "2"를 갖는 블록은 자신의 식별 번호를 접속 위치의 식별 번호(도면의 예에서의 "J5") 및 접속된 블록의 식별 번호 "3"과 관련시킴으로써 획득된 신호를 생성하며, 즉 [2: J5 (3)]이다. 또한, 식별 번호 "2"를 갖는 블록이 센서를 포함한다고 가정하면, 식별 번호 "2"를 갖는 블록은 또한 자신의 식별 번호와 센서의 측정 결과치를 나타내는 신호를 관련시킴으로써 획득된 신호를 생성한다. 도면의 예에서, 측정 결과치는 "결과치(result)"로서 표현된다. 그러나, 실제로 구체적인 수치는 센서의 타입에 따라 대체된다.식별 번호 "2"를 갖는 블록은 이와 같이 생성된 데이터 및 하위 레벨의 블록으로부터 전송된 데이터, 즉 [3: J2 (4)]를 바로 위 레벨에서의 식별 번호 "1"을 갖는 블록으로 전송한다. 그러나, 이러한 신호는 항상 동시에 전송될 필요가 없다. 신호의 내용이 일단 전송되면 변경될 때, 예를 들어 변경에 대한 정보만이 전송될 수 있다. 한편, 블록이 식별 번호 "5"를 갖는 블록에 접속되는 식별 번호 "6" 및 "7"을 갖는 블록이 센서를 포함하지 않고, 식별 번호 "6" 및 "7"을 갖는 블록의 접속 위치가 고유 식별된다고 가정하면, 신호 [6: -] 및 [7: -]는 이러한 블록으로부터 각각 식별 번호 "4"를 갖는 블록의 경우에서와 같이 식별 번호 "5"를 갖는 블록으로 전송된다. 식별 번호 "6"를 갖는 블록은 또 다른 블록과 접속된다. 그러나, 블록은 비통신 블록이며, 따라서 정보는 비통신 블록으로부터 획득되지 않는다.식별 번호 "5"를 갖는 블록은 자신의 식별 번호를 접속 위치의 식별 번호 및 접속된 블록의 식별 번호와 관련시킴으로써 획득된 신호를 생성하고, 이러한 신호를 바로 위의 레벨에서 식별 번호 "1"을 갖는 블록으로 전송한다. 도면에 도시된 바와 같이, 복수의 블록이 접속되면, 이러한 블록은 총칭하여 [5: J3 (6), J8 (7)] 등으로 나타낸다. 여기서, "J3" 및 "J8"은 괄호 안의 식별 번호를 갖는 블록이 접속되는 접속 위치의 식별 번호이다.따라서, 블록 세트의 코어에 대한 정보는 식별 번호 "1"을 갖는 블록에서 집계된다. 다른 블록과 마찬가지로, 식별 번호 "1"을 갖는 블록은 자신의 식별 번호를 접속 위치의 식별 번호 및 접속 위치에 접속된 블록의 식별 번호와 관련시킴으로써 획득된 신호를 생성한다. 식별 번호 "1"을 갖는 블록은 이러한 신호를 하위 레벨 블록으로부터 전송된 신호와 함께 정보 처리 장치(10)로 전송한다. 따라서, 정보 처리 장치(10)는 코어를 구성하는 블록의 식별 번호, 각 블록의 접속 관계, 및 센서를 포함하는 블록의 측정 결과치를 연속하여 획득할 수 있다.따라서, 하나의 블록이 허브의 역할을 갖는 블록으로서 설정되고, 따라서 정보가 집계되어 정보 처리 장치(10)로 전송되면, 정보의 복잡화 및 불필요한 통신 처리가 방지될 수 있다. 한편, 일부 경우에, 통신은 복수의 블록에서 정보 처리 장치(10)로 수행될 수 있다. 예를 들어, 도 7의 예에서, 식별 번호 "8"을 갖는 블록은 비통신 블록을 통해 식별 번호 "6"을 갖는 블록에 결합된다.이 경우에, 식별 번호 "8"을 갖는 블록은 자신의 데이터를 정보 처리 장치(10)로 직접 전송할 수 있다. 해당 블록이 예를 들어 위치 센서를 포함하면, 블록의 자신의 식별 번호와 위치 센서에 의한 측정의 결과치는 정보 처리 장치(10)로 직접 전송된다. 따라서, 정보 처리 장치(10)는 식별 번호 "6"을 갖는 블록보다 더 결합된 블록의 존재를 파악하고, 해당 블록의 형상을 더 추정하며, 해당 블록의 접속 상태에 가까워질 수 있다. 식별 번호 "8"을 갖는 블록에 포함된 센서의 수가 많을수록, 정보의 정확도는 높다. 위치 정보의 복수의 부분이 획득될 수 있는 블록이 서로 조합되면, 카메라(122)로부터의 사각 지대(blind spot)에 있는 블록의 구조는 또한 정확하게 식별될 수 있다.도 8은 통신 블록의 기본 정보의 데이터 구조의 일례를 도시하고, 기본 정보는 정보 처리 장치(10)의 블록 정보 저장부(24)에 저장된다. 통신 블록 정보 테이블(160)은 식별 번호 필드(162), 형상 필드(164), 크기 필드(166) 및 접속 위치 필드(168)를 포함한다. 식별 번호 필드(162)는 블록 세트를 형성하는 통신 블록에 사전에 부여된 식별 번호를 나타낸다. 형상 필드(164)는 각 통신 블록의 형상의 종류, 즉 "사각 프리즘", "정육면체" 등과 같은 도 2에 도시된 블록의 타입을 나타낸다. 크기 필드(166)는 수평 폭, 깊이, 및 각각의 통신 블록의 수직 길이를 나타낸다.접속 위치 필드(168)는 접속 위치의 식별 번호에 관련하여 각각의 통신 블록에 제공된 접속 위치를 나타낸다. 도 8의 예에서, 접속 위치는 형식 접속 위치의 식별 번호(얼굴(face) 번호, 얼굴의 x 좌표, 얼굴의 y 좌표)"로 나타낸다. 얼굴 번호는 사전에 블록의 각 얼굴에 대해 고유 결정된다. 예를 들어, 식별 번호 "1"을 갖는 통신 블록은 4cm의 수평 폭, 4cm의 깊이, 및 8cm의 수직 길이를 갖는 사각 프리즘 블록이다. 식별 번호 "J1"을 갖는 접속 위치는 제 1 얼굴에서의 좌표(2, 2)의 위치에 놓여진다. 식별 번호 "J2"를 갖는 접속 위치는 제 2 얼굴에서의 좌표(1, 2)의 위치에 놓여진다. 그러나, 표기의 형식은 이러한 정보의 부분이 나타내는 한 특별히 한정되지 않는다.정보 처리 장치(10)가 이러한 통신 블록 정보 테이블(160)을 유지하는 경우, 도 3에서 표현된 바와 같은 파라미터는 블록 세트(120)로부터 전송된 신호에 기초하여 코어에 대해 식별된다. 구조 분석부(22)는 이와 같이 식별된 코어의 상태와 카메라(122)에 의해 촬영된 이미지에 기초하여 비통신 블록을 포함하는 블록 세트(120)의 전체의 위치, 자세 및 형상을 식별한다. 도 9는 비통신 블록을 포함하는 블록 세트의 상태를 식별하기 위한 기본 처리를 설명하는데 지원하는 다이어그램이다. 도면의 상부 좌측은 코어 정보 수신부(20)에 의해 수신된 정보에 기초하여 상태가 식별되는 코어(170)의 상태를 나타낸다. 이러한 정보로부터 통신 블록의 접속 관계와, 형상이 통신 블록의 접속 관계에 기초하는 코어의 형상이 식별된다. 그러나, 위치 센서가 내부적으로 제공되는 경우, 실제 공간에서의 위치는 또한 식별된다.한편, 구조 분석부(22)는 카메라(122)에 의해 촬영된 이미지로부터 깊이 이미지(172)를 생성한다. 깊이 이미지는 픽셀 값으로서 카메라로부터의 거리와 카메라(122)의 시야 내의 객체를 보여주는 이미지이다. 상술한 바와 같이, 깊이 이미지는 카메라(122)로서의 스테레오 카메라 등을 이용하여 생성될 수 있다. 도면에서의 깊이 이미지(172)는 거리가 멀수록 휘도가 낮아지는 이미지를 개략적으로 나타낸다. 블록 세트(120)의 전체의 이미지는 통신 블록과 비통신 블록 사이의 구별 없이 깊이 이미지(172)에 보여진다. 깊이 이미지에서 예를 들어 마커 등과 같이 코어에 속하는 블록의 적어도 일부의 이미지가 검출되면, 카메라로부터의 부분의 거리를 포함하는 3차원 공간에서의 부분의 위치 좌표는 식별될 수 있다. 그 후, 코어(170)에 대한 카메라 좌표계는 코어(170)의 이전에 식별된 상태의 이미지에서 검출된 부분이 위치 좌표에 존재하도록 설정된다. 또한, 코어의 이미지가 검출되면, 카메라(122)에 의해 촬영된 색상 이미지가 이용될 수 있다. 그 후, 블록 세트의 코어의 부분을 제외한 비통신 블록의 상태는 카메라(122) 측에서 본 코어(170)와 깊이 이미지(172)의 이미지로서 나타나는 블록 세트 사이의 부피의 차이를 획득함으로써 식별될 수 있다. 도 9의 우측에 도시된 블록 세트(120)의 음영 부분은 이러한 차이로서 획득된 비통신 블록이다. 결과적으로, 도면에 도시된 바와 같이, 코어 및 비통신 블록을 포함하는 블록 세트(120)의 전체의 위치, 자세 및 형상은 식별될 수 있다. 또한, 블록 세트(120)의 이미지가 배경 분리 등에 의해 식별될 수 있고, 이미지 및 코어가 코어 등의 명백한 크기에 기초하여 배치될 수 있는 경우, 통상의 촬영된 이미지만이 깊이 이미지에 의존하지 않고 이용될 수 있다.또한, 도 9에 도시된 기본적인 처리에서, 비통신 블록에 대해 획득된 정보는 카메라의 필드 평면 내의 2차원 정보만이다. 따라서, 비통신 블록의 기본 정보가 블록 정보 저장부(24)에 저장되고, 필드 평면에서 명백한 형상 및 크기와 일치하는 블록에 대한 검색이 행해지며, 깊이 방향을 포함하는 3차원 형상을 식별하는 정확도는 증가될 수 있다. 도 10은 정보가 정보 처리 장치(10)의 블록 정보 저장부(24)에 저장되는 비통신 블록의 기본 정보의 데이터 구조의 일례를 도시한다.비통신 블록 정보 테이블(180)은 식별 번호 필드(182), 형상 필드(184), 크기 필드(186) 및 색상 필드(188)를 포함한다. 식별 번호 필드(182)는 블록 세트를 형성하는 비통신 블록에 사전에 부여된 식별 번호를 나타낸다. 형상, 크기 및 색상이 동일한 블록은 동일한 식별 번호를 가질 수 있다. 형상 필드(184)는 각각의 비통신 블록의 형상의 종류, 즉, "직육면체", "원통" 등과 같이 도 2에 도시된 바와 같은 블록의 타입을 나타낸다. 크기 필드(186)는 각각의 비통신 블록의 수평 폭, 깊이(또는 직경) 및 수직 길이를 나타낸다. 색상 필드(188)는 각각의 비통신 블록의 색상을 나타낸다.형상 필드(184), 크기 필드(186) 및 색상 필드(188)의 정보는 3D 그래픽의 객체 모델에 대한 데이터의 경우에서와 같이 폴리곤(polygon), 텍스처 등에 대한 정보일 수 있다. 게다가, 비통신 블록 정보 테이블(180)에 의해 유지된 정보는 도면에 도시된 것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 오목부 등의 형상은 접속 가능한 통신 블록을 제한하고, 접속 가능한 통신 블록의 식별 번호가 유지되는 경우, 이미 식별된 코어에 속하는 통신 블록에 접속될 수 있는 비통신 블록은 통신 블록에 기초하여 좁혀질 수 있다. 구조 분석부(22)는 비통신 블록 정보 테이블(180)을 지칭하고, 도 9에 도시된 깊이 이미지(172)의 코어와 다른 부분의 이미지와 개별적으로 일치하는 비통신 블록을 식별한다.또한, 다른 블록에 의해 숨겨지고, 따라서 볼 수 없는 블록의 정확한 형상은 블록이 초기 상태에서 존재하지 않는다고 추정한 후 블록 세트의 움직임을 추적함으로써 시간 진화(time evolving) 방식으로 식별된다. 일부가 숨겨지고, 비통신 블록 정보 테이블(180)에 대한 참조가 행해지는 경우에도 일부의 형상이 결정될 수 없는 경우, 어떤 후보(candidate) 형상이 추정되거나, 어떤 얼굴이 숨겨진 부분에 대해서만 추정되며, 형상 인식의 정확도를 높이기 위해 나중에 점진적으로 보정이 이루어진다.도 11은 시간 진화 방식으로 블록 세트의 형상을 식별하는 처리를 설명하는데 지원하는 다이어그램이다. 도면의 좌표의 축은 시간을 나타낸다. 시간이 시간 "T1"에서 시간 "T2"로 통과한다고 가정한다. 게다가, 일례로서, 도면에서 최상부의 행에 도시된 바와 같이, (윤곽으로 도시된) 마커를 구비한 사각 프리즘 타입의 통신 블록의 하위 절반을 (음영으로 도시된) 원통 타입의 비통신 블록과 맞춤으로써 블록 세트(190)가 형성된다. 먼저, 시간 T1에서, 도면에서와 같이, 카메라(122)는 전면으로부터 수평면 상에 배치된 블록 세트(190)를 촬영한다고 가정한다. 이 경우에, 도면에 도시된 바와 같이, 각 블록의 측면만이 촬영된 이미지(192a)에서의 이미지로서 나타난다.깊이 이미지가 상술한 바와 같은 이미지로부터 생성되고, 형상이 별도로 식별되는 코어와의 부피 차이가 획득되는 경우, 나머지 부분은 명백히 비통신 블록의 측면의 이미지(깊이 이미지(198a))인 사각형이다. 즉, 비통신 블록의 3차원 형상이 시간 T1에서 식별될 수 없다는 가능성이 있다. 그러나, 깊이 이미지의 해상도에 따라, 원통과 직육면체 간의 차이는 전면의 곡선의 유무에 의해 명확하게 이루어질 수 있다. 또한, 비통신 블록 정보 테이블(180)에 등록된 블록 중에서 크기, 종횡비 등과 일치하는 하나의 비통신 블록만이 있는 경우에, 비통신 블록의 형상이 식별될 수 있다. 또한, 깊이 이미지(198a)는 촬영된 이미지로부터 얻어진 깊이 이미지의 블록 세트의 이미지와 코어 사이의 부피 차이를 획득으로써 생성된 부피 데이터를 나타내며, 반드시 이미지로서 생성되지 않는다. 이는 후속 도면에 대해서도 마찬가지이다.다른 경우에, 구조 분석부(22)는 비통신 블록 정보 테이블(180)로부터 후보 비통신 블록을 검출하고, 후보 비통신 블록 중 하나가 코어에 결합된다고 추정한다. 대안적으로, 형상이 식별되는 통신 블록의 평면과 동일한 평면은 비통신 블록의 불명확한 얼굴(indefinite face)인 것으로 추정된다. 도면은, 이전의 예로서, 비통신 블록이 직육면체인 것으로 추정되는 경우에 블록 세트의 형상(200)을 도시한다. 또한, 도면에 도시된 블록 세트의 형상(200)은 정보 처리 장치(10)에서의 시간 T1의 시점에서 인식된 형상이고, 반드시 디스플레이를 위해 이용되는 것으로 의도되는 것은 아니다. 도면에 도시되는 추정된 형상은 블록 세트의 상태를 예를 들어 있는 그대로 3D 객체로서 표시하는 애플리케이션의 실행 중에 있는 그대로 렌더링될 수 있다. 대안적으로, 추정된 형상은 임의의 방식으로 표시되지 않을 수 있지만, 형상이 다음 시간 단계에서 보정되는 경우에만 기초로서 이용될 수 있다.디스플레이 여부와 관계없이 시간 진화 방식으로 비통신 블록의 형상을 식별하거나, 사용자가 실시간으로 효율적으로 조립되는 프로세스에서 블록 세트의 형상의 변화를 인식할 수 있도록 하기 위해, 추정된 형상과 관련된 정보는 적어도 미리 정해진 기간 동안 저장되고, 나중에 처리를 위해 이용된다. 블록 세트의 형상은 (이하, "요소 번호"로서 지칭되는) 구조 식별 번호를 블록 세트를 구성하는 통신 블록 및 비통신 블록에 부여함으로써 관리된다. 도면에서, 블록 세트의 통신 블록에는 요소 번호 "#C1"이 부여되고, 블록 세트의 비통신 블록에는 요소 번호 "#N1"이 부여된다. 본 예에서, 통신 블록 및 비통신 블록은 알파벳의 "C" 및 "N"에 의해 서로 구별된다. 그러나, 이것은 요소 번호의 형식을 제한하지 않는다.이러한 요소 번호는 사전에 각각의 블록에 부여되고, 도 8 및 도 10에 도시된 식별 번호와 관련되고, 비통신 블록과 통신 블록 사이의 접속 관계(접속된 얼굴, 접속된 위치 및 방향)에 관한 정보와 함께 기록된다. 블록 세트의 전체의 구조에 관한 이러한 정보는 이하 "구조 데이터"로 지칭될 것이다. 따라서, 각각의 블록의 구조를 관리하는 것은 상술한 바와 같이 디스플레이를 가능하게 할 뿐만 아니라, 조립되는 프로세스에서의 블록 세트 또는 수정된 블록 세트의 형상을 식별하는 효율을 개선할 수 있는데, 그 이유는 이미지에서 하나의 몸체로서 나타나는 블록 세트가 사용자에 의해 부착되고 분리될 수 있는 단위로 분할될 수 있기 때문이다. 블록 세트의 형상이 그대로 렌더링되는 경우에, 렌더링하기 위해 이용되는 폴리곤 및 텍스처는 이러한 시점에서 생성될 수 있다. 그 다음, 후속 형상 식별 처리에서, 이러한 3D 모델은 보정될 수 있거나, 블록이 추가되거나 삭제될 수 있다.블록 세트 등의 형상(200)과 같은 형상이 시간 T1에서 인식된 후, 촬영 및 형상 식별 처리는 계속된다. 이때에, 도면에 도시된 바와 같이, 사용자가 블록 세트(190)의 정점을 카메라(122)의 측면으로 기울일 경우, 통신 블록(194) 및 비통신 블록(196)의 상부면은 약간 시간 T2에서 촬영된 이미지(192b)에 포함된다. 깊이 이미지가 이러한 이미지로부터 생성되고, 이러한 시점에서 상태의 코어로부터의 부피 차이가 획득될 때, 나머지 부분은 비통신 블록의 원통의 상부면(깊이 이미지(198b))을 포함한다. 비통신 블록은 시간 T1에서 추정된 직육면체보다는 원통일 가능성이 높은 것으로 이미지의 형상으로부터 판단될 수 있다. 블록 세트의 형상의 인식의 신뢰성은 블록 세트의 자세가 변경 될 때 이러한 보정을 반복함으로써 증가된다.비통신 블록이 원통인 것으로 발견되는 시점에서, 구조 분석부(22)는 시간 T1에서 직육면체인 것으로 추정된 비통신 블록의 형상을 원통으로 대체한다. 블록 세트의 정확한 형상(202)은 이에 의해 인식된다. 이러한 처리는 사실상 요소 번호 #N1과 관련된 직육면체 타입의 블록의 식별 번호를 원통 타입의 블록의 식별 번호로 보정하는 처리이다. 대안적으로, 폴리곤 모델은 보정될 수 있다. 도 11의 예는 이해를 용이하게 하기 위해 매우 간단한 구조를 가진 블록 세트를 도시한다. 그러나, 실제로, 예를 들어, 다른 비통신 블록은 비통신 블록의 후면에 접속될 수 있거나, 비통신 블록의 일부만이 비통신 블록으로 보일 수 있고, 다른 블록은 서로에 중첩될 수 있다.이 경우에, 상술한 바와 같이, 각각의 비통신 블록의 형상을 추정하고, 사용자가 블록 세트를 보유하고, 블록 세트를 기울이거나 블록 세트의 방향을 변경할 때에 식별된 부분만을 점진적으로 식별하는 방법 이외에, 블록 세트가 복수의 방향으로부터 촬영될 수 있도록 카메라(122)에 대하여 블록 세트를 회전 시키기 위해 사용자에게 재촉하도록 디스플레이가 이루어질 수 있다. 게다가, 후보 비통신 블록은 숨겨지지 않은 부분의 형상 및 색상에 기초하여 비통신 블록 정보 테이블(180)로부터 추출될 수 있고, 사용자가 실제 블록을 지정할 수 있도록 리스트로 표시될 수 있다. 게다가, 도면의 형상 또는 마커를 나타내는 2차원 바코드가 각각의 비통신 블록에 부착되는 경우, 형상은 촬영된 이미지로부터 식별될 수 있다.도 12는 조립 등의 중에 구조를 변경하는 블록 세트의 형상을 식별하는 처리를 설명하는데 지원하는 다이어그램이다. 도면의 표현의 방식은 도 11과 유사하다. 시간 축으로서 세로 좌표의 축에 따라 좌측으로부터 순서로 각각의 시간에서 촬영된 이미지(192b 내지 192d), 코어의 부분을 제외한 이미지의 깊이 이미지(198b 내지 198d), 및 블록 세트의 인식된 형상(202, 210 및 216)이 도시된다. 도면의 최상부 행의 시간 T2는 도 11의 시간 T2에 대응한다. 블록 세트의 촬영된 이미지(192b), 깊이 이미지(198b) 및 인식된 형상(202)은 또한 동일하다. 이러한 상태로부터, 후속 시간 T3에서 사용자는 새로운 비통신 블록(204)(촬영된 이미지(192c))을 접속하는 것으로 가정한다. 이러한 시간에서의 깊이 이미지(198c)와 이전의 시간 T2에서의 깊이 이미지(198b)의 비교는 새로운 비통신 블록의 이미지(206)가 추가되는 것을 나타낸다.구조 분석부(22)는 이전의 시간 T2에서의 깊이 이미지(198b)를 현재의 시간 T3에서의 깊이 이미지(198c)와 비교함으로써 새로운 비통신 블록(204)의 접속을 인식한다. 여기에서, 또한 이전의 시간에 존재하는 비통신 블록(196)은 카메라에 대하여 방향이 변경될 수 있거나, 비통신 블록(196)은 새로이 접속된 블록과 구별될 수 없다. 따라서, 일단 인식된 비통신 블록의 위치 및 자세를 계속 추적함으로써, 구조 분석부(22)는 블록의 위치 및 자세가 변경될 경우에도 동일한 블록을 인식할 수 있다. 능동 윤곽 모델 등을 이용한 통상의 추적 기술은 위치 및 자세를 추적할 때에 적용될 수 있다. 대안적으로, 코어에 접속되는 상태에서 비통신 블록의 방향의 변화는 위치 및 자세가 코어로부터의 신호에 의해 식별될 수 있는 코어의 위치 및 자세의 변화로부터 도출될 수 있다.따라서, 새로운 비통신 블록(204)의 접속이 부피 차이 후에 이미지의 비교의 결과로서 검출될 수 있는 후에, 비통신 블록의 형상은 예를 들어 도 11에 관하여 설명된 것과 유사한 방식으로 비통신 블록 정보 테이블(180)을 참조함으로써 식별된다. 그 후, 코어에 대한 접속 관계는 동일한 시간에 코어의 형상 및 자세에 기초하여 식별된다. 결과적으로, 시간 T3에서의 블록 세트의 형상(210)은 도면에 도시된 바와 같이 인식될 수 있다. 이때, 구조 데이터는, 새로운 요소 번호 "#N2"를 추가된 비통신 블록에 부여하고, 새로운 요소 번호 "#N2"를 해당 블록에 사전에 부여된 식별 번호와 관련시키며, 통신 블록에 대한 접속 관계를 기록함으로써 업데이트된다.또한, 카메라의 시야에 존재하는 비통신 블록이 접속되어 있는지 아직 접속되어 있지 않는지를 판단하기 위해, 코어를 포함하는 블록 세트와 시야에 존재하는 블록 사이의 상대 속도는 모니터링될 수 있다. 이 경우에, 새로운 블록은 상대 속도가 제로일 때 접속되는 것으로 결정된다. 시간 T3 이후의 시간 T4에서, 사용자는 이전에 접속된 비통신 블록(196)을 다른 형상(촬영된 이미지(192d)의 비통신 블록(214)으로 대체한다고 가정한다. 이 시간에서의 깊이 이미지(198b)와 이전의 시간 T3에서의 깊이 이미지(198c)의 비교는 비통신 블록의 이미지(215)의 형상이 변경되는 것을 나타낸다.이러한 비통신 블록을 다른 형상의 다른 비통신 블록으로 대체하는 것이 부피 차이 후에 이미지를 서로 비교하는 결과로서 검출될 수 있는 경우에, 새로운 비통신 블록의 형상은 지금까지 설명된 것과 유사한 방식으로 비통신 블록 정보 테이블(180)을 참조함으로써 식별된다. 코어에 대한 접속 관계는 이전에 접속된 비통신 블록과 동일하다. 따라서, 이전의 정보는 그대로 이용될 수 있다. 따라서, 시간 T4에서의 블록 세트의 형상(216)은 구조 데이터에서 동일한 요소 번호 "#N1"와 관련된 이전의 접속된 블록의 식별 번호만을 이 시간에 식별된 블록의 식별 번호로 업데이트함으로써 도면에 도시된 바와 같이 인식된다. 비통신 블록이 다른 형상의 비통신 블록이 접속되는 경우와 다르게 수정되는 일례로서, 비통신 블록이 접속된 코어의 조인트 각도가 변화되는 경우가 있을 수 있다. 도 13은 코어의 조인트 각도의 변화로 인해 수정되는 블록 세트의 형상을 식별하는 처리를 설명하는데 지원하는 다이어그램이다. 도면의 표현의 방식은 도 11 및 12와 유사하다. 시간 축으로서 세로 좌표의 축에 따라 좌측으로부터 순서로 각각의 시간에서 촬영된 이미지(192e 내지 192g), 깊이 이미지(198e 내지 198g), 및 블록 세트의 인식된 형상(218, 222 및 224)이 도시된다. 그러나, 블록 세트의 형상은 도 11 및 12에 도시된 것과 상이하고, 비통신 블록(228 및 230)은 각각 마커 및 조인트를 갖는 통신 블록(226)의 상부 링크 및 하부 링크를 포함하기 위해 맞춰진다.깊이 이미지는 조인트가 구부러지지 않은 시간 t1에서 촬영된 이미지(192e)에 기초하여 생성되는 부피 차이 후에 비통신 블록은 명백히 깊이 이미지(198e)의 한 몸체로서 나타난다. 따라서, 구조 분석부(22)는, 요소 번호 "#C1" 및 "#N1"을 각각 하나의 블록인 것으로 추정되는 하나의 (시리즈) 통신 블록 및 비통신 블록에 부여하고, 요소 번호를 각각의 블록의 식별 번호와 관련시키며, 통신 블록과 비통신 블록 사이의 접속 관계를 구조 데이터로서 기록함으로써 도면에 도시된 바와 같이 블록 세트의 형상(218)을 인식한다. 시간 t2에서, 사용자가 다음에 코어의 조인트(촬영된 이미지(192f))를 구부린다고 가정한다. 이 시간에서의 깊이 이미지(198f)와 이전의 시간 T1에서의 깊이 이미지(198e)의 비교는 비통신 블록의 형상이 변경된다는 것을 나타낸다. 구조 분석부(22)는 정보가 블록 세트로부터 별도로 전송된 코어에 대한 정보로부터 비통신 블록에 의해 포함된 코어의 상태를 획득하였다. 즉, 구조 분석부(22)는 통신 블록의 조인트 각도를 파악한다. 따라서, 내부에 존재하는 통신 블록의 조인트 각도가 비통신 블록의 수정에 대응하는 각도로 변경될 때, 비통신 블록의 수정은 코어의 굽힘에 의해 야기되는 것으로 결정될 수 있다.따라서, 다른 블록을 재접속하는 것을 결정하는 대신에 실제로 원래 하나의 블록으로서 인식된 복수의 블록이 있다는 것을 결정하는 것이 가능하다. 이 경우에, 구조 데이터는 새로운 요소 번호 "#N2"를 경사(inclination)가 변경한 비통신 블록(도면에서의 상위 블록)에 부여하고, 경사가 변경하지 않은 블록에 대해서는 그대로 요소 번호 "#N1"를 이용하여 보정된다. 요소 번호가 보정될 때 코어에 대한 접속 관계는 적절히 보정된다. 이에 의해 시간 t2에서의 블록 세트의 형상(222)은 도면에 도시된 바와 같이 인식될 수 있다.도면의 예에서, 상부 블록과 하부 블록의 차이는 경사 각도와 블록의 형상으로부터 명백하다. 그러나, 경사 각도가 작거나 블록이 각도가 변경될 때에도 블록 사이의 갭을 눈에 잘 안 띄게 하는 형상 또는 재료를 갖는다. 블록 사이의 틈(break)은 쉽게 검출될 수 없다. 이 경우에, 조인트가 조인트의 위치에서 구부러지지 않을 경우에 예를 들어 코어의 축에 수직한 분할면(220)을 설정하고, 분할면에 의해 블록을 분할함으로써 원래 하나의 블록으로 간주된 블록은 2개의 블록으로 분할될 수 있다. 이 경우, 분할면(220)의 평면은 하부 블록의 상부면 및 상부 블록의 하부면으로 추정되고, 하부 블록의 상부면 및 상부 블록의 하부면은 원래 서로 접촉해 있고, 후속 형상 식별 처리 시에 보정이 이루어진다. 시간 t2에서의 처리의 결과로서, 비통신 블록은 2개의 블록으로 구성되는 것으로 인식된다. 따라서, 후속 t3에서 블록 세트의 조인트가 시간 t1(촬영된 이미지(192g) 및 깊이 이미지(198g))에서 구부러지지 않는 상태로 복귀가 이루어질 경우에도, 정보 처리 장치(10)는 2개의 비통신 블록이 서로에 링크되는 상태로서 상태를 인식할 수 있다(블록 세트(224)). 코어의 조인트가 후속하여 구부러지고 신장되는 경우에도, 링크를 포함하는 비통신 블록이 개별적으로 관리되기 때문에 형상 등을 다시 식별하는 처리는 필요하지 않다.따라서, 복수의 블록이 일시적으로 방향 또는 간격을 변경하지 않고 하나의 몸체로 조립되는 경우에, 이러한 블록을 총칭하여 하나의 블록으로서 처리함으로써 데이터 관리는 단순화될 수 있다. 한편, 복수의 블록이 하나의 몸체로서 조립되는 경우에도, 복수의 블록이 색상 또는 텍스처에서 서로 상이하며, 따라서 상이한 블록으로 인식될 수 있는 경우, 블록은 블록의 색상 또는 텍스처에 대한 정보에 기초하여 개별적으로 관리될 수 있다. 사용자가 블록을 부착하고 분리하는 프로세스가 올바르게 인식될 필요가 있는 경우, 특히, 구조 데이터의 보정은 각각의 블록을 개별적으로 관리함으로써 변화가 발생하는 부분으로 제한될 수 있다. 따라서, 이것은 처리 효율의 관점에서 유리하다.게다가, 블록 세트의 획득된 상태가 디스플레이 장치(16) 상에 객체로서 표시되는 경우, 또는 구조 데이터가 폴리곤 및 텍스처에 대한 정보로서 유지되는 경우, 해상도를 거칠게 하는 낮은 폴리곤 모델링은 식별된 형상을 그대로 반영하는 대신에 처리 부하 또는 메모리 소비량을 감소시키도록 수행될 수 있다. 대안적으로, 각각의 비통신 블록은 비통신 블록 정보 테이블의 다른 객체 모델과 더 관련될 수 있고, 비통신 블록의 부분과 관련된 객체 모델은 디스플레이 시에 비통신 블록의 부분을 대체하기 위해 렌더링될 수 있다. 따라서, 블록은 직육면체 등과 같은 거친 형상을 갖는 경우에도, 블록은 실제 객체로 변환되고, 객체는 디스플레이 시에 표시된다. 따라서, 정보의 상세 사항의 레벨을 실제 블록 세트보다 낮고, 같거나 높게 할지에 관한 설정은 블록 세트의 상태, 정보 처리 장치(10)의 처리 성능, 메모리 용량 등을 이용하여 정보 처리부(30)에 의해 수행되는 처리에 따라 적절히 이루어진다. 또한, 도 11 내지 13에 도시된 바와 같이, 본 실시예는 코어 및 비통신 블록 모두에 대하여 블록 세트의 시간적 변화를 획득한다. 따라서, 미리 정해진 시간에 대한 히스토리로서 시간적 변화를 저장하고, 필요에 따라 히스토리를 판독하고 이용함으로써 다양한 모드가 실현될 수 있다. 예를 들면, 사용자가 몇 단계 전의 상태로 조립되는 프로세스에서 블록 세트를 반환하기를 원하고, 사용자가 입력 장치(14)를 통해 요청을 하는 경우, 대응하는 단계에서의 블록 세트의 상태는 3D 객체로서 표시된다. 사용자는 3D 객체를 보면서 실제 블록 세트를 이전의 상태로 반환할 수 있다. 3D 객체로서 렌더링된 블록 세트에 대한 가상 시점이 입력 장치(14)에 의해 변경되면, 블록 세트의 이전의 상태는 복수의 방향으로부터 검사될 수 있다. 히스토리가 장기간 저장되는 경우, 과거에 생성된 블록 세트는 각각의 행하는(making) 단계에서 객체로서 표시될 수 있고, 실제 블록 세트는 객체에 따른 조립에 의해 재생될 수 있다.게다가, 도 12에서의 원통 타입의 비통신 블록(196)과 같이 일단 분리되면 블록에 대한 정보는 구조 데이터로부터 즉시 삭제되지 않고 이전의 요소 번호가 제공될 경우에 유지할 수 있고, 블록이 분리되는 것을 나타내는 플래그 등에 의해 관리될 수 있다. 이 경우에, 다른 블록이 동일한 위치에 부착될 때, 동일한 요소 번호가 복수의 비통신 블록에 주어진다. 그러나, 플래그는 과거 정보와 현재 정보를 구별할 수 있다. 그 다음, 사용자가 블록 세트를 이전의 상태로 반환하도록 요청을 하는 경우, 이전의 상태의 블록 세트의 객체는 구조 데이터로부터 이전의 블록을 검출하고 반환함으로써 표시될 수 있다.다음에는, 블록 세트의 상태의 식별과 관련하여 정보 처리 장치의 동작에 대하여 설명이 이루어질 것이며, 이런 동작은 지금까지 설명된 구성에 의해 실현될 수 있다. 도 14는 비통신 블록을 포함하는 블록 세트의 상태를 식별하기 위한 처리 절차를 도시한 흐름도이다. 이러한 흐름도는 사용자가 블록 세트(120)의 블록 중 배터리를 갖는 블록에 대한 전력을 턴온할 때에 시작되고, 예를 들어 정보 처리 장치(10)에 대한 애플리케이션을 선택함으로써 입력 장치(14)를 통해 처리를 시작하기 위한 명령어를 입력한다.또한, 처리가 다음에 도시되는 정보 처리 장치(10)의 처리와 병행하여 코어의 상태를 나타내는 신호는 사용자에 의해 조립되거나 들어올려지는 블록 세트로부터 미리 정해진 시간에 전송된다고 가정한다. 게다가, 본 흐름도는 비통신 블록의 변화에 관심을 돌리고, 코어의 상태의 변화는 코어 등의 상태를 나타내는 신호로부터 별도로 획득된다고 가정한다. 먼저, 구조 분석부(22)는 카메라(122)가 블록 세트를 촬영하는 것을 개시하도록 한다(S10). 한편, 미리 정해진 초기 이미지는 정보 처리부(30)와 디스플레이 처리부(32) 사이의 협력에 의해 디스플레이 장치(16)에 표시된다(S12). 이때에 표시된 이미지는 카메라(112)에 의해 촬영된 라이브 비디오, 게임 이미지와 같이 애플리케이션의 일부로서 사전에 생성된 이미지 등일 수 있다.시간 단계 t= 0(t는 오름차순으로 시간의 경과를 나타내는 정수이다)에서, 코어 정보 수신부(20)가 블록 세트로부터 전송된 정보를 수신할 경우, 구조 분석부(22)는 정보에 기초하여 3차원 공간에서의 코어의 자세 및 형상을 식별한다(S14 및 S16). 코어의 위치가 촬영된 이미지와 다른 수단에 의해 식별 될 때, 코어의 위치는 또한 식별된다. 한편, 구조 분석부(22)는 예를 들어 카메라(122)로부터 촬영된 이미지를 획득하고, 촬영된 이미지에 기초하여 깊이 이미지를 생성함으로써(S18) 블록 세트의 전체 이미지 및 위치를 획득한다. 블록 세트, 배경, 사용자의 손 등과 다른 것은 촬영된 이미지에 나타날 수 있다. 따라서, 이러한 이미지를 제거하는 처리는 어떤 단계에서 수행된다.전경 추출(foreground extraction), 동시 지역화 및 매핑 (SLAM) 방법, 색상 분할(color segmentation), 사전 기반 객체 인식 등과 같은 통상의 방법은 이러한 처리에 이용될 수 있다. 코어가 이와 같이 추출된 블록 세트의 전체 이미지에 대해 위치되는 방법이 식별된다(S20). 특히, 상술한 바와 같이, 코어 등의 마커와 같이 특성 형상, 색상 또는 패턴 등을 갖는 부분은 블록 세트의 이미지로부터 검출되고, 코어의 위치는 이러한 부분에 관련하여 결정된다. 그 후, 코어가 카메라에서 보여지는 방법은 형상 및 자세가 S16에서 식별되는 코어의 형상 및 자세에 기초하여 식별된다. 이것은 비통신 블록이 없을 때 블록 세트의 이미지이다. 따라서, 비통신 블록의 이미지 및 위치는 비통신 블록이 없을 때의 블록 세트의 이미지와 실제 블록 세트의 전체 이미지 사이의 부피 차이를 취함으로써 획득된다(S22).비통신 블록의 상태가 이전의 시간 단계(t-1)에서 획득되면, 이전의 시간 단계(t-1)의 비통신 블록의 상태 및 비통신 블록의 현재 이미지는 서로 비교되어(S24), 변경이 있는지의 여부를 검사한다(S26). 이미지의 형상의 변화가 있을 때(S26의 Y), 비통신 블록의 형상을 식별하고, 블록 세트의 구조 데이터를 업데이트하는 처리가 수행된다(S30). 또한, 시간 단계(t=0)에서 상태가 S22에서 획득되는 비통신 블록의 상태 자체는 변화로 간주되고, 구조 데이터는 비통신 블록의 상태에 기초하여 새롭게 생성된다.S30의 처리에 관해서. 도 11 내지 13에 관하여 설명된 바와 같이, S30의 처리는 비통신 블록의 부가 또는 제거의 경우의 처리, 다른 비통신 블록으로의 대체의 경우의 처리, 및 코어의 조인트의 굽힘으로 인한 비통신 블록의 형상의 변경의 경우의 처리로 분류되고, 각각의 경우에 대해 수행될 처리는 수행된다. 특히, 비통신 블록이 추가되면, 요소 번호가 부여되고, 각각이 형상, 접속 방향 등과 관련되고, 코어에 대한 접속 관계가 기록된다. 비통신 블록이 제거되면, 비통신 블록은 예를 들어 구조 데이터로부터 비통신 블록을 삭제하거나 비통신 블록이 제거되는 것을 나타내는 플래그를 설정함으로써 관리된다. 다른 비통신 블록으로의 대체가 수행되면, 대응하는 요소 번호에 대응하는 블록의 형상, 접속 방향 등이 업데이트된다.코어의 조인트의 굽힘으로 인한 형상의 변화 시에, 비통신 블록이 블록 사이에 개재된 조인트를 가진 각각의 링크에 대응하는 방식으로 관리되지 않는 경우에, 이러한 블록은 별도의 블록으로서 설정되고, 새로운 요소 번호는 블록 중 하나에 부여되고, 각각의 블록의 형상 및 접속 방향은 업데이트된다. 따라서, 비통신 블록은 개별적으로 관리된다. 게다가, 코어 또는 비통신 블록의 형상이 변화되지 않는 경우에도, 비통신 블록의 이미지는 위치 또는 자세의 변경에 따라 변화된다. 이 경우에, 부분의 형상이 부분 등의 숨기(hiding)로 인해 결정될 수 없기 때문에 추정된 부분의 형상의 적어도 부분이 식별될 수 있는지가 검사된다. 추정된 부분의 형상의 부분이 식별되면, 구조 데이터는 이에 따라 업데이트된다. 따라서, 형상은 시간 진화 방식으로 식별된다. 상술한 바와 같이, 구조 데이터는 3D 그래픽의 모델 데이터로서 표현될 수 있다.S26에서의 이미지의 형상의 변경이 없는 경우(S26에서의 N), 비통신 블록의 적어도 상태는 변경되지 않으며, 따라서 S30의 처리는 수행되지 않는다. 사용자가 처리를 종료하기 위한 입력을 수행할 때까지, 시간 단계(t)가 증가될 동안(S32 및 S28에서의 N) S16에서 S30까지의 처리는 순차적으로 반복된다. 처리를 종료하기 위한 명령어 입력이 예를 들어 블록 세트에 대한 전력을 턴오프함으로써 수행될 때(S32에서의 Y) 처리는 종료된다. 또한, 코어 전체가 S20의 처리 시에 카메라로부터 볼 때 비통신 블록에 의해 숨겨진 경우, 코어의 위치 결정은 수행될 수 없다. 이 경우에, 코어가 카메라의 시야로 들어오도록 사용자가 블록 세트의 방향을 변경하도록 재촉하는 디스플레이가 이루어질 수 있다. 대안적으로, 코어에 대한 카메라 좌표계는 코어의 전체 이미지가 블록 세트의 전체 이미지로부터 돌출하지 않도록 추정될 수 있고, 후속 시간 단계에서 보정될 수 있다.또한, 지금까지의 설명에서 비통신 블록의 형상의 변화에 대한 관심이? 주로 지향되었다. 데이터 구조는 비통신 블록의 색상 또는 텍스처가 변경되는 경우에도 유사한 처리에 의해 업데이트될 수 있다. 그러나, 이 경우, 코어의 부분은 먼저 전체 이미지와 깊이 이미지의 코어를 위치시킴으로써 블록 세트의 전체 이미지로부터 제거되고, 그 후에 색상 또는 텍스처의 변화는 나머지 비통신 블록의 이미지의 영역을 촬영된 색상 이미지로 피드백함으로써 식별된다. 도 15는 지금까지 설명된 모드에 의해 실현될 수 있는 블록 세트와 디스플레이 사이의 관계를 도시한다. 도면의 예에서, 통신 블록과 비통신 블록을 포함하는 블록 세트(240)는 정보 처리 장치(10)가 인식하는 3D 객체(242)로서 렌더링되고, 디스플레이 장치(16) 상에 표시된다. 비통신 블록의 형상, 자세, 색상 등이 카메라(122)에 의해 획득되기 때문에, 비통신 블록 정보 테이블에 등록되지 않은 것, 예를 들어, 사용자 자신이 만든 것은 인식될 수 있다. 예를 들어, 사용자가 도면에서 블록 세트(240)로서 조립된 인형의 얼굴을 펠트 펜으로 기록하거나, 인형에 스티커를 붙일 경우에도, 기록된 얼굴과 유사한 얼굴을 가진 인형 또는 스티커가 붙여진 인형은 3D 객체로서 렌더링된다.본 예에서, 실제 카메라(122)의 시야 내에 존재하는 블록 세트는 미러(mirror) 처리에 의해 수평으로 플립(flip)되고, 객체로서 나타낸다. 블록 세트(240)가 디스플레이 장치(16) 상에서 카메라(122)를 향해 있기 때문에, 디스플레이 상의 3D 객체(242)는 블록 세트(240)가 미러에서 나타나도록 표시된다. 한편, 정보 처리 장치(10)는 상술한 바와 같이 블록 세트(240)의 3차원 형상을 인식하고, 따라서 3D 객체(242)에 대하여 가상 시점을 자유롭게 변경할 수 있다. 따라서, 측면이 이 시점에 카메라(122)로부터의 사각 지대에 있는 인형의 엉덩이(back side)에 대한 이미지는 심지어 블록 세트(240)가 회전되지 않고 표시될 수 있다. 그러나, 지금까지 형상 식별 처리에 따라, 엉덩이에 대한 형상의 상세 사항은 결정될 수 없다.지금까지 설명은 실제로 조립된 블록 세트의 상태의 인식에 기초한다. 그러나, 실제로 접속되지 않은 것은 가상으로 접속되도록 허용될 수 있다. 도 15에 도시된 스크린은 블록 세트(240)를 반영하는 3D 객체(242)와 함께 제공될 항목의 옵션의 이미지(244 및 246)를 표시한다. 사용자가 하나의 이미지를 선택하고, 스크린 상의 3D 객체(242)가 예를 들어 입력 장치(14)를 통해 블록 세트(240)를 이동시킴으로써 대응하는 항목을 갖게 할 경우, 정보 처리 장치(10)는 대응하는 항목이 이미 인식된 블록 세트의 대응하는 위치에 접속되는 것을 나타내기 위해 구조 데이터를 업데이트할 수 있다.옵션으로서 항목의 3차원 형상은 정보 처리 장치(10)의 블록 정보 저장부(24) 또는 모델 데이터 저장부(26)에 유지된다. 결과적으로, 후속 처리에서, 스크린 상의 항목이 실제로 블록 세트에 접속되든 가상으로 접속되든 상관없이, 실제 공간에서 블록 세트의 움직임에 따라 가상 세계에서 3D 객체(242)에 의해 유지되는 상태로 이동하기 위해 항목이 나타낼 수 있다. 3차원 형상 정보가 3D 스캐너에 의해 사용자 자신 등에 의해 이루어진 실제의 것을 캡처함으로써 획득되는 경우, 3차원 형상 정보는 상술한 항목에 대한 대체물로서 역할을 한다. 즉, 비통신 블록의 실제의 것이 실제로 접속되지 않을 경우에도, 비통신 블록이 스크린 상에 접속된 것처럼 비통신 블록이 표시될 수 있다.블록 세트의 외관 자체는 가상 세계에서 유사한 방법에 의해 디스플레이 상에 생성될 수 있다. 도 16은 외관이 블록 세트에 설정되는 경우에 블록 세트와 디스플레이 사이의 관계를 도시한다. 본 예에서, 도 15의 경우와 비교되듯이, 블록 세트(248) 자체는 예를 들어 단지 통신 블록 등과 같이 구성이 간단하다. 이러한 블록 세트(248)의 상태를 인식할 때, 정보 처리 장치(10)는 블록 세트를 수평으로 플립한 후에 인식된 블록 세트의 상태를 그대로 또는 3D 객체(250)로서 디스플레이 장치(16) 상에 표시한다. 그 후, 도 15의 항목의 경우에서와 같이. 후보로서 3D 객체의 옵션의 이미지(252a, 252b 및 252c)는 예를 들어 얼굴 등과 같은 각 부분에 대해 표시된다. 사용자는 블록 세트의 각 블록 또는 복수의 블록에 의해 형성된 각 부분에 대한 이미지(252a, 252b 또는 252c)로부터 입력을 선택하는 것을 수행하며, 이에 의해 3D 객체(250)에 가상으로 접속한다. 따라서, 외관은 완성된다. 결과적으로, 다양한 외관을 가진 3D 객체를 자유롭게 생성하고, 실제 블록 세트(248)의 움직임에 따라 3D 객체를 더 이동시키거나 가상 시점을 변경할 수 있다. 게다가, 가상 3D 객체는 가상 외관이 이와 같이 생성되는 복수의 블록 세트를 접속함으로써 디스플레이상에서 서로 결합될 수 있다.예를 들어, 블록 세트와 블록 세트에 대응하는 외관이 대물 렌즈(objective)로서 3D 객체의 완성된 형태로 각 부분에 대해 생성되고, 블록 세트가 최종적으로 접속될 때, 심지어 상세한 부분이 설정되는 외관을 가진 완성된 형태가 표시되도록 하는 모드가 실현될 수 있다. 대안적으로, 일단 생성되면 가상 외관을 가진 3D 객체를 저장하고, 동일한 블록 세트를 이용하여 다른 외관을 갖는 3D 객체를 생성하는 절차는 반복될 수 있고, 따라서 생성된 복수의 3D 객체는 가상 세계에서만 서로 결합될 수 있다. 이 경우, 최종으로 블록 세트와 관련된 3D 객체가 블록 세트와 연동될 때 서로 결합된 3D 객체의 모두가 블록 세트에 따라 이동하는 모드가 실현될 수 있다.도 15 및 16의 예에서. 블록 세트의 움직임은 가상 세계에서 3D 객체에 반영된다. 역으로, 3D 객체의 움직임은 블록 세트의 움직임에 반영될 수 있다. 예를 들어, 사용자에 의해 조립된 블록 세트를 나타내는 3D 객체 또는 블록 세트에 대응하기 위해 사용자에 의해 가상으로 생성된 3D 객체는 정보 처리부(30)에 의해 실행된 게임에서의 문자로서 나타나도록 만들어진다. 사용자가 입력 장치(14)를 이용하여 게임 동작을 수행하고, 3D 객체가 이에 따라 이동하면, 실제 블록 세트는 또한 이동하도록 만들어진다. 이 경우에, 구동 제어부(34)는 3D 객체의 움직임에 대응하는 방식으로 블록 세트의 구동부(148)를 제어하기 위한?? 신호를 전송한다.도 16의 예에서. 사용자가 하나 또는 복수의 블록의 단위로 3D 객체를 적용하는 모드를 추정한다. 따라서, 실제 블록과 가상 객체 사이의 대응 관계는 비통신 블록의 것과 유사하고, 관리는 또한 유사한 방식으로 수행될 수 있다. 즉, 실제 블록 세트의 조인트 각도가 변화되면, 수정이 변화에 의해 생성되는 위치는 또한 3D 객체에서 분명하며, 따라서 변화는 스크린 디스플레이에 쉽게 반영될 수 있다. 이는 3D 객체의 움직임이 블록 세트에 반영하는 경우와 마찬가지이다. 한편, 하나의 3D 객체가 조립된 블록 세트의 전체와 관련될 때, 블록 세트 및 3D 객체의 대응하는 위치는 블록 세트와 3D 객체를 서로 적절히 연동하기 위해 적절하게 설정될 필요가 있다.도 17은 하나의 3D 객체가 조립된 블록 세트와 관련되는 경우에 블록 세트와 디스플레이 사이의 관계를 도시한다. 본 예는 사용자가 크레인 트럭을 나타내는 것으로 추정된 블록 세트(260)를 생성하고, 디스플레이 상의 3D 객체로서 크레인 트럭(262)을 선택하는 경우를 추정한다. 블록 세트(260)는 크레인을 나타내는 것으로 추정된 블록에 제공된 복수의 조인트(264a, 264b 및 264c)를 포함하고, 플랫폼의 역할을 하는 블록에 맞춰진 휠(266a, 266b, 266c 및 266d)를 더 포함한다. 사용자가 블록 세트(260)의 조인트를 구부리고 신장하며, 예를 들어 동일한 방식으로 스크린 상에 크레인 트럭(262)을 이동할 경우, 조인트(264a, 264b 및 264c)의 굽힘 및 신장이 반영될 수 있는 어떤 위치에서의 크레인 트럭(262)의 위치는 설정될 필요가 있다. 게다가, 디스플레이 상의 크레인 트럭(262)의 움직임이 블록 세트(260)의 실제 움직임에서 반영될 경우, 각각의 휠의 롤 회전 속도, 스티어링 각도 등은 디스플레이 상의 움직임에 따라 결정될 필요가 있다. 본 실시예에서의 블록 세트(260)는 사용자에 의해 자유롭게 조립된다. 따라서, 크레인의 부분으로 이동되기를 원하는 부분, 크레인 트럭의 전후 관계 등은 주로 사용자의 의도에 따라 다르다. 따라서, 따라서 자유롭게 조립된 것의 움직임과 사전에 준비된 3D 객체의 움직임 사이의 대응 관계를 설정하는 방법에 대한 설명이 이루어진다.도 18은 블록 세트 및 3D 객체의 움직임을 서로 관련시키는데 필요한 정보를 예시한다. 도면의 좌측은 도 17에서 블록 세트(260)에 대응하는 블록 세트(270)의 개략적인 다이어그램이다. 도면의 우측은 도 17에서 3D 객체의 크레인 트럭(262)에 대응하는 크레인 트럭(272)의 개략적인 다이어그램이다. 도면에 도시된 바와 같이, 정보 처리 장치(10)가 형상을 인식할 경우에 이용되는 좌표계는 블록 세트(270)에 설정되고, 3D 모델에 대한 로컬 좌표계는 크레인 트럭(262)에 설정된다. 두 좌표계는 서로 독립적으로 설정된다. 따라서, 각각의 좌표계에서의 블록 세트(270) 및 크레인 트럭(272)의 방향은 달라진다.이해를 용이하게 하기 위해, 도 18의 예는 x 축과 y 축으로 형성된 2차원 평면의 형상, 즉, 블록 세트(270) 및 크레인 트럭(272)이 각각의 좌표계의 x 축과 평행한 상태로 정의될 때의 측면 형상을 예시한다. 그러나, 각각의 좌표계에 대한 블록 세트(270) 및 크레인 트럭(272)의 방향은 x 축에 대해 서로 반대이다. 여기서, 블록 세트(270)의 3개의 조인트는 RJ1, RJ2 및 RJ3로 나타내고, 크레인 트럭(272)의 3개의 조인트는 VJ1, VJ2 및 VJ3로 나타낸다. 게다가, 블록 세트(270)의 4개의 휠은 RA1, RA2, RA3 및 RA4로 나타내고, 크레인 트럭의 무한 궤도 트랙은 VA1 및 VA2로 나타낸다. 또한, 휠(RA3 및 RA4)과 무한 궤도 트랙(VA2)은 디스플레이 표면으로부터의 반대 측면에 있고, 보통 숨겨져 있다. 그러나, 도 18에서, 휠(RA3 및 RA4)과 무한 궤도 트랙(VA2)은 점선으로 표시된 바와 같이 시프트되어 나타내며, 참조 사항은 괄호에 나타낸다.이러한 블록 세트(270) 및 이러한 크레인 트럭(272)을 서로 연동하기 위한 가장 간단한 방법은 각각 블록 세트(270)의 조인트(RJ1, RJ2 및 RJ3)를 크레인 트럭(272)의 조인트(VJ1, VJ2 및 VJ3)와 관련시키고, 휠(RA1 및 RA2)을 도면에 도시되지 않은 무한 궤도 트랙(VA2)과 관련시키며, 휠(RA3 및 RA4)을 무한 궤도 트랙(VA1)과 관련시킬 수 있다. 그러나, 본 예에서, 크레인의 조인트의 위치는 블록 세트(270)와 크레인 트럭(272) 사이에 차이가 있다. 따라서, 블록 세트(270) 및 크레인 트럭(272)의 대응하는 조인트가 예를 들어 동일한 각도로 개별적으로 구부러지는 경우, 사용자가 예상하는 바와 같은 움직임은 일어나지 않을 수 있다.게다가, 일반적으로, 블록 세트(270)의 조인트 각도는 물리적 이동 가능한 범위를 가지고, 크레인 트럭(272)의 조인트는 또한 모델로서 이동 가능한 범위를 갖는다. 이러한 제약 조건이 고려되지 않는 경우, 3D 모델이 불가능한 각도로 구부러지는 경우, 또는 블록 세트의 조인트 각도가 한계치에 도달하고, 블록 세트가 더 이동하지 않는 경우가 있을 수 있다. 게다가, 좌표계에 대한 방향의 차이로 인해, 디스플레이 상의 크레인 트럭(272)은 블록 세트(270)가 전진될 때 배킹(backing)되는 경우가 있다. 이러한 문제를 방지하기 위해, 가상 세계의 것과 실제 것의 연동은 공동 좌표계를 설정하고, 대응 위치를 설정하며, 대응하는 위치의 구체적인 움직임을 서로 관련시키는 처리를 수행함으로써 조정된다.도 19는 정보 처리 장치(10)가 블록 세트 및 3D 객체의 움직임을 서로 관련시키는 처리 절차를 도시하는 흐름도이다. 먼저, 사용자가 블록 세트를 원하는 형상으로 조립한 후, 사용자는 입력 장치(14)를 통해 3D 객체와의 관련을 시작하기 위해 명령어 요청을 입력한다. 정보 처리 장치(10)의 정보 처리부(30)가 요청을 수신하면(S40), 정보 처리부(30)는 구조 분석부(22)로부터 조립된 블록 세트의 명령어에 관련된 정보를 획득한다(S42). 그 후, 적합한 모델은 렌더링 데이터가 블록 세트의 형상 등에 기초하여 모델 데이터 저장부(26)에 준비되는 3D 객체 중에서 후보로서 추출된다(S44).모델 데이터 저장부(26)는 크레인 트럭 등과 같은 다양한 종류의 객체 모델의 렌더링 데이터를 각 모델의 특징을 나타내는 메타데이터와 관련시키고, 서로 관련된 렌더링 데이터와 메타데이터를 저장한다. 메타데이터는 대략 분류될 경우 물건으로서의 특징, 구조적 특징 및 외부 특징을 포함한다. 물건으로서의 특징은 예를 들어 인간, 동물, 차량, 음식 등과 같은 항목, 영화, 애니메이션, 또는 캐릭터가 표시되는 게임의 이름, 캐릭터의 이름 등과 같은 고유 명사, 및 원시 시대, 중세, 현세, 미래, 특정 년 등과 같은 관련 기간을 포함한다. 구조적 특징은 조인트의 수, 이동 가능한 각도 및 각 조인트의 자유도, 링크의 길이 및 두께, 조인트의 접속 관계, 구동력, 타이어 직경 등을 포함한다.외부 특징은 색상, 표면 형상, 비통신 블록의 수 또는 부피, 블록 세트의 비통신 블록의 커버율(covering ratio), LED 또는 디스플레이 장치가 제공될 때의 LED 또는 디스플레이 장치의 수, 디스플레이 장치의 종류 등을 포함한다. 모델 데이터 저장부(26)에서, 이러한 다양한 특징은 각 모델과 관련된다. 관련된 특징이 많을수록, 적합한 후보의 추출의 정확도는 높다. 그러나, 모든 특징이 관련되는 것으로 의도되지 않는다. S44에서, 정보 처리부(30)는 구조적 특징 및 외부 특징에 기초하여 S42에서 정보가 획득되는 블록 세트의 형상 또는 구조에 관한 정보로부터 실제 블록 세트와의 높은 유사도를 갖는 후보 모델을 추출한다.예를 들어, NRJ이 블록 세트의 조인트의 수라고 하고, NRA이 블록 세트의 휠의 수라고 하고, NVJ가 3D 객체의 조인트의 수라고 하고, NVA가 3D 객체의 휠의 수라고 하면, 유사도 평가 값은 다음의 식에 의해 계산된다.유사도 평가 값 = (NRJ - NVJ) wJ + (NRA - NVA) wAWJ 및 WA는 조인트의 수의 평가 및 휠의 평가를 위한 가중치이고, 조인트의 수의 평가 및 휠의 평가의 중요성에 따라 결정된다. 평가 값이 0에 근접할수록. 유사도가 높다. 게다가, 평가 값이 양수인 경우, 평가 값은 블록 세트가 다수의 조인트 또는 휠을 갖는 경향을 나타낸다. 평가 값이 음수이면, 평가 값은 3D 객체가 다수의 조인트 또는 휠을 갖는 경향을 나타낸다. 평가 값을 0이게 하는 3D 객체가 있는 경우, 3D 객체는 가장 가능성 있는 후보 모델로서 추출된다.더욱이, 동일한 절대값을 갖지만, 부호가 서로 다른 평가 값이 획득되는 복수의 3D 객체가 있는 경우, 음의 절대 값을 제공하는 3D 객체는 우선적으로 추출된다. 이것은 3D 객체의 조인트 또는 휠의 수가 증가됨에 따라, 더욱 상세한 움직임은 스크린에 표현될 수 있고, 블록 세트의 움직임이 더욱 풍부하게 표현될 수 있기 때문이다. 이러한 유사도를 평가하기 전에, 물건으로서의 특징 중에서 사용자에 의해 선택된 특징에 기초하여 후보가 좁혀질 수 있다. 물건으로서의 특징, 구조적 특징 및 외부 특징은 후보를 추출하기 위해 적절하게 서로 조합될 수 있거나, 사용자는 또한 물건으로서의 특징과 다른 특징을 지정하도록 허용될 수 있다.정보 처리부(30)는 이와 같이 디스플레이 장치(16) 상에 추출된 복수의 후보 모델을 표시하고, 입력 장치(14) 등을 통해 사용자에 의해 수행되는 선택 입력을 수신한다(S46). 이에 의해 선택된 모델의 일례는 도 18에 도시된 크레인 트럭(272)이다. 그 다음, 이미지에서 블록 세트 및 객체에 공통인 좌표계가 설정된다(S48). 따라서, 자세를 결정하고 블록 세트의 방향으로 이동하는 파라미터는 3D 객체에서도 유사하게 처리될 수 있다. 예를 들어, 도 18에서 블록 세트(270)가 x축의 음의 방향으로 전진되는 경우, 좌표계는 3D 객체의 크레인 트럭(272)이 또한 x축의 음의 방향으로 전진되도록 설정된다. 게다가, 좌표계는 조인트 각도의 일반적인 정의를 할 수 있게 하고, 조인트 각도가 변경될 때 링크가 조인트에 대해 이동되는 것을 적절히 결정할 수 있게 한다.일반적인 좌표계에서 정의된 다양한 종류의 파라미터는 원래 3D 객체에 설정된 로컬 좌표계에서의 값으로 좌표 변환을 실시하고, 이에 의해 3D 객체의 렌더링 시에 반영된다. 블록 세트 및 3D 객체의 형상이 서로 유사하고, 이의 정면 및 후면 등이 명백할 경우, 정보 처리부(33)는 블록 세트 및 3D 객체 모두가 동일한 방향을 갖도록 공통 좌표계를 설정한다. 대안적으로, 3D 객체의 방향이 블록 세트의 방향과 동일하게 되도록 사용자는 스크린 상에서 3D 객체의 방향을 조정할 수 있고, 정보 처리부(30)는 좌표계를 기준으로서의 방향으로 설정할 수 있다. 따라서, 심지어 전면 및 후면이 불분명한 블록 세트는 사용자가 의도한 방향으로 3D 객체와 연동될 수 있다.그 다음, 블록 세트 및 3D 객체의 대응하는 위치가 설정된다(S50). 조인트의 수 또는 블록 세트 및 3D?? 객체의 링크의 접속 관계는 서로 일치할 때, 이러한 처리는 전체적으로 정보 처리부(30)에 의해 수행될 수 있다. 특히, 구조가 S42에서 획득되고, 객체 모델의 구조가 S46에서 선택되는 블록 세트의 구조에 기초하여, 정보 처리부(30)는 블록 세트 및 객체 모델의 대응하는 조인트를 기하학적으로 도출하고, 블록 세트 및 객체 모델의 대응하는 조인트를 서로 관련시킨다. 대안적으로, 설정 스크린은 사용자가 설정을 하게 하도록 표시된다. 이 경우에 관련된 위치에는 통상적으로 도 18에서 조인트 또는 휠이 있다. 그러나, 블록 세트의 굽힘 회전, 변위 등과 같은 변화가 반영되기를 원하는 위치에 대해, 사용자는 3D 객체 측에 대응하는 지점을 자유롭게 설정하도록 허용된다. 이것은 연체 동물 등과 같이 임의의 조인트 없이 동물을 이동시킬 수 있게 하거나, 실제로 구부러지지 않는 것을 휘게 할 수 있다.또한, 관련된 위치는 반드시 일대일 관계에 있을 필요는 없다. 즉, 블록 세트의 복수의 조인트는 3D 객체의 하나의 조인트와 관련될 수 있거나, 3D 객체의 복수의 조인트는 블록 세트의 하나의 조인트와 관련될 수 있다. 이는 휠에 대해서와 마찬가지이다. 블록 세트 및 3D?? 객체가 상이한 수의 조인트를 가질 경우에도 블록 세트 및 3D?? 객체의 전체 구조가 복수의 조인트를 하나의 조인트로 간주함으로써 서로 일치하도록 만들어 질 수 있는 경우에, 정보 처리부(30)는 이러한 방식으로 조인트를 그룹화할 수 있다.이 경우에, 예를 들어, 블록 세트 및 3D 객체 중 하나의 조인트의 하나의 그룹은 다른 것 중 하나의 조인트와 관련되어 있다. 이때, 후자의 조인트 각도의 변화는 전자의 조인트의 하나의 그룹의 움직임에 할당된다. 구체적인 예는 나중에 설명될 것이다. 조인트가 그룹화되는 여부와 상관없이, 정보 처리부(30)는 블록 세트 및 3D 객체의 전체 구조뿐만 아니라 각각의 조인트의 이동 가능한 각도를 고려하여 대응 관계를 설정한다. 예를 들어, 동일한 이동 가능한 각도를 갖는 조인트는 서로 관련된다. 따라서, 조인트 사이의 유사도는 전체 구조, 이동 가능한 각도 등과 같은 다양한 관점으로부터 평가될 수 있고, 평가 값이 임계 값보다 높은 조인트는 서로 관련될 수 있다. 정보 처리부(30) 또는 사용자에 의해 설정된 대응하는 위치에 대한 정보는 대응 정보 저장부(28)에 저장된다.그 다음, 움직임 대응 관계는 이와 같이 관련된 위치에 대해 설정된다(S52). 즉, 조인트 각도의 변화를 그대로 반영할 지의 여부에 관한 설정이 이루어지거나, 조인트가 일대일 기초로 관련되지 않을 경우에, 조인트 각도 등의 변화를 할당할 비율이 설정된다. 블록 세트와 3D?? 객체의 구조가 서로 일치하고, 대응하는 조인트의 이동 가능한 각도가 서로 동일한 경우, 조인트 각도는 기본적으로 서로 유사한 것으로 간주될 수 있으며, 따라서 정보 처리부(30)는 이러한 방식으로 설정을 한다. 구조가 조인트 각도를 그룹화함으로써 서로 유사하게 만들어지는 경우, 상술한 바와 같이, 하나의 조인트 각도의 변화는 하나의 대응하는 그룹에 속하는 조인트의 움직임에 할당된다. 이때, 할당 비율은 각각의 조인트의 이동 가능한 각도 사이의 비율에 따라 결정될 수 있다.따라서, 움직임 대응 관계가 사전에 규칙 세트에 의해 설정될 수 있는 경우, 정보 처리부(30)는 설정을 할 수 있다. 더욱이, 설정 스크린은 사용자가 움직임 대응 관계를 자유롭게 설정하거나, 이미 설정된 대응 관계를 보정할 수 있도록 표시된다. 게다가, 3D 객체의 차량의 움직임이 블록 세트의 차량의 움직임에 반영되는 경우, 디스플레이 상의 3D 객체의 차량의 속도와 블록 세트의 차축의 회전 속도는 서로 관련되어 있다. 이러한 관계는 블록 세트에 접속된 휠의 직경에 따라 변화한다. 따라서, 휠의 직경이 알려지면, 정보 처리부(30)는 동작에 의해 블록 세트의 차축의 회전 속도를 결정할 수 있다. 휠의 직경이 알려지지 않은 경우, 나중에 설명되는 바와 같이, 사용자가 실제로 블록 세트를 이동할 때 필요한 파라미터가 획득된다. S50 및 S52의 처리는 관련되는 모든 위치에 대해 반복된다(S54의 N). 모든 위치가 관련되는 경우, 처리는 종료된다(S54의 Y).도 20은 도 19의 S46에서 사용자에 의해 모델 선택 입력을 수신하기 위해 디스플레이 장치(16)에 표시된 스크린의 일례를 도시한다. 모델 선택 수신 스크린(280)은 복수의 모델, 즉 "모델 1", "모델 2" 및 "모델 3"의 이미지, 선택 입력을 위해 프롬프트(prompt)하는 문자열(282), 및 입력 장치(14)에 의해 이동 가능한 커서(284)를 포함한다. "모델 1", "모델 2" 및 "모델 3"은 도 19의 S44에서 추출된 후보 모델이고, 상술한 바와 같이, 물건으로서의 특징, 구조적 특징 및 외부 특징 중 적어도 하나에 의해 필터링하는 결과이다. 사용자가 물건으로서의 특징으로 "크레인 트럭"을 지정하면, 예를 들어, 추출된 모델은 모두 크레인 트럭이다. 이 경우에, "크레인 트럭"의 선택을 수신하기 위한 스크린은 또한 모델 선택 수신 스크린(280)을 디스플레이하기 전에 표시된다.추출된 수는 3개로 한정되지 않는다. 조건에 부합하는 모든 것이 추출될 수 있다. 대안적으로, 모델은 상술한 유사도의 평가 값을 이용함으로써 순위가 정해지고, 높게 순위를 정하는 미리 정해진 수의 모델이 추출될 수 있다. 이 경우에, 모델 선택 수신 스크린(280)은 왼쪽에서 순위가 감소하는 순서로 모델의 이미지를 배열할 수 있다. 도 20에서, "모델 1", "모델 2" 및 "모델 3"은 각각 크레인 트럭이지만, 조인트의 수 등과 같은 모델의 크레인 부분의 형상은 서로 상이하다. 사용자는 커서(284)에 의해 원하는 모델 또는 블록 세트와 유사한 모델을 나타내고, 예를 들어 입력 장치(14)에 의해 결정 입력을 수행함으로써 하나의 모델을 선택한다.또한, 커서(284)를 통해 선택 입력을 위한 수단과 다른 수단은 모델의 선택을 위해 이용될 수 있다. 예를 들어, 카메라(122)에 의해 사용자를 촬영하고, 사용자의 손가락의 위치와 차례로 깊이 이미지 등으로부터 디스플레이 스크린 상에 나타낸 위치를?? 검출하는 기술이 제안된다. 이러한 기술이 이용되고, 사용자가 선택될 모델을 나타내는 경우, 정보 처리 장치(10)는 선택된 모델을 인식할 수 있다. 도 21 및 22에 도시된 각각의 설정 스크린 상의 사용자에 의한 입력은 유사한 방식으로 실현될 수 있다.도 21은 도 19의 S48에서 블록 세트 및 선택된 모델에 공통인 좌표계를 설정하기 위해 디스플레이 장치(16)에 표시된 스크린의 일례를 도시한다. 본 예에서, 사용자는 블록 세트의 방향에 따라 스크린 상의 3D 객체의 방향을 조정함으로써 공통의 좌표계를 지정한다. 결과적으로, 상술한 바와 같이, 전체 구조의 전후 방향, 조인트에 대한 각 링크의 위치 관계, 조인트 각도의 정의 등은 균일하게 이루어질 수 있다. 모델 디스플레이 방향 설정 수신 스크린(290)은 크레인 트럭의 전면이 좌측으로 지향되는 이미지(292), 크레인 트럭의 전면이 우측으로 지향되는 이미지(294), 방향의 사양에 대해 프롬프트하는 문자열(296), 및 입력 장치(14)에 의해 이동 가능한 커서(298)를 포함한다.본 예는 사용자가 도 20에서 모델 선택 수신 스크린(280) 상의 "모델 1"을 선택하는 것으로 추정한다. 동일한 모델의 객체가 2개의 좌우 방향에서 본 이미지가 표시된다. 예를 들어, 사용자는 도면에 도시된 바와 같이 블록 세트(260)를 배치하고, 블록 세트와 유사한 방향을 나타내거나 사용자가 커서(298)에 의해 블록 세트의 방향과 동일한 것으로 간주하는 방향을 나타내는 이미지를 나타내며, 입력 장치(14)에 의해 결정 입력을 수행한다. 도면의 예에서, 좌측 지향된 이미지(292)가 선택된다. 그 후, 방향이 구조 분석부(22)에 의해 획득되는 블록 세트(260)의 방향과 선택된 이미지의 3D 객체의 방향이 동일한 방향으로 정의되도록 정보 처리부(30)는 좌표계를 블록 세트(260) 및 3D 객체에 설정한다. 또한, 본 예에서와 같이, 블록 세트(260) 및 3D 객체의 전면 및 후면이 플랫폼 차량 등에 대하여 크레인의 위치와 같은 구조에 기초하여 추정될 수 있는 경우에, 정보 처리부(30)는 상술한 바와 같이 좌표계를 설정할 수 있다.도 22는 도 19의 S50에서 블록 세트 및 3D 객체의 대응하는 위치를 설정하기 위해 디스플레이 장치(16) 상에 표시된 스크린의 일례를 도시한다. 대응하는 위치 설정 스크린(300)은 3D 객체의 이미지(302), 명령 리스트부(304), 설정 입력을 위해 프롬프트하는 문자열(306), 및 입력 장치(14)에 의해 이동 가능한 커서(308)를 포함한다. 스크린 상의 3D 객체는 모델 디스플레이 방향 설정 수신 스크린(290)을 통과한 후에 블록 세트와 동일한 방향에 있다. 따라서, 블록 세트와의 대응 관계는 사용자에 의해 쉽게 이해된다. 대응하는 위치 설정 스크린(300)은 블록 세트(260)의 이미지(310)를 더 표시할 수 있다.이미지(310)는 카메라(122)에 의해 촬영된 이미지, 또는 정보 처리 장치(10)에 의해 상태가 인식되는 블록 세트(260)의 상태를 3D 객체로서 렌더링하는 이미지이다. 전자의 경우에, 사용자 및 카메라(122)가 블록 세트(260)에 대하여 서로 반대측에 있는 경우, 촬영된 이미지는 사용자로부터 볼 때 블록 세트(260)를 재생하도록 수평으로 플립(flip)된다. 후자의 경우에, 비통신 블록이 코어의 구조를 확인하는데 어려움을 갖게 할 때, 코어의 이미지만이 표시될 수 있다.먼저, 사용자는 예를 들어 조인트를 굽힘 및 신장함으로써 블록 세트(260) 내에 관련되기를 원하는 조인트를 이동한다(예를 들어 화살표 A). 움직임은 구조 분석부(22)에 의해 인식된다. 블록 세트 측에 관련될 조인트(예를 들어 RJ2)를 지정하는 입력은 이에 의해 실현된다. 그 다음, 사용자는 커서(308)에 의해 3D 객체의 이미지(302)에서 3D 객체 측에 관련될 조인트(예를 들어 VJ3)를 나타내고, 입력 장치(14)에 의해 결정 입력을 수행한다. 블록 세트(260)의 조인트(RJ2) 및 3D 객체의 조인트(VJ3)는 이에 의해 서로 관련된다. 정보 처리부(30)는 대응 정보 저장부(28)에 이러한 조인트의 대응 관계를 기록하고 저장한다.이러한 설정은 사용자가 이동하기를 원하는 블록 세트(260)의 모든 조인트에 대해 이루어진다. 게다가, 비슷한 설정은 휠에 대해 이루어질 수 있다. 사용자는 블록 세트(260)가 이와 같이 설정된 대응 관계에 기초하여 실제로 이동될 경우에 3D 객체의 움직임을 검사하도록 허용될 수 있다. 그 후, 보정은 필요 시에 이루어지도록 허용될 수 있다. 이를 위해, 명령 리스트부(304)는, 대응하는 위치의 바로 이전의 설정을 취소하고 설정을 다시 하기 위한 "이전(prev)" 버튼, 현재 설정을 확인하고 다음 대응하는 위치를 설정하기 위한 "다음(next)" 버튼, 현재 시간에 모든 설정을 저장하고 설정 절차를 종료하기 위한 "중지(stop)" 버튼 등과 같은 GUI를 표시한다. 또한, 메뉴(menu)로서 다양한 종류의 설정 스크린을 표시하는 스크린으로 전환하기 위한 "메뉴" 버튼이 또한 표시된다. 또한, 나중에 설명되는 움직임 대응 관계가 설정된 후에 움직임 확인 처리가 수행될 수 있고, 설정을 취소할 지의 여부는 이에 따라 "이전" 버튼 또는 "다음" 버튼에 의해 확인될 수 있다. 또한, 어떤 조인트가 블록 세트(260)의 지정된 조인트와 관련될 수 있는 3D 객체의 조인트가 조인트의 이동 가능한 각도 또는 구조적 제약 조건으로부터 자동으로 좁혀질 수 있을 경우, 정보 처리부(30)는 사용자에게 후보로서의 조인트를 제시할 수 있다. 즉, 블록 세트 측에 관련될 조인트가 지정되는 시점에서, 대응하는 위치 설정 스크린(300) 상에 표시된 3D 객체의 이미지(302)에 관련을 위한 후보로서의 조인트는 색상 등으로 변화되며, 사용자는 조인트 중 하나를 선택하도록 허용된다. 따라서, 사용자에 의한 자유로운 대응 관계 설정이 허용되는 경우에, 불가능한 관련이 회피될 수 있다.게다가, 상술한 바와 같이, 블록 세트의 복수의 조인트는 3D 객체의 하나의 조인트와 관련되도록 허용되거나, 블록 세트의 하나의 조인트는 3D 객체의 복수의 조인트와 관련되도록 허용된다. 도 22의 예에서. 블록 세트의 2개의 조인트가 3D 모델의 조인트(VJ3)와 관련되어 있음을 나타내는 2개의 마크(312)는 3D 모델의 조인트(VJ3)에 제공된다. 이것은 예를 들어 블록 세트(260)의 조인트(RJ1)를 이동시킴으로써 3D 객체의 조인트(VJ3)와 블록 세트(260)의 조인트(RJ1)를 관련시키고, 조인트(RJ2)를 이동시킴으로써 3D 객체의 동일한 조인트(VJ3)와 조인트(RJ2)를 더 관련시키는 동작에 의해 실현된다. 한편, 3D 객체의 조인트(VJ1 및 VJ2)는 하나의 그룹으로 그룹화되고, 3D 객체의 조인트(VJ1 및 VJ2)가 블록 세트의 하나의 조인트와 관련되는 것을 나타내는 타원(314)에 의해 둘러싸인다. 따라서 하나의 그룹으로 3D 객체의 복수의 조인트를 그룹화하기 위해, 명령 리스트부(304)는 또한 그룹을 나타내는 타원(314)을 렌더링하기 위한 "그룹" 버튼의 GUI를 표시한다. 예를 들어, 사용자는 블록 세트(260)의 조인트(RJ3)를 이동시킨다. 그 후, 스크린상의 "그룹" 버튼은 커서(308)에 의해 선택되고, 3D 객체의 조인트(VJ2 및 VJ1)를 둘러싸기 위해 타원(314)이 그려진다. 블록 세트(260)의 조인트(RJ3)는 이에 의해 3D 객체의 조인트(VJ2 및 VJ1)와 관련된다.정보 처리부(30)는 블록 세트 및 3D 객체의 전체 구조, 이동 가능한 각도 등의 관점으로부터 몇몇 적합한 그룹화 패턴을 결정하고, 대응하는 위치 설정 스크린(300) 상에 후보로서 그룹화 패턴을 표시할 수 있다. 이 경우에, 사용자는 후보로부터 하나의 패턴을 선택함으로써 그룹화를 결정한다. 대안적으로, 그룹화 패턴 후보는 3D 객체의 메타데이터로서 생성되고, 사용자가 선택을 하도록 대응하는 위치 설정 스크린(300) 상에 표시될 수 있다. 또한, 블록 세트의 이미지(310)가 대응하는 위치 설정 스크린(300) 상에 표시되는 경우, 블록 세트의 조인트는 커서(308)에 의해 이미지(310)에 지정될 수 있다. 게다가, 관련된 조인트는 3D 객체의 이미지(302)와 블록 세트의 이미지(310)에서 동일한 색상으로 표시될 수 있거나, 이의 대응 관계는 라인에 의해 관련된 조인트를 서로 접속함으로써 명백하게 나타낼 수 있다.다음에는, 이와 같이 관련된 조인트의 움직임 대응 관계가 설명될 것이다. 대응 관계는 정보 처리부(30), 사용자, 또는 도 19의 S52에서 정보 처리부(30)와 사용자 모두의 협력에 의해 설정된다. 도 23은 기본 모드로서 블록 세트 및 3D 객체의 조인트가 일대일 기초로 서로 관련되고, 조인트가 동일한 각도로 이동하는 경우를 도시한다. 도 23의 좌측은 블록 세트의 조인트 부분(320a)을 나타내고, 도 23의 우측은 3D 객체의 대응하는 조인트 부분(322a)을 나타낸다. 즉, 블록 세트의 조인트 부분(320a)이 조인트가 구부러지지 않은 상태로부터 각도 만큼 구부러지는 경우, 3D 객체의 대응하는 조인트 부분(322a)은 또한 각도 만큼 구부러진다. 정보 처리부(30)에 의해 수행되는 처리에 따라, 3D 객체의 조인트 부분(322a)이 각도 만큼 구부러지는 경우, 대응하는 조인트(322a)는 구동 제어부(34)를 통해 블록 세트의 구동부(148)인 액추에이터를 구동함으로써 각도 만큼 구부러질 수 있다. 이러한 모드에 기초하여, 이동 가능한 각도, 관련될 조인트의 수 등과 같은 제약 조건, 사용자의 의도 등에 따라 다양한 설정이 실현된다. 도 24는 2개의 그룹화된 조인트가 하나의 조인트와 관련되는 경우에서 각각의 조인트의 각도 사이의 대응 관계의 일례를 도시한다. 도 24의 좌측은 블록 세트의 조인트 부분(320b)을 나타내고, 도 24의 우측은 3D 객체의 대응하는 조인트 부분(322b)을 나타낸다. 본 예에서, 블록 세트의 2개의 조인트 부분(320b)은 3D 객체의 하나의 조인트 부분(322b)과 관련된다. 그 후, 블록 세트의 조인트 중 하나가 각도 1만큼 구부러지고, 다른 조인트가 각도 2만큼 구부러지는 경우, 3D 객체의 대응하는 조인트 부분(322b)은 각도 1 및 각도 2의 합인 각도 (1 + 2)만큼 구부러진다. 즉, 블록 세트의 2개의 조인트에 의한 조인트 각도의 변화는 3D 객체의 하나의 조인트에 의해 실현된다.이러한 모드는 블록 세트의 각 조인트의 이동 가능한 각도가 3D 객체의 대응하는 조인트에 변화를 필요로 하는 조인트 각도의 변화보다 작을 때에 효과적이다. 블록 세트의 셋 이상의 조인트 각도의 변화는 합산될 수 있다. 각도의 대응 관계는 3D 객체의 복수의 조인트가 그룹화되고, 블록 세트의 하나의 조인트와 관련되는 경우에도 유사하다. 이러한 모드는 블록 세트의 조인트의 수가 3D 객체의 조인트의 수보다 작을 때에 효과적이다.게다가, 반대로, 3D 객체의 조인트 부분(322b)이 각도 (1 + 2)만큼 구부러지는 경우, 블록 세트의 대응하는 조인트 부분(320b)은 각각의 각도 1 및 2만큼 구부러질 수 있다. 이 경우에, 각각의 조인트의 이동 가능한 각도, 블록 세트가 나타내는 것으로 추정되는 것, 즉, 3D 객체에 의해 표현된 것의 실제 움직임 등과 같은 제약 조건에 따라 정보 처리부(30)는 각도 1와 2 사이의 비율을 결정할 수 있다. 블록 세트의 2개의 조인트의 이동 가능한 각도가 예를 들어 1:2의 비율인 경우, 각도 1 및 2는 또한 1:2의 비율에 있다.이는 블록 세트의 하나의 조인트의 각도의 변화가 3D 객체의 복수의 조인트의 각도에 할당하는 경우에도 마찬가지이다. 도 22에 도시된 크레인 트럭이 추정되면, 예를 들어, 3D 객체의 조인트(VJ1)에 접속된 후크가 항상 수직 하방으로 지향되는 것은 당연하다. 따라서, 정보 처리부(30)는 이러한 상태를 유지하기 위해 각도 1 및 2를 계산한다. 이러한 할당 규칙은 3D 객체의 데이터와 함께 생성된다. 또한, 블록 세트 및 3D 객체 중 하나의 각도의 변화의 합이 다른 하나의 각도의 변화에?? 반영되는 모드, 및 블록 세트 및 3D 객체 중 하나의 각도의 변화가 다른 하나의 복수의 각도의 변화에 할당되도록 하기 위해? 반영되는 모드가 서로 조합되는 경우, 블록 세트의 복수의 조인트는 또한 3D 객체의 복수의 조인트와 관련될 수 있다.도 25는 2개의 조인트가 그룹화되고 하나의 조인트와 관련되는 경우에 각각의 조인트의 각도 사이의 대응 관계의 다른 예를 도시한다. 도 25의 좌측은 블록 세트의 조인트 부분(320c)을 나타내고, 도 25의 우측은 3D 객체의 대응하는 조인트 부분(322c)을 나타낸다. 본 예에서, 블록 세트의 2개의 조인트는 서로 상이한 회전 축을 가지고, 2개의 조인트 중 하나가 도면의 평면에 수직한 축에 대한 각도를 변화시키며, 2개의 조인트 중 다른 하나가 링크의 축에 대한 각도를 변화시킨다고 가정한다. 한편, 조인트가 블록 세트의 2개의 조인트와 관련되는 3D 객체의 하나의 조인트는 각도가 블록 세트의 축에 대응하는 2개의 축에 대해 변경될 수 있도록 하는 2개의 자유도를 갖는 조인트라고 가정한다. 그 후, 블록 세트의 조인트 부분(320c)의 하나의 조인트가 각도 만큼 변화되고, 다른 조인트가 각도 만큼 변화될 경우, 3D 객체의 대응하는 조인트 부분(322c)은 각각의 축에 대해 각도 및 만큼 변화된다. 게다가, 반대로, 3D 객체의 조인트 부분(322c)이 각각의 축에 대해 각도 및 만큼 변화되는 경우, 블록 세트의 2개의 대응하는 조인트(320c)는 각각 및 만큼 변화될 수 있다. 도 26은 일대일로 서로 관련된 조인트의 각도의 변화가 서로 상이하게 이루어지는 경우를 예시한다. 도 26의 좌측은 블록 세트의 조인트 부분(320d)을 나타내고, 도 26의 우측은 3D 객체의 대응하는 조인트 부분(322d)을 나타낸다. 본 예에서, 블록 세트의 조인트가 각도 만큼 변화되는 경우, 3D 객체의 대응하는 조인트는 각도 의 3배인 각도 3만큼 변화된다. 블록 세트의 조인트의 이동 가능한 각도가 예를 들어 변화가 3D 객체의 대응하는 조인트에 필요한 각도의 변화보다 작은 경우, 블록 세트가 한계치로 이동되는 경우에도 3D 객체는 예상대로 이동할 수 없다. 또한, 3D 객체가 블록 세트를 이동하는 많은 노력 없이 동적으로 이동되도록 원하는 경우가 있다.이러한 문제는, 도면에 도시된 바와 같이 블록 세트의 조인트의 각도의 변화치에 1보다 큰 미리 정해진 값을 곱함으로써 획득된 각도만큼 3D 객체의 조인트 각도를 변경함으로써 해결될 수 있다. 대안적으로, 3D 객체의 조인트 각도는 블록 세트의 각도의 변화치에 1보다 작은 미리 정해진 값을 곱함으로써 블록 세트의 각도보다 작은 각도만큼 변화될 수 있다. 이러한 모드는 예를 들어 3D 객체가 예를 들어 조작기(manipulator)의 동작에서와 같이 블록 세트를 이동하는 손의 움직임보다 높은 정밀도로 미세하게 이동하기를 원할 경우에 효과적이다. 그것은 3D 객체의 조인트의 각도의 변화가 블록 세트의 각도의 변화에?? 반영되는 경우에도 유사한 설정을 하는데 충분하다. 또한, 조인트 중 하나의 각도의 변화가 다른 하나의 각도의 변화를 얻기 위해 미리 정해진 값으로 곱해지는 모드는 도 24 및 도 25에 도시된 모드와 조합될 수 있다. 이 경우에, 동일한 값이 그룹화된 모든 조인트에 대해 곱해질 수 있거나, 조인트에 따라 상이한 값이 곱해질 수 있다.도 27은 블록 세트의 하나의 조인트를 3D 객체의 복수의 조인트와 관련시키는 다른 예를 도시한다. 도 27의 좌측은 블록 세트의 조인트 부분(320e)을 나타내고, 도 27의 우측은 3D 객체의 대응하는 조인트 부분(322e)을 나타낸다. 본 예에서, 블록 세트의 하나의 조인트 부분(320e)은 3D 객체의 3개의 조인트 부분(322e)과 관련된다. 그 후, 블록 세트의 조인트가 각도 만큼 구부러지는 경우, 3D 객체의 3개의 대응하는 조인트는 각각 동일한 각도 만큼 구부러진다. 따라서, 간단한 구성을 갖는 블록 세트의 경우에서도, 블록 세트의 움직임은 3D 객체의 넓은 영역에 반영될 수 있다. 예를 들면, 블록 세트의 하나의 조인트가 3D 객체의 복수의 조인트 부분(322e)을 더 접속함으로써 형성된 형상을 가진 큰 스네이크(snake)의 모든 조인트와 관련되는 경우, 큰 스네이크의 전진 움직임과 같은 움직임은 도 27에서 조인트 부분(320e)만으로 구성된 블록 세트로 표현될 수 있다. 상술한 바와 같이, 큰 스네이크가 다양한 방식으로 이동하도록 이루어지는 움직이는 이미지가 저장되는 경우, 큰 스네이크는 나중의 임의의 타이밍 시에 게임 또는 애니메이션에서 캐릭터로서 이용될 수 있다. 이러한 전진된 이미지 표현은 조인트 부분(320e)을 가질 시에 간단한 블록 세트에 의해 실현될 수 있다. 또한, 이 모드에서 3D 객체에 관련된 조인트는 도면에 도시된 바와 같이 서로에 인접한 관계로 한정되지 않고, 3D 객체의 먼 위치에 존재하는 복수의 조인트일 수 있다.도 28은 도 19의 S52에서 블록 세트와 3D 객체 사이에 움직임 대응 관계를 설정하기 위해 디스플레이 장치(16)에 표시된 스크린의 일례를 도시한다. 사용자가 스크린 상에 대응하는 위치를 설정할 때마다 움직임 대응 관계 설정 스크린(330)은 도 22에 도시된 대응하는 위치 설정 스크린(300)에 움직임 대응 관계를 입력하기 위한 다이얼로그 박스(332)의 중첩 디스플레이를 생성함으로써 획득된 스크린이다. 본 예는, 블록 세트의 조인트(RJ1 및 RJ2)가 그룹화되고 3D 객체의 조인트(VJ3)와 관련된 후, VJ3의 각도의 변화가 블록 세트의 RJ1 및 RJ2의 각도의 변화에?? 할당될 때의 할당 비율이 선택된다고 추정한다. 이를 위해, 다이얼로그 박스(332)는 이러한 비율을 입력하기 위해 프롬프트하는 문자열(334)과, 이러한 비율의 각각의 수치 값을 입력하기 위한 텍스트 박스(336)를 표시한다.사용자가 구체적인 수치를 입력 장치(14) 등을 통해 텍스트 박스로 입력하면, 정보 처리부(30)는 블록 세트의 조인트(RJ1 및 RJ2)에 관련한 비율을 3D 객체의 조인트(VJ3)와 더 관련시키고, 대응 관계 정보 저장부(28)에 저장한다. 다이얼로그 박스(332)에 설정된 정보는 이것으로 한정되지 않는다. 도 23 내지 27에서와 같이 관련 중에서 필요한 정보는 조인트가 그룹화되는지의 여부에 따라 순차적으로 설정되도록 허용된다. 그러나, 상술한 바와 같이, 정보 처리부(30)가 사전에 규칙 세트에 의해 움직임을 관련시킬 수 있는 경우, 사용자에 의한 설정은 생략될 수 있다. 대안적으로, 사용자는 유사한 다이얼로그 박스에서 정보 처리부(30)에 의해 수행된 관련을 보정하도록 허용될 수 있다.도 29는 블록 세트 및 3D 객체의 대응하는 위치와 각각의 대응하는 위치의 움직임 사이의 대응 관계에 대한 정보의 데이터 구조의 일례를 도시하며, 정보는 대응 관계 정보 저장부(28)에 저장된다. 대응 관계 정보 테이블(340)은 블록 세트 측에서 대응하는 위치 및 움직임을 나타내는 블록 세트 정보부(342)와, 3D 객체 측에서 대응하는 위치 및 움직임을 나타내는 3D 객체 정보부(344)를 포함하며, 3D 객체 측 상의 대응하는 위치 및 움직임은 블록 세트의 위치 및 움직임에 대응하고, 블록 세트의 위치 및 움직임은 이러한 저장부 내에 입력된다. 본 예에서, 블록 세트의 조인트는 3D 객체의 조인트와 관련되고, 이러한 조인트의 각도의 변화 사이의 추가의 대응 관계가 설정된다.대응 관계는 기본적으로 행 단위로 입력된다. 예를 들어, 블록 세트 정보부(342)와 3D 객체 정보부(344)의 각각의 "조인트" 섹션은 블록 세트의 조인트(RJ1 및 RJ2)가 3D 객체의 조인트(VJ3)와 관련되어 있음을 보여준다. 블록 세트의 움직임이 이러한 대응 관계에서 3D 객체에 반영될 때, 조인트(RJ1 및 RJ)의 각도의 변화의 합은 3D 객체의 조인트(VJ3)의 각도의 변화를 나타내는 것으로 정의된다.블록 세트 정보부(342)와 3D 객체 정보부(344)의 각각의 "각도 변화" 섹션은 3D 객체의 움직임이 반대로 블록 세트에 반영되고, 3D 객체의 조인트(VJ3)의 각도가 만큼 변화될 경우, 조인트(RJ1 및 RJ2)의 각도는 각각 /2만큼 변화되며, 즉 할당 비율이 1:1임을 보여준다. 블록 세트의 조인트(RJ3)는 3D 객체의 조인트(VJ2 및 VJ1)와 관련되고, 블록 세트의 움직임이 3D 객체에 반영될 때, 각도 변화 할당 비율은 1:2이다. 다음의 섹션에서, 도 22 내지 27을 참조로 설명된 어느 하나의 움직임 사이의 대응 관계는 대응하는 위치와 함께 유사하게 입력된다.지금까지 설명은 주로 조인트의 움직임 사이의 대응 관계에 관한 구체적인 예로 이루어졌다. 다음에는 설명이 휠의 움직임의 관련으로 이루어질 것이다. 조인트의 경우에, 블록 세트 및 3D 객체 모두가 이동 가능한 각도, 전체 구조 등과 같은 제약 조건을 갖지만, 조인트는 기본적으로 서로 독립적이며, 따라서 블록 세트의 조인트와 3D 객체의 조인트는 동등하게 관련될 수 있다. 다른 한편으로, 휠의 경우에, 블록 세트가 조인트의 경우보다 더 많은 제약 조건을 갖지만, 휠의 움직임이 정확하게 정의되어 있지 않을 경우에도 3D 객체가 실행하는 것처럼 3D 객체는 표현될 수 있다는 점에서 본질적으로 차이가 있다. 즉, 블록 세트 및 3D 객체를 서로 연동되도록 보이게 하기 위해, 그것은 이동 방향과 대략의 속도를 서로 관련시키기에 충분하다. 이러한 대응 관계는 도 19의 S48에서 공통 좌표계를 설정함으로써 획득된다.사용자가 블록 세트(260)를 이동하고, 움직임이 3D 객체에 반영되면, 3D 객체에서의 블록 세트의 움직임의 반영은 단지 이러한 대응 관계에 기초하여 쉽게 실현될 수 있다. 특히, 그것은 카메라(122) 등의 촬영된 이미지로부터 블록 세트의 움직임의 량 및 이동 방향을 획득하고, 3D 객체가 또한 블록 세트의 움직임의 량 및 이동 방향에 기초하여 유사하게 이동하도록 3D 객체를 표현하기에 충분하다. 다른 한편으로, 3D 객체의 움직임이 블록 세트에 반영될 때, 제약 조건에 따른 설정이 필요하다. 예를 들어, 차량은 휠이 협력 동작을 수행하지 않을 때 실행할 수 없다. 게다가, 원하는 속도를 획득하기 위한 휠의 회전 속도는 휠의 직경에 따라 변화한다. 따라서, 적절한 조정이 이루어지지 않으면, 차량은 너무 높은 속도에 도달하여, 예를 들어, 벽과 충돌할 수 있다.따라서, 휠의 움직임을 관련시킬 시에, 블록 세트 측에 대한 많은 제약 조건이 있기 때문에 조인트의 경우에서보다 사용자에 의해 자유로운 설정을 위한 여지가 적다. 따라서, 주로 정보 처리부(30)는 움직임을 관련시킨다. 특히, 블록 세트의 전후 및 좌우가 명백하게 되는 시점에서, 구동 휠, 피구동 휠 및 스티어링된 휠은 사전에 설정된 구동 시스템에 따라 결정된다. 더욱이, 좌우 구동 휠과 좌우 스티어링된 휠이 동일한 회전 속도 및 동일한 스티어링 각도를 갖는다는 제약 조건을 만족시키기 위해 그룹화가 수행된다. 게다가, 블록 세트의 휠의 회전 속도 및 스티어링 각도는 블록 세트가 가상 세계에서 표현되는 3D 객체의 방향의 속도 및 변화에 대응하는 방향의 적절한 속도 및 적절한 변화로 실행하도록 3D 객체의 방향의 가상 속도 및 변화와 관련된다. 도 30은 3D 객체의 움직임이 블록 세트에 반영되는 모드에서 3D 객체와 블록 세트의 움직임 사이의 대응 관계를 설정하기 위한 처리 절차를 도시한 흐름도이다. 이러한 처리는 도 19에서 S50 및 S52의 처리에 대응한다. 정보 처리부(30)가 먼저 휠이 구조 분석부(22)로부터의 정보에 기초하여 블록 세트에 맞춰진 것을 탐지하면, 정보 처리부(30)는 구동 휠, 스티어링�� 휠 등과 같은 휠의 역할을 블록 세트의 전후 및 좌우 방향 및 구동 시스템에 따라 프론트 휠(front wheel) 또는 리어 휠(rear wheel)에 할당한다(S58). 더욱이, 서로 평행하게 배치되고, 구동 휠 또는 스티어링된 휠의 역할이 할당되는 적어도 2개의 휠은 하나의 그룹으로 그룹화되고, 이에 의해 협력 동작을 수행하도록 이루어진다(S60).또한, 서로 평행하게 배치된 2개의 휠이 하나의 차축에 대해 회전할 때, 2개의 휠은 자연스럽게 협력 동작을 수행하며, 따라서 S60의 처리는 생략될 수 있다. 그 다음, 3D 객체의 가상 주행을 반영하는 적절한 이동 속도와 적절한 방향의 변화를 획득하기 위한 제어 파라미터가 획득된다. 이 경우의 제어 파라미터는 구동 휠의 차축을 회전하는 액추에이터의 회전 속도, 스티어링된 휠의 스티어링 각도를 변경하는 액추에이터의 움직임 량 등이다. 또한, S60에서 그룹화된 구동 휠 및 스티어링된 휠을 제어하는 복수의 액추에이터는 정보 처리 장치(10)로부터의 제어 신호에 따라 동일한 동작을 수행하기 위해 제어된다.제어 파라미터를 획득하기 위해, 먼저, 사용자는 실제로 미리 정해진 방향으로 블록 세트를 이동하도록 한다. 블록 세트의 움직임 량은 측정되고, 움직임 시에 차축의 회전량 및 스티어링 각도는 측정된다(S62, S64 및 S66). 사용자는 별도로 준비된 제어 메커니즘에 의해 블록 세트를 전자적으로 구동할 수 있거나, 예를 들어, 손으로 블록 세트의 본체를 밀어냄으로써 블록 세트를 수동으로 이동시킬 수 있다. 후자의 경우에, 차축 및 스티어링 각도를 변경하기 위한 메커니즘은 액추에이터의 제어로부터 풀려난다. 블록 세트의 움직임 량은 카메라(122)의 촬영된 이미지 또는 카메라(122)의 촬영된 이미지로부터 생성된 깊이 이미지로부터 획득될 수 있다. 회전량은 휠에 제공된 로터리 인코더로부터의 신호로부터 획득될 수 있다. 스티어링 각도는 휠에 제공된 스티어링 각도 센서에 의해 획득될 수 있다. 또한, 예를 들어 로터리 인코더 등과 같은 센서가 제공되지 않는 경우, 회전량 및 스티어링 각도는 휠의 직경, 이동 거리 및 이동 방향에 기초하여 계산될 수 있다.그 후, 방향의 변경을 포함하는 움직임 량에 대한 실제 회전량 및 실제 스티어링 각도에 기초하여, 움직임 량을 획득하기 위해 모터의 회전량, 액추에이터의 움직임 량 등과 같은 제어의 량은 획득된다(S68). 이러한 대응 관계는 단위 시간당 값 또는 단위 각도당 값으로 변환된다. 이동 속도와 단위 스티어링 각도는 이에 의해 제어 파라미터의 값과 관련된다(S70). 이 경우의 이동 속도는 블록 세트 자체의 적절한 이동 속도이다. 그러나, 블록 세트가 스크린 상에서 3D 객체와 연동되는 경우, 이동 속도는 가상 세계에서 이동 속도에 의해 결정된 값이다. 이는 스티어링 각도에 대해서도 마찬가지이다. 따라서, 3D 객체의 움직임은 S70의 처리에 의해 블록 세트의 움직임과 관련된다.또한, 블록 세트에 접속된 휠의 직경이 휠의 식별 번호로부터 알려되면, 이동 속도와 제어 파라미터 사이의 대응 관계는 동작에 의해 획득될 수 있다. 따라서, S62 내지 S68의 처리는 생략될 수 있다. 게다가, 지금까지 설명된 예는 크레인 트럭을 나타내도록 추정된 블록 세트와 크레인 트럭의 3D 객체는 서로 관련되는 것으로 추정한다. 따라서, 휠의 움직임의 관련에 대한 설명이 이루어졌다. 그러나, 도 28에 도시된 흐름도는 3D 객체가 휠을 갖지 않는 경우에도 유사하게 적용된다.즉, 3D 객체가 인간, 동물, 곤충, 자동차와 다른 차량 등인 경우에서도, 가상 세계의 움직임이 블록 세트의 움직임에 반영될 때, 도 28의 처리 절차에 의해 이동 속도 및 스티어링 각도를 제어 파라미터와 관련시킴으로써 블록 세트는 속도 및 방향이 3D 객체의 가상 움직임에 대응하는 속도 및 방향으로 이동될 수 있다. 더욱이, 그것은 3D 객체의 움직임이 반영되는 모드뿐만 아니라, 블록 세트가 정보 처리 장치(10)에 의해 수행되는 처리 결과에 따라 간단히 이동되는 모드에도 적용할 수 있다.도 31은 블록 세트의 휠에 관련된 상술한 설정이 복합 링크로 확장되는 경우를 설명하는데 지원하는 다이어그램이다. 도면에 도시된 복합 링크(350)에서, 조인트는 서로 완전히 관계 없지 않고, 링크는 서로 연동되어 있다. 즉, 화살표로 나타낸 바와 같이, 복합 링크(350)의 하나의 조인트가 이동될 때, 4개의 조인트는 모두 이동된다(복합 링크(352)). 이러한 경우에, 액추에이터에 의해 하나의 조인트만을 이동하는 것은 불가능하다. 따라서, 휠을 구동하는 경우에서와 같이, 4개의 조인트는 그룹화되고, 협력 동작을 수행하도록 이루어진다. 복합 링크가 블록 세트에 통합되는 경우, 사용자는 대응 관계 설정 스크린 등에 복합 링크의 존재를 명확하게 나타내거나, 정보 처리부(30)는 블록 세트의 실제의 것의 복합 링크가 이동되는 경우에 복합 링크의 존재를 인식한다. 그 후, 3D 객체와의 움직임 대응 관계가 설정되면, 복합 링크에 포함된 모든 조인트는 그룹화된다.상술한 본 실시예에 따르면, 자유롭게 조립될 수 있는 블록은 정보 처리 장치에서의 처리를 위한 입력 장치 또는 출력 장치로서 이용된다. 조립 후에 블록 등의 골격 및 위치와 같은 상세 사항은 위치 및 자세를 획득하고 통신 기능을 갖는 블록을 통신하기 위한 다양한 종류의 센서를 이용함으로써 획득된다. 더욱이, 조립 후의 블록의 표면 형상은 카메라 등에 의해 촬영된 이미지와 같이 실제 공간에서의 블록의 존재를 검출하기 위한 수단을 이용함으로써 획득된다. 조립 후의 블록의 위치, 자세 및 형상은 통신 기능 없이 비통신 블록이 블록의 부분으로서 이용되는 경우에도 이러한 정보의 부분을 통합함으로써 높은 정밀도로 식별될 수 있다.결과적으로, 블록의 형상, 재료, 색상 등은 사용자 자신에 의해 만들어진 것이 이용될 수 있고, 사용자의 목적을 서빙하는 외관을 갖는 객체가 자유롭게 생성될 수 있는 것으로 한정되지 않는다. 게다가, 정보 처리 장치는 외관과 상관없이 위치, 자세 및 형상을 고정밀도로 획득할 수 있다. 따라서, 다양한 종류의 정보 처리가 입력 정보로서 사용자에 의해 조립 또는 이동 동작으로 수행될 수 있다. 게다가, 조립된 블록은 정보 처리의 결과로서 이동될 수 있다.예를 들면, 조립된 블록과 동일한 외관을 갖는 3D 객체가 표시될 수 있거나, 3D 객체가 조립된 블록에 대응하는 보다 현실적인 외관을 갖는 3D 객체가 표시될 수 있다. 후자의 경우에, 사용자는 블록의 각 부분에 대한 3D 객체의 부분을 지정함으로써 3D 객체 자체를 형성할 수 있거나, 블록의 전체는 하나의 3D 객체에 대응하도록 만들어질 수 있다. 이 때에, 연동될 조인트의 위치 등을 관련시킴으로써 위치의 변경뿐만 아니라 자세 또는 형상의 변경을 서로 반영하는 것이 가능하다. 설정 대응 위치 및 움직임 관련 사항은 블록 세트 및 3D 객체의 형상, 조인트의 수, 조인트의 이동 가능한 각도, 휠의 협력 동작 등과 같은 제약 조건에 기초하여 설정될 수 있다. 이러한 관련 사항은 자동적으로 정보 처리 장치에 의해 확립되거나, 사용자가 설정을 행하도록 하는 환경이 제공된다. 이에 의해 사용자의 대한 부하를 줄이면서 현실 세계와 가상 세계 사이의 링크를 자유롭게 형성하는 것이 가능하다.본 발명은 이의 실시예에 기초하여 상술되었다. 상술한 실시예는 예시적이며, 실시예의 구성 요소 및 처리 프로세스의 조합은 다양한 수정이 가능하며, 이러한 수정은 또한 본 발명의 범위 내에서 이루어진다는 것이 당업자는 이해해야 한다.예를 들어, 도 22에 관련하여 설명된 대응 위치 설정 스크린(300)은 스크린 상의 3D 객체와 관련될 객체로서 블록 세트를 추정한다. 그러나, 예를 들어, 사용자 자신 등과 같이 블록 세트와 다른 것은 유사하게 관련될 수 있다. 사용자가 관련될 때, 카메라(122)는 사용자를 촬영하고, 깊이 이미지는 예를 들어 촬영된 이미지에 기초하여 생성되며, 골격의 위치는?? 추정된다. 골격의 위치는 골격 추적 등과 같은 종래의 기술을 적용함으로써 추적될 수 있다. 그 후, 사용자가 어깨, 팔꿈치 등과 같이 관련되기를 원하는 조인트에 대한 팔 등과 같은 부분을 이용하는 경우, 정보 처리 장치(10)는 블록 세트의 경우에서와 같이 조인트를 인식한다. 더욱이, 3D 객체의 조인트는 스크린 상에 지정되어, 사용자 및 3D 객체의 조인트가 서로 관련될 수 있다.이에 의해, 3D 객체가 사용자의 움직임에 따라 이동하는 모드가 실현될 수 있다. 대안적으로, 블록 세트가 인간의 형태로 조립되고, 본 실시예에서와 같이 3D 객체와 관련되는 경우, 사용자의 조인트 및 블록 세트의 조인트는 3D 객체의 조인트를 통해 서로 간접적으로 관련된다. 이러한 상태가 이용되고, 3D 객체의 움직임이 본 실시예에서 블록 세트에 반영되는 모드와 조합될 때, 사용자의 움직임에 따라 블록 세트가 이동되는 모드가 또한 실현될 수 있다.이러한 모드의 수정으로서, 사용자의 조인트 및 3D 객체의 조인트가 스크린 상에서 서로 관련되도록 사용자 이미지와 골격의 위치를? 나타내는 이미지는 촬영된 이미지로부터 실시간으로 생성될 수 있고, 대응하는 위치 설정 스크린에 표시될 수 있다. 이때, 이미지는 모두 동시에 표시될 수 있거나, 대응 관계가 하나씩 설정되는 조인트의 사양을 수용하도록 교대로 표시될 수 있다. 또한, 이러한 수정은 사용자가 3D 객체의 조인트와 사용자 자신의 조인트를 관련시킨다고 추정한다. 그러나, 3D 객체가 인간, 로봇 등이고, 사용자의 조인트와의 대응 관계가 분명한 경우, 사용자에 의한 설정은 생략될 수 있고, 정보 처리 장치는 모든 설정을 할 수 있다.게다가, 본 실시예에서, 휠은 차량의 전후가 알려진 상태에서 차축에 맞춰지고, 정보 처리 장치는 이에 따라 구동 휠, 피구동 휠 및 스티어링된 휠의 역할을 결정한다. 그 후, 차량의 동작을 제어하는?? 액추에이터의 움직임은 역할에 따라 변화된다. 이러한 모드는 이에 접속되는 것에 따라 움직임을 변경하는 액추에이터를 포함하는 블록을 실현하도록 확장될 수 있다. 예를 들면, 차축 및 휠로 구성되는 부분이 맞춰질 때, 블록 세트의 차량은 차축을 회전시킴으로써 이동된다. 캠 및 스프링 등으로 구성된 부분이 맞춰질 때, 스프링은 캠의 회전에 의해 풀려지고, 설정 상태 등의 화살표는 쇼트(shot)이다. 상술한 바와 같이 조인트를 포함하는 부분이 맞춰질 때, 부분은 조인트로서 동작하도록 만들어진다.이 경우에, 정보 처리 장치(10)는 촬영된 이미지로부터 접속된 것의 종류를 인식하고, 접속된 것의 종류에 대응하는 제어 신호를 블록 세트로 전송함으로써 액추에이터의 움직임을 적절히 변경한다. 따라서, 액추에이터를 포함하는 블록의 다양성이 증가되고, 다양한 블록 세트가 상이한 종류의 상이한 블록을 준비하는 것보다 적은 비용으로 실현될 수 있다. [ 부호의 설명 ] 2: 정보 처리 시스템, 10: 정보 처리 장치, 14: 입력 장치, 16: 디스플레이 장치, 20: 코어 정보 수신부, 22: 구조 분석부, 24: 블록 정보 저장부, 26: 모델 데이터 저장부, 28: 대응 관계 정보 저장부, 30: 정보 처리부, 32: 디스플레이 처리부, 34: 구동 제어부, 102a: 사각 프리즘 블록, 122: 카메라, 120: 블록 세트, 126a: 블록, 128a: 배터리, 130a: 통신 메커니즘, 132a: 메모리, 134: 위치 센서, 136a: 모션 센서, 138: 각도 센서, 139a: 액추에이터, 141: 로터리 인코더, 142a: 제 1 블록, 143a: 제 1 통신부, 144a: 요소 정보 획득부, 146a: 제 2 통신부, 148: 구동부.상술한 바와 같이, 본 발명은 장난감, 게임 장치, 조립된 장치, 학습 자료, 콘텐츠 디스플레이 단말기, 정보 처리 장치, 로봇 등에 적용 가능하다.
정보 처리 장치(10)의 코어 정보 수신부(20)는 사용자에 의해 조립된 블록 세트(120)의 제 1 블록(142a)으로부터 코어의 상태에 관한 정보를 수신한다. 구조 분석부(22)는 카메라(122)에 의해 촬영된 이미지와 코어의 상태에 관한 정보에 기초하여 블록 세트(120)의 형상, 자세 및 위치를 식별한다. 정보 처리부(30)는 블록 세트(120)의 형상, 자세 및 위치에 따라 미리 정해진 정보 처리 또는 사용자에 의한 입력 장치(14)에 대한 동작을 수행한다. 디스플레이 처리부(32)는 정보 처리의 결과로서 표시될 이미지를 생성하고, 이미지를 디스플레이 장치(16)로 출력한다. 구동 제어부(34)는 블록 세트(120)의 동작을 제어하기 위한 신호를 전송한다.
[ 발명의 명칭 ] EPC로의 신뢰성 WLAN 액세스를 위한 과부하 제어OVERLOAD CONTROL FOR TRUSTED WLAN ACCESS TO EPC [ 기술분야 ] 본 발명은 전반적으로 이동 통신 네트워크 및 시스템에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 이동 통신 네트워크 및 시스템의 상세한 설명은 예를 들어서, 3GPP(3rd Generation Partnership Project)와 같은 표준화 기구에 의해 공개된, 기술 명세서와 같은 문헌들에서 찾아 볼 수 있다. 일반적으로, 패킷 이동 통신 시스템에서, 사용자 장치(UE)는 패킷 데이터 네트워크(PDN) 접속 서비스(통상적으로 IP 접속 서비스)를 제공하는 이동 네트워크로의 액세스를 갖는다. 상기 이동 네트워크는 일반적으로 액세스 네트워크(AN)에 의해서 액세스되는 코어 네트워크(CN)를 포함한다. 상기 CN은 일반적으로, 다른 것들 중에서도, 액세스 포인트 네임(APN)에 의해서 표현되는 외부 PDN(통상적으로 IP 네트워크, 예를 들어서, 인터넷, 인트라넷, 또는 오퍼레이터의 IP 네트워크, 예를 들어서, IMS 네트워크)와 인터페이싱하는 PDN 게이트웨이(PDN-GW)를 포함한다. 상기 이동 네트워크를 통해서 UE와 PDN/IP 네트워크 간에 확립된 PDN/IP 접속은 다양한 IP-기반 사용자 서비스들 또는 애플리케이션들로의 액세스를 갖는 데 사용될 수 있다.패킷 이동 통신 시스템의 실례는 EPS(Evolved Packet System)이다. EPS 네트워크는 CN(이른바, EPC(Evolved Packet Core))를 포함하며, 이는 EPC는 3GPP 액세스 네트워크(3GPP AN), 예를 들어서, E-UTRAN에 의해서 액세스되고, 비-3GPP 액세스 네트워크(비-3GPP AN), 예를 들어서, WLAN에 의해서 액세스될 수 있다.EPC로의 비-3GPP 액세스는 특히 3GPP TS 23.402에 명시된다. EPC로의 신뢰성 WLAN 액세스(trusted WALN access)에 대한 구조의 실례가 3GPP TS 23.402에서 취해진 도 1에서 예시된다. 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(trusted WALN access network:TWAN)는 GTP(GPRS Tunnelling protocol) 또는 PMIP(Proxy Mobile IP)을 기반으로 할 수 있는 이른바, S2a 인터페이스와 같은 인터페이스를 통해서 PDN 게이트웨이(또한 이른바, EPC 내의 PGW)와 인터페이싱한다. 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(TWAN)는 또한 이른바, STa 인터페이스와 같은 인터페이스를 통해서 3GPP AAA 서버와 인터페이싱한다. 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(TWAN) 내에서 분할된 기능의 실례는 3GPP TS 23.402에서 취해진 도 2에서 예시된다. TWAN는 특히, UE와 인터페이싱하는 WLAN 액세스 네트워크, S2a 인터페이스를 종단시키는 신뢰성 WLAN 액세스 게이트웨이(TWAG), 및 STa 인터페이스를 종단시키는 신뢰성 WLAN AAA 프록시(TWAP)를 포함한다.이러한 시스템들에서의 중요한 문제는 특히, 코어 네트워크 엔티티 내에서의, 특히 높은 시그널링 부하로 인해서, 과부하 상황에서는 성능이 저하될 수 있다는 것이다. 또한, 특정한 문제들이 특히, EPC로의 신뢰성 WLAN 액세스에 있어서 그리고 트랜스패런트(transparent) 단일 접속 모드(TSCM) 또는 단일 접속 모드(SCM)(이 경우에는, 어떠한 WLAN 제어 프로토콜(WLCP)도 지원되지 않음)에 있어서 발생하는데, 그 이유는 이러한 경우들에서는 현재 네트워크 과부하를 다루기 위한 양호하게 규정된 UE 거동이 존재하지 않기 때문이다. 이러한 문제들을 해결할 필요가 있으며, 보다 일반적으로, 과부하 상황들에서 이러한 시스템들의 성능 저하를 피할 필요가 있다. [ 발명의 개요 ] 본 발명의 실시예들은 특히, 이러한 문제들을 처리한다.이러한 그리고 다른 목적들은, 일 양태에서, 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(trusted WLAN access network: TWAN)로서, EPC(Evolved Packet Core)로의 신뢰성 WLAN 액세스를 위해서,APN(access point name) 혼잡 상태로 인해서, 인증된 및 권한검증된 사용자로부터의 단일 접속 모드(SCM)에 있는 사용자 장치(UE)에 대한 요청을 거절할 때에, 상기 UE에 대한 백-오프 타임(back-off time) 및 혼잡 원인을 AAA 서버에 알리도록 구성된, 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크에 달성된다.이러한 그리고 다른 목적들은, 다른 양태에서, AAA(Authentication Authorization Accounting) 서버로서, EPC로의 신뢰성 WLAN 액세스를 위해서,단일 접속 모드에 있는 사용자 장치(UE)에 대하여 APN에 대한 백-오프 타임 및 혼잡 원인을 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(TWAN)로부터 수신하고,상기 AAA 서버가 상기 UE를 향해서 전송하는 응답 메시지 내에 상기 백-오프 타임 및 혼잡 원인을 포함시키고, 선택적으로, 혼잡 원인 및 남아 있는 백-오프 타임과 함께 응답 메시지를 리턴시킴으로써, 상기 백-오프 타임이 만료되기까지 상기 동일한 UE로부터의 임의의 후속하는 요청을 거절하도록 구성된, AAA 서버에 의해서 달성된다.이러한 그리고 다른 목적들은, 다른 양태에서, AAA 서버로서, EPC로의 신뢰성 WLAN 액세스를 위해서,단일 접속 모드에 있는 사용자 장치(UE)에 대한 요청에 있어서 요청된 APN에 대한 백-오프 타임 및 APN 혼잡 원인을 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(TWAN)로부터 수신하고,상기 AAA 서버가 상기 UE를 향해서 전송하는 응답 메시지 내에 상기 백-오프 타임 및 APN 혼잡 원인을 포함시키고, 선택적으로, 혼잡 원인 및 남아 있는 백-오프 타임과 함께 응답 메시지를 리턴시킴으로써, 상기 백-오프 타임이 만료되기까지 상기 동일한 APN을 목적지로 하는 상기 동일한 UE로부터의 임의의 후속하는 요청을 거절하도록 구성된, AAA 서버에 의해서 달성된다.이러한 그리고 다른 목적들은, 다른 양태에서, 사용자 장치(UE)로서, 단일 접속 모드에서 EPC로의 신뢰성 WLAN 액세스 시에,AAA 서버로부터 혼잡 원인 및 백-오프 타임을 수신하면, 상기 백-오프 타임 기간 동안에는 어떠한 새로운 요청도 개시하지 않도록 구성된, 사용자 장치에 의해서 달성된다. 이러한 그리고 다른 목적들은, 다른 양태에서, 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(TWAN)로서, EPC로의 신뢰성 WLAN 액세스를 위해서,APN 혼잡 상태로 인해서, 인증된 및 권한검증된(authorized) 사용자로부터의 단일 접속 모드(SCM)에 있는 사용자 장치(UE)에 대한 요청을 거절할 때에, 상기 UE에 대한 백-오프 타이머를 개시하거나, 혼잡 제어가 상기 요청된 APN에 대해서 활성화되면 상기 UE 및 상기 요청된 APN에 대한 백-오프 타이머를 개시하고,혼잡 원인 및 남아 있는 백-오프 타임과 함께 응답 메시지를 AAA 서버로 리턴시킴으로써, 상기 백-오프 타이머가 만료되기까지 상기 동일한 UE로부터의 임의의 후속하는 요청 또는 상기 APN을 목적지로 하는 상기 동일한 UE로부터의 임의의 후속하는 요청을 거절하도록 구성된, 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(TWAN)에 의해서 달성된다.이러한 그리고 다른 목적들은, 다른 양태에서, 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(TWAN)로서, EPC로의 신뢰성 WLAN 액세스를 위해서,APN 혼잡 상태로 인해서, 인증된 및 권한검증된 사용자로부터의 트랜스패런트(transparent) 단일 접속 모드(TSCM)에 있는 사용자 장치(UE)에 대한 요청을 거절할 때에, 혼잡 제어가 전역인 경우에는 상기 UE마다 백-오프 타이머를 개시하거나, 혼잡 제어가 상기 요청된 APN에 대해서 활성화되면 상기 UE 및 SSID마다 백-오프 타이머를 개시하도록 구성된, 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(TWAN)에 의해서 달성된다.이러한 그리고 다른 목적들은, 다른 양태에서, EPC로의 신뢰성 WLAN 액세스를 위한 과부하 제어 방법으로서, APN 혼잡 상태로 인해서, 인증된 및 권한검증된 사용자로부터의 단일 접속 모드(SCM)에 있는 사용자 장치(UE)에 대한 요청을 거절할 때에, 상기 신뢰성 WAN 액세스 네트워크(TWAN)는 혼잡 제어가 상기 요청된 APN에 대해서 활성화되면 가능하게는 상기 요청된 APN에 대해서만 적용가능한 백-오프 타임을 상기 UE에 알리는 단계, 및 상기 UE는 상기 백-오프 타임을 수신하면, 상기 백-오프 타임 기간 동안에는 새로운 요청 또는 상기 혼잡상태에 있는 APN으로의 새로운 요청을 개시하지 않는 단계를 포함하는, 과부하 제어 방법에 의해서 달성된다.이러한 그리고 다른 목적들은, 다른 양태에서, EPC로의 신뢰성 WLAN 액세스를 위한 과부하 제어 방법으로서, 상기 신뢰성 WAN 액세스 네트워크(TWAN)는 APN 혼잡 상태로 인해서, 인증된 및 권한검증된 사용자로부터의 트랜스패런트 단일 접속 모드(TSCM)에 있는 사용자 장치(UE)에 대한 요청을 거절할 때, 혼잡 제어가 전역인 경우에는 상기 UE마다 백-오프 타이머를 개시하거나, 혼잡 제어가 상기 요청된 APN에 대해서 활성화되면 상기 UE 및 SSID마다 백-오프 타이머를 개시하는 단계를 포함하는, 과부하 제어 방법에 의해서 달성된다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 발명의 실시예들에 따른 장치 및/또는 방법들의 일부 실시예들은 이제 예시적으로 그리고 첨부 도면들을 참조하여서 설명된다. 도 1은 신뢰성 WLAN 액세스 to EPC를 위한 구조의 실례를 설명한다. 도 2는 신뢰성 WLAN 내에서의 분할된 기능들을 설명한다.도 3은 본 발명의 실시예들에 따른, 단일-접속 모드에서의 UE들에 대한 APN 백-오프 메커니즘의 실례를 예시한다. 도 4는 본 발명의 실시예들에 따른, 트랜스패런트 단일-접속 모드에서의 UE들에 대한 APN 백-오프 메커니즘의 실례를 예시한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명의 다양한 실시예들 및/또는 양태들이 다음에서 보다 상세하게 설명될 것이며, 여러 실례들에 기초하여서 단순화된다. 그러나, 본 발명의 실시예들 및/또는 양태들은 이러한 실례들로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어서: - 본 발명의 실시예들 및/또는 양태들은 APN 혼잡 상황으로 한정되지 않으며, 특히 APN 혼잡 및/또는 PGW 과부하 상황이 보다 일반적으로 고려될 수 있다;- 본 발명의 실시예들 및/또는 양태들은 예를 들어서 EAP와 같은 특정 시그널링 프로토콜들의 사용으로 한정되지 않으며, 본 기술 분야의 당업자에게 이해되는 바와 같은 다른 방식들이 사용될 수 있다;- 기타 등등.3GPP는 과부하로 인한 네트워크 고장을 방지하기 위해서 3GPP 릴리스 12에서 코어 네트워크 과부하 해법들에 대해서 광범위하게 연구해왔다(3GPP TR 23.843 참조). 이로써, Diameter 및 GTP-C 기반 인터페이스들을 통한 새로운 부하 및 과부하 제어 메커니즘들의 사양들이 개발되었다. 3GPP CT4는 3GPP TR 29.807에서의 새로운 GTP-C 과부하 제어 절차들을 현재 규정하고 있다. 분산된 비-3GPP(예를 들어서, WiFi) 커버리지 또는 3GPP 및 비 3GPP 커버리지 간의 대량 이동량(massive mobility)으로 인해서 빈번한 RAT-재선택이 발생하며, 이로써 빈번하고 또는 대량의 시스템-간 변동 활동들로 인해서, 즉 UE들이 새로운 액세스를 통해서 PDN 접속들을 생성하고자 하거나 3GPP 및 비 3GPP 커버리지 간의 PDN 접속들을 이동시키고자 함으로써, 특히 GTP-C 과부하가 초래된다(TR 29.807의 절 4.1 참조). 이로써, CT4는 GTP-C 과부하 제어 지원이 PGW의 가용한 용량에 따라서 TWAN 또는 ePDG가 PGW로 전송하는 시그널링 트래픽을 감소시키기 위해서, S2a(신뢰성 비-3GPP 액세스 네트워크-PGW) 인터페이스 및 S2b(비신뢰성 비-3GPP 액세스 네트워크-PGW) 인터페이스에 있어서 요망된다고 결론지었다(TR 29.807의 절 4.2.4.3.3.1 참조). 이러한 바는, 과부하 제어가 또한 3GPP 액세스를 위한 S5/S8 인터페이스들을 통해서 도입되며 이로써 PGW 레벨 또는 APN 레벨에서 과부하를 경험할 때에 PGW가 3GPP 액세스 및 비-3GPP 액세스를 통해서 수신된 요청들로부터 트래픽을 과도하게 대등하게 방출할 수 있어야만 하기 때문에 보다 더 유용하게 된다. 상기 네트워크는 과부하 제어가 S2a 또는 S2b 인터페이스들 상에서 지원되는지의 여부와 상관없이, (예를 들어서, PGW에서의 과부하 또는 UE에 의해서 요청된 APN과 연관된 자원들(예를 들어서, IP 어드레스 풀)의 혼잡으로 인해서) PDN 접속을 확립 또는 핸드오버하라는 UE 요청을 성공적으로 처리할 수 없을 때에는, 이러한 UE 요청을 거절해야 한다. 그러나, UE들이 트랜스패런트 단일-접속 모드(TSCM)(*)를 사용하여서 신뢰성 WLAN 액세스를 통해서 EPC를 액세스하는 경우에, 네트워크는 자신이 상기 UE 요청을 거절하는 이유를 UE에게 알리는 수단을 가지고 있지 않거나, UE에게 일부 기간 동안에는 신뢰성 WLAN 액세스를 통해서 EPC로 액세스를 다시 시도하지 말것을 명령할 수도 없다. 이로써, UE는 (즉시 또는 얼마 안되어) 신뢰성 WLAN 액세스를 통해 EPC 액세스를 얻고자 하는 전체 절차를 반복할 수 있는데, 이러한 절차는 3GPP AAA 서버 및 HSS를 향한 인증 및 권한검증 절차들을 포함한다. 이는 이전의 요청을 거절한 이유가 여전히 적용 가능한 경우에(예를 들어서, PGW가 여전히 과부하 상태에 있음), 다시 거절될 것인 UE 요청에 대해서, TWAN, 3GPP AAA 서버 및 HSS를 향한 과도한 바람직하지 않은 시그널링(즉, 3GPP AAA 서버가 UE의 인증 벡터들을 HSS로부터 검색하는 것, AAA 서버 및 UE 간의 EAP 인증 교환, 가입 정보를 HSS로부터 AAA 서버로 다운로드하는 것, AAA 서버가 모든 가입 정보를 TWAN로 다운로드하는 것)을 초래한다. UE들이 단일-접속 모드(SCM)(**)를 사용하여서 신뢰성 WLAN 액세스를 통해서 EPC로 액세스하는 경우에, 3GPP AAA 서버는 새로운 EAP 확장사항들을 통해서 UE에 실패 원인을 리턴시킬 수 있다. 그러나, 일부 기간 동안에 신뢰성 WLAN 액세스를 통해서 UE가 다시 네트워크에 액세스하지 말도록 하는 메커니즘은 현재까지 규정되지 않았으며, 이로써 TWAN, 3GPP AAA 서버 및 HSS로의 과도한 시그널링 부하를 초래할 위험이 동일하게 따른다. 따라서, UE가 과부하 상태의 APN 또는 PGW로 액세스를 시도하는 것으로부터 3GPP AAA 서버, HSS 및 TWAN를 보호하고 S2a 상에서의 새로운 GTP-C 과부하 제어가 3GPP AAA 서버 및 HSS로 향하는 시그널링 부하를 증가시키지 않도록 보장하기 위한 메커니즘들이 필요하다. 유의사항 1: TR 29.807의 절 4.2.4.3.3.3에서의 편집자의 유의사항은 이러한 문제들을 처리하는 방식은 더 연구되어야 한다는 것을 알리고 있다. 유의사항 2: UE가 다중-접속 모드(MCM)(***)를 사용하여서 신뢰성 WLAN 액세스를 통해서 EPC를 액세스하는 경우에, TR 29.807(절 4.2.4.3.3.3 참조)은 UE의 재시도를 방지하기 위해서 TWAN 및 UE 간의 WLCP 프로토콜(WLAN 제어 프로토콜)로 새로운 APN 백-오프 메커니즘을 특정하는 것을 제안한다. (*)TSCM = UE 및 신뢰성 WLAN 간에서 한 번에 오직 하나의 단일 접속만을 지원할 수 있으며, UE에게 의무적이며, Rel-11(SaMOG)로 신뢰성 WLAN 액세스를 위해서 특정된 전용 통신 모드이며, 이 모드에서는 연관된 접속 파라미터들은 UE에 의해서 선택된 WLAN SSID 및 사용자의 가입사항으로부터 도출된다. (**)SCM = UE와 신뢰성 WLAN 간에서 한 번에 오직 하나의 단일 접속만을 지원할 수 있으며, UE에게 선택적이며, eSaMOG Rel-12로 부가되는 새로운 통신 모드이며, 이 모드에서는 (예를 들어서, NSWO, PDN 접속, APN, 등에 대한) 연관된 접속 파라미터들은 TWAN을 통해서 인증 동안에 협상될 수 있다. (***)MCM = UE 및 신뢰성 WLAN 간에서 한 번에 다수의 접속을 지원할 수 있으며, UE에게 선택적이며, eSaMOG Rel-12로 부가되는 새로운 통신 모드.본 발명의 실시예들은 UE가 과부하 상태의 APN 또는 PGW를 액세스하고자 반복하여서 시도하는 것으로부터 3GPP AAA 서버, HSS 및 TWAN를 보호하는 2 개의 상보적 메커니즘들을 포함한다. 이러한 2 개의 메커니즘들에 대한 실시예들은 이하에서 단락들 1) 및 2)에서 각기 고려될 것이다.1) TWAN 및 3GPP AAA 서버가 다음과 같이 SCM에서 UE들에 대한 새로운 백-오프 메커니즘들을 구현한다:인증된 및 권한검증된 사용자로 부터의 UE 요청(신뢰성 WLAN 액세스 시의 새로운 PDN 접속 또는 핸드오버 요청)을 거절할 때에, 네트워크는 혼잡 제어가 APN에 대해서 활성화될 때에(예를 들어서, PGW가 이러한 APN을 목적지로 하는 트래픽에 대해서 TWAN에 대한 과부하 제어를 트리거하였을 때에) 요청된 APN에 대한 백-오프 타임을 UE에 알릴 수 있다. TWAN는 상기 APN에 대한 APN 백-오프 타임을 3GPP AAA 서버에 전송하며, 3GPP AAA 서버는 자신이 UE에 전송한 EAP 실패 메시지 내에 이러한 백-오프 타임을 포함시킨다. 이러한 메커니즘은 다음과 같이 단일-접속 모드에 있어서 확장사항들로 EAP 프로토콜을 개선한다: UE 요청을 거절할 때에, TWAN는 새로운 APN 혼잡 원인 및 APN 백-오프 타이머를 3GPP AAA 서버에 리턴하며, 3GPP AAA 서버는 이들을 EAP 확장사항들을 통해서 UE로 전송한다. 상기 백-오프 타임을 수신하면, UE는 이러한 백-오프 타임 기간 동안에는 혼잡 상태의 APN(3GPP 또는 비-3GPP 액세스를 통해서 그렇게 됨)에 대하여 어떠한 새로운 PDN 접속 요청들도 개시하지 않을 것이다. UE는 다른 APN들에 대해서는 새로운 요청들을 개시할 수 있다. 추가적으로, 3GPP AAA 서버는, 예를 들어서, 새로운 APN 백-오프 메커니즘(상기함)을 3GPP 표준들에서 UE가 지원하는 것이 선택적인 것으로 결정되거나 또는 예를 들어서 상기 새로운 APN 백-오프 메커니즘이 규칙을 따르지 않는(misbehaving) 또는 "속이는(cheating)" UE로부터 네트워크를 보호하기 위한 것으로서 결정되는 경우에 있어서, 백-오프 타이머가 만료될 때까지 이러한 APN을 목적지로 하는 동일한 UE로부터의 임의의 후속하는 요청을 즉시 거절할 수 있다. 이러한 경우에, 3GPP AAA 서버는 HSS로부터 사용자의 가입 정보를 다운로드하지 않으며 UE 요청을 진행시키도록 TWAN을 허가하지 않는다.추가하여서, TWAN이 이러한 APN을 목적지로 하는 임의의 다른 UE들의 요청들(SCM 또는 TSCM로임)이 또한 백-오프 타이머가 만료될 때까지 차단되어야 한다는 것을 3GPP AAA 서버에게 또한 알렸다면, 3GPP AAA 서버는 백-오프 타이머가 만료될 때까지 이러한 APN을 목적지로 하는 임의의 UE들로부터의 임의의 후속하는 요청을 즉시 거절할 수 있다.2) TWAN은 다음과 같이 TSCM에서 UE들에 대해서, UE들을 대신하여서 백-오프 메커니즘을 구현한다:인증된 및 권한검증된 사용자로부터의 UE 요청(신뢰성 WLAN 액세스 시의 새로운 PDN 접속 또는 핸드오버 요청)을 거절할 때에, 혼잡 제어가 APN에 대해서 활성화되면(예를 들어서, PGW가 이러한 APN을 목적지로 하는 트래픽에 대해서 TWAN에 대한 과부하 제어를 트리거하였으면), WAN은 UE마다 (및 가능하게는 SSID마다) 백-오프 타이머를 개시할 수 있다. 유의사항 1: 소정의 SSID에 대해서, TSCM에 있는 UE는 하나의 사전규정된 APN만을 액세스할 수 있으며, 따라서, UE 시도가 혼잡 상태로 인해서 이러한 SSID에 대해서 거절되었다면, 임의의 후속 UE 접속 시도는 백-오프 타임 동안에 거절될 수 있다. 그럼에도, UE가 비-심리스(non-Seamless) WLAN 오프로드(NSWO) 또는 다른 APN로의 액세스가 허가된 경우에는 UE는 다른 SSID에 대해서는 액세스가 허용될 수 있다.상기 TWAN은 백-오프 타이머가 만료되기 전에, 이러한 APN을 목적지로 하는 UE로부터의 임의의 후속하는 요청, 즉, 동일한 선택된 WLAN SSID를 통해서 동일한 UE의 MAC 어드레스로부터 유래된 임의의 후속하는 EAP 시그널링을 즉시 거절할 수 있다. TWAN는 이 경우에 3GPP AAA 서버로 향하는 어떠한 AAA 시그널링도 생성하지 않는다. 유의사항 2: TSCM에서 UE는 EPC 액세스 또는 비-심리스 WLAN 오프로드(non-seamless WLAN offload:NSWO)를 요청할지의 여부를 네트워크에 알릴 수 없거나, EPC 액세스에 대한 관련 파라미터들(예를 들어서, 요청된 APN)을 알릴 수 없다. 액세스의 타입(EPC 또는 NSWO)은 UE에 의해서 선택된 WLAN SSID로부터 도출되며(SSID 및 액세스 타입 간에 일대일 맵핑이 존재함), EPC 액세스에 대한 관련 파라미터들은 사용자의 가입사항(디폴트 APN 구성)으로부터 도출된다. 유의사항 3: 이러한 메커니즘은 또한 네트워크로부터 수신된 백-오프 타임에 따르지 않는 규칙을 따르지 않는/속이는 SCM UE에 대해서 적용되거나, SCM에서의 새로운 APN 백-오프 메커니즘을 3GPP 표준들에서 UE가 지원하는 것이 선택적이라고 결정된 경우에 적용된다. 본 발명의 실시예들은 UE들이 과부하 상태의 APN 또는 PGW를 반복하여서 액세스 시도하는 것으로부터 3GPP AAA 서버, HSS 및 TWAN를 보호하는 2 개의 상보적 메커니즘들을 포함한다. 이러한 메커니즘들에 대한 보다 상세한 실시예들은 이하에서 각기 단락 1) 및 2)에서 고려될 수 있다.1) TWAN 및 3GPP AAA 서버가 다음과 같이 SCM에서 UE들에 대한 새로운 백-오프 메커니즘을 구현한다:이러한 메커니즘의 실시예들이 도 3(새로운 SCM UE가 과부하 상태의 APN를 액세스하고자 시도함)에서 예시된다.인증된 및 권한검증된 사용자로부터의 UE 요청(신뢰성 WLAN 액세스 시의 새로운 PDN 접속 또는 핸드오버 요청)을 거절할 때에, 혼잡 제어가 APN에 대해서 활성화되면(예를 들어서, PGW가 이러한 APN을 목적지로 하는 트래픽에 대해서 TWAN에 대한 과부하 제어를 트리거하였으면), 네트워크는 요청된 APN에 대한 백-오프 타임을 UE에게 알린다. 따라서, TWAN이 APN 또는 PGW이 과부하 상태인지의 여부를 이미 알았는지의 여부에 따라서, 단계 11 또는 13에서, TWAN는 UE에게 알릴 APN 백-오프 타임을 3GPP AAA 서버에 전송하며(단계 14), 3GPP AAA 서버는 자신이 UE에 전송하는 EAP 실패 메시지 내에 이러한 백-오프 타임을 포함시킨다(단계 15 및 단계 16).상기 백-오프 타임을 수신하면, UE는 이러한 백-오프 타임 동안에는 혼잡 상태의 APN(이는 3GPP 또는 비-3GPP 액세스를 통해서임)에 대한 어떠한 새로운 PDN 접속 요청들도 개시하지 않을 수 있다. UE는 다른 APN들에 대한 새로운 요청들을 개시할 수 있다.유의사항 1: 백-오프 타임 없이 EAP 실패 메시지를 UE에 전송하는 것으로 UE가 과부하 상태의 APN를 다시 액세스하는 것을 시도하지 못하게 하는데 충분하지 않다. WFA Hotspot 2.0 사양, 릴리스 2.0 버전 3.0.8, 섹션 6.4.4에 따르면;"이동 장치는 특정 크리덴셜(credential)을 사용하여서 핫스팟에 대한 EAP 인증을 성공적으로 완료할 수 없다. 이러한 실패는 무효한 크리덴셜, 네트워크 문제들, 잘못 구성된 AP들, 등을 포함하는 다양한 이유들로 인한 것일 수 있다. 그러나, 인증 실패는 크리덴셜 또는 가입사항에 있어서 문제가 있다는 것을 반드시 의미하는 것은 아니며, 크리덴셜은 다른 AP들에서는 유효할 수 있다. 따라서, EAP 인증 실패의 경우에, 이동 장치는: - 10 분 기간 내에서 소정의 크리덴셜을 사용하여서 동일한 ESS에서의 EAP 인증 실패들을 낳는 10 번을 넘은 연속적인 EAP 인증들을 시도하지 않을 것이다. 인증 프로세스는 10 분 시간 기간의 만료 이후에 재시작할 수 있다. - 이러한 크리덴셜이 다른 BSS들과 함께 사용되지 못해도록 해야 한다."TWAN는 또한 단계 14에서, 백-오프 타임 및 과부하 원인 코드를 사용하여서 거절 중인 APN과 통신한다. 3GPP AAA 서버는 백-오프 타이머가 만료되기까지 동일한 UE로부터의 이러한 APN을 목적지로 하는 임의의 후속하는 요청을 즉시 거절할 수 있다(단계들 1' 내지 8'). 이 경우에, 3GPP AAA 서버는 사용자의 가입 정보를 HSS로부터 다운로드하지 않으며 UE 요청을 진행하도록 TWAN을 허가하지 않으며, 요청된 APN이 혼잡 상태임을 알리는 원인 및 나머지 백-오프 타임을 포함하는 EAP 실패 메시지를 리턴한다(단계 10').TWAN는 또한 단계 14에서 3GPP AAA 서버가 이러한 APN을 목적지로 하는 모든 다른 UE들로부터의 모든 요청들을 백-오프해야 하는지의 여부를 알릴 수도 있다. TWAN에 의해서 이렇게 지시되면, 3GPP 서버는 또한(SCM 또는 TSCM에서)임의의 다른 UE들로부터의 이러한 APN을 목적지로 하는 임의의 후속하는 요청을 즉시 거절할 수 있다. 이러한 메커니즘의 실시예들이 또한 이하에서 기술될 수 있다. 단일-접속 모드는 PDN 접속을 셋업 또는 핸드오버하기 위해서 UE 및 3GPP AAA 서버 간의 EAP 확장사항들의 지원을 요구한다. 따라서, 이러한 EAP 확장사항들은 "APN 혼잡" 원인 및 APN 백-오프 타이머를 3GPP AAA 서버로부터 UE로 전달하는데 사용되어서, 도 3에 도시된 바와 같이, 어떠한 다른 대체 PGW들이 UE 요청을 서비스하지 않는 경우에, 과부하 상태에 있는 PGW 또는 APN로의 새로운 세션 또는 핸드오버 요청들을 UE가 불필요하게 재시도하는 것을 막을 수 있다. 이러한 바는 다음의 추가사항들과 함께 단일-접속 모드에 대한 3GPP TS 23.402의 도 16.2.1-1에서 특정된 호 흐름에 대응한다:1. 단계 14에서, (단계 11 또는 단계 13 후에) 인증된 및 권한검증된 사용자로부터의 UE 요청(신뢰성 WLAN 액세스 시의 새로운 PDN 접속 또는 핸드오버 요청)을 거절할 때에, 혼잡 제어가 APN에 대해서 활성화되면(예를 들어서, PGW가 이러한 APN을 목적지로 하는 트래픽에 대해서 TWAN에 대한 과부하 제어를 트리거하였으면), TWAN은 UE 및 요청된 APN에 대한 APN 혼잡 원인 및 백-오프 타임을 3GPP AAA 서버에 알릴 수 있다. 2. 단계 15에서, 3GPP AAA 서버는 자신이 UE에 전송한 EAP 실패 메시지 내에 APN 혼잡 원인 및 백-오프 타임(TWAN으로부터 수신됨)을 포함시킨다. 3. 단계 16에서, 이러한 원인 및 백-오프 타임을 수신하면, UE는 백-오프 타임 기간 동안에 혼잡 상태의 APN(이는 3GPP 또는 비-3GPP 액세스를 통해서임)에 대한 어떠한 새로운 세션 또는 핸드오버 요청을 개시하지 않을 것이다. UE는 NSWO 또는 다른 APN들에 대해서는 새로운 요청들을 개시할 수 있다.2) TWAN는 다음과 같이 TSCM에서 UE들에 대해서, UE들을 대신하여서, 백-오프 메커니즘을 구현한다:이러한 메커니즘의 실시예들이 도 4(TSCM UE가 과부하 상태의 APN으로의 액세스를 반복함)에서 예시된다.UE는 먼저 신뢰성 WLAN 액세스를 통해서 PDN 접속을 어태치/확립 도는 이동시키고자 시도한다. 전체 인증 및 권한검증 절차가 발생하며, 이는 UE, TWAN, 3GPP AAA 서버(및 로밍 상황에서는 3GPP AAA 프록시)와 HSS 간의 다수의 시그널링 교환을 수반한다(단계 2 내지 단계 11). 일단 UE가 인증 및 권한검증되면, TWAN는 PGW를 선택하고 예를 들어서, GTP-C Create 세션 요청을 (UE의 식별자, 요청된 APN, 등과 함께) 전송함으로써 상기 선택된 PGW을 향하는 PDN 접속을 확립하고자 시도한다. 본 실례에서, PGW는 PDN 접속 확립 요청을, APN의 과부하(예를 들어서, 상기 APN에 대해서 가용한 IP@이 더 이상 없음) 또는 PGW의 과부하로 인해서 거절한다. PGW는 TWAN에 응답하여서 과부하 정보를 제공하며, 이 정보는 (TR 29.807에 기록된 원리들에 따라서) TWAN에게 TWAN이 상기 PGW를 향해서 전송한 트래픽의 특정 퍼센티지를 특정 기간 동안에 막을 것을 요청한다. 또한, TWAN이 PGW 또는 APN 혼잡 상황을 알리는 바를 미리 수신하였기에 S2a를 통한 PDN 접속 확립 요청을 개시하지 않고 상기 UE 접속 요청이 거절되어야 한다는 것을 즉각적으로 결정하는 것도 가능하다. UE로부터의 접속 요청을 거절하기 위해서, TWAN는 (단계 14에서) 다음을 수행할 수 있다: a) 3GPP Rel-11 TSCM 호 흐름 및 절차들에 따라서, WLAN 자원들을 파괴하며 세션 종결 요청 메시지를 전송함으로써 STa를 통해서(즉, TWAN 및 3GPP AAA 서버 간에서) 확립된 Diameter 세션의 릴리스를 개시한다; b) 또는 이와 달리, 과부하 상태를 표시하는 AAA 요청을 전송하고 3GPP AAA 서버에게 UE로의 관련 EAP- 실패 메시지를 생성하도록 요청한다.TCSM에서 UE는 WLAN 자원들 릴리스의 이유를 모르기 때문에, TSCM에서 UE는 새로운 인증 및 권한검증 절차로부터 시작하여서 전체 절차를 다시 반복할 수 있다(단계 18 및 후속 단계들). 유의사항 2: TSCM UE 구현사항들을 변화시킬 수 없으며 - 3GPP Rel-11에서 특정된 이러한 거동에 대해서는 변경이 허용되지 않는다. 유의사항 3: 또한, 네트워크가 규칙을 따르지 않는 SCM UE(메커니즘 1에서 특정된 백-오프 타이머를 따르지 않는 SCM UE)로부터 자신을 보호하는 것도 흥미롭거나, 3GPP 표준들에서 UE가 지원하는 것이 선택적인 새로운 백-오프 메커니즘이 특정된다. 이러한 메커니즘이 없다면, 전체 시나리오(A. "PDN 접속을 확립하기 위한 UE 어태치들/요청들"에 대해서 도시된 바와 같음, 즉, 도 4의 단계 1 내지 단계 16)가 다시 발생할 것이며, 수회 UE들이 이러한 시도를 반복할 것이다. 이는 TWAN, 3GPP AAA 서버 및 HSS 간의 쓸모없는 시그널링을 유발한다. 이러한 메커니즘을 사용하면, TWAN이 (요청된 APN 또는 PGW가 과부하 상태인지의 여부를 TWAN이 이미 알고 있었는 지의 여부에 따라서 단계 11 또는 단계 13 이후에 발생할 수 있는) 인증된 및 권한검증된 사용자로부터의 UE 요청(신뢰성 WLAN 액세스 시의 새로운 PDN 접속 또는 핸드오버 요청)을 거절할 때에, TWAN은 혼잡 제어가 APN에 대해서 활성화되면(예를 들어서, PGW가 이러한 APN을 목적지로 하는 트래픽에 대해서 TWAN에 대한 과부하 제어를 트리거하였으면), UE 및 SSID마다 백-오프 타임을 저장할 수 있다(단계 17).TWAN는 백-오프 타이머가 만료되기 이전에, 이러한 APN을 목적지로 하는 UE로부터의 임의의 후속하는 요청, 즉 (단계 18에서) 동일한 선택된 WLAN SSID을 통해서 동일한 UE의 MAC 어드레스로부터 유래된 임의의 후속하는 EAP 시그널링을 즉시 거절(또는 알리지 않고 폐기)할 수 있다. 이 경우에, TWAN은 3GPP AAA 서버를 향하는 어떠한 AAA 시그널링도 생성하지 않는다. TWAN은 (단계 21에서) EAP 실패 메시지를 (예를 들어서, IETF RFC 3748에 따른 코드 4와 함께) 역전송함으로써 및/또는 (단계 22에서) WLAN 연관사항을 릴리스함으로써 UE 요청을 거절할 수 있다. 유의사항 4: UE의 MAC 어드레스는 TWAN 내에서 UE-TWAG 포인트-대-포인트 링크 및 S2a 터널을 연관시키기 위한 SaMOG 접속 모델에서 사용된다. 유의사항 5: 도 4의 단계 18 및 단계 19는 TWAN 내의 AP에서 종결되는데, 즉, 단계 20는 TWAP가 만나는 첫번째 메시지이다. 일 가능한 실시예에서, TWAG(즉, PGW를 향하는 S2a를 종단시키는 TWLAN 액세스 게이트웨이, TS 23.402 절 16.1.2 참조)는 TWAP(즉, TWLAN AAA 프록시, 즉, 3GPP AAA 서버를 향하는 STa를 종단시키는 TWAN 내의 기능부, TS 23.402 절 16.1.2 참조)에 과부하 에러 원인 및 백-오프 타임을, 단계 11 또는 단계 13 이후의 UE 요청을 거절할 때에 제공한다. TWAP 는 백-오프 타임 기간 동안에 새로운 UE-OC(UE 과부하 제어) 기록사항을 생성 및 유지한다. (TSCM에서의 UE에 대해서) UE-OC 기록사항은 UE의 MAC 어드레스, SSID, UE의 IMSI 및 백-오프 타임(또는 절대 타임스탬프, 이 절대 타임스탬프까지는 후속하는 요청들이 차단될 필요가 있으며-이들은 등가 관계에 있음)을 포함해야 한다. 소정의 UE에 대한 TSCM에 대하여 SSID 및 APN 간에 일대일 맵핑이 존재하기 때문에, 상기 기록 사항 내에 APN을 기록할 필요가 없는데(또는 와일드카드 APN이 저장될 수 있음), 즉, (APN 대신에) SSID를 UE-OC 기록사항 내에 저장하면, (3GPP AAA 서버로부터 다시 가입 정보를 다운로드할 필요 없이) 동일한 선택된 SSID 을 사용하여서 UE로부터의 후속하는 EAP 시그널링을 차단할 수 있다. 유의사항 6: 이러한 메커니즘은 또한 (규칙을 따르지 않는/속이는 UE의 경우에 또는 SCM에 대한 새로운 APN 백 오프 메커니즘을 UE가 지원하는 것이 선택적인 경우에) TWAN에서 SCM 모드에서 UE로부터의 UE 재시도를 거절하는데 사용될 수 있다. 이 경우에, UE-OC 기록사항은 UE의 IMSI, APN 및 백-오프 타임을 포함해야 한다(이러한 UE는 가능하게는 혼잡 상태에 있지않는 다른 APN으로의 접속을 합법적으로 요청할 수 있다). UE-OC 기록사항은 또한 TWAG 혼잡을 다루는데 사용될 수 있는데, 이러한 경우에, APN에는 와일드카드 값이 주어질 수 있다. 텍스트 내에 IMSI를 저장하는 것은 해킹된 UE가 동일한 IMSI를 갖는 다수의 MAC 어드레스들을 사용하는 것을 방지한다(그렇지 않으면 TWAN 내에 저장할 수많은 UE-OC 기록사항들을 사용하는 메모리 DoS 공격을 받을 수 있다). TWAP는 UE로부터 새로운 후속하는 EAP 시그널링을 수신하면, 동일한 UE의 MAC 어드레스 및 SSID에 대한 UE-OC 컨텍스트를 자신이 갖는 지의 여부를 체크함으로써 자신이 UE를 백-오프해야 하는지를 체크한다. 그러하다면, TWAP는 3GPP AAA 서버에 대한 인증 및 권한검증 절차를 트리거하는 대신에, 상술한 바와 같이 UE 요청을 거절한다(단계 21). 유의사항 7: 이러한 메커니즘이 SCM에 있는 UE들에 대해서 사용되면, TWAP는 단계 11에서 동일한 IMSI 및 APN에 대한 UE-OC 컨텍스트를 자신이 갖고 있는지의 여부를 체크한다. 상기 TWAN는 PGW로부터 수신된 부하/과부하 정보(및/또는 국부적으로 제공된 값)에 기초하여서 백 오프 타임을 컴퓨팅해야 한다. PGW는 백-오프 타임을 전송하지 않고 과부하 메트릭을 위한 유효 기간(validity period)을 전송하며, 이 유효 기간은 백-오프 타임의 값을 컴퓨팅하는데 또한 사용될 수 있다. 이러한 메커니즘의 실시예들이 또한 다음과 같이 기술될 수도 있다.UE들이 트랜스패런트 단일-접속 모드(이 모드에서는 네트워크 및 UE 간에 확장사항들이 존재하지 않거나 규정되지 않음)에 있는 경우에, TWAN은 도 4에 도시된 바와 같이 UE 대신에 백-오프 메커니즘을 지원한다. 이러한 바는 다음과 같은 추가사항들과 함께 트랜스패런트 단일-접속 모드에 대하여 3GPP TS 23.402의 도 16.2.1-1에서 특정된 호 흐름에 대응한다:1. 단계 17에서, (단계 11 또는 단계 13 후에) 인증된 및 권한검증된 사용자로부터의 UE 요청(신뢰성 WLAN 액세스 시의 새로운 PDN 접속 요청)을 거절할 때에, 혼잡 제어가 APN에 대해서 활성화되면(예를 들어서, PGW가 이러한 APN을 목적지로 하는 트래픽에 대해서 TWAN에 대한 과부하 제어를 트리거하였으면), TWAN는 UE 및 SSID마다 백-오프 타이머를 개시할 수 있다. 유의사항 3: 소정의 SSID에 대해서, 트랜스패런트 단일-접속 모드(TSCM)에 있는 UE는 EPC 액세스 동안에 하나의 사전규정된 APN만을 액세스할 수 있으며, 따라서, UE 시도가 혼잡 상태로 인해서 이러한 SSID에 대해서 거절되었다면, 임의의 후속 UE 접속 시도는 백-오프 타임 동안에 거절될 수 있다. 그럼에도, UE는 UE가 NSWO에 액세스하도록 허용된 다른 SSID에 대해서는 액세스를 하도록 허용될 수 있다. 유의사항 4: 본 실례에서, PGW는 ANP의 과부하 또는 PGW의 과부하로 인해서 PDN 접속 확립 요청을 거절한다. PGW는 TWAN에 응답하여서 과부하 정보를 제공하며, 이 정보는 TWAN에게 TWAN이 상기 PGW를 향해서 전송한 트래픽의 특정 퍼센티지를 막을 것을 요청한다. 그러나, 또한, TWAN이 PGW 또는 APN 과부하를 알리는 바를 미리 수신하였다면 TWAN은 S2a를 통한 PDN 접속 확립 요청을 개시하지 않고 상기 UE 접속 요청이 거절되어야 한다는 것을 즉각적으로 결정하는 것도 가능하다. 2. 단계 21에서, TWAN는 백-오프 타이머가 만료되기 이전에, 이러한 APN을 목적지로 하는 UE로부터의 임의의 후속하는 요청, 즉 동일한 선택된 SSID을 통해서 동일한 UE의 MAC 어드레스로부터 유래된 임의의 후속하는 EAP 시그널링을 즉시 거절(또는 알리지 않고 폐기)할 수 있다. 이 경우에, TWAN은 3GPP AAA 서버를 향하는 어떠한 AAA 시그널링도 생성하지 않는다. TWAN은 EAP 실패 메시지를(예를 들어서, IETF RFC 3748 [x]에 따른 코드 4와 함께)역전송함으로써 및/또는 WLAN 연관사항을 릴리스함으로써 UE 요청을 거절할 수 있다(단계 21' 및 단계 22).유의사항 5: UE의 MAC 어드레스는 TWAN 내에서 UE-TWAG 포인트-대-포인트 링크 및 S2a 터널을 연관시키기 위한 SaMOG 접속 모델에서 사용된다. 유의사항 6: TWAN가 단계 21에서 UE 요청을 즉시 거절하지 않으면, 전체 시퀀스(단계 1 내지 단계 16)가 다시 발생하며, 과부하 상황 동안에 UE는 수회 요청을 반복할 것이다. 가능한 구현예에서, TWAG(즉, PGW를 향하는 S2a를 종단시키는 TWLAN 액세스 게이트웨이, TS 23.402 절 16.1.2 참조)는 TWAP(즉, TWLAN AAA 프록시, 즉, 3GPP AAA 서버를 향하는 STa를 종단시키는 TWAN 내의 기능부, TS 23.402 절 16.1.2 참조)에 과부하 에러 원인 및 백-오프 타임을, 단계 11 또는 단계 13 이후의 UE 요청을 거절할 때에 제공한다. TWAP는 백-오프 타임 기간 동안에 새로운 UE-OC(UE 과부하 제어) 기록사항을 생성 및 유지한다. UE-OC 기록사항은 UE의 MAC 어드레스, UE의 IMSI 및 백-오프 타임(또는 절대 타임스탬프, 이 절대 타임스탬프까지는 후속하는 요청들이 차단되어야 함)을 포함해야 한다. 텍스트 내에 IMSI를 저장하는 것은 해킹된 UE가 동일한 IMSI를 갖는 다수의 MAC 어드레스들을 사용하는 것을 방지한다(그렇지 않으면 TWAN 내에 저장할 수많은 UE-OC 기록사항들을 사용하는 메모리 DoS 공격을 받을 수 있다). 본 발명의 실시예들의 이점은 TWAN, 3GPP AAA 서버(및 로밍 상황에서는 3GPP AAA 프록시) 및 HSS를 대량 시그널링 오버헤드로부터 보호하는 것을 포함하며, 이러한 바는 예를 들어서, APN 혼잡 또는 PGW 과부하 상태 동안에 PDN 접속을 확립 또는 이동하도록 하는 UE 요청을 신뢰성 WLAN 액세스를 통해서 거절함으로써 달성된다. 본 발명은 또한 네트워크 내에서 인증 및 권한검증 시그널링을 증가시키지 않고서 S2a 인터페이스 상에서 GTP-C 과부하 제어를 전개시키는 것을 가능하게 한다. 일 양태에서, 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(trusted WLAN access network: TWAN)로서, EPC(Evolved Packet Core)로의 신뢰성 WLAN 액세스를 위해서,APN(access point name) 혼잡 상태로 인해서, 인증된 및 권한검증된 사용자로부터의 단일 접속 모드(SCM)에 있는 사용자 장치(UE)에 대한 요청을 거절할 때에, 상기 UE에 대한 백-오프 타임(back-off time) 및 혼잡 원인을 AAA 서버에 알리도록 구성된, 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크가 제공된다.단독으로 또는 조합하여서 사용될 수 있는 다양한 실시예들이 제공된다. 일 실시예에서, 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크는, 혼잡 제어가 APN에 대해서 활성화되면, 인증된 및 권한검증된 사용자로부터의 단일 접속 모드(SCM)에 있는 사용자 장치(UE)에 대한 요청을 거절할 때에, 상기 UE 및 요청된 APN에 대한 백-오프 타임 및 혼잡 원인을 AAA 서버에 알리도록 구성된다. 일 실시예에서, 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크는, 요청된 APN을 목적지로 하는 트래픽에 대하여 또는 임의의 트래픽에 대하여 상기 TWAN에 대한 과부하 제어를 트리거한 PDN 게이트웨이(PGW)로부터 과부하 제어 정보를 수신하도록 구성된다.일 실시예에서, 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크는, 상기 AAA 서버가 상기 동일한 APN을 목적지로 하는 다른 UE들로부터의 요청들을 백-오프해야 하는지의 여부를 상기 AAA 서버에게 알리도록 구성된다.다른 양태에서, 3GPP AAA 서버로서, EPC로의 신뢰성 WLAN 액세스를 위해서,단일 접속 모드에 있는 사용자 장치(UE)에 대한 요청에 대한 백-오프 타임 및 혼잡 원인을 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(TWAN)로부터 수신하고,상기 AAA 서버가 상기 UE를 향해서 전송하는 응답 메시지 내에 상기 백-오프 타임 및 혼잡 원인을 포함시키고,선택적으로, 혼잡 원인 및 남아 있는 백-오프 타임과 함께 응답 메시지를 리턴시킴으로써, 상기 백-오프 타임이 만료되기까지 상기 동일한 UE로부터의 임의의 후속하는 요청을 거절하도록 구성된, AAA 서버가 제공된다.일 실시예에서, 상기 AAA 서버는,상기 AAA 서버가 상기 동일한 APN을 목적지로 하는 다른 UE들로부터의 요청들을 백-오프시켜야 한다는 알림사항을 상기 AAA 서버가 상기 TWAN로부터 수신한 경우에, 상기 백-오프 타임이 만료되기까지 상기 APN을 목적지로 하는 상기 다른 UE로부터의 임의의 후속하는 요청을 거절하도록 구성될 수 있다.다른 양태에서, 3GPP AAA 서버로서, EPC로의 신뢰성 WLAN 액세스를 위해서,단일 접속 모드에 있는 사용자 장치(UE)에 대한 요청에 있어서 요청된 APN에 대한 백-오프 타임 및 APN 혼잡 원인을 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(TWAN)로부터 수신하고,상기 AAA 서버가 상기 UE를 향해서 전송하는 응답 메시지 내에 상기 백-오프 타임 및 APN 혼잡 원인을 포함시키고, 선택적으로, 혼잡 원인 및 남아 있는 백-오프 타임과 함께 응답 메시지를 리턴시킴으로써, 상기 백-오프 타임이 만료되기까지 상기 동일한 APN을 목적지로 하는 상기 동일한 UE로부터의 임의의 후속하는 요청을 거절하도록 구성된, AAA 서버가 제공된다. 일 실시예에서, 상기 AAA 서버는,상기 AAA 서버가 상기 동일한 APN을 목적지로 하는 다른 UE들로부터의 요청들을 백-오프시켜야 한다는 알림사항을 상기 AAA 서버가 상기 TWAN로부터 수신한 경우에, 상기 백-오프 타임이 만료되기까지 상기 APN을 목적지로 하는 상기 다른 UE로부터의 임의의 후속하는 요청을 거절하도록 구성될 수 있다.다른 양태에서, 사용자 장치(UE)로서, 단일 접속 모드에서 EPC로의 신뢰성 WLAN 액세스 시에,AAA 서버로부터 혼잡 원인 및 백-오프 타임을 수신하면, 상기 백-오프 타임 기간 동안에는 어떠한 새로운 요청도 개시하지 않도록 구성된, 사용자 장치가 제공된다.단독으로 또는 조합하여서 사용될 수 있는 다양한 실시예들이 제공된다. 일 실시예에서, 상기 사용자 장치(UE)는 EPC로의 신뢰성 WLAN 액세스 시에,AAA 서버로부터 혼잡 원인 및 백-오프 타임을 수신하면, 상기 백-오프 타임 기간 동안에는 상기 혼잡 상태의 APN에 대한 어떠한 새로운 요청도 개시하지 않도록 구성될 수 있다.일 실시예에서, 사용자 장치 UE는, 상기 AAA 서버로부터의 응답 메시지 내에서 상기 혼잡 원인 및 백-오프 타임을 수신하도록 구성된다.다른 양태에서, 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(TWAN)로서, EPC로의 신뢰성 WLAN 액세스를 위해서,APN 혼잡 상태로 인해서, 인증된 및 권한검증된 사용자로부터의 단일 접속 모드(SCM)에 있는 사용자 장치(UE)에 대한 요청을 거절할 때에, 상기 UE에 대한 백-오프 타이머를 개시하거나, 혼잡 제어가 상기 요청된 APN에 대해서 활성화되면 상기 UE 및 상기 요청된 APN에 대한 백-오프 타이머를 개시하고,혼잡 원인 및 남아 있는 백-오프 타임과 함께 응답 메시지를 AAA 서버로 리턴시킴으로써, 상기 백-오프 타이머가 만료되기까지 상기 동일한 UE로부터의 임의의 후속하는 요청 또는 상기 APN을 목적지로 하는 상기 동일한 UE로부터의 임의의 후속하는 요청을 거절하도록 구성된, 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(TWAN)가 제공된다.다른 양태에서, 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(TWAN)로서, EPC로의 신뢰성 WLAN 액세스를 위해서,APN 혼잡 상태로 인해서, 인증된 및 권한검증된 사용자로부터의 트랜스패런트(transparent)단일 접속 모드(TSCM)에 있는 사용자 장치(UE)에 대한 요청을 거절할 때에, 혼잡 제어가 전역인 경우에는 상기 UE마다 백-오프 타이머를 개시하거나, 혼잡 제어가 상기 요청된 APN에 대해서 활성화되면 상기 UE 및 SSID마다 백-오프 타이머를 개시하도록 구성된, 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(TWAN)가 제공된다.단독으로 또는 조합하여서 사용될 수 있는 다양한 실시예들이 제공된다. 일 실시예에서, 상기 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(TWAN)는,상기 백-오프 타이머가 만료되기 이전에 수신된, 상기 동일한 UE로부터의 임의의 후속하는 요청 또는 상기 동일한 SSID을 목적지로 하는 상기 동일한 UE로부터의 임의의 후속하는 요청을 거절하거나 알리지 않고 폐기하도록 구성된다. 일 실시예에서, 상기 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(TWAN)는,상기 백-오프 타이머가 만료되기 이전에 수신된, 상기 동일한 UE로부터 유래된 임의의 후속하는 시그널링 요청 또는 상기 동일한 선택된 SSID을 통해서 상기 동일한 UE로부터 유래된 임의의 후속하는 시그널링 요청을 거절하거나 알리지 않고 폐기하기 위해서 상기 UE의 MAC 어드레스에 기초하여서 상기 동일한 UE로부터 상기 요청이 오는 것을 검출하도록 구성된다.일 실시예에서, 상기 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(TWAN)는,응답 메시지를 역전송함으로써 및/또는 WLAN 연관사항을 릴리스함으로써 상기 UE로부터의 임의의 후속하는 요청 또는 상기 동일한 선택된 SSID을 통한 상기 UE로부터의 임의의 후속하는 요청을 거절하도록 구성된다.일 실시예에서, 상기 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(TWAN)는,상기 백-오프 타임 기간 동안에 UE 과부하 제어 기록사항을 생성 및 유지하도록 구성되며, 상기 UE 과부하 제어 기록사항은 트랜스패런트 단일 접속 모드에 있는 UE, 상기 UE의 MAC 어드레스, 상기 SSID, 상기 UE의 IMSI 및 상기 백-오프 타임을 포함한다.일 실시예에서, 상기 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(TWAN)는,상기 TWAN이 상기 UE로부터 새로운 후속하는 시그널링 요청을 수신하면, 자신이 상기 동일한 UE의 MAC 어드레스 및 가능하게는 SSID에 대한 UE 과부하 제어 기록사항을 가지고 있는 지의 여부를 체크함으로써, 자신이 상기 UE를 백-오프해야하는지의 여부를 체크하도록 구성된다. 일 실시예에서, 상기 신뢰성 WLAN 액세스 네트워크(TWAN)는,상기 APN을 목적지로 하는 트래픽에 대하여 또는 임의의 트래픽에 대하여 상기 TWAN에 대한 과부하 제어를 트리거한 PDN 게이트웨이(PGW)로부터 과부하 정보를 수신하도록 구성된다. 다른 양태에서, EPC로의 신뢰성 WLAN 액세스를 위한 과부하 제어 방법으로서, APN 혼잡 상태로 인해서, 인증된 및 권한검증된 사용자로부터의 단일 접속 모드(SCM)에 있는 사용자 장치(UE)에 대한 요청을 거절할 때에, 상기 신뢰성 WAN 액세스 네트워크(TWAN)는 상기 요청된 APN에 대해서 활성화되면 가능하게는 상기 요청된 APN에 대해서만 적용가능한 백-오프 타임을 상기 UE에 알리는 단계,상기 UE는 상기 백-오프 타임을 수신하면, 상기 백-오프 타임 기간 동안에는 새로운 요청 또는 상기 혼잡상태에 있는 APN으로의 새로운 요청을 개시하지 않는 단계를 포함하는, 과부하 제어 방법이 제공된다.다른 양태에서, EPC로의 신뢰성 WLAN 액세스를 위한 과부하 제어 방법으로서, 상기 신뢰성 WAN 액세스 네트워크(TWAN)는 APN 혼잡 상태로 인해서, 인증된 및 권한검증된 사용자로부터의 트랜스패런트 단일 접속 모드(TSCM)에 있는 사용자 장치(UE)에 대한 요청을 거절할 때, 혼잡 제어가 전역인 경우에는 상기 UE마다 백-오프 타이머를 개시하거나, 혼잡 제어가 상기 요청된 APN에 대해서 활성화되면 상기 UE 및 SSID마다 백-오프 타이머를 개시하는 단계를 포함하는, 과부하 제어 방법이 제공된다.일 실시예에서, 상기 방법은, 상기 신뢰성 WAN 액세스 네트워크(TWAN)가 상기 백-오프 타이머가 만료되기 이전에 수신된, 상기 동일한 UE로부터의 또는 상기 APN을 목적지로 하는 상기 동일한 UE로부터의 임의의 후속하는 요청을 거절하거나 알리지 않고서 폐기하는 단계를 포함한다.본 기술 분야의 당업자는 프로그램된 컴퓨터에 의해서 다양한 상술한 방법의 단계들이 수행될 수 있다는 것을 용이하게 인지할 것이다. 본 명세서에서는, 일부 실시예들이 프로그램 저장 장치들, 예를 들어서, 머신 또는 컴퓨터 판독가능하고 머신-실행가능하거나 컴퓨터-실행가능한 인스트럭션의 프로그램을 인코딩한 디지털 데이터 저장 매체를 또한 포함하며, 상기 인스트럭션은 상술한 방법의 일부 또는 모든 단계들을 수행한다. 프로그램 저장 장치는 예를 들어서, 디지털 메모리, 자기 저장 매체, 예를 들어서, 자기 디스크 및 자기 테이프, 하드 드라이브 또는 광학적으로 판독가능한 디지털 데이터 저장 매체일 수 있다. 실시예들은 상술한 방법의 상기 단계들을 수행하게 프로그램된 컴퓨터를 또한 포함한다.
일 실시예에서, EPC로의 신뢰성 WLAN 액세스를 위한 과부하 제어 방법이 제공되며, 이 방법은 인증된 및 권한검증된 사용자로부터의 단일 접속 모드(SCM)에 있는 사용자 장치(UE)에 대한 요청을 거절할 때에, 신뢰성 WAN 액세스 네트워크(TWAN)는 혼잡 제어가 상기 APN에 대해서 활성화되면 상기 요청된 APN에 대한 백-오프 타임을 상기 UE에 알리는 단계; 및 상기 UE는 상기 백-오프 타임을 수신하면, 상기 백-오프 타임 기간 동안에는 상기 혼잡상태에 있는 APN에 대한 새로운 요청을 개시하지 않는 단계를 포함한다.
[ 발명의 명칭 ] 무선 통신 시스템에서 단말에 의해 수행되는 D2D 동작 방법 및 상기 방법을 이용하는 단말D2D OPERATION METHOD PERFORMED BY TERMINAL IN WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM AND TERMINAL USING SAME [ 기술분야 ] 본 발명은 무선 통신에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 무선 통신 시스템에서 단말에 의하여 수행되는 D2D(device-to-device) 동작 방법과 이 방법을 이용하는 단말에 관한 것이다. [ 배경기술 ] ITU-R(International Telecommunication Union Radio communication sector)에서는 3세대 이후의 차세대 이동통신 시스템인 IMT(International Mobile Telecommunication)-Advanced의 표준화 작업을 진행하고 있다. IMT-Advanced는 정지 및 저속 이동 상태에서 1Gbps, 고속 이동 상태에서 100Mbps의 데이터 전송률로 IP(Internet Protocol)기반의 멀티미디어 서비스 지원을 목표로 한다. 3GPP(3rd Generation Partnership Project)는 IMT-Advanced의 요구 사항을 충족시키는 시스템 표준으로 OFDMA(Orthogonal Frequency Division Multiple Access)/SC-FDMA(Single Carrier-Frequency Division Multiple Access) 전송방식 기반인 LTE(Long Term Evolution)를 개선한 LTE-Advanced(LTE-A)를 준비하고 있다. LTE-A는 IMT-Advanced를 위한 유력한 후보 중의 하나이다. 최근 장치들 간 직접통신을 하는 D2D (Device-to-Device)기술에 대한 관심이 높아지고 있다. 특히, D2D는 공중 안전 네트워크(public safety network)을 위한 통신 기술로 주목 받고 있다. 상업적 통신 네트워크는 빠르게 LTE로 변화하고 있으나 기존 통신 규격과의 충돌 문제와 비용 측면에서 현재의 공중 안전 네트워크는 주로 2G 기술에 기반하고 있다. 이러한 기술 간극과 개선된 서비스에 대한 요구는 공중 안전 네트워크를 개선하고자 하는 노력으로 이어지고 있다.공중 안전 네트워크는 상업적 통신 네트워크에 비해 높은 서비스 요구 조건(신뢰도 및 보안성)을 가지며 특히 셀룰러 통신의 커버리지가 미치지 않거나 이용 가능하지 않은 경우에도, 장치들 간의 직접 신호 송수신 즉, D2D 동작도 요구하고 있다.D2D 동작은 근접한 기기들 간의 신호 송수신이라는 점에서 다양한 장점을 가질 수 있다. 예를 들어, D2D 단말은 높은 전송률 및 낮은 지연을 가지며 데이터 통신을 할 수 있다. 또한, D2D 동작은 기지국에 몰리는 트래픽을 분산시킬 수 있으며, D2D 단말이 중계기 역할을 한다면 기지국의 커버리지를 확장시키는 역할도 할 수 있다. D2D 동작을 수행하는데 사용되는 자원들을 네트워크가 어떤 방식으로 설정할 것인가, 그리고 설정된 자원들을 단말이 어떻게 이용하여 D2D 동작을 수행할 것인가를 규정할 필요가 있다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 무선 통신 시스템에서 단말에 의해 수행되는 D2D 동작 방법 및 이를 이용하는 단말을 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 일 측면에서, 무선 통신 시스템에서 단말에 의해 수행되는 D2D(device-to-device) 동작 방법을 제공한다. 상기 방법은 D2D 동작에 사용될 수 있는 복수의 자원들을 지시하는 D2D 설정 정보를 네트워크로부터 수신하고 상기 복수의 자원들 중 특정 자원을 선택하고 및 상기 선택한 특정 자원을 이용하여 다른 단말과 상기 D2D 동작을 수행하되, 상기 특정 자원은 상기 단말이 상기 네트워크로부터 수신한 참조 신호의 수신 전력(reference signal received power : RSRP)에 기반하여 선택되는 것을 특징으로 한다. 다른 측면에서, 무선 통신 시스템에서 D2D(device-to-device) 동작을 수행하는 단말을 제공한다. 상기 단말은 무선 신호를 송신 및 수신하는 RF(Radio Frequency) 부 및 상기 RF부와 결합하여 동작하는 프로세서를 포함하되, 상기 프로세서는, D2D 동작에 사용될 수 있는 복수의 자원들을 지시하는 D2D 설정 정보를 네트워크로부터 수신하고, 상기 복수의 자원들 중 특정 자원을 선택하고 및 상기 선택한 특정 자원을 이용하여 다른 단말과 상기 D2D 동작을 수행하되, 상기 특정 자원은 상기 단말이 상기 네트워크로부터 수신한 참조 신호의 수신 전력(reference signal received power : RSRP)에 기반하여 선택되는 것을 특징으로 한다. [ 발명의 효과 ] 단말은 참조 신호 수신 전력을 기반으로 복수의 D2D 자원들 중 적절한 D2D 자원을 선택할 수 있다. 즉, 단말은 셀의 커버리지와 관련하여 자신의 위치를 파악한 후 그에 따른 D2D 자원을 선택할 수 있는 것이다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명이 적용되는 무선통신 시스템을 나타낸다.도 2는 사용자 평면(user plane)에 대한 무선 프로토콜 구조(radio protocol architecture)를 나타낸 블록도이다. 도 3은 제어 평면(control plane)에 대한 무선 프로토콜 구조를 나타낸 블록도이다.도 4는 RRC 아이들 상태의 단말의 동작을 나타내는 흐름도이다.도 5는 RRC 연결을 확립하는 과정을 나타낸 흐름도이다. 도 6은 RRC 연결 재설정 과정을 나타낸 흐름도이다.도 7은 RRC 연결 재확립 절차를 나타내는 도면이다.도 8은 단말이 RRC_IDLE 상태에서 가질 수 있는 서브 상태(substate)들과 서브상태 천이 과정을 예시한다. 도 9는 ProSe를 위한 기준 구조를 나타낸다. 도 10은 ProSe 직접 통신을 수행하는 단말들과 셀 커버리지의 배치 예들을 나타낸다. 도 11은 ProSe 직접 통신을 위한 사용자 평면 프로토콜 스택을 나타낸다. 도 12는 D2D 발견을 위한 PC 5 인터페이스를 나타낸다. 도 13은 ProSe 직접 발견 과정의 일 실시예이다. 도 14는 ProSe 직접 발견 과정의 다른 실시예이다.도 15는 UE-NW 중계기를 나타낸다. 도 16은 UE-UE 중계기를 나타낸다. 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 단말의 D2D 동작 방법을 나타낸다. 도 18은 RSRP의 범위에 따른 셀 커버리지를 나타낸다. 도 19는 RSRP 의 범위와 계층, 계층과 셀의 연관 관계를 나타낸다. 도 20은 도 17 내지 19를 참조하여 설명한 방법을 적용하는 예를 나타낸다. 도 21은 본 발명의 실시예가 구현되는 단말을 나타낸 블록도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1은 본 발명이 적용되는 무선통신 시스템을 나타낸다. 이는 E-UTRAN(Evolved-UMTS Terrestrial Radio Access Network), 또는 LTE(Long Term Evolution)/LTE-A 시스템이라고도 불릴 수 있다.E-UTRAN은 단말(10; User Equipment, UE)에게 제어 평면(control plane)과 사용자 평면(user plane)을 제공하는 기지국(20; Base Station, BS)을 포함한다. 단말(10)은 고정되거나 이동성을 가질 수 있으며, MS(Mobile station), UT(User Terminal), SS(Subscriber Station), MT(mobile terminal), 무선기기(Wireless Device) 등 다른 용어로 불릴 수 있다. 기지국(20)은 단말(10)과 통신하는 고정된 지점(fixed station)을 말하며, eNB(evolved-NodeB), BTS(Base Transceiver System), 액세스 포인트(Access Point) 등 다른 용어로 불릴 수 있다.기지국(20)들은 X2 인터페이스를 통하여 서로 연결될 수 있다. 기지국(20)은 S1 인터페이스를 통해 EPC(Evolved Packet Core, 30), 보다 상세하게는 S1-MME를 통해 MME(Mobility Management Entity)와 S1-U를 통해 S-GW(Serving Gateway)와 연결된다. EPC(30)는 MME, S-GW 및 P-GW(Packet Data Network-Gateway)로 구성된다. MME는 단말의 접속 정보나 단말의 능력에 관한 정보를 가지고 있으며, 이러한 정보는 단말의 이동성 관리에 주로 사용된다. S-GW는 E-UTRAN을 종단점으로 갖는 게이트웨이이며, P-GW는 PDN을 종단점으로 갖는 게이트웨이이다.단말과 네트워크 사이의 무선인터페이스 프로토콜 (Radio Interface Protocol)의 계층들은 통신시스템에서 널리 알려진 개방형 시스템간 상호접속 (Open System Interconnection; OSI) 기준 모델의 하위 3개 계층을 바탕으로 L1 (제1계층), L2 (제2계층), L3(제3계층)로 구분될 수 있는데, 이 중에서 제1계층에 속하는 물리계층은 물리채널(Physical Channel)을 이용한 정보전송서비스(Information Transfer Service)를 제공하며, 제 3계층에 위치하는 RRC(Radio Resource Control) 계층은 단말과 네트워크 간에 무선자원을 제어하는 역할을 수행한다. 이를 위해 RRC 계층은 단말과 기지국간 RRC 메시지를 교환한다.도 2는 사용자 평면(user plane)에 대한 무선 프로토콜 구조(radio protocol architecture)를 나타낸 블록도이다. 도 3은 제어 평면(control plane)에 대한 무선 프로토콜 구조를 나타낸 블록도이다. 사용자 평면은 사용자 데이터 전송을 위한 프로토콜 스택(protocol stack)이고, 제어 평면은 제어신호 전송을 위한 프로토콜 스택이다. 도 2 및 3을 참조하면, 물리계층(PHY(physical) layer)은 물리채널(physical channel)을 이용하여 상위 계층에게 정보 전송 서비스(information transfer service)를 제공한다. 물리계층은 상위 계층인 MAC(Medium Access Control) 계층과는 전송채널(transport channel)을 통해 연결되어 있다. 전송채널을 통해 MAC 계층과 물리계층 사이로 데이터가 이동한다. 전송채널은 무선 인터페이스를 통해 데이터가 어떻게 어떤 특징으로 전송되는가에 따라 분류된다. 서로 다른 물리계층 사이, 즉 송신기와 수신기의 물리계층 사이는 물리채널을 통해 데이터가 이동한다. 상기 물리채널은 OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing) 방식으로 변조될 수 있고, 시간과 주파수를 무선자원으로 활용한다.MAC 계층의 기능은 논리채널과 전송채널간의 맵핑 및 논리채널에 속하는 MAC SDU(service data unit)의 전송채널 상으로 물리채널로 제공되는 전송블록(transport block)으로의 다중화/역다중화를 포함한다. MAC 계층은 논리채널을 통해 RLC(Radio Link Control) 계층에게 서비스를 제공한다. RLC 계층의 기능은 RLC SDU의 연결(concatenation), 분할(segmentation) 및 재결합(reassembly)를 포함한다. 무선베어러(Radio Bearer; RB)가 요구하는 다양한 QoS(Quality of Service)를 보장하기 위해, RLC 계층은 투명모드(Transparent Mode, TM), 비확인 모드(Unacknowledged Mode, UM) 및 확인모드(Acknowledged Mode, AM)의 세 가지의 동작모드를 제공한다. AM RLC는 ARQ(automatic repeat request)를 통해 오류 정정을 제공한다.RRC(Radio Resource Control) 계층은 제어 평면에서만 정의된다. RRC 계층은 무선 베어러들의 설정(configuration), 재설정(re-configuration) 및 해제(release)와 관련되어 논리채널, 전송채널 및 물리채널들의 제어를 담당한다. RB는 단말과 네트워크간의 데이터 전달을 위해 제1 계층(PHY 계층) 및 제2 계층(MAC 계층, RLC 계층, PDCP 계층)에 의해 제공되는 논리적 경로를 의미한다. 사용자 평면에서의 PDCP(Packet Data Convergence Protocol) 계층의 기능은 사용자 데이터의 전달, 헤더 압축(header compression) 및 암호화(ciphering)를 포함한다. 제어 평면에서의 PDCP(Packet Data Convergence Protocol) 계층의 기능은 제어 평면 데이터의 전달 및 암호화/무결정 보호(integrity protection)를 포함한다.RB가 설정된다는 것은 특정 서비스를 제공하기 위해 무선 프로토콜 계층 및 채널의 특성을 규정하고, 각각의 구체적인 파라미터 및 동작 방법을 설정하는 과정을 의미한다. RB는 다시 SRB(Signaling RB)와 DRB(Data RB) 두가지로 나누어 질 수 있다. SRB는 제어 평면에서 RRC 메시지를 전송하는 통로로 사용되며, DRB는 사용자 평면에서 사용자 데이터를 전송하는 통로로 사용된다.단말의 RRC 계층과 E-UTRAN의 RRC 계층 사이에 RRC 연결(RRC Connection)이 확립되면, 단말은 RRC 연결(RRC connected) 상태에 있게 되고, 그렇지 못할 경우 RRC 아이들(RRC idle) 상태에 있게 된다.네트워크에서 단말로 데이터를 전송하는 하향링크 전송채널로는 시스템정보를 전송하는 BCH(Broadcast Channel)과 그 이외에 사용자 트래픽이나 제어메시지를 전송하는 하향링크 SCH(Shared Channel)이 있다. 하향링크 멀티캐스트 또는 브로드캐스트 서비스의 트래픽 또는 제어메시지의 경우 하향링크 SCH를 통해 전송될 수도 있고, 또는 별도의 하향링크 MCH(Multicast Channel)을 통해 전송될 수도 있다. 한편, 단말에서 네트워크로 데이터를 전송하는 상향링크 전송채널로는 초기 제어메시지를 전송하는 RACH(Random Access Channel)와 그 이외에 사용자 트래픽이나 제어메시지를 전송하는 상향링크 SCH(Shared Channel)가 있다.전송채널 상위에 있으며, 전송채널에 매핑되는 논리채널(Logical Channel)로는 BCCH(Broadcast Control Channel), PCCH(Paging Control Channel), CCCH(Common Control Channel), MCCH(Multicast Control Channel), MTCH(Multicast Traffic Channel) 등이 있다.물리채널(Physical Channel)은 시간 영역에서 여러 개의 OFDM 심벌과 주파수 영역에서 여러 개의 부반송파(Sub-carrier)로 구성된다. 하나의 서브프레임(Sub-frame)은 시간 영역에서 복수의 OFDM 심벌(Symbol)들로 구성된다. 자원블록은 자원 할당 단위로, 복수의 OFDM 심벌들과 복수의 부반송파(sub-carrier)들로 구성된다. 또한 각 서브프레임은 PDCCH(Physical Downlink Control Channel) 즉, L1/L2 제어채널을 위해 해당 서브프레임의 특정 OFDM 심벌들(예, 첫번째 OFDM 심볼)의 특정 부반송파들을 이용할 수 있다. TTI(Transmission Time Interval)는 서브프레임 전송의 단위시간이다. 이하 단말의 RRC 상태 (RRC state)와 RRC 연결 방법에 대해 상술한다. RRC 상태란 단말의 RRC 계층이 E-UTRAN의 RRC 계층과 논리적 연결(logical connection)이 되어 있는가 아닌가를 말하며, 연결되어 있는 경우는 RRC 연결 상태(RRC_CONNECTED), 연결되어 있지 않은 경우는 RRC 아이들 상태(RRC_IDLE)라고 부른다. RRC 연결 상태의 단말은 RRC 연결이 존재하기 때문에 E-UTRAN은 해당 단말의 존재를 셀 단위에서 파악할 수 있으며, 따라서 단말을 효과적으로 제어할 수 있다. 반면에 RRC 아이들 상태의 단말은 E-UTRAN이 파악할 수는 없으며, 셀 보다 더 큰 지역 단위인 트래킹 영역(Tracking Area) 단위로 CN(core network)이 관리한다. 즉, RRC 아이들 상태의 단말은 큰 지역 단위로 존재 여부만 파악되며, 음성이나 데이터와 같은 통상의 이동통신 서비스를 받기 위해서는 RRC 연결 상태로 이동해야 한다.사용자가 단말의 전원을 맨 처음 켰을 때, 단말은 먼저 적절한 셀을 탐색한 후 해당 셀에서 RRC 아이들 상태에 머무른다. RRC 아이들 상태의 단말은 RRC 연결을 맺을 필요가 있을 때 비로소 RRC 연결 과정(RRC connection procedure)을 통해 E-UTRAN과 RRC 연결을 확립하고, RRC 연결 상태로 천이한다. RRC 아이들 상태에 있던 단말이 RRC 연결을 맺을 필요가 있는 경우는 여러 가지가 있는데, 예를 들어 사용자의 통화 시도 등의 이유로 상향 데이터 전송이 필요하다거나, 아니면 E-UTRAN으로부터 호출(paging) 메시지를 수신한 경우 이에 대한 응답 메시지 전송 등을 들 수 있다.RRC 계층 상위에 위치하는 NAS(Non-Access Stratum) 계층은 연결관리(Session Management)와 이동성 관리(Mobility Management) 등의 기능을 수행한다.NAS 계층에서 단말의 이동성을 관리하기 위하여 EMM-REGISTERED(EPS Mobility Management-REGISTERED) 및 EMM-DEREGISTERED 두 가지 상태가 정의되어 있으며, 이 두 상태는 단말과 MME에게 적용된다. 초기 단말은 EMM-DEREGISTERED 상태이며, 이 단말이 네트워크에 접속하기 위해서 초기 연결(Initial Attach) 절차를 통해서 해당 네트워크에 등록하는 과정을 수행한다. 상기 연결(Attach) 절차가 성공적으로 수행되면 단말 및 MME는 EMM-REGISTERED 상태가 된다.단말과 EPC간 시그널링 연결(signaling connection)을 관리하기 위하여 ECM(EPS Connection Management)-IDLE 상태 및 ECM-CONNECTED 상태 두 가지 상태가 정의되어 있으며, 이 두 상태는 단말 및 MME에게 적용된다. ECM-IDLE 상태의 단말이 E-UTRAN과 RRC 연결을 맺으면 해당 단말은 ECM-CONNECTED 상태가 된다. ECM-IDLE 상태에 있는 MME는 E-UTRAN과 S1 연결(S1 connection)을 맺으면 ECM-CONNECTED 상태가 된다. 단말이 ECM-IDLE 상태에 있을 때에는 E-UTRAN은 단말의 배경(context) 정보를 가지고 있지 않다. 따라서 ECM-IDLE 상태의 단말은 네트워크의 명령을 받을 필요 없이 셀 선택(cell selection) 또는 셀 재선택(reselection)과 같은 단말 기반의 이동성 관련 절차를 수행한다. 반면 단말이 ECM-CONNECTED 상태에 있을 때에는 단말의 이동성은 네트워크의 명령에 의해서 관리된다. ECM-IDLE 상태에서 단말의 위치가 네트워크가 알고 있는 위치와 달라질 경우 단말은 트래킹 영역 갱신(Tracking Area Update) 절차를 통해 네트워크에 단말의 해당 위치를 알린다.다음은, 시스템 정보(System Information)에 관한 설명이다. 시스템 정보는 단말이 기지국에 접속하기 위해서 알아야 하는 필수 정보를 포함한다. 따라서 단말은 기지국에 접속하기 전에 시스템 정보를 모두 수신하고 있어야 하고, 또한 항상 최신의 시스템 정보를 가지고 있어야 한다. 그리고 상기 시스템 정보는 한 셀 내의 모든 단말이 알고 있어야 하는 정보이므로, 기지국은 주기적으로 상기 시스템 정보를 전송한다. 시스템 정보는 MIB(Master Information Block) 및 복수의 SIB (System Information Block)로 나뉜다. MIB는 셀로부터 다른 정보를 위해 획득될 것이 요구되는 가장 필수적이고 가장 자주 전송되는, 제한된 개수의 파라미터들을 포함할 수 있다. 단말은 하향링크 동기화 이후에 가장 먼저 MIB를 찾는다. MIB는 하향링크 채널 대역폭, PHICH 설정, 동기화를 지원하고 타이밍 기준으로서 동작하는 SFN, 및 eNB 전송 안테나 설정과 같은 정보를 포함할 수 있다. MIB는 BCH(broadcase channel) 상으로 브로드캐스트 전송될 수 있다. 포함된 SIB들 중 SIB1 (SystemInformationBlockType1) 은 “SystemInformationBlockType1” 메시지에 포함되어 전송되며, SIB1을 제외한 다른 SIB들은 시스템 정보 메시지에 포함되어 전송된다. SIB들을 시스템 정보 메시지에 맵핑시키는 것은 SIB1에 포함된 스케쥴링 정보 리스트 파라미터에 의하여 유동적으로 설정될 수 있다. 단, 각 SIB는 단일 시스템 정보 메시지에 포함되며, 오직 동일한 스케쥴링 요구치(e.g. 주기)를 가진 SIB들만이 동일한 시스템 정보 메시지에 맵핑될 수 있다. 또한, SIB2(SystemInformationBlockType2)는 항상 스케쥴링 정보 리스트의 시스템정보 메시지 리스트 내 첫번째 엔트리에 해당하는 시스템 정보 메시지에 맵핑된다. 동일한 주기 내에 복수의 시스템 정보 메시지가 전송될 수 있다. SIB1 및 모든 시스템 정보 메시지는 DL-SCH상으로 전송된다.브로드캐스트 전송에 더하여, E-UTRAN은 SIB1은 기존에 설정된 값과 동일하게 설정된 파라미터를 포함한 채로 전용 시그널링(dedicated signaling)될 수 있으며, 이 경우 SIB1은 RRC 연결 재설정 메시지에 포함되어 전송될 수 있다.SIB1은 단말 셀 접근과 관련된 정보를 포함하며, 다른 SIB들의 스케쥴링을 정의한다. SIB1은 네트워크의 PLMN 식별자들, TAC(Tracking Area Code) 및 셀 ID, 셀이 캠프온 할 수 잇는 셀인지 여부를 지시하는 셀 금지 상태(cell barring status), 셀 재선택 기준으로서 사용되는 셀내 요구되는 최저 수신 레벨, 및 다른 SIB들의 전송 시간 및 주기와 관련된 정보를 포함할 수 있다.SIB2는 모든 단말에 공통되는 무선 자원 설정 정보를 포함할 수 있다. SIB2는 상향링크 반송파 주파수 및 상향링크 채널 대역폭, RACH 설정, 페이지 설정(paging configuration), 상량링크 파워 제어 설정, 사운딩 기준 신호 설정(Sounding Reference Signal configuration), ACK/NACK 전송을 지원하는 PUCCH 설정 및 PUSCH 설정과 관련된 정보를 포함할 수 있다.단말은 시스템 정보의 획득 및 변경 감지 절차를 프라이머리 셀(primary cell: PCell)에 대해서만 적용할 수 있다. 세컨더리 셀(secondary cell: SCell)에 있어서, E-UTRAN은 해당 SCell이 추가될 때 RRC 연결 상태 동작과 관련있는 모든 시스템 정보를 전용 시그널링을 통해 제공해줄 수 있다. 설정된 SCell의 관련된 시스템 정보의 변경시, E-UTRAN은 고려되는 SCell을 해제(release)하고 차후에 추가할 수 있는데, 이는 단일 RRC 연결 재설정 메시지와 함께 수행될 수 있다. E-UTRAN은 고려되는 SCell 내에서 브로드캐스트 되었던 값과 다른 파라미터 값들을 전용 시그널링을 통하여 설정해줄 수 있다.단말은 특정 타입의 시스템 정보에 대하여 그 유효성을 보장해야 하며, 이와 같은 시스템 정보를 필수 시스템 정보(required system information)이라 한다. 필수 시스템 정보는 아래와 같이 정의될 수 있다.- 단말이 RRC 아이들 상태인 경우: 단말은 SIB2 내지 SIB8 뿐만 아니라 MIB 및 SIB1의 유효한 버전을 가지고 있도록 보장하여야 하며, 이는 고려되는 RAT(radio access technology)의 지원에 따를 수 있다. - 단말이 RRC 연결 상태인 경우: 단말은 MIB, SIB1 및 SIB2의 유효한 버전을 가지고 있도록 보장하여야 한다. 일반적으로 시스템 정보는 획득 후 최대 3시간 까지 유효성이 보장될 수 있다.일반적으로, 네트워크가 단말에게 제공하는 서비스는 아래와 같이 세가지 타입으로 구분할 수 있다. 또한, 어떤 서비스를 제공받을 수 있는지에 따라 단말은 셀의 타입 역시 다르게 인식한다. 아래에서 먼저 서비스 타입을 서술하고, 이어 셀의 타입을 서술한다.1) 제한적 서비스(Limited service): 이 서비스는 응급 호출(Emergency call) 및 재해 경보 시스템(Earthquake and Tsunami Warning System; ETWS)를 제공하며, 수용가능 셀(acceptable cell)에서 제공할 수 있다.2) 정규 서비스(Normal service) : 이 서비스는 일반적 용도의 범용 서비스(public use)를 의미하여, 정규 셀(suitable or normal cell)에서 제공할 수 있다.3) 사업자 서비스(Operator service) : 이 서비스는 통신망 사업자를 위한 서비스를 의미하며, 이 셀은 통신망 사업자만 사용할 수 있고 일반 사용자는 사용할 수 없다.셀이 제공하는 서비스 타입과 관련하여, 셀의 타입은 아래와 같이 구분될 수 있다.1) 수용가능 셀(Acceptable cell) : 단말이 제한된(Limited) 서비스를 제공받을 수 있는 셀. 이 셀은 해당 단말 입장에서, 금지(barred)되어 있지 않고, 단말의 셀 선택 기준을 만족시키는 셀이다.2) 정규 셀(Suitable cell) : 단말이 정규 서비스를 제공받을 수 있는 셀. 이 셀은 수용가능 셀의 조건을 만족시키며, 동시에 추가 조건들을 만족시킨다. 추가적인 조건으로는, 이 셀이 해당 단말이 접속할 수 있는 PLMN(Public Land Mobile Network) 소속이어야 하고, 단말의 트래킹 영역(Tracking Area) 갱신 절차의 수행이 금지되지 않은 셀이어야 한다. 해당 셀이 CSG 셀이라고 하면, 단말이 이 셀에 CSG 멤버로서 접속이 가능한 셀이어야 한다.3) 금지된 (Barred cell) : 셀이 시스템 정보를 통해 금지된 셀이라는 정보를 브로드캐스트하는 셀이다.4) 예약된 셀(Reserved cell) : 셀이 시스템 정보를 통해 예약된 셀이라는 정보를 브로드캐스트하는 셀이다.도 4는 RRC 아이들 상태의 단말의 동작을 나타내는 흐름도이다. 도 4는 초기 전원이 켜진 단말이 셀 선택 과정을 거쳐 네트워크 망에 등록하고 이어 필요할 경우 셀 재선택을 하는 절차를 나타낸다.도 4를 참조하면, 단말은 자신이 서비스 받고자 하는 망인 PLMN(public land mobile network)과 통신하기 위한 라디오 접속 기술(radio access technology; RAT, 무선 통신 방법)를 선택한다(S410). PLMN 및 RAT에 대한 정보는 단말의 사용자가 선택할 수도 있으며, USIM(universal subscriber identity module)에 저장되어 있는 것을 사용할 수도 있다.단말은 측정한 신호세기나 품질이 특정한 값보다 큰 셀 중에서, 가장 큰 값을 가지는 셀을 선택한다(Cell Selection)(S420). 이는 전원이 켜진 단말이 셀 선택을 수행하는 것으로서 초기 셀 선택(initial cell selection)이라 할 수 있다. 셀 선택 절차에 대해서 이후에 상술하기로 한다. 셀 선택 이후 단말은, 기지국이 주기적으로 보내는 시스템 정보를 수신한다. 상기 말하는 특정한 값은 데이터 송/수신에서의 물리적 신호에 대한 품질을 보장받기 위하여 시스템에서 정의된 값을 말한다. 따라서, 적용되는 RAT에 따라 그 값은 다를 수 있다. 단말은 망 등록 필요가 있는 경우 망 등록 절차를 수행한다(S430). 단말은 망으로부터 서비스(예:Paging)를 받기 위하여 자신의 정보(예:IMSI)를 등록한다. 단말은 셀을 선택할 때 마다 접속하는 망에 등록을 하는 것은 아니며, 시스템 정보로부터 받은 망의 정보(예:Tracking Area Identity; TAI)와 자신이 알고 있는 망의 정보가 다른 경우에 망에 등록을 한다.단말은 셀에서 제공되는 서비스 환경 또는 단말의 환경 등을 기반으로 셀 재선택을 수행한다(S440). 단말은 현재 서비스 받고 있는 기지국(서빙 기지국)으로부터 측정한 신호의 세기나 품질의 값이 인접한 셀의 기지국으로부터 측정한 값보다 낮다면, 단말이 현재 접속한 기지국의 셀 보다 더 좋은 신호 특성을 제공하는 다른 셀 중 하나를 선택한다. 이 과정을 2번 과정의 초기 셀 선택(Initial Cell Selection)과 구분하여 셀 재선택(Cell Re-Selection)이라 한다. 이때, 신호특성의 변화에 따라 빈번히 셀이 재선택되는 것을 방지하기 위하여 시간적인 제약조건을 둔다. 셀 재선택 절차에 대해서는 이후에 상술하기로 한다.도 5는 RRC 연결을 확립하는 과정을 나타낸 흐름도이다. 단말은 RRC 연결을 요청하는 RRC 연결 요청(RRC Connection Request) 메시지를 네트워크로 보낸다(S510). 네트워크는 RRC 연결 요청에 대한 응답으로 RRC 연결 설정(RRC Connection Setup) 메시지를 보낸다(S520). RRC 연결 설정 메시지를 수신한 후, 단말은 RRC 연결 모드로 진입한다.단말은 RRC 연결 확립의 성공적인 완료를 확인하기 위해 사용되는 RRC 연결 설정 완료(RRC Connection Setup Complete) 메시지를 네트워크로 보낸다(S530). 도 6은 RRC 연결 재설정 과정을 나타낸 흐름도이다. RRC 연결 재설정(reconfiguration)은 RRC 연결을 수정하는데 사용된다. 이는 RB 확립/수정(modify)/해제(release), 핸드오버 수행, 측정 셋업/수정/해제하기 위해 사용된다. 네트워크는 단말로 RRC 연결을 수정하기 위한 RRC 연결 재설정(RRC Connection Reconfiguration) 메시지를 보낸다(S610). 단말은 RRC 연결 재설정에 대한 응답으로, RRC 연결 재설정의 성공적인 완료를 확인하기 위해 사용되는 RRC 연결 재설정 완료(RRC Connection Reconfiguration Complete) 메시지를 네트워크로 보낸다(S620).이하에서 PLMN(public land mobile network)에 대하여 설명하도록 한다.PLMN은 모바일 네트워크 운영자에 의해 배치 및 운용되는 네트워크이다. 각 모바일 네트워크 운영자는 하나 또는 그 이상의 PLMN을 운용한다. 각 PLMN은 MCC(Mobile Country Code) 및 MNC(Mobile Network Code)로 식별될 수 있다. 셀의 PLMN 정보는 시스템 정보에 포함되어 브로드캐스트된다.PLMN 선택, 셀 선택 및 셀 재선택에 있어서, 다양한 타입의 PLMN들이 단말에 의해 고려될 수 있다.HPLMN(Home PLMN) : 단말 IMSI의 MCC 및 MNC와 매칭되는 MCC 및 MNC를 가지는 PLMN.EHPLMN(Equivalent HPLMN): HPLMN과 등가로 취급되는 PLMN.RPLMN(Registered PLMN): 위치 등록이 성공적으로 마쳐진 PLMN.EPLMN(Equivalent PLMN): RPLMN과 등가로 취급되는 PLMN.각 모바일 서비스 수요자는 HPLMN에 가입한다. HPLMN 또는 EHPLMN에 의하여 단말로 일반 서비스가 제공될 때, 단말은 로밍 상태(roaming state)에 있지 않는다. 반면, HPLMN/EHPLMN 이외의 PLMN에 의하여 단말로 서비스가 제공될 때, 단말은 로밍 상태에 있으며, 그 PLMN은 VPLMN(Visited PLMN)이라고 불리운다.단말은 초기에 전원이 켜지면 사용 가능한 PLMN(public land mobile network)을 검색하고 서비스를 받을 수 있는 적절한 PLMN을 선택한다. PLMN은 모바일 네트워크 운영자(mobile network operator)에 의해 배치되거나(deploy) 운영되는 네트워크이다. 각 모바일 네트워크 운영자는 하나 또는 그 이상의 PLMN을 운영한다. 각각의 PLMN은 MCC(mobile country code) 및 MNC(mobile network code)에 의하여 식별될 수 있다. 셀의 PLMN 정보는 시스템 정보에 포함되어 브로드캐스트된다. 단말은 선택한 PLMN을 등록하려고 시도한다. 등록이 성공한 경우, 선택된 PLMN은 RPLMN(registered PLMN)이 된다. 네트워크는 단말에게 PLMN 리스트를 시그널링할 수 있는데, 이는 PLMN 리스트에 포함된 PLMN들을 RPLMN과 같은 PLMN이라 고려할 수 있다. 네트워크에 등록된 단말은 상시 네트워크에 의하여 접근될 수(reachable) 있어야 한다. 만약 단말이 ECM-CONNECTED 상태(동일하게는 RRC 연결 상태)에 있는 경우, 네트워크는 단말이 서비스를 받고 있음을 인지한다. 그러나, 단말이 ECM-IDLE 상태(동일하게는 RRC 아이들 상태)에 있는 경우, 단말의 상황이 eNB에서는 유효하지 않지만 MME에는 저장되어 있다. 이 경우, ECM-IDLE 상태의 단말의 위치는 TA(tracking Area)들의 리스트의 입도(granularity)로 오직 MME에게만 알려진다. 단일 TA는 TA가 소속된 PLMN 식별자로 구성된 TAI(tracking area identity)및 PLMN 내의 TA를 유일하게 표현하는 TAC(tracking area code)에 의해 식별된다. 이어, 선택한 PLMN이 제공하는 셀들 중에서 상기 단말이 적절한 서비스를 제공받을 수 있는 신호 품질과 특성을 가진 셀을 선택한다. 다음은 종래 기술에서, 단말이 셀을 선택하는 절차에 대해서 자세히 설명한다. 전원이 켜지거나 셀에 머물러 있을 때, 단말은 적절한 품질의 셀을 선택/재선택하여 서비스를 받기 위한 절차들을 수행한다.RRC 아이들 상태의 단말은 항상 적절한 품질의 셀을 선택하여 이 셀을 통해 서비스를 제공받기 위한 준비를 하고 있어야 한다. 예를 들어, 전원이 막 켜진 단말은 네트워크에 등록을 하기 위해 적절한 품질의 셀을 선택해야 한다. RRC 연결 상태에 있던 상기 단말이 RRC 아이들 상태에 진입하면, 상기 단말은 RRC 아이들 상태에서 머무를 셀을 선택해야 한다. 이와 같이, 상기 단말이 RRC 아이들 상태와 같은 서비스 대기 상태로 머물고 있기 위해서 어떤 조건을 만족하는 셀을 고르는 과정을 셀 선택(Cell Selection)이라고 한다. 중요한 점은, 상기 셀 선택은 상기 단말이 상기 RRC 아이들 상태로 머물러 있을 셀을 현재 결정하지 못한 상태에서 수행하는 것이므로, 가능한 신속하게 셀을 선택하는 것이 무엇보다 중요하다. 따라서 일정 기준 이상의 무선 신호 품질을 제공하는 셀이라면, 비록 이 셀이 단말에게 가장 좋은 무선 신호 품질을 제공하는 셀이 아니라고 하더라도, 단말의 셀 선택 과정에서 선택될 수 있다.이제 3GPP TS 36.304 V8.5.0 (2009-03) "User Equipment (UE) procedures in idle mode (Release 8)"을 참조하여, 3GPP LTE에서 단말이 셀을 선택하는 방법 및 절차에 대하여 상술한다.셀 선택 과정은 크게 두 가지로 나뉜다. 먼저 초기 셀 선택 과정으로, 이 과정에서는 상기 단말이 무선 채널에 대한 사전 정보가 없다. 따라서 상기 단말은 적절한 셀을 찾기 위해 모든 무선 채널을 검색한다. 각 채널에서 상기 단말은 가장 강한 셀을 찾는다. 이후, 상기 단말이 셀 선택 기준을 만족하는 적절한(suitable) 셀을 찾기만 하면 해당 셀을 선택한다.다음으로 단말은 저장된 정보를 활용하거나, 셀에서 방송하고 있는 정보를 활용하여 셀을 선택할 수 있다. 따라서, 초기 셀 선택 과정에 비해 셀 선택이 신속할 수 있다. 단말이 셀 선택 기준을 만족하는 셀을 찾기만 하면 해당 셀을 선택한다. 만약 이 과정을 통해 셀 선택 기준을 만족하는 적절한 셀을 찾지 못하면, 단말은 초기 셀 선택 과정을 수행한다.셀 선택 기준은 하기 식 1과 같이 정의될 수 있다.[식 1]여기서, 상기 식 1의 각 변수는 하기 표 1과 같이 정의될 수 있다.SrxlevCell selection RX level value (dB)SqualCell selection quality value (dB)QrxlevmeasMeasured cell RX level value (RSRP)QqualmeasMeasured cell quality value (RSRQ)QrxlevminMinimum required RX level in the cell (dBm)QqualminMinimum required quality level in the cell (dB)QrxlevminoffsetOffset to the signalled Qrxlevmin taken into account in the Srxlev evaluation as a result of a periodic search for a higher priority PLMN while camped normally in a VPLMNQqualminoffsetOffset to the signalled Qqualmin taken into account in the Squal evaluation as a result of a periodic search for a higher priority PLMN while camped normally in a VPLMNPcompensation max(PEMAX -PPowerClass, 0) (dB)PEMAXMaximum TX power level an UE may use when transmitting on the uplink in the cell (dBm) defined as PEMAX in [TS 36.101]PPowerClassMaximum RF output power of the UE (dBm) according to the UE power class as defined in [TS 36.101]시그널링된 값들인 Qrxlevminoffset 및 Qqualminoffset은 단말이 VPLMN내의 정규 셀에 캠프 하고 있는 동안 보다 높은 우선순위의 PLMN에 대한 주기적 탐색의 결과로서 셀 선택이 평가되는 경우에 한하여 적용될 수 있다. 위와 같이 보다 높은 우선순위의 PLMN에 대한 주기적 탐색동안, 단말은 이와 같은 보다 높은 우선순위의 PLMN의 다른 셀로부터 저장된 파라미터 값들을 사용하여 셀 선택 평가를 수행할 수 있다.상기 단말이 일단 셀 선택 과정을 통해 어떤 셀을 선택한 이후, 단말의 이동성 또는 무선 환경의 변화 등으로 단말과 기지국간의 신호의 세기나 품질이 바뀔 수 있다. 따라서 만약 선택한 셀의 품질이 저하되는 경우, 단말은 더 좋은 품질을 제공하는 다른 셀을 선택할 수 있다. 이렇게 셀을 다시 선택하는 경우, 일반적으로 현재 선택된 셀보다 더 좋은 신호 품질을 제공하는 셀을 선택한다. 이런 과정을 셀 재선택(Cell Reselection)이라고 한다. 상기 셀 재선택 과정은, 무선 신호의 품질 관점에서, 일반적으로 단말에게 가장 좋은 품질을 제공하는 셀을 선택하는데 기본적인 목적이 있다. 무선 신호의 품질 관점 이외에, 네트워크는 주파수 별로 우선 순위(priority)를 결정하여 단말에게 알릴 수 있다. 이러한 우선 순위를 수신한 단말은, 셀 재선택 과정에서 이 우선 순위를 무선 신호 품질 기준보다 우선적으로 고려하게 된다.위와 같이 무선 환경의 신호 특성에 따라 셀을 선택 또는 재선택하는 방법이 있으며, 셀 재선택시 재선택을 위한 셀을 선택하는데 있어서, 셀의 RAT와 주파수(frequency) 특성에 따라 다음과 같은 셀 재선택 방법이 있을 수 있다.- 인트라-주파수(Intra-frequency) 셀 재선택 : 단말이 캠핑(camp) 중인 셀과 같은 RAT과 같은 중심 주파수(center-frequency)를 가지는 셀을 재선택- 인터-주파수(Inter-frequency) 셀 재선택 : 단말이 캠핑 중인 셀과 같은 RAT과 다른 중심 주파수를 가지는 셀을 재선택- 인터-RAT(Inter-RAT) 셀 재선택 : 단말이 캠핑 중인 RAT와 다른 RAT을 사용하는 셀을 재선택셀 재선택 과정의 원칙은 다음과 같다첫째, 단말은 셀 재선택을 위하여 서빙 셀(serving cell) 및 이웃 셀(neighboring cell)의 품질을 측정한다. 둘째, 셀 재선택은 셀 재선택 기준에 기반하여 수행된다. 셀 재선택 기준은 서빙 셀 및 이웃 셀 측정에 관련하여 아래와 같은 특성을 가지고 있다.인트라-주파수 셀 재선택은 기본적으로 랭킹(ranking)에 기반한다. 랭킹이라는 것은, 셀 재선택 평가를 위한 지표값을 정의하고, 이 지표값을 이용하여 셀들을 지표값의 크기 순으로 순서를 매기는 작업이다. 가장 좋은 지표를 가지는 셀을 흔히 최고 순위 셀(highest ranked cell)이라고 부른다. 셀 지표값은 단말이 해당 셀에 대해 측정한 값을 기본으로, 필요에 따라 주파수 오프셋 또는 셀 오프셋을 적용한 값이다. 인터-주파수 셀 재선택은 네트워크에 의해 제공된 주파수 우선순위에 기반한다. 단말은 가장 높은 주파수 우선순위를 가진 주파수에 머무를(camp on: 이하 캠프 온이라 표현할 수 있다) 수 있도록 시도한다. 네트워크는 브로드캐스트 시그널링(broadcast signaling)를 통해서 셀 내 단말들이 공통적으로 적용할 또는 주파수 우선순위를 제공하거나, 단말별 시그널링(dedicated signaling)을 통해 단말 별로 각각 주파수 별 우선순위를 제공할 수 있다. 브로드캐스트 시그널링을 통해 제공되는 셀 재선택 우선순위를 공용 우선순위(common priority)라고 할 수 있고, 단말별로 네트워크가 설정하는 셀 재선택 우선 순위를 전용 우선순위(dedicated priority)라고 할 수 있다. 단말은 전용 우선순위를 수신하면, 전용 우선순위와 관련된 유효 시간(validity time)를 함께 수신할 수 있다. 단말은 전용 우선순위를 수신하면 함께 수신한 유효 시간으로 설정된 유효성 타이머(validity timer)를 개시한다. 단말은 유효성 타이머가 동작하는 동안 RRC 아이들 모드에서 전용 우선순위를 적용한다. 유효성 타이머가 만료되면 단말은 전용 우선순위를 폐기하고, 다시 공용 우선순위를 적용한다.인터-주파수 셀 재선택을 위해 네트워크는 단말에게 셀 재선택에 사용되는 파라미터(예를 들어 주파수별 오프셋(frequency-specific offset))를 주파수별로 제공할 수 있다. 인트라-주파수 셀 재선택 또는 인터-주파수 셀 재선택을 위해 네트워크는 단말에게 셀 재선택에 사용되는 이웃 셀 리스트(Neighboring Cell List, NCL)를 단말에게 제공할 수 있다. 이 NCL은 셀 재선택에 사용되는 셀 별 파라미터(예를 들어 셀 별 오프셋(cell-specific offset))를 포함한다 인트라-주파수 또는 인터-주파수 셀 재선택을 위해 네트워크는 단말에게 셀 재선택에 사용되는 셀 재선택 금지 리스트(black list)를 단말에게 제공할 수 있다. 금지 리스트에 포함된 셀에 대해 단말은 셀 재선택을 수행하지 않는다. 이어서, 셀 재선택 평가 과정에서 수행하는 랭킹에 관해 설명한다. 셀의 우선순위를 주는데 사용되는 랭킹 지표(ranking criterion)은 식 2와 같이 정의된다.[식 2]Rs = Qmeas,s + Qhyst, Rn = Qmeas,n - Qoffset여기서, Rs는 단말이 현재 캠프 온하고 있고 서빙 셀의 랭킹 지표, Rn은 이웃 셀의 랭킹 지표, Qmeas,s는 단말이 서빙 셀에 대해 측정한 품질값, Qmeas,n는 단말이 이웃 셀에 대해 측정한 품질값, Qhyst는 랭킹을 위한 히스테리시스(hysteresis) 값, Qoffset은 두 셀간의 오프셋이다. 인트라-주파수에서, 단말이 서빙 셀과 이웃 셀 간의 오프셋(Qoffsets,n)을 수신한 경우 Qoffset=Qoffsets,n 이고, 단말이 Qoffsets,n 을 수신하지 않은 경우에는 Qoffset = 0 이다. 인터-주파수에서, 단말이 해당 셀에 대한 오프셋(Qoffsets,n)을 수신한 경우 Qoffset = Qoffsets,n + Qfrequency 이고, 단말이 Qoffsets,n 을 수신하지 않은 경우 Qoffset = Qfrequency 이다.서빙 셀의 랭킹 지표(Rs)과 이웃 셀의 랭킹 지표(Rn)이 서로 비슷한 상태에서 변동하면, 변동 결과 랭킹 순위가 자꾸 뒤바뀌어 단말이 두 셀을 번갈아가면서 재선택을 할 수 있다. Qhyst는 셀 재선택에서 히스테리시스를 주어, 단말이 두 셀을 번갈아가면서 재선택하는 것을 막기 위한 파라미터이다.단말은 위 식에 따라 서빙 셀의 Rs 및 이웃 셀의 Rn을 측정하고, 랭킹 지표 값이 가장 큰 값을 가진 셀을 최고 순위(highest ranked) 셀로 간주하고, 이 셀을 재선택한다.상기 기준에 의하면, 셀의 품질이 셀 재선택에서 가장 주요한 기준으로 작용하는 것을 확인할 수 있다. 만약 재선택한 셀이 정규 셀(suitable cell)이 아니면 단말은 해당 주파수 또는 해당 셀을 셀 재선택 대상에서 제외한다. 이제 무선 링크 실패에 대하여 설명한다.단말은 서비스를 수신하는 서빙셀과의 무선 링크의 품질 유지를 위해 지속적으로 측정을 수행한다. 단말은 서빙셀과의 무선 링크의 품질 악화(deterioration)로 인하여 현재 상황에서 통신이 불가능한지 여부를 결정한다. 만약, 서빙셀의 품질이 너무 낮아서 통신이 거의 불가능한 경우, 단말은 현재 상황을 무선 연결 실패로 결정한다.만약 무선 링크 실패가 결정되면, 단말은 현재의 서빙셀과의 통신 유지를 포기하고, 셀 선택(또는 셀 재선택) 절차를 통해 새로운 셀을 선택하고, 새로운 셀로의 RRC 연결 재확립(RRC connection re-establishment)을 시도한다.3GPP LTE의 스펙에서는 정상적인 통신을 할 수 없는 경우로 아래와 같은 예시를 들고 있다.- 단말의 물리 계층의 무선 품질 측정 결과를 기반으로 단말이 하향 통신 링크 품질에 심각한 문제가 있다고 판단한 경우(RLM 수행 중 PCell의 품질이 낮다고 판단한 경우)- MAC 부계층에서 랜덤 액세스(random access) 절차가 계속적으로 실패하여 상향링크 전송에 문제가 있다고 판단한 경우.- RLC 부계층에서 상향 데이터 전송이 계속적으로 실패하여 상향 링크 전송에 문제가 있다고 판단한 경우.- 핸드오버를 실패한 것으로 판단한 경우.- 단말이 수신한 메시지가 무결성 검사(integrity check)를 통과하지 못한 경우.이하에서는 RRC 연결 재확립(RRC connection re-establishment) 절차에 대하여 보다 상세히 설명한다.도 7은 RRC 연결 재확립 절차를 나타내는 도면이다.도 7을 참조하면, 단말은 SRB 0(Signaling Radio Bearer #0)을 제외한 설정되어 있던 모든 무선 베어러(radio bearer) 사용을 중단하고, AS(Access Stratum)의 각종 부계층을 초기화 시킨다(S710). 또한, 각 부계층 및 물리 계층을 기본 구성(default configuration)으로 설정한다. 이와 같은 과정중에 단말은 RRC 연결 상태를 유지한다.단말은 RRC 연결 재설정 절차를 수행하기 위한 셀 선택 절차를 수행한다(S720). RRC 연결 재확립 절차 중 셀 선택 절차는 단말이 RRC 연결 상태를 유지하고 있음에도 불구하고, 단말이 RRC 아이들 상태에서 수행하는 셀 선택 절차와 동일하게 수행될 수 있다.단말은 셀 선택 절차를 수행한 후 해당 셀의 시스템 정보를 확인하여 해당 셀이 적합한 셀인지 여부를 판단한다(S730). 만약 선택된 셀이 적절한 E-UTRAN 셀이라고 판단된 경우, 단말은 해당 셀로 RRC 연결 재확립 요청 메시지(RRC connection reestablishment request message)를 전송한다(S740).한편, RRC 연결 재확립 절차를 수행하기 위한 셀 선택 절차를 통하여 선택된 셀이 E-UTRAN 이외의 다른 RAT을 사용하는 셀이라고 판단된 경우, RRC 연결 재확립 절차를 중단되고, 단말은 RRC 아이들 상태로 진입한다(S750).단말은 셀 선택 절차 및 선택한 셀의 시스템 정보 수신을 통하여 셀의 적절성 확인은 제한된 시간 내에 마치도록 구현될 수 있다. 이를 위해 단말은 RRC 연결 재확립 절차를 개시함에 따라 타이머를 구동시킬 수 있다. 타이머는 단말이 적합한 셀을 선택하였다고 판단된 경우 중단될 수 있다. 타이머가 만료된 경우 단말은 RRC 연결 재확립 절차가 실패하였음을 간주하고 RRC 아이들 상태로 진입할 수 있다. 이 타이머를 이하에서 무선 링크 실패 타이머라고 언급하도록 한다. LTE 스펙 TS 36.331에서는 T311이라는 이름의 타이머가 무선 링크 실패 타이머로 활용될 수 있다. 단말은 이 타이머의 설정 값을 서빙 셀의 시스템 정보로부터 획득할 수 있다.단말로부터 RRC 연결 재확립 요청 메시지를 수신하고 요청을 수락한 경우, 셀은 단말에게 RRC 연결 재확립 메시지(RRC connection reestablishment message)를 전송한다.셀로부터 RRC 연결 재확립 메시지를 수신한 단말은 SRB1에 대한 PDCP 부계층과 RLC 부계층을 재구성한다. 또한 보안 설정과 관련된 각종 키 값들을 다시 계산하고, 보안을 담당하는 PDCP 부계층을 새로 계산한 보안키 값들로 재구성한다. 이를 통해 단말과 셀간 SRB 1이 개방되고 RRC 제어 메시지를 주고 받을 수 있게 된다. 단말은 SRB1의 재개를 완료하고, 셀로 RRC 연결 재확립 절차가 완료되었다는 RRC 연결 재확립 완료 메시지(RRC connection reestablishment complete message)를 전송한다(S760).반면, 단말로부터 RRC 연결 재확립 요청 메시지를 수신하고 요청을 수락하지 않은 경우, 셀은 단말에게 RRC 연결 재확립 거절 메시지(RRC connection reestablishment reject message)를 전송한다.RRC 연결 재확립 절차가 성공적으로 수행되면, 셀과 단말은 RRC 연결 재설정 절차를 수행한다. 이를 통하여 단말은 RRC 연결 재확립 절차를 수행하기 전의 상태를 회복하고, 서비스의 연속성을 최대한 보장한다.도 8은 단말이 RRC_IDLE 상태에서 가질 수 있는 서브 상태(substate)들과 서브상태 천이 과정을 예시한다. 도 8을 참조하면, 단말은 최초 셀 선택 과정을 수행한다(S801). 최초 셀 선택 과정은 PLMN에 대하여 저장한 셀 정보가 없거나 정규 셀(suitable cell)을 찾지 못한 경우에 수행될 수 있다.최초 셀 선택 과정에서 정규 셀을 찾을 수 없으면 임의 셀 선택 상태(S802)로 천이한다. 임의 셀 선택 상태는 정규 셀에도 수용가능 셀에도 캠프 온(camp on)하지 못한 상태이며, 단말이 캠프할 수 있는 임의의 PLMN의 수용가능 셀(acceptable cell)을 찾기 위해 시도하는 상태이다. 단말이 캠프할 수 있는 어떤 셀도 찾지 못한 경우, 단말은 수용가능 셀을 찾을 때까지 계속 임의 셀 선택 상태에 머문다.최초 셀 선택 과정에서 정규 셀을 찾으면 정규 캠프 상태(S803)로 천이한다. 정규 캠프 상태는 정규 셀에 캠프 온(camp on)한 상태를 말하며, 시스템 정보를 통해 주어진 정보에 따라 페이징 채널(paging channel)을 선택하고 모니터링할 수 있고, 셀 재선택을 위한 평가 과정을 수행할 수 있다.정규 캠프 상태(S803)에서 셀 재선택 평가 과정(S804)이 유발되면 셀 재선택 평가 과정(S804)를 수행한다. 셀 재선택 평가 과정(S804)에서 정규 셀(suitable cell)이 발견되면 다시 정규 캠프 상태(S803)으로 천이한다. 임의 셀 선택 상태(S802)에서, 수용가능 셀이 발견되면 임의 셀 캠프 상태(S805)로 천이한다. 임의 셀 캠프 상태는 수용가능 셀에 캠프 온(camp on)한 상태이다. 임의 셀 캠프 상태(S805)에서 단말은 시스템 정보를 통해 주어진 정보에 따라 페이징 채널(paging channel)을 선택하고 모니터링할 수 있고, 셀 재선택을 위한 평가 과정(S806)을 수행할 수 있다. 상기 셀 재선택을 위한 평가 과정(S806)에서 수용가능 셀(acceptable cell)이 발견되지 않으면 임의 셀 선택 상태(S802)로 천이한다. 이제 D2D 동작에 대해 설명한다. 3GPP LTE-A에서는 D2D 동작과 관련한 서비스를 근접성 기반 서비스(Proximity based Services: ProSe)라 칭한다. 이하 ProSe는 D2D 동작과 동등한 개념이며 ProSe는 D2D 동작과 혼용될 수 있다. 이제, ProSe에 대해 기술한다.ProSe에는 ProSe 직접 통신(communication)과 ProSe 직접 발견(direct discovery)이 있다. ProSe 직접 통신은 근접한 2 이상의 단말들 간에서 수행되는 통신을 말한다. 상기 단말들은 사용자 평면의 프로토콜을 이용하여 통신을 수행할 수 있다. ProSe 가능 단말(ProSe-enabled UE)은 ProSe의 요구 조건과 관련된 절차를 지원하는 단말을 의미한다. 특별한 다른 언급이 없으면 ProSe 가능 단말은 공용 안전 단말(public safety UE)와 비-공용 안전 단말(non-public safety UE)를 모두 포함한다. 공용 안전 단말은 공용 안전에 특화된 기능과 ProSe 과정을 모두 지원하는 단말이고, 비-공용 안전 단말은 ProSe 과정은 지원하나 공용 안전에 특화된 기능은 지원하지 않는 단말이다. ProSe 직접 발견(ProSe direct discovery)은 ProSe 가능 단말이 인접한 다른 ProSe 가능 단말을 발견하기 위한 과정이며, 이 때 상기 2개의 ProSe 가능 단말들의 능력만을 사용한다. EPC 차원의 ProSe 발견(EPC-level ProSe discovery)은 EPC가 2개의 ProSe 가능 단말들의 근접 여부를 판단하고, 상기 2개의 ProSe 가능 단말들에게 그들의 근접을 알려주는 과정을 의미한다. 이하, 편의상 ProSe 직접 통신은 D2D 통신, ProSe 직접 발견은 D2D 발견이라 칭할 수 있다. 도 9는 ProSe를 위한 기준 구조를 나타낸다. 도 9를 참조하면, ProSe를 위한 기준 구조는 E-UTRAN, EPC, ProSe 응용 프로그램을 포함하는 복수의 단말들, ProSe 응용 서버(ProSe APP server), 및 ProSe 기능(ProSe function)을 포함한다. EPC는 E-UTRAN 코어 네트워크 구조를 대표한다. EPC는 MME, S-GW, P-GW, 정책 및 과금 규칙(policy and charging rules function:PCRF), 가정 가입자 서버(home subscriber server:HSS)등을 포함할 수 있다. ProSe 응용 서버는 응용 기능을 만들기 위한 ProSe 능력의 사용자이다. ProSe 응용 서버는 단말 내의 응용 프로그램과 통신할 수 있다. 단말 내의 응용 프로그램은 응요 기능을 만들기 위한 ProSe 능력을 사용할 수 있다. ProSe 기능은 다음 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. - 제3자 응용 프로그램을 향한 기준점을 통한 인터워킹(Interworking via a reference point towards the 3rd party applications)- 발견 및 직접 통신을 위한 인증 및 단말에 대한 설정(Authorization and configuration of the UE for discovery and direct communication) - EPC 차원의 ProSe 발견의 기능(Enable the functionality of the EPC level ProSe discovery)- ProSe 관련된 새로운 가입자 데이터 및 데이터 저장 조정, ProSe ID의 조정(ProSe related new subscriber data and handling of data storage, and also handling of ProSe identities)- 보안 관련 기능(Security related functionality)- 정책 관련 기능을 위하여 EPC를 향한 제어 제공(Provide control towards the EPC for policy related functionality)- 과금을 위한 기능 제공(Provide functionality for charging (via or outside of EPC, e.g., offline charging))이하에서는 ProSe를 위한 기준 구조에서 기준점과 기준 인터페이스를 설명한다. - PC1: 단말 내의 ProSe 응용 프로그램과 ProSe 응용 서버 내의 ProSe 응용 프로그램 간의 기준 점이다. 이는 응용 차원에서 시그널링 요구 조건을 정의하기 위하여 사용된다. - PC2: ProSe 응용 서버와 ProSe 기능 간의 기준점이다. 이는 ProSe 응용 서버와 ProSe 기능 간의 상호 작용을 정의하기 위하여 사용된다. ProSe 기능의 ProSe 데이터베이스의 응용 데이터 업데이트가 상기 상호 작용의 일 예가 될 수 있다. - PC3: 단말과 ProSe 기능 간의 기준점이다. 단말과 ProSe 기능 간의 상호 작용을 정의하기 위하여 사용된다. ProSe 발견 및 통신을 위한 설정이 상기 상호 작용의 일 예가 될 수 있다. - PC4: EPC와 ProSe 기능 간의 기준점이다. EPC와 ProSe 기능 간의 상호 작용을 정의하기 위하여 사용된다. 상기 상호 작용은 단말들 간에 1:1 통신을 위한 경로를 설정하는 때, 또는 실시간 세션 관리나 이동성 관리를 위한 ProSe 서비스 인증하는 때를 예시할 수 있다. - PC5: 단말들 간에 발견 및 통신, 중계, 1:1 통신을 위해서 제어/사용자 평면을 사용하기 위한 기준점이다. - PC6: 서로 다른 PLMN에 속한 사용자들 간에 ProSe 발견과 같은 기능을 사용하기 위한 기준점이다. - SGi: 응용 데이터 및 응용 차원 제어 정보 교환을 위해 사용될 수 있다.003c#ProSe 직접 통신(D2D 통신): ProSe Direct Communication003e#.ProSe 직접 통신은 2개의 공용 안전 단말들이 PC 5 인터페이스를 통해 직접 통신을 할 수 있는 통신 모드이다. 이 통신 모드는 단말이 E-UTRAN의 커버리지 내에서 서비스를 받는 경우나 E-UTRAN의 커버리지를 벗어난 경우 모두에서 지원될 수 있다.도 10은 ProSe 직접 통신을 수행하는 단말들과 셀 커버리지의 배치 예들을 나타낸다. 도 10 (a)를 참조하면, 단말 A, B는 셀 커버리지 바깥에 위치할 수 있다. 도 10 (b)를 참조하면, 단말 A는 셀 커버리지 내에 위치하고, 단말 B는 셀 커버리지 바깥에 위치할 수 있다. 도 10 (c)를 참조하면, 단말 A, B는 모두 단일 셀 커버리지 내에 위치할 수 있다. 도 10 (d)를 참조하면, 단말 A는 제1 셀의 커버리지 내에 위치하고, 단말 B는 제2 셀의 커버리지 내에 위치할 수 있다.ProSe 직접 통신은 도 10과 같이 다양한 위치에 있는 단말들 간에 수행될 수 있다. 한편, ProSe 직접 통신에는 다음 ID들이 사용될 수 있다. 소스 레이어-2 ID : 이 ID는 PC 5 인터페이스에서 패킷의 전송자를 식별시킨다. 목적 레이어-2 ID : 이 ID는 PC 5 인터페이스에서 패킷의 타겟을 식별시킨다.SA L1 ID : 이 ID는 PC 5 인터페이스에서 스케줄링 할당(scheduling assignment: SA)에서의 ID이다. 도 11은 ProSe 직접 통신을 위한 사용자 평면 프로토콜 스택을 나타낸다. 도 11을 참조하면, PC 5 인터페이스는 PDCH, RLC, MAC 및 PHY 계층으로 구성된다. ProSe 직접 통신에서는 HARQ 피드백이 없을 수 있다. MAC 헤더는 소스 레이어-2 ID 및 목적 레이어-2 ID를 포함할 수 있다.003c#ProSe 직접 통신을 위한 무선 자원 할당003e#.ProSe 가능 단말은 ProSe 직접 통신을 위한 자원 할당에 대해 다음 2가지 모드들을 이용할 수 있다. 1. 모드 1모드 1은 ProSe 직접 통신을 위한 자원을 기지국으로부터 스케줄링 받는 모드이다. 모드 1에 의하여 단말이 데이터를 전송하기 위해서는 RRC_CONNECTED 상태이여야 한다. 단말은 전송 자원을 기지국에게 요청하고, 기지국은 스케줄링 할당 및 데이터 전송을 위한 자원을 스케줄링한다. 단말은 기지국에게 스케줄링 요청을 전송하고, ProSe BSR(Buffer Status Report)를 전송할 수 있다. 기지국은 ProSe BSR에 기반하여, 상기 단말이 ProSe 직접 통신을 할 데이터를 가지고 있으며 이 전송을 위한 자원이 필요하다고 판단한다. 2. 모드 2 모드 2는 단말이 직접 자원을 선택하는 모드이다. 단말은 자원 풀(resource pool)에서 직접 ProSe 직접 통신을 위한 자원을 선택한다. 자원 풀은 네트워크에 의하여 설정되거나 미리 정해질 수 있다.한편, 단말이 서빙 셀을 가지고 있는 경우 즉, 단말이 기지국과 RRC_CONNECTED 상태에 있거나 RRC_IDLE 상태로 특정 셀에 위치한 경우에는 상기 단말은 기지국의 커버리지 내에 있다고 간주된다. 단말이 커버리지 밖에 있다면 상기 모드 2만 적용될 수 있다. 만약, 단말이 커버리지 내에 있다면, 기지국의 설정에 따라 모드 1 또는 모드 2를 사용할 수 있다. 다른 예외적인 조건이 없다면 기지국이 설정한 때에만, 단말은 모드 1에서 모드 2로 또는 모드 2에서 모드 1로 모드를 변경할 수 있다. 003c#ProSe 직접 발견(D2D 발견):ProSe direct discovery003e#ProSe 직접 발견은 ProSe 가능 단말이 근접한 다른 ProSe 가능 단말을 발견하는데 사용되는 절차를 말하며 D2D 직접 발견 또는 D2D 발견이라 칭하기도 한다. 이 때, PC 5 인터페이스를 통한 E-UTRA 무선 신호가 사용될 수 있다. ProSe 직접 발견에 사용되는 정보를 이하 발견 정보(discovery information)라 칭한다.도 12는 D2D 발견을 위한 PC 5 인터페이스를 나타낸다. 도 12를 참조하면, PC 5인터페이스는 MAC 계층, PHY 계층과 상위 계층인 ProSe Protocol 계층으로 구성된다. 상위 계층(ProSe Protocol)에서 발견 정보(discovery information)의 알림(anouncement: 이하 어나운스먼트) 및 모니터링(monitoring)에 대한 허가를 다루며, 발견 정보의 내용은 AS(access stratum)에 대하여 투명(transparent)하다. ProSe Protocol은 어나운스먼트를 위하여 유효한 발견 정보만 AS에 전달되도록 한다. MAC 계층은 상위 계층(ProSe Protocol)로부터 발견 정보를 수신한다. IP 계층은 발견 정보 전송을 위하여 사용되지 않는다. MAC 계층은 상위 계층으로부터 받은 발견 정보를 어나운스하기 위하여 사용되는 자원을 결정한다. MAC 계층은 발견 정보를 나르는 MAC PDU(protocol data unit)를 만들어 물리 계층으로 보낸다. MAC 헤더는 추가되지 않는다.발견 정보 어나운스먼트를 위하여 2가지 타입의 자원 할당이 있다. 1. 타입 1 발견 정보의 어나운스먼트를 위한 자원들이 단말 특정적이지 않게 할당되는 방법으로, 기지국이 단말들에게 발견 정보 어나운스먼트를 위한 자원 풀 설정을 제공한다. 이 설정은 SIB로 시그널링될 수 있다. 또는 상기 설정은 RRC 메시지에 포함되어 제공될 수 있다. 단말은 지시된 자원 풀로부터 스스로 자원을 선택하고 선택한 자원을 이용하여 발견 정보를 어나운스한다. 단말은 각 발견 주기(discovery period) 동안 임의로 선택한 자원을 통해 발견 정보를 어나운스할 수 있다.2. 타입 2 발견 정보의 어나운스먼트를 위한 자원들이 단말 특정적으로 할당되는 방법이다. RRC_CONNECTED 상태에 있는 단말은 RRC 신호를 통해 기지국에게 발견 신호 어나운스먼트를 위한 자원을 요청할 수 있다. 기지국은 RRC 신호로 발견 신호 어나운스먼트를 위한 자원을 할당할 수 있다. 단말들에게 설정된 자원 풀 내에서 발견 신호 모니터링을 위한 자원이 할당될 수 있다.RRC_IDLE 상태에 있는 단말에 대하여, 기지국은 1) 발견 신호 어나운스먼트를 위한 타입 1 자원 풀을 SIB로 알려줄 수 있다. ProSe 직접 발견이 허용된 단말들은 RRC_IDLE 상태에서 발견 정보 어나운스먼트를 위하여 타입 1 자원 풀을 이용한다. 또는 기지국은 2) SIB를 통해 상기 기지국이 ProSe 직접 발견은 지원함을 알리지만 발견 정보 어나운스먼트를 위한 자원은 제공하지 않을 수 있다. 이 경우, 단말은 발견 정보 어나운스먼트를 위해서는 RRC_CONNECTED 상태로 들어가야 한다. RRC_CONNECTED 상태에 있는 단말에 대하여, 기지국은 RRC 신호를 통해 상기 단말이 발견 정보 어나운스먼트를 위하여 타입 1 자원 풀을 사용할 것인지 아니면 타입 2 자원을 사용할 것인지를 설정할 수 있다.도 13은 ProSe 직접 발견 과정의 일 실시예이다. 도 13을 참조하면, 단말 A와 단말 B는 ProSe가 가능한 응용 프로그램(ProSe-enabled application)이 운용 되고 있으며, 상기 응용 프로그램에서 서로 간에 ‘친구’인 관계 즉, 서로 간에 D2D 통신을 허용할 수 있는 관계로 설정되어 있다고 가정하자. 이하에서 단말 B는 단말 A의 ‘친구’라고 표현할 수 있다. 상기 응용 프로그램은 예컨대, 소셜 네트워킹 프로그램일 수 있다. ‘3GPP Layers’는 3GPP에 의하여 규정된, ProSe 발견 서비스를 이용하기 위한 응용 프로그램의 기능들에 대응된다. 단말 A, B 간의 ProSe 직접 발견은 다음 과정을 거칠 수 있다. 1. 먼저, 단말 A는 응용 서버와 정규 응용 레이어 통신(regular application-Layer communication)을 수행한다. 이 통신은 응용 프로그램 인터페이스(Application programming interface : API)에 기반한다. 2. 단말 A의 ProSe 가능 응용 프로그램은 ‘친구’인 관계에 있는 응용 레이어 ID의 리스트를 수신한다. 상기 응용 레이어 ID는 보통 네트워크 접속 ID 형태일 수 있다. 예컨대, 단말 A의 응용 레이어 ID는 “[email protected]”과 같은 형태일 수 있다.3. 단말 A는 단말 A의 사용자를 위한 개인 표현 코드(private expressions codes), 상기 사용자의 친구를 위한 개인 표현 코드를 요청한다. 4. 3GPP layers는 ProSe 서버에게 표현 코드 요청을 전송한다. 5. ProSe 서버는 운영자 또는 제3자 응용 서버로부터 제공되는 응용 레이어 ID들을 개인 표현 코드들에 맵핑한다. 예를 들어, “[email protected]”과 같은 응용 레이어 ID는 “GTER543$#2FSJ67DFSF”와 같은 개인 표현 코드에 맵핑될 수 있다.이 맵핑은 네트워크의 응용 서버로부터 받은 파라미터들(예컨대, 맵핑 알고리듬, 키 값 등)에 기반하여 수행될 수 있다.6. ProSe 서버는 도출된 표현 코드들을 3GPP layers에게 응답한다. 3GPP layers는 요청된 응용 레이어 ID에 대한 표현 코드들이 성공적으로 수신되었음을 ProSe 가능 응용 프로그램에게 알린다. 그리고, 응용 레이어 ID와 표현 코드들 간의 맵핑 테이블을 생성한다.7. ProSe 가능 응용 프로그램은 3GPP layers에게 발견 절차를 시작하도록 요청한다. 즉, 제공된 ‘친구’들 중 하나가 단말 A의 근처에 있고 직접 통신이 가능할 때 발견을 시도하도록 한다. 3GPP layers는 단말 A의 개인 표현 코드(즉, 상기 예에서 “[email protected]”의 개인 표현 코드인 “GTER543$#2FSJ67DFSF”)를 알린다(announce). 이를 이하에서 ‘어나운스’라 칭한다. 해당 응용 프로그램의 응용 레이어 ID와 개인 표현 코드 간의 맵핑은, 이러한 맵핑관계를 미리 수신한 ‘친구’들만 알 수 있고 그 맵핑을 수행할 수 있다. 8. 단말 B는 단말 A와 동일한 ProSe 가능 응용 프로그램을 운용 중이고, 전술한 3 내지 6 단계를 실행했다고 가정하자. 단말 B에 있는 3GPP layers는 ProSe 발견을 실행할 수 있다.9. 단말 B가 단말 A로부터 전술한 어나운스를 수신하면, 단말 B는 상기 어나운스에 포함된 개인 표현 코드가 자신이 알고 있는 것인지 및 응용 레이어 ID와 맵핑되는지 여부를 판단한다. 8 단계에서 설명하였듯이, 단말 B 역시 3 내지 6 단계를 실행하였으므로, 단말 A에 대한 개인 표현 코드, 개인 표현 코드와 응용 레이어 ID와의 맵핑, 해당 응용 프로그램이 무엇인지를 알고 있다. 따라서, 단말 B는 단말 A의 어나운스로부터 단말 A를 발견할 수 있다. 단말 B 내에서 3GPP layers는 ProSe 가능 응용 프로그램에게 “[email protected]”를 발견하였음을 알린다.도 13에서는 단말 A, B와 ProSe 서버, 응용 서버 등을 모두 고려하여 발견 절차를 설명하였다. 단말 A, B 간의 동작 측면에 국한하여 보면, 단말 A는 어나운스라고 불리는 신호를 전송(이 과정을 어나운스먼트라 칭할 수 있음)하고, 단말 B는 상기 어나운스를 수신하여 단말 A를 발견한다. 즉, 각 단말에서 행해지는 동작들 중 다른 단말과 직접적으로 관련된 동작은 한 가지 단계뿐이라는 측면에서, 도 13의 발견 과정은 단일 단계 발견 절차라 칭할 수도 있다. 도 14는 ProSe 직접 발견 과정의 다른 실시예이다.도 14에서, 단말 1 내지 4는 특정 GCSE(group communication system enablers) 그룹에 포함된 단말들이라고 하자. 단말 1은 발견자(discoverer)이고, 단말 2, 3, 4는 발견되는 자(discoveree)라고 가정하자. 단말 5는 발견 과정과 무관한 단말이다.단말 1 및 단말 2-4는 발견 과정에서 다음 동작을 수행할 수 있다. 먼저, 단말 1은 상기 GCSE 그룹에 포함된 임의의 단말이 주위에 있는지 발견하기 위하여 타겟 발견 요청 메시지(targeted discovery request message, 이하 발견 요청 메시지 또는 M1으로 약칭할 수 있다)를 브로드캐스트한다. 타겟 발견 요청 메시지에는 상기 특정 GCSE 그룹의 고유한 응용 프로그램 그룹 ID 또는 레이어-2 그룹 ID를 포함할 수 있다. 또한, 타겟 발견 요청 메시지에는 단말 1의 고유한 ID 즉, 응용 프로그램 개인 ID를 포함할 수 있다. 타겟 발견 요청 메시지는 단말 2, 3, 4 및 5에 의하여 수신될 수 있다. 단말 5는 아무런 응답 메시지를 전송하지 않는다. 반면, 상기 GCSE 그룹에 포함된 단말 2, 3, 4는 상기 타겟 발견 요청 메시지에 대한 응답으로 타겟 발견 응답 메시지(Targeted discovery response message, 이하 발견 응답 메시지 또는 M2로 약칭할 수 있다)를 전송한다. 타겟 발견 응답 메시지에는 이 메시지를 전송하는 단말의 고유한 응용 프로그램 개인 ID가 포함될 수 있다. 도 14에서 설명한 ProSe 발견 과정에서 단말들 간의 동작을 살펴보면, 발견자(단말 1)는 타겟 발견 요청 메시지를 전송하고, 이에 대한 응답인 타겟 발견 응답 메시지를 수신한다. 또한, 발견되는 자(예를 들어, 단말 2)도 타겟 발견 요청 메시지를 수신하면 이에 대한 응답으로 타겟 발견 응답 메시지를 전송한다. 따라서, 각 단말은 2 단계의 동작을 수행한다. 이러한 측면에서 도 14의 ProSe 발견 과정은 2단계 발견 절차라 칭할 수 있다. 상기 도 14에서 설명한 발견 절차에 더하여, 만약 단말 1(발견자)이 타겟 발견 응답 메시지에 대한 응답으로 발견 확인 메시지(discovery confirm message, 이하 M3로 약칭할 수 있다)를 전송한다면 이는 3단계 발견 절차라 칭할 수 있다.003c#D2D 동작에서의 동기화 신호003e#종래 기술에서는 동기화 신호가 하향링크 자원을 이용하여 중심 네트워크 노드(예컨대, 기지국)에 의하여 전송되었다. 그러나, D2D 동작에서는 동기화 신호가 단말에 의하여 전송될 수 있다. 특히, 기지국에 의하여 전송되는 동기화 신호가 검출되지 않거나, 식별하기에는 너무 약한 경우에도 단말들 간의 D2D 동작을 위해서 단말에 의하여 동기화 신호가 전송될 수 있다.즉, D2D 동작을 수행하려는 단말들 간에서도 동기화를 맞추어야 무선 신호의 바른 수신/디코딩이 가능할 수 있다. 동기화 신호(synchronization signal)는 시간 및 주파수의 동기화를 얻기 위하여 사용되는 신호이다. D2D 동작에서는 동기화 신호를 기지국이 아닌 네트워크 노드 예를 들어 단말이 전송할 수 있다. 이하 특별한 언급이 없으면 동기화 신호는 D2D 동작에서의 동기화 신호 즉, 기지국이 아닌 네트워크 노드가 전송하는 동기화 신호를 의미한다. 그리고, 이하에서 동기화 신호는 다음 특징들 중 일부 또는 전부를 가지는 신호를 의미할 수 있다.1) 동기화 신호는 단말에 의하여 전송되는 것으로 간주된다. 2) 제1 단말이 전송한 동기화 신호를 수신한 제2 단말이 상기 동기화 신호에 기반하여 동기화를 수행하면 상기 제1 단말이 전송하는 D2D 신호의 수신 및 상기 동기화 신호에 기반하여 동기화된 또 다른 단말인 제3 단말이 전송하는 D2D 신호의 수신을 위한 동기가 맞춰질 수 있다. 3) 동기화 신호는 상향링크 채널을 통해 전송된다. 4) 동기화 신호는 상향링크 자원/상향링크 서브프레임/상향링크 주파수를 통해 전송된다.단말이 다른 단말에게 동기의 기준으로 사용될 수 있는 특정 시퀀스(이를 동기화 시퀀스)를 제공하는 경우, 상기 단말은 자신이 네트워크 커버리지 내에 있는지 여부를 나타내는 지시자를 포함하는 정보를 브로드캐스트할 수 있다. 상기 지시자에 의하여 상기 특정 시퀀스를 수신한 단말은 상기 특정 시퀀스가 네트워크 커버리지 내에서 사용되는 동기화 신호인지 네트워크 커버리지 바깥에서 사용되는 동기화 신호인지를 구분할 수 있다. 한편, 시간 t1에서 동기화 신호를 수신한 단말은 시간 t1-t2에서 동기화 신호를 전송할 수 있다. 여기서, t2는 오프셋으로 양의 값, 음의 값 또는 0일 수 있다. t2의 값은 고정된 값으로 규정되거나, 네트워크에 의하여 설정 가능한 값이거나 단말이 속한 셀의 PUSCH 전송 타이밍으로부터 유도되는 값일 수 있다. 기지국 이외의 네트워크 노드(예컨대, 단말)에 의하여 전송되는 D2D 동작에 사용되는 동기화 신호는, 상기 동기화 신호를 전송하는 주체의 ID 및/또는 상기 주체의 타입을 전달할 수 있다. 동기화 신호는 프라이머리 동기화 신호와 세컨더리 동기화 신호를 포함할 수 있다. 프라이머리 동기화 신호는 Zadoff Chu 시퀀스를 사용하고, 세컨더리 동기화 신호는 M 시퀀스를 사용할 수 있다. Zadoff Chu 시퀀스는 일정 크기(constant amplitude)를 가지고 영 상관(zero correlation)을 가지는 시퀀스이고, M 시퀀스는 의사 랜덤 바이너리 시퀀스(pseudorandom binary sequence)의 일종이다. 이하의 설명에서, 상향링크(uplink)는 단말로부터 기지국으로의 통신을 의미한다. 네트워크 노드는 단말 또는 기지국 또는 둘 다를 나타낼 수 있다. 설정은 네트워크에 의하여 결정되거나 단말에게 미리 정해진 규칙을 의미할 수 있다.한편, D2D 동작을 지원하는 단말은 중계기의 역할을 할 수도 있다. 도 15는 UE-NW 중계기를 나타낸다. 도 15를 참조하면, 단말 2(153)가 UE-NW 중계기 역할을 한다. 즉, 단말 2(153)은, 네트워크의 커버리지(154) 바깥에 위치하고 있는 단말 1(152)과 상기 네트워크(151) 간에서 중계를 하고 있는 네트워크 노드인데, 이 경우 단말 2(153)을 UE-NE 중계기라 할 수 있다. 단말 1, 2(152, 153) 간에는 D2D 동작이 수행될 수 있고, 단말 2(153)과 네트워크(151) 간에는 기존의 셀룰러 통신이 수행될 수 있다. 도 15에서, 단말 1(152)은 네트워크 커버리지 바깥에 위치하고 있으므로, 단말 2(153)가 중계 기능을 제공하지 않으면 네트워크(151)과 통신을 수행할 수 없다. 이 UE-NW 중계기는 단말 1과는 단말간 통신을 통해 데이터를 송수신하며 네트워크와는 일반적인 단말-네트워크 통신을 통해 데이터를 송수신한다. 이 UE-NW 중계기는 단말 1과는 단말간 통신(D2D 동작)을 통해 데이터를 송수신하며 네트워크와는 일반적인 단말-네트워크 통신을 통해 데이터를 송수신한다.도 16은 UE-UE 중계기를 나타낸다. 도 16을 참조하면, 단말 2(163)가 UE-UE 중계기 역할을 한다. 즉, 단말 2(163)은 특정 단말(162)의 커버리지 바깥에 위치하고 있는 다른 단말(161)과 상기 특정 단말(162) 간에서 중계를 하고 있는 네트워크 노드인데, 이 경우 단말 2(163)을 UE-UE 중계기라 할 수 있다. 도 16에서 단말 1, 3(162, 161)은 서로 간에 커버리지 바깥에 위치하고 있으므로, 단말 2(163)이 중계 기능을 제공하지 않으면 상호 간에 통신을 수행할 수 없다. 단말 1,2(162, 163) 간에서 그리고, 단말 2, 3(163, 161)간에서 D2D 동작이 수행될 수 있다. 이 UE-UE 중계기는 단말 1과 단말간 통신(D2D 동작)을 통해 데이터를 송수신하고, 또한 단말 3과도 단말간 통신(D2D 동작)을 통해 데이터를 송수신한다.이제 본 발명에 대해 설명한다. 본 발명은 단말의 D2D 동작 방법에 대한 것으로, D2D 동작 시 어떻게 D2D 자원을 설정 받아 사용할 것인지에 대한 것이다. 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 단말의 D2D 동작 방법을 나타낸다. 도 17을 참조하면, 단말은 D2D 동작에 사용될 수 있는 복수의 자원들을 지시하는 D2D 설정 정보를 네트워크로부터 수신한다(S191). 상기 복수의 자원들을 구성하는 개별 자원은 자원 풀일 수 있다. 즉, 상기 복수의 자원들은 자원 풀의 리스트일 수 있다. D2D 설정 정보는 브로드캐스팅되는 시스템 정보를 통해 제공되거나 단말 특정적으로 제공될 수 있으며, RRC 메시지를 통해 제공될 수도 있다.단말은 상기 복수의 자원들 중 특정 자원을 선택한다(S192). 이 때, 단말은 상기 네트워크로부터 수신한 참조 신호의 수신 전력(reference signal received power : RSRP)에 기반하여 상기 특정 자원을 선택할 수 있다.단말은 선택한 특정 자원을 이용하여 다른 단말과 상기 D2D 동작을 수행한다(S193). 일반적으로, 단말은 네트워크에 의하여 엄격하게 허락된 자원만을 사용하여 전송을 해야 한다는 점을 고려할 때, 단말이 특정 자원을 선택하여 사용하는 것은 예외적인 방법이며, 이는 D2D 동작에 적용될 수 있다. 즉 상기 복수 개의 자원은 D2D 전송에 관한 자원일 수 있다.이제 상기 각 단계에 대해 상세히 설명한다. 다음 표 2 내지 5는 D2D 동작에 사용될 수 있는 복수의 자원들을 지시하는 D2D 설정 정보의 구체적 예들이다.ProseCommConfig rmation element-- ASN1STAProseCommConfig-r12 ::= SEQUENCEcommTxResources-r12 CHOICE release NULL, setup CHOICE scheduled-r12 SEQUENCE sl-RNTI-r12 C-RNTI, bsr-Config-r12 ProseBSR-Config-r12, commTxConfig-r12 ProseCommResourcePool-r12, mcs-r12 INTEGER (0..28) OPTIONAL-- Need OP , ue-Selected-r12 SEQUENCE -- Pool for normal usage commTxPoolNormalDedicated-r12SEQUENCE poolToReleaseList-r12 ProseTxPoolToReleaseList-r12 OPTIONAL,-- Need ON poolToAddModList-r12 ProseCommTxPoolToAddModList-r12 OPTIONAL-- Need ON OPTIONAL,-- Need ON...ProseCommTxPoolToAddModList-r12 ::= SEQUENCE (SIZE (1..maxProseTxPool-r12)) OF ProseCommTxPoolToAddMod-r12ProseCommTxPoolToAddMod-r12 ::= SEQUENCEpoolIdentity-r12 ProseTxPoolIdentity-r12,pool-r12 ProseCommResourcePool-r12ProseBSR-Config-r12 ::= SEQUENCEperiodicBSR-Timer ENUMERATED sf5, sf10, sf16, sf20, sf32, sf40, sf64, sf80, sf128, sf160, sf320, sf640, sf1280, sf2560, infinity, spare1,retxBSR-Timer ENUMERATED sf320, sf640, sf1280, sf2560, sf5120, sf10240, spare2, spare1-- ASN1STOP표 2에서, ‘ProseCommConfig’는 ProSe 직접 통신(ProSe direct communication: D2D communication: D2D 통신)을 위한 전용 설정 정보를 규정하며, 특히, 프라이머리 주파수에서의 D2D 통신을 위한 전송 자원 설정에 관계된다. 표 2에서, ‘ProseCommResourcePool’은 D2D 통신을 위한 복수의 자원 풀(resource pool)들을 지시할 수 있으며, 각 자원 풀을 위한 설정 정보를 포함할 수 있다. 다음 표 3은 ‘ProseCommResourcePool’의 일 예를 나타낸다.-- ASN1STARTProseCommPoolList4-r12 ::= SEQUENCE (SIZE (1..maxProseTxPool-r12)) OF ProseCommResourcePool-r12ProseCommPoolList16-r12 ::= SEQUENCE (SIZE (1..maxProseRxPool-r12)) OF ProseCommResourcePool-r12ProseCommResourcePool-r12 ::= SEQUENCEsc-CP-Len-r12 Prose-CP-Len-r12,sc-Period-r12 ENUMERATED sf40, sf60, sf70, sf80, sf120, sf140, sf160, sf20, sf260, sf280, sf320,sc-TF-ResourceConfig-r12 Prose-TF-ResourceConfig-r12,data-CP-Len-r12 Prose-CP-Len-r12,dataHoppingConfig-r12 Prose-HoppingConfigComm-r12,ue-SelectedResourceConfig SEQUENCE -- Parameters not used in case of scheduled Tx config data-TF-ResourceConfig Prose-TF-ResourceConfig-r12, trpt-Subset-r12 BIT STRING (SIZE (3..5)) OPTIONAL-- Need OR OPTIONAL, -- Need ORrx-ParametersNCell SEQUENCE tdd-Config-r12 TDD-ConfigOPTIONAL, -- Need OR sync-ConfigIndex-r12 INTEGER (0..15) OPTIONAL, -- Need ORtx-Parameters SEQUENCE sc-TxParameters-r12 Prose-TxParameters-r12, dataTxParameters-r12 Prose-TxParameters-r12 OPTIONAL, -- Need OR...Prose-CP-Len-r12 ::= ENUMERATED normal, extendedProse-HoppingConfigComm-r12 ::= SEQUENCEhoppingParameter-r12 INTEGER (0..504),numSubbands-r12 ENUMERATED ns1, ns2, ns4,rb-Offset-r12 INTEGER (0..110)-- ASN1STOP표 3에서, ‘ProseCommPoolList4’는 ‘ProseCommResourcePool’ 를‘maxProseTxPool’개만큼 포함할 수 있는 리스트이며 D2D 통신에 관련된 신호 전송에 관련된 자원들을 규정한다. ‘ProseCommPoolList16’는 ‘ProseCommResourcePool’ 를 ‘maxProseRxPool’개만큼 포함할 수 있는 리스트이며 D2D 통신에 관련된 신호 수신에 관련된 자원들을 규정한다.ProseDiscConfig rmation element-- ASN1STAProseDiscConfig-r12 ::= SEQUENCE discTxResources-r12 CHOICE release NULL, setup CHOICE scheduled-r12 SEQUENCE discTxConfig-r12 ProseDiscResourcePool-r12OPTIONAL, -- Need ON discTF-IndexList-r12 ProseTF-IndexPairList-r12 OPTIONAL, -- Need ON discHoppingConfig-r12 ProseHoppingConfigDisc-r12 OPTIONAL-- Need OR , ue-Selected-r12 SEQUENCE discTxPoolDedicated-r12 SEQUENCE poolToReleaseList-r12 ProseTxPoolToReleaseList-r12 OPTIONAL,-- Need ON poolToAddModList-r12 ProseDiscTxPoolToAddModList-r12 OPTIONAL-- Need ON OPTIONAL-- Need ON OPTIONAL,-- Need ON...ProseDiscTxPoolToAddModList-r12 ::= SEQUENCE (SIZE (1..maxProseTxPool-r12)) OF ProseDiscTxPoolToAddMod-r12ProseDiscTxPoolToAddMod-r12 ::= SEQUENCEpoolIdentity-r12 ProseTxPoolIdentity-r12,pool-r12 ProseDiscResourcePool-r12ProseTF-IndexPairList-r12 ::= SEQUENCE (SIZE (1..maxProseTF-IndexPair-r12)) OF ProseTF-IndexPair-r12ProseTF-IndexPair-r12 ::= SEQUENCEdiscSF-Index-r12 INTEGER (1.. 200) OPTIONAL, -- Need ONdiscPRB-Index-r12 INTEGER (1.. 50) OPTIONAL -- Need ONProseHoppingConfigDisc-r12 ::=SEQUENCEa-r12 INTEGER (1..200),b-r12 INTEGER (1..10),c-r12 ENUMERATED n1, n5-- ASN1STOP상기 표 4의‘ProseDiscConfig’는 ProSe 직접 발견(ProSe direct discovery: D2D discovery: D2D 발견)을 위한 전용 설정 정보를 규정한다. 표 4에서, ‘ProseDiscResourcePool’은 D2D 발견을 위한 복수의 자원 풀(resource pool)들을 지시할 수 있으며, 각 자원 풀을 위한 설정 정보를 포함할 수 있다. 다음 표 5는 ‘ProseDiscResourcePool’의 일 예를 나타낸다.-- ASN1STAProseDiscPoolList4-r12 ::= SEQUENCE (SIZE (1..maxProseTxPool-r12)) OF ProseDiscResourcePool-r12ProseDiscPoolList16-r12 ::= SEQUENCE (SIZE (1..maxProseRxPool-r12)) OF ProseDiscResourcePool-r12ProseDiscResourcePool-r12 ::= SEQUENCEcp-Len-r12 Prose-CP-Len-r12,period-r12 ENUMERATED rf32, rf64, rf128, rf256,rf512,rf1024,numRetx-r12 INTEGER (0..3),numRepetition-r12 INTEGER (1..50) OPTIONAL,-- Need ORtf-ResourceConfig Prose-TF-ResourceConfig-r12,tx-Parameters SEQUENCE tx-Parameters Prose-TxParameters-r12, ue-SelectedResourceConfig SEQUENCE poolSelection-r12 CHOICE rsrpBased-r12 Prose-PoolSelectionConfig-r12, random-r12 NULL , tx-Probability-r12 ENUMERATED p25, p50, p75, p100 OPTIONAL-- Need OR OPTIONAL -- Need OR OPTIONAL, -- Need ORrx-Parameters-r12 SEQUENCE tdd-Config-r12TDD-ConfigOPTIONAL, -- Need OR sync-ConfigIndex-r12 INTEGER (0..15) OPTIONAL, -- Need OR...Prose-PoolSelectionConfig-r12 ::= SEQUENCE threshLow-r12 RSRP-RangeProse10-r12,threshHigh-r12 RSRP-RangeProse10-r12-- ASN1STOP‘ProseDiscPoolList4’는 ‘ProseDiscResourcePool’ 를‘maxProseTxPool’개만큼 포함할 수 있는 리스트이며 D2D 발견 신호 전송에 관련된 자원들을 규정한다. ‘ProseDiscPoolList16’는 ‘ProseDiscResourcePool’ 를 ‘maxProseRxPool’개만큼 포함할 수 있는 리스트이며 D2D 발견 신호 수신에 관련된 자원들을 규정한다. 각 ‘ProseDiscResourcePool’는 자원 풀이 반복적으로 나타나는 주기를 나타내는 ‘period’필드를 포함할 수 있다. 단말은 D2D 설정 정보에 의하여 지시되는 복수의 자원들 중 D2D 동작을 위하여 특정 자원을 선택한다. 이 때, 단말은 상기 D2D 설정 정보가 지시하는 특정 방식에 따라 상기 특정 자원을 선택할 수 있다. 이를 위해 D2D 설정 정보는 상기 단말이 상기 D2D 동작을 위해 자원을 선택하는 방식을 지시하는 필드를 포함할 수 있다. 예컨대, 표 5에서 ‘poolselection’은, ‘rsrpbased’방식 또는 ‘random’(랜덤) 방식 중 하나를 지시할 수 있다.‘rsrpbased’ 방식은 단말이 네트워크로부터 수신한 참조 신호의 수신 전력을 기반으로 상기 특정 자원을 결정하는 방식이고, ‘random’방식은 단말이 임의로 복수의 자원들 중에서 상기 특정 자원을 선택하는 방식이다.단말은 네트워크로부터 수신한 참조 신호의 수신 전력을 기반으로 상기 단말이 네트워크의 커버리지 내에 있는지 아니면 커버리지의 바깥에 있는지를 판단할 수 있다. 한편, D2D 설정 정보는 RSRP에 대한 문턱치(threshold value)를 포함할 수 있다. 이 문턱치는 한 개 이상 주어질 수 있으며 RSRP에 대한 기준치로 사용될 수 있다. 예를 들어, D2D 설정 정보는 제1 문턱치 및 제2 문턱치를 포함할 수 있는데, 제1 문턱치는 낮은 RSRP 값(THRES_low)이고, 제2 문턱치는 높은 RSRP 값(THRES_high)일 수 있다. 이러한 문턱치들은 상기 참조 신호를 전송하는 특정 셀의 커버리지와 관련하여 단말이 어떤 범위에 위치하고 있는지를 판단하기 위해 사용될 수 있다. 상기 문턱치에 의하여 구분되는 각 단말의 커버리지 범위는 특정 D2D 전송 자원과 연관될 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 문턱치에 의해 단말의 커버리지 범위가 3개의 범위로 구분되었다고 가정하자. 범위1이 RSRP가 가장 높은 커버리지를 의미하고, 범위3은 RSRP가 가장 낮은 커버리지를 의미하고, 범위2는 범위3보다는 RSRP가 높고 범위1보다는 RSRP가 낮은 커버리지라고 가정하자. 각 커버리지 범위는 낮은 문턱치 및 높은 문턱치로 구성된 문턱치 세트로 표현될 수 있다. 따라서 3개의 범위는 각각 낮은 문턱치 및 높은 문척치로 표현된 3개 세트의 문턱치로 표현될 수 있다. 이를 일반화하면, N개의 커버리지 범위는 N개 세트의 문턱치로 표현될 수 있으며 각 문턱치 세트는 높은 문턱치와 낮은 문턱치를 포함할 수 있다. 만약 높은 문턱치 또는 낮은 문턱치가 시그널링되지 않은 경우, 단말은 높은 문턱치의 기본값으로 RSRP 최대값, 그리고 낮은 문턱치의 기본값으로 RSRP 최소값을 가정할 수 있다. 본 발명에서 각 문턱치 또는 각 문턱치 세트가 특정 커버리지 범위와 연관되고 특정 커버리지 범위에서 사용 가능한 특정 자원이 연관됨을 고려할 때, 상기 문턱치 내지 문턱치 세트는 연관된 특정 자원별로 시그널링되는 것이 바람직하다. 즉, 네트워크가 단말에게 복수개의 자원, 예를 들어 복수 개의 자원 풀을 설정할 때, 아래 표와 같이 각 자원 풀에 대해 연관된 문턱치 내지 문턱치 세트를 설정하는 것이 바람직하다.TX POOL#1 TX Pool#1 Time Frequency information RSRP_THRESHOLD THRES_HIGH THRES_LOW…TX POOL#N TX Pool#2 Time Frequency information RSRP_THRESHOLD THRES_HIGH THRES_LOW상기 문턱치 내지 문턱치 세트를 시그널링하는 또 다른 방법으로, 단말에게 복수 개의 문턱치 내지 문턱치 세트의 리스트를 단말에게 시그널링하고, 이때 각 문턱치 내지 문턱치 세트에 의해 구분되는 커버리지 범위가 어떤 특정 자원과 연관되는지에 대한 정보를 아래 표와 같이 단말에게 설정할 수 있다.TX POOL#1 POOL ID=1 TX Pool#1 Time Frequency information…TX POOL#N POOL ID=N TX Pool#2 Time Frequency informationRSRP_THRESHOLD#1 THRES_HIGH THRES_LOW ASSOCIATED POOL=1…RSRP_THRESHOLD#N THRES_HIGH THRES_LOW ASSOCIATED POOL=N단말은 선택한 특정 자원을 이용하여 다른 단말과 D2D 동작을 수행할 수 있다. 이 때, D2D 동작은 전술한 D2D 발견, D2D 통신 중 어느 하나가 될 수 있다. 단말은 네트워크 커버리지(셀 커버리지) 내외에서 구분되는 자원을 이용하여 D2D 동작을 수행할 수 있다. 이하에서는 본 발명이 적용될 수 있는 상황과 구체적 적용 예를 설명한다. 단말이 네트워크 커버리지 내에서 서비스를 받고 있을 때(즉, 상기 단말이 RRC_CONNECTED 모드이거나 RRC_IDLE 모드일 때), 인증되지 않은 목적을 위하여 자원을 사용하는 것은 바람직하지 않다. 왜냐하면, 이러한 자원 사용은 전체 시스템의 성능을 열화시킬 뿐만 아니라 법률/규정 위반의 문제도 일으킬 수 있기 때문이다. 이는 D2D 동작에서도 마찬가지이다. 즉, 단말이 D2D 동작을 하려고 할 때 단말은 인증된 자원(자원 풀, 이하 D2D 자원) 내에서 자원을 선택해야 한다. 이론적으로 모든 셀은 D2D 동작을 위한 D2D 자원을 가지고 있을 수 있다. 그리고, 단말은 아이들 모드에서도 D2D 자원에 대한 정보를 가지고 있을 필요가 있다. 따라서, D2D 동작을 위한 D2D 자원을 알려주는 D2D 설정 정보는 브로드캐스팅될 수 있다. 단말은 브로드캐스팅되는 D2D 설정 정보를 통해 서빙 셀의 D2D 자원 풀을 제공받을 수 있다. 또는 단말은 자신의 전용 신호를 통해 서빙 셀의 D2D 자원 풀을 제공 받을 수 있다.또한, 단말은 적어도 하나의 이웃 셀의 D2D 자원 풀을 제공 받을 수 있다. 단말은 브로드캐스팅되는 D2D 설정 정보를 통해 이웃 셀의 D2D 자원 풀을 제공받을 수 있다. 또는 단말은 자신의 전용 신호를 통해 이웃 셀의 D2D 자원 풀을 제공 받을 수 있다. 이러한 D2D 설정 정보는 셀 별로 설정되는 D2D 자원 풀을 알려줄 수 있다.한편, 네트워크는 자신의 커버리지 내에 있는 단말들에게 다른 셀의 D2D 동작을 위한 D2D 자원을 알려줄 수도 있다. 이것은 상기 단말들이 다른 셀로부터 오는 D2D 신호/메시지를 수신할 수 있도록 하기 위해서이다. 이러한 경우, 상기 단말들이 다른 셀의 D2D 자원에 따라 자신의 D2D 동작에 사용하는 D2D 자원을 제한하여야 하는지가 문제가 될 수 있다. 이 때 고려할 수 있는 접근 방식은 다음 3가지 중 하나가 될 수 있다.1) D2D 전송을 위한 특정 자원을 선택할 때, 자신의 서빙 셀의 D2D 자원만을 고려할 수 있다. 즉, 단말은 이웃 셀의 D2D 자원은 고려하지 않을 수 있다.2) D2D 전송을 위한 특정 자원을 선택할 때, 자신의 서빙 셀의 D2D 자원 뿐만 아니라 이웃 셀들의 모든 가용한 D2D 자원들을 고려할 수 있다. 3) D2D 전송을 위한 특정 자원을 선택할 때, 자신의 서빙 셀의 D2D 자원은 기본적으로 고려하되, 이웃 셀들의 D2D 자원들은 선택적으로 고려할 수 있다.한편, 단말은 신호 세기/품질(예를 들어, RSRP)에 대한 문턱치를 적어도 하나의 설정 받을 수 있다. 단말은 이 문턱치를 서빙 셀의 신호 세기/품질과 비교하여, RSRP의 범위(range)를 결정한다. RSRP의 범위는 결과적으로 셀 커버리지와 관련된 지리적 범위를 나타낼 수 있다. 즉, RSRP의 값이 크다는 것은 셀의 커버리지 가운데 있을 확률이 크다는 의미이고, RSRP의 값이 작다는 것은 셀의 커버리지 바깥쪽에 있을 확률이 크다는 의미이다. 따라서, RSRP의 값에 따라 지리적 범위를 구분할 수 있다. 도 18은 RSRP의 범위에 따른 셀 커버리지를 나타낸다. 도 18을 참조하면, RSRP의 값에 따라 범위 A(181), 범위 B(182), 범위 C(183)이 결정될 수 있다. 범위 A(181)는 RSRP의 값이 제1 문턱치보다 큰 지역일 수 있고, 범위 A(181)와 범위 B(182) 사이의 지역은 RSRP의 값이 제1 문턱치보다는 작고 제2 문턱치보다는 큰 지역일 수 있다(제1 문턱치 003e# 제2 문턱치인 경우). 범위 B(182) 바깥은 RSRP의 값이 제2 문턱치보다 작은 지역일 수 있다. RSRP의 값이 제2 문턱치보다 작을 경우 셀의 커버리지 바깥으로 간주할 수 있다.즉, 네트워크는 서빙 셀의 커버리지가 복수의 범위로 구분될 수 있도록 문턱치를 복수 개 제공할 수 있다. 연속한 2개의 범위는 문턱치를 기준으로 구분되는 것이다. 한편, 네트워크는 D2D 설정 정보를 통해, RSRP의 범위와 계층(tier) 간의 연관(association) 관계, 계층과 셀간의 연관 관계를 설정할 수 있다. 각 셀은 자신의 D2D 자원이 있으므로, 결국 계층을 매개로 하여 RSRP의 범위와 각 셀의 D2D 자원을 연관시키는 것이다. 예를 들어, 네트워크는 서빙 셀인 셀 #1에 대하여 2개의 문턱치를 제공하고, 각 문턱치에 의하여 구분되는 3개의 범위에 대하여 연관되는 계층을 알려줄 수 있다. 또한 네트워크는 이웃 셀인 셀 #2, 3에 대하여 연관되는 계층을 알려줄 수 있다. 이웃 셀인 #2, 3에 대하여 문턱치가 제공되어 이웃 셀인 #2,3 각각이 복수의 범위로 나누어 진다면 나누어진 범위 각각에 연관되는 계층을 알려줄 수도 있다. 이웃 셀인 #2, 3 각각은 D2D 자원이 설정되어 있는데, 그 D2D 자원 역시 상기 계층과 연관된다고 할 수 있다. 단말은 서빙 셀의 참조 신호를 측정하여 RSRP를 구하고, 그 RSRP를 문턱치와 비교하여 자신이 서빙 셀의 어느 범위에 속해 있는지를 구한다. 또한, 상기 구한 범위와 연관된 계층을 D2D 설정 정보를 이용하여 결정한다. 그러면, 단말은 서빙 셀 내에서 자신이 속한 범위와 계층을 알 수 있다. 그 후, 단말은 D2D 동작을 위한 D2D 자원을 결정할 때, 상기 계층에 연관된 이웃 셀의 D2D 자원만을 고려하는 것이다. 즉, 단말은 D2D 전송을 위한 특정 자원 선택 시에, RSRP 의 범위를 파악한 후 RSRP의 범위에 연관된 D2D 자원을 고려할 수 있다. 여기서, D2D 자원을 고려한다는 것은 그 자원만을 D2D 전송을 위한 후보 자원으로 간주한다는 의미일 수 있다.도 18에서, 단말이 범위 A에 위치하면, 단말은 범위 A와 연관된 D2D 자원을 D2D 동작을 위한 자원(자원 풀)으로 고려한다. 단말이 범위 B에 위치하면, 단말은 범위 B와 연관된 D2D 자원을 D2D 동작을 위한 자원(자원 풀)으로 고려한다. 마찬가지로, 단말이 범위 C에 위치하면, 단말은 범위 C와 연관된 D2D 자원을 D2D 동작을 위한 자원(자원 풀)으로 고려한다.만약, 범위 A는 계층 0에, 범위 B는 계층 0, 1에 범위 C는 계층 0, 1, 2에 연관되고, 서빙 셀(셀 0라 하자)은 계층 0에, 이웃 셀 1,2,3,4,5는 계층 1에, 이웃 셀 6 내지 11은 계층 2에 연관된다고 가정해 보자. 이 경우, 단말이 각 범위에서 사용할 D2D 자원을 선택하는 한 예로, 범위 A에 있는 단말은 셀 0의 D2D 자원을, 범위 B에 있는 단말은 셀 0 내지 5의 D2D 자원을, 범위 C에 있는 단말은 셀 0 내지 11에 있는 D2D 자원을 고려하여 D2D 동작을 위한 특정 자원을 선택할 수 있다. 단말이 연관된 한 개 이상의 D2D 자원을 고려하여 단말이 실제 D2D 동작에 사용할 자원을 선택하는 방법의 예로, 해당 D2D 동작이 송신인 경우, 단말은 상기 연관된 한 개 이상의 D2D 자원의 교집합을 사용하여 D2D 송신을 수행한다. 해당 D2D 동작이 수신인 경우, 단말은 상기 연관된 한 개 이상의 D2D 자원의 합집합을 사용하여 D2D 수신을 수행한다. 이 예에서 단말은 연관된 셀의 D2D 자원에 관한 정보를 네트워크로부터 시그널링 받는 것을 가정한다. 단말이 각 범위에서 사용할 D2D 자원을 선택하는 또 다른 예로, 범위 A에 있는 단말은 셀 0을 고려하여 단말에게 설정된 D2D 자원을, 범위 B에 있는 단말은 셀 0 내지 5를 고려하여 단말에게 설정된 D2D 자원을, 범위 C에 있는 단말은 셀 0 내지 11을 고려하여 설정된 D2D 자원을 선택할 수 있다. 이 예에서, 단말은 각 커버리지 범위에 연관된 셀 정보를 단말에게 시그널링할 필요는 없으며, 네트워크는 단말에게 해당 범위에 연관된 D2D 자원 정보만을 시그널링하는 것이 필요하다.즉, 계층을 매개로 셀들은 그룹핑될 수 있으며, 각 그룹은 적어도 하나의 RSRP 범위에 연관될 수 있다. 단말이 서빙 셀을 기준으로 D2D 동작을 수행하고자 할 때, 단말은 서빙 셀 측정을 통해 RSRP 범위(이를 통해 결과적으로 자신이 위치한 범위)를 식별할 수 있다. 단말이 서빙 셀이 아닌 셀을 기준으로 D2D 동작을 수행하고자 할 때, 단말은 상기 기준 셀의 측정을 통해 RSRP 범위(이를 통해 결과적으로 자신이 위치한 범위)를 식별하고 이를 기반으로 단말이 사용할 D2D 자원을 선택한다.한편, D2D 전송을 위해 D2D 자원을 선택할 때, 단말은 서빙 셀의 D2D 자원 또는 서빙 셀과 연관되지 않는 D2D 자원을 고려할 수도 있다. 즉, 서빙 셀의 D2D 자원 또는 존재하지 않는 가상의 셀(이를 가상 셀이라 하자)의 D2D 자원을 고려할 수 있다. 네트워크는 D2D 설정 정보를 통해, RSRP의 범위와 계층(tier) 간의 연관(association) 관계, 계층과 셀간의 연관 관계를 설정할 수 있다. 이 때, 각 셀은 서빙 셀과 가상 셀들을 포함할 수 있다. 또한, 각 가상 셀에도 D2D 자원이 설정될 수 있으므로, 결국 계층을 매개로 하여 RSRP의 범위와 서빙 셀 또는 가상 셀의 D2D 자원을 연관시키는 것이다. 예를 들어, 네트워크는 서빙 셀인 셀 #1에 대하여 2개의 문턱치를 제공하고, 각 문턱치에 의하여 구분되는 3개의 범위에 대하여 연관되는 계층을 알려줄 수 있다. 또한 네트워크는 가상 셀에 대하여 연관되는 계층을 알려줄 수 있다. 여기서, 가상 셀은 상기 서빙 셀의 커버리지 바깥을 나타낼 수 있는데, 이를 편의상 가상 셀이라는 개념으로 나타내는 것이다. 가상 셀에 대하여 문턱치가 제공되어 가상 셀이 복수의 범위로 나누어 진다면 나누어진 범위 각각에 연관되는 계층을 알려줄 수도 있다. 가상 셀은 D2D 자원이 설정되어 있는데, 이것은 서빙 셀의 커버리지 바깥에서 사용될 수 있는 D2D 자원이 설정되어 있음을 나타내는 것으로 해석할 수 있다. 단말은 서빙 셀의 참조 신호를 측정하여 RSRP를 구하고, 그 RSRP를 문턱치와 비교하여 자신이 서빙 셀의 어느 범위에 속해 있는지를 구한다. 또한, 상기 구한 범위와 연관된 계층을 D2D 설정 정보를 이용하여 결정한다. 그러면, 단말은 서빙 셀 내에서 자신이 속한 범위와 계층을 알 수 있다. 그 후, 단말은 D2D 동작을 위한 D2D 자원을 결정할 때, 자신이 서빙 셀의 특정 범위 및 그 특정 범위에 연관된 특정 계층에 속해 있을 경우, 상기 특정 계층에 연관된 가상 셀의 D2D 자원만을 고려할 수 있다. 예컨대, 서빙 셀이 하나의 문턱치에 의하여 서빙 셀 내부와 외부로 그 범위가 구분되고, 서빙 셀 내부는 계층 0, 서빙 셀 외부는 계층 1에 연관된다고 하자. 서빙 셀 외부를 가상 셀로 본다면 가상 셀에 대하여도 D2D 자원이 설정되므로, 서빙 셀 외부에도 D2D 자원이 설정되는 것이다. 상기 가상 셀이 계층 1에 연관된다면, 단말은 서빙 셀에서 RSRP에 기반하여 범위를 결정하고, 그 범위가 서빙 셀 내부로 판단되면 상기 서빙 셀에서 설정된 D2D 자원만을 고려하여 실제 D2D 동작에 사용될 자원을 결정한다. 그리고, 그 범위가 서빙 셀 외부로 판단되면, 계층 1에 연관된 가상 셀의 D2D 자원만을 고려하여 실제 D2D 동작에 사용될 자원을 결정한다.즉, 단말은 D2D 전송을 위한 특정 자원 선택 시에, RSRP 의 범위를 파악한 후 RSRP의 범위에 연관된 D2D 자원을 고려한다. 이 때, 단말은 서빙 셀의 D2D 자원 또는 서빙 셀이 아닌 가상 셀의 D2D 자원을 고려하는 것이다. 도 19는 RSRP 의 범위와 계층, 계층과 셀의 연관 관계를 나타낸다. 도 19를 참조하면, 범위 A는 계층 0과 연관되고, 계층 0은 셀 0과 연관된다. 여기서, 셀 0은 서빙 셀일 수 있다. 범위 B는 계층 1과 연관되고, 계층 1은 셀 1과 연관된다. 셀 1은 가상의 셀이다. 범위 C는 계층 2와 연관되고, 계층 2는 셀 2와 연관된다. 셀 2 역시 가상의 셀이다. 셀 0,1,2는 차례로 D2D 자원으로 자원 풀 #0, 1, 2가 설정된다고 하자. 이러한 경우, 단말이 범위 A에 있으면 자원 풀 #0을 사용하여 D2D 동작을 수행한다. 단말이 범위 B에 있으면 자원 풀 #1을 사용하여 D2D 동작을 수행한다. 그리고, 단말이 범위 C에 있으면 자원 풀 #2을 사용하여 D2D 동작을 수행한다. 즉, 단말은 D2D를 수행할 기준 셀의 커버리지 내에 있는 경우, 기준 셀의 D2D 자원 중 단말이 판단한 현재 기준 셀의 커버리지 범위에 연관된 자원을 이용하여 D2D 동작을 수행한다. 기준 셀의 커버리지 바깥에 있을 경우 미리 설정되거나 정해진 다른 D2D 자원을 이용하여 D2D 동작을 수행하게 되는 것이다. 이를 본 발명에서는 가상 셀이라는 개념을 도입하여 설명하였다. 단말은 서빙 셀로부터 참조 신호를 수신/측정하여 RSRP 값을 얻어 자신이 어떤 범위에 있는지를 알 수 있다. 단말이 측정한 RSRP 값이 특정 문턱치보다 낮으면 서빙 셀의 커버리지를 커버리지를 벗어난 것으로 판단할 수 있다. 한편, 전술한 문턱치는 모든 셀에 공통되거나, 또는 서빙 셀은 이웃 셀과 다른 문턱치를 가질 수 있다. 그리고, 문턱치 중에는 디폴트 문턱치가 있을 수 있다. 디폴트 문턱치는 서빙 셀의 가장 낮은 문턱치일 수 있다. 단말이 이러한 문턱치를 수신하면, 이 문턱치를 셀의 신호 세기/품질(예를 들어, RSRP)과 비교한다. 측정된 셀의 신호 세기/품질이 문턱치를 넘으면, 상기 셀의 D2D 자원을 고려하고, 그렇지 않으면 상기 셀의 D2D 자원을 고려하지 않는다. 즉, D2D 동작을 위하여 특정 자원을 선택할 때 각 셀의 D2D 자원은 ON/OFF 식으로 고려가 되거나 되지 않는다. 예를 들어, 단말이 셀 #1,2,3에 대한 문턱치를 수신하였다고 하자. 여기서, 셀 #1은 서빙 셀이고, 셀 #2, 3은 이웃 셀이다. 단말은 셀 #1,2,3에 대하여 참조 신호를 측정하여 RSRP를 구하고, 각 셀에 대한 RSRP를 수신한 각 셀에 대한 문턱치와 비교할 수 있다. 그 결과, 셀 #1, 2의 RSRP들만 해당 문턱치보다 크다면, 단말은 D2D 동작을 위한 자원 선택 시에 셀 #1, 2의 D2D 자원만을 고려한다. 즉, 셀 #3의 D2D 자원은 고려하지 않는다. 즉, D2D 동작을 위하여 특정 D2D 자원을 선택할 때, 각 셀의 D2D 자원의 사용(고려) 여부는 각 셀의 신호 세기/품질 및 문턱치에 따라 결정된다. D2D 전송 시 단말은 D2D 설정 정보에 의하여 정의되는 자원 내에서 특정 자원을 사용하는 것이 허용된다. 단말은 D2D 설정 정보가 지시하는 자원 외에는 사용하는 것이 허용되지 않는다. 이러한 D2D 설정 정보를 통해, 단말은 다른 단말의 D2D 전송이 있을 수 있는 자원을 알 수 있다. 도 20은 도 17 내지 19를 참조하여 설명한 방법을 적용하는 예를 나타낸다. 도 20을 참조하면, 네트워크는 단말 1에게 D2D 설정 정보를 전송한다(S150). 해당 D2D 설정 정보는 복수 개의 D2D 자원을 지시하는 정보가 포함되어 있다. 일 예로, 해당 D2D 설정 정보는 복수 개의 D2D 전송 풀을 지시하는 정보를 포함할 수 있다. 또한 개별 D2D 자원, 예를 들어 개별 전송 풀은 해당 풀이 적용 가능한 수신 전력 범위(예컨대, RSRP)를 지시하는 문턱치 정보를 포함할 수 있다. 또한, 네트워크는 단말 1에게 참조 신호를 전송한다(S151). 상기 참조 신호는 단말들이 이 참조 신호를 전송하는 셀의 수신 품질을 측정하기 위한 참조 신호이다. 단말 1은 참조 신호를 수신하여 수신 전력(RSRP)을 측정한다(S152). 단말 1은 D2D 동작을 위한 자원을 선택한다(S153). 예를 들어, 단말 1은 상기 측정한 참조 신호의 측정값이 적용 가능한 D2D 전송 자원 (예: 전송 풀)을 선택한다. 단말 1은 선택한 자원을 이용하여 단말 2와 D2D 동작을 수행한다(S153). 도 21은 본 발명의 실시예가 구현되는 단말을 나타낸 블록도이다. 도 21을 참조하면, 단말(1100)은 프로세서(1110), 메모리(1120) 및 RF부(radio frequency unit, 1130)을 포함한다. 프로세서(1110)는 제안된 기능, 과정 및/또는 방법을 구현한다. 예를 들어, 프로세서(1110)는 D2D 동작에 사용될 수 있는 복수의 자원들을 지시하는 D2D 설정 정보를 네트워크로부터 수신하고 상기 복수의 자원들 중 특정 자원을 선택한다. 이 때, 상기 특정 자원은 상기 단말이 상기 네트워크로부터 수신한 참조 신호의 수신 전력(RSRP)에 기반하여 선택된다. 그 후, 상기 선택한 특정 자원을 이용하여 다른 단말과 상기 D2D 동작을 수행한다. RF부(1130)은 프로세서(1110)와 연결되어 무선 신호를 송신 및 수신한다. 프로세서는 ASIC(application-specific integrated circuit), 다른 칩셋, 논리 회로 및/또는 데이터 처리 장치를 포함할 수 있다. 메모리는 ROM(read-only memory), RAM(random access memory), 플래쉬 메모리, 메모리 카드, 저장 매체 및/또는 다른 저장 장치를 포함할 수 있다. RF부는 무선 신호를 처리하기 위한 베이스밴드 회로를 포함할 수 있다. 실시예가 소프트웨어로 구현될 때, 상술한 기법은 상술한 기능을 수행하는 모듈(과정, 기능 등)로 구현될 수 있다. 모듈은 메모리에 저장되고, 프로세서에 의해 실행될 수 있다. 메모리는 프로세서 내부 또는 외부에 있을 수 있고, 잘 알려진 다양한 수단으로 프로세서와 연결될 수 있다.
무선 통신 시스템에서 단말에 의해 수행되는 D2D(device-to-device) 동작 방법 및 장치를 제공한다. 상기 방법은 D2D 동작에 사용될 수 있는 복수의 자원들을 지시하는 D2D 설정 정보를 네트워크로부터 수신하고 상기 복수의 자원들 중 특정 자원을 선택하고 상기 선택한 특정 자원을 이용하여 다른 단말과 상기 D2D 동작을 수행하되, 상기 특정 자원은 상기 단말이 상기 네트워크로부터 수신한 참조 신호의 수신 전력(reference signal received power : RSRP)에 기반하여 선택되는 것을 특징으로 한다.
[ 발명의 명칭 ] 무선 통신 시스템에서 단말에 의해 수행되는 셀 재선택 방법 및 상기 방법을 이용하는 단말CELL RESELECTION METHOD PERFORMED BY TERMINAL IN WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM AND TERMINAL USING SAME [ 기술분야 ] 본 발명은 무선 통신에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 무선 통신 시스템에서 단말에 의하여 수행되는 셀 재선택 방법과 이 방법을 이용하는 단말에 관한 것이다. [ 배경기술 ] ITU-R(International Telecommunication Union Radio communication sector)에서는 3세대 이후의 차세대 이동통신 시스템인 IMT(International Mobile Telecommunication)-Advanced의 표준화 작업을 진행하고 있다. IMT-Advanced는 정지 및 저속 이동 상태에서 1Gbps, 고속 이동 상태에서 100Mbps의 데이터 전송률로 IP(Internet Protocol)기반의 멀티미디어 서비스 지원을 목표로 한다. 3GPP(3rd Generation Partnership Project)는 IMT-Advanced의 요구 사항을 충족시키는 시스템 표준으로 OFDMA(Orthogonal Frequency Division Multiple Access)/SC-FDMA(Single Carrier-Frequency Division Multiple Access) 전송방식 기반인 LTE(Long Term Evolution)를 개선한 LTE-Advanced(LTE-A)를 준비하고 있다. LTE-A는 IMT-Advanced를 위한 유력한 후보 중의 하나이다. 최근 장치들 간 직접통신을 하는 D2D (Device-to-Device)기술에 대한 관심이 높아지고 있다. 특히, D2D는 공중 안전 네트워크(public safety network)을 위한 통신 기술로 주목받고 있다. 상업적 통신 네트워크는 빠르게 LTE로 변화하고 있으나 기존 통신 규격과의 충돌 문제와 비용 측면에서 현재의 공중 안전 네트워크는 주로 2G 기술에 기반하고 있다. 이러한 기술 간극과 개선된 서비스에 대한 요구는 공중 안전 네트워크를 개선하고자 하는 노력으로 이어지고 있다.공중 안전 네트워크는 상업적 통신 네트워크에 비해 높은 서비스 요구 조건(신뢰도 및 보안성)을 가지며 특히 셀룰러 통신의 커버리지가 미치지 않거나 이용가능하지 않은 경우, 장치들 간의 직접 통신 즉, D2D 동작도 요구하고 있다.D2D 동작은 근접한 기기들 간의 통신이라는 점에서 다양한 장점을 가질 수 있다. 예를 들어, D2D 단말은 높은 전송률 및 낮은 지연을 가지며 데이터 통신을 할 수 있다. 또한, D2D 동작은 기지국에 몰리는 트래픽을 분산시킬 수 있으며, D2D 단말이 중계기 역할을 한다면 기지국의 커버리지를 확장시키는 역할도 할 수 있다. 한편, 주파수 별로 단말에게 D2D 동작을 위한 D2D 자원을 제공할 수도 있고 그렇지 않을 수도 있다. 예컨대, 제1 주파수의 셀에서는 D2D 자원을 제공하고, 제2 주파수의 셀에서는 D2D 자원을 제공하지 않을 수 있다. 만약, 단말이 현재 제2 주파수의 셀에 캠프 온(camp on)하고 있고, 단말의 제한된 능력으로 인해, D2D 동작을 위해서는 D2D 자원을 제공하는 제1 주파수의 셀에 캠프 온해야만 한다고 가정해보자. 그러면 단말 제1 주파수의 셀을 재선택해야 할 것이다. 그런데, 만약, D2D 자원을 제공하지 않는 제3 주파수의 우선 순위가 상기 제1 주파수보다 높다면 상기 단말은 셀 재선택 과정에서 제1 주파수의 셀을 선택할 수 없고 그 결과 D2D 동작을 수행할 수 없게 된다. 즉, 셀 재선택 과정에서, D2D 동작을 위한 자원이 할당되어 있는 주파수의 우선 순위가 D2D 동작을 위한 자원이 할당되어 있지 아니한 주파수의 우선 순위에 비해 낮을 경우, D2D 동작을 수행할 수 없게 된다. 따라서, 단말의 D2D 동작을 고려한 셀 재선택 방법 및 이러한 방법을 이용하는 단말이 필요하다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 무선 통신 시스템에서 셀 재선택 방법과 이를 이용하는 단말을 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 일 측면에서, 무선 통신 시스템에서 단말에 의해 수행되는 셀 재선택 방법을 제공한다. 상기 방법은 복수의 주파수들을 지시하는 설정 정보 및 묵시적 최우선 순위 적용 지시자를 수신하고 및 상기 지시자가 묵시적 최우선 순위의 적용을 허용하면, 상기 복수의 주파수들 중 D2D(device-to-device) 동작을 위해 캠프 온(camp on) 해야 하는 주파수의 우선 순위를 최우선 순위로 간주하는 것을 특징으로 한다. 다른 측면에서, 무선 통신 시스템에서 셀 재선택을 수행하는 단말은 무선 신호를 송신 및 수신하는 RF(Radio Frequency) 부 및 상기 RF부와 결합하여 동작하는 프로세서를 포함하되, 상기 프로세서는, 복수의 주파수들을 지시하는 설정 정보 및 묵시적 최우선 순위 적용 지시자를 수신하고 및 상기 지시자가 묵시적 최우선 순위의 적용을 허용하면, 상기 복수의 주파수들 중 D2D(device-to-device) 동작을 위해 캠프 온(camp on) 해야 하는 주파수의 우선 순위를 최우선 순위로 간주하는 것을 특징으로 한다. [ 발명의 효과 ] D2D 동작을 수행하고자 하는 단말은 D2D 동작을 위한 자원이 할당되어 있는 주파수의 우선 순위를 최우선 순위로 간주한 후 셀 재선택 과정을 수행할 수 있다. 또한, 네트워크는 단말에게 상기 동작의 허용 여부를 지시할 수 있다. 본 발명에 따르면, 단말의 D2D 동작이 보장되고, 네트워크의 D2D 설정에 있어 자유도가 증가한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명이 적용되는 무선통신 시스템을 나타낸다.도 2는 사용자 평면(user plane)에 대한 무선 프로토콜 구조(radio protocol architecture)를 나타낸 블록도이다. 도 3은 제어 평면(control plane)에 대한 무선 프로토콜 구조를 나타낸 블록도이다. 도 4는 RRC 아이들 상태의 단말의 동작을 나타내는 흐름도이다.도 5는 RRC 연결을 확립하는 과정을 나타낸 흐름도이다. 도 6은 RRC 연결 재설정 과정을 나타낸 흐름도이다.도 7은 RRC 연결 재확립 절차를 나타내는 도면이다.도 8은 단말이 RRC_IDLE 상태에서 가질 수 있는 서브 상태(substate)들과 서브상태 천이 과정을 예시한다. 도 9는 ProSe를 위한 기준 구조를 나타낸다. 도 10은 ProSe 직접 통신을 수행하는 단말들과 셀 커버리지의 배치 예들을 나타낸다. 도 11은 ProSe 직접 통신을 위한 사용자 평면 프로토콜 스택을 나타낸다. 도 12는 D2D 발견을 위한 PC 5 인터페이스를 나타낸다. 도 13은 ProSe 발견 과정의 일 실시예이다. 도 14는 ProSe 발견 과정의 다른 실시예이다.도 15는 단말이 D2D 동작을 수행하기 위해 특정 주파수를 선택하는 경우를 예시한다.도 16은 본 발명에 따른 단말의 셀 재선택 방법을 나타낸다. 도 17 및 도 18은 도 16의 단말 동작을 보다 구체적으로 나타낸 도면이다. 도 19는 본 발명의 실시예가 구현되는 단말을 나타낸 블록도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1은 본 발명이 적용되는 무선통신 시스템을 나타낸다. 이는 E-UTRAN(Evolved-UMTS Terrestrial Radio Access Network), 또는 LTE(Long Term Evolution)/LTE-A 시스템이라고도 불릴 수 있다.E-UTRAN은 단말(10; User Equipment, UE)에게 제어 평면(control plane)과 사용자 평면(user plane)을 제공하는 기지국(20; Base Station, BS)을 포함한다. 단말(10)은 고정되거나 이동성을 가질 수 있으며, MS(Mobile station), UT(User Terminal), SS(Subscriber Station), MT(mobile terminal), 무선기기(Wireless Device) 등 다른 용어로 불릴 수 있다. 기지국(20)은 단말(10)과 통신하는 고정된 지점(fixed station)을 말하며, eNB(evolved-NodeB), BTS(Base Transceiver System), 액세스 포인트(Access Point) 등 다른 용어로 불릴 수 있다.기지국(20)들은 X2 인터페이스를 통하여 서로 연결될 수 있다. 기지국(20)은 S1 인터페이스를 통해 EPC(Evolved Packet Core, 30), 보다 상세하게는 S1-MME를 통해 MME(Mobility Management Entity)와 S1-U를 통해 S-GW(Serving Gateway)와 연결된다. EPC(30)는 MME, S-GW 및 P-GW(Packet Data Network-Gateway)로 구성된다. MME는 단말의 접속 정보나 단말의 능력에 관한 정보를 가지고 있으며, 이러한 정보는 단말의 이동성 관리에 주로 사용된다. S-GW는 E-UTRAN을 종단점으로 갖는 게이트웨이이며, P-GW는 PDN을 종단점으로 갖는 게이트웨이이다.단말과 네트워크 사이의 무선인터페이스 프로토콜 (Radio Interface Protocol)의 계층들은 통신시스템에서 널리 알려진 개방형 시스템간 상호접속 (Open System Interconnection; OSI) 기준 모델의 하위 3개 계층을 바탕으로 L1 (제1계층), L2 (제2계층), L3(제3계층)로 구분될 수 있는데, 이 중에서 제1계층에 속하는 물리계층은 물리채널(Physical Channel)을 이용한 정보전송서비스(Information Transfer Service)를 제공하며, 제 3계층에 위치하는 RRC(Radio Resource Control) 계층은 단말과 네트워크 간에 무선자원을 제어하는 역할을 수행한다. 이를 위해 RRC 계층은 단말과 기지국간 RRC 메시지를 교환한다.도 2는 사용자 평면(user plane)에 대한 무선 프로토콜 구조(radio protocol architecture)를 나타낸 블록도이다. 도 3은 제어 평면(control plane)에 대한 무선 프로토콜 구조를 나타낸 블록도이다. 사용자 평면은 사용자 데이터 전송을 위한 프로토콜 스택(protocol stack)이고, 제어 평면은 제어신호 전송을 위한 프로토콜 스택이다. 도 2 및 3을 참조하면, 물리계층(PHY(physical) layer)은 물리채널(physical channel)을 이용하여 상위 계층에게 정보 전송 서비스(information transfer service)를 제공한다. 물리계층은 상위 계층인 MAC(Medium Access Control) 계층과는 전송채널(transport channel)을 통해 연결되어 있다. 전송채널을 통해 MAC 계층과 물리계층 사이로 데이터가 이동한다. 전송채널은 무선 인터페이스를 통해 데이터가 어떻게 어떤 특징으로 전송되는가에 따라 분류된다. 서로 다른 물리계층 사이, 즉 송신기와 수신기의 물리계층 사이는 물리채널을 통해 데이터가 이동한다. 상기 물리채널은 OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing) 방식으로 변조될 수 있고, 시간과 주파수를 무선자원으로 활용한다.MAC 계층의 기능은 논리채널과 전송채널간의 맵핑 및 논리채널에 속하는 MAC SDU(service data unit)의 전송채널 상으로 물리채널로 제공되는 전송블록(transport block)으로의 다중화/역다중화를 포함한다. MAC 계층은 논리채널을 통해 RLC(Radio Link Control) 계층에게 서비스를 제공한다. RLC 계층의 기능은 RLC SDU의 연결(concatenation), 분할(segmentation) 및 재결합(reassembly)를 포함한다. 무선베어러(Radio Bearer; RB)가 요구하는 다양한 QoS(Quality of Service)를 보장하기 위해, RLC 계층은 투명모드(Transparent Mode, TM), 비확인 모드(Unacknowledged Mode, UM) 및 확인모드(Acknowledged Mode, AM)의 세 가지의 동작모드를 제공한다. AM RLC는 ARQ(automatic repeat request)를 통해 오류 정정을 제공한다.RRC(Radio Resource Control) 계층은 제어 평면에서만 정의된다. RRC 계층은 무선 베어러들의 설정(configuration), 재설정(re-configuration) 및 해제(release)와 관련되어 논리채널, 전송채널 및 물리채널들의 제어를 담당한다. RB는 단말과 네트워크간의 데이터 전달을 위해 제1 계층(PHY 계층) 및 제2 계층(MAC 계층, RLC 계층, PDCP 계층)에 의해 제공되는 논리적 경로를 의미한다. 사용자 평면에서의 PDCP(Packet Data Convergence Protocol) 계층의 기능은 사용자 데이터의 전달, 헤더 압축(header compression) 및 암호화(ciphering)를 포함한다. 제어 평면에서의 PDCP(Packet Data Convergence Protocol) 계층의 기능은 제어 평면 데이터의 전달 및 암호화/무결정 보호(integrity protection)를 포함한다.RB가 설정된다는 것은 특정 서비스를 제공하기 위해 무선 프로토콜 계층 및 채널의 특성을 규정하고, 각각의 구체적인 파라미터 및 동작 방법을 설정하는 과정을 의미한다. RB는 다시 SRB(Signaling RB)와 DRB(Data RB) 두가지로 나누어 질 수 있다. SRB는 제어 평면에서 RRC 메시지를 전송하는 통로로 사용되며, DRB는 사용자 평면에서 사용자 데이터를 전송하는 통로로 사용된다.단말의 RRC 계층과 E-UTRAN의 RRC 계층 사이에 RRC 연결(RRC Connection)이 확립되면, 단말은 RRC 연결(RRC connected) 상태에 있게 되고, 그렇지 못할 경우 RRC 아이들(RRC idle) 상태에 있게 된다.네트워크에서 단말로 데이터를 전송하는 하향링크 전송채널로는 시스템정보를 전송하는 BCH(Broadcast Channel)과 그 이외에 사용자 트래픽이나 제어메시지를 전송하는 하향링크 SCH(Shared Channel)이 있다. 하향링크 멀티캐스트 또는 브로드캐스트 서비스의 트래픽 또는 제어메시지의 경우 하향링크 SCH를 통해 전송될 수도 있고, 또는 별도의 하향링크 MCH(Multicast Channel)을 통해 전송될 수도 있다. 한편, 단말에서 네트워크로 데이터를 전송하는 상향링크 전송채널로는 초기 제어메시지를 전송하는 RACH(Random Access Channel)와 그 이외에 사용자 트래픽이나 제어메시지를 전송하는 상향링크 SCH(Shared Channel)가 있다.전송채널 상위에 있으며, 전송채널에 매핑되는 논리채널(Logical Channel)로는 BCCH(Broadcast Control Channel), PCCH(Paging Control Channel), CCCH(Common Control Channel), MCCH(Multicast Control Channel), MTCH(Multicast Traffic Channel) 등이 있다.물리채널(Physical Channel)은 시간 영역에서 여러 개의 OFDM 심벌과 주파수 영역에서 여러 개의 부반송파(Sub-carrier)로 구성된다. 하나의 서브프레임(Sub-frame)은 시간 영역에서 복수의 OFDM 심벌(Symbol)들로 구성된다. 자원블록은 자원 할당 단위로, 복수의 OFDM 심벌들과 복수의 부반송파(sub-carrier)들로 구성된다. 또한 각 서브프레임은 PDCCH(Physical Downlink Control Channel) 즉, L1/L2 제어채널을 위해 해당 서브프레임의 특정 OFDM 심벌들(예, 첫번째 OFDM 심볼)의 특정 부반송파들을 이용할 수 있다. TTI(Transmission Time Interval)는 서브프레임 전송의 단위시간이다. 이하 단말의 RRC 상태 (RRC state)와 RRC 연결 방법에 대해 상술한다. RRC 상태란 단말의 RRC 계층이 E-UTRAN의 RRC 계층과 논리적 연결(logical connection)이 되어 있는가 아닌가를 말하며, 연결되어 있는 경우는 RRC 연결 상태(RRC_CONNECTED), 연결되어 있지 않은 경우는 RRC 아이들 상태(RRC_IDLE)라고 부른다. RRC 연결 상태의 단말은 RRC 연결이 존재하기 때문에 E-UTRAN은 해당 단말의 존재를 셀 단위에서 파악할 수 있으며, 따라서 단말을 효과적으로 제어할 수 있다. 반면에 RRC 아이들 상태의 단말은 E-UTRAN이 파악할 수는 없으며, 셀 보다 더 큰 지역 단위인 트래킹 영역(Tracking Area) 단위로 CN(core network)이 관리한다. 즉, RRC 아이들 상태의 단말은 큰 지역 단위로 존재 여부만 파악되며, 음성이나 데이터와 같은 통상의 이동통신 서비스를 받기 위해서는 RRC 연결 상태로 이동해야 한다.사용자가 단말의 전원을 맨 처음 켰을 때, 단말은 먼저 적절한 셀을 탐색한 후 해당 셀에서 RRC 아이들 상태에 머무른다. RRC 아이들 상태의 단말은 RRC 연결을 맺을 필요가 있을 때 비로소 RRC 연결 과정(RRC connection procedure)을 통해 E-UTRAN과 RRC 연결을 확립하고, RRC 연결 상태로 천이한다. RRC 아이들 상태에 있던 단말이 RRC 연결을 맺을 필요가 있는 경우는 여러 가지가 있는데, 예를 들어 사용자의 통화 시도 등의 이유로 상향 데이터 전송이 필요하다거나, 아니면 E-UTRAN으로부터 호출(paging) 메시지를 수신한 경우 이에 대한 응답 메시지 전송 등을 들 수 있다.RRC 계층 상위에 위치하는 NAS(Non-Access Stratum) 계층은 연결관리(Session Management)와 이동성 관리(Mobility Management) 등의 기능을 수행한다.NAS 계층에서 단말의 이동성을 관리하기 위하여 EMM-REGISTERED(EPS Mobility Management-REGISTERED) 및 EMM-DEREGISTERED 두 가지 상태가 정의되어 있으며, 이 두 상태는 단말과 MME에게 적용된다. 초기 단말은 EMM-DEREGISTERED 상태이며, 이 단말이 네트워크에 접속하기 위해서 초기 연결(Initial Attach) 절차를 통해서 해당 네트워크에 등록하는 과정을 수행한다. 상기 연결(Attach) 절차가 성공적으로 수행되면 단말 및 MME는 EMM-REGISTERED 상태가 된다.단말과 EPC간 시그널링 연결(signaling connection)을 관리하기 위하여 ECM(EPS Connection Management)-IDLE 상태 및 ECM-CONNECTED 상태 두 가지 상태가 정의되어 있으며, 이 두 상태는 단말 및 MME에게 적용된다. ECM-IDLE 상태의 단말이 E-UTRAN과 RRC 연결을 맺으면 해당 단말은 ECM-CONNECTED 상태가 된다. ECM-IDLE 상태에 있는 MME는 E-UTRAN과 S1 연결(S1 connection)을 맺으면 ECM-CONNECTED 상태가 된다. 단말이 ECM-IDLE 상태에 있을 때에는 E-UTRAN은 단말의 배경(context) 정보를 가지고 있지 않다. 따라서 ECM-IDLE 상태의 단말은 네트워크의 명령을 받을 필요 없이 셀 선택(cell selection) 또는 셀 재선택(reselection)과 같은 단말 기반의 이동성 관련 절차를 수행한다. 반면 단말이 ECM-CONNECTED 상태에 있을 때에는 단말의 이동성은 네트워크의 명령에 의해서 관리된다. ECM-IDLE 상태에서 단말의 위치가 네트워크가 알고 있는 위치와 달라질 경우 단말은 트래킹 영역 갱신(Tracking Area Update) 절차를 통해 네트워크에 단말의 해당 위치를 알린다.다음은, 시스템 정보(System Information)에 관한 설명이다. 시스템 정보는 단말이 기지국에 접속하기 위해서 알아야 하는 필수 정보를 포함한다. 따라서 단말은 기지국에 접속하기 전에 시스템 정보를 모두 수신하고 있어야 하고, 또한 항상 최신의 시스템 정보를 가지고 있어야 한다. 그리고 상기 시스템 정보는 한 셀 내의 모든 단말이 알고 있어야 하는 정보이므로, 기지국은 주기적으로 상기 시스템 정보를 전송한다. 시스템 정보는 MIB(Master Information Block) 및 복수의 SIB (System Information Block)로 나뉜다. MIB는 셀로부터 다른 정보를 위해 획득될 것이 요구되는 가장 필수적이고 가장 자주 전송되는, 제한된 개수의 파라미터들을 포함할 수 있다. 단말은 하향링크 동기화 이후에 가장 먼저 MIB를 찾는다. MIB는 하향링크 채널 대역폭, PHICH 설정, 동기화를 지원하고 타이밍 기준으로서 동작하는 SFN, 및 eNB 전송 안테나 설정과 같은 정보를 포함할 수 있다. MIB는 BCH(broadcase channel) 상으로 브로드캐스트 전송될 수 있다. 포함된 SIB들 중 SIB1 (SystemInformationBlockType1) 은 “SystemInformationBlockType1” 메시지에 포함되어 전송되며, SIB1을 제외한 다른 SIB들은 시스템 정보 메시지에 포함되어 전송된다. SIB들을 시스템 정보 메시지에 맵핑시키는 것은 SIB1에 포함된 스케쥴링 정보 리스트 파라미터에 의하여 유동적으로 설정될 수 있다. 단, 각 SIB는 단일 시스템 정보 메시지에 포함되며, 오직 동일한 스케쥴링 요구치(e.g. 주기)를 가진 SIB들만이 동일한 시스템 정보 메시지에 맵핑될 수 있다. 또한, SIB2(SystemInformationBlockType2)는 항상 스케쥴링 정보 리스트의 시스템정보 메시지 리스트 내 첫번째 엔트리에 해당하는 시스템 정보 메시지에 맵핑된다. 동일한 주기 내에 복수의 시스템 정보 메시지가 전송될 수 있다. SIB1 및 모든 시스템 정보 메시지는 DL-SCH상으로 전송된다.브로드캐스트 전송에 더하여, E-UTRAN은 SIB1은 기존에 설정된 값과 동일하게 설정된 파라미터를 포함한 채로 전용 시그널링(dedicated signaling)될 수 있으며, 이 경우 SIB1은 RRC 연결 재설정 메시지에 포함되어 전송될 수 있다.SIB1은 단말 셀 접근과 관련된 정보를 포함하며, 다른 SIB들의 스케쥴링을 정의한다. SIB1은 네트워크의 PLMN 식별자들, TAC(Tracking Area Code) 및 셀 ID, 셀이 캠프온 할 수 잇는 셀인지 여부를 지시하는 셀 금지 상태(cell barring status), 셀 재선택 기준으로서 사용되는 셀내 요구되는 최저 수신 레벨, 및 다른 SIB들의 전송 시간 및 주기와 관련된 정보를 포함할 수 있다.SIB2는 모든 단말에 공통되는 무선 자원 설정 정보를 포함할 수 있다. SIB2는 상향링크 반송파 주파수 및 상향링크 채널 대역폭, RACH 설정, 페이지 설정(paging configuration), 상량링크 파워 제어 설정, 사운딩 기준 신호 설정(Sounding Reference Signal configuration), ACK/NACK 전송을 지원하는 PUCCH 설정 및 PUSCH 설정과 관련된 정보를 포함할 수 있다.단말은 시스템 정보의 획득 및 변경 감지 절차를 프라이머리 셀(primary cell: PCell)에 대해서만 적용할 수 있다. 세컨더리 셀(secondary cell: SCell)에 있어서, E-UTRAN은 해당 SCell이 추가될 때 RRC 연결 상태 동작과 관련있는 모든 시스템 정보를 전용 시그널링을 통해 제공해줄 수 있다. 설정된 SCell의 관련된 시스템 정보의 변경시, E-UTRAN은 고려되는 SCell을 해제(release)하고 차후에 추가할 수 있는데, 이는 단일 RRC 연결 재설정 메시지와 함께 수행될 수 있다. E-UTRAN은 고려되는 SCell 내에서 브로드캐스트 되었던 값과 다른 파라미터 값들을 전용 시그널링을 통하여 설정해줄 수 있다.단말은 특정 타입의 시스템 정보에 대하여 그 유효성을 보장해야 하며, 이와 같은 시스템 정보를 필수 시스템 정보(required system information)이라 한다. 필수 시스템 정보는 아래와 같이 정의될 수 있다.- 단말이 RRC 아이들 상태인 경우: 단말은 SIB2 내지 SIB8 뿐만 아니라 MIB 및 SIB1의 유효한 버전을 가지고 있도록 보장하여야 하며, 이는 고려되는 RAT(radio access technology)의 지원에 따를 수 있다. - 단말이 RRC 연결 상태인 경우: 단말은 MIB, SIB1 및 SIB2의 유효한 버전을 가지고 있도록 보장하여야 한다. 일반적으로 시스템 정보는 획득 후 최대 3시간 까지 유효성이 보장될 수 있다.일반적으로, 네트워크가 단말에게 제공하는 서비스는 아래와 같이 세가지 타입으로 구분할 수 있다. 또한, 어떤 서비스를 제공받을 수 있는지에 따라 단말은 셀의 타입 역시 다르게 인식한다. 아래에서 먼저 서비스 타입을 서술하고, 이어 셀의 타입을 서술한다.1) 제한적 서비스(Limited service): 이 서비스는 응급 호출(Emergency call) 및 재해 경보 시스템(Earthquake and Tsunami Warning System; ETWS)를 제공하며, 수용가능 셀(acceptable cell)에서 제공할 수 있다.2) 정규 서비스(Normal service) : 이 서비스는 일반적 용도의 범용 서비스(public use)를 의미하여, 정규 셀(suitable or normal cell)에서 제공할 수 있다.3) 사업자 서비스(Operator service) : 이 서비스는 통신망 사업자를 위한 서비스를 의미하며, 이 셀은 통신망 사업자만 사용할 수 있고 일반 사용자는 사용할 수 없다.셀이 제공하는 서비스 타입과 관련하여, 셀의 타입은 아래와 같이 구분될 수 있다.1) 수용가능 셀(Acceptable cell) : 단말이 제한된(Limited) 서비스를 제공받을 수 있는 셀. 이 셀은 해당 단말 입장에서, 금지(barred)되어 있지 않고, 단말의 셀 선택 기준을 만족시키는 셀이다.2) 정규 셀(Suitable cell) : 단말이 정규 서비스를 제공받을 수 있는 셀. 이 셀은 수용가능 셀의 조건을 만족시키며, 동시에 추가 조건들을 만족시킨다. 추가적인 조건으로는, 이 셀이 해당 단말이 접속할 수 있는 PLMN(Public Land Mobile Network) 소속이어야 하고, 단말의 트래킹 영역(Tracking Area) 갱신 절차의 수행이 금지되지 않은 셀이어야 한다. 해당 셀이 CSG 셀이라고 하면, 단말이 이 셀에 CSG 멤버로서 접속이 가능한 셀이어야 한다.3) 금지된 (Barred cell) : 셀이 시스템 정보를 통해 금지된 셀이라는 정보를 브로드캐스트하는 셀이다.4) 예약된 셀(Reserved cell) : 셀이 시스템 정보를 통해 예약된 셀이라는 정보를 브로드캐스트하는 셀이다.도 4는 RRC 아이들 상태의 단말의 동작을 나타내는 흐름도이다. 도 4는 초기 전원이 켜진 단말이 셀 선택 과정을 거쳐 네트워크 망에 등록하고 이어 필요할 경우 셀 재선택을 하는 절차를 나타낸다.도 4를 참조하면, 단말은 자신이 서비스 받고자 하는 망인 PLMN(public land mobile network)과 통신하기 위한 라디오 접속 기술(radio access technology; RAT, 무선 통신 방법)를 선택한다(S410). PLMN 및 RAT에 대한 정보는 단말의 사용자가 선택할 수도 있으며, USIM(universal subscriber identity module)에 저장되어 있는 것을 사용할 수도 있다.단말은 측정한 신호세기나 품질이 특정한 값보다 큰 셀 중에서, 가장 큰 값을 가지는 셀을 선택한다(Cell Selection)(S420). 이는 전원이 켜진 단말이 셀 선택을 수행하는 것으로서 초기 셀 선택(initial cell selection)이라 할 수 있다. 셀 선택 절차에 대해서 이후에 상술하기로 한다. 셀 선택 이후 단말은, 기지국이 주기적으로 보내는 시스템 정보를 수신한다. 상기 말하는 특정한 값은 데이터 송/수신에서의 물리적 신호에 대한 품질을 보장받기 위하여 시스템에서 정의된 값을 말한다. 따라서, 적용되는 RAT에 따라 그 값은 다를 수 있다. 단말은 망 등록 필요가 있는 경우 망 등록 절차를 수행한다(S430). 단말은 망으로부터 서비스(예:Paging)를 받기 위하여 자신의 정보(예:IMSI)를 등록한다. 단말은 셀을 선택할 때 마다 접속하는 망에 등록을 하는 것은 아니며, 시스템 정보로부터 받은 망의 정보(예:Tracking Area Identity; TAI)와 자신이 알고 있는 망의 정보가 다른 경우에 망에 등록을 한다.단말은 셀에서 제공되는 서비스 환경 또는 단말의 환경 등을 기반으로 셀 재선택을 수행한다(S440). 단말은 현재 서비스 받고 있는 기지국(서빙 기지국)으로부터 측정한 신호의 세기나 품질의 값이 인접한 셀의 기지국으로부터 측정한 값보다 낮다면, 단말이 현재 접속한 기지국의 셀 보다 더 좋은 신호 특성을 제공하는 다른 셀 중 하나를 선택한다. 이 과정을 2번 과정의 초기 셀 선택(Initial Cell Selection)과 구분하여 셀 재선택(Cell Re-Selection)이라 한다. 이때, 신호특성의 변화에 따라 빈번히 셀이 재선택되는 것을 방지하기 위하여 시간적인 제약조건을 둔다. 셀 재선택 절차에 대해서는 이후에 상술하기로 한다.도 5는 RRC 연결을 확립하는 과정을 나타낸 흐름도이다. 단말은 RRC 연결을 요청하는 RRC 연결 요청(RRC Connection Request) 메시지를 네트워크로 보낸다(S510). 네트워크는 RRC 연결 요청에 대한 응답으로 RRC 연결 설정(RRC Connection Setup) 메시지를 보낸다(S520). RRC 연결 설정 메시지를 수신한 후, 단말은 RRC 연결 모드로 진입한다.단말은 RRC 연결 확립의 성공적인 완료를 확인하기 위해 사용되는 RRC 연결 설정 완료(RRC Connection Setup Complete) 메시지를 네트워크로 보낸다(S530). 도 6은 RRC 연결 재설정 과정을 나타낸 흐름도이다. RRC 연결 재설정(reconfiguration)은 RRC 연결을 수정하는데 사용된다. 이는 RB 확립/수정(modify)/해제(release), 핸드오버 수행, 측정 셋업/수정/해제하기 위해 사용된다. 네트워크는 단말로 RRC 연결을 수정하기 위한 RRC 연결 재설정(RRC Connection Reconfiguration) 메시지를 보낸다(S610). 단말은 RRC 연결 재설정에 대한 응답으로, RRC 연결 재설정의 성공적인 완료를 확인하기 위해 사용되는 RRC 연결 재설정 완료(RRC Connection Reconfiguration Complete) 메시지를 네트워크로 보낸다(S620).이하에서 PLMN(public land mobile network)에 대하여 설명하도록 한다.PLMN은 모바일 네트워크 운영자에 의해 배치 및 운용되는 네트워크이다. 각 모바일 네트워크 운영자는 하나 또는 그 이상의 PLMN을 운용한다. 각 PLMN은 MCC(Mobile Country Code) 및 MNC(Mobile Network Code)로 식별될 수 있다. 셀의 PLMN 정보는 시스템 정보에 포함되어 브로드캐스트된다.PLMN 선택, 셀 선택 및 셀 재선택에 있어서, 다양한 타입의 PLMN들이 단말에 의해 고려될 수 있다.HPLMN(Home PLMN) : 단말 IMSI의 MCC 및 MNC와 매칭되는 MCC 및 MNC를 가지는 PLMN.EHPLMN(Equivalent HPLMN): HPLMN과 등가로 취급되는 PLMN.RPLMN(Registered PLMN): 위치 등록이 성공적으로 마쳐진 PLMN.EPLMN(Equivalent PLMN): RPLMN과 등가로 취급되는 PLMN.각 모바일 서비스 수요자는 HPLMN에 가입한다. HPLMN 또는 EHPLMN에 의하여 단말로 일반 서비스가 제공될 때, 단말은 로밍 상태(roaming state)에 있지 않는다. 반면, HPLMN/EHPLMN 이외의 PLMN에 의하여 단말로 서비스가 제공될 때, 단말은 로밍 상태에 있으며, 그 PLMN은 VPLMN(Visited PLMN)이라고 불리운다.단말은 초기에 전원이 켜지면 사용 가능한 PLMN(public land mobile network)을 검색하고 서비스를 받을 수 있는 적절한 PLMN을 선택한다. PLMN은 모바일 네트워크 운영자(mobile network operator)에 의해 배치되거나(deploy) 운영되는 네트워크이다. 각 모바일 네트워크 운영자는 하나 또는 그 이상의 PLMN을 운영한다. 각각의 PLMN은 MCC(mobile country code) 및 MNC(mobile network code)에 의하여 식별될 수 있다. 셀의 PLMN 정보는 시스템 정보에 포함되어 브로드캐스트된다. 단말은 선택한 PLMN을 등록하려고 시도한다. 등록이 성공한 경우, 선택된 PLMN은 RPLMN(registered PLMN)이 된다. 네트워크는 단말에게 PLMN 리스트를 시그널링할 수 있는데, 이는 PLMN 리스트에 포함된 PLMN들을 RPLMN과 같은 PLMN이라 고려할 수 있다. 네트워크에 등록된 단말은 상시 네트워크에 의하여 접근될 수(reachable) 있어야 한다. 만약 단말이 ECM-CONNECTED 상태(동일하게는 RRC 연결 상태)에 있는 경우, 네트워크는 단말이 서비스를 받고 있음을 인지한다. 그러나, 단말이 ECM-IDLE 상태(동일하게는 RRC 아이들 상태)에 있는 경우, 단말의 상황이 eNB에서는 유효하지 않지만 MME에는 저장되어 있다. 이 경우, ECM-IDLE 상태의 단말의 위치는 TA(tracking Area)들의 리스트의 입도(granularity)로 오직 MME에게만 알려진다. 단일 TA는 TA가 소속된 PLMN 식별자로 구성된 TAI(tracking area identity)및 PLMN 내의 TA를 유일하게 표현하는 TAC(tracking area code)에 의해 식별된다. 이어, 선택한 PLMN이 제공하는 셀들 중에서 상기 단말이 적절한 서비스를 제공받을 수 있는 신호 품질과 특성을 가진 셀을 선택한다. 다음은 종래 기술에서, 단말이 셀을 선택하는 절차에 대해서 자세히 설명한다. 전원이 켜지거나 셀에 머물러 있을 때, 단말은 적절한 품질의 셀을 선택/재선택하여 서비스를 받기 위한 절차들을 수행한다.RRC 아이들 상태의 단말은 항상 적절한 품질의 셀을 선택하여 이 셀을 통해 서비스를 제공받기 위한 준비를 하고 있어야 한다. 예를 들어, 전원이 막 켜진 단말은 네트워크에 등록을 하기 위해 적절한 품질의 셀을 선택해야 한다. RRC 연결 상태에 있던 상기 단말이 RRC 아이들 상태에 진입하면, 상기 단말은 RRC 아이들 상태에서 머무를 셀을 선택해야 한다. 이와 같이, 상기 단말이 RRC 아이들 상태와 같은 서비스 대기 상태로 머물고 있기 위해서 어떤 조건을 만족하는 셀을 고르는 과정을 셀 선택(Cell Selection)이라고 한다. 중요한 점은, 상기 셀 선택은 상기 단말이 상기 RRC 아이들 상태로 머물러 있을 셀을 현재 결정하지 못한 상태에서 수행하는 것이므로, 가능한 신속하게 셀을 선택하는 것이 무엇보다 중요하다. 따라서 일정 기준 이상의 무선 신호 품질을 제공하는 셀이라면, 비록 이 셀이 단말에게 가장 좋은 무선 신호 품질을 제공하는 셀이 아니라고 하더라도, 단말의 셀 선택 과정에서 선택될 수 있다.이제 3GPP TS 36.304 V8.5.0 (2009-03) "User Equipment (UE) procedures in idle mode (Release 8)"을 참조하여, 3GPP LTE에서 단말이 셀을 선택하는 방법 및 절차에 대하여 상술한다.셀 선택 과정은 크게 두 가지로 나뉜다. 먼저 초기 셀 선택 과정으로, 이 과정에서는 상기 단말이 무선 채널에 대한 사전 정보가 없다. 따라서 상기 단말은 적절한 셀을 찾기 위해 모든 무선 채널을 검색한다. 각 채널에서 상기 단말은 가장 강한 셀을 찾는다. 이후, 상기 단말이 셀 선택 기준을 만족하는 적절한(suitable) 셀을 찾기만 하면 해당 셀을 선택한다.다음으로 단말은 저장된 정보를 활용하거나, 셀에서 방송하고 있는 정보를 활용하여 셀을 선택할 수 있다. 따라서, 초기 셀 선택 과정에 비해 셀 선택이 신속할 수 있다. 단말이 셀 선택 기준을 만족하는 셀을 찾기만 하면 해당 셀을 선택한다. 만약 이 과정을 통해 셀 선택 기준을 만족하는 적절한 셀을 찾지 못하면, 단말은 초기 셀 선택 과정을 수행한다.셀 선택 기준은 하기 식 1과 같이 정의될 수 있다.[식 1]여기서, 상기 식 1의 각 변수는 하기 표 1과 같이 정의될 수 있다. 시그널링된 값들인 Qrxlevminoffset 및 Qqualminoffset은 단말이 VPLMN내의 정규 셀에 캠프 하고 있는 동안 보다 높은 우선순위의 PLMN에 대한 주기적 탐색의 결과로서 셀 선택이 평가되는 경우에 한하여 적용될 수 있다. 위와 같이 보다 높은 우선순위의 PLMN에 대한 주기적 탐색동안, 단말은 이와 같은 보다 높은 우선순위의 PLMN의 다른 셀로부터 저장된 파라미터 값들을 사용하여 셀 선택 평가를 수행할 수 있다.상기 단말이 일단 셀 선택 과정을 통해 어떤 셀을 선택한 이후, 단말의 이동성 또는 무선 환경의 변화 등으로 단말과 기지국간의 신호의 세기나 품질이 바뀔 수 있다. 따라서 만약 선택한 셀의 품질이 저하되는 경우, 단말은 더 좋은 품질을 제공하는 다른 셀을 선택할 수 있다. 이렇게 셀을 다시 선택하는 경우, 일반적으로 현재 선택된 셀보다 더 좋은 신호 품질을 제공하는 셀을 선택한다. 이런 과정을 셀 재선택(Cell Reselection)이라고 한다. 상기 셀 재선택 과정은, 무선 신호의 품질 관점에서, 일반적으로 단말에게 가장 좋은 품질을 제공하는 셀을 선택하는데 기본적인 목적이 있다. 무선 신호의 품질 관점 이외에, 네트워크는 주파수 별로 우선 순위(priority)를 결정하여 단말에게 알릴 수 있다. 이러한 우선 순위를 수신한 단말은, 셀 재선택 과정에서 이 우선 순위를 무선 신호 품질 기준보다 우선적으로 고려하게 된다.위와 같이 무선 환경의 신호 특성에 따라 셀을 선택 또는 재선택하는 방법이 있으며, 셀 재선택시 재선택을 위한 셀을 선택하는데 있어서, 셀의 RAT와 주파수(frequency) 특성에 따라 다음과 같은 셀 재선택 방법이 있을 수 있다.- 인트라-주파수(Intra-frequency) 셀 재선택 : 단말이 캠핑(camp) 중인 셀과 같은 RAT과 같은 중심 주파수(center-frequency)를 가지는 셀을 재선택- 인터-주파수(Inter-frequency) 셀 재선택 : 단말이 캠핑 중인 셀과 같은 RAT과 다른 중심 주파수를 가지는 셀을 재선택- 인터-RAT(Inter-RAT) 셀 재선택 : 단말이 캠핑 중인 RAT와 다른 RAT을 사용하는 셀을 재선택셀 재선택 과정의 원칙은 다음과 같다첫째, 단말은 셀 재선택을 위하여 서빙 셀(serving cell) 및 이웃 셀(neighboring cell)의 품질을 측정한다. 둘째, 셀 재선택은 셀 재선택 기준에 기반하여 수행된다. 셀 재선택 기준은 서빙 셀 및 이웃 셀 측정에 관련하여 아래와 같은 특성을 가지고 있다.인트라-주파수 셀 재선택은 기본적으로 랭킹(ranking)에 기반한다. 랭킹이라는 것은, 셀 재선택 평가를 위한 지표값을 정의하고, 이 지표값을 이용하여 셀들을 지표값의 크기 순으로 순서를 매기는 작업이다. 가장 좋은 지표를 가지는 셀을 흔히 최고 순위 셀(highest ranked cell)이라고 부른다. 셀 지표값은 단말이 해당 셀에 대해 측정한 값을 기본으로, 필요에 따라 주파수 오프셋 또는 셀 오프셋을 적용한 값이다. 인터-주파수 셀 재선택은 네트워크에 의해 제공된 주파수 우선순위에 기반한다. 단말은 가장 높은 주파수 우선순위를 가진 주파수에 머무를(camp on: 이하 캠프 온이라 표현할 수 있다) 수 있도록 시도한다. 네트워크는 브로드캐스트 시그널링(broadcast signaling)를 통해서 셀 내 단말들이 공통적으로 적용할 또는 주파수 우선순위를 제공하거나, 단말별 시그널링(dedicated signaling)을 통해 단말 별로 각각 주파수 별 우선순위를 제공할 수 있다. 브로드캐스트 시그널링을 통해 제공되는 셀 재선택 우선순위를 공용 우선순위(common priority)라고 할 수 있고, 단말별로 네트워크가 설정하는 셀 재선택 우선 순위를 전용 우선순위(dedicated priority)라고 할 수 있다. 단말은 전용 우선순위를 수신하면, 전용 우선순위와 관련된 유효 시간(validity time)를 함께 수신할 수 있다. 단말은 전용 우선순위를 수신하면 함께 수신한 유효 시간으로 설정된 유효성 타이머(validity timer)를 개시한다. 단말은 유효성 타이머가 동작하는 동안 RRC 아이들 모드에서 전용 우선순위를 적용한다. 유효성 타이머가 만료되면 단말은 전용 우선순위를 폐기하고, 다시 공용 우선순위를 적용한다.인터-주파수 셀 재선택을 위해 네트워크는 단말에게 셀 재선택에 사용되는 파라미터(예를 들어 주파수별 오프셋(frequency-specific offset))를 주파수별로 제공할 수 있다. 인트라-주파수 셀 재선택 또는 인터-주파수 셀 재선택을 위해 네트워크는 단말에게 셀 재선택에 사용되는 이웃 셀 리스트(Neighboring Cell List, NCL)를 단말에게 제공할 수 있다. 이 NCL은 셀 재선택에 사용되는 셀 별 파라미터(예를 들어 셀 별 오프셋(cell-specific offset))를 포함한다 인트라-주파수 또는 인터-주파수 셀 재선택을 위해 네트워크는 단말에게 셀 재선택에 사용되는 셀 재선택 금지 리스트(black list)를 단말에게 제공할 수 있다. 금지 리스트에 포함된 셀에 대해 단말은 셀 재선택을 수행하지 않는다. 이어서, 셀 재선택 평가 과정에서 수행하는 랭킹에 관해 설명한다. 셀의 우선순위를 주는데 사용되는 랭킹 지표(ranking criterion)은 식 2와 같이 정의된다.[식 2]Rs = Qmeas,s + Qhyst, Rn = Qmeas,n - Qoffset여기서, Rs는 단말이 현재 캠프 온하고 있고 서빙 셀의 랭킹 지표, Rn은 이웃 셀의 랭킹 지표, Qmeas,s는 단말이 서빙 셀에 대해 측정한 품질값, Qmeas,n는 단말이 이웃 셀에 대해 측정한 품질값, Qhyst는 랭킹을 위한 히스테리시스(hysteresis) 값, Qoffset은 두 셀간의 오프셋이다. 인트라-주파수에서, 단말이 서빙 셀과 이웃 셀 간의 오프셋(Qoffsets,n)을 수신한 경우 Qoffset=Qoffsets,n 이고, 단말이 Qoffsets,n 을 수신하지 않은 경우에는 Qoffset = 0 이다. 인터-주파수에서, 단말이 해당 셀에 대한 오프셋(Qoffsets,n)을 수신한 경우 Qoffset = Qoffsets,n + Qfrequency 이고, 단말이 Qoffsets,n 을 수신하지 않은 경우 Qoffset = Qfrequency 이다.서빙 셀의 랭킹 지표(Rs)과 이웃 셀의 랭킹 지표(Rn)이 서로 비슷한 상태에서 변동하면, 변동 결과 랭킹 순위가 자꾸 뒤바뀌어 단말이 두 셀을 번갈아가면서 재선택을 할 수 있다. Qhyst는 셀 재선택에서 히스테리시스를 주어, 단말이 두 셀을 번갈아가면서 재선택하는 것을 막기 위한 파라미터이다.단말은 위 식에 따라 서빙 셀의 Rs 및 이웃 셀의 Rn을 측정하고, 랭킹 지표 값이 가장 큰 값을 가진 셀을 최고 순위(highest ranked) 셀로 간주하고, 이 셀을 재선택한다.상기 기준에 의하면, 셀의 품질이 셀 재선택에서 가장 주요한 기준으로 작용하는 것을 확인할 수 있다. 만약 재선택한 셀이 정규 셀(suitable cell)이 아니면 단말은 해당 주파수 또는 해당 셀을 셀 재선택 대상에서 제외한다. 이제 무선 링크 실패에 대하여 설명한다.단말은 서비스를 수신하는 서빙셀과의 무선 링크의 품질 유지를 위해 지속적으로 측정을 수행한다. 단말은 서빙셀과의 무선 링크의 품질 악화(deterioration)로 인하여 현재 상황에서 통신이 불가능한지 여부를 결정한다. 만약, 서빙셀의 품질이 너무 낮아서 통신이 거의 불가능한 경우, 단말은 현재 상황을 무선 연결 실패로 결정한다.만약 무선 링크 실패가 결정되면, 단말은 현재의 서빙셀과의 통신 유지를 포기하고, 셀 선택(또는 셀 재선택) 절차를 통해 새로운 셀을 선택하고, 새로운 셀로의 RRC 연결 재확립(RRC connection re-establishment)을 시도한다.3GPP LTE의 스펙에서는 정상적인 통신을 할 수 없는 경우로 아래와 같은 예시를 들고 있다.- 단말의 물리 계층의 무선 품질 측정 결과를 기반으로 단말이 하향 통신 링크 품질에 심각한 문제가 있다고 판단한 경우(RLM 수행 중 PCell의 품질이 낮다고 판단한 경우)- MAC 부계층에서 랜덤 액세스(random access) 절차가 계속적으로 실패하여 상향링크 전송에 문제가 있다고 판단한 경우.- RLC 부계층에서 상향 데이터 전송이 계속적으로 실패하여 상향 링크 전송에 문제가 있다고 판단한 경우.- 핸드오버를 실패한 것으로 판단한 경우.- 단말이 수신한 메시지가 무결성 검사(integrity check)를 통과하지 못한 경우.이하에서는 RRC 연결 재확립(RRC connection re-establishment) 절차에 대하여 보다 상세히 설명한다.도 7은 RRC 연결 재확립 절차를 나타내는 도면이다.도 7을 참조하면, 단말은 SRB 0(Signaling Radio Bearer #0)을 제외한 설정되어 있던 모든 무선 베어러(radio bearer) 사용을 중단하고, AS(Access Stratum)의 각종 부계층을 초기화 시킨다(S710). 또한, 각 부계층 및 물리 계층을 기본 구성(default configuration)으로 설정한다. 이와 같은 과정중에 단말은 RRC 연결 상태를 유지한다.단말은 RRC 연결 재설정 절차를 수행하기 위한 셀 선택 절차를 수행한다(S720). RRC 연결 재확립 절차 중 셀 선택 절차는 단말이 RRC 연결 상태를 유지하고 있음에도 불구하고, 단말이 RRC 아이들 상태에서 수행하는 셀 선택 절차와 동일하게 수행될 수 있다.단말은 셀 선택 절차를 수행한 후 해당 셀의 시스템 정보를 확인하여 해당 셀이 적합한 셀인지 여부를 판단한다(S730). 만약 선택된 셀이 적절한 E-UTRAN 셀이라고 판단된 경우, 단말은 해당 셀로 RRC 연결 재확립 요청 메시지(RRC connection reestablishment request message)를 전송한다(S740).한편, RRC 연결 재확립 절차를 수행하기 위한 셀 선택 절차를 통하여 선택된 셀이 E-UTRAN 이외의 다른 RAT을 사용하는 셀이라고 판단된 경우, RRC 연결 재확립 절차를 중단되고, 단말은 RRC 아이들 상태로 진입한다(S750).단말은 셀 선택 절차 및 선택한 셀의 시스템 정보 수신을 통하여 셀의 적절성 확인은 제한된 시간 내에 마치도록 구현될 수 있다. 이를 위해 단말은 RRC 연결 재확립 절차를 개시함에 따라 타이머를 구동시킬 수 있다. 타이머는 단말이 적합한 셀을 선택하였다고 판단된 경우 중단될 수 있다. 타이머가 만료된 경우 단말은 RRC 연결 재확립 절차가 실패하였음을 간주하고 RRC 아이들 상태로 진입할 수 있다. 이 타이머를 이하에서 무선 링크 실패 타이머라고 언급하도록 한다. LTE 스펙 TS 36.331에서는 T311이라는 이름의 타이머가 무선 링크 실패 타이머로 활용될 수 있다. 단말은 이 타이머의 설정 값을 서빙 셀의 시스템 정보로부터 획득할 수 있다.단말로부터 RRC 연결 재확립 요청 메시지를 수신하고 요청을 수락한 경우, 셀은 단말에게 RRC 연결 재확립 메시지(RRC connection reestablishment message)를 전송한다.셀로부터 RRC 연결 재확립 메시지를 수신한 단말은 SRB1에 대한 PDCP 부계층과 RLC 부계층을 재구성한다. 또한 보안 설정과 관련된 각종 키 값들을 다시 계산하고, 보안을 담당하는 PDCP 부계층을 새로 계산한 보안키 값들로 재구성한다. 이를 통해 단말과 셀간 SRB 1이 개방되고 RRC 제어 메시지를 주고 받을 수 있게 된다. 단말은 SRB1의 재개를 완료하고, 셀로 RRC 연결 재확립 절차가 완료되었다는 RRC 연결 재확립 완료 메시지(RRC connection reestablishment complete message)를 전송한다(S760).반면, 단말로부터 RRC 연결 재확립 요청 메시지를 수신하고 요청을 수락하지 않은 경우, 셀은 단말에게 RRC 연결 재확립 거절 메시지(RRC connection reestablishment reject message)를 전송한다.RRC 연결 재확립 절차가 성공적으로 수행되면, 셀과 단말은 RRC 연결 재설정 절차를 수행한다. 이를 통하여 단말은 RRC 연결 재확립 절차를 수행하기 전의 상태를 회복하고, 서비스의 연속성을 최대한 보장한다.도 8은 단말이 RRC_IDLE 상태에서 가질 수 있는 서브 상태(substate)들과 서브상태 천이 과정을 예시한다. 도 8을 참조하면, 단말은 최초 셀 선택 과정을 수행한다(S801). 최초 셀 선택 과정은 PLMN에 대하여 저장한 셀 정보가 없거나 정규 셀(suitable cell)을 찾지 못한 경우에 수행될 수 있다.최초 셀 선택 과정에서 정규 셀을 찾을 수 없으면 임의 셀 선택 상태(S802)로 천이한다. 임의 셀 선택 상태는 정규 셀에도 수용가능 셀에도 캠프 온(camp on)하지 못한 상태이며, 단말이 캠프할 수 있는 임의의 PLMN의 수용가능 셀(acceptable cell)을 찾기 위해 시도하는 상태이다. 단말이 캠프할 수 있는 어떤 셀도 찾지 못한 경우, 단말은 수용가능 셀을 찾을 때까지 계속 임의 셀 선택 상태에 머문다.최초 셀 선택 과정에서 정규 셀을 찾으면 정규 캠프 상태(S803)로 천이한다. 정규 캠프 상태는 정규 셀에 캠프 온(camp on)한 상태를 말하며, 시스템 정보를 통해 주어진 정보에 따라 페이징 채널(paging channel)을 선택하고 모니터링할 수 있고, 셀 재선택을 위한 평가 과정을 수행할 수 있다.정규 캠프 상태(S803)에서 셀 재선택 평가 과정(S804)이 유발되면 셀 재선택 평가 과정(S804)를 수행한다. 셀 재선택 평가 과정(S804)에서 정규 셀(suitable cell)이 발견되면 다시 정규 캠프 상태(S803)으로 천이한다. 임의 셀 선택 상태(S802)에서, 수용가능 셀이 발견되면 임의 셀 캠프 상태(S805)로 천이한다. 임의 셀 캠프 상태는 수용가능 셀에 캠프 온(camp on)한 상태이다. 임의 셀 캠프 상태(S805)에서 단말은 시스템 정보를 통해 주어진 정보에 따라 페이징 채널(paging channel)을 선택하고 모니터링할 수 있고, 셀 재선택을 위한 평가 과정(S806)을 수행할 수 있다. 상기 셀 재선택을 위한 평가 과정(S806)에서 수용가능 셀(acceptable cell)이 발견되지 않으면 임의 셀 선택 상태(S802)로 천이한다. 이제 D2D 동작에 대해 설명한다. 3GPP LTE-A에서는 D2D 동작과 관련한 서비스를 근접 서비스(Proximity Services: ProSe)라 칭한다. 이제, 근접 서비스(ProSe)에 대해 기술한다. 이하 ProSe는 D2D 동작과 동등한 개념이며 ProSe는 D2D 동작과 혼용될 수 있다.ProSe에는 ProSe 직접 통신(communication)과 ProSe 직접 발견(direct discovery)이 있다. ProSe 직접 통신은 근접한 2 이상의 단말들 간에서 수행되는 통신을 말한다. 상기 단말들은 사용자 평면의 프로토콜을 이용하여 통신을 수행할 수 있다. ProSe 가능 단말(ProSe-enabled UE)은 ProSe의 요구 조건과 관련된 절차를 지원하는 단말을 의미한다. 특별한 다른 언급이 없으면 ProSe 가능 단말은 공용 안전 단말(public safety UE)와 비-공용 안전 단말(non-public safety UE)를 모두 포함한다. 공용 안전 단말은 공용 안전에 특화된 기능과 ProSe 과정을 모두 지원하는 단말이고, 비-공용 안전 단말은 ProSe 과정은 지원하나 공용 안전에 특화된 기능은 지원하지 않는 단말이다. ProSe 직접 발견(ProSe direct discovery)은 ProSe 가능 단말이 인접한 다른 ProSe 가능 단말을 발견하기 위한 과정이며, 이 때 상기 2개의 ProSe 가능 단말들의 능력만을 사용한다. EPC 차원의 ProSe 발견(EPC-level ProSe discovery)은 EPC가 2개의 ProSe 가능 단말들의 근접 여부를 판단하고, 상기 2개의 ProSe 가능 단말들에게 그들의 근접을 알려주는 과정을 의미한다. 이하, 편의상 ProSe 직접 통신은 D2D 통신, ProSe 직접 발견은 D2D 발견이라 칭할 수 있다. 도 9는 ProSe를 위한 기준 구조를 나타낸다. 도 9를 참조하면, ProSe를 위한 기준 구조는 E-UTRAN, EPC, ProSe 응용 프로그램을 포함하는 복수의 단말들, ProSe 응용 서버(ProSe APP server), 및 ProSe 기능(ProSe function)을 포함한다. EPC는 E-UTRAN 코어 네트워크 구조를 대표한다. EPC는 MME, S-GW, P-GW, 정책 및 과금 규칙(policy and charging rules function:PCRF), 가정 가입자 서버(home subscriber server:HSS)등을 포함할 수 있다. ProSe 응용 서버는 응용 기능을 만들기 위한 ProSe 능력의 사용자이다. ProSe 응용 서버는 단말 내의 응용 프로그램과 통신할 수 있다. 단말 내의 응용 프로그램은 응요 기능을 만들기 위한 ProSe 능력을 사용할 수 있다. ProSe 기능은 다음 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. - 제3자 응용 프로그램을 향한 기준점을 통한 인터워킹(Interworking via a reference point towards the 3rd party applications)- 발견 및 직접 통신을 위한 인증 및 단말에 대한 설정(Authorization and configuration of the UE for discovery and direct communication) - EPC 차원의 ProSe 발견의 기능(Enable the functionality of the EPC level ProSe discovery)- ProSe 관련된 새로운 가입자 데이터 및 데이터 저장 조정, ProSe ID의 조정(ProSe related new subscriber data and handling of data storage, and also handling of ProSe identities)- 보안 관련 기능(Security related functionality)- 정책 관련 기능을 위하여 EPC를 향한 제어 제공(Provide control towards the EPC for policy related functionality)- 과금을 위한 기능 제공(Provide functionality for charging (via or outside of EPC, e.g., offline charging))이하에서는 ProSe를 위한 기준 구조에서 기준점과 기준 인터페이스를 설명한다. - PC1: 단말 내의 ProSe 응용 프로그램과 ProSe 응용 서버 내의 ProSe 응용 프로그램 간의 기준 점이다. 이는 응용 차원에서 시그널링 요구 조건을 정의하기 위하여 사용된다. - PC2: ProSe 응용 서버와 ProSe 기능 간의 기준점이다. 이는 ProSe 응용 서버와 ProSe 기능 간의 상호 작용을 정의하기 위하여 사용된다. ProSe 기능의 ProSe 데이터베이스의 응용 데이터 업데이트가 상기 상호 작용의 일 예가 될 수 있다. - PC3: 단말과 ProSe 기능 간의 기준점이다. 단말과 ProSe 기능 간의 상호 작용을 정의하기 위하여 사용된다. ProSe 발견 및 통신을 위한 설정이 상기 상호 작용의 일 예가 될 수 있다. - PC4: EPC와 ProSe 기능 간의 기준점이다. EPC와 ProSe 기능 간의 상호 작용을 정의하기 위하여 사용된다. 상기 상호 작용은 단말들 간에 1:1 통신을 위한 경로를 설정하는 때, 또는 실시간 세션 관리나 이동성 관리를 위한 ProSe 서비스 인증하는 때를 예시할 수 있다. - PC5: 단말들 간에 발견 및 통신, 중계, 1:1 통신을 위해서 제어/사용자 평면을 사용하기 위한 기준점이다. - PC6: 서로 다른 PLMN에 속한 사용자들 간에 ProSe 발견과 같은 기능을 사용하기 위한 기준점이다. - SGi: 응용 데이터 및 응용 차원 제어 정보 교환을 위해 사용될 수 있다.003c#ProSe 직접 통신: ProSe Direct Communication003e#.ProSe 직접 통신은 2개의 공용 안전 단말들이 PC 5 인터페이스를 통해 직접 통신을 할 수 있는 통신 모드이다. 이 통신 모드는 단말이 E-UTRAN의 커버리지 내에서 서비스를 받는 경우나 E-UTRAN의 커버리지를 벗어난 경우 모두에서 지원될 수 있다.도 10은 ProSe 직접 통신을 수행하는 단말들과 셀 커버리지의 배치 예들을 나타낸다. 도 10 (a)를 참조하면, 단말 A, B는 셀 커버리지 바깥에 위치할 수 있다. 도 10 (b)를 참조하면, 단말 A는 셀 커버리지 내에 위치하고, 단말 B는 셀 커버리지 바깥에 위치할 수 있다. 도 10 (c)를 참조하면, 단말 A, B는 모두 단일 셀 커버리지 내에 위치할 수 있다. 도 10 (d)를 참조하면, 단말 A는 제1 셀의 커버리지 내에 위치하고, 단말 B는 제2 셀의 커버리지 내에 위치할 수 있다.ProSe 직접 통신은 도 10과 같이 다양한 위치에 있는 단말들 간에 수행될 수 있다. 한편, ProSe 직접 통신에는 다음 ID들이 사용될 수 있다. 소스 레이어-2 ID : 이 ID는 PC 5 인터페이스에서 패킷의 전송자를 식별시킨다. 목적 레이어-2 ID : 이 ID는 PC 5 인터페이스에서 패킷의 타겟을 식별시킨다.SA L1 ID : 이 ID는 PC 5 인터페이스에서 스케줄링 할당(scheduling assignment: SA)에서의 ID이다. 도 11은 ProSe 직접 통신을 위한 사용자 평면 프로토콜 스택을 나타낸다. 도 11을 참조하면, PC 5 인터페이스는 PDCH, RLC, MAC 및 PHY 계층으로 구성된다. ProSe 직접 통신에서는 HARQ 피드백이 없을 수 있다. MAC 헤더는 소스 레이어-2 ID 및 목적 레이어-2 ID를 포함할 수 있다.003c#ProSe 직접 통신을 위한 무선 자원 할당003e#.ProSe 가능 단말은 ProSe 직접 통신을 위한 자원 할당에 대해 다음 2가지 모드들을 이용할 수 있다. 1. 모드 1모드 1은 ProSe 직접 통신을 위한 자원을 기지국으로부터 스케줄링 받는 모드이다. 모드 1에 의하여 단말이 데이터를 전송하기 위해서는 RRC_CONNECTED 상태이여야 한다. 단말은 전송 자원을 기지국에게 요청하고, 기지국은 스케줄링 할당 및 데이터 전송을 위한 자원을 스케줄링한다. 단말은 기지국에게 스케줄링 요청을 전송하고, ProSe BSR(Buffer Status Report)를 전송할 수 있다. 기지국은 ProSe BSR에 기반하여, 상기 단말이 ProSe 직접 통신을 할 데이터를 가지고 있으며 이 전송을 위한 자원이 필요하다고 판단한다. 2. 모드 2 모드 2는 단말이 직접 자원을 선택하는 모드이다. 단말은 자원 풀(resource pool)에서 직접 ProSe 직접 통신을 위한 자원을 선택한다. 자원 풀은 네트워크에 의하여 설정되거나 미리 정해질 수 있다.한편, 단말이 서빙 셀을 가지고 있는 경우 즉, 단말이 기지국과 RRC_CONNECTED 상태에 있거나 RRC_IDLE 상태로 특정 셀에 위치한 경우에는 상기 단말은 기지국의 커버리지 내에 있다고 간주된다. 단말이 커버리지 밖에 있다면 상기 모드 2만 적용될 수 있다. 만약, 단말이 커버리지 내에 있다면, 기지국의 설정에 따라 모드 1 또는 모드 2를 사용할 수 있다. 다른 예외적인 조건이 없다면 기지국이 설정한 때에만, 단말은 모드 1에서 모드 2로 또는 모드 2에서 모드 1로 모드를 변경할 수 있다. 003c#ProSe 직접 발견(ProSe direct discovery): D2D 발견003e#ProSe 직접 발견은 ProSe 가능 단말이 근접한 다른 ProSe 가능 단말을 발견하는데 사용되는 절차를 말하며 D2D 발견이라 칭하기도 한다. 이 때, PC 5 인터페이스를 통한 E-UTRA 무선 신호가 사용될 수 있다. ProSe 직접 발견에 사용되는 정보를 이하 발견 정보(discovery information)라 칭한다.도 12는 D2D 발견을 위한 PC 5 인터페이스를 나타낸다. 도 12를 참조하면, PC 5인터페이스는 MAC 계층, PHY 계층과 상위 계층인 ProSe Protocol 계층으로 구성된다. 상위 계층(ProSe Protocol)에서 발견 정보(discovery information)의 알림(anouncement: 이하 어나운스먼트) 및 모니터링(monitoring)에 대한 허가를 다루며, 발견 정보의 내용은 AS(access stratum)에 대하여 투명(transparent)하다. ProSe Protocol은 어나운스먼트를 위하여 유효한 발견 정보만 AS에 전달되도록 한다. MAC 계층은 상위 계층(ProSe Protocol)로부터 발견 정보를 수신한다. IP 계층은 발견 정보 전송을 위하여 사용되지 않는다. MAC 계층은 상위 계층으로부터 받은 발견 정보를 어나운스하기 위하여 사용되는 자원을 결정한다. MAC 계층은 발견 정보를 나르는 MAC PDU(protocol data unit)를 만들어 물리 계층으로 보낸다. MAC 헤더는 추가되지 않는다.발견 정보 어나운스먼트를 위하여 2가지 타입의 자원 할당이 있다. 1. 타입 1 발견 정보의 어나운스먼트를 위한 자원들이 단말 특정적이지 않게 할당되는 방법으로, 기지국이 단말들에게 발견 정보 어나운스먼트를 위한 자원 풀 설정을 제공한다. 이 설정은 시스템 정보 블록(system information block: SIB)에 포함되어 브로드캐스트 방식으로 시그널링될 수 있다. 또는 상기 설정은 단말 특정적 RRC 메시지에 포함되어 제공될 수 있다. 또는 상기 설정은 RRC 메시지 외 다른 계층의 브로드캐스트 시그널링 또는 단말 특정정 시그널링이 될 수도 있다.단말은 지시된 자원 풀로부터 스스로 자원을 선택하고 선택한 자원을 이용하여 발견 정보를 어나운스한다. 단말은 각 발견 주기(discovery period) 동안 임의로 선택한 자원을 통해 발견 정보를 어나운스할 수 있다.2. 타입 2 발견 정보의 어나운스먼트를 위한 자원들이 단말 특정적으로 할당되는 방법이다. RRC_CONNECTED 상태에 있는 단말은 RRC 신호를 통해 기지국에게 발견 신호 어나운스먼트를 위한 자원을 요청할 수 있다. 기지국은 RRC 신호로 발견 신호 어나운스먼트를 위한 자원을 할당할 수 있다. 단말들에게 설정된 자원 풀 내에서 발견 신호 모니터링을 위한 자원이 할당될 수 있다.RRC_IDLE 상태에 있는 단말에 대하여, 기지국은 1) 발견 신호 어나운스먼트를 위한 타입 1 자원 풀을 SIB로 알려줄 수 있다. ProSe 직접 발견이 허용된 단말들은 RRC_IDLE 상태에서 발견 정보 어나운스먼트를 위하여 타입 1 자원 풀을 이용한다. 또는 기지국은 2) SIB를 통해 상기 기지국이 ProSe 직접 발견은 지원함을 알리지만 발견 정보 어나운스먼트를 위한 자원은 제공하지 않을 수 있다. 이 경우, 단말은 발견 정보 어나운스먼트를 위해서는 RRC_CONNECTED 상태로 들어가야 한다. RRC_CONNECTED 상태에 있는 단말에 대하여, 기지국은 RRC 신호를 통해 상기 단말이 발견 정보 어나운스먼트를 위하여 타입 1 자원 풀을 사용할 것인지 아니면 타입 2 자원을 사용할 것인지를 설정할 수 있다.도 13은 ProSe 발견 과정의 일 실시예이다. 도 13을 참조하면, 단말 A와 단말 B는 ProSe가 가능한 응용 프로그램(ProSe-enabled application)이 운용 되고 있으며, 상기 응용 프로그램에서 서로 간에 ‘친구’인 관계 즉, 서로 간에 D2D 통신을 허용할 수 있는 관계로 설정되어 있다고 가정하자. 이하에서 단말 B는 단말 A의 ‘친구’라고 표현할 수 있다. 상기 응용 프로그램은 예컨대, 소셜 네트워킹 프로그램일 수 있다. ‘3GPP Layers’는 3GPP에 의하여 규정된, ProSe 발견 서비스를 이용하기 위한 응용 프로그램의 기능들에 대응된다. 단말 A, B 간의 직접 발견은 다음 과정을 거칠 수 있다. 1. 먼저, 단말 A는 응용 서버와 정규 응용 레이어 통신(regular application-Layer communication)을 수행한다. 이 통신은 응용 프로그램 인터페이스(Application programming interface : API)에 기반한다. 2. 단말 A의 ProSe 가능 응용 프로그램은 ‘친구’인 관계에 있는 응용 레이어 ID의 리스트를 수신한다. 상기 응용 레이어 ID는 보통 네트워크 접속 ID 형태일 수 있다. 예컨대, 단말 A의 응용 레이어 ID는 “[email protected]”과 같은 형태일 수 있다.3. 단말 A는 단말 A의 사용자를 위한 개인 표현 코드(private expressions codes), 상기 사용자의 친구를 위한 개인 표현 코드를 요청한다. 4. 3GPP layers는 ProSe 서버에게 표현 코드 요청을 전송한다. 5. ProSe 서버는 운영자 또는 제3자 응용 서버로부터 제공되는 응용 레이어 ID들을 개인 표현 코드들에 맵핑한다. 예를 들어, “[email protected]”과 같은 응용 레이어 ID는 “GTER543$#2FSJ67DFSF”와 같은 개인 표현 코드에 맵핑될 수 있다.이 맵핑은 네트워크의 응용 서버로부터 받은 파라미터들(예컨대, 맵핑 알고리듬, 키 값 등)에 기반하여 수행될 수 있다.6. ProSe 서버는 도출된 표현 코드들을 3GPP layers에게 응답한다. 3GPP layers는 요청된 응용 레이어 ID에 대한 표현 코드들이 성공적으로 수신되었음을 ProSe 가능 응용 프로그램에게 알린다. 그리고, 응용 레이어 ID와 표현 코드들 간의 맵핑 테이블을 생성한다.7. ProSe 가능 응용 프로그램은 3GPP layers에게 발견 절차를 시작하도록 요청한다. 즉, 제공된 ‘친구’들 중 하나가 단말 A의 근처에 있고 직접 통신이 가능할 때 발견을 시도하도록 한다. 3GPP layers는 단말 A의 개인 표현 코드(즉, 상기 예에서 “[email protected]”의 개인 표현 코드인 “GTER543$#2FSJ67DFSF”)를 알린다(announce). 이를 이하에서 ‘어나운스’라 칭한다. 해당 응용 프로그램의 응용 레이어 ID와 개인 표현 코드 간의 맵핑은, 이러한 맵핑관계를 미리 수신한 ‘친구’들만 알 수 있고 그 맵핑을 수행할 수 있다. 8. 단말 B는 단말 A와 동일한 ProSe 가능 응용 프로그램을 운용 중이고, 전술한 3 내지 6 단계를 실행했다고 가정하자. 단말 B에 있는 3GPP layers는 ProSe 발견을 실행할 수 있다.9. 단말 B가 단말 A로부터 전술한 어나운스를 수신하면, 단말 B는 상기 어나운스에 포함된 개인 표현 코드가 자신이 알고 있는 것인지 및 응용 레이어 ID와 맵핑되는지 여부를 판단한다. 8 단계에서 설명하였듯이, 단말 B 역시 3 내지 6 단계를 실행하였으므로, 단말 A에 대한 개인 표현 코드, 개인 표현 코드와 응용 레이어 ID와의 맵핑, 해당 응용 프로그램이 무엇인지를 알고 있다. 따라서, 단말 B는 단말 A의 어나운스로부터 단말 A를 발견할 수 있다. 단말 B 내에서 3GPP layers는 ProSe 가능 응용 프로그램에게 “[email protected]”를 발견하였음을 알린다.도 13에서는 단말 A, B와 ProSe 서버, 응용 서버 등을 모두 고려하여 발견 절차를 설명하였다. 단말 A, B 간의 동작 측면에 국한하여 보면, 단말 A는 어나운스라고 불리는 신호를 전송(이 과정을 어나운스먼트라 칭할 수 있음)하고, 단말 B는 상기 어나운스를 수신하여 단말 A를 발견한다. 즉, 각 단말에서 행해지는 동작들 중 다른 단말과 직접적으로 관련된 동작은 한 가지 단계뿐이라는 측면에서, 도 13의 발견 과정은 단일 단계 발견 절차라 칭할 수도 있다. 도 14는 ProSe 발견 과정의 다른 실시예이다.도 14에서, 단말 1 내지 4는 특정 GCSE(group communication system enablers) 그룹에 포함된 단말들이라고 하자. 단말 1은 발견자(discoverer)이고, 단말 2, 3, 4는 발견되는 자(discoveree)라고 가정하자. 단말 5는 발견 과정과 무관한 단말이다.단말 1 및 단말 2-4는 발견 과정에서 다음 동작을 수행할 수 있다. 먼저, 단말 1은 상기 GCSE 그룹에 포함된 임의의 단말이 주위에 있는지 발견하기 위하여 타겟 발견 요청 메시지(targeted discovery request message, 이하 발견 요청 메시지 또는 M1으로 약칭할 수 있다)를 브로드캐스트한다. 타겟 발견 요청 메시지에는 상기 특정 GCSE 그룹의 고유한 응용 프로그램 그룹 ID 또는 레이어-2 그룹 ID를 포함할 수 있다. 또한, 타겟 발견 요청 메시지에는 단말 1의 고유한 ID 즉, 응용 프로그램 개인 ID를 포함할 수 있다. 타겟 발견 요청 메시지는 단말 2, 3, 4 및 5에 의하여 수신될 수 있다. 단말 5는 아무런 응답 메시지를 전송하지 않는다. 반면, 상기 GCSE 그룹에 포함된 단말 2, 3, 4는 상기 타겟 발견 요청 메시지에 대한 응답으로 타겟 발견 응답 메시지(Targeted discovery response message, 이하 발견 응답 메시지 또는 M2로 약칭할 수 있다)를 전송한다. 타겟 발견 응답 메시지에는 이 메시지를 전송하는 단말의 고유한 응용 프로그램 개인 ID가 포함될 수 있다. 도 14에서 설명한 ProSe 발견 과정에서 단말들 간의 동작을 살펴보면, 발견자(단말 1)는 타겟 발견 요청 메시지를 전송하고, 이에 대한 응답인 타겟 발견 응답 메시지를 수신한다. 또한, 발견되는 자(예를 들어, 단말 2)도 타겟 발견 요청 메시지를 수신하면 이에 대한 응답으로 타겟 발견 응답 메시지를 전송한다. 따라서, 각 단말은 2 단계의 동작을 수행한다. 이러한 측면에서 도 14의 ProSe 발견 과정은 2단계 발견 절차라 칭할 수 있다. 상기 도 14에서 설명한 발견 절차에 더하여, 만약 단말 1(발견자)이 타겟 발견 응답 메시지에 대한 응답으로 발견 확인 메시지(discovery confirm message, 이하 M3로 약칭할 수 있다)를 전송한다면 이는 3단계 발견 절차라 칭할 수 있다.이제 본 발명에 대해 설명한다. D2D 동작을 수행하려는 단말에게는, 셀 선택/재선택 과정에서, D2D 동작을 지원하는 셀 즉 D2D 동작을 위한 자원을 할당하는 셀들에 대해 보다 높은 우선 순위를 매기는 것이 효율적일 것이다. 전술한 바와 같이, 셀 재선택에서 단말은 주파수의 우선 순위(priority)에 따라 특정 주파수를 선택하고, 선택된 주파수에 복수의 셀들이 있을 경우 각 셀의 품질을 기준으로 특정 셀을 선택하게 된다. 도 15는 단말이 D2D 동작을 수행하기 위해 특정 주파수를 선택하는 경우를 예시한다. 단말은 현재 D2D 자원을 제공하지 않는 제3 주파수에 캠프 온하고 있다고 가정한다. 도 15 (a)에서, 단말은 D2D 동작을 서빙 주파수에서만 할 수 있다고 가정해 보자. 즉, 단말은 RF(radio frequency) 유닛이나 전력 증폭기가 하나 뿐이어서, 서비스를 받고 있는 주파수의 서빙 셀에서만 D2D 동작을 할 수 있다고 가정해보자. D2D 동작을 하려는 단말은 셀 재선택 과정에서 D2D 자원을 제공하는 제1 주파수의 셀을 선택해야 할 것이다. 그런데, 만약, D2D 자원을 제공하지 않는 제2 주파수의 우선 순위가 상기 제1 주파수의 우선 순위보다 높다면 단말은 제1 주파수를 선택할 수 없게 된다. 따라서, 단말은 D2D 동작을 수행할 수 없게 된다. 재난, 전시 등의 비상 상황에서 공용 안전을 잠재적 목적으로 하는 D2D 동작은 높은 안정성과 신뢰성이 요구될 터인데, 이처럼 D2D 동작을 수행할 수 없게 되는 것은 문제가 될 수 있다.이를 해결하는 한 가지 방법은 단말이 D2D 동작을 하려고 할 때, D2D 자원을 제공하는 주파수의 우선 순위를 묵시적으로 최우선 순위로 간주하는 것이다. 그런데, 이러한 방법은 모호성(ambiguity)이 발생할 수 있다.예를 들어, 도 15 (b)에서 제1 주파수는 D2D 자원을 제공하고, 제2 주파수는 D2D 자원을 제공하지 않을 수 있다. 그런데, 단말은 복수의 RF 유닛과 전력 증폭기를 구비하여 D2D 동작을 위해 반드시 서빙 주파수에 캠프 온할 필요가 없거나 또는 네트워크와의 연결을 유지하면서 D2D 동작을 하기 위해 반드시 제2 주파수에 캠프 온한 상태에서 제1 주파수를 통해 D2D 동작을 해야 할 수 있다. 즉, D2D 자원을 제공하는 주파수와 D2D 동작을 위해 단말이 반드시 캠프 온해야 하는 주파수가 서로 다를 수 있는 것이다. 도 15 (b)의 예에서, D2D 자원을 제공하는 주파수의 우선 순위를 묵시적으로 최우선 순위로 간주한다면 제1 주파수가 최우선 순위로 간주될 것이나, 단말은 제2 주파수에 캠프 온해야 제1 주파수를 이용하여 D2D 동작을 할 수 있다. 결국, 제1 주파수를 최우선 순위로 간주하면 D2D 동작을 할 수 없게 되는 결과가 발생할 수 있다.이러한 문제를 해결하기 위해, 본 발명에서는 D2D 동작을 하려는 단말은 셀 재선택 시에 D2D 자원을 제공하는 주파수가 아니라 D2D 동작을 위해 단말이 캠프 온해야 하는 주파수의 우선 순위를 묵시적으로 최우선 순위로 간주하는 것을 제안한다. 그러면, 도 15 (a)의 예에서는 제1 주파수, 도 15 (b)의 예에서는 제2 주파수가 셀 재선택 시에 최우선 순위를 가지는 것으로 간주된다. 한편, 본 발명에서는 D2D 동작을 하려는 단말이 셀 재선택 시에, D2D 동작을 위해 단말이 캠프 온해야 하는 주파수의 우선 순위를 묵시적으로 최우선 순위로 간주하는 것을 네트워크가 제어하는 기술을 제안한다. 이하에서, 단말은 RRC 아이들 상태의 단말일 수 있다.도 16은 본 발명에 따른 단말의 셀 재선택 방법을 나타낸다. 도 16을 참조하면, 단말은 복수의 주파수들을 지시하는 설정 정보 및 묵시적 최우선 순위 적용 지시자를 수신한다(S111). 상기 설정 정보는 상기 복수의 주파수들 각각에 위치한 셀들 각각에서 D2D 동작에 사용될 수 있는 자원 풀(resource pool)을 알려줄 수 있다. 상기 지시자는 D2D 동작을 위해 단말이 캠프 온해야 하는 주파수의 우선 순위를 묵시적으로 최우선 순위로 간주할 것인지 여부를 알려주는 정보이다. 상기 지시자는 1 비트 플래그(flag)로 구성될 수 있다. 또는, 상기 지시자는 두 개의 하부 지시자로 구성될 수 있다. 2개의 하부 지시자를 제1 지시자 및 제2 지시자라고 할 때, 제1 지시자는 D2D 동작을 하고자 하는 주파수의 주파수 우선순위를 묵시적으로 최우선 순위로 간주할 수 있는지 여부를 알려줄 수 있다. 그리고, 제2 지시자는 D2D 동작을 위해 단말이 D2D 동작을 하고자 하는 주파수 외에 다른 주파수의 주파수 우선순위를 묵시적으로 최우선 순위로 간주할 수 있는지를 알려줄 수 있다. 예를 들어, 단말이 제1 주파수에서 D2D 동작을 하기 위해서는 상기 제1 주파수에 캠프 온하여야 하는 경우, 제1 지시자는 상기 제1 주파수의 우선 순위를 최우선 순위로 간주할 수 있음을 나타낼 수 있다. 단말이 제1 주파수에서 D2D 동작을 하기 위해서는 제2 주파수에 캠프 온해야 하는 경우, 제1 지시자는 제1 주파수에 대해 우선 순위를 최우선 순위로 할 수 없음, 제2 지시자는 제2 주파수에 대해 우선 순위를 최우선 순위로 할 수 있음을 나타낼 수 있다.상기 지시자는 시스템 정보 블록(system information block: SIB)에 포함되어 브로드캐스트되거나 또느 특정 단말에 대한 전용 신호로 제공될 수 있다. 특정 단말에 대한 전용 신호로 제공되는 경우, 단말은 RRC_CONNECTED에서 이 정보를 수신하고 RRC_IDLE에 진입 후 이 정보를 적용할 수 있다.만약, 상기 지시자에 의하여 D2D 동작을 위해 단말이 캠프 온해야 하는 주파수의 우선 순위를 묵시적으로 최우선 순위로 간주할 수 있는 경우, 단말은 D2D 동작을 위해 단말이 캠프 온해야 하는 주파수의 우선 순위를 최우선 순위로 간주한다 (S112).단말은 상기 복수의 주파수들의 우선 순위에 기반하여 적어도 하나의 주파수에 대한 측정을 수행한다(S113). 단말은 상기 복수의 주파수들의 우선 순위에 기반하여 셀 재선택을 수행한다 (S114). 예를 들어, 단말이 상기 복수의 주파수들 중 D2D 동작을 위해 단말이 캠프 온해야 하는 주파수가 제1 주파수라고 가정해 보자. 상기 지시자에 의하여 D2D 동작을 위해 단말이 캠프 온해야 하는 주파수의 우선 순위를 묵시적으로 최우선 순위로 간주할 수 있게 되면, 단말은 상기 제1 주파수의 우선 순위를 최우선 순위로 간주한다. 그리고, 상기 제1 주파수를 포함하는 복수의 주파수들의 우선 순위에 기반하여 제1 주파수의 셀들을 측정하고, 그에 따라 셀 재선택을 수행한다. 결과적으로 단말은 제1 주파수의 셀을 재선택하게 될 것이다. 도 17 및 도 18은 도 16의 단말 동작을 보다 구체적으로 나타낸 도면이다. 도 17을 참조하면, 단말은 D2D 동작을 수행하려고 하는지 판단한다(S210). 만약, D2D 동작을 수행하려고 한다면 D2D 동작을 위해 캠프 온해야만 하는 주파수에 묵시적 최우선 순위 적용이 가능한지 판단한다(S211). 단말은 전술한 묵시적 최우선 순위 적용 지시자에 따라 이를 판단할 수 있다. 묵시적 최우선 순위를 적용할 수 있다면, D2D 자원을 제공하는 제1 주파수에 캠프 온해야 D2D 동작을 수행할 수 있는지 판단한다(S212). 만약, 그러하다면 D2D 자원을 제공하는 제1 주파수의 우선 순위를 가장 높은 우선 순위로 간주하고(S213) 셀 재선택 과정을 수행할 수 있다. 상기 S210 과정에서 D2D 동작을 수행하려고 하지 않거나, S211과정에서 묵시적 최우선 순위 적용이 가능하지 않으면, 기존 우선 순위를 주파수들에 적용하면 된다(S214). 상기 S212 단계에서, D2D 동작을 수행하기 위해 D2D 자원을 제공하는 제1 주파수에 반드시 캠프 온해야 하는 것이 아니라면, 즉, D2D 자원을 제공하는 제1 주파수에 반드시 캠프 온하지 않아도 D2D 동작을 수행할 수 있다면 S215 단계로 진행한다. S215에 대해서는 도 18을 참조하여 설명한다. 도 18을 참조하면, 단말은 제2 주파수에 캠프 온해야만 상기 제1 주파수에서 D2D 동작을 수행할 수 있는지 판단한다(S216). 만약 그러하다면, 제2 주파수의 우선 순위를 가장 높은 우선 순위로 간주하고(S217), 셀 재선택을 수행한다. 만약, 그러하지 않다면, 주파수들에 기존 우선 순위를 적용한다(S214). 도 17 및 18에서, 기존 우선 순위를 주파수들에 적용한다는 것은 다음과 같은 의미일 수 있다. 기존 우선 순위는 E-UTRAN 주파수들 또는 인터-RAT 주파수들에 대한 절대적 우선 순위 형태로 단말에게 제공될 수 있다. 이 절대적 우선 순위는 시스템 정보에 포함될 수 있다. 또는 인터-RAT 셀 선택/재선택에서 다른 RAT로부터의 우선 순위를 그대로 사용할 수 있다. 만약, 상기 단말에 대한 전용 신호(dedicated signal)에서 우선 순위가 제공되면, 단말은 시스템 정보에서 제공되는 우선 순위는 무시한다. 만약, 단말이 임의 셀 캠프 상태라면, 단말은 현재 셀의 시스템 정보로부터 제공되는 우선 순위를 적용한다. 그리고, 단말은 전용 신호에 의하여 제공되는 우선 순위는 보존한다. 단말이 정규 캠프 상태이고 현재 주파수를 제외한 우선 순위만을 가지고 있다면 단말은 현재 주파수가 가장 낮은 우선 순위를 가지고 있다고 간주한다. 한편, D2D 동작을 위해 캠프 온해야 하는 주파수를 최우선 순위로 간주할 수 있다고 할 때, 상기 D2D 동작이 무엇인지가 문제될 수 있다. D2D 동작은 어떤 내용(content)에 대한 동작인가에 따라 D2D 발견, D2D 통신으로 구분할 수 있다. 또한 D2D 동작은 신호의 송수신 관점에서 D2D 전송, D2D 수신으로 구분할 수 있다. 따라서, D2D 동작은 총 4가지 조합이 가능하다. 물론, 이러한 조합은 단지 예시일 뿐이다. 단말이 D2D 자원을 제공하는 주파수(fn=D2D 동작을 위해 캠프 온해야 하는 주파수)의 우선 순위를 묵시적으로 최우선 순위로 간주하는 것은 모든 D2D 동작이 아니라 일부 D2D 동작에 한하여 허용될 수 있다. 예를 들어, D2D 동작에 D2D 발견과 D2D 통신이 있다고 할 때, D2D 발견에 한하여 허용될 수 있다. 이 경우, 상기 단말이 상기 fn에서 D2D 통신을 수행하려고 할 때 상기 fn의 우선 순위를 최우선 순위로 간주하는 것은 허용되지 않는다. 또는 D2D 자원을 제공하는 주파수(fn)의 우선 순위를 묵시적으로 최우선 순위로 간주하는 것은 D2D 통신에서만 허용될 수 있다. 이 경우, 상기 단말이 상기 fn에서 D2D 발견을 수행하려고 할 때 상기 fn의 우선 순위를 최우선 순위로 간주하는 것은 허용되지 않는다.또는, D2D 자원을 제공하는 주파수(fn)의 우선 순위를 묵시적으로 최우선 순위로 간주하는 것은 D2D 전송에 한하여 허용될 수 있다. 또는 D2D 자원을 제공하는 주파수(fn)의 우선 순위를 묵시적으로 최우선 순위로 간주하는 것은 D2D 수신에 한하여 허용될 수 있다. 또는 D2D 자원을 제공하는 주파수(fn)의 우선 순위를 묵시적으로 최우선 순위로 간주하는 것은 D2D 전송, D2D 수신, D2D 발견, D2D 통신 등 모든 D2D 동작에 허용될 수도 있다.네트워크가 각 D2D 동작에 대해 선택적으로 단말의 주파수 우선순위 조정을 제어하려고 한다면, 네트워크가 제어하고자 하는 동작 별로 상기 지시자(묵시적 최우선 순위 적용 지시자)를 단말에게 시그널링하거나, 또는 단말이 네트워크가 제공하는 지시자에 따른 주파수 우선순위 조정을 적용할 수 있는 D2D 동작을 단말에게 지시할 수 있다. 네트워크가 단말이 서비스받고자 하는 각 D2D 서비스에 대해 선택적으로 단말의 주파수 우선순위 조정을 제어하려고 한다면, 단말의 D2D 서비스 별로 상기 지시자를 단말에게 시그널링하거나, 네트워크는 단말이 네트워크가 제공하는 지시자에 따른 주파수 우선순위 조정을 적용할 수 있는 D2D 서비스 종류를 지시할 수 있다. 서빙 주파수에서 D2D 동작(예를 들어, D2D 전송)이 가능한지를 단말에게 알려주기 위해, 네트워크는 상기 서빙 주파수에서 D2D 동작의 허용 여부를 지시하는 정보를 상기 단말에게 제공할 수 있다. 상기 정보는 1비트 플래그 형태로 제공되어 비트 값이 1면 해당 주파수에서 D2D 동작이 허용, 0이면 허용되지 않음을 지시할 수 있다. 또는 상기 정보는 D2D 동작에 사용될 수 있는 자원 풀을 지시할 수 있다. 단말은 특정 주파수에 대해 상기 정보가 제공될 경우, 상기 특정 주파수에서 D2D 동작이 허용되는 것으로 간주할 수 있다. 비-서빙 주파수(non-serving frequency)에서 D2D 동작(예를 들어, D2D 전송)이 가능한지를 단말에게 알려주기 위해, 네트워크는 D2D 동작이 허용되는 주파수들의 리스트를 상기 단말에게 제공할 수 있다. 전술한 D2D 동작의 허용 여부를 지시하는 정보 또는 D2D 동작이 허용되는 주파수들의 리스트는 네트워크 보조 정보(network assistance information)에 포함되어 전송될 수 있다. 네트워크 보조 정보는 해당 주파수에서 어떤 D2D 기능이 허용되는지를 나타내는 정보를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 네트워크 보조 정보는 각 주파수 별로 D2D 발견 신호의 전송이 허용됨, 또는 해당 주파수에서 D2D 통신을 위한 전송이 가능함 또는 해당 주파수에서 D2D 발견 신호의 전송 및 D2D 통신을 위한 전송이 가능함을 나타낼 수 있다.네트워크 보조 정보는 해당 주파수에서 RRC 아이들 모드에서의 D2D 전송이 허용되는지 여부를 지시하는 정보를 더 포함할 수 있다.전술한 네트워크 보조 정보는 SIB에 포함되어 브로드캐스트될 수 있다. 또는 특정 단말에 대한 전용 신호로 상기 특정 단말에게 제공될 수도 있다.한편, 전술한 D2D 동작에서 전송하는 D2D 신호는 D2D 발견 신호 또는 D2D 통신에 관한 제어 신호/데이터일 수 있다. 도 19는 본 발명의 실시예가 구현되는 단말을 나타낸 블록도이다. 도 19를 참조하면, 단말(1100)은 프로세서(1110), 메모리(1120) 및 RF부(radio frequency unit, 1130)을 포함한다. 프로세서(1110)는 제안된 기능, 과정 및/또는 방법을 구현한다. 예를 들어, 프로세서(1110)는 복수의 주파수들을 지시하는 설정 정보 및 묵시적 최우선 순위 적용 지시자를 수신하고 상기 지시자가 묵시적 최우선 순위의 적용을 허용하면, 상기 복수의 주파수들 중 D2D 동작을 위해 캠프 온 해야 하는 주파수의 우선 순위를 최우선 순위로 간주한 후 셀 재선택을 수행할 수 있다. RF부(1130)은 프로세서(1110)와 연결되어 무선 신호를 송신 및 수신한다. 프로세서는 ASIC(application-specific integrated circuit), 다른 칩셋, 논리 회로 및/또는 데이터 처리 장치를 포함할 수 있다. 메모리는 ROM(read-only memory), RAM(random access memory), 플래쉬 메모리, 메모리 카드, 저장 매체 및/또는 다른 저장 장치를 포함할 수 있다. RF부는 무선 신호를 처리하기 위한 베이스밴드 회로를 포함할 수 있다. 실시예가 소프트웨어로 구현될 때, 상술한 기법은 상술한 기능을 수행하는 모듈(과정, 기능 등)로 구현될 수 있다. 모듈은 메모리에 저장되고, 프로세서에 의해 실행될 수 있다. 메모리는 프로세서 내부 또는 외부에 있을 수 있고, 잘 알려진 다양한 수단으로 프로세서와 연결될 수 있다.
무선 통신 시스템에서 단말에 의해 수행되는 셀 재선택 방법 및 이러한 방법을 이용하는 단말을 제공한다. 상기 방법은 복수의 주파수들을 지시하는 설정 정보 및 묵시적 최우선 순위 적용 지시자를 수신하고, 상기 지시자가 묵시적 최우선 순위의 적용을 허용하면, 상기 복수의 주파수들 중 D2D(device-to-device) 동작을 위해 캠프 온(camp on) 해야 하는 주파수의 우선 순위를 최우선 순위로 간주하는 것을 특징으로 한다.
[ 발명의 명칭 ] 무선 통신 시스템에서 단말에 의해 수행되는 D2D 동작 방법 및 상기 방법을 이용하는 단말D2D OPERATION METHOD PERFORMED BY TERMINAL IN WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM AND TERMINAL USING SAME [ 기술분야 ] 본 발명은 무선 통신에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 무선 통신 시스템에서 단말에 의하여 D2D 동작과 이 방법을 이용하는 단말에 관한 것이다. [ 배경기술 ] ITU-R(International Telecommunication Union Radio communication sector)에서는 3세대 이후의 차세대 이동통신 시스템인 IMT(International Mobile Telecommunication)-Advanced의 표준화 작업을 진행하고 있다. IMT-Advanced는 정지 및 저속 이동 상태에서 1Gbps, 고속 이동 상태에서 100Mbps의 데이터 전송률로 IP(Internet Protocol)기반의 멀티미디어 서비스 지원을 목표로 한다. 3GPP(3rd Generation Partnership Project)는 IMT-Advanced의 요구 사항을 충족시키는 시스템 표준으로 OFDMA(Orthogonal Frequency Division Multiple Access)/SC-FDMA(Single Carrier-Frequency Division Multiple Access) 전송방식 기반인 LTE(Long Term Evolution)를 개선한 LTE-Advanced(LTE-A)를 준비하고 있다. LTE-A는 IMT-Advanced를 위한 유력한 후보 중의 하나이다. 최근 장치들 간 직접통신을 하는 D2D (Device-to-Device)기술에 대한 관심이 높아지고 있다. 특히, D2D는 공중 안전 네트워크(public safety network)을 위한 통신 기술로 주목 받고 있다. 상업적 통신 네트워크는 빠르게 LTE로 변화하고 있으나 기존 통신 규격과의 충돌 문제와 비용 측면에서 현재의 공중 안전 네트워크는 주로 2G 기술에 기반하고 있다. 이러한 기술 간극과 개선된 서비스에 대한 요구는 공중 안전 네트워크를 개선하고자 하는 노력으로 이어지고 있다.공중 안전 네트워크는 상업적 통신 네트워크에 비해 높은 서비스 요구 조건(신뢰도 및 보안성)을 가지며 특히 셀룰러 통신의 커버리지가 미치지 않거나 이용 가능하지 않은 경우에도, 장치들 간의 직접 신호 송수신 즉, D2D 동작도 요구하고 있다.D2D 동작은 근접한 기기들 간의 신호 송수신이라는 점에서 다양한 장점을 가질 수 있다. 예를 들어, D2D 단말은 높은 전송률 및 낮은 지연을 가지며 데이터 통신을 할 수 있다. 또한, D2D 동작은 기지국에 몰리는 트래픽을 분산시킬 수 있으며, D2D 단말이 중계기 역할을 한다면 기지국의 커버리지를 확장시키는 역할도 할 수 있다. 한편, 단말은 다른 단말과 네트워크의 커버리지(coverage) 내에서 네트워크가 제공하는 D2D 설정을 이용하여 D2D 동작을 수행할 수 있다. 그런데, 상기 단말 또는 상기 다른 단말이 이동하여 네트워크 커버리지를 벗어날 수 있다. 이러한 경우, 어떻게 D2D 동작의 손실 없이 계속하여 D2D 동작을 수행할 것인지가 문제된다. 그리고, 이러한 손실 없는 D2D 동작을 지원하기 위하여 상기 단말 또는 다른 단말이 어떤 시그널링을 해야 하는지도 문제된다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 무선 통신 시스템에서 단말에 의해 수행되는 D2D 동작 방법 및 이를 이용하는 단말을 제공하는 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 일 측면에서, 무선 통신 시스템에서 단말에 의해 수행되는 D2D(device-to-device) 동작 방법을 제공한다. 상기 방법은 상기 단말이 네트워크 커버리지 내에 있는지 여부를 판단하고, 및 상기 판단에 따른 결과를 알려주는 정보를 다른 단말에게 전송하는 것을 특징으로 한다. 다른 측면에서, 무선 통신 시스템에서 D2D(device-to-device) 동작을 수행하는 단말이 제공된다. 상기 단말은 무선 신호를 송신 및 수신하는 RF(Radio Frequency) 부 및 상기 RF부와 결합하여 동작하는 프로세서를 포함하되, 상기 프로세서는, 상기 단말이 네트워크 커버리지 내에 있는지 여부를 판단하고, 및 상기 판단에 따른 결과를 알려주는 정보를 다른 단말에게 전송하는 것을 특징으로 한다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 따르면, 네트워크 커버리지를 경계로 내외에 각각 위치하는 단말들 사이의 D2D 동작도 손실 없이 수행될 수 있다. 또한, 서로 다른 그룹에 속하는 단말들 간의 D2D 동작에서 간섭 발생도 줄일 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명이 적용되는 무선통신 시스템을 나타낸다.도 2는 사용자 평면(user plane)에 대한 무선 프로토콜 구조(radio protocol architecture)를 나타낸 블록도이다. 도 3은 제어 평면(control plane)에 대한 무선 프로토콜 구조를 나타낸 블록도이다.도 4는 RRC 아이들 상태의 단말의 동작을 나타내는 흐름도이다.도 5는 RRC 연결을 확립하는 과정을 나타낸 흐름도이다. 도 6은 RRC 연결 재설정 과정을 나타낸 흐름도이다.도 7은 RRC 연결 재확립 절차를 나타내는 도면이다.도 8은 단말이 RRC_IDLE 상태에서 가질 수 있는 서브 상태(substate)들과 서브상태 천이 과정을 예시한다. 도 9는 ProSe를 위한 기준 구조를 나타낸다. 도 10은 ProSe 직접 통신을 수행하는 단말들과 셀 커버리지의 배치 예들을 나타낸다. 도 11은 ProSe 직접 통신을 위한 사용자 평면 프로토콜 스택을 나타낸다. 도 12는 D2D 발견을 위한 PC 5 인터페이스를 나타낸다. 도 13은 ProSe 직접 발견 과정의 일 실시예이다. 도 14는 ProSe 직접 발견 과정의 다른 실시예이다.도 15는 UE-NW 중계기를 나타낸다. 도 16은 UE-UE 중계기를 나타낸다. 도 17은 네트워크 커버리지와 단말들의 위치를 예시한다. 도 18은 서로 다른 단말 그룹들 간에서 일치하지 않는 D2D 자원 풀을 사용하는 예를 나타낸다. 도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 D2D 동작 방법을 나타낸다. 도 20은 단말이 스스로 커버리지 관련 상태를 검출하여 다른 단말에게 알리는 예를 나타낸다. 도 21은 단말이 자신의 커버리지 관련 상태를 검출하여 커버리지 바깥의 다른단말에게 알리고, 이에 더하여 커버리지 바깥의 다른 단말을 검출하는 방법을 예시한다. 도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 D2D 동작 방법을 나타낸다. 도 23은 본 발명의 실시예가 구현되는 단말을 나타낸 블록도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 도 1은 본 발명이 적용되는 무선통신 시스템을 나타낸다. 이는 E-UTRAN(Evolved-UMTS Terrestrial Radio Access Network), 또는 LTE(Long Term Evolution)/LTE-A 시스템이라고도 불릴 수 있다.E-UTRAN은 단말(10; User Equipment, UE)에게 제어 평면(control plane)과 사용자 평면(user plane)을 제공하는 기지국(20; Base Station, BS)을 포함한다. 단말(10)은 고정되거나 이동성을 가질 수 있으며, MS(Mobile station), UT(User Terminal), SS(Subscriber Station), MT(mobile terminal), 무선기기(Wireless Device) 등 다른 용어로 불릴 수 있다. 기지국(20)은 단말(10)과 통신하는 고정된 지점(fixed station)을 말하며, eNB(evolved-NodeB), BTS(Base Transceiver System), 액세스 포인트(Access Point) 등 다른 용어로 불릴 수 있다.기지국(20)들은 X2 인터페이스를 통하여 서로 연결될 수 있다. 기지국(20)은 S1 인터페이스를 통해 EPC(Evolved Packet Core, 30), 보다 상세하게는 S1-MME를 통해 MME(Mobility Management Entity)와 S1-U를 통해 S-GW(Serving Gateway)와 연결된다. EPC(30)는 MME, S-GW 및 P-GW(Packet Data Network-Gateway)로 구성된다. MME는 단말의 접속 정보나 단말의 능력에 관한 정보를 가지고 있으며, 이러한 정보는 단말의 이동성 관리에 주로 사용된다. S-GW는 E-UTRAN을 종단점으로 갖는 게이트웨이이며, P-GW는 PDN을 종단점으로 갖는 게이트웨이이다.단말과 네트워크 사이의 무선인터페이스 프로토콜 (Radio Interface Protocol)의 계층들은 통신시스템에서 널리 알려진 개방형 시스템간 상호접속 (Open System Interconnection; OSI) 기준 모델의 하위 3개 계층을 바탕으로 L1 (제1계층), L2 (제2계층), L3(제3계층)로 구분될 수 있는데, 이 중에서 제1계층에 속하는 물리계층은 물리채널(Physical Channel)을 이용한 정보전송서비스(Information Transfer Service)를 제공하며, 제 3계층에 위치하는 RRC(Radio Resource Control) 계층은 단말과 네트워크 간에 무선자원을 제어하는 역할을 수행한다. 이를 위해 RRC 계층은 단말과 기지국간 RRC 메시지를 교환한다.도 2는 사용자 평면(user plane)에 대한 무선 프로토콜 구조(radio protocol architecture)를 나타낸 블록도이다. 도 3은 제어 평면(control plane)에 대한 무선 프로토콜 구조를 나타낸 블록도이다. 사용자 평면은 사용자 데이터 전송을 위한 프로토콜 스택(protocol stack)이고, 제어 평면은 제어신호 전송을 위한 프로토콜 스택이다. 도 2 및 3을 참조하면, 물리계층(PHY(physical) layer)은 물리채널(physical channel)을 이용하여 상위 계층에게 정보 전송 서비스(information transfer service)를 제공한다. 물리계층은 상위 계층인 MAC(Medium Access Control) 계층과는 전송채널(transport channel)을 통해 연결되어 있다. 전송채널을 통해 MAC 계층과 물리계층 사이로 데이터가 이동한다. 전송채널은 무선 인터페이스를 통해 데이터가 어떻게 어떤 특징으로 전송되는가에 따라 분류된다. 서로 다른 물리계층 사이, 즉 송신기와 수신기의 물리계층 사이는 물리채널을 통해 데이터가 이동한다. 상기 물리채널은 OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing) 방식으로 변조될 수 있고, 시간과 주파수를 무선자원으로 활용한다.MAC 계층의 기능은 논리채널과 전송채널간의 맵핑 및 논리채널에 속하는 MAC SDU(service data unit)의 전송채널 상으로 물리채널로 제공되는 전송블록(transport block)으로의 다중화/역다중화를 포함한다. MAC 계층은 논리채널을 통해 RLC(Radio Link Control) 계층에게 서비스를 제공한다. RLC 계층의 기능은 RLC SDU의 연결(concatenation), 분할(segmentation) 및 재결합(reassembly)를 포함한다. 무선베어러(Radio Bearer; RB)가 요구하는 다양한 QoS(Quality of Service)를 보장하기 위해, RLC 계층은 투명모드(Transparent Mode, TM), 비확인 모드(Unacknowledged Mode, UM) 및 확인모드(Acknowledged Mode, AM)의 세 가지의 동작모드를 제공한다. AM RLC는 ARQ(automatic repeat request)를 통해 오류 정정을 제공한다.RRC(Radio Resource Control) 계층은 제어 평면에서만 정의된다. RRC 계층은 무선 베어러들의 설정(configuration), 재설정(re-configuration) 및 해제(release)와 관련되어 논리채널, 전송채널 및 물리채널들의 제어를 담당한다. RB는 단말과 네트워크간의 데이터 전달을 위해 제1 계층(PHY 계층) 및 제2 계층(MAC 계층, RLC 계층, PDCP 계층)에 의해 제공되는 논리적 경로를 의미한다. 사용자 평면에서의 PDCP(Packet Data Convergence Protocol) 계층의 기능은 사용자 데이터의 전달, 헤더 압축(header compression) 및 암호화(ciphering)를 포함한다. 제어 평면에서의 PDCP(Packet Data Convergence Protocol) 계층의 기능은 제어 평면 데이터의 전달 및 암호화/무결정 보호(integrity protection)를 포함한다.RB가 설정된다는 것은 특정 서비스를 제공하기 위해 무선 프로토콜 계층 및 채널의 특성을 규정하고, 각각의 구체적인 파라미터 및 동작 방법을 설정하는 과정을 의미한다. RB는 다시 SRB(Signaling RB)와 DRB(Data RB) 두가지로 나누어 질 수 있다. SRB는 제어 평면에서 RRC 메시지를 전송하는 통로로 사용되며, DRB는 사용자 평면에서 사용자 데이터를 전송하는 통로로 사용된다.단말의 RRC 계층과 E-UTRAN의 RRC 계층 사이에 RRC 연결(RRC Connection)이 확립되면, 단말은 RRC 연결(RRC connected) 상태에 있게 되고, 그렇지 못할 경우 RRC 아이들(RRC idle) 상태에 있게 된다.네트워크에서 단말로 데이터를 전송하는 하향링크 전송채널로는 시스템정보를 전송하는 BCH(Broadcast Channel)과 그 이외에 사용자 트래픽이나 제어메시지를 전송하는 하향링크 SCH(Shared Channel)이 있다. 하향링크 멀티캐스트 또는 브로드캐스트 서비스의 트래픽 또는 제어메시지의 경우 하향링크 SCH를 통해 전송될 수도 있고, 또는 별도의 하향링크 MCH(Multicast Channel)을 통해 전송될 수도 있다. 한편, 단말에서 네트워크로 데이터를 전송하는 상향링크 전송채널로는 초기 제어메시지를 전송하는 RACH(Random Access Channel)와 그 이외에 사용자 트래픽이나 제어메시지를 전송하는 상향링크 SCH(Shared Channel)가 있다.전송채널 상위에 있으며, 전송채널에 매핑되는 논리채널(Logical Channel)로는 BCCH(Broadcast Control Channel), PCCH(Paging Control Channel), CCCH(Common Control Channel), MCCH(Multicast Control Channel), MTCH(Multicast Traffic Channel) 등이 있다.물리채널(Physical Channel)은 시간 영역에서 여러 개의 OFDM 심벌과 주파수 영역에서 여러 개의 부반송파(Sub-carrier)로 구성된다. 하나의 서브프레임(Sub-frame)은 시간 영역에서 복수의 OFDM 심벌(Symbol)들로 구성된다. 자원블록은 자원 할당 단위로, 복수의 OFDM 심벌들과 복수의 부반송파(sub-carrier)들로 구성된다. 또한 각 서브프레임은 PDCCH(Physical Downlink Control Channel) 즉, L1/L2 제어채널을 위해 해당 서브프레임의 특정 OFDM 심벌들(예, 첫번째 OFDM 심볼)의 특정 부반송파들을 이용할 수 있다. TTI(Transmission Time Interval)는 서브프레임 전송의 단위시간이다. 이하 단말의 RRC 상태 (RRC state)와 RRC 연결 방법에 대해 상술한다. RRC 상태란 단말의 RRC 계층이 E-UTRAN의 RRC 계층과 논리적 연결(logical connection)이 되어 있는가 아닌가를 말하며, 연결되어 있는 경우는 RRC 연결 상태(RRC_CONNECTED), 연결되어 있지 않은 경우는 RRC 아이들 상태(RRC_IDLE)라고 부른다. RRC 연결 상태의 단말은 RRC 연결이 존재하기 때문에 E-UTRAN은 해당 단말의 존재를 셀 단위에서 파악할 수 있으며, 따라서 단말을 효과적으로 제어할 수 있다. 반면에 RRC 아이들 상태의 단말은 E-UTRAN이 파악할 수는 없으며, 셀 보다 더 큰 지역 단위인 트래킹 영역(Tracking Area) 단위로 CN(core network)이 관리한다. 즉, RRC 아이들 상태의 단말은 큰 지역 단위로 존재 여부만 파악되며, 음성이나 데이터와 같은 통상의 이동통신 서비스를 받기 위해서는 RRC 연결 상태로 이동해야 한다.사용자가 단말의 전원을 맨 처음 켰을 때, 단말은 먼저 적절한 셀을 탐색한 후 해당 셀에서 RRC 아이들 상태에 머무른다. RRC 아이들 상태의 단말은 RRC 연결을 맺을 필요가 있을 때 비로소 RRC 연결 과정(RRC connection procedure)을 통해 E-UTRAN과 RRC 연결을 확립하고, RRC 연결 상태로 천이한다. RRC 아이들 상태에 있던 단말이 RRC 연결을 맺을 필요가 있는 경우는 여러 가지가 있는데, 예를 들어 사용자의 통화 시도 등의 이유로 상향 데이터 전송이 필요하다거나, 아니면 E-UTRAN으로부터 호출(paging) 메시지를 수신한 경우 이에 대한 응답 메시지 전송 등을 들 수 있다.RRC 계층 상위에 위치하는 NAS(Non-Access Stratum) 계층은 연결관리(Session Management)와 이동성 관리(Mobility Management) 등의 기능을 수행한다.NAS 계층에서 단말의 이동성을 관리하기 위하여 EMM-REGISTERED(EPS Mobility Management-REGISTERED) 및 EMM-DEREGISTERED 두 가지 상태가 정의되어 있으며, 이 두 상태는 단말과 MME에게 적용된다. 초기 단말은 EMM-DEREGISTERED 상태이며, 이 단말이 네트워크에 접속하기 위해서 초기 연결(Initial Attach) 절차를 통해서 해당 네트워크에 등록하는 과정을 수행한다. 상기 연결(Attach) 절차가 성공적으로 수행되면 단말 및 MME는 EMM-REGISTERED 상태가 된다.단말과 EPC간 시그널링 연결(signaling connection)을 관리하기 위하여 ECM(EPS Connection Management)-IDLE 상태 및 ECM-CONNECTED 상태 두 가지 상태가 정의되어 있으며, 이 두 상태는 단말 및 MME에게 적용된다. ECM-IDLE 상태의 단말이 E-UTRAN과 RRC 연결을 맺으면 해당 단말은 ECM-CONNECTED 상태가 된다. ECM-IDLE 상태에 있는 MME는 E-UTRAN과 S1 연결(S1 connection)을 맺으면 ECM-CONNECTED 상태가 된다. 단말이 ECM-IDLE 상태에 있을 때에는 E-UTRAN은 단말의 배경(context) 정보를 가지고 있지 않다. 따라서 ECM-IDLE 상태의 단말은 네트워크의 명령을 받을 필요 없이 셀 선택(cell selection) 또는 셀 재선택(reselection)과 같은 단말 기반의 이동성 관련 절차를 수행한다. 반면 단말이 ECM-CONNECTED 상태에 있을 때에는 단말의 이동성은 네트워크의 명령에 의해서 관리된다. ECM-IDLE 상태에서 단말의 위치가 네트워크가 알고 있는 위치와 달라질 경우 단말은 트래킹 영역 갱신(Tracking Area Update) 절차를 통해 네트워크에 단말의 해당 위치를 알린다.다음은, 시스템 정보(System Information)에 관한 설명이다. 시스템 정보는 단말이 기지국에 접속하기 위해서 알아야 하는 필수 정보를 포함한다. 따라서 단말은 기지국에 접속하기 전에 시스템 정보를 모두 수신하고 있어야 하고, 또한 항상 최신의 시스템 정보를 가지고 있어야 한다. 그리고 상기 시스템 정보는 한 셀 내의 모든 단말이 알고 있어야 하는 정보이므로, 기지국은 주기적으로 상기 시스템 정보를 전송한다. 시스템 정보는 MIB(Master Information Block) 및 복수의 SIB (System Information Block)로 나뉜다. MIB는 셀로부터 다른 정보를 위해 획득될 것이 요구되는 가장 필수적이고 가장 자주 전송되는, 제한된 개수의 파라미터들을 포함할 수 있다. 단말은 하향링크 동기화 이후에 가장 먼저 MIB를 찾는다. MIB는 하향링크 채널 대역폭, PHICH 설정, 동기화를 지원하고 타이밍 기준으로서 동작하는 SFN, 및 eNB 전송 안테나 설정과 같은 정보를 포함할 수 있다. MIB는 BCH(broadcase channel) 상으로 브로드캐스트 전송될 수 있다. 포함된 SIB들 중 SIB1 (SystemInformationBlockType1) 은 “SystemInformationBlockType1” 메시지에 포함되어 전송되며, SIB1을 제외한 다른 SIB들은 시스템 정보 메시지에 포함되어 전송된다. SIB들을 시스템 정보 메시지에 맵핑시키는 것은 SIB1에 포함된 스케쥴링 정보 리스트 파라미터에 의하여 유동적으로 설정될 수 있다. 단, 각 SIB는 단일 시스템 정보 메시지에 포함되며, 오직 동일한 스케쥴링 요구치(e.g. 주기)를 가진 SIB들만이 동일한 시스템 정보 메시지에 맵핑될 수 있다. 또한, SIB2(SystemInformationBlockType2)는 항상 스케쥴링 정보 리스트의 시스템정보 메시지 리스트 내 첫번째 엔트리에 해당하는 시스템 정보 메시지에 맵핑된다. 동일한 주기 내에 복수의 시스템 정보 메시지가 전송될 수 있다. SIB1 및 모든 시스템 정보 메시지는 DL-SCH상으로 전송된다.브로드캐스트 전송에 더하여, E-UTRAN은 SIB1은 기존에 설정된 값과 동일하게 설정된 파라미터를 포함한 채로 전용 시그널링(dedicated signaling)될 수 있으며, 이 경우 SIB1은 RRC 연결 재설정 메시지에 포함되어 전송될 수 있다.SIB1은 단말 셀 접근과 관련된 정보를 포함하며, 다른 SIB들의 스케쥴링을 정의한다. SIB1은 네트워크의 PLMN 식별자들, TAC(Tracking Area Code) 및 셀 ID, 셀이 캠프온 할 수 잇는 셀인지 여부를 지시하는 셀 금지 상태(cell barring status), 셀 재선택 기준으로서 사용되는 셀내 요구되는 최저 수신 레벨, 및 다른 SIB들의 전송 시간 및 주기와 관련된 정보를 포함할 수 있다.SIB2는 모든 단말에 공통되는 무선 자원 설정 정보를 포함할 수 있다. SIB2는 상향링크 반송파 주파수 및 상향링크 채널 대역폭, RACH 설정, 페이지 설정(paging configuration), 상량링크 파워 제어 설정, 사운딩 기준 신호 설정(Sounding Reference Signal configuration), ACK/NACK 전송을 지원하는 PUCCH 설정 및 PUSCH 설정과 관련된 정보를 포함할 수 있다.단말은 시스템 정보의 획득 및 변경 감지 절차를 프라이머리 셀(primary cell: PCell)에 대해서만 적용할 수 있다. 세컨더리 셀(secondary cell: SCell)에 있어서, E-UTRAN은 해당 SCell이 추가될 때 RRC 연결 상태 동작과 관련있는 모든 시스템 정보를 전용 시그널링을 통해 제공해줄 수 있다. 설정된 SCell의 관련된 시스템 정보의 변경시, E-UTRAN은 고려되는 SCell을 해제(release)하고 차후에 추가할 수 있는데, 이는 단일 RRC 연결 재설정 메시지와 함께 수행될 수 있다. E-UTRAN은 고려되는 SCell 내에서 브로드캐스트 되었던 값과 다른 파라미터 값들을 전용 시그널링을 통하여 설정해줄 수 있다.단말은 특정 타입의 시스템 정보에 대하여 그 유효성을 보장해야 하며, 이와 같은 시스템 정보를 필수 시스템 정보(required system information)이라 한다. 필수 시스템 정보는 아래와 같이 정의될 수 있다.- 단말이 RRC 아이들 상태인 경우: 단말은 SIB2 내지 SIB8 뿐만 아니라 MIB 및 SIB1의 유효한 버전을 가지고 있도록 보장하여야 하며, 이는 고려되는 RAT(radio access technology)의 지원에 따를 수 있다. - 단말이 RRC 연결 상태인 경우: 단말은 MIB, SIB1 및 SIB2의 유효한 버전을 가지고 있도록 보장하여야 한다. 일반적으로 시스템 정보는 획득 후 최대 3시간 까지 유효성이 보장될 수 있다.일반적으로, 네트워크가 단말에게 제공하는 서비스는 아래와 같이 세가지 타입으로 구분할 수 있다. 또한, 어떤 서비스를 제공받을 수 있는지에 따라 단말은 셀의 타입 역시 다르게 인식한다. 아래에서 먼저 서비스 타입을 서술하고, 이어 셀의 타입을 서술한다.1) 제한적 서비스(Limited service): 이 서비스는 응급 호출(Emergency call) 및 재해 경보 시스템(Earthquake and Tsunami Warning System; ETWS)를 제공하며, 수용가능 셀(acceptable cell)에서 제공할 수 있다.2) 정규 서비스(Normal service) : 이 서비스는 일반적 용도의 범용 서비스(public use)를 의미하여, 정규 셀(suitable or normal cell)에서 제공할 수 있다.3) 사업자 서비스(Operator service) : 이 서비스는 통신망 사업자를 위한 서비스를 의미하며, 이 셀은 통신망 사업자만 사용할 수 있고 일반 사용자는 사용할 수 없다.셀이 제공하는 서비스 타입과 관련하여, 셀의 타입은 아래와 같이 구분될 수 있다.1) 수용가능 셀(Acceptable cell) : 단말이 제한된(Limited) 서비스를 제공받을 수 있는 셀. 이 셀은 해당 단말 입장에서, 금지(barred)되어 있지 않고, 단말의 셀 선택 기준을 만족시키는 셀이다.2) 정규 셀(Suitable cell) : 단말이 정규 서비스를 제공받을 수 있는 셀. 이 셀은 수용가능 셀의 조건을 만족시키며, 동시에 추가 조건들을 만족시킨다. 추가적인 조건으로는, 이 셀이 해당 단말이 접속할 수 있는 PLMN(Public Land Mobile Network) 소속이어야 하고, 단말의 트래킹 영역(Tracking Area) 갱신 절차의 수행이 금지되지 않은 셀이어야 한다. 해당 셀이 CSG 셀이라고 하면, 단말이 이 셀에 CSG 멤버로서 접속이 가능한 셀이어야 한다.3) 금지된 (Barred cell) : 셀이 시스템 정보를 통해 금지된 셀이라는 정보를 브로드캐스트하는 셀이다.4) 예약된 셀(Reserved cell) : 셀이 시스템 정보를 통해 예약된 셀이라는 정보를 브로드캐스트하는 셀이다.도 4는 RRC 아이들 상태의 단말의 동작을 나타내는 흐름도이다. 도 4는 초기 전원이 켜진 단말이 셀 선택 과정을 거쳐 네트워크 망에 등록하고 이어 필요할 경우 셀 재선택을 하는 절차를 나타낸다.도 4를 참조하면, 단말은 자신이 서비스 받고자 하는 망인 PLMN(public land mobile network)과 통신하기 위한 라디오 접속 기술(radio access technology; RAT, 무선 통신 방법)를 선택한다(S410). PLMN 및 RAT에 대한 정보는 단말의 사용자가 선택할 수도 있으며, USIM(universal subscriber identity module)에 저장되어 있는 것을 사용할 수도 있다.단말은 측정한 신호세기나 품질이 특정한 값보다 큰 셀 중에서, 가장 큰 값을 가지는 셀을 선택한다(Cell Selection)(S420). 이는 전원이 켜진 단말이 셀 선택을 수행하는 것으로서 초기 셀 선택(initial cell selection)이라 할 수 있다. 셀 선택 절차에 대해서 이후에 상술하기로 한다. 셀 선택 이후 단말은, 기지국이 주기적으로 보내는 시스템 정보를 수신한다. 상기 말하는 특정한 값은 데이터 송/수신에서의 물리적 신호에 대한 품질을 보장받기 위하여 시스템에서 정의된 값을 말한다. 따라서, 적용되는 RAT에 따라 그 값은 다를 수 있다. 단말은 망 등록 필요가 있는 경우 망 등록 절차를 수행한다(S430). 단말은 망으로부터 서비스(예:Paging)를 받기 위하여 자신의 정보(예:IMSI)를 등록한다. 단말은 셀을 선택할 때 마다 접속하는 망에 등록을 하는 것은 아니며, 시스템 정보로부터 받은 망의 정보(예:Tracking Area Identity; TAI)와 자신이 알고 있는 망의 정보가 다른 경우에 망에 등록을 한다.단말은 셀에서 제공되는 서비스 환경 또는 단말의 환경 등을 기반으로 셀 재선택을 수행한다(S440). 단말은 현재 서비스 받고 있는 기지국(서빙 기지국)으로부터 측정한 신호의 세기나 품질의 값이 인접한 셀의 기지국으로부터 측정한 값보다 낮다면, 단말이 현재 접속한 기지국의 셀 보다 더 좋은 신호 특성을 제공하는 다른 셀 중 하나를 선택한다. 이 과정을 2번 과정의 초기 셀 선택(Initial Cell Selection)과 구분하여 셀 재선택(Cell Re-Selection)이라 한다. 이때, 신호특성의 변화에 따라 빈번히 셀이 재선택되는 것을 방지하기 위하여 시간적인 제약조건을 둔다. 셀 재선택 절차에 대해서는 이후에 상술하기로 한다.도 5는 RRC 연결을 확립하는 과정을 나타낸 흐름도이다. 단말은 RRC 연결을 요청하는 RRC 연결 요청(RRC Connection Request) 메시지를 네트워크로 보낸다(S510). 네트워크는 RRC 연결 요청에 대한 응답으로 RRC 연결 설정(RRC Connection Setup) 메시지를 보낸다(S520). RRC 연결 설정 메시지를 수신한 후, 단말은 RRC 연결 모드로 진입한다.단말은 RRC 연결 확립의 성공적인 완료를 확인하기 위해 사용되는 RRC 연결 설정 완료(RRC Connection Setup Complete) 메시지를 네트워크로 보낸다(S530). 도 6은 RRC 연결 재설정 과정을 나타낸 흐름도이다. RRC 연결 재설정(reconfiguration)은 RRC 연결을 수정하는데 사용된다. 이는 RB 확립/수정(modify)/해제(release), 핸드오버 수행, 측정 셋업/수정/해제하기 위해 사용된다. 네트워크는 단말로 RRC 연결을 수정하기 위한 RRC 연결 재설정(RRC Connection Reconfiguration) 메시지를 보낸다(S610). 단말은 RRC 연결 재설정에 대한 응답으로, RRC 연결 재설정의 성공적인 완료를 확인하기 위해 사용되는 RRC 연결 재설정 완료(RRC Connection Reconfiguration Complete) 메시지를 네트워크로 보낸다(S620).이하에서 PLMN(public land mobile network)에 대하여 설명하도록 한다.PLMN은 모바일 네트워크 운영자에 의해 배치 및 운용되는 네트워크이다. 각 모바일 네트워크 운영자는 하나 또는 그 이상의 PLMN을 운용한다. 각 PLMN은 MCC(Mobile Country Code) 및 MNC(Mobile Network Code)로 식별될 수 있다. 셀의 PLMN 정보는 시스템 정보에 포함되어 브로드캐스트된다.PLMN 선택, 셀 선택 및 셀 재선택에 있어서, 다양한 타입의 PLMN들이 단말에 의해 고려될 수 있다.HPLMN(Home PLMN) : 단말 IMSI의 MCC 및 MNC와 매칭되는 MCC 및 MNC를 가지는 PLMN.EHPLMN(Equivalent HPLMN): HPLMN과 등가로 취급되는 PLMN.RPLMN(Registered PLMN): 위치 등록이 성공적으로 마쳐진 PLMN.EPLMN(Equivalent PLMN): RPLMN과 등가로 취급되는 PLMN.각 모바일 서비스 수요자는 HPLMN에 가입한다. HPLMN 또는 EHPLMN에 의하여 단말로 일반 서비스가 제공될 때, 단말은 로밍 상태(roaming state)에 있지 않는다. 반면, HPLMN/EHPLMN 이외의 PLMN에 의하여 단말로 서비스가 제공될 때, 단말은 로밍 상태에 있으며, 그 PLMN은 VPLMN(Visited PLMN)이라고 불리운다.단말은 초기에 전원이 켜지면 사용 가능한 PLMN(public land mobile network)을 검색하고 서비스를 받을 수 있는 적절한 PLMN을 선택한다. PLMN은 모바일 네트워크 운영자(mobile network operator)에 의해 배치되거나(deploy) 운영되는 네트워크이다. 각 모바일 네트워크 운영자는 하나 또는 그 이상의 PLMN을 운영한다. 각각의 PLMN은 MCC(mobile country code) 및 MNC(mobile network code)에 의하여 식별될 수 있다. 셀의 PLMN 정보는 시스템 정보에 포함되어 브로드캐스트된다. 단말은 선택한 PLMN을 등록하려고 시도한다. 등록이 성공한 경우, 선택된 PLMN은 RPLMN(registered PLMN)이 된다. 네트워크는 단말에게 PLMN 리스트를 시그널링할 수 있는데, 이는 PLMN 리스트에 포함된 PLMN들을 RPLMN과 같은 PLMN이라 고려할 수 있다. 네트워크에 등록된 단말은 상시 네트워크에 의하여 접근될 수(reachable) 있어야 한다. 만약 단말이 ECM-CONNECTED 상태(동일하게는 RRC 연결 상태)에 있는 경우, 네트워크는 단말이 서비스를 받고 있음을 인지한다. 그러나, 단말이 ECM-IDLE 상태(동일하게는 RRC 아이들 상태)에 있는 경우, 단말의 상황이 eNB에서는 유효하지 않지만 MME에는 저장되어 있다. 이 경우, ECM-IDLE 상태의 단말의 위치는 TA(tracking Area)들의 리스트의 입도(granularity)로 오직 MME에게만 알려진다. 단일 TA는 TA가 소속된 PLMN 식별자로 구성된 TAI(tracking area identity)및 PLMN 내의 TA를 유일하게 표현하는 TAC(tracking area code)에 의해 식별된다. 이어, 선택한 PLMN이 제공하는 셀들 중에서 상기 단말이 적절한 서비스를 제공받을 수 있는 신호 품질과 특성을 가진 셀을 선택한다. 다음은 종래 기술에서, 단말이 셀을 선택하는 절차에 대해서 자세히 설명한다. 전원이 켜지거나 셀에 머물러 있을 때, 단말은 적절한 품질의 셀을 선택/재선택하여 서비스를 받기 위한 절차들을 수행한다.RRC 아이들 상태의 단말은 항상 적절한 품질의 셀을 선택하여 이 셀을 통해 서비스를 제공받기 위한 준비를 하고 있어야 한다. 예를 들어, 전원이 막 켜진 단말은 네트워크에 등록을 하기 위해 적절한 품질의 셀을 선택해야 한다. RRC 연결 상태에 있던 상기 단말이 RRC 아이들 상태에 진입하면, 상기 단말은 RRC 아이들 상태에서 머무를 셀을 선택해야 한다. 이와 같이, 상기 단말이 RRC 아이들 상태와 같은 서비스 대기 상태로 머물고 있기 위해서 어떤 조건을 만족하는 셀을 고르는 과정을 셀 선택(Cell Selection)이라고 한다. 중요한 점은, 상기 셀 선택은 상기 단말이 상기 RRC 아이들 상태로 머물러 있을 셀을 현재 결정하지 못한 상태에서 수행하는 것이므로, 가능한 신속하게 셀을 선택하는 것이 무엇보다 중요하다. 따라서 일정 기준 이상의 무선 신호 품질을 제공하는 셀이라면, 비록 이 셀이 단말에게 가장 좋은 무선 신호 품질을 제공하는 셀이 아니라고 하더라도, 단말의 셀 선택 과정에서 선택될 수 있다.이제 3GPP TS 36.304 V8.5.0 (2009-03) "User Equipment (UE) procedures in idle mode (Release 8)"을 참조하여, 3GPP LTE에서 단말이 셀을 선택하는 방법 및 절차에 대하여 상술한다.셀 선택 과정은 크게 두 가지로 나뉜다. 먼저 초기 셀 선택 과정으로, 이 과정에서는 상기 단말이 무선 채널에 대한 사전 정보가 없다. 따라서 상기 단말은 적절한 셀을 찾기 위해 모든 무선 채널을 검색한다. 각 채널에서 상기 단말은 가장 강한 셀을 찾는다. 이후, 상기 단말이 셀 선택 기준을 만족하는 적절한(suitable) 셀을 찾기만 하면 해당 셀을 선택한다.다음으로 단말은 저장된 정보를 활용하거나, 셀에서 방송하고 있는 정보를 활용하여 셀을 선택할 수 있다. 따라서, 초기 셀 선택 과정에 비해 셀 선택이 신속할 수 있다. 단말이 셀 선택 기준을 만족하는 셀을 찾기만 하면 해당 셀을 선택한다. 만약 이 과정을 통해 셀 선택 기준을 만족하는 적절한 셀을 찾지 못하면, 단말은 초기 셀 선택 과정을 수행한다.셀 선택 기준은 하기 식 1과 같이 정의될 수 있다.[식 1]여기서, 상기 식 1의 각 변수는 하기 표 1과 같이 정의될 수 있다. SrxlevCell selection RX level value (dB)SqualCell selection quality value (dB)QrxlevmeasMeasured cell RX level value (RSRP)QqualmeasMeasured cell quality value (RSRQ)QrxlevminMinimum required RX level in the cell (dBm)QqualminMinimum required quality level in the cell (dB)QrxlevminoffsetOffset to the signalled Qrxlevmin taken into account in the Srxlev evaluation as a result of a periodic search for a higher priority PLMN while camped normally in a VPLMNQqualminoffsetOffset to the signalled Qqualmin taken into account in the Squal evaluation as a result of a periodic search for a higher priority PLMN while camped normally in a VPLMNPcompensation max(PEMAX -PPowerClass, 0) (dB)PEMAXMaximum TX power level an UE may use when transmitting on the uplink in the cell (dBm) defined as PEMAX in [TS 36.101]PPowerClassMaximum RF output power of the UE (dBm) according to the UE power class as defined in [TS 36.101]시그널링된 값들인 Qrxlevminoffset 및 Qqualminoffset은 단말이 VPLMN내의 정규 셀에 캠프 하고 있는 동안 보다 높은 우선순위의 PLMN에 대한 주기적 탐색의 결과로서 셀 선택이 평가되는 경우에 한하여 적용될 수 있다. 위와 같이 보다 높은 우선순위의 PLMN에 대한 주기적 탐색동안, 단말은 이와 같은 보다 높은 우선순위의 PLMN의 다른 셀로부터 저장된 파라미터 값들을 사용하여 셀 선택 평가를 수행할 수 있다.상기 단말이 일단 셀 선택 과정을 통해 어떤 셀을 선택한 이후, 단말의 이동성 또는 무선 환경의 변화 등으로 단말과 기지국간의 신호의 세기나 품질이 바뀔 수 있다. 따라서 만약 선택한 셀의 품질이 저하되는 경우, 단말은 더 좋은 품질을 제공하는 다른 셀을 선택할 수 있다. 이렇게 셀을 다시 선택하는 경우, 일반적으로 현재 선택된 셀보다 더 좋은 신호 품질을 제공하는 셀을 선택한다. 이런 과정을 셀 재선택(Cell Reselection)이라고 한다. 상기 셀 재선택 과정은, 무선 신호의 품질 관점에서, 일반적으로 단말에게 가장 좋은 품질을 제공하는 셀을 선택하는데 기본적인 목적이 있다. 무선 신호의 품질 관점 이외에, 네트워크는 주파수 별로 우선 순위(priority)를 결정하여 단말에게 알릴 수 있다. 이러한 우선 순위를 수신한 단말은, 셀 재선택 과정에서 이 우선 순위를 무선 신호 품질 기준보다 우선적으로 고려하게 된다.위와 같이 무선 환경의 신호 특성에 따라 셀을 선택 또는 재선택하는 방법이 있으며, 셀 재선택시 재선택을 위한 셀을 선택하는데 있어서, 셀의 RAT와 주파수(frequency) 특성에 따라 다음과 같은 셀 재선택 방법이 있을 수 있다.- 인트라-주파수(Intra-frequency) 셀 재선택 : 단말이 캠핑(camp) 중인 셀과 같은 RAT과 같은 중심 주파수(center-frequency)를 가지는 셀을 재선택- 인터-주파수(Inter-frequency) 셀 재선택 : 단말이 캠핑 중인 셀과 같은 RAT과 다른 중심 주파수를 가지는 셀을 재선택- 인터-RAT(Inter-RAT) 셀 재선택 : 단말이 캠핑 중인 RAT와 다른 RAT을 사용하는 셀을 재선택셀 재선택 과정의 원칙은 다음과 같다첫째, 단말은 셀 재선택을 위하여 서빙 셀(serving cell) 및 이웃 셀(neighboring cell)의 품질을 측정한다. 둘째, 셀 재선택은 셀 재선택 기준에 기반하여 수행된다. 셀 재선택 기준은 서빙 셀 및 이웃 셀 측정에 관련하여 아래와 같은 특성을 가지고 있다.인트라-주파수 셀 재선택은 기본적으로 랭킹(ranking)에 기반한다. 랭킹이라는 것은, 셀 재선택 평가를 위한 지표값을 정의하고, 이 지표값을 이용하여 셀들을 지표값의 크기 순으로 순서를 매기는 작업이다. 가장 좋은 지표를 가지는 셀을 흔히 최고 순위 셀(highest ranked cell)이라고 부른다. 셀 지표값은 단말이 해당 셀에 대해 측정한 값을 기본으로, 필요에 따라 주파수 오프셋 또는 셀 오프셋을 적용한 값이다. 인터-주파수 셀 재선택은 네트워크에 의해 제공된 주파수 우선순위에 기반한다. 단말은 가장 높은 주파수 우선순위를 가진 주파수에 머무를(camp on: 이하 캠프 온이라 표현할 수 있다) 수 있도록 시도한다. 네트워크는 브로드캐스트 시그널링(broadcast signaling)를 통해서 셀 내 단말들이 공통적으로 적용할 또는 주파수 우선순위를 제공하거나, 단말별 시그널링(dedicated signaling)을 통해 단말 별로 각각 주파수 별 우선순위를 제공할 수 있다. 브로드캐스트 시그널링을 통해 제공되는 셀 재선택 우선순위를 공용 우선순위(common priority)라고 할 수 있고, 단말별로 네트워크가 설정하는 셀 재선택 우선 순위를 전용 우선순위(dedicated priority)라고 할 수 있다. 단말은 전용 우선순위를 수신하면, 전용 우선순위와 관련된 유효 시간(validity time)를 함께 수신할 수 있다. 단말은 전용 우선순위를 수신하면 함께 수신한 유효 시간으로 설정된 유효성 타이머(validity timer)를 개시한다. 단말은 유효성 타이머가 동작하는 동안 RRC 아이들 모드에서 전용 우선순위를 적용한다. 유효성 타이머가 만료되면 단말은 전용 우선순위를 폐기하고, 다시 공용 우선순위를 적용한다.인터-주파수 셀 재선택을 위해 네트워크는 단말에게 셀 재선택에 사용되는 파라미터(예를 들어 주파수별 오프셋(frequency-specific offset))를 주파수별로 제공할 수 있다. 인트라-주파수 셀 재선택 또는 인터-주파수 셀 재선택을 위해 네트워크는 단말에게 셀 재선택에 사용되는 이웃 셀 리스트(Neighboring Cell List, NCL)를 단말에게 제공할 수 있다. 이 NCL은 셀 재선택에 사용되는 셀 별 파라미터(예를 들어 셀 별 오프셋(cell-specific offset))를 포함한다 인트라-주파수 또는 인터-주파수 셀 재선택을 위해 네트워크는 단말에게 셀 재선택에 사용되는 셀 재선택 금지 리스트(black list)를 단말에게 제공할 수 있다. 금지 리스트에 포함된 셀에 대해 단말은 셀 재선택을 수행하지 않는다. 이어서, 셀 재선택 평가 과정에서 수행하는 랭킹에 관해 설명한다. 셀의 우선순위를 주는데 사용되는 랭킹 지표(ranking criterion)은 식 2와 같이 정의된다.[식 2]Rs = Qmeas,s + Qhyst, Rn = Qmeas,n - Qoffset여기서, Rs는 단말이 현재 캠프 온하고 있고 서빙 셀의 랭킹 지표, Rn은 이웃 셀의 랭킹 지표, Qmeas,s는 단말이 서빙 셀에 대해 측정한 품질값, Qmeas,n는 단말이 이웃 셀에 대해 측정한 품질값, Qhyst는 랭킹을 위한 히스테리시스(hysteresis) 값, Qoffset은 두 셀간의 오프셋이다. 인트라-주파수에서, 단말이 서빙 셀과 이웃 셀 간의 오프셋(Qoffsets,n)을 수신한 경우 Qoffset=Qoffsets,n 이고, 단말이 Qoffsets,n 을 수신하지 않은 경우에는 Qoffset = 0 이다. 인터-주파수에서, 단말이 해당 셀에 대한 오프셋(Qoffsets,n)을 수신한 경우 Qoffset = Qoffsets,n + Qfrequency 이고, 단말이 Qoffsets,n 을 수신하지 않은 경우 Qoffset = Qfrequency 이다.서빙 셀의 랭킹 지표(Rs)과 이웃 셀의 랭킹 지표(Rn)이 서로 비슷한 상태에서 변동하면, 변동 결과 랭킹 순위가 자꾸 뒤바뀌어 단말이 두 셀을 번갈아가면서 재선택을 할 수 있다. Qhyst는 셀 재선택에서 히스테리시스를 주어, 단말이 두 셀을 번갈아가면서 재선택하는 것을 막기 위한 파라미터이다.단말은 위 식에 따라 서빙 셀의 Rs 및 이웃 셀의 Rn을 측정하고, 랭킹 지표 값이 가장 큰 값을 가진 셀을 최고 순위(highest ranked) 셀로 간주하고, 이 셀을 재선택한다.상기 기준에 의하면, 셀의 품질이 셀 재선택에서 가장 주요한 기준으로 작용하는 것을 확인할 수 있다. 만약 재선택한 셀이 정규 셀(suitable cell)이 아니면 단말은 해당 주파수 또는 해당 셀을 셀 재선택 대상에서 제외한다. 이제 무선 링크 실패에 대하여 설명한다.단말은 서비스를 수신하는 서빙셀과의 무선 링크의 품질 유지를 위해 지속적으로 측정을 수행한다. 단말은 서빙셀과의 무선 링크의 품질 악화(deterioration)로 인하여 현재 상황에서 통신이 불가능한지 여부를 결정한다. 만약, 서빙셀의 품질이 너무 낮아서 통신이 거의 불가능한 경우, 단말은 현재 상황을 무선 연결 실패로 결정한다.만약 무선 링크 실패가 결정되면, 단말은 현재의 서빙셀과의 통신 유지를 포기하고, 셀 선택(또는 셀 재선택) 절차를 통해 새로운 셀을 선택하고, 새로운 셀로의 RRC 연결 재확립(RRC connection re-establishment)을 시도한다.3GPP LTE의 스펙에서는 정상적인 통신을 할 수 없는 경우로 아래와 같은 예시를 들고 있다.- 단말의 물리 계층의 무선 품질 측정 결과를 기반으로 단말이 하향 통신 링크 품질에 심각한 문제가 있다고 판단한 경우(RLM 수행 중 PCell의 품질이 낮다고 판단한 경우)- MAC 부계층에서 랜덤 액세스(random access) 절차가 계속적으로 실패하여 상향링크 전송에 문제가 있다고 판단한 경우.- RLC 부계층에서 상향 데이터 전송이 계속적으로 실패하여 상향 링크 전송에 문제가 있다고 판단한 경우.- 핸드오버를 실패한 것으로 판단한 경우.- 단말이 수신한 메시지가 무결성 검사(integrity check)를 통과하지 못한 경우.이하에서는 RRC 연결 재확립(RRC connection re-establishment) 절차에 대하여 보다 상세히 설명한다.도 7은 RRC 연결 재확립 절차를 나타내는 도면이다.도 7을 참조하면, 단말은 SRB 0(Signaling Radio Bearer #0)을 제외한 설정되어 있던 모든 무선 베어러(radio bearer) 사용을 중단하고, AS(Access Stratum)의 각종 부계층을 초기화 시킨다(S710). 또한, 각 부계층 및 물리 계층을 기본 구성(default configuration)으로 설정한다. 이와 같은 과정중에 단말은 RRC 연결 상태를 유지한다.단말은 RRC 연결 재설정 절차를 수행하기 위한 셀 선택 절차를 수행한다(S720). RRC 연결 재확립 절차 중 셀 선택 절차는 단말이 RRC 연결 상태를 유지하고 있음에도 불구하고, 단말이 RRC 아이들 상태에서 수행하는 셀 선택 절차와 동일하게 수행될 수 있다.단말은 셀 선택 절차를 수행한 후 해당 셀의 시스템 정보를 확인하여 해당 셀이 적합한 셀인지 여부를 판단한다(S730). 만약 선택된 셀이 적절한 E-UTRAN 셀이라고 판단된 경우, 단말은 해당 셀로 RRC 연결 재확립 요청 메시지(RRC connection reestablishment request message)를 전송한다(S740).한편, RRC 연결 재확립 절차를 수행하기 위한 셀 선택 절차를 통하여 선택된 셀이 E-UTRAN 이외의 다른 RAT을 사용하는 셀이라고 판단된 경우, RRC 연결 재확립 절차를 중단되고, 단말은 RRC 아이들 상태로 진입한다(S750).단말은 셀 선택 절차 및 선택한 셀의 시스템 정보 수신을 통하여 셀의 적절성 확인은 제한된 시간 내에 마치도록 구현될 수 있다. 이를 위해 단말은 RRC 연결 재확립 절차를 개시함에 따라 타이머를 구동시킬 수 있다. 타이머는 단말이 적합한 셀을 선택하였다고 판단된 경우 중단될 수 있다. 타이머가 만료된 경우 단말은 RRC 연결 재확립 절차가 실패하였음을 간주하고 RRC 아이들 상태로 진입할 수 있다. 이 타이머를 이하에서 무선 링크 실패 타이머라고 언급하도록 한다. LTE 스펙 TS 36.331에서는 T311이라는 이름의 타이머가 무선 링크 실패 타이머로 활용될 수 있다. 단말은 이 타이머의 설정 값을 서빙 셀의 시스템 정보로부터 획득할 수 있다.단말로부터 RRC 연결 재확립 요청 메시지를 수신하고 요청을 수락한 경우, 셀은 단말에게 RRC 연결 재확립 메시지(RRC connection reestablishment message)를 전송한다.셀로부터 RRC 연결 재확립 메시지를 수신한 단말은 SRB1에 대한 PDCP 부계층과 RLC 부계층을 재구성한다. 또한 보안 설정과 관련된 각종 키 값들을 다시 계산하고, 보안을 담당하는 PDCP 부계층을 새로 계산한 보안키 값들로 재구성한다. 이를 통해 단말과 셀간 SRB 1이 개방되고 RRC 제어 메시지를 주고 받을 수 있게 된다. 단말은 SRB1의 재개를 완료하고, 셀로 RRC 연결 재확립 절차가 완료되었다는 RRC 연결 재확립 완료 메시지(RRC connection reestablishment complete message)를 전송한다(S760).반면, 단말로부터 RRC 연결 재확립 요청 메시지를 수신하고 요청을 수락하지 않은 경우, 셀은 단말에게 RRC 연결 재확립 거절 메시지(RRC connection reestablishment reject message)를 전송한다.RRC 연결 재확립 절차가 성공적으로 수행되면, 셀과 단말은 RRC 연결 재설정 절차를 수행한다. 이를 통하여 단말은 RRC 연결 재확립 절차를 수행하기 전의 상태를 회복하고, 서비스의 연속성을 최대한 보장한다.도 8은 단말이 RRC_IDLE 상태에서 가질 수 있는 서브 상태(substate)들과 서브상태 천이 과정을 예시한다. 도 8을 참조하면, 단말은 최초 셀 선택 과정을 수행한다(S801). 최초 셀 선택 과정은 PLMN에 대하여 저장한 셀 정보가 없거나 정규 셀(suitable cell)을 찾지 못한 경우에 수행될 수 있다.최초 셀 선택 과정에서 정규 셀을 찾을 수 없으면 임의 셀 선택 상태(S802)로 천이한다. 임의 셀 선택 상태는 정규 셀에도 수용가능 셀에도 캠프 온(camp on)하지 못한 상태이며, 단말이 캠프할 수 있는 임의의 PLMN의 수용가능 셀(acceptable cell)을 찾기 위해 시도하는 상태이다. 단말이 캠프할 수 있는 어떤 셀도 찾지 못한 경우, 단말은 수용가능 셀을 찾을 때까지 계속 임의 셀 선택 상태에 머문다.최초 셀 선택 과정에서 정규 셀을 찾으면 정규 캠프 상태(S803)로 천이한다. 정규 캠프 상태는 정규 셀에 캠프 온(camp on)한 상태를 말하며, 시스템 정보를 통해 주어진 정보에 따라 페이징 채널(paging channel)을 선택하고 모니터링할 수 있고, 셀 재선택을 위한 평가 과정을 수행할 수 있다.정규 캠프 상태(S803)에서 셀 재선택 평가 과정(S804)이 유발되면 셀 재선택 평가 과정(S804)를 수행한다. 셀 재선택 평가 과정(S804)에서 정규 셀(suitable cell)이 발견되면 다시 정규 캠프 상태(S803)으로 천이한다. 임의 셀 선택 상태(S802)에서, 수용가능 셀이 발견되면 임의 셀 캠프 상태(S805)로 천이한다. 임의 셀 캠프 상태는 수용가능 셀에 캠프 온(camp on)한 상태이다. 임의 셀 캠프 상태(S805)에서 단말은 시스템 정보를 통해 주어진 정보에 따라 페이징 채널(paging channel)을 선택하고 모니터링할 수 있고, 셀 재선택을 위한 평가 과정(S806)을 수행할 수 있다. 상기 셀 재선택을 위한 평가 과정(S806)에서 수용가능 셀(acceptable cell)이 발견되지 않으면 임의 셀 선택 상태(S802)로 천이한다. 이제 D2D 동작에 대해 설명한다. 3GPP LTE-A에서는 D2D 동작과 관련한 서비스를 근접성 기반 서비스(Proximity based Services: ProSe)라 칭한다. 이하 ProSe는 D2D 동작과 동등한 개념이며 ProSe는 D2D 동작과 혼용될 수 있다. 이제, ProSe에 대해 기술한다.ProSe에는 ProSe 직접 통신(communication)과 ProSe 직접 발견(direct discovery)이 있다. ProSe 직접 통신은 근접한 2 이상의 단말들 간에서 수행되는 통신을 말한다. 상기 단말들은 사용자 평면의 프로토콜을 이용하여 통신을 수행할 수 있다. ProSe 가능 단말(ProSe-enabled UE)은 ProSe의 요구 조건과 관련된 절차를 지원하는 단말을 의미한다. 특별한 다른 언급이 없으면 ProSe 가능 단말은 공용 안전 단말(public safety UE)와 비-공용 안전 단말(non-public safety UE)를 모두 포함한다. 공용 안전 단말은 공용 안전에 특화된 기능과 ProSe 과정을 모두 지원하는 단말이고, 비-공용 안전 단말은 ProSe 과정은 지원하나 공용 안전에 특화된 기능은 지원하지 않는 단말이다. ProSe 직접 발견(ProSe direct discovery)은 ProSe 가능 단말이 인접한 다른 ProSe 가능 단말을 발견하기 위한 과정이며, 이 때 상기 2개의 ProSe 가능 단말들의 능력만을 사용한다. EPC 차원의 ProSe 발견(EPC-level ProSe discovery)은 EPC가 2개의 ProSe 가능 단말들의 근접 여부를 판단하고, 상기 2개의 ProSe 가능 단말들에게 그들의 근접을 알려주는 과정을 의미한다. 이하, 편의상 ProSe 직접 통신은 D2D 통신, ProSe 직접 발견은 D2D 발견이라 칭할 수 있다. 도 9는 ProSe를 위한 기준 구조를 나타낸다. 도 9를 참조하면, ProSe를 위한 기준 구조는 E-UTRAN, EPC, ProSe 응용 프로그램을 포함하는 복수의 단말들, ProSe 응용 서버(ProSe APP server), 및 ProSe 기능(ProSe function)을 포함한다. EPC는 E-UTRAN 코어 네트워크 구조를 대표한다. EPC는 MME, S-GW, P-GW, 정책 및 과금 규칙(policy and charging rules function:PCRF), 가정 가입자 서버(home subscriber server:HSS)등을 포함할 수 있다. ProSe 응용 서버는 응용 기능을 만들기 위한 ProSe 능력의 사용자이다. ProSe 응용 서버는 단말 내의 응용 프로그램과 통신할 수 있다. 단말 내의 응용 프로그램은 응요 기능을 만들기 위한 ProSe 능력을 사용할 수 있다. ProSe 기능은 다음 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. - 제3자 응용 프로그램을 향한 기준점을 통한 인터워킹(Interworking via a reference point towards the 3rd party applications)- 발견 및 직접 통신을 위한 인증 및 단말에 대한 설정(Authorization and configuration of the UE for discovery and direct communication) - EPC 차원의 ProSe 발견의 기능(Enable the functionality of the EPC level ProSe discovery)- ProSe 관련된 새로운 가입자 데이터 및 데이터 저장 조정, ProSe ID의 조정(ProSe related new subscriber data and handling of data storage, and also handling of ProSe identities)- 보안 관련 기능(Security related functionality)- 정책 관련 기능을 위하여 EPC를 향한 제어 제공(Provide control towards the EPC for policy related functionality)- 과금을 위한 기능 제공(Provide functionality for charging (via or outside of EPC, e.g., offline charging))이하에서는 ProSe를 위한 기준 구조에서 기준점과 기준 인터페이스를 설명한다. - PC1: 단말 내의 ProSe 응용 프로그램과 ProSe 응용 서버 내의 ProSe 응용 프로그램 간의 기준 점이다. 이는 응용 차원에서 시그널링 요구 조건을 정의하기 위하여 사용된다. - PC2: ProSe 응용 서버와 ProSe 기능 간의 기준점이다. 이는 ProSe 응용 서버와 ProSe 기능 간의 상호 작용을 정의하기 위하여 사용된다. ProSe 기능의 ProSe 데이터베이스의 응용 데이터 업데이트가 상기 상호 작용의 일 예가 될 수 있다. - PC3: 단말과 ProSe 기능 간의 기준점이다. 단말과 ProSe 기능 간의 상호 작용을 정의하기 위하여 사용된다. ProSe 발견 및 통신을 위한 설정이 상기 상호 작용의 일 예가 될 수 있다. - PC4: EPC와 ProSe 기능 간의 기준점이다. EPC와 ProSe 기능 간의 상호 작용을 정의하기 위하여 사용된다. 상기 상호 작용은 단말들 간에 1:1 통신을 위한 경로를 설정하는 때, 또는 실시간 세션 관리나 이동성 관리를 위한 ProSe 서비스 인증하는 때를 예시할 수 있다. - PC5: 단말들 간에 발견 및 통신, 중계, 1:1 통신을 위해서 제어/사용자 평면을 사용하기 위한 기준점이다. - PC6: 서로 다른 PLMN에 속한 사용자들 간에 ProSe 발견과 같은 기능을 사용하기 위한 기준점이다. - SGi: 응용 데이터 및 응용 차원 제어 정보 교환을 위해 사용될 수 있다.003c#ProSe 직접 통신(D2D 통신): ProSe Direct Communication003e#.ProSe 직접 통신은 2개의 공용 안전 단말들이 PC 5 인터페이스를 통해 직접 통신을 할 수 있는 통신 모드이다. 이 통신 모드는 단말이 E-UTRAN의 커버리지 내에서 서비스를 받는 경우나 E-UTRAN의 커버리지를 벗어난 경우 모두에서 지원될 수 있다.도 10은 ProSe 직접 통신을 수행하는 단말들과 셀 커버리지의 배치 예들을 나타낸다. 도 10 (a)를 참조하면, 단말 A, B는 셀 커버리지 바깥에 위치할 수 있다. 도 10 (b)를 참조하면, 단말 A는 셀 커버리지 내에 위치하고, 단말 B는 셀 커버리지 바깥에 위치할 수 있다. 도 10 (c)를 참조하면, 단말 A, B는 모두 단일 셀 커버리지 내에 위치할 수 있다. 도 10 (d)를 참조하면, 단말 A는 제1 셀의 커버리지 내에 위치하고, 단말 B는 제2 셀의 커버리지 내에 위치할 수 있다.ProSe 직접 통신은 도 10과 같이 다양한 위치에 있는 단말들 간에 수행될 수 있다. 한편, ProSe 직접 통신에는 다음 ID들이 사용될 수 있다. 소스 레이어-2 ID : 이 ID는 PC 5 인터페이스에서 패킷의 전송자를 식별시킨다. 목적 레이어-2 ID : 이 ID는 PC 5 인터페이스에서 패킷의 타겟을 식별시킨다.SA L1 ID : 이 ID는 PC 5 인터페이스에서 스케줄링 할당(scheduling assignment: SA)에서의 ID이다. 도 11은 ProSe 직접 통신을 위한 사용자 평면 프로토콜 스택을 나타낸다. 도 11을 참조하면, PC 5 인터페이스는 PDCH, RLC, MAC 및 PHY 계층으로 구성된다. ProSe 직접 통신에서는 HARQ 피드백이 없을 수 있다. MAC 헤더는 소스 레이어-2 ID 및 목적 레이어-2 ID를 포함할 수 있다.003c#ProSe 직접 통신을 위한 무선 자원 할당003e#.ProSe 가능 단말은 ProSe 직접 통신을 위한 자원 할당에 대해 다음 2가지 모드들을 이용할 수 있다. 1. 모드 1모드 1은 ProSe 직접 통신을 위한 자원을 기지국으로부터 스케줄링 받는 모드이다. 모드 1에 의하여 단말이 데이터를 전송하기 위해서는 RRC_CONNECTED 상태이여야 한다. 단말은 전송 자원을 기지국에게 요청하고, 기지국은 스케줄링 할당 및 데이터 전송을 위한 자원을 스케줄링한다. 단말은 기지국에게 스케줄링 요청을 전송하고, ProSe BSR(Buffer Status Report)를 전송할 수 있다. 기지국은 ProSe BSR에 기반하여, 상기 단말이 ProSe 직접 통신을 할 데이터를 가지고 있으며 이 전송을 위한 자원이 필요하다고 판단한다. 2. 모드 2 모드 2는 단말이 직접 자원을 선택하는 모드이다. 단말은 자원 풀(resource pool)에서 직접 ProSe 직접 통신을 위한 자원을 선택한다. 자원 풀은 네트워크에 의하여 설정되거나 미리 정해질 수 있다.한편, 단말이 서빙 셀을 가지고 있는 경우 즉, 단말이 기지국과 RRC_CONNECTED 상태에 있거나 RRC_IDLE 상태로 특정 셀에 위치한 경우에는 상기 단말은 기지국의 커버리지 내에 있다고 간주된다. 단말이 커버리지 밖에 있다면 상기 모드 2만 적용될 수 있다. 만약, 단말이 커버리지 내에 있다면, 기지국의 설정에 따라 모드 1 또는 모드 2를 사용할 수 있다. 다른 예외적인 조건이 없다면 기지국이 설정한 때에만, 단말은 모드 1에서 모드 2로 또는 모드 2에서 모드 1로 모드를 변경할 수 있다. 003c#ProSe 직접 발견(D2D 발견):ProSe direct discovery003e#ProSe 직접 발견은 ProSe 가능 단말이 근접한 다른 ProSe 가능 단말을 발견하는데 사용되는 절차를 말하며 D2D 직접 발견 또는 D2D 발견이라 칭하기도 한다. 이 때, PC 5 인터페이스를 통한 E-UTRA 무선 신호가 사용될 수 있다. ProSe 직접 발견에 사용되는 정보를 이하 발견 정보(discovery information)라 칭한다.도 12는 D2D 발견을 위한 PC 5 인터페이스를 나타낸다. 도 12를 참조하면, PC 5인터페이스는 MAC 계층, PHY 계층과 상위 계층인 ProSe Protocol 계층으로 구성된다. 상위 계층(ProSe Protocol)에서 발견 정보(discovery information)의 알림(anouncement: 이하 어나운스먼트) 및 모니터링(monitoring)에 대한 허가를 다루며, 발견 정보의 내용은 AS(access stratum)에 대하여 투명(transparent)하다. ProSe Protocol은 어나운스먼트를 위하여 유효한 발견 정보만 AS에 전달되도록 한다. MAC 계층은 상위 계층(ProSe Protocol)로부터 발견 정보를 수신한다. IP 계층은 발견 정보 전송을 위하여 사용되지 않는다. MAC 계층은 상위 계층으로부터 받은 발견 정보를 어나운스하기 위하여 사용되는 자원을 결정한다. MAC 계층은 발견 정보를 나르는 MAC PDU(protocol data unit)를 만들어 물리 계층으로 보낸다. MAC 헤더는 추가되지 않는다.발견 정보 어나운스먼트를 위하여 2가지 타입의 자원 할당이 있다. 1. 타입 1 발견 정보의 어나운스먼트를 위한 자원들이 단말 특정적이지 않게 할당되는 방법으로, 기지국이 단말들에게 발견 정보 어나운스먼트를 위한 자원 풀 설정을 제공한다. 이 설정은 시스템 정보 블록(system information block: SIB)에 포함되어 브로드캐스트 방식으로 시그널링될 수 있다. 또는 상기 설정은 단말 특정적 RRC 메시지에 포함되어 제공될 수 있다. 또는 상기 설정은 RRC 메시지 외 다른 계층의 브로드캐스트 시그널링 또는 단말 특정정 시그널링이 될 수도 있다.단말은 지시된 자원 풀로부터 스스로 자원을 선택하고 선택한 자원을 이용하여 발견 정보를 어나운스한다. 단말은 각 발견 주기(discovery period) 동안 임의로 선택한 자원을 통해 발견 정보를 어나운스할 수 있다.2. 타입 2 발견 정보의 어나운스먼트를 위한 자원들이 단말 특정적으로 할당되는 방법이다. RRC_CONNECTED 상태에 있는 단말은 RRC 신호를 통해 기지국에게 발견 신호 어나운스먼트를 위한 자원을 요청할 수 있다. 기지국은 RRC 신호로 발견 신호 어나운스먼트를 위한 자원을 할당할 수 있다. 단말들에게 설정된 자원 풀 내에서 발견 신호 모니터링을 위한 자원이 할당될 수 있다.RRC_IDLE 상태에 있는 단말에 대하여, 기지국은 1) 발견 신호 어나운스먼트를 위한 타입 1 자원 풀을 SIB로 알려줄 수 있다. ProSe 직접 발견이 허용된 단말들은 RRC_IDLE 상태에서 발견 정보 어나운스먼트를 위하여 타입 1 자원 풀을 이용한다. 또는 기지국은 2) SIB를 통해 상기 기지국이 ProSe 직접 발견은 지원함을 알리지만 발견 정보 어나운스먼트를 위한 자원은 제공하지 않을 수 있다. 이 경우, 단말은 발견 정보 어나운스먼트를 위해서는 RRC_CONNECTED 상태로 들어가야 한다. RRC_CONNECTED 상태에 있는 단말에 대하여, 기지국은 RRC 신호를 통해 상기 단말이 발견 정보 어나운스먼트를 위하여 타입 1 자원 풀을 사용할 것인지 아니면 타입 2 자원을 사용할 것인지를 설정할 수 있다.도 13은 ProSe 직접 발견 과정의 일 실시예이다. 도 13을 참조하면, 단말 A와 단말 B는 ProSe가 가능한 응용 프로그램(ProSe-enabled application)이 운용 되고 있으며, 상기 응용 프로그램에서 서로 간에 ‘친구’인 관계 즉, 서로 간에 D2D 통신을 허용할 수 있는 관계로 설정되어 있다고 가정하자. 이하에서 단말 B는 단말 A의 ‘친구’라고 표현할 수 있다. 상기 응용 프로그램은 예컨대, 소셜 네트워킹 프로그램일 수 있다. ‘3GPP Layers’는 3GPP에 의하여 규정된, ProSe 발견 서비스를 이용하기 위한 응용 프로그램의 기능들에 대응된다. 단말 A, B 간의 ProSe 직접 발견은 다음 과정을 거칠 수 있다. 1. 먼저, 단말 A는 응용 서버와 정규 응용 레이어 통신(regular application-Layer communication)을 수행한다. 이 통신은 응용 프로그램 인터페이스(Application programming interface : API)에 기반한다. 2. 단말 A의 ProSe 가능 응용 프로그램은 ‘친구’인 관계에 있는 응용 레이어 ID의 리스트를 수신한다. 상기 응용 레이어 ID는 보통 네트워크 접속 ID 형태일 수 있다. 예컨대, 단말 A의 응용 레이어 ID는 “[email protected]”과 같은 형태일 수 있다.3. 단말 A는 단말 A의 사용자를 위한 개인 표현 코드(private expressions codes), 상기 사용자의 친구를 위한 개인 표현 코드를 요청한다. 4. 3GPP layers는 ProSe 서버에게 표현 코드 요청을 전송한다. 5. ProSe 서버는 운영자 또는 제3자 응용 서버로부터 제공되는 응용 레이어 ID들을 개인 표현 코드들에 맵핑한다. 예를 들어, “[email protected]”과 같은 응용 레이어 ID는 “GTER543$#2FSJ67DFSF”와 같은 개인 표현 코드에 맵핑될 수 있다.이 맵핑은 네트워크의 응용 서버로부터 받은 파라미터들(예컨대, 맵핑 알고리듬, 키 값 등)에 기반하여 수행될 수 있다.6. ProSe 서버는 도출된 표현 코드들을 3GPP layers에게 응답한다. 3GPP layers는 요청된 응용 레이어 ID에 대한 표현 코드들이 성공적으로 수신되었음을 ProSe 가능 응용 프로그램에게 알린다. 그리고, 응용 레이어 ID와 표현 코드들 간의 맵핑 테이블을 생성한다.7. ProSe 가능 응용 프로그램은 3GPP layers에게 발견 절차를 시작하도록 요청한다. 즉, 제공된 ‘친구’들 중 하나가 단말 A의 근처에 있고 직접 통신이 가능할 때 발견을 시도하도록 한다. 3GPP layers는 단말 A의 개인 표현 코드(즉, 상기 예에서 “[email protected]”의 개인 표현 코드인 “GTER543$#2FSJ67DFSF”)를 알린다(announce). 이를 이하에서 ‘어나운스’라 칭한다. 해당 응용 프로그램의 응용 레이어 ID와 개인 표현 코드 간의 맵핑은, 이러한 맵핑관계를 미리 수신한 ‘친구’들만 알 수 있고 그 맵핑을 수행할 수 있다. 8. 단말 B는 단말 A와 동일한 ProSe 가능 응용 프로그램을 운용 중이고, 전술한 3 내지 6 단계를 실행했다고 가정하자. 단말 B에 있는 3GPP layers는 ProSe 발견을 실행할 수 있다.9. 단말 B가 단말 A로부터 전술한 어나운스를 수신하면, 단말 B는 상기 어나운스에 포함된 개인 표현 코드가 자신이 알고 있는 것인지 및 응용 레이어 ID와 맵핑되는지 여부를 판단한다. 8 단계에서 설명하였듯이, 단말 B 역시 3 내지 6 단계를 실행하였으므로, 단말 A에 대한 개인 표현 코드, 개인 표현 코드와 응용 레이어 ID와의 맵핑, 해당 응용 프로그램이 무엇인지를 알고 있다. 따라서, 단말 B는 단말 A의 어나운스로부터 단말 A를 발견할 수 있다. 단말 B 내에서 3GPP layers는 ProSe 가능 응용 프로그램에게 “[email protected]”를 발견하였음을 알린다.도 13에서는 단말 A, B와 ProSe 서버, 응용 서버 등을 모두 고려하여 발견 절차를 설명하였다. 단말 A, B 간의 동작 측면에 국한하여 보면, 단말 A는 어나운스라고 불리는 신호를 전송(이 과정을 어나운스먼트라 칭할 수 있음)하고, 단말 B는 상기 어나운스를 수신하여 단말 A를 발견한다. 즉, 각 단말에서 행해지는 동작들 중 다른 단말과 직접적으로 관련된 동작은 한 가지 단계뿐이라는 측면에서, 도 13의 발견 과정은 단일 단계 발견 절차라 칭할 수도 있다. 도 14는 ProSe 직접 발견 과정의 다른 실시예이다.도 14에서, 단말 1 내지 4는 특정 GCSE(group communication system enablers) 그룹에 포함된 단말들이라고 하자. 단말 1은 발견자(discoverer)이고, 단말 2, 3, 4는 발견되는 자(discoveree)라고 가정하자. 단말 5는 발견 과정과 무관한 단말이다.단말 1 및 단말 2-4는 발견 과정에서 다음 동작을 수행할 수 있다. 먼저, 단말 1은 상기 GCSE 그룹에 포함된 임의의 단말이 주위에 있는지 발견하기 위하여 타겟 발견 요청 메시지(targeted discovery request message, 이하 발견 요청 메시지 또는 M1으로 약칭할 수 있다)를 브로드캐스트한다. 타겟 발견 요청 메시지에는 상기 특정 GCSE 그룹의 고유한 응용 프로그램 그룹 ID 또는 레이어-2 그룹 ID를 포함할 수 있다. 또한, 타겟 발견 요청 메시지에는 단말 1의 고유한 ID 즉, 응용 프로그램 개인 ID를 포함할 수 있다. 타겟 발견 요청 메시지는 단말 2, 3, 4 및 5에 의하여 수신될 수 있다. 단말 5는 아무런 응답 메시지를 전송하지 않는다. 반면, 상기 GCSE 그룹에 포함된 단말 2, 3, 4는 상기 타겟 발견 요청 메시지에 대한 응답으로 타겟 발견 응답 메시지(Targeted discovery response message, 이하 발견 응답 메시지 또는 M2로 약칭할 수 있다)를 전송한다. 타겟 발견 응답 메시지에는 이 메시지를 전송하는 단말의 고유한 응용 프로그램 개인 ID가 포함될 수 있다. 도 14에서 설명한 ProSe 발견 과정에서 단말들 간의 동작을 살펴보면, 발견자(단말 1)는 타겟 발견 요청 메시지를 전송하고, 이에 대한 응답인 타겟 발견 응답 메시지를 수신한다. 또한, 발견되는 자(예를 들어, 단말 2)도 타겟 발견 요청 메시지를 수신하면 이에 대한 응답으로 타겟 발견 응답 메시지를 전송한다. 따라서, 각 단말은 2 단계의 동작을 수행한다. 이러한 측면에서 도 14의 ProSe 발견 과정은 2단계 발견 절차라 칭할 수 있다. 상기 도 14에서 설명한 발견 절차에 더하여, 만약 단말 1(발견자)이 타겟 발견 응답 메시지에 대한 응답으로 발견 확인 메시지(discovery confirm message, 이하 M3로 약칭할 수 있다)를 전송한다면 이는 3단계 발견 절차라 칭할 수 있다.한편, 단말은 중계 기능(relay functionality)을 제공할 수 있거나 이미 제공하고 있는 인접한 네트워크 노드(이를 중계 노드라 하자)를 발견할 수 있다. 이 때, 네트워크는 상기 단말에 인접한 상기 중계 노드의 존재를 모를 수 있다. 이 경우, 네트워크는 비효율적인 중계 노드 선택을 수행할 수 있다. 예를 들어, 네트워크는 이미 상기 단말 주위에 중계 기능을 제공하는 중계 노드가 존재함에도 불구하고, 상기 단말에게 중계 기능을 활성화하라고 불필요하게 명령할 수 있다. 또한, 상기 단말에 인접한 다른 단말들이 만약 상기 중계 노드의 존재를 식별할 수 있다면, 상기 다른 단말들에게도 효율적 통신에 도움이 된다. 예를 들어, 단말 2가 단말 1을 중계 노드로 사용할 경우에 대한 통신 지연(communication delay)를 추정한다고 가정해보자. 단말 1에 인접한 네트워크 노드가 중계 기능을 상기 단말 1에게 제공하고 있음을 단말 2가 알 수 있다면, 단말 2는 단말 1이 최소 2 홉 중계기라는 사실을 알 수 있으므로 통신 지연을 보다 정확하게 추정할 수 있다. 이하의 설명에서, 상향링크(uplink)는 단말로부터 기지국(네트워크)으로의 통신을 의미한다. 네트워크 노드는 단말 또는 기지국 또는 둘 다를 나타낼 수 있다. 설정은 네트워크에 의하여 결정되거나 단말에게 미리 정해진 규칙을 의미할 수 있다.본 발명에서, 네트워크 노드는 다른 네트워크 노드를 위하여 중계기 기능을 제공할 수 있다. 이 때 상기 네트워크 노드는 자신이 중계 기능을 제공한다는 것을 시그널링할 수 있다. 또한, 상기 네트워크 노드는 중계 기능을 위해서만 허용된 특정 자원을 사용한다는 것을 시그널링할 수 있다. 전술한 바와 같이 네트워크 노드는 단말일 수 있다. 이러한 중계 기능을 제공하는 단말은, 어떤 네트워크 노드들 사이에게 중계 기능을 제공하는가에 따라 UE-NW 중계기, UE-UE 중계기로 구분할 수 있다. 도 15는 UE-NW 중계기를 나타낸다. 도 15를 참조하면, 단말 2(153)가 UE-NW 중계기 역할을 한다. 즉, 단말 2(153)은, 네트워크의 커버리지(154) 바깥에 위치하고 있는 단말 1(152)과 상기 네트워크(151) 간에서 중계를 하고 있는 네트워크 노드인데, 이 경우 단말 2(153)을 UE-NE 중계기라 할 수 있다. 도 15에서, 단말 1(152)은 네트워크 커버리지 바깥에 위치하고 있으므로, 단말 2(153)가 중계 기능을 제공하지 않으면 네트워크(151)과 통신을 수행할 수 없다.도 16은 UE-UE 중계기를 나타낸다. 도 16을 참조하면, 단말 2(163)가 UE-UE 중계기 역할을 한다. 즉, 단말 2(163)은 특정 단말(162)의 커버리지 바깥에 위치하고 있는 다른 단말(161)과 상기 특정 단말(162) 간에서 중계를 하고 있는 네트워크 노드인데, 이 경우 단말 2(163)을 UE-UE 중계기라 할 수 있다. 도 16에서 단말 1, 3(162, 161)은 서로 간에 커버리지 바깥에 위치하고 있으므로, 단말 2(163)이 중계 기능을 제공하지 않으면 상호 간에 통신을 수행할 수 없다.이제 본 발명에 대해 설명한다. 도 17은 네트워크 커버리지와 단말들의 위치를 예시한다. 도 17을 참조하면, 단말 1, 2, 3은 원래 네트워크 커버리지 내에 있었다가, 이동하였다고 가정하자. 이동 결과 현재 단말 1, 3은 네트워크 커버리지 바깥에 위치하고, 단말 2는 네트워크 커버리지 내에 위치하고 있다고 가정하자. 이 때, 단말 1(또는 단말 3)의 전송 범위가 네트워크 커버리지와 일부 겹치게 될 수 있다. 이런 겹치는 부분에서는 간섭이 발생할 수 있으므로 이 겹치는 지역을 간섭 지역(interference region)이라 칭하기도 한다. 단말 1, 3은 네트워크 커버리지를 벗어났음을 검출하게 되면, 네트워크 커버리지 내에서 적용되는 설정(예를 들어, D2D 동작을 위한 D2D 설정)을 스스로 폐지(revoke)하고, 네트워크 커버리지 바깥에서 적용되는 설정을 적용(invoke)할 수 있다. 네트워크 커버리지 바깥에서 적용되는 설정은 단말 1, 3에게 미리 알려지거나 저장되어 있을 수 있으며, D2D 동작을 위한 설정일 수 있다.즉, 단말이 네트워크 커버리지를 벗어나게 되면, 상기 단말은 상기 네트워크가 제공하는 D2D 설정을 다른 D2D 설정으로 대체할 수 있다. 이 때, 상기 다른 D2D 설정은 상기 단말에게 미리 제공된 설정일 수 있다. 이하, 설명의 편의상, 제1 D2D 설정은 네트워크에 의하여 제어되는 설정으로 D2D 동작을 위한 것이고, 제2 D2D 설정은 단말에게 미리 알려지거나 저장된 설정으로 D2D 동작을 위한 것이라 하자. 제2 D2D 설정은 단말의 SIM(subscriber identification module)이나 메모리에 미리 제공/저장된 설정이거나, 네트워크 별로 미리 고정되어 알려진 설정일 수 있다.다음은 제1 D2D 설정의 일 예를 나타낸다. -- ASN1STARTSystemInformationBlockType18-r12 ::= SEQUENCE commConfig-r12 SEQUENCE commRxPool-r12 ProseCommPoolList16-r12, commTxPoolNormalCommon-r12 ProseCommPoolList4-r12 OPTIONAL,-- Need OR commTxPoolExceptional-r12 ProseCommPoolList4-r12 OPTIONAL,-- Need OR commSyncConfig-r12 ProseSyncConfigList16-r12 OPTIONAL-- Need OR OPTIONAL,-- Need ORlateNonCriticalExtension OCTET STRING OPTIONAL,...-- ASN1STOP상기 표의 제1 D2D 설정은 ProSe 직접 통신에 사용될 수 있는 자원을 나타낸다. 예컨대, 상기 표에서 ‘commRxPool’은 단말이 ProSe 직접 통신을 수신하도록 허용된 자원을 나타낸다. ‘commTxPoolNormalCommon’은 RRC_Idle 상태에서 ProSe 직접 통신을 전송하도록 허용된 자원을 나타낸다. ‘commonTxPoolExceptional’은 RRC_connected 상태에서의 예외적인 조건 하에서 또는 RRC 연결 확립 과정에서 ProSe 직접 통신을 전송하도록 허용된 자원을 나타낸다.다음은 제1 D2D 설정의 다른 예를 나타낸다.-- ASN1STARTSystemInformationBlockType19-r12 ::= SEQUENCE discConfig-r12 SEQUENCE discRxPool-r12 ProseDiscPoolList16-r12, discTxPoolCommon-r12 ProseDiscPoolList4-r12 OPTIONAL,-- Need OR discTxPowerInfo-r12 ProseDiscTxPowerInfoList-r12 OPTIONAL,-- Need OR discSyncConfig-r12 ProseSyncConfigList16-r12 OPTIONAL-- Need OR OPTIONAL,-- Need ORdiscInterFreqList-r12 ProseCarrierFreqInfoList-r12 OPTIONAL,-- Need ORlateNonCriticalExtension OCTET STRING OPTIONAL,...ProseCarrierFreqInfoList-r12 ::=SEQUENCE (SIZE (1..maxFreq)) OF ProseCarrierFreqInfo-r12ProseCarrierFreqInfo-r12::= CHOICE plmn-Index-r9 INTEGER (1..maxPLMN-r11),explicitValue-r9 SEQUENCE carrierFreq-r12 ARFCN-ValueEUTRA-r9, plmn-Identity-r12 PLMN-Identity OPTIONAL-- Need OR-- ASN1STOP상기 표의 제1 D2D 설정의 다른 예는 ProSe 직접 발견(direct Discovery)에 사용될 수 있는 자원을 나타낸다. 예를 들어, ‘discTxPoolCommon’은 단말이 RRC_idle 상태에서 ProSe 직접 발견 어나운스먼트를 전송하는 것이 허용된 자원을 지시한다. ‘discInterFreqList’는 ProSe 직접 발견 어나운스먼트가 지원되는 이웃한 주파수들을 지시한다. 그러면, 단말은 네트워크 커버리지 내라는 것이 검출되면 제1 D2D 설정을 사용하고, 네트워크 커버리지 바깥이라는 것이 검출되면 제2 D2D 설정을 사용하는 것으로 표현할 수 있다. 그런데, 이러한 단말의 동작은 다음 문제를 일으킬 수 있다.1) 단말 그룹 간 간섭.도 18은 서로 다른 단말 그룹들 간에서 일치하지 않는 D2D 자원 풀을 사용하는 예를 나타낸다. 도 18을 참조하면, 단말 2는 그룹 1에 속하고, 단말 1, 3은 그룹 2에 속할 수 있다. 이 때, 단말 2가 속한 그룹 1이 사용하는 자원 풀과 단말 1, 3이 속한 그룹 2가 사용하는 자원 풀이 완전히 분리되지 않고 일부 겹칠 수 있다. 그룹 1이 사용하는 자원 풀은 네트워크에 의하여 제공되는 제1 D2D 설정에 의한 자원 풀이고, 그룹 2가 사용하는 자원 풀은 단말에게 미리 설정된 제2 D2D 설정에 의한 자원 풀일 수 있다. 단말 1, 3이 동일한 그룹에 포함되고, 상호 간에 통신을 하고 있다고 가정해보자. 그리고 단말 2는 다른 그룹에 속한다고 가정하자. 그리고, 각 단말들은 네트워크 커버리지 내에서는 제1 D2D 설정을 적용하다가 네트워크(예컨대, E-UTRA)에 의하여 서비스되고 있지 않다는 것을 검출(즉, 네트워크 커버리지 바깥에 위치하고 있다는 것을 검출)하면, 단말은 즉시 제2 D2D 설정을 적용한다고 가정해보자. 단말 1, 3이 네트워크 커버리지를 벗어날 때, 단말 1, 3은 제2 D2D 설정을 적용할 것이고 따라서 단말 1, 3은 제2 D2D 설정에 기반한 D2D 자원을 적용하여 D2D 동작을 수행할 것이다. 만약, 이러한 D2D 자원이 네트워크 커버리지 내에서 사용하던 D2D 자원과 겹치는 부분이 있다면, 네트워크 커버리지 밖의 단말 1, 3 간의 D2D 동작이 네트워크 커버리지 내의 단말 2에 의한 D2D 동작, 예컨대, 단말 2의 D2D 신호 전송과 간섭을 일으킬 것이다. 2) 단말 그룹 내의 통신 비효율성단말 1, 2가 동일 그룹에 속하고, 네트워크 커버리지 내에서 D2D 동작을 수행하고 있었다고 가정해보자. 그러다가, 단말 1만 네트워크 커버리지 바깥으로 이동하면서, 제1 D2D 설정에 따른 자원을 제2 D2D 설정에 따른 자원으로 변경하였다고 해보자. 그리고, 단말 2는 제2 D2D 설정을 공유하고 있지 않은 상태라고 가정해보자. 이 경우, 도 18에서 설명한 바와 같이 제1 D2D 설정에 따른 자원과 제2 D2D 설정에 따른 자원이 서로 달라서 일치하지 않는 부분이 있을 수 있다. 만약, 단말 1이 제2 D2D 설정에 따른 자원 중에서 상기 일치하지 않는 부분을 이용하여 D2D 신호를 전송한다면, 단말 2는 이러한 신호를 수신할 수 없게 된다. 따라서, 단말 1, 2 간에서의 D2D 동작에 손실이 발생하게 된다. D2D 동작은 높은 신뢰성이 필요하므로 이러한 손실은 바람직하지 않다. 한편, 상기 예에서는 단말이 네트워크 커버리지 내에서 바깥으로 나가는 시나리오만을 기술하였으나, 상술한 문제는 이러한 경우에만 발생하는 것은 아니다. 즉, 단말이 네트워크 커버리지 바깥에서 안으로 들어오는 시나리오에서도 동일한 문제가 발생할 수 있다. 예를 들어, 단말 1, 2가 네트워크 커버리지 바깥에서 상호 간에 공유되고 있는 D2D 설정(제2 D2D 설정)을 이용하여 D2D 동작을 수행하고 있다가 단말 1만 네트워크 커버리지 내로 이동하여 갑자기 제1 D2D 설정을 사용한다고 가정해 보자. 이러한 경우에도 단말 1,2 간에서 공유되지 않는 D2D 설정들이 사용되는 결과가 된다. 따라서, 단말 1, 2 간의 D2D 동작에 손실이 발생하게 된다. 상기 예에서 설명한 바와 같이, 단말이 네트워크 커버리지를 벗어나거나 진입하는 경우, 자원의 조율 없이 D2D 설정을 변경하는 것은 서로 다른 단말 그룹 간에 간섭을 발생시키고 동일 그룹 내의 단말들 간에서 D2D 동작의 손실이 발생할 수 있다. 따라서, 이러한 문제들을 해결할 수 있는 D2D 동작 방법 및 장치가 필요하다. 전술한 문제를 해결하기 위해, 본 발명에서는 제1 D2D 설정에 의한 네트워크 커버리지 내의 D2D 자원과 제2 D2D 설정에 의한 네트워크 커버리지 바깥에서의 D2D 자원을 동일하게 하거나 대부분 겹치도록 하는 방법을 고려할 수 있다. 즉, 네트워크 커버리지 내에서 사용되는 D2D 자원 정보와 네트워크 커버리지 바깥에서 사용되는 D2D 자원 정보를 조정(coordination)하는 방법을 고려할 수 있다. 자원 조정 방법은 다음 2가지 접근 방식이 있을 수 있다. 1) 네트워크 커버리지 바깥의 단말이 네트워크 커버리지 내의 자원 정보를 따르는 접근 방식, 2) 네트워크 커버리지 내의 단말이 네트워크 커버리지 바깥의 자원 정보를 따르는 접근 방식. 상기 2번째 접근 방식은, 네트워크가 네트워크 커버리지 바깥의 D2D 자원 정보까지도 고려하여 D2D 자원 풀을 지시하는 시스템 정보를 갱신하거나, D2D 자원 정보의 갱신을 위하여 단말에게 전용 시그널링을 제공해야 할 것이다. 이러한 방식은 시그널링 오버헤드가 너무 커서 바람직하지 않을 수 있다. 따라서, 첫번째 접근 방식이 바람직하다. 상기 첫번째 접근 방식의 가장 쉬운 구현 방법은 커버리지 내의 단말이 커버리지 바깥의 단말에게 자신의 자원 풀 정보를 제공하는 것이다. 이 때, 커버리지 내의 단말은 자신의 자원 풀 정보를 브로드캐스트할 수 있다. 커버리지 바깥의 단말은 커버리지 내 단말로부터 자원 정보를 수신하면, 전술한 제2 D2D 설정이 아니라 커버리지 내 단말로부터 수신한 D2D 자원 정보를 따를 수 있다. 커버리지 바깥의 단말은 커버리지 내 단말로부터 아무런 D2D 자원 정보를 수신하지 못한 경우에 한하여 제2 D2D 설정을 사용할 수 있다.도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 D2D 동작 방법을 나타낸다. 도 19를 참조하면, 네트워크 커버리지(이하 단순히 커버리지라 약칭할 수 있음) 내외 중 어느 한쪽에 위치한 단말 1 및 단말 2가 상호 간에 D2D 동작을 수행한다(S241). 단말 1, 2 가 이동에 의하여 네트워크 커버리지 내외에 하나씩 위치한다(S242). 단말 1, 2 중 네트워크 커버리지 바깥에 있는 단말이 네트워크 커버리지 내에 있는 단말의 자원과 동일한 자원을 사용하여 D2D 동작을 수행한다(S243). 예컨대, 단말 1, 2가 모두 커버리지 내에 위치하여 D2D 동작을 수행하다가, 단말 1은 커버리지 바깥으로 이동하고 단말 2는 커버리지 내에 있을 수 있다. 이 경우, 단말 1은 단말 2로부터 자원 정보를 수신하면 이에 따라 D2D 자원을 설정하고, 자원 정보를 수신하지 못하면 미리 정해진 제2 D2D 설정에 따라 D2D 자원을 설정/사용한다. 한편, 자원 정보를 제공하는 데에도 자원이 사용된다. 자원 정보를 불필요하게 제공하는 것은 자원 낭비가 된다. 커버리지 내 단말이 D2D 동작을 수행할 커버리지 바깥의 단말이 있는지를 알 수 있다면 불필요한 자원 정보 제공을 방지할 수 있다. 즉, D2D 동작을 수행할 커버리지 바깥의 단말이 있는 경우에 한하여 커버리지 내 단말은 자원 정보를 제공할 수 있다.도 20은 단말이 스스로 커버리지 관련 상태를 검출하여 다른 단말에게 알리는 예를 나타낸다. 도 20을 참조하면, 단말은 다른 단말과 D2D 동작을 수행한다(S251). 단말은 자신이 네트워크 커버리지 바깥에 있음을 검출할 수 있다(S252). 단말은 상기 다른 단말에게 자신이 네트워크 커버리지 바깥에 있음을 알리는 정보를 전송한다(S253). 다음 표는 단말이 네트워크 커버리지 바깥에 있는지 여부를 알리는 정보의 예이다.-- ASN1STARTMasterInformationBlock-SL ::= SEQUENCE sl-Bandwidth-r12 ENUMERATED n6, n15, n25, n50, n75, n100,tdd-SubframeAssignment-r12 TDD-SubframeAssignmentSC-r12,directFrameNumber-r12 BIT STRING (SIZE (10)),directSubFrameNumber-r12 INTEGER (0..9),inCoverage-r12 BOOLEAN,reserved-r12 BIT STRING (SIZE (27))-- ASN1STOP상기 표 4에서, ‘sl-Bandwidth’는 전송 대역 설정에 관한 파라미터로 n6는 6개의 자원 블록들, n15는 15개의 자원 블록들을 나타내는 식으로 자원 블록의 개수에 대응될 수 있다.‘directFrameNumber’는 프레임 번호를 지시한다. ‘inCoverage’는 표 4의 정보를 전송하는 단말이 네트워크 예를 들어, E-UTRAN의 커버리지 내에 있는지 여부를 나타낸다. 전술한 바와 같이 단말이 네트워크 커버리지 바깥에 위치함을 검출한 경우, 상기 단말은 자신이 네트워크 커버리지 바깥에 있음을 나타내는 정보를 브로드캐스트할 수 있다. 상기 단말은 동기화 신호를 전송하는 단말일 수 있다. 다른 단말은 상기 단말이 전송하는 정보를 통해 상기 단말이 네트워크 커버리지 바깥에 있음을 알 수 있으며, 이에 따라 필요한 후속 동작을 하면 된다. 도 20에서는 단말이 스스로 자신이 네트워크 커버리지 내에 있는지 여부를 판단하여 이를 인접한 다른 단말에게 알리는 예를 설명하였다. 도 21은 단말이 자신의 커버리지 관련 상태를 검출하여 커버리지 바깥의 다른단말에게 알리고, 이에 더하여 커버리지 바깥의 다른 단말을 검출하는 방법을 예시한다. 단말 1은 커버리지 내의 단말이라고 가정한다. 도 21을 참조하면, 단말 1은 D2D 신호 1(D2D 메시지 1이라고 칭할 수도 있음)을 전송한다. 이 D2D 신호 1은 커버리지 바깥의 단말이 존재하는지 여부를 문의하는 신호 또는 단말 2에게 특정 동작을 수행하도록 하는 신호일 수 있다(S261). D2D 신호 1은 D2D 신호 1을 전송하는 단말이 네트워크 커버리지 내에 있는지 아니면 네트워크 커버리지 바깥에 있는지를 나타내는 정보를 포함할 수 있다. 상기 D2D 신호1은 D2D 동작을 위한 주파수, 대역폭, 상향링크 다운링크 구분 방식, D2D 동작을 위한 프레임 번호, 서브프레임 번호, 단말 2의 단말 ID, 단말2가 속한 그룹의 ID, 단말2가 속한 직접통신 클러스터 ID, D2D 전송 자원을 지시하는 정보, D2D 수신 자원을 지시하는 정보 중 일부 또는 전부를 포함할 수 있다.D2D 신호 1은 다른 단말(예를 들어, 단말 2)에게 네트워크 커버리지를 기반으로 하여 상기 단말 2가 평가해야 하는 조건 및 상기 조건을 만족할 경우 상기 단말 2가 수행해야 하는 동작을 나타내는 정보를 포함할 수 있다. 즉, 상기 D2D 신호 1은 단말 2가 상기 동작을 수행할 것인지 여부를 판단하는데 사용되는 정보 또는 조건을 포함할 수 있다. 상기 조건을 만족하면 단말 2는 상기 D2D 신호 1에 의하여 지시된 동작을 수행할 수 있다. 상기 조건은 다음들 중 어느 하나 또는 둘 이상의 조합일 수 있다.1) 단말(단말 2, 이하 동일)이 네트워크 커버리지 바깥에 있음,2) 단말이 네트워크 커버리지 내에 있음3) 단말이 E-UTRA에 의하여 서비스 받고 있지 않음4) 단말이 E-UTRA에 의하여 서비스 받고 있음5) 단말이 네트워크에 의하여 전송된 어떤 동기화 신호도 발견할 수 없음6) 단말이 어떤 D2D 동기화 신호도 발견할 수 없음7) 단말이 중계 기능을 제공하는 어떤 단말도 발견할 수 없음.단말이 네트워크 커버리지 바깥에 있다는 것은 다음 상태들 중 어느 하나일 수 있다. 1) 단말이 어떤 네트워크로부터도 서비스를 받지 못하거나(즉, 단말은 어떤 RAT에 대해서도 캠프 온할 정규 셀이나 수용 가능 셀을 선택하지 못한 상태), 2) 단말이 E-UTRA에 의하여 서비스를 받지 못하는 상태(즉, 단말은 E-UTRA에서 캠프 온할 정규 셀이나 수용 가능 셀을 선택하지 못한 상태). 3) 단말이 D2D를 수행하고자 하는 주파수에서 임계값 이상의 측정 강도 또는 측정 품질을 제공하는 셀을 발견할 수 없는 상태.상기 D2D 신호 1은 상기 요청하는 동작과 상기 동작의 수행 조건을 별도로 지시할 수 있다. 즉, 상기 요청하는 동작과 상기 조건은 각자 따로 지시될 수 있다. 예를 들어, 상기 요청하는 동작을 지시하는 D2D 신호와 상기 동작의 수행 조건을 지시하는 D2D 신호가 각각 제공될 수 있다. 또는 동일한 D2D 신호 내에서 상기 요청하는 동작을 지시하는 필드와 상기 동작의 수행 조건을 지시하는 필드에 의하여 지시될 수 있다. 또는 상기 요청하는 동작과 상기 조건은 결합된 형태로 지시될 수도 있다. 즉, D2D 신호의 단일 필드의 값을 통해 상기 요청하는 동작 및 그 수행 조건을 지시할 수도 있다. 상기 D2D 신호의 특정 필드에서는 임의의 숫자를 지시할 수 있다. 이러한 임의의 숫자는 상기 D2D 신호의 ID로 사용될 수 있다. 또한, D2D 신호 1은 그 응답으로 D2D 신호 2(D2D 메시지 2라고 칭할 수도 있음)를 전송할 단말을 지시하는 정보를 포함할 수 있다. 즉, D2D 신호 1은 수신 주체를 나타내는 ID를 포함할 수 있다. D2D 신호 1은 그룹 ID, 단말 ID 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그룹 ID, 단말 ID는 차례로 상기 D2D 신호를 수신할 단말 그룹 또는 단말을 지시할 수 있다. 또는 D2D 신호 1은 특정 단말을 지시하지 않고 어떤 단말이든 상기 D2D 신호를 수신하면 그 응답으로 D2D 신호 2를 전송할 것을 지시할 수도 있다.D2D 신호 1은 이 신호를 수신하는 단말에게 요청하는 동작을 지시할 수 있다. 예를 들어, 단말 1이 단말 2에게 D2D 신호 1을 전송할 때, 상기 D2D 신호 1은 단말 2에게 응답 신호를 전송할 것을 요청할 수 있다.한편, D2D 신호 1 역할을 하는 신호로 다양한 신호(메시지)들이 사용될 수 있다. 예를 들어, D2D 발견 신호 /메시지가 D2D 신호 1로 사용될 수 있다. 또는 D2D 통신 메시지가 D2D 신호 1로 사용될 수 있다. 상기 D2D 신호는 단말간 D2D 통신을 위해 정의된 채널을 통해 전송되는 데이터를 의미하며, D2D 통신을 위해 정의된 채널은 D2D 데이터를 송수신하기 위한 채널이거나 상기 D2D 데이터의 전송 관련 제어 정보를 송수신하기 위한 채널이거나 D2D 동작을 위한 일반적 설정 관련 제어 정보를 송수신하기 위한 채널일 수 있다.또는 D2D 동기화 신호가 D2D 신호 1로 사용될 수 있다. 예를 들어, 단말 1은 D2D 신호 1로 동기화 신호를 전송할 수 있다. 상기 동기화 신호를 수신한 단말 2는 D2D 신호 2를 응답으로 전송할 수 있으며 이 때, 상기 동기화 신호를 이용하여 동기를 맞출 수 있다. 단말 1은 일정 구간에서만 동기화 신호를 전송할 수 있다. 단말 2는 상기 D2D 신호 1을 수신한 후, 상기 D2D 신호 1이 지시하는 동작의 수행 필요성을 평가한다(S262). 전술한 바와 같이 상기 D2D 신호 1은 단말 2에 대하여 요청하는 동작, 상기 동작의 수행 조건, 수신 주체의 ID 및 상기 D2D 신호 1의 ID 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 단말 2는 상기 요청하는 동작의 수행이 필요하다고 판단한 경우, 상기 동작을 수행한다(S263). 만약, 단말 2가 수신 주체로 그룹 ID를 포함하는 D2D 신호 1를 수신하였다면, 단말 2의 그룹 ID가 상기 D2D 신호 1에 포함된 그룹 ID와 동일하거나 대응되어야만 상기 D2D 신호 1이 상기 단말 2에 대해 유효하다고 할 수 있다. 만약, 단말 2의 그룹 ID가 상기 D2D 신호 1에 포함된 그룹 ID와 동일하지 않다면 상기 D2D 신호 1은 단말 2에 대해 유효하지 않은 것이다. 따라서, 단말 2는 상기 D2D 신호 1을 무시하고 상기 D2D 신호 1에 의하여 지시된 동작을 수행하지 않는다. 또는, 단말 2가 수신 주체를 나타내는 ID로 단말 ID를 포함하는 D2D 신호 1를 수신하였다면, 단말 2의 ID가 상기 수신 주체를 나타내는 단말 ID와 동일한 경우에만 상기 D2D 신호 1이 상기 단말 2에게 유효하다. 만약, 단말 2가 수신 주체를 나타내는 그룹 ID 또는 단말 ID를 포함하지 않는 D2D 신호 1을 수신하였다면, 단말 2의 그룹 ID 또는 단말 2의 ID에 관계 없이 상기 D2D 신호 1이 요청하는 동작을 수행할 수 있다. 한편, D2D 신호 1이 조건을 포함하면, 단말 2는 상기 조건이 만족되는 경우에만 D2D 신호 1이 요청하는 동작을 수행할 수 있다. 만약, 상기 조건이 ‘단말(단말 2, 이하 동일)이 네트워크 커버리지 바깥에 있음’이라면, 이는 상기 단말이 캠프 온할 정규 셀(suitable cell) 또는 수용 가능 셀(acceptable cell)을 하나도 찾지 못하였음을 의미할 수 있다. 또는 단말의 NAS 계층에서 보면, ‘EMM-REGISTERED.NO-CELL-AVAILABLE’또는 ‘EMM-DEREGISTERED.NO-CELL-AVAILABLE’상태에 해당할 수 있다. 또는 상기 조건은 단말이 상기 식 1을 만족하는 어떤 셀도 찾지 못한 경우에 해당할 수 있다. 만약, 상기 조건이 ‘단말이 E-UTRA에 의하여 서비스되고 있지 않음’이라면, 이는 상기 단말이 캠프 온할 정규 셀 또는 수용 가능 셀을 하나도 찾지 못하였음을 의미할 수 있다. 만약, 상기 조건이 ‘단말이 네트워크 커버리지 바깥에 있음’이라면, 이는 상기 단말이 캠프 온할 정규 셀 또는 수용 가능 셀을 하나도 찾지 못하였음을 의미할 수 있다. 또는 상기 조건이‘단말이 네트워크 커버리지 바깥에 있음’이라면, 단말이 D2D를 수행하고자 하는 주파수에서 임계값 이상의 측정 강도 또는 측정 품질을 제공하는 셀을 발견할 수 없는 상태를 의미할 수 있다.단말 2는 전술한 조건들 중 어느 하나를 만족하면, D2D 신호 1에 의하여 요청된 동작이 필요하다고 판단하고, 그 동작을 수행한다. 예를 들어, 상기 동작은 수신한 D2D 신호 1에 대한 응답을 전송하는 것일 수 있다. 이 경우, 상기 응답은 D2D 신호 2(또는 D2D 메시지 2)라 칭할 수 있으며, 다음 정보들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 1) 단말 2의 단말 ID : 이 정보는 D2D 신호 2를 수신하는 단말(예를 들어, 단말 1)에게 상기 D2D 신호2를 누가 전송하였는지를 알려준다. 2) 단말 2의 그룹 ID : 이 정보는 D2D 신호 2를 전송한 단말의 그룹을 알려준다. 3) D2D 신호 1에 의하여 지시된 조건 : 이 정보는 상기 D2D 신호 2를 전송하는 단말이 어떤 조건을 만족하여 상기 D2D 신호 2를 전송하는지를 나타낸다. 4) D2D 신호 1에 의하여 지시되는 임의의 숫자 : 이 정보는 D2D 신호 2가 어떤 D2D 신호 1에 대한 응답인지를 나타낼 수 있다. 예를 들어, D2D 신호 1에 임의의 숫자인 X가 포함되어 있을 경우, 상기 D2D 신호 1에 대한 응답으로 전송되는 D2D 신호 2에도 상기 X가 포함되는 것이다. 이를 통해 적절한 응답인지 여부를 판단할 수 있다. 한편, 상기 임의의 숫자는 반드시 하나의 숫자가 아니라 복수의 파라미터들의 함수로 표현될 수도 있다. 상기 함수는 동일한 그룹에 속하는 단말들에게 공유될 수 있다. 동일 그룹 내의 단말들은 상기 복수의 파라미터들 중 하나를 공유하여 상기 함수의 입력으로 공통 사용할 수 있다. 도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 D2D 동작 방법을 나타낸다. 도 22를 참조하면, 단말 1은 D2D 발견 신호(D2D 발견메시지)를 브로드캐스트한다(S201). 즉, D2D 발견 신호가 D2D 신호 1(D2D 메시지 1)로 사용되는 경우이다. 단말 2, 3, 4는 브로드캐스트된 D2D 신호 1을 수신한다.상기 D2D 발견 신호는 수신 주체를 나타내는 그룹 ID, 요청하는 동작을 지시하는 정보, 상기 동작의 수행 조건을 나타내는 정보, D2D 발견 신호에 대한 ID를 포함할 수 있다. 예를 들어, D2D 발견 신호는 수신 주체를 나타내는 그룹 ID로 N, 요청하는 동작을 지시하는 정보는 D2D 응답 요청(즉, D2D 신호 2의 전송 요청), 상기 동작의 수행 조건을 나타내는 정보는 ‘E-UTRA의 커버리지를 벗어남’, D2D 발견 신호에 대한 ID는 임의의 숫자 M으로 주어질 수 있다. 만약, 단말 2가 E-UTRA 커버리지 내에 있고, 그룹 ID는 N이라면(S202), 상기 수행 조건을 만족시키지 않는다. 따라서, 단말 2는 D2D 응답을 단말 1에게 전송하지 않는다. 단말 3은 E-UTRA 커버리지 바깥에 있고, 그룹 ID는 N이라면(S203), 상기 수행 조건을 만족시킨다. 따라서, 단말 2는 D2D 응답(D2D 신호 2)을 단말 1에게 전송한다(S205). 이 때, D2D 응답이 어떤 D2D 신호 1에 대한 응답인지를 식별시키기 위하여 상기 D2D 신호 1의 ID를 포함하여 전송할 수 있다. 즉, 상기 예에서는 D2D 응답은 상기 D2D 발견 신호에 대한 ID인 숫자 M을 포함한다. 단말 4는 E-UTRA 커버리지 바깥에 있고, 그룹 ID는 N+2이라면(S204), 상기 수행 조건을 만족시키지 않는다. 따라서, 단말 4는 D2D 응답을 단말 1에게 전송하지 않는다.도 23은 본 발명의 실시예가 구현되는 단말을 나타낸 블록도이다. 도 23을 참조하면, 단말(1100)은 프로세서(1110), 메모리(1120) 및 RF부(radio frequency unit, 1130)을 포함한다. 프로세서(1110)는 제안된 기능, 과정 및/또는 방법을 구현한다. 예를 들어, 프로세서(1110)는 다른 단말에게 D2D 신호 1을 전송하고, 상기 D2D 신호 1에 대한 응답인 D2D 신호 2를 수신한다. 이를 통해 상기 다른 단말이 네트워크 커버리지 바깥에 있는지 여부를 파악할 수 있다. 상기 다른 단말이 네트워크 커버리지 바깥에 있다면, 자원 풀 정보를 브로드캐스트할 수 있다. 그러면, 다른 단말은 자원 풀 정보를 이용하여 상기 단말(1100)과 동일한 D2D 자원을 이용할 수 있다. RF부(1130)은 프로세서(1110)와 연결되어 무선 신호를 송신 및 수신한다. 프로세서는 ASIC(application-specific integrated circuit), 다른 칩셋, 논리 회로 및/또는 데이터 처리 장치를 포함할 수 있다. 메모리는 ROM(read-only memory), RAM(random access memory), 플래쉬 메모리, 메모리 카드, 저장 매체 및/또는 다른 저장 장치를 포함할 수 있다. RF부는 무선 신호를 처리하기 위한 베이스밴드 회로를 포함할 수 있다. 실시예가 소프트웨어로 구현될 때, 상술한 기법은 상술한 기능을 수행하는 모듈(과정, 기능 등)로 구현될 수 있다. 모듈은 메모리에 저장되고, 프로세서에 의해 실행될 수 있다. 메모리는 프로세서 내부 또는 외부에 있을 수 있고, 잘 알려진 다양한 수단으로 프로세서와 연결될 수 있다.
무선 통신 시스템에서 단말에 의해 수행되는 D2D(device-to-device) 동작 방법 및 이러한 방법을 이용하는 단말을 제공한다. 상기 방법은 상기 단말이 네트워크 커버리지 내에 있는지 여부를 판단하고,상기 판단에 따른 결과를 알려주는 정보를 다른 단말에게 전송하는 것을 특징으로 한다. 이 정보를 이용하여 다른 단말은 상기 단말이 네트워크 커버리지 내에 있는지 여부를 알 수 있으며, 이를 기반으로 D2D 동작을 수행할 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 머신 학습 스냅샷 평가를 포함하는 보호 시스템PROTECTION SYSTEM INCLUDING MACHINE LEARNING SNAPSHOT EVALUATION [ 기술분야 ] 본 개시는 보호 시스템에 관한 것으로, 특히, 디바이스 동작의 스냅샷을 평가하기 위해 머신 학습 엔진을 갖는 위협 모니터링 시스템(threat monitoring system)에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 현대 사회는 일상의 상호작용(everyday interaction)을 행하기 위한 다수의 전자 기술에 점점 더 의존하고 있다. 예를 들면, 개인적인 그리고 전문적인 통신, 구매 트랜잭션, 계정 접근, 금융 트랜잭션, 계약 합의 등등이 전자적 통신을 사용하여 행해지고 있다. 이 증가하는 의존관계의 결과로서, 과도한 개인적인, 사적인 및/또는 기밀의 정보가 전자 디바이스에 저장되고 있다. 전자적 트랜잭션을 행하는 기능성(functionality)을 제공하는 다양한 애플리케이션 또는 인터페이스를 지원하기 위해, 개인적인 및/또는 비지니스 식별 정보, 주소 정보, 계정 식별자, 의료 데이터, 친족관계 정보, 등등이 저장될 수도 있다. 한 장소에서의 개인적, 사적 및/또는 기밀의 정보의 이용가능성은, 자기 자신의 이익을 위해 이러한 정보를 찾고 있는 비인가자(unauthorized party)에게는 매력적일 수도 있다. 결과적으로, 개인적, 사적 및/또는 기밀의 정보가 잘못된 자의 손(wrong hands)에 떨어지는 것을 방지하기 위해서는, 전자 디바이스에서 보호 조치의 구현이 필요하다.통상적인 보호 모델은 위협을 모니터링하기 위해 디바이스에 설치되는 소프트웨어 컴포넌트를 포함할 수도 있다. 소프트웨어 컴포넌트는, 소프트웨어 컴포넌트에 대한 업데이트 및/또는 위협을 모니터링하기 위해 활용되는 규칙을 제공하는 중앙집중형 엔티티(centralized entity)에 의해 관리될 수도 있다. 이 아키텍쳐가 어느 정도는 효과적이었지만, 그것은 오랫동안 표준이었고 그 결과 많은 공격(예를 들면, 바이러스 또는 웜과 같은 멀웨어, 비인가 접근 시도 등등)이 특별히 이 타입의 보호 시스템을 극복하도록 설계되었다. 예를 들면, 멀웨어의 출현은 모니터링 규칙을 회피하도록 수정될 수도 있거나, 또는 멀웨어는 검출을 회피하기 위해 (예를 들면, 보호 컴포넌트보다 더 높은 권한 수준(privilege level)에서 동작하는) 로우 레벨 디바이스 동작에 삽입될 수도 있다. 디바이스의 로컬한 보호 조치에 의해 공격이 검출될 수 없으면, 디바이스는 공격에 대해 무방비 상태가 될 수도 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 청구되는 주제의 다양한 실시형태의 피쳐 및 이점은, 하기의 상세한 설명이 진행함에 따라, 그리고 동일한 도면부호가 동일한 부분을 나타내는 도면의 참조시 명백해질 것인데, 도면에서:도 1은, 본 개시의 적어도 하나의 실시형태에 따른, 머신 학습 스냅샷 평가를 포함하는 예시적인 보호 시스템을 예시한다;도 2는, 본 개시의 적어도 하나의 실시형태에 따른, 디바이스에 대한 예시적인 구성을 예시한다;도 3은, 본 개시의 적어도 하나의 실시형태에 따른, 원격 리소스에 대한 예시적인 구성을 예시한다;도 4는, 본 개시의 적어도 하나의 실시형태에 따른, 머신 학습 스냅샷 평가를 포함하는 예시적인 보호 시스템에 대한 예시적인 동작을 예시한다.하기의 상세한 설명이 예시적인 실시형태에 대해 참조가 이루어지면서 진행할 것이지만, 예시적인 실시형태의 많은 대안예, 수정예 및 변형예가 당업자에게는 명백할 것이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 개시는 머신 학습 스냅샷 평가를 포함하는 보호 시스템을 대상으로 한다. 일 실시형태에서, 디바이스는 디바이스 동작의 스냅샷을 생성하기 위해 머신 학습 엔진(machine learning engine; MLE)을 포함할 수도 있다. MLE는 유저 거동을 학습하기 위해 스냅샷에서의 액티브(active) 또는 계획된 동작을 활용할 수도 있다. 일단 정상적인 유저 거동이 디바이스에 대해 확립되면, MLE는, 디바이스에 대한 위협을 의미할 수도 있는 특이한 거동(unusual behavior)을 스냅샷이 포함하는 때를 판정할 수도 있다. MLE에 의해 특이한 거동을 포함하는 것으로 판정되는 스냅샷은 평가를 위해 원격 리소스로 송신될 수도 있다. 원격 리소스는, 예를 들면, 유저 거동을 적어도 하나의 사용 타입으로 특징짓는 것에 의해 유저 거동을 분류할 수도 있는 유저 거동 분류 엔진(user behavior classification engine; UBCE)을 포함할 수도 있다. 스냅샷은 디바이스에 잠재적인 위협이 존재하는지 여부를 판정하기 위해 UBCE에 의해 분석될 수도 있고, 위협 분석은 평가 및/또는 시정 조치(corrective action)를 위해 디바이스로 제공될 수도 있다. 일 실시형태에서, MLE는, 디바이스가 시스템에 대해 새로운 것이면, 스냅샷 및 유저 데이터를 원격 리소스로 또한 제공할 수도 있다. 원격 리소스는 유저 계정을 (필요하다면) 작성할 수도 있고, 디바이스를 유저 계정과 관련시킬 수도 있고 디바이스가 "깨끗한지"를(예를 들면, 위협이 없는지 여부를) 판정하기 위해 디바이스를 분석할 수도 있다.일 실시형태에서, 머신 학습 스냅샷 평가를 위해 구성된 디바이스는, 예를 들면, 통신 모듈, 메모리 모듈 및 MLE를 포함할 수도 있다. 통신 모듈은 적어도 원격 리소스와 상호작용할 수도 있다. 메모리 모듈은 적어도 학습된 유저 거동을 저장할 수도 있다. MLE는, 디바이스 동작의 스냅샷을 생성할 수도 있고, 학습된 유저 거동의 관점에서의 스냅샷의 평가에 기초하여 특이한 유저 거동이 발생했는지 여부를 판정할 수도 있고, 특이한 유저 거동이 발생했다는 것이 판정되면 통신 모듈로 하여금 스냅샷 및 유저 데이터를 원격 리소스로 송신하게 할 수도 있고, 통신 모듈을 통해 원격 리소스로부터 위협 분석 - 위협 분석은 스냅샷의 송신에 응답하여 수신됨 - 을 수신할 수도 있고 그리고 위협 분석에 적어도 기초하여 디바이스에 대해 잠재적인 위협이 존재하는지 여부를 판정할 수도 있다.일 실시형태에서, MLE는 또한, 디바이스가 신규인지 여부를 판정할 수도 있고, 디바이스가 새로운 것이다는 것이 판정되면 적어도 스냅샷 및 유저 데이터를 원격 리소스로 송신할 수도 있다. MLE는 또한, 통신 모듈을 통해 원격 리소스로부터 수신되는 검증의 결과에 기초하여 디바이스에서 시정 조치가 필요로 되는지 여부를 판정할 수도 있다. MLE가 디바이스 동작의 스냅샷을 생성하는 것은, 스냅샷이 생성되었던 시간에 디바이스에서의 액티브 동작 또는 스냅샷이 생성되었던 시간에 디바이스에서의 계획된 동작 중 적어도 하나에 기초하여 머신 학습 엔진이 디바이스에서의 적어도 하나의 동작을 식별하는 것을 포함할 수도 있다. MLE는 또한, 스냅샷에서 식별되는 적어도 하나의 액티브 또는 계획된 동작과 관련되는 소프트웨어 모듈의 서명을 검증할 수도 있다. MLE는 또한, 스냅샷에서 식별되는 적어도 하나의 액티브 또는 계획된 동작을, 메모리 모듈에 저장되어 있는 적어도 하나의 이전 스냅샷에서 식별된 적어도 하나의 액티브 또는 계획된 동작에 비교하는 것에 기초하여 유저 거동을 학습할 수도 있다. 특이한 유저 거동이 발생했는지 여부를 MLE가 판정하는 것은, 학습된 유저 거동에 기초하여 적어도 하나의 액티브 또는 계획된 동작이 예상되지 않는지 여부를 MLE가 판정하는 것을 포함할 수도 있다.동일한 또는 상이한 실시형태에서, 원격 리소스로서 동작하도록 구성된 디바이스는, 예를 들면, 통신 모듈 및 UBCE를 포함할 수도 있다. 통신 모듈은 적어도 유저 디바이스와 상호작용할 수도 있다. UBCE는 적어도 유저 디바이스 동작의 스냅샷 및 유저 데이터를 유저 디바이스로부터 수신할 수도 있고, 유저 데이터에 적어도 기초하여 새로운 유저 계정이 필요로 되는지 여부를 판정할 수도 있고, 새로운 유저 계정이 필요로 된다는 것이 판정되면 새로운 유저 계정을 확립할 수도 있고, 유저 디바이스를 현존하는 유저 계정 또는 새로운 유저 계정과 관련시킬 수도 있고, 스냅샷에 적어도 기초하여 유저 디바이스가 새로운 것인지 여부를 검증할 수도 있고 그리고 검증의 결과를 유저 디바이스로 제공할 수도 있다.UBCE는 또한, 스냅샷에 적어도 기초하여 유저 분류를 발전시킬(develop) 수도 있다. UBCE가 유저 분류를 발전시키는 것은, 스냅샷에 적어도 기초하여 UBCE가 디바이스에 대한 적어도 하나의 사용 타입을 특징짓는 것을 포함할 수도 있다. 본 개시와 부합하는 머신 학습 스냅샷 평가를 위한 방법은, 예를 들면, 디바이스에서의 동작의 스냅샷을 생성하는 것, 디바이스에 저장되어 있는 학습된 유저 거동의 관점에서의 스냅샷의 평가에 기초하여 특이한 유저 거동이 발생했는지 여부를 판정하는 것, 특이한 유저 거동이 발생했다는 것이 판정되면 스냅샷 및 유저 데이터가 원격 리소스로 송신되게 하는 것, 스냅샷의 송신에 응답하여 원격 리소스로부터 위협 분석을 수신하는 것 및 위협 분석에 적어도 기초하여 디바이스에 대해 잠재적인 위협이 존재하는지 여부를 판정하는 것을 포함할 수도 있다. 본 개시와 부합하는 머신 학습 스냅샷 평가를 위한 다른 방법은, 예를 들면, 원격 리소스에서 적어도 유저 디바이스 동작의 스냅샷 및 유저 데이터를 유저 디바이스로부터 수신하는 것, 유저 데이터에 적어도 기초하여 새로운 유저 계정이 필요로 되는지 여부를 판정하는 것, 새로운 유저 계정이 필요로 된다는 것이 판정되면 새로운 유저 계정을 확립하는 것, 유저 디바이스를 현존하는 유저 계정 또는 새로운 유저 계정과 관련시키는 것, 스냅샷에 적어도 기초하여 유저 디바이스가 새로운 것인지 여부를 검증하는 것 및 검증의 결과를 유저 디바이스로 제공하는 것을 포함할 수도 있다.도 1은, 본 개시의 적어도 하나의 실시형태에 따른, 머신 학습 스냅샷 평가를 포함하는 예시적인 보호 시스템을 예시한다. 시스템(100)은 적어도 하나의 디바이스(102)(예를 들면, 디바이스(102A), 디바이스(102B), 디바이스(102C)...디바이스(102n) 또는 일괄적으로 "디바이스(102A...n)") 및 원격 리소스(104)를 포함할 수도 있다. 도 1에서 개시되는 예에서는, 단지 설명의 편의성을 위해 네(4) 개의 디바이스(102A...n)가 개시되어 있다. 실제, 디바이스의 수는 구현예에 따라 변할 수도 있다. 디바이스(102A...n)의 예는, 모바일 통신 디바이스 예컨대 Android�� OS, iOS��, Windows�� OS, 맥(Mac) OS, 타이젠(Tizen) OS, 파이어폭스(Firefox) OS, Blackberry�� OS, Palm�� OS, Symbian�� OS 등등에 기초한 셀룰러 핸드셋 또는 스마트폰; 모바일 컴퓨팅 디바이스 예컨대 iPad��, Surface��, Galaxy Tab��, Kindle Fire�� 등등과 같은 태블릿 컴퓨터, 인텔 코포레이션(Intel Corporation)에 의해 제조된 저전력 칩셋을 포함하는 Ultrabook��, 넷북, 노트북, 랩탑, 팜탑, 등등; 통상적으로 고정식인 컴퓨팅 디바이스 예컨대 데스크탑 컴퓨터, 서버, 스마트 텔레비전, 인텔 코포레이션으로부터의 누크(NUC; Next Unit of Computing)와 같은 스몰 폼팩터 컴퓨팅 솔루션(예를 들면, 공간 제한된 애플리케이션, TV 셋탑 박스, 등등); 등등을 포함할 수도 있지만, 이들로 제한되지는 않는다. 원격 리소스(104)는, 근거리 통신망(local area-network; LAN), 광역 통신망(wide-area network; WAN) 예컨대 인터넷 등등을 통해 디바이스(102A...n)에 액세스할 수 있는 적어도 하나의 통신 디바이스를 포함할 수도 있다. 일 실시형태에서, 원격 리소스(104)는 클라우드 컴퓨팅 구성에서 편제되는 하나 이상의 서버를 포함할 수도 있다.도 1의 예는 또한, 디바이스(102B...n)에 또한 적용가능할 수도 있는 디바이스(102A)에 대해 예시되는 다양한 피쳐를 더 포함하지만, 명확성을 위해 생략되었다. 일 실시형태에서, 디바이스(102A)는 적어도 MLE(106A)를 포함할 수도 있다. MLE(106A)는, 디바이스 동작의 스냅샷(snapshot; SS)(110A)을 작성하는 것에 의해 유저 거동(108A)을 학습하도록 구성되는 기기 및/또는 소프트웨어를 포함할 수도 있다. 학습된 유저 거동(108A)은, 예를 들면, 디바이스(102A)의 적어도 한 명의 유저에 의한 정상적인 사용의 결과로서 디바이스(102A)에서 일반적으로 발생하는 동작을 포함할 수도 있다. SS(110A)는, 디바이스(102A)의 유저에 의해 MLE(106A)에 설정되어 있는 시간에, 유저의 요청에서 수동으로, 디바이스(102A)에서의 이벤트의 발생시에, 등등에서, MLE(106A)에 의해 주기적으로 생성될 수도 있다. SS(110A)는, 예를 들면, SS(110A)가 생성되었던 시간에 디바이스(102)에서 액티브였던, 또는 SS(110A)가 생성되었던 시간에 디바이스(102)에서 동작하도록 예정되었던 기기 및/또는 소프트웨어의 식별을 포함할 수도 있다. SS(110A) 내에서 식별될 수도 있는 다양한 액티브 동작의 예는, 애플리케이션을 실행하는 것, 네트워크 액티비티, 레지스트리 액티비티, 파일 시스템 액티비티, 프로세스 및 스레드 액티비티 또는 프로파일링 액티비티 중 적어도 하나를 포함할 수도 있다. SS(110A)는 또한, 예를 들면, 실행 컴포넌트, 일 회 실행(run once) 컴포넌트, 기동 컴포넌트, 설치된 컴포넌트에 대응하는 레지스트리 설정, 프로토콜, ShellEx 등등과 같은 익스플로러(explorer)에 대응하는 레지스트리 설정, 인터넷 익스플로러(Internet Explorer)에 대응하는 레지스트리 설정, OS 스케줄러에서의 태스크, 서비스, 드라이버, 코덱, boot.exe, 이미지 하이잭(image hijack), Applnit, 기지의 dll, 윈로그온(WinLogon), 윈속(Winsock) 공급자, 프린터 모니터, 로컬 보안 허가(local security authority; LSA) 공급자, 네트워크 공급자, 등등 중 적어도 하나로부터 유도되는 다양한 계획된 동작을 식별할 수도 있다. 일 실시형태에서, SS(110A)는, SS(110A)가 캡쳐되었을 때의 일시뿐만 아니라, 예를 들면, 제조업자, 모델, 구성 식별자, 시리얼 번호, 빌드 날짜, OS, 액티브 네트워크 연결, 등등과 같은 디바이스(102A)에 관한 상세를 더 포함할 수도 있다.일 실시형태에서, MLE(106A)는, 적어도, 이전에 생성된 SS(110A)를 디바이스(102A)에 저장할 수도 있다. 그 다음, MLE(106A)는, 유저 거동(108A)을 학습하기 위해, 최근에 캡쳐된 SS(110A)를, 적어도, 이전에 생성된 SS(110A)에 비교할 수도 있다. 유저 거동(108A)은, 예를 들면, 하나의 SS(110A)로부터 다른 것으로 반복적으로 발생하는, 또는 발생하도록 계획되는 동작을 추적하는 머신 학습 알고리즘을 사용하여 학습할 수도 있다. 다수의 SS(110A)에서의 동일한 동작의 출현은, 그 동작의 출현이 디바이스(102A)에서의 정상 동작과 관련될 수도 있다는 것을 나타낼 수도 있다. 이 방식으로 학습하면, MLE(106A)는, 유저 거동(108A)을 구성하는 동작 패턴을 정형화하기 시작할 수도 있다.MLE(106A)가 학습된 유저 거동(108A)을 학습한 후(예를 들면, 디바이스(102A)가 사용되고 있는 시간 기간에 걸쳐 캡쳐되는 일련의 SS(110A)를 평가한 이후), 그 다음, MLE(106A)는 특이한 거동에 대해 후속하는 SS(110A)를 (예를 들면, 디바이스(102A)에서의 가능한 위협의 표시자(indicator)로서) 평가하기 시작할 수도 있다. 예를 들면, 일반적인 동작의 부재, 또는 새로운 동작의 발생은, 무언가가 디바이스(102A)에서 적합하지 않다는 것을 나타낼 수도 있다. MLE(106A)는, 예를 들면, 유저에 의해 일반적으로 액세스되지 않는 리소스가 현재 SS(110A)에서 액세스되고 있다는 것, 스냅샷에서 일반적으로 나타나는 동작이 더 이상 실행하고 있지 않다는 것(또는 다른 유사한 동작에 의해 대체되었을 수도 있다는 것), 유저에 의해 일반적으로 액세스되는 다른 소프트웨어에 대응하지 않는 디바이스(102A) 상으로 새로운 소프트웨어가 로딩되었다는 것, 등등을 검출할 수도 있다. 일 실시형태에서, MLE(106A)는 또한, 하나의 SS(110A)에서 다른 것으로 이동할 가능성을 식별하기 위해, 예를 들면, 베이지안 네트워크와 같은 예측 분석 기법을 이용할 수도 있다. 이 지식은, 의심스러운 이상점(outlier)의 더 빠른 식별을 가능하게 할 뿐만 아니라 멀웨어가 디바이스(102A)에서의 스냅샷 생성과 간섭할 수도 있다는 징조가 존재하는 경우를 식별하는 것을 가능하게 할 수도 있고, 예를 들면, 시스템이 이미 위태롭게 된 경우 SS(110A)를 양성인(benign) 것처럼 보이게 만들 수도 있다. 이전의 스냅샷으로 롤백하는 것은, 상기 언급된 바와 같이, 전문가 휴리스틱(heuristic)이 이용될 수도 있는 하나의 예에 불과하다. 동일한 또는 상이한 실시형태에서, 유저는, 보안 위치(예를 들면, 프라이빗 클라우드(private cloud))에 SS(110A)를 저장하고, 그 다음, 그들의 개인적 프라이버시를 증가시키기 위해, 글로벌 클라우드를 이용한 예측 분석에 유용한 공유 데이터만을 공유하는 옵션을 가질 수도 있다. 이것은 유저의 프라이버시를 유지하면서 공유된 학습의 이점을 제공할 것이다.SS(110A)가 특이한 거동을 포함할 수도 있다는 것을 MLE(106A)가 판정한 이후, MLE(106A)는 SS(110A)로 하여금 원격 리소스(104)로 송신되게 할 수도 있다. 원격 리소스(104)는 유저 거동(108A)을 분류할 UBCE(112)를 포함할 수도 있고, 이 분류에 기초하여, 디바이스(102A)에 대한 위협을 구성할 수도 있는 이상(anomaly)을 분석할 수도 있다. 일 실시형태에서, UBCE(112)는 디바이스(102A)에 대한 사용 타입에 기초하여 유저 거동(108A)을 분류할 수도 있다. 예시적인 사용 타입은, (예를 들면, 게임을 플레이하기 위한) 게임용 시스템으로서, 예를 들면, (예를 들면, 워드프로세싱, 스프레드시트, 등등을 위한) 비지니스 시스템, (예를 들면, 교수 프로그램(teaching program)을 실행하기 위한) 교육 시스템, (예를 들면, 컴퓨터 지원 드로잉(computer aided drawing; CAD) 또는 컴퓨터 지원 제조(computer aided manufacturing; CAM)를 위한) 설계 시스템, 웹 브라우징 시스템, 등등을 포함할 수도 있지만, 이들로 제한되지는 않는다. 이들 타입은 연령(예를 들면, 어린 아이용 교육 시스템), 리스크의 카테고리(예를 들면, 위험하거나 의심스러운 웹 사이트를 통상적으로 방문하는 웹 브라우저 시스템), 등등과 같은 추가 특성을 포함할 수도 있다. 분류는 하나보다 많은 타입을 포함할 수도 있고, 분류된 타입은 새로운 정보(예를 들면, SS(110A)를 통해 수신되는 정보)에 기초하여 계속적으로 업데이트될 수도 있다.분류는 UBCE(112)에서의 유저의 등록시 개시할 수도 있다. UBCE(112)에서의 등록은, 예를 들면, 유저가 (예를 들면, 웹페이지를 통해) 수동으로 등록하는 것에 의해, 디바이스(예를 들면, 디바이스(102A))가 유저를 자동적으로 등록하는 것에 의해 또는 유저에게 등록할 것을 촉구하는 것에 의해, 등등에 의해 발생할 수도 있다. 등록은, 유저가 시스템(100)에서의 참여에 관해 숙고된 판정(informed decision)을 행할 수도 있도록, 개인 및/또는 디바이스 데이터의 공유에 관한 유저에 대한 통지를 포함할 수도 있다. 유저 등록은, 유저 프로파일(114A)이 적어도 유저 식별 정보를 포함하는 것으로 귀결될 수도 있다. 유저 프로파일(114A)은 유저 거주지 정보, 유저 비지니스 정보, 유저 과금 정보(billing information)(예를 들면, 원격 리소스(104)가 지불 서비스와 관련되는 경우), 등등과 같은 다른 정보를 또한 포함할 수도 있다. 디바이스(102A)뿐만 아니라 시스템(100)에 등록되어 있는 유저의 임의의 다른 디바이스는 유저 프로파일(114A)과 관련될 수도 있고, 분류(116A)는, 디바이스(102A)의 MLE(106A)로부터 수신되는 SS(110A) 및/또는 유저 프로파일(114A)에서의 정보에 기초하여, 디바이스(102A)에 대해 발생하기 시작할 수도 있다. 일 실시형태에서, "새로운" 디바이스는, 디바이스가 깨끗하다는 것(예를 들면, 위협이 없고 유저 거동 학습이 개시할 준비가 되어 있다는 것)을 보장하기 위해 최초 검증을 받을 수도 있다. 새로운 디바이스는, 예를 들면, 제조업자로부터, 소매업자로부터, 등등으로부터 직접적으로 획득되는 신규 브랜드의 디바이스, 미사용 디바이스, 또는 단순히 유저 프로파일(114A)과 신규로 관련되는 디바이스일 수도 있다. 디바이스(102A)가 깨끗하다는 것(예를 들면, 새로운 제조업자로부터 변경되지 않은 또는 적어도 멀웨어가 없는)을 유저가 믿을 수도 있기 때문에, 초기 검증은 중요할 수도 있는데, 실제로는, 하드웨어 및/또는 소프트웨어가 추가/제거/변경되었을 수도 있고, 멀웨어가 디바이스 상으로의 자신의 길을 발견했을 수도 있고, 등등일 수도 있다. 동작의 한 예에서, 새로운 디바이스(102A)는 검증을 위해 제1 SS(110A)를 UBCE(112)로 송신할 수도 있다. UBCE(112)는 다양한 디바이스(예를 들면, 디바이스(102B...n))로부터 데이터를 수신할 수도 있고, 이 데이터로부터, 디바이스(102A)가 깨끗하다는 것을 검증하기 위해 SS(110A)가 비교될 수도 있는 기본 동작 구성을 만들 수도 있다. 예를 들면, UBCE(112)는, 디바이스(102A)의 제조업자, 모델, 구성, 빌드 날짜, OS, 등등을 유저 프로파일(114A) 및/또는 SS(110A)로부터 판정할 수도 있고, 다른 디바이스(예를 들면, SS(110B...n))로부터 수신되는 데이터에 기초하여 디바이스(102A)에 대한 깨끗한 구성을 판정하기 위해 이 데이터를 사용할 수도 있고, 그 다음, SS(110A)에 불일치가 존재하는지 여부를 판정하기 위해 SS(110A)를 깨끗한 구성에 비교할 수도 있다. 그 다음, UBCE(112)는, 구성에서 임의의 불일치를 나타내는 검증으로부터의 결과를 디바이스(102A)로 제공할 수도 있다. 그 다음, 디바이스(102A)의 유저는, 유저 거동(108A)을 학습하기 이전에 그들의 디바이스가 깨끗하게 시작한다는 것을 보장받을 수도 있다. 더욱이, 초기 SS(110A)는, 분류(116A)를 생성하고 있을 때 UBCE(112)에 의한 사용을 위해 디바이스(102A)에 대한 기본 구성을 제공할 수도 있다.분류(116A)가 확립된 이후, 디바이스(102A)(예를 들면, MLE(106A))는, 특이한 거동이 검출될 때마다, SS(110A)를 (예를 들면, SS(110A)에 아직 포함되지 않았으면 유저를 식별하는 정보와 함께) 원격 리소스(104)로 송신할 수도 있다. 그 다음, UBCE(112)는, 거동이 분류(116A)를 갖는 디바이스와 일치하는지 여부를 판정하기 위해, SS(110A)를 분류(116A)에 비교할 수도 있다. 예를 들면, UBCE(112)는, 디바이스(102A)와 동일한 또는 유사한 분류(116A)에서 다른 디바이스(예를 들면, 디바이스(102B...n))로부터 수신되는 데이터에 기초하여 "모델 구성"(예를 들면, 예시적인 SS(110))을 생성할 수도 있다. 예시적인 SS(110)를 생성함에 있어서, 디바이스(102A)의 타입, 디바이스(102A)의 메이크/모델/빌드 년도, 등등과 같은 다른 요인이 또한 고려될 수도 있다. 그 다음, UBCE(112)는, SS(110A)에서 식별되는 동작 중 임의의 것이 의심스러운지 여부를 판정하기 위해 예시적인 SS(110)의 컨텐츠를 SS(110A)에 비교하도록 진행할 수도 있다. SS(110A)에서의 거동이 의심스러운 것으로 간주되면, UBCE(112)는, 디바이스(102A)에 존재할 수도 있는 위협을 식별하는 위협 분석(118A)을 디바이스(102A)로 송신할 수도 있다. 일 실시형태에서, MLE(106A)는, 디바이스에 잠재적인 위협이 존재하는지 여부를 판정하기 위해 UBCE(112)로부터 수신되는 위협 분석(118A)을 평가할 수도 있다. 위협이 존재하는 것으로 믿어지면, MLE(106A)는, 잠재적인 위협을 유저에게 통지하기, 잠재적인 위협을 포함하는 파일을 격리하기, 잠재적인 위협을 포함하는 파일을 삭제하기, 위협을 무효화하도록 네트워크 액세스 및/또는 다른 액션을 불능화하기와 같은 그러나 이들로 제한되지는 않는 시정 조치를 트리거할 수도 있다.도 2는, 본 개시의 적어도 하나의 실시형태에 따른, 디바이스(102A')에 대한 예시적인 구성을 예시한다. 특히, 디바이스(102A')는 도 1에서 개시되는 것과 같은 예시적인 기능성을 수행할 수도 있다. 그러나, 디바이스(102A')는 본 개시와 부합하는 실시형태에서 사용가능한 기기의 한 예로서만 의도된 것이며, 구현의 임의의 특정한 방식에 대한 이들 다양한 실시형태를 제한하도록 의도되지는 않는다. 도 2에서 개시되는 디바이스(102A')의 예시적인 구성은, 도 1에서 또한 개시되는 디바이스(102B...n)에 또한 적용가능할 수도 있다.디바이스(102A')는, 예를 들면, 디바이스 동작을 관리하도록 구성되는 시스템 모듈(200)을 포함할 수도 있다. 시스템 모듈(200)은, 예를 들면, 프로세싱 모듈(202), 메모리 모듈(204), 전력 모듈(206), 유저 인터페이스 모듈(208) 및 통신 인터페이스 모듈(210)을 포함할 수도 있다. 디바이스(102A')는 통신 모듈(212) 및 MLE(106A')을 더 포함할 수도 있다. 통신 모듈(212) 및 MLE(106A')가 시스템 모듈(200)과는 별개로서 도시되었지만, 도 2에서 도시되는 예시적인 구현예는 단지 설명의 편의를 위해 제공되었다. 통신 모듈(212) 및/또는 MLE(106A')와 관련되는 기능성 중 일부 또는 전체는 시스템 모듈(200)에 통합될 수도 있다.디바이스(102A')에서, 프로세싱 모듈(202)은 별개의 컴포넌트에 위치된 하나 이상의 프로세서, 또는 대안적으로, 단일의 컴포넌트에서(예를 들면, 시스템 온 칩(System-on-a-Chip; SoC) 구성에서) 구체화되는 하나 이상의 프로세싱 코어 및 임의의 프로세서 관련 지원 회로부(예를 들면, 브리징 인터페이스, 등등)를 포함할 수도 있다. 예시적인 프로세서는, 펜티엄(Pentium), 제온(Xeon), 아이타니엄(Itanium), 셀러론(Celeron), 아톰(Atom), 코어(Core) i 시리즈 제품 패밀리에서의 것들을 포함하는 인텔 코포레이션으로부터 입수가능한 다양한 x86 기반의 마이크로프로세서, 어드밴스드 RISC(예를 들면, 축약 명령어 세트 컴퓨팅(Reduced Instruction Set Computing)) 머신 또는 "ARM" 프로세서 등등을 포함할 수도 있지만, 이들로 제한되지는 않는다. 지원 회로부의 예는, 디바이스(102A')에서 상이한 속도에서, 상이한 버스 상에서, 등등에서 동작할 수도 있는 다른 시스템 컴포넌트와 프로세싱 모듈(202)이 상호작용할 수도 있게 하는 인터페이스를 제공하도록 구성되는 칩셋(예를 들면, 인텔 코포레이션으로부터 입수가능한 노스브리지(Northbridge), 사우스브리지(Southbridge), 등등)을 포함할 수도 있다. 지원 회로부와 일반적으로 관련되는 기능성 중 일부 또는 전체는, 프로세서와 동일한 물리적 패키지에(예를 들면, 예컨대 인텔 코포레이션으로부터 입수가능한 프로세서의 샌디 브리지(Sandy Bridge) 패밀리에) 또한 포함될 수도 있다.프로세싱 모듈(202)은 디바이스(102A')에서 다양한 명령어를 실행하도록 구성될 수도 있다. 명령어는, 프로세싱 모듈(202)로 하여금, 데이터 판독, 데이터 기록, 데이터 프로세싱, 데이터 작성, 데이터 변환(converting), 데이터 변환(transforming) 등등에 관련되는 액티비티를 수행하게 하도록 구성되는 프로그램 코드를 포함할 수도 있다. 정보(예를 들면, 명령어, 데이터, 등등)는 메모리 모듈(204)에 저장될 수도 있다. 메모리 모듈(204)은 고정된 또는 착탈가능한 포맷의 랜덤 액세스 메모리(random access memory; RAM) 또는 리드 온리 메모리(read-only memory; ROM)를 포함할 수도 있다. RAM은, 예를 들면, 정적 RAM(static RAM; SRAM) 또는 동적 RAM(Dynamic RAM; DRAM)과 같은, 디바이스(102A')의 동작 동안 정보를 유지하도록 구성되는 휘발성 메모리를 포함할 수도 있다. ROM은, 디바이스(102A') 활성화시 명령어를 제공하기 위한 BIOS, UEFI, 등등, 전자적으로 프로그래밍가능한 ROM(electronic programmable ROM; EPROM)과 같은 프로그래밍가능한 메모리, 플래시, 등등에 기초하여 구성되는 불휘발성(nonvolatile; NV) 메모리 모듈을 포함할 수도 있다. 다른 고정된/착탈식 메모리는, 예를 들면, 플로피 디스크, 하드 드라이브, 등등과 같은 자기 메모리, 솔리드 스테이트 플래시 메모리(예를 들면, 임베디드 멀티미디어 카드(embedded multimedia card; eMMC), 등등)와 같은 전자적 메모리, 착탈식 메모리 카드 또는 스틱(예를 들면, 마이크로 스토리지 디바이스(micro storage device; μSD), USB, 등등), 컴팩트 디스크 기반 ROM(compact disc-based ROM; CD-ROM), 디지털 비디오 디스크(Digital Video Disks; DVD), 블루레이 디스크 등등과 같은 광학적 메모리를 포함할 수도 있지만, 이들로 제한되지는 않는다.전력 모듈(206)은 내부 전원(예를 들면, 배터리, 연료 전지, 등등) 및/또는 외부 전원(예를 들면, 전기기계 또는 태양광 발전기, 전력 그리드, 연료 전지 등등), 및 디바이스(102A')에게 동작에 필요한 전력을 공급하도록 구성되는 관련 회로부를 포함할 수도 있다. 유저 인터페이스 모듈(208)은 유저가 디바이스(102A')와 상호작용하는 것을 허용하기 위한 기기 및/또는 소프트웨어, 예컨대, 예를 들면, 다양한 입력 메커니즘(예를 들면, 마이크, 스위치, 버튼, 노브, 키보드, 스피커, 터치 감지 표면, 이미지를 캡쳐하도록 및/또는 근접도, 거리, 모션, 제스쳐, 방위를 감지하도록 구성되는 하나 이상의 센서, 등등) 및 다양한 출력 메커니즘(예를 들면, 스피커, 디스플레이, 조명을 받는/점등하는 표시기, 진동, 모션을 위한 전자기계 컴포넌트 등등)을 포함할 수도 있다. 유저 인터페이스 모듈(208)의 기기는 디바이스(102A') 내에 통합될 수도 있고/있거나 유선 또는 무선 통신 매체를 통해 디바이스(102A')에 커플링될 수도 있다.통신 인터페이스 모듈(210)은, 패킷 경로지정 및 유선 및/또는 무선 통신을 지원하도록 구성되는 리소스를 포함할 수도 있는 통신 모듈(212)에 대한 다른 제어 기능을 관리하도록 구성될 수도 있다. 몇몇 경우에서, 디바이스(102A')는, 중앙집중식 통신 인터페이스 모듈(210)에 의해 모두 관리되는 하나보다 많은 통신 모듈(212)(예를 들면, 유선 프로토콜 및/또는 무선 라디오에 대한 별개의 물리적 인터페이스 모듈을 포함함)을 포함할 수도 있다. 유선 통신은, 예를 들면, 이더넷, 범용 직렬 버스(Universal Serial Bus; USB), 파이어와이어, 디지털 비디오 인터페이스(Digital Video Interface; DVI), 고선명 멀티미디어 인터페이스(High-Definition Multimedia Interface; HDMI) 등등과 같은 직렬 및 병렬 유선 매체를 포함할 수도 있다. 무선 통신은, 예를 들면, 근접 무선 매체(예를 들면, 근접장 통신(Near Field Communications; NFC), 적외선(infrared; IR), 등등에 기초한 것과 같은 무선 주파수(radio frequency; RF)), 단거리 무선 매체(예를 들면, 블루투스, WLAN, 와이파이, 등등), 장거리 무선 매체(예를 들면, 셀룰러 광역 무선 통신 기술, 위성 기반 통신, 등등) 또는 음파를 통한 전자적 통신을 포함할 수도 있다. 일 실시형태에서, 통신 인터페이스 모듈(210)은, 통신 모듈(212)에서 액티브인 무선 통신이 서로 간섭하는 것을 방지하도록 구성될 수도 있다. 이 기능을 수행함에 있어서, 통신 인터페이스 모듈(210)은, 예를 들면, 송신을 대기하고 있는 메시지의 상대적인 우선순위에 기초하여 통신 모듈(212)에 대한 액티비티를 스케줄링할 수도 있다. 통신 인터페이스 모듈(210)이 통신 모듈(212)과는 별개인 것을 도 2에서 개시되는 실시형태가 예시하지만, 통신 인터페이스 모듈(210) 및 통신 모듈(212)의 기능성이 동일한 모듈 내에 통합되는 것이 또한 가능할 수도 있다.도2에서 개시되는 예에서, MLE(106A')는, 적어도 메모리 모듈(206), 통신 모듈(212), 및/또는 유저 인터페이스 모듈(208)과 상호작용하도록 구성될 수도 있다. 동작의 한 예에서, MLE(106A')는 SS(110A)를 생성할 수도 있고, 유저 거동(108A)을 학습하기 위해, SS(110A)를 메모리 모듈(204)에 저장되어 있는 이전의 SS(110A)에 비교할 수도 있다. 유저 거동(108A)이 학습된 이후, SS(110A)에 특이한 거동이 존재하는 것으로 판정되면, MLE(106A')는 통신 모듈(212)로 하여금 SS(110A)를 UBCE(112)로 송신하게 할 수도 있다. 나중에, ME(106A')는 통신 모듈(212)을 통해 위협 분석(118A)을 수신할 수도 있다. 그 다음, MLE(106A')는 디바이스(102A')에 임의의 위협이 존재하는지 여부를 판정하기 위해 위협 분석(118A)을 평가할 수도 있다. 임의의 위협이 존재하는 것으로 판정되면, MLE(106A')는 유저에게 잠재적인 위협을 알리는 통지가 유저 인터페이스 모듈(208)을 통해 디바이스(102A')의 유저에게 제시되게 할 수도 있고/있거나 시정 조치가 디바이스(102A')에서 수행되게 할 수도 있다.도 3은, 본 개시의 적어도 하나의 실시형태에 따른, 원격 리소스(104')에 대한 예시적인 구성을 예시한다. 도 2에서 제시되는 예시적인 디바이스(102A')를 참조로 나타내어지는 것과 동일한, 또는 실질적으로 유사한 모듈 및/또는 다른 엘리먼트는, 도 3에서 동일한 도면 참조번호를 사용하여 식별되었다.원격 리소스(104')는, 도 1의 예에서 개시되는 것과 같은 다양한 액티비티를 수행하기 위한, 독립형 컴퓨팅 디바이스, 또는 개별적으로 또는 일제히 동작하는 복수의 컴퓨팅 디바이스 중 하나일 수도 있다. 원격 리소스(104')에서, 몇몇 디바이스(예를 들면, 서버)가 유저 인터페이스 모듈(208)을 포함하지 않을 수도 있지만 원격 리소스(104')와의 유저 상호작용을 용이하게 하기 위해 다른 기기(예를 들면, 원격 단말)에 의존할 수도 있다는 점에서, 유저 인터페이스 모듈(208)은 옵션으로서 예시되어 있다. 일 실시형태에서, UBCE(112')는, 적어도 프로세싱 모듈(202), 메모리 모듈(204) 및 통신 모듈(212)과 상호작용할 수도 있다. 동작의 한 예에서, UBCE(112')는 통신 모듈(212)을 통해 디바이스(102A)의 ME(106A)로부터 SS(110A)를 수신할 수도 있다. 그 다음, UBCE(112')는, 디바이스(102A)의 유저에 대응하는 유저 프로파일(114A)의 위치를 판정하기 위해, 분류(116A)에 액세스하기 위해 그리고 분류(116A)에 기초하여 모델 구성(예를 들면, 예시적인 SS(110))을 생성하기 위해, 프로세싱 모듈(202) 및/또는 메모리 모듈(204)에 의존할 수도 있다. 더욱이, 프로세싱 모듈(202) 및/또는 메모리 모듈(204)은, SS(110A)를 예시적인 SS(110)에 비교하는 것에 기초하여 디바이스(102A')에 임의의 위협이 존재하는지 여부를 판정하는 것에 보조할 수도 있다. 그 다음, UBCE(112')는 통신 모듈(212)로 하여금, SS(110A)의 분석으로부터 유래하는 적어도 위협 분석(118A)을 디바이스(102A)로 송신하게 할 수도 있다.도 4는, 본 개시의 적어도 하나의 실시형태에 따른, 머신 학습 스냅샷 평가를 포함하는 예시적인 보호 시스템에 대한 예시적인 동작을 예시한다. 동작 400에서, (예를 들면, 디바이스의 MLE에 의해) 디바이스 동작의 스냅샷이 생성될 수도 있다. 스냅샷은 자동으로(예를 들면, 주기적으로, 이벤트의 발생시) 또는 디바이스의 유저에 의해 수동으로 트리거될 수도 있다. 그 다음, 유저 및/또는 디바이스가 시스템에 대해 새로운 것인지의(예를 들면, 원격 리소스에 아직 등록되지 않았는지의) 여부에 관한 판정이 동작 402에서 이루어질 수도 있다. 동작 402에서, 디바이스가 새로운 것이다는 것이 판정되면, 동작 404에서, 스냅샷 및 유저 데이터(예를 들면, 유저를 적어도 식별하는 데이터)가 원격 리소스로 송신될 수도 있다. 그 다음, 동작 406에서, 유저가 새로운 유저인지의(예를 들면, 원격 리소스에 아직 등록하지 않았는지의) 여부에 관한 판정이 이루어질 수도 있다. 동작 406에서, 유저가 원격 리소스에 아직 등록하지 않았다는 것이 판정되면, 동작 408에서, 새로운 유저 프로파일이 유저에 대해 생성될 수도 있다. 유저 프로파일이 이미 존재한다는 동작 406에서의 판정에 후속하여, 또는 동작 408에서의 유저 프로파일의 작성에 후속하여, 디바이스는 동작 410에서 유저 프로파일과 관련될 수도 있다. 그 다음, 동작 412에서, 디바이스가 깨끗한지 여부를(예를 들면, 이 타입의, 메이크의, 모델의, 빌드 날짜의, 소정의 OS를 갖는, 등등의 새로운 디바이스에 대해 예측될 동작을 디바이스의 스냅샷이 포함한다는 것을) 판정하기 위한 검증이 이루어질 수도 있다. 그 다음, 임의의 검출된 위협, 취약성 또는 결함을 무효화하는 데 필요한 임의의 변경을 유저 및/또는 MLE가 행할 수 있도록, 검증의 결과는 디바이스로 제공될 수도 있다. 그 다음, 동작 416에 대한 점선 화살표에 의해 나타내어지는 분류가 개시될 수도 있는데, 이 경우 원격 리소스의 UBCE는 유저에 의한 디바이스에 대한 적어도 하나의 사용 타입(예를 들면, 게임용 디바이스, 웹 브라우징, 비지니스/교육/설계 용도, 등등)을 분류하기 시작할 수도 있다.동작 402에서, 유저도 신규가 아니고 디바이스도 신규가 아니다는 것이 판정되면, 동작 418에서, 디바이스에 대해 유저 거동이 학습되었는지의 여부에 관한 추가 판정이 이루어질 수도 있다. 예를 들면, 새로운 디바이스에 대해 유저 거동이 학습되는 지점에 도달하기 위해서는, 일련의 스냅샷이 필요로 될 수도 있다. 동작 418에서, 유저 거동이 학습되지 않았다는 것이 판정되면, 동작 420에서, MLE는 스냅샷에서의 액티비티에 기초하여 유저 거동을 계속 학습할 수도 있다. 동작 420에 후속하여 동작 400으로 돌아가서 추가적인 스냅샷을 생성할 수도 있다. 동작 418에서, 유저 거동이 학습되었다는 것이 판정되면, 동작 422에서, 스냅샷이 임의의 특이한 거동(예를 들면, 학습된 유저 거동과 일치하지 않는 동작)을 포함하는지의 여부에 관한 추가 판정이 이루어질 수도 있다. 스냅샷이 어떠한 특이한 거동도 포함하지 않는다는 동작 422에서의 판정에 후속하여, 동작 420이 계속될 수도 있는데, 여기서는 스냅샷에 포함된 액티비티가 MLE에 의해 학습되는 유저 거동을 계속적으로 개선하도록 사용될 수도 있다. 동작 422에서, 스냅샷이 특이한 거동을 포함한다는 판정이 이루어지면, 동작 424에서, 스냅샷은 원격 리소스로 송신될 수도 있다(예를 들면, 유저 데이터를 포함함).원격 리소스에서 스냅샷을 수신하면, 동작 426에서, 디바이스에 대한 적어도 하나의 사용 타입이 유저 거동에 기초하여 분류되었는지에 관한 판정이 이루어질 수도 있다. 동작 426에서, 유저 거동이 아직 분류되지 않았다는 것이 판정되면, 동작 416에서, 완료시까지 분류의 발전이 계속될 수도 있다(예를 들면, 분류를 완료하기 위해 더 많은 스냅샷이 요구될 수도 있다). 한편, 동작 426에서, 분류가 완료되었다는 것이 판정되면, 동작 428에서, 분류의 관점에서 스냅샷을 평가하는 것에 기초하여(예를 들면, 분류에서의 적어도 하나의 사용 타입에 대응하는 예시적인 스냅샷에 기초하여) 디바이스가 잠재적인 위협을 포함하는지의 여부에 관한 추가 판정이 이루어질 수도 있다. 동작 428에서, 디바이스에 대한 어떠한 잠재적인 위협도 스냅샷에 존재하지 않는다는 것이 판정되면, 동작 430에서, 스냅샷의 액티비티는 분류를 업데이트하도록 활용될 수도 있다. 동작 428에서, 적어도 하나의 잠재적인 위협이 디바이스에 존재한다는 것이 스냅샷에 기초하여 판정되면, 동작 432에서, 위협 분석이 디바이스로 송신될 수도 있는데, 위협 분석은, 예를 들면, 동작 428에서 판정되었던 디바이스에 대한 임의의 위협을 설명한다. 디바이스는 위협 분석을 수신할 수도 있고 동작 434에서 위협 분석을 평가할 수도 있고/있거나, 필요하다면, 위협 분석에 대해 반응을 나타낼 수도 있다(예를 들면, 보호적 조치, 시정 조치 등등을 수행할 수도 있다).도 4가 한 실시형태에 따른 동작을 예시할 수도 있지만, 도 4에서 묘사되는 모든 동작이 다른 실시형태에 필요한 것은 아니다는 것이 이해되어야 한다. 실제, 본 개시의 다른 실시형태에서는, 도 4에서 묘사되는 동작, 및/또는 본원에서 설명되는 다른 동작이 도면 중 어떠한 것에서도 구체적으로 도시되지 않은 방식으로 결합될 수도 있지만, 여전히 본 개시와 여전히 전적으로 부합할 수도 있다는 것이 본원에서 완전히 의도된다. 따라서, 하나의 도면에서 정확하게 도시되지 않은 피쳐 및/또는 동작을 대상으로 하는 청구항은 본 개시의 범위 및 내용 내에 있는 것으로 간주된다.본 출원에서 그리고 청구범위에서 사용되는 바와 같이, 용어 "및/또는"에 의해 결합되는 아이템의 리스트는 열거된 아이템의 임의의 조합을 의미할 수 있다. 예를 들면, 어구 "A, B 및/또는 C"는 A; B; C; A 및 B; A 및 C; B 및 C; 또는 A, B 및 C를 의미할 수 있다. 본 출원에서 그리고 청구범위에서 사용되는 바와 같이, 용어 "적어도 하나의"에 의해 결합되는 아이템의 리스트는 열거된 용어의 임의의 임의의 조합을 의미할 수 있다. 예를 들면, 어구 "A, B 또는 C 중 적어도 하나"는 A; B; C; A 및 B; A 및 C; B 및 C; 또는 A, B 및 C를 의미할 수 있다.본원의 임의의 실시형태에서 사용되는 바와 같이, 용어 "모듈"은 상기 언급된 동작 중 임의의 것을 수행하도록 구성되는 소프트웨어, 펌웨어 및/또는 회로부를 가리킬 수도 있다. 소프트웨어는, 비일시적 머신 판독가능 저장 매체 상에 기록된 소프트웨어 패키지, 코드, 명령어, 명령어 세트 및/또는 데이터로서 구체화될 수도 있다. 펌웨어는 메모리 디바이스에 하드코딩되는(hard-coded)(예를 들면, 불휘발성인) 코드, 명령어 또는 명령어 세트 및/또는 데이터로서 구체화될 수도 있다. 본원의 임의의 실시형태에서 사용되는 바와 같은 "회로부"는, 예를 들면, 하드웨어에 내장된 회로부(hardwired circuitry), 하나 이상의 개개의 명령어 프로세싱 코어를 포함하는 컴퓨터 프로세서와 같은 프로그래밍가능한 회로부, 상태 머신 회로부, 및/또는 프로그래밍가능한 회로부에 의해 실행되는 명령어를 저장하는 펌웨어를 단독으로 또는 임의의 조합으로 포함할 수도 있다. 모듈은, 일괄적으로 또는 개별적으로, 더 큰 시스템의 일부를 형성하는 회로부로서, 예를 들면, 집적 회로(integrated circuit; IC), 시스템 온 칩(SoC), 데스크탑 컴퓨터, 랩탑 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터, 서버, 스마트폰, 등등으로서 구체화될 수도 있다.본원에서 설명되는 동작 중 임의의 것은, 하나 이상의 프로세서에 의한 실행시 방법을 수행하는 명령어가, 개별적으로 또는 조합하여, 저장된 하나 이상의 저장 매체(예를 들면, 비일시적 저장 매체)를 포함하는 시스템에서 구현될 수도 있다. 여기서, 프로세서는, 예를 들면, 서버 CPU, 모바일 디바이스 CPU, 및/또는 다른 프로그래밍가능한 회로부를 포함할 수도 있다. 또한, 본원에서 설명되는 동작은, 하나보다 많은 상이한 물리적 위치에서 복수의 물리적 디바이스, 예컨대 프로세싱 구조체에 걸쳐 분포될 수도 있다는 것이 의도된다. 저장 매체는 임의의 타입의 유형의(tangible) 매체, 예를 들면, 하드 디스크, 플로피 디스크, 광학 디스크, 컴팩트 디스크 리드 온리 메모리(CD-ROM), 재기록가능 컴팩트 디스크(compact disk rewritable; CD-RW), 및 광자기 디스크를 포함하는 임의의 타입의 디스크, 리드 온리 메모리(ROM), 동적 RAM 및 정적 RAM과 같은 랜덤 액세스 메모리(RAM), 소거가능하고 프로그래밍가능한 리드 온리 메모리(EPROM), 전기적으로 소거가능하고 프로그래밍가능한 리드 온리 메모리(electrically erasable programmable read-only memory; EEPROM), 플래시 메모리, 솔리드 스테이트 디스크(Solid State Disk; SSD), 임베디드 멀티미디어 카드(eMMC), 시큐어 디지털 입력/출력(secure digital input/output; SDIO) 카드와 같은 반도체 디바이스, 자기 또는 광학 카드, 또는 전자적 명령어를 저장하기에 적합한 임의의 타입의 매체를 포함할 수도 있다. 다른 실시형태는 프로그래밍가능한 제어 디바이스에 의해 실행되는 소프트웨어 모듈로서 구현될 수도 있다.따라서, 본 개시는 머신 학습 스냅샷 평가를 포함하는 보호 시스템을 대상으로 한다. 디바이스는 디바이스 동작의 스냅샷을 생성하기 위해 머신 학습 엔진(MLE)을 포함할 수도 있다. MLE는 유저 거동을 학습하기 위해 스냅샷의 액티브 또는 계획된 동작을 활용할 수도 있다. 일단 정상적인 유저 거동이 디바이스에 대해 확립되면, MLE는, 디바이스에 대한 위협을 의미할 수도 있는 특이한 거동을 스냅샷이 포함하는 때를 판정할 수도 있다. 특이한 거동을 포함하는 것으로 판정되는 스냅샷은 평가를 위해 원격 리소스로 송신될 수도 있다. 원격 리소스는, 유저 거동을 적어도 하나의 사용 타입으로 특징짓는 것에 의해 유저 거동을 분류할 수도 있는 적어도 유저 거동 분류 엔진(UBCE)을 포함할 수도 있다. 스냅샷은 디바이스에 잠재적인 위협이 존재하는지 여부를 판정하기 위해 UBCE에 의해 분석될 수도 있고, 위협 분석은 평가 및/또는 시정 조치를 위해 디바이스로 제공될 수도 있다.하기의 예는 추가적인 실시형태에 관련된다. 본 개시의 하기의 예는, 하기에서 제공되는 바와 같이, 디바이스, 방법, 실행시 머신으로 하여금 방법에 기초하여 액트를 수행하게 하는 명령어를 저장하기 위한 적어도 하나의 머신 판독가능 매체, 방법에 기초하여 액트를 수행하기 위한 수단 및/또는 머신 학습 스냅샷 평가를 포함하는 보호 시스템과 같은 주제를 포함할 수도 있다.예1에 따르면, 머신 학습 스냅샷 평가를 위한 디바이스가 제공된다. 디바이스는, 적어도 원격 리소스와 상호작용하는 통신 모듈, 적어도 학습된 유저 거동을 저장하는 메모리 모듈 및 디바이스 동작의 스냅샷을 생성하고, 학습된 유저 거동의 관점에서 스냅샷의 평가에 기초하여 특이한 유저 거동이 발생했는지 여부를 판정하고, 특이한 유저 거동이 발생했다는 것이 판정되면 통신 모듈로 하여금 스냅샷 및 유저 데이터를 원격 리소스로 송신하게 하고, 통신 모듈을 통해 원격 리소스로부터 위협 분석 - 위협 분석은 스냅샷의 송신에 응답하여 수신됨 - 을 수신하고 그리고 위협 분석에 적어도 기초하여 디바이스에 대해 잠재적인 위협이 존재하는지 여부를 판정하는 머신 학습 엔진을 포함할 수도 있다.예2는 예1의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 머신 학습 엔진은 또한, 디바이스가 새로운 것인지 여부를 판정하고 디바이스가 새로운 것이다는 것이 판정되면 적어도 스냅샷 및 유저 데이터를 원격 리소스로 송신한다.예3은 예1 또는 예2의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 머신 학습 엔진은 또한, 통신 모듈을 통해 원격 리소스로부터 수신되는 검증의 결과에 기초하여 디바이스에서 시정 조치가 필요로 되는지 여부를 판정한다.예4는 예1 또는 예2의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 머신 학습 엔진이 디바이스 동작의 스냅샷을 생성하는 것은, 스냅샷이 생성되었던 시간에 디바이스에서의 액티브 동작 또는 스냅샷이 생성되었던 시간에 디바이스에서의 계획된 동작 중 적어도 하나에 기초하여 머신 학습 엔진이 디바이스에서의 적어도 하나의 동작을 식별하는 것을 포함한다.예5는 예4의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 액티브 동작은, 애플리케이션을 실행하는 것, 네트워크 액티비티, 레지스트리 액티비티, 파일 시스템 액티비티, 프로세스 및 스레드 액티비티 또는 프로파일링 액티비티 중 적어도 하나를 포함한다.예6은 예4의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 스케줄링된 동작은, 실행 컴포넌트, 일 회 실행(run once) 컴포넌트, 기동 컴포넌트, 설치된 컴포넌트에 대응하는 레지스트리 설정, 프로토콜 또는 ShellEx을 포함하는 익스플로러(explorer)에 대응하는 레지스트리 설정, 인터넷 익스플로러(Internet Explorer)에 대응하는 레지스트리 설정, OS 스케줄러에서의 태스크, 서비스, 드라이버, 코덱, boot.exe, 이미지 하이잭(image hijack), Applnit, 기지의 dll, 윈로그온(WinLogon), 윈속(Winsock) 공급자, 프린터 모니터, 로컬 보안 허가(local security authority; LSA) 공급자, 네트워크 공급자 중 적어도 하나로부터 유도된다.예7은 예4의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 머신 학습 엔진은 또한, 스냅샷에서 식별되는 적어도 하나의 액티브 또는 계획된 동작과 관련되는 소프트웨어 모듈의 서명을 검증한다.예8은 예4의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 머신 학습 엔진은 또한, 스냅샷에서 식별되는 적어도 하나의 액티브 또는 계획된 동작을, 메모리 모듈에 저장되어 있는 적어도 하나의 이전 스냅샷에서 식별된 적어도 하나의 액티브 또는 계획된 동작에 비교하는 것에 기초하여 유저 거동을 학습한다.예9는 예4의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 특이한 유저 거동이 발생했는지 여부를 머신 학습 엔진이 판정하는 것은, 학습된 유저 거동에 기초하여 적어도 하나의 액티브 또는 계획된 동작이 예상되지 않는지 여부를 머신 학습 엔진이 판정하는 것을 포함한다.예10에 따르면, 원격 리소스로서 동작하도록 구성되는 적어도 하나의 디바이스가 제공된다. 적어도 하나의 디바이스는, 적어도 유저 디바이스와 상호작용하는 통신 모듈 및 적어도 유저 디바이스 동작의 스냅샷 및 유저 데이터를 유저 디바이스로부터 수신하고, 유저 데이터에 적어도 기초하여 새로운 유저 계정이 필요로 되는지 여부를 판정하고, 새로운 유저 계정이 필요로 된다는 것이 판정되면 새로운 유저 계정을 확립하고, 유저 디바이스를, 현존하는 유저 계정 또는 새로운 유저계정과 관련시키고, 스냅샷에 적어도 기초하여 유저 디바이스가 새로운 것인지 여부를 검증하고 그리고 검증의 결과를 유저 디바이스로 제공하는 유저 거동 분류 엔진을 포함할 수도 있다.예11은 예10의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 유저 거동 분류 엔진은 또한, 새로운 유저 계정이 필요로 된다는 것이 판정되면, 디바이스의 유저로 하여금, 새로운 유저 계정을 셋업하기 위한 정보를 제공할 것을 재촉받게 한다.예12는 예10 또는 예11의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 유저 거동 분류 엔진은 또한, 스냅샷에 적어도 기초하여 유저 분류를 발전시킨다.예13은 예12의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 유저 거동 분류 엔진이 유저 분류를 발전시키는 것은, 스냅샷에 적어도 기초하여 유저 거동 분류 엔진이 디바이스에 대한 적어도 하나의 사용 타입을 특징짓는 것을 포함한다.예14에 따르면, 머신 학습 스냅샷 평가를 위한 방법이 제공된다. 방법은, 디바이스에서의 동작의 스냅샷을 생성하는 것, 디바이스에 저장되어 있는 학습된 유저 거동의 관점에서의 스냅샷의 평가에 기초하여 특이한 유저 거동이 발생했는지 여부를 판정하는 것, 특이한 유저 거동이 발생했다는 것이 판정되면 스냅샷 및 유저 데이터가 원격 리소스로 송신되게 하는 것, 스냅샷의 송신에 응답하여 원격 리소스로부터 위협 분석을 수신하는 것 및 위협 분석에 적어도 기초하여 디바이스에 대해 잠재적인 위협이 존재하는지 여부를 판정하는 것을 포함할 수도 있다.예15는 예14의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 디바이스가 새로운 것인지 여부를 판정하는 것 및 디바이스가 새로운 것이다는 것이 판정되면 적어도 스냅샷 및 유저 데이터를 원격 리소스로 송신하는 것을 더 포함할 수도 있다.예16은 예14 또는 예15의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 원격 리소스로부터 수신되는 검증의 결과에 기초하여 디바이스에서 시정 조치가 필요로 되는지 여부를 판정하는 것을 더 포함할 수도 있다.예17은 예14 또는 예15의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 디바이스 동작의 스냅샷을 생성하는 것은, 스냅샷이 생성되었던 시간에 디바이스에서의 액티브 동작 또는 스냅샷이 생성되었던 시간에 디바이스에서의 계획된 동작 중 적어도 하나에 기초하여 디바이스에서의 적어도 하나의 동작을 식별하는 것을 포함한다.예18은 예17의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 액티브 동작은, 애플리케이션을 실행하는 것, 네트워크 액티비티, 레지스트리 액티비티, 파일 시스템 액티비티, 프로세스 및 스레드 액티비티 또는 프로파일링 액티비티 중 적어도 하나를 포함한다.예19는 예17의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 스케줄링된 동작은, 실행 컴포넌트, 일 회 실행(run once) 컴포넌트, 기동 컴포넌트, 설치된 컴포넌트에 대응하는 레지스트리 설정, 프로토콜 또는 ShellEx을 포함하는 익스플로러(explorer)에 대응하는 레지스트리 설정, 인터넷 익스플로러(Internet Explorer)에 대응하는 레지스트리 설정, OS 스케줄러에서의 태스크, 서비스, 드라이버, 코덱, boot.exe, 이미지 하이잭(image hijack), Applnit, 기지의 dll, 윈로그온(WinLogon), 윈속(Winsock) 공급자, 프린터 모니터, 로컬 보안 허가(local security authority; LSA) 공급자, 네트워크 공급자 중 적어도 하나로부터 유도된다.예20은 예17의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 스냅샷에서 식별되는 적어도 하나의 액티브 또는 계획된 동작과 관련되는 소프트웨어 모듈의 서명을 검증하는 것을 더 포함할 수도 있다.예21은 예17의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 스냅샷에서 식별되는 적어도 하나의 액티브 또는 계획된 동작을, 디바이스에 저장되어 있는 적어도 하나의 이전 스냅샷에서 식별된 적어도 하나의 액티브 또는 계획된 동작에 비교하는 것에 기초하여 유저 거동을 학습하는 것을 더 포함할 수도 있다.예22는 예17의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 특이한 유저 거동이 발생했는지 여부를 판정하는 것은, 적어도 하나의 액티브 또는 계획된 동작이 학습된 유저 거동에 기초하여 예상되지 않는지 여부를 판정하는 것을 포함한다.예23에 따르면, 머신 학습 스냅샷 평가를 위한 방법이 제공된다. 방법은, 원격 리소스에서 적어도 유저 디바이스 동작의 스냅샷 및 유저 데이터를 유저 디바이스로부터 수신하는 것, 유저 데이터에 적어도 기초하여 새로운 유저 계정이 필요로 되는지 여부를 판정하는 것, 새로운 유저 계정이 필요로 된다는 것이 판정되면 새로운 유저 계정을 확립하는 것, 유저 디바이스를 현존하는 유저 계정 또는 새로운 유저 계정과 관련시키는 것, 스냅샷에 적어도 기초하여 유저 디바이스가 새로운 것인지 여부를 검증하는 것 및 검증의 결과를 유저 디바이스로 제공하는 것을 포함할 수도 있다.예24는 예23의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 새로운 유저 계정이 필요로 된다는 것이 판정되면 유저 디바이스의 유저로 하여금, 새로운 유저 계정을 셋업하기 위한 정보를 제공할 것을 재촉받게 하는 것을 더 포함한다.예25는 예23 또는 예24의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 유저 거동 분류 엔진을 사용하여 스냅샷에 적어도 기초하여 유저 분류를 발전시키는 것을 더 포함할 수도 있다.예26은 예25의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 유저 분류를 발전시키는 것은, 스냅샷에 적어도 기초하여 디바이스에 대한 적어도 하나의 사용 타입을 특징짓는 것을 포함한다.예27에 따르면, 적어도 디바이스 및 원격 리소스를 포함하는 시스템이 제공되는데, 시스템은 상기 예14 내지 예26 중 임의의 것의 방법을 수행하도록 정렬된다.예28에 따르면, 상기 예14 내지 예26 중 임의의 것의 방법을 수행하도록 정렬되는 칩셋이 제공된다.예29에 따르면, 컴퓨팅 디바이스 상에서 실행되는 것에 응답하여, 컴퓨팅 디바이스로 하여금 상기 예14 내지 예26 중 어느 것에 따른 방법을 실행하게 하는 복수의 명령어를 포함하는 적어도 하나의 머신 판독가능 매체가 제공된다.예30에 따르면, 머신 학습 스냅샷 평가를 포함하는 보호 시스템 사용하기 위한 적어도 하나의 디바이스가 제공되는데, 적어도 하나의 디바이스는 상기 예14 내지 예26 중 임의의 것의 방법을 수행하도록 정렬된다.예31에 따르면, 머신 학습 스냅샷 평가를 위한 시스템이 제공된다. 시스템은, 디바이스에서의 동작의 스냅샷을 생성하기 위한 수단, 디바이스에 저장되어 있는 학습된 유저 거동의 관점에서의 스냅샷의 평가에 기초하여 특이한 유저 거동이 발생했는지 여부를 판정하기 위한 수단, 특이한 유저 거동이 발생했다는 것이 판정되면 스냅샷 및 유저 데이터가 원격 리소스로 송신되게 하기 위한 수단, 스냅샷의 송신에 응답하여 원격 리소스로부터 위협 분석을 수신하기 위한 수단 및 위협 분석에 적어도 기초하여 디바이스에 대해 잠재적인 위협이 존재하는지 여부를 판정하기 위한 수단을 포함할 수도 있다.예32는 예31의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 디바이스가 새로운 것인지 여부를 판정하기 위한 수단 및 디바이스가 새로운 것이다는 것이 판정되면 적어도 스냅샷 및 유저 데이터를 원격 리소스로 송신하기 위한 수단을 더 포함할 수도 있다.예33은 예31 또는 예32의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 원격 리소스로부터 수신되는 검증의 결과에 기초하여 디바이스에서 시정 조치가 필요로 되는지 여부를 판정하기 위한 수단을 더 포함할 수도 있다.예34는 예31 또는 예32의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 디바이스 동작의 스냅샷을 생성하기 위한 수단은, 스냅샷이 생성되었던 시간에 디바이스에서의 액티브 동작 또는 스냅샷이 생성되었던 시간에 디바이스에서의 계획된 동작 중 적어도 하나에 기초하여 디바이스에서의 적어도 하나의 동작을 식별하기 위한 수단을 포함한다.예35는 예34의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 스냅샷에서 식별되는 적어도 하나의 액티브 또는 계획된 동작과 관련되는 소프트웨어 모듈의 서명을 검증하기 수단을 더 포함할 수도 있다.예36은 예34의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 스냅샷에서 식별되는 적어도 하나의 액티브 또는 계획된 동작을, 디바이스에 저장되어 있는 적어도 하나의 이전 스냅샷에서 식별된 적어도 하나의 액티브 또는 계획된 동작에 비교하는 것에 기초하여 유저 거동을 학습하기 위한 수단을 더 포함할 수도 있다.예37은 예34의 엘리먼트를 포함할 수도 있고, 특이한 유저 거동이 발생했는지 여부를 판정하기 위한 수단은, 적어도 하나의 액티브 또는 계획된 동작이 학습된 유저 거동에 기초하여 예상되지 않는지 여부를 판정하기 위한 수단을 포함한다.본원에서 활용된 용어 및 표현은 제한이 아니라 설명의 용어로서 사용된 것이며, 이러한 용어 및 표현의 사용에 있어서, 도시되고 설명된 피쳐(또는 그 일부)의 임의의 균등물을 배제하려는 의도가 없으며, 따라서, 청구범위의 범위 내에서 다양한 수정예가 가능하다는 것이 인식된다. 따라서, 청구범위는 모든 이러한 균등물을 포괄하도록 의도된다.
본 개시는 머신 학습 스냅샷 평가를 포함하는 보호 시스템을 대상으로 한다. 디바이스는 디바이스 동작의 스냅샷을 생성하기 위해 머신 학습 엔진(MLE)을 포함할 수도 있다. MLE는 유저 거동을 학습하기 위해 스냅샷의 액티브 또는 계획된 동작을 활용할 수도 있다. 일단 정상적인 유저 거동이 디바이스에 대해 확립되면, MLE는, 디바이스에 대한 위협을 의미할 수도 있는 특이한 거동을 스냅샷이 포함하는 때를 판정할 수도 있다. 특이한 거동을 포함하는 것으로 판정되는 스냅샷은 평가를 위해 원격 리소스로 송신될 수도 있다. 원격 리소스는, 유저 거동을 적어도 하나의 사용 타입으로 특징짓는 것에 의해 유저 거동을 분류할 수도 있는 적어도 유저 거동 분류 엔진(UBCE)을 포함할 수도 있다. 스냅샷은 디바이스에 잠재적인 위협이 존재하는지 여부를 판정하기 위해 UBCE에 의해 분석될 수도 있고, 위협 분석은 평가 및/또는 시정 조치를 위해 디바이스로 제공될 수도 있다.
[ 발명의 명칭 ] 화학적 기계적 평탄화를 위한 금속 산화물-중합체 복합 입자 METAL OXIDE-POLYMER COMPOSITE PARTICLES FOR CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION [ 기술분야 ] 003c#관련 출원003e#본 출원은 2013년 12월 20일에 출원된 미국 가출원 제61/919,251호에 대한 35 U.S.C.§119(e)에 의거한 우선권을 주장하며, 상기 가출원의 개시 내용은 본원에 참조로 포함된다. [ 배경기술 ] CMP로서도 공지되어 있는, 화학적 기계적 평탄화는, 후속 단계에 대비하여 또는 물질을 그의 위치에 따라 선택적으로 제거하기 위해, 공정중 반도체 웨이퍼 또는 다른 기재의 상부 표면을 평탄화하는 데 사용되는 기술이다. 일반적으로 화학적 작용과 기계적 작용 둘 다가 연관되어 있다.CMP는 통상적으로 마이크로전자 집적회로 (IC)의 제작에 사용된다. IC는 여러 가지의 장치 및 기능을 분리하기 위해 측방향으로 패턴화된 유전층 및 전도층으로 구성된 다층 구조물이다. 각각의 층은 순차적으로 침착되고, 이어서 그 다음 차례의 층이 침착되기 전에, CMP에 의해 요망되는 깊이로 연마/제거된다. 층이 CMP에 의해 가공된 후에, 이는 전형적으로 세정 작업대에서의 노출 (예를 들면, 수분 동안)을 포함하는 후-CMP 세정 작업에 적용될 수 있는데, 이러한 작업 동안에는 수산화암모늄 용액이 웨이퍼 표면 상에 유동하는 동시에 중합체 브러시에 의한 약한 스크러빙 작업이 수행되고, 이어서 강제 공기 또는 적외선 가열 건조가 수행된다. 전형적으로, 세정 작업 후에는, 산화물 층의 경우에 광학적 방법 (예를 들면, 타원계측법) 또는 금속성 층의 경우에 전기적 임피던스 기술 (예를 들면, 4분 탐침 측정법(four point probe measurement))을 사용하여 필름 두께를 측정하기 위한 계측 단계가 수행된다.CMP는, 그 다음 층에서 침착되는 패턴의 충실도 및 품질을 최대화하기 위해, 표면을 나노미터 및 때때로 옹스트롬 수준의 평활도로 평탄화하는 데 사용될 수 있다. CMP는 거의 모든 물질 (예를 들면, 예를 들어, 전도성 금속, 금속 장벽, 또는 산화물 절연체 층)의 침착 단계 후에 필요하다.제거율은 특정한 CMP 단계를 수행할 수 있는 속도를 좌우하기 때문에 CMP에 있어서 중요한 특징이다. 작업편 결함, 예컨대 스크래칭, 금속 특징부의 디싱(dishing), 산화물 침식(erosion) 등에 의해 초래된 것과 관련된 고려 사항들이 또한 중요하다. 결함이 있는 작업편은 종종 재가공 또는 폐기될 필요가 있기 때문에, 그의 발생은 전체 제조 공정의 비용 및 효율에 큰 영향을 미친다.전형적인 CMP 작업은 연마성 및/또는 부식성을 갖는 슬러리의 존재 하에서의 연마 패드와 작업편의 원 운동을 포함한다. 예를 들어, 반도체 제조에서, 웨이퍼는 캐리어 상에 적재되고 유연한 연마 패드가 장착된 회전 정반(platen) 상에서 하방으로 가압된다. 슬러리는 웨이퍼와 패드 사이의 계면에 분배되고, 웨이퍼 물질은 화학적 슬러리와 패드의 연마성의 조합된 작용에 의해 제거된다. 헤드의 회전은, 패드의 운동 및 그의 표면형태(topography)와 더불어, 웨이퍼를 신선한 슬러리의 연속적 유동에 도입시키는 역할을 한다.일반적으로, CMP 연마 패드는 작업편보다 훨씬 더 크고, 특정한 특징부, 예컨대, 예를 들어, 슬러리를 패드 상에 보유하기 위한 미세-조직을 포함할 수 있는 중합체성 물질로부터 제작된다. 연마 패드 성질은 다이내 (WID) 두께 균일도 및 웨이퍼내(WIW) 평탄화 균일도에 기여할 수 있다. 2003년 6월 3일에 드릴(Drill) 등에 허여된 미국 특허 제6,572,439호에 기술된 바와 같이, 많은 CMP 공정의 경우에, 더 경질이고 덜 압축성인 연마 패드를 사용하면 WID 두께 균일도는 증가하지만 WIW 평탄화 균일도는 감소할 수 있는 반면에, 더 연질이고 더 압축성인 패드는 반대의 효과를 가질 수 있다. 이러한 부조화는 더 큰 (예를 들면, 300 내지 450 ㎜) 웨이퍼 규모에서 더욱 악화될 수 있다.사용 시, 패드의 작업 표면은 침식될 수 있다. 연마 찌꺼기가 표면 미세-채널 내에 갇혀서 이를 폐색시킬 수 있다. 컨디셔닝 또는 "드레싱(dressing)" 작업을 (컨디셔닝 도구, 종종 다이아몬드를 함유하는 연마 컨디셔닝 패드를 사용하여) 수행하여 글레이징된(glazed) 층을 제거하고 작업편과의 접촉을 위한 신선한 연마 표면을 노출시킬 수 있다.CMP 슬러리는 일반적으로 연마 입자를, 종종 다른 물질과 함께, 수성 매질 내에 함유한다. 연마제의 유형 및 성질을, 평탄화되는 물질, 요망되는 표면 형상 (예를 들어, "비평탄도(out of flatness)" 또는 Ra 값으로서 표현됨) 및 다른 기준을 고려하여 선택할 수 있다. 사용될 수 있는 예시적인 연마 입자는 실리카, 알루미나, 세리아, 지르코니아, 탄화규소 등을 포함하지만 이로 제한되지는 않는다. 연마 입자는 CMP 동안에 (예를 들면, 제거율, 신뢰성, 재현성 또는 결함 개수와 관련하여) 슬러리 성능을 향상시키는 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 전문이 본원에 참조로 포함되는, 2006년 5월 2일에 함프덴-스미쓰(Hampden-Smith) 등에 허여된 미국 특허 제7,037,451호에는, 작은 입자 크기, 좁은 크기 분포, 구형 형태를 갖고 실질적으로 뭉쳐지지 않은 연마 입자를 함유하는 CMP 슬러리가 기술되어 있다.전형적인 실리카-함유 CMP 슬러리는 작은 표면적 (90 ㎡/g)의 퓸드 실리카, 예컨대 카브-오-실(Cab-O-Sil)™ L-90 퓸드 실리카 (공칭 비표면적 90 ㎡/g)를 5 내지 15 wt%의 범위의 농도로 사용하거나, 유사한 표면적 및 부하량의 콜로이드성 실리카 (본원에서는 졸 겔 실리카라고도 지칭됨)를 사용한다. 필적할만한 CMP 물질 제거율을 달성하기 위해서는 종종 더 높은 부하량의 콜로이드성 실리카 슬러리가 요구된다. 예를 들어, 산화물 또는 층간 유전체 (ILD) CMP 연마에 있어서, 슬러리 내의 퓸드 실리카의 경우에 전형적인 부하량은 10 내지 12 %wt이다. 이에 비해, 필적할만한 ILD 연마 슬러리를 위한 전형적인 콜로이드성 실리카 부하량은 25 내지 30 %wt일 것이다 (예를 들면, 예를 들어, 클레베솔(Klebesol) 1501 실리카 슬러리).입자의 농도 및 크기는, 특히 ILD CMP 단계의 경우에, 제거율을 크게 좌우한다. 더 작은 비표면적의 입자 (예를 들면 더 큰 직경의 입자)는 제거율의 측면에서 다른 더 작은 입자 (더 큰 표면적의 입자)보다 장점을 제공한다. 그러나, 결함률 (종종 스크래치의 개수로서 표현됨)은 또한 입자 크기에 따라 증가하고, 궁극적으로는 제작이 완결될 때까지 감지되지 않은 칩 불량을 초래함으로써 장치 수율을 감소시킬 수 있다. 입자의 부하량이 감소하면 결함률이 감소될 수 있지만, 제거율은 입자 부하량에 비례하기 때문에, 제거율이 또한 감소된다. 슬러리에 첨가된, 때때로 촉진제라고도 불리는, 속도 가속 화학 패키지는 제거율을 증가시키는 것을 도움으로써, 제거율과 감소된 결함률을 조화시키도록 더 작은 입자 및 감소된 부하량을 사용할 수 있게 해 줄 수 있다. 그러나, 더 작은 입자는, 또한 후-CMP 계측 단계 (예를 들면 결함률 측정) 동안에 감지되기가 더 어렵고, 이를 CMP 이후의 세정 작업을 통해 제거하기가 더 어렵다. 이들 잔류 입자는 더 높은 결함률 및 수율 손실의 위험을 가져오는데, 왜냐하면 IC 구조물 내에 후속적으로 침착되는 층은 결함 잔류 입자를 가두어서, 궁극적으로 최종 제품에서 성능 문제를 초래할 수 있기 때문이다. 퓸드 응집체 또는 콜로이드성 입자 내의 일차 입자의 크기가 또한 제거율에 영향을 미칠 수 있다. [ 발명의 개요 ] 003c#발명의 요약003e#전자 부품의 발전을 꾀하기 위해, 반도체, 광학적, 자기성 또는 다른 유형의 기재를 평탄화하는 데 사용되는 CMP 공정, 물질 및 장비에 주어지는 요구가 점점 더 복잡해지고 있다. 상기에 기술된 몇몇 성능의 이율배반을 깨는 것을 돕기 위해, 우수한 제거율, 우수한 WIW 평탄화 균일도, 우수한 WID 두께 균일도, 낮은 디싱 및/또는 침식, 저감된 스크래칭 및 잔류 입자 찌꺼기, 완화된 컨디셔닝 요건, 연장된 사용 수명과 더불어, 우수한 선택성 및 용이한 세정성을 제공할 수 있는 CMP 슬러리 및 패드가 여전히 필요하다.CMP 성능의 이율배반을 깨는 것을 돕기 위해, 중합체 코어 및 그의 표면에 결합 또는 매립된 무기 (전형적으로 금속 산화물) 입자 (본원에서는 미립자라고도 지칭됨)로 구성된 특정한 무기 산화물-중합체 복합 입자가, 큰 크기 및 작은 크기뿐만 아니라 더 연질의 물질 및 더 경질의 물질의 이점을, 슬러리 내에 배합될 수 있는 단일 복합 입자 내에 조합하는 방법을 제공한다는 것이 밝혀졌다. 또한 이러한 복합 입자가 혼입된 CMP 연마 패드에 대해 공정상의 이점이 기대된다.예를 들어, 금속 산화물-중합체 복합 입자는 금속 산화물 연마 입자에 대해 상기에 기술된 제거율/결함률 이율배반을 깰 수 있다. 복합 입자의 실제 연마 성분은 구성요소인 금속 산화물 입자가 단독으로 사용되는 (즉, 복합체 내로 혼입되지 않는) 경우에서와 유사한 접촉 면적을 가질 것이다. 부가적으로, 더 큰 복합 입자는 입자 당 다수의 연마 접촉점을 가질 것이며; 따라서 부하량 당 제거율은 이전의 수준과 동일하거나 초과할 것이다. 필름 두께 또는 질량 손실에 의해 측정되는 제거율은, 필적할만한 시스템 및 기재에 대해, 0 내지 25 %만큼, 또는 아마도 0 내지 50 %정도로 많이 개선될 것이다.금속 산화물-중합체 복합 입자는 또한 감소된 결함률에 있어서 중대한 이점을 제공한다. 임의의 특정한 이론에 의해 구애되지 않고서, CMP 동안의 다수의 더 작은 금속 산화물 접촉점과 더불어, 금속 산화물에 비해 중합체 코어의 감소된 모듈러스는 기재에 대한 과도한 압력점을 완화시키며 이로써 스크래치-유사 결함률이 또한 감소할 것으로 기대된다. 공지된 후-CMP 계측 시험에 의해 측정되는 결함 개수는 10 내지 90 %만큼 감소될 수 있을 것으로 예측된다.더욱이, 더 큰 복합 입자는 (금속 산화물 입자 단독에 비해) 후-CMP 세정을 용이하게 할 수 있는데, 왜냐하면 이들은 세정 매질에 더 큰 유체역학적 직경 및 점성 항력을 제공하면서도 기재에 대한 부착을 저감시키기 때문이다. 연마 접촉점은 또한 (복합 입자의) 질량 중심을 연마되는 표면에 대해 위쪽으로 높여서 복합 입자의 부피 당 접촉 면적을 감소시킴으로써, 후-CMP 세정 동안의 제거를 용이하게 할 것이다. 부가적으로, 입자는 중합체성 물질과 금속 산화물 물질의 복합체이기 때문에, 입자의 순밀도(net density)는 본래의 콜로이드성 금속 산화물 성분의 것보다 더 낮아서, 분산액 내에서 안정한 상태를 유지하는 그의 능력이 더욱 개선되고, 유체 대류 또는 관성을 통해 방향 변화에 대한 그의 저항은 저감된다. 따라서 후-CMP 현미경 검사 또는 표면형상측정(profilometry)에 의해 측정된 바와 같은, 작업 표면 상의 잔류 입자 개수는 20 내지 100 %만큼 감소될 수 있을 것이다.CMP 가공에 중요한 또 다른 특징은 특정한 층에 대한 선택성을 개선하기 위해 이들 중합체/무기 복합 연마 물질의 조성을 변경할 수 있는 능력이다. 예를 들어, 실리카를 제외한 또는 실리카에 부가된, 다양한 금속 산화물이 선택적 성분으로서 사용될 수 있다. 비제한적인 예는 알루미나, 티타니아, 세리아, 지르코니아, 주석 산화물, 혼합 금속 산화물, 및 다른 무기 물질뿐만 아니라, 그의 임의의 조합을 포함한다.무기 물질 또는 입자는 증가된 경도, 증가된 제거율, 표면 질화물, 금속, 금속 장벽층, 또는 산화물과 같은 특정 기재를 CMP에 의해 연마되는 다른 표면층에 우선하여 제거하는 개선된 선택성, 또는 다른 이점을 부여하도록 선택될 수 있다. 몇몇 경우에, 복합 입자가 유리한데, 왜냐하면 이들은 실제 CMP 연마 공정을 수행하는 외래 물질의 순부피를 감소시키기 때문이며, 이는 세리아와 같이 값비싸고 다소 희귀한 금속 산화물의 경우에 중요할 수 있다. 부가적으로, 실리카보다 더 경질이고 더 연마성인 알루미나의 경우에, 특히 알파 결정 상인 경우에, 이는 상기에 기술된 바와 같은 과도한 스크래칭을 초래하는 힘을 소산시킴으로써 결함률을 감소시키면서도 제거율을 향상시키는 방법일 수 있다. 무기 금속 산화물 연마 입자의 경우에, 일정한 제거율에서, 복합 입자 슬러리에서 사용되는 연마 성분의 질량 부하량은 슬러리 내의 단독의 금속 산화물 연마제에 비해 10 내지 60 %만큼 감소할 것으로 기대되는데, 왜냐하면 상기 연마제는 더 큰 부피를 점유하는 코어 입자의 주변부에 결합될 수 있어서, 무기 물질이 더 효과적으로 분포되고 사용될 수 있기 때문이다. 부가적으로, 유기 코어의 표면에 매립된 무기 물질에 비해 유기 코어의 감소된 밀도로 인해 복합 입자의 순밀도는 무기 연마 물질에 비해 감소할 것이다. 따라서, 복합 연마제의 감소된 질량 부하량은 상응하는 연마제만을 함유하는 슬러리 조성물에 대해 동일하거나 더 높은 제거율을 달성할 수 있다.특정한 측면에서, 본 발명은 CMP 작업을 위해 설계된 슬러리 및/또는 도구에 있어서의 복합 입자의 용도에 관한 것이다. 복합 입자는 금속 산화물 입자 및 중합체 코어로 구성되고 CMP 성능에서 일정 역할을 하는 추가적인 구성성분을 함유할 수 있다. 전형적으로, 금속 입자는 개질제로 개질되고 중합체 코어 내에 부분적으로 또는 완전히 매립된다.다른 측면에서, 본 발명은 화학적 작용 및 연마 작용을 통해 기재로부터 물질을 제거하는 공정, 예컨대 CMP 공정에 관한 것이다. 공정은 연마 패드 또는 슬러리 조성물을 사용하여 기재로부터 물질을 제거하여 가공된 표면을 제조하는 것을 포함하고, 여기서 연마 패드, 또는 슬러리 조성물, 또는 둘 다는 금속 산화물 입자 및 중합체 코어를 포함하는 금속 산화물-중합체 복합 입자를 포함한다. 전형적으로, 금속 산화물 입자는 개질제로 개질되고, 금속 산화물 입자의 일부는 중합체 코어 내에 부분적으로 또는 완전히 매립된다.본원에서 기술되는 물질 및 방법은 CMP 공정 및 장비에서뿐만 아니라 유리, 세라믹, 치과용 물질, 태양전지판 부품 등과 같은 다른 표면의 연마에서도 사용될 수 있다.요소들의 구성 및 조합에 관한 다양한 세부 사항을 포함하는 본 발명의 상기 및 다른 특징, 및 다른 장점은, 이제부터는 첨부된 도면과 관련하여 더 상세하게 기술되며 청구범위에 명시될 것이다. 본 발명을 구현하는 특정한 방법 및 장치는 본 발명을 제한하기 위해서가 아니라 설명하기 위해 제시된 것임을 이해할 것이다. 본 발명의 원리 및 특징은 본 발명의 범주에서 벗어나지 않게 다양한 수많은 실시양태에서 사용될 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 첨부된 도면에서, 도면부호는 여러 가지의 도면에 걸쳐 동일한 요소를 가리킨다. 도면은 반드시 축척에 따르는 것은 아니며; 그 대신에 본 발명의 원리를 설명하는 데에 주안점이 두어졌다. 도면 중에서,도 1 및 2는 본 발명의 다양한 실시양태에서 사용될 수 있는 금속 산화물-중합체 복합 입자의 투과전자현미경 사진이다.도 3 내지 5는 본 발명의 다양한 실시양태에서 사용될 수 있는 금속 산화물-중합체 복합 입자의 투과전자현미경 사진이다.도 6은 본 발명의 다양한 실시양태에서 사용될 수 있는 금속 산화물-중합체 복합 입자의 투과전자현미경 사진이다.도 7 내지 11은 본 발명의 다양한 실시양태에서 사용될 수 있는 금속 산화물-중합체 복합 입자의 투과전자현미경 사진이다.도 12a 및 12b는, 각각, 본 발명의 다양한 실시양태에서 사용될 수 있는 금속 산화물-중합체 복합 입자의 투과전자현미경 사진 및 주사전자현미경 사진이다.도 13은 가해진 압력 하의 중합체-금속 산화물 입자의 변형을 묘사하는 도면이다.도 14a, 14b 및 14c는 가공되고 있는 예시적인 표면 상에서의 입자 및 영역의 상대적인 크기를 도시한다.도 15는 금속 산화물-중합체 복합 입자 내로 혼입된 에칭 구성성분의 효과를 도시한다.도 16은 본 발명의 실시양태에 따른 CMP 연마 패드의 개요도이다.도 17은 중합체-금속 산화물 입자의 예시적인 제조 방법에 대한 시간-온도 프로필의 그래프이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본원에서 기술되는 실시양태는 금속 산화물-중합체 복합 입자에 관한 것이다. 다양한 구현양태에서, 복합 입자는, 화학적 작용과 연마 작용의 조합을 통해 작업편으로부터 물질을 제거하기 위한 공정, 조성물 또는 장비, 예컨대, 예를 들어 화학적 기계적 평탄화 (CMP)에서 사용된다. 복합 입자는 또한 유리, 세라믹, 치과용 물질, 태양전지판 또는 그의 부품, 광학적 표면, 광기전력 전지 또는 그의 부품 등과 같은 다양한 물질을 연마하기에 적합한 연마 작업, 물질 및/또는 장비에서 사용될 수 있다.복합 입자는 중합체 코어 및 그의 표면에 결합 또는 매립된, 본원에서 "미립자"라고도 지칭되는 무기 산화물 입자를 갖는 것으로 생각될 수 있다. 몇몇 구현양태에서, 무기 산화물 미립자 또는 또 다른 무기 물질 또는 둘 다가 또한 중합체 코어 내에 (부분적으로 또는 완전히 매립되어) 존재한다.사용될 수 있는 무기 산화물의 예는, 금속 산화물, 예컨대, 예를 들어, 실리카, 알루미나, 세리아, 몰리브데넘 산화물, 티타니아, 지르코니아, 아연 산화물, 마그네타이트 (Fe3O4) 및 다양한 형태의 Fe2O3을 포함하지만 이로 제한되지는 않는 철 산화물, 니오븀 산화물, 바나듐 산화물, 텅스텐 산화물, 주석 산화물, 바륨 산화물, 칼슘 산화물, 마그네슘 산화물, 스트론튬 산화물, 인 산화물, 또는 임의의 이들의 혼합물, 또는 이들 중 임의의 둘 이상의 혼합된 산화물을 포함한다.적합한 미립자는 침전된 금속 산화물 입자, 콜로이드성 금속 산화물 입자 및 발열성 금속 산화물 입자를 포함하지만 이로 제한되지는 않는다. 금속 산화물 입자는, 기체 상 화염 합성, 또는 "습식" 수성 또는 용매열 졸-겔 화학 방법 등을 포함하는, 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 공지된 기술에 의해 제조될 수 있다.침전된 금속 산화물 입자는 통상적인 기술에 의해 제조될 수 있고, 종종 높은 염 농도, 산, 또는 다른 응결제의 영향 하에 수성 매질로부터 요망되는 입자의 응결에 의해 형성된다. 금속 산화물 입자는 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 공지된 통상적인 기술에 의해 다른 반응 생성물의 잔류물로부터 여과, 세척, 건조 및 분리된다. 침전된 입자는 수많은 일차 입자가 서로 응결하여 다소 구형인 응집된 클러스터를 형성한다는 점에서 종종 응집된다. 상업적으로 입수 가능한 침전된 금속 산화물의 비제한적인 예는 피피지 인더스트리즈, 인크.(PPG Industries, Inc.)로부터의 히-실(Hi-Sil)�� 제품 및 에보닉 인두스트리에스 아게(Evonik Industries AG)으로부터 입수 가능한 시퍼나트(SIPERNAT)�� 제품을 포함한다.대안적인 금속 산화물 형태는 미국 특허 제4,755,368호, 제6551567호 및 제6,702,994호, 미국 특허 공보 제20110244387호, 문헌(Mueller, et al., "Nanoparticle synthesis at high production rates by flame spray pyrolysis," Chemical Engineering Science, 58: 1969 (2003)), 및 (Naito, et al., "New Submicron Silica Produced by the Fumed Process," published in NIP 28: International Conference on Digital Printing Technologies and Digital Fabrication 2012, 2012, p. 179-182)에 개시된 방법에 의해 수득될 수 있고, 상기 모든 특허 및 문헌의 내용은 참조로 포함된다. 이들 방법은 전형적으로 낮은 구조 및 표면적을 갖는 금속 산화물 입자를 초래한다. 이들 입자의 다수가 발열성이고, 즉, 이들은 화염에서 제조된다. 발열성 입자를 제조하는 다른 방법은, 예를 들어, 문헌(Kodas and Hampden-Smith, Aerosol Processing of Materials, Wiley-VCH, 1998)에 개시되어 있다.퓸드 금속 산화물의 제조는, 적합한 공급 원료 증기 (예컨대 퓸드 알루미나의 경우에는 염화알루미늄, 또는 퓸드 실리카의 경우에는 사염화규소)를 수소 및 산소의 화염에서 가수분해함을 포함하는, 문헌에 의해 충분히 입증된 공정이다. 대략 구형인 형상을 갖는 용융된 입자가 연소 공정에서 형성되며, 입자 직경은 공정 매개변수를 제어함에 의해 변경될 수 있다. 일차 입자라고 지칭되는 이들 용융된 구는 그의 접촉점에서 충돌함으로써 서로 융합되어 분지화된 3차원 사슬-유사 응집체를 형성한다. 응집체의 형성은 일차 입자들 사이의 융합의 결과로서 비가역적인 것으로 간주된다. 냉각 및 수집 동안, 응집체는 약간의 기계적 얽힘을 초래하여 덩어리를 형성할 수 있는 추가의 충돌을 겪는다. 이들 덩어리는 반데르발스력에 의해 함께 느슨하게 묶여 있다고 생각되며, 적합한 매질에 적절하게 분산됨으로써 역전될 수 있고, 즉 덩어리가 해체될 수 있다. 혼합된 또는 코-퓸드(co-fumed) 금속 산화물 입자가 또한 예를 들어, 명세서 전문이 본원에 참조로 포함되는 에틀링거(Ettlinger) 등의 GB 2296915A호에 기술되어 있는 기술을 포함하는, 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 공지된 통상적인 기술에 의해 제조될 수 있다.퓸드 금속 산화물 입자의 비제한적인 예는 캐보트 코포레이션으로부터 입수 가능한 카브-오-실�� 퓸드 실리카 및 스펙트랄(SpectrAL)™ 퓸드 알루미나 제품, 와커 헤미 아게(Wacker Chemie AG)로부터 입수 가능한 HDK�� 퓸드 실리카 제품, 및 에보닉 인두스트리에스로부터 입수 가능한 아에로실(AEROSIL)�� 퓸드 실리카 및 아에록시드(AEROXIDE)�� 퓸드 알루미나 및 티타니아 제품을 포함한다. 퓸드 금속 산화물은 또한 분산된 형태로 상업적으로 입수 가능하며, 예를 들어 캐보트 코포레이션으로부터 입수 가능한 카보-오-스퍼스(CAB-O-SPERSE)�� 제품 및 에보닉 인두스트리에스로부터 입수 가능한 아에로디스프 (AERODISP)�� 제품을 포함한다. 몇몇 실시양태에서, 본원에서 제공되는 복합 입자에서 사용되기 위한 발열성 금속 산화물은 작고, 예를 들면, 100 ㎚ 미만의 부피 평균 직경을 갖는다.콜로이드성 금속 산화물 입자 (본원에서는 "졸 겔" 금속 산화물 입자라고도 지칭됨)는 종종 전형적으로 구형이거나 거의 구형인 형상을 갖지만, 다른 형상 (예를 들면, 일반적으로 타원형, 정사각형, 또는 직사각형 단면을 갖는 형상)을 가질 수 있는, 응집되지 않은, 개별적으로 분리된 (일차) 입자이다. 콜로이드성 금속 산화물은 상업적으로 입수 가능하거나 다양한 출발 물질 (예를 들면, 습식-공정 유형의 금속 산화물)로부터 공지된 방법에 의해 제조될 수 있다. 콜로이드성 금속 산화물 입자는 전형적으로 침전된 금속 산화물 입자와 유사한 방식으로 제작되지만 (즉, 이들은 수성 매질로부터 응결됨), 액체 매질 (종종 물 단독 또는 공용매 및/또는 안정화제를 가짐) 내에 분산된 상태를 유지한다. 금속 산화물 입자는, 예를 들어, 약 9 내지 약 11의 pH를 갖는 알칼리 규산염 용액으로부터 유도된 규산으로부터 제조될 수 있고, 여기서 규산염 음이온은 중합을 거쳐 수성 분산액의 형태의 요망되는 평균 입자 크기를 갖는 분리된 실리카 입자를 생성한다. 전형적으로, 콜로이드성 금속 산화물 출발 물질은, 가장 흔히는 물 단독이거나 공용매 및/또는 안정화제를 갖는 적합한 용매 중의 콜로이드성 금속 산화물의 분산액인, 졸로서 입수 가능할 것이다. 생성된 콜로이드성 입자는 흔히 졸-겔 입자라고 일컬어지며, 두 개의 용어는 하기에서 혼용된다. 예를 들면, 문헌(Stoeber, et al., "Controlled Growth of Monodisperse Silica Spheres in the Micron Size Range," Journal of Colloid and Interface Science, 26, 1968, pp. 62-69), (Akitoshi Yoshida, Silica Nucleation, Polymerization, and Growth Preparation of Monodispersed Sols, in Colloidal Silica Fundamentals and Applications, pp 47-56 (H. E. Bergna 0026# W. O. Roberts, eds., CRC Press: Boca Raton, Florida, 2006)), 및 (Iler, R.K., The Chemistry of Silica, p 866 (John Wiley 0026# Sons: New York, 1979))을 참조하도록 한다. 사용될 수 있는 상업적으로 입수 가능한 콜로이드성 금속 산화물의 비제한적인 예는 닛산 케미칼(Nissan Chemical)로부터의 스노우텍스(SNOWTEX)�� 제품, 더블유.알. 그레이스 앤드 캄파니(W.R. Grace 0026# Co.)로부터 입수 가능한 루독스(LUDOX)�� 제품, 니아콜 나노테크놀로지즈, 인크.(Nyacol Nanotechnologies, Inc.)로부터 입수 가능한 넥스실(NexSil)™ 및 넥스실 A™ 시리즈 제품, 푸소 케미칼(Fuso Chemical)로부터 입수 가능한 쿼트론(Quartron)™ 제품, 및 아크조노벨(AkzoNobel)로부터 입수 가능한 레바실(Levasil)�� 또는 빈드질(Bindzil)�� 제품을 포함한다. "습식" 합성에 의해 제조된 예시적인 상업적으로 입수 가능한 티타니아 입자는 사카이 케미칼(Sakai Chemical)로부터의 STR100N 및 STR100A 이산화티타늄을 포함한다.졸 겔 금속 산화물 입자는 약 5 내지 약 100 ㎚, 예를 들어, 약 5 내지 약 10 ㎚, 약 10 내지 약 20 ㎚, 약 20 ㎚ 내지 약 30 ㎚, 약 30 내지 약 50 ㎚, 또는 약 50 내지 약 70 ㎚의 일차 입자 크기를 가질 수 있다. 금속 산화물 입자는 구형 또는 비구형일 수 있다. 예를 들어, 금속 산화물 입자의 종횡비는 약 1.5 내지 약 3, 예를 들어, 약 1.5 내지 약 1.8, 약 1.8 내지 약 2.1, 약 2.1 내지 약 2.5, 약 2.5 내지 약 2.8, 또는 약 2.8 내지 약 3일 수 있다. 입자 크기는 동적 광 산란법에 의해 측정될 수 있다.금속 산화물 입자 (또는 본원에서 기술되는 복합 입자의 형성에서 사용되는 다른 무기 미립자)는 그의 표면 화학 및/또는 관능이 변화하도록 처리될 수 있다. 예를 들어, 금속 산화물 입자 또는 다른 무기 미립자는, CMP 동안의 그의 물질 제거 성질을 향상시키거나 작업편 내의 특정한 종에 대한 그의 반응성을 변경시키거나 표면의 친수성 또는 소수성 특성을 변화시키거나 기타 등등을 위해 처리될 수 있다. 처리는 금속 산화물-중합체 복합 입자의 형성 전에, 동안에 또는 후에 수행될 수 있다.몇몇 실시양태에서, 실리카 입자와 같은 금속 산화물 입자는, 예를 들어, CMP 공정에서의 물질 제거의 화학적 측면을 향상시키기 위해, 유기 및/또는 무기 개질제로 처리된다. 적합한 무기 표면 반응성 기는 금속 인산염, 질산염, 다른 금속 산화물, 예컨대 세리아 또는 세륨 이온 등을 포함하지만 이로 제한되지는 않는다. 예를 들어, 인산염은 복합 입자의 실리카 부분에 부착되어 기재에 증진된 반응성을 부여할 수 있다고 생각된다. 금속 산화물은 존재하는 금속 산화물 표면 상에서 가수분해되고 축합될 수 있는 금속 알콕시드의 용액에서의 침착에 의해 복합 입자 내의 실리카 입자의 표면에 첨가될 수 있다 (예를 들면 티타늄 테트라이소프록시드는 반응하여 티타니아를 형성하고 핵을 이룸). 이들은 연마되는 기재 내에 존재하는 다른 금속 또는 금속 산화물과 착물을 형성할 수 있고, 복합 입자가 기재의 한 부분으로부터 다른 부분으로 이동할 때, 이는 소량의 기재를 제거한다.다른 실시양태에서, 화학적 선택성을 달성하기 위해, 금속 산화물 입자의 표면이 기재 표면의 특정한 화학에 대해 화학적으로 활성이 되게 하도록, 금속 산화물 입자의 표면은 표면 관능기 (실리카와 같은 콜로이드성 금속 산화물의 경우에 OH)와의 공유결합 반응을 통해 개질된다. 이로써, 이렇게 하지 않으면 경제적으로 실효성이 없을 수 있는 CMP 슬러리의 더 넓은 화학 범위가 허용될 수 있고, 즉 시약은 덩어리 성분으로서는 터무니 없이 값비쌀 수 있지만 이들은 표면 층으로서 사용되는 경우에는 비용 효과적일 수 있다. 표면 관능기 (예컨대, 예를 들어 OH 기)와의 공유결합 반응을 통해 금속 산화물 입자의 표면을 개질하면, 또한 특정한 농도의 화학 시약을 표면 상에 제공함으로써 과도한 에칭을 방지할 수 있다. 따라서 이러한 농도의 화학 시약이 소비된 후에 에칭 공정은 종결된다. 세리아, 알루미나, 인산염이 실리카 또는 다른 금속 산화물 표면 상에 제공될 수 있는 화학적 활성 코팅의 유형의 몇몇 예이다.또 다른 실시양태에서, 금속 산화물 입자는 금속 산화물 입자로 하여금 중합체 코어 내의 중합체에 공유결합으로 부착되게 하는 개질제로 개질된다. 생성된 금속 산화물 입자는, 예를 들면, 하나 이상의 추가적인 개질제(들)로 추가로 처리될 수 있다. 본원에서 제1 개질제라고도 지칭되는, 금속 산화물 입자로 하여금 중합체에 공유결합으로 부착되게 하는 화합물은, 금속 산화물 입자에 공유결합으로 부착될 수 있는 제1 반응성 기 및 금속 산화물-중합체 복합 입자의 중합체 내로 혼입될 수 있는 제2 반응성 기를 포함하는 이관능성일 수 있다.추가적인 개질제가 사용되는 경우에, 제2 개질제는, 예를 들어, 전하 개질제일 수 있다. 내용이 본원에 참조로 포함되는 미국 특허 공보 제2010/0009280호에 개시된 임의의 전하 개질제가 본원에서 사용될 수 있다. 예시적인 전하 개질제는 3-(2,4-디니트로페닐아미노) 프로필트리에톡시실란 (DNPS), 3,5-디니트로벤즈아미도-n-프로필트리에톡시실란, 3-(트리에톡시실릴프로필)-p-니트로벤즈아미드 (TESPNBA), 펜타플루오로페닐트리에톡시실란 (PFPTES), 및 2-(4-클로로술포닐페닐)에틸트리메톡시실란 (CSPES)을 포함하지만 이로 제한되지는 않는다.제1 개질제에 의한 금속 산화물의 표면 처리 정도는 초기 용액의 pH 및/또는 온도를 조절함에 의해 제어될 수 있다. 금속 산화물 입자 상에의 제1 개질제의 흡착 속도 (흡착 후에는 표면과 개질제 사이에 실록산 결합이 형성됨)는 또한 실란 상의 이탈기의 선택에 의해 제어될 수 있는데, 예를 들면, 에톡시는 메톡시보다 더 느리게 가수분해되는 경향이 있다.제2 개질제 (금속 산화물-중합체 입자의 형성 후에 사용되는 경우) 및/또는 제3 개질제 및 금속 산화물-중합체 복합 입자의 중합체 성분 사이의 상호작용에 따라서는, 이들 개질제는 금속 산화물-중합체 복합 입자의 노출된 중합체 표면을 또한 표면 처리할 수 있다.무기 (금속) 산화물 입자 외에도, 본원에서 기술되는 복합 입자는 중합체를 함유한다. 전형적으로 중합체는, 하기에 상세하게 기술되는 바와 같이, 단독으로 또는 하나 이상의 다른 물질, 예를 들면 무기 물질과 조합되어, 복합 입자의 "코어"를 형성한다.금속 산화물-중합체 복합 입자에서 사용되는 중합체는 제1 개질제의 중합체와 동일하거나 상이할 수 있다. 즉, 제1 개질제가 중합성 기를 포함하는 경우에, 단순히 동일한 물질을 사용하여 중합체를 형성할 수 있다.특정한 구현양태에서, 제1 개질제의 중합체는 폴리에테르가 아니다. 대안적으로 또는 부가적으로, 제1 개질제의 중합체는 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 중합체이다. 대안적으로 또는 부가적으로, 제1 개질제 상의 말단 기와 공중합할 수 있는 여러 가지의 단량체 또는 가교제가 사용될 수 있다.금속 산화물-중합체 복합 입자를 제조하는데 사용될 수 있는 적합한 단량체는 치환 및 비치환된 비닐 및 아크릴레이트 (메타크릴레이트 포함) 단량체 및 라디칼 중합에 의해 중합하는 다른 단량체를 포함한다. 예시적인 치환기는 알킬 및 할로, 예를 들어, 플루오로를 포함하지만 이로 제한되지는 않는다. 예시적인 단량체는 스티렌, 아크릴레이트 및 메타크릴레이트, 올레핀, 비닐 에스테르 및 아크릴로니트릴을 포함하고, 예를 들어, 시그마-알드리치(Sigma-Aldrich) (위스콘신주 밀워키)로부터 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 용이하게 입수 가능하다. 이러한 단량체는 그 자체로서, 공중합체를 형성하도록 혼합물로서, 또는 가교제와 함께 사용될 수 있다.예시적인 가교제는 제1 개질제의 디비닐-종결된 형태 (예를 들면, 비닐 기에 의해 대체된 실란 포함) 또는 다른 널리 공지된 비닐 가교제, 예컨대 디비닐 벤젠 및 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트를 포함한다. 대안적으로 또는 부가적으로, 공단량체 또는 가교제는 실란과 반응할 수 있다. 예를 들어, 실란올-종결된 실록산 중합체 또는 적합한 공중합체가 제1 개질제와 함께 사용될 수 있다. 공단량체 또는 가교제는 제1 개질제와 동일한 시점에 또는 상이한 시점에 첨가될 수 있다. 가교제의 양은 최종 중합체에서의 가교 정도를 제어하도록 조절될 수 있다.금속 산화물-중합체 복합 입자를, 제1 개질제 및 임의적인 단량체를 포함하는 유기 상 및 수성 상의 에멀젼을 생성함으로써 제조할 수 있고, 여기서 금속 산화물 입자는 주로 두 개의 유체 상들 사이의 계면에 배치된다. 유기 상 내의 중합성 종의 중합에 의해 복합 입자가 생성된다. 한 예시적인 절차에서, 수성 매질, 예를 들면, 임의적인 공용매, 예컨대 알콜, 예를 들면, 이소프로필 알콜을 갖는 물에서 제1 개질제 및 임의적인 공단량체 및 가교제 및 금속 산화물 입자를 약 1.5 내지 8.0의 질량비 (중합성 종:금속 산화물)로 사용함으로써 에멀젼을 제조한다. 에멀젼 내의 금속 산화물 입자와 중합성 종의 총량은 약 5 wt% 내지 약 25 wt%, 예를 들어 5 wt% 내지 약 15 wt%, 약 15 wt% 내지 약 22 wt%, 또는 약 18 wt% 내지 약 25 wt%일 수 있다. pH를 임의로 약 8.0-10으로 하고 온도를 25 내지 60 ℃로 유지하면서 분산액을 교반하여 (전형적으로 1 내지 3 시간) 에멀젼을 형성한다.교반 후에, 개시제를 에탄올, 아세톤, 또는 다른 수-혼화성 용매 중의 용액으로서 단량체에 대해 약 1 내지 약 4 wt%의 수준으로 도입시킨다. 적합한 개시제는 유용성 아조 또는 퍼옥시드 열 개시제, 예컨대 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오니트릴) (AIBN), 벤조일 퍼옥시드, tert-부틸 퍼아세테이트 및 시클로헥사논 퍼옥시드를 포함하지만 이로 제한되지는 않는다. 다양한 적합한 개시제가 와코 퓨어 케미칼 인더스트리즈, 리미티드(Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) (일본, 오사카)로부터 입수 가능하다. 금속 산화물을 도입시키기 전에 개시제를 단량체에 용해시킬 수 있다. 생성된 용액을 4 내지 6 시간 동안 교반하면서 65 내지 95 ℃에서 항온처리한다. 생성된 슬러리를 100 내지 130 ℃에서 밤새 건조시키고, 남아 있는 고체를 분쇄하여 분말을 제조한다. 금속 산화물-중합체 복합체가 형성된 후에 제2 개질제를 첨가하는 경우에는, 이를 건조 단계 전에 도입시킬 수 있다. 예를 들어, 제2 개질제를 첨가하고 슬러리를 60 내지 75 ℃에서 항온처리하면서 추가적인 2 내지 4 시간 동안 교반할 수 있다.금속 산화물-중합체 복합체의 표면에서 노출되는 금속 산화물의 양은, 개시제가 활성화되기 전에 금속 산화물 입자가 제1 개질제, 예컨대, 예를 들어, 소수성화제에 노출되는 시간의 양에 따라 달라질 수 있다. 에멀젼 내의 금속 산화물 입자는, 제1 개질제를 포함하는 미셀 또는 액적의 표면에 분포된다. 임의의 특정한 이론에 의해 구애되지 않고서, 제1 개질제가 금속 산화물 표면 상에 흡착되어 부착됨에 따라, 금속 산화물 입자는 더 소수성이 되고 점차적으로 더 높은 비율의 그의 표면이 제1 개질제의 액적의 내부에 노출됨으로써, 즉, 액적 내에 파묻힘으로써, 더 작은 표면이 에멀젼의 수성 연속 상에 노출되는 것으로 여겨진다. 중합이 완료된 후에, 금속 산화물 입자는 제자리에 고정된다. 제2 개질제를 사용하는 경우에, 처리 정도를 통해, 금속 산화물-중합체 복합체의 표면에서의 금속 산화물 입자의 노출을 부가적으로 제어할 수 있다. 금속 산화물-중합체 복합 입자의 표면에서 노출된 금속 산화물 입자의 표면 (면적)의 양은 수행되는 표면 처리 공정의 정도의 영향을 받을 수 있다. 제1 개질제, 예를 들면, 소수성화제와 수용액의 혼합물은, 금속 산화물 입자가 제1 개질제의 액적의 표면으로 이동함으로써 안정화된 에멀젼을 형성한다. 실란이 가수분해되고 금속 산화물 표면 상에 흡착됨에 따라, 본질적으로 친수성인 표면은 더 소수성이 되고 따라서 유기 상과 더 상용성이 되어, 유기/수성 계면의 수성 측으로부터 유기 측으로 점차적으로 이동한다. 따라서, 중합 전에 금속 산화물의 표면 처리 정도를 제어함으로써 또한 생성된 금속 산화물-중합체 복합 입자의 표면에서의 금속 산화물의 양을 제어한다.에멀젼의 수성 상의 pH 및 항온처리 온도와 같은 변수가 복합 입자의 형태에 영향을 미칠 수 있다.몇몇 구현양태에서, 무기 미립자는 중합체 코어 내에 (완전히 매립되어) 존재한다. 다른 구현양태에서, 복합 입자는, 코어 내에 배치될 뿐만 아니라, 즉, 중합체 상 내에 완전히 매립될 뿐만 아니라 코어 표면으로부터 돌출된 금속 산화물 입자를 갖는다. 코어 내에 분포된 금속 산화물 입자 및/또는 추가적인 무기 물질은 복합 입자의 기계적 보강에 기여하여, 그의 압축 강도를 증가시킬 수 있다. 코어가 중합체뿐만 아니라, 전형적으로 중합체 상 내에 완전히 매립된 여러 가지의 화학적 조성을 갖는 하나 이상의 무기 입자를 포함하는 복합 입자는 "하이브리드" 코어를 가진 것으로 생각될 수 있다. 상기에 기술된 금속 산화물 입자에 대해 부가적으로 또는 대안적으로, 코어 내에 존재할 수 있는 무기 물질은 금속 산화물, 금속 탄화물, 탄산염, 티탄산염, 규산염, 인산염, 붕산염 등을 포함하지만 이로 제한되지는 않는다. 특정한 예에서, 동일한 금속 산화물 입자는 중합체-금속 산화물 복합체의 표면으로부터 돌출되고, 또한 코어 내에 (100 % 매립되어) 배치된다. 또 다른 예에서, 상기에 기술된 금속 산화물 입자는 코어 표면에 존재하는 반면에, 코어는 표면 금속 산화물 입자와 상이한 무기 입자를 함유할 수 있다. 추가의 예에서, 금속 산화물 입자의 혼합물이 코어 내에 및/또는 코어 표면에 존재할 수 있다.CMP 응용분야에 적합한 금속 산화물-중합체 복합 입자는, 하기 기준 중 하나 이상을 고려하여 설계될 수 있다: 코어의 직경; 금속 산화물 입자의 직경; 코어 조성; 금속 산화물 입자의 조성; 금속 산화물 입자에 의해 "피복된" 코어의 표면적; 금속 산화물 입자가 코어 표면으로부터 돌출된 정도; 코어 및/또는 금속 산화물 입자의 표면 화학; 코어가 단지 중합체 상인지 또는 하이브리드인지의 여부 등.금속 산화물-중합체 복합 입자는 전형적으로 둥글 것이다. 입자는 구형일 필요는 없지만 전형적으로 금속 산화물 입자가 복합 입자의 표면에서 노출 또는 매립된 정도에 따라 "울퉁불퉁한" 표면을 가질 것임이 이해될 것이다. 금속 산화물-중합체 복합 입자는 약 0.8 내지 약 1.2, 예를 들어, 약 0.85 내지 약 0.90, 약 0.90 내지 약 0.95, 약 0.95 내지 약 1.0, 약 1.0 내지 약 1.05, 약 1.05 내지 약 1.1, 또는 약 1.1 내지 약 1.15의 종횡비를 가질 수 있다. 몇몇 경우에, 금속 산화물-중합체 복합 입자는 길쭉한 형상 (난형, 땅콩형 등) 또는 불규칙한 형상을 갖고 더 큰 종횡비, 예를 들면, 약 1.2 내지 약 1.4, 약 1.4 내지 약 1.6, 약 1.6 내지 약 1.8, 약 1.8 내지 약 2.0 및 그 초과의 종횡비를 가질 수 있다.금속 산화물-중합체 복합 입자의 "울퉁불퉁한" 정도, 또는 조도는 TEM (투과전자현미경) 평가에 의해 결정될 수 있다. 통상적인 이미지 분석 소프트웨어를 사용하여 입자의 단면의 둘레 P를 한정한다. 동일한 소프트웨어를 사용하여 입자 단면적 S를 계산한다. 이들 측정을 다수의 입자에 대해 다수의 TEM 이미지를 사용하여 수행한다. 입자 조도는 P2/4πS와 같다 (John C. Russ, The Image Processing Handbook, CRC Press, 4th edition, 2002). 이상적인 구형 입자의 조도는 1.0이다. 전형적인 비응집된 콜로이드성 실리카의 조도는 약 1.3이다. 금속 산화물-중합체 복합 입자의 평균 조도는 1 내지 약 3, 예를 들어, 1 내지 약 1.5, 약 1.5 내지 약 2, 약 2 내지 약 2.5, 또는 약 2.5 내지 약 3, 예를 들면 약 1.1 내지 약 1.5 또는 약 1.2 내지 약 1.4일 수 있다. 평균 조도를 200개 이상의 입자, 바람직하게는 500개 입자 이상의 이미지를 사용하여 측정한다.또한 TEM 이미지를 사용하여, 무기 입자가 금속 산화물-중합체 복합 입자의 표면으로부터 돌출된 정도를 평가할 수 있다. 예를 들어, 무기 입자는 그의 직경 또는 길이의 0 내지 약 10%가 입자로부터 돌출될 수 있고, 그의 직경 또는 길이의 약 10% 내지 약 20%, 약 20% 내지 약 30%, 약 30% 내지 약 40%, 또는 약 40% 내지 약 50%가 중합체 표면으로부터 돌출될 수 있다.대안적으로 또는 부가적으로, 동일한 이미지 분석 소프트웨어를 사용하여 입자의 이미지 주위에 볼록한 껍질을 구축하고 "껍질 면적"이라고 일컬어지는 껍질 내부의 면적 C를 결정할 수 있다. 볼록한 껍질은 전체 입자를 둘러싸고 있는 곡선 모양의 볼록한 경계 표면이다. 한 쌍의 평행선을, 이들이 입자 이미지의 외면에 막 닿을 때까지 이동시킴으로써, 이를 생성한다. 이어서 평행선의 각도를 변화시키고 볼록한 껍질의 전체 경로가 한정될 때까지 상기 과정을 반복한다. 상대적 트로프(trough) 면적 (RTA)은 (C-S)/S로 정의되고, 여기서 S는 조도와 관련해서 기술된 입자 단면적이다. 표면으로부터의 돌출이 증가함에 따라 RTA의 값은 증가한다. 완벽한 구의 RTA는 0이다. 전형적인 비응집된 콜로이드성 실리카의 RTA는 약 0.01이다. 금속 산화물-중합체 복합 입자의 평균 RTA는 0 내지 약 1, 예를 들어 0 내지 약 0.1, 예를 들면, 약 0.01 내지 약 0.02, 약 0.02 내지 약 0.03, 약 0.03 내지 약 0.04, 약 0.04 내지 약 0.05, 약 0.05 내지 약 0.06, 0.06 내지 약 0.07, 약 0.07 내지 약 0.08, 약 0.08 내지 약 0.09, 또는 약 0.09 내지 약 0.1일 수 있다. 평균 RTA를 200개 이상의 입자의 이미지를 사용하여 측정한다. 물론, 더 많은 입자 이미지를 사용하면, 더 큰 감도가 제공될 것이고 여러 가지의 입자 형태들을 구별하기가 용이해질 것이다.질소의 브룬하우어-에드몬드-텔러(Brunhauer-Edmond-Teller) (BET) 등온선을 또한 사용하여 샘플 분량의 건조 복합 입자 분말의 그램 당 비표면적을 측정할 수 있다. 코어의 크기 및 장식 위성 입자의 크기는 공지되어 있고 그의 상대적 양은 합성을 통해 공지되어 있기 때문에, 측정된 비표면적은 수백만 개 또는 수십억 개의 입자에 대한 중합체 코어로부터 무기 입자의 평균 돌출 정도의 단일 평균 척도를 제공할 수 있다. 따라서, TEM, 동적 광산란법 또는 다른 수단에 의해 측정된 바와 같은 특정한 중합체 코어 입자 크기 또는 복합 입자 크기 또는 직경에 대해, 비표면적의 증가 또는 감소는 장식 표면 무기 입자의 상대적 울퉁불퉁함 또는 돌출과 직접 관련될 수 있다.본원에서 기술된 원리에 따라 제조된, CMP 응용분야에서 사용되기에 적합한, 예시적인 복합 입자의 투과전자현미경 사진이 도 1 내지 11에 제공되어 있다. 도 12a 및 12b는, 각각, 다양한 실시양태에서 사용될 수 있는 금속 산화물-중합체 복합 입자의 투과전자현미경 사진 및 주사전자현미경 사진이다. 구체적으로는, 도 1은, 루독스 AS-40 실리카 및 메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 (MPS)으로부터 제조되고 단량체 대 실리카의 비 (MMPS/M실리카)가 2.2이고 pH가 조절되지 않은 복합 입자의 투과전자현미경 (TEM) 사진이다. 루독스 AS-40 실리카 및 MPS를 사용하고 MMPS/M실리카 = 5.0이고 pH가 조절되지 않은 복합 입자의 TEM은 도 2에 제시되어 있다. 도 3은 MPS 및 ST-O40 실리카를 사용하여 합성되고 MMPS/M실리카 = 2.2이고 pH가 8.5인 복합 입자의 TEM이다. MPS 및 ST-O40 실리카를 사용하여 제조되고 MMPS/M실리카 = 5이고 pH가 8.5인 복합 입자의 TEM은 도 4에 제시되어 있다. 도 5는 졸 겔 실리카 및 MPS 및 공단량체로서 스티렌을 사용하여 합성된 복합 입자의 TEM이다. 졸 겔 실리카 및 티타니아 및 MPS를 사용하여 제조된 입자의 TEM 이미지는 도 6에 제시되어 있다. 졸 겔 실리카, MPS, 및 공단량체로서 메틸 메타크릴레이트를 사용하는 복합 입자는 도 7 및 8에 제시되어 있는 투과전자현미경 사진을 갖는다. 졸 겔 실리카, MPS, 및 공단량체로서 히드록시프로필 메타크릴레이트를 사용하는 복합 입자의 TEM 현미경 사진은 도 9 및 10에 제시되어 있고, 졸 겔 실리카, MPS, 및 공단량체로서 트리플루오로에틸 메타크릴레이트를 사용하여 합성된 복합 입자에 대해 수득된 TEM 현미경 사진은 도 11에 제시되어 있다. 졸 겔 실리카 및 MPS (MPS/실리카 = 1.5)를 사용하여 제조된 복합 입자는 도 12a 및 12b에 제시되어 있는 TEM 및 SEM 현미경 사진을 가졌다.금속 산화물-중합체 복합 입자는 약 20 ㎚ 내지 약 500 ㎚의 평균 직경 (부피 평균)을 가질 수 있다. 종횡비가 1이 아닌 경우에, 직경은 입자의 가장 큰 직경을 가리킨다. 예를 들어, 금속 산화물-중합체 복합 입자의 부피 평균 직경은 약 약 20 ㎚ 내지 약 50 ㎚, 50 ㎚ 내지 약 100 ㎚, 약 100 ㎚ 내지 약 150 ㎚, 약 150 ㎚ 내지 약 200 ㎚, 약 200 ㎚ 내지 약 250 ㎚, 약 250 ㎚ 내지 약 300 ㎚, 약 300 ㎚ 내지 약 350 ㎚, 약 350 ㎚ 내지 약 400 ㎚, 약 400 ㎚ 내지 약 450 ㎚, 또는 약 450 내지 약 500 ㎚일 수 있다.금속 산화물-중합체 복합 입자는 바람직하게는 금속 산화물 자체의 비밀도(specific density) 미만의 밀도를 갖는다 (예를 들면, 실리카는 2.2 g/㎤의 비밀도를 갖고, 이산화티타늄은 3.6 g/㎤의 밀도를 가짐). 예를 들어, 복합 입자의 비밀도는 복합 입자 내에 함유된 금속 산화물의 비밀도의 약 30% 내지 약 35%, 약 35% 내지 약 40%, 40% 내지 약 45%, 약 45% 내지 약 50%, 약 50% 내지 약 55%, 약 55% 내지 약 60%, 약 60% 내지 약 63%, 약 63% 내지 약 67%, 약 67% 내지 약 70%, 약 70% 내지 약 73%, 약 73% 내지 약 76%, 약 76% 내지 약 79%, 약 79% 내지 약 82%, 약 82% 내지 약 85%, 또는 약 85% 내지 약 90%일 수 있다. 밀도는 헬륨 비중측정법에 의해 측정될 수 있다.본원에서 기술되는 몇몇 실시양태에서 사용될 수 있는 복합 입자 및 그의 제조 방법은, 전문이 본원에 참조로 포함되는, 2013년 5월 2일에 공개된, 디.포미체브(D. Fomitchev) 등의 국제 출원 공보 제WO 2013/063291 A1호에 기술되어 있다.코어 직경은, 예를 들어, 약 20 ㎚ 내지 약 500 ㎚의 범위 내, 예를 들면, 약 20 내지 약 50 ㎚, 약 50 내지 약 100, 약 100 내지 약 150, 약 150 내지 약 200, 약 200 내지 약 250, 약 250 내지 약 300, 약 300 내지 약 350, 약 350 내지 약 400, 약 400 내지 약 450 또는 약 450 내지 약 500 ㎚의 범위 내일 수 있다.금속 산화물 입자의 직경은 약 10 내지 약 200 ㎚, 예를 들어 10 내지 약 25, 25 내지 약 50, 50 내지 약 75, 75 내지 약 100, 약 100 내지 약 125, 약 125 내지 약 150, 약 150 내지 약 175, 약 175 내지 약 200 ㎚의 범위 내일 수 있다. 금속 산화물 입자의 크기 및 입자가 표면으로부터 돌출된 정도는 얼마나 많은 금속 산화물 입자가 CMP 공정 동안의 연마를 위해 입수 가능한 지 (노출되는 지)에 있어서 일정 역할을 한다. 예를 들어, 노출된 입자 부피가 증가함에 따라 제거율은 증가할 수 있다고 생각된다. 예를 들어, 금속 산화물 입자의 약 절반이 노출될 수 있다. 다른 한편으로는, 노출 부피가 특정한 수준을 넘어서서 증가하면, 입자가 중합체 매트릭스에 잘 고착되지 않을 수 있다. 작업 동안에, 이러한 약하게 고정된 입자는 이탈되고 탈락되어 CMP 공정의 전체 효능을 저감시키는 경향이 있을 수 있다. 따라서 매립된 입자의 노출 부피를 증가시키는 것과 중합체 매트릭스 내에서의 그의 보유를 유지하는 것의 균형을 맞추는 것이 바람직할 수 있다.금속 산화물 입자의 질량분율 및 직경의 함수인, 부분 표면 피복률은 복합 입자의 전체 순 물리적 성질에 있어서 일정 역할을 할 수 있다. 이들 성질은 CMP 연마성, 제거율, 결함률, 균일도, 선택성, 및 다른 CMP 성능 성질에 잠재적으로 영향을 미칠 수 있다.이미 기재된 바와 같이, 코어는 유기 물질과 무기 물질의 완전 유기 (중합체) 또는 하이브리드일 수 있다. 코어의 조성을 조정하면 코어의 기계적 성질 (영률, 탄성, 휨 인성)에 영향을 미칠 수 있다. 예를 들어 CMP 패드 압력과 함께, 기계적 성질을 조절하면, 결함률 (단위 면적 당 스크래치의 개수)과 물질 제거율 사이의 균형을 유지할 수 있다.예를 들어, 중합체 코어는 패드 압력, 패드 표면, 패드 평탄도 등에 있어서 불균일성을 "감쇠하는" 것을 도울 수 있다. 코어 입자의 기계적 성질을 제어하는 능력은, 통상적으로 웨이퍼 내의 결함률을 초래하는, 연마 패드 표면의 불균일성에 대한 감쇠 효과를 가능하게 한다. 입자는 효과적으로 경질임과 동시에 연질이다. 다수의 접촉점이 또한 부하를 표면 전체에 걸쳐 분포시킴으로써 웨이퍼 기재 표면에서의 응력 변형 및 스크래치를 저감시킨다.금속 산화물 입자의 경도를, 예를 들어, 요망되는 경도 특성을 갖는 특정한 조성의 무기 물질 (예를 들면, 실리카, 알루미나, 세리아, 지르코니아, 티타니아, 금속 산화물 혼합물, 붕산염, 규산염, 인산염, 티탄산염, 탄화물, 탄산염, 또는 다른 무기 물질 또는 물질의 혼합물)을 선택하고 이들 입자의 크기 (더 큰 크기는 더 연마성인 경향이 있음) 및/또는 특정한 무기 물질의 유형 (예컨대 퓸드 금속 산화물 입자 대 콜로이드성 또는 졸-겔 물질)을 제어함으로써 조절할 수 있다. 금속 산화물, 예컨대, 예를 들어, 실리카, 알루미나, 지르코니아, 티타니아, 세리아, 또는 그의 임의의 조합이 CMP 응용분야에 특히 적합하다.다른 고려 사항들, 예컨대, 예를 들어, 특정한 기재에 대한 반응성, 본원에서 기술되는 복합 입자가 다른 연마 입자와 함께 사용되는 지의 여부 등은 특정한 금속 산화물의 선택에 있어서 일정 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 실리카는 (적어도 부분적으로는), 기계적 침식/화학적 공격에 취약해질 수 있어서 물질 제거율을 증가시키는 규산염 표면의 형성을 초래하는, 특정한 작업편 물질에 대한 그의 반응성 특성 때문에 선택될 수 있다. 다른 경우에, 금속 산화물은 산화환원 활성적이기 때문에 선택될 수 있다. 세륨 산화물은, 예를 들어, Ce4+ 또는 Ce3+ 형태로 존재할 수 있고 이들은 작업편과의 접촉점에서 표면 화합물과 반응할 수 있다.코어 입자의 표면과 무기 산화물 입자의 표면은 화학적으로 다르고 (상이하고), 부가적으로 및 잠재적으로 상이한 관능을 제공하도록 각각 독립적으로 (예를 들면, 화학적으로) 처리될 수 있다. 중합체 코어는, 예를 들어, 기재 표면으로부터 제거된 금속 이온과 배위결합할 수 있는 배위결합 관능기 (예를 들면, 아민 또는 올레핀계 기)를 가질 수 있다.본원에서 기술되는 복합 입자는 이들이 함유하는 콜로이드성 입자의 연마 특성을 전달할 수 있지만, 이들은 더 큰 입자 내에 포장될 수 있다. 이로써 기재 표면이, 이렇게 하지 않으면 표면 구조 내에 갇힐 수 있을 부수적인 작은 입자에 의해 오염될 잠재성이 저감된다. 반데르발스력은 표면에의 부착을 100 ㎚ 미만의 길이 규모에서 좌우하며, 이러한 크기의 또는 더 작은 콜로이드성 실리카 입자는 세정 제거하기가 어려울 수 있다. 100 ㎚보다 더 큰 직경을 갖는 복합 입자를 사용하면, 심지어는 복합 입자가 100 ㎚ 미만의 크기를 갖는 무기 입자를 함유하는 경우에도, 입자가 물의 유동 및 세정 방안에 의해 제거되기 더 용이한 더 큰 입자로서 유체역학적으로 및 물리적으로 "거동"하는 것이 보장된다. 감소된 접촉점 및 더 큰 크기 외에도, 입자의 총괄 밀도(bulk density)가 감소하면, 입자는 대류 유체 유동을 통해 더 용이하게 이탈할 수 있다.코어의 직경이 금속 산화물 입자보다 훨씬 더 큰 경우에 (2:1 이상의 비, 예를 들면, 약 2:1 내지 약 20:1, 예를 들어, 5:1, 10:1 또는 15:1의 범위 내), 코어의 직경은 패드/웨이퍼 상호작용 간극을 한정하고 제어하는 것을 도울 수 있다. 이는 또한, 이렇게 하지 않으면 패드에 의해 발휘될 수 있는 하방력(down force)보다 훨씬 더 작은 하방력으로 무기 성분이 웨이퍼 표면과 접촉하는 것을 보장함으로써, 무기 성분의 연마성과 더불어, 제거율에도 영향을 미칠 수 있다. 하방력이 증가하면 제거율, 결함률, 및 불균일성이 증가하기 때문에, 하방력의 감소는 더 낮은 전체 결함률을 초래할 수 있다. 연마 패드에 의해 가해지는 하방력의 감쇠는 도 13에 도시되어 있다. 이러한 개요도에 도시된 바와 같이, 금속 산화물-중합체 복합 입자(11)는 중합체성 코어(15) 내에 매립된 금속 산화물 입자(13)를 포함한다. 중합체성 코어는 가해진 압력 (화살표 17에 의해 나타내어져 있음)에 응답하여 변형될 수 있고 (복합 입자(11)의 다소 평탄해진 형상을 참조), 따라서 가해진 하방력을 감쇠시킬 수 있다. 부가적으로, 이러한 크기 제어는, 더 긴 거리에 걸쳐, 특히 패드 및 웨이퍼 크기가 300 ㎜ 및 400 ㎜ 웨이퍼 CMP 기술에 부합하게 증가함에 따라, 웨이퍼내 및 다이내 균일도를 추가로 향상시킬 수 있다.본원에서 기술되는 중합체-금속 산화물 복합 입자를 사용하면, 특히 에칭되는 특징부의 크기가 콜로이드성 복합 입자의 크기와 일치할 수 있는 경우에, 경질 표면의 존재 하에서, 연질 표면의 과다 연마를 제어 (저감)하는 것을 도울 수 있다. 도 14a 및 14b는 경질 물질 (덜 용이하게 연마됨)과 연질 물질 (더 용이하게 연마됨) 둘 다를 포함하는 여러 가지의 조성을 갖는 다수의 물질을 포함하는 기재의 연마를 도시한다. 직경 d2를 갖는, 더 경질인 물질들(25 및 27) 사이에 배치된 더 연질의 물질(23)을 포함하는 작업편(21)이 도 14a에 도시되어 있다. 이러한 경우에, 금속 산화물 입자(13)의 직경(d3) 및 코어 입자(15)의 직경(d1)은, 더 연질의 물질의 과다 연마를 저감시키거나 최소화하도록, 더 경질인 물질들(25 및 27) 사이에 삽입된 더 연질의 물질(23)의 크기(d2)에 대해 조정될 수 있다. 따라서 코어 입자 구조물은 에칭 정지제(etch-stop)로서 효과적으로 작용하는데, 왜냐하면 d1 003e# d2이기 때문이다. 이는, 동일한 금속 산화물 입자(13)가 느슨한 형태 (코어를 동반하지 않음)로 사용되고 따라서 d3 크기의 금속 산화물 입자가 더 연질의 물질 (23)의 d2 크기의 특징부에 침투하기에 충분히 작기 때문에 더 연질의 표면을 더 많이 에칭할 수 있는 도 14b에 도시된 상황과는 대조적이다.또 다른 실시양태에서, 이러한 효과를 사용하여 덜 용이하게 에칭되는 표면의 존재 하에서 더 용이하게 에칭되는 표면을 갖는 목표물을 선택적으로 에칭할 수 있다. 더 경질인 물질들(35 및 37) 사이에 위치한 연질 물질(33)을 포함하는 작업편(31)이 도 14c에 도시되어 있다. 연질 물질은, 매립된 금속 산화물 입자(13)가 코어(15)의 표면으로부터 거리 x만큼 돌출된 금속 산화물-중합체 복합 입자 및 상기에 기술된 d1, d2 및 d3의 비를 사용함에 의해, 규정된 두께 (도 14c에서 깊이 x)로 에칭될 수 있다. 이러한 방안은, 작은 크기와 연관된 높은 표면에너지로 인해 표면의 스크래치 또는 다른 오염을 초래하도록 응집될 수 있는 고도로 분산된 미세 입자를 사용할 필요없이, 가장 작은 입자 직경의 일정 분율 (예를 들면, 50%)에서 길이 규모를 갖는 표면 특징부 (홈)를 제조하는 방법을 제공한다.CMP 작업에서 중요한 매개변수는 에칭된 물질 제거의 유체 유동 및 메커니즘이다. 복합 입자의 표면 화학 및 구조는, 코어 입자의 표면 화학이 연마된 표면으로부터 발생한 찌꺼기 또는 화학 물질을 끌어당기도록 조정되는 경우에, 기재 표면으로부터 떨어져 나가서 코어 입자 표면 상에 갇힐 수 있는 에칭된 물질의 제거를 향상시키도록 조정될 수 있다. 사용될 수 있는 표면 개질 물질은 산화환원 성질 을 갖는 화합물 (예컨대, 예를 들어, 세륨-함유 화합물) 또는 산성 또는 염기성 표면 기를 갖는 화합물을 포함한다. 중합체성 코어(15) 내에 매립된 금속 산화물 입자(13)를 포함하는 금속 산화물-중합체 복합 입자(11)가 도 15에 제시되어 있다. 작업편(41)의 통상적인 CMP 가공 과정에서, 에칭된 물질의 농축된 유동물은 화살표(43)에 의해 도시되어 있다. 그러나, 상기에 기술된 바와 같은 표면 개질이 사용되는 경우에, 에칭된 물질(45)은 금속-중합체 복합 입자의 표면에 갇히거나 코어(15) 내로 매립될 수 있다. 적어도 약간의 연마된 물질을 보유할 수 있는 복합 입자를 설계하면, 패드-웨이퍼 계면에 존재하는 찌꺼기의 양을 감소시키게 될 것이다. 웨이퍼 상에 남겨진 잔류 입자 또는 찌꺼기 (후-CMP 세정 동안에 제거되지 않음)는 결함률의 원인이다. 부가적으로, 제거된 물질 찌꺼기는 패드 내에 붙잡힐 수 있어서, 패드 성질을 변경시키거나, 계속되는 CMP 공정 동안에 웨이퍼를 잠재적으로 손상시킬 수 있다. 웨이퍼 또는 패드 표면 상에 붙은 유리된 연마된 물질을 수집하고 저감시키면, 스크래칭 및 연마 패드 폐색을 저감시키고 패드 컨디셔닝 또는 드레싱의 필요성을 저감시킬 수 있다. 이는, 표면 킬레이트화 기, 특정한 pH에서 기재 표면 물질에 대해 반대되는 전하, 또는 표면 물질에 대한 몇몇 다른 고유한 화학적 또는 물리적 친화력을 갖는 특정한 영역을 복합 입자 상에 침착시킴을 통해, 달성될 수 있다. 돌출된 연마 종이 복합 입자 상에 존재하기 때문에, 강한 표면 물질 친화력을 갖는 이들 구획이 기능하는 유일한 방법은 찌꺼기가 CMP의 작용에 의해 기재로부터 유리된 후에 찌꺼기를 제거하는 것이다.몇몇 실시양태에서, 금속 산화물-중합체 복합 입자는 CMP 공정의 개선에 기여할 수 있는 "추가적인" 물질 (중합체 및 무기 입자를 제외함)을 포함한다. 특정한 예에서, 추가적인 구성성분은 CMP 슬러리에서 사용될 수 있는 구성성분이다 (하기에 상세하게 논의됨). 이러한 방안은 슬러리에서의 구성성분의 사용을 부분적으로 또는 완전히 대체하고, 슬러리 조성물을 잠재적으로 단순화시키고/시키거나, 이렇게 하지 않으면 요구�瑛� 구성성분의 양을 감소시키는 역할을 한다. 상기 방안은 또한 CMP 작업에 추가적인 양의 구성성분 또는 상이한 구성성분을 제공할 수 있다. 더욱이, 구성성분은 경계가 분명한 영역, 특히 금속 산화물-중합체 복합 입자가 작업편의 표면과 접촉하는 작업 영역에 편재할 수 있다.한 예에서, 금속 산화물-중합체 복합 입자는 화학적 에칭제, 예를 들면, 금속 산화제, 예컨대 과산화수소, 금속 결합 기, 착화 기, 또는 킬레이트화 기, 예컨대, 예를 들어, 퀴놀린산을 제공한다. 화학적 에칭제는 복합 입자의 총질량을 기준으로 약 0.1 wt% 내지 약 10 wt%, 예를 들면, 약 0.5 wt% 내지 약 5 wt% 범위 내의 양으로 복합 입자 내에 존재할 수 있다.화학적 제거 촉진제가 더 높은 속도 또는 더 우수한 선택성을 달성하도록 연마의 화학적 측면을 향상시키기 위해 첨가될 수 있다. 적합한 예는 인산염 화합물 (예를 들면, 암모늄 히드로겐 포스페이트, 암모늄 디히드로겐 포스페이트, 포타슘 디히드로겐 포스페이트, 비스(2-에틸헥실)포스페이트, 2-아미노에틸 디히드로겐 포스페이트, 4-클로로벤젠 디아조늄 헥사플루오로포스페이트, 니트로벤젠 디아조늄 헥사플루오로포스페이트, 암모늄 헥사플루오로포스페이트, 비스(2,4디클로로페닐)클로로포스페이트, 비스(2-에틸헥실)히드로겐포스페이트, 칼슘 플루오로포스페이트, 디에틸 클로로포스페이트, 디에틸 클로로티오포스페이트, 포타슘 헥사플루오로포스페이트, 피로포스페이트, 테트라부틸암모늄 헥사플루오로포스페이트 테트라에틸암모늄 헥사플루오로포스페이트, 및 그의 임의의 조합), 아인산염 화합물 (예를 들면, 비스(2-에틸헥실)포스페이트) 또는 다른 적합한 물질을 포함한다. 이들 및/또는 다른 속도 촉진제는 복합 입자의 총질량을 기준으로 약 0.1 wt% 내지 약 10 wt%, 예를 들면, 약 0.5 wt% 내지 약 5 wt% 범위 내의 양으로 입자 내에 존재할 수 있다.선택성은 금속 산화물-중합체 복합 입자 내에 혼입될 수 있는 부동태화제에 의해 증진될 수 있다. 이들 부동태화제의 역할은 하나의 표면을 또 다른 표면에 우선하여 보호하는 것, 예를 들면, 산화물 제거율보다 훨씬 더 낮은 질화물 CMP 제거율을 나타내는 것이다. 중합체-금속 산화물 복합 입자 내에 혼입될 수 있는 부동태화제의 몇몇 비제한적인 예는 다양한 음이온성, 비이온성, 및 양이온성 계면활성제 및 중합체이다. 적합한 음이온성 중합체성 부동태화제는 폴리(아크릴산), 폴리(메타크릴산), 폴리(아크릴산-말레산), 폴리(메타크릴산-말레산), 폴리(아크릴산-아크릴아미드), 폴리(아크릴로니트릴-부타디엔-아크릴산), 폴리(아크릴로니트릴-부타디엔-메타크릴산), 임의의 상기 물질의 유도체 또는 염, 및 그의 임의의 조합 중 하나 이상을 포함한다. 부동태화제는 복합 입자의 총질량을 기준으로 약 0.1 wt% 내지 약 10 wt%, 예를 들면, 약 0.5 wt% 내지 약 5 wt% 범위 내의 양으로 입자 내에 존재할 수 있다. 상기에 기술된 것과 같은 중합체는 복합 입자의 초기 합성 동안에 존재할 수 있거나, 이들은 합성 후에 복합 입자의 무기 또는 중합체 상의 표면에 물리적 또는 화학적 흡착됨으로써 복합 입자에 첨가될 수 있다. 유도체 화학, 예컨대 알콕시실란 관능화 또는 다른 화학은, 부동태화제를 복합 입자 표면에 부착시키는 것의 또 다른 대안으로서, 표면 실란올에의 직접 공유결합 커플링을 가능하게 할 수 있다.본원에서 기술된 것과 같은 추가적인 물질은 입자의 제조 동안에 임의의 적합한 시점에서 금속 산화물-중합체 복합 입자 내로 혼입될 수 있다. 예를 들어, 화학적 에칭제, 촉진제 또는 부동태화제는 복합 입자의 형성 동안에 또는 후에 첨가될 수 있다.상기에 논의된 바와 같이, 복합 입자 내의 무기 미립자는 본원에서 기술되는 금속 산화물-중합체 복합 입자의 제조 전에, 동안에 또는 후에 처리될 수 있다. 유기 개질제, 무기 개질제, 또는 둘 다가, 복합체에서 사용되는 금속 산화물 입자 (또는 다른 무기 미립자)의 화학 및/또는 관능을 변경하는 데 사용될 수 있다. 예를 들어, 금속 산화물 입자는, CMP 물질 제거 성질을 향상시키거나, 작업편 내의 특정한 종에 대한 금속 산화물 입자의 반응성을 변화시키거나, 표면의 친수성/소수성 특성을 바꾸거나, 다른 이유를 위해, 처리될 수 있다.또한 코어에 대해 조절을 할 수 있다. 예를 들어, 코어의 표면 또는 총괄 화학은, 연마된 물질, 찌꺼기, 요망되지 않는 부산물 등이 평탄화되고 있는 표면 상에 다시 재침착되는 것을 방지 또는 최소화할 수 있는 성질을 제공하도록 설계될 수 있다. 사용될 수 있는 추가적인 물질의 예는 금속 킬레이트화제 (금속 표면을 평탄화하기 위함), 제거되거나 연마된 기재 산화물 파편의 표면에 결합할 수 있는 물질, 예를 들면 알콕시 실란 물질, 인산염 등 (금속 산화물 표면의 CMP의 경우)을 포함한다. 이들 추가적인 물질은 코어 표면 및/또는 코어 전체에 걸쳐 존재할 수 있다. 이들 모이어티의 선택은, 종종 실온 (예를 들면 25℃)보다 더 높고 CMP 작용에 의해 초래된 마찰로 인해 60℃만큼 높거나 이보다 더 높을 수 있는 작업 온도에서 가장 활성적이도록 조정될 수 있다. 실제 온도는 기재 표면 (예를 들어 금속 또는 산화물), CMP 연마 시간, 하방력 및 다른 공정 변수에 따라 달라진다.추가적인 물질은 금속 산화물-중합체 복합 입자의 형성 동안에 또는 후에 첨가될 수 있다.본원에서 개시되는 금속 산화물-중합체 복합 입자는 대안적인 CMP 공정에서 사용될 수 있다. 예를 들어, 이들은 CMP 슬러리, CMP 연마 패드 또는 다른 CMP-관련 조성물 또는 도구 내에 혼입될 수 있다. 이들 복합 입자는 또한 광학적 성분, 치과용 물질, 유리, 반도체, 세라믹 표면 (발광 다이오드, 광기전력 전지, 반도체, 및 광학 섬유를 포함하지만 이로 제한되지는 않음)뿐만 아니라 원료 규소 웨이퍼, 세라믹 및 내화성 물질 등의 화학적 기계적 연마 (CMP라고도 약칭됨)에 적합하다. 이들 대안적인 CMP 공정에서, 이들 슬러리는, 기재 물질을 연마 또는 제거하기 위해 복합 입자의 연마 성분이 요망되는 기재와 연마 접촉하도록 유사한 방식으로 실시된다.본 개시 내용의 특정한 측면은 상기에 기술된 것과 같은 금속 산화물-중합체 복합 입자를 포함하는 CMP 슬러리에 관한 것이다. 본원에서 사용되는 바와 같은 용어 "슬러리"는 액체 매질 중의 고체 입자의 분산액을 지칭한다. 모든 CMP 응용분야는 아니더라도 대부분의 경우에, 슬러리는 수성이다. 요망되는 경우에, 하기 공지된 일반 원리 및 본원에서 제공되는 교시에 따라 비수성 슬러리 또는 수성/용매 조합이 배합될 수 있다. 특정한 구현양태에서, 금속 필름의 CMP를 위한 예시적인 수성 분산액은 슬러리의 총중량을 기준으로 1 내지 10 %wt, 5 내지 15 %wt, 10 내지 20 %wt, 또는 15 내지 30 %wt의 양의 금속 산화물-중합체 복합 입자를 포함한다.전형적으로, 금속 산화물-중합체 복합 입자는 슬러리 내에 "분산"되는데, 이는 이들 입자가 액체 (예를 들면, 수성) 매질 전체에 걸쳐 분포됨을 의미한다. 바람직하게는 이들은 고르게 분포된다. 본원에서 사용되는 바와 같은 용어 "콜로이드적으로 안정한"은, 다른 미립자 종과 상호작용하지 않고서 브라운 운동(Brownian Motion)에 의해 분산된 상태를 유지하는, 액체 매질 중의 미립자 물질 (예를 들면, 상기에 기술된 금속 산화물-중합체 복합 입자)의 분산액을 나타낸다. 즉, 다른 미립자 종과 함께 슬러리 내로 통합되기 위한 독립적인 구성성분으로서, 콜로이드적으로 안정한 분산액은 일반적으로 실질적으로 덩어리를 갖지 않고, 미립자는 실질적으로 단분산될 수 있고, 주위 조건에서 적합한 시간 동안, 예를 들면, 수개월 동안, 동요 없이, 최소의 변동성을 갖고서 안정하다. 몇몇 실시양태에서, 슬러리에서 사용되는 미립자 물질의 분산액의 상태는 변경될 수 있다.저장 수명은 이미 완성된 슬러리의 경우에 중요한 고려 사항일 수 있고 본원에서 기술되는 많은 분산액은 (상분리, 응집, 또는 침강 없이) 수일, 수주일, 수개월, 수년 동안 또는 영구히 안정한 상태를 유지할 수 있다. 저장 수명 요건은 사용 시 및 사용 시점에서 제조되는 슬러리의 경우에는 완화될 수 있다. 이러한 경우에 분산액은 단지 수분 또는 수시간 동안 안정할 필요가 있다. 일반적으로, 안정한 슬러리는 공정 반복성, 공정 안정성, 더 낮은 표면 결함률, 더 우수한 성능 일관성 및 CMP에서 중요한 다른 고려 사항의 측면에서 유리하다.몇몇 경우에, 안정한 CMP 분산액을 제조하는 것은 쉽지 않고, 예를 들어, 금속 산화물-중합체 복합 입자의 안정한 수성 분산액을 형성하고자 하는 경우에, 어려움에 봉착할 수 있다.이러한 문제를 해결하기 위해 여러 방안이 사용될 수 있다. 몇몇 구현양태에서, 분산액 안정화는 기계적 방안, 예를 들면, 예를 들어 2011년 11월 22일에 백(Paik) 등에 허여된 미국 특허 제8,062,547호에 기술된 것과 같은 고에너지 기계적 분산기의 사용에 의해 달성된다.다른 구현양태에서, 복합 입자는 친수성 첨가제, 예컨대, 예를 들어, 알킬 에톡실레이트, 선형 알킬벤젠 술포네이트 (LAS), 알킬디메틸 아민 옥시드, 및 알킬 카르복시 베타인으로 처리된다. 친수성 첨가제는 0.0001 내지 10 wt%의 양으로 첨가될 수 있고, 많은 경우에 2,000 내지 50,000 g/mol의 분자량을 갖는 중합체를 포함한다.추가의 구현양태에서, 금속 산화물-중합체 복합 입자를 함유하는 수성 CMP 슬러리의 분산액 안정화는 분산제, 예컨대, 예를 들어, 중합체성 분산제, 예를 들면, 폴리에틸렌 글리콜, 중합양성전해질(polyampholyte), 포타슘 노난산 등을 포함시킴에 의해 향상된다. 분산제는 0.0001 내지 10 wt%의 양으로 첨가될 수 있고 2,000 내지 50,000 g/mol의 분자량을 갖는 중합체를 포함할 수 있다. 2011년 11월 22일에 백 등에 허여된 미국 특허 제8,062,547호에서 논의된 바와 같이, 50,000 g/mol 초과의 분자량을 갖는 분산제는 다리결합과 같은 현상으로 인해 입자들로 하여금 다시 뭉쳐지게 하고, 따라서 큰 입자의 형성을 촉진할 수 있다. 대안적으로, 입체적 안정화가, 다른 비이온성 계면활성제, 예컨대 트윈(Tween)�� 20, 40, 60, 80 등으로서 공지되어 있는 소르비톨 시리즈 등에 의해 부여될 수 있거나, 다양한 블록 길이의 폴리에틸렌 옥시드 (PEO)/폴리프로필렌 옥시드 (PPO) 공중합체가 고려될 수 있다. 트윈 시리즈 또는 PEO-PPO 공중합체 블록 길이에서 숫자는, 기술된 것과 유사한 수단을 통해, 입자 안정성에 큰 영향을 미칠 수 있는, 화학 구조에 의해 제시된 성질에서의 친수성/친지질성 균형을 지칭한다.추가의 예에서, 슬러리는 pH 조절 및 슬러리 안정화를 위해 약산, 유기 산, 또는 약염기를 포함할 수 있다. 이러한 경우에, pH 조작에 의한 슬러리 안정화는 입자가 (제타 포텐셜에 의해 측정 시) 충분한 표면 전하를 얻어서 정전기적으로 안정하게 될 때의 pH를 달성하는 것을 지칭한다. 예를 들어, 300 ㎚의 평균 복합 입자 직경을 갖고 실리카 입자 표면의 약 40 내지 50 %가 수성 분산액 액체에 노출되고 (나머지는 소수성 중합체 코어 내에 매립됨) 분산액 내에는 다른 아무 것도 없는, MPS로 형성된 중합체와 20 내지 50 ㎚ 실리카 입자의 전형적인 복합 입자는 pH 10에서 암모니아 또는 수산화칼륨의 첨가에 의해 충분히 안정화될 수 있다. 이러한 단순 분산액 또는 슬러리는 산화물 ILD 유형의 CMP 응용분야에서 용이하게 사용될 수 있다. 더 복잡한 슬러리 배합물의 경우에, 이러한 산 또는 염기는 또한 다양한 다른 슬러리 성분의 안정화를 달성해야 한다는 것을 유념하도록 한다.전형적으로, 본원에서 기술되는 금속 산화물-중합체 복합 입자와 같은 콜로이드성 입자는, 용액에 침지된 경우에, 흡착/탈착 효과에 의해 초래된 표면 전하를 가질 것이다. 표면 전하는 pH 조절 (실리카는, 예를 들어, 약 2 내지 3의 pH에서 등전점 (IEP)을 가짐), 하전된 첨가제 (예를 들면, 염)의 사용, 계면활성제의 사용, 및 관련 기술분야에 공지되어 있는 다른 기술을 통해 개질될 수 있다.본원에서 기술되는 슬러리의 pH에 대해서는 어떤 특정한 제약이 없다. 슬러리 pH는 특정한 응용분야의 요건에 따라 조절될 수 있다. 한 예에서, 수산화칼륨 또는 암모니아와 같은 pH 조절제가 분산액의 알칼리도를 조절하기 위해 분산액 내에 혼입된다. 전형적으로, 층간 유전체 산화물 연마 공정에서, 연마 실리카 입자를 슬러리에 용해시키지 않고서 기재의 용해도를 최대화하고 제거율을 증진시키기 위해, pH는 약 11이다.액체 매질 내에 금속 산화물-중합체 복합 입자를 함유하는, 본원에서 기술되는 CMP 슬러리는 추가적인 성분 또는 구성성분을 포함할 수 있다. 예는 레올로지제, 산화제, 킬레이트화제, 착물화제, 부식방지제, 계면활성제, 본원에서 기술되는 중합체-금속 산화물 입자를 제외한 미립자 물질, 그의 조합 및/또는 다른 성분을 포함하지만 이로 제한되지는 않는다. 또한, 임의의 이들 구성성분뿐만 아니라, 본원에서 기술되는 금속 산화물-중합체 복합 입자는 액체 비히클, 예컨대, 예를 들어, 물; 알콜, 예컨대 이소프로필 알콜, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올; 에틸렌 글리콜; 프로필렌 글리콜; 글리세린; 케톤, 예컨대 아세톤; 에테르, 예컨대 디에틸에테르, 테트라히드로푸란 (THF); 수-알콜 용액; 다른 용매; 또는 용매의 조합 내에 제공될 수 있다. 레올로지제는 CMP 슬러리의 점도를 제어하고 슬러리의 층상 유동을 구축하기 위해, 예를 들어 수직 유동 운동을 저감시키기 위해, CMP 슬러리 내에 포함될 수 있다. 가교된 아크릴계 중합체 및 수용성 중합체 (WSP)를 포함하지만 이로 제한되지는 않는 임의의 통상적인 레올로지제가 본 발명의 슬러리 조성물에서 사용될 수 있다. 몇몇 예는 개질된 셀룰로스 유도체, 셀룰로스 에테르, 전분 유도체, 펙틴 유도체, 폴리아크릴아미드, 히드록시프로필셀룰로스, 히드록시에틸셀룰로스, 및 카르복시메틸셀룰로스를 포함한다. 둘 이상의 레올로지제의 혼합물이 또한 사용될 수 있다.킬레이트화제가 슬러리 조성물 내에 추가로 포함될 수 있다. 이러한 킬레이트화제는, 예를 들어, 연마/평탄화된 표면으로부터 제거된 금속 이온과 화학적으로 반응하여 가용성 금속 착물을 형성하여 기재 표면 상에의 금속 이온의 재침착을 최소화하기 위해 연마 슬러리에서 사용될 수 있다. 임의의 통상적인 킬레이트화제가 사용될 수 있고, 예를 들어, 하나 이상의 아민 또는 아미드 기 (예를 들면 에틸렌디아민테트라아세트산, 에틸렌디아민, 및 메틸포름아미드) 및 유기 산 (예를 들면 이미노디아세트산 및 옥살산)을 포함한다.슬러리는 또한 하나 이상의 부식 억제제를 포함할 수 있다. 이들 화합물은, CMP 슬러리에 제공되는 경우에, 신선한 연마/평탄화된 표면 및/또는 산화된 표면과 반응하여 표면을 부동태화하고 CMP 작업 동안의 표면의 과도한 에칭을 방지할 수 있다. 사용될 수 있는 부식 억제제의 예시적인 예는 알킬 아민, 이미다졸, 아미노테트라졸, 벤조트리아졸, 메르캅토벤조티아졸, 5-메틸-1-벤조트리아졸, 벤즈이미다졸, 아미노, 이미노, 카르복시, 메르캅토, 니트로, 알킬, 우레아 및 티오우레아 화합물 및 유도체 등, 디카르복실산, 예컨대 옥살산, 말론산, 숙신산, 니트릴로트리아세트산, 이미노디아세트산, 및 그의 조합을 포함하지만 이로 제한되지는 않는다.많은 경우에, 슬러리는 하나 이상의 표면 활성제 (계면활성제)를 포함한다. 적합한 계면활성제는 비이온성, 음이온성, 양이온성, 비이온성, 쯔비터이온성, 양쪽성, 및 다가전해질 화합물을 포함한다. 사용될 수 있는 계면활성제는, 예를 들어, 문헌(Kirk-Othmer, Encyclopedia of Chemical Terminology, 3rd Edition, Vol. 22 (John Wiley 0026# Sons, 1983)), (Sislet 0026# Wood, Encyclopedia of Surface Active Agents (Chemical Publishing Co., Inc. 1964)), (Ash, The Condensed Encyclopedia of Surfactants (Chemical Publishing Co., Inc., 1989)), (Tadros, Surfactants (Academic Press, 1984))에 개시되어 있고, 상기 모든 문헌은 본원에 참조로 포함된다. 특정한 예는 유기 산의 염, 알칸 술페이트, 알칸 술포네이트, 수산화물, 치환된 아민 염, 베타인, 폴리에틸렌 옥시드, 폴리비닐 알콜, 폴리비닐 아세테이트, 폴리아크릴산, 폴리비닐 피롤리돈, 폴리에틸렌이민, 안히드로소르비톨의 에스테르, 4급 암모늄 화합물, 예컨대 테트라메틸 암모늄 할라이드, 세틸 트리메틸 암모늄 할라이드, 노닐 에테르 및 그의 조합을 포함한다. 금속 필름의 CMP를 위한 수성 분산액은 계면활성제, 예컨대 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제 및/또는 비이온성 계면활성제를 포함할 수 있다. 음이온성 계면활성제로서, 지방족 비누, 술페이트 에스테르, 및 포스페이트 에스테르 등을 사용할 수 있다. 양이온성 계면활성제로서, 지방족 아민 염, 지방족 암모늄 염 등을 사용할 수 있다. 추가로, 비이온성 계면활성제로서, 아세틸렌 글리콜, 그의 에틸렌 옥시드 부가물, 및 아세틸렌 알콜 등을 사용할 수 있다. 더욱이, 실리콘-기재의 계면활성제, 폴리비닐 알콜, 시클로덱스트린, 폴리비닐 메틸에테르, 히드록시에틸 셀룰로스 등을 사용할 수도 있다. 이들 계면활성제는 단독으로 또는 둘 이상의 종류를 포함하는 혼합물로서 사용될 수 있다.슬러리는 본원에서 기술되는 중합체-금속 산화물 입자 이외의 입자를 함유할 수 있다. 많은 예에서, 이들 "추가적인" 입자는 또한 액체 매질 내에 분산된다. 예는 CMP 작업을 수행하기에 적합한 다른 유형의 입자, 예컨대, 예를 들어, 실리카, 알루미나, 탄화규소 등을 포함한다.슬러리는 또한 하나 이상의 산화제를 포함할 수 있다. 이들 산화제는 일반적으로 금속 전자를 제거하고 원자가를 상승시키는 임의의 물질을 포함한다. 산화제는 과산화수소, 우레아 히드로겐 퍼옥시드, 모노퍼술페이트, 디퍼술페이트, 과아세트산, 과탄산염, 유기 과산화물, 예컨대 벤조일 퍼옥시드, 디-t-부틸 퍼옥시드, 과아이오딘산, 과아이오딘산염, 과브로민산, 과브로민산염, 과염소산, 과염소산염, 과붕산, 과붕산염, 퍼망가네이트, 퍼망가네이트 염, 히드록실아민, 질산철 및 질산을 포함하지만 이로 제한되지는 않는다. 예를 들어, 산화제는 과황산암모늄, 과황산칼륨, 질산철, 디암모늄 세륨 니트레이트, 황산철, 오존 및 과아이오딘산칼륨일 수 있다. 산화제의 함량은 수성 분산액을 기준으로 0.05 내지 5 wt%, 예를 들어, 수성 분산액을 기준으로 0.08 내지 3 wt%일 수 있다.몇몇 구현양태에서, CMP 슬러리는 금속을 위한 산화제 및/또는 유기금속 착물을 형성하기 위한 금속 착물화제를 포함한다. 특정한 구현양태에서, 착화 성분의 함량은 수성 분산액을 기준으로 0.001 내지 3.0 wt%, 예를 들어, 수성 분산액을 기준으로 0.05 내지 2.0 wt%이다.산화제 및/또는 착물화제의 조합이 또한 사용될 수 있다. 예를 들어, 착물화제는 수-불용성 착물을 형성하기 위한 제1 착물화제와 수용성 착물을 형성하기 위한 제2 착물화제를 조합할 수 있다. 본원의 맥락에서, 용어 "수-불용성"은 습식 에칭 속도가 산화제의 존재 하에서 3 ㎚/min 미만인 한, 착물이 물에 실질적으로 용해될 수 없음을 의미하도록 의도되며, 이러한 난용성 착물은 이러한 정의에 포함될 것이다. 다른 한편으로는, 용어 "수용성"은 습식 에칭 속도가 3 ㎚/min 이상임을 의미하도록 의도된다.금속과 함께 수-불용성 또는 수-난용성 착물을 형성하는 제1 착물화제로서, 예를 들어, 헤테로시클릭 화합물, 예컨대 하나 이상의 N 원자를 함유하는 6-원 헤테로시클릭 화합물 및 하나 이상의 N 원자를 함유하는 5-원 헤테로시클릭 화합물을 사용할 수 있다. 더욱 구체적으로는, 퀴날딘산, 퀴놀린산, 벤조트리아졸, 벤조이미다졸, 7-히드록시-5-메틸-1,3,4-트리아자인돌리딘, 니코틴산, 피콜린산 등을 사용할 수 있다. 몇몇 구현양태에서, 제1 착물화제는 수-불용성 착물을 형성하는 데 사용되는 음이온성 계면활성제이다. 예는 알킬벤젠 술포네이트를 포함하지만 이로 제한되지는 않고, 그의 예는, 예를 들어, 포타슘 도데실벤젠 술포네이트, 암모늄 도데실벤젠 술포네이트 등을 포함한다. 제1 착물화제가 사용되는 경우에, 제1 착물화제의 함량은 CMP를 위한 수성 분산액의 총중량을 기준으로 0.0005 내지 2.0 wt%, 예를 들어, CMP를 위한 수성 분산액의 총중량을 기준으로 0.0075 내지 1.5 wt%, 예를 들면, 0.0075 내지 0.01, 0.01 내지 0.05, 0.05 내지 0.1, 0.1 내지 0.5 %, 0.5 내지 1.0, 1.0 내지 1.5 %일 수 있다.제2 착물화제는 수용성 착물을 형성하고 연마-촉진제로서의 역할을 할 수 있다. 제2 착물화제의 예는 아미노산, 예컨대 글리신, 알라닌, 트립토판 등을 포함하지만 이로 제한되지는 않는다. 상기에 언급된 물질의 효과와 거의 동일한 효과를 나타내는 유기 산이 효과적으로 사용될 수 있다. 이러한 유기 산의 예는, 예를 들어, 포름산, 락트산, 아세트산, 타르타르산, 푸마르산, 글리콜산, 프탈산, 말레산, 옥살산, 시트르산, 말산, 말론산, 글루탐산 등을 포함한다. 더욱이, 또한 암모니아, 에틸렌 디아민, 및 염기성 염, 예컨대 테트라메틸 암모늄 히드록시드 (TMAH)를 사용할 수 있다. 제2 착물화제는 CMP를 위한 수성 분산액의 총중량을 기준으로 0.0005 내지 2.0 wt%, 예를 들어, 0.0075 내지 1.5 wt%, 예를 들면, 0.0075 내지 0.01, 0.01 내지 0.05, 0.05 내지 0.1, 0.1 내지 0.5, 0.5 내지 1.0, 1.0 내지 1.5 %의 양으로 제공될 수 있다. 사용량은 적어도 부분적으로는 금속의 조성에 따라 달라질 수 있다.각각의 이들 제1 및 제2 착물화제는 단독으로 또는 둘 이상의 종류의 조합으로서 사용될 수 있다.개시 내용의 또 다른 측면은, 본원에서 기술되는 금속 산화물-중합체 복합 입자를 포함하는, CMP 또는 다른 연마 공정에서 사용되는 도구, 특히 연마 패드에 관한 것이다. CMP 연마 패드 내에 복합 입자를 혼입시키면 액체 슬러리 내의 유리된 입자의 질량을 감소시킬 수 있고, 그러므로 기재 표면이 오염될 잠재성을 저감시킬 수 있다. 더욱이, 이들 입자의 "경질-연질" 속성은 스크래치 결함을 저감시키는 것을 도울 수 있다. 예시를 목적으로, 화살표(53) 방향으로 회전할 수 있는 CMP 연마 패드(51)가 도 16의 개요도에 도시되어 있다. 패드는 연마 패드의 작업 표면(55)에서 복수의 (둘 이상의) 금속 산화물-중합체 복합 입자(11)를 포함한다.CMP 패드는 중합체성 물질로 만들어질 수 있다. 특정한 예에서, 패드는 미세발포 폴리우레탄 또는 또 다른 적합한 물질로부터 제작될 수 있다. CMP 패드는 다공질 또는 무공질일 수 있다.일반적으로, 다공질 연마 패드는 개선된 슬러리 이송 및 편재된 슬러리 접촉을 제공하는 경향이 있다. 기공을 패드 물질 내로 도입시키기 위한 기술은 비드 또는 중공 중합체성 미세구를 물질 내로 혼입시킴을 포함한다. 미세구로 채워진 패드는 종종, 미세구의 크기에 따라, 20 마이크로미터 초과 내지 30 마이크로미터의 기공 크기를 갖는다. 몇몇 경우에, 패드를 제조하는 데 사용되는 중합체성 매트릭스는 연마 슬러리와 접촉 시 연화 또는 용해되는 중합체성 미세요소와 조합되었다.또 다른 방안에서, 기공은 발포 기술, 예컨대, 예를 들어, 불활성 기체 발포를 통해 도입된다. 기체 발포는 더 넓은, 예를 들면, 30 마이크로미터 초과의 기공 크기 분포를 제공할 수 있다. 한 예에서 (예를 들면 2011년 11월 8일에 후앙(Huang) 등에게 허여된 미국 특허 제8,052,507호를 참조함), 발포를 통해, 패드의 작업 동안에 CMP 슬러리에 용해되어 패드의 작업 표면에 첨가된 기공을 부여하는 충전제가 혼입된다.몇몇 실시양태에서, 금속 산화물-중합체 복합 입자는 CMP 연마 패드의 본체 전체에 걸쳐 분포된다. 이러한 연마 패드를 제조하기 위해, 금속 산화물-중합체 복합 입자, 예컨대, 본원에서 기술된 복합 입자는 패드의 제작 동안에 임의의 적합한 시점에서 첨가될 수 있다. 예를 들어, 복합 입자는 액체 상 전구체, 용매, 기포, 발포 매질 등에 첨가될 수 있다. 특정한 경우에 금속 산화물-중합체 복합 입자는 통상적인 충전제 (예를 들면, 기공의 형성을 유도하는 미세구) 및/또는 연마 입자를 CMP 연마 패드 내에 혼입시키는 방식과 유사한 방식으로 첨가된다.다른 실시양태에서, 복합 입자는 패드의 작업 표면에 매립된다. 예를 들어, 금속 산화물-중합체 복합 입자는 패드의 작업 표면에서 코팅 (예를 들면, 필름 또는 층) 내에 존재할 수 있다. 따라서 몇몇 구현양태에서, 통상적인 연마 패드 또는 연마 패드 지지체에는, 본원에서 기술된 것과 같은 금속 산화물-중합체 복합 입자로 이루어지거나 본질적으로 이루어지거나 이를 포함하는 코팅이 제공된다.특정한 예에서, 패드는, 복합 입자 외에도, 하나 이상의 물질, 예컨대, 예를 들어, 결합제, 첨가제, 충전제, 다른 연마 입자 등을 포함하는 코팅을 갖는다. 결합제가 사용되는 경우에, 금속 산화물-중합체 복합 입자는 결합제 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산될 수 있다. 코팅은 관련 기술분야에 공지된 바와 같은 배킹(backing), 마찰층, 및/또는 다른 요소를 추가로 포함할 수 있다. 몇몇 경우에, 배킹은 사용되지 않는다. 연마 코팅을 함유하는 통상적인 CMP 도구는, 예를 들어, 전문이 본원에 참조로 포함되는, 1999년 9월 28일에 브룩스부르트(Bruxvoort) 등에게 허여된 미국 특허 제5,958,794호에 기술되어 있다.패드는 리바운드(rebound) (낮은 리바운드는 주기적 변형 동안에 비교적 다량의 에너지를 흡수하여 연마 동안에 디싱을 덜 초래하고 더 우수한 WID 균일도를 달성하는 경향이 있음) 및 강성 (WID 균일도 및 연장된 패드 수명에 있어서 중요한 고려 사항임)과 같은 요망되는 성질을 제공하도록 설계될 수 있다. 부가적으로, 패드는 연마 동안의 저감된 글레이징 경향 (패드 컨디셔닝의 필요성을 저감시키거나 최소화함) 및/또는 다른 특성을 부여하도록 설계될 수 있다.CMP 연마 패드는 요망되는 "감쇠" 성질을 갖도록 설계될 수 있다. 일반적으로, 감쇠는 기계적 에너지를 흡수하는 물질의 능력을 지칭하고 물질의 리바운드를 시험하기 위한 단순한 기술인 바쇼(Bashore) 리바운드 방법에 의해 측정될 수 있다. 바쇼 리바운드 시험은 관련 기술분야에 공지되어 있고, 예를 들어, 미국재료시험협회(American Society for Testing and Materials) (ASTM) 표준 D-2632에 기술되어 있다. 예시적인 예에서, 본원에서 기술되는 패드는 약 25% 내지 약 50% 범위 내의 바쇼 리바운드를 갖는다. 다른 바쇼 리바운드 값을 갖는 패드가 제조될 수 있다. 표면에 복합 입자가 결합됨으로써 개질된 패드를 사용하면, 폼 패드에 상응하도록 설계할 필요가 없이, 복합 입자 성질을 잘 활용하여 패드의 한계를 상쇄하고 과도한 응력 또는 리바운드를 소산시킬 수 있다.감쇠 효과는 또한 각각의 변형 주기에서 단위 부피 당 손실된 에너지로서 정의되는 매개변수인 에너지 손실 계수(Energy Loss Factor) (KEL)의 측면에서 기술될 수 있다. 일반적으로, 패드의 KEL 값이 높아질수록, 탄성 리바운드는 낮아지고 디싱은 덜 관찰된다. KEL 값을 증가시키기 위해, 패드를 더 연질로 만들 수 있다. 그러나, 이러한 방안은 또한 패드의 강성을 감소시키는 경향이 있다. 강성이 감소되면, 평탄화 효율이 감소되고, 패드가 장치의 가장자리 아래를 통과한 후에 되튀어서 웨이퍼와 접촉함에 따라 패드가 장치 모서리 주위에서 순응됨으로써 디싱 또는 가장자리 패스트니스(fastness) (예를 들면 과도한 가장자리 물질 제거)가 증가한다.패드의 KEL 값을 증가시키기 위한 또 다른 방안은 강성을 저감시키지 않고서도 KEL이 증가하도록 그의 물리적 조성을 변경시키는 것이다. 이는 패드 내의 경질 세그먼트 (또는 상) 및 연질 세그먼트 (또는 상)의 조성 및/또는 패드 내의 경질 대 연질 세그먼트 (또는 상)의 비를 변경시킴에 의해 달성될 수 있다.상기에 기술된 슬러리 및/또는 도구는, 전형적으로는 화학적 작용 및 연마 작용을 통해, 기재로부터 물질을 제거하여 가공된 표면을 제공하는 공정에서 사용될 수 있다. 공정은 가공 및/또는 후-가공 단계를 위한 기재를 준비하도록 설계된 작업을 추가로 포함할 수 있다. 예는 초벌 연마, 세정 작업 (예를 들면, 후-CMP 세정), 에칭, 계측 시험, 패턴 침착 등을 포함하지만 이로 제한되지는 않는다.특정한 구현양태에서, 공정은 "비교용" 공정에 비해 증가된 제거율, 감소된 결함 개수 및/또는 증진된 세정성이라는 특성을 갖는다. 본원에서 사용되는 바와 같은 용어 "비교용" 공정은 사용된 연마 입자의 유형을 제외하고는 본 발명의 공정 (본원에서는 실험용 공정이라고도 지칭됨)과 동일한 공정을 지칭한다. 실험용 공정은 본원에서 기술되는 바와 같은 금속 산화물-중합체 복합 입자를 포함하는 슬러리 및/또는 도구를 사용하여 수행되는 반면에, 이러한 입자는 비교용 공정에서 사용되는 슬러리 또는 도구 내에는 존재하지 않는다. 그 대신에, 비교용 공정에서의 슬러리 및/또는 도구는 퓸드 실리카, 졸 겔 실리카, 또는 특정한 응용분야에 적합한 다른 통상적인 연마 입자를 포함할 수 있다. 사용된 입자를 제외하고는, 실험용 슬러리 또는 도구는 전형적으로 비교용 슬러리 또는 도구와 동일하거나 실질적으로 동일한 성분을 동일하거나 실질적으로 동일한 양으로 함유할 것이다. 비교용 공정과 본 발명의 공정 둘 다는 동일한 유형의 기재 상에서 수행된다.본 발명의 측면은 본질적으로 단지 설명을 위한 것으로 의도된 하기 실시예에 의해 더 상세하게 설명된다.실시예금속 산화물-중합체 복합 입자의 샘플 4개를 제조하는 실험을 수행하였다. 금속 산화물 (MO)은 퓸드 실리카 또는 퓸드 실리카와 콜로이드성 (졸 겔) 실리카의 혼합물이었다. 구체적으로는, 금속 산화물은 L-90 퓸드 실리카 (상품명 카브-오-스퍼스 1015A)와 임의로 25 ㎚ 졸 겔 실리카 (상품명 스노우텍스 ST-O40) (둘 다 캐보트 코포레이션으로부터 입수 가능함)의 안정한 분산액을 함유하였다. 사용된 중합체는 폴리메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 (pMPS)이었고, 라디칼 개시제는 아조비스이소부티로니트릴 (AIBN)이었다.구체적으로는, 오버헤드 교반 모터, 응축기, 및 열전대가 구비된 250 ㎖ 들이 둥근 바닥 플라스크에 카브-오-스퍼스 1015A 및 스노우텍스 ST-O40 분산액 및 탈이온수를 충전하였다 (세부 사항에 대해서는 도 1을 참조). 진한 수산화암모늄 수용액의 액적 수 개를 첨가함으로써 분산액의 pH를 10 내지 10.5로 조절하였다. 온도를 50℃로 상승시키고 메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 (MPS라고도 약칭됨, CAS# 2530-85-0, Mw = 248.3)을 표 1에 제시된 양으로 첨가하였다. 혼합물을 약 150 rpm의 속도로 교반하였다. 50℃에서 약 2시간 후에, 에탄올 10 ㎖에 현탁된 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 (AIBN, CAS# 78-67-1, Mw = 164.2) 라디칼 개시제 0.25 g을 첨가하고 온도를 85℃로 상승시켰다. 라디칼 중합을 2시간 30분 동안 진행시키고 이어서 온도를 도 17에 도시된 바와 같이 75℃로 저하시키고 HMDZ 2 g을 혼합물에 첨가하였다. HMDZ와의 반응을 약 4시간 동안 지속시키고, 이어서 반응 슬러리를 0.5 ㎜ 체를 통해 거르고 파이렉스(Pyrex) 트레이에 옮기고, 120℃에서 밤새 놓아두어 건조시켰다. 그 다음날에 백색 분말상 고체를 수집하고 이카 M20 유니버살(IKA M20 Universal) 밀을 사용하여 분쇄하였다.졸 겔 실리카 대 퓸드 실리카의 비 (건조 실리카를 기준으로 하는 w/w/), 질량비 MMPS/M실리카 및 다른 합성 관련 세부 사항, 예컨대 유화 시간 (분)이 하기 표 1에 제시되어 있다.003c#표 1003e#샘플 1 내지 4의 복합 입자에 대한 입자 크기 분포 및 표면적 측정값이 표 2에 제시되어 있다.003c#표 2003e#본 발명은 특히 그의 바람직한 실시양태와 관련하여 제시되고 기술되었지만, 관련 기술분야의 통상의 기술자라면, 첨부된 청구범위에 의해 포함되는 본 발명의 범주에서 벗어나지 않게 형태 및 세부 사항을 다양하게 변화시킬 수 있다는 것을 이해할 것이다.
CMP 공정, 도구 및 슬러리는 금속 산화물 입자 및 중합체 코어를 포함하는 금속 산화물-중합체 복합 입자를 사용한다. 금속 산화물 입자는 개질제로 개질되고 중합체 코어 내에 부분적으로 또는 완전히 매립된다. 이들 공정, 도구 및 슬러리를 사용하면 필적할만한 시스템 및 기재에 비해 제거율을 향상시키고 결함률을 감소시키고 세정성을 증진시킬 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 열전 발전 장치 및 열전 발전 방법 [ 기술분야 ] 본 발명은, 간단한 구성으로 열전(熱電) 발전 소자의 수명을 연장시킬 수 있는, 열전 발전 장치 및 열전 발전 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 이전부터 제벡 효과(Seebeck effect)를 이용한 열전 발전 소자에 의해 열 에너지를 전기 에너지로 변환하는 열전 발전 장치가 있다. 이 열전 발전 장치를 사용함으로써, 공장이나 발전소, 소각로 등에서 지금까지 배출되었던 대량의 폐열을 전기 에너지로 회수할 수 있다. 열전 발전 장치로는, 예를 들면, 특허 문헌 1∼3에 기재되어 있는 바와 같이, 열전 발전 소자의 전압 전류 특성을 기초로 최대 전력점 또는 최적 동작점에서 출력시키는 것이 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 특허 문헌 1 : 일본공개특허 제2007-5371호 공보특허 문헌 2 : 일본공개특허 제2010-41903호 공보특허 문헌 3 : 일본공개특허 제2013-55769호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 그런데, 열전 발전 소자는 부하 측이 오픈되면, 전류가 열전 발전 소자 측으로 환류되지 않기 때문에, 펠티에 효과(Peltier Effect)에 의한 소자 냉각을 기대할 수 없는 데다가, 열전 발전 소자에는 열원으로부터의 열 에너지가 계속 입력된다. 이 결과, 열전 발전 소자는, 소자의 고온측 온도가 소자의 특성 열화를 발생시키는 상한 내열 온도를 초과하는 경우가 있어, 열전 발전 소자의 수명이 짧아진다는 문제가 있었다. 또한, 종래에는, 내열 온도의 초과에 의한 소자 수명의 단축화를 방지하기 위하여, 소자의 특성 열화를 발생시키는 상한 내열 온도를 초과할 경우에, 열원으로부터 열전 발전 소자를 물리적으로 이격하여 자연 방열에 의해 열전 발전 소자의 온도를 낮추게 하였다. 그러므로, 종래의 열전 발전 장치는, 열원으로부터 열전 발전 소자를 물리적으로 이격하기 위한 기계적 구조의 추가가 필요해져, 장치가 복잡하고 또한 대형화될 수 밖에 없었다. 본 발명은 상기의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 간단한 구성으로 열전 발전 소자의 수명을 연장시킬 수 있는 열전 발전 장치 및 열전 발전 방법의 제공을 목적으로 한다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기의 문제점을 해결하고, 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 관한 열전 발전 장치는, 열전 발전 소자를 사용하여 열 에너지를 전기 에너지로 변환하여 출력하는 열전 발전 장치로서, 상기 열전 발전 소자의 고온측 온도를 측정하는 온도 측정부와, 상기 고온측 온도가 소정 온도를 초과할 경우, 상기 열전 발전 소자로 귀환하는 전류량를 증대시키는 제어를 행하는 온도 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 관한 열전 발전 장치는, 상기의 발명에 있어서, 상기 열전 발전 소자의 단자간을 개폐하는 개폐 스위치를 포함하고, 상기 온도 제어부는 상기 고온측 온도가 소정 온도를 초과할 경우, 상기 개폐 스위치를 닫는(閉) 제어를 행하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 관한 열전 발전 장치는, 상기의 발명에 있어서, 상기 열전 발전 소자에 접속되어, 상기 열전 발전 소자로부터 출력된 전기 에너지를, 스위칭 소자를 사용하여 직류 전압 변환하는 전압 변환 회로를 포함하고, 상기 온도 제어부는 상기 고온측 온도가 소정 온도를 초과할 경우, 상기 스위칭 소자의 듀티비(Duty Ratio)를 크게 하여 상기 열전 발전 소자로 귀환하는 전류량를 증대시키는 제어를 행하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 관한 열전 발전 장치는, 상기 발명에 있어서, 상기 온도 제어부는, 장치의 기동 시부터 장치의 기동 완료 시까지 상기 열전 발전 소자로 귀환하는 전류량를 증대시키는 제어를 더 행하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 관한 열전 발전 장치는, 상기 발명에 있어서, 상기 온도 측정부는 상기 열전 발전 소자로부터 출력되는 전류를 측정하고, 이 전류와 고온측 온도의 관계를 기초로 상기 고온측 온도를 측정하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 관한 열전 발전 장치는, 상기 발명에 있어서, 상기 온도 측정부는 상기 열전 발전 소자의 단자간의 전압을 측정하고, 이 전압과 고온측 온도의 관계를 기초로 상기 고온측 온도를 측정하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 관한 열전 발전 장치는, 상기 발명에 있어서, 상기 온도 측정부, 상기 개폐 스위치, 및 상기 온도 제어부는, 상기 열전 발전 소자로부터 출력되는 전류가 상기 고온측 온도에 대응하는 소정값을 초과할 경우에 상기 열전 발전 소자의 단자간을 닫는 리드 스위치인 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 관한 열전 발전 장치는, 상기 발명에 있어서, 복수의 상기 열전 발전 소자 각각에는, 각 열전 발전 소자의 전류 출력 측으로의 흐름만을 허용하는 다이오드 특성을 가진 바이패스(bypass) 다이오드가 각각 병렬 접속되는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 관한 열전 발전 방법은, 열전 발전 소자를 사용하여 열 에너지를 전기 에너지로 변환하여 출력하는 열전 발전 방법으로, 상기 열전 발전 소자의 고온측 온도를 측정하는 온도 측정 스텝과, 상기 고온측 온도가 소정 온도를 초과할 경우, 상기 열전 발전 소자로 귀환하는 전류량의 증대시키는 제어를 행하는 온도 제어 스텝을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 온도 제어부가, 고온측 온도가 소정 온도를 초과할 경우, 열전 발전 소자로 귀환하는 전류량를 증대시키는 제어를 행하도록 하고 있으므로, 간단한 구성으로 열전 발전 소자의 수명을 연장시킬 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은, 본 발명의 실시형태 1인 열전 발전 장치의 구성을 나타내는 블록도이다. 도 2는, 도 1에 나타낸 열전 발전 소자의 상세 구성을 보여주는 회로도이다. 도 3은, 도 1에 나타낸 온도 제어부에 의한 온도 제어 처리의 일례를 보여주는 타임 차트이다. 도 4는, 기동 시부터 기동 완료 시까지의 개폐 스위치의 개폐 제어를 나타내는 타임 차트이다. 도 5는, 온도 제어부에 의한 온도 제어 처리 순서를 나타내는 플로차트이다. 도 6은, 고온측 온도와 전류의 관계를 나타내는 도면이다. 도 7은, 고온측 온도와 전압의 관계를 나타내는 도면이다. 도 8은, 열전 발전 소자의 단자간 전압을 측정하는 회로의 일례를 나타내는 도면이다. 도 9는, 본 발명의 실시형태 2인 리드 스위치(reed switch)의 구성을 나타낸 도면이다. 도 10은, 본 발명의 실시형태 3인 열전 발전 장치의 구성을 나타내는 블록도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 설명한다. (실시형태 1)[전체 구성]도 1은, 본 발명의 실시형태 1인 열전 발전 장치의 구성을 나타내는 블록도이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 열전 발전 장치(1)는 열전 발전 소자(10)를 갖는다. 열전 발전 소자(10)는, 예를 들어 BiTe계 열전 재료에 의해 형성되고, 고온측 온도 280℃, 저온측 온도 30℃의 온도차로 약 1W/㎠의 출력 밀도를 갖는다. 열전 발전 소자(10)의 고온 측에는, 열원(2)으로부터 공급된 열 에너지를 일시적으로 축적하는 열전도체(3)가 접속되고, 이 열전도체(3)를 통해 열 에너지가 열전 발전 소자(10)에 전도된다. 열전 발전 소자(10)는, 도 2에 나타내는 바와 같이 복수의 열전 발전 소자(SU1∼SU3)가 직렬 접속되어 원하는 전압을 출력하게 하고 있다. 또한, 각 열전 발전 소자(SU1∼SU3)에는, 각각 열전 발전 소자의 전류 출력 방향으로만의 통전(通電)을 허용하는 바이패스 다이오드(D1∼D3)가 병렬 접속된다. 바이패스 다이오드(D1∼D3)는, 각각 병렬 접속된 열전 발전 소자(SU1∼SU3)의 발전 능력의 저하나 손상이 있을 경우에 전류를 바이패스시킨다. 예를 들면, 열전 발전 소자(SU2)에 발전 능력의 저하나 손상이 있는 경우, 이 열전 발전 소자(SU2)는 저항으로 되어 다른 열전 발전 소자(SU1, SU3)가 출력한 전기 에너지를 소비하고, 최악의 경우, 출력 전류가 흐르지 않게 된다. 이 경우, 다른 열전 발전 소자(SU1, SU3)가 출력한 전기 에너지는, 바이패스 다이오드(D2)를 경유하여 출력되게 된다. 즉, 열전 발전 소자(SU1∼SU3)에 발전 능력의 저하나 손상이 있어도, 바이패스 다이오드(D1∼D3)에 의해 전류를 바이패스시켜, 건전한 다른 열전 발전 소자(SU1∼SU3)에 의한 동작을 확보할 수 있다. 열전 발전 소자(10)의 양단(兩端)에는 개폐 스위치(SW)가 접속되고, 그 후단에 초퍼(chopper) 회로(11), 인버터 회로(12), 필터 회로(13)가 순서대로 더 접속된다. 개폐 스위치(SW)는, 후술하는 바와 같이, 열전 발전 소자(10)의 고온측 온도가 소정의 상한 온도를 초과한 경우, 또는 열전 발전 장치(1)의 기동 시부터 기동 완료 시까지, 온(on) 상태로 되고, 열전 발전 소자(10)에 전류를 환류시켜, 펠티에 효과에 의해 열전 발전 소자(10)의 온도를 내린다. 초퍼 회로(11)는, 열전 발전 소자(10)로부터 공급된 전압을 원하는 전압으로 전압 변환하는 DC-DC 컨버터이다. 인버터 회로(12)는, 초퍼 회로(11)로부터 입력된 직류 전압을 교류 전압으로 변환하는 DC-AC 인버터이다. 필터 회로(13)는, 인버터 회로(12)로부터 입력된 교류 전압을 LC 필터에 의해 정현파(正弦波)로 파형 정형하여 모터 등의 부하(4)에 출력한다. 그리고, 도 1에 나타낸 인버터 회로(12)는, 직류 전압으로부터 2상(two-phase) 교류 전압을 생성하고 있다. 또한, 제어부(14)는, 온도 센서(10a)가 검출하는 고온측 온도 Th, 초퍼 회로(11)의 전류 검출 센서(11a)가 검출하는 입력 전류 Iin, 초퍼 회로(11)의 전압 검출 센서(11b)가 검출하는 입력 전압 Vin, 인버터 회로(12)의 전압 검출 센서(12b)가 검출하는 입력 전압 Vco, 인버터 회로(12)의 전류 검출 센서(12a)가 검출하는 출력 전류 Iout, 필터 회로(13)의 전압 검출 센서(13b)가 검출하는 출력 전압 Vout을 기초로, 구동부(15)를 통하여, 개폐 스위치(SW), 초퍼 회로(11) 및 인버터 회로(12) 내의 스위칭 소자의 온오프 제어를 행한다. 제어부(14) 내의 최대 전력 추종 제어부(16)는, 열전 발전 소자(10)가 출력하는 기전력을 최대화하는 최대 전력점에서 동작하도록 추종 제어한다. [온도 제어의 개요]한편, 제어부(14) 내의 온도 제어부(17)는, 온도 센서(10a)가 검출하는 고온측 온도 Th가 소정의 상한 온도를 초과하는 경우, 개폐 스위치(SW)를 온으로 하는 제어를 행한다. 구체적으로는, 소정의 상한 온도 Ta를 초과하고 나서 소정의 하한 온도 Tc가 될 때까지, 개폐 스위치(SW)를 온으로 한다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 시점 t1까지는 입력 열량 Q가 값 Q1으로 일정하며, 이 사이의 전류 Iin도 값 I1로 일정하다. 또한, 이 때의 고온측 온도 Th도 일정한 고온측 온도 Th1을 유지한다. 이 시점 t1까지는, 고온측 온도 Th1이 소정의 상한 온도 Ta 이하이므로, 개폐 스위치(SW)는 오프 상태로 된다. 시점 t1에서 입력 열량 Q가 값 Q1에서 값 Q2로 증대하면, 전류 Iin 및 고온측 온도 Th도 입력 열량 Q의 증대에 따라 증대한다. 여기서, 고온측 온도 Th가 시점 t2에서 소정의 상한 온도 Ta를 초과하면, 온도 제어부(17)는 최대 전력 추종 제어부(16)의 제어에 우선하여, 개폐 스위치(SW)를 온 상태로 한다. 이로써, 전류 Iin는 개폐 스위치(SW)를 통한 전류의 환류에 의해 일거에 전류 I2까지 증대되고, 이 전류 Iin의 전류 증대에 의해, 열전 발전 소자(10)에서의 펠티에 효과도 일거에 증대하여, 고온측 온도 Th가 서서히 저하된다. 그리고, 고온측 온도 Th는 온도 Tb로 일정해진다. 도 3에서는, 시점 t3에서도 개폐 스위치(SW)는 온 상태 그대로이다. 그 후, 시점 t3에서 입력 열량 Q가 값 Q2에서 값 Q3으로 감소하면, 전류 Iin 및 고온측 온도 Th도 서서히 감소한다. 그리고, 시점 t4에서, 고온측 온도 Th가 소정의 하한 온도 Tc 이하가 되면, 온도 제어부(17)는 개폐 스위치(SW)를 온에서 오프로 한다. 이와 같이 하여, 온도 제어부(17)는, 고온측 온도 Th가 소정의 상한 온도 Ta를 초과한 경우에 개폐 스위치(SW)를 온으로 하고, 그 후, 소정의 하한 온도 Tc 이하로 되었을 경우에 개폐 스위치(SW)를 오프로 하는 제어를 행한다. 본 실시형태 1에서는, 온도 제어부(17)가 전술한 온도 제어를 행하는 것에 의해, 열전 발전 소자(10)가 특성 열화를 발생시키는 상한 내열 온도, 예를 들면, 도 3에 나타낸 고온측 온도 Th2를 초과하는 것을 미연에 방지하도록 하고 있으므로, 간단한 구성으로 열전 발전 소자(10)의 수명을 길게 할 수 있다. 그리고, 전술한 온도 제어부(17)에 의한 온도 제어는, 열전 발전 장치(1)가 기동 후 안정적으로 동작하고 있는 상태를 전제로 하고 있다. 열전 발전 장치(1)가 기동하고나서 기동 완료하는 동안, 초퍼 회로(11)나 인버터 회로(12)의 스위칭 소자는 오프 상태이며, 열전 발전 소자(10) 측으로부터 초퍼 회로(11) 측을 본 회로는, 오픈으로 되어 있다. 이 때, 열전 발전 소자(10)에 입력 열량 Q가 있으면, 초퍼 회로(11) 측을 본 회로가 오픈으로 되어 있고, 열전 발전 소자(10) 측으로의 환류 전류가 없기 때문에, 열전 발전 소자(10)에서의 펠티에 효과가 발생하지 않고, 열전 발전 소자(10)가 냉각되지 않아 계속 온도가 상승한다. 이 경우, 온도 제어부(17)도 기동 중이기 때문에, 입력 열량 Q가 매우 큰 경우, 기동 완료할 때까지 고온측 온도 Th가 소정의 상한 온도 Ta를 초과해 버리는 경우가 있다. 그러므로, 본 실시형태 1에서는, 온도 제어부(17)는 기동에서 기동 완료 시까지, 개폐 스위치(SW)를 온으로 하는 제어를 행한다. 즉, 도 4에 나타내는 바와 같이, 기동의 시점 t0에서 기동 완료의 시점 t11까지의 동안(Δt1)에, 개폐 스위치(SW)를 온으로 한다. 그 후, 시점 t11 경과 후, 제어부(14)는 초퍼 회로(11)나 인버터 회로(12)의 스위칭 소자를 온-오프시키기 위하여, 개폐 스위치(SW)를 오프로 한다. 그리고, 시점 t2에서 고온측 온도 Th가 소정의 상한 온도 Ta를 초과한 경우에, 개폐 스위치(SW)를 온으로 한다. 구체적으로, 온도 제어부(17)는 전원 오프 후에 개폐 스위치(SW)를 온으로 하고, 그 상태를 유지시켜 둔다. [온도 제어 처리]여기서, 도 5에 나타낸 플로차트를 참조하여, 온도 제어부(17)에 의한 온도 제어 처리에 대하여 설명한다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 제어부(14)를 전원 온으로 하고, 먼저 온도 제어부(17)는 기동 완료되었는지의 여부를 판단한다(스텝 S101). 기동 완료되어 있지 않은 경우(스텝 S101, No), 개폐 스위치(SW)를 온 상태로 두고(스텝 S102), 스텝 S101의 판단 처리를 반복하여 행한다. 한편, 기동 완료되어 있는 경우(스텝 S101, Yes)에는, 개폐 스위치(SW)를 오프로 한다(스텝 S103). 그 후, 온도 센서(10a)가 검출하는 고온측 온도 Th가 소정의 상한 온도 Ta를 초과했는지의 여부를 판단한다(스텝 S104). 고온측 온도 Th가 소정의 상한 온도 Ta를 초과하지 않은 경우(스텝 S104, No), 스텝 S104의 판단 처리를 반복한다. 한편, 고온측 온도 Th가 소정의 상한 온도 Ta를 초과한 경우(스텝 S104, Yes), 개폐 스위치(SW)를 온으로 하고(스텝 S105), 열전 발전 소자(10) 측으로의 환류 전류를 많게 하여 펠티에 효과에 의한 열전 발전 소자(10)의 냉각을 행한다. 그 후, 고온측 온도 Th가 소정의 하한 온도 Tc 이하로 되었는지의 여부를 판단한다(스텝 S106). 고온측 온도 Th가 소정의 하한 온도 Tc 이하로 되지 않은 경우(스텝 S106, No), 이 스텝 S106의 판단 처리를 반복한다. 한편, 고온측 온도 Th가 소정의 하한 온도 Tc 이하로 되었을 경우(스텝 S106, Yes)에는, 개폐 스위치(SW)를 오프로 하고(스텝 S107), 열전 발전 소자(10) 측으로의 환류 전류를 적게 하여 펠티에 효과에 의한 열전 발전 소자(10)의 냉각을 억제하여, 최대 전력 추종 제어부(16)에 효율적인 최대 전력 추종 제어를 행하게 한다. 그 후, 전원의 오프 여부를 판단한다(스텝 S108). 전원이 오프가 아닌 경우(스텝 S108, No)에는 스텝 S104로 이행하고, 전술한 정상(定常) 시의 온도 제어 처리를 행하다. 한편, 전원이 오프인 경우(스텝 S108, Yes)에는 개폐 스위치(SW)를 온으로 하여(스텝 S109) 본 처리를 종료한다. 이 스텝(S109)의 개폐 스위치(SW)의 온에 의해, 다음 기동 시에 개폐 스위치(SW)가 온 상태를 유지하게 된다. [온도 센서의 대체 수단]전술한 실시형태 1에서는, 온도 제어부(17)가, 온도 센서(10a)가 검출한 고온측 온도 Th를 기초로 개폐 스위치(SW)의 온-오프 제어를 행하였다. 여기서, 도 6에 나타내는 바와 같이, 고온측 온도 Th는 전류 Iin과 선형(線形) 관계를 갖는다. 따라서, 이 관계를 기초로, 전류 Iin을 계측함으로써 고온측 온도 Th를 알 수 있다. 따라서, 이 경우, 온도 센서(10a)를 설치하지 않고, 전류 검출 센서(11a)가 검출하는 입력 전류 Iin을 계측하여 고온측 온도 Th를 구할 수 있다. 동일하게, 도 7에 나타내는 바와 같이, 고온측 온도 Th는 전압 Vin과 선형 관계를 갖는다. 따라서, 이 관계를 기초로, 전압 Vin을 계측함으로써 고온측 온도 Th를 알 수 있다. 따라서, 이 경우, 온도 센서(10a)를 설치하지 않고, 전압 검출 센서(11b)가 검출하는 입력 전압 Vin을 계측하여 고온측 온도 Th를 구할 수 있다. 전압 검출 센서(11b)에 의한 입력 전압 Vin이 아니라, 도 8에 나타낸 바와 같이, 전압계(10b)를 사용하여 전압 Vin을 직접 계측해도 된다. 이 경우, 저항 R1을 큰 값, 예를 들면, 수백kΩ으로 하고, 저항 R2를 작은 값, 예를 들면, 수kΩ으로 분압하여, 전압계(10b)의 위치에서의 전압을 강압해 계측하는 것이 바람직하다. 또한, 전술한 실시형태 1에서는, 소정의 상한 온도 Ta를 초과한 후, 소정의 하한 온도 Tc가 될 때까지 개폐 스위치(SW)를 온으로 하는 히스테리시스(hysteresis) 특성을 갖게 한 스위칭 제어를 행하여 개폐 스위치(SW)의 채터링(chattering)을 방지하였지만, 이에 한정되지 않고, 소정의 상한 온도 Ta를 초과했을 때만, 개폐 스위치(SW)를 온으로 하는 온도 제어를 행해도 된다. (실시형태 2)전술한 실시형태 1에서는, 온도 센서(10a)가 검출한 고온측 온도 Th를 기초로, 온도 제어부(17)가 개폐 스위치(SW)를 개폐 제어하는 것이었다. 이에 대하여, 본 실시형태 2에서는 온도 센서(10a)와 온도 제어부(17)와 개폐 스위치(SW)를 일체화한 리드 스위치(SW1)를 사용하고 있다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 리드 스위치(SW1)는 코일(5)에 흐르는 전류 강도에 따른 자계(磁界)가 소정값을 초과한 경우에 스위치(6)를 온으로 한다. 스위치(6)가 온으로 될 때의 코일(5)에 흐르는 전류값은, 도 6에 나타낸 바와 같이, 실시형태 1에서의 소정의 상한 온도 Ta에 대응하는 전류값이면 된다. 그리고, 이 경우에서의 온도 제어는, 소정의 상한 온도 Ta를 초과했을 때만 리드 스위치(SW1)가 온으로 된다. (실시형태 3)전술한 실시형태 1에서는, 개폐 스위치(SW)를 사용하여 열전 발전 소자(10)로의 환류 전류의 증감을 제어함으로써 열전 발전 소자(10)의 온도 제어를 행하였다. 이에 대하여, 실시형태 3에서는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 개폐 스위치(SW)를 사용하지 않고, 온도 제어부(27)는 온도 센서(10a)가 검출한 고온측 온도 Th가 소정의 상한 온도 Ta를 초과한 경우에, 초퍼 회로(11)나 인버터 회로(12)의 스위칭 소자의 듀티비를, 최대 전력 추종 제어부(16)에 의한 통상 제어 시의 듀티비에 비해 크게 하고, 열전 발전 소자(10) 측으로의 환류 전류를 크게 하여 열전 발전 소자(10)를 냉각하게 하고 있다. 즉, 본 실시형태 3에서는, 열전 발전 소자(10)의 냉각을 초퍼 회로(11)나 인버터 회로(12)의 스위칭 소자의 PWM(Pulse Width Modulation) 제어 내에 포함하여 행하고 있다. 또한, 기동 시부터 기동 완료 시까지는 각각의 스위칭 소자를 통전 상태 또는 큰 듀티비로 설정하여 두는 것이 바람직하다. 또한, 전술한 실시형태 1∼3에서는, 교류 전원을 사용하는 기기를 부하(4)로 하고, 인버터 회로(12) 및 필터 회로(13)를 설치하였지만, 이에 한정되지 않고, 직류 전원을 사용하는 기기를 부하(4)로 해도 된다. 이 경우, 인버터 회로(12) 및 필터 회로(13)는 불필요해진다. 또한, 이 경우, 부하(4)를 축전지로 해도 된다. 또한, 본 실시형태 1∼3은, 환언하면, 모두 기동 시부터 기동 완료 시까지, 및 정상 운전 시에, 열전 발전 소자(10)로부터 부하(4) 측을 본 회로가 항상 오픈으로 되지 않게 하고 있다. 즉, 회로가 오픈으로 됨에 의한 열전 발전 소자(10)의 소정의 상한 온도 Ta를 초과하는 온도 상승을 미연에 방지하고 있다. [ 부호의 설명 ] 1 : 열전 발전 장치2 : 열원3 : 열전도체4 : 부하5 : 코일6 : 스위치10 : 열전 발전 소자10a : 온도 센서10b : 전압계11 : 초퍼 회로11a, 12a : 전류 검출 센서11b, 12b, 13b : 전압 검출 센서12 : 인버터 회로13 : 필터 회로14 : 제어부15 : 구동부16 : 최대 전력 추종 제어부17, 27 : 온도 제어부D1∼D3 : 바이패스 다이오드Iin : 전류Vin : 전압R1, R2 : 저항SW : 개폐 스위치SW1 : 리드 스위치Ta : 소정의 상한 온도Tc : 소정의 하한 온도Th : 고온측 온도
본 발명은, 간단한 구성으로 열전 발전 소자의 수명을 연장시킬 수 있는, 열전 발전 장치 및 열전 발전 방법의 제공을 목적으로 한다. 그러므로, 본 발명은, 열전 발전 소자(10)를 사용하여 열 에너지를 전기 에너지로 변환하여 출력하는 열전 발전 장치(1)로서, 열전 발전 소자(10)의 고온측 온도 Th를 측정하는 온도 센서(10a)와, 고온측 온도 Th가 소정 온도를 초과하는 경우, 열전 발전 소자(10)로 귀환하는 전류량을 증대시키는 제어를 행하는 온도 제어부(17)를 포함한다. 온도 제어부(17)는, 이 열전 발전 소자(10)에 귀환하는 전류량을 증대시키기 위해서, 예를 들면, 개폐 스위치(SW)를 오프(온)로 한다.
[ 발명의 명칭 ] 입자의 표면 처리 및 그의 용도 SURFACE TREATMENT OF PARTICLES AND THEIR USE [ 기술분야 ] 플라스틱에서의 분산의 개선을 위한 이산화티타늄, 황산바륨, 황화아연 및/또는 리소폰 입자의 표면 처리, 및 상기 입자와 특정한 알콕실화된 실록산의 혼합물. [ 배경기술 ] 중합체 조성물을 제공하기 위해 제형화되는 플라스틱은 열가소성 물질 및 열경화성 물질의 주요 군으로 분리된다.여기서, 용어 열가소성 물질은 그의 유동 전이 범위가 사용 온도보다 높은 이러한 중합체에 대해 사용된다. 열가소성 물질은 무정형 열가소성 물질의 경우에 원칙적으로 유리 전이 온도 (Tg) 초과에서 그리고 (반)결정질 열가소성 물질의 경우에 융점 (Tm) 초과에서 유동성이 되는 선형 또는 분지형 중합체이다. 연화된 상태에서, 이들은 압축, 압출, 사출 성형 또는 다른 성형 공정에 의해 성형물로 가공될 수 있다. 여기서, 쇄 이동성은 각각의 중합체 분자가 서로에 관해 용이하게 미끄러지게 하는 정도로 증가하며, 물질은 용융된다 (유동 영역, 중합체 용융물). 열가소성 물질은 또한 열가소성 엘라스토머로서 공지된 현저한 엔트로피-탄성 특성을 갖는 열가소적으로 가공가능한 플라스틱을 포함한다. 열가소성 물질은 선형이거나 또는 열 불안정하게 하는 방식으로 가교된 중합체 분자로 이루어진 모든 플라스틱을 포함하며, 예에는 폴리올레핀, 비닐 중합체, 폴리에스테르, 폴리아세탈, 폴리아세테이트, 폴리카르보네이트, 및 또한 일부 폴리우레탄 및 이오노머, 및 또한 TPE - 열가소성 엘라스토머가 있다 (ROEMPP ONLINE, vers. 3.7, Carlowitz and Wierer, Kunststoffe (Merkblaetter) [Plastics (Datasheets)], Chapter 1, Thermoplaste [Thermoplastics], Berlin: Springer Verlag (1987), Domininghaus, pp. 95 ff.).열경화성 물질은 올리고머 (공업적인 용어로: 예비중합체)로부터, 또는 덜 빈번하게는 단량체 또는 중합체로부터 공유 결합에 의해 비가역적이고 치밀하게 맞물린 가교를 통해 제조된 플라스틱이다. 여기서, 용어 "열경화성 물질"은 가교 전 원료에 대한 (반응성 수지 참조) 및 또한 경화된 대개 완전히 무정형인 수지에 대한 총괄적인 용어로서 사용된다. 저온에서, 열경화성 물질은 에너지-탄성이고, 심지어 더 높은 온도에서도 이들은 점성으로 유동할 수 없으며, 대신에 매우 제한된 변형성으로 탄성 거동을 나타낸다. 열경화성 물질에는 특히 디알릴 프탈레이트 수지 (DAP), 에폭시 수지 (EP), 우레아-포름알데히드 수지 (UF), 멜라민-포름알데히드 수지 (MF), 멜라민-페놀-포름알데히드 수지 (MPF), 페놀-포름알데히드 수지 및 불포화 폴리에스테르 수지 (UPES)의 군의 산업적으로 중요한 물질이 포함된다 (ROEMPP ONLINE, vers. 3.7, Becker, G. W.; Braun, D.; Woebcken, W., Kunststoff-Handbuch [Plastics handbook], vol. 10: Duroplaste [Thermosets], 2nd Edn.; Hanser: Munich, (1988); Elias (6th) 1, 7, 476 ff.).길버트 (Gilbert, Varshney, van Soom und Schiller, "Plate-out in PVC Extrusion - I. Analysis of plate-out", Journal of Vinyl and Additive Technology, (14) 1, 2008, 3-9)는 이산화티타늄 또는 황산바륨, 또는 그의 혼합물의 표면 처리를 위한 스테아르산Ca 또는 다른 비누 또는 상응하는 카르복실산, 예컨대 스테아르산의 용도를 기재한다. 이러한 방법은, 큰 규모의 안료-제조 공정에서 이러한 유형의 생성물이 종종 사용하는데 어려움을 발생시키거나 또는 고도로 충전된 마스터배치, 즉 열가소성 매트릭스에서 안료의 농축물의 제조 동안 플레이트-아웃으로서 공지된 것을 초래하기 때문에 바람직하지 않은 부작용을 생성할 수 있다. 이는 열이 압출기 배럴의 축 또는 내부 상에서의 열가소성 안료 혼합물의 침착을 초래함을 의미한다. 이는 구체적으로는 색 변화 동안 복잡한 세정을 필요로 한다. 이에 따라 침착된 층은 또한 임의의 시간에 떨어질 수 있고, 마스터배치에서, 및 또한 후속적으로 최종 적용에서 분산되지 않은 물질의 작은 반점의 형성, 예로서 박층 필름에서 분산되지 않은 물질의 작은 반점을 초래할 수 있다.GB 1 288 581은 또한 안료의 밀링 동안 분무에 의해 적용되거나 또는 유화액으로서 안료 슬러리에 도입될 수 있는 다양한 쇄 길이/점도의 실리콘 오일을 사용하는 것을 개시한다. 실리콘 오일 표면 처리한 안료는 양호한 소수성을 나타내나, 그의 낮은 표면 에너지 때문에, 이들은 일반적으로 낮은 에너지 플라스틱 환경에 용이하게 도입하기 쉬운 것으로 공지되어 있으며, 이에 따라 처리된 안료는 다양한 단점을 갖는다:1. 실리콘 오일로 처리된 입자는 분진화에 대한 높은 민감성을 나타낸다. 예로서 3.9 g/cm3의 비교적 높은 밀도를 갖는 이산화티타늄은 이러한 유형의 민감성을 반드시 나타내지 않아야 하나, US 3,649,321은 실리콘 오일로 처리한 후 분진화에 대한 높은 민감성을 개시한다. 추가의 가공 동안 분진화에 대한 민감성은 매우 문제가 되고, 사실상 안전성 영향을 가질 수 있다.2. 실리콘 오일로 처리된 안료의 낮은 벌크 밀도는 안료를 큰 백 또는 다른 백으로, 또는 사일로로 이동시키는 동안 문제를 초래한다. 높은 공기 함량은 충전 동안 팩 단위 당 낮은 질량을 초래한다. 백에 넣은 생성물이 펠릿 상에 편평하게 적층될 수 없는 경우, 펠릿의 스트랩핑 또는 필름 오버랩에 대해 증가된 비용이 발생한다. 이러한 문제는 특히 높은 처리량에 대한 표준 실시로서 간주될 수 있는 공압식 운반을 사용한 자동 이동 동안 발생한다.표면 처리로서의 실리콘 오일은 소비자 제품의 제조에서 다른 문제, 예를 들어 필름의 열등한 코팅성, 인쇄성 및/또는 용접성을 초래할 수 있고, 특히 다층 필름에서 이는 층의 층간분리 및 기능의 손실로 연장될 수 있다 (Plastics Additives: Advanced Industrial Analysis, 2006, Jan C. J. Bart, pages 419-420; IOC Press, Netherlands, ISBN 1-58603-533-9; Trouble Shouting Guide brochure - Siegwerk, March 2013).DE 41 40 793, EP 0 546 407 및 EP 0 546 406은 실리콘 오일 또는 실란계 구조체, 예컨대 메타크릴옥시프로필트리메톡시실란이 산화물 및 다른 표면의 코팅에 적합하며, 여기서 목적은 표면의 소수화 또는 관능화 및 점도의 감소, 및 이에 따라 둘레 유기 매질과의 더 높은 상용성, 이에 따라 사용된 안료의 효율의 증가를 제공하는 것임을 개시한다. 실란은 가수분해에 민감하고, 일반적으로 안료 표면 또는 충전제 표면 상의 실릴 관능기를 활성화시키고, 표면 상에 중합체성 구조를 형성하기 위해 약 80℃의 승온을 필요로 한다. 많은 안료 제조 공정은 수성 슬러리 공정이거나 또는 물에서의 침전 반응을 통해 안료, 예를 들어 이산화티타늄을 생성하고, 따라서 표면-처리제의 공정으로 수성 형태, 예를 들어 유화된 형태로 용이하게 도입시키는 것을 가능하게 하는 요건이 존재한다. 건조 안료 또는 충전제가 표면-처리되는 공정에서는 또 다른 요건이 존재한다: 이러한 공정은 자동적으로 주변 온도보다 높은 온도의 유의한 증가를 가능하게 하거나, 또는 이에 따라 추가의 비용을 초래하지 않으며; 여기서 알콜의 제거를 위해 필요한 온도가 80℃ 초과이기 때문에 이는 실란의 커플링에 대한 공정 단점이 된다. 따라서, 건조 밀링 공정 또는 건조 혼합 공정에 대해, 필요한 경우, 온도를 증가시키지 않으면서 표면 개질을 또한 보증하는 표면 처리를 제공할 필요성이 존재하였다. 알콜을 제거하지 않으며, 따라서 밀링 공정 및/또는 건조 공정 동안 고가의 폭발 보호를 피하는 공정을 사용하는 것이 또한 유리할 것이다.문제는 표면에 다수의 히드록시 기 (HO-) 및/또는 티올 기 (HS-)를 갖는 친수성 무기 안료, 예컨대 이산화티타늄, 황산바륨, 황산아연 및/또는 리소폰의 분산에 있다.긴 분산 시간으로 인한 높은 비용이 허용되어야 하거나, 또는 최종 생성물에서 허용되지 않는 결함을 갖는 불충분한 분산이 수득된다. 이러한 결함은, 플라스틱 필름에서, 생성물의 미학적 특질에 영향을 미칠뿐만 아니라 천공 및 따라서 패키징에서의 투과성을 초래할 수 있는 분산되지 않은 물질의 작은 반점일 수 있으며; 사출 성형에서, 분산되지 않은 물질의 작은 반점은 기계적 결함, 즉 현저하게 감소된 인장 강도 또는 내충격성, 및 따라서 사출-성형 공정에서의 높은 불량률, 또는 사실상 자동차 또는 전자장치 분야에서 안전성 영향을 갖는 플라스틱 부품의 파손을 초래할 수 있다.식품과 함께 사용하기 위한 플라스틱 패키징에서의 용도를 위해 의도된 표면-처리된 입자는 유럽 표준 EC 10/2011, 및/또는 미국 FDA에 의해 공표된 표준의 대상이다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 따라서, 본 발명의 목적은 이산화티타늄 입자, 황산바륨 입자, 황화아연 입자 및/또는 리소폰 입자의 표면의 적절한 처리를 제공하여 분진화에 대한 경향을 감소시키는 것이었다. [ 과제의 해결 수단 ] 놀랍게도, 상기 목적은 청구범위에 기재된 바와 같은 특정한 폴리에테르-개질된 실록산을 통해 달성됨을 발견하였다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 따라서, 본 발명은 처리 동안 1차 입자를 하기 화학식 I의 하나 이상의 화합물과 접촉시키며, 여기서 화학식 I의 화합물의 사용되는 비율이, 처리하고자 하는 1차 입자의 질량을 기준으로 0.01 내지 2 중량%, 바람직하게는 0.05 내지 1 중량%, 보다 바람직하게는 0.1 내지 0.8 중량%, 더욱 더 바람직하게는 0.2 내지 0.6 중량%, 특히 바람직하게는 0.3 내지 0.5 중량%임을 특징으로 하는 1차 입자의 표면 처리 방법에 의해 수득가능한 표면-처리된 TiO2, BaSO4, ZnS 및/또는 리소폰 입자를 제공한다.003c#화학식 I003e#상기 식에서,R은 동일하게 또는 상이하게 R1, 메틸 또는 히드록시, 바람직하게는 메틸이고,R1은 동일하게 또는 상이하게 하기 화학식 III의 폴리에테르 모이어티이고,003c#화학식 III003e#상기 식에서,Z는 2 내지 4개의 탄소 원자, 바람직하게는 3개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 비분지형 알킬렌 모이어티이고,m은 2 내지 4, 바람직하게는 3이고,n은 1 내지 3, 바람직하게는 1 또는 2, 특히 바람직하게는 1이고,o는 0 또는 1, 바람직하게는 0이고,AO는 동일하게 또는 상이하게 옥시에틸렌, 옥시프로필렌 및/또는 옥시부틸렌 모이어티를 포함하는 옥시알킬렌 모이어티이고,R3은 동일하게 또는 상이하게 수소 또는 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬 모이어티이고,단, R1에서 탄소 원자 및 산소 원자의 총 수는 70 이상이고,a는 20 내지 200, 바람직하게는 30에서부터, 40에서부터, 50에서부터 또는 60에서부터 170까지, 160까지, 150까지, 140까지, 130까지, 120까지 또는 110까지, 특히 바람직하게는 70 내지 100이고,b는 1 내지 50, 바람직하게는 2에서부터, 3에서부터 또는 4에서부터 30까지, 25까지 또는 20까지, 특히 바람직하게는 5 내지 15이고,단, 모이어티 R 중 어느 것도 R1이 아닌 경우, b는 3 이상이다.옥시알킬렌 모이어티 AO는 바람직하게는 50 중량% 이하, 보다 바람직하게는 40 중량% 이하, 특히 바람직하게는 35, 30, 25, 20, 15 또는 10 중량% 이하, 특히 바람직하게는 5 중량% 이하의 옥시에틸렌 기를 갖는다. 옥시알킬렌 모이어티 AO는 바람직하게는 0 중량%, 보다 바람직하게는 5, 10, 15, 20, 25 또는 30 중량% 이상, 특히 35 중량% 이상의 옥시에틸렌 기를 갖는다. 여기서 옥시에틸렌 함량은 모이어티 R1의 총 질량을 기준으로 한다.옥시알킬렌 모이어티 AO는 모이어티 R1의 총 질량을 기준으로 바람직하게는 0 내지 50 중량%, 바람직하게는 5 내지 35 중량%, 보다 바람직하게는 15 내지 30 중량%의 옥시에틸렌 기를 갖는다.옥시부틸렌 기가 존재하는 경우, 옥시프로필렌 및 옥시부틸렌 기의 총 수를 기준으로 옥시부틸렌 기의 몰비는 바람직하게는 50% 이하, 바람직하게는 45%, 40%, 35%, 30%, 25%, 20%, 15% 또는 10% 이하, 특히 5% 이하이다.지수 a를 갖는 비개질 실록산 단편의 수치 비율은 지수 b를 갖는 폴리에테르-개질된 실록산 단편의 비율보다 바람직하게는 20 배 이하만큼 크며, 바람직하게는 20 배 이하, 19 배 이하, 18 배 이하, 17 배 이하, 16 배 이하, 15 배 이하, 14 배 이하, 13 배 이하, 12 배 이하, 11 배 이하, 10 배 이하 또는 9 배 이하, 특히 바람직하게는 8 배 이하만큼 크다. 지수 a는 바람직하게는 지수 b의 7 배 이상이며, 보다 바람직하게는 지수 b의 8 배, 9 배, 10 배 또는 11 배 이상, 특히 12 배 이상이다.지수 b에 대한 지수 a의 수치 비는 바람직하게는 8 내지 18, 바람직하게는 9 내지 15, 특히 바람직하게는 10 내지 12이다.지수 o는 바람직하게는 0이다.지수 o를 갖는 단편은 바람직하게는 비분지형 모이어티, 보다 바람직하게는 3개의 탄소 원자를 갖는 비분지형 모이어티이다. 지수 o를 갖는 단편은 특히 바람직하게는 글리세릴 모이어티, 특히 바람직하게는 말단에서 -O-Z 기를 함유하는 n-글리세릴 모이어티이다.모이어티 Z는 바람직하게는 선형 프로필렌 모이어티이다.모이어티 R3은 바람직하게는 수소이다.본 발명의 입자는 바람직하게는 R1이 동일하게 또는 상이하게 -(CH2)p-O-EOx-POy-BOz-R3이고,단, R1에서 탄소 원자 및 산소 원자의 총 수가 70 이상이고,EO가 옥시에틸렌이고,PO가 옥시프로필렌이고,BO가 옥시부틸렌이고,x가 0 내지 20, 바람직하게는 3 내지 15, 특히 바람직하게는 4 내지 10이고,y가 5 내지 100, 바람직하게는 8 내지 50, 특히 바람직하게는 10 내지 30이고,z가 0 내지 20이고,p가 2 내지 4, 바람직하게는 2 및/또는 3인화학식 I의 화합물로 표면 처리함으로써 수득된다.지수 x는 바람직하게는 1.2 이하, 바람직하게는 1.1 미만, 보다 바람직하게는 1 미만, 0.9 미만, 0.8 미만, 0.7 미만, 0.6 미만, 0.5 미만, 0.4 미만 또는 0.3 미만, 특히 0.2 미만이다.지수 x는 바람직하게는 지수 (y + z)의 합의 0.05 내지 1.2 배, 바람직하게는 0.07 내지 0.8 배, 특히 0.1 내지 0.5 배이다.지수 z가 지수 y 이하, 바람직하게는 지수 y의 1/2, 1/3, 1/4, 1/5, 1/6, 1/7, 1/8 또는 1/9 이하, 특히 1/10 이하인 것이 추가로 바람직하다.옥시부틸렌 기는 바람직하게는 선형, 즉 - (CH2)4 - O -, 및/또는 분지형, 즉 - CH(CH2CH3)CH2 - O -이다.모이어티 R이 메틸이고, 화학식 III에서 모이어티 R3이 수소이고, 지수가 다음과 같은 화학식 I의 폴리에테르실록산으로 표면-처리된 입자가 특히 바람직하다:a는 80 내지 95이고,b는 5 내지 8이고,x는 3 내지 5이고,y는 10 내지 25이고,z는 0이다.본 발명의 목적을 위해, 폴리에테르실록산은 화학식 I의 화합물이다.화학식 I, (II) 및 (III)의 단편, 및 단편 AO 및 R1의 구조는 랜덤일 수 있다.랜덤 분포는 임의의 바람직한 개수의 블록을 갖고 임의의 바람직한 순서, 또는 랜덤화된 분포를 갖는 블록으로 이루어지며; 이들은 또한 교호 구조를 갖거나, 또는 쇄에 걸쳐 구배를 형성할 수 있으며; 특히, 이들은 또한 상이한 분포의 군이 임의로 서로 이어질 수 있는 임의의 혼합된 형태를 구성할 수 있다. 특정한 실시양태의 성질은 랜덤 분포에 제한을 초래할 수 있다. 제한에 의해 영향받지 않는 모든 영역에서, 랜덤 분포에 대한 변화는 없다.본 발명에서 표면-처리된 입자의 이점은 예로서 실리콘 오일로 처리된 선행 기술의 안료와의 비교에서의 분진화에 대한 감소된 민감성이다. 따라서, 추가의 가공 동안 분진 배출이 감소한다. 또한, 가능한 분진 폭발이 방지된다.본 발명의 입자의 또 다른 이점은 기존의 조절 시스템, 예를 들어 유럽 표준 EC 10/2011 및/또는 미국 FDA의 표준에 따라, 이들이 식품 패키징에서의 그의 용도에 관해 어떠한 제한도 받지 않는다는 점이다.본 발명의 입자 및 본 발명의 조성물의 또 다른 이점은 압력 필터 값이 선행 기술과의 비교에서 감소한다는 점이다. 이는 가공 기기, 특히 압출기의 유효 수명을 증가시키고, 연관된 세정 사이클을 단축시킨다.또 다른 이점은 생성물에서 분산되지 않은 물질의 섬유 파단 및/또는 작은 반점을 피하기 위한 양호한 분산이다.본 발명의 입자 및 본 발명의 조성물이 높은 열 안정성을 갖는 것이 마찬가지로 유리하다.본 발명의 조성물은 플라스틱 성형물의 인장 강도 및 내충격성에 있어서 현저한 증가가 관찰될 수 있기 때문에 선행 기술과의 비교에서 유리하다.본 발명의 입자의 또 다른 이점은 큰 백 및 사일로 차량의 언로딩 동안 입자의 추가의 가공 동안, 또는 입자의 직접 사용 동안 공압식 시스템 및 분말 축을 사용하여 가공 어셈블리 (예를 들어, 압출기 또는 혼련기)로 계량첨가하는 동안 특히 명백한 그의 분말-유동성이다.본 발명의 입자의 또 다른 이점은 조성물이 많은 여러 방식으로 제형화될 수 있다는 점이다. 조성물이 열가소성 물질, 열경화성 물질 및 가소제를 기초로 제형화될 수 있다는 점이 명백하다. 이는, 추가의-가공 산업, 예를 들어 페이스트 생산기, 컴파운더 및 마스터배치 제조기를 위해, 본 발명의 입자를 이를 사용하기 전에 추가로 개질할 필요가 없다는 이점을 제공한다. 이는 재정상의 이점 및 제형의 융통성을 제공한다.임의의 결정질 형태의 이산화티타늄, 황산바륨 및 황화아연이 본 발명의 입자의 제조를 위한 1차 입자로서 적합하다.여기서, 이산화티타늄의 경우에 예에는 다형성 형태, 루타일, 아나타제 또는 브루카이트가 있다. 이산화티타늄은 선행 기술에 공지된 다양한 방법에 의해 제조될 수 있다. 본 발명에서 이산화티타늄의 다양한 수화된 형태를 사용하는 것이 또한 가능하다. 이산화티타늄은 식품 첨가제 규정 231/2012/EC에서 E171로서, 및 또한 화장품 규정 EC 1223/2009에 따라 CI 77891로서 백색 안료로서 승인되어 있다. 본 발명에서 사용된 황산바륨에 대해 사용된 용어는 헤비 스파(heavy spar), 바라이트(baryte), 바라이트 화이트(baryte white) 및 블랑크 픽스(blanc fixe)이다. 본 발명에서 우르차이트(wurtzite)로서 천연적으로 발생하는 알파 형태의 황화아연, 및/또는 징크블렌드(zincblende) 및 스팔러라이트(sphalerite)로서 천연적으로 발생하는 베타 형태의 황화아연의 다양한 결정질 형태의 황화아연이 사용된다.언급된 안료의 혼합물이 또한 본 발명에서 표면-처리될 수 있다. 혼합물은 순수한 형태로 이전에 제조된 안료의 혼합을 통해, 또는 공침전을 통해, 특히 리소폰의 형태로 발생할 수 있다. 본 발명의 목적을 위해, 이러한 혼합물이 마찬가지로 1차 입자이다.한 바람직한 실시양태에서, 무기 개질된 이산화티타늄이 사용된다. 표면은 TiO2 출발 물질을 분쇄시키고, 이어서 무기 물질의 하나 이상의 층으로 코팅함으로써 처리된다. 여기서, 침전시키고자 하는 물질을 용해된 형태로 먼저 첨가한다. 이를 위해, 현탁액에서, 무기 물질이 아직 고체로서 침전되지 않는 pH를 설정할 필요가 있다. 이어서, 중화점을 향해 pH를 변화시킴으로써 무기 물질이 이러한 현탁액으로부터 침전된다. 이러한 처리에서 사용된 물질은 알루미늄, 규소, 지르코늄 및 또한 티타늄의 산화물 및, 각각, 수산화물이다 (J. Winkler, Titandioxid [Titanium dioxide], (2003), chapter 3.4, pp. 38-41, ISBN 3-87870-738-X). 이러한 처리 후, 이산화티타늄 입자의 표면은 입자가 입자의 총 질량을 기준으로 99 중량% 이하, 바람직하게는 95 중량% 이하, 특히 바람직하게는 85 중량% 이하의 이산화티타늄으로 이루어지게 하는 방식으로 개질되었다. 입자가 입자의 총 질량을 기준으로 80 중량% 이상, 바람직하게는 85 중량% 이상, 특히 바람직하게는 90 중량% 이상의 이산화티타늄으로 이루어지는 것이 추가로 바람직하다. 이에 따라 무기 처리된 이산화티타늄 입자가 마찬가지로 본 발명의 목적을 위한 1차 입자이다.바람직한 입자는 임의로는 무기 개질된 이산화티타늄 입자이다.본 발명의 표면 처리가 입자의 패킹 밀도를 증가시키는 것이 바람직하며, 이는 이어서 감소된 벌크 밀도 및 또한 개선된 유동성에서 인식될 수 있다.본 발명에서 표면-처리된 입자가 분진화에 대해 감소된 민감성을 나타내는 것이 바람직하다. 분진화에 대한 민감성의 감소가, 실리콘-처리된 입자와의 비교에서, 13%, 바람직하게는 21%, 보다 바람직하게는 25% 이상, 특히 바람직하게는 30% 이상인 것이 특히 바람직하다.분진화에 대한 민감성은 분진 챔버로서 공지된 것에서 측정할 수 있다. 규정된 양의 입자, 예를 들어 100 g을 여기서 수직 튜브에서 환경의 분위기에서 자유 낙하시킨다. 실린더의 저부 상에서의 분위기에서 입자가 침강하면서 일부가 자유 낙하 공간의 기체 상에서 분진으로서 남는다. 침전물 상에 위치한 부피는 흡입에 의해 제거하고, 이러한 공정 동안 존재하는 분진은 여과에 의해 제거한다. 분진의 양은 필터의 칭량에 의해 측정한다.본 발명의 입자에 의해 발생된 분진의 질량은 바람직하게는 80 mg/100g 미만, 특히 바람직하게는 65 mg/100g 미만, 특히 바람직하게는 50 mg/100g 미만이다.분말-유동성은, 예를 들어 RST-XS 고리 전단 시험기로 측정할 수 있다 (D. Schulze, Pulver und Schuettgueter [Powders and flowable solids], Springer, 2006, chapter 3.1.4, p. 42). 이를 위해, 유동성 고체의 샘플은 시험 셀에서 상부로부터 3.5 kPa의 힘 (정상 힘)을 가한다. 측정 동안, 전단 셀은 서서히 회전한다 (ω). 이는 유동성 고체의 샘플의 전단 변형을 초래한다. 필요한 힘 (F1 및 F2)을 측정한다. 유동성 고체의 유동성 ffc는 항복 강도 σc에 대한 압밀 응력 σ1의 비로부터 측정된다. 유동성 ffc가 클수록, 유동성 고체의 유동은 더 양호하다.본 발명의 입자의 분말-유동성은 바람직하게는 1.5 초과이다. 분말-유동성은 ASTM D6773-08을 기초로 하는 방법에 의해 측정할 수 있다.본 발명에서 표면-처리된 입자의 분산성은 스크린 팩을 통한 중합체 용융물의 압출 동안 발생하는 필터 (기재된 메쉬 너비를 가짐) 전 압력 상승을 기초로 측정하고 평가할 수 있다 (압력 필터 값). 시험은 예로서 DIN EN 13900-5:2005를 기초로 하는 방법에 의해 수행할 수 있다.마스터배치의 형태의 본 발명의 조성물의 압력 필터 값 (14 μm)은 바람직하게는 1.2 bar*cm2/g 이하, 보다 바람직하게는 1.0 bar*cm2/g 이하, 특히 0.8 bar*cm2/g 이하이다. 여기서, 압력 필터 값은 실시예에 기재된 바와 같이 측정할 수 있다.분산성의 평가에 대한 또 다른 가능성은 편평한 필름에서의 응집체의 개수의 측정 및 평가에 있다. 여기서, 응집체는 분산되지 않은 물질의 작은 반점으로서 여기서 인식될 수 있다. 분산되지 않은 물질의 작은 반점의 개수는 최소화되어야 한다.분산성의 평가에 대한 또 다른 가능성은, 예를 들어 규정된 분산 조건 하에 백색 페이스트에서의 본 발명의 입자의 미세도의 측정에 있다. 이러한 목적을 위해 적합한 기기의 예에는, 예를 들어 헥만(Hegman) 유형의 그린도미터가 있다. 예로서 DIN EN 21524 (ISO 1525에 상응함)에 따라 측정을 수행할 수 있다. 본 발명의 입자는, 바람직하게는 20 μm 미만, 특히 바람직하게는 18 μm 미만, 특히 16 μm 미만으로 가능한 한 미세하여야 하나, 입자는 0.1 μm 이상, 바람직하게는 1 μm 이상이어야 한다.본 발명은 추가로 중합체 조성물의 제조를 위한 본 발명의 입자의 용도를 제공한다.본 발명의 입자는 바람직하게는 조성물의 제조를 위해 사용된다.플라스틱 성형물 또는 플라스틱 필름을 제공하기 위한 가공을 위한 본 발명의 입자를 포함하는 중합체 조성물의 용도.본 발명은 추가로 하나 이상의 중합체 및 적어도 본 발명의 입자를 포함하는 조성물을 제공한다.본 발명의 조성물은, 본 발명의 입자와 함께, 하나 이상의 중합체를 포함한다.본 발명의 조성물의 바람직한 중합체에는 열경화성 물질 또는 열가소성 물질이 있다. 적합한 열경화성 물질의 예에는 불포화 폴리에스테르 수지 (UP), 페놀계 수지, 멜라민 수지, 포름알데히드 성형 컴파운드, 비닐 에스테르 수지, 디알릴 프탈레이트 수지, 실리콘 수지 또는 우레아 수지가 있다. 적합한 열가소성 물질의 예에는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리아미드, PET, 폴리스티렌, 그의 공중합체 및 블렌드, 폴리카르보네이트, PMMA 및 폴리비닐 클로라이드가 있다.열가소성 물질을 포함하는 본 발명의 조성물은 바람직하게는 가공하여 마스터배치 및/또는 플라스틱 필름을 제공한다.조성물은 바람직하게는 가공하여 마스터배치, 플라스틱 성형물 및/또는 플라스틱 필름을 제공한다.열경화성 물질을 포함하는 본 발명의 조성물을 가공하여 플라스틱 성형물을 제공하는 것이 추가로 바람직하다.본 발명의 플라스틱 성형물의 인장 강도가 선행 기술 (실리콘-오일-처리된 입자 포함)과의 비교에서 개선되는 것, 즉 10% 이상만큼 적절히 증가하는 것이 추가로 바람직하다. 내충격성이 선행 기술 (실리콘-오일-처리된 입자 포함)과의 비교에서 개선되는 것, 즉 10% 이상, 바람직하게는 15% 이상, 특히 바람직하게는 20% 이상만큼 상응하게 증가하는 것이 추가로 바람직하다.폴리에스테르를 기초로 하는 본 발명의 열경화성 플라스틱 성형물의 인장 강도는 바람직하게는 70 MPa 초과이다. 폴리에스테르를 기초로 하는 본 발명의 열경화성 플라스틱 성형물의 내충격성은 바람직하게는 50 kJ/m2 초과이다.폴리에스테르를 기초로 하는 본 발명의 플라스틱 성형물이 인장 강도뿐만 아니라 내충격성의 10% 이상의 개선을 나타내는 것이 특히 바람직하며, 여기서 인장 강도에 대한 절대 값은 70 MPa 초과로 개선되었고, 내충격성에 대한 절대 값은 50 kJ/m2 초과로 개선되었다.본 발명의 조성물의 가공 방법은 특성에 어떠한 역효과도 미치지 않으면서 바람직하게는 5 내지 300℃, 특히 바람직하게는 25 내지 250℃, 특히 바람직하게는 50 내지 200℃의 온도 범위에서 수행할 수 있다.본 발명의 입자는 원칙적으로 선행 기술의 방법에 의해 제조할 수 있으나, 이들은 바람직하게는 하기 기재된 방법을 통해 제조한다.본 발명은 추가로 처리 동안 1차 입자를 하기 화학식 I의 하나 이상의 화합물과 접촉시키며, 여기서 화학식 I의 화합물의 사용되는 비율이, 처리하고자 하는 1차 입자의 질량을 기준으로 0.01 내지 2 중량%, 바람직하게는 0.05 내지 1 중량%, 보다 바람직하게는 0.1 내지 0.8 중량%, 더욱 더 바람직하게는 0.2 내지 0.6 중량%, 특히 바람직하게는 0.3 내지 0.5 중량%인 것인 TiO2, BaSO4, ZnS 및/또는 리소폰 입자의 표면 처리 방법을 제공한다.003c#화학식 I003e#상기 식에서,R은 동일하게 또는 상이하게 R1, 메틸 또는 히드록시, 바람직하게는 메틸이고,R1은 동일하게 또는 상이하게 화학식 III의 폴리에테르 모이어티이고,003c#화학식 III003e#상기 식에서,Z는 2 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 비분지형 알킬렌 모이어티이고,m은 2 내지 4, 바람직하게는 3이고,n은 1 내지 3, 바람직하게는 1 또는 2, 특히 바람직하게는 1이고,o는 0 또는 1, 바람직하게는 0이고,AO는 동일하게 또는 상이하게 옥시에틸렌, 옥시프로필렌 및/또는 옥시부틸렌 모이어티를 포함하는 옥시알킬렌 모이어티이고,R3은 동일하게 또는 상이하게 수소 또는 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬 모이어티이고,단, R1에서 탄소 원자 및 산소 원자의 총 수는 70 이상이고,a는 20 내지 200이고,b는 1 내지 50이고,단, 모이어티 R 중 어느 것도 R1이 아닌 경우, b는 3 이상이다.화학식 I의 표면-처리제에 관해 추가로 바람직한 것은 상기 이미 기재되어 있다.1차 입자의 표면 처리는 건조 또는 습윤 조건 하에 수행할 수 있고, 습윤 실시양태는 바람직하게는 유화액에서 실행한다. 표면 처리를 화학식 I의 유화된 폴리에테르실록산으로 수행하는 경우, 여기서 유화제를 첨가할 수 있다.화학식 I의 폴리에테르실록산이 유화액으로서 제조되는 경우, 5 내지 70 중량%의 폴리에테르실록산, 1 내지 20 중량%의 유화제, 및 20 내지 94 중량%의 물을 포함하는 수중유 유화액이 바람직하다. 실리콘 유화액의 제조 방법은 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 공지되어 있다. 제조는 통상적으로 모든 성분을 교반시키고 임의로는 후속적으로 제트 분산기, 회전자-고정자 또는 고정자-고정자 균질기, 콜로이드 밀 또는 고압 균질기로 균질화함으로써 달성된다. 유화액의 제조 방법은, 예로서 EP0093310, DE2555048, EP1132417에 기재되어 있다.여기서, 폴리실록산 유화액의 제조를 위해 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 공지된 임의의 유화제를 사용하는 것이 가능하며, 예에는 음이온성, 양이온성, 양쪽성 및 비이온성 유화제가 있다.음이온성 유화제의 예에는 다음의 것이 있으나, 이에 제한되지 않는다: 특히 알킬 기에서 8 내지 22개의 탄소 원자를 갖는 알킬 술페이트, 알킬 기에서 8 내지 22개의 탄소 원자 및 1 내지 40개의 옥시에틸렌 또는 옥시프로필렌 단위를 갖는 알킬 및 알킬아릴 에테르 술페이트. 술포네이트, 특히 8 내지 22개의 탄소 원자를 갖는 알킬술포네이트, 8 내지 22개의 탄소 원자를 갖는 알킬아릴술포네이트, 술포숙시네이트의 모노- 및 디에스테르, 알킬, 아릴, 알크아릴 또는 아르알킬 단위에서 8 내지 22개의 탄소 원자를 갖는 카르복실산의 염. 인산 모노- 및 디에스테르, 및 그의 염, 특히 유기 단위에서 8 내지 22개의 탄소 원자를 갖는 알킬 및 알크아릴 포스페이트, 및 알킬 또는 알크아릴 단위에서 8 내지 22개의 탄소 원자 및 1 내지 40개의 옥시에틸렌 단위를 갖는 알킬 에테르 포스페이트 및 알크아릴 에테르 포스페이트. 유화제의 분야에서 널리 공지되어 있듯이, 음이온성 유화제에서의 반대이온은 알칼리 금속 양이온, 암모늄 또는 양성자화된 치환된 아민, 예를 들어 트리메틸아민 또는 트리에탄올아민의 것들일 수 있다. 보통, 암모늄 이온, 나트륨 이온 및 칼륨 이온이 바람직하다.양이온성 유화제의 예에는 다음의 것이 있으나, 이에 제한되지 않는다: 8 내지 24개의 탄소 원자를 갖는 1차, 2차 및 3차 지방 아민과 아세트산, 황산, 염화수소, 및 인산의 염. 4차 알킬- 및 알킬페닐암모늄 염, 특히 6 내지 24개의 탄소 원자를 갖는 것들, 구체적으로 상응하는 할로겐화물, 황산염, 인산염 및 아세트산염. 알킬피리디늄, 알킬이미다졸리늄 및 알킬옥사졸리늄 염, 특히 18개 이하의 탄소 원자의 알킬 쇄를 갖는 것들, 구체적으로 상응하는 할로겐화물, 황산염, 인산염 및 아세트산염.사용될 수 있는 양쪽성 유화제에는 다음의 것이 있다: 장쇄 치환기를 갖는 아미노산, 예를 들어 N-알킬디(아미노에틸)글리신 또는 N-알킬-2-아미노프로피온산의 염. 베타인, 예를 들어 8 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 아실 라디칼을 갖는 N-(3-아실아미도프로필)-N,N-디메틸암모늄 염.비이온성 유화제의 예에는 다음의 것이 있으나, 이에 제한되지 않는다: 유화제의 몰 질량을 기준으로 95 중량% 이하의 옥시에틸렌 함량을 갖는 8 내지 22개의 탄소 원자를 갖는 지방산 또는 지방 알콜의 폴리옥시에틸렌 축합물; 방향족 시스템 상에 6 내지 20개의 탄소 원자 및 95% 이하의 옥시에틸렌 함량을 갖는 페놀의 폴리옥시에틸렌 유도체; 10 내지 22개의 탄소 원자 및 95% 이하의 옥시에틸렌을 갖는 글리세롤의 지방산 모노에스테르의 옥시에틸렌 축합물; 10 내지 22개의 탄소 원자를 갖는 지방산의 소르비탄 에스테르; 10 내지 22개의 탄소 원자를 갖는 지방산의 폴리옥시에틸렌 소르비탄 에스테르; 에톡실화된 아미드, 에톡실화된 아민, 알콕실화된 폴리실록산, 프로필렌 옥사이드, 에틸렌 옥사이드 및/또는 다른 에폭시드의 블록 공중합체.상기 언급된 지방 구조체는 통상적으로 유화제의 친유성 부분을 나타낸다. 통상의 지방 기에는 천연 또는 합성 유래의 알킬 기가 있다. 공지된 불포화 기에는 올레일, 리놀레일, 데세닐, 헥사데세닐 및 도데세닐 모이어티가 있다. 공지된 포화 기에는 라우릴, 스테아릴, 미리스틸 및 팔미틸 모이어티가 있다. 여기서, 알킬 기는 고리형, 선형 또는 분지형일 수 있다.유화 공정은 하나의 유화제 또는 복수의 상이한 유화제의 혼합물을 사용할 수 있고, 여기서 혼합물이 하나 이상의 비이온성 유화제, 예를 들어 에톡실화된 지방산, 에톡실화된 선형 또는 분지형 지방 알콜, 소르비탄 지방산 에스테르 또는 에톡실화된 소르비탄 지방산 에스테르를 포함하는 것이 바람직하다.또한, 증점제로서 공지된 화합물이 첨가될 수 있으며, 예에는 폴리아크릴산, 폴리아크릴레이트, 셀룰로스 에테르, 예컨대 카르복시메틸셀룰로스 및 히드록시에틸셀룰로스, 천연 검, 예컨대 크산탄 검, 및 폴리우레탄이 있고, 방부제, 및 통상의 기술자에게 공지된 다른 통상의 첨가제가 유화액에 첨가될 수 있다.본 발명의 방법에서의 입자는 단일-단계 또는 2-단계 공정에서 표면-처리될 수 있다. 2-단계 공정에서, 1차 입자는 제1 단계에서 화학식 I의 폴리에테르실록산과 혼합된다. 뢰디게(Loedige) 혼합기를 사용하는 것이 바람직하다.제1 단계는 바람직하게는 실온 또는 60℃ 이하의 온도에서 수행된다.제2 단계에서, 제1 단계로부터의 입자가 밀링된다. 바람직한 밀에는 스팀-제트 밀, 핀 밀, 공기-제트 밀, 롤 밀 또는 튜브형 볼 밀이 있으며, 스팀-제트 밀이 특히 바람직하다.밀링은 대기압에서, 또는 20 bar 이하, 바람직하게는 19 bar, 18 bar, 17 bar, 16 bar, 15 bar, 14 bar, 13 bar, 12 bar, 11 bar, 10 bar, 9 bar, 8 bar, 7 bar, 6 bar, 5 bar, 4 bar, 3 bar 이하 또는 2 bar 이하의 승압에서 달성될 수 있다.본 발명의 방법의 제2 단계에서, 입자는 바람직하게는 스팀-제트 밀에서 8 내지 20 bar, 바람직하게는 10 내지 19 bar, 보다 바람직하게는 12 내지 18 bar의 압력에서 밀링된다.본 발명이 기초로 하는 폴리에테르실록산은 하기 화학식 II의 선형 또는 분지형 히드로실록산의 귀금속-촉매화 히드로실릴화를 통해 제조될 수 있다.003c#화학식 II003e#R은 동일하게 또는 상이하게 R1, 메틸 또는 히드록시, 바람직하게는 메틸이고,R1은 수소이고,여기서 모이어티 및 지수의 정의는 상기 정의된 것들이며, 여기서 말단 불포화 폴리에테르는 예를 들어 EP1520870에 기재된 바와 같다.히드로실릴화하고자 하는 폴리에테르는 하기 화학식 IIIa에 상응한다.003c#화학식 IIIa003e#상기 식에서, 모이어티 및 지수에 대해서는 상기 정의 및 선호도를 가지며,여기서 모이어티 Y는 말단 불포화를 가지며, 바람직하게는 C=C 이중 결합을 가지며, 보다 바람직하게는 산소에 관해 알릴 불포화를 가지며, 특히 알릴 에테르이다.하나의 특정한 실시양태에서, 폴리에테르는 이어서 2개 이상의 옥시알킬렌 쇄를 갖는 분지형 폴리에테르를 초래하는 출발물질 알콜을 사용함으로써 제조할 수 있다. 출발물질 알콜은 트리메틸올프로판 모노알릴 에테르 또는 글리세롤 모노알릴 에테르일 수 있다. 본 발명에서 글리세롤 모노알릴 에테르, 특히 말단 알릴 치환된 글리세롤 모노알릴 에테르가 바람직하다.폴리에테르실록산의 제조에서 사용된 히드로실록산은 선행 기술, 예를 들어 EP1439200에서와 같이 제조할 수 있다. 사용된 불포화 폴리에테르는 문헌으로부터 공지된 알칼리 알콕실화 방법에 의해, 또는 선행 기술에서와 같은, 예를 들어 DE102007057145에 기재된 바와 같은 DMC 촉매를 사용함으로써 불포화 출발물질 알콜로부터 출발하여 제조할 수 있다.본 발명의 입자, 본 발명의 입자를 포함하는 본 발명의 조성물, 및 또한 입자 및 그의 조성물의 본 발명의 용도, 및 또한 입자의 제조를 위한 본 발명의 방법이 예로서 하기에 기재되어 있으나, 본 발명을 실시양태의 이러한 예에 제한하고자 하는 어떠한 의도도 없다. 컴파운드의 범위, 통상의 제형, 또는 등급이 하기에 기재되는 경우, 이들은 명백하게 언급된 컴파운드의 상응하는 범위 또는 군뿐만 아니라 개개의 값 (범위) 또는 컴파운드를 추출함으로써 수득될 수 있는 컴파운드의 모든 하위범위 및 하위군을 포함하도록 의도된다. 본 기재내용의 목적을 위해 문헌이 인용되는 경우, 이들의 전체 내용은 본 발명의 개시의 일부가 되도록 의도된다. % 데이터가 하기에 제공되는 경우, 달리 기재되지 않는 한 이들은 중량% 데이터이다. 조성물의 경우에, % 데이터는 달리 기재되지 않는 한 전체 조성물을 기준으로 한다. 평균 값이 하기에 기재되는 경우, 달리 기재되지 않는 한 이들은 질량 평균 (중량 평균)이다. 측정된 값이 하기에 기재되는 경우, 달리 기재되지 않는 한 이러한 측정된 값은 101 325 Pa의 압력에서 및 25℃의 온도에서 측정하였다.도면의 간단한 설명:도 1: 도면은 분진화 챔버의 원리를 나타내며, 그것이 기능하는 방식은 실시예 3에서 E1에서 상세히 기재되어 있다. 부호의 의미는 다음과 같다: (1) 드롭 박스, (2) 언로킹 레버, (3) 유리 실린더, (4) 슬라이드, (5) 고무 밀봉부, (6) 샘플 튜브 (석영 울로 패킹됨), (7) +(9) 세척 병 (석영 울로 패킹됨), (8) 진공 펌프, (10) 기체 계량기; 기체 계량기의 출구에서 문자 G는 흡입에 의해 제거된 기체에 대한 출구를 나타낸다.도 2: 도면은 RST-XS 고리-전단 시험기의 측정 셀의 원리를 나타내며, 그것이 기능하는 방식은 실시예 4에서 E6에 상세히 기재되어 있다. ω: 측정 셀의 회전, F1 및 F2: 측정 셀의 커버를 보유하기 위한 힘, FN: 측정 셀 상에서의 커버에 의해 가해지는 정상 힘.실시예:일반적인 방법 및 물질점도:점도는 브룩필드(Brookfield) LV-DV-I+ 스핀들 점도계를 사용함으로써 측정하였다. 브룩필드 점도계는 회전 바디로서 규정된 스핀들 세트를 갖는 회전 점도계이다. 사용된 회전 바디는 LV 스핀들 세트로부터의 것이었다. 점도가 온도 의존적이기 때문에, 점도계 및 시험 액체의 온도는 측정 동안 +/- 0.5℃로 정확히 일정하게 유지하였다. LV 스핀들 세트 이외에 사용된 다른 기기는 내열성 수조, 0 내지 100℃ 온도계 및 타이머 (0.1 초 이하의 스케일 값)였다. 측정을 위해, 100 ml의 샘플을 폭넓은 입구의 플라스크에 충전하였으며; 이전의 검정 후 온도-조절된 조건 하에 그리고 공기 버블의 부재 하에 측정을 수행하였다. 점도 측정은 스핀들이 마크까지 생성물에 침지되게 하는 방식으로 샘플에 관해 점도계를 위치시킴으로써 수행하였다. 시작 키를 사용함으로써 측정을 개시하였고, 여기서 조심스럽게 최대한의 측정가능한 토크의 50% (+/- 20%)의 유리한 측정 범위 내에서 측정을 수행하였으며, 다른 환경에서는 적절한 스핀들을 사용하는 것이 필요하였다. 측정 결과는 점도계 디스플레이 상에서 mPas로 나타났으며, 그 결과 밀도 (g/ml)로 나누어 점도를 [mm2/s] 단위로 제공하였다.분광학적 분석:NMR 분광의 기록 및 해석은 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 공지되어 있다. 언급될 수 있는 문헌에는 도서 ["NMR Spectra of Polymers and Polymer Additives", A. Brandolini and D. Hills, 2000, Marcel Dekker, Inc]가 있다. 실온에서 브루커 스펙트로스핀 분광계를 사용함으로써 분광을 기록하였으며, 측정 주파수는 양성자 분광의 기록에 대해 399.9 MHz였고, 13C 분광의 기록에 대해 100.6 MHz였고, 29Si 분광을 기록하는 경우 79.5 MHz였다.몰 질량, 특히 중량-평균 몰 질량 Mw의 측정:SDV 컬럼 조합 (1000/10000 Å, 각각 65 cm, 내부 직경 0.8 cm, 온도 30℃), 이동 상으로서 1 ml/min 유속으로 THF 및 RI 검출기 (휴렛-팩커드(Hewlett-Packard))를 사용하여 휴렛-팩커드 1100 기구를 사용함으로써 겔 투과 크로마토그래피 분석 (GPC)을 수행하였다. 시스템을 폴리스티렌 표준에 대해 162 내지 2 520 000 g/몰의 범위에서 검정하였다.SiH 함량의 측정:사용된 수소 실록산의 SiH 값, 및 또한 반응 매트릭스의 SiH 값을 각각의 경우에 기체 뷰렛을 사용하여 샘플의 칭량된 분취의 부탄올레이트-유도된 분해에 의해 기체 부피 방법을 사용하여 측정하였다. 측정된 수소 부피를 통상의 기체 식에 삽입한 경우, 이들은 출발 물질에서, 및 또한 반응 혼합물에서 활성 SiH 기의 함량의 측정을 가능하게 하였고, 따라서 전환의 모니터링을 가능하게 하였다. 5 중량% 소듐 부탄올레이트 용액을 사용하였다. 실시예 1: 합성사용된 폴리에테르 (표 1, PE)는 쇄 말단에서 각각 알릴 에테르 (PE1-PE8) 또는 비닐 에테르 기 (PE9) 및 히드록시 기 (PE1-PE9)를 가졌고, 이는 상이한 질량 함량의 옥시에틸렌, 옥시프로필렌 및 옥시부틸렌 (알릴/비닐 기가 없는 폴리에테르 모이어티를 기초로 하는 EO/PO/BO 질량 함량) 및 몰 질량 (Mw)을 특징으로 하였다. 비닐 폴리에테르 PE9는 화학식 III에 따른 지수 o를 갖는 단편으로서 옥시부틸렌 모이어티, 이러한 경우에 -O-(CH2)4-를 가졌다.폴리에테르 PE10에서는 글리세롤 모노알릴 에테르를 사용하였고, 폴리에테르 PE11에서는 트리메틸올프로판 모노알릴 에테르를 사용하였다.003c#표 1003e#사용된 히드로실록산 (표 2, SiH)은 상이한 SiH 함량 및 점도를 특징으로 하였다.003c#표 2003e#폴리에테르-개질된 실록산 (표 3, O)은 다음의 방법에 의해 히드로실릴화를 사용하여 제조하였다.사용된 히드로실록산 SiH 및 사용된 히드록시-관능성 말단 불포화 PE를 SiH의 몰 당량 당 1.35 몰의 알릴/비닐 폴리에테르의 비로 교반기와 정밀 유리 글랜드, 환류 응축기 및 내부 온도계를 갖는 500 ml 4구 플라스크에 충전시키고, 교반하면서 70℃로 가열하였다. Pt2(디비닐테트라메틸디실록산)3 복합물의 형태의 백금 (카르스테트(Karstedt) 촉매, 데카-메틸시클로펜타실록산에서의 1.5% Pt) 5 ppm을 주사기로 첨가하였다. 기체 부피 방법에 의해 측정된 전환은 70-80℃에서 1 내지 3 시간의 지속적인 반응 시간 내에 정량적이었다. 여과는 황갈색의 투명한 점성의 액체를 제공하였다.003c#표 3003e#실시예 2: 유화액185 g의 O12를 냉각시키면서 전단 조건 하에 (마이저(Mizer) 디스크, 2000 rpm) 약 18.8의 HLB 값의 에톡실화된 스테아르산 40 g 및 탈염수 60 g으로 제조된 유화제 용액에 20 분 내에 첨가하였다. 이어서, 혼합물을 추가의 20 분 동안 전단시켰다. 이는 증가된 점도를 갖는 페이스트를 제공하였다. 이어서, 214 g의 탈염수를 전단 조건 하에 10 분 내에 첨가하였다. 이는 약 45 중량%의 고체 함량을 갖는 백색 유화액을 제공하였다. 마지막으로, 20 중량%의 메틸이소티아졸리논 (MIT)의 0.15%의 수용액을 첨가하여 유화액을 보존하였다.실시예 3: 입자의 표면 처리V1: TiO2 입자의 건조-상 처리이산화티타늄을 폴리에테르실록산으로 건조 표면 처리하기 위한 출발 물질은 산화규소 및 산화알루미늄으로 제조된 무기 개질 시스템으로 개질된 루타일 형태의 TiO2였다. 표 4에 기재된 양의 폴리에테르실록산 (표면 처리제)을 상기 분말과 혼합시키고, 혼합물을 뢰디게 혼합기에서 60 초 동안 균질화하였다. 이어서, 폴리에테르실록산-습윤된 TiO2를 스팀-제트 밀에서 스팀을 사용하여 18 bar에서 건조-밀링하였다. 별법으로, 밀링은 핀 밀, 공기-제트 밀, 롤 밀 또는 튜브형 볼 밀을 사용하여 달성할 수 있었다.V2: TiO2 입자의 액체-상 처리TiO2를 폴리에테르실록산으로 습윤 표면 처리하기 위한 출발 물질은 TiO2가 루타일 개질되었고, 무기 개질 시스템이 이산화규소 및 산화알루미늄으로 제조된 것인 무기 개질 후 TiO2 필터 케이크였다. 상기 필터 케이크를 용해기를 사용하여 물에 재분산시켰고, 표 4에 기재된 양의 실시예 2에서와 같은 폴리에테르실록산 유화액을 현탁액에 첨가하였다. 상기 현탁액을 분무-건조하고, 이어서 분무-건조된 그레인을 스팀-제트 밀의 도움으로 스팀을 사용하여 18 bar에서 건조-밀링하였다.V3: BaSO4 입자의 건조-상 처리황산바륨을 폴리에테르실록산으로 건조 표면 처리하기 위한 출발 물질은 액체 상에서 화학적 반응에 의해 침전되었으며 아직 건조-밀링되지 않은, 즉 예로서 스팀-제트-밀링되지 않은 황산바륨 (블랑크 픽스로서 공지됨)이었다. 표 4에 기재된 양의 폴리에테르실록산을 상기 분말과 혼합시키고, 혼합물을 뢰디게 혼합기에서 60 초 동안 균질화하였다. 이어서, 폴리에테르실록산-습윤된 BaSO4를 스팀-제트 밀에서 스팀을 사용하여 10 bar에서 건조-밀링하였다. 별법으로, 밀링은 핀 밀, 공기-제트 밀, 롤 밀 또는 튜브형 볼 밀을 사용하여 달성할 수 있었다.V4: ZnS 입자의 건조-상 처리 황화아연을 폴리에테르실록산으로 건조 표면 처리하기 위한 출발 물질은 액체 상에서 화학적 반응에 의해 침전되었으며 아직 건조-밀링되지 않은, 즉 예로서 스팀-제트-밀링되지 않은 황화아연 (사흐톨리스(Sachtolith)로서 공지됨)이었다. 표 4에 기재된 양의 폴리에테르실록산을 상기 분말과 혼합시키고, 혼합물을 뢰디게 혼합기에서 60 초 동안 균질화하였다. 이어서, 폴리에테르실록산-습윤된 ZnS를 스팀-제트 밀에서 스팀을 사용하여 10 bar에서 건조-밀링하였다. 별법으로, 밀링은 핀 밀, 공기-제트 밀, 롤 밀 또는 튜브형 볼 밀을 사용하여 달성할 수 있었다.V5: 리소폰 입자의 건조-상 처리리소폰을 폴리에테르실록산으로 건조 표면 처리하기 위한 출발 물질은 액체 상으로부터의 화학적 반응에서 BaSO4 및 ZnS의 공침전에 의해 제조되었고, 아직 건조-밀링되지 않은, 즉 예로서 스팀-제트-밀링되지 않은 리소폰이었다. 표 4에 기재된 양의 폴리에테르실록산을 상기 분말과 혼합시키고, 혼합물을 뢰디게 혼합기에서 60 초 동안 균질화하였다. 이어서, 폴리에테르실록산-습윤된 리소폰을 스팀-제트 밀에서 스팀을 사용하여 10 bar에서 건조-밀링하였다. 별법으로, 밀링은 핀 밀, 공기-제트 밀, 롤 밀 또는 튜브형 볼 밀을 사용하여 달성할 수 있었다.표 4에 열거된 입자 P4, P7, P8, P9, P16, P18, P20, P21, P23, P24, P25, P26, P27 및 P31은 본 발명의 것이 아니었다. P25A는 어떠한 유기 표면 처리 또는 본 발명의 표면 처리도 하지 않은 스팀-제트-처리된 무기 후처리된 이산화티타늄 입자였다. P25B는 실리콘 오일 표면 처리한 스팀-제트-처리된 무기 후처리된 이산화티타늄 입자였다. P26은 술페이트 공정에 의해 제조된 플라스틱 적용을 위해 상업적으로 입수가능한 루타일 안료였으며, 공급원은 유럽이었다.003c#표 4003e# 실시예 4: 표면-처리된 입자의 특성의 측정E1: 분진화의 측정:시험하고자 하는 물질 100 g을 도 1에 나타낸 바와 같은 장치에서 드롭 박스 (1)로 칭량하였다. 드롭 박스를 레버 (2)를 사용하여 로킹하고, 유리 실린더 (3) (높이 800 mm, 직경 150 mm)에 매달았다. 칭량하고 유리 실린더 (3)에 삽입한 석영 울을 샘플 튜브 (6)에 충전하였다. 샘플 튜브 (6)의 한 말단을 슬라이드 (4)를 사용하여 밀봉하였다. 다른 말단을 석영 울로 충전된 세척 병 (7)을 사용하여 진공 호스를 통해 진공 펌프 (8)에 연결시켰다. 기체 계량기를 석영 울로 충전된 또 다른 안전 병 (9)을 사용하여 부착시켰다.드롭 박스 (2)를 언로킹하였다. 샘플을 유리 실린더에 떨어뜨렸고, 분진화가 발생하였다. 언로킹 절차 후 10 초에, 고무 밀봉부 (5)를 슬라이드 (4)를 사용하여 샘플 튜브의 입구로부터 제거하였다. 드롭 박스를 조심스럽게 제거하였다. 슬라이드의 개봉 후 20 초에, 진공 펌프를 시작하고, 정확히 20 l의 공기를 유리 실린더를 통해 흡인하고, 그의 상부를 개봉하였다. 진공 펌프는 10 l/min으로 수행하였다. 진공 펌프의 스위치를 끈 다음, 칭량한 샘플 튜브 (6)를 제거하고, 다시 칭량하였다. 분말의 중량 차이 [mg/100 g]를 분진화의 척도로서 기재하였다.측정은 2 측정을 사용하였다. 표 5에는 상기 측정의 평균 값이 기재되어 있다.003c#표 5003e#본 발명의 것이 아닌 입자에 대한 분진 질량은 80 mg 초과/100 g이었다.E6: 분말-유동성분말-유동성은 RST-XS 고리-전단 시험기를 사용함으로써 측정하였다. 유동성 고체의 샘플을 측정 셀에 충전하고 커버를 사용하여 3.5 kPa의 힘 (정상 힘)으로 상부로부터 로딩하였다. 측정 동안, 전단 셀을 서서히 회전시켰다 (ω). 두 장력 막대는 커버의 회전을 방지하였다. 이는 유동성 고체의 샘플의 전단 변형을 초래하였다. 필요한 힘 (F1 및 F2)을 측정하였다. 유동성 고체의 유동성 ffc는 항복 강도 σc에 대한 압밀 응력 σ1의 비로부터 결정하였다.표 6은 측정 결과를 나타낸다.유동성 ffc가 클수록, 유동성 고체의 유동은 양호하였다. 다음의 범위의 여러 유동성이 규정되어 있다 (D. Schulze, Pulver und Schuettgueter [Powders and flowable solids], Springer, 2006, chapter 3.1.4, p. 42):1 이하의 ffc, 유동하지 않음, 경화됨1 초과 및 2 이하의 ffc, 매우 응집됨 (내지 유동하지 않음)2 초과 및 4 이하의 ffc, 응집됨4 초과 및 10 이하의 ffc, 다소 유동함10 초과의 ffc, 자유-유동함.003c#표 6003e#본 발명의 것이 아닌 입자의 분말-유동성은 1.5 이하였다.실시예 5: 조성물Z1: 마스터배치열가소성 물질을 갖는 조성물은 또한 마스터배치로 지칭된다. 이러한 마스터배치를 하기에 명시된 바와 같이 제조할 수 있었다.연구하고자 하는 표면-처리된 입자 및 열가소성 물질의 예로서 50 중량%의 농도의 폴리에틸렌 (LDPE: 루폴렌 퓨렐 1800 SP 15)으로부터, 두 성분을 플라스틱 병에 칭량하고, 이어서 롤러 병 롤링 밀 상에서 15 분 동안 혼합시킴으로써 건조 블렌드를 먼저 제조하였다. 이어서, 생성된 건조블렌드를 브라벤더(Brabender) 공급 장치에 충전하고, 운반 축을 사용하여 가공을 위해 레이스트리츠(Leistritz) DS ZSE 18HP 2축 압출기에 도입하였다. 마스터배치를 제공하기 위한 가공은 모든 영역에서 분 당 150 회전수 (rpm)의 회전 속도 및 150℃의 온도 설정을 사용하였다. 중합체 스트랜드를 펠렛화하였다.이러한 사양을 사용하여 조성물 Z1-P1 내지 Z1-P27을 제조하였다.Z2: 백색 페이스트가소제를 갖는 조성물의 예로서 백색 페이스트를 제조하였다. 90 g의 디옥틸 프탈레이트 (DOP)를 250 ml 용해기 용기에 칭량하였다. 167 g의 표면-처리된 입자를 온화하게 교반하면서 3 cm 용해기 디스크 (약 5m/sec)에 의해 3 분 내에 나누어 혼입시켰다. 용해기의 회전 속도를 12 500 rpm으로 증가시키고, 혼합물을 5 분 동안 분산시켰다.이러한 사양을 사용하여 조성물 Z2-P1 내지 Z2-P27을 제조하였다.Z3: 열경화성 조성물a: 농축물 페이스트: 용해기를 사용하여 캐리어 수지 (불포화 폴리에스테르 수지; SMC)에서 안료를 예비분산시켰다. 페이스트에서의 안료의 농도는 70 중량%였다. 비드 밀 (1 h 회분식, 2 mm 유리 비드)을 사용하여 미세 분산을 달성하였다. 페이스트의 점도는 약 0.6 Pa*s였다.조성물 Z3a-P27 및 Z3a-P12A를 제조하였다.b: 반완성 생성물: 표 7에 상응하는 제형물 구성물을 용해기를 사용함으로써 혼합시켰다. 페이스트 점도는 3 내지 20 Pa*s의 범위였다.003c#표 7003e#반완성 생성물은 이러한 수지 시스템을 25%의 유리 섬유 (베트로텍스(Vetrotex) P204 2400 텍스(tex))와 함께 가공하여 프리프레그를 제공함으로써 제조하였다.프레스에 대한 가공 변수: 온도 = 150 내지 155℃, 압력 = 약 80 bar (1000 kN), 시간 = 150 내지 180 sec, 폐쇄 속도 = 8 mm/s.실시예 6: 표면-처리된 입자의 분산성 시험E2: 마스터배치 상에서의 압력 필터 시험브라벤더 플라스티-코더 랩-스테이션(Brabender Plasti-Corder Lab-Station) 1축 압출기 (축 직경/축 길이: 30 mm/25D)를 사용함으로써 압력 필터 값을 측정하였다. PZ-마이크로두르(Microdur) 14 (필터 미세도 14 μm) 및 315 μm 메쉬 너비를 갖는 지지 직물을 갖는 GKD로부터의 스크린 팩을 사용하였다. 압출기를 200℃의 온도로 가열하였다. 필터 기기의 온도를 230℃로 설정하였다. 압출기를 LDPE로 철저히 플러싱한 후, 스크린 팩을 갖는 필터 홀더를 도입시켰다. 시험하고자 하는 마스터배치 펠렛의 충전 및 우회로에서의 착색된 물질의 배출 후, 용융물 스트림을 스크린 팩에 통과시키고, 측정된 데이터의 컴퓨터-보조 캡쳐를 시작하였다. 150 bar의 최대한의 압력에 도달할 때까지, 또는 압력 상승이 작은 경우 60 분의 기간에 등록될 때까지 측정된 데이터를 기록하였다. 처리량은 40 g/min이었다.표 8은 측정 결과를 나타낸다.분산 성질의 척도는 다음의 식으로부터 계산된 압력 필터 값 (PFV)이었다:pmax : 최종 압력 [bar]p0 : 초기 압력 [bar]F: 필터 면적 = 6.16 cm²t: 측정된 시간 [min]K: 전체 조성물을 기준으로 한 안료 농도 [중량%]g 처리량 [g/min]003c#표 8003e#압력 필터 값이 낮을수록, 중합체에서의 안료의 분산이 더 양호하였다. 1 bar*cm²/g 이상의 압력 필터 값은 분산성의 부족을 나타내었다.E3: 편평한 중합체 필름에서의 마스터배치의 시험:실시예 5로부터의 마스터배치 (Z1)를 다음의 공정에 의해 압출하여 필름을 제공하였다. 이를 위해, 마스터배치를 LDPE 펠렛 (퓨렐 PE 3020H)을 사용하여 10 중량%의 안료의 농도로 희석하였다. 이를 위해, 마스터배치 및 중합체 펠렛을 플라스틱 병에 충전시키고 30 초 동안 손으로 흔들었다. 이어서, 샘플을 브라벤더 플라스티-코더 랩-스테이션 (축 직경/축 길이: 30 mm/25D)에서 15 rpm에서 190℃의 온도에서 압출하였다. 약 8 cm의 너비의 필름을 슬랏 다이를 사용하여 배출하였다. 필름을 컨베이어 벨트를 사용하여 인출해내고, 냉각시키고, 권취하여 롤을 제공하였다.필름으로부터 약 50 cm 길이의 조각 5개를 평가하였다. 투과광에서 분산되지 않은 응집체의 개수에 관해 두 상이한 확대율 (0 배: 확대하지 않음; 30 배: 30 배만큼 확대함)에서 평가를 행하였다. 불완전하게 분산된 응집물로 이루어진 분산되지 않은 물질의 작은 반점의 크기는 여기서 할당된 등급에 영향을 미치지 않았다.결과는 5-수준 시스템 내에서 할당된 등급이었으며, 여기서 등급 1은 분산되지 않은 물질의 작은 반점이 없었음을 나타내었고, 등급 2는 몇몇 분산되지 않은 물질의 작은 반점을 나타내었고 (분산되지 않은 물질의 1 내지 2개의 작은 반점을 갖는 시험 영역뿐만 아니라 분산되지 않은 물질의 작은 반점을 갖지 않는 시험 영역이 있었음), 등급 3은 중간 개수의 분산되지 않은 물질의 작은 반점을 나타내었고 (모든 시험 영역이 평균적으로 시험 영역 당 5개 미만의 분산되지 않은 물질의 작은 반점을 가졌음), 등급 4는 다수의 분산되지 않은 물질의 작은 반점을 나타내었고 (모든 시험 영역이 5 내지 10개의 분산되지 않은 물질의 작은 반점을 가졌음), 등급 5는 매우 많은 분산되지 않은 물질의 작은 반점을 나타내었다 (모든 시험 영역이 평균적으로 10개 이상의 분산되지 않은 물질의 작은 반점을 가졌음).표 9에서의 값은 5 시험 영역의 평가로부터의 등급으로서 수득하였다.등급 3 이상에서, 마스터배치는 필름의 제조를 위해 부적합하였다. 여기서, 확대 없이 초기 평가를 수행하였다.003c#표 9003e#E4: 가소제에서의 시험실시예 5에서와 같이 제조한 백색 페이스트 (Z2) 3 g을 동일한 양의 DOP와 함께 플라스틱 비커에서 스패츌라로 철저히 혼합시켰다. 미세도 결정을 위해, 희석된 페이스트를 헥만 블록 (그린도미터) 상에, 먼저 0 내지 100 μm 헥만 블록 상에 그리고 이어서, 적절히 미세한 샘플의 경우에, 0 내지 25 μm 헥만 블록 (에릭센(Erichsen)) 상에 떨어뜨렸다. 육안으로 결정한 미세도 값을 μm로 기록하고 표 10에 나타내었다.20 μm 초과의 미세도는 불충분한 분산을 나타내었다.003c#표 10003e#측정 불가: 003e# 100E5: 실시예 5로부터의 반완성 생성물 (Z3b)의 특성시험 샘플을 반완성 생성물로부터 켜냈다. 템플레이트를 사용하여 프리프레그의 이동의 방향에 대해 수직으로 프리프레그의 중간으로부터 27 cm x 38 cm의 치수를 갖는 조각을 켜냈다. 시트의 두께는 4 mm였다.후속적인 기계적 시험을 위해, 10 cm 너비의 스트립을 프리프레그의 이동의 방향에 관해 횡방향으로 시험 샘플로부터 절단하였다. 내충격성 시험을 위해, 80 mm 길이의 시험 샘플을 물질로부터 켜냈다. 인장 시험을 위한 시험 샘플의 길이는 170 mm였다. 모든 시험 샘플을 메인즈 워터(mains water)로 헹구고, 천으로 건조시키고, 24 시간 이상 동안 조절된 조건의 온도 및 습도 하에 캐비넷에서 보관하였다.프랭크/쯔빅(Frank/Zwick)으로부터의 인장 시험기 (23℃, 50% 상대 습도)로 인장 강도를 시험하였다. 기계 변수는 다음과 같았다: 초기 하중 = 20 N, 초기 하중까지의 속도 = 1 mm/min, 시험 속도 = 5 mm/min, 클램핑 길이 = 120 mm, 및 증분의 픽업의 측정 길이 = 80 mm.내충격성 (샤르피(Charpy)):ISO 179에 따라 5 J 진자로 시험을 수행하였다.003c#표 11003e#본 발명의 것이 아닌 실시예와 비교하는 경우 본 발명의 입자를 사용하였을 때 인장 강도에 있어서의 현저한 증가 (11% 이상) 및 내충격성에 있어서의 현저한 증가 (18% 이상)를 볼 수 있었다.
본 발명은 플라스틱에서의 분산 개선을 위한 이산화티타늄, 황산바륨, 황화아연 및/또는 리소폰 입자의 표면 처리, 및 이러한 입자와 특별한 알콕실화된 실록산의 혼합물에 관한 것이다.
[ 발명의 명칭 ] 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법LOW TEMPERATURE POLY-SILICON THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF [ 기술분야 ] 본 발명은 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제작공정 분야에 관한 것으로서, 특히 전기특성 및 신뢰도를 제공할 수 있는 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 현재 평판 디스플레이 기술에서, 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD)는 그 중 가장 성숙한 기술이라고 말할 수 있으며, 예를 들어 일상생활에서 흔히 볼 수 있는 핸드폰, 디지털카메라, 비디오카메라, 노트북 컴퓨터 및 모니터는 모두 이러한 기술을 이용하여 제조되는 제품이다.그러나, 사람들의 디스플레이에 대한 시각적인 요구가 높아지고, 신기술 응용 분야가 부단히 확장됨에 따라, 더욱 향상된 화질, 고해상도, 고휘도이면서 저가인 평면 디스플레이는 이미 향후 디스플레이 기술 발전의 추세가 되었고, 새로운 디스플레이 기술 발전의 원동력이기도 하다. 평면 디스플레이 중의 저온폴리실리콘(Low Temperature Poly-silicon, LTPS) 박막 트랜지스터는 능동 구동 트렌드에 부합되는 특성을 구비하는 이외에, 그 기술이 바로 상기 목표를 달성할 수 있는 중요한 기술적 돌파구이기도 하다.종래의 LTPS TFT는 도 1에 도시된 바와 같이, 유리기판(101), 유리기판(101)에 설치되는 버퍼층(102)을 포함하며, 상기 버퍼층(102)에 폴리실리콘이 형성되고, 그 위에 소스 영역(103)에 설치되는 소스 전극 및 드레인 영역(104)에 설치되는 드레인 전극 및 채널 영역(111)에 설치되는 게이트 절연층(GI)이 포함된다. 상기 GI층에 게이트 전극(108) 및 부동태화층(109)이 형성되며, GI층은 일반적으로 SiO2와 SiNx인 유전체층(105) 및 유전체층(107)의 2층 복합 구조가 통상적으로 채택된다.그러나, SiNx와 SiO2로 구성되는 게이트 절연층은 표면 접촉 특성과 박막 연속성이 나쁘고, 또한 GI에 비아홀(VIA hole)을 형성 시, 언더컷(undercut)이 발생되기 쉽다. 즉 SiO2의 에칭률이 SiNx보다 큼으로 인하여 SiO2 홀이 SiNx보다 커지면서 접촉성이 나빠지게 된다.따라서, 상기 문제를 해결하기 위하여, 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공함으로써, 제조된 트랜지스터가 비교적 강한 접촉 연속성을 지니고, 기생 커패시턴스를 효과적으로 저하시켜 트랜지스터의 응답 속도를 강화시키고자 하는 것이 업계에서 주력하는 과제 중의 하나이다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명이 해결하고자 하는 기술문제 중의 하나는 제조된 트랜지스터가 비교적 강한 접촉 연속성을 지니고, 기생 커패시턴스를 효과적으로 저하시켜 트랜지스터의 응답 속도를 강화시킬 수 있는 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공하고자 하는데 있다. 또한 본 발명은 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터를 더 제공한다. [ 과제의 해결 수단 ] 1) 상기 기술문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공하며, 이는 절연기판을 제공하는 단계; 상기 절연기판의 버퍼층에 폴리실리콘층을 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘층의 표면에 소속 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 구비하며, 적어도 3회의 PECVD 공정을 순차적으로 실시하여 상기 채널 영역에 적어도 3층의 유전체층을 순서대로 형성하고, 더 나아가 복합 게이트 절연층을 형성하는 단계; 그중 각 유전체층의 치밀성은 제조 과정 중 형성되는 순서에 따라 순차적으로 증대되도록 하며, 상기 복합 게이트 절연층에 게이트 전극을 형성하는 단계; 를 포함한다.2) 본 발명의 제 1)항의 일 바람직한 실시예에서, 상기 복합 게이트 절연층은 제 1 유전체층, 제 2 유전체층 및 제 3 유전체층으로 구성되며, 또한 제 1 유전체층은 SiO2이고, 제 2 유전체층은 SiON이며, 제 3 유전체층은 SiNx이다.3) 본 발명의 제 1)항 또는 제 2)항 중의 바람직한 실시예에서, 상기 제 1 유전체층의 필름 두께는 상기 제 2 유전체층 및 상기 제 3 유전체층의 필름 두께보다 크다.4) 본 발명의 제 1)항 내지 제 3)항 중의 어느 한 항의 바람직한 실시예에서, 상기 제 1 유전체층인 SiO2의 필름 두께 범위는 1000~1500 옹스트롬이고, 상기 제 2 유전체층인 SiON의 필름 두께 범위는 100~1000 옹스트롬이며, 상기 제 3 유전체층인 SiNx의 필름 두께 범위는 100~500 옹스트롬이다.5) 본 발명의 제 1)항 내지 제 4)항 중의 어느 한 항의 바람직한 실시예에서, 상기 폴리실리콘층을 형성하는 단계는, 상기 절연기판의 표면에 비정질 실리콘층을 형성하기 위한 스퍼터링 공정을 실시하는 단계; 및 상기 비정질 실리콘층을 재결정화시켜 상기 폴리실리콘층을 형성하기 위한 어닐링 공정을 실시하는 단계;를 포함한다. 그중, 상기 어닐링 공정은 엑시머 레이저 어닐링 공정을 포함한다.6) 본 발명의 제 1)항 내지 제 5)항 중의 어느 한 항의 바람직한 실시예에서, 상기 게이트 전극을 형성한 후, 상기 게이트 전극을 MASK로 이용한 이온 주입 공정을 더 실시하여, 상기 소스 영역 및 드레인 영역 내의 상기 폴리실리콘 내에 각각 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하고, 상기 이온 주입 공정 이후, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 내의 도핑제를 활성화하기 위한 활성화 공정을 더 실시한다.7) 다른 방면에 따르면, 본 발명은 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터를 더 제공하며, 이는 적어도 게이트 절연층을 포함하며, 상기 게이트 절연층은 복합 절연층이고, 상기 복합 절연층은 적어도 3층의 유전체층을 포함하며, 그 중 각 유전체층의 치밀성은 제조 과정 중에 형성되는 순서에 따라 순차적으로 증대된다.8) 본 발명의 제 7)항의 바람직한 실시예에서, 상기 게이트 절연층은 제 1 유전체층, 제 2 유전체층 및 제 3 유전체층으로 구성되며, 또한 제 1 유전체층은 SiO2이고, 제 2 유전체층은 SiON이며, 제 3 유전체층은 SiNx이다.9) 본 발명의 제 7)항 또는 제 8)항의 바람직한 실시예에서, 상기 제 1 유전체층의 필름 두께는 상기 제 2 유전체층 및 상기 제 3 유전체층의 필름 두께보다 크다.10) 본 발명의 제 7항) 내지 제 9항 중의 어느 한 항의 바람직한 실시예에서, 상기 제 1 유전체층인 SiO2의 필름 두께 범위는 1000~1500 옹스트롬이고, 상기 제 2 유전체층인 SiON의 필름 두께 범위는 100~1000 옹스트롬이며, 상기 제 3 유전체층인 SiNx의 필름 두께 범위는 100~500 옹스트롬이다. [ 발명의 효과 ] 종래 기술과 비교하여, 본 발명의 하나 또는 복수의 실시예는 다음과 같은 장점을 가진다.본 발명에서, 복합 절연층 중 각 층의 치밀성 관계를 고려하였기 때문에, 본 발명의 제조방법에 따라 획득된 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 복합 절연층은 각 층의 표면 접촉 특성과 박막 연속성을 강화시킬 수 있다. 또한, 복합 절연층 중 각 층의 두께를 고려하였기 때문에 획득된 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터는 기생 커패시턴스를 효과적으로 저하시킬 수 있으며, 따라서 트랜지스터의 응답 속도가 향상된다.본 발명의 기타 특징과 장점은 이후의 명세서에서 설명할 것이며, 또한, 부분적으로 명세서를 통해 자명해지거나, 또는 본 발명의 실시를 통해 이해될 것이다. 본 발명의 목적과 기타 장점은 명세서, 청구항 및 첨부도면에서 특별히 적시한 구조를 통해 구현 및 획득될 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 첨부도면은 본 발명에 대한 더 구체적인 이해를 제공하고, 또한 명세서의 일부분을 구성하며, 본 발명의 실시예와 함께 본 발명을 설명하기 위한 것으로서, 결코 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 도면 중,도 1은 종래 기술 중 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 일부 구조도이다.도 2는 본 발명의 실시예에 따른 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법의 흐름도이다.도 3은 본 발명의 실시예에 따른 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 일부 구조도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명의 목적, 기술방안 및 장점이 더욱 명확해지도록, 이하 첨부도면을 결합하여 본 발명을 더 상세히 설명한다.도 2는 본 발명의 실시예에 따른 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법의 흐름도이며, 이하 도 2 및 도 3을 동시에 참조하여 LTPS TFT를 제조하는 방법의 각 단계를 설명한다.단계 S210: 절연기판(101)을 제공하여, 상기 절연기판(101)의 버퍼(buffer)층(102)에 적어도 폴리실리콘(LTPS)층을 형성한다. 그 중, 상기 폴리실리콘층의 표면에 소속 LTPS TFT의 소스 영역(103), 드레인 영역(104) 및 채널 영역(111)이 포함된다.설명해야 할 점으로, 상기 절연기판(101)은 유리기판 또는 석영기판을 포함하며, buffer층(102)은 PECVD를 통해 절연기판(101)에 형성되는 SiO2이다.또한, 상기 LTPS층을 형성하는 단계는 이하 공정을 더 포함한다.먼저, 스퍼터링 공정을 실시하여 상기 절연기판(101)의 표면에 비정질 실리콘층(a-Si)을 형성한 다음, 어닐링 공정을 실시하여, 상기 a-Si층을 재결정화시켜 상기 폴리실리콘을 형성한다. 그 중 상기 어닐링 공정은 엑시머 레이저 어닐링 공정을 포함한다.단계 S220: 순차적으로 제 1 PECVD 공정, 제 2 PECVD 공정 및 제 3 PECVD 공정을 실시하여, 상기 채널 영역(111)에 순서대로 제 1 유전체층(105), 제 2 유전체층(106) 및 제 3 유전체층(107)을 형성하며, 상기 3개의 유전체층으로 복합 게이트 절연(약칭 GI)층을 구성한다. 그 중 각각의 유전체층의 치밀성은 제조 과정 중 형성되는 순서에 따라 순차적으로 증대되며, 즉 제 1 유전체층(105) 003c# 제 2 유전체층(106) 003c# 제 3 유전체층(107)이다.구체적으로, 먼저 폴리실리콘층의 표면에 제 1 PECVD 공정을 통해 제 1 유전체층(105)을 증착하고, 그 다음 제 2 PECVD 공정을 통해 상기 제 1 유전체층(105)에 제 2 유전체층(106)을 증착한 다음, 제 3 PECVD 공정을 통해 상기 제 2 유전체층(106)에 제 3 유전체층(107)을 증착한다.설명해야 할 점으로, 상기 복합 GI층의 PECVD 공정은 싱글웨이퍼 반응기에서 연속적으로 실시된다.또한 바람직하게는, 상기 복합 GI층의 제 1 유전체층(105)은 SiO2이고, 제 2 유전체층(106)은 SiON이며, 제 3 유전체층(107)은 SiNx이다. 그 중 상기 복합 GI층 중의 제 1 유전체층(105)과 buffer층(102)의 SiO2는 LTPS와의 인터페이스 특성을 개선하기 위한 것이고, 상기 복합 GI층 중의 제 3 유전체층(107)의 SiNx는 습기 및 금속 이온을 차단하기 위한 것이며, 제 2 유전체층(106)의 SiON은 주로 제 1 유전체층(105)과 제 3 유전체층(107)의 인터페이스 접촉 연속성을 개선하는 역할을 한다(치밀성: SiNx 003e# SiON 003e# SiO2).이와 같이 상기 3층의 유전체층으로 구성된 복합 게이트 절연층은 그 자신과 저온폴리실리콘 간의 접촉 특성을 개선하고 습기와 금속 이온이 저온폴리실리콘의 인터페이스와 내부에 유입되는 것을 방지하는 동시에, 표면 접촉 특성과 박막 연속성을 강화시킬 수 있다.물론, 본 실시예는 단지 하나의 예시일뿐으로, 상기 복합 절연층은 예를 들어 4층 또는 5층과 같이 기타 복수층일 수 있으며, 즉 본 분야의 기술자가 예를 들어 4회 또는 5회의 PECVD를 통해 4층 또는 5층의 복층의 유전체층을 형성할 수 있음은 쉽게 이해될 것이다. 주의해야 할 점은, 상기 복합 절연층의 각 유전체층의 치밀성 관계는 제조 과정 중 형성되는 순서에 따라 순차적으로 증대된다는 점이다.또한, 제 1 유전체층(105)의 필름 두께는 제 2 유전체층(106)과 제 3 유전체층(107)의 필름 두께보다 훨씬 두꺼우며, 이와 같이 하면 기생 커패시턴스를 효과적으로 저하시킬 수 있다. 제 1 유전체층인 SiO2의 필름 두께는 1000~1500 옹스트롬이고, 제 2 유전체층인 SiON의 필름 두께는 약 100~1000 옹스트롬이며, 제 3 유전체층인 SiNx의 필름 두께는 약 100~500 옹스트롬인 것이 바람직하다.단계 S230: 상기 복합 GI층의 상부에 게이트 전극(Gate)(108)을 형성한다.설명해야 할 점으로, 상기 게이트 전극의 재료는 텅스텐, 크롬, 알루미늄, 몰리브덴 및 구리를 포함하는 것이 바람직하다.단계 S240: 상기 게이트 전극(108)을 MASK로 이용한 이온 주입 공정을 실시하여, 비아 홀(110)을 통해 상기 소스 영역(103) 및 드레인 영역(104) 내의 상기 폴리실리콘 내에 각각 소스 전극 및 드레인 전극을 형성한다.단계 S250: 상기 소스 전극 및 드레인 전극 내의 도핑제를 활성화시키기 위한 활성화 공정을 실시한다.마지막으로, PECVD 공정을 더 실시하여 부동태화층을 형성하며, 상기 부동태화층은 SiO 또는 SiNx일 수 있다.이와 같이, 상기 제조 과정을 통해 최종적으로 도 3에 도시된 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 구조를 형성하게 된다.상술한 바와 같이, 본 발명은 복합 절연층 중 각 층의 치밀성 관계를 고려하였기 때문에, 본 발명의 제조방법에 따라 획득된 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터는 각 층의 표면 접촉 특성과 박막 연속성을 강화시킬 수 있다. 또한, 복합 절연층 중 각 층의 두께를 고려하였기 때문에 기생 커패시턴스를 효과적으로 감소시킬 수 있으며, 따라서 트랜지스터의 응답 속도가 향상된다. 즉 GI의 필름 성형 품질 개선을 통하여 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터의 전기 특성 및 신뢰성을 향상시켰다.이상의 설명은 단지 본 발명의 바람직한 구체적인 실시예에 불과하나, 본 발명의 보호범위는 결코 이에 국한되지 않고, 상기 기술을 숙지하는 자가 본 발명에 공개된 기술 범위 내에서 용이하게 생각해낼 수 있는 변화 또는 교체는 모두 본 발명의 보호범위 내에 포함된다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 청구항의 보호범위를 기준으로 하여야 한다.
본 발명은 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공한다. 저온폴리실리콘 박막 트랜지스터는 적어도 게이트 절연층을 포함하며, 게이트 절연층은 적어도 3층의 유전체층을 포함하는 복합 절연층으로서, 그 중 각 유전체층의 치밀성은 제조 과정 중에 형성되는 순서에 따라 순차적으로 증대된다. 복합 절연층 중 각 층의 치밀성 관계를 고려함으로써, 각 층 표면의 접촉 특성과 박막 연속성을 강화시키고, 복합 절연층 중 각 층의 두께를 고려함으로써, 기생 커패시턴스를 효과적으로 저하시키고 트랜지스터의 응답 속도를 향상시켰다.
[ 발명의 명칭 ] 디스플레이 중의 싱글스트링 과출력 보호장치 및 광원 구동회로SINGLE-STRING OVERPOWER PROTECTION DEVICE AND LIGHT SOURCE DRIVING CIRCUIT IN DISPLAY [ 기술분야 ] 본 발명은 디스플레이 기술분야에 관한 것으로서, 구체적으로, 디스플레이 중의 싱글스트링 과출력 보호장치 및 광원 구동회로에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 액정 디스플레이(LCD)의 백라이트 모듈 중 라이트바는 핵심 부품이다. 현행 LCD 백라이트 모듈 어셈블리는 대부분 멀티스트링 light Bar를 채택하고 있다. 복수의 발광 다이오드(LED)가 스트립형 베이스에 규칙적으로 분포되어 발광 다이오드 라이트바(Light Bar)를 구성한다. 종래의 라이트바는 통상적으로 액정 디스플레이의 상하 양측 또는 좌우 양측에 대칭으로 설치되거나, 심지어 액정 디스플레이의 사방에 설치된다.그러나, 백라이트 구동장치의 부스트 컨버터(Converter)에 Light Bar의 싱글스트링 회로에 과출력 보호가 추가된 회로는 없으며, 단지 총입력 과전류 또는 과전압 보호회로만 설치되어 있다. 이 경우, 도 1a와 1b에 도시된 바와 같이, 복수의 위험이 따를 수 있다. MOSFET(도 1a) 또는 BJT(도 1b)가 파괴될 경우, Light Bar의 전류가 제어되지 않아 트랜지스터의 손상된 스트링으로 매우 큰 전류가 흐를 수 있으며, 이와 동시에, 종래의 설치는 모두 정상적으로 작동되는 전류보다 약간 크기 때문에, 하나의 스트링만 작동 이상 시에는 이러한 문제를 검출할 수 없다.또한, Light Bar 중 출력이 과도한 스트링은 이 영역의 휘도가 과도하게 높아지고, Light Bar의 온도가 과도하게 높아지며, 다이어프램이 소손되는 등의 문제를 초래할 수 있다.따라서 각각의 발광 다이오드 회로 스트링에 대해 합리적인 과출력 보호 방안을 설계할 필요가 있다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명이 해결하고자 하는 기술문제 중의 하나는 싱글스트링 라이트 바의 전류 또는 전압이 지나치게 높을 경우 기타 부재를 보호할 수 있는 장치를 제공하고자 하는데 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 기술문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 싱글스트링 발광 다이오드 라이트바의 과출력 보호장치를 제공하며, 상기 장치는, 입력단이 싱글스트링 라이트바 회로 중의 저항 양단에 연결되어 그 단자전압을 획득하는 전압검출유닛;입력단이 상기 전압검출유닛의 출력단에 연결되어, 획득된 단자전압에 대해 적분 변환을 수행하는 적분유닛;상기 적분유닛의 출력단에 연결되어, 적분 변환된 전압과 시스템 파라미터에 의해 결정된 기준전압을 비교하여, 적분 변환된 전압이 상기 기준 전압보다 높은 경우 유효한 과전압 신호를 출력하는 비교유닛;상기 비교유닛과 연결되어, 상기 유효한 과전압 신호에 따라 출력 대기 신호를 잠금 고정시키는 잠금유닛; 을 포함하며, 그중, 조작 주기 중, 일단 유효한 과전압 신호가 나타날 경우, 재시동을 거친 이후까지 상기 대기 신호를 유지한다.본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 적분유닛은 차동 입력형 적분 유닛이며, 타 입력단은 적분 기준전압 발생유닛과 연결되어, 적분 기준전압을 근거로 획득된 단자전압에 대해 적분 변환을 수행하며, 그 중 상기 적분 기준전압 발생유닛은 획득된 단자전압에 대해 비율 증폭을 수행하는 비율증폭유닛을 포함한다.본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 비율증폭유닛의 출력단에 제 1 및 제 2 스위치유닛이 더 연결되며, 상기 제 1 스위치유닛과 상기 제 2 스위치유닛은 동일한 시간 주기 내에 상이한 온-오프 상태에 처한다.본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제 1 스위치유닛과 상기 제 2 스위치유닛은 전계효과 Mosfet이며, 그 제어단에 각각 주파수가 동일하면서 하이-로우 레벨 상태가 반대인 펄스 시퀀스가 입력된다.본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 펄스 신호의 주파수는 디밍 주파수와 관련이 있다.본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 잠금유닛은 제 1 트랜지스터 및 제 2 트랜지스터를 포함하며, 그 중 상기 제 1 트랜지스터는 NPN형이고, 상기 제 2 트랜지스터는 PNP형이며, 상기 제 1 트랜지스터의 베이스 전극은 상기 비교유닛의 출력단에 연결됨과 동시에 상기 제 2 트랜지스터의 콜렉터 전극에 연결되고, 상기 제 1 트랜지스터의 콜렉터 전극은 상기 제 2 트랜지스터의 베이스 전극에 연결되며, 상기 제 2 트랜지스터의 에미터 전극은 풀업 저항을 거쳐 전원 Vcc 단자에 연결된다.본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 잠금유닛은 제 3 및 제 4 스위치유닛을 더 포함하며, 상기 제 3 스위치유닛의 제어단은 그 온-오프 상태가 에미터 전극 상의 신호의 제어를 받도록 상기 제 2 트랜지스터의 에미터 전극에 연결되고, 상기 제 3 스위치유닛의 두 출력단은 각각 전원 Vcc와 그라운드에 연결되며, 상기 제 4 스위치유닛의 제어단은 상기 제 3 스위치유닛 중 전원 Vcc와 연결되는 출력단에 연결되고, 상기 제 4 스위치유닛의 출력단은 각각 부스트 컨버터의 인에이블 단자와 그라운드에 연결되어, 상기 부스트 컨버터의 인에이블 단자에 입력된 신호가 로우 레벨일 때, 부스트 컨버터가 대기 상태로 진입하고, 상기 부스트 컨버터의 인에이블 단자에 입력되는 신호가 하이 레벨일 때, 부스트 컨버터가 정상적으로 작동된다.본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 비율증폭유닛은 입력된 단자전압을 2배로 증폭시키도록 설정된다.본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 적분 변환회로가 입력된 적분 기준전압을 근거로 적분 결과를 제로로 되돌릴 수 있도록, 상기 펄스 신호의 주파수는 디밍 주파수와 동일하다. 다른 방면에 따르면, 본 발명은 디스플레이 중의 광원 구동회로를 더 제공하며, 이는,복수의 라이트바;상기 복수의 라이트바 중의 각각의 전압수집유닛과 연결되어 그 전압을 검출하고, 전압값에 따라 잠금 고정 대기 신호를 출력하는 상기 싱글스트링 과출력 보호장치;상기 라이트바의 입력단과 연결되어 상기 라이트바의 구동전압을 제공하고, 상기 싱글스트링 과출력 보호장치가 전송하는 잠금 대기 신호를 수신하여 자신이 대기 상태에 처하여야 하는지 여부를 결정하는 부스트 컨버터와 구동 IC; 를 포함한다.본 발명의 기타 특징과 장점은 이후의 명세서에서 설명할 것이며, 또한, 부분적으로 명세서를 통해 자명해지거나 또는 본 발명의 실시를 통해 이해될 것이다. 본 발명의 목적과 기타 장점은 명세서, 청구항 및 첨부도면에서 특별히 제시한 구조를 통해 구현 및 획득될 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 첨부도면은 본 발명에 대한 더욱 구체적인 이해를 제공하고, 명세서의 일부분을 구성하며, 본 발명의 실시예와 함께 본 발명을 설명하기 위한 것이고, 본 발명을 제한하기 위한 것은 아니다. 도면 중도 1a와 도 1b는 종래 기술 중 발광 다이오드 라이트바의 회로도이다.도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LightBar의 싱글스트링에 사용되는 과출력 보호회로의 원리도이다.도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 단자전압, 적분 기준전압 및 적분 전압의 시퀀스도이다.도 4는 본 발명의 일 실시예의 과출력 보호회로 중 잠금유닛을 상세히 나타낸 회로 원리도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하 첨부도면 및 실시예를 결합하여 본 발명의 실시 방식을 상세히 설명하며, 이를 통해 본 발명이 어떻게 기술수단을 응용하여 기술문제를 해결하고, 기술효과를 달성하는지의 구현과정에 대한 충분한 이해와 이에 따른 실시가 가능할 것이다. 설명해야 할 점으로, 충돌을 구성하지만 않는다면, 본 발명 중의 각 실시예 및 각 실시예 중의 각 특징들은 서로 결합될 수 있으며, 형성되는 기술방안은 모두 본 발명의 보호범위 내에 포함된다.도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LightBar 싱글스트링에 사용되는 과출력 보호장치의 회로원리도를 나타낸 것이다. 상기 과출력 보호장치는 전압 검출유닛(201), 적분유닛(202), 비교유닛(203) 및 잠금유닛(204)을 포함한다.전압검출유닛(201)의 입력단은 싱글스트링 회로 중 직렬연결된 저항(도 1a 또는 1b 중의 R1......R2N+1)의 양단에 연결되어 그 단자전압 V1-V2를 획득하며, 주어진 저항 R1.....R2N+1의 저항값을 통해 싱글스트링 라이트바 회로에 흐르는 전류를 측정할 수 있다.본 실시예에서, 전압검출유닛(201)은 증폭기(1) 및 상응하는 저항으로 구성되는 감법 회로를 포함한다. 상기 증폭기의 두 차동 입력단(差分輸入端)및 피드백 회로에는 저항값이 동일한 저항, 즉 R2N1=R2N2=R2N3=R2N4이 설치된다. 연산증폭 공식(運放公式)에 따르면, 증폭기(1)의 출력 V2N+5는 V1-V2이다. 싱글스트링 라이트바 회로 중, 단자전압 V1-V2의 시퀀스도는 도 3에 도시된 바와 같다.적분유닛(202)의 입력단은 전압검출유닛(201)의 출력단에 연결되어, 획득된 단자전압 V1-V2에 대해 적분 변환을 수행하며, 적분 후의 전압 출력 V2N+4를 획득한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 회로상의 커패시터의 작용에 의해, 적분유닛의 출력은 하나의 값까지 완만히 상승한다. 여기서, 적분유닛을 설치하면 V1-V2 중의 스파이크를 제거하기에 유리하며, 따라서 직접 과전류 보호로 인한 오작동을 방지할 수 있다. 예를 들어 V1-V2의 값 또는 싱글스트링 라이트바 회로의 전류가 짧은 시간 내에 돌변할 때(예를 들어 3D 스캔 시, 최대밝기, PWM 디밍), 적분유닛(202)의 출력에는 이러한 갑작스러운 변화가 존재하지 않는다. 따라서, 예를 들어 3D 스캔 시, 본 과출력 보호장치는 오작동이 발생할 우려가 없다.본 발명의 실시예에 따르면, 도 2에 도시된 바와 같이, 적분유닛(202)은 차동 입력형 적분유닛이며, 타 입력단은 적분 기준전압 발생유닛(205)과 연결되어 적분 기준전압 V2N+1을 근거로 획득된 단자전압 V1-V2에 대해 주기적으로 적분 변환을 수행한다. 그 중 적분 기준전압 발생유닛(205)은 비율증폭유닛(205a)을 포함하며, 비율증폭유닛(205)은 획득된 단자전압에 대해 비율 증폭을 수행한다.비율증폭유닛(205a)의 출력단에 제 1 및 제 2 스위치유닛(QN1), (QN2)이 더 연결되며, 그 중, QN1의 일단은 증폭유닛(205)의 출력단에 연결되어 증폭된 전압 신호 V2N+2를 수신하고, QN2의 일단은 접지된다. QN1과 QN2의 타단은 공동으로 적분유닛(202)에 연결된다. 제 1 스위치유닛(QN1)과 제 2 스위치유닛(QN2)은 동일한 시간 주기 내에 상이한 온-오프 상태에 처하며, 다시 말해, 동일한 시간에, QN1과 QN2 중의 하나만 도통된다. 도 3은 출력된 적분 기준 전압 V2N+1의 파형이다.제 1 스위치유닛(QN1)과 제 2 스위치유닛(QN2)은 전계효과 Mosfet이며, 그 제어단에 각각 주파수가 동일하면서 상태는 반대인 펄스 시퀀스가 입력된다. 여기서, 펄스 신호의 주파수는 디밍 주파수와 관련이 있다.도 2에 도시된 바와 같이, 비율증폭유닛(205a)은 입력된 단자전압을 2배로 증폭하도록 설정되며, V2N+2=2(V1-V2)이다. 2개의 주기 내에 V2N+4를 제로로 적분하기 위하여, 여기서는 제 1 스위치유닛(QN1)과 제 2 스위치유닛(QN2)의 제어단에 제공되는 펄스 신호의 주파수를 디밍 주파수와 동일하게 설정하였으나, 본 발명은 이에 국한되지 않으며, 비율증폭유닛(205a)의 증폭 배수는 실제 응용에 따라 달라질 수 있고, 상응하게, 제 1 스위치유닛(QN1)과 제 2 스위치유닛(QN2)의 제어단에 제공되는 펄스 신호의 주파수는 디밍 주파수와 동일하거나 또는 관련이 있다.이와 같이 설치한 후에는, 규정된 시간 내에, 적분 결과가 시스템이 설정한 기준 전압(Vref)을 초과하지 않게 된다.다시 도 2를 참조하면, 비교유닛(203)은 적분유닛(202)의 출력단에 연결되어, 적분 변환된 전압과 시스템 파라미터에 의해 결정된 기준전압(Vref)을 비교하며, 적분 변환된 전압이 기준전압(Vref)보다 높은 경우 유효한 과전압 신호를 출력한다. 유효한 과전압 신호는 도면 중 V2N+3으로 표시하였으며, 유효 과전압 신호가 예를 들어 하이레벨인 경우, 싱글스트링 LightBar 중의 전류가 정격값을 초과하였음을 나타낸다.이때, 비교유닛(203)과 연결된 잠금유닛(204)은 이 유효한 과전압 신호 V2N+3을 근거로 출력 대기 신호를 잠금 고정한다. 조작 주기 중, 일단 하이레벨인 V2N+3과 같은 유효한 과전압 신호가 나타나면, 잠금유닛(204)은 대기 신호(BLON1)를 재시동을 거친 이후까지 유지시킨다.본 발명의 일 실시예에 다르면, 도 2에 도시된 바와 같이, 잠금유닛(204)은 제 1 트랜지스터(T6)와 제 2 트랜지스터(T10)를 포함하며, 그 중 제 1 트랜지스터는 NPN형이고, 제 2 트랜지스터는 PNP형이다. 제 1 트랜지스터(T6)의 베이스 전극은 상기 비교유닛의 출력단에 연결됨과 동시에 제 2 트랜지스터의 콜렉터 전극에 연결되고, 제 1 트랜지스터(T6)의 콜렉터 전극은 제 2 트랜지스터(T10)의 베이스 전극에 연결되며, 제 2 트랜지스터(T10)의 에미터 전극은 풀업 저항(R2N11)을 통해 전원 Vcc 단자에 연결된다. 잠금유닛(204)은 제 3 및 제 4 스위치유닛(QN3), (QN4)을 더 포함한다. 그 중, 제 3 스위치유닛(QN3)의 제어단은 그 온-오프 상태가 에미터 전극 상의 신호의 제어를 받도록 제 2 트랜지스터(T10)의 에미터 전극에 연결되고, 제 3 스위치유닛(QN3)의 두 출력단은 각각 전원 Vcc와 그라운드에 연결되며, 제 4 스위치유닛(QN4)의 제어단은 제 3 스위치유닛(QN3) 중 전원 Vcc와 연결된 출력단에 연결되고, 제 4 스위치유닛(QN4)의 출력단은 각각 부스트 컨버터(Converter)의 인에이블 단자와 그라운드에 연결되어, 부스트 컨버터의 인에이블 단자에 입력된 대기신호(BLON1)가 로우레벨일 때, 부스트 컨버터가 대기상태로 진입하고, 부스트 컨버터의 인에이블 단자에 입력된 대기신호(BLON1)가 하이레벨일 때 부스트 컨버터가 정상적으로 작동한다.구체적으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 제 3 및 제 4 스위치유닛(QN3), (QN4)은 Mosfet 전계효과 트랜지스터로 설치된다. V2N+3이 하이레벨인 경우(즉 V1-V2의 적분값 V2N+4가 Vref를 초과한 경우), 트랜지스터 T6와 T10은 모두 도통되고, QN3의 게이트 전압은 록업회로에 의해 로우레벨에 클램핑된다. 따라서, 강화형 장치의 특징에 따라, 스위치(QN3)는 차단된 오프 상태를 유지하고, QN4는 폐쇄된 온 상태를 유지하므로, BLON1 신호는 로우레벨이다. BLON1 신호는 컨버터의 인에이블 단자에 전송되며, 따라서 대기상태에 처하게 된다.그러나, 일단 V1-V2의 값이 기준 전압값을 초과하면, T6과 T10으로 구성된 록업회로는 비교유닛(203)의 출력을 유효한 과전압 상태로 잠금 고정시킬 수 있으며, 설령 이후의 V1-V2의 적분값 V2N+4가 기준전압 이하로 회복되더라도, 상기 록업회로는 계속 BLON1을 로우레벨 상태로 출력하게 되어, 재시동을 거쳐야만 부스트 컨버터가 비로소 정상적으로 작동할 수 있게 된다. 이상의 설치를 통해 과출력 보호장치는 발광다이오드 라이트바에 안정적인 보호 기능을 제공할 수 있다.다른 방면에 따르면, 본 발명은 디스플레이 중의 광원 구동회로를 더 제공하며, 이는 복수의 라이트바;상기 복수의 라이트바 중의 각각의 전압수집유닛과 연결되어 그 전압을 검출하고, 전압값에 따라 잠금 고정 대기 신호를 출력하는 상기 싱글스트링 과출력 보호장치;상기 라이트바의 입력단과 연결되어 상기 라이트바의 구동전압을 제공하고, 상기 싱글스트링 과출력 보호장치가 전송하는 잠금 대기 신호를 수신하여 자신이 대기 상태에 처하여야 하는지 여부를 결정하기 위한 부스트 컨버터 및 구동 IC; 를 포함한다.비록 본 발명이 공개한 실시방식은 이상과 같으나, 상기 내용은 단지 본 발명의 이해를 돕기 위해 채택한 실시방식일 뿐, 본 발명을 제한하기 위한 것은 아니다. 본 발명 분야의 기술자라면 누구든지, 본 발명이 공개한 정신과 범위를 벗어나지 않는 전제하에, 실시 형식 및 세부 내용에 임의의 수정 및 변화를 실시할 수 있으며, 본 발명의 특허 보호 범위는 여전히 첨부되는 청구항의 범위를 기준으로 한다.
본 발명은 디스플레이 중의 싱글스트링 과출력 보호장치 및 광원 구동회로를 제공한다. 상기 장치는 입력단이 싱글스트링 라이트바 회로 중의 저항 양단에 연결되어 그 단자전압을 획득하는 전압검출유닛; 입력단이 전압검출유닛의 출력단에 연결되어, 획득된 단자전압에 대해 적분 변환을 수행하는 적분유닛; 적분유닛의 출력단에 연결되어, 적분 변환된 전압과 시스템 파라미터에 의해 결정된 기준전압을 비교하여, 적분 변환된 전압이 상기 기준 전압보다 높은 경우 유효한 과전압 신호를 출력하는 비교유닛; 비교유닛과 연결되어, 유효한 과전압 신호에 따라 출력 대기 신호를 잠금 고정시키는 잠금유닛을 포함한다. 상기 보호장치에 따르면 싱글스트링 라이트바의 전류가 지나치게 높아 과열을 일으킴으로써 전체적인 백라이트 모듈에 영향을 미치게 되는 문제를 방지할 수 있어, LCD 디스플레이에 대해 더욱 우수한 보호 작용을 일으킨다.
[ 발명의 명칭 ] 물체를 지지하기 위한 장치 APPARATUS FOR SUPPORTING OBJECTS [ 기술분야 ] 관련 출원의 상호 참조본 출원은 본 명세서에 참조로서 합체되어 있는 발명의 명칭이 "하나 이상의 무수한 물체를 지지하기 위한 장치 및 그 사용 방법(An Apparatus for Supporting One or More Myriad Objects and Method of Using Same)"인 2013년 12월 20일 미국 특허청에 출원되어 미국 특허 출원 제61/919,656호를 부여받은 이전에 출원된 계류중인 공동 소유된 미국 가특허 출원을 우선권 주장하고 이익을 청구한다.발명의 분야본 발명은 하나 이상의 무수한 디바이스를 지지할 수도 있는, 더 구체적으로는 단지 예로서, 휴대폰, 패블릿(phablet)(스마트폰과 태블릿의 조합), 및 태블릿과 같은 무선 디바이스를 지지할 수도 있는 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명의 장치 및 방법은 부가의 또는 대안적인 기능성을 제공할 수도 있다. [ 배경기술 ] 통신 기술은 계속 진화하고 있다. 현재, 사용자는 다른 사람들과 통신하기 위해, 책 또는 잡지를 읽기 위해, 그 또는 그녀가 인터넷으로부터 다운로드한 비디오 또는 영화를 시청하기 위해, 라이브 스포츠 또는 다른 이벤트를 시청하기 위해, 온라인 쇼핑하기 위해, 그리고/또는 다른 활동을 수행하기 위해 무선 디바이스를 휴대할 수도 있다.적합하게는, 무선 디바이스는 소비자가 일반적으로 이들이 어디를 가더라도 무선 디바이스를 소지하여 사용할 수도 있도록 치수 설정된다. 예를 들어, 어머니는 그녀의 아이의 선생님과 부모-교사 회의에 "참석"하기 위해 화상 통화를 거쳐 그녀의 무선 디바이스를 사용할 수도 있다. 다른 예로서, 직장인은 점심 식사를 하면서 그 또는 그녀의 무선 디바이스에서 플레이오프 게임을 볼 수도 있다. 또 다른 예는 그 또는 그녀의 무선 디바이스 상에서 그 또는 그녀의 교과서를 읽을 수도 있는 학생의 것이다.현재의 무선 디바이스에 의해 제공되는 편익 중에, 이들 무선 디바이스는 비교적 소형이고 경량일 수도 있으며, 손에, 주머니 또는 지갑에 또는 케이스에 즉시 휴대될 수도 있다. 또한, 이 편익은 그 결점을 가질 수도 있다. 그녀의 아이의 선생님과 FaceTimeTM을 하기 위해 그녀의 무선 디바이스를 사용하는 어머니는 예를 들어, 파티가 "대면(face-to-face)"하도록 그녀의 무선 디바이스를 잡거나 받쳐야 한다. 점심 식사를 하면서 그 또는 그녀의 무선 디바이스 상에서 플레이오프 게임을 시청하는 직장인은 그 또는 그녀가 동시에 게임을 보면서 식사를 할 수 있도록 디바이스를 잡거나 받쳐야 한다. 그 또는 그녀의 디바이스 상에서 그 또는 그녀의 교과서를 읽고 있는 학생은 책을 읽으면서 그리고 필기를 하면서 또는 다른 방식으로 교과서를 공부하면서 그 또는 그녀의 디바이스를 잡거나 받쳐야 할 수도 있다.화상 회의와 같은 활동을 수행하면서 무선 디바이스를 잡고 있는 것, 플레이오프 게임을 보면서 식사하는 것, 및 책을 읽고 필기를 하면서 공부하는 것은 피곤하고 그리고/또는 불편할 수 있다. 어머니의 팔은 그녀가 그녀의 아이의 선생님과 "대면"하도록 무선 디바이스를 잡고 있는 것에 피로가 증가할 수도 있다. 직장인은 그 또는 그녀가 플레이오프 게임을 시청할 수 있고, 또한 사회적으로 수락 가능한 방식으로 그 또는 그녀의 점심 식사를 할 수 있도록 한 손으로 무선 디바이스를 잡고 있는 것이 불편한 것을 발견할 수도 있다. 학생은 교과서를 읽기 위해 그 또는 그녀의 무선 디바이스를 잡고 있을 수도 있지만, 필기를 하기 위해 디바이스를 내려놓아야 하거나 동시에 디바이스를 잡고 필기를 하는데 있어서 위치설정에 불편함에 직면할 수도 있다.무선 디바이스를 잡고 있어야 하지 않기 위해, 사용자는 물체에 대해 이를 받칠 수도 있다. 그러나, 물체에 대해 무선 디바이스를 받치는 것은 이러한 물체가 이용 가능하고 목적을 위해 적합할 때에만 가능하다. 점심 식사를 하는 직장인은 그 또는 그녀가 이러한 컵을 갖는 경우에 그의 음료컵에 대해 그 또는 그녀의 디바이스를 받칠 수도 있지만, 이 컵은 적합한 크기가 아닐 수도 있고 또는 적합한 받침각을 제공하지 않을 수도 있고, 또는 디바이스에 대해 위험할 수도 있다(젖는 것과 같이). 그리고, 사용자가 그 또는 그녀의 음료를 한모금 마시기를 원할 때마다, 그 또는 그녀는 무선 디바이스를 위치설정 해제하고, 무선 디바이스를 잡고, 음료를 마시고, 이어서 디바이스를 재위치설정해야 한다.무선 디바이스의 디스플레이 스크린을 견망하기(viewing) 위해 물체에 대해 그 또는 그녀의 디바이스를 받치는 것보다는, 사용자는 무선 디바이스를 받치기 위해 특정하게 설계된 거치대를 사용할 수도 있다. 간단히 받치는 것과 관련하여, 종래의 거치대를 사용하는 것은 그 단점을 갖는다. 제1 단점은 무선 디바이스가 통상적으로 디스플레이 스크린의 편리한 견망을 위해 무선 디바이스를 받치기 위한 거치대를 일체로 포함하지 않는다는 것이다. 사용자는 통상적으로 무선 디바이스의 부속품으로서 받침대로서 사용을 위한 거치대를 획득해야 한다. 달리 말하면, 사용자는 거치대를 구매하기 위해 가외의 비용을 소비해야 할 수도 있다. 거치대가 무선 디바이스를 판매하는 동일한 객체로부터 구매를 위해 입수 가능하지 않으면, 사용자는 무선 디바이스의 판매자와는 상이한 장소에 위치될 수도 있는 상이한 판매자를 방문해야 할 수도 있다.더욱이, 몇몇 경우에, 사용자는 "범용" 거치대를 사용하기보다는 그 또는 그녀의 무선 디바이스에 맞춰지도록 특정하게 설계된 거치대를 구매해야 할 수도 있다. 재차, 무선 디바이스의 판매자가 구매를 위해 입수 가능한 이러한 특정하게 설계된 거치대를 갖지 않으면, 사용자는 특정한 거치대를 판매하는 누군가를 찾아야 할 수도 있는데, 이는 다수의 여기저기의 쇼핑을 포함할 수도 있다.종래의 거치대를 사용하는 다른 문제점은 사용자가 그 또는 그녀의 무선 디바이스와 함께 그 또는 그녀의 거치대를 휴대하는 것을 망각할 수도 있다는 것이다. 특히 거치대가 충전 등을 위해서와 같이 무선 디바이스로부터 분리되어 있으면, 무선 디바이스와 함께 거치대를 휴대하는 것을 기억하는 것이 어려울 수도 있다는 것이다.종래의 거치대를 사용하는 단점은 거치대가 무겁고, 이상한 형상이고, 그리고/또는 크게 치수 설정될 때 무선 디바이스용 거치대를 "휴대하는" 것이 어려울 수도 있다는 것이다. 직장인은 점심 식사를 위해 사무실을 떠날 때 그 또는 그녀의 무선 디바이스를 셔츠 또는 바지 주머니 내로 미끄러지게 넣는 것이 용이한 것을 발견할 수도 있지만, 무선 디바이스와 함께 동일한 주머니 내에 대형의 무거운 거치대를 끼워넣는 것은 어렵다는 것을 발견할 수도 있다. 거치대는 별도로 휴대되어야 할 수도 있는데, 이는 거치대의 분실, 거치대를 휴대하기 적합한 무언가의 소지, 사용자가 거치대와 함께 무선 디바이스를 사용하기를 원할 때 거치대를 즉시 발견하는 것, 및 사용자가 무선 디바이스를 종료할 때 그 캐리어 내에 거치대의 배치와 같은 문제점을 유도할 수도 있다.무선 디바이스와 함께 사용을 위한 종래의 거치대의 다른 단점은 거치대가 사용이 복잡할 수도 있다는 것이다. 종래의 거치대는 회수되고, 펼쳐지거나 또는 풀러질 수도 있고, 그 부분은 수용 가능한 방식으로 무선 디바이스를 디스플레이하기 위해 사용자에 의해 구성되어야 할 수도 있다. 종래의 거치대의 구성은 이러한 구성이 복잡하면 사용자가 얼마간의 시간을 소요할 수도 있다. 직장인은 그 또는 그녀의 플레이오프 게임의 일부를 놓칠 수도 있거나 또는 플레이오프 게임을 시청함으로써 그 또는 그녀의 휴식시간을 즐기는 것보다는 거치대의 구성을 알아내기 위해 적어도 그 또는 그녀의 점심 시간의 일부를 허비할 수도 있다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 이에 따라, 사용자가 이들의 디스플레이 스크린을 견망할 때 이들의 각각의 무선 디바이스를 잡고 있을 필요를 사용자로부터 완화하기 위해 종래 기술보다 더 편리한 장치 및/또는 방법에 대한 무선 디바이스의 적어도 일부 사용자에 의한 요구가 존재한다. [ 과제의 해결 수단 ] 일반적으로 말하면, 본 발명은 하나 이상의 무수한 물체를 지지하고 그리고/또는 디스플레이하기 위한 장치 및 그 사용 방법에 관한 것이다. 본 발명은 지갑 또는 핸드백의 신용 카드 슬롯 또는 다른 소형 공간 내에 그 폐쇄 위치에서 편리하게 휴대될 수도 있는 신용 카드 크기 장치로서 구체화될 수도 있다. 본 발명은 또한 신용 카드 크기보다 소형 또는 대형으로서 구체화될 수도 있다.더 구체적으로, 본 발명은 그 저부로부터 부분적으로 이격하여 들어올려지는 그 상부의 부분으로서 커버를 갖는 장치를 포함할 수도 있다. 물체는 들어올려진 커버와 저부 사이에 지지되고/디스플레이될 수도 있다. 지지된/디스플레이된 물체는 장치에 의해 이러한 방식으로 지지되고/디스플레이될 수도 있는 임의의 것일 수도 있다. 특히, 장치는 휴대폰, 스마트폰, 이북 리더, 패블릿(휴대폰과 태블릿 컴퓨터의 조합), 태블릿 또는 태블릿 컴퓨터 등과 같은 무선 디바이스를 지지하고/디스플레이하는데 사용될 수도 있다.유리하게는, 본 발명의 실시예는 사용자가 그 또는 그녀의 손으로 물체를 잡을 필요가 없이, 스마트폰 상에서 비디오를 시청하고, 이북을 독서하고, 또는 태블릿 컴퓨터를 정독할 수 있게 한다. 사용자의 손은 식사를 하고, 필기를 하고, 뜨개질을 하고, 그리고/또는 임의의 다른 동작을 수행하는데 사용되도록 자유롭다. 또한, 사용자는 사용자가 그 또는 그녀의 손으로 플레이어를 잡을 필요가 없이, FaceTimeTM과 같은 화상 회의 및/또는 화상 통화에 연계될 수도 있도록 본 발명의 실시예를 셋업할 수도 있다. 본 발명의 사용은 필기를 하고, 손짓을 하는 등을 하기 위해 사용자의 손을 자유롭게 최적으로 남겨둔다.본 발명의 다른 장점은 신용 카드 크기의 실시예와 같은 실시예의 일부가 주머니, 핸드백 또는 캐리어 내의 무선 디바이스와 함께 사용자에 의해 용이하게 휴대될 수도 있고, 심지어 사용자의 지갑의 신용 카드 슬롯 내에 휴대될 수도 있다는 것이다.본 발명은 또한 아이폰(iPhone), 아이패드(iPad), 또는 킨들(Kindle)과 같은 무선 디바이스의 핸즈프리 지지/디스플레이가 기회가 자체로 제시될 때마다 신속하고 손쉽게 셋업될 수도 있도록 용이한 셋업의 장점을 제공한다. 또한, 본 발명은 사용자의 부분 상에 간단한 작용에 의해 손쉽게 분해될 수도 있다. 일단 폐쇄되면, 본 발명은 작은 두께를 갖고 편평하게 되어 작은 공간 내에 사용자에 의해 즉시 보관되어 휴대되고, 즉시 사용될 수도 있게 된다.본 발명의 실시예는 다른 디바이스와 조합된 작업일 수도 있다. 예를 들어, 실시예는 목줄(lanyard)로 휴대되거나 착용된 사원과 같은 패스 카드의 부분과 조합되거나 제조될 수도 있고, 집회 참가자가 집회에 이벤트에 입장권을 얻기 위해 착용할 수도 있다. 본 발명의 실시예는 신용 카드, 또는 직불 카드, 멤버쉽 카드 등과 같은 다른 카드의 부분과 조합되거나 제조될 수도 있다. 본 발명의 다른 실시예는 플래시 드라이브와 같은 메모리 저장 유닛, 또는 전자 디바이스용 배터리 또는 배터리 충전기와 같은 편의 특징부를 포함할 수도 있다.본 발명의 실시예는 정보, 광고, 장식 등을 구비할 수도 있다. 실시예는 상이한 컬러, 텍스처 등의 요소를 가질 수도 있다. 실시예에서, 사용자는 디바이스를 사유화하고, 이를 장식하고, 정보를 보유하는 등을 위해 상부 및/또는 저부 상에 마킹할 수도 있다. 디바이스 상의 마킹은 몇몇 실시예에서 소거 가능하거나 제거 가능할 수도 있다.본 명세서에서 본 발명의 설명은 본 발명의 예시적인 실시예를 제공한다. 예를 들어, 전술된 바와 같이, 본 발명은 신용 카드 크기의 장치로 구체화될 수도 있다. 그러나, 본 발명은 다수의 상이한 형태로 구체화될 수도 있고, 전술된 것들 이외의 다양한 방식으로 사용될 수도 있다. 따라서, 본 발명은 본 명세서에 설명된 실시예에 한정되는 것으로서 해석되어서는 안되고, 오히려, 이들 실시예는 본 개시내용이 철저하고 완전하고, 통상의 기술자들에게 본 발명의 범주를 완전히 전달하도록 제공된 것이다.더 구체적으로, 본 발명의 실시예는 디바이스용 거치대로서 설명될 수도 있다. 거치대는 상부측을 갖는 일반적으로 직사각형 저부를 갖는다. 저부는 저부의 상부측의 더 짧은 측면을 따라 배치된 일반적으로 직사각형 형상의 스토퍼를 제외하고는 실질적으로 편평하다. 스토퍼는 스토퍼가 그를 따라 배치되어 있는 저부의 더 짧은 측면의 길이와 실질적으로 동일한 길이를 갖는다. 스토퍼는 그 길이 미만의 폭을 갖는다. 스토퍼는 적어도 저부 및 상부의 조합된 두께만큼 두꺼운 두께를 갖는다. 스토퍼와 저부는 일체로 형성될 수도 있다.또한, 상기 단락에 먼저 언급된 실시예에서, 위치설정 재료의 제1 부분이 스토퍼와 상부 상의 절첩선 아래에 있고 그에 실질적으로 평행한 저부의 상부측 상의 선 사이에서 거치대의 저부의 상부측의 적어도 일부 상에 배치된다. 거치대의 상부는 또한 실질적으로 직사각형이고 편평하고, 스토퍼에 의해 덮여 있지 않은 저부의 상부측과 실질적으로 동일한 크기이고, 상부에 대한 폐쇄 위치에 있을 때 스토퍼에 의해 덮여지지 않은 저부의 상부측의 상부에 위치된다. 상부는 상부측 및 하부측을 갖는다. 이 디바이스에서, 상부 및 저부는 스토퍼와 함께, 상부가 그 폐쇄 위치에 있을 때, 신용 카드의 크기일 수도 있는 실질적으로 편평한 직사각형을 형성할 수도 있다. 또한, 본 실시예와 관련하여, 위치설정 재료의 제2 부분이 스토퍼에 인접한 상부의 짧은 측면과 상부의 상부측 상의 절첩선 아래에 있고 그에 실질적으로 평행한 상부의 하부측 상의 선 사이에서 상부의 하부측의 적어도 일부 상에 배치된다. 위치설정 재료의 제1 및 제2 부분은 전체적으로 또는 부분적으로 동일한 재료 또는 상이할 수도 있다.이전의 2개의 단락에 설명된 실시예에서, 상부의 하부측은 스토퍼에 인접한 그 짧은 측면에 대향하는 상부의 짧은 측면과 상부의 상부측 상의 절첩선 아래에 있고 그에 실질적으로 평행한 상부의 하부측 상의 선 사이에서 저부의 상부측에 연결된다. 절첩선은 상부의 상부측 내로 눈금새겨지고, 절첩선은 상부의 짧은 측면에 일반적으로 평행하고 짧은 측면들 사이에 있어, 상부의 연결되지 않은 부분의 적어도 일부가 저부의 정상부의 그 폐쇄 위치로부터 개방 위치로 이격하여 선택적으로 이동 가능하게 되고, 상부의 연결되지 않은 부분의 일부가 절첩선을 따라 굴곡하여 상부가 그 개방 위치에 있을 때 상부의 하부측 상의 위치설정 재료의 제2 부분의 적어도 일부를 노출하게 된다. 대안적인 실시예는 원래 절첩선으로부터 일반적으로 약간 이격되고 그에 평행한 하나 이상의 부가의 절첩선을 그 디바이스의 상부 내에 포함할 수도 있다. 이전의 3개의 단락에 설명된 예시적인 디바이스는 저부의 상부측 상에 위치설정 재료의 제1 부분의 일부 상에 배치된 디바이스의 일 부분을 가짐으로써, 그리고 그 개방 위치에서 연결되지 않은 상부의 하부측 상에 위치설정 재료의 제2 부분의 일부에 대해 배치된 디바이스의 다른 부분을 가짐으로써, 그 개방 위치에서 저부와 연결되지 않은 상부 사이에 위치될 수도 있다.본 발명의 다른 실시예는 물체를 지지하기 위한 장치로서 설명될 수도 있다. 물체를 지지하는 것 이외에, 장치는 범용 직렬 버스(USB) 플래시 드라이브와 같은 데이터 저장 디바이스를 포함할 수도 있다. 구체적으로, 이 장치는 장치가 폐쇄될 때 상부측을 갖는 저부 및 저부의 상부측에 놓인 상부를 포함한다. 저부는 물체가 충전 가능하면 에너지로 물체를 충전하기 위한 플러그(및/또는 다른 요소)를 갖는 배터리 충전기를 포함할 수도 있다.이전의 단락에 먼저 설명된 장치를 계속 참조하면, 상부의 제1 부분은 저부에 부착되고, 상부의 제2 부분은 상부의 제1 부분에 인접하고 저부에 부착되지 않는다. 상부의 제2 부분은 상부의 제1 부분의 바로 옆에 가요성 조인트를 가져, 상부의 제2 부분이 저부에 대해 0도 초과 및 180도 미만의 각도를 갖는 선택적으로 가변적인 위치로 저부의 상부측 상에 놓인 위치로부터 들어올려질 수도 있게 된다. 저부는 상부의 제2 부분에 가장 근접한 그 단부에 정지부를 갖는다. 이 장치를 사용하기 위해, 물체의 일 부분은 저부 상에 배치될 수도 있지만, 정지부에 의해 저부로부터 미끄러져 이탈하는 것이 방지되고, 물체의 다른 부분은 제2 부분이 저부에 대해 0도 초과 그러나 180도 미만의 각도를 갖는 위치에 있을 때 상부의 제2 부분에 대해 배치될 수도 있다.이전의 2개의 단락에 설명된 장치에서, 가요성 조인트는 그 상부측에서 상부의 제2 연결되지 않은 부분에 그리고 상부의 제1 연결된 부분 부근에 있는 눈금선일 수도 있다. 다른 실시예는 하나 이상의 부가의 눈금선(또는 눈금선과 동일한 기능성을 성취하는 특징부)을 포함할 수도 있다. 눈금선은 상부의 제2 연결되지 않은 부분이 상부의 제1 연결된 부분으로의 그 연결부에서 굴곡하게 할 수도 있다. 다른 실시예에서, 가요성 조인트는 그 상부측에서 상부의 제2 연결되지 않은 부분 내에 제2 눈금선을 포함할 수도 있고, 제2 눈금선은 눈금선에 인접하고 실질적으로 평행하다.또 다른 예시적인 실시예는 무선 디바이스를 직립 자세로 유지하기 위한 디바이스로서 더 구체적으로 설명될 수도 있다. 디바이스는 기부의 상부 상에 플랩을 갖는 기부를 갖고, 플랩의 일 부분은 기부에 연결된다. 기부에 연결되지 않은 플랩의 부분은 플랩의 연결된 부분 둘레로 피벗하는 플랩의 연결되지 않은 부분에 의해 기부로부터 이격하여 개방 위치로 선택적으로 이동 가능하여 플랩의 연결되지 않은 부분이 기부에 대해 180도 미만 및 0도 초과의 각도를 형성하게 된다. 이 예시적인 디바이스는 기부로의 그 연결부 부근에서 플랩 내에 굴곡부를 생성하기 위해 기부로의 플랩의 연결부 부근에서 그에 평행한 플랩의 상부의 적어도 하나의 눈금선을 포함한다. 대안적인 실시예는 유사한 기능을 담당하는 하나 또는 부가의 눈금선 또는 특징부(들)를 포함할 수도 있다. 이 예시적인 디바이스는 기부 상에 무선 디바이스의 부분을 배치하고 무선 디바이스의 다른 부분을 그 개방 위치에서 플랩에 대해 기댐으로써 플랩이 무선 디바이스를 직립 자세로 지지하게 하는데 사용될 수도 있다.본 발명의 다른 특징 및 장점은 이하의 상세한 설명의 재고로부터 그리고 첨부 도면 및 청구범위를 참조하여 더 명백하게 이해되고 인식될 수도 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 휴대폰과 같은 무선 디바이스와 함께 사용시에 본 발명의 예시적인 실시예의 정면 사시도이다.도 2는 태블릿과 같은 무선 디바이스와 함께 사용시에 본 발명의 예시적인 실시예의 후면 사시도이다.도 3은 폐쇄 위치에서 본 발명의 예시적인 실시예의 측면 사시도이다.도 4는 개방 위치에서 본 발명의 예시적인 실시예의 정면 사시도이다.도 5a는 그 수직 위치에서 모바일 디바이스와 함께 사용시에 본 발명의 예시적인 실시예의 정면 측면 사시도를 포함하는 사진이다.도 5b는 그 수평 위치에서 모바일 디바이스와 함께 사용시에 본 발명의 예시적인 실시예의 정면도를 포함하는 사진이다.도 6은 폐쇄 위치에서 본 발명의 예시적인 실시예의 정면 측면 사시도이다.도 7a는 폐쇄 위치에서 본 발명의 예시적인 실시예의 측면도이다.도 7b는 폐쇄 위치에서 본 발명의 예시적인 실시예의 측면도이다.도 8은 뱃지와 함께 사용시에 본 발명의 예시적인 실시예를 도시한다.도 9a는 장식부를 갖는 폐쇄 위치에서 본 발명의 예시적인 실시예를 도시한다.도 9b는 폐쇄 위치에서 도 9a의 예시적인 실시예를 도시한다.도 10은 본 발명의 예시적인 실시예를 도시한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명은 예시적인 실시예, 대안적인 실시예를 참조하여, 그리고 또한 첨부 도면을 참조하여 본 명세서에 설명된다. 그러나, 본 발명은 다수의 상이한 형태로 구체화될 수 있고 다양한 방식으로 수행될 수 있으며, 이 상세한 설명 및/또는 도면에 설명된 실시예에 한정되는 것으로서 해석되어서는 안된다. 본 명세서에 설명되고 도시된 예시적인 실시예는 본 발명을 구현하기 위한 방식의 단지 일부일 뿐이다. 본 발명의 요소 및/또는 동작은 본 명세서의 설명과는 전체적으로 또는 부분적으로 상이한 순서로 조립되고, 연결되고, 구성되고, 그리고/또는 취해질 수도 있다.본 발명은 일반적으로 하나 이상의 무수한 물체를 지지하고 그리고/또는 표시하기 위한 장치 및 그 사용 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의해 지지될 수도 있는 물체의 유형, 크기, 및 중량은 사용되는 본 발명의 특정 실시예의 크기 및 강도 또는 지지력에 일반적으로 의존할 수도 있다. 신용 카드 크기인(약 3 인치×2 인치×약 1/8 인치) 본 발명의 예 또는 실시예가 본 명세서에 제공된다. 그러나, 본 발명은 신용 카드 크기 실시예에 한정되어서는 안된다. 더욱이, 본 명세서에 제공된 본 발명의 예는 일반적으로 라운딩된 코너(rounded corners)를 갖는 직사각형 형상이다. 재차, 본 발명은 라운딩된 코너를 갖는 직사각형 형상에 한정되어서는 안된다. 또한, 예를 들어, 강성 폴리염화비닐(강성 PVC 또는 RPVC), 가요성 폴리염화비닐(가요성 PVC), 실리콘 고무, 폴리에스터(PES), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌(PE), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE), 폴리비닐리덴 클로라이드(PVDC)[사란(Saran)], 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS), 고충격 폴리스티렌(HIPS), 폴리아미드(PA)(나일론), 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(ABS), 폴리에틸렌/아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(PE/ABS), 폴리카보네이트(PC), 폴리카보네이트/아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(PC/ABS), 폴리우레탄(PU), 열가소성 물질, 강, 알루미늄, 스테인레스강, 다른 플라스틱 또는 폴리머 재료, 다른 금속 재료, 복합 재료, 에폭시, 수지, 목재, 또는 다른 유사한 재료를 포함하는 하나 이상의 재료로 제조된 본 발명의 예가 본 명세서에 제공된다. 몇몇 실시예에서, 본 발명은 다수의 층을 형성하기 위해 다수의 재료를 사용하여 압출될 수도 있다.본 발명의 실시예는 본 명세서에 "거치대", "장치", "디바이스", "디스플레이 카드", "도크(dock)", "홀더", "받침대", "지지대" 및/또는 "트레이"라 칭할 수도 있다.본 발명의 예시적인 실시예에 의해 디스플레이되고/지지될 수도 있는 물체는, 특히 안드로이드 폰(Android phones), 미술품, 물품, 인증서, 상장, 야구 카드, 책, 카메라, 카드, 케이스, 휴대폰, 도자기, 증명서, 밑받침(coasters), 조개 껍질 포장, 콤팩트 디스크, 디지털 카메라, 디지털 디스플레이 디바이스, 디지털 비디오 디스크, 디지털 사진 디스플레이, 졸업장, 디스크, 디스플레이, 디스플레이 케이스, 전자 슬라이드쇼 디스플레이, 전자북 리더, 액자, 글로벌 포지셔닝 시스템(GPS) 디바이스, 연하장, 아이패드, 아이폰, 아이팟(iPod), 설명서, 보석 케이스, 면허장, 잡지, 언행록(memorabilia), 핸드폰, 킨들, 미러, 명패(name plate), 내비게이션 유닛, 신문, 노키아 폰(Nokia phones), 누크(Nooks), 광학 디스크, 포장, 호출기, 퍼스널 디지털 어시스턴트(personal digital assistant), 패블릿, 사진, 그림, 그림 액자, 휴대형 미디어(MP) 플레이어, 엽서, 조리법, 등록증, 판매용 포장, 삼성 폰(Samsung phones), 스마트폰, 스테인드 글래스(stained glass), 수퍼폰(superphone), 태블릿, 태블릿 컴퓨터, 태블릿 리더, 타일, 비디오 카메라, 비닐 레코드 앨범, 무선 유닛, 및 이러한 프린트 타일의 미술 작품과 같은 다른 실시예와 관련하여 비교적 작은 두께를 갖는 일반적으로 편평하고 대부분 2차원인 물체를 포함한다. 이러한 물체는 또한 본 명세서에서 디바이스 또는 유사한 용어라 칭할 수도 있다.도 1도 1은 본 발명에 따른 거치대(10)의 제1 실시예를 도시한다. 거치대(10)는 휴대폰과 같은 무선 디바이스(12)를 지지하는 것으로서(음영으로) 도시되어 있다. 거치대(10)가 휴대폰(12)과 같은 물체를 지지하도록 구성되고 도 1에 도시된 바와 같을 때, 거치대(10)는 개방 위치에 있는 것이라 칭한다. 거치대(10)의 요소가 서로에 대해 편평하게 놓일 때, 예를 들어 물체를 지지하지 않을 때, 거치대는 그 폐쇄 위치에 있는 것이라 칭한다. 예시적인 거치대(10)가 폐쇄될 때, 이는 실질적으로 편평하고 얇고, 라운딩된 코너를 갖는 실질적으로 직사각형 형상을 갖는 점에서 크기 및 형상이 신용 카드와 유사하다. 도 3은 폐쇄 위치에서 본 발명의 실시예(80)를 도시한다.본 명세서에서 용이한 설명을 위해, 예시적인 직사각형 거치대(10)의 기다란 측면은 그 길이를 규정하고, 짧은 측면은 그 폭을 규정한다. 동일한 명명법이 다른 직사각형 물체에 대해 본 명세서에 사용된다.도 1의 예시적인 거치대(10)는 동일한 일반적인 크기 및 형상 및 두께의 2개의 요소: 저부(14) 및 상부(16)로 구성된다. 거치대(10)가 그 폐쇄 위치에 있을 때, 상부(16)의 하부측은 거치대(10)의 저부(14)의 상부측을 덮고, 인접하여 접촉한다. 예시적인 거치대(10)가 2개의 요소(14, 16)를 갖는 것이라 칭하더라도, 이들 요소는 일체로 제조될 수도 있다.예시적인 거치대(10)에서, 저부(14) 및 상부(16)는 동일한 재료로 제조된다. 예를 들어, 저부(14) 및 상부(16)는 하나 이상의 층을 갖고 각각 압출될 수도 있다. 몇몇 실시예에서, 저부(14) 및 상부(16)는 강성 PVC의 하나 이상의 층 및/또는 가요성 PVC의 하나 이상의 층을 각각 갖는다. 실리콘 고무와 같은 다수의 다른 상이한 재료가 단독으로 또는 조합하여 사용될 수도 있다. 몇몇 실시예에서, 저부(14) 및 상부(16)는 구조적 완전성을 제공하기 위한 강성 PVC의 층 및 고마찰 외부면을 제공하기 위한 가요성 PVC의 제2 층을 포함할 수도 있다.설명된 바와 같이, 예시적인 거치대(10)는 신용 카드 크기를 갖는다. 거치대(10)는 신용 카드와 동일한 재료로 제조될 수도 있다(전체적으로 또는 부분적으로). 신용 카드는 폴리염화비닐 아세테이트(PVCA)로 제조된다. 본 발명의 다른 실시예는 보안 패스 카드, 스와이프 패스 카드, 인서트 리더 패스 카드, 또는 근접도 리더 패스 카드와 같은 패스 카드와 동일한 크기이도록 그리고 심지어 패스 카드로서 기능하도록 제조될 수도 있다. 이들 카드에서, 예시적인 실시예는 패스 카드와 동일한 재료로 제조될 수도 있다(전체적으로 또는 부분적으로).다른 예로서, 예시적인 거치대(10)는 사용자에 의해 기록되거나, 소거 가능하거나 소거 가능하지 않을 수도 있는 재료로 제조되거나 덮여질 수도 있다. 예를 들어, 사용자는 그 소유권을 식별하기 위해 거치대(10) 상에 그/그녀의 이름을 기록할 수도 있다.예시적인 거치대(10)의 상부(16)는 도 1에 도시된 바와 같이 2개의 부분(18, 20): 지지부(18) 및 부착부(20)를 갖는다. 용어가 암시하는 바와 같이, 상부(16)의 지지부(18)는 거치대(10)가 디스플레이 용도로 사용될 때 디스플레이되는 물품 또는 물체를 지지한다. 또한 용어가 암시하는 바와 같이, 상부(16)의 부착부(20)는 거치대(10)의 저부(14)에 부착된다. 상부(16)의 부착부(20)는 거치대(10)가 개방 위치에 있건 또는 폐쇄 위치에 있건간에 거치대(10)의 저부(14)에 부착 유지된다.상부(16)의 2개의 부분(18, 20)은 힌지(22)에 의해 분리된다. 도 1의 실시예에서, 힌지(22)는 상부(16)의 상부의 재료에 취약선 또는 향상된 가요성의 선(또한 눈금선 또는 눈금부라 칭함)이다. 힌지(22) 또는 힌지(22) 및 주위 영역은 굴곡하여 피로 부하에 저항하도록 구성된 재료를 사용하여 제조될 수도 있다. 예를 들어, 힌지(22)[및/또는 힌지(22)를 둘러싸는 영역]는 가요성 PVC로부터 제조될 수도 있다. 취약선(22)은 일반적으로 실질적으로 직사각형 상부(16)의 짧은 측면에 평행하게 연장한다. 달리 말하면, 힌지(22)는 예시적인 거치대(10)의 폭에 평행하게 연장한다. 힌지(22)는 본 실시예에서 거치대(10)의 길이를 따라 그리고 수직으로 약 2/5 지점에 위치된다. 이러한 위치를 가짐으로써, 힌지(22)는 상부(16)의 부착부(20)보다 작도록 상부(16)의 지지부(18)를 형성한다. 본 실시예에서, 상부(16)의 지지부(18)는 상부의 약 40%이다. 특히, 상부(16)의 지지부(18)는 상부(16)의 부착부(20)보다 길이가 짧다. 지지부(18) 및 부착부(20)는 동일한 폭을 갖는다. 다른 실시예는 변형될 수도 있다.상부(16) 내의 힌지(22)는 폐쇄 위치로부터 가변 개방 위치를 통해 거치대(10)의 최대 개방 위치로 지지부(18)가 이동할 수 있게 한다. 지지부(18)의 폐쇄 위치는 전술된 바와 같이, 거치대(10)의 저부(14)의 상부에 평행하게 그 위에 놓인다. 거치대(10)를 개방 또는 지지 위치로 이동시키기 위해, 사용자는 거치대(10)의 저부(14)로부터 이격하여 상부(16)의 지지부(18)를 잡아당길 수도 있다. 사용자는 저부(14)로부터 이격하여 상부(16)의 지지부(18)의 들어올림을 성취하는 임의의 방식으로 지지부(18)를 잡아당길 수도 있다. 예를 들어, 사용자는 그 짧은 측면(26a, 26b) 중 어느 하나에서 지지부(18)를 파지하고 위로 잡아당길 수도 있다. 다른 예로서, 사용자는 저부(14)로부터 이격하여 상부(16)의 지지부(18)의 미부착된 기다란 측면(28)을 잡아당기기 위해 그/그녀의 엄지손가락을 사용할 수도 있다.사용자가 저부(14)로부터 이격하여 지지부(18)를 잡아당길 때, 지지부(18)는 힌지(22) 상에서 또는 둘레에서 피벗한다. 사용자가 지지부(18)를 계속 잡아당김에 따라, 이는 저부(14)로부터 이격하여 원호형으로 계속 이동한다.더 구체적으로, 힌지(22)에서 저부(14)와 지지부(18) 사이의 내각(24)은 거치대(10)의 가변 개방 위치를 규정하는데 사용될 수도 있다. 거치대를 개방하기 위해, 상부(16)의 지지부(18)는 저부(14)에 대해 0도를 갖는 그 폐쇄 위치로부터 0도 초과의 각도를 갖는 위치로 이동된다. 지지부(18)는 힌지(22) 상에서 피벗하여 거치대(10)의 개방 위치가 더 완전히 개방함에 따라 지지부(18)가 저부(14)에 대해 더 큰 크기의 각도의 위치를 통해 이동하게 된다. 거치대(10)의 최대 개방 위치는 지지부(18)가 거치대(10)의 저부(14)에 대해 그 최대 각도(24)에 위치될 때 성취된다. 거치대의 최대 개방 위치는 힌지(22)가 지지부(18)를 거치대(10)의 저부(14)로부터 이격하는 것을 허용하는 양만큼 규정될 수도 있다. 설명된 바와 같이, 각도(24)는 힌지(22)에서 지지부(18)와 저부(14) 사이의 내각이다.도 1은 지지부(18)와 거치대(10)의 저부(14) 사이에 약 90도의 개방 위치에서 예시적인 거치대(10)를 도시한다. 달리 말하면, 상부(16)의 지지부(18)는 이 도면에서 예시적인 거치대(10)의 저부(14)에 일반적으로 수직이다. 다른 실시예는 변형될 수도 있다.지지부(18)가 거치대(10)의 저부(14)로부터 이격하여 들어올려질 때, 저부(14)의 부분(30)은 노출된다. 본 실시예(10)에서, 노출된 저부 부분(30)은 상부(16)의 지지부(18)와 대략 동일한 크기 및 형상이다.설명된 바와 같이, 도 1은 무선 디바이스(12)(음영으로 도시됨)를 지지하는 예시적인 거치대(10)를 도시한다. 특히, 무선 디바이스(12)는 거치대(10)의 노출된 저부 부분(30)과 거치대(10)의 상부(16)의 지지부(18) 사이에 기대도록 위치설정된다.더 구체적으로, 무선 디바이스(12)는 일반적으로 직사각형 형상이다. 무선 디바이스(12)의 배향이 중요하면(소설을 독서하거나 영화를 보기 위한 것과 같이), 무선 디바이스(12)의 2개의 측면은 다른 2개의 측면이 상부와 저부 사이에 배치된 상태로 저부에 대향하는 상부라 칭한다. 무선 디바이스(12)의 기다란 측면은, 무선 디바이스(12)가 도 1에 도시된 것과 같은 가로 모드(landscape mode)에서 견망되면, 각각 상부 및 저부일 수도 있다. 태블릿 컴퓨터(12)의 짧은 측면은, 무선 디바이스(12)가 도 1에 도시된 것과 같은 세로 모드(portrait mode)에서 견망되면, 각각 상부 및 저부일 수도 있다.도 1에 도시된 바와 같이, 사용자는 독서하거나 영화를 시청하거나 다른 활동을 할 때 세로 모드로 무선 디바이스(12)를 지지하도록 거치대(10)를 사용할 수도 있다. 이를 행하기 위해, 사용자는 거치대(10)의 저부 부분(30)을 노출하도록 거치대(10)의 저부(14)로부터 이격하여 예시적인 거치대(10)의 상부(16)의 지지부(18)를 들어올린다. 거치대(10)의 지지부(18)를 잡고 있는 동안, 사용자는 거치대(10)의 노출된 저부 부분(30) 상에 무선 디바이스(12)의 저부의 부분을 위치시킬 수도 있다. 본 예에서, 무선 디바이스(12)의 저부는 거치대(10)의 노출된 저부 부분(30) 상에 중심 설정되지만, 이는 필수적인 것은 아니다. 다른 구성이 가능하다. 또한 본 예에서, 무선 디바이스(12)의 저부는 거치대(10)의 노출된 저부 부분(30)의 외부폭[힌지(22)에 평행함]에 비교적 근접하여 배치된다. 다른 구성은 예를 들어, 사용자가 무선 디바이스(12)가 거치대(10)에 대해 더 수직 자세를 갖는 것을 원하는 경우와 같이, 변형될 수도 있다.예시적인 거치대(10) 상의 무선 디바이스(12)의 연속적인 위치설정이 이제 설명된다. 거치대(10)의 노출된 저부 부분(30) 상의 무선 디바이스(12)의 저부의 위치설정 후에, 사용자는 거치대(10)의 상부(16)의 지지부(18)에 대해 무선 디바이스(12)의 상부를 위치설정할 수도 있다. 이와 같이 하기 위해, 사용자는 거치대(10)의 저부(14)로부터 이격하여 거치대(10)의 상부(16)의 지지부(18)를 계속 유지한다. 한편, 사용자는 거치대(10)의 상부(16)의 지지부(18)를 향해 원호형으로 무선 디바이스(12)의 상부를 이동시킬 수 있다. 실제로, 태블릿 컴퓨터(12)의 상부는 거치대(10)의 상부(16)의 지지부(18)를 향해 태블릿 컴퓨터(12)의 저부 둘레로 피벗한다. 무선 디바이스(12)의 상부가 거치대(10)의 지지부(18)와 만날 때, 사용자는 거치대(10)의 지지부(18)와 무선 디바이스(12)의 모두를 해제할 수도 있다. 무선 디바이스(12)는 거치대(10)의 상부(16)의 지지부(18)에 기대고 그에 의해 지지된다. 도 1에 도시된 예시적인 실시예에서, 거치대(10)의 노출된 저부 부분(30)과 지지부(18) 사이에 기대어 있는 무선 디바이스(12)의 해당 부분은 요소(12, 18, 30)에 의해 형성된 직각 삼각형의 사변(hypotenuse)을 포함한다. 설명된 바와 같이, 도 1에서, 노출된 저부 부분(30)과 상부(16)의 지지부(18) 사이의 각도는 약 90도이다.도 1은 거치대(10)의 지지부(18)가 무선 디바이스(12)의 중앙 후방부 약간 위로 접촉하도록 무선 디바이스(12)가 예시적인 거치대(10)에 대해 위치되는 것을 또한 도시하고 있다. 특히 거치대(10)의 지지부(18)와 거치대(10)의 저부(14) 사이의 각도, 디스플레이된/지지된 물체의 중량, 크기, 형상 및 다른 특성, 거치대(10)의 노출된 저부(30)에 대한 디스플레이된/지지된 물체의 저부의 위치를 포함하는 다양한 인자에 따라 다른 구성이 변형될 수도 있다.예시적인 거치대(10)로부터 무선 디바이스(12)를 제거하기 위해, 사용자는 거치대(10) 상에 무선 디바이스(12)를 위치설정하는 프로세스를 간단히 반전할 수도 있다. 사용자는 거치대(10)로부터 무선 디바이스(12)의 상부를 이동시켜 무선 디바이스(12)가 거치대(10)의 상부(16)의 지지부(18)로부터 분리되게 할 수도 있다. 사용자는 이어서 거치대(10)의 노출된 저부 부분(30)으로부터 무선 디바이스(12)를 들어올릴 수도 있다. 그 결과, 거치대(10)의 상부(16)의 지지부(18)는 거치대(10)의 노출된 저부 부분(30)의 정상부로 그 폐쇄 위치에서 복귀할 수도 있다. 무선 디바이스(12)를 제거하는 다른 방법이 본 실시예에서 가능하다. 다른 실시예는 본 발명의 실시예로부터 물체를 제거 가능하게 하는데 있어서 변형될 수도 있다.도 2도 2는 본 발명의 다른 실시예(40)를 도시한다. 예시적인 거치대(40)는 가로 모드로 태블릿 컴퓨터(42)를 지지하는 것으로서(음영으로 도시됨) 도시되어 있다. 도 1과 관련하여 설명된 예시적인 거치대(10)와 같이, 예시적인 거치대(40)는 일반적으로 라운딩된 코너를 갖는 직사각형이고, 동일한 일반적인 크기 및 형상 및 두께의 2개의 요소: 저부(44) 및 상부(46)로 구성된다. 재차, 이들 요소는 분리될 필요는 없고, 일체로 제조될 수도 있다. 거치대(40)가 그 폐쇄 위치에 있을 때, 상부(46)는 거치대(40)의 저부(44)를 덮는다.예시적인 거치대(40)의 상부(46)는 도 2에 도시된 바와 같이 2개의 부분(48, 50): 지지부(48) 및 부착부(50)를 갖는다. 상부(46)의 2개의 부분(48, 50)은 상부(46)의 재료 내에 취약선(또는 증가된 가요성의 선)(51)에 의해 형성된 힌지(52)에 의해 분리된다.도 2는 지지부(48)와 거치대(40)의 저부(44) 사이에 약 90도의 개방 위치에서 예시적인 거치대(40)를 도시하고 있다. 지지부(48)가 거치대(40)의 저부(44)로부터 이격하여 들어올려질 때, 저부(44)의 부분(60)은 노출된다. 본 실시예(40)에서, 노출된 저부 부분(60)은 상부(46)의 지지부(48)와 대략 동일한 크기 및 형상이다.도 3 및 도 4도 3 및 도 4는 본 발명의 다른 실시예(80)를 도시한다. 예시적인 거치대(80)는 그 폐쇄 위치에서 도 3에, 그리고 그 최대 개방 위치에서 도 4에 도시되어 있다. 이전의 2개의 실시예와 같이, 예시적인 거치대(80)는 신용 카드 크기이고, 라운딩된 코너를 갖는 직사각형 형상이다. 따라서, 거치대(80)는 거치대(80)가 사용중이지 않을 때, 지갑 또는 핸드백 내의 슬롯 내에 용이하게 보관된다. 물론, 다른 실시예가 크기, 형상, 구성 등에 있어서 변형될 수도 있다.예시적인 거치대(80)는 더 많은 부분 또는 요소를 갖는 점에서 이전의 실시예와는 상이하다. 이전의 실시예와 같이, 거치대(80)는 대략 동일한 크기, 형상 및 두께인 저부(84) 및 상부(85)를 갖는다. 그러나, 이전의 실시예와는 달리, 거치대(80)의 상부(85)는 상부 요소(86) 및 정지부(87)를 포함한다. 정지부(87)는 또한 "에지", "레지(ledge)", "스토퍼" 또는 "탭"이라 칭할 수도 있다.특히, 정지부(87)는 거치대(80)의 "디스플레이 단부" 부근에 위치된다. "디스플레이 단부"는 본 명세서에 사용될 때, 디스플레이된 물체가 그 위에서 거치대(80)를 지지하는 표면에 가장 근접하여 놓이는 거치대(80)의 짧은 측면이다. 정지부(87)는 상부(85)의 짧은 측면(또는 폭)만큼 넓지만, 정지부(87)는 상부(85)의 기다란 측면(또는 길이)의 단지 약 10%만큼 길다. 상부 요소(86)는 상부(85)의 영역의 나머지 90%를 구성한다. 도 4와 관련하여 후술되는 바와 같이, 정지부(87)는 본 실시예(80)에서 상부 요소(86)와는 별개의 부분이다. 다른 실시예가 변형될 수도 있다. 예를 들어, 실시예에서 저부, 상부 및 정지부는 일체로 제조될 수도 있다.상부 요소(86)는 지지부(90), 가요성 조인트(92), 및 부착부(94)를 포함한다. 예시적인 거치대(80)에서, 상부 요소(86)는 지지부(90), 가요성 조인트(92), 및 부착부(94)를 포함하도록 일체로 형성된다(단일 부분인 것과 같이).지지부(90)는 거치대(80)가 폐쇄될 때 정지부(87)에 인접하여 배치되는 지지부(90)에 의해 상부(85)의 디스플레이 단부에 가장 근접한 상부 요소(86)의 부분이다. 유리하게는, 정지부(87) 및 지지부(90)는, 지지부(90)가 정지부(87)와의 그 스냅 끼워맞춤 또는 마찰 끼워맞춤으로부터 제거되지 않으면 지지부(90)가 저부(84)에 인접하여 유지되도록("폐쇄됨") 스냅 끼워맞춤 또는 마찰 끼워맞춤식으로 결합될 수도 있다.지지부(90)는 상부(86)[및 정지부(87)]만큼 넓지만, 지지부(90)는 상부 요소(86)의 단지 약 45%만큼 길다. 용어가 암시하는 바와 같이, 상부(85)의 지지부(90)는, 이하에 도 4와 관련하여 더 구체적으로 설명되는 바와 같이, 거치대(80)가 디스플레이 용도로 사용될 때 디스플레이되는 물품 또는 물체를 지지한다. 지지부(90)는 거치대(80)가 폐쇄될 때 거치대(80)의 저부(84) 위에 위치된다. 거치대(80)가 개방될 때, 지지부(90)는 더 후술되는 바와 같이, 저부(84)로부터 이격하여 이동된다. 달리 말하면, 지지부(90)는 저부(84)에 고정 부착되지 않는다.상부 요소(86)의 지지부(90) 옆에는 가요성 조인트(92)가 있다. 가요성 조인트는 상부 요소(86)[및 정지부(87) 및 지지부(90)]만큼 넓지만, 상부 요소(86)의 단지 대략 22%만큼 길다. 상부 요소(86)의 지지부(90)와 같이, 가요성 조인트(92)는 거치대(80)의 저부(84)에 부착되지 않는다.도 3의 실시예에서, 가요성 조인트(92)는 상부(85)의 재료 내에 4개의 균등하게 이격된 눈금선(93a 내지 93d)을 갖는 영역이다. 눈금선(93a 내지 93d)은 서로 그리고 실질적으로 직사각형 상부(85)의 짧은 측면에 일반적으로 평행하게 연장한다. 4개의 눈금선(93a 내지 93d)은 가요성 조인트(92)의 3개의 영역(95a 내지 95c)을 형성한다. 각각의 영역은 상부 요소(86)의 폭이지만, 그 각각은 상부 요소(86)의 길이의 단지 약 7%이다.각각의 눈금선(93a 내지 93d)은 상부 요소(86)가 눈금선 부근에서 약간 굴곡될 수 있게 한다. 눈금선(93a 내지 93d)은 지지부(90)가 폐쇄 위치로부터 가변 개방 위치를 통해 거치대(80)의 최대 개방 위치로 이동할 수 있게 한다. 지지부(90)의 폐쇄 위치는 전술된 바와 같이, 거치대(80)의 저부(84)에 평행하고 그 위에 놓인다. 거치대(80)를 개방 또는 지지 위치로 이동시키기 위해, 사용자는 거치대(80)의 저부(84)로부터 이격하여 상부 요소(86)의 지지부(90)를 잡아당길 수도 있다. 사용자는 거치대(80)의 저부(84)로부터 이격하여 상부 요소(86)의 지지부(90)의 들어올림을 성취하는 임의의 방식으로 지지부(90)를 잡아당길 수도 있다. 사용자가 거치대(80)의 저부(84)로부터 이격하여 지지부(90)를 계속 잡아당김에 따라, 각각의 눈금선(93a 내지 93d)은 지지부(90)에 가장 근접한 눈금선(93a)에서 시작하여 약간 굴곡하기 시작한다. 거치대(80)를 개방 위치로 이동할 때에, 사용자는 상부 요소(86)의 지지부(90)에 추가하여 거치대(80)의 저부(84)로부터 이격하여 일부 또는 전체 가요성 조인트(92)를 잡아당길 수도 있다. 4개의 눈금선(93a 내지 93d)의 누적 효과는 거치대(80)의 상부 요소(86)의 지지부(90)와 부착부(94) 사이에 약 80도(내각)의 최대 개방 위치를 허용하는 것이다. 다른 실시예는 변형될 수도 있다. 유리하게는, 예시적인 거치대(80)의 지지부(90)와 부착부(94) 사이의 각도는 상이한 물체, 상이한 견망각, 물체의 상이한 배향 등을 수용하기 위해 변형되도록 제조될 수도 있다.거치대(80)를 계속 참조하면, 상부 요소(86)의 가요성 조인트(92)의 옆에는 부착부(94)가 있다. 부착부는 상부 요소(86)[및 정지부(87), 지지부(90), 및 가요성 조인트(92)]만큼 넓지만, 상부 요소(86)의 단지 약 33%만큼 길다. 용어가 암시하는 바와 같이, 상부 요소(86)의 부착부(94)는 거치대(80)의 저부(84)에 부착된다. 상부 요소(86)의 부착부(94)는 거치대(80)가 개방 위치에 있건 또는 폐쇄 위치에 있건간에 예시적인 거치대(80)의 저부(84)에 부착 유지된다.전술된 바와 같이, 예시적인 거치대(80)는 적어도 더 많은 요소를 가짐으로써 이전의 실시예(10, 40)와는 상이하다. 바로 이전의 단락에서 이미 제시되어 있는 것들에 추가하여, 예시적인 거치대(80)는 2개의 라이너(88, 89)의 층을 포함한다. 라이너(88)는 상부에 놓이고 정지부(87)에 의해 덮여지지 않은 저부(84)의 내부의 부분에 부착된다. 다른 라이너(89)는 상부 요소(86) 아래에 놓이고 그에 부착된다. 따라서, 라이너(88, 89)는 대략 크기 및 형상이 동일하다. 게다가, 라이너(88, 89)는 비교적 얇은 두께가 대략 동일하다. 각각의 라이너(88, 89)는 하나의 부분일 수도 있고, 또는 함께 조립된 개별 부분일 수도 있다.유리하게는, 라이너(88, 89)는 약간 "점성"이고 그리고/또는 비-슬립 특성을 갖는다. 라이너(88, 89)의 점성 및/또는 비-슬립 특성은 거치대(80)에 의해 지지되고/디스플레이되는 물체의 더 양호한 파지를 허용할 수도 있다. 또한, 라이너(88, 89)는 거치대(80)의 저부(84)로부터 지지부(90)를 들어올리는 것을 간섭할만큼 점성이지는 않다. 라이너(88, 89)의 점성은 거치대(80)가 사용중이지 않을 때 폐쇄 유지되는 것을 더 양호하게 허용할 수도 있다.라이너(88, 89)의 다른 장점은 이들 중 하나 또는 모두가 장식될 수도 있다는 것이다. 예를 들어, 라이너(88, 89)의 하나 또는 모두는 거치대의 나머지 요소 및/또는 서로와는 상이한 컬러(들)일 수도 있다. 장식은 텍스처, 그래픽, 사진, 심벌, 표현 등과 같은 컬러 이외의 무언가일 수도 있다. 장식은 광고, 상표, 로고 등을 포함할 수도 있다. 장식은 또한 거치대(80)의 사용, 안전 정보, 오늘의 명언, 찬양글, 시, 인용구 등과 같은 정보를 전달하는 것이 꾸밈보다 "우선"할 수도 있다. 본 발명의 실시예에서, 하나 또는 양 라이너(88, 89)는 사용자가 소거 가능하거나 소거 가능하지 않은 마크를 표시할 수도 있는 재료로 제조될 수도 있다. 예를 들어, 사용자는 라이너(88, 89) 상에 그/그녀의 패스워드를 어리석게 기록할 수도 있다.예시적인 거치대(80)는 그 최대 개방 위치에서 도 4에 도시되어 있다. 이 위치에서, 상부 요소(86)의 지지부(90)는 거치대(80)의 저부(84)로부터 이격하여 잡아당겨진다. 지지부(90)가 저부(84)로부터 이격하여 잡아당겨질 때, 가요성 부분(92)은 지지부(90)를 저부(84)로부터 이격하여 원호형으로 피벗하여 이동하게 할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 상부 요소(86)의 지지부(90)에 가장 근접한 가요성 부분(92)의 부분은 마찬가지로 저부(84)로부터 이격하여 이동할 수도 있다. 도 4에 도시된 거치대(80)의 최대 개방 위치에서, 지지부(90)와 부착부(94) 사이에 형성된 내각은 약 80도이다.도 4에 도시된 거치대(80)의 개방 위치는 라이너(88, 89)의 견망을 허용한다. 설명된 바와 같이, 라이너(88)는 거치대(80)의 저부(84)의 상부 내부 위에 배치되고 부착된다. 라이너(89)는 상부 요소(86)의 내부 저부에 부착된다.도 4는 거치대(80)의 저부(84)와 정지부(87) 사이의 관계를 또한 도시한다. 전술된 바와 같이, 정지부(87)는 저부(84) 정상부에서 거치대(80)의 "디스플레이 단부" 위에 배치된다. 예시적인 거치대(80)에서, 정지부(87) 및 저부(84)는 동일한 재료로 일체로(단일편으로) 형성된다.거치대(80)가 사용중일 때, 정지부(87)는 그 이름값을 한다. 사용자는 저부(84)로부터 이격하여 지지부(90)를 잡아당김으로써 거치대(80)를 개방하고, 이어서 디스플레이될/지지될 물체를 후방 라이너(88) 상에, 그러나 정지부(87)의 내부에 위치시킬 수도 있다. 달리 말하면, 정지부(87)는 물체의 저부 에지 또는 지점이 전체적으로 또는 부분적으로 놓일 수도 있는 레지 또는 립(lip)으로서 역할을 한다. 물체를 적소에 놓이게 함으로써, 정지부(87)는 거치대(80) 상에 물체를 지지하는 것을 보조한다. 정지부(87)는 거치대(80)의 물체가 저부(84)로부터 미끄러져 이탈하는 것을 "정지"시킨다.도 5a 및 도 5b도 5a 및 도 5b는 무선 디바이스(102)를 지지하는 예시적인 거치대(100)를 도시하는 사진이다. 도 5a는 무선 디바이스(102)를 세로 모드 자세로 지지하는 개방 위치에서 예시적인 거치대(100)의 측면 정면 사시도를 도시하는 사진이다. 도 5b는 무선 디바이스(102)를 가로 모드 자세로 지지하는 개방 위치에서 예시적인 거치대(100)의 정면도를 도시하는 사진이다.도 5a는 무선 디바이스(102)의 나머지가 그 저부측으로부터 이격하여 후방으로 기대는 동안 거치대(100)의 저부(104) 상에 배치된 무선 디바이스(102)의 저부측을 도시한다. 무선 디바이스(102)는 그 개방 위치들 중 하나에서 거치대(100)의 상부(106)에 의해 지지된다. 거치대(100)의 상부(106)는 지지부(108), 가요성 조인트(110), 및 부착부(112)를 포함한다. 예시적인 거치대(100)는 실시예(80) 및 도 3 및 도 4와 연계하여 전술된 정지부(87)와 같은 정지부를 포함하지 않는다. 도 5a 및 도 5b에 도시된 양 예에서, 무선 디바이스(102)의 저부는 거치대(100)의 "디스플레이 단부"에 대응하는 저부(104)의 에지로부터 약간 후방에 위치된다. 이는 그에 부착된 상부를 갖지 않는 저부(104)의 에지이다. 따라서, 무선 디바이스(102)의 저부의 전방에 가시화되는 저부(104)의 작은 영역(114)이 존재한다.도 5a 및 도 5b에 도시된 실시예(100)에서, 상부(106)에 부착되지 않은 거치대(100)의 저부(104)는 그 위에 배치된 전술된 것과 같은 라이너(114)를 갖는다. 무선 유닛(102)은 거치대(100)와 함께 라이너(114)의 사용에 의해 디스플레이 위치에서 적소에 더 양호하게 유지될 수도 있다.도 6도 6은 본 발명의 다른 실시예(120)를 도시한다. 거치대(120)는 그 폐쇄 위치에 도시되어 있다. 실시예(120)는 몇 개의 예외를 갖고 도 3 및 도 4에 도시된 실시예(80)와 유사하다. 실시예(80)와 같이, 거치대(120)는 거치대(120)의 저부(124) 상에 배치된 스토퍼(122)를 포함한다. 그러나, 거치대(120) 내의 스토퍼(122)는 거치대(80)의 스토퍼(87)와는 상이하게 구성된다. 스토퍼(122)는 직사각형 박스보다는 "수로(canal)"과 유사하다. 스토퍼(122)는 "U" 형상인 단면을 갖는다. 수로 또는 U 형상 스토퍼(122)는 거치대(120) 내에 사용된 재료를 감소시켜 이에 의해 거치대(120)의 제조 비용 뿐만 아니라 전체 중량을 감소시키는 것과 같은 장점을 제공할 수도 있다. 수로 또는 U형 스토퍼(122)는 몇몇 실시예에서 거치대(120)에 의해 지지된 무선 디바이스 및/또는 다른 물체와 함께 사용을 위해 스타일러스(및/또는 다른 물품)를 유지하는데 사용될 수도 있다. 몇몇 실시예에서, 스토퍼(122)는 직립형 립(도 7b 또한 참조)을 포함한다.예시적인 거치대(120)가 전술된 것들과는 상이한 다른 방식은 거치대(120)가 배터리 충전기(126)를 포함한다는 것이다. 본 실시예예서, 배터리 충전기(126)는 거치대(120)의 부가 요소이다. 배터리 충전기(126)는 거치대(120)의 저부의 하부측에 고정될 수도 있다(해제 가능하거나 불가능하게). 배터리 충전기(126)는 거치대(120)의 저부와 대략 길이 및 폭이 동일하다. 배터리 충전기(126)는 얇고 경량이다. 다른 실시예가 변형될 수도 있다. 예를 들어, 상업적으로 입수 가능한 배터리 충전기가 본 발명에 따른 거치대와 함께 사용될 수도 있다. 이러한 상업적으로 입수 가능한 배터리 충전기는 뉴욕 10011 뉴욕 14번가 47W 4층의 Triple C에 의해 판매되는 Power CardTM일 수도 있다. 상응하는 배터리 충전기가 본 발명의 다른 실시예에서 사용될 수도 있다.도 6은 디스플레이된 물체에 배터리 충전기(126)를 접속하는데 사용될 수도 있는 플러그 및/또는 다른 커넥터를 도시하고 있지 않다. 몇몇 실시예에서, 이러한 플러그 및/또는 커넥터는 불필요할 수도 있다. 예를 들어, 본 발명에 따른 예시적인 거치대는 자기 공명의 원리에 따라 작동하는 것들과 같은 무선인 배터리 충전기와 함께 사용될 수도 있다. 무선 충전 디바이스의 예는 뉴질랜드 오클랜드 1011 프리먼스 베이 43 칼리지 힐 레벨 4의 PowerbyProxi, Ltd.로부터 입수 가능한 Proxi-2D Resonant Charging Pad이다.다른 실시예에서, 배터리 충전기는 거치대의 저부(및/또는 다른 요소)의 부분으로서 포함될 수도 있다. 달리 말하면, 이들 다른 실시예에서 배터리 충전기는 다른 거치대(및/또는 거치대의 다른 요소)의 저부 내부에 있을 수도 있다.본 명세서에 사용될 때, 용어 "배터리 충전기"는 예시적인 거치대에 의해 지지될 물체가 그 자신의 배터리를 가질 수도 있다는 것을 가정하기 때문에 사용된다. 다른 한편으로, 본 발명에 따른 예시적인 거치대는 지지될 물체용 배터리 및/또는 지지될 물체와 연계된 배터리용 부가의 또는 백업 배터리를 구비할 수도 있다.도 7a 및 도 7b도 7a 및 도 7b는 도 6과 관련하여 먼저 설명된, 그러나 배터리 충전기(126)가 없는 예시적인 거치대(120)의 상부(121) 및 저부(124)의 개략도이다.도 7a는 2.933 인치가 되도록 상부(121)의 길이를 도시하고 있다. 상부(121)의 두께는 0.055 인치이다. 상부(121)는 저부에 연결되지 않은 상부(121)의 하부측의 부분 상에 배치된 1.916 인치의 라이너(128)를 포함한다. 다른 실시예는 상부의 길이 및 폭으로 연장하는 라이너(131)를 가질 수도 있다. 상부(121)는 4개의 눈금 마크(130a, 130b, 130c, 130d)를 또한 포함한다. 이들 마크는 각각 0.080 인치 폭이다. 이들 마크는 이들의 폭의 0.080 인치보다 약간 긴 거리만큼 서로로부터 이격된다. 마크(130a, 130b, 130c, 130d)는 본 실시예에서 거치대(120)의 상부(121)의 대략 중간부에 배치된다.도 7b는 스토퍼(124)를 포함하여 3.350 인치, 스토퍼(124) 없이 3.000 인치가 되도록 저부(122)의 길이를 도시하고 있다. 저부(122)의 두께는 0.055 인치로 상부(121)와 동일하다. 스토퍼(124)의 벽의 높이는 0.150 인치이다. 수로형 스토퍼(122) 내의 "U"의 저부는 수로 없는 저부의 두께와 동일한 또는 0.055 인치의 두께를 갖는다. 저부(124)는 상부(121)에 연결되지 않은 저부(124)의 부분 상에서 저부(124)의 상부 위에 위치된 라이너(132)를 포함한다.예시적인 패스 카드 실시예 - 도 8전술된 본 발명의 실시예는 일반적으로 그 기능이 전술된 바와 같이 물체를 디스플레이/지지하는데 전용인(배터리 및/또는 배터리 충전기와 함께 사용되는 것으로서 설명된 실시예는 제외함) 자립형 디바이스로서 사용될 수도 있다. 그러나, 본 발명의 대안적인 실시예는 단지 물체를 디스플레이/지지하는 것 이외의 하나 이상의 부가의 기능을 가질 수도 있다.도 8은 패스 카드와 함께 또는 패스 카드로서 본 발명에 따른 거치대의 기능성을 포함하는 본 발명의 실시예의 장치(140)의 3개의 도면을 제공한다. 용어 "패스 카드"는 이들에 한정되는 것은 아니지만, 액세스 제어 카드, 사원 신분 뱃지, 데이터, 카드, 보안 패스 카드 등을 포함하는 본 발명의 거치대 기능과 조합될 수도 있는 다른 유형의 카드 또는 뱃지를 또한 커버하도록 본 명세서에 사용된다. 이러한 패스 카드는 패스 카드를 사용하거나 사용하지 않는 사람에 대한 데이터를 제공할 수도 있다.패스 카드는 종종 패스 카드가 목줄로 착용될 수도 있거나 또는 사용자에 의해 편리하게 착용되거나 휴대될 수도 있도록 일 단부에 개구를 포함한다. 예시적인 장치(140)에서, 개구(142)는 장치(140)의 일 단부 부근에 제공되어 있다. 개구(142)는 장치(140)가 물체용 거치대로서 기능하도록 개방될 수도 있는 단부에 대향하는 단부에 근접하여 중심 설정된 것으로서 제공되어 있다. 개구(142)는 개구(142)의 장축이 장치(140)의 단부에 일반적으로 평행한 장방형 또는 평탄화된 타원이다. 개구(142)의 모든(또는 선택) 이들 특성은 다른 실시예에서 변형되도록 이루어질 수도 있다. 더욱이, 대안적인 실시예는 개구를 포함하지 않거나, 하나 초과의 개구를 포함할 수도 있다.도 8은 장치(140)의 상부(144), 및 저부(146)를 도시하는 실시예를 포함한다. 상부(144)는 패스 카드(140)가 관련하는 비즈니스 또는 이벤트의 명칭이 마킹되어 있다. 장치(140)의 후면부(146)는 장치(140)의 사용자에 관한 정보가 마킹되어 있다. 상부(144) 및 저부(146)는 다른 실시예에서, 다른 방식으로 장식되거나 또는 이들 상에 제공된 다른 또는 부가의 정보를 가질 수도 있다. 대안적으로, 사용자는 상부(144) 및/또는 저부(146) 상에 정보를 추가할 수도 있고, 이러한 추가된 정보는 소거 가능하고, 제거 가능하거나, 그렇지 않을 수도 있다.도 8은 통상의 패스 카드(148)와 장치(140) 사이의 비교를 또한 도시한다. 양자 모두는 관찰자가 각각의 디바이스(140, 148)의 상대 두께를 비교할 수 있게 하는 실질적으로 수평 자세로 도시되어 있다. 장치(140)는 통상의 패스 카드(148)보다 단지 약간 두껍다. 장치(140)는 패스 카드를 제조하는데 통상적으로 사용되는 것(들)과 동일한 재료(들)로 제조될 수도 있다(전체적으로 또는 부분적으로).유리하게는, 장치(140)의 사용자는 단지 통상의 패스 카드(148)로서 기능하는 것만은 아닌 디바이스를 갖는다. 장치(140)는 사용자가 핸즈프리식으로 작동하는 것을 허용하는 이러한 방식으로 물체를 지지/디스플레이하는데 사용될 수도 있다.예시적인 신용 카드 실시예 - 도 9a 및 도 9b도 9a 및 도 9b는 신용 카드의 기능을 포함하는 본 발명의 실시예(150)의 장치(150)의 2개의 도면을 각각 제공한다. 용어 "신용 카드"는 이들에 한정되는 것은 아니지만, 직불 카드, 현금 카드, 건강 보험 계좌 카드 등을 포함하는 본 발명의 거치대 기능성과 조합할 수도 있는 다른 유형의 디바이스를 또한 커버하도록 본 명세서에 사용된다. 장치(150)는 신용 카드와 동일한 재료로 제조될 수도 있다.도 9a는 신용 카드의 통상의 후면부로서 기능하는 그 "하부측" 또는 저부(154)를 도시하는 실시예(150)를 도시하고 있다. 이 저부는 통상의 신용 카드의 후면부에 존재할 수도 있는 것과 같은 자기 스트립(156)(또는 "스트라이프")을 포함한다. 자기 스트립(156)은 플라스틱 필름과 소형 자화된 금속 입자의 혼합물로부터 제조될 수도 있다. 이들은 데이터가 신용 카드 상에 저장되고 정확하게 변경될 수 있게 한다. 통상적으로, 자기 스트립 상에 3개의 정보 트랙이 존재한다. 통상의 신용 카드의 후면부 상에 일반적으로 포함된 다른 정보는 도 9a에 도시되어 있지 않다. 그러나, 이러한 정보는 장치(150)와 같은 실시예에 포함될 수도 있다.도 9b는 이전의 실시예(10, 80, 90, 120)와 관련하여 전술된 바와 같은, 물체를 지지하거나 디스플레이하는데 사용될 수도 있는 바와 같이 개방 위치에서 실시예(150)를 도시하고 있다. 실시예(150)의 상부(152)의 부분(153)은 저부(154)로부터 이격하여 잡아당겨진다. 부분(153)이 그 폐쇄 위치로 복귀하도록 허용되면, 관찰자는 장치(150)의 상부(152)가 통상적으로 신용 카드의 "정면부" 상에 포함되는 정보(도 9b에는 도시되어 있지 않음)를 포함하는 것을 볼 수 있다. 예를 들어, 장치(150)의 상부(152)는 사용자의 명칭, 신용 카드 번호, 만기일, 보안 홀로그래프 등을 포함할 수도 있다.본 발명은 또한 "무접촉식 신용 카드"의 기능성을 포함할 수도 있는 장치(도 9a 및 도 9b에는 도시되어 있지 않음) 내에 구체화될 수도 있다. 장치는 소정 거리로부터 스캔될 수 있는 무선 주파수 식별 칩(radio frequency identification chip: RFID)을 포함할 수도 있다. 장치는 무선파를 거쳐 리더와 신용 카드 정보를 교환할 수도 있다.유리하게는, 장치(150)의 사용자는 단지 통상의 신용 카드로서 기능하는 것만은 아닌 디바이스를 갖는다. 장치(150)는 사용자가 핸즈프리식으로 작동하는 것을 허용하는 이러한 방식으로 물체를 지지/디스플레이하는데 사용될 수도 있다.플래시 드라이브 실시예 - 도 10본 발명은 플래시 드라이브와 함께 사용될 수도 있고 또는 플래시 드라이브를 포함할 수도 있다. 도 10은 플래시 드라이브의 기능성을 포함하는 본 발명의 실시예의 5개의 예(160a 내지 160e)를 제공한다. 용어 "플래시 드라이브"는 이들에 한정되는 것은 아니지만, 점프 드라이브, USB 플래시 드라이브, 또는 범용 직렬 버스 드라이브를 포함하는 본 발명의 거치대 기능성과 조합될 수도 있는 다른 유형의 디바이스를 또한 커버하도록 본 명세서에 사용된다. 플래시 드라이브는 일체형 범용 직렬 버스(USB) 인터페이스를 갖는 플래시 메모리를 포함하는 데이터 저장 디바이스이다. 플래시 드라이브는 일반적으로 이동식 및 재기록형이다.각각의 예(160a 내지 160e)는 그 저부 관점으로부터 도시되어 있다. 또한, 각각의 예(160a 내지 160e)는 예(162a 내지 162e)의 나머지에 비교할 때, 개방 위치(162a, 162e) 또는 폐쇄 위치(162b 내지 162d)에서 플래시 드라이브(162a 내지 162e)를 포함한다. 플래시 드라이브(162a 내지 162e)는 이들의 개방 위치에서 사용된다.특히, 각각의 예(160a 내지 160e)는 전술된 실시예(10, 80, 90, 120) 중 하나와 유사하게 구성된다. 따라서, 각각의 예(160a 내지 160e)는 일반적으로 신용 카드 크기이고, 일반적으로 라운딩된 코너를 갖는 직사각형이다. 각각의 예(160a 내지 160e)는 2개의 짧은 단부를 갖는데, 이들 단부 중 하나는 예(160a 내지 160e)가 사용될 때 기부로서 기능하고 다른 짧은 단부는 상단부이다. 물체를 위한 거치대로서 사용될 때, 각각의 예(160a 내지 160e)는 그 기부 상에 거치된다. 예(160a 내지 160e)의 상부의 부분(도 10에는 도시되어 있지 않음)은 예(160a 내지 160e)의 지지부로서 기능하도록 기부 부근으로부터 이격하여 원호형으로 이동된다[실시예(10, 80, 90, 120)와 관련하여 전술된 바와 같이].예(160a 내지 160e)에 의해 도시된 실시예에서, 플래시 드라이브(162a 내지 162e)는 예의 기부의 중심 둘레로부터 각각의 예(160a 내지 160e) 내로 제거 가능하게 끼워지도록 제조된다. 도 10의 플래시 드라이브(162a 내지 162e)는 모두 일반적으로 직사각형이지만, 비교적 얇다[예(160a 내지 160e)의 두께보다 약간 얇음]. 플래시 드라이브(162a 내지 162e)의 직사각형 형상을 수용하기 위해, 단지 더 대형 크기의 직사각형 크기가 각각의 예(160a 내지 160e)의 기부에 형성된다. 이들 예(160a 내지 160e)에서, 직사각형 개구는 예(160a 내지 160e)의 기다란 측면에 평행한 기다란 측면을 갖는다. 플래시 드라이브(162a 내지 162e)는 예(160a 내지 160e)의 내부 내로 스냅 끼워맞춤되거나 다른 방식으로 보유될 수도 있다. 플래시 드라이브(162a 내지 162e)는 사용자의 손가락(들) 또는 엄지손가락(들)에 의한 잡아당김 모션 또는 다른 방식에 의해 이들의 각각의 개구로부터 사용을 위해 후퇴될 수도 있다. 플래시 드라이브(162a 내지 162e)는 각각의 예(160a 내지 160e)로부터 줄곧 잡아당겨져서 플래시 드라이브(162a 내지 162e)가 예(160a 내지 160e)와 접촉하지 않게 될 수도 있다.대안적인 예[도시되지는 않았지만 예(160a 내지 160e)에 상응함]에서, 2개의 바아가 플래시 드라이브를 위한 직사각형 개구의 기부 단부에 수직으로 걸쳐 있다. 2개의 평행한 바아는 그 사이에 공간을 갖고 서로 상부/하부에 있다. 2개의 평행한 바아는 일반적으로 대안적인 예의 짧은 측면과 평행하다. 2개의 평행한 바아는 플래시 드라이브가 직사각형 개구 내로 그리고 바아들 사이로 통과할 수도 있도록 서로로부터 충분하게(두께에 있어서) 이격된다. 이들 바아는 플래시 드라이브의 삽입을 위한 가이드를 제공할 수도 있다.다른 대안적인 예(도시 생략)는 플래시 드라이브의 완전한 후퇴를 중지하기 위한 특징부를 포함할 수도 있다. 이 특징부는 충분한 플래시 드라이브가 예로부터 제거되어 플래시 드라이브가 그 의도된 용도로 사용될 수도 있게 할 때 플래시 드라이브의 후퇴를 중지할 수도 있다. 예로부터 플래시 드라이브의 완전한 분리를 방지하기 위한 이러한 특징부의 사용의 장점은, 플래시 드라이브가 그로부터 분리되기보다는 예에 여전히 부착되어 있으면 사용자가 플래시 드라이브를 분실하거나 오배치하는 가능성이 적을 수도 있다는 것이다. 플래시 드라이브와 예의 조합은 단지 플래시 드라이브보다 더 대형의 덜 간과된 물체에 이바지한다.플래시 드라이브(162a 내지 162e)의 길이를 수용하기 위해, 예(160a 내지 160e)는 예(160a 내지 160e)의 상부의 각각의 상부 부분의 크기의 견지에서 실시예(10, 80, 90, 120)와는 상이하게 구성될 수도 있다. 상부 또는 상부 부분은 물체를 지지하거나 디스플레이하기 위해 저부에 대한 지지 위치로 예의 저부로부터 "박리 제거되거나" 또는 들어올려지는 예(160a 내지 160e)의 상부의 부분이다. 예(160a 내지 160e)의 상부 부분은 예(160a 내지 160e)가 신용 카드 크기이면 다른 실시예(10, 80, 90, 120)에 비교할 때 길이가 더 작을 수도 있다. 상부 부분은 각각의 플래시 드라이브(162a 내지 162e)의 길이를 수용하기 위해 더 소형이다. 대안적으로, 플래시 드라이브(162a 내지 162e)는 예(160a 내지 160e)의 기부에 대향하여, 즉 상부에(기부에 대향하는 짧은 단부) 위치될 수도 있다.다른 대안으로서, 예(160a 내지 160e)의 실시예는 플래시 드라이브를 수용하기에 충분히 두껍게 구성될 수도 있고, 또한 다른 실시예(10, 80, 90, 120)만큼 긴(또는 대안적인 실시예가 신용 카드로서 다른 방식으로 치수 설정되면, 이들만큼 비례적으로 긴) 상부 부분을 갖는다. 예(160a 내지 160e)의 이 대안적인 실시예에서, 플래시 드라이브용 개구는 예(160a 내지 160e)의 중공부일 수도 있다. 달리 말하면, 플래시 드라이브는 사용중이지 않을 때 대안적인 예(160a 내지 160e) 내부에 완전히 수용될 수도 있다.또 다른 디자인 변경으로서, 예(160a 내지 160e)의 플래시 드라이브용 개구는 플래시 드라이브의 일 측면을 견망하지만 다른 측면은 견망하지 않는 것을 허용할 수도 있다. 플래시 드라이브는 그 상부로부터보다는, 예(160a 내지 160e)의 디자인 변경된 실시예의 저면도로부터 볼 수도 있다. 상부는 임의의 개구 없이 완전하고, 플래시 드라이브와 관련하지 않고 어떠한 크기라도 상부 내의 지지부를 허용한다.또한, 도 10에서, 예(160a 내지 160e)는 본 발명의 실시예(10, 80, 90, 120)와 관련하여 전술된 또는 가능한 특징부를 도시하고 있다. 예(160a 내지 160e)는 회사명을 각각 구비한다. 달리 말하면, 예(160a 내지 160e)는 회사를 각각 광고한다. 따라서, 유리하게는, 예(160a 내지 160e)는 3방향 기능성: (1) 사용자 핸즈프리 작동을 허용하는 물체용 거치대; (2) 플래시 드라이브용 하우징; 및 (3) 광고를 위한 매개체로서의 기능성을 제공한다. 본 발명의 다른 실시예는 다수의 방식 중 하나 이상으로 본 명세서에 설명된 하나 이상의 다른 특징부 및 특성의 기능성을 조합할 수도 있다.기타상기 실시예는 단일의 물체를 지지하고 그리고/또는 디스플레이하는 것으로서 설명되었다. 이들 동일한 실시예는 물체의 크기 및 실시예의 크기에 기초하여 하나 초과의 물체를 지지하고 그리고/또는 디스플레이할 수도 있다. 다른 실시예는 단지 단일의 물체만을 지지하고/디스플레이하는 것에 제한될 수도 있고 또는 하나 초과의 물체를 지지하고/디스플레이하도록 구성될 수도 있다.컬러, 패턴, 꾸밈, 텍스처 등이 다른 부분으로부터 본 발명의 부분을 구별하는데 사용될 수도 있다. 예를 들어, 예시적인 거치대(10)의 상부(16)는 거치대(10)의 저부(14)와는 상이한 컬러일 수도 있다. 컬러의 차이는 거치대(10) 내의 개구에 보조부로서 기능할 수도 있다. 예를 들어, 거치대(10)는 모두 하나의 컬러인 것으로 가정한다. 거치대(10)의 상대 두께가 주어지면, 상부 및 저부가 서로로부터 즉시 분간 가능하지 않으면 개방하는 것이 다소 더 어려울 수도 있다. 상이한 각각의 컬러는 사용자가 2색 거치대의 저부로부터 상부를 즉시 잡아당길 수 있게 할 수도 있다.결론본 발명의 예시적인 실시예는 통상의 기술자들이 고려되는 특정 사용에 적합한 바와 같은 다양한 실시예 및 다양한 변형예를 포함하여 본 발명을 이용하는 것을 가능하게 하기 위해 본 발명의 원리 및 그 실용적인 용례를 설명하기 위해 선택되고 전술되었다. 본 명세서에 제공된 예는 본 발명의 한정으로서 의도된 것은 아니다. 예를 들어, 본 명세서의 다수의 예는 무선 디바이스를 갖는 실시예의 사용을 언급하고 있다. 다른 유형의 장치, 디바이스, 품목, 방법, 및/또는 시스템과 함께 사용이 적절할 수도 있다. 다른 실시예가 통상의 기술자들에게 고려될 것이다. 따라서, 본 발명의 범주는 이하의 청구범위에 의해서만 한정되어야 한다.
물체를 지지하기 위한 장치는 저부 상에 놓인 상부를 포함한다. 상부의 부분은 저부에 부착된다. 상부의 미부착부는 상부의 부착부의 바로 옆에 하나 이상의 눈금선과 같은 가요성 조인트를 포함한다. 상부의 미부착부는 저부에 대해 003e#0° 및 003c#180°의 각도를 갖는 선택적으로 가변 위치로 저부 상에 놓인 위치로부터 들어올려진다. 저부는 상부의 미부착부에 가장 근접한 그 단부에 정지부를 가질 수 있다. 지지될 물체는 장치의 저부 상에 배치되고 그 개방 위치에서 미부착 상부에 대해 기댄진다. 물체는 정지부에 의해 저부로부터 미끄러져 이탈하는 것이 방지된다. 따라서, 물체가 지지된다. 장치는 신용 카드 크기일 수도 있고, 배터리 충전기 및/또는 데이터 저장 디바이스를 포함할 수도 있다.
[ 발명의 명칭 ] 호환성을 가지는 소형 곡율반경 단일 모드 광섬유SMALL BENDING RADIUS SINGLE-MODE OPTICAL FIBER WITH COMPATIBILITY [ 기술분야 ] 본 발명은 단일 모드 광섬유 분야에 관한 것으로서 특히, 호환성을 가지는 소형 곡율반경 단일 모드 광섬유에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 현재 통신망의 구축은 FTTH와 ODN기술의 급속한 발전을 이끌어가고 이 두 방식은 광섬유의 내굽힘성에 대해 요구가 높다. 광섬유가 굽힘 상태에서 광신호가 약해지는데 이는 광섬유가 밴딩 후 일부 전력의 광이 누설되며 이런 누설된 광이 코팅 재료 등에 의해 흡수된 후 발열된다. 연구에 의하면 일반 G.652D 단일 모드 광섬유로 제작된 UTP는 그 반경이 15mm 조건에서 장기간 작동되면 지속 발열에 의해 두 연결부 사이가 파손되어 많은 손실이 발생되며 복귀 불가능한 손해가 발생된다. ODN에서 결선박스내의 대량의 광섬유 굽힘에 대해 광섬유 굽힘에 따른 광전력 누설에의한 발열은 ODN의 통신에 대한 막대한 영향을 미친다. 광섬유의 내굽힘성의 향상은 광신호 전송의 고품질을 확보할 뿐만 아니라 그 소재 통신 시스템 전체 발열량을 줄일 수 있으며 이 시스템의 전체 성능을 향상시킬 수 있다. 세계 각선진 광섬유 기업은 통신망의 핫스팟 기술 ODN기술이 초고 내굽힘 광섬유 기술 관련 수요에 대해 연구하고 있다. 중국의 광섬유 기업은 현재 주로 ITUT-G.657에 필요한 굽힘 반경 10mm 또는 더욱 작은 G.657B2/3과 같은 굽힘 반경 단일 모드 광섬유에 주로 집중 연구하고 있다. 단, ODN기술은 광섬유망과 3G망의 구축을 위해 그 공간에 대해 일정한 요구 사항이 존재하기 때문에 극히 작은 배선함 내에 대량의 설비를 배치해야 하는데 이 때 설비간의 고속, 고대역폭 통신 연결의 광섬유의 공간이 더욱 작으며 광섬유의 굽힘 성능에 대해 요구가 더욱 높으며 더욱 많은 응용에서 굽힘 반경은 3mm 내지 2mm 미만을 확보해야 한다. 동시에 이런 초고 내굽힘 단일 모드는 일반 단일 모드 광섬유 대비 우수한 호환성을 가져야 하며 이 두 광섬유간의 용접 손실은 일정한 작은 범위를 벗어나서는 안된다. FTTH에 대해 이에 사용한 광섬유는 사실은 두 개 핵심적인 특성이 필요하다. 첫째는 내굽힘성인데 즉, 소굽힘 반경을 통한 광신호 전송의 저손실이다. 이는 이런 광섬유의 극본 특성이다. 둘째는 일반 G.652광섬유와 일정한 호환성을 가져야 한다. 왜냐하면 기간망, 도시통신망 심지어 접속망의 선단에는 대량의 매립된 광섬유가 대부분은 G.652광섬유로서 만일 광섬유 댁내로 들어오는 부분이 그 호환성이 약하면 우수한 굽힘성을 가져도 일반 G.652광섬유와 용접시의 손실이 커져 광신호가 연결부위에서 대량 손실되어 광 이득이 별도로 필요되거나 댁내로 들어오는 부위에 아예 G.652광섬유를 사용하는 것이 더 낫다. 따라서, 현재 내굽힘 광섬유가 있어도 그 이런 광섬유가 G.652와의 호환성이 약해 FTTH시장에서 대량을 사용하지 못한다. [ 발명의 개요 ] 종래의 기술에 존재하는 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 호환성을 가지는 소형 곡율반경 단일 모드 광섬유를 제공하며 곡율반경이 2mm 미만되는 초고 내굽힘성을 구현하는 동시에 일반 단일 모드 광섬유의 우수한 호환성을 구현한다.상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 호환성을 가지는 소형 곡율반경 단일 모드 광섬유는 동심 설정된 코어 변화층, 게르마늄 침투 코어층, 내부로부터 외부로 동심 설정된 제1피복층, 제2피복층, 제3피복층을 포함하며, 상기 게르마늄 침투 코어층과 제1피복층 사이에는 제1전이층이 형성되고 제1피복층과 제2피복층 사이에는 제2전이층이 형성되며, 제2피복층과 제3피복층 사이에는 제3전이층이 형성된다. 상기 코어 변화층의 상대 굴절계수 Δn1는 로 구현되는데 그 중 코어변화층 내의 임의의 포인트에서 그 중 축선까지의 거리이며, 은 코어변화층의 변화계수이고, 은 코어변화층의 변화안정계수이며,은0.5% ~ 2%범위 내에 값을 취하고 은 0 ~ 0.2% 범위 내에서 값을 취한다. 상기 제1전이층의 상대 굴절계수 Δn3는 로 구현되는데 그 중 은 제 1전이층(3)내의 임의의 포인트가 위치한 광섬유의 센터를 원심으로 하는 동심원과 게르마늄 침투 코어층(2)외부 변까지의 거리이고, 그 중 축선까지의 거리이며, , 은 전이계수이고, 은 0.3 ~ 0.8범위 내에 값을 취하고 은 0.3% ~ 0.8%범위 내에서 값을 취한다. 상기 제2전이층의 상대 굴절계수 Δn5는 로 구현되는데 그 중 는 제2전이층(5)내의 임의 포인트가 위치한 광섬유의 센터를 원심으로 하는 동심원과 제1피복층(4)외부 변까지의 거리이고, , 는 전이계수이고, 는 -1.0% ~ -0.3%범위 내에서 값을 취하고 는 0 ~ 0.1% 범위 내에서 값을 취한다. 상기 제3전이층의 상대 굴절 계수 Δn7는 로 구현되는데 그 중 은 제3전이층(7)내의 임의 포인트가 위치한 광섬유의 센터를 원심으로 하는 동심원과 제2피복층(6)외부 변까지의 거리이고,, 은 전이계수이고, 은 0.1% ~ 0.4%범위 내에서 값을 취하고 은 -1.3% ~ -0.3%범위 내에서 값을 취한다. 상기 기술안의 기초에서 상기 게르마늄 침투 코어층의 두께와 제1피복층의 두께 비율 범위는 0.5 ~ 2.0이다. 상기 기술안의 기초에서 상기 게르마늄 침투 코어층의 두께와 제2피복층의 두께 비율 범위는 0.2 ~ 1.0사이이다. 상기 기술안의 기초에서 상기 게르마늄 침투 코어층의 상대 굴절 계수의 범위는 0.2% ~ 0.8%이다. 상기 기술안의 기초에서 상기 제1피복층의 상대 굴절계수의 범위는 0 ~ 0.1%이다. 상기 기술안의 기초에서 상기 제2피복층의 상대 굴절계수의 범위는 -1.3% ~ -0.3%이다. 상기 기술안의 기초에서 상기 제3피복층의 직경은 80㎛ 또는 125㎛로서 석영 피복층이다. 상기 기술안의 기초에서 작동 파장이 1550nm시 상기 소형 곡율반경 단일 모드 광섬유 손실은 0.2dB/km 미만이고, 굽힘 반경이 2mm시 부가 손실은 0.35dB 미만이다. 본 발명의 유익한 효과는 다음과 같다. 1. 상기 게르마늄 침투층 외부에는 복수 피복층이 형성되는데 저함량 게르미늄 침투된 제1피복층, 불소 침투된 제2피복층과 석영 피복층으로 구성된 제3피복층으로 구성되어 산형 웨이브 구조를 형성하여 거시 굽힘 손실과 마이크로굽힘 손실을 줄여 광섬유의 내굽힘성을 증대한다. 2. 게르마늄 침투층과 제1피복층, 제1피복층과 제2피복층, 제2피복층과 제3피복층 사이에는 전부 전이층이 형성 및 게르마늄 침투 코어층 내에는 코어 변화층을 이용하여 광섬유의 모드 특성과 응력 특성을 최적화하여 소형 곡율 반경 단일 모드 광섬유과 일반 G.652단일 모드 광섬유 용접시 그 용접 부위의 손실을 최대한으로 줄일 수 있어 일반 단일 모드 광섬유의 우수한 호환성을 유지할 수 있어 FTTH, ODN 기술용 광섬유에 좋은 기초를 제공한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 본 발명의 호환성을 가지는 소형 곡율반경 단일 모드 광섬유 단면 구조도, 도 2는 본 발명의 호환성을 가지는 소형 곡율반경 단일 모드 광섬유 도파관 도면, 도 3은 본 발명의 호환성을 가지는 소형 곡율반경 단일 모드 광섬유 모드필드 제어도, 도 4는 도 1중 피복층 직경이 125㎛시의 광섬유 굽힘 부가 손실을 나타내는 그래프, 도 5는 도 1중 피복층 직경이 80㎛시의 광섬유 굽힘 부가 손실을 나타내는 그래프. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 아래 첨부 도면과 결부하여 본 발명에 대해 상세히 설명하도록 한다. 도 1과 같이 본 발명은 호환성을 가지는 소형 곡율반경 단일 모드 광섬유에 관한 것으로서 내부로부터 외부로 동심 설정된 코어 변화층(1), 게르마늄 침투 코어층(2), 제1전이층(3), 제1피복층(4), 제2전이층(5), 제2피복층(6), 제3전이층(7), 제3피복층(8)이 형성된다. 그 중, 코어 변화층(1)은 게르마늄 침투 코어층(2)의 내부에 형성되고, 제1전이층(3)은 게르마늄 침투 코어층(2)과 제1피복층(4) 사이에 형성되고, 제2전이층(5)은 제1피복층(4)와 제2피복층(6) 사이에 형성되고, 제 3전이층(7)은 제2피복층(6)과 제3피복층(8) 사이에 형성된다. 게르마늄 침투 코어층(2)의 두께 L2와 제1피복층(4)의 두께 L4의 비율 범위는 0.5 ~ 2.0 사이이다. 상기 게르마늄 침투 코어층(2)의 두께 L2와 제2피복층(6)의 두께 L6의 비율 범위는 0.2 ~ 1.0사이이다. 상기 제3피복층(8)은 석영 피복층이며 그 직경D8은 80㎛ 또는 125㎛이며 도포 후 본 발명의 소형 곡율반경 단일 모드 광섬유의 직경은 200㎛ 또는 245㎛이다. 공식（1）도 2와 같이 상기 코어 변화층(1)의 굴절율은 n1이고, 게르마늄 침투 코어층(2)의 굴절율은 n2이고, 제1전이층(3)의 굴절율은 n3이고, 제1피복층(4)의 굴절율은 n4이고, 제2전이층(5)의 굴절율은 n5이고, 제2피복층(6)의 굴절율은 n6이고, 제3전이층(7)의 굴절율은 n7이고, 제3피복층(8)의 굴절율은 n8이다. 제3피복층(8)의 굴절율 n8은 동일 효과 석영 피복의 굴절율n이다. 상기 굴절율 구현시 상대 굴절지수 방법을 이용하며 석영 피복층의 굴절율n을 기준으로 각 도파관층과 석영 피복층 사이에는 상대 굴절계수가 존재하여 이를 기준으로 계산 및 본 발명의 산형 도파관 구조가 포함하는 각층 굴절율을 구현한다. 상대 굴절계수는 다음 공식을 이용한다. 그 중, n은 석영 피복층의 굴절율, 즉 본 발명과 해당되는 제3피복층(8)의 굴절율 n8이며, n'은 이와 서로 비교되는 해당 층의 굴절율이다. 본 발명에 대해 코어 변화층(1)의 굴절율과 석영 피복층의 상대 굴절계수를 계산시 공식중의 n'은 코어 변화층의 굴절율 n1의 값을 취하고, 게르마늄 침투 코어층 굴절율과 석영 피복층 상대 굴절계수 계산시 공식중의 n'은 광섬유 굴절율 n2의 값을 취하고, 제1전이층(3)과 석영 피복층의 상대 굴절계수 계산시 공식중의 n'은 제1전이층의 굴절율 n3의 값을 취하고, 제1피복층(4)과 석영 피복층의 상대 굴절계수 계산시 공식중의 n'은 제1피복층의 굴절율 n4의 값을 취하고, 제2전이층(5)과 석영 피복층의 상대 굴절계수 계산시 공식중의 n'은 제2전이층의 굴절율 n5의 값을 취하고, 제2피복층(6)과 석영 피복층의 굴절계수 계산 시 공식중의 n'은 불소 침투 피복층의 굴절율 n6의 값을 취하고, 제3전이층(7)과 석영피복층의 상대 굴절계수 계산시 공식중의 n'은 제3전이층의 굴절율 n7의 값을 취한다. 공식(1)을 통해 코어 변화층(1)의 상대 굴절계수Δn1， 게르마늄 침투 코어층(2)의 상대 굴절계수Δn2， 제1전이층(3)의 상대 굴절계수Δn3，제1피복층(4)의 상대 굴절계수Δn4， 제2전이층(5)의 상대 굴절계수Δn5，제2피복층(6)의 상대 굴절 계수Δn6，제3전이층(7)의 상대 굴절계수Δn7을 얻을 수 있다. 상기 게르마늄 침투 코어층(2)의 상대 굴절계수의 범위는 0.2% ~ 0.8%, 상기 제1피복층(4)의 상대 굴절계수의 범위는 0 ~ 0.1% 로서 미세 게르마늄 피복층이고, 상기 제2피복층(6)의 상대 굴절 계수의 범위는 -1.3% ~ -0.3%로서 불소 침투 피복층이다.상기 코어 변화층(1)의 상대 굴절계수Δn1는 로 구현되고，그 중 는 코어 변화층(1)내의 임의 포인트로부터 그 중 축선까지의 거리이고, 은 코어 변화 층(1)의 변화 계수이고, 은 코어 변화층(1)의 변화 안정 계수 이며, 은 0.5% ~ 2% 범위에서 값을 취하고 은 0 ~ 0.2% 범위에서 값을 취한다. 상기 제1전이층(3)의 상대 굴절계수Δn3은 로 구현되며 그 중 은 제1전이층(3)내의 임의 포인트가 위치한 광섬유의 센터를 원심으로 하는 동심원과 게르마늄 침투 코어층(2)외부 변부까지의 거리이고, , 은 전이 계수이며, 은 0.3 ~ 0.8범위에서 값을 취하고 는 0.3% ~ 0.8%범위에서 값을 취한다. 상기 제2전이층(5)의 상대 굴절계수Δn5는 로 구현되고, 그 중 는 제2전이층(5)내의 임의 포인트가 위치한 광섬유 센터를 원심으로 하는 동심원과 제1피복층(4)외부 변부까지의 거리이고, , 는 전이계수이며, 는 -1.0% ~ -0.3%범위에서 값을 취하고 은 0 ~ 0.1%범위에서 값을 취한다. 상기 제3전이층(7) 상대 굴절계수Δn7는 로 구현되고 그 중 은 제3전이층(7)내의 임의 포인트가 위치한 광섬유 센터를 원심으로 하는 동심원과 제2피복층(6) 외부 변부까지의 거리이고,, 는 전이계수이며, 는 0.1% ~ 0.4% 범위에서 값을 취하고 은 -1.3% ~ -0.3%범위에서 값을 취한다. 도 3과 같이 본 발명은 게르마늄 침투 코어층(2), 제1피복층(4), 제2피복층(6)과 제3피복층(8)이 소형 곡율반경 광섬유의 모드필드에 대해 3중 제어 및 코어 변화층(1), 제1전이층(3), 제2전이층(5)과 제3전이층(7)이 모드필드 특성에 대해 G.652에 적응되도록 최적화했으며 그 외부 모드필드는 G.652광섬유 모드필드와 유사하며 그 핵심 모드필드는 소형 곡율반경 광섬유의 특성 모드필드이다. 아래 세부적인 실시예를 통해 상세히 설명하도록 한다. 실시예1：본 실시예에서 소형 곡율반경 단일 모드 광섬유의 제3피복층(8)의 직경D8는125㎛，코어 변화층(1)의 상대 굴절계수Δn1는 로 구현하는데 그 중 는 코어 변화층(1)내의 임의 포인트에서 그 중 축선까지의 거리이고, 는 코어 변화층(1)의 변화계수이고, 는 코어 변화 층(1)의 변화 안정계수이며 의 값 범위는 0.5%，의 값 범위는 0이다.게르마늄 침투 코어층(2)의 상대 굴절율Δn2는 안정하게 0.2%로 유지된다. 상기 제1전이층(3)의 상대 굴절계수Δn3은 로 구현되는데 그 중 제1전이층(3) 내의 임의 포인트가 위치한 광섬유센터를 원심으로 하는 동심원과 게르마늄 침투 코어층(2)의 외변까지의 거리이고, , 는 전이계수이고, 의 값 범위는 0.8，의 값 범위는 0.3%이다. 상기 제1피복층(4)의 상대 굴절계수Δn4는 안정적으로 0%을 유지하고 게르마늄 침투 코어층(2)의 두께 L2과 제1피복층(4)의 두께 L4의 비율은 2.0이다. 상기 제2전이층(5)의 상대 굴절계수Δn5는 로 구현되는데 그 중 는 제2전이층(5)내의 임의 포인트가 위치한 광섬유 센터를 원심으로 하는 동심원과 제1피복층(4) 외변까지의 거리이고, , 는 전이계수이며, 의 값 범위는 -0.65%，의 값 범위는 0.05%이다. 상기 제2피복층(6)의 상대 굴절계수Δn6는 안정적으로 -0.8%을 유지하고, 게르마늄 침투 코어층(2)의 두께 L2과 제2피복층(6)의 두께 L4의 비율은 1.0이다. 상기 제3전이층(7)의 상대 굴절계수Δn7는 로 구현되는데, 그 중 는 제3전이층(7)내의 임의 포인트가 위치한 광섬유 센터를 원심으로 하는 동심원과 제2피복층(6)의 외변까지의 거리이고, , 는 전이계수이며, 의 값 범위는 0.25%，의 값 범위는 -0.8%이다. 도 4에서 알 수 있듯이 본 실시예에서 소형 곡율반경 단일 모드 광섬유의 1550nm는 0.191dB/km로 손실되고, 이와 일반 G.652광섬유의 용접 손실은 0.08dB이며, 이 광섬유가 2mm곡율반경에서의 부가 손실은 0.345dB이다. 실시예2：본 실시예와 실시예2의 구조는 기본적으로 동일하고 상기 제3피복층(8)의 직경D8는 125㎛，코어 변화층(1)의 상대 굴절계수Δn1는 로 구현되는데, 그 중 는 코어 변화층(1)내의 임의 포인트로부터 그 중 축선까지의 거리이며, 은 코어 변화층(1)의 변화계수이고, 은 코어 변화층(1)의 변화안정계수이며, 의 값 범위는 1%，의 값 범위는 0.2%이다. 게르마늄 침투 코어층(2)의 상대 굴절율 Δn2는 안정적으로 0.5%이다. 상기 제1전이층(3)의 상대 굴절계수Δn3은 로 구현되는데，그 중 는 제1전이층(3)내의 임의 포인트가 위치한 광섬유 센터를 원심으로 하는 동심원과 게르마늄 침투 코어층(2)의 외변까지의 거리이고, , 는 전이 계수이며, 의 값 범위는 0.5，의 값 범위는 0.5%이다. 상기 제1피복층(4)의 상대 굴절계수Δn4는 안정적으로 0.05%이고, 게르마늄 침투 코어층(2)의 두께 L2과 제1피복층(4)의 두께 L4의 비율은 1.0이다. 상기 제2전이층(5)의 상대 굴절계수Δn5는 로 구현되는데，그 중 는 제2전이층(5)내의 임의 포인트가 위치한 광섬유 센터를 원심으로 하는 동심원과 제1피복층(4)의 외변까지의 거리이고,, 는 전이계수이며, 의 값 범위는 -0.3%，의 값 범위는 0.1%이다. 상기 제2피복층(6)의 상대 굴절계수Δn6는 안정적으로 -0.3%를 유지하고，게르마늄 침투 코어층(2)의 두께 L2과 제2피복층(6)의 두께 L4의 비율은 0.5이다. 상기 제3전이층(7)의 상대 굴절계수Δn7는 로 구현되는데，그 중 는 제3전이층(7)내의 임의 포인트가 위치한 광섬유 센터를 원심으로 하는 동심원과 제2피복층(6) 외변까지의 거리이고,는 전이계수이며 의 값 범위는 0.1%，의 값 범위는 -0.3%이다. 도 4에서 알 수 있듯이 본 실시예에서 소형 곡율반경 단일 모드 광섬유의 1550nm는 0.193dB/km로 손실되는데 이와 일반 G.652광섬유의 용접 손실은 0.11dB이며，이 광섬유가 2mm곡율반경에서의 부가손실은 0.332dB이다. 실시예3：본 실시예와 실시예3 구조는 기본적으로 동일하고, 상기 제3피복층(8)의 직경D8은 125㎛，코어 변화층(1)의 상대 굴절 계수Δn1는 로 구현되는데，그 중 는 코어 변화층(1)내의 임의 포인트로 부터 그 중 축선까지의 거리이며 는 코어 변화층(1)의 변화계수，은 코어 변화 층(1)의 변화안정계수이며, 의 값 범위는 2%，의 값 범위는 0.1%이다. 게르마늄 침투 코어층(2)의 상대 굴절율 Δn2는 안정적으로 0.8%이다. 상기 제1전이층(3)의 상대 굴절계수 Δn3은 로 구현되는데，그 중 는 제1전이층(3)내의 임의 포인트가 위치한 광섬유 센터를 원심으로 하는 동심원과 게르마늄 침투 코어층(2) 외변까지의 거리이며, 는 전이계수이며, 의 값 범위는 0.3，의 값 범위는 0.8%이다. 상기 제1피복층(4)의 상대 굴절계수Δn4는 안정적으로 0.1%를 유지하고 게르마늄 침투 코어층(2)의 두께 L2과 제1피복층(4)의 두께 L4의 비율은 0.5이다. 상기 제2전이층(5)의 상대 굴절계수n5는 로 구현되는데，그 중 는 제2전이층(5)내의 임의 포인트가 위치한 광섬유센터를 원심으로 하는 동심원과 제1피복층(4) 외변까지의 거리이고, 는 전이계수이며 의 값 범위는 -1.3%，의 값 범위는 0%이다. 상기 제2피복층(6)의 상대 굴절계수Δn6는 안정적으로 -1.3%를 유지하고, 게르마늄 침투 코어층(2)의 두께 L2과 제2피복층(6)의 두께 L4의 비율은 0.2이다. 상기 제3전이층(7)의 상대 굴절계수Δn7은로 구현되는데，그 중 은 제3전이층(7)내의 임의 포인트가 위치한 광섬유센터를 원심으로 하는 동심원과 제2피복층(6) 외변까지의 거리이고, 은 전이계수이며, 의 값 범위는 0.4%，의 값 범위는 -1.3%이다. 도 4에서 알 수 있듯이 본 실시예에서 소형 곡율반경 단일 모드 광섬유의 1550nm는 0.194dB/km로 손실되고 이와 일반 G.652광섬유의 용접 손실은 0.15dB로서, 이 광섬유가 2mm 곡율반경에서의 부가손실은 0.311dB이다. 실시예4：본 실시예에서 상기 제3피복층(8)의 직경D8은 80㎛이고, 코어 변화층(1)의 상대 굴절계수Δn1은 로 구현되는데，그 중 은 코어 변화층(1)내의 임의 포인트로부터 그 중 축선까지의 거리이며, 은 코어 변화층(1)의 변화계수이고, 은 코어 변화층(1)의 변화안정계수이며, 의 값 범위는 0.5%，의 값 범위는 0이다. 게르마늄 침투 코어층(2)의 상대 굴절율 Δn2는 안정적으로 0.2%를 유지한다. 상기 제1전이층(3)의 상대 굴절계수 Δn3는 로 구현되는데，그 중 은 제1전이층(3)내의 임의 포인트가 위치한 광섬유 센터를 원심으로 하는 동심원과 게르마늄 침투 코어층(2) 외변까지의 거리이고, 은 전이계수이며, 의 값 범위는 0.8，의 값 범위는 0.3%이다. 상기 제1피복층(4)의 상대 굴절계수Δn4는 안정적으로 0을 유지하고 게르마늄 침투 코어층(2)의 두께 L2과 제1피복층(4)의 두께 L4의 비율은 2.0이다. 상기 제2전이층(5)의 상대 굴절계수Δn5는 로 구현되는데，그 중 는 제2전이층(5)내의 임의 포인트가 위치한 광섬유센터를 원심으로 하는 동심원과 제1피복층(4) 외변까지의 거리이고, 는 전이계수이며, 의 값 범위는 -0.75%，의 값 범위는 0.06%이다. 상기 제2피복층(6)의 상대 굴절계수Δn6는 안정적으로 -0.9%를 유지하고，게르마늄 침투 코어층(2)의 두께 L2과 제2피복층(6)의 두께 L4의 비율은 1.0이다. 상기 제3전이층(7)의 상대 굴절계수Δn7는 로 구현되는데，그 중 는 제3전이층(7)내의 임의 포인트가 위치한 광섬유센터를 원심으로 하는 동심원과 제2피복층(6) 외변에서 광섬유센터를 원심으로 하는 동심원간의 거리이고, 는 전이계수이며, 의 값 범위는 0.3%，의 값 범위는 -0.9%이다. 도 5에서 알 수 있듯이，본 실시예에서 소형 곡율반경 단일 모드 광섬유의 1550nm는 0.195dB/km로 손실되는데，이와 일반 G.652광섬유의 용접 손실은 0.13dB로서，이 광섬유가 2mm곡율반경에서의 부가손실은 0.332dB이다. 실시예5：본 실시예와 실시예5 구조는 기본적으로 동일하고, 상기 제3피복층(8)의 직경D8은 80㎛，코어 변화층(1)의 상대 굴절계수Δn1는 로 구현되는데， 그 중 은 코어 변화층(1)내의 임의 포인트로 부터 그 중 축선까지의 거리이며, 은 코어 변화층(1)의 변화계수，은 코어 변화층(1)의 변화 안정계수이며, 의 값 범위는 1.3%，의 값 범위는 0.2%이다. 게르마늄 침투 코어층(2)의 상대 굴절율 Δn2는 안정적으로 0.6%를 유지한다. 상기 제1전이층(3)의 상대 굴절계수Δn3은 로 구현되는데，그 중 제1전이층(3)내의 임의 포인트가 위치한 광섬유 센터를 원심으로 하는 동심원과 게르마늄 침투 코어층(2) 외변까지의 거리이고, 은 전이계수이며, 의 값 범위는 0.6，의 값 범위는 0.45%이다. 상기 제1피복층(4)의 상대 굴절계수Δn4는 안정적으로 0.05%를 유지하고，게르마늄 침투 코어층(2)의 두께 L2과 제1피복층(4)의 두께 L4의 비율은 0.9이다. 상기 제2전이층(5)의 상대 굴절계수Δn5는 로 구현되는데，그 중 는 제2전이층(5)내의 임의 포인트가 위치한 광섬유 센터를 원심으로 하는 동심원과 제1피복층(4) 외변까지의 거리이고, 은 전이계수이며, 의 값 범위는 -0.3%，의 값 범위는 0.1%이다. 상기 제2피복층(6)의 상대 굴절계수Δn6는 안정적으로 -0.3%유지하고 게르마늄 침투 코어층(2)의 두께 L2과 제2피복층(6)의 두께 L4의 비율은 0.4이다. 상기 제3전이층(7)의 상대 굴절계수 Δn7은 로 구현되는데，그 중 은 제3전이층(7)내의 임의 포인트가 위치한 광섬유센터를 원심으로 하는 동심원과 제2피복층(6) 외변까지의 거리이고, 은 전이계수이며, 의 값 범위는 0.1%，의 값 범위는 -0.3%이다. 도 5에서 알 수 있듯이 본 실시예에서 소형 곡율반경 단일 모드 광섬유의 1550nm는 0.197dB/km로 손실되는데 이와 일반 G.652광섬유의 용접 손실은 0.16dB이며，이 광섬유가 2mm곡율반경에서의 부가손실은 0.312dB이다. 실시예6：본 실시예와 실시예6 구조는 기본적으로 동일하고, 상기 제3피복층(8)의 직경D8은 80㎛，코어 변화층(1)의 상대 굴절계수Δn1은 로 구현되는데， 그 중 은 코어 변화층(1)내의 임의 포인트로 부터 그 중 축선까지의 거리이며, 은 코어 변화층(1)의 변화계수，은 코어 변화층(1)의 변화안정계수이며, 의 값 범위는 2%，의 값 범 위는 0.1%이다. 게르마늄 침투 코어층(2)의 상대 굴절율 Δn2는 안정적으로 0.8%를 유지한다. 상기 제1전이층(3)의 상대 굴절계수Δn3은 로 구현되는데，그 중 은 제1전이층(3)내의 임의 포인트가 위치한 광섬유 센터를 원심으로 하는 동심원과 게르마늄 침투 코어층(2) 외변까지의 거리이고, 은 전이 계수이며, 의 값 범위는 0.3，의 값 범위는 0.8%이다. 상기 제1피복층(4)의 상대 굴절계수Δn4는 안정적으로 0.1％를 유지하고，게르마늄 침투 코어층(2)의 두께 L2과 제1피복층(4)의 두께 L4의 비율은 0.5이다. 상기 제2전이층(5)의 상대 굴절계수Δn5는 로 구현되는데，그 중 는 제2전이층(5)코임의 포인트가 위치한 광섬유센터를 원심으로 하는 동심원과 제1피복층(4) 외변까지의 거리이고, 는 전이계수이며, 의 값 범위는 -1.3%，의 값 범위는 0이다. 상기 제2피복층(6)의 상대 굴절계수Δn6는 안정적으로 -1.3%를 유지하고，게르마늄 침투 코어층(2)의 두께 L2과 제2피복층(6)의 두께 L4의 비율은 0.2이다. 상기 제3전이층(7)의 상대 굴절계수Δn7은 로 구현되는데，그 중 은 제3전이층(7)내의 임의 포인트가 위치한 광섬유센터를 원심으로 하는 동심원과 제2피복층(6) 외변까지의 거리이고, 은 전이계수이며, 의 값 범위는 0.4%，의 값 범위는 -1.3%이다. 도 5에서 알 수 있듯이, 본 실시예에서，소형 곡율반경 단일 모드 광섬유의 1550nm는 0.199dB/km로 손실되는데，이와 일반G.652광섬유의 용접 손실은 0.19dB이며，이 광섬유의 2mm 곡율반경에서의 부가손실은 0.297dB이다. 상기 실시예는 본 발명의 기술 설명을 위한 것으로서 본 기술에 대해 제한하는 것은 아니다. 본 발명은 기타 변형, 개정, 실시와 응용으로 연장될 수 있으며 이러한 변형, 개정, 응용과 실시는 본 발명의 목적과 청구의 범위를 벗어나지 않음을 인정한다.
본 발명은 호환성을 가지는 소형 곡율반경 단일 모드 광섬유 에 관한 것으로서, 단일 모드 광섬유 분야와 관련되며 내부로부터 외부로 동심 설정된 코어 변화층, 게르마늄 침투 코어층, 제 1전이층, 제1피복층, 제2전이층, 제2피복층, 제3전이층과 제3피복층을 포함하며 코어 변화층의 상대 굴절계수 Δn1는 로 구현되고, 제1전이층의 상대 굴절 계수 Δn3는 로 구현되고, 제2전이층의 상대 굴절계수 Δn5는 로 구현되며, 상기 제3전이층의 상대 굴절계수 Δn7는 로 구현된다. 본 발명은 곡율반경이 2mm 미만 되는 초고 내굽힘성을 구현하는 동시에 일반 단일 모드 광섬유의 우수한 호환성을 구현한다.
[ 발명의 명칭 ] 의료용 합금 및 그 제조 방법 ALLOY FOR MEDICAL USE, AND METHOD FOR PRODUCING SAME [ 기술분야 ] 본 발명은 의료용 합금에 관한 것으로, 상세하게는, 색전용 코일 등의 의료 기구에 적합한 합금이며, 특히, 자기 공명 화상 진단 처리 장치(MRI) 등의 자장 환경 내에서의 아티팩트가 발생하기 어려운 합금에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 색전용 코일, 클립, 카테터, 스텐트, 가이드 와이어 등의 의료 기구에 적용되는 의료용 재료에는 생체 적합성, 내식성, 가공성 등의 특성이 요구된다. 이들 요구에 대해 지금까지 실용화되고 있는 금속 재료로서, 스테인리스, Co-Cr 합금, Pt-W 합금 등이 있다(특허문헌 1).최근, 의료 현장에 있어서 자기 공명 화상 진단 처리 장치(MRI)를 사용한 치료, 수술이 널리 행해지고 있고, 자장 환경 내에 있어서의 의료 기구의 구성 재료로의 영향이 염려되고 있다. 이 자장 환경을 고려한 재료 특성으로서, 자화율을 들 수 있다. 재료의 자화율이 문제가 되는 것은 MRI의 아티팩트(위상; false echo)의 요인이 되기 때문이다. 아티팩트란, 자장 중의 금속의 자화율과 그 주변 영역에 있어서의 생체 조직의 자화율의 차에 의해, MRI상에 왜곡이 발생하는 현상이다. 아티팩트가 발생한 경우, 정확한 수술ㆍ진단의 방해가 된다. 그리고, 상기한 실용예의 어느 의료용 재료는 생체 조직과의 자화율의 차가 커서 아티팩트를 억제할 수 없다.이러한 점에서, 아티팩트 프리를 고려한 합금의 개발예도 없는 것은 아니다. 예를 들어, 특허문헌 2에서는 Au과 Pd의 합금 또는 Ag과 Pd의 합금을 적용한 MRI를 적용할 수 있는 스텐트의 개발예가 있다. [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특허 공표 제2010-536491호 공보일본 특허 제4523179호 명세서 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 그러나, 상기한 종래의 합금의 경우, 간단히 자화율을 낮게 하는 것을 고려할 뿐이고, 그 기준은 불분명하다. 그리고, 본 발명자들에 의하면, 이들 합금은 실제로는 아티팩트 프리라고는 말하기 어려운 것이다.여기서, 아티팩트 프리를 달성할 수 있는 재료로서 요구되는 기준을 구체화하면, 그 자화율(체적 자화율)이 생체 조직의 자화율에 근사한 것이다. 생체 조직의 자화율은 그 주요 구성 성분인 물에 기인하고, 물의 자화율은 －9ppm(－9×10－6)이므로 약간 반자성을 나타낸다. 따라서, 아티팩트 프리의 재료란, 그 자화율이 물의 자화율(－9ppm)에 근사한 것이다.본 발명은 상기 사정을 배경으로 하여 완성된 것이고, MRI 등의 자장 환경으로의 적합성이 우수하고, 아티팩트 프리를 실현할 수 있는 합금 재료를 제공한다. 여기서, 그 구체적 기준으로서, 물의 자화율에 대해 ±4ppm의 자화율(－13 내지 －5ppm)을 적용한다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기와 같이, 본 발명에서는 아티팩트 프리의 합금으로서, 자화율(체적 자화율)이 －13 내지 －5ppm이 되는 것을 제공하지만, 이 목표값은 약간 반자성이다. 따라서, 본 발명자들은 이러한 반자성을 나타내는 합금의 베이스가 되는 금속 원소로서, Au를 적용하는 것으로 하였다. Au은 자화율이 －34ppm인 반자성 금속임과 함께, 생체 적합성, 내식성, 가공성 등도 양호하여 의료용 재료로서 적합하다고 할 수 있기 때문이다. 그리고, 본 발명자들은 Au의 자화율을 상기 목표값으로 하기 위해, 자화율이 정이 되는 금속을 합금화하는 것으로 하였다. 이 합금 원소에 대해서는, 자화율이 정인 것 외에, Au과 마찬가지로 생체 적합성, 내식성이 요구된다. 본 발명자들은 이 합금 원소로서 Pt를 적용하는 것으로 하였다. Pt는 자화율 ＋279ppm의 금속이고, 상기 요구 특성도 구비하기 때문이다.또한, 합금 원소로서 Pt가 적합한 이유로서, Pt는 Au에 대해 합금화가 용이하고, 전율 고용체인 α상 단상 영역을 갖는다(도 1의 상태도를 참조). 구성상이 단상인 것은 자화율도 균일한 것을 상정할 수 있고, Pt 농도의 조정에 의해 자화율을 제어할 수 있다고 생각된다.본 발명자들은, 먼저, 단상(α상)의 Au-Pt 합금의 제조의 가부 및 그 자화 특성을 검토한바, α상 영역으로부터의 적절한 용체화 처리에 의한 과포화 고용체로서 단상의 Au-Pt 합금을 제조할 수 있는 것을 확인하였다. 또한, 이 단상의 Au-Pt 합금은 Pt 농도의 상승과 함께 자화율이 플러스측으로 선형으로 변화되는 경향이 있는 것도 확인하고 있다. 여기서, 단상의 Au-Pt 합금의 자화율은 Pt 농도 34 내지 36질량％에서 적합한 자화율을 나타내고, Pt 농도 34질량％ 미만에서는 Pt의 효과가 부족하여 자화율이 적합 범위로부터 마이너스측으로 시프트하고, 반대로, Pt 농도 36질량％를 초과하면 플러스측으로 시프트하는 경향이 있다.상기의 적합한 자화율을 발휘하기 위한 조성 범위(Pt 농도 34 내지 36질량％)는 극히 좁은 것이라고 할 수 있다. 이러한 점에서, Au이든 Pt이든 가격 변동이 큰 귀금속이고, 합금의 비용을 고려하면 보다 광범위한 조성 범위에서 원하는 자화율을 발휘할 수 있는 것이 바람직하다.따라서 본 발명자들은 Au-Pt 합금에 대해 보다 광범위한 조성 범위에서 자화율을 제어하는 수단을 검토한 결과, Pt 농도 34질량％ 미만의 Au-Pt 합금에 대해, α상을 매트릭스로 하고, 여기에 Pt 리치상을 제어하면서 석출시킴으로써 합금 전체의 자화율을 적합한 것으로 할 수 있는 것을 발견하고 본 발명에 상도하였다.즉, 본 발명은 Au-Pt 합금으로 이루어지는 의료용 합금이며, Pt 농도 24질량％ 이상 34질량％ 미만, 잔부 Au으로 이루어지고, α상 매트릭스에, 적어도, α상보다도 Pt 농도가 높은 Pt 리치상이 분포하는 재료 조직을 갖고, 상기 Pt 리치상은 α상의 Pt 농도에 대해 1.2 내지 3.8배의 Pt 농도의 Au-Pt 합금으로 이루어지고, 임의 단면에 있어서의 상기 Pt 리치상의 면적률이 1 내지 22％인 의료용 합금이다.이하, 본 발명에 대해 보다 상세하게 설명한다. 상기와 같이 본 발명에 관한 Au-Pt 합금은 Pt 농도 24질량％ 이상 34질량％ 미만의 범위에 대해, α상 중에 Pt 리치상을 소정량 석출시켜 합금 전체의 자화율을 적합 범위로 조정하는 것이다. 이 자화율 조정의 메커니즘에 대해 설명하면, 매트릭스가 되는 α상은 Pt 농도 34질량％ 미만이고, 그 자화율은 상기와 같이 적합 범위보다도 마이너스측에 있다. 한편, 석출상인 Pt 리치상은 α상에 대해 Pt 농도가 높은 Au-Pt 합금이지만, Pt의 자화율(＋279ppm)을 고려하면, 이 석출상의 자화율은 플러스의 자화율을 갖는다. 따라서, 석출상을 분포시킴으로써 합금의 자화율은 단상 상태의 합금보다도 플러스측으로 시프트하고, 석출상의 분포량을 적정하게 함으로써 자화율을 적합 범위로 할 수 있다.이 α상 중에 분포하는 석출상인 Pt 리치상은, 상세하게는 α상의 Pt 농도에 대해 1.2배 내지 3.8배의 Pt 농도인 Au-Pt 합금이다. 석출되는 Pt 리치상의 조성은 Au-Pt 합금의 합금 조성에 따라 변화되지만, 이 점에 대해서는 후술한다.또한, Pt 리치상의 분포량은 합금의 임의 단면에 있어서, 전체에 대해 Pt 리치상이 차지하는 면적률로서 1 내지 22％가 되도록 한다. 단, Pt 리치상의 분포량은 그 조성에 따라 조정되어야 하는 요소이다.또한, 본 발명에 있어서 면적률이란, 임의의 단면에 대해 합금 조직을 관찰했을 때의 관찰 시야에 대한 면적률이다. 여기서, 임의의 단면으로 하고 있는 바와 같이, 관찰 시의 절단 부위나 절단 방향을 특정하는 것이 아니다. 또한, 본 발명에 관한 Au-Pt 합금은 소정의 석출상의 면적률을 특정하는 것이지만, 석출상을 의도적으로 배제하는 관찰 시야의 설정을 행하는 것은 아니다. 또한, 관찰 시야에 대해서는 10000 내지 360000㎛2의 범위에서 설정하는 것이 바람직하다. 합금에 있어서의 석출상의 면적률의 산출에 대해서는, 임의의 복수 개소의 단면에 대해 면적률을 측정하여 평균값을 사용해도 된다.여기서, 본 발명에 관한 Au-Pt 합금에 있어서는, 합금의 Pt 농도 범위와 Pt 리치상의 조성의 관련에 의해 구별할 수 있다. 상세하게는, 본 발명에 관한 Au-Pt 합금은 (1) Pt 농도 28질량％ 이상 34질량％ 미만에 있어서의 합금 구성, (2) Pt 농도 24질량％ 이상 28질량％ 미만에 있어서의 합금 구성의 2개의 합금 조성 구분에 대해, Pt 리치상의 조성 등을 조정함으로써 적합한 자화율을 갖는다. 이하, 각 조성 구분에 있어서의 바람직한 합금의 구성에 대해 설명한다.(1)의 Pt 농도 28질량％ 이상 34질량％ 미만의 Au-Pt 합금의 구성으로서는, Au-Pt계 상태도(도 1 참조)에 있어서의 α2상에 근사한 조성을 갖는 Pt 리치상(Pt 농도 45±5질량％)이 분포하는 것을 들 수 있다. 이 Pt 리치상(α2상)은 불연속 석출(입계 반응형 석출)에 의해 합금의 입계로부터 입자 내(α상)를 향한 라멜라 조직을 나타낸다. 이 석출 형태에 의해 Pt 리치상(α2상)의 석출은 동시에 Au 리치상인 α1상의 석출을 수반한다. 따라서, 이 조성 범위의 합금은 α상을 매트릭스로 한 α1상＋α2상의 3상으로 구성된다.단, α1상은 Pt 농도가 낮고 합금 전체의 자화율에 대한 영향은 매우 적다. 그로 인해, 이 조성 범위에 있어서는 Pt 리치상인 α2상의 분포량을 규정하면 충분하다. 그리고, α2상의 분포량은 합금의 임의 단면에 있어서의 면적률이 5 내지 15％인 것이 바람직하다. 5％ 미만에서는 합금의 자화율은 적합 범위보다 마이너스측이 되는 경우가 있고, 15％를 초과하면 자화율은 적합 범위보다 플러스측이 되는 경우가 있다. 또한, 합금의 Pt 농도는 매트릭스인 α상의 자화율을 변화시키고, Pt 농도의 증가와 함께 플러스측으로 추이시킨다. 따라서, Pt 리치상의 양은 합금 조성에 따라 조정한 것이 바람직하고, 합금의 Pt 농도가 낮은 것일수록, Pt 리치상의 분포량은 많은 편이 바람직하다.또한, (2)의 Pt 농도 24질량％ 이상 28질량％ 미만의 Au-Pt 합금에 있어서는, 석출하는 Pt 리치상은 α2'상으로 가칭되고, α2상보다도 Pt 농도가 높은 상이 분포하는 것이 바람직하다. 이 합금 조성에서는 Pt 농도가 낮기 때문에 매트릭스(α상)의 자화율이 보다 마이너스측에 있다. 따라서, 석출상의 자화율을 더욱 플러스측으로 하기 위해 α2상보다도 Pt 농도를 높게 할 필요가 있다. 본원에서는, 이 합금 조성에 있어서의 α2'상의 Pt 농도는 86 내지 90질량％인 것이 바람직하다.이 합금 조성에 있어서의 Pt 리치상(α2'상)의 석출 형태는, (1)의 합금 조성과는 상이하고 연속 석출이고, 전위 밀도가 높은 부위(가공 변형의 도입에 의해 형성되는 전이 밀도가 높은 부위를 포함함)에 석출된다. 그로 인해, α2'상은 결정립계에 더하여 일부 입자 내에서도 석출할 수 있다. 그리고, 그 분포량은 합금의 임의 단면에 있어서의 면적률이 10 내지 22％가 되는 것이 바람직하다. 10％ 미만에서는 합금의 자화율은 적합 범위보다 마이너스측이 되고, 22％를 초과하면 자화율은 적합 범위보다 플러스측이 된다.또한, 이 조성의 Au-Pt 합금의 경우, Pt 리치상(α2'상)의 주변부(α상)에는 α2'상과의 계면에 가까워짐에 따라 Au 농도가 저하되는 농도 구배가 미시적으로 발생하고 있다. 따라서, 이 합금의 상 구성은, 엄밀하게는 「α상」＋「Au 농도 구배를 갖는 α상」＋「α2'상」의 3상으로 이루어지지만, Au 농도 구배를 갖는 α상은 미시적인 것이고, 또한 Pt 농도가 낮기 때문에 합금 전체의 자화율에 대한 영향은 매우 적다. 따라서, 이 조성 범위에 있어서도, Pt 리치상인 α2'상의 분포량을 규정하면 충분하다.또한, 상술한 Pt 리치상인 α2'상은 (1)의 Pt 농도 28질량％ 이상 34질량％ 미만의 Au-Pt 합금에 있어서의 Pt 리치상으로서도 작용한다. 이때의 α2'상의 Pt 농도는 상기와 마찬가지로 86 내지 90질량％이다. 또한, 그 분포량은 합금의 임의 단면에 있어서의 면적률이 1 내지 13％가 되는 것이 바람직하다. 또한, 이 α2'상이 석출된 Pt 농도 28질량％ 이상 34질량％ 미만의 Au-Pt 합금의 상 구성도, 「α상」＋「Au 농도 구배를 갖는 α상」＋「α2'상」으로 이루어지지만, Pt 리치상인 α2'상의 분포량에 따라 자화율을 결정지을 수 있다.이상과 같이, 본 발명에 관한 Au-Pt 합금은 Pt 농도 24질량％ 이상 34질량％ 미만의 조성 범위 내에서 Pt 리치상을 적절하게 석출시킴으로써 자화율을 적합 범위로 할 수 있다. 또한, Pt 농도 24질량％ 미만의 Au-Pt 합금은 α상의 자화율이 지나치게 마이너스측이 되어 Pt 리치상의 작용을 고려해도 합금의 자화율을 적합한 것으로 할 수 없다. 또한, Pt 농도 34질량％ 이상의 합금에 대해서는, 36％ 이하의 것은 α상 단상의 상태에서 적합한 자화율을 나타내고 석출물이 있으면 오히려 자화율이 바람직하지 않은 것이 되고, 36질량％를 초과하면, 단상 상태에서도 자화율이 지나치게 플러스측이 되어 자화율을 적합한 것으로 할 수 없다.이어서, 본 발명에 관한 Au-Pt 합금의 제조 방법에 대해 설명한다. 본 발명에 관한 Au-Pt 합금의 제조 방법의 기본적인 공정은 α상으로 이루어지는 과포화 고용체 합금을 600 내지 1000℃에서 열처리하여 Pt 리치상을 석출시키는 공정을 포함한다.본 발명에 관한 Au-Pt 합금의 제조 시에, α상 단상의 과포화 고용체에 대해 열처리를 행하는 것은, 석출물(Pt 리치상)의 양을 제어하여 자화율을 조정하기 위해서이다. 즉, Pt 리치상을 석출시킬 뿐이라면, 과포화 고용체를 형성하는 공정은 필요없고, 용해 주조 등에서 얻어진 합금을 α상 영역으로 가열하여 냉각해도 Pt 리치상을 석출시킬 수는 있지만, 석출량에 과부족이 발생한다. 따라서, 먼저 합금을 단상의 과포화 고용체로 하고, 합금 조성을 고려한 열처리 조건으로 열처리함으로써, 목적으로 하는 자화율에 따른 Pt 리치상을 석출시키는 것으로 하고 있다.Au-Pt 합금의 α상 단상의 과포화 고용체를 형성하는 방법으로서는, 용해 주조 등으로 합금 잉곳을 제조한 후, α상 영역에 가열하여 급냉하는 일반적인 용체화 처리를 들 수 있다. 단, 일반적인 용체화 처리에서는, α상 단상의 상태를 얻는 것은 곤란하다. 급냉 과정에 있어서 극히 미량이지만 α2상의 석출이 발생할 우려가 있기 때문이다. 또한, 용해 주조 등에 의해 얻어지는 합금 잉곳에는 편석이 발생하고 있는 경우가 있고, 이것도 단상화의 지장이 된다. 따라서, 본 발명에서는 α상 단상의 과포화 고용체 합금을 얻기 위해, 합금 잉곳에 대해 이하에 설명하는 단상화 처리를 복수회 행하는 것이 바람직하다.단상화 처리란, 용해 주조된 합금 잉곳에 대해, 이것을 냉간 가공하는 공정과, 합금 조성에 따른 α상 영역 온도 이상에서 열처리하는 공정을 1세트로 하는 것이다. 이 단상화 처리에 있어서의 냉간 가공은 용해 주조에 의한 주조 조직을 파괴하고, 이것에 이어지는 열처리에 의한 원자의 이동을 용이하게 하는 처리이다. 또한, 열처리는 주조에 의한 편석을 해소하고, 또한 합금의 상 구성을 α상으로 하기 위한 처리이고, 합금 중의 석출물을 α상으로 복귀시키고, 최종적으로 석출물을 소실시키는 처리이다. 그리고, 이 냉간 가공과 열처리의 조합을 복수회 반복함으로써, 편석의 해소와 함께 석출물의 소실이 발생하여 재료 조성의 균일화와 상 구성의 단상화가 이루어진다.그리고, 단상화 처리에 대해 보다 상세하게 설명하면, 냉간 가공으로서는, 냉간 압연, 냉간 단조, 냉간 신선, 냉간 압출 등 어떤 가공 양식이어도 된다. 바람직하게는 홈 롤 압연 등의 냉간 압연이다. 이 냉간 가공에 있어서의 가공률은 30％ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 이 가공을 냉간(실온)에서의 가공으로 한 것은, 온간 또는 열간에서의 가공은 α2상이 석출되기 때문이다.또한, 단상화 처리에 있어서의 열처리는, 구체적으로는, 가열 온도 1150 내지 1250℃로 하는 것이 바람직하다. α상 영역 온도 이하에서는, α2상이 석출되기 때문이다. 가열 시의 가열 시간으로서는, 1 내지 24시간으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 가열 후의 냉각은 급냉으로 하고, 가열 후 3초 이내에 냉매에 투입하는 것이 바람직하다.이상의 냉간 가공과 열처리로 이루어지는 단상화 처리는 2회 이상 행하는 것이 바람직하다. 1회의 단상화 처리에서는 효과가 불충분하고, 편석 등의 균질성을 저해하는 요인이 잔류할 우려가 있다. 실시 횟수의 상한은 특별히 제한은 없지만, 제조 효율의 관점에서 2회로 하는 것이 바람직하다.본 발명에 관한 Au-Pt 합금의 제조 방법은 이상과 같이 하여 얻어지는 α상 단상의 과포화 고용체 합금을 열처리하여 Pt 리치상을 석출시키는 것이다. 이 의도적인 상분리를 위한 열처리는 상태도에 있어서의 (α1＋α2) 영역 내에서α상 영역에 도달하지 않은 온도에서의 가열 처리이고, 구체적인 온도 범위는 600 내지 1000℃로 한다. 또한, 열처리 시간에 대해서는, 1 내지 48시간으로 하는 것이 바람직하다.과포화 고용체에 대한 열처리에 의한 상분리는 비교적 고Pt 농도의 Au-Pt 합금으로 진행되기 쉽다. 상술한 바와 같이, 본 발명에 관한 Au-Pt 합금은 Pt 리치상의 조성 및 석출 모드가 Pt 농도에 따라 상이하고, (1) Pt 농도 28질량％ 이상 34질량％ 미만의 합금과, (2) Pt 농도 24질량％ 이상 28질량％ 미만의 합금의 2개의 구분을 갖는다. 열처리만에 의한 상분리는 (1)의 Pt 농도 28질량％ 이상 34질량％ 미만의 과포화 고용체로 진행시키기 쉽다. 고Pt 농도로 한 것에 의해, 원자가 이동하기 쉬운 고온에서의 상분리가 가능해지고, 또한 저온에 있어서는 α상과 분리상(α1, α2)의 농도차가 커지기 때문에, 이들이 상분리의 구동력이 되므로 열에너지의 부여만으로 상분리가 발생하기 때문이다.(1)의 Pt 농도 28질량％ 이상 34질량％ 미만의 과포화 고용체에 대해 열처리를 행한 경우, Pt 리치상으로서 α2상이 석출되고, 동시에 Au 리치상인 α1상이 석출된다. 이때, 설정한 열처리 온도에 있어서의 α2상(α1상)의 조성 및 석출량은 상태도를 기초로, 소위 「지레의 원리(lever rule)」에 의해 추정할 수 있다. 그리고, 상술한 바와 같이, 이 조성 범위에서는 합금의 Pt 농도가 낮은 것일수록, Pt 리치상의 분포량은 많은 것이 바람직하다. 따라서, 도 1의 상태도를 참조하면 알 수 있는 바와 같이, 상기의 열처리 온도 범위(600 내지 1000℃)에 있어서, Pt 농도가 높은 합금의 열처리 온도는 고온측으로, Pt 농도가 낮은 합금의 열처리 온도는 저온측으로 온도 설정하는 것이 바람직하다.또한, 단상화된 과포화 고용체에 대해 상분리를 발생시키는 수단으로서, 열처리와 가공 변형의 도입을 병용할 수도 있다. 이 방법은, 특히, (2)의 Pt 농도 24질량％ 이상 28질량％ 미만의 조성 범위의 과포화 고용체 합금에서 유효하다. 상술한 바와 같이, Pt 농도가 낮아지면, 상분리를 위한 열처리 온도를 저온측으로 하는 것이 바람직하지만, 열처리 온도가 낮아지면 Pt 및 Au의 확산이 느려진다. 이들의 요인으로부터, Pt 농도 28질량％ 미만의 과포화 고용체 합금에서는, 열처리만에 의한 상분리가 진행되기 어렵다. 따라서, 과포화 고용체 합금에 냉간 가공을 행하고, 가공 변형을 재료 조직에 잔류시키고, 그 변형 에너지를 상분리의 구동력으로 함으로써 열처리에 의한 상분리가 진행된다.그리고, 이 냉간 가공과 열처리를 조합한 상분리에 의한 Pt 리치상의 석출에 대해서는, 주로 냉간 가공 시의 가공률에 의해 Pt 리치상의 석출량을 제어할 수 있다. 가공률은 10 내지 30％로 하는 것이 바람직하다. 가공률 10％ 미만에서는, 변형의 도입이 부족해 충분한 Pt 리치상이 얻어지지 않는다. 또한, 가공률 30％를 초과하면 Pt 리치상이 적합 범위를 초과하여 석출되고, 합금의 자화율이 플러스측으로 크게 시프트한다. 또한, 이 냉간 가공으로서는, 냉간 압연, 냉간 단조, 냉간 신선, 냉간 압출 등 어떤 가공 양식이든 좋다. 바람직하게는 냉간 압연이다.이상 설명한 냉간 가공과 열처리를 조합한 공정을 포함하는 제조 방법에서는, Pt 리치상의 석출량의 제어에는 가공률의 설정이 주가 되고, 열처리 온도보다도 가공률이 중요해진다. 열처리 온도는 700 내지 900℃가 바람직하고, 열처리 시간은 1 내지 12시간으로 하는 것이 바람직하다.또한, 상기와 같이, 냉간 가공을 수반하는 상분리의 방법은 Pt 농도 24질량％ 이상 28질량％ 미만의 과포화 고용체 합금에 대해 특히 유용하지만, Pt 농도 28질량％ 이상 34질량％ 미만의 과포화 고용체에 대해서도 유효하다. 그 가공 조건, 열처리 조건은 상기와 마찬가지로 하는 것이 바람직하다.이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 관한 Au-Pt 합금은 α상 단상의 과포화 고용체에 대해, 조성에 따라 적절한 열처리를 행함으로써 제조 가능하다.또한, 과포화 고용체의 제조 전의 합금 잉곳의 용해 주조에 관해서는, 일반적인 용해 주조에 있어서의 조건을 적용할 수 있다. 합금의 조성 조정은 Au, Pt의 각각의 지금을 목적으로 하는 조성(Pt: 24질량％ 이상 34질량％ 미만)으로 혼합하고, 아크 용해, 고주파 가열 용해 등에 의해 용해 주조하여 합금 잉곳을 제조할 수 있다. 또한, 용해 주조 후의 합금 잉곳에 대해서는, 단상화 처리 전에 열간 단조 등의 열간 가공을 행해도 된다. 변형 저항이 적은 열간 단조에 의해 응고 조직의 파괴, 편석의 분단을 미리 행함으로써, 후속의 단상화 처리가 보다 유효한 것이 된다. 열간 가공을 행하는 경우의 가공 온도는 700 내지 1050℃로 하는 것이 바람직하다. 700℃ 미만이 되면 가단성이 상실되고, 가공 시에 깨짐을 일으키기 때문이다. [ 발명의 효과 ] 이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 관한 Au-Pt 합금으로 이루어지는 의료용 합금은 아티팩트 프리의 재료로서 적합한 자화율을 갖는다. 이 Au-Pt 합금에서는 Pt 농도를 24질량％ 이상 34질량％ 미만의 범위 내로 함으로써 제조할 수 있고, 비교적 광범위한 Pt 농도의 조정 폭을 갖는다.그리고, 본 발명에 관한 의료용 합금은 그 구성 원소로부터 생체 적합성, 내식성, 가공성 등의 의료용 합금으로서 요구되는 특성도 양호하다. 본 발명은 색전용 코일 등의 의료 기구에 적합하고, MRI 등의 자장 환경 내에서 사용되는 의료 기구에 유용하다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 Au-Pt계 합금의 상태도.도 2는 Au-28Pt 합금(열 처리 온도 900℃)의 SEM 사진.도 3은 Au-26Pt 합금(가공률 30％, 열처리 온도 850℃)의 SEM 사진.도 4는 Au-30Pt 합금, Au-26Pt 합금의 MRI 장치에 의한 촬상 결과. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다. 본 실시 형태에서는 Pt 농도를 변화시킨 Au-Pt 합금 잉곳을 제조하고, 이것을 단상화 처리한 후, 상분리를 위한 열처리를 행한 후, 그 상 구성을 확인한 후, 자화율 측정 및 아티팩트 발생 가능성의 유무를 검토하였다.제1 실시 형태: 여기서는, Pt 농도 28질량％ 이상 34질량％ 미만의 Au-Pt 합금을 제조하였다. 순Au 및 순Pt[모두 순도 99.99％: 다나카 기킨조쿠 고교(주)제]을 목적 조성이 되도록 칭량하고, 이것을 고주파 용해하여 합금 잉곳을 주조하였다. 합금 잉곳은 60g을 목표로 제조하였다. 이 용해 주조한 합금 잉곳에 대해 열간 단조를 행하였다. 이 단조 온도는 1000℃에서 행하였다.이어서, 합금 잉곳에 대해 단상화 처리를 행하고, α상 단상의 과포화 고용체 합금을 제조하였다. 단상화 처리로서, 먼저 합금 잉곳을 냉간 홈 압연하여 냉간 가공하였다(가공률은 40％). 그리고, 합금 잉곳을 1200℃에서 1시간 가열하였다. 그 후 빙수 중에 투입하여 급냉하였다. 이 냉간 가공과 열처리의 조합으로 이루어지는 단상화 처리는 3회 행하였다.그리고, 단상화 처리 후의 합금에 대해, 열처리를 행하여 Pt 리치상을 석출시켰다. 이 열처리는 600℃ 내지 950℃ 사이에서 설정하였다. 열처리는 합금을 가열하고, 시간 경과 후에 빙수 중에 투입하여 급냉하였다. 열처리 후의 합금을 냉간 홈 가공하여 Au-Pt 합금 와이어를 얻었다.제조한 Au-Pt 합금 와이어에 대해서는, 그 단면에 대해 SEM 관찰을 행하고, 조직 관찰(관찰 시야 140㎛×100㎛)을 행함과 함께 Pt 리치상인 α2상의 면적률 및 α1상의 합계 면적률을 산출하였다.이어서, 체적 자화율을 측정하였다. 자화율의 측정은 각 합금 샘플에 대해, 초전도 양자 간섭 소자(SQUID) 장치(퀀텀 디자인사제 7T－SQUID 자속계)로 행하였다. 측정 온도는 37℃였다. 그리고, 목표로 하는 자화율인 －5 내지 －13ppm의 범위 내인 것을 합격 「○」로 하고, 범위 외의 것을 불합격 「×」로 하였다. 이상의 각 분석ㆍ측정의 결과에 대해 표 1에 나타낸다.표 1로부터, 먼저, 본 실시 형태에서 제조한 각종 Au-Pt 합금(Pt 농도: 28질량％, 30질량％, 33질량％)은 모두 열처리 온도를 적절하게 설정하면서, Pt 농도에 따라 Pt 리치상(α2상)을 적정량 석출시킴으로써 적합한 자화율(－9ppm±4ppm)을 갖는 것이 되는 것을 알 수 있다. Pt 리치상(α2상)의 분포량(면적률)의 적합 범위는 Pt 농도에 따라 상이하지만, 본 실시 형태의 합금의 경우, 8 내지 10％(Pt 농도: 28질량％, 6 내지 9％(Pt 농도: 30질량％, 5 내지 6％(Pt 농도: 33질량％)가 적절 범위가 되고, Pt 리치상은 Pt 농도의 상승에 따라 저하된다. 또한, 적합한 자화율로 하기 위한 열처리 온도에 대해서는, 600 내지 700℃(Pt 농도: 28질량％), 600 내지 850℃(Pt 농도: 30질량％), 850 내지 950℃(Pt 농도: 33질량％)가 되고, Pt 농도의 상승에 따라 열처리 온도를 높게 하는 것이 바람직한 것을 알 수 있다. 또한, 이 실시 형태에 있어서의 각 합금의 α2상의 Pt 농도는 모두 45±5질량％의 범위 내에 있었다.도 2는 Au-28Pt 합금(열 처리 온도 900℃)의 SEM 사진이다. 도면으로부터, 이 합금의 조직에 있어서, 결정립계로부터 입자 내를 향하게 한 라멜라 형상의 석출상이 확인되었다. 화상 내의 석출물을 포함한 복수점에 대해 EDX 분석을 행한바, 이 석출상은 Pt 리치의 α2상과 Au 리치의 α1상이 교대로 층을 형성하고 있는 것이 확인되었다.제2 실시 형태: 이 실시 형태에서는, Pt 농도 24질량％ 이상 28질량％ 미만의 Au-Pt 합금을 제조하였다. 용해 주조에 의한 합금 잉곳의 제조 공정 및 단상화 처리에 의한 α상 단상의 과포화 고용체 합금의 제조 공정은 제1 실시 형태와 마찬가지로 하였다.본 실시 형태에서는, Pt 리치상 석출의 열처리 전에 Au-Pt 합금을 냉간 가공 하여 가공 변형의 도입을 행하였다. 이 가공은 실온에서 Au-Pt 합금에 가공도 10 내지 30％의 냉간 홈 압연을 하여 합금 와이어에 가공하는 것이다. 그리고, 가공 후의 각 합금 와이어를 열처리하여 Pt 리치상을 석출시켰다. 열처리 온도는 700 내지 850℃로 설정하였다.열처리 후의 각 샘플에 대해서는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 조직 관찰을 행하여, Pt 리치상의 면적률을 측정하였다. 또한, EDX 분석에 의해 Pt 리치상의 Pt 농도를 측정하였다. 그리고, 그 후 각 샘플의 자화율 측정을 행하였다. 표 2에 그 측정 결과를 나타낸다.표 2로부터 이 조성 범위의 합금에 대해서도 열처리 후, 적합한 자화율을 갖는 것인 것을 확인할 수 있다. 단, 이 조성 범위의 Au-Pt 합금에 있어서는, 열처리 전의 α상 단상 합금에 대한 가공이 필수이고, 가공이 없는 상태에서 열처리해도 Pt 리치상의 석출량은 적고, 그 Pt 농도도 낮기 때문에, 자화율은 크게 마이너스측이 된다. 또한, 열처리 전의 가공률에 의해 자화율에 적부의 차이가 발생하는 경우가 있다.도 3은 Au-26Pt 합금(가공률 30％, 열처리 온도 850℃)의 SEM 사진이다. 도면으로부터, 이 조성 범위의 합금에 있어서는, 결정립계를 중심으로 하면서도 입자 내에도 입상의 석출상이 확인된다. 표 2에 나타낸 바와 같이, 이 석출상의 Pt 농도는 86 내지 90질량％의 범위에 있고, 제1 실시 형태의 합금의 Pt 리치상(α2상)에 비해 Pt 농도가 높은 상이다.제3 실시 형태: 이 실시 형태에서는, Pt 농도 28질량％ 이상 34질량％ 미만의 Au-Pt 합금을 대상으로 하면서, 단상의 과포화 고용체로부터의 상분리 방법으로서 냉간 가공과 열처리의 조합을 적용하여 합금 제조를 행하였다. 제1 실시 형태와 마찬가지로 용해 주조로 합금 잉곳을 제조하여 단상화 처리를 행하고, 이 단상의 과포화 고용체 합금을 가공도 10 내지 30％의 냉간 홈 압연을 하여 냉간 가공을 행하고, 열처리 온도를 750 내지 850℃로 설정하여 열처리를 행하였다. 그 후, 조직 관찰, Pt 리치상의 Pt 농도 측정, 자화율 측정을 행하였다. 표 3에 그 측정 결과를 나타낸다.표 3으로부터, Pt 농도 28질량％ 이상 34질량％ 미만의 Au-Pt 합금에 대해서는, 냉간 가공과 열처리의 조합에 의해서도 적합한 자화율을 발휘시킬 수 있는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 예를 들어 Au-33질량％ Pt 합금에서는, 열처리만으로는 850℃ 이상의 열처리를 행하지 않으면 자화율을 적합하게 할 수 없지만(표 1), 냉간 가공을 조합함으로써 600℃에서도 자화율을 적합한 것으로 할 수 있는 것을 알 수 있다. 즉, 상분리 시에 냉간 가공을 조합함으로써, 열처리 온도의 저온화를 도모할 수 있다고 생각된다.상기 실시 형태에서 제조한 Au-Pt 합금 중, 제1 실시 형태에 있어서의 Au-30Pt 합금[열 처리 온도 850℃(가공 없음), 열처리 없음(가공 없음)]과, 제2 실시 형태에 있어서의 Au-26Pt 합금[열 처리 온도 800℃(가공률 30％), 열처리 없음(가공 없음)]의 4개 합금에 대해, MRI 장치(시먼스사제, Magnetom Sonata: 1.5T)를 사용하여 아티팩트의 유무를 평가하였다. 이 시험에서는 Pyrex(등록 상표)제의 시험관(φ3.5㎜) 중에 있어서 합금 샘플을 아가로오스 겔로 고정한 것을 MRI 장치를 사용하여 촬상을 행하고, 육안으로 확인하는 것으로 하였다. 촬상은 경사 에코법(TR: 270ms, TE: 15ms) 및 스핀 에코법(TR: 500ms, TE: 20ms)을 사용하였다.도 4는 각 Au-Pt 합금에 대한 MRI 장치에 의한 촬상 결과이다. 도 4로부터, 열처리, 가공에 의해 상 구성을 조정하지 않는 Au-Pt 합금에 있어서는, 명확한 아티팩트가 보인다. 이에 비해, 본 실시 형태에 따른 Au-Pt 합금은 아티팩트 프리인 것을 확인할 수 있다. [ 산업상 이용가능성 ] 본 발명에 관한 Au-Pt 합금으로 이루어지는 의료용 합금은 아티팩트 억제를 위해 적합한 자화율을 갖는다. 이 합금은 생체 적합성, 내식성, 가공성 등의 의료용 합금으로서 요구되는 특성도 양호하다. 본 발명은 색전용 코일, 클립, 카테터, 스텐트, 가이드 와이어 등의 의료 기구이며 MRI 등의 자장 환경 내에서 사용되는 의료 기구에 유용하다.
본 발명은 Au-Pt 합금으로 이루어지는 의료용 합금이며, Pt 농도 24질량％ 이상 34질량％ 미만, 잔부 Au으로 이루어지고, α상 매트릭스에, 적어도, α상보다도 Pt 농도가 높은 Pt 리치상이 분포하는 재료 조직을 갖고, 상기 Pt 리치상은 α상의 Pt 농도에 대해 1.2 내지 3.8배의 Pt 농도의 Au-Pt 합금으로 이루어지고, 임의 단면에 있어서의 상기 Pt 리치상의 면적률이 1 내지 22％인 의료용 합금이다. 이 합금은 MRI 등의 자장 환경으로의 적합성이 우수하고, 물의 자화율에 대해 ±4ppm의 자화율을 갖고, 아티팩트 프리를 실현 가능한 합금 재료이다.
[ 발명의 명칭 ] 향상된 프라이버시를 갖는 보안 차량 데이터 관리SECURE VEHICULAR DATA MANAGEMENT WITH ENHANCED PRIVACY [ 기술분야 ] 본 발명은 데이터 보안에 관한 것으로서, 구체적으로는 차량 제어 아키텍처를 통해 이용 가능한 운영자 데이터의 프라이버시를 안전하게 보호하기 위한 방안에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 통신 기술의 빠른 발전은 무선 통신이 모든 사회 양태 속으로 스며들게 하고 있다. 스마트폰과 같은 진보된 통신 장치의 출현에 더하여, 일반적으로 전자 통신을 통해 상호작용하는 능력을 특징으로 하지 않는 일부 기존 응용이 이제는 이러한 기능을 획득하고 있다. 예로서, 많은 차량은 유선 또는 무선 통신을 통해 운영자, 탑승자, 다른 차량, 차량 지원 시스템 등과 상호작용하는 능력을 소유한다. 가장 일반적으로, 운영자 및/또는 탑승자는 멀티미디어 콘텐츠를 소비하고, 내비게이션 또는 다른 방향 시스템에 액세스하고, 근거리 네트워크(LAN) 또는 광역 네트워크(WAN)와 같은 네트워크에 액세스하는 것 등을 위해 스마트 차량 시스템에 액세스할 수 있다. 그러나, 이러한 사용자 레벨 상호작용은 전자 통신이 차량 시스템 내에 통합되고 있는 방법의 시작일 뿐이다.자동차의 동작을 제어하는 기술은 전통적인 기계 기반 시스템으로부터 전자 제어로 바뀌고 있다. 이러한 전자 제어 시스템은 현대적인 자동차의 동작을 제어할 뿐만 아니라, 동작과 관련된 데이터를 저장할 수도 있다. 예를 들어, 자동차 속도, 코너링으로 인한 힘 반작용, 운영 체제 액세스(예로서, 회전 신호 사용, 엔터테인먼트 시스템 사용, 셀룰러 통신 시스템 사용 등)는 모두 자동차의 제어 시스템에 의해 추적 및 기록될 수 있다. 일반적으로, 이러한 정보는 주로 차량 유지를 위해 사용될 수 있다. 그러나, 곧, 차량 동작 데이터가 기록되는 시간에 차량 운영자 및/또는 승객을 식별하는 것이 가능할 수 있다. 이러한 능력은 예로서 보험 회사, 정부 단체(예로서, 법 집행부, 규칙 제정 단체 등), 차량 관련 통계를 발표하는 조직 등을 포함하는 다양한 엔티티에게 바람직할 수 있다. 차량 데이터가 이용 가능해지는 것에 대한 사회적 이익이 존재할 수 있지만, 운영자/차량 데이터가 (차량 운영자에게 알려지거나 알려지지 않은) 당사자에게 자유롭게 전파되는 시나리오는 그의 수용에 영향을 줄 수 있는 실질적인 프라이버시 문제를 유발한다. [ 도면의 간단한 설명 ] 청구 발명의 다양한 실시예의 특징 및 장점은 아래의 상세한 설명이 진행됨에 따라 그리고 도면을 참조할 때 명백해질 것이며, 도면에서 동일한 번호는 동일한 요소를 지시한다. 도면에서:도 1은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 따른, 향상된 프라이버시를 갖는 보안 차량 데이터 관리를 위해 구성되는 예시적인 장치를 나타낸다.도 2는 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 따른 장치의 예시적인 구성을 나타낸다.도 3은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 따른, 향상된 프라이버시를 갖는 보안 차량 데이터 관리의 예시적인 구현 및 동작을 나타낸다.도 4는 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 따른, 향상된 프라이버시를 갖는 보안 차량 데이터 관리를 위한 예시적인 동작을 나타낸다.아래의 상세한 설명은 예시적인 실시예를 참조하여 진행되지만, 많은 대안, 변경 및 변형이 이 분야의 기술자에게 명백할 것이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명은 향상된 프라이버시를 갖는 보안 차량 데이터 관리에 관한 것이다. 일 실시예에서, 차량은 적어도 차량의 동작을 제어하기 위한 차량 제어 아키텍처(VCA) 및 장치를 포함할 수 있다. 차량 제어에 더하여, VCA는 적어도 하나의 차량 운영자를 식별하는 동작 데이터 및 적어도 하나의 차량 운영자에 의한 차량의 조작 동안 기록되는 차량 동작 데이터를 기록할 수 있다. 장치는 적어도 통신 모듈 및 신뢰되는 실행 환경(TEE) 내에 보호되는 프라이버시 실시 모듈(PEM)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, PEM은 통신 모듈을 통해 VCA로부터 동작 데이터를 수신할 수 있고, 프라이버시 설정에 기초하여 동작 데이터를 필터링함으로써 필터링된 데이터를 생성할 수 있고, 이어서 필터링된 데이터가 통신 모듈을 통해 전송되게 할 수 있다. 예를 들어, 필터링된 데이터는 VCA에 결합되거나, 차량 밖에 위치하거나, 기타 등등인 적어도 하나의 데이터 소비자에게 전송될 수 있다. 프라이버시 설정은 적어도 하나의 운영자에 의해 PEM 내에 구성될 수 있다.일 실시예에서, 장치는 예로서 통신 모듈 및 적어도 프라이버시 실시 모듈을 포함하는 신뢰되는 실행 환경을 포함할 수 있다. 통신 모듈은 적어도 차량 제어 아키텍처와 통신할 수 있다. 차량 제어 아키텍처는 장치가 위치하는 차량의 동작을 제어할 수 있다. 프라이버시 실시 모듈은 통신 모듈을 통해 차량 제어 아키텍처로부터 동작 데이터를 수신하고, 프라이버시 설정에 기초하여 동작 데이터를 필터링함으로써 필터링된 데이터를 생성할 수 있다. 프라이버시 실시 모듈은 또한 필터링된 데이터가 통신 모듈에 의해 전송되게 할 수 있다.일 실시예에서, 통신 모듈은 또한 예로서 차량의 외부에 위치할 수 있는 적어도 하나의 데이터 소비자와 통신할 수 있다. 프라이버시 실시 모듈은 또한 통신 모듈을 통해 적어도 하나의 데이터 소비자로부터 필터링된 데이터에 대한 요청을 수신할 수 있다. 신뢰되는 실행 환경은 알려진 양호한 프로그램만이 실행되는 보안 작업 공간일 수 있으며, 프라이버시 실시 모듈은 알려진 양호한 프로그램일 수 있다. 프라이버시 실시 모듈이 필터링된 데이터를 생성하는 것은 프라이버시 실시 모듈이 프라이버시 설정에 기초하여 필터링된 데이터로부터 동작 데이터의 적어도 일부를 제거하는 것을 포함할 수 있다. 동작 데이터는 적어도 하나의 차량 운영자를 식별하는 데이터 및 적어도 하나의 차량 운영자에 의한 차량의 조작 동안 기록되는 차량 동작 데이터를 포함할 수 있다. 프라이버시 실시 모듈이 필터링된 데이터를 생성하는 것은 프라이버시 실시 모듈이 적어도 하나의 차량 운영자를 식별하는 데이터를 코딩된 식별 데이터로 대체하거나, 프라이버시 설정에 기초하여 적어도 하나의 차량 운영자를 익명화하기 위해 적어도 하나의 차량 운영자를 식별하는 데이터를 변경하는 것을 포함할 수 있다.동일한 또는 다른 실시예에서, 차량 제어 아키텍처는 차량 동작의 상이한 영역을 제어하기 위한 복수의 제어기를 포함할 수 있다. 복수의 제어기는 버스 통신 아키텍처 또는 광학 메시 통신 아키텍처 중 적어도 하나를 이용하여 통신할 수 있다. 복수의 제어기 내의 적어도 하나의 제어기는 프라이버시 설정이 구성되는 것을 가능하게 하기 위해 차량 내의 사용자 인터페이스를 제어할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 예시적인 방법은 장치가 위치하는 차량을 제어하기 위한 차량 제어 아키텍처로부터 장치 내의 동작 데이터를 수신하는 단계, 프라이버시 설정에 기초하여 동작 데이터를 필터링함으로써 필터링된 데이터를 생성하는 단계 - 필터링된 데이터는 장치 내의 신뢰되는 실행 환경 내에 포함된 프라이버시 실시 모듈에 의해 생성됨 -, 및 필터링된 데이터가 전송되게 하는 단계를 포함할 수 있다.도 1은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 따른 향상된 프라이버시를 갖는 보안 차량 데이터 관리를 위해 구성되는 예시적인 장치를 나타낸다. 본 명세서에서의 설명을 위해, 차량(100)은 도로 주행 운송 수단(예로서, 모터사이클, 자동차, 트럭 등)으로서 설명될 수 있다. 그러나, 차량(100)은 철도 주행 차량, 수상 차량, 항공기, 무한 궤도 차량 등과 같은, 그러나 이에 한정되지 않은 임의 타입의 차량일 수 있다. 차량(100)은 예로서 장치(102) 및 차량 제어 아키텍처(VCA)(104)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 장치(102)는 VCA(104)로부터 수신되는 동작 데이터를 필터링하여, 데이터 소비자(106)에게 사적인 것으로 간주될 수 있는 정보의 제공을 방지할 수 있다. 장치(102)는 제조 동안 차량(100) 내에 설치되는 오리지널 장비일 수 있거나, 애프터마켓 장비로서 설치될 수 있거나, 제거 가능하고 다른 용도에 적용될 수 있거나, 기타 등등일 수 있다. 예로서, 제거 가능 장치(102)는 차량(100)과 결합될 때 본 명세서에서 설명되는 것과 같은 기능에 따르는 방식으로만 동작할 수 있다. 제거 가능 장치(102)의 예는 안드로이드(등록상표) OS, iOS(등록상표), 윈도(등록상표) OS, 블랙베리(등록상표) OS, 팜(등록상표) OS, 심비안(등록상표) OS 등에 기초하는 셀룰러 핸드셋 또는 스마트폰과 같은 이동 통신 장치, iPad(등록상표), 서피스(등록상표), 갤럭시 탭(등록상표), 킨들 파이어(등록상표) 등과 같은 태블릿 컴퓨터, 인텔사에 의해 제조되는 저전력 칩셋을 포함하는 울트라북(등록상표), 넷북, 노트북, 랩탑, 팜탑 등과 같은 이동 컴퓨팅 장치를 포함할 수 있지만 이에 한정되지 않는다.VCA(104)는 차량(100) 내의 동작을 제어하기 위한 적어도 하나의 제어기를 포함할 수 있다. 실제로, 자동차와 같은 차량은 차량 동작의 상이한 양태를 제어하기 위한 복수의 제어기를 포함할 수 있다. 예로서, 개별 제어기는 엔진 동작, 드라이브트레인 시프팅, 서스펜션 조정, 가열, 배기 및 에어 컨디셔닝(HVAC) 동작, 드라이버 인터페이스 동작, 엔터테인먼트 및 내비게이션 시스템, 보안, 차량 조건 모니터링 및 경고 시스템 등을 제어하는 데 사용될 수 있다. 이러한 제어기는 차량 동작에 관한 정보를 저장할 수도 있다. 예로서, 제어기는 차량 위치, 속도, 가속도, 서스펜션 변화(예로서, 차량이 코너링할 때, 코너링 동안의 G-힘 및/또는 보디 각도 등), 사용자 액션(예로서, 회전 신호 동작, 라디오 동작, 통신 시스템 동작 등) 등을 저장할 수 있다. 더 진보된 차량에서는, 차량의 운영자도 VCA(104) 내의 제어기에 의해 결정될 수 있다. 예로서, 운영자는 차량(100)을 시동하는 데 사용되는 키 내의 전자회로에 의해, 차량(100) 내의 보안을 비활성화하기 위해 사용자 인터페이스 내에 키잉된 코드에 의해, 생체 식별에 의해(예로서, 음성 식별, 지문 식별, 얼굴 인식 등에 의해) 식별될 수 있다. 따라서, VCA(104)는 차량 운영자의 식별을 식별된 차량 운영자가 차량(100)을 조작할 때 기록되는 차량 동작 데이터와 함께 저장할 수 있다.데이터 소비자(106)는 장치(102)로부터 필터링된 데이터를 수신하기 위한 적어도 하나의 엔티티를 포함할 수 있다. 데이터 소비자(106)의 예는 정비사(예로서, 차량(100)에 물리적으로 접속되는 장치를 통함), 차량 동작 데이터를 수집하는 원격 위치하는 엔티티 등을 포함할 수 있다. 데이터 소비자(106)가 원격 엔티티인 예에서, 장치(102)는 원격 엔티티와 관련된 장비와 무선 통신을 통해 상호작용할 수 있다. 예로서, 원격 엔티티의 장비는 (예로서, 클라우드 기반 컴퓨팅 아키텍처에서) 인터넷과 같은 WAN을 통해 액세스 가능한 적어도 하나의 컴퓨팅 장치(예로서, 서버)를 포함할 수 있다.장치(102)는 예로서 프라이버시 실시 모듈(PEM)(110)을 포함하는 신뢰되는 실행 환경(TEE)(108)을 포함할 수 있다. TEE(108)는 알려진 양호한 프로그램(예로서, PEM(110))이 실행될 수 있거나 비밀 정보가 보안 방식으로 저장될 수 있거나 기타 등등인 보안 작업 공간일 수 있다. 하나의 예시적인 구현에서, TEE(108)는 인텔사에 의해 개발된 보안 구역(Secure Enclave: SE) 기술을 이용할 수 있다. SE는 시스템 메모리 내에 안전하고 하드웨어-암호화되는 계산 및 저장 영역을 제공할 수 있으며, 그의 콘텐츠는 특권 코드에 의해 또는 메모리 버스에 대한 하드웨어 프로브의 적용을 통해서도 해독될 수 없다. TEE(108)가 SE 내에 존재할 때, 본 발명에 따른 실시예는 침입자가 TEE(108)의 콘텐츠를 해독하는 것을 불가능하게 한다.예로서, SE는 애플리케이션, 데이터 등을 보호하기 위한 가상 안전으로서 시각화될 수 있다. 애플리케이션 개발자는 보호되어야 하는 메모리 영역을 지정할 수 있으며, 이는 안전을 생성한다. 이 시점에, 이용 가능한 안전이 존재하지만, 어떠한 값도 그 안에 저장되지 않는다. 이어서, 애플리케이션 개발자는 코드를 보호되는 메모리 영역 내에 배치할 수 있으며, 임의의 필요한 데이터를 초기화할 수 있다. 이 시점에서, 코드 및 데이터는 안전 내부에 배치되었지만, 어느 것도 아직 비밀은 아닌데, 이는 "안전 문"이 여전히 열려 있으므로 누군가가 안전 내에 배치된 것을 보았을 수 있기 때문이다. 애플리케이션은 이어서 SE를 초기화할 수 있으며, 이는 안전의 문의 폐쇄 및 잠금의 등가물로서 간주될 수 있다. 이 시점으로부터 앞으로, 구역 코드는 안전의 내부에서만 실행될 수 있으며, 이 구역 내에서의 코드 실행은 보안 키(예로서, 보호되는 데이터)를 생성할 수 있다. 보호되는 데이터 값은 SE 밖에서 관찰될 수 없으며, 따라서 코드 및 데이터는 SE 밖에서 액세스될 수 없다.TEE(108)가 SE 내에 존재하는 예시적인 구현에서, (각각의 프로그램의 콘텐츠의 암호 해시 측정에 기초하는) 프로그램의 식별은 설명되고, 각각의 프로그램 내에 저장될 수 있다. 이어서, 프로그램이 로딩될 때, 프로세서는 (예로서, 프로세서에 의해 계산된 바와 같은) 프로그램의 측정이 프로그램 내에 이전에 삽입된 측정과 동일하다는 것을 검증한다. 삽입된 측정에 서명하는 데 사용되는 서명도 검증 가능한데, 이는 프로세서가 프로그램 로드 시간에 서명을 검증하는 데 사용되는 공개 키를 구비하기 때문이다. 이러한 방식으로, 멀웨어는 프로그램을 변조할 수 없으며, 그의 검증 가능 측정을 변경하지도 못한다. 멀웨어는 서명을 속일 수도 없는데, 이는 서명 키가 프로그램의 저자에 의해 보호되기 때문이다. 따라서, 소프트웨어는 임의의 멀웨어에 의해 판독, 기록 또는 변경되지 않을 수 있다. 더욱이, 데이터는 TEE(108) 내에 보호될 수도 있다. 예로서, TEE(108) 내의 알려진 양호한 프로그램은 키, 패스워드, 라이선스 등과 같은 데이터를 암호화할 수 있으며, 따라서 검증된 양호한 프로그램만이 이러한 정보를 해독할 수 있다. 하나의 TEE(108)만이 장치(102) 내에 나타나지만, 복수의 TEE(108)가 존재하는 것도 가능하다. 복수의 TEE(108)의 사용은 장치(102) 내의 보안을 증가시킬 수 있는데, 이는 하나의 TEE(108)가 손상되는 경우에 나머지 개별 TEE(108)의 보안이 그대로 유지되기 때문이다.일반적으로, PEM(110)은 동작 데이터의 (예로서, 데이터 소비자(106)로의) 전송 전에 프라이버시 설정에 기초하여 VCA(104)로부터 수신된 동작 데이터를 필터링할 수 있다. 예로서, 차량(100)은 차량(100)의 운영자에 대한 매우 포괄적인 동작 데이터 및 운영자에 의해 운전되는 동안의 차량(100)의 일반 동작을 기록할 수 있다. 이러한 동작 데이터는 예로서 운영자의 식별, 운영자가 차량(110)을 운전한 위치, 차량(100)이 운전된 방법, 차량(100)이 운전되는 동안 발생한 것 등을 포함할 수 있다. 차량(100)의 운영자는 이러한 동작 데이터 모두가 프라이버시 문제, 안전/보안 문제 등으로 인해 데이터 소비자(106)에 의해 이용 가능하게 되기를 원하지 않을 수 있다.PEM(110)은 TEE(108) 내의 알려진 양호한 프로그램일 수 있으며, 따라서 TEE(108)는 PEM(110)의 액세스, 변경, 손상 등을 방지할 수 있다. 예로서, 기술자는 PEM(110)에 액세스하여 프라이버시 설정을 변경함으로써 개인 정보가 데이터 소비자(106)에게 제공되는 것을 가능하게 하도록 시도할 수 있다. 프라이버시 설정은 차량의 제조 동안 차량의 운영자에 의해 차량(100) 내의 사용자 인터페이스 등을 통해 구성될 수 있다. 프라이버시 설정은 VCA(104)로부터 수신된 동작 데이터의 부분을 제거 및/또는 변경함으로써 필터링된 데이터를 생성하도록 PEM(110)에 지시할 수 있다. 예로서, PEM(110)은 운영자의 실제 식별(예로서, 이름, 주소, 전화 등)의 발생을 인코딩된 정보로 대체할 수 있다. 인코딩된 정보의 예는 보험 계좌 번호, 서비스 가입자 번호, 차량 식별 번호(VIN) 등을 포함할 수 있다. 대안으로서, PEM(110)은 단지 프라이버시 설정에 의해 지시되는 바와 같은 개인 정보를 제거할 수 있다. 예로서, PEM(110)은 위치 데이터, 속도 데이터, 차량(100)에서 운영자에 의해 수행되는 액션에 대한 데이터 등 중 하나 이상을 제거할 수 있다.도 2는 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 따른 장치의 예시적인 구성을 나타낸다. 특히, 장치(102')는 도 1에 개시된 것과 같은 예시적인 기능을 수행할 수 있다. 그러나, 장치(102')는 본 발명에 따른 실시예에서 사용 가능한 장비의 일례인 것을 의도할 뿐이며, 이러한 다양한 실시예를 임의의 특정 구현 방식으로 한정하는 것을 의도하지 않는다.장치(102')는 장치 동작을 관리하도록 구성되는 시스템 모듈(200)을 포함할 수 있다. 시스템 모듈(200)은 예로서 처리 모듈(202), 메모리 모듈(204), 전력 모듈(206), 사용자 인터페이스 모듈(208) 및 통신 인터페이스 모듈(210)을 포함할 수 있다. 장치(102')는 통신 모듈(212) 및 TEE(108')도 포함할 수 있다. 통신 모듈(212) 및 TEE(108')가 시스템 모듈(200)로부터 분리하여 도시되지만, 장치(102')의 예시적인 구현은 본 명세서에서의 설명을 위해서만 제공되었다. 통신 모듈(212) 및/또는 TEE(108')와 관련된 기능의 일부 또는 전부가 시스템 모듈(200) 내에 통합될 수도 있다.장치(102')에서, 처리 모듈(202)은 개별 컴포넌트 내에 위치하는 하나 이상의 프로세서를 포함할 수 있거나, 대안으로서 단일 컴포넌트(예로서, 시스템-온-칩(SoC)) 및 임의의 프로세서 관련 지원 회로(예로서, 브리징 인터페이스 등) 내에 구현되는 하나 이상의 처리 코어를 포함할 수 있다. 예시적인 프로세서는 펜티엄, 제온, 이타늄, 셀러론, 아톰, 코어 i 시리즈 제품 패밀리, 진보된 RISC(예로서, 축소 명령어 세트 컴퓨팅) 기계 또는 "ARM" 프로세서 등 내의 것을 포함하는, 인텔사로부터 입수 가능한 다양한 x86 기반 마이크로프로세서를 포함할 수 있지만 이에 한정되지 않는다. 지원 회로의 예는 처리 모듈(202)이 장치(102) 내에서 상이한 속도로, 상이한 버스 상에서, 기타 등등에서 동작할 수 있는 다른 시스템 컴포넌트와 상호작용할 수 있는 인터페이스를 제공하도록 구성되는 칩셋(예로서, 인텔사로부터 입수 가능한 노스브리지, 사우스브리지 등)을 포함할 수 있다. 지원 회로와 일반적으로 관련된 기능의 일부 또는 전부는 (예로서, 인텔사로부터 입수 가능한 프로세서의 샌디 브리지 패밀리에서와 같이) 프로세서와 동일한 물리 패키지 내에 포함될 수도 있다.처리 모듈(202)은 장치(102')에서 다양한 명령어를 실행하도록 구성될 수 있다. 명령어는 처리 모듈(202)이 데이터 판독, 데이터 기록, 데이터 처리, 데이터 형성, 데이터 변환, 데이터 변형 등과 관련된 활동을 수행하게 하도록 구성되는 프로그램 코드를 포함할 수 있다. 정보(예로서, 명령어, 데이터 등)는 메모리 모듈(204) 내에 저장될 수 있다. 메모리 모듈(204)은 고정 또는 제거 가능 포맷의 랜덤 액세스 메모리(RAM) 또는 판독 전용 메모리(ROM)를 포함할 수 있다. RAM은 예로서 정적 RAM(SRAM) 또는 동적 RAM(DRAM)과 같이 장치(102')의 동작 동안 정보를 유지하도록 구성되는 메모리를 포함할 수 있다. ROM은 장치(102')가 활성화될 때 명령어를 제공하도록 구성되는 바이오스 또는 통합 확장형 펌웨어 인터페이스(UEFI) 메모리와 같은 메모리, 전자 프로그래밍 가능 ROM(EPROM)과 같은 프로그래밍 가능 메모리, 플래시 등을 포함할 수 있다. 다른 고정 및/또는 제거 가능 메모리는 예로서 플로피 디스크, 하드 드라이브 등과 같은 자기 메모리, 반도체 플래시 메모리(예로서, 내장 멀티미디어 카드(eMMC) 등)와 같은 전자 메모리, 제거 가능 메모리 카드 또는 스틱(예로서, 마이크로 저장 장치(uSD), USB 등), 컴팩트 디스크 기반 ROM(CD-ROM)과 같은 광학 메모리 등을 포함할 수 있다. 전력 모듈(206)은 내부 전원(예로서, 배터리) 및/또는 외부 전원(예로서, 전기 기계 또는 태양 발전기, 전력 그리드, 연료 전지 등), 및 동작에 필요한 전력을 장치(102')에 제공하도록 구성되는 관련 회로를 포함할 수 있다.사용자 인터페이스 모듈(208)은 예로서 장치(102')의 타입에 기초하여 옵션일 수 있다. 예로서, 사용자 인터페이스 모듈(208)은 장치(102')가 공장에서 차량(100) 내에 설치된 장비인 경우에 필요하지 않을 수 있는 반면, 제거 가능 장치(102')(예로서, 스마트폰)는 사용자 인터페이스 모듈(208)을 포함할 수 있다. 사용자 인터페이스 모듈(208)은 예로서 다양한 입력 메커니즘(예로서, 마이크, 스위치, 버튼, 노브, 키보드, 스피커, 터치 감지 표면, 이미지를 캡처하고/하거나 근접, 거리, 모션, 제스처 배향 등을 감지하도록 구성되는 하나 이상의 센서) 및 다양한 출력 메커니즘(예로서, 스피커, 디스플레이, 조명/플래싱 지시기, 진동, 모션 등을 위한 전자 기계 컴포넌트)과 같이 사용자가 장치(102')와 상호작용하는 것을 가능하게 하기 위한 장비 및/또는 소프트웨어를 포함할 수 있다. 사용자 인터페이스 모듈(208) 내의 장비는 장치(102') 내에 통합될 수 있고/있거나, 유선 또는 무선 통신 매체를 통해 장치(102')에 결합될 수 있다.통신 인터페이스 모듈(210)은 유선 및/또는 무선 통신을 지원하도록 구성되는 자원을 포함할 수 있는 통신 모듈(212)을 위한 패킷 라우팅 및 다른 제어 기능을 처리하도록 구성될 수 있다. 유선 통신은 예로서 이더넷, 유니버설 직렬 버스(USB), 파이어와이어, 디지털 비디오 인터페이스(DVI), 고화질 멀티미디어 인터페이스(HDMI) 등과 같은 직렬 및 병렬 유선 매체를 포함할 수 있다. 무선 통신은 예로서 근접 무선 매체(예로서, 근거리장 통신(NFC) 표준과 같은 무선 주파수(RF), 적외선(IR), 광학 문자 인식(OCR), 자기 문자 감지 등), 단거리 무선 매체(예로서, 블루투스, WLAN, 와이파이 등) 및 장거리 무선 매체(예로서, 셀룰러 광역 무선 통신 기술, 위성 기반 통신 등)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 통신 인터페이스 모듈(210)은 통신 모듈(212)에서 활성인 무선 통신이 서로 간섭하는 것을 방지하도록 구성될 수 있다. 이러한 기능을 수행함에 있어서, 통신 인터페이스 모듈(210)은 예로서 전송을 기다리는 메시지의 상대 우선순위에 기초하여 통신 모듈(212)에 대한 활동을 스케줄링할 수 있다.도 2에 도시된 실시예에서, TEE(108')는 적어도 사용자 처리 모듈(202), 메모리 모듈(204) 및 통신 모듈(212)과 상호작용하도록 구성될 수 있다. 동작의 예에서, TEE(108') 내에서 동작하는 PEM(110')은 (예로서, 데이터 소비자(106)로부터) 통신 모듈(212)을 통해 동작 데이터에 대한 요청을 수신할 수 있고, 이어서 통신 모듈(212)을 통해 VCA(104)로부터 동작 데이터를 수신할 수 있다. TEE(108')는 동작 데이터로부터 필터링된 데이터를 생성하기 위해 처리 모듈(202) 및/또는 메모리 모듈(206)에 의존할 수 있다. 데이터 필터링이 완료된 후, PEM(110')은 통신 모듈(212)이 장치(102')로부터 필터링된 데이터를 (예로서, 데이터 소비자(106)로) 전송하게 할 수 있다.도 3은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 따른, 향상된 프라이버시를 갖는 보안 차량 데이터 관리의 예시적인 구현 및 동작을 나타낸다. 도 3에서, VCA(104')는 버스 구조(300) 상에서 상호작용할 수 있는 VCU1, VCU2, VCU3, VCU4, VCU5, VCU6, VCU7 및 VCU8(예로서, 공동으로 VCU1 ...8)을 포함하는 복수의 차량 제어 유닛(VCU)으로서 도시되었다. 8개의 VCU1 ...8이 도 3에 도시되었지만, 차량(100')의 복잡성(예로서, 차량(100') 내의 자동화된 시스템의 수) 등에 따라 더 많거나 적은 VCU가 사용될 수 있다. VCU1 ...8은 각각 차량(100') 내의 동작의 상이한 영역을 제어할 수 있다. 버스 구조(300)는 제어 영역 네트워크 버스(CAN 버스), 자동차 광학 제어 메시, 또는 PEM(110)과는 물론, 차량(100') 내의 VCU1 ...8 사이의 통신을 가능하게 하는 임의의 다른 타입의 네트워크일 수 있다. 예로서, 장치(102')와 관련하여 설명된 바와 같은 통신 모듈(212)은 인터페이스를 포함할 수 있으며, 따라서 PEM(110)은 버스(300) 상에서 통신할 수 있거나, 대안으로서 장치(102)는 버스(300) 상에서 통신하기 위한 개별 인터페이스를 포함할 수 있다.사용자 인터페이스(302)는 차량(100')의 운영자에 의해 액세스될 수 있는 사용자 인터페이스일 수 있다. 사용자 인터페이스(302)의 예는 차량(100') 내의 내비게이션/통신/엔터테인먼트 시스템을 포함할 수 있다. 사용자 인터페이스(302)는 VCU1에 의해 지원될 수 있다. 차량(100')의 운영자는 사용자 인터페이스(302)와 상호작용하여, PEM(110) 내의 바람직한 프라이버시 설정(306)을 구성할 수 있다. 예로서, 사용자 인터페이스(302)와의 상호작용은 VCU1 내에 프라이버시 설정을 구성할 수 있으며, VCU1은 304에 도시된 바와 같이 프라이버시 설정을 버스(300)를 통해 PEM(110)으로 전송할 수 있다. 도시되지 않지만, 사용자 인터페이스(302)가 PEM(110)과 직접 상호작용하는 것도 가능하다. 예로서, 장치(102)가 제거 가능할 때(예로서, 스마트폰, 이동 컴퓨팅 장치 등), 운영자는 사용자 인터페이스 모듈(208)을 통해 제거 가능 장치(102)와 직접 상호작용하여 프라이버시 설정(306)을 구성할 수 있다.동작의 예에서, 운영자는 308에 도시된 바와 같이 차량(100')에 들어가거나 차량 보안을 비활성화하거나 차량(100')을 시동하거나 기타 등등일 때 VCU(예로서, VCU4)에 의해 식별될 수 있다. 다양한 VCU는 동작 데이터를 저장하고, 이어서 310에 도시된 바와 같이 버스(300)를 통해 동작 데이터를 PEM(110)에 제공할 수 있다. 동작 데이터는 예로서 주기적으로, 요청시에, 이벤트(예로서, 서비스 경보)의 발생시에, 기타 등등에 제공될 수 있다. 이어서, PEM(110)은 프라이버시 설정을 이용하여, 동작 데이터를 필터링함으로써 필터링된 데이터를 생성할 수 있다. 필터링은 프라이버시 설정에 기초하여 동작 데이터의 일부를 변경 또는 제거하는 것을 포함할 수 있다. 이어서, 필터링된 데이터는 314에 도시된 바와 같이 데이터 소비자(106A', 106B', 106C)(공동으로 106A...C)에게 전송될 수 있다. 예시적인 데이터 소비자는 보험 회사(106A'), 개인 클라우드 서비스(106B')(예로서, 인터넷과 같은 WAN을 통해 액세스 가능한 원격 위치하는 데이터 저장소), 차량 데이터 축적기(106C)(예로서, 운전 법의 결정을 담당하는 사설 또는 정부 기관) 등을 포함할 수 있지만 이에 한정되지 않는다. 3개의 데이터 소비자(106A...C)가 도 3에 개시되었지만, 동작 데이터에 관심 있는 당사자에 따라 더 많거나 적은 데이터 소비자(106)가 존재할 수 있다.도 4는 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 따른, 향상된 프라이버시를 갖는 보안 차량 데이터 관리의 예시적인 동작을 나타낸다. 동작 400에서, 차량 내의 장치에서 프라이버시 설정이 구성될 수 있다. 예로서, 운영자는 차량 내의 내비게이션, 엔터테인먼트 및/또는 통신 인터페이스에 의해 제공되는 사용자 인터페이스를 통해 프라이버시 설정을 구성할 수 있다. 이어서, 동작 402에서 동작 데이터에 대한 요구가 트리거될 수 있다. 예로서, 데이터 소비자로부터 요청이 수신될 수 있거나(예로서, 풀(pull) 구성), 동작 데이터를 전송하기 위한 주기적인 또는 이벤트 기반 요구가 트리거될 수 있거나(예로서, 푸시(push) 구성), 기타 등등일 수 있다. 동작 404에서, 요구에 따라 전송될 데이터가 프라이버시 설정을 고려하여 평가될 수 있다. 구체적으로, 이전에 구성된 프라이버시 설정에 기초하여, 전송될 동작 데이터의 구성을 검토하여, 데이터 필터링이 필요한지를 결정할 수 있다.동작 406에서, (예로서, 프라이버시 설정에 기초하여) 동작 데이터를 전송하는 것이 OK인지에 관한 결정이 수행될 수 있다. 동작 406에서 동작 데이터를 전송하는 것이 OK인 것으로 결정되는 경우, 동작 408에서, 동작 데이터가 예로서 적어도 하나의 데이터 소비자에게 전송될 수 있다. 대안으로서, 동작 406에서 동작 데이터를 전송하는 것이 OK 조건이 아닌 것으로 결정되는 경우(예로서, 동작 데이터의 적어도 일부가 프라이버시 설정에 의해 전송이 금지된 정보를 포함하는 경우), 동작 408에서, 동작 데이터의 필터링에 기초하여 필터링된 데이터가 생성될 수 있다. 예로서, 동작 데이터의 적어도 일부가 프라이버시 설정에 기초하여 (예로서, 장치에서 동작하는 PEM에 의해) 변경 또는 제거될 수 있다. 동작 412에서, 필터링된 데이터가 (예로서, 적어도 하나의 데이터 소비자에게) 전송될 수 있다. 일 실시예에서, 동작 데이터에 대한 새로운 요구는 동작이 동작 402로 복귀하게 할 수 있는 반면, 차량을 이용하는 새로운 운영자는 새로운 프라이버시 설정의 구성을 위해 동작이 400에서 재개되게 할 수 있다.도 4는 일 실시예에 따른 동작을 나타내지만, 도 4에 도시된 모든 동작이 다른 실시예에 필요한 것은 아니라는 것을 이해해야 한다. 사실상, 본 명세서에서는, 본 발명의 다른 실시예에서 도 4에 도시된 동작 및/또는 본 명세서에서 설명되는 다른 동작이 임의의 도면에 구체적으로 도시되지 않은 방식으로 그러나 여전히 충분히 본 발명에 따라 결합될 수 있는 것이 충분히 고려된다. 따라서, 하나의 도면에 정확히 도시되지 않은 특징 및/또는 동작과 관련된 청구항은 본 발명의 범위 및 내용 안에 있는 것으로 간주된다.본원 및 청구항에서 사용되는 바와 같이, 용어 "및/또는"에 의해 연결되는 아이템의 리스트는 리스트되는 아이템의 임의 조합을 의미할 수 있다. 예로서, 표현 "A, B 및/또는 C"는 A; B; C; A 및 B; A 및 C; B 및 C; 또는 A, B 및 C를 의미할 수 있다. 본원 및 청구항에서 사용되는 바와 같이, 용어 "적어도 하나"에 의해 연결되는 아이템의 리스트는 리스트되는 아이템의 임의 조합을 의미할 수 있다. 예로서, 표현 "A, B 또는 C 중 적어도 하나"는 A; B; C; A 및 B; A 및 C; B 및 C; 또는 A, B 및 C를 의미할 수 있다.본 명세서의 임의의 실시예에서 사용되는 바와 같이, 용어 "모듈"은 전술한 임의의 동작을 수행하도록 구성되는 소프트웨어, 펌웨어 및/또는 회로를 지칭할 수 있다. 소프트웨어는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 저장 매체 상에 기록되는 소프트웨어 패키지, 코드, 명령어, 명령어 세트 및/또는 데이터로서 구현될 수 있다. 펌웨어는 메모리 장치 내에 하드코딩되는 (예로서, 비휘발성인) 코드, 명령어 또는 명령어 세트 및/또는 데이터로서 구현될 수 있다. 본 명세서의 임의의 실시예에서 사용되는 바와 같이, "회로"는 예로서 하드와이어드 회로, 하나 이상의 개별 명령어 처리 코어를 포함하는 컴퓨터 프로세서와 같은 프로그래밍 가능 회로, 상태 기계 회로, 및/또는 프로그래밍 가능 회로에 의해 실행되는 명령어를 저장하는 펌웨어를 단독으로 또는 임의의 조합으로 포함할 수 있다. 모듈은 더 큰 시스템, 예로서 집적 회로(IC), 시스템-온-칩(SoC), 데스크탑 컴퓨터, 랩탑 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터, 서버, 스마트폰 등의 일부를 형성하는 회로로서 공동으로 또는 개별적으로 구현될 수 있다.본 명세서에서 설명된 임의의 동작은 하나 이상의 프로세서에 의해 실행될 때 방법을 수행하는 명령어를 개별적으로 또는 조합하여 저장하는 하나 이상의 저장 매체(예로서, 비일시적 저장 매체)를 포함하는 시스템에서 구현될 수 있다. 여기서, 프로세서는 예로서 서버 CPU, 이동 장치 CPU 및/또는 다른 프로그래밍 가능 회로를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 설명된 동작은 2개 이상의 상이한 물리 위치에 있는 처리 구조와 같은 복수의 물리 장치에 걸쳐 분산될 수 있는 것을 의도한다. 저장 매체는 임의 타입의 유형 매체, 예로서 하드 디스크, 플로피 디스크, 광 디스크, 컴팩트 디스크 판독 전용 메모리(CD-ROM), 재기록 가능 컴팩트 디스크(CD-RW) 및 광자기 디스크를 포함하는 임의 타입의 디스크, 판독 전용 메모리(ROM), 랜덤 액세스 메모리(RAM), 예로서 동적 및 정적 RAM, 소거 및 프로그래밍 가능 판독 전용 메모리(EPROM), 전기적으로 소거 및 프로그래밍 가능한 판독 전용 메모리(EEPROM), 플래시 메모리와 같은 반도체 장치, 반도체 디스크(SSD), 내장 멀티미디어 카드(eMMC), 보안 디지털 입출력(SDIO) 카드, 자기 또는 광학 카드, 또는 전자 명령어를 저장하기에 적합한 임의 타입의 매체를 포함할 수 있다. 다른 실시예는 프로그래밍 가능 제어 장치에 의해 실행되는 소프트웨어 모듈로서 구현될 수 있다.따라서, 본 발명은 향상된 프라이버시를 갖는 보안 차량 데이터 관리와 관련된다. 차량은 적어도 차량의 동작을 제어하기 위한 차량 제어 아키텍처(VCA) 및 장치를 포함할 수 있다. VCA는 적어도 하나의 차량 운영자를 식별하는 동작 데이터 및 적어도 하나의 차량 운영자에 의한 차량의 조작 동안 기록되는 차량 동작 데이터를 기록할 수 있다. 장치는 적어도 통신 모듈 및 프라이버시 실시 모듈(PEM)을 포함하는 신뢰되는 실행 환경(TEE)을 포함할 수 있다. PEM은 통신 모듈을 통해 VCA로부터 동작 데이터를 수신할 수 있고, 프라이버시 설정에 기초하여 동작 데이터를 필터링함으로써 필터링된 데이터를 생성할 수 있고, 필터링된 데이터가 통신 모듈을 통해 전송되게 할 수 있다. 필터링된 데이터는 적어도 하나의 데이터 소비자에게 전송될 수 있다. 프라이버시 설정은 적어도 하나의 운영자에 의해 PEM 내에 구성될 수 있다.아래의 예는 추가 실시예와 관련된다. 본 발명의 아래의 예는 아래에 제공되는 바와 같은 장치, 방법, 실행될 때 기계로 하여금 방법에 기초하는 액트를 수행하게 하는 명령어를 저장하기 위한 매체, 방법에 기초하는 액트를 수행하기 위한 수단 및/또는 향상된 프라이버시를 갖는 보안 차량 데이터 관리를 위한 시스템과 같은 주제를 포함할 수 있다.예 1이 예에 따르면, 장치가 제공되며, 장치는 장치가 위치하는 차량의 동작을 제어하기 위한 적어도 차량 제어 아키텍처와 통신하기 위한 통신 모듈; 및 통신 모듈을 통해 차량 제어 아키텍처로부터 동작 데이터를 수신하고, 프라이버시 설정에 기초하여 동작 데이터를 필터링함으로써 필터링된 데이터를 생성하고, 필터링된 데이터가 통신 모듈에 의해 전송되게 하기 위한 프라이버시 실시 모듈을 포함하는 신뢰되는 실행 환경을 포함한다.예 2이 예는 예 1의 요소를 포함하고, 통신 모듈은 적어도 하나의 데이터 소비자와 더 통신한다.예 3이 예는 예 2의 요소를 포함하고, 적어도 하나의 데이터 소비자는 차량 밖에 위치한다.예 4이 예는 예 3의 요소를 포함하고, 적어도 하나의 데이터 소비자와의 통신은 차량에 물리적으로 결합되는 유선 인터페이스를 통해 또는 무선 링크를 통해 수행된다.예 5이 예는 예 3 또는 4의 요소를 포함하고, 적어도 하나의 데이터 소비자는 정비사, 보험 회사, 개인 클라우드 서비스 또는 차량 데이터 축적기 중 적어도 하나를 포함한다.예 6이 예는 예 2 내지 5 중 어느 한 예의 요소를 포함하고, 프라이버시 실시 모듈은 통신 모듈을 통해 적어도 하나의 데이터 소비자로부터 필터링된 데이터에 대한 요청을 더 수신한다.예 7이 예는 예 1 내지 6 중 어느 한 예의 요소를 포함하고, 신뢰되는 실행 환경은 알려진 양호한 프로그램만이 실행되는 보안 작업 공간이며, 프라이버시 실시 모듈은 알려진 양호한 프로그램이다.예 8이 예는 예 7의 요소를 포함하고, 신뢰되는 실행 환경은 장치 내의 적어도 하나의 보안 구역을 포함한다.예 9이 예는 예 1 내지 8 중 어느 한 예의 요소를 포함하고, 프라이버시 실시 모듈이 필터링된 데이터를 생성하는 것은 프라이버시 실시 모듈이 프라이버시 설정에 기초하여 필터링된 데이터로부터 동작 데이터의 적어도 일부를 제거하는 것을 포함한다.예 10이 예는 예 1 내지 9 중 어느 한 예의 요소를 포함하고, 동작 데이터는 적어도 하나의 차량 운영자를 식별하는 데이터 및 적어도 하나의 차량 운영자에 의한 차량의 조작 동안 기록되는 차량 동작 데이터를 포함한다.예 11이 예는 예 10의 요소를 포함하고, 프라이버시 실시 모듈이 필터링된 데이터를 생성하는 것은 프라이버시 실시 모듈이 적어도 하나의 차량 운영자를 식별하는 데이터를 코딩된 식별 데이터로 대체하거나, 프라이버시 설정에 기초하여 적어도 하나의 차량 운영자를 익명화하기 위해 적어도 하나의 차량 운영자를 식별하는 데이터를 변경하는 것을 포함한다.예 12이 예는 예 1 내지 11 중 어느 한 예의 요소를 포함하고, 차량 제어 아키텍처는 차량 동작의 상이한 영역을 제어하기 위한 복수의 제어기를 포함한다.예 13이 예는 예 12의 요소를 포함하고, 복수의 제어기는 버스 통신 아키텍처를 이용하여 통신한다.예 14이 예는 예 12 또는 13의 요소를 포함하고, 복수의 제어기는 광학 메시 통신 아키텍처를 이용하여 통신한다.예 15이 예는 예 12 내지 14 중 어느 한 예의 요소를 포함하고, 복수의 제어기 내의 적어도 하나의 제어기는 프라이버시 설정이 구성되는 것을 가능하게 하기 위해 차량 내의 사용자 인터페이스를 제어한다.예 16이 예는 예 1 내지 15 중 어느 한 예의 요소를 포함하고, 장치는 차량으로 제거될 수 있다.예 17이 예는 예 16의 요소를 포함하고, 장치는 이동 통신 장치이다.예 18이 예는 예 16 또는 17의 요소를 포함하고, 장치는 이동 컴퓨팅 장치이다.예 19이 예는 예 1 내지 18 중 어느 한 예의 요소를 포함하고, 차량 제어 아키텍처는 차량 동작의 상이한 영역을 제어하기 위한 복수의 제어기를 포함하고, 복수의 제어기 내의 적어도 하나의 제어기는 프라이버시 설정이 구성되는 것을 가능하게 하기 위해 차량 내의 사용자 인터페이스를 제어한다.예 20이 예에 따르면, 장치가 위치하는 차량을 제어하기 위한 차량 제어 아키텍처로부터 장치 내의 동작 데이터를 수신하는 단계, 프라이버시 설정에 기초하여 동작 데이터를 필터링함으로써 필터링된 데이터를 생성하는 단계 - 필터링된 데이터는 장치 내의 신뢰되는 실행 환경 내에 포함된 프라이버시 실시 모듈에 의해 생성됨 -, 및 필터링된 데이터가 전송되게 하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다.예 21이 예는 예 20의 요소를 포함하고, 필터링된 데이터가 전송되게 하는 단계는 필터링된 데이터가 적어도 하나의 데이터 소비자에게 전송되게 하는 단계를 포함한다.예 22이 예는 예 21의 요소를 포함하고, 적어도 하나의 데이터 소비자는 차량 밖에 위치한다.예 23이 예는 예 22의 요소를 포함하고, 적어도 하나의 데이터 소비자와의 통신은 차량에 물리적으로 결합되는 유선 인터페이스를 통해 또는 무선 링크를 통해 수행된다.예 24이 예는 예 22 또는 23의 요소를 포함하고, 적어도 하나의 데이터 소비자는 정비사, 보험 회사, 개인 클라우드 서비스 또는 차량 데이터 축적기 중 적어도 하나를 포함한다.예 25이 예는 예 20 내지 24 중 어느 한 예의 요소를 포함하고, 적어도 하나의 데이터 소비자로부터 필터링된 데이터에 대한 요청을 수신하는 단계를 더 포함한다.예 26이 예는 예 20 내지 25 중 어느 한 예의 요소를 포함하고, 신뢰되는 실행 환경은 알려진 양호한 프로그램만이 실행되는 보안 작업 공간이며, 프라이버시 실시 모듈은 알려진 양호한 프로그램이다.예 27이 예는 예 26의 요소를 포함하고, 신뢰되는 실행 환경은 장치 내의 적어도 하나의 보안 구역을 포함한다.예 28이 예는 예 20 내지 27 중 어느 한 예의 요소를 포함하고, 필터링된 데이터를 생성하는 단계는 프라이버시 설정에 기초하여 필터링된 데이터로부터 동작 데이터의 적어도 일부를 제거하는 단계를 포함한다.예 29이 예는 예 20 내지 28 중 어느 한 예의 요소를 포함하고, 동작 데이터는 적어도 하나의 차량 운영자를 식별하는 데이터 및 적어도 하나의 차량 운영자에 의한 차량의 조작 동안 기록되는 차량 동작 데이터를 포함한다.예 30이 예는 예 29의 요소를 포함하고, 필터링된 데이터를 생성하는 단계는 적어도 하나의 차량 운영자를 식별하는 데이터를 코딩된 식별 데이터로 대체하거나, 프라이버시 설정에 기초하여 적어도 하나의 차량 운영자를 익명화하기 위해 적어도 하나의 차량 운영자를 식별하는 데이터를 변경하는 단계를 포함한다.예 31이 예는 예 20 내지 30 중 어느 한 예의 요소를 포함하고, 프라이버시 설정이 구성되는 것을 가능하게 하기 위해 차량 내에 사용자 인터페이스를 제공하는 단계를 더 포함한다.예 32이 예에 따르면, 적어도 하나의 장치를 포함하는 시스템이 제공되며, 시스템은 예 20 내지 31 중 어느 한 예의 방법을 수행하도록 구성된다.예 33이 예에 따르면, 예 20 내지 31 중 어느 한 예의 방법을 수행하도록 구성되는 칩셋이 제공된다.예 34이 예에 따르면, 컴퓨팅 장치 상에서 실행되는 것에 응답하여 컴퓨팅 장치로 하여금 예 20 내지 31 중 어느 한 예의 방법을 실행하게 하는 복수의 명령어를 포함하는 적어도 하나의 기계 판독 가능 매체가 제공된다.예 35이 예에 따르면, 향상된 프라이버시를 갖는 보안 차량 데이터 관리를 위해 구성되는 적어도 하나의 장치가 제공되며, 장치는 예 20 내지 31 중 어느 한 예의 방법을 수행하도록 구성된다.예 36이 예에 따르면, 예 20 내지 31 중 어느 한 예의 방법을 수행하기 위한 수단을 갖는 장치가 제공된다.본 명세서에서 사용된 용어 및 표현은 한정이 아니라 설명의 용어로서 사용되며, 그러한 용어 및 표현의 사용에 있어서, 도시되고 설명되는 특징(또는 그의 일부)의 임의의 균등물을 배제하고자 하는 의도는 없으며, 청구항의 범위 내에서 다양한 변경이 가능하다는 것을 인식한다. 따라서, 청구항은 모든 그러한 균등물을 포괄하는 것을 의도한다.
본 발명은 향상된 프라이버시를 갖는 보안 차량 데이터 관리와 관련된다. 차량은 적어도 차량의 동작을 제어하기 위한 차량 제어 아키텍처(VCA) 및 장치를 포함할 수 있다. VCA는 적어도 하나의 차량 운영자를 식별하는 동작 데이터 및 적어도 하나의 차량 운영자에 의한 차량의 조작 동안 기록되는 차량 동작 데이터를 기록할 수 있다. 장치는 적어도 통신 모듈 및 프라이버시 실시 모듈(PEM)을 포함하는 신뢰되는 실행 환경(TEE)을 포함할 수 있다. PEM은 통신 모듈을 통해 VCA로부터 동작 데이터를 수신할 수 있고, 프라이버시 설정에 기초하여 동작 데이터를 필터링함으로써 필터링된 데이터를 생성할 수 있고, 필터링된 데이터가 통신 모듈을 통해 전송되게 할 수 있다. 필터링된 데이터는 적어도 하나의 데이터 소비자에게 전송될 수 있다. 프라이버시 설정은 적어도 하나의 운영자에 의해 PEM 내에 구성될 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 스티렌 및 메틸 메타크릴레이트 기재의 비구조화 블록 코폴리머를 사용하는 블록 코폴리머 필름의 나노구조화 방법, 및 나노구조화 블록 코폴리머 필름 PROCESS FOR THE NANOSTRUCTURING OF A BLOCK COPOLYMER FILM USING A NONSTRUCTURED BLOCK COPOLYMER BASED ON STYRENE AND ON METHYL METHACRYLATE, AND NANOSTRUCTURED BLOCK COPOLYMER FILM [ 기술분야 ] 본 발명은 특정한 방향으로 배향된 나노-도메인을 갖는 나노구조화 블록 코폴리머 분야에 관한 것이다.더 특히, 본 발명은 대략 몇 나노미터의 소형 나노-도메인 및 높은 상 분리를 갖는 스티렌 및 메틸 메타크릴레이트 블록 코폴리머 필름에 관한 것이다. 본 발명은 추가로 소정의 온도에서 비구조화된 기본 블록 코폴리머로부터의, 블록 코폴리머 필름의 나노구조화 방법에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 나노기술의 발달은 특히 마이크로전자 및 마이크로-전기기계 시스템 (MEMS) 분야의 생성물의 끊임없는 소형화를 가능하게 하였다. 현재, 종래의 리소그래피 기술은 더이상 소형화에 대한 상기 끊임없는 요구에 부합될 수 없는데, 60 nm 미만의 구조가 제조될 수 없기 때문이다.따라서, 높은 분해능(resolution) 으로 훨씬 더 작은 패턴이 만들어지게끔 하는 에칭 마스크를 만들고, 리소그래피 기술을 조정할 필요가 있었다. 블록 코폴리머의 경우, 블록 간의 상 분리에 의해 코폴리머의 성분 블록의 배열을 구조화함으로써 50 nm 미만의 스케일로 나노-도메인을 형성할 수 있다. 상기 자가-나노구조화 능력으로 인해, 전자 또는 광전자 분야에서의 블록 코폴리머의 사용이 오늘날 익히 공지되어 있다.나노-리소그래피의 수행을 위해 연구된 마스크 중에서, 특히 폴리스티렌-b-폴리(메틸 메타크릴레이트) (이하에서, PS-b-PMMA 로 나타냄) 의 블록 코폴리머의 필름은 양호한 분해능으로 패턴 형성을 허용하기 때문에 매우 유망한 해결책을 제공하는 것처럼 보인다. 에칭 마스크로서 상기 블록 코폴리머 필름을 사용할 수 있도록, 코폴리머의 블록은 잔류 블록의 다공성 필름의 제조를 위해 선택적 제거되어야 하는데, 상기 패턴은 이후에 에칭에 의해 기저층으로 이동될 수 있다. PS-b-PMMA 필름에 있어서, PMMA (폴리(메틸 메타크릴레이트)) 는 잔류 PS 마스크 (폴리스티렌) 의 제조를 위해 통상 선택적 제거된다.상기 마스크의 형성을 위해, 나노-도메인은 기저층의 표면에 대해 수직으로 배향되어야 한다. 상기 도메인의 구조화는 기저층의 표면의 제조와 같은 특별한 조건, 그러나 또한 블록 코폴리머의 조성을 필요로 한다.블록 간의 비는 나노-도메인의 모양 (얇은 스트립, 원통, 구 형태 등의 배열) 에 대한 제어를 제공하고, 각 블록의 분자 중량은 블록의 크기 및 공간, 즉 블록 코폴리머의 피리어드(period) 에 대한 제어를 제공한다. 또다른 매우 중요한 인자는 상 분리 인자 (Flory-Huggins 상호작용 파라미터로도 공지되고, "χ" 로 나타냄) 이다. 상기 파라미터로, 나노-도메인의 크기를 제어할 수 있다. 더 구체적으로, 블록 코폴리머의 블록을 나노-도메인으로 분리시키는 경향으로 정의된다. 중합도 N 및 Flory-Huggins 파라미터의 χ 의 산출치 χN 은 2 개의 블록의 양립성에 대한 지표, 및 분리 가능 여부에 대한 지표를 제공한다. 예를 들어, 엄격한 대칭 조성물의 디블록 코폴리머는 산출치 χN 이 10.49 초과인 경우 마이크로-도메인으로 분리된다. 상기 산출치 χN 이 10.49 미만인 경우, 블록은 함께 혼합되고 상 분리는 관찰 온도에서 관찰되지 않는다.소형화에 대한 끊임없는 요구로, 블록 코폴리머가 PS-b-PMMA 등인 경우, 높은 유리 전이 온도 Tg, 블록 코폴리머의 양호한 온도 저항성 또는 UV 처리 하의 PMMA 의 탈중합과 같은 블록 코폴리머의 일부 기본 특성을 보전하면서도, 전형적으로 20 nm 미만, 바람직하게는 10 nm 미만으로 매우 높은 분해능의 수득을 가능하게 하는 나노-리소그래피 마스크의 생성을 위해 상기 상 분리도를 증가시키는 것이 추구된다.Macromolecules, 2008, 41, 9948 에서, Y. Zhao 등은 PS-b-PMMA 의 블록 코폴리머에 대한 Flory-Huggins 파라미터를 추정하였다. Flory-Huggins 파라미터 χ 는 하기 등식을 따른다: χ = a+b/T, 식 중 값 a 및 b 는 코폴리머의 블록 유형에 따른 특정한 상수이고, T 는 그 자가-조직화가 가능하도록, 즉 도메인의 상 분리, 도메인의 배향 및 결함 수의 감소의 수득을 위해 블록 코폴리머에 적용되는 열처리 온도임. 더 특히, 값 a 및 b 는 각각 엔트로피 및 엔탈피 기여도를 나타낸다. 따라서, PS-b-PMMA 의 블록 코폴리머의 경우, 상 분리 인자는 하기 등식을 따른다: χ = 0.0282 + 4.46/T. 그 결과, 상기 블록 코폴리머가 10 nm 약간 미만의 도메인 크기의 생성을 가능하게 할지라도, 그 Flory-Huggins 상호작용 파라미터 χ 의 낮은 값으로 인해 도메인 크기에 있어서 더 많이 감소되지 않게끔 한다.따라서, 상기 Flory-Huggins 상호작용 파라미터의 낮은 값은 매우 높은 분해능 하의 구조의 생성에 있어서 PS 및 PMMA 의 블록 코폴리머의 이점을 제한한다.상기 문제를 우회하기 위해, M.D. Rodwogin et al, ACS Nano, 2010, 4, 725 는 블록 코폴리머의 블록의 화학적 성질을 변화시켜 Flory-Huggins 파라미터 χ 의 매우 강한 증가를 수득할 수 있고, 이로써 매우 높은 분해능으로 목적하는 모폴로지(morphology) 를 수득할 수 있는데, 즉 나노-도메인의 크기가 10 nm 미만인 것을 나타냈다. 특히, PLA-b-PDMS-b-PLA (폴리(락트산)-블록-폴리(디메틸실록산)-블록-폴리(락트산) 의 트리블록 코폴리머에 관한 이들 결과가 제시되어 있다.H. Takahashi et al, Macromolecules, 2012, 45, 6253 은 코폴리머의 어셈블리 속도 및 코폴리머의 결함 감소에 대한 Flory-Huggins 상호작용 파라미터 χ 의 영향을 검토하였다. 특히, 이들은 상기 파라미터 χ 가 너무 높아지는 경우, 일반적으로 도메인 조직시에 결함 감소 속도의 둔화를 또한 유도하는 상 분리 속도 및 어셈블리 속도의 주된 둔화가 관찰되는 것으로 나타나 있다.S. Ji et al., ACS Nano, 2012, 6, 5440 에 의해 보고된 추가의 문제는 또한 모두가 서로 화학적으로 상이한 복수의 블록을 함유하는 블록 코폴리머의 조직화 속도에 대해 고려하는 경우에 발생한다. 폴리머 사슬의 확산 속도 및 따라서 또한 자가-어셈블리된 구조 내의 조직화 및 결함 감소 속도는 각각의 상이한 블록 간의 분리 파라미터 χ 에 따라 다르다. 추가로, 이들 속도는 또한 코폴리머의 다블록 성질로 인해 느려지는데, 폴리머 사슬이 블록을 거의 포함하지 않는 블록 코폴리머와 비교시 보다 적은 자가-조직의 자유도를 갖기 때문이다.특허 US 8304493 및 US 8450418 은 높은 상호작용 파라미터 χ 를 갖는 기본 블록 코폴리머의 개질 방법 및 개질된 블록 코폴리머를 기재한다. 블록 코폴리머가 더 빠른 속도로 소형의 나노-도메인으로 자가-어셈블리할 수 있도록 이들 블록 코폴리머를 개질시켜 Flory-Huggins 상호작용 파라미터 χ 의 값을 감소시킨다. 더 특히, 이들 문헌은 침착된 표면에 대해 평형으로 배향된 나노-도메인을 갖는 PS-b-PDMS 블록 코폴리머 (폴리스티렌-블록-폴리(디메틸실록산)) 의 Flory-Huggins 파라미터 χ 의 감소를 추구한다. 그러나, 이들 문헌에 기재된 블록 코폴리머의 어셈블리 속도가 몇 시간, 전형적으로 4 시간 이하로 지속될 수 있기 때문에 매우 느리다.문헌 WO 2013/019679 는 기본 블록 코폴리머의 블록 중 하나 이상의 개질 가능성을 기재한다. 블록 코폴리머의 블록 중 하나 이상의 개질은 나노-도메인의 표면 및 경계 에너지에 영향을 미치고, 블록 코폴리머의 나노-도메인의 모폴로지 및 배향의 개질을 포함한다. 상기 문헌은 개질된 블록 코폴리머의 조직화 속도에 대해서는 언급되어 있지 않고, 소정의 온도에서 비구조화된 블록 코폴리머의 나노-구조화가 가능하게끔 상호작용 파라미터 χ 의 값의 변경을 추구하지 않는다.PS-b-PMMA 블록 코폴리머가 이미 10 nm 에 근접한 차원의 수득을 가능하게 하기 때문에, 출원인은 매우 빠른 조직화 속도를 보존하면서도 보다 소형의 나노-도메인으로 자가-나노구조화되도록 상기 유형의 블록 코폴리머의 개질을 위한 해결책을 추구하였다.더 특히, 출원인은 Flory-Huggins 파라미터 χ 를 증가시키고 신속해야 하는, 즉 대략 몇 분만으로 신속해야 하는 코폴리머의 블록의 조직화 속도에 불리함이 없도록 나노-도메인의 구조화에 접근하기 위해, 10 미만의 χN 값을 통해 소정의 온도에서 비구조화된 상기 블록 코폴리머의 개질을 위한 해결책을 추구하였다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 발명의 목적은 따라서 선행 기술의 단점 중 하나 이상을 극복하는 것이다. 특히, 본 발명은 소정의 온도에서 비구조화된 기본 블록 코폴리머로부터 개시하고 스티렌을 포함하는 하나 이상의 블록 및 메틸 메타크릴레이트를 포함하는 적어도 또다른 블록을 갖는, 10 nm 미만의 크기의 나노-도메인으로의 블록 코폴리머 필름의 나노-구조화 방법을 제안하고자 하였다. 상기 목적을 위해, 나노-도메인 간의 양호한 상 분리 및 대략 1 나노미터의 분해능의 수득이 가능하게끔 산출치 χN 이 7 이상, 바람직하게는 10 이상이도록 블록 코폴리머를 개질시킨다. 나노-구조화 방법은 또한 대략 몇 분만의 조직화 속도를 갖는, 블록 코폴리머의 매우 신속한 조직화를 가능하게 해야 한다. 바람직하게는 대략 몇 분만의 조직화 속도의 수득을 위해, 산출치 χN 은 500 이하, 바람직하게는 200 이하여야 한다. 본 발명은 또한 소정의 온도에서 비구조화된 기본 블록 코폴리머로부터 수득되고 스티렌을 포함하는 하나 이상의 블록 및 메틸 메타크릴레이트를 포함하는 하나 이상의 기타 블록을 갖는, 상기 소정의 온도에서 10 nm 미만의 크기의 나노-도메인으로 나노구조화된 블록 코폴리머 필름을 제안하고자 하였는데, 상기 코폴리머를 블록의 신속한 조직화 속도 하에 나노-도메인으로 자가-나노구조화되도록 개질시킨다. [ 과제의 해결 수단 ] 놀랍게도, 소정의 온도에서 비구조화된 기본 블록 코폴리머로부터 수득되고 스티렌을 포함하는 하나 이상의 블록 및 메틸 메타크릴레이트를 포함하는 하나 이상의 기타 블록을 갖는, 상기 소정의 온도에서 나노-도메인으로 나노-구조화되는 블록 코폴리머 필름을 발견하였는데, 상기 블록 코폴리머 필름은 하기 개질된 화학식을 갖고:[식 중:"n" 은 블록 코폴리머의 블록의 수를 나타내고;"A" 는 스티렌을 나타내고, "B" 는 메틸 메타크릴레이트를 나타내거나, 또는 반대일 수 있고;"C", "D", "E", "F", …, "W" 는 블록 코폴리머의 블록의 각각에 혼입된 코-모노머 또는 코-모노머의 혼합물을 나타내는데, 스티렌-기재 블록에 혼입된 코-모노머 또는 코-모노머의 혼합물은 메틸 메타크릴레이트-기재 블록에 혼입된 코-모노머 또는 코-모노머의 혼합물과 상이하고;아래첨자 αi 및 βk 는 블록 코폴리머의 각 블록에 함유된 스티렌 또는 메틸 메타크릴레이트 모노머의 단위의 수를 나타내고, 모두는 서로 독립적이고;아래첨자 γ, δ, ε, ζ …, 및 ω 는 제시된 블록의 코-모노머의 단위의 수를 나타내고, 모두는 서로 독립적이고;아래첨자 αi, βk, γ, δ, ε, ζ …, 및 ω 는 모두 1 이상임],전형적으로 대략 몇 분에서 몇 십분으로 기본 PS-b-PMMA, 즉 비개질된 블록 코폴리머의 조직화 속도와 대략 동일한 크기이고 적합한 조직화 및 결함 감소 속도를 보존하면서도 값 χN 이 요망되는 범위 내에서 수득되게끔 하고 전형적으로 10 nm 미만의 소형 나노-도메인의 수득을 가능하게끔 하는 것을 특징으로 한다.본 발명은 추가로 소정의 온도에서 비구조화된 기본 블록 코폴리머로부터 개시하고 스티렌을 포함하는 하나 이상의 블록 및 메틸 메타크릴레이트를 포함하는 하나 이상의 기타 블록을 갖는, 블록 코폴리머 필름의 나노-도메인으로의 나노구조화 방법으로서, 상기 방법이 하기 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 것에 관한 것이다:- 상기 기본 블록 코폴리머의 블록 각각에 하나 이상의 코-모노머를 혼입함으로써 상기 블록 코폴리머를 합성하는데, 상기 블록 코폴리머는 하기 개질된 식 (I) 에 부합됨:[식 중:"n" 은 블록 코폴리머의 블록의 수를 나타내고;"A" 는 스티렌을 나타내고, "B" 는 메틸 메타크릴레이트를 나타내거나, 또는 반대일 수 있고;"C", "D", "E", "F", …, "W" 는 블록 코폴리머의 블록의 각각에 혼입된 코-모노머 또는 코-모노머의 혼합물을 나타내는데, 스티렌-기재 블록에 혼입된 코-모노머 또는 코-모노머의 혼합물은 메틸 메타크릴레이트-기재 블록에 혼입된 코-모노머 또는 코-모노머의 혼합물과 상이하고;아래첨자 αi 및 βk 는 블록 코폴리머의 각 블록에 함유된 스티렌 또는 메틸 메타크릴레이트 모노머의 단위의 수를 나타내고, 모두는 서로 독립적이고;아래첨자 γ, δ, ε, ζ …, 및 ω 는 제시된 블록의 코-모노머의 단위의 수를 나타내고, 모두는 서로 독립적이고;아래첨자 αi, βk, γ, δ, ε, ζ …, 및 ω 는 모두 1 이상임];- 필름 형태로 상기 블록 코폴리머의 용액을 표면 상에 적용함;- 상기 소정의 온도에서 용액의 용매를 증발시키고, 어닐링함.마지막으로, 본 발명은 상기 기재된 방법에 따라 에칭된 표면 상에 침착된, 상기 기재된 상기 블록 코폴리머의 필름으로부터 수득한 나노-리소그래피 마스크로서, 상기 코폴리머 필름이 에칭된 표면에 대해 수직으로 배향된 나노-도메인을 포함하는 것에 관한 것이다. [ 도면의 간단한 설명 ] 기타 특정한 본 발명의 양태 및 이점은 예시되는 첨부 도면을 참조함으로 예시적이고 비제한적인 예로서 제시되는 설명을 읽어봄으로써 자명해질 것이다:- 도 1, 사용될 수 있는 중합 설비의 예의 개략도;- 도 2, 본 발명에 따라 개질되고 나노-구조화된 PS-b-PMMA 블록 코폴리머의 필름의 샘플의 주사형 전자 현미경으로 찍은 사진. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 사용되는 바와 같은 용어 "모노머" 는 중합을 겪을 수 있는 분자에 관한 것이다.사용되는 바와 같은 용어 "중합" 은 모노머 또는 모노머의 혼합물을 폴리머로 전환시키는 방법에 관한 것이다."코폴리머 블록" 또는 "블록" 은 수 개의 유형의 수 개의 모노머 단위를 함께 그룹화시킨 코폴리머를 의미한다."블록 코폴리머" 는 상기 정의된 바와 같은 2 개 이상의 코폴리머 블록을 포함하는 폴리머로서, 2 개의 코폴리머 블록은 서로 상이하고 혼화되지 않고 나노-도메인으로 분리되도록 상 분리 파라미터를 갖는 것을 의미한다.상기 사용되는 용어 "혼화성" 은 2 개의 화합물의 균일 상의 형성을 위해 완전히 함께 혼합되는 능력을 의미한다.본 발명의 원리는 각 블록의 중합 반응시에 코-모노머를 혼입시킴으로써, 각 블록의 스티렌 및 메틸 메타크릴레이트 반복 단위를 보존하면서도 기본 PS-b-PMMA 블록 코폴리머의 화학 백본을 개질시키는 것이다. 블록의 각각에 코-모노머의 혼입은 백본 개질의 규모에 따라 PS- 및 PMMA-기재 블록 코폴리머의 Flory-Huggins 상호작용 파라미터 χ 의 점진적 조정을 가능하게 한다. 따라서, 상기 개질에 의해, 대략 1 에서 몇 분으로 매우 신속한 조직화 속도를 보존하면서도 10 nm 미만, 바람직하게는 1 에서 몇 나노미터의 크기의 나노-도메인으로 블록 코폴리머의 나노-구조화를 가능하게끔, 산출치 χN 이 10 초과가 되도록 증가시킬 수 있다.상기 목적을 위해, 블록 코폴리머는 하기 화학식에 부합된다:[식 중:"n" 은 블록 코폴리머의 블록의 수를 나타내고;"A" 는 스티렌을 나타내고, "B" 는 메틸 메타크릴레이트를 나타내거나, 또는 반대일 수 있고;"C", "D", "E", "F", …, "W" 는 블록 코폴리머의 블록의 각각에 혼입된 각각의 코-모노머를 나타내고, 스티렌 블록에 혼입된 코-모노머 또는 코-모노머의 혼합물은 메틸 메타크릴레이트 블록에 혼입된 코-모노머 또는 코-모노머의 혼합물과 상이함].아래첨자 αi 및 βk 는 블록 코폴리머의 각 블록에 함유된 스티렌 또는 메틸 메타크릴레이트 모노머의 단위의 수를 나타내고, 모두는 서로 독립적이다. 마찬가지로, 아래첨자 γ, δ, ε, ζ …, 및 ω 는 제시된 블록의 코-모노머의 단위의 수를 나타내고, 모두는 서로 독립적이다.추가로, 블록의 각 모노머의 단위의 수를 나타내는 식 (I) 의 모든 아래첨자는 하기 관계식에 동시에 부합되어야 한다: α(i)≥1, α(i+1)≥1, …, α(i+x)≥1, β(k)≥1, β(k+1)≥1, …, β(k+x)≥1, γ≥1, δ≥1, ε≥1, ζ≥1, …, 및 ω≥1. 모든 이들 아래첨자가 1 이상이라는 점은, 블록 코폴리머의 상 분리 파라미터 χ 의 조정이 가능하게는 미세 조정될 수 있는 것을 의미한다. 바람직하게는, 이들 아래첨자는 모두 5000 이하이다.블록 코폴리머의 블록의 수 n 은 바람직하게는 7 이하, 추가로 바람직하게는 2≤n≤3 이다.특히 조직화 및 결함 감소 속도의 둔화를 유도하는, 폴리머의 파라미터 χ 가 너무 높은 경우에 생성되는 문제에 있어서는, 상기 식 (I) 에 부합되는 개질된 블록 코폴리머의 산출치 χN 이 10 nm 미만의 크기의 나노-도메인 및 최적의 상 분리를 수득하기에 충분히 높아야 하지만, 조직 또는 결함 감소 속도의 문제를 야기하지 않도록 너무 높지 않아야 한다. 산출치 χN 에서, N 은 블록 코폴리머의 전체 중합도를 나타낸다 (N = Σαi+ Σβk+γ+δ+ε+ζ+…+ω). 따라서, 10 nm 미만의 나노-도메인 크기 및 블록 코폴리머의 신속한 조직의 수득을 위해, 산출치 χN 은 바람직하게는 하기 값의 범위에 있어야 한다: 7≤ χN ≤500, 더 바람직하게는 10≤ χN ≤200. 상호작용 파라미터 χ = (a+b/T) (식 중, "a" 및 "b" 는 각각 엔트로피 또는 엔탈피 기여도를 나타내고, T 는 온도 (켈빈도) 를 나타냄) 의 물리적 정의로 인해, 이는 블록 코폴리머가 바람직하게는 관계식 10≤N (a+b/T)≤200 에 부합되어야 하는 것으로 기재된다. T 는 블록 코폴리머의 조직화 온도, 즉 상이한 블록 간의 상 분리, 수득한 나노-도메인의 배향 및 결함 수의 감소를 유도하는 어닐링 온도를 나타낸다. 바람직하게는, 상기 온도 T 는 293°K≤T≤673°K 의 온도 범위 내에 있다.본 발명에서, 블록 코폴리머의 블록의 수가 제한되지 않을지라도, 트리- 또는 디블록 코폴리머, 바람직하게는 디블록 코폴리머의 합성이 특히 고려된다. 블록을 홀수로 포함하는 코폴리머에 있어서, 블록 코폴리머의 말단에 2 개의 블록 중 하나는 스티렌 또는 메틸 메타크릴레이트를 포함할 수 있다.블록의 각각에 코-모노머를 혼입함으로써 개질된 화학 백본을 갖는 상기 PS- 및 PMMA-기재 블록 코폴리머는 개질된 블록 코폴리머에 새로운 특성, 예를 들어 수득한 마스크의 기판 내로의 이동에 대한 보다 나은 저항성, 소정의 방사선에 대한 하나 이상의 블록의 감응성의 개선, 발광 특성 또는 전자/정공 수송 특성… 을 첨가할 수 있으면서도 기본 블록 코폴리머의 화학과 관련된 특성, 즉 높은 유리 전이 온도 Tg, 양호한 온도 저항성 및 UV 하의 PMMA-함유 블록의 탈중합 등이 보존된, 대략 1 나노미터에서 몇 나노미터의 소형 패턴의 생성을 가능하게 한다.따라서, 블록 코폴리머는 스티렌 모노머 및 스티렌과 상이한 하나 이상의 기타 코-모노머로 형성된 하나 이상의 코폴리머 블록, 및 메틸 메타크릴레이트 MMA 의 모노머 및 메틸 메타크릴레이트와 상이한 하나 이상의 기타 코-모노머로 형성된 하나 이상의 기타 코폴리머 블록을 포함한다. 블록 각각의 코-모노머는 통계적 또는 구배 유형의 배열을 가질 수 있다.블록 코폴리머의 합성은 순차적 합성일 수 있다. 상기 경우에, 중합이 라디칼, 양이온 또는 음이온이든지 간에, 처음에는 제 1 모노머의 혼합물로 제 1 블록을 합성한 후, 제 2 단계에서 기타 블록의 모노머를 혼입시킨다. 라디칼 중합으로, 각 모노머 간에 충분히 높은 반응비에 주의를 기울이면서, 모노머 모두를 부수적으로 배치형 또는 연속형으로 혼입시킴으로써 블록 코폴리머를 수득할 수 있다.식 (I) 에 부합되는 개질된 블록 코폴리머에서, 상이한 코폴리머 블록의 순서는 예를 들어 순차적으로 수행되는 합성을 통해 선형 구조, 또는 예를 들어 합성이 다관능성 개시제를 사용해 수행되는 경우 별-모양의 구조를 채택할 수 있다. 반응성 말단을 통해 상이한 사전 합성된 블록을 함께 그래프트함으로써 상기 개질된 블록 코폴리머의 수득이 또한 예상될 수 있다.각 블록의 공중합 반응은 통상의 기술, 즉 제어된 라디칼 중합, 음이온 중합 또는 고리-열림을 통한 중합 등을 사용해 수행될 수 있다. 추가로, 제시된 기술을 사용해 제시된 코폴리머 블록의 공중합을 예상할 수 있지만, 또다른 코폴리머 블록의 공중합이 또다른 기술을 사용해 수행된다. 코폴리머 블록이 동일한 중합 기술을 사용해 중합가능하지 않는 경우, 두 경우가 예상될 수 있다. 제 1 경우에서, 제 1 관능기화 블록을 합성하며, 개시제의 작용 하에 제 2 블록의 중합을 개시할 수 있다. 제 2 경우에서, 각 관능기화 블록을 적합한 중합 기술을 사용해 별개로 합성하는데, 이후에 그 사슬 말단의 관능기가 함께 반응하여 블록을 함께 연결한다.기호 "C", "D", "E", "F" … "W" 는 각각 순수 화학 물질, 즉 블록 당 공중합된 단일 화학 화합물을 나타낼 수 있거나, 또는 제시된 블록의 코-모노머 군을 나타낼 수 있다. 상기 경우에, 코폴리머 블록, 예를 들어 (Aα(i)-코-Cγ)n 은 "C" (이때, "C" 는 단일 코-모노머 또는 임의의 수의 코-모노머의 군임) 와 공중합된 물질 "A" 로서 스티렌 또는 메틸 메타크릴레이트로 정의된다.코-모노머는 수득한 블록 코폴리머의 χN 이 목적하는 범위 내에 있도록 코-모노머의 통상의 리스트로부터 선택될 수 있다. 산출 차트는 조성 및 χN 사이의 관계식을 결정하고, 조성 및 각 블록의 혼입된 코-모노머 내용물을 개질시키는데 사용될 수 있다.중합 방법을 제어된 라디칼 경로를 통해 수행하는 경우, 임의의 제어된 라디칼 중합 기술은 NMP (니트록시드 매개된 중합), RAFT (가역적 부가 및 단편화 전이), ATRP (원자 전이 라디칼 중합), INIFERTER (개시제-전이-종결), RITP (역 요오드 전이 중합), ITP (요오드 전이 중합) 이든지 간에 사용될 수 있다. 바람직하게는, 제어된 라디칼 경로를 통한 중합 방법은 NMP 를 사용해 수행된다.더 특히, 안정한 유리 라디칼 (1) 유래의 알콕시아민으로부터의 니트록시드가 바람직하다.식 중, 라디칼 RL 은 15.0342 g/mole 초과의 몰질량을 갖는다. 라디칼 RL 은 할로겐 원자, 예컨대 염소, 브롬 또는 요오드, 포화 또는 불포화 시클릭, 분지형 또는 직쇄 탄화수소기, 예컨대 알킬 또는 페닐 라디칼, 또는 에스테르기 -COOR 또는 알콕실기 -OR, 또는 포스포네이트기 -PO(OR)2 일 수 있는데, 단 그 몰질량은 15.0342 초과이다. 1 가 라디칼 RL 은 니트록시드 라디칼의 질소 원자에 대해 β 위치에 있는 것으로 언급된다. 식 (1) 의 탄소 원자 및 질소 원자의 잔존 원자가는 각종 라디칼, 예컨대 수소 원자, 탄화수소 라디칼, 예를 들어 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 알킬, 아릴 또는 아릴-알킬 라디칼에 연결될 수 있다. 식 (1) 의 탄소 원자 및 질소 원자가 2 가 라디칼을 통해 함께 연결되어 고리를 형성하는 것은 배제되지 않는다. 그러나, 바람직하게는, 식 (1) 의 탄소 원자 및 질소 원자의 잔존 원자가는 1 가 라디칼에 연결된다. 바람직하게는, 라디칼 RL 은 30 g/mole 초과의 몰질량을 갖는다. 라디칼 RL 은 예를 들어 40 내지 450 g/mole 의 몰질량을 갖는다. 예로서, 라디칼 RL 은 포스포릴기를 포함하는 라디칼일 수 있으며, 상기 라디칼 RL 은 하기 식으로 나타낼 수 있다:식 중, 동일 또는 상이한 R3 및 R4 는 알킬, 시클로알킬, 알콕실, 아릴옥실, 아릴, 아르알킬옥실, 퍼플루오로알킬, 아르알킬 라디칼 중에서 선택될 수 있고, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 가질 수 있다. R3 및/또는 R4 는 또한 할로겐 원자, 예를 들어 염소, 브롬, 불소 또는 요오드 원자일 수 있다. 라디칼 RL 은 또한 예를 들어 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 라디칼에 의해 치환될 수 있는 페닐 라디칼 또는 나프틸 라디칼과 같은 하나 이상의 방향족 고리를 포함할 수 있다.더 특히, 하기 안전한 라디칼 유래의 알콕시아민이 바람직하다:- N-터티오부틸-1-페닐-2 메틸 프로필 니트록시드,- N-터티오부틸-1-(2-나프틸)-2-메틸 프로필 니트록시드,- N-터티오부틸-1-디에틸포스포노-2,2-디메틸 프로필 니트록시드,- N-터티오부틸-1-디벤질포스포노-2,2-디메틸 프로필 니트록시드,- N-페닐-1-디에틸 포스포노-2,2-디메틸 프로필 니트록시드,- N-페닐-1-디에틸 포스포노-1-메틸 에틸 니트록시드,- N-(1-페닐 2-메틸 프로필)-1-디에틸포스포노-1-메틸 에틸 니트록시드,- 4-옥소-2,2,6,6-테트라메틸-1-피페리디닐옥시,- 2,4,6-트리-tert-부틸페녹시.바람직하게는, N-터티오부틸-1-디에틸포스포노-2,2-디메틸-프로필 니트록시드 유래의 알콕시아민이 사용된다.스티렌 블록에 혼입된 코-모노머(들) 는 유리하게는 메틸 메타크릴레이트-기재인 또다른 블록에 혼입된 코-모노머(들) 와 상이하다.스티렌 및 메틸 메타크릴레이트 각각을 함유하는 코폴리머 블록의 각각의 성분 코-모노머는 하기 모노머 중에서 선택된다: 비닐, 비닐리덴, 디엔, 올레핀, 알릴, (메트)아크릴 또는 시클릭 모노머. 이들 모노머는 더 특히 하기 중에서 선택된다: 비닐방향족 모노머, 예컨대 스티렌 또는 치환된 스티렌, 특히 알파-메틸스티렌, 아크릴 모노머, 예컨대 아크릴산 또는 그 염, 알킬, 시클로알킬 또는 아릴 아크릴레이트, 예컨대 메틸, 에틸, 부틸, 에틸헥실 또는 페닐 아크릴레이트, 히드록시알킬 아크릴레이트, 예컨대 2-히드록시에틸 아크릴레이트, 에테르알킬 아크릴레이트, 예컨대 2-메톡시에틸 아크릴레이트, 알콕시- 또는 아릴옥시-폴리알킬렌글리콜 아크릴레이트, 예컨대 메톡시폴리에틸렌글리콜 아크릴레이트, 에톡시폴리에틸렌글리콜 아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌글리콜 아크릴레이트, 메톡시-폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜 아크릴레이트 또는 그 혼합물, 아미노알킬 아크릴레이트, 예컨대 2-(디메틸아미노)에틸 아크릴레이트 (ADAME), 불소화 아크릴레이트, 실릴화 아크릴레이트, 인산화 아크릴레이트, 예컨대 알킬렌글리콜 포스페이트 아크릴레이트, 글리시딜 아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸 아크릴레이트, 메타크릴 모노머, 예컨대 메타크릴산 또는 그 염, 알킬, 시클로알킬, 알케닐 또는 아릴 메타크릴레이트, 예컨대 메틸 메타크릴레이트 (MAM), 라우릴, 시클로헥실, 알릴, 페닐 또는 나프틸 메타크릴레이트, 히드록시알킬 메타크릴레이트, 예컨대 2-히드록시에틸 메타크릴레이트 또는 2-히드록시프로필 메타크릴레이트, 에테르알킬 메타크릴레이트, 예컨대 2-에톡시에틸 메타크릴레이트, 알콕시- 또는 아릴옥시-폴리알킬렌글리콜 메타크릴레이트, 예컨대 메톡시폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트, 에톡시폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌글리콜 메타크릴레이트, 메톡시-폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜 메타크릴레이트 또는 그 혼합물, 아미노알킬 메타크릴레이트, 예컨대 2-(디메틸아미노)에틸 메타크릴레이트 (MADAME), 불소화 메타크릴레이트, 예컨대 2,2,2-트리플루오로에틸 메타크릴레이트, 실릴화 메타크릴레이트, 예컨대 3-메타크릴로일프로필트리메틸실란, 인산화 메타크릴레이트, 예컨대 알킬렌글리콜 포스페이트 메타크릴레이트, 히드록시-에틸이미다졸리돈 메타크릴레이트, 히드록시-에틸이미다졸리디논 메타크릴레이트, 2-(2-옥소-1-이미다졸리디닐)에틸 메타크릴레이트, 아크릴로니트릴, 아크릴아미드 또는 치환된 아크릴아미드, 4-아크릴로일모르폴린, N-메틸올아크릴아미드, 메타크릴아미드 또는 치환된 메타크릴아미드, N-메틸올메타크릴아미드, 메타크릴아미도-프로필트리메틸 암모늄 클로라이드 (MAPTAC), 글리시딜-, 디시클로펜테닐옥시에틸 메타크릴레이트, 이타콘산, 말레산 또는 그 염, 말레산 무수물, 알킬 또는 알콕시- 또는 아릴옥시-폴리알킬렌글리콜 말레에이트 또는 헤미말레에이트, 비닐피리딘, 비닐피롤리디논, (알콕시) 폴리(알킬렌 글리콜) 비닐 에테르 또는 디비닐 에테르, 예컨대 메톡시 폴리(에틸렌 글리콜) 비닐 에테르, 폴리(에틸렌 글리콜) 디비닐 에테르, 올레핀 모노머 (에틸렌, 부텐, 1,1-디페닐에틸렌, 헥센 및 1-옥텐이 인용될 수 있음), 디엔 모노머, 예컨대 부타디엔, 이소프렌 및 불소화 올레핀 모노머 및 비닐리덴 모노머, 언급될 수 있는 것은 비닐리덴 플루오라이드 또는 그 혼합물, 시클릭 모노머 (락톤이 인용될 수 있음), 예컨대 e-카프로락톤, 락티드, 글리콜리드, 시클릭 카르보네이트, 예컨대 트리메틸렌카르보네이트, 실록산, 예컨대 옥타메틸시클로테트라실록산, 시클릭 에테르, 예컨대 트리옥산, 시클릭 아미드, 예컨대 e-카프로락탐, 시클릭 아세탈, 예컨대 1,3-디옥솔란, 포스파젠, 예컨대 헥사클로로시클로트리포스파젠, N-카르복시무수물, 시클릭 포스페이트 에스테르, 예컨대 시클로포스포리난, 시클로포스폴란, 옥사졸린 (중합 방법과의 양립성을 위해 임의 보호됨).제어된 라디칼 중합으로, 중합 반응기의 체류 시간은 말단 블록 코폴리머의 Flory-Huggins 파라미터 χ 의 값에 영향을 미친다. 코폴리머 블록에 혼입되는 코-모노머의 상이한 반응성으로 인해, 이들 모두는 사슬에 동일한 속도로 통합되지 않는다. 그 결과, 체류 시간에 따라, 코폴리머 블록의 상이한 코-모노머의 상대비는 상이하고, 따라서 최종 블록 코폴리머의 파라미터 χ 의 값 또한 가변적이다. 일반적으로, 라디칼 중합으로, 대략 50-70% 의 전환율을 수득하는 것이 추구된다. 따라서, 중합 반응기의 최대 체류 시간은 이들 전환율에 상응하여 결정된다. 예를 들어, 50 내지 70% 의 전환율의 수득을 위해, 중합되는 코-모노머의 개시비를 변경한다. 상기 목적을 위해, 처음에는 중합되는 코-모노머의 개시비 및 전환율 사이의 관계식, 및 두번째로는 블록 코폴리머의 조성 및 χN 사이의 관계식의 결정을 가능하게 하는 산출 차트가 사용될 수 있다.본 발명에서 사용되는 바람직한 경로인 음이온 경로를 통해 중합 방법이 수행되는 경우, 리간드 음이온 중합 또는 고리 열림을 통한 음이온 중합이든지 간에 임의의 음이온 중합 메커니즘이 간주될 수 있다.본 발명에서, 마이크로-믹서를 사용해 특허 EP0749987 에 기재된 바와 같이 무극성 용매, 바람직하게는 톨루엔 중에서 음이온 중합 방법을 사용하는 것이 바람직하다. 일반적으로, 각 코폴리머 블록에 혼입된 코-모노머는 증식 종(propagating species) 의 것들과 근접하도록 pKa 를 가져야 한다. 더 특히, 증식 종 및 혼입된 코-모노머 사이의 pKa 의 차이는 12 이하, 바람직하게는 10 이하, 추가로 바람직하게는 5 이하여야 한다.스티렌 코폴리머 블록의 성분 코-모노머는 하기 모노머 중에서 선택된다: 비닐, 비닐리덴, 디엔, 올레핀, 알릴, (메트)아크릴 또는 시클릭 모노머. 이들 모노머는 더 특히 하기 중에서 선택된다: 비닐방향족 모노머, 예컨대 스티렌 또는 치환된 스티렌, 특히 알파-메틸스티렌, 실릴화 스티렌, 아크릴 모노머, 예컨대 알킬, 시클로알킬 또는 아릴 아크릴레이트, 예컨대 메틸, 에틸, 부틸, 에틸헥실 또는 페닐 아크릴레이트, 에테르알킬 아크릴레이트, 예컨대 2-메톡시에틸 아크릴레이트, 알콕시- 또는 아릴옥시-폴리알킬렌글리콜 아크릴레이트, 예컨대 메톡시폴리에틸렌글리콜 아크릴레이트, 에톡시폴리에틸렌글리콜 아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌글리콜 아크릴레이트, 메톡시-폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜 아크릴레이트 또는 그 혼합물, 아미노알킬 아크릴레이트, 예컨대 2-(디메틸아미노)에틸 아크릴레이트 (ADAME), 불소화 아크릴레이트, 실릴화 아크릴레이트, 인산화 아크릴레이트, 예컨대 알킬렌글리콜 포스페이트 아크릴레이트, 글리시딜, 디시클로펜테닐옥시에틸 아크릴레이트, 알킬, 시클로알킬, 알케닐 또는 아릴 메타크릴레이트, 예컨대 메틸 메타크릴레이트 (MAM), 라우릴, 시클로헥실, 알릴, 페닐 또는 나프틸 메타크릴레이트, 에테르알킬 메타크릴레이트, 예컨대 2-에톡시에틸 메타크릴레이트, 알콕시- 또는 아릴옥시-폴리알킬렌글리콜 메타크릴레이트, 예컨대 메톡시폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트, 에톡시폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌글리콜, 메톡시-폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜 메타크릴레이트 또는 그 혼합물, 아미노알킬 메타크릴레이트, 예컨대 2-(디메틸아미노)에틸 메타크릴레이트 (MADAME), 불소화 메타크릴레이트, 예컨대 2,2,2-트리플루오로에틸 메타크릴레이트, 실릴화 메타크릴레이트, 예컨대 3-메타크릴로일프로필트리메틸실란, 인산화 메타크릴레이트, 예컨대 알킬렌글리콜 포스페이트 메타크릴레이트, 히드록시-에틸이미다졸리돈 메타크릴레이트, 히드록시-에틸이미다졸리디논 메타크릴레이트, 2-(2-옥소-1-이미다졸리디닐)에틸 메타크릴레이트, 아크릴로니트릴, 아크릴아미드 또는 치환된 아크릴아미드, 4-아크릴로일모르폴린, N-메틸올아크릴아미드, 메타크릴아미드 또는 치환된 메타크릴아미드, N-메틸올메타크릴아미드, 메타크릴아미도-프로필트리메틸 암모늄 클로라이드 (MAPTAC), 글리시딜-, 디시클로펜테닐옥시에틸 메타크릴레이트, 이타콘산, 말레산 또는 그 염, 말레산 무수물, 알킬 또는 알콕시- 또는 아릴옥시-폴리알킬렌글리콜 말레에이트 또는 헤미말레에이트, 비닐피리딘, 비닐피롤리디논, (알콕시) 폴리(알킬렌 글리콜) 비닐 에테르 또는 디비닐 에테르, 예컨대 메톡시 폴리(에틸렌 글리콜) 비닐 에테르, 폴리(에틸렌 글리콜) 디비닐 에테르, 올레핀 모노머 (에틸렌, 부텐, 1,1-디페닐에틸렌, 헥센 및 1-옥텐이 인용될 수 있음), 디엔 모노머, 예컨대 부타디엔, 이소프렌 및 불소화 올레핀 모노머, 및 비닐리덴 모노머 (비닐리덴 플루오라이드가 인용될 수 있음), 시클릭 모노머 (인용되는 것으로는 락톤이 있음), 예컨대 e-카프로락톤, 락티드, 글리콜리드, 시클릭 카르보네이트, 예컨대 트리메틸렌카르보네이트, 실록산, 예컨대 옥타메틸시클로테트라실록산, 시클릭 에테르, 예컨대 트리옥산, 시클릭 아미드, 예컨대 e-카프로락탐, 시클릭 아세탈, 예컨대 1,3-디옥솔란, 포스파젠, 예컨대 헥사클로로시클로트리포스파젠, N-카르복시무수물, 시클릭 포스페이트 에스테르, 예컨대 시클로포스포리난, 시클로포스폴란, 옥사졸린 (중합 방법과의 양립성을 위해 임의 보호됨), 구형의 메타크릴레이트, 예컨대 이소보르닐 메타크릴레이트, 할로겐화 이소보르닐 메타크릴레이트, 할로겐화 알킬 메타크릴레이트, 나프틸 메타크릴레이트 (단독으로 또는 상기 언급된 모노머의 2 개 이상의 혼합물로).메틸 메타크릴레이트 코폴리머 블록의 성분 코-모노머는, 스티렌 블록 및 메틸 메타크릴레이트 블록의 경우 동일한 코-모노머를 사용할 수 있다는 점을 배제하고는, 스티렌 블록의 경우 상기 언급된 모노머 중에서 선택된다.이후, 스티렌 및 메틸 메타크릴레이트 각각을 포함하는 각 코폴리머 블록의 각 코-모노머 또는 코-모노머의 혼합물의 모노머 단위의 상대비는 각 블록, 스티렌 및 메틸 메타크릴레이트 각각의 코-모노머에 대해 1% 내지 99%, 바람직하게는 5% 내지 49% (한도 포함) 이다.추가로, 각 블록에 혼입된 코-모노머 "C", "D", "E", "F" … "W" 는 모두 화학적 및/또는 구조적으로 상이할 수 있다. 이는 예를 들어 스티렌 코폴리머 블록에 혼입된 코-모노머 "E" 가 또다른 메틸 메타크릴레이트 코폴리머 블록에 혼입된 코-모노머 "F" 와 화학적으로 동일할 수 있지만, 구조적으로 상이한데, 즉 상이한 공간 배열을 갖는다. 예를 들어, 이는 하나의 블록에서 이성질체 형태 및 기타 블록에서 또다른 이성질체 형태의 모노머일 수 있다. 따라서, 블록 코폴리머는, 예를 들어 스티렌 코폴리머 블록에서 시스-1,4 폴리부타디엔, 및 메틸 메타크릴레이트 코폴리머 블록에서 트랜스-1,4 폴리부타디엔을 포함할 수 있다. 또다른 예에서, 모노머는 키랄 모노머일 수 있고, 거울상이성질체 형태로 하나의 코폴리머 블록에, 및 기타 거울상이성질체 형태로 또다른 코폴리머 블록에 함유될 수 있다. 마지막으로, 상이한 코폴리머 블록에 첨가되는 모노머는 상이한 코폴리머 블록의 상이한 입체규칙성의 수득을 유도할 수 있다.블록 코폴리머의 모든 아래첨자 αi 는 모든 βk 와 같이 서로 독립적이다. 이는 각 블록이 임의의 수의 스티렌 또는 메틸 메타크릴레이트 모노머를 함유할 수 있는 것을 의미한다.유사하게, 아래첨자 γ, δ, ε, ζ …, 및 ω 는 제시된 블록의 코-모노머 또는 코-모노머 군의 단위의 수를 나타내고, 또한 모두는 서로 독립적이다. 그 결과, 예를 들어 코폴리머 블록 "(Aα(i)-코-Cγ)n" 에 있어서, 합계 αi+γ 는 따라서 블록 코폴리머의 상기 블록의 중합도와 같다.블록에 혼입된 코-모노머의 단위의 수가 클수록, 순수 블록을 갖는 PS-b-PMMA 와 비교시 χ 가 더 많이 개질되는데, 상기 경우에 단지 코-모노머로만 형성된 블록 코폴리머의 χ 로 점차 근접하게 이동되기 때문이다.블록 코폴리머의 전체 부피와 비교시 각 코폴리머 블록의 부피 분율은 바람직하게는 5 내지 95%, 더 바람직하게는 15 내지 85% 로 개별적으로 가변적일 수 있다.블록 코폴리머의 각 블록의 부피 분율은 하기 기재된 방식으로 측정된다. 블록 중 하나 이상이 수 개의 코-모노머를 포함하는 블록 코폴리머 내에서, 양성자 NMR 을 통해 전체 코폴리머 내의 각 모노머의 몰 분율을 측정한 후, 각 모노머 단위의 몰질량을 사용해 질량 분율을 산출할 수 있다. 이후, 각 블록의 질량 분율의 수득을 위해, 블록의 성분 코-모노머의 질량 분율을 더하는 것으로 충분하다. 이후, 각 블록의 부피 분율은 각 블록의 질량 분율 및 블록을 형성하는 폴리머의 밀도로부터 측정될 수 있다. 그러나, 공중합된 모노머를 갖는 폴리머의 밀도를 항상 수득할 수는 없다. 상기 경우에, 블록의 부피 분율은 그 질량 분율 및 블록의 주 질량을 갖는 화합물의 밀도로부터 측정된다.P(S-코-DPE)-b-PMMA 를 예를 들어보자. 양성자 NMR 을 통해, 메틸 메타크릴레이트의 -OCH3 관능기의 양성자 및 스티렌의 방향족 양성자를 적분함으로써 전체 코폴리머의 각 모노머의 몰 분율을 측정할 수 있다. 각 모노머 단위의 몰질량을 사용함으로써 (예를 들어, (반올림하여) 스티렌의 경우 104 g/mol 이고 메틸 메타크릴레이트의 경우 100 g/mol 임), 각 블록의 질량 분율을 산출할 수 있다. 따라서, 예로서, 코폴리머는 60 중량% 의 스티렌 모노머 단위, 10 중량% 의 DPE 모노머 단위 및 30 중량% MMA 모노머 단위를 포함한다. 이후, 스티렌 및 DPE 의 중량 백분율을 더해 제 1 블록의 중량 백분율을 측정한다. 예로서, 블록 코폴리머는 따라서 70 중량% 의 제 1 블록 P(S-코-DPE) 및 30 중량% 의 제 2 블록 PMMA 를 포함한다. 제 1 블록의 부피 분율의 측정을 위해, P(S-코-DPE) 의 밀도는 블록의 주요 질량 화합물인 PS 인 것으로 한다. PS 및 PMMA 의 밀도가 공지되어 있고, 예를 들어 폴리머 핸드북의 제 4 판에 제시되어 있다 (PS 는 1.05 이고 PMMA 는 1.19 임).추가로, 각 코폴리머 블록의 분자 중량 M 은 바람직하게는 500 내지 200000 (한도 포함) 이고, 다분산 지수 PDi 는 바람직하게는 2 이하, 추가로 바람직하게는 1.02 내지 1.7 (한도 포함) 이다.음이온 중합으로, 극성 및 온도는 모노머 반응성에 영향을 미칠 수 있는 파라미터이다. 따라서, 이들 파라미터는 100% 모노머 전환율의 도달 및 초기에 혼입된 각 모노머의 상대비의 수득을 위해 조절되어야 하며, 이로써 파라미터 χ 의 값을 조절한다.따라서, 용매의 온도 및 극성이 선택되고, 혼입된 코-모노머 및 블록 코폴리머의 경우 χ 의 요망되는 최종 값에 따라 결정된다.코-모노머의 혼입을 통해 화학적 개질된 구조를 포함하는 블록을 갖는 상기 블록 코폴리머는 각종 적용 방법, 예를 들어 특히 리소그래피 마스크의 형성을 위한 리소그래피, 막 제조, 표면의 관능기화 및 코팅, 잉크 및 복합물의 제조, 표면의 나노-구조화, 트랜지스터, 다이오드, 또는 유기 기억 소자의 제작에 사용될 수 있다.본 발명은 또한 소정의 온도에서 비구조화되고 PS-PMMA 의 기본 블록 코폴리머로부터 개시한, 10 nm 미만의 크기의 나노-도메인으로의 블록 코폴리머 필름의 나노-구조화 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 개질된 화학 구조를 갖는 상기 블록 코폴리머의 코폴리머 블록 간의 상 분리 (χN) 에 대한 조절을 제공한다. 상기 방법의 경우, 블록 코폴리머의 합성 후에, 용액 중에서 표면에 적용하여 필름을 형성한다. 이후, 용액의 용매를 증발시키고, 필름을 열 처리에 적용한다. 상기 열 처리 또는 어닐링은 블록 코폴리머가 올바르게 자가 조직되게끔, 즉 특히 나노-도메인 간의 상 분리, 도메인의 배향 및 결함 수의 감소의 수득을 가능하게끔 한다. 바람직하게는, 상기 열 처리의 온도 T 는 293°K≤ T ≤673°K 이도록 한다. 수득한 블록 코폴리머 필름은 소정의 전체 중합도에서 정돈된 구조화를 갖지만, 화학적으로 개질되지 않은 PS-b-PMMA 필름은 동일한 중합도에서 어떠한 정돈된 구조화도 갖지 않는다.유리하게는, 10 초과의 값 χN 을 갖는 상기 개질된 블록 코폴리머는 기본 블록 코폴리머 (PS-b-PMMA) 와 대략 동일한 크기의 조직화 속도, 즉 대략 몇 분만의 속도로 자가-나노구조화를 가능하게 한다. 바람직하게는, 조직화 속도는 5 분 이하, 추가로 바람직하게는 2 분 이하이다.본 발명은 추가로 나노-구조화 방법에 따라 에칭된 표면에 침착된, 개질된 블록 코폴리머로부터 수득한 나노-리소그래피 마스크에 관한 것이다. 표면에 침착된 필름은 에칭된 표면에 대해 수직으로 배향된 나노-도메인을 포함한다.리소그래피의 경우, 목적하는 구조화, 예를 들어 표면에 대해 수직의 나노-도메인의 생성은 그럼에도 불구하고 표면 에너지의 제어를 위해 코폴리머의 용액이 침착되는 표면의 제조를 필요로 한다. 공지된 가능성들 중에서, 통계적 코폴리머를 표면 상에 침착시키는데, 그 모노머는 침착되어야 하는 블록 코폴리머에 사용되는 것들과 완전 또는 부분 동일할 수 있다. Mansky 등 (Science, vol 275 pages 1458-1460, 1997) 에 의한 선구자적 문헌은 이제는 당업자에 익히 공지된 상기 기술의 양호한 설명을 제공한다.바람직한 표면 중에서, 규소 (규소는 본래의 또는 열성의(thermal) 옥시드 층을 가짐), 게르마늄, 백금, 텅스텐, 금, 티타늄 니트라이드, 그라핀, BARC (하부 항반사 코팅) 또는 리소그래피에 사용되는 임의의 기타 항반사층으로 형성된 표면을 언급할 수 있다.일단 표면 제조시, 본 발명에 따라 개질된 블록 코폴리머의 용액을 침착시키고, 용매를 당업자에 공지된 기술, 예컨대 "스핀 코팅", "닥터 블레이드" "나이프 시스템", "슬롯 다이 시스템" 으로 공지된 것들을 사용해 증발시키지만, 임의의 기타 기술, 예컨대 건조 침착법이, 즉 사전 용해 없이 사용될 수 있다.상기 이후에 블록 코폴리머를 정확하게 자가-조직화하게끔, 즉 특히 나노-도메인 간의 상 분리, 도메인의 배향, 결함 수의 감소의 수득을 가능하게끔 하는 열 처리를 시행한다. 바람직하게는 상기 열 처리의 온도 T 는 293°K≤ T ≤673°K 이도록 하고, 조직화 속도는 5 분 이하, 바람직하게는 2 분 이하이다. 블록 코폴리머 필름의 나노-구조화를 가능하게 하는 상기 어닐링 단계는 용매 분위기 중에 또는 열적 경로를 통해, 또는 이들 둘 모두의 방법의 조합으로 수행될 수 있다.따라서, 식 (I) 에 부합되는 개질된 블록 코폴리머는 블록의 어셈블리가 침착되는 표면에 대해 수직으로 수득되게끔 하는데, 주요 상 분리는 소형의 나노-도메인이 신속한 조직화 속도와 함께 대략 1 나노미터에서 몇 나노미터로 수득되게끔 한다. 따라서, 상기 블록 코폴리머는 성분 차원의 관점에서 현 요건과의 양립성 및 높은 분해능을 갖는 리소그래피 방법에 있어서 더 나은 조절을 제공한다.하기 실시예는 본 발명의 범위의 비제한적인 예시를 제공한다:실시예 1: 디블록 코폴리머 P(스티렌-코-1,1-디페닐 에틸렌)-b-P(메틸 메타크릴레이트-코-2-(디메틸 아미노)에틸 메타크릴레이트) (P(S-코-DPE)-b-P(MMA-코-MADAME)) 의 합성:사용되는 중합 설비가 도 1 에 개략적으로 예시되어 있다. 매크로-개시 시스템의 용액을 커패시터 C1 에서 제조하고, 모노머의 용액을 커패시터 C2 에서 제조한다. 커패시터 C2 의 유동물을 교환기 E 로 보내어 초기 중합 온도에 가게 한다. 이후, 둘 모두의 유동물을 예로서 특허 출원 EP0749987, EP0749987 및 EP0524054 에 기재된 바와 같이 통계적 믹서인 믹서 M, 이후에 통상의 관형 반응기인 중합 반응기 R 에 보낸다. 생성물을 커패시터 C3 에서 입수한 후, 그에의 침전을 위해 커패시터 C4 로 이동시킨다.커패시터 C1 에서, 제 2 블록 P(MMA-코-MADAME) 의 연이은 개시를 가능하게 하는 매크로-개시 시스템이도록 블록 P(s-코-DPE) 의, 톨루엔 중에 27.5 중량% 의 용액을 45℃ 에서 제조한다. 상기 제조를 위해, 불활성 질소 가스 분위기 하에, 톨루엔 용액을 첨가하는데, 헥산 중의 s-부틸리튬 1.5 M 133 mL 에 4 kg 의 스티렌/1,1-디페닐에틸렌 혼합물 (중량비 90:10) 을 첨가한다. 45℃ 에서 2 시간의 중합 시간 후에, 커패시터 C1 의 온도를 -20℃ 로 낮추고, 톨루엔 중의 72.1 g 의 1,1-디페닐에틸렌 및 리튬 메톡시에탄올레이트의 용액을 첨가하여 폴리(스티릴-코-1,1-디페닐에틸)CH2C(Ph)2Li 및 CH3OCH2CH2OLi 간의 몰비가 1:6 인 것을 수득한다. 톨루엔 용액은 23.2 중량% 이다. 상기는 매크로-개시 시스템에 [폴리(스티릴-코-1,1-디페닐에틸)CH2C(Ph)2Li]/[CH3OCH2CH2OLi]6 을 제공한다. 이들 합성이 또한 특허 출원 EP0749987 및 EP0524054 에 기재되어 있다.커패시터 C2 에서, -15℃ 에서, 알루미나 분자체를 통해 사전에 통과시킨 MMA/MADAME (중량 기준으로 70:30) 로 구성된 용액을 톨루엔 중에 6.2 중량% 로 저장한다.매크로-개시 시스템의 유속을 60 kg/h 로 설정한다. 커패시터 C2 의 MMA/MADAME 용액의 유동물을 온도를 -20℃ 로 낮추기 위해 교환기에 보내고, MMA/MADAME 용액의 유속을 56 kg/h 로 설정한다. 이후에, 둘 모두의 유동물을 통계적 믹서에서 혼합하고, 커패시터 C3 에서 회수하는데, 이때 코폴리머는 메탄올 용액의 첨가로 불활성화된다.고체 함량의 측정으로 측정되는 전환율은 99% 초과이다.이후, 커패시터 C3 의 내용물을 헵탄을 함유하는 커패시터 C4 에서 교반 하에 적하 침전시킨다. 커패시터 C3 의 내용물과 커패시터 C4 의 내용물 사이의 부피비는 1:7 이다. 커패시터 C3 의 용액의 첨가 완료시, 교반을 중지하면 코폴리머가 침전된다. 이후, 상청액을 제거하고 여과함으로써 회수한다.건조 후에, 코폴리머의 특성은 하기이다:Mn = 29.1 kg/mol Mw/Mn = 1.2중량비 P(S-코-DPE)/P(MMA-코-MADAME) = 69.8:30.2실시예 2: 개질된 PS-b-PMMA 블록 코폴리머 필름의 나노-구조화 방법:규소 기판을 조각 3x3 cm 으로 수작업으로 절단하고, 그 조각을 종래의 처리 (피라나 용액, 산소 플라즈마…) 를 사용해 클리닝한다. 2 중량% 의 비로 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 (PGMEA) 중에 사전 용해시킨 PS-r-PMMA 의 통계적 코폴리머를 스핀-코팅에 의해, 또는 당업자에 공지된 임의의 기타 침착 기술을 사용해 관능기화된 기판에 침착시켜 약 60 내지 80 nm 두께로 폴리머 필름을 형성한다. 이후, 기판을 5 내지 10 분 동안 230℃ 에서 어닐링하여 표면 상에 폴리머 사슬을 그래프트한다.이후, 기판을 PGMEA 중에 충분히 헹구어 과잉의 그래프트되지 않은 폴리머 사슬을 제거하고, 관능기화된 기판을 질소 스트림 중에서 건조시킨다.합성되고 상기 기재된 바와 같은 개질된 PS-b-PMMA 블록 폴리머를 의도되는 필름 두께에 따라 1 내지 2 중량% 의 비로 PGMEA 중에 용해시키고, 스핀-코팅에 의해 표면에 침착시켜 목적하는 두께의 필름을 형성한다. 예를 들어, 2000 rpm 에서 스핀-코팅 기술을 사용해 표면 상에 침착시키는 경우, 1.5 중량% 용액은 약 45 내지 50 nm 의 두께를 갖는 블록 코폴리머 필름을 제공할 수 있다. 형성된 필름을 160℃ 에서 5 분 동안 어닐링하여 나노-도메인으로 블록의 나노-구조화를 가능하게끔 한다.예로서, 규소 기판을 사용하는 것에 주목된다. 분명히, 상기 방법에서 어떠한 주요 변화 없이도 특허 출원 n°FR 2974094 에 기재된 전자제품에서 주목하는 임의의 기타 기판으로 바꿔놓을 수 있다.주사형 전자 현미경 하에 수득한 도 2 에 나타낸 사진은 단지 기재된 방법에 따라 나노-구조화된 블록 코폴리머 필름을 예시한다. 상기 블록 코폴리머 필름은 20 내지 21 nm 의 피리어드의 원통형 블록을 포함하는데, 이때 원통은 기판에 대해 수직으로 배향되어 있다. 피리어드는 메틸 메타크릴레이트 또는 스티렌 블록 상호간에 분리된, 2 개의 스티렌 또는 메틸 메타크릴레이트 블록 간의 최소 거리를 나타낸다. 따라서, 수득한 블록 코폴리머 필름은 10 nm 미만의 크기의 나노-도메인으로 5 분 이하의 시간에 걸쳐 신속하게 자가-나노구조화된다.
본 발명은 소정의 온도에서 비구조화된 기본 블록 코폴리머로부터 수득되고 하나 이상의 블록이 스티렌을 포함하고 하나 이상의 기타 블록이 메틸 메타크릴레이트를 포함하는, 상기 소정의 온도에서 나노-도메인으로 나노 구조화되는 블록 코폴리머 필름에 관한 것이다. 상기 블록 코폴리머 필름이 하기 개질된 화학식을 갖는 것을 특징으로 한다: [식 중: "n" 은 블록 코폴리머의 블록의 수를 나타내고; "A" 는 스티렌을 나타내고, "B" 는 메틸 메타크릴레이트를 나타내거나, 또는 반대일 수 있고; "C", "D", "E", "F", …, "W" 는 블록 코폴리머의 블록의 각각에 혼입된 코-모노머 또는 코-모노머의 혼합물을 나타내는데, 스티렌-기재 블록에 혼입된 코-모노머 또는 코-모노머의 혼합물은 메틸 메타크릴레이트-기재 블록에 혼입된 코-모노머 또는 코-모노머의 혼합물과 상이하고; 지수 αi 및 βk 는 블록 코폴리머의 각 블록에 존재하는 스티렌 또는 메틸 메타크릴레이트 모노머의 단위의 수를 나타내고, 모두는 서로 독립적이고; 지수 γ, δ, ε, ζ …, 및 ω 는 제시된 블록의 코-모노머의 단위의 수를 나타내고, 모두는 서로 독립적이고; 지수 αi, βk, γ, δ, ε, ζ …, 및 ω 는 모두 1 이상임].
[ 발명의 명칭 ] 클라이언트 디바이스 상에서의 다수의 디지털 저작권 관리 프로토콜 지원 기술TECHNOLOGIES FOR SUPPORTING MULTIPLE DIGITAL RIGHTS MANAGEMENT PROTOCOLS ON A CLIENT DEVICE [ 기술분야 ] 본 발명은 일반적으로 클라이언트 디바이스 상에서 다수의 디지털 저작권 관리 프로토콜을 지원하는 기술에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 하나 이상의 보안 처리 환경을 이용하는 단일 클라이언트 디바이스를 사용하여 다수의 디지털 저작권 관리 프로토콜을 지원하는 기술에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 소비자 및 콘텐츠 개발자는 디지털 형태로 콘텐츠(예를 들어, 오디오, 비디오, 소프트웨어, 등)를 생산 및 수신하는 데 점점 관심을 가지게 되고 있다. 따라서, 디지털 정보를 대량으로 또한 장거리로 생산 및 배포하기 위한 기술이 개발되었다. 이러한 기술은 콘텐츠 제공자가 비용 효율적인 방식으로 전례 없이 많은 수의 소비자들에게 다가가게 될 수 있게 하였으며, 결국, 대량의 디지털 정보에 대한 전례 없는 액세스를 소비자에게 제공하였다. 디지털 정보가 쉽게 복제 및 배포될 수 있기 때문에, 디지털 정보가 전자 디바이스로 전송되어, 이에 저장되고, 또한 이에 의해 소비됨에 따라 디지털 저작권 관리(DRM) 프로토콜은 디지털 정보를 보호하기 위해 개발되었다. 많은 경우에, DRM 프로토콜은 전자 디바이스로의 전송 전에 암호화 키로 디지털 정보를 암호화함으로써 디지털 정보를 보호할 수 있다. 디지털 정보에 액세스하길 원하는 소비자들은 자신들의 디바이스가 적절한 복호화 키를 갖고 있을 때에만 편리할 수 있다. 이러한 DRM 프로토콜이 효과적일 수 있지만, 다수의 소비자 디바이스들은 안전하지 않은 메모리에 DRAM 복호화 키를 유지하고 있다. 이에 의해, 해커 또는 다른 개체가 용이하게 복호화 키를 획득하고, DRM 프로토콜을 바이패스하며, 디지털 정보로의 비승인된 액세스를 얻을 수 있게 된다. 디지털 정보의 보안을 더욱 확고하게 하기 위해, 일부 콘텐츠 제공자들은 그들의 디지털 정보를 보호하는 데 하드웨어(HW) DRM 프로토콜을 이용한다. HW DRM 프로토콜은 콘텐츠 제공자에 의해 생산되는 디지털 정보를 소비하는 디바이스들에게 하드웨어 DRM 모듈을 포함할 것을 요구할 수 있다. 콘텐츠 제공자는, 그 콘텐츠 제공자를 특정할 수도 있는 정의된 세트의 DRM 프로토콜들을 지원하는 하드웨어 및/또는 소프트웨어 리소스를 포함하도록 특별히 구성되는 것을 하드웨어 DRM 모듈에게 요구할 수 있다. 비록 효과적이지만, 하드웨어 DRM 프로토콜의 유용성은 하드웨어 DRM 모듈이 특정 DRM 프로토콜을 지원하도록 특별히 설계되는 제한된 리소스들을 갖는 다는 점에 의해 제약을 받는다. 실제로 그 설계 및/또는 제한된 리소스들 때문에, 특별히 지원하도록 설계된 것들 이외에 DRM 프로토콜을 하드웨어 DRM 모듈이 실행하는 것이 어려워지거나 불가능하게 될 수 있다. 이는, 특히 DRM 프로토콜이 변하거나 및/또는 다수의 콘텐츠 제공자들이 그들의 콘텐츠를 보호하기 위해 상이한 DRM 프로토콜들을 이용하는 경우에 유용성 문제를 제시한다. 이는 클라이언트 디바이스에 의해 형성될 수 있는 콘텐츠 보호와 관련하여 유용성 문제를 제시할 수도 있으며, 여기서 상이한 DRM 프로토콜들은 상이한 사용자들에 의해 선호될 수 있고, 및/또는 상이한 소스들로부터 생산되는 콘텐츠를 보호하도록 요구될 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 청구대상의 실시예들의 특징들 및 이점들은 이하의 상세한 설명이 진행됨에 따라, 또한 동일한 번호가 동일한 부분을 나타내는 도면들을 참조해 보면 자명해질 것이다. 도 1은 본 발명에 따른 클라이언트 디바이스를 포함해서 다수의 디지털 저작권 관리 프로토콜을 지원하는 예시적인 시스템을 도시한다. 도 2는 클라이언트 디바이스가 콘텐츠 제공자로부터 디지털 정보를 수신하는 사용 케이스에서, 본 발명에 따라 다수의 디지털 저작권 관리 프로토콜을 지원하는 예시적인 방법에 따른 예시적인 동작들의 흐름도이다. 도 3은 발명에 따른 클라이언트 디바이스의 다른 예를 포함해서, 다수의 디지털 저작권 관리 프로토콜을 지원하는 다른 예시적인 시스템을 도시한다. 도 4는 콘텐츠 생성 사용 케이스에서, 본 발명에 따라 다수의 디지털 저작권 관리 프로토콜을 지원하는 예시적인 방법에 따른 예시적인 동작들의 흐름도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 본 발명이 특정 애플리케이션들에 대한 실시예들을 참조하여 여기서 설명되지만, 이러한 실시예들은 단지 예시적일 뿐이며 첨부되는 청구범위에 의해 정의되는 본 발명이 이로 제한되지 않음을 이해해야 한다. 실제로 예시를 위해서, 여기서 설명되는 기술들은 디지털 정보를 보호하는 데 특정 디지털 저작권 관리(DRM) 프로토콜이 이용되는 하나 이상의 사용 모델들의 맥락에서 논의될 수 있다. 이러한 논의는 단지 예시적일 뿐이며, 여기서 설명되는 기술들의 전체 또는 일부가 다른 맥락에서 또한 다른 DRM 프로토콜과 함께 이용될 수 있음을 이해해야 한다. 여기서 제공되는 개시내용에 접근할 수 있는 관련 분야의 기술자들은 발명의 범위 내에서의 추가적인 변형예들, 응용예들, 및 실시예들, 및 본 발명의 실시예들이 이용되는 추가적인 분야들을 인지할 것이다. "클라이언트" 및 "클라이언트 디바이스"의 용어는 하나 이상의 보안 처리 환경을 갖고서 다수의 DRM 프로토콜을 지원하는 데 사용될 수 있는 다수의 전자 장치들 중 임의의 것을 개별적으로 또는 집합적으로 지칭하도록 교환가능하게 사용된다. 이와 관련하여, 이하에서 상세히 설명되는 바와 같이, 복수의 DRM 프로토콜을 지원하기 위해 필요로 될 수 있는 하나 이상의 보안 처리 환경 및 리소스를 호스팅할 수 있으면, 임의의 종류의 모바일 디바이스 또는 고정형 디바이스가 클라이언트 디바이스로서 사용될 수 있다. 적절한 클라이언트 디바이스들의 비제한적 예들은 카메라, 휴대 전화, 컴퓨터 단말, 데스크탑 컴퓨터, 전자 판독기, 팩스기, 키오스크, 넷북 커퓨터, 노트북 컴퓨터, 인터넷 디바이스, 결제 단말, PDA, 미디어 플레이어 및/또는 레코더, 서버, 셋박 박스, 스마트폰, 태블릿 퍼스널 컴퓨터, 텔레비전, 울트라-모바일 퍼스널 컴퓨터, 유선 전화, 이들의 조합, 등을 포함한다. 이러한 디바이스들은 이동형이거나 고정형일 수 있다. 제한 없이, 여기서 설명되는 클라이언트는 바람직하게 휴대 전화, 데스크탑 컴퓨터, 전자 판독기, 랩탑 컴퓨터, 셋탑 박스, 스마트폰, 태블릿 퍼스널 컴퓨터, 텔레비전, 또는 울트라-모바일 퍼스널 컴퓨터의 형태이다. "디지털 정보"의 용어는 컴퓨터 판독가능 매체에 디지털 형태로 저장되어 있을 수 있는 콘텐츠, 예를 들어 오디오, 비디오, 이미지, 텍스트, 마크업(markup), 사진, 메타데이터, 하이퍼링크, 소스 코드, 디지털 저작권 관리(DRM) 소프트웨어, 다른 소프트웨어, 라이센스, 암호화 및/또는 복호화 키, 인증 증명서, 디지털 서명 키, 액세스 정책, 기타 데이터(예를 들어, 센서 데이터), 이들의 조합, 등을 지칭하도록 본 명세서에서 사용된다. "콘텐츠 제공자"의 용어는 디지털 정보를 생산하고 및/또는 디지털 정보를 클라이언트에게 전송하는 디바이스 또는 다른 개체를 지칭하도록 본 명세서에서 사용된다. 일부 실시예들에서, 콘텐츠 제공자는 디지털 정보를 클라이언트에게 전송하는 전자 장치 또는 저장 매체의 형태일 수 있다. 예컨대, 콘텐츠 제공자는 제3자 디바이스, 자기 기록 매체, 플래시(예를 들어, NAND 또는 NOR) 메모리 디바이스, 썸 드라이브(thumb drive), 광 디스크, 등과 같은 저장 매체, 이들의 조합, 등일 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 콘텐츠 제공자는 하나 이상의 DRM 프로토콜에 의해 보호되는 디지털 정보를 임의의 적절한 방식으로, 예를 들어 유선 또는 무선 전송을 통해 클라이언트에게 전송할 수 있거나 그렇지 않으면 제공할 수 있는 하나 이상의 서버들의 형태일 수 있다. 마찬가지로, 콘텐츠 제공자는 클라이언트 디바이스에 연결되거나 그렇지 않으면 클라이언트 디바이스와 통신하는 하나 이상의 센서들일 수 있다. 명확성 및 이해의 편의를 위해, 다수의 도면들은 단일 콘텐츠 제공자가 클라이언트에게 디지털 정보를 제공하는 시스템들을 도시한다. 이러한 도시는 예시적이며, 임의의 수의 콘텐츠 제공자들이 사용될 수 있다. 실제로, 여기서 설명되는 기술들은 복수(예를 들어, 2, 5, 10, 20, 50, 100 이상)의 콘텐츠 제공자들로 구현될 수 있으며, 이들 중 임의의 콘텐츠 제공자 또는 이들 전부는 그들 각각의 디지털 정보를 보호하기 위해 상이한 DRM 프로토콜을 이용할 수 있다. 따라서, 본 발명은 콘텐츠 제공자를 단수로 지칭할 수도 있지만, 이러한 표현은 복수형도 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 본 명세서에서의 임의의 실시예에서 사용되는 바와 같이, "모듈"의 용어는 본 발명에 따른 하나 이상의 동작들을 수행하도록 구성되는 소프트웨어, 펌웨어 및/또는 회로를 지칭할 수 있다. 소프트웨어는 소프트웨어 패키지, 코드, 인스트럭션, 인스트럭션 세트 및/또는 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체 상에 기록된 데이터로서 구현될 수 있다. 펌웨어는 코드, 인스트럭션 또는 인스트럭션 세트 및/또는 메모리 디바이스에서 하드 코딩되는(hard-coded)(예를 들어, 비휘발성) 데이터로서 구현될 수 있다. 본 명세서에 있어서 임의의 실시예에서 사용되는 바와 같은 "회로"는, 예컨대 하드웨어 회로, 하나 이상의 개별적인 인스트럭션 프로세싱 코어를 포함하는 컴퓨터 프로세서와 같은 프로그래밍가능 회로, 상태 머신 회로, 프로그래밍가능 회로에 의해 실행되는 인스트럭션을 저장하는 소프트웨어 및/또는 펌웨어를, 단독으로 또는 임의의 조합으로 포함할 수 있다. 모듈은 하나 이상의 클라이언트 디바이스들의 일부를 형성하는 회로로서 집합적으로 또는 개별적으로 구현될 수 있다. 배경에서 간단하게 설명된 바와 같이, 콘텐츠 제공자는 종종 자신들의 디지털 정보를 하나 이상의 디지털 저작권 관리(DRM) 프로토콜을 이용해서 보호한다. 이용가능한 DRM 프로토콜이 증가하고 이러한 프로토콜이 시간 경과에 따라 업데이트되는 것을 수행함에 따라, 하나 이상의 DRM 모듈을 이용하는 하드웨어 DRM 모델로 그 프로토콜을 지원하기가 점점 어려워지고 있다. 실제로, 하드웨어 DRM 모듈은 일반적으로 고정된 리소스를 갖기 때문에, 그 호스트 클라이언트는 종종 하드웨어 DRM 모듈 자체에 대한 변경을 행하지 않고서 새로운/업데이트된 DRM 프로토콜을 구현하도록 구성될 수 없다. 몇몇의 콘텐츠 제공자는 하드웨어 DRM 모듈을 이용하지 않는 DRM 프로토콜을 갖고서 자신들의 디지털 정보를 보호하도록 선택할 수 있다. 이러한 DRM 프로토콜이 상기한 바와 같은 하드웨어 DRM 모듈의 사용과 연관된 단점을 겪지 않을 수 있지만, 다른 약점들을 갖을 수 있다. 예컨대, 이러한 DRM 프로토콜은 클라이언트가 비보호 메모리에 저장할 수 있는 기밀 사항들(예를 들어, 복호화 키, 라이센스, 액세스 정책, 등)을 클라이언트 디바이스에게 제공하는 것에 의존적일 수 있다. 그 결과, 해커 또는 다른 개체가 클라이언트를 공격하여 내부에 저장된 기밀 사항들로의 액세스를 획득하기가 비교적 쉬울 수 있다. 그러면 해커/개체는 디지털 정보에 액세스하기 위해 그 기밀 사항들을 이용할 수 있어, 그 정보를 보호하는 데 사용된 DRM 프로토콜을 효과적으로 바이패스할 수 있다. 이상의 기재를 고려하여, 본 발명은 일반적으로 클라이언트 디바이스 상에서 다수의 상이한 DRM 프로토콜을 지원 및/또는 구현하기 위한 기술(예를 들어, 디바이스, 시스템, 방법, 컴퓨터 판독가능 매체, 등)에 관한 것이다. 추후에 상세하게 설명되는 바와 같이, 본 발명의 기술은 하나 이상의 보안 처리 환경을 포함하는 클라이언트 디바이스를 일반적으로 이용한다. 이들 환경은, 예를 들어 보안 처리 환경에서 구현되도록 DRM 프로토콜에서 이용될 수 있는 자산(assets)뿐만 아니라 디지털 정보의 평문(plaintext)을 보호함으로써, 클라이언트 디바이스 상에서의 디지털 정보의 보안을 확고하게 하도록 부분적으로 동작할 수 있다. 또한, 이러한 환경들이 (예를 들어, 그들의 호스트 클라이언트 디바이스 또는 심지어 제3자 디바이스의 분할된 자산을 갖고서) 유연하게 구성될 수 있기 때문에, 환경들은 클라이언트 디바이스에 대한 하드웨어 업데이트 없이도 매우 다양한 DRM 프로토콜을 지원하는 데 사용될 수 있다. 보다 구체적으로, 보안 처리 환경들은 하나 이상의 DRM 프로토콜의 구현에서 사용될 수 있는 자산들의 실행 및/또는 저장을 위해 안전한 위치를 제공할 수 있다. 예컨대, 이러한 환경(들)은 디지털 정보의 평문, 디지털 정보를 암호화하는 데 사용되는 정보 암호화 키의 평문, 인증 증명서, 디지털 정보로의 액세스를 통제하는 정책, 디지털 저작권 관리 및 정책 시행을 위한 다수의 모듈, 이들의 조합, 등에 대한 저장, 실행, 및 사용을 위해 안전한 위치를 제공할 수 있다. 환경들의 특성으로 인해, 거기에 유지되는 자산들은 제3자에 의한 비승인된 액세스로부터 보호될 수 있다. 메모리 엔클레이브(enclaves)는 본 발명의 클라이언트 디바이스에서 사용될 수 있는 보안 처리 환경의 일례이다. 메모리 엔클레이브는 컴퓨팅 디바이스의 기존의 링 경계들에 의해 부여된 액세스 정책과는 상이한 액세스 정책을 갖는 적어도 하나의 메모리 페이지로 이루어진다. 메모리 엔클레이브 내의 메모리 페이지(들)는, 판독/기록 제어가 소정의 오퍼레이팅 모드 또는 특권 "링", 연관 프로세서의 가상 머신 모니터 또는 시스템 관리 모드 상에서 배타성을 갖도록 구성될 수 있는 연관된 판독/기록 제어를 갖을 수 있다. 따라서, 메모리 엔클레이브는 호스트에 안전한 장소를 제공하고, 신뢰되는 코드, 데이터 등을 실행하도록 설계될 수 있어, 애플리케이션 소프트웨어, 및 오퍼레이팅 시스템, 가상 머신 모니터, 이들의 조합 등과 같은 특권형 소프트웨어를 포함해서, 클라이언트 상의 다른 소프트웨어로부터 보호될 수 있다. "메모리 엔클레이브" 및 "보안 엔클레이브"의 용어들이 본 발명의 맥락에서 교환가능하게 사용될 수 있음을 이해해야 한다. 제한 없이, 적절한 메모리 클레이브들은 INTEL™의 보안 엔클레이브 기술을 이용하여 제공되는 것들을 포함하고, 이 기술은 인텔의 SgX(secure guard instructions)를 이용하거나 다른 방식으로 구현될 수 있다. 물론, 다른 적절한 메모리 엔클레이브 기술들이 이용될 수 있다. 이제, 발명에 따라 클라이언트 디바이스를 사용하여 다수의 디지털 저작권 관리 프로토콜들을 지원하는 시스템의 일례를 도시하는 도 1을 참조한다. 도시된 바와 같이, 시스템(100)은 클라이언트 디바이스(101)(클라이언트(101)), 콘텐츠 제공자(102) 및 선택형 네트워크(103)를 포함한다. 따라서, 도 1은 콘텐츠 제공자(예를 들어, 제3자)가 소비를 위해 클라이언트 디바이스에게 디지털 정보를 제공하는 사용 케이스를 나타내는 것으로 이해될 수 있다. 따라서, 도 1에서, 사용자는 클라이언트(101) 상에서 콘텐츠 제공자(102)로부터 수신된 디지털 정보를 소비하길 원할 수 있다. 따라서, 클라이언트(101) 및 콘텐츠 제공자(102)는 유선 또는 무선 통신을 할 수 있어, 콘텐츠 제공자(102)가 하나 이상의 유선 또는 무선 통신 프로토콜을 이용하여 클라이언트(101)에게 디지털 정보를 전송할 수 있다. 이러한 개념은 도 1에 도시되어 있으며, 도 1은 디지털 정보(114)(DI(114))를 클라이언트(101)에게 직접, 예를 들어 NFC(near field communication), 블루투스 접속, 지그비(ZigBee) 네트워크, 이들의 조합 등과 같은 근거리 통신 기술을 통해, 전송하는 콘텐츠 제공자(102)를 도시한다. 물론, 클라이언트(101)로의 DI(114)의 통신은 근거리 통신 기술을 통해 일어나지 않아도 된다. 실제로, 본 발명은 콘텐츠 제공자(102)가 네트워크(103)와 같은 비교적 장거리 통신 기술을 통해 클라이언트(101)에게 DI(114)를 전송하는 시스템을 구상하고 있다. 이와 관련하여, 네트워크(103)는 광대역 네트워크(예를 들어, 인터넷), 엔터프라이즈 네트워크, 무선 통신 네트워크(예를 들어, 와이파이 네트워크, 셀룰러 네트워크, 등), 이들의 조합 등 중 하나 이상에 연관성이 있는 것으로서 이해될 수 있다. 콘텐츠 제공자(102)는 예를 들어 클라이언트(101)로부터 수신된 콘텐츠 요청 메시지에 응답하여, 클라이언트(101)에게 DI(114)를 전송하도록 유도될 수 있다. 콘텐츠 요청 메시지의 전송은 사용자에 의해(예를 들어, 사용자 인터페이스를 통해) 및/또는 클라이언트(101) 상에서 실행되는 애플리케이션에 의해 선동될 수 있다. 클라이언트(101)는 디바이스 플랫폼(104)을 포함하고, 이 플랫폼은 임의의 적절한 디바이스 플랫폼일 수 있다. 제한 없이, 디바이스 플랫폼(104)은 클라이언트(101)로서 사용되는 디바이스의 타입에 연관성이 있는 것이 바람직하다. 따라서, 예컨대, 클라이언트(101)가 휴대 전화, 스마트폰, 데스크탑 컴퓨터, 랩탑 컴퓨터, 등인 경우, 디바이스 플랫폼(104)은 바람직하게 각각 휴대 전화 플랫폼, 스마트폰 플랫폼, 데스크탑 컴퓨터 플랫폼, 랩탑 컴퓨터 플랫폼, 등이다. 그 특성과 상관없이, 디바이스 플랫폼(104)은 프로세서(105), 메모리(106), 및 입/출력 리소스(107)(I/O(107))를 포함할 수 있다. 프로세서(105)는 임의의 적절한 범용 프로세서이거나 ASIC일 수 있고, 또한 하나 또는 다수의 프로세서 코어들 상에서 하나 또는 다수의 쓰레드를 실행할 수 있다. 제한 없이, 프로세서(105)는 바람직하게는 범용 프로세서이지만, INTEL�� 주식회사, ADVANCED MICRO DEVICES��, ARM��, NVIDIA��, APPLE��, 및 SAMSUNG�玲【� 상업적으로 이용가능한 범용 프로세서들로 제한되진 않는다. 도 1은 단일 프로세서를 포함하는 것으로 클라이언트(101)를 도시하고 있지만, 다수의 프로세스들이 사용될 수 있다. 제한 없이, 프로세서(105)는 바람직하게 과거, 현재 또는 미래에 생산되는 단일 또는 다중 코어의 INTEL�� 프로세서이다. 메모리(106)는 컴퓨터 판독가능 메모리의 임의의 적절한 타입들일 수 있다. 메모리(106)로서 사용될 수 있는 예시적인 메모리 타입들은: 반도체 펌웨어 메모리, 프로그래밍 가능 메모리, 비휘발성 메모리, 판독 전용 메모리, 전자적으로 프로그래밍 가능 메모리, 랜덤 액세스 메모리, 플래시 메모리(예를 들어 NAND 또는 NOR 타입 메모리 구조를 포함할 수 있음), 자기 디스크 메모리, 광 디스크 메모리, 이들의 조합, 등을 포함하지만 이로 제한되지는 않는다. 추가적으로 또는 대안적으로, 메모리(106)는 컴퓨터 판독가능 메모리의 다른 타입 및/또는 추후 개발되는 타입을 포함할 수 있다. I/O(107)는 클라이언(101)가 콘텐츠 제공자(102)로 통신을 전송하고 또한 그로부터 통신하게 하도록 구성되는 하드웨어(즉, 회로), 소프트웨어, 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 조합을 포함할 수 있다. I/O(107)와 콘텐츠 제공자(102) 간의 통신은 상기에서 일반적으로 설명된 바와 같이 근거리 또는 장거리 통신 네트워크를 이용하여 유선 또는 무선 접속 상에서 일어날 수 있다. 따라서, I/O(107)는 이러한 통신을 지원하기 위한 하드웨어, 예를 들어 하나 이상의 트랜스폰더, 안테나, 블루투스 칩, PAN(personal area network) 칩, NFC(near field communication) 칩, NIC(network interface cards), 이들의 조합, 등을 포함할 수 있다.상기한 바와 같이, 콘텐츠 제공자(102)와 같은 콘텐츠 제공자들은 하나 이상의 데이터 저장 매체들의 형태일 수 있다. 이러한 경우에, I/O(107)는 자기 기록 매체, 광 기록 매체, 광자기 기록 매체, 고체 상태(FLASH) 기록 매체, 이들의 조합, 등의 데이터 저장 매체로부터 정보(예를 들어, 디지털 정보, 라이센스 정책, 키, 리소스 요구사항, 등)를 수신하도록 구성될 수 있다. I/O(107)는 클라이언트(101)에 대해 로컬이거나 이로부터 원격일 수 있는 기록 매체 및 서버와 같은 컴퓨팅 시스템의 조합을 포함한, 다양한 콘텐츠 소스들로부터 디지털 정보를 수신하도록 물론 구성될 수 있다. 또한, 여기서 설명되는 클라이언트 디바이스들은 하나 이상의 DRM 구조적 엔클레이브들 및 보안 정보 처리 환경들(SIPEs; secure information processing environments)과 같은 복수의 보안 처리 환경들을 포함할 수 있다. 간략화를 위해, DRM 구조적 엔클레이브들(architectural enclaves)은 본 명세서에서 단순히 "구조적 엔클레이브" 또는 "AE"로서 지칭된다. 이러한 개념은 DRM 구조적 엔클레이브(AE)(108) 및 보안 정보 처리 환경들(SIPEs)(1111, 111n)을 포함하는 것으로 클라이언트(101)를 도시하고 있는 도 1에 예시되어 있다. 예를 들어 콘텐츠 제공자(102) 또는 디지털 정보의 몇몇의 다른 소스로부터 콘텐츠 전송 요청(예를 들어, CTR(113))이 수신될 때에, SIPE들(1111, 111n)이 클라이언트(101) 상에 사전 제공되거나 사전 제공되지 않을 수 있다는 것을 강조하기 위해 SIPE들(1111, 111n)을 해싱으로 도시하고 있음을 유의한다. 명확성을 위해, CTR의 수신 전에 클라이언트(101) 상에 존재하고 있는 SIPE들은 본 명세서에서 "기존(preexisting) SIPE"로서 지칭된다. 반대로, 예를 들어 CTR의 수신에 응답하여 구조적 엔클레이브(108)에 의해 만들어지거나 생성되는(spawned) SIPE는 본 명세서에서 "새로운 SIPE"로서 지칭된다. 일반적으로, 구조적 엔클레이브(AE)(108)는 정책 시행 모듈(109)(PEM(109)을 포함할 수 있는 (메모리 엔클레이브와 같은) 보안 처리 환경이다. PEM(109)은 구조적 엔클레이브(108) 내에서 (예를 들어, 그에 할당된 처리 리소스를 갖고서) 실행될 수 있으며, 또한 DI(114)와 같은 특정한 디지털 정보와 관련하여 복수의 DRM 프로토콜들 중 어떤 것이 구현되어야 하는지를 결정하기 위해 부분적으로 동작할 수 있다. PEM(109)은 구조적 엔클레이브(108)에 저장된 하나 이상의 정책들에 포함된 정보를 활용함으로써 상기 결정을 행할 수 있다. 정책들(110)은 그 중에서도 DRM 선택 정책(별도로 도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 일반적으로, DRM 선택 정책은 DRM 선택 요인들 중 하나 또는 그 조합을 하나 이상의 DRM 프로토콜들과 연관시키는 데이터베이스 또는 다른 데이터 구조일 수 있다. 사용될 수 있는 DRM 선택 요인들의 비제한적인 예들은, 인적 자원, 중역 사무실, 등과 같은 클라이언트 디바이스의 사용자와 연관되는 분야와, 디지털 정보 등을 생산한 디바이스/센서의 타입과, 뿐만 아니라 당해 디지털 정보의 할당된 구획화와 같은 범주형 요인들(categorical factors)을 포함한다. 예컨대, 디지털 정보가 전역적 위치 파악 정보에 대응할 수 있는 경우, 그 정보에 할당된 범주 분류는 "북아메리카"와 같은 지리적 영역일 수 있다. DRM 요인들의 다른 예들은, 오디오, 비디오, 코드, 등과 같은 당해 디지털 정보의 타입과, 당해 디지털 정보의 보안 레벨, 사용자 보안 레벨, 클라이언트 디바이스 보안 레벨, 디지털 정보를 생성한 센서가 위치되는 환경의 보안 레벨, 등과 같은 레벨 요인들과, 콘텐츠 제공자의 아이덴티티, 시각, 디지털 정보가 수신될 네트워크/센서의 아이덴티티, 클라이언트 디바이스 위치, 사용자 프레젠스, 사용자 아이덴티티, 이들의 조합, 등과 같은 컨텍스트 요인들(contextual factors)을 포함한다. 또한, DRM 요인들의 예들은 콘텐츠 제공자, 디지털 정보를 생산하는 센서, 또는 다른 개체에 의해 디지털 정보에 부여될 수 있는 콘텐츠 태그들을 포함한다. 이러한 태그들은, 예를 들어 디지털 정보가 명시적인 이미지/언어를 포함하는지, 특정한 보호자 지도 등급화 등을 수행하는지와 같은, 디지털 정보의 다양한 속성들을 기술할 수 있다. DRM 선택 요인들의 다양한 조합들은 상기한 바와 같은 하나 이상의 DRM 정책들과 상호 참조될 수 있다. 동작시에, 클라이언트(101)는 콘텐츠 제공자(102)로부터 콘텐츠 전송 요청(CTR)(113)을 (예를 들어, I/O(107)를 이용하여) 수신할 수 있다. 무엇보다도, CTR(113)는 DI(114) 및/또는 콘텐츠 제공자(102)의 범주, 타입, 레벨 등에 관한 정보뿐만 아니라, DI(114) 및/또는 콘텐츠 제공자(102)에 관한 컨텍스트 정보(예를 들어, 콘텐츠 제공자(102)의 아이덴티티, DI(114)의 저자, 시각, 전송 위치, 등)를 포함할 수 있다. 본 발명은 클라이언트(101)에 대해 별도의 메시지로서 CTR이 제공된다고 하는 실시예들을 구상하고 있지만, CTR은 다른 형태들을 취할 수 있다. 예컨대, CTR은 콘텐츠 제공자(102)로부터의 디지털 정보의 스트림과 연관된 하나 이상의 패킷들을 수반하는 헤더 정보의 형태를 취할 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, CTR은 콘텐츠 제공자(102)로부터의 디지털 정보의 전송에 첨부되거나 그렇지 않으면 그와 연관된 메타데이터의 형태를 취할 수 있다. CTR에 응답하여, PEM(109)은 DRM 선택 정책에서의, 예를 들어 정책들(110)에 유지된 DRM 요인들과 CTR(113)에서의 정보를 비교할 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, PEM(109)은 센서들(별도로 도시되지 않음) 및/또는 다른 리소스들(예를 들어, 도시되어 있지도 않은 하나 이상의 분류기들(classifiers))에게, DI(114)를 보호하도록 구현되어야 하는 DRM 프로토콜을 식별하는 데 사용할 수 있는 정보, 예를 들어 클라이언트(101)에 관한 컨텍스트 정보, 그 사용자, 그 내부의 소프트웨어 등을 질의할 수 있다. 예컨대, 클라이언트(101)는 사용자 프레젠스, 사용자 아이덴티티, 클라이언트 디바이스 위치, 사용자 위치 등을 검증하는 데 사용될 수 있는 하나 이상의 센서들을 포함할 수 있다. 이러한 센서들의 비제한적인 예들은 가속도계, 자이로미터(gyro meters), 자력계, 압력 센서, 온도 센서, 주변광 센서, 적외선 근접 센서, 무선 디바이스(블루투스, NFC, 와이파이, 글로벌 위치 파악 센서, 카메라, 마이크로폰, 터치 스크린, 생체 측정 판독기, 이들의 조합, 등을 포함한다. 이러한 센서들은 상기한 DRM 요인들에 따라 미가공 데이터(raw data)를 분류하도록, 예를 들어 사용자 프레젠스를 검증하도록 기능할 수 있는 하나 이상의 분류기들로 미가공 데이터를 공급할 수 있다. 이러한 분류기들은 센서에게 필수적이거나, 클라이언트(101)에게 필수적이거나, 혹은 별도의 디바이스에서 유지될 수 있다. 이러한 상황에서, PEM(109)은 사용자 프레젠스, 사용자 아이덴티티, 또는 어떤 DRM 프로토콜이 구현되어야 하는지를 결정하는 것에 관련된 몇몇의 다른 컨텍스트 요인(들)을 검증하기 위해 이러한 센서들/분류기들에게 질의할 수 있다. 임의의 경우에, PEM(109)은 실행시에 CTR(113)로부터 또한 선택적으로는 클라이언트(101)로부터 얻어진 정보를, DRM 선택 정책에서의 DRM 선택 요인들과 비교할 수 있다. 이 비교(이는 DRM 선택 정책에서의 DRM 요인들에 대해 CTR(113)에서의 및/또는 클라이언트(101)로부터 얻어진 정보를 상호 참조하는 것을 포함할 수 있음)에 기초하여, PEM(109)은 DRM 선택 정책에서 식별된 복수의 DRM 프로토콜들 중 어떤 것이 디지털 정보(114)를 보호하기 위해 구현되어야 하는지를 결정할 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, CTR(113) 또는 다른 메시지는 어떤 DRM 프로토콜이 디지털 정보(114)를 보호하도록 구현될 수 있는지를 명시할 수 있다. 이러한 경우에, CTR(113)에서의 DRM 프로토콜 사양 또는 다른 메시지는 PEM(109)의 DRM 선택 동작을 무시하는 것으로 이해될 수 있다. 이와 달리, DRM 프로토콜 사양은 어떤 DRM 프로토콜이 구현되어야 하는지에 대한 결정에 가중치를 부여하기 위해 PEM(109)에 의해 적용될 수 있다. 임의의 경우에, 콘텐츠 제공자(102)가 DI(114)를 보호하기 위해 어떤 DRM 정책이 구현되어야 하는지를 명시하는 데 CTR을 사용할 수 있음을 이해해야 한다. 이러한 경우에, 명시된 DRM 정책의 절차적 요구사항들을 PEM(109)이 알고 있는 것과, 명시된 DRM 정책을 구현하기 위해 필요로 되는 리소스들(하드웨어, 소프트웨어 및/또는 기타 등등)을 클라이언트(101)가 소유하고 있는 것을 PEM(109)은 검증할 수 있다. 그렇지 않으면, PEM(109)은, 구조적 엔클레이브로 하여금, 절차적 요구사항들의 설명을 (필요에 따라) 제공하고 및/또는 명시된 DRM 정책을 구현하기 위해 필요로 될 수 있는 임의의 손실된 (비-하드웨어) 리소스들을 제공하기 위해 콘텐츠 제공자(102) 및/또는 다른 상대(예를 들어, 미도시의 신뢰되는 제3자)에게 질의를 전송하게 할 수 있다. 그 후에, PEM(109)은, 구조적 엔클레이브로 하여금, 자신의 DRM 선택 데이베이스 및 이하에 설명되는 디지털 저작권 관리(DRM) 저장소를 업데이트하게 할 수 있다. 구조적 엔클레이브(108)는 DRM 선택 정책에(즉, 정책들(110) 내에) 포함되거나 구조적 엔클레이브 내에 별도로 저장될 수 있는 DRM 저장소(115)를 포함할 수도 있다. 일반적으로, DRM 저장소(115)는 DRM 선택 정책에서 식별된 DRM 프로토콜들 각각을, 추후에 설명되는 보안 정보 처리 환경들과 같은 보안 처리 환경에서 이러한 프로토콜들을 구현하는 데 필요로 될 수 있는 리소스 요구사항들(특정 리소스 할당, 특정 메모리 요구사항들, 다른 하드웨어 요구사항들, 키들, 인증 정보(attestation information), 등)과 연관시키는 데이터베이스 또는 다른 데이터베이스일 수 있다. 예컨대, DRM 저장소(115)는 거기서 식별된 DRM 프로토콜들 중 임의의 프로토콜 또는 그 전부와 연관하여, 하나 이상의 암호화 키, 액세스 정책, 라이센스 등을 저장할 수 있다. 또한, DRM 저장소(115)는 특정 DRM 프로토콜을 구현하기 위해 필요로 될 수 있는 보안 처리 환경의 속성들(예를 들어, 보안 처리 환경을 호스팅하는 클라이언트 디바이스의 타입, 보안 처리 환경의 분류화 레벨, 등)을 식별할 수 있다. 물론, 이러한 리소스 요구사항들 및 속성들의 타입 및 특성은 DRM 프로토콜들 사이에서 상이할 수 있다. 알 수 있는 바와 같이, 클라이언트 디바이스에 의해 지원될 수 있는 새로운 DRM 프로토콜들이 추가됨에 따라, 클라이언트 디바이스에 의해 지원되는 기존의 DRM 프로토콜들이 변경(예를 들어, 업데이트)됨에 따라, 및/또는 클라이언트 디바이스에 의해 지원되는 기존의 DRM 프로토콜들이 제거됨에 따라, DRM 저장소(115)는 업데이트될 수 있다. 마찬가지로, 특정 DRM 프로토콜을 지원하기 위해 필요한 리소스들(예를 들어, 키들, DRM 소프트웨어, 등)이 변함에 따라 DRM 저장소는 업데이트될 수 있다. DI(114)를 보호하기 위해 어떤 DRM 프로토콜이 구현되어야 하는지를 결정했으면, PEM(109)는, 구조적 엔클레이브 내에서의 실행시에, DRM 저장소(115)에서의 정보를 검사하여, 식별된 DRM 프로토콜을 보안 처리 환경에서 구현하기 위해 필요로 되는 리소스 요구사항들 및/또는 속성들을 결정할 수 있다. 그 후에, PEM(109)은, 구조적 엔클레이브(108)로 하여금, 그 요구사항들을 충족하는 보안 정보 처리 환경(SIPE)이 클라이언트 디바이스 상에 존재하는지를 결정하게 할 수 있다. 그러한 결정은, PEM(109) 그 자체의 실행에 따라, 또는 구조적 엔클레이브(108) 내에서 또한 실행되는 SIPE 결정 모듈(별도로 도시되지 않음)과 같은 다른 모듈에 의해 수행될 수 있다. SIPE는 하나 이상의 DRM 프로토콜들을 구현하기 위해 필요한 리소스들(예를 들어, 프로세싱, 메모리, 키들, 등)로 구성되는 보안 처리 환경(예를 들어, 메모리 엔클레이브)과 같다. 이러한 리소스들은 SIPE에서 유지되기 때문에, 관련 DRM 프로토콜을 바이패스하기 위한 노력으로 해커 또는 다른 제3자가 그 리소스들로의 액세스를 얻는 것이 어렵거나 불가능하게 될 수 있다. 이와 같이, SIPE는 하드웨어 DRM 모듈과 유사하다. 그러나, SIPE는 보안 처리 환경(예를 들어, 메모리 엔클레이브)으로서 구현되기 때문에, 하드웨어 DRM 모듈에서의 제한된 리소스들과 연관된 문제점들을 겪지 않을 수 있다. 실제로, SIPE는 클라이언트(101)의 프로세싱, 메모리, 및 다른 리소스들의 전부 또는 그 일부를 포함할 수 있는 리소스들에게 유연하게 제공될 수 있다. 게다가, SIPE들은 특정 보안 레벨, 디지털 정보 타입, 고용인 타입, 등과 같은, DRM 프로토콜에 의해 부여될 수 있는 다양한 속성 요구사항들을 충족하도록 할당 및/또는 구성될 수 있다. 따라서, SIPE들의 사용은 DRM 프로토콜들이 클라이언트 디바이스 상에서 구현될 수 있는 방법에 상당한 유연성을 제공할 수 있다. 따라서, 단일 클라이언트 디바이스가 하나 이상의 다수의 상이한 SIPE들로 구성될 수 있으며, 여기서 각 SIPE가 동일 또는 상이한 리소스들 및/또는 속성들을 할당받는다는 것을 이해해야 한다. 리소스들 및 속성들을 적절하게 할당함으로써, SIPE는 하나 이상의 DRM 프로토콜들을 지원하도록 구성될 수 있다. 예로서, 클라이언트 디바이스는 제 1 DRM 프로토콜을 지원하도록 구성되는(예를 들어, 하드웨어, 속성들 및/또는 다른 리소스들을 할당받는) 제 1 SIPE뿐만 아니라, 상이한 제 2 DRM 프로토콜을 지원하도록 구성되는(예를 들어, 하드웨어, 속성들 및/또는 다른 리소스들을 할당받는) 제 2 SIPE를 포함하도록 구성될 수 있다. 상기한 바와 같이, 제 1 및 제 2 DRM 프로토콜들은 상이한 리소스 및/또는 속성 요구사항들을 갖을 수 있으므로, 제 1 및 제 2 DRM 프로토콜의 특정 요구사항들을 지원하도록 제 1 및 제 2 SIPE가 상이하게 구성될 수 있음을 이해할 수 있다. 이러한 개념은 SIPE(1111) 및 SIPE(111n)을 포함하는 것으로 클라이언트(101)를 도시하는 도 1에 나타내어져 있다. 명확성을 위해, 도 1은 2개의 SIPE만을 호스팅하는 것으로 클라이언트(101)를 도시하고 있지만, 임의의 수의 SIPE들이 클라이언트 디바이스 상에서 호스팅될 수 있음을 이해해야 한다. 이를 고려하여, 도 2에서의 첨자 n은 0이거나 2 이상의 정수일 수 있고, 그에 따라 1, 2, 또는 그 이상의 SIPE들을 클라이언트(101)가 포함할 수 있음을 나타낸다. 일부 실시예들에서, 클라이언트에 의해 호스팅될 수 있는 SIPE들의 수는 클라이언트(101)가 지원하는 DRM 프로토콜들의 수와 상관될 수 있다. 이러한 경우에, 클라이언트(101)가 지원하는 DRM 프로토콜들 중 하나를 각 SIPE가 구현하도록 구성된다는 것을 이해할 수 있다. 제 1 DRM 프로토콜을 구현하기 위해 필요로 되는 하드웨어 및 다른 리소스들은 제 2 DRM 프로토콜을 구현하기 위해 필요로 되는 것들과는 상이할 수 있다. 예컨대, SIPE(1111)를 이용하여 구현되는 제 1 DRM 프로토콜은 특정 복호화 키들, 특정 DRM 소프트웨어, 메모리(예를 들어, 버퍼) 리소스들, 입출력 리소스들, 등의 사용뿐만 아니라 특정 승인 레벨(clearance level)(예를 들어, 일급 비밀)을 특정할 수 있다. 반대로, SIPE(111n)를 이용하여 구현되는 다른(예를 들어, 제2의) DRM 프로토콜은 다른 리소스들의 사용뿐만 아니라 상이한 승인 레벨(예를 들어, 기밀 사항이 아님)을 요구할 수 있다. SIPE(1111) 및 SIPE(111n)는, 클라이언트(101) 상에서 보안 처리 환경을 제공할 수 있는 구조적 엔클레이브(108) 또는 다른 개체에 의해, 이들 리소스들을 할당받을 수 있다. 요컨대, 클라이언트(101)는 복수의 보안 정보 처리 환경들을 제공받을 수 있으며, 이들 각각은 하나 이상의 DRM 프로토콜들을 지원하기 위해 필요로 되는 리소스들을 할당받을 수 있다. 리소스들을 갖는 보안 처리 환경을 할당/제공하기 위한 다수의 메카니즘들이 공지되어 있으므로, 여기서는 상세히 설명되지 않는다. 예로서, 하드웨어, 소프트웨어, 디지털 정보, 다수의 키들(예를 들어, 엔클레이브 실링 키들(enclave sealing keys), 암호화 키들, 복호화 키들, 보안 세션 키들, 등)과 같은 리소스들 등은 2013년 6월 4일에 출원된 국제 특허 출원 제PCT/US13/44158호에 기재된 프로세스들을 이용하여 제공될 수 있다. 따라서, 일부 실시예들에서, 구조적 엔클레이브(108)는 보안 제어 채널 상에서 하나 이상의 키들을 교환할 수 있고, 상기 키(들)는 SIPE에 대한 비-하드웨어 리소스들의 통신을 (암호화를 거쳐) 보호하는 데 사용될 수 있다. 상기 또는 다른 방법들을 이용하여, 구조적 엔클레이브 또는 다른 개체는, 와이드바인(WIDEVINE) DRM의 임의의 현재 또는 추후 버전, 마린(Marlin) DRM, OMA(Open Mobile Alliance) DRM, 마이크로소프트 플레이레디(PLAYREADY), AACS(advanced access content system) 프로토콜, 윈도우 미디어 DRM, HDCP(high definition content protection), 보호 오디오 비디오 경로(protected audio video path), 디지털 전송 콘텐츠 보호(DTCP; digital transmission content protection), 인터넷 프로토콜에 맵핑된 디지털 전송 콘텐츠 보호(DTCP-IP; digital transmission content protection mapped to internet protocol), 이들의 조합, 등을 포함하지만 이로 제한되지 않는 복수의 프로토콜들에 의해 요구될 수 있는 하드웨어 및 다른 리소스들을 SIPE에게 제공할 수 있다. 상기한 DRM 프로토콜들은 물론 예시적이며, 임의의 적절한 DRM 프로토콜은, SIPE가 적절한 리소스들을 제공받을 수 있다고 하면, 클라이언트 상의 SIPE에서 구현될 수 있다. 상기한 설명으로 알 수 있는 바와 같이, SIPE의 한가지 일반적인 기능은 DRM 프로토콜에 따른 다수의 동작들(이후, DRM 동작들)을 실행하는 것이다. 이와 관련하여, SIPE(1111) 및 SIPE(111n)는 DRM 시행 모듈(DRMEM)(1121, 112n)을 각각 포함할 수 있다. DRMEM(1121, 112n)은 구조적 엔클레이브(108), 다른 소스(예를 들어, 신뢰되는 제3자), 및/또는 콘텐츠 제공자(102)와 같은 콘텐츠 제공자에 의해 제공될 수 있다. 일반적으로, DRMEM은 실행시에 SIPE로 하여금, 예를 들어 구조적 엔클레이브 또는 다른 SIPE 제공 개체에 의해 SIPE에 할당된 리소스들을 이용하여, DRM 프로토콜에 따른 DRM 동작들을 실행하게 할 수 있다. 보다 구체적으로, SIPE는 DRM 프로토콜들 및/또는 SIPE가 지원하도록 구성되는 프로토콜들에 따라 디지털 정보(예를 들어, DI(114))를 처리하기 위해 SIPE에 할당된 리소스들을 이용할 수 있다. 따라서, 예컨대, SIPE(1111) 및 DRMEM(1121)은 제 1 DRM 프로토콜에 따라 디지털 정보(114)를 처리하도록 구성될 수 있는 반면에, SIPE(111n) 및 DRMEM(112n)은 상이한 제 2 DRM 프로토콜에 따라 디지털 정보를 처리하도록 구성될 수 있다. 여기서 사용되는 바와 같이, "처리" 및 "처리하는"의 용어들은, 디지털 정보와 연관하여 SIPE에 의해 수행되는 동작들과 함께 사용될 때에, SIPE가 지원하도록 구성되는 DRM 프로토콜에 따라 SIPE(또는, 보다 구체적으로 SIPE 내에서 실행되는 DRMEM)가 수행할 수 있는 동작들을 지칭한다. 이러한 동작들은, 예를 들어, 콘텐츠 제공자에 대해 SIPE의 아이덴티티를 증명하는 것, 하나 이상의 키들을 콘텐츠 제공자와 교환하는 것(및/또는 디지털 저작권 관리 저장소(115)로부터 관련 키들을 획득하는 것), 평문을 획득하기 위해 콘텐츠 제공자(102)로부터 수신된 디지털 정보(제 1 암호화 키로 암호화될 수 있음)를 복호화하는 것, 평문 디지털 정보를 복조하는 것(예를 들어, 여기서 DI(114)는 변조된 오디오, 비디오 및/또는 다른 신호들을 포함함), 디코드된 디지털 정보를 획득하기 위해 평문을 디코딩하는 것, 디코드된 디지털 정보를 다시 인코딩하는 것(예를 들어, 여기서 DRM 프로토콜은 특정 포맷에 대한 트랜스코딩을 요구함), 저장을 위해 디지털 정보를 암호화하는 것, SIPE에 대해 디지털 정보를 실링하는 것, 이들의 조합, 등을 포함한다. 일부 실시예들에서, DRM 프로토콜은 보안 미디어 하드웨어를 이용한 디스플레이에 디지털 정보를 채택하는 것을 특정할 수 있다. 이러한 경우에, "처리하는"은 미디어 하드웨어 상에서의 보안 출력 및/또는 디스플레이를 위해 디지털 정보를 암호화하는 것을 더 포함할 수 있다. 예로서, DRMEM은, 예를 들어 인텔의 PAVP(protected audio video path) 기술과 같은 보안 오디오 비디오 경로 기술에서 사용될 수 있는 바와 같이, 디지털 정보를 하나 이상의 키들로 암호화하도록 구성될 수 있다. 마찬가지로, SIPE는 예를 들어 HDCP(high definition content protection) 또는 다른 보안 디스플레이 프로토콜에서 사용될 수 있는 하나 이상의 키들을 이용하여, 보안 디스플레이를 위해 디지털 정보를 암호화하도록 구성될 수 있다. 일례에서, DRM 프로토콜(예를 들어, PAVP, IEEE 1667(본 발명의 출원 전후로 실행되는 버전들), 등)은, SIPE에 제공되는 디지털 콘텐츠가 그래픽 처리 유닛(GPU)과 같은 다른 디바이스로 출력되기 전에 보호되어야 하는 것을 특정할 수 있다. 이러한 프로토콜은 AE(108) 내에서 실행되는 관리 콘솔/유틸리티를 이용하여 수행될 수 있는 GPU 리소스의 분할을 요구할 수 있다. 프로토콜은 하나 이상의 키들을 이용하여 GPU와 SIPE 사이에서 보안 채널을 수립하는 것을 추가로 요구할 수 있다. 이러한 경우에, 구조적 엔클레이브(108)에서의 모듈은 보안 채널을 수립하기 위해 필요로 되는 키(들)를 관련 SIPE와 교환할 수 있다. 그 후에 SIPE는 GPU로의 출력을 위해 디지털 콘텐츠를 제공된 키(들)를 이용하여 암호화할 수 있다. 따라서, 본 발명의 클라이언트 디바이스들은 디지털 정보를 보호하기 위해 복수의 DRM 프로토콜들 중 어느 것이 구현되어야 하는지를 결정할 수 있는 모듈(예를 들어, PEM 또는 기타 형태)을 포함하는 구조적 엔클레이브를 채택한다. 사용되는 DRM 프로토콜을 식별했으면, 구조적 엔클레이브는 (만약 있다면) 클라이언트 디바이스 상의 기존 SIPE가 식별된 DRM 프로토콜을 지원하도록 구성되는지를 추가로 결정할 수 있다. 그렇지 않으면, 구조적 엔클레이브는 클라이언트 디바이스 상에서 새로운 SIPE를 만들어내거나 생성할 수 있고, 식별된 DRM 프로토콜을 수행하기 위해 필요로 될 수 있는 리소스들을 그 새로운 SIPE에 제공할 수 있다. 식별된 DRM 프로토콜을 구현하기 위해 필요로 될 수 있는 비-하드웨어 리소스들이 구조적 엔클레이브 및/또는 기존/새로운 SIPE에 없으면, 콘텐츠 제공자 및/또는 신뢰되는 제3자와 같은 다른 개체로부터 이러한 리소스들을 요청할 수 있다. 예로서, 구조적 엔클레이브는 DRM 프로토콜의 구현에 사용되는 하나 이상의 키들이 없는 디지털 저작권 관리 저장소를 포함할 수 있다. 그 결과, 구조적 엔클레이브는 그 DRM 프로토콜을 지원하기 위해 필요로 되는 키들을 새로운 또는 기존 SIPE에 제공할 수 없다. 이러한 문제점을 해결하기 위해, 구조적 엔클레이브 및/또는 식별된 SIPE(또는 보다 구체적으로, 이러한 보안 환경들에서의 모듈)는 그 호스트 클라이언트로 하여금 콘텐츠 제공자 또는 다른 상대에게 메시지(예를 들어, DRM 정보 요청 메시지)를 전송하게 할 수 있어, 필요한 정보(이 경우에, 키들)를 요청할 수 있다. 필요한 정보(키들)가 콘텐츠 제공자 및/또는 다른 상대로부터 수신되면, 구조적 엔클레이브는 그 디지털 저작권 관리 저장소를 수신된 정보(키들)를 이용하여 업데이트할 수 있고, 정보(키들)를 식별된 SIPE에 제공할 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 식별된 SIPE는 필요한 정보를 콘텐츠 제공자 또는 다른 소스로부터 직접 수신할 수 있다. 기존 또는 새로운 SIPE가 식별된 DRM 프로토콜을 구현하도록 구성되어 있는 것으로 식별되었으면, 당해 디지털 정보의 통신은 식별된 SIPE로 향하게 될 수 있다. 이와 관련하여 도 1을 다시 참조하면, SIPE(예를 들어, SIPE(1111)) 콘텐츠 제공자(102)가 디지털 정보(114)를 전송하기 위한 것임을 식별하는 메시지(예를 들어, SIPE 식별 메시지)를 구조적 엔클레이브(108)가 전송할 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 식별된 SIPE의 DRM 시행 모듈(예를 들어, DRMEM(1121))는 실행시에 그에 할당된 통신 리소스들(예를 들어, I/O(107))을 이용하여 콘텐츠 제공자(102)와의 통신을 수립할 수 있다. 그 후에 콘텐츠 제공자(102)는, 식별된 DRM 프로토콜에 따라 처리하기 위해, DI(114)를 포함하는 메시지들을 식별된 SIPE로, 이 경우에는 SIPE(1111)로 전송할 수 있다. 클라이언트(101)와 콘텐츠 제공자 간의 보안 통신이 요구되는 경우에, 구조적 엔클레이브(108) 및/또는 SIPE(1111, 111n)는 콘텐츠 제공자와 보안 통신 채널을 협상할 수 있다. 보안 통신 채널의 협상은 전송 계층 보안(TLS; transport layer security) 프로토콜, 사인 및 메시지 인증 코드(SIGMA; sign and message authentication code) 프로토콜, 비대칭형 또는 대칭형 암호화 프로토콜, 이들의 조합, 등과 같은 임의의 적절한 보안 통신 프로토콜에 따라 수행될 수 있다. 임의의 경우에, 콘텐츠 제공자(102)는 식별된 DRM 프로토콜에 따라 처리하기 위해 DI(114)를 클라이언트(101)로(또는, 보다 구체적으로, SIPE(1111)와 같은 선택된 SIPE로) 전송할 수 있다. 전송중에 DI(114)를 보호하기 위해, 콘텐츠 제공자는 공용 키 암호화 프로토콜, 대칭형 키 암호화 프로토콜, 비대칭형 키 암호화 프로토콜, 등을 포함하지만 이로 제한되지 않는 제 1 암호화 프로토콜을 이용하여 DI(114)를 암호화할 수 있다. 일반적으로, 제 1 암호화 프로토콜은 하나 이상의 키들을 이용하여 디지털 정보의 평문을 암호문으로 변환할 수 있다. 이를 고려하여, 클라이언트(101)에서의 선택된 SIPE는, 보안 처리 환경 내에서 그 평문을 획득하기 위해, 암호화된 디지털 정보를 복호화하는 데 필요로 되는 적절한 키를 제공받을 수 있다. 디지털 정보의 평문이 획득되면, 지원하도록 구성되는 DRM 프로토콜에 따른 방식으로 디지털 정보를 처리하기 위해 선택된 SIPE는 DRM 동작들을 실행할 수 있다. 상기한 바와 같이, 이러한 동작들은 복조된 평문을 획득하기 위해 평문을 복조하는 것과, 복조된 평문을 (예를 들어, 특정 출력에 따라) 재복조하는 것과, 디코드된 평문을 획득하기 위해 평문을 디코딩하는 것과, 평문을 (예를 들어, 상이한 포맷으로) 인코딩 또는 재인코딩하는 것과, 평문을 (예를 들어, HDCP, 인텔의 보호 오디오 비디오 경로(protected audio video path), 등과 같은 보호 오디오 비디오 프로토콜에 따라 사용될 수 있는 하나 이상의 키들로) 암호화하는 것과, 다운스트림 디바이스와의 보안 통신 링크를 (예를 들어, TLS, SIGMA, IPSEC(Internet protocol security), PKSC12 암호 기법, 다른 메시지/채널 암호화 또는 키 암호화 동작들, 이들의 조합, 등을 이용하여) 수립하는 것을 포함할 수 있다. 이제, 본 발명에 따라 클라이언트 디바이스 상에서 다수의 디지털 저작권 관리 프로토콜들을 지원하는 하나의 예시적인 방법에 따라 수행될 수 있는 예시적인 동작들의 흐름도인 도 2를 참조한다. 도시된 바와 같이, 방법(200)은 블록 201에서 시작된다. 그 후에 방법은 클라이언트 디바이스가 콘텐츠 제공자로부터 디지털 정보를 선택적으로 요청할 수 있는 선택형 블록(202)으로 진행할 수 있다. 이러한 요청은, 예를 들어 당업계에서 이해될 수 있는 사용자 인터페이스 또는 다른 메카니즘을 거쳐서 개시될 수 있다. 일부 실시예들에서, 클라이언트 디바이스는 하나 이상의 디지털 정보 요청들을 콘텐츠 제공자에게 전송함으로써 디지털 정보를 요청할 수 있다. 디지털 정보 요청에 응답하여, 콘텐츠 제공자는 예를 들어 직접 익명 증명(direct anonymous attestation), 개선된 프라이버시 ID(enhanced privacy ID), 등과 같은 하나 이상의 검증 프로토콜들을 이용하여, 요청의 진위 및/또는 클라이언트 디바이스의 아이덴티티를 선택적으로 검증할 수 있다. 임의의 경우에, 방법은 클라이언트 디바이스가 콘텐츠 제공자로부터의 콘텐츠 전송 요청(CTR) 메시지의 수신을 모니터링할 수 있는 블록 203으로 진행될 수 있다. 상기한 바와 같이, CTR은 복수의 DRM 프로토콜들 중 어떤 것이 디지털 정보를 보호하기 위해 구현되어야 하는지를 결정하기 위해 클라이언트 디바이스의 구조적 엔클레이브 내에서 실행되는 정책 시행 모듈에 의해 사용될 수 있는 정보를 포함할 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, CTR은 특정 DRM 프로토콜이 소정의 디지털 정보와 관련해서 구현되어야 한다는 것을 특정할 수 있다. 따라서, CTR은 전송되는 디지털 정보의 식별자뿐만 아니라, DRM 요인들(예를 들어, DRM 선택 정책, DRM 저장소, 등에 저장될 수 있음)에 관한 정보 및 선택적으로는 사용되는 특정 DRM 프로토콜의 식별자를 포함할 수 있다. 블록 204에서, CTR이 수신되었는지에 대한 결정이 이루어질 수 있다. 그렇지 않으면, 방법은 블록 203으로 루프백될 수 있음에 따라, 클라이언트 디바이스는 CTR의 수신을 계속 모니터링할 수 있다. CTR의 수신시에, 방법은 블록 205로 진행될 수 있으며, 여기서 클라이언트 디바이스는, 상기한 바와 같이, CTR에서의 정보를 DRM 선택 정책과 같은 하나 이상의 정책들에서의 DRM 선택 요인들에 대해 분석할 수 있다. 상기 설명에 의하면, 이러한 분석은 클라이언트 디바이스에 의해 호스팅되는 구조적 엔클레이브를 갖는 정책 시행 모듈의 실행에 따라 수행될 수 있다. 이 분석으로부터, 클라이언트 디바이스에 의해 수신되는 디지털 정보를 보호하기 위해 복수의 DRM 프로토콜들 중 어떤 것이 구현될 것인지에 대한 결정이 이루어진다. 그 후에 방법은 블록 206으로 진행될 수 있고, 여기서 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스에 의해 호스팅되는지, 또한식별된 DRM 프로토콜을 지원하도록 구성되는지에 대한 결정이 이루어질 수 있다. 일반적으로 상기한 바와 같이, 이러한 결정은 클라이언트 디바이스에 의해 호스팅되는 구조적 엔클레이브 내에서 실행되는 하나 이상의 모듈들(예를 들어, 정책 시행 모듈, SIPE 선택 모듈, 등)의 실행에 따라 이루어질 수 있다. 적절한 기존 SIPE가 존재하지 않으면, 방법은 선택형 블록 207로 진행될 수 있고, 여기서 구조적 엔클레이브(및/또는 구조적 엔클레이브에서 실행되는 모듈)는 식별된 DRM 프로토콜을 구현하기 위해 필요로 될 수 있는 리소스 요구사항들을 식별 및/또는 제공하도록 콘텐츠 제공자 및/또는 다른 상대에게 질의할 수 있다. 알 수 있는 바와 같이, 구조적 엔클레이브가 식별된 DRM 프로토콜을 구현하기 위해 필요로 되는 하드웨어 및 다른 요구사항들을 인지하고 있으며 또한 이러한 리소스들을 소유/제어하고 있는 경우, 선택형 블록 207은 생략될 수 있다. 임의의 경우에, 방법은 블록 208로 진행될 수 있고, 여기서 구조적 엔클레이브(또는 구조적 엔클레이브에서 실행되는 모듈)는 클라이언트 디바이스 상에서 새로운 SIPE를 만들어내거나 "생성할" 수 있고, 새로운 SIPE는 식별된 DRM 프로토콜을 구현하기 위해 필요로 되는 리소스들을 (구조적 엔클레이브 또는 다른 개체에 의해) 제공받을 수 있다. 예컨대, 구조적 엔클레이브는 클라이언트 상의 프로세싱 및 메모리 리소스들을 새로운 SIPE로 분할할 수 있다. 그러면 구조적 엔클레이브는 새로운 SIPE 내에서 식별된 DRM 프로토콜을 구현하기 위해 필요로 될 수 있는 기밀들(예를 들어, 키들, 등) 및 다른 리소스들(모듈들, 소프트웨어, 등)을 새로운 SIPE에 제공할 수 있다. 새로운 SIPE가 형성되면(또는, 식별된 DRM 프로토콜을 지원하도록 구성된 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하면), 방법은 블록 209로 진행될 수 있고, 여기서 구조적 엔클레이브는 식별된 DRM 프로토콜에 따라 디지털 정보 처리의 사용을 위해 기존의 또는 새로운 SIPE를 선택할 수 있다. 그 후에 디지털 정보의 전송은, 일반적으로 상기한 바와 같이, 선택된 SIPE를 향할 수 있다. 그 후에 방법은 블록 210으로 진행될 수 있고, 여기서 클라이언트 디바이스는 디지털 정보를, 예를 들어 콘텐츠 제공자 또는 다른 소스로부터 수신할 수 있다. 보다 구체적으로, 디지털 정보는 블록 209에 따라 선택된 SIPE로 수신될 수 있다. 그 후에 방법은 블록 211로 진행될 수 있고, 여기서 선택된 SIPE는 구현하도록 구성된 DRM 프로토콜(들)에 따라 디지털 정보를 처리할 수 있다. 상기한 바와 같이, 이러한 처리는, 평문을 획득하기 위해 디지털 정보를 복호하는 것과, 평문을 복조하는 것과, 평문을 디코딩하는 것과, 평문을 인코딩 또는 재인코딩하는 것과, 평문을 변조하는 것과, (SIPE 실링 키(예를 들어, 엔클레이브 실링 키)로 평문을 암호화함으로써) 평문을 SIPE에 대해 실링하는 것과, (변조된, 인코딩된 등의) 디지털 정보를 처리하는 것과, 클라이언트 디바이스의 미디어 HW(예를 들어, 디스플레이, 스피커, 등) 상에서의 소비를 위해 디지털 정보를 출력하는 것과, 이들의 조합, 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 알 수 있는 바와 같이, SIPE가 디지털 정보를 처리하는 방식은 구현되고 있는 DRM 프로토콜에 대해 특정될 수 있으며, 그에 따라 상기한 예시적인 동작들 중 임의의 것에 대한 순서, 특징, 및 구현은 하나의 DRM 프로토콜에서부터 다른 것으로 변할 수 있고, 그에 따라 SIPE에서부터 다른 것으로 변할 수 있다. 디지털 정보가 블록 211에 따라 처리되면, 방법은 블록 212로 진행되어 종료될 수 있다. 예로서, ROAP(Rights Object Acquisition Protocol)는 권한 발생자(Rights Issuer)로부터 보기 및/또는 편집 권한, 허가, 특권 및 다른 속성을 OMA(Open Mobile Alliance)-준수 사용자 디바이스들이 요청 및 획득할 수 있게 하는 XML-기반 DRM 보안 프로토콜들의 모음이다. 이 프로토콜은 OMA DRM 사양 v2.0에서 특정되어 있었다. 이와 관련해서, 콘텐츠 제공자(102) 또는 다른 제3자는 OMA DRM 모델에서의 권한 발행자의 역할을 할 수 있다. 상기한 바를 고려하여, 콘텐츠 제공자(102) 또는 제3자는 권한 제공 요청(a rights provisioning request)과 관련하여 ROAP를 이용해서 클라이언트(101)와의(또는 보다 구체적으로, 디바이스 플랫폼(104)과의) 접속을 수립할 수 있다. 105에서의 (도시되지 않은) 에이전트는 콘텐츠 제공자(102) 또는 제3자에 의해 콘텐츠 전송 요청(이는 그 자체가 정책의 형태일 수 있음)이 제공되는 것을 관찰한다. 에이전트는 구조적 엔클레이브(108)(또는, 보다 구체적으로, PEM(109))가 요청을 제공할 것을 요청할 수 있다. 구조적 엔클레이브(108)는 CTR/정책의 콘텐츠를 분석하여, 제공되는 디지털 정보를 보고하기 위해 콘텐츠 제공자(102)(또는 제3자)에 의해 소정의 제약사항이 요구된다고 결정할 수 있다. 예컨대, PEM(109)은 콘텐츠 클래스-A 처리와 같은 제약사항이 요구되는 정책으로부터 결정할 수 있다. 이때에, 구조적 엔클레이브(108)는 적절한 기존 SIPE가 클라이언트(101) 상에 존재하는지 결정할 수 있고, 그렇지 않으면, 특권 "클래스-A"가 제공된 적절한 새로운 SIPE를 구축할 수 있다. 다른 CTR/정책은, 예를 들어 콘텐츠 "클래스-B" 디지털 정보를 처리하기 위해, 다른 특권들을 갖는 제 2 SIPE의 선택/생성을 초래할 수 있다. 도시를 위해, SIPE(1111)는 "클래스-A"에 적합한 것으로 고려될 것이고, SIPE(111n)는 "클래스-B"에 적합한 것으로 고려될 것이다. 콘텐츠 제공자(102)가 디지털 정보를 제공한다고 가정하면, 콘텐츠 제공자(102)는 클라이언트(101)/디바이스 플랫폼(104)으로의 제 2 접속을 개방할 수 있고, '클래스-A' 특정 키를 이용하여 보호되는 OMA-DRM 디지털 정보 스트림을 확고히 할 수 있다. 구조적 엔클레이브(108), 콘텐츠 제공자(102), 또는 다른 개체에 의해 SIPE(1111)에 대해 이전에 제공되었던 클래스-A 키를 이용하여 디지털 정보 패킷들/프레임들이 복호화될 수 있는 경우, AE(108) 내의 PEM(109)은 SIPE(1111)로의 접속을 전달/프록시할 수 있고, AE(108)는 SIPE(1111)로의 접속을 전달/프록시한다. 디지털 정보의 결과적인 평문 패킷들/프레임들은 클래스-A 보안 채널 키(들)(예를 들어, PAVP 또는 IEEE 1667 채널 키(들))를 이용하여 (예를 들어, DRMEM(1121)의 실행에 따라) 재암호화될 수 있고, 그 후에 (정책들(110)의 나머지가 만족된다고 가정하면) SIPE(1111)는 재암호화된 패킷들/프레임들을 호환가능 다운스트림 미디어 하드웨어로 출력할 수 있다. 앞서의 설명은 기록 매체, 콘텐츠 서버, 등과 같은 콘텐츠 제공자로부터 디지털 정보를 수신하는 클라이언트 디바이스를 이용한 다수의 DRM 프로토콜들의 구현에 초점을 맞추고 있지만, 여기서 설명되는 기술들이 다른 맥락들에서도 적용될 수 있음을 이해해야 한다. 예컨대, 여기서 설명되는 기술들은 클라이언트 디바이스에 연결된 하나 이상의 센서들에 의해 생성될 수 있는 디지털 정보를 보호하기 위해 다양한 DRM 프로토콜들을 구현하는 데 사용될 수 있다. 이에 의해, 클라이언트 디바이스에 연결된 센서들은, 센서들이 디지털 정보 및/또는 디지털 정보로 컴파일링될 수 있는 데이터를 클라이언트(101)에게 제공한다는 점에서, 콘텐츠 제공자와 비교할 만한 것으로 고려될 수 있다. 추후에 도 3 및 4를 참조하여 설명되는 바와 같이, 여기서 설명되는 기술들은 센서로부터 수신된 디지털 정보, 및/또는 하나 이상의 센서들로부터 수신된 센서 데이터로부터 컴파일될 수 있는 디지털 정보를 보호하기 위해 복수의 DRM 프로토콜들 중 어떤 것이 구현되어야 하는지를 결정하는 데 구조적 엔클레이브를 이용할 수 있다. 어떤 DRM 프로토콜이 구현되어야 하는지를 결정했으면, 적절한 기존 SIPE가 클라이언트 상에 존재하는 경우, 구조적 엔클레이브는 식별된 DRM 프로토콜을 구현하기 위해 클라이언트 디바이스에서의 기존 보안 정보 처리 환경(SIPE)을 선택할 수 있다. 적절한 기존 SIPE가 존재하지 않으면, 구조적 엔클레이브는, 일반적으로 상기한 바와 같이, 적절한 새로운 SIPE를 만들어내거나 "생성할" 수 있고, 또한 디지털 정보 및/또는 하나 이상의 센서들로부터 수신된 센서 데이터를 보호하기 위해 식별된 DRM 프로토콜을 구현하도록 새로운 SIPE를 선택할 수 있다. 그 후에 센서(들)로부터의 디지털 정보는, 적절한 DRM 프로토콜에 따라 디지털 정보를 처리할 수 있는 선택된 SIPE로 전송될 수 있다. 이제, 본 발명에 따른 클라이언트 디바이스의 다른 예와 함께 다수의 DRM 프로토콜들을 지원하는 예시적인 시스템을 도시하는 도 3을 참조한다. 도시된 바와 같이, 시스템(300)은 도 1의 클라이언트(101)와 동일한 구성요소들 대부분을 포함하도록 구성되는 클라이언트(101)를 포함하고 있다. 간략화를 위해, 도 3에서의 구성요소들이 도 1과 관련하여 이전에 설명된 구성요소들과 형태 및/또는 기능에 있어서 상이할 수 있다는 점을 제외하고는, 클라이언트(101)의 다수의 구성요소들 및 그 기능들에 대한 상세한 설명은 다시 제공되지 않는다. 도 3에 추가로 도시된 바와 같이, 시스템(300)은 센서(3011) 및 센서(301n)과 같은 복수의 센서들을 포함할 수 있으며, 여기서 n은 0 또는 2 이상의 정수이다. 따라서, 도 3은 하나의 센서 또는 복수의 센서들(예를 들어, 2, 3, 4, 5, 10 등)을 포함하는 시스템을 도시하는 것으로 이해될 수 있다. 센서들(3011, 301n)은 클라이언트(101)와 통합되거나, 결합되거나, 그렇지 않으면 통신할 수 있어, 센서 데이터(3021, 302n) 및/또는 센서 데이터 속성들(3031, 303n)과 같은 다른 정보를 를 포함하는 하나 이상의 메시지들을 클라이언트(101)에게 전송할 수 있다. 센서들(3011, 301n)은 센서 데이터를 생산하여 클라이언트(101)에게 제공할 수 있는, 도 1의 설명과 관련하여 상기한 바와 것과 같은 임의의 센서일 수 있다. 일부 실시예들에서, 센서들(3011, 301n)은 이미지 센서(예를 들어, 비디오 카메라 또는 스틸 카메라), 오디오 센서(예를 들어, 마이크로폰), 온도 센서, 위치(예를 들어, 전역적 위치 파악) 센서, 생체 인식 센서(예를 들어, 지문 스캐너, 홍채 스캐너, DNA(deoxyribonucleic acid) 분석기, 안면 인지 시스템, 등), 화학 센서, 방사선 센서, 범위 검출 센서, 압력 센서, (예를 들어, 하나 이상의 입/출력 디바이스들을 모니터링하기 위한) 입력 모니터링 시스템, 네트워크 센서, 이들의 조합, 등 중 하나 이상일 수 있다. 제한 없이, 예를 들어 비디오 카메라와 같은 오디오 비주얼 레코딩 시스템에서 발견될 수 있는 바와 같이, 센서(3011)는 바람직하게 비디오 센서이고, 센서(301n)는 바람직하게 오디오 센서이다. 일부 실시예들에서, 센서들(3011, 301n)은 모두 비디오 카메라와 같은 오디오 비주얼 레코딩 시스템이다. 클라이언트(101)와 통신하는 센서들 중 임의의 센서 또는 이들 전부는, 그 각각의 센서 데이터의 타입, 카테고리, 레벨, 등을 표시하는 하나 이상의 센서 데이터 속성들과 연관될 수 있다. 예로서, 센서(3011)가 제 1 보안 레벨의(예를 들어, 일급 비밀의) 센서 데이터를 기록하는 반면에, 센서(301n)는 제 2 보안 레벨의(예를 들어, 기밀이 아닌) 센서 데이터를 기록한다는 것을 알 수 있다. 마찬가지로, 상이한 센서들로부터의 센서 데이터는 상이한 타입의 고용인, 사업, 상이한 타입의 네트워크, (예를 들어, 센서 데이터가 어디서 및/또는 어떻게 수집되었는지 등에 관한) 상이한 컨텍스트 정보와 연관될 수 있다. 센서 데이터 속성들은 일부 실시예들에서 DRM 식별자를 포함할 수 있고, 이 식별자는 센서 데이터 속성들과 연관된 센서 데이터를 보호하기 위해 어떤 DRM 정책이 구현되어야 하는지를 식별한다. 추후에 설명되는 바와 같이, 센서 데이터 속성들은, 하나 이상의 센서들로부터 수신된 센서 데이터(또는 그로부터 컴파일된 디지털 정보)를 보호하기 위해 복수의 DRM 프로토콜들 중 어떤 것이 구현될 것인지를 결정하기 위해, 클라이언트 디바이스의 구조적 엔클레이브에서 실행되는 하나 이상의 모듈들에 의해 사용될 수 있다. 센서 데이터 속성들은 임의의 적절한 방식으로 클라이언트 디바이스에게 전달될 수 있다. 예컨대, 센서 데이터 속성들은 센서와 클라이언트 디바이스 간의 적절한 무선 또는 유선 통신 링크를 거쳐 전달될 수 있는 하나 이상의 센서 속성 메시지들과 함께 클라이언트 디바이스에게 전송될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 센서 속성들은 클라이언트에 대한 센서 데이터의 전송과 연관되는 헤더 및/또는 메타데이터로서 첨부될 수 있다. 상기한 개념들은 센서 데이터(3021, 302n)를 각각 클라이언트(101)에게 전송하는 것으로 센서들(3011, 301n)을 도시하는 도 3에 예시되어 있다. 이 실시예에서, 센서 데이터(3021, 302n) 각각은, 이전에 설명된 바와 같이, (예를 들어 패킷화된 스트림을 통해 센서 데이터(3021, 302n)의 통신이 이루어지는 경우) 예를 들어 헤더 데이터 및/또는 메타데이터의 형태로 센서 데이터 속성들(3031, 303n)을 포함한다. 물론, 센서 데이터 속성들(3031, 303n)은 이런 식으로 클라이언트(101)에게 전송되지 않아도 된다. 실제로, 본 발명은 센서 데이터 속성들(3031, 303n)이 예를 들어 하나 이상의 센서 데이터 속성 메시지들 내의 센서 데이터(3021, 302n)로부터 따로따로 전송되는 실시예들을 구상한다. 이제, 도 3의 클라이언트(101)와 같은 클라이언트 디바이스를 사용하여 다수의 DRM 프로토콜들을 지원하는 예시적인 방법과 관련하여 수행될 수 있는 예시적인 동작들을 나타내는 도 4를 참조한다. 도시된 바와 같이, 방법(400)은 블록 401에서 시작된다. 그 후에 방법은 선택형 블록 402로 진행될 수 있고, 여기서 클라이언트(101)와 같은 클라이언트 디바이스는 예를 들어 센서들(3011, 301n)에 의해 센서 데이터의 수집을 선택적으로 개시할 수 있다. 일부 실시예들에서, 클라이언트(101)의 사용자는 예를 들어 제공되는 사용자 인터페이스를 통해 클라이언트(101)로의 입력을 행함으로써 센서 데이터의 수집을 개시할 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 센서 데이터 수집의 개시는 클라이언트(101) 상에서 실행되는 애플리케이션에 의해 수행될 수 있다. 일부 실시예들에서, 클라이언트 디바이스(101)는 하나 이상의 센서 데이터 요청들을 센서들(3011, 301n)과 같은 센서로 전송함으로써 센서 데이터 수집을 개시할 수 있다. 이러한 요청(들)에 응답하여, 센서(들)는 요청의 진위 및/또는 클라이언트 디바이스의 아이덴티티를, 예를 들어 직접 익명 증명, 개선된 프라이버시 ID, 등과 같은 하나 이상의 검증 프로토콜들을 이용하여 선택적으로 검증할 수 있다. 이러한 검증은 하나 이상의 센서들(3011, 301n)이 보안 센서이고 및/또는 보안 시스템의 일부를 형성하는 경우에 특히 유용할 수 있다. 임의의 경우에, 방법은 블록 403으로 진행될 수 있고, 여기서 클라이언트 디바이스는 하나 이상의 센서들로부터의 센서 데이터 속성들의 수신을 모니터링할 수 있다. 예컨대, 클라이언트(101)는 센서들(3011, 301n)로부터의 센서 데이터 속성 메시지들의 수신을 모니터링할 수 있고, 상기 메시지들은 센서 데이터의 전송과 연관된 별도의 메시지들 및/또는 헤더/메타데이터의 형태일 수 있다. 도 1과 관련해서 상기한 CTR에서의 정보와 같이, 센서 데이터 속성 메시지들은, 디지털 정보와 관련하여 하나 이상의 센서들(예를 들어, 센서들(3011, 301n))에 의해 제공되는 센서 데이터를 보호하기 위해 복수의 DRM 프로토콜들 중 어떤 것이 구현되어야 하는지를 결정하도록 클라이언트 디바이스의 구조적 엔클레이브(예를 들어, 구조적 엔클레이브(108)) 내에서 실행되는 정책 시행 모듈에 의해 사용될 수 있는 정보를 포함할 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 센서 데이터 속성들은 상기한 바와 같이 소정의 디지털 정보와 관련하여 특정 DRM 프로토콜이 구현되는 것을 특정할 수 있다. 따라서, 하나 이상의 센서들로부터 수신된 센서 데이터 속성들은 전송되는 디지털 정보의 식별자뿐만 아니라, DRM 요인들에 관한 정보(예를 들어, 이는 DRM 선택 정책, DRM 저장소, 등에 저장될 수 있음)와, 또한 선택적으로는 사용되는 특정 DRM 프로토콜의 식별자를 포함할 수 있다. 블록 404에서, 센서 데이터 속성들이 수신되었는지에 대한 결정이 이루어질 수 있다. 그렇지 않으면, 방법은 블록 403으로 루프백될 수 있고, 그에 따라 클라이언트 디바이스는 이러한 속성들의 수신을 계속 모니터링할 수 있다. 센서 데이터 속성들의 수신시에, 방법은 블록 205로 진행될 수 있고, 여기서 클라이언트 디바이스(예를 들어, 클라이언트(101))는 센서 데이터 속성들에서의 정보를 하나 이상의 정책들에서의 DRM 선택 요인들, 예를 들어 정책들(110)에 유지된 DRM 선택 정책에 대해 분석할 수 있다. 이 분석은 도 1의 시스템에서의 CTR 정보 분석과 관련해서 상기한 것과 실질적으로 동일한 방식으로 수행될 수 있다. 앞서의 설명에 의하면, 이러한 분석은 클라이언트 디바이스에 의해 호스팅되는 구조적 엔클레이브, 예를 들어 구조적 엔클레이브(108)를 이용한 정책 시행 모듈의 실행에 따라 수행될 수 있다. 이 분석으로부터, 클라이언트 디바이스에 의해 수신되는 센서 데이터(및/또는 그로부터 컴파일된 디지털 정보)를 보호하기 위해 복수의 DRM 프로토콜들 중 어떤 것이 구현될 것인지에 대한 결정이 이루어진다. 그 후에 방법은 블록 406으로 진행될 수 있고, 여기서 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스에 의해 호스팅되는지, 또한 식별된 DRM 프로토콜을 지원하도록 구성되는지에 대한 결정이 이루어질 수 있다. 상기 도 1 및 2의 설명에 의하면, 이 결정은 클라이언트(101)에 의해 호스팅되는 구조적 엔클레이브(108) 내에서 실행되는 하나 이상의 모듈들(예를 들어, 정책 시행 모듈(109), SIPE 선택 모듈, 등)의 실행에 따라 이루어질 수 있다. 적절한 기존 SIPE가 존재하지 않으면, 방법은 선택형 블록 407로 진행될 수 있고, 여기서 클라이언트(101)의 구조적 엔클레이브(108)(및/또는 그 내부에서 실행되는 모듈)는 센서(들)(3011, 301n) 및/또는 다른 상대에게 질의하여 식별된 DRM 프로토콜을 구현하기 위해 필요로 될 수 있는 리소스 요구사항들을 식별 및/또는 제공할 수 있다. 알 수 있는 바와 같이, 구조적 엔클레이브(108)가 식별된 DRM 프로토콜을 구현하기 위해 필요로 되는 하드웨어 및 다른 요구사항들을 인지하고 있으며 또한 이러한 리소스들을 소유/제어하고 있는 경우, 선택형 블록 407은 생략될 수 있다. 임의의 경우에, 방법은 블록 408로 진행될 수 있고, 여기서 구조적 엔클레이브(108)(또는 그 내부에서 실행되는 모듈)는 클라이언트(101) 상에 새로운 SIPE를 만들어내거나 "생성할" 수 있고, 새로운 SIPE는 식별된 DRM 프로토콜을 구현하기 위해 필요로 되는 리소스들을 (구조적 엔클레이브(108) 또는 다른 개체에 의해) 제공받을 수 있다. 예컨대, 구조적 엔클레이브(108)는 클라이언트(101)의 처리 및 메모리 리소스들을 새로운 SIPE로 분할할 수 있다. 그러면 구조적 엔클레이브는 새로운 SIPE 내에서 식별된 DRM 프로토콜을 구현하기 위해 필요로 될 수 있는 기밀들(예를 들어, 키들, 등) 및 다른 리소스들(모듈들, 소프트웨어, 등)을 새로운 SIPE에 제공할 수 있다. 새로운 SIPE가 형성되면(또는, 식별된 DRM 프로토콜을 지원하도록 구성된 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하면), 방법은 블록 409로 진행될 수 있고, 여기서 구조적 엔클레이브(108)(또는 그 위에서 실행되는 모듈)는 식별된 DRM 프로토콜에 따라 센서 데이터 처리의 사용을 위해 기존 또는 새로운 SIPE를 선택할 수 있다. 그 후에 센서 데이터(3021, 302n)의 전송은, 일반적으로 상기한 바와 같이, 선택된 SIPE를 향할 수 있다. 그 후에 방법은 블록 410으로 진행될 수 있고, 여기서 클라이언트 디바이스(101)는 센서들(3011, 301n)로부터 센서 데이터(3021, 302n)를 수신할 수 있다. 보다 구체적으로, 센서 데이터는 블록 409에 따라 선택된 SIPE로 수신될 수 있다. 그 후에 방법은 블록 411로 진행될 수 있고, 여기서 선택된 SIPE는 구현하도록 구성된 DRM 프로토콜(들)에 따라 센서 데이터를 처리할 수 있다. 디지털 정보 처리에 관한 앞서의 설명에 의하면, SIPE는 (예를 들어, 센서 데이터가 암호화된 형태로 수신되는 경우) 평문을 획득하기 위해 센서 데이터를 복호하는 것과, 평문을 복조하는 것과, 평문을 디코딩하는 것과, 평문을 인코딩하는 것과, 재인코딩된 평문을 변조하는 것과, (예를 들어, SIPE 실링 키(예를 들어, 엔클레이브 실링 키)로 평문을 암호화함으로써) 평문을 SIPE에 대해 실링하는 것과, (변조된, 인코딩된 등의) 센서 데이터를 처리하는 것과, 클라이언트 디바이스의 미디어 HW(예를 들어, 디스플레이, 스피커, 등) 상에서의 소비를 위해 센서 데이터를 출력하는 것과, 이들의 조합, 등 중 하나 이상을 수행함으로써 센서 데이터를 처리할 수 있다. 알 수 있는 바와 같이, SIPE가 센서 데이터를 처리하는 방식은 구현되고 있는 DRM 프로토콜에 대해 특정될 수 있으며, 그에 따라 상기한 예시적인 동작들 중 임의의 것에 대한 순서, 특징, 및 구현은 하나의 DRM 프로토콜에서부터 다른 것으로 변할 수 있고, 그에 따라 SIPE에서부터 다른 것으로 변할 수 있다. 앞서의 동작들의 대안으로 또는 그에 부가하여, SIPE는 상이한 센서들로부터의 센서 데이터를 디지털 정보로 컴파일할 수 있는 센서 데이터 컴파일 동작들을 실행할 수 있다. 예컨대, SIPE는 센서(3011)로부터의 비디오 데이터 및 센서(301n)로부터의 오디오 데이터를, 오디오 데이터 비주얼 데이터의 양쪽을 포함하는 디지털 정보로 컴파일할 수 있다. 그 후에 동작들의 처리는 상기한 것과 실질적으로 동일한 방식으로 컴파일된 디지털 정보에 따라 진행될 수 있다. 센서 데이터 및/또는 디지털 정보가 블록 411에 따라 처리되면, 방법은 블록 412로 진행되어 종료될 수 있다. 예로서, 클라이언트(101)는 PAVP, IEEE 1667, 또는 다른 프로토콜에서 사용될 수 있는 하나 이상의 채널 암호화 키들을 이용하여, 센서들(3011, 301n)과 같은 하나 이상의 센서들과의 보안 통신 채널을 수립할 수 있다. 그 채널을 통해, 클라이언트(101)는 센서들(3011, 301n)에 의해 제공되는 센서 데이터(3021, 302n)의 속성들을 기술할 수 있는 센서 데이터 속성들(3031, 303n)을 포함하는 메시지들을 수신할 수 있다. 프로세서(105) 내의 에이전트는 센서 데이터 속성들의 시작되는 전송(incoming transmission)을 관찰할 수 있고, 처리를 위해 구조적 엔클레이브(108)에게 이를 지시할 수 있다. 센서 데이터(3021)는 "클래스-A" 데이터인 반면에 센서 데이터(302n)는 "클래스-B" 데이터임을 센서 데이터 속성들(3031)이 특정할 수 있다. PEM(109)은 센서 데이터 속성들을 분석하여, 관련 DRM 프로토콜들이 콘텐츠 클래스-A 저장 및 처리, 및 콘텐츠 클래스 B 저장 및 처리와 같은 제약사항들을 요구한다고 결정할 수 있다. 그 후에 PEM(109)은 식별된 DRM 프로토콜들에 따라 클래스-A 또는 클래스 B 데이터를 서비스할 수 있는 클라이언트(101) 상에 기존 SIPE가 존재하는지를 결정할 수 있다. 그렇지 않으면, PEM(109)은, 구조적 엔클레이브(108)로 하여금, 클래스-A 및 클래스-B 센서 데이터를 서비스하기 위해 클라이언트(101) 상에서 하나 이상의 이상의 새로운 SIPE들을 생성하게 할 수 있다. 적절한 SIPE가 선택/형성되었으면, 구조적 엔클레이브 내의 PEM(109)은 센서 데이터(3021, 302n)의 암호화된 패킷들/프레임들에 대한 적절한 SIPE들로의, 즉 SIPE(1111) 및 SIPE(111n)로의 전송을 전달/프록시할 수 있다. 이러한 전송은 센서 데이터 속성들(3031, 303n)의 전송과 동일하거나 상이한 접속 상에서 발생할 수 있다. SIPE들은 예를 들어 SIPE에 이전에 제공되었던 적절한 복호화 키를 이용하여, 그들의 평문을 획득하기 위해 암호화된 패킷들/프레임들을 복호할 수 있다. 그 후에 SIPE들은 평문을 저장(예를 들어, 평문을 관련 SIPE에 대해 실링함)하거나 평문을 다른 디바이스로 출력하기 전에, 관련 DRM 프로토콜에 의해 특정된 바와 같이 평문을 조작할 수 있다. 상기로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 기술들은 하나 이상의 보안 처리 환경들에서 복수의 DRM 프로토콜들과 연관된 정보 및 자산들을 유지함으로써 디지털 정보, 센서 데이터 등의 보안을 확고하게 할 수 있다. 게다가, 기술들은 예를 들어 하나 이상의 보안 정보 처리 환경들(SIPEs)로 매우 다양한 DRM 프로토콜들을 지원하기 위해 보안 처리 환경들의 유연한 성질을 활용할 수 있다. SIPE는 상이한 하드웨어 및 비-하드웨어 자산들을 유연하게 제공받을 수 있기 때문에, 하드웨어 DRM 모듈의 동일한 기능들 중 대다수 또는 그 전부를 수행할 수 있지만, 하드웨어 DRM 모듈의 고정된 리소스들 및 구성들과 연관된 단점들을 피할 수 있다. 예들이하의 예들은 추가적인 실시예들에 관한 것이다. 본 발명의 이하의 예들은, 이하에 제공되는 바와 같이, 시스템, 디바이스, 방법, 실행시에 머신으로 하여금 방법에 기초한 동작들을 수행하게 하는 인스트럭션을 저장하는 컴퓨터 판독가능 저장 매체, 및/또는 방법에 기초한 동작들을 수행하기 위한 수단과 같은 대상물을 포함할 수 있다. 예 1: 이 예에 의하면, 복수의 디지털 저작권 관리(DRM) 프로토콜들을 지원하고, 프로세서, 적어도 하나의 구조적 엔클레이브, 및 그 구조적 엔클레이브 내에서 저장 및 실행되는 적어도 하나의 정책 시행 모듈(PEM)을 포함하는 클라이언트 디바이스가 제공되되, PEM은 복수의 DRM 프로토콜들로부터 제 1 DRM 프로토콜을 식별 - 상기 제 1 DRM 프로토콜은 콘텐츠 제공자 및 센서 중 적어도 하나로부터 수신된 디지털 정보를 보호함 - 하고; 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존의 보안 정보 처리 환경(SIPE)이 클라이언트 디바이스 상에 존재하는 경우, 제 1 디지털 정보를 처리하기 위해 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE를 선택하고; 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하지 않는 경우, 제 1 디지털 정보를 처리하기 위해 클라이언트 디바이스 상에서 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 새로운 SIPE를 형성 및 선택한다. 예 2: 이 예는 예 1의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 구조적 엔클레이브, 기존 SIPE, 및 새로운 SIPE는 각각 메모리 엔클레이브이다. 예 3: 이 예는 예 1 내지 3 중 어느 하나의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 클라이언트는 복수의 기존 SIPE들을 포함하고, SIPE들 각각은 복수의 DRM 프로토콜들 중 상이한 프로토콜을 지원하도록 구성된다. 예 4: 이 예는 예 1 내지 3 중 어느 하나의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 클라이언트 디바이스는 구조적 엔클레이브에 DRM 저장소를 더 포함하고, DRM 저장소는 제 1 DRM 프로토콜을 실행하기 위해 필요로 되는 요구사항들 및 리소스들과 제 1 DRM 프로토콜의 DRM 식별자를 적어도 연관시키는 데이터 구조를 포함한다. 예 5: 이 예는 예 4의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, PEM은 적어도 부분적으로, 제 1 DRM 프로토콜과 연관성이 있는 DRM 식별자에 관련된 요구사항들을 클라이언트 디바이스 상의 각각의 기존 SIPE의 구성과 비교하고; 제 1 DRM 프로토콜과 연관성이 있는 DRM 식별자에 관련된 요구사항들을 제 1 기존 SIPE가 충족하면 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 것으로 제 1 기존 SIPE를 식별함으로써, 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하는지를 추가로 판정한다. 예 6: 이 예는 예 3의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 기존 SIPE, 새로운 SIPE, 또는 DRM 저장소에 리소스들이 존재하지 않는 경우, PEM은 제 1 DRM 프로토콜을 구현하기 위해 필요로 되는 리소스들을 추가로 요청한다. 예 7: 이 예는 예 1 내지 6 중 어느 하나의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 센서로부터의 디지털 정보는 센서 데이터를 포함한다. 예 8: 이 예는 예 1 내지 7 중 어느 하나의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 복수의 기존 SIPE들을 더 포함하고, 기존 SIPE들의 각각은 복수의 DRM 프로토콜들 중 상이한 하나를 지원하도록 구성된다. 예 9: 이 예는 예 1 내지 8 중 어느 하나의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 기존 SIPE 및 새로운 SIPE 중 적어도 하나 내에서 실행하기 위한 디지털 저작권 관리 시행 모듈(DRMEM)을 더 포함하고, DRMEM은 기존 SIPE, 새로운 SIPE, 또는 이들의 조합 내에서 제 1 DRM 프로토콜에 따른 디지털 저작권 관리 동작들을 수행한다. 예 10: 이 예는 예 9의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 디지털 저작권 관리 동작들은 디지털 정보를 복호화하는 것, 디지털 정보를 복조하는 것, 디지털 정보를 디코딩하는 것, 디지털 정보를 인코딩하는 것, 디지털 정보를 암호화하는 것, 이들의 조합 중 적어도 하나를 포함한다. 예 11: 이 예는 예 10의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, DRM 동작들은 안전한 비디오 출력을 위해 디지털 정보를 처리하는 것을 포함한다. 예 12: 이 예는 예 11의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 안전한 비디오 출력을 위해 디지털 정보를 처리하는 것은 보호된 오디오 비디오 프로토콜을 준수하도록 디지털 정보를 처리하는 것을 포함한다. 예 13: 이 예는 예 12의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 보호된 오디오 비디오 프로토콜은 고정밀도 콘텐츠 보호(HDCP) 프로토콜 및 보호된 오디오 비디오 경로 프로토콜로 이루어지는 그룹으로부터 선택된다. 예 14: 이 예는 예 1 내지 13 중 어느 하나의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 복수의 DRM 프로토콜들은 개선된 오디오 콘텐츠 시스템(AACS) 프로토콜, 고정밀도 콘텐츠 보호 프로토콜, 디지털 전송 콘텐츠 보호(DTCP) 프로토콜, 인터넷 프로토콜에 맵핑된 디지털 전송 콘텐츠 보호(DTCP-IP), 및 이들의 조합을 포함한다. 예 15: 이 예는 예 4의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 클라이언트는 콘텐츠 제공자로부터 디지털 정보를 수신하고, PEM은 추가로, 콘텐츠 제공자로부터의 콘텐츠 전송 요청 내 정보를 DRM 저장소와 비교함으로써 적어도 부분적으로 제 1 DRM 프로토콜을 식별하고; 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하면 콘텐츠 제공자로부터 기존 SIPE로 디지털 정보의 전송을 지시하고; 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하지 않으면 콘텐츠 제공자로부터 새로운 SIPE로 디지털 정보의 전송을 지시한다. 예 16: 이 예는 예 15의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 콘텐츠 제공자는 콘텐츠 서버, 기록 매체 및 이들의 조합이다. 예 17: 이 예는 예 1 내지 16 중 어느 하나의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 클라이언트는 센서로부터 디지털 정보를 수신하고, PEM은 추가로, 센서로부터 수신된 센서 데이터 속성들을 분석함으로써 제 1 DRM 프로토콜을 적어도 부분적으로 식별하고; 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하면 센서로부터 기존 SIPE로 디지털 정보의 전송을 지시하고; 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하지 않으면 센서로부터 새로운 SIPE로 디지털 정보의 전송을 지시한다. 예 18: 이 예에 의하면, 클라이언트 디바이스를 사용하여 복수의 디지털 저작권 관리(DRM) 프로토콜들을 지원하는 방법 - 클라이언트 디바이스는 내부에 저장 및 실행되는 정책 시행 모듈을 갖는 구조적 엔클레이브를 포함함 - 을 제공하는 것으로, 이 방법은 복수의 DRM 프로토콜들을 중 제 1 DRM 프로토콜을 식별하는 단계 - 제 1 DRM 프로토콜은 콘텐츠 제공자 및 센서 중 적어도 하나로부터 클라이언트 디바이스에 의해 수신되는 디지털 정보를 보호함 - 와; 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하면 제 1 디지털 정보를 처리하기 위해 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 보안 정보 처리 환경(SIPE)을 선택하는 단계와; 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하지 않으면 제 1 디지털 정보를 처리하기 위해 클라이언트 디바이스 상에서 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 새로운 SIPE를 형성 및 선택하는 단계를 포함한다. 예 19: 이 예는 예 18의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 구조적 엔클레이브, 기존 SIPE, 및 새로운 SIPE는 각각 메모리 클레이브이다. 예 20: 이 예는 예 18 및 19 중 어느 하나의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 클라이언트는 복수의 기존 보안 정보 처리 환경(SIPE)들을 포함하고, SIPE들 각각은 복수의 DRM 프로토콜들 중 상이한 하나를 지원하도록 구성되고, 방법은 기존 SIPE들 중 적어도 하나가 상기 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는지를 판정하는 단계를 포함한다. 예 21: 이 예는 예 18 내지 20 중 어느 하나의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 클라이언트 디바이스는 구조적 엔클레이브에 디지털 저작권 관리(DRM) 저장소를 더 포함하고, DRM 저장소는 제 1 DRM 프로토콜을 실행하기 위해 필요한 요구사항들 및 리소스들 중 적어도 하나와 제 1 DRM 프로토콜의 DRM 식별자를 적어도 연관시키는 데이터 구조를 포함하고, 방법은 제 1 DRM 프로토콜과 연관성이 있는 DRM 식별자와 관련된 요구사항들을 클라이언트 디바이스 상에서의 각각의 기존 SIPE의 구성과 비교하고, 제 1 기존 SIPE의 구성이 제 1 DRM 프로토콜과 연관성이 있는 DRM 식별자와 관련된 요구사항들을 충족하면 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 것으로 제 1 기존 SIPE를 식별함으로써, 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하는지를 적어도 부분적으로 판정하는 단계를 더 포함한다. 예 22: 이 예는 예 21의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 제 1 DRM 프로토콜을 구현하기 위해 필요한 리소스들이 기존 SIPE, 새로운 SIPE, 또는 DRM 저장소에 존재하지 않으면, 콘텐츠 제공자, 센서, 신뢰되는 제3자, 또는 이들의 조합으로부터 상기 리소스들을 요청하는 단계를 더 포함한다. 예 23: 이 예는 예 18 내지 22 중 어느 하나의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 센서로부터의 디지털 정보는 센서 데이터를 포함한다. 예 24: 이 예는 예 23의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 상기 센서 데이터는 상기 클라이언트 디바이스에 관련된 로컬 콘텐츠를 포함한다. 예 25: 이 예는 예 18 내지 24 중 어느 하나의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 클라이언트 디바이스는 복수의 기존 보안 정보 처리 환경(SIPE)들을 포함하고, 기존 SIPE들의 각각은 복수의 DRM 프로토콜들 중 상이한 하나를 지원하도록 구성된다. 예 26: 이 예는 예 18 내지 25 중 어느 하나의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 기존 SIPE 및 새로운 SIPE 중 적어도 하나 내에서 실행하기 위한 디지털 저작권 관리 시행 모듈(DRMEM)을 더 포함하고, 방법은 DRMEM을 사용하여 기존 SIPE, 새로운 SIPE, 또는 이들의 조합 내에서 제 1 DRM 프로토콜에 따른 디지털 저작권 관리 동작들을 적어도 부분적으로 수행하는 단계를 더 포함한다. 예 27: 이 예는 예 26의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 디지털 저작권 관리 동작들은 디지털 정보를 복호화하는 것, 디지털 정보를 복조하는 것, 디지털 정보를 디코딩하는 것, 디지털 정보를 인코딩하는 것, 디지털 정보를 암호화하는 것, 및 이들의 조합 중 적어도 하나를 포함한다. 예 28: 이 예는 예 26의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, DRM 동작들은 안전한 비디오 출력을 위해 디지털 정보를 처리하는 것을 포함한다. 예 29: 이 예는 예 28의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 안전한 비디오 출력을 위해 디지털 정보를 처리하는 것은 보호된 오디오 비디오 프로토콜을 따르도록 디지털 정보를 처리하는 것을 포함한다. 예 30: 이 예는 예 29의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 보호된 오디오 비디오 프로토콜은 고정밀도 콘텐츠 보호(HDCP) 프로토콜 및 보호된 오디오 비디오 경로 프로토콜로 이루어지는 그룹으로부터 선택된다. 예 31: 이 예는 예 18 내지 30 중 어느 하나의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 복수의 DRM 프로토콜들은 개선된 오디오 콘텐츠 시스템(AACS) 프로토콜, 고정밀도 콘텐츠 보호 프로토콜, 디지털 전송 콘텐츠 보호(DTCP) 프로토콜, 인터넷 프로토콜에 맵핑된 디지털 전송 콘텐츠 보호(DTCP-IP), 및 이들의 조합을 포함한다. 예 32: 이 예는 예 21의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 클라이언트는 콘텐츠 제공자로부터 디지털 정보를 수신하고, 방법은 콘텐츠 제공자로부터의 콘텐츠 전송 요청 내 정보를 DRM 저장소와 비교함으로써 적어도 부분적으로 제 1 DRM 프로토콜을 식별하는 단계와; 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하면 콘텐츠 제공자로부터 기존 SIPE로 디지털 정보의 전송을 지시하는 단계와; 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하지 않으면 콘텐츠 제공자로부터 새로운 SIPE로 디지털 정보의 전송을 지시하는 단계를 더 포함한다. 예 33: 이 예는 예 32의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 콘텐츠 제공자는 콘텐츠 서버, 기록 매체 및 이들의 조합이다. 예 34: 이 예는 예 18 내지 33 중 어느 하나의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 클라이언트는 센서로부터 디지털 정보를 수신하고, 방법은 센서로부터 수신된 센서 데이터 속성들을 분석함으로써 제 1 DRM 프로토콜을 적어도 부분적으로 식별하는 단계와; 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하면 센서로부터 기존 SIPE로 디지털 정보의 전송을 지시하는 단계와; 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하지 않으면 센서로부터 새로운 SIPE로 디지털 정보의 전송을 지시하는 단계를 더 포함한다. 예 35: 이 예에 의하면, 클라이언트 디바이스를 사용하여 복수의 디지털 저작권 관리(DRM) 프로토콜들을 지원하기 위해 내부에 저장된 인스트럭션을 갖는 적어도 하나의 컴퓨터 판독가능 저장 매체 - 클라이언트 디바이스는 구조적 엔클레이브를 포함함 - 를 제공하는 것으로, 인스트럭션은, 실행시에, 클라이언트 디바이스로 하여금, 복수의 DRM 프로토콜들을 중 제 1 DRM 프로토콜을 식별하는 동작 - 제 1 DRM 프로토콜은 콘텐츠 제공자 및 센서 중 적어도 하나로부터 클라이언트 디바이스에 의해 수신되는 디지털 정보를 보호함 - 과; 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하면 제 1 디지털 정보를 처리하기 위해 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE를 선택하는 동작과; 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하지 않으면 제 1 디지털 정보를 처리하기 위해 클라이언트 디바이스 상에서 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 새로운 SIPE를 형성 및 선택하는 동작을 수행하게 한다. 예 36: 이 예는 예 35의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 구조적 엔클레이브, 기존 SIPE, 및 새로운 SIPE는 각각 메모리 클레이브이다. 예 37: 이 예는 예 35 및 36 중 어느 하나의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 클라이언트는 복수의 기존 보안 정보 처리 환경(SIPE)들을 포함하고, SIPE들 각각은 복수의 DRM 프로토콜들 중 상이한 하나를 지원하도록 구성된다. 예 38: 이 예는 예 35 내지 37 중 어느 하나의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 클라이언트 디바이스는 구조적 엔클레이브에 디지털 저작권 관리(DRM) 저장소를 더 포함하고, DRM 저장소는 제 1 DRM 프로토콜을 실행하기 위해 필요한 요구사항들 및 리소스들 중 적어도 하나와 제 1 DRM 프로토콜의 DRM 식별자를 적어도 연관시키는 데이터 구조를 포함하고, 인스트럭션은 또한, 실행시에, 클라이언트 디바이스로 하여금, 제 1 DRM 프로토콜과 연관성이 있는 DRM 식별자와 관련된 요구사항들을 클라이언트 디바이스 상에서의 각각의 기존 SIPE의 구성과 비교하고, 제 1 기존 SIPE의 구성이 제 1 DRM 프로토콜과 연관성이 있는 DRM 식별자와 관련된 요구사항들을 충족하면 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 것으로 제 1 기존 SIPE를 식별함으로써, 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하는지를 적어도 부분적으로 판정하게 한다. 예 39: 이 예는 예 38의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 인스트럭션은 또한, 실행시에, 클라이언트 디바이스로 하여금, 제 1 DRM 프로토콜을 구현하기 위해 필요한 리소스들이 기존 SIPE, 새로운 SIPE, 또는 DRM 저장소에 존재하지 않으면, 콘텐츠 제공자, 센서, 신뢰되는 제3자, 또는 이들의 조합으로부터 상기 리소스들을 요청하게 한다. 예 40: 이 예는 예 35 내지 39 중 어느 하나의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 센서로부터의 디지털 정보는 센서 데이터를 포함한다. 예 41: 이 예는 예 35 내지 40 중 어느 하나의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 클라이언트 디바이스는 복수의 기존 보안 정보 처리 환경(SIPE)들을 포함하고, 기존 SIPE들의 각각은 복수의 DRM 프로토콜들 중 상이한 하나를 지원하도록 구성된다. 예 42: 이 예는 예 35 내지 41 중 어느 하나의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 인스트럭션은 또한, 실행시에, 클라이언트 디바이스로 하여금, 기존 SIPE, 새로운 SIPE, 또는 이들의 조합 내에서 제 1 DRM 프로토콜에 따른 디지털 저작권 관리 동작들을 수행하게 한다. 예 43: 이 예는 예 42의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 디지털 저작권 관리 동작들은 디지털 정보를 복호화하는 것, 디지털 정보를 복조하는 것, 디지털 정보를 디코딩하는 것, 디지털 정보를 인코딩하는 것, 디지털 정보를 암호화하는 것, 및 이들의 조합 중 적어도 하나를 포함한다. 예 44: 이 예는 예 42의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, DRM 동작들은 안전한 비디오 출력을 위해 디지털 정보를 처리하는 것을 포함한다. 예 45: 이 예는 예 44의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 안전한 비디오 출력을 위해 디지털 정보를 처리하는 것은 보호된 오디오 비디오 프로토콜을 따르도록 디지털 정보를 처리하는 것을 포함한다. 예 46: 이 예는 예 45의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 보호된 오디오 비디오 프로토콜은 고정밀도 콘텐츠 보호(HDCP) 프로토콜 및 보호된 오디오 비디오 경로 프로토콜로 이루어지는 그룹으로부터 선택된다. 예 47: 이 예는 예 35 내지 46 중 어느 하나의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 복수의 DRM 프로토콜들은 개선된 오디오 콘텐츠 시스템(AACS) 프로토콜, 고정밀도 콘텐츠 보호 프로토콜, 디지털 전송 콘텐츠 보호(DTCP) 프로토콜, 인터넷 프로토콜에 맵핑된 디지털 전송 콘텐츠 보호(DTCP-IP), 및 이들의 조합을 포함한다. 예 48: 이 예는 예 38의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 클라이언트는 콘텐츠 제공자로부터 디지털 정보를 수신하고, 인스트럭션은 또한, 실행시에, 클라이언트 디바이스로 하여금, 콘텐츠 제공자로부터의 콘텐츠 전송 요청 내 정보를 DRM 저장소와 비교함으로써 적어도 부분적으로 제 1 DRM 프로토콜을 식별하는 동작과; 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하면 콘텐츠 제공자로부터 기존 SIPE로 디지털 정보의 전송을 지시하는 동작과; 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하지 않으면 콘텐츠 제공자로부터 새로운 SIPE로 디지털 정보의 전송을 지시하는 동작을 수행하게 한다. 예 49: 이 예는 예 48의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 콘텐츠 제공자는 콘텐츠 서버, 기록 매체 및 이들의 조합이다. 예 50: 이 예는 예 35 내지 49 중 어느 하나의 요소들 중 임의의 것 또는 그 전부를 포함하는 것으로, 클라이언트는 센서 제공자로부터 디지털 정보를 수신하고, 인스트럭션은 또한, 실행시에, 클라이언트 디바이스로 하여금, 센서로부터 수신된 센서 데이터 속성들을 분석함으로써 적어도 부분적으로 제 1 DRM 프로토콜을 식별하는 동작과; 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하면 센서로부터 기존 SIPE로 디지털 정보의 전송을 지시하는 동작과; 제 1 DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 디바이스 상에 존재하지 않으면 센서로부터 새로운 SIPE로 디지털 정보의 전송을 지시하는 동작을 수행하게 한다. 예 51: 이 예에 의하면, 클라이언트 디바이스에 의한 실행시에, 클라이언트 디바이스로 하여금, 예 18-35 중 어느 하나에 따른 방법을 수행하게 하는 인스트럭션을 포함하는 적어도 하나의 컴퓨터 판독가능 매체가 제공된다. 예 52: 이 예에 의하면, 예 18-35 중 어느 하나의 방법을 수행하는 수단을 포함하는 클라이언트 디바이스가 제공된다. 여기서 이용된 용어들 및 표현들은 제한적인 것이 아니라 설명의 용어들로서 사용되고, 이러한 용어들 및 표현들의 사용에 있어서 도시 및 설명되는 특징들(또는 그 일부분들)의 임의의 등가물을 배제할 의도는 없으며, 청구항들의 범위 내에서 다양한 변경이 가능하다고 인지된다. 따라서, 청구항들은 이러한 모든 등가물을 포함하도록 의도된다.
클라이언트 디바이스 상에서 다수의 디지털 저작권 관리 프로토콜들을 지원 및 구현하는 기술들에 대해 설명된다. 일부 실시예들에서, 기술들은 콘텐츠 제공자 또는 센서로부터 수신되는 디지털 정보를 보호하기 위한 복수의 디지털 저작권 관리 프로토콜들 중 하나를 식별하도록 기능할 수 있는 구조적 엔클레이브를 갖는 클라이언트 디바이스를 포함한다. DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 상에 존재하면, 구조적 엔클레이브는 상기 디지털 정보를 처리하기 위해 기존 보안 정보 처리 환경(SIPE)을 선택한다. DRM 프로토콜을 지원하는 기존 SIPE가 클라이언트 상에 존재하지 않으면, 구조적 엔클레이브는 클라이언트 상에서 DRM 프로토콜을 지원하는 새로운 SIPE를 생성할 수 있다. 그 후에 디지털 정보의 전송은 선택된 기존 SIPE, 또는 새로운 SIPE로 적절하게 향해질 수 있다.
[ 발명의 명칭 ] 이온 채널 조정제로서의 융합된 헤테로시클릭 화합물 FUSED HETEROCYCLIC COMPOUNDS AS ION CHANNEL MODULATORS [ 기술분야 ] 본 출원은 2013년 12월 20일에 출원된 미국 가출원 일련 번호 61/919,605에 대해 35 U.S.C. § 119(e) 하에 이익을 주장하며, 그의 전문은 본원에 참조로 포함된다.본 개시내용은 신규 화합물 및 심혈관 질환 및 당뇨병을 포함한 다양한 질환의 치료에서의 그의 용도에 관한 것이다. 본 개시내용은 또한 상기 화합물의 제조 방법 및 이러한 화합물을 포함하는 제약 조성물에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 후기 나트륨 전류 (INaL)는 심근세포 및 뉴런의 빠른 Na+ 전류의 지속 구성요소이다. 많은 흔한 신경계 및 심장 상태는 포유동물 (특히 인간)에서 전기적 및 수축 기능장애 둘 다의 발병기전에 기여하는 비정상적 (INaL) 증강과 연관된다. 예를 들어, 문헌 [Pathophysiology and Pharmacology of the Cardiac "Late Sodium Current", Pharmacology and Therapeutics 119 (2008) 326-339]를 참조한다. 따라서, 포유동물, 특히 인간에서 (INaL)을 선택적으로 억제하는 화합물은 이러한 질환 상태를 치료하는데 유용하다.포유동물, 특히 인간에서 (INaL)을 선택적으로 억제하는 신규 화합물을 제공하는 것이 바람직할 것이다. [ 발명의 개요 ] 따라서, 본 개시내용의 실시양태는 후기 나트륨 채널 차단제로서 기능하는 신규 화합물을 제공한다. 한 실시양태에서, 본 개시내용은 하기 화학식 I의 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염, 입체이성질체 또는 입체이성질체의 혼합물을 제공한다.003c#화학식 I003e#상기 식에서Y는 -L-R1 또는 고리 질소 원자를 통해 결합된 헤테로시클릴 또는 헤테로아릴 고리이며, 여기서 각각의 헤테로시클릴 또는 헤테로아릴은 C1-C6 알킬, C3-C6 시클로알킬, 할로, 아릴, 헤테로시클릴, 헤테로아릴, 옥소, C1-C6 알콕시, -OH, -NH2, -COR7, -CO2R7, -NHSO2R7, -NHCO2R7, 및 -CN으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 3개의 기로 임의로 치환되고; 여기서 각각의 C1-C6 알킬, C3-C6 시클로알킬, 아릴, 헤테로시클릴, 헤테로아릴, 및 C1-C6 알콕시는 1 내지 3개의 C1-C6 알콕시, 할로, -CF3, -CN, -OH, -NH2 또는 -OCF3으로 임의로 치환되고;X는 CR8 또는 N이고;Z는 CR9 또는 N이고;L은 -O-, -NR5-, -NR5(CHR6)n-, -O(CHR6)n, -O(CHR6)nC(O)-, -O(CHR6)nC(O)O-, -O(CHR6)nNH-, -O(CHR6)nC(O)NH-, -O(CHR6)nNHC(O)O- 또는 -O(CHR6)mNHS(O)2-이고;R1은 수소, C1-C6 알킬, C3-C8 시클로알킬, 아릴, 헤테로시클릴 또는 헤테로아릴이며; 여기서 각각의 시클로알킬, 아릴, 헤테로시클릴 또는 헤테로아릴은 C1-C6 알킬, C3-C6 시클로알킬, 할로, 아릴, 헤테로시클릴, 헤테로아릴, 옥소, -OH, -NH2, -COR7, -CO2R7, -NHSO2R7, -NHCO2R7, 및 -CN으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 3개의 기로 임의로 치환되고; 여기서 각각의 C1-C6 알킬, C3-C6 시클로알킬, 아릴, 헤테로시클릴, 헤테로아릴, 및 C1-C6 알콕시는 1 내지 3개의 C1-C6 알콕시, 할로, -CF3, -CN, -OH, -NH2 또는 -OCF3으로 임의로 치환되고;각각의 R2는 독립적으로 할로, C1-C6 알킬, C1-C6 알콕시 또는 -OCF3이고;R3은 수소, 할로, C1-C3 할로알킬, C1-C3 할로알콕시, C3-C6 시클로알킬 또는 페닐이며, 여기서 시클로알킬 또는 페닐은 1 또는 2개의 할로 원자로 임의로 치환되며, 단 R3이 수소인 경우에, p는 1 또는 2이고;각각의 R4는 독립적으로 C1-C6 알킬, 할로, C1-C6 알콕시 또는 -OCF3이거나; 또는 R3 및 R4는 이들이 부착되어 있는 탄소 원자와 함께 1 내지 3개의 이중 결합을 임의로 함유하고 O, N, 및 S로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 3개의 헤테로원자를 임의로 함유하는 C4-C8 고리를 형성하고, 상기 고리는 1 내지 3개의 할로, C1-C6 알킬, C1-C3 할로알킬 또는 C1-C3 할로알콕시로 임의로 치환될 수 있고;R5는 수소, C1-C6 알킬, C1-C3 할로알킬 또는 -COCH3이고;각각의 R6은 독립적으로 수소, C1-C6 알킬, C1-C3 할로알킬, -CN, -OH 또는 -NH2이고;R7은 수소, C1-C6 알킬, 아릴 또는 아르알킬이고;R8은 독립적으로 수소, C1-C6 알킬, 할로, C1-C6 알콕시 또는 -OCF3이거나; 또는 R3 및 R8은 이들이 부착되어 있는 탄소 원자와 함께 1 내지 3개의 이중 결합을 임의로 함유하고 O, N, 및 S로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 3개의 헤테로원자를 임의로 함유하는 C4-C8 고리를 형성하고, 상기 고리는 1 내지 3개의 할로, C1-C6 알킬, C1-C3 할로알킬 또는 C1-C3 할로알콕시로 임의로 치환될 수 있고;R9는 수소, 할로, C1-C6 알킬, C1-C6 알콕시 또는 -OCF3이고;각각의 m은 독립적으로 2, 3, 4 또는 5이고;각각의 n은 독립적으로 1, 2, 3, 4 또는 5이고;p 및 q는 각각 독립적으로 0, 1 또는 2이다.또 다른 실시양태에서, 본 개시내용은 하기 화학식 IA의 화합물을 제공한다.003c#화학식 IA003e#또 다른 실시양태에서, 본 개시내용은 하기 화학식 IB의 화합물을 제공한다.003c#화학식 IB003e#또 다른 실시양태에서, 본 개시내용은 하기 화학식 IC의 화합물을 제공한다.003c#화학식 IC003e#또 다른 실시양태에서, 본 개시내용은 하기 화학식 ID의 화합물을 제공한다.003c#화학식 ID003e#일부 실시양태는 후기 나트륨 채널 차단제에 의해 치료될 수 있는 포유동물, 특히 인간에서의 질환 또는 상태의 치료에서, 화학식 I, IA, IB, IC 또는 ID, 또는 전반에 걸쳐 기재된 추가의 화학식(들)의 화합물을 사용하는 방법을 제공한다. 이러한 질환은 심혈관 질환, 예컨대 심방성 및 심실성 부정맥, 심부전 (울혈성 심부전, 확장기 심부전, 수축기 심부전, 급성 심부전 포함), 프린츠메탈 (변이형) 협심증, 안정형 및 불안정형 협심증, 운동 유발 협심증, 울혈성 심장 질환, 허혈, 재발성 허혈, 재관류 손상, 심근경색, 급성 관상동맥 증후군, 말초 동맥 질환 및 간헐성 파행을 포함한다. 이러한 질환은 또한 당뇨병 및 당뇨병과 관련된 상태, 예를 들어 당뇨병성 말초 신경병증을 포함할 수 있다. 이러한 질환은 또한 통증, 발작 또는 마비를 일으키는 신경근육계에 영향을 미치는 상태를 포함할 수 있다. 이러한 질환은 또한, SCN5A의 유전적 돌연변이에 의해 야기되는 QT 간격의 연장을 감소시키는 것을 포함하나 이에 제한되지는 않는, 긴 QT 증후군 (LQT1, LQT2, LQT3, LQT4 또는 LQT5)을 포함할 수 있다. 이러한 질환은 또한 비대성 심근병증을 포함할 수 있다. 따라서, 본 개시내용의 화합물 및 그의 제약상 허용되는 염, 에스테르, 입체이성질체, 입체이성질체의 혼합물 및/또는 호변이성질체 형태가 상기 언급된 질환의 치료를 위한 의약으로서 잠재적으로 유용한 것으로 고려된다.특정 실시양태에서, 본 개시내용은 치료 유효량의 본 개시내용의 화합물 (예를 들어 화학식 I 또는 전반에 걸쳐 기재된 추가의 화학식의 화합물), 및 적어도 1종의 제약상 허용되는 부형제를 포함하는 제약 조성물을 제공한다.본 개시내용의 발명은 전반에 걸쳐 기재된다. 또한, 본 발명의 구체적 실시양태는 본원에 개시된 바와 같다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 1. 정의 및 일반적 파라미터본 명세서에서 사용된 바와 같이, 하기 용어 및 어구는 일반적으로 이들이 사용된 문맥이 달리 나타내는 경우를 제외하고는 하기 제시된 바와 같은 의미를 갖는 것으로 의도된다.용어 "알킬"은 1 내지 20개의 탄소 원자, 또는 1 내지 15개의 탄소 원자, 또는 1 내지 10개의 탄소 원자, 또는 1 내지 8개의 탄소 원자, 또는 1 내지 6개의 탄소 원자, 또는 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 모노라디칼 분지형 또는 비분지형 포화 탄화수소 쇄를 지칭한다. 이 용어는 예컨대 메틸, 에틸, n-프로필, 이소-프로필, n-부틸, 이소-부틸, t-부틸, n-헥실, n-데실, 테트라데실 등과 같은 기에 의해 예시된다.용어 "알킬렌"은 일부 실시양태에서 1 내지 20개의 탄소 원자 (예를 들어 1-10개의 탄소 원자 또는 1, 2, 3, 4, 5 또는 6개의 탄소 원자)를 갖는 분지형 또는 비분지형 포화 탄화수소 쇄의 디라디칼을 지칭한다. 이 용어는 메틸렌 (-CH2-), 에틸렌 (-CH2CH2-), 프로필렌 이성질체 (예를 들어, -CH2CH2CH2- 및 -CH(CH3)CH2-) 등과 같은 기에 의해 예시된다.용어 "아르알킬"은 알킬렌 기에 공유 연결된 아릴 기를 지칭하며, 여기서 아릴 및 알킬렌은 본원에 정의된 바와 같다. "임의로 치환된 아르알킬"은 임의로 치환된 알킬렌 기에 공유 연결된 임의로 치환된 아릴 기를 지칭한다. 이러한 아르알킬 기는 벤질, 페닐에틸, 3-(4-메톡시페닐)프로필 등에 의해 예시된다.용어 "아르알킬옥시"는 기 -O-아르알킬을 지칭한다. "임의로 치환된 아르알킬옥시"는 임의로 치환된 알킬렌 기에 공유 연결된 임의로 치환된 아르알킬 기를 지칭한다. 이러한 아르알킬 기는 벤질옥시, 페닐에틸옥시 등에 의해 예시된다.용어 "알케닐"은 2 내지 20개의 탄소 원자 (일부 실시양태에서, 2 내지 10개의 탄소 원자, 예를 들어 2 내지 6개의 탄소 원자)를 갖고 1 내지 6개의 탄소-탄소 이중 결합, 예를 들어 1, 2 또는 3개의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 분지형 또는 비분지형 불포화 탄화수소 기의 모노라디칼을 지칭한다. 일부 실시양태에서, 알케닐 기는 에테닐 (또는 비닐, 즉 -CH=CH2), 1-프로필렌 (또는 알릴, 즉 -CH2CH=CH2), 이소프로필렌 (-C(CH3)=CH2) 등을 포함한다.용어 "알케닐렌"은 2 내지 20개의 탄소 원자 (일부 실시양태에서, 2 내지 10개의 탄소 원자, 예를 들어 2 내지 6개의 탄소 원자)를 갖고 1 내지 6개의 탄소-탄소 이중 결합, 예를 들어 1, 2 또는 3개의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 분지형 또는 비분지형 불포화 탄화수소 기의 디라디칼을 지칭한다.일부 실시양태에서, 용어 "알키닐"은 2 내지 20개의 탄소 원자 (일부 실시양태에서, 2 내지 10개의 탄소 원자, 예를 들어 2 내지 6개의 탄소 원자)를 갖고 1 내지 6개의 탄소-탄소 삼중 결합, 예를 들어 1, 2 또는 3개의 탄소-탄소 삼중 결합을 갖는 불포화 탄화수소의 모노라디칼을 지칭한다. 일부 실시양태에서, 알키닐 기는 에티닐 (-C≡CH), 프로파르길 (또는 프로피닐, 즉 -C≡CCH3) 등을 포함한다.일부 실시양태에서, 용어 "알키닐렌"은 2 내지 20개의 탄소 원자 (일부 실시양태에서, 2 내지 10개의 탄소 원자, 예를 들어 2 내지 6개의 탄소 원자)를 갖고 1 내지 6개의 탄소-탄소 삼중 결합, 예를 들어 1, 2 또는 3개의 탄소-탄소 삼중 결합을 갖는 불포화 탄화수소의 디라디칼을 지칭한다.용어 "히드록시" 또는 "히드록실"은 -OH 기를 지칭한다.용어 "알콕시"는 기 R-O-를 지칭하며, 여기서 R은 알킬 또는 -Y1-Z1이고, 여기서 Y1은 알킬렌이고, Z1은 알케닐 또는 알키닐이고, 여기서 알킬, 알케닐 및 알키닐은 본원에 정의된 바와 같다. 일부 실시양태에서, 알콕시 기는 알킬-O-이고, 예로서, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소-프로폭시, n-부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜톡시, n-헥실옥시, 1,2-디메틸부톡시 등을 포함한다.용어 "C1-C3 할로알킬"은 1 내지 7개, 또는 1 내지 6개, 또는 1 내지 3개의 할로겐(들)에 공유 결합된 1 내지 3개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기를 지칭하며, 여기서 알킬 및 할로겐은 본원에 정의된다. 일부 실시양태에서, C1-3 할로알킬은, 예로서, 트리플루오로메틸, 디플루오로메틸, 플루오로메틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 2,2-디플루오로에틸, 2-플루오로에틸, 3,3,3-트리플루오로프로필, 3,3-디플루오로프로필, 3-플루오로프로필을 포함한다.용어 "C1-3 히드록시알킬"은 히드록시에 공유 결합된 탄소 원자를 갖는 알킬 기를 지칭하며, 여기서 알킬 및 히드록시는 본원에 정의된다. 일부 실시양태에서, C1-3 히드록시알킬은, 예로서, 2-히드록시에틸을 포함한다.용어 "C1-3 시아노알킬"은 시아노에 공유 결합된 탄소 원자를 갖는 알킬 기를 지칭하며, 여기서 알킬 및 시아노는 본원에 정의된다. 일부 실시양태에서, C1-3 시아노알킬은, 예로서, 2-시아노에틸을 포함한다.용어 "C1-3 할로알콕시"는 1 내지 7개, 또는 1 내지 6개, 또는 1 내지 3개의 할로겐(들)에 공유 결합된 1 내지 3개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기를 지칭하며, 여기서 알킬 및 할로겐은 본원에 정의된다. 일부 실시양태에서, C1-3 할로알콕시는, 예로서, 트리플루오로메톡시, 디플루오로메톡시, 플루오로메톡시, 2,2,2-트리플루오로에톡시, 2,2-디플루오로에톡시, 2-플루오로에톡시, 3,3,3-트리플루오로프로폭시, 3,3-디플루오로프로폭시, 3-플루오로프로폭시를 포함한다.용어 "시클로알킬"은 단일 시클릭 고리 또는 다중 축합된 고리를 갖는 3 내지 20개의 탄소 원자, 또는 3 내지 10개의 탄소 원자의 시클릭 알킬 기를 지칭한다. 이러한 시클로알킬 기는, 예로서, 단일 고리 구조, 예컨대 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로옥틸 등 또는 다중 고리 구조, 예컨대 아다만타닐 및 비시클로[2.2.1]헵타닐 또는 아릴 기가 융합된 시클릭 알킬 기, 예를 들어 인다닐 등을 포함하며, 단 부착 지점은 시클릭 알킬 기를 통한 것이다.용어 "시클로알케닐"은 단일 시클릭 고리 또는 다중 축합된 고리를 갖고 적어도 1개의 이중 결합, 및 일부 실시양태에서 1 내지 2개의 이중 결합을 갖는 3 내지 20개의 탄소 원자의 시클릭 알킬 기를 지칭한다.용어 "시클로알콕시"는 기 시클로알킬-O-를 지칭한다.용어 "시클로알케닐옥시"는 기 시클로알케닐-O-를 지칭한다.용어 "아릴"은 단일 고리 (예를 들어, 페닐) 또는 다중 고리 (예를 들어, 비페닐) 또는 다중 축합된 (융합된) 고리 (예를 들어, 나프틸, 플루오레닐 및 안트릴)를 갖는 6 내지 20개의 탄소 원자의 방향족 카르보시클릭 기를 지칭한다. 일부 실시양태에서, 아릴은 페닐, 플루오레닐, 나프틸, 안트릴 등을 포함한다.용어 "아릴옥시"는 기 아릴-O-를 지칭하며, 여기서 아릴 기는 상기 정의된 바와 같다.용어 "헤테로시클릴", "헤테로사이클" 또는 "헤테로시클릭"은 1 내지 40개의 탄소 원자 및 질소, 황, 인 및/또는 산소로부터 선택된 1 내지 10개의 헤테로 원자, 또는 1 내지 4개의 헤테로원자를 고리 내에 갖는 단일 고리 또는 다중 축합된 고리를 갖는 모노라디칼 포화 기를 지칭한다. 일부 실시양태에서, "헤테로시클릴", "헤테로사이클", 또는 "헤테로시클릭" 기는 고리 내에 헤테로원자 중 하나를 통해 분자의 나머지에 연결된다.용어 "헤테로시클로옥시"는 기 -O-헤테로시클릴을 지칭한다.용어 "헤테로아릴"은 1 내지 15개의 탄소 원자 및 산소, 질소 및 황으로부터 선택된 1 내지 4개의 헤테로원자를 적어도 1개의 고리 내에 포함하는 단일 또는 다중 고리를 포함하는 기를 지칭한다. 방향족 헤테로아릴의 예는 피롤, 티오펜, 피리딘, 퀴놀린, 프테리딘을 포함한다.이러한 헤테로아릴 기는 단일 고리 (예를 들어, 피리딜 또는 푸릴) 또는 다중 축합된 고리 (예를 들어, 인돌리지닐, 벤조티아졸 또는 벤조티에닐)를 가질 수 있다. 질소-함유 헤테로시클릴 및 헤테로아릴의 예는 피롤, 이미다졸, 피라졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 인돌리진, 이소인돌, 인돌, 인다졸, 퓨린, 퀴놀리진, 이소퀴놀린, 퀴놀린, 프탈라진, 나프틸피리딘, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 신놀린, 프테리딘, 카르바졸, 카르볼린, 페난트리딘, 아크리딘, 페난트롤린, 이소티아졸, 페나진, 이속사졸, 페녹사진, 페노티아진, 이미다졸리딘, 이미다졸린 등 뿐만 아니라 N-알콕시-질소 함유 헤테로아릴 화합물을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다.용어 "헤테로아릴옥시"는 기 헤테로아릴-O-를 지칭한다.용어 "아미노"는 기 -NH2를 지칭한다.용어 "치환된 아미노"은 기 -NRR을 지칭하며, 여기서 각각의 R은 독립적으로 수소, 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴 및 헤테로시클릴로 이루어진 군으로부터 선택되며, 단 R 기 둘 다가 수소 또는 기 -Y2-Z2 (여기서 Y2는 임의로 치환된 알킬렌이고, Z2는 알케닐, 시클로알케닐 또는 알키닐임)인 것은 아니다. 정의에 의해 달리 제약되지 않는 한, 모든 치환기는 알킬, 알케닐, 알키닐, 카르복시, 카르복시알킬, 아미노카르보닐, 히드록시, 알콕시, 할로겐, CF3, 아미노, 치환된 아미노, 시아노, 시클로알킬, 헤테로시클릴, 아릴, 헤테로아릴, 및 -S(O)nRa (여기서 Ra는 알킬, 아릴 또는 헤테로아릴이고, n은 0, 1 또는 2임)로부터 선택된 1, 2 또는 3개의 치환기에 의해 임의로 추가로 치환될 수 있다.용어 "알킬 아민"은 R-NH2를 지칭하며, 여기서 R은 알킬이다.용어 "디알킬 아민"은 R-NHR을 지칭하며, 여기서 각각의 R은 독립적으로 알킬이다.용어 "트리알킬 아민"은 NR3을 지칭하며, 여기서 각각의 R은 독립적으로 알킬이다.용어 "시아노"는 기 -CN을 지칭한다.용어 "아지도"는 기 를 지칭한다,용어 "케토" 또는 "옥소"는 기 =O를 지칭한다.용어 "카르복시"는 기 -C(O)-OH를 지칭한다.용어 "에스테르" 또는 "카르복시에스테르"는 기 -C(O)OR을 지칭하며, 여기서 R은 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴 또는 헤테로시클릴이며, 이는 알킬, 알콕시, 할로겐, CF3, 아미노, 치환된 아미노, 시아노 또는 -S(O)nRa (여기서 Ra는 알킬, 아릴 또는 헤테로아릴이고, n은 0, 1 또는 2임)에 의해 임의로 추가로 치환될 수 있다.용어 "아실"은 기 -C(O)R을 나타내며, 여기서 R은 수소, 알킬, 시클로알킬, 헤테로시클릴, 아릴 또는 헤테로아릴이다. 정의에 의해 달리 제약되지 않는 한, 모든 치환기는 알킬, 알케닐, 알키닐, 카르복시, 카르복시알킬, 아미노카르보닐, 히드록시, 알콕시, 할로겐, CF3, 아미노, 치환된 아미노, 시아노, 시클로알킬, 헤테로시클릴, 아릴, 헤테로아릴, 및 -S(O)nRa (여기서 Ra는 알킬, 아릴 또는 헤테로아릴이고, n은 0, 1 또는 2임)로부터 선택된 1, 2 또는 3개의 치환기에 의해 임의로 추가로 치환될 수 있다.용어 "카르복시알킬"은 기 -C(O)O-알킬 또는 -C(O)O-시클로알킬을 지칭하며, 여기서 알킬 및 시클로알킬은 본원에 정의된 바와 같고, 알킬, 알케닐, 알키닐, 카르복시, 카르복시알킬, 아미노카르보닐, 히드록시, 알콕시, 할로겐, CF3, 아미노, 치환된 아미노, 시아노, 시클로알킬, 헤테로시클릴, 아릴, 헤테로아릴, 및 -S(O)nRa (여기서 Ra는 알킬, 아릴 또는 헤테로아릴이고, n은 0, 1 또는 2임)에 의해 임의로 추가로 치환될 수 있다.용어 "아미노카르보닐"은 기 -C(O)NRR을 지칭하며, 여기서 각각의 R은 독립적으로 수소, 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴 또는 헤테로시클릴이거나, 또는 R 기 둘 다는 연결되어 헤테로시클릭 기 (예를 들어, 모르폴리노)를 형성한다. 정의에 의해 달리 제약되지 않는 한, 모든 치환기는 알킬, 알케닐, 알키닐, 카르복시, 카르복시알킬, 아미노카르보닐, 히드록시, 알콕시, 할로겐, CF3, 아미노, 치환된 아미노, 시아노, 시클로알킬, 헤테로시클릴, 아릴, 헤테로아릴, 및 -S(O)nRa (여기서 Ra는 알킬, 아릴 또는 헤테로아릴이고, n은 0, 1 또는 2임)로부터 선택된 1, 2 또는 3개의 치환기에 의해 임의로 추가로 치환될 수 있다.용어 "아실옥시"는 기 -OC(O)-R을 지칭하며, 여기서 R은 알킬, 시클로알킬, 헤테로시클릴, 아릴 또는 헤테로아릴이다. 정의에 의해 달리 제약되지 않는 한, 모든 치환기는 알킬, 알케닐, 알키닐, 카르복시, 카르복시알킬, 아미노카르보닐, 히드록시, 알콕시, 할로겐, CF3, 아미노, 치환된 아미노, 시아노, 시클로알킬, 헤테로시클릴, 아릴, 헤테로아릴 및 -S(O)nRa (여기서 Ra는 알킬, 아릴 또는 헤테로아릴이고, n은 0, 1 또는 2임)로 이루어진 군으로부터 선택된 1, 2 또는 3개의 치환기에 의해 임의로 추가로 치환될 수 있다.용어 "아실아미노"는 기 -NRC(O)R을 지칭하며, 여기서 각각의 R은 독립적으로 수소, 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴 또는 헤테로시클릴이다. 정의에 의해 달리 제약되지 않는 한, 모든 치환기는 알킬, 알케닐, 알키닐, 카르복시, 카르복시알킬, 아미노카르보닐, 히드록시, 알콕시, 할로겐, CF3, 아미노, 치환된 아미노, 시아노, 시클로알킬, 헤테로시클릴, 아릴, 헤테로아릴 및 -S(O)nRa (여기서 Ra는 알킬, 아릴 또는 헤테로아릴이고, n은 0, 1 또는 2임)로 이루어진 군으로부터 선택된 1, 2 또는 3개의 치환기에 의해 임의로 추가로 치환될 수 있다.용어 "알콕시카르보닐아미노"는 기 -N(Rd)C(O)OR을 지칭하며, 여기서 R은 알킬이고, Rd는 수소 또는 알킬이다. 정의에 의해 달리 제약되지 않는 한, 각각의 알킬은 알킬, 알케닐, 알키닐, 카르복시, 카르복시알킬, 아미노카르보닐, 히드록시, 알콕시, 할로겐, CF3, 아미노, 치환된 아미노, 시아노, 시클로알킬, 헤테로시클릴, 아릴, 헤테로아릴 및 -S(O)nRa (여기서 Ra는 알킬, 아릴 또는 헤테로아릴이고, n은 0, 1 또는 2임)로 이루어진 군으로부터 선택된 1, 2 또는 3개의 치환기에 의해 임의로 추가로 치환될 수 있다.용어 "아미노카르보닐아미노"는 기 -NRcC(O)NRR을 지칭하며, 여기서 Rc는 수소 또는 알킬이고, 각각의 R은 수소, 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴 또는 헤테로시클릴이다. 정의에 의해 달리 제약되지 않는 한, 모든 치환기는 알킬, 알케닐, 알키닐, 카르복시, 카르복시알킬, 아미노카르보닐, 히드록시, 알콕시, 할로겐, CF3, 아미노, 치환된 아미노, 시아노, 시클로알킬, 헤테로시클릴, 아릴, 헤테로아릴 및 -S(O)nRa (여기서 Ra는 알킬, 아릴 또는 헤테로아릴이고, n은 0, 1 또는 2임)로 이루어진 군으로부터 선택된 1, 2 또는 3개의 치환기에 의해 임의로 추가로 치환될 수 있다.용어 "술폭시드"는 기 -S(O)R을 지칭하며, 여기서 R은 알킬, 시클로알킬, 헤테로시클릴, 아릴 또는 헤테로아릴이다.용어 "히드록시아미노"는 기 -NHOH를 지칭한다.용어 "할로겐" 또는 "할로"는 플루오로, 브로모, 클로로 및 아이오도를 지칭한다."임의적인" 또는 "임의로"는 후속적으로 기재된 사건 또는 상황이 일어나거나 일어나지 않을 수 있고, 본 기재가 상기 사건 또는 상황이 일어나는 경우 및 일어나지 않는 경우를 포함하는 것을 의미한다."치환된" 기는 모노라디칼 치환기가 치환된 기의 단일 원자에 결합된 (예를 들어 분지를 형성함) 실시양태를 포함하고, 또한 치환기가 치환된 기의 2개의 인접한 원자에 결합된 디라디칼 가교 기일 수 있으며, 그로 인해 치환된 기 상에 융합된 고리를 형성할 수 있는 실시양태를 포함한다.주어진 기 (모이어티)가 제2 기에 부착된 것으로 본원에 기재되고 부착 부위가 명확하지 않은 경우에, 주어진 기는 제2 기의 임의의 이용가능한 부위에 대해 주어진 기의 임의의 이용가능한 부위에서 부착될 수 있다. 예를 들어, "알킬-치환된 페닐"은 부착 부위가 명확하지 않은 경우에, 페닐 기의 임의의 이용가능한 부위에 부착된 알킬 기의 임의의 이용가능한 부위를 가질 수 있다. 이와 관련하여, "이용가능한 부위"는 기의 수소가 치환기로 대체될 수 있는 기의 부위이다.주어진 화학식의 화합물 (예를 들어, 화학식 I, IA, IB, IC 또는 ID를 또한 포함하는, 화학식 I의 화합물)은 본 개시내용의 화합물, 및 이러한 화합물의 제약상 허용되는 염, 제약상 허용되는 에스테르, 이성질체, 호변이성질체, 용매화물, 동위원소, 수화물, 다형체 및 전구약물을 포괄하는 것으로 의도된다. 추가적으로, 본 개시내용의 화합물은 1개 이상의 비대칭 중심을 보유할 수 있고, 라세미 혼합물로서 또는 개별 거울상이성질체 또는 부분입체이성질체로서 제조될 수 있다. 주어진 화학식의 임의의 주어진 화합물에 존재하는 입체이성질체의 수는 존재하는 비대칭 중심의 수에 좌우된다 (n이 비대칭 중심의 수이면 2n개의 입체이성질체가 가능함). 개별 입체이성질체는 합성의 일부 적절한 단계에서 중간체의 라세미 또는 비-라세미 혼합물을 분해함으로써 또는 통상적인 수단에 의한 화합물의 분해에 의해 수득될 수 있다. 개별 입체이성질체 (개별 거울상이성질체 및 부분입체이성질체 포함) 뿐만 아니라 입체이성질체의 라세미 및 비-라세미 혼합물은 본 개시내용의 범주 내에 포괄되며, 그의 전부는 달리 구체적으로 나타내지 않는 한 본 명세서의 구조에 의해 도시되는 것으로 의도된다."이성질체"는 동일한 분자식을 갖는 상이한 화합물이다. 이성질체는 입체이성질체, 거울상이성질체 및 부분입체이성질체를 포함한다."입체이성질체"는 단지 원자가 공간에 배열되는 방식만이 상이한 이성질체이다."거울상이성질체"는 서로 비-중첩가능한 거울상인 한 쌍의 입체이성질체이다. 한 쌍의 거울상이성질체의 1:1 혼합물은 "라세미" 혼합물이다. 용어 "(±)"는 적절할 경우에 라세미 혼합물을 지정하는데 사용된다."부분입체이성질체"는 적어도 2개의 비대칭 원자를 갖지만, 서로 거울상은 아닌 입체이성질체이다.절대 입체화학은 칸 인골드 프렐로그(Cahn Ingold Prelog) R S 시스템에 따라 명시된다. 화합물이 순수한 거울상이성질체인 경우에, 각각의 키랄 탄소에서의 입체화학은 R 또는 S에 의해 명시될 수 있다. 절대 배위가 공지되지 않은 분해된 화합물은 이들이 나트륨 D 선의 파장에서 편광면을 회전시키는 방향 (우선성 또는 좌선성)에 따라 (+) 또는 (-)로 지정된다.화합물 중 일부는 호변이성질체로서 존재한다. 호변이성질체는 서로 평형이다. 예를 들어, 아미드 함유 화합물은 이미드산 호변이성질체와 평형으로 존재할 수 있다. 어느 호변이성질체가 제시되든 상관없이, 및 호변이성질체 중에서의 평형의 특성에 상관없이, 관련 기술분야의 통상의 기술자에 의해 화합물은 아미드 및 이미드산 호변이성질체를 둘 다 포함하는 것으로 이해된다. 따라서, 아미드 함유 화합물은 그의 이미드산 호변이성질체를 포함하는 것으로 이해된다. 마찬가지로, 이미드산 함유 화합물은 그의 아미드 호변이성질체를 포함하는 것으로 이해된다.용어 "치료 유효량"은, 하기 정의된 바와 같이, 이러한 치료를 필요로 하는 포유동물, 특히 인간에게 투여되는 경우에, 치료를 실시하기에 충분한 양을 지칭한다. 치료 유효량은 치료되는 대상체 및 질환 상태, 대상체의 체중 및 연령, 질환 상태의 중증도, 투여 방식 등에 따라 달라질 것이며, 이는 관련 기술분야의 통상의 기술자에 의해 용이하게 결정될 수 있다.용어 "다형체"는 결정질 화합물의 다양한 결정 구조를 지칭한다. 다양한 다형체는 결정 패킹의 차이 (패킹 다형성) 또는 동일한 분자의 다양한 이형태체 사이의 패킹의 차이 (입체형태적 다형성)로부터 유래될 수 있다.용어 "전구약물"은 생체내 전환될 수 있고/거나 분자의 나머지로부터 분할되어 활성 약물, 그의 제약상 허용되는 염 또는 그의 생물학적 활성 대사물을 제공할 수 있는 화학적 기를 포함하는 화학식 I, IA, IB, IC 또는 ID의 화합물을 지칭한다.화학식 I, IA, IB, IC 또는 ID 화합물을 포함한, 본원에 주어진 임의의 화학식 또는 구조는 또한 화합물의 비표지된 형태 뿐만 아니라 동위원소 표지된 형태를 나타내도록 의도된다. 동위원소 표지된 화합물은 1개 초과의 원자가 선택된 원자 질량 또는 질량수를 갖는 원자에 의해 대체된 것을 제외하고는 본원에 주어진 화학식에 의해 묘사된 구조를 갖는다. 본 개시내용의 화합물에 혼입될 수 있는 동위원소의 예는 수소, 탄소, 질소, 산소, 인, 플루오린 및 염소의 동위원소, 예컨대, 비제한적으로 2H (중수소, D), 3H (삼중수소), 11C, 13C, 14C, 15N, 18F, 31P, 32P, 35S, 36Cl 및 125I를 포함한다. 본 개시내용의 다양한 동위원소 표지된 화합물, 예를 들어 방사성 동위원소, 예컨대 3H, 13C 및 14C가 혼입된 것들. 이러한 동위원소 표지된 화합물은 대사 연구, 반응 동역학 연구, 검출 또는 영상화 기술, 예컨대 약물 또는 기질 조직 분포 검정을 포함한 양전자 방출 단층촬영 (PET) 또는 단일-광자 방출 컴퓨터 단층촬영 (SPECT) 또는 환자의 방사성 치료에 유용할 수 있다.본 개시내용은 또한 탄소 원자에 부착된 1 내지 n개 (여기서 n은 분자 내 수소의 수임)의 수소가 중수소에 의해 대체된 것인 화학식 I, IA, IB, IC 또는 ID의 화합물을 포함한다. 이러한 화합물은 대사에 대한 증가된 저항성을 나타내고, 이에 따라 포유동물, 특히 인간에게 투여되는 경우에 화학식 I의 임의의 화합물의 반감기를 증가시키는데 유용하다. 예를 들어, 문헌 [Foster, "Deuterium Isotope Effects in Studies of Drug Metabolism", Trends Pharmacol. Sci. 5(12):524-527 (1984)]을 참조한다. 이러한 화합물은 관련 기술분야에 널리 공지된 수단에 의해, 예를 들어 1개 이상의 수소가 중수소에 의해 대체된 출발 물질을 사용함으로써 합성된다.본 개시내용의 중수소 표지된 또는 치환된 치료 화합물은 분포, 대사 및 배출 (ADME)과 관련하여 개선된 DMPK (약물 대사 및 약동학) 특성을 가질 수 있다. 보다 무거운 동위원소, 예컨대 중수소로의 치환은 보다 큰 대사 안정성, 예를 들어 증가된 생체내 반감기, 감소된 투여량 요건 및/또는 치료 지수의 개선으로부터 유래되는 특정 치료 이점을 제공할 수 있다. 18F 표지된 화합물은 PET 또는 SPECT 연구에 유용할 수 있다. 본 개시내용의 동위원소 표지된 화합물 및 그의 전구약물은 일반적으로, 동위원소 표지되지 않은 시약을 용이하게 이용가능한 동위원소 표지된 시약으로 치환함으로써 하기 기재된 반응식 또는 실시예 및 제조예에 개시된 절차를 수행함으로써 제조될 수 있다. 이와 관련하여, 중수소는 화학식 I의 화합물의 치환기로 간주된다는 것을 이해하여야 한다.이러한 보다 무거운 동위원소, 구체적으로 중수소의 농도는 동위원소 농축 계수에 의해 정의될 수 있다. 본 개시내용의 화합물에서, 특정한 동위원소로서 구체적으로 지정되지 않은 임의의 원자는 상기 원자의 임의의 안정한 동위원소를 나타내는 것으로 의도된다. 달리 언급되지 않는 한, 위치가 "H" 또는 "수소"로서 구체적으로 지정된 경우에, 상기 위치는 그의 천연 존재비 동위원소 조성물에 수소를 갖는 것으로 이해된다. 따라서, 본 개시내용의 화합물에서 중수소 (D)로서 구체적으로 지정된 임의의 원자는 중수소를 나타내는 것으로 의도된다.용어 "치료" 또는 "치료하는"은, 하기의 목적을 위해, 후기 INa 억제에 의해 완화가능한 질환을 갖는 포유동물 (예를 들어 인간)에게의 본 개시내용의 화합물(들)의 임의의 투여를 의미한다:(i) 질환을 예방함, 즉 질환의 임상 증상이 발생하지 않게 함;(ii) 질환을 억제함, 즉 임상 증상의 발생을 정지시킴; 및/또는(iii) 질환을 경감시킴, 즉, 임상 증상의 퇴행을 야기함.많은 경우에, 본 개시내용의 화합물은 아미노 및/또는 카르복실 기 또는 그와 유사한 기의 존재로 인해 산 및/또는 염기 염을 형성할 수 있다.용어 주어진 화합물의 "제약상 허용되는 염"은 주어진 화합물의 생물학적 유효성 및 특성을 보유하고 생물학적으로 또는 달리 바람직하지 않은 것이 아닌 염을 지칭한다. 제약상 허용되는 염기 부가염은 무기 및 유기 염기로부터 제조될 수 있다. 무기 염기로부터 유도된 염은 단지 예로서 나트륨, 칼륨, 리튬, 암모늄, 칼슘 및 마그네슘 염을 포함한다. 유기 염기로부터 유도된 염은 1급, 2급 및 3급 아민, 예컨대 알킬 아민, 디알킬 아민, 트리알킬 아민, 치환된 알킬 아민, 디(치환된 알킬) 아민, 트리(치환된 알킬) 아민, 알케닐 아민, 디알케닐 아민, 트리알케닐 아민, 치환된 알케닐 아민, 디(치환된 알케닐) 아민, 트리(치환된 알케닐) 아민, 모노, 디 또는 트리 시클로알킬 아민, 모노, 디 또는 트리 아릴아민 또는 혼합된 아민 등의 염을 포함하나, 이에 제한되지는 않는다. 적합한 아민의 구체적 예는, 단지 예로서, 이소프로필아민, 트리메틸 아민, 디에틸 아민, 트리(이소-프로필)아민, 트리(n-프로필) 아민, 에탄올아민, 2-디메틸아미노에탄올, 피페라진, 피페리딘, 모르폴린, N-에틸피페리딘 등을 포함한다.제약상 허용되는 산 부가염은 무기 및 유기 산으로부터 제조될 수 있다. 무기 산으로부터 유도된 염은 염산, 브로민화수소산, 황산, 질산, 인산 등을 포함한다. 유기 산으로부터 유도된 염은 아세트산, 프로피온산, 글리콜산, 피루브산, 옥살산, 말산, 말론산, 숙신산, 말레산, 푸마르산, 타르타르산, 시트르산, 벤조산, 신남산, 만델산, 메탄술폰산, 에탄술폰산, p-톨루엔-술폰산, 살리실산 등을 포함한다.본원에 사용된 "제약상 허용되는 담체" 또는 "제약상 허용되는 부형제"는 임의의 및 모든 용매, 분산 매질, 코팅, 항박테리아제 및 항진균제, 등장화제 및 흡수 지연제 등을 포함한다. 제약 활성 물질에 대한 이러한 매질 및 작용제의 사용은 관련 기술분야에 널리 공지되어 있다. 임의의 통상적인 매질 또는 작용제가 활성 성분과 비상용성인 경우를 제외하고는, 치료 조성물에서의 그의 사용이 고려된다. 보충적 활성 성분이 또한 조성물 내에 혼입될 수 있다."관상동맥 질환" 또는 "심혈관 질환"은 예를 들어 심부전 (울혈성 심부전, 확장기 심부전 및 수축기 심부전 포함), 급성 심부전, 허혈, 재발성 허혈, 심근경색, 부정맥, 협심증 (운동 유발 협심증, 변이형 협심증, 안정형 협심증, 불안정형 협심증 포함), 급성 관상동맥 증후군, 당뇨병 및 간헐성 파행 중 어느 1종 또는 1종 초과로부터 발생하는 심혈관계의 질환을 지칭한다."간헐성 파행"은 말초 동맥 질환과 연관된 통증을 의미한다. "말초 동맥 질환" 또는 PAD는 폐쇄성 말초 혈관 질환 (PVD)의 유형이다. PAD는 심장 및 뇌 외부의 동맥에 영향을 미친다. PAD의 가장 흔한 증상은 걸을 때, 계단을 오를 때 또는 운동 시 엉덩이, 넓적다리 또는 종아리의 통증성 경련이다. 상기 통증은 간헐성 파행으로 불린다. 간헐성 파행의 증상을 열거하는 경우에, 이는 PAD 및 PVD 둘 다를 포함하는 것으로 의도된다.부정맥은 임의의 비정상적 심박수를 지칭한다. 서맥은 비정상적으로 느린 심박수를 지칭하는 반면, 빈맥은 비정상적으로 빠른 심박수를 지칭한다. 본원에 사용된 바와 같이, 부정맥의 치료는 심실상성 빈맥, 예컨대 심방 세동, 심방 조동, AV 결절성 회귀성 빈맥, 심방성 빈맥 및 특발성 심실성 빈맥, 심실 세동, 조기흥분 증후군 및 토르사드 드 포인트 (TdP)를 포함한 심실성 빈맥 (VT)의 치료를 포함하는 것으로 의도된다."긴 QT 증후군" 또는 "LQTS"는 이온 채널이라 불리는 심장 세포에서의 단백질 구조 및 이온 채널의 활성을 조정하는 단백질 구조의 기능장애에 의해 유발된다. 이들 채널은 칼륨, 나트륨 및 칼슘 분자와 같은 이온의 흐름을 제어한다. 세포 내외의 이들 이온의 흐름은 심장의 전기 활성을 생성한다. 이들 채널의 이상은 후천성 또는 유전성일 수 있다. 후천성 형태는 통상적으로 처방 의약에 의해 유발되나, 선천성 형태는 전기 재분극을 제어하는 이온 채널 중 하나를 생성 또는 "코딩"하는 몇몇 유전자 중 하나에서 돌연변이가 발생하는 경우에 일어난다. 돌연변이체 유전자는 비정상적 채널이 형성되도록 생성되고, 이들 비정상적 채널은 기능장애성이고 심장의 전기 재분극은 더 오래 걸린다. 이는 심전도 (ECG, EKG) 상에 연장된 QT 간격으로 나타난다."QT 연장" 또는 연장된 QT 간격은 심장을 다형성 심실성 빈맥에 취약하게 하며, 그 중 한 종류는 토르사드 드 포인트로 공지된 빠른 비정상적 심장 리듬이다. 정정된 QT 간격 (또는 "QTc")은 60 비트/분의 심박수에 대해 정규화된 QT 간격을 나타낸다. QTc를 계산하는 몇몇 방법, 예컨대 바제트(Bazett) 식 (QTB = QT/√RR), 프리데리시아(Fridericia) 식 (QTB = QT/3√RR), 또는 회귀-기반 접근법 (QTLC = QT + 0.154(1 - RR))이 있으며, 여기서 RR은 하나의 QRS 복합체의 개시에서부터 다음 QRS 복합체의 개시까지의 간격이다.선천성 LQTS는 15개 유전자 중 적어도 1개에서의 돌연변이와 유전자형 양성 사례 (LQT1-LQT3)의 대략 70%를 차지하는 3개의 유전자에서의 돌연변이에 기인한다: *KVLQT1의 신규 돌연변이의 동형접합 담체는 제벨, 랑쥐-닐슨 증후군을 갖는다. KVLQT1 및 MinK는 공동조립되어 IKs 채널을 형성한다.상기에 표에 열거된 LQT 질환 및 이온 채널은 유전성 LQTS에 대해서와 같이 후천성 LQTS에 대해 동일하다. LQTS의 유전성 형태는 전기 재분극을 제어하는 이온 채널 또는 이온 채널 조정제 중 하나를 생산 또는 "코딩"하는 몇몇 유전자 중 1개에서 돌연변이가 발생하는 경우에 일어난다. 유전성 LQTS의 적어도 15개의 상이한 형태가 있으며, LQT1 - LQT15로 특징화된다. 이들은 본래 상이한 형상의 ECG 추적을 특징으로 하고, 후속적으로 특이적 유전자 돌연변이와 연관되어 있다. LQT1 형태가 가장 빈번하고, 유전병 환자의 대략 30-35%를 차지한다. LQT2는 약 25-30%로 그 다음이고, SCN5A 돌연변이로부터의 LQT3은 약 5-10%를 차지한다. 2개의 돌연변이를 갖는 환자는 전체 환자의 1% 미만을 차지하는 것으로 보이나, 이는 보다 많은 환자가 보다 신규한 유전학적 기술을 사용하여 연구됨에 따라 변화될 수 있다."비대성 심근병증"은 심장 근육 (심근)이 비정상적으로 두껍거나 비대해지는 질환이다. 이 두꺼워진 심장 근육은 심장이 혈액을 펌핑하는 것을 더 어렵게 할 수 있다. 비대성 심근병증은 또한 심장의 전기 시스템에 영향을 미칠 수 있다. HCM은 500명의 사람 중 대략 1명에게 이환되는 가장 흔한 유전적 심장 질환이다. 이는 심장 근절의 중대한 구성요소를 코딩하는 유전자에서의 상염색체-우성 돌연변이에 기인한다. HCM은 관찰되는 규모의 비대를 생성하는 것이 가능한 다른 심장 또는 전신 조건의 부재 하의 설명할 수 없는 좌심실 (LV) 비대 (전형적으로 ≥ 15mm 두께의 심실 벽)로서 임상적으로 인지된다. 전형적 증상은 숨가쁨, 협심증, 심계항진, 피로 및 실신을 포함한다. 환자 중 적은 백분율에서, 심장 돌연사는 제1 제시일 수 있다. HCM은 청소년에서 심장 돌연사의 주요 원인이다.2. 명명법본 개시내용의 화합물의 명칭은 화학적 화합물을 명명하기 위한 ACD/명칭 소프트웨어 (어드밴스드 케미스트리 디벨롭먼트, 인크.(Advanced Chemistry Development, Inc.), 캐나다 토론토)를 사용하여 제공된다. 다른 화합물 또는 라디칼은 일반 명칭, 또는 계통 또는 비-계통 명칭으로 명명될 수 있다. 본 개시내용의 화합물의 명명 및 넘버링은 하기 화학식 I의 대표적 화합물로 예시되며:이는 3-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d] 이속사졸로 명명된다.3. 화합물따라서, 전형적 실시양태에서 본 개시내용은 후기 나트륨 채널 차단제로서 기능하는 신규 화합물을 제공한다. 한 실시양태에서, 본 개시내용은 하기 화학식 I의 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염, 입체이성질체 또는 입체이성질체의 혼합물을 제공한다.003c#화학식 I003e#상기 식에서Y는 -L-R1 또는 고리 질소 원자를 통해 결합된 헤테로시클릴 또는 헤테로아릴 고리이며, 여기서 각각의 헤테로시클릴 또는 헤테로아릴은 C1-C6 알킬, C3-C6 시클로알킬, 할로, 아릴, 헤테로시클릴, 헤테로아릴, 옥소, C1-C6 알콕시, -OH, -NH2, -COR7, -CO2R7, -NHSO2R7, -NHCO2R7, 및 -CN으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 3개의 기로 임의로 치환되고; 여기서 각각의 C1-C6 알킬, C3-C6 시클로알킬, 아릴, 헤테로시클릴, 헤테로아릴, 및 C1-C6 알콕시는 1 내지 3개의 C1-C6 알콕시, 할로, -CF3, -CN, -OH, -NH2 또는 -OCF3으로 임의로 치환되고;X는 CR8 또는 N이고;Z는 CR9 또는 N이고;L은 -O-, -NR5-, -NR5(CHR6)n-, -O(CHR6)n, -O(CHR6)nC(O)-, -O(CHR6)nC(O)O-, -O(CHR6)nNH-, -O(CHR6)nC(O)NH-, -O(CHR6)nNHC(O)O- 또는 -O(CHR6)mNHS(O)2-이고;R1은 수소, C1-C6 알킬, C3-C8 시클로알킬, 아릴, 헤테로시클릴 또는 헤테로아릴이며; 여기서 각각의 시클로알킬, 아릴, 헤테로시클릴 또는 헤테로아릴은 C1-C6 알킬, C3-C6 시클로알킬, 할로, 아릴, 헤테로시클릴, 헤테로아릴, 옥소, -OH, -NH2, -COR7, -CO2R7, -NHSO2R7, -NHCO2R7, 및 -CN으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 3개의 기로 임의로 치환되고; 여기서 각각의 C1-C6 알킬, C3-C6 시클로알킬, 아릴, 헤테로시클릴, 헤테로아릴, 및 C1-C6 알콕시는 1 내지 3개의 C1-C6 알콕시, 할로, -CF3, -CN, -OH, -NH2 또는 -OCF3으로 임의로 치환되고;각각의 R2는 독립적으로 할로, C1-C6 알킬, C1-C6 알콕시 또는 -OCF3이고;R3은 수소, 할로, C1-C3 할로알킬, C1-C3 할로알콕시, C3-C6 시클로알킬 또는 페닐이며, 여기서 시클로알킬 또는 페닐은 1 또는 2개의 할로 원자로 임의로 치환되며, 단 R3이 수소인 경우에, p는 1 또는 2이고;각각의 R4는 독립적으로 C1-C6 알킬, 할로, C1-C6 알콕시 또는 -OCF3이거나; 또는 R3 및 R4는 이들이 부착되어 있는 탄소 원자와 함께 1 내지 3개의 이중 결합을 임의로 함유하고 O, N, 및 S로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 3개의 헤테로원자를 임의로 함유하는 C4-C8 고리를 형성하고, 상기 고리는 1 내지 3개의 할로, C1-C6 알킬, C1-C3 할로알킬 또는 C1-C3 할로알콕시로 임의로 치환될 수 있고;R5는 수소, C1-C6 알킬, C1-C3 할로알킬 또는 -COCH3이고;각각의 R6은 독립적으로 수소, C1-C6 알킬, C1-C3 할로알킬, -CN, -OH 또는 -NH2이고;R7은 수소, C1-C6 알킬, 아릴 또는 아르알킬이고;R8은 독립적으로 수소, C1-C6 알킬, 할로, C1-C6 알콕시 또는 -OCF3이거나; 또는 R3 및 R8은 이들이 부착되어 있는 탄소 원자와 함께 1 내지 3개의 이중 결합을 임의로 함유하고 O, N, 및 S로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 3개의 헤테로원자를 임의로 함유하는 C4-C8 고리를 형성하고, 상기 고리는 1 내지 3개의 할로, C1-C6 알킬, C1-C3 할로알킬 또는 C1-C3 할로알콕시로 임의로 치환될 수 있고;R9는 수소, 할로, C1-C6 알킬, C1-C6 알콕시 또는 -OCF3이고;각각의 m은 독립적으로 2, 3, 4 또는 5이고;각각의 n은 독립적으로 1, 2, 3, 4 또는 5이고;p 및 q는 각각 독립적으로 0, 1 또는 2이다.또 다른 실시양태에서, 본 개시내용은 하기 화학식 IA의 화합물을 제공한다.003c#화학식 IA003e#또 다른 실시양태에서, 본 개시내용은 하기 화학식 IB의 화합물을 제공한다.003c#화학식 IB003e#또 다른 실시양태에서, 본 개시내용은 하기 화학식 IC의 화합물을 제공한다.003c#화학식 IC003e#또 다른 실시양태에서, 본 개시내용은 하기 화학식 ID의 화합물을 제공한다.003c#화학식 ID003e#일부 실시양태에서, Y는 고리 질소 원자를 통해 결합된 헤테로시클릴 또는 헤테로아릴 고리이며, 여기서 각각의 헤테로시클릴 또는 헤테로아릴은 C1-C6 알킬, C3-C6 시클로알킬, 할로, 아릴, 헤테로시클릴, 헤테로아릴, 옥소, C1-C6 알콕시, -OH, -NH2, -COR7, -CO2R7, -NHSO2R7, -NHCO2R7, 및 -CN으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 3개의 기로 임의로 치환되고; 여기서 각각의 C1-C6 알킬, C3-C6 시클로알킬, 아릴, 헤테로시클릴, 헤테로아릴, 및 C1-C6 알콕시는 1 내지 3개의 C1-C6 알콕시, 할로, -CF3, -CN, -OH, -NH2 또는 -OCF3으로 임의로 치환된다.일부 실시양태에서, Y는 고리 질소 원자를 통해 결합된 헤테로시클릴 또는 헤테로아릴 고리이며, 여기서 각각의 헤테로시클릴 또는 헤테로아릴은 C1-C6 알킬, 아릴, 및 옥소로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 3개의 기로 임의로 치환되고, 여기서 C1-C6 알킬은 1 내지 3개의 할로 또는 -OH로 임의로 치환된다.일부 실시양태에서, Y는 -L-R1이다.일부 실시양태에서, L은 -O(CHR6)n-이다.일부 실시양태에서, 각각의 R6은 독립적으로 수소 또는 C1-C6 알킬이다.일부 실시양태에서, R1은 수소이다.일부 실시양태에서, R1은 C1-C6 알킬이다.일부 실시양태에서, R1은 C3-C8 시클로알킬, 아릴, 헤테로시클릴 또는 헤테로아릴이며; 여기서 각각의 시클로알킬, 아릴, 헤테로시클릴 또는 헤테로아릴은 C1-C6 알킬, C3-C6 시클로알킬, 할로, 아릴, 헤테로시클릴, 헤테로아릴, 옥소, -OH, -NH2, -COR7, -CO2R7, -NHSO2R7, -NHCO2R7, 및 -CN으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 1 내지 3개의 기로 임의로 치환되고; 여기서 각각의 C1-C6 알킬, C3-C6 시클로알킬, 아릴, 헤테로시클릴, 헤테로아릴, 및 C1-C6 알콕시는 1 내지 3개의 C1-C6 알콕시, 할로, -CF3, -CN, -OH, -NH2 또는 -OCF3으로 임의로 치환된다.일부 실시양태에서, R1은이다.일부 실시양태에서, R1은 수소 또는 C1-C6 알킬이다. 일부 실시양태에서, R1은 C1-C6 알킬이다. 특정 실시양태에서, R1이 수소 또는 C1-C6 알킬인 경우에, L은 -O- 또는 -NR5-가 아니다.일부 실시양태에서, R2는 플루오로, 메틸 또는 메톡시이다.일부 실시양태에서, R3은 할로겐, C1-C3 할로알킬, C1-C3 할로알콕시, C3-C6 시클로알킬 또는 페닐이며, 여기서 시클로알킬 또는 페닐은 1 또는 2개의 할로겐 원자로 임의로 치환된다.일부 실시양태에서, R3은 수소, 플루오로, -CF3, -OCF3, -O-CH2-CF3 또는 시클로프로필이다.일부 실시양태에서, R4는 플루오로, 클로로, 메틸, 메톡시 또는 -OCF3이다.일부 실시양태에서, X는 N이다.일부 실시양태에서, X는 CR8이다.일부 실시양태에서, R8은 수소이다.일부 실시양태에서, Z는 N이다.일부 실시양태에서, Z는 CR9이다.일부 실시양태에서, R9는 수소이다.일부 실시양태에서, q는 0 또는 1이다. 일부 실시양태에서, q는 0이다. 일부 실시양태에서, q는 1이다.일부 실시양태에서, p는 0 또는 1이다. 일부 실시양태에서, p는 0이다. 일부 실시양태에서, p는 1이다.일부 실시양태에서, 화합물은 하기로 이루어진 군으로부터 선택된다:3-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;5-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;5-(2-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;5-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;3-((4-메틸피리미딘-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;5-(2-플루오로-4-(트리플루오로메틸)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;5-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;5-(4-클로로-3-플루오로페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;3-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메틸)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(3-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;6-메톡시-3-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;5-(2-플루오로-4-(트리플루오로메틸)페닐)-6-메톡시-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;5-(4-클로로-3-플루오로페닐)-6-메톡시-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;6-메톡시-5-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;5-(3-클로로-4-플루오로페닐)-6-메톡시-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;7-메틸-3-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;7-플루오로-3-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;7-메틸-5-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;7-메틸-3-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(3-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;5-(6-시클로프로필피리딘-3-일)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;3-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(6-(2,2,2-트리플루오로에톡시)피리딘-3-일)벤조[d]이속사졸;7-메톡시-3-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;7-메톡시-5-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;5-(2-플루오로-4-(트리플루오로메틸)페닐)-7-메톡시-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;7-메톡시-5-(2-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;6-메틸-3-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;6-메틸-5-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;5-(2-플루오로-4-(트리플루오로메틸)페닐)-6-메틸-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;6-메틸-5-(2-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;5-(2,2-디플루오로벤조[d][1,3]디옥솔-5-일)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;6-플루오로-3-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;6-플루오로-5-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;6-플루오로-5-(2-플루오로-4-(트리플루오로메틸)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;6-플루오로-5-(2-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;5-(2,2-디플루오로벤조[d][1,3]디옥솔-5-일)-6-플루오로-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸;3-((5-시클로프로필-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-5-(2-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((5-시클로프로필-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메틸)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((5-시클로프로필-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-5-(2-플루오로-4-(트리플루오로메틸)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((5-시클로프로필-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-5-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((5-시클로프로필-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-5-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((5-시클로프로필-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-5-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(옥세탄-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((1-메틸-1H-이미다졸-4-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((1-메틸-1H-이미다졸-4-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((1H-피라졸-4-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;4-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)피롤리딘-2-온;3-((1-에틸-1H-이미다졸-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((1-이소프로필-1H-이미다졸-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((1-에틸-1H-이미다졸-5-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((1-메틸-1H-이미다졸-5-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(이미다조[1,2-a]피리딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((2,5-디메틸옥사졸-4-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(옥사졸-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;2-(1-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)시클로프로필)아세토니트릴;3-(2-(1H-이미다졸-1-일)에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;1-메틸-4-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)피롤리딘-2-온;3-(2-(2-메틸-1H-이미다졸-1-일)에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(2-(1H-1,2,4-트리아졸-1-일)에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;1-(2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)에틸)피롤리딘-2-온;3-(2-메톡시에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;(R)-5-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)피롤리딘-2-온;(S)-5-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)피롤리딘-2-온;3-(2-(4H-1,2,4-트리아졸-4-일)에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((1-페닐-1H-이미다졸-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((1-(피리딘-2-일)-1H-피라졸-4-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(2-(1H-이미다졸-2-일)에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((4-메톡시피리미딘-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(2-(1H-피라졸-1-일)프로폭시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(2-(3,5-디메틸-1H-피라졸-1-일)에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((4-모르폴리노피리미딘-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;(S)-3-((1-메틸피롤리딘-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;(R)-3-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)피롤리딘-2-온;3-((5-메틸피라진-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(피리다진-3-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)에틸)옥사졸리딘-2-온;3-(2-(3,5-디메틸-1H-1,2,4-트리아졸-1-일)에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(2-(1H-1,2,4-트리아졸-1-일)프로폭시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(2-모르폴리노에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(2-(3,5-디메틸-1H-1,2,4-트리아졸-1-일)프로폭시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;1-(2-((7-플루오로-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)에틸)피롤리딘-2-온;3-((4-메톡시피리딘-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(이소퀴놀린-3-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((1H-1,2,3-트리아졸-4-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(2-(1H-1,2,4-트리아졸-1-일)에톡시)-7-플루오로-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;4-(2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)에틸)티오모르폴린 1,1-디옥시드;5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((4-(트리플루오로메틸)피리미딘-2-일)메톡시)벤조[d]이속사졸;7-메틸-3-((1-메틸-1H-1,2,3-트리아졸-4-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;1-(2-((7-메틸-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)에틸)피롤리딘-2-온;3-(2-(1H-1,2,4-트리아졸-1-일)에톡시)-7-메틸-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((4-메톡시피리미딘-2-일)메톡시)-7-메틸-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;7-메틸-3-(옥사졸-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((3-메틸옥세탄-3-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((3-메틸피리딘-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((3-플루오로피리딘-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((6-메틸피리딘-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((5-시클로프로필-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸; (3-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)옥세탄-3-일)메탄올;3-(1-(피리딘-2-일)에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((5-메틸-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((5-이소프로필-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((5-메틸-1,3,4-티아디아졸-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((3-메틸이속사졸-5-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)아세토니트릴;3-((5-시클로프로필-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-7-플루오로-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((5-시클로프로필-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-7-메틸-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;7-메틸-3-((6-메틸피리딘-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;tert-부틸 (S)-2-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)피롤리딘-1-카르복실레이트;(S)-3-(피롤리딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;(S)-1-(2-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)피롤리딘-1-일)에탄-1-온;1-(3-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)아제티딘-1-일)에탄-1-온;tert-부틸 (S)-3-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)모르폴린-4-카르복실레이트;tert-부틸 (R)-3-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)모르폴린-4-카르복실레이트;(S)-3-(모르폴린-3-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;(R)-3-(모르폴린-3-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;(S)-1-(3-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)모르폴리노)에탄-1-온;(R)-1-(3-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)모르폴리노)에탄-1-온;(R)-1-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)프로판-2-아민;(S)-3-메틸-1-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)부탄-2-아민;(R)-1-(1-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)프로판-2-일)피롤리딘-2-온;(S)-1-(3-메틸-1-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)부탄-2-일)피롤리딘-2-온;1-(피롤리딘-1-일)-2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)에탄-1-온;N-이소프로필-2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)아세트아미드;N-(2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)에틸)피리미딘-2-아민;3-(피리미딘-2-일옥시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(피리딘-2-일옥시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;N-(피리미딘-2-일메틸)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-아민;3-(4-메틸피페라진-1-일)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;N-(시클로프로필메틸)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-아민;N-((6-메틸피리딘-2-일)메틸)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-아민;3-모르폴리노-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;N-이소프로필-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-아민;3-(1H-이미다졸-1-일)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;N,N-디메틸-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-아민;(R)-5-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)아미노)메틸)피롤리딘-2-온;1-(2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)아미노)에틸)피롤리딘-2-온;3-(1H-1,2,4-트리아졸-1-일)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;N-(2-(1H-1,2,4-트리아졸-1-일)에틸)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-아민;3-(2-메틸-1H-이미다졸-1-일)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(4-메틸-1H-이미다졸-1-일)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(4-클로로-1H-이미다졸-1-일)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(3-메틸-1H-1,2,4-트리아졸-1-일)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(4-페닐-1H-이미다졸-1-일)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(4-(tert-부틸)-1H-이미다졸-1-일)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(2-이소프로필-1H-이미다졸-1-일)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(4-(트리플루오로메틸)-1H-이미다졸-1-일)벤조[d]이속사졸;(1-(5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)-1H-이미다졸-4-일)메탄올;5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-아민;3-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)이속사졸로[5,4-c]피리딘;N-((4-메톡시피리미딘-2-일)메틸)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-아민;N,N-디에틸-2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)아세트아미드;3-(피라진-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((3-메틸피라진-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-(1-(5-메틸-1,3,4-옥사디아졸-2-일)에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;3-((5-시클로프로필-1,3,4-티아디아졸-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;7-플루오로-3-((5-메틸-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸;N-(옥사졸-2-일메틸)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-아민; 및tert-부틸 2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)아세테이트;또는 그의 제약상 허용되는 염, 입체이성질체 또는 입체이성질체의 혼합물.4. 추가 실시양태일부 실시양태에서, 본 개시내용에 의해 제공된 화합물은 심혈관 질환, 예컨대 심방 세동을 포함한 심방성 및 심실성 부정맥, 프린츠메탈 (변이형) 협심증, 안정형 협심증, 불안정형 협심증, 심장, 신장, 간 및 뇌에서의 허혈 및 재관류 손상, 운동 유발 협심증, 폐고혈압, 확장기 및 수축기 심부전을 포함한 울혈성 심장 질환, 및 심근경색을 포함하나 이에 제한되지는 않는, 후기 나트륨 채널 차단제의 투여에 반응하는 것으로 공지된 상태 또는 질환의 치료에 효과적일 수 있다. 일부 실시양태에서, 후기 나트륨 채널 차단제로서 기능하는 본 개시내용에 의해 제공된 화합물은 통증, 가려움증, 발작 또는 마비를 일으키는 신경근육계에 영향을 미치는 질환의 치료, 또는 당뇨병 또는 감소된 인슐린 감수성, 및 당뇨병과 관련된 질환 상태, 예컨대 당뇨병성 말초 신경병증의 치료에 사용될 수 있다.본 개시내용의 특정 화합물은 또한 뉴런 나트륨 채널, 즉 Nav 1.1., 1.2, 1.3, 1.7, 및/또는 1.8을 조정하는데 충분한 활성을 보유할 수 있고, 이들이 중추 및/또는 말초 신경계에 관하여 활성일 수 있도록 적절한 약동학적 특성을 가질 수 있다. 따라서, 본 개시내용의 일부 화합물은 또한 신경병증성 근원의 간질 또는 통증 또는 가려움증 또는 두통의 치료에 유용할 수 있다.한 실시양태에서, 본 개시내용은 후기 나트륨 전류를 감소시킬 수 있는 작용제로의 치료에 의해 완화가능한 질환 상태의 치료를 필요로 하는 포유동물, 특히 인간에게 치료 유효 용량의 화학식 I, IA, IB, IC 또는 ID 또는 다른 화학식의 화합물 또는 본원에 개시된 화합물을 투여하는 것을 포함하는, 후기 나트륨 전류를 감소시킬 수 있는 작용제로의 치료에 의해 완화가능한 포유동물, 특히 인간에서의 질환 상태를 치료하는 방법을 제공한다. 또 다른 실시양태에서, 질환 상태는 심방성 및 심실성 부정맥, 심부전 (울혈성 심부전, 확장기 심부전, 수축기 심부전, 급성 심부전 포함), 프린츠메탈 (변이형) 협심증, 안정형 및 불안정형 협심증, 운동 유발 협심증, 울혈성 심장 질환, 허혈, 재발성 허혈, 재관류 손상, 심근경색, 급성 관상동맥 증후군, 말초 동맥 질환, 폐고혈압 및 간헐성 파행 중 1종 이상으로부터 선택된 심혈관 질환이다.또 다른 실시양태에서, 질환 상태는 당뇨병 또는 당뇨병성 말초 신경병증이다. 추가 실시양태에서, 질환 상태는 신경병증성 통증, 간질, 두통, 발작 또는 마비 중 1종 이상을 일으킨다.한 실시양태에서, 본 개시내용은 당뇨병의 치료를 필요로 하는 포유동물에게 치료 유효 용량의 화학식 I, IA, IB, IC 또는 ID 또는 다른 화학식의 화합물 또는 본원에 개시된 화합물을 투여하는 것을 포함하는, 포유동물, 특히 인간에서 당뇨병을 치료하는 방법을 제공한다. 당뇨병은 고혈당증; 지질, 탄수화물 및 단백질의 변경된 대사; 및 혈관 질환으로부터의 합병증의 증가된 위험을 특징으로 하는 질환이다. 당뇨병은 고령화 및 비만 둘 다와 연관되어 있기 때문에, 증가하는 공중 보건 문제이다.당뇨병에는 2종의 주요 유형이 있다: 1) 인슐린 의존성 당뇨병 (IDDM)으로도 공지되어 있는 제I형, 및 2) 인슐린 독립성 또는 비-인슐린 의존성 당뇨병 (NIDDM)으로도 공지되어 있는 제II형. 당뇨병의 2종의 유형 둘 다는 순환 인슐린의 불충분한 양 및/또는 인슐린에 대한 말초 조직의 반응의 감소에 인한 것이다.제I형 당뇨병은 신체 세포를 "잠금 해제"시켜 글루코스가 상기 세포에 진입하여 연료를 공급할 수 있도록 하는 호르몬인 인슐린을 생산하는데 실패한 신체로부터 기인한다. 제I형 당뇨병의 합병증은 심장 질환 및 졸중; 망막병증 (눈 질환); 신장 질환 (신병증); 신경병증 (신경 손상); 뿐만 아니라, 우수한 피부, 발 및 구강 건강의 유지를 포함한다.제II형 당뇨병은 신체의 충분한 인슐린 생산 불능 또는 세포의 신체에 의해 자연적으로 생산된 인슐린의 사용 불능에 기인한다. 신체가 인슐린을 최적으로 사용하지 못하는 상태를 인슐린 저항성으로 부른다. 제II형 당뇨병은 종종 고혈압을 동반하며, 이는 심장 질환에 기여할 수 있다. 제II형 당뇨병을 갖는 환자에서는, 스트레스, 감염, 및 의약 (예컨대 코티코스테로이드)은 또한 혈당 수준을 심각하게 상승시킬 수 있다. 탈수를 동반하는 제II형 당뇨병을 갖는 환자에서의 극심함 혈당 상승은 혈액 오스몰랄농도를 증가시킬 수 있다 (고삼투압 상태). 이 상태는 혼수를 일으킬 수 있다.라놀라진 (라넥사(RANEXA)��, INaL의 선택적 억제제)은 당뇨병성 마우스에서 글루코스-의존성 방식으로 β-세포 보존을 유발하고 인슐린 분비를 증진하는 항당뇨병제일 수 있다는 것이 제안되었다 (문헌 [Y. Ning et al. J Pharmacol Exp Ther. 2011, 337(1), 50-8] 참조). 따라서, 화학식 I, IA, IB, IC 또는 ID 또는 다른 화학식의 화합물 또는 본원에 개시된 화합물은 당뇨병의 치료를 위한 항당뇨병제로서 사용될 수 있는 것으로 고려된다.5. 제약 조성물 및 투여본 개시내용에 따라 제공된 화합물은 통상적으로 제약 조성물의 형태로 투여된다. 따라서, 본 개시내용은 활성 성분으로서 기재된 화합물 또는 그의 제약상 허용되는 염 또는 에스테르 중 1종 이상, 및 1종 이상의 제약상 허용되는 부형제, 불활성 고체 희석제 및 충전제를 포함한 담체, 멸균 수용액 및 다양한 유기 용매를 포함한 희석제, 투과 증진제, 가용화제 및 아주반트를 함유하는 제약 조성물을 제공한다. 제약 조성물은 단독으로 또는 다른 치료제와 조합으로 투여될 수 있다. 이러한 조성물은 제약 기술분야에 널리 공지된 방식으로 제조된다 (예를 들어, 문헌 [Remington's Pharmaceutical Sciences, Mace Publishing Co., Philadelphia, PA 17th Ed. (1985); 및 Modern Pharmaceutics, Marcel Dekker, Inc. 3rd Ed. (G.S. Banker 0026# C.T. Rhodes, Eds.)] 참조).제약 조성물은, 예를 들어 참조로 포함된 환자 및 환자 응용에 기재된 바와 같이, 직장, 협측, 비강내 및 경피 경로를 포함한 유사한 유용성을 갖는 작용제의 허용되는 투여 방식 중 어느 것에 의해, 동맥내 주사에 의해, 정맥내로, 복강내로, 비경구로, 근육내로, 피하로, 경구로, 국소로, 흡입제로서, 또는 함침 또는 코팅된 장치, 예컨대 스텐트를 통해, 또는 동맥-삽입된 원통형 중합체를 통해 단일 또는 다중 용량으로 투여될 수 있다.투여를 위한 한 방식은 비경구, 특히 주사에 의한 것이다. 주사에 의한 투여를 위해 본 개시내용의 신규 조성물이 혼입될 수 있는 형태는 수성 또는 오일 현탁액, 또는 에멀젼, 참깨 오일, 옥수수 오일, 목화씨 오일, 또는 땅콩 오일, 뿐만 아니라 엘릭시르, 만니톨, 덱스트로스, 또는 멸균 수용액, 및 유사한 제약 비히클을 포함한다. 염수 중의 수용액이 또한 주사용으로 통상적으로 사용되나, 본 개시내용의 문맥에서는 덜 바람직하다. 에탄올, 글리세롤, 프로필렌 글리콜, 액체 폴리에틸렌 글리콜 등 (및 그의 적합한 혼합물), 시클로덱스트린 유도체, 및 식물성 오일이 또한 사용될 수 있다. 적절한 유동성은, 예를 들어, 레시틴과 같은 코팅의 사용, 분산액의 경우 필요한 입자 크기의 유지, 및 계면활성제의 사용에 의해 유지될 수 있다. 미생물의 작용의 예방은 다양한 항박테리아제 및 항진균제, 예를 들어 파라벤, 클로로부탄올, 페놀, 소르브산, 티메로살 등에 의해 이루어질 수 있다.멸균 주사가능한 용액은 적절한 용매 중에 필요량의 본 개시내용에 따른 화합물을, 필요에 따라, 상기 열거된 바와 같은 다양한 다른 성분과 함께 혼입한 다음 여과 멸균함으로써 제조된다. 일반적으로, 분산액은 염기성 분산 매질 및 상기 열거된 것들로부터 필요한 다른 성분을 함유하는 멸균 비히클에 다양한 멸균된 활성 성분을 혼입시킴으로써 제조된다. 멸균 주사가능한 용액의 제조를 위한 멸균 분말의 경우에, 바람직한 제조 방법은, 활성 성분 플러스 그의 사전 멸균 여과된 용액으로부터의 임의의 추가의 바람직한 성분의 분말을 제공하는 진공-건조 및 동결-건조 기술이다. 바람직하게는, 비경구 투여를 위해, 멸균 주사가능한 용액은 본원에 기재된 화합물의 치료 유효량, 예를 들어 0.1 내지 700 mg을 함유하여 제조된다. 그러나, 실제로 투여되는 화합물의 양은 통상적으로 치료될 상태, 선택된 투여 경로, 투여되는 실제 화합물 및 그의 관련 활성, 개별 환자의 연령, 체중 및 반응, 환자의 증상의 중증도 등을 포함한 관련 환경에 비추어 의사에 의해 결정될 것으로 이해될 것이다.경구 투여는 본 개시내용에 따른 화합물의 투여를 위한 또 다른 경로이다. 투여는 캡슐 또는 장용 코팅 정제 등을 통한 것일 수 있다. 본원에 기재된 적어도 1종의 화합물을 포함하는 제약 조성물의 제조에서, 활성 성분은 통상적으로 부형제에 의하여 희석되고/거나 캡슐, 사쉐, 종이 또는 다른 용기의 형태일 수 있는 담체 내에 둘러싸인다. 부형제가 희석제로서 작용할 경우, 이는 활성 성분에 대한 비히클, 담체 또는 매질로서 작용하는 고체, 반고체 또는 액체 물질 (상기와 같음)의 형태일 수 있다. 따라서, 조성물은 정제, 환제, 분말, 로젠지, 사쉐, 카쉐, 엘릭시르, 현탁액, 에멀젼, 용액, 시럽, 에어로졸 (고체로서 또는 액체 매질 중에), 예를 들어 최대 10 중량%의 활성 화합물을 함유하는 연고, 연질 및 경질 젤라틴 캡슐, 멸균 주사가능한 용액 및 멸균 포장된 분말의 형태일 수 있다.적합한 부형제의 일부 예는 락토스, 덱스트로스, 수크로스, 소르비톨, 만니톨, 전분, 아카시아 검, 인산칼슘, 알기네이트, 트라가칸트, 젤라틴, 규산칼슘, 미세결정질 셀룰로스, 폴리비닐피롤리돈, 셀룰로스, 멸균수, 시럽 및 메틸 셀룰로스를 포함한다. 제제는 추가로 윤활제, 예컨대 활석, 스테아르산마그네슘 및 미네랄 오일; 습윤제; 유화제 및 현탁화제; 보존제, 예컨대 메틸 및 프로필히드록시-벤조에이트; 감미제; 및 향미제를 포함할 수 있다.본 개시내용의 조성물은 관련 기술분야에 공지된 절차를 이용하여 환자에게 투여된 후에 활성 성분의 신속, 지속 또는 지연 방출을 제공하도록 제제화될 수 있다. 경구 투여를 위한 제어 방출 약물 전달 시스템은 중합체-코팅된 저장소 또는 약물-중합체 매트릭스 제제를 함유하는 삼투 펌프 시스템 및 용해 시스템을 포함한다. 제어 방출 시스템의 예는 미국 특허 번호 3,845,770; 4,326,525; 4,902,514; 및 5,616,345에 주어져 있다. 본 개시내용의 방법에 사용하기 위한 또 다른 제제는 경피 전달 장치 ("패치")를 사용한다. 이러한 경피 패치를 사용하여 본 개시내용의 화합물의 연속 또는 불연속 주입을 제어된 양으로 제공할 수 있다. 제약 작용제의 전달을 위한 경피 패치의 구성 및 사용은 관련 기술분야에 널리 공지되어 있다. 예를 들어, 미국 특허 번호 5,023,252, 4,992,445 및 5,001,139를 참조한다. 이러한 패치는 연속형, 펄스형으로 구성될 수 있거나, 또는 제약 작용제의 요구되는 전달에 따라 구성될 수 있다.조성물은 바람직하게는 단위 투여 형태로 제제화된다. 용어 "단위 투여 형태"는 인간 대상체 및 다른 포유동물을 위한 단위 투여량으로서 적합한 물리적 이산 단위를 지칭하며, 각각의 단위는 적합한 제약 부형제와 연관된 목적하는 치료 효과를 생성하도록 계산된 미리 결정된 양의 활성 물질을 함유한다 (예를 들어, 정제, 캡슐, 앰플). 화합물은 일반적으로 제약 유효량으로 투여된다. 바람직하게는, 경구 투여의 경우, 각각의 투여 단위는 1 mg 내지 2 g, 또는 대안적으로 100 mg 내지 500 mg의 본원에 기재된 화합물, 비경구 투여의 경우, 바람직하게는 0.1 mg 내지 700 mg, 또는 대안적으로 0.1 mg 내지 100 mg의 본원에 기재된 화합물을 함유한다. 그러나, 실제로 투여되는 화합물의 양은 통상적으로 치료될 상태, 선택된 투여 경로, 투여되는 실제 화합물 및 그의 관련 활성, 개별 환자의 연령, 체중 및 반응, 환자의 증상의 중증도 등을 포함한 관련 환경에 비추어 의사에 의해 결정될 것으로 이해될 것이다.고체 조성물, 예컨대 정제를 제조하기 위해, 주요 활성 성분은 제약 부형제와 혼합되어 본 개시내용의 화합물의 균질 혼합물을 함유하는 고체 예비제제 조성물을 형성한다. 이들 예비 제제 조성물이 균질한 것으로서 지칭되는 경우에, 이는 활성 성분이 조성물 전반에 걸쳐 균일하게 분포되어 상기 조성물이 동등하게 유효한 단위 투여 형태, 예컨대 정제, 환제 및 캡슐로 용이하게 세분될 수 있는 것을 의도한다.본 개시내용의 정제 또는 환제는 코팅되거나 또는 달리 배합되어 지속 작용의 이점을 제공하는 투여 형태를 제공하거나 또는 위의 산성 조건으로부터 보호될 수 있다. 예를 들어, 정제 또는 환제는 내부 투여 및 외부 투여 성분을 포함할 수 있으며, 외부 투여 성분은 내부 투여 성분 상의 외피의 형태일 수 있다. 2종의 성분은, 위에서의 붕해에 저항하고 내부 성분을 십이지장 내로 무손상 통과시키거나 또는 방출이 지연되는 것을 허용하는 장용 층에 의해 분리될 수 있다. 다양한 물질이 장용 층 또는 코팅을 위해 사용될 수 있으며, 이러한 물질은 다수의 중합체 산, 및 중합체 산과 쉘락, 세틸 알콜 및 셀룰로스 아세테이트와 같은 물질의 혼합물을 포함한다.흡입 또는 취입을 위한 조성물은 제약상 허용되는 수성 또는 유기 용매 또는 그의 혼합물 중 용액 및 현탁액, 및 분말을 포함한다. 액체 또는 고체 조성물은 상기 기재된 바와 같은 적합한 제약상 허용되는 부형제를 함유할 수 있다. 바람직하게는, 조성물은 국소 또는 전신 효과를 위한 경구 또는 비강 호흡 경로에 의하여 투여된다. 바람직하게는 제약상 허용되는 용매 중의 조성물은 불활성 기체의 사용에 의해 네뷸라이징될 수 있다. 네뷸라이징된 용액은 네뷸라이징 장치로부터 직접 흡입될 수 있거나, 또는 네뷸라이징 장치는 페이스마스크 텐트 또는 간헐적 양압 호흡 기계에 부착될 수 있다. 용액, 현탁액 또는 분말 조성물은 적절한 방식으로 제제를 전달하는 장치로부터 바람직하게는 경구로 또는 비강으로 투여될 수 있다.조합 요법본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제의 투여에 의해 치료될 환자는 종종 다른 치료제로의 치료로부터 이익을 얻는 질환 또는 상태를 나타낸다. 이들 질환 또는 상태는 심혈관 성질을 가질 수 있거나 또는 폐 장애, 대사 장애, 위장 장애 등에 관련될 수 있다. 추가적으로, 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제의 투여에 의해 치료될 일부 관상동맥 환자는 항생제, 진통제 및/또는 항우울제 및 항불안제인 치료제로의 치료로부터 이익을 얻을 수 있는 상태를 나타낸다.심혈관제 조합 요법본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제와 다른 치료제의 조합 치료로부터 이익을 얻을 수 있는 심혈관 관련 질환 또는 상태는, 비제한적으로, 안정형 협심증, 불안정형 협심증 (UA), 운동-유발 협심증, 변이형 협심증을 포함한 협심증, 부정맥, 간헐성 파행, 비-STE 심근경색 (NSTEMI)을 포함한 심근경색, 폐동맥 고혈압을 포함한 폐고혈압, 울혈성 (또는 만성) 심부전 및 확장기 심부전을 포함한 심부전 및 보존된 박출 계수를 갖는 심부전 (확장기 기능장애), 급성 심부전, 또는 재발성 허혈을 포함한다.심혈관 관련 질환 또는 상태를 치료하는데 적합한 치료제는 항협심증제, 심부전제, 항혈전제, 항부정맥제, 항고혈압제 및 지질 강하제를 포함한다.본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제와 심혈관 관련 상태를 치료하는데 적합한 치료제의 공-투여는 환자가 현재 받는 표준 관리 요법의 향상을 허용한다. 일부 실시양태에서, 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제는 라놀라진 (라넥사��)과 공-투여된다.항협심증제항협심증제는 베타-차단제, 칼슘 채널 차단제 및 니트레이트를 포함한다. 베타 차단제는 그의 작업부하를 감소시켜 감소된 심박수 및 덜 활발한 심장 수축을 생성하여 심장의 산소에 대한 요구를 감소시킨다. 베타-차단제의 예는 아세부톨롤 (섹트랄(Sectral)��), 아테놀롤 (테노르민(Tenormin)��), 베탁솔롤 (케를론(Kerlone)��), 비소프롤롤/히드로클로로티아지드 (지악(Ziac)��), 비소프롤롤 (제베타(Zebeta)��), 카르테올롤 (카르트롤(Cartrol)��), 에스몰롤 (브레비블록(Brevibloc)��), 라베탈롤 (노르모딘(Normodyne)��, 트란데이트(Trandate)��), 메토프롤롤 (로프레소르(Lopressor)��, 토프롤(Toprol)�� XL), 나돌롤 (코가드(Corgard)��), 프로프라놀롤 (인데랄(Inderal)��), 소탈롤 (베타페이스(Betapace)��) 및 티몰롤 (블로카드렌(Blocadren)��)을 포함한다.니트레이트는 동맥 및 정맥을 확장시켜 관상동맥 혈류를 증가시키고, 혈압을 감소시킨다. 니트레이트의 예는 니트로글리세린, 니트레이트 패치, 이소소르비드 디니트레이트 및 이소소르비드-5-모노니트레이트를 포함한다.칼슘 채널 차단제는 심장의 세포 및 혈관으로 칼슘의 정상적인 흐름을 방해하여 혈관이 이완되도록 함으로써 심장으로의 혈액 및 산소의 공급을 증가시킨다. 칼슘 채널 차단제의 예는 암로디핀 (노바스크(Norvasc)��, 로트렐(Lotrel)��), 베프리딜 (바스코르(Vascor)��), 딜티아젬 (카르디젬(Cardizem)��, 티아작(Tiazac)��), 펠로디핀 (플렌딜(Plendil)��), 니페디핀 (아달라트(Adalat)��, 프로카르디아(Procardia)��), 니모디핀 (니모톱(Nimotop)��), 니솔디핀 (술라르(Sular)��), 베라파밀 (칼란(Calan)��, 이솝틴(Isoptin)��, 베렐란(Verelan)��) 및 니카르디핀을 포함한다.심부전제심부전을 치료하는데 사용되는 작용제는 이뇨제, ACE 억제제, 혈관확장제 및 강심성 글리코시드를 포함한다. 이뇨제는 조직 및 순환에서의 과잉 유체를 제거하여 심부전의 증상 중 다수를 완화시킨다. 이뇨제의 예는 히드로클로로티아지드, 메톨라존 (자록솔린(Zaroxolyn)��), 푸로세미드 (라식스(Lasix)��), 부메타니드 (부멕스(Bumex)��), 스피로노락톤 (알닥톤(Aldactone)��) 및 에플레레논 (인스트라(Inspra)��)을 포함한다.안지오텐신 전환 효소 (ACE) 억제제는 혈관을 확장시켜 혈류에 대한 저항을 감소시킴으로써 심장에 대한 작업부하를 감소시킨다. ACE 억제제의 예는 베나제프릴 (로텐신(Lotensin)��), 캅토프릴 (카포텐(Capoten)��), 에날라프릴 (바소텍(Vasotec)��), 포시노프릴 (모노프릴(Monopril)��), 리시노프릴 (프리니빌(Prinivil)��, 제스트릴(Zestril)��), 모엑시프릴 (유니바스크(Univasc)��), 페린도프릴 (아세온(Aceon)��), 퀴나프릴 (아큐프릴(Accupril)��), 라미프릴 (알타스(Altace)��) 및 트란돌라프릴 (마빅(Mavik)��)을 포함한다.혈관확장제는 혈관을 이완 및 확장시켜 혈관에 대한 압력을 감소시킨다. 혈관확장제의 예는 히드랄라진, 디아족시드, 프라조신, 클로니딘 및 메틸도파를 포함한다. ACE 억제제, 니트레이트, 칼륨 채널 활성화제 및 칼슘 채널 차단제도 또한 혈관확장제로서 작용한다.강심성 글리코시드는 심장의 수축력을 증가시키는 화합물이다. 이들 화합물은 심장의 펌핑 용량을 강화시키고, 불규칙적인 심박 활성을 개선시킨다. 강심성 글리코시드의 예는 디기탈리스, 디곡신 및 디기톡신을 포함한다.항혈전제항혈전제는 혈액의 응고 능력을 억제한다. 항혈전제의 3종의 주요 유형 - 혈소판 억제제, 항응고제 및 혈전용해제가 있다.혈소판 억제제는 혈소판의 응고 능력을 억제하여 동맥에서의 응고를 감소시킨다. 혈소판 억제제의 예는 아세틸살리실산 (아스피린), 티클로피딘, 클로피도그렐 (플라빅스(Plavix)��), 프라수그렐 (에피언트(Effient)��), 디피리다몰, 실로스타졸, 페르산틴 술핀피라존, 디피리다몰, 인도메타신 및 당단백질 llb/llla 억제제, 예컨대 압식시맙, 티로피반 및 엡티피바티드 (인테그렐린(Integrelin)��)를 포함한다. 베타 차단제 및 칼슘 채널 차단제도 또한 혈소판-억제 효과를 갖는다.항응고제는 혈전이 더 크게 성장하는 것을 방지하고 새로운 혈전의 형성을 방지한다. 항응고제의 예는 비발리루딘 (안지오맥스(Angiomax)��), 와파린 (쿠마딘((Coumadin)��), 미분획 헤파린, 저분자량 헤파린, 다나파로이드, 레피루딘 및 아르가트로반을 포함한다.혈전용해제는 기존 혈전을 파괴하도록 작용한다. 혈전용해제의 예는 스트렙토키나제, 우로키나제, 및 테넥테플라제 (TNK), 및 조직 플라스미노겐 활성화제 (t-PA)를 포함한다.항부정맥제항부정맥제는 심박수 및 리듬의 장애를 치료하는데 사용된다. 항부정맥제의 예는 아미오다론, 드로네다론, 퀴니딘, 프로카인아미드, 리도카인 및 프로파페논을 포함한다. 강심성 글리코시드 및 베타 차단제도 또한 항부정맥제로서 사용된다.아미오다론 및 드로네다론과의 조합물은 특히 흥미롭다 (그 전문이 본원에 참조로 포함된 미국 특허 출원 공개 번호 2010/0056536 및 미국 특허 출원 공개 번호 2011/0183990 참조).항고혈압제항고혈압제는 혈압이 정상보다 지속적으로 더 높은 상태인 고혈압을 치료하는데 사용된다. 고혈압은 울혈성 심부전, 아테롬성동맥경화증 및 혈전 형성을 포함한 심혈관 질환의 다수 측면과 연관되어 있다. 항고혈압제의 예는 알파-1-아드레날린성 길항제, 예컨대 프라조신 (미니프레스(Minipress)��), 독사조신 메실레이트 (카르두라(Cardura)��), 프라조신 히드로클로라이드 (미니프레스��), 프라조신, 폴리티아지드 (미니지드(Minizide)��) 및 테라조신 히드로클로라이드 (히트린(Hytrin)��); 베타-아드레날린성 길항제, 예컨대 프로프라놀롤 (인데랄(Inderal)��), 나돌롤 (코가드(Corgard)��), 티몰롤 (블로카드렌(Blocadren)��), 메토프롤롤 (로프레소르(Lopressor)��) 및 핀돌롤 (비스켄(Visken)��); 중추성 알파-아드레날린수용체 효능제, 예컨대 클로니딘 히드로클로라이드 (카타프레스(Catapres)��), 클로니딘 히드로클로라이드 및 클로르탈리돈 (클로르프레스(Clorpres)��, 콤비프레스(Combipres)��), 구아나벤즈 아세테이트 (위텐신(Wytensin)��), 구안파신 히드로클로라이드 (테넥스(Tenex)��), 메틸도파 (알도메트(Aldomet)��), 메틸도파 및 클로로티아지드 (알도클로르(Aldoclor)��), 메틸도파 및 히드로클로로티아지드 (알도릴(Aldoril)��); 조합된 알파/베타-아드레날린성 길항제, 예컨대 라베탈롤 (노르모딘(Normodyne)��, 트란데이트(Trandate)��), 카르베딜롤 (코레그(Coreg)��); 아드레날린성 뉴런 차단제, 예컨대 구아네티딘 (이스멜린(Ismelin)��), 레세르핀 (세르파실(Serpasil)��); 중추 신경계-작용 항고혈압제, 예컨대 클로니딘 (카타프레스(Catapres)��), 메틸도파 (알도메트��), 구아나벤즈 (위텐신��); 항-안지오텐신 II 작용제; ACE 억제제, 예컨대 페린도프릴 (아세온��) 캅토프릴 (카포텐��), 에날라프릴 (바소텍��), 리시노프릴 (프리니빌��, 제스트릴��); 안지오텐신-II 수용체 길항제, 예컨대 칸데사르탄 (아타칸드(Atacand)��), 에프로사르탄 (테베텐(Teveten)��), 이르베사르탄 (아바프로(Avapro)��), 로사르탄 (코자르(Cozaar)��), 텔미사르탄 (미카르디스(Micardis)��), 발사르탄 (디오반(Diovan)��); 칼슘 채널 차단제, 예컨대 베라파밀 (칼란��, 이솝틴��), 딜티아젬 (카르디젬��), 니페디핀 (아달라트��, 프로카르디아��); 이뇨제; 직접 혈관확장제, 예컨대 니트로프루시드 (니프리드(Nipride)��), 디아족시드 (하이퍼스태트(Hyperstat)�� IV), 히드랄라진 (아프레솔린(Apresoline)��), 미녹시딜 (로니텐(Loniten)��), 베라파밀; 및 칼륨 채널 활성화제, 예컨대 아프리카림, 비마칼림, 크로마칼림, 에마칼림, 니코란딜, 및 피나시딜을 포함한다.지질 강하제지질 강하제는 혈액 중에 존재하는 콜레스테롤 또는 지방 당의 양을 저하시키는데 사용된다. 지질 강하제의 예는 베자피브레이트 (베잘립(Bezalip)��), 시프로피브레이트 (모달림(Modalim)��), 및 스타틴, 예컨대 아토르바스타틴 (리피토르(Lipitor)��), 플루바스타틴 (레스콜(Lescol)��), 로바스타틴 (메바코르(Mevacor)��, 알토코르(Altocor)��), 메바스타틴, 피타바스타틴 (리발로(Livalo)��, 피타바(Pitava)��) 프라바스타틴 (리포스타트(Lipostat)��), 로수바스타틴 (크레스토르(Crestor)��), 및 심바스타틴 (조코르(Zocor)��)을 포함한다.본 개시내용에서, 급성 관상동맥 질환 사건을 나타내는 환자는 종종 대사 장애, 폐 장애, 말초 혈관 장애 또는 위장 장애 중 1종 이상과 같은 속발성 의학적 상태를 앓고 있다. 이러한 환자는, 환자에게 본원에 개시된 화합물 (예를 들어, 화학식 I, IA, IB, IC 또는 ID)을 적어도 1종의 치료제와 조합으로 투여하는 것을 포함하는 조합 요법의 치료로부터 이익을 얻을 수 있다.폐 장애 조합 요법폐 장애는 폐와 관련된 임의의 질환 또는 상태를 지칭한다. 폐 장애의 예는, 비제한적으로, 천식, 만성 폐쇄성 폐 질환 (COPD), 기관지염 및 기종을 포함한다.폐 장애를 치료하는데 사용되는 치료제의 예는 베타2 효능제 및 항콜린제를 포함한 기관지확장제, 코르티코스테로이드 및 전해질 보충제를 포함한다. 폐 장애를 치료하는데 사용되는 치료제의 구체적 예는 에피네프린, 테르부탈린 (브레사이어(Brethaire)��, 브리카닐(Bricanyl)��), 알부테롤 (프로벤틸(Proventil)��), 살메테롤 (세레벤트(Serevent)��, 세레벤트 디스쿠스(Serevent Diskus)��), 테오필린, 이프라트로피움 브로마이드 (아트로벤트(Atrovent)��), 티오트로피움 (스피리바(Spiriva)��), 메틸프레드니솔론 (솔루-메드롤((Solu-Medrol)��, 메드롤(Medrol)��), 마그네슘 및 칼륨을 포함한다.대사 장애 조합 요법대사 장애의 예는, 비제한적으로, 제I형 및 제II형 당뇨병을 비롯한 당뇨병, 대사 증후군, 이상지혈증, 비만, 글루코스 불내성, 고혈압, 상승된 혈청 콜레스테롤, 및 상승된 트리글리세리드를 포함한다.대사 장애를 치료하는데 사용되는 치료제의 예는 상기 "심혈관제 조합 요법" 섹션에 기재된 바와 같이 항고혈압제 및 지질 강하제를 포함한다. 대사 장애를 치료하는데 사용되는 추가의 치료제는 인슐린, 술포닐우레아, 비구아니드, 알파-글루코시다제 억제제 및 인크레틴 모방제를 포함한다.말초 혈관 장애 조합 요법말초 혈관 장애는, 예를 들어 말초 동맥 질환 (PAD)을 포함한 심장 및 뇌 외부에 위치하는 혈관 (동맥 및 정맥)과 관련된 장애, 내부 기관, 팔 및 다리에 혈액을 공급하는 동맥이 아테롬성동맥경화증의 결과로서 완전 또는 부분 차단될 때 발생하는 상태이다.위장 장애 조합 요법위장 장애는 위장관과 연관되어 있는 질환 및 상태를 지칭한다. 위장 장애의 예는 위식도 역류 질환 (GERD), 염증성 장 질환 (IBD), 위장염, 위염 및 소화성 궤양 질환, 및 췌장염을 포함한다.위장 장애를 치료하는데 사용되는 치료제의 예는 양성자 펌프 억제제, 예컨대 판토프라졸 (프로토닉스(Protonix)��), 란소프라졸 (프레박시드(Prevacid)��), 에소메프라졸 (넥시움(Nexium)��), 오메프라졸 (프릴로섹(Prilosec)��), 라베프라졸; H2 차단제, 예컨대 시메티딘 (타가메트(Tagamet)��), 라니티딘 (잔탁(Zantac)��), 파모티딘 (펩시드(Pepcid)��), 니자티딘 (액시드(Axid)��); 프로스타글란딘, 예컨대 미소프로스톨 (시토텍(Cytotec)��); 수크랄페이트; 및 제산제를 포함한다.항생제, 진통제, 항우울제 및 항불안제 조합 요법급성 관상동맥 질환 사건을 나타내는 환자는 항생제, 진통제, 항우울제 및 항불안제인 치료제 또는 치료제들의 본원에 개시된 화합물 (예를 들어, 화학식 I, IA, IB, IC 또는 ID)과의 조합으로의 투여로부터 이익을 얻는 상태를 나타낼 수 있다.항생제항생제는 박테리아 및 진균 둘 다를 포함한 미생물을 사멸시키거나 또는 그의 성장을 정지시키는 치료제이다. 항생제의 예는 페니실린 (아목시실린), 세팔로스포린, 예컨대 세파졸린, 세푸록심, 세파드록실 (듀리세프(Duricef)��), 세팔렉신 (케플렉스(Keflex)��), 세프라딘 (벨로세프(Velosef)��), 세파클로르 (세클로르(Ceclor)��), 세푸록심 악스텔 (세프틴(Ceftin)��), 세프프로질 (세프질(Cefzil)��), 로라카르베프 (로라비드(Lorabid)��), 세픽심 (슈프락스(Suprax)��), 세프포독심 프록세틸 (반틴(Vantin)��), 세프티부텐 (세닥스(Cedax)��), 세프디니르 (옴니세프(Omnicef)��), 세프트리악손 (로세핀(Rocephin)��), 카르바페넴, 및 모노박탐을 포함한 β-락탐 항생제; 테트라시클린류, 예컨대 테트라시클린; 마크롤리드 항생제, 예컨대 에리트로마이신; 아미노글리코시드, 예컨대 겐타미신, 토브라마이신, 아미카신; 퀴놀론, 예컨대 시프로플록사신; 시클릭 펩티드, 예컨대 반코마이신, 스트렙토그라민, 폴리믹신; 린코사미드, 예컨대 클린다마이신; 옥사졸리디논, 예컨대 리네졸리드; 및 술파 항생제, 예컨대 술프이속사졸을 포함한다.진통제진통제는 통증을 경감하는데 사용되는 치료제이다. 진통제의 예는 오피에이트 및 모르핀모방제, 예컨대 펜타닐 및 모르핀; 파라세타몰; NSAID 및 COX-2 억제제를 포함한다. NaV 1.7 및 1.8 나트륨 채널의 억제를 통해 신경병증성 통증을 치료하기 위한 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제의 능력을 감안하면, 진통제와의 조합이 특히 계획된다. 미국 특허 출원 공개 20090203707을 참조한다.항우울제 및 항불안제항우울제 및 항불안제는 불안 장애, 우울증을 치료하기 위해 사용되는 작용제, 및 진정제 및 신경안정제로서 사용되는 것을 포함한다. 항우울제 및 항불안제의 예는 벤조디아제핀, 예컨대 디아제팜, 로라제팜, 및 미다졸람; 엔조디아제핀; 바르비투레이트; 글루테티미드; 클로랄 수화물; 메프로바메이트; 세르트랄린 (졸로프트(Zoloft)��, 루스트랄(Lustral)��, 아포-세르트랄(Apo-Sertral)��, 아센트라(Asentra)��, 글라뎀(Gladem)��, 세르리프트(Serlift)��, 스티물로톤(Stimuloton)��); 에스시탈로프람 (렉사프로(Lexapro)��, 시프랄렉스(Cipralex)��); 플루옥세틴 (프로작(Prozac)��, 사라펨(Sarafem)��, 플룩틴(Fluctin)��, 폰텍스(Fontex)��, 프로뎁(Prodep)��, 플루뎁(Fludep)��, 로반(Lovan)��); 벤라팍신 (에펙소르(Effexor)�� XR, 에펙소르(Efexor)��); 시탈로프람 (셀렉사(Celexa)��, 시프라밀(Cipramil)��, 탈로헥산(Talohexane)��); 파록세틴 (팍실(Paxil)��, 세록사트(Seroxat)��, 아로팍스(Aropax)��); 트라조돈 (데시렐(Desyrel)��); 아미트립틸린 (엘라빌((Elavil)��); 및 부프로피온 (웰부트린(Wellbutrin)��, 지반(Zyban)��)을 포함한다.따라서, 본 개시내용의 한 측면은 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제 및 적어도 1종의 치료제를 포함하는 조성물을 제공한다. 대안적 실시양태에서, 조성물은 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제 및 적어도 2종의 치료제를 포함한다. 추가 대안적 실시양태에서, 조성물은 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제 및 적어도 3종의 치료제, 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제 및 적어도 4종의 치료제, 또는 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제 및 적어도 5종의 치료제를 포함한다.조합 요법의 방법은 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제 및 치료제 또는 치료제들을 함유하는 단일 제제의 공-투여, 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제 및 치료제 또는 치료제들을 포함하는 1종 초과의 제제의 본질적으로 동시의 투여, 및 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제 및 치료제 또는 치료제들의 임의의 순서의 연속 투여를 포함하며, 여기서 바람직하게는 본 개시내용의 후기 나트륨 채널 차단제 및 치료제 또는 치료제들이 동시에 그의 치료 영향을 발휘하는 시간 주기가 있다.6. 실시예 화합물의 합성본 개시내용의 화합물은 본원에 개시된 방법, 및 본원의 개시내용을 감안하여 명백할 것인 그의 상용 변형 및 관련 기술분야에 널리 공지된 방법을 사용하여 제조될 수 있다. 본원의 교시에 이외에도 통상적인 및 널리 공지된 합성 방법이 사용될 수 있다. 본원에 기재된 전형적인 화합물, 예를 들어 화학식 I, IA, IB, IC 또는 ID 또는 다른 화학식 중 1개 이상에 의해 기재된 구조를 갖는 화합물 또는 본원에 개시된 화합물의 합성은 하기 실시예에서 기재된 바와 같이 달성될 수 있다. 이용가능한 경우에, 시약은 상업적으로, 예를 들어 시그마 알드리치(Sigma Aldrich) 또는 다른 화학물질 공급업체로부터 구입할 수 있다.일반적 합성본 개시내용에 따른 화합물의 전형적 실시양태는 하기 기재된 일반적 반응식을 사용하여 합성할 수 있다. 본원의 기재를 감안하면, 일반적 반응식은 유사한 구조를 갖는 다른 물질로의 출발 물질의 치환에 의해 변경되어 상응하게 상이한 생성물을 생성할 수 있는 것이 명백할 것이다. 하기 합성의 기재는 출발 물질을 어떻게 변경하여 상응하는 생성물을 제공할 것인지의 수많은 예를 제공한다. 치환기가 정의된 목적 생성물을 감안하면, 필요한 출발 물질은 일반적으로 검사에 의해 결정될 수 있다. 출발 물질은 전형적으로 상업적 공급원으로부터 입수되거나, 또는 공개된 방법을 사용하여 합성된다. 본 개시내용의 실시양태인 화합물의 합성을 위해, 합성될 화합물 구조의 검사는 각각의 치환기의 식별을 제공할 것이다. 최종 생성물의 식별은 일반적으로, 본원의 실시예를 감안하여, 검사의 간단한 방법에 의해 필요한 출발 물질의 식별을 명백하게 할 것이다.합성 반응 파라미터본 개시내용의 화합물은, 예를 들어, 하기 일반적 방법 및 절차를 사용하여 용이하게 입수가능한 출발 물질로부터 제조될 수 있다. 전형적인 또는 바람직한 방법 조건 (즉, 반응 온도, 시간, 반응물의 몰비, 용매, 압력 등)이 주어진 경우에, 달리 언급되지 않는 한 다른 방법 조건이 또한 사용될 수 있다는 것이 인지될 것이다. 최적의 반응 조건은 사용된 특정한 반응물 또는 용매에 따라 달라질 수 있지만, 이러한 조건은 상용 최적화 절차에 의해 관련 기술분야의 통상의 기술자에 의해 결정될 수 있다.추가적으로, 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 명백할 것인 바와 같이, 통상적인 보호기는 특정 관능기를 목적하지 않은 반응을 겪는 것으로부터 보호하기 위해 필요할 수 있다. 다양한 관능기에 대한 적합한 보호기 뿐만 아니라 특정한 관능기를 보호 및 탈보호하기 위한 적합한 조건은 관련 기술분야에 널리 공지되어 있다. 예를 들어, 수많은 보호기들이 문헌 [T. W. Greene and G. M. Wuts (1999) Protecting Groups in Organic Synthesis, 3rd Edition, Wiley, New York] 및 그에 인용된 참고문헌에 기재되어 있다.게다가, 본 개시내용의 화합물은 1개 이상의 키랄 중심을 함유할 수 있다. 따라서, 원하는 경우에, 이러한 화합물은 순수한 입체이성질체로, 즉 개별 거울상이성질체 또는 부분입체이성질체로, 또는 입체이성질체-풍부 혼합물로 제조 또는 단리될 수 있다. 이러한 모든 입체이성질체 (및 풍부 혼합물)는 달리 나타내지 않는 한 본 개시내용의 범위 내에 포함된다. 순수한 입체이성질체 (또는 풍부 혼합물)는, 예를 들어, 관련 기술분야에 널리 공지된 광학 활성 출발 물질 또는 입체선택적 시약을 사용하여 제조될 수 있다. 대안적으로, 이러한 화합물의 라세미 혼합물은, 예를 들어, 키랄 칼럼 크로마토그래피, 키랄 분해제 등을 사용하여 분리될 수 있다.하기 반응을 위한 출발 물질은 일반적으로 공지된 화합물이거나, 또는 공지된 절차 또는 그의 명백한 변형에 의해 제조될 수 있다. 예를 들어, 다수의 출발 물질이 알드리치 케미칼 캄파니(Aldrich Chemical Co.) (미국 위스콘신주 밀워키), 바켐(Bachem) (미국 캘리포니아주 토런스), 엠카-켐스(Emka-Chemce) 또는 시그마(Sigma) (미국 미주리주 세인트 루이스)와 같은 상업적 공급업체로부터 입수가능하다. 다른 것들은 표준 참고 문헌, 예컨대 문헌 [Fieser and Fieser's Reagents for Organic Synthesis, Volumes 1-15 (John Wiley, and Sons, 1991), Rodd's Chemistry of Carbon Compounds, Volumes 1-5, and Supplementals (Elsevier Science Publishers, 1989) organic Reactions, Volumes 1-40 (John Wiley, and Sons, 1991), March's Advanced Organic Chemistry, (John Wiley, and Sons, 5th Edition, 2001), 및 Larock's Comprehensive Organic Transformations (VCH Publishers Inc., 1989)]에 기재된 절차 또는 그의 명백한 변형에 의해 제조될 수 있다.용어 "용매", "불활성 유기 용매" 또는 "불활성 용매"는 이와 관련하여 기재된 반응의 조건 하에서 불활성인 용매 (예를 들어 벤젠, 톨루엔, 아세토니트릴, 테트라히드로푸란 ("THF"), 디메틸포름아미드 ("DMF"), 클로로포름, 메틸렌 클로라이드 (또는 디클로로메탄), 디에틸 에테르, 메탄올, 피리딘 등 포함)를 지칭한다. 달리 명시되지 않는 한, 본 개시내용의 반응에 사용되는 용매는 불활성 유기 용매이고, 반응은 불활성 기체, 바람직하게는 질소 하에 수행된다.용어 "충분량"은 언급된 기능을 달성하도록, 예를 들어 용액이 목적하는 부피 (즉, 100%)가 되도록 충분량을 첨가하는 것을 의미한다.화학식 I의 화합물의 합성화학식 I (화학식 IA, IB, IC 또는 ID 포함)의 화합물은 먼저 벤조이속사졸 코어를 제공하고, 이어서 적합한 커플링 조건 (예를 들어, 스즈키 커플링, 미츠노부 반응, 알킬화 등)을 사용하여 목적 치환기를 부착시킴으로써 제조할 수 있다. 화학식 I의 화합물의 합성을 위한 예시적인 방법은 반응식 1 및 2에 하기 제시된다.반응식 1은 화학식 I의 화합물의 제조를 제시하며, 여기서 L1은 벤조이속사졸 코어에 부착된 -O- 기를 포함하고, 여기서 LG는 이탈기 (예를 들어, 할로)이고, 알킬, X, Z, R1, R2, R3, R4, p 및 q는 본원에 정의된 바와 같다.003c#반응식 1003e#반응식 1에서, 상응하는 벤조산 1-6으로부터 표준 에스테르화 조건을 통해 수득할 수 있는 적합하게 치환된 5-브로모-2-히드록시벤조에이트 1-2는 팔라듐 촉매의 존재 하에 적합하게 치환된 아릴보론산 또는 아릴보론산 에스테르와 커플링되어 비아릴 에스테르 1-3을 제공한다. 에스테르는 히드록실아민과 함께 가열되어 히드록삼산 1-4으로 전환된다. 히드록시벤즈이속사졸 1-5는 카르보닐디이미다졸과의 고리화에 의해 수득된다. 화합물 1-1을 수득하기 위한 1-5의 알킬화는 DMF 중 염기, 예컨대 탄산세슘 또는 탄산칼륨의 존재 하에 적합한 할라이드와의 반응에 의해 또는 대안적으로 미츠노부 조건 하에 아조디카르복실레이트 시약 (DIAD, DEAD 등) 및 트리페닐포스핀의 존재 하에 알콜과의 반응에 의해 달성된다.대안적으로, 벤조산 1-6은 표준 조건을 사용하여 히드록삼산 1-7로 변형되고, 이어서 히드록시벤즈이속사졸 1-8로 고리화된다. 알킬화 생성물 1-9는 DMF 중 염기, 예컨대 탄산세슘 또는 탄산칼륨의 존재 하에 적합한 알킬 할라이드와의 반응에 의해 또는 대안적으로 미츠노부 조건 하에 아조디카르복실레이트 시약 (DIAD, DEAD 등) 및 트리페닐포스핀의 존재 하에 알콜과의 반응에 의해 수득된다. 이어서, 브로모벤즈이속사졸 1-9는 표준 스즈키 커플링 조건 하에 팔라듐 촉매의 존재 하에 적합하게 치환된 아릴보론산 또는 아릴보론산 에스테르와의 커플링에 의해 화합물 1-1로 전환된다. 상기 반응식에서 중간체 각각은 후속 단계 전에 단리 및/또는 정제될 수 있거나, 또는 후속 단계에 단리 없이 사용될 수 있다.반응식 2 및 3은 화학식 I의 화합물의 제조를 제시하며, 여기서 L1은 벤조이속사졸 코어에 부착된 -NH- 기를 포함하거나 또는 Y는 헤테로시클릭 또는 헤테로아릴 고리이다. 반응식 2 및 3에서, LG는 이탈기 (예를 들어, 할로)이고, Z, X, R1, R2, R3, R4, p 및 q는 본원에 정의된 바와 같다.003c#반응식 2003e#반응식 2에서, 클로로벤즈이속사졸 2-1은 표준 스즈키 커플링 조건 하에 팔라듐 촉매의 존재 하에 적합하게 치환된 아릴보론산 또는 아릴보론산 에스테르와 커플링에 의해 화합물 2-2로 전환된다. 화합물 2-2는 단리 및/또는 정제될 수 있거나, 또는 후속 단계에서 단리 없이 사용될 수 있다. 화합물 2-3 및 2-4를 수득하기 위한 2-2의 아미노화는 염기, 예컨대 디아자비시클로[5.4.0]운데스-7-엔의 존재 하에 적합한 아민과의 반응에 의해 달성된다. 반응은 마이크로웨이브 반응기의 사용에 의해 용이하게 될 수 있다.003c#반응식 3003e#반응식 3에서, 아미노벤즈이속사졸 3-1은 표준 스즈키 커플링 조건 하에 팔라듐 촉매의 존재 하에 적합하게 치환된 아릴보론산 또는 아릴보론산 에스테르와 커플링에 의해 화합물 3-2로 전환된다. 화합물 3-2는 단리 및/또는 정제될 수 있거나, 또는 후속 단계에서 단리 없이 사용될 수 있다. 3-3을 수득하기 위한 3-2의 알킬화는 표준 환원성 아미노화 조건 하에 적합한 카르보닐-함유 화합물과의 반응에 의해, 전형적으로 건조제를 사용하고, 이어서 환원제, 예컨대 수소화붕소나트륨의 첨가하여 달성된다.임의의 치환기의 첨가가 다수의 이성질체 생성물의 제조를 일으킬 수 있으며, 이들 중 일부 또는 전부는 통상적인 기술을 사용하여 단리 및 정제될 수 있다는 것이 또한 인지될 것이다.실시예하기 실시예는 본 개시내용의 바람직한 실시양태를 증명하기 위해 포함된다. 하기 실시예에 개시된 기술은, 본 개시내용의 실시에서 잘 기능하기 위한, 본 발명자들에 의해 밝혀진 기술을 나타내고, 이에 따라 그의 실시를 위한 바람직한 방식을 구성하는 것으로 고려될 수 있다는 것이 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 인식되어야 한다. 그러나, 관련 기술분야의 통상의 기술자는 본 개시내용에 비추어 본 개시내용의 취지 및 범주로부터 벗어나지 않으면서 개시되어 있는 구체적 실시양태에서 많은 변경이 이루어질 수 있으며 여전히 유사하거나 비슷한 결과를 얻을 수 있음을 인지해야 한다.약어 및 두문자어의 목록실시예 13-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸단계 1메틸 5-브로모살리실레이트 (5g, 21.6mmol)를 90mL 1,4-디옥산 및 10mL 물 중에 용해시켰다. 10mL 50% 수성 히드록실아민 용액을 첨가하고, 혼합물을 주위 온도에서 24시간 동안 교반하였다. 혼합물을 진공 하에 농축시킨 후, 물을 첨가하였다. 형성된 침전물을 여과하고, 물로 세척하고, 건조시켜 5-브로모-N,2-디히드록시벤즈아미드 (4.12g, 17.76mmol)를 회백색 고체로서 수득하였다.단계 25-브로모-N,2-디히드록시벤즈아미드 (4.12g, 17.76mmol)를 100mL THF 중에 현탁시켰다. 카르보닐디이미다졸 (5.76g, 35.5mmol)을 첨가하고, 혼합물을 환류 하에 3시간 동안 가열하였다. 용매를 진공 하에 증발시키고, 100mL 물을 첨가하고, 빠른 교반 하에 용액을 1N HCl로 pH 1로 산성화시켰다. 형성된 침전물을 여과하고, 물로 세척하고, 건조시켜 5-브로모벤조[d]이속사졸-3-올 (3.71g, 17.3mmol)을 회백색 고체로서 수득하였다.단계 35-브로모벤조[d]이속사졸-3-올 (200mg, 0.93mmol), 2-(클로로메틸)피리미딘 히드로클로라이드 (200mg, 1.21mmol) 및 탄산세슘 (1g)을 10mL DMF 중에서 합하고, 주위 온도에서 2일 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 60mL 에틸 아세테이트로 희석하고, 물 및 염수로 세척하고, 진공 하에 증발시켰다. 12g 실리카 겔 상에서 헥산 중 0-100% 에틸 아세테이트에 의해 플래쉬 크로마토그래피 정제하여 O-알킬화 생성물 5-브로모-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸 (120mg, 0.39mmol)을 수득하였다.단계 45-브로모-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸 (120mg, 0.39mmol), 4-(트리플루오로메톡시)페닐보론산 (120mg, 0.58mmol), 탄산칼륨 (500mg), 및 [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]디클로로팔라듐(II) (25mg, 0.034mmol)을 6mL DMF 중에서 합하였다. 3mL 물을 첨가하고, 혼합물을 80℃에서 2시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 60mL 에틸 아세테이트로 희석하고, 물 및 염수로 세척하고, 진공 하에 증발시켰다. 12g 실리카 겔 상에서 헥산 중 0-60% 에틸 아세테이트에 의해 플래쉬 크로마토그래피 정제하여 3-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸 (94mg, 0.24mmol)을 수득하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.83 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 8.07-8.01 (m, 1H), 7.97 (dd, J = 8.8, 1.8 Hz, 1H), 7.91-7.83 (m, 2H), 7.72 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.51-7.40 (m, 3H), 5.67 (s, 2H). MS: 388 (MH+).하기 화합물은 상기 절차를 사용하여 적절한 보론산으로 대체하여 합성하였다.실시예 25-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.82 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.98-7.93 (m, 1H), 7.84 (dt, J = 8.8, 1.7 Hz, 1H), 7.80-7.71 (m, 2H), 7.58-7.50 (m, 1H), 7.47 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.39-7.31 (m, 1H), 5.67 (s, 2H). MS: 406 (MH+).실시예 35-(2-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.82 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.75-7.71 (m, 1H), 7.69 (d, 1H), 7.64 (dd, J = 8.7, 1.7 Hz, 1H), 7.47 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.38 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 7.36-7.31 (m, 1H), 7.29-7.22 (m, 1H), 5.66 (s, 2H), 2.25 (s, 3H). MS: 402 (MH+).실시예 45-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.82 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.84-7.79 (m, 1H), 7.74 (dd, J = 8.8, 1.7 Hz, 1H), 7.66 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.52-7.43 (m, 2H), 7.16-7.11 (m, 1H), 7.07-6.98 (m, 1H), 5.66 (s, 2H), 3.81 (s, 3H). MS: 418 (MH+).실시예 53-((4-메틸피리미딘-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.65 (d, J = 5.1 Hz, 1H), 8.05 (dd, J = 1.9, 0.8 Hz, 1H), 7.97 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.92-7.83 (m, 2H), 7.73 (dd, J = 8.8, 0.7 Hz, 1H), 7.44 (d, J = 7.6 Hz, 2H), 7.35 (d, J = 5.1 Hz, 1H), 5.60 (s, 2H), 2.46 (s, 3H). MS: 402 (MH+).실시예 65-(2-플루오로-4-(트리플루오로메틸)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.82 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 8.01 (t, J = 1.4 Hz, 1H), 7.91-7.84 (m, 2H), 7.82 (dd, J = 10.8, 1.7 Hz, 1H), 7.77 (d, J = 8.9 Hz, 1H), 7.68 (dd, J = 8.2, 1.7 Hz, 1H), 7.47 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 5.67 (s, 2H). m/z: 390 (MH+)실시예 75-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.83 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 8.04 (d, J = 1.7 Hz, 1H), 7.97 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.81 (d, J = 2.3 Hz, 1H), 7.71 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.68 (dd, J = 8.5, 2.5 Hz, 1H), 7.48 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.37 (dt, J = 8.5, 1.6 Hz, 1H), 5.66 (s, 2H), 2.34 (s, 3H). m/z: 402 (MH+).실시예 85-(4-클로로-3-플루오로페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.83 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 8.13 (d, J = 1.7 Hz, 1H), 8.02 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.92-7.85 (m, 1H), 7.73 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.67-7.64 (m, 2H), 7.48 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 5.67 (s, 2H). m/z: 356 (MH+)실시예 93-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메틸)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.85 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 8.15 (d, J = 1.7 Hz, 1H), 8.05 (dd, J = 8.8, 1.8 Hz, 1H), 8.01 (d, J = 8.1 Hz, 2H), 7.83 (d, J = 8.2 Hz, 2H), 7.78 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.50 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 5.70 (s, 2H). m/z: 372 (MH+)실시예 103-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(3-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.83 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 8.10 (d, J = 1.7 Hz, 1H), 8.01 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.81 (ddd, J = 7.9, 1.9, 1.0 Hz, 1H), 7.78-7.75 (m, 1H), 7.73 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.60 (t, J = 8.0 Hz, 1H), 7.48 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.40-7.33 (m, 1H), 5.67 (s, 2H). m/z: 388 (MH+)실시예 116-메톡시-3-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.75 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.56-7.48 (m, 2H), 7.42 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.39-7.32 (m, 3H), 7.24 (s, 1H), 5.27 (s, 2H), 3.77 (s, 3H). m/z: 418 (MH+).실시예 125-(2-플루오로-4-(트리플루오로메틸)페닐)-6-메톡시-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.75 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.69 (dd, J = 9.9, 1.7 Hz, 1H), 7.62-7.57 (m, 1H), 7.52 (t, J = 7.6 Hz, 1H), 7.42 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.39 (s, 1H), 7.21 (s, 1H), 5.25 (s, 2H), 3.76 (s, 3H). m/z: 420 (MH+).실시예 135-(4-클로로-3-플루오로페닐)-6-메톡시-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.75 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.57 (t, J = 8.2 Hz, 1H), 7.46 (dd, J = 11.0, 2.0 Hz, 1H), 7.42 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.35 (s, 1H), 7.32-7.26 (m, 2H), 5.28 (s, 2H), 3.78 (s, 3H). m/z: 386 (MH+)실시예 146-메톡시-5-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.84 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.50 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.48 (d, J = 2.1 Hz, 1H), 7.44-7.40 (m, 2H), 7.37 (dd, J = 8.5, 1.5 Hz, 1H), 7.31 (s, 1H), 5.36 (s, 2H), 3.85 (s, 3H), 2.35 (s, 3H). m/z: 432 (MH+)실시예 155-(3-클로로-4-플루오로페닐)-6-메톡시-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.75 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.61-7.56 (m, 1H), 7.44-7.39 (m, 3H), 7.34 (s, 1H), 7.27 (s, 1H), 5.28 (s, 2H), 3.77 (s, 3H). m/z: 386 (MH+).실시예 167-메틸-3-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.82 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.88-7.83 (m, 3H), 7.81 (t, J = 1.4 Hz, 1H), 7.47 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.44 (d, J = 8.5 Hz, 2H), 5.66 (s, 2H), 2.49 (s, 3H). m/z: 402 (MH+).실시예 177-플루오로-3-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.83 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 8.01 (dd, J = 12.2, 1.5 Hz, 1H), 7.97-7.89 (m, 3H), 7.54-7.40 (m, 3H), 5.69 (s, 2H). m/z: 406 (MH+).실시예 187-메틸-5-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.82 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.93 (d, J = 1.8 Hz, 1H), 7.90-7.82 (m, 2H), 7.67-7.63 (m, 2H), 7.48 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 5.66 (s, 2H), 2.49 (s, 3H), 2.48 (s, 3H). m/z: 416 (MH+).실시예 197-메틸-3-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(3-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.83 (d, J = 5.0 Hz, 2H), 7.93-7.89 (m, 1H), 7.86 (dd, J = 1.8, 1.0 Hz, 1H), 7.83-7.78 (m, 1H), 7.75 (s, 1H), 7.59 (t, J = 8.0 Hz, 1H), 7.48 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.40-7.32 (m, 1H), 5.66 (s, 2H), 2.50 (s, 3H). m/z: 402 (MH+).실시예 205-(6-시클로프로필피리딘-3-일)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.83 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 8.76 (dd, J = 2.5, 0.8 Hz, 1H), 8.05 (dd, J = 1.9, 0.7 Hz, 1H), 8.01 (dd, J = 8.2, 2.5 Hz, 1H), 7.97 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.72 (dd, J = 8.8, 0.7 Hz, 1H), 7.48 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.37 (dd, J = 8.2, 0.8 Hz, 1H), 5.67 (s, 2H), 2.14 (tt, J = 7.7, 5.2 Hz, 1H), 1.00-0.93 (m, 4H). m/z: 345 (MH+).실시예 213-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(6-(2,2,2-트리플루오로에톡시)피리딘-3-일)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.83 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 8.58 (dd, J = 2.6, 0.8 Hz, 1H), 8.21 (dd, J = 8.6, 2.6 Hz, 1H), 8.07 (dd, J = 1.8, 0.8 Hz, 1H), 7.98 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.73 (dd, J = 8.8, 0.7 Hz, 1H), 7.48 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.08 (dd, J = 8.6, 0.7 Hz, 1H), 5.67 (s, 2H), 5.04 (q, J = 9.1 Hz, 2H). m/z: 403 (MH+).실시예 227-메톡시-3-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.82 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.94-7.85 (m, 2H), 7.55 (d, J = 1.4 Hz, 1H), 7.51-7.40 (m, 4H), 5.66 (s, 2H), 4.04 (s, 3H). m/z: 418 (MH+).실시예 237-메톡시-5-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.83 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.83 (d, J = 2.3 Hz, 1H), 7.71 (dd, J = 8.5, 2.4 Hz, 1H), 7.55 (d, J = 1.4 Hz, 1H), 7.51-7.45 (m, 2H), 7.37 (dt, J = 8.5, 1.5 Hz, 1H), 5.65 (s, 2H), 4.04 (s, 3H), 2.35 (s, 3H). m/z: 432 (MH+).실시예 245-(2-플루오로-4-(트리플루오로메틸)페닐)-7-메톡시-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.82 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.89 (t, J = 7.9 Hz, 1H), 7.86-7.79 (m, 1H), 7.72-7.66 (m, 1H), 7.52 (t, J = 1.5 Hz, 1H), 7.47 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.42 (t, J = 1.3 Hz, 1H), 5.66 (s, 2H), 4.01 (s, 3H). m/z: 420 (MH+).실시예 257-메톡시-5-(2-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.81 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.47 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.40 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 7.36-7.31 (m, 1H), 7.28-7.23 (m, 1H), 7.22 (d, J = 1.3 Hz, 1H), 7.18 (d, J = 1.3 Hz, 1H), 5.64 (s, 2H), 3.96 (s, 3H), 2.28 (s, 3H). m/z: 432 (MH+).실시예 266-메틸-3-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.81 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.61-7.58 (m, 1H), 7.56 (s, 1H), 7.54-7.49 (m, 2H), 7.49-7.40 (m, 3H), 5.63 (s, 2H), 2.31 (s, 3H). m/z: 402 (MH+)실시예 276-메틸-5-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.81 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.62-7.57 (m, 1H), 7.55 (s, 1H), 7.47 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.43 (d, J = 2.0 Hz, 1H), 7.37 (dd, J = 8.3, 1.5 Hz, 1H), 7.33 (dd, J = 8.4, 2.1 Hz, 1H), 5.63 (s, 2H), 2.32 (s, 6H). m/z: 416 (MH+)실시예 285-(2-플루오로-4-(트리플루오로메틸)페닐)-6-메틸-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.81 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.82 (dd, J = 9.8, 1.4 Hz, 1H), 7.73-7.60 (m, 4H), 7.46 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 5.64 (s, 2H), 2.23 (s, 3H). m/z: 404 (MH+)실시예 296-메틸-5-(2-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.81 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.63-7.58 (m, 1H), 7.49-7.43 (m, 2H), 7.35 (s, 1H), 7.24 (s, 2H), 5.62 (s, 2H), 2.08 (s, 3H), 2.02 (s, 3H). m/z: 416 (MH+)실시예 305-(2,2-디플루오로벤조[d][1,3]디옥솔-5-일)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.83 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 8.07-8.02 (m, 1H), 7.96 (dd, J = 8.8, 1.8 Hz, 1H), 7.87 (d, J = 1.7 Hz, 1H), 7.72 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.59 (dd, J = 8.4, 1.8 Hz, 1H), 7.52-7.45 (m, 2H), 5.67 (s, 2H). m/z: 384 (MH+)실시예 316-플루오로-3-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.82 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.95 (d, J = 7.4 Hz, 1H), 7.80 (d, J = 10.5 Hz, 1H), 7.76-7.69 (m, 2H), 7.52-7.44 (m, 3H), 5.65 (s, 2H). m/z: 406 (MH+)실시예 326-플루오로-5-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.83 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.94 (d, J = 7.3 Hz, 1H), 7.79 (d, J = 10.4 Hz, 1H), 7.64 (s, 1H), 7.53 (dt, J = 8.6, 2.1 Hz, 1H), 7.48 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.41 (dd, J = 8.4, 1.7 Hz, 1H), 5.65 (s, 2H), 2.33 (s, 3H). m/z: 420 (MH+)실시예 336-플루오로-5-(2-플루오로-4-(트리플루오로메틸)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.82 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 8.02 (d, J = 6.9 Hz, 1H), 7.89-7.83 (m, 2H), 7.81 (t, J = 7.6 Hz, 1H), 7.75-7.70 (m, 1H), 7.48 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 5.66 (s, 2H). m/z: 408 (MH+)실시예 346-플루오로-5-(2-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.82 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.79 (s, 1H), 7.77 (d, J = 3.6 Hz, 1H), 7.47 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.39 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 7.38-7.35 (m, 1H), 7.31-7.24 (m, 1H), 5.64 (s, 2H), 2.16 (s, 3H). m/z: 420 (MH+)실시예 355-(2,2-디플루오로벤조[d][1,3]디옥솔-5-일)-6-플루오로-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.82 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 7.93 (d, J = 7.4 Hz, 1H), 7.79 (d, J = 10.4 Hz, 1H), 7.69 (t, J = 1.5 Hz, 1H), 7.52 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 7.48 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 7.42 (dt, J = 8.4, 1.7 Hz, 1H), 5.65 (s, 2H). m/z: 402 (MH+)실시예 363-((5-시클로프로필-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-5-(2-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.76-7.70 (m, 2H), 7.66 (dd, J = 8.7, 1.8 Hz, 1H), 7.37 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 7.35-7.32 (m, 1H), 7.28-7.21 (m, 1H), 5.70 (s, 2H), 2.30-2.25 (m, 1H), 2.23 (s, 3H), 1.19-1.11 (m, 2H), 1.04-0.96 (m, 2H). m/z: 432 (MH+)실시예 373-((5-시클로프로필-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메틸)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.12 (dd, J = 1.8, 0.8 Hz, 1H), 8.06 (dd, J = 8.9, 1.9 Hz, 1H), 8.01-7.95 (m, 2H), 7.84-7.77 (m, 3H), 5.72 (s, 2H), 2.28 (tt, J = 8.4, 4.9 Hz, 1H), 1.20-1.12 (m, 2H), 1.05-0.97 (m, 2H). m/z: 402 (MH+)실시예 383-((5-시클로프로필-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-5-(2-플루오로-4-(트리플루오로메틸)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.99 (dt, J = 1.9, 1.0 Hz, 1H), 7.90 (dt, J = 8.8, 1.7 Hz, 1H), 7.87-7.77 (m, 3H), 7.71-7.63 (m, 1H), 5.71 (s, 2H), 2.27 (tt, J = 8.4, 4.9 Hz, 1H), 1.18-1.11 (m, 2H), 1.04-0.97 (m, 2H). m/z: 420 (MH+)실시예 393-((5-시클로프로필-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-5-(2-메톡시-4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.80-7.74 (m, 2H), 7.69 (dd, J = 8.7, 0.9 Hz, 1H), 7.46 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 7.14-7.10 (m, 1H), 7.04-6.98 (m, 1H), 5.69 (s, 2H), 3.80 (s, 3H), 2.26 (tt, J = 8.4, 4.9 Hz, 1H), 1.18-1.11 (m, 2H), 1.04-0.97 (m, 2H). m/z: 448 (MH+)실시예 403-((5-시클로프로필-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-5-(3-메틸-4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.04 (dd, J = 1.9, 0.8 Hz, 1H), 8.00 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.82-7.79 (m, 1H), 7.76 (dd, J = 8.8, 0.8 Hz, 1H), 7.71-7.64 (m, 1H), 7.37 (dd, J = 8.5, 1.7 Hz, 1H), 5.71 (s, 2H), 2.34 (s, 3H), 2.28 (tt, J = 8.4, 4.9 Hz, 1H), 1.19-1.12 (m, 2H), 1.05-0.98 (m, 2H). m/z: 432 (MH+)실시예 413-((5-시클로프로필-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-5-(2-플루오로-4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.96-7.91 (m, 1H), 7.86 (dt, J = 8.8, 1.7 Hz, 1H), 7.79 (dd, J = 8.7, 0.8 Hz, 1H), 7.75 (t, J = 8.8 Hz, 1H), 7.56-7.50 (m, 1H), 7.38-7.31 (m, 1H), 5.71 (s, 2H), 2.27 (tt, J = 8.4, 4.9 Hz, 1H), 1.18-1.11 (m, 2H), 1.04-0.98 (m, 2H). m/z: 436 (MH+)실시예 423-(옥세탄-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸단계 1디이소프로필아조디카르복실레이트 (0.38mL, 0.70mmol)를 THF 중 5-브로모벤조[d]이속사졸-3-올 (100mg, 0.47mmol), 트리페닐포스핀 (184mg, 0.70mmol), 및 옥세탄-2-일메탄올 (62mg, 0.70mmol)의 용액에 교반 하에 첨가하였다. 반응 혼합물을 주위 온도에서 밤새 교반하였다. 휘발성 물질을 진공 하에 증발시키고, 잔류물을 12g 실리카 겔 상에서 헥산 중 0-100% 에틸 아세테이트에 의해 정제하여 5-브로모-3-(옥세탄-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸 (114mg, 0.40mmol)을 수득하였다.단계 25-브로모-3-(피리미딘-2-일메톡시)벤조[d]이속사졸 (114mg, 0.40mmol), 4-(트리플루오로메톡시)페닐보론산 (100mg, 0.49mmol), 탄산칼륨 (500mg), 및 [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]디클로로팔라듐(II) (25mg, 0.034mmol)을 3mL DMF 중에서 합하였다. 1.5mL 물을 첨가하고, 혼합물을 60℃에서 30분 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 60mL 에틸 아세테이트로 희석하고, 물 및 염수로 세척하고, 진공 하에 증발시켰다. 12g 실리카 겔 상에서 헥산 중 0-60% 에틸 아세테이트에 의해 플래쉬 크로마토그래피 정제하여 표제 화합물 (115mg, 0.31mmol)을 수득하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.04-7.99 (m, 1H), 7.97 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.91-7.82 (m, 2H), 7.73 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.44 (d, J = 8.2 Hz, 2H), 5.16-5.06 (m, 1H), 4.65-4.49 (m, 4H), 2.81-2.68 (m, 1H), 2.68-2.56 (m, 1H). MS: 366 (MH+).실시예 433-((1-메틸-1H-이미다졸-4-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸단계 1메틸 5-브로모살리실레이트 (5g, 21.6mmol), 4-(트리플루오로메톡시)페닐보론산 (4.43g, 21.6mmol), 탄산칼륨 (10g) 및 [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]디클로로팔라듐(II) (800mg, 1.09mmol)을 10mL DMF 중에서 합하였다. 5mL 물을 첨가하고, 혼합물을 50℃에서 60분 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 300mL 에틸 아세테이트로 희석하고, 물 및 염수로 세척하고, 진공 하에 증발시켰다. 120g 실리카 겔 상에서 헥산 중 0-100% 에틸 아세테이트에 의해 플래쉬 크로마토그래피 정제하여 메틸 4-히드록시-4'-(트리플루오로메톡시)-[1,1'-비페닐]-3-카르복실레이트 (5.7g, 18.3mmol)를 수득하였다.단계 210mL 1,4-디옥산 중 4-히드록시-4'-(트리플루오로메톡시)-[1,1'-비페닐]-3-카르복실레이트 (5.7g, 18.3mmol)의 용액을 10mL 50% 수성 KOH 및 10mL 50% 수성 히드록실아민의 혼합물에 10분에 걸쳐 첨가하였다. 반응 혼합물을 주위 온도에서 4시간 동안 교반하였다. 진한 HCl로 산성화시킨 후, 형성된 침전물을 여과하고, 물로 세척하고, 건조시켰다.단계 3단계 2로부터의 침전물을 50mL THF 중에 용해시켰다. 카르보닐디이미다졸 (6.23g, 38.4mmol)을 첨가하고, 10분 동안 교반하였다. 12 mL 트리에틸아민을 첨가하고, 혼합물을 환류 하에 2시간 동안 가열하였다. 냉각시킨 후, 휘발성 물질을 진공 하에 제거하였다. 잔류물에 50mL 물을 첨가하고, pH를 1N HCl을 사용하여 pH 1로 조정하였다. 형성된 침전물을 여과하고, 물로 세척하고, 건조시켜 5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-올 (4.5g, 15.2mmol)을 황갈색 고체로서 수득하였다.단계 4톨루엔 중 디이소프로필아조디카르복실레이트 40% 용액 (0.27mL, 0.51mmol)을 THF 중 5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-올 (100mg, 0.34mmol), 수지 상 트리페닐포스핀 (3mmol/g) (330mg,1mmol), 및 1-메틸이미다졸-4-일 메탄올 (60mg, 0.51mmol)의 용액에 교반 하에 첨가하였다. 반응 혼합물을 주위 온도에서 밤새 교반하였다. 휘발성 물질을 진공 하에 증발시키고, 잔류물을 12g 실리카 겔 상에서 디클로로메탄 중 0-20% 메탄올에 의해 정제하여 표제 화합물 (40mg, 0.103mmol)을 황색빛 오일로서 수득하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.07-7.97 (m, 2H), 7.89-7.81 (m, 2H), 7.54 (d, J = 8.7 Hz, 1H), 7.50-7.41 (m, 3H), 7.12 (d, J = 1.3 Hz, 1H), 5.03 (s, 2H), 3.59 (s, 3H). MS: 390 (MH+).하기 화합물은 동일한 절차를 사용하였으나 단계 4에서 적절한 알콜을 대용하여 합성하였다:실시예 443-((1-메틸-1H-이미다졸-4-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.30 (s, 1H), 8.01-7.91 (m, 2H), 7.90-7.79 (m, 2H), 7.79-7.71 (m, 1H), 7.46-7.39 (m, 2H), 5.54 (s, 2H), 4.06 (s, 3H). MS: 391 (MH+).실시예 453-((1H-피라졸-4-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 12.93 (s, 1H), 8.00-7.92 (m, 3H), 7.90-7.81 (m, 2H), 7.76-7.66 (m, 2H), 7.46-7.38 (m, 2H), 5.39 (s, 2H). MS: 376 (MH+).실시예 464-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)피롤리딘-2-온1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.01-7.93 (m, 2H), 7.90-7.81 (m, 2H), 7.73 (dd, J = 8.6, 0.9 Hz, 1H), 7.61 (s, 1H), 7.49-7.41 (m, 2H), 4.47-4.39 (m, 2H), 3.44 (t, J = 9.5, 8.4 Hz, 1H), 3.17 (dd, J = 9.9, 5.7 Hz, 1H), 3.06-2.90 (m, 1H), 2.35 (dd, J = 16.7, 9.0 Hz, 1H), 2.14 (dd, J = 16.7, 6.9 Hz, 1H). MS: 393 (MH+).실시예 473-((1-에틸-1H-이미다졸-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.02-7.94 (m, 2H), 7.90-7.81 (m, 2H), 7.76 (d, J = 9.3 Hz, 1H), 7.46-7.39 (m, 2H), 7.33 (d, J = 1.1 Hz, 1H), 6.95 (d, J = 1.1 Hz, 1H), 5.52 (s, 2H), 4.10 (q, J = 7.3 Hz, 2H), 1.35 (t, J = 7.2 Hz, 3H). MS: 404 (MH+).실시예 483-((1-이소프로필-1H-이미다졸-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.03-7.93 (m, 2H), 7.89-7.80 (m, 2H), 7.80-7.72 (m, 1H), 7.46-7.39 (m, 3H), 7.00-6.94 (m, 1H), 5.54 (s, 2H), 4.60 (p, J = 6.5 Hz, 1H), 1.40 (d, J = 6.6 Hz, 6H). MS: 418 (MH+).실시예 493-((1-에틸-1H-이미다졸-5-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.01-7.61 (m, 5H), 7.49-7.39 (m, 3H), 7.15 (s, 1H), 5.52 (s, 2H), 4.08 (q, J = 7.3 Hz, 2H), 1.37 (t, J = 7.3 Hz, 3H). MS: 404 (MH+).실시예 503-((1-메틸-1H-이미다졸-5-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.01 (dd, J = 1.8, 0.8 Hz, 1H), 7.97 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.90-7.81 (m, 2H), 7.74 (dd, J = 8.8, 0.8 Hz, 1H), 7.71 (d, J = 1.0 Hz, 1H), 7.49-7.39 (m, 2H), 7.14 (d, J = 1.0 Hz, 1H), 5.52 (s, 2H), 3.71 (s, 3H). MS: 390 (MH+).실시예 513-(이미다조[1,2-a]피리딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.55 (dt, J = 6.8, 1.1 Hz, 1H), 8.15 (s, 1H), 8.00-7.93 (m, 2H), 7.89-7.81 (m, 2H), 7.74 (dd, J = 8.6, 1.0 Hz, 1H), 7.54 (dt, J = 9.2, 1.1 Hz, 1H), 7.42 (dd, J = 8.5, 1.4 Hz, 2H), 7.26 (ddd, J = 8.9, 6.7, 1.2 Hz, 1H), 6.90 (td, J = 6.8, 1.1 Hz, 1H), 5.58 (s, 2H). MS: 426 (MH+).실시예 523-((2,5-디메틸옥사졸-4-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.00-7.92 (m, 2H), 7.90-7.82 (m, 2H), 7.72 (d, J = 9.3 Hz, 1H), 7.42 (dd, J = 8.8, 1.3 Hz, 2H), 5.29 (s, 2H), 2.37 (s, 3H), 2.34 (s, 3H). MS: 405 (MH+).실시예 533-(옥사졸-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.23 (d, J = 0.8 Hz, 1H), 8.05-8.01 (m, 1H), 7.99 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.91-7.83 (m, 2H), 7.76 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.43 (dd, J = 8.8, 1.2 Hz, 2H), 7.32 (d, J = 0.8 Hz, 1H), 5.62 (s, 2H). MS: 377 (MH+).실시예 542-(1-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)시클로프로필)아세토니트릴1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.05-8.00 (m, 1H), 7.97 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.89-7.81 (m, 2H), 7.73 (d, J = 8.7 Hz, 1H), 7.51-7.42 (m, 2H), 4.35 (s, 2H), 2.87 (s, 2H), 0.87-0.79 (m, 2H), 0.75-0.68 (m, 2H). MS: 389 (MH+).실시예 553-(2-(1H-이미다졸-1-일)에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.00 (dd, J = 1.8, 0.8 Hz, 1H), 7.96 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.89-7.80 (m, 2H), 7.78-7.69 (m, 2H), 7.50-7.42 (m, 2H), 7.31 (t, J = 1.2 Hz, 1H), 6.88 (t, J = 1.0 Hz, 1H), 4.67 (t, J = 4.9 Hz, 2H), 4.48 (t, J = 4.9 Hz, 2H). MS: 390 (MH+).실시예 561-메틸-4-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)피롤리딘-2-온1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.00-7.93 (m, 2H), 7.90-7.79 (m, 2H), 7.77-7.69 (m, 1H), 7.49-7.41 (m, 2H), 4.47-4.37 (m, 2H), 3.54 (dd, J = 10.0, 8.1 Hz, 1H), 3.31-3.24 (m, 1H), 2.92 (hept, J = 6.7 Hz, 1H), 2.72 (s, 3H), 2.48-2.40 (m, 1H), 2.23 (dd, J = 16.8, 6.6 Hz, 1H). MS: 407 (MH+).실시예 573-(2-(2-메틸-1H-이미다졸-1-일)에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.95 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.93-7.87 (m, 1H), 7.87-7.79 (m, 2H), 7.73 (dd, J = 8.6, 0.9 Hz, 1H), 7.46 (dd, J = 8.4, 1.3 Hz, 2H), 7.19 (d, J = 1.3 Hz, 1H), 6.71 (d, J = 1.3 Hz, 1H), 4.67 (t, J = 4.9 Hz, 2H), 4.39 (t, J = 5.0 Hz, 2H), 2.33 (s, 3H). MS: 404 (MH+).실시예 583-(2-(1H-1,2,4-트리아졸-1-일)에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.66 (s, 1H), 7.99 (s, 1H), 7.95 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.93-7.88 (m, 1H), 7.89-7.79 (m, 2H), 7.72 (dd, J = 8.8, 0.8 Hz, 1H), 7.49-7.40 (m, 2H), 4.82-4.69 (m, 4H). MS: 391 (MH+).실시예 591-(2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)에틸)피롤리딘-2-온1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.96 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.93-7.89 (m, 1H), 7.89-7.80 (m, 2H), 7.73 (dd, J = 8.7, 0.8 Hz, 1H), 7.50-7.42 (m, 2H), 4.54 (t, J = 5.3 Hz, 2H), 3.67 (t, J = 5.3 Hz, 2H), 3.49 (t, J = 7.0 Hz, 2H), 2.19 (dd, J = 8.6, 7.5 Hz, 2H), 1.91 (tt, J = 7.8, 6.7 Hz, 2H). MS: 407 (MH+).실시예 603-(2-메톡시에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.00-7.90 (m, 2H), 7.91-7.82 (m, 2H), 7.76-7.69 (m, 1H), 7.48-7.39 (m, 2H), 4.58-4.51 (m, 2H), 3.80-3.73 (m, 2H), 3.33 (s, 3H). MS: 354 (MH+).실시예 61(R)-5-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)피롤리딘-2-온1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.03-7.93 (m, 3H), 7.89-7.80 (m, 2H), 7.73 (d, J = 8.7 Hz, 1H), 7.50-7.43 (m, 2H), 4.44 (dd, J = 10.3, 4.3 Hz, 1H), 4.29 (dd, J = 10.3, 6.5 Hz, 1H), 4.08-3.97 (m, 1H), 2.39-2.08 (m, 3H), 1.96-1.84 (m, 1H). MS: 393 (MH+).실시예 62(S)-5-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)피롤리딘-2-온1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.03-7.93 (m, 3H), 7.89-7.80 (m, 2H), 7.73 (dd, J = 8.8, 0.8 Hz, 1H), 7.51-7.43 (m, 2H), 4.44 (dd, J = 10.3, 4.3 Hz, 1H), 4.29 (dd, J = 10.3, 6.6 Hz, 1H), 4.08-3.97 (m, 1H), 2.39-2.08 (m, 3H), 1.96-1.84 (m, 1H). MS: 393 (MH+).실시예 633-(2-(4H-1,2,4-트리아졸-4-일)에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.66 (s, 2H), 8.09-8.04 (m, 1H), 7.96 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.89-7.81 (m, 2H), 7.72 (dd, J = 8.8, 0.7 Hz, 1H), 7.50-7.43 (m, 2H), 4.70 (t, J = 4.8 Hz, 2H), 4.57 (t, J = 4.8 Hz, 2H). MS: 391 (MH+).실시예 643-((1-페닐-1H-이미다졸-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.96 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.93-7.88 (m, 1H), 7.88-7.81 (m, 2H), 7.71 (dd, J = 8.8, 0.8 Hz, 1H), 7.59-7.35 (m, 8H), 7.16 (d, J = 1.3 Hz, 1H), 5.42 (s, 2H). MS: 452 (MH+).실시예 653-((1-(피리딘-2-일)-1H-피라졸-4-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.86 (s, 1H), 8.47 (ddd, J = 4.9, 1.8, 0.9 Hz, 1H), 8.06-7.89 (m, 5H), 7.90-7.79 (m, 2H), 7.74 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.47-7.39 (m, 2H), 7.37 (ddd, J = 7.2, 4.9, 1.1 Hz, 1H), 5.50 (s, 2H). MS: 453 (MH+).실시예 663-(2-(1H-이미다졸-2-일)에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 11.85 (s, 1H), 7.99-7.89 (m, 2H), 7.90-7.80 (m, 2H), 7.76-7.69 (m, 1H), 7.48-7.41 (m, 2H), 6.90 (s, 2H), 4.72 (t, J = 6.7 Hz, 2H), 3.22 (t, J = 6.6 Hz, 2H). MS: 390 (MH+).실시예 673-((4-메톡시피리미딘-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.50 (d, J = 5.8 Hz, 1H), 8.09-8.03 (m, 1H), 7.98 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.92-7.83 (m, 2H), 7.73 (dd, J = 8.7, 0.8 Hz, 1H), 7.48-7.41 (m, 2H), 6.88 (d, J = 5.8 Hz, 1H), 5.57 (s, 2H), 3.83 (s, 3H). MS: 418 (MH+).실시예 683-(2-(1H-피라졸-1-일)프로폭시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.94 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.91-7.85 (m, 2H), 7.85-7.78 (m, 2H), 7.72 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.48-7.41 (m, 3H), 6.22 (t, J = 2.1 Hz, 1H), 5.01-4.88 (m, 1H), 4.74-4.61 (m, 2H), 1.55 (d, J = 6.9 Hz, 3H). MS: 404 (MH+).실시예 693-(2-(3,5-디메틸-1H-피라졸-1-일)에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.95 (dd, J = 8.8, 1.8 Hz, 1H), 7.90-7.78 (m, 3H), 7.73 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.45 (dd, J = 8.5, 1.3 Hz, 2H), 5.77 (s, 1H), 4.71 (t, J = 5.2 Hz, 2H), 4.43 (t, J = 5.2 Hz, 2H), 2.23 (s, 3H), 2.04 (s, 3H). MS: 418 (MH+).실시예 703-((4-모르폴리노피리미딘-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.19 (d, J = 6.2 Hz, 1H), 8.04 (dd, J = 1.9, 0.8 Hz, 1H), 7.97 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.91-7.83 (m, 2H), 7.72 (dd, J = 8.8, 0.7 Hz, 1H), 7.49-7.38 (m, 2H), 6.74 (d, J = 6.2 Hz, 1H), 5.41 (s, 2H), 3.59-3.47 (m, 8H). MS: 473 (MH+).실시예 71(S)-3-((1-메틸피롤리딘-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 10.90 (s, 1H), 8.12 (d, J = 1.8 Hz, 1H), 7.99 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.90-7.81 (m, 2H), 7.76 (d, J = 8.9 Hz, 1H), 7.51-7.43 (m, 2H), 4.86-4.71 (m, 2H), 3.95-3.77 (m, 1H), 3.73-3.55 (m, 1H), 3.17-3.06 (m, 1H), 2.97 (s, 3H), 2.88-2.74 (m, 1H), 2.37-1.69 (m, 3H). MS: 393 (MH+).실시예 72(R)-3-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)피롤리딘-2-온1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.25 (s, 1H), 7.99 (dt, J = 4.8, 2.3 Hz, 2H), 7.93-7.82 (m, 2H), 7.76 (d, J = 9.2 Hz, 1H), 7.45 (dd, J = 8.6, 1.2 Hz, 2H), 5.40 (t, J = 7.9 Hz, 1H), 3.39-3.20 (m, 2H), 2.78-2.66 (m, 1H), 2.26-2.11 (m, 1H). MS: 379 (MH+).실시예 733-((5-메틸피라진-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.80 (s, 1H), 8.58 (s, 1H), 8.09-8.03 (m, 1H), 7.97 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.90-7.82 (m, 2H), 7.73 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.47-7.39 (m, 2H), 5.58 (s, 2H), 2.51 (s, 3H). MS: 402 (MH+).실시예 743-(피리다진-3-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 9.25 (dd, J = 5.0, 1.5 Hz, 1H), 8.09 (d, J = 1.8 Hz, 1H), 7.99 (dt, J = 8.5, 1.9 Hz, 2H), 7.91-7.82 (m, 2H), 7.83-7.72 (m, 2H), 7.44 (d, J = 8.3 Hz, 2H), 5.79 (s, 2H). MS: 388 (MH+).실시예 753-(2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)에틸)옥사졸리딘-2-온1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.96 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.94-7.90 (m, 1H), 7.89-7.80 (m, 2H), 7.74 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.46 (d, J = 8.3 Hz, 2H), 4.58 (t, J = 5.1 Hz, 2H), 4.25 (dd, J = 8.9, 7.0 Hz, 2H), 3.75-3.63 (m, 4H). MS: 409 (MH+).실시예 763-(2-(3,5-디메틸-1H-1,2,4-트리아졸-1-일)에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.95 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.86 (dd, J = 1.8, 0.8 Hz, 1H), 7.85-7.78 (m, 2H), 7.73 (dd, J = 8.8, 0.8 Hz, 1H), 7.45 (dd, J = 8.5, 1.1 Hz, 2H), 4.73 (t, J = 5.0 Hz, 2H), 4.53 (t, J = 5.0 Hz, 2H), 2.37 (s, 3H), 2.13 (s, 3H). MS: 419 (MH+).실시예 773-(2-(1H-1,2,4-트리아졸-1-일)프로폭시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.70 (s, 1H), 7.98 (s, 1H), 7.95 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.89 (dd, J = 1.9, 0.8 Hz, 1H), 7.86-7.78 (m, 2H), 7.72 (dd, J = 8.8, 0.8 Hz, 1H), 7.48-7.41 (m, 2H), 5.15-5.02 (m, 1H), 4.78-4.61 (m, 2H), 1.59 (d, J = 6.9 Hz, 3H). MS: 405 (MH+).실시예 783-(2-모르폴리노에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.99-7.92 (m, 2H), 7.90-7.81 (m, 2H), 7.72 (d, J = 9.3 Hz, 1H), 7.45 (d, J = 8.3 Hz, 2H), 4.54 (t, J = 5.5 Hz, 2H), 3.59-3.52 (m, 4H), 2.81 (t, J = 5.5 Hz, 2H), 2.53-2.48 (m, 4H). MS: 409 (MH+).실시예 793-(2-(3,5-디메틸-1H-1,2,4-트리아졸-1-일)프로폭시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.95 (dd, J = 8.8, 1.8 Hz, 1H), 7.86-7.78 (m, 3H), 7.73 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.45 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 5.00-4.87 (m, 1H), 4.65 (dd, J = 10.6, 4.3 Hz, 1H), 4.58 (dd, J = 10.5, 9.1 Hz, 1H), 2.36 (s, 3H), 2.14 (s, 3H), 1.47 (d, J = 6.7 Hz, 3H). MS: 433 (MH+).실시예 801-(2-((7-플루오로-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)에틸)피롤리딘-2-온1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.98 (dd, J = 12.2, 1.5 Hz, 1H), 7.93-7.82 (m, 2H), 7.79 (d, J = 1.5 Hz, 1H), 7.46 (d, J = 8.3 Hz, 2H), 4.55 (t, J = 5.2 Hz, 2H), 3.67 (t, J = 5.2 Hz, 2H), 3.48 (t, J = 7.0 Hz, 2H), 2.19 (t, J = 8.0 Hz, 2H), 1.90 (p, J = 7.6 Hz, 2H). MS: 425 (MH+).실시예 813-((4-메톡시피리딘-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.41 (d, J = 5.7 Hz, 1H), 8.12-8.06 (m, 1H), 7.98 (dd, J = 8.8, 1.8 Hz, 1H), 7.92-7.83 (m, 2H), 7.74 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.44 (d, J = 8.3 Hz, 2H), 7.23 (d, J = 2.5 Hz, 1H), 6.98 (dd, J = 5.8, 2.5 Hz, 1H), 5.49 (s, 2H), 3.84 (s, 3H). MS: 417 (MH+).실시예 823-(이소퀴놀린-3-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 9.36 (s, 1H), 8.16 (d, J = 8.1 Hz, 1H), 8.12 (s, 1H), 8.09 (d, J = 1.8 Hz, 1H), 8.02 (d, J = 8.2 Hz, 1H), 7.98 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.91-7.84 (m, 2H), 7.81 (ddd, J = 8.2, 6.9, 1.3 Hz, 1H), 7.75 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.71 (ddd, J = 8.0, 7.0, 1.1 Hz, 1H), 7.44 (d, J = 8.3 Hz, 2H), 5.71 (s, 2H). MS: 437 (MH+).실시예 833-((1H-1,2,3-트리아졸-4-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.18-7.94 (m, 3H), 7.92-7.81 (m, 2H), 7.76 (s, 1H), 7.57 (d, J = 8.7 Hz, 1H), 7.45 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 5.31 (s, 2H). MS: 377 (MH+).실시예 843-(2-(1H-1,2,4-트리아졸-1-일)에톡시)-7-플루오로-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.66 (s, 1H), 8.03-7.93 (m, 2H), 7.93-7.83 (m, 2H), 7.81 (d, J = 1.5 Hz, 1H), 7.46 (d, J = 8.3 Hz, 2H), 4.79 (t, J = 4.9 Hz, 2H), 4.72 (t, J = 4.9 Hz, 2H). MS: 409 (MH+).실시예 854-(2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)에틸)티오모르폴린 1,1-디옥시드1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.96 (d, J = 7.9 Hz, 2H), 7.88-7.81 (m, 2H), 7.73 (d, J = 9.6 Hz, 1H), 7.45 (d, J = 8.3 Hz, 2H), 4.54 (t, J = 5.4 Hz, 2H), 3.11-2.79 (m, 10H).S: 457 (MH+).실시예 865-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-((4-(트리플루오로메틸)피리미딘-2-일)메톡시)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 9.22 (d, J = 5.1 Hz, 1H), 8.10-8.04 (m, 1H), 8.02 (d, J = 5.1 Hz, 1H), 8.00-7.92 (m, 1H), 7.91-7.84 (m, 2H), 7.73 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.49-7.41 (m, 2H), 5.81 (s, 2H). MS: 456 (MH+).실시예 877-메틸-3-((1-메틸-1H-1,2,3-트리아졸-4-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.29 (s, 1H), 7.86-7.81 (m, 2H), 7.80 (dd, J = 2.0, 1.1 Hz, 1H), 7.78-7.74 (m, 1H), 7.45-7.37 (m, 2H), 5.53 (s, 2H), 4.06 (s, 3H), 2.51 (s, 3H). m/z: 405 (MH+)실시예 881-(2-((7-메틸-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)에틸)피롤리딘-2-온1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.85-7.79 (m, 2H), 7.78 (d, J = 1.7 Hz, 1H), 7.71 (d, J = 1.6 Hz, 1H), 7.43 (d, J = 8.3 Hz, 2H), 4.51 (t, J = 5.3 Hz, 2H), 3.65 (t, J = 5.3 Hz, 2H), 3.46 (t, J = 7.0 Hz, 2H), 2.49 (s, 3H), 2.18 (t, J = 8.1 Hz, 2H), 1.89 (p, J = 7.6 Hz, 2H). m/z: 421 (MH+)실시예 893-(2-(1H-1,2,4-트리아졸-1-일)에톡시)-7-메틸-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.65 (s, 1H), 7.98 (s, 1H), 7.84-7.80 (m, 2H), 7.79 (t, J = 1.5 Hz, 1H), 7.72 (d, J = 1.7 Hz, 1H), 7.44 (dt, J = 8.2, 1.2 Hz, 2H), 4.83-4.65 (m, 4H), 2.50 (s, 3H). m/z: 405 (MH+)실시예 903-((4-메톡시피리미딘-2-일)메톡시)-7-메틸-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.50 (d, J = 5.8 Hz, 1H), 7.90-7.83 (m, 3H), 7.81 (dd, J = 1.7, 1.0 Hz, 1H), 7.48-7.40 (m, 2H), 6.88 (d, J = 5.8 Hz, 1H), 5.56 (s, 2H), 3.84 (s, 3H), 2.50 (s, 3H). m/z: 432 (MH+)실시예 917-메틸-3-(옥사졸-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.22 (d, J = 0.9 Hz, 1H), 7.89-7.80 (m, 4H), 7.47-7.39 (m, 2H), 7.32 (d, J = 0.9 Hz, 1H), 5.61 (s, 2H), 2.51 (s, 3H). m/z: 391 (MH+)실시예 923-((3-메틸옥세탄-3-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-올 (100mg, 0.34mmol), 3-브로모메틸-3-메틸옥세탄 (150mg, 0.91mmol) 및 탄산세슘 (300mg)을 5mL DMF 중에서 합하고, HPLC가 벤즈이속사졸 출발 물질의 완전한 소멸을 나타낼 때까지 주위 온도에서 교반하였다. 반응 혼합물을 60mL 에틸 아세테이트로 희석하고, 물 및 염수로 세척하고, 진공 하에 증발시켰다. 12g 실리카 겔 상에서 헥산 중 0-60% 에틸 아세테이트에 의해 플래쉬 크로마토그래피 정제하여 표제 화합물 (80mg, 0.21mmol)을 수득하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.02-7.93 (m, 2H), 7.91-7.82 (m, 2H), 7.73 (dd, J = 8.7, 0.8 Hz, 1H), 7.48-7.41 (m, 2H), 4.57 (d, J = 5.9 Hz, 2H), 4.53 (s, 2H), 4.33 (d, J = 5.9 Hz, 2H), 1.42 (s, 3H). MS: 380 (MH+).하기 화합물은 동일한 절차를 사용하였으나 적절한 할라이드를 대용하여 합성하였다:실시예 933-((3-메틸피리딘-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.44-8.37 (m, 1H), 8.03-7.93 (m, 2H), 7.90-7.81 (m, 2H), 7.74 (dt, J = 8.8, 0.7 Hz, 1H), 7.72-7.66 (m, 1H), 7.46-7.38 (m, 2H), 7.34 (dd, J = 7.7, 4.8 Hz, 1H), 5.59 (s, 2H), 2.42 (s, 3H). MS: 401 (MH+).실시예 943-((3-플루오로피리딘-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.47 (dt, J = 4.7, 1.5 Hz, 1H), 8.03-7.94 (m, 2H), 7.91-7.78 (m, 3H), 7.78-7.71 (m, 1H), 7.56 (dt, J = 8.7, 4.5 Hz, 1H), 7.48-7.38 (m, 2H), 5.64 (d, J = 1.9 Hz, 2H). MS: 405 (MH+).실시예 953-((6-메틸피리딘-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.07 (dd, J = 1.9, 0.7 Hz, 1H), 7.97 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.91-7.83 (m, 2H), 7.79-7.68 (m, 2H), 7.49-7.40 (m, 3H), 7.24 (d, J = 7.7 Hz, 1H), 5.50 (s, 2H), 2.48 (s, 3H). MS: 401 (MH+).실시예 963-((5-시클로프로필-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.05 (dd, J = 1.9, 0.7 Hz, 1H), 8.00 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.92-7.83 (m, 2H), 7.77 (dd, J = 8.8, 0.7 Hz, 1H), 7.48-7.40 (m, 2H), 5.71 (s, 2H), 2.28 (tt, J = 8.4, 4.9 Hz, 1H), 1.25-1.09 (m, 2H), 1.08-0.97 (m, 2H). MS: 418 (MH+).실시예 97(3-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)옥세탄-3-일)메탄올1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.02-7.93 (m, 2H), 7.90-7.82 (m, 2H), 7.77-7.70 (m, 1H), 7.45 (d, J = 8.3 Hz, 2H), 5.06 (t, J = 5.4 Hz, 1H), 4.61 (s, 2H), 4.52 (d, J = 6.0 Hz, 2H), 4.41 (d, J = 6.0 Hz, 2H), 3.78 (d, J = 5.4 Hz, 2H). MS: 396 (MH+).실시예 983-(1-(피리딘-2-일)에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.56 (ddd, J = 4.9, 1.8, 0.9 Hz, 1H), 8.08-8.02 (m, 1H), 7.96 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.91-7.85 (m, 2H), 7.81 (td, J = 7.7, 1.8 Hz, 1H), 7.70 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.59 (dt, J = 8.0, 1.1 Hz, 1H), 7.49-7.38 (m, 2H), 7.33 (ddd, J = 7.6, 4.8, 1.1 Hz, 1H), 5.96 (q, J = 6.5 Hz, 1H), 1.75 (d, J = 6.5 Hz, 3H). MS: 401 (MH+).실시예 993-((5-메틸-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.06-8.02 (m, 1H), 8.00 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.91-7.82 (m, 2H), 7.77 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.48-7.40 (m, 2H), 5.75 (s, 2H), 2.53 (s, 3H). MS: 392 (MH+).실시예 1003-((5-이소프로필-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.07-8.02 (m, 1H), 8.00 (dd, J = 8.8, 1.4 Hz, 1H), 7.91-7.82 (m, 2H), 7.77 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.48-7.40 (m, 2H), 5.75 (s, 2H), 3.22 (hept, J = 7.0 Hz, 1H), 1.30 (d, J = 7.0, Hz, 6H). MS: 420 (MH+).실시예 1013-((5-메틸-1,3,4-티아디아졸-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.04-7.96 (m, 2H), 7.91-7.82 (m, 2H), 7.77 (dd, J = 8.7, 0.9 Hz, 1H), 7.48-7.40 (m, 2H), 5.91 (s, 2H), 2.74 (s, 3H). MS: 408 (MH+).실시예 1023-((3-메틸이속사졸-5-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.02 (d, J = 1.8 Hz, 1H), 7.99 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.91-7.82 (m, 2H), 7.76 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.43 (dd, J = 8.5, 1.3 Hz, 2H), 6.63 (s, 1H), 5.62 (s, 2H), 2.25 (s, 3H). MS: 391 (MH+).실시예 1032-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)아세토니트릴1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.06 (d, J = 1.7 Hz, 1H), 8.02 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.92-7.83 (m, 2H), 7.80 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.49-7.42 (m, 2H), 5.50 (s, 2H). MS: 335 (MH+).실시예 1043-((5-시클로프로필-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-7-플루오로-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.03 (dd, J = 12.3, 1.5 Hz, 1H), 7.95-7.87 (m, 3H), 7.45 (d, J = 8.3 Hz, 2H), 5.73 (s, 2H), 2.28 (tt, J = 8.7, 4.9 Hz, 1H), 1.20-1.09 (m, 2H), 1.08-0.97 (m, 2H). MS: 436 (MH+).실시예 1053-((5-시클로프로필-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-7-메틸-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.90-7.80 (m, 4H), 7.47-7.39 (m, 2H), 5.70 (s, 2H), 2.51 (s, 3H), 2.34-2.21 (m, 1H), 1.19-1.11 (m, 2H), 1.04-0.98 (m, 2H). m/z: 432 (MH+)실시예 1067-메틸-3-((6-메틸피리딘-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.90-7.83 (m, 3H), 7.82 (d, J = 1.5 Hz, 1H), 7.74 (t, J = 7.7 Hz, 1H), 7.48-7.40 (m, 3H), 7.24 (d, J = 7.7 Hz, 1H), 5.49 (s, 2H), 2.51 (s, 3H), 2.48 (s, 3H). m/z: 415 (MH+)실시예 107tert-부틸 (S)-2-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)피롤리딘-1-카르복실레이트톨루엔 중 디이소프로필아조디카르복실레이트 40% 용액 (0.27mL, 0.51mmol)을 THF 중 5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-올 (100mg, 0.34mmol), 수지 상 트리페닐포스핀 (3mmol/g) (330mg,1mmol), 및 1-메틸이미다졸-4-일 메탄올 (60mg, 0.51mmol)의 용액에 교반 하에 첨가하였다. 반응 혼합물을 주위 온도에서 밤새 교반하였다. 휘발성 물질을 진공 하에 증발시키고, 잔류물을 12g 실리카 겔 상에서 헥산 중 0-60% 에틸 아세테이트에 의해 정제하여 표제 화합물 (104mg, 0.22mmol)을 수득하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.00-7.92 (m, 2H), 7.89-7.81 (m, 2H), 7.72 (d, J = 9.3 Hz, 1H), 7.45 (d, J = 8.3 Hz, 2H), 4.51-4.40 (m, 2H), 4.20-4.11 (m, 1H), 3.34-3.25 (m, 2H), 2.09-1.93 (m, 3H), 1.86-1.78 (m, 1H), 1.35 (s, 9H). MS: 479 (MH+).실시예 108(S)-3-(피롤리딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸실시예 107 (95mg, 0.20mmol)을 1,4 디옥산 중 2mL 4N HCl 용액 중에 용해시키고, 주위 온도에서 2시간 동안 교반하였다. 디에틸에테르 에테르를 첨가하고, 형성된 침전물을 여과하고, 디에틸에테르로 세척하고, 건조시켜 표제 화합물 (76mg, 0.18mmol)을 HCl 염으로서 수득하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 9.69 (br, 1H), 9.35 (br, 1H), 8.06-8.02 (m, 1H), 7.99 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.88-7.80 (m, 2H), 7.76 (dd, J = 8.8, 0.8 Hz, 1H), 7.48 (dd, J = 8.1, 1.6 Hz, 2H), 4.71 (dd, J = 11.2, 3.8 Hz, 1H), 4.61 (dd, J = 11.2, 7.8 Hz, 1H), 4.10-3.98 (m, 1H), 3.32-3.16 (m, 2H), 2.21-1.75 (m, 4H). MS: 379 (MH+).실시예 109(S)-1-(2-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)피롤리딘-1-일)에탄-1-온실시예 108 (65mg, 0.16mmol)을 2mL 무수 피리딘 중에 용해시켰다. 아세트산 무수물 (0.1mL)을 첨가하고, 혼합물을 주위 온도에서 1시간 동안 교반하였다. 휘발성 물질을 진공 하에 증발시키고, 잔류물을 12g 실리카 겔 상에서 헥산 중 0-60% 에틸 아세테이트에 의해 정제하여 표제 화합물 (54mg, 0.13mmol)을 수득하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.01-7.91 (m, 2H), 7.90-7.81 (m, 2H), 7.78-7.69 (m, 1H), 7.46 (d, J = 8.5 Hz, 2H), 4.54-4.30 (m, 3H), 3.59-3.38 (m, 2H), 2.14-1.83 (m, 7H). MS: 421 (MH+).하기 화합물은 동일한 경로를 사용하여 합성하였다:실시예 1101-(3-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)아제티딘-1-일)에탄-1-온1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.01-7.93 (m, 2H), 7.90-7.81 (m, 2H), 7.77-7.70 (m, 1H), 7.49-7.41 (m, 2H), 4.60 (d, J = 6.8 Hz, 2H), 4.25 (t, J = 8.5 Hz, 1H), 4.06-3.92 (m, 2H), 3.72 (dd, J = 9.6, 5.5 Hz, 1H), 3.19-3.07 (m, 1H), 1.74 (s, 3H). MS: 407 (MH+).실시예 111tert-부틸 (S)-3-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)모르폴린-4-카르복실레이트1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.02-7.86 (m, 2H), 7.84-7.77 (m, 2H), 7.73 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.44 (d, J = 8.3 Hz, 2H), 4.76-4.33 (m, 3H), 3.98-2.96 (m, 6H), 1.20 (s, 9H). MS: 495 (MH+).실시예 112tert-부틸 (R)-3-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)모르폴린-4-카르복실레이트1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.00-7.88 (m, 2H), 7.84-7.77 (m, 2H), 7.74 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.45 (d, J = 8.3 Hz, 2H), 4.75-4.32 (m, 3H), 3.97-3.02 (m, 6H), 1.20 (s, 9H). MS: 495 (MH+).실시예 113(S)-3-(모르폴린-3-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 9.86 (br, 2H), 8.20 (d, J = 1.8 Hz, 1H), 7.99 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.89-7.80 (m, 2H), 7.75 (d, J = 8.9 Hz, 1H), 7.48 (d, J = 8.3 Hz, 2H), 4.72-4.57 (m, 2H), 4.09 (dd, J = 12.1, 3.0 Hz, 1H), 3.93 (dt, J = 12.4, 3.1 Hz, 1H), 3.87:-3.70 (m, 3H), 3.46-3.26 (m, 1H), 3.22-3.11 (m, 1H). MS: 395 (MH+).실시예 114(R)-3-(모르폴린-3-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 9.79 (s, 2H), 8.18 (d, J = 1.8 Hz, 1H), 8.00 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.89-7.80 (m, 2H), 7.76 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.48 (d, J = 8.3 Hz, 2H), 4.71-4.56 (m, 2H), 4.09 (dd, J = 12.2, 3.1 Hz, 1H), 3.98-3.70 (m, 4H), 3.41-3.27 (m, 1H), 3.23-3.11 (m, 1H). MS: 395 (MH+).실시예 115(S)-1-(3-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)모르폴리노)에탄-1-온NMR 중 아미드 이성질체의 혼합물.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.00-7.79 (m, 4H), 7.78-7.69 (m, 1H), 7.49-7.42 (m, 2H), 4.85-4.26 (m, 3H), 4.15-3.75 (m, 3H), 3.64-2.85 (m, 3H), [2.10 (s), 1.98 (s) 3H]. MS: 437 (MH+).실시예 116(R)-1-(3-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)메틸)모르폴리노)에탄-1-온NMR 중 아미드 이성질체의 혼합물.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.00-7.79 (m, 4H), 7.78-7.69 (m, 1H), 7.49-7.42 (m, 2H), 4.85-4.27 (m, 3H), 4.15-3.77 (m, 3H), 3.64-2.84 (m, 3H), [2.10 (s), 1.98 (s) 3H]. MS: 437 (MH+).실시예 117(R)-1-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)프로판-2-아민1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.32 (br, 3H), 8.11 (d, J = 1.8 Hz, 1H), 7.99 (dd, J = 8.9, 1.9 Hz, 1H), 7.87-7.78 (m, 2H), 7.75 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.51-7.44 (m, 2H), 4.57 (dd, J = 10.8, 3.8 Hz, 1H), 4.43 (dd, J = 10.8, 7.0 Hz, 1H), 3.79-3.72 (m, 1H), 1.33 (d, J = 6.6 Hz, 3H). MS: 353 (MH+).실시예 118(S)-3-메틸-1-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)부탄-2-아민1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.37 (br, 3H), 8.16-8.10 (m, 1H), 7.99 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.87-7.79 (m, 2H), 7.76 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.49 (d, J = 8.3 Hz, 2H), 4.66 (dd, J = 11.2, 3.4 Hz, 1H), 4.53 (dd, J = 11.2, 6.7 Hz, 1H), 3.51-3.42 (m, 1H), 2.14 (h, J = 6.9 Hz, 1H), 1.05 (d, J = 6.8 Hz, 3H), 1.02 (d, J = 6.8 Hz, 3H). MS: 381 (MH+).실시예 119(R)-1-(1-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)프로판-2-일)피롤리딘-2-온실시예 117 (23mg, 0.059mmol)을 2mL THF 중에 용해시켰다. 트리에틸아민 (0.041mL, 0.29mmol)에 이어서 4-클로로부티릴 클로라이드 (11mg, 0.077mmol)를 첨가하였다. 혼합물을 주위 온도에서 1시간 동안 교반한 다음, EtOAc로 희석하고, 물 및 염수로 세척하고, 증발시켰다. 잔류물을 5 mL THF 중에 용해시켰다. 오일 중 NaH 60% (50mg)를 첨가하고, 반응 혼합물을 주위 온도에서 밤새 교반하였다. 반응물을 5mL 물로 켄칭하고, 에틸 아세테이트로 희석하고, 물 및 염수로 세척하고, 증발시키고, 12g 실리카 겔 상에서 헥산 중 0-100% 에틸 아세테이트에 의해 정제하여 표제 화합물 (25mg, 0.048mmol)을 수득하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.95 (dd, J = 8.8, 1.8 Hz, 1H), 7.91 (d, J = 1.7 Hz, 1H), 7.89-7.80 (m, 2H), 7.73 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.45 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 4.56-4.39 (m, 3H), 3.46-3.34 (m, 2H), 2.22-2.13 (m, 2H), 1.94-1.77 (m, 2H), 1.21 (d, J = 6.4 Hz, 3H). MS: 421 (MH+).하기 화합물은 동일한 절차를 사용하여 합성하였다:실시예 120(S)-1-(3-메틸-1-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)부탄-2-일)피롤리딘-2-온1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 7.95 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.91-7.86 (m, 1H), 7.86-7.79 (m, 2H), 7.73 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.49-7.42 (m, 2H), 4.65-4.52 (m, 2H), 4.05 (ddd, J = 10.4, 7.3, 4.3 Hz, 1H), 3.45-3.31 (m, 2H), 2.28-2.12 (m, 2H), 2.11-1.97 (m, 1H), 1.96-1.81 (m, 2H), 0.99 (d, J = 6.6 Hz, 3H), 0.82 (d, J = 6.7 Hz, 3H). MS: 449 (MH+).실시예 1211-(피롤리딘-1-일)-2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)에탄-1-온단계 15-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-올 (500mg, 1.69mmol), tert-부틸 2-브로모아세테이트 (500mg, 2.56mmol) 및 탄산세슘 (1.65g)을 5mL DMF 중에서 합하고, 주위 온도에서 1시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 80mL 에틸 아세테이트로 희석하고, 물 및 염수로 세척하고, 진공 하에 증발시켰다. 12g 실리카 겔 상에서 헥산 중 0-100% 에틸 아세테이트에 의해 플래쉬 크로마토그래피 정제하여 tert-부틸 2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)아세테이트 (285mg, 0.70mmol)를 수득하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.04-8.01 (m, 1H), 7.98 (dd, J = 8.8, 1.8 Hz, 1H), 7.90-7.83 (m, 2H), 7.75 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.45 (d, J = 8.0 Hz, 2H), 5.00 (s, 2H), 1.42 (s, 9H). MS: 410 (MH+).단계 2tert-부틸 2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)아세테이트 (285mg, 0.70mmol)를 5mL 디클로로메탄 중에 용해시켰다. 2mL 트리플루오로아세트산을 첨가하고, 혼합물을 주위 온도에서 3시간 동안 교반하였다. 휘발성 물질을 진공 하에 증발시키고, 잔류물을 에틸 아세테이트 / 헥산으로부터 결정화하여 2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)아세트산 (160mg, 0.453mmol)을 수득하였다.단계 32-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)아세트산 (50mg, 0.142mmol)을 3mL DMF 중에 용해시켰다. 피롤리딘 (30mg, 0.425mmol)을 첨가하고, 이어서 HATU (81mg, 0.212mmol)를 첨가하였다. 혼합물을 주위 온도에서 밤새 교반한 다음, 60mL 에틸 아세테이트로 희석하고, 물 및 염수로 세척하고, 증발시켰다. 생성물을 12g 실리카 겔 상에서 헥산 중 0-100% 에틸 아세테이트에 의해, 이어서 아세토니트릴/물로부터의 재결정화에 의해 정제하여 표제 화합물 (30mg, 0.073mmol)을 수득하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.05-8.00 (m, 1H), 7.97 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.91-7.83 (m, 2H), 7.74 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.45 (d, J = 8.2 Hz, 2H), 5.12 (s, 2H), 3.45 (t, J = 6.8 Hz, 2H), 3.33 (t, J = 6.9 Hz, 2H), 1.91 (p, J = 6.8 Hz, 2H), 1.78 (p, J = 6.9 Hz, 2H). MS: 407 (MH+).하기 화합물은 동일한 절차를 사용하여 합성하였다:실시예 122N-이소프로필-2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)아세트아미드1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.09-8.02 (m, 2H), 7.97 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.90-7.81 (m, 2H), 7.73 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.50-7.43 (m, 2H), 4.83 (s, 2H), 3.99-3.86 (m, 1H), 1.08 (d, J = 6.6 Hz, 6H). MS: 395 (MH+).실시예 123N-(2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)에틸)피리미딘-2-아민2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)에탄아민 히드로클로라이드 (57mg, 0.152mmol) 및 2-(메틸술포닐)피리미딘 (96mg, 0.608mmol)을 마이크로웨이브 바이알에서 2mL 에탄올 중에 용해시켰다. 트리에틸아민 (0.1mL)을 첨가하고, 혼합물을 마이크로웨이브 내에서 120℃에서 1시간 동안 가열하였다. 모든 휘발물을 진공 하에 제거하고, 잔류물을 12g 실리카 겔 상에서 헥산 중 0-100% 에틸 아세테이트에 의해 정제하여 표제 화합물 (40mg, 0.096mmol)을 수득하였다. MS: 417 (MH+).실시예 1243-(피리미딘-2-일옥시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸화합물 A (0.100g, 0.34mmol) 및 B (0.268g, 1.69mmol)를 0.2-5mL 마이크로웨이브 튜브에 첨가하였다. DMF (3mL)를 첨가하였다. 혼합물을 교반하고, 120℃에서 30분 동안 마이크로웨이브로 처리하고, 이어서 여과하였다. 여과물을 HPLC에 의해 정제하였다. HPLC로부터의 분획을 합하고, K2CO3 (0.5g)을 첨가하고, EtOAc로 추출하였다. 유기 용액을 농축시켰다. 생성된 물질을 EtOAc 중 1% MeOH에 의해 짧은 실리카 겔 칼럼을 통해 여과하여 표제 화합물 (6.4mg, 5%)을 수득하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.74 (d, J = 4.8 Hz, 2H), 8.03 (dd, J = 9.0, 1.8 Hz, 1H), 7.95-7.88 (m, 2H), 7.83-7.75 (m, 2H), 7.45 (t, J = 4.8 Hz, 1H), 7.44-7.39 (m, 2H). m/z: 374 (MH+)실시예 1253-(피리딘-2-일옥시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸화합물 A (0.133g, 0.45mmol) 및 B (0.05g, 0.45mmol)를 혼합하고, 200℃에서 밤새 가열하였다. 혼합물을 HPLC에 의해 정제하고, 분획들을 합하고, K2CO3 (0.5g)을 첨가하고, EtOAc로 추출하고, 농축시키고, 이어서 정제용 TLC (20% DCM/헥산 중 Rf=0.14)에 의해 정제하여 표제 화합물 (4.3mg, 3%)을 수득하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.68-8.61 (m, 1H), 8.26 (dd, J = 1.5, 0.8 Hz, 1H), 8.12-8.03 (m, 2H), 7.80-7.71 (m, 2H), 7.59-7.51 (m, 2H), 7.50-7.41 (m, 3H). m/z: 373 (MH+).실시예 126N-(피리미딘-2-일메틸)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-아민A (3.13g, 13.5mmol), B (2.77g, 13.5mmol), Pd(dppf)Cl2 (1.00g, 1.35mmol), 탄산칼륨 (5.58g, 40.4mmol)을 혼합하였다. 톨루엔 (30mL), 2-이소프로판올 (15mL), 물 (20mL)을 첨가하였다. 생성된 혼합물을 N2 보호 하에 120℃에서 15분 동안 교반하고, 반응을 완결하였다. 생성된 혼합물을 EtOAc로 희석하고, 염수로 세척하고, MgSO4로 건조시키고, 농축시키고, 실리카 겔 칼럼 (헥산 중 2% EtOAc에 의해 Rf=0.16)으로 정제하여 목적 생성물 C (2.44g, 58%)를 수득하였다.C (0.050g, 0.159mmol), D (0.25g, 2.0mmol) 및 DBU (0.12g)을 0.2-0.5ml 마이크로웨이브 튜브에 첨가하였다. 혼합물을 160℃에서 1.5시간 동안 마이크로웨이브로 처리하였다. 물을 침전물이 형성될 때까지 교반하면서 첨가하고, 여과하고, 물로 세척하였다. 생성된 침전물을 정제용 TLC에 의해 EtOAc 중 0.5% MeOH에 의해, 이어서 HPLC에 의해 정제하였다. HPLC로부터의 분획을 합하고, K2CO3 (0.5g)을 첨가하고, EtOAc로 추출하였다. 추출로부터의 유기 용액을 농축시켰다. 생성된 물질을 EtOAc 중 1% MeOH에 의해 짧은 실리카 겔 칼럼을 통해 여과하여 표제 화합물 (5.8mg, 9.4%)을 수득하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.78 (dd, J = 4.9, 0.9 Hz, 2H), 8.36-8.31 (m, 1H), 7.89-7.83 (m, 1H), 7.83-7.76 (m, 2H), 7.70 (t, J = 6.2 Hz, 1H), 7.54 (d, J = 8.7 Hz, 1H), 7.52-7.45 (m, 2H), 7.40 (t, J = 4.9 Hz, 1H), 4.68 (d, J = 6.1 Hz, 2H). m/z: 387 (MH+)하기 화합물은 동일한 절차를 사용하여 합성하였다:실시예 1273-(4-메틸피페라진-1-일)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.25-8.08 (m, 1H), 7.92-7.79 (m, 3H), 7.66 (d, J = 8.7 Hz, 1H), 7.45 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 3.54-3.45 (m, 4H), 2.53-2.47 (m, 4H), 2.23 (s, 3H). m/z: 378 (MH+)실시예 128N-(시클로프로필메틸)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-아민1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.04-7.94 (m, 1H), 7.58 (dd, J = 8.7, 1.9 Hz, 1H), 7.56-7.49 (m, 2H), 7.27 (d, J = 8.7 Hz, 1H), 7.25-7.18 (m, 2H), 6.82 (t, J = 5.5 Hz, 1H), 2.86 (t, J = 6.2 Hz, 2H), 1.01-0.82 (m, 1H), 0.32-0.19 (m, 2H), 0.08-­0.01 (m, 2H). m/z: 349 (MH+)실시예 129N-((6-메틸피리딘-2-일)메틸)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-아민1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.27 (dd, J = 1.9, 0.8 Hz, 1H), 7.85 (dd, J = 8.7, 1.9 Hz, 1H), 7.81-7.75 (m, 2H), 7.71-7.59 (m, 2H), 7.55 (dd, J = 8.7, 0.7 Hz, 1H), 7.52-7.43 (m, 2H), 7.23 (d, J = 7.8 Hz, 1H), 7.13 (d, J = 7.6 Hz, 1H), 4.51 (d, J = 6.0 Hz, 2H), 2.46 (s, 3H). m/z: 400 (MH+)실시예 1303-모르폴리노-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.23-8.17 (m, 1H), 7.91-7.80 (m, 3H), 7.68 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.51-7.40 (m, 2H), 3.85-3.72 (m, 4H), 3.57-3.43 (m, 4H). m/z: 365 (MH+).실시예 131N-이소프로필-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-아민1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.21 (dd, J = 1.9, 0.8 Hz, 1H), 7.83 (dd, J = 8.7, 1.9 Hz, 1H), 7.80-7.75 (m, 2H), 7.52 (dd, J = 8.7, 0.8 Hz, 1H), 7.50-7.44 (m, 2H), 6.80 (d, J = 7.1 Hz, 1H), 3.86-3.62 (m, 1H), 1.25 (d, J = 6.4 Hz, 6H). m/z: 337 (MH+).실시예 1323-(1H-이미다졸-1-일)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.73 (t, J = 1.1 Hz, 1H), 8.41 (dd, J = 1.7, 0.8 Hz, 1H), 8.11 (dd, J = 8.9, 1.8 Hz, 1H), 8.08 (t, J = 1.4 Hz, 1H), 8.01-7.93 (m, 3H), 7.54-7.46 (m, 2H), 7.30 (dd, J = 1.5, 0.8 Hz, 1H). m/z: 346 (MH+).실시예 133N,N-디메틸-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-아민1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.14 (dd, J = 1.8, 0.8 Hz, 1H), 7.89-7.80 (m, 3H), 7.62 (dd, J = 8.7, 0.8 Hz, 1H), 7.49-7.40 (m, 2H), 3.16 (s, 6H). m/z: 323 (MH+).실시예 134(R)-5-(((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)아미노)메틸)피롤리딘-2-온1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.21-8.14 (m, 1H), 7.85 (dd, J = 8.7, 1.9 Hz, 1H), 7.81-7.74 (m, 2H), 7.71 (s, 1H), 7.55 (d, J = 8.7 Hz, 1H), 7.52-7.44 (m, 2H), 7.07 (t, J = 5.9 Hz, 1H), 3.86 (p, J = 6.0 Hz, 1H), 3.40-3.21 (m, 2H), 2.28-2.03 (m, 3H), 1.89-1.72 (m, 1H). m/z: 392 (MH+).실시예 1351-(2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)아미노)에틸)피롤리딘-2-온1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.12 (dd, J = 1.9, 0.8 Hz, 1H), 7.84 (dd, J = 8.7, 1.9 Hz, 1H), 7.79-7.72 (m, 2H), 7.55 (d, J = 8.7 Hz, 1H), 7.51-7.45 (m, 2H), 7.11 (t, J = 5.6 Hz, 1H), 3.51-3.35 (m, 6H), 2.17 (t, J = 8.1 Hz, 2H), 1.89 (tt, J = 7.8, 6.6 Hz, 2H). m/z: 406 (MH+).실시예 1363-(1H-1,2,4-트리아졸-1-일)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 9.59 (s, 1H), 8.57 (s, 1H), 8.42 (dd, J = 1.8, 0.8 Hz, 1H), 8.13 (dd, J = 8.9, 1.9 Hz, 1H), 8.01 (dd, J = 8.9, 0.8 Hz, 1H), 7.92-7.84 (m, 2H), 7.55-7.45 (m, 2H). m/z: 347 (MH+).실시예 137N-(2-(1H-1,2,4-트리아졸-1-일)에틸)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-아민1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.48 (s, 1H), 8.10 (dd, J = 1.9, 0.8 Hz, 1H), 7.98 (s, 1H), 7.85 (dd, J = 8.7, 1.9 Hz, 1H), 7.79-7.71 (m, 2H), 7.57 (d, J = 8.7 Hz, 1H), 7.51-7.43 (m, 2H), 7.22 (t, J = 5.8 Hz, 1H), 4.47 (t, J = 5.8 Hz, 2H), 3.70 (q, J = 5.9 Hz, 2H). m/z: 390 (MH+).실시예 1383-(2-메틸-1H-이미다졸-1-일)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.15-8.08 (m, 2H), 8.03-7.97 (m, 1H), 7.95 (d, J = 1.6 Hz, 1H), 7.94-7.89 (m, 2H), 7.51-7.44 (m, 2H), 7.13 (d, J = 1.6 Hz, 1H), 2.53 (s, 3H). m/z: 360 (MH+).실시예 1393-(4-메틸-1H-이미다졸-1-일)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.61 (d, J = 1.4 Hz, 1H), 8.43-8.38 (m, 1H), 8.09 (dd, J = 8.9, 1.7 Hz, 1H), 7.99-7.92 (m, 3H), 7.77 (t, J = 1.3 Hz, 1H), 7.53-7.47 (m, 2H), 2.23 (d, J = 1.1 Hz, 3H). m/z: 360 (MH+).실시예 1403-(4-클로로-1H-이미다졸-1-일)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.71 (d, J = 1.6 Hz, 1H), 8.43 (dd, J = 1.7, 0.8 Hz, 1H), 8.25 (d, J = 1.6 Hz, 1H), 8.12 (dd, J = 8.9, 1.7 Hz, 1H), 8.02-7.94 (m, 3H), 7.54-7.45 (m, 2H). m/z: 380 (MH+).실시예 1413-(3-메틸-1H-1,2,4-트리아졸-1-일)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 9.43 (s, 1H), 8.40 (dd, J = 1.9, 0.8 Hz, 1H), 8.10 (dd, J = 8.9, 1.8 Hz, 1H), 7.99 (d, J = 8.9, 1H), 7.89-7.85 (m, 2H), 7.56-7.44 (m, 2H), 2.47 (s, 3H). m/z: 361 (MH+).실시예 1423-(4-페닐-1H-이미다졸-1-일)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.78 (d, J = 1.3 Hz, 1H), 8.55 (d, J = 1.3 Hz, 1H), 8.51 (dd, J = 1.8, 0.8 Hz, 1H), 8.12 (dd, J = 8.9, 1.7 Hz, 1H), 8.03-7.94 (m, 5H), 7.56-7.48 (m, 2H), 7.43 (dd, J = 8.4, 7.1 Hz, 2H), 7.34-7.25 (m, 1H). m/z: 422 (MH+).실시예 1433-(4-(tert-부틸)-1H-이미다졸-1-일)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.63 (d, J = 1.3 Hz, 1H), 8.43-8.39 (m, 1H), 8.08 (dd, J = 8.9, 1.7 Hz, 1H), 8.00-7.92 (m, 3H), 7.61 (d, J = 1.4 Hz, 1H), 7.52-7.46 (m, 2H), 1.30 (s, 9H). m/z: 402 (MH+).실시예 1443-(2-이소프로필-1H-이미다졸-1-일)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.11 (dd, J = 8.8, 1.8 Hz, 1H), 8.05 (dd, J = 1.8, 0.8 Hz, 1H), 8.01 (dd, J = 8.8, 0.8 Hz, 1H), 7.94-7.89 (m, 2H), 7.87 (d, J = 1.5 Hz, 1H), 7.51-7.44 (m, 2H), 7.15 (d, J = 1.5 Hz, 1H), 3.37 (p, J = 6.8 Hz, 1H), 1.23 (d, J = 6.8 Hz, 6H). m/z: 388 (MH+).실시예 1455-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)-3-(4-(트리플루오로메틸)-1H-이미다졸-1-일)벤조[d]이속사졸1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.87 (dd, J = 1.4, 0.8 Hz, 1H), 8.79-8.74 (m, 1H), 8.45 (dd, J = 1.7, 0.8 Hz, 1H), 8.13 (dd, J = 8.9, 1.7 Hz, 1H), 8.01 (dd, J = 8.9, 0.8 Hz, 1H), 7.99-7.93 (m, 2H), 7.55-7.47 (m, 2H). m/z: 414 (MH+).실시예 146(1-(5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)-1H-이미다졸-4-일)메탄올1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.67 (d, J = 1.4 Hz, 1H), 8.40 (dd, J = 1.7, 0.8 Hz, 1H), 8.10 (dd, J = 8.9, 1.7 Hz, 1H), 8.01-7.93 (m, 3H), 7.84 (q, J = 1.0 Hz, 1H), 7.53-7.45 (m, 2H), 5.10 (t, J = 5.7 Hz, 1H), 4.48 (dd, J = 5.7, 1.0 Hz, 2H). m/z: 376 (MH+).실시예 1475-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-아민A (0.575g, 2.70mmol), B (0.834g, 4.05mmol), Pd(dppf)Cl2 (0.200g, 0.27mmol), 탄산칼륨 (0.746g, 5.40mmol)을 혼합하였다. 톨루엔 (4mL), 2-이소프로판올 (2mL), 물 (4mL)을 첨가하였다. 이어서, 바이알을 단단히 뚜껑을 닫고, 3.6시간 동안 100℃에서 교반하였다. 혼합물을 EtOAc로 희석하고, 염수로 세척하고, MgSO4로 건조시키고, 농축시키고, 실리카 겔 칼럼 (20% EtOAc/헥산 중 Rf=0.13)에 의해 정제하여 표제 화합물 (0.523g, 66%)을 수득하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.17-8.12 (m, 1H), 7.83 (dd, J = 8.7, 1.9 Hz, 1H), 7.80-7.74 (m, 2H), 7.56-7.50 (m, 1H), 7.50-7.44 (m, 2H), 6.45 (s, 2H). m/z: 295 (MH+).실시예 1483-(피리미딘-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)이속사졸로[5,4-c]피리딘실시예 148은 실시예 1과 유사한 합성 절차를 사용하여 적절한 출발 물질을 사용하여 제조하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 9.19 (d, J = 1.1 Hz, 1H), 8.84 (d, J = 4.9 Hz, 2H), 8.48 (d, J = 1.2 Hz, 1H), 8.35-8.26 (m, 2H), 7.53-7.43 (m, 3H), 5.73 (s, 2H). MS: 389 (MH+).실시예 149N-((4-메톡시피리미딘-2-일)메틸)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-아민실시예 147 (0.1g, 0.34mmol), C (0.047g, 0.34mmol)를 MeOH (2mL) 중에 혼합하고, HOAc 2 방울을 첨가하였다. 현탁액을 실온에서 2-3일 동안 교반하였다. 소듐 시아노보로히드라이드 (0.180g, 2.35mmol)를 첨가하였다. 생성된 혼합물을 실온에서 밤새 교반하고, 수성 NaHCO3으로 켄칭하고, EtOAc로 추출하고, 염수로 세척하고, 농축시키고, HPLC에 의해 정제하였다. TFA 염 형태의 생성된 생성물을 K2CO3/EtOAc 추출로 탈염시켜 모 화합물인 표제 화합물 (0.0357g, 25%)을 수득하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.46 (d, J = 5.8 Hz, 1H), 8.35-8.31 (m, 1H), 7.85 (dd, J = 8.7, 1.9 Hz, 1H), 7.83-7.75 (m, 2H), 7.59 (t, J = 6.2 Hz, 1H), 7.54 (d, J = 8.7 Hz, 1H), 7.52-7.45 (m, 2H), 6.82 (d, J = 5.8 Hz, 1H), 4.58 (d, J = 6.2 Hz, 2H), 3.87 (s, 3H). m/z: 417 (MH+).실시예 150N,N-디에틸-2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)아세트아미드실시예 150은 실시예 121과 유사한 합성 절차를 사용하여 적절한 출발 물질을 사용하여 제조하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.03-7.93 (m, 2H), 7.90-7.82 (m, 2H), 7.73 (d, J = 8.7 Hz, 1H), 7.45 (d, J = 8.2 Hz, 2H), 5.21 (s, 2H), 3.36-3.29 (m, 4H), 1.17 (t, J = 7.1 Hz, 3H), 1.03 (t, J = 7.0 Hz, 3H). MS: 409 (MH+).실시예 1513-(피라진-2-일메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸실시예 151은 실시예 43과 유사한 합성 절차를 사용하여 적절한 출발 물질을 사용하여 제조하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.97 (d, J = 1.4 Hz, 1H), 8.73-8.65 (m, 2H), 8.11 (d, J = 1.8 Hz, 1H), 7.99 (dd, J = 8.9, 1.9 Hz, 1H), 7.92-7.83 (m, 2H), 7.75 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.48-7.41 (m, 2H), 5.65 (s, 2H). MS: 388 (MH+).실시예 1523-((3-메틸피라진-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸실시예 152는 실시예 43과 유사한 합성 절차를 사용하여 적절한 출발 물질을 사용하여 제조하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.54 (d, J = 2.5 Hz, 1H), 8.48 (d, J = 2.6 Hz, 1H), 8.02 (d, J = 1.9 Hz, 1H), 7.97 (dd, J = 9.0, 1.9 Hz, 1H), 7.86 (d, J = 8.5 Hz, 2H), 7.74 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.43 (d, J = 8.2 Hz, 2H), 5.67 (s, 2H), 2.64 (s, 3H). MS: 402 (MH+).실시예 1533-(1-(5-메틸-1,3,4-옥사디아졸-2-일)에톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸실시예 153은 실시예 43과 유사한 합성 절차를 사용하여 적절한 출발 물질을 사용하여 제조하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.03-7.95 (m, 2H), 7.92-7.83 (m, 2H), 7.76 (d, J = 8.6 Hz, 1H), 7.44 (d, J = 8.3 Hz, 2H), 6.25 (q, J = 6.6 Hz, 1H), 2.51 (s, 3H), 1.85 (d, J = 6.6 Hz, 3H). MS: 406 (MH+).실시예 1543-((5-시클로프로필-1,3,4-티아디아졸-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸실시예 154는 실시예 92와 유사한 합성 절차를 사용하여 적절한 출발 물질을 사용하여 제조하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.04-7.95 (m, 2H), 7.90-7.82 (m, 2H), 7.77 (d, J = 8.7 Hz, 1H), 7.44 (d, J = 7.8 Hz, 2H), 5.88 (s, 2H), 2.55 (tt, J = 8.3, 4.8 Hz, 1H), 1.28-1.15 (m, 2H), 1.07-0.98 (m, 2H). MS: 434 (MH+).실시예 1557-플루오로-3-((5-메틸-1,3,4-옥사디아졸-2-일)메톡시)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸실시예 155는 실시예 92와 유사한 합성 절차를 사용하여 적절한 출발 물질을 사용하여 제조하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.03 (dd, J = 12.3, 1.5 Hz, 1H), 7.95-7.87 (m, 3H), 7.48-7.41 (m, 2H), 5.78 (s, 2H), 2.54 (s, 3H). MS: 410 (MH+).실시예 156N-(옥사졸-2-일메틸)-5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-아민실시예 156은 실시예 149와 유사한 합성 절차를 사용하여 적절한 출발 물질을 사용하여 제조하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.22 (dd, J = 1.9, 0.8 Hz, 1H), 8.06 (d, J = 0.9 Hz, 1H), 7.86 (dd, J = 8.8, 1.9 Hz, 1H), 7.82-7.73 (m, 3H), 7.57 (d, J = 8.7 Hz, 1H), 7.52-7.44 (m, 2H), 7.17 (d, J = 0.9 Hz, 1H), 4.61 (d, J = 6.0 Hz, 2H). m/z: 376 (MH+).실시예 157tert-부틸 2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)아세테이트5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-올 (500mg, 1.69mmol), tert-부틸 2-브로모아세테이트 (500mg, 2.56mmol) 및 탄산세슘 (1.65g)을 5mL DMF 중에서 합하고, 주위 온도에서 1시간 동안 교반하였다. 반응 혼합물을 80mL 에틸 아세테이트로 희석하고, 물 및 염수로 세척하고, 진공 하에 증발시켰다. 12g 실리카 겔 상에서 헥산 중 0-100% 에틸 아세테이트에 의해 플래쉬 크로마토그래피 정제하여 tert-부틸 2-((5-(4-(트리플루오로메톡시)페닐)벤조[d]이속사졸-3-일)옥시)아세테이트 (285mg, 0.70mmol)를 수득하였다.1H NMR (400 MHz, DMSO-d6) δ 8.04-8.01 (m, 1H), 7.98 (dd, J = 8.8, 1.8 Hz, 1H), 7.90-7.83 (m, 2H), 7.75 (d, J = 8.8 Hz, 1H), 7.45 (d, J = 8.0 Hz, 2H), 5.00 (s, 2H), 1.42 (s, 9H). MS: 410 (MH+).실시예 158하기 성분을 함유하는 경질 젤라틴 캡슐을 제조하였다:상기 성분을 혼합하고, 경질 젤라틴 캡슐에 충전하였다.실시예 159정제 포뮬러를 하기 성분을 사용하여 제조하였다:성분을 블렌드하고, 압축하여 정제를 형성하였다.실시예 160건조 분말 흡입기 제제를 하기 성분을 함유하여 제조하였다:활성 성분을 락토스와 혼합하고, 혼합물을 건조 분말 흡입 기구에 첨가하였다.실시예 161각각 활성 성분 30 mg을 함유하는 정제를 하기와 같이 제조하였다:활성 성분, 전분 및 셀룰로스를 번호 20 메쉬 U.S. 체에 통과시키고, 완전히 혼합하였다. 폴리비닐피롤리돈의 용액을 생성된 분말과 혼합하였으며, 이어서 이를 16 메쉬 U.S. 체에 통과시켰다. 이와 같이 생성된 과립을 50℃ 내지 60℃에서 건조시키고, 16 메쉬 U.S. 체에 통과시켰다. 이어서, 이전에 번호 30 메쉬 U.S. 체에 통과시킨 소듐 카르복시메틸 스타치, 스테아르산마그네슘 및 활석을 과립에 첨가하였으며, 혼합 후 이를 정제 기계 상에서 압축하여 각각 120 mg 무게의 정제를 수득하였다.실시예 162각각 활성 성분 25 mg을 함유하는 좌제를 하기와 같이 제조하였다:활성 성분을 번호 60 메쉬 U.S. 체에 통과시키고, 필요한 최소 열을 사용하여 사전에 용융시킨 포화 지방산 글리세리드 중에 현탁시켰다. 이어서, 혼합물을 공칭 2.0 g 용량의 좌제 금형에 붓고, 냉각되도록 하였다.실시예 1635.0 mL 용량당 각각 활성 성분 50 mg을 함유하는 현탁액을 하기와 같이 제조하였다:활성 성분, 수크로스 및 크산탄 검을 블렌딩하고, 번호 10 메쉬 U.S. 체에 통과시키고, 이어서 물 중 미세결정질 셀룰로스 및 소듐 카르복시메틸 셀룰로스의 사전에 제조한 용액과 혼합하였다. 벤조산나트륨, 향미제 및 색소를 약간의 물로 희석하고, 교반하면서 첨가하였다. 이어서, 충분한 물을 첨가하여 요구되는 부피를 생성하였다.실시예 164피하 제제는 다음과 같이 제조할 수 있었다:실시예 165하기 조성을 갖는 주사가능한 제제를 제조하였다: 실시예 166하기 조성을 갖는 국소 제제를 제조하였다:물을 제외한 상기 성분 중 전부를 합하고, 교반하면서 60℃로 가열하였다. 이어서, 60℃의 충분량의 물을 격렬한 교반 하에 첨가하여 성분들을 유화시킨 다음, 물을 100 g에 이르기까지 충분량 첨가하였다.실시예 167지속 방출 조성물본 개시내용의 지속 방출 제제를 하기와 같이 제조하였다: 화합물 및 pH-의존성 결합제 및 임의의 임의적인 부형제를 친밀하게 혼합하였다 (건식-블렌딩함). 이어서, 건식-블렌딩된 혼합물을 강염기의 수용액의 존재 하에 과립화하였으며, 이를 블렌딩된 분말 안으로 분무하였다. 과립화물을 건조시키고, 스크리닝하고, 임의적인 윤활제 (예컨대 활석 또는 스테아르산마그네슘)와 혼합하고, 정제로 압축하였다. 강염기의 바람직한 수용액은 물 중 알칼리 금속 수산화물, 예컨대 수산화나트륨 또는 수산화칼륨, 바람직하게는 수산화나트륨의 용액이다 (임의로 저급 알콜과 같은 수혼화성 용매를 최대 25% 함유함).생성된 정제는 식별, 맛-차폐 목적을 위해 및 용이한 삼킴을 개선시키도록 임의적인 필름-형성제로 코팅될 수 있다. 필름 형성제는 전형적으로 정제 중량의 2% 내지 4% 범위의 양으로 존재할 것이다. 적합한 필름-형성제는 관련 기술분야에 널리 공지되어 있고 히드록시프로필 메틸셀룰로스, 양이온성 메타크릴레이트 공중합체 (디메틸아미노에틸 메타크릴레이트/ 메틸-부틸 메타크릴레이트 공중합체 - 유드라짓(Eudragit)�� E - 룀. 파마(Roehm. Pharma)) 등을 포함한다. 이들 필름-형성제는 임의로 착색제, 가소제 및 다른 보충 성분을 함유할 수 있다.압축된 정제는 바람직하게는 8 Kp 압축을 견디기에 충분한 경도를 갖는다. 정제 크기는 주로 정제 내의 화합물의 양에 따라 달라질 것이다. 정제는 약 5 mg 내지 약 1 g의 화합물을 포함할 것이다. 특정 실시양태에서, 정제는 약 5 mg, 약 10 mg, 약 25 mg, 약 50 mg, 약 100 mg, 약 150 mg, 약 200 mg, 약 250 mg, 약 300 mg, 약 350 mg, 약 400 mg, 약 450 mg, 약 500 mg, 약 600 mg, 또는 약 750 mg의 화합물을 포함할 것이다.용해 속도에 영향을 미치기 위해, 화합물 함유 분말을 습식 혼합하는 동안의 시간을 제어하였다. 바람직하게는 총 분말 혼합 시간, 즉 분말을 수산화나트륨 용액에 노출시키는 동안의 시간은 1 내지 10분, 바람직하게는 2 내지 5분의 범위일 것이다. 과립화 후, 입자를 과립화기로부터 제거하고, 약 60℃에서 건조를 위해 유동층 건조기에 두었다.실시예 168활성 시험을 본원에 기재된 방법 및 관련 기술분야에 널리 공지된 방법을 사용하여 하기 실시예에서 수행하였다.심장 나트륨 전류 스크리닝 검정:심장 후기 나트륨 전류 (후기 INa) 및 피크 나트륨 전류 (피크 INa) 검정을 전세포 패치 클램프 기술을 사용하여 자동화 전기생리학 플랫폼, 큐패치(QPatch) 16X 또는 큐패치 HT (소피온 바이오사이언스(Sophion Bioscience), 덴마크 코펜하겐) 상에서 실행하여 세포 막을 통한 전류를 측정하였다. 검정은 밀리포어(Millipore) (매사추세츠주 빌러리카)로부터 구입한, 야생형 인간 심장 나트륨 채널, hNav1.5를 이종 발현하는 HEK293 (인간 배아 신장) 세포주를 사용하였다. 베타 서브유닛은 Na 채널 알파 서브유닛과 공동발현되지 않았다. 세포를 표준 조직 배양 절차로 유지하였고, 안정한 채널 발현을 배양 배지 중 400 μg/mL 제네티신으로 유지하였다. 실험을 23-25℃에서 수행하였다.후기 INa 및 피크 INa 검정 둘 다에 대해, 직렬 저항 보상을 100%로 설정하고, 직렬 저항 및 전세포 보상을 자동으로 실행하였다. 전류를 25 kHz에서 수치화하고, 5 kHz에서 저역-통과 필터링하고, 소피온 바이오사시언스 오라클(Sophion Bioscience Oracle) 데이터베이스 (소피온 바이오사이언스, 덴마크 코펜하겐)에 저장하였다. 분석을 큐패치 검정 소프트웨어를 사용하여 실행하고, 데이터를 엑셀 2010 (마이크로소프트(Microsoft), 미국 워싱턴주 시애틀)에서 컴파일하였다.화합물 스톡을 바이알 중에서 길리아드 샘플 뱅크(Gilead Sample Bank)에 의해 디메틸 술폭시드 (DMSO) 중 10 mM에 이르기까지 상용적으로 제조하였다. 일부 경우에, 화합물이 DMSO 중에 가용성이지 않으면, 이를 100% 에탄올 중에서 제조하였다. 스톡을 필요에 따라 초음파처리하였다. 후기 INa를 스크리닝하기 위한 세포외 용액은 140 mM NaCl, 4 mM KCl, 1.8 mM CaCl2, 1 mM MgCl2, 10 mM HEPES 및 10mM 덱스트로스로 구성되었으며, pH는 NaOH를 사용하여 7.35로 조정하였다. 세포내 용액은 105 mM CsF, 20 mM CsCl, 10NaF, 2 mM EGTA, 10 mM HEPES 및 10mM 덱스트로스를 함유하였으며, pH는 CsOH를 사용하여 7.35로 조정하였다. 화합물을 마이크로랩 님부스(MicroLab Nimbus) (해밀턴 로보틱스(Hamilton Robotics), 네바다주 리노)를 사용하여 유리 바이알 중에서 0.3 내지 3 μM로 세포외 용액 중에 희석하고, 유리 웰 플레이트에 옮긴 후, 세포에 로봇 첨가하였다. 기준선 전류를 측정하기 위한 후기 INa 및 피크 INa 검정에 대한 각각의 실험의 종료 시에 사용한 0 mM Na 세포외 용액 (0Na-ECF)은 140 콜린-Cl; 4 mM KCl, 1.8 mM CaCl2; 1 mM MgCl2; 10 mM HEPES 및 10mM 덱스트로스를 함유하였으며, pH는 CsOH를 사용하여 7.35로 조정하였다.후기 INa 스크리닝 검정:후기 INa 검정에 대해, 세포 막을 -120 mV의 유지 전위에서부터 -20 mV로 250 밀리초 (ms) 동안 탈분극시켜 나트륨 채널을 10 초마다 (0.1 Hz) 활성화시켰다.후기 나트륨 전류의 차단에 있어서 화합물을 시험하여 그의 활성을 결정하였다. 후기 INa를 10 μM 테플루트린 (피레트로이드)을 세포외 용액에 첨가하여 생성하였다. 스크리닝의 목적을 위해, 후기 INa는 -20 mV에 이르기까지의 전압 스텝 동안 240 ms 내지 265 ms의 평균 전류로서 정의된다. 전세포 기록 구성을 확립한 후, 후기 INa 활성화제를 각 웰에 4회 15분 기간에 걸쳐 첨가하여 Na 전류의 후기 성분이 안정한 값에 도달하도록 하였다. 이어서, 화합물을 후기 INa 활성화제의 존재 하에, 3회 첨가로 5분의 기간에 걸쳐 첨가하였다 (전형적으로 0.3 또는 1 μM에서). 측정을 세번째 화합물 첨가에 대한 노출의 종료 시에 행하였고, 값을 모든 Na+가 0Na-ECF의 2회 첨가 후 세포외 용액으로부터 제거되었을 ��의 전류 수준에 대해 정규화하였다.결과를 후기 INa의 퍼센트 차단으로 보고하였고, 후기 INa에 대해 감소 보정을 도입함으로써 결과를 분석하였다.피크 INa 스크리닝 검정:화합물을 그의 효과 NaV1.5 피크 INa에 대해 평가하였다. 화학식 I의 화합물은 피크 INa의 유의한 차단을 회피하는 것으로 고려된다. 본원에 사용된 세포 내의 피크 INa는 매우 커서 기록에 인공물이 도입될 수 있기 때문에, 조 내의 Na+의 농도는 Na+의 콜린으로의 등삼투성 대체에 의해 40 mM로 감소될 수 있다 (하기 참조).피크 INa의 긴장성 차단 (TB)은 0.1 Hz의 저 자극 주파수에서 -100mV의 유지 전위에서부터 -20mV까지의 전압 스텝을 사용하여 측정하였다. 피크 INa의 사용-의존성 차단 (UDB)은 -100 mV의 유지 전위에서부터 펄스 열 (-20 mV, 20 ms, 50 펄스, 3Hz)의 펄스 수 50 동안 측정하였다.본 개시내용의 화합물의 의한 심장 피크 INa의 차단은 전형적으로 0.1에서 3 Hz의 자극 주파수 (정상 심장에서 또는 빈맥 동안 직면하는 주파수)의 증가에 따라 증가하였다.피크 INa를 스크리닝하기 위한 세포외 용액은 40 mM NaCl, 100 mM 콜린-Cl, 4 mM KCl, 1.8 mM CaCl2, 1 mM MgCl2 10 mM HEPES 및 10mM 덱스트로스로 구성되었으며, pH는 NaOH를 사용하여 7.35로 조정하였다. 피크 INa 검정을 위해 사용된 세포내 용액은 후기 INa 검정에 대해 약술된 것과 동일하였다 (상기 참조).전세포 기록 구성을 확립한 후, 채널을 저 주파수 (0.1 Hz)에 의해 개방되도록 자극하여 기록을 모니터링할 수 있고 기록이 안정화된 정도를 평가할 수 있도록 하였다.이어서, 시험 화합물을 1 또는 3 μM로 적용하고, 60초 간격으로 2회 첨가하였다. 두번째 화합물 첨가 후, 평형이 되게 하기 위해 200초 대기 기간을 부과하였다. TB 및 UDB에 대한 전압 프로토콜을 화합물의 부재 및 존재 하에 실행하였고, TB 및 UDB를 화합물 무함유 조건에 관해 계산하였다. TB 및 UDB는 둘 다 피크 INa에 대한 감소 보정을 도입함으로써 분석하였다.화합물을 상기 기재된 검정 방법을 사용하여 시험하였다. 표 1에 (퍼센트 억제로) 제공된 데이터는 후기 INa 및 피크 INa 검정에서 1 μM 및 0.3 μM 농도 (및 필요에 따라 다른 농도)에서 열거된 화합물을 시험함으로써 수득하였다.003c#표 1003e# 후기 INa 검정 결과표 1에 제시된 검정 결과는 시험된 화합물이 예를 들어 후기 나트륨 전류를 억제 (또는 감소)함으로써 후기 나트륨 전류의 조정제로서 활성을 나타내었다는 것을 확립한다.일부 실시양태에서, 화학식 I의 화합물의 효과는 후기 나트륨 전류에 대해 특이적이고 1개 이상의 다른 이온 채널에 관한 활성을 거의 또는 전혀 나타내지 않는다. 따라서, 일부 실시양태에서, 후기 나트륨 전류를 감소시키는 활성을 갖는 화합물은 또한 피크 나트륨 전류에 관한 활성을 거의 또는 전혀 나타내지 않을 것이다.실시예 169CNS NaV1.1 나트륨 채널의 사용-의존성 억제 인간 NaV1.1 cDNA의 발현야생형 (WT) hNaV1.1 (SCN1A, NCBI# AB09354)을 안정하게 발현하는 HEK-293 세포를 밀리포어 (카탈로그 # CYL3009)로부터 입수하고, INa를 기록하기 위해 사용하였다. 세포를 표준 조직 배양 절차로 유지하고, 안정한 채널 발현을 배양 배지 중 400ug/mL G418로 유지하였다. 달리 나타내지 않는 한, 모든 시약은 시그마-알드리치 (미국 미주리주 세인트 루이스)로부터 구입하였다.전기생리학NaV1.2의 사용-의존성 차단 (UDB)을 측정하는 검정을 전세포 패치 클램프 기술을 사용하여 자동화 전기생리학 플랫폼, 큐패치 16X 또는 큐패치 HT (소피온 바이오사이언스, 덴마크 코펜하겐) 상에서 실행하여 세포 막을 통한 전류를 측정하였다. 직렬 저항 보상을 100%로 설정하고, 직렬 저항 및 전세포 보상을 자동으로 실행하였다. 전류를 소피온 바이오사시언스 오라클 데이터베이스 (소피온 바이오사이언스, 덴마크 코펜하겐)에 저장하였다. 분석을 큐패치 검정 소프트웨어를 사용하여 실행하고, 데이터를 엑셀 2010 (마이크로소프트, 미국 워싱턴주 시애틀)에서 컴파일하였다.내부 (피펫) 용액은 105 CsF, 10 NaF, 20 CsCl, 2 EGTA, 10 HEPES, 10 덱스트로스 (mM 단위)로 이루어졌으며, pH는 7.35이고 오스몰농도는 300 mOsmol/kg이었다. 외부 (조) 용액은 145 NaCl, 4 KCl, 1.8 CaCl2, 1 MgCl2, 10 덱스트로스, 10 HEPES (mM 단위)를 함유하였으며, pH는 7.35이고 오스몰농도는 310 mOsmol/kg이었다. 실험을 23-25℃에서 수행하였다.화합물 스톡을 바이알 중에서 길리아드 샘플 뱅크에 의해 디메틸 술폭시드 (DMSO) 중 10 mM에 이르기까지 상용적으로 제조하였다. 일부 경우에, 화합물이 DMSO 중에 가용성이지 않으면, 이를 100% 에탄올 중에서 제조하였다. 스톡을 필요에 따라 초음파처리하였다. 화합물을 마이크로랩 님부스 (해밀턴 로보틱스, 네바다주 리노)를 사용하여 유리 바이알 중에서 0.3 내지 3 μM로 세포외 용액 중에 희석하고, 유리 웰 플레이트에 옮긴 후, 세포에 로봇 첨가하였다.전세포 구성의 확립 후 10분 동안 세포를 안정화되도록 하고, 그 후 전류를 측정하였다. 시험 화합물을 60초 간격으로 2회 적용하였다. 두번째 화합물 첨가 후, 평형이 되게하기 위해 200초 대기 기간을 부과하였다. 온라인 P/4 절차를 사용하여 누설 전류를 빼고, 모든 전류를 5 kHz에서 저역-통과 베셀 필터링하고, 525 kHz에서 수치화하였다.NaV1.2 피크 전류의 사용-의존성 차단을 -120 mV의 유지 전위로부터 전압 펄스 열 (0 mV, 20 ms, 20 펄스, 25Hz)의 펄스 수 20 동안 측정하였다. 전류를 각각의 주파수 열의 제1 펄스에 반응하여 기록된 피크 전류에 대해 정규화하였다. UDB에 대한 전압 프로토콜을 화합물의 부재 및 존재 하에 실행하였고, 백분율 억제를 화합물 무함유 조건에 관해 계산하였다. 결과는 평균 백분율 억제로서 나타내었고, 데이터 분석은 큐패치 검정소프트웨어 4.0 및 엑셀 2002 (마이크로소프트, 미국 워싱턴주 시애틀)를 사용하여 실행하였다.실시예 170CNS NaV1.2 나트륨 채널의 사용-의존성 억제인간 NaV1.2 cDNA의 발현야생형 (WT) hNaV1.2 (SCN2A NCBI # NM_021007.2, SCN1B NCBI # NM_001037.4, SCN2B NCBI # NM_004588.2)를 안정하게 발현하는 HEK-293 세포를 사용하여 INa를 기록하였다. 세포를 표준 조직 배양 절차로 유지하고, 안정한 채널 발현을 배양 배지 중 800ug/mL G418 및 3ug/mL 퓨로마이신으로 유지하였다. 달리 나타내지 않는 한, 모든 시약은 시그마-알드리치 (미국 미주리주 세인트 루이스)로부터 구입하였다.전기생리학NaV1.2의 사용-의존성 차단 (UDB)을 측정하는 검정을 전세포 패치 클램프 기술을 사용하여 자동화 전기생리학 플랫폼, 큐패치 16X 또는 큐패치 HT (소피온 바이오사이언스, 덴마크 코펜하겐) 상에서 실행하여 세포 막을 통한 전류를 측정하였다. 직렬 저항 보상을 100%로 설정하고, 직렬 저항 및 전세포 보상을 자동으로 실행하였다. 전류를 소피온 바이오사시언스 오라클 데이터베이스 (소피온 바이오사이언스, 덴마크 코펜하겐)에 저장하였다. 분석을 큐패치 검정 소프트웨어를 사용하여 실행하고, 데이터를 엑셀 2010 (마이크로소프트, 미국 워싱턴주 시애틀)에서 컴파일하였다.내부 (피펫) 용액은 105 CsF, 10 NaF, 20 CsCl, 2 EGTA, 10 HEPES, 10 덱스트로스 (mM 단위)로 이루어졌으며, pH는 7.35이고 오스몰농도는 300 mOsmol/kg이었다. 외부 (조) 용액은 145 NaCl, 4 KCl, 1.8 CaCl2, 1 MgCl2, 10 덱스트로스, 10 HEPES (mM 단위)를 함유하였으며, pH는 7.35이고 오스몰농도는 310 mOsmol/kg이었다. 실험을 23-25℃에서 수행하였다.화합물 스톡을 바이알 중에서 길리아드 샘플 뱅크에 의해 디메틸 술폭시드 (DMSO) 중 10 mM에 이르기까지 상용적으로 제조하였다. 일부 경우에, 화합물이 DMSO 중에 가용성이지 않으면, 이를 100% 에탄올 중에서 제조하였다. 스톡을 필요에 따라 초음파처리하였다. 화합물을 마이크로랩 님부스 (해밀턴 로보틱스, 네바다주 리노)를 사용하여 유리 바이알 중에서 0.3 내지 3 μM로 세포외 용액 중에 희석하고, 유리 웰 플레이트에 옮긴 후, 세포에 로봇 첨가하였다.전세포 구성의 확립 후 10분 동안 세포를 안정화되도록 하고, 그 후 전류를 측정하였다. 시험 화합물을 60초 간격으로 2회 적용하였다. 두번째 화합물 첨가 후, 평형이 되게하기 위해 200초 대기 기간을 부과하였다. 온라인 P/4 절차를 사용하여 누설 전류를 빼고, 모든 전류를 5 kHz에서 저역-통과 베셀 필터링하고, 525 kHz에서 수치화하였다.결과는 평균 백분율 억제로서 나타내었다.NaV1.2 피크 전류의 사용-의존성 차단을 -120 mV의 유지 전위로부터 전압 펄스 열 (0 mV, 20 ms, 20 펄스, 25Hz)의 펄스 수 20 동안 측정하였다.전류를 각각의 주파수 열의 제1 펄스에 반응하여 기록된 피크 전류에 대해 정규화하였다. UDB에 대한 전압 프로토콜을 화합물의 부재 및 존재 하에 실행하였고, 백분율 억제를 화합물 무함유 조건에 관해 계산하였다.데이터 분석은 큐패치 검정소프트웨어 4.0 및 엑셀 2002 (마이크로소프트, 미국 워싱턴주 시애틀)를 사용하여 실행하였다.상기 방법을 사용하여, 본 개시내용의 화합물이 뇌 이소형 NaV1.1 및 NaV1.2의 피크 전류를 억제하지 않으면서 심장 후기 INa 전류를 억제하는데 선택적인 것을 증명할 수 있었다. 본 개시내용의 화합물은 NaV1.1 및 NaV1.2의 매우 높은 주파수 점화를 억제하거나 간질 환자에서 관찰되는 돌연변이 NaV1.1 및 NaV1.2의 전압 의존성 차단을 증명할 수 있다. 샘플 화합물에 대한 데이터는 표 1에 상기 제시하였다.실시예 171NaV1.3 나트륨 채널의 전압-의존성 억제인간 NaV1.3 cDNA의 발현야생형 (WT) hNaV1.3 (SCN3A NCBI # NP_001075, SCN1B NCBI # NM_001037.4, SCN2B NCBI # NM_004588.2)을 안정하게 발현하는 HEK-293 세포를 사용하여 INa를 기록하였다. 세포를 표준 조직 배양 절차로 유지하고, 안정한 채널 발현을 배양 배지 중 800ug/mL G418 및 3ug/mL 퓨로마이신으로 유지하였다. 달리 나타내지 않는 한, 모든 시약은 시그마-알드리치 (미국 미주리주 세인트 루이스)로부터 구입하였다.전기생리학NaV1.3의 전압-의존성 차단 (VDB)을 측정하는 검정을 전세포 패치 클램프 기술을 사용하여 자동화 전기생리학 플랫폼, 큐패치 16X 또는 큐패치 HT (소피온 바이오사이언스, 덴마크 코펜하겐) 상에서 실행하여 세포 막을 통한 전류를 측정하였다. 직렬 저항 보상을 100%로 설정하고, 직렬 저항 및 전세포 보상을 자동으로 실행하였다. 전류를 소피온 바이오사시언스 오라클 데이터베이스 (소피온 바이오사이언스, 덴마크 코펜하겐)에 저장하였다. 분석을 큐패치 검정 소프트웨어를 사용하여 실행하고, 데이터를 엑셀 2010 (마이크로소프트, 미국 워싱턴주 시애틀)에서 컴파일하였다.내부 (피펫) 용액은 105 CsF, 10 NaF, 20 CsCl, 2 EGTA, 10 HEPES, 10 덱스트로스 (mM 단위)로 이루어졌으며, pH는 7.35이고 오스몰농도는 300 mOsmol/kg이었다. 외부 (조) 용액은 80 NaCl, 60 콜린-Cl, 4 KCl, 1.8 CaCl2, 1 MgCl2, 10 덱스트로스, 10 HEPES (mM 단위)를 함유하였으며, pH는 7.35이고 오스몰농도는 310 mOsmol/kg이었다. 실험을 23-25℃에서 수행하였다.화합물 스톡을 바이알 중에서 길리아드 샘플 뱅크에 의해 디메틸 술폭시드 (DMSO) 중 10 mM에 이르기까지 상용적으로 제조하였다. 일부 경우에, 화합물이 DMSO 중에 가용성이지 않으면, 이를 100% 에탄올 중에서 제조하였다. 스톡을 필요에 따라 초음파처리하였다. 화합물을 마이크로랩 님부스 (해밀턴 로보틱스, 네바다주 리노)를 사용하여 유리 바이알 중에서 1 μM로 세포외 용액 중에 희석하고, 유리 웰 플레이트에 옮긴 후, 세포에 로봇 첨가하였다.전세포 구성의 확립 후 10분 동안 세포를 안정화되도록 하고, 그 후 전류를 측정하였다. 시험 화합물을 120초 간격으로 3회 적용하여 평형이 되게 하였다. P/4 절차를 사용하여 누설 전류를 빼고, 5 kHz에서 저역-통과 베셀 필터링하고, 25 kHz에서 수치화하였다. 결과는 평균 백분율 억제로서 나타내었다.NaV1.3 피크 전류의 전압-의존성 차단을 전압 스텝 예비-조절 단계 (10초 동안 -55mV에 이어서 10ms 동안 -120mV) 후 0mV로의 전압 스텝 (20ms) 동안 측정하였다. 유지 전위는 -120 mV였고, 이 전압 프로토콜은 NaV1.3의 반수 최대 불활성화를 유도하였다. VDB에 대한 전압 프로토콜을 화합물의 부재 및 존재 하에 45초마다 실행하였고, 백분율 억제는 화합물 무함유 조건에 관해 계산하였다.NaV1.7 나트륨 채널의 전압-의존성 억제인간 NaV1.7 cDNA의 발현야생형 (WT) hNaV1.7을 안정하게 발현하는 HEK-293 세포를 스코티시 바이오메디칼(Scottish Biomedical) (영국 스코틀랜드 글래스고)로부터 입수하였다. 세포를 표준 조직 배양 절차로 유지하고, 안정한 채널 발현을 배양 배지 중 500ug/mL G418로 유지하였다. 달리 나타내지 않는 한, 모든 시약은 시그마-알드리치 (미국 미주리주 세인트 루이스)로부터 구입하였다.전기생리학NaV1.7의 전압-의존성 차단 (VDB)을 측정하는 검정을 전세포 패치 클램프 기술을 사용하여 자동화 전기생리학 플랫폼, 큐패치 16X 또는 큐패치 HT (소피온 바이오사이언스, 덴마크 코펜하겐) 상에서 실행하여 세포 막을 통한 전류를 측정하였다. 직렬 저항 보상을 100%로 설정하고, 직렬 저항 및 전세포 보상을 자동으로 실행하였다. 전류를 소피온 바이오사시언스 오라클 데이터베이스 (소피온 바이오사이언스, 덴마크 코펜하겐)에 저장하였다. 분석을 큐패치 검정 소프트웨어를 사용하여 실행하고, 데이터를 엑셀 2010 (마이크로소프트, 미국 워싱턴주 시애틀)에서 컴파일하였다.내부 (피펫) 용액은 105 CsF, 10 NaF, 20 CsCl, 2 EGTA, 10 HEPES, 10 덱스트로스 (mM 단위)로 이루어졌으며, pH는 7.35이고 오스몰농도는 300 mOsmol/kg이었다. 외부 (조) 용액은 140 NaCl, 4 KCl, 1.8 CaCl2, 1 MgCl2, 10 덱스트로스, 10 HEPES (mM 단위)를 함유하였으며, pH는 7.35이고 오스몰농도는 310 mOsmol/kg이었다. 실험을 23-25℃에서 수행하였다.화합물 스톡을 바이알 중에서 길리아드 샘플 뱅크에 의해 디메틸 술폭시드 (DMSO) 중 10 mM에 이르기까지 상용적으로 제조하였다. 일부 경우에, 화합물이 DMSO 중에 가용성이지 않으면, 이를 100% 에탄올 중에서 제조하였다. 스톡을 필요에 따라 초음파처리하였다. 화합물을 마이크로랩 님부스 (해밀턴 로보틱스, 네바다주 리노)를 사용하여 유리 바이알 중에서 1 μM로 세포외 용액 중에 희석하고, 유리 웰 플레이트에 옮긴 후, 세포에 로봇 첨가하였다.전세포 구성의 확립 후 10분 동안 세포를 안정화되도록 하고, 그 후 전류를 측정하였다. 시험 화합물을 120초 간격으로 3회 적용하여 평형이 되게 하였다. P/4 절차를 사용하여 누설 전류를 빼고, 5 kHz에서 저역-통과 베셀 필터링하고, 25 kHz에서 수치화하였다. 결과는 평균 백분율 억제로서 나타내었다.NaV1.7 피크 전류의 전압-의존성 차단을 전압 스텝 예비-조절 단계 (10초 동안 -60mV에 이어서 10ms 동안 -120mV) 후 0mV로의 전압 스텝 (20ms) 동안 측정하였다. 유지 전위는 -120 mV였고, 이 전압 프로토콜은 NaV1.7의 반수 최대 불활성화를 유도하였다. VDB에 대한 전압 프로토콜을 화합물의 부재 및 존재 하에 45초마다 실행하였고, 백분율 억제는 화합물 무함유 조건에 관해 계산하였다.상기 방법을 사용하여, 본 개시내용의 선택 화합물이 또한 NaV1.3 및 NaV1.7의 전압-의존성 차단을 나타내는 것을 증명할 수 있었다. 이 활성은 화합물의 잠재적 항당뇨병 효과와 상관관계가 있는 것으로 생각된다. VDB 프로토콜은 피크 INa의 반수 최대 불활성화를 생성하였고, 또한 췌장섬 세포 (베타, 알파 및 델타 세포)의 휴지 막 전위를 모방하였다. 예시적인 화합물에 대한 데이터는 표 2에 하기 제시하였다.003c#표 2003e# NaV1.3 및 NaV1.7 검정 결과실시예 172마취된 토끼에서의 허혈-유발 ST 분절 상승이 연구는 생체내 토끼 모델에서 본 개시내용의 화합물의 항허혈 효과를 결정하기 위해 수행하였다.방법:암컷 뉴질랜드 토끼 (3.0-4.0 kg)를 웨스턴 오레곤 래비트리(Western Oregon Rabbitry)로부터 구입하였다. 동물을 12시간 광 및 암 주기에 수용하고, 표준 실험실 사료 및 물을 제공하였다. 모든 실험을 문헌 [the Guide for the Care and Use of Laboratory Animals published by The National Research Council] 및 길리아드 사이언시스, 인크.(Gilead Sciences, Inc.)의 동물 실험 윤리 위원회에 의해 승인된 실험 프로토콜에 따라 실행하였다.토끼를 케타민 (35 mg/kg) 및 크실라진 (5 mg/kg) 근육내 주사 (im)로 마취시켰다. 기관절개를 실행하고, 기관을 기관내 관으로 삽관하였다. 동물을 압력 제어 동물 인공호흡기 (켄트 사이언티픽 코포레이션(Kent Scientific Corp.), 코네티컷주 토링턴)를 사용하여 산소 보충된 실내 공기로 40 회/분의 호흡률 및 10 mmH2O의 피크 흡기 압력으로 호흡시켰으며, 이를 혈액 기체 및 생리학적 범위 내의 pH를 유지하도록 조정하였다 (iSTAT 임상 분석기, 헤스카 코포레이션(Heska Corp.); 위스콘신주 워케샤). 혈압 (BP)의 측정을 위해 좌대퇴 동맥에 캐뉼라 삽입하였다. 혈액 샘플을 또한 대퇴 동맥으로부터 채혈하였다. 약물/비히클 투여를 위해 우측 외부 경정맥에 캐뉼라 삽입하였다. 표면 심전도 (ECG)의 기록을 위해 바늘 전극을 사지로 피하 삽입하였다.심장을 제4 늑간 공간의 절개를 통해 노출시켰다 (명확한 외과적 시야를 위해 제4 및/또는 제5 늑골을 절단하였음). 흉부를 개방하고, 심막 크래들을 4개의 견인기를 사용하여 형성하였다. 그 안에 6-0 프롤렌 폴리프로필렌 봉합사를 함유하는 5 cm PE-10 튜빙으로 제조된 올가미로 구성된 관상 동맥 가리개를 그의 기원에 좌측 전하행 동맥 (LAD) 주위에 느슨하게 배치하였다. 여과지의 작은 패치에 부착된 테플론 코팅된 은 와이어로 제조된 2개의 단극성 전극을 좌심실의 허혈성 및 정상 영역의 표면에 부착하여 심외막 심전도를 기록하였다.기준 전극을 목의 개방 절개부에 배치하였다. 동물의 체온을 직장 온도계를 통해 모니터링하고, 외과용 테이블의 표면 온도를 조정하여 37-40℃에서 유지하였다. LAD를 라이게이팅한 다음, 라이게이션을 해제함으로써 야기된 15분의 재관류에 의해 국한성 허혈 (15분)을 유발하였다. 심장을 실험 종결 시에 절제하고, LAD를 재-라이게이팅하였다. 허혈성 구역을 심장을 염수 중 1% 에반스 블루로 관류시켜 시각화하고, 총 심실 중량의 백분율로서 계산하였다. 10% 미만 또는 25% 초과의 허혈성 구역을 갖는 토끼는 분석에서 배제하였다. 동물을 비히클 군 및 시험 화합물 군으로 무작위로 배정하였다. 시험 화합물을 15%NMP, 10% 솔루톨(Solutol) 및 75% 탈이온수 (dH2O) 중에 용해시켰다. 시험 화합물은 1 μM의 혈장 농도에 도달하도록 표적화된 비율로 iv 주입으로서 제공하였다. 화합물 투여 30분 후, 심장은 15분의 허혈, 이어서 15분의 재관류에 적용되었다.결과: 표 3의 데이터는 본 개시내용의 특정 화합물이 허혈-유발 심근 전기적 기능장애를 예방할 수 있다는 것을 시사한다.003c#표 3003e# 허혈-유발 ST 분절 상승 결과* 퍼센트 감소
본 개시내용은 나트륨 채널 억제제인 화합물 및 심혈관 질환 및 당뇨병을 포함한 다양한 질환 상태의 치료에서의 그의 용도, 및 화합물의 제조 방법 및 용도 및 이를 함유하는 제약 조성물에 관한 것이다. 특정한 실시양태에서, 화합물의 구조는 하기 화학식 I에 의해 주어진다. 003c#화학식 I003e# 상기 식에서 X, Y, Z, R2, R3, R4, p 및 q는 본원에 기재된 바와 같다.
[ 발명의 명칭 ] 일체형 종단점 및 공격의 네트워크 검출 및 박멸을 위한 기술TECHNIQUES FOR INTEGRATED ENDPOINT AND NETWORK DETECTION AND ERADICATION OF ATTACKS [ 기술분야 ] 본 명세서에 설명된 실시예는 일반적으로 종단점 디바이스(endpoint devices) 및 종단점 디바이스에 네트워크 서비스를 제공하는 네트워크 디바이스의 모두에 대한 멀웨어(malware) 공격을 검출하고 박멸하는 것에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 멀웨어 기반 공격의 검출 및 박멸은 네트워크의 인프라구조 내에서 그리고 그 종단점에서 컴퓨팅 디바이스에 대한 오랜 과제가 되어 왔다. 네트워크의 코어부를 구성하는 네트워크 디바이스는 네트워크의 보안성을 손상시키기 위한 공격이 진행중인지 여부를 판정하고 이를 차단하도록 응답하기 위해 네트워크 전체에 걸쳐 발생하는 액티비티를 모니터링하고 분석하는데 있어서 점점 더 복잡해지고 있다. 대응적으로, 컴퓨팅 디바이스 및 이어서 네트워크의 보안성을 손상하기 위한 공격이 진행중인지 여부를 판정하고 이를 차단하도록 응답하기 위해, 네트워크의 종단점에 배치된 컴퓨팅 디바이스 내의 액티비티를 모니터링하고 분석하기 위한 멀웨어 방지 루틴(예를 들어, 안티바이러스 소프트웨어)을 채용하는 것이 통상적이게 되어 왔다.그러나, 네트워크로의 공격 및 네트워크의 종단점에 배치된 컴퓨팅 디바이스로의 공격을 다루기 위한 이러한 노력은 통상적으로 조정되지 않는다. 네트워크의 코어부를 구성하는 네트워크 디바이스들은 통상적으로 네트워크로의 공격을 표시할 수 있는 검출된 액티비티에 관한 정보를 교환하지만, 종단점의 컴퓨팅 디바이스들과는 이러한 정보를 거의 교환하지 않는다.이는 부분적으로, 네트워크 디바이스는 네트워크를 유지하는 사람의 직접적인 제어 하에 종종 남아 있지만, 종단점에서의 컴퓨팅 디바이스는, 일반적으로 이들 컴퓨팅 디바이스 및 네트워크의 서비스를 사용하지만 어느 하나도 유지하는 것에는 연루되지 않은 다른 사람의 직접적인 제어 하에 있기 때문에 발생한다. 따라서, 네트워크의 종단점의 컴퓨팅 디바이스는 이미 협상된 상태로 네트워크를 유지하는 사람들에 의해 가정적으로 처리되어, 공격의 양태를 표시하기 위해 이들 컴퓨팅 디바이스에 의해 제공될 수도 있는 임의의 정보가 비신뢰적인 것으로서 처리된다. 실제로, 종단점 디바이스로부터 이러한 정보를 얻고 종단점 디바이스로부터 수신될 수 있는 임의의 이러한 정보를 무시하려고 신경 쓰지 않는 것이 네트워크를 유지하는 사람에게 통상적이다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 멀웨어 검출 시스템의 실시예를 도시한다.도 2는 신뢰 레벨의 할당의 실시예를 도시한다.도 3 및 도 4는 공격의 표시의 교환의 실시예를 각각 도시한다.도 5 내지 도 7은 멀웨어 검출 시스템의 실시예의 부분을 각각 도시한다.도 8 및 도 9는 실시예에 따른 논리 흐름을 각각 도시한다.도 10은 실시예에 따른 프로세싱 아키텍처를 도시한다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 다양한 실시예는 일반적으로 종단점 디바이스 및 이 종단점 디바이스에 네트워크 서비스를 제공하는 네트워크 디바이스 모두로부터 수신된 멀웨어 액티비티를 표시하는 정보를 이용함으로써 멀웨어 공격을 검출하고 박멸하기 위한 기술에 관한 것이다. 더 구체적으로, 신뢰 레벨이 각각의 종단점 디바이스 및 네트워크와 연관된 네트워크 디바이스의 적어도 일부에 할당되고, 이들 신뢰 레벨은 멀웨어 액티비티의 표시를 제공할 수 있는 각각의 종단점 디바이스 및 네트워크 디바이스로부터 수신된 정보와 연관된다.네트워크와 연관된 네트워크 디바이스로서 작용하는 서버는 네트워크의 하나 이상의 종단점 디바이스 및/또는 하나 이상의 다른 네트워크 디바이스에 신뢰 레벨을 할당한다. 서버는 네트워크 내의 종단점 디바이스의 그리고/또는 다른 네트워크 디바이스의 위치에 기초하여 할당할 신뢰 레벨을 결정할 수 있다. 예로서, 신뢰 레벨은 종단점 디바이스가 네트워크의 보안부에 연결되어 있는지, 비보안 공용 네트워크(예를 들어, 인터넷, 비보안 무선 네트워크 등)를 구비하는 네트워크의 부분에 연결되어 있는지, 또는 비보안 공용 네트워크를 통해 액세스되어야 하는 네트워크의 보안 원격부에 연결되어 있는지 여부에 기초하여 결정될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 서버는 종단점 디바이스 또는 다른 네트워크 디바이스를 보안하도록 제공된 보안 수단에 기초하여 할당할 신뢰 레벨을 결정할 수 있다. 예로서, 신뢰 레벨은 종단점 디바이스를 동작하려고 시도할 수 있는 비인증된 사람에 의해 물리적으로 도달하는 것으로부터 종단점 또는 다른 네트워크 디바이스를 물리적으로 보안하기 위한 수단, 또는 종단점 디바이스의 인증된 조작자를 검증하기 위한 수단에 기초하여 결정될 수 있다.대안적으로 또는 부가적으로, 보안 동작 환경에서 동작하는 종단점 디바이스의 구성요소는 이들 동작 환경 또는 동작 환경을 제공하는 구성요소를 보안하기 위해 종단점 디바이스 내에 채용된 수단에 따라 종단점 디바이스에 의해 제공된 하나 이상의 동작 환경을 할당하도록 신뢰 레벨을 결정할 수 있다. 종단점 디바이스의 상이한 구성요소 또는 동작 환경에 대한 이러한 신뢰 레벨은 서버에 의해 종단점 디바이스에 할당된 신뢰 레벨을 증강하거나 적어도 부분적으로 대체할 수 있다. 예로서, 종단점 디바이스의 보안된 콘트롤러의 프로세서 구성요소는 그 각각이 보안 동작 환경 내에서 실행되는지 또는 종단점 디바이스 내에 또한 존재할 수도 있는 멀웨어에 의한 공격으로부터 다른 방식으로 보안되는지에 기초하여 종단점 디바이스 내에서 실행되는 상이한 루틴을 위한 상이한 신뢰 레벨을 결정할 수 있다. 상이한 신뢰 레벨들 중 하나는 네트워크 내의 그 위치 및/또는 그 물리적 위치의 결과로서 종단점 디바이스에 할당된 동일한 신뢰 레벨일 수 있다.대안적으로 또는 부가적으로, 종단점 디바이스 또는 종단점 디바이스의 구성요소의 신뢰 레벨은 종단점 디바이스 내의 하나 이상의 루틴의 실행을 위한 보안 동작 환경을 제공하는 능력을 증명하는 크리덴셜(credential)의 검증에 기초하여 결정될 수 있다. 이러한 크리덴셜의 검증은 디지털 서명, 공용-개인키 세트, 인증 기관에 의해 발행된 인증서, 루틴의 부분의 해시 등을 포함하는, 임의의 다양한 검증 메커니즘에 기초할 수 있다. 이러한 크리덴셜은, 이것이 제공하는 것이 가능한 루틴의 보안 실행을 위한 보호도에 증명을 제공하기 위해, 그 동작 환경의 수학적 또는 다른 분석과 같은 동작 환경을 취한 신용성(trustworthiness)의 측정의 해시 또는 다른 출력을 포함할 수 있다.네트워크 및 각각의 종단점 디바이스의 정상 동작 중에, 네트워크 디바이스 및/또는 종단점 디바이스의 하나 이상은 멀웨어 공격과 연관될 수 있는 액티비티의 표시를 서버에 전송할 수 있다. 표시는 특히 네트워크 디바이스에 의해 관찰되는 네트워크 상의 종단점 디바이스의 액티비티가 될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 표시는 특히 보안 동작 환경 내에서 동작하는 종단점 디바이스의 다른 구성요소에 의해 관찰된 종단점 디바이스 내에서 실행되는 루틴에 의한 액티비티가 될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 표시는 종단점 디바이스 내에서 실행된 루틴의 오손(corruption)가 될 수 있다.이에 따라, 서버는 이들 디바이스의 하나 이상 내의 액티비티의 로그(log) 또는 이들 디바이스의 하나 이상의 저장 장치의 부분의 콘텐츠의 스냅샷의 캡처와 같은, 네트워크 디바이스 및/또는 종단점 디바이스의 하나 이상으로부터 부가의 정보를 요청할 수 있다. 이들 부가의 정보의 단편의 각각은 이전에 할당된 신뢰 레벨과 연관되고, 이들 신뢰 레벨은 서버에 의한 정보의 분석으로 팩터링된다(factored). 몇몇 실시예에서, 다양한 신뢰 레벨이 정보의 단편들 사이에 명백한 상충을 해결하는데 사용될 수 있다. 다른 실시예에서, 더 하위의 신뢰 레벨을 갖지만 서로 일관적인 다수의 정보의 단편이 다수의 정보의 단편에 상충하는 더 상위의 신뢰 레벨을 갖는 단일 정보의 단편보다 더 신용성이 있는 것으로 간주될 수 있도록 다양한 신뢰 레벨이 가중 팩터로서 사용될 수 있다.대안적으로 또는 부가적으로, 멀웨어 공격을 받게 되는 것으로 결정된 종단점 디바이스가 서버에 의해 원격 제어되는 것이 가능한 실시예에서, 서버는 멀웨어 공격과 연관된 것으로 결정된 멀웨어를 박멸하기 위한 접근법으로서 자체로 리셋하도록 종단점 디바이스에 시그널링할 수 있다. 이러한 실시예에서, 종단점 디바이스는 메인 프로세서 구성요소에 의해 실행된 운영 체제의 재초기화를 유발하기 위해 메인 프로세서 구성요소의 리셋을 트리거링하는 것이 가능한 콘트롤러 프로세서 구성요소를 구비하는 콘트롤러를 포함할 수 있다.본 명세서의 표기 및 명명법을 일반적으로 참조하면, 이어지는 상세한 설명의 부분은 컴퓨터 또는 컴퓨터의 네트워크 상에서 실행되는 프로그램 절차의 견지에서 제시될 수 있다. 이들 절차적인 설명 및 표현은 당 기술 분야의 다른 숙련자들에게 이들의 작업의 실체를 가장 효과적으로 전달하기 위해 당 기술 분야의 숙련자들에 의해 사용된다. 절차는 여기서, 그리고 일반적으로 원하는 결과를 유도하는 동작의 자기 일관성 시퀀스인 것으로 고려된다. 이들 동작은 물리량의 물리적 조작을 필요로 하는 것들이다. 일반적으로, 필수적인 것은 아니지만, 이들 양은 저장, 전달, 조합, 비교, 및 다른 방식으로 조작되는 것이 가능한 전기, 자기 또는 광학 신호의 형태를 취한다. 원리적으로 통상의 사용의 이유로, 이들 신호를 비트, 값, 요소, 심벌, 문자, 항, 숫자 등으로서 칭하는 것이 때때로 편리한 것으로 입증되었다. 그러나, 모든 이들 및 유사한 용어는 적절한 물리량과 연관되어야 하고 단지 이들 양에 적용된 편리한 라벨이라는 것이 주목되어야 한다.또한, 이들 조작은 종종 인간 조작자에 의해 수행되는 정신적 조작(mental operations)과 통상적으로 연관되는 추가 또는 비교와 같은 용어로 칭한다. 그러나, 인간 조작자의 이러한 능력은, 대부분의 경우에 하나 이상의 실시예의 부분을 형성하는 본 명세서에 설명된 임의의 동작에서 필요하지 않거나, 또는 대부분의 경우에 바람직하지 않다. 오히려, 이들 동작은 머신 동작이다. 다양한 실시예의 동작을 수행하기 위한 유용한 머신은 본 명세서의 교시에 따라 기록된 그 내부에 저장된 컴퓨터 프로그램에 의해 선택적으로 활성화되거나 구성되는 바와 같은 범용 디지털 컴퓨터를 포함하고, 그리고/또는 요구된 목적으로 특정하게 구성된 장치를 포함한다. 다양한 실시예는 또한 이들 동작을 수행하기 위한 장치 또는 시스템에 관한 것이다. 이들 장치는 요구된 목적으로 특정하게 구성될 수 있고 또는 범용 컴퓨터를 포함할 수도 있다. 다양한 이들 머신을 위한 요구된 구조는 제공된 설명으로부터 명백해질 것이다.이제, 유사한 도면 부호가 전체에 걸쳐 유사한 요소를 나타내는데 사용되는 도면을 참조한다. 이하의 설명에서, 설명의 목적으로, 수많은 특정 상세가 그 철저한 이해를 제공하기 위해 설명된다. 그러나, 신규한 실시예는 이들 특정 상세 없이 실시될 수 있다는 것이 명백할 수 있다. 다른 경우에, 공지의 구조체 및 디바이스는 그 설명을 용이하게 하기 위해 블록도 형태로 도시되어 있다. 의도는 청구범위의 범주 내의 모든 수정, 등가물 및 대안을 커버하는 것이다.도 1은 서버(100), 연결 디바이스(300), 및 종단점 디바이스(500a, 500b 및/또는 500c) 중 하나 이상을 구비하는 멀웨어 검출 시스템(1000)의 실시예의 블록도이다. 이들 컴퓨팅 디바이스(100, 300, 500a 내지 500c)의 각각은, 데스크탑 컴퓨터 시스템, 데이터 입력 단말, 랩탑 컴퓨터, 넷북 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터, 휴대형 개인 휴대 정보 단말, 디지털 카메라, 스마트폰, 스마트 손목시계, 스마트 글래스, 의류에 합체된 신체 착용식 컴퓨팅 디바이스, 차량(예를 들어, 자동차, 자전거, 휠체어 등)에 일체화된 컴퓨팅 디바이스, 서버, 서버의 클러스터, 서버팜 등을 비한정적으로 포함하는 임의의 다양한 유형의 컴퓨팅 디바이스일 수 있다.도시된 바와 같이, 이들 컴퓨팅 디바이스(100, 300, 500a 내지 500c)의 하나 이상은 멀웨어 공격일 수도 있는 것의 표시와 연관된 신호를 교환한다. 그러나, 이들 컴퓨팅 디바이스의 하나 이상은 네트워크(999)를 거쳐 서로 그리고/또는 또 다른 컴퓨팅 디바이스(도시 생략)와 멀웨어 공격의 검출 또는 박멸과 완전히 관련되지 않은 다른 데이터를 교환할 수도 있다. 다양한 실시예에서, 네트워크(999)는 가능하게는 단일 빌딩 또는 다른 비교적 제한된 영역 내에서 확장하는 것에 제한되는 단일 네트워크, 가능하게는 상당한 거리로 확장하는 접속된 네트워크의 조합일 수 있고, 그리고/또는 인터넷을 포함할 수 있다. 따라서, 네트워크(999)는 전기 및/또는 광학 도전성 케이블링을 채용하는 유선 기술, 및 적외선, 무선 주파수 또는 다른 형태의 무선 전송을 채용하는 무선 기술을 비한정적으로 포함하는, 이에 의해 신호가 교환될 수 있는 임의의 다양한(또는 조합) 통신 기술에 기초할 수 있다.연결 디바이스(300)는 네트워크(999)의 부분을 결합하는 임의의 다양한 유형의 컴퓨팅 디바이스 및/또는 네트워크(999)를 적어도 부분적으로 형성하도록 함께 이들 부분에 결합된 디바이스일 수 있다. 예로서, 연결 디바이스(300)는 라우터, 네트워크 스위치, 방화벽 어플라이언스(firewall appliance), 무선 액세스 포인트, 네트워크 프록시, 네트워크 캐시 등일 수 있다. 서버(100)는 서버(100)가 이러한 서버를 제공하는 별개의 자립형 컴퓨팅 디바이스일 수 있거나 또는 다른 연결 디바이스의 하위부분일 수 있도록 네트워크(999) 상의 다른 디바이스에 서비스를 제공하는 임의의 다양한 유형의 컴퓨팅 디바이스일 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 서버(100)는 이러한 서비스를 제공하기 위해 협동하도록 서로 결합된(네트워크(999)를 통해 또는 다른 방식으로) 하나 초과의 컴퓨팅 디바이스로 구성될 수 있다. 서버(100)는 네트워크(999) 상에서 발생하는 그리고/또는 네트워크(999)에 결합된 디바이스의 하나 이상 내에서 발생하는 액티비티의 표시를 분석하여 멀웨어 공격을 검출하고 그리고/또는 멀웨어 공격에 대한 응답을 결정한다. 종단점 디바이스(500a 내지 500c)는 네트워크에 결합되어 서버(100)에 의해 모니터링되는 클라이언트 디바이스 및/또는 다른 서버일 수 있다.멀웨어 검출 시스템(1000)에서, 컴퓨팅 디바이스(100, 300 및/또는 500a 내지 500c)의 실시예는 가능한 멀웨어 공격의 표시가 이들 컴퓨팅 디바이스의 하나 이상에 대한 가능한 멀웨어 공격을 처리하도록 교환되고, 분석되고, 그리고/또는 작용하는 보안 정보 및 이벤트 관리(security information and event management: SIEM) 시스템의 유형의 적어도 일부를 형성하도록 협동할 수 있다. 멀웨어 공격을 검출하고 그리고/또는 박멸하기 위한 준비시에, 서버(100)는 적어도 컴퓨팅 디바이스(300, 500a 내지 500c)의 적어도 서브세트에 신뢰 레벨을 결정하여 할당한다. 이들 컴퓨팅 디바이스(100, 300, 500a 내지 500c)의 그리고 네트워크(999)의 정상 동작 중에, 서버(100)는 컴퓨팅 디바이스(300, 500a 내지 500c)의 하나 이상으로부터 가능한 멀웨어 공격의 표시의 수신을 대기한다. 이에 따라, 서버(100)는 컴퓨팅 디바이스(300, 500a 내지 500c)의 하나 이상으로부터 추가의 정보를 요청할 수 있고, 그리고/또는 멀웨어 공격과 연관될 수 있는 멀웨어를 박멸하려는 시도를 위해 지정된 작용을 취하도록 컴퓨팅 디바이스(300, 500a 내지 500c) 중 하나 이상에 시그널링할 수 있다.그러나, 컴퓨팅 디바이스(100, 300, 500a 내지 500c) 사이의 역할의 이러한 할당의 도 1의 도시에도 불구하고, 이들 컴퓨팅 디바이스의 하나 초과의 역할은 이들 컴퓨팅 디바이스의 단일의 디바이스 내에서 취해질 수도 있다는 것이 주목되어야 한다. 예로서, 종단점 디바이스(500a 또는 500b) 중 하나 내의 보안 동작 환경은 가능한 멀웨어 공격의 표시를 분석하는 작업을 수행할 수 있고, 추가의 정보를 위한 요청을 하는 것을 포함하여, 응답을 결정할 수 있다. 달리 말하면, 다른 것들로부터 수신된 멀웨어 공격의 표시를 취하기 위한 작용의 경과의 이러한 분석 및 결정을 수행하는 종단점 디바이스(500a 내지 500c) 사이의 피어-투-피어 배열이 형성될 수 있다. 또한, 종단점 디바이스(500a 내지 500c) 중 어느 것(들)이 이러한 분석 및 결정 기능을 수행하는지가 동적으로 결정되어 할당될 수 있다.특정 유형의 컴퓨팅 디바이스의 특정량의 도 1의 도시에도 불구하고, 상이한 양의 각각의 컴퓨팅 디바이스(100, 300, 500a 내지 500c)가 존재하는 실시예가 가능하다는 것이 주목되어야 한다. 예로서, 서버(100)는 연결 디바이스(300)가 존재하지 않을 수도 있고, 또는 연결 디바이스(300)의 다수의 것들을 통해 종단점 디바이스(500a 내지 500c)의 하나 이상과 상호작용할 수 있도록 연결 디바이스(300)의 사용 없이 종단점 디바이스(500a 내지 500c)와 더 직접 상호작용할 수 있다. 또한, 예로서, 종단점 디바이스(500a, 500b 또는 500c)의 어느 것도 존재하지 않을 수도 있고, 그리고/또는 도시된 것보다 많은 종단점 디바이스(500a, 500b 및/또는 500c)가 존재할 수도 있다. 달리 말하면, 도 1에 도시된 것은 이해를 용이하게 하기 위한 간단한 예이고, 한정으로서 취해져서는 안된다.다양한 실시예에서, 서버(100)는 프로세서 구성요소(150), 저장 장치(160) 및 서버(100)를 네트워크(999)에 결합하기 위한 인터페이스(190) 중 하나 이상을 구비한다. 저장 장치(160)는 제어 루틴(110), 환경 크리덴셜(131), 신뢰 기초 데이터(133), 신뢰 할당 데이터(134), 로그 데이터(136) 및 캡처 데이터(137) 중 하나 이상을 저장한다. 다양한 실시예에서, 연결 디바이스(300)는 프로세서 구성요소(350), 저장 장치(360) 및 연결 디바이스(300)를 네트워크(999)에 결합하기 위한 인터페이스(390) 중 하나 이상을 구비한다. 저장 장치(360)는 제어 루틴(310), 신뢰 기초 데이터(333), 신뢰 할당 데이터(334) 및 로그 데이터(336) 중 하나 이상을 저장한다. 연결 디바이스(300)는, 연결 디바이스(300)와 고유하게 연관되고 다양한 실시예에서 저장 장치(360) 내에 또는 연결 디바이스(300)의 다른 구성 요소 내에 저장될 수 있는(예를 들어, 프로세서 구성요소(360) 또는 인터페이스(390) 내에 영구적으로 저장됨) 식별자(ID)(310)를 또한 구비한다. 제어 루틴(110, 310)은 다양한 기능을 수행하기 위한 로직을 구현하기 위해 컴퓨팅 디바이스(100, 300)의 이들의 각각의 것들의 메인 프로세서로서 이들의 역할에 있어서 프로세서 구성요소(150, 350)의 대응하는 것들 상에서 동작하는 명령의 시퀀스를 각각 구비한다.제어 루틴(110)의 실행시에, 서버(100)의 프로세서 구성요소(150)는 컴퓨팅 디바이스(300, 500a 내지 500c)의 하나 이상의 각각의 적어도 일부에 대한 신뢰 레벨을 결정하여 할당한다. 할당된 신뢰 레벨은 신뢰 할당 데이터(134)로서 저장된다. 몇몇 실시예에서, 서버(100)는 컴퓨팅 디바이스(300, 500a 내지 500c) 중 하나 이상을 위한 신뢰 레벨을 구비할 수 있다. 이러한 실시예에서, 네트워크(999)를 유지하는 작업을 하는 사람은 이들 신뢰 레벨 중 어느 하나 이상의 것이 어느 보안 수단이 네트워크(999) 및/또는 각각의 컴퓨팅 디바이스(300, 500a 내지 500c)를 보안하는데 채용되는지의 지식에 기초해야 하는 것을 결정할 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 네트워크(999)를 유지하는 작업을 하는 사람은 어느 보안 수단이 네트워크(999)의 다양한 부분을 위해 그리고/또는 연결 디바이스(300) 및 종단점 디바이스(500a 내지 500c) 중 하나 이상이 배치될 수 있는 다양한 물리적 위치를 위해 적소에 있다는 표시를 신뢰 기초 데이터(133) 내에 제공할 수 있다.다른 실시예에서, 프로세서 구성요소(150)는 신뢰 기초 데이터(133) 내에 저장되고 컴퓨팅 디바이스(300, 500a 내지 500c) 중 하나 이상의 적어도 일부를 위한 신뢰값을 자동을 결정하기 위해 신뢰 레벨을 결정하는 데 적절한 하나 이상의 규칙 및/또는 다른 보안 정보의 단편을 이용할 수 있다. 이러한 결정은 적어도 부분적으로는, 네트워크(999) 내의 컴퓨팅 디바이스의 위치 및/또는 네트워크(999) 내의 컴퓨팅 디바이스가 배치되어 있는 물리적 위치에 기초할 수 있다.이러한 실시예의 몇몇에서, 신뢰 레벨의 이러한 결정이 기초할 수 있는 위치는, 이들에 한정되는 것은 아니지만 어느 빌딩 및/또는 룸에 컴퓨팅 디바이스가 위치되어 있는지, 어느 사람의 책상에 컴퓨팅 디바이스가 위치되어 있는지 등을 포함하는, 컴퓨팅 디바이스(300, 500a 내지 500c) 중 하나 이상의 물리적 위치를 포함할 수 있다. 신뢰 기초 데이터(133)는 특정 빌딩, 룸 및/또는 다른 위치(예를 들어, 특정 책상, 키오스크 등)에 의해 제공된 물리적 보안도의 표시를 포함할 수 있다. 이러한 물리적 보안도의 표시는 물리적 액세스 규제(예를 들어, 도어 상의 자물쇠, 입장 허용된 사람의 수 등), 타이밍 액세스 규제(예를 들어, 제한된 액세스 시간), 또는 보안 모니터링의 보급(예를 들어, 카메라, 규칙적인 순찰 등)과 같은 팩터를 반영할 수 있다.대안적으로 또는 부가적으로, 몇몇 실시예에서, 이러한 신뢰 레벨의 결정이 기초할 수 있는 위치는, 이에 한정되는 것은 아니지만 네트워크(999)의 상이한 부분의 상대 보안 레벨을 포함하는 네트워크(999) 상의 컴퓨팅 디바이스 중 하나 이상의 위치를 포함할 수 있다. 이러한 상대 보안 레벨은 어느 통신 매체가 부분에 대해 이용되는지(예를 들어, 유선 대 무선), 통신과의 간섭을 검출하기 위한 암호화 또는 다른 수단이 부분에 이용되는지 여부, 또는 부분이 개방 액세스 가능한 공용 네트워크(예를 들어, 인터넷)를 통한 액세스를 포함하는지 또는 요구하는지 여부에 기초할 수 있다. 당 기술 분야의 숙련자들에게 친숙한 바와 같이, 컴퓨팅 디바이스와의 통신을 위한 신뢰 레벨의 결정은 컴퓨팅 디바이스 자체가 보안인 정도 및 컴퓨팅 디바이스와의 통신이 보안인 정도의 모두를 포함할 수 있다.몇몇 실시예에서, 서버(100)의 프로세서 구성요소(150)는 적어도 종단점 디바이스(500a 내지 500c) 중 하나 이상을 할당하기 위한 신뢰 레벨을 결정하도록 연결 디바이스(300)의 프로세서 구성요소(350)와 협동할 수 있다. 이는 종단점 디바이스(500a 내지 500c) 중 하나 이상의 위치의 표시에 대한 서버(100)보다 더 직접적인 액세스를 갖는 연결 디바이스(300)의 결과로서 발생할 수 있다. 예로서, 연결 디바이스(300)가 네트워크 스위치, 라우터, 또는 네트워크(999)의 다수의 부분에 결합하는 다른 유형의 네트워크 디바이스이면, 서버(100)는 서버(100)가 종단점 디바이스(500a 내지 500c) 중 하나 이상의 위치를 검출하기 위해 연결 디바이스(300)에 의존해야 하도록 종단점 디바이스(500a 내지 500c) 중 하나 이상과는 상이한 네트워크(999)의 부분 상에 위치될 수 있다.신뢰 레벨이 사람에 의해 할당되고 그리고/또는 컴퓨팅 디바이스(300, 500a 내지 500c)의 각각에 대해 자동으로 결정되는지 여부에 무관하게, 서버(100)는 각각에 대한 신뢰 기초 데이터(133) 내의 엔트리에 대해 정합하도록 이들 컴퓨팅 디바이스의 각각으로부터의 식별자(예를 들어, 연결 디바이스(300)의 ID(301))를 요청하고 그리고/또는 자동으로 구비할 수 있다. 이러한 식별자가 이와 같이 수신되는 실시예에서, 서버(100)는 네트워크(999)의 부분인 것으로 인증된 컴퓨팅 디바이스들을 인증되지 않은 것들로부터 적어도 구별하도록 이러한 식별자를 이용할 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 컴퓨팅 디바이스(300, 500a 내지 500c) 중 하나 이상의 이러한 식별자는 특정의 사전결정된 신뢰 레벨의 표시에 신뢰 기초 데이터(133) 내에서 상관될 수 있다.도 2는 하나 이상의 종단점 디바이스를 위한 신뢰 레벨을 결정하기 위한 프로세서 구성요소(150, 350) 사이의 이러한 협동의 실시예의 예를 도시한다. 도시된 바와 같이, 네트워크(999)는 그 각각이 도 1의 연결 디바이스(300)의 인스턴스인 연결 디바이스(300y, 300z)에 의해 적어도 3개의 부분(999x, 999y, 999z)으로 분할된다. 부분(999x, 999y, 999z) 내에는 종단점 디바이스(500x, 500y, 500z)가 각각 위치되어 있다. 각각의 종단점 디바이스(500x, 500y, 500z)는 도 1에 도시된 종단점 디바이스(500a, 500b 또는 500c) 중 임의의 하나의 인스턴스일 수 있다.부분(999x)의 특성(예를 들어, 토폴로지, 프로토콜, 미디어 등)에 따라, 서버(100)는 부분(999x) 내의 종단점 디바이스(500x)의 존재를 검출하는 것이 가능할 수 있다. 따라서, 서버(100)는 종단점 디바이스(500x)가 연결 디바이스(300y 또는 300z) 중 어느 하나로부터의 보조 없이 부분(999x) 내에 위치되는 것으로 결정할 수 있다.그러나, 종단점 디바이스(500y)는 연결 디바이스(300y)에 의해 부분(999x)으로부터 분리된 부분(999y)에 위치된다. 또한, 종단점 디바이스(500z)는 연결 디바이스(300z)에 의해 더 분리된 부분(999z)에 위치된다. 이들 3개의 부분(999x 내지 999z)으로의 네트워크(999)의 이러한 분리는 예를 들어, 부분(999x, 999z)이 통상의 기관(예를 들어, 법인, 정부 기관 등)에 속하고 그 기관과 연관된 사람에 의해 유지되는 내부의 물리적으로 보안 네트워크이지만, 부분(999y)은 아니다. 부분(999y)은 인터넷과 같은 개방 액세스 가능한 공용 네트워크를 횡단하고 그리고/또는 포함할 수 있고, 연결 디바이스(300y, 300z)는 가상 사설 네트워크(virtual private network: VPN)와 같이, 이들 연결 디바이스 사이의 그리고 부분(999y)을 통한 보안 경로를 형성하도록 협동할 수 있다. 따라서, 서버(100)는 보안성을 유지하기 위해 다양한 기술(예를 들어, VPN)을 거쳐 공용의 낮은 보안 부분(999y)을 통해 사설 및 보안 부분(999x)에 연결되어야 하는 사설 및 보안 네트워크인 부분(999z)과 같은, 신뢰 레벨을 결정하는 것과 관계가 있는 부분(999y 또는 999z)의 양태를 검출하는 것이 가능하지 않을 수 있다.몇몇 실시예에서, 각각의 연결 디바이스(300y, 300z)의 프로세서 구성요소(350)는 제어 루틴(310)의 이들의 각각의 것들을 실행할 때, 부분(999y, 999z) 내의 종단점 디바이스(500y, 500z)의 위치를 각각 검출하고, 이들 위치의 표시를 서버(100)에 전달할 수 있다. 각각의 연결 디바이스(300y, 300z)의 신뢰 기초 데이터(333)는 각각의 부분(999y, 999z) 각각의 보안도의 표시(또는 그 결여)를 포함할 수 있고, 각각의 프로세서 구성요소(350)는 이러한 표시를 서버(100)에 전송하여 프로세서 구성요소(150)가 각각의 종단점 디바이스(500y, 500z)의 신뢰 레벨을 결정하는데 있어서 이들 표시를 사용하는 것을 가능하게 할 수 있다. 또한, 신뢰 기초 데이터(333)는 이들 통신이 낮은 보안 부분(999y)을 통한 확장에도 불구하고 보안되게 하도록 암호화, VPN 또는 다른 기술이 종단점 디바이스(500y)와 연결 디바이스(300y) 사이에 통신을 이용하는지 여부의 표시를 포함할 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 신뢰 기초 데이터(333)는 네트워크(999)를 유지하는 사람에게만 액세스 가능한 보안 빌딩의 보안룸에 위치되는 종단점 디바이스(999z)의 표시 및/또는 네트워크(999)의 외부에서 웹사이트에 액세스하게 하는 것을 허용하지 않는 종단점 디바이스(999z) 상의 네트워크 액세스 정책을 부여하는 연결 디바이스(300z)의 표시를 포함할 수 있다. 각각의 종단점 디바이스(500y, 500z)가 동작될 수 있는 개별 조건의 이러한 표시는 또한 신뢰 레벨을 결정하는데 사용하기 위해 프로세서 구성요소(150)에 대한 서버(100)에 전송될 수 있다.다른 실시예에서, 프로세서 구성요소(150)는 부분(999y, 999z) 내의 종단점 디바이스에 대한 신뢰 레벨의 결정이 이들에 위임되는 것을 각각의 연결 디바이스(300y, 300z)의 프로세서 구성요소(350)에 시그널링할 수 있다. 이에 따라, 각각의 연결 디바이스(300y, 300z)의 프로세서 구성요소(350)는 종단점 디바이스(500y, 500z) 각각을 포함하여, 부분(999y, 999z) 상의 종단점 디바이스에 대한 신뢰 레벨을 결정하기 위해 신뢰 기초 데이터(333)의 이들의 각각의 카피를 이용할 수 있다. 프로세서 구성요소(350)는 신뢰 할당 데이터(334)의 이들의 각각의 것들로서 이들 결정된 신뢰 레벨을 저장할 수 있고, 각각의 프로세서 구성요소(350)는 이어서 이들을 서버(100)에 전송할 수 있다. 연결 디바이스(300y, 300z) 각각으로부터 신뢰 할당 데이터(334)의 카피 내에 적어도 종단점 디바이스(500y, 500z)에 할당된 신뢰 레벨의 표시를 수신할 때, 프로세서 구성요소(150)는 신뢰 할당 데이터(134)의 부분으로서 이들 표시를 저장할 수 있다. 따라서, 신뢰 할당 데이터(134)는 이들 신뢰 레벨이 프로세서 구성요소(150)에 의해 또는 연결 디바이스(300y, 300z)와 같은 하나 이상의 네트워크 디바이스의 프로세서 구성요소에 의해 결정되는지간에, 네트워크(999) 전체에 걸쳐 종단점 디바이스를 위해 결정된 신뢰 레벨의 표시의 수퍼세트가 될 수 있다.도 1을 참조하면, 도시된 바와 같이, 각각의 종단점 디바이스(500a 내지 500c)는 각각의 종단점 디바이스(500a 내지 500c)에 상이한 보안 기능을 제공하는 구성요소의 상이한 조합을 구비하며, 이로써 각각에 상이한 신뢰 레벨을 할당할 수 있게 된다. 따라서, 더 상세히 설명되는 바와 같이, 각각의 종단점 디바이스(500a 내지 500c)에 할당된 신뢰 레벨은, 모든 3개의 디바이스가 물리적으로 동일한 위치에 그리고/또는 네트워크(999)의 동일한 부분 내에 배치되더라도, 상이할 수 있다.각각의 종단점 디바이스(500a 내지 500c)에서, 프로세서 구성요소(550)는 운영 체제(540) 및 애플리케이션 루틴(570) 중 하나 또는 모두를 실행하고, 이들 운영 체제 및 애플리케이션 루틴의 각각은 다양한 기능을 수행하기 위해 로직을 구현하도록 각각의 종단점 디바이스(500a 내지 500c)의 메인 프로세서 구성요소로서 그 역할시에 프로세서 구성요소(550) 상에서 동작하는 명령의 시퀀스를 구비한다. 각각의 종단점 디바이스(500a 내지 500c)에서, 애플리케이션 루틴(570)은 이들에 한정되는 것은 아니지만, 워드 프로세서, 스프레드시트 편집기, CAD/CAM 소프트웨어, 웹사이트 브라우저, 오디오/시각적 레코딩 및/또는 재생 소프트웨어, 사진 편집기 등을 포함하는, 임의의 다양한 유형의 애플리케이션일 수 있다. 운영 체제(540)는 애플리케이션 루틴(570)의 실행을 지원하기 위해 동작 환경을 제공하도록 종단점 디바이스(500a 내지 500c) 중 하나 이상의 프로세서 구성요소(550)와 협동하는 임의의 다양한 유형의 운영 체제일 수 있다.당 기술 분야의 숙련자들에게 친숙한 바와 같이, 종단점 디바이스(500a 내지 500c)와 같은 컴퓨팅 디바이스는 임의의 다양한 악의적인 작업을 수행하도록 애플리케이션 루틴(570) 및 운영 체제(540) 중 하나 또는 모두를 오손하는 멀웨어에 의해 "감염"되게 될 수 있다. 달리 말하면, 종단점 디바이스(500a 내지 500c) 중 하나 이상은 저장 장치(560) 내에 기밀하게 로딩되고 다양한 악의적인 작업을 수행하도록 프로세서 구성요소(550)에 의해 실행되는 악의적인 루틴(예를 들어, 소위 "바이러스" 또는 "웜")을 가질 수 있다. 이러한 악의적인 작업은 정보를 훔치는 것, 네트워크를 거쳐 멀웨어를 다른 컴퓨팅 디바이스에 전송하도록 원격 제어부에 의해 명령되는 것을 가능하게 하기 위해 컴퓨팅 디바이스의 제어를 얻는 것 및/또는 네트워크 상에 제공된 서비스의 제어를 얻는 것을 포함하지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 이러한 멀웨어와 투쟁하기 위해, 제어 루틴(510)은 멀웨어의 로딩을 방지하고 그리고/또는 소위 "안티바이러스" 소프트웨어인 당 기술 분야의 숙련자들에게 친숙한 기술을 이용하여 멀웨어에 의한 이러한 노력을 모니터링하고 차단하기 위해 종단점 디바이스(500a 내지 500c) 중 하나 이상 내에 설치될 수 있다.다양한 실시예에서, 종단점 디바이스(500a)는 프로세서 구성요소(550), 저장 장치(560), 콘트롤러(600) 및 종단점 디바이스(500a)를 네트워크(999)에 결합하기 위한 인터페이스(590) 중 하나 이상을 구비한다. 저장 장치(560)는 제어 루틴(510), 운영 체제(540) 및 애플리케이션 루틴(570) 중 하나 이상을 저장한다. 콘트롤러(600)는 프로세서 구성요소(650) 및 저장 장치(660) 중 하나 이상을 구비한다. 저장 장치(660)는 제어 루틴(610), 환경 크리덴셜(631), 신뢰 기초 데이터(633), 신뢰 할당 데이터(634) 및 로그 데이터(636) 중 하나 이상을 저장한다. 콘트롤러(600)는 그 자신의 고유의 독립 콘트롤러 프로세서 구성요소(650) 및 저장 장치(660)를 갖는, 메인 프로세서 구성요소(550) 및 저장 장치(560)의 동작 환경과는 별도의 동작 환경을 제공할 수 있다. 따라서, 콘트롤러(600)는 프로세서 구성요소(550)에 의해 실행될 수 있는 임의의 멀웨어에 의한 영향으로부터 상당히 보호되는 보안 방식으로 제어 루틴(610)의 실행을 가능하게 하는 보안 동작 환경을 제공할 수 있다.다양한 실시예에서, 종단점 디바이스(500b)는 프로세서 구성요소(550), 저장 장치(560) 및 종단점 디바이스(500b)를 네트워크(999)에 결합하기 위한 인터페이스(590) 중 하나 이상을 구비한다. 저장 장치(560)는 제어 루틴(510), 운영 체제(540), 애플리케이션 루틴(570), 신뢰 기초 데이터(533), 신뢰 할당 데이터(534) 및 로그 데이터(536) 중 하나 이상을 저장한다. 제어 루틴(510)은, 다른 루틴으로부터의 액세스가 멀웨어로부터의 간섭을 방지하기 위해 상당히 규제되는 보안 동작 환경에서 적어도 제어 루틴(510)이 프로세서 구성요소(550)에 의한 보안 실행을 위해 저장되어 있는 저장 장치(560) 내에 보안 구역(secure enclave)(565)을 규정하도록 프로세서 구성요소(550)와 협동할 수 있다. 보안 구역(565) 내에는 신뢰 기초 데이터(533), 신뢰 할당 데이터(534) 및 로그 데이터(536) 중 하나 이상이 또한 저장될 수 있다. 보안 구역(565)의 형태는 보안 구역(565)의 외부에 있는 저장 장치(560)의 위치로부터 실행된 루틴에 의해 보안 구역(565)으로의 액세스시에 규제를 시행하기 위해 프로세서 구성요소(550)의 특징에 의존할 수 있다. 이러한 보안 구역의 제공의 예는 프로세서 구성요소(550)를 구현하도록 이용될 수 있는 다양한 형태의 프로세서에서, 미국 캘리포니아주 산타클라라 소재의 Intel Corporation에 의해 보급되는 Software Guard Extensions(SGX) 기술이다. 대안적으로 또는 부가적으로, 제어 루틴(510)은 종단점 디바이스(500b)가 재초기화(예를 들어, "리부팅")될 때마다 보안 구역(565)을 형성하도록 프로세서 구성요소(550)와 신뢰적으로 협동하는 것이 가능하도록 제어 루틴(510)의 오손을 방지하는 저장 장치(560)의 비휘발성 부분 내에 저장될 수 있다.다양한 실시예에서, 종단점 디바이스(500c)는 프로세서 구성요소(550), 저장 장치(560) 및 종단점 디바이스(500c)를 네트워크(999)에 결합하기 위한 인터페이스(590) 중 하나 이상을 구비한다. 저장 장치(560)는 운영 체제(540)와 애플리케이션 루틴(570) 중 하나 이상을 저장한다. 종단점 디바이스(500a, 500b)와는 달리, 어떠한 형태의 보안 동작 환경도 종단점 디바이스(500c) 내에 제공되지 않는다. 멀웨어를 모니터링하고 차단하기 위한 로직을 구현하는 제어 루틴(510)의 형태가 또한 저장 장치(560) 내에 저장되어 프로세서 구성요소(550)에 의해 실행될 수 있지만, 이러한 제어 루틴(510)의 형태는 종단점 디바이스(500a 내지 500b) 내의 그 대응부보다 자체로 종단점 디바이스(500c) 내에서 오손되는 것으로부터 덜 보호된다.몇몇 실시예에서, 종단점 디바이스(500a 내지 500c) 중 하나 이상은, 다양한 실시예에서 저장 장치(560) 또는 다른 구성요소 내의 다른 위치에 저장될 수 있는(예를 들어, 프로세서 구성요소(560) 또는 인터페이스(590) 내에 영구적으로 저장됨) 고유 식별자(ID)(501)를 또한 구비할 수 있다. 모든 3개의 종단점 디바이스(500a 내지 500c)를 참조하면, 제어 루틴(510, 610)은 다양한 기능을 수행하기 위한 로직을 구현하기 위해, 메인 프로세서 구성요소로서 그 역할시에 프로세서 구성요소(550) 및 콘트롤러 프로세서 구성요소로서 그 역할시에 프로세서 구성요소(650)의 대응하는 것들 상에서 동작하는 명령의 시퀀스를 각각 구비한다. 종단점 디바이스(500a, 500b)를 참조하면, 하나 이상의 루틴이 멀웨어에 의한 공격으로부터 보안된 방식으로 실행될 수 있는 보안 동작 환경을 제공한다는 점에서, 상이한 신뢰 레벨을 각각 할당받을 수 있는 적어도 2개의 상이한 동작 환경이 거기에 존재하게 한다. 달리 말하면, 각각의 종단점 디바이스(500a, 500b)는 이들 종단점 디바이스 중 하나 또는 다른 하나 내에 제공된 보안 동작 환경으로부터 서버(100)에 의해 수신된 정보가 각각의 낮은 보안 동작 환경으로부터 발생하는 정보보다 더 신용성이 있는 것으로 간주될 수 있다는 인식하에 하나 초과의 신뢰 레벨이 할당될 수 있다. 도 3 및 도 4는 각각의 종단점 디바이스(500a, 500b)에 다수의 신뢰 레벨의 할당의 실시예의 예를 각각 도시한다.도 3을 참조하면, 제어 루틴(610)을 실행할 때, 프로세서 구성요소(650)는 초기에 ID(501)의 표시를 서버(100)에 전송할 수 있어 프로세서 구성요소(150)가 제어 루틴(110)을 실행할 때 종단점 디바이스(500a)가 네트워크(999)의 부분인 것으로 인증되는 것을 검증한다. 이와 같이 함으로써, 프로세서 구성요소(150)는 신뢰 기초 데이터(133) 내의 네트워크(999)의 부분인 것으로 인증된 디바이스를 표시하는 엔트리에 ID(501)를 비교할 수 있다.프로세서 구성요소(650)는 이어서 종단점 디바이스(500a)가 보안 동작 환경을 제공하는 것이 가능한 것을 프로세서 구성요소(150)가 검증하는 것을 가능하게 하는 서버(100)와의 적어도 하나의 보안 크리덴셜의 교환시에 환경 크리덴셜(631)을 이용할 수 있다. 더 구체적으로, 하나 이상의 크리덴셜의 이러한 교환은, 운영 체제(540) 및/또는 애플리케이션 루틴(570)이 실행되는 동작 환경으로부터 실질적으로 격리되어 있는 보안 동작 환경을 제공하기 위해 종단점 디바이스(500a)가 콘트롤러(600)를 구비하는 것을 프로세서 구성요소(150)가 검증하는 것을 가능하게 하도록 이용될 수 있다. 재차, 크리덴셜의 이러한 검증은 디지털 서명, 공용-개인키 세트, 인증 기관에 의해 발행된 인증서, 루틴의 부분의 해시 등을 포함하는, 임의의 다양한 검증 메커니즘에 기초할 수 있다. 이용된 정확한 검증 메커니즘에 무관하게, 환경 크리덴셜(631)은 종단점 디바이스(500a)의 콘트롤러(600)를 구비하는 모든 회로의 제조업자에 의해 콘트롤러(600) 내에 포함될 수 있고, 또는 종단점 디바이스(500a)의 제조업자에 의해 이와 같이 포함될 수 있다. 예로서, 환경 크리덴셜(631)은 프로세서 구성요소(650) 내에 포함될 수도 있다.이러한 검증의 결과로서, 서버(100)의 프로세서 구성요소(150)는 콘트롤러(600)에 의해 제공되는 보안 동작 환경에는 프로세서 구성요소(150)에 의해 비교적 높은 것으로 결정된 신뢰 레벨을 할당할 수 있다. 따라서, 가능한 멀웨어 액티비티를 표시하는 콘트롤러(600)로부터 수신된 정보는 비교적 높은 신뢰 레벨로 귀착된다. 몇몇 실시예에서, 서버(100)의 프로세서 구성요소(150)는 또한 운영 체제(540) 및/또는 애플리케이션 루틴(570)이 실행되는 동작 환경에는 프로세서 구성요소(150)에 의해 더 낮은 신뢰 레벨인 것으로 결정된 개별의 신뢰 레벨을 할당할 수 있다. 그러나, 다른 실시예에서, 프로세서 구성요소(150)는 운영 체제(540) 및/또는 애플리케이션(570)이 실행되는 환경에 할당될 신뢰 레벨을 결정하도록 콘트롤러(600)에 시그널링할 수 있다. 이러한 실시예에서, 프로세서 구성요소(650)는, 어느 신뢰값이 그 동작 환경에 할당되는지를 결정하도록 운영 체제(540) 및/또는 애플리케이션 루틴(570)이 실행되는 동작 환경의 신용성에 관한 신뢰 규칙 및/또는 다양한 파라미터의 표시를 이용할 수 있다. 일단 결정되면, 그 신뢰 레벨은 신뢰 할당 데이터(634) 내에 저장될 수 있고, 이어서 서버(100)에 전송될 수 있는데, 여기서 프로세서 구성요소(150)는 신뢰 할당 데이터(134)에 그 신뢰 레벨의 표시를 추가할 수 있다.또한, 제어 루틴(610)을 실행할 때에, 프로세서 구성요소(650)는 프로세서 구성요소(550)와 협동해서 운영 체제(540) 및/또는 제어 루틴(510)(존재하면)이 저장되어 프로세서 구성요소(550)에 의해 실행될 수 있는 보안 구역을 저장 장치(560) 내에 규정할 수 있다. 이는 콘트롤러(600)에 의해 제공되는 보안 동작 환경의 비교적 높은 신뢰 레벨과 적어도 애플리케이션 루틴(570)이 실행될 수 있는 동작 환경의 비교적 낮은 신뢰 레벨 사이의 중간값의 제 3 신뢰 레벨의 할당을 야기할 수 있다. 적어도 애플리케이션 루틴(570)에 대한 멀웨어 공격을 검출하고 차단하기 위해 이러한 보안 구역 내에서 실행된 제어 루틴(510)을 포함하는 종단점 디바이스(500a)의 실시예에서, 제어 루틴(510)으로부터 서버(100)에 의해 수신된 정보는 이어서 이러한 중간 신뢰 레벨로 귀착될 수 있다.도 4를 참조하면, 제어 루틴(510)을 실행할 때, 프로세서 구성요소(650)는 초기에 서버(100)에 ID(501)의 표시를 전송할 수 있어, 프로세서 구성요소(150)가 제어 루틴(110)을 실행할 때 종단점 디바이스(500b)가 네트워크(999)의 부분인 것으로 인증되는 것을 검증하는 것을 가능하게 한다. 프로세서 구성요소(550)는 이어서 적어도 제어 루틴(510)의 보안 실행을 가능하게 하기 위해 종단점 디바이스(500b) 내에 보안 구역(565)을 형성하는 능력의 표시를 서버(100)에 시그널링할 수 있다. 최종적인 보안 동작 환경에 할당되는 것으로 결정될 수 있는 신뢰 레벨은 보안 구역(565)의 형성에 있어서 다양한 구현 상세에 따라 콘트롤러(600)에 의해 생성된 보안 동작 환경에 할당된 것에 상응할 수 있다. 구현예가 충분히 보안 동작 환경을 야기하는 몇몇 실시예에서, 종단점 디바이스(500b)는 이러한 보안 동작 환경을 제공하는 능력을 검증하는데 사용을 위해 보안 구역(565) 내에 환경 크리덴셜(531)을 저장할 수 있다. 이러한 환경 크리덴셜의 사용을 통한 검증시에, 프로세서 구성요소(150)는 보안 구역(565)에 의해 제공된 보안 동작 환경에 할당하기 위해 비교적 높은 신뢰 레벨을 결정할 수 있다. 종단점 디바이스(500a)와 같이, 프로세서 구성요소(150)는 자체로 적어도 애플리케이션 루틴(570)이 실행되는 동작 환경에 할당하기 위해 더 낮은 신뢰 레벨을 결정할 수 있고, 또는 이러한 신뢰 레벨을 결정하기 위해, 보안 구역(565) 내에 제어 루틴(510)을 실행할 때 프로세서 구성요소(550)에 시그널링할 수 있다.도 3 및 도 4를 모두 참조하면, 각각의 종단점 디바이스(500a, 500b)에 의해 제공된 상이한 동작 환경에 할당된 신뢰 레벨은 네트워크(999) 내의 이들의 위치 및/또는 이들의 물리적 위치와 같은, 다른 팩터에 기초하여 종단점 디바이스(500a, 500b)에 다른 방식으로 할당된 신뢰 레벨과 임의의 다양한 방식으로 조합될 수 있다. 예로서, 2개의 디바이스 사이의 통신 내의 보안성이 통신의 경로 사이에 그리고 2개의 디바이스 자체 사이에 "가장 약한 링크"만큼만 양호하다는 원리에 기초하여, 종단점 디바이스(500a 또는 500b) 중 어느 하나 내의 임의의 동작 환경에 할당된 최고 신뢰 레벨은 네트워크(999) 상의 이들의 위치 및/또는 이들의 물리적 위치에 기초하여 결정된 신뢰 레벨보다 높지 않도록 요구될 수 있다. 달리 말하면, 하나의 각각의 종단점 디바이스(500a, 500b)가 적어도 하나의 고도의 보안 동작 환경을 제공할 수 있지만, 충분히 보안성이 있는 것으로 간주되지 않는 네트워크(999)의 부분을 통해 전달되면 이들 보안 환경으로부터 발생하는 멀웨어 공격의 표시가 여전히 매우 신용성이 있는 것으로 간주되지 않을 수도 있다.도 1을 참조하면, 연결 디바이스(300)가 네트워크(999)를 유지하는 책임이 제공된 사람의 제어 하에 있다는 사실은 연결 디바이스(300)가 비교적 높은 신뢰 레벨이 할당되는 것의 결정을 야기할 수 있다. 이러한 네트워크 디바이스는 단지 이러한 사람에만 액세스 가능한 보안 영역에 위치된다. 대안적으로 또는 부가적으로, 연결 디바이스(300)와 같은 네트워크 디바이스에 높은 신뢰 레벨의 귀착은 또한 이러한 컴퓨팅 디바이스가 네트워크(999)를 유지하는 책임을 갖는 사람들 이외의 사람의 명령시에 애플리케이션을 실행하도록 이용되지 않는 것에 기초할 수 있다. 또한, 연결 디바이스(300)의 통상적인 구현예의 제어 루틴(310)이 오손을 저지하기 위해 특정하게 기록되는 것이 통상적이다(예를 들어, 멀웨어 공격에 대해 "강화됨(hardened)"). 따라서, 비교적 높은 신뢰 레벨이 연결 디바이스(300)에 할당될 가능성이 있다.이들 컴퓨팅 디바이스(100, 300, 500a 내지 500c) 및 네트워크(999)의 정상 동작 중에, 서버(100)는 컴퓨팅 디바이스(300, 500a 내지 500c) 중 하나 이상으로부터 가능한 멀웨어 공격의 표시(또는 적어도 멀웨어 공격의 위험)의 수신을 대기한다. 각각의 이들 컴퓨팅 디바이스(300, 500a 내지 500c)에 할당된 신뢰 레벨은 가능한 멀웨어 공격의 수신된 표시가 응답해야 하는지 여부를 판정할 때에 서버(100)의 프로세서 구성요소(150)에 의해 이용될 수 있다. 예로서, 적어도 애플리케이션 루틴(570)이 종단점 디바이스(500a 내지 500c) 중 임의의 것에서 실행되는 동작 환경으로부터 발생하는 경우에, 특히 종단점 디바이스(500a 또는 500b)의 더 고도로 신뢰된 보안 동작 환경으로부터, 또는 연결 디바이스(300)로부터 발생하는 확증적인 표시가 존재하지 않으면, 이들 환경에 할당된 더 하위 신뢰 레벨(들)이 이러한 표시가 비신뢰적인 것이라고 판정하는 서버(100)의 프로세서 구성요소(150)에 의한 팩터로서 이용될 수 있다.그러나, 덜 신뢰된 동작 환경 및/또는 덜 신뢰된 종단점 디바이스로부터의 표시는 이러한 덜 신뢰된 소스로부터 발생하는 이러한 표시의 수많은 것들이 존재하는 상황에서 작용하도록 프로세서 구성요소(150)를 더 즉시 트리거링할 수 있다. 예로서, 네트워크(999)에 결합된 종단점 디바이스(500c)의 수많은 것들이 존재하고, 가능한 멀웨어 공격의 수많은 표시가 이들 덜 신뢰된 소스의 수많은 것들로부터 수신되면, 수많은 표시를 수신하는 사실은 이러한 공격이 없는 더 고도로 신뢰된 소스로부터 더 적은 수의 상충 표시를 오버라이드할 수 있다.가능한 멀웨어 공격(또는 적어도 멀웨어 공격의 위험)의 표시를 수신할 때, 덜 신뢰된 소스가 덜 신뢰된 소스의 식별자 대신에, 더 신뢰된 소스의 식별자를 포함하는 표시를 송신하는 가능성("스푸핑(spoofing)"의 형태라 칭할 수도 있음)을 다루기 위해 이러한 표시의 소스를 검증하도록 다양한 메커니즘이 이용될 수 있다. 이용될 수 있는 메커니즘 중에는, 네트워크(999) 내로 전송된 가능한 멀웨어 공격의 표시를 마킹하는데 사용될 수 있는 암호키, 디지털 서명, 인증서 등과 같은, 네트워크(999)의 부분인 것으로 인증된 다양한 디바이스들 사이의 아이덴티티 크리덴셜의 분산이 있을 수 있다. 몇몇 실시예에서, 서버(100)는 자체로 연결 디바이스(300) 및/또는 종단점 디바이스(500a, 500b 및/또는 500c) 중 하나 이상에 이러한 아이덴티티 크리덴셜을 분산할 수 있고, 이어서 그가 수신하는 가능한 멀웨어 공격의 표시를 직접 검증할 수도 있다. 다른 실시예에서, 네트워크(999)의 다른 디바이스(예를 들어, 연결 디바이스(300), 또는 다른 서버)는 이러한 크리덴셜을 분산하고 이어서 분석을 위해 서버(100)에 전방으로 이들 표시의 검증된 것들을 릴레이하기 전에 가능한 멀웨어 공격의 표시를 검증하는 서비스를 제공할 수 있다. 다양한 프로토콜 및/또는 수락된 메시지 포맷은 가능한 멀웨어 공격의 표시의 전송에 그리고/또는 이러한 표시의 검증된 것들의 포워딩에 이용될 수 있다.이러한 표시는 덜 신뢰된 소스 또는 더 신뢰된 소스로부터 오건간에, 멀웨어의 단편과 연관된 데이터 패턴 또는 거동의 서명 패턴을 검출하는데 있어서 포지티브 정합의 표시, 비상하게 높은 양의 특정 유형의 네트워크 트래픽의 표시, 또는 루틴이 변경되어 있는 것을 드러내는 루틴의 부분의 해시의 수행된 점검의 표시를 포함할 수 있다. 그러나, 이러한 표시는 또한 덜 명백할 수 있고, 다수의 원인에 기인할 수 있는 이벤트의 표시일 수 있는데, 이들 원인의 단지 하나는 그에 로그인하려고 시도하는 종단점 디바이스의 인증된 조작자에 의해 패스워드를 타이핑하는데 있어서 에러의 표시, 또는 사전결정된 시간 기간보다 긴 시간 동안 조작자에 의해 수반되지 않은 종단점 디바이스의 표시와 같은, 멀웨어 공격에 관련될 수 있다.가능한 멀웨어 공격의 표시의 수신에 응답하여 프로세서 구성요소(150)가 동작을 취하는 것으로 결정한 것에 응답하여, 프로세서 구성요소(150)는 분석을 위해적어도 최근의 이벤트를 표시하는 로그를 서버(100)에 전송하도록 연결 디바이스(300)와 종단점 디바이스(500a 내지 500c) 중 하나 이상에 시그널링할 수 있다. 정상 동작 중에, 각각의 연결 디바이스(300) 및 종단점 디바이스(500a 내지 500c)는 이들의 시간 경과에 따라 발생함에 따라 다양한 선택된 이벤트의 표시로 로그 데이터(336, 536, 636)의 대응하는 것들을 반복적으로 업데이트할 수 있다. 연결 디바이스(300)의 경우, 로그 데이터(336)는 네트워크(999) 또는 네트워크(999)의 부분 내의 디바이스의 접속 및/또는 분리의 표시, 네트워크(999)를 통한 패킷의 전송에서 발생하는 에러의 인스턴스, 디바이스에 의한 네트워크 액티비티의 비상한 패턴의 표시를 포함할 수 있다. 각각의 종단점 디바이스(500a 내지 500c)의 경우, 로그 데이터(536 또는 636)는 부여된 액세스 규제를 위반하는 저장 장치(560)의 부분에 루틴에 의해 시도된 액세스의 표시, 다양한 루틴의 실행의 시작 및/또는 종료의 표시, 루틴에 의한 라이브러리 루틴으로의 호의 비상한 패턴의 표시 등을 포함할 수 있다.도 3을 참조하면, 도시된 바와 같이, 로그 데이터(636)는 제어 루틴(510)(존재하면), 운영 체제(540) 및 애플리케이션 루틴(570) 중 적어도 하나 이상의 실행을 수반하는 이벤트의 표시를 조합할 수 있다. 표시의 적어도 일부는 프로세서 구성요소(550)에 의한 다양한 루틴의 실행을 모니터링하기 위해 제어 루틴(610)을 실행하는데 있어서 프로세서 구성요소(650)에 의해 로그 데이터(636)에 추가될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 표시의 적어도 일부는 제어 루틴(510), 운영 체제(540) 및 애플리케이션 루틴(570) 중 하나 이상에 의해 발생된 출력으로서 로드 데이터(636)에 추가하도록 콘트롤러(600)에 제공될 수 있다. 로그 데이터(636)에 추가된 이벤트의 표시는 표시가 프로세서 구성요소(650)에 의해 검출된 이벤트의 것인지 또는 프로세서 구성요소(550)에 의해 실행된 루틴들 중 하나에 의해 발생된 것으로 표시된 이벤트의 것인지의 여부와 같은, 이들의 소스의 표시에 의해 마킹되거나 또는 다른 방식으로 수반될 수 있다. 이 방식으로, 서버(100)의 프로세서 구성요소(150)는 로그 데이터(636)의 각각의 표시에 적절한 신뢰 레벨을 연관하는 것이 가능하다. 도 4를 참조하면, 보안 구역(565)의 보안 동작 환경에서 제어 루틴(510)을 실행하는데 있어서 프로세서 구성요소(550)에 의해 검출된 이벤트의 로그 데이터(536) 내의 표시와 이들이 프로세서 구성요소(550)에 의해 실행될 때 애플리케이션 루틴(570) 및/또는 동작 환경(540)에 의해 제공된 이벤트의 로그 데이터 내의 표시 사이의 유사한 구별이 행해질 수 있다.도 1을 참조하면, 프로세서 구성요소(150)는 제어 루틴(110)을 실행하는데 있어서, 로그 데이터(336, 536 및/또는 636)의 각각 내의 표시의 소스에 할당된 신뢰 레벨을 고려하여, 멀웨어 공격의 표시를 위해 요청되고 수신된 로그 데이터(336, 536 및/또는 636)를 분석한다. 재차, 하나의 소스에 귀착된 더 상위의 신뢰 레벨에도 불구하고, 덜 신뢰된 소스로부터 하나 이상의 표시가 작용되어야 하는 표시인 것으로 결정되는 것이 가능할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 프로세서 구성요소(150)는 가능한 멀웨어 공격의 표시에 응답하기 보다는, 규칙적으로 네트워크에 결합된 다양한 디바이스로부터 이러한 로그 데이터를 반복적으로 요청할 수 있다는 것이 주목되어야 한다.컴퓨팅 디바이스(500a 내지 500c)의 특정의 것과 연관된 멀웨어 공격의 하나 이상의 표시에 응답하여, 이들 표시가 로그 데이터로부터의 표시를 포함하는지에 무관하게, 프로세서 구성요소(150)는 저장 장치(560)의 적어도 일부의 콘텐츠의 카피(예를 들어, 이들의 "스냅샷")를 제공하기 위해 그 특정 컴퓨팅 디바이스에 요청을 전송할 수 있다. 저장 장치(560)는, 이들의 도면에 단일의 블록으로 도시되어 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니지만 휘발성 및/또는 비휘발성 고체 상태 저장 장치, 강자성 저장 장치, 광학 저장 장치 등을 포함하여, 상이한 기술에 기초하여 다수의 저장 디바이스로 구성될 수 있다는 것이 주목되어야 한다. 따라서, 예로서, 저장 장치(560)의 적어도 일부의 콘텐츠의 스냅샷을 위한 요청은 동적 또는 정적 랜덤 액세스 메모리의 콘텐츠의 카피, NAND-기반 플래시 메모리의 콘텐츠의 카피, 및/또는 하드 디스크 드라이브의 콘텐츠의 카피를 캡처하는 것을 수반할 수 있다.도 3을 참조하면, 종단점 디바이스(500a)의 이러한 요청된 스냅샷은 제어 루틴(510), 운영 체제(540) 및 애플리케이션 루틴(570), 뿐만 아니라 저장 장치(560) 내의 임의의 연관된 데이터 중 하나 이상의 카피를 포함할 수 있는 저장 장치(560)의 콘텐츠의 스냅샷의 캡처와 응답할 수 있다. 이러한 스냅샷의 수신시에, 프로세서 구성요소(150)는 분석을 위한 캡처 데이터(137)로서 이를 저장할 수 있다. 재차, 신뢰값은 이들의 원점의 수신된 표시에 기초하여 이러한 스냅샷과 연관될 수 있다. 따라서, 콘트롤러(600)의 프로세서 구성요소(650)가 저장 장치(560)의 적어도 일부의 스냅샷의 캡처를 수행한 것으로 가정하면, 스냅샷은 비교적 높은 신뢰 레벨을 귀착할 수 있다. 그리고 재차, 스냅샷에 귀착된 신뢰값은 스냅샷의 콘텐츠를 분석하는데 고려될 수 있다.프로세서 구성요소(150)가 로그 데이터 및/또는 스냅샷 내에 존재할 수 있는 표시를 포함하여, 가능한 멀웨어 공격의 표시를 분석하는 것에 응답하여 공격에 연루된 멀웨어를 박멸하기 위해 동작이 취해지는 것을 결정하는 실시예에서, 프로세서 구성요소(150)는 지정된 동작을 취하도록 네트워크 디바이스 또는 종단점 디바이스에 시그널링할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 프로세서 구성요소(150)가 멀웨어가 원격으로 리셋되는 능력을 구비하는 종단점 디바이스 내에 존재하는 것으로 결정하는 경우에, 프로세서 구성요소(150)는 이와 같이 행하도록 그 종단점 디바이스에 시그널링할 수 있다. 예로서, 프로세서 구성요소(150)는 프로세서 구성요소(550)의 동작을 리셋하도록 종단점 디바이스(500a)의 콘트롤러(600)의 프로세서 구성요소(650)에 시그널링할 수 있다. 이에 따라, 프로세서 구성요소(650)는 제어 루틴(510), 운영 체제(540) 및/또는 애플리케이션 루틴(570) 중 하나 이상의 실행을 재시작하려는 시도시에 재초기화하거나 "리부트"하도록, 뿐만 아니라 멀웨어의 단편을 박멸하려고 시도하도록 저장 장치(560)의 적어도 일부를 클리어하도록 프로세서 구성요소(550)에 시그널링할 수 있다.대안적으로 또는 부가적으로, 프로세서 구성요소(150)는 멀웨어를 박멸하기 위한 동작이 취해져야 하는 것으로 결정하는 것에 응답하여, 멀웨어 공격이 진행중인 것으로 결정된 보고를 갖고 다른 컴퓨팅 디바이스에 시그널링할 수 있다. 이는 이들이 동작의 코스를 결정하는 것을 가능하게 하기 위해 멀웨어 공격을 사람에게 통지하도록 행해질 수 있다. 프로세서 구성요소는 분석의 상세 및/또는 어느 표시가 멀웨어 공격이 다른 컴퓨팅 디바이스에 시그널링하는 도중에 있다는 결정을 유도하는지를 제공할 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 보고로 시그널링된 다른 컴퓨팅 디바이스는 멀웨어를 박멸하려고 시도하기 위해 신호에 제공된 상세를 이용할 수 있다.도 1을 참조하면, 리셋을 위해 종단점 디바이스에 시그널링하는 것에 대안으로서 또는 추가하여, 프로세서 구성요소(150)는 네트워크(999)로부터 멀웨어 공격과 연관되는 것으로 결정된 종단점 디바이스를 분리하도록 연결 디바이스(300)에 시그널링할 수 있다. 이러한 신호에 응답하여, 프로세서 구성요소(350)는 제어 루틴(310)을 실행하는데 있어서, 지정된 종단점 디바이스로부터 수신된 무시 신호를 개시하고 그 종단점 디바이스에 신호를 전송하는 것을 억제할 수 있다.도 5, 도 6 및 도 7은 각각 도 1의 멀웨어 검출 시스템(1000)의 실시예의 부분의 블록도를 더 상세히 도시한다. 더 구체적으로, 도 5는 프로세서 구성요소(150)가 제어 루틴(110)을 실행하는데 있어서, 다른 컴퓨팅 디바이스에 신뢰 레벨을 할당하고 멀웨어 공격을 표시할 수 있는 정보를 분석하는데 있어서 이들 신뢰 레벨을 이용하는 서버(100)의 동작 환경의 양태를 도시한다. 도 6은 프로세서 구성요소(650)가 제어 루틴(610)을 실행하는데 있어서, 콘트롤러(600) 내에 보안 동작 환경을 제공하고 프로세서 구성요소(550)에 의한 루틴의 실행을 모니터링하는 종단점 디바이스(500a)의 동작 환경의 양태를 도시한다. 도 7은 프로세서 구성요소(550)가 제어 루틴(510)을 실행하는데 있어서, 보안 구역(565) 내에 보안 동작 환경을 제공하고, 보안 구역(565)의 외부에 프로세서 구성요소(550)에 의한 루틴의 실행을 모니터링하는 종단점 디바이스(500b)의 동작 환경의 양태를 도시한다.당 기술 분야의 숙련자에게 인식 가능한 바와 같이, 그 각각이 구성되어 있는 구성요소를 포함하여 제어 루틴(110, 510, 610)은 프로세서 구성요소(150, 550 또는 650)의 적용 가능한 것들을 구현하도록 선택된 어떠한 유형의 프로세서 또는 프로세서 상에서라도 동작하도록 선택된다. 다양한 실시예에서, 이들 루틴의 각각은 운영 체제, 디바이스 드라이버 및/또는 애플리케이션 레벨 루틴(예를 들어, 디스크 매체 상에 제공된 소위 "소프트웨어 스위트", 원격 서버로부터 얻어진 "애플릿" 등) 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 운영 체제가 포함되는 경우에, 운영 체제는 프로세서 구성요소(150, 550 또는 650)의 어떠한 대응하는 것들에라도 적절한 임의의 다양한 이용 가능한 운영 체제일 수 있다. 하나 이상의 디바이스 드라이버가 포함되는 경우에, 이들 디바이스 드라이버는 컴퓨팅 디바이스(100, 500a 또는 500b), 뿐만 아니라 콘트롤러(600)의 대응하는 것들의 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소에 무관하게, 임의의 다양한 다른 구성요소를 위한 지원을 제공할 수 있다.각각의 제어 루틴(110, 510, 610)은 설명된 바와 같이 네트워크(999)를 거쳐 신호를 전송하고 수신하기 위해 인터페이스(190 또는 590) 중 적용 가능한 것을 동작하도록 프로세서 구성요소(150, 550 또는 650) 중 적용 가능한 것에 의해 실행가능한 통신 구성요소(119, 519 및/또는 619)를 각각 포함할 수 있다. 교환된 신호들 중에는, 네트워크(999)를 거쳐 컴퓨팅 디바이스의 식별자, 보안 크리덴셜 및/또는 컴퓨팅 디바이스(100, 300, 500a 내지 500c) 중 하나 이상 사이의 멀웨어 공격의 표시를 전달하는 신호가 있을 수 있다. 당 기술 분야의 숙련자들에게 인식 가능한 바와 같이, 이들 통신 구성요소는 인터페이스(190, 590)의 대응하는 것들을 구현하도록 선택되는 어떠한 유형의 인터페이스 기술과도 함께 동작 가능하도록 선택된다.도 5를 더 구체적으로 참조하면, 제어 루틴(110)은 보안 동작 환경을 제공하는 이들의 능력을 검증하기 위해 종단점 디바이스(500a 또는 500b)에 의해 서버(100)에 어떠한 크리덴셜이라도 전송될 수 있다는 것을 검증하기 위해 환경 크리덴셜(131)을 이용하도록 프로세서 구성요소(150)에 의해 실행가능한 검증 구성요소(111)를 포함할 수 있다. 전술된 바와 같이, 이들에 한정되는 것은 아니지만, 서명의 교환, 서명된 크리덴셜 등을 포함하는 임의의 다양한 검증 메커니즘이 사용될 수 있다.제어 루틴(110)은 하나 이상의 종단점 디바이스 및/또는 네트워크 디바이스(예를 들어, 연결 디바이스)와 연관된 적어도 하나의 신뢰 레벨을 결정하기 위해 프로세서 구성요소(150)에 의해 실행가능한 신뢰 구성요소(113)를 포함할 수 있다. 설명된 바와 같이, 하나 이상의 종단점 디바이스(예를 들어, 종단점 디바이스(500a 또는 500b))는 이러한 종단점 디바이스가 보안 동작 환경을 포함하여 다수의 동작 환경을 제공하는 하나 초과의 신뢰 레벨이 할당될 수 있다.신뢰 구성요소(113)는 초기에 네트워크(999)에 결합된 디바이스의 식별자를 수신하고 신뢰 기초 데이터(133) 내에 포함될 수 있는 식별자의 표시에 이를 비교할 수 있어, 그 디바이스가 어느 신뢰값이 그에 할당되는지를 결정하기 전에 네트워크(999)의 부분인 것으로 인증되는지 여부를 판정한다. 설명된 바와 같이, 신뢰값은 다른 가능한 고려사항 중에서, 네트워크(999) 내의 디바이스의 위치, 디바이스의 물리적 위치, 신뢰 기초 데이터(133) 내에 제공될 수 있는 신뢰값의 명시적인 표시, 다른 낮은 보안 동작 환경에 추가하여 보안 동작 환경을 제공하는 능력의 검증, 및/또는 네트워크(999)를 유지하는 작업을 하는 사람에 의해 보안식으로 유지된 네트워크 디바이스인 것에 기초할 수 있다.신뢰 구성요소(113)는 네트워크 디바이스(예를 들어, 연결 디바이스(300)) 또는 보안 동작 환경을 제공하는 종단점 디바이스에 신뢰 레벨을 할당하는 것을 보조하도록 시그널링할 수 있고, 이들 다른 디바이스로부터 이들 신뢰값의 표시를 수신할 수 있다. 신뢰 구성요소(113)는 신뢰 구성요소(113)에 의해 결정되건 또는 다른 디바이스로부터 수신되건간에, 이들이 할당되는 각각의 디바이스의 식별자의 표시와 상관된 신뢰 할당 데이터(134) 내에 신뢰 레벨을 저장할 수 있다.제어 루틴(110)은 네트워크에 결합된 다른 컴퓨팅 디바이스(예를 들어, 연결 디바이스(300) 및 종단점 디바이스(500a 내지 500c))로부터 수신된 멀웨어 공격의 표시를 수신하여 분석하기 위해 프로세서 구성요소(150)에 의해 실행가능한 분석 구성요소(116)를 포함할 수 있다. 전술된 바와 같이, 이러한 표시는 다른 컴퓨팅 디바이스로부터 수신되고 로그 데이터(136)로서 저장된 로그 데이터, 및/또는 다른 컴퓨팅 디바이스로부터 수신되고 캡처 데이터(137)로서 저장된 저장 장치의 콘텐츠의 스냅샷을 포함할 수 있다. 수신된 표시를 분석할 때, 분석 구성요소는 이들 수신된 표시의 각각의 소스와 신뢰 레벨을 연관하기 위해 신뢰 할당 데이터(134)를 참조하고, 이들 신뢰 레벨을 분석에 있어서의 팩터로서 이용한다.분석 구성요소(116)는 응답을 요구하는 멀웨어 공격이 존재한다는 분석으로부터 결정에 응답하여 취해질 하나 이상의 동작을 결정하기 위한 박멸 구성요소(1166)를 포함할 수 있다. 설명된 바와 같이, 취해질 동작은 부분적으로 멀웨어 공격과 연관된 종단점 디바이스 및/또는 다른 디바이스의 능력에 기초하여 결정될 수 있다. 예로서, 동작은 멀웨어 공격과 연관되고 이와 같이 행하라는 명령으로 네트워크(999)를 통해 원격으로 리셋하는 것이 가능한 종단점 디바이스에 시그널링하는 것일 수 있다. 대안적으로, 멀웨어를 박멸하기 위한 직접적인 동작을 취하는 대신에 또는 이러한 직접적인 동작을 취하는 것에 추가하여, 박멸 구성요소는 멀웨어 공격이 진행중이라는 결정의 보고로 다른 컴퓨팅 디바이스에 시그널링할 수 있다. 재차, 이러한 보고는 사람 및/또는 다른 컴퓨팅 디바이스가 동작을 취하는 것을 가능하게 하도록 그로부터 결정이 행해지는 하나 이상의 표시(예를 들어, 로그 또는 스냅샷의 카피)의 상세를 포함할 수 있다.서버(100) 자체가 가능한 멀웨어 공격의 표시의 소스를 검증하는 실시예에서, 검증 구성요소(111)는 부가적으로 통신 구성요소(119)에 의해 수신된 이러한 표시를 검증하는데 있어서 다양한 식별 크리덴셜을 이용할 수 있다. 검증 구성요소는 또한 이러한 크리덴셜을 발생하고 그리고/또는 네트워크(999)의 부분인 것으로 인증된 다른 디바이스(예를 들어, 연결 디바이스(300) 및/또는 종단점 디바이스(500a, 500b 및/또는 500c) 중 하나 이상) 중 하나 이상에 분산할 수 있다. 재차, 이러한 식별 크리덴셜은 이들에 한정되는 것은 아니지만, 키이의 연관된 세트, 디지털 서명, 크리덴셜 등을 포함하는, 임의의 다양한 아이덴티티 검증 기술에 기초할 수 있다.도 6 및 도 7을 더 구체적으로 참조하면, 제어 루틴(510, 610)은 보안 동작 환경을 제공하기 위해, 종단점 디바이스(500b, 500a) 각각의 능력을 검증하기 위해 환경 크리덴셜(531, 631)을 이용하기 위해 프로세서 구성요소(550, 650)에 의해 실행가능한 검증 구성요소(511, 611)를 포함할 수 있다. 재차, 서명의 교환, 이들에 한정되는 것은 아니지만 서명된 크리덴셜 등을 포함하는 임의의 다양한 검증 메커니즘이 사용될 수 있다.제어 루틴(510, 610)은 종단점 디바이스(500b, 500a) 각각 내에 제공된 적어도 하나의 동작 환경과 연관된 적어도 하나의 신뢰 레벨을 결정하기 위해 프로세서 구성요소(550, 650)에 의해 실행가능한 신뢰 구성요소(513, 613)를 포함할 수 있다. 신뢰 구성요소(513 또는 613)는 또한 서버(100)가 종단점 디바이스(500b 또는 500a) 각각을 위한 신뢰 레벨을 결정하는 것을 가능하게 하는 부분으로서 식별자(501)의 표시를 서버(100)에 전송할 수 있다. 설명된 바와 같이, 종단점 디바이스(500b 또는 500a)가 신뢰 레벨을 결정하는 것을 보조하는 것을 요청하는 신호가 서버(100)로부터 수신될 수 있다. 이에 따라, 신뢰 구성요소(513 또는 613)는 적어도 하나의 신뢰 레벨을 결정하고, 이를 신뢰 할당 데이터(534 또는 634)로서 각각 저장하고, 이어서 그 신뢰 레벨의 표시를 서버(100)에 전송하기 위해, 종단점 디바이스(500b 또는 500a)의 보안 동작에 관계가 있는 규칙 및/또는 다른 정보의 표시를 이용한다.제어 루틴(510, 610)은 이러한 실행에 대한 멀웨어 공격을 위해 하나 이상의 루틴(예를 들어, 운영 체제(540) 및/또는 애플리케이션 루틴(570))의 실행을 모니터링하기 위해, 프로세서 구성요소(550, 650) 각각에 의해 실행가능한 모니터링 구성요소(516, 616)를 포함할 수 있다. 멀웨어 공격(또는 가능한 멀웨어 공격의 적어도 일부 증거)의 검출시에, 모니터링 구성요소(516 또는 616)는 멀웨어 공격의 표시를 서버(100)에 전송할 수 있다. 모니터링 구성요소(516 또는 616)는 서버(100)가 종단점 디바이스(500b 또는 500a) 각각에 할당된 신뢰 레벨과 표시를 연관하는 것을 가능하게 하기 위해 식별자(501)로 이러한 전송된 표시를 마킹하기 위한 마킹 구성요소(5166 또는 6166)를 포함할 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 마킹 구성요소(5166 또는 6166)는, 그 동작 환경이 서버(100)가 그 동작 환경에 할당된 신뢰 레벨과 표시를 연관하는 것을 가능하게 하기 위해 루틴이 멀웨어 공격을 검출한 것의 표시기로 이러한 전송된 표시를 마킹할 수 있다.메커니즘이 이러한 전송된 표시의 소스를 검증하도록 이용되는 실시예에서, 마킹 구성요소(5166 또는 6166)는 대안적으로 또는 부가적으로 종단점 디바이스(500a 및/또는 500b)에 할당된, 또는 종단점 디바이스(500a 및/또는 500b)의 보안 동작 환경에 할당된 식별 크리덴셜으로 이러한 전송된 표시를 마킹할 수 있다. 사용된 메커니즘에 따라, 전송된 표시의 이러한 마킹은 전송된 표시가 이들이 발산하는 것으로서 표현되는 소스로부터 발산되는 것을 증명하기 위해 식별 크리덴셜으로 이러한 전송된 표시를 디지털 방식으로 서명하는 것의 다양한 형태 중 하나를 포함할 수 있다.단지 도 6을 참조하면, 제어 루틴(610)은 적어도 프로세서 구성요소(550)에 의한 하나 이상의 루틴의 실행을 리셋하기 위해 서버(100)로부터의 명령을 수신하기 위한 프로세서 구성요소(650)에 의해 실행가능한 리셋 구성요소(614)를 포함할 수 있다. 이러한 명령을 수신하는 것에 응답하여, 리셋 구성요소(614)는 "리부트"하도록 운영 체제(540)에 시그널링할 수 있고 그리고/또는 리셋하도록 프로세서 구성요소(550)에 시그널링할 수 있다.도 8은 논리 흐름(2100)의 일 실시예를 도시한다. 논리 흐름(2100)은 본 명세서에 설명된 하나 이상의 실시예에 의해 실행된 동작의 일부 또는 모두를 표현할 수 있다. 더 구체적으로, 논리 흐름(2100)은 적어도 제어 루틴(110)을 실행할 때 프로세서 구성요소(150)에 의해 수행된, 그리고/또는 서버(100)의 다른 구성요소(들)에 의해 수행된 동작을 도시하고 있다.2110에서, 멀웨어 검출 시스템의 서버의 프로세서 구성요소(예를 들어, 멀웨어 검출 시스템(1000)의 서버(100)의 프로세서 구성요소(150))는 종단점 디바이스로부터 식별자(예를 들어, 종단점 디바이스(500a 내지 500c) 중 하나 이상의 ID(501))를 수신한다. 설명된 바와 같이, 식별자는 각각의 종단점 디바이스에 고유할 수 있고, 프로세서 구성요소 또는 각각의 종단점 디바이스의 인터페이스에 고유하게 할당된 식별자일 수 있다. 2120에서, 식별자가 서버가 결합되어 있는 네트워크(예를 들어, 네트워크(999))의 부분으로 인증된 종단점 디바이스로부터 오는지 여부에 대한 점검이 행해진다.종단점 디바이스가 이와 같이 인증되면, 2130에서, 적어도 하나의 크리덴셜이 종단점 디바이스가 보안 동작 환경을 제공하는 것이 가능한 것을 검증하도록 교환된다. 재차, 종단점 디바이스는 하나 이상의 낮은 보안 동작 환경에 추가하여 보안 동작 환경을 제공하는 것이 가능할 수 있다. 이는 제어 루틴이 멀웨어 공격의 증거를 위해 더 낮은 보안 동작 환경(들) 내의 다른 루틴(예를 들어, 운영 체제(540) 및/또는 애플리케이션 루틴(570))의 실행을 모니터링하기 위해, 그리고 서버로의 멀웨어 공격의 표시를 전송하기 위해, 제어 루틴이 보안 동작 환경에서 실행되는 것을 가능하게 할 수 있다.2140에서, 이러한 능력을 갖는 종단점 디바이스의 이러한 검증이 성공적인지 여부에 대한 점검이 행해진다. 만일 그렇지 않으면, 서버는 이러한 크리덴셜을 검증하는 것의 실패가 심지어 종단점 디바이스의 최대 보안부가 이미 손상되어 있다는 표시일 수 있다는 것에 기초하여 네트워크 내의 종단점 디바이스를 수락하거나 또는 그에 신뢰 레벨을 제공하기 위해 임의의 추가의 동작을 취하는 것을 중지할 수 있다.그러나, 이러한 보안 동작 환경을 제공하는 종단점 디바이스의 능력의 검증이 성공적이면, 서버는 종단점 디바이스에 의해 제공된 동작 환경 중 적어도 하나에 할당하기 위해 적어도 하나의 신뢰 레벨을 결정한다. 설명된 바와 같이, 서버는 보안 동작 환경에 할당하기 위한 신뢰 레벨을 결정할 수 있고, 종단점 디바이스의 다른 동작 환경(들)에 할당하기 위해 신뢰 레벨(들)을 결정할 수 있고, 또는 이와 같이 행하도록 종단점 디바이스에 시그널링할 수 있다.도 9는 논리 흐름(2200)의 일 실시예를 도시한다. 논리 흐름(2200)은 본 명세서에 설명된 하나 이상의 실시예에 의해 실행된 동작의 일부 또는 모두를 표현할 수 있다. 더 구체적으로, 논리 흐름(2200)은 적어도 제어 루틴(110)을 실행할 때 프로세서 구성요소(150)에 의해 수행된, 그리고/또는 서버(100)의 다른 구성요소(들)에 의해 수행된 동작을 도시할 수 있다. 이들 동작은 가능한 멀웨어 공격에 대한 표시를 분석하고 응답을 결정하는데 있어서 SIEM 시스템의 실시예를 구현하는 부분으로서 수행될 수 있다.2210에서, 멀웨어 검출 시스템의 서버의 프로세서 구성요소(예를 들어, 멀웨어 검출 시스템(1000)의 서버(100)의 프로세서 구성요소(150))는 멀웨어 공격의 종단점 디바이스(예를 들어, 종단점 디바이스(500a 내지 500c) 중 하나)로부터의 표시를 수신한다. 전술된 바와 같이, 이러한 표시는 포지티브하게 식별된 멀웨어의 단편이 표시기, 종단점 디바이스 내의 루틴의 오손의 표시, 액세스 규제를 받게 되는 저장 장치의 부분에 액세스하려고 시도하는 루틴의 표시, 종단점 디바이스 내의 루틴에 의한 액티비티의 비정상 패턴의 표시 등일 수 있다.2220에서, 서버는 멀웨어 공격의 표시를 수반하는 식별자와 신뢰 레벨을 연관한다. 설명된 바와 같이, 멀웨어 공격의 표시는 어느 종단점 디바이스가 멀웨어 공격의 표시를 전송했는지 그리고/또는 종단점 디바이스 내의 어느 동작 환경이 표시를 발생했는지의 식별자 또는 다른 표시기에 의해 마킹되거나 다른 방식으로 수반한다. 동작 환경의 이러한 특정 식별은 보안 동작 환경인 동작 환경 중 하나의 결과로서 발생할 수 있고, 반면에 다른 동작 환경은 상이한 신뢰 레벨이 각각에 할당되도록 하지 않는다.또한 설명된 바와 같이, 멀웨어 공격의 표시는 또한 표시의 소스가 더 많이 신뢰된 소스(예를 들어, 더 상위의 신뢰 레벨이 할당된 종단점 또는 종단점의 동작 환경)로부터 발생하는 것과 같은 표시를 표현하는 것으로부터 더 적게 신뢰된 소스(예를 들어, 더 하위의 신뢰 레벨이 할당된 종단점 또는 종단점의 동작 환경)의 가능성에 대해 검증되는 것이 가능하도록 식별 크리덴셜에 의해 마킹되거나 또는 다른 방식으로 수반할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 서버는 표시의 소스를 직접 검증할 수 있다. 다른 실시예에서, 서버는 이러한 검증을 수행하고 표시의 검증된 것들을 서버에 릴레이하기 위해 멀웨어 검출 시스템의 다른 디바이스에 의존할 수 있다.2230에서, 서버는 멀웨어 공격의 표시를 분석하는데 있어서 팩터로서 신뢰 레벨을 이용한다. 설명된 바와 같이, 신뢰 레벨은 특히 표시가 네트워크 내의 다른 디바이스 및/또는 종단점 디바이스의 다른 동작 환경으로부터 다른 확증하는 및/또는 상충하는 표시를 수반하는 경우에, 표시를 분석하는데 있어서 가중 팩터로서 이용될 수 있다.2240에서, 서버는 표시의 분석에 응답하여 취하기 위한 동작을 결정한다. 설명된 바와 같이, 동작은 로그 데이터(예를 들어, 로그 데이터(136, 336, 536 및/또는 636))와 같은, 종단점 디바이스 및/또는 네트워크 내의 다른 디바이스로부터 더 많은 정보의 요청 및/또는 종단점 디바이스의 저장 장치의 콘텐츠의 카피로 구성된 스냅샷의 캡처일 수 있다. 또한 설명된 바와 같이, 동작은 종단점 디바이스가 이러한 기능을 수행하는 것이 가능한 실시예에서 리셋하도록 종단점 디바이스에 시그널링하는 것 그리고/또는 네트워크로부터 종단점 디바이스를 분리하도록 네트워크 디바이스(예를 들어, 연결 디바이스(300))에 시그널링하는 것일 수 있다.도 10은 전술된 바와 같이 다양한 실시예를 구현하기 위해 적합한 프로세싱 아키텍처(3000)의 실시예를 도시한다. 더 구체적으로, 프로세싱 아키텍처(3000)(또는 이들의 변형예)는 컴퓨팅 디바이스(100, 300, 또는 500a 내지 500c) 중 하나 이상의 부분으로서 그리고/또는 콘트롤러(600)에 의해 구현될 수 있다. 프로세싱 아키텍처(3000)의 구성요소는 마지막 2개의 숫자가 이들 컴퓨팅 디바이스의 부분으로서 먼저 도시되고 설명된 구성요소의 적어도 일부의 도면 부호의 마지막 2개의 숫자에 대응하는 도면 부호가 제공된다는 것이 주목되어야 한다. 이는 각각의 구성요소를 상관하는데 보조로서 행해진다.프로세싱 아키텍처(3000)는 하나 이상의 프로세서, 멀티코어 프로세서, 코프로세서, 메모리 유닛, 칩셋, 콘트롤러, 주변 장치, 인터페이스, 발진기, 타이밍 디바이스, 비디오 카드, 오디오 카드, 멀티미디어 입출력(I/O) 구성요소, 전원 등을 비한정적으로 포함하는, 디지털 프로세싱에 통상적으로 이용된 다양한 요소를 포함할 수 있다. 본 출원에 사용될 때, 용어 "시스템" 및 "구성요소"는 디지털 프로세싱이 수행되는 컴퓨팅 디바이스의 엔티티를 칭하도록 의도되는데, 이 엔티티는 하드웨어, 하드웨어와 소프트웨어의 조합, 소프트웨어, 또는 실행시에 소프트웨어이고, 이들의 예는 이러한 도시된 예시적인 프로세싱 아키텍처에 의해 제공된다. 예를 들어, 구성요소는 프로세서 구성요소 상에서 실행하는 프로세서, 프로세서 구성요소 자체, 광학 및/또는 자기 저장 매체를 이용할 수 있는 저장 디바이스(예를 들어, 하드 디스크 드라이브, 어레이 내의 다수의 저장 드라이브 등), 소프트웨어 객체, 실행가능한 명령의 시퀀스, 실행의 스레드, 프로그램, 및/또는 전체 컴퓨팅 디바이스(예를 들어, 전체 컴퓨터)일 수 있지만, 이들인 것에 한정되는 것은 아니다. 예시로서, 서버 상에서 실행하는 애플리케이션 및 서버의 모두는 구성요소일 수 있다. 하나 이상의 구성요소는 프로세서 및/또는 실행의 스레드 내에 상주할 수 있고, 구성요소는 하나의 컴퓨팅 디바이스 상에 로컬화되고 그리고/또는 2개 이상의 컴퓨팅 디바이스 사이에 분산될 수 있다. 또한, 구성요소는 동작을 조정하기 위해 다양한 유형의 통신 매체에 의해 서로 통신적으로 결합될 수 있다. 조정은 정보의 단방향성 또는 양방향성 교환을 수반할 수 있다. 예를 들어, 구성요소는 통신 매체를 통해 통신된 신호의 형태의 정보를 통신할 수 있다. 정보는 하나 이상의 신호 라인에 할당된 신호로서 구현될 수 있다. 메시지(명령, 상황, 어드레서, 또는 데이터 메시지를 포함함)는 이러한 신호 중 하나일 수 있고 또는 복수의 이러한 신호일 수 있고, 임의의 다양한 접속부 및/또는 인터페이스를 통해 직렬로 또는 실질적으로 병렬로 전송될 수 있다.도시된 바와 같이, 프로세싱 아키텍처(3000)를 구현할 때, 컴퓨팅 디바이스는 적어도 프로세서 구성요소(950), 저장 장치(960), 다른 디바이스로의 인터페이스(990), 및 커플링(959)을 포함할 수 있다. 그 의도된 사용 및/또는 사용 조건을 포함하는 프로세싱 아키텍처(3000)를 구현하는 컴퓨팅 디바이스의 다양한 양태에 따라, 이러한 컴퓨팅 디바이스는 비한정적으로 디스플레이 인터페이스(985), 또는 하나 이상의 프로세싱 서브시스템(900)과 같은 부가의 구성요소를 추가로 포함할 수 있다.커플링(959)은 하나 이상의 버스, 점대점 상호접속부, 송수신기, 버퍼, 교차점 스위치, 및/또는 적어도 프로세서 구성요소(950)를 저장 장치(960)에 통신적으로 결합하는 다른 도전체 및/또는 로직을 포함할 수 있다. 커플링(959)은 인터페이스(990), 오디오 서브시스템(970) 및 디스플레이 인터페이스(985) 중 하나 이상에 프로세서 구성요소(950)를 또한 결합할 수 있다(이들 및/또는 다른 구성요소가 또한 존재하는지에 따라). 프로세서 구성요소(950)가 커플링(959)에 의해 이와 같이 결합된 상태에서, 프로세서 구성요소(950)는 전술된 컴퓨팅 디바이스 중 어느 것(들)이 프로세싱 아키텍처(3000)를 구현하는지에 대해, 상세히 전술된 작업의 다양한 것들을 수행하는 것이 가능하다. 커플링(959)은 이에 의해 신호가 광학적으로 그리고/또는 전기적으로 전달되는 임의의 다양한 기술 또는 기술의 조합으로 구현될 수 있다. 또한, 커플링(959)의 적어도 일부는 가속 그래픽 포트(Accelerated Graphics Port: AGP), 카드버스(CardBus), 확장 산업 표준 아키텍처(Extended Industry Standard Architecture: E-ISA), 마이크로 채널 아키텍처(Micro Channel Architecture: MCA), 누버스(NuBus), 주변 장치 상호접속(확장)(Peripheral Component Interconnect)(Extended)(PCI-X), PCI 익스프레스(PCI-E), 퍼스널 컴퓨터 메모리 카드 국제 연합(Personal Computer Memory Card International Association: PCMCIA) 버스, HyperTransportTM, 퀵패스(QuickPath) 등을 비한정적으로 포함하는, 임의의 광범위한 산업 표준에 합치하는 타이밍 및/또는 프로토콜을 이용할 수 있다.전술된 바와 같이, 프로세서 구성요소(950)(프로세서 구성요소(150, 350, 550 또는 650) 중 하나 이상에 대응함)는 임의의 광범위한 기술을 이용하고 임의의 다수의 방식으로 물리적으로 조합된 하나 이상의 코어로 구현된 임의의 광범위한 상업적으로 입수가능한 프로세서를 포함할 수 있다.전술된 바와 같이, 저장 장치(960)(저장 장치(160, 360, 560 또는 660) 중 하나 이상에 대응함)는 임의의 광범위한 기술 또는 기술의 조합에 기초하여 하나 이상의 별개의 저장 디바이스로 구성될 수 있다. 더 구체적으로, 도시된 바와 같이, 저장 장치(960)는 휘발성 저장 장치(961)(예를 들어, 하나 이상의 형태의 RAM 기술에 기초하는 고체 상태 저장 장치), 비휘발성 저장 장치(962)(예를 들어, 이들의 콘텐츠를 보존하기 위해 전력의 일정한 제공을 필요로 하지 않는 고체 상태, 강자성 또는 다른 저장 장치), 및 이동식 미디어 저장 장치(963)(예를 들어, 이에 의해 정보가 컴퓨팅 디바이스들 사이에 전달될 수 있는 이동식 디스크 또는 고체 상태 메모리 카드 저장 장치) 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 가능하게는 다수의 별개의 유형의 저장 장치를 포함하는 것으로서 저장 장치(960)의 이 도시는, 하나의 유형이 프로세서 구성요소(950)에 의한 데이터의 더 고속 조작을 가능하게 하는 비교적 고속 판독 및 기록 기능을 제공하고(그러나, 가능하게는, 전력을 일정하게 필요로 하는 "휘발성" 기술을 사용하여), 반면에 다른 유형은 비교적 고밀도의 비휘발성 저장 장치를 제공하는(그러나, 비교적 저속 판독 및 기록 기능을 제공할 가능성이 있음) 컴퓨팅 디바이스 내에 하나 초과의 유형의 저장 디바이스의 통상의 사용의 인식에 있다.종종 상이한 기술을 이용하는 상이한 저장 디바이스의 상이한 특성이 주어지면, 상이한 인터페이스를 통해 이들의 상이한 저장 디바이스에 결합된 상이한 저장 장치 콘트롤러를 통해 이러한 상이한 저장 디바이스가 컴퓨팅 디바이스의 다른 부분에 결합되는 것이 또한 통상적이다. 예로서, 휘발성 저장 장치(961)가 존재하고 RAM 기술에 기초하는 경우에, 휘발성 저장 장치(961)는 가능하게는 로우 및 칼럼 어드레싱을 이용하는 휘발성 저장 장치(961)에 적절한 인터페이스를 제공하는 저장 장치 콘트롤러(965a)를 통해 커플링(959)에 통신적으로 결합될 수 있고, 여기서 저장 콘트롤러(965a)는 휘발성 저장 장치(961) 내에 저장된 정보를 보존하는 것을 보조하기 위해 로우 리프레싱 및/또는 다른 유지보수 작업을 수행할 수 있다. 다른 예로서, 비휘발성 저장 장치(962)가 존재하고 하나 이상의 강자성 및/또는 고체 상태 디스크 드라이브를 포함하는 경우에, 비휘발성 저장 장치(962)는 가능하게는 정보 및/또는 실린더 및 섹터의 블록의 어드레싱을 이용하는 비휘발성 저장 장치(962)에 적절한 인터페이스를 제공하는 저장 장치 콘트롤러(965b)를 통해 커플링(959)에 통신적으로 결합될 수 있다. 또 다른 예로서, 이동식 미디어 저장 장치(963)가 존재하고 머신 판독가능 저장 매체(969)의 하나 이상의 부분을 이용하는 하나 이상의 광학 및/또는 고체 상태 디스크 드라이브를 포함하는 경우에, 이동식 미디어 저장 장치(963)는 가능하게는 정보의 블록의 어드레싱을 이용하는 이동식 미디어 저장 매체(963)에 적절한 인터페이스를 제공하는 저장 장치 콘트롤러(965c)를 통해 커플링(959)에 통신적으로 결합될 수 있고, 여기서 저장 장치 콘트롤러(965c)는 머신 판독가능 저장 매체(969)의 수명을 연장하기 위해 특정한 방식으로 판독, 소거, 기록 동작을 조정할 수 있다.휘발성 저장 장치(961) 또는 비휘발성 저장 장치(962) 중 하나 또는 다른 하나는 다양한 실시예를 구현하기 위해 프로세서 구성요소(950)에 의해 실행가능한 명령의 시퀀스를 포함하는 루틴이 그 각각이 기초로 하는 기술에 의존하여 저장될 수 있는 머신 판독가능 저장 매체의 형태의 제조 물품을 포함할 수 있다. 예로서, 비휘발성 저장 장치(962)가 강자성계 디스크 드라이브(예를 들어, 소위 "하드 드라이브")를 포함하는 경우에, 각각의 이러한 디스크 드라이브는 통상적으로 플로피 디스켓과 같은 저장 매체와 유사한 방식으로, 명령의 시퀀스와 같은 정보를 저장하기 위해 자기 응답성 입자의 코팅이 다양한 패턴으로 침착되어 자기적으로 배향되는 하나 이상의 회전 플래터를 이용한다. 다른 예로서, 비휘발성 저장 장치(962)는 콤팩트 플래시 카드와 유사한 방식으로, 명령의 시퀀스와 같은 정보를 저장하기 위해 고체 상태 저장 디바이스의 뱅크로 구성될 수 있다. 재차, 실행가능 루틴 및/또는 데이터를 저장하기 위해 상이한 시간에 컴퓨팅 디바이스 내에 상이한 유형의 저장 디바이스를 이용하는 것이 통상적이다. 따라서, 다양한 실시예를 구현하기 위해 프로세서 구성요소(950)에 의해 실행될 명령의 시퀀스를 포함하는 루틴은 초기에 머신 판독가능 저장 매체(969) 상에 저장될 수 있고, 이동식 미디어 저장 장치(963)는 그 루틴이 실행됨에 따라 프로세서 구성요소(950)에 의한 더 고속의 액세스를 가능하게 하기 위해 머신 판독가능 저장 매체(969) 및/또는 휘발성 저장 장치(961)의 연속적인 존재를 필요로 하지 않는 더 장기 저장 장치를 위해 비휘발성 저장 장치(962)에 그 루틴을 복사하는데 이후에 이용될 수 있다.전술된 바와 같이, 인터페이스(990)(인터페이스(190, 390 또는 590) 중 하나 이상에 대응함)는 컴퓨팅 디바이스를 하나 이상의 다른 디바이스에 통신적으로 결합하도록 이용될 수 있는 임의의 다양한 통신 기술에 대응하는 임의의 다양한 신호화 기술을 이용할 수 있다. 재차, 다양한 형태의 유선 또는 무선 신호화 중 하나 또는 모두는 가능하게는 네트워크(예를 들어, 네트워크(999)) 또는 네트워크의 상호접속된 세트를 통해, 프로세서 구성요소(950)가 입출력 디바이스(예를 들어, 도시된 예시적인 키보드(920) 또는 프린터(925)) 및/또는 다른 컴퓨팅 디바이스와 상호작용하는 것을 가능하게 하도록 이용될 수 있다. 임의의 하나의 컴퓨팅 디바이스에 의해 종종 지원되어야 하는 다수의 유형의 신호화 및/또는 프로토콜의 종종 상당히 상이한 문자의 인식시에, 인터페이스(990)는 다수의 상이한 인터페이스 콘트롤러(995a, 995b, 995c)를 포함하는 것으로서 도시되어 있다. 인터페이스 콘트롤러(995a)는 도시된 키보드(920)와 같은 사용자 입력 디바이스로부터 직렬 전송된 메시지를 수신하기 위해 임의의 다양한 유형의 유선 디지털 직렬 인터페이스 또는 무선 주파수 무선 인터페이스를 이용할 수 있다. 인터페이스 콘트롤러(995b)는 도시된 네트워크(999)(가능하게는 하나 이상의 링크, 더 소형의 네트워크, 또는 가능하게는 인터넷으로 구성된 네트워크)를 통해 다른 컴퓨팅 디바이스에 액세스하기 위한 임의의 다양한 케이블링 기반 또는 무선 신호화, 타이밍 및/또는 프로토콜을 이용할 수 있다. 인터페이스(995c)는 도시된 프린터(925)에 데이터를 전달하기 위해 직렬 또는 병렬 신호 전송의 사용을 가능하게 하는 임의의 다양한 전기 도전성 케이블링을 이용할 수 있다. 인터페이스(990)의 하나 이상의 인터페이스 콘트롤러를 통해 통신적으로 결합될 수 있는 디바이스의 다른 예는 마이크로폰, 리모콘, 스타일러스 펜, 카드 리더, 지문 리더, 가상 현실 상호작용 장갑, 그래픽 입력 태블릿, 조이스틱, 다른 키보드, 망막 스캐너, 터치 스크린의 터치 입력 구성요소, 트랙볼, 다양한 센서, 제스처 및/또는 얼굴 표현을 거쳐 이들 사람에 의해 시그널링된 명령 및/또는 데이터를 수락하기 위해 사람의 이동을 모니터링하기 위한 카메라 또는 카메라 어레이, 레이저 프린터, 잉크젯 프린터, 머신 로봇, 밀링기 등을 비한정적으로 포함한다.컴퓨팅 디바이스가 디스플레이(예를 들어, 도시된 예시적인 디스플레이(980))에 통신적으로 결합되는(또는 가능하게는, 실제로 구비함) 경우에, 프로세싱 아키텍처(3000)를 구현하는 이러한 컴퓨팅 디바이스는 디스플레이 인터페이스(985)를 또한 포함할 수 있다. 더 일반적인 유형의 인터페이스는 디스플레이에 통신적으로 결합하여 이용될 수 있지만, 디스플레이 상에 다양한 형태의 콘텐츠를 시각적으로 표시하는데 종종 요구되는 다소 특정화된 부가의 프로세싱, 뿐만 아니라 사용된 케이블링 기반 인터페이스의 다소 특정화된 성질이 종종 별개의 디스플레이 인터페이스의 제공을 바람직하게 한다. 디스플레이(980)의 통신 결합에서 디스플레이 인터페이스(985)에 의해 이용될 수 있는 유선 및/또는 무선 신호화 기술은 임의의 다양한 아날로그 비디오 인터페이스, 디지털 비디오 인터페이스(DVI), 디스플레이포트 등을 비한정적으로 포함하는, 임의의 다양한 산업 표준에 합치하는 신호화 및/또는 프로토콜을 사용할 수 있다.더 일반적으로, 본 명세서에 설명되고 도시된 컴퓨팅 디바이스의 다양한 요소는 다양한 하드웨어 요소, 소프트웨어 요소 또는 양자의 조합을 포함할 수 있다. 하드웨어 요소의 예는 디바이스, 논리 디바이스, 구성요소, 프로세서, 마이크로프로세서, 회로, 프로세서 구성요소, 회로 요소(예를 들어, 트랜지스터, 저항, 캐패시터, 인덕터 등), 집적 회로, 응용 주문형 집적 회로(ASIC), 프로그램가능 논리 디바이스(PLD), 디지털 신호 프로세서(DSP), 필드 프로그램가능 게이트 어레이(FPGA), 메모리 유닛, 논리 게이트, 레지스터, 반도체 디바이스, 칩, 마이크로칩, 칩셋 등을 포함할 수 있다. 소프트웨어 요소의 예는 소프트웨어 구성요소, 프로그램, 애플리케이션, 컴퓨터 프로그램, 애플리케이션 프로그램, 시스템 프로그램, 소프트웨어 개발 프로그램, 머신 프로그램, 운영 체제 소프트웨어, 미들웨어, 펌웨어, 소프트웨어 모듈, 루틴, 서브루틴, 함수, 방법, 절차, 소프트웨어 인터페이스, 응용 프로그램 인터페이스(API), 명령 세트, 컴퓨팅 코드, 컴퓨터 코드, 코드 세그먼트, 컴퓨터 코드 세그먼트, 단어, 값, 심벌, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 그러나, 실시예가 하드웨어 요소 및/또는 소프트웨어 요소를 사용하여 구현되는지 여부의 판정은 소정의 구현예에 대해 원하는 바와 같이, 원하는 연산 레이트, 전력 레벨, 열 공차, 프로세싱 사이클 버젯, 입력 데이터 레이트, 출력 데이터 레이트, 메모리 리소스, 데이터 버스 속도 및 다른 디자인 또는 성능 제약과 같은 임의의 수의 팩터에 따라 다양할 수 있다.몇몇 실시예는 표현 "일 실시예" 또는 "실시예"를 이들의 파생어와 함께 사용하여 설명될 수 있다. 이들 용어는 실시예와 관련하여 설명된 특정 특징, 구조 또는 특성이 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 명세서의 다양한 위치에서 구문 "일 실시예에서"의 출현은 반드시 모두 동일한 실시예를 칭하는 것은 아니다. 또한, 몇몇 실시예는 표현 "결합된" 및 "접속된"을 이들의 파생어와 함께 사용하여 설명될 수 있다. 이들 용어는 반드시 서로의 동의어로서 의도된 것은 아니다. 예를 들어, 몇몇 실시예는 2개 이상의 요소가 서로 직접 물리적 또는 전기적으로 접촉하는 것을 표시하기 위해 용어 "접속된" 및/또는 "결합된"을 사용하여 설명될 수 있다. 그러나, 용어 "결합된"은 2개 이상의 요소가 서로 직접 접촉하지 않지만, 또한 여전히 서로 협동하거나 상호작용하는 것을 또한 의미할 수도 있다. 더욱이, 상이한 실시예로부터의 양태 또는 요소가 조합될 수 있다.요약서는 독자가 기술적인 개시내용의 성질을 신속하게 확인하게 하기 위해 제공된다는 것이 강조된다. 이는 청구범위의 범주 또는 의미를 해석하거나 한정하는데 사용되지 않을 것이라는 이해를 갖고 제출된 것이다. 게다가, 상기 상세한 설명에서, 다양한 특징은 개시내용을 합리화하는 목적으로 단일의 실시예에서 함께 그룹화되는 것으로 보여질 수 있다. 이러한 개시 방법은 청구된 실시예가 각각의 청구항에 명시적으로 기술된 것보다 더 많은 특징을 요구한다는 의도를 반영하는 것으로서 해석되어서는 안된다. 오히려, 이하의 청구범위가 반영하는 바와 같이, 본 발명의 요지는 단일의 개시된 실시예의 모든 특징 미만에 있다. 따라서, 이하의 청구범위는 여기서 상세한 설명에 합체되어 있고, 각각의 청구항은 개별 실시예로서 그 자신이 독립적이다. 첨부된 청구범위에서, 용어 "구비하는" 및 "여기에서"는 각각의 용어 "포함하는" 및 "여기서" 각각의 평문 등가물로서 사용된다. 더욱이, 용어 "제 1", "제 2", "제 3" 등은 단지 라벨로서 사용된 것이고, 이들에 대상물에 수치적인 요구를 부여하도록 의도된 것은 아니다.전술된 것은 개시된 아키텍처의 예를 포함한다. 구성요소 및/또는 방법론의 모든 고려될 수 있는 조합을 설명하는 것은 물론 가능하지 않지만, 당 기술 분야의 숙련자들은 다수의 추가의 조합 및 치환이 가능하다는 것을 인식할 수 있다. 이에 따라, 신규한 아키텍처는 첨부된 청구범위의 사상 및 범주 내에 있는 모든 이러한 변경, 수정 및 변형을 포함하도록 의도된다. 상세한 개시내용은 이제 추가의 실시예에 속하는 예를 제공하는 것으로 이어진다. 이하에 제공된 예는 한정적인 것으로 의도된 것은 아니다.예 1에서, 멀웨어를 검출하기 위한 장치는 프로세서 구성요소, 디바이스로부터 수신된 멀웨어 공격의 표시의 분석에 있어서의 팩터로서 네트워크 내의 디바이스의 동작 환경에 할당된 신뢰 레벨을 이용하기 위해 프로세서 구성요소에 의해 실행될 분석 구성요소, 및 분석에 기초하여 멀웨어 공격을 박멸하기 위해 네트워크를 통해 취할 동작을 결정하기 위해 프로세서 구성요소에 의해 실행될 박멸 구성요소를 포함한다.예 1의 요지를 포함하는 예 2에서, 장치는 네트워크 내의 디바이스의 위치에 기초하여 신뢰 레벨을 결정하기 위해 프로세서 구성요소에 의해 실행될 신뢰 구성요소를 포함할 수 있다.예 1 내지 2 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 3에서, 장치는 물리적 액세스에 대해 보안된 네트워크의 부분, 암호화가 이용되는 네트워크의 부분, 가상 사설 네트워크(VPN)가 형성되는 네트워크의 부분, 또는 공용으로 액세스 가능한 네트워크를 포함하는 네트워크의 부분 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.예 1 내지 3 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 4에서, 장치는 디바이스의 물리적 위치에 기초하여 신뢰 레벨을 결정하기 위해 프로세서 구성요소에 의해 실행될 신뢰 구성요소를 포함할 수 있다.예 1 내지 4 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 5에서, 물리적 위치는 보안된 빌딩, 보안된 룸, 또는 공지의 조작자에 할당된 데스크 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.예 1 내지 5 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 6에서, 장치는 디바이스로부터 수신된 크리덴셜의 검증에 기초하여 낮은 보안 동작 환경에 추가하여 보안 동작 환경을 제공하는 디바이스의 능력을 검증하기 위해 프로세서 구성요소에 의해 실행될 검증 구성요소 - 동작 환경은 보안 동작 환경 또는 낮은 보안 동작 환경 중 적어도 하나를 포함함 - ; 및 검증에 기초하여 신뢰 레벨을 결정하기 위해 프로세서 구성요소에 의해 실행될 신뢰 구성요소를 포함할 수 있다.예 1 내지 6 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 7에서, 박멸 구성요소는 검증에 기초하여 동작을 결정할 수 있고, 동작은 리셋하도록 네트워크를 통해 디바이스에 시그널링하는 것을 포함한다.예 1 내지 7 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 8에서, 신뢰 구성요소는 보안 동작 환경에 신뢰 레벨을 할당하고, 낮은 보안 동작 환경에 다른 신뢰 레벨을 할당할 수 있고, 다른 신뢰 레벨은 신뢰 레벨보다 낮은 신뢰 레벨인 것으로 결정된다.예 1 내지 8 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 9에서, 표시는 멀웨어 공격과 연관된 액세스의 패턴의 네트워크 상의 발생의 표시, 멀웨어 공격과 연관된 함수 호출의 패턴의 디바이스 내의 발생의 표시, 디바이스의 루틴의 부분의 해시로의 변화의 표시, 액세스 규제를 받는 디바이스의 저장 장치의 부분으로의 시도된 액세스의 표시, 디바이스에 액세스하기 위해 부정확한 패스워드를 입력하는 조작자의 인스턴스의 표시, 지정된 시간 기간보다 긴 시간 동안 인증된 조작자에 의해 수반되지 않은 디바이스의 표시, 디바이스 내의 적어도 하나의 루틴의 실행과 연관된 이벤트의 로그, 또는 디바이스의 저장 장치의 부분의 콘텐츠의 스냅샷 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.예 1 내지 9 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 10에서, 동작은 네트워크로부터 디바이스를 분리하도록 네트워크 내의 다른 디바이스에 시그널링하는 것을 포함할 수 있다.예 1 내지 10 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 11에서, 분석 구성요소는 표시의 분석에 있어서의 팩터로서 네트워크 내의 복수의 디바이스에 할당된 복수의 신뢰 레벨을 이용할 수 있고, 복수의 신뢰 레벨은 신뢰 레벨을 포함하고, 복수의 디바이스는 디바이스를 포함한다.예 1 내지 11 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 12에서, 분석 구성요소는 멀웨어 공격의 복수의 표시의 각각과 연관된 가중 팩터로서 복수의 신뢰 레벨의 각각의 신뢰 레벨을 이용할 수 있고, 복수의 표시는 표시를 포함한다.예 13에서, 멀웨어를 검출하기 위한 장치는 프로세서 구성요소, 네트워크 내의 디바이스의 보안 동작 환경을 위한 제 1 신뢰 레벨 및 디바이스가 낮은 보안 동작 환경에 추가하여 보안 동작 환경을 제공하는 것이 가능하다는 검증에 적어도 기초하여 낮은 보안 동작 환경을 위한 제 2 신뢰 레벨을 결정하기 위한 프로세서 구성요소에 의한 실행을 위한 신뢰 구성요소, 및 보안 동작 환경 또는 낮은 보안 동작 환경으로부터 표시가 발생하는지 여부에 기초하여 디바이스로부터 수신된 멀웨어 공격의 표시의 분석에 있어서의 제 1 및 제 2 신뢰 레벨 중 하나를 이용하기 위해 프로세서 구성요소에 의한 실행을 위한 분석 구성요소를 포함한다.예 13의 요지를 포함하는 예 14에서, 장치는 디바이스와 교환된 크리덴셜의 검증에 기초하여 낮은 보안 동작 환경에 추가하여 보안 동작 환경을 제공하는 디바이스의 능력을 검증하기 위해 프로세서 구성요소에 의한 실행을 위한 검증 구성요소를 포함할 수 있다.예 13 내지 14 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 15에서, 장치는 분석에 기초하여 멀웨어 공격을 박멸하기 위해 네트워크를 통해 취할 동작을 결정하기 위해 프로세서 구성요소에 의해 실행될 박멸 구성요소를 포함할 수 있다.예 13 내지 15 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 16에서, 동작은 리셋하도록 디바이스에 시그널링하는 것 또는 네트워크로부터 디바이스를 분리하도록 네트워크 내의 다른 디바이스에 시그널링하는 것 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.예 13 내지 16 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 17에서, 신뢰 구성요소는 네트워크 내의 디바이스의 위치에 적어도 기초하여 제 1 및 제 2 신뢰 레벨 중 하나를 결정할 수 있다.예 13 내지 17 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 18에서, 위치는 물리적 액세스에 대해 보안된 네트워크의 부분, 암호화가 이용되는 네트워크의 부분, 가상 사설 네트워크(VPN)가 형성되는 네트워크의 부분, 또는 공용으로 액세스 가능한 네트워크를 포함하는 네트워크의 부분 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.예 13 내지 18 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 19에서, 신뢰 구성요소는 디바이스의 물리적 위치에 적어도 기초하여 제 1 및 제 2 신뢰 레벨 중 하나를 결정할 수 있다.예 13 내지 19 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 20에서, 물리적 위치는 보안된 빌딩, 보안된 룸, 또는 공지의 조작자에 할당된 데스크 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.예 13 내지 20 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 21에서, 분석 구성요소는 표시의 분석에 있어서의 팩터로서 네트워크 내의 복수의 디바이스에 할당된 복수의 신뢰 레벨을 이용할 수 있고, 복수의 신뢰 레벨은 제 1 및 제 2 신뢰 레벨을 포함하고, 복수의 디바이스는 디바이스를 포함한다.예 13 내지 21 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 22에서, 분석 구성요소는 멀웨어 공격의 복수의 표시의 각각과 연관된 가중 팩터로서 복수의 신뢰 레벨의 각각의 신뢰 레벨을 이용할 수 있고, 복수의 표시는 표시를 포함한다.예 23에서, 멀웨어를 검출하기 위한 장치는 프로세서 구성요소, 낮은 보안 동작 환경에 추가하여 보안 동작 환경을 제공하는 능력을 검증하기 위해 크리덴셜을 전송하도록 보안 동작 환경 내에 프로세서 구성요소에 의해 실행될 검증 구성요소, 및 보안 동작 환경에서 실행된 제 1 루틴으로부터 또는 낮은 보안 동작 환경에서 실행된 제 2 루틴으로부터 발생하는지의 여부의 표시를 갖는 네트워크를 통해 다른 디바이스에 전송된 멀웨어 공격의 표시를 마킹하기 위한 마킹 구성요소를 포함한다.예 23의 요지를 포함하는 예 24에서, 장치는 멀웨어 공격을 위한 낮은 보안 동작 환경 내의 애플리케이션 루틴 또는 운영 체제 중 적어도 하나의 실행을 모니터링하기 위해 보안 동작 환경 내의 프로세서 구성요소에 의해 실행될 모니터링 구성요소를 포함할 수 있다.예 23 내지 24 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 25에서, 장치는 낮은 보안 동작 환경을 위한 신뢰 레벨을 결정하기 위해 보안 동작 환경 내에서 프로세서 구성요소에 의해 실행될 신뢰 구성요소를 포함할 수 있다.예 23 내지 25 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 26에서, 장치는 이와 같이 행하도록 네트워크를 통한 명령의 수신에 응답하여 낮은 보안 동작 환경 내에서 적어도 운영 체제의 실행을 재초기화하기 위해 보안 동작 환경 내의 프로세서 구성요소에 의해 실행될 리셋 구성요소를 포함할 수 있다.예 23 내지 26 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 27에서, 장치는 낮은 보안 동작 환경 내의 애플리케이션 루틴 또는 운영 체제 중 적어도 하나를 실행하기 위한 다른 프로세서 구성요소를 포함할 수 있다.예 23 내지 27 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 28에서, 장치는 이와 같이 행하도록 네트워크를 통한 명령의 수신에 응답하여 낮은 보안 동작 환경 내에서 적어도 운영 체제의 실행을 재초기화하도록 다른 프로세서 구성요소에 시그널링하기 위해 보안 동작 환경 내에서 프로세서 구성요소에 의해 실행될 리셋 구성요소를 포함할 수 있다.예 29에서, 멀웨어를 검출하기 위한 컴퓨터 구현 방법은 디바이스로부터 네트워크를 거쳐 수신된 멀웨어 공격의 표시와 네트워크 내의 디바이스에 할당된 신뢰 레벨을 연관시키는 단계, 표시의 분석에 있어서의 팩터로서 신뢰 레벨을 이용하는 단계, 및 분석에 기초하여 멀웨어 공격을 박멸하기 위해 네트워크를 통해 취할 동작을 결정하는 단계를 포함한다.예 29의 요지를 포함하는 예 30에서, 방법은 네트워크 내의 디바이스의 위치에 기초하여 신뢰 레벨을 결정하는 단계를 포함할 수 있다.예 29 내지 30 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 31에서, 위치는 물리적 액세스에 대해 보안된 네트워크의 부분, 암호화가 이용되는 네트워크의 부분, 가상 사설 네트워크(VPN)가 형성되는 네트워크의 부분, 또는 공용으로 액세스 가능한 네트워크를 포함하는 네트워크의 부분 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.예 29 내지 31 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 32에서, 방법은 디바이스의 물리적 위치에 기초하여 신뢰 레벨을 결정하는 단계를 포함할 수 있다.예 29 내지 32 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 33에서, 물리적 위치는 보안된 빌딩, 보안된 룸, 또는 공지의 조작자에 할당된 데스크 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.예 29 내지 33 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 34에서, 방법은 네트워크를 거쳐 디바이스로부터 크리덴셜을 수신하는 단계, 크리덴셜의 검증에 기초하여 낮은 보안 동작 환경에 추가하여 보안 동작 환경을 제공하는 디바이스의 능력을 검증하는 단계, 및 검증에 기초하여 신뢰 레벨을 결정하는 단계를 포함할 수 있다.예 29 내지 34 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 35에서, 방법은 검증에 기초하여 동작을 결정하는 단계를 포함할 수 있고, 동작은 리셋하도록 네트워크를 통해 디바이스에 시그널링하는 것을 포함한다.예 29 내지 35 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 36에서, 방법은 보안 동작 환경에 신뢰 레벨을 할당하는 단계, 낮은 보안 동작 환경의 다른 신뢰 레벨을 결정하는 단계, 및 낮은 보안 동작 환경에 다른 신뢰 레벨을 할당하는 단계를 포함할 수 있다.예 29 내지 36 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 37에서, 표시는 멀웨어 공격과 연관된 액세스의 패턴의 네트워크 상의 발생의 표시, 멀웨어 공격과 연관된 함수 호출의 패턴의 디바이스 내의 발생의 표시, 디바이스의 루틴의 부분의 해시로의 변화의 표시, 액세스 규제를 받는 디바이스의 저장 장치의 부분으로의 시도된 액세스의 표시, 디바이스에 액세스하기 위해 부정확한 패스워드를 입력하는 조작자의 인스턴스의 표시, 지정된 시간 기간보다 긴 시간 동안 인증된 조작자에 의해 수반되지 않은 디바이스의 표시, 디바이스 내의 적어도 하나의 루틴의 실행과 연관된 이벤트의 로그, 또는 디바이스의 저장 장치의 부분의 콘텐츠의 스냅샷 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.예 29 내지 37 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 38에서, 동작은 네트워크로부터 디바이스를 분리하도록 네트워크 내의 다른 디바이스에 시그널링하는 것을 포함할 수 있다.예 29 내지 38 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 39에서, 방법은 표시의 분석에 있어서의 팩터로서 네트워크 내의 복수의 디바이스에 할당된 복수의 신뢰 레벨을 이용하는 단계를 포함할 수 있고, 복수의 신뢰 레벨은 신뢰 레벨을 포함하고, 복수의 디바이스는 디바이스를 포함한다.예 29 내지 39 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 40에서, 방법은 멀웨어 공격의 복수의 표시의 각각과 연관된 가중 팩터로서 복수의 신뢰 레벨의 각각의 신뢰 레벨을 이용하는 단계를 포함할 수 있고, 복수의 표시는 표시를 포함한다.예 41에서, 적어도 하나의 머신 판독가능 저장 매체는 프로세서 구성요소에 의해 실행될 때, 프로세서 구성요소가 디바이스로부터 네트워크를 거쳐 수신된 멀웨어 공격의 표시와 네트워크 내의 디바이스에 할당된 신뢰 레벨을 연관하게 하고, 표시의 분석에 있어서의 팩터로서 신뢰 레벨을 이용하게 하고, 분석에 기초하여 멀웨어 공격을 박멸하기 위해 네트워크를 통해 취할 동작을 결정하게 하는 명령을 포함한다.예 41의 요지를 포함하는 예 42에서, 프로세서 구성요소는 네트워크 내의 디바이스의 위치에 기초하여 신뢰 레벨을 결정하게 할 수 있다.예 41 내지 42 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 43에서, 위치는 물리적 액세스에 대해 보안된 네트워크의 부분, 암호화가 이용되는 네트워크의 부분, 가상 사설 네트워크(VPN)가 형성되는 네트워크의 부분, 또는 공용으로 액세스 가능한 네트워크를 포함하는 네트워크의 부분 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.예 41 내지 43 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 44에서, 프로세서 구성요소는 디바이스의 물리적 위치에 기초하여 신뢰 레벨을 결정하게 할 수 있다.예 41 내지 44 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 45에서, 물리적 위치는 보안된 빌딩, 보안된 룸, 또는 공지의 조작자에 할당된 데스크 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.예 41 내지 45 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 46에서, 프로세서 구성요소는 네트워크를 거쳐 디바이스로부터 크리덴셜을 수신하게 하고, 크리덴셜의 검증에 기초하여 낮은 보안 동작 환경에 추가하여 보안 동작 환경을 제공하는 디바이스의 능력을 검증하게 하고, 검증에 기초하여 신뢰 레벨을 결정하게 할 수 있다.예 41 내지 46 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 47에서, 프로세서 구성요소는 검증에 기초하여 동작을 결정하게 할 수 있고, 동작은 리셋하도록 네트워크를 통해 디바이스에 시그널링하는 것을 포함한다.예 41 내지 47 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 48에서, 프로세서 구성요소는 보안 동작 환경에 신뢰 레벨을 할당하게 하고, 낮은 보안 동작 환경의 다른 신뢰 레벨을 결정하게 하고, 및 낮은 보안 동작 환경에 다른 신뢰 레벨을 할당하게 할 수 있다.예 41 내지 48 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 49에서, 표시는 멀웨어 공격과 연관된 액세스의 패턴의 네트워크 상의 발생의 표시, 멀웨어 공격과 연관된 함수 호출의 패턴의 디바이스 내의 발생의 표시, 디바이스의 루틴의 부분의 해시로의 변화의 표시, 액세스 규제를 받는 디바이스의 저장 장치의 부분으로의 시도된 액세스의 표시, 디바이스에 액세스하기 위해 부정확한 패스워드를 입력하는 조작자의 인스턴스의 표시, 지정된 시간 기간보다 긴 시간 동안 인증된 조작자에 의해 수반되지 않은 디바이스의 표시, 디바이스 내의 적어도 하나의 루틴의 실행과 연관된 이벤트의 로그, 또는 디바이스의 저장 장치의 부분의 콘텐츠의 스냅샷 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.예 41 내지 49 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 50에서, 동작은 네트워크로부터 디바이스를 분리하도록 네트워크 내의 다른 디바이스에 시그널링하는 것을 포함할 수 있다.예 41 내지 50 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 51에서, 프로세서 구성요소는 표시의 분석에 있어서의 팩터로서 네트워크 내의 복수의 디바이스에 할당된 복수의 신뢰 레벨을 이용하게 할 수 있고, 복수의 신뢰 레벨은 신뢰 레벨을 포함하고, 복수의 디바이스는 디바이스를 포함한다.예 41 내지 51 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 52에서, 프로세서 구성요소는 멀웨어 공격의 복수의 표시의 각각과 연관된 가중 팩터로서 복수의 신뢰 레벨의 각각의 신뢰 레벨을 이용하게 할 수 있고, 복수의 표시는 표시를 포함한다.예 53에서, 멀웨어를 검출하기 위한 장치는 디바이스로부터 네트워크를 거쳐 수신된 멀웨어 공격의 표시와 네트워크 내의 디바이스에 할당된 신뢰 레벨을 연관하고, 표시의 분석에 있어서의 팩터로서 신뢰 레벨을 이용하고, 분석에 기초하여 멀웨어 공격을 박멸하기 위해 네트워크를 통해 취할 동작을 결정하기 위한 수단을 포함한다.예 53의 요지를 포함하는 예 54에서, 장치는 네트워크 내의 디바이스의 위치에 기초하여 신뢰 레벨을 결정하기 위한 수단을 포함할 수 있다.예 53 내지 54 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 55에서, 위치는 물리적 액세스에 대해 보안된 네트워크의 부분, 암호화가 이용되는 네트워크의 부분, 가상 사설 네트워크(VPN)가 형성되는 네트워크의 부분, 또는 공용으로 액세스 가능한 네트워크를 포함하는 네트워크의 부분 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.예 53 내지 55 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 56에서, 장치는 디바이스의 물리적 위치에 기초하여 신뢰 레벨을 결정하게 하기 위한 수단을 포함할 수 있다.예 53 내지 56 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 57에서, 물리적 위치는 보안된 빌딩, 보안된 룸, 또는 공지의 조작자에 할당된 데스크 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.예 53 내지 57 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 58에서, 장치는 네트워크를 거쳐 디바이스로부터 크리덴셜을 수신하고, 크리덴셜의 검증에 기초하여 낮은 보안 동작 환경에 추가하여 보안 동작 환경을 제공하는 디바이스의 능력을 검증하고, 검증에 기초하여 신뢰 레벨을 결정하기 위한 수단을 포함할 수 있다.예 53 내지 58 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 59에서, 장치는 검증에 기초하여 동작을 결정하기 위한 수단을 포함할 수 있고, 동작은 리셋하도록 네트워크를 통해 디바이스에 시그널링하는 것을 포함한다.예 53 내지 59 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 60에서, 장치는 보안 동작 환경에 신뢰 레벨을 할당하고, 낮은 보안 동작 환경의 다른 신뢰 레벨을 결정하고, 낮은 보안 동작 환경에 다른 신뢰 레벨을 할당하기 위한 수단을 포함할 수 있다.예 53 내지 60 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 61에서, 표시는 멀웨어 공격과 연관된 액세스의 패턴의 네트워크 상의 발생의 표시, 멀웨어 공격과 연관된 함수 호출의 패턴의 디바이스 내의 발생의 표시, 디바이스의 루틴의 부분의 해시로의 변화의 표시, 액세스 규제를 받는 디바이스의 저장 장치의 부분으로의 시도된 액세스의 표시, 디바이스에 액세스하기 위해 부정확한 패스워드를 입력하는 조작자의 인스턴스의 표시, 지정된 시간 기간보다 긴 시간 동안 인증된 조작자에 의해 수반되지 않은 디바이스의 표시, 디바이스 내의 적어도 하나의 루틴의 실행과 연관된 이벤트의 로그, 또는 디바이스의 저장 장치의 부분의 콘텐츠의 스냅샷 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.예 53 내지 61 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 62에서, 동작은 네트워크로부터 디바이스를 분리하도록 네트워크 내의 다른 디바이스에 시그널링하는 것을 포함할 수 있다.예 53 내지 62 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 63에서, 장치는 표시의 분석에 있어서의 팩터로서 네트워크 내의 복수의 디바이스에 할당된 복수의 신뢰 레벨을 이용하기 위한 수단을 포함할 수 있고, 복수의 신뢰 레벨은 신뢰 레벨을 포함하고, 복수의 디바이스는 디바이스를 포함한다.예 53 내지 63 중 어느 하나의 요지를 포함하는 예 64에서, 장치는 멀웨어 공격의 복수의 표시의 각각과 연관된 가중 팩터로서 복수의 신뢰 레벨의 각각의 신뢰 레벨을 이용하게 할 수 있고, 복수의 표시는 표시를 포함한다.예 65에서, 적어도 하나의 머신 판독가능 저장 매체는 프로세서 구성요소에 의해 실행될 때, 프로세서 구성요소가 상기의 임의의 것을 수행하게 하는 명령을 포함할 수 있다.예 66에서, 멀웨어를 검출하는 장치는 상기의 임의의 것을 수행하기 위한 수단을 포함할 수 있다.
다양한 실시예는 일반적으로 종단점 디바이스에 네트워크 서비스를 제공하는 종단점 디바이스 및 네트워크 디바이스의 모두로부터 수신된 멀웨어 액티비티를 표시하는 정보를 이용함으로써 멀웨어 공격을 검출하고 박멸하기 위한 기술에 관한 것이다. 멀웨어를 검출하기 위한 장치는 프로세서 구성요소, 디바이스로부터 수신된 멀웨어 공격의 표시의 분석에 있어서의 팩터로서 네트워크 내의 디바이스에 할당된 신뢰 레벨을 이용하기 위해 프로세서 구성요소에 의한 실행을 위한 분석 구성요소, 및 분석에 기초하여 멀웨어 공격을 박멸하기 위해 네트워크를 통해 취하기 위한 동작을 결정하기 위해 프로세서 구성요소에 의한 실행을 위한 박멸 구성요소를 포함한다. 다른 실시예가 설명되고 청구된다.
[ 발명의 명칭 ] 무선 통신 시스템에서 신호를 송수신하기 위한 방법 및 이를 위한 장치METHOD FOR TRANSMITTING AND RECEIVING SIGNAL IN WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM AND DEVICE THEREFOR [ 기술분야 ] 본 발명은 무선 통신 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게 단말 간 통신(device to device communication)을 지원하는 무선 통신 시스템에서 신호를 송수신하기 위한 방법 및 이를 지원하는 장치에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 이동 통신 시스템은 사용자의 활동성을 보장하면서 음성 서비스를 제공하기 위해 개발되었다. 그러나 이동통신 시스템은 음성뿐 아니라 데이터 서비스까지 영역을 확장하였으며, 현재에는 폭발적인 트래픽의 증가로 인하여 자원의 부족 현상이 야기되고 사용자들이 보다 고속의 서비스에 대한 요구하므로, 보다 발전된 이동 통신 시스템이 요구되고 있다.차세대 이동 통신 시스템의 요구 조건은 크게 폭발적인 데이터 트래픽의 수용, 사용자 당 전송률의 획기적인 증가, 대폭 증가된 연결 디바이스 개수의 수용, 매우 낮은 단대단 지연(End-to-End Latency), 고에너지 효율을 지원할 수 있어야 한다. 이를 위하여 이중 연결성(Dual Connectivity), 대규모 다중 입출력(Massive MIMO: Massive Multiple Input Multiple Output), 전이중(In-band Full Duplex), 비직교 다중접속(NOMA: Non-Orthogonal Multiple Access), 초광대역(Super wideband) 지원, 단말 네트워킹(Device Networking) 등 다양한 기술들이 연구되고 있다. [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 본 명세서는 단말간 직접 통신을 수행하는데 있어 D2D data를 복조하기 위해 요구되는 D2D control information을 정의하는데 목적이 있다.또한, 본 명세서는 D2D control information 및 D2D data를 송수신하기 위한 방법을 제공함에 목적이 있다.또한, 본 명세서는 단말의 전력 소모를 줄이기 위해 D2D control information에 대한 blind decoding 수행 방법을 제공함에 목적이 있다.또한, 본 명세서는 기지국으로부터 전송되는 사이드링크와 관련된 자원 할당 정보의 수신과 D2D data 송수신과 관련된 자원 할당 정보의 전송 간의 타이밍 관계를 정의함에 목적이 있다.또한, 본 명세서는 D2D data 송수신과 관련된 자원 할당 정보의 전송과 D2D data 송수신 간의 타이밍 관계를 정의함에 목적이 있다.본 명세서에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. [ 과제의 해결 수단 ] 본 명세서는 단말간 직접(Device-to-Device:D2D) 통신을 지원하는 무선 통신 시스템에서 데이터를 송수신하기 위한 방법에 있어서, 제 1 단말에 의해 수행되는 상기 방법은 기지국으로부터 D2D 통신과 관련된 제 1 제어 정보를 수신하는 단계; 상기 수신된 제 1 제어 정보에 기초하여 D2D data 전송과 관련된 자원 정보를 포함하는 제 2 제어 정보를 제 2 단말로 전송하는 단계; 및 상기 제 2 단말로 상기 D2D data를 전송하는 단계를 포함하되, 상기 제 1 제어 정보를 수신하는 단계는 상위 계층 시그널링(high layer signaling)을 통해 상기 D2D 통신과 관련된 자원 풀(resource pool)을 상기 기지국으로부터 할당 받는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.또한, 본 명세서에서 상기 제 1 제어 정보를 수신하는 단계는 상기 할당 받은 자원 풀에서 상기 제 2 제어 정보 및/또는 상기 D2D data를 전송하기 위한 자원 정보를 상기 기지국으로부터 수신하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.또한, 본 명세서에서 상기 할당 받은 자원 풀에서 상기 제 2 제어 정보 및/또는 상기 D2D data를 전송하기 위한 자원 정보를 랜덤하게(randomly) 선택하는 것을 특징으로 한다.또한, 본 명세서에서 상기 자원 풀은 하나 또는 하나 이상의(one or more) subframe patterns로 구성되며, 각 subframe pattern은 subframe 별로 D2D 통신을 수행할 수 있는 D2D subframe에 해당하는지 여부를 나타내는 비트맵(bitmap) 형태인 것을 특징으로 한다.또한, 본 명세서에서 상기 상위 계층 시그널링은 RRC(Radio Resource Control) 시그널링이며, 상기 제 2 제어 정보 및/또는 상기 D2D data를 전송하기 위한 자원 정보는 물리 계층 채널(Physical Layer Channel)을 통해 상기 기지국으로부터 수신되는 것을 특징으로 한다.또한, 본 명세서에서 상기 제 2 제어 정보의 전송 대역폭은 사전에 결정되어 있는 것을 특징으로 한다.또한, 본 명세서에서 상기 제 1 제어 정보는 n번째 subframe(subframe #n)에서 상기 기지국으로부터 수신되며, 상기 제 2 제어 정보는 n+4번째 subframe(subframe #n+4)에서 상기 제 2 단말로 전송되는 것을 특징으로 한다.또한, 본 명세서에서 상기 제 2 제어 정보를 전송하는 단계는 상기 수신된 제 1 제어 정보에 기초하여 상기 제 2 제어 정보를 생성하는 단계; 및 상기 생성된 제 2 제어 정보를 이용 가능한 D2D subframe을 통해 상기 제 2 단말로 전송하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.또한, 본 명세서는 상기 수신된 제 1 제어 정보에 대한 긍정 응답(ack) 또는 부정 응답(nack)을 상기 기지국으로 전송하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.또한, 본 명세서는 상기 기지국으로부터 또 다른 제 1 제어 정보를 n번째 subframe(subframe #n)에서 수신하는 단계; 및 상기 수신된 제 1 제어 정보를 폐기하는(discard) 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.또한, 본 명세서는 상기 또 다른 제 1 제어 정보를 n+k번째 subframe(subframe #n+k)부터 적용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.또한, 본 명세서는 상기 제 2 제어 정보 및/또는 상기 D2D data를 전송하기 위한 자원 정보의 변경과 관련된 지시 정보를 수신하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.또한, 본 명세서에서 상기 제 1 제어 정보는 SG(Scheduling Grant) 또는 DCI(Downlink Control Information)이며, 상기 제 2 제어 정보는 SA(Scheduling Assignment) 또는 SCI(Sidelink Control Information)인 것을 특징으로 한다.또한, 본 명세서에서 상기 제 1 단말은 D2D 전송 단말이며, 상기 제 2 단말은 D2D 수신 단말인 것을 특징으로 한다.또한, 본 명세서는 단말간 직접(Device-to-Device:D2D) 통신을 지원하는 무선 통신 시스템에서 데이터를 송수신하기 위한 제 1 단말에 있어서, 무선 신호를 송수신하기 위한 RF(Radio Frequency) 유닛; 및 상기 RF 유닛과 기능적으로 연결되어 있는 프로세서를 포함하고, 상기 프로세서는 기지국으로부터 D2D 통신과 관련된 제 1 제어 정보를 수신하고; 상기 수신된 제 1 제어 정보에 기초하여 D2D data 전송과 관련된 자원 정보를 포함하는 제 2 제어 정보를 제 2 단말로 전송하고; 및 상기 제 2 단말로 상기 D2D data를 전송하며, 상위 계층 시그널링(high layer signaling)을 통해 상기 D2D 통신과 관련된 자원 풀(resource pool)을 상기 기지국으로부터 할당 받도록 제어하는 것을 특징으로 한다. [ 발명의 효과 ] 본 명세서는 D2D data를 복조하기 위해 요구되는 D2D control information을 새롭게 정의함으로써, 단말간 직접 통신을 수행할 수 있도록 하는 효과가 있다.또한, 본 명세서는 D2D control information 및 D2D data를 별개로 송수신하고, D2D control information에 대해서만 blind decoding을 적용함으로써, 단말의 전력 소모를 줄이는 효과가 있다.또한, 본 명세서는 기지국으로부터 전송되는 사이드링크와 관련된 자원 할당 정보의 수신과 D2D data 송수신과 관련된 자원 할당 정보의 전송 간의 타이밍 관계를 정의함으로써, 단말간 직접 통신을 수행할 수 있도록 하는 효과가 있다.또한, 본 명세서는 D2D data 송수신과 관련된 자원 할당 정보의 전송과 D2D data 송수신 간의 타이밍 관계를 정의함으로써, 단말간 직접 통신을 수행할 수 있도록 하는 효과가 있다.본 명세서에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. [ 도면의 간단한 설명 ] 본 발명에 관한 이해를 돕기 위해 상세한 설명의 일부로 포함되는, 첨부 도면은 본 발명에 대한 실시예를 제공하고, 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 특징을 설명한다.도 1은 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 무선 프레임의 구조를 나타낸다.도 2는 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 하나의 하향링크 슬롯에 대한 자원 그리드(resource grid)를 예시한 도면이다.도 3은 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 하향링크 서브 프레임의 구조를 나타낸다.도 4는 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 상향링크 서브 프레임의 구조를 나타낸다.도 5는 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 PUCCH 포맷들이 상향링크 물리자원블록의 PUCCH 영역에 매핑되는 형태의 일례를 나타낸다.도 6은 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 일반 CP의 경우의 CQI 채널의 구조를 나타낸다. 도 7은 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 사운딩 참조 신호 심볼을 포함한 상향링크 서브 프레임을 예시한다. 도 8은 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 컴포넌트 캐리어 및 캐리어 병합의 일례를 나타낸다.도 9는 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 크로스 캐리어 스케줄링에 따른 서브 프레임 구조의 일례를 나타낸다.도 10은 일반적인 다중 입출력 안테나(MIMO) 통신 시스템의 구성도이다.도 11은 다수의 송신 안테나에서 하나의 수신 안테나로의 채널을 나타낸 도이다.도 12는 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 릴레이 노드 자원 분할을 예시한다.도 13은 3GPP LTE 시스템에서 정의된 하향링크 자원 블록(RB) 쌍에 매핑된 참조 신호 패턴의 일례를 나타내는 도면이다. 도 14는 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 D2D 통신을 개념적으로 설명하기 위한 도면이다.도 15는 본 명세서에서 제안하는 방법이 적용될 수 있는 D2D 통신의 다양한 시나리오들의 일례를 나타낸다.도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스커버리 자원이 할당된 일례를 나타낸다. 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스커버리 과정을 간략히 예시한 도면이다. 도 18은 본 명세서에서 제안하는 D2D 제어 정보 및 D2D 데이터 송수신 방법의 일 예를 나타낸 도이다.도 19는 본 명세서에서 제안하는 D2D 제어 정보 및 D2D 데이터 송수신 방법의 또 다른 일 예를 나타낸 도이다.도 20은 본 명세서에서 제안하는 D2D 제어 정보 및 D2D 데이터 송수신 방법의 또 다른 일 예를 나타낸 도이다.도 21은 본 명세서에서 제안하는 D2D 전송 모드에 따른 D2D 제어 정보 설정 방법의 일 예를 나타낸 도이다.도 22는 본 명세서에서 제안하는 D2D 단말에서의 SG 수신과 SA 전송 간의 타이밍 관계의 일 예를 나타낸 도이다.도 23은 본 명세서에서 제안하는 D2D 단말에서의 SG 수신과 SA 전송 간의 타이밍 관계의 일 예를 나타낸 순서도이다.도 24 내지 도 25는 본 명세서에서 제안하는 D2D 단말에서의 SG 수신과 SA 전송 간의 타이밍 관계의 또 다른 일 예를 나타낸 도이다.도 26 내지 도 28은 본 명세서에서 제안하는 D2D SA 전송과 D2D data 전송 간의 타이밍 관계의 일 예를 나타낸 도이다.도 29는 본 명세서에서 제안하는 D2D data 송수신 방법의 일 예를 나타낸 순서도이다.도 30 내지 도 33은 본 명세서에서 제안하는 SA 자원 및/또는 D2D data 자원의 위치를 알려주기 위한 방법의 일 예들을 나타낸 도이다.도 34는 본 명세서에서 제안하는 D2D 전송을 위한 UE scheduling 방법의 일 예를 나타낸 흐름도이다.도 35는 본 명세서에서 제안하는 RRC signaling을 이용하여 D2D 전송을 위한 UE scheduling 방법의 일 예를 나타낸 도이다.도 36은 본 명세서에서 제안하는 물리 계층 채널을 이용하여 D2D 전송을 위한 UE scheduling 방법의 일 예를 나타낸 도이다.도 37은 본 명세서에서 제안하는 SG에 대한 HARQ 절차를 수행하는 방법의 일 예를 나타낸 흐름도이다.도 38은 본 명세서에서 제안하는 방법들이 적용될 수 있는 무선 통신 장치의 내부 블록도의 일 예를 나타낸 도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시 형태를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 첨부된 도면과 함께 이하에 개시될 상세한 설명은 본 발명의 예시적인 실시형태를 설명하고자 하는 것이며, 본 발명이 실시될 수 있는 유일한 실시형태를 나타내고자 하는 것이 아니다. 이하의 상세한 설명은 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해서 구체적 세부사항을 포함한다. 그러나, 당업자는 본 발명이 이러한 구체적 세부사항 없이도 실시될 수 있음을 안다.몇몇 경우, 본 발명의 개념이 모호해지는 것을 피하기 위하여 공지의 구조 및 장치는 생략되거나, 각 구조 및 장치의 핵심기능을 중심으로 한 블록도 형식으로 도시될 수 있다. 본 명세서에서 기지국은 단말과 직접적으로 통신을 수행하는 네트워크의 종단 노드(terminal node)로서의 의미를 갖는다. 본 문서에서 기지국에 의해 수행되는 것으로 설명된 특정 동작은 경우에 따라서는 기지국의 상위 노드(upper node)에 의해 수행될 수도 있다. 즉, 기지국을 포함하는 다수의 네트워크 노드들(network nodes)로 이루어지는 네트워크에서 단말과의 통신을 위해 수행되는 다양한 동작들은 기지국 또는 기지국 이외의 다른 네트워크 노드들에 의해 수행될 수 있음은 자명하다. '기지국(BS: Base Station)'은 고정국(fixed station), Node B, eNB(evolved-NodeB), BTS(base transceiver system), 액세스 포인트(AP: Access Point) 등의 용어에 의해 대체될 수 있다. 또한, '단말(Terminal)'은 고정되거나 이동성을 가질 수 있으며, UE(User Equipment), MS(Mobile Station), UT(user terminal), MSS(Mobile Subscriber Station), SS(Subscriber Station), AMS(Advanced Mobile Station), WT(Wireless terminal), MTC(Machine-Type Communication) 장치, M2M(Machine-to-Machine) 장치, D2D(Device-to-Device) 장치 등의 용어로 대체될 수 있다.이하에서, 하향링크(DL: downlink)는 기지국에서 단말로의 통신을 의미하며, 상향링크(UL: uplink)는 단말에서 기지국으로의 통신을 의미한다. 하향링크에서 송신기는 기지국의 일부이고, 수신기는 단말의 일부일 수 있다. 상향링크에서 송신기는 단말의 일부이고, 수신기는 기지국의 일부일 수 있다.이하의 설명에서 사용되는 특정 용어들은 본 발명의 이해를 돕기 위해서 제공된 것이며, 이러한 특정 용어의 사용은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 다른 형태로 변경될 수 있다.이하의 기술은 CDMA(code division multiple access), FDMA(frequency division multiple access), TDMA(time division multiple access), OFDMA(orthogonal frequency division multiple access), SC-FDMA(single carrier frequency division multiple access), NOMA(non-orthogonal multiple access) 등과 같은 다양한 무선 접속 시스템에 이용될 수 있다. CDMA는 UTRA(universal terrestrial radio access)나 CDMA2000과 같은 무선 기술(radio technology)로 구현될 수 있다. TDMA는 GSM(global system for mobile communications)/GPRS(general packet radio service)/EDGE(enhanced data rates for GSM evolution)와 같은 무선 기술로 구현될 수 있다. OFDMA는 IEEE 802.11 (Wi-Fi), IEEE 802.16 (WiMAX), IEEE 802-20, E-UTRA(evolved UTRA) 등과 같은 무선 기술로 구현될 수 있다. UTRA는 UMTS(universal mobile telecommunications system)의 일부이다. 3GPP(3rd generation partnership project) LTE(long term evolution)은 E-UTRA를 사용하는 E-UMTS(evolved UMTS)의 일부로써, 하향링크에서 OFDMA를 채용하고 상향링크에서 SC-FDMA를 채용한다. LTE-A(advanced)는 3GPP LTE의 진화이다.본 발명의 실시예들은 무선 접속 시스템들인 IEEE 802, 3GPP 및 3GPP2 중 적어도 하나에 개시된 표준 문서들에 의해 뒷받침될 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예들 중 본 발명의 기술적 사상을 명확히 드러내기 위해 설명하지 않은 단계들 또는 부분들은 상기 문서들에 의해 뒷받침될 수 있다. 또한, 본 문서에서 개시하고 있는 모든 용어들은 상기 표준 문서에 의해 설명될 수 있다.설명을 명확하게 하기 위해, 3GPP LTE/LTE-A를 위주로 기술하지만 본 발명의 기술적 특징이 이에 제한되는 것은 아니다.시스템일반도 1은 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 무선 프레임의 구조를 나타낸다. 3GPP LTE/LTE-A에서는 FDD(Frequency Division Duplex)에 적용 가능한 타입 1 무선 프레임(radio frame) 구조와 TDD(Time Division Duplex)에 적용 가능한 타입 2의 무선 프레임 구조를 지원한다.도 1(a)는 타입 1 무선 프레임의 구조를 예시한다. 무선 프레임(radio frame)은 10개의 서브프레임(subframe)으로 구성된다. 하나의 서브프레임은 시간 영역(time domain)에서 2개의 슬롯(slot)으로 구성된다. 하나의 서브프레임을 전송하는 데 걸리는 시간을 TTI(transmission time interval)이라 한다. 예를 들어, 하나의 서브 프레임은 길이는 1ms이고, 하나의 슬롯의 길이는 0.5ms일 수 있다. 하나의 슬롯은 시간 영역에서 복수의 OFDM(orthogonal frequency division multiplexing) 심볼을 포함하고, 주파수 영역에서 다수의 자원블록(RB: Resource Block)을 포함한다.. 3GPP LTE는 하향링크에서 OFDMA를 사용하므로 OFDM 심볼은 하나의 심볼 구간(symbol period)을 표현하기 위한 것이다. OFDM 심볼은 하나의 SC-FDMA 심볼 또는 심볼 구간이라고 할 수 있다. 자원 블록(resource block)은 자원 할당 단위이고, 하나의 슬롯에서 복수의 연속적인 부 반송파(subcarrier)를 포함한다. 도 1의 (b)는 타입 2 프레임 구조(frame structure type 2)를 나타낸다. 타입 2 무선 프레임은 2개의 하프 프레임(half frame)으로 구성되며, 각 하프 프레임은 5개의 서브프레임과 DwPTS(Downlink Pilot Time Slot), 보호구간(GP: Guard Period), UpPTS(Uplink Pilot Time Slot)로 구성되며, 이 중 1개의 서브프레임은 2개의 슬롯으로 구성된다. DwPTS는 단말에서의 초기 셀 탐색, 동기화 또는 채널 추정에 사용된다. UpPTS는 기지국에서의 채널 추정과 단말의 상향링크 전송 동기를 맞추는 데 사용된다. 보호구간은 상향링크와 하향링크 사이에 하향링크 신호의 다중경로 지연으로 인해 상향링크에서 생기는 간섭을 제거하기 위한 구간이다.TDD 시스템의 타입 2 프레임 구조에서 상향링크-하향링크 구성(uplink-downlink configuration)은 모든 서브프레임에 대하여 상향링크와 하향링크가 할당(또는 예약)되는지 나타내는 규칙이다. 표 1은 상향링크-하향링크 구성을 나타낸다.Uplink-Downlink configurationDownlink-to-Uplink Switch-point periodicitySubframe number012345678905msDSUUUDSUUU15msDSUUDDSUUD25msDSUDDDSUDD310msDSUUUDDDDD410msDSUUDDDDDD510msDSUDDDDDDD65msDSUUUDSUUD표 1을 참조하면, 무선 프레임의 각 서브프레임 별로, 'D'는 하향링크 전송을 위한 서브프레임을 나타내고, 'U'는 상향링크 전송을 위한 서브프레임을 나타내며, 'S'는 DwPTS, GP, UpPTS 3가지의 필드로 구성되는 스페셜 서브프레임(special subframe)을 나타낸다. 상향링크-하향링크 구성은 7가지로 구분될 수 있으며, 각 구성 별로 하향링크 서브프레임, 스페셜 서브프레임, 상향링크 서브프레임의 위치 및/또는 개수가 다르다.하향링크에서 상향링크로 변경되는 시점 또는 상향링크에서 하향링크로 전환되는 시점을 전환 시점(switching point)이라 한다. 전환 시점의 주기성(Switch-point periodicity)은 상향링크 서브프레임과 하향링크 서브프레임이 전환되는 양상이 동일하게 반복되는 주기를 의미하며, 5ms 또는 10ms가 모두 지원된다. 5ms 하향링크-상향링크 전환 시점의 주기를 가지는 경우에는 스페셜 서브프레임(S)은 하프-프레임 마다 존재하고, 5ms 하향링크-상향링크 전환 시점의 주기를 가지는 경우에는 첫번째 하프-프레임에만 존재한다. 모든 구성에 있어서, 0번, 5번 서브프레임 및 DwPTS는 하향링크 전송만을 위한 구간이다. UpPTS 및 서브프레임 서브프레임에 바로 이어지는 서브프레임은 항상 상향링크 전송을 위한 구간이다. 이러한, 상향링크-하향링크 구성은 시스템 정보로써 기지국과 단말이 모두 알고 있을 수 있다. 기지국은 상향링크-하향링크 구성 정보가 바뀔 때마다 구성 정보의 인덱스만을 전송함으로써 무선 프레임의 상향링크-하향링크 할당상태의 변경을 단말에 알려줄 수 있다. 또한, 구성 정보는 일종의 하향링크 제어정보로서 다른 스케줄링 정보와 마찬가지로 PDCCH(Physical Downlink Control Channel)를 통해 전송될 수 있으며, 방송 정보로서 브로드캐스트 채널(broadcast channel)을 통해 셀 내의 모든 단말에 공통으로 전송될 수도 있다.무선 프레임의 구조는 하나의 예시에 불과하며, 무선 프레임에 포함되는 부 반송파의 수 또는 서브 프레임에 포함되는 슬롯의 수, 슬롯에 포함되는 OFDM 심볼의 수는 다양하게 변경될 수 있다.도 2는 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 하나의 하향링크 슬롯에 대한 자원 그리드(resource grid)를 예시한 도면이다. 도 2를 참조하면, 하나의 하향링크 슬롯은 시간 영역에서 복수의 OFDM 심볼을 포함한다. 여기서, 하나의 하향링크 슬롯은 7개의 OFDM 심볼을 포함하고, 하나의 자원 블록은 주파수 영역에서 12개의 부 반송파를 포함하는 것을 예시적으로 기술하나, 이에 한정되는 것은 아니다. 자원 그리드 상에서 각 요소(element)를 자원 요소(resource element)하고, 하나의 자원 블록(RB: resource block)은 12 × 7 개의 자원 요소를 포함한다. 하향링크 슬롯에 포함되는 자원 블록들의 수 NDL은 하향링크 전송 대역폭(bandwidth)에 종속한다. 상향링크 슬롯의 구조는 하향링크 슬롯의 구조와 동일할 수 있다.도 3은 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 하향링크 서브 프레임의 구조를 나타낸다. 도 3을 참조하면, 서브 프레임내의 첫번째 슬롯에서 앞의 최대 3개의 OFDM 심볼들이 제어 채널들이 할당되는 제어 영역(control region)이고, 나머지 OFDM 심볼들은 PDSCH(Physical Downlink Shared Channel)이 할당되는 데이터 영역(data region)이다. 3GPP LTE에서 사용되는 하향링크 제어 채널의 일례로 PCFICH(Physical Control Format Indicator Channel), PDCCH(Physical Downlink Control Channel), PHICH(Physical Hybrid-ARQ Indicator Channel) 등이 있다. PCFICH는 서브 프레임의 첫번째 OFDM 심볼에서 전송되고, 서브 프레임 내에 제어 채널들의 전송을 위하여 사용되는 OFDM 심볼들의 수(즉, 제어 영역의 크기)에 관한 정보를 나른다. PHICH는 상향 링크에 대한 응답 채널이고, HARQ(Hybrid Automatic Repeat Request)에 대한 ACK(Acknowledgement)/NACK(Not-Acknowledgement) 신호를 나른다. PDCCH를 통해 전송되는 제어 정보를 하향링크 제어정보(DCI: downlink control information)라고 한다. 하향링크 제어정보는 상향링크 자원 할당 정보, 하향링크 자원 할당 정보 또는 임의의 단말 그룹에 대한 상향링크 전송(Tx) 파워 제어 명령을 포함한다. PDCCH는 DL-SCH(Downlink Shared Channel)의 자원 할당 및 전송 포맷(이를 하향링크 그랜트라고도 한다.), UL-SCH(Uplink Shared Channel)의 자원 할당 정보(이를 상향링크 그랜트라고도 한다.), PCH(Paging Channel)에서의 페이징(paging) 정보, DL-SCH에서의 시스템 정보, PDSCH에서 전송되는 랜덤 액세스 응답(random access response)과 같은 상위 레이어(upper-layer) 제어 메시지에 대한 자원 할당, 임의의 단말 그룹 내 개별 단말들에 대한 전송 파워 제어 명령들의 집합, VoIP(Voice over IP)의 활성화 등을 나를 수 있다. 복수의 PDCCH들은 제어 영역 내에서 전송될 수 있으며, 단말은 복수의 PDCCH들을 모니터링할 수 있다. PDCCH는 하나 또는 복수의 연속적인 CCE(control channel elements)의 집합으로 구성된다. CCE는 무선 채널의 상태에 따른 부호화율(coding rate)을 PDCCH에 제공하기 위하여 사용되는 논리적 할당 단위이다. CCE는 복수의 자원 요소 그룹(resource element group)들에 대응된다. PDCCH의 포맷 및 사용 가능한 PDCCH의 비트 수는 CCE들의 수와 CCE들에 의해 제공되는 부호화율 간의 연관 관계에 따라 결정된다. 기지국은 단말에게 전송하려는 DCI에 따라 PDCCH 포맷을 결정하고, 제어 정보에 CRC(Cyclic Redundancy Check)를 붙인다. CRC에는 PDCCH의 소유자(owner)나 용도에 따라 고유한 식별자(이를 RNTI(Radio Network Temporary Identifier)라고 한다.)가 마스킹된다. 특정의 단말을 위한 PDCCH라면 단말의 고유한 식별자, 예를 들어 C-RNTI(Cell-RNTI)가 CRC에 마스킹될 수 있다. 또는 페이징 메시지를 위한 PDCCH라면 페이징 지시 식별자, 예를 들어 P-RNTI(Paging-RNTI)가 CRC에 마스킹될 수 있다. 시스템 정보, 더욱 구체적으로 시스템 정보 블록(SIB: system information block)를 위한 PDCCH라면 시스템 정보 식별자, SI-RNTI(system information RNTI)가 CRC에 마스킹될 수 있다. 단말의 랜덤 액세스 프리앰블의 전송에 대한 응답인 랜덤 액세스 응답을 지시하기 위하여, RA-RNTI(random access-RNTI)가 CRC에 마스킹될 수 있다.도 4는 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 상향링크 서브 프레임의 구조를 나타낸다.도 4를 참조하면, 상향링크 서브 프레임은 주파수 영역에서 제어 영역과 데이터 영역으로 나눌 수 있다. 제어 영역에는 상향링크 제어 정보를 나르는 PUCCH(Physical Uplink Control Channel)이 할당된다. 데이터 영역은 사용자 데이터를 나르는 PUSCH(Physical Uplink Shared Channel)이 할당된다. 단일 반송파 특성을 유지하기 위해 하나의 단말은 PUCCH와 PUSCH을 동시에 전송하지 않는다. 하나의 단말에 대한 PUCCH에는 서브 프레임 내에 자원 블록(RB: Resource Block) 쌍이 할당된다. RB 쌍에 속하는 RB들은 2개의 슬롯들의 각각에서 서로 다른 부 반송파를 차지한다. 이를 PUCCH에 할당된 RB 쌍은 슬롯 경계(slot boundary)에서 주파수 도약(frequency hopping)된다고 한다.물리상향링크제어채널(PUCCH)PUCCH를 통하여 전송되는 상향링크 제어 정보(UCI)는, 스케줄링 요청(SR: Scheduling Request), HARQ ACK/NACK 정보 및 하향링크 채널 측정 정보를 포함할 수 있다.HARQ ACK/NACK 정보는 PDSCH 상의 하향링크 데이터 패킷의 디코딩 성공 여부에 따라 생성될 수 있다. 기존의 무선 통신 시스템에서, 하향링크 단일 코드워드(codeword) 전송에 대해서는 ACK/NACK 정보로서 1 비트가 전송되고, 하향링크 2 코드워드 전송에 대해서는 ACK/NACK 정보로서 2 비트가 전송된다.채널 측정 정보는 다중입출력(MIMO: Multiple Input Multiple Output) 기법과 관련된 피드백 정보를 지칭하며, 채널품질지시자(CQI: Channel Quality Indicator), 프리코딩매트릭스인덱스(PMI: Precoding Matrix Index) 및 랭크 지시자(RI: Rank Indicator)를 포함할 수 있다. 이들 채널 측정 정보를 통칭하여 CQI 라고 표현할 수도 있다.CQI 의 전송을 위하여 서브프레임 당 20 비트가 사용될 수 있다.PUCCH는 BPSK(Binary Phase Shift Keying)과 QPSK(Quadrature Phase Shift Keying) 기법을 사용하여 변조될 수 있다. PUCCH를 통하여 복수개의 단말의 제어 정보가 전송될 수 있고, 각 단말들의 신호를 구별하기 위하여 코드분할다중화(CDM: Code Division Multiplexing)을 수행하는 경우에 길이 12 의 CAZAC(Constant Amplitude Zero Autocorrelation) 시퀀스를 주로 사용한다. CAZAC 시퀀스는 시간 영역(time domain) 및 주파수 영역(frequency domain)에서 일정한 크기(amplitude)를 유지하는 특성을 가지므로 단말의 PAPR(Peak-to-Average Power Ratio) 또는 CM(Cubic Metric)을 낮추어 커버리지를 증가시키기에 적합한 성질을 가진다. 또한, PUCCH를 통해 전송되는 하향링크 데이터 전송에 대한 ACK/NACK 정보는 직교 시퀀스(orthgonal sequence) 또는 직교 커버(OC: orthogonal cover)를 이용하여 커버링된다.또한, PUCCH 상으로 전송되는 제어정보는 서로 다른 순환 시프트(CS: cyclic shift) 값을 가지는 순환 시프트된 시퀀스(cyclically shifted sequence)를 이용하여 구별될 수 있다. 순환 시프트된 시퀀스는 기본 시퀀스(base sequence)를 특정 CS 양(cyclic shift amount) 만큼 순환 시프트시켜 생성할 수 있다. 특정 CS 양은 순환 시프트 인덱스(CS index)에 의해 지시된다. 채널의 지연 확산(delay spread)에 따라 사용 가능한 순환 시프트의 수는 달라질 수 있다. 다양한 종류의 시퀀스가 기본 시퀀스로 사용될 수 있으며, 전술한 CAZAC 시퀀스는 그 일례이다.또한, 단말이 하나의 서브프레임에서 전송할 수 있는 제어 정보의 양은 제어 정보의 전송에 이용가능한 SC-FDMA 심볼의 개수(즉, PUCCH 의 코히어런트(coherent) 검출을 위한 참조신호(RS) 전송에 이용되는 SC-FDMA 심볼을 제외한 SC-FDMA 심볼들)에 따라 결정될 수 있다.3GPP LTE 시스템에서 PUCCH 는, 전송되는 제어 정보, 변조 기법, 제어 정보의 양 등에 따라 총 7 가지 상이한 포맷으로 정의되며, 각각의 PUCCH 포맷에 따라서 전송되는 상향링크 제어 정보(UCI: uplink control information)의 속성은 다음의 표 2와 같이 요약할 수 있다.PUCCH FormatUplink Control Information(UCI)Format 1Scheduling Request(SR)(unmodulated waveform)Format 1a1-bit HARQ ACK/NACK with/without SRFormat 1b2-bit HARQ ACK/NACK with/without SRFormat 2CQI (20 coded bits)Format 2CQI and 1- or 2-bit HARQ ACK/NACK (20 bits) for extended CP onlyFormat 2aCQI and 1-bit HARQ ACK/NACK (20+1 coded bits)Format 2bCQI and 2-bit HARQ ACK/NACK (20+2 coded bits)PUCCH 포맷 1은 SR의 단독 전송에 사용된다. SR 단독 전송의 경우에는 변조되지 않은 파형이 적용되며, 이에 대해서는 후술하여 자세하게 설명한다.PUCCH 포맷 1a 또는 1b는 HARQ ACK/NACK의 전송에 사용된다. 임의의 서브프레임에서 HARQ ACK/NACK이 단독으로 전송되는 경우에는 PUCCH 포맷 1a 또는 1b를 사용할 수 있다. 또는, PUCCH 포맷 1a 또는 1b를 사용하여 HARQ ACK/NACK 및 SR이 동일 서브프레임에서 전송될 수도 있다.PUCCH 포맷 2는 CQI의 전송에 사용되고, PUCCH 포맷 2a 또는 2b는 CQI 및 HARQ ACK/NACK의 전송에 사용된다.확장된 CP 의 경우에는 PUCCH 포맷 2가 CQI 및 HARQ ACK/NACK 의 전송에 사용될 수도 있다.도 5는 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 PUCCH 포맷들이 상향링크 물리자원블록의 PUCCH 영역에 매핑되는 형태의 일례를 나타낸다.도 5에서 는 상향링크에서의 자원블록의 개수를 나타내고, 0, 1,..., -1는 물리자원블록의 번호를 의미한다. 기본적으로, PUCCH는 상향링크 주파수 블록의 양쪽 끝단(edge)에 매핑된다. 도 5에서 도시하는 바와 같이, m=0,1로 표시되는 PUCCH 영역에 PUCCH 포맷 2/2a/2b 가 매핑되며, 이는 PUCCH 포맷 2/2a/2b가 대역-끝단(bandedge)에 위치한 자원블록들에 매핑되는 것으로 표현할 수 있다. 또한, m=2 로 표시되는 PUCCH 영역에 PUCCH 포맷 2/2a/2b 및 PUCCH 포맷 1/1a/1b 가 함께(mixed) 매핑될 수 있다. 다음으로, m=3,4,5 로 표시되는 PUCCH 영역에 PUCCH 포맷 1/1a/1b 가 매핑될 수 있다. PUCCH 포맷 2/2a/2b 에 의해 사용가능한 PUCCH RB들의 개수()는 브로드캐스팅 시그널링에 의해서 셀 내의 단말들에게 지시될 수 있다.PUCCH 포맷 2/2a/2b에 대하여 설명한다. PUCCH 포맷 2/2a/2b는 채널 측정 피드백(CQI, PMI, RI)을 전송하기 위한 제어 채널이다.채널측정피드백(이하에서는, 통칭하여 CQI 정보라고 표현함)의 보고 주기 및 측정 대상이 되는 주파수 단위(또는 주파수 해상도(resolution))는 기지국에 의하여 제어될 수 있다. 시간 영역에서 주기적 및 비주기적 CQI 보고가 지원될 수 있다. PUCCH 포맷 2 는 주기적 보고에만 사용되고, 비주기적 보고를 위해서는 PUSCH가 사용될 수 있다. 비주기적 보고의 경우에 기지국은 단말에게 상향링크 데이터 전송을 위하여 스케줄링된 자원에 개별 CQI 보고를 실어서 전송할 것을 지시할 수 있다.도 6은 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 일반 CP의 경우의 CQI 채널의 구조를 나타낸다. 하나의 슬롯의 SC-FDMA 심볼 0 내지 6 중에서, SC-FDMA 심볼 1 및 5 (2 번째 및 6 번째 심볼)는 복조참조신호(DMRS: Demodulation Reference Signal) 전송에 사용되고, 나머지 SC-FDMA 심볼에서 CQI 정보가 전송될 수 있다. 한편, 확장된 CP 의 경우에는 하나의 SC-FDMA 심볼 (SC-FDMA 심볼 3) 이 DMRS 전송에 사용된다.PUCCH 포맷 2/2a/2b 에서는 CAZAC 시퀀스에 의한 변조를 지원하고, QPSK 변조된 심볼이 길이 12 의 CAZAC 시퀀스로 승산된다. 시퀀스의 순환 시프트(CS)는 심볼 및 슬롯 간에 변경된다. DMRS에 대해서 직교 커버링이 사용된다.하나의 슬롯에 포함되는 7 개의 SC-FDMA 심볼 중 3개의 SC-FDMA 심볼 간격만큼 떨어진 2개의 SC-FDMA 심볼에는 참조신호(DMRS)가 실리고, 나머지 5개의 SC-FDMA 심볼에는 CQI 정보가 실린다. 한 슬롯 안에 두 개의 RS가 사용된 것은 고속 단말을 지원하기 위해서이다. 또한, 각 단말은 순환 시프트(CS) 시퀀스를 사용하여 구분된다. CQI 정보 심볼들은 SC-FDMA 심볼 전체에 변조되어 전달되고, SC-FDMA 심볼은 하나의 시퀀스로 구성되어 있다. 즉, 단말은 각 시퀀스로 CQI를 변조해서 전송한다.하나의 TTI에 전송할 수 있는 심볼 수는 10개이고, CQI 정보의 변조는 QPSK까지 정해져 있다. SC-FDMA 심볼에 대해 QPSK 매핑을 사용하는 경우 2비트의 CQI 값이 실릴 수 있으므로, 한 슬롯에 10비트의 CQI 값을 실을 수 있다. 따라서, 한 서브프레임에 최대 20비트의 CQI 값을 실을 수 있다. CQI 정보를 주파수 영역에서 확산시키기 위해 주파수 영역 확산 부호를 사용한다.주파수 영역 확산 부호로는 길이-12 의 CAZAC 시퀀스(예를 들어, ZC 시퀀스)를 사용할 수 있다. 각 제어채널은 서로 다른 순환 시프트(cyclic shift) 값을 갖는 CAZAC 시퀀스를 적용하여 구분될 수 있다. 주파수 영역 확산된 CQI 정보에 IFFT가 수행된다.12 개의 동등한 간격을 가진 순환 시프트에 의해서 12 개의 상이한 단말들이 동일한 PUCCH RB 상에서 직교 다중화될 수 있다. 일반 CP 경우에 SC-FDMA 심볼 1 및 5 상의 (확장된 CP 경우에 SC-FDMA 심볼 3 상의) DMRS 시퀀스는 주파수 영역 상의 CQI 신호 시퀀스와 유사하지만 CQI 정보와 같은 변조가 적용되지는 않는다. PUCCH 채널구조PUCCH 포맷 1a 및 1b에 대하여 설명한다.PUCCH 포맷 1a/1b에 있어서 BPSK 또는 QPSK 변조 방식을 이용하여 변조된 심볼은 길이 12 의 CAZAC 시퀀스로 승산(multiply)된다. 예를 들어, 변조 심볼 d(0)에 길이 N 의 CAZAC 시퀀스 r(n) (n=0, 1, 2, ..., N-1) 가 승산된 결과는 y(0), y(1), y(2), ..., y(N-1) 이 된다. y(0), ..., y(N-1) 심볼들을 심볼 블록(block of symbol)이라고 칭할 수 있다. 변조 심볼에 CAZAC 시퀀스를 승산한 후에, 직교 시퀀스를 이용한 블록-단위(block-wise)확산이 적용된다.일반 ACK/NACK 정보에 대해서는 길이 4의 하다마드(Hadamard) 시퀀스가 사용되고, 짧은(shortened) ACK/NACK 정보 및 참조신호(Reference Signal)에 대해서는 길이 3의 DFT(Discrete Fourier Transform) 시퀀스가 사용된다. 확장된 CP의 경우의 참조신호에 대해서는 길이 2의 하다마드 시퀀스가 사용된다.사운딩참조신호(SRS: Sounding Reference Signal)SRS는 주로 상향링크의 주파수-선택적 스케줄링을 수행하기 위하여 채널 품질 측정에 사용되며, 상향링크 데이터 및/또는 제어 정보의 전송과 관련되지 않는다. 그러나, 이에 한정되지 않으며 SRS는 전력 제어의 향상 또는 최근에 스케줄되어 있지 않은 단말들의 다양한 스타트-업(start-up) 기능을 지원하기 위한 다양한 다른 목적들을 위해 사용될 수 있다. 스타트-업 기능의 일례로, 초기의 변조 및 부호화 방식(MCS: Modulation and Coding Scheme), 데이터 전송을 위한 초기의 전력 제어, 타이밍 전진(timing advance) 및 주파수 반-선택적(semi-selective) 스케줄링이 포함될 수 있다. 이때, 주파수 반-선택적 스케줄링은 서브 프레임의 처음의 슬롯에 선택적으로 주파수 자원을 할당하고, 두번째 슬롯에서는 다른 주파수로 의사 랜덤(pseudo-randomly)하게 도약하여 주파수 자원을 할당하는 스케줄링을 말한다.또한, SRS는 상향링크와 하향링크 간에 무선 채널이 상호적(reciprocal)인 가정하에 하향링크 채널 품질을 측정하기 위하여 사용될 수 있다. 이러한 가정은 상향링크와 하향링크가 동일한 주파수 스펙트럼을 공유하고, 시간 영역에서는 분리된 시분할 듀플레스(TDD: Time Division Duplex) 시스템에서 특히 유효하다셀 내에서 어떠한 단말에 의하여 전송되는 SRS의 서브 프레임들은 셀-특정 방송 신호에 의하여 나타낼 수 있다. 4비트 셀-특정 'srsSubframeConfiguration' 파라미터는 SRS가 각 무선 프레임을 통해 전송될 수 있는 15가지의 가능한 서브 프레임의 배열을 나타낸다. 이러한 배열들에 의하여, 운용 시나리오(deployment scenario)에 따라 SRS 오버헤드(overhead)의 조정에 대한 유동성을 제공하게 된다. 이 중 16번째 배열은 셀 내에서 완전하게 SRS의 스위치를 오프하며, 이는 주로 고속 단말들을 서빙하는 서빙 셀에 적합하다.도 7은 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 사운딩 참조 신호 심볼을 포함한 상향링크 서브 프레임을 예시한다. 도 7을 참조하면, SRS는 배열된 서브 프레임 상에서 항상 마지막 SC-FDMA 심볼을 통해 전송된다. 따라서, SRS와 DMRS는 다른 SC-FDMA 심볼에 위치하게 된다. PUSCH 데이터 전송은 SRS 전송을 위한 특정의 SC-FDMA 심볼에서는 허용되지 않으며, 결과적으로 사운딩(sounding) 오버헤드가 가장 높은 경우 즉, 모든 서브 프레임에 SRS 심볼이 포함되는 경우라도 사운딩 오버헤드는 약 7%를 초과하지 않는다. 각 SRS 심볼은 주어진 시간 단위와 주파수 대역에 관한 기본 시퀀스(랜덤 시퀀스 또는 Zadoff-Ch(ZC)에 기초한 시퀀스 세트)에 의하여 생성되고, 동일 셀 내의 모든 단말들은 동일한 기본 시퀀스를 사용한다. 이때, 동일한 주파수 대역과 동일한 시간에서 동일 셀 내의 복수의 단말로부터의 SRS 전송은 기본 시퀀스의 서로 다른 순환 이동(cyclic shift)에 의해 직교(orthogonal)되어 서로 구별된다. 각각의 셀 마다 서로 다른 기본 시퀀스가 할당되는 것에 의하여 서로 다른 셀로부터의 SRS 시퀀스가 구별될 수 있으나, 서로 다른 기본 시퀀스 간에 직교성은 보장되지 않는다.캐리어병합일반본 발명의 실시예들에서 고려하는 통신 환경은 멀티 캐리어(Multi-carrier) 지원 환경을 모두 포함한다. 즉, 본 발명에서 사용되는 멀티 캐리어 시스템 또는 캐리어 병합(CA: Carrier Aggregation) 시스템이라 함은 광대역을 지원하기 위해서, 목표로 하는 광대역을 구성할 때 목표 대역보다 작은 대역폭(bandwidth)을 가지는 1개 이상의 컴포넌트 캐리어(CC: Component Carrier)를 병합(aggregation)하여 사용하는 시스템을 말한다. 본 발명에서 멀티 캐리어는 캐리어의 병합(또는, 반송파 집성)을 의미하며, 이때 캐리어의 병합은 인접한(contiguous) 캐리어 간의 병합뿐 아니라 비 인접한(non-contiguous) 캐리어 간의 병합을 모두 의미한다. 또한, 하향링크와 상향링크 간에 집성되는 컴포넌트 캐리어들의 수는 다르게 설정될 수 있다. 하향링크 컴포넌트 캐리어(이하, 'DL CC'라 한다.) 수와 상향링크 컴포넌트 캐리어(이하, 'UL CC'라 한다.) 수가 동일한 경우를 대칭적(symmetric) 집성이라고 하고, 그 수가 다른 경우를 비대칭적(asymmetric) 집성이라고 한다. 이와 같은 캐리어 병합은 반송파 집성, 대역폭 집성(bandwidth aggregation), 스펙트럼 집성(spectrum aggregation) 등과 같은 용어와 혼용되어 사용될 수 있다.두 개 이상의 컴포넌트 캐리어가 결합되어 구성되는 캐리어 병합은 LTE-A 시스템에서는 100MHz 대역폭까지 지원하는 것을 목표로 한다. 목표 대역보다 작은 대역폭을 가지는 1개 이상의 캐리어를 결합할 때, 결합하는 캐리어의 대역폭은 기존 IMT 시스템과의 호환성(backward compatibility) 유지를 위해서 기존 시스템에서 사용하는 대역폭으로 제한할 수 있다. 예를 들어서 기존의 3GPP LTE 시스템에서는 1.4, 3, 5, 10, 15, 20MHz 대역폭을 지원하며, 3GPP LTE-advanced 시스템(즉, LTE-A)에서는 기존 시스템과의 호환을 위해 상기의 대역폭들만을 이용하여 20MHz보다 큰 대역폭을 지원하도록 할 수 있다. 또한, 본 발명에서 사용되는 캐리어 병합 시스템은 기존 시스템에서 사용하는 대역폭과 상관없이 새로운 대역폭을 정의하여 캐리어 병합을 지원하도록 할 수도 있다.LTE-A 시스템은 무선 자원을 관리하기 위해 셀(cell)의 개념을 사용한다. 상술한 캐리어 병합 환경은 다중 셀(multiple cells) 환경으로 일컬을 수 있다. 셀은 하향링크 자원(DL CC)과 상향링크 자원(UL CC) 한 쌍의 조합으로 정의되나, 상향링크 자원은 필수 요소는 아니다. 따라서, 셀은 하향링크 자원 단독, 또는 하향링크 자원과 상향링크 자원으로 구성될 수 있다. 특정 단말이 단 하나의 설정된 서빙 셀(configured serving cell)을 가지는 경우 1개의 DL CC와 1개의 UL CC를 가질 수 있으나, 특정 단말이 2개 이상의 설정된 서빙 셀을 가지는 경우에는 셀의 수만큼의 DL CC를 가지며 UL CC의 수는 그와 같거나 그보다 작을 수 있다. 또는, 그 반대로 DL CC와 UL CC가 구성될 수도 있다. 즉, 특정 단말이 다수의 설정된 서빙 셀을 가지는 경우 DL CC의 수보다 UL CC가 더 많은 캐리어 병합 환경도 지원될 수 있다. 즉, 캐리어 병합(carrier aggregation)은 각각 캐리어 주파수(셀의 중심 주파수)가 서로 다른 둘 이상의 셀들의 병합으로 이해될 수 있다. 여기서, 말하는 '셀(Cell)'은 일반적으로 사용되는 기지국이 커버하는 영역으로서의 '셀'과는 구분되어야 한다. LTE-A 시스템에서 사용되는 셀은 프라이머리 셀(PCell: Primary Cell) 및 세컨더리 셀(SCell: Secondary Cell)을 포함한다. P셀과 S셀은 서빙 셀(Serving Cell)로 사용될 수 있다. RRC_CONNECTED 상태에 있지만 캐리어 병합이 설정되지 않았거나 캐리어 병합을 지원하지 않는 단말의 경우, P셀로만 구성된 서빙 셀이 단 하나 존재한다. 반면, RRC_CONNECTED 상태에 있고 캐리어 병합이 설정된 단말의 경우 하나 이상의 서빙 셀이 존재할 수 있으며, 전체 서빙 셀에는 P셀과 하나 이상의 S셀이 포함된다.서빙 셀(P셀과 S셀)은 RRC 파라미터를 통해 설정될 수 있다. PhysCellId는 셀의 물리 계층 식별자로 0부터 503까지의 정수값을 가진다. SCellIndex는 S셀을 식별하기 위하여 사용되는 간략한(short) 식별자로 1부터 7까지의 정수값을 가진다. ServCellIndex는 서빙 셀(P셀 또는 S셀)을 식별하기 위하여 사용되는 간략한(short) 식별자로 0부터 7까지의 정수값을 가진다. 0값은 P셀에 적용되며, SCellIndex는 S셀에 적용하기 위하여 미리 부여된다. 즉, ServCellIndex에서 가장 작은 셀 ID (또는 셀 인덱스)을 가지는 셀이 P셀이 된다.P셀은 프라이머리 주파수(또는, primary CC) 상에서 동작하는 셀을 의미한다. 단말이 초기 연결 설정(initial connection establishment) 과정을 수행하거나 연결 재-설정 과정을 수행하는데 사용될 수 있으며, 핸드오버 과정에서 지시된 셀을 지칭할 수도 있다. 또한, P셀은 캐리어 병합 환경에서 설정된 서빙 셀 중 제어관련 통신의 중심이 되는 셀을 의미한다. 즉, 단말은 자신의 P셀에서만 PUCCH를 할당 받아 전송할 수 있으며, 시스템 정보를 획득하거나 모니터링 절차를 변경하는데 P셀만을 이용할 수 있다. E-UTRAN(Evolved Universal Terrestrial Radio Access)은 캐리어 병합 환경을 지원하는 단말에게 이동성 제어 정보(mobilityControlInfo)를 포함하는 상위 계층의 RRC 연결 재설정(RRCConnectionReconfigutaion) 메시지를 이용하여 핸드오버 절차를 위해 P셀만을 변경할 수도 있다. S셀은 세컨더리 주파수(또는, Secondary CC) 상에서 동작하는 셀을 의미할 수 있다. 특정 단말에 P셀은 하나만 할당되며, S셀은 하나 이상 할당될 수 있다. S셀은 RRC 연결이 설정이 이루어진 이후에 구성 가능하고 추가적인 무선 자원을 제공하는데 사용될 수 있다. 캐리어 병합 환경에서 설정된 서빙 셀 중에서 P셀을 제외한 나머지 셀들, 즉 S셀에는 PUCCH가 존재하지 않는다. E-UTRAN은 S셀을 캐리어 병합 환경을 지원하는 단말에게 추가할 때, RRC_CONNECTED 상태에 있는 관련된 셀의 동작과 관련된 모든 시스템 정보를 특정 시그널(dedicated signal)을 통해 제공할 수 있다. 시스템 정보의 변경은 관련된 S셀의 해제 및 추가에 의하여 제어될 수 있으며, 이 때 상위 계층의 RRC 연결 재설정 (RRCConnectionReconfigutaion) 메시지를 이용할 수 있다. E-UTRAN은 관련된 S셀 안에서 브로드캐스트하기 보다는 단말 별로 상이한 파라미터를 가지는 특정 시그널링(dedicated signaling) 할 수 있다.초기 보안 활성화 과정이 시작된 이후에, E-UTRAN은 연결 설정 과정에서 초기에 구성되는 P셀에 부가하여 하나 이상의 S셀을 포함하는 네트워크를 구성할 수 있다. 캐리어 병합 환경에서 P셀 및 S셀은 각각의 컴포넌트 캐리어로서 동작할 수 있다. 이하의 실시 예에서는 프라이머리 컴포넌트 캐리어(PCC)는 P셀과 동일한 의미로 사용될 수 있으며, 세컨더리 컴포넌트 캐리어(SCC)는 S셀과 동일한 의미로 사용될 수 있다.도 8은 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 컴포넌트 캐리어 및 캐리어 병합의 일례를 나타낸다.도 8a는 LTE 시스템에서 사용되는 단일 캐리어 구조를 나타낸다. 컴포넌트 캐리어에는 DL CC와 UL CC가 있다. 하나의 컴포넌트 캐리어는 20MHz의 주파수 범위를 가질 수 있다.도 8b는 LTE_A 시스템에서 사용되는 캐리어 병합 구조를 나타낸다. 도 8b의 경우에 20MHz의 주파수 크기를 갖는 3 개의 컴포넌트 캐리어가 결합된 경우를 나타낸다. DL CC와 UL CC가 각각 3 개씩 있으나, DL CC와 UL CC의 개수에 제한이 있는 것은 아니다. 캐리어 병합의 경우 단말은 3개의 CC를 동시에 모니터링할 수 있고, 하향링크 신호/데이터를 수신할 수 있고 상향링크 신호/데이터를 송신할 수 있다. 만약, 특정 셀에서 N개의 DL CC가 관리되는 경우에는, 네트워크는 단말에 M (M≤N)개의 DL CC를 할당할 수 있다. 이때, 단말은 M 개의 제한된 DL CC 만을 모니터링하고 DL 신호를 수신할 수 있다. 또한, 네트워크는 L (L≤M≤N)개의 DL CC에 우선순위를 주어 주된 DL CC를 단말에 할당할 수 있으며, 이러한 경우 UE는 L 개의 DL CC는 반드시 모니터링해야 한다. 이러한 방식은 상향링크 전송에도 똑같이 적용될 수 있다.하향링크 자원의 반송파 주파수(또는 DL CC)와 상향링크 자원의 반송파 주파수(또는, UL CC) 사이의 링키지(linkage)는 RRC 메시지와 같은 상위계층 메시지나 시스템 정보에 의해 지시될 수 있다. 예를 들어, SIB2(System Information Block Type2)에 의해서 정의되는 링키지에 의해서 DL 자원과 UL 자원의 조합이 구성될 수 있다. 구체적으로, 링키지는 UL 그랜트를 나르는 PDCCH가 전송되는 DL CC와 상기 UL 그랜트를 사용하는 UL CC간의 맵핑 관계를 의미할 수 있으며, HARQ를 위한 데이터가 전송되는 DL CC(또는 UL CC)와 HARQ ACK/NACK 신호가 전송되는 UL CC(또는 DL CC)간의 맵핑 관계를 의미할 수도 있다.크로스캐리어스케줄링(Cross Carrier Scheduling)캐리어 병합 시스템에서는 캐리어(또는 반송파) 또는 서빙 셀(Serving Cell)에 대한 스케줄링 관점에서 자가 스케줄링(Self-Scheduling) 방법 및 크로스 캐리어 스케줄링(Cross Carrier Scheduling) 방법의 두 가지가 있다. 크로스 캐리어 스케줄링은 크로스 컴포넌트 캐리어 스케줄링(Cross Component Carrier Scheduling) 또는 크로스 셀 스케줄링(Cross Cell Scheduling)으로 일컬을 수 있다.크로스 캐리어 스케줄링은 PDCCH(DL Grant)와 PDSCH가 각각 다른 DL CC로 전송되거나, DL CC에서 전송된 PDCCH(UL Grant)에 따라 전송되는 PUSCH가 UL 그랜트를 수신한 DL CC와 링크되어 있는 UL CC가 아닌 다른 UL CC를 통해 전송되는 것을 의미한다. 크로스 캐리어 스케줄링 여부는 단말 특정(UE-specific)하게 활성화 또는 비활성화될 수 있으며, 상위계층 시그널링(예를 들어, RRC signaling)을 통해서 반정적(semi-static)으로 각 단말 별로 알려질 수 있다. 크로스 캐리어 스케줄링이 활성화된 경우, PDCCH에 해당 PDCCH가 지시하는 PDSCH/PUSCH가 어느 DL/UL CC를 통해서 전송되는지를 알려주는 캐리어 지시자 필드(CIF: Carrier Indicator Field)가 필요하다. 예를 들어, PDCCH는 PDSCH 자원 또는 PUSCH 자원을 CIF를 이용하여 다수의 컴포넌트 캐리어들 중 하나에 할당할 수 있다. 즉, DL CC 상에서의 PDCCH가 다중 집성된 DL/UL CC 중 하나에 PDSCH 또는 PUSCH 자원을 할당하는 경우 CIF가 설정된다. 이 경우, LTE-A Release-8의 DCI 포맷은 CIF에 따라 확장될 수 있다. 이때 설정된 CIF는 3bit 필드로 고정되거나, 설정된 CIF의 위치는 DCI 포맷 크기와 무관하게 고정될 수 있다. 또한, LTE-A Release-8의 PDCCH 구조(동일 코딩 및 동일한 CCE 기반의 자원 매핑)를 재사용할 수도 있다.반면, DL CC 상에서의 PDCCH가 동일한 DL CC 상에서의 PDSCH 자원을 할당하거나 단일 링크된 UL CC 상에서의 PUSCH 자원을 할당하는 경우에는 CIF가 설정되지 않는다. 이 경우, LTE-A Release-8과 동일한 PDCCH 구조(동일 코딩 및 동일한 CCE 기반의 자원 매핑)와 DCI 포맷이 사용될 수 있다. 크로스 캐리어 스케줄링이 가능할 때, 단말은 CC별 전송 모드 및/또는 대역폭에 따라 모니터링 CC의 제어영역에서 복수의 DCI에 대한 PDCCH를 모니터링하는 것이 필요하다. 따라서, 이를 지원할 수 있는 검색 공간의 구성과 PDCCH 모니터링이 필요하다.캐리어 병합 시스템에서, 단말 DL CC 집합은 단말이 PDSCH를 수신하도록 스케줄링된 DL CC의 집합을 나타내고, 단말 UL CC 집합은 단말이 PUSCH를 전송하도록 스케줄링된 UL CC의 집합을 나타낸다. 또한, PDCCH 모니터링 집합(monitoring set)은 PDCCH 모니터링을 수행하는 적어도 하나의 DL CC의 집합을 나타낸다. PDCCH 모니터링 집합은 단말 DL CC 집합과 같거나, 단말 DL CC 집합의 부집합(subset)일 수 있다. PDCCH 모니터링 집합은 단말 DL CC 집합내의 DL CC들 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또는 PDCCH 모니터링 집합은 단말 DL CC 집합에 상관없이 별개로 정의될 수 있다. PDCCH 모니터링 집합에 포함되는 DL CC는 링크된 UL CC에 대한 자기-스케줄링(self-scheduling)은 항상 가능하도록 설정될 수 있다. 이러한, 단말 DL CC 집합, 단말 UL CC 집합 및 PDCCH 모니터링 집합은 단말 특정(UE-specific), 단말 그룹 특정(UE group-specific) 또는 셀 특정(Cell-specific)하게 설정될 수 있다.크로스 캐리어 스케줄링이 비활성화된 경우에는 PDCCH 모니터링 집합이 항상 단말 DL CC 집합과 동일하다는 것을 의미하며, 이러한 경우에는 PDCCH 모니터링 집합에 대한 별도의 시그널링과 같은 지시가 필요하지 않다. 그러나, 크로스 캐리어 스케줄링이 활성화된 경우에는 PDCCH 모니터링 집합이 단말 DL CC 집합 내에서 정의되는 것이 바람직하다. 즉, 단말에 대하여 PDSCH 또는 PUSCH를 스케줄링하기 위하여 기지국은 PDCCH 모니터링 집합만을 통해 PDCCH를 전송한다.도 9는 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 크로스 캐리어 스케줄링에 따른 서브 프레임 구조의 일례를 나타낸다.도 9를 참조하면, LTE-A 단말을 위한 DL 서브프레임은 3개의 DL CC가 결합되어 있으며, DL CC 'A'는 PDCCH 모니터링 DL CC로 설정된 경우를 나타낸다. CIF가 사용되지 않는 경우, 각 DL CC는 CIF 없이 자신의 PDSCH를 스케줄링하는 PDCCH를 전송할 수 있다. 반면, CIF가 상위 계층 시그널링을 통해 사용되는 경우, 단 하나의 DL CC 'A'만이 CIF를 이용하여 자신의 PDSCH 또는 다른 CC의 PDSCH를 스케줄링하는 PDCCH를 전송할 수 있다. 이때, PDCCH 모니터링 DL CC로 설정되지 않은 DL CC 'B' 와 'C'는 PDCCH를 전송하지 않는다.MIMO(Multi-Input Multi-Output)MIMO 기술은 지금까지 일반적으로 한 개의 송신안테나와 한 개의 수신안테나를 사용했던 것에서 탈피하여, 다중 송신(Tx) 안테나와 다중 수신(Rx) 안테나를 사용한다. 다시 말해서, MIMO 기술은 무선 통신 시스템의 송신단 또는 수신단에서 다중 입출력 안테나를 사용하여 용량 증대 또는 성능 개성을 꾀하기 위한 기술이다. 이하에서는 "MIMO"를 "다중 입출력 안테나"라 칭하기로 한다. 더 구체적으로, 다중 입출력 안테나 기술은 하나의 완전한 메시지(total message)를 수신하기 위하여 한 개의 안테나 경로에 의존하지 않으며, 여러 개의 안테나를 통해 수신한 복수의 데이터 조각을 수집하여 완전한 데이터를 완성시킨다. 결과적으로, 다중 입출력 안테나 기술은 특정 시스템 범위 내에서 데이터 전송율을 증가시킬 수 있으며, 또한 특정 데이터 전송율을 통해 시스템 범위를 증가시킬 수 있다. 차세대 이동통신은 기존 이동통신에 비해 훨씬 높은 데이터 전송률을 요구하므로 효율적인 다중 입출력 안테나 기술이 반드시 필요할 것으로 예상된다. 이와 같은 상황에서 MIMO 통신 기술은 이동통신 단말과 중계기 등에 폭넓게 사용할 수 있는 차세대 이동통신 기술이며, 데이터 통신 확대 등으로 인해 한계 상황에 따라 다른 이동통신의 전송량 한계를 극복할 수 있는 기술로서 관심을 모으고 있다. 한편, 현재 연구되고 있는 다양한 전송효율 향상 기술 중 다중 입출력 안테나(MIMO) 기술은 추가적인 주파수 할당이나 전력증가 없이도 통신 용량 및 송수신 성능을 획기적으로 향상시킬 수 있는 방법으로서 현재 가장 큰 주목을 받고 있다.도 10은 일반적인 다중 입출력 안테나(MIMO) 통신 시스템의 구성도이다.도 10을 참조하면, 송신 안테나의 수를 NT개로, 수신 안테나의 수를 NR개로 동시에 늘리게 되면, 송신기나 수신기에서만 다수의 안테나를 사용하게 되는 경우와 달리 안테나 수에 비례하여 이론적인 채널 전송 용량이 증가하므로, 전송 레이트(transfer rate)를 향상시키고, 주파수 효율을 획기적으로 향상시킬 수 있다. 이 경우, 채널 전송 용량의 증가에 따른 전송 레이트는 하나의 안테나를 이용하는 경우의 최대 전송 레이트(Ro)에 다음과 같은 레이트 증가율(Ri)이 곱해진 만큼으로 이론적으로 증가할 수 있다.즉, 예를 들어, 4개의 송신 안테나와 4개의 수신 안테나를 이용하는 MIMO 통신 시스템에서는 단일 안테나 시스템에 비해 이론상 4배의 전송 레이트를 획득할 수 있다.이와 같은 다중 입출력 안테나의 기술은 다양한 채널 경로를 통과한 심볼들을 이용하여 전송 신뢰도를 높이는 공간 다이버시티(spatial diversity) 방식과, 다수의 송신 안테나를 이용하여 다수의 데이터 심볼을 동시에 송신하여 전송률을 향상시키는 공간 멀티플렉싱(spatial multiplexing) 방식으로 나눌 수 있다. 또한 이러한 두 가지 방식을 적절히 결합하여 각각의 장점을 적절히 얻고자 하는 방식에 대한 연구도 최근 많이 연구되고 있는 분야이다.각각의 방식에 대해 좀더 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.첫째로, 공간 다이버시티 방식의 경우에는 시공간 블록 부호 계열과, 다이버시티 이득과 부호화 이득을 동시에 이용하는 시공간 트렐리스(Trelis) 부호 계열 방식이 있다. 일반적으로 비트 오류율 개선 성능과 부호 생성 자유도는 트렐리스 부호 방식이 우수하지만, 연산 복잡도는 시공간 블록 부호가 간단하다. 이와 같은 공간 다이버서티 이득은 송신 안테나 수(NT)와 수신 안테나 수(NR)의 곱(NT × NR)에 해당되는 양을 얻을 수 있다.둘째로, 공간 멀티플렉싱 기법은 각 송신 안테나에서 서로 다른 데이터 열을 송신하는 방법인데, 이때 수신기에서는 송신기로부터 동시에 전송된 데이터 사이에 상호 간섭이 발생하게 된다. 수신기에서는 이 간섭을 적절한 신호처리 기법을 이용하여 제거한 후 수신한다. 여기에 사용되는 잡음 제거 방식은 MLD(maximum likelihood detection) 수신기, ZF(zero-forcing) 수신기, MMSE(minimum mean square error) 수신기, D-BLAST (Diagonal-Bell Laboratories Layered Space-Time), V-BLAST(Vertical-Bell Laboratories Layered Space-Time) 등이 있으며, 특히 송신단에서 채널 정보를 알 수 있는 경우에는 SVD(singular value decomposition) 방식 등을 사용할 수 있다.셋째로, 공간 다이버시티와 공간 멀티플렉싱의 결합된 기법을 들 수 있다. 공간 다이버시티 이득만을 얻을 경우 다이버시티 차수의 증가에 따른 성능개선 이득이 점차 포화되며, 공간 멀티플렉싱 이득만을 취하면 무선 채널에서 전송 신뢰도가 떨어진다. 이를 해결하면서 두 가지 이득을 모두 얻는 방식들이 연구되어 왔으며, 이 중 시공간 블록 부호 (Double-STTD), 시공간 BICM(STBICM) 등의 방식이 있다.상술한 바와 같은 다중 입출력 안테나 시스템에 있어서의 통신 방법을 보다 구체적인 방법으로 설명하기 위해 이를 수학적으로 모델링하는 경우 다음과 같이 나타낼 수 있다. 먼저, 도 10에 도시된 바와 같이 NT개의 송신 안테나와 NR개의 수신 안테나가 존재하는 것을 가정한다. 먼저, 송신 신호에 대해 살펴보면, 이와 같이 NT개의 송신 안테나가 있는 경우 최대 전송 가능한 정보는 NT개 이므로, 이를 다음과 같은 벡터로 나타낼 수 있다.한편, 각각의 전송 정보 s1, s2, ..., sNT에 있어 전송 전력을 달리 할 수 있으며, 이때 각각의 전송 전력을 P1, P2, ..., PNT라 하면, 전송 전력이 조정된 전송 정보는 다음과 같은 벡터로 나타낼 수 있다.또한, 를 전송 전력의 대각 행렬 P로 다음과 같이 나타낼 수 있다.한편, 전송 전력이 조정된 정보 벡터 는 그 후 가중치 행렬 W가 곱해져 실제 전송되는 NT개의 전송 신호 x1, x2, ..., xNT를 구성한다. 여기서, 가중치 행렬은 전송 채널 상황 등에 따라 전송 정보를 각 안테나에 적절히 분배해 주는 역할을 수행한다. 이와 같은 전송 신호 x1, x2, ..., xNT를 벡터 x를 이용하여 다음과 같이 나타낼 수 있다.여기서, wij는 i번째 송신 안테나와 j번째 전송 정보간의 가중치를 나타내며, W는 이를 행렬로 나타낸 것이다. 이와 같은 행렬 W를 가중치 행렬(Weight Matrix) 또는 프리코딩 행렬(Precoding Matrix)라 부른다.한편, 상술한 바와 같은 전송 신호(x)는 공간 다이버시티를 사용하는 경우와 공간 멀티플랙싱을 사용하는 경우로 나누어 생각해 볼 수 있다.공간 멀티플랙싱을 사용하는 경우는 서로 다른 신호를 다중화하여 보내게 되므로, 정보 벡터 s의 원소들이 모두 다른 값을 가지게 되는 반면, 공간 다이버시티를 사용하게 되면 같은 신호를 여러 채널 경로를 통하여 보내게 되므로 정보 벡터 s의 원소들이 모두 같은 값을 갖게 된다.물론, 공간 멀티플랙싱과 공간 다이버시티를 혼합하는 방법도 고려 가능하다. 즉, 예를 들어 3 개의 송신 안테나를 통하여 같은 신호를 공간 다이버시티를 이용하여 전송하고, 나머지는 각각 다른 신호를 공간 멀티플랙싱하여 보내는 경우도 고려할 수 있다.다음으로, 수신신호는 NR개의 수신 안테나가 있는 경우, 각 안테나의 수신신호 y1, y2, ..., yNR을 벡터 y로 다음과 같이 나타내기로 한다.한편, 다중 입출력 안테나 통신 시스템에 있어서의 채널을 모델링하는 경우, 각각의 채널은 송수신 안테나 인덱스에 따라 구분할 수 있으며, 송신 안테나 j로부터 수신 안테나 i를 거치는 채널을 hij로 표시하기로 한다. 여기서, hij의 인덱스의 순서가 수신 안테나 인덱스가 먼저, 송신안테나의 인덱스가 나중임에 유의한다. 이러한 채널은 여러 개를 한데 묶어서 벡터 및 행렬 형태로도 표시 가능하다. 벡터 표시의 예를 들어 설명하면 다음과 같다.도 11은 다수의 송신 안테나에서 하나의 수신 안테나로의 채널을 나타낸 도이다.도 11에 도시된 바와 같이 총 NT개의 송신 안테나로부터 수신안테나 i로 도착하는 채널은 다음과 같이 표현 가능하다.또한, 상기 수학식 7과 같은 행렬 표현을 통해 NT개의 송신 안테나로부터 NR개의 수신 안테나를 거치는 채널을 모두 나타내는 경우 다음과 같이 나타낼 수 있다.한편, 실제 채널은 위와 같은 채널 행렬 H를 거친 후에 백색 잡음(AWGN: Additive White Gaussian Noise)가 더해지게 되므로, NR개의 수신 안테나 각각에 더해지는 백색 잡음 n1, n2, ..., nNR을 백터로 표현하면 다음과 같다.상술한 바와 같은 전송 신호, 수신 신호, 채널, 및 백색 잡음의 모델링을 통해 다중 입출력 안테나 통신 시스템에서의 각각은 다음과 같은 관계를 통해 나타낼 수 있다.한편, 채널의 상태를 나타내는 채널 행렬 H의 행과 열의 수는 송수신 안테나 수에 의해서 결정된다. 채널 행렬 H는 앞서 살펴본 바와 같이 행의 수는 수신 안테나의 수 NR과 같아지고, 열의 수는 송신 안테나의 수 NT와 같아 지게 된다. 즉, 채널 행렬 H는 NR×NT 행렬이 된다.일반적으로, 행렬의 랭크(rank)는 서로 독립인(independent) 행 또는 열의 개수 중에서 최소 개수로 정의된다. 따라서, 행렬의 랭크는 행 또는 열의 개수보다 클 수 없게 된다. 수식적으로 예를 들면, 채널 행렬 H의 랭크(rank(H))는 다음과 같이 제한된다.또한, 행렬을 고유치 분해(Eigen value decomposition)를 하였을 때, 랭크는 고유치(eigen value)들 중에서 0이 아닌 고유치들의 개수로 정의할 수 있다. 비슷한 방법으로, 랭크를 SVD(singular value decomposition) 했을 때 0이 아닌 특이값(singular value)들의 개수로 정의할 수 있다. 따라서, 채널 행렬에서 랭크의 물리적인 의미는 주어진 채널에서 서로 다른 정보를 보낼 수 있는 최대 수라고 할 수 있다.본 명세서에 있어, MIMO 전송에 대한 '랭크(Rank)'는 특정 시점 및 특정 주파수 자원에서 독립적으로 신호를 전송할 수 있는 경로의 수를 나타내며, '레이어(layer)의 개수'는 각 경로를 통해 전송되는 신호 스트림의 개수를 나타낸다. 일반적으로 송신단은 신호 전송에 이용되는 랭크 수에 대응하는 개수의 레이어를 전송하기 때문에 특별한 언급이 없는 한 랭크는 레이어 개수와 동일한 의미를 가진다.COMP(Coordinated Multi-Point Transmission and Reception)LTE-advanced의 요구에 발맞춰, 시스템의 성능 향상을 위하여 CoMP 전송이 제안되었다. CoMP는 co-MIMO, collaborative MIMO, network MIMO 등으로도 불린다. CoMP는 셀 경계에 위치한 단말의 성능을 향상시키고, 평균 셀(섹터)의 효율(throughput)을 향상시킬 것으로 예상된다. 일반적으로, 셀 간 간섭(Inter-Cell Interference)은 주파수 재사용 지수가 1 인 다중-셀 환경에서 셀 경계에 위치한 단말의 성능 및 평균 셀(섹터) 효율을 떨어뜨린다. 셀 간 간섭을 완화시키기 위해, 간섭 제한적인(interference-limited) 환경에서 셀 경계에 위치한 단말이 적정한 성능 효율을 가지도록 LTE 시스템에서는 부분 주파수 재사용(FFR: Fractional Frequency Reuse)과 같은 단순한 수동적인 방법이 적용되었다. 그러나, 각 셀 당 주파수 자원의 사용을 감소시키는 대신, 단말이 수신해야 하는 신호(desired signal)로써 셀 간 간섭을 재 사용하거나 셀 간 간섭을 완화시키는 방법이 보다 이익이 된다. 상술한 목적을 달성하기 위하여 CoMP 전송 방식이 적용될 수 있다. 하향링크에 적용될 수 있는 CoMP 방식은 JP(Joint Processing) 방식과 CS/CB(Coordinated Scheduling/Beamforming) 방식으로 분류할 수 있다. JP 방식에서, 데이터는 CoMP 단위의 각 포인트(기지국)에서 사용될 수 있다. CoMP 단위는 CoMP 방식에서 이용되는 기지국들의 집합을 의미한다. JP 방식은 다시 연합 전송(joint transmission) 방식과 동적 셀 선택(dynamic cell selection) 방식으로 분류할 수 있다. 연합 전송 방식은 CoMP 단위에서 전체 또는 일부분인 복수의 포인트로부터 PDSCH를 통해 신호가 동시에 전송되는 방식을 의미한다. 즉, 단일의 단말에 전송되는 데이터는 복수의 전송 포인트로부터 동시에 전송될 수 있다. 이와 같은 연합 전송 방식을 통해 가간섭적(coherently) 내지 비간섭적(non-coherently)이든 무관하게 단말에 전송되는 신호의 품질을 높일 수 있으며, 또 다른 단말과의 간섭을 적극적으로 제거할 수 있다. 동적 셀 선택 방식은 CoMP 단위에서 단일의 포인트로부터 PDSCH를 통해 신호가 전송되는 방식을 의미한다. 즉, 특정 시간에 단일의 단말에 전송되는 데이터는 단일의 포인트로부터 전송되고, CoMP 단위 내 다른 포인트에서는 상기 단말로 데이터를 전송하지 않는다. 단말로 데이터를 전송하는 포인트는 동적으로 선택될 수 있다. CS/CB 방식에 따르면, CoMP 단위는 단일의 단말로의 데이터 전송을 위하여 협력하여 빔포밍을 수행하게 된다. 즉, 서빙 셀에서만 단말로 데이터를 전송하지만, 사용자 스케줄링/빔포밍은 CoMP 단위 내의 복수의 셀 간의 협력을 통해 결정될 수 있다. 상향링크의 경우, CoMP 수신은 지리적으로 분리된 복수의 포인트 간의 협력에 의하여 전송된 신호를 수신하는 것을 의미한다. 상향링크에 적용될 수 있는 CoMP 방식은 JR(Joint Reception) 방식과 CS/CB(Coordinated Scheduling/Beamforming) 방식으로 분류할 수 있다. JR 방식은 CoMP 단위에서 전체 또는 일부분인 복수의 포인트가 PDSCH를 통해 전송된 신호를 수신하는 방식을 의미한다. CS/CB 방식은 단일의 포인트에서만 PDSCH를 통해 전송된 신호를 수신하게 되나, 사용자 스케줄링/빔포밍은 CoMP 단위 내의 복수의 셀 간의 협력을 통해 결정될 수 있다.릴레이노드 (RN: Relay Node)릴레이 노드는 기지국과 단말 간의 송수신되는 데이터를 두 개의 다른 링크(백홀 링크 및 액세스 링크)를 통해 전달한다. 기지국은 도너(donor) 셀을 포함할 수 있다. 릴레이 노드는 도너 셀을 통해 무선으로 무선 액세스 네트워크에 연결된다. 한편, 릴레이 노드의 대역(또는 스펙트럼) 사용과 관련하여, 백홀 링크가 액세스 링크와 동일한 주파수 대역에서 동작하는 경우를 '인-밴드(in-band)'라고 하고, 백홀 링크와 액세스 링크가 상이한 주파수 대역에서 동작하는 경우를 '아웃-밴드(out-band)'라고 한다. 인-밴드 및 아웃-밴드 경우 모두 기존의 LTE 시스템(예를 들어, 릴리즈-8)에 따라 동작하는 단말(이하, 레거시(legacy) 단말이라 한다.)이 도너 셀에 접속할 수 있어야 한다.단말에서 릴레이 노드를 인식하는지 여부에 따라 릴레이 노드는 트랜스패런트(transparent) 릴레이 노드 또는 넌-트랜스패런트(non-transparent) 릴레이 노드로 분류될 수 있다. 트랜스패런트는 단말이 릴레이 노드를 통하여 네트워크와 통신하는지 여부를 인지하지 못하는 경우를 의미하고, 넌-트랜스패런트는 단말이 릴레이 노드를 통하여 네트워크와 통신하는지 여부를 인지하는 경우를 의미한다.릴레이 노드의 제어와 관련하여, 도너 셀의 일부로 구성되는 릴레이 노드 또는 스스로 셀을 제어하는 릴레이 노드로 구분될 수 있다. 도너 셀의 일부로 구성되는 릴레이 노드는 릴레이 노드 식별자(relay ID)를 가질 수는 있지만, 릴레이 노드 자신의 셀 식별자(cell identity)를 가지지 않는다. 도너 셀이 속하는 기지국에 의하여 RRM(Radio Resource Management)의 적어도 일부가 제어되면, RRM의 나머지 부분들이 릴레이 노드에 위치하더라도 도너 셀의 일부로서 구성되는 릴레이 노드라 한다. 바람직하게, 이러한 릴레이 노드는 레거시 단말을 지원할 수 있다. 예를 들어, 스마트 리피터(Smart repeaters), 디코드-앤-포워드 릴레이 노드(decode-and-forward relays), L2(제2계층) 릴레이 노드들의 다양한 종류들 및 타입-2 릴레이 노드가 이러한 릴레이 노드에 해당한다.스스로 셀을 제어하는 릴레이 노드의 경우에 릴레이 노드는 하나 또는 복수 개의 셀들을 제어하고, 릴레이 노드에 의해 제어되는 셀들 각각에 고유의 물리계층 셀 식별자가 제공된다. 또한, 릴레이 노드에 의해 제어되는 셀들 각각은 동일한 RRM 메커니즘을 이용할 수 있다. 단말 관점에서는 릴레이 노드에 의하여 제어되는 셀에 액세스하는 것과 일반 기지국에 의해 제어되는 셀에 액세스하는 것에 차이점이 없다. 이러한 릴레이 노드에 의해 제어되는 셀은 레거시 단말을 지원할 수 있다. 예를 들어, 셀프-백홀링(Self-backhauling) 릴레이 노드, L3(제3계층) 릴레이 노드, 타입-1 릴레이 노드 및 타입-1a 릴레이 노드가 이러한 릴레이 노드에 해당한다.타입-1 릴레이 노드는 인-밴드 릴레이 노드로서 복수개의 셀들을 제어하고, 이들 복수개의 셀들의 각각은 단말 입장에서 도너 셀과 구별되는 별개의 셀로 보인다. 또한, 복수개의 셀들은 각자의 물리 셀 ID(이는 LTE 릴리즈-8에서 정의됨)를 가지고, 릴레이 노드는 자신의 동기화 채널, 참조신호 등을 전송할 수 있다. 단일-셀 동작의 경우에, 단말은 릴레이 노드로부터 직접 스케줄링 정보 및 HARQ 피드백을 수신하고 릴레이 노드로 자신의 제어 채널(스케줄링 요청(SR), CQI, ACK/NACK 등)을 전송할 수 있다. 또한, 레거시 단말(LTE 릴리즈-8 시스템에 따라 동작하는 단말)들에게 타입-1 릴레이 노드는 레거시 기지국(LTE 릴리즈-8 시스템에 따라 동작하는 기지국)으로 보인다. 즉, 역방향 호환성(backward compatibility)을 가진다. 한편, LTE-A 시스템에 따라 동작하는 단말들에게는, 타입-1 릴레이 노드는 레거시 기지국과 다른 기지국으로 보여, 성능 향상을 제공할 수 있다. 타입-1a 릴레이 노드는 아웃-밴드로 동작하는 것 외에 전술한 타입-1 릴레이 노드와 동일한 특징들을 가진다. 타입-1a 릴레이 노드의 동작은 L1(제1계층) 동작에 대한 영향이 최소화 또는 없도록 구성될 수 있다. 타입-2 릴레이 노드는 인-밴드 릴레이 노드로서, 별도의 물리 셀 ID를 가지지 않으며, 이에 따라 새로운 셀을 형성하지 않는다. 타입-2 릴레이 노드는 레거시 단말에 대해 트랜스패런트하고, 레거시 단말은 타입-2 릴레이 노드의 존재를 인지하지 못한다. 타입-2 릴레이 노드는 PDSCH를 전송할 수 있지만, 적어도 CRS 및 PDCCH는 전송하지 않는다. 한편, 릴레이 노드가 인-밴드로 동작하도록 하기 위하여, 시간-주파수 공간에서의 일부 자원이 백홀 링크를 위해 예비되어야 하고 이 자원은 액세스 링크를 위해서 사용되지 않도록 설정할 수 있다. 이를 자원 분할(resource partitioning)이라 한다. 릴레이 노드에서의 자원 분할에 있어서의 일반적인 원리는 다음과 같이 설명할 수 있다. 백홀 하향링크 및 액세스 하향링크가 하나의 반송파 주파수 상에서 시간분할다중화(TDM) 방식으로 다중화될 수 있다 (즉, 특정 시간에서 백홀 하향링크 또는 액세스 하향링크 중 하나만이 활성화된다). 유사하게, 백홀 상향링크 및 액세스 상향링크는 하나의 반송파 주파수 상에서 TDM 방식으로 다중화될 수 있다 (즉, 특정 시간에서 백홀 상향링크 또는 액세스 상향링크 중 하나만이 활성화된다). FDD 에서의 백홀 링크 다중화는, 백홀 하향링크 전송은 하향링크 주파수 대역에서 수행되고, 백홀 상향링크 전송은 상향링크 주파수 대역에서 수행될 수 있다. TDD 에서의 백홀 링크 다중화는, 백홀 하향링크 전송은 기지국과 릴레이 노드의 하향링크 서브프레임에서 수행되고, 백홀 상향링크 전송은 기지국과 릴레이 노드의 상향링크 서브프레임에서 수행될 수 있다. 인-밴드 릴레이 노드의 경우에, 예를 들어, 동일한 주파수 대역에서 기지국으로부터의 백홀 하향링크 수신과 단말로의 액세스 하향링크 전송이 동시에 이루어지면, 릴레이 노드의 송신단으로부터 전송되는 신호에 의하여 릴레이 노드의 수신단에서 신호 간섭이 발생할 수 있다. 즉, 릴레이 노드의 RF 전단(front-end)에서 신호 간섭 또는 RF 재밍(jamming)이 발생할 수 있다. 유사하게, 동일한 주파수 대역에서 기지국으로의 백홀 상향링크 전송과 단말로부터의 액세스 상향링크 수신이 동시에 이루어지는 경우도 신호 간섭이 발생할 수 있다. 따라서, 릴레이 노드에서 동일한 주파수 대역에서의 동시에 신호를 송수신하기 위해서, 수신 신호와 송신 신호간에 충분한 분리(예를 들어, 송신 안테나와 수신 안테나를 지상/지하에 설치하는 것과 같이 지리적으로 충분히 이격시켜 설치함)가 제공되지 않으면 구현하기 어렵다.이와 같은 신호 간섭의 문제를 해결하는 한 가지 방안은, 릴레이 노드가 도너 셀로부터 신호를 수신하는 동안에 단말로 신호를 전송하지 않도록 동작하게 하는 것이다. 즉, 릴레이 노드로부터 단말로의 전송에 갭(gap)을 생성하고, 이 갭 동안에는 단말(레거시 단말 포함)이 릴레이 노드로부터의 어떠한 전송도 기대하지 않도록 설정할 수 있다. 이러한 갭은 MBSFN (Multicast Broadcast Single Frequency Network) 서브프레임을 구성함으로써 설정할 수 있다.도 12는 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 릴레이 노드 자원 분할을 예시한다. 도 12에서, 첫번째 서브프레임은 일반 서브프레임으로서 릴레이 노드로부터 단말로 하향링크 (즉, 액세스 하향링크) 제어신호 및 데이터가 전송되고, 두번째 서브프레임은 MBSFN 서브프레임으로서 하향링크 서브프레임의 제어 영역에서는 릴레이 노드로부터 단말로 제어 신호가 전송되지만 하향링크 서브프레임의 나머지 영역에서는 릴레이 노드로부터 단말로 아무런 전송이 수행되지 않는다. 여기서, 레거시 단말의 경우에는 모든 하향링크 서브프레임에서 PDCCH의 전송을 기대하게 되므로 (다시 말하자면, 릴레이 노드는 자신의 영역 내의 레거시 단말들이 매 서브프레임에서 PDCCH를 수신하여 측정 기능을 수행하도록 지원할 필요가 있으므로), 레거시 단말의 올바른 동작을 위해서는 모든 하향링크 서브프레임에서 PDCCH를 전송할 필요가 있다. 따라서, 기지국으로부터 릴레이 노드로의 하향링크 (즉, 백홀 하향링크) 전송을 위해 설정된 서브프레임 (두번째 서브프레임)상에서도, 서브프레임의 처음 N (N=1, 2 또는 3) 개의 OFDM 심볼구간에서 릴레이 노드는 백홀 하향링크를 수신하는 것이 아니라 액세스 하향링크 전송을 해야 할 필요가 있다. 이에 대하여, 두번째 서브프레임의 제어 영역에서 PDCCH가 릴레이 노드로부터 단말로 전송되므로 릴레이 노드에서 서빙하는 레거시 단말에 대한 역방향 호환성이 제공될 수 있다. 제 2 서브프레임의 나머지 영역에서는 릴레이 노드로부터 단말로 아무런 전송이 수행되지 않는 동안에 릴레이 노드는 기지국으로부터의 전송을 수신할 수 있다. 따라서, 이러한 자원 분할 방식을 통해서, 인-밴드 릴레이 노드에서 액세스 하향링크 전송과 백홀 하향링크 수신이 동시에 수행되지 않도록 할 수 있다.MBSFN 서브프레임을 이용하는 두번째 서브프레임에 대하여 구체적으로 설명한다. 두번째 서브프레임의 제어 영역은 릴레이 노드 비-청취(non-hearing) 구간이라고 할 수 있다. 릴레이 노드 비-청취 구간은 릴레이 노드가 백홀 하향링크 신호를 수신하지 않고 액세스 하향링크 신호를 전송하는 구간을 의미한다. 이 구간은 전술한 바와 같이 1, 2 또는 3 OFDM 길이로 설정될 수 있다. 릴레이 노드 비-청취 구간에서 릴레이 노드는 단말로의 액세스 하향링크 전송을 수행하고 나머지 영역에서는 기지국으로부터 백홀 하향링크를 수신할 수 있다. 이 때, 릴레이 노드는 동일한 주파수 대역에서 동시에 송수신을 수행할 수 없으므로, 릴레이 노드가 송신 모드에서 수신 모드로 전환하는 데에 시간이 소요된다. 따라서, 백홀 하향링크 수신 영역의 처음 일부 구간에서 릴레이 노드가 송신/수신 모드 스위칭을 하도록 가드 시간(GT: guard time)이 설정될 필요가 있다. 유사하게 릴레이 노드가 기지국으로부터의 백홀 하향링크를 수신하고 단말로의 액세스 하향링크를 전송하도록 동작하는 경우에도, 릴레이 노드의 수신/송신 모드 스위칭을 위한 가드 시간이 설정될 수 있다. 이러한 가드 시간의 길이는 시간 영역의 값으로 주어질 수 있고, 예를 들어, k (k≥1) 개의 시간 샘플(Ts: time sample) 값으로 주어질 수 있고, 또는 하나 이상의 OFDM 심볼 길이로 설정될 수도 있다. 또는, 릴레이 노드 백홀 하향링크 서브프레임이 연속으로 설정되어 있는 경우에 또는 소정의 서브프레임 타이밍 정렬(timing alignment) 관계에 따라 서브프레임의 마지막 부분의 가드시간은 정의되거나 설정되지 않을 수 있다. 이러한 가드 시간은 역방향 호환성을 유지하기 위하여, 백홀 하향링크 서브프레임 전송을 위해 설정되어 있는 주파수 영역에서만 정의될 수 있다 (액세스 하향링크 구간에서 가드 시간이 설정되는 경우에는 레거시 단말을 지원할 수 없다). 가드 시간을 제외한 백홀 하향링크 수신 구간에서 릴레이 노드는 기지국으로부터 PDCCH 및 PDSCH를 수신할 수 있다. 이를 릴레이 노드 전용 물리 채널이라는 의미에서 R-PDCCH (Relay-PDCCH) 및 R-PDSCH (Relay-PDSCH)로 표현할 수도 있다.참조신호(RS: Reference Signal)하향링크참조신호무선 통신 시스템에서 데이터/신호는 무선 채널을 통해 전송되기 때문에, 데이터/신호는 전송 중에 무선상에서 왜곡될 수 있다. 수신단에서 왜곡된 신호를 정확하게 수신하기 위하여, 왜곡되어 수신된 신호는 채널 정보를 이용하여 보정되는 것이 바람직하다. 이때, 송신단 및/또는 수신단은 채널 정보를 검출하기 위하여 양측에서 모두 알고 있는 참조신호(RS)를 이용할 수 있다. 참조신호는 파일럿 신호라고 불릴 수 있다. 송신단에서 다중 입출력 안테나를 이용하여 데이터를 송수신할 때, 수신단에서 데이터를 정확하게 수신하기 위하여 송신 안테나와 수신 안테나 간의 채널 상태가 검출되는 것이 바람직하다. 이때, 수신단에서 채널 상태를 검출하기 위해 송신단의 각 송신 안테나는 개별적인 참조 신호를 가지는 것이 바람직하다. 하향 참조 신호는 하나의 셀 내 모든 단말이 공유하는 공통 참조 신호(CRS: Common RS)와 특정 단말만을 위한 전용 참조 신호(DRS: Dedicated RS)가 있다. 송신단은 이와 같은 참조 신호들(CRS, DRS)을 이용하여 복조(demodulation)와 채널 측정(channel measurement)을 위한 정보를 수신단에 제공할 수 있다. 수신단(예를 들어, 단말)은 CRS를 이용하여 채널 상태를 측정하고, 측정된 채널 상태에 따라 CQI(Channel Quality Indicator), PMI(Precoding Matrix Index) 및/또는 RI(Rank Indicator)와 같은 채널 품질과 관련된 지시자를 송신단(예를 들어, 기지국)으로 피드백할 수 있다. 본 발명의 실시예들에서 CRS는 셀 특정 참조 신호(cell-specific RS)라고도 한다. 반면, 채널 상태 정보(CSI)의 피드백과 관련된 참조 신호를 CSI-RS라고 정의할 수 있다. DRS는 PDSCH 상의 데이터 복조가 필요한 경우에 자원 요소들을 통해 단말들로 전송될 수 있다. 단말은 상위 계층 시그널링을 통하여 DRS의 존재 여부를 수신할 수 있다. DRS는 상응하는 PDSCH 신호가 매핑되는 경우에만 유효하다. 본 발명의 실시예들에서 DRS를 단말 특정 참조 신호(UE-specific RS) 또는 복조 참조 신호(DMRS: Demodulation RS)라고 부를 수 있다. 도 13은 3GPP LTE 시스템에서 정의된 하향링크 자원 블록(RB) 쌍에 매핑된 참조 신호 패턴의 일례를 나타내는 도면이다. 참조 신호가 매핑되는 단위로서 하향링크 자원 블록(RB: Resource Block) 쌍은 시간 영역에서 하나의 서브 프레임 × 주파수 영역에서 12개의 부 반송파로 설정될 수 있다. 즉, 시간 축(x축) 상에서 하나의 자원 블록 쌍은 일반 순환 전치(normal CP(Cyclic Prefix)) 인 경우 14개의 OFDM 심볼의 길이를 가지고(도 13 (a) 참조), 확장 순환 전치(extended CP((Cyclic Prefix))인 경우 12개의 OFDM 심볼의 길이를 가진다(도 13 (b) 참조). 도 13을 참조하면, 각 자원 블록에서 '0', '1', '2' 및 '3'으로 표시된 자원 요소들(REs)은 송신단(예를 들어, 기지국)의 안테나 포트 '0', '1', '2' 및 '3' 각각에 해당하는 CRS가 매핑된 자원요소를 의미하며, 'D'로 기재된 자원 요소들은 DRS가 매핑된 자원요소를 의미한다. 이하에서는 CRS에 대하여 보다 상세하게 설명한다.CRS는 셀 내에 위치한 모든 단말에 공통적으로 수신할 수 있는 참조 신호로써 전체 주파수 대역에 분포되며, 물리적 안테나의 채널을 추정하기 위해 사용될 수 있다. 또한, CRS는 채널 품질 정보(CSI) 및 데이터 복조를 위해 이용될 수 있다. CRS는 송신단(예를 들어, 기지국)에서의 안테나 배열에 따라 다양한 포맷으로 정의될 수 있다. 3GPP LTE 시스템(예를 들어, Rel-8/9)에서는 송신단은 4 개까지의 송신 안테나를 지원할 수 있다. 다중 입출력 안테나가 지원되고 참조 신호들이 하나 이상의 안테나 포트로부터 전송될 때, 참조 신호는 소정의 패턴에 따라 특정 자원 요소들을 통해 전송된다. 이때, 하나의 안테나 포트를 위한 참조신호가 전송되는 자원요소에서는 다른 안테나 포트를 위한 참조 신호가 전송되지 않는다. 즉, 서로 다른 안테나 사이의 참조 신호는 서로 겹치지 않는다.D2D 통신일반일반적으로 D2D 통신은 사물과 사물 간의 통신이나 사물 지능 통신을 지칭하는 용어로 제한적으로 사용되기도 하지만, 본 발명에서의 D2D 통신은 통신 기능이 장착된 단순한 장치는 물론, 스마트폰이나 개인용 컴퓨터와 같이 통신 기능을 갖춘 다양한 형태의 장치 간의 통신을 모두 포함할 수 있다.즉, D2D(Device-to-Device) (통신)은 단말간 직접 통신을 수행하는데 사용되는 개념으로, 사이드링크(sidelink)로 표현될 수도 있다.상기 D2D 통신은 단말간 데이터를 송수신하는 절차와 관련된 direct D2D communication과 주변 단말들을 발견하는 절차와 관련된 direct D2D discovery를 포함할 수 있다.도 14는 본 발명이 적용될 수 있는 무선 통신 시스템에서 D2D 통신을 개념적으로 설명하기 위한 도면이다.도 14a는 기존의 기지국(eNB) 중심의 통신 방식을 나타내는 것으로, UE1은 상향링크 상에서 기지국으로 데이터를 전송할 수 있고, 기지국은 하향링크 상에서 UE2으로 데이터를 전송할 수 있다. 이러한 통신 방식은 기지국을 통한 간접 통신 방식이라고 할 수 있다. 간접 통신 방식에서는 기존의 무선 통신 시스템에서 정의된 링크인 Un 링크(기지국들 간의 링크 또는 기지국과 중계기 간의 링크로서, 백홀 링크라고 칭할 수 있음) 및/또는 Uu 링크(기지국과 단말 간의 링크 또는 중계기와 단말 간의 링크로서, 액세스 링크라고 칭할 수 있음)가 관련될 수 있다.도 14b는 D2D 통신의 일례로서 UE-to-UE 통신 방식을 나타내는 것으로, UE 간의 데이터 교환이 기지국을 거치지 않고 수행될 수 있다. 이러한 통신 방식은 장치 간의 직접 통신 방식이라고 할 수 있다. D2D 직접 통신 방식은 기존의 기지국을 통한 간접 통신 방식에 비하여 지연(latency)이 줄어들고, 보다 적은 무선 자원을 사용하는 등의 장점을 가진다.도 15는 본 명세서에서 제안하는 방법이 적용될 수 있는 D2D 통신의 다양한 시나리오들의 일례를 나타낸다.D2D 통신의 시나리오는 UE1과 UE2가 셀 커버리지 내(in-coverage)/셀 커버리지 밖(out-of-coverage)에 위치하는지에 따라 크게 (1) Out-of-Coverage Network, (2) Partial-Coverage Network 및 (3) In-Coverage Network으로 나뉠 수 있다.In-Coverage Network의 경우, 기지국의 커버리지에 해당하는 셀(Cell)의 개수에 따라 In-Coverage-Single-Cell 및 In-Coverage-Multi-Cell로 나뉠 수 있다.도 15a는 D2D 통신의 Out-of-Coverage Network 시나리오의 일 예를 나타낸다.Out-of-Coverage Network 시나리오는 기지국의 제어 없이 D2D 단말들 간 D2D 통신을 수행하는 것을 말한다.도 15a에서, UE1과 UE2만 존재하며, UE1과 UE2는 직접 통신을 하는 것을 볼 수 있다.도 15b는 D2D 통신의 Partial-Coverage Network 시나리오의 일 예를 나타낸다.Partial-Coverage Network 시나리오는 네트워크 커버리지 내에 위치하는 D2D 단말과 네트워크 커버리지 밖에 위치하는 D2D 단말 간에 D2D 통신을 수행하는 것을 말한다.도 15b에서, 네트워크 커버리지 내 위치하는 UE1과 네트워크 커버리지 밖에 위치하는 UE2가 통신하는 것을 볼 수 있다.도 15c는 In-Coverage-Single-Cell 시나리오의 일 예를, 도 15d는 In-Coverage-Multi-Cell 시나리오의 일 예를 나타낸다.In-Coverage Network 시나리오는 D2D 단말들이 네트워크 커버리지 내에서 기지국의 제어를 통해 D2D 통신을 수행하는 것을 말한다.도 15c에서, UE1과 UE2는 동일한 네트워크 커버리지(또는 셀) 내에 위치하며, 기지국의 제어 하에 D2D 통신을 수행한다.도 15d에서, UE1과 UE2는 네트워크 커버리지 내에 위치하기는 하나, 서로 다른 네트워크 커버리지 내에 위치한다. 그리고, UE1과 UE2는 각 네트워크 커버리지를 관리하는 기지국의 제어 하에 D2D 통신을 수행한다.이하, D2D 통신에 관하여 보다 상세히 살펴본다. D2D 통신은 도 15에 도시된 시나리오에서 동작할 수 있으나, 일반적으로 네트워크 커버리지 내(in-coverage)와 네트워크 커버리지 밖(out-of-coverage)에서 동작할 수 있다. D2D 통신(단말들 간 직접 통신)을 위해 이용되는 링크를 D2D 링크(D2D link), 다이렉트 링크(directlink) 또는 사이드 링크(sidelink) 등으로 지칭할 수 있으나, 이하 설명의 편의를 위해 사이드 링크로 통칭하여 설명한다.사이드 링크 전송은 FDD의 경우 상향링크 스펙트럼에서 동작하고, TDD의 경우 상향링크(혹은 하향링크) 서브프레임에서 동작할 수 있다. 사이드 링크 전송과 상향링크 전송의 다중화를 위하여 TDM(Time Division Multiplexing)이 이용될 수 있다. 사이드 링크 전송과 상향링크 전송은 동시에 일어나지 않는다. 상향링크 전송을 위해 사용되는 상향링크 서브프레임 또는 UpPTS와 부분적으로 혹은 전체적으로 겹쳐지는 사이드 링크 서브프레임에서는 사이드 링크 전송이 일어나지 않는다. 또한, 사이드 링크의 전송 및 수신 또한 동시에 일어나지 않는다. 사이드 링크 전송에 이용되는 물리 자원의 구조는 상향링크 물리 자원의 구조가 동일하게 이용될 수 있다. 다만, 사이드 링크 서브프레임의 마지막 심볼은 보호 구간(guard period)으로 구성되어 사이드 링크 전송에 이용되지 않는다. 사이드 링크 서브프레임은 확장 순환 전치(extended CP) 또는 일반 순환 전치(normal CP)에 의해 구성될 수 있다.D2D 통신은 크게 디스커버리(discovery), 직접 통신(direct communication), 동기화(Synchronization)로 구분될 수 있다. 1) 디스커버리(discovery)D2D 디스커버리는 네트워크 커버리지 내에서 적용될 수 있다. (Inter-cell, Intra-cell 포함). 인터 셀(inter-cell) 디스커버리에서 동기화된(synchronous) 또는 동기화되지 않은(asynchronous) 셀 배치 모두 고려될 수 있다. D2D 디스커버리는 근접 영역 내의 UE에게 광고, 쿠폰 발행, 친구 찾기 등의 다양한 상용 목적으로 활용될 수 있다. UE 1이 디스커버리 메시지 전송의 역할(role)을 가지는 경우, UE 1은 디스커버리 메시지를 전송하고, UE 2는 디스커버리 메시지를 수신한다. UE 1과 UE 2의 전송 및 수신 역할은 바뀔 수 있다. UE 1으로부터의 전송은 UE 2와 같은 하나 이상의 UE(들)에 의해 수신될 수 있다. 디스커버리 메시지는 단일의 MAC PDU를 포함할 수 있으며, 여기서 단일의 MAC PDU는 UE ID 및 application ID를 포함할 수 있다. 디스커버리 메시지를 전송하는 채널로 물리 사이드 링크 디스커버리 채널(PSDCH: Physical Sidelink discovery Channel)이 정의될 수 있다. PSDCH 채널의 구조는 PUSCH 구조를 재이용할 수 있다. D2D 디스커버리를 위한 자원 할당 방법은 두 가지의 타입(Type 1, Type 2)이 이용될 수 있다. 타입 1의 경우, eNB는 단말 특정하지 않은(non-UE specific) 방식으로 디스커버리 메시지 전송을 위한 자원을 할당할 수 있다. 구체적으로, 특정 주기로 복수의 서브프레임으로 구성된 디스커버리 전송 및 수신을 위한 무선 자원 풀(pool)이 할당되고, 디스커버리 전송 UE는 이 무선 자원 풀(pool) 내에서 특정 자원을 임의로 선택한 다음 디스커버리 메시지를 전송한다. 이러한 주기적인 디스커버리 자원 풀(pool)은 반정적(semi-static)인 방식으로 디스커버리 신호 전송을 위해 할당될 수 있다. 디스커버리 전송을 위한 디스커버리 자원 풀(pool)의 설정 정보는 디스커버리 주기, 디스커버리 주기 내 디스커버리 신호의 전송을 위해 사용할 수 있는 서브프레임의 개수(즉, 무선 자원 풀을 구성하는 서브프레임 개수)를 포함한다. In-coverage UE의 경우, 디스커버리 전송을 위한 디스커버리 자원 풀(pool)은 eNB에 의해 설정되고, RRC 시그널링(예를 들어, SIB(System Information Block))을 이용하여 UE에게 알려줄 수 이다.하나의 디스커버리 주기 내에 디스커버리를 위해 할당된 디스커버리 자원 풀(pool)은 동일한 크기를 가지는 시간-주파수 자원 블록으로 TDM 및/또는 FDM으로 다중화될 수 있으며, 이러한 동일한 크기를 가지는 시간-주파수 자원 블록을 ‘디스커버리 자원(discovery resource)’으로 지칭할 수 있다.디스커버리 자원은 하나의 UE에 의해 디스커버리 MAC PDU의 전송을 위해 사용될 수 있다. 하나의 UE에 의해 전송되는 MAC PDU의 전송은 디스커버리 주기 내(즉, 무선 자원 풀(pool))에서 연속적으로(contiguous) 혹은 비연속적(non-contiguous)으로 반복(예를 들어, 4회 반복)될 수 있다. UE는 MAC PDU의 반복되는 전송을 위해 사용될 수 있는 디스커버리 자원 세트(discovery resource set)에서 첫 번째 디스커버리 자원을 임의로 선택하고, 그 이외의 디스커버리 자원은 첫 번째 디스커버리 자원과 관련하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 일정 패턴이 미리 설정되고, UE가 첫 번째로 선택한 디스커버리 자원의 위치에 따라 그 다음의 디스커버리 자원이 미리 설정된 패턴에 따라 결정될 수 있다. 또한, UE가 MAC PDU의 반복되는 전송을 위해 사용될 수 있는 디스커버리 자원 세트 내에서 각각의 디스커버리 자원을 임의로 선택할 수도 있다.타입2는 디스커버리 메시지 전송을 위한 자원이 단말 특정(UE specific)하게 할당된다. 타입 2는 다시 타입2A(Type-2A), 타입2B(Type-2B)로 세분화된다. 타입 2A는 eNB가 디스커버리 주기 내에서 UE가 디스커버리 메시지의 전송 시점(instance)마다 자원을 할당하는 방식이고, 타입 2B는 반정적인(semi-persistent) 방식으로 자원을 할당하는 방식이다. 타입 2B의 경우, RRC_CONNECTED UE는 RRC 시그널링을 통해 eNB에 D2D 디스커버리 메시지의 전송을 위한 자원의 할당을 요청한다. 그리고, eNB는 RRC 시그널링을 통해 자원을 할당할 수 있다. UE는 RRC_IDLE 상태로 천이할 때 또는 eNB이 RRC 시그널링을 통해 자원 할당을 철회(withdraw)할 때, UE는 가장 최근에 할당된 전송 자원을 해제한다. 이와 같이 타입 2B의 경우, RRC 시그널링에 의해 무선 자원이 할당되고, PDCCH에 의해 할당된 무선 자원의 활성(activation)/비활성(deactivation)이 결정될 수 있다.디스커버리 메시지 수신을 위한 무선 자원 풀(pool)은 eNB에 의해 설정되고, RRC 시그널링(예를 들어, SIB(System Information Block))을 이용하여 UE에게 알려줄 수 있다. 디스커버리 메시지 수신 UE는 디스커버리 메시지 수신을 위하여 상술한 타입 1 및 타입 2의 디스커버리 자원 풀(pool) 모두 모니터링한다. 2) 직접 통신(direct communication)D2D 직접 통신의 적용 영역은 네트워크 커버리지 안팎(in-coverage, out-of-coverage)은 물론 네트워크 커버리지 경계 영역(edge-of-coverage)도 포함한다. D2D 직접 통신은 PS(Public Safety) 등의 목적으로 이용될 수 있다. UE 1이 직접 통신 데이터 전송의 역할을 가지는 경우, UE 1은 직접 통신 데이터를 전송하고, UE 2는 직접 통신 데이터를 수신한다. UE 1과 UE 2의 전송 및 수신 역할은 바뀔 수 있다. UE 1으로부터의 직접 통신 전송은 UE 2와 같은 하나 이상의 UE(들)에 의해 수신될 수 있다.D2D 디스커버리와 D2D 통신은 서로 연계되지 않고 독립적으로 정의될 수 있다. 즉, 그룹캐스트(groupcast) 및 브로드캐스트(broadcast) 직접 통신에서는 D2D 디스커버리가 요구되지 않는다. 이와 같이, D2D 디스커버리와 D2D 직접 통신이 독립적으로 정의되는 경우, UE들은 인접하는 UE를 인지할 필요가 없다. 다시 말해, 그룹캐스트 및 브로드캐스트 직접 통신의 경우, 그룹 내 모든 수신 UE가 서로 근접할 것을 요구하지 않는다. D2D 직접 통신 데이터를 전송하는 채널로 물리 사이드 링크 공유 채널(PSSCH: Physical Sidelink Shared Channel)이 정의될 수 있다. 또한, D2D 직접 통신을 위한 제어 정보(예를 들어, 직접 통신 데이터 전송을 위한 스케줄링 승인(SA: scheduling assignment), 전송 형식 등)를 전송하는 채널로 물리 사이드 링크 제어 채널(PSCCH: Physical Sidelink Control Channel)이 정의될 수 있다. PSSCH 및 PSCCH는 PUSCH 구조를 재이용할 수 있다.D2D 직접 통신을 위한 자원 할당 방법은 두 가지의 모드(mode 1, mode 2)가 이용될 수 있다. 모드 1은 eNB가 UE가 D2D 직접 통신을 위한 데이터 또는 제어 정보를 전송하기 위하여 사용하는 자원을 스케줄링 하는 방식을 말한다. in-coverage에서는 모드 1이 적용된다.eNB은 D2D 직접 통신에 필요한 자원 풀(pool)을 설정한다. 여기서, D2D 통신에 필요한 자원 풀(pool)은 제어 정보 풀과 D2D 데이터 풀로 구분될 수 있다. eNB가 PDCCH 또는 ePDCCH를 이용하여 송신 D2D UE에게 설정된 풀 내에서 제어 정보 및 D2D 데이터 전송 자원을 스케줄링하면 송신 D2D UE는 할당된 자원을 이용하여 제어 정보 및 D2D 데이터를 전송한다. 전송 UE는 eNB에 전송 자원을 요청하고, eNB는 제어 정보와 D2D 직접 통신 데이터의 전송을 위한 자원을 스케줄링한다. 즉, 모드 1의 경우, 전송 UE는 D2D 직접 통신을 수행하기 위하여 RRC_CONNECTED 상태에 있어야 한다. 전송 UE는 스케줄링 요청을 eNB에 전송하고, 이어 eNB가 전송 UE에 의해 요청되는 자원의 양을 결정할 수 있도록 BSR(Buffer Status Report) 절차가 진행된다. 수신 UE들은 제어 정보 풀을 모니터링하고, 자신과 관련된 제어 정보를 디코딩하면 해당 제어 정보와 관련된 D2D 데이터 전송을 선택적으로 디코딩할 수 있다. 수신 UE는 제어 정보 디코딩 결과에 따라 D2D 데이터 풀을 디코딩하지 않을 수도 있다. 모드 2는 UE가 D2D 직접 통신을 위한 데이터 또는 제어 정보를 전송하기 위하여 자원 풀(pool)에서 특정 자원을 임의로 선택하는 방식을 말한다. out-of-coverage 및/또는 edge-of-coverage에서 모드 2가 적용된다. 모드 2에서 제어 정보 전송을 위한 자원 풀(pool) 및/또는 D2D 직접 통신 데이터 전송을 자원 풀(pool)은 미리 설정(pre-configured)되거나 반정적으로(semi-statically) 설정될 수 있다. UE는 설정된 자원 풀(시간 및 주파수)를 제공 받고, 자원 풀에서 D2D 통신 전송을 위한 자원을 선택한다. 즉, UE는 제어 정보를 전송하기 위하여 제어 정보 자원 풀에서 제어 정보 전송을 위한 자원을 선택할 수 있다. 또한, UE는 D2D 직접 통신 데이터 전송을 위해 데이터 자원 풀에서 자원을 선택할 수 있다. D2D 브로드캐스트 통신에서, 제어 정보는 브로드캐스팅 UE에 의해 전송된다. 제어 정보는 D2D 직접 통신 데이터를 운반하는 물리 채널(즉, PSSCH)과 관련하여 데이터 수신을 위한 자원의 위치를 명시적으로(explicit) 및/또는 묵시적으로(implicit) 지시한다. 3) 동기화(synchronization)D2D 동기 신호(또는 사이드 링크 동기 신호)는 UE 가 시간-주파수 동기를 획득하기 위하여 이용될 수 있다. 특히, 네트워크 커버리지 밖의 경우 eNB의 제어가 불가능하므로 UE 간 동기 확립을 위한 새로운 신호 및 절차가 정의될 수 있다.D2D 동기 신호를 주기적으로 전송하는 UE를 D2D 동기 소스(D2D Synchronization Source)로 지칭할 수 있다. D2D 동기 소스가 eNB인 경우, 전송되는 D2D 동기 신호의 구조는 PSS/SSS와 동일할 수 있다. D2D 동기 소스가 eNB가 아닌 경우(예를 들어, UE 또는 GNSS(Global Navigation Satellite System) 등) 전송되는 D2D 동기 신호의 구조는 새롭게 정의될 수 있다.D2D 동기 신호는 40ms 보다 작지 않은 주기를 가지고 주기적으로 전송된다. 단말 별로 다중의 물리 계층 사이드 링크 동기화 식별자(physical-layer sidelink synchronization identity)를 가질 수 있다. D2D 동기 신호는 프라이머리 D2D 동기 신호(또는 프라이머리 사이드 링크 동기 신호)와 세컨더리 D2D 동기 신호(또는 세컨더리 사이드 링크 동기 신호)를 포함한다. D2D 동기 신호를 전송하기 전에, 먼저 UE는 D2D 동기 소스를 탐색할 수 있다. 그리고, D2D 동기 소스가 탐색되면, UE는 탐색된 D2D 동기 소스로부터 수신된 D2D 동기 신호를 통해 시간-주파수 동기를 획득할 수 있다. 그리고, 해당 UE는 D2D 동기 신호를 전송할 수 있다.이하에서는 명료성을 위해 D2D 통신에 있어서 2개의 장치들 간의 직접 통신을 예로 들어 설명하지만, 본 발명의 범위가 이에 제한되는 것은 아니고, 2 이상의 복수의 장치들 간의 D2D 통신에 대해서도 본 발명에서 설명하는 동일한 원리가 적용될 수 있다.D2D discovery 방식 중에 하나로 모든 UE가 분산적인 방식에 의해서 discovery를 수행하도록 하는 방식(이하, ‘분산적 discovery’라고 지칭한다.)이 있다. 분산적으로 D2D discovery를 수행하는 방식은 centralized 방식처럼 한곳에서(예를 들어, eNB, UE 또는 D2D 스케줄링 장치 등) 자원 선택을 결정하는 것이 아니며, 모든 UE들이 분산적으로 스스로 판단해서 discovery 자원을 선택하고 discovery 메시지를 송신 및 수신을 하는 방식을 의미한다. 이하, 본 명세서에서는 D2D discovery를 위해서 단말들이 주기적으로 보내는 신호(또는 메시지)를 discovery 메시지, discovery 신호, 비콘 (beacon) 등으로 지칭할 수 있다. 이하, 설명의 편의를 위해 discovery 메시지로 통칭한다. 분산적 discovery에서는 UE가 discovery 메시지를 송신 및 수신하기 위한 자원으로서 셀룰러 자원과는 별도로 전용 자원이 주기적으로 할당될 수 있다. 이에 대하여 아래 도 17을 참조하여 설명한다.도 16은 본 명세서에서 제안하는 방법들이 적용될 수 있는 디스커버리 자원이 할당되는 프래임 구조의 일례를 나타낸다. 도 16을 참조하면, 분산적 discovery 방식에서는 전체 셀룰러 상향링크 주파수-시간 자원 중에서 discovery를 위한 discovery subframe(즉, ‘discovery 자원 풀’)(1601)이 고정적으로(또는 전용적으로) 할당되고, 나머지 영역은 기존의 LTE 상향링크 WAN(wide area network) 서브프레임 영역(1603)으로 구성된다. discovery 자원 풀은 하나 이상의 서브프레임으로 구성될 수 있다.discovery 자원 풀은 일정 시간 간격(즉, ‘discovery 주기’)으로 주기적으로 할당될 수 있다. 또한, discovery 자원 풀은 하나의 discovery 주기 내에서 반복하여 설정될 수 있다. 도 16의 경우, 10 sec 의 discovery 주기를 가지고 discovery 자원 풀이 할당되고, 각각의 discovery 자원 풀은 64 개의 연속적인 서브프레임이 할당되는 예를 나타낸다. 다만, discovery 주기 및 discovery 자원 풀의 시간/주파수 자원의 크기는 이에 한정되지 않는다. UE는 전용적으로 할당된 discovery 풀 내에서 자신의 discovery 메시지를 전송하기 위한 자원(즉, ‘discovery 자원’)을 자체적으로 선택하고, 선택된 자원을 통해 discovery 메시지를 전송한다. 이에 대하여 아래 도 17을 참조하여 설명한다.도 17은 본 명세서에서 제안하는 방법들이 적용될 수 있는 디스커버리 과정을 간략히 예시한 도면이다. 도 16 및 도 17을 참조하면, discovery 방식은 크게 discovery 메시지 전송을 위한 자원 센싱(sensing)(S1701), discovery 메시지 전송을 위한 자원 선택(S1703), discovery 메시지 송신 및 수신(S1705), 이와 같은 3단계 절차로 구성된다.먼저, discovery 메시지 전송을 위한 자원 센싱 단계(S1701)에서, D2D discovery를 수행하는 모든 UE들은 분산적인 방식으로(즉, 자체적으로) D2D discovery 자원의 1 주기(period)(즉, discovery 자원 풀)동안 discovery 메시지를 전부 수신(즉, 센싱)한다. 예를 들어, 도 16에서 상향링크 대역폭이 10MHz라고 가정하면, 모든 UE는 K=64 msec (64개의 서브프레임) 동안 N=44 RB (전체 상향링크 대역폭은 10MHz 이므로 총 50개의 RB에서 PUCCH 전송을 위해 6개의 RB가 이용된다.)에서 전송되는 discovery 메시지를 전부 수신(즉, 센싱)한다. 그리고, discovery 메시지 전송을 위한 자원 선택 단계(S1703)에서, UE는 센싱한 자원들 중에서 낮은 에너지 레벨의 자원들을 분류하고 그 중 일정 범위 내에서(예를 들어, 하위 x% (x=임의의 정수, 5, 7, 10, ...) 내에서) discovery 자원을 랜덤하게 선택한다. discovery 자원은 동일한 크기를 가지는 하나 이상의 자원 블록으로 구성될 수 있으며, discovery 자원 풀 내에서 TDM 및/또는 FDM으로 다중화될 수 있다.그리고, 마지막 절차인 discovery 메시지 전송 및 수신 단계(S1705)에서, UE는 discovery 한 주기 후에(도 16의 예시에서 P=10초 후) 선택된 discovery 자원을 기반으로 discovery 메시지를 송수신하며, 이후의 discovery 주기에서는 랜덤한 자원 호핑(hopping) 패턴에 따라서 주기적으로 discovery 메시지를 송수신한다.이러한, D2D discovery 절차는 UE가 eNB와 연결이 있는 RRC_CONNECTED 상태에서도 진행될 뿐만 아니라 eNB와 연결이 없는 RRC_IDLE 상태에서도 계속 수행된다.위와 같은 discovery 방식을 고려하면, 모든 UE들은 주위의 UE들이 전송하고 있는 모든 자원들(즉, discovery 자원 풀)을 sensing 하고 그 중에서 일정 범위(예를 들어, 하위 x%내)에서 랜덤하게 discovery 자원을 선택한다.이하에서, 본 명세서에서 제안하는 D2D 제어 정보 및/또는 D2D 데이터 전송 방법에 대해 도 18 내지 도 29를 참조하여 구체적으로 살펴보기로 한다.앞서 살핀 것처럼, D2D는 사이드링크(sidelink)로 표현될 수 있다.또한, D2D 제어 정보는 사이드링크 제어 정보(Sidelink Control Information:SCI)로 표현될 수 있으며, 상기 D2D 제어 정보는 PSCCH(Physical Sidelink Control Channel)을 통해 송수신될 수 있다.또한, D2D 데이터는 PSSCH(Physical Sidelink Shared Channel)를 통해 송수신될 수 있으며, 상기 D2D 데이터 송수신은 PSSCH 송수신으로 표현될 수 있다.단말간 직접 통신을 수행함에 있어, D2D 단말에서 D2D 데이터(data)를 복조하기 위해서는 D2D 제어 정보(control information)이 정의되어야 한다.살핀 것처럼, 상기 D2D 제어 정보는 SCI로 표현될 수 있으며, 이하에서는 혼용하기로 한다.여기서, 상기 D2D 제어 정보는 상기 D2D 데이터를 전달하는 D2D 통신 채널(communication channel)과는 별개의 채널(또는 별개의 신호로) 전송될 수 있다.살핀 것처럼, 상기 D2D 통신 채널은 PSSCH로 표현될 수 있으며, 이하에서는 혼용하기로 한다.또한, 이하에서 설명하는 방법들은 D2D discovery message를 전달하기 위해 필요한 제어 정보를 별도로 전송하게 되는 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.상기 D2D 제어 정보는 NDI(new data indicator), RA(resource allocation or resource configuration), MCS(modulation and coding scheme/set), RV(redundancy version), Tx UE ID 등과 같은 정보의 일부 또는 전체를 포함할 수 있다.상기 D2D 제어 정보는 도 15의 D2D 통신이 적용되는 시나리오에 따라 상기 D2D 제어 정보에 포함되는 정보들의 조합이 다르게 구성될 수 있다.일반적으로, 제어 정보(control information: CI)는 데이터 채널(data channel)을 복조하는데 활용되기 때문에, 상기 제어 정보는 상기 data channel에 앞서 decoding되어야 한다.따라서, 상기 제어 정보를 수신하는 단말들은 상기 제어 정보가 전송되는 시간 및 주파수 자원의 위치와 상기 데이터 채널의 복조에 필요한 관련 파라미터를 사전에 알고 있어야 한다.예를 들어, LTE(-A) 시스템에서 PDCCH의 경우, 매 서브프레임의 특정 심볼들 중에 특정 위치로 전송될 것임을 단말이 알 수 있도록 UE ID 기반의 hashing 함수를 전송단(예: 기지국) 및 수신단(예: 단말)이 공통으로 사용하고 있다.또한, LTE(-A) 시스템에서 BCH의 경우, 40ms 주기로 특정 SF(Subframe)의 특정 심볼에 system information이 전달된다는 사실을 사전에 기지국과 단말이 공유하고 있다.살핀 것처럼, 단말에서 상기 제어 정보를 제대로 획득하기 위해서는 사전에 상기 단말에게 충분한 상기 제어 정보의 복조 관련 정보(또는 파라미터)가 전달되어야 한다.마찬가지로, D2D 통신을 지원하는 시스템에서 D2D 단말이 D2D 제어 정보를 성공적으로 복조하기 위해서는 상기 D2D 제어 정보의 전송과 관련된 파라미터가 사전에 D2D 단말과 공유되어야 한다.상기 D2D 제어 정보의 전송과 관련된 파라미터는 일 예로, subframe/slot index, symbol index 또는 RB index 등일 수 있다.또한, 상기 D2D 제어 정보의 전송과 관련된 파라미터는 특정 포맷의 DCI일 수 있으며, 기지국으로부터 또는 다른 D2D 단말로부터 PDCCH를 통해 획득될 수 있다.상기 특정 포맷의 DCI는 새롭게 정의되는 DCI 포맷을 의미하는 것으로 일 예로, DCI format 5일 수 있다.일 실시 예로서, 상기 D2D 제어 정보는 D2D subframe(D2D 전송을 위해 지정된 subframe)으로 지정된 모든 subframe에서 또는 상기 모든 subframe 중 특정 index를 갖는 일련의 subframe(a set of subframe 또는 subframe set)에서 또는 특정 주기를 갖는 subframe set에서 전송되도록 지정될 수 있다.이러한 잠재적인 D2D 제어 정보의 전송 subframe 또는 subframe set은 사전에 단말에게 (higher layers) signaling을 통해서 또는 단말 고유의 정보(UE ID 등)에 기반해서, 단말이 스스로 계산할 수 있도록 하는 방식으로 단말에게 미리 인지될 수 있다.또한, D2D data channel이 전달되는 자원 영역과 D2D control information이 전달되는 자원 영역은 시간 영역에서 서로 다르게 구성될 수 있다. 즉, 상기 D2D control information은 지정된 시간 단위로 즉, 주기적으로 (또는 지정된 시간-주파수 영역 패턴으로 hopping하면서) 전송되게 하고, 상기 D2D data channel은 상기 D2D control information이 지시하는 자원 영역에서만 전달되도록 정의할 수 있다.이 방법은 D2D control information과 D2D data를 함께 전송하는 방식과 달리 상기 D2D control information을 전송하는 경우와 D2D data를 전송하는 경우를 독립적으로 운영하는 것을 의미한다.구체적으로, 상기 D2D control information과 D2D data를 분리 전송하는 경우는 (1) D2D control information과 D2D data에 적용되는 파라미터 (scrambling, CRC, CRC masking, demodulation sequence generation parameter등)를 독립적으로 설정하거나 또는 (2) D2D data에 적용되는 parameter를 D2D control information을 통해서 indication 해주는 것이다.(2)의 경우, D2D 단말은 상기 D2D control information이 전송되기로 한 잠재적인(potential) 자원(subframe 또는 subframe set)에서 잠재적인 parameter를 사용하여 상기 D2D control information에 대한 monitoring 및 decoding을 시도하고(e.g. explicit or blind decoding), 상기 잠재적인 자원 이외의 자원 영역에서는 상기 D2D control information에 대한 decoding 시도를 하지 않게 된다.이를 통해, 단말의 전력 소모를 줄일 수 있게 되는 효과가 있다.또한, 단말에서 D2D data를 복조하는 경우에도 상기 D2D control information을 통해 획득된 parameter와 D2D data 자원 영역 정보를 활용하여 단말은 지정된 시점에서 지정된 정보만을 복조하면 되기 때문에, 단말의 전력 소모를 줄일 수 있게 되는 효과가 있다.이하에서는 앞서 살펴본 방법들을 구현하기 위한 일 실시 예로서, D2D control information을 획득하기 위해 단말들이 특정 시점에서 특정 자원 영역을 blind search(decoding)하고, 각 단말에게 matching되는 D2D control information을 decoding하는 방식을 살펴보기로 한다.여기서, 각 단말의 D2D control information의 matching 여부는 UE specific information 기반으로 또는 UE-group specific(UE-group common) information 기반으로 구현할 수 있다.즉, D2D control information에 UE specific scrambling 또는 CRC masking을 적용하여 해당 단말만 상기 D2D control information을 (blind) decoding하게 하거나 또는 다수의 단말들(group 또는 전체)가 모두 상기 D2D control information을 decoding하도록 UE-group common scrambling 또는 CRC masking을 적용할 수도 있다.따라서, 단말 또는 단말 group은 decoding에 성공한 D2D control information으로부터 D2D data 복조에 관련된 정보를 얻을 수 있다.상기 D2D control information(또는 SCI)이란 D2D control information에 포함된 explicit 정보뿐만 아니라 D2D control channel(PSCCH)에 사용된 parameter(여기는 사전에 정해진 parameter 뿐만 아니라 주어진 D2D control channel set에서 blind search를 통해서 얻어낸 parameter도 포함)를 포함한다.상기 D2D control channel에 사용된 parameter는 scrambling, CRC masking, 사용 자원 정보, reference signal related parameters 등일 수 있다.따라서, 이를 통해 D2D data에 대해 단말이 굳이 blind decoding을 하지 않도록 구현할 수 있게 된다.정리하면, 단말 또는 단말 group은 D2D control information을 얻기 위해서 각자의 고유 정보를 활용하거나 또는 사전에 (higher layers) signaling된 정보에 기반해서, 상기 D2D control information을 특정 시점에 특정 파라미터를 통해 blind decoding을 수행한다.상기 blind decoding 수행을 통해, 상기 단말 또는 단말 그룹은 data 복조에 관련된 scheduling information과 D2D control channel(또는 control information)의 생성 및 전송에 사용된 각종 parameter를 함께 획득할 수 있다.따라서, 단말은 상기 D2D control channel 관련 paramter와 decoding된 scheduling information를 활용하여 D2D data channel의 decoding 및 demodulation에 사용하게 된다.여기서, 상기 D2D data channel은 PSSCH(Physical Sidelink Shared Channel)로 표현될 수 있다.상기 scheduling information은 D2 data를 복조하기 위해 필요한 자원 할당 정보, NDI, MCS, Tx UE id 등과 같은 explicit 정보를 말할 수 있다.또한, 앞서 살핀 바와 같이 상기 scheduling information은 SCI(Sidelink Control Information)로 표현될 수 있다.단말은 D2D control channel(또는 PSCCH)에 대해서 blind search를 통한 parameter를 그대로 사용하거나 또는 상기 parameter에 기반해서 생성된 new parameter를 D2D data channel(PSSCH)의 생성에 사용하기 때문에, 상기 단말은 D2D data channel에 대해서 D2D control channel에 대해서 수행된 것과 같은 parameter blind search를 수행할 필요가 없게 된다.또 다른 실시 예로서, D2D control channel과 D2D data channel이 동일한 subframe에 전송되게 하되(단말 또는 단말 group 측면에서), 시간 상의 주기가 다르게 설정되도록 구현하는 것도 가능하다.즉, 단말은 특정 subframe에서 D2D control channel을 blind decoding하고, 그 정보에 기반하여 동일한 subframe의 D2D data를 복조하는 방법이다.여기서, 단말은 D2D data에 대해서는 blind decoding을 수행하지 않을 것을 가정한다.대신, 상기 단말이 D2D control channel에 대해서만 blind decoding을 부여하여 해당 subframe에서 blind decoding complexity를 D2D control channel에만 의존하도록 구현할 수 있다.즉, 상기 단말은 해당 subframe에서 D2D control information에 대해서만 blind decoding을 수행하는 것이다.단말이 D2D data에 대한 blind decoding을 수행해야 할 경우, D2D control information과 D2D data가 동일한 subframe에서 함께 전송되는 경우, 단말의 blind decoding trial이 급증하게 되는 문제가 발생할 수 있다.이럴 경우, 특정 subframe에서 blind decoding을 통해 D2D control information을 검출할 수 있는 단말의 수가 제한될 수 있다.즉, D2D control information과 D2D data의 전송 주기 등이 고정되어 있을 경우, 서로의 주기에 따라서 어떤 상황에서는 D2D control information과 D2D data가 동일한 subframe에 함께 전송되는 경우가 발생할 수 있다.이 경우, 해당 subframe에서의 blind decoding trial에 대해 제한이 있는 경우, D2D control information 및/또는 D2D data channel의 blind decoding trial을 줄여야 하는 상황에 직면할 수 있다.따라서, 이러한 문제를 경감하기 위해서, 단말의 blind decoding을 D2D control channel에만 도입하여 blind decoding complexity의 variation으로 인한 blind decoding trial에 대한 limitation을 방지할 수 있다.또한, blind decoding을 D2D control channel에만 도입함으로써, D2D data channel에 대한 scheduling 자유도가 더 커질 수 있는 효과가 있다.즉, D2D control information과 D2D data가 동일한 subframe에 위치해도 D2D control channel에만 blind decoding을 적용하는 경우, blind decoding complexity에 대한 limitation이 없게 된다.따라서, D2D control channel이 특정 subframe에서 주기적으로 전송되고 있을 경우에도 D2D data channel의 전송을 위한 subframe 결정 시, 상기 D2D control channel이 전송되는 subframe을 피해서 할당하지 않아도 된다.D2D control channel의 경우, 한 번 검출되고 상기 D2D control channel과 associated된 D2D data의 전송이 이후 특정 subframe에 전송된다고 가정하면, D2D data가 전송될 subframe까지의 시간 구간 동안 D2D control channel 전송 기회 subframe에서(D2D control channel 전송 주기 또는 PSCCH Period)에서 다시 D2D control information을 전송을 하지 않아도 된다.마찬가지로, 단말 입장에서 D2D control channel을 blind decoding하고, 상기 D2D control information이 지시하는 D2D data subframe까지는 추가적으로 D2D control channel blind decoding (monitoring)을 수행하지 않도록 사전에 정할 수 있다.이를 통해, 단말은 전력 소모를 줄일 수 있게 된다. 이는 단말 별로 각각 다르게 설정될 수도 있다.각 단말 별로 D2D control channel을 전송하는 주기(또는 PSCCH Period) 및 subframe offset이 다르게 주어지는 경우, 각 단말 별로 D2D control information의 monitoring을 하지 않아도 되는 subframe을 알 수 있게 된다.즉, 각 단말은 특정 subframe에서 D2D control information을 blind decoding하게 되면, 자신의 D2D control information의 monitoring subframe 주기 및 offset을 고려해서 얼마 동안 DRX(Discontinuous Reception) 또는 DTX(Discontinuous Transmission)를 수행해야 하는지 알 수 있게 된다.단말은 D2D control information (i.e. scheduling assignment)을 수신하여 복조하고 나서, 해당 subframe index, 단말 ID, D2D control information에 실려 있는 특정 비트 값, D2D control information subframe 주기 정보(PSCCH Period) 등을 적절하게 활용하여 얼마 동안 D2D control information을 monitoring 하지 않아도 되는지 즉, DTX해도 되는지 계산할 수 있다.도 18은 본 명세서에서 제안하는 D2D 제어 정보 및 D2D 데이터 송수신 방법의 일 예를 나타낸 도이다.도 18에서, C1은 UE 1(또는 UE-group 1)에 할당된 D2D 자원 중에서 D2D control information을 전송하기 위해 사용되는 자원을 나타낸다.상기 C1(1801)은 (E-)PDCCH, SIB, preconfigured, relaying by UE 등을 통해 획득될 수 있다.일 예로, 단말은 PDCCH를 통해 전송되는 DCI format 5를 통해 상기 C1(또는 SCI format 0)을 획득할 수 있다.또한, 상기 C1의 주기는 period #1에 해당된다.C2(1802)는 UE 2(또는 UE-group 2)에 할당된 D2D 자원 중에서 D2D control information을 전송하기 위해 사용되는 자원을 나타낸다.상기 C2의 주기는 period #2에 해당된다.상기 C1 및 C2의 주기는 각각 PSCCH period #1 및 PSCCH period #2로 표현될 수 있다도 18에서, 첫 번째 C1 정보는 D2D data #1(1803)의 전송 관련 parameter를 나타내는 것으로, D2D data #1의 복조를 위해 수신 단말에서 필요한 각종 정보(e.g. DM RS sequence, MCS, RA등의 scheduling information)를 나타낸다.또한, 첫 번째 C2 정보는 D2D data #2(1804)의 전송 관련 parameter를 나타내는 것으로, D2D data #2의 복조를 위해 수신 단말에서 필요한 각종 정보(e.g. scheduling information)를 나타낸다.도 18에서, 두 번째 C1(1805) 및 C2 정보(1086)는 첫 번째 D2D data #1(1803) 및 D2D data #2(1804) 이후에 오는 즉, 두 번째 Data #1 및 Data #2(1807)와 연관된 parameter(scheduling information 등)를 나타낸다.각 단말은 자신이 monitoring 해야하는 D2D control information의 subframe 위치를 사전에 알고 있기 때문에, 해당 subframe에 대해서 각 단말에 해당하는 D2D control information에 대한 blind decoding을 수행한다.도 19는 본 명세서에서 제안하는 D2D 제어 정보 및 D2D 데이터 송수신 방법의 또 다른 일 예를 나타낸 도이다.도 19의 경우, 단말은 C1(1901)을 blind decoding하여, 상기 C1과 관련된 D2D data(D2D data #1)가 D2D data #1 subframe(1902)에 전달됨을 알 수 있다.또한, 상기 단말은 상기 C1 이후에 D2D control information 전송 목적으로 주기적으로 예약된(또는 할당된) 서브프레임(1903)에 C1이 없음을 미리 아는 경우, 상기 단말은 상기 예약된 서브프레임(1903)을 monitoring 또는 blind decoding하지 않고 skip할 수 있다.즉, 도 19는 C1과 data #1 사이에 존재하는 주기적으로 예약된 subframe에서 단말이 D2D control information에 대한 추가적인 monitoring 및 blind decoding을 수행하지 않는 것을 나타낸다.이는 단말이 D2D control information에 대한 monitoring 및 blind decoding을 특정 서브프레임에서 수행할 필요가 없음을 사전에 알 수 있기 때문에, 전력 소모를 줄이기 위해서 상기 특정 서브프레임에서 DTX 동작을 수행하는 것으로 간주될 수 있다.도 20은 본 명세서에서 제안하는 D2D 제어 정보 및 D2D 데이터 송수신 방법의 또 다른 일 예를 나타낸 도이다.앞서 살핀 도 19의 경우, C1과 data #1 사이에 존재하는 주기적으로 예약된 모든 subframe에 대해서 단말이 blind decoding을 skip하는 것을 보았다.이와 달리, 도 20은 D2D 제어 정보와 상기 D2D 제어 정보가 지시하는 D2D데이터 서브프레임 사이에 D2D 제어 정보 전송용으로 예약된 D2D 제어 정보 서브프레임이 존재하는 경우, 상기 예약된 D2D 제어 정보 서브프레임 모두에 대해서 단말의 blind decoding을 skip하는 것이 아니라, 사전에 약속된 조건 맞는 경우에만 상기 예약된 D2D 제어 정보 서브프레임을 monitoring subframe에서 제외하는 방법을 나타낸다.도 20에 도시된 바와 같이, 단말은 C11(2001)과 C13(2003)에서 blind decoding을 수행하고, C12(2002)에서는 blind decoding을 skip하는 것을 볼 수 있다.즉, C11(2001)과 data #11(2004) 사이에 있는 모든 candidate D2D control information의 monitoring subframe(C11, C12, C13)을 skip하는 것은 아니다.예를 들어, C11(2001)과 data #11(2004) 사이에 존재하는 candidate subframe 중에서 마지막 subframe(C13,2003)은 blind decoding을 위해서 monitoring을 수행한다.또는, D2D control information(또는 scheduling information) subframe과 D2D data 전송 subframe 사이에 N 개의 D2D control information candidate subframe이 존재할 경우, 마지막 부분에 위치하는 K개의 candidate subframe에 대해서는 blind decoding의 skip을 수행하지 않는 것으로 정의할 수 있다.여기서, 상기 k 값은 시스템 운영 등에 따라서 configure될 수 있다.또는, D2D control information subframe이 D2D 전송에 사용되는 subframe과 D2D 수신에 사용되는 subframe (half-duplex 제약으로 동시에 송수신이 불가능하기 때문에 서로 구분되는 두 종류의 subframe이 존재할 경우)으로 구별되는 경우, D2D 송신에 사용되는 subframe에서만 blind decoding skip 규칙을 적용할 수도 있다.만약, D2D 전송에 사용되는 subframe과 D2D 수신에 사용되는 subframe에 대한 구분이 없는 경우, 두 타입(D2D 전송 및 D2D 수신)의 subframe 모두를 고려해서 blind decoding skip 규칙을 적용할 수도 있다.또는, D2D control information의 유효 기간(valid period)이 존재하는 경우, 단말은 상기 유효 기간 동안에는 추가적인 D2D control information이 도착하지 않는다고 가정함으로써, D2D control information subframe과 D2D data subframe 사이에 도착하는 D2D control information을 무시 즉, blind decoding skip을 적용할 수 있다.또한, 상기 D2D control information subframe은 다수의 단말들이 함께 사용한다고 가정하는 경우, 각 단말은 상기 D2D control information subframe 중에서 자신이 monitoring 해야 하는 subframe을 자신의 ID, D2D subframe index 등의 다른 파라미터를 활용하여 계산할 수 있다.여기서, 각 단말이 자신의 D2D control information subframe을 계산하는 방법은 단말이 UE ID 및 그 외 parameter를 활용해서 자신이 monitoring 해야 하는 paging subframe 즉, sleep mode에서 깨어나서 반드시 수신을 해야하는 subframe index를 계산하는 방법과 유사하게 계산할 수 있다.도 21은 본 명세서에서 제안하는 D2D 전송 모드에 따른 D2D 제어 정보 설정 방법의 일 예를 나타낸 도이다.도 21은 두 종류의 D2D 자원 할당 방식 즉, 두 종류의 전송 모드(transmission mode 1, tansmission mode 2)가 함께 사용되는 경우에 각 D2D 자원 할당 방식으로 할당된 자원들 중 일부 자원을 공통 자원으로 configuration을 하는 것을 나타낸다.도 21a는 in-coverage 시나리오 즉, transmission mode 1에서의 D2D제어 정보의 자원 할당을 나타내고, 도 21b는 partial 또는 out-coverage 즉, transmission mode 2에서의 D2D 제어 정보의 자원 할당을 나타낸다.transmission mode 1에서의 제어 정보의 자원은 C1 또는 C2로 표시되었으며, transmission mode 2에서의 제어 정보의 자원은 P 또는 S로 표시된 것을 볼 수 있다.도 21에 도시된 바와 같이, C1과 P 자원은 서로 같은 시간 and/or 주파수 자원에서 alignment 되도록 설정된 것을 볼 수 있다.즉, C1과 P 자원이 공통 자원으로(e.g. cell specific, UE-group-specific) 설정된 경우를 나타낸다.도 21의 자원 구성은 단말이 자원 할당 방식을 switching할 경우, 단말이 상기 공통 자원 subframe을 D2D control channel을 monitoring 해야 하는 fallback subframe으로 사용할 수 있다.즉, 서로 다른 자원 할당 방식에서 설정되는 공통 자원은 단말이 자원 할당 방식의 mode switching 시 의무적으로 monitoring 해야 하는 D2D control information을 전달하는 candidate subframe을 의미할 수 있다.따라서, transmission mode 1로 자원을 할당 받은 단말들이나 transmission mode 2로 자원을 할당 받은 단말들 모두 공통 자원에 해당하는 P 자원 또는 C1 자원에 대해 blind decoding을 수행해야 한다.여기서, 셀 내의 단말들은 서로 다른 자원 할당 방식 즉, transmission mode를 가질 수 있으며, 하나의 단말은 두 가지 transmission mode를 가지도록 자원이 configure될 수도 있다.상기 transmission mode 1 및 transmission mode 2는 D2D communication의 자원 할당 방식만을 의미하는 것은 아니며, D2D discovery의 자원 할당 방식을 나타내는 개념일 수 있다.즉, 하나의 단말 관점에서 D2D discovery 자원이 transmission mode 1로 설정되고, D2D communication 자원이 transmission mode 2로 설정될 수 있으며, 이와 반대로 설정될 수도 있다.물론, 다수의 단말들 관점에서 transmission mode 1, transmission mode 2 및 D2D discovery, D2D communication 조합이 다양하게 구성되는 경우도 가능하다.이 경우, transmission mode 1 또는 transmission mode 2에서 default resource set 또는 common resource set 개념을 정의함으로써, 사전에 지정된 단말(단말 group 또는 셀 전체 단말 또는 D2D enabled 단말 전체)는 상기 common resource set을 반드시 monitoring 하도록 정의할 수 있다.다음으로, 본 명세서에서 제안하는 D2D 통신에서 scheduling grant(DCI, SG), scheduling assignment(SA) 및 D2D data 전송 사이의 타이밍 관계(timing relation)에 대해 구체적으로 살펴보기로 한다.이하에서 사용되는 scheduling grant(SG)는 기지국에서 D2D 단말로 전송하는 DCI(Downlink Control Information)를 나타내는 것으로서, D2D 통신과 관련된 parameter를 의미할 수 있다.상기 scheduling grant는 PDCCH/EPDCCH를 통해 전송될 수 있으며, DCI format 5로 표현될 수도 있다.또한, 상기 scheduling assignment(SA)는 D2D control information을 나타낼 수 있으며, D2D data 송수신을 위한 자원 할당 정보를 포함하여 D2D 단말 간 송수신하는 제어 정보를 의미할 수 있다.상기 scheduling assignment(SA)는 PSCCH를 통해 전송될 수 있으며, SCI format 0으로 표현될 수도 있다.먼저, D2D data 전송을 위해 사용되는 자원 및 D2D data 전송 관련 scheduling information을 전송하는 Scheduling Assignment(SA) 전송을 위해 사용되는 자원을 단말에게 알려주는 방법과 관련된 사항에 대해 아래 표 3을 참고하여 살펴보기로 한다.또한, 아래 표 3에서 설명되는 방법은 일 실시 예로서, 아래 표 3의 방법 이외에도 다른 방법들을 통해 D2D data 전송 및 SA 전송을 수행하는 것도 가능하다. Signaling methodsResourceAllocationResource (or Resource Pool) indication methods(to be used for the following transmission)Being transmittedScenariosFor Scheduling AssignmentFor Data communicationMode 1(eNB schedules)In-coverageSIB (or (E)PDCCH)(This can be triggered by D2D scheduling request (D-SR))SIB (or (E)PDCCH)(This can be triggered by D2D scheduling request (D-SR))Edge-of-coverageVia other forwarding UE(s)SIB or other sig. forwardingVia other forwarding UE(s)SIB or other sig. forwardingOut-coveragePre-configured or otherPre-configured or other- Semi-static resource pool restricting the available resources for data and/or control may be needed- D2D communication capable UE shall support at least Mode 1 for in-coverageMode 2(UE selects)In-coverageSIB (or (E)PDCCH)SIB (or (E)PDCCH)Edge-of-coverageVia other forwarding UE(s)SIB or other sig. forwardingVia other forwarding UE(s)SIB or other sig. forwardingOut-coveragePre-configured or otherPre-configured or other- The resource pools for data and control may be the same- Semi-static and/or pre-configured resource pool restricting the available resources for data and/or control may be needed- D2D communication capable UE shall support Mode 2 for at least edge-of-coverage and/or out-of-coverage표 3에서, D2D 자원 할당 방식의 Mode 1 및 Mode 2는 아래와 같이 구분 될 수 있다.From a transmitting UE perspective a UE can operate in two modes for resource allocation:Mode 1: eNodeB or rel-10 relay node schedules the exact resources used by a UE to transmit direct data and direct control informationMode 2: a UE on its own selects resources from resource pools to transmit direct data and direct control information표 3을 참조하면, Mode 1 및 Mode 2에서 SA 전송 및 D2D data 전송을 위해 사용되는 자원 할당은 in-coverage 시나리오의 경우, SIB를 통해서 구현할 수 있다. 즉, 기지국은 SA 전송 및 D2D data 전송을 위한 자원 할당을 SIB를 통해 단말로 알릴 수 있다.또는, eNB의 dynamic control signal (PDCCH, EPDCCH, MAC CE)을 사용하여 scheduling assignment 및 data resource를 할당하는 것도 가능하다.또는, 사전에 SIB로 resource pool을 할당해주고, 상기 할당된 자원 범위 내에서(시간-주파수 자원) 구체적인 자원 할당 정보(SA 자원 및 D2D data 자원)를 dynamic control signal를 통해 단말로 알려주는 것도 가능하다.이 경우, scheduling assignment for direct communication는 direct data communication에 사용되는 구체적인 자원 할당 정보(e.g. 상대적인 위치정보, offset 정보 등 활용하여)를 전달할 수 있다.즉, 단말은 SA 및 data 자원 pool을 SIB로 수신하고, 구체적인 SA 및 data 전송 자원을 SA를 통해서 할당받을 수 있다.단말이 다수의 resource pool을 미리 할당받은 경우, 상기 할당받은 resource pool 중에 하나 또는 몇 개를 가리키는 용도로 SA 가 사용될 수도 있다.상기 표 3에서, Out-coverage 시나리오의 경우, 단말은 pre-configured 또는 coverage UE로부터 전달 받은 resource configuration 정보에 기초하여 SA resource pool 및 data resource pool을 알 수 있다.여기서, 만약 단말이 SA 및 D2D data 전송을 위한 구체적인 자원을 결정해야 하는 경우, 단말은 스스로 SA 자원을 선택할 수 있다.이후, 상기 단말은 SA contents에 D2D data 전송과 관련하여 할당된 자원을 포함하여 D2D 수신 단말로 전송함으로써, 상기 D2D 수신 단말이 D2D data를 수신하는 자원 영역을 알 수 있도록 할 수 있다.여기서, SA contents에 포함되는 정보를 줄이기 위해서, SA가 검출된 자원 영역 정보(time, frequency index 등)를 D2D data 자원 할당 정보의 일부분으로 활용될 수 있도록 할 수도 있다.즉, SA 자원 관련 정보와 SA contents 정보를 함께 사용하여 최종 자원 영역을 계산하는 것이다.예를 들어, SA (전송) 자원 관련 parameter는 D2D data 자원 영역의 시간 영역 정보(e.g. time domain parameter, subframe index)만을 얻는 데 사용되고, SA에서 전달되는 정보는 주파수 영역 정보(e.g. frequency domain parameter, RB index등)를 알려주는 용도로 활용할 수 있다.또는, SA 자원 관련 parameter는 D2D data 자원의 절대 위치를 지정하는 데 사용하고(time, frequency index), SA contents에 포함되는 자원 할당 정보는 D2D data 자원의 상대적인 위치를 알리는데 사용할 수 있다.또는, 상기 SA (전송) 자원 관련 parameter는 random back-off 또는 전송 확률 값 등을 알려주는 데 사용할 수도 있다.또한, 기지국에서 D2D 송신 단말로 전송되는 Signaling contents는 direct scheduling assignment을 위한 Resource configuration, MCS 등을 포함할 수 있다.상기 Signaling contents는 DCI(Downlink Control Information) 또는 scheduling grant(SG)로 표현될 수 있다.이하에서, eNB dynamic control signal과 SA 전송 시간 사이의 타이밍 관계에 대해 좀 더 구체적으로 살펴보기로 한다.SIB(System Information Block)를 통해 D2D resource pool이 할당되고, 단말이 상기 할당된 D2D resource pool에 기초하여 SA 자원 및 D2D data 전송을 위한 자원을 스스로 결정하는 경우, PDCCH/EPDCCH 등과 같은 eNB dynamic control signal은 필요하지 않을 수도 있다.하지만, in-coverage 시나리오와 같이, eNB에 의해서 모든 자원이 관리되는 상황에서는 D2D SA, direct data 용 자원 할당에 eNB가 실시간으로 control하는 것이 자원 활용을 더 효율적으로 할 수 있다. 이 경우, eNB dynamic control signal은 필요하게 된다.따라서, eNB dynamic control signal (e.g. DCI를 활용한 scheduling grant, MAC CE 등)을 사용하는 방법 및 eNB dynamic control signal(eNB scheduling grant for SA and/or data for D2D)을 수신한 D2D 전송 단말이 언제 SA를 D2D 수신 단말로 전송해야 하는지에 대한 명확한 정의가 필요하다.앞서 살핀 바와 같이, eNB는 SG를 (1) SA 전송에 관한 scheduling 뿐만 아니라 (2) data 전송에 관한 scheduling을 위해서 D2D 단말로 전송할 수 있다.여기서, 스케쥴링이란 D2D 전송과 관련된 스케쥴링을 의미할 수 있으며, 스케쥴링 정보는 자원 할당 정보, MCS, RV, NDI 등을 포함할 수 있다.또는, eNB는 하나의 SG를 SA 전송에 관한 스케쥴링인지 또는 D2D data 전송에 관한 스케쥴링인지를 지시하기 위해 D2D 단말로 전송할 수 있다.이 경우, SA와 data 간에 implicit association이 형성되어 D2D 단말에서 각각의(SA, Data) scheduled information을 추정할 수 있도록 구현될 수 있다.예를 들어, D2D 단말은 eNB로부터 SA 전송과 관련된 SG를 수신하고, SA와 linkage가 있는 D2D data 전송 자원의 위치 또는 대략적인 위치를 파악할 수 있다(또는 scheduling information도 마찬가지).또는, 이와 반대로 D2D 단말은 eNB로부터 data 전송과 관련된 SG를 수신하고, data와 linkage가 있는 SA 전송과 관련된 자원 위치와 관련 정보를 파악할 수도 있다.아래 방법 1 내지 방법 4는 기지국에서 D2D 전송 단말로 전송하는 dynamic control signal과 D2D 전송 단말에서 D2D 수신 단말로 전송하는 SA 사이의 타이밍 관계를 나타낸다.즉, 방법 1 내지 방법 4를 통해 기지국으로부터 Scheduling Grant reception(DCI)와 D2D 전송 단말에서 D2D 수신 단말로의 Scheduling Assignment transmission 및/또는 data transmission 간 타이밍 관계에 대해 도 22 내지 도 25를 참조하여 구체적으로 살펴보기로 한다.방법 1도 22는 본 명세서에서 제안하는 D2D 단말에서의 SG 수신과 SA 전송 간의 타이밍 관계의 일 예를 나타낸 도이다.도 22는 D2D SA(scheduling assignment) SF(subframe)이 주기적으로 설정된 경우, D2D 전송 단말이 D2D SA SF 주기(또는 PSCCH period,2201) 사이에 기지국으로부터 scheduling grant(SG)를 수신하면(S2210), 상기 D2D 전송 단말은 상기 수신된 SG SF 이후 최초로 도래하는 D2D SA SF(2202)에서 scheduling assignment를 전송(S2220)하는 것을 나타낸다.방법 2도 23은 본 명세서에서 제안하는 D2D 단말에서의 SG 수신과 SA 전송 간의 타이밍 관계의 일 예를 나타낸 순서도이다.도 23은 D2D 전송 단말이 기지국으로부터 SG 수신 이후, 단말(또는 시스템)의 프로세싱 시간을 고려하여 D2D 수신 단말로 SA를 전송하는 방법을 나타낸다.즉, D2D 전송 단말은 eNB로부터 SG를 수신하고, 상기 수신된 SG에 기초하여 SA를 구성해서 D2D 수신 단말로 전송하는데 소요되는 시간 즉, processing delay를 고려하여 SA를 전송하는 방법이다.여기서, processing delay를 고려할 때, D2D 전송 단말의 SA 전송은 기지국으로부터 수신하는 SG 서브프레임(subframe #n) 이후 4번째 서브프레임(subframe #n+4)에서 전송하는 것이 바람직할 수 있다.즉, D2D 전송 단말이 SG를 subframe #n에서 수신(S2301)한 경우, D2D 전송 단말은 SA를 subframe #n+4(2301)에서 D2D 수신 단말로 전송(S2302)할 수 있다.여기서, subframe #n+4(2301)가 D2D SA subframe이 아닌 경우에는 상기 subframe #n+4 이후 처음으로 도래하는 D2D SA subframe(2302)에서 전송하도록 정의한다.반대로, D2D 전송 단말이 subframe #n에서 SG를 기지국으로부터 수신하고, 이후 최초 도래하는 D2D SA SF이 subframe #n+4 이내에 존재하면, 상기 D2D 전송 단말은 상기 D2D SA SF이 valid 또는 available 하지 않다고 판단한다.따라서, 상기 D2D 전송 단말은 상기 D2D SA를 그 이후(또는 다음 주기의) available D2D SA SF에서 전송한다.상기 n+4는 일 실시 예로서, n+k로 즉, SG 수신 이후, k번째 SA SF에서 D2D SA를 전송하도록 일반화할 수 있다.상기 k 값은 향후 기술의 발전 및 단말의 성능 등을 고려해서 configure 할 수 있다.또한, 상기 k 값은 단말의 capability에 따라서 단말 별로 다르게 설정될 수 있다.도 23a는 subframe #n+k에서 SA를 전송하는 방법의 일 예를 나타내며, 도 23b는 subframe #n+k 이후 처음으로 도래하는 SA SF에서 SA를 전송하는 방법의 일 예를 나타낸다.상기 k 값 설정과 관련하여, LTE(-A) 시스템에서와 다른 점은 자원을 명시적으로 할당하는 것이 아니라, D2D resource pool을 정하고 여기서 다시 자원을 선택해서 전송하며, 자원 간 충돌을 허용하는 경우에는 단말간 다른 값으로 설정해서 운영하는 점이다.도 23의 방법은 D2D Data transmission에도 동일하게 적용될 수 있다.즉, D2D 단말이 eNB로부터 D2D Data transmission과 관련된 제어 정보(또는 스케쥴링 정보)를 subframe n에서 수신하는 경우, D2D 단말의 프로세싱 시간을 고려하여 D2D 단말은 D2D 데이터를 subframe n+k’에서 전송할 수 있다.상기 D2D Data transmission과 관련된 제어 정보는 D2D Data transmission의 자원 할당과 관련된 SG 또는 SA일 수 있다.k’ 값은 SA 전송 시점의 k값과 다르게 설정될 수 있다.일반적으로 D2D Data transmission이 좀 더 늦게 발생할 확률이 높은 것을 고려하면 k’ 003e# (or =) k 관계가 성립할 수 있다.방법 3다음으로, SA SF group으로 configure된 경우 즉, 다수의 SF들이 SA용으로 할당되어 운영되는 경우에 대해 살펴본다.도 24는 본 명세서에서 제안하는 D2D 단말에서의 SG 수신과 SA 전송 간의 타이밍 관계의 또 다른 일 예를 나타낸 도이다.D2D 전송 단말이 SF #n에서 기지국으로부터 SG(resource allocation DCI)를 수신하는 경우, D2D 전송 단말이 n+4 이후의 첫 번째 SA SF에서 SA를 D2D 수신 단말로 전송하는 방법을 나타낸다.여기서, n+4 이후의 첫 번째 SA SF이 M개의 연속된 SA SF 그룹인 경우, SF #n에서 SG를 수신(S2410)하는 경우, n+4 이후 처음 만나는 SA SF group에서 SA를 전송한다(S2430).상기 SA SF group 내 M 개의 SF들 중 어떤 SF에서 SA를 전송할지에 대해서는 상기 SG를 통해 최종적으로 알 수 있게 된다(S2420).또한, SA 또는 Data 전송 SF(subframe)이 다수의 subframes로 구성된 경우에는 SA 또는 Data 전송 subframe의 위치를 결정하는데 DCI format의 특정 bit(또는 특정 필드)를 활용할 수 있다.일 예로서, DCI format 0/1을 구분하는 bit, hopping bit 또는 RA bit의 일부 또는 전체를 SA 또는 Data 전송 subframe의 위치를 결정하기 위해 사용할 수 있다.또한, SG는 SA용과 data용으로 구분할 수 있으며, 필요 시 특수 용도로 더 구분할 수도 있다.따라서, 상기 DCI format 0/1을 구분하는 bit, hopping bit, RA 비트의 일부 또는 전체를 상기 SG의 용도를 구분하기 위해 사용할 수도 있다.방법 4다음으로, RRC(Radio Resource Control)를 통해 SA SF의 위치를 알려주는 방법에 대해 살펴본다.도 25는 본 명세서에서 제안하는 D2D 단말에서의 SG 수신과 SA 전송 간의 타이밍 관계의 또 다른 일 예를 나타낸 도이다.도 25는 RRC로 SA SF의 위치를 미리 알려주고(S2510), 단순히 SG(e.g. PDCCH DCI)는 상기 SA SF를 사용할 수 있다는 activation 용도로만 사용(S2520)하는 방법이다.이 경우, RRC signaling과 activation DCI 사이의 연관성을 파악할 수 있도록 특수한 index를 정의할 수 있다.즉, SA SF의 activation을 나타내는 DCI는 어떤 index의 RRC를 지칭하는 것인지 알려주도록 정의할 수 있다.DCI 즉, SG는 RRC로 전송되는 SA SF 또는 SF set의 activation을 정확하게 indication 해준다. 여기서, 상기 DCI와 매핑되는 일련의 idex로 구성되는 RRC set은 사전에 지정될 수 있다.그리고, D2D 전송 단말은 SG에 의해 activation이 indication된 SA SF을 통해 SA를 D2D 수신 단말로 전송한다(S2530).도 25의 RRC 시그널링을 통해 SA 자원 및/또는 D2D Data 자원의 시간 위치를 알려주는 방법에 대해 후술할 도 30 내지 도 33에서 좀 더 구체적으로 살펴보기로 한다.다음으로, 본 명세서에서 제안하는 D2D 단말에서 SA 전송과 D2D data 전송 사이의 타이밍 관계에 대해 도 26 내지 도 28을 참고하여 구체적으로 살펴보기로 한다.도 26은 본 명세서에서 제안하는 D2D SA 전송과 D2D data 전송 간의 타이밍 관계의 일 예를 나타낸 도이다.D2D SA SF과 D2D data SF 간 타이밍은 사전에 정해진 규칙에 따라서 D2D data를 implicit하게 송/수신하는 것이 바람직할 수 있다.도 26의 경우, 앞서 살핀 도 23의 SG와 SA의 타이밍 관계처럼, D2D 전송 단말은 D2D 수신 단말로 SA를 subframe #n에서 전송(S2610)하고, n+k 이후의 처음으로 도래하는 available D2D data SF(2601)에서 상기 D2D 수신 단말로 D2D data를 전송(S2620)하는 방법을 나타낸다.마찬가지로, 상기 k 값은 configurable하며, 단말마다 다른 값을 가지도록 configure 할 수도 있다.또한, 앞서 살핀 도 24의 SG와 SA 타이밍 관계처럼, available D2D data SF group을 알려주고 D2D data SF group 내 특정 SF(e.g. subframe #m)을 별도로 indication하는 것도 가능하다.이 경우, 상기 특정 SF을 indication하는 parameter(k)는 SA contents에 포함될 수 있다.상기 indication parameter k 값의 해석은 아래와 같은 조건에 따라서 서로 다르게 해석될 수도 있다.즉, 상기 indication parameter k 값은 UE 별, 자원 영역 위치, UE 그룹, Scenario(in-coverage, out-coverage, edge-of-coverage)에 따라서 다르게 해석될 수 있다.도 27은 본 명세서에서 제안하는 D2D SA 전송과 D2D data 전송 간의 타이밍 관계의 또 다른 일 예를 나타낸 도이다.도 27은 도 26과 달리, D2D SA SF이 결정되면(subframe #n)(S2710), D2D data SF이 n+k 이내(2701)에 전송(S2720) 가능하도록 하는 방법을 나타낸다.여기서, D2D SA SF의 바로 다음 SF에 D2D data가 전송되어도 이를 단말에서 사전에 알고 있는 경우에는 큰 문제가 없게 된다.이 경우, D2D 수신 단말은 프로세싱 시간(또는 프로세싱 지연)을 고려하여 SA SF buffering과 함께 이후에 수신되는 data SF buffering도 함께 준비함으로써, D2D data의 decoding을 가능하게 할 수 있다.여기서, 상기 k 값은 configurable하며, 단말마다 다른 값을 가지도록 configure 할 수도 있다.도 28은 본 명세서에서 제안하는 D2D SA 전송과 D2D data 전송 간의 타이밍 관계의 또 다른 일 예를 나타낸 도이다.즉, 도 28은 명시적으로 SA에서 D2D data SF을 직접 indication 해주는 방법을 나타낸다.D2D 수신 단말이 SA를 subframe #n에서 수신(S2810)한다고 할 때, D2D 전송 단말은 D2D data를 수신하는 subframe #n+k(S2820)에서 상기 k 값을 SA contents의 일부로부터 또는 SA 전송 자원 parameter로부터 계산해서 D2D 수신 단말에게 명시적으로 알려줄 수 있다.다음으로, SA contents의 유효 기간(valid period)과 관련된 D2D data 전송 방법에 대해 살펴보기로 한다.SA contents는 SA 전송을 위한 자원 영역에 MCS 값, Frequency Hopping 여부, Frequency Hopping과 관련된 자원 할당 등이 적용 또는 설정된 SA 정보를 나타낼 수 있다.도 29는 본 명세서에서 제안하는 D2D data 송수신 방법의 일 예를 나타낸 순서도이다.도 29의 경우, D2D SA SF이 주기적으로 설정되는 경우, SA SF 전송 주기 사이의 D2D data는 동일한 SA 값을 이용하여 전송한다고 가정한다.이 경우, D2D data를 수신하는 D2D 수신 단말은 D2D 전송 단말로부터 한 번 수신된 SA 값을 통해서 다수의 D2D data를 수신할 수 있게 된다.즉, D2D 수신 단말은 multi data subframe에 대해서 동일한 하나의 SA 값이 적용된다고 판단할 수 있다.도 29를 참조하면, D2D 수신 단말은 주기적으로 설정된 SA subframe을 통해 SA를 D2D 전송 단말로부터 수신한다(S2910).이후, 상기 D2D 수신 단말은 일정 시간 구간 동안 상기 D2D 전송 단말로부터 전송되는 적어도 하나의 D2D data를 상기 수신된 SA를 이용하여 수신한다(S2920).상기 일정 시간 구간은 상기 SA를 수신한 SA period, SA contents 유효 시간 구간 등일 수 있다.상기 SA contents 유효 시간 구간은 사전에 정해질 수 있으며, 단순히 SF index로 정의될 수 있거나 또는 SA SF 주기의 배수로 정의될 수도 있다.또한, 상기 SA contents 유효 시간 구간은 SA SF 과 normal SF의 결합으로 정의되거나 D2D data SF 주기 또는 이의 배수로 정의될 수도 있다.여기서, SF은 normal SF index를 의미할 수도 있고 또는 D2D SF index를 의미할 수도 있다.여기서, 상기 SA는 상기 일정 시간 구간 동안 다수의 D2D data가 있는 경우, 상기 다수의 D2D data와 관련된 자원 할당 정보를 포함한다.즉, 상기 D2D 수신 단말은 상기 일정 시간 구간 동안에는 추가적으로 SA를 수신하지 않고도 S2910 단계에서 수신된 SA에 기초하여 다수의 D2D data를 수신할 수 있다.또 다른 실시 예로서, D2D control information은 SA를 통해 전송되는 control information과 D2D data에 embedded되는(또는 포함되는) control information으로 분리되어 전송될 수도 있다.즉, control information의 속성을 활용하여 (1) direct SA를 통해서는 RA, MCS 등과 같은 control information을, (2) direct data를 통해서는 NDI 등과 같은 control information을 각각 분리하여 전송할 수 있다.도 30 내지 도 33은 본 명세서에서 제안하는 SA 자원 및/또는 D2D data 자원의 위치를 알려주기 위한 방법의 일 예들을 나타낸 도이다.도 30 및 도 31은 SA 자원 및/또는 D2D data 자원이 송수신 될 수 있는 subframe pattern을 이용하여 SA 및/또는 D2D Data를 송수신하기 위한 방법을 나타낸다.상기 SA 자원 및/또는 D2D data 자원이 송수신 될 수 있는 subframe pattern은 RPT(Resource Pattern for Transmission)로 표현될 수도 있다.상기 RPT는 D2D data TBs(Transport Blocks)에 대한 다수의 전송 기회를 보장하기 위한 시간 및/또는 주파수 자원을 의미한다.따라서, 상기 RPT는 T-RPT(Time-RPT) 또는 F-RPT(Frequency RPT)로 구분될 수 있다.구체적으로, 도 30은 SA 자원 및/또는 D2D data 자원과 관련된 subframe pattern을 D2D 단말로 명시적으로(explicitly) 알려주는 방법을 나타내며, 도 31은 SA 자원 및/또는 D2D data 자원과 관련된 subframe pattern을 D2D 단말로 암시적으로(implicitly) 전송하는 방법을 나타낸다.UE는 전체 UL subframe의 일부를 D2D subframe으로 사용한다.즉, UE는 전체 UL subframe 중 D2D subframe을 제외한 나머지 UL subframe에서 eNB와 통신을 수행한다.따라서, eNB-to-UE의 전송과 D2D Tx UE-D2D Rx UE의 전송은 동시에 발생하지 않는다.한편, UE는 D2D subframe에서 D2D 신호를 다른 UE로 전송하는 경우, 동일 D2D subframe의 동일 band에서 상기 다른 UE로부터 D2D 신호를 수신할 수 없다. 그 이유는 자신이 송신한 D2D 신호가 다른 UE로부터 D2D 신호를 수신할 때, 강한 간섭으로 작용하기 때문이다.따라서, 이를 해결하기 위해 D2D 신호를 송신하는 D2D 송신 subframe과 D2D 신호를 수신하는 D2D 수신 subframe 간 subframe pattern(또는 구성)을 상이하게 설정할 수 있다.또한, 하나의 UE에서 D2D 신호 송/수신으로 인한 간섭 문제를 해결하면서, 동시에 상호 인접한 두 UE들이 중복되는 시간 자원을 사용하는 확률을 줄여서 UE 상호 간의 간섭을 줄이기 위해 서로 다른 UE들이 D2D 신호를 송신하는 subframe의 pattern을 상이하게 설정할 수 있다.구체적으로, eNB는 각 UE들이 D2D 송신에 사용할 subframe pattern을 UE들 간 거리 등을 고려하여(상호 간섭 영향 정도를 파악하여) 설정해줌으로써 UE 상호 간 발생할 수 있는 간섭 문제를 해결할 수 있다.이 경우, eNB는 D2D 단말로 D2D 송신 subframe pattern들(3010)을 RRC 시그널링 등과 같은 상위 계층 시그널링(high layer signaling)을 통해 명시적으로 알려주게 된다.여기서, eNB는 D2D 송신 subframe pattern을 D2D 단말로 EPDCCH 또는 PDCCH를 통해 동적으로 설정해줄 수도 있다. 즉, EPDCCH 또는 PDCCH를 통해 D2D 송신 subframe pattern을 D2D 단말로 전송할 경우, UE의 위치 변화에 신속하게 적응하여 D2D 송신 suframe pattern을 설정할 수 있다는 장점이 있다.또 다른 방법으로, eNB의 Signaling burden을 줄이기 위해, D2D (송신) subframe pattern을 eNB가 정해서 알려주는 대신, 단말이 스스로 선택하도록 할 수도 있다.즉, D2D 단말이 D2D subframe pattern을 암시적으로 획득하게 하는 방법이다.이 경우, D2D 단말은 자신의 단말 ID (또는 이와 유사한 특징을 지닌 단말 고유의 parameter)에 기반하여 유사 랜덤 방식으로 D2D subframe pattern을 선택할 수 있다.또는, D2D 단말은 기지국으로부터 최소한의 signaling information을 수신하고, 이를 유사 랜덤 값을 결정하는 인자로 사용함으로써 유사 랜덤하게 subframe pattern을 선택하도록 할 수 있다.이러한 암시적인 subframe pattern 선택 방법을 이용하는 경우, 적정한 subframe pattern(또는 subframe set)이 주어지고, 이 중에서 random하게 subframe pattern을 선택하는 것만으로 앞서 살펴본 UE들 간 상호 간섭을 줄일 수 있게 된다.도 30에 도시된 바와 같이, eNB는 특정 UE에게 잠재적으로 사용할 수 있는 D2D 전송 관련 subframe pattern의 후보군(3010)을 RRC 시그널링과 같은 상위 계층 시그널링으로 전달하고, 이후 특정 시점에서 실제 D2D 전송에 사용할 하나 또는 하나 이상의 subframe pattern들(3020)을 EPDCCH나 PDCCH로 전송(또는 지정)해 줄 수 있다.구체적으로, eNB는 사전에 정의되는 N개의 subframe pattern들 즉, N개의 subframe pattern 후보군(subframe pattern #0, subframe pattern #1, subframe pattern #2,…)을 RRC 시그널링과 같은 상위 계층 시그널링을 통해 D2D 단말로 전송한다.이후, eNB는 상기 N개의 subframe pattern들(3010) 중 하나 또는 하나 이상의 subframe pattern을(3020) D2D 송신 subframe pattern으로 명시하여 PDCCH나 EPDCCH(Ehanced PDCCH)를 통해 D2D 단말로 전송한다.여기서, eNB는 사전에 정의되는 N개의 subframe pattern들을 D2D 단말로 전송하는 과정에서, subframe pattern #k(k=0,1,2,…)가(각 subframe pattern들이) 실제로 가지는 pattern이 어떠한 형태인지를(SF pattern #0(10001010), SF pattern #1(00111001),…) 일정한 주기로 반복되는 subframe의 bitmap 형태로 부여할 수 있다.또한, 도 31에 도시된 바와 같이, eNB는 특정 UE에게 잠재적으로 사용할 수 있는 D2D 전송 관련 subframe pattern의 후보군(3010)을 RRC 시그널링과 같은 상위 계층 시그널링으로 전달하고, 이를 수신한 D2D 단말은 특정 시점에서 실제의 송신에 사용할 subframe pattern(3120)을 UE identification parameter(예: UE ID,3110)를 이용하여 선택할 수 있다.여기서, 상기 UE identification parameter(seed,3110)는 사전에 기지국으로부터 할당될 수 있다.이후, D2D 단말은 상기 선택된 subframe pattern을 통해 D2D 송수신을 수행할 수 있다.도 32 및 도 33은 본 명세서에서 제안하는 SA 자원 및/또는 D2D data 자원 관련 subframe pattern을 변경하는 방법의 일 예들을 나타낸 도이다.도 32는 명시적으로 변경된 subframe pattern을 알려주는 방법이며, 도 33은 암시적으로 변경된 subframe pattern을 알려주는 방법을 나타낸다.도 32 및 도 33에 도시된 바와 같이, 도 30 및 도 31을 통해 D2D 단말로 할당된 subframe pattern을 UE가 변경하는 동작을 나타낸다.도 32 및 도 33의 경우, 8ms 주기(8개 subframe)으로 반복되는 subframe pattern을 나타내며, eNB는 사전에 상위 계층 시그널링을 통해 subframe pattern #010001010(3210)과 subframe pattern #100111001(3210)을 D2D 단말로 전송할 수 있다.여기서, ‘1’의 값은 D2D 전송과 관련된 subframe으로 해당 subframe에서 D2D 전송 관련 신호를 송수신할 수 있음을 의미할 수 있다.또한, ‘0’의 값은 D2D 전송과 관련되지 않은 subframe으로 해당 subframe에서 D2D 전송 관련 신호를 송수신할 수 없음을 의미할 수 있다.상기 ‘0’의 값과 상기 ‘1’의 값의 의미는 바뀔 수도 있다.이후, eNB는 PDCCH 등을 통해 실제로 UE가 사용할 D2D subframe pattern(SF pattern #0,S3220)이 무엇인지를 지정해주며, UE는 그에 따라서 동작하게 된다.이후, eNB는 PDCCH를 통해(또는 다른 제어 정보 또는 다른 메시지 또는 RRC 시그널링) D2D subframe pattern이 변경된 경우, 상기 변경된 D2D subframe pattern을 알려주는 D2D subframe pattern 변경 정보(3230)를 D2D 단말로 전송한다.상기 D2D subframe pattern 변경 정보는 PDCCH나 EPDCCH 내의 일부 field를 이용하여 변경된 subframe pattern을 지정할 수 있다. D2D를 위한 DCI로 기존의 UL grant용 DCI를 재사용할 경우, DCI field 중 사용되지 않는 필드를 이용하여 변경된 subframe pattern을 지정하는 subframe pattern 변경 정보로 사용할 수 있다.상기 DCI field 중 사용되지 않는 필드로는 DCI format 0/1A를 구분하는 indicator, CQI request field, NDI field 등이 존재한다.복수의 bit를 사용하는 DM RS cyclic shift field 또는 MCS/RV field 중 일부를 사용할 수도 있다.만일, 단일의 PDCCH나 EPDCCH로 UE에게 scheduling assignment 송신을 위한 자원과 D2D data 송신을 위한 자원을 동시에 지정해주는 경우에는 상기 설명한 DCI 내의 field로 지정되는 각 state에 scheduling assignment를 위한 subframe pattern과 D2D data를 위한 subframe pattern이 각각 부여될 수 있다.도 33의 경우, UE는 D2D subframe pattern 후보군 중 실제로 사용할 D2D subframe pattern(SF pattern #0,3320)을 UE ID 등을 이용하여 랜덤하게 선택하며, UE는 그에 따라서 동작할 수 있다.여기서, eNB는 PDCCH 등을 통해(또는 다른 제어 정보 또는 다른 메시지 또는 RRC 시그널링) D2D subframe pattern이 변경되었음을 지시하는 D2D subframe pattern (change) indicator를 D2D 단말로 전송할 수 있다.이 경우, D2D 단말은 UE ID 등 Pseudo-random selection parameter(seed, D2D UE identification parameter)을 이용하여 랜덤하게 D2D subframe pattern(SF pattern #1,3330)을 다시 선택할 수 있다.여기서, UE ID 등은 eNB가 D2D 단말로 RRC 시그널링 등을 통해 미리 알려줄 수 있다.즉, UE가 유사 랜덤하게 subframe pattern을 선택 또는 재선택하는 경우, eNB는 유사 랜덤 값을 결정하는 parameter 또는 seed 값을 D2D 단말로 사전에 전달할 수 있다.또한, 패턴 없이 UE가 유사 랜덤 값을 이용하여 D2D 송신 subframe의 index를 결정할 수도 있다.이 경우도 유사 랜덤 값을 결정하는 parameter 또는 seed 값은 기지국으로부터 전달될 수 있다.또한, 이러한 유사 랜덤 값을 결정하는 signaling 정보에만 기반하여 subframe pattern 또는 subframe index를 UE가 결정할 수도 있지만, 여기에 단말이 가지는 고유의 값도 포함시켜 subframe pattern 또는 subframe index를 결정할 수도 있다.또 다른 일 예로서, D2D 수신 UE가 D2D 전송 UE로부터 전송되는 SA를 검출하기 위해 SA의 전송 대역폭을 획득하는 방법에 대해 살펴본다.이 경우, D2D 수신 UE가 SA의 전송 대역폭을 알기 위해 상기 SA의 전송 대역폭이 사전에 고정될 수 있다.이 경우, SG에 포함되는 자원 할당 필드(resource allocation field) 중 할당된 RBs의 개수(number of allocated RBs)에 해당하는 부분은 ‘0’과 같이 사전에 정해진 값으로 고정되거나 또는 사전에 고정된 SA의 전송 대역폭으로 정의될 수 있다.상기 SA의 전송 대역폭과 관련된 SG에 포함되는 필드(bit)는 SA 전송 대역폭의 용도 이외 다른 용도(예를 들어, SA SF group 내 실제 SA SF의 위치를 지정하는 용도)를 위해 사용될 수도 있다.이하에서는, D2D 전송을 위한 eNB-to-D2D Tx(and/or D2D Rx)의 UE scheduling에 대해 도 34 내지 도 37을 참조하여 살펴보기로 한다.도 34는 본 명세서에서 제안하는 D2D 전송을 위한 UE scheduling 방법의 일 예를 나타낸 흐름도이다.먼저, eNB는 D2D 송신(Tx) UE 또는 D2D 수신(Rx) UE와 scheduling grant(SG) 절차를 수행한다(Step#1,S3410).즉, eNB는 D2D Tx UE 또는 D2D Rx UE로 D2D 전송과 관련된 SG를 전송한다.상기 SG 절차(Step#1)은 아래와 같이 두 가지 방법으로 구분될 수 있다.(1) 첫 번째 방법(Method#1)은 RRC signaling을 통해 D2D 전송 관련 자원을 할당하고, 이후 추가적으로, physical/MAC control channel (e.g. PDCCH)를 통해서 상기 할당된 자원의 activation/release와 같은 세부 동작을 동적으로(dynamic) 제어하는 방법이다.(2) 두 번째 방법(Method#2)는 D2D 전송 관련 자원 할당 및/또는 D2D 전송과 관련된 scheduling information을 physical/MAC control channel을 통해 전송함으로써, D2D 동작을 제어하는 방법이다.상기 (1) 및 (2)의 방법에서, D2D 단말은 D2D 통신과 관련된 scheduling information (MCS, RV, DM RS parameters,…)를 eNB로부터 수신하여 결정하거나 또는 D2D UE가 스스로 결정할 수 있다.상기 scheduling information에 자원 할당 정보가 포함될 수도 있으며, scheduling information와 자원 할당 정보가 따로 구분되어 해석될 수도 있다.D2D UE가 eNB로부터 D2D 전송과 관련된 scheduling information을 상기 (1)의 방법을 통해 수신하는 경우, 상기 scheduling information을 RRC signal 및/또는 PDCCH 등과 같은 control channel을 통해 수신할 수 있다.여기서, D2D UE가 eNB로부터 RRC signaling으로 상기 scheduling information을 수신하는 경우, PDCCH의 DCI format에 D2D 전송과 관련된 MCS, RV, DM RS parameter 등과 같은 필드는 불필요하게 된다.따라서, PDCCH의 DCI format에 D2D 전송과 관련된 필드들을 포함할 수 있도록 정의된 경우, 상기 불필요한 필드를 없애서 DCI format의 총 길이를 줄이거나 또는 zero padding등의 기술을 적용하여 동일한 길이의 DCI format으로 만들어 전송할 수 있다.마찬가지로, UE가 MCS, RV 등 스케쥴링 정보를 직접 결정하는 경우, (1) 또는 (2)의 방법에서 전송되는 PDCCH 내 MCS, RV 등 스케쥴링 정보와 관련된contents 필드는 불필요하게 된다.따라서, 상기 불필요한 필드를 없애거나 또는 zero padding하는 방법을 적용할 수 있다.(1)의 방법은 후술할 도 35에서, (2)의 방법은 후술할 도 36에서 좀 더 구체적으로 살펴보기로 한다.이후, D2D 송신 단말은 D2D 수신 단말과 D2D data 송수신을 위해 D2D data 전송 관련 스케쥴링 절차를 수행한다(Step#2,S3420). 즉, SA 전송 절차를 수행한다.Step#2는 상기 Step#1에 사용된 방법들과 함께 사용될 수 있다.여기서, SA에 포함될 수 있는 정보들은 아래와 같을 수 있으며, 특히 D2D data 수신을 위한 자원과 관련된 정보들이 상기 SA에 포함될 수 있다.SA 전송과 관련된 스케쥴링 정보(자원 할당 정보 포함)는 기지국에서 D2D 전송 단말로 (SG를 통해) 전송되며, SA 전송은 D2D 전송 단말에서 D2D 수신 단말로 전송되는 것으로 해석될 수 있다.Information related to resources for data reception: D2D data 수신을 위한 자원과 관련된 정보RB assignment: RB 할당 정보Number and pattern of retransmissions: 재전송 횟수 및 패턴 정보Frequency hopping pattern: 주파수 호핑 패턴 정보SPS (incl. periodicity) of data: data의 주기성 정보Target ID: D2D 수신 단말의 ID 정보MCS/RV of dataTiming advance of data다음, D2D 송신 단말이 eNB로부터 SG를 수신하고, D2D 수신 단말로 SA를 전송하는 시점을 결정하기 위한 방법에 대해 살펴본다.상기 수신된 SG에는 SA와 관련된 스케쥴링 정보(자원 할당 정보 포함)가 포함될 수 있다.먼저, 기지국은 D2D Tx 단말이 SA를 전송할 수 있는 D2D 송신 subframe을 알고 있다고 가정한다.기지국은 SA 전송 subframe(n)의 n-k1 (k1은 정수) subframe에 D2D 송신 단말로 SG를 전송함으로써, D2D 송신 단말이 D2D 수신 단말로 SA를 전송할 수 있다.LTE(-A) 시스템에서 단말의 receiver 처리 능력을 고려하면, k1 값은 4 내외가 될 수 있다.기술의 진화에 따라 상기 k1 값은 2 또는 3도 가능할 수 있다.상기 SG를 수신한 D2D 송신 단말은 상기 수신된 SG를 통해 동시에 D2D data 전송 subframe의 위치도 함께 파악할 수 있다.즉, SG의 용도는 SA scheduling 뿐만 아니라, D2D data 전송에 관여하여 D2D data 전송 시점(subframe), 주파수 자원 할당 등까지도 사용될 수 있다.다음, D2D 송신 단말이 기지국으로부터 SG를 수신하고, 일정 시간 후에 SA전송 유효 자원에서 D2D 수신 단말로 SA를 전송하는 방법에 대해 살펴보기로 한다.상기 수신된 SG는 SA 전송 관련 스케쥴링 정보를 포함할 수 있다.eNB는 SA 전송 유효 subframe을 구체적으로 파악하지 않고, D2D 송신 단말로부터 D2D 전송 자원에 대한 요청 시점에 기초하여, 상기 D2D 송신 단말로 SG를 전송한다.즉, D2D 송신 단말은 기지국으로부터 SG를 수신하면, 상기 수신된 SG를 기반으로 SA를 생성한다.이후, D2D 송신 단말은 생성된 SA를 SA가 전송될 수 있는 SA available subframe을 파악하여 available 또는 valid D2D subframe (SA 전송 측면에서 valid한 subframe)에서 D2D 수신 단말로 상기 생성된 SA를 전송한다.여기서, D2D 송신 단말은 기지국으로부터 SG를 수신하고, 다음 subframe이 available 하다고 해서 SA를 바로 D2D 수신 단말로 전송할 수 없을 수 있다. 그 이유는 D2D 송신 단말이 SG를 받아서 수신 처리를 하고, 수신된 SA와 관련된 정보인 SG를 이용하여 SA를 생성하고, D2D data에 대한 전송 준비를 위해서 n+k2만큼의 시간이 필요하다.여기서, k2는 정수 값을 가진다. 기술의 발전에 따라 상기 k2 값은 2 또는 3까지도 가능할 수 있다. 즉, 단말의 수신 능력에 따라서 k2는 1, 2, 3, 4 등 다양한 값을 가질 수 있다.만약, k2=4인 경우, D2D 송신 단말은 기지국으로부터 SG를 수신하고 4 subframe 이후에 D2D 수신 단말로 SA를 전송한다.다만, D2D 송신 단말은 4 subframe 직후에 SA 전송을 위한 available subframe이 존재하지 않으면 그 다음 subframe에 SA를 D2D 수신 단말로 전송한다.만약, 그 다음 available subframe이 존재하지 않은 경우, 또 그 다음 subframe에서 SA가 전송될 수 있다.즉, n+4 이후의 subframe 중 가장 빠른 SA available subframe에서 SA가 전송되는 것으로 해석할 수 있다.여기서, SA 전송이 불가능한 subframe은 D2D 전송으로 지정되지 않은 모든 subframe이 해당될 수 있다.또는, subframe 0 및 5와 같이 synchronization signal이 전송되는 subframe은 상기 SA available subframe에서 제외될 수 있다.또는, subframe 0, 4, 5, 9와 같이 paging subframe이 전송되는 subframe도 상기 SA available subframe에서 제외될 수 있다.여기서, D2D subframe으로 지정되었다고 할지라도 D2D 필수 정보를 전달하기 위한 채널이 (상기 WAN synchronization signal, BCH channel과 유사한 채널) 특정 D2D subframe에 정해지면, 상기 특정 D2D subframe은 상기 SA available subframe에서 제외될 수 있다.또는, SA 전송을 위한 전용 subframe을 configure 해두고, 이러한 SA 전용 subframe에서만 SA를 전송하도록 할 수도 있다.즉, D2D 송신 단말은 기지국으로부터 SG를 수신하고(subframe n), n+k3 subframe 이후에 SA (전송) available subframe에서 SA를 D2D 수신 단말로 전송할 수 있다.여기서, SG를 수신한 D2D 단말은 동시에 data 전송 subframe 위치도 함께 파악할 수 있다. 즉, SG는 SA scheduling을 넘어서 data 전송에 관여하여 data 전송 시점(subframe), 주파수 자원 할당 등에도 사용될 수 있다.이후, D2D 송신 단말은 SA에 기초하여 D2D 수신 단말로 D2D data를 전송한다(Step#3,S3430).이 때, D2D 송신 단말은 D2D data와 함께 필요한 제어 정보를 전송할 수 있다.상기 제어 정보는 D2D data에 piggyback 형태로 전송될 수 있다.다음, SG의 유효성에 대해 살펴본다.D2D 단말이 SG1을 기지국으로부터 수신하고, 그 이후 SG2를 기지국으로부터 수신하는 경우, D2D 단말은 상기 수신된 SG1은 더 이상 유효하지 않다고 판단할 수 있다.SG에 대한 유효성 판단 시점은 이후에 전송되는 SG 즉, SG2를 수신하고 나서(subframe n) n+k4 subframe 이후에 적용될 수 있다.여기서, k4 값은 정수이며, 실질적으로 SG2가 적용될 수 있는 시점을 고려하면, 2, 3, 4 등의 값을 가질 것이다.또한, 기지국은 SG1과 SG2를 동일 시간에 함께 D2D 단말로 전송할 수도 있다.이 경우, 상기 SG1과 상기 SG2는 하나의 DCI format으로 병합되어 전송될 수 있다.각 SG에 대해 별도의 channel coding을 수행할 경우, D2D 단말은 각 SG에 대한 수신 성공 확률이 높아질 수 있다.앞서 살핀 것처럼, D2D 단말은 각 SG에 대한 수신 여부의 결과를 eNB에 feedback 할 수 있으며, SG 수신 여부의 결과를 feedback하는 채널로 PUCCH를 이용할 수 있다.또한, D2D 단말의 전송 전력 제어는 SG를 통해서 구현 가능할 수 있다.이 경우, 기지국은 TPC field를 활용하거나 DCI format 3/3A를 활용하여 TPC command를 D2D 단말로 전송하여, D2D 단말의 전송 전력을 제어할 수 있다.DCI format 3/3A를 사용하는 경우에는 해당 포맷의 특정 field를 D2D power control로 reserved 해서 사용할 수도 있다.이는 사전에 RRC signaling을 통해서 D2D 전력 제어 용도인지 아니면 LTE(-A) 전력 제어 용도인지를 partitioning할 수 있다.또한, 상기 SG는 사용 가능한 유효 시간이 정해질 수 있다.즉, D2D 단말이 기지국으로부터 SG를 수신하고, 일정 시간(또는 일정 수의 subframe)이 지나거나 또는 일정 수의 D2D subframe이 지나면 자동으로 상기 수신된 SG를 폐기(discard)할 수 있다.또는, SG timer를 새로 정의함으로써, SG timer가 expired되는 경우, SG는 invalid 되었다고 간주되도록 구현할 수도 있다.또는, D2D 단말이 다음 SG를 수신할 때까지 이전 SG가 유효하다고 정의할 수도 있다.또는, D2D 단말은 SG 수신 후, 일정 시간 또는 일정 수의 subframe이 지나면 해당 SG를 폐기하지만, 그 전에 또 다른 SG를 기지국으로부터 수신하는 경우, 일정 시간이 지나지 않아도 이전에 전송된 SG를 폐기할 수도 있다.도 35는 본 명세서에서 제안하는 RRC signaling을 이용하여 D2D 전송을 위한 UE scheduling 방법의 일 예를 나타낸 도이다.즉, 도 35는 도 34에서 S3410 단계를 구체화한 방법을 나타낸다.S3520 및 S3530 단계는 도 34의 S3420 및 S3430 단계와 동일하므로 차이가 나는 부분에 대해서만 살펴보기로 한다.먼저, eNB는 D2D Tx UE 또는 D2D Rx UE와 scheduling grant procedure를 수행한다(Step#1,S3510).도 34에서 살핀 것처럼, S3510 단계는 두 가지 방법을 통해 구현될 수 있다.(1) 첫 번째 방법(Method#1)은 RRC signaling을 통해 D2D 전송 관련 자원을 할당하고, 추가적으로 physical/MAC control channel (e.g. PDCCH)를 통해서 상기 할당된 자원에 대한 activation/release와 같은 세부 dynamic한 동작을 제어하는 방법이다.(2) 두 번째 방법(Method#2)는 D2D 전송 관련 자원 할당 및/또는 scheduling information을 physical/MAC control channel을 통해 전송하여 D2D 동작을 제어하는 방법이다.(1)의 방법(Method#1) 즉, RRC signal and dynamic control signal (e.g. (E)PDCCH, PHICH) based scheduling (e.g. semi-static scheduling) for SA (and data)에 대해 좀 더 구체적으로 살펴보기로 한다.(1)의 방법은 1) SA (and/or data) 전송을 위한 전체 자원 구성/할당을 위한 RRC signaling 전송(S3511)과 2) 1)을 통해 할당된 SA (and data) 자원의 활성화/해지(activation/release)를 위한 동적 제어 정보 전송(S3512) 방법으로 구분할 수 있다.먼저, RRC signaling 전송에 대해 살펴본다.RRC signaling: overall resource configuration/allocation for SA (and data)eNB는 LTE SPS(Semi-Persistent Scheduling) scheduling 방법과 유사하게 RRC signaling을 통해서 D2D 전송 관련 특정 자원 (또는 특정 자원 set/group)을 D2D 단말로 할당한다.또한, 유사한 방법으로, eNB는 D2D 수신을 위한 monitoring 자원도 D2D단말로 할당할 수 있다.상기 특정 자원 영역은 subframe(s), a set of resource blocks 등일 수 있다.따라서, D2D 단말은 상기 특정 자원 영역을 monitoring하여 D2D data 또는 SA를 blind demodulation(또는 blind decoding) 할 수 있다.Monitoring 자원이란 SA 및/또는 D2D Data(Tx-to-Rx for D2D)를 D2D 단말에서 blind decoding하도록 하기 위해 monitoring 하라고 알려준 자원을 의미할 수 있다.본 명세서에서 사용하는 ‘A 및/또는 B’의 의미는 A 또는 B 중 적어도 하나(A, B, A＆B)를 포함하는 개념과 동일한 의미로 해석될 수 있다.상기 (1)의 방법은 SA scheduling 뿐만 아니라 data 자원 영역을 알려주는, 즉 D2D data scheduling용으로도 사용될 수 있다.즉, (1)의 방법은 semi-persistent scheduling(SPS)과 유사하게 D2D 전송 관련 자원을 RRC로 할당하고, 물리계층 및 MAC 계층 제어 채널을 활용하여 dynamic하게 자원을 활성화하거나 해제하는 동작을 나타낸다.이와 관련된 좀 더 구체적인 내용은 앞서 살핀 도 30 내지 도 33을 참조하기로 한다.이후, S3520 및 S3530 단계를 수행한다.도 36은 본 명세서에서 제안하는 물리 계층 채널을 이용하여 D2D 전송을 위한 UE scheduling 방법의 일 예를 나타낸 도이다.즉, 도 36은 도 34에서 S3410 단계를 구체화한 방법을 나타낸다.S3620 및 S3630 단계는 도 34의 S3420 및 S3430 단계와 동일하므로 차이가 나는 부분에 대해서만 살펴보기로 한다.먼저, eNB는 D2D Tx UE 또는 D2D Rx UE와 scheduling grant procedure를 수행한다(Step#1,S3610).마찬가지로, 상기 Step#1은 두 가지 방법을 통해 구현될 수 있다.(1) 첫 번째 방법(Method#1)은 RRC signaling을 통해 D2D 전송 관련 자원을 할당하고, 추가적으로 physical/MAC control channel (e.g. PDCCH)를 통해서 상기 할당된 자원에 대한 activation/release와 같은 세부 dynamic한 동작을 제어하는 방법이다.(2) 두 번째 방법(Method#2)는 D2D 전송 관련 자원 할당 및/또는 scheduling information을 physical/MAC control channel을 통해 전송하여 D2D 동작을 제어하는 방법이다.본 명세서에서 사용하는 ‘A 및/또는 B’의 의미는 A 또는 B 중 적어도 하나를 포함하는 개념과 동일한 의미로 해석될 수 있다.도 36을 참조하여, (2)의 방법 즉, 동적 스케쥴링(dynamic scheduling)에 기반한 (Enhanced)PDCCH 전송 방법에 대해 살펴보기로 한다.(2)의 방법은 RRC에 의한 D2D 전송 관련 스케쥴링 정보(자원 할당 포함) 전송 대신 물리계층 (또는 MAC 계층 포함)에서 제어 정보 전달 채널(e.g. EPDCCH, PDCCH, PHICH, new channel)을 이용하여 D2D Tx UE (and/or D2D Rx UE)에게 resource allocation 뿐만 아니라 D2D data demodulation을 위한 MCS, RV, NDI, power control, PMI 등도 함께 알려주는 방법을 말한다(S3611). 상기 resource allocation, MCS, RV, NDI, power control, PMI 등을 D2D 전송과 관련된 스케쥴링 정보라고 할 수 있다.또한, SG의 용도는 상기 언급된 용도 이외에도 다양하게 정의될 수 있다.일 예로, SG는 D2D 전송 관련 scheduling information의 contents가 변화되었다는 사실을 알려주기 위한 용도로 사용될 수 있다.상기 변화의 의미는 변경, 삭제, 추가 등의 의미를 포함한다.이 경우, 상기 SG와 동일한 signaling format을 사용하는 경우와 다른 signaling format을 사용하는 경우로 구분할 수 있다.상기 SG에 포함되는 Scheduling information은 RRC signaling을 지정한 D2D 전송 관련 자원 영역의 변화 또는 해당 자원 영역에서 D2D Tx (and/or Rx) UE가 사용해야 할 자원의 변화를 의미하거나 또는 SG에 의해서 실질적으로 할당된 자원 영역의 변화 또는 자원 영역 그룹의 변화를 의미하거나 또는 SA contents의 일부 또는 전체의 변화를 의미할 수 있다.상기 SA contents에는 RA를 비롯하여 여러 가지 scheduling information이 포함되어 있으며, 이 중에 하나 또는 그 이상의 내용이 변화했음을 SG를 통해서 알려주게 된다.eNB는 SG의 bit field를 줄여서 compact한 형태의 새로운 SG를 만들어 사용할 수도 있다.또한, D2D 전송 관련 resource re-allocation과 같이 SG/SA update 를 구현하는 방법에는 PDCCH, EPDCCH 뿐만 아니라 PHICH를 사용하는 것도 가능하다.즉, eNB는 PHICH 자원을 이용하여 D2D 단말로 SG/SA에 변화가 있는지 여부를 알려주는 용도로 사용할 수 있다.D2D 단말은 SG/SA에 변화가 있음을 나타내는 정보를 포함하는 PHICH를 monitoring하여 상기 변화된 SG/SA를 수신할 수 있다.D2D 단말은 사전에 SG/SA modification notification을 eNB로부터 지정 시간 후 또는 지정 시간 구간에 modified SG/SA를 수신하게 된다.여기서, 상기 Modification notification은 두 가지 의미를 가질 수 있다.첫 번째 의미는, D2D 단말로 SA가 변경되어야 함을 알리고, 상기 변경된 SA를 알기 위해서 SG의 monitoring을 통해 상기 변경된 SA를 수신할 것을 의미한다.두 번째 의미는, D2D 단말로 특정 정해진 시점에 SG가 변경되었거나 변경될 예정이니 상기 변경되었거나 변경될 예정인 SG를 수신할 것을 알려주는 의미이다.앞서 살핀 바와 같이, SG는 SA scheduling 뿐만 아니라 data scheduling 용도로도 사용될 수 있다.이후, S3620 및 S3630 단계를 수행한다. 도 37은 본 명세서에서 제안하는 SG에 대한 HARQ 절차를 수행하는 방법의 일 예를 나타낸 흐름도이다.S3710, S3730 및 S3740단계는 도 34의 S3410 내지 S3430 단계와 동일하므로 차이가 나는 부분에 대해서만 살펴보기로 한다.S3710 단계 이후, D2D 단말과 기지국은 SG HARQ(Hybrid Automatic Retransmission reQuest) 절차를 수행한다(S3720).즉, D2D 단말이 기지국으로부터 SG를 수신하고, 다른 D2D 단말로 SA를 전송하는 시점 사이에 D2D 단말은 기지국으로 상기 수신된 SG에 대한 응답을 회신(또는 전송)할 수 있다. 상기 응답은 Ack 또는 Nack일 수 있다.상기 SG는 살핀 것처럼, SPS에서의 할당된 자원의 activation/de-activation과 같이 SA 및/또는 D2D Data 전송과 관련된 제어 정보이거나 resource allocation 정보일 수 있다.상기 SA 및/또는 D2D Data 전송과 관련된 제어 정보이거나 resource allocation 정보는 D2D 전송과 관련된 scheduling information로 나타낼 수 있다.S3720 단계의 SG HARQ 절차는 D2D 단말이 기지국으로부터 SG를 수신하지 못하게 되는 경우, 다른 D2D 단말로 SA 전송을 하지 못하거나 또는 이미 전송된 SA 내용에 대한 변경 사항을 적용하지 못하게 되어, 변경 이전의 SA를 지속적으로 전송하게 됨으로 인해 발생할 수 있는 성능 열화나 통신이 불가능한 상황이 초래되는 것을 방지하도록 할 수 있다.따라서, 상기 SG 수신 여부에 대한 confirmation이 필요하며, 이는 UL ACK/NACK mechanism를 활용할 수 있다.즉, 기존의 PUCCH structure 또는 embedded PUCCH to PUSCH 형태(UCI Piggyback)로 SG에 대한 응답(ACK/NACK)을 D2D 단말이 기지국으로 전송할 수 있다.여기서, SG가 PDCCH 또는 EPDCCH format 등의 mechanism을 따르게 되면, 상기 SG에 대한 응답은 상기 PDCCH 또는 EPDCCH의 각 DCI index에 연결된 PUCCH 자원을 이용하여 쉽게 활용할 수 있다.여기서, SG에 포함된 정보가 SA scheduling용과 D2D data scheduling용으로 분리되어 D2D 단말로 각각 수신되는 경우, D2D 단말은 각 SG의 수신 여부에 대한 응답을 각각 feedback 해줄 수 있다.또한, 상기 SG에 대한 응답은 최대 4가지 경우가 발생 가능하므로, 그 크기는 1 bit 내지 2 bit로 표현될 수 있다.여기서, 상기 SG에 대한 응답은 PUCCH를 통해 feedback 될 수 있다.본발명이적용될수있는장치일반도 38은 본 명세서에서 제안하는 방법들이 적용될 수 있는 무선 통신 장치의 내부 블록도의 일 예를 나타낸다.도 38을 참조하면, 무선 통신 시스템은 기지국(3810)과 기지국(3810) 영역 내에 위치한 다수의 단말(3820)을 포함한다. 기지국(3810)은 프로세서(processor, 3811), 메모리(memory, 3812) 및 RF부(radio frequency unit, 3813)을 포함한다. 프로세서(3811)는 앞서 도 1 내지 도 37에서 제안된 기능, 과정 및/또는 방법을 구현한다. 무선 인터페이스 프로토콜의 계층들은 프로세서(3811)에 의해 구현될 수 있다. 메모리(3812)는 프로세서(3811)와 연결되어, 프로세서(3811)를 구동하기 위한 다양한 정보를 저장한다. RF부(3813)는 프로세서(3811)와 연결되어, 무선 신호를 송신 및/또는 수신한다.단말(3820)은 프로세서(3821), 메모리(3822) 및 RF부(3823)을 포함한다. 프로세서(3821)는 앞서 도 1 내지 도 37에서 제안된 기능, 과정 및/또는 방법을 구현한다. 무선 인터페이스 프로토콜의 계층들은 프로세서(3821)에 의해 구현될 수 있다. 메모리(3822)는 프로세서(3821)와 연결되어, 프로세서(3821)를 구동하기 위한 다양한 정보를 저장한다. RF부(3823)는 프로세서(3821)와 연결되어, 무선 신호를 송신 및/또는 수신한다.메모리(3812, 3822)는 프로세서(3811, 3821) 내부 또는 외부에 있을 수 있고, 잘 알려진 다양한 수단으로 프로세서(3811, 3821)와 연결될 수 있다. 또한, 기지국(3810) 및/또는 단말(3820)은 한 개의 안테나(single antenna) 또는 다중 안테나(multiple antenna)를 가질 수 있다.이상에서 설명된 실시예들은 본 발명의 구성요소들과 특징들이 소정 형태로 결합된 것들이다. 각 구성요소 또는 특징은 별도의 명시적 언급이 없는 한 선택적인 것으로 고려되어야 한다. 각 구성요소 또는 특징은 다른 구성요소나 특징과 결합되지 않은 형태로 실시될 수 있다. 또한, 일부 구성요소들 및/또는 특징들을 결합하여 본 발명의 실시예를 구성하는 것도 가능하다. 본 발명의 실시예들에서 설명되는 동작들의 순서는 변경될 수 있다. 어느 실시예의 일부 구성이나 특징은 다른 실시예에 포함될 수 있고, 또는 다른 실시예의 대응하는 구성 또는 특징과 교체될 수 있다. 특허청구범위에서 명시적인 인용 관계가 있지 않은 청구항들을 결합하여 실시예를 구성하거나 출원 후의 보정에 의해 새로운 청구항으로 포함시킬 수 있음은 자명하다.본 발명에 따른 실시예는 다양한 수단, 예를 들어, 하드웨어, 펌웨어(firmware), 소프트웨어 또는 그것들의 결합 등에 의해 구현될 수 있다. 하드웨어에 의한 구현의 경우, 본 발명의 일 실시예는 하나 또는 그 이상의 ASICs(application specific integrated circuits), DSPs(digital signal processors), DSPDs(digital signal processing devices), PLDs(programmable logic devices), FPGAs(field programmable gate arrays), 프로세서, 콘트롤러, 마이크로 콘트롤러, 마이크로 프로세서 등에 의해 구현될 수 있다.펌웨어나 소프트웨어에 의한 구현의 경우, 본 발명의 일 실시예는 이상에서 설명된 기능 또는 동작들을 수행하는 모듈, 절차, 함수 등의 형태로 구현될 수 있다. 소프트웨어 코드는 메모리에 저장되어 프로세서에 의해 구동될 수 있다. 상기 메모리는 상기 프로세서 내부 또는 외부에 위치하여, 이미 공지된 다양한 수단에 의해 상기 프로세서와 데이터를 주고 받을 수 있다.본 발명은 본 발명의 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구체화될 수 있음은 당업자에게 자명하다. 따라서, 상술한 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니 되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다. [ 산업상 이용가능성 ] 본 명세서의 무선 통신 시스템에서 디스커버리 메시지 전송 방안은 3GPP LTE/LTE-A 시스템에 적용되는 예를 중심으로 설명하였으나, 3GPP LTE/LTE-A 시스템 이외에도 다양한 무선 통신 시스템에 적용하는 것이 가능하다.
본 명세서는 단말간 직접(Device-to-Device:D2D) 통신을 지원하는 무선 통신 시스템에서 데이터를 송수신하기 위한 방법에 있어서, 제 1 단말에 의해 수행되는 상기 방법은 기지국으로부터 D2D 통신과 관련된 제 1 제어 정보를 수신하는 단계; 상기 수신된 제 1 제어 정보에 기초하여 D2D data 전송과 관련된 자원 정보를 포함하는 제 2 제어 정보를 제 2 단말로 전송하는 단계; 및 상기 제 2 단말로 상기 D2D data를 전송하는 단계를 포함하되, 상기 제 1 제어 정보를 수신하는 단계는 상위 계층 시그널링(high layer signaling)을 통해 상기 D2D 통신과 관련된 자원 풀(resource pool)을 상기 기지국으로부터 할당 받는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
[ 발명의 명칭 ] 강판 가열 방법 및 강판 가열 장치STEEL PLATE HEATING METHOD AND STEEL PLATE HEATING DEVICE [ 기술분야 ] 본 발명은 강판을 가열하는 강판 가열 방법 및 강판 가열 장치에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 예를 들어, 고장력 강판을 사용한 자동차 부품재 등의 강판 성형 수단으로서 채용이 확대되고 있는 열간 프레스 성형은, 강판을 고온에서 성형함으로써, 변형 저항이 낮은 단계에서 성형할 수 있고, 게다가 냉각수의 분출에 의한 급냉에 의해 켄칭 경화시킴으로써, 성형 후의 변형 등의 성형 문제를 발생시키지 않고, 고강도이며 형상 정밀도가 높은 부품 등을 프레스 성형에 의해 제공할 수 있다.이와 같은 열간 프레스 성형 방법에 있어서는, 프레스 성형 전에 강판을 가열로에 의해 소정 온도, 예를 들어 700℃∼1000℃로 가열하고, 그 후 이 강판을 열간 프레스 성형 장치에 반송하여, 프레스 성형하고 있다.이와 같은 가열로에 의해 가열하는 기술로서는, 종래부터, 롤러에 의해 강판을 수평하게 지지하고, 노 내를 롤러에 의해 반송하면서, 노 내의 예를 들어 상하로 설치한 히터에 의해 강판을 가열하는 기구가 일반적으로 사용되고 있다(특허문헌 1). [ 선행기술문헌 ] [ 특허문헌 ] 일본 특허 공개 제2009-155691호 공보 [ 발명의 개요 ] [ 해결하려는 과제 ] 그러나 상기한 종래 기술에서는, 회전하는 롤러로 반송하기 때문에, 노 내에서 강판이 사행할 가능성이 있다. 또한 롤러가 차폐물로 되어, 복사 효율이 나빠져, 급속한 가열이 곤란하다. 게다가 롤러가 열 변형하지 않도록 균열화하기 위해, 반송 시 이외에도 항상 롤러를 회전시켜 둘 필요가 있어, 에너지 효율이 나쁘다. 그리고 노의 입구 부근의 열 충격이나 가열의 불균일로부터 발생하는 열 응력에 의해, 롤러가 열화되거나, 파손될 우려도 있었다. 롤러가 파손되면, 노의 조업이 정지되어 버린다. 또한 표면 도금한 강판에서는, 용융 온도 영역에서 롤러에 도금 재료가 부착될 우려가 있고, 롤러에 부착된 도금 재료가 강판에 재부착될 우려도 있었다.본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 종래와 같이 롤러에 의해 강판을 수평하게 지지하여 노 내를 반송하는 것 대신에, 강판을 연직 방향으로 고정 지지한 상태에서 노 내에 반입하여 가열하도록 하여, 상기한 문제를 해결하는 것을 목적으로 하고 있다. [ 과제의 해결 수단 ] 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 열간 프레스 성형 전에, 프레스 대상인 강판을 가열하는 강판 가열 방법이며, 상기 강판에 있어서의, 성형 후에 불요하게 되는 불요부를 지지 부재에 의해 고정 지지하여 상기 강판을 연직 방향으로 지지한 상태에서, 상기 강판을 노 내측면에 히터를 갖는 가열로에 반입하고, 상기 가열로에서 소정 온도로 가열한 후, 상기 강판을 가열로로부터 반출하고, 그 후 상기 불요부를 제거한다.또한 여기에서 말하는 그 후란, 가열로로부터 반출한 직후가 아니더라도, 반출 후에 열간 프레스 성형을 행할 때이어도 된다.또한 본 발명에 있어서의 고정 지지란, 상기한 불요부를 클램프 보유 지지하거나, 불요부를 지지 부재에 걸어 현수하는 것을 포함한다. 또한 강판을 2개소 이상에서 고정 지지하는 것이 바람직하다. 이에 의해 예를 들어 강판이 긴 형상을 갖는 경우에, 당해 강판이 휘는 것을 방지할 수 있기 때문이다. 그리고 강판이 긴 경우, 예를 들어 강판의 길이 방향의 길이가 1m를 초과하는 경우에는, 그 양단부에서 고정 지지하는 것이 바람직하다.본 발명에 따르면, 연직 방향으로 지지 부재에 의해 고정 지지한 상태에서, 강판을 가열로 내에서 가열하기 때문에, 종래와 같은 롤러 사용에 수반하여 발생하는 폐해는 없고, 복사 효율이 양호하고 게다가 에너지 효율도 좋다. 또한 연직 방향으로 지지 부재에 의해 고정 지지함으로써, 강판이 휘는 것을 억제할 수 있다. 또한 여기서, 성형 후에는 불요하게 되는 불요부란, 당해 강판을 성형한 후, 제품으로서는 불요하게 되는 부분을 말한다. 또한 불요부를 지지 부재에 의해 고정 지지한다란, 불요부의 전부 또는 일부를 지지 부재에 의해 고정 지지하는 것이다.상기 방법에 있어서는, 가열로 내에서, 강판을 상하 방향으로 이동시키도록 해도 된다.또한 상기 고정 지지한 강판에 대하여 장력을 가하도록 해도 된다.다른 관점에 따르면, 본 발명은 열간 프레스 성형 전에, 프레스 대상인 강판을 가열하는 강판 가열 장치이며, 상기 강판을 연직 상태로 수용 가능한 가열로와, 상기 강판을 지지 부재에 의해 연직 방향으로 지지한 상태에서 상기 가열로의 반송로 내를 통과시키는 반송 장치를 갖고 있다. 그리고 상기 가열로는, 대향하는 측벽 간에 형성된 강판의 반송로와, 상기 측벽의 적어도 한쪽의 면에 설치되어, 상기 강판을 가열하는 히터를 갖고 있고, 상기 반송 장치는, 강판에 있어서의 성형 후에는 불요하게 되는 불요부를 고정 지지하는 지지 부재와, 상기 지지 부재를, 상기 가열로의 입구 전방의 상방으로부터 출구 후방의 상방에 걸쳐 설치된 레일을 따라서 이동시키는 이동 기구를 갖고 있다.이 경우, 상기 지지 부재를 상하 방향으로 이동시키는 상하 구동 기구를 갖고 있어도 된다.또한, 가열로의 출구 후방에서, 상기 불요부를 전단하는 전단 기구를 갖고 있어도 된다.또한, 지지한 강판에 대하여 장력을 가하는 기구를 갖고 있어도 된다. [ 발명의 효과 ] 본 발명에 따르면, 열간 프레스 성형 전에 프레스 대상 강판을 가열할 때, 종래와 같은 롤러 사용에 수반되어 발생하는 폐해는 없고, 복사 효율이 양호하며 게다가 에너지 효율도 좋다. 게다가 종래보다 균일하게 프레스 대상 강판을 가열할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 도 1은 실시 형태에 관한 강판 가열 장치의 사시도이다.도 2는 도 1의 강판 가열 장치에 있어서의 가열로의 반송 방향 입구측으로부터 본 설명도이다.도 3은 지지 부재의 정면도이다.도 4는 지지 부재의 지지체에 지지된 강판의 정면도이다.도 5는 돌출 부재의 다른 예를 도시하는 강판의 주요부의 정면도이다.도 6은 강판 가열 장치와 열간 프레스 성형 장치를 모식적으로 설명한 설명도이다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 1은 실시 형태에 관한 강판 가열 장치(1)의 개요를 도시하고 있고, 이 실시 형태의 강판 가열 장치(1)에 있어서의 가열로(10)는 베이스(11)의 양측에 각각 측벽체(12, 13)를 대향하여 갖고 있고, 이 측벽체(12, 13) 간의 가늘고 긴 공간은, 강판 K의 반송로(14)를 구성한다. 각 측벽체(12, 13)의 내측에는, 각각 히터(15, 15)가 설치되어 있다[또한, 도 1에 있어서는, 도시의 사정상, 가열로(10)의 일부를 파단하여 묘사하고 있음].히터(15)에는, 예를 들어 전열 히터, 원적외선 히터, 근적외선 램프, 유도 가열 수단 등을 사용할 수 있다. 또한 본 실시 형태에서는, 측벽체(12, 13)의 양면에 각각 설치되어 있지만, 강판의 종류, 크기, 형상 등에 따라서는, 한쪽의 측 벽면에만 히터(15)를 설치해도 된다.본 실시 형태에 관한 강판 가열 장치(1)의 반송 장치(20)는 가열로(10)의 입구(10a)측(도면 후방측)의 상방으로부터, 가열로(10)의 출구(10b)측(도면 전방측)의 상방에 걸쳐 설치된 포워드 레일 수용부(21)와, 포워드 레일 수용부(21)와 평행하게 설치된 백워드 레일 수용부(22)를 갖고 있다. 포워드 레일 수용부(21), 백워드 레일 수용부(22)는 각각 지주(23)에 의해 지지되어 있다. 또한 포워드 레일 수용부(21)와 백워드 레일 수용부(22)의 각 단부에는, 동살을 겸한, 평면으로부터 보면 곡선 형상의 지지 부재 이동로(24a)와, 지지 부재 이동로(24b)가 걸쳐져 있다.포워드 레일 수용부(21), 백워드 레일 수용부(22)는 기본적으로는 동일 구성을 갖고 있어, 도 2, 도 3에 도시한 포워드 레일 수용부(21)에 기초하여 그 상세를 설명하면, 포워드 레일 수용부(21)는 하면측이 개구된 단면이 홈형인 본체부(21a) 내의 상측에, 구동 기구로 되는 체인 컨베이어(21b)를 수용하고, 하측에 레일체(21c)를 수납하고 있다. 체인 컨베이어(21b)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 지지 부재 이동로(24a)측에 설치된 기어 스프로킷(25), 지지 부재 이동로(24b)측에 설치된 기어 스프로킷(26) 간에 걸쳐져 있고, 기어 스프로킷(25)에 샤프트(27)를 통해 접속된 모터 등의 구동원(28)의 작동에 의해, 포워드 레일 수용부(21), 지지 부재 이동로(24a), 백워드 레일 수용부(22), 지지 부재 이동로(24b)를 순환 이동한다.본 실시 형태에 있어서의 지지 부재(30)는 직접적으로는 상기 레일체(21c)에 지지되어 있다. 도 3에도 도시한 바와 같이, 지지 부재(30)는 2개의 현수 부재(31, 32)를 갖고 있다. 현수 부재(31, 32)는 동일 구성을 갖고 있으므로, 현수 부재(31)에 대하여 설명하면, 현수 부재(31)에는, 도 2에 도시한 바와 같이, 브래킷(31a)에, 레일 주행 부재(33)와 실린더(34)가 설치되어 있다.레일 주행 부재(33)는 체인 컨베이어(21b)와 맞물리는 맞물림부(33a)와, 상기한 레일체(21c)를 주행 가능한 롤러(33b)를 구비한 주행부(33c)를 갖고 있다. 실린더(34)는 브래킷(31a)에 고정되며, 실린더(34)의 작동에 의해 신축하는 로드 부재(34a)는 브래킷(31a)의 하방으로 수직 하강하고, 그 하단부에 지지체(34b)를 갖고 있다. 따라서 실린더(34)의 작동에 의해, 지지체(34b)는 상하 이동한다.지지체(34b)의 하방부에는, 도 4에도 도시한 바와 같이, 돌기(35)가 상하 방향으로 복수 설치되어 있다(도면의 예에서는 4개소). 그리고 강판 K는, 이 돌기(35)에 걸려, 현수 부재(31, 32)의 각 지지체(34b, 34b) 간에 지지된다. 즉, 강판 K의 양단부에는, 각각 본래의 제품과는 관계가 없는, 즉 성형 후에는 불요하게 되는 불요부인 돌출 부재 Ka, Kb가 미리 형성되어 있고, 또한 이 돌출 부재 Ka, Kb에, 지지체(34b)의 돌기(35)와 걸리는 걸림부(36)가 형성되고, 이 걸림부(36)가 돌기(35)와 걸림으로써, 강판 K는, 이 돌기(35)에 걸려, 현수 부재(31, 32)의 각 지지체(34b, 34b) 간에 지지된다.실시 형태의 예에서는, 돌출 부재 Ka, Kb의 형상은 T자형이고, 그 내측을 절결하여 걸림부(36)를 형성하였지만, 이것 대신에, 도 5에 도시한 바와 같이, 강판 K의 단부로부터 수평 방향으로 돌출된 돌출 부재 Ka에, 구멍(37)을 형성하고, 이 구멍(37) 내에 지지체(34b)의 돌기(35)를 삽입하도록 하여, 강판 K를 현수 부재(31, 32)의 각 지지체(34b, 34b) 간에 지지하도록 해도 된다.또한 그와 같이 돌출 부재 Ka, Kb를 사용하여 강판 K를 현수 부재(31, 32)의 각 지지체(34b, 34b) 간에 현수하여 지지하는 것 대신에, 예를 들어 돌출 부재 Ka, Kb를 클램프하는 클램프 기구(도시하지 않음)를 현수 부재(31, 32)에 설치하고, 이것에 의해 돌출 부재 Ka, Kb를 클램프하여 강판 K를 연직 방향으로 고정 지지하도록 해도 된다.또한 도 3의 파선으로 나타낸 바와 같이, 2개의 현수 부재(31, 32)의, 예를 들어 로드 부재(34a, 34a) 간에, 실린더(38)와 양측에 돌출되는 로드(38a, 38a)를 갖는 장력 부가 기구(39)를 설치해도 된다. 이 장력 부가 기구(39)의 실린더(38)를 작동시킴으로써, 로드(38a)가 신축하여, 현수 부재(31, 32)의 간격을 신장할 수 있고, 이에 의해, 현수 부재(31, 32)의 각 지지체(34b, 34b) 간에 지지한 강판 K에 대하여, 장력을 부가할 수 있다.다시 도 1로 되돌아가서 설명하면, 이 강판 가열 장치(1)에 있어서는, 상기한 바와 같이, 포워드 레일 수용부(21)와, 이 포워드 레일 수용부(21)와 평행하게 설치된 백워드 레일 수용부(22)를 갖고 있고, 백워드 레일 수용부(22)는 포워드 레일 수용부(21)와 동일한 구성을 갖고 있다.그리고, 본 실시 형태에서는, 이미 설명한 바와 같이, 포워드 레일 수용부(21)와 백워드 레일 수용부(22)의 각 단부 간에, 지지 부재 이동로(24a)와, 지지 부재 이동로(24b)가 걸쳐져 있고, 지지 부재 이동로(24b)를 통해, 백워드 레일 수용부(22)측에 위치하고 있던 지지 부재(30)의 현수 부재(31, 32)를 포워드 레일 수용부(21)측, 즉 가열로(10)의 입구(10a)측으로 이동시키는 것이 가능하다. 또한 지지 부재 이동로(24a)를 통해, 가열로(10)의 출구(10b)측인 포워드 레일 수용부(21)측에 위치하고 있던 지지 부재(30)의 현수 부재(31, 32)를 백워드 레일 수용부(22)측으로 이동시키는 것이 가능하다. 또한, 노 내에 삽입되는 현수 부재(31, 32)에는, 내열성과 열 충격성이 높은 내열강 등을 사용하고, 또한, 통상, 노 설비의 보호 수단으로서 고려해야 할 단열재에 의한 보호나, 부재 내부에 유로를 설치하여 냉각수나 공기 등의 냉매에 의한 냉각 수단을 사용할 수 있다.또한 본 실시 형태에서는, 가열로(10)에 의한 가열이 종료되어, 가열로(10)의 출구(10b)측에 위치하고 있는 지지 부재(30)의 현수 부재(31, 32)에 지지되어 있는 강판 K의 돌출 부재 Ka, Kb를 전단하는 전단 기구(40)가 가열로(10)의 출구(10b)측에 설치되어 있다.이 전단 기구(40)는 한 쌍의 전단 장치(41, 42)를 갖고 있다. 전단 장치(41, 42)는, 동일 구조를 갖고 있고, 예를 들어 전단 장치(42)에 대하여 상세하게 설명하면, 이 전단 장치(42)는 베이스(43) 및 베이스(43)에 수직으로 설치되어 서로 대향하고 있는 전단 부재(44, 45)를 갖고 있다. 전단 부재(44, 45)는 구동 기구(도시하지 않음)에 의해, 베이스(43)를 따라서 이동하여, 접근 이격 가능하다. 그리고 전단 부재(44, 45)의 각 대향면측에는, 날체(44a, 45a)가 설치되어 있다. 따라서, 전단 부재(44, 45)가 접근함으로써, 그 날체(44a, 45a)에 의해, 현수 부재(31, 32) 간에 지지되어 있는 강판 K의 돌출 부재 Ka, Kb를 전단할 수 있다.그리고 가열로(10)의 출구(10b)측에는, 지지 부재(30)의 현수 부재(31, 32)에 지지되어 있는 강판 K를 보유 지지하는, 다관절형 아암을 구비한 반송 로봇(50)이 배치 가능하다. 이 반송 로봇(50)은 핸들(51)의 회동 조작에 의해, 2개의 클램프형의 척(52, 52)을 ON-OFF할 수 있는 기능을 갖고 있다. 또한 이 반송 로봇(50)은 가열로(10)의 출구(10b)측의 위치로부터 이동 가능한 이동 기구(도시하지 않음)를 구비하고 있어, 보유 지지한 강판을, 후술하는 열간 프레스 성형 장치까지 반송하는 것이 가능하게 되어 있다.실시 형태에 관한 강판 가열 장치(1)는 이상과 같이 구성되어 있고, 다음에 이 강판 가열 장치(1)를 사용한 강판 가열 방법에 대하여 설명한다.먼저, 열간 프레스 성형의 대상으로 되는 강판 K를, 가열로(10)의 입구(10a) 측에서, 포워드 레일 수용부(21)측에 위치하고 있는 지지 부재(30)의 현수 부재(31, 32)에 지지한다. 그리고 도 3에 도시한 장력 부가 기구(39)에 의해, 지지한 강판에 대하여, 수평 방향으로 장력을 부가한다.이 상태에서, 포워드 레일 수용부(21)의 구동 기구를 작동시켜 체인 컨베이어(21b)를 구동시켜, 강판 K를 지지한 지지 부재(30)의 현수 부재(31, 32)를 가열로(10)로 이동시키고, 가열로(10)에서, 히터(15)에 의해, 강판 K를 소정 온도, 예를 들어 700℃∼1000℃로까지 가열한다. 이때, 현수 부재(31, 32)의 실린더(34)를 작동시켜, 로드 부재(34a)를 신축시켜, 현수 부재(31, 32)에 지지한 강판 K를 상하 방향으로 이동시켜도 된다.그리고 소정 온도로까지 강판 K를 가열한 후, 포워드 레일 수용부(21)의 체인 컨베이어(21b)를 구동시켜, 강판 K를 지지한 지지 부재(30)의 현수 부재(31, 32)를 가열로(10)로부터 반출하고, 가열로(10)의 출구(10b)측 공간까지 이동시킨다. 또한 강판 K의 가열 시에는, 항상 반송하면서 가열로(10)에서 가열해도 되고, 가열로(10) 내에서 정지한 상태에서 가열해도 된다.강판 K를 지지한 지지 부재(30)의 현수 부재(31, 32)가, 가열로(10)의 출구(10b)측 공간의 소정 위치에서 정지한 후, 반송 로봇(50)을 강판 K에 접근시켜, 척(52, 52)에 의해 강판 K를 보유 지지한다. 그 후, 장력 부가 기구(39)의 장력을 개방하고, 전단 장치(41, 42)를 작동시켜, 전단 부재(44, 45)에 의해, 현수 부재(31, 32) 간에 지지되어 있는 강판 K의 돌출 부재 Ka, Kb를 전단한다. 이에 의해, 반송 로봇(50)은 성형 후의 불요부인 돌출 부재 Ka, Kb가 제거된 강판 K를 지지한 상태에서 된다.그 후는 도 6에 도시한 바와 같이, 척(52, 52)에 의해 강판 K를 보유 지지한 채로, 반송 로봇(50)의 다관절형 아암(53)에 의해, 열간 프레스 성형 장치(60)의 프레스 성형과 급냉 처리를 행하는 성형 급냉 스테이지(62)의 하측 금형(63)에 강판 K가 반송된다. 그리고 소정 위치에 강판 K가 세트된 후, 상측 금형(64)의 프레스에 의한 소정의 프레스 성형과 급냉 처리가 강판 K에 대하여 이루어져, 소정의 제품으로 가공된다.이와 같이 본 발명의 실시 형태에 의하면, 프레스 성형 후에는 불요하게 되는 불요부인 돌출 부재 Ka, Kb를 통해 지지 부재(30)의 현수 부재(31, 32)에 의해 연직 방향으로 강판 K를 고정 지지한 상태에서, 강판 K를, 측벽체(12, 13)의 면에 히터(15)를 갖는 가열로(10) 내에 반입하고, 이것을 가열하도록 하였으므로, 종래의 롤러에 의해 수평 상태로 강판을 지지하여 가열하는 방식과 비교하면, 먼저, 강판 K가 사행하는 일이 없어, 종래보다도 균일하게 강판 K를 가열할 수 있다. 또한 히터(15)와 강판 K 사이에 차폐하는 것이 없으므로, 히터(15)로부터의 열을 효율적으로 강판 K에 투입할 수 있어, 복사 효율도 양호하고, 종래보다 급속한 가열이 가능해지고 있다. 게다가, 가열 시 이외는, 지지 부재(30)를 이동시켜 둘 필요가 없으므로, 에너지 효율이 종래보다도 양호하다. 게다가 롤러는 사용하고 있지 않으므로, 롤러 파손에 의한 조업 정지의 가능성은 없다.그리고 상기한 실시 형태에서는, 지지 부재(30)의 실린더(34)를 작동시켜, 강판 K를 지지하고 있는 지지체(34b)를 상하 이동시키는 것이 가능하기 때문에, 가열로(10) 내에 강판 K가 위치하고 있는 동안에, 실린더(34)를 작동시켜 강판 K를 상하 방향으로 이동시킴으로써, 가열 불균일을 억제하여 보다 균일한 가열이 가능해지고 있다. 따라서 히터(15)의 배열이나 가열 출력 특성의 편차에 의한 상하 방향의 가열 불균일도 방지할 수 있다.또한 상기한 실시 형태에서는, 가열 대상인 강판 K는, 돌출 부재 Ka, Kb를 통해 지지 부재(30)의 현수 부재(31, 32)에 의해 연직 방향으로 고정 지지되고, 게다가 양단부의 2개소에서 고정 지지되어 있으므로, 강판 K가 수평 방향으로 긴 형상을 갖는 것이라도, 강판 K가 휘는 일은 없다. 또한 가열 대상인 강판 K에 대해서는, 장력 부가 기구(39)에 의해, 수평 방향으로 장력을 부가하고 있으므로, 가열 시의 강판 K의 강성의 저하와 열 팽창에 의한 변형을 억제하는 것이 가능하다.그리고 강판 K를 수직 방향으로 고정 지지할 때에 사용한 강판 K의 돌출 부재 Ka, Kb는, 프레스 성형 후에는 불요하게 되는 불요부이므로, 강판 K 자체를 전면적으로 균일하게 가열할 수 있다. 또한 강판 K가 도금 강판인 경우, 용융 온도 영역에서 가열해도, 용융한 도금 재료가 강판 K에 재부착할 우려도 없다.또한 돌출 부재 Ka, Kb는, 상기 실시 형태에서는, 강판 가열 장치(1)에 설치되어 있는 전단 기구(40)에 의해, 가열 후 바로 강판 가열 장치(1) 내에서 전단하여 제거하도록 하였으므로, 불요부인 돌출 부재 Ka, Kb를 고온 저강도 상태에서 제거할 수 있어, 성형 후의 제품의 형상이나 품질, 성능에 끼치는 영향은 없다. 또한 전단 후에, 지지 부재(30)의 현수 부재(31, 32)에 잔치되어 있는 돌출 부재 Ka, Kb에 대해서는, 슈트(도시하지 않음) 등을 통해 회수 박스 등에 회수하면 된다. 또한 프레스 금형에 전단 기구를 설치할 수 있을 경우에는, 열간 프레스 성형 장치(60)에 있어서의 프레스 시에, 돌출 부재 Ka, Kb를 동시에 전단, 제거하도록 해도 된다.이상과 같이 하여, 강판 K가 반송 로봇(50)에 의해 반송된 후의 지지 부재(30)의 현수 부재(31, 32)에 대해서는, 지지 부재 이동로(24a)를 통해, 백워드 레일 수용부(22)측으로 이동시키고, 그 후 지지 부재 이동로(24b)를 통해 가열로(10)의 입구(10a)측으로 이동시키고, 다시 가열로(10)의 입구(10a)측의 소정 위치에서, 다음 처리의 강판 K를 지지 부재(30)의 현수 부재(31, 32)에 세트하면 된다.또한 도 1로부터도 명백해지는 바와 같이, 강판 가열 장치(1)는 연직 상태의 강판 K를 양측으로부터 가열하는 가열로(10)를 채용하고, 또한 반송 장치(20)의 포워드 레일 수용부(21), 백워드 레일 수용부(22)는 그 상방에 설치되어 있으므로, 바닥 전유 면적은, 종래의 수평 지지형 가열로보다도 훨씬 작고, 따라서, 다수의 강판 가열 장치(1)를 복수대 병치하는 것이 가능하다. 그로 인해, 동일 바닥 면적에서의 조업에 있어서, 생산성은 매우 양호하다.또한 상기 실시 형태에서는, 지지 부재(30)의 현수 부재(31, 32)의 이동은, 포워드 레일 수용부(21), 백워드 레일 수용부(22)에 장비되어 있는 체인 컨베이어(21b)에 의하고 있고, 그 구동 기구는 가열로(10) 밖에 설치하고, 도 2에 도시한 바와 같이 포워드 레일 수용부(21)를 가열로 개구부로부터 직접 복사열을 받지 않는 배치로 할 수 있기 때문에, 가열로(10)로부터의 구동계에 대한 열 영향을 최소한으로 억제할 수 있다. 물론 열 차폐를 적절히 실시하면, 지지 부재(30) 자체에 자주식의 구동 기구를 탑재해도 된다.이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면 청구범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명확하고, 그것들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다. [ 산업상 이용가능성 ] 본 발명은 강판을 열간 프레스 성형하기 전의 강판 가열에 유용하다. [ 부호의 설명 ] 1 : 강판 가열 장치10 : 가열로10a : 입구10b : 출구11 : 베이스12, 13 : 측벽체14 : 반송로15 : 히터20 : 반송 장치21 : 포워드 레일 수용부21a : 본체부21b : 체인 컨베이어21c : 레일체22 : 백워드 레일 수용부23 : 지주24a, 24b : 지지 부재 이동로25, 26 : 기어 스프로킷27 : 샤프트28 : 구동원30 : 지지 부재31, 32 : 현수 부재31a : 브래킷33 : 레일 주행 부재33a : 맞물림부33b : 롤러33c : 주행부34 : 실린더34a : 로드 부재34b : 지지체35 : 돌기36 : 걸림부37 : 구멍38 : 실린더38a : 로드39 : 장력 부가 기구40 : 전단 기구41, 42 : 전단 장치43 : 베이스44, 45 : 전단 부재44a, 45a : 날체50 : 반송 로봇51 : 핸들52 : 척53 : 다관절형 아암60 : 열간 프레스 성형 장치62 : 성형 급냉 스테이지63 : 하측 금형64 : 상측 금형K : 강판Ka, Kb : 돌출 부재
열간 프레스 성형 전에, 프레스 대상인 강판(K)을 가열하는 강판 가열 방법은, 강판에 있어서의, 성형 후에 불요하게 되는 불요부를 지지 부재(30)에 의해 고정 지지하고, 당해 강판을 연직 방향으로 지지한 상태에서, 당해 강판을, 노 내측면에 히터(15)를 갖는 가열로(10)에 반입하고, 당해 가열로에서 소정 온도로 가열한 후, 당해 강판을 가열로로부터 반출하고, 그 후 불요부를 열간 프레스 성형 전, 혹은 열간 프레스 성형 시에 절단 제거한다.
[ 발명의 명칭 ] 2개의 레벨을 갖는 터치 감지식 버튼TOUCH-SENSITIVE BUTTON WITH TWO LEVELS [ 기술분야 ] 본 발명은 일반적으로 터치 감지식 누를 수 있는(depressible) 버튼에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 복수의 누름(depression) 임계값을 갖는 터치 감지식 기계적 버튼에 관한 것이다. [ 배경기술 ] 버튼 또는 키, 마우스, 트랙볼, 조이스틱, 터치 센서 패널, 터치 스크린 등과 같은 많은 종류의 입력 장치들이 컴퓨팅 시스템 내의 동작을 수행하기 위하여 이용가능하다. 특히 터치 스크린은 하락하는 가격뿐만 아니라 동작의 용이성과 다양성 때문에 점점 인기를 얻고 있다. 터치 스크린은 터치 감지 표면을 갖는 클리어 패널(clear panel)일 수 있는 터치 센서 패널, 및 부분적으로 또는 완전히 패널의 뒤에 배치될 수 있는 액정 디스플레이(LCD)와 같은 디스플레이 디바이스를 포함할 수 있어, 터치 감지 표면이 디스플레이 디바이스의 가시(viewable) 영역의 적어도 일부분을 덮을 수 있다. 터치 스크린은 일반적으로 디스플레이 디바이스에 의해 디스플레이되는 사용자 인터페이스(UI)에 의하여 대개 정해지는 위치에서 사용자가 손가락, 스타일러스 또는 다른 물체를 이용해 터치 센서 패널을 터치(예를 들어, 물리적 접촉 또는 근거리 근접)함으로써 다양한 기능을 수행할 수 있게 한다. 일반적으로, 터치 스크린은 터치 이벤트 및 터치 센서 패널 상의 터치 이벤트의 위치를 인식하고, 이어서 컴퓨팅 시스템은 터치 이벤트의 시점에 나타나는 디스플레이에 따라서 터치 이벤트를 해석하고, 그 후 터치 이벤트에 기초하여 하나 이상의 동작을 수행할 수 있다.터치 센서 패널은 누를 수 있는 버튼을 형성하도록 액추에이터(actuator)와 결합될 수 있다. 예를 들어, 트랙패드는 연속적인 상부 표면 및 누를 수 있는 버튼을 형성하는 연속적인 상부 표면의 일부분을 갖는 터치 센서 패널을 포함할 수 있다. 일부 경우에, 터치 감지 기능은 버튼이 눌러질 때 터치 컨텍스트(touch context)를 결정하는 데에만 이용될 수 있다. 그러나, 버튼이 눌러지지 않을 때 터치 이벤트에 대하여 터치 센서를 자주 스캐닝하는 것은 전력의 비효율적인 사용일 수 있고, 특히 배터리 전력으로 구동되는 모바일 디바이스에서 전력의 비효율적인 사용일 수 있다. [ 발명의 개요 ] 본 발명은 복수의 누름 임계값을 갖는 터치 감지식 누를 수 있는 버튼에 관한 것이다. 터치 감지식 누를 수 있는 버튼은 버튼의 누름에 기초하거나 또는 버튼의 표면 상에서 수행되는 터치 이벤트에 기초하여 입력을 생성할 수 있다. 또한, 버튼은 누름 및 터치 이벤트 둘 모두에 기초하여 입력을 생성할 수 있다. 예를 들어, 버튼은 버튼 표면의 왼쪽 부분 상에서 손가락에 의해 눌러질 때 제1 입력을 생성하고 버튼 표면의 오른쪽 부분 상에서 손가락에 의해 눌러질 때 제2 입력을 생성할 수 있다. 이러한 방식으로, 단일의 누를 수 있는 버튼은 버튼이 어디에서 눌러지는지에 따라 복수의 기능을 제공할 수 있다.일부 실시예에서, 터치 감지식 누를 수 있는 버튼은 버튼이 눌러질 때만 입력을 생성할 수 있다. 터치 이벤트는 버튼이 눌러질 때 인식되지 않을 수도 있다. 그러한 경우에, 버튼의 터치 센서는 버튼이 눌러질 때까지 저전력, 비-감지(non-sensing) 상태로 유지되다가, 버튼이 눌러지는 지점에서 누름에 대한 터치 컨텍스트를 제공하기 위하여 감지(sensing) 상태로 전환될 수 있다. 전력을 보존하는 것은 이동 전화와 같은 배터리-전력공급되는 장치에서 특히 중요할 수 있다. 그러나 감지 상태로의 전환 프로세스는 너무 많은 시간이 걸려서 버튼의 누름에 대한 즉각적인 터치 컨텍스트를 제공할 수 없을 수도 있다.따라서, 터치 감지식 누를 수 있는 버튼은 터치 센서가 감지 상태로 적시에 전환하는 것을 가능하게 하기 위하여 복수의 누름 임계값을 가질 수 있다. 버튼은 초기 위치로부터 제1 누름 임계값까지, 및 제1 누름 임계값으로부터 제2 누름 임계값까지 눌러질 수 있다. 버튼이 제1 누름 임계값으로 눌러질 때, 터치 센서는 저전력, 비-감지 상태로부터 감지 상태로 전환될 수 있다. 버튼이 제2 누름 임계값으로 눌러질 때, 터치 센서는 터치 컨텍스트를 감지하고 누름 및 터치 컨텍스트에 기초하여 입력이 생성될 수 있다. 일부 실시예에서, 초기 위치로부터 제1 누름 임계값까지의 거리는 사용자에게 지각되지 않을 정도로 작을 수 있다. 또한, 일부 실시예에서 초기 위치로부터 제2 누름 임계값까지의 거리는 사용자에 의하여 완전한 버튼 누름으로 지각될 정도로 클 수 있다.이러한 방식으로, 복수의 누름 임계값을 갖는 터치 감지식 누를 수 있는 버튼은 터치 센서가 감지 상태로 적시에 전환하는 것을 가능하게 할 수 있다. 또한, 터치 감지 프로세스는 터치 컨텍스트를 정확히 결정하는데 더 많은 시간이 걸릴 수 있다. 예를 들어, 터치 센서는 버튼이 제2 누름 임계값으로 눌러지기 전에 감지 상태로 전환할 수 있다. 그러한 경우에, 버튼이 제2 누름 임계값으로 눌러지기 전의 남아 있는 시간은 터치 컨텍스트를 미리 결정하는 것을 시작하는데 이용될 수 있다. 또한, 누를 수 있는 버튼의 터치 감지 프로세스는 사용자에 의하여 개시될 수 있으므로, 사용자 접촉에 대해 비동기일 수 있는 계속적인 터치 감지 프로세스보다 더 즉각적인 터치 컨텍스트를 제공할 수 있다. [ 도면의 간단한 설명 ] 003c#도 1a003e#도 1a는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 초기 누름 위치에서의 예시적인 터치 감지식 누를 수 있는 버튼을 도시한다.003c#도 1b003e#도 1b는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 제1 누름 임계값에서의 예시적인 터치 감지식 누를 수 있는 버튼을 도시한다.003c#도 1c003e#도 1c는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 제2 누름 임계값에서의 예시적인 터치 감지식 누를 수 있는 버튼을 도시한다.003c#도 2003e#도 2는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 터치 감지식 누를 수 있는 버튼으로부터 입력을 생성하는 예시적인 방법을 도시하는 고수준 흐름도(high-level flow diagram)이다.003c#도 3003e#도 3은 본 개시 내용의 실시예들에 따른 터치 이벤트들을 검출하고 터치 감지식 누를 수 있는 버튼 상의 터치 컨텍스트를 결정하는데 이용될 수 있는 예시적인 터치 센서의 일부를 도시한다.003c#도 4a003e#도 4a는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 초기 누름 위치에서의 이중-돔(double-dome) 액추에이터를 갖는 예시적인 터치 감지식 누를 수 있는 버튼을 도시한다.003c#도 4b003e#도 4b는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 제1 누름 임계값에서의 이중-돔 액추에이터를 갖는 예시적인 터치 감지식 누를 수 있는 버튼을 도시한다.003c#도 4c003e#도 4c는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 제2 누름 임계값에서의 이중-돔 액추에이터를 갖는 예시적인 터치 감지식 누를 수 있는 버튼을 도시한다.003c#도 5a003e#도 5a는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 초기 누름 위치에서의 자기 용량성 액추에이터를 갖는 예시적인 터치 감지식 누를 수 있는 버튼을 도시한다.003c#도 5b003e#도 5b는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 제1 누름 임계값에서의 자기 용량성 액추에이터를 갖는 예시적인 터치 감지식 누를 수 있는 버튼을 도시한다.003c#도 5c003e#도 5c는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 제2 누름 임계값에서의 자기 용량성 액추에이터를 갖는 예시적인 터치 감지식 누를 수 있는 버튼을 도시한다.003c#도 6003e#도 6은 본 개시 내용의 실시예들에 따른 터치 감지식 누를 수 있는 버튼을 형성하도록 액추에이터에 결합되는 터치 센서 패널을 포함할 수 있는 예시적인 컴퓨팅 시스템을 도시한다.003c#도 7a003e#도 7a는 터치 센서 패널 및 디스플레이 디바이스를 포함할 수 있는 예시적인 이동 전화를 도시하는데, 터치 센서 패널은 본 개시 내용의 실시예들에 따른 터치 감지식 누를 수 있는 버튼을 형성하도록 액추에이터에 결합된다.003c#도 7b003e#도 7b는 터치 센서 패널 및 디스플레이 디바이스를 포함할 수 있는 예시적인 디지털 매체 재생기를 도시하는데, 터치 센서 패널은 본 개시 내용의 실시예들에 따른 터치 감지식 누를 수 있는 버튼을 형성하도록 액추에이터에 결합된다.003c#도 7c003e#도 7c는 터치 센서 패널(트랙패드) 및 디스플레이를 포함할 수 있는 예시적인 개인용 컴퓨터를 도시하는데, 개인용 컴퓨터의 터치 센서 패널 및/또는 디스플레이는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 터치 감지식 누를 수 있는 버튼을 형성하도록 액추에이터에 결합된다. [ 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 ] 실시예들의 후술하는 설명에서, 본 명세서의 부분을 형성하는 첨부된 도면들이 참조되고, 실행될 수 있는 특정 실시예들이 도면들 내에서 예시로써 도시된다. 다른 실시예들이 이용될 수 있고, 개시된 실시예들의 범위를 벗어나지 않으면서 구조적 변경이 가해질 수 있다고 이해되어야 한다.다양한 실시예들은 복수의 누름 임계값을 갖는 터치 감지식 누를 수 있는 버튼에 관한 것이다. 터치 감지식 누를 수 있는 버튼은 버튼의 누름에 기초하거나 또는 버튼의 표면 상에서 수행되는 터치 이벤트에 기초하여 입력을 생성할 수 있다. 또한, 버튼은 누름 및 터치 이벤트 둘 모두에 기초하여 입력을 생성할 수 있다. 예를 들어, 버튼은 버튼 표면의 왼쪽 부분 상에서 손가락에 의해 눌러질 때 제1 입력을 생성하고 버튼 표면의 오른쪽 부분 상에서 손가락에 의해 눌러질 때 제2 입력을 생성할 수 있다. 이러한 방식으로, 단일의 누를 수 있는 버튼은 버튼이 어디에서 눌러지는지에 따라 복수의 기능을 제공할 수 있다.일부 실시예에서, 터치 감지식 누를 수 있는 버튼은 버튼이 눌러질 때만 입력을 생성할 수 있다. 터치 이벤트들은 버튼이 눌러질 때 받아들여지지 않을 수도 있다. 그러한 경우에, 버튼의 터치 센서는 버튼이 눌러질 때까지 저전력, 비-감지 상태로 유지되다가, 버튼이 눌러지는 지점에서 누름에 대한 터치 컨텍스트를 제공하기 위하여 감지 상태로 전환될 수 있다. 전력을 보존하는 것은 이동 전화와 같은 배터리-전력공급되는 장치에서 특히 중요할 수 있다. 그러나 감지 상태로의 전환 프로세스는 너무 많은 시간이 걸려서 버튼의 누름에 대한 즉각적인 터치 컨텍스트를 제공할 수 없을 수도 있다.따라서, 터치 감지식 누를 수 있는 버튼은 터치 센서가 감지 상태로 적시에 전환하는 것을 가능하게 하기 위하여 복수의 누름 임계값을 가질 수 있다. 버튼은 초기 위치로부터 제1 누름 임계값까지, 및 제1 누름 임계값으로부터 제2 누름 임계값까지 눌러질 수 있다. 버튼이 제1 누름 임계값으로 눌러질 때, 터치 센서는 저전력, 비-감지 상태로부터 감지 상태로 전환될 수 있다. 버튼이 제2 누름 임계값으로 눌러질 때, 터치 센서는 터치 컨텍스트를 감지하고 누름 및 터치 컨텍스트에 기초하여 입력이 생성될 수 있다. 일부 실시예에서, 초기 위치로부터 제1 누름 임계값까지의 거리는 사용자에게 지각되지 않을 정도로 작을 수 있다. 또한, 일부 실시예에서 초기 위치로부터 제2 누름 임계값까지의 거리는 사용자에 의하여 완전한 버튼 누름으로 지각될 정도로 클 수 있다.이러한 방식으로, 복수의 누름 임계값을 갖는 터치 감지식 누를 수 있는 버튼은 터치 센서가 감지 상태로 적시에 전환하는 것을 가능하게 할 수 있다. 또한, 터치 감지 프로세스는 터치 컨텍스트를 정확히 결정하는데 더 많은 시간이 걸릴 수 있다. 예를 들어, 터치 센서는 버튼이 제2 누름 임계값으로 눌러지기 전에 감지 상태로 전환할 수 있다. 그러한 경우에, 버튼이 제2 누름 임계값으로 눌러지기 전의 남아 있는 시간은 터치 컨텍스트를 미리 결정하는 것을 시작하는데 이용될 수 있다. 또한, 누를 수 있는 버튼의 터치 감지 프로세스는 사용자에 의하여 개시될 수 있으므로, 사용자 접촉에 대해 비동기일 수 있는 계속적인 터치 감지 프로세스보다 더 즉각적인 터치 컨텍스트를 제공할 수 있다.본 명세서에 개시된 실시예들이 주로 상호 용량 터치 패널에 관해서 설명되고 도시될 수 있으나, 실시예들은 자기 용량 센서 패널과 단일 및 다중-터치 센서 패널 둘 모두에 추가적으로 적용될 수 있지만, 이에 제한되지 않는 것으로 이해되어야 한다. 본 명세서에 개시된 실시예들이 결합된 디스플레이 디바이스가 없는 터치 센서 패널에 관해서 설명되고 도시될 수 있으나, 실시예들은 디스플레이 디바이스가 결합된 터치 센서 패널에 추가적으로 적용될 수 있지만, 이에 제한되지 않는 것으로 이해되어야 한다.도 1a 내지 도 1c는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 예시적인 터치 감지식 누를 수 있는 버튼(100)을 도시한다. 버튼(100)은 누를 수 있는 액추에이터(104)에 결합되는 터치 센서(102)를 포함한다.도 1a는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 초기 누름 위치에서의 예시적인 터치 감지식 누를 수 있는 버튼(100)을 도시한다. 버튼(100)이 초기 누름 위치에 있을 때, 터치 센서(102)는 저전력, 비-감지 상태에 있을 수 있다.도 1b는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 제1 누름 임계값에서의 예시적인 터치 감지식 누를 수 있는 버튼(100)을 도시한다. 손가락 또는 스타일러스와 같은 터치 물체(106)는 터치 센서(102)의 상부 표면 상에 힘을 가함으로써 버튼(100)을 누를 수 있는데, 이는 액추에이터(104)가 그것의 상태나 형상을 누르거나 또는 일반적으로 변화시키도록 야기할 수 있다. 버튼(100)이 제1 누름 임계값에 이를 때, 터치 센서(102)는 저전력, 비-감지 상태로부터 감지 상태로 전환할 수 있다.도 1c는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 제2 누름 임계값에서의 예시적인 터치 감지식 누를 수 있는 버튼(100)을 도시한다. 터치 물체(106)는 터치 센서(102)의 상부 표면 상에 힘을 가함으로써 버튼(100)을 더 누를 수 있는데, 이는 추가적으로 액추에이터(104)가 그것의 상태 또는 형상을 누르거나 또는 일반적으로 변화시키도록 야기할 수 있다. 버튼(100)이 제2 누름 임계값에 이를 때, 터치 센서(102)는 다양한 터치 이벤트들의 검출에 기초하여 터치 물체(106)의 터치 컨텍스트를 결정할 수 있다. 예를 들어, 터치 센서(102)는 터치 센서의 상부 표면 상에서의 터치 물체(106)의 위치를 결정할 수 있다. 또한, 터치 센서(102)는 터치 센서의 표면을 따라 터치 물체(106)의 움직임을 결정할 수 있다. 일부 실시예에서, 터치 컨텍스트는 예를 들어 위치, 속도, 또는 제스처 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 터치 컨텍스트는 또한 터치다운(touchdown) 시간(예를 들어, 터치 물체가 터치 센서의 상부 표면과 접촉할 때의 시간), 또는 버튼(100)이 제1 누름 임계값에 이르는 순간과 버튼이 제2 누름 임계값에 이르는 순간 사이의 경과 시간을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 터치 컨텍스트는 터치 센서 상의 접점(들)의 형상 및/또는 터치 물체의 식별(예를 들어, 특정 손가락 또는 엄지 손가락의 식별)을 포함할 수 있다.초기 누름 위치로부터 제1 누름 임계값까지의 거리는, 일부 실시예에서, 사용자에게 지각되지 않을 정도로 작을 수 있다. 또한, 제1 누름 임계값은 헤어 트리거(hair-trigger)일 수 있는데, 터치 센서(102)의 상부 표면의 최소의 터치로도 버튼(100)이 제1 누름 임계값에 이르도록 야기할 수 있다. 예를 들어, 헤어 트리거는 비-터치(no-touch), 비-누름(no-depression)의 안정 상태에 비해 임의의 검출되는 누름일 수 있다. 초기 누름 위치로부터 제2 누름 임계값까지의 거리는, 일부 실시예에서, 사용자에 의하여 완전한 버튼 누름으로 지각될 정도로 클 수 있다.도 2는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 터치 감지식 누를 수 있는 버튼으로부터 입력을 생성하는 예시적인 방법을 도시하는 고수준 흐름도이다. 블록(200)에서, 버튼의 터치 센서는 비-감지 상태로 설정될 수 있다. 일부 실시예에서, 비-감지 상태의 터치 센서는 전력을 소모하지 않을 수 있다. 이 대신에, 비-감지 상태의 터치 센서는 적은 양의 전력을 소모하여 더 짧은 자동 활성화(wake up) 시간을 가능하게 할 수 있는데, 자동 활성화 시간은 터치 감지 상태로 전환하는데 걸리는 시간이다. 일부 실시예에서, 비-감지 상태의 터치 센서는 보정 목적으로 환경의 기준치를 감지하기 위하여 가끔(예를 들어, 매초마다 한번) 자동 활성화하고, 이어서 그 직후에 비-감지 상태를 재개할 수 있다. 다른 실시예에서, 비-감지 상태의 터치 센서는 더욱 자주 또는 덜 자주 자동 활성화할 수 있다.블록(202)에서, 버튼이 제1 누름 임계값으로 눌러졌다고 판정될 수 있다. 누름 임계값들은 다양한 실시예들에 따라 상이하게 결정될 수 있다. 하기에서 논의되는 바와 같이, 누름 임계값들은 다른 실시예들 중에서 이중-돔 액추에이터 또는 자기 용량성 액추에이터에 의해 결정될 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 누름 임계값으로 누를 때, 제1 누름 임계값 시간이 결정될 수 있다. 제1 누름 임계값 시간은 향후에 터치 컨텍스트를 결정하는데 이용될 수 있다.블록(204)에서, 터치 센서는 비-감지 상태로부터 터치 감지 상태로 전환될 수 있다. 터치 감지 상태의 터치 센서는, 일부 실시예에서, 터치 이벤트들을 검출하기 위하여 느리게(idly) 스캔하거나 활발히(actively) 스캔할 수 있다. 한 예에서, 느린 스캔 속도는 10 Hz에서 30 Hz의 범위 내에 있을 수 있고, 활발한 스캔 속도는 60 Hz에서 125 Hz의 범위 내에 있을 수 있다. 다른 실시예들은 상이한 속도로 활발히 또는 느리게 스캔할 수 있다. 앞서 논의된 바와 같이, 일부 실시예에서, 비-감지 상태의 터치 센서는 이미 전원이 켜져있을 수 있다. 이에 따라, 터치 센서는 단지 느린 스캐닝 프로세스 또는 활발한 스캐닝 프로세스를 개시함으로써 터치 감지 상태로 전환될 수 있다.일부 실시예에서, 터치 감지 상태의 터치 센서는 터치 이벤트들을 검출하기 위하여 한 번 스캔할 수 있다. 예를 들어, 터치 센서는 터치 센서의 표면 상의 임의의 터치 물체들의 위치를 결정하기 위하여 한 번 스캔할 수 있다. 그러한 경우에, 터치 센서는 단지 단일의 스캔을 개시함으로써 터치 감지 상태로 전환될 수 있다.블록(206)에서, 버튼이 제2 누름 임계값으로 눌러졌다고 판정될 수 있다. 누름 임계값들은 다양한 실시예들에 따라 상이하게 결정될 수 있다. 하기에서 논의되는 바와 같이, 누름 임계값들은 다른 실시예들 중에서 이중-돔 액추에이터 또는 자기 용량성 액추에이터에 의해 결정될 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 누름 임계값으로 누를 때, 제2 누름 임계값 시간이 결정될 수 있다. 제2 누름 임계값 시간은 향후에 터치 컨텍스트를 결정하는데 이용될 수 있다.블록(208)에서, 터치 컨텍스트는 터치 센서의 스캔들 동안 검출되는 터치 이벤트들에 기초하여 결정될 수 있다. 터치 컨텍스트는 터치 센서의 표면 상의 임의의 터치 물체들의 위치들을 포함할 수 있다. 또한, 터치 컨텍스트는 속도와 제스처를 포함하는 터치 물체들의 움직임을 포함할 수 있다. 터치 컨텍스트는 또한 터치다운 시간(예를 들어, 터치 물체가 터치 센서의 상부 표면과 접촉할 때의 시간), 또는 제1 누름 임계값 시간과 제2 누름 임계값 시간 사이의 경과 시간을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 터치 컨텍스트는 터치 센서 상의 접점(들)의 형상 및/또는 터치 물체들의 식별(예를 들어, 특정 손가락 또는 엄지 손가락의 식별)을 포함할 수 있다.블록(210)에서, 입력은 터치 컨텍스트 및 버튼이 제2 누름 임계값으로 눌러졌다는 판정에 기초하여 생성될 수 있다. 일부 실시예에 따라서, 입력을 생성하는 것은 제어 신호의 생성을 포함할 수 있다. 그러한 제어 신호는 연결된 컴퓨팅 시스템에 송신되어, 컴퓨팅 시스템이 제어 신호와 관련된 명령을 실행하도록 야기할 수 있다. 예를 들어, 터치 컨텍스트에 기초하여, 제어 신호는 컴퓨팅 시스템에 송신되어, 컴퓨팅 시스템이 볼륨 레벨을 조절하거나, 애플리케이션을 개시하거나, 또는 커서를 움직이도록 야기할 수 있다.도 3은 본 개시 내용의 실시예들에 따른 터치 이벤트들을 검출하고 터치 감지식 누를 수 있는 버튼(100) 상의 터치 컨텍스트를 결정하는데 이용될 수 있는 예시적인 터치 센서(300)의 일부를 도시한다. 터치 센서(300)는 구동 라인들(301) (D0-D3)의 행(row)들과 감지 라인들(303) (S0-S4)의 열(column)들 사이의 교차 지점들에서 형성될 수 있는 픽셀들(305)의 배열을 포함할 수 있다. 각 픽셀(305)은 구동 라인이 활성화될 때 교차하는 구동 라인(301)과 감지 라인(303) 사이에서 형성되는 관련된 상호 용량 Csig (311)을 가질 수 있다. 구동 라인(301)은 구동 회로(도시되지 않음)에 의해 공급되는 활성화 신호(307)에 의하여 활성화될 수 있고 교류(AC) 파형을 포함할 수 있다. 감지 라인(303)은 패널(300)에 대한 터치를 나타내는 터치 또는 감지 신호(309)를 감지 회로(도시되지 않음)로 전송할 수 있는데, 감지 회로는 각 감지 라인에 대한 감지 증폭기를 포함할 수 있다.터치 센서(300)에서 터치를 감지하기 위하여, 구동 라인(301)은 활성화 신호(307)에 의해 활성화되어 교차하는 감지 라인(303)과 용량성 결합함으로써, 구동 라인(301)으로부터 감지 라인(303)으로 전하를 결합하기 위한 용량성 경로를 형성할 수 있다. 교차하는 감지 라인(303)은 결합된 전하 또는 전류를 나타내는 터치 신호(309)를 출력할 수 있다. 사용자의 손가락(또는 다른 물체)이 패널(300)을 터치할 때, 손가락은 터치 위치에서 용량 Csig (311)이 ΔCsig의 양만큼 감소하도록 야기할 수 있다. 용량 변화 ΔCsig는 활성화된 구동 라인(301)이 터치 위치에서 교차하는 감지 라인(303)에 결합되는 것이 아니라, 터치하는 손가락을 통해 접지에 션트(shunt)되는 것으로부터 발생하는 전하 또는 전류에 의해 야기될 수 있다. 용량 변화 ΔCsig를 나타내는 터치 신호(309)는 감지 라인(303)에 의해 프로세싱을 위한 감지 회로로 송신될 수 있다. 터치 신호(309)는 터치가 발생한 픽셀 및 픽셀 위치에서 발생한 터치 량을 나타낼 수 있다.도 3에 도시되는 실시예는 4개의 구동 라인(301)과 5개의 감지 라인(303)을 포함하지만, 터치 센서(300)는 원하는 개수와 패턴의 픽셀들(305)을 형성하기 위하여 임의의 개수의 구동 라인(301)과 임의의 개수의 감지 라인(303)을 포함할 수 있다고 이해되어야 한다. 또한, 구동 라인(301)과 감지 라인(303)이 도 3에서 교차하는 형상으로 도시되지만, 원하는 픽셀 패턴을 형성하기 위하여 다른 형상들도 가능하다고 이해되어야 한다. 도 3은 상호 용량 터치 감지를 도시하지만, 자기 용량 터치 감지, 저항성 터치 감지, 투사 주사 터치 감지 등과 같은 다른 터치 감지 기술들도 본 기재 내용의 실시예들과 함께 이용될 수 있다. 또한, 다양한 실시예들이 감지되는 터치를 설명하지만, 터치 센서(300)는 또한 호버(hover)하는 물체를 감지하고 그것으로부터 호버 신호들을 생성할 수 있다고 이해되어야 한다.도 4a 내지 도 4c는 본 기재 내용의 실시예들에 따른 이중-돔 액추에이터(404)를 갖는 예시적인 터치 감지식 누를 수 있는 버튼(400)을 도시한다. 이중-돔 액추에이터(404)는 제1 변형가능한 전극 돔(408), 제2 변형가능한 전극 돔(410), 및 제1 전극(412)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 전극 돔은 제1 전극 돔(408)이 제2 전극 돔(410)에 접촉하는 시점을 검출하고, 추가로 제2 전극 돔이 제1 전극(412)에 접촉하는 시점을 검출하기 위하여 마이크로컨트롤러에 각각 연결될 수 있다. 또한, 제1 전극(412)은 마이크로컨트롤러에 연결될 수 있다.도 4a는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 초기 누름 위치에서의 이중-돔 액추에이터(404)를 갖는 예시적인 터치 감지식 누를 수 있는 버튼(400)을 도시한다.도 4b는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 제1 누름 임계값에서의 이중-돔 액추에이터를 갖는 예시적인 터치 감지식 누를 수 있는 버튼(400)을 도시한다. 터치 센서(402)에 가해지는 힘은 제1 변형가능한 전극 돔(408)이 변형되고 제2 변형가능한 전극 돔(410)에 접촉하도록 야기할 수 있다. 제1 및 제2 전극 돔 사이의 접촉은 제1 누름 임계값에 이르렀다는 것을 나타낼 수 있다.도 4c는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 제2 누름 임계값에서의 이중-돔 액추에이터를 갖는 예시적인 터치 감지식 누를 수 있는 버튼(400)을 도시한다. 터치 센서(402)에 가해지는 힘은 제1 변형가능한 전극 돔(408)이 제2 변형가능한 전극 돔(410)에 접촉하고 힘을 가하도록 야기할 수 있다. 이는 제2 전극 돔(410)이 변형되고 제1 전극(412)에 접촉하도록 야기할 수 있다. 제2 전극 돔(410)과 제1 전극(412) 사이의 접촉은 제2 누름 임계값에 이르렀다는 것을 나타낼 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 전극 돔과 제1 전극에 가해지는 전위, 및/또는 돔들을 포함하는 물질의 전기적 저항은, 검출 회로(도시되지 않음)가 제1 및 제2 돔 사이의 접촉 또는 제2 돔과 제1 전극 사이의 접촉을 검출할 수 있게 할 수 있다.다양한 실시예들에 따라서, 제1 및 제2 누름 임계값은 각 변형가능한 전극 돔의 형상 및 성분에 의하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극 돔 사이의 높이 차이는 초기 위치로부터 제1 누름 임계값까지의 거리를 결정할 수 있다. 또한, 제2 전극 돔의 높이는 제1 누름 임계값로부터 제2 누름 임계값까지의 거리를 결정할 수 있다. 일부 실시예에서, 각각의 제1 및 제2 누름 임계값에 이르기 위해 필요한 힘은 각각의 제1 및 제2 전극 돔의 성분, 두께 및 변형 저항에 의하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 변형에 대한 낮은 저항을 갖는 제1 전극 돔은 제1 누름 임계값에 이르기 위해 단지 적은 양의 힘이 필요할 수 있다. 반대로, 변형에 대한 더 높은 저항을 갖는 제2 전극 돔은 제2 누름 임계값에 이르기 위해 더 많은 양의 힘이 필요할 수 있다.도 5a 내지 도 5c는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 자기 용량성 액추에이터(504)를 갖는 예시적인 터치 감지식 누를 수 있는 버튼(500)을 도시한다. 자기 용량성 액추에이터(504)는 자기 용량성 변형가능한 전극 돔(508)과 제1 전극(512)를 포함한다. 자기 용량성 변형가능한 전극 돔(508)은 전극 돔이 제1 전극(512)에 접근함에 따라 제1 전극에 대한 전극 돔의 자기 용량에서의 변화를 검출하고, 추가로 전극 돔이 제1 전극(512)에 접촉하는 시점을 검출하기 위하여 마이크로컨트롤러에 연결될 수 있다. 또한, 제1 전극(512)는 마이크로컨트롤러에 연결될 수 있다.도 5a는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 초기 누름 위치에서의 자기 용량성 액추에이터(504)를 갖는 예시적인 터치 감지식 누를 수 있는 버튼(500)을 도시한다.도 5b는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 제1 누름 임계값에서의 자기 용량성 액추에이터(504)를 갖는 예시적인 터치 감지식 누를 수 있는 버튼(500)을 도시한다. 자기 용량성 변형가능한 전극 돔(508)은 터치 물체(506)의 근접 존재에 의해 변화될 수 있는 접지에 대한 자기 용량을 가질 수 있다. 용량에서의 변화는 제1 누름 임계값에 이르렀다는 것을 나타낼 수 있다.도 5c는 본 개시 내용의 실시예들에 따른 제2 누름 임계값에서의 자기 용량성 액추에이터(504)를 갖는 예시적인 터치 감지식 누를 수 있는 버튼(500)을 도시한다. 터치 센서(502)에 가해지는 힘은 자기 용량성 변형가능한 전극 돔(508)이 제1 전극(512)에 접촉하도록 야기할 수 있다. 전극 돔(508)과 제1 전극(512) 사이의 접촉은 제2 누름 임계값에 이르렀다는 것을 나타낼 수 있다.일부 실시예에서, 다른 구조들이 제1 및 제2 누름 임계값에 이르렀음을 검출하기 위해 이용될 수 있다. 예를 들어, 터치 물체로부터 진동을 감지하는 가속도계는 제1 임계값에 이르렀음을 검출할 수 있고, 단일의 돔-스위치는 제2 누름 임계값에 이르렀음을 검출할 수 있다. 이 대신에, 힘 감지 저항성 시트는 제1 누름 임계값에 이르렀음을 검출할 수 있고, 다시 단일의 돔-스위치는 제2 누름 임계값에 이르렀음을 검출할 수 있다. 추가적인 실시예에서, 다중의 힘 감지 저항성 시트들이 복수의 누름 임계값을 위해 이용될 수 있다. 본 명세서에 개시된 실시예들이 단지 2개의 누름 임계값을 설명하고 도시하지만, 2개를 넘는 누름 임계값 또한 추가적인 구조들을 사용하여 고려될 수 있다고 또한 이해되어야 한다.앞서 설명된 바와 같은 터치 감지식 누를 수 있는 버튼은 버튼의 누름에 기초하거나 버튼의 표면 상에서 수행되는 터치 이벤트 또는 제스처에 기초하여 입력을 생성할 수 있다. 또한, 버튼은 누름과 터치 이벤트 둘 모두에 기초하여 입력을 생성할 수 있다. 예를 들어, 버튼은 버튼 표면의 왼쪽 부분 상에서 손가락에 의해 눌러질 때 제1 입력을 생성하고, 버튼 표면의 오른쪽 부분 상에서 손가락에 의해 눌러질 때 제2 입력을 생성할 수 있다. 이러한 방식으로, 단일의 누를 수 있는 버튼은 버튼이 어디에서 눌러지는지에 따라 복수의 기능을 제공할 수 있다. 또한, 터치 감지식 누를 수 있는 버튼은 복수의 누름 임계값을 검출하고, 이 추가적인 정보를 이용하여 추가적인 기능들, 예컨대 다양한 전력 상태들 사이에서 전환하거나 x 및 y 축 입력에 더하여 z 축 입력을 제공하는 것을 수행할 수 있다.도 6은 앞서 설명된 실시예들 중 하나 이상에서와 같은 터치 감지식 누를 수 있는 버튼을 형성하도록 액추에이터에 결합된 터치 센서 패널(624)를 포함할 수 있는 예시적인 컴퓨팅 시스템(600)을 도시한다. 컴퓨팅 시스템(600)은 하나 이상의 패널 프로세서(602)와 주변기기(604), 및 패널 서브시스템(606)을 포함할 수 있다. 주변기기(604)는 랜덤 액세스 메모리(RAM) 또는 다른 종류의 메모리 또는 저장 장치, 감시 타이머(watchdog timer) 등을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 패널 서브시스템(606)은 하나 이상의 감지 채널들(608), 채널 스캔 로직(610) 및 드라이버 로직(614)을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 채널 스캔 로직(610)은 RAM(612)에 액세스하고, 자체적으로 감지 채널로부터 데이터를 판독하며, 감지 채널에 대한 제어를 제공할 수 있다. 또한, 채널 스캔 로직(610)은 터치 센서 패널(624)의 구동 라인에 선택적으로 가해질 수 있는 다양한 주파수 및 위상의 활성화 신호(616)를 생성하도록 드라이버 로직(614)을 제어할 수 있다. 일부 실시예에서, 패널 서브시스템(606), 패널 프로세서(602) 및 주변기기(604)는 단일의 응용 주문형 집적 회로(ASIC) 내에 통합될 수 있다.다른 감지 매체 또한 이용될 수 있지만, 터치 센서 패널(624)은 복수의 구동 라인과 복수의 감지 라인을 갖는 용량성 감지 매체를 포함할 수 있다. 구동 라인과 감지 라인의 각 교차점은 용량성 감지 노드를 나타내고 화소(픽셀)(626)로 보여질 수 있는데, 이는 터치 센서 패널(624)이 터치의 "이미지"를 캡처하는 것과 같이 보여질 때 특히 유용할 수 있다. (즉, 터치 이벤트가 터치 센서 패널 내 각 터치 센서에서 검출되었는지 패널 서브시스템(606)이 결정한 후에, 터치 이벤트가 발생한 다중-터치 패널 내 터치 센서들의 패턴이 터치의 "이미지" (예를 들어, 패널을 터치하는 손가락들의 패턴)와 같이 보여질 수 있다.) 터치 센서 패널(624)의 각 감지 라인은 패널 서브시스템(606) 내의 감지 채널(608) (또한 본 명세서에서 이벤트 검출 및 복조 회로로서 지칭되는)을 구동할 수 있다.컴퓨팅 시스템(600)은 또한 패널 프로세서(602)로부터 출력을 수신하고 출력에 기초하여 동작을 수행하기 위한 호스트 프로세서(628)를 포함할 수 있는데, 동작은 커서 또는 포인터와 같은 물체를 움직이는 것, 스크롤링 또는 패닝(panning), 제어 설정을 조정하는 것, 파일 또는 문서를 여는 것, 메뉴를 보는 것, 선택하는 것, 명령어를 실행하는 것, 호스트 디바이스에 연결된 주변 디바이스를 작동하는 것, 전화 통화에 응답하는 것, 전화를 거는 것, 전화 통화를 끝내는 것, 볼륨 또는 오디오 설정을 변경하는 것, 전화 통신과 관련된 정보(주소, 자주 거는 번호, 수신한 전화, 놓친 전화와 같은)를 저장하는 것, 컴퓨터 또는 컴퓨터 네트워크에 접속하는 것, 인증된 개인이 컴퓨터 또는 컴퓨터 네트워크의 제한구역에 액세스하는 것을 허가하는 것, 사용자가 선호하는 컴퓨터 데스크톱의 배열과 관련된 사용자 프로파일을 로딩(loading)하는 것, 웹 콘텐츠에의 액세스를 허가하는 것, 특정 프로그램을 개시하는 것, 메시지를 암호화 또는 복호화하는 것 및/또는 등을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 호스트 프로세서(628)는 또한 패널 프로세싱과 관련될 수 있는 추가적인 기능들을 수행할 수 있고, 프로그램 저장 장치(632) 및 디바이스의 사용자에게 UI를 제공하기 위한 LCD 디스플레이와 같은 디스플레이 디바이스(630)에 연결될 수 있다. 터치 센서 패널(624)과 함께 디스플레이 디바이스(630)는, 부분적으로 또는 전체적으로 터치 센서 패널의 하부에 위치될 때, 터치 스크린(618)을 형성할 수 있다. 액추에이터에 결합된 터치 스크린(618)은 앞서 설명된 실시예들 중 하나 이상에서와 같은 터치 감지식 누를 수 있는 버튼을 형성할 수 있다.앞서 설명된 기능들 중 하나 이상은, 예를 들어, 메모리(예를 들어, 주변기기들 중 하나)에 저장되고 패널 프로세서(602)에 의해 실행되거나, 또는 프로그램 저장 장치(632) 내에 저장되고 호스트 프로세서(628)에 의해 실행되는 펌웨어에 의해 수행될 수 있음을 주목해야 한다. 펌웨어는 또한 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의해 사용되기 위한 또는 이와 연결되는 임의의 컴퓨터 판독가능 저장 매체 내에(서) 저장 및/또는 전송될 수 있는데, 예를 들면 컴퓨터 기반 시스템, 프로세서-포함 시스템, 또는 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스로부터 명령어를 인출 및 실행할 수 있는 다른 시스템과 같은 것이다. 본 문서의 맥락에서, "컴퓨터 판독가능 저장매체"는 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의해 사용되기 위한 또는 이와 연결되는 프로그램을 포함하거나 저장할 수 있는 임의의 매체일 수 있다. 컴퓨터 판독가능한 저장 매체는 전자, 자기, 광학, 전자기, 적외선, 또는 반도체 시스템, 장치 또는 디바이스, 휴대용 컴퓨터 디스켓(자기), 랜덤 액세스 메모리(RAM) (자기), 읽기 전용 메모리(ROM) (자기), 소거가능하고 프래그램가능한 읽기 전용 메모리(EPROM) (자기), CD, CD-R, CD-RW, DVD, DVD-R, 또는 DVD-RW와 같은 휴대용 광학 디스크, 또는 콤팩트 플래시 카드와 같은 플래시 메모리, 보안 디지털 카드(secured digital card), USB 메모리 디바이스, 메모리 스틱 등을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.펌웨어는 또한 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의해 사용하기 위한 또는 이와 연결되는 임의의 전송 매체 내에서 전파될 수 있는데, 예를 들면 컴퓨터 기반 시스템, 프로세서-포함 시스템, 또는 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스로부터 명령어를 인출 및 실행할 수 있는 다른 시스템과 같은 것이다. 본 문서의 맥락에서, "전송 매체"는 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의해 사용하기 위한 또는 이와 연결되는 프로그램을 통신, 전파 또는 전송할 수 있는 임의의 매체일 수 있다. 전송 판독가능한 매체는 전자, 자기, 광학, 전자기 또는 적외선의 유선 또는 무선 전파 매체를 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.도 7a는 터치 센서 패널(724)과 디스플레이 디바이스(730)를 포함할 수 있는 예시적인 이동 전화(736)를 도시하는데, 터치 센서 패널은 앞서 설명된 실시예들 중 하나 이상에서와 같은 터치 감지식 누를 수 있는 버튼을 형성하도록 액추에이터에 결합된다.도 7b는 터치 센서 패널(724)과 디스플레이 디바이스(730)를 포함할 수 있는 예시적인 디지털 매체 재생기(740)를 도시하는데, 터치 센서 패널은 앞서 설명된 실시예들 중 하나 이상에서와 같은 터치 감지식 누를 수 있는 버튼을 형성하도록 액추에이터에 결합된다.도 7c는 터치 센서 패널(트랙패드)(724)과 디스플레이(730)를 포함할 수 있는 예시적인 개인용 컴퓨터(744)를 도시하는데, 개인용 컴퓨터의 터치 센서 패널 및/또는 디스플레이(디스플레이가 터치 스크린의 부분인 실시예에서)는 앞서 설명된 실시예들 중 하나 이상에서와 같은 터치 감지식 누를 수 있는 버튼을 형성하도록 액추에이터에 결합된다.일부 예에서, 터치 감지식 누를 수 있는 버튼이 개시된다. 버튼은 터치 센서의 표면 상의 터치 이벤트들을 검출하기 위한 터치 센서; 및 터치 센서에 결합되고 초기 위치로부터 제1 및 제2 둘 모두의 누름 임계값까지 누를 수 있는 액추에이터를 포함할 수 있고; 터치 센서는 액추에이터가 제1 누름 임계값으로 눌러질 때 비-감지 상태로부터 감지 상태로 전환하도록 구성될 수 있으며; 터치 센서는 액추에이터가 제2 누름 임계값으로 눌러질 때 탐지되는 터치 이벤트들에 기초하여 터치 컨텍스트를 결정하도록 구성될 수 있다. 앞서 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 액추에이터는: 제1 변형가능한 전극 돔; 제1 전극 돔 내의 제2 변형가능한 전극 돔; 및 제2 전극 돔 내의 제1 전극을 포함할 수 있고; 제1 전극 돔은 액추에이터가 제1 누름 임계값으로 눌러질 때 제2 전극 돔에 접촉하도록 구성될 수 있고; 제2 전극 돔은 액추에이터가 제2 누름 임계값으로 눌러질 때 제1 전극에 접촉하도록 구성될 수 있다. 앞서 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 액추에이터는: 자기 용량성 변형가능한 전극 돔; 전극 돔 내의 제1 전극을 포함할 수 있고; 전극 돔은 액추에이터가 제1 누름 임계값으로 눌러질 때 근접 터치 물체의 존재를 검출하도록 구성될 수 있고; 전극 돔은 액추에이터가 제2 누름 임계값으로 눌러질 때 제1 전극에 접촉하도록 구성될 수 있다. 앞서 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 버튼은 터치 센서와 액추에이터 사이에 배치되는 디스플레이 디바이스를 더 포함할 수 있다. 앞서 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 버튼은 컴퓨팅 시스템 내에 통합될 수 있다.일부 예에서, 터치 감지식 누를 수 있는 버튼으로부터 입력을 생성하기 위한 방법이 개시된다. 방법은: 버튼의 터치 센서를 비-감지 상태로 설정하는 단계; 버튼이 제1 누름 임계값으로 눌러졌다고 판정하는 단계; 버튼이 제1 누름 임계값으로 눌러졌다는 판정에 기초하여 터치 센서를 감지 상태로 전환하는 단계; 버튼이 제2 누름 임계값으로 눌러졌다고 판정하는 단계; 터치 센서 상에서 수행되는 터치 이벤트에 기초하여 터치 컨텍스트를 결정하는 단계; 및 터치 컨텍스트에 기초하여 입력을 생성하는 단계를 포함할 수 있다. 앞서 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 터치 센서를 비-감지 상태로 설정하는 단계는 터치 이벤트들에 대하여 스캐닝하지 않으면서 터치 센서에 전력을 공급하는 단계를 포함할 수 있다. 앞서 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 버튼이 제1 누름 임계값으로 눌러졌다고 판정하는 단계는 제1 전극이 제2 전극에 접촉했다고 판정하는 단계를 포함할 수 있다. 앞서 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 버튼이 제2 누름 임계값으로 눌러졌다고 판정하는 단계는 제2 전극이 제3 전극에 접촉했다고 판정하는 단계를 포함할 수 있다. 앞서 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 터치 센서를 감지 상태로 전환하는 단계는 터치 이벤트들을 검출하기 위한 스캐닝 프로세스를 개시하는 단계를 포함할 수 있다. 앞서 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 방법은 터치 센서 상에서 수행되는 터치 이벤트를 검출하기 위하여 터치 센서를 스캐닝하는 단계를 더 포함할 수 있다. 앞서 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 터치 컨텍스트는 터치 물체의 움직임을 포함할 수 있다. 앞서 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 터치 물체의 움직임은 터치 물체의 속도 또는 터치 물체의 제스처 중 하나를 포함할 수 있다. 앞서 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 터치 컨텍스트는 터치 물체의 위치를 포함할 수 있다. 앞서 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 터치 컨텍스트는 터치다운 시간을 포함할 수 있다. 앞서 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 방법은: 버튼이 제1 누름 임계값으로 눌러졌다는 판정에 기초하여 제1 누름 임계값 시간을 결정하는 단계; 버튼이 제2 누름 임계값으로 눌러졌다는 판정에 기초하여 제2 누름 임계값 시간을 결정하는 단계; 및 제1 누름 임계값 시간과 제2 누름 임계값 시간 사이의 경과 시간을 결정하는 단계를 더 포함할 수 있고; 터치 컨텍스트는 경과 시간을 포함할 수 있다. 앞서 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 방법은: 생성된 입력에 기초하여 컴퓨팅 시스템에 명령을 전송하는 단계를 더 포함할 수 있다. 앞서 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 명령은 볼륨 레벨을 조절하는 것, 애플리케이션을 개시하는 것, 또는 커서를 움직이는 것 중 하나를 포함할 수 있다.일부 예에서, 컴퓨팅 시스템이 개시된다. 컴퓨팅 시스템은: 프로세서; 메모리; 및 터치 감지식 누를 수 있는 버튼을 포함할 수 있고; 버튼은 터치 센서의 표면 상의 터치 이벤트들을 검출하기 위한 터치 센서; 및 터치 센서에 결합되고 초기 위치로부터 제1 및 제2 둘 모두의 누름 임계값까지 누를 수 있는 액추에이터를 포함할 수 있고; 터치 센서는 액추에이터가 제1 누름 임계값으로 눌러질 때 비-감지 상태로부터 감지 상태로 전환하도록 구성될 수 있으며; 터치 센서는 액추에이터가 상기 제2 누름 임계값으로 눌러질 때 탐지된 터치 이벤트들에 기초하여 터치 컨텍스트를 결정하도록 구성될 수 있다.개시된 실시예들이 첨부의 도면들을 참조하여 충분히 설명되었지만, 통상의 기술자에게 다양한 변경들 및 수정들이 명백할 것이라는 것에 주목하여야 한다. 그러한 변경들 및 수정들은 첨부된 청구항들에 의해 정의되는 바와 같은 개시된 실시예들의 범주 내에 포함되는 것과 같이 이해되어야 한다.
복수의 누름 임계값을 갖는 터치 감지식 누를 수 있는 버튼이 제공된다. 버튼이 제1 누름 임계값으로 눌러질 때, 터치 센서는 저전력 비-감지 상태로부터 감지 상태로 전환될 수 있다. 버튼이 제2 누름 임계값으로 눌러질 때, 터치 센서는 터치 컨텍스트를 감지하고 누름과 터치 컨텍스트에 기초하여 입력이 생성될 수 있다. 이러한 방식으로, 복수의 누름 임계값을 갖는 터치 감지식 누를 수 있는 버튼은 터치 센서가 감지 상태로 적시에 전환하는 것을 가능하게 할 수 있다.